(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板の外周端よりも中心部側の主表面において、外周端部と、記録再生領域の中心部との２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、
前記２箇所の各領域間の微小うねりＲｑの差が０．０２ｎｍ以下であり、
前記記録再生領域の中心部の微小うねりＲｑに対する前記外周端部の微小うねりＲｑの比が１．１以下であり、
前記主表面の全面における微小うねりＲｑの平均値が０．４ｎｍ以下であり、
前記ガラス基板の外周端部のＤｕｂｏｆｆが３０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項２】
前記２箇所の各領域間の微小うねりＲｑの標準偏差の差が０．０４ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項３】
前記２箇所の各領域間の微小うねりＲｑの標準偏差の比が１．１以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項４】
前記ディスクの外周端部は、ディスク外周端からディスク中心方向に向かって１．０ｍｍ内側の点、又はそれより内側の領域であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項５】
前記各領域は、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿う領域であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項６】
前記ガラス基板の外周端部形状が、主表面を基準面として±３０ｎｍ以内の範囲に収まる形状であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項７】
タッチダウンハイトが５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項８】
ロードアンロード式用の磁気ディスクであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする磁気ディスク。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程と、
上記磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録再生を可能にする磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、及び磁気ディスクの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記憶装置に搭載される情報記録媒体の一つとして、ハードディスク（ＨＤＤ）に搭載される磁気ディスクが知られている。磁気ディスクにおいては近年、記録容量の向上に対する要請が強く、高密度記録化や、記録エリアの拡大が急務となっている。【０００３】
高密度の記録を可能にする要因として、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの浮上高さをできるだけ低くすることが必要であり、そのためには磁気ディスク表面をより平滑にする必要がある。【０００４】
また、記録エリアの拡大のためには、主表面の平滑な領域をできるだけ広く確保する必要がある。しかし、ガラス基板の研磨条件によって、基板外周端部において、ガラス基板の主表面に対して面が下がる面弛れ（面だれ）や、主表面に対する面の盛り上がり（以下隆起という）が生じ、このような形状をもつ磁気ディスクに対して磁気ヘッドを浮上走行させると、面弛れや隆起の箇所でヘッドが傾き、ヘッドの飛行が不安定になるのでクラッシュを起こすことがあり、また、面弛れや隆起の箇所は記録エリアの拡大の障害となっていた。【０００５】
近年では磁気ディスクが平滑になった場合であっても磁気ヘッドの吸着を防止するために、磁気ヘッドにパッドを取り付けた磁気ヘッドや、より低浮上高さが実現可能となるＬＵＬ（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ：ロードアンロード）方式の開発が盛んに行われている。このＬＵＬ方式の場合、通常、磁気ディスク表面は平滑であって、磁気ヘッドは磁気ディスクが停止しているときは、磁気ディスクの外側に待機しており、磁気ディスクが回転した後、ガイド機構を使って磁気ヘッドがディスクの外側からディスク面上に移動してきて記録再生を行うので、一般にＣＳＳ方式と比較して低浮上走行となる。ＬＵＬ方式の場合、磁気ヘッドの浮上安定性を確保するため基板の外周端部形状をＣＳＳ方式に比べ厳密に制御する必要がある。ＬＵＬ方式の場合、ヘッドの低浮上走行が可能であるので、ＣＳＳ方式に比べより高密度記録が可能となる。【０００６】
そこで、ＬＵＬ方式による磁気ヘッドの低浮上化を実現するために、高密度記録が可能な程度に十分な平滑度を有し、かつ、記録エリアを周縁にまで拡大することが可能とするべく、外周端部形状を所定の値に規定（例えばガラス基板の主表面に対して面が下がる面弛れ（面だれ）などを規定）した発明がある（特開２００４−２６５５８２（特許文献１））。【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２６５５８２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、いくら高精度に研磨するなどして、ガラス基板の外周端部形状を改善したとしても、即ち、ガラス基板の主表面に対して面が下がる面弛れ（面だれ）や、主表面に対する面の盛り上がり（隆起）を小さくしたとしても、このような形状をもつ磁気ディスクに対して磁気ヘッドを浮上走行させると、ヘッドの飛行が不安定になり、磁気ヘッドの浮上高さを下げることができないという問題が生じた。このことを以下で詳しく説明する。【０００９】
まず、ガラス基板の外周端部形状の指標（外周端部形状が主表面を基準面（ゼロ）として±何μｍの範囲に収まるかの外周端部形状の平坦性を表す指標）として、例えば、図５に示すように、直径６５ｍｍφ（半径３２．５ｍｍ）の磁気ディスク用ガラス基板の場合、基板の中心から半径ｒ＝２９．９ｍｍの点Ａと半径ｒ＝３１．５ｍｍの点Ｂとの２点を結んだ直線ａとその範囲内における正方向、負方向それぞれの最大距離ｂ、ｃのうちの大きい方で表される値を用い、これをＤｕｂｏｆｆと称する（定義する）ことにする。【００１０】
Ｄｕｂｏｆｆが３０ｎｍより大きい従前の場合は、Ｄｕｂｏｆｆを小さくしていくと、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができた。これに対し、Ｄｕｂｏｆｆが３０ｎｍ以下である今回の場合は、 図１５に示すように、Ｄｕｂｏｆｆと外周端部位置（半径ｒ３１．５ｍｍの位置）でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、相関は見られなかった。つまり、ガラス基板の外周端部形状を改善したとしても、即ち、ガラス基板の主表面に対して面が下がる面弛れ（面だれ）や、主表面に対する面の盛り上がり（隆起）を小さくしたとしても、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができないこと（タッチダウンハイトのばらつきが大きく出ること）がわかった。【００１１】
