(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と、
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、真空中で物体を加熱する加熱ブロックであり、
前記加熱体は、前記加熱ブロックに形成されたスロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータであり、
前記スロットと前記ヒータとの間に前記隙間が形成されており、
前記ガス導入経路は、前記隙間に伝熱ガスを導入するように前記加熱ブロックに形成されており、
前記加熱ブロックは、前記伝熱ガスを介して前記ヒータによって加熱される、加熱装置。
【請求項２】
前記加熱ブロックによって加熱される前記物体は、蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器であり、
前記加熱ブロックは、前記貯蔵容器を着脱可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するための加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に他の隙間が生じるように構成された加熱容器であり、
前記伝熱ガスを介して前記貯蔵容器が前記加熱ブロックによって加熱されるように、前記ガス導入経路又は他のガス導入経路を通じて前記他の隙間に前記伝熱ガスが導入され、
前記加熱装置は、（i）前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、（ii）前記真空槽内を排気する真空ポンプと、をさらに備えた蒸着装置である、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記他の隙間は、幅が０．５ｍｍ以下である、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記伝熱ガスが前記他の隙間から前記真空槽の中に流出することを抑制する抑制構造をさらに備えた、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記抑制構造は、前記他の隙間から流出する前記伝熱ガスの進行方向を変えるように構成されている、又は、前記他の隙間から流出する前記伝熱ガスの量を低減するように構成されている、請求項４に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記抑制構造は、前記貯蔵容器の前記開口部、及び、前記加熱容器の前記開口部の周囲に設けられた段差構造、又は、テーパー構造である、請求項４に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記段差構造、又は、前記テーパー構造を設けることにより、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部の周囲における前記他の隙間が、前記開口部の周囲以外の前記他の隙間よりも狭くなるように形成されている、請求項６に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記加熱容器の熱膨張係数が、前記貯蔵容器の熱膨張係数より小さい、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項９】
前記ヒータを有する前記加熱容器内部の空間と、前記加熱容器の内壁面との間に、前記伝熱ガスを通過させるための通過路、をさらに備えた、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項１０】
前記他の隙間が、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部において、閉鎖されている、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項１１】
前記他の隙間の開口部の上に、蓋体が載置されている、請求項２に記載の加熱装置。
【請求項１２】
前記蓋体の下面に、前記他の隙間に導入された前記伝熱ガスを通過させるガス流路が形成されている、請求項１１に記載の加熱装置。
【請求項１３】
蒸着装置としての、請求項２に記載の加熱装置を使用して、真空中で前記基材上に蒸着を行なう蒸着方法であって、
前記隙間及び前記他の隙間に伝熱ガスを導入しつつ、前記ヒータにより前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱することで、前記貯蔵容器から前記蒸着材料を蒸発させる工程を含む、薄膜製造方法。
【請求項１４】
前記伝熱ガスの導入量は、前記真空槽内の圧力に応じて制御される、請求項１３に記載の薄膜製造方法。
【請求項１５】
前記蒸着材料がリチウムであり、前記伝熱ガスが不活性ガスである、請求項１３に記載の薄膜製造方法。
【請求項１６】
前記加熱ブロックには、複数の前記スロットが形成されており、
複数の前記スロットのそれぞれに前記ヒータが差し込まれており、
前記ガス導入経路は、前記加熱ブロックの外部から前記スロットに前記伝熱ガスを導入する第一経路と、前記スロット同士を互いに連通する第二経路とを含む、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項１７】
前記スロットの長さ方向の中央部で前記隙間が相対的に広く、前記スロットの長さ方向の端部で前記隙間が相対的に狭い、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項１８】
前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するように前記ヒータ本体の前記発熱体に電気的に接続されたリード線とを有し、
前記リード線が位置する側とは反対側において、前記スロットが閉じられている、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項１９】
通電時に前記ヒータの動きが許容されるように、前記ヒータの寸法及び前記スロットの寸法が調節されている、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項２０】
前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するためのリード線を有するリード部と、前記リード線を前記発熱体に電気的に接続するように前記リード部と前記ヒータ本体との間に設けられた接続部とを有し、
前記接続部が前記スロットの外に位置している、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項２１】
前記加熱装置が蒸発源であり、
前記加熱ブロックが、蒸発させるべき材料としての前記物体を収容する凹部を有する蒸発容器である、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項２２】
前記加熱装置が基板を加熱する基板加熱装置である、請求項１に記載の加熱装置。
【請求項２３】
請求項１に記載の加熱装置を使用して真空中で前記物体を加熱する工程と、
前記加熱工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、
を含む、真空加熱方法。
【請求項２４】
請求項１に記載の加熱装置を使用し、前記物体としての薄膜の材料を真空中で蒸発させ、蒸発した材料を基板上に堆積させる工程と、
前記堆積工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、
を含む、薄膜製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置、真空加熱方法及び薄膜製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器の高性能化及び多機能化に伴い、それらの電源である二次電池の高容量化が要求されている。この要求を満足し得る二次電池として非水電解質二次電池が注目されている。非水電解質二次電池の高容量化を達成するために、電極活物質（以下、単に「活物質」という）として、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）などを用いることが提案されている。【０００３】
Ｓｉ又はＳｎは、ケイ素単体、ケイ素合金、ケイ素と酸素とを含む化合物、ケイ素と窒素とを含む化合物、スズ単体、スズ合金、スズと酸素とを含む化合物、及びスズと窒素とを含む化合物として活物質に用いられるが、これらは、リチウムイオンを吸蔵する際に結晶構造が大きく変化するために膨張を伴う。その結果、活物質粒子が割れたり、集電体から活物質層が剥がれたりすることによって、活物質と集電体間の電子伝導性が低下し、結果としてサイクル特性が低下するという問題点があった。【０００４】
そのため、これらの材料を活物質に用いる際には、活物質の膨張及び収縮を軽減する方策が試みられている。【０００５】
また、これらＳｉ又はＳｎを含む活物質には、不可逆容量の問題があることも知られている。すなわち、Ｓｉ又はＳｎを含む活物質を負極に用いると、初回充電時に吸蔵したリチウムイオンの一部が放電時に負極から放出されず、その結果、電池容量が小さくなるという問題がある。【０００６】
不可逆容量を回避するには、予め不可逆容量相当のリチウムを吸蔵させておいた負極を、正極と対向させて、充放電を開始することが有効である。特許文献１では、集電体表面に形成した活物質層に対して、真空蒸着によりリチウムを付与する方法が開示されている。【０００７】
二次電池以外では、例えば、有機ＥＬディスプレイの製造に真空蒸着技術が適用されている。【０００８】
真空蒸着用の蒸発源としては、特許文献２〜４に開示されているような形態が提案されている。【０００９】
