(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４級有機ホスホニウム塩触媒下で次の一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、一般式（２）で表される環状または一般式（３）で表される直線状トリシラアルカンを製造する製造方法。
【化１】
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式中、Ｒ１は水素、ハロゲン原子又はアルキル基である。
【化２】
0005474945.tif 000011
【化３】
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式中、ｍは０又は１である。
【請求項２】
前記４級有機ホスホニウム塩触媒は次の一般式（４ａ）または（４ｂ）で表されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【化４ａ】
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【化４ｂ】
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式（４ａ）と（４ｂ）中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ３はそれぞれ互いに同じでも異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル基又は‐（ＣＨ２）ｎ‐Ｃ６Ｈ５（ここで、ｎは０又は１〜６）を示し、２つのＲ３が互いに共有結合して４原子又は８原子環を形成でき、ＹはＣ１〜Ｃ１２のアルキレン基を示す。
【請求項３】
前記４級有機ホスホニウム塩触媒は、シリコンレジン、シリカ、無機錯体、および有機高分子からなる群より選ばれる１種以上の担体上に固定化された構造を持つことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記４級有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０．０５〜０．５モルの範囲で含まれることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記反応は１０〜２５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記反応は、反応溶媒が存在しない状態、又は芳香族炭化水素溶媒の存在下で行われることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
反応系に次の一般式（５）で表される有機塩化物をさらに含むことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の製造方法。
【化５】
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式中、Ｒ２は、ハロゲン元素；炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基；‐ＳｉＣｌ３、‐ＳｉＭｅＣｌ２、‐ＳｉＨＣｌ２、‐ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび‐ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体残基；不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基；‐Ａｒ（Ｒ´）ｑで表される芳香族基（ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ´は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。）；‐（ＣＨ２）ｐＣｌで表される塩化アルキル基（ここで、ｐは１〜９の整数である。）；又は‐Ａｒ（ＣＨ２）Ｃｌで表される塩化メチル芳香族基（ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素である。）の中から選ばれるものであり、
Ｒ３は、水素原子；ハロゲン原子；炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基；又は‐Ａｒ（Ｒ´）ｑで表される芳香族基（ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ´は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。）の中から選ばれるものである。
【請求項８】
次の一般式（６）で表される有機トリクロロシラン誘導体がさらに得られることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【化６】
0005474945.tif 000016
式中、Ｒ３は、水素原子；炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基；又は‐Ａｒ（Ｒ´）ｑで表される芳香族基（ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ´は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。）の中から選ばれるものであり、
Ｒ４は、炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基；‐ＳｉＣｌ３、‐ＳｉＭｅＣｌ２、‐ＳｉＨＣｌ２、‐ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび‐ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体残基；不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基；‐Ａｒ（Ｒ´）ｑで表される芳香族基（ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ´は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。）；および前記一般式（５）のＲ２が‐（ＣＨ２）ｐＣｌ、‐Ａｒ（ＣＨ２）Ｃｌの場合、前記一般式（６）のＲ４はそれぞれ‐（ＣＨ２）ｐＳｉＣｌ３、‐Ａｒ（ＣＨ２）ＳｉＣｌ３である。
【請求項９】
前記一般式（５）で表される有機塩化物は、前記一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０．５〜８モルの範囲で反応させることを特徴とする請求項７または８に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直線状や環状トリシラアルカン（Ｌｉｎｅａｒ  ａｎｄ  ｃｙｃｌｉｃ  ｔｒｉｓｉｌａａｌｋａｎｅｓ）の製造方法に関し、特に４級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、環状および直線状トリシラアルカンを得ることができ、又は、有機塩化物と共に反応させることにより、有機トリクロロシラン誘導体を同時に製造できる方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、本発明者らは、テトラアルキルホスホニウムクロリド化合物を触媒として用いてＣ-Ｃｌ結合を有するアルキルクロリドとＳｉ-Ｈ結合を有するトリクロロシラン(ＨＳｉＣｌ３)を反応させてアルキルクロリドから塩素を、トリクロロシランから水素を取り出して塩化水素を作って除去し、ケイ素と炭素結合(Ｓｉ-Ｃ)を形成させて様々な有機ケイ素化合物を合成する方法を報告した(Ｙ. Ｓ. Ｃｈｏ;Ｓ-Ｈ. Ｋａｎｇ;Ｊ. Ｓ. Ｈａｎ;Ｂ. Ｒ. Ｙｏｏ;Ｉl Ｎａｍ Ｊｕｎｇ;Ｊ. Ａｍ. Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ.、１２３、２００１、５５８３;Ｉ. Ｎ. Ｊｕｎｇ ｅｔ ａｌ,Ｕ.Ｓ. Ｐａｔ. Ｎｏ. ６,３９２,０７７)。この脱塩化水素反応は、ケイ素と炭素との結合を形成させる新しい方法であって、様々な新しい有機ケイ素化合物の合成に非常に有用なものである。
【０００３】
