(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極と前記励振電極から引き出された引出電極とを有し、前記励振電極への電圧印加により厚みすべり振動する水晶振動片を載置した水晶デバイスの製造方法において、
外部電極を含む実装面と前記実装面の反対側で前記外部電極に接続された接続電極を含む底面とを有するベース部に、前記水晶振動片又は前記水晶振動片と前記水晶振動片を囲む外枠とを有する水晶フレームを載置する載置工程と、
前記載置工程後、前記外部電極から抵抗値を測定する工程と、
前記抵抗値が閾値よりも低い場合に、前記引出電極又は前記接続電極の最小幅の領域にレーザを照射して前記最小幅をさらに細くするレーザ照射工程と、
を備える水晶デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記載置工程では前記ベース部に前記水晶振動片が載置され、
前記水晶振動片を覆うように前記ベース部の底面にリッド部を接合する接合工程を備え、
前記ベース部はガラス又は水晶からなる透明材料からなり、
前記接合工程後に前記レーザ照射工程を行う請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記載置工程では前記ベース部に前記水晶振動片が載置され、
前記水晶振動片を覆うように前記ベース部の底面にリッド部を接合する接合工程を備え、
前記接合工程前に前記レーザ照射工程を行う請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記載置工程では、前記水晶フレームが前記外枠の一方の面に前記ベース部を接合することにより前記ベース部に載置され、
前記水晶振動片を覆うように前記外枠の他方の面にリッド部を接合する接合工程を備え、
前記接合工程前又は前記接合工程後に前記レーザ照射工程を行う請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ベース部が複数形成されたベースウエハを用意する工程を備え、
前記載置工程は前記水晶振動片を前記ベースウエハの個々のベース部に載置する請求項２又は請求項３に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記ベース部が複数形成されたベースウエハを用意する工程と、
前記水晶フレームが複数形成された水晶ウエハを用意する工程と、を備え、
前記載置工程は前記水晶ウエハを前記ベースウエハに載置する請求項４に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記引出電極又は前記接続電極の前記最小幅の領域には前記外部電極から前記励振電極への方向に櫛歯状に伸びる櫛歯電極が形成され、前記櫛歯電極の櫛歯を合計した幅が前記最小幅となる請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記接続電極へは、前記実装面と前記底面とを結ぶ前記ベース部の側面又は前記ベース部を貫通するスルーホールを経由して前記外部電極に接続する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の水晶デバイスの製造方法。
【請求項９】
励振電極と前記励振電極から引き出される引出電極とを有し前記励振電極への印加により厚みすべり振動する水晶振動片と、
外部電極が形成された実装面と前記外部電極に接続された接続電極が形成された前記実装面の反対側の底面とを有するベース部と、を備え、
前記水晶振動片の前記引出電極が前記ベース部の前記接続電極に導通しており、前記接続電極は、前記外部電極から前記励振電極への方向に櫛歯状に伸びる櫛歯電極を有する水晶デバイス。
【請求項１０】
前記水晶振動片は前記水晶振動片を囲む外枠を有する水晶フレームに設けられており、前記外枠が前記底面に接合される請求項９に記載の水晶デバイス。
【請求項１１】
前記櫛歯電極の櫛歯を合計した幅が前記接続電極の最小幅の領域となる請求項９又は請求項１０に記載の水晶デバイス。
【請求項１２】
前記ベース部の側面にはキャスタレーションが形成され、
前記接続電極は前記キャスタレーションを介して前記外部電極に接続され、
前記櫛歯電極が前記キャスタレーションに形成されている請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
【請求項１３】
前記櫛歯電極は前記底面に形成され、
前記ベース部が透明材料で形成され、
前記ベース部の前記実装面には、前記外部電極が形成されず前記櫛歯電極の少なくとも一部に前記ベース部の厚さ方向に重なる領域が形成される請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
【請求項１４】
透明材料で形成され、前記ベース部に前記水晶振動片を挟んで対面するように配置され、前記水晶振動片を密封するキャビティを形成するリッド部を有し、
前記櫛歯電極が前記底面に形成され、少なくとも前記櫛歯電極の一部が前記キャビティに露出して前記リッド部に高さ方向に向かい合う請求項９から請求項１１のいずれか一項に記載の水晶デバイス。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベース又は水晶振動片に形成された電極の幅を調節することによりＣＩ値が制御される水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
