(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント表面を有するテンプレートを備え、前記インプリント表面は、パターニングされたレジスト層を形成するレジスト層にパターンを転写し、前記レジスト層は、流動性レジスト材料が加熱されたとき、前記テンプレートと接触することで前記インプリント表面に流れ込む前記流動性レジスト材料を含み、前記流動性レジスト材料は、熱硬化性ポリマー樹脂であり、前記パターニングされたレジスト層は、電子デバイスと関連するデバイストポロジーを画定し、前記デバイストポロジーは、パターニングされたレジスト層によって基板を成形することによって形成され、
前記パターンは、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと関連する第１のパターンを有する第１の領域、および平坦状電子デバイスと関連する第２のパターンを有する第２の領域を備える、装置。
【請求項２】
前記テンプレートはモノリシックテンプレートである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび前記平坦状電子デバイスは、前記電子デバイスに含まれる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記流動性レジスト材料は前記基板上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび前記平坦状電子デバイスは、追加のパターニングされたレジスト層の使用を伴わずに製造される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記平坦状電子デバイスは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の領域は、複数のＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するように適合される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の領域は、複数の平坦状電子デバイスを製造するように適合される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
電子デバイスを製造する方法であって、
基板により支持される流動性レジスト材料にテンプレートを接触させることによって、パターニングされたレジスト層を形成するステップであって、前記流動性レジスト材料は熱硬化性材料を含み、前記流動性レジスト材料は、前記流動性レジスト材料が加熱されたとき、前記テンプレートと接触することで前記テンプレートのインプリント表面に流れ込むステップと、
前記パターニングされたレジスト層を使用して、パターニングされた基板を製造するために前記基板をパターニングすることによって、前記電子デバイスを形成するステップであって、前記パターニングされた基板は、前記パターニングされたレジスト層によって画定されたパターニング形状を有するステップであって、前記インプリント表面は、
第１のパターンを有する第１の領域であって、前記第１のパターンはフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと関連する第１の領域、並びに
第２のパターンを有する第２の領域であって、前記第２のパターンは平坦状電子デバイスと関連し、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび前記平坦状電子デバイスは、前記基板への追加のパターニングされたレジスト層を適用することなく製造される第２の領域を備えるステップと、
前記基板をパターニングした後で、前記パターニングされたレジスト層を除去するステップと、を含む方法。
【請求項１０】
前記パターニングされた基板は、前記第１のパターンに対応する前記ＦｉｎＦＥＴデバイス、および前記第２のパターンに対応する前記平坦状電子デバイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記テンプレートはモノリシックである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記インプリント表面は、潤滑剤コーティングをさらに含み、前記ＦｉｎＦＥＴデバイスと前記平坦状電子デバイスとは実質的に同じ高さである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記平坦状電子デバイスは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記インプリント表面は、前記基板上の別のＦｉｎＦＥＴデバイスと関連する第３のパターンを有する第３の領域、および前記基板上の別の平坦状電子デバイスと関連する第４のパターンを有する第４の領域を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
無線デバイスを含むデバイスであって、
前記無線デバイスは、
フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと、
平坦状電子デバイスと