前記アルキルクロリドのような有機塩化物は、ベンジルクロリドやアリルクロリドのように活性の大きい炭素に塩素が結合されたアルキルクロリドだけでなく、活性の大きくないアルキルクロリド、環状アルキルクロリド、および３級アルキルクロリドを反応させても高い収率で有機ケイ素塩化物を合成することができる。また、前記トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ３）の代わりにメチルジクロロシラン（ＭｅＨＳｉＣｌ２）を用いても収率は劣るものの、ケイ素と炭素結合（Ｓｉ‐Ｃ）を形成させる反応を起こすことで知られている。
【０００４】
尚、テトラアルキルホスホニウムクロリド化合物触媒を用い、アルキルクロリドの代りに炭素と炭素との二重結合を有するアルケンに適用すると、二重結合の両側の炭素にトリクロロシリル基が含まれる二重ケイ素化反応が起きると報告されているため、これは、前記反応の反応経路がトリクロロシラン(ＨＳｉＣｌ３)から塩化水素を除去して生成されるジクロロシリレン(:ＳｉＣｌ２)の中間体が炭素と炭素との二重結合に付加されるためであることで知られている。
【０００５】
一方、本発明者らは、クロロメチル基を有した様々な有機化合物を塩化水素と混合して金属ケイ素と反応させると、Ｓｉ-Ｈ結合を有しながら１つの炭素に２つのシランが置換されたビスシリルメタンが得られることを知った。また、炭素と塩素の結合を２つ有しているメチレンクロリドと塩化水素を混合し銅触媒を用いてケイ素と反応させると、ビス(ジクロロシリル)メタンと(ジクロロシリル)(トリクロロシリル)メタンが得られる。
【０００６】
一方、従来、１,３-ジシラシクロブタンのような環状有機ケイ素化合物の製造は、ジクロロシラシクロブタンを６９０℃の高い温度で熱分解させると、中間体のジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)が生成され、これが二重化(ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ)されて１,１,３,３-テトラクロロ-１,３-ジシラシクロブタンが生成されると報告されている(Ｎ. Ａｕｎｅｒ ａｎｄ Ｊ. Ｇｒｏｂｅ,Ｊ. Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ.Ｃｈｅｍ. １９８０、１８８、１５１;２００、１２９)。しかしながら、原料のジクロロシラシクロブタンを製造するためにはクリニャール法を用いなければならなく、一般的にこのような高い温度で熱分解させる反応は収率が良くない。
【０００７】
又、メチレンクロリドを直接法で金属ケイ素と反応させると、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンが副産物として得られると報告されている。しかしながら、メチレンクロリドと金属ケイ素との反応は、３００℃の高い反応温度でメチレンクロリドが分解されて生成された炭素によって金属ケイ素と銅触媒の活性が急激に低下するという問題点と、メチレンクロリドと金属ケイ素とが反応して生成される高分子のカルボシランによる反応物質の活性低下により活用されていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者らは、ポリカルボシランや有機無機ハイブリッド物質の製造に有用な前駆物質の直線状や環状トリシラアルカンを高効率で製造し、従来技術の問題点を解決するために本発明を完成するに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そのため、本発明によると、４級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、直線状や環状トリシラアルカンを製造することができる。また、前記反応時にさらに有機塩化物を添加すると有機トリクロロシラン誘導体も同時に製造することが可能となった。
【００１０】
したがって本発明の目的は、直線状および環状トリシラアルカン化合物の製造方法を提供することにある。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、４級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で、若しくは、有機塩化物と共に反応させてポリカルボシランや有機無機ハイブリッド物質の製造に有用な前駆物質の環状や線状トリシラアルカンを新しい合成方法により高収率で同時に合成することができる。また、触媒の使用後に回収が可能であり、非常に経済的であるので、有機無機ハイブリッド物質の前駆物質の大量生産に効果的である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
上記のような目的を達成するために、本発明は、４級有機ホスホニウム塩触媒下で次の一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、一般式（２）で表される環状や一般式（３）で表される直線状トリシラアルカンを製造することを特徴とする。
【化１】
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式中、Ｒ１は水素、ハロゲン原子又はアルキル基である。
【化２】
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【化３】
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式中、ｍは０又は１である。
【００１３】
以下、本発明をより詳しく説明する。
【００１４】
本発明に係る環状や直線状トリシラアルカンは、それぞれ前記一般式（２）と（３）で表され、前記一般式（１）で表されるビスクロロシリルメタンを４級有機ホスホニウム塩化合物触媒の存在下で反応させることにより得ることができる。
【００１５】
前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタン化合物の具体的な例としては、(ジクロロシリルメチル)ジクロロシラン、(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、(クロロメチル)メチルジクロロシランおよび(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランからなる群より選ばれる１種以上である。前記ビスクロロシリルメタンはＳｉ-Ｈ結合を有し、２つ以上のクロロシリル基を有するものであって、これを単独で反応させることにより前記環状や直線状トリシラアルカンを製造することができる。
【００１６】
本発明の環状や直線状トリシラアルカンの製造に用いられる触媒の４級有機ホスホニウム塩は次の一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表することができる。
【化４ａ】
0005474945.tif 000005
【化４ｂ】
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【００１７】
式(４ａ)と(４ｂ)中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ３はそれぞれ互いに同じでも異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル基又は-(ＣＨ２)ｎ-Ｃ６Ｈ５(ここで、ｎは０又は１〜６)を示し、２つのＲ３が互いに共有結合して４原子又は８原子環を形成でき、ＹはＣ１〜Ｃ１２のアルキレン基を示す。
【００１８】
前記４級有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０．０５〜０．５モルを用いることが望ましい。
【００１９】
又、本発明に係る４級有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表される４級有機ホスホニウム塩化合物を直接用いたり、又はシリコンレジン、シリカ、無機錯体、および有機高分子からなる群より選ばれる１種以上の担体に固定化して用いることもできる。例えば、シリコンレジンの場合は、（Ｃｌ−Ｂｕ３Ｐ＋（ＣＨ２）３‐ＳｉＯ３／２）ｎの構造のようにシリコンレジンに触媒活性を有するホスホニウム塩を含む構造を持ち、前記他の担体の場合も類似の構造で高分子の担体に触媒活性を有するホスホニウム塩が固定化された構造を持つ。
【００２０】
前記触媒を様々な担体に固定化させる技術は、特に限定されなく、通常の触媒固定化方法に従い、その詳細な説明は省略する。
【００２１】
又、本発明に係る前記反応は１０〜２５０℃の温度範囲で行われることが望ましい。又、前記反応は反応溶媒が存在しない状態で反応させることが望ましいが、必要に応じて選択的にベンゼン、トルエン、およびキシレンからなる群より選ばれる１種以上の芳香族炭化水素溶媒の存在下で行うこともできる。
