(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体プレーンと、
前記導体プレーン上に設けられた差動信号伝送を行う一対の差動信号伝送線路であって、第１伝送線路と、前記第１伝送線路に隣接して設けられるとともに前記第１伝送線路よりも電気長が短い第２伝送線路と、から形成される一対の差動信号伝送線路と、
前記第１伝送線路よりも前記第２伝送線路に近接して形成された一以上の導体ビアと、
を備え、
前記導体ビアと前記第２伝送線路との最近接距離が、前記第１伝送線路と前記第２伝送線路の線路間距離よりも短いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
基材を更に有し、
前記差動伝送線路が前記基材の一方の面に設けられた差動マイクロストリップラインであるとともに、
前記一以上の導体ビアが、前記第１伝送線路よりも前記第２伝送線路に近接した前記基材の一方面上に形成されている配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板において、
前記第１伝送線路と第２伝送線路の電気長に基づいて形成する前記導体ビアの数が定められている配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板において、
前記各導体ビアの周縁に設けられ、かつ、当該各導体ビアと接続するランドを更に備え
前記ランドが、前記第２伝送線路に沿って略平行に延在して形成されている配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板において、
前記各導体ビアが前記ランドの中心部に形成されている配線基板。
【請求項６】
請求項４に記載の配線基板において、
前記各導体ビアが前記ランドの端部に形成されている配線基板。
【請求項７】
請求項４乃至６の何れか一項に記載の配線基板において、
前記各ランドには、複数の前記導体ビアが形成されている配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の配線基板において、
前記一対の差動信号伝送線路が、直線部分と曲折部分とから構成されるとともに、
前記導体ビアが、前記第２伝送線路の曲折部分に近接して形成されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント基板などの配線基板に関し、特に、信号伝播時間の調整が必要な差動伝送線路を備えた高周波数用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、データ伝送の高速化に対する要求に伴って駆動周波数の高周波数化又は各回路を接続するバス幅の広幅化が進んでいる。その一方で、その駆動周波数の高周波数化及びバス幅の広幅化は、不要輻射ノイズの発生又は外来ノイズによって伝送される信号の劣化を招いている。したがって、データの高速化と不要輻射ノイズの抑制及び外来ノイズに対する耐性との観点から、伝送線路間の間隔を近接させた一対のマイクロストリップライン（以下、「差動マイクロストリップ線路」又は「結合マイクロストリップ線路」という。）を用いた差動信号伝送方式が利用されることが多くなってきている。
【０００３】
差動マイクロストリップ線路を用いた差動信号伝送方式は、集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などの差動ドライバを用いるようになっている。この差動ドライバによって一対の差動マイクロストリップ線路に逆相となる（位相が１８０度異なる）差動モード電流を流して一つの信号を伝送するようになっている。そのため、この差動信号伝送方式は、それぞれの線路によって伝送される信号が互いの信号によって発生した磁界を打ち消すことができるので、一つの信号線によってデータを伝送するシングルエンド伝送方式に比べて放射ノイズを小さくすることができるようになっている。また、この差動信号伝送方式は、低電圧差動信号伝送（ＬＶＤＳ：Ｌｏｗ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）に代表されるように、各伝送線路によって伝送される伝送信号の電圧振幅レベルを受信側にて合成するので、各伝送信号の電圧振幅レベルをより小さくすることができるようになっている。
【０００４】
