(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１−１−１）で表される化合物。
0005392256.tif 000053
式中、Ｒ１は炭素数２から１０のアルケニルであり、Ｒ２は炭素数１から１０のアルキルであり、環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンである。
【請求項２】
成分Ａとして、請求項１に記載の化合物を少なくとも１種類含有する液晶組成物。
【請求項３】
成分Ｂとして、式（２）、式（３）および式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000054
式中、Ｒ３は炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２、またはＯＣＦ２ＣＨＦＣＦ３であり；
環Ａ１、環Ａ２、および環Ａ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；
Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、Ｚ１４、およびＺ１５は独立して、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ１およびＬ２は独立して、水素またはフッ素である。
【請求項４】
成分Ｃとして、式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000055
式中、Ｒ４は炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ２は−Ｃ≡Ｎ、または−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；
環Ｂ１、環Ｂ２、および環Ｂ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ１６は−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ３およびＬ４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｑは０、１、または２であり、ｒは０または１である。
【請求項５】
成分Ｄとして、式（６）、式（７）、式（８）、式（９）、および式（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000056
式中、Ｒ５およびＲ６は独立して、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｃ１、環Ｃ２、環Ｃ３、および環Ｃ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
Ｚ１７、Ｚ１８、Ｚ１９、Ｚ２０、Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３、Ｚ２４、Ｚ２５、Ｚ２６、およびＺ２７は独立して、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＯＣＦ２（ＣＨ２）２−、または単結合であり；
Ｌ５およびＬ６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、およびｎは独立して、０または１であり、ｋ、ｌ、ｍ、およびｎの和は１または２である
【請求項６】
成分Ｅとして、式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000057
式中、Ｒ７およびＲ８は独立して、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、炭素数２から１０のアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ１、環Ｄ２、および環Ｄ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ２８、Ｚ２９、Ｚ３０、Ｚ３１、およびＺ３２は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。
【請求項７】
請求項４記載の式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項３に記載の液晶組成物。
【請求項８】
請求項６記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項３に記載の液晶組成物。
【請求項９】
請求項６記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
請求項６記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項５に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する、請求項２から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含む請求項２から１１のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
請求項２から１２のいずれか１項に記載の液晶組成物を少なくとも１つ含有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な液晶性化合物および液晶組成物に関する。更に詳しくは誘電率異方性（Δε）が負の液晶性化合物、これを含有する液晶組成物および該液晶組成物を含む液晶表示素子である。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、表示方式によってＤＳ（Ｄｙｎａｍｉｃ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ  ｈｏｓｔ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  ｂｅｎｄ）またはＰＳＡ（Polymer sustained alignment）などのモードに分類される。これら液晶表示素子に含有される液晶組成物として好ましい特性は、表示方式によって異なる点もあるが、どの表示方式で用いられるかを問わず、共通して以下の特性を有することが好ましい。
（１）水分、空気、熱、光等の外的環境因子に対して安定であること。
（２）室温を中心とした広い温度範囲で液晶相を示すこと。
（３）粘度が小さいこと。
（４）表示素子を駆動させた場合にその駆動電圧を低くすることができること。
（５）最適な誘電率異方性（Δε）を有すること。
（６）最適な屈折率異方性（Δｎ）を有すること。【０００３】
しかし現在のところ、特性（１）から（６）を全て満たす単一の液晶性化合物は知られておらず、数種から二十数種の液晶性化合物を混合した液晶組成物として使用するのが一般的である。そのため、組成物成分として用いられる液晶性化合物は相互に良好な相溶性を示すことが必要である。特に最近では、様々な環境下、例えば極低温でも使用できる液晶表示素子が要求されており、極低温においても良好な相溶性を示す液晶性化合物が望まれている。【０００４】
近年、液晶表示素子の最大の問題点である視野角の狭さを克服する表示方式として、上記表示方式の中でも、ＩＰＳ、ＶＡ、ＯＣＢ、ＰＳＡなどのモードが注目されている。これらモードの液晶表示素子の中でも、特にＶＡモードやＩＰＳモード、ＰＳＡモードの液晶表示素子は、視野角の広さに加え応答性にも優れ、さらに高コントラストな表示が得られるため開発が盛んに行われている。これら表示方式の液晶表示素子に使用される液晶組成物の特徴は、誘電率異方性（Δε）が負である点にある。そして、負の誘電率異方性（Δε）が大きな液晶組成物は、その液晶組成物を含有する液晶表示素子の駆動電圧を低くできることが知られている（非特許文献１）。そのため、その液晶組成物の構成成分である液晶性化合物についても、より大きな負の誘電率異方性（Δε）を有することが求められている。【０００５】
従来から、負の誘電率異方性（Δε）を有する液晶組成物の成分として、ベンゼン環のラテラル位の水素がフッ素で置き換えられた液晶性化合物が数多く検討されてきている（特許文献１、２）。例えば化合物（ａ）が報告されている。しかし、化合物（ａ）は、負の誘電率異方性（Δε）を有するものの、必ずしもその値が大きくない場合もあり、前記のＶＡモード、ＩＰＳモードなどの液晶表示素子の駆動電圧を低下させるためには十分ではない場合もあった。【０００６】
0005392256.tif 000002
（式中、ＲおよびＲ′はアルキルである。）【０００７】
このため、２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する化合物の、負の誘電率異方性（Δε）の絶対値を大きくするための試みがなされてきた。例えば、２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する化合物に、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル骨格を導入した化合物が報告されている（特許文献３、４）。化合物（ｂ）は化合物（ａ）と比較して負に大きな誘電率異方性（Δε）を有する。【０００８】
0005392256.tif 000003
しかし、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどの液晶表示素子の駆動電圧を低下させるために、さらに誘電率異方性（Δε）が負に大きな液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第２８１１３４２号公報
【特許文献２】特開平０２−４７２５号公報
【特許文献３】特開２０００−８０４０号公報
【特許文献４】特開２００１−１１５１６１号公報
【非特許文献１】Mol. Cryst. Liq. Cryst., 12, 57 (1970)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の第一の目的は、大きな負の誘電率異方性（Δε）を有するのみならず、熱、光などに対する安定性、高い透明点、適切な屈折率異方性（Δｎ）、および他の液晶性化合物との優れた相溶性などの特性において、少なくとも１つの特性を有する液晶性化合物を提供することである。【００１１】
本発明の第二の目的は、粘度が低く、適切な屈折率異方性（Δｎ）、および適切な負の誘電率異方性（Δε）を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低いなどの特性において、少なくとも１つの特性を有し、または少なくとも２つの特性に関して適切なバランスを有する、上記化合物を含有する液晶組成物を提供することである。【００１２】
