(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオードを形成する方法であって、
第１の導電性物質上に、該第１の導電性物質から順に犠牲物質、少なくとも一の誘電物質及び第２の導電性物質を含み、１組の相対する側壁を有する積層を形成し、
前記相対する側壁に沿ってスペーサを形成し、
前記スペーサの形成後、前記犠牲物質の全てを除去して前記第１の導電性物質と前記少なくとも一の誘電物質との間にギャップを残し、
前記第１の導電性物質、第２の導電性物質、前記少なくとも一の誘電物質及び前記ギャップが共にダイオードに含まれる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
複数のダイオードを形成する方法であって、
第１の導電性物質上に、それぞれが、該第１の導電性物質から順に犠牲物質、少なくとも一の誘電物質及び第２の導電性物質を含み、それぞれが、該犠牲物質、該少なくとも一の誘電物質及び該第２の導電性物質の一部を含む側壁を有する複数の離間構成体を形成し、
前記構成体の側壁に沿ってスペーサを形成し、
前記スペーサの形成後、前記構成体から前記犠牲物質の全てを除去して前記第１導電性物質と前記少なくとも一の誘電物質との間にギャップを残し、
そこから前記犠牲物質を除去された前記構成体は、前記第１の導電性物質と共に複数のダイオードに含まれる
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記構成体を形成する処理においては、
前記第１の導電性物質上にブロック共重合体の層を形成し、
前記ブロック共重合体の自己集合を誘発して、前記犠牲物質の領域間に介在する領域と交互に該犠牲物質の領域を形成し、
前記介在する領域を除去して、前記第１の導電性物質上に残っている前記犠牲物質の領域を残し、
前記犠牲物質の領域上に前記少なくとも一の誘電物質及び前記第２の導電性物質を形成し、
前記犠牲物質の領域上のみについて、前記少なくとも一の誘電物質及び前記第２の導電性物質をパターニングする、
請求項２の方法。
【請求項４】
前記犠牲物質の領域上に前記少なくとも一の誘電物質及び前記第２の導電性物質を形成する処理は、前記介在する領域の除去よりも先に行われ、前記少なくとも一の誘電物質及び前記第２の導電性物質をパターニングする処理は、前記介在する領域上から、該少なくとも一の誘電物質及び該第２の導電性物質を除去する処理を含む、
請求項３の方法。
【請求項５】
複数のダイオードを形成する方法であって、
第１の導電性物質上に犠牲物質を形成し、
前記犠牲物質上に少なくとも一の誘電物質を形成し、
前記少なくとも一の誘電物質上に、第２の導電性物質を形成して、前記犠牲物質、該少なくとも一の誘電物質、及び該第２の導電性物質が共に積層を形成し、
前記積層のパターニングを行って、それぞれが前記犠牲物質、少なくとも一の誘電物質及び第２の導電性物質を含んだ一部からなる側壁を有する複数の離間構成体を形成し、
前記構成体の側壁に沿ってスペーサを形成し、
前記スペーサの形成後、前記構成体から前記犠牲物質の全てを除去して前記第１導電性物質と前記少なくとも一の誘電物質との間にギャップを残し、
そこから前記犠牲物質を除去された前記構成体は、前記第１の導電性物質と共に複数のダイオードに含まれる
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
複数のダイオードを形成する方法であって、
第１の導電性物質上に層を形成し、
前記層の少なくとも一部に化学修飾を施すことで、該層を支持物が拡散された犠牲物質とし、
少なくとも一の誘電物質、及び該少なくとも一の誘電物質上の第２の導電性物質を含んだ前記層の上に拡がる物質を形成し、
前記層及び上に拡がる物質をパターニングして、複数の離間構成体を形成し、
少なくとも部分的には前記上に拡がる物質を支持している前記支持物を残しつつ、前記犠牲物質の全てを除去して前記第１導電性物質と前記少なくとも一の誘電物質との間にギャップを残し、
そこから前記犠牲物質を除去された前記構成体は、前記第１の導電性物質と共に複数のダイオードに含まれる
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記層は、前記犠牲物質内に拡散された粒子を含み、
前記粒子は第１の組成物を含み、
前記化学修飾は、前記粒子の少なくとも表面を前記犠牲物質と反応させて、該粒子の表面を前記第１の組成物とは異なる第２の組成物に変換することを含む、
請求項６の方法。
【請求項８】
前記第１の組成物は、導電性であり、第２の組成物は電気的に絶縁性である、
請求項７の方法。
【請求項９】
前記層は、ブロック共重合体を含み、前記化学修飾は、２種類以上の組成物を含む層を更に分割するための該共重合体の自己集合を含み、該組成物の少なくとも１種類は、前記支持物であり、該組成物の少なくとも１種類は、前記犠牲物質である
請求項６の方法。
【請求項１０】
前記化学修飾は、前記上に拡がる物質を形成する前に行われる、
請求項６の方法。
【請求項１１】
前記化学修飾は、前記上に拡がる物質のうち少なくとも１つを形成した後に行われる、
請求項６の方法。
【請求項１２】
前記化学修飾は、前記パターニングの後に行われる、
請求項６の方法。
【請求項１３】
前記化学修飾は、前記パターニングの前に行われる、
請求項６の方法。
【請求項１４】
複数のダイオードを形成する方法であって、
第１の導電性物質上に、複数の離間粒子を形成し、
前記離間粒子上及び粒子間に、フィルムを形成し、
前記粒子の外部表面を前記フィルムと反応させることにより、該粒子の少なくとも外部表面について化学修飾を施し、
少なくとも一の誘電物質、及び該少なくとも一の誘電物質上の第２の導電性物質を含む、前記フィルムの上に拡がる物質を形成し、
前記フィルム全体を除去して、少なくとも部分的には前記上に拡がる物質を支持している前記化学修飾された粒子を残し、
前記上に拡がる物質をパターニングして、複数の離間構成体を形成し、
前記構成体は、前記第１の導電性物質と共に、複数のダイオードに含まれる
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記化学修飾は、前記粒子の少なくとも表面を、金属から金属シリサイドへと変換する、
請求項１４の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ダイオードの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属‐絶縁体‐絶縁体‐金属（ＭＩＩＭ）ダイオードは、２種類の金属の間に、２つの電気絶縁体を含んでいる。順方向バイアスの印加に対して応答して、量子井戸が２つの絶縁体間に形成され、高エネルギーの量子トンネルが可能となるように絶縁体及び金属が調整される。閾値を超える電圧が１番上の金属に印加されると、トンネル電子が加速され、量子井戸を通過する。他の物質（例えばシリコン等）を通じて電荷移動するよりも金属を通じて電荷移動する方が早いこともある、という理由もあって、量子トンネルは、集積回路のスイッチ接合の充電よりも早いこともある。
