(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン方向に対して鈍角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第１のスリット群と、
前記スキャン方向に対して鈍角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第２のスリット群と、
前記スキャン方向に対して鋭角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第３のスリット群と、
前記スキャン方向に対して鋭角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第４のスリット群と、を備え、
前記第１ないし第４のスリット群は、前記スキャン方向に沿って互いに間隔をあけて順番に配置され、各スリット群が配置された方向がスキャン方向と同一の方向であり、
前記第１のスリット群を平行に移動させるとき、前記第１のスリット群のスリット領域が前記第２のスリット群のスリット間の領域を含むように前記第２のスリット群が配置され、前記第３のスリット群を平行に移動させるとき、前記第３のスリット群のスリット領域が前記第４のスリット群のスリット間の領域を含むように前記第４のスリット群が配置される
ことを特徴とするシリコン結晶化用のマスク。
【請求項２】
前記第１のスリット群及び第２のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に同じ角度で傾き、前記第３のスリット群及び第４のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に同じ角度で傾くことを特徴とする請求項１に記載のシリコン結晶化用のマスク。
【請求項３】
前記第１のスリット群及び前記第２のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に１３５度で傾き、前記第３のスリット群及び前記第４のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に４５度で傾くことを特徴とする請求項１に記載のシリコン結晶化用のマスク。
【請求項４】
シリコン結晶化方法において、請求項１または３に記載のシリコン結晶化用のマスクを用いることを特徴とするシリコン結晶化方法。
【請求項５】
基板の上に非晶質シリコン薄膜を形成する段階と、
前記シリコン結晶化用のマスクを介してレーザービームを前記基板の上に照射することにより、前記非晶質シリコン薄膜の所定の領域を結晶化させる段階と、
前記基板を、前記スキャン方向とは逆方向に隣り合うスリット群同士の間隔だけ移動させる段階と、を含むことを特徴とする請求項４に記載のシリコン結晶化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコン結晶化用のマスク及びこれを用いたシリコン結晶化方法に係り、さらに詳しくは、結晶化済みシリコンの結晶粒界の数を最小化するためのシリコン結晶化用のマスク及びこれを用いたシリコン結晶化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、マトリックス状に配列された多数の制御用のスイッチに印加される映像信号に基づいて光の透過量が調節されて、液晶表示装置のパネルに所望の画像を表示する。この種の液晶表示装置は、非晶質シリコン薄膜トランジスター液晶表示装置と、ポリシリコン薄膜トランジスター液晶表示装置とに大別できる。なお、ポリシリコン薄膜トランジスターは、非晶質シリコン薄膜トランジスターに見られない高い移動度と優れた素子特性を示すことから、基板の上に駆動回路を組み付けることが可能となっている。この種のポリシリコン薄膜を得るための結晶化方法には、種々の方法があるが、例えば、ＳＰＣ（Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、及びＳＬＳ（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）などがある。
【０００３】
図１は、通常の結晶化技術のうち、順次的側面固相化（ＳＬＳ）技術の基本原理を概略的に示す図であり、図２は、ＳＬＳにより結晶化されたシリコンの概略図である。