本発明の第三の目的は、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能であるなどの特性において、少なくとも１つの特性を有し、または少なくとも２つの特性に関して適切なバランスを有する、上記組成物を含有する液晶表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題に対して研究を行った結果、
１）テトラヒドロピラン環
２）末端アルケニル鎖
0005392256.tif 000004
の３要素を含むことの相乗効果により、特に誘電率異方性（Δε）の値が負に大きくなるという優れた効果が発現することを見出した。この効果を活用することで、さらに課題を解決できるという知見を見出すことができ、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、下記の〔１〕から〔１７〕の構成を有する。【００１４】
〔１〕  式（１−１）または式（１−２）で表される化合物。
0005392256.tif 000005
【００１５】
式中、Ｒ１は炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルケニルにおいて相隣接しない任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく；
Ｒ２は炭素数１から１０のアルキルであり、炭素数２から１０のアルキルにおいて相隣接しない任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ２）２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；
環Ｇ、および環Ｊは独立して、１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンであり、１，４−シクロヘキシレンにおいて任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ２）２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、１，４−フェニレンにおいて任意の−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく；
ｓおよびｔは独立して、０、１、２、または３であり、ｓとｔの和は１、２、または３であり；
ｕは０、１、または２であり、ｖは１、２、または３であり、ｕとｖの和は１、２、または３であり；
式（１−１）において、ｓ＝１、ｔ＝０のとき、環Ｇは任意の−ＣＨ＝が−Ｎ＝で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり、；
式（１−２）において、ｕ＝０、ｖ＝１のとき、環Ｊは任意の−ＣＨ２−が、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ２）２−が−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい１，４−シクロヘキシレンである。【００１６】
〔２〕式（１−１）および式（１−２）において、
Ｒ１が炭素数２から１０のアルケニルであり、Ｒ２が炭素数１から１０のアルキルであり、環Ｇ、および環Ｊが独立して、１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンである項〔１〕に記載の化合物。【００１７】
〔３〕式（１−１）および式（１−２）において、ｓとｔの和が１であり、ｕが０であり、ｖが１である項〔１〕または〔２〕に記載の化合物。【００１８】
〔４〕式（１−１−１）で表される化合物。
0005392256.tif 000006
式中、Ｒ１は炭素数２から１０のアルケニルであり、Ｒ２は炭素数１から１０のアルキルであり、環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、または１，４−フェニレンである。【００１９】
〔５〕式（１−２−１）で表される化合物。
0005392256.tif 000007
式中、Ｒ１は炭素数２から１０のアルケニルであり、Ｒ２は炭素数１から１０のアルキルである。【００２０】
〔６〕成分Ａとして、項〔１〕から〔５〕のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種類含有する液晶組成物。【００２１】
〔７〕成分Ｂとして、式（２）、式（３）、および式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔６〕に記載の液晶組成物。【００２２】
0005392256.tif 000008
【００２３】
式中、Ｒ３は炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ３、−ＯＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＣＨ２Ｆ、−ＯＣＦ２ＣＨＦ２、またはＯＣＦ２ＣＨＦＣＦ３であり；
環Ａ１、環Ａ２、および環Ａ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；
Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ１３、Ｚ１４、およびＺ１５は独立して、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ１およびＬ２は独立して、水素またはフッ素である。【００２４】
〔８〕成分Ｃとして、式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔６〕に記載の液晶組成物。【００２５】
0005392256.tif 000009
【００２６】
式中、Ｒ４は炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｘ２は−Ｃ≡Ｎ、またはＣ≡Ｃ−ＣＮであり；
環Ｂ１、環Ｂ２、および環Ｂ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ１６は−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、または単結合であり；
Ｌ３およびＬ４は独立して、水素またはフッ素であり；
ｑは０、１、または２であり、ｒは０または１である。【００２７】
〔９〕成分Ｄとして、式（６）、式（７）、式（８）、式（９）、および式（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔６〕に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000010
【００２８】
式中、Ｒ５およびＲ６は独立して、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｃ１、環Ｃ２、環Ｃ３、および環Ｃ４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、６−テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロ−２，６−ナフタレンであり；
Ｚ１７、Ｚ１８、Ｚ１９、Ｚ２０、Ｚ２１、Ｚ２２、Ｚ２３、Ｚ２４、Ｚ２５、Ｚ２６、およびＺ２７は独立して、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＯＣＦ２（ＣＨ２）２−、または単結合であり；
Ｌ５およびＬ６は独立して、フッ素または塩素であり；
ｊ、ｋ、ｌ、ｍ、およびｎは独立して、０または１であり、ｋ、ｌ、ｍ、およびｎの和は１または２である。【００２９】
〔１０〕成分Ｅとして、式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔６〕に記載の液晶組成物。
0005392256.tif 000011
式中、Ｒ７およびＲ８は独立して、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、炭素数２から１０のアルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、これらにおいて任意の−ＣＨ２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ１、環Ｄ２、および環Ｄ３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ１，４−フェニレンであり；
Ｚ２８、Ｚ２９、Ｚ３０、Ｚ３１、およびＺ３２は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ２）２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。【００３０】
〔１１〕項[８]記載の式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔７〕に記載の液晶組成物。【００３１】
〔１２〕項[１０]記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔７〕に記載の液晶組成物。【００３２】
〔１３〕項[１０]記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔８〕に記載の液晶組成物。【００３３】
〔１４〕項[１０]記載の式（１１）、式（１２）、および式（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項〔９〕に記載の液晶組成物。【００３４】
〔１５〕少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する、項〔６〕から〔１４〕のいずれか１項に記載の液晶組成物。【００３５】
〔１６〕少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含む項〔６〕から〔１５〕のいずれか１項に記載の液晶組成物。
