(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実装され、信号を送信する信号送信部と、前記基板に実装され、信号を受信する信号受信部と、前記信号送信部と前記信号受信部とを接続する信号配線と、を有する送受信系を複数備え、前記複数の信号配線が、前記基板に並列して配置されたプリント回路板において、
前記複数の信号配線のうちの互いに隣接する２本の信号配線間に設けられ、抵抗値Ｒｐ［Ω］の抵抗部と、
前記２本の信号配線間に設けられ、かつ前記抵抗部と直列接続され、容量値Ｃｐ［Ｆ］の容量部と、を備え、
前記抵抗値Ｒｐ及び前記容量値Ｃｐは、前記信号送信部から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１を満たす値に設定されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記抵抗部は、抵抗値Ｒｐ／２［Ω］の２つの抵抗素子からなり、
前記容量部の両端にそれぞれ前記抵抗素子が接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
基板に実装され、信号を送信する信号送信部と、前記基板に実装され、信号を受信する信号受信部と、前記信号送信部と前記信号受信部とを接続する信号配線と、を有する送受信系を複数備え、前記複数の信号配線が、前記基板に並列して配置されたプリント回路板において、
前記複数の信号配線のそれぞれに一端が接続され、抵抗値Ｒｐ／２［Ω］の抵抗素子と、
前記複数の信号配線のうちの互いに隣接する２本の信号配線に一端が接続された２つの抵抗素子の他端の間に接続され、容量値Ｃｐ［Ｆ］の容量部と、を備え、
前記抵抗値Ｒｐ及び前記容量値Ｃｐは、前記信号送信部から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１を満たす値に設定されていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項４】
前記２本の信号配線のそれぞれの自己容量をＣｏ、前記２本の信号配線間の結合容量をＣｍ、前記２本の信号配線間の結合係数をｋ、前記受信部の寄生容量をＣｌｏａｄとしたとき、
前記容量部の容量値Ｃｐは、ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍの±２０％の範囲に設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記容量部は、コンデンサ素子であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記容量部は、前記基板に対向して配置された一対の配線であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
信号配線間のクロストークノイズを低減するプリント回路板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高機能化を実現するために複数の技術が同時に進展している。一つ目は、電子機器内に配置されるプリント回路板を伝送するデジタル信号の伝送レートの高速化が進んでいる。二つ目は、電子機器内に配置されるプリント回路板の高密度化が進んでいる。
【０００３】
高速化と高密度化が同時に進展すると、信号配線間のクロストークノイズに関する課題の解決が難しくなってくる。高速化と高密度化に関わるクロストークノイズの増加要因を挙げる。一つ目は、デジタル信号の伝送レートの高速化によって、信号の立ち上がり時間が速くなることである。クロストークノイズの大きさは、デジタル信号波形の電圧の時間変化率に比例しているためである。二つ目は、高密度化によって信号配線間の距離が近くなり、信号配線間の電磁的な結合が大きくなることである。クロストークノイズの大きさは、信号配線間の電磁的な結合の大きさに比例しているためである。最終的に、クロストークノイズの増加が、回路の誤動作を引き起こす可能性が高まる。
【０００４】
ここでクロストークノイズの発生原理を説明する。図１５は、従来のプリント回路板に発生するクロストークノイズを説明するための図であり、図１５（ａ）は、クロストークノイズの発生の原理を説明するための回路構造を示す図である。図１５（ｂ）は、信号波形とクロストークノイズ波形を示す図である。複数の信号配線２０１，２０２の一端には、それぞれ信号送信部２０３，２０４が接続されており、他端には、それぞれ信号受信部２０５，２０６が接続されている。信号配線２０１と信号受信部２０５の接続点を受信端２０７とし、信号配線２０２と信号受信部２０６の接続点を受信端２０８とする。
【０００５】
互いに近接して基板に配置されている各信号配線２０１，２０２には、自己インダクタンス（Ｌｏ［Ｈ］）が存在し、また、信号配線２０１，２０２間には、結合インダクタンス（Ｌｍ［Ｈ］）が存在する。また、各信号配線２０１，２０２とグラウンド層（ＧＮＤ層）との間には、容量成分である自己容量（Ｃｏ［Ｆ］）が存在し、信号配線２０１，２０２間には、容量成分である結合容量（Ｃｍ［Ｆ］）が存在する。
【０００６】
信号送信部２０３から立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］で振幅Ｖｉｎ［Ｖ］の信号が出力されたときに、受信端２０８で観測されるクロストークノイズの理論式は、
【０００７】
【数１】
0005506584.tif 000002
【０００８】
Ｌｏ，Ｌｍ，Ｃｏ，Ｃｍは、プリント回路板の信号配線２０１，２０２の幅、厚み、信号配線２０１，２０２の長さ、ＧＮＤ層と信号配線２０１，２０２との距離などの構造から理論的に求められる。
【０００９】
ここで、受信端２０８に発生するクロストークノイズは、２つのモードに分けて現象を説明することができる。１つは、ディファレンシャルモードであり、図１５（ｂ）の信号４００と振幅の符号が反転している逆相のクロストークノイズ４０１を受けた状態である。この場合、隣接信号配線間の結合は誘導性結合と考えられ、式（１）でＣｍ＝０となり、図１５（ａ）に示したインダクタンス成分だけで結合した回路構造で表現できる。もう１つは、コモンモードであり、図１５（ｂ）の信号４００と同相の（信号４００の振幅の符号が同じ）クロストークノイズ４０２を受けた状態である。この場合、隣接信号配線間の結合は容量性結合と考えられ、式（１）でＬｍ＝０となり、図１５（ａ）に示したキャパシタンス成分だけで結合した回路構造で表現できる。
【００１０】
本来のクロストークノイズは、両者４０１，４０２が重なった状態である。プリント回路板では、受信端２０８で信号が立ち上がるときは誘導性クロストークノイズ４０１の方が容量性クロストークノイズ４０２よりも支配的であるため（Ｌｍ／Ｌｏ−Ｃｍ／Ｃｏ＞０）、合成のクロストークノイズ４０３は信号４００と逆方向の振幅となる。
【００１１】