ＳＬＳ技術は、マスクに形成されたスリットを用いて非晶質シリコンを局部的に完全溶融させた後、結晶化させる技術であって、既存のＥＬＡ技術に比べて様々な粒径（数μｍ〜単結晶）を所望の通りに調節することができるので工程マージンが広く、基板のサイズに制限が無くて真空引きが不要なことから生産率が大幅に上がるなどの種々の利点を有し、次世代の結晶化技術として注目を集めている。図１に示すように、レーザービームがマスク１０に形成された数μｍ程度のスリット１５を通過することで、非晶質シリコンを局部的に完全溶融させる。溶融された部分２５は冷却されて結晶化されるが、周りの未溶融領域２７から成長し始め、成長していく粒子がスリットの中央で出会うと、成長が止まる。このスリット１５を少量ずつ移動させながら上記のごとき動作を繰り返し行うことで、基板の全領域を結晶化させる。
【０００４】
図２には、ストレートスリットを用いて非晶質シリコンを結晶化した状態が示してあり、ここで、矢印は結晶の成長方向である。このようなＳＬＳ技術は、スリットの形状によって、形成される粒子の形状や粒径を変えることができる。
【０００５】
図３は、通常のシングルスキャンツーショットＳＬＳ工程の概略進行図である。図３に示すように、多数のスリットが形成されたマスクを用いてレーザービームを非晶質シリコン薄膜の上に照射（第１のショット）すると、溶融された部分２５ａ、２５ｂが冷却されながら結晶化する。このマスクを移動させながら、レーザービームを照射（第２のショット、第３のショット、・・・第ｎのショット）する動作を繰り返し行うことで、基板の全領域の結晶化が行われる。
【０００６】
図４及び図５は、図３に示す工程により結晶化されたシリコンを用いた薄膜トランジスターの特性を示すグラフである。図４は、水平方向、すなわち、結晶の成長方向に薄膜トランジスター（ＴＦＴ）チャンネルを形成した場合のＴＦＴ特性を示すものであり、図５は、垂直方向にＴＦＴチャンネルを形成した場合のＴＦＴ特性を示すグラフである。この場合、水平方向（結晶の成長方向）にはスリット径に見合う分の粒径が得られるが、垂直方向には数千Å程度の小さな粒径が得られる。
【０００７】
図４及び図５を参照して、ＴＦＴの特性、例えば、Ｉｏｎ（オン時電流）（Ｖｄｓ＝１０．１、Ｖｇｓ＝２０基準時）と電子移動度（Ｖｄｓ＝１０．１基準時）を調べると、下記表１の通りである。
【表１】
0005456236.tif 000002
表１に示すように、水平方向のＩｏｎ（μＡ）及び電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）はそれぞれ７５０〜９００と１００〜１２０であり、垂直方向のＩｏｎ（μＡ）及び電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は２００〜３３０と〜３０程度であることから、水平方向の特性の方が垂直方向の特性に比べて格段に優れていることが分かる。このような方向による特性の異方性は、ＳＯＧ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式の製品のために回路をパネルに作り込むとき、ＴＦＴチャンネル方向を一方向に設計しなければならないという難点がある。この問題を解消するために、ツーショットＳＬＳ工程を垂直と水平に分けて２回行うＳＬＳ技術が工夫されている。この方法は、理論的に、水平方向と垂直方向の両方への成長が可能であることから、結晶化後に水平方向と垂直方向との異方性がない均一で且つ微細な構造が得られ、結果として、特性の均一化が図れる方法である。
【０００８】
図６及び図７は、水平スリットのみにより結晶化されたシリコンの微細構造を示す図面と実際の写真であり、図８及び図９は、水平スリットと垂直スリットの両方により結晶化されたシリコンの微細構造を示す図面と実際の写真である。
【０００９】
図６〜図９を参照して説明すると、水平スリットと垂直スリットを併用することで、一応１スリットにより成長した粒子が種となって、次のスリットにおいて自分の長手方向に垂直に再成長する。しかしながら、このとき、図６及び図８に示すように、垂直スリットが水平結晶粒界間において正確に１粒子分成長できず、水平方向に並んでいる２つの粒子を同時に成長させる場合、図８における白抜き丸印のように、両粒子間の境界面と垂直スリットとの交差部を起点として、粒子内に亜結晶粒界が形成されてしまい、結果として、粒子内の異方性が完全に解消されないという問題点が発生する。