(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するセンサ及び／またはターゲットと、を有するテーブルと、
センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置であって、ガス流を前記第１領域および前記第２領域に導くよう構成された少なくとも一つのガス出口開口部を備え、前記第１領域に導かれたガス流の一部の特性が、前記第２領域に導かれたガス流の一部の特性と異なる、液体移動装置と、
を備え、
該異なる特性は、前記第２領域の液滴に対して、前記第１領域の液滴に対するよりも大きな遮断力をもたらすことを特徴とする液浸リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記特性は、
ガス流量、
ガス速度、
ガス圧力、
ガス流の平面的な形状、及び／または
センサに対するガス流の衝突角度、
から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記液体移動装置は、少なくとも二つのガス出口開口部を備え、該少なくとも二つのうち第１のガス出口開口部は、ガスを前記第１領域に導くよう構成され、該少なくとも二つのうち第２のガス出口開口部は、ガスを前記第２領域に導くよう構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項４】
少なくとも第１および第２のガス出口開口部のそれぞれは、ガスが少なくとも第１および第２のガス出口開口部のそれぞれから異なるガス流量で排出されるよう、互いに異なる圧力のガス供給源に流体的に連絡されていることを特徴とする請求項３に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項５】
少なくとも第１および第２のガス出口開口部は、実質的に同じガス流量を供給するガス供給源に流体的に連絡されており、少なくとも第１のガス出口開口部は、ガスが少なくとも第１および第２の開口部からそれぞれ異なる速度で排出されるよう、少なくとも第２のガス出口開口部とは異なる断面積を有することを特徴とする請求項３または４に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項６】
少なくとも二つのガス出口開口部は、表面に形成されており、少なくとも第１および第２のガス出口開口部からのガス流が異なるガス圧力を生じるよう、少なくとも第１のガス出口が少なくとも第２のガス出口開口部と比べて表面において凹んでいる、または、少なくとも第２のガス出口開口部が少なくとも第１のガス出口開口部よりも表面から突き出ていることを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項７】
少なくとも一つのガス出口開口部は、平面的に細長く、第１部分および第２部分のそれぞれの延びる方向は、前記第１部分および前記第２部分からのガス流の平面的な形状が異なるように、互いに１０°以上に角度付けされていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項８】
液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動を生じさせるよう構成された制御部をさらに備え、相対運動の方向は、前記第１部分の延びる方向と相対運動の方向とがなす角が、前記第２部分の延びる方向と相対運動の方向とがなす角と異なるようにされることを特徴とする請求項７に記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項９】
少なくとも第１のガス出口開口部は、少なくとも第２のガス出口開口部に対して異なるサイズ及び／または形状であり、及び／または、少なくとも第１のガス出口開口部は、液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動のときに少なくとも第１および第２のガス出口開口部が前記第２領域上を通過し、且つ少なくとも第１のガス出口開口部のみが前記第１領域を通過するよう、引き延ばされており、及び／または、少なくとも第２のガス出口開口部は、ガスを前記第２領域だけでなく前記第１領域にも導くよう構成されることを特徴とする請求項３から８のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
【請求項１０】
ターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する基板テーブル上に保持された第１の基板上に、液浸液を介してパターンの像を投影するステップと、
前記基板テーブルから前記第１の基板を取り外すステップと、
前記基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、
前記第２の基板が前記基板テーブルに保持されている間に、前記ターゲットの特性を測定する及び／または前記センサを使用するステップと、
センサ及び／またはターゲットの疎液性領域および親液性領域に導かれたガス流を用いて、前記ターゲット、または前記センサ、またはその両方から液体を移動させるステップであって、前記疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、前記親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップと、
を備え、
該異なる特性は、前記親液性領域の液滴に対して、前記疎液性領域の液滴に対するよりも大きな遮断力をもたらすことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１１】
基板テーブル上に保持された第１の基板上に液浸液を介してパターンの像を投影するステップであって、前記液浸液が液体閉じ込め構造により投影系と基板との間に閉じ込められているステップと、
前記液体閉じ込め構造をターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する測定テーブルに移動させるステップと、
前記基板テーブルから前記第１の基板を取り外すステップと、
前記基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、
ターゲットの特性を測定する及び／またはセンサを使用するステップと、
ガス流を用いてターゲット及び／またはセンサから液体を移動させるステップであって、疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップと、
を備え、
該異なる特性は、前記親液性領域の液滴に対して、前記疎液性領域の液滴に対するよりも大きな遮断力をもたらすことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影系の最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。一実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の一実施形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／または屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下）で懸濁している液体である。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として炭化水素もある。例えば芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液がある。
【０００４】
基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すということは（例えば米国特許第ＵＳ４，５０９，８５２号参照）、走査露光中に加速すべき大きい塊の液体があるということである。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