特許文献２では、２００〜４００℃の比較的低い温度で蒸発が可能な低分子の有機物を蒸着させるための蒸発源として、蒸発物質貯蔵部と、当該貯蔵部に連結され蒸発物質を噴射させるノズル部と、当該貯蔵部を取り囲む加熱部とを含む蒸発源が記載されている。【００１０】
特許文献３では、アルミニウム、銅、銀、亜鉛などの金属の蒸発源として、ルツボの底面に接触させて傍熱型ヒータを配置した蒸発源が記載されている。この蒸発源は蒸発時の温度が１０００℃以上と高い場合に使用される。【００１１】
特許文献４では、高温の溶融金属を保持する箱型状の内貼材と、るつぼ本体と、内貼材とるつぼ本体との間に介在するスペーサーを具備し、内貼材とるつぼ本体の間の空間部に液状熱媒体を充填したるつぼが記載されている。このるつぼは、電子銃などの手法により直接蒸着材料を加熱、溶融させる場合に使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００７−１２８６５８号公報
【特許文献２】特許第４５５７１７０号明細書
【特許文献３】特開平８−３１１６３８号公報
【特許文献４】特開平２−９３０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
真空中で材料を蒸着したり、真空中で基板を加熱したりするためには、真空中で使用できる加熱装置が必要である。真空中では媒体となる気体が希薄なので、真空中で物体を効率的に加熱することは容易ではない。例えば、るつぼ（被加熱体）にヒータ（加熱体）を一体化させると、直接的な接触によって加熱体から被加熱体への伝熱効率を向上させることも可能かもしれない。しかし、伝熱効率を重視しすぎると、メンテナンス性が悪化する可能性が高い。【００１４】
上記の事情に鑑み、本発明は、真空中で物体を効率的に加熱することができ、メンテナンスも容易な加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
すなわち、本開示は、
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
上記の加熱装置によれば、加熱体は被加熱体から分離可能である。従って、両者のメンテナンスを容易に行うことができる。被加熱体と加熱体との間に隙間が形成されている。隙間には、ガス導入経路を通じて伝熱ガスが導入される。被加熱体は、伝熱ガスを介して、加熱体よって加熱される。従って、るつぼなどの被加熱体を効率的に加熱できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第一実施形態の蒸着装置を模式的に示す断面図
【図２】図１の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図３】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図４】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図５】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図６】参考例である蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図７】本発明の第二実施形態の蒸着装置を模式的に示す断面図
【図８】図７の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図９】図７の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１０】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１１】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１２Ａ】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１２Ｂ】図１２Ａにおける蓋体６９を示す下面図
【図１３Ａ】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１３Ｂ】図１３Ａにおける蓋体６９を示す下面図
【図１４】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１５】図１の蒸着装置に適用可能な蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図
【図１６Ａ】加熱容器と貯蔵容器の隙間にガスを導入していない場合（比較試験例）の経時的な昇温結果を示すグラフ
【図１６Ｂ】加熱容器と貯蔵容器の隙間にガスを導入した場合（試験例）の経時的な昇温結果（時間およそ１８００ｓまで）を示すグラフ
【図１６Ｃ】加熱容器と貯蔵容器の隙間にガスを導入した場合（試験例）の経時的な昇温結果（時間９６００ｓまで）を示すグラフ
【図１７】本発明の第三実施形態に係る蒸発源（加熱装置）を備えた真空蒸着装置の構成図
【図１８】図１７に示す蒸発源（加熱装置）の斜視図
【図１９】蒸発源の正面図
【図２０】蒸発源のＡ−Ａ線に沿った断面図
【図２１】ヒータの断面図
【図２２】変形例１に係る蒸発源の断面図
【図２３】変形例２に係る蒸発源の断面図
【図２４Ａ】図２３に示す蒸発源に使用できる筒状部品の斜視図
【図２４Ｂ】図２３に示す蒸発源に使用できる樋状部品の斜視図
【図２５】変形例３に係る蒸発源の断面図
【図２６】本発明の第四実施形態に係る基板加熱装置の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本開示の第１態様は、
真空中で加熱されるべき被加熱体と、
前記被加熱体から分離可能、かつ自身と前記被加熱体との間に隙間が形成されるように構成された加熱体と
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入経路と、
を備え、
前記被加熱体は、前記伝熱ガスを介して前記加熱体によって加熱される、加熱装置を提供する。
【００１９】
第１態様の加熱装置は、蒸着装置として構成されていてもよい。発明者らは、従来の蒸着装置に以下の問題を見出している。第１態様の加熱装置を蒸着装置に適用することによって、以下の問題を克服できる。
【００２０】
従来、ロールツーロール方式の蒸着装置を用いて基板表面に蒸着膜を形成する際には、特許文献２に開示されているようなノズル形式の蒸発源が使用されている。この蒸発源で蒸着材料として金属などの高沸点材料を使用する場合、蒸着材料は６００℃以上に加熱される必要がある。ところが、真空下では蒸発源とヒータとの間の熱伝導率が低下するため、ヒータの加熱温度を１０００℃以上にする必要があった。一般的にカートリッジヒータの最高使用温度は８７０℃、セラミックヒータの最高使用温度は１１００℃であるため、これらのヒータを用いて１０００℃以上の加熱を行なうと、ヒータの温度制御を行なうことができず、ヒータの使用が極めて困難になっていた。
【００２１】
特許文献３記載の蒸発源では、傍熱型ヒータと接触する部分がルツボの底面に限られているために、例えば蒸着面積を広げることでルツボ内の蒸着材料を増やすと、熱容量が不足して蒸着を実施できなくなる問題があった。
【００２２】
特許文献４記載の蒸着源では、耐久性の向上、及び、蒸着材料を加熱した時に生じる熱エネルギー利用の目的で、ルツボと内貼材との間に液状熱媒体が充填されている。しかし、電子銃などの手法で蒸着材料を外部から加熱すると、液状熱媒体は真空下で蒸発してしまうために、目的とする熱伝導効果が失われる問題があった。
【００２３】
そこで、発明者らは、ヒータとしてカートリッジヒータをルツボの外面に直接取り付けることで、ルツボ内に貯蔵した数百グラムの蒸着材料を加熱して蒸着を行なうことを検討した。この際、蒸着材料の蒸気圧線図から真空下での蒸発温度を予測して、容器の加熱温度を設定した。その結果、基板に蒸着膜を形成することができたが、蒸着終了後にルツボ内に残った蒸着材料を取り除くなどのメンテナンスを行なう際に、事前にカートリッジヒータをルツボから取り外す必要が生じた。特に、基板の幅が広く、貯蔵する蒸着材料が多くなると、それに応じてルツボの容量も大きくなるため、カートリッジヒータの本数が多くなり、前記メンテナンスが極めて煩雑になる問題があった。
【００２４】
この煩雑なメンテナンスの問題を回避するため、発明者らは、ヒータをルツボに直接取り付けるのではなく、ヒータを有する加熱容器にルツボを格納することで、蒸着を行なうことを検討した。この方法によると、蒸着終了後のメンテナンス作業は容易になるが、真空下では加熱容器とルツボとの熱伝導性が低下するために、前述したヒータの使用温度範囲では蒸着材料の温度が十分に上がらず蒸着ができない、もしくは、たとえ蒸着ができたとしても長時間連続して蒸着を実施すると蒸着を制御できない、という問題があった。
【００２５】
本開示の第２態様は、第１態様に加え、
前記被加熱体は、蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器であり、
前記加熱体は、前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器であり、
前記加熱装置は、（i）前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、（ii）前記真空槽内を排気する真空ポンプと、をさらに備えた蒸着装置である、加熱装置を提供する。
【００２６】
言い換えれば、第２態様は、
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を着脱可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に前記隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、