【０００３】
ＭＩＩＭダイオードは、金属‐絶縁体‐金属の構造を有する（ＭＩＭ）ダイオードよりも、電流電圧（Ｉ−Ｖ）曲線が鋭い。ＭＩＩＭダイオードは、超高速動作が可能なトンネル素子として使用することができ、多くの基板技術に対応が可能である。ＭＩＩＭダイオードは、選択デバイスとして使用することもできる。ＭＩＩＭダイオードを利用することで、コスト及びサイズを削減することができ、他の種類の選択デバイスを利用する場合よりも、高速メモリデバイスの性能を向上させることができる。
【０００４】
しかし、ＭＩＩＭダイオードに使用される絶縁材物質は、電子のド・ブロイ波長と比べて相対的に薄いため、従来の堆積プロセスでは、金属と絶縁体の界面に、望ましくない化学的混入が生じる可能性がある。更には、ダイオードとして機能するＭＩＩＭには、ダイオードの順方向特性の電流電圧（Ｉ−Ｖ）曲線が鋭く折れるような結果をもたらす、望ましいトンネルの方向が存在する。接触部での高電場や、金属‐絶縁体の界面での電子トラップにより発生する界面電流の結果、ＭＩＩＭダイオードにおいては、相当量の端位置の漏れが起こり得る。一般的に、ＭＩＩＭダイオードは、高いリーク電流によって、整流作用が弱くなる。従来のＭＩＩＭダイオードによる前述の化学的混入と端位置の漏れを回避することが、Ｉ−Ｖ動作における非対称や非線形の増大につながり、これにより、結果的にＭＩＩＭダイオードの動作を向上させることが可能となる。
【０００５】
上記に鑑みると、よりＩ−Ｖ曲線の非対称が大きくなり、整流作用の向上を伴いつつ、より小さいサイズのＭＩＩＭダイオードを開発するだけでなく、このようなＭＩＩＭダイオードの形成方法を開発することが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】一実施形態に係るメモリデバイスを例示する部分断面図である。このメモリデバイスは、選択デバイスとしてのダイオードを含む。
【図２】選択デバイスが単純マトリクスの構造で配置される一実施形態に係るメモリアレイの回路図である。
【図３】図１のダイオードの１つについての断面図である。
【図４】他のダイオードの例についての断面図である。
【図５】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図６】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図７】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図８】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図９】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１０】図９の半導体の構造の上面図である。
【図１１】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１２】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１３】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１４】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１５】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１６】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１７】図１６のプロセス段階に続く任意のプロセス段階における図１２〜図１６の半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図１８】図１５のプロセス段階に続く代替のプロセス段階における図１２〜図１６の半導体の構造の一部についての断面図である。
【図１９】図１５のプロセス段階に続く代替のプロセス段階における図１２〜図１６の半導体の構造の一部についての断面図である。
【図２０】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２１】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２２】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２３】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２４】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２５】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２６】犠牲フィルム内に拡散させた支持物質を含む層を形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部についての断面図である。
【図２７】犠牲フィルム内に拡散させた支持物質を含む層を形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部についての断面図である。
【図２８】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図２９】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図３０】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図３１】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図３２】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【図３３】実施例に係るダイオードを形成する方法例についての、様々なプロセス段階における半導体の構造の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明は、実施形態によっては、ダイオードの製造方法を含む。ダイオードは、１組の金属の間に２以上の絶縁体を含む。絶縁体の中には、オープンボリュームであるものもある。言い換えると、ガス充填領域であるものもある。オープンボリュームは、低誘電率を有する高バンドギャップの絶縁体として機能することができる。実施形態によっては、ダイオードが、金属‐絶縁体‐絶縁体‐金属（ＭＩＩＭ）デバイスであってもよい。
