(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、
前記積層構造体の前記第１主面側または前記第２主面側には、複数の開口部を有するソルダーレジストが配設され、
前記複数の第１主面側接続端子または前記複数の第２主面側接続端子は、主体をなす銅層と銅以外の１種以上の金属からなる金属層とにより構成されるとともに、前記ソルダーレジストに接している最外層の樹脂絶縁層に埋設され、
前記銅層の主面側外周部は、前記ソルダーレジストにより覆われ、
前記銅層の主面側中央部に存在し入口が狭く内部が広くなっている凹所には、前記金属層の少なくとも一部が埋まり込むようにして設けられ、
前記金属層の少なくとも一部は、前記複数の開口部を介して露出しており、
前記金属層は金層とニッケル層とを含んで構成され、前記開口部の外周縁を含む前記ソルダーレジストの内層側の表面が前記銅層と接するとともに、前記金層が前記ソルダーレジストと接しない
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーレジストと前記最外層の樹脂絶縁層との界面に存在する前記導体層は、前記最外層の樹脂絶縁層側に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記銅層の表面から前記金属層が突出しないことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同じ樹脂絶縁材料を主体とした複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有する一方で、両面にビルドアップ層を順次形成していくいわゆるコア基板を製品として有しない多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
ところで近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さない基板とすることが提案されている（例えば特許文献１，２参照）。特許文献１，２に記載の多層配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４１４６８６４号公報（図１、図４など）
【特許文献２】特開２００９−１４１１２１号公報（図７など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記従来の配線基板における接続端子１０８には、内層側からニッケルめっき層１０９ａ及び金めっき層１０９ｂの２層のめっき層が形成されている（図１６参照）。この接続端子１０８上にはんだ１１０を形成する場合、接続端子１０８の表層側に存在する金が溶融したはんだ１１０中に拡散してしまい、端子外面１０８ａの外周部においてソルダーレジスト１０５との間に隙間が生じてしまう。この場合、ソルダーレジスト１０５と接続端子１０８とが密着しなくなるため、接続端子１０８の密着強度が低下してしまう。従って、このような場合には信頼性の高い配線基板とすることが困難になる。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続端子の密着強度を十分に高めることができ、信頼性の高い多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、前記積層構造体の第１主面側には複数の第１主面側接続端子が配置され、前記積層構造体の第２主面側には複数の第２主面側接続端子が配置され、前記複数の導体層は、前記複数の樹脂絶縁層に形成され、前記第１主面側または前記第２主面側に向うに従って拡径したビア導体により接続されている多層配線基板であって、前記積層構造体の前記第１主面側または前記第２主面側には、複数の開口部を有するソルダーレジストが配設され、前記複数の第１主面側接続端子または前記複数の第２主面側接続端子は、主体をなす銅層と銅以外の１種以上の金属からなる金属層とにより構成されるとともに、前記ソルダーレジストに接している最外層の樹脂絶縁層に埋設され、前記銅層の主面側外周部は、前記ソルダーレジストにより覆われ、前記銅層の主面側中央部に存在し入口が狭く内部が広くなっている凹所には、前記金属層の少なくとも一部が埋まり込むようにして設けられ、前記金属層の少なくとも一部は、前記複数の開口部を介して露出しており、前記金属層は金層とニッケル層とを含んで構成され、前記開口部の外周縁を含む前記ソルダーレジストの内層側の表面が前記銅層と接するとともに、前記金層が前記ソルダーレジストと接しないことを特徴とする多層配線基板がある。
【０００９】
従って、手段１に記載の発明によると、同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層され、コアを含まないコアレス配線基板として多層配線基板が形成されている。この多層配線基板において、積層構造体の第１主面側または第２主面側には、複数の開口部を有するソルダーレジストが配設され、第１主面側接続端子または第２主面側接続端子の主体をなす銅層の主面側外周部がソルダーレジストにより覆われる。この場合、従来のようにソルダーレジストと銅層との界面に金めっき層が介在しないので、はんだ接続時にソルダーレジストと端子外面の外周部との間に隙間が生じることがなく、接続端子の密着強度を十分に高めることができる。また、銅層の主面側中央部に存在する凹所には、金属層の少なくとも一部が埋まり込むようにして設けられているので、接続端子の厚さを薄くすることができる。
【００１０】