を備えた、蒸着装置を提供する。
【００２７】
第２態様によると、蒸着材料を保持する貯蔵容器が加熱容器に格納され、しかも両容器の間に隙間が生じるように構成されているので、蒸着終了後、貯蔵容器を交換したり、貯蔵容器の内部に残留した蒸着材料を取り除くなどのメンテナンスを行なう際に、貯蔵容器と加熱容器を容易に分離することができる。そのため、貯蔵容器からヒータを取り外すなどの面倒な作業を行なう必要がなくなり、メンテナンス作業を簡易に実施することができる。
【００２８】
また、前記隙間に伝熱ガスが導入されるので、真空蒸着の実施中において加熱容器からの熱が効率よく貯蔵容器に伝達され、蒸着材料が加熱される。そのため、間接的な加熱でありながら蒸着材料の温度を十分に上昇させることができるので、長時間連続して安定に、蒸着を制御することが可能となる。
【００２９】
以上から、第２態様によると、真空下での蒸着が効率よく、連続的に実施することが可能になると共に、蒸着終了後のメンテナンス作業を飛躍的に簡易にすることができるため、極めて優れた生産性で蒸着を実施することができる。
【００３０】
上記の蒸着装置を用いると、優れた生産性で、例えば、充放電サイクル特性に優れた電極を製造することができる。
【００３１】
本開示の第３態様は、第２態様に加え、前記隙間は、幅が０．５ｍｍ以下である、請求項２に記載の加熱装置を提供する。第３態様によれば、隙間のガス圧力を少ないガス導入量で上昇させることができる。
【００３２】
本開示の第４態様は、第２又は第３態様に加え、前記伝熱ガスが前記隙間から前記真空槽の中に流出することを抑制する抑制構造をさらに備えた、加熱装置を提供する。第４態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。また、隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下することも回避できる。
【００３３】
本開示の第５態様は、第４態様に加え、前記抑制構造は、前記隙間から流出する前記伝熱ガスの進行方向を変えるように構成されている、又は、前記隙間から流出する前記伝熱ガスの量を低減するように構成されている、加熱装置を提供する。第５態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。また、隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下することも回避できる。
【００３４】
本開示の第６態様は、第４又は第５態様に加え、前記抑制構造は、前記貯蔵容器の前記開口部、及び、前記加熱容器の前記開口部の周囲に設けられた段差構造、又は、テーパー構造である、加熱装置を提供する。第６態様によれば、貯蔵容器を加熱容器に格納する際の位置合わせを正確に行なうことができ、貯蔵容器の側面及び底面において所定の隙間を確実に確保することができる。また、段差構造またはテーパー構造により貯蔵容器を支持すれば、隙間は、貯蔵容器と加熱容器の開口部において閉鎖され、真空槽から隔絶された空間となりうる。この場合、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
【００３５】
本開示の第７態様は、第６態様に加え、前記段差構造、又は、前記テーパー構造を設けることにより、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部の周囲における前記隙間が、前記開口部の周囲以外の前記隙間よりも狭くなるように形成されている、加熱装置を提供する。第７態様によれば、隙間に導入したガスが真空槽内に拡散することを抑止して、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
【００３６】
本開示の第８態様は、第２〜第７態様のいずれか１つに加え、前記加熱容器の熱膨張係数が、前記貯蔵容器の熱膨張係数より小さい、加熱装置を提供する。第８態様によれば、加熱容器のヒータが昇温するに伴い、加熱容器と貯蔵容器との間の隙間が小さくなり、隙間のガス圧力が上昇するために熱伝導係数が大きくなり、熱効率を高めることができる。
【００３７】
本開示の第９態様は、第２〜第８態様のいずれか１つに加え、前記ヒータを有する前記加熱容器内部の空間と、前記加熱容器の内壁面との間に、前記伝熱ガスを通過させるための通過路、をさらに備えた、加熱装置を提供する。第９態様によれば、ヒータの熱がより効率よく貯蔵容器に伝達されるので、ヒータの加熱量を削減することができる。
【００３８】
本開示の第１０態様は、第２〜第９態様のいずれか１つに加え、前記隙間が、前記貯蔵容器の前記開口部と前記加熱容器の前記開口部において、閉鎖されている、加熱装置を提供する。第１０態様によれば、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。隙間へのガス導入により真空槽内の真空度が低下する（圧力が上昇する）ことも回避できる。
【００３９】
本開示の第１１態様は、第２〜第１０態様のいずれか１つに加え、前記隙間の開口部の上に、蓋体が載置されている、加熱装置を提供する。第１１態様によれば、蓋体が存在するために真空槽へのガス拡散が抑制され、少ないガス導入量で隙間の圧力を高めることができる。
【００４０】
本開示の第１２態様は、第１１態様に加え、前記蓋体の下面に、前記隙間に導入された前記伝熱ガスを通過させるガス流路が形成されている、加熱装置を提供する。第１２態様によれば、隙間に導入されたガスの真空槽内への放出地点を貯蔵容器の開口部から離れた場所にすることができる。よって、隙間に導入されたガスが、貯蔵容器の開口部の方向に漏出して、貯蔵容器から蒸発している蒸着材料と衝突し、膜質劣化（例えば、基板との密着力が弱くなる、または、ポーラスな膜になる）を引き起こすなどの蒸着への影響を回避することができる。
【００４１】
本開示の第１３態様は、
蒸着材料を保持し、かつ蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有する貯蔵容器と、
前記貯蔵容器を脱着可能に格納し、前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱するためにヒータを有する加熱容器であって、前記貯蔵容器から蒸発した前記蒸着材料が通過するための開口部を有するとともに、前記貯蔵容器を格納したときに前記貯蔵容器の外壁面と前記加熱容器の内壁面とが直接対向することによって前記内壁面と前記外壁面との間に隙間が生じるように構成された加熱容器と、
前記隙間に伝熱ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記貯蔵容器及び前記加熱容器を収容し、内部で基材上に蒸着するための真空槽と、
前記真空槽内を排気する真空ポンプと、を有する、蒸着装置を使用して、真空中で前記基材上に蒸着を行なう蒸着方法であって、
前記隙間に伝熱ガスを導入しつつ、前記ヒータにより前記貯蔵容器内の前記蒸着材料を加熱することで、前記貯蔵容器から前記蒸着材料を蒸発させる工程を含む、薄膜製造方法を提供する。
【００４２】
第１３態様によると、真空下での蒸着が効率よく、連続的に実施することが可能になると共に、蒸着終了後のメンテナンス作業を飛躍的に簡易にすることができるため、極めて優れた生産性で蒸着を実施することができる。
【００４３】
本開示の第１４態様は、第１３態様に加え、前記伝熱ガスの導入量は、前記真空槽内の圧力に応じて制御される、薄膜製造方法を提供する。伝熱ガスの導入量を適切に制御することによって、蒸着材料の蒸発速度の変動を抑制することができる。
【００４４】
本開示の第１５態様は、第１３又は第１４態様に加え、前記蒸着材料がリチウムであり、前記伝熱ガスが不活性ガスである、薄膜製造方法を提供する。第１５態様によれば、リチウムが伝熱ガスと反応することを防止でき、高品質なリチウム薄膜を基板上に形成できる。
【００４５】
また、発明者らは、以下を開示する。
【００４６】
真空用の加熱装置として、棒状のヒータと、そのヒータを差し込むためのスロットを有する加熱ブロックとを備えた加熱装置を使用することが考えられる。真空中では十分な熱伝導を得ることが難しいので、ヒータをスロットに密着させることが有効である。
【００４７】
しかし、ヒータの外径がスロットの内径にほぼ一致している場合、ヒータのメンテナンス時又はヒータの交換時にヒータを加熱ブロックから引き抜くことが不可能になる。特に、長いヒータを使用する場合には、長いスロットを加熱ブロックに形成する必要がある。長いスロットを高い精度で形成することは難しい。他方、ヒータとスロットとの間の隙間が広すぎると、ヒータから加熱ブロックへの熱伝導が不十分となり、加熱ブロックの昇温特性が悪くなる。この場合、ヒータの温度を上げる必要性に迫られるので、エネルギー効率（電力効率）が低下するだけでなく、ヒータの寿命も短くなる。
【００４８】
本開示の第１６態様は、第１態様に加え、
前記被加熱体は、真空中で物体を加熱する加熱ブロックであり、
前記加熱体は、前記加熱ブロックに形成されたスロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータであり、
前記スロットと前記ヒータとの間に前記隙間が形成されており、
前記ガス導入経路は、前記隙間に伝熱ガスを導入するように前記加熱ブロックに形成されている、加熱装置を提供する。
【００４９】
言い換えれば、第１６態様は、
真空中で物体を加熱する加熱ブロックと、
前記加熱ブロックに形成されたスロットと、
前記スロットに着脱可能に差し込まれた棒状のヒータと、
前記加熱ブロックに形成され、前記スロットと前記ヒータとの間の隙間に伝熱ガスを導入するガス導入経路と、
を備えた、加熱装置を提供する。
【００５０】