【０００８】
ダイオードは、メモリデバイスや電子装置で用いることができ、例えば、記憶装置領域にアクセスする選択デバイスとして用いることができる。選択デバイスは、記憶装置領域と共に、メモリアレイのメモリデバイスに組み込まれてもよい。
【０００９】
図１は、実施例の複数のメモリセル１４を支持する基板１２を含む半導体の構造１０の一部を示す。
基板１２は、半導体基板であってもよく、実施形態によっては、前提として（background）ｐ型ドーパントを少量ドープした単結晶シリコンを含んでもよいし、前提としてｐ型ドーパントを少量ドープした単結晶シリコンから実質的になることとしてもよい。前提として、ｐ型ドーパントを少量ドープした単結晶シリコンのみからなることとしてもよい。
【００１０】
「半導体基板」、「半導体構造」及び「半導体基板」の用語は、半導体ウェハ（半導体ウェハ単独、あるいは他の物質を含む組み合わせのいずれをも含む）等のバルク半導体物質や、半導体物質層（半導体物質層単独、あるいは他の物質を含む組み合わせのいずれをも含む）に限定されるものではないがこれを含む半導体物質を有するあらゆる構造を意味するものである。このように、「半導体基板」、「半導体基板」及び「半導体構造」の用語は、半導体型の物質（例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、リン化インジウム、及び／またはＩＩＩ−Ｖ型やＩＩ−ＶＩ型半導体物質であるような半導体物質）を含む、あらゆる構造を意味する。半導体構造は、例えば、シリコンウェハ、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）構造、ＳＯＳ（シリコン・オン・サファイア、silicon-on-sapphire）構造及び基本物質層により支持されたシリコンのエピタキシャル層を含み得る。半導体物質は、ドープされていてもよいし、ドープされていなくてもよい。実施形態によっては、半導体構造が、集積回路の製造と関連する各種の層や物質を含むこととしてもよい。「基板」の語は、上記の半導体基板を含むが、これに限定されることなく、あらゆる支持構造をいう。
【００１１】
各メモリセル１４は、電荷蓄積領域１６を有し、選択デバイス１８は、リード動作中やライト動作中に、電荷蓄積領域にアクセス可能に構成されている（代わりに、選択デバイス１８が、アクセス装置として参照されることとしてもよい）。図示する実施形態においては、選択デバイス１８は、電気的接続１７を通じて電荷蓄積領域１６に接続している。他の実施形態においては、電気的接続は省略し、選択デバイスが、物理的に電荷蓄積領域と接触することとしてもよい。
【００１２】
電荷蓄積領域１６は、例えば、相転移物質を含むこととしてもよいし、実質的には相転移物質からなることとしてもよいし、相転移物質のみからなることとしてもよい。
選択デバイス１８は、第１の電気的導電性物質２０、第２の電気的導電性物質２２、及び第１及び第２の電気的導電性物質の間の１組の誘電領域２４、２６を有するダイオードである。
【００１３】
４つのメモリセル１４は、メモリアレイの一部であってもよい。このようなアレイは、複数のロウとカラムとを有し、図１の断面図は、アレイのロウの一つに沿って広げたものと捉えることもできる。第１の電気的導電性物質２０は、図１に例示されたロウに沿って全ての選択デバイス１８を接続した１本の線である。第２の電気的導電性物質２２は、実施形態によっては、アレイのカラムに沿って広げてもよい。
【００１４】
第１の電気的導電性物質２０は、第２の電気的導電性物質２２と比べて相対的に低い仕事関数でよい。実施形態によっては、第１の電気的導電性物質２０は、タンタル窒化シリコン、クロム及びタンタル金属からなるグループから選択された、１以上の組成物を含むこととしてもよい。第２の電気的導電性物質２２は、白金、窒化チタン及び窒化タンタルからなるグループの中から選択された、１以上の組成物を含むこととしてもよい。
【００１５】
誘電領域２４は、実施形態によっては、オープンボリューム（言い換えると、ガス充填領域）としてもよい。
誘電領域２６は、物質２７を有する。このような物質は、適切な組成物であれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含むこととしてもよい。実施形態によっては、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化チタンの中から１以上を含むこととしてもよいし、実質的にはこれらの中の１以上からなることとしてもよいし、これらの中の１以上のみからなることとしてもよい。
【００１６】
図示する実施形態においては、電気絶縁側壁スペーサ２８が選択デバイス１８の側壁に沿って存在している。このような側壁スペーサは、適切な組成物であれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含むこととしてもよい。実施形態によっては、窒化ケイ素、酸化ケイ素及び酸窒化ケイ素の中から１以上を含むこととしてもよいし、実質的にはこれらの中の１以上からなることとしてもよいし、これらの中の１以上のみからなることとしてもよい。
【００１７】
電気絶縁物３０は、様々なメモリセル１４の間に拡がっていることが示されている。物質３０は、適切な組成物であれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含むこととしてもよい。実施形態によっては、二酸化ケイ素、窒化ケイ素及び様々なドープされた酸化ケイ素（例えば、ほうりんけい酸ガラス、りんけい酸ガラス、ケイフッ化ガラス等）の中から１以上を含むこととしてもよいし、実質的にはこれらの中の１以上からなることとしてもよいし、これらの中の１以上のみからなることとしてもよい。
【００１８】
個々のメモリセル１４の電荷蓄積領域１６は、電気伝導性物質３２の１本の線と接続されている。
選択デバイス１８は、動作中、メモリセル１４のアレイ内で個々の電荷蓄積領域１６にアクセスするために用いられる。電荷蓄積領域１６が相転移物質に相当する場合には、アレイは、位相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）である。
【００１９】
