(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）リレーであって、
誘電体構成体に接触しており、磁気伝導性物質を有するコアと、
前記誘電体構成体と接触しており、前記コアの周りに巻かれているコイルと、
前記誘電体構成体と接触しているスイッチ部材と、
前記誘電体構成体と接触しており、磁気伝導性物質を有し、前記コイルを介して電流が流れないときにどの部分も前記コアに接触せず、前記コイルを介して流れる電流に応答して前記コアへ向かって移動可能な懸架部材と、
前記スイッチ部材に接触する第１導電性トレースと、
前記懸架部材に接触する第２導電性トレースと、
を含み、
前記コイルを介して流れる電流における変化に応答して前記懸架部材が移動するときに、前記第２導電性トレースが前記第１導電性トレースとの電気的コンタクトを開閉し、
前記コイルを介して電流が流れるときに、前記懸架部材の一部を介して磁束が通過し、且つ実質的に前記第１及び第２導電性トレースを介して磁束が通過しない、ＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記第１導電性トレースが第１コンタクト表面を有し、前記第２導電性トレースが第２コンタクト表面を有する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記コイルを介して電流が流れるときに、前記第２導電性トレースの前記第２コンタクト表面が前記第１導電性トレースの前記第１コンタクト表面へ向かって移動して接触し、前記コイルを介して電流が流れないときに、前記第２導電性トレースの前記第２コンタクト表面が前記第１導電性トレースの前記第１コンタクト表面から離れる方向へ移動する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）リレーであって、
誘電体構成体に接触しており、磁気伝導性物質を有するコアと、
前記誘電体構成体と接触しており、前記コアの周りに巻かれているコイルと、
前記誘電体構成体と接触しているスイッチ部材と、
前記誘電体構成体と接触しており、磁気伝導性物質を有し、前記コイルを介して電流が流れないときにどの部分も前記コアに接触せず、前記コイルを介して流れる電流に応答して前記コアへ向かって移動可能な懸架部材と、
前記スイッチ部材に接触する第１導電性トレースと、
前記懸架部材に接触する第２導電性トレースと、
を含み、
前記第１導電性トレースが第１コンタクト表面を有し、前記第２導電性トレースが第２コンタクト表面を有し、
前記コイルを介して電流が流れるときに、前記第２導電性トレースの前記第２コンタクト表面が前記第１導電性トレースの前記第１コンタクト表面へ向かって移動して接触し、前記コイルを介して電流が流れないときに、前記第２導電性トレースの前記第２コンタクト表面が前記第１導電性トレースの前記第１コンタクト表面から離れる方向へ移動し、
前記コイルを介して電流が流れるときに、前記懸架部材の一部を介して磁束が通過し、且つ実質的に前記第１及び第２導電性トレースを介して磁束が通過しない、ＭＥＭＳリレー。
【請求項５】
請求項４に記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記コイルを介して電流が流れないときに、前記懸架部材と前記コアとが第１最小分離距離を有し、且つ、前記コイルを介して電流が流れないときに、前記第１導電性トレースの前記第１コンタクト表面と前記第２導電性トレースの前記第２コンタクト表面とが前記第１最小分離距離に等しいか又はそれより小さい第２最小分離距離を有する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記コアがＵ形状を有する、ＭＥＭＳリレー。
【請求項７】
請求項３に記載のＭＥＭＳリレーであって、
前記コイルのどの部分も前記懸架部材の周りに巻かれていない、ＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリレーに関するものであって、更に詳細には、スイッチを介して電気経路から切断されている磁気作動からの磁束経路を有するＭＥＭＳリレー、及びコア構成体とは独立している懸架構成体及びその製造方法、に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
スイッチは、装置と装置との間を接続し、切断し、且つ接続を変化させる良く知られている装置である。電気的スイッチは、「閉じられた場合」に低インピーダンスの電気経路を与え且つ「開かれた場合」に高インピーダンスの電気経路を与えるスイッチである。機械的・電気的スイッチは、低インピーダンス電気経路が２個の電気的コンタクトを物理的に接触させることにより形成され且つ高インピーダンス電気経路が該２個の電気的コンタクトを互いに物理的に分離させることにより形成されるタイプのスイッチである。
【０００３】
アクチュエータは、別の装置を移動させるか又は制御するために機械的部材を移動させるか又は制御する良く知られた機械的装置である。アクチュエータは、通常、スイッチを開閉させる機械的部材を移動させるか又は制御する機械的・電気的スイッチを共に使用され、それにより該アクチュエータに応答して、低インピーダンス経路及び高インピーダンス経路を夫々与える。
【０００４】
リレーは、スイッチとアクチュエータとの結合であって、該アクチュエータにおける機械的部材が電気回路の条件における電磁的変化に応答して移動する。例えば、コイル内の電流の有無に起因する電磁的変化は、アクチュエータ内の機械的部材をしてスイッチを開閉させることが可能である。
【０００５】
アクチュエータ及びリレーを実現する一つのアプローチは、マイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）技術を使用することである。ＭＥＭＳ装置は、ダイ上のトランジスタに対して電気的接続性を与える相互接続体等の従来の半導体構成体を製造するために使用されるものと同じ製造技術を使用して製造される。
【０００６】