を備え、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび前記平坦状電子デバイスは、モノリシック基板上に配置され、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび前記平坦状電子デバイスは、インプリント表面を有するテンプレートを用いて流動性レジスト材料をパターニングすることにより形成され、前記インプリント表面は、
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスと関連する第１のパターンを有する第１の領域、および
前記平坦状電子デバイスと関連する第２のパターンを有する第２の領域を備え、
前記流動性レジスト材料は、熱硬化性材料を含み、前記流動性レジスト材料は、前記流動性レジスト材料が加熱されたとき、前記テンプレートと接触することで前記インプリント表面に流れ込むように構成される、デバイス。
【請求項１６】
前記テンプレートは、モノリシックテンプレートである、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記平坦状電子デバイスは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記平坦状電子デバイスは、メモリデバイスの感度増幅器内に含まれ、前記メモリデバイスは、前記無線デバイスに含まれる、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスは、前記メモリデバイスのメモリセル内に含まれる、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記平坦状電子デバイスは、メモリデバイスのデコーダ内に含まれ、前記メモリデバイスは、前記無線デバイスに含まれる、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記ＦｉｎＦＥＴデバイスは、前記メモリデバイスのメモリセル内に含まれる、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記無線デバイスは、第２のＦｉｎＦＥＴデバイスをさらに備え、前記第１のパターンは、前記第２のＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するようにさらに適合される、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記無線デバイスは、第２の平坦状電子デバイスをさらに備え、前記第２のパターンは、前記第２の平坦状電子デバイスを製造するようにさらに適合される、請求項１５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、共通基板上にフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）および平坦状電子デバイスを組み込んだデバイスと、かかるデバイスを形成する方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
技術の進歩は、より小型でより強力なパーソナルコンピューティングデバイスをもたらした。例えば、現在では、小型、軽量、かつユーザによる携帯が容易な、携帯無線電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、およびページングデバイスなどの無線コンピューティングデバイスを含む、様々な可搬式パーソナルコンピューティングデバイスが存在する。さらに具体的には、セル電話およびインターネットプロトコル（ＩＰ）電話などの携帯無線電話による、無線ネットワークを介した音声およびデータパケットの通信が可能である。さらに、かかる無線電話の多くは、中に組み込まれた他のタイプのデバイスを備える。例えば、無線電話が、デジタル静止カメラ、デジタル動画カメラ、デジタルレコーダ、およびオーディオファイルプレーヤをさらに備えることが可能である。また、かかる無線電話は、インターネットにアクセスするために利用可能なウェブブラウザアプリケーションなどのソフトウェアアプリケーションを含む、実行可能な命令を処理することが可能である。しかし、かかる可搬式デバイスの電力消費量は、電池の消耗を速め、ユーザによる利用機会を減少させる恐れがある。
【０００３】
電力消費量の低減は、かかる可搬式デバイス内の回路のフィーチャサイズのさらなる縮小および作動電圧のさらなる低減をもたらした。また、電力消費量の低減に伴うフィーチャサイズの縮小および作動電圧の低減により、ノイズおよび製造プロセス変動に対する敏感さが高まる。フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）は、基板上への高密度パッケージングが可能な低電力の高速トランジスタである。しかし残念なことに、ＦｉｎＦＥＴは、集積回路設計内のあらゆる目的に適しているわけではない。様々なアプリケーションが、様々なタイプのトランジスタデバイスの使用を要する場合がある。
【０００４】