ソルダーレジストと最外層の樹脂絶縁層との界面に存在する導体層は、最外層の樹脂絶縁層側に埋まっていることが好ましい。この場合、複数の第１主面側接続端子または複数の第２主面側接続端子と同一界面に導体層が存在することとなる。そして、導体層が各接続端子と同様に最外層の樹脂絶縁層側に埋まっているので、配線パターンなどの導体層間や各接続端子との絶縁性を十分に確保することができる。従って、各配線を比較的狭いピッチで設けることできるため、多層配線基板の高集積化を図ることができる。
【００１１】
銅層の主面側中央部に存在する凹所は、入口が狭く内部が広くなっている。このようにすると、銅層と金属層との接触面積を増やすことができ、金属層を十分な強度で設けることができる。
【００１２】
金属層は、ニッケル層と金層とを含んで構成される。金属層を構成するニッケル層及び金層は、例えば電解めっきや無電解めっきにて形成される。また、金属層としては、例えばニッケルめっき層と金めっき層との間にパラジウム層が設けられていてもよい。このように金属層を形成すると、接続端子のはんだ接続を確実に行うことができる。
【００１３】
ソルダーレジストが積層構造体の第１主面側に配置され、第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品でありＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、複数の第１主面側接続端子として存在していてもよい。このようにすると、ＩＣチップ接続端子及び受動部品接続端子とソルダーレジストとの密着性を十分に高めることができる。また、ＩＣチップ接続端子や受動部品接続端子の厚さを薄くすることができる。なお、ソルダーレジストは、ＩＣチップが搭載される第１主面側の反対側、具体的には、母基板が接続される第２主面側に設けられてもよい。
【００１４】
複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、いずれも第１主面側から第２主面側に向うに従って拡径した形状を有していてもよい。また逆に、複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、いずれも第２主面側から第１主面側に向うに従って拡径した形状を有していてもよい。このようにすると、コア基板を有さないコアレス配線基板を確実に製造することができる。
【００１５】
複数の樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。なお、本発明において、「同じ樹脂絶縁材料を主体とする複数の樹脂絶縁層」とは、例えば熱硬化性樹脂に含浸させる上記有機繊維等の添加物に違いがあったとしても、主体となる熱硬化性樹脂が同じであれば、その具体例に該当する。また、「ソルダーレジスト」とは、耐熱性被覆材料であり、はんだ付け作業の際にこの部分にはんだが付かないようにするレジストのことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図。
【図２】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す平面図。
【図４】第１の実施の形態におけるＩＣチップ接続端子の構成を示す拡大断面図。
【図５】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】第１の実施の形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】第２の実施の形態における多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図。
【図１４】第２の実施の形態におけるＩＣチップ接続端子の構成を示す拡大断面図。
【図１５】別の実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図。
【図１６】従来の配線基板を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を多層配線基板に具体化した第１の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す拡大断面図である。また、図２は、上面側から見た多層配線基板の平面図であり、図３は、下面側から見た多層配線基板の平面図である。
【００１８】
図１に示されるように、多層配線基板１０は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした樹脂絶縁層２１，２２，２３と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部３０（積層構造体）を有している。各樹脂絶縁層２１〜２３は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。多層配線基板１０において、配線積層部３０の上面３１側（第１主面側）には、複数の接続端子４１，４２（第１主面側接続端子）が配置されている。
【００１９】
図１及び図２に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の上面３１側に配置される複数の接続端子４１，４２として、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子４１と、接続対象がチップコンデンサであるコンデンサ接続端子４２とが存在している。配線積層部３０の上面３１側において、複数のＩＣチップ接続端子４１は、基板中央部に設けられたチップ搭載領域４３にてアレイ状に配置されている。また、コンデンサ接続端子４２は、ＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きい接続端子であり、チップ搭載領域４３よりも外周側に配置されている。
【００２０】