従来のＭＥＭＳリレーの一つの欠点は、該装置を動作させる磁束経路が、典型的に、スイッチを介しての電気経路に追従していることである。従来、リレーはパワースイッチングに使用されており、従ってコア周りの電流、従って磁束における変動に起因するスイッチを介しての信号減衰は問題ではなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＭＥＭＳリレーがスイッチを介して非常に小さな振幅の信号を通過させる場合には、コア周りの電流、従って磁束における変動は、スイッチを介しての信号の許容不可能な劣化となる場合がある。従って、スイッチを介しての電気経路から分離されている磁束経路を有するＭＥＭＳリレーに対する必要性が存在している。
【０００８】
従来のＭＥＭＳリレーの別の欠点は、懸架構成体が典型的にコア構成体の一部として形成されていることである。しかしながら、懸架構成体及びコア構成体は、通常、相反する条件を有している。コア構成体の理想的な幾何学的形態は、大きな断面積を具備する短い磁束経路である。しかしながら、懸架構成体の理想的な幾何学的形態は、小さな断面積で長い経路であり、何故ならば、このことはビームのバネ剛性を減少させ、従ってスイッチを閉じるために必要とされる力を減少させるからである。従って、コア構成体とは独立した懸架構成体を具備するＭＥＭＳリレーに対する必要性が存在している。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のマイクロエレクトロメカニカル（ＭＥＭＳ）リレーは、磁束における変動から発生する信号劣化を除去するためにスイッチ構成体を介しての電気経路から磁束経路を分離させる。磁束における変動は、磁気的動作期間中に発生するコア周りのコイルを介しての電流における変動によって発生される。
【００１０】
本発明のＭＥＭＳリレーは、誘電体構成体に接触するコア、及び該誘電体構成体に接触するコイルを有している。該コアは、磁気伝導性物質を有している。該コイルは該コアの周りに巻着されている。ＭＥＭＳリレーは、又、該誘電体構成体に接触するスイッチ部材、及び該誘電体構成体に接触する懸架部材を包含している。該懸架部材は、磁気伝導性物質を有している。該コイルを介して電流が流れない場合に、該懸架部材のどの部分も該コイルに接触するものではない。該懸架部材は、該コイルを介して流れる電流に応答して、該コアに向かって移動可能である。
【００１１】
本発明のＭＥＭＳリレーを製造する方法は、コイルの多数の下部水平セクションを形成する多数の離隔された下部コイル部材を形成し、且つ該離隔された下部コイル部材に接触する下部誘電体層を形成すること、を包含している。該方法は、又、該下部誘電体層に接触する犠牲構成体を形成し、且つ該下部誘電体層に接触するコア、スイッチ部材、懸架部材を形成すること、を包含している。該懸架部材は、該犠牲層に接触する。該スイッチ部材のどの部分も該コアに接触するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に従ってＭＥＭＳリレーを製造する方法１００の１例を例示したフローチャート。
【図２Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２Ｂ】図２Ａの２Ｂ−２Ｂに沿って取った断面図。
【図２Ｃ】図２Ａの２Ｃ−２Ｃに沿って取った断面図。
【図２Ｄ】図２Ａの２Ｄ−２Ｄに沿って取った断面図。
【図２Ｅ】図２Ａの２Ｅ−２Ｅに沿って取った断面図。
【図３Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図３Ｂ】図３Ａの３Ｂ−３Ｂに沿って取った断面図。
【図３Ｃ】図３Ａの３Ｃ−３Ｃに沿って取った断面図。
【図３Ｄ】図３Ａの３Ｄ−３Ｄに沿って取った断面図。
【図３Ｅ】図３Ａの３Ｅ−３Ｅに沿って取った断面図。
【図４Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図４Ｂ】図４Ａの４Ｂ−４Ｂに沿って取った断面図。
【図４Ｃ】図４Ａの４Ｃ−４Ｃに沿って取った断面図。
【図４Ｄ】図４Ａの４Ｄ−４Ｄに沿って取った断面図。
【図４Ｅ】図４Ａの４Ｅ−４Ｅに沿って取った断面図。
【図５Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図５Ｂ】図５Ａの５Ｂ−５Ｂに沿って取った断面図。
【図５Ｃ】図５Ａの５Ｃ−５Ｃに沿って取った断面図。
【図５Ｄ】図５Ａの５Ｄ−５Ｄに沿って取った断面図。
【図５Ｅ】図５Ａの５Ｅ−５Ｅに沿って取った断面図。
【図６Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図６Ｂ】図６Ａの６Ｂ−６Ｂに沿って取った断面図。
【図６Ｃ】図６Ａの６Ｃ−６Ｃに沿って取った断面図。
【図６Ｄ】図６Ａの６Ｄ−６Ｄに沿って取った断面図。
【図６Ｅ】図６Ａの６Ｅ−６Ｅに沿って取った断面図。
【図７Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図７Ｂ】図７Ａの７Ｂ−７Ｂに沿って取った断面図。
【図７Ｃ】図７Ａの７Ｃ−７Ｃに沿って取った断面図。
【図７Ｄ】図７Ａの７Ｄ−７Ｄに沿って取った断面図。
【図７Ｅ】図７Ａの７Ｅ−７Ｅに沿って取った断面図。
【図８Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図８Ｂ】図８Ａの８Ｂ−８Ｂに沿って取った断面図。
【図８Ｃ】図８Ａの８Ｃ−８Ｃに沿って取った断面図。
【図８Ｄ】図８Ａの８Ｄ−８Ｄに沿って取った断面図。
【図８Ｅ】図８Ａの８Ｅ−８Ｅに沿って取った断面図。
【図９Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図９Ｂ】図９Ａの９Ｂ−９Ｂに沿って取った断面図。
【図９Ｃ】図９Ａの９Ｃ−９Ｃに沿って取った断面図。
【図９Ｄ】図９Ａの９Ｄ−９Ｄに沿って取った断面図。
【図９Ｅ】図９Ａの９Ｅ−９Ｅに沿って取った断面図。
【図１０Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１０Ｂ】図１０Ａの１０Ｂ−１０Ｂに沿って取った断面図。
【図１０Ｃ】図１０Ａの１０Ｃ−１０Ｃに沿って取った断面図。
【図１０Ｄ】図１０Ａの１０Ｄ−１０Ｄに沿って取った断面図。
【図１０Ｅ】図１０Ａの１０Ｅ−１０Ｅに沿って取った断面図。
【図１１Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１１Ｂ】図１１Ａの１１Ｂ−１１Ｂに沿って取った断面図。
【図１１Ｃ】図１１Ａの１１Ｃ−１１Ｃに沿って取った断面図。
【図１１Ｄ】図１１Ａの１１Ｄ−１１Ｄに沿って取った断面図。
【図１１Ｅ】図１１Ａの１１Ｅ−１１Ｅに沿って取った断面図。