一方、この差動信号伝送方式は、差動マイクロストリップ線路に接続された各回路を正常に動作させるために、一対の差動マイクロストリップ線路における各線路の信号伝播時間（伝送時間）の差（スキュー）を発生させずに各伝送信号を伝送する必要がある。すなわち、この差動信号伝送方式は、その特性上、一対の各差動マイクロストリップ線路のそれぞれの信号伝播時間を一致させる必要があるので、一方の線路をミアンダ状にするなど、一対の差動マイクロストリップ線路のそれぞれの線路長を一致させる等長配線によって配線基板上に伝送線路を配線するようになっている。
【０００５】
しかしながら、このような等長配線によって一対の伝送線路を配線した配線基板においては、ミアンダ形状の配線部分における伝送特性の劣化又は遅延時間の変動など、多くの課題を有することになり、特に、伝送される信号がより高速化した場合には、等長配線によってスキューの低減を実現することが困難になる。
【０００６】
そこで、これを解決するものとしては、特定の配線の電気長を長くすることによって各線路における信号の遅延時間を一致させる配線基板が知られており、その一例として、図１２に示すように、一対の伝送線路（以下、「差動伝送線路」という。）１０の曲折部分１１に平面視上に基板と異なる比誘電率を有する誘電体１２を配置し、当該曲折部分の線路長差に起因して発生するスキューが調整された配線基板１が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１０６７３号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、最近では、信号伝送の高速化と配線の高密度化に伴い、配線基板上における配線ピッチが非常に小さくなってきているので、例えば、特許文献１に記載の配線基板を用いた場合には、差動信号を伝送する一対の伝送線路間が強く結合していることから、伝送線路の周囲における比誘電率の変化が、各伝送線路を伝送する伝送信号の伝播速度に与える影響は極めて小さく、広帯域にスキューを調整することは難しい場合がある。
【０００９】
また、このような配線基板において、曲折部分などの誘電率調節部分の長さが、目的とする周波数の実効波長に対して無視できない長さである場合には、当該誘電率調節部分にて共振が発生し、伝送信号の信号特性が劣化する可能性もある。
【００１０】
さらに、このような配線基板を製造する場合には、基板材料と異なる比誘電率の材料を曲折部分などの誘電率調節部分に設ける必要があり、これは基板の製造プロセスを複雑とし、かつ、製造コストが増大する。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、差動信伝送方式を用いる配線基板において、高周波領域においても伝送信号の信号品質を損なうことなく、伝送線路のスキューを広帯域に調整することが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）上記課題を解決するため、本発明は、導体プレーンと、前記導体プレーン上に設けられた差動信号伝送を行う一対の差動信号伝送線路であって、第１伝送線路と、前記第１伝送線路に隣接して設けられるとともに前記第１伝送線路よりも電気長が短い第２伝送線路と、から形成される一対の差動信号伝送線路と、前記第１伝送線路よりも前記第２伝送線路に近接して形成された一以上の導体ビアと、を備え、前記導体ビアと前記第２伝送線路との最近接距離が、前記第１伝送線路と前記第２伝送線路の線路間距離よりも短い構成を有している。
【００１３】
（２）また、本発明は、基材を更に有し、前記差動伝送線路が前記基材の一方の面に設けられた差動マイクロストリップラインであるとともに、前記一以上の導体ビアが、前記第１伝送線路よりも前記第２伝送線路に近接した前記基材の一方面上に形成されている構成を有している。
【００１４】
（３）また、本発明は、前記第１伝送線路と第２伝送線路の電気長に基づいて形成する前記導体ビアの数が定められている構成を有している。
【００１５】
（４）また、本発明は、前記各導体ビアの周縁に設けられ、かつ、当該各導体ビアと接続するランドを更に備え、前記ランドが、前記第２伝送線路に沿って略平行に延在して形成されている構成を有している。
【００１６】
（５）また、本発明は、前記各導体ビアが前記ランドの中心部に形成されている構成を有している。
【００１７】
（６）また、本発明は、前記各導体ビアが前記ランドの端部に形成されている構成を有している。
【００１８】
（７）また、本発明は、前記各ランドには、複数の前記導体ビアが形成されている構成を有している。
【００１９】