一方、図１及び図３に示されるように、配線積層部３０の下面３２側（第２主面側）には、接続対象がマザーボード（母基板）であるＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）用の複数の接続端子４５（第２主面側接続端子としての母基板接続端子）がアレイ状に配置されている。これら母基板接続端子４５は、上面３１側のＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２よりも面積の大きな接続端子である。
【００２１】
樹脂絶縁層２１，２２，２３には、それぞれビア穴３３及びフィルドビア導体３４が設けられている。各ビア導体３４は、いずれも同一方向に（図１では上面側から下面側に向かうに従って）拡径した形状を有し、各導体層２６、ＩＣチップ接続端子４１、コンデンサ接続端子４２、及び母基板接続端子４５を相互に電気的に接続している。
【００２２】
配線積層部３０の上面３１側において、最外層の樹脂絶縁層２３の表面はソルダーレジスト２５によってほぼ全体的に覆われており、ソルダーレジスト２５には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２を露出させる複数の開口部３５，３６が形成されている。本実施の形態のソルダーレジスト２５は、内層側の樹脂絶縁層２１〜２３と同じ樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成された樹脂絶縁層である。
【００２３】
図１及び図４に示されるように、ＩＣチップ接続端子４１は、主体をなす銅層４４と銅以外の金属からなるめっき層４６（具体的には、ニッケルめっき層４６ａ及び金めっき層４６ｂからなる金属層）とにより構成されている。コンデンサ接続端子４２も、主体をなす銅層４４と銅以外の金属からなるめっき層４６（ニッケルめっき層４６ａ及び金めっき層４６ｂからなる金属層）とにより構成されている。なお、めっき層４６を構成するニッケルめっき層４６ａは、８μｍ程度の厚さであり、金めっき層４６ｂは、０．１μｍ程度の厚さである。また、銅層４４は２５μｍ程度の厚さである。
【００２４】
ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２は、ソルダーレジスト２５に接している最外層の樹脂絶縁層２３に埋設され、銅層４４の主面側外周部４４ａがソルダーレジスト２５により覆われている。また、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２において、銅層４４の主面側中央部４４ｂには凹所４７が存在し、その凹所４７にめっき層４６が埋まり込むようにして設けられている。凹所４７は、入り口が狭く内部が広くなっている（図４参照）。そして、凹所４７に埋まり込むめっき層４６は端部が丸みを帯びた形状となっている。また、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２を構成するめっき層４６の表面が開口部３５，３６を介して露出している。
【００２５】
本実施の形態では、ソルダーレジスト２５と樹脂絶縁層２３との界面にＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２が存在しており、その同一界面に導体層２６の配線パターンが形成されている。この導体層２６も各接続端子４１，４２と同様に、最外層の樹脂絶縁層２３側に埋設されている。
【００２６】
また、配線積層部３０の下面３２側において、最外層の樹脂絶縁層２１の表面はソルダーレジスト２８によってほぼ全体的に覆われており、ソルダーレジスト２８には、母基板接続端子４５を露出させる開口部３７が形成されている。ソルダーレジスト２８は、光硬化性を付与した樹脂材料の硬化物を主体として構成されている。母基板接続端子４５は、銅層４４を主体として構成されており、開口部３７の直径よりも大きな直径を有している。母基板接続端子４５において、銅層４４の主面側外周部がソルダーレジスト２８により覆われており、開口部３７にて露出する中央部には、銅以外の金属からなるめっき層４８（具体的には、ニッケルめっき層４８ａ及び金めっき層４８ｂ）が形成されている。そして、母基板接続端子４５上に、図示しないはんだを介してマザーボードが接続されるようになっている。
【００２７】
また、多層配線基板１０において、樹脂絶縁層２１とソルダーレジスト２８との界面には、母基板接続端子４５以外に、配線パターンを形成する導体層２６が形成されている。この導体層２６は、母基板接続端子４５と同様にソルダーレジスト２８側に埋まっている。
【００２８】
上記構成の多層配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。
【００２９】
先ず、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層２１〜２３及び導体層２６をビルドアップして配線積層部３０を形成する。
【００３０】
詳述すると、図５に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、基材５２の下地樹脂絶縁層５１の上面に、積層金属シート体５４を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６（一対の金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００３１】
