(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に形成された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを覆って平坦面をなすように形成され、前記平坦面の一部に、当該平坦面を削って前記画素トランジスタの一部を露出させたコンタクトホールと、平面的にみて前記コンタクトホールを取り囲むように形成された凸部と、を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、前記絶縁膜のコンタクトホールおよび凸部を覆うように形成され、前記コンタクトホールを介して前記画素トランジスタに接続する第１透明電極と、
前記第１透明電極上に、前記第１透明電極上のうち前記絶縁膜の凸部が形成された領域以外の領域を覆うように形成された第１配向膜と、
を備え、
前記絶縁膜の凸部は、前記平坦面に対し、前記第１配向膜の膜厚と略同一かまたはそれ以上の長さで突出するように形成される、
表示装置。
【請求項２】
前記凸部は、平面的にみて、角部が丸型形状に形成された矩形状に形成される、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板に対向するように設けられた第２基板と、
前記第２基板の前記第１基板側に設けられた第２配向膜と、をさらに備え、
前記凸部は、前記凸部の突出する方向の長さが前記第２配向膜の厚みと略同じまたはそれ以上の大きさになるように形成されている、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板上に形成されたカラーフィルタをさらに備え、
前記カラーフィルタは厚みが不均一であるとともに、前記カラーフィルタ上に前記絶縁膜が形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、有機膜からなる、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、コンタクトホールを有する絶縁膜を備えた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンタクトホールを有する絶縁膜を備えた表示装置が知られている（たとえば、
特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１には、基板上に平坦化膜（絶縁膜）が形成されているとともに、平坦化
膜上に画素電極が形成された表示装置（液晶パネル）が開示されている。上記特許文献１
に開示された表示装置では、平坦化膜にコンタクトホールが形成されているとともに、画
素電極がコンタクトホールの形状を反映するようにして平坦化膜を覆うように形成されて
いる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３２８５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された表示装置の構成では、画素電極が平坦化膜
およびコンタクトホールの形状を反映するようにして形成されているため、塗布法により
画素電極上に配向膜を形成する際に液状の配向膜がコンタクトホールに流れ込む場合があ
り、その結果、液状の配向膜がコンタクトホールに流れ込んだ分、画素電極上に形成され
る配向膜の膜厚が小さくなる。このため、配向膜の塗布ムラが発生するとともに、この塗
布ムラに起因して液晶の配向ムラが発生する場合があるとともに、この液晶の配向ムラに
起因して、画像の表示ムラが発生するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つ
の目的は、画像の表示ムラが発生するのを抑制することが可能な表示装置を提供すること
である。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
この発明の第１の局面による表示装置は、第１基板と、第１基板上に形成された画素トランジスタと、画素トランジスタを覆って平坦面をなすように形成され、平坦面の一部に、当該平坦面を削って画素トランジスタの一部を露出させたコンタクトホールと、平面的にみてコンタクトホールを取り囲むように形成された凸部と、を有する絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを介して画素トランジスタに接続する第１透明電極と、第１透明電極上に形成された第１配向膜と、を備え、絶縁膜の凸部は、平坦面に対し、第１配向膜の膜厚と略同一かまたはそれ以上の長さで突出するように形成される。