【図１２Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１２Ｂ】図１２Ａの１２Ｂ−１２Ｂに沿って取った断面図。
【図１２Ｃ】図１２Ａの１２Ｃ−１２Ｃに沿って取った断面図。
【図１２Ｄ】図１２Ａの１２Ｄ−１２Ｄに沿って取った断面図。
【図１２Ｅ】図１２Ａの１２Ｅ−１２Ｅに沿って取った断面図。
【図１３Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１３Ｂ】図１３Ａの１３Ｂ−１３Ｂに沿って取った断面図。
【図１３Ｃ】図１３Ａの１３Ｃ−１３Ｃに沿って取った断面図。
【図１３Ｄ】図１３Ａの１３Ｄ−１３Ｄに沿って取った断面図。
【図１３Ｅ】図１３Ａの１３Ｅ−１３Ｅに沿って取った断面図。
【図１４Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１４Ｂ】図１４Ａの１４Ｂ−１４Ｂに沿って取った断面図。
【図１４Ｃ】図１４Ａの１４Ｃ−１４Ｃに沿って取った断面図。
【図１４Ｄ】図１４Ａの１４Ｄ−１４Ｄに沿って取った断面図。
【図１４Ｅ】図１４Ａの１４Ｅ−１４Ｅに沿って取った断面図。
【図１５Ａ】本例に従う方法１００の１例を例示する一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１５Ｂ】図１５Ａの１５Ｂ−１５Ｂに沿って取った断面図。
【図１５Ｃ】図１５Ａの１５Ｃ−１５Ｃに沿って取った断面図。
【図１５Ｄ】図１５Ａの１５Ｄ−１５Ｄに沿って取った断面図。
【図１５Ｅ】図１５Ａの１５Ｅ−１５Ｅに沿って取った断面図。
【図１６Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１６Ｂ】図１６Ａの１６Ｂ−１６Ｂに沿って取った断面図。
【図１６Ｃ】図１６Ａの１６Ｃ−１６Ｃに沿って取った断面図。
【図１６Ｄ】図１６Ａの１６Ｄ−１６Ｄに沿って取った断面図。
【図１６Ｅ】図１６Ａの１６Ｅ−１６Ｅに沿って取った断面図。
【図１７Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１７Ｂ】図１７Ａの１７Ｂ−１７Ｂに沿って取った断面図。
【図１７Ｃ】図１７Ａの１７Ｃ−１７Ｃに沿って取った断面図。
【図１７Ｄ】図１７Ａの１７Ｄ−１７Ｄに沿って取った断面図。
【図１７Ｅ】図１７Ａの１７Ｅ−１７Ｅに沿って取った断面図。
【図１８Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１８Ｂ】図１８Ａの１８Ｂ−１８Ｂに沿って取った断面図。
【図１８Ｃ】図１８Ａの１８Ｃ−１８Ｃに沿って取った断面図。
【図１８Ｄ】図１８Ａの１８Ｄ−１８Ｄに沿って取った断面図。
【図１８Ｅ】図１８Ａの１８Ｅ−１８Ｅに沿って取った断面図。
【図１９Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第２例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図１９Ｂ】図１９Ａの１９Ｂ−１９Ｂに沿って取った断面図。
【図１９Ｃ】図１９Ａの１９Ｃ−１９Ｃに沿って取った断面図。
【図１９Ｄ】図１９Ａの１９Ｄ−１９Ｄに沿って取った断面図。
【図１９Ｅ】図１９Ａの１９Ｅ−１９Ｅに沿って取った断面図。
【図２０Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第２例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２０Ｂ】図２０Ａの２０Ｂ−２０Ｂに沿って取った断面図。
【図２０Ｃ】図２０Ａの２０Ｃ−２０Ｃに沿って取った断面図。
【図２０Ｄ】図２０Ａの２０Ｄ−２０Ｄに沿って取った断面図。
【図２０Ｅ】図２０Ａの２０Ｅ−２０Ｅに沿って取った断面図。
【図２１Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第２例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２１Ｂ】図２１Ａの２１Ｂ−２１Ｂに沿って取った断面図。
【図２１Ｃ】図２１Ａの２１Ｃ−２１Ｃに沿って取った断面図。
【図２１Ｄ】図２１Ａの２１Ｄ−２１Ｄに沿って取った断面図。
【図２１Ｅ】図２１Ａの２１Ｅ−２１Ｅに沿って取った断面図。
【図２２Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２２Ｂ】図２２Ａの２２Ｂ−２２Ｂに沿って取った断面図。
【図２２Ｃ】図２２Ａの２２Ｃ−２２Ｃに沿って取った断面図。
【図２２Ｄ】図２２Ａの２２Ｄ−２２Ｄに沿って取った断面図。
【図２２Ｅ】図２２Ａの２２Ｅ−２２Ｅに沿って取った断面図。
【図２３Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２３Ｂ】図２３Ａの２３Ｂ−２３Ｂに沿って取った断面図。
【図２３Ｃ】図２３Ａの２３Ｃ−２３Ｃに沿って取った断面図。
【図２３Ｄ】図２３Ａの２３Ｄ−２３Ｄに沿って取った断面図。
【図２３Ｅ】図２３Ａの２３Ｅ−２３Ｅに沿って取った断面図。
【図２４Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２４Ｂ】図２４Ａの２４Ｂ−２４Ｂに沿って取った断面図。
【図２４Ｃ】図２４Ａの２４Ｃ−２４Ｃに沿って取った断面図。
【図２４Ｄ】図２４Ａの２４Ｄ−２４Ｄに沿って取った断面図。
【図２４Ｅ】図２４Ａの２４Ｅ−２４Ｅに沿って取った断面図。
【図２５Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２５Ｂ】図２５Ａの２５Ｂ−２５Ｂに沿って取った断面図。
【図２５Ｃ】図２５Ａの２５Ｃ−２５Ｃに沿って取った断面図。
【図２５Ｄ】図２５Ａの２５Ｄ−２５Ｄに沿って取った断面図。
【図２５Ｅ】図２５Ａの２５Ｅ−２５Ｅに沿って取った断面図。
【図２６Ａ】本発明に従う方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示した一連の段階における一つの段階における平面図。
【図２６Ｂ】図２６Ａの２６Ｂ−２６Ｂに沿って取った断面図。
【図２６Ｃ】図２６Ａの２６Ｃ−２６Ｃに沿って取った断面図。
【図２６Ｄ】図２６Ａの２６Ｄ−２６Ｄに沿って取った断面図。