あるアプリケーションは、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）またはバルクシリコン基板のいずれかの上に、ＦｉｎＦＥＴおよび平坦状金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の両方を備える場合がある。しかし、ＦｉｎＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴを組み込むための技術は、一般的には、ＦｉｎＦＥＴゲートとＭＯＳＦＥＴゲートとの間に大きな高低差を生じさせる傾向がある。そのため、この高低差により、ＦｉｎＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴデバイスを形成するために複数のレジスト層を使用するなどの製造ステップの複数化に加えて、リソグラフィプロセスおよびエッチングプロセスの複雑化が引き起こされる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
特定の一実施形態においては、装置が開示される。この装置は、インプリント表面を有するテンプレートを備える。インプリント表面は、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１のパターンを有する第１の領域および平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターンを有する第２の領域を備える。
【０００６】
別の特定の実施形態においては、電子デバイスを製造する方法が開示される。この方法は、基板により支持される流動性レジスト材料にテンプレートを接触させることによって、パターニングされたレジスト層を形成するステップと、形成されたパターニングされたレジスト層を使用して電子デバイスを形成するステップとを含む。テンプレートは、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１のパターンを有する第１の領域および平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターンを有する第２の領域を備えるインプリント表面を有する。
【０００７】
別の特定の実施形態においては、デバイスが開示される。このデバイスは、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと、平坦状電子デバイスとを備える。フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスおよび平坦状電子デバイスは、モノリシック基板上に配置される。ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイスは、インプリント表面を有するテンプレートを用いて流動性レジスト材料をパターニングすることにより形成される。インプリント表面は、ＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するように適合された第１のパターンを有する第１の領域および平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターンを有する第２の領域を備える。
【０００８】
開示される実施形態の少なくとも１つにより実現される特定の一利点は、ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイスが、実質的に同時に形成されるため、追加のレジスト層を基板に接触させる必要を伴わずに、インプリント技術を用いて共通基板上に形成され得る点である。
【０００９】
以下の章、すなわち図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲を含む、本明細書全体を参照することにより、本開示の他の態様、利点、および特徴が明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板上のインプリント可能媒体中にプレスされる前の、電子デバイスの製造の際に使用されるテンプレートの特定の例示的な一実施形態の上面図である。
【図２】基板上のインプリント可能媒体中にプレスされる前の、電子デバイスの製造の際に使用されるテンプレートの特定の例示的な一実施形態の側面図である。
【図３】基板上のインプリント可能媒体中にプレスされているテンプレートの特定の例示的な一実施形態の側面図である。
【図４】固体の被インプリントレジスト層の表面輪郭の特定の例示的な一実施形態の側面図である。
【図５】基板に固体の被インプリントレジスト層を転写するパターンの特定の例示的な一実施形態の側面図である。
【図６】電子デバイスを製造する方法の特定の例示的な一実施形態の流れ図である。