実際に、結晶粒界は完全な直線ではないため、このような現象は頻繁に起こり、これにより、既存の２＋２ショットＳＬＳ工程の場合、２ショットＳＬＳ工程に比べて異方性の面から大した改善が見られない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、垂直方向に対する特性の向上はもとより、水平方向及び垂直方向に対する異方性をも改善するためのシリコン結晶化用のマスク及びこれを用いたシリコン結晶化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるシリコン結晶化用のマスクは、スキャン方向に対して鈍角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第１のスリット群と、前記スキャン方向に対して鈍角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第２のスリット群と、前記スキャン方向に対して鋭角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第３のスリット群と、前記スキャン方向に対して鋭角で傾いた少なくとも１以上のスリットが前記スキャン方向に対して垂直方向に間隔をあけて配置される第４のスリット群と、を備え、前記第１ないし第４のスリット群は、前記スキャン方向に沿って互いに間隔をあけて順番に配置され、各スリット群が配置された方向がスキャン方向と同一の方向であることを特徴とする。
前記第１のスリット群を平行に移動させるとき、前記第１のスリット群のスリット領域が前記第２のスリット群のスリット間の領域を含むように前記第２のスリット群が配置され、前記第３のスリット群を平行に移動させるとき、前記第３のスリット群のスリット領域が前記第４のスリット群のスリット間の領域を含むように前記第４のスリット群が配置される。
前記第１のスリット群及び第２のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に同じ角度で傾き、前記第３のスリット群及び第４のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に同じ角度で傾く。
前記第１のスリット群及び前記第２のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に１３５度で傾き、前記第３のスリット群及び前記第４のスリット群のスリットは前記スキャン方向に対して実質的に４５度で傾く。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴によるシリコン結晶化方法は、請求項１ないし３のいずれかに記載のシリコン結晶化用のマスクを用いる。
本発明によるシリコン結晶化方法は、基板の上に非晶質シリコン薄膜を形成する段階と、前記シリコン結晶化用のマスクを介してレーザービームを前記基板の上に照射することにより、前記非晶質シリコン薄膜の所定の領域を結晶化させる段階と、前記基板を、前記スキャン方向とは逆方向に隣り合うスリット群同士の間隔だけ移動させる段階と、を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板の水平方向及び垂直方向への結晶粒界の数を最小化することができる。また、たとえ結晶粒界が存在するとしても、４５度ほど傾いた形状となることから、ポリシリコンの垂直と水平の特性バラツキがほとんどなくなる。その結果、方向による特性の異方性を解消し、ＳＯＧ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式の製品のために回路をパネルに作り込むとき、ＴＦＴチャンネル方向に対する制約を受けることなく設計を行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳述する。
図１０は、本発明によるシリコン結晶化用のマスクを示している。図１０を参照すると、本発明によるシリコン結晶化用のマスクは、レーザービームを選択的に透過させるために、レーザービームのスキャン方向に対して所定の角度で傾く第１のスリット群１０１、第２のスリット群１０２、第３のスリット群１０３、及び第４のスリット群１０４を備える。ここで、スキャン方向とは、マスク１００の基板の上における移動方向のことを言う。第１ないし第４のスリット群１０１〜１０４のそれぞれは、多数のスリットを備える。本実施形態において、マスク１００は、第１〜第４の各スリット群を１つずつ含むことを想定して記載しているが、これに限定されることはなく、上記のごときスリット群をさらに複数配置してもよい。
【００１８】
