(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第１電極及び基板側第２電極を有する回路基板と、
前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第１電極に接続される素子側第１電極及び前記基板側第２電極に接続される素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子と、
前記回路基板に実装され、前記基板側第１電極及び前記基板側第２電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるＩＣチップと
を備え、
前記回路基板は、
前記基板側第１電極を相互に連結する連結部と、
前記基板側第１電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の１つの第１電極用プローブとの接触に供される１つの第１電極用ランド部と
を前記実装面に有する、
光電変換モジュール。
【請求項２】
前記第１電極用ランド部は、前記基板側第１電極のうち、前記配列方向にて端に位置にする基板側第１電極の前記ＩＣチップ側に連なる、
請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
前記基板側第２電極の各々は、試験用の第２電極用プローブとの接触に供される、自身の他の部分よりも幅広の第２電極用ランド部を有する、
請求項１又は２に記載の光電変換モジュール。
【請求項４】
前記連結部は、前記基板側第１電極が延びる方向にて、前記ＩＣチップとは反対側の前記光電変換アレイ素子の端から離間している、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の光電変換モジュール。
【請求項５】
前記光電変換アレイ素子は発光素子である
請求項１乃至４の何れか一項に記載の光電変換モジュール。
【請求項６】
実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第１電極及び基板側第２電極を有する回路基板と、
前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第１電極に接続される素子側第１電極及び前記基板側第２電極に接続される素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子と、
前記回路基板に実装され、前記基板側第１電極及び前記基板側第２電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるＩＣチップと
を備え、
前記回路基板は、
前記基板側第１電極を相互に連結する連結部と、
前記基板側第１電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の１つの第１電極用プローブとの接触に供される１つの第１電極用ランド部と
を前記実装面に有する、
光電変換モジュールの製造方法であって、
前記光電変換アレイ素子の素子側第１電極及び素子側第２電極を前記回路基板の基板側第１電極及び基板側第２電極にそれぞれ接続した後であって、前記回路基板に前記ＩＣチップを実装する前に、前記基板側第２電極の各々に第２電極用プローブを当接させるとともに、前記第１電極用ランド部に前記第１電極用プローブを当接させ、前記第１電極用プローブ及び前記第２電極用プローブを介して前記光電変換アレイ素子の動作を検査する工程を備える、
光電変換モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換モジュール、及び、光電変換素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばデータセンターにおけるサーバとスイッチ間の接続や、デジタルＡＶ（オーディオ・ビジュアル）機器間の接続では、伝送媒体として、メタル線の外に、光ファイバーも用いられている。また、携帯電話やパーソナルコンピュータ等の情報処理機器の内部でも、伝送媒体として光ファイバーを用いることが検討されている（光インターコネクト）。
【０００３】
光ファイバーを用いる場合、電気信号を光信号に、或いは、光信号を電気信号に変換する光電変換モジュールが必要になる。光電変換素子としては、例えば、面発光型のＬＤ（レーザダイオード）、即ちＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｅｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）が用いられる。