液浸装置においては液浸流体が、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリングデバイス構造、または流体ハンドリング装置によって操作される。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、よって流体供給システムであってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、流体閉じ込めシステムであってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁を提供してもよく、バリア部材、例えば流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは気体流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を助けるようにしてもよい。その気体流れは液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造はシール部材と称されてもよい。こうしたシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては液浸流体として液浸液が使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。上記の記載において流体に関し定義された構成への本段落での言及は、液体に関し定義される構成も含むものと理解されたい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表面上に残された液膜または液滴（以下では滴との言及は膜を含む）は、測定誤差を引き起こす可能性がある。
【０００７】
例えば、センサ及び／またはセンサ用のターゲット上に残された液滴の潜在的な弊害が低減されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一態様によれば、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置であって、ガス流を第１領域および第２領域に導くよう構成された少なくとも一つのガス出口開口部を備え、第１領域に導かれたガス流の一部の特性が、第２領域に導かれたガス流の一部の特性と異なる、液体移動装置とを含む液浸リソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
一態様によれば、ターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する基板テーブル上に保持された第１の基板上に、液浸液を介してパターンの像を投影するステップと、
基板テーブルから第１の基板を取り外すステップと、基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、第２の基板が基板テーブルに保持されている間に、ターゲットの特性を測定する及び／またはセンサを使用するステップと、センサ及び／またはターゲットの疎液性領域および親液性領域に導かれたガス流を用いて、ターゲット、またはセンサ、またはその両方から液体を移動させるステップであって、疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップとを備えるデバイス製造方法が提供される。
【００１０】
一態様によれば、基板テーブル上に保持された第１の基板上に液浸液を介してパターンの像を投影するステップであって、液浸液が液体閉じ込め構造により投影系と基板との間に閉じ込められているステップと、液体閉じ込め構造をターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する測定テーブルに移動させるステップと、基板テーブルから第１の基板を取り外すステップと、基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、ターゲットの特性を測定する及び／またはセンサを使用するステップと、ガス流を用いてターゲット及び／またはセンサから液体を移動させるステップであって、疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップとを備えるデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
一態様によれば、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置と、液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動を、液体移動装置のガス出口開口部の延びる方向に対して垂直以外の方向に制御するよう構成された制御部とを備える液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
一態様によれば、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置とを備え、液体移動装置は、第１のガス供給源に流体的に連絡された少なくとも一つのガス出口開口部と、第２のガス供給源に流体的に連絡された第２のガス出口開口部とを備え、第１のガス供給源の圧力は、第２のガス供給源の圧力よりも高い液浸リソグラフィ装置が提供される。
【００１３】
一態様によれば、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置とを備え、液体移動装置は、第２のガス出口開口部よりも大きな断面積を有する第１のガス出口開口部を備え、第１のガス出口開口部は、ガスを第２領域に導くよう構成され、第１のガス出口開口部は、ガスを第１領域に導くよう構成される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
本発明の実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。
【図４】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【図５】リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。
【図６】透過イメージセンサ（ＴＩＳ）などのセンサと液体移動装置の平面図である。
【図７】センサと液体移動装置の平面図である。
【図８】センサと液体移動装置の平面図である。
【図９】液体移動装置の断面図である。
【図１０】センサと液体移動装置の平面図である。
【図１１】センサと液体移動装置の平面図である。
【図１２】センサと液体移動装置の平面図である。
【図１３】センサと液体移動装置の平面図である。
【図１４】センサと液体移動装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストで被覆されたウエーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。
【００１７】
照明系ＩＬは、放射の方向や形状の調整またはその他の制御のために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００１８】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影系ＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００１９】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。
【００２０】
パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００２１】
本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。
【００２２】
ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００２３】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００２４】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。