クロストークノイズを低減するためには、隣接する信号配線間の距離を大きくしたり、ＧＮＤを信号配線間に配置したりする対策があるが、プリント回路板の面積が大きくなるため、これら以外にも、以下のような技術が提案されている（特許文献１参照）。図１５（ｃ）は、従来のクロストークノイズ対策を施したプリント回路板の回路構造を示す図である。クロストークを低減するために、信号配線２０１と信号配線２０２との間に容量値Ｃａ［Ｆ］のコンデンサ２１０が接続されている。特許文献１では、クロストークノイズを低減する特性に関する考え方が以下の式（２）の数式で示されている。
Ｌｍ／Ｌｏ＝（Ｃｍ＋Ｃａ）／Ｃｏ  ・・・式（２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−２５７５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述した従来の対策では、クロストークノイズの低減効果は十分ではなかった。ここで、寄生容量を持たない理想的な信号受信部を信号配線へ接続したときは、式（２）に従った大きさの容量値Ｃａのコンデンサを信号配線間に接続することで、クロストークノイズが十分に低減されることが理論的に確認できる。しかし、実際には、寄生容量を持つ信号受信部が信号配線に接続されるので、受信部の寄生容量も信号配線間のクロストークノイズの大きさに影響を与える。従って、式（２）に従った大きさの容量値Ｃａのコンデンサを接続すると、信号受信部に存在する寄生容量が考慮されていないため、クロストークノイズの低減効果は低いものであった。
【００１４】
そこで、本発明は、回路の高速化や高密度化を妨げることなく、クロストークノイズをさらに低減させるプリント回路板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、基板に実装され、信号を送信する信号送信部と、前記基板に実装され、信号を受信する信号受信部と、前記信号送信部と前記信号受信部とを接続する信号配線と、を有する送受信系を複数備え、前記複数の信号配線が、前記基板に並列して配置されたプリント回路板において、前記複数の信号配線のうちの互いに隣接する２本の信号配線間に設けられ、抵抗値Ｒｐ［Ω］の抵抗部と、前記２本の信号配線間に設けられ、かつ前記抵抗部と直列接続され、容量値Ｃｐ［Ｆ］の容量部と、を備え、前記抵抗値Ｒｐ及び前記容量値Ｃｐは、前記信号送信部から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１を満たす値に設定されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明は、基板に実装され、信号を送信する信号送信部と、前記基板に実装され、信号を受信する信号受信部と、前記信号送信部と前記信号受信部とを接続する信号配線と、を有する送受信系を複数備え、前記複数の信号配線が、前記基板に並列して配置されたプリント回路板において、前記複数の信号配線のそれぞれに一端が接続され、抵抗値Ｒｐ／２［Ω］の抵抗素子と、前記複数の信号配線のうちの互いに隣接する２本の信号配線に一端が接続された２つの抵抗素子の他端の間に接続され、容量値Ｃｐ［Ｆ］の容量部と、を備え、前記抵抗値Ｒｐ及び前記容量値Ｃｐは、前記信号送信部から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１を満たす値に設定されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たすように容量値Ｃｐ及び抵抗値Ｒｐを設定したので、抵抗部及び容量部により、クロストークノイズがピーク値となるタイミングでクロストークノイズを効果的に打ち消すことができる。したがって、回路の高速化や高密度化を妨げることなく、クロストークノイズのピーク値が低減する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。
【図２】プリント回路板の断面図である。
【図３】プリント回路板の等価回路図である。
【図４】信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図であり、（ａ）はプリント回路板（基板）の第１層である信号配線層と第４層である信号配線層とを重ねて描いた透視平面図、（ｂ）は第４層である信号配線層を描いた平面図である。
【図５】信号波形とクロストークノイズ波形を示す図である。
【図６】クロストークノイズとその打ち消し効果の時間変化のグラフを示す図である。
【図７】クロストークノイズ波形のシミュレーション結果を示す図であり、（ａ）は信号が伝送される信号配線の受信端の波形図、（ｂ）は受信端のクロストークノイズの波形図である。
【図８】各素子の誤差範囲でのシミュレーション解析結果を示す波形図であり、（ａ）は各素子の許容差の範囲でのシミュレーション解析結果を示す波形図、（ｂ）はＣｐの±２０％でのシミュレーション解析結果を示す波形図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。
【図１０】プリント回路板の等価回路図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図であり、（ａ）はプリント回路板（基板）の第１層である信号配線層と第４層である信号配線層とを重ねて描いた透視平面図、（ｂ）は第４層である信号配線層を描いた平面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態のクロストークノイズ波形のシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。
【図１４】信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図であり、（ａ）はプリント回路板（基板）の第１層である信号配線層と第４層である信号配線層とを重ねて描いた透視平面図、（ｂ）は第４層である信号配線層を描いた平面図である。
【図１５】従来のプリント回路板に発生するクロストークノイズを説明するための図である。（ａ）はクロストークノイズの発生の原理を説明するための回路構造を示す図、（ｂ）は信号波形とクロストークノイズ波形を示す図、（ｃ）は従来のクロストークノイズ対策を施したプリント回路板の回路構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。図２は、プリント回路板の断面図である。図１に示すように、プリント回路板２００は、基板５０と、基板５０に実装されたＩＣ１０２，１０３と、を備えている。この基板５０は、図２に示すように、４層基板であり、第１層は信号配線層２４０、第２層はグラウンド層２４２、第３層は電源層２４４、第４層は信号配線層２４６である。各層２４０，２４２，２４４，２４６間には、絶縁層２４１，２４３，２４５が配置されている。ＩＣ１０２，１０３は、信号配線層２４０に実装されている。
【００２１】