次に、金属層形成工程を行う。具体的には、積層金属シート体５４の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。その結果、各接続端子４１，４２に対応した箇所に開口部を有する所定のパターンのめっきレジストを形成する。そして、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、積層金属シート体５４上に金属導体部５８を形成した後、めっきレジストを剥離する（図６参照）。また、樹脂絶縁層との密着性を高めるために金属導体部５８表面の粗化（ＣＺ処理）を行う。
【００３２】
その後、基材５２上において、金属導体部５８が形成された積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層（後にソルダーレジスト２５となる樹脂絶縁層）を配置し、樹脂絶縁層２５を貼り付ける。この樹脂絶縁層２５は、積層金属シート体５４及び金属導体部５８と密着するとともに、積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する。
【００３３】
そして、図７に示されるように、例えばバフ研磨を行うことにより、金属導体部５８の上端面を樹脂絶縁層２５から露出させる。その後、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて金属導体部５８上のスミアを除去するデスミア工程を行う。デスミア工程の後、電解金めっき及び電解ニッケルめっきを行い、樹脂絶縁層２５から露出している金属導体部５８の上端面に、各接続端子４１，４２のめっき層４６となるめっき部を形成する。めっき部は、金属導体部５８の上端面を覆うように形成された金めっき層４６ｂと、さらにその金めっき層４６ｂを覆うように形成されたニッケルめっき層４６ａとを有し、金属導体部５８の上端面から盛り上がった形状となる。
【００３４】
次に、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２５や金属導体部５８上のめっき層４６を覆う無電解めっき層５９を形成する（図８参照）。その後、樹脂絶縁層２５の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。この結果、各接続端子４１，４２や導体層２６に対応した位置に開口部を有する所定のパターンのめっきレジストを形成する。そして、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、開口部内に銅層４４や導体層２６となる銅めっき部を形成した後、めっきレジストを剥離する。
【００３５】
さらに、エッチングを行い、樹脂絶縁層２５の表面において無電解めっき層５９の露出箇所を部分的に除去する。この結果、各接続端子４１，４２を構成する銅層４４がめっき層４６を包み込むように形成されるとともに導体層２６が形成される（銅層形成工程）。
【００３６】
銅層形成工程後、ビルドアップ工程を行う。ビルドアップ工程では、先ず銅層４４及び導体層２６が形成された樹脂絶縁層２５の上面にシート状の樹脂絶縁層２３を配置し、樹脂絶縁層２３を貼り付ける（図９参照）。そして、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２３の所定の位置（接続端子４１の上部の位置）にビア穴３３を形成する。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴３３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００３７】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴３３内にビア導体３４を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２３上に導体層２６をパターン形成する。
【００３８】
また、他の樹脂絶縁層２２，２１及び導体層２６についても、上述した樹脂絶縁層２３及び導体層２６と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２３上に積層していく。そして、最外層の樹脂絶縁層２１上に母基板接続端子４５や導体層２６を形成する（図１０参照）。
【００３９】
さらに、最外層の樹脂絶縁層２１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト２８を形成する。そして、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２８に開口部３７をパターニングする。この結果、母基板接続端子４５における中央部がソルダーレジスト２８の開口部３７から露出される。また、導体層２６の表面はソルダーレジスト２８によって被覆される。その後、開口部３７から露出している母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。これにより、ニッケルめっき層４８ａ及び金めっき層４８ｂからなるめっき層４８を母基板接続端子４５の表面に形成する（図１１参照）。
【００４０】
上述したビルドアップ工程によって、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２１〜２３，２５及び導体層２６を積層した配線積層体６０を形成する。なお図１１に示されるように、配線積層体６０において積層金属シート体５４上に位置する領域が、多層配線基板１０の配線積層部３０となる部分である。
【００４１】