【００２５】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。
【００２６】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。そうして基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２７】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００２８】
１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００２９】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。
【００３０】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３１】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００３２】
投影系の最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影系に対し実質的に静止状態にある。本発明の一実施例が指向する更なる一構成は、液体が閉じ込められないオールウェット（all wet）型である。この構成においては、基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。図２乃至図５の液体供給装置はいずれもこうしたシステムに使用可能であるが、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。
【００３３】
１つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影系の最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して供給するというものである（基板は一般に投影系の最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成の一例がＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影系の下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。図において基板Ｗの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。
【００３４】
局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影系ＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影系ＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影系ＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影系ＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。
【００３５】
本明細書にその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号明細書には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。あるいは、装置は１つのテーブルのみを有する。
【００３６】
国際公開第２００５／０６４４０５号には、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成が開示されている。このようなシステムにおいては、基板上面全体が液体で覆われる。これは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるので有利な場合がある。これは、基板の温度制御および処理に有利に働く。国際公開第２００５／０６４４０５号では、液体供給システムは、液体を投影系の最終要素と基板との間のギャップに供給する。供給された液体は、基板の残り部分にわたって漏れる（または流れる）ことが許容されている。基板テーブルの縁の障壁によって液体が漏れるのが防止され、制御された方法で基板テーブルの上面から液体を除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御および処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発が生じる可能性がある。米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号明細書には、この問題を多少とも解決するのに役立つ一つの方法が開示されている。基板を全ての位置において覆う部材が設けられており、該部材は、液浸液を自身と基板及び／または基板を保持する基板テーブルの表面との間に広げるよう構成される。
【００３７】
提案されている別の構成は流体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体閉じ込め構造は、投影系の最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。流体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールが形成される。一実施例においては、流体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。一実施例においては流体閉じ込め構造は液体の閉じ込めに使用され、液体閉じ込め構造とも称される。
【００３８】
図５は、バリア部材または流体閉じ込め構造を形成する本体１２を有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリング構造若しくはデバイスを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、投影系ＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Wの表面について言及した場合、追加的にまたは選択的に基板テーブルＷＴの表面にもついても言及していることを留意されたい。）液体ハンドリング構造は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（一般には光軸方向）では多少の相対運動があってよい。一実施例においては、本体１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたは流体シール等の非接触シールであってもよい。
【００３９】
流体ハンドリングデバイスは、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影系ＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗの表面と投影系ＰＳの最終要素との間の空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が本体１２により形成される。本体１２は投影系ＰＳの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影系ＰＳの下方かつ本体１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影系ＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。一実施例においては本体１２は、上端において内周が投影系ＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影系の最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。