本開示の第１６態様によれば、加熱ブロックにガス導入経路が形成されている。ガス導入経路を通じて、ヒータとスロットとの間の隙間に伝熱ガスが導入される。伝熱ガスの助けを借りて、ヒータから加熱ブロックへの伝熱が促進されるので、ヒータの温度と加熱ブロックの温度との差を縮めることができる。つまり、ヒータとスロットとの間の隙間を適度に確保しながら、加熱ブロックの昇温特性を改善することができる。ヒータとスロットとの隙間を適度に確保することができるので、メンテナンス時又は交換時にヒータをスロットから簡単に引き抜くことができる。このように、本開示によれば、エネルギー効率の面で優れ、かつメンテナンスも容易な加熱装置を提供することができる。ヒータの温度を過度に上げる必要がないので、ヒータの寿命も延びる。
【００５１】
本開示の第１７態様は、第１６態様に加え、前記加熱ブロックには、複数の前記スロットが形成されており、複数の前記スロットのそれぞれに前記ヒータが差し込まれており、前記ガス導入経路は、前記加熱ブロックの外部から前記スロットに前記伝熱ガスを導入する第一経路と、前記スロット同士を互いに連通する第二経路とを含む、加熱装置を提供する。このような構成によれば、少ない量の伝熱ガスでヒータから加熱ブロックへの伝熱を促すことができる。
【００５２】
本開示の第１８態様は、第１６又は第１７態様に加え、前記スロットの長さ方向の中央部で前記隙間が相対的に広く、前記スロットの長さ方向の端部で前記隙間が相対的に狭い、加熱装置を提供する。第１８態様によれば、スロットの端部で隙間が相対的に狭いので、隙間からの伝熱ガスの漏れを低減できる。また、スロットの中央部で隙間が相対的に広いので、スロットからヒータを容易に引き抜くこと、及びスロットにヒータを容易に差し込むことができる。
【００５３】
本開示の第１９態様は、第１６〜第１８態様のいずれか１つに加え、前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するように前記ヒータ本体の前記発熱体に電気的に接続されたリード線とを有し、前記リード線が位置する側とは反対側において、前記スロットが閉じられている、加熱装置を提供する。スロットを密閉すれば、隙間から真空槽の内部に漏出する伝熱ガスの量を減らすことができる。フランジによれば、スロットが有底孔で形成されている場合と同じ効果が得られる。
【００５４】
本開示の第２０態様は、第１６〜第１９態様のいずれか１つに加え、通電時に前記ヒータの動きが許容されるように、前記ヒータの寸法及び前記スロットの寸法が調節されている、加熱装置を提供する。このような構成によれば、通電時の熱膨張によってヒータに大きい力（荷重又は応力）が加わることを防止できる。そのため、ヒータの寿命が延びる。  
【００５５】
本開示の第２１態様は、第１６〜第２０態様のいずれか１つに加え、前記ヒータが、発熱体を有するヒータ本体と、前記発熱体に電力を供給するためのリード線を有するリード部と、前記リード線を前記発熱体に電気的に接続するように前記リード部と前記ヒータ本体との間に設けられた接続部とを有し、前記接続部が前記スロットの外に位置している、加熱装置を提供する。これにより、ヒータの寿命を延ばすことができる。
【００５６】
本開示の第２２態様は、第１６〜第２１態様のいずれか１つに加え、前記加熱装置が蒸発源であり、前記加熱ブロックが、蒸発させるべき材料としての前記物体を収容する凹部を有する蒸発容器である、加熱装置を提供する。ヒータで加熱ブロックを加熱することによって、凹部に収容された材料を溶融及び蒸発させることができる。
【００５７】
本開示の第２３態様は、第１６〜第２１態様のいずれか１つに加え、前記加熱装置が基板を加熱する基板加熱装置である、加熱装置を提供する。第２３態様によれば、基板を効率的に加熱できる。
【００５８】
本開示の第２４態様は、第１６〜第２３態様のいずれか１つの加熱装置を使用して真空中で前記物体を加熱する工程と、前記加熱工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、を含む、真空加熱方法を提供する。第２４態様によれば、真空中で物体を効率的に加熱できる。
【００５９】
本開示の第２５態様は、第１６〜第２２態様のいずれか１つの加熱装置を使用し、前記物体としての薄膜の材料を真空中で蒸発させ、蒸発した材料を基板上に堆積させる工程と、前記堆積工程を実施しながら、真空の外部から前記加熱装置に前記伝熱ガスを供給する工程と、を含む、薄膜製造方法を提供する。第２５態様によれば、高品質な薄膜を効率的に製造できる。
【００６０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態によって本発明が限定されるものではない。
【００６１】
（第一実施形態）
第一実施形態は、チャンバー内においてシート状の基板を搬送しながら、冷却キャン上の蒸着領域で蒸着を行う形態である。
【００６２】
＜蒸着装置の構成＞
図１は、第一実施形態の蒸着装置を模式的に示す断面図であり、図２は、図１の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図である。
【００６３】
蒸着装置１００は、チャンバー（真空槽）２と、チャンバー２の外部に設けられ、チャンバー２を排気するための排気ポンプ１と、チャンバー２の外部からチャンバー２の内部に不活性ガスなどのガス（伝熱ガス）を導入するガス導入管１１（ガス導入経路）と、ガス導入管１１によるガス流量を調整するマスフローコントローラ１２とを備える。
【００６４】
チャンバー２の内部には、蒸着材料を保持する貯蔵容器９（被加熱体）と、貯蔵容器９を着脱可能に格納し、貯蔵容器９を加熱するための加熱容器１０（加熱体）とを有する蒸発源３０と、シート状の基板４を搬送するための搬送部と、蒸着領域において基板４を保持して裏面から冷却する冷却キャン６と、加熱容器１０からの輻射熱を蒸着領域外で遮蔽するための遮蔽部１３と、が設けられている。
【００６５】
貯蔵容器９は、蒸着材料を保持する凹部と、加熱容器１０により加熱され蒸発する蒸着材料ガスが通過するための開口部を上端面に有する。貯蔵容器９を構成する材料としては、加熱蒸発時の蒸着材料と反応しない材料を選択する。本実施形態では、貯蔵容器９に加熱手段は設けられていない。
【００６６】
貯蔵容器９は、蒸発面９Ｓの長辺が基板４の幅方向に対して平行になるよう配置されている。貯蔵容器９は、蒸発面９Ｓの長辺が基板４の幅に対して十分な長さ（例えば基板４の幅が５００ｍｍの場合、６００ｍｍ以上）を有するように構成されていてもよい。
【００６７】
貯蔵容器９の開口部と冷却キャン６は、搬送中の基板４がこれらの部材に接触しない範囲で、できるだけ近くなるように配置する。具体的には、例えば３ｍｍ程度の隙間ができるように配置することができる。これによって、チャンバー２内の基板４以外の部材への蒸着汚染を防ぐことができる。
【００６８】
加熱容器１０は、貯蔵容器９の開口部以外の面を取り囲んで貯蔵容器９を格納する容器である。加熱容器１０は、貯蔵容器９を格納した時に、貯蔵容器９の開口部と同じ方向に開口部を有する。蒸発する蒸着材料ガスは加熱容器１０の開口部を通過して、基板表面に付着する。さらに、加熱容器１０の開口部を通じて、加熱容器１０への貯蔵容器９の取り付け、及び、加熱容器１０からの貯蔵容器９の取り外しを行なう。そのため、加熱容器１０の開口部は、貯蔵容器９を通過させる大きさを有する。しかし、例えば加熱容器１０を分割可能な構造に設計しておき、加熱容器１０を分割することで貯蔵容器９の取り外しを行なうこともでき、この場合には、加熱容器１０の開口部は、貯蔵容器９を通過させるものでなくてもよい。
【００６９】
図２では、加熱容器１０からの熱が過不足なく貯蔵容器９に伝達されるよう、加熱容器１０の垂直方向における上端面と貯蔵容器９の垂直方向における上端面は面一になるよう構成されているが、必ずしもこれに限定されない。
【００７０】
加熱容器１０を構成する材料としては、貯蔵容器９の構成材と同じ材料、及び、貯蔵容器９の構成材より熱膨張係数が小さい材料の中から選択することが望ましい。特に、加熱容器１０の構成材としては、貯蔵容器９の構成材より熱膨張係数が小さい材料を用いることが望ましい。これにより、加熱容器１０に内蔵したヒータが昇温するに伴い、加熱容器１０と貯蔵容器９との間の隙間が小さくなり、隙間のガス圧力が上昇するために熱伝導係数が大きくなり、熱効率を高めることができる。熱膨張係数が異なる構成材の組合せとしては、例えば、ＳＵＳ３０４（１．７３×１０-5／℃）とインコネル（１．１５×１０-5／℃）との組合せ；ＳＵＳ３０４又はＳＵＳ４３０（１．０４×１０-5／℃）と、カーボン（０．５×１０-5／℃）、又は、高融点金属、例えばＭｏ（０．４９×１０-5／℃）、タングステン（０．５１×１０-5／℃）、タンタル（０．６５×１０-5／℃）、ニオブ（０．７×１０-5／℃）との組合せなどが挙げられる。なお、これらの熱膨張係数は、全て、０〜１００℃の平均熱膨張係数である。厳密に言えば、室温から加熱容器１０の最高到達温度の間の平均熱膨張係数に着目すべきである。しかし、特殊なケースを除き、０〜１００℃における２つの固体の間の平均熱膨張係数の大小関係は、室温から加熱容器１０の最高到達温度における２つの固体の間の平均熱膨張係数の大小関係に一致する。
【００７１】
加熱容器１０の構成材の内部には、蒸着材料を加熱するためのヒータ２０が埋め込まれている。このヒータ２０により、貯蔵容器９の内部に保持された蒸着材料を加熱することができる。ヒータ２０として、一般的には、カートリッジヒータ（最高使用温度８７０℃）、又は、セラミックヒータ（最高使用温度１１００℃）を用いることができる。
【００７２】
加熱容器１０にヒータ２０を埋め込む方法としては、例えば、カートリッジヒータの外寸直径とはめあい公差Ｅ８程度のキリ穴加工を加熱容器１０に対し行い、カートリッジヒータを挿入後に、キリ穴に垂直に加工を施したタップ穴よりねじを差し込んでヒータを固定する方法、前記キリ穴を中心に加熱容器１０を分割構造にして、ヒータを挟み込むことで固定する方法などが挙げられる。なお、「はめあい公差」は、日本工業規格ＪＩＳＢ ０４０１（１９９９）の規定による。