厚みすべり振動の水晶振動片をパッケージ内に収納した水晶デバイスは、各種の電子機器に周波数の基準源として広く採用されている。水晶振動片は製造過程でその共振周波数が調整される。その調整方法には例えば特許文献１に示されるように、水晶デバイスにコンデンサが形成されるように電極を配置し、形成されたコンデンサの容量を変えることにより水晶デバイスの共振周波数を調整する方法が提案されている。
【０００３】
一方、水晶デバイスのクリスタルインピーダンス（ＣＩ）値は小さければ小さい方が良いとされ、製造時にＣＩ値が確認されて基準ＣＩ値よりも大きなＣＩ値を有する水晶デバイスは規格外品とされ、基準ＣＩ値よりも小さなＣＩ値であれば合格品とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９９９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、電子機器のプリント基板等を設計する際には、水晶デバイスもある抵抗値（ＣＩ値）を有する電子素子として扱われる。このため、水晶デバイスのＣＩ値が想定ＣＩ値よりも小さすぎる場合、プリント基板全体の抵抗値の計算が狂ってしまい好ましくない場合があった。
【０００６】
そこで本発明は、ベース又は水晶振動片に形成された電極の幅を調節することによりＣＩ値が制御される水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１観点の水晶デバイスの製造方法は、励振電極と励振電極から引き出された引出電極とを有し、励振電極への電圧印加により厚みすべり振動する水晶振動片を載置した水晶デバイスの製造方法において、外部電極を含む実装面と実装面の反対側で外部電極に接続された接続電極を含む底面とを有するベース部に、水晶振動片を載置する載置工程と、載置工程後、外部電極から抵抗値を測定する工程と、抵抗値が閾値よりも低い場合に、引出電極又は接続電極の最小幅の領域にレーザを照射して最小幅をさらに細くするレーザ照射工程と、を備える。
【０００８】
第２観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点において、水晶振動片を覆うようにベース部の底面にリッド部を接合する接合工程を備え、ベース部はガラス又は水晶からなる透明材料からなり、接合工程後にレーザ照射工程を行う。
【０００９】
第３観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点において、水晶振動片を覆うようにベース部の底面にリッド部を接合する接合工程を備え、接合工程前にレーザ照射工程を行う。
【００１０】
第４観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点から第３観点において、載置工程は、水晶振動片を囲む外枠を有する水晶フレームをベース部に載置する工程を含む。
【００１１】
第５観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点から第３観点において、ベース部が複数形成されたベースウエハを用意する工程を備え、載置工程は水晶振動片をベースウエハの個々のベース部に載置する。
【００１２】
第６観点の水晶デバイスの製造方法は、第４観点において、ベース部が複数形成されたベースウエハを用意する工程と、水晶フレームが複数形成された水晶ウエハを用意する工程と、を備え、載置工程は水晶ウエハをベースウエハに載置する。
【００１３】
第７観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点から第６観点において、引出電極又は接続電極は外部電極から励振電極への方向に櫛歯状に伸びる櫛歯電極を有する。
【００１４】
第８観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点から第７観点において、接続電極へは、実装面と底面とを結ぶベース部の側面又はベース部を貫通するスルーホールを経由して外部電極に接続する。
【００１５】
第９観点の水晶デバイスは、励振電極と励振電極から引き出される引出電極とを有し励振電極への印加により厚みすべり振動する水晶振動片と、外部電極が形成された実装面と外部電極に接続された接続電極が形成された実装面の反対側の底面とを有するベース部と、を備え、水晶振動片の引出電極がベース部の接続電極に導通しており、引出電極と接続電極との少なくとも一方は、外部電極から励振電極への方向に櫛歯状に伸びる櫛歯電極を有する。
【００１６】
第１０観点の水晶デバイスは、第９観点において、水晶振動片は水晶振動片を囲む外枠を有する水晶フレームに設けられており、外枠が底面に接合される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、ベース又は水晶振動片に形成された電極の幅を調節することによりＣＩ値が制御される水晶デバイスの製造方法及び水晶デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、水晶デバイス１００の分解斜視図である。  （ｂ）は、水晶デバイス１００の断面図である。