（８）また、本発明は、前記一対の差動信号伝送線路が、直線部分と曲折部分とから構成されるとともに、前記導体ビアが前記第２伝送線路の曲折部分に近接して形成されている構成を有している。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、第２伝送線路と導体ビアによって容量成分を形成することができるとともに、導体ビアと第２伝送線路との最近接距離を第１伝送線路と第２伝送線路の線路間距離よりも短くすることによって形成された容量成分に基づいて第２伝送線路に対する誘電率を調節することができるので、各伝送線路の線路長差に起因したスキューを広帯域に調整することができるとともに、導体ビアを形成することによってスキュー調整を行うことができるので、既存の基板製造プロセスで容易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る配線基板の第１実施形態の上面図及び拡大図である。
【図２】第１実施形態における配線基板において、図１におけるＸ−Ｘ’断面図である。
【図３】差動マイクロストリップ線路の曲折部分の拡大図である。
【図４】スキュー調整がされなかった場合の差動マイクロストリップ線路内を伝送する伝送信号の位相特性を示すグラフである。
【図５】第１実施形態における差動マイクロストリップ線路内を伝送する伝送信号の位相特性を示すグラフである。
【図６】スキュー調整がされなかった場合の差動マイクロストリップ線路（非対策線路）と第１実施形態の差動マイクロストリップ線路における第２伝送線路における伝播時間の遅延周波数特性を示すグラフである。
【図７】第１実施形態におけるスキュー調整部のビア数に対する差動マイクロストリップ線路の電気長の変化量を示すグラフである。
【図８】スキュー調整がされなかった場合の差動マイクロストリップ線路（非対策線路）と第１実施形態の差動マイクロストリップ線路における挿入損失の特性を示すグラフである。
【図９】本発明に係る配線基板の第２実施形態の上面図及び拡大図である。
【図１０】本発明に係る配線基板の第３実施形態の上面図である。
【図１１】本発明に係る配線基板の第４実施形態の上面図である。
【図１２】特許文献１に係る配線基板の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の各実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施形態は、一対の差動マイクロストリップ線路１００が配設された高周波数用の配線基板（以下、単に「配線基板」という。）に本発明の配線基板を適用した場合の実施形態である。
【００２３】
＜第１実施形態＞
はじめに、図１〜図８の各図を用いて本発明に係る配線基板ＢＰの第１実施形態について説明する。
【００２４】
まず、図１〜図３の各図を用いて本実施形態の配線基板ＢＰの構造について説明する。なお、図１は、本実施形態における配線基板ＢＰの上面図及びその拡大図であり、図２は、本実施形態における配線基板ＢＰにおいて、図１におけるＸ−Ｘ’断面図である。
【００２５】
本実施形態の配線基板ＢＰは、図１および図２に示すように、導体プレーン３０と、導体プレーン３０上に積層された誘電体層４０と、誘電体層４０上の所定の領域に形成された差動信号伝送を行う一対の差動マイクロストリップ線路１００と、備えている。また、この配線基板ＢＰは、差動マイクロストリップ線路１００におけるスキュー調整を行う複数のスキュー調整部２００と、を備えている。
【００２６】
差動マイクロストリップ線路１００は、第１伝送線路１００Ａと、当該第１伝送線路１００Ａに予め定められた配線ピッチ（以下、「線路間隔」又は「線路間距離」ともいう。）Ｓで並設され、直角に曲折された部分では第１伝送線路１００Ａの内側に配される第２伝送線路１００Ｂと、から形成される。そして、この差動マイクロストリップ線路１００は、第１方向（図１上において水平方向）に延伸する垂直延伸部分１１０と、垂直延伸部分１１０が延伸する方向と直行する第２方向（図１における水平方向）に延伸する水平延伸部分１２０と、から構成される。また、この差動マイクロストリップ線路１００は、垂直延伸部分１１０と水平延伸部分１２０の間に一体的に結合形成するための曲折部分１３０と、から構成される。
【００２７】
なお、以下の説明においては、第１伝送線路１００Ａ及び第２伝送線路１００Ｂにおける垂直延伸部分１１０をそれぞれ第１垂直直線部１１０Ａ及び第２垂直直線部１１０Ｂという。また、第１伝送線路１００Ａ及び第２伝送線路１００Ｂにおける水平延伸部分１２０をそれぞれ第１水平直線部１２０Ａ及び第２水平直線部１２０Ｂという。さらに、第１伝送線路１００Ａ及び第２伝送線路１００Ｂにおける曲折部分１３０をそれぞれ第１曲折部１３０Ａ及び第２曲折部１３０Ｂという。
