(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板のうちいずれか一つに信号を印加するために備えられるパッド電極の欠陥を修理する装置において、
前記基板が基準面にロードされるステージと、
前記ステージ上に備えられ前記パッド電極の欠陥位置に移動し、中心に浄化ガスおよび原料ガスが排出されるように形成されたレーザー光照射孔を基点に底面に第１排気口とシールドガス排出口と第２排気口が順次形成されるチャンバと、
前記ステージ上に設けられ基準面に密着した基板の対向面を支持するクランプと、を含み、
前記欠陥の修理が行われる領域での圧力が一定に維持されるよう、前記基板と前記チャンバの底面との間隔が前記チャンバの底面の内外側によって異なることを特徴とするパッドパターン修理装置。
【請求項２】
前記基板と前記チャンバとの間隔は、前記シールドガス排出口を基準として、内側領域と、前記シールドガス排出口から前記第２排気口までの両側の第１、２外側領域とが、それぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項３】
前記基板と前記チャンバとの間隔は、前記シールドガス排出口を基準として、内側領域と、前記シールドガス排出口から前記第２排気口までの両側の第１、２外側領域中クランプが備えられた第２外側領域との間隔が同一であることを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項４】
前記基板と前記チャンバとは、前記内側領域を基準として前記第１、２外側領域での間隔を調節することを特徴とする請求項２又は３に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項５】
前記パッド電極に電気的に接続させて抵抗を測定するプローブチップがさらに備えられることを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項６】
前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に絶縁膜がある場合、接続孔の形成(Ｚａｐｐｉｎｇ)、配線孔の充填(Ｃｏｎｔａｃｔ Ｈｏｌｅ Ｆｉｌｌｉｎｇ)および結線(Ｗｉｒｉｎｇ)により欠陥を修理することを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項７】
前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に絶縁膜がない場合、結線により欠陥を修理することを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【請求項８】
前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に有機物がある場合には有機物を除去することを特徴とする請求項１に記載のパッドパターン修理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッドパターン修理装置(Ｐａｄ ｐａｔｔｅｒｎ ｒｅｐａｉｒ ａｐｐａｒａｔｕｓ)に関し、特に、カラーフィルタ基板に備えられ検査信号を入力するように備えられたパッド電極の欠陥を修理するパッドパターン修理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、一般的な液晶パネル１０の構造を示すものであり、ＴＦＴ基板１２と、カラーフィルタ基板１４が積層されて形成され、ビジュアルを検査するためにプローブユニットのプローブピンに接触する検査信号入力パッド１６と、グロステスト(Ｇｒｏｓｓ Ｔｅｓｔ)時に接触するＯＬＢパッド１６とが備えられている。
【０００３】
このような、パッド１６は、ＴＡＧフィルム、異方性伝導フィルム(ＡＣＦ)、ＬＤＩ(ＬＣＤ ＤＲＩＶＥＲ ＩＣ)、異方性伝導フィルム(ＡＣＦ)およびガラスが積層されて結合した状態を維持している。
【０００４】
特に、前記パッド１６の欠陥は、プローブステーションテスト(Ｐｒｏｂｅ Ｓｔａｔｉｏｎ Ｔｅｓｔ)時に、プローブチップ(Ｐｒｏｂｅ Ｔｉｐ)が接触する部分でスクラッチ(Ｓｃｒａｔｃｈ)が発生して生じたり、ガラススクライビング(Ｇｌａｓｓ Ｓｃｒｉｂｉｎｇ)、ガラスカット(Ｇｌａｓｓ Ｃｕｔ)の段階で発生するパーティクル(Ｐａｒｔｉｃｌｅ)によりスクラッチが発生して生じたり、その他基板のロード/アンロード(Ｌｏａｄｉｎｇ/Ｕｎｌｏａｄｉｎｇ)中に発生するスクラッチおよびパーティクルにより生じる。
