(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、
前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第１の信号線と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、
第２の絶縁膜を介して前記第２の信号線の上層に形成され、前記第１の信号線と前記第２の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、
前記透明導電膜は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを貫通して前記第１の絶縁膜に至る第１の接続孔と、前記第２の絶縁膜を貫通して前記第２の信号線に至る第２の接続孔とを覆うようにして形成され、
前記第１の接続孔又は前記第２の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第１の絶縁膜又は／及び前記第２の絶縁膜に形成される溝部を備え、
前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなると共に、
前記第１の絶縁膜の上層に前記溝部と重畳して形成されるバリヤ層を備え、
前記バリヤ層が形成される領域で、前記第１の信号線又は／及び前記第２の信号線と前記溝部とが交差することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板上に、表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、
前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第１の信号線と、
第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、
第２の絶縁膜を介して前記第２の信号線の上層に形成され、前記第１の信号線と前記第２の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、
前記透明導電膜は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを貫通して前記第１の絶縁膜に至る第１の接続孔と、前記第２の絶縁膜を貫通して前記第２の信号線に至る第２の接続孔とを覆うようにして形成され、
前記第１の接続孔又は前記第２の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第１の絶縁膜又は／及び前記第２の絶縁膜に形成される溝部を備え、
前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなると共に、
前記第２の絶縁膜の上層に形成されると共に、前記透明導電膜の形成領域に開口部を有するシールド膜を備え、
前記溝部は前記開口部の開口領域の内側に形成され、前記シールド膜の端部が前記溝部の辺縁部と重畳しないことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜の上層に前記溝部と重畳して形成されるバリヤ層を備え、
前記バリヤ層が形成される領域で、前記第１の信号線又は／及び前記第２の信号線と前記溝部とが交差することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記溝部は、前記基板の辺縁部の内で近接する辺縁部の延在方向に伸延することを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記溝部は、前記透明導電膜の１つの辺に沿って形成されることを特徴とする請求項１乃至４の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記溝部が形成される側の接続孔を有する信号線は、前記溝部の形成位置を迂回して配置され、
前記溝部は第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を貫通してなることを特徴とする請求項１乃至５の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の信号線又は前記第２の信号線の内で、前記基板の辺縁部から遠い側の信号線が配置される側の辺縁部を除く前記透明導電膜の辺縁部に沿って前記溝部が形成され、
前記透明導電膜の各辺縁部は前記溝部の底部まで伸延してなることを特徴とする請求項１又は３乃至６の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記透明導電膜の全ての辺縁部に沿って前記溝部が環状に形成され、
前記透明導電膜の各辺縁部は、前記溝部の底部まで伸延してなることを特徴とする請求項１又は３乃至６の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記溝部に沿って、前記バリヤ層が環状に形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１の信号線及び前記第２の信号線は前記溝部と交差するように形成され、
前記第２の信号線は信号線幅よりも開口幅が小さい開口部を有し、前記開口部の領域内に前記第１の接続孔が形成されることを特徴とする請求項１乃至９の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記溝部は、前記第１の接続孔及び前記第２の接続孔と同一の工程で形成されることを特徴とする請求項１乃至１０の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の信号線及び／又は前記第２の信号線は金属薄膜からなることを特徴とする請求項１乃至１１の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の信号線は前記表示領域と前記基板の辺縁部との間に形成され、
前記第２の信号線は前記表示領域内に形成されることを特徴とする請求項１乃至１２の内のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１４】
前記基板と液晶層を介して対向配置される対向基板を備えることを特徴とする請求項１乃至１３の内のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係わり、特に、表示領域の周辺部に配置される引き回し（引き出し）配線に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置は、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線（ゲート線）と、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線（ドレイン線）とが基板上に形成されると共に、この走査信号線と映像信号線とで囲まれる領域内に、薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタに接続される画素電極とからなる画素が形成され、複数の画素が表示領域内にマトリクス状に配置される構成となっている。このような構成からなる表示装置では、走査信号線に走査信号（ゲート信号）を供給する走査信号線駆動回路や映像信号線に映像信号を供給する映像信号線駆動回路等が基板の辺部に配置される構成となっている。各駆動回路と走査信号線及び映像信号線とは、表示領域と基板の端部との間の領域いわゆる額縁領域に形成される引き回し配線により、電気的に接続されている。
【０００３】
