(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳスイッチ（２０、３０、４０）であって、
基板（２８）と、
前記基板（２８）に結合されるとともに、第１の側面と第２の側面とを有する可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）と、
前記基板（２８）に結合されるとともに、前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）を導通状態の方向へと引っ張る第１の作動力を生成するよう前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）の前記第１の側面に配置された第１の固定電極（２４、５４）と、
前記基板（２８）に結合され、前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）を非導通状態の方向へと引っ張る第２の作動力を生成するよう前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）の前記第２の側面に配置された第２の固定電極（２７、３７、４７）と、
前記基板（２８）に機械的に結合されるとともに、負荷回路及び前記第２の固定電極（２７、３７、４７、５７、６７）に電気的に結合された固定接点（２６）と
を備えることを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
【請求項２】
前記第２の固定電極（２７、３７、４７）が前記第１の固定電極（２４、５４）の上方に配置される、請求項１に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
前記第２の固定電極（４７）が少なくとも２つの位置（４１ａ、４１ｂ）で前記基板に結合される、請求項２に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項４】
前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）が非導通状態に固定される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項５】
前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）が前記第２の固定電極（２７、３７、４７）と接触することを防止するよう、前記可動アクチュエータの上方に配置された絶縁体をさらに備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項６】
前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）が前記第２の固定電極（２７、３７、４７）と接触することを防止するため、前記可動アクチュエータ（２２、３２、１３２）の上方に配置された絶縁体をさらに備える、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項７】
前記可動アクチュエータ（２２、３２，１３２）が導電性である、請求項６に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は一般に、微細電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
微細電子機械システム（ＭＥＭＳ）は一般に、微細加工技術を用いて共通の基板上に機械素子、電気機械素子、センサ、アクチュエータ、および電子機器などの機能的に別個の複数の素子を集積できるミクロンスケールの構造のことである。ＭＥＭＳのサイズは一般に、小型密封パッケージ内のマイクロメートルからミリメートルの範囲にある。ＭＥＭＳスイッチは、基板上に配置されたゲートまたは電極の作用によって固定電気接点の方向に移動する可動アクチュエータを有する。
【０００３】
図１は、開状態、すなわち非導通状態にある先行技術による従来のＭＥＭＳスイッチを示す。ＭＥＭＳスイッチ１０は基板１８と、可動アクチュエータ１２と、接点１６と、基板１８の機械的に結合された制御電極１４とを含む。可動アクチュエータ１２は動作時、可動アクチュエータ１２の下方の基板１８上の配置された（ゲートまたはゲートドライバとも呼ばれる）制御電極１４の作用によって接点１６の方向に移動する。可動アクチュエータ１２は、静電引力、磁気引力および斥力などの印加された力によって、またはビームの自由端と固定接点１６との間の空隙を塞ぐ熱誘導された示差膨張によって屈曲する可撓性ビームであってよい。可動アクチュエータ１２は通常は、除勢状態では可動電極のばね剛性によって固定接点１６から離隔した状態に保たれている。しかし、固定接点１６と可動電極１２の両端に十分に大きい電圧が印加されると、その結果生ずる静電力によって可動電極１２は、制御電極１４によってゲーティング信号が供給されなくても自己作動することが可能になる。