図１に示すように、ＩＣ１０２は、信号を送信（出力）する信号送信部を複数有している。また、ＩＣ１０３は、信号を受信（入力）する信号受信部を複数有している。ＩＣ１０２には、信号送信部を構成する送信素子である送信回路が組み込まれており、ＩＣ１０３には、信号受信部を構成する受信素子である受信回路が組み込まれている。図１では、３つの信号送信部２０３，２０４，２３６及び３つの信号受信部２０５，２０６，２３７を図示している。各信号送信部２０３，２０４，２３６と各信号受信部２０５，２０６，２３７とは、基板５０に設けられた信号配線２０１，２０２，２３０で接続されている。信号配線２０１，２０２，２３０は、図２に示すように、信号配線層２４０に設けられているマイクロストリップ線路である。つまり、プリント回路板２００は、信号送信部、信号受信部及び信号配線を有する信号送受信系を複数備えている。具体的には、図１に示すように、信号送信部２０３、信号受信部２０５及び信号配線２０１で信号送受信系１５１が構成されている。また、信号送信部２０４、信号受信部２０６及び信号配線２０２で信号送受信系１５２が構成され、信号送信部２３６、信号受信部２３７及び信号配線２３０で信号送受信系１５３が構成されている。信号配線２０１と信号受信部２０５との接続点を受信端２０７とする。また、信号配線２０２と信号受信部２０６との接続点を受信端２０８とする。各信号配線２０１，２０２，２３０は、互いに平行に並列して配置されており、また、配線密度を高めるために互いに近接して配置されている。
【００２２】
図３は、プリント回路板２００の等価回路図である。互いに近接して基板に配置されている２本の信号配線２０１，２０２のそれぞれには、自己インダクタンス（Ｌｏ［Ｈ］）が存在し、また、信号配線２０１，２０２間には、結合インダクタンス（Ｌｍ［Ｈ］）が存在する。また、２本の信号配線２０１，２０２のそれぞれとグラウンド層２４２との間には、容量成分である自己容量（Ｃｏ［Ｆ］）が存在し、２本の信号配線２０１，２０２間には、容量成分である結合容量（Ｃｍ［Ｆ］）が存在する。さらに、各信号受信部２０５，２０６には、寄生容量Ｃｌｏａｄ［Ｆ］が存在する。なお、２本の信号配線間の結合係数はｋ（＝Ｌｍ／Ｌｏ）である。
【００２３】
そこで、本第１実施形態では、プリント回路板２００は、複数の信号配線のうちの互いに隣接する２本の信号配線２０１，２０２間に設けられ、第１の許容差を有する抵抗値Ｒｐ［Ω］の抵抗部１００を備えている。また。プリント回路板２００は、２本の信号配線２０１，２０２間に設けられ、かつ抵抗部１００と直列接続され、第２の許容差を有する容量値Ｃｐ［Ｆ］の容量部としてのコンデンサ素子１０１を備えている。つまり、抵抗部１００とコンデンサ素子１０１とが直列に接続された直列回路が２本の信号配線２０１，２０２間に接続されている。これら抵抗部１００及びコンデンサ素子１０１は、信号受信部２０５，２０６に発生するクロストークノイズを低減させるためのものであり、信号受信部２０５，２０６近傍に配置されている。なお、図３では図示を省略しているが、他の不図示の２本の信号配線間にも同様に抵抗部及び容量部の直列回路が接続されている。
【００２４】
抵抗部１００は、第１の許容差を有する抵抗値Ｒｐ／２［Ω］の２つの抵抗素子１００ａ，１００ｂからなる。つまり、抵抗部１００の抵抗値Ｒｐは、２つの抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値Ｒｐ／２の和である。そして、抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値Ｒｐ／２は、公称値であり、この公称値に対して第１の許容差（例えば±５％）がある。また、コンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐは公称値であり、この公称値に対して第２の許容差（例えば±５％）がある。
【００２５】
図４は、信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図である。図４（ａ）はプリント回路板２００（基板５０）の第１層である信号配線層２４０と第４層である信号配線層２４６とを重ねて描いた透視平面図であり、図４（ｂ）は第４層である信号配線層２４６を描いた平面図である。
【００２６】
ＩＣ１０２，１０３及び信号配線２０１，２０２，２３０は基板の一方の面の信号配線層２４０に設けられているのに対し、抵抗部１００の抵抗素子１００ａ，１００ｂ及びコンデンサ素子１０１は、基板の他方の面の信号配線層２４６に設けられている。
【００２７】
プリント回路板２００の基板５０には、貫通穴であるビアホール１０４，１０５，１０８が形成されている。信号配線層２４０において各信号配線２０１，２０２，２３０は、各ビアホール１０４，１０５，１０８に延びている。そして、２本の信号配線２０１，２０２の間には、ビアホール１０４，１０５を介して信号配線層２４６に設けた抵抗素子１００ａ、コンデンサ素子１０１及び抵抗素子１００ｂが接続されている。具体的には、コンデンサ素子１０１の両側にそれぞれ抵抗素子１００ａ，１００ｂが接続された直列回路が信号配線層２４６に設けられており、この直列回路がビアホール１０４，１０５を介して２つの信号配線２０１，２０２の間に接続されている。同様に、信号配線２０２，２３０間には、抵抗素子１００ａ，コンデンサ素子１０１及び抵抗素子１００ｂの直列回路と同様の構成の抵抗素子１０６ａ、コンデンサ素子１０７及び抵抗素子１０６ｂの別の直列回路がビアホール１０５，１０８を介して接続されている。
【００２８】
より詳細に説明すると、抵抗素子１００ａの一方の端子は、ビアホール１０４を介して信号配線２０１に接続されている。抵抗素子１００ａの他方の端子は、コンデンサ素子１０１の一方の端子に接続されている。コンデンサ素子１０１の他方の端子は抵抗素子１００ｂの一方の端子に接続されている。抵抗素子１００ｂの他方の端子はビアホール１０５を介して信号配線２０２に接続されている。また、抵抗素子１０６ａの一方の端子は、ビアホール１０５を介して信号配線２０２に接続されている。抵抗素子１０６ａの他方の端子は、コンデンサ素子１０７の一方の端子に接続されている。コンデンサ素子１０７の他方の端子は抵抗素子１０６ｂの一方の端子に接続されている。抵抗素子１０６ｂの他方の端子はビアホール１０８を介して信号配線２３０に接続されている。
【００２９】
なお、抵抗素子１００ａ、抵抗素子１００ｂ、コンデンサ素子１０１、抵抗素子１０６ａ、抵抗素子１０６ｂ、コンデンサ素子１０７をＩＣ１０３の近傍に配置しているが、ＩＣ１０３との距離やプリント回路板２００での配置面など、配置場所の制限はない。このとき、前述した通りに、信号配線２０１、２０２、２３０と接続されていれば良い。また、素子１００ａ、１００ｂ、１０１、１０６ａ、１０６ｂ、１０７のそれぞれは、複数の部材で構成されていても良い。複数の部材で構成した場合は、それぞれ部材の持つ特性の総和が図３の等価回路と同様の状態で示すことができればよい。
【００３０】