【００２８】
各スキュー調整部２００は、第２伝送線路１００Ｂに沿って、かつ、第１伝送線路１００Ａよりも前記第２伝送線路１００Ｂに近接して誘電体層４０上に配列されている。すなわち、各スキュー調整部２００は、第２伝送線路１００Ｂを基準に、当該第２伝送線路１００Ｂに並設されている第１伝送線路１００Ａが配設された側とは反対側であって第２伝送線路１００Ｂの近傍に第２垂直直線部１１０Ｂ、第２曲折部１３０Ｂ及び第２水平直線部１２０Ｂに沿って形成されている。
【００２９】
また、この各スキュー調整部２００は、それぞれ、誘電体層４０を貫通して導体プレーン３０と接続される導体ビア２０１と、この導体ビア２０１の周縁に当該導体ビア２０１と接続して誘電体層上に形成される円形のランド（以下、「円形ランド」という。）２０２と、を有している。
【００３０】
次に、上述の図１及び図３を用いて本実施形態のスキュー調整部２００の詳細について説明する。なお、図３は、差動マイクロストリップ線路の曲折部分の拡大図である。
【００３１】
通常、差動マイクロストリップ線路の曲折部分においては、一方の伝送線路の曲折部が他方の伝送線路の曲折部より線路長が長くなるので、一方の伝送線路の曲折部における電気長が他方の伝送線路の曲折部より長くなる。そのため、この線路長の差によって各伝送線路によって伝送される差動信号間にスキューが発生する。すなわち、一方の伝送線路によって伝送される伝送信号が他方の伝送線路によって伝送される伝送信号の到達時間にずれが生ずる。
【００３２】
例えば、図３に示すように、一般的な配線基板において、差動マイクロストリップ線における曲折部分が、その垂直延伸部分及び水平延伸部分のそれぞれに対して４５度となるように設けられると、外側に形成された伝送線路と内側に形成された伝送線路の線路長差αの合計４αは、（式１）に示す値となる。なお、Ｗは各伝送線路の配線幅を示し、Ｓは、その配線ピッチを示す。
【００３３】
【数１】
0005392131.tif 000002
【００３４】
したがって、各伝送線路の配線幅Ｗ及び配線ピッチＳが短くなるほど、各曲折部分で発生するスキューは小さくなり、配線ピッチＳが狭い場合には（狭ピッチの場合には）、曲折部分毎に発生するスキューはあまり大きくならない。
【００３５】
しかしながら、配線基板において、高速かつ高密度に配線を行う場合には、ＩＣチップその他の差動マイクロストリップ線路に接続される差動ドライバ間の配線の引き回しに多くの曲折部を有することとなり、スキューが無視できないほど蓄積する。すなわち、このスキューの合計が差動ドライバ自体（各回路間の差動マイクロストリップ線路全体）で発生しているスキューに対して無視できない大きさになるので、当該曲折部分におけるスキューが伝送される差動信号を劣化させることになる。
【００３６】
一方、伝送線路の単位区間のインダクタンスを、「Ｌ［Ｈ／ｍ］」及び当該伝送線路のキャパシタンス（容量成分）を、「Ｃ［Ｆ／ｍ］」とすると、伝送線路の遅延時間「Ｔ［ｓ／ｍ］」は、（式２）によって表すことができる。したがって、本実施形態のように導体ビア２０１及び円形ランド２０２からなる複数のスキュー調整部２００を設けた場合に、差動マイクロストリップ線路１００の第２伝送線路１００Ｂと各導体ビア２０１及び当該第２伝送線路１００Ｂと各円形ランド２０２間における容量成分が増加することにより、第２伝送線路１００Ｂを伝送する信号の伝播時間を遅らせることができるのである。
【００３７】
【数２】
0005392131.tif 000003
【００３８】
本実施形態においては、配線基板ＢＰ上に多くの曲折部分１３０が形成された場合であっても、各部曲折部分１３０のスキューが蓄積して差動マイクロストリップ線路１００全体における信号遅延を発生させないために、複数のスキュー調整部２００を設けている。すなわち、本実施形態においては、曲折部分１３０毎に第２伝送線路１００Ｂを伝送する信号の伝播時間を遅らせることによって伝送線路のスキューを調整するために、第１伝送線路１００Ａ及び第２伝送線路１００Ｂを伝送する各信号の伝播時間を一致させるように複数のスキュー調整部２００を設けている。
【００３９】
具体的には、本実施形態の各スキュー調整部２００は、上述のように導体ビア２０１とこの導体ビア２０１と接合して誘電体層上に形成される円形ランド２０２とから構成されるとともに、各導体ビア２０１と第２伝送線路１００Ｂとの最近接距離Ｌ１を第１伝送線路１００Ａと第２伝送線路１００Ｂの配線ピッチＳよりも短くなるように配されている。
【００４０】