【０００４】
ヒューズ、接触器およびブレーカなどの代用として、ＭＥＭＳスイッチの電力システムへの適用が注目され始めている。所定の全体電圧と定格電流とを有する電力スイッチングデバイスを構成する際の重要な設計上の配慮事項の１つは、デバイスを構成するスイッチアレイに使用される個々のスイッチの基本的な電圧および定格電流である。特に、個々のスイッチがその電力接点の両端間で耐えられる電圧は重要なパラメータである。個々のＭＥＭＳスイッチの定格電圧を決定する幾つかの要因と作用が存在する。このような要因の１つは自己作動電圧である。
【０００５】
ＭＥＭＳスイッチでは、自己作動電圧はスイッチの電圧容量に上限を置く作用である。電線と負荷接点との間の（例えば可動アクチュエータと固定接点との間の）静電力は、アクチュエータと接点の両端間の電圧がある閾値を超えると、可動アクチュエータを作動させ、または固定接点と接触させる。ある電流スイッチングの用途では、この自己作動の結果、スイッチまたは下流のシステムに壊滅的な故障を生ずることがある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態では、基板と、基板に結合されるとともに第１の側面と第２の側面とを有する可動アクチュエータと、基板に結合されとともに可動アクチュエータを導通状態の方向へと引っ張る第１の作動力を生成するよう可動アクチュエータの第１の側面に配置された第１の固定電極と、基板に結合されるとともに可動アクチュエータを非導通状態の方向へと引っ張る第２の作動力を生成するよう可動アクチュエータの第２の側面に配置された第２の固定電極とを含む、ＭＥＭＳスイッチを提供する。
【０００７】
別の実施形態では、ＭＥＭＳスイッチの製造方法を提供する。この方法は、第１の固定制御電極と固定接点とを基板上の絶縁層上に形成するステップと、可動アクチュエータが第１の固定制御電極および接点の上に張り出すよう可動アクチュエータを絶縁層上に形成するステップと、第２の制御電極を絶縁層上に形成し可動アクチュエータの上に張り出すステップとを含む。この方法はさらに、可動アクチュエータを解除して、接点が第１の固定制御電極と可動アクチュエータとの間に生成される第１の作動力に応動する第１の導通状態の方向と、第２の固定制御電極と可動アクチュエータとの間に生成される第２の作動力に応動する第２の非導通状態にアクチュエータが引っ張られることを可能にするステップを含む。
【０００８】
別の実施形態では、ＭＥＭＳスイッチアレイを提供する。ＭＥＭＳスイッチアレイは、基板と、基板に結合されるとともに上面と底面とを有する第１の可動アクチュエータと、基板に結合されるとともに上面と底面とを有する第２の可動アクチュエータとを含む。ＭＥＭＳスイッチアレイはさらに、基板に結合されるとともに第１および第２の可動アクチュエータを導通状態の方向へと引っ張る第１の作動力を生成するよう第１および第２の可動アクチュエータの底面に配置された第１の固定制御電極と、基板に結合されるとともに第１および第２の可動アクチュエータを非導通状態の方向へと引っ張る第２の作動力を生成するよう第１および第２の可動アクチュエータの上面に配置された第２の固定制御電極とを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の上記の、およびその他の特徴、態様および利点は、全図面を通して同様の参照番号が同様の部品を表す添付図面を参照して以下の詳細な説明を読むことによってより明解に理解されよう。
【００１０】
以下の詳細な説明では、本発明の様々な実施形態を完全に理解するために多くの特定の細部を記載する。しかし、本発明の実施形態はこれらの特定の細部がなくても実施でき、本発明が記載の実施形態に限定されるものではなく、本発明を様々な代替実施形態で実施できることが当業者には理解できよう。また、周知の方法、手順および構成要素の詳細な説明は省略する。
【００１１】
さらに、様々な動作を、本発明の理解に有用な態様で実行される複数の個別ステップとして記載できる。しかし、記載の順序は、これらの動作を提示の順序で実行する必要があることを示唆するものとしても、順序に依存するものとしても解釈されるべきではない。さらに、「一実施形態」の語句を繰り返し用いても、同じ実施形態である場合もあるが、必ずしも同じ実施形態を意味するものではない。最後に、本出願で用いられる「備える」、「含む」「有する」などの用語、並びにそれらの変化形は、別途指摘されない限り同義語であることを意図するものである。
【００１２】
