(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対向する封止基板と、
ギャップ材と硬化した接着剤を含み、前記基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部と、
前記基板上の前記シール部形成領域に設けられ、トランジスタを有する配線部と、
前記基板上の前記シール部形成領域の前記配線部と異なる位置に設けられ、上端の高さが前記基板を基準とした前記配線部の上端の高さよりも高くなるように形成され、上端部にくぼみを有する支持部と、
を備え、
前記支持部と、前記支持部のくぼみにはめ込まれたギャップ材とによって前記基板と前記封止基板との間隔が設定され、
前記間隔の方向における前記配線部と前記封止基板との間には前記ギャップ材の径より長い隙間があり、前記隙間には硬化した接着剤が充填されていることを特徴とするトランジスタ装置。
【請求項２】
前記支持部は、前記トランジスタの層構造と同様の層構造に加え前記層構造と異なる別層をさらに有する、ことを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ装置。
【請求項３】
前記シール部は前記基板の周縁領域に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のトランジスタ装置。
【請求項４】
前記トランジスタにより駆動される発光素子をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトランジスタ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のトランジスタ装置を備える電子機器。
【請求項６】
基板と、前記基板に対向する封止基板と、第１領域と第２領域を有し前記基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部と、を備えたトランジスタ装置の製造方法において、
前記第１領域及び前記第２領域に複数の層を形成する工程と、
前記第１領域に、前記複数の層のうち１つの層又は２つ以上の層を除去したトランジスタを有する配線部を形成する工程と、
前記第２領域に、上端の高さが前記基板を基準とした前記配線部の上端の高さよりも高い支持部を形成する工程と、
前記支持部の一部を除去して前記支持部の上端部にくぼみを形成する工程と、
ギャップ材を含む接着剤を硬化して前記基板と前記封止基板とを貼り合わせることによって、前記支持部と、前記支持部のくぼみにはめ込まれたギャップ材とによって前記基板と前記封止基板との間隔を設定する工程と、
を含み、
前記間隔の方向における前記配線部と前記封止基板との間には前記ギャップ材の径より長い隙間があり、前記隙間には硬化した接着剤が充填されていることを特徴とするトランジスタ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ装置及びこれを備える電子機器、並びにトランジスタ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）等の自発光素子が２次元配列された自発光型の素子基板を備える発光装置又は表示装置の研究開発が行われている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの一対の電極間に形成された発光機能層と、を備える。発光機能層は、例えば有機ＥＬ層、正孔注入層及びインターレイヤからなる。有機ＥＬ層は蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層において正孔と電子とが再結合する際に発生するエネルギーによって発光する。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられるこれら発光材料の中には、水分と接触することにより劣化しやすいものがある。このため、有機ＥＬ素子が形成された素子基板は、水分の浸入を防ぐために、一般に封止基板によって封止されて用いられる。
【０００５】
素子基板と封止基板とはシール材を用いて接合される。この際、素子基板に形成されている配線等が封止基板によって圧迫されて破損するのを防ぐため、シール材にはガラスビーズ等からなるギャップ材が配合される。ギャップ材は素子基板と封止基板との間の間隔を適切な範囲に保つ役割を果たす。
【０００６】
素子基板には、シール材が配置される領域、すなわち貼り合わせ領域にも駆動回路等の配線が形成されているものがある。このような素子基板の場合、貼り合わせ領域の配線がギャップ材により圧迫され、破損するおそれがある。
【０００７】