走査信号線及び映像信号線並びに引き回し配線での信号遅れ等の発生が表示品質に大きな影響を与えること知られており、信号遅れ等の発生を極力抑えることが可能な金属薄膜を用いて形成されている。このような金属薄膜を用いる表示装置では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置のように、走査信号線と引き回し配線とが異なる工程で形成されると共に、走査信号線と引き回し配線との電気的な接続は、走査信号線及び引き回し配線の上層に形成される絶縁膜に各配線と重畳するコンタクトホールを設け、この絶縁層の上層に形成される透明導電膜によって電気的に接続される構成となっている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＵＳＰ５６２１５５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の表示装置では、走査信号線と引き回し配線とを電気的に接続するためのコンタクトホールが形成される領域（接続領域）は、表示品質への影響を考慮して額縁領域に形成されることが一般的である。このような額縁領域では、図１１（ａ）に示す接続領域における平面図、及び図１１（ｂ）に示す図１１（ａ）のＭ−Ｍ’線での断面図に示すように、第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される走査信号線ＤＣＲの端部と引き回し配線ＧＡＬの端部とが近接する領域において、走査信号線ＤＣＲの上層に形成される第１絶縁膜ＰＡＳ１に第１接続孔（第１のコンタクトホール）ＴＨ１が形成されると共に、引き回し配線ＧＡＬの上層に順に形成される第１絶縁膜ＰＡＳ１及び第２絶縁膜ＰＡＳ２に第２接続孔（第２のコンタクトホール）ＴＨ２がそれぞれ形成されている。この接続領域では、例えば、画素電極を形成する工程で、第１接続孔ＴＨ１及び第２接続孔ＴＨ２を覆うようにして、透明導電膜ＣＨＬが第２絶縁膜ＰＡＳ２の上層に形成され、走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとが該透明導電膜ＣＨＬを介して電気的に接続される構成となっている。
【０００６】
このような構成からなる表示装置では、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、透明導電膜ＣＨＬの端部は第２絶縁膜ＰＡＳ２の上層に開放される構成となっている。このために、図１１（ｂ）に示すように、第２絶縁膜ＰＡＳ２と透明導電膜ＣＨＬとの界面から矢印Ｎで示すように水分等の不純物が侵入した場合、侵入した水分等の不純物は平坦化膜としても機能する第２絶縁膜ＰＡＳ２と透明導電膜ＣＨＬとの界面に沿って第２接続孔ＴＨ２に到達した後に、その側壁面に沿って更に侵入し、透明導電膜ＣＨＬと引き回し配線ＧＡＬとの接続領域Ｐに容易に到達することができ、金属薄膜からなる引き回し配線ＧＡＬを腐食させてしまい、走査信号駆動回路から引き回し配線ＧＡＬを介して走査信号線ＤＣＲに至る信号線を断線させてしまうことが懸念されている。
【０００７】
特に、高温高湿での使用では、金属薄膜と第１及び第２絶縁層ＰＡＳ１，２と透明導電膜ＣＨＬとの熱膨張率がそれぞれ異なるために、更に、水分等の異物質（不純物）の侵入可能性が高くなるので、その対策が切望されている。
【０００８】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分等の異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性を向上させ、表示装置の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）前記課題を解決すべく、本発明の表示装置は、基板上に表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第１の信号線と、第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、第２の絶縁膜を介して前記第２の信号線の上層に形成され、前記第１の信号線と前記第２の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、前記透明導電膜は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを貫通して前記第１の絶縁膜に至る第１の接続孔と、前記第２の絶縁膜を貫通して前記第２の信号線に至る第２の接続孔とを覆うようにして形成され、前記第１の接続孔又は前記第２の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第１の絶縁膜又は／及び前記第２の絶縁膜に形成される溝部を備え、前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなると共に、前記第１の絶縁膜の上層に前記溝部と重畳して形成されるバリヤ層を備え、前記バリヤ層が形成される領域で、前記第１の信号線又は／及び前記第２の信号線と前記溝部とが交差する。
（２）前記課題を解決すべく、本発明の表示装置は、基板上に、表示素子がマトリクス状に配置される表示領域と、前記基板の辺部に配置される端子部と、前記表示領域と前記基板の辺縁部との間の領域を介して配置され、前記表示画素と前記端子部とを電気的に接続する信号線とを備える表示装置であって、前記信号線は、前記基板に近い側に形成される第１の信号線と、第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、第２の絶縁膜を介して前記第２の信号線の上層に形成され、前記第１の信号線と前記第２の信号線とを電気的に接続する透明導電膜とからなり、前記透明導電膜は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを貫通して前記第１の絶縁膜に至る第１の接続孔と、前記第２の絶縁膜を貫通して前記第２の信号線に至る第２の接続孔とを覆うようにして形成され、前記第１の接続孔又は前記第２の接続孔の内で、前記基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、前記第１の絶縁膜又は／及び前記第２の絶縁膜に形成される溝部を備え、前記透明導電膜の辺縁部が、前記溝部の底部まで伸延してなると共に、前記第２の絶縁膜の上層に形成されると共に、前記透明導電膜の形成領域に開口部を有するシールド膜を備え、前記溝部は前記開口部の開口領域の内側に形成され、前記シールド膜の端部が前記溝部の辺縁部と重畳しない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分をはじめとする異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性を向上させ、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の拡大図である。
【図４】本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の構成を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態５の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態６の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。
【図８】図７（ａ）に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。
【図９】本発明の実施形態７の表示装置である液晶表示装置における走査信号線と引き回し配線との位置関係を示した図である。
【図１０】本発明の実施形態７の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。
【図１１】従来の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、図中に示すＸ，ＹはそれぞれＸ軸，Ｙ軸を示す。さらには、溝部ＤＣＨやバリヤ層ＢＡＬ等の各薄膜層は公知のフォトリソグラフィ技術により形成可能であるので、形成方法の詳細な説明は省略する。
【００１３】
〈実施形態１〉
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の表示装置である液晶表示装置の全体構成を説明するための図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の表示装置の全体構成を説明する。ただし、以下の説明では、本願発明をＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置に適用した場合について説明するが、ＴＮ（Twisted Nematic）方式やＶＡ（Vertical Alignment）方式等の液晶表示装置にも適用可能である。さらには、本願発明は液晶表示装置等の非発光型の表示装置に限定されることはなく、例えば、有機ＥＬ表示装置等の自発光型の表示装置にも適用可能である。
【００１４】