【図７】共通基板上にＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスを備える可搬式デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１を参照すると、基板上のインプリント可能媒体中にプレスされる前の、電子デバイスの製造の際に使用されるテンプレートの特定の例示的な一実施形態の上面図が、図示され、１００で全体的に示される。テンプレート１１０が、基板１２０上に形成されることとなるパターンを呈したインプリント表面を有する。このインプリント表面は、第１の領域１１２および第２の領域１１４を備える。第１の領域１１２は、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１の位相パターン１１６を備える。第２の領域１１４は、平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２の位相パターン１１８を備える。特定の一実施形態においては、平坦状電子デバイスは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）または金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）である。
【００１２】
第１の位相パターン１１６および第２の位相パターン１１８は、基板１２０上のインプリント可能媒体１２２中にテンプレート１１０をプレスすることにより、インプリント可能媒体１２２に転写される。インプリント可能媒体中へのかかるパターンの転写の一例が、図２に示される。インプリント可能媒体１２２は、例えば、基板１２０上に堆積されるレジスト層として用意され得る。特定の一実施形態においては、インプリント可能媒体１２２は、熱硬化性ポリマー樹脂、熱可塑性ポリマー樹脂、または光硬化性液体レジストである。テンプレート１１０と接触する際に、インプリント可能媒体１２２は、テンプレート１１０上に画成されたパターンフィーチャ中に流れ、その後、インプリント可能媒体１２２は、硬化されて、テンプレートパターンの輪郭を有する固体層が形成される。その後、インプリント可能媒体１２２からインプリントされたパターンは、反応性イオンエッチングまたはウェット化学エッチングなどのパターン転写プロセスを介して基板１２０上に転写され得る。複数のＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスのパターンを、テンプレート１１０のインプリント表面上に含めることが可能であり、これにより、後の加工ステップにおいて共通基板上に複数のＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスを同時に形成することが可能である。さらに、テンプレート１１０は、インプリント可能媒体１２２中にテンプレート１１０をインプリントし、テンプレート１１０の下方のインプリント可能媒体１２２を硬化し、テンプレート１１０を除去し、基板１２０の隣接領域へとステップ移動し、この作業を繰り返すことによって、基板１２０の小さな区域をパターニングするために使用することが可能である。この場合、第１のパターン１１６が、複数のＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するように適合され、第２のパターン１１８が、複数の平坦状電子デバイスを製造するように適合されることによって、複数のＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイスからなる複数の領域が作製される。
【００１３】
テンプレートインプリン地表面上のフィーチャの分解能は、基板上に形成されるフィーチャの達成可能分解能に関する制限要素となり得る。そのため、非常に高い分解能が可能である技術が、インプリント表面パターンの形成において有益なものとなり得る。テンプレートインプリント表面パターンは、電子ビーム描画により形成することができる。さらに、テンプレート１１０のリリース特徴が、考慮対象になり得る。その理由は、テンプレートのリリース不良またはスティッキングにより、インプリントされた層に対して剥離または他の損傷をもたらす場合があり、その結果、インプリントされたパターンまたはフィーチャの寸法上の完全性が損なわれる場合があるからである。テンプレート１００は、例えば、テンプレート１１０上にリリース層を形成するために、潤滑剤コーティングなどの表面処理材料で処理することが可能である。
【００１４】
図２を参照すると、基板２２０上のインプリント可能媒体２２２中にテンプレート２１０をプレスすることによる電子デバイスの製造において使用し得る、テンプレート２１０の特定の例示的な一実施形態の側面図が、図示され、２００で全体的に示される。テンプレート２１０は、基板２２０上に形成されることとなるパターンを呈したインプリント表面を有する。例示的な一実施形態においては、テンプレート２１０は、モノリシックテンプレートであり、第１の領域２１２、第２の領域２１４、第３の領域２４２、および第４の領域２４４を備えるインプリント表面を有する。第１の領域２１２は、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１のパターン２１６を備える。第２の領域２１４は、ＦＥＴなどの平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターン２１８を備える。第３の領域２４２は、別のＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するように適合された第３のパターン２４６を備える。第４の領域２４４は、第２のＦＥＴなどの別の平坦状電子デバイスを製造するように適合された第４のパターン２４８を備える。第１のパターン２１６、第２のパターン２１８、第３のパターン２４６、および第４のパターン２４８は、基板２２０上のレジスト層２２２などのインプリント可能媒体中にテンプレート２１０をプレスすることを含むプロセスによって、基板２２０に転写され得る。テンプレート２１０と接触する際に、レジスト層２２２は、テンプレート２１０上に画成されたパターンフィーチャ中に流れ、その後、レジスト層２２２は、硬化されて、このテンプレートのパターンの輪郭を有する固体層が形成される。その後、レジスト層２２２からインプリントされたパターンは、反応性イオンエッチングまたはウェット化学エッチングなどのパターン転写プロセスを介して基板２２０に転写され得る。