【図２６Ｅ】図２６Ａの２６Ｅ−２６Ｅに沿って取った断面図。
【図２７Ａ】本発明に従う異なる形状の犠牲構成体２３０及びスプリング部材２５４の１例を例示した平面図。
【図２７Ｂ】図２７Ａの２７Ｂ−２７Ｂに沿って取った断面図。
【図２７Ｃ】図２７Ａの２７Ｃ−２７Ｃに沿って取った断面図。
【図２７Ｄ】図２７Ａの２７Ｄ−２７Ｄに沿って取った断面図。
【図２７Ｅ】図２７Ａの２７Ｅ−２７Ｅに沿って取った断面図。
【図２８Ａ】本発明に従う異なる形状の儀税構成体２３０、コア２３６、中間部財２４６、スプリング部材２５４の１例を例示した平面図。
【図２８Ｂ】図２８Ａの２８Ｂ−２８Ｂに沿って取った断面図。
【図２８Ｃ】図２８Ａの２８Ｃ−２８Ｃに沿って取った断面図。
【図２８Ｄ】図２８Ａの２８Ｄ−２８Ｄに沿って取った断面図。
【図２８Ｅ】図２８Ａの２８Ｅ−２８Ｅに沿って取った断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に詳細に説明するように、本発明は、スイッチを介しての電気経路から分離されている磁気作動からの磁束経路を有しているＭＥＭＳリレー及び該リレーの製造方法である。更に、該ＭＥＭＳリレーは、コア構成体とは独立している懸架構成体を有している。
【００１４】
図１は本発明に従うＭＥＭＳリレーを製造する方法１００の１例を示している。図１に示した如く、方法１００は、製造すべきコイルの下部水平セクションを形成する多数の離隔された下部コイル部材を形成することにより１１０において開始する。更に、一対の下部入力／出力部材を、オプションとして、該下部コイル部材を形成するのと同時に形成することが可能である。
【００１５】
図２Ａ−１５Ａ，２Ｂ−２５Ｂ，２Ｃ−１５Ｃ，２Ｄ−１５Ｄ及び２Ｅ−１５Ｅは、本例に従う方法１００の１例を例示している一連の図を示している。図２Ａ−３Ａ，２Ｂ−３Ｂ，２Ｃ−３Ｃ，２Ｄ−３Ｄ及び２Ｅ−３Ｅは、本発明に従い多数の離隔した下部コイル部材を形成する方法１００の１例を例示している一連の図を示している。
【００１６】
図２Ａ−２Ｅに示した如く、方法１００は、上側にベース誘電体層２１２を有する従来形成される単結晶シリコン半導体ウエハ２１０を使用する。ベース誘電体層２１２は、金属構成体を包含しているか、又は金属相互接続構成体の誘電体層等の金属構成体を包含している誘電体層を表すことが可能である。
【００１７】
金属相互接続構成体の誘電体層として形成される場合、ベース誘電体層２１２は、複数レベルの金属トレースを包含しており、それらは、典型的に、アルミニウムと、底部金属トレースをウエハ２１０上の導電性領域へ接続する多数のコンタクトと、隣接する層における金属トレースを一緒に接続する多数の金属間ビアとである。更に、上部金属層における金属トレースの上部表面上の選択した領域は、外部接続点を与えるパッドとして機能する。
【００１８】
本例においては、ベース誘電体層２１２は、パッドＰ１−Ｐ４を包含している金属相互接続構成体の誘電体層を表している。パッドＰ１及びＰ２は、形成すべきコイルに対する電気接続を与える金属トレースの上部層における金属トレースの内の２つの上部表面上の選択領域であり、一方、パッドＰ３及びＰ４は、形成すべきスイッチに対する電気的入力／出力接続を与える金属トレースの上部表面上の選択領域である。（便宜的に、金属相互接続構成体の全体ではなく、パッドＰ１−Ｐ４のみが断面で示されている。）
再度、図２Ａ−２Ｅを参照すると、方法１００は、ベース誘電体層２１２の上部表面上に金属層２１４を形成することにより開始する。本例においては、ベース誘電体層２１２は金属相互接続構成体の誘電体層を表しており、金属層２１４もパッドＰ１−Ｐ４の上表面上に形成される。
【００１９】
金属層２１４は、例えば、チタン層（例えば、１００Åの厚さ）、窒化チタン層（例えば、２００Åの厚さ）、アルミニウム銅層（例えば、１．２μｍの厚さ）、チタン層（例えば、４４Åの厚さ）、及び窒化チタン層（例えば、２５０Åの厚さ）を包含することが可能である。金属層２１４が形成されると、金属層２１４の上表面上に下部マスク２１６を形成し且つパターン形成する。
【００２０】
図３Ａ−３Ｅに示した如く、マスク２１６を形成し且つパターニングした後に、金属層２１４をエッチングして金属層２１４の露出領域を除去し且つ多数の離隔した下部コイル部材２２０を形成する。馬蹄形状を有している下部コイル部材２２０は、形成すべきコイルの下部側を形成する。ベース誘電体層２１２は本例における金属相互接続構成体の誘電体層を表しているので、形成すべきコイルの両端部に対応する下部コイル部材２２０の端部は物理的に且つ電気的にパッドＰ１及びＰ２へ接続される。
【００２１】
更に、該エッチングは、オプションとして、入力／出力パッドＰ３及びＰ４へ物理的に且つ電気的に接続されている一対の下部入力／出力部材２２２を形成することが可能である。下部コイル部材２２０及び該一対の下部入力／出力部材２２２を形成した後に、マスク２１６を除去する。
【００２２】
図１に戻ると、該下部コイル部材及び該一対の下部入力／出力部材が形成されると、方法１００は１１２へ移行して、該下部コイル部材及び該一対の入力／出力部材に接触する下部誘電体層を形成する。図４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ，４Ｅは、本発明に従って下部誘電体層を形成する方法１００の１例を例示する一連の図を示している。
【００２３】
図４Ａ−４Ｅに示した如く、酸化物層等の下部誘電体層２２４を、ベース誘電体層２１２、下部コイル部材２２０、及び該一対の下部入力／出力部材２２２の上に形成する。例えば、酸化物を付着させ、次いで、ベース誘電体層２１２の上に例えば２０００Åの目標厚さを有するように該酸化物を化学的機械的に研磨することによって、下部誘電体層を形成することが可能である。
【００２４】
再度図１を参照すると、該下部誘電体層を形成した後に、方法１００は１１４へ移行して、該下部誘電体層に接触する犠牲構成体を形成する。図５Ａ−６Ａ，５Ｂ−６Ｂ，５Ｃ−６Ｃ，５Ｄ−６Ｄ，５Ｅ−６Ｅは、本発明に従い犠牲構成体を形成する方法１００の１例を例示する一連の図を示している。
【００２５】
図５Ａ−５Ｅに示した如く、下部誘電体層２２４が形成されると、下部誘電体層２２４の上表面上に犠牲層２２６を形成する。例えば２０００Åの厚さを有するアモルファスシリコン層を下部誘電体層２２４の上表面上に形成することが可能である。犠牲層２２６が形成されると、犠牲層２２６の上表面上に、マスク２２８を形成し且つパターン形成する。