また、以下の説明では、透明導電膜として酸化インジウム系のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いた場合について説明するが、これに限定されることはなく、例えば、酸化亜鉛系（ＺｎＯ）のＡＺＯ（Aluminum doped Zinc Oxide）やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等、及び酸化スズ系等の透明導電膜材料を用いた構成であってもよい。
【００１５】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、図示しないカラーフィルタやブラックマトリクスが形成され、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルを有し、該液晶表示パネルの光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布された図示しないシール材で固定され、液晶も封止される構成となっている。また、第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。
【００１６】
また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、ガラス基板に限定されることはなく、石英ガラスやプラスチック（樹脂）のような他の絶縁性基板であってもよい。例えば、石英ガラスを用いれば、プロセス温度を高くできるため、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜を緻密化できるので、信頼性を向上することができる。一方、プラスチック（樹脂）基板を用いる場合には、軽量で、耐衝撃性に優れた液晶表示装置を提供できる。
【００１７】
また、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１８】
実施形態１の液晶表示装置では第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＤＣＲが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路からの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。これら映像信号線ＤＬ及び走査信号線ＤＣＲは、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成されているが、他の導電材料で形成した導電膜で形成してもよい。映像信号線ＤＬと走査信号線ＤＣＲとで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域（以下、画素領域と記す）を構成し、これにより、各画素は表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。各画素は、例えば図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、走査信号線ＤＣＲからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介して映像信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、少なくとも表示領域の全面に形成され、Ｘ方向の左右（第１基板ＳＵＢ１の端部）の一端から、又は両側からコモン線ＣＬを介して、映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。ただし、薄膜トランジスタＴＦＴは、いわゆる逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、映像信号線ＤＬと接続される側をドレイン電極ＤＴ、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極ＳＴと記す。
【００１９】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、ＩＰＳ方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２０】
各映像信号線ＤＬ及び各走査信号線ＤＣＲは、図１中丸印Ｂの拡大図Ｂ’に示すように、図１中の右側端部のコンタクト領域（接続領域）ＣＨにおいて、例えば、アルミニウム等の金属薄膜で形成される引き回し配線（引き出し線）ＧＡＬにそれぞれ電気的に接続される。各引き回し配線ＧＡＬは第１基板ＳＵＢ１の図１中の右側辺部、すなわち表示領域ＡＲと第１基板ＳＵＢ１の端辺との間の領域である額縁領域の内の図１中の右側の額縁領域に形成されている。この額縁領域に形成される引き回し線ＧＡＬは、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、その一端がコンタクト領域ＣＨで走査信号線ＤＣＲに接続され、他端が駆動回路ＤＲに接続されている。なお、コンタクト領域ＣＨの構成については、後に詳述する。また、引き回し配線ＧＡＬは金属薄膜に限定されることはなく、他の導電材料からなる導電膜で形成してもよい。
【００２１】
また、駆動回路ＤＲは、外部システムから図示しないフレキシブルプリント基板を介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板にテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２２】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、少なくとも表示領域ＡＲの全面に共通電極ＣＴを形成する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、画素毎に独立して形成される共通電極ＣＴに対して、コモン線ＣＬを介して共通信号を入力する構成であってもよい。
【００２３】
〈コンタクト領域の構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図であり、図２（ａ）は第１基板に形成されるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ’線での断面図である。ただし、図２（ａ）及び図２（ｂ）においては、それぞれ図中の右側（Ｄ−Ｄ’線のＤ’側）が第１基板ＳＵＢ１の端部に近い側を示している。また、以下の説明では、ガラス基板である第１基板ＳＵＢ１からのアルカリイオン等の侵入を防止するために第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される下地膜と称される保護膜や、液晶分子の初期配向方向を制御する配向膜等は省略する。
【００２４】
図２（ａ）から明らかなように、実施形態１の液晶表示装置では、溝部ＤＣＨは透明導電膜ＣＨＬの辺部の内で、第１基板ＳＵＢ１の端部に近い側の辺部を含むようにして形成されている。このとき、溝部ＤＣＨのＹ方向幅が透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも大きく形成されている。さらには、引き回し配線ＧＡＬは接続孔（コンタクトホール，第１の接続孔）ＴＨ１からＹ方向に伸延した後に、Ｘ方向に伸延する形状となっている。すなわち、溝部ＤＣＨと引き回し配線ＧＡＬとが重畳しないように、引き回し配線ＧＡＬが溝部ＤＣＨの形成領域を迂回する形状としている。このような形状とすることにより、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２のエッチングで接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を形成する際に、溝部ＤＣＨも形成することを可能とし、工程数を増加させることなく溝部ＤＣＨを形成する構成としている。この溝部ＤＣＨが形成される領域においては、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２は第１基板ＳＵＢ１までエッチングされることとなるので、引き回し配線ＧＡＬが溝部ＤＣＨを迂回するような形状としている。
【００２５】