ビルドアップ工程後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する。この際、図１１に示すように、配線積層部３０とその周囲部６４との境界（図１１では矢印で示す境界）において、配線積層部３０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２５にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部６４の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２５との密着部分が失われる。この結果、配線積層部３０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００４２】
ここで、図１２に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２５）の下面上にある銅箔５５を露出させる。さらに、配線積層部３０の下面側において、露出した銅箔５５及び金属導体部５８をエッチング除去する（基材除去工程）。
【００４３】
具体的には、配線積層部３０の上面において、エッチングレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、表面全体を覆うエッチングレジストを形成する。この状態で、配線積層部３０に対してエッチングを行うことで、銅箔５５を全体的に除去するとともに、金属導体部５８を除去する。また、エッチング後に、配線積層部３０の上面に形成したエッチングレジストを除去する。この結果、樹脂絶縁層２５に開口部３５，３６が形成されるとともに、各開口部３５，３６を介してＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２の表面（めっき層４６の表面）が露出される。なおこのとき、各接続端子４１，４２のめっき層４６（具体的には、表層側にある金めっき層４６ｂ）は、銅よりもエッチングレートが低いため、エッチングストップ層として機能し、開口部３５，３６の内層側に残る。
【００４４】
以上の工程を経ることで図１の多層配線基板１０を製造する。
【００４５】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４６】
（１）本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の上面３１に複数の開口部３５，３６を有するソルダーレジスト２５が配設され、ソルダーレジスト２５と接している最外層の樹脂絶縁層２３に複数のＩＣチップ接続端子４１と複数のコンデンサ接続端子４２とが埋設されている。各接続端子４１，４２は、主体をなす銅層４４と銅以外の２種類の金属からなるめっき層４６とにより構成され、銅層４４の主面側外周部４４ａは、ソルダーレジスト２５により覆われている。このように構成すると、ソルダーレジスト２５と銅層４４との界面に金めっき層が介在しないので、従来のようにはんだ接続時にソルダーレジスト２５と端子外周部との間に隙間が生じることがなく、ソルダーレジスト２５と各接続端子４１，４２との密着強度を十分に高めることができる。また、銅層４４の主面側中央部４４ｂに存在する凹所４７には、めっき層４６が埋まり込むようにして設けられているので、接続端子４１，４２の厚さを薄くすることができる。さらに、接続端子４１，４２において銅層４４の表面からめっき層４６が突出していないので、ソルダーレジスト２５の開口部３５，３６の深さを十分に確保することができる。この場合、銅層４４の表面からめっき層４６が突出する場合と比較して、ソルダーレジスト２５の厚さを薄くすることができ、多層配線基板１０の薄型化が可能となる。
【００４７】
（２）本実施の形態の多層配線基板１０では、ソルダーレジスト２５と最外層の樹脂絶縁層２３との界面には、複数のＩＣチップ接続端子４１と複数のコンデンサ接続端子４２が存在するとともに、配線パターンを形成する導体層２６が存在している。この導体層２６は、各接続端子４１，４２と同様に樹脂絶縁層２３側に埋まっている。このようにすると、配線パターンを形成する導体層２６間や接続端子４１，４２との絶縁性を十分に確保することができる。従って、各配線を比較的狭いピッチで設けることできるため、多層配線基板１０の高集積化を図ることができる。
【００４８】
（３）本実施の形態では、銅層４４の主面側中央部４４ｂに存在する凹所４７は、入口が狭く内部が広くなっている。この場合、銅層４４とめっき層４６との接触面積を増やすことができ、めっき層４６を十分な強度で設けることができる。従って、各接続端子４１，４２の強度を高めることができ、多層配線基板１０の信頼性を向上させることができる。
【００４９】
（４）本実施の形態の多層配線基板１０では、配線積層部３０の下面３２に複数の開口部３７を有するソルダーレジスト２８が配設され、ソルダーレジスト２８の各開口部３７に対応する位置に複数の母基板接続端子４５が設けられている。この母基板接続端子４５においても、主体をなす銅層４４の主面側外周部がソルダーレジスト２８により覆われている。母基板接続端子４５においても、ソルダーレジスト２８と銅層４４との界面に金めっき層が介在していない。従って、はんだ接続時において、ソルダーレジスト２８と端子外周部との間に隙間が生じることがなく、接続端子４５の密着強度を十分に高めることができる。
［第２の実施の形態］
【００５０】
次に、本実施の形態を具体化した第２の実施の形態を図面に基づき説明する。図１３に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０Ａは、配線積層部３０の上面３１側に形成されるＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２のめっき層４６の構造、及びその製造方法が上記第１の実施の形態と異なる。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５１】