〔１７〕項〔６〕から〔１６〕のいずれか１項に記載の液晶組成物を少なくとも１つ含有する液晶表示素子。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、大きな負の誘電率異方性（Δε）を有するのみならず、熱、光などに対する安定性、高い透明点、適切な屈折率異方性（Δｎ）、および他の液晶性化合物との優れた相溶性といった特性を少なくとも１つ有する液晶性化合物が得られる。また本発明によれば、低粘度、適切な屈折率異方性（Δｎ）、適切な負の誘電率異方性（Δε）、低いしきい値電圧、およびネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低いといった特性を少なくとも１つ有する液晶組成物が得られる。さらに本発明によれば、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能であるといった特性を少なくとも１つ有する液晶表示素子が得られる。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
本発明の液晶性化合物は以下の式（１−１）または式（１−２）に示す液晶性化合物である。
【００３８】
0005392256.tif 000012
【００３９】
式（１−１）、および式（１−２）中のＲ１は炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルケニルにおいて相隣接しない任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよい。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが隣接することは好ましくない。
【００４０】
Ｒ１としては、炭素数２から１０のアルケニル、炭素数２から９のアルケニルオキシ、炭素数３から９のアルケニルオキシアルキル、炭素数３から９のアルコキシアルケニルが挙げられる。これら基のアルキル鎖は、直鎖であることが好ましい。アルキル鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。またアルケニルとしては、その二重結合が奇数位にあり、その立体配置がトランス配置であることが好ましい。アルケニルにおいて複数の二重結合がある場合には、共役していない物が好ましい。
【００４１】
アルケニルとしては、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、および−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２が挙げられ；
アルケニルオキシとしては、−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、および−ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５が挙げられ；
アルケニルオキシアルキルとしては、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、および−（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ３が挙げられ；
アルコキシアルケニルとしては、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣ２Ｈ５、および−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣＨ３が挙げられる。
【００４２】
これらＲ１の中でも、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、および−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２が好ましい。
【００４３】
より好ましいＲ１の例としては、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３が挙げられる。
【００４４】
Ｒ２は炭素数１から１０のアルキルであり、炭素数２から１０のアルキルにおいて相隣接しない任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ２）２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが隣接することは好ましくない。
【００４５】
Ｒ２としては、炭素数１から１０のアルキル、炭素数２から９のアルコキシアルキル、炭素数２から１０のアルケニル、炭素数３から９のアルケニルオキシアルキル、炭素数３から９のアルコキシアルケニルが挙げられる。これら基のアルキル鎖は、直鎖であることが好ましい。アルキル鎖が直鎖であると、液晶相の温度範囲を広くすることができ、粘度を小さくすることができる。またアルケニルとしては、二重結合が奇数位にあるとき、その立体配置がシス配置であることが好ましく、二重結合が偶数位にあるとき、その立体配置がトランスであることが好ましい。アルケニルにおいて複数の二重結合がある場合には、共役していない物が好ましい。Ｒ２がアルコキシの場合、酸素と酸素とが隣接することとなるため、化合物の安定性上好ましくない。
【００４６】
アルキルとしては、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１、−Ｃ６Ｈ１３、−Ｃ７Ｈ１５、−Ｃ８Ｈ１７、−Ｃ９Ｈ１９、−Ｃ１０Ｈ２１が挙げられ；
アルコキシアルキルとしては、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＨ２ＯＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＯＣＨ３、−（ＣＨ２）２ＯＣ２Ｈ５が挙げられ；
アルケニルとしては、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣ３Ｈ７、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨ２が挙げられ；
アルケニルオキシアルキルとしては、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ３が挙げられ；
アルコキシアルケニルとしては、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣ２Ｈ５、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＯＣＨ３が挙げられる。
【００４７】
これらＲ２の中でも、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１、−Ｃ６Ｈ１３、−Ｃ７Ｈ１５、−Ｃ８Ｈ１７、−Ｃ９Ｈ１９、−Ｃ１０Ｈ２１、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｈ５、−（ＣＨ２）２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−（ＣＨ２）３ＣＨ＝ＣＨ２が好ましい。
【００４８】
より好ましいＲ２は、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１、および−Ｃ６Ｈ１３である。
【００４９】
式（１−１）、および式（１−２）中の環Ｇ、および環Ｊは独立して、１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり、これらの環において−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ２）２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、１，４−フェニレンにおいて−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよい。
【００５０】
これらの環が１，４−シクロヘキシレンであるときには、屈折率異方性（Δｎ）を小さくし、粘度を小さくすることができ、さらに、この液晶性化合物を液晶組成物に添加すると、ネマチック相の上限温度を高くすることができる。
【００５１】
またこれらの環が１，４−フェニレンであるときには、屈折率異方性（Δｎ）を比較的大きくすることができるとともに、配向秩序パラメーターを大きくすることができる。
【００５２】
環Ｇおよび環Ｊとしては、これらの中でも、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、１，３−ピリミジン−２，５−ジイルが好ましく、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンがより好ましい。
【００５３】
ｓおよびｔは独立して、０、１、２または３であり、ｓとｔの和は１、２または３である。環の数が少なくなると他の液晶性化合物との相溶性が向上するので、ｓとｔの和は１または２が好ましい。
【００５４】
ｕは０、１、または２であり、ｖは１、２または３であり、ｕとｖの和は１、２または３である。式（１−２）においてｖ＝０の化合物は誘電率異方性（Δε）の絶対値が小さくなるため、ｖは１、２または３が好ましい。環の数が少なくなると他の液晶性化合物との相溶性が向上するので、ｕとｖの和は１または２が好ましい。
【００５５】
ｓが２または３、uが２のとき、環Gは同一であっても異なってもよく、ｔおよびｖが２または３のとき、２つの環Jは同一であっても異なってもよい。
【００５６】
式（１−２）において、ｖが０のとき、誘電率異方性（Δε）の絶対値が低下する。これは、（Ａ）図のような結合時において、
0005392256.tif 000013
安定なコンフォメーションではテトラヒドロピランの酸素と２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのフッ素が逆向きとなり、双極子モーメントが相殺されるので、誘電率異方性（Δε）が小さくなるためである。以上の理由から、ｖは１、２、または３であることが好ましい。
【００５７】
式（１−１）、または式（１−２）で示される液晶性化合物は、末端基Ｒ１およびＲ２、環Ｇおよび環Ｊを上記範囲で適宜選択することにより、屈折率異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）などの物性を所望の物性に調整することも可能である。
【００５８】
本発明の式（１−１）または式（１−２）で示される液晶性化合物は、該式中のＲ１，Ｒ２，環Ｇおよび環Ｊに所定の基を導入することにより得られるが、このような基の導入は公知の一般的な有機合成法により行い得る。代表的な合成例は、新実験化学講座  １４  有機化合物の合成と反応（１９７８年）丸善  あるいは第四版  実験化学講座  １９から２６  有機合成ＩからＶＩＩＩ  （１９９１）丸善  等に記載の方法をあげることができる。
【００５９】