図２は、スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチの一実施形態を示す概略図である。「ＭＥＭＳ」と言う用語は一般にミクロンスケールの構造のことを言う。しかし、本明細書全体を通して記載される実施形態は、別途指示されない限りサブミクロンスケールのデバイスに限定されるべきではない。図示の実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ２０は、基板２８に機械的に結合された可動アクチュエータ２２を含む。一実施形態では、可動アクチュエータ２２は完全に、または部分的に導電性である。基板２８は導電性でも、半導電性でも絶縁性でもよい。基板２８が導電性である実施形態では、スイッチ接点／電極間の、および可動アクチュエータのそれぞれどうしの不都合な短絡を防止するため、電極基板に絶縁層または電気絶縁層を被覆してもよい。導電性基板の非限定的な例には、シリコンとゲルマニウムから形成される基板が含まれ、一方、電気絶縁層の非限定的な例には窒化シリコン、酸化シリコンおよび酸化アルミニウムが含まれる。
【００１３】
ＭＥＭＳスイッチ２０はさらに、（ゲートまたは制御電極とも呼ばれる）第１の電極２４と、接点２６とを含む。一実施形態では、２つのコンポーネントの間に電圧差が印加されると第１の電極２４と可動アクチュエータ２２との間に静電力を生成できる。従って、作動すると、可動アクチュエータ２２は第１の電極２４の方向に吸引され、最終的には接点２６と電気的に接触する。しかし、前述のように、高圧の用途では従来のＭＥＭＳスイッチは、第１の電極２４に信号が印加されなくても自己作動する傾向がある。本発明の一実施形態によると、自己作動力とは反対の第２の作動力を生成するために、（対向電極とも呼ばれる）第２の電極２７が、可動アクチュエータが接点２６から離れて非導通状態の方向に引っ張られるように備えられる。
【００１４】
一実施形態では、第２の電極２７は可動アクチュエータ２２と同じ基板２８に結合され、（例えば基板２８と平行かつ対向する側面で）可動アクチュエータ２２の上方に、かつ少なくとも部分的に接点２６の上方に配置される。可動アクチュエータ２２と対向電極２７との間の電極の間隔の変動を、対向電極２７を可動アクチュエータ２２と同じ基板上に製造することによって、厳密に制御されたフォトリソグラフィ工程で除去することができる。
【００１５】
基板接点２６と可動アクチュエータ２２との間に存在する静電力は、式１で示すようにコンデンサの両端間の力として近似的に計算することができる。ただし、プレート領域は２つの電極の共通の領域である。
［式１］
Ｆelectrostatic＝ε０・Ａ・Ｖ２／ｇ２
Ｆelectrostatic＝静電引力（Ｎ）
ε０＝８．８５−１２（ファラデー／ｍ）
Ａ＝重複領域（ｍ２）
Ｖ＝空隙間の電圧（Ｖ）
ｇ＝接点の空隙（ｍ）
従って、接点２６と可動アクチュエータ２２との空隙間の電圧差が増大すると、または重複領域（ａ１）が増大すると、または空隙（ｄ１）が縮小すると、結果として生ずる静電力は大きくなる。同様に、電極２７と可動アクチュエータ２２との間の空隙間の電圧差が増大すると、または重複領域（ａ２）が増大すると、または空隙（ｄ２）が縮小すると、結果として生ずる静電力は大きくなる。従って、対向電極２７は所望のスタンドオフ電圧に基づいて設計することができる。一実施形態では、距離ｄ２はｄ１よりも大きい。一実施形態では、ａ２はａ１よりも大きい。
【００１６】
一実施形態では、第１の電極２４と可動アクチュエータ２２との間の電圧レベルは可動アクチュエータ２２と対向電極２７との間の電圧レベルとは別個に制御される。一実施形態では、スイッチ２０を非導通状態（例えば開状態）に保ちたい場合は、第１の電極２４と可動アクチュエータ２２との間に印加される電圧をゼロまたはその他の比較的低い値に設定する一方、対向電極２７と可動アクチュエータ２２との間に印加される電圧を比較的高い値に設定することができる。スイッチを導通状態（例えば閉状態）に保ちたい場合は、第１の電極２４と可動アクチュエータ２２との間に印加される電圧を比較的高い値に設定する一方、対向電極２７と可動アクチュエータ２２との間に印加される電圧をゼロ電圧または比較的低い値に設定することができる。
【００１７】
別の実施形態では、接点２６と可動アクチュエータ２２との間に存在するいかなる電圧も可動アクチュエータ２２と対向電極２７との間に生ずるように、対向電極２７を接点２６に電気的に結合してもよい。対向電極２７のサイズ、ならびに対向電極２７と可動アクチュエータ２２との間の間隔を概略的に選択することによって、接点２６と可動アクチュエータ２２との間に生成する自己作動力を、可動アクチュエータ２２と対向電極２７との間に生成する反対の吸引力と平衡させることができる。
【００１８】