図１３及び図１４に示されるように、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２において、めっき層４６の一部が銅層４４に埋まり込むようにして設けられている。本実施の形態においても、めっき層４６は、ニッケルめっき層４６ａと金めっき層４６ｂとにより構成されており、ニッケルめっき層４６ａの一部が銅層４４の主面側中央部４４ｂに形成された凹所４７内に設けられている。また、開口部３５，３６において、銅層４４の凹所４７から突出したニッケルめっき層４６ａの表面に金めっき層４６ｂが設けられている。なお、多層配線基板１０Ａにおいて、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２以外の構成（母基板接続端子４５、導体層２６、樹脂絶縁層２１〜２３等）は、上記第１の実施の形態の多層配線基板１０と同じである。
【００５２】
本実施の形態の多層配線基板１０Ａは以下の手順で作製される。
【００５３】
先ず、第１の実施の形態と同様の工程を行い、図７に示されるように、基材５２上において金属導体部５８が形成された積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２５を配置した後、バフ研磨を行って金属導体部５８の上端面を樹脂絶縁層２５から露出させる。その後、電解ニッケルめっきを行い、樹脂絶縁層２５から露出している金属導体部５８の上端面に、ニッケルめっき層４６ａを形成する。
【００５４】
次に、無電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層２０や金属導体部５８上のニッケルめっき層４６ａを覆う無電解めっき層５９を形成する。その後、樹脂絶縁層２５の上面にめっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことで、各接続端子４１，４２や導体層２６に対応した位置に開口部を有する所定のパターンのめっきレジストを形成する。そして、めっきレジストを形成した状態で選択的に電解銅めっきを行って、銅層４４や導体層２６となる銅めっき部を形成した後、めっきレジストを剥離する。
【００５５】
さらに、エッチングを行い、樹脂絶縁層２５の表面において無電解めっき層５９の露出箇所を部分的に除去する。この結果、各接続端子４１，４２を構成する銅層４４がニッケルめっき層４６ａを包み込むように形成されるとともに導体層２６が形成される（銅層形成工程）。
【００５６】
その後、上記第１の実施の形態と同様にビルドアップ工程を行うことで、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２１〜２３，２５及び導体層２６を積層した配線積層体６０を形成する。さらに、配線積層体６０をダイシング装置により切断し、配線積層部３０の周囲領域を除去する。
【００５７】
そして、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部３０から基材５２を除去して配線積層部３０（樹脂絶縁層２５）の下面上にある銅箔５５を露出させる。さらに、配線積層部３０の下面側において、露出した銅箔５５及び金属導体部５８をエッチング除去する。この結果、樹脂絶縁層２５に開口部３５，３６が形成されるとともに、各開口部３５，３６を介してニッケルめっき層４６ａの表面が露出される。なおこのとき、ニッケルめっき層４６ａは、銅よりもエッチングレートが低いため、エッチングストップ層として機能し、開口部３５，３６の内層側に残る。
【００５８】
その後、樹脂絶縁層２１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト２８を形成する。そして、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２８に開口部３７をパターニングする。この結果、母基板接続端子４５における中央部がソルダーレジスト２８の開口部３７から露出される。また、導体層２６の表面はソルダーレジスト２８によって被覆される。
【００５９】
その後、開口部３５から露出しているＩＣチップ接続端子４１のニッケルめっき層４６ａの表面、開口部３６から露出しているコンデンサ接続端子４２のニッケルめっき層４６ａの表面、及び開口部３７から露出している母基板接続端子４５の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施す。ここで、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２では、銅層４４の凹所４７内のニッケルめっき層４６ａに対して無電解ニッケルめっきが施される。この結果、開口部３５，３６内において銅層４４の凹所４７から突出するようニッケルめっき層４６ａが形成され、さらにそのニッケルめっき層４６ａを覆うように金めっき層４６ｂが形成される。また、母基板接続端子４５では、開口部３７内にて露出した中央部表面にニッケルめっき層４８ａ及び金めっき層４８ｂが形成される。以上の工程を経ることで図１３の多層配線基板１０Ａを製造する。
【００６０】
本実施の形態の多層配線基板１０Ａにおいても、上記第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、多層配線基板１０Ａでは、各接続端子４１，４２のめっき層４６が開口部３５，３６側に出っ張った形状となっているので、めっき層４６とソルダーレジスト２５との密着面積が増し、接続端子４１，４２とソルダーレジスト２５との境界部分に加わる応力を抑えることができる。
【００６１】
なお、本発明の各実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００６２】