環を結合する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次にスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ１またはＭＳＧ２は少なくとも一つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ１（またはＭＳＧ２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。スキーム中の化合物（１Ａ）は、式（１−１）または式（１−２）で示される液晶性化合物に相当する。
【００６０】
0005392256.tif 000014
【００６１】
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。
【００６２】
次に式（１−１）で表されるテトラヒドロピラン化合物を合成する方法の一例を下記のスキームに示す。初めにラクトン骨格を有する合成中間体（２７）を合成するスキームを説明し、次いで（２７）を出発物質としたテトラヒドロピラン化合物（３０）を合成する方法の一例を述べる。
【００６３】
0005392256.tif 000015
【００６４】
化合物（２４）から（２７）において、Ｑ１は式（１−１）の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるＲ２、Ｊおよびｔの記号の意味は、式（１−１）または（１−２）に記載した記号の意味と同一である。
すなわち、化合物（２５）は、化合物（２４）とシクロヘキシルアミンとの反応によって合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテル等の溶媒中、炭酸カリウムなどの塩基の存在下、室温から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（２６）は、化合物（２５）にアクリル酸エチルを付加させた後、脱保護することにによって合成する。この反応は、アクリル酸エチル自身を溶媒として用いるのが好ましいが、化合物（２５）やアクリル酸エチルと反応しないトルエンなどを溶媒として使用しても良い。アクリル酸エチルの重合を防ぐため、ヒドロキノンなどの重合禁止剤を共存させることが好ましい。この反応は、通常のガラス反応器を用いる場合は室温から溶媒の沸点までの間の温度で行うが、ステンレス製オートクレーブなどの耐圧反応器を用いて溶媒の沸点以上の温度で反応を行うこともできる。付加反応が十分に進行した後、シュウ酸などの酸を添加することにより、シクロヘキシルアミンを脱離させ、化合物（２６）を得る。化合物（２７）は、化合物（２６）の環化反応によって合成する。この反応は、好ましくはイソプロパノールなどの溶媒中、シアノ水素化ホウ素ナトリウムの存在下、室温程度の温度で行う。反応を促進させるために塩酸などの酸を添加してもよい。
出発物である化合物（２４）は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。
【００６５】
次に、化合物（３０）に関する合成法の一例を示す。
【００６６】
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【００６７】
化合物（２７）から（３０）において、Ｑ１またはＱ２は式（１−１）の構造単位である。構造単位はスキームに示した。これらの化合物におけるＲ１、Ｒ２、Ｇ、Ｊ、ｓおよびｔの記号の意味は、式（１−１）または式（１−２）に記載した記号の意味と同一である。
すなわち、化合物（２９）は、化合物（２７）と化合物（２８）との反応によって合成する。この反応は、好ましくはテトラヒドロフラン等の溶媒中、−３０℃の温度で行う。化合物（３０）は、化合物（２９）をジクロロメタンなどの溶媒中、トリエチルシラン、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体の共存下、−５０℃以下の温度で反応させることによって合成する。
【００６８】
化合物（２８）は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。
式（１−２）で表されるテトラヒドロピラン化合物についても、同様の方法で合成することができる
【００６９】
本発明の液晶組成物は、本発明の式（１−１）または式（１−２）で示される化合物を成分Ａとして含む必要がある。この成分Ａのみの組成物、または成分Ａと本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分との組成物でもよいが、式（２）、式（３）、および式（４）より選ばれた少なくとも１種の化合物を含む成分Ｂ、式（５）より選ばれた少なくとも１種の化合物を含む成分Ｃ、式（６）、式（７）、式（８）、式（９）、式（１０）より選ばれた少なくとも１種の化合物を含む成分Ｄ、式（１１）、式（１２）および式（１３）から選ばれた少なくとも１種の化合物を含む成分Ｅを加えることにより、種々の特性を有する本発明の液晶組成物が提供できる。
【００７０】
これらの成分は、目的の物性や用途に応じて任意に組み合わせることが可能であるが、好適な組み合わせとしては、成分Ａ＋成分Ｂ、成分Ａ＋成分Ｃ、成分Ａ＋成分Ｄ、成分Ａ＋成分Ｂ＋成分Ｅ、成分Ａ＋成分Ｃ＋成分Ｅ、成分Ａ＋成分Ｄ＋成分Ｅを挙げることが出来る。
【００７１】
また、本発明に使用される液晶組成物の各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体でもその物理特性に大きな差異がない。
【００７２】
成分Ｂのうち、式（２）で示される化合物の好適例として式（２−１）から式（２−１６）、式（３）で示される化合物の好適例として式（３−１）から式（３−１１２）、式（４）で示される化合物の好適例として式（４−１）から式（４−５２）で表される化合物をそれぞれ挙げることができる。
【００７３】
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【００７４】
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【００７５】
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【００７６】
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【００７７】
0005392256.tif 000021
【００７８】
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【００７９】
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【００８０】
0005392256.tif 000024
【００８１】
（式中、Ｒ３、Ｘ１は前記と同じ意味を表す）
これらの式（２）から式（４）で示される化合物すなわち成分Ｂは、誘電率異方性（Δε）が正であり、熱安定性や化学的安定性が非常に優れているので、ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合に用いられる。本発明の液晶組成物における成分Ｂの含有量は、液晶組成物の全重量に対して１から９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０から９７重量％、より好ましくは４０から９５重量％である。また式（１１）から（１３）で表される化合物（成分Ｅ）をさらに含有させることにより粘度調整をすることができる。
【００８２】
式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃのうちの好適例として、式（５−１）から（５−６４）で表される化合物を挙げることができる。
【００８３】
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【００８４】
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【００８５】
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【００８６】
（式中、Ｒ４およびＸ２は前記と同じ意味を表す）
これらの式（５）で示される化合物すなわち成分Ｃは、誘電率異方性（Δε）が正でその値が非常に大きいのでＳＴＮ，ＴＮ用の液晶組成物を調製する場合に主として用いられる。この成分Ｃを含有させることにより、組成物のしきい値電圧を小さくすることができる。また、粘度の調整、屈折率異方性（Δｎ）の調整および液晶相温度範囲を広げることができる。さらに急峻性の改良にも利用できる。
【００８７】
ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｃの含有量は０．１から９９．９重量％の範囲が適用できるが、好ましくは１０から９７重量％、より好ましくは４０から９５重量％である。また、後述の成分を混合することによりしきい値電圧、液晶相温度範囲、屈折率異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）、及び粘度などを調整できる。
【００８８】
式（６）から式（１０）より選ばれた少なくとも一種の化合物を含む成分Ｄは、垂直配向モ−ド（ＶＡモ−ド）などに用いられる誘電率異方性（Δε）が負の本発明の液晶組成物を調製する場合に、好ましい成分である。
この式（６）から式（１０）で示される化合物（成分Ｄ）の好適例として、それぞれ式（６−１）から式（６−５）、式（７−１）から式（７−１１）、式（８−１）、式（９−１）から式（９−３）、および式（１０−１）から（１０−１１）で表される化合物を挙げることができる。
【００８９】
0005392256.tif 000028
【００９０】
（式中、Ｒ５，Ｒ６は前記と同じ意味を表す）
これら成分Ｄの化合物は主として誘電率異方性（Δε）の値が負であるＶＡモ−ド用の液晶組成物に用いられる。その含有量を増加させると、組成物のしきい値電圧が低くなるが、粘度が大きくなるので、しきい値電圧の要求値を満足している限り含有量を少なくすることが好ましい。しかしながら、誘電率異方性（Δε）の絶対値が５程度であるので、含有量が４０重量％より少なくなると電圧駆動ができなくなる場合がある。
【００９１】
成分Ｄのうち式（６）で表される化合物は２環化合物であるので、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性（Δｎ）の調整の効果がある。また、式（７）および式（８）で表される化合物は３環化合物であるので透明点を高くする、ネマチックレンジを広くする、しきい値電圧を低くする、屈折率異方性（Δｎ）を大きくするなどの効果が得られる。