図２は、メモリセル１４を有する実施例のメモリアレイ４０を説明する図である。メモリセルは、選択デバイスとして用いられるダイオード１８、及び電荷蓄積領域１６（貫通する矢と共に描いた円で図示されている）を含む。メモリセルは、選択的にメモリセルに情報をライトするため、また、選択的にメモリセルから情報をリードするために、単純マトリクス形式で配置される。図２に示すように、実施例の回路は、第１の電極４２（一方のみに符号を付している）、第１の電極を選択的に制御する第１の駆動回路４４、第２の電極４６（一方のみに符号を付している）、及び第２の電極を選択的に制御する第２の駆動回路４８を含む。信号検知回路（不図示）を備えることとしてもよい。
【００２０】
第１の電極は、列を選択するためのワード線として使用してもよく、第２の電極は、ロウを選択するためのビット線として使用してもよい。第２の電極は、第１の電極に対して直交するように配置してもよい。実施形態によっては、第１または第２の電極のうちの一方が図１の第１の導電性物質２０を有し、また、第１及び第２の電極のうちの他方が図１の導電性物質２２を有することとしてもよい。
【００２１】
選択デバイス１８はダイオードであり、図３は、図１を拡大して、そのようなダイオードを説明している。ダイオード１８は、第１の導電性物質２０、第２の導電性物質２２、誘電領域２４、誘電領域２６及び側壁スペーサ２８を含む。前述のとおり、誘電領域２４は、オープンボリュームとしてもよく、誘電領域２６は、１以上の固体材料と対応する物質２７を含んでいる。物質２７、２２が誘電領域２４のオープンボリュームに落ちることのないようにすべく、スペーサ２８が、物質２７、２２の側面に沿って支持するために用いられている。図示するダイオードはＭＩＩＭであるので、誘電領域２４に対応するオープンボリューム上には単一の誘電物質のみを含んでいる。他の実施形態（不図示）においては、誘電領域２４上に２以上の誘電物質が存在する構成としてもよい。
【００２２】
実施形態によっては、スペーサ２８に加えて、あるいはスペーサ２８の代わりに、物質２０と物質２７との間に更に追加の支持物を設ける構成としてもよい。例えば図４には、他の実施形態に係るダイオード３４を示す。図４のダイオード３４の説明では、適宜、前述の図３のダイオード１８と同様の符号を付している。
【００２３】
ダイオード３４は、第１の電気的導電性物質２０、第２の電気的導電性物質２２及び前述の側壁スペーサ２８を有する。また、ダイオード３４は、第１の誘電領域２４及び第２の誘電領域２６をも有している。誘電領域２６は、物質２７を含み、誘電領域２４は、オープンボリュームを含む。しかし、図３の実施形態と比較すると、支持物質２７を支援するために、第２の誘電領域２４のオープンボリュームを通じて、複数の支持物３６が拡がっている。支持物３６は、実施形態によっては、電気的絶縁物であってもよい。例えば、支持物３６は、二酸化ケイ素、酸化金属（例えば、酸化白金、酸化ルテニウム、酸化チタン等）、窒化ケイ素等を含んでもよいし、実質的にはこれら物質からなることとしてもよいし、これら物質のみからなることとしてもよい。他の実施形態においては、支持物３６は、電気的伝導性を有してもよいが、誘電領域２４を通じて電流が流れることのない程度に、十分に小さく、且つ／または弱い伝導性であってもよい。例えば、支持物３６は、１以上の各種の金属シリサイド（例えば、ルテニウムシリサイド、チタンシリサイド、白金シリサイド等）を含んでもよいし、実質的には１以上のこれら各種の金属シリサイドからなることとしてもよいし、１以上のこれら各種の金属シリサイドのみからなることとしてもよい。
【００２４】
図示するダイオード３４は、ＭＩＭＭであるので、誘電領域２４のオープンボリューム上には単一の誘電物質２７のみを含んでいる。他の実施形態（不図示）においては、誘電領域２４上に２以上の誘電物質が存在する構成としてもよい。
【００２５】
図５〜図１１は、図３に示す型のダイオードを形成する方法を説明する図である。図５〜図１１には、適宜、図３に示す符号と同一の符号を付している。
図５を参照すると、第１の導電性物質２０が基板１２上に形成され、犠牲物質５０が第１の導電性物質上に形成されている。
【００２６】
犠牲物質５０は、下に拡がる物質２０や、以下に説明するプロセスで形成される上に拡がる誘電物質２７に対して選択的に取り除くことができれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含んでいてもよい。実施形態によっては、犠牲物質５０は、二酸化ケイ素、炭素（例えばグラフェン）または炭素を含有する組成物（例えば有機ポリマー）を含むこととしてもよいし、実質的にこれらの物質からなることとしてもよいし、これらの物質のみからなることとしてもよい。
【００２７】
犠牲物質５０は、適切なプロセスで、例えば、化学的蒸着（ＣＶＤ）、原子層蒸着（ＡＬＤ）、スピン・オン、蒸着等によって形成してもよい。実施形態によっては、物質５０は、物質が組成中で薄く、等角且つ均一となるよう、ＡＬＤにより形成されることがある。実施形態によっては、物質５０は、５０オングストローム以下となるように形成されることがあり、１０オングストローム以下となるように形成されることすらもある。犠牲物質５０は、図３の誘電領域２４に対応する空隙を残すため、最終的には除去され、このような凡そ１０オングストローム以下の厚みの空隙によって、そのような空隙を有するダイオードでは、所望の電気的特性を達成することが可能となる、という利点を有する。
【００２８】
図６を参照すると、誘電物質２７が犠牲物質５０上に形成され、第２の導電性物質２２が、誘電物質上に形成されている。実施形態（不図示）によっては、２以上の誘電物質を犠牲物質５０上に形成してもよい。一般的には、少なくとも一の誘電物質が犠牲物質５０上に形成され、第２の導電性物質２２が、少なくとも一の誘電物質上に形成される。
【００２９】
物質５０、２７、２２は、全体で１つの積層５２に相当するとみなすことができ、このような積層をパターニングして、図７に示すように、複数の離間構成体５４、５６、５８、６０を形成することができる。積層をパターニングして離間構成体を形成する処理は、適切なプロセスによって実現可能である。実施形態によっては、フォトリソグラフィー法によるパターンマスク（不図示）が積層上に形成され、１以上の適切なエッチングによって、パターンがマスクから積層に転移される。そして、マスクを取り除くと、図７に示す構造が残ることとなる。
【００３０】
離間構成体５４、５６、５８、６０は、それぞれ１組の相対する側壁（ただし、図７においては、構成体５４、６０の側壁は、それぞれ一方のみを示す）を含み、構成体５４、５６、５８、６０の側壁には、それぞれ符号５５、５７、５９、６０を付している。側壁５５、５７、５９、６１はそれぞれ犠牲物質５０、誘電物質２７及び導電性物質２２の一部を含んでいる。構成体は、適切な幅（Ｗ）を有し、実施形態によっては、凡そ４０〜５０ナノメートルの幅を有することとしてもよい。あるいは、凡そ１０〜２０ナノメートルの幅を有することとしてもよい。