【００１５】
図３を参照すると、レジスト層などのインプリント可能媒体中にテンプレートをプレスする特定の例示的な一実施形態の側面図が、図示され、３００で全体的に示される。テンプレート３１０が、基板３２０上に形成されることとなるパターンを呈したインプリント表面を有する。特定の一実施形態においては、テンプレート３１０は、図２に図示されるテンプレート２１０であってもよい。インプリント表面は、第１の領域３１２、第２の領域３１４、第３の領域、３４２、および第４の領域３４４を備える。第１の領域３１２は、フィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスを製造するように適合された第１のパターン３１６を備える。第２の領域３１４は、ＦＥＴなどの平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターン３１８を備える。第３の領域３４２は、別のＦｉｎＦＥＴデバイスを製造するように適合された第３のパターン３４６を備える。第４の領域３４４は、第２のＦＥＴなどの別の平坦状電子デバイスを製造するように適合された第４のパターン３４８を備える。ピラー３１７が、テンプレート３１０の第１のパターンの輪郭に沿って形成され、ピラー３１９が、テンプレート３１０の第２のパターンの輪郭に沿って形成され、ピラー３４７が、テンプレート３１０の第３のパターンの輪郭に沿って形成され、ピラー３４９が、テンプレート３１０の第４のパターンに沿って形成される。第１のパターン、第２のパターン、第３のパターン、および第４のパターンは、基板３２０上のレジスト層３２２などのインプリント可能媒体中にテンプレート３１０をプレスすることを含むプロセスによって、基板３２０に転写され得る。テンプレート３１０は、レジスト層３２２中にプレスされて、被圧縮領域３１３が形成される。図示される実施形態においては、ピラー３１７、３１９、３４７、および３４９は、レジスト層３２２中にプレスされるが、下層の基板３２０の表面には接触しない。レジスト層３２２が、ピラー３１７、３１９、３４７、および３４９の間の部分に接触するように、レジスト層３２２の少なくとも複数の部分が、流動化される。その結果、レジスト層３２２は、テンプレート３１０の第１のパターン３１６、第２のパターン３１８、第３のパターン３４６、および第４のパターン３４８の形状に実質的に合致する。
【００１６】
図４を参照すると、固体の被インプリントレジスト層４２２の表面輪郭の特定の例示的な一実施形態の側面図が、図示され、４００で全体的に示される。レジスト層４２２は、固体層中にレジスト層４２２を形成することにより、およびインプリントテンプレート（図示せず）を除去することにより、基板４２０上に形成される。特定の一実施形態においては、固体の被インプリントレジスト層４２２は、図２に図示される例示的なテンプレート２１０の第１のパターン、第２のパターン、第３のパターン、および第４のパターンと形状合致するテンプレートの複数のピラーおよび凹部にしたがって輪郭設定される。
【００１７】
図５を参照すると、基板に固体の被インプリントレジスト層を転写するパターンの特定の例示的な一実施形態の側面図が、図示され、５００で全体的に示される。反応性イオンエッチングなどのパターン転写プロセスを使用して、固体の被インプリントレジスト層から基板にパターンを転写することが可能である。特定の一実施形態においては、図４に図示される固体の被インプリントレジスト層４２２の表面輪郭は、反応性イオンエッチングまたはウェット化学エッチングなどのパターン転写プロセスを介して基板５２０に転写され、それにより、基板５２０上に、ＦｉｎＦＥＴデバイス５３０および平坦状電子デバイス５４０（例えばＦＥＴ）内で使用されるフィーチャが形成される。ＦｉｎＦＥＴデバイス５３０および平坦状電子デバイス５４０内に使用されるフィーチャを形成するために、追加的な被パターニングレジスト層を基板５２０に施す必要はなく、これらのフィーチャは、実質的に同時に形成される
【００１８】
図６を参照すると、電子デバイスを製造する方法の特定の例示的な一実施形態の流れ図が、図示され、６００で全体的に示される。６０２で、ＦｉｎＦＥＴを製造するように適合された第１のパターンおよびＦＥＴなどの平坦状電子デバイスを製造するように適合された第２のパターンを備えるインプリント表面を有するテンプレートが、用意される。例としては、このテンプレートは、図１に図示されるテンプレート１１０か、または図２に図示されるテンプレート２１０であってもよい。６０４に進むと、インプリント表面パターンが、インプリント可能媒体にテンプレートを接触させることにより、基板上のレジスト層などのインプリント可能媒体に転写される。