ここで特許文献１は、ＶＣＳＥＬの信頼性を確保するために、ＶＣＳＥＬ及び駆動回路がパッケージ内に実装された後に、バーンイン試験を行うことを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１８７９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＶＣＳＥＬには、複数の光出射部を有するアレイ素子があり、アレイ素子には、回路基板にフリップチップ実装されるものがある。すなわち、アレイ素子には、一方の面に、複数の光出射部、並びに、各光出射部に対応して設けられる素子側第１電極及び素子側第２電極を有するものがある。
そして、高速伝送用の光電変換モジュールにおいては、フリップチップ実装されたアレイ素子の近傍に、アレイ素子の駆動用のＩＣチップが実装される。この場合、回路基板には、アレイ素子とＩＣチップとを接続するために、基板側第１電極及び基板側第２電極がストライプ状にて交互に設けられる。
【０００６】
回路基板に実装されたアレイ素子のバーンイン試験は、アレイ素子の実装後であってＩＣチップの実装前に行われることがある。このバーンイン試験では、基板側第１電極及び基板側第２電極の各々にプローブを当接させ、プローブを通じてアレイ素子に電力が供給される。
しかしながら、基板側第１電極と基板側第２電極のピッチは、例えば約１２５μｍであり、プローブを基板側第１電極と基板側第２電極に正確に当接させることは困難である。このためバーンイン試験に長時間を要してしまい、光電変換アレイ素子の信頼性の確保に時間がかかるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされ、その目的とするところは、入出射部と同じ面に素子側第１電極及び素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子を備え、光電変換アレイ素子の信頼性が容易に確保される光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第１電極及び基板側第２電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第１電極に接続される素子側第１電極及び前記基板側第２電極に接続される素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第１電極及び前記基板側第２電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるＩＣチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第１電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第１電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の１つの第１電極用プローブとの接触に供される１つの第１電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュールが提供される。
【０００９】
また本発明の一態様によれば、実装面に一の配列方向にて交互に配列され、それぞれ前記配列方向と直交する方向に延びる複数の基板側第１電極及び基板側第２電極を有する回路基板と、前記回路基板に実装され、前記実装面と対向する面に、複数の入出射部、並びに、前記入出射部の各々に対応して設けられた前記基板側第１電極に接続される素子側第１電極及び前記基板側第２電極に接続される素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子と、前記回路基板に実装され、前記基板側第１電極及び前記基板側第２電極を通じて前記光電変換アレイ素子と接続されるＩＣチップとを備え、前記回路基板は、前記基板側第１電極を相互に連結する連結部と、前記基板側第１電極及び前記連結部のうち一方に連なり、試験用の１つの第１電極用プローブとの接触に供される１つの第１電極用ランド部とを前記実装面に有する、光電変換モジュールの製造方法であって、前記光電変換アレイ素子の素子側第１電極及び素子側第２電極を前記回路基板の基板側第１電極及び基板側第２電極にそれぞれ接続した後であって、前記回路基板に前記ＩＣチップを実装する前に、前記基板側第２電極の各々に第２電極用プローブを当接させるとともに、前記第１電極用ランド部に前記第１電極用プローブを当接させ、前記第１電極用プローブ及び前記第２電極用プローブを介して前記光電変換アレイ素子の動作を検査する工程を備える、光電変換モジュールの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、入出射部と同じ面に素子側第１電極及び素子側第２電極を有する光電変換アレイ素子を備え、光電変換アレイ素子の信頼性が容易に確保される光電変換モジュール、及び、光電変換モジュールの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態の光電変換モジュールを備える光アクティブケーブルの概略的な構成を示す斜視図である。
【図２】図１の光アクティブケーブルの光送信器近傍を拡大して示す斜視図である。
【図３】図２の光送信器を分解して示す概略的な斜視図である。