次に、基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）（定義等については後述する）の平均値が４Åより大きい従前の場合は、基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値を小さくすること、あるいは、内周ＴＤＨ＜外周ＴＤＨであることを前提として、外周端部の微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）を小さくすること、によって外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができた。これに対し、基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値が４Å（０．４ｎｍ）以下である今回の場合は、図１６に示すように、外周端部位置（半径ｒ３１．５ｍｍの位置）での微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）と外周端部位置（半径ｒ３１．５ｍｍの位置）でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、相関は見られなかった。つまり、ガラス基板の外周端部において微小うねりを改善（小さく）したとしても、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができない（タッチダウンハイトのばらつきが大きく出る）ことがわかった。【００１２】
本発明は、上述した課題を解決するための手段を案出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者はその原因について調べたところ、ガラス基板の表面で任意に２箇所の領域を選択し、各領域において測定した微小うねり（定義等については後述する）の差又は比が、ある所定の関係を満足していないと、磁気ヘッドの低浮上化を実現できないことがわかった。【００１４】
具体的には、例えば、図７に示すように、外周端部（例えば半径ｒ＝３１．５ｍｍ±０．０５ｍｍの位置）での微小うねりと中心部（例えば半径ｒ＝２５ｍｍ±３ｍｍの位置）での微小うねりとの差（半径方向ＭＷ−Ｒｑ（ＯＤ−ＭＤ）：波長帯域６０〜５００μｍで測定）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、強い相関が見られた。つまり、外周端部での微小うねりと中心部での微小うねりとの差（半径方向ＭＷ−Ｒｑ（ＯＤ−ＭＤ））を小さくすると、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることがわかった。【００１５】
また、例えば、図８に示すように、外周端部（例えば半径ｒ＝３１．５ｍｍ±０．０５ｍｍの位置）での微小うねりと中心部（例えば半径ｒ＝２５ｍｍ±３ｍｍの位置）での微小うねりとの比（半径方向ＭＷ−Ｒｑ（ＯＤ／ＭＤ）：波長帯域６０〜５００μｍで測定）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、強い相関が見られた。つまり、外周端部での微小うねりと中心部での微小うねりとの比（半径方向ＭＷ−Ｒｑ（ＯＤ／ＭＤ））を小さくする（１に近づける）と、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることがわかった。【００１６】
同様に、例えば、半径方向に距離の異なる任意の２点を測定領域とした場合においても、上記と同様の傾向（相関）が見られることがわかった。【００１７】
本発明において、強い相関が見られるということは、図１５、１６に示すようなタッチダウンハイト（ＴＤＨ）が大きくばらつくこと、を防止できることである。本発明において、強い相関が見られるということは、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を確実かつ所望の値に小さくできることである。【００１８】
本発明をイメージ図で説明すると、図２（１）に示すように、従前ではディスク中心部の微小うねりは小さいが、外周端部の微小うねり相対的に大きい。ここで、上述したように、外周端部の微小うねりを改善（小さく）したとしても、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができない。【００１９】
これに対し、図２（２）に示すように、ディスク中心部の微小うねりが相対的に大きくなるとしても、中心部と外周端部での微小うねりの差又は比が小さくなるような表面状態とした方が、外周端部位置を含めて基板全面でタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることを本発明者は見出したものである。【００２０】
さらに、本発明者は上記原因について調べたところ、ガラス基板の表面で任意に２箇所の領域を選択し、各領域において測定した微小うねり（定義等については後述する）の標準偏差の差又は比が、ある所定の関係を満足していないと、磁気ヘッドの低浮上化を実現できないことがわかった。【００２１】
具体的には、例えば、図９に示すように、外周端部（例えば半径ｒ＝３１．５ｍｍ±０．０５ｍｍで円周方向に沿う領域）での微小うねりの標準偏差と、中心部（例えば半径ｒ＝２５ｍｍ±３ｍｍで円周方向に沿う領域）での微小うねりの標準偏差との差（円周方向ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ（ＯＤ−ＭＤ）：波長帯域６０〜５００μｍで測定）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、強い相関が見られた。つまり、外周端部で円周方向に沿う領域での微小うねりの標準偏差と中心部で円周方向に沿う領域での微小うねりの標準偏差との差（円周方向ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ（ＯＤ−ＭＤ））を小さくすると、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることがわかった。【００２２】
また、例えば、図１０に示すように、外周端部（例えば半径ｒ＝３１．５ｍｍ±０．０５ｍｍで円周方向に沿う領域）での微小うねりの標準偏差と、中心部（例えば半径ｒ＝２５ｍｍ±３ｍｍで円周方向に沿う領域）での微小うねりの標準偏差との比（円周方向ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ（ＯＤ／ＭＤ）：波長帯域６０〜５００μｍで測定）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との関係を調べたところ、強い相関が見られた。つまり、外周端部で円周方向に沿う領域での微小うねりの標準偏差と中心部で円周方向に沿う領域での微小うねりとの比（円周方向ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ（ＯＤ／ＭＤ））を小さくする（１に近づける）と、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることがわかった。【００２３】