【０００８】
この第１の局面による表示装置では、上記のように、コンタクトホールの周辺に形成さ
れた凸部を有する絶縁膜を備えることによって、塗布法により第１配向膜を形成する際に
、凸部によって液状の第１配向膜がコンタクトホールに流れ込むのを抑制することができ
る。したがって、第１配向膜の塗布ムラが発生するのを抑制することができるので、塗布
ムラの発生に起因して液晶の配向ムラが発生するのを抑制することができる。その結果、
画像の表示ムラが発生するのを抑制することができる。
【０００９】
また、コンタクトホールを取り囲むように形成された凸部によってコンタクトホールに液状の第１配向膜が流れ込むのを確実に抑制することができる。したがって、表示ムラが発生するのをより抑制することができる。
【００１０】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、第１透明電極は、絶縁膜のコンタクトホールおよび凸部を覆うように形成され、第１配向膜は、第１透明電極上のうち絶縁膜の凸部が形成された領域以外の領域を覆うように形成されている。このように構成すれば、第１透明電極は凸部を覆うように形成されているので、第１透明電極のうち絶縁膜の凸部に対応する領域は絶縁膜の凸部形状に伴って突出する形状となる。したがって、第１配向膜を形成する際に、液状の第１配向膜が第１透明電極上の絶縁膜の凸部に対応する領域を乗り越えてコンタクトホールに流れ込むのを抑制することができるので、第１配向膜を、第１透明電極上のうち絶縁膜の凸部に対応する領域以外の領域において均一な膜厚に形成することができる。
【００１１】
この場合、好ましくは、第１基板に対向するように設けられた第２基板と、第２基板の第１基板側に設けられた第２配向膜と、をさらに備え、凸部は、凸部の突出する方向の長さが第２配向膜の厚みと略同じまたはそれ以上の大きさになるように形成されている。このように構成すれば、絶縁膜の凸部の突出する方向の長さが第２配向膜の厚みと少なくとも略同じ大きさまたはそれ以上の大きさに形成されているので、たとえば液状の第１配向膜が余分に塗布されたとしても、余分な液状の第１配向膜が凸部を乗り越えてコンタクトホールに流れ込むとともに、第２配向膜と略同じ大きさの膜厚分に相当する液状の第１配向膜がコンタクトホールに流れ込むのを抑制することができる。したがって、余分に液状の第１配向膜が塗布された場合でも、第１配向膜と第２配向膜とを略同じ大きさの膜厚にすることができる。また、液状の配向膜が、たとえば溶媒によって希釈されている場合においても、絶縁膜の凸部の突出する方向の長さ（高さ方向）が第２配向膜の厚み以上の大きさに形成されているので、液状の配向膜がコンタクトホールに流れ込むのをより確実に抑制することができ、固まった後の配向膜を第２配向膜と略同じ大きさの膜厚にすることができる。そして、これらの結果、第１基板側の第１配向膜と、第２基板側の第２配向膜との膜厚に差が生じることに起因して、液晶の焼き付き不良が発生するのを抑制することができる。
【００１２】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、第１基板上に形成されたカラー
フィルタをさらに備え、カラーフィルタは厚みが不均一であるとともに、カラーフィルタ
上に絶縁膜が形成されている。このように構成すれば、絶縁膜が、カラーフィルタの厚み
が不均一な形状を反映するとともに、コンタクトホールに向かって下るように傾斜した形
状に形成された場合であっても、凸部によって、第１配向膜がコンタクトホールに多量に
流れ込んでしまうのを抑制することができる。
【００１４】
上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、有機膜からなる。こ
のように構成すれば、たとえば、カラーフィルタ上に絶縁膜を形成する際に、カラーフィ
ルタの耐熱性が小さい場合であっても、ＣＶＤ法により絶縁膜を形成する場合と異なりカ
ラーフィルタを熱により変形させてしまうことなく絶縁膜を塗布法により形成することが
できる。
【００１５】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記した構成を有する表示装置を備える。こ
のように構成すれば、画像の表示ムラが発生するのを抑制することが可能な電子機器を得
ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である