【図４】図３中の光電変換モジュールの一方の側を概略的に示す斜視図である。
【図５】図３中の光電変換モジュールの他方の側を概略的に示す斜視図である。
【図６】図５の光電変換モジュールにおけるＩＣチップ及び光電変換素子の近傍を拡大して概略的に示す平面図である。
【図７】図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う光電変換モジュールの概略的な部分断面図である。
【図８】図７中の光電変換素子の出射面を概略的に示す斜視図である。
【図９】図８中の光電変換素子が実装される回路基板の領域を概略的に示す部分平面図である。
【図１０】図４の光電変換モジュールの製造方法における、光電変換素子の試験方法を説明するための図である。
【図１１】変形例に係る光電変換モジュールにおける、光電変換素子が実装される回路基板の領域を概略的に示す部分平面図である。
【図１２】変形例に係る光電変換モジュールにおける、光電変換素子が実装される回路基板の領域を概略的に示す部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
図１は、光アクティブケーブル１０の外観を概略的に示す斜視図である。
光アクティブケーブル１０は、光電気複合ケーブル１１と、光電気複合ケーブル１１の両端に取り付けられた光送信器１２及び光受信器１４とからなる。光アクティブケーブル１０は、例えば、デジタルＡＶ機器間の接続に適用される。
【００１３】
図２は、光電気複合ケーブル１１の一部とともに、光送信器１２を拡大して示す斜視図である。
光送信器１２は例えば金属製のハウジング１６を有し、ハウジング１６は例えば箱形状を有する。ハウジング１６の一端からは、シール部材１８を介して光電気複合ケーブル１１が延出する一方、ハウジング１６の他端には、開口が形成されている。
ハウジング１６の開口内には、例えば１枚のリジッドな回路基板２０の端部が位置している。回路基板２０の端部は、デジタルＡＶ機器に設けられたスロットに挿入可能である。
【００１４】
図３は、光送信器１２を分解して概略的に示す斜視図であり、ハウジング１６は、例えば相互に分離可能な第１ケース１６ａ及び第２ケース１６ｂからなる。
回路基板２０は、例えばガラスエポキシ製のリジッドな基板であって、第２ケース１６ｂに対して固定されている。回路基板２０には、例えば銅等の金属からなる所定の導体パターンが形成されており、導体パターンは、回路基板２０の端部に配置された複数の電極端子２２を含む。電極端子２２は、デジタルＡＶ機器に設けられた電極端子と電気的に接続される。
【００１５】
回路基板２０には、信号処理用のＬＳＩ（大規模集積回路）２３とともにコネクタ２４が取り付けられている。
光電気複合ケーブル１１は、複数本の導線２５を含み、導線２５は、シール部材１８を通じて、ハウジング１６の内部まで延びている。そして、ハウジング１６の内部に位置する導線２５の先端部は、回路基板２０に半田付けされている。コネクタ２４及び導線２５は、導体パターンを通じてＬＳＩ２３に電気的に接続され、ＬＳＩ２３が電極端子２２に電気的に接続されている。
【００１６】
一方、光電気複合ケーブル１１は、例えば４本の光ファイバー２８を含み、光ファイバー２８も、シール部材１８を通じて、ハウジング１６の内部まで延びている。そして、ハウジング１６の内部に位置する光ファイバー２８の先端は、一実施形態の光電変換モジュール２６の一端に固定されている。
【００１７】
〔光電変換モジュール〕
光電変換モジュール２６の他端はコネクタ２４に接続される。光送信器１２の光電変換モジュール２６は、デジタルＡＶ機器から受け取った電気信号を光信号に変換して光ファイバー２８に伝送する機能を有する。
なお、光受信器１４の光電変換モジュール２６は、光ファイバー２８から受け取った光信号を電気信号に変換して、デジタルＡＶ機器に伝送する機能を有する。
【００１８】
図４は、光電変換モジュール２６の第１ケース１６ａ側を示す斜視図である。光電変換モジュール２６は、ＦＰＣ基板（フレキシブルプリント回路基板）３０を含み、ＦＰＣ基板３０は、例えば、ポリイミド製の可撓性及び透光性を有するフィルム３２と、フィルム３２に設けられた例えば銅等の金属からなる導体パターンとからなる。なお透光性は、フィルム３２に孔を形成することによって確保されていてもよい。
【００１９】
ＦＰＣ基板３０の一方の面には、光ファイバー２８が固定される側の端部に、シート状のポリマー光導波路部材３４が一体に設けられている。ポリマー光導波路部材３４の端部には、光ファイバー２８の数に対応して、ストライプ状に４本の溝が形成され、各溝内に光ファイバー２８の先端部が配置されている。
また、ＦＰＣ基板３０一方の面には、ミラー部材３６が接着剤を用いて固定されている。接着剤としては、例えば、熱硬化型樹脂又はＵＶ硬化型樹脂を用いることができる。
そして、ミラー部材３６及びポリマー光導波路部材３４上には、接着剤を用いて例えば金属やガラス製の補強板３８が固定されている。なお図４において、補強板３８は、一点鎖線にて示されている。