【００３１】
図８を参照すると、スペーサ物質６２が構成体５４、５６、５８、６０上及び構成体間に形成されている。スペーサ物質は、側壁５５、５７、５９、６１に沿って等角的に拡がっている。スペーサ物質は、適切な組成物であれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含むこととしてもよい。例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素の中から１以上を含むこととしてもよいし、実質的にこれら物質のうちの１以上からなることとしてもよいし、これら物質のうちの１以上のみからなることとしてもよい。スペーサ物質は、例えばＡＬＤまたはＣＶＤのような適切な方法によって形成することができる。
【００３２】
図９を参照すると、スペーサ物質６２が異方的にエッチングされ、それぞれ側壁５５、５７、５９、６１に沿って複数のスペーサ６４、６６、６８、７０が形成されている。
構成体５４、５６、５８、６０は、図９の断面に対してページの内外に延びる延長線に対応させることができる。図１０は、図９のプロセス段階における構造１０の上面図を示し、構成体５４、５６、５８、６０を、導電性物質２０と交差して拡がる線として示す。
【００３３】
図１０の上面図は、構成体５４、５６、５８、６０に対応する線の側面に沿って拡がるようにパターニングされたスペーサ物質６２を示しているが、スペーサ物質６２は、線の終端の箇所には存在しない。このようなスペーサ物質６２のパターニングは、スペーサ物質の異方性エッチングの前または後に行うことができる。スペーサ物質のパターニングは、エッチングを利用して線の終端箇所はスペーサ物質をエッチングにさらしつつ、線の側面に沿ってスペーサ物質上に保護マスク（不図示）を形成して、線の終端箇所についてはスペーサ物質を除去してから、保護マスクを取り除くこととしてもよい。
【００３４】
線の終端箇所のスペーサ物質が欠落していることにより、犠牲物質５０をエッチング液にさらすことが可能となる。図１１は、誘電物質２７の下の物質５０（図９）を除去し、誘電物質の下に空隙を形成するためにエッチング液を利用した後の構造１０を示す。この空隙については、ガス充填ギャップとしてもよく、図３を参照して説明した誘電領域２４と対応している。
【００３５】
犠牲物質５０（図９）は、構造１０のエッチングにさらされる他の物質に対して選択的に除去することが可能であれば、どのようなエッチングによってもよい。「選択的」の語は、エッチングによって、他のさらされる物質よりも早くに物質５０が除去されることを意味し、エッチングでは他のさらされる物質と比較して物質５０を１００パーセント選択できることを含むが、これに限定されるものではない。犠牲物質５０が炭素を含む場合には、エッチングの一例として、Ｏ２プラズマを利用することができる。犠牲物質５０が二酸化ケイ素を含む場合には、エッチングの一例として、フッ化水素酸を利用することができる。
【００３６】
図１１のプロセス段階における構成体５４、５６、５８、６０は、導電性物質２０と共に、図３を参照して述べたダイオード１８に類似したダイオードをなす。後続するプロセス（不図示）においては、図１の各種の構造や物質を構成体５４、５６、５８、６０の上に形成して、このような構成体を、メモリアレイに組み込むことが可能である。
【００３７】
図１２〜図１７は、図４に示す型のダイオードを形成する方法の例を説明する図である。図１２〜図１７については、適宜、図４の説明で用いた符号と同様の符号を付している。
【００３８】
図１２を参照すると、第１の導電性物質２０が基板１２上に形成され、層８０が導電性物質上に形成されている。
層８０は、図においては物質８２からなるように示されている。物質８２は、実施形態によっては、ブロック共重合体としてもよい。ブロック共重合体は、共有結合により結合された、２以上の単独重合体のサブユニットを含む。単独重合体サブユニットの集合には、接合ブロック（junction block）として知られる中間体の結合を利用してもよい。２つの区別できるブロックを備えるブロック共重合体は、以下においては、ジブロック共重合体とする。実施例では、ジブロック共重合体としては、ポリスチレン‐ｂ‐ポリ（２ビニルピリジン）（PS-b-P2VP）、ポリスチレン‐ｂ‐ポリ（エチレン‐ａｌｔ‐プロピレン）、ポリスチレン‐ｂ‐ポリ（メタクリル酸メチル）（PS-b-MMA）、ポリスチレン‐ｂ‐ポリ（ジメチル‐シロキサン）（PS-b-PDMS）を含む。上記の各化学式中の「ｂ」は、ブロックの結合を表す。
【００３９】
ジブロック共重合体は、一般的には、Ａ−Ｂと表され、このうち、「Ａ」は、単独重合体サブユニットの１つを表し、「Ｂ」は、単独重合体サブユニットの他方を表す。ハイフンは、共有結合を表す。
【００４０】
ジブロック共重合体の中には、単独重合体サブユニットＡ及びＢが、同じサブユニット間では優先的に作用するが、相互には作用しない、というものがある。このようなジブロック共重合体は、Ａ−Ｂ：Ｂ−Ａ：Ａ−Ｂ：Ｂ−Ａ：Ａ−Ｂと表されるように、パターンを繰り返して連鎖し、自己集合する傾向がある。このようなパターンのうち、ハイフンは、共有結合を表し、コロン（：）は、非共有相互作用を表す。このような自己集合は、基板上にパターンを形成する際に都合がよい。
【００４１】
図１３を参照すると、ブロック共重合体からなる物質８２（図１２）内で開始した自己集合がなされた後のプロセス段階における構造１０を示している。このような自己集合は、物質８２を、交互にサブユニット８４、３６が繰り返されるパターンへと変えてしまう。最終的には、サブユニット３６は支持物に対応しており、サブユニット８４は犠牲物質として利用することができる。実施形態によっては、ブロック共重合体の自己集合は、層８０の化学修飾に相当するとみなすことができ、この場合、修飾によって、犠牲物質８４中に支持物３６を拡散させる結果となる。図においては層８０の全体が修飾される場合を示しているが、他の実施形態においては、層の一部のみを修飾させることとしてもよい。
【００４２】
図１４を参照すると、誘電物質２７が層８０上に形成され、第２の導電性物質２２が誘電物質上に形成されている。実施形態（不図示）によっては、１以上の誘電物質が層８０上に形成されることとしてもよい。一般的には、少なくとも一の誘電物質が層８０上に形成され、第２の導電性物質２２が、当該少なくとも一の誘電物質の上に形成される。
【００４３】