。図２および図３は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の詳細な構成を説明する
ための図である。まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装
置１００の構成について説明する。なお、第１実施形態では、表示装置の一例である液晶
表示装置に本発明を適用した場合について説明する。
【００２１】
第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、表示画面部１と、駆動
ＩＣ２と、Ｖドライバ３と、Ｈドライバ４と、バックライト５とを備えている。表示画面
部１には、複数の画素１ａがマトリックス状に配置されている。なお、図１は、図面の簡
略化のために３画素分の画素１ａを図示している。
【００２２】
駆動ＩＣ２は、液晶表示装置１００全体を駆動するための機能を有する。Ｖドライバ３
およびＨドライバ４には、それぞれ、複数のゲート線３ａおよびデータ線４ａが接続され
ている。また、ゲート線３ａおよびデータ線４ａは、互いに直交するように配置されてい
る。Ｖドライバ３は、ゲート線３ａの駆動回路としての機能を有する。また、Ｈドライバ
４は、データ線４ａを介して、後述する画素電極１ｃに映像信号を順次供給する機能を有
する。また、バックライト５は、画素１ａの透過領域の光源として構成されている。
【００２３】
また、各画素１ａは、図１および図２に示すように、画素トランジスタ１ｂ（ＴＦＴ）
と、画素電極１ｃと、共通電極１ｄと、保持容量１ｅとにより構成されている。画素トラ
ンジスタ１ｂのドレイン領域Ｄは、データ線４ａに接続されているとともに、画素トラン
ジスタ１ｂのソース領域Ｓは、画素電極１ｃと保持容量１ｅの一方の電極とに接続されて
いる。また、画素トランジスタ１ｂのゲートＧは、ゲート線３ａに接続されている。また
、共通電極１ｄは、ＣＯＭドライバ（図示せず）に接続されている。また、保持容量１ｅ
の他方の電極（図３参照）は保持容量線６に接続されているとともに、保持容量線６もＣ
ＯＭドライバ（図示せず）に接続されている。また、画素電極１ｃと共通電極１ｄとの間
には液晶７が封入されている。なお、画素電極１ｃおよび共通電極１ｄは、それぞれ、本
発明の「第１透明電極」および「第２透明電極」の一例である。
【００２４】
また、画素１ａが形成された領域の詳細な断面構造としては、図３に示すように、画素
１ａは、互いに対向するように配置された一対の基板１０および基板２０を備えていると
ともに、基板１０と基板２０との間に液晶７が封入されている。基板１０および基板２０
は、たとえば、ガラス板などにより形成されている。なお、基板１０および基板２０は、
それぞれ、本発明の「第１基板」および「第２基板」の一例である。
【００２５】
また、基板１０上には、ＳｉＯ２などからなるバッファ層１１が形成されている。また
、バッファ層１１上には、低温ポリシリコンからなる半導体層１２が形成されている。半
導体層１２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１ｂの能動層とし
ての機能を有する。そして、半導体層１２には、能動層として機能するチャネル領域１２
ａを挟むように所定の間隔を隔てて、ソース領域１２ｂおよびドレイン領域１２ｃが形成
されている。また、半導体層１２上には、ゲート絶縁膜としての機能を有する絶縁膜１３
が形成されている。また、絶縁膜１３上にはゲート電極１４が形成されている。チャネル
領域１２ａと、ソース領域１２ｂと、ドレイン領域１２ｃと、絶縁膜１３と、ゲート電極
１４とによって、電界効果型トランジスタ（画素トランジスタ１ｂ）が構成されている。
なお、ゲート電極１４は、ゲート線３ａ（図２参照）に接続されている。また、絶縁膜１
３上には、補助容量１ｅの他方の電極が形成されている。
【００２６】
また、ゲート電極１４および補助容量１ｅの他方の電極を覆うように、層間絶縁膜１５
が形成されているとともに、層間絶縁膜１５には、コンタクトホール１５ａおよび１５ｂ
が形成されている。また、コンタクトホール１５ａおよび１５ｂは、それぞれ、半導体層
１２のソース領域１２ｂおよびドレイン領域１２ｃに達するように形成されている。そし
て、コンタクトホール１５ａを介して半導体層１２のソース領域１２ｂに電気的に接続さ
れるようにソース電極１６ａが形成されている。また、コンタクトホール１５ｂを介して
半導体層１２のドレイン領域１２ｃに電気的に接続されるようにドレイン電極１６ｂが形