特許文献１には、複数の表示素子を備える素子基板と、素子基板に対向して配置される封止基板と、素子基板の周辺部分と封止基板の周辺部分とを接合し内部空間を密封するシール材と、を備え、封止基板の周辺部分の貼り合わせ領域に所定の深さと所定の幅を持つ溝を有する表示装置が開示されている。この表示装置では、表示素子の駆動回路は、封止基板との貼り合わせ領域に形成された溝と対応する位置に形成されている。ギャップ材がこの溝に入り込むことにより、貼り合わせ領域に形成された駆動回路が破損するのを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１４７１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に開示されている表示装置では、封止基板の貼り合わせ領域を物理的に加工して溝を形成する工程が必要となる。このため、生産性やコストの面で問題がある。
【００１０】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、他部材との貼り合わせ領域に形成された配線部が圧迫されて破損するのを防ぐことができるトランジスタ装置及びこれを備える電子機器、並びにトランジスタ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の観点に係るトランジスタ装置は、基板と、前記基板に対向する封止基板と、ギャップ材と硬化した接着剤を含み、前記基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部と、前記基板上の前記シール部形成領域に設けられ、トランジスタを有する配線部と、前記基板上の前記シール部形成領域の前記配線部と異なる位置に設けられ、上端の高さが前記基板を基準とした前記配線部の上端の高さよりも高くなるように形成され、上端部にくぼみを有する支持部と、を備え、前記支持部と、前記支持部のくぼみにはめ込まれたギャップ材とによって前記基板と前記封止基板との間隔が設定され、前記間隔の方向における前記配線部と前記封止基板との間には前記ギャップ材の径より長い隙間があり、前記隙間には硬化した接着剤が充填されていることを特徴とする。
【００１３】
前記支持部は、前記トランジスタの層構造と同様の層構造に加え前記層構造と異なる別層をさらに有していてもよい。
【００１４】
前記シール部は前記基板の周縁領域に形成されている、ことが好ましい。
【００１５】
前記トランジスタ装置は、前記トランジスタにより駆動される発光素子をさらに備えていてもよい。
【００１６】
本発明の第２の観点に係る電子機器は、本発明の第１の観点に係るトランジスタ装置を備える。
【００１７】
本発明の第３の観点に係るトランジスタ装置の製造方法は、基板と、前記基板に対向する封止基板と、第１領域と第２領域を有し前記基板と前記封止基板とを貼り合わせるシール部と、を備えたトランジスタ装置の製造方法において、前記第１領域及び前記第２領域に複数の層を形成する工程と、前記第１領域に、前記複数の層のうち１つの層又は２つ以上の層を除去したトランジスタを有する配線部を形成する工程と、前記第２領域に、上端の高さが前記基板を基準とした前記配線部の上端の高さよりも高い支持部を形成する工程と、前記支持部の一部を除去して前記支持部の上端部にくぼみを形成する工程と、ギャップ材を含む接着剤を硬化して前記基板と前記封止基板とを貼り合わせることによって、前記支持部と、前記支持部のくぼみにはめ込まれたギャップ材とによって前記基板と前記封止基板との間隔を設定する工程と、を含み、前記間隔の方向における前記配線部と前記封止基板との間には前記ギャップ材の径より長い隙間があり、前記隙間には硬化した接着剤が充填されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、他部材との貼り合わせ領域に形成された配線部が圧迫されて破損するのを防ぐことができるトランジスタ装置及びこれを備える電子機器、並びにトランジスタ装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係るトランジスタ装置を有するデジタルカメラを示した図である。
【図２】本発明に係るトランジスタ装置を有するパーソナルコンピュータを示した図である。
【図３】本発明に係るトランジスタ装置を有する携帯電話機を示した図である。
【図４】本発明に係るトランジスタ装置を有するテレビを示した図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るトランジスタ装置の一部を切り欠いて示した模式図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】図５及び図６に示したトランジスタ装置の一部を拡大して示した平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るトランジスタ装置の断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【図１５】（ａ），（ｂ）は本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係るトランジスタ装置、これを備える電子機器、並びにトランジスタ装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