差動マイクロストリップ線路１００のエッジ結合間の容量成分に対して、差動マイクロストリップ線路１００の第２伝送線路１００Ｂとスキュー調整部２００との間の容量成分が大きいほど、第２伝送線路１００Ｂの伝播時間の遅延は大きくなる。配線ピッチＳよりもスキュー調整部２００と第２伝送線路１００Ｂ間の最近接距離Ｌ１が長い場合、エッジ結合が支配的であることからスキュー調整部２００を配置したことによる遅延は微小量となり、目的とするスキュー調整効果を得ることは難しい。
【００４１】
また、本実施形態においては、図１に示したように、２１個の規則的に配列されたスキュー調整部２００が、第２曲折部１３０Ｂを含み第２垂直直線部１１０Ｂから第２水平直線部１２０Ｂまで第２伝送線路１００Ｂに沿うように設けられている。
【００４２】
なお、上述したように、本実施形態における差動マイクロストリップ線路１００における曲折部分１３０、すなわち、第１伝送線路１００Ａの第１曲折部１３０Ａ及び第２伝送線路１００Ｂの第２曲折部１３０Ｂは直角形状になっておらず、所定の斜角（例えば４５度）を有している。しかしながら、本実施形態のように斜角の場合と比べて、発生するスキュー量はほとんど変化がないので、差動マイクロストリップ線路１００における曲折部分１３０の形状は直角であっても又は円弧であってもよい。
【００４３】
また、各スキュー調整部２００において、導体ビア２０１の配線ピッチＳ、すなわち、一の導体ビア２０１と他の導体ビア２０１との距離は、差動マイクロストリップ線路１００に所定の信号を伝送させる際に用いる周波数の実行波長（λ）に対して「λ／１０」以下であることが好ましい。
【００４４】
次に、図４〜図８の各図を用いて本実施形態の実施例について説明する。なお、この実施例は、具体的な構造パラメータを用いた三次元電磁界解析の結果である。図４は、スキュー対策を採らなかった場合の、各伝送線路を伝送する信号の位相特性を示し、図５は、本実施形態における第１伝送線路１００Ａと第２伝送線路１００Ｂを伝送する信号の位相特性を示す。また、図６は、スキュー調整がされなかった場合の差動マイクロストリップ線路（非対策線路）と第１実施形態の差動マイクロストリップ線路１００における第２伝送線路１００Ｂの伝播時間の遅延（以下、「伝播遅延時間」ともいう。）の周波数特性を示すグラフであり、図７は、第１実施形態におけるスキュー調整部２００のビア数に対する差動マイクロストリップ線路１００の電気長の変化量を示すグラフである。さらに、図８は、スキュー調整がされなかった場合の差動マイクロストリップ線路（非対策線路）と第１実施形態の差動マイクロストリップ線路における挿入損失特性Ｓｄｄ２１を示す。
【００４５】
本解析において用いる構造パラメータにおいては、差動マイクロストリップ線路１００における第１伝送線路１００Ａ及び第２伝送線路１００Ｂの配線幅（Ｗ）を「１００μｍ」、ピッチ間隔（Ｓ）を「８０μｍ」、配線基板ＢＰの基板厚「１５０μｍ」、比誘電率（εｒ）を「４．９」とする。
【００４６】
また、この解析において用いられる誘電体基板は、ＦＲ−４を想定している。この「ＦＲ」とは、プリント配線基板ＢＰの部材である銅張り積層板の難燃性を示す指標であり、難燃性が一番低い「ＦＲ−１」から難燃性が最も高い「ＦＲ−６」までの各グレードを示す。なお、「ＦＲ−４」は、難燃性のガラス布基材エポキシ樹脂を使い、一般的な耐熱性を備えた銅張り積層板である。
【００４７】
また、このとき、上述の（式１）より第１伝送線路１００Ａの曲折部と第２伝送線路１００Ｂの曲折部とにおける線路長差は「２９８μｍ」であり、各伝送線路の全長は、第１伝送線路１００Ａが「約６５６３μｍ」、第２伝送線路１００Ｂが「約６２６５μｍ」である。また、各導体ビア２０１のビア径が「８０μｍ」、そのランド径が「９０μｍ」、各導体ビア２０１の間隔（Ｌ２）が「１５０μｍ」、第２伝送線路１００Ｂから各導体ビア２０１までの距離（Ｌ１）が「４０μｍ」とする。
【００４８】
図４によれば、各伝送線路における線路長差（２９８μｍ）において、７０ＧＨｚのときに各伝送線路を伝送する信号に約１００度の位相差が生じていることがわかる。
【００４９】
その一方、図５によれば、上述のように第２伝送線路１００Ｂの伝播時間を長くする（すなわち、第２伝送線路１００Ｂを伝送する信号に遅延を与える）ことによって、広帯域に渡り、第１伝送線路１００Ａ配線と第２伝送線路１００Ｂを伝送する信号の位相差が生じていないことがわかる。
【００５０】
また、図６によれば、スキュー対策を行わない配線基板、すなわち、非対策線路と本実施形態の配線基板ＢＰとにおいて、伝播する周波数が７０ＧＨｚときの第２伝送線路１００Ｂにおける伝播遅延時間が「１．２ピコ秒」短縮されている。すなわち、遅延量と光速の積が電気長であるので、本実施携帯の配線基板ＢＰにおいては、電気長に換算して「３６０μｍ」の調整効果があることになる。