また、実施形態１では、走査信号線ＤＣＲの伸延方向であるＸ方向に２つの接続孔ＴＨ１，ＴＨ２が並列される構成となっており、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部側に近い側に接続孔ＴＨ１が形成されている。従って、実施形態１においては、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、接続孔ＴＨ１と第１基板ＳＵＢ１の辺縁部との間に形成される図中右側の辺縁部に溝部ＤＣＨが形成される。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、実施形態１の液晶表示装置の額縁領域では、第１基板ＳＵＢ１の上層に引き回し配線ＧＡＬが形成され、その上層に絶縁膜（第１の絶縁膜）ＰＡＳ１が形成される構成となっている。該絶縁膜ＰＡＳ１の上層には走査信号線ＤＣＲが形成され、該走査信号線ＤＣＲの上層に絶縁膜（第２の絶縁膜）ＰＡＳ２が形成されている。このように、実施形態１では、引き回し配線ＧＡＬと走査信号線ＤＣＲとは絶縁膜ＰＡＳ１を介して形成される構成となっており、上層側に形成される信号線である走査信号線ＤＣＲの上層には、絶縁膜ＰＡＳ２が形成される構成となっている。
【００２７】
また、接続孔（コンタクトホール，第２の接続孔）ＴＨ２は絶縁膜ＰＡＳ２のみを貫通し走査信号線ＤＣＲの表面に至る構成となり、接続孔ＴＨ１は絶縁膜ＰＡＳ１及び絶縁膜ＰＡＳ２を貫通し引き回し配線ＧＡＬの表面に至る構成となっている。さらには、溝部ＤＣＨは絶縁膜ＰＡＳ１及び絶縁膜ＰＡＳ２を貫通し第１基板ＳＵＢ１の表面に至る構成となっている。溝部ＤＣＨが形成される領域においては、エッチングストッパとなる薄膜層が絶縁膜ＰＡＳ１及び絶縁膜ＰＡＳ２の何れの下層においても形成されない構成となっているからである。
【００２８】
従って、この２つの接続孔ＴＨ１，ＴＨ２の形成領域を含むようにして形成される透明導電膜ＣＨＬは、接続孔ＴＨ２の形成領域において走査信号線ＤＣＲに電気的に接続され、接続孔ＴＨ１の形成領域において引き回し配線ＧＡＬに電気的に接続され、その結果、走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとが透明導電膜ＣＨＬを介して電気的に接続されることとなる。
【００２９】
一方、溝部ＤＣＨにおいては、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が溝部ＤＣＨの底部すなわち第１基板ＳＵＢ１の表面部分に形成されることとなる。その結果、例えば、透明導電膜ＣＨＬの溝部ＤＣＨから水分等の不純物（異物質）が侵入した場合であっても、侵入した水分等の不純物は第１基板ＳＵＢ１と透明導電膜ＣＨＬとの間、及び溝部ＤＣＨの側壁面と透明導電膜ＣＨＬとの間、絶縁膜ＰＡＳ２と透明導電膜ＣＨＬとの間、及び接続孔ＴＨ１の側壁面を経た後に、引き回し配線ＧＡＬの表面に到達するすなわち第１基板ＳＵＢ１の法線方向の段差を経由することとなるので、引き回し配線ＧＡＬの表面に到達するまでの距離を大きくできると共に、その形状が複雑となる。従って、透明導電膜ＣＨＬの溝部ＤＣＨから侵入した水分等の不純物が引き回し配線ＧＡＬの表面に容易に到達し、該引き回し配線ＧＡＬを腐食させてしまうことを防止でき、液晶表示装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００３０】
また、実施形態１においては、引き回し配線ＧＡＬの方が走査信号線ＤＣＲよりも第１基板ＳＵＢ１に近い側すなわち下層に積層される構成となっている。このような構成とすることにより、表示領域ＡＲに形成される他の配線層と同一の工程で引き回し配線ＧＡＬを形成することが可能となる。ただし、走査信号線ＤＣＲの方が引き回し配線ＧＡＬよりも下層に形成される構成であってもよい。特に、実施形態１においては、引き回し配線ＧＡＬと溝部ＤＣＨとが重畳しない構成となっているので、前述と同様の工程で溝部ＤＣＨを形成できる。
【００３１】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、接続孔ＴＨ１と接続孔ＴＨ２との内で、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に近い側の接続孔ＴＨ１と辺縁部との間の領域に溝部ＤＣＨを形成すると共に、接続孔ＴＨ１と接続孔ＴＨ２とを介して走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとを電気的に接続する導電性薄膜ＣＨＬの辺縁部が溝部ＤＣＨの底部すなわち第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される構成としている。従って、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部側における導電性薄膜ＣＨＬの辺縁部から接続孔ＴＨ１に至る水分等の不純物の侵入経路中に第１基板ＳＵＢ１の法線方向の段差が形成され、侵入経路の形状を複雑にすることが可能となる。その結果、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部から水分等の不純物が侵入した場合であっても、導電性薄膜ＣＨＬとその下層の薄膜との間から侵入した水分等の不純物が接続孔ＴＨ１に容易に到達することを防止でき、当該接続孔ＴＨ１の形成部分における引き回し配線ＧＡＬの腐食を防止できるので、コンタクト領域の信頼性を向上させることができ、その結果として、液晶表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、実施形態１の液晶表示装置では、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２をエッチングすることにより溝部ＤＣＨを形成する構成としているので、第１基板ＳＵＢ１の表面に形成される薄膜層の膜厚を増加させることなく、透明導電膜ＣＨＬの形成面に第１基板ＳＵＢ１の表面の法線方向すなわち薄膜層の積層方向への段差を形成できるという効果も得られる。
【００３３】
なお、実施形態１の液晶表示装置においては、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも溝部ＤＣＨのＹ方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、溝部ＤＣＨのＹ方向幅が透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅以下であってもよい。
【００３４】
〈実施形態２〉
図３は本発明の実施形態２の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の拡大図であり、図３（ａ）は実施形態２の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。ただし、実施形態２の液晶表示装置は、コンタクト領域の構成を除く他の構成は実施形態１と同様の構成となる。従って、以下の説明では、コンタクト領域の構成について詳細に説明する。
【００３５】
図３（ａ）から明らかなように、実施形態２の液晶表示装置では、従来と同様に、引き回し配線ＧＡＬは走査信号線ＤＣＲの伸延方向（Ｘ方向）と同一の方向に伸延される構成になっており、特に、図３（ａ）中の左側端部である表示領域側端部は接続孔ＴＨ２を超えて表示領域側に伸延されている。また、実施形態２の液晶表示装置では、溝部ＤＣＨは引き回し配線ＧＡＬと重畳する位置に形成されると共に、該溝部ＤＣＨと重畳する領域にバリヤ層ＢＡＬが形成される構成となっている。
【００３６】
また、実施形態２の液晶表示装置では、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも溝部ＤＣＨのＹ方向幅が小さい構成となっており、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に近い側の透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が溝部ＤＣＨのＸ方向の形成領域内に位置する構成となっている。また、溝部ＤＣＨと重畳する領域にはバリヤ層ＢＡＬが形成されており、該バリヤ層ＢＡＬは引き回し配線ＧＡＬとも重畳するように形成されている。特に、実施形態２の構成においては、バリヤ層ＢＡＬは溝部ＤＣＨを形成する際のエッチングストッパとして機能する薄膜層となるので、その平面的な大きさは溝部ＤＣＨのＸ方向及びＹ方向の何れに対しても大きく形成されている。
【００３７】