本発明に係るトランジスタ装置は、例えば発光装置である。ここで発光装置とは、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ発光装置、ＬＣＤ等を含む。これらの発光装置は、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等の電子機器の表示部（ディスプレイ）に用いられる。具体例について図１〜４を参照しながら説明する。カメラ１２００は図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、レンズ部１２０１と、操作部１２０２と、表示部１２０３と、ファインダー１２０４と、を備える。表示部１２０３は、発光装置として本発明に係るトランジスタ装置を有する。同様に、パーソナルコンピュータ１２１０は図２に示すように、表示部１２１１と操作部１２１２とを備える。表示部１２１１は、発光装置として本発明に係るトランジスタ装置を有する。さらに、図３に示すように、携帯電話機１２２０は表示部１２２１と、操作部１２２２と、受話部１２２３と、送話部１２２４と、を備える。表示部１２２１は、発光装置として本発明に係るトランジスタ装置を有する。さらに、図４に示すように、テレビ１２３０は表示部１２３１を備える。表示部１２３１は、発光装置として本発明に係るトランジスタ装置を有する。
【００２３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係るトランジスタ装置８００について図面を参照しながら説明する。本実施形態において、トランジスタ装置８００は有機ＥＬ表示装置である。図５に示すように、トランジスタ装置８００はトランジスタ基板１０と封止基板１６０とを有する。トランジスタ基板１０は図６に示すように、支持部３４０が形成された周縁領域において封止基板１６０とシール部１４０を介して貼り合わせられている。トランジスタ基板１０は、ガラス基板１００と、画素１２０と、隔壁１３０と、を有する。画素１２０は図５に示すように、ガラス基板１００の素子形成領域１１０内に二次元配列されている。各画素１２０の間は隔壁１３０により仕切られている。
【００２４】
画素１２０は有機ＥＬ素子である。画素１２０は図８に示すように、有機ＥＬ層４５を備える。有機ＥＬ層４５は電流を供給されることにより発光する。このため、画素１２０は図７に示すように、有機ＥＬ層４５に電流を供給するためのアノード線Ｌａ及び駆動トランジスタＴｒ１２と、画素１２０の動作や輝度を制御するための走査線Ｌｓ、信号線Ｌｄ、キャパシタＣｓ及びスイッチトランジスタＴｒ１１と、を有している。
【００２５】
アノード線Ｌａ、走査線Ｌｓ、信号線Ｌｄ、スイッチトランジスタＴｒ１１及び駆動トランジスタＴｒ１２のそれぞれ少なくとも一部は、図７及び図８に示すように、隔壁１３０の下に配置されている。これら、配線及びトランジスタが配置され隔壁１３０により覆われている領域を、ここでは配線部３３０と呼称する。
【００２６】
図７に示すように、トランジスタ装置８００は支持部３４０を有している。図８に示すように、支持部３４０はその上端が配線部３３０の上端よりも上になるように形成されている。
【００２７】
配線部３３０の上端がトランジスタ基板１０の中で最も上になるよう形成されている場合、ここに封止基板１６０を貼り合わせると、配線部３３０を構成する隔壁１３０の上端に直接圧力がかかり、下に配置されている配線やトランジスタが破損するおそれがある。特に図６に示すようにシール部１４０と対応する位置にも配線部３３０が形成されている場合、シール部１４０と対応する位置に形成されている配線部３３０がガラスビーズ等からなるギャップ材３５０により圧迫され、破損するおそれがある。
【００２８】
ここでトランジスタ装置８００は、素子形成領域１１０の周縁部に複数の画素１２０を取り囲むように形成されている支持部３４０を有している。支持部３４０の上端は図６に示すように、配線部３３０の上端よりも高く形成されている。このため封止基板１６０からの圧力は支持部３４０によって受け止められ、配線部３３０が直接圧迫されることがない。特にシール部１４０において、ガラスビーズ等からなるギャップ材３５０は支持部３４０によって支持されるため、配線部３３０に直接接触することがない。この結果、配線部３３０が封止基板１６０によって圧迫されて配線やトランジスタが破損するのを防ぐことができる。