同様に、例えば、半径方向に距離の異なる任意の２点を選択し、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿う２つの領域を測定領域とした場合においても、上記と同様の傾向（相関）が見られることがわかった。【００２４】
本発明において、強い相関が見られるということは、図１５、１６に示すようなタッチダウンハイト（ＴＤＨ）が大きくばらつくこと、を防止できることである。本発明において、強い相関が見られるということは、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を確実かつ所望の値に小さくできることである。【００２５】
本発明をイメージ図で説明すると、図３（１）に示すように、従前ではディスク中心部の微小うねりの標準偏差は小さいが、外周端部の微小うねりの標準偏差は相対的に大きい。【００２６】
これに対し、図３（２）に示すように、中心部と外周端部での微小うねりの標準偏差の差又は比が小さくなるような表面状態とした方が、外周端部位置を含めて基板全面でタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を小さくすることができることを本発明者は見出したものである。【００２７】
本発明は、基板表面における微小うねりと、グライド高さ（タッチダウンハイト（ＴＤＨ））との関係に密接な関係があることを見出し、微小うねりを所定の関係、所定の範囲にすることによって、所望のグライド高さ（タッチダウンハイト）を達成する磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、及び磁気ディスクの製造方法を提供できることを見出したものである。【００２８】
本発明は以下の構成を有する。【００２９】
（構成１）ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの差が０．０２ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。【００３０】
（構成２）ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの比が１．１以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。【００３１】
（構成３）前記２箇所とは、ディスクの外周端部と、記録再生領域の中心部、であることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３２】
（構成４）前記ディスクの外周端部は、ディスク外周端からディスク中心方向に向かって１．０ｍｍ内側の点、又はそれより内側の領域であることを特徴とする構成３に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３３】
（構成５）前記各領域は、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿う２つの領域であることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３４】
（構成６）前記ガラス基板の外周端部形状が、主表面を基準面として±３０ｎｍ以内の範囲に収まる形状であることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３５】
（構成７）タッチダウンハイトが５ｎｍ以下であることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３６】
（構成８）ロードアンロード式用の磁気ディスクであることを特徴とする構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００３７】
（構成９）構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする磁気ディスク。【００３８】
（構成１０）構成１又は２に記載の磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程と、
上記磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。【００３９】
（構成１１）ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの標準偏差の差が０．０４ｎｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。【００４０】
（構成１２）ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの標準偏差の比が１．１以下であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板。【００４１】
（構成１３）前記２箇所とは、ディスクの外周端部と、記録再生領域の中心部、であることを特徴とする構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４２】
（構成１４）前記ディスクの外周端部は、ディスク外周端からディスク中心方向に向かって１．０ｍｍ内側の点、又はそれより内側の領域であることを特徴とする構成１３に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４３】
（構成１５）前記各領域は、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿う２つの領域であることを特徴とする構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４４】
（構成１６）前記ガラス基板の外周端部形状が、主表面を基準面として±３０ｎｍ以内の範囲に収まる形状であることを特徴とする構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４５】
（構成１７）タッチダウンハイトが５ｎｍ以下であることを特徴とする構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４６】
（構成１８）ロードアンロード式用の磁気ディスクであることを特徴とする構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板。【００４７】
（構成１９）構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする磁気ディスク。【００４８】
（構成２０）構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程と、