図３（ｂ）に示すように、実施形態２の液晶表示装置においては、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部側の上面側に引き回し配線ＧＡＬが形成され、その上層に絶縁膜ＰＡＳ１が形成される構成となっている。該絶縁膜ＰＡＳ２の上層に走査信号線ＤＣＲが形成されると共に、溝部ＤＣＨが形成される領域の絶縁膜ＰＡＳ２の上層にはバリヤ層ＢＡＬが形成される構成となっている。このとき、実施形態２においては引き回し配線ＧＡＬの端部と走査信号線ＤＣＲの端部とが重畳しているが、引き回し配線ＧＡＬと走査信号線ＤＣＲとは絶縁膜ＰＡＳ１を介して重畳する構成となっているので、直接的には接続されない構成となる。ただし、バリヤ層ＢＡＬを形成する薄膜材料としては、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２のエッチングストッパとして機能すると共に、水分等の不純物による腐食や液晶へ不純物等を放出しない薄膜物質を用いることが可能であり、例えば、導電性薄膜ＣＨＬを形成するＩＴＯ等を用いることが可能であるが、ＩＴＯに限定されることはなく、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２をエッチングする際のエッチングストッパとしても機能する他の薄膜材料であってもよい。
【００３８】
走査信号線ＤＣＲ及びバリヤ層ＢＡＬ等の上層には絶縁膜ＰＡＳ２が形成されており、この絶縁膜ＰＡＳ２の上層に透明導電膜ＣＨＬが形成される構成となっている。このとき、実施形態２においても、絶縁膜ＰＡＳ２に形成され走査信号線ＤＣＲにまで貫通する接続孔ＴＨ２と絶縁膜ＰＡＳ２から絶縁膜ＰＡＳ１を貫通し引き回し配線ＧＡＬに至る接続孔ＴＨ１及び絶縁膜ＰＡＳ２を貫通しバリヤ層ＢＡＬに至る溝部ＤＣＨが形成されている。従って、実施形態１と同様に、走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとは透明導電膜ＣＨＬを介して電気的に接続される。
【００３９】
さらには、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、接続孔ＴＨ１に近い辺縁部すなわち溝部ＤＣＨと重畳する辺縁部は、溝部ＤＣＨの底部である絶縁膜ＰＡＳ２から露出されたバリヤ層ＢＡＬの表面に位置することとなる。一方、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、溝部ＤＣＨと重畳しない辺縁部は、従来と同様に、絶縁膜ＰＡＳ２の表面に形成されることとなる。
【００４０】
このように、実施形態２の液晶表示装置においても、接続孔ＴＨ１に近い透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は、溝部ＤＣＨの底部に位置することとなるので、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
また、本実施形態２の液晶表示装置においては、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を形成する工程において溝部ＤＣＨも形成する構成となっているので、実施形態２ではバリヤ層ＢＡＬを設けることにより、溝部ＤＣＨの形成のエッチングにより絶縁膜ＰＡＳ２のみをエッチングし、その下層の絶縁膜ＰＡＳ１をエッチングしない構成としている。このような構成とすることにより、溝部ＤＣＨが形成される領域すなわち溝部ＤＣＨと引き回し配線ＧＡＬとが重畳して形成することを可能としている。その結果、溝部ＤＣＨを形成することによるＹ方向への引き回し配線ＧＡＬの迂回等をすることなく、溝部ＤＣＨの形成に伴うコンタクト領域のＹ方向への拡大を防止できるという格別の効果を得ることができる。
【００４２】
なお、実施形態２においては、溝部ＤＣＨのＹ方向幅よりも透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅を大きく形成する構成としたが、これに限定されることはなく、溝部ＤＣＨのＹ方向幅が透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅以上であってもよい。また、走査信号線ＤＣＲの端部と引き回し配線ＧＡＬの端部とを絶縁膜ＰＡＳ１を介してＸ方向に重畳する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、実施形態１に示すように、その先端部がＸ方向に重畳されない構成であってもよい。
【００４３】
〈実施形態３〉
図４は本発明の実施形態３の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の構成を説明するための図であり、図４（ａ）は実施形態３の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＦ−Ｆ’線での断面図である。実施形態３の液晶表示装置は、溝部ＤＣＨの構成が異なるのみで、他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、溝部ＤＣＨの構成について詳細に説明する。
【００４４】
図４（ａ）から明らかなように、実施形態３の液晶表示装置では、溝部ＤＣＨと重畳するバリヤ層ＢＡＬが形成されない構成となっている。すなわち、実施形態３の液晶表示装置では、バリヤ層ＢＡＬを形成することなく、引き回し配線ＧＡＬと重畳する領域を含む溝部ＤＣＨを絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２に形成する構成となっている。
【００４５】
すなわち、図４（ｂ）に示すように、実施形態３の液晶表示装置においては、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２をエッチングして接続孔ＴＨ１，ＴＨ２及び溝部ＤＣＨを形成する際に、例えば、周知のハーフトーンエッチング技術を用い、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２の途中でエッチングを終了させることにより、溝部ＤＣＨの底面に絶縁膜ＰＡＳ１を残す構成としている。
【００４６】
このような構成とすることにより、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、接続孔ＴＨ１に近い辺縁部すなわち溝部ＤＣＨと重畳する辺縁部は、溝部ＤＣＨの底部である絶縁膜ＰＡＳ２から露出された絶縁膜ＰＡＳ１の表面に位置する構成となる。一方、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、溝部ＤＣＨと重畳しない辺縁部は、従来と同様に、絶縁膜ＰＡＳ２の表面に形成されることとなる。
【００４７】
従って、実施形態３の構成であっても、接続孔ＴＨ１に近い透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は、溝部ＤＣＨの底部に位置することとなるので、実施形態２と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
また、実施形態３の液晶表示装置では、バリヤ層を設けない構成としているので、バリヤ層を形成する工程をなくすことができるという格別の効果を得ることができる。
【００４９】
なお、実施形態３においても、溝部ＤＣＨのＹ方向幅よりも透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、溝部ＤＣＨのＹ方向幅が透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅以上であってもよい。
【００５０】
また、走査信号線ＤＣＲの端部と引き回し配線ＧＡＬの端部とを絶縁膜ＰＡＳ１を介してＸ方向に重畳する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、実施形態１に示すように、その先端部がＸ方向に重畳されない構成であってもよい。
【００５１】
さらには、図４（ｂ）に示すように、絶縁膜ＰＡＳ２のみをエッチングして溝部ＤＣＨを形成する構成としたが、絶縁膜ＰＡＳ２の途中又は絶縁膜ＰＡＳ１の途中まで絶縁膜ＰＡＳ１、ＰＡＳ２をエッチングし溝部ＤＣＨを形成する構成であってもよい。
【００５２】
〈実施形態４〉
図５は本発明の実施形態４の表示装置である液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図であり、特に、図５（ａ）は実施形態４の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示すＧ−Ｇ’線での断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は、走査信号線ＤＣＲの構成及び溝部ＤＣＨの構成を除く他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、走査信号線ＤＣＲ及び溝部ＤＣＨの構成について詳細に説明する。