【００２０】
図５は、光電変換モジュール２６の第２ケース１６ｂ側を示す斜視図である。
ＦＰＣ基板３０の導体パターンは、フィルム３２の一端部に形成された複数の電極端子４０を含み、電極端子４０がコネクタ２４に接続される。なお導体パターンは、例えば、フィルム３２に成膜された金属膜をエッチングすることにより作製することができる。
【００２１】
ＦＰＣ基板３０の他方の面には、所定の位置にＩＣ（集積回路）チップ４２及び光電変換アレイ素子４４が例えばフリップチップ実装され、ＩＣチップ４２及び光電変換アレイ素子４４は導体パターンに電気的に接続されている。
光電変換アレイ素子４４は、ＩＣチップ４２の一辺の近傍に沿うように並べられている。光送信器１２の光電変換モジュール２６では、光電変換アレイ素子４４は、ＬＤ（レーザダイオード）等の発光素子であって、ＩＣチップ４２は、発光素子のための駆動回路を構成している。
【００２２】
なお、光受信器１４の光電変換モジュール２６では、光電変換アレイ素子４４は、ＰＤ（フォトダイオード）等の受光素子であって、ＩＣチップ４２は、受光素子からの電気信号を増幅する増幅回路を構成している。
光電変換アレイ素子４４は、面発光型若しくは面受光型であり、光電変換アレイ素子４４は、自身の光の出射面若しくは入射面がＦＰＣ基板３０の面と対向するように配置されている。
【００２３】
図６は、図５のＩＣチップ４２及び光電変換アレイ素子４４の周辺を拡大して概略的に示す平面図である。ＩＣチップ４２と光電変換アレイ素子４４とは、ＦＰＣ基板３０の導体パターンの一部を構成する、それぞれ複数の基板側アノード電極４６及び基板側カソード電極４８を通じて電気的に接続されている。そして、ＩＣチップ４２は、導体パターンの一部を構成する複数の電極５０を通じて、電極端子４０と電気的に接続されている。
【００２４】
図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う、光電変換モジュール２６の部分的な断面を概略的に示す図である。なお、図７において、補強板３８は省略されている。
ポリマー光導波路部材３４は、アンダークラッド層５２、コア５４、及び、オーバークラッド層５６を含む。アンダークラッド層５２は、ＦＰＣ基板３０に積層され、光信号の進行方向から見た断面形状が四角形のコア５４がアンダークラッド層５２上を延びている。
【００２５】
コア５４の数は、光ファイバー２８の数に対応して４本であり、４本のコア５４は相互に離間して平行に配置され、光ファイバー２８の先端部と同軸上に位置している。オーバークラッド層５６は、アンダークラッド層５２と協働してコア５４を囲むように、アンダークラッド層５２及びコア５４の上に積層されている。
アンダークラッド層５２、コア５４、及び、オーバークラッド層５６の材料としては、特に限定されることはないが、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂及びポリイミド系樹脂等を用いることができる。
【００２６】
コア５４の両端は、ポリマー光導波路部材３４において、溝の端面及びミラー面５８と対向する端面にて表出している。そして、コア５４の一端は、光ファイバー２８の端部と当接して光学的に結合され、コア５４の他端は、対向するミラー部材３６のミラー面５８と光学的に結合されている。
ミラー面５８は、光電変換アレイ素子４４とコア５４との間を延びる光路上に配置され、光路を９０度曲げている。つまり、光路は、ＦＰＣ基板３０を貫通している。
ミラー部材３６は、例えば、樹脂を一体成形してから、樹脂の壁面に、ミラー面５８を構成する金等の金属膜を蒸着して製造される。
【００２７】
ＩＣチップ４２及び光電変換アレイ素子４４は、それぞれ、例えばＡｕ等からなるバンプ６０，６２，６４を介して、電極５０、基板側アノード電極４６、及び、基板側カソード電極４８に接続されている。ＩＣチップ４２及び光電変換アレイ素子４４とＦＰＣ基板３０との間には、隙間を埋めるように、透光性を有する樹脂からなる充填部材（アンダーフィル）６６，６８がそれぞれ設けられ、充填部材６６，６８は、ＦＰＣ基板３０に対するＩＣチップ４２及び光電変換アレイ素子４４の接続強度を確保している。
【００２８】
図８は、ＦＰＣ基板３０と対向する光電変換アレイ素子４４の出射面を概略的に示す平面図である。
光電変換アレイ素子４４は、複数の光電変換要素７０を一体に形成したアレイ素子であり、本実施形態では、光ファイバー２８の数に対応して４つの光電変換要素７０を含んでいる。
【００２９】
各光電変換要素７０は、出射面に、例えば２つの素子側カソード電極７２と、素子側アノード電極７４と、入出射部７６とを有する。なお、素子側カソード電極７２のうち一つは、ダミー電極であってもよい。各光電変換要素７０は、発光素子である場合、素子側カソード電極７２と素子側アノード電極７４の間に電圧が印加されると、入出射部７６から光を出射する。
なお、光電変換アレイ素子４４が受光素子である場合、受光素子は、入出射部７６で光を受光する。
【００３０】