【図２】（ａ）は、ベース部１２の実装面（−Ｙ’軸側の面）の平面図である。  （ｂ）は、ベース部１２の底面（＋Ｙ’軸側の面）の平面図である。
【図３】ＣＩ値毎に水晶デバイス１００の個数分布が示されたグラフである。
【図４】水晶デバイス１００の製造方法のフローチャートである。
【図５】ベース部１２が形成されたベースウエハ１２Ｗの概略平面図である。
【図６】リッド部１１が形成されたリッドウエハ１１Ｗの概略平面図である。
【図７】（ａ）は、ベースウエハ１２Ｗに形成されたベース部１２に水晶振動片１０が載置された状態の断面図である。  （ｂ）は、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとが接合された状態の断面図である。  （ｃ）は、図７（ｂ）の点線枠３０の拡大図である。
【図８】（ａ）は、水晶デバイス２００の分解斜視図である。  （ｂ）は、ウエハ上に形成された水晶デバイス２００の一部が拡大された断面図である。
【図９】（ａ）は、ベース部１２ｂの実装面（−Ｙ’軸側の面）の平面図である。  （ｂ）は、ベース部１２ｂの底面（＋Ｙ’軸側の面）の平面図である。
【図１０】ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合する前にＣＩ値を調整する場合の水晶デバイス１００の製造方法のフローチャートである。
【図１１】ベース部１２及び水晶振動片１０の斜視図である。
【図１２】（ａ）は、水晶デバイス３００の断面図である  （ｂ）は、ベース部１２ｃ及び水晶振動片１０ｃの平面図である。  （ｃ）は、ベース部１２ｃの平面図である。
【図１３】水晶デバイス４００の概略斜視図である。
【図１４】（ａ）は、水晶フレーム１７ｄの平面図である。  （ｂ）は、図１３のＨ−Ｈ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００２０】
（第１実施形態）
＜水晶デバイス１００の構成＞
図１（ａ）は、水晶デバイス１００の分解斜視図である。水晶デバイス１００は、ガラス又は水晶等の透明材料で形成されているリッド部１１と、ガラス又は水晶等の透明材料で形成されているベース部１２と、ベース部１２上に載置される水晶振動片１０とを備える。水晶デバイス１００では、水晶振動片１０にＡＴカット水晶振動片が用いられている。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。そのため、以下、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、水晶デバイス１００において水晶デバイス１００の長手方向をＸ軸方向、水晶デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００２１】
水晶デバイス１００は、＋Ｙ’軸側にリッド部１１、−Ｙ’軸側にベース部１２が配置され、ベース部１２の＋Ｙ’軸側の面上に水晶振動片１０が載置される。リッド部１１は、−Ｙ’軸側の面にリッド凹部１１１が形成され、リッド凹部１１１の周囲にリッド接合部１１２が形成されている。ベース部１２の＋Ｙ’軸側の底面には、ベース凹部１２１が形成されベース凹部１２１の周囲にベース接合部１２２が形成されている。また、ベース部１２の±Ｘ軸側の側面にはキャスタレーション１２３が形成されている。±Ｘ軸側のベース接合部１２２には接続電極１２４が形成されており、接続電極１２４の一部は櫛歯状の櫛歯電極１２７となっている。また、ベース部１２の底面の反対側の実装面（−Ｙ’軸側の面）には外部電極１２５が形成されており、この実装面はプリント基板等に水晶デバイス１００が実装される面である。接続電極１２４と外部電極１２５とはキャスタレーション１２３に形成されているキャスタレーション電極１２６を介して電気的に接続されている。水晶振動片１０は、±Ｙ’軸側の面にそれぞれ励振電極１０１が形成されている。各励振電極１０１は、各励振電極１０１から水晶振動片１０の＋Ｘ軸側又は−Ｘ軸側の−Ｙ’軸側の面にまで形成されている引出電極１０２に電気的に接続されている。水晶振動片１０は、各引出電極１０２が底面の接続電極１２４上にくるように配置される。
【００２２】
図１（ｂ）は、水晶デバイス１００の断面図である。これは、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。水晶デバイス１００の内部には、リッド凹部１１１及びベース凹部１２１によりキャビティ１５が形成され、水晶振動片１０はキャビティ１５に載置される。水晶振動片１０は、引出電極１０２と接続電極１２４との間に導電性接着剤１３を介することによりベース部１２に固定される。また、リッド接合部１１２とベース接合部１２２との間に封止材１４が塗布されて、ベース部１２とリッド部１１とが互いに接合される。
【００２３】