【００２２】
上述のように一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを触媒存在下で単独で反応させると、前記一般式(２)で表される環状トリシラアルカンと前記一般式(３)で表される直線状トリシラアルカンとを同時に得ることができる。
【００２３】
一方、前記反応時に選択的に次の一般式(５)で表される有機塩化物を共に反応させると、前記一般式(２)で表される環状トリシラアルカンと、一般式(３)で表される直線状のトリシラアルカンの他にも、次の一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体を同時に得ることができる。
【化５】
0005474945.tif 000007
【００２４】
式中、Ｒ２は、ハロゲン元素;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;-ＳｉＣｌ３、-ＳｉＭｅＣｌ２、-ＳｉＨＣｌ２、-ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび-ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体の残基;不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基;-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。);-(ＣＨ２)ｐＣｌで表される塩化アルキル基(ここで、ｐは１〜９の整数である。);又は-Ａｒ(ＣＨ２)Ｃｌで表される塩化メチル芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素である。)の中から選ばれるものであり、Ｒ３は、水素原子;ハロゲン原子;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;又は-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。)の中から選ばれるものである。
【００２５】
前記一般式（５）で表される有機塩化物としては、脂肪族と芳香族有機基が置換された１級あるいは２級アルキルクロリドやシリル基が置換されたメチルクロリドなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【化６】
0005474945.tif 000008
【００２６】
式中、Ｒ３は、水素原子;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;又は-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。)の中から選ばれるものであり、Ｒ４は、炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;-ＳｉＣｌ３、-ＳｉＭｅＣｌ２、-ＳｉＨＣｌ２、-ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび-ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体残基;不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基;-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基、ｑは０〜５の整数である。);および前記一般式(５)のＲ２が-(ＣＨ２)ｐＣｌ、-Ａｒ(ＣＨ２)Ｃｌの場合、前記一般式(６)のＲ４はそれぞれ-(ＣＨ２)ｐＳｉＣｌ３、-Ａｒ(ＣＨ２)ＳｉＣｌ３である。
【００２７】
前記一般式（１）で表されるＳｉ‐Ｈ結合を有し、２つ以上のクロロシリル基を有するビスクロロシリルメタンを４級有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いて反応させると、前記一般式（２）で表される環状トリシラアルカンや、前記一般式（３）で表される直線状トリシラアルカンが得られ、この反応でさらに一般式（５）で表されるＣ‐Ｃｌ結合を有する有機塩化物と共に反応させると、環状や直線状トリシラアルカンの他に前記一般式（６）で表される有機トリクロロシラン誘導体を同時に合成することができる。
【００２８】
この反応で前記一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体は、前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタンが分解されて出たトリクロロシランがアルキルクロリドと反応して生成されたものである。
【００２９】
すなわち、ビスクロロシリルメタンが分解されてトリクロロシランを生成し、その他はジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)を生成させる。このジクロロシランは非常に反応性の高い中間体であるので、アルコール、アミン、トリメチルメトキシシランのような求核反応を起こす化合物があればこれらと容易に反応し、前記求核反応物質がなければ二重化(ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ)して１,１,３,３-テトラクロロ-１,３-ジシラシクロブタンを形成する。
【００３０】
しかしながら、本発明ではビスクロロシリルメタンが分解されて生成されたジクロロシランの二重化生成物の１,３-ジシラシクロブタンは得られなかったが、直線状や環状トリシラアルカンが生成された。
【００３１】
これは、１,３-ジシラシクロブタンが、次の反応式(１)のように反応条件で他の１モルのジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)がさらに付加されて環状三重体の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンを形成するか、あるいはトリクロロシランとの開環反応により直線状１,３,５-トリシラペンタンを形成すると推定される。
［反応式１］
0005474945.tif 000009
【００３２】
一方、本発明では、前記一般式(５)で表される有機塩化物は、前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０.５〜８モルの範囲で反応させることが望ましい。
【００３３】
本発明で４級有機ホスホニウム塩化合物触媒を用いて前記一般式（１）で表されるビスクロロシリルメタンを単独で反応させても直線状や環状有機シラン化合物を得ることができるが、反応で副産されるトリクロロシランが環状有機シラン化合物の開環反応を起こし、環状有機シラン化合物の収率は低くなった。
【００３４】
これにより、トリクロロシランと反応する前記一般式(５)で表される有機塩化物を共に反応させると、直線状トリシラペンタンの形成を抑制させ、高収率の環状有機シラン化合物を得ることができる。
【００３５】
次の実施例により本発明をより詳しく説明するが、本発明の範囲がこれらの実施例により限定されるものではない。
【００３６】
(実施例)
〈実施例１:(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
オーブンで乾燥した２５ｍｌのステンレススチール管からなる反応槽を、乾燥した窒素気体下で冷却させた後に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れた。反応槽の入口を栓で密封し、１８０℃で３時間反応させた後、気体クロマトグラフィーにより出発物質の消耗と生成物が確認でき、反応物の減圧蒸留により２.８ｇ(収率４９.６％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
【００３７】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００３８】
〈実施例２:(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラエチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、０.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラエチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により２.５ｇ(収率４４.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.１ｇ(収率１１.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