【００１９】
引き続き６０６では、インプリント可能媒体（例えばレジスト層）が、固体層へと形成される。例えば、熱硬化性ポリマー樹脂または熱可塑性ポリマー樹脂が用いられる場合には、この樹脂は、テンプレートとの接触時に、樹脂がテンプレート上に画成されたパターンフィーチャ内に流れるのに十分な流動性をもつように、ある温度まで加熱される。次いで、パターニングされた樹脂が、冷却される。別の例としては、光硬化性液体レジストが用いられる場合には、テンプレートは、典型的には透明材料から作製される。この場合には、テンプレートおよびレジストが一体的に圧着された後に、レジストは、ＵＶ光で硬化され、固体となる。
【００２０】
６０８に進むと、テンプレートは、インプリント可能媒体から分離され、インプリントされたパターンを備える固体の被インプリント層が、基板上に形成される。引き続き６１０では、被インプリントＦｉｎＦＥＴパターンおよび平坦状電子パターンが、反応性イオンエッチングまたはウェット化学エッチングなどのパターン転写プロセスを介して被インプリントレジスト層（または他のインプリント可能媒体）から基板に転写され、それにより、基板上にＦｉｎＦＥＴデバイスのフィーチャおよび平坦状電子デバイス（例えばＦＥＴ）のフィーチャが形成される。例示的な一実施形態においては、平坦状電子デバイスは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）であってもよい。ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイスのフィーチャは、追加的なパターニングされたレジスト層を使用することなく形成される。複数のＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスのパターンを、テンプレートのインプリント表面上に含めることにより、複数のＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスを形成することが可能である。
【００２１】
ＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイスの形成後に、典型的にはデバイスレベルの上方に形成される、相互接続部、接触子、配線層等々（図示せず）を含む残りの集積回路構造部を形成するための加工が行われる。かかる加工は、絶縁層の形成および導電層の形成を含む。絶縁層および導電層は、残りの集積回路構造部を形成するために、選択的にエッチングされる。
【００２２】
図７を参照すると、本明細書において説明されるようなインプリントテンプレートにより形成される共通基板上のＦｉｎＦＥＴおよび平坦状電子デバイスを備える無線電話などの電子デバイスの特定の例示的な一実施形態のブロック図が、図示され、７００で全体的に示される。デバイス７００は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）７１０などのプロセッサを備え、このデジタル信号プロセッサ７１０は、インプリントテンプレートにより形成された共通基板上のＦｉｎＦＥＴデバイス７６８および平坦状電子デバイス７６６を備えるメモリ７３２に結合される。例示的な一実施形態においては、メモリ７３２は、感度増幅器７７０、デコーダ７７２、およびメモリセル７７４を備える。いくつかの特定の実施形態においては、平坦状電子デバイス７６６は、メモリ７３２の感度増幅器７７０またはデコーダ７７２内に含まれてもよく、ＦｉｎＦＥＴデバイス７６８は、メモリセル７７４内に含まれてもよい。一例においては、インプリントテンプレートにより形成される共通基板上のＦｉｎＦＥＴデバイス７６８および平坦状電子デバイス７６６は、図５に図示されるＦｉｎＦＥＴデバイスおよび平坦状電子デバイス構造部を備え、図１のテンプレート１１０、図２のテンプレート２１０、またはそれらの任意の組合せを使用して、図６の方法を利用することにより決定された、位相フィーチャを有する。
【００２３】
さらに、図７は、デジタル信号プロセッサ７１０およびディスプレイ７２８に結合された、ディスプレイコントローラ７２６を示す。さらに、コーダ／デコーダ（ＣＯＤＥＣ）７３４が、デジタル信号プロセッサに結合され得る。スピーカ７３６およびマイクロフォン７３８が、ＣＯＤＥＣ７３４に結合され得る。
【００２４】
さらに、図７は、無線コントローラ７４０が、デジタル信号プロセッサ７１０および無線アンテナ７４２に結合され得ることを示唆する。特定の一実施形態においては、ＤＳＰ７１０、ディスプレイコントローラ７２６、メモリ７３２、ＣＯＤＥＣ７３４、無線コントローラ７４０、ならびにインプリントテンプレートにより形成された共通基板上のＦｉｎＦＥＴ７６８および平坦状電子デバイス７６６が、システムインパッケージまたはシステムオンチップ７２２内に含まれる。特定の一実施形態においては、入力デバイス７３０および電源７４４が、オンチップシステム７２２に結合される。さらに、特定の一実施形態においては、図７に図示されるように、ディスプレイ７２８、入力デバイス７３０、スピーカ７３６、マイクロフォン７３８、無線アンテナ７４２、および電源７４４が、オンチップシステム７２２の外部に位置する。しかし、これらはそれぞれ、インターフェースまたはコントローラなどのオンチップシステム７２２の構成要素に結合され得る。