図２（ａ）はベース部１２の実装面の平面図である。外部電極１２５はキャスタレーション電極１２６と電気的に接続されている。また図２（ａ）には、点線で＋Ｙ’軸側の底面に形成されるベース凹部１２１及びベース凹部１２１の外周部に形成されるベース接合部１２２が示されている。さらに、点線でベース接合部１２２上に形成される接続電極１２４の位置が示されている。外部電極１２５の中には電極が形成されていない領域１２５ａが形成されており、領域１２５ａはＹ’軸方向に対して接続電極１２４に形成された櫛歯電極１２７の約半分ほどの面積と重なっている。
【００２４】
図２（ｂ）はベース部１２の底面の平面図である。接続電極１２４はキャスタレーション電極１２６に電気的に接続されている。また、接続電極１２４の一部は外部電極１２５から励振電極１０１へ櫛歯状に伸びる櫛歯電極１２７が形成されている。櫛歯電極１２７はＺ’軸方向に電極が形成されている領域と電極が形成されていない領域が交互に形成されている。櫛歯電極１２７の幅は、櫛歯電極１２７の＋Ｚ’軸側と−Ｚ’軸側との間の幅Ｗ１２７であるが、その電極が形成されていない領域を除いた幅の合計は接続電極１２４、キャスタレーション電極１２６及び外部電極１２５の中で最も狭くなるように形成されている。図２（ｂ）に描かれた左側の櫛歯電極１２７は電極の一部が切断されている状態が示されている。櫛歯電極１２７は、その一部が切断されることにより、櫛歯電極１２７全体の電気抵抗値は高くなり、水晶デバイス１００の全体のＣＩ値は上昇する。櫛歯電極１２７は、櫛歯状の電極が何本切断されたかによって、櫛歯電極１２７全体の電気抵抗値を細かく制御することができる。
【００２５】
図３は、ＣＩ値毎に水晶デバイス１００の個数分布が示されたグラフである。図３は、縦軸に水晶デバイス１００の個数、横軸にＣＩ値が示されている。水晶デバイス１００は、例えばＣＩ値が３０Ωになるように作製しようとしても実際には３０Ωから外れて作製されるものも出てくる。その実際に作製される水晶デバイス１００の個数と、水晶デバイス１００のＣＩ値との関係は、図３の曲線２０のように示される。作製しようとしたＣＩ値の領域が上限閾値Ａ（一点鎖線Ａ）及び下限閾値Ｂ（一点鎖線Ｂ）に挟まれた領域であるとすると、ＣＩ値が上限閾値Ａ以上のＣＩ値が高い領域に入る製品は規格外品になる。ＣＩ値が下限閾値Ｂよりも低い領域に入る製品は使用可能であるものの、水晶デバイス１００をプリント基板等に実装する時には想定したＣＩ値と異なるために好ましくない場合がある。本実施形態では、この下限閾値Ｂ以下の範囲にある水晶デバイス１００のＣＩ値が上限閾値Ａと下限閾値Ｂとの間の範囲に調整される。
【００２６】
＜水晶デバイス１００の製造方法＞
図４は、水晶デバイス１００の製造方法のフローチャートである。以下、図４を参照しながら水晶デバイス１００の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、ステップＳ１０１で、水晶振動片１０が作製される。水晶振動片１０はＡＴカット水晶振動片である。人工水晶から水晶ウエハがＡＴカットで切り出され、水晶ウエハ上に水晶振動片１０の外形及び励振電極１０１、引出電極１０２等の電極が形成される。更に各水晶振動片１０が水晶ウエハからダイシングにより切り離されることによって図１（ａ）の水晶振動片１０に示されるような水晶振動片１０が作製される。
【００２８】
つぎに、ステップＳ１０２で、ベースウエハ１２Ｗにベース部１２が形成される。ベースウエハ１２Ｗに形成されるベース部１２に関して図５を参照して説明する。
図５は、ベース部１２が形成されたベースウエハ１２Ｗの概略平面図である。ベースウエハ１２Ｗはガラス又は水晶等の透明材料で形成されている。図５の一点鎖線は水晶デバイス１００が形成された後に切断されるダイシングラインを示している。つまり、一点鎖線で囲まれた最小の領域は、一つのベース部１２に相当する。各ベース部１２にはエッチングによりベース凹部１２１、ベース接合部１２２及びキャスタレーション１２３が形成され、さらに接続電極１２７、キャスタレーション電極１２６及び外部電極１２５が形成される。また、ベースウエハ１２ＷにはオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。
【００２９】
つぎに、ステップＳ１０３で、リッドウエハ１１Ｗにリッド部１２が形成される。リッドウエハ１１Ｗに形成されるリッド部１１に関して図６を参照して説明する。
図６は、リッド部１１が形成されたリッドウエハ１１Ｗの概略平面図である。リッドウエハ１１Ｗもガラス又は水晶等の透明材料で形成されている。図６の一点鎖線は水晶デバイス１００が形成された後に切断されるダイシングラインを示している。つまり、一点鎖線で囲まれた最小の領域は、一つのリッド部１１に相当する。各リッド部１１にはエッチングによりリッド凹部１１１及びリッド接合部１１２が形成される。また、リッドウエハ１１ＷにはオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。
【００３０】
つぎに、ステップＳ１０４で、水晶振動片１０がベースウエハ１２Ｗに形成されたベース部１２に載置される。
図７（ａ）は、ベースウエハ１２Ｗに形成されたベース部１２に水晶振動片１０が載置された状態の断面図である。水晶振動片１０は、ベースウエハ１２Ｗに形成された各ベース部１２にそれぞれ接合される。この接合は、図１（ｂ）に示されるように、引出電極１０２と接続電極１２４とが導電性接着剤１３を介することにより行われる。
【００３１】