【００５３】
図５（ａ）から明らかなように、実施形態４の液晶表示装置では、走査信号線ＤＣＲの配線幅（Ｙ方向幅）が引き回し配線ＧＡＬの配線幅（Ｙ方向幅）よりも大きく形成されると共に、その伸延方向（Ｘ方向）の端部がコンタクト領域ＣＨを超えて引き回し配線ＧＡＬの形成側（図中右側）に伸延される構成となっている。すなわち、実施形態４の走査信号線ＤＣＲは、コンタクト領域ＣＨの一端側に形成されるバリヤ層ＢＡＬ及び溝部ＤＣＨを超えて、引き回し配線ＧＡＬが形成される額縁領域側に突出されるように形成されている。
【００５４】
このとき、実施形態４においても、絶縁膜ＰＡＳ１を介して引き回し配線ＧＡＬの上層に走査信号線ＤＣＲが配置される構成となっている。従って、引き回し配線ＧＡＬと走査信号線ＤＣＲとが重畳する領域の内で、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通し引き回し配線ＧＡＬに至る接続孔ＴＨ１が形成される領域には、走査信号線ＤＣＲが形成されない開口部ＯＰ１が形成されている。このような構成とすることにより、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を同一の工程で形成する際に、引き回し配線ＧＡＬの上層に配置される走査信号線ＤＣＲがエッチングストッパとなることを防止している。すなわち、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を同一工程で形成可能としている。
【００５５】
また、実施形態４においては、バリヤ層ＢＡＬのＸ方向幅は溝部ＤＣＨのＸ方向幅よりも大きく形成されている。また、バリヤ層ＢＡＬのＹ方向幅は下層に形成される走査信号線ＤＣＲの配線幅よりも大きく、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも小さく形成されている。さらには、溝部ＤＣＨのＹ方向幅は透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも大きく形成されている。
【００５６】
このような構成とすることにより、図５（ｂ）に示すように、実施形態４の液晶表示装置においては、絶縁膜ＰＡＳ２を貫通し走査信号線ＤＣＲに至る接続孔ＴＨ２、及び絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通し引き回し配線ＧＡＬに至る接続孔ＴＨ１を介して透明導電膜ＣＨＬが走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとを電気的に接続する。
【００５７】
一方、透明導電膜ＣＨＬの端部が形成される一辺であり、図中右側の溝部ＤＣＨが形成される領域の内で、走査信号線ＤＣＲ及び引き回し配線ＧＡＬ並びにバリヤ層ＢＡＬが形成される領域では、図５（ｂ）のＧ’側（図中右側）に示すように、絶縁膜ＰＡＳ１の上層に走査信号線ＤＣＲの先端部が形成され、その上層にバリヤ層ＢＡＬ及び絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳ２には、当該絶縁膜ＰＡＳ２を貫通しバリヤ層ＢＡＬに至る溝部ＤＣＨが形成され、この溝部ＤＣＨから露出するバリヤ層ＢＡＬの表面すなわち溝部ＤＣＨの底面部分に透明導電膜ＣＨＬの端部すなわち透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が位置する構成となっている。
【００５８】
一方、溝部ＤＣＨの形成領域の内で、バリヤ層ＢＡＬと重畳しない領域では、溝部ＤＣＨは前述する実施形態１と同様に、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通し第１基板ＳＵＢ１に至る構成となる。従って、溝部ＤＣＨと重畳する透明導電膜ＣＨＬの辺縁部の内で、バリヤ層ＢＡＬと重畳しない辺縁部は、実施形態１と同様に、第１基板ＳＵＢ１の表面に形成されることとなる。
【００５９】
このように、実施形態４の液晶表示装置では、接続孔ＴＨ１に近い透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は、溝部ＤＣＨの底部に形成されると共に、溝部ＤＣＨと重畳する位置にバリヤ層ＢＡＬを形成する構成としているので、実施形態２と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
なお、実施形態４においては、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅よりも溝部ＤＣＨのＹ方向幅が大きい構成としたが、これに限定されることはなく、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅が溝部ＤＣＨのＹ方向幅以上であってもよい。
【００６１】
〈実施形態５〉
図６は本発明の実施形態５の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、特に、図６（ａ）は実施形態５の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すＨ−Ｈ’線での断面図である。ただし、実施形態５の液晶表示装置は、バリヤ層ＢＡＬ及び溝部ＤＣＨの構成を除く他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、溝部ＤＣＨ及びバリヤ層ＢＡＬの構成について詳細に説明する。
【００６２】
図６（ａ）に示すように、実施形態５の液晶表示装置は、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２の周囲に環状の四角形に形成された溝部ＤＣＨが配置され、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に対して溝部ＤＣＨで接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を囲む構成となっている。すなわち、実施形態５では、走査信号線ＤＣＲの上層に形成される絶縁膜ＰＡＳ２に島状の領域を形成し、該島状に領域内に接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を形成する構成としている。なお、溝部ＤＣＨの形状は四角形に限定されることはなく、円形等の他の形状であってもよい。
【００６３】
このような構成からなる実施形態５の液晶表示装置では、走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとの内で上層側である走査信号線ＤＣＲの上層にバリヤ層ＢＡＬが形成される構成となっている。このとき、バリヤ層ＢＡＬも環状の四角形に形成されており、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２が形成される領域に開口部ＯＰ３が形成され、当該バリヤ層ＢＡＬの形成領域内に重畳するようにして、溝部ＤＣＨが形成されている。すなわち、バリヤ層ＢＡＬの外周側の辺縁部（外縁部）のＹ方向幅が溝部ＤＣＨの外縁部のＹ方向幅よりも大きく、且つバリヤ層ＢＡＬの外縁部のＸ方向幅が溝部ＤＣＨの外縁部Ｘ方向幅よりも大きく形成されている。また、バリヤ層ＢＡＬは内周側の辺縁部（内縁部）すなわち開口部ＯＰ３のＹ方向幅が溝部ＤＣＨの内縁部（開口部）ＯＰ２のＹ方向幅よりも小さく形成され、且つバリヤ層ＢＡＬの内縁部すなわち開口部ＯＰ３のＸ方向幅が溝部ＤＣＨの内縁部すなわち開口部ＯＰ２のＸ方向幅よりも小さく形成されている。
【００６４】
さらには、実施形態５においては、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が溝部ＤＣＨの領域内に形成される構成となっている。すなわち、透明導電膜ＣＨＬのＹ方向幅が溝部ＤＣＨの外縁部のＹ方向幅よりも小さく、且つ溝部ＤＣＨの内縁部のＹ方向幅よりも大きく形成されると共に、透明導電膜ＣＨＬのＸ方向幅が溝部ＤＣＨの外縁部のＸ方向幅よりも小さく、且つ溝部ＤＣＨの内縁部のＸ方向幅よりも大きく形成されている。
【００６５】