【００２５】
さらに、本明細書において開示された実施形態に関連して説明される様々な例示的な論理ブロック、コンフィギュレーション、モジュール、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、プロセッサにより実行されるコンピュータソフトウェア、またはそれらの組合せとして実装され得ることが、当業者には理解されよう。ハードウェアおよびソフトウェアのこの互換性を明らかに示すために、様々な例示的な構成要素、ブロック、コンフィギュレーション、モジュール、回路、およびステップを、概してそれらの機能性との関連において上述した。かかる機能性が、ハードウェアまたはプロセッサにより実行されるソフトフェアのいずれとして実装されるかは、特定の用途およびシステム全体に課せられる設計制約によって決定される。当業者は、特定の各用途に対して様々な様式で既述の機能性を実装し得るが、かかる実装の決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じさせるものとして解釈されるべきではない。
【００２６】
本明細書において開示される実施形態との関連において説明される方法またはアルゴリズムのステップは、直接的にハードウェアとして、プロセッサにより実行されるソフトウェアモジュールとして、またはそれら２つの組合せとして具現化することができる。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、プログラマブルリードオンリーメモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、または当技術において既知の任意の形態の記憶媒体の中に含まれてもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出し、記憶媒体に情報を書き込むことが可能となるように、プロセッサに結合される。代替形態においては、記憶媒体は、プロセッサの一部分であってもよい。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に含まれてもよい。このＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に含まれてもよい。この代替形態においては、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に、個別の構成要素として含まれてもよい。
【００２７】
開示された実施形態の前述の説明は、当業者が開示の実施形態を作製または使用することが可能になるように提示される。これらの実施形態に対する様々な変更が、当業者には容易に明らかになろう。また、本明細書において規定される原理は、本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に適用することができる。したがって、本開示は、本明細書において示された実施形態に限定されるようには意図されず、以下の特許請求の範囲により規定されるような原理および新規の特徴に一致する、可能な限り最大の範囲を与えられるべきである。
【符号の説明】
【００２８】
１１０  テンプレート
１１２  第１の領域
１１４  第２の領域
１１６  第１の位相パターン
１１８  第２の位相パターン
１２０  基板
１２２  インプリント可能媒体
２１０  テンプレート
２１２  第１の領域
２１４  第２の領域
２１６  第１のパターン
２１８  第２のパターン
２２０  基板
２２２  インプリント可能媒体
２４２  第３の領域
２４４  第４の領域
２４６  第３のパターン
２４８  第４のパターン
３１０  テンプレート
３１２  第１の領域
３１３  被圧縮領域
３１４  第２の領域
３１６  第１のパターン
３１７  ピラー
３１８  第２のパターン
３１９  ピラー
３２０  基板
３２２  レジスト層
３４２  第３の領域
３４４  第４の領域
３４６  第３のパターン
３４７  ピラー
３４８  第４のパターン
３４９  ピラー
４２０  基板
４２２  固体の被インプリントレジスト層
５２０  基板
５３０  ＦｉｎＦＥＴデバイス
５４０  平坦状電子デバイス
７００  デバイス
７１０  デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）
７２２  システムインパッケージまたはシステムオンチップ
７２６  ディスプレイコントローラ
７２８  ディスプレイ
７３０  入力デバイス
７３２  メモリ
７３４  コーダ／デコーダ（ＣＯＤＥＣ）
７３６  スピーカ
７３８  マイクロフォン
７４０  無線コントローラ
７４２  無線アンテナ
７４４  電源
７６６  平坦状電子デバイス
７６８  ＦｉｎＦＥＴデバイス
７７０  感度増幅器
７７２  デコーダ７７２
７７４  メモリセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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