図１５を参照すると、層８０及び物質２７、２２を共にパターニングして、複数の離間構成体９０、９２、９４、９６を形成している。離間構成体は、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよい。実施形態によっては、フォトリソグラフィー法によるパターンマスク（不図示）が物質２２上に形成され、１以上の適切なエッチングによって、パターンがマスクから層８０や物質２２、２７に転移される。そして、マスクを取り除くと、図１５に示す構造が残ることとなる。
【００４４】
離間構成体９０、９２、９４、９６は、それぞれ１組の相対する側壁（ただし、図１５においては、構成体９０、９６の側壁は、それぞれ一方のみを示す）を含み、構成体９０、９２、９４、９６の側壁には、それぞれ符号９１、９３、９５、９７を付している。側壁９１、９３、９５、９７はそれぞれ層８０、誘電物質２７及び導電性物質２２の一部を含んでいる。
【００４５】
図１６を参照すると、支持物上に拡がる物質２７、２２を支持させるため、支持物３６を残しつつ、犠牲物質８４（図１５）の全てが除去されている。犠牲物質は、構造１０のエッチングにさらされる他の物質に対して選択的に除去することが可能であれば、どのようなエッチングによってもよい。実施形態によっては、犠牲物質８４は有機物質であってもよいし、Ｏ２、プラズマを利用してエッチングして除去してもよい。
【００４６】
犠牲物質８４の除去により、誘電物質２７の下に空隙（ギャップ）９８が作られる。導電性物質２０、２２は、ギャップ９８や誘電物質２７と共に、基板１２に支持される複数のダイオード１００、１０２、１０４、１０６に相当する。ギャップ９８は、図４を参照して説明した第１の誘電領域２４に含まれることとしてもよいし、誘電物質２７は、図４を参照して説明した第２の誘電領域２６に含まれることとしてもよい。ダイオード１００、１０２、１０４、１０６は、図１を参照して説明したメモリアレイに類似するメモリアレイに組み込むことが可能である。
【００４７】
先に図９〜図１１で説明したプロセスの利点と比べて、図１５及び図１６のプロセスの利点は、図１５及び図１６のプロセスにおいては、犠牲物質の除去に利用するエッチング液が、物質２７の下のありとあらゆる方向へと浸透しうる点にある。その一方、図９〜図１１のプロセスにおいては、エッチング液は、物質２７の下のうち、線の終端箇所からしか浸透しない。
【００４８】
図に示す実施形態においては、構成体９０、９２、９４、９６のそれぞれが、２つの支持物３６により支持されている。他の実施形態においては、各種構成体と関係する支持物の数を変えてもよい。また、図に示す支持物３６は空隙９８に対して比較的大きいため、支持物３６の誘電特性がダイオード１００、１０２、１０４、１０６の電気特性に与える影響は、大きいものとなり得る。実施形態によっては、支持物は（ナノドットのオーダーの大きさ程度に）非常に小さくして、支持物がダイオードの電気特性に大きな影響を与えることのないよう、控え目に使用することとしてもよい。
【００４９】
物質２７、２２は、支持物３６によって物質２０上で支持されているため、図１６の構造については、側壁９１、９３、９５、９７に沿ってはスペーサなしでメモリアレイに組み込んでもよい。その代わりに、更に支持をするためスペーサを側壁９１、９３、９５、９７に沿って形成することとしてもよく、更に／あるいは、導電性物質２２の側面に沿って電気的に遮蔽することとしてもよい。図１７は、側壁９１、９３、９５、９７に沿ってスペーサ２８を形成した後の構造１０を示す。
【００５０】
スペーサは、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよく、例えば図８や図９を参照して説明したような、スペーサ６４、６６、６８、７０を形成するプロセスと類似するプロセスで形成してもよい。図８及び図９の実施形態では、盛り上がり構造物（図８の離間構成体５４、５６、５８、６０）が等角的に交差し、構造間を導電性物質２０の領域が交差するスペーサ物質の層を形成した。同様に、図１６のダイオード１００、１０２、１０４、１０６に対応する盛り上がり構造物を交差するように、また、このような盛り上がり構造物間の導電性物質２０の介在する領域を交差するように、スペーサ物質層を形成する。そして、このような物質を異方的にエッチングすることにより、図１７のスペーサ２８を形成してもよい。しかし、実施形態によっては、構造物１００、１０２、１０４、１０６間にある導電性物質２０の表面のバルクに沿って、スペーサ物質を堆積させることなくスペーサを形成することが望ましい。このような実施形態においては、堆積プロセスがより等角的になるよう、特に、導電性物質２０のさらされている領域よりも寧ろ構造１００、１０２、１０４、１０６の側壁に沿って、スペーサ物質をより選択的に堆積できるよう、変更してもよい。
【００５１】
図１２〜図１７の実施形態では、初期のプロセス段階においてブロック共重合体内の自己集合（言い換えると、図１２の層８０を化学修飾により図１３に示す形の層に変換すること）が誘発される。特に、図示する実施形態においては、ブロック共重合体上に物質２７、２２を形成するよりも先に、自己集合が誘発されている。他の実施形態では、物質２７、２２の一方または双方を形成した後に自己集合が誘発されてもよい。また、図１２〜図１７の実施形態においては、物質２７、２２をパターニングして構成体９０、９２、９４、９６（図１５）を形成するよりも先にブロック共重合体の自己集合が誘発されているが、他の実施形態においては、パターニングの後に自己集合が誘発されることとしてもよい。物質２７、２２をパターニングして構成体９０、９２、９４、９６を形成した後に自己集合を誘発する場合は、この誘発は、スペーサ２８（図１７）の形成前または形成後としてもよい。実施形態によっては、スペーサ２８を形成した後に自己集合を誘発させてもよく、スペーサは、自己集合が行われる間にサブユニットが所望の構成となるのを早めるのに役立ち得る。実施形態によっては、物質２７、２２の一方または双方に熱損傷が加わる温度を利用してブロック共重合体の自己集合を誘発することとして、物質２７、２２の一方または双方を堆積するより先に自己集合を誘発するようにしてもよい。他の実施形態においては、物質２７、２２と相性がよい温度を利用して（すなわち、物質２７、２２に熱損傷が加わることのない温度を利用して）ブロック共重合体の自己集合を誘発することとし、物質２７、２２の堆積後に自己集合が誘発されるようにしてもよい。
【００５２】