【００４０】
液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、一実施例ではＮ２又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール１６の気体は、圧力の作用で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号明細書に開示されている。
【００４１】
図５の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号明細書には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含む構成が開示されている。一実施例においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。一実施例の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し液体単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば５μｍ乃至３００μｍの、望ましくは５μｍ乃至５０μｍの範囲の直径の小孔を有する。一実施例においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性（例えば親水性）をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が９０度未満である。
【００４２】
その他にも多様な液体供給システムが可能である。本発明の一実施形態は、投影系の最終要素と基板との間に液体を閉じ込める閉じ込め型液浸システムへの使用に有利であり、例えばその使用を最適とするが、本発明の一実施形態はいかなるその他の液体供給システムにも使用可能であり、いかなる特定の形式の液体供給システムにも限定されない。
【００４３】
本発明の実施形態は、オールウェット液浸装置に用いることができる。オールウェットの実施形態において、例えば液体を閉じ込める閉じ込め構造から投影系の最終要素と基板との間に液体が漏れることを許容することにより、液体は、基板全体および基板テーブル上面の全てまたは一部を覆うことができる。オールウェットの実施形態のための流体ハンドリング構造の一例は、２００８年９月２日に出願された米国特許出願公開第６１／１３６，３８０号明細書から入手できる。
【００４４】
液浸リソグラフィ装置においては、基板の露光が完了した後に、液浸液が基板テーブル等のテーブル上に残る可能性がある。これは、特に非閉じ込めの液浸装置またはオールウェット装置で生じるが、液滴が流体閉じ込め構造から漏れた場合には、局所型の装置でも生じ得る。このようなテーブル上に残された液滴は、望ましくない場合がある。特に、基板を指示する基板テーブル等のテーブルはよく、１つまたは複数のセンサ装置及び／またはターゲットをその表面内または表面上に有する。例えば、基板テーブルには、１つまたは複数のフィデューシャル（fiducial）が設けられている。フィデューシャルは、通常、基板の露光より前のプレ測定の間に用いられる。例えば、フィデューシャルは、基板上の１つまたは複数のマーカの位置を定めるための基準点として用いられる。フィデューシャルは、アライメントセンサにより検知可能なマーカから成り、一定のプレート状に恒久的に形成された基板上のアライメントマーカに対応している。ＴＩＳ等のイメージセンサは、マーカの下方またはマーカに対して固定された位置関係に配置される。フィデューシャルはまた、あるいは代わりに、レベルセンサまたは高さセンサ用の基準面として機能する平坦領域を含んでもよい。基板テーブルに含まれるその他のセンサまたはターゲットは、位置エンコードシステム、エネルギーセンサ及び／または干渉収差センサ（interferometric aberration sensor）のための格子板を含む。
【００４５】
一実施形態では、１つまたは複数のセンサが選択的にまたは追加的に基板を支持するよう構成されていない測定テーブル上に設けられる。測定テーブルは、投影系の特性を測定するために、投影系の下方で移動される。このような測定は、湿潤状態または乾燥状態で行われる。このような測定が湿潤状態で行われる場合、すなわち流体ハンドリングシステムにより閉じ込められた液浸液を介して行われる場合、流体ハンドリングシステムの不完全な動作のために、１つまたは複数の液滴が測定テーブルに残される可能性がある。測定が乾燥状態で行われる場合、液体は結局測定テーブル上に飛散するか、または流体ハンドリングシステム等の装置の一部からポタポタと落ちてしまう。
【００４６】
センサまたはセンサターゲット上に水などの液浸液が残ると、１つまたは複数の要因により問題が生じる可能性がある。測定が行われているときに残った液浸液が液滴として存在すると、測定系および測定手順が乾燥状態で測定を行うように設定されている場合、誤測定が生じる可能性がある。それに加えてまたは代えて、残った液浸液の液滴の蒸発により、乾燥染み（drying stain）が残る可能性がある。乾燥染みは、測定に影響を及ぼしたり、局部的な冷却を引き起こしたりする可能性がある。局部的な冷却は、例えば基準センサなどのセンサを変形させる可能性がある。このようにしてセンサの誤測定が生じる。センサまたはセンサターゲットは、親液性表面、すなわち液体を引きつける表面、または装置を使用する間に例えば投影ビームの放射線照射を経て親液性になる表面を有する可能性がある。このように、センサまたはセンサターゲット上には液体が存在することがよくある。
【００４７】
いわゆるデュアルステージのリソグラフィ装置においては、まず基板が基板テーブル上に搭載され、種々の測定が測定ステーションにて行われ、その後、テーブルおよび基板が露光ステーションに移動され、露光される。基板に対する全ての露光が完了した後、露光基板が取り外され、新たな基板がテーブル上に搭載される。従って、前の基板の露光後に基板テーブル上に残された液滴が、その存在により及び／またはその蒸発の影響により、後続の基板に対して行われる測定に悪影響を及ぼす可能性がある。特に、液滴が蒸発した際に、その蒸発した表面が局所的に冷却される場合がある。表面が局部的に冷却されると、その一時的または恒久的な変形を引き起こす可能性がある。乾燥染みが後に残される可能性がある。こうした問題は、液滴が残された表面が、乾燥状態すなわちセンサとターゲットとの間に液体がない状態で測定を行うセンサの一部、またはセンサのターゲットである場合に、特に深刻である。このようなケースでは、測定が行われる際に液滴がまだ存在している場合、誤測定が生じる可能性がある。一実施形態では、液体移動装置が設けられる。この液体移動装置は、例えば液体移動装置を通過する液滴の通路を遮断することにより、及び／または、液滴が位置している表面に対して液体移動装置を移動させることにより、このような液滴を除去する。
【００４８】
液浸液に対して疎液性の領域と、液浸液に対して親液性の領域とを備えるセンサ及び／またはセンサのターゲット上に液滴が存在すると、液体移動装置に問題が生じる可能性がある。
【００４９】
本発明の実施形態は、液体移動装置を設けることにより、１つ以上のこれら又は他の望ましくない結果を解決する。この液体移動装置は、センサまたはターゲットに導かれた（局部的な）ガス流を用いて、センサターゲットから液体を移動させる。一実施形態では、ガスは空気、空気などのクリーンな乾燥したガス、人工空気であるガス、Ｎ２や希ガスなどの他の不活性ガスであってよい。センサまたはターゲットは、通常、基板テーブル上の比較的小さい領域であるので、センサまたはターゲット上の液滴を、液滴が存在しても害を生じない又は害や損害のリスクが実質的にない基板テーブルの隣接する領域に移動させるだけで十分である。あるいは、液滴は、基板テーブルから完全に取り除かれてもよい。
【００５０】
蒸発の影響を最小限にするために、できるだけ早く基板テーブルまたは少なくともセンサ若しくはターゲットから液滴を取り除くことが望ましい。一実施形態によれば、液体移動装置１００が流体ハンドリングシステム１２に取り付けられている。
【００５１】