【００９２】
成分Ｄの含有量は、ＶＡモ−ド用の組成物を調製する場合には、組成物全量に対して好ましくは４０重量％以上、より好ましくは５０重量％から９５重量％である。また、成分Ｄを混合することにより、弾性定数をコントロ−ルし、組成物の電圧透過率曲線を制御することが可能となる。成分Ｄを誘電率異方性（Δε）が正である組成物に混合する場合はその含有量が組成物全量に対して３０重量％以下が好ましい。
【００９３】
式（１１）、式（１２）および式（１３）で表わされる化合物（成分Ｅ）の好適例として、それぞれ式（１１−１）から式（１１−１１）、式（１２−１）から式（１２−１８）および式（１３−１）から式（１３−６）を挙げることができる。
【００９４】
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【００９５】
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【００９６】
（式中、Ｒ７およびＲ８は前記と同じ意味を表す）
式（１１）から式（１３）で表される化合物（成分Ｅ）は、誘電率異方性（Δε）の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。式（１１）で表される化合物は主として粘度調整または屈折率異方性（Δｎ）の調整の効果があり、また式（１２）および式（１３）で表される化合物は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる効果、または屈折率異方性（Δｎ）の調整の効果がある。
【００９７】
成分Ｅで表される化合物の含有量を増加させると液晶組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が低くなるので、液晶組成物のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが望ましい。ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合に、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは６０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。また、ＳＴＮまたはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、成分Ｅの含有量は、組成物全量に対して好ましくは７０重量％以下より好ましくは６０重量％以下である。
【００９８】
本発明の液晶組成物は、本発明の式（１−１）または（１−２）で示される化合物の少なくとも１種類を０．１から９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
【００９９】
本発明の液晶組成物の調製は、公知の方法、例えば必要な成分を高温度下で溶解させる方法などにより一般に調製される。また、用途に応じて当業者によく知られている添加物を添加して、例えばつぎに述べるような光学活性化合物を含む本発明の液晶組成物（ｆ）、二色性色素を添加したＧＨ型用の液晶組成物を調製することができる。通常、添加物は当該業者によく知られており、文献などに詳細に記載されている。また、ＰＳＡモードの素子に適合させるため、重合可能な化合物、重合開始剤なども添加することが可能である。
【０１００】
本発明の液晶組成物（ｆ）は、前述の本発明の液晶組成物にさらに１種以上の光学活性化合物を含有する。
光学活性化合物として、公知のキラルド−プ剤を添加する。このキラルド−プ剤は液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれを防ぐといった効果を有する。キラルド−プ剤の例として以下の光学活性化合物を挙げることができる。
【０１０１】
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【０１０２】
本発明の液晶組成物（ｆ）は、通常これらの光学活性化合物を添加して、ねじれのピッチを調整する。ねじれのピッチはＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば４０から２００μｍの範囲に調整するのが好ましい。ＳＴＮ用の液晶組成物であれば６から２０μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、双安定ＴＮ（Ｂｉｓｔａｂｌｅ  ＴＮ）モ−ド用の場合は、１．５から４μｍの範囲に調整するのが好ましい。また、ピッチの温度依存性を調整する目的で２種以上の光学活性化合物を添加しても良い。
【０１０３】
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などの二色性色素を添加すれば、ＧＨ型用の液晶組成物として使用することもできる。
また、本発明の液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を形成して作製したポリマ−分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）例えばポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）用をはじめ、複屈折制御（ＥＣＢ）型やＤＳ型用の液晶組成物としても使用できる。
【０１０４】
ＰＳＡ（Polymer sustained alignment）モードの素子に適合させるために重合可能な化合物が組成物に混合される。重合可能な化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ビニルオキシ、プロペニルエーテル、またはエポキシなどの重合可能な基を有する化合物である。特に好ましい例は、アクリレート、またはメタクリレートの誘導体である。重合可能な化合物の好ましい割合は、その効果を得るために、０．０５重量％以上であり、不良表示を防ぐために１０重量％以下である。さらに好ましい割合は、０．１重量％から２重量％の範囲である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤などの適切な開始剤存在下でＵＶ照射などにより重合される。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、および適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（登録商標）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標）、またはＤａｒｏｃｕｒｅ１１７３（登録商標）（チバ・ジャパン株式会社）がラジカル重合に対して適切である。重合可能な化合物は、好ましくは光重合開始剤を０．１重量％から５重量％の範囲で含む。特に好ましくは、光重合開始剤を１重量％から３重量％の範囲で含む。
【実施例】
【０１０５】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「重量％」を意味する。
得られた化合物は、１Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。【０１０６】
１Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ３等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。【０１０７】
ＧＣ分析
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を２８０℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。【０１０８】
試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。【０１０９】
なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。【０１１０】
ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％に対応をしている。【０１１１】
〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。【０１１２】
化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調整する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。【０１１３】
〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈液晶性化合物の重量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、２５℃でスメクチック相である場合、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、２５℃でスメクチック相でなくなった組成、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。【０１１４】
上記測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶Ａの組成は以下のとおりである。【０１１５】
0005392256.tif 000032
【０１１６】
なお、液晶組成物の物性値を測定する試料としては、液晶組成物そのものを用いた。【０１１７】
〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standardｓof Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子またはＶＡ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。【０１１８】
測定値のうち、液晶性化合物単体そのものを試料として得られた値と、液晶組成物そのものを試料として得られた値は、そのままの値を実験データとして記載した。化合物を母液晶に混合し試料として得られた場合には、外挿法で得られた値を外挿値とした。【０１１９】
相構造および転移温度（℃）
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ  ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎ  ｓｅｔ）、転移温度を決定した。【０１２０】