次に、クロストークノイズ低減の原理を説明する。以下、信号送信部２０３より信号が出力され、信号送信部２０４は信号を出力しないときの、受信端２０７と受信端２０８の電圧の振る舞いを説明する。背景技術で説明したとおり、クロストークノイズの大きさを示す式は（１）である。式（１）より、クロストークノイズを０にするための条件は以下になる。
（Ｌｍ／Ｌｏ−Ｃｍ／Ｃｏ）＝０  ・・・式（３）
【００３１】
しかし、受信端２０７と受信端２０８での電圧は、信号配線２０１と信号配線２０２へ接続される信号受信部２０５、２０６の寄生容量Ｃｌｏａｄが影響しているため、その容量を考慮して式（３）を修正すると以下の式（４）となる。
（Ｌｍ／Ｌｏ−Ｃｍ／（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ））＝０  ・・・式（４）
【００３２】
ここで、受信端２０８で支配的となる誘導性のクロストークノイズを低減するためには、容量性結合を増やす必要がある。そのためには、２つの信号配線２０１，２０２間に容量値Ｃｐのコンデンサ素子１０１を接続することで改善することができる。式（４）は以下の式（５）のように修正される。
（Ｌｍ／Ｌ−（Ｃｐ＋Ｃｍ）／（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ））＝０  ・・・式（５）
【００３３】
ここで、Ｌｍ／Ｌｏ＝ｋ（信号配線の結合係数）とし、式（５）を整理すると、以下の式（６）となる。
Ｃｐ＝ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍ  ・・・式（６）
【００３４】
ここまでは、信号受信部２０５，２０６の寄生容量Ｃｌｏａｄの影響を加えた考え方である。以下、具体例を挙げて説明すると、図２に示すように、以下、信号配線２０１，２０２，２３０の厚みを０．０４３［ｍｍ］、長さを５［ｃｍ］、幅を０．１２５［ｍｍ］として説明する。また、絶縁層２４１の厚みを０．１［ｍｍ］、比誘電率を４．３とし、グラウンド層２４２の厚みを０．０３５［ｍｍ］として説明する。また、絶縁層２４３の厚みを１．２［ｍｍ］、電源層２４４の厚みを０．０３５［ｍｍ］、絶縁層２４５の厚みを０．１［ｍｍ］、信号配線層２４６の厚みを０．０４３［ｍｍ］として説明する。なお、信号配線２０１，２０２間、信号配線２０２，２３０間の最小間隙は０．１２５［ｍｍ］とした。受信端２０７と２０８のピッチは、０．６５［ｍｍ］とした。信号配線２０１，２０２，２３０が信号受信部２０５，２０６，２３７と接続するときの信号配線間隙は、最小間隙から徐々に大きくなっていく。この断面構造で電磁界解析し、信号配線の長さ５［ｃｍ］を考慮すると、Ｌｏ＝１６［ｎＨ］、Ｃｏ＝６．０［ｐＦ］、Ｌｍ＝３．５［ｎＨ］、Ｃｍ＝０．９６［ｐＦ］となる。また信号受信部２０５，２０６の持つ寄生容量をＣｌｏａｄ＝３．０［ｐＦ］とする。これより、数百ＭＨｚ以上で動作する回路でクロストークノイズを低減するために必要なコンデンサ素子１０１の容量Ｃｐは、式（６）より、Ｃｐ＝ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍ≒１．０［ｐＦ］となる。
【００３５】
続いてクロストークノイズが時間的にどのように変化していくかを説明する。図５は、信号波形とクロストークノイズ波形を示す図である。信号４００は、信号配線２０１を伝送される立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］のデジタル信号である。この信号４００が信号配線２０１を伝送されることにより、信号配線２０２の受信端２０８には、ディファレンシャルモードの誘導性のクロストークノイズ４０１と、コモンモードの容量性のクロストークノイズ４０２とが発生する。受信端２０８には、寄生容量Ｃｌｏａｄが存在しない場合はこれらノイズ４０１，４０２を合成したクロストークノイズ４０３が発生する。この場合、受信端２０８のクロストークノイズ４０３の振幅は、すぐさまピーク電圧に達し、信号４００が立ち上がり終えるまで概ねピーク電圧を保持する。そして、信号４００の振幅が一定になった後は、すぐさまクロストークノイズ４０３は収束する。
【００３６】
しかし、実際には、信号受信部２０５，２０６に寄生容量Ｃｌｏａｄが存在するため、受信端２０８には、図５の破線で示すクロストークノイズ４０４が発生する。このクロストークノイズ４０４は、寄生容量Ｃｌｏａｄの影響でクロストークノイズ４０３のようにすぐさまピークには到達せず、信号４００の立ち上がりに合わせて負の電圧方向へ増加し、概ね信号立ち上がり時間ｔｒ後にピークに達する。そして、信号４００が立ち上がり終え、信号４００の振幅が一定になった後は、信号４００の立ち上がり時間ｔｒと概ね同様の期間をかけてクロストークノイズが減少していく。
【００３７】
ここで、抵抗部１００の抵抗素子１００ａ，１００ｂを接続しなかった場合を仮定して容量値Ｃｐ［Ｆ］であるコンデンサ素子１０１の充放電時間について考察する。一般的に容量素子への充放電の時間は、容量値Ｃと容量に接続される抵抗値Ｒの積のＣＲ時定数で制御される。コンデンサ素子１０１のみを使用した場合、回路上の抵抗値は部品の寄生抵抗だけとなる。この値は一般的に１［Ω］以下である。そして、コンデンサ素子１０１の容量値は、上述した具体例では、Ｃｐ≒１．０［ｐＦ］となる。よって、容量部材の容量値と抵抗値の積によるＣＲ時定数は１［ｐｓｅｃ］以下となる。
【００３８】
ところが、数百ＭＨｚ以上で動作する信号４００の立ち上がり時間ｔｒは、例えば１００〜５００［ｐｓｅｃ］であり、従来技術に相当する抵抗部１００がないと仮定した場合のＣＲ時定数は、信号４００の立ち上がり時間ｔｒに比べて十分小さい。そのため、コンデンサ素子１０１のみを接続したと仮定した場合は、ノイズ４０４がピーク電圧へ達するまでの時間ｔｒよりも、コンデンサ素子１０１によるクロストーク低減効果が発生している期間の方が、図５に示す電圧４０６のように短くなってしまう。つまり、コンデンサ素子１０１のみでは、クロストークノイズ４０４を打ち消す効果が低い。
【００３９】
これに対し、本第１実施形態では、コンデンサ素子１０１の両端に直列に抵抗素子１００ａ，１００ｂを接続している。そして、本第１実施形態では、各抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値Ｒｐ／２［Ω］によって、ＣＲ時定数によりクロストークノイズ低減効果の速度を制御する。
【００４０】
以下、抵抗部１００の抵抗値Ｒｐ［Ω］の設定について詳細に説明する。プリント回路板２００の等価回路は図３に示す通りであり、抵抗素子１００ａ，１００ｂは、１つの抵抗部１００として考える。受信端２０８で発生するクロストークノイズを低減するために発生させる電圧の振幅が変化する速度は、信号配線２０１，２０２間のコンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐと抵抗部１００の抵抗値Ｒｐとの積のＣＲ時定数で制御される。したがって、コンデンサ素子１０１と抵抗部１００とのＣＲ直列回路の過渡的な電圧変化を考える。信号４００により発生するクロストークノイズをＶｎとする。
【００４１】