これから、本発明の実施形態を単体の液体移動装置１００を参照して説明する。液体移動装置１００は、上述したように流体ハンドリングシステム１２に取り付けられてもよいし、別の構成要素に取り付けられてもよいことを理解されたい。また、センサ１０から液体を移動させることを参照して、本発明の実施形態を説明する。しかしながら、上記の説明から明らかなように、液体移動装置１００は、任意のセンサ、センサ用のターゲット、またはその他の液体が遮断または除去されるべき表面から液体を取り除くために用いることができる。
【００５２】
図６は、センサ１０の平面図を示す。光学活性された中央部５０は、通常、親液性である。これは、疎液性のコーティングは投影系ＰＳからの放射に高感受性を示し、従って投影系ＰＳからの放射が衝突する中央部５０の領域に疎液性のコーティングを用いることができないからである。親液性の中央部５０は、疎液性領域６０により囲まれている。疎液性領域６０は、疎液性表面からの液体の除去が容易であり、その結果液体が表面に残るという問題を軽減するので、望ましい。センサ１０の外側周囲には、再び親液性の外側領域７０がある。この領域は、例えばセンサ１０とセンサ１０が搭載された基板テーブルＷＴ上面との間のギャップを埋めるステッカーに近接しているので、親液性である。センサ１０の外側領域はステッカーが張り付くように親液性とされているので、ステッカーは疎液性コーティングには張り付かない。一部の親液性領域は、トレランスのためにステッカーで覆われない。
【００５３】
親液性表面から液滴を取り除くことは、液体を移動させるために疎液性表面の場合よりも大きな原動力を必要とする。大きな原動力は、例えば、基板レベルにおいて強い圧力勾配を設定することにより得られる。一実施形態においては、圧力勾配は、液体移動装置１００のノズルからのガスの供給により得られる。強い圧力勾配は、ガス供給ノズルからの大きなガス速度、基板とノズルとの間の短い法線距離（normal distance）、または両方の組み合わせを必要とする。大きなガス速度の使用は、センサ、ターゲットまたはテーブルの望ましくない大きな歪みを引き起こす可能性がある。加えてまたは代えて、大きなガス速度の使用は、液滴の飛散と、液滴の高速な蒸発をもたらし、これらは、飛散した液滴にさらされた表面またはその近傍の表面の冷却を引き起こす可能性がある。
【００５４】
本発明の実施形態は、上述またはその他の問題の１つまたは複数を解決する液体移動装置１００を対称としている。例えば、液体移動装置１００は、液体移動装置１００とセンサ１０との間の相対運動の間に、確実に液滴が液体移動装置１００により遮断される及び／または親液性及び／または疎液性の表面から取り除かれるようにしつつ、センサ１０から液体を移動させるために用いられるガス圧力の総量を低減する。
【００５５】
液体移動装置１００とセンサ１０との間の相対速度がある値を超えると、親液性表面の場合、液体移動装置１００を通り過ぎる液体の通過を完全に遮断することができない可能性がある。従って、液体移動装置１００が通過した後に、液体の膜が親液性表面上に残る可能性がある。しかしながら、液体の膜は十分に薄くされるので、センサが実際に用いられる前に蒸発する。本明細書において、「遮断」という用語は、液滴の通過が遮断されることを意味するが、これは必ずしも、上述のように液体移動装置１００が液滴の上を通過した後に液膜が残されたときに液体の通過が遮断されることを意味するわけではない。ガス流を用いて親液性表面上の液滴を遮断するためには、疎液性表面上の液滴を遮断するために用いられる圧力よりも大きな遮断力／除去力（例えば、ガス圧力）が必要とされる。しかしながら、大きなガス速度、流量及び／または圧力は、望ましくない。これは、それらによってテーブルの望ましくない大きな歪みや、液滴の飛散及び／または液滴の高速な蒸発を引き起こされ、表面が不適切に冷却されるからである。
【００５６】
下記に説明される実施形態は、必要とされる全ガス速度、流量及び／または圧力を低減するために開発されている。加えてまたは代えて、親液性表面から液滴を除去するために必要とされる小さなチャネルを通り抜けた過度の流量は、不安的なガス流を引き起こす可能性がある。従って、このような液体移動装置のパフォーマンスが時間とともに望ましくない方向に変化する可能性がある。加えてまたは代えて、断熱膨張に起因するガスの熱冷却によって、センサ及び／またはターゲットの冷却が引き起こされる可能性がある。従って、センサを追加的に加熱することにより、この冷却を補償する必要がある。加えてまたは代えて、強い局部的なせん断流によって、基板の加熱が引き起こされる可能性がある。
【００５７】
図６は、本発明の実施形態に係る液体移動装置の平面図を示す。液体移動装置１００は、センサ１０及び／またはセンサ用のターゲットから液体を移動させるよう構成される。液体移動装置１００は、親液性および疎液性領域にガス流を導くために、少なくとも１つのガス出口開口部を備えて構成される。ガス出口開口部は、ガスナイフ形状であってよい。
【００５８】
親液性領域に導かれるガス流の一部の特性は、疎液性領域に導かれるガス流の一部の特性と異なる。この異なる特性は、疎液性領域の液滴に対する遮断／除去力に比べると、親液性領域の液滴に対して大きな遮断／除去力をもたらす。このようにして、液体移動装置は、ほんの少しのガス流を用いるよう調整される。疎液性領域には、親液性領域よりも低いガス流を用いることができる。
【００５９】
異なる特性は、ガス流量、ガス速度、ガス圧力、及び／またはガス流の平面的な形状から選択された少なくとも１つであってよい。
【００６０】
図６において、親液性領域５０および疎液性領域６０に導かれるガス流にとって異なっているのは、ガス流の平面的形状である。これは、液体移動装置１００に、センサ１０の全体にわたってガスの流れを導く第１ガス出口開口部１１０と、親液性の内側領域５０のみにガスの流れを導く第２出口開口部１２０とを設けることにより達成される。
【００６１】
制御部４０の制御の下で液体移動装置１００とセンサ１０とが相対運動する間に、まず第２ガス出口開口部１２０が親液性の内側領域５０上を通り過ぎ、次に第１ガス出口開口部１１０が親液性領域５０と疎液性領域６０の両方を通り過ぎる。このようにして、内側の親液性領域５０に疎液性領域６０よりも大きな遮断／除去力が印加される。
【００６２】
第１ガス出口開口部１１０および第２ガス出口開口部１２０からのガス流は、同じでもよいし、異なってもよい。一実施形態では、第２ガス出口開口部１２０からのガス流量及び／またはガス速度及び／またはガス圧力は、第１ガス出口開口部１１０からの対応するガス流量及び／またはガス速度及び／またはガス圧力よりも大きい。
【００６３】
第１ガス出口開口部１１０は、細長い。第２ガス出口開口部１２０も細長くてもよい。その場合、第２ガス出口開口部１２０が第１ガス出口開口部１１０と平行であってよい。第２ガス出口開口部１２０は、細長くなくてもよい。
【００６４】
制御部４０は、液体移動装置１００とセンサ１０との相対運動を制御するために設けられている。センサ１０（例えば、測定が行われる前には、露光位置よりむしろ測定位置にある）からの液体の除去が求められるとき、制御部４０は、液体移動装置１００とセンサ１０との相対運動を制御する。制御部４０は、第２ガス出口開口部１２０がセンサ１０上を通過して、第２ガス出口開口部１２０からのガスの流れが実質的に親液性領域５０上のみを通過するよう相対運動を制御する。この相対運動は、さらに、第１ガス出口開口部１１０からのガスの流れが内側の親液性領域５０上と疎液性領域６０上の両方を通過するようにする。第１ガス出口開口部１１０または第２ガス出口開口部１２０のいずれか一方からのガスの流れは、まずセンサ１０にぶつかる。
【００６５】
図６の実施形態に伴う問題は、第１ガス出口開口部１１０と第２ガス出口開口部１２０との間に設けられるギャップが、音響擾乱をもたらす可能性があることである。図７〜図１４の実施形態は、第１および第２出口開口部を互いに近づけて設けることにより、そして、図１３および図１４の実施形態の場合、単一のガス出口開口部を設けることにより、この問題を解決する。それに加えてまたは代えて、例えば、ガス出口開口部の幾何学形状をその長さ方向にそって変えることにより、親液性の内側領域５０に導かれるガスの特性が疎液性の外側領域６０に導かれるガスの特性とは異なる単一のガス出口開口部を設けることが可能である。