第１のスリット群１０１は、スキャン方向に対して鈍角で傾いた複数のスリットを備え、複数のスリットのそれぞれは、スキャン方向に対して垂直方向に所定の間隔をあけたままで配列される。このとき、スリットの幅は約４〜６μｍ程度であるが、このスリットの幅も種々に調節可能である。この実施形態において、第１のスリット群１０１は、スキャン方向に対して約１３５度傾いて形成される。
【００１９】
第２のスリット群１０２は、スキャン方向に対して鈍角で傾いた複数のスリットを備え、複数のスリットのそれぞれは、スキャン方向に対して垂直方向に所定の間隔をあけたままで配列される。このとき、スリットの幅は約４〜６μｍ程度であり、このスリットの幅も種々に調節可能である。この実施形態において、第２のスリット群１０２は、スキャン方向に対して約１３５度傾いて形成される。第２のスリット群１０２のスリットは、第１のスリット群１０１のスリットと平行に配置される。このとき、第１のスリット群１０１と第２のスリット群１０２を同じ領域に配置する場合には、両者が重なり合わないようにお互いをずらす方法で配置する。すなわち、第１のスリット群１０１を平行に移動させるとき、第１のスリット群１０１のスリット領域が第２のスリット群１０２のスリット間の領域を含むように第２のスリット群１０２が配置される。
【００２０】
第３のスリット群１０３は、スキャン方向に対して鋭角で傾いた複数のスリットを備え、複数のスリットのそれぞれは、スキャン方向に対して垂直方向に所定の間隔をあけたままで配列される。この実施形態において、第３のスリット群１０１は、スキャン方向に対して約４５度傾いて形成される。また、スリットの幅は約４〜６μｍ程度であり、このスリットの幅も種々に調節可能である。
【００２１】
第４のスリット群１０４は、スキャン方向に対して鋭角で傾いた複数のスリットを備え、複数のスリットのそれぞれは、スキャン方向に対して垂直方向に所定の間隔をあけたままで配列される。この実施形態において、第３のスリット群１０３は、スキャン方向に対して約４５度傾いて形成される。また、スリットの幅は約４〜６μｍ程度であり、このスリットの幅も種々に調節可能である。
第４のスリット群１０４のスリットは、第３のスリット群１０３のスリットと平行に配置される。このとき、第３のスリット群１０３と第４のスリット群１０４を同じ領域に配置する場合には、両者が重なり合わないようにお互いをずらす方法で配置する。すなわち、第３のスリット群１０３を平行に移動させるとき、第３のスリット群１０３のスリット領域が第４のスリット群１０４のスリット間の領域を含むように第４のスリット群１０４が配置される。
【００２２】
図１０に示す実施形態においては、第１のスリット群１０１〜第４のスリット群１０４が順次に隣設されているが、これに限定されることはなく、スリット群の配置順序は変更可能である。すなわち、第１のスリット群１０１と第２のスリット群１０２との間に第３のスリット群１０３または第４のスリット群１０４が配置されてもよい。
【００２３】
図１１は、本発明によるシリコン結晶化用のマスクを用いて結晶化されたシリコン粒子を概略的に示す図である。
図１１を参照して説明すると、上記のマスク１００を基板の上に形成された非晶質シリコン薄膜の上に並べた後、基板の選択領域にレーザービームを照射することで、第１のスリット群１０１により基板上のスキャン方向に対して所定の角度、例えば、９５度〜１７５度、好ましくは、１３５度傾いた方向にシリコンが結晶化される。残りの未結晶化の部分は、第１のスリット群１０１と平行に且つお互いをずらす方法で配置された第２のスリット群１０２により結晶化され、結果として、基板の所定の領域は、基板上のスキャン方向に対して１３５度傾いた方向に結晶成長されたシリコン粒子を有する。
【００２４】
また、第１及び第２のスリット群１０１、１０２により結晶化された領域の上に、第１及び第２のスリット群１０１、１０２と垂直方向に配置された第３及び第４のスリット群１０３、１０４を用いてレーザービームをさらに照射すると、第１及び第２のスリット群１０１、１０２による結晶の成長方向とは垂直方向に結晶が再成長し、結果として、図１１に示すように、基板の水平方向または垂直方向に対して所定の角度、例えば、５度〜８５度、好ましくは、４５度傾いて配置された長方形または正方形、すなわち、菱状に結晶成長されたシリコン粒子が形成される。このような形状に結晶成長されたシリコン粒子の場合、たとえ結晶粒界が存在するとしても、４５度ほど傾いた形状となるため、ポリシリコンの垂直と水平の特性バラツキがほとんどなくなる。