【００３９】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００４０】
〈実施例３:ベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.２ｇ(収率３５.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.９ｇ(収率１５.２％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
【００４１】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００４２】
〈実施例４:ベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラフェニルホスホニウムクロリドＦｗ３７４.８４)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.１ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で６時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.３ｇ(収率３８.３％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
【００４３】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００４４】
〈実施例５:メチレンクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.７ｇ(収率６５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４４.８％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
【００４５】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００４６】
〈実施例６:メチレンクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:ベンジルトリフェニルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.５ｇ(収率６１.９％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.２ｇ(収率１２.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３８.０％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
【００４７】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００４８】
〈実施例７:(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
【００４９】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００５０】
〈実施例８:(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:ベンジルトリブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.０ｇ(０.００３ｍｏｌ)のベンジルトリブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
【００５１】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００５２】
〈実施例９:ベンジルクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２７.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.３ｇ(収率４.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率４１.７％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
【００５３】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランはδ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００５４】
〈実施例１０:ベンジルクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:３-(トリブチルホスホニウム)プロピル}クロリドをシリコンレジン担体に固定化させた触媒)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇのシリコンレジン[(ＲＳｉＯ３/２)ｎ、Ｒ＝{３-(トリブチルホスホニウム)プロピル}クロリド]を入れて１８０℃で１２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.２ｇ(収率４.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.７ｇ(収率３９.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
【００５５】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００５６】
〈実施例１１:メチレンクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
【００５７】
実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.０ｇ(０.０２４ｍｏｌ)のメチレンクロリド、８.６ｇ(０.０４０ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.２ｇ(０.００４ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.２ｇ(収率７０.１％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１３.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.３ｇ(収率４０.６％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
【００５８】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００５９】
〈実施例１２:(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１１.４ｇ(０.０４３ｍｏｌ)の(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.２６ｇ(０.００４ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５６ｇ(収率３２.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.５ｇ(収率６.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
【００６０】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００６１】
〈実施例１３:１-クロロヘキサンと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の１-クロロヘキサン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１７０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５３.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０g(収率１７.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.２ｇ(収率４８.２％)のｎ-ヘキシルトリクロロシランを得ることができた。