以下、結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ１またはＣ２と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳＢ、またはＳＡと表した。転移温度の表記として、例えば、「Ｃ  ５０．０  Ｎ  １００．０  Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。【０１２１】
ネマチック相の上限温度（ＴＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶組成物、または液晶化性合物と母液晶との混合  物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。【０１２２】
低温相溶性
母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。【０１２３】
粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
バルク粘度が小さいと応答時間が小さくなるという特徴がある。
Ｅ型回転粘度計を用いて測定した。【０１２４】
粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
回転粘度が小さいと応答時間が小さくなるという特徴がある。
測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. ２５９, ３７ (１９９５) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２ 秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。なお、この計算に必要な誘電率異方性（Δε）は、下記誘電率異方性（Δε）で測定した値を用いた。【０１２５】
屈折率異方性（Δｎ；２５℃で測定）
測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けた
アッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。屈折率異方性（Δｎ）の値は、（Δｎ）＝（ｎ‖）−（ｎ⊥）
の式から算出した。【０１２６】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍｌ）のエタノール（２０ｍｌ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板から、間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子を組み立てた。
同様の方法で、ガラス基板にポリイミドの配向膜を調製した。得られたガラス基板の配向膜にラビング処理をした後、２枚のガラス基板の間隔が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子を組み立てた。
得られたＶＡ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５ボルト（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
また、得られたＴＮ素子に試料（液晶組成物、または液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れ、０．５ボルト（１ｋＨｚ、サイン波）を印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。
誘電率異方性（Δε）の値は、（Δε）＝（ε‖）−（ε⊥）の式から算出した。【０１２７】
＜液晶性化合物の合成例＞
[実施例１]
５−［４−（エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］−２−ビニルテトラヒドロピランの合成（化合物Ｎｏ．７）【０１２８】
0005392256.tif 000033
【０１２９】
第一工程
窒素雰囲気化の反応器中でメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド７．７ｇにＴＨＦ２５ｍｌをくわえ、−２０℃に冷却し、ｔ−ＢｕＯＫ２．５ｇを加え１時間撹拌した。ここへ４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサンカルボアルデヒド５．０ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し、１時間撹拌した。反応混合物を室温まで昇温し、水１００ｍｌを加えトルエン１００ｍｌで３回抽出した。得られた有機層を水洗した後、無水硫酸マグネシウム上で乾燥し、減圧下にて溶媒を約１００ｍｌまで濃縮し、濃縮した溶液をトルエン５００ｍｌに投入し、析出した固体をろ別し除いた。得られた溶液は減圧下溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．９ｇの１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−［４−（２−メトキシビニル）−シクロヘキシル］−ベンゼンを得た。【０１３０】
第二工程
第一工程で得られた１−エトキシ−２，３−ジフルオロ−４−［４−（２−メトキシビニル）−シクロヘキシル］−ベンゼン４．９ｇをアセトン１００ｍｌに溶解させ、塩酸（４Ｍ）８ｍｌを加え、室温で１時間撹拌した。水１００ｍｌを加え、トルエン５０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去することにより、４．６ｇの［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−アセトアルデヒドを得た。【０１３１】
第三工程
第二工程で得られた［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−アセトアルデヒド４．６ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解させ、氷冷下ピロリジン１．２ｇを加えた。炭酸カリウム２．０ｇを加え、室温で５時間撹拌した後、ろ過し、減圧下にて溶媒を留去することにより、５．５ｇの１−｛２−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−ビニル｝−ピロリジンを得た。【０１３２】
第四工程
窒素雰囲気化の反応器中で第三工程で得られた１−｛２−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−ビニル｝−ピロリジン５．５ｇをトルエン２０ｍｌに溶解させ、アクリル酸エチル５．７ｇおよびヒドロキノン０．３ｇを加えた。反応液を８０℃で５時間撹拌した後、室温に冷却し、飽和シュウ酸水溶液５０ｍｌを加えた。この混合物をジエチルエーテル３０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、５．７ｇの４−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−５−オキソ−ペンタン酸エチルエステルを得た。【０１３３】
第五工程
窒素雰囲気化の反応器中で第四工程で得られた４−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−５−オキソ−ペンタン酸エチルエステル５．７ｇにエタノール２０ｍｌとナトリウムシアノボロハイドライド０．４ｇを加え、塩酸（２Ｍ）でＰＨが約３になるよう調整し、室温で１５時間撹拌した。水３０ｍｌを加え、トルエン２０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をディーンスタークを備えたフラスコに入れ、トルエン１００ｍｌとｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．１ｇを加え、ディーンスタークで溶媒を留去しながら１時間還流した。溶液を室温に冷却し、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．２ｇの５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−テトラヒドロピラン−２−オンを得た。【０１３４】
第六工程
窒素雰囲気化の反応器中でトリメチルシリルアセチレン１．３ｇにＴＨＦ２０ｍｌを加え−７０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウム（約１．６ｍｍｏｌ）８．５ｍｌを滴下し、−７０℃で１時間撹拌した。−７０℃で第五工程で得られた５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−テトラヒドロピラン−２−オン４．２ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を滴下し、−７０℃で１時間撹拌した後室温まで昇温し、飽和塩化アンモニウム水溶液５０ｍｌを加え分液した。水層をジエチルエーテル３０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．８ｇの５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−２−トリメチルシラニルエチニルテトラヒドロピラン−２−オールを得た。【０１３５】
第七工程
窒素雰囲気化の反応器中で第六工程で得られた５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−２−トリメチルシラニルエチニルテトラヒドロピラン−２−オール４．８ｇにジクロロメタン１００ｍｌをアセトニトリル２０ｍｌを加え、−２０℃に冷却した後、トリエチルシラン３．５ｍｌを滴下し、続けて三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体１．８ｍｌを滴下した。反応液を０℃まで昇温し、氷水５０ｍｌを加え、ジエチルエーテル３０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３．７ｇの｛５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−テトラヒドロピラン−２−イルエチニル｝−トリメチルシランを得た。【０１３６】
第八工程