成されている。また、層間絶縁膜１５、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂを覆
うように、パッシベーション層１７が形成されている。
【００２７】
ここで、第１実施形態では、パッシベーション層１７上には、たとえば、アクリル樹脂
などの感光性を有する有機膜からなる平坦化膜１８が形成されている。なお、有機膜から
なる平坦化膜１８は、本発明における「絶縁膜」の一例である。また、平坦化膜１８には
、コンタクトホール１８ａが形成されているとともに、このコンタクトホール１８ａは、
ソース電極１６ａにまで達するように形成されている。なお、コンタクトホール１８ａは
、平面的にみて、角部が丸型形状に形成された矩形状（図２参照）に形成されている。
【００２８】
また、第１実施形態では、平坦化膜１８のコンタクトホール１８ａの周辺には、凸部１
８ｂが図の矢印Ｙ方向（高さ方向）に長さＬ分だけ突出するように形成されている。具体
的には、図２に示すように、平坦化膜１８の凸部１８ｂは、平面的にみてコンタクトホー
ル１８ａを取り囲むように環状に形成されている。また、凸部１８ｂの長さＬは、後述す
る配向膜２１の厚みｔとほぼ同じかまたはそれ以上の大きさになるように形成されている
。
【００２９】
また、第１実施形態では、平坦化膜１８上には、コンタクトホール１８ａおよび凸部１
８ｂを覆うようにして、透明電極（ＩＴＯ）からなる画素電極１ｃが形成されている。画
素電極１ｃは、コンタクトホール１８ａおよび凸部１８ｂの形状を反映した形状を有する
ようにして形成されている。これにより、画素電極１ｃは、平坦化膜１８の凸部１８ｂに
対応する領域において凸部１８ｂと同様に矢印Ｙ方向に長さＬ分だけ突出するように形成
されている。また、配向膜１９が、平坦化膜１８と、画素電極１ｃのうち平坦化膜１８の
凸部１８ｂが形成された領域以外の領域とを覆うように形成されている。なお、配向膜１
９は、本発明の「第１配向膜」の一例である。
【００３０】
また、基板２０には、基板１０と対向する側の面上に共通電極１ｄが形成されていると
ともに、共通電極１ｄを覆うように配向膜２１が形成されている。なお、配向膜２１は、
本発明における「第２配向膜」の一例である。
【００３１】
図４〜図７は、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するた
めの断面図である。次に、図３〜図７を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示
装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３２】
まず、図４に示すように、基板１０の表面上にバッファ層１１を形成した後に、バッフ
ァ層１１上に半導体層１２を形成する。次に、バッファ層１１および半導体層１２を覆う
ように絶縁膜１３を形成するとともに、絶縁膜１３の表面上にゲート電極１４および補助
容量１ｅの他方の電極を形成する。なお、ゲート電極１４および補助容量１ｅの他方の電
極は、同一の導電膜をパターニングすることにより形成される。そして、絶縁膜１３、ゲ
ート電極１４および補助容量１ｅの他方の電極を覆うように層間絶縁膜１５を形成する。
【００３３】
次に、層間絶縁膜１５にエッチングによりコンタクトホール１５ａおよび１５ｂを形成
し、このコンタクトホール１５ａおよび１５ｂに、それぞれソース電極１６ａおよびドレ
イン電極１６ｂを形成する。その後、層間絶縁膜１５、ソース電極１６ａおよびドレイン
電極１６ｂを覆うようにパッシベーション層１７を形成するとともに、パッシベーション
層１７に、ソース電極１６ａにまで達するようなコンタクトホール１７ａを形成する。そ
して、パッシベーション層１７およびコンタクトホール１７ａを覆うように、塗布法によ
り、アクリル樹脂からなる有機系の平坦化膜１８を形成する。
【００３４】
ここで、第１実施形態では、平坦化膜１８を形成した後に、平坦化膜１８の表面に対し
てＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により研磨
を行う。これにより平坦化膜１８が平坦化される。そして、図５に示すように、平坦化膜
１８にエッチングによりソース電極１６ａにまで達するコンタクトホール１８ａを形成す
る。なお、平坦化膜１８にコンタクトホール１８ａを形成した後に、平坦化膜１８の表面
に対してＣＭＰにより研磨を行ってもよい。
【００３５】
次に、第１実施形態では、平坦化膜１８の凸部１８ｂを形成するために、コンタクトホ