・上記各実施の形態では、ＩＣチップ接続端子４１やコンデンサ接続端子４２が形成される上面３１（第１主面）側から樹脂絶縁層２１〜２３及び導体層２６を積層して多層配線基板１０，１０Ａを製造したが、これに限定されるものではない。母基板接続端子４５が形成される下面３２（第２主面）側から樹脂絶縁層２１〜２３及び導体層２６を積層して多層配線基板を製造してもよい。図１５には、下面３２（第２主面）側から積層した多層配線基板１０Ｂを示している。
【００６３】
図１５の多層配線基板１０Ｂは、同じ樹脂絶縁材料を主体とした樹脂絶縁層２０，２１，２２，２３，２４と銅からなる導体層２６とを交互に積層して多層化した配線積層部３０Ａ（積層構造体）を有している。多層配線基板１０Ｂにおいて、配線積層部３０Ａの下面３２を覆う樹脂絶縁層２０と上面３１を覆う樹脂絶縁層２４とがソルダーレジストとして機能する。樹脂絶縁層２０には、母基板接続端子４５を露出させる複数の開口部３７が形成され、樹脂絶縁層２４には、ＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２を露出させる複数の開口部３５，３６が形成されている。配線積層部３０ＡのＩＣチップ接続端子４１及びコンデンサ接続端子４２において、開口部３５，３６から露出する表面にめっき層４６（ニッケルめっき層４６ａ及び金めっき層４６ｂ）が形成されている。
【００６４】
さらに、配線積層部３０Ａの母基板接続端子４５において、主体をなす銅層４４の主面側中央部４４ｂには凹所４７が存在し、その凹所４７にめっき層４８（ニッケルめっき層４８ａ及び金めっき層４８ｂ）が埋まり込むようにして設けられている。また、配線積層部３０Ａにおいて、複数の樹脂絶縁層２０〜２４に形成される複数の導体層２６は、下面３２側から上面３１側に向かうに従って拡径したビア導体３４により互いに接続されている。
【００６５】
図１５の多層配線基板１０Ｂにおいても、ソルダーレジストとなる樹脂絶縁層２０と母基板接続端子４５の銅層４４と間に金めっき層が介在していないので、樹脂絶縁層２０と母基板接続端子４５との密着強度を十分に確保することができる。また、母基板接続端子４５において、銅層４４の凹所４７にめっき層４８が埋まり込むようにして設けられているので、母基板接続端子４５の厚さを薄くすることができる。
【００６６】
・上記各実施の形態では、各接続端子４１，４２，４５を被覆するめっき層４６，４８は、ニッケル−金めっき層であったが、銅以外のめっき層であればよく、例えば、ニッケル−パラジウム−金めっき層などの他のめっき層に変更してもよい。
【００６７】
次に、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６８】
（１）手段１の多層配線基板において、前記複数の樹脂絶縁層に形成された前記ビア導体は、いずれも前記第１主面側から前記第２主面側に向うに従って拡径した形状を有することを特徴とする多層配線基板。
【００６９】
（２）手段１の多層配線基板において、前記ソルダーレジストと前記最外層の樹脂絶縁層とは同じ樹脂絶縁材料を主体として構成されることを特徴とする多層配線基板。
【００７０】
（３）手段１の多層配線基板において、前記ソルダーレジストと最外層の樹脂絶縁層との界面には、複数の第１主面側接続端子または複数の第２主面側接続端子が存在するとともに、それら接続端子と同一の界面に導体層が存在していることを特徴とする多層配線基板。
【００７１】
（４）手段１乃至４のいずれかの多層配線基板において、前記ソルダーレジストが前記積層構造体の前記第１主面側に配置され、前記第１主面側には、接続対象がＩＣチップであるＩＣチップ接続端子及び接続対象が受動部品であり前記ＩＣチップ接続端子よりも面積の大きい受動部品接続端子の２種類が、前記複数の第１主面側接続端子として存在していることを特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００７２】
１０，１０Ａ，１０Ｂ…多層配線基板
２０…ソルダーレジストとしての樹脂絶縁層
２１〜２３…樹脂絶縁層
２５…ソルダーレジスト
２６…導体層
３０，３０Ａ…積層構造体としての配線積層部
３１…第１主面としての上面
３２…第２主面としての下面
３４…ビア導体
３５，３６，３７…開口部
４１…第１主面側接続端子としてのＩＣチップ接続端子
４２…第１主面側接続端子としてのコンデンサ接続端子
４４…銅層
４４ａ…主面側外周部
４４ｂ…主面側中央部
４５…第２主面側接続端子としての母基板接続端子
４６，４８…金属層としてのめっき層
４６ａ，４８ａ…ニッケル層としてのニッケルめっき層
４６，４８…金層としての金めっき層
４７…凹所
【図１】
0005638269.tif 000002
【図２】
0005638269.tif 000003
【図３】
0005638269.tif 000004
【図４】
0005638269.tif 000005
【図５】
0005638269.tif 000006
【図６】
0005638269.tif 000007
【図７】
0005638269.tif 000008
【図８】
0005638269.tif 000009
【図９】
0005638269.tif 000010
【図１０】
0005638269.tif 000011
【図１１】
0005638269.tif 000012
【図１２】
0005638269.tif 000013
【図１３】
0005638269.tif 000014
【図１４】
0005638269.tif 000015
【図１５】
0005638269.tif 000016
【図１６】
0005638269.tif 000017