つぎに、ステップＳ１０５で、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとが接合される。
図７（ｂ）は、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとが接合された状態の断面図である。ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとは、互いに接合される。この接合は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示されるように、ベース接合部１２２とリッド接合部１１２とが封止材１４を挟むことにより行われる。また、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとが接合されることによりキャビティ１５が形成される。
【００３２】
つぎに、ステップＳ１０６で、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとが接合された状態で、個々の水晶デバイス１００のＣＩ値が測定される。ＣＩ値は、プローブ等を使って水晶デバイス１００に形成された２つの外部電極１２５を介して測定される。
【００３３】
つぎに、ステップＳ１０７で、水晶デバイス１００のＣＩ値が図３の上限閾値Ａ（一点鎖線Ａ）以上であるかどうかの評価が行われる。水晶デバイス１００のＣＩ値が図３における上限閾値Ａ以上であった場合、この水晶デバイス１００は規格外品として取り扱われる（ステップＳ１０８）。また、水晶デバイス１００のＣＩ値が図３における上限閾値Ａより小さかった場合、ステップＳ１０９に向かう。
【００３４】
ステップＳ１０９では、水晶デバイス１００のＣＩ値が図３の下限閾値Ｂ（一点鎖線Ｂ）以上であるかどうかの評価を行う。水晶デバイス１００のＣＩ値は、ここではステップＳ１０７で上限閾値Ａよりも低い値であることが確認されているため、ＣＩ値が下限閾値Ｂ以上である場合は、ＣＩ値が適正値範囲内にあることを意味している。この場合は、つぎにステップＳ１１１に向かい、ダイシングが行われて水晶デバイス１００がウエハから分割される。また、水晶デバイス１００のＣＩ値が下限閾値Ｂより小さかった場合は、ステップＳ１１０に向かう。
【００３５】
ステップＳ１１０では、櫛歯電極１２７の一部がレーザで切断される。水晶デバイス１００のＣＩ値は、櫛歯電極１２７の一部を切断して櫛歯電極１２７全体の電気抵抗値を上げることにより水晶デバイス１００のＣＩ値を上昇させ、図３の上限閾値Ａより小さく下限閾値Ｂ以上である領域内にＣＩ値が入るように調整される。
【００３６】
図７（ｃ）は、図７（ｂ）の点線枠３０の拡大図である。図７（ｃ）の点線３１で囲まれた領域には櫛歯電極１２７が形成されている。導電性接着剤１３及び封止材１４が形成されていない領域の櫛歯電極１２７がレーザで切断される。リッドウエハ１１Ｗがガラス又は水晶等の透明材料であるので、レーザ（図中の白抜き矢印Ｃ）は、リッドウエハ１１Ｗを介して点線３１で囲まれた櫛歯電極１２７に照射されることにより櫛歯電極１２７を切断する。
【００３７】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）で説明されたように、ベース部１２は外部電極１２５の電極が形成されていない領域１２５ａと櫛歯電極１２７の少なくとも一部とがＹ’軸方向に重なっている領域を有する。そのため、この重なっている領域を介してベースウエハ１２Ｗの−Ｙ’軸側の面から点線３１で囲まれた領域にレーザ（図中の白抜き矢印Ｄ）を照射することにより櫛歯電極１２７を切断しても良い。第１実施形態では、リッドウエハ１１Ｗ及びベースウエハ１２Ｗがともに透明材料であったが、リッドウエハ１１Ｗ又はベースウエハ１２Ｗの一方からレーザが照射できれば足りるため、他方は不透過材料であってもよい。
【００３８】
ステップＳ１０６からステップＳ１１０までの工程は、個々の水晶デバイス１００のＣＩ値を測定しながらレーザで必要なだけ櫛歯電極１２７の一部を切断してもよいし、すべての水晶デバイス１００のＣＩ値を測定した後に下限閾値Ｂ以下の水晶デバイス１００に対して櫛歯電極１２７の一部をレーザで切断してもよい。
【００３９】
ステップＳ１１０で水晶デバイス１００のＣＩ値が調整された後は、ステップＳ１１１でダイシングが行われて水晶デバイス１００がウエハから分割される。
【００４０】
（第２実施形態）
第１実施形態では、接続電極１２４に櫛歯電極１２７が形成されたが、キャスタレーション電極が櫛歯状に形成されていても良い。以下、櫛歯状に形成されたキャスタレーション電極１２６ａを有する水晶デバイス２００について説明する。
【００４１】
＜水晶デバイス２００の構成＞
図８（ａ）は、水晶デバイス２００の分解斜視図である。以下、水晶デバイス１００と同様の構成の部分には水晶デバイス１００と同様の符号を用い、その説明を省略する。水晶デバイス２００は、ベース部１２ａのキャスタレーション１２３に形成されているキャスタレーション電極１２６aが櫛歯状に形成されている点で水晶デバイス１００と異なっている。キャスタレーション電極１２６ａは、水晶デバイス１００に形成されている櫛歯電極１２７と同様に、電極が形成されていない領域を除いた幅は接続電極１２４、キャスタレーション電極１２６及び外部電極１２５の中で最も狭くなるように形成されている。また、接続電極１２４上には櫛歯電極１２７が形成されていない。