【００６６】
図７は、別の実施形態の平面図を示す。この実施形態は、下記に説明する事項を除き、図６の実施形態と同様である。図７において、液体移動装置１００は、３つのガス出口開口部１３０，１３１，１４０を有する。一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１は、ガス流を疎液性領域６０に導くよう構成される。第２ガス出口開口部１４０（一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１間に位置する）は、ガスを中央の親液性領域５０に導くよう構成される。
【００６７】
液体移動装置１００は、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１が、第２ガス出口開口部１４０が接続されるガス供給源とは異なる圧力のガス供給源に接続される。一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１は、同じガス供給源または異なるガス供給源に接続される。従って、第２ガス出口開口部１４０により内側の親液性領域５０に導かれたガス流の特性は、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１により疎液性の外側領域６０に導かれたガスの流れと比べて大きな圧力、速度及び／または流量を有する。
【００６８】
図７は、本明細書の任意の実施形態に存在する追加的特徴を示す。この追加的特徴は、低い圧力源に接続された抽出開口部３００である。抽出開口部３００は、ガス出口開口部１３０，１４０，１３１に隣接して配置される。このようにして、ガス及び／または液体は、抽出開口部３００を通って抽出される。抽出開口部３００を設けることにより、ガス出口開口部１３０，１４０，１３１から必要な全ガス流量が低減される。抽出開口部３００からのガス流を設けることにより、抽出開口部３００方向に偏向されたガス出口開口部１３０，１３１，１４０からのガス流がもたらされる。抽出開口部３００がない場合、抽出開口部３００方向と抽出開口部３００に対して反対方向のガス流は、ほぼ等しくなる傾向にある。しかしながら、例えば出口開口部１３０，１３１，１４０からのガス流の２００％の速度で、抽出開口部３００を介した抽出を与えることにより、ガス出口開口部１３０，１３１，１４０から抽出開口部３００方向へのガス流の配分を８０％とすることができる。
【００６９】
望ましくは、液体移動装置１００は、ガス出口開口部１３０，１３１，１４０からのガス流の大部分が液体移動装置１００とセンサ１０との相対運動の方向となるよう構成される。相対運動が両方向、すなわち前後方向である場合、抽出開口部３００をガス出口開口部１３０，１３１，１４０の両側に設けることが望ましい。この場合、制御部４０の制御によって、液体移動装置１００と、洗浄される表面、例えばセンサ１０との間の相対運動の方向に応じて、抽出開口部３００のどれか一方が低い圧力源に接続されてよい。この場合、確実にガス出口開口部１３０，１３１，１４０からのガス流を液体移動装置１００とセンサ１０の相対運度方向（すなわち、図７において矢印で図示される方向））と同じ方向にできるので、必要な全ガス流を低減できる。
【００７０】
抽出開口部３００は、主に第２開口部１４０から排出されるガスを抽出するよう短くされてもよい。この場合、第２開口部１４０から排出されるガスの親液性領域５０に対する衝突角度が、第１開口部１３０，１３１から疎液性領域６０に導かれるガスの衝突角度と異なる。この場合、親液性領域５０の液滴に疎液性領域６０よりも大きな遮断力が与えられる。
【００７１】
図８の実施形態は、下記に説明する事項を除いて図７の実施形態と同様である。図８の実施形態において、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１は、第２ガス出口開口部１４０と同じ圧力の圧力源に接続されている。例えば、全てのガス出口開口部１３０，１３１，１４０が同じガス源に接続されてよい。しかしながら、第２ガス出口開口部１４０の断面積は、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１の断面積よりも小さい。従って、第２ガス出口開口部１４０から排出されるガスの速度は、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１から排出されるガスの速度よりも大きい。
【００７２】
図９は、下記に説明する事項を除いて図７および図８の実施形態と同様な実施形態の断面を示す。図９の実施形態において、第２ガス出口開口部１４０は、ガス出口開口部１３０，１３１，１４０が形成された表面１５０から突き出ている。すなわち、ガス出口開口部１４０は、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１と比べて表面１５０から突き出ている。他の実施形態においては、一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１が、第２ガス出口開口部１４０よりも表面１５０において凹んでいてもよい。センサ１０の表面から出口までの距離が異なる結果、異なるガス圧力表面上に形成される。センサ１０の表面に最も近接する出口は、表面から液滴をすくい取る高いせん断力と同様に、表面に高いガス圧力をもたらす。従って、液滴に対して一対の第１ガス出口開口部１３０，１３１からのガス流により疎液性領域６０の液滴に与えられる遮断／除去力と比べて、大きな遮断／除去力が第２ガス出口開口部１４０により内側の親液性領域５０の液滴に与えられる。
【００７３】
図１０は、別の実施形態の平面図を示す。図１０の実施形態は、少なくとも２つのガス出口開口部を備えてよく、または、単一のガス出口開口部２００を備えてよい。ガス流量、速度および圧力は、ガス出口開口部２００の長さ方向に沿って一定であってもよいし、変化してもよい。あるいは、ガス出口開口部２００は、異なるガス流量及び／または速度及び／または圧力を有する２つ以上のガス出口開口部に分割されていてもよい。両方の実施形態において、ガス出口開口部２００から排出されるガス流の平面的な形状は、外側の疎液性領域６０に衝突するガス流と比べて、内側の親液性領域５０に衝突するガス流に関して異なる。
【００７４】
ガス出口２００は、第１、第２および第３部分または開口部２０１，２０２，２０３に分割されている。第１、第２および第３部分は、細長い。第１および第３部分２０１，２０３の延びる方向は、第２部分２０２の延びる方向に対して角度付けされている。すなわち、それらは平行ではない。一実施形態において、この角度は少なくとも１０°、少なくとも２０°、少なくとも３０°、少なくとも４０°、少なくとも５０°または少なくとも６０°である。
【００７５】
制御部４０の制御により液体移動装置１００とセンサ１０とが相対運動するとき、第２部分２０２は中央の親液性領域５０上を通過する。加えて、制御部４０は、確実に第１および第３部分２０１，２０３の延びる方向がセンサ１０と液体移動装置１００の相対運動の方向に対して実質的に垂直な方向となるように機能する。
【００７６】
第２部分２０２の角度のために、中央の親液性領域５０上の液滴は、図示のように、第１および第２部分２０１，２０２間の接合部分に向かって第２部分２０２に沿って運ばれる。この種の第２部分２０２に沿った輸送は、液滴の遮断よりも低いガス流を必要とする。従って、液体は疎液性部分６０上において親液性部分５０を横切って移動され、液膜を残すことなく液滴を遮断することがより容易となる。
【００７７】
抽出部２１０（例えば低圧力源に接続された開口部）は、第１部分２０１と第２部分２０２間の接合部分における、液滴が第２部分に沿って移送される液滴が集まる側に設けられてよい。液滴は、抽出部２１０により個々に抽出されてもよいし、または大きな液滴を形成するよう組み合わされてもよい。これにより、抽出部２１０による抽出が容易となる。抽出部２１０は、米国特許出願公開第２００８−０００７７０４号明細書に記載された抽出部と同じように、離れた位置にあってもよい。小さな液滴を取り除くために、抽出部２１０は、出口２００よりも表面に近接するべきである。例えば、抽出部は、表面から約２００〜４００μｍであってよい。