【００７３】
加熱容器１０の内部には空気が通過する空冷路６８を設けておくことが望ましい。空冷路６８には、蒸着終了後に、チャンバー２の外部から圧縮空気が導入される。導入された圧縮空気は、加熱容器１０の内部を通過して、チャンバー２の外部に排出される。これにより、蒸発終了後に、蒸発源３０を手早く冷却することができる。
【００７４】
加熱容器１０は、貯蔵容器９を格納した時に、貯蔵容器９の外壁面と加熱容器１０の内壁面との間に隙間５０が生じるような大きさに形成される。貯蔵容器９の外周面と加熱容器１０の内壁面とが直接対向することによって隙間５０が形成されている。本実施形態では、隙間５０は単層の隙間である。図６で示す参考例では、貯蔵容器９の外壁面と加熱容器１０の内壁面が接触しているが、この場合、熱伝導の点では望ましいものの、加熱容器１０から貯蔵容器９を取り外す際に摩擦により取り外しが困難になる。さらには、焼きつきにより両容器の分離が困難になる場合も懸念される。本実施形態では、両容器の間に隙間５０が存在しているために、焼きつきの懸念がなく、取り外しが容易であり、蒸着終了後のメンテナンス作業を容易に実施することができる。
【００７５】
一方、隙間５０を設けただけの場合では、真空下では熱が伝導しにくいために、加熱容器１０からの熱が貯蔵容器９に伝わりにくく、蒸着を制御よく実施することができなくなる。この点を克服するため、本実施形態では、隙間５０に、ガス導入管１１よりガスを導入することで隙間５０のガス圧力を上昇させる。隙間５０にガスが存在することで、熱が伝導しやすくなり、加熱容器１０からの熱を貯蔵容器９に伝達して、蒸着を実施することが可能になる。具体的には、隙間５０にガスを導入しない場合、加熱容器１０から貯蔵容器９への熱伝達係数は、０．１Ｐａ以下の真空中では０．００２Ｗ／ｃｍ2／Ｋであるが、ガスを導入した場合、隙間５０のガス圧力が５０Ｐａ以上になると熱伝達係数は上昇し、例えば隙間５０のガス圧力が１００Ｐａでの熱伝達係数は０．０１Ｗ／ｃｍ2／Ｋとなる。
【００７６】
隙間５０のガス圧力を少ないガス導入量で上昇させるために、隙間５０の大きさは１．０ｍｍ以下であることが望ましい。すなわち、加熱容器１０の凹部の内寸が、貯蔵容器９の外寸より１．０ｍｍ以下の範囲で大きいことが望ましい。真空中では、同一圧力下での熱伝達係数に隙間依存性がある。例えば、隙間のガス圧力１００Ｐａで隙間の幅が０．５ｍｍの時に、熱伝達係数は０．００７Ｗ／ｃｍ2／Ｋとなるが、これ以上隙間が大きくなると、ガス流量を増やしても隙間のガス圧力が上がらないため、ガスを導入する効果が得られにくくなってしまう。そのため、隙間５０の幅は０．５ｍｍ以下であることがより望ましい。隙間５０の幅の下限値は、加熱容器１０から貯蔵容器９を容易に取り外すことができ、かつ加熱容器１０に貯蔵容器９を容易に取り付けることができる限りにおいて、特に限定されない。隙間５０の幅の下限値は、例えば、０．１ｍｍである。
【００７７】
本実施形態で蒸着を行なう際には、貯蔵容器９内に収容した蒸着材料の加熱を、加熱容器１０を通じてヒータ２０で行いながら、マスフローコントローラ１２を用いて、ガス導入管１１よりガスを貯蔵容器９と加熱容器１０との間の隙間５０に導入する。隙間５０に存在するガスにより加熱容器１０からの熱が貯蔵容器９に効率よく伝達されて、貯蔵容器９内の蒸着材料が加熱溶融して、蒸発面９Ｓから蒸発し、基板４の表面に供給される。
【００７８】
マスフローコントローラ１２によるガス導入量は、チャンバー２に取り付けた真空計４０の圧力が一定になるように制御される。ガス導入量は、チャンバー２内の圧力に応じて制御することが望ましい。チャンバー２内の圧力が一定になるようにガス導入量を制御することで、真空度の変化による蒸発速度の変動を抑制することができる。さらに、加熱容器１０と貯蔵容器９との間の隙間５０のガス圧を一定にすることができるので、加熱容器１０から貯蔵容器９への熱伝導が安定し、貯蔵容器９からの蒸発速度を維持することが容易になる。
【００７９】
導入するガスとしては、蒸着材料と反応しないガスを用いることが望ましい。例えば蒸着材料がリチウムの場合、ヘリウム、アルゴン、窒素などの不活性ガスが望ましい。酸素をガスとして用いると、リチウムが酸化されるので、金属リチウムの蒸着が不可能になる。蒸着材料が有機ＥＬ材料の場合にも上記の不活性ガスを使用できる。なお、蒸着材料の酸化物の薄膜を基板４の上に形成する場合には、酸素ガスを隙間５０に導入してもよい。
【００８０】
加熱容器１０の内底面には、図２で示すように、複数の支持突起６０が設けられている。貯蔵容器９を加熱容器１０の凹部に挿入した時には、貯蔵容器９は支持突起６０によって支持されることで、貯蔵容器９の外底面が加熱容器１０の内底面と接触することなく、隙間５０が形成される。突起の高さは設定する隙間の大きさに応じて調整すればよい。別形態として、支持突起６０の代わりに、加熱容器１０の内底面にスペーサーを配置してもよい。加熱容器１０の内底面に隙間５０として機能する溝が形成されていてもよい。ガス導入管１１を通じて、加熱容器１０の内底面に形成された溝にガスが導入されうる。この場合、貯蔵容器９の外底面は、部分的に加熱容器１０の内底面に接触する。
【００８１】
図２では、ヒータ２０が発する熱は、ヒータ２０と加熱容器１０との接触により加熱容器１０に伝達されるが、図４に示した別の形態では、図２の構成に加えて、加熱容器１０の構成材内部にヒータ２０を収納している空間と、加熱容器１０の内壁面とが、１本以上の連通路６７を通じて連絡している。この連通路６７を通じて、隙間５０に導入されたガスはヒータ２０を収納している空間にも導入されることになる。これにより、伝導熱量が増加し、ヒータからの熱がより効率よく貯蔵容器９に伝達されることになる。
【００８２】
図２及び図４の突起又はスペーサーを設ける代わりに、図１０又は図１１に示すように、加熱容器１０の開口部と貯蔵容器９の開口部の周囲に段差形状又はテーパー形状を設け、これらにより貯蔵容器９を支持することで、貯蔵容器９の外底面が加熱容器１０の内底面と接触しないようにすることもできる。
【００８３】
蒸発源３０には、ガスが隙間５０からチャンバー２の中に流出することを抑制する抑制構造が設けられていてもよい。抑制構造は、隙間５０から流出するガスの進行方向を変えるように構成されていてもよいし、隙間５０から流出するガスの量を低減するように構成されていてもよい。このような抑制構造が設けられていると、少ないガス導入量で隙間５０の圧力を高めることができる。また、隙間５０へのガス導入によりチャンバー２内の真空度が低下することも回避できる。以下、抑制構造のいくつかの具体例を説明する。
【００８４】
図１０では、貯蔵容器９の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出する方形の支持部６１を設けている。この支持部６１を加熱容器１０の垂直方向における上端面に載置することで、貯蔵容器９の外底面が加熱容器１０の内底面に接触しないように貯蔵容器９を支持することができる。図１０では支持部６１により位置合せができるよう、加熱容器１０の垂直方向における上端面に、支持部６１の大きさに合わせた方形の凹部を設けているが、方形の凹部は省略することもできる。
【００８５】
図１１では、貯蔵容器９の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出するテーパー状の支持部６３を設けており、加熱容器１０の垂直方向における上端面に、テーパー状の支持部６３と合致するテーパー状の凹部を設けている。この形態では、貯蔵容器９を加熱容器１０に格納する際の位置合わせを正確に行なうことができ、貯蔵容器９の側面及び底面において所定の隙間５０を確実に確保することができる。
【００８６】
図１０及び図１１では、段差形状又はテーパー形状により貯蔵容器９を支持しているため、隙間５０は、貯蔵容器９と加熱容器１０の開口部との間において閉鎖されており、チャンバー２から隔絶された空間となっている。そのため、少ないガス導入量で隙間５０の圧力を高めることができる。また、隙間５０へのガス導入によりチャンバー２内の真空度が低下する（圧力が上昇する）ことも回避できる。もしチャンバー２内の真空度が低下すると、蒸着粒子の散乱により蒸着膜の膜質の劣化が発生する恐れがある。また、排気ポンプ１（真空ポンプ）に過大な負荷を与える恐れもある。なお、図１０及び図１１中の連通路６７は省略することもできる。
【００８７】
図３及び図５に示す別の形態では、加熱容器１０の内底面に突起６０を設けて貯蔵容器９を支持すると共に、加熱容器１０の開口部と貯蔵容器９の開口部に段差形状を設けることで、開口部付近の隙間５０Ａがそれ以外の隙間５０よりも狭くなるように構成されている。ここでは、貯蔵容器９の開口部付近の外壁面に、外側に向けて突出する方形の突出部６５を設けているが、突出部６５は加熱容器１０とは接触していない。開口部付近での隙間５０Ａが狭くなっていることで、隙間５０に導入したガスがチャンバー２内に拡散することを抑止して、少ないガス導入量で隙間５０の圧力を高めると共に、チャンバー２内の真空度の低下を抑制している。
【００８８】
図１２Ａ、図１３Ａ、及び図１４に示す別の形態では、加熱容器１０の上端面及び貯蔵容器９の上端面に蓋体６９が載置され、隙間５０の上方開口部が閉鎖されている。蓋体６９が存在するためにチャンバー２へのガス拡散が抑制され、少ないガス導入量で隙間５０の圧力を高めることができ、チャンバー２内の真空度低下を回避することができる。蓋体６９は、貯蔵容器９からの蒸着材料の蒸発を阻害しないよう、貯蔵容器９の開口部の形状にあわせて中央に貫通孔７１を有する。
【００８９】