【００２９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係るトランジスタ装置８１０について図９を参照しながら説明する。第１実施形態に係るトランジスタ装置８００との違いは、図９に示すように、支持部３４０の上端部にくぼみ３４５が形成されている点である。本実施形態においては、シール部１４０に用いられているギャップ材３５０が支持部３４０の上端部に形成されているくぼみ３４５にはまり込む。このため、第１実施形態に係るトランジスタ装置８００に比べ、密封性がさらに向上する。
【００３０】
（トランジスタ装置の製造方法）
本発明の第３実施形態に係るトランジスタ装置の製造方法について、図１０〜図１５を参照しながら説明する。なお、ここでは理解を容易にするために第１実施形態に係るトランジスタ装置８００を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３１】
まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板１００上に例えば、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなるゲート導電膜１０５が形成される。このゲート導電膜は、スパッタ法、真空蒸着法等によって形成される。ゲート導電膜１０５はパターニングされ、図１０（ｂ）に示すように駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇ、信号線Ｌｄが形成される。また、後に支持部３４０が形成される領域にはゲート導電膜１０５の一部が残される。なお、図面では省略されているが、スイッチトランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇも合わせて形成される。
【００３２】
次に図１０（ｃ）に示すように、ガラス基板１００、信号線Ｌｄ、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ（図示せず）及びＴｒ１２ｇを覆うように、ゲート絶縁膜１０６が形成される。ゲート絶縁膜１０６は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなる。ゲート絶縁膜１０６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成される。
【００３３】
次に図１１（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜１０６上に半導体層及びアモルファスシリコン層等からなる半導体層１１２がＣＶＤ法等により形成される。半導体層１１２の上には図１１（ｂ）に示すように、例えばＳｉＮ等からなる絶縁膜１１４がＣＶＤ法等により形成される。絶縁膜１１４はフォトリソグラフィー法等によりパターニングされ、図１１（ｃ）に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇに対応する位置にストッパ膜１１５が形成される。この際、残されているゲート導電膜１０５と対応する位置の絶縁膜１１４も残される。
【００３４】
次に図１２（ａ）に示すように、ｎ型不純物が含まれたアモルファスシリコン等からなる半導体層１１７が、ＣＶＤ法等により形成される。半導体層１１２，１１７はフォトリソグラフィ等により図１２（ｂ）に示すようにパターニングされる。
【００３５】
次に図１２（ｃ）に示すように、透明導電膜１１８がスパッタ法、真空蒸着法等により形成される。透明導電膜１１８は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等からなる。透明導電膜１１８の厚みは、例えば５０〜３００ｎｍである。
【００３６】
透明導電膜１１８はフォトリソグラフィによって図１３（ａ）に示すようにパターニングされ、画素電極４２が形成される。この際、図１３（ａ）に示すように、配線部３３０が形成される領域の透明導電膜１１８は除去されるが、支持部３４０が形成される領域の透明導電膜１１８は除去されずに残される。この段階で、支持部３４０が形成される領域の上端は、配線部３３０が形成される領域の上端よりも透明導電膜１１８の厚みの分だけ高くなる。
【００３７】
次に図１３（ｂ）に示すように、例えばＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなるソースドレイン膜１１９が形成される。ソースドレイン膜１１９は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等によって形成される。ソースドレイン膜１１９及び半導体層１１７は図１３（ｃ）に示すようにパターニングされ、ソース電極Ｔｒ１２ｓと、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄとが形成される。この際、図１３（ｃ）に示すように、支持部３４０が形成される領域のソースドレイン膜１１９は除去されずに残される。なお、残されるソースドレイン膜１１９は、容量が形成されるのを防ぐため、所定の低電位、例えばグランドに接続されることが好ましい。