【００７８】
第３部分２０３が液体移動装置１００とセンサ１０間の相対運動の方向に対して（図示のように時計回り方向に）わずかに傾斜している場合、図１０の液体移動装置１００のパフォーマンスにとって有益である。この場合、液滴が親液性領域に導かれない。それに加えてまたは代えて、第１部分２０１を（図示のように時計回り方向に）わずかに傾斜させ、第１部分２０１に沿って運ばれた液体を抽出するために、別の抽出部２１１を第２部分２０２と反対側の第１部分２０１の端部に設けることもできる。
【００７９】
図１０の実施形態の変形例において、第１部分２０１は、上述したように時計回り方向に傾斜される。これにより、液滴が第１部分２０１に沿って第２部分２０２から抽出部２１１に向かって移動する。抽出部２１０は、第２部分２０２から第３部分２０３の端部に移動されてもよい。第３部分２０３は、液体移動装置１００とセンサ１０との相対運動の方向と同じ方向に角度付けされるように、第２部分２０２と同様に反時計回りに角度付けされてもよい。第２部分２０２および第３部分２０３は、例えば同一平面上にあってもよい。この場合、液滴は、第２部分２０２から第３部分２０３に沿って移動する。従って、第１部分２０１および第２部分２０２の両方は、液滴が親液性領域５０からそれらに沿って移動するように角度付けされることが分かる（５°〜１０°程度の小さな角度で十分である）。抽出部は、第１部分２０１および第３部分２０３に沿って運ばれた液体を収集するために、第１部分２０１および第３部分２０３の最も外側の端部に設けられる。この構成の不都合な点は、液体移動装置１００が優先方向を有しており、図１０に示される方向と反対方向に用いられる場合に効果が弱くなってしまうことである。
【００８０】
図１１は、下記に説明する事項を除き、図１０の実施形態と同様の実施形態を示す。図１１の実施形態もまた、親液性領域５０および疎液性領域６０に対して平面的に異なる形状のガス流を与える。図１１の実施形態において、ガス出口開口部２００の第１部分２０１および第３部分２０３は、実質的に同一平面上にある。液滴が第２部分２０２に沿って運ばれるよう第２部分２０２の角度を実現するために、第２部分２０２はＶ字状に形成されている。制御部４０が突出した第２部分２０２が最初にセンサ１０に衝突するように液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動を制御する場合、２つの抽出部２１１，２１２が、第２部分２０２の両側の第１部分２０１および第３部分２０３との接合部分において、作動される。あるいは、制御部４０が液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動の方向を反対方向に制御する場合、第２部分２０２のＶ字形状により形成される凹みにおいて単一の抽出部２１３が作動される。
【００８１】
図１２〜図１４の実施形態は、図１０および図１１の実施形態に示される原理を用いている。特に、液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動は、ガス出口開口部２００の少なくとも一部の延びる方向が液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動の方向に対して非垂直となるように、制御部４０により制御される。これにより、液滴の遮断／除去に必要とされる力を小さくできる。
【００８２】
図１２の実施形態は、図７と類似した液体移動装置１００を備える。液体移動装置１００とセンサ１０の配置は、ガス出口開口部１３１，１３０，１４０の延びる方向が液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動の方向に対して非垂直となるようにされる。その結果、ガス出口開口部１３１，１３０，１４０が液体移動装置１００とセンサ１０の相対運動の方向に対して垂直な図７の実施形態よりも、必要とされるガス流量、速度および圧力が低くなる。
【００８３】
下記に説明する事項を除いて図１２の実施形態と同様の図１３および図１４の実施形態においては、液滴を遮断／除去するのに有効ではないが、抽出部２１４に向かってガス出口開口部２００に沿って液滴を移動させるのに有効であるさらに低い圧力が用いられる。これらの実施形態は、センサ１０上の親液性および疎液性領域がより複雑なパターンである場合に役立つ。例えば、センサ１０と該センサ１０が搭載される基板テーブルＷＴの間のギャップを埋めるステッカーに近いセンサの外側領域７０は、親液性の可能性がある。この領域は環形を形成しているので、複数個のシンプルな形状のガス出口開口部では大きな遮断／除去力を有するガス流を疎液性領域６０ではなく外側の親液性領域７０に導くのに効果的でない可能性がある。このような場合、図１３および図１４の実施形態に係る液体移動装置がより適している。図１３の実施形態では、単一のガス出口開口部２００が液滴が移動するのに沿って設けられている。抽出部２１４は、液体移動装置１００とセンサ１０の相対移動の間に液滴が移動するガス出口開口部２００の端部に設けられている。
【００８４】
図１４において、ガス出口開口部２００は、第２部分または分離したガス出口開口部２２０を備える。ガス出口２２０は、ガス出口２００に沿って移動する液滴にとって障壁（バリア）となるガス流を提供する。ガス流によって、ガス出口２００と追加的なガス出口開口部２２０との間の接合部分に液滴が閉じ込められ、該接合部分において抽出部２１４により液滴が抽出される。
【００８５】
上述の任意の実施形態において、液体移動装置１００及び／またはセンサ１０は、センサ１０の表面に対して垂直な方向で作動されてもよい。例えば、センサ１０がＸＹ平面で作動するとき、液体移動装置１００は、Ｚ方向に作動されてもよい。制御部４０は、液体移動装置１００とセンサ１０の表面との間の高さがある値となるように、またはある範囲内となるように制御してもよい。ＸＹ平面におけるセンサ１０の表面の高さがシステムによって正確に把握されるように、マップが作成されてもよい。あるいは、液体移動装置１００と表面との間の高さがフィードバックループを用いて調整されるようセンサが設けられてもよい。一実施形態において、液体移動装置１００は、基準座標形ＲＦに対して静止しており、センサは、センサ１０が搭載されるテーブル（例えば基板テーブルＷＴ）のＺポジショナーを用いることにより、液体移動装置１００に対して移動される。
【００８６】
理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。
【００８７】
ある態様では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置であって、ガス流を第１領域および第２領域に導くよう構成された少なくとも一つのガス出口開口部を備え、第１領域に導かれたガス流の一部の特性が、第２領域に導かれたガス流の一部の特性と異なる、液体移動装置と、を備える。
【００８８】
一実施形態において、該異なる特性は、第２領域の液滴に対して、第１領域の液滴に対するよりも大きな遮断力をもたらす。
【００８９】
一実施形態において、該特性は、ガス流量、ガス速度、ガス圧力、ガス流の平面的な形状、及び／またはセンサに対するガス流の衝突角度から選択された少なくとも一つである。
【００９０】
一実施形態において、液体移動装置は、少なくとも二つのガス出口開口部を備え、該少なくとも二つのうち第１のガス出口開口部は、ガスを第１領域に導くよう構成され、該少なくとも二つのうち第２のガス出口開口部は、ガスを第２領域に導くよう構成される。
【００９１】
一実施形態において、少なくとも第１および第２のガス出口開口部のそれぞれは、ガスが少なくとも第１および第２のガス出口開口部のそれぞれから異なるガス流量で排出されるよう、互いに異なる圧力のガス供給源に流体的に連絡されている。
【００９２】
一実施形態において、少なくとも第１のガス出口開口部は、少なくとも第２のガス出口開口部よりも低い圧力のガス供給源に流体的に連絡されている。
【００９３】