【００２６】
図６Ａ−６Ｅに示した如く、マスク２２８の形成及びパターニングの後に、犠牲層２２６をエッチングして犠牲層２２６の露出領域を除去し且つ犠牲構成体２３０を形成する。犠牲層２２６をエッチングして犠牲構成体２３０を形成した後に、マスク２２８を除去する。
【００２７】
再度図１を参照すると、犠牲構成体を形成した後に、方法１００は１１６へ移行して、該下部誘電体層に接触するコア、スイッチ部材、懸架部材を形成する。該スイッチ部材のどの部分も該コアに接触するものではない。図７Ａ−９Ａ，７Ｂ−９Ｂ，７Ｃ−９Ｃ，７Ｄ−９Ｄ，７Ｅ−９Ｅは、本発明に従いコア、スイッチ部材、懸架部材を形成する方法１００の１例を例示する一連の図を示している。
【００２８】
図７Ａ−７Ｅに示した如く、犠牲構成体２３０を形成した後に、下部誘電体層２２４及び犠牲構成体２３０の上表面上にシード層２３２を形成する。例えば、シード層は、３００Åのチタンと、３０００Åの銅と、３００Åのチタンとを付着させることにより形成することが可能である。シード層２３２を形成した後に、シード層２３２の上表面上に鍍金モールド２３４（斜線で示してある）を形成し且つパターン形成する。
【００２９】
次いで、鍍金モールド２３４を形成した後に、図８Ａ−８Ｅに例示した如く、上部チタン層を剥離させ、且つパーマロイ（permalloy）の如きニッケルと鉄の合金等の磁気物質を例えば１０μｍの厚さに電気鍍金により付着させて、コア２３６、スイッチ部材２３８、懸架部材２４０を形成する。
【００３０】
この後に、鍍金モールド２３４を除去し、次いで、シード層２３２の下側領域を除去する。図９Ａ−９Ｅに示した如く、形成すべきコイルの形状を反映するコア２３６も、下部コイル部材２２０上に存在する馬蹄形状を有しており、一方スイッチ部材２３８はコンタクト側壁２４４を有している。
【００３１】
更に図９Ａ−９Ｅに示した如く、懸架部材２４０は中間部材２４６を有している。中間部材２４６は、コア２３６とスイッチ部材２３８との間に存在しており、且つスイッチ部材２３８のコンタクト側壁２４４に隣接して存在している。その結果、中間部材２４６は、作動ギャップ２５０によってコア２３６から分離されており、一方、中間部材２４６はコンタクトギャップ２５２によってスイッチ部材２３８のコンタクト側壁２４４から分離されている。
【００３２】
作動ギャップ２５０は、コンタクトギャップ２５２よりも僅かに一層大きくさせることが可能であり、それによりリレーが活性化される場合には常に電気的接続が形成されることを確保している。作動ギャップ２５０及びコンタクトギャップ２５２の寸法は、鍍金モールド２３４におけるパターンによって画定される。更に、本例においては、中間部材２４６も、半円形状を有すべく形成されており、且つレーストラック形状を形成すべくコア２３６へ向けて配向されている。懸架部材２４０は、又、スプリング部材２５４を包含している。本例においては、図９Ａ−９Ｅに示した如く、スプリング部材２５４は、懸架部材２４０が下部誘電体層２２４と接触する唯一の点を与えるベースセクション２５６と、中間部材２４６と共に、誘電体層２２４から離隔されている延長セクション２６０とで実現される。
【００３３】
再度図１を参照すると、コア、スイッチ部材、及び懸架部材を形成した後に、方法１００は１１８へ移行して、該下部コイル部材に接触する上部及び側部を形成し、コイルと、該スイッチ部材上に着座する導電性第１スイッチトレースと、該懸架部材上に着座しかつその上に載る導電性第２スイッチトレースと、を形成する。該コイルのどの部分も該懸架部材の周りに巻着されるものではない。
【００３４】
図１０Ａ−１４Ａ，１０Ｂ−１４Ｂ，１０Ｃ−１４Ｃ，１０Ｄ−１４Ｄ，１０Ｅ−１４Ｅは、本発明に従い、コイルと、該スイッチ部材上に着座する導電性第１スイッチトレースと、該懸架部材上に着座し且つその上に載る導電性第２スイッチトレースと、を形成するために、該下部コイル部材に接触する上部及び側部を形成する方法１００の１例を例示する一連の図を示している。
【００３５】
図１０Ａ−１０Ｅに示した如く、コア２３６、スイッチ部材２３８、及び懸架部材２４０を形成した後に、且つ鍍金モールド２３４及びシード層２３２の下側領域を除去した後に、酸化物層等の上部誘電体層２６２を下部誘電体層２２４、コア２３６、スイッチ部材２３８及び懸架部材２４０上に形成する。例えば、下部誘電体層２２４上に例えば１μｍの厚さへ酸化物をコンフォーマルに付着させることにより上部誘電体層２６２を形成することが可能である。上部誘電体層２６２を形成した後に、ホトレジスト層等のマスク２６４を上部誘電体層２６２の上表面上に形成し且つパターン形成する。
【００３６】
図１１Ａ−１１Ｅに示した如く、マスク２６４を形成し且つパターニングした後に、上部誘電体層２６２及び下側の下部誘電体層２２４の露出領域をエッチングして、多数の垂直開口２６６を形成する。該垂直開口２６６は、形成すべきコイルの下部側を形成する下部コイル部材２２０の端部の上表面を露出させるビア型開口を包含している。該垂直開口２６６は、又、該一対の下部入力／出力部材２２２を露出させる。更に、該垂直開口２６６は、又、懸架部材２４０周りにベースセクション２５６から且つ再度ベースセクション２５６へ延在するトレンチを形成している。
【００３７】
本発明によれば、犠牲構成体２３０の露出領域はこのエッチング期間中に除去されるべきではない。その結果、犠牲構成体２３０を形成するために使用される物質に対して高度の選択性のエッチャントで垂直開口２３０が形成される。更に、下部誘電体層２２４と同じ厚さを有すべく形成された犠牲構成体２３０は、エッチングの後に犠牲構成体２３０の露出領域のかなりの部分が残存することを確保するために、下部誘電体層２２４よりも一層厚く形成することが可能である。該エッチングに続いて、マスク２６４を除去する。
【００３８】
マスク２６４が除去されると、図１２Ａ−１２Ｅに示した如く、シード層２７０が、下部コイル部材２２０の露出端部、露出されている入力／出力部材２２２、下部誘電体層２２４、犠牲構成体２３０、及び上部誘電体層２６２の上表面上に形成される。例えば、シード層は、３００Åのチタンと、３０００Åの銅と、３００Åのチタンとを付着することにより形成することが可能である。シード層２７０を形成した後に、シード層２７０の上表面上に、鍍金モールド２７２（斜線で示してある）を形成し且つパターン形成する。鍍金モールド２７２におけるパターンは図１２Ａにおいてハッチングで示してある。