上記磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の効果】
【００４９】
本発明によれば、基板表面における微小うねりを所定の関係、所定の範囲にすることによって、所望のグライド高さ（タッチダウンハイト）を達成する磁気ディスク用ガラス基板、磁気ディスク、及び磁気ディスクの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】選択した２箇所の説明、並びに、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿って連続的に測定したデータの平均値あるいは標準偏差を用いることを説明するための模式図である。
【図２】本発明のイメージについて説明するための模式図である。
【図３】本発明のイメージについて説明するための模式図である。
【図４】形状波長について説明するための模式図である。
【図５】Ｄｕｂｏｆｆについて説明するための模式図である。
【図６】実施例１〜５、比較例１〜５で作製した垂直磁気記録ディスクの構成を説明するための模式図である。
【図７】半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られることを説明するための図である。
【図８】半径方向の微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られることを説明するための図である。
【図９】円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られることを説明するための図である。
【図１０】円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られることを説明するための図である。
【図１１】実施例及び比較例で得られた試料について、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間の関係を示す図である。
【図１２】実施例及び比較例で得られた試料について、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間の関係を示す図である。
【図１３】実施例及び比較例で得られた試料について、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間の関係を示す図である。
【図１４】実施例及び比較例で得られた試料について、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間の関係を示す図である。
【図１５】Ｄｕｂｏｆｆとタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られないことを説明するための図である。
【図１６】微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との間に相関が見られないことを説明するための図である。
【図１７】形状波長が５００〜１０００μｍであると、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図１８】形状波長が５００〜１０００μｍであると、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図１９】形状波長が５００〜１０００μｍであると、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図２０】形状波長が５００〜１０００μｍであると、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図２１】形状波長が１０〜６０μｍであると、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図２２】形状波長が１０〜６０μｍであると、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図２３】形状波長が１０〜６０μｍであると、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【図２４】形状波長が１０〜６０μｍであると、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）とタッチダウンハイト（ＴＤＨ）との相関が良くないことを説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、本発明について詳細に説明する。【００５２】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの差が０．０２ｎｍ以下であることを特徴とする（構成１）。【００５３】
また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの比が１．１以下であることを特徴とする（構成２）。【００５４】
また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの標準偏差の差が０．０４ｎｍ以下であることを特徴とする（構成１１）。【００５５】
また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板は、ガラス基板の外周端よりも中心部側の表面で任意に２箇所選択した各領域において、各領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑを微小うねりＲｑとしたときに、前記各領域の微小うねりＲｑの標準偏差の比が１．１以下であることを特徴とする（構成１２）。【００５６】
本発明において、微小うねり（Ｍｉｃｒｏ  Ｗａｖｉｎｅｓｓ）は、例えば後述する測定装置を用い、測定領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出し、この表面形状の二乗平均平方根粗さＲｑ（ＲＭＳ）として算出した。ここで、Ｒｑ（ＲＭＳ）は、粗さ曲線から、その中心線の方向に測定長さ（Ｑ）の部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸とし、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表した時、中心線からその粗さ曲線［ｆ（ｘ）］までの偏差の二乗を、測定長さ（Ｑ）の区間で積分し、その区間で平均した値の平方根、である。尚、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定するＲｑ（ＲＭＳ）（二乗平均平方根粗さ）との関係は、同じである。ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規定するＷｑ（二乗平均平方根うねり）との関係は、同じである。【００５７】