コンデンサ素子１０１の電圧は、ｔを時間の変数とすると、Ｖｎ−Ｖｎ×ｅｘｐ（−ｔ／（Ｃｐ×Ｒｐ））で表される。信号４００が受信端２０７に到着した瞬間のコンデンサ素子１０１の両端の電圧は０［Ｖ］であるが、徐々にコンデンサ素子１０１の電圧が上昇する。このコンデンサ素子１０１に発生する電圧が、Ｖｎを打ち消す効果を持っている。コンデンサ素子１０１の電圧は、ｔ＝Ｃｐ×Ｒｐの場合は約０．６３Ｖｎ［Ｖ］，ｔ＝２×Ｃｐ×Ｒｐの場合は約０．８６Ｖｎ［Ｖ］，ｔ＝３×Ｃｐ×Ｒｐの場合は約０．９５Ｖｎ［Ｖ］，ｔ＝４×Ｃｐ×Ｒｐの場合は約０．９８Ｖｎ［Ｖ］であり、Ｖｎに近づく。なお、信号受信部２０５，２０６に寄生容量がある場合のクロストークノイズは、図５に示すように、発生してｔｒ後にピークに達する。したがって、信号４００が立ち上がり始めるタイミングからｔｒが経過して立ち上がりが終えるタイミングまでの期間Δｔ１において、このクロストークノイズを打ち消すための電圧は、ｔ＝Ｃｐ×Ｒｐやｔ＝２×Ｃｐ×Ｒｐでは、不十分な電圧である。これに対し、ｔ＝３×Ｃｐ×Ｒｐとなると、コンデンサ素子１０１の電圧は概ねＶｎの９５［％］に達する。したがって、以下の式（７）を満たす条件に抵抗部１００及びコンデンサ素子１０１の値を設定すれば、クロストークノイズが発生してｔｒ後にピークとなるときに、打ち消し効果も９５［％］まで到達し、クロストークノイズを概ね打ち消すことができる。
ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐ・・・式（７）
【００４２】
図６は、クロストークノイズとその打ち消し効果の時間変化のグラフを示す図である。なお、電圧軸をＶｎで規格化、時間軸をｔｒで規格化している。また、図６では、Ｃｐ×Ｒｐの係数毎のコンデンサ素子１０１の電圧波形を重ねている。クロストークノイズＶｎは、時間に概ね線形で増加している（符号反転してグラフ化）。係数が３以上になると、クロストークノイズ発生後、つまり図５中期間Δｔ１は、係数が大きくなるほど、コンデンサ素子１０１の電圧がＶｎへ近づくまでの時間が短くなる。しかし、クロストークノイズがピーク値から減少していくとき、つまり出力電圧到達ｔｒ以降２×ｔｒまでの期間Δｔ２は、係数が大きくなるほど、コンデンサ素子１０１の電圧による打ち消し効果を発生している時間も短くなってしまう。したがって、係数が大きくなるほど、ｔｒ以降の期間Δｔ２では、クロストークノイズの低減効果が小さくなる。
【００４３】
よって、期間Δｔ１と期間Δｔ２の両方のバランスを取って、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たすように、抵抗部１００の抵抗値Ｒｐ［Ω］及びコンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐ［Ｆ］を設定している。なお、容量値Ｃｐは、式（６）に従って設定しているため、本第１実施形態では、抵抗部１００の抵抗値Ｒｐ［Ω］を式（７）の条件となるように設定する。
【００４４】
このように、式（７）の条件となるように抵抗値Ｒｐを設定すると、信号４００が立ち上がり終えるｔｒ後には、図５に示すように、クロストークノイズ低減させるために発生させた電圧４０５（破線）が９５％へ達している。そのため、十分にクロストークノイズが低減できる。
【００４５】
一方、信号４００の振幅が一定値となった後も、信号受信部２０５，２０６の寄生容量Ｃｌｏａｄが存在するため、クロストークノイズ４０４が増え続けた時と同様に、概ねｔｒの時間をかけてクロストークノイズ４０４が収束していく。このとき、受信端２０８で発生するクロストークノイズを打ち消そうとする電圧４０５は、信号４００が立ち上がり終えた後３×Ｃｐ×Ｒｐ後に約９５％の減少をする。そのため、クロストークノイズ４０４の減少に合わせてクロストークノイズを低減しようとする電圧４０５も減少する。よって、クロストークノイズを低減する効果が十分に得られる。以上の原理で、受信端２０８で発生するクロストークノイズ４０４の波形とクロストークノイズを低減しようとして発生させた電圧４０５の波形がほぼ対称となる。これにより、クロストークノイズがピーク値となるタイミングでクロストークノイズを効果的に打ち消すことができる。したがって、回路の高速化や高密度化を妨げることなく、クロストークノイズのピーク値を低減することができる。
【００４６】
以下、抵抗部１００の各抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値の設定について、上述した図２に示した条件と同様の条件で具体例を挙げて説明する。ここで、コンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐは、上述したように、１．０［ｐＦ］である。なお、抵抗素子１００ａ，１００ｂ，１０６ａ，１０６ｂの寸法は０．４ｍｍ×０．２ｍｍである。コンデンサ素子１０１，１０７の寸法は０．４ｍｍ×０．２ｍｍである。
【００４７】
信号４００の立ち上がり時間ｔｒ＝５００［ｐｓｅｃ］とすると、抵抗部１００の抵抗値は式（７）からＲｐ＝ｔｒ／（３×Ｃｐ）＝１６６［Ω］となる。したがって、２つの抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値Ｒｐ／２は、８３［Ω］と求まり、各抵抗素子１００ａ，１００ｂは、この８３［Ω］の公称値の抵抗素子を選定すればよい。なお背景技術の信号受信部の寄生容量を考慮しない場合は、式（２）のＬｍ／Ｌｏ＝（Ｃｍ＋Ｃａ）／Ｃｏより、Ｃａ＝０．３５［ｐＦ］となる。
【００４８】
ここで各条件のＣＲ時定数と信号４００の立ち上がり時間ｔｒとの比較をする。背景技術の場合、容量部の容量値Ｃａ＝０．３５［ｐＦ］、抵抗成分の仮定値＝１．０［Ω］とすると、ＣＲ時定数は０．３５［ｐｓｅｃ］となる。信号受信部２０５，２０６の寄生容量Ｃｌｏａｄを考慮しても抵抗部を使用しない場合、容量値Ｃｐ＝１．０［ｐＦ］、抵抗成分の仮定値＝１．０［Ω］とすると、ＣＲ時定数は１．０［ｐｓｅｃ］となる。これに対し、本第１実施形態の場合、容量値Ｃｐ＝１．０［ｐＦ］、抵抗値Ｒｐ＝１６６［Ω］とすると、ＣＲ時定数は１６６［ｐｓｅｃ］となる。容量部のみの場合は、ｔｒ＝５００［ｐｓｅｃ］に対してＣＲ時定数が十分に小さいため、信号が立ち上がり終えた後に残るクロストークノイズの低減効果が低いことがいえる。
【００４９】
また上記各パラメータによるクロストークノイズ波形のシミュレーション結果を図７へ示す。縦軸は電圧、横軸は時間である。図７（ａ）は信号が伝送される信号配線２０１の受信端２０７の波形図である。波形２１１はコンデンサ素子１０１及び抵抗部１００を接続しないクロストーク対策なしの場合の波形である。波形２１２は背景技術の容量値Ｃａのコンデンサ素子のみを接続した場合の波形である。波形２１３は、信号受信部の寄生容量Ｃｌｏａｄの影響を考慮しているが、抵抗部１００を接続せず、容量値Ｃｐのコンデンサ素子１０１のみを接続した場合の波形である。波形２１４は容量値Ｃｐのコンデンサ素子１０１、抵抗値Ｒｐの抵抗部１００を接続した本第１実施形態の波形である。この図７（ａ）に示すように、各波形はほぼ同一である。