【００３９】
次いで、図１３Ａ−１３Ｅに示した如く、鍍金モールド２７２の形成及びパターニングの後に、上部チタン層を剥離させ且つ電気鍍金により銅を付着させて該コイルの多数の銅側部セクション２７４及び該コイルの多数の銅上部セクション２７６を形成する。更に、該電気鍍金は、又、側壁コンタクト２８２を具備する第１スイッチトレース２８０、及び側壁コンタクト２８６を具備する第２スイッチトレース２８４を形成する。第１及び第２スイッチトレース２８０及び２８４も入力／出力部材２２２と接触して電気的接続を形成する。更に図１３Ａ−１３Ｅに示した如く、下部コイル部材２２０−１、側部セクション２７４−１、及び上部セクション２７６−１は、１個のコイルループの３つの側部を形成する。これに続いて、図１４Ａ−１４Ｅに示した如く、鍍金モールド２７２及びシード層２７０の下側領域を除去する。
【００４０】
再度図１を参照すると、該コイル、該導電性第１スイッチトレース、及び該導電性第２スイッチトレースを形成した後に、方法１００は１２０へ移行し、該犠牲構成体を除去し、従って、該懸架部材は該コイルを介して流れる電流における変化に応答して移動する。
【００４１】
換言すると、該導電性第２スイッチトレースは、該コイルを介して流れる電流における変化に応答して該懸架部材が移動する場合に、該第１導電性スイッチトレースとの電気的接触を開閉させる。更に、磁束が該懸架部材の一部を介して通過し、且つ該コイルを介して電流が流れる場合に、該第１及び第２導電性スイッチトレースを介して実質的に磁束が通過することはない。
【００４２】
図１５Ａ−１５Ｅは、本発明に従い犠牲構成体２３０を除去する方法１００の１例を例示する一連の図を示している。図１５Ａ−１５Ｅに示した如く、該コイル、第１スイッチトレース２８０、及び第２スイッチトレース２８４を形成した後に、犠牲構成体２３０を除去する。犠牲構成体２３０の除去は、中間部材２４６及びスプリング部材２５４の延長セクション２６０をフローティング状態とさせる。例えば、図１５Ａ−１５Ｅに示した例においては、中間部材２４６及び延長セクション２６０の各々がフロートし、ベースセクション２５６を介してのみ下部誘電体層２２４へ接続されている。
【００４３】
フローティングしている延長セクション２６０は、下側の犠牲構成体２３０によって下部誘電体層２２４から垂直方向に離隔されており、それにより下側の犠牲構成体２３０が除去された後にフロートする。その結果、犠牲構成体２３０の厚さがオフセットギャップ２９０を決定し、それは下部誘電体層２２４とフローティングしている延長セクション２６０との間に存在する垂直間隔である。
【００４４】
従って、図１５Ａ−１５Ｅに示した如く、本発明方法は、コア２３６及びコア２３６の周りに巻着されているコイル１５１０を包含するＭＥＭＳリレー１５００を製造する。コイル１５１０は、下部コイル部材２２０、銅側部セクション２７４、及び銅上部セクション２７６で実現することが可能である。更に、コア２３６及びコイル１５１０の両方は下部誘電体層２２４と接触する。
【００４５】
更に図１５Ａ−１５Ｅに示した如く、ＭＥＭＳリレー１５００は、又、スイッチ構成体１５１２及び懸架構成体１５１４を包含している。スイッチ構成体１５１２は、下部誘電体層２２４と接触するスイッチ部材２３８、及び上部誘電体層２６２で実現することが可能である。懸架構成体１５１４は、下部誘電体層２２４と接触する懸架部材２４０、及び上部誘電体層２６２で実現することが可能である。更に、コイル１５１０のどの部分も懸架構成体１５１４の周りに巻着されるものではない。
【００４６】
更に図１５Ａ−１５Ｅに示されているように、ＭＥＭＳリレー１５００は、スイッチ構成体１５１２と接触し且つそれに沿って延在している第１スイッチトレース２８０、及び懸架構成体１５１４と接触しかつそれに沿って延在している第２スイッチトレース２８４を包含している。更に、第１スイッチトレース２８０は第１側壁コンタクト２８２を有しており、且つ第２スイッチトレース２８４は第２側壁コンタクト２８６を有している。
【００４７】
動作において、コイル１５１０内に電流が存在しない場合には、懸架構成体１５１４は図１５Ａに示した如く休止位置に存在している。更に、懸架構成体１５１４及びコア２３６は、コイル１５１０内に電流が存在しない場合には、最小距離Ｘだけ離隔されており、一方、コイル１５１０内に電流が存在しない場合には、第１側壁コンタクト２８２と第２側壁コンタクト２８６とは、最小距離Ｘに等しいか又はそれより小さい最小距離Ｙだけ離隔されている。最小距離Ｙは、高インピーダンス電気経路を与える。
【００４８】
従って、ＭＥＭＳリレー１５００の利点の一つは、懸架構成体１５１４がコア２３６とは独立的であるということである（即ち、コイル１５１４を介して電流が流れない場合には、懸架構成体１５１４のどの部分もコア２３６に接触するものではない）。従って、懸架構成体１５１４は、バネ剛性を減少させるために最適化させることが可能であり、一方コア２３６は短い磁束経路に対して最適化させることが可能である。
【００４９】
一方、電流がコイル１５１０を介して流れ且つ懸架構成体１５１４のバネ力よりも一層強い磁界を発生する場合には、懸架構成体１５１４はコア２３６へ向かって移動し、従って第１及び第２側壁コンタクト２８２及び２８６は接触し、それにより低インピーダンス電気経路を与える。
【００５０】
従って、コイル１５１０を介して電流が流れる場合には、第２スイッチトレース２８４の第２側壁コンタクト２８６は、第１スイッチトレース２８０の第１側壁コンタクト２８２へ向かって移動し且つそれと接触し、且つコイル１５１０を介して電流が流れない場合には、第１スイッチトレース２８０の第１側壁コンタクト２８２から離れる方向に移動する。従って、コイル１５１０を介して電流が流れない場合には、懸架構成体１５１４のどの部分もコア２３６と接触することはない。
【００５１】
更に、図１５Ａに示した如く、本発明によれば、コイル１５１０を介して電流が流れる場合に、磁束１５１６が懸架部材２４０の一部を介して通過し、一方、コイル１５１０を介して電流が流れる場合に、第１及び第２スイッチトレース２８０及び２８４を介して実質的に磁束が通過することはない。従って、本発明の利点の一つは、ＭＥＭＳリレー１５００は、コア周りの電流における変動及びそれによる磁束に対して影響されることはないということである。その結果、非常に小さな振幅の信号は、磁束に基づく歪み無しでリレー１５００を介して通過することが可能である。