【００６２】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ｎ-ヘキシルトリクロロシランは、δ０.９１ｐｐｍ(ｍ、３Ｈ)で-ＣＨ２-ＣＨ３、δ１.３０-１.４５(ｍ、８Ｈ)で-(ＣＨ２)４、δ１.６１(ｍ、２Ｈ)でＣｌ３Ｓｉ-ＣＨ２のピークを確認し、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００６３】
〈実施例１４：(クロロメチル)メチルジクロロシランと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.９ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(クロロメチル)メチルジクロロシラン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５ｇ(収率４５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３５.４％)の１,１,１,３,３-ペンタクロロ-１,３-ジシラブタンを得ることができた。
【００６４】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,１,３,３-ペンタクロロ-１,３-ジシラブタンは、δ０.９４ｐｐｍ(ｓ、３Ｈ)でＣｌ３Ｓｉ-ＣＨ３、δ１.５８ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２のピークを確認し、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００６５】
〈実施例１５：アリルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のアリルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５４.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.０ｇ(収率３８.３％)のアリルトリクロロシランを得ることができた。
【００６６】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、アリルトリクロロシランは、δ２.３６ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｓｉ、δ５.２２ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣＨ２=、δ５.８０ｐｐｍ(ｍ、１Ｈ)でＣＨ=のピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００６７】
〈実施例１６：４-クロロベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に５.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-クロロベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５２.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.３％)の(４-クロロベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
【００６８】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、(４-クロロベンジル)トリクロロシランは、δ２.９３ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｓｉ、δ７.３７ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００６９】
〈実施例１７：イソプロピルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.４ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のイソプロピルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で１３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率４２.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと１.８ｇ(収率３３.３％)のイソプロピルトリクロロシランを得ることができた。
【００７０】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析結果、イソプロピルトリクロロシランは、δ１.１８ｐｐｍ(ｄ、６ｈ)でＣＨ-(ＣＨ３)２、δ１.５２ｐｐｍ(ｍ、１Ｈ)でＳｉ-ＣＨ-(ＣＨ３)２のピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００７１】
〈実施例１８:１,３-ジクロロプロパンと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１.７ｇ(０.０１５ｍｏｌ)の１,３-ジクロロプロパン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃の１０時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.６ｇ(収率４７.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１１.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタン、２.５ｇ(収率５４.２％)のビス(トリクロロシリル)プロパンと０.４ｇ(収率１２.２％)の３-(クロロプロピル)トリクロロシランを得ることができた。
【００７２】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１.３-ビス(トリクロロシリル)プロパンは、δ１.５６ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-、δ１.９２ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。３-(クロロプロピル)トリクロロシランは、δ１.５８ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２、δ２.０６ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｃ、δ３.６１ｐｐｍ(ｔ、２Ｈ)でＣＨ２Ｃｌのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
【００７３】
〈実施例１９:４-メトキシベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.７ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-メトキシベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.９ｇ(収率５４.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.６４ｇ(収率１０.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.４％)の(４-メトキシベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
【００７４】
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、(４-メトキシベンジル)トリクロロシランは、δ２.８８ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ３.８３ｐｐｍで-Ｏ-ＣＨ３、δ７.１５ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)とδ６.９０ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。