【００５１】
他方、所望のスキュー量に対する調整を行うには、設置するスキュー調整部２００の個数を調整すればよい。図７によれば、ビア調整部２００の個数の増加に従ってほぼ線形に電気長変化量が増加しており、スキュー調整部２００の1個あたりの電気長では「約１１μｍ」のスキュー調整効果があることがわかる。
【００５２】
また、図８によれば、非対策配線基板よりも本実施形態の配線基板ＢＰの挿入損失が７０ＧＨｚのとき約０．６ｄＢ改善している。これは、位相調整が行われたことにより、差動―差動モード（Ｓｄｄ２１）から、差動―同相モード（Ｓｃｄ２１）に変換される信号成分が減少したためである。
【００５３】
このように、本実施形態の構造では、信号の入出力端に限らず、伝送線路内で容易に遅延時間の調整が可能であるため、信号の位相差によって発生する不要モード変換を抑え、クロストークまたはノイズ放射を減少させることができるようになっている。
【００５４】
以上、本実施形態の配線基板ＢＰは、第２伝送線路１００Ｂと導体ビア２０１によって容量成分を形成することができるとともに、導体ビア２０１と第２伝送線路１００Ｂとの最近接距離を第１伝送線路１００Ａと第２伝送線路１００Ｂの線路間距離よりも短くすることによって形成された容量成分に基づいて第２伝送線路１００Ｂに対する誘電率を調節することができる。したがって、本実施形態の配線基板ＢＰは、各伝送線路の線路長差に起因したスキューを広帯域に調整することができる。また、本実施形態の配線基板ＢＰは、導体ビア２０１を形成することによってスキュー調整を行うことができるので、既存の基板製造プロセスで容易に実現することができる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、スキュー調整部２００を有する配線基板ＢＰについて説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、差動マイクロストリップ線路でなく、差動信号伝送線路など、一対の線路によって信号を伝送するものであればよい。
【００５６】
また、本実施形態においては、スキュー調整部２００を差動マイクロストリップ線路１００の曲折部分１３０の周辺に配しているが、この部分に限ることなく、スキューが発生する伝送線路に沿って配されていればよい。
【００５７】
＜第２の実施形態＞
次に、図９を用いて本発明に係る配線基板ＢＰの第２実施形態について説明する。なお、図９は、本実施形態における配線基板ＢＰの上面図及びその拡大図である。
【００５８】
本実施形態は、第１実施形態における円形ランド２０２及び導体ビア２０１を有する複数のスキュー調整部２１０に代えて、長円形（楕円形）のランド（以下、「長円形ランド」という。）２１２及び長円形ランド２１２の中心部に設けられた導体ビア２０１を備える複数のスキュー調整部２１０を有する点に特徴がある。なお、その他の構成は、第１実施形態と同一であり、第１実施形態と同一の部材については同一の番号を付してその説明を省略する。
【００５９】
まず、図９を用いて本実施形態の配線基板ＢＰの構造について説明する。
【００６０】
本実施形態の各スキュー調整部２１０は、第２伝送線路１００Ｂに沿って長円形に延在した長円形ランド２１２と、長円形ランド２１２の中心部に設けられた導体ビア２０１と、を備えている。
【００６１】
また、本実施形態においては、図９に示すように、１０個の規則的に配列されたスキュー調整部２１０が、第２曲折部１３０Ｂを含み第２垂直直線部１１０Ｂから第２水平直線部１２０Ｂまで第２伝送線路１００Ｂに沿うように設けられている。
【００６２】
各長円形ランド２１２は、各スキュー調整部２１０の導体ビア２０１間隔よりも短く、隣接する他の長円形ランド２１２内に形成された導体ビア２０１とは接続（接合）されずに、独立して形成されている。また、各長円形ランド２１２の長手方向の長さ（Ｌ３）は、目的とする周波数の実効波長（λ）に対して「λ／１０」以下であることが望ましい。
【００６３】
本実施形態においては、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２１２とによって、すなわち、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２１２との間で容量成分を形成するようになっている。したがって、第１実施形態よりも、スキュー調整部２１０の１個あたりの遅延時間を大きく、より少ない個数でスキューを調整できるので、基板プロセスまたは実装上の状況により、ビア間隔（Ｌ２）を狭く配置できない場合に有効である。