【０００５】
しかしながら、従来のパッドの欠陥を修理する領域であるチャンバと基板との間隔が一定であり、修理領域とその外部領域での気圧差によって修理領域での空気が外部に流出してしまい工程歩留まりが低下するという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記従来の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、欠陥の修理が行われる領域での圧力を一定に維持することにより、工程歩留まりを向上させることができるパッドパターン修理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した目的を達成するために本発明は、複数の基板のうちいずれか一つに信号を印加するために備えられるパッド電極の欠陥を修理する装置において、前記基板が基準面にロードされるステージと、前記ステージ上に備えられ前記パッド電極の欠陥位置に移動し、中心に浄化ガスおよび原料ガスが排出されるように形成されたレーザー光照射孔を基点に底面に第１排気口とシールドガス排出口と第２排気口が順次形成されるチャンバと、前記ステージ上に設けられ基準面に密着した基板の対向面を支持するクランプと、を含み、前記欠陥の修理が行われる領域での圧力が一定に維持されるよう、前記基板と前記チャンバの底面との間隔が前記チャンバの底面の内外側によって異なることを特徴とする。
【０００８】
なお、本発明での前記基板と前記チャンバとの間隔は、前記シールドガス排出口を基準として、内側領域と、前記シールドガス排出口から前記第２排気口までの両側の第１、２外側領域とがそれぞれ異なることを特徴とする。
【０００９】
なお、本発明での前記基板と前記チャンバとの間隔は、前記シールドガス排出口を基準として、内側領域と、前記シールドガス排出口から前記第２排気口までの両側の第１、２外側領域中クランプが備えられた第２外側領域との間隔が同一であることを特徴とする。
【００１０】
なお、本発明での前記基板と前記チャンバとは、前記内側領域を基準として前記第１、２外側領域での間隔を調節することを特徴とする。
【００１１】
なお、本発明では、前記パッド電極に電気的に接続させて抵抗を測定するプローブチップがさらに備えられることを特徴とする。
【００１２】
なお、本発明での前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に絶縁膜がある場合、接続孔の形成(Ｚａｐｐｉｎｇ)、配線孔の充填(Ｃｏｎｔａｃｔ Ｈｏｌｅ Ｆｉｌｌｉｎｇ)および結線(Ｗｉｒｉｎｇ)により欠陥を修理することを特徴とする。
【００１３】
なお、本発明での前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に絶縁膜がない場合、結線により欠陥を修理することを特徴とする。
【００１４】
なお、本発明での前記パッドパターン修理装置は、前記パターンの金属電極上に有機物がある場合には有機物を除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
このような本発明のパッドパターン修理装置は、欠陥の修理が行われる領域での圧力を一定に維持することにより、工程歩留まりを向上させる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一般的な液晶パネルを概略的に示すものである。
【図２】本発明によるパッドパターン修理装置においてクランプがない状態を示す図である。
【図３】本発明によるパッドパターン修理装置においてクランプがない状態を示す図である。
【図４】本発明によるパッドパターン修理装置においてクランプがある状態を示す図である。
【図５】本発明によるパッドパターン修理装置においてクランプがある状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のパッドパターン修理装置を添付の図面を参照して一実施例を挙げて説明する。但し、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００１８】
本発明の望ましい一実施例によるパッドパターン修理装置１００は、図２および図３に示すように、ステージ１１０、チャンバ１２０、駆動手段およびクランプ１３０を含み、ＴＦＴ基板１２とカラーフィルタ基板１４のうち重なっていないＴＦＴ基板１２上に信号印加のために備えられるパッド１６の電極欠陥を修理する機能を提供する。