実施形態によっては、支持物３６（図１６）については、その強度が十分で、上に拡がる物質２７、２２の支持を強化するのに十分な数を設けることとしてもよい。他の実施形態においては、支持物３６は、上に拡がる物質２７、２２の支持を強化するのに十分なほど設けられているが、支持物３６のみで上に拡がる物質を支持できるほどではないこともある。このような他の実施形態においては、支持物３６に隣接するように、犠牲物質を除去する前にスペーサ２８を形成しておくことが望ましい。図１８は、犠牲物質８４を除去する前にスペーサ２８を形成する実施形態による、図１５に続くプロセス段階における構造１０を示す。図１９の構造を形成するために、犠牲物質を除去する。図１９の構造は、図１７を参照して説明した構造と同一である。構成体９０、９２、９４、９６は、図１０に示す構成体５４、５６、５８、６０の開口端と類似する開口端を有することとしてもよい。図９〜図１１を参照して説明したプロセスと類似するプロセスを利用して、エッチング液を開口端に導入することにより、犠牲物質の除去がなされる。犠牲物質８４（図１５）の除去後、空隙９８が生成されている。物質２７、２２は、スペーサ２８と共に支持物３６によって空隙上で支持されている。
【００５３】
図２０〜図２５は、図４に示す型のダイオードを形成する方法の他の実施例を説明する図である。図２０〜図２５では、適宜、図４の説明で用いた符号と同様の符号を付している。
【００５４】
図２０を参照すると、基板１２上に第１の導電性物質２０を形成し、導電性物質２０上に層１１０を形成した後に続くプロセス段階における半導体構造１０が示されている。層１１０は、犠牲物質１１４内に拡散された、複数の粒子１１２を含んでいる。実施形態によっては、粒子１１２は金属を含み、物質１１４は、そのような金属に反応する組成を備えることとしてもよい。
【００５５】
図２１を参照すると、粒子１１２（図２０）が犠牲物質１１０に反応した後に続くプロセス段階における構造１０を示している。このような反応によって粒子が修飾され、修飾粒子には、図２１においては符号１１６を付している。修飾は、粒子表面を化学的に変えることとしてもよいし、粒子全体に化学変化を起こさせることとしてもよい。これは、とりわけ、粒子の大きさや修飾の性質による。
【００５６】
実施形態によっては、図２０の粒子１１２は、１以上の金属（例えば、白金、ルテニウム、チタン等）を含むこととしてもよいし、実質的に１以上の金属からなることとしてもよいし、１以上の金属のみからなることとしてもよい。犠牲物質は、酸素を含んだ組成物（例えば、二酸化ケイ素等）を含むこととしてもよいし、実質的に酸素を含んだ組成物からなることとしてもよいし、酸素を含んだ組成物のみからなることとしてもよい。図２１の修飾粒子１１６は、１以上の金属酸化物（例えば、酸化白金、酸化ルテニウム、酸化チタン等）を含むこととしてもよいし、実質的に１以上の金属酸化物からなることとしてもよいし、１以上の金属酸化物のみからなることとしてもよい。他の実施形態においては、図２０の粒子１１２は、１以上の金属（例えば、白金、ルテニウム、チタン等）を含むこととしてもよいし、実質的に１以上の金属からなることとしてもよいし、１以上の金属のみからなることとしてもよい。犠牲物質は、シリコンを含むこととしてもよいし、実質的にはシリコンからなることとしてもよいし、シリコンのみからなることとしてもよい。図２１の修飾粒子１１６は、１以上の金属シリサイド（例えば、白金シリサイド、ルテニウムシリサイド、チタンシリサイド等）を含むこととしてもよいし、実質的に１以上の金属シリサイドからなることとしてもよいし、これら１以上の金属シリサイドのみからなることとしてもよい。
【００５７】
実施形態によっては、図２０の粒子１１２は、電気的導電性物質からなることとしてもよいし、図２１の修飾粒子１１６は、電気的絶縁物質からなることとしてもよい。最終的には、修飾粒子は、ギャップを交差して拡がる支持物（図４の支持物３６と類似する）として、ダイオードの誘電領域に組み込まれてもよい。ダイオードの誘電領域内の支持物としては、電気的絶縁物である粒子を用いたほうが利点を有する。他の実施形態においては、修飾粒子１１６は、電気的導電性を有する（例えば、修飾粒子が電気的導電性のある金属シリサイドに相当する）こととしてもよい。しかし、修飾粒子が非常に薄く保たれる場合（例えば、修飾粒子がナノドットまたはナノワイヤーに相当する場合）、また、修飾粒子が極めて低い伝導性を有する物質（例えば、白金シリサイド）からなる場合は、修飾粒子は、誘電領域を交差した、問題ある導電性パスを形成してしまうことはなく、やはり、得られるダイオードの誘電領域を貫通する支持物として組み込まれることとなる。
【００５８】
図２２を参照すると、誘電物質２７が層１１０上に形成され、第２の導電性物質２２が誘電物質上に形成されている。実施形態（不図示）によっては、１以上の誘電物質が層１１０上に形成されることとしてもよい。一般的には、少なくとも一の誘電物質が層１１０上に形成され、第２の導電性物質２２が少なくとも一の誘電物質上に形成される。
【００５９】
図２３を参照すると、層１１０及び物質２７、２２を共にパターニングして、複数の離間構成体１２０、１２２、１２４、１２６を形成している。離間構成体は、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよい。実施形態によっては、フォトリソグラフィー法によるパターンマスク（不図示）が物質２２上に形成され、１以上の適切なエッチングによって、パターンがマスクから層１１０や物質２２、２７に転移される。そして、マスクを取り除くと、図２３に示す構造が残ることとなる。
【００６０】
離間構成体１２０、１２２、１２４、１２６は、それぞれ１組の相対する側壁（ただし、図２３においては、構成体１２０、１２６の側壁は、それぞれ一方のみを示す）を含み、構成体１２０、１２２、１２４、１２６の側壁には、それぞれ符号１２１、１２３、１２５、１２７を付している。側壁１２１、１２３、１２５、１２７はそれぞれ層１１０、誘電物質２７及び導電性物質２２の一部を含んでいる。
【００６１】
図２４を参照すると、スペーサ２８が側壁１２１、１２３、１２５、１２７に沿って形成されている。スペーサは、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよく、例えば図８や図９を参照して説明したような、スペーサ６４、６６、６８、７０を形成するプロセスと類似するプロセス等の適切なプロセスで形成してもよい。
【００６２】
図２５を参照すると、物質２７、２２の支持を支援するため、支持物（図４の支持物３６と類似）としての粒子１１６は残しつつ、犠牲物質１１４（図２４）の全てが除去されている。犠牲物質の除去により、誘電物質２７の下に空隙（ギャップ）１２８が作られる。構成体１２０、１２２、１２２４、１２６は、図１０に示す構成体５４、５６、５８、６０の開口端と類似する開口端を有することとしてもよい。そして、図９〜図１１を参照して説明したプロセスと類似するプロセスを利用して、エッチング液を開口端に導入することにより、犠牲物質の除去がなされる。
【００６３】