ール１８ａと、凸部１８ｂが形成される領域以外の領域にレジスト膜（図示せず）を形成
した後に、配向膜１９の膜厚ｔと略同一かまたはそれ以上の長さＬだけドライエッチング
を行う。これにより、図６の形状になる。そして、図７に示すように、平坦化膜１８を覆
うようにして画素電極１ｃを形成する。ここで、画素電極１ｃは、コンタクトホール１８
ａおよび凸部１８ｂの形状を反映するようにして形成される。
【００３６】
そして、平坦化膜１８および画素電極１ｃを覆うようにして、塗布法によりポリイミド
（ＰＩ）からなる配向膜１９を形成する。また、配向膜１９は長さＬと略同一かまたはそ
れ以下の厚みｔになるように形成される。なお、このとき、ポリイミドが余分に供給され
た場合には、余分なポリイミドは凸部１８ｂを乗り越えて画素電極１ｃのコンタクトホー
ル１８ａに対応する領域に流れ込むことによって、凸部１８ｂの長さＬと同じ長さの厚み
ｔからなる配向膜１９が形成される。そして、基板１０側と、共通電極１ｄおよび配向膜
２１が形成された基板２０側とを張り合わせて液晶７を封入することにより、図３に示す
状態となる。
【００３７】
本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００は、図８および図９に示すように、携
帯電話５０およびＰＣ（パーソナルコンピュータ）６０などに用いることが可能である。
図８の携帯電話５０においては、表示画面５０ａに本発明の第１実施形態における液晶表
示装置１００が用いられる。また、図９のＰＣ６０においては、キーボード６０ａなどの
入力部および表示画面６０ｂなどに用いることが可能である。また、周辺回路を液晶パネ
ル内の基板に内蔵することにより部品点数を大幅に減らすとともに、装置本体の軽量化お
よび小型化を行うことが可能になる。
【００３８】
第１実施形態では、上記のように、コンタクトホール１８ａの周辺に凸部１８ｂが形成
された平坦化膜１８を備えることによって、塗布法により配向膜１９を形成する場合に、
凸部１８ｂによってポリイミドが画素電極１ｃのコンタクトホール１８ａに対応する領域
に流れ込むのを抑制することができるので、配向膜１９の塗布ムラが発生するのを抑制す
ることができる。したがって、塗布ムラの発生に起因して液晶７の配向ムラが発生するの
を抑制することができるので、その結果、表示ムラが発生するのを抑制することができる
。
【００３９】
また、上記第１実施形態では、平坦化膜１８の凸部１８ｂを、平面的にみて、コンタク
トホール１８ａを取り囲むように形成することによって、画素電極１ｃのコンタクトホー
ル１８ａに対応する領域にポリイミドが流れ込むのを確実に抑制することができるので、
表示ムラが発生するのをより抑制することができる。
【００４０】
また、上記第１実施形態では、配向膜１９は、画素電極１ｃ上のうち平坦化膜１８の凸
部１８ｂが形成された領域以外の領域を覆うように形成することによって、配向膜１９を
形成する際に、ポリイミドが画素電極１ｃの凸部１８ｂに対応する領域を乗り越えてコン
タクトホール１８ａに対応する領域に流れ込むのを抑制することができる。これにより、
ポリイミドが凸部１８ｂによって平坦化膜１８および画素電極１ｃ上に保持されるので、
配向膜１９を画素電極１ｃ上のうち平坦化膜１８の凸部１８ｂに対応する領域以外の領域
において均一な膜厚に形成することができる。
【００４１】
また、上記第１実施形態では、凸部１８ｂを、凸部１８ｂの突出する方向（図３の矢印
Ｙ方向）の長さ（Ｌ）が配向膜２１の厚みと略同じ大きさになるように形成することによ
って、たとえば、ポリイミドが余分に塗布された場合であっても、余分なポリイミドが凸
部１８ｂを乗り越えてコンタクトホール１８ａに流れ込むとともに、配向膜２１と略同じ
大きさの膜厚分の長さである凸部１８ｂによって、厚みＬ分の配向膜１９がコンタクトホ
ール１８ａに流れ込むのを抑制することができる。したがって、基板１０側の配向膜１９
と基板２０側の配向膜２１とを略同じ大きさの膜厚にすることができる。その結果、基板
１０側の配向膜１９と、基板２０側の配向膜２１との膜厚に差が生じることに起因して、
液晶７の焼き付き不良が発生するのを抑制することができる。なお、凸部１８ｂの突出す
る方向（矢印Ｙ方向／高さ方向）の長さ（Ｌ）を配向膜２１の厚みより大きくなるように
形成してもよい。これにより、たとえば、ポリイミドが溶媒によって希釈されている場合
などに、凸部１８ｂの突出する方向の長さ（Ｌ）が配向膜２１の厚み以上の大きさに形成
されていることにより、ポリイミドがコンタクトホール１８ａに流れ込むのを抑制しなが