本発明において、表面状態の測定には、レーザードップラー・バイブロメータ（ＬＤＶ：Laser Doppler Vibrometer）を用いた。この測定装置の測定原理は、例えば波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーのビームを測定用ビーム、比較用ビームの二つに分割し、その二つのビームの位相差を検出し、その位相差によって測定対象物の形状測定を行う。この測定装置の特徴は、レーザー光を物体に照射し、その照射光と反射光との周波数差から速度を検出する光学式干渉計であることである。また、この測定装置の特徴は、表面粗さ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）からうねり（Ｗａｖｉｎｅｓｓ）までの幅広い周波数帯域の測定が可能であること、ディスク全面の測定が可能であること、である。水平方向分解能は約５μｍ、高さ方向測定分解能は０．００１ｎｍ（０．０１Å）である。得られるパラメータはＲｑ（ＲＭＳ）である。【００５８】
レーザードップラー・バイブロメータとしては、ＴＨｏＴ社製：Optical Process Certifier M4224などが例示される。【００５９】
本発明において、前記２箇所は、ディスクの半径方向に、ディスクの中心からの距離が互いに異なる２箇所を選択することが好ましい。他の２箇所（例えば円周方向）を選択した場合に比べ、相関関係が強く表れるためである。【００６０】
本発明において、前記２箇所は、１箇所はディスクの外周端部近辺（外周端の面即ち基板側面は除く）を選択し、もう一方の箇所は記録再生領域の代表値を示すと考えられる箇所（例えば記録再生領域の中心部、例えばディスクの内周端と外周端とを結ぶ線の中間の位置など）を選択することが好ましい（構成３、１３）。他の２箇所を選択した場合に比べ、より相関関係が強く表れるためである。【００６１】
例えば、内径（内直径）２０ｍｍ、外径（外直径）６５ｍｍ（中心部から測って内周端１０ｍｍ、外周端３２．５ｍｍ）の２．５インチ磁気ディスク用ガラス基板の場合、１箇所はディスクの外周端部近辺（例えば基板の中心から半径３１．５±０．０５ｍｍの位置での定点又は領域）を選択し、もう一方の箇所は記録再生領域の中心部（例えば基板の中心から半径２５ｍｍ±３ｍｍの位置の定点又は領域）を選択することが好ましい。前記領域は、０．０５〜３ｍｍ□の領域とすることができる。【００６２】
また、ディスクの外周端部近辺の領域は、例えば、ディスク外周端からディスク中心方向に向かって１．０ｍｍ内側の点、又はそれより内側の領域とすることが好ましい（構成４、１４）（図５参照）。これらのことは、基板サイズによらない。これらのことは、例えば、１．８インチ、２．５インチ、３．３インチ、３．５インチの基板について適用できる。【００６３】
本発明においては、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿って測定したデータの平均値を用いることが好ましい（構成５）。各半径位置の代表値を用いることが好ましいからであり、その方が相関関係の精度が向上するためである。【００６４】
例えば、図１に示すように、選択した２箇所（Ａは幅を有する、Ｂは一点）について、想像線で示すように、各々、ディスクの中心Ｏから同じ半径で円周方向に沿って連続的に測定したデータの平均値を用いることが好ましい。【００６５】
本発明においては、同じ半径の円周に沿って連続的に測定するデータの数は、適宜調整できる。【００６６】
本発明においては、同じ半径で円周方向に沿って、等間隔で複数の測定領域を間欠的に設定し、複数の測定領域で測定したデータの平均値を用いることもできる。【００６７】
また、本発明においては、選択した２箇所について、各々、同じ半径で円周方向に沿う２つの領域を測定領域とし、各測定領域で測定したデータの標準偏差を用いることが好ましい（構成１５）。標準偏差の母数を増やすことが好ましいからであり、その方が相関関係の精度が向上するためである。【００６８】
例えば、図１に示すように、選択した２箇所（Ａは幅を有する、Ｂは一点）について、想像線で示すように、各々、ディスクの中心Ｏから同じ半径で円周方向に沿って連続的に測定したデータの標準偏差を用いることが好ましい。【００６９】
本発明においては、同じ半径の円周に沿って連続的に測定するデータの数は、適宜調整できる。【００７０】
本発明においては、同じ半径で円周方向に沿って、等間隔で複数の測定領域を間欠的に設定し、複数の測定領域で測定したデータの標準偏差を用いることもできる。【００７１】
本発明において、測定領域における表面形状のうち、形状波長が６０〜５００μｍ帯域の表面形状を抽出することが好ましい。形状波長は、図４に示すように、隣り合う谷底の間の距離、又は隣り合う山頂の間の距離、を意味する。【００７２】
形状波長が５００〜１０００μｍであると、図７、８、９、１０と同じ条件で測定しても、相関が良くない（図１７、１８、１９、２０参照）。【００７３】
形状波長が１０〜６０μｍであると、図７、８、９、１０と同じ条件で測定しても、相関が良くない（図２１、２２、２３、２４参照）。【００７４】
尚、上記のことから、形状波長の上限はヘッドサイズの半分程度が好ましいことがわかった。したがって、将来的にヘッドサイズが小さくなる場合はそれに合わせて形状波長の上限はヘッドサイズの半分程度とすることが好ましい。【００７５】
本発明において、前記ガラス基板の外周端部形状は、主表面を基準面として±３０ｎｍ以内の範囲に収まる形状であることが好ましい（構成６、１６）。【００７６】
上述したＤｕｂｏｆｆが３０ｎｍ以下の場合に、本発明の適用の効果が大きく現れるからである。また、Ｄｕｂｏｆｆが３０ｎｍより大きい場合は、Ｄｕｂｏｆｆを小さくしていくと、外周端部位置でのタッチダウンハイト（ＴＤＨ）を一定限度までは小さくすることができるからである。【００７７】
本発明において、磁気ヘッドは、垂直磁気記録媒体用の磁気ヘッドであることが好ましい。特に、ヘッドから針が出て、針がディスクに近づくタイプのヘッドが好ましい。【００７８】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板は、基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値は４Å以下の場合であることが好ましい。【００７９】
微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値が４Å（０．４ｎｍ）以下である場合に、本発明の適用の効果が大きく現れるからである。また、微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値が４Å（０．４ｎｍ）より大きい場合は、本発明を適用しなくても済むからである。【００８０】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板において、タッチダウンハイトが５ｎｍ以下であることが好ましい（構成７、１７）。【００８１】
タッチダウンハイトが５ｎｍ以下である場合に、本発明の適用の効果が大きく現れるからである。また、タッチダウンハイトが５ｎｍより大きい場合は、本発明を適用しなくても済むからである。【００８２】
タッチダウンハイトは、ヘッドをディスク表面にどこまで近づけられるかの指標である。タッチダウンハイトは、成膜されたメディア（即ち磁気記録媒体）で測定可能である。【００８３】