【００５０】
図７（ｂ）は受信端２０８のクロストークノイズの波形図である。波形２１５はコンデンサ素子１０１及び抵抗部１００を接続しないクロストーク対策なしの場合の波形である。波形２１６は背景技術の容量値Ｃａのコンデンサ素子のみを接続した場合の波形である。波形２１７は、信号受信部の寄生容量Ｃｌｏａｄの影響を考慮しているが、抵抗部１００を接続せず、容量値Ｃｐのコンデンサ素子１０１のみを接続した場合の波形である。波形２１８は容量値Ｃｐのコンデンサ素子１０１、抵抗値Ｒｐの抵抗部１００を接続した本第１実施形態の波形である。本第１実施形態の波形２１８は、波形２１５，２１６，２１７よりも、クロストークノイズのピーク値が低減している。
【００５１】
ここで、抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値を求めたが、この求めた値と一致する公称値の抵抗素子がない場合もある。その場合は、求めた値に最も近い公称値の抵抗素子を抵抗素子１００ａ，１００ｂとすればよい。つまり、抵抗部１００の抵抗値Ｒｐを、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値に設定するということは、実際の素子を選定した際に求めた値と選定した素子の実際の抵抗値とに誤差がある場合も含んでいる。このことは、コンデンサ素子１０１についても同様である。すなわち、コンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐを、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値に設定するということは、実際の素子を選定した際に求めた値と選定した素子の実際の容量値とに誤差がある場合も含んでいる。
【００５２】
そして、通常、各抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値には許容差（誤差）があり、また、コンデンサ素子１０１の容量値にも許容差（誤差）がある。したがって、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値とは、これら許容差がある場合も含んでいる。例えば、各抵抗素子１００ａ，１００ｂの抵抗値の許容差が±５［％］、コンデンサ素子１０１の許容差が±５［％］だとした場合には、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐの値は、±１０［％］の誤差がある場合も含んでいる。そのため、コンデンサ素子１０１と抵抗素子１００ａ，１００ｂとをチップ素子で構成したときのＣｐ×Ｒｐは最大±１０［％］の誤差が生じる。
【００５３】
以下、ｔｒ＝５００［ｐｓｅｃ］の場合に、Ｃｐ×Ｒｐ＝１６６±１０％（１５０〜１８３）［ｐｓｅｃ］となったときの、クロストークノイズをシミュレーション解析した。Ｃｐ×Ｒｐ＝１５０［ｐｓｅｃ］のときは、Ｃｐ＝０．９５［ｐＦ］、Ｒｐ＝１５８［Ω］とした。Ｃｐ×Ｒｐ＝１８３［ｐｓｅｃ］のときは、Ｃｐ＝１．０５［ｐＦ］、Ｒｐ＝１７４［Ω］とした。図８（ａ）にそのシミュレーション結果を示す。縦軸は電圧、横軸は時間である。波形２２３はＣｐ×Ｒｐ＝１５０［ｐｓｅｃ］のときのクロストークノイズ波形である。波形２２４はＣｐ×Ｒｐ＝１８３［ｐｓｅｃ］のときのクロストークノイズ波形である。波形２２３、波形２２４ともに波形２１８との変化は少なく、波形２１７よりもクロストークノイズのピーク値は低い。したがって、各素子１００ａ，１００ｂ，１０１の許容差を加味し、（Ｃｐ×Ｒｐ）×０．９≦ｔｒ／３≦（Ｃｐ×Ｒｐ）×１．１の範囲であれば、クロストークノイズのピーク値を低減させることができる。
【００５４】
また、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐの条件を保っていれば、厳密にＣｐ＝ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍである必要はなく、概ね等しければよい。容量値Ｃｐを概ね−２０［％］〜＋２０［％］の間で変化した場合には、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす範囲で抵抗値Ｒｐを変化させればよく、クロストークノイズのピーク値の低減効果が得られる。図８（ｂ）にそのシミュレーション解析結果を示す。縦軸が電圧で、横軸が時間である。波形２１９は容量値Ｃｐ（＝１．０［ｐＦ］）を２０％増やし、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たすように抵抗値Ｒｐを設定した場合の波形である。波形２２０は容量値Ｃｐ（＝１．０［ｐＦ］）を２０％減らし、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たすように抵抗値Ｒｐを設定した場合の波形である。図８（ｂ）に示すように、本第１実施形態の波形２１８、２１９、２２０は、波形２１７よりもクロストークノイズのピーク値が小さい。
【００５５】
なお、容量値Ｃｐを２０％よりも更に大きくすると、コンデンサ素子の電圧による打ち消し効果の方がクロストークノイズより大きくなり過ぎ、打ち消し効果自身がノイズになってしまう。そのため、＋２０％程度を上限としている。また、容量値Ｃｐを下げていけばコンデンサ素子の電圧によるノイズの打ち消し効果が小さくなるので、−２０％程度を下限としている。以上、コンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐを、ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍの±２０％の範囲に設定することでクロストークノイズのピーク値を効果的に低減することができる。
【００５６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板について説明する。図９は、本発明の第２実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。本第２実施形態においても同様に、プリント回路板２００Ａは、基板５０と、基板５０に実装されたＩＣ１０２，１０３と、を備えている。基板５０は、上記第１実施形態の図２と同様の４層構造である。ＩＣ１０２は、信号を送信（出力）する信号送信部２０３，２０４，２３６を有している。また、ＩＣ１０３は、信号を受信（入力）する信号受信部２０５，２０６，２３７を複数有している。各信号送信部２０３，２０４，２３６と各信号受信部２０５，２０６，２３７とは、基板５０に設けられた信号配線２０１，２０２，２３０で接続されている。つまり、プリント回路板２００Ａは、信号送信部、信号受信部及び信号配線を有する信号送受信系１５１，１５２，１５３を複数備えている。各信号配線２０１，２０２，２３０は、互いに平行に並列して配置されており、また、配線密度を高めるために互いに近接して配置されている。