【００６４】
なお、本実施形態における三次元電磁界解析の実施例については、第１実施形態と同様の結果を得ることができる（図５参照）。なお、具体的な構造パラメータにおいては、導体ビア２０１のビア径が「８０μｍ」、長円形ランド２１２のランド径「９０μｍ」及び長さ「３００μｍ」、導体ビア２０１のビア間隔（Ｌ２）が「３００μｍ」とする。また、第２伝送線路１００Ｂから導体ビア２０１までの距離（Ｌ１）が「４０μｍ」とし、その他の構造パラメータは第１実施形態と同様である。
【００６５】
以上、本実施形態の配線基板ＢＰは、第１実施形態の効果に加えて、導体ビア２０１だけでなくランド形状によっても第２伝送線路１００Ｂに対する比誘電率を変化させることができる。したがって、本実施形態の配線基板ＢＰは、例えば、基板プロセスの過程または実装上の種々の状況により導体ビア２０１の間隔を狭く配置できない場合にであっても、スキューを調整できるとともに、各伝送線路の線路長差に起因したスキューを広帯域に調整することができる。
【００６６】
なお、本実施形態においては、第１実施形態と同様に、スキュー調整部２１０を有する配線基板ＢＰについて説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、差動マイクロストリップ線路でなく、差動信号伝送線路など、一対の線路によって信号を伝送するものであればよい。
【００６７】
また、本実施形態においては、第１実施形態と同様に、スキュー調整部２１０を差動マイクロストリップ線路１００の曲折部分１３０の周辺に配しているが、この部分に限ることなく、スキューが発生する伝送線路に沿って配されていればよい。
【００６８】
＜第３の実施形態＞
次に、図１０を用いて本発明に係る配線基板ＢＰの第３実施形態について説明する。なお、図１０は、本実施形態における配線基板ＢＰの上面図である。
【００６９】
本実施形態は、第２実施形態において導体ビア２０１が長円形ランド２２２の中心部に設けられている点に代えて、当該長円形ランド２２２の一端部に設けられている点に特徴がある。なお、その他の構成は、第２実施形態と同一であり、第２実施形態と同一の部材については同一の番号を付してその説明を省略する。以下、図１０を用いて本実施形態の配線基板ＢＰの構造について説明する。
【００７０】
本実施形態の各スキュー調整部２２０は、第２伝送線路１００Ｂに沿って長円形に延在した長円形ランド２２２と、長円形ランド２２２の一端部に設けられた導体ビア２０１と、を備えている。
【００７１】
また、本実施形態においては、図１０に示すように、１０個の規則的に配列されたスキュー調整部２２０が、第２曲折部１３０Ｂを含み第２垂直直線部１１０Ｂから第２水平直線部１２０Ｂまで第２伝送線路１００Ｂに沿うように設けられている。
【００７２】
各長円形ランド２２２は、各スキュー調整部２２０の各導体ビア２０１の間隔よりも短く、隣接する他の長円形ランド２２２内に形成された導体ビア２０１とは接続（接合）されずに、独立して形成されている。また、各長円形ランド２２２の長手方向の長さ（Ｌ３）は、目的とする周波数の実効波長（λ）に対して「λ／１０」以下であることが望ましい。
【００７３】
本実施形態においては、第２実施形態と同様に、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２２２とによって、すなわち、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２２２との間で容量成分を形成するようになっている。したがって、第１実施形態よりも、スキュー調整部２２０の１個あたりの遅延時間を大きく、より少ない個数でスキューを調整できるので、基板プロセスや、実装上の状況により、ビア間隔Ｌ２を狭く配置できない場合に有効である。
【００７４】
以上、本実施形態の配線基板ＢＰは、第２実施形態の効果と同様に、導体ビア２０１だけでなくランド形状によっても第２伝送線路１００Ｂに対する比誘電率を変化させることができる。したがって、本実施形態の配線基板ＢＰは、例えば、基板プロセスの過程または実装上の種々の状況により導体ビア２０１の間隔を狭く配置できない場合にであっても、スキューを調整できるとともに、各伝送線路の線路長差に起因したスキューを広帯域に調整することができる。
【００７５】