グライド高さ（フライングハイト）は基板上を平均して浮上走行している高さを示す。グライド高さは成膜されたメディアつまり非透明体を用い、テスターにより仮想で出している値である。【００８４】
ガラス基板の表面に極薄い膜を成膜して測定することにより、実質的にガラス基板の表面状態を知ることが可能となる。【００８５】
本発明においては、成膜されたメディアの表面状態が、上記構成１、２、１１、１２に規定する要件を満たす場合が含まれる。【００８６】
面内磁気記録媒体の場合、磁性層等の膜厚が薄いので、ガラス基板の表面状態は、成膜されたメディアの表面状態とほぼ等しいと考えて良い。これに対し、垂直磁気記録媒体の場合、磁性層等の膜厚が厚いので、成膜されたメディアの表面状態は、ガラス基板の表面状態よりも粗くなるが、成膜により粗くなる幅は一定であるので成膜前後で相関が取れると考えて良い。【００８７】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板は、ロードアンロード式用の磁気ディスク及びそのガラス基板であることが好ましい（構成８、１８）。【００８８】
ロードアンロード式用の磁気ディスク及びそのガラス基板の場合に、上述した２箇所で選択した各領域の微小うねりＲｑの差又は比が特に問題となるからである。【００８９】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板は、４，２００回転数ｒｐｍ以上にて使用されるＨＤＤに搭載される磁気ディスク及びそのガラス基板であることが好ましい（構成９、１９）。【００９０】
４，２００回転数ｒｐｍ以上にて使用されるＨＤＤに搭載される場合に、本発明の適用の効果が大きく現れるからである。【００９１】
本発明の磁気ディスクは、上記構成１〜７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成したことを特徴とする（構成１０、２２）。【００９２】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板は、垂直磁気記録媒体に好適に適用できる。【００９３】
垂直磁気記録ディスクは、基板上に少なくとも、垂直磁気記録層を備える。【００９４】
ここで、垂直磁気記録層としては、例えば、少なくとも、基板上に形成されたグラニュラー構造を有する、酸化物または珪素（Ｓｉ）または珪素（Ｓｉ）の酸化物を含む強磁性層と、該強磁性層上にＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とＰｄまたはＰｔを含む第２層との積層とを有する、垂直磁気記録層が好ましい。【００９５】
上記強磁性層を構成するＣｏ系磁性材料としては、特にＣｏＰｔ系又はＣｏＰｔＣｒ系磁性材料が好ましい。なお、ＣｏＰｔ系又はＣｏＰｔＣｒ系磁性材料にＳｉを単体として添加するだけでなく、酸化物やＳｉＯ２等のＳｉの酸化物として添加してもよい。前記強磁性層はＣｏを主体とする結晶粒子と、酸化物または珪素（Ｓｉ）または珪素（Ｓｉ）酸化物を主体とする粒界部を有することが好ましい。前記強磁性層は、Ｃｏを含有する磁性結晶粒子の間にＳｉ又はその酸化物を含むグラニュラー構造であることが好ましい。この強磁性層の膜厚は、２０ｎｍ以下が好ましい。望ましくは、８〜１６ｎｍの範囲が好適である。【００９６】
前記積層は、前記強磁性層と隣接し、或いはスペーサ層を介して、強磁性層と磁気的な結合をすると共に互いの層における磁化容易軸方向を略同一方向に揃える機能を有する。該積層は、層内において結晶粒子が磁気的に結合している。前記積層は、Ｃｏ系磁性材料からなる強磁性層に対しては、具体的には、コバルト（Ｃｏ）若しくはその合金とパラジウム（Ｐｄ）との交互積層膜、又は、コバルト（Ｃｏ）若しくはその合金と白金（Ｐｔ）との交互積層膜からなることが好適である。このような材料からなる交互積層膜は磁気的なＫｕが大きいため、該積層にできる磁壁幅を薄くすることができる。その膜厚は、１〜８ｎｍが好ましい。望ましくは、２〜５ｎｍが好適である。なお、積層の材料は、上記多層膜のほかに、ｐｔ含有量の多いＣｏＣｒＰｔや、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄ、ＦｃＰｔ、ＣｏＰｔ３、ＣｏＰｄ３を用いても同様の効果が得られる。【００９７】
また、前記強磁性層と前記積層との間に、スペーサ層を有することが好適である。スペーサ層を設けることにより、前記強磁性層と前記積層との間の交換結合を好適に制御することができる。スペーサ層としては、例えば、積層に応じてＰｄ層またはＰｔ層が好適に用いられる。積層にＰｄ層を使用する場合には、スペーサ層にもＰｄ層を用いる。製造装置の制約上、同じ組成を使用することが経済的に好ましいためである。スペーサ層の膜厚は、２ｎｍ以下であることが好ましく、望ましくは、０．５〜１．５ｎｍの範囲である。【００９８】
なお、前記強磁性層と積層とは隣接して、或いは上記スペーサ層を介して配置されるが、ＨＤＩ（Head Disk Interface）の観点から、基板からみて積層を強磁性層の上方に配置する場合が好ましい。また、前記強磁性層は単層に限らず複数層で構成されてもよい。この場合、Ｓｉ又はＳｉの酸化物を含有するＣｏ系磁性層同士を組み合わせてもよいし、Ｓｉ又はＳｉの酸化物を含有するＣｏ系磁性層とＳｉ又はＳｉの酸化物を含まないＣＯ系磁性層を組み合わせてもよい。なお、積層と隣接する側にはＳｉ又はＳｉの酸化物を含有するＣｏ系磁性層を配置することが好ましい。垂直磁気記録層の形成方法としては、スパッタリング法で成膜することが好ましい。特にＤＣマグネトロンスパッタリング法で形成すると均一な成膜が可能となるので好ましい。【００９９】
垂直磁気記録ディスクは、基板上に少なくとも、上述の垂直磁気記録層を備えるが、この他に各種の機能層を設けることが好ましい。【０１００】
例えば、基板上に、垂直磁気記録層の磁気回路を好適に調整するための軟磁性層を設けてもよい。軟磁性層は、軟磁気特性を示す磁性体により形成されていれば特に制限はないが、例えば、保磁力（Ｈｃ）で０．０１〜８０エルステッド、好ましくは０．０１〜５０エルステッドの磁気特性であることが好ましい。また、飽和磁束密度（Ｂｓ）は５００ｅｍｕ／ｃｃ〜１９２０ｅｍｕ／ｃｃの磁気特性であることが好ましい。軟磁性層と材料としては、Ｆｅ系、ＣＯ系などが挙げられる。例えば、ＦｅＴａＣ系合金、ＦｅＴａＮ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＣｏＢ系合金、ＦｅＣｏ系合金などのＦｅ系軟磁性材料、ＣｏＴａＺｒ系合金、ＣｏＮｂＺｒ系合金などのＣｏ系軟磁性材料、或いはＦｅＣｏ系合金軟磁性材料等を用いることができる。軟磁性層の膜厚は３０ｎｍ〜１０００ｎｍ、望ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましい。【０１０１】