本明細書で用いる「上方」と言う用語は、基準となる対象よりも基板２８からさらに離れた位置を意味するものであり、一方、「下方」と言う用語は基準となる対象よりも基板２８に近い位置を意味するものである。例えば、用語が可動アクチュエータ２２の「上方」である場合は、その品目は基準となる可動アクチュエータ２２よりもさらに基板２８から離れている。一実施形態では、ＭＥＭＳスイッチ２０は、可動アクチュエータ２２が対向電極２７と接触することを防止するため、可動アクチュエータ２２の上方に配置された絶縁体（図示せず）を含んでいてもよい。一実施形態では、絶縁体を対向電極２７の一部として、または別個のコンポーネントとして製造してもよい。絶縁体は絶縁、高抵抗または誘電特性を有する材料から形成してもよい。さらに、絶縁体は剛性、または半剛性のピンまたは柱の形態のものでもよく、または絶縁体をコーティングのように対向電極に堆積してもよい。さらに、絶縁体を対向電極２７の下面（例えば基板２８と同じ側）、または可動アクチュエータ２２の上面（例えば基板２８からさらに離れた側）に製造してもよい。一実施形態では、非導通状態では、対向電極２７から電気的に絶縁された状態を保ちつつ対向電極２７と物理的に接触するように可動アクチュエータ２２を配置してもよい。別の実施形態では、導通状態では、可動アクチュエータ２２は対向電極２７の方向に吸引されてもよいが、対向電極２７と機械的かつ電気的に絶縁された状態に保たれる。このような非導通状態では、可動アクチュエータ２２は固定位置に留まっていてもよい。
【００１９】
図３は、図２のＭＥＭＳスイッチ２０の上面図を示す概略図である。図３から分かるように、対向電極２７は可動アクチュエータ２２と平行に配置されている。前述のように、対向電極２７と可動アクチュエータ２２との重複領域を、２つのコンポーネント間に望まれる静電力に基づいて設計することができる。例えば、図３に示すように、対向電極２７の幅（ｗ２）を、可動アクチュエータ２２の幅（ｗ１）よりも大きく、または小さく設計してもよい。
【００２０】
図４および図５は、本発明の代替実施形態によるＭＥＭＳスイッチ３０の側面図と上面図とをそれぞれ示す。ＭＥＭＳスイッチ３０は実質的に、図２および図３のＭＥＭＳスイッチ２０と類似している。特に、可動アクチュエータ２２と同じ基板２８に結合された対向電極３７が備えられている。しかし、図４および図５の例示的実施形態では、対向電極３７は可動アクチュエータ２２の上方において、可動アクチュエータ３２に直交して接点２６のほぼ反対側に位置している。
【００２１】
図６は、本発明の別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ４０の概略図を示す。図示のように、ＭＥＭＳスイッチ４０はＭＥＭＳスイッチ３０とほぼ同様であり、可動アクチュエータ３２、電極２４および接点２６を含んでおり、これらはすべて基板２８に結合されている。しかし、図６では、対向電極４７は少なくとも２つの位置（４１ａ、４１ｂ）で基板２８に結合されている。
【００２２】
図７は、本発明のさらに別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ５０の概略図を示す。ＭＥＭＳスイッチ５０はＭＥＭＳスイッチ３０とほぼ同様であるが、ＭＥＭＳスイッチ５０は少なくとも２つの可動アクチュエータ３２と重複する対向電極５７を含む。可動アクチュエータ３２は電気的に絶縁されても、直列または並列に結合されても、または直列−並列配置されてもよい。図示の実施形態では、可動アクチュエータ３２を、共通の負荷接点５６と共通のゲートドライブ（例えば電極５４）を共用しているものとして示す。しかし、その代わりに可動アクチュエータ３２は別個に作動されてもよく、可動アクチュエータ３２は別個の負荷回路に電気的に結合されてもよい。
【００２３】
図８は、本発明のさらに別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ６０を示す概略図である。図示のように、ＭＥＭＳスイッチ６０は、対向電極６７が少なくとも２つの位置（６１ａ、６１ｂ）で基板２８に結合されている点でＭＥＭＳスイッチ４０とほぼ同様である。しかし、それに加えて、図８の対向電極６７は少なくとも２つの可動アクチュエータ３２と重複している。図７のＭＥＭＳスイッチ５０の場合と同様に、可動アクチュエータ３２は電気的に絶縁されても、直列または並列に結合されても、または直列−並列配置されてもよい。図示の実施形態では、可動アクチュエータ３２を、共通の負荷接点５６と共通のゲートドライブ（例えば電極５４）を共用しているものとして示す。しかし代替的に、可動アクチュエータ３２は別個に作動されてもよく、可動アクチュエータ３２は別個の負荷回路に電気的に結合されてもよい。
【００２４】
図９〜３０は、本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的な製造工程を示す。ＭＥＭＳスイッチ７０は図２および図３のＭＥＭＳスイッチ２０と同様の形態に見えるが、以下の製造工程を、スタンドオフ電圧制御が改善された前述のいずれのＭＥＭＳスイッチの製造に適応させてもよい。さらに、本明細書では例示的製造工程を記載するが、本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく工程を様々に変化させることもできる。
【００２５】