なお、本実施形態においては、第２実施形態と同様に、スキュー調整部２２０を有する配線基板ＢＰについて説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、差動マイクロストリップ線路なく、差動信号伝送線路など、一対の線路によって信号を伝送するものであればよい。
【００７６】
また、本実施形態においては、第２実施形態と同様に、スキュー調整部２２０を差動マイクロストリップ線路１００の曲折部分１３０の周辺に配しているが、この部分に限ることなく、スキューが発生する伝送線路に沿って配されていればよい。
【００７７】
＜第４実施形態＞
次に、図１１を用いて本発明に係る配線基板ＢＰの第４実施形態について説明する。なお、図１１は、本実施形態における配線基板ＢＰの上面図である。
【００７８】
本実施形態は、第３実施形態の各スキュー調整部２３０において、長円形ランド２２２の一端部に導体ビア２０１が設けられている点に代えて、長円形ランド２２２の両端部に導体ビア２０１が設けられている点に特徴がある。なお、その他の構成は、第３実施形態と同一であり、第３実施形態と同一の部材については同一の番号を付してその説明を省略する。以下、図１１を用いて本実施形態の配線基板ＢＰの構造について説明する。
【００７９】
本実施形態の各スキュー調整部２３０は、第２伝送線路１００Ｂに沿って長円形に延在した長円形ランド２２２と、長円形ランド２２２の両端部に設けられた第１導体ビア２０１及び第２導体ビア２０１と、を備えている。
【００８０】
また、本実施形態においては、図１１に示すように、１０個の規則的に配列されたスキュー調整部２３０が、第２曲折部１３０Ｂを含み第２垂直直線部１１０Ｂから第２水平直線部１２０Ｂまで第２伝送線路１００Ｂに沿うように設けられている。
【００８１】
各長円形ランド２２２は、各スキュー調整部２３０の各導体ビア２０１の間隔よりも短く、隣接する他の長円形ランド２２２内に形成された導体ビア２０１とは接続（接合）されずに、独立して形成されている。また、各長円形ランド２２２の長手方向の長さＬ３は、目的とする周波数の実効波長（λ）に対して「λ／１０」以下であることが望ましい。
【００８２】
本実施形態においては、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２２２とによって、すなわち、第２伝送線路１００Ｂと長円形ランド２２２との間で容量成分を形成するようになっている。したがって、第１実施形態よりも、スキュー調整部２３０の１個あたりの遅延時間を大きく、より少ない個数でスキューを調整できるので、基板プロセスや、実装上の状況により、ビア間隔Ｌ２を狭く配置できない場合に有効である。
【００８３】
以上、本実施形態の配線基板ＢＰは、第３実施形態の効果と同様に、導体ビア２０１だけでなくランド形状によっても第２伝送線路１００Ｂに対する比誘電率を変化させることができる。したがって、本実施形態の配線基板ＢＰは、例えば、基板プロセスの過程または実装上の種々の状況により導体ビア２０１の間隔を狭く配置できない場合にであっても、スキューを調整できるとともに、各伝送線路の線路長差に起因したスキューを広帯域に調整することができる。
【００８４】
なお、本実施形態においては、第３実施形態と同様に、スキュー調整部２３０を有する高周波数用配線基板ＢＰについて説明したが、この実施形態に限定されるものではなく、差動マイクロストリップ線路でなく、差動信号伝送線路など、一対の線路によって信号を伝送するものであればよい。
【００８５】
また、本実施形態においては、第３実施形態と同様に、スキュー調整部２３０を差動マイクロストリップ線路１００の曲折部分１３０の周辺に配しているが、この部分に限ることなく、スキューが発生する伝送線路に沿って配されていればよい。
【符号の説明】
【００８６】
１００  …  マイクロストリップ線路
１００Ａ  …  第１伝送線路
１００Ｂ  …  第２伝送線路
１１０  …  垂直延伸部分
１１０Ａ  …  第１垂直直線部
１１０Ｂ  …  第２垂直直線部
１２０  …  水平延伸部分
１２０Ａ  …  第１水平直線部
１２０Ｂ  …  第２水平直線部
１３０  …  曲折部分
１３０Ａ  …  第１曲折部
１３０Ｂ  …  第２曲折部
２００  …  スキュー調整部
２０１  …  導体ビア
２０２  …  円形ランド
２１２、２２２  …  長円形ランド
【図１】
0005392131.tif 000004
【図２】
0005392131.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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