ら、かつ、配向膜１９と配向膜２１とを略同じ大きさの膜厚にすることができる。その結
果、このように形成した場合においても、液晶７の焼き付き不良が発生するのを抑制する
ことができる。
【００４２】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置の断面図である。図１１は、本発
明の第２実施形態による液晶表示装置の画素部分の拡大図である。図１、図１０および図
１１を参照して、第２実施形態では、第１実施形態の構造にカラーフィルタをさらに備え
た構造について説明する。
【００４３】
本発明の第２実施形態による液晶表示装置２００では、図１０に示すように、パッシベ
ーション層１７上に、カラーフィルタ３０が形成されている。また、カラーフィルタ３０
の厚みは不均一である。なお、各画素１ａ（図１参照）毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（
青）のいずれかの色に対応するカラーフィルタ３０が配置されているとともに、カラーフ
ィルタ３０は、色毎に異なる表面形状（表面の傾斜の状態が異なる形状）に形成されてい
る。また、図１１に示すように、カラーフィルタ３０は、ソース電極１６ａおよびソース
電極１６ａのコンタクトホール１８ａが形成されている領域以外の領域に配置されている
。
【００４４】
なお、第２実施形態のその他の構成は第１実施形態と同様である。
【００４５】
図１２および図１３は、本発明の第２実施形態による液晶表示装置２００の製造プロセ
スを説明するための断面図である。次に、図１０、図１２および図１３を参照して、本発
明の第２実施形態による液晶表示装置２００の製造プロセスについて説明する。
【００４６】
まず、第１実施形態と同様の工程で、基板１０上に、バッファ層１１からパッシベーシ
ョン層１７までを形成する。次に、パッシベーション層１７上に、着色レジスト法または
ラミネート法によって各画素１ａ毎に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）のカラーフィ
ルタ３０を形成する。そして、パッシベーション層１７およびカラーフィルタ３０を覆う
ように、塗布法により平坦化膜４０を形成する。これにより、図１２のような状態となる
。なお、平坦化膜４０は、本発明における「絶縁膜」の一例である。ここで、図１２に示
すように、平坦化膜４０の表面は、カラーフィルタ３０の厚みが不均一であるために、表
面が平坦化されることなくカラーフィルタの形状を反映したような形状となる。また、こ
のとき、カラーフィルタ３０が平均的に約１μｍの厚みになるように形成されているとと
もに、平坦化膜４０は、約２μｍの厚みになるようにカラーフィルタ３０を覆うように形
成される。つまり、カラーフィルタ３０上に塗布された状態の平坦化膜４０の厚みは、カ
ラーフィルタ３０の厚みの約２倍程度となる。
【００４７】
ここで、第２実施形態では、平坦化膜４０を形成した後に、平坦化膜４０の表面上をＣ
ＭＰにより研磨する。これにより、図１３に示すように、平坦化膜４０の表面が平坦化さ
れる。
【００４８】
そして、この後、第１実施形態と同様の工程を行うことによって、図１０に示す状態と
なる。
【００４９】
第２実施形態では、上記のように、厚みが不均一であるカラーフィルタ３０の表面に形
成された平坦化膜４０が、カラーフィルタ３０の厚みが不均一な形状を反映するように形
成された場合であっても、ＣＭＰによる機械研磨工程によって平坦化された後に画素電極
１ｃが形成されるので、この場合においても、凸部１８ｂと表面が研磨された平坦化膜４
０とによって画素電極１ｃのコンタクトホール１８ａに対応する領域にポリイミドが流れ
込むのを抑制することができるとともに、配向膜１９と配向膜２１との膜厚を同じ大きさ
にすることができる。
【００５０】
なお、第２実施形態のその他の効果は第１実施形態と同様である。
【００５１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと
考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範
囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が
含まれる。
【００５２】
たとえば、上記第１実施形態および第２実施形態では、平面的にみて、コンタクトホー
ルを角部が丸型形状に形成された矩形状に形成するとともに、コンタクトホールを取り囲