【００１９】
特に、前記パッドパターン修理装置１００は、ＬＣＤ又はＯＬＥＤ基板(以下'基板'とする。)と駆動印刷回路基板(ＰＣＢ)を連結するパッド１６において、前記パッド１６の金属電極で発生するオープン(Ｏｐｅｎ)又はショート(Ｓｈｏｒｔ)欠陥を修理するレーザー化学気相蒸着(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ)修理装置についての技術である。
【００２０】
前記ステージ(Ｓｔａｇｅ:１１０)は、その上部にパッド１６電極の欠陥を修理する基板１２、１４がロードされ、ロードのときに基準点を付与するために上面の一端に基準体１１２が備えられる。ここで、前記基準体１１２は、前記基板１２、１４の一側端が接触するように折曲形状に形成されることが望ましい。
【００２１】
前記チャンバ１２０は、前記ステージ１１０上に備えられ、前記駆動手段(図示せず)により前記パッド１６電極の欠陥位置にＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に向かって移動してフォーカシングした後レーザー光を照射し、中心に浄化ガス排出口１２３および原料ガス排出口１２２が形成されたレーザー光照射孔１２１が形成され、底面に前記レーザー光照射孔１２１を基点に第１排気口１２５ａとシールドガス排出口１２６と第２排気口１２５ｂが順次形成される。
【００２２】
すなわち、前記チャンバ１２０は、基板１２、１４と離隔された上側に設けられ、最上端に加熱部(図示せず)が備えられると共に、中心部にレーザー光が照射される通路であるレーザー光照射孔１２１が形成され、外部のガス供給部(図示せず)から原料ガス供給ラインを通じて流入し、前記原料ガス供給部から前記レーザー光照射孔１２１の方向に向かって傾斜した原料ガス排出口１２２が形成され、前記原料ガス排出口１２２から排出される金属原料ガスがレーザー光照射孔１２１の最下端に集まるように噴射される。
【００２３】
なお、前記チャンバ１２０内で前記原料ガス供給部の上端に外部の浄化ガス供給部(図示せず)と連結された浄化ガス排出口１２３が、その一端から浄化ガス供給ラインを通じて浄化ガスが流入するように連結される。
【００２４】
なお、前記チャンバ１２０内で浄化ガス排出口１２３の上端にレーザー光が通過するように備えられた光学窓１２４は、その底面に接するＯリング(Ｏ-ｒｉｎｇ)により気密性が維持された状態で固定される。
【００２５】
なお、前記チャンバ１２０は、前記レーザー光照射孔１２１を基点に底面に排気手段と連結される前記第１、２排気口１２５ａ、１２５ｂと、シールドガス(Ｓｈｉｅｌｄ ｇａｓ)供給部(図示せず)と連結されると共に、流入方向と排出方向が異なるようにシールドガス排出口１２６がそれぞれ形成される。
【００２６】
ここで、前記シールドガス排出口１２６は、パッド１６の薄膜蒸着時に基板表面の損傷を防止するためにシールドガスを噴射する。一方、前記シールドガス排出口１２６は、シールドガスが外側方向に向かって傾斜するように排出されるので、エアカーテン(Ａｉｒ ｃｕｒｔａｉｎ)が形成され、このエアカーテンにより未反応ガスおよび反応付加物の漏出が発生しないようにする。
【００２７】
前記駆動手段は、図には示していないが、前記ステージ１１０に設けられて前記チャンバ１２０をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に向かって移動させる構成要素であり、前記レーザー光照射孔１２１を前記パッド１６電極の欠陥位置に移動させる。この際、前記移動手段はＸ、Ｙ方向にだけ移動することができる。
【００２８】
前記クランプ１３０は、前記ステージ１１０上に設けられ基準体１１２の基準面に密着した基板の対向面を支持する。
【００２９】
一方、前記チャンバ１２０の底面と前記基板１２、１４との間隔は、前記チャンバ１２０の底面の内外側によって異なり、欠陥の修理が行われる領域での排出と排気圧力が一定に維持され、前記チャンバ１２０と前記基板１２、１４との間隔は、前記シールドガス排出口１２６を基準として内側領域(領域２)と、前記シールドガス排出口１２６から前記第２排気口１２５ｂまでの第１、２外側領域(領域１、領域３)がそれぞれ異なる。
【００３０】