また、基板上に、垂直磁気記録層の結晶配向を基板面に対して垂直方向に配向させるための非磁性下地層を設けることが好ましい。非磁性下地層の材料としては、Ｔｉ系合金が好ましい。Ｔｉ系合金の場合、ｈｃｐ結晶構造を備えるＣｏＰｔ系垂直磁気記録層の結晶軸（Ｃ軸）を垂直方向に配向するよう制御する作用が高く好適である。Ｔｉ系合金からなる非磁性下地層としては、Ｔｉの他、ＴｉＣｒ系合金、ＴｉＣｏ系合金等が挙げられる。このような非磁性下地層の膜厚は２ｎｍ〜３０ｎｍが好適である。【０１０２】
また、基板は、軟磁性層の磁区制御のために、磁場中アニールが必要な場合は、ガラスであることが好ましい。ガラス基板は耐熱性に優れるので、基板の加熱温度を高くすることができる。基板用ガラスとしては、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダタイムガラス等が挙げられるが、中でもアルミノシリケートガラスが好適である。また、アモルファスガラス、結晶化ガラスを用いることができる。軟磁性層をアモルファスとする場合にあっては、基板をアモルファスガラスとすると好ましい。なお、化学強化したガラスを用いると、剛性が高く好ましい。本発明において、基板主表面の表面粗さはＲｍａｘで６ｎｍ以下、Ｒａで０．６ｎｍ以下であることが好ましい。このような平滑表面とすることにより、垂直磁気記録層−軟磁性層間の間隙を一定にすることができるので、磁気ヘッド−垂直磁気記録層−軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することができる。【０１０３】
また、基板と軟磁性層との間に、付着層を形成することも好ましい。付着層を形成することにより、基板と軟磁性層との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層の剥離を防止することができる。付着層の材料としては、例えばＴｉ含有材料を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、ｌｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。【０１０４】
また、垂直磁気記録ディスクにあっては、前記垂直磁気記録層の上に、保護層を設けることが好適である。保護層を設けることにより、磁気ディスク上を浮上飛行する磁気記録ヘッドから磁気ディスク表面を保護することができる。保護層の材料としては、たとえば炭素系保護層が好適である。また、保護層の膜厚は３ｎｍ〜７ｎｍ程度が好適である。【０１０５】
また、前記保護層上に、更に潤滑層を設けることが好ましい。潤滑層を設けることにより、磁気ヘッドと磁気ディスク間の磨耗を抑止でき、磁気ディスクの耐久性を向上させることができる。潤滑層の材料としては、たとえばＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）が好ましい。また、潤滑層の膜厚は０．５ｎｍ〜１．５ｎｍ程度が好適である。【０１０６】
なお、前記軟磁性層、下地層、付着層と保護層についてもスパッタリング法で成膜することが好ましい。特にＤＣマグネトロンスパッタリング法で形成すると均一な成膜が可能となるので好ましい。インライン型成膜方法を用いることも好ましい。また、前記潤滑層は、例えばディップコート法で形成することが好ましい。【０１０７】
本発明の磁気ディスク及びそのガラス基板は、ディスクリートタイプのメディアにも適用可能である。【０１０８】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、上記構成１又は２、構成１１又は１２に記載の磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程と、
上記磁気ディスク用ガラス基板の表面に、少なくとも磁性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする（構成１０、２０）。【０１０９】
磁気ディスク用ガラス基板を作製する工程においては、例えば、研削、研磨工程で、構成１、２、１１、１２等に記載の特徴（２箇所選択した各領域の微小うねりＲｑの差又は比が所定の範囲内にあるという特徴）を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造する。【０１１０】
より具体的には、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程は、例えば、（１）粗ラッピング工程、（２）形状加工程、（３）端面研磨工程、（４）精ラッピング工程、（５）第一ポリッシング工程、（６）第二ポリッシング（ファイナルポリッシング）工程、（７）洗浄工程、（８）化学強化工程、（９）洗浄工程、（１０）評価工程、からなるが、例えば、研磨工程における、研磨パッド（研磨布）の性状や研磨条件等を制御して、特に第二ポリッシング（ファイナルポリッシング）工程における、研磨パッド（研磨布）の性状や研磨条件等を制御して、前記特徴を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造することができる。【０１１１】
以下、実施例及び比較例について説明する。【０１１２】
(実施例１〜５、比較例１〜５）
図６は、実施例１〜５、比較例１〜５で作製した垂直磁気記録ディスクの構成を説明するための模式図である。以下、図６を参照して垂直磁気記録ディスクの製造例を説明する。【０１１３】
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ガラス基板１を得た。このガラス基板１は、内径（内直径）２０ｍｍ、外径（外直径）６５ｍｍ（中心部から測って内周端１０ｍｍ、外周端３２．５ｍｍ）の２．５インチ型ガラス基板である。このガラス基板１の主表面の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で測定したところ、Ｒｍａｘが４．８ｎｍ、Ｒａが０．４２ｎｍという平滑な表面形状であった。なお、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。【０１１４】
尚、研磨工程における、研磨パッドの性状や研磨条件等を制御して、表１に示すＤｏｂｏｆｆの値及び基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）の値、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）の値、を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造した。【０１１５】
また、研磨工程における、研磨パッドの性状や研磨条件等を制御して、表２に示すＤｏｂｏｆｆの値及び基板全面における微小うねり（ＭＷ−Ｒｑ）の平均値、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）の値、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）の値、を有する磁気ディスク用ガラス基板を製造した。【０１１６】