図１２Ｂ及び図１３Ｂは、蓋体６９の下面を示す。これらの図に示すように、蓋体６９の下面には溝状のガス流路７０が複数設けられていることが望ましい。ガス流路７０は、隙間５０に導入されたガスを、貯蔵容器９の外側（貯蔵容器９の開口部と逆側）に導くよう形成されている。これにより、隙間５０に導入されたガスのチャンバー２内への放出地点を貯蔵容器９の開口部から離れた場所にすることができる。よって、隙間５０に導入されたガスが、貯蔵容器９の開口部の方向に漏出して、貯蔵容器９から蒸発している蒸着材料と衝突し、膜質劣化（例えば、基板との密着力が弱くなる、又は、ポーラスな膜になる）を引き起こすなどの蒸着への影響を回避することができる。このように、蓋体６９は、隙間５０から流出するガスの進行方向を変えるように構成されていてもよいし、隙間５０から流出するガスの量を低減するように構成されていてもよい。
【００９０】
図１２Ａ及び図１３Ａは、ガス流路７０を含む断面を示した図であるため、蓋体６９の下面と加熱容器１０の上端面が接触していない。しかし、ガス流路７０以外の領域では、蓋体６９の下面と加熱容器１０の上端面は直接接触している。ガス流路７０の長さ及び本数は隙間５０のガス圧に応じて設定することができる。
【００９１】
加熱容器１０及び貯蔵容器９の形状は、上端面又は下面からみると、図１２Ａ及び図１４の形態では方形であり、図１３Ａの形態では円形である。図１３Ａに示す形態では、棒状のヒータ２０が鉛直方向を向いて、下方から、加熱容器１０に埋め込まれている。
【００９２】
図１４では、蓋体６９の下面に、貯蔵容器９の開口部に対応した形状のつば（凸部）７２が設けられている。これにより、蓋体６９を加熱容器１０の上端面及び貯蔵容器９の上端面に載置する際に位置合せを正確に行なうことができ、蓋体６９の水平面内での位置ずれを防止することができる。
【００９３】
図１５に示す別の形態では、ヒータ２０の周りにガスが直接導入されている。具体的には、加熱容器１０に長い穴１５が形成されている。穴１５にヒータ２０が着脱可能に差し込まれている。穴１５の直径は、ヒータ２０の直径よりも僅かに大きく、穴１５の内周面とヒータ２０の外周面との間に隙間が形成されている。その隙間にガスを導入するように、ガス導入管１４（ガス導入経路）が穴１５に接続されている。ガス導入管１４を通じて穴１５に導入されたガスは、連通路６７を通じて隙間５０にも導入される。隙間５０にガスを直接導入するガス導入管１１を省略してもよいし、ガス導入管１１とガス導入管１４とを併用してもよい。なお、図１５に示す形態には、後述する実施形態（図１７〜図２６）の構造を応用できる。
【００９４】
図１に示すように、搬送部は、基板４を巻き付けて保持する第１及び第２のロール３、８と、基板４を案内するガイド部とを含む。ガイド部は、搬送ローラ５ａ、５ｂと、冷却キャン６を有し、これにより、基板４が、蒸発面９Ｓから蒸発した蒸着材料が冷却キャン６上で到達する領域（蒸着領域）を通過するように、基板４の搬送経路が規定される。測長装置（図示せず）は、基板４の搬送で回転する搬送ローラ（ここでは搬送ローラ５ａ）の回転量を計測し、基板４の移動距離を算出する。
【００９５】
第１及び第２のロール３、８、搬送ローラ５ａ、５ｂ及び冷却キャン６は、例えば長さが６００ｍｍの円筒形を有しており、それらの軸が互いに平行になるようにチャンバー２内に配置されている。図１では、これらの円筒形の底面に平行な断面のみが示されている。
【００９６】
本実施形態では、第１及び第２のロール３、８の何れか一方が基板４を繰り出し、搬送ローラ５ａ、５ｂ及び冷却キャン６は繰り出された基板４を搬送経路に沿って案内し、第１及び第２のロール３、８の他方が基板４を巻き取る。巻き取られた基板４は、必要に応じて、上記他方のロールによってさらに繰り出され、搬送経路を逆方向に搬送される。このように、本実施形態における第１及び第２のロール３、８は、搬送方向によって巻き出しロールとしても巻き取りロールとしても機能することができる。また、搬送方向の反転を繰り返すことによって、基板４が蒸着領域を通過する回数を調整できるので、所望の回数の蒸着工程を連続して実施できる。
【００９７】
加熱容器１０の周囲には、輻射熱を遮蔽するための遮蔽部１３が設置されている。加熱容器１０は例えば１０００℃付近という高温に加熱されるので、遮蔽部１３は、蒸着領域以外での基板及び蒸着装置の温度上昇をできるだけ低減するために設けられている。
【００９８】
＜蒸着装置の動作＞
次に、蒸着装置１００の動作を説明する。ここでは、蒸着装置１００を用いて、基板４の表面にリチウム金属膜を形成する場合を例に説明するが、これに限定されない。
【００９９】
第１工程として、蒸発源加熱工程を行う。具体的には、第１及び第２のロール３、８のうちの一方のロール（ここでは第１のロール３）に長尺の基板４を巻き付けておく。基板４として、アルミ箔、銅箔、ニッケル箔などの金属箔を用いることができる。本実施形態では厚み２５μｍの銅箔を用いる。貯蔵容器９内には蒸着材料（リチウム金属）を収容する。ガス導入管１１は蒸着装置１００の外部に設置されたアルゴンガスボンベなどに接続する。この状態で、排気ポンプ１を用いてチャンバー２を排気する。
【０１００】
次いで、マスフローコントローラ１２で流量を調整しながら、隙間５０にアルゴンガスを導入する。その際、真空計４０が目的の圧力になるよう流量の制御を行う。本実施形態では真空計４０の圧力が５×１０-3Ｐａになるように制御を行う。
【０１０１】
次に、ヒータ２０であるカートリッジヒータに電流を流して、加熱容器１０の加熱を開始する。３８０℃でのリチウムの飽和蒸気圧はおおよそ５×１０-3Ｐａであるので、加熱容器１０の温度を３８０℃にまで上昇させる。加熱容器１０の温度上昇に伴って、マスフローコントローラ１２によりアルゴンガスの流量を徐々に減少させて、真空計の圧力を一定に保つようにする。隙間５０のガスの温度は、蒸着材料（リチウム金属）の蒸発温度を超える温度に達する。
【０１０２】
次に第２工程として、蒸発工程を行う。すなわち、貯蔵容器９内のリチウム金属を、所定の蒸発速度で蒸発させるべく、加熱容器１０の温度をさらに上昇させる。本実施形態では加熱容器１０の温度を６００℃まで上昇させる。
【０１０３】
この時、蒸発源３０が図２で示される構造を有する場合、アルゴンガスの導入量は０．５ＳＬＭ（standard liter per minute）であるが、図３で示される構造を有する蒸発源では、ガス導入量は０．２ＳＬＭである。すなわち、図３のように貯蔵容器９の開口部及び加熱容器１０の開口部の周囲における隙間５０Ａが狭くなっている場合には、隙間５０Ａからのガスの漏出量が少ないために、少ないガス導入量で所定のガス圧を達成することができる。
【０１０４】
また、蒸発源３０が図２で示される構造を有する場合、ヒータ２０の電流値は４Ａ／本であるが、図４で示される構造を有する蒸発源では、ヒータ２０の電流値は３．４Ａ／本である。すなわち、図４のようにヒータ２０を収納する空間と、加熱容器１０の内壁面との間にガスを通過させる連通路６７（通過路）が設けられている場合には、ヒータ２０の熱がより効率よく貯蔵容器９に伝達されるので、ヒータ２０の加熱量を削減することができる。
【０１０５】
第３工程として、蒸着膜形成工程を行う。すなわち、第１のロール３に巻き付けられた基板４を繰り出し、冷却キャン６を経過して、第２のロール８に向かって搬送する。本実施形態では、基板４の搬送速度は５ｍ／ｍｉｎで行う。基板４は、蒸着領域を通過するときに蒸着され、その後、第２のロール８に巻き取られる。所定の長さを蒸着したところで、基板４の搬送は停止する。
【０１０６】
第４工程として、貯蔵容器取り出し工程を行う。すなわち、第３工程で所定の長さの基板４が繰り出され蒸着が終了したら、ヒータ２０への電流供給を停止し、加熱容器１０の加熱を停止する。このまま加熱容器１０が室温になるまで待っても良いが、冷却時間を短縮するため、バルブ２５を開けて、圧縮空気導入配管２６を通じて空冷路６８に圧縮空気を導入する。導入した圧縮空気は、空冷路６８を通って加熱容器１０を冷却しながら、圧縮空気排出配管２７より排出される。加熱容器１０の温度が室温まで下がったら、加熱容器１０から貯蔵容器９を分離して取り出すことができる。加熱容器１０の温度が室温まで下がった後、チャンバー２に露点−４０℃のドライエアーを導入することで、貯蔵容器９内のリチウム金属を、大気の水分と反応させることなく大気圧下に戻すことができる。本実施形態では、貯蔵容器９を交換することで再度蒸着を実施することが可能になるので、メンテナンス作業を極めて簡易に行なうことができる。
【０１０７】
（試験例）
図１３Ａで示した貯蔵容器と加熱容器を用いてガス導入による貯蔵容器の昇温効果を実証する試験を行なった。
【０１０８】
貯蔵容器は蒸着材料を保持していない状態で、貯蔵容器と加熱容器を真空下に設置し、加熱容器を加熱しつつ、貯蔵容器と加熱容器の温度を経時的に測定した。さらに、貯蔵容器と加熱容器の温度差を算出した。貯蔵容器と加熱容器の隙間にガスを導入せずに前記測定を行なった場合（比較試験例）の結果を図１６Ａに示し、ガスを導入しながら前記測定を行なった場合（試験例）の結果を図１６Ｂ及び図１６Ｃに示す。
【０１０９】
以上の試験は以下の条件で行なった。
【０１１０】
加熱容器（外カップ）：ＳＵＳ４０５製、熱膨張係数：１０．８×１０-6、貯蔵容器を格納する開口部の内寸法：φ５０．４×高さ７０．２ｍｍ
貯蔵容器（内カップ）：ＳＵＳ３０４製、熱膨張係数：１７．３×１０-6、外寸法：φ５０×高さ７０ｍｍ
ヒータ：坂口電熱製カートリッジヒータ。８本を加熱容器に挿入して使用。ＡＣ４０Ｖ、６．３Ａ、２５０Ｗで加熱。
【０１１１】
貯蔵容器と加熱容器を収容する真空槽は真空ポンプで５Ｐａまで真空排気した。
【０１１２】
貯蔵容器と加熱容器の隙間に導入するガスとしては窒素ガスを使用した。ガス流量は２０ｓｃｃｍ（standard cubic centimeter per minute）とした。
【０１１３】
図１６Ａより、窒素ガスを導入しない場合、加熱容器の昇温開始から約１５分が経過してから貯蔵容器の昇温が始まっており、応答が遅かった。また、加熱容器と貯蔵容器の温度差が大きく、貯蔵容器が十分に加熱されなかった。
【０１１４】