一実施形態において、少なくとも第１および第２のガス出口開口部は、実質的に同じガス流量を供給するガス供給源に流体的に連絡されており、少なくとも第１のガス出口開口部は、ガスが少なくとも第１および第２の開口部からそれぞれ異なる速度で排出されるよう、少なくとも第２のガス出口開口部とは異なる断面積を有する。
【００９４】
一実施形態において、少なくとも第１のガス出口開口部は、少なくとも第２のガス出口開口部よりも大きな断面積を有する。
【００９５】
一実施形態において、少なくとも二つのガス出口開口部は、表面に形成されており、少なくとも第１および第２のガス出口開口部からのガス流が異なるガス圧力を生じるよう、少なくとも第１のガス出口が少なくとも第２のガス出口開口部と比べて表面において凹んでいる、または、少なくとも第２のガス出口開口部が少なくとも第１のガス出口開口部よりも表面から突き出ている。
【００９６】
一実施形態において、少なくとも一つのガス出口開口部は、平面的に細長く、第１部分および第２部分のそれぞれの延びる方向は、第１部分および第２部分からのガス流の平面的な形状が異なるように、互いに１０°以上に角度付けされている。
【００９７】
一実施形態において、液浸リソグラフィ装置は、液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動を生じさせるよう構成された制御部をさらに備え、相対運動の方向は、第１部分の延びる方向と相対運動の方向とがなす角が、第２部分の延びる方向と相対運動の方向とがなす角と異なるようにされる。
【００９８】
一実施形態において、第２部分の延びる方向は、第１部分の延びる方向の場合よりも小さい角度で相対運動の方向と角度付けされる。
【００９９】
一実施形態において、少なくとも第１のガス出口開口部は、少なくとも第２のガス出口開口部に対して異なるサイズ及び／または形状である。
【０１００】
一実施形態において、少なくとも第１のガス出口開口部は、液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動のときに少なくとも第１および第２のガス出口開口部が第２領域上を通過し、且つ少なくとも第１のガス出口開口部のみが第１領域を通過するよう、引き延ばされている。
【０１０１】
一実施形態において、少なくとも第２のガス出口開口部は、ガスを第２領域だけでなく第１領域にも導くよう構成される。
【０１０２】
ある態様では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置と、液体移動装置とセンサ及び／またはターゲットとの間の相対運動を、液体移動装置のガス出口開口部の延びる方向に対して垂直以外の方向に制御するよう構成された制御部とを備える。
【０１０３】
ある態様では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置とを備える。この液体移動装置は、第１のガス供給源に流体的に連絡された少なくとも一つのガス出口開口部と、第２のガス供給源に流体的に連絡された第２のガス出口開口部とを備え、第１のガス供給源の圧力は、第２のガス供給源の圧力よりも高い。
【０１０４】
ある態様では、液浸リソグラフィ装置が提供される。この液浸リソグラフィ装置は、表面と、センサ及び／またはセンサ用のターゲット、センサ及び／または液浸液に対して疎液性の第１領域と液浸液に対して親液性の第２領域とを有するターゲット、から選択された少なくとも一つと、を有するテーブルと、センサ及び／またはターゲット上の液体を移動させるよう構成された液体移動装置とを備える。この液体移動装置は、第２のガス出口開口部よりも大きな断面積を有する第１のガス出口開口部を備える。第１のガス出口開口部は、ガスを第２領域に導くよう構成され、第１のガス出口開口部は、ガスを第１領域に導くよう構成される。
【０１０５】
一実施形態において、液浸リソグラフィ装置は、少なくとも一つのガス出口開口部から排出されたガスを抽出するよう構成された抽出開口部をさらに備える。
【０１０６】
一実施形態において、液浸リソグラフィ装置は、センサ及び／またはターゲットと液体移動装置との間の距離を変化させるよう構成されたアクチュエータをさらに備える。
【０１０７】
ある態様では、デバイス製造方法が提供される。この方法は、ターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する基板テーブル上に保持された第１の基板上に、液浸液を介してパターンの像を投影するステップと、基板テーブルから第１の基板を取り外すステップと、基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、第２の基板が基板テーブルに保持されている間に、ターゲットの特性を測定する及び／またはセンサを使用するステップと、センサ及び／またはターゲットの疎液性領域および親液性領域に導かれたガス流を用いて、ターゲット、またはセンサ、またはその両方から液体を移動させるステップであって、疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップとを備える。
【０１０８】
ある態様では、デバイス製造方法が提供される。この方法は、基板テーブル上に保持された第１の基板上に液浸液を介してパターンの像を投影するステップであって、液浸液が液体閉じ込め構造により投影系と基板との間に閉じ込められているステップと、液体閉じ込め構造をターゲット、またはセンサ、またはその両方を有する測定テーブルに移動させるステップと、基板テーブルから第１の基板を取り外すステップと、基板テーブル上に第２の基板を搭載するステップと、ターゲットの特性を測定する及び／またはセンサを使用するステップと、ガス流を用いてターゲット及び／またはセンサから液体を移動させるステップであって、疎液性領域に導かれたガス流の一部の特性が、親液性領域に導かれたガス流の一部の特性と異なるステップとを備える。
【０１０９】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他のマイクロスケールや更にナノスケールの部品、フィーチャの用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【０１１０】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【０１１１】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【０１１２】
本明細書に記載のコントローラ（制御部）は各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に設けられた１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラに通信可能に構成されていてもよい。例えば、複数のコントローラの各々が上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。各コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。
【０１１３】
本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。
【０１１４】
本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては投影系と基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。１つまたは複数の構造体、及び１つまたは複数の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、１つまたは複数の液体開口、１つまたは複数の気体開口、１つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。
【０１１５】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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