【００５２】
従って、本発明に基づくＭＥＭＳリレーを製造する方法について説明した。図１に示した要素は多数の異なる態様で実現することが可能である。例えば、図１の要素１１０に示したコイルの下部水平セクションを形成する離隔した下部コイル部材を別の態様で形成することが可能である。
【００５３】
図１６Ａ−１８Ａ，１６Ｂ−１８Ｂ，１６Ｃ−１８Ｃ，１６Ｄ−１８Ｄ，１６Ｅ−１８Ｅは、本発明に従って形成すべきコイルの多数の離隔した下部コイル部材を形成する方法１００の要素１１０を実現する代替的態様の第１の例を例示する一連の図を示している。
【００５４】
図２Ａ−３Ｅに示した例の場合の如く、図１６Ａ−１８Ｅに示した例も、上側のベース誘電体層２１２を具備する単結晶シリコン半導体ウエハ２１０を使用する。図１６Ａ−１８Ｅの例は、ベース誘電体層２１２及びベース誘電体層２１２内の開口を介して露出されているパッドＰ１−Ｐ４上にシード層１６１０を形成することにより開始する。
【００５５】
シード層１６１０が形成されると、シード層１６１０の上表面上に鍍金モールド１６１２が形成される。図１７Ａ−１７Ｅに示した如く、鍍金モールド１６１２の形成の後に、電気鍍金によって銅を付着させて、多数の離隔した下部コイル部材２２０及び該一対の下部入力／出力部材２２２を形成する。
【００５６】
図１８Ａ−１８Ｅに示した如く、下部コイル部材２２０及び該一対の下部入力／出力部材２２２を形成した後に、鍍金モールド１６１２を除去し、その後に、シード層１６１０の下側領域を除去する。図示した如く、図１８Ａ−１８Ｅに例示した構成体は図３Ａ−３Ｅに示した構成体に類似している。
【００５７】
図１９Ａ−２１Ａ，１９Ｂ−２１Ｂ，１９Ｃ−２１Ｃ，１９Ｄ−２１Ｄ，１９Ｅ−２１Ｅは、本発明に従って、形成すべきコイルの多数の離隔した下部コイル部材を形成する方法１００の要素１１０を実現する別の態様の第２の例を例示する一連の図を示している。
【００５８】
図２Ａ−３Ｅに示した例の場合の如く、図１９Ａ−２１Ｅに示した例も、上側のベース誘電体層２１２を具備する単結晶シリコン半導体ウエハ２１０を使用する。図１９Ａ−２１Ｅの例は、ベース誘電体層２１２の上表面上にマスク１９１０を形成することにより開始する。これに続いて、ベース誘電体層２１２の露出領域をエッチングして、多数の離隔したトレンチ１９１２を形成し、それらは、ベース誘電体層２１２の上表面内に、形成すべきコイルの離隔した下部コイル部材を画定する。トレンチ１９１２の内の一つはパッドＰ１を露出させ、一方トレンチ１９１２の内の別のものはパッドＰ２を露出させる。更に、該エッチングは、又、該一対のパッドＰ３及びＰ４を露出させる一対の開口１９１４をベース誘電体層２１２内に形成する。
【００５９】
該エッチングに続いて、図２０Ａ−２０Ｅに示した如く、マスク１９１０を所定位置に置いて、ベース誘電体層２１２の露出領域、パッドＰ１−Ｐ４，及びマスク１９１０上のトレンチ１９１２及び開口１９１４内に銅構成体１９１６を形成する。銅構成体１９１６は、例えば、順番に、３００Åのチタン、１μｍの銅、３００Åのチタンを蒸着させることによって形成することが可能である。
【００６０】
次に、図２１Ａ−２１Ｅに示した如く、銅構成体１９１６を形成した後に、マスク１９１０を剥離させ、そのことは、銅構成体１９１６の上側層をリフトオフさせる。マスク１９１０の除去は、ベース誘電体層２１２上のみに銅構成体１９１６を残存させ、それにより該多数の離隔した下部コイル部材２２０及び該一対の下部入力／出力部材２２２を形成する。図示した如く、凹設される以外、図２１Ａ−２１Ｅに例示した構成体は図３Ａ−３Ｅに示した構成体と類似している。
【００６１】
図２２Ａ−２６Ａ，２２Ｂ−２６Ｂ，２２Ｃ−２６Ｃ，２２Ｄ−２６Ｄ，２２Ｅ−２６Ｅは、本発明に従って、形成すべきコイルの上部及び側部及びスイッチ用のトレースを形成する方法１００の要素１１８を実現する別の態様の１例を例示する一連の図を示している。
【００６２】
図２２Ａ−２６Ｅの例は、シード層２７０の形成までは図２Ａ−１５Ｅの例と同じであり、鍍金モールド２７２の代わりにシード層２７０の上表面上に鍍金モールド２２１０を形成することが異なっている。鍍金モールド２２１０は、第１及び第２側壁コンタクト２８２及び２８６が形成されるべき銅から形成されることを阻止するという点において、鍍金モールド２２１０は鍍金モールド２７２とは異なっている。モールド２２１０におけるパターンを図２２Ａにおいてハッチングで示してある。
【００６３】
次に、モールド２２１０の形成に続いて、銅を電気鍍金により付着させてコイルの多数の銅側部セクション２７４及びコイルの多数の銅上部セクション２７６を形成する。更に、該電気鍍金は、側壁コンタクト２８２が無い点を除いてスイッチトレース２８０と同じである第１スイッチトレース２２１２、及び、側壁コンタクト２８６が無い点を除いてスイッチトレース２８４と同じである第２スイッチトレース２２１４をも形成する。これに続いて、図２３Ａ−２３Ｅに示した如く、モールド２２１０及びシード層２７０の下側領域を除去する。
【００６４】
これに続いて、図２４Ａ−２４Ｅに示した如く、上部誘電体層２６２、銅上部セクション２７６、第１スイッチトレース２２１２、及び第２スイッチトレース２２１４上にマスク２２１６を形成し且つパターン形成する。マスク２２１６が形成され且つパターン形成されると、チタン、ニッケル、又はクロムの層等の導電層２２２０、及び金の上側層を、スイッチ部材２３８を取り囲む上部誘電体層２６２の露出領域、懸架部材２４０を取り囲む上部誘電体層２６２の露出領域、犠牲構成体２３０の露出領域、及びマスク２２１６上に付着させる。スパッタされると、チタン、ニッケル、クロム、及び金は、互いに対面するスイッチ部材２３８及び懸架部材２４０の高アスペクト比（垂直）側壁上に良好なカバレッジを与える。チタン、ニッケル、及びクロムは、金の接着性を改善する。
【００６５】
図２５Ａ−２５Ｅに示した如く、導電層２２２０を形成した後に、マスク２２１６を剥離させ、そのことは、導電層２２２０の上側層をリフトオフさせる。マスク２２１６の除去は、スイッチ部材２３８及び第１スイッチトレース２２１２にわたり上部誘電体層２６２の側壁上に、及び懸架部材２４０及び第２スイッチトレース２２１４にわたり上部誘電体層２６２の側壁上に導電層２２２０を残存させ、それにより、第１スイッチトレース２２１２の側壁コンタクト２２２２及び側壁コンタクト２２２２に対面する第２スイッチトレース２２１２の側壁コンタクト２２２４を形成する。