【００３８】
次に、図１４（ａ）に示すように、オーバーコート膜１２５が形成される。オーバーコート膜１２５は絶縁性材料、例えばシリコン窒化膜から形成され、ガラス基板１００上に形成されているトランジスタや配線を絶縁保護する。オーバーコート膜１２５の画素電極４２と対応する位置には、図１４（ａ）に示すように開口部が形成されている。
【００３９】
さらに、オーバーコート膜１２５及び画素電極４２の上に感光性ポリイミド等の感光性材料が塗布される。塗布された感光性材料はフォトリソグラフィー法等によりパターニングされ、図１４（ｂ）に示すように、オーバーコート膜１２５の上に隔壁１３０が形成される。なお、オーバーコート膜１２５、隔壁１３０の形成工程を複数回に分けて行い、支持部３４０が形成される領域と配線部３３０が形成される領域との高さの差がさらに大きくなるようにしてもよい。
【００４０】
また、本実施形態においては隔壁１３０をフォトリソグラフィー法によりパターニングする例を示したが、形成方法はこれに限定されない。例えば、オーバーコート膜１２５を全面に形成し、さらにその上にポリイミド膜を形成した後、例えばドライエッチングにより画素電極４２を露出させる開口部を形成してもよい。
【００４１】
次に図１４（ｃ）に示すように、画素電極４２、オーバーコート膜１２５及び隔壁１３０の上に、有機ＥＬ層４５が形成される。有機ＥＬ層４５は、画素電極４２と対向電極４６との間に電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。有機ＥＬ層４５は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成される。
【００４２】
有機ＥＬ層４５は、上記の発光材料を例えば水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。
【００４３】
有機ＥＬ層４５を形成する前に、酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理により画素電極４２の親液化を行ってもよい。画素電極４２を親液化することで、塗布された溶液（分散液）が画素電極４２の表面に均一に広がる。この結果、膜厚が均一な有機ＥＬ層４５を形成することができる。
【００４４】
さらに、隔壁１３０の表面及びオーバーコート膜１２５の表面にあらかじめ撥液処理を施しておいてもよい。ここで撥液とは、水系の溶媒、有機系溶媒のいずれをも弾く性質を示す。隔壁１３０の表面及びオーバーコート膜１２５の表面にあらかじめ撥液処理を施しておくことで、塗布された溶液（分散液）の分布が制御され、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することが容易となる。
【００４５】
なお、本実施形態においては理解を容易にするために有機ＥＬ層４５を単一の層からなるものとしたが、有機ＥＬ層４５はさらに、正孔注入層若しくはインターレイヤ又はその両方を備えていてもよい。正孔注入層が形成される場合、正孔注入層は、画素電極４２と有機ＥＬ層４５との間に形成される。正孔注入層は有機ＥＬ層４５に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層は正孔（ホール）注入・輸送が可能な有機高分子系の材料、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）から構成される。
【００４６】
さらに、インターレイヤが形成される場合、インターレイヤは正孔注入層と有機ＥＬ層４５との間に形成される。インターレイヤは正孔注入層の正孔注入性を抑制して有機ＥＬ層４５内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、有機ＥＬ層４５の発光効率を高める。
【００４７】
次に図１５（ａ）に示すように、隔壁１３０及び有機ＥＬ層４５の上に、対向電極４６が形成される。トランジスタ装置８００がボトムエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Ａｌ等の光反射性導電金属からなる上層を有する積層構造を備える。一方、トランジスタ装置８００がトップエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる厚さ１０ｎｍ程度の膜厚の極薄い光透過性低仕事関数層と、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ等の光反射性導体層を有する透明積層構造を備える。