【００２５】
図１２は、本発明によるシリコン結晶化用のマスクを用いたＳＬＳ工程の概略進行図である。図１２を参照して説明すると、まず、非晶質シリコン薄膜が形成された基板を用意する。次いで、図１０に示すマスク１００を基板と平行に配置し、マスク１００を位置合わせする。
【００２６】
その後、マスク１００が配置された基板の上にレーザービームを照射する。これにより、マスク１００の第１のスリット群１０１〜第４のスリット群１０４を介して、レーザービームが非晶質シリコン薄膜の上に照射される（第１のショット）。このようにしてレーザービームが照射されると、第１のスリット群１０１〜第４のスリット群１０４の位置と対応する非晶質シリコン薄膜上の領域は完全に溶融された後、冷却されつつ結晶化される。
【００２７】
基板付きステージを移動させながらレーザービームを照射（第２のショット、第３のショット、第４のショット、・・・第ｎのショット）する動作を基板の最後端まで繰り返し行うことで、第１のスキャンを完了した後、１つ下の領域に移動して逆方向の第２のスキャンを行う方式により基板の上に形成された非晶質シリコン薄膜の全体の領域を結晶化させる。このようにしてＳＬＳ工程を行うことにより、すなわち、基板の上に形成された非晶質シリコン薄膜の所定の領域に第１〜第４のスリット群１０１〜１０４を順次に配置しながら、４回のレーザービームを照射することにより、所定の領域が結晶化されその工程を終える。
【００２８】
一方、図１０に示すマスク１００ではなく、水平スリットと垂直スリットを備えるマスクを用いてＳＬＳ工程を行うこともできる。簡単に述べると、まず、非晶質シリコン薄膜が形成された基板を用意する。次いで、このマスクを位置合わせするが、基板付きステージを前記マスクと所定の角度だけ傾くように配置する。
【００２９】
その後、マスクが配置された基板の上にレーザービームを照射する。すると、このマスクの水平スリットと垂直スリットを介して、レーザービームが非晶質シリコン薄膜の上に照射される。このようにしてレーザービームが照射されると、水平スリットと垂直スリットの位置と対応する非晶質シリコン薄膜上の領域は完全に溶融された後、冷却されつつ結晶化される。このようにしてＳＬＳ工程を行うことにより、結果的に、図１１に示すように、基板の水平または垂直方向に対して所定の角度だけ傾いて配置された長方形または正方形、すなわち、菱形状に結晶成長されたシリコン粒子が得られる。
【００３０】
図１３〜図１６は、本発明によるＳＬＳ工程に従い結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の水平方向及び垂直方向にチャンネルを形成した薄膜トランジスターの特性をそれぞれ示すグラフである。このとき、測定された基板は、２インチ用の低温ポリシリコンＴＦＴであり、結晶化されたポリシリコン薄膜の厚さは、約８００Å程度である。
【００３１】
図１３及び図１４は、本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の水平方向にチャンネルを形成したＮ−ＴＦＴ及びＰ−ＴＦＴの特性を示すグラフであり、図１５及び図１６は、本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の垂直方向にチャンネルを形成したＮ−ＴＦＴ及びＰ−ＴＦＴの特性を示すグラフである。
【００３２】
図１３〜図１６を参照して説明すると、各ＴＦＴの特性、例えば、Ｉｏｎ（オン時電流）（Ｖｄｓ＝１０．１、Ｖｇｓ＝２０基準時）と電子移動度（Ｖｄｓ＝１０．１基準時）を調べると、下記表２の通りである。
【表２】
0005456236.tif 000003
水平方向Ｎ−ＴＦＴのＩｏｎ（μＡ）は７５０〜９２３であり、電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は約８４〜１０６程度である。また、水平方向Ｐ−ＴＦＴのＩｏｎ（μＡ）は９１４〜９１８であり、電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は８４〜８７程度である。
なお、垂直方向Ｎ−ＴＦＴのＩｏｎ（μＡ）は７２７〜７４９であり、電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は約８５〜１０２程度である。また、垂直方向Ｐ−ＴＦＴのＩｏｎ（μＡ）は７５０〜７５６であり、電子移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は約６１程度である。