【００５７】
図１０は、プリント回路板２００Ａの等価回路図である。本第２実施形態では、プリント回路板２００Ａは、各信号配線２０１，２０２，２３０に接続された信号配線と同数の抵抗素子２３１，２３２，２３３を備えている。また、プリント回路板２００Ａは、複数の信号配線のうちの近接する２本の信号配線に接続された２つの抵抗素子の間に接続された容量部としてのコンデンサ素子２３４，２３５を備えている。
【００５８】
図１１は、信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図である。図１１（ａ）はプリント回路板２００（基板５０）の第１層である信号配線層と第４層である信号配線層とを重ねて描いた透視平面図であり、図１１（ｂ）は第４層である信号配線層を描いた平面図である。なお、第１層は、基板５０の一方の面に形成され、第４層は、基板５０の他方の面に形成されている。ＩＣ１０２，１０３及び信号配線２０１，２０２，２３０は基板５０の一方の面の信号配線層に設けられているのに対し、抵抗素子２３１，２３２，２３３及びコンデンサ素子２３４，２３５は、基板５０の他方の面の信号配線層に設けられている。
【００５９】
プリント回路板２００Ａの基板５０には、図１１（ａ）に示すように、貫通穴であるビアホール１０４，１０５，１０８が形成されている。第１層である信号配線層において各信号配線２０１，２０２，２３０は、各ビアホール１０４，１０５，１０８に延びている。そして、各信号配線２０１，２０２，２３０には、図１１（ｂ）に示すように、各ビアホール１０４，１０５，１０８を介して第４層である信号配線層に設けた各抵抗素子２３１，２３２，２３３の一端が接続されている。そして、図１１（ｂ）に示すように、複数の信号配線２０１，２０２，２３０のうちの互いに隣接する２本の信号配線２０１，２０２に一端が接続された２つの抵抗素子２３１，２３２の他端の間にコンデンサ素子２３４が接続されている。同様に互いに隣接する２本の信号配線２０２，２３０に一端が接続された２つの抵抗素子２３２，２３３の他端の間にコンデンサ素子２３５が接続されている。
【００６０】
本第２実施形態では、各抵抗素子２３１，２３２，２３３の公称値である抵抗値をＲｐ／２［Ω］とし、その値には許容差（第１の許容差）がある。また、各コンデンサ素子２３４，２３５の公称値である容量値をＣｐ［Ｆ］とし、その値には許容差（第２の許容差）がある。
【００６１】
なお、図１１（ａ），図１１（ｂ）において、素子２３１、２３２、２３３、２３４、２３５をＩＣ１０３の近傍に配置しているが、ＩＣ１０３との距離やプリント回路板２００Ａでの配置面など、配置場所の制限はない。このとき、前記の説明で示した通りに、信号配線２０１、２０２、２３０と接続されていれば良い。また、素子２３１、２３２、２３３、２３４、２３５のそれぞれは、複数の部材で構成されていても良い。複数の部材で構成した場合は、それぞれ部材の持つ特性の総和が図１０の等価回路と同様の状態で示すことができればよい。
【００６２】
ここで本第２実施形態の各素子の値を、図１０の等価回路を参照しながら説明する。
基板５０の構造は上記第１実施形態と同一であり、信号配線２０１，２０２，２３０の長さも同じく５［ｃｍ］である。この断面構造で電磁界解析すると、信号配線２０１，２０２，２３０のインダクタンスやキャパシタンスが求められる。配線長５［ｃｍ］も考慮すると、自己インダクタンスＬｏ＝１６［ｎＨ］、自己容量Ｃｏ＝６．０［ｐＦ］、結合インダクタンスＬｍ＝３．５［ｎＨ］、結合容量Ｃｍ＝０．９６［ｐＦ］である。また信号受信部２０５，２０６，２３７の持つ寄生容量はＣｌｏａｄ＝３．０［ｐＦ］である。
【００６３】
同様に式（６）より、容量値Ｃｐを求めると、Ｃｐ＝ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍ＝１．０［ｐＦ］となる。また、本第２実施形態では、抵抗値Ｒｐ及び容量値Ｃｐは、信号送信部（ここでは信号送信部２０３）から出力される信号の立ち上がり時間ｔｒ［ｓｅｃ］に対して、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値に設定される。出力信号の立ち上がり時間ｔｒ＝５００［ｐｓｅｃ］とすると、抵抗値Ｒｐ＝ｔｒ／（３×Ｃｐ）＝１６６［Ω］となる。このとき、信号配線２０１，２０２間の抵抗素子は、２つの抵抗素子２３１，２３２であり、信号配線２０２，２３０間の抵抗素子は、２つの抵抗素子２３２，２３３である。そのため、それぞれの信号配線間の合成の抵抗値が１６６[Ω]となるように、各抵抗素子２３１，２３２，２３３の抵抗値を全て８３［Ω］（Ｒｐ／２）とした。
【００６４】
また上記各パラメータによるクロストークノイズ波形のシミュレーション結果を図１２へ示す。縦軸は電圧、横軸は時間である。この図１２に示す波形は、信号送信部２０４から信号を出力し、信号送信部２０３，２３６は信号を出力しないときの、受信端２０８へのクロストークノイズ波形である。波形２５０はクロストーク対策なしの場合のクロストークノイズの波形である。波形２５１は背景技術の容量値Ｃａ＝０．３５［ｐＦ］のコンデンサ素子のみを接続した場合の波形である。波形２５２は信号受信部の寄生容量の影響を考慮しているが、容量値Ｃｐ＝１．０［ｐＦ］のコンデンサ素子のみを接続した波形である。波形２５３は容量値Ｃｐのコンデンサ素子２３４，２３５、抵抗値Ｒｐ／２の抵抗素子２３１，２３２，２３３を接続した本第２実施形態の波形である。本第２実施形態の波形２５３は、波形２５０，２５１，２５２よりも、クロストークノイズのピーク値が低減している。
【００６５】
なお図１２に示す本第２実施形態のシミュレーション結果が、図７に示す上記第１実施形態のシミュレーションと同様な結果が得られているため、パラメータの変動についても同様に考えることができる。
【００６６】
すなわち、抵抗素子２３１，２３２，２３３の抵抗値Ｒｐ／２（つまり抵抗値Ｒｐ）を、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値に設定するということは、実際の素子を選定した際に求めた値と選定した素子の実際の抵抗値とに誤差がある場合も含んでいる。同様に、コンデンサ素子２３４，２３５の容量値Ｃｐを、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値に設定するということは、実際の素子を選定した際に求めた値と選定した素子の実際の容量値とに誤差がある場合も含んでいる。更に、通常、各抵抗素子２３１，２３２，２３３の抵抗値には許容差（誤差）があり、また、コンデンサ素子２３４，２３５の容量値にも許容差（誤差）がある。したがって、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たす値とは、これら許容差がある場合も含んでいる。例えば、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐの関係は、各許容差が±５［％］の場合は、出力信号の立ち上がり時間ｔｒに対して、±１０［％］の変動があっても良い。また、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐの条件を満たしていれば、Ｃｐ＝ｋ×（Ｃｏ＋Ｃｌｏａｄ）−Ｃｍを厳密に守る必要はない。容量値Ｃｐが、概ね−２０［％］〜＋２０［％］の間で変化した場合でも、ｔｒ／３＝Ｃｐ×Ｒｐを満たすように抵抗値Ｒｐを設定すれば、クロストークノイズのピーク値の低減効果が得られる。