むように凸部を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、平面的にみて、コンタク
トホールは円形状であってもよい。また、この場合においても、凸部は円形状のコンタク
トホールを取り囲むように円環状に形成される。
【００５３】
また、上記第２実施形態において、カラーフィルタ上に形成した平坦化膜を研磨すると
ともに、研磨した後の平坦化膜に凸部を形成することによって、コンタクトホールに多量
のポリイミドが流れ込むのを抑制する例を示したが、図１４に示す参考例のように、カラ
ーフィルタ上に形成した平坦化膜に凸部を設けることなく表面を研磨することのみによっ
てもコンタクトホールに多量のポリイミドが流れ過ぎてしまうのを抑制することが可能で
あると考えられる。つまり、カラーフィルタ３０における不均一な形状に伴って表面が平
坦化されていない平坦化膜４０ａ上に画素電極１ｃを形成した場合には画素電極１ｃもカ
ラーフィルタ３０の不均一な形状を反映して形成されるために、ポリイミドを塗布した際
に画素電極１ｃの不均一な形状に起因してコンタクトホール１８ａに多量のポリイミドが
流れ込んでしまうと考えられる。したがって、平坦化膜４０ａに凸部を設けることなく研
磨工程を行うのみであっても、カラーフィルタ３０上の平坦化膜４０ａに研磨工程を行う
ことなく配向膜を形成する工程を行った場合に比べてポリイミドのコンタクトホール１８
ａへの流れ込む量は小さいと考えられるので、その分、より所望の膜厚の配向膜を形成す
ることが可能であると考えられる。すなわち、画像の表示ムラが発生するのを抑制するこ
とが可能であると考えられる。
【００５４】
また、上記第２実施形態の参考例として、カラーフィルタ上に形成した平坦化膜に凸部
を設けることなく表面を研磨する例を示したが、上記第１実施形態のようにカラーフィル
タを形成しない場合においても、平坦化膜に凸部を設けることなく表面を研磨することの
みによってコンタクトホールに多量のポリイミドが流れ過ぎてしまうのを抑制することが
可能であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の画素部分の拡大図である。
【図３】図２の１００ａ−１００ａ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明する図である。
【図９】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明する図である。
【図１０】図１１の２００ａ−２００ａ線に沿った断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の画素部分の拡大図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】本発明の液晶表示装置の構成に伴う参考例を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１ｃ            画素電極（第１透明電極）
１０            基板（第１基板）
１８            平坦化膜（絶縁膜）
１８ａ          コンタクトホール
１８ｂ          凸部
１９            配向膜（第１配向膜）
２０            基板（第２基板）
２１            配向膜（第２配向膜）
３０            カラーフィルタ
４０            平坦化膜（絶縁膜）
５０            携帯電話（電子機器）
６０            ＰＣ（電子機器）
１００、２００  液晶表示装置（表示装置）
【図１】
0005477612.tif 000002
【図２】
0005477612.tif 000003
【図３】
0005477612.tif 000004
【図４】
0005477612.tif 000005
【図５】
0005477612.tif 000006
【図６】
0005477612.tif 000007
【図７】
0005477612.tif 000008
【図８】
0005477612.tif 000009
【図９】
0005477612.tif 000010
【図１０】
0005477612.tif 000011
【図１１】
0005477612.tif 000012
【図１２】
0005477612.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
0005477612.tif 000015