【００６６】
これに続いて、図２６Ａ−２６Ｅに示した如く、犠牲構成体２３０を除去する。犠牲構成体２３０の除去は、前述した如くであるが金コンタクトと共に、中間部材２４６及びスプリング部材２５４の延長セクション２６０をフローティング状態とさせる。
【００６７】
上述したことに加えて、該構成体は異なる形状を有するべく形成することが可能である。例えば、マスク２２８は、犠牲構成体２３０が異なる形状を有するように、異なる形状を有するべく形成することが可能である。更に、鍍金モールド２３４は、コア２３６、スイッチ部材２３８、及び懸架部材２４０が異なる形状を有するように、犠牲構成体２３０の形状に対応する異なる形状を有するべく形成することが可能である。
【００６８】
例えば、図２７Ａ−２７Ｅは、本発明に従って、異なる形状を有する犠牲構成体２３０及びスプリング部材２５４の１例を例示する一連の図を示している。図２７Ａ−２７Ｅの例において、スプリング部材２５４は、各々がベースセクション２５６とＣ形状延長セクション２６０とを包含している一対の対面する構成体と共に形成される。
【００６９】
更に、図２８Ａ−２８Ｅは、本発明に従って、異なる形状を有する犠牲構成体２３０、コア２３６、中間部材２４６、及びスプリング部材２５４の１例を例示する一連の図を示している。図２８Ａ−２８Ｅの例において、コア２３６はほぼ完全なドーナツ形状として形成されており、一方、中間部材２４６は該ほぼ完全なドーナツ形状における開口内に嵌合するウエッジ又はパイ形状で形成されている。更に、スプリング部材２５４は、各々がベースセクション２５６とＣ形状セクション２６０とを包含している一対の対面構成体が形成されている。
【００７０】
上述した如く、誘電体層２１２は、金属構成体の無い誘電体層を表すことが可能である。金属構成体が無い場合には、コイル１５１０への電気的接続は、例えば、コイル１５１０の反対端部を表す銅上部セクション２７６上の複数の点へワイヤボンディングによって形成することが可能である。更に、第１及び第２スイッチトレース２８０及び２８４への接続は、例えば、ワイヤボンディングによって形成することが可能である。本発明の利点の内の別のものは、本発明は比較的低い処理温度を必要とするに過ぎないということである。その結果、本発明は、従来のバックエンドＣＭＯＳプロセスと適合性がある。
【００７１】
理解すべきことであるが、上の説明は本発明の例示であって、ここに記載した本発明の種々の代替例を本発明を実施する場合に使用することが可能である。例えば、種々のシード層は、銅シード層として、又は、正確なオーミック及び機械的（ピール（peel））特性を与えるために必要に応じて、タングステン、クロム、又は結合シード層として実現することが可能である。更に、互いの鏡像として位置させた２個のＭＥＭＳリレー１５００を使用することにより、２投（double throw）スイッチを容易に製造することが可能である。従って、以下の特許請求の範囲は、本発明の範囲を確定すること、及びこれらの特許請求の範囲内の構成及び方法及びそれらの均等物がカバーされるものであること、が意図されている。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１２Ｅ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１４Ｅ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１６Ｅ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１７Ｅ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１８Ｅ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図１９Ｅ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２１Ｄ】
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【図２１Ｅ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２２Ｄ】
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【図２２Ｅ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２３Ｄ】
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【図２３Ｅ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２４Ｄ】
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【図２４Ｅ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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【図２５Ｄ】
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【図２５Ｅ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２６Ｃ】
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【図２６Ｄ】
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【図２６Ｅ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２７Ｄ】
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【図２７Ｅ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２８Ｄ】
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【図２８Ｅ】
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