【００４２】
図８（ｂ）は、ウエハ上に形成された水晶デバイス２００の一部が拡大された断面図である。図８（ｂ）は、図４のステップＳ１１０を説明するための図であり、図７（ｃ）と同じ領域が示されている。また、図８（ｂ）は櫛歯状のキャスタレーション電極１２６ａが形成され接続電極１２４に櫛歯電極１２７が形成されていないことを除いては、図７（ｃ）と同じ状態である。
【００４３】
水晶デバイス２００は、図４に示された水晶デバイス１００の製造工程と同様の工程により作製される。製造工程の中で水晶デバイス２００が水晶デバイス１００と特に異なる点は、ステップＳ１１０である。水晶デバイス２００は外部に露出しているキャスタレーションに櫛歯状の電極が形成されている。このため、リッドウエハ１１Ｗ又はベースウエハ１２Ｗを介さずにレーザでキャスタレーション電極１２６ａの一部を切断することにより水晶デバイス２００のＣＩ値を調整することができる。そのため、水晶デバイス２００では、リッドウエハ１１Ｗ及びベースウエハ１２Ｗが透明材料でなくても良い。
【００４４】
（第３実施形態）
第１実施形態では、ベース部１２の接続電極１２４に櫛歯電極１２７が形成されたが、接続電極１２４には櫛歯電極１２７が形成されなくても良い。以下、キャスタレーション電極１２６に櫛歯電極１２７が形成されていないベース部１２ｂについて説明する。
【００４５】
＜ベース部１２ｂの構成＞
図９（ａ）は、ベース部１２ｂの−Ｙ’軸側の実装面の平面図である。ベース部１２ｂは四隅にキャスタレーション１２３ａが形成され、キャスタレーション１２３ａにはキャスタレーション電極１２６ｂが形成されている。また、ベース部１２ｂの実装面には外部電極１２５が形成されており、外部電極１２５の中には電極が形成されていない領域１２５ａが形成されている。外部電極１２５はキャスタレーション電極１２６ｂと電気的に接続されている。また図９（ａ）には、点線で＋Ｙ’軸側の底面に形成されるベース凹部１２１及びベース凹部１２１の外周部に形成されるベース接合部１２２が示されている。さらに、点線でベース接合部１２２上に形成される接続電極１２４ａの位置が点線で示されている。接続電極１２４ａの一部は外部電極１２５の領域１２５ａとＹ’軸方向に対して重なっている。
【００４６】
図９（ｂ）は、ベース部１２ｂの＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース部１２ｂの＋Ｙ’軸側の底面には接続電極１２４ａが形成されており、接続電極１２４ａはキャスタレーション電極１２６ｂと電気的に接続されている。また、接続電極１２４ａの一部は接続電極１２４ａの他の部分、キャスタレーション電極１２６ｂ及び外部電極１２５の中で最も狭くなるように細く形成されており、その幅はＷ１２４ａである。ベース部１２ｂでは、幅Ｗ１２４ａの少なくとも一部が外部電極１２５の領域１２５ａとＹ’軸方向に対して重なっている。図９（ｂ）の左側の接続電極１２４ａには、接続電極１２４ａの幅Ｗ１２４ａで形成されていた部分の一部が切断されている状態が示されている。接続電極１２４ａの最も細い部分が切断されて更に細くなる事により、接続電極１２４ａ全体の電気抵抗値は高くなり、水晶デバイスの全体のＣＩ値は上昇し、水晶デバイスのＣＩ値を調整することができる。
【００４７】
（第４実施形態）
第１実施形態から第３実施形態までは、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合してウエハ上に水晶デバイスを形成した後に、水晶デバイスのＣＩ値を調整した。しかし、水晶デバイスのＣＩ値の調整は、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合する前に行っても良い。以下、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合する前に水晶デバイスのＣＩ値を調整する水晶デバイス１００の作製方法について説明する。
【００４８】
図１０は、ベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合する前にＣＩ値を調整する水晶デバイス１００の製造方法のフローチャートである。以下、図１０を参照しながらベースウエハ１２Ｗとリッドウエハ１１Ｗとを接合する前にＣＩ値を調整する場合の水晶デバイス１００の製造方法について説明する。
【００４９】
まず、ステップＳ１０１で、水晶振動片１０が作製される。つぎに、ステップＳ１０２でベースウエハ１２Ｗにベース部１２が形成され、更にステップＳ１０３でリッドウエハ１１Ｗにリッド部１１が形成される。その後、ステップＳ１０４で水晶振動片１０がベースウエハ１２Ｗに形成されたベース部１２に載置される。ステップＳ１０１からステップＳ１０４に関しては、図４と同様であるため詳細な説明を省略する。
【００５０】
つぎに、ステップＳ２０５で、水晶デバイス１００のＣＩ値が測定される。ＣＩ値は、水晶デバイス１００に形成された２つの外部電極１２５を介して測定される。
【００５１】