第七工程で得られた｛５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−テトラヒドロピラン−２−イルエチニル｝−トリメチルシラン３．７ｇにメタノール４０ｍｌとジクロロメタン３０ｍｌを加え、０℃に冷却し、水酸化ナトリウム水溶液（１Ｍ）５ｍｌを加えた。室温まで昇温し２時間撹拌した後、塩酸で中和し、減圧下にて溶媒を約３０ｍｌに濃縮した。残留物をジエチルエーテル２０ｍｌで３回抽出し、有機層をあわせて水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下にて溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２．６ｇの５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−２−エチニルテトラヒドロピランを得た。【０１３７】
第九工程
第八工程で得られた５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−２−エチニルテトラヒドロピラン２．６ｇにｎ−ヘプタン１００ｍｌ、トルエン１００ｍｌ、キノリン０．５ｍｌおよびＬｉｎｄｌａｒ触媒０．０５ｇを加えた。真空ポンプで反応容器を減圧にした後、水素を常圧で導入し、常温で９０分撹拌した。反応液をろ過し、触媒を取り除いた後、減圧下に濃縮した。残留物ををシリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶にて精製し、１．９ｇの５−［４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル］−２−ビニルテトラヒドロピランを得た。第一工程で用いた４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−シクロヘキサンカルボアルデヒドからの収率は２９％であった。
【０１３８】
１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、５−［４−（エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］−２−ビニルテトラヒドロピランであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ３である。【０１３９】
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８２（ｍ，１Ｈ）、６．６５（ｍ，１Ｈ）、５．８６（ｍ，１Ｈ）、５．２４（ｄ，１Ｈ）、５．１０（ｄ，１Ｈ）、４．０９（ｍ，３Ｈ）、３．７３（ｍ，１Ｈ）、３．２４（ｔ，１Ｈ）、２．７２（ｍ，１Ｈ）、２．０−１．７（ｍ，６Ｈ）、１．５−１．１（ｍ，１１Ｈ）。【０１４０】
得られた化合物（Ｎｏ．７）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ  １０３．０  Ｎ  １５６．０  Ｉｓｏ。【０１４１】
[実施例２]
実施例１と同様な方法により、以下の化合物が製造できる。【０１４２】
0005392256.tif 000034
【０１４３】
0005392256.tif 000035
【０１４４】
0005392256.tif 000036
【０１４５】
0005392256.tif 000037
【０１４６】
0005392256.tif 000038
【０１４７】
0005392256.tif 000039
【０１４８】
0005392256.tif 000040
【０１４９】
0005392256.tif 000041
【０１５０】
0005392256.tif 000042
【０１５１】
0005392256.tif 000043
【０１５２】
0005392256.tif 000044
【０１５３】
0005392256.tif 000045
【０１５４】
0005392256.tif 000046
【０１５５】
0005392256.tif 000047
【０１５６】
0005392256.tif 000048
【０１５７】
0005392256.tif 000049
【０１５８】
0005392256.tif 000050
【０１５９】
［比較例１］
0005392256.tif 000051
化合物（ｂ）を特許文献特開２０００−８０４０号公報（チッソ株式会社出願）に記載の合成方法により合成した。【０１６０】
化合物の（ｂ）の１Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りである。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ３である。
化学シフトδ（ｐｐｍ）；６．８０（ｍ，１Ｈ）、６．６７（ｍ，１Ｈ）、４．０９（ｑ，２Ｈ）、４．００（ｍ，１Ｈ）、３．３７（ｔ，１Ｈ）、３．１−３．０（ｍ，２Ｈ）、２．１−０．８（ｍ，２４Ｈ）。【０１６１】
化合物（ｂ）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ  ６５．２−６５．５  Ｎ  １４０．０  Ｉｓｏ。【０１６２】
化合物（ｂ）の１５重量％と、母液晶Ａの８５重量％を含有する液晶組成物Ｂを調整した。得られた液晶組成物Ｂの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（ｂ）の物性の外挿値を算出した。その外挿値は以下のとおりであった。
上限温度（ＮＩ）＝１２１．３℃；誘電率異方性（Δε）＝−７．３；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１０７；粘度（η）＝６１．４ｍＰａ・ｓ．【０１６３】
［実施例３］
化合物Ｎｏ．７の１５重量％と、母液晶Ａの８５重量％を含有する液晶組成物Ｃを調整した。得られた液晶組成物Ｃの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物Ｎｏ．７の物性の外挿値を算出した。その外挿値は以下のとおりであった。
上限温度（ＮＩ）＝１３１．６℃；誘電率異方性（Δε）＝−７．６；屈折率異方性（Δｎ）＝０．１１２；粘度（η）＝６１．６ｍＰａ・ｓ
比較例１の化合物（ｂ）と実施例１の化合物Ｎｏ．７を比較することにより、本発明の化合物Ｎｏ．７が高い上限温度および負に大きな誘電率異方性（Δε）を有している点で優れていることがわかった。【０１６４】
＜液晶組成物の例＞
本発明の代表的な組成物を実施例４から１２にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量（重量％）を示した。化合物は下記の表１の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した。【０１６５】
0005392256.tif 000052
【０１６６】
［実施例４］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）  １２％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                  （１２−６）          ９％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１                （１２−６）          ８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １８％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １８％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−１）          １２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−９）            ７％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ８％
ＮＩ＝９５．４℃；ＴＣ≦−２０℃；Δｎ＝０．１４０；η＝３５．８ｍＰａ・ｓ．
【０１６７】
［実施例５］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）  １０％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                  （１２−６）          ８％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１                （１２−６）          ７％
３−ＨＢ−Ｏ２                          （１１−５）          ３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４            （６−１）            ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １７％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          ２０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−９）          １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−９）            ２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
ＮＩ＝８８．２℃；Δｎ＝０．１４０；η＝３５．３ｍＰａ・ｓ．
【０１６８】
［実施例６］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）  １２％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１                （１２−６）          ５％
３−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                （１３−５）          ３％
Ｖ２−ＢＢ−１                          （１１−８）          ５％