図９では基板２８が与えられる。一実施形態では、基板はシリコン製である。図１０では、化学蒸着または熱酸化法を用いて電気絶縁層１０１を基板２８上に堆積してもよい。一実施形態では、電気的絶縁層１０１はＳｉ３Ｎ４を含む。図１１では、導電性電極が電気絶縁層１０１上に堆積され、パターン形成される。より具体的には、接点２６、制御電極２４およびアンカ接点１２２が形成される。一実施形態では、接点２６、制御電極２４およびアンカ接点１２２は金などの導電性材料製であり、同じマスクから形成されてもよい。なお、アンカ接点１２２を（後述する）可動アクチュエータの一部として形成することもできるが、アンカ接点１２２を追加することによって製造を簡単にできる。図１２では、可動アクチュエータと制御電極２４との間の短絡を防止するため、絶縁層１０３が制御電極２４上に堆積される。一実施形態では、絶縁層１０３をＳｉＮ４から形成してもよいが、他の絶縁コーティングまたは高抵抗コーティングを使用してもよい。別の実施形態では、絶縁層を可動電極の下面に形成することができる。あるいは、可動アクチュエータが制御電極２４に接触することを防止するため、制御電極２４と接点２６との間に機械的ピンを製造してもよい。このような場合は、絶縁層１０３は必要ない。
【００２６】
図１３および図１４に２つの工程ステップを示すが、ＭＥＭＳスイッチ７０にどの機能が望まれるかに応じてこれらのステップを完全に省いてもよい。より具体的には、図１３は接点をより高くするために、接点２６上に付加的な導電性材料が堆積されるステップを示す。これは、可動アクチュエータに必要な移動距離を縮小し、さらに可動アクチュエータが制御電極２４に接触するのを防止するために有用であることがある。しかし、接点２６が可動電極に近いほど、式１に示されるように２つのコンポーネント間に生ずる静電力が大きくなることに留意されたい。図１４では、付加的な接点材料１０５が接点２６上に堆積される。接点材料は、スイッチの寿命を延ばしつつ、接点２６と可動アクチュエータとの間の導電性を高めるために使用されてもよい。
【００２７】
図１５では、接点２６、制御電極２４およびアンカ接点１２２の上面に犠牲層１０７が堆積される。一実施形態では、犠牲層１０７はＳｉＯ２でよい。図１６は、犠牲層１０７が例えば化学的−機械的研磨によって研磨される任意選択の研磨工程を示す。図１７では、犠牲像１０７がエッチングされたアンカ接点１２２が露出している。可動アクチュエータ上の接点材料層を追加したい場合は、図１８に示すように付加的な接点１０９をパターン形成してもよい。
【００２８】
図１９〜２３は可動アクチュエータ１３２の形成を示す。一実施形態では、可動アクチュエータ１３２は電気メッキ工程によって形成される。図１９では、電気メッキ工程用のシード層１１１が準備される。図２０では、図２１に示される可動アクチュエータ１３２を電気メッキするためのモールド１１３がパターン形成される。図２２および図２３では、電気メッキモールド１１３とシード層１１とが除去される。
【００２９】
可動アクチュエータ１３２が一旦形成されると、本明細書に記載の対向電極１３７を形成してもよい。対向電極形成工程の一部として、図２４に示されるように第２の犠牲層１１５を堆積し、任意選択で研磨してもよい。一実施形態では、第２の犠牲層はＳｉＯ２からなっていてよい。図２５では、対向電極１３７が図示のように形成される位置で犠牲層１１５および犠牲層１０７がエッチングされる。次いで、図２６および図２７に示されるように、電気メッキシード層１１７と電気メッキモールド１１９とが形成される。図２８で、対向電極１３７が電気メッキされる。一実施形態では、対向電極１３７は金などの導電性材料から形成される。図２９および図３０では、電極モールド１１９とシード層１１７とが除去され、図３０では犠牲層１１５が除去されて対向電極を開放する。
【００３０】
本明細書では本発明のある特定の機構のみを図示し、記載してきたが、当業者には多くの修正と変更が想起可能であろう。従って、添付の請求項は本発明の真の趣旨に含まれるこのような修正および変更の全てを網羅することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】開状態、すなわち非導通状態にある先行技術による従来のＭＥＭＳスイッチを示す図である。
【図２】スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチの一実施形態を示す概略図である。
【図３】図２のＭＥＭＳスイッチ２０の概略上面図である。
【図４】本発明の代替実施形態によるＭＥＭＳスイッチ３０の概略側面図である。
【図５】本発明の代替実施形態によるＭＥＭＳスイッチ３０の概略上面図である。
【図６】本発明の別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ４０の概略図である。
【図７】本発明のさらに別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ５０の概略図である。
【図８】本発明の別の実施形態によるＭＥＭＳスイッチ６０の概略図である。