つぎに、ステップＳ２０６で、水晶デバイス１００のＣＩ値が図３の上限閾値Ａ（一点鎖線Ａ）以上であるどうかの評価が行われる。水晶デバイス１００のＣＩ値が上限閾値Ａ以上であった場合、つぎにステップＳ２０７に進み、この水晶デバイス１００は規格外品として取り扱われる。また、水晶デバイス１００のＣＩ値が上限閾値Ａより小さかった場合、ステップＳ２０８に進む。
【００５２】
ステップＳ２０８では、水晶デバイス１００のＣＩ値が図３の下限閾値Ｂ（一点鎖線Ｂ）以上であるかどうかの評価が行われる。ＣＩ値が下限閾値Ｂ以上である場合はＣＩ値が適正値範囲内にあることを意味している。この場合は、つぎにステップＳ２１０に向かう。また、水晶デバイス１００のＣＩ値が一点鎖線Ｂより小さかった場合は、ステップＳ２０９に向かう。
【００５３】
ステップＳ２０９では、水晶デバイス１００のＣＩ値を測定しながら櫛歯電極１２７がレーザで切断される。水晶デバイス１００のＣＩ値は、櫛歯電極１２７の一部を切断して櫛歯電極１２７全体の電気抵抗値を上げることにより水晶デバイス１００のＣＩ値を上昇させ、図３の上限閾値Ａより小さく下限閾値Ｂ以上である領域内にＣＩ値が入るように調整される。
【００５４】
図１１は、ベース部１２及び水晶振動片１０の斜視図である。図１１は、図７（ａ）の一組のベース部１２及び水晶振動片１０のみを示した図である。図１１に示されるように、ステップＳ２０９では、櫛歯電極１２７は外部に露出された状態になっている。そのため、図１１の白抜き矢印Ｆに示されるように、櫛歯電極１２７にレーザをリッドウエハ１１Ｗ又はベースウエハ１２Ｗを通さずに照射することができるため、リッドウエハ１１Ｗ又はベースウエハ１２Ｗは透明材料で形成される必要がない。
【００５５】
つぎに、ステップＳ２１０で、ベースウエハ１２Ｗ及びリッドウエハ１１Ｗが接合される。これは、図４のステップＳ１０４と同様である。
最後に、ステップＳ２１１でダイシングにより水晶デバイス１００がウエハから分割される。
【００５６】
（第５実施形態）
第１実施形態から第５実施形態までは、ウエハにキャスタレーションが形成され、キャスタレーションを介してベースに形成されている接続電極と外部電極とが電気的に接続された。しかし、接続電極と外部電極とはスルーホールを介して電気的に接続されていてもよい。以下に、スルーホールを介して接続電極と外部電極とが接続されている水晶デバイス３００について説明する。
【００５７】
＜水晶デバイス３００＞
図１２（ａ）は、水晶デバイス３００の断面図である。図１２（ａ）は、後述する図１２（ｂ）のＧ−Ｇ断面図である。水晶デバイス３００は、リッド部１１ｃ、ガラス又は水晶等の透明材料により形成されたベース部１２ｃ及び水晶振動片１０ｃにより構成されている。ベース部１２ｃには底面にベース凹部１２１ｃが形成されており、このベース凹部１２１ｃには台座ＩＤが形成されている。その台座ＩＤはベース接合部１２１と同じ高さである。この台座ＩＤの＋Ｙ’側には接続電極１２４ｃが形成されている。接続電極１２４ｃは、ベース部１２ｃを貫通するスルーホールに形成されている貫通電極１２８ｃを介して、ベース部１２ｃの実装面に形成される外部電極１２５ｃと電気的に接続されている。水晶振動片１０ｃは、±Ｙ’軸側の面に励振電極１０１ｃが形成されており、各励振電極１０１ｃは引出電極１０２ｃとして電極が水晶振動片１０ｃの外周部側に引き出されている。また、水晶振動片１０はベース部１２ｃの接続電極１２４ｃと引出電極１０２ｃとが導電性接着剤１３ｃにより接着されることにより接合されている。リッド部１１ｃの−Ｙ’軸側の面にはリッド凹部１１２ｃが形成されており、リッド部１１ｃ及びベース部１２ｃが封止材１４ｃによって接合された際に、水晶デバイス３００内にはキャビティ１５ｃが形成される。
【００５８】
図１２（ｂ）は、ベース部１２ｃ及び水晶振動片１０ｃの平面図である。図１２（ｂ）には、図１２（ａ）のリッド部１１ｃを取り除いた状態が示されている。ベース部１２ｃの台座ＩＤには２つの接続電極１２４ｃが形成されており、水晶振動片１０ｃに形成されている各引出電極１０２ｃはそれぞれ接続電極１２４ｃに接続される。
【００５９】
図１２（ｃ）は、ベース部１２ｃの平面図である。各接続電極１２４ｃはスルーホールに形成される貫通電極１２８ｃを介して外部電極１２５ｃに電気的に接続される。一方の接続電極１２４ｃは、＋Ｘ軸側に形成される外部電極１２５ｃと電気的に接続されるためにＸ軸方向に長く形成されている。このＸ軸方向に長く形成された接続電極１２４ｃの一部は、接続電極１２４ｃの他の部分、貫通電極１２８ｃ及び外部電極１２５ｃの中で最も狭くなるように細く形成されており、その幅はＷ１２４ｃである。この幅Ｗ１２４ｃを更に細くするようにレーザで一部を切断し削ることで水晶デバイス３００のＣＩ値を調整することができる。幅Ｗ１２４ｃの接続電極１２４ｃを削る際にはベース部１２ｃの−Ｙ’軸側からレーザを照射することにより行われる。
【００６０】
（第６実施形態）
水晶振動片に外枠が形成されて、リッド部とベース部とで挟まれる水晶デバイス４００であっても良い。以下、水晶振動片に外枠が形成されている水晶デバイス４００について説明する。
【００６１】
＜水晶デバイス４００＞