【００３３】
上述のように、本発明によれば、基板の水平方向及び垂直方向への結晶粒界の数が最小化され、水平方向と垂直方向との特性バラツキがほとんど無くなる。その結果、方向による粒子の異方性を解消して、ＴＦＴの設計に際してチャンネルの方向性を考慮する必要がなくなる結果、設計上の制約を解消することが可能になる。
【００３４】
以上、本発明によるシリコン結晶化用のマスク、これを用いたシリコン結晶化方法及び表示装置について説明したが、これは単なる例示的なものに過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、特許請求の範囲内において、本発明の要旨を逸脱することなく、この技術分野における通常の知識を有する者であれば誰でも種々の変更実施を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】通常の結晶化技術のうち、順次的側面固相化（ＳＬＳ）技術の基本原理を概略的に示す図である。
【図２】ＳＬＳにより結晶化されたシリコンの概略図である。
【図３】通常のシングルスキャンツーショットＳＬＳ工程の概略進行図である。
【図４】図３に示す結晶化されたシリコンを用いた薄膜トランジスター（水平方向にＴＦＴチャンネルを形成）の特性を示すグラフである。
【図５】図３に示す結晶化されたシリコンを用いた薄膜トランジスター（垂直方向にＴＦＴチャンネルを形成）の特性を示すグラフである。
【図６】水平スリットのみにより結晶化されたシリコンの微細構造を示す図面である。
【図７】水平スリットのみにより結晶化されたシリコンの微細構造を示す実際の写真である。
【図８】水平スリットと垂直スリットの両方により結晶化されたシリコンの微細構造を示す図面である。
【図９】水平スリットと垂直スリットの両方により結晶化されたシリコンの微細構造を示す実際の写真である。
【図１０】本発明によるシリコン結晶化用のマスクを示す図である。
【図１１】本発明によるシリコン結晶化用のマスクにより結晶化されたシリコン粒子を概略的に示す図である。
【図１２】本発明によるシリコン結晶化用のマスクを用いたＳＬＳ工程の概略進行図である。
【図１３】本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の水平方向にチャンネルを形成した薄膜トランジスター（Ｎ−ＴＦＴ）の特性を示すグラフである。
【図１４】本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の水平方向にチャンネルを形成した薄膜トランジスター（Ｐ−ＴＦＴ）の特性を示すグラフである。
【図１５】本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の垂直方向にチャンネルを形成した薄膜トランジスター（Ｎ−ＴＦＴ）の特性を示すグラフである。
【図１６】本発明によるＳＬＳ工程により結晶化されたシリコン薄膜が形成された基板の垂直方向にチャンネルを形成した薄膜トランジスター（Ｐ−ＴＦＴ）の特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３６】
１０、１００    マスク
１５      スリット
２５    溶融された領域
２７    未溶融領域
１０１    第１のスリット群
１０２    第２のスリット群
１０３    第３のスリット群
１０４    第４のスリット群
【図１】
0005456236.tif 000004
【図２】
0005456236.tif 000005
【図３】
0005456236.tif 000006
【図４】
0005456236.tif 000007
【図５】
0005456236.tif 000008
【図６】
0005456236.tif 000009
【図８】
0005456236.tif 000010
【図１０】
0005456236.tif 000011
【図１１】
0005456236.tif 000012
【図１２】
0005456236.tif 000013
【図１３】
0005456236.tif 000014
【図１４】
0005456236.tif 000015
【図１５】
0005456236.tif 000016
【図１６】
0005456236.tif 000017
【図７】
0005456236.tif 000018
【図９】
0005456236.tif 000019