【００６７】
また、本第２実施形態では、信号配線２０２のように、両側に隣接する信号配線２０１と信号配線２３０がある場合は、１つの抵抗素子２３２で各コンデンサ素子２３４，２３５に接続する。これによると、本第２実施形態では、上記第１実施形態よりも、基板へ配置する抵抗素子の数を減らすことができる。
【００６８】
［第３実施形態］
次に本発明の第３実施形態に係るプリント回路板について説明する。図１３は、本発明の第３実施形態に係るプリント回路板の概略構成を示す説明図である。図１４は、信号受信部近傍の各素子の接続状態を示す図である。図１４（ａ）はプリント回路板２００Ｂ（基板５０）の第１層である信号配線層と第４層である信号配線層とを重ねて描いた透視平面図であり、図１４（ｂ）は第４層である信号配線層を描いた平面図である。ここで、上記第２実施形態では、プリント回路板２００Ａが容量部としてコンデンサ素子２３４，２３５を備える場合について説明した。本第３実施形態では、この容量部が上記第２実施形態と異なるものであり、その他の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００６９】
本第３実施形態のプリント回路板２００Ｂは、図１３に示すように、上記第２実施形態と同様に、基板５０にＩＣ１０２，１０３が実装されている。そして、各信号送信部２０３，２０４，２３６と各信号受信部２０５，２０６，２３７とが信号配線２０１，２０２，２３０で接続されている。図１４（ａ），（ｂ）において、第１層は、基板５０の一方の面に形成され、第４層は、基板５０の他方の面に形成されている。ＩＣ１０２，１０３及び信号配線２０１，２０２，２３０は基板５０の一方の面の信号配線層に設けられているのに対し、抵抗素子２３１，２３２，２３３及び容量部２３４Ａ，２３５Ａは、基板５０の他方の面の信号配線層に設けられている。
【００７０】
プリント回路板２００Ｂの基板５０には、図１４（ａ）に示すように、貫通穴であるビアホール１０４，１０５，１０８が形成されている。第１層である信号配線層において各信号配線２０１，２０２，２３０は、各ビアホール１０４，１０５，１０８に延びている。そして、各信号配線２０１，２０２，２３０には、図１４（ｂ）に示すように、各ビアホール１０４，１０５，１０８を介して第４層である信号配線層に設けた各抵抗素子２３１，２３２，２３３の一端が接続されている。そして、図１４（ｂ）に示すように、複数の信号配線２０１，２０２，２３０のうちの互いに隣接する２本の信号配線２０１，２０２に一端が接続された２つの抵抗素子２３１，２３２の他端の間に容量部２３４Ａが接続されている。同様に互いに隣接する２本の信号配線２０２，２３０に一端が接続された２つの抵抗素子２３２，２３３の他端の間に容量部２３５Ａが接続されている。
【００７１】
ここで、容量部２３４Ａは、基板５０の第４層の信号配線層に設けられ、互いに対向して配置された一対の配線３０１，３０２である。同様に、容量部２３５Ａは、基板５０の第４層の信号配線層に設けられ、互いに対向して配置された一対の配線３０３，３０４である。このように、容量部２３４Ａ，２３５Ａを一対の配線で構成したので、別途、コンデンサ素子を設けなくてもよく、基板に配置する部材の数を減らすことができる。
【００７２】
ここで、一対の配線３０１，３０２は長手方向で向かい合っており、同一端が信号配線２０１，２０２と接続されている。一対の配線３０１，３０２の配線間隙は０．０１［ｍｍ］である。上記第１実施形態のシミュレーション例で示したコンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐ＝１．０［ｐＦ］と同じ容量値となる配線の長さは７．０［ｍｍ］である。また一対の配線３０３，３０４は長手方向で向かい合っており、同一端が信号配線２０２，２３０と接続されている。一対の３０３，３０４の配線間隙は０．０１［ｍｍ］である。第１実施形態のシミュレーション例で示したコンデンサ素子１０１の容量値Ｃｐ＝１．０［ｐＦ］と同じ容量値となる配線の長さは７．０［ｍｍ］である。また、配線３０２と配線３０３とがＩＣ１０３から等距離に配置され、配線３０２と配線３０３とが向かい合って配置された場合、配線３０２と配線３０３との間隙は０．２２［ｍｍ］である。このときの配線３０２と配線３０３との間に発生する容量値は、０．０２９［ｐＦ］である。この大きさは、配線３０１と配線３０２との間の容量値、配線３０３と配線３０４との間の容量値１．０［ｐＦ］に比べて十分小さい。
【００７３】
なお、上記第１〜第３実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。上記第１〜第３実施形態では、信号送信部２０３から信号が送信された場合について説明したが、他の信号送信部から信号が送信された場合についても同様にクロストークノイズのピーク値を低減することができる。
【００７４】
また、上記第３実施形態では、容量部として、上記第２実施形態のコンデンサ素子を一対の配線で構成した場合について説明したが、容量部として、上記第１実施形態のコンデンサ素子を上記第３実施形態と同様に一対の配線で構成してもよい。
【００７５】
また、上記第１実施形態では、抵抗部が２つの抵抗素子に分かれてコンデンサ素子の両端に配置される場合について説明したが、これに限定するものではなく、抵抗部がコンデンサ素子のいずれかの一端に配置されていてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
５０  基板
１００  抵抗部
１００ａ，１００ｂ  抵抗素子
１０１  コンデンサ素子（容量部）
１５１，１５２，１５３  信号送受信系
２００，２００Ａ，２００Ｂ  プリント回路板
２０１，２０２，２３０  信号配線
２０３，２０４，２３６  信号送信部
２０５，２０６，２３７  信号受信部
２３１，２３２，２３３  抵抗素子
２３４，２３５  コンデンサ素子（容量部）
２３４Ａ，２３５Ａ  容量部
３０１，３０２  一対の配線
３０３，３０４  一対の配線
Ｃｌｏａｄ  寄生容量
Ｃｍ  結合容量
Ｃｏ  自己容量
Ｃｐ  容量値
ｋ  結合係数
Ｌｍ  結合インダクタンス
Ｌｏ  自己インダクタンス
Ｒｐ  抵抗値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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