一方、図１６Ｂより、窒素ガスを導入した場合、加熱容器と貯蔵容器の昇温開始の時間差は５０秒と小さかった。図１６Ｂ及び図１６Ｃより、貯蔵容器の温度は加熱容器の温度に追従しており、加熱容器と貯蔵容器の温度差は小さかった。図１６Ｃより、貯蔵容器の温度が５７５℃になった時点でも加熱容器の温度に追従していた。
【０１１５】
以上より、加熱容器と貯蔵容器との間の隙間にガスを導入することで、真空下において、貯蔵容器の加熱を効率よく実施できることが証明された。
【０１１６】
（第二実施形態）
図７は、第二実施形態の蒸着装置２００を模式的に示す断面図である。第二実施形態も、第一実施形態と同様、チャンバー２内において、シート状の基板４を搬送しながら、冷却キャン６上の蒸着領域で蒸着を行なう形態であるが、貯蔵容器９及び加熱容器１０の開口部は、両容器の側面に形成されている。この側面に形成された開口部に近接するよう、冷却キャン６は配置されている。これによっても、第一実施形態と同様に基板４の蒸着が可能である。
【０１１７】
図９は、図１の蒸着装置の蒸着源付近を拡大して示す部分拡大図である。図３と同様、加熱容器１０の開口部と貯蔵容器９の開口部に段差形状を設けることで、開口部付近の隙間５０Ａをそれ以外の隙間５０よりも小さくしている。図８は別の形態に関するもので、このような段差形状を設けていない場合を示している。
【０１１８】
以上では冷却キャンに沿って搬送しているシート状の基板に対して蒸着をする場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明の蒸着装置を用いて、静置している基板に対して蒸着を行なうこともできるし、直線状に搬送されているシート状の基板に対して蒸着を行なうこともできる。直線状に搬送されている基板は、水平に搬送されている基板であってもよいし、斜め方向に搬送されている基板であってもよい。
【０１１９】
（第三実施形態）
図１７に示すように、真空蒸着装置３００は、真空槽８１、真空ポンプ８２、巻き出しロール８５、搬送ローラ８６ａ〜８６ｄ、キャンローラ８７、巻き取りロール８８及び蒸発源１１０を備えている。蒸発源１１０は、キャンローラ８７に向かい合う位置に配置されている。基板４は、巻き出しロール８５に準備されており、搬送ローラ８６ａに向かって送り出される。基板４は、さらに、搬送ローラ８６ｂ、キャンローラ８７、搬送ローラ８６ｃ及び搬送ローラ８６ｄに沿って搬送され、巻き取りロール８８に巻き取られる。巻き出しロール８５、搬送ローラ８６ａ〜８６ｄ、キャンローラ８７及び巻き取りロール８８は、基板４を搬送する搬送系を構成している。
【０１２０】
キャンローラ８７の外周面に沿って基板４が搬送されているとき、蒸発源１１０から蒸発した材料８９が基板４の上に堆積する。これにより、基板４の上に材料８９を含む薄膜が形成される。蒸着時において、真空槽８１の内部は、真空ポンプ８２の働きによって薄膜の製造に適した圧力に保たれる。真空槽８１の内部の真空度は特に限定されず、例えば１０-1〜１０-4Ｐａの範囲にある。
【０１２１】
図１８〜図２０に示すように、蒸発源１１０は、加熱ブロック９２及び複数の棒状のヒータ２０を備え、真空中で物体（材料８９）を加熱する加熱装置（heating unit）として構成されている。加熱ブロック９２は、蒸発させるべき材料８９を収容する凹部２１を有する蒸発容器（るつぼ）である。ヒータ２０に電流を流すことによって加熱ブロック９２が加熱される。ヒータ２０で加熱ブロック９２を加熱することによって、凹部２１に収容された材料８９を溶融及び蒸発させることができる。
【０１２２】
加熱ブロック９２には、複数のスロット９４及び複数のガス導入経路９７が形成されている。スロット９４は、ヒータ２０を収納することができる長い穴である。凹部２１の周囲において、スロット９４は、加熱ブロック９２の一辺に平行な方向（典型的には、水平方向）に延びており、加熱ブロック９２を一方の側面から他方の側面へと貫通している。スロット９４が加熱ブロック９２を貫通していることは必須ではない。スロット９４は有底孔であってもよい。ヒータ２０は、スロット９４に着脱可能に差し込まれている。ガス導入経路９７は、スロット９４とヒータ２０との間の隙間９６に伝熱ガスを導入するための経路である。本実施形態において、ガス導入経路９７は、加熱ブロック９２の底部９２ｐに開口しており、加熱ブロック９２の内部でスロット９４に連通している。ガス導入経路９７に伝熱ガスを供給できるように、加熱ブロック９２の底部９２ｐにガス供給管９５が接続されている。図１７に示すように、ガス供給管９５は加熱ブロック９２から真空槽８１の外部へと延びている。
【０１２３】
図１９及び図２０に示すように、ヒータ２０は、スロット９４の内径よりも小さい外径を有する。そのため、スロット９４の下半分にヒータ２０が接している。これにより、ヒータ２０の上に隙間９６が形成される。ガス供給管９５を通じてガス導入経路９７に伝熱ガスが供給されると、伝熱ガスはガス導入経路９７を通じて隙間９６に導入される。隙間９６に伝熱ガスが充満することによって、真空中にもかかわらず、ヒータ２０から加熱ブロック９２に効率的に熱が伝わる。
【０１２４】
図１７に示す真空蒸着装置３００では、蒸発源１１０を使用し、薄膜の材料８９を真空中で蒸発させ、蒸発した材料８９を基板４の上に堆積させる（堆積工程又は加熱工程）。堆積工程を実施しながら、隙間９６が伝熱ガスで満たされるように、ガス供給管９５を通じて、真空槽８１の外部から蒸発源１１０のガス導入経路９７に伝熱ガスを供給する。
【０１２５】
伝熱ガスの種類は特に限定されない。ただし、本発明を蒸発源１１０に適用する場合、蒸着するべき材料と反応しやすいガス、高品質な薄膜の製造を阻害するガスを避けるべきである。その観点において、不活性ガス、特にアルゴンなどの希ガスを伝熱ガスとして好適に使用できる。
【０１２６】
加熱ブロック９２には、複数のスロット９４が形成されている。複数のスロット９４のそれぞれにヒータ２０が差し込まれている。複数のヒータ２０が凹部２１を取り囲む形で配置されている。このような構成によれば、加熱ブロック９２を均一に加熱することができ、ひいては凹部２１に収容された材料８９を均一に加熱することができる。ただし、ヒータ２０、スロット９４及びガス導入経路９７の数は特に限定されない。
【０１２７】
図１９及び図２０に示すように、ガス導入経路９７は、第一経路９７ａ及び第二経路９７ｂを含む。第一経路９７ａは、加熱ブロック９２の外部から特定のスロット９４に伝熱ガスを導入する経路である。第二経路９７ｂは、スロット９４同士を互いに連通する経路である。このような構成によれば、スロット９４の数よりもガス供給管９５の数を少なくすることができる。このことは、加熱ブロック９２の構造の簡略化に寄与する。伝熱ガスは、１つのガス供給管９５を通じてガス導入経路９７の第一経路９７ａに供給され、第一経路９７ａを通じて、特定のスロット９４の隙間９６に導入される。伝熱ガスは、さらに、第二経路９７ｂを通じて、別のスロット９４の隙間９６にも導入される。従って、少ない量の伝熱ガスでヒータ２０から加熱ブロック９２への伝熱を促すことができる。
【０１２８】
なお、蒸発源１１０は、第二経路９７ｂのコンダクタンスが隙間９６から真空槽８１の内部の空間に至る経路の漏れコンダクタンスを上回るように設計されていてもよい。この場合、真空槽８１の内部に散逸する伝熱ガスを減らすことができるとともに、複数の隙間９６のそれぞれに伝熱ガスが過不足なく配分されやすい。
【０１２９】
また、ヒータ２０の外径及びスロット９４の内径は、蒸発源１１０を繰り返し使用した後においても、ヒータ２０をスロット９４から容易に引き抜くこと、及び、ヒータ２０をスロット９４に容易に差し込むことができるように適切に調節されている。例えば、ヒータ２０の外径が５〜１５ｍｍの範囲にあるとき、スロット９４の内径からヒータ２０の外径を引いた値（つまり、隙間９６の広さ）が０．０５〜０．５ｍｍの範囲に収まるように、スロット９４の内径を決めることができる。ヒータ２０の外径とスロット９４の内径との差がこのような範囲内にあれば、真空ポンプ８２に過剰な負荷をかけずに真空を維持できる。
【０１３０】
また、通電時にヒータ２０の動きが許容されるように、ヒータ２０の寸法及びスロット９４の寸法が調節されていてもよい。具体的には、ヒータ２０の外径とスロット９４の内径との差が調節されうる。外径と内径との差は、ヒータ２０の材料の線膨張係数、加熱ブロック９２の材料の線膨張係数、及びヒータ２０の使用温度から計算することが可能である。また、ヒータ２０がスロット９４の中で圧迫されていないこと、ヒータ２０を加熱ブロック９２に固定するためにネジなどの固定具が使用されていないことが望ましい。このような構成によれば、通電時の熱膨張によってヒータ２０に大きい力（荷重又は応力）が加わることを防止できる。そのため、ヒータ２０の寿命が延びる。通電時において、スロット９４の内周面から受ける支持力を除き、ヒータ２０に加えられている荷重が実質的にゼロであってもよい。
【０１３１】
加熱ブロック９２は、ステンレス、銅、カーボンなどの耐熱材料によって作られている。本実施形態において、加熱ブロック９２は升の形を有している。しかし、加熱ブロック９２の形状、寸法などは特に限定されない。
【０１３２】
図２１に示すように、ヒータ２０は、ヒータ本体３１、リード部３２及び接続部３３で構成されている。ヒータ２０の横断面の形状は特に限定されず、典型的には円形であり、楕円形又は矩形であってもよい。つまり、ヒータ２０は、円柱、楕円柱又は角柱の形状を有していてもよい。スロット９４の横断面の形状も特に限定されず、典型的には円形であり、楕円形又は矩形であってもよい。
【０１３３】
ヒータ本体３１は、接続部３３を介してリード部３２に接続されている。ヒータ本体３１は、発熱体３４、絶縁体３５ａ及び外筒３６を有する。リード部３２は、１対のリード線３８及び絶縁被覆３９を有する。接続部３３は、絶縁体３５ｂ、外筒３６及び１対のヒータ線端部３７を有する。リード線３８を発熱体３４に電気的に接続するようにリード部３２とヒータ本体３１との間に接続部３３が設けられている。リード線３８を通じて発熱体３４に電力が供給される。外筒３６は、ヒータ本体３１と接続部３３とに共用されていてもよい。