次に、得られたガラス基板１上に、真空引きを行なった成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、Ａｒ雰囲気中で、付着層２、軟磁性層３を順次成膜した。このとき、付着層２は、膜厚２０ｎｍのＴｉ層となるように、Ｔｉターゲットを用いて成膜した。また、軟磁性層３は、膜厚２００ｎｍのアモルファスＣｏＴａＺｒ（Ｃｏ：８８ａｔ％、Ｔａ：７．Ｏａｔ％、Ｚｒ：４．９ａｔ％）層となるように、ＣｏＴａＺｒターゲットを用いて成膜した。【０１１７】
次に、得られた上記基板上に、真空引きを行なった枚葉・静止対向型成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、Ａｒ雰囲気中で、第１下地層４ａ、第２下地層４ｂ、強磁性層５、スペーサ層６、積層７、及び炭素系保護層８を順次成膜した。【０１１８】
具体的には、軟磁性層３までの成膜を終えた上記基板上に、まず、アモルファスのＮｉＴａ（Ｎｉ：４５ａｔ％、Ｔａ：５５ａｔ％）からなる１０ｎｍ厚の第１下地層４ａと、Ｒｕからなる３０ｎｍ厚の第２下地層４ｂを形成した。なお、ここでＲｕからなる層を２層としてもよい。すなわち、上層側ＲＵを形成する際に、下層側Ｒｕを形成するときの窒素（Ｎ）ガスのガス圧よりも高いガス圧で形成することで、結品配向性を改善することができる。【０１１９】
次に、ＳｉＯ２を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１５ｎｍのｈｃｐ結晶構造からなる強磁性層５を形成した。該強磁性層５を形成するためのターゲットの組成は、Ｃｏ：６２ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｐｔ：１６ａｔ％、ＳｉＯ２：１２ａｔ％である。なお、強磁性層５はガス圧３０ｍＴｏｒｒで成膜した。次いで、Ｐｄからなる０．９ｎｍ厚のスペーサ層６を形成した。さらに、ＣｏＢとＰｄとの交互積層膜からなる積層７を形成した。まず、ＣｏＢを０．３ｎｍ成膜し、その上にＰｄを０．９ｎｍ成膜した。従って、この積層６の総厚は１．２ｎｍである。なお、積層７は上記強磁性層５成膜時のガス圧よりも低いガス圧１０ｍＴｏｒｒで成膜した。【０１２０】
次に、Ａｒに水素を１８体積％含有させた混合ガスを用いて、カーボンターゲットをスパッタリングすることにより、水素化カーボンからなる炭素系保護層８を形成した。炭素系保護層８の膜厚は４．５ｎｍである。水素化炭素とすることで、膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対して垂直磁気記録層を防護することができる。この後、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）からなる潤滑層９をディップコート法により形成した。潤滑層９の膜厚はｌｎｍである。【０１２１】
以上の製造工程により、垂直磁気記録ディスクが得られた。得られた垂直磁気記録ディスクの表面粗さをＡＦＭで同様に測定したところ、Ｒｍａｘが４．５３ｎｍ、Ｒａが０．４０ｎｍという平滑な表面形状であった。【０１２２】
（評価）
上記のようにして得られるガラス基板及び磁気ディスクの表面の各種測定結果を表１、２、図１１、１２、１３、１４に示す。【０１２３】
なお、測定条件等は以下の（１）〜（３）に示す通りである。【０１２４】
（１）Ｄｕｂｏｆｆは、触針式の表面粗さ計である小型表面粗さ測定機（サーフテストＳＪ−６２４：ミツトヨ社製）で測定する。測定対象はガラス基板（成膜前）である。【０１２５】
（２）「微小うねりＭＷ−Ｒｑ」は、ＴＨｏＴ社製レーザードップラー・バイブロメータ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｅｒｔｉｆｉｅｒ Ｍ４２２４)を用いて測定する。【０１２６】
測定領域は、半径方向に、外周端部（ＯＤ：半径ｒ＝３１．５（±０．０５）ｍｍの位置での定点観測）と、中心部（ＭＤ：半径ｒ＝２５±３ｍｍの位置での１〜２ｍｍ□の領域観測）と、の２箇所とし、各々、同じ半径で円周方向に沿って連続的に測定したデータの平均値及び標準偏差を求める（図１参照）。【０１２７】
波長帯域は、６０−５００μｍとする。【０１２８】
測定対象は磁気ディスク（成膜後）である。【０１２９】
ここで、ＴＨｏＴ社製レーザードップラー・バイブロメータの測定条件を表３に示す。なお、例えば、短波長１００μｍ、長波長５００μｍとは、１００〜５００μｍの波長帯域、バンドパスにおいて測定を行っているということになる。【０１３０】
（３）タッチダウンハイト（ＴＤＨ）は、タッチダウンハイト評価法により、調べる。【０１３１】
測定対象は磁気ディスク（成膜後）である。【０１３２】
実施例で得られた磁気ディスクは、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）が０．０２ｎｍ以下（０．２Å以下）、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）が１．１以下であり、その結果、タッチダウンハイト（ＴＤＨ）が５ｎｍ以下になり、１６０Ｇ以上の磁気ディスクとして適用可能であった。【０１３３】
比較例で得られた磁気ディスクは、半径方向の微小うねりの差（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ−ＭＤ)）が０．０２ｎｍ（０．２Å）を超え、半径方向の微小うねりの比（ＭＷ−Ｒｑ(ＯＤ／ＭＤ)）が１．１を超えており、その結果、タッチダウンハイト（ＴＤＨ）が５ｎｍを超え、８０Ｇまでの磁気ディスクとして適用できるにとどまった。【０１３４】
また、実施例で得られた磁気ディスクは、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）が０．０４ｎｍ以下（０．４Å以下）、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）が１．１以下であり、その結果、タッチダウンハイト（ＴＤＨ）が５ｎｍ以下になり、１６０Ｇ以上の磁気ディスクとして適用可能であった。【０１３５】
比較例で得られた磁気ディスクは、円周方向の微小うねりの標準偏差の差（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ−ＭＤ)）が０．０４ｎｍ（０．４Å）を超え、円周方向の微小うねりの標準偏差の比（ＭＷ−Ｒｑ ＳＴＤＥＶ(ＯＤ／ＭＤ)）が１．１を超えており、その結果、タッチダウンハイト（ＴＤＨ）が５ｎｍを超え、８０Ｇまでの磁気ディスクとして適用できるにとどまった。【０１３６】
【表１】
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【０１３７】
【表２】
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【０１３８】
【表３】
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【０１３９】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることは、当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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