【図９】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１３】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１７】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１８】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図１９】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２０】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２１】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２２】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２５】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２６】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２７】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２８】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図２９】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【図３０】本発明の実施形態によるスタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチを製造するための例示的製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１０  先行技術のＭＥＭＳスイッチ
１２  可動アクチュエータ
１４  制御電極
１６  接点
１８  基板
２０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
２２  可動アクチュエータ
２４  制御電極
２６  接点
２７  対向電極
２８  基板
３０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
３２  可動アクチュエータ
３７  対向電極
４０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
４１ａ  対向電極結合ポイント
４１ｂ  対向電極結合ポイント
４７  対向電極
５０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
５４  共用電極
５６  共用電極
５７  対向電極
６０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
６１ａ  対向電極結合ポイント
６１ｂ  対向電極結合ポイント
６７  対向電極
７０  スタンドオフ電圧制御が改善されたＭＥＭＳスイッチ
１０１  電気絶縁層
１０３  絶縁層
１０５  接点材料
１０７  犠牲層
１０９  可動アクチュエータ接点
１１１  シード層
１１３  電気メッキ層
１１５  第２の犠牲層
１２２  アンカ接点
【図１】
0005478060.tif 000002
【図２】
0005478060.tif 000003
【図３】
0005478060.tif 000004
【図４】
0005478060.tif 000005
【図５】
0005478060.tif 000006
【図６】
0005478060.tif 000007
【図７】
0005478060.tif 000008
【図８】
0005478060.tif 000009
【図９】
0005478060.tif 000010
【図１０】
0005478060.tif 000011
【図１１】
0005478060.tif 000012
【図１２】
0005478060.tif 000013
【図１３】
0005478060.tif 000014
【図１４】
0005478060.tif 000015
【図１５】
0005478060.tif 000016
【図１６】
0005478060.tif 000017
【図１７】
0005478060.tif 000018
【図１８】
0005478060.tif 000019
【図１９】
0005478060.tif 000020
【図２０】
0005478060.tif 000021
【図２１】
0005478060.tif 000022
【図２２】
0005478060.tif 000023
【図２３】
0005478060.tif 000024
【図２４】
0005478060.tif 000025
【図２５】
0005478060.tif 000026
【図２６】
0005478060.tif 000027
【図２７】
0005478060.tif 000028
【図２８】
0005478060.tif 000029
【図２９】
0005478060.tif 000030
【図３０】
0005478060.tif 000031