【０１３４】
発熱体３４は、例えば、タングステンなどの金属線を捲回することによって形成されており、外筒３６によって覆われている。発熱体３４と外筒３６との間に絶縁体３５ａが充填されている。絶縁被覆３９は、リード線３８を被覆するように設けられている。絶縁被覆３９は、ガラス繊維、セラミックなどで作られている。接続部３３の接続点４１において、リード線３８はヒータ線端部３７に接続されている。接続部３３において、リード線３８、ヒータ線端部３７及び接続点４１によって通電部が形成されている。通電部と外筒３６との間には絶縁体３５ｂが充填されている。
【０１３５】
通電部が絶縁されている限りにおいて、接続部３３は、外筒３６及び絶縁体３５ｂを有している必要はない。ただし、外筒３６及び絶縁体３５ｂが接続部３３に設けられていると、接続点４１の近傍の機械的な堅牢性を高めることができる。そのため、応力の集中による断線を防止できる。また、接続部３３の外筒３６がヒータ部３１の外筒３６の外径と同一の外径を有していると、ヒータ２０の取り扱いが容易になる。
【０１３６】
図２０に示すように、接続点４１及びリード線３８の温度が上がりすぎないように、接続部３３はスロット９４の外に位置していることが望ましい。これにより、ヒータ２０の寿命を延ばすことができる。なお、図２１に示すヒータ２０は一例にすぎない。本発明において、ヒータの種類は特に限定されない。
【０１３７】
以下、変形例に係る加熱装置を説明する。以下の変形例において、図１７〜図２１を参照して説明した蒸発源１１０（加熱装置）の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【０１３８】
（変形例１）
図２２に示すように、変形例１に係る蒸発源１２０において、スロット９４は、長さ方向に沿って大径の中央部９４ａと小径の端部９４ｂとを有する。この点に関して、変形例１に係る蒸発源１２０は、先に説明した蒸発源１１０と異なる。
【０１３９】
スロット９４の中央部９４ａは、ガス導入経路９７（第一部分９７ａ又は第二部分９７ｂ）に連通している部分である。スロット９４の端部９４ｂは、スロット９４の開口部を含む部分である。ヒータ２０は、端部９４ｂにおけるスロット９４の内径よりも小さい外径を有している。このようなスロット９４によれば、スロット９４の中央部９４ａで隙間９６が相対的に広く、スロット９４の端部９４ｂで隙間９６が相対的に狭い。さらに、スロット９４において、中央部９４ａの中心が端部９４ｂの中心に一致している。従って、ヒータ２０の上方に上隙間９６ａが形成され、ヒータ２０の下方に下隙間９６ｂが形成される。
【０１４０】
伝熱ガスを隙間９６に保持するためには、スロット９４の内径をできるだけ小さくすることが有効である。しかし、スロット９４の内径を小さくしすぎると、ヒータ２０を引き抜くこと及び差し込むことが困難になる。これに対し、本変形例によれば、スロット９４の端部９４ｂで隙間９６が相対的に狭いので、隙間９６からの伝熱ガスの漏れを低減できる。また、スロット９４の中央部９４ａで隙間９６が相対的に広いので、スロット９４からヒータ２０を容易に引き抜くこと、及びスロット９４にヒータ２０を容易に差し込むことができる。
【０１４１】
（変形例２）
図２３に示すように、変形例２に係る蒸発源１３０は、筒状部品９８をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源１１０と異なる。
【０１４２】
図２３に示すように、筒状部品９８は、隙間９６を狭めるようにスロット９４の開口部に設けられている。ヒータ２０は、筒状部品９８を介して、スロット９４に差し込まれている。変形例１と同じように、ヒータ２０の上方に上隙間９６ａが形成され、ヒータ２０の下方に下隙間９６ｂが形成されている。筒状部品９８は、スロット９４の内径を縮小するのと同じ役割を果たしている。このような筒状部品９８を使用すれば、加熱ブロック９２にスロット９４を形成するための加工が容易になる。
【０１４３】
図２４Ａに示すように、筒状部品９８は、大径部９８ａ、小径部９８ｂ及び貫通孔９８ｈを有する。大径部９８ａは、スロット９４の内径よりも大きい外径を有する部分である。小径部９８ｂは、スロット９４の内径よりも小さい外径を有する部分である。大径部９８ａ及び小径部９８ｂは一体に形成されている。貫通孔９８ｈは、大径部９８ａ及び小径部９８ｂを貫通する形で形成されている。貫通孔９８ｈは、ヒータ２０の外径よりも大きい内径を有する。このような構造の筒状部品９８によれば、スロット９４の端部で隙間９６を狭めることができる。
【０１４４】
図２４Ａに示す筒状部品９８に代えて、図２４Ｂに示す樋状部品２８を使用してもよい。樋状部品２８は、筒状部品９８を貫通孔９８ｈの中心軸を含む平面で２等分することによって得られる。リード部３２が設けられている側のスロット９４の開口部において、樋状部品２８をヒータ２０とスロット９４との間に配置してもよい。これにより、樋状部品２８の内周面の曲率半径とヒータ２０の外径との差がある程度小さかったとしても、ヒータ２０をスロット９４から容易に引き抜くことができる。
【０１４５】
（変形例３）
図２５に示すように、変形例３に係る蒸発源１４０は、スロット９４を閉じるためのフランジ９９をさらに備えている点で、先に説明した蒸発源１１０と異なる。
【０１４６】
フランジ９９は、スロット９４の２つの開口部のうち、ヒータ２０のリード線３８が位置する側とは反対側の開口部に配置されている。フランジ９９によってスロット９４が閉じられている。スロット９４を密閉すれば、隙間９６から真空槽８１の内部に漏出する伝熱ガスの量を減らすことができる。フランジ９９によれば、スロット９４が有底孔で形成されている場合と同じ効果が得られる。
【０１４７】
フランジ９９が複数のスロット９４のそれぞれに設けられていることは必須ではない。例えば、複数のスロット９４を一括して覆うことができる大きさの板状部材をフランジとして使用できる。さらに、フランジ９９は、加熱ブロック９２に差し込まれているだけでもよいし、ねじ込まれていてもよいし、加熱ブロック９２に溶接されていてもよい。このように、スロット９４を密閉する方法は特に限定されない。
【０１４８】
（第四実施形態）
本発明は、蒸発源以外の加熱装置にも適用されうる。図２６に示すように、加熱装置は、基板を加熱する基板加熱装置１５０であってもよい。基板加熱装置１５０は、加熱ブロック５１、複数のスロット９４及び複数のヒータ２０を備えている。加熱ブロック５１に複数のスロット９４及び複数のガス導入経路（図示省略）が形成されている。スロット９４にヒータ２０が差し込まれている。ガス導入経路にガス供給管９５が接続されている。ヒータ２０に電流を流すことによって加熱ブロック５１が全体的に加熱される。
【０１４９】
加熱ブロック５１は、例えば、蒸発源１１０の加熱ブロック９２に使用できる耐熱材料で作られている。加熱ブロック５１の上面５１ｐは、基板に向かい合う面である。上面５１ｐに基板を接近又は接触させることによって基板を加熱できる。上面５１ｐには、基板の加熱効率を高めるための処理が施されていてもよい。そのような処理としては、輻射率を高めるための黒色被膜を上面５１ｐに形成することが挙げられる。
【０１５０】
加熱ブロック５１の構造は、材料を収容するための凹部を有していていないことを除けば、先に説明した加熱ブロック９２の構造と概ね同じである。つまり、蒸発源１１０，１２０，１３０及び１４０で説明した全ての構成は、基板加熱装置１５０にも有利に適用できる。また、基板を加熱しながら搬送する加熱ローラのように、可動部分を有する加熱装置にも本発明を適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１５１】
本発明の加熱装置は、真空成膜装置、真空加工装置、真空冶金装置、真空化学装置、表面分析装置、真空試験装置などの様々な真空装置に使用できる。
【図１】
0005584362.tif 000002
【図２】
0005584362.tif 000003
【図３】
0005584362.tif 000004
【図４】
0005584362.tif 000005
【図５】
0005584362.tif 000006
【図６】
0005584362.tif 000007
【図７】
0005584362.tif 000008
【図８】
0005584362.tif 000009
【図９】
0005584362.tif 000010
【図１０】
0005584362.tif 000011
【図１１】
0005584362.tif 000012
【図１２Ａ】
0005584362.tif 000013
【図１２Ｂ】
0005584362.tif 000014
【図１３Ａ】
0005584362.tif 000015
【図１３Ｂ】
0005584362.tif 000016
【図１４】
0005584362.tif 000017
【図１５】
0005584362.tif 000018
【図１６Ａ】
0005584362.tif 000019
【図１６Ｂ】
0005584362.tif 000020
【図１６Ｃ】
0005584362.tif 000021
【図１７】
0005584362.tif 000022
【図１８】
0005584362.tif 000023
【図１９】
0005584362.tif 000024
【図２０】
0005584362.tif 000025
【図２１】
0005584362.tif 000026
【図２２】
0005584362.tif 000027
【図２３】
0005584362.tif 000028
【図２４Ａ】
0005584362.tif 000029
【図２４Ｂ】
0005584362.tif 000030
【図２５】
0005584362.tif 000031
【図２６】
0005584362.tif 000032