これは、前記パッド１６電極の欠陥を修理するために前記内側領域(領域２)と第１、２外側領域(領域１、領域３)である工程領域内の空気が、前記工程領域の外部に流出されることにより発生する気圧差を防止するために間隔を段差状に形成するのである。この際、本実施例では、前記第１外側領域(領域１)に位置したＴＦＴ基板１２の端部から前記内側領域(領域２)に露出したカラーフィルタ基板１４および前記第２外側領域(領域３)に露出したステージ１１０まで段々と間隔が広くなることを例示する。
【００３１】
さらに、前記チャンバ１２０と前記基板１２、１４との間隔は、前記パッド１６の金属電極の欠陥修理時に蒸着(Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)に影響を与える要素であるので、前記内側領域(領域２)を基準として前記第１、２外側領域(領域１,領域３)での間隔を調節することが望ましい。
【００３２】
そして前記第１排気口１２５ａは、大部分の残留したシールドガス、浄化ガスおよび原料ガスなどがこれを通じて排気される。そして前記チャンバ１２０と前記基板１２、１４との間隔は、前記基板１２、１４の厚さが０.５ｍｍである場合を基準とする時、前記第１外側領域(領域１)は０.５ｍｍであり、内側領域(領域２)は１ｍｍであり、第２外側領域(領域３)は１.５ｍｍである。この際、前記チャンバ１２０と前記基板１２、１４との間隔は、基板１２、１４の厚さに応じて相対的に増減する。
【００３３】
これとは異なり、前記チャンバ１２０の底面と前記基板１２、１４との間隔中第２外側領域(領域３)に備えられたクランプ１３０の表面と前記チャンバ１２０の底面との間隔を前記内側領域(領域２)と同一にするか、ほぼ同一にする。これは、前記内側領域(領域２)と前記第２外側領域(領域３)内で前記チャンバ１２０の底面と前記基板１２、１４との間隔を一定に維持して気流の流れと圧力を均一に制御するためである(図４および図５参照)。
【００３４】
結局、本発明のパッドパターン修理装置１００は、前記基板１２上に備えられたパターン１６の金属電極がオープン(Ｏｐｅｎ)された領域に対しては、蒸着工程を適用してオープンされた領域の電極を繋ぐ方法で修理する。そして、蒸着は接続孔の形成(Ｚａｐｐｉｎｇ)、配線孔の充填(Ｃｏｎｔａｃｔ Ｈｏｌｅ Ｆｉｌｌｉｎｇ)、結線(Ｗｉｒｉｎｇ)の順序である。この際、前記パターン１６の金属電極上に絶縁膜がある場合、接続孔の形成、配線孔の充填および結線の順序に蒸着が進行され、絶縁膜がない場合は、接続孔の形成および配線孔の充填段階を除いて結線のみでも欠陥を修理することが可能である。さらに、前記パターン１６の金属電極上に残留する接着剤などのような有機物がある場合には、紫外線レーザー(ＵＶ Ｌａｓｅｒ)を用いて該当領域の有機物を除去する。この際、電極の形成のための金属ソースは、モリブデン(Ｍｏ)、タングステン(Ｗ)、銅(Ｃｕ)、銀(Ａｇ)、クロム(Ｃｒ)等を用いる。さらには、前記基板１２上に金属電極がショートされた領域に対してはカッティング(Ｃｕｔｔｉｎｇ)工程を適用してショート状態となっている領域を電気的にオープンするように修理する。そして、前記パッド１６電極に電気的に接続させて抵抗を測定するプローブチップ(図示せず)がさらに備えられ、前記金属電極の欠陥修理後にパターン１６の金属電極の両端にプローブチップ(Ｐｒｏｂｅ Ｔｉｐ)を接触して抵抗を測定した後、加工が成功したか否かを判断することができる。さらに、前記パッド１６部位に付着していた異方性伝導フィルム(ＡＣＦ)、ＬＤＩ、フィルムなどを剥がした状態でも、付着している状態でも欠陥修理が可能である。
【００３５】
上述の本発明の詳しい説明が望ましい実施例で説明されたが、本発明の範囲は実施例によって限定されるものではない。したがって、本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更を加え得ることが当業者によって可能であると理解すべきである。
【符号の説明】
【００３６】
１００:  パッドパターン修理装置
１１０:  ステージ
１２０:  チャンバ
１２１:  レーザー光照射孔
１２２:  原料ガス排出口
１２３:  浄化ガス排出口
１２４:  光学窓
１２５ａ:  第１排気口
１２５ｂ:  第２排気口
１２６:排出口
１３０:クランプ
領域１:  第１外側領域
領域２:  内側領域
領域３:  第２外側領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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