このとき、実施形態５の液晶表示装置では、図６（ｂ）に示すように、絶縁膜ＰＡＳ１の上層に走査信号線ＤＣＲを形成した後にバリヤ層ＢＡＬを形成し、該バリヤ層ＢＡＬの上層に絶縁膜ＰＡＳ２を形成する構成となっている。次に、絶縁膜ＰＡＳ２に接続孔ＴＨ１，ＴＨ２及び溝部ＤＣＨを形成することにより、走査信号線ＤＣＲと溝部ＤＣＨとが重畳して当該溝部ＤＣＨが形成される領域では、図中左側（Ｈ側）に示すように、絶縁膜ＰＡＳ２を貫通して走査信号線ＤＣＲの上面のバリヤ層ＢＡＬに至る溝部ＤＣＨが形成される。また、走査信号線ＤＣＲと溝部ＤＣＨとが重畳する領域を除く溝部ＤＣＨの形成領域においては、図中右側（Ｈ’側）に示すように、絶縁膜ＰＡＳ２を貫通しバリヤ層ＢＡＬに至る溝部ＤＣＨが形成されることとなる。
【００６６】
その結果、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を介して走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとを電気的に接続する透明導電膜ＣＨＬは、島状に形成された絶縁膜ＰＡＳ２の上層に形成されると共に、その辺縁部はバリヤ層ＢＡＬの表面すなわち溝部ＤＣＨの底面に配置される。
【００６７】
以上説明したように、実施形態５の液晶表示装置では、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を囲む環状の溝部ＤＣＨの底部に形成される。従って、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に近い側に位置する透明導電膜ＣＨＬの辺縁部から接続孔ＴＨ１に到達するまでの不純物の侵入経路を含む透明導電膜ＣＨＬの辺縁部から接続孔ＴＨ１，ＴＨ２に到達するまでの不純物の侵入経路中に第１基板ＳＵＢ１の法線方向の段差が形成され、不純物の侵入経路の形状を複雑にすることが可能となる。その結果、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部から水分等の不純物が侵入した場合であっても、導電性薄膜ＣＨＬとその下層の薄膜との間から侵入した水分等の不純物が接続孔ＴＨ１，ＴＨ２に容易に到達することを防止でき、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２の形成部分における引き回し配線ＧＡＬの腐食を防止できるので、コンタクト領域ＣＨの信頼性を更に向上させることができ、その結果として、液晶表示装置の信頼性も更に向上させることが可能となる。
【００６８】
また、本実施形態５の液晶表示装置においても、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を形成する工程において溝部ＤＣＨも形成する構成となっているので、実施形態５ではバリヤ層ＢＡＬを設けることにより、溝部ＤＣＨの形成のエッチングにより絶縁膜ＰＡＳ２のみをエッチングし、その下層の走査信号線ＤＣＲを露出させない構成としている。従って、溝部ＤＣＨが形成される領域の内で走査信号線ＤＣＲ及び引き回し配線ＧＡＬと溝部ＤＣＨとが重畳して形成することが可能となるので、実施形態２と同様に、溝部ＤＣＨを形成することによるＹ方向への引き回し配線ＧＡＬの迂回等をなくし、溝部ＤＣＨの形成に伴うコンタクト領域のＹ方向への拡大を防止できる。
【００６９】
なお、実施形態５の液晶表示装置においては、環状のバリヤ層ＢＡＬを形成することにより、絶縁膜ＰＡＳ１をエッチングしない構成としたが、これに限定されることはない。例えば、透明導電膜ＣＨＬの４つの辺縁部に形成される溝部ＤＣＨの内で、信号線である走査信号線ＤＣＲ及び引き回し配線ＧＡＬと交差する２つの辺縁部に形成される溝部ＤＣＨに重畳してバリヤ層ＢＡＬを設ける構成であってもよい。この場合には、バリヤ層ＢＡＬが形成されない領域においては、溝部ＤＣＨは絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通して第１基板ＳＵＢ１に至る構成となり、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は第１基板ＳＵＢ１の表面に位置することとなる。
【００７０】
〈実施形態６〉
図７は本発明の実施形態６の表示装置である液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、特に、図７（ａ）は実施形態６の液晶表示装置におけるコンタクト領域を拡大した平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。また、図８は図７（ａ）に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。ただし、実施形態６の液晶表示装置は、溝部ＤＣＨの構成を除く他の構成は実施形態２の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、溝部ＤＣＨの構成について詳細に説明する。
【００７１】
図７（ａ）に示すように、実施形態６の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１の面内方向において、上層側に配置される信号線である走査信号線ＤＣＲの側が開口されるＣ字型（Ｕ字型）の溝部ＤＣＨを有する構成となっている。すなわち、実施形態６の液晶表示装置では、透明導電膜ＣＨＬの４つの辺縁部の内で、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部から最も遠い側の辺縁部を除く透明導電膜ＣＨＬの３つの辺縁部に溝部ＤＣＨが形成される構成となっている。
【００７２】
この構成からなる溝部ＤＣＨには、信号線である引き回し配線ＧＡＬと交差する個所である図中右側（Ｊ’側）において、実施形態４と同様に、溝部ＤＣＨのＸ方向幅よりも大きい幅のバリヤ層ＢＡＬが形成され、該バリヤ層ＢＡＬに重畳して、溝部ＤＣＨが形成されると共に、バリヤ層ＢＡＬに重畳して引き回し配線ＧＡＬが形成されている。
【００７３】
このような構成とすることにより、図７（ｂ）に示すように、引き回し配線ＧＡＬが形成される領域においては、実施形態４と同様に、当該引き回し配線ＧＡＬの上層に形成される絶縁膜ＰＡＳ１を残して絶縁膜ＰＡＳ２のみがエッチングされる構成となっている。すなわち、絶縁膜ＰＡＳ２を貫通した溝部ＤＣＨがバリヤ層ＢＡＬに至り、バリヤ層ＢＡＬの上面が露出され、この露出されたバリヤ層ＢＡＬの上面に透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が配置される構成となっている。
【００７４】
一方、引き回し配線ＧＡＬが形成されない個所に形成される溝部ＤＣＨすなわち図中上側と下側の溝部ＤＣＨでは、図８に示すように、バリヤ層ＢＡＬが絶縁膜ＰＡＳ１の上層に形成されない構成となっているので、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２と共に溝部ＤＣＨを形成する際のエッチングにより絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２が共にエッチングされることとなる。従って、溝部ＤＣＨは絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２を貫通し第１基板ＳＵＢ１に至る構成となる。その結果、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は溝部ＤＣＨから露出される第１基板ＳＵＢ１の表面すなわち溝部ＤＣＨの底面部に位置することとなる。
【００７５】
このように、実施形態６の液晶表示装置では、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を介して走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとを電気的に接続する透明導電膜ＣＨＬの４つの辺部の内で、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部から最も遠い辺縁部を除く他の３つの辺縁部は、バリヤ層ＢＡＬの表面又は第１基板ＳＵＢ１の表面すなわち溝部ＤＣＨの底面に形成される構成となっているので、実施形態２の効果に加えて、実施形態２の溝部ＤＣＨの形成個所を迂回して透明導電膜ＣＨＬの図中上側及び下側の辺縁部から侵入する不純物も防止できるという格別の効果を得ることができ、コンタクト領域及び液晶表示装置の信頼性を更に向上できる。
【００７６】
〈実施形態７〉