【００４８】
次に、図１５（ｂ）に示すように、対向電極４６を覆うように封止膜１３５が形成される。このようにして、トランジスタ基板１０が得られる。なお、封止膜１３５の上にさらに接着層を形成してもよい。
【００４９】
トランジスタ基板１０は図６に示すように、シール部１４０を介して封止基板１６０と貼り合わせられる。具体的には、例えば、封止基板１６０の一方の面に、ディスペンサ等を用いてエポキシ系紫外線硬化樹脂からなる接着剤が塗布される。封止基板１６０の接着剤が塗布された領域と、トランジスタ基板１０の支持部３４０が形成されている領域とが位置合わせされ、貼り合わせられる。紫外線照射等により接着剤を硬化させ、封止基板１６０とトランジスタ基板１０とが固定する。このようにして、トランジスタ装置８００が得られる。
【００５０】
トランジスタ装置８００のシール部１４０の位置は、図６に示すように、トランジスタ基板１０の支持部３４０の位置に対応している。第１実施形態において述べたように、封止基板１６０はトランジスタ基板１０の支持部３４０によって支えられる。このため、配線部３３０がギャップ材３５０により圧迫されて破損するのを防ぐことができる。
【００５１】
なお、本発明の第２実施形態に係るトランジスタ装置８１０も、第１実施形態に係るトランジスタ装置８００と同様の手順により製造することができる。ここで、支持部３４０の上端部にくぼみを形成する方法は公知の方法によればよい。例えば、フォトリソグラフィー法によりくぼみを形成してもよい。又はオーバーコート膜１２５を全面に形成し、さらにその上にポリイミド樹脂等からなる膜を全面に形成した後、ドライエッチングにより画素電極４２を露出させる開口部を形成するとともに支持部３４０の上端部の一部を除去し、くぼみを形成してもよい。
【００５２】
以上、本発明について実施形態を示しながら詳しく述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の各実施形態では、後に支持部３４０が形成される領域にゲート導電膜１０５の一部と絶縁膜１１４の一部とを残す例を示したが、支持部３４０と配線部３３０との高さの差が十分に確保できる場合は、残さずに除去してもよい。また、上記の各実施形態では平坦な封止基板１６０を用いたが、封止基板１６０の貼り合わせ位置にさらに溝を形成してもよい。
また、上記の各実施形態では、配線部３３０が形成される領域の透明導電膜１１８を除去し、支持部３４０が形成される領域の透明導電膜１１８は除去されずに残されることで透明導電膜の厚み分だけ支持部の上端と配線部の上端との高さの差を作ったが、これに限らず、トランジスタの電極等をパターニングする際に用いたレジスト膜を配線部が形成される領域では除去し、支持部が形成される領域では除去されずに残すことで支持部の上端と配線部の上端との高さの差を作ってもよい。また、これは１つの層の除去に限らず、２つ以上の層を除去しても良い。
【００５３】
本発明に係るトランジスタ装置は、有機ＥＬ表示装置以外にも、発光装置、液晶表示パネル等にも使用することができる。その他、本技術分野の通常の知識に基づいて様々な変形例が可能であり、それらの変形例は本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５４】
１０，１５…トランジスタ基板、Ｃｓ…キャパシタ、Ｈ…支持部の上端と配線部の上端との高さの差、Ｌａ…アノード線、Ｌｓ…走査線、Ｌｄ…信号線、Ｔｒ１１…スイッチトランジスタ、Ｔｒ１２…駆動トランジスタ、Ｔｒ１２ｇ…ゲート電極、Ｔｒ１２ｓ…ソース電極、Ｔｒ１２ｄ…ドレイン電極、４２…画素電極、４５…有機ＥＬ層、４６…対向電極、１００…ガラス基板、１０５…ゲート導電膜、１０６…ゲート絶縁膜、１１０…素子形成領域、１１２…半導体層、１１４…絶縁膜、１１５…ストッパ膜、１１７…半導体層、１１８…透明導電膜、１１９…ソースドレイン膜、１２０…画素、１２５…オーバーコート膜、１３０…隔壁、１３５…封止膜、１４０…シール部、１６０…封止基板、３２０…発光部、３３０…配線部、３４０…支持部、３５０…ギャップ材、８００，８１０…トランジスタ装置、１２００…カメラ、１２０１…レンズ部、１２０２…操作部、１２０３…表示部、１２０４…ファインダー、１２１０…パーソナルコンピュータ、１２１１…表示部、１２１２…操作部、１２２０…携帯電話機、１２２１…表示部、１２２２…操作部、１２２３…受話部、１２２４…送話部、１２３０…テレビ、１２３１…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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