導電性物質２０、２２は、ギャップ１２８や誘電物質２７と共に、基板１２に支持される複数のダイオード１３０、１３２、１３４、１３６に相当する。ギャップ１２８は、図４を参照して説明した第１の誘電領域２４に含まれることとしてもよいし、誘電物質２７は、図４を参照して説明した第２の誘電領域２６に含まれることとしてもよい。ダイオード１３０、１３２、１３４、１３６は、図１を参照して説明したメモリアレイに類似するメモリアレイに組み込むことが可能である。
【００６４】
図２０の実施形態においては、層１１０には、粒子１１２及び犠牲物質１１４が混在している。他の実施形態においては、粒子と犠牲物質とが交互に連続して配置されることとしてもよい。例えば、図２６は、離間粒子１４０が第１の導電性物質２０の上に設けられた後の構造１０を示す。粒子１４０は、適当な大きさ及び構成を備え、実施形態によっては、金属（例えば、白金、ルテニウム、チタン等）からなるナノ粒子、金属を含有する化合物（例えば、金属窒化物、金属シリサイド等）、または酸化物（例えば、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム等）であってもよい。
【００６５】
図２７を参照すると、犠牲物質１４２が粒子１４０上及び粒子間に堆積されている。犠牲物質は、適切な組成物であれば、どのような組成物や組成物の組み合わせを含むこととしてもよい。例えば、犠牲物質は、炭素、二酸化ケイ素、または有機ポリマー物質を含むこととしてもよいし、実質的にはこれらの物質からなることとしてもよいし、これらの物質のみからなることとしてもよい。実施形態によっては、物質１４２は、ＡＬＤ等を用いて、等角で薄いフィルム（すなわち、厚さ５０ナノメートル以下か、更に薄くほぼ１０オングストローム以下）に形成されることとしてもよい。
【００６６】
実施形態によっては、少なくとも粒子表面外部が物質１４２と反応して新たな組成物に変換されるよう、犠牲物質１４２は、粒子１４０と反応してもよい。このような実施形態においては、粒子の犠牲物質との反応は、物質の堆積中、あるいは、物質の堆積後の別個のプロセス段階において起こることとできる。図２７に示す構造１０は、図２２〜図２５を参照して説明した、ダイオードを形成するプロセスと類似のプロセスによる。粒子１４０が犠牲物質１４２と反応して粒子の組成が変化した場合には、また、そのような反応が物質１４２の堆積後に起こった場合には、反応は、いかなるプロセス段階において起こることとしてもよい。例えば、反応は、物質２７、２２（図２２）の一方または双方の堆積前に起こってもよいし、そのような堆積の後であって、且つ構成体１２０、１２２、１２４、１２６（図２３）のパターニングの前に起こってもよいし、あるいは、そのようなパターニングの後であって、且つスペーサ２８（図２４）を形成する前に起こってもよい。
【００６７】
図２８〜図３３は、図３に示す型のダイオードを形成する方法の他の実施例を説明する図である。図２８〜図３３では、適宜、図３の説明で用いた符号と同一の符号を付している。
【００６８】
図２８を参照すると、第１の導電性物質２０が基板１２上に形成され、層１５０が第１の導電性物質上に形成されている。層１５０は、ブロック共重合体からなる。
図２９を参照すると、層１５０のブロック共重合体内の自己集合により、ブロック共重合体から、代わりのサブユニット１５２、１５４の繰り返しのパターンが形成されている。実施形態によっては、サブユニット１５２が犠牲物質の領域に対応し、サブユニット１５４が犠牲物質の領域の間にある中断領域に対応することとしてもよい。
【００６９】
図３０を参照すると、誘電物質２７が層１５０上に形成され、第２の導電性物質２２が誘電物質上に形成されている。実施形態（不図示）によっては、１以上の誘電物質を層１５０上に形成することとしてもよい。一般的には、少なくとも一の誘電物質が層１５０上に形成され、第２の導電性物質２２が少なくとも一の誘電物質上に形成される。
【００７０】
図３１を参照すると、層１５０や物質２７、２２を共にパターニングして、複数の離間構成体１６０、１６２、１６４、１６６を形成している。離間構成体の形成により、サブユニット１５２は残る一方で、層１５０のサブユニット１５４は除去される。離間構成体は、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよい。実施形態によっては、フォトリソグラフィー法によるパターンマスク（不図示）が物質２２上に形成され、１以上の適切なエッチングによって、パターンがマスクから層１５０や物質２２、２７に転移される。そして、マスクを取り除くと、図１５に示す構造が残ることとなる。エッチングによって、サブユニット１５２に対してサブユニット１５４を選択的に除去することが可能である。実施形態によっては、サブユニット１５４は、物質２２、２７を形成する前に除去して、構成体１６０、１６２、１６４、１６６のパターニングは、構成体間に空間を作るために物質２２、２７を除去する処理のみを含むこととしてもよい。
離間構成体１６０、１６２、１６４、１６６は、それぞれ１組の相対する側壁（ただし、図３１においては、構成体１６０、１６６の側壁は、それぞれ一方のみを示す）を含み、構成体１６０、１６２、１６４、１６６の側壁には、それぞれ符号１６１、１６３、１６５、１６７を付している。
【００７１】
図３２を参照すると、側壁１６１、１６３、１６５、１６７に沿ってスペーサ２８が形成されている。スペーサは、適切なプロセスであれば、いかなるプロセスで形成してもよく、例えば図８や図９を参照して説明したような、スペーサ６４、６６、６８、７０を形成するプロセスと類似するプロセスで形成してもよい。
【００７２】
図３３を参照すると、サブユニット１５２（図３２）が除去されている。サブユニット１５２の除去により、誘電物質２７の下に空隙（ギャップ）１７０が作られる。構成体１６０、１６２、１６４、１６６は、図１０に示す構成体５４、５６、５８、６０の開口端と類似する開口端を有することとしてもよい。図９〜図１１を参照して説明したプロセスと類似するプロセスを用いて、エッチング液を開口端に導入することにより、サブユニット１５２の除去がなされる。
【００７３】
導電性物質２０、２２は、ギャップ１７０や誘電物質２７と共に、基板１２により支持される複数のダイオード１９０、１９２、１９４、１９６に対応する。ギャップ１７０は、図３を参照して説明した第１の誘電領域２４に含まれることとしてもよいし、誘電物質２７は、図３を参照して説明した第２の誘電領域２６に含まれることとしてもよい。ダイオード１９０、１９２、１９４、１９６は、図１を参照して説明したメモリアレイと類似するメモリアレイに組み込むことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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