図９は本発明の実施形態７の表示装置である液晶表示装置における走査信号線と引き回し配線との位置関係を示した図であり、図１０は本発明の実施形態７の液晶表示装置におけるコンタクト領域の概略構成を説明するための図である。特に、図１０（ａ）は第１基板に形成されるコンタクト領域（図９中のＣ部）を拡大した平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＬ−Ｌ’線での断面図である。ただし、実施形態７の液晶表示装置は、シールド用の透明導電膜（以下、シールド膜ＳＨＬと記す）を除く構成は実施形態５の液晶表示装置と同様の構成である。従って、以下の説明では、シールド膜ＳＨＬについて詳細に説明する。
【００７７】
図９に示すように、実施形態７の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の対向面側すなわち液晶が配置される側に、シールド用の透明導電膜であるシールド膜ＳＨＬが形成される構成となっている。このシールド膜ＳＨＬは、後に詳述するように、コンタクト領域に形成される透明導電膜と同層、すなわち絶縁膜ＰＡＳ２の上面に形成され、共通電極と同じ電位の電圧が供給されている。従って、コンタクト領域ＣＨに対応する位置には、シールド膜ＳＨＬが形成されない開口部ＯＰ４が形成され、コンタクト領域に形成される透明導電膜ＣＨＬとシールド膜ＳＨＬとの短絡を防止する構成となっている。
【００７８】
また、図１０（ａ）に示すように、斜線で示すシールド膜ＳＨＬはコンタクト領域ＣＨの周囲に形成されており、このシールド膜ＳＨＬに形成される開口部ＯＰ４に実施形態７のコンタクト領域ＣＨが形成される構成となっている。すなわち、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に形成される開口部ＯＰ４の内側の領域内に、点のハッチングで示す環状の溝部ＤＣＨが形成され、該溝部ＤＣＨの外縁部と内縁部との間の領域すなわちバリヤ層ＢＡＬの表面に透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が位置することとなる。
【００７９】
このような構成からなる透明導電膜ＣＨＬでは、図１０（ｂ）に示すように、シールド膜ＳＨＬの開口部ＯＰ４の領域内では、実施形態５と同様に、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を介して走査信号線ＤＣＲと引き回し配線ＧＡＬとを電気的に接続する透明導電膜ＣＨＬは、島状に形成された絶縁膜ＰＡＳ２の上層に形成されると共に、その辺縁部はバリヤ層ＢＡＬの表面すなわち溝部ＤＣＨの底面に配置される。すなわち、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部は、接続孔ＴＨ１，ＴＨ２を囲む環状の溝部ＤＣＨの底部に位置することとなるので、実施形態５の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
さらには、実施形態７の液晶表示装置においては、溝部ＤＣＨの底面部に透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が形成されることにより、第１基板ＳＵＢ１の面内方向の距離（間隔）Ｗ１を増大させることなく、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部とシールド膜ＳＨＬの開口部ＯＰ４の辺縁部との距離Ｗ２を大きくすることが可能となる。
【００８１】
従って、透明導電膜ＣＨＬとシールド膜ＳＨＬとの間に印加される電界ＶＥの電界強度を低減させることができるので、透明導電膜ＣＨＬとシールド膜ＳＨＬとの間の電界強度を小さくすることが可能となる。その結果、透明導電膜ＣＨＬの劣化を大幅に低減させることができるという格別の効果を得ることができる。さらには、透明導電膜ＣＨＬの劣化に伴う水分等の不純物の侵入を大幅に低減させることが可能となるので、液晶表示装置としての信頼性を更に向上できるという格別の効果を得ることもできる。
【００８２】
さらには、平坦化膜として機能する有機材料からなる絶縁膜である有機絶縁膜を絶縁膜ＰＡＳ２として用いる場合、無機材料からなる絶縁膜を用いることが一般的な絶縁膜ＰＡＳ１よりも非常に膜厚の大きい（厚い）絶縁膜ＰＡＳ２となる。従って、溝部ＤＣＨの底面部に透明導電膜ＣＨＬの辺縁部を形成することにより、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部とシールド膜ＳＨＬの開口部ＯＰ４の辺縁部との間隔Ｗ２を大幅に拡大することが可能となるので、信頼性を更に向上させることができる。又は、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部とシールド膜ＳＨＬの開口部ＯＰ４の辺縁部との間隔Ｗ２を大幅に増大できるので、面内方向の間隔Ｗ１を小さくすることも可能となり、コンタクト領域を縮小することも可能となり、信頼性を向上させつつ、額縁領域の幅を小さくする挟額縁化を達成できるという格別の効果を得ることもできる。
【００８３】
特に、表示装置を形成する透明基板（第１基板ＳＵＢ１）上に形成する薄膜トランジスタＴＦＴは駆動回路等を構成するトランジスタ等よりも駆動電圧が高くなるために、走査信号線ＤＣＲに印加される走査信号の電圧も大きくなるので、共通電極と同電位に保持されるシールド膜ＳＨＬと走査信号線ＤＣＲに印加される走査信号との電圧差も大きくなり、透明導電膜ＣＨＬとシールド膜ＳＨＬとの間の電位差も大きくなり、電界ＷＥも大きくなり劣化の進行度合いも大きいなものとなるからである。
【００８４】
また、実施形態７の液晶表示装置では、溝部ＤＣＨの構成として、実施形態５の構成を用いたが、これに限定されることはなく、他の実施形態の溝部ＤＣＨの構成であってもよい。この場合においても、第１基板ＳＵＢ１の辺縁部に一番近い側に配置されることとなる透明導電膜ＣＨＬの辺縁部における劣化は防止することが可能となるからである。
【００８５】
なお、本実施形態１〜７の表示装置では、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２をエッチングすることにより溝部ＤＣＨを形成する構成としたが、これに限定されることはなく、例えば、絶縁膜ＰＡＳ１，ＰＡＳ２等の上層又は／及び下層に段差を生じさせるための薄膜層を形成し、絶縁膜ＰＡＳ２の表面に凹凸部からなる段差を溝部ＤＣＨとし、該段差の底面部に透明導電膜ＣＨＬの辺縁部を配置する構成であってもよい。特に、絶縁膜ＰＡＳ２に平坦化膜として機能する有機絶縁膜等を用いないで、無機材料からなる無機絶縁膜を用いる場合には、容易に絶縁膜ＰＡＳ２の表面に段差を形成できる。
【００８６】
また、実施形態１〜７の液晶表示装置では、本願発明をコンタクト領域に適用する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、引き回し配線を多層で形成し、透明導電膜で電気的に接続する場合等にも適用可能である。
【００８７】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００８８】
ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板、ＰＸ……画素電極、ＤＲ……駆動回路
ＣＨ……コンタクト領域、ＴＨ１，ＴＨ２……接続孔、ＡＲ……表示領域
ＤＬ……映像信号線、ＤＣＲ……走査信号線、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ
ＣＬ……コモン線、ＣＴ……共通電極、ＣＨＬ……透明導電膜、ＢＡＬ……バリヤ層
ＤＣＨ……溝部、ＰＡＳ１，ＰＡＳ２……絶縁膜、ＳＨＬ……シールド層
ＯＰ１……映像信号線の開口部、ＯＰ２……溝部ＤＣＨの内縁部
ＯＰ３……バリヤ層の開口部、ＯＰ４……シールド層の開口部
【図１】
0005638403.tif 000002
【図２】
0005638403.tif 000003
【図３】
0005638403.tif 000004
【図４】
0005638403.tif 000005
【図５】
0005638403.tif 000006
【図６】
0005638403.tif 000007
【図７】
0005638403.tif 000008
【図８】
0005638403.tif 000009
【図９】
0005638403.tif 000010
【図１０】
0005638403.tif 000011
【図１１】
0005638403.tif 000012