１Ｖ−ＨＢＢ−２                        （１２−４）          ４％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−１）            ７％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          ２０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）            ８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−９）          １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １１％
ＮＩ＝９３．０℃；Δｎ＝０．１４１；η＝３６．０ｍＰａ・ｓ．
【０１６９】
［実施例７］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）    ７％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                  （１２−６）          ３％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１                （１２−６）          ５％
Ｖ２−ＢＢ−１                          （１１−８）          ５％
３−ＨＢ（３Ｆ）ＢＨ−３                （１３−２）          ５％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １８％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １８％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−８）            ３％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−１）            ３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ８％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３            （８−１）            ５％
ＮＩ＝９０．５℃；Δｎ＝０．１４０；η＝３６．８ｍＰａ・ｓ．
【０１７０】
［実施例８］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）  １０％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                  （１２−６）          ５％
Ｖ２−ＢＢ−１                          （１１−８）        １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１                          （１２−１）          ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １５％
Ｖ２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２      （７−９）            ３％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４                    （１３−１）          ３％
ＮＩ＝９０．６℃；Δｎ＝０．１４０；η＝３２．０ｍＰａ・ｓ．
【０１７１】
［実施例９］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （化合物Ｎｏ．７）  ９％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                    （１２−６）      １０％
３−ＨＢ−Ｏ２                            （１１−５）        ３％
Ｖ２−ＢＢ−１                            （１１−８）        ７％
３−ＨＨＥＨ−４                          （１２−１２）      ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−３）        １５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−３）        １５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）          ５％
３−ＨＢＢＨ−３                          （１３−１）        ３％
ＮＩ＝９２．１℃；Δｎ＝０．１４１；η＝３４．１ｍＰａ・ｓ．
上記組成物１００部にＯｐ０５を０．２５部添加したときのピッチは６１．０μｍであった。
【０１７２】
［実施例１０］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （化合物Ｎｏ．７）  ７％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                    （１２−６）        ７％
３−ＨＢ−Ｏ２                            （１１−５）        ３％
Ｖ２−ＢＢ−１                            （１１−８）      １４％
３−ＨＨＢ−１                            （１２−１）        ３％
３−ＨＨＥＢＨ−４                        （１３−６）        ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−３）        １０％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−３）        １０％
Ｖ２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２        （７−９）          ８％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）          ５％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
ＮＩ＝９８．３℃；Δｎ＝０．１４７；η＝３０．９ｍＰａ・ｓ．
【０１７３】
［実施例１１］
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （化合物Ｎｏ．７）  ８％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                    （１２−６）        ７％
Ｖ２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−１                  （１２−６）        ５％
３−ＨＢ−Ｏ２                            （１１−５）      １２％
３−ＨＨＢ−Ｏ１                          （１２−１）        ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （６−３）        １８％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１              （７−１）        １２％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）          ５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２            （７−５）        １０％
ＮＩ＝９８．９℃；Δｎ＝０．１４１；η＝３４．５ｍＰａ・ｓ．
【０１７４】
［実施例１２］
Ｖ−ｄｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７７）  ５％
Ｖ−ＤｈＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２        （化合物Ｎｏ．７）    ５％
２−ＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３                  （１２−６）          ５％
Ｖ２−ＢＢ−１                          （１１−８）        １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１                          （１２−１）          ３％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （６−３）          １５％
Ｖ２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２      （７−９）            ３％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）            ５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２          （７−５）          １０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４                    （１３−１）          ３％
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明は、他の液晶材料との相溶性に優れ、負に大きなΔεの値を有する液晶性化合物を提供する。
また、本発明は、この液晶性化合物を成分として、その化合物を構成する環、置換基などを適当に選択することにより、所望の物性を有する上記の特徴を備えた新たな液晶組成物を提供し、さらにこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供する。