図１３は、水晶デバイス４００の概略斜視図である。水晶デバイス４００は主に、ガラス又は水晶等の透明材料により形成されたリッド部１１ｄと、ガラス又は水晶等の透明材料により形成されたベース部１２ｄと、水晶フレーム１７ｄとにより形成されている。水晶フレーム１７ｄは水晶振動片１０ｄと水晶振動片１０ｄを囲むように形成された外枠１６ｄとにより形成されている。リッド部１１ｄ、ベース部１２ｄ及び水晶フレーム１７ｄの外枠１６ｄには四隅にキャスタレーション１２３ｄが形成され、４つ形成されるキャスタレーション１２３ｄの対向する一組のキャスタレーション１２３ｄにはキャスタレーション電極１２６ｄが形成される。リッド部１１ｄの−Ｙ’軸側の面には金属環１１９ｄが形成されている。水晶振動片１０ｄは励振電極１０１ｄ及び引出電極１０２ｄが形成され、外枠１６ｄの±Ｙ’軸側の面には金属環１０９ｄが形成されている。各金属環１０９ｄは引出電極１０２ｄを介して励振電極１０１ｄと電気的に接続されている。ベース部１２ｄの底面にベース凹部１２１ｄが形成されている。また、ベース凹部１２１ｄを囲むように金属環１２９ｄが形成されている。ベース部１２ｄの実装面には２つの外部電極１２５ｄが形成されている。リッド部１１ｄに形成されている金属環１１９ｄと水晶フレーム１７ｄの外枠１６ｄの＋Ｙ’軸側に形成された金属環１０９ｄとが接合され、ベース部１２ｄの金属環１２９ｄと水晶フレーム１７ｄの外枠１６ｄの−Ｙ’軸側に形成された金属環１０９ｄとが接合される。また、一組のキャスタレーション電極１２６ｄの一方は、一方の外部電極１２５ｄと、水晶フレーム１７ｄの＋Ｙ’軸側に形成された金属環１０９ｄと、リッド部１１ｄの金属環１１９ｄとを電気的に接続している。また、この一方の外部電極１２５の中には電極が形成されていない領域１２５ａが形成されている。この領域１２５ａと水晶フレーム１７ｄの−Ｙ’軸側の面に形成された引出電極１０２ｄの少なくとも一部とは重なるように形成されている。また、他方のキャスタレーション電極１２６ｄは、他方の外部電極１２５ｄと、水晶フレーム１７ｄの−Ｙ’軸側に形成された金属環１０９ｄとを電気的に接続している。
【００６２】
図１４（ａ）は、水晶フレーム１７ｄの平面図である。水晶フレーム１７ｄは、励振電極１０１ｄと金属環１０９ｄとが引出電極１０２ｄを介して電気的に接続されている。引出電極１０２ｄの一部は引出電極１０２ｄの他の部分、キャスタレーション電極１２６ｄ及び外部電極１２５ｃの中で最も幅が狭くなるように細く形成されており、その幅はＷ１０２ｄである。
【００６３】
図１４（ｂ）は、図１３のＨ−Ｈ断面図である。水晶デバイス４００は、リッド部１１ｄ又はベース部１２ｄを介して引出電極１０２ｄの幅Ｗ１０２ｄである部分の電極の幅を、レーザを照射することによって更に細くする事により水晶デバイス４００のＣＩ値を調整することができる。幅Ｗ１２４ｃの引出電極１０２ｄを削る際には、図中の白抜き矢印Ｉで示されるようにベース部１２ｄの−Ｙ’軸側又はリッド部１１ｄの＋Ｙ’軸側からレーザを照射することにより行われる。ベース部１２ｄの−Ｙ’軸側より−Ｙ’軸側の面に形成された引出電極１０２ｄに対して行われるレーザの照射は、外部電極１２５ｄに形成された領域１２５ａを通して行われる。
【００６４】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、上記実施形態では外部電極１２５（図２及び図９を参照）又は外部電極１２５ｄ（図１３参照）の中に電極が形成されていない領域１２５ａを形成したが、領域１２５ａを形成せずに接続電極１２４又は引出電極１０２ｄの電極の幅を調整し、その後に外部電極１２５又は外部電極１２５ｄを形成しても良い。この場合は、外部電極１２５又は外部電極１２５ｄに、接続電極１２４又は引出電極１０２ｄにレーザ照射を行うための領域１２５ａを形成しなくても良い。
【符号の説明】
【００６５】
１０、１０ｃ、１０ｄ  …  水晶振動片
１１、１１ｃ、１１ｄ  …  リッド部
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ  …  ベース部
１３  …  導電性接着剤
１４  …  封止材
１５、１５ｃ  …  キャビティ
１６ｄ  …  外枠
１７ｄ  …  水晶フレーム
１００、２００、３００、４００  …  水晶デバイス
１０１、１０１ｃ、１０１ｄ  …  励振電極
１０２、１０２ｃ、１０２ｄ  …  引出電極
１０９ｄ、１１９ｄ、１２９ｄ  …  金属環
１１１  …  リッド凹部
１１２  …  リッド接合部
１２１、１２１ｃ、１２１ｄ  …  ベース凹部
１２２  …  ベース接合部
１２３、１２３ａ、１２３ｄ  …  キャスタレーション
１２４、１２４ａ、１２４ｃ、１２４ｄ  …  接続電極
１２５  …  外部電極
１２６、１２６ａ、１２６ｂ、１２６ｄ  …  キャスタレーション電極
１２７  …  櫛歯電極
１２８ｃ  …  貫通電極
ＯＦ  …  オリエンテーションフラット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005584078.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005584078.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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