図９は、ＦＰＣ基板３０の基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６を拡大して示す概略的な平面図である。
基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６は、それぞれ帯状をなし、ＩＣチップ４２と光電変換アレイ素子４４の離間方向に延びている。基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６は、相互に平行であり、離間方向と直交する方向（配列方向）にて一定のピッチＰｅにて交互に配列されている。ピッチＰｅは、例えば約１２５μｍである。
【００３１】
ＩＣチップ４２側において、基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６の端は揃っているが、光電変換アレイ素子４４側では、基板側カソード電極４８の端が、基板側アノード電極４６の端を超えて延出している。そして、光電変換アレイ素子４４側の基板側カソード電極４８の端部は、基板側カソード電極４８と一体の連結部７８によって相互に連結されている。
【００３２】
連結部７８は、ＦＰＣ基板３０の導体パターンの一部を構成しており、基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６の配列方向に延びている。連結部７８は、例えば、基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６よりも幅広の帯状をなしている。
【００３３】
好ましくは、ＩＣチップ４２と光電変換アレイ素子４４の離間方向でみて、即ち、基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６が延びている方向でみて、連結部７８と光電変換アレイ素子４４とは離間している。このため、基板側カソード電極４８間に区画される隙間７９は、連結部７８側において、光電変換アレイ素子４４の外側まで延びて開口している。
【００３４】
また、配列方向にて端に位置する基板側カソード電極４８には、ＩＣチップ４２側に、例えば四角形のカソード電極用ランド部８０が一体に形成されている。カソード電極用ランド部８０は、基板側カソード電極４８よりも幅広である。カソード電極用ランド部８０も、ＦＰＣ基板３０の導体パターンの一部を構成しており、配列方向にて、外側に突出している。
なお以下の説明では、基板側カソード電極４８、連結部７８及びカソード電極用ランド部８０をまとめて、カソード電極パターンともいう。
【００３５】
ここで、図９において、一点鎖線にて示した円８２，８４は、バンプ６４，６２によって、素子側カソード電極７２，７２及び素子側アノード電極７４と接続される領域を示している。また、円８６は、バンプ６０によって、ＩＣチップ４２に接続される領域を示している。更に、円８８は、バーンイン試験のためのプローブ（探針）の先端が当接させられる領域を示している。
【００３６】
〔バーンイン試験〕
以下、光電変換モジュール２６の製造工程にて行われる、バーンイン試験の方法について説明する。
バーンイン試験は、ＦＰＣ基板３０に光電変換アレイ素子４４をフリップチップ実装し、充填部材６８を充填した後であって、ＩＣチップ４２を実装する前に行われる。そして、バーンイン試験は、光電変換アレイ素子４４が実装されたＦＰＣ基板３０を恒温槽内に配置し、恒温槽を所定の温度にして行われる。
【００３７】
図１０は、ＦＰＣ基板３０における、光電変換アレイ素子４４近傍を概略的に示す平面図である。図１０に示したように、本実施形態では、５本のプローブ９０の先端が、４つの基板側アノード電極４６及びカソード電極用ランド部８０にそれぞれ当接させられる。
本実施形態では、好ましい態様として、５本のプローブ９０が、基板側カソード電極４８及び基板側アノード電極４６の配列方向に沿って配列されている。プローブ９０のピッチＰｐは、例えば、約２５０μｍであり、基板側カソード電極４８と基板側アノード電極４６のピッチＰｅの２倍である。
【００３８】
５本のプローブ９０は、定電流電源９２に接続されており、定電流電源９２は、５本のプローブ９０を通じて、４つの光電変換要素７０の各々に対し、並列にて定電流を所定の時間供給して、バーンイン試験が実施される。
バーンイン試験では、光電変換アレイ素子４４の入出射部７６から出射された光が監視されており、出射光の強度に応じて、試験結果の良否が判定される。つまり、４つの入出射部７６のうち１つからでも光が出射されず、或いは、経時的に出射されなくなれば、所定の出射強度を満たさない光学変換素子４４は不良品であると判定され、廃棄される。
【００３９】
上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、製造工程でバーンイン試験を行うことによって、不良の光電変換アレイ素子４４が排除される。このため、光電変換モジュール２６は、高い信頼性を有する。
一方、この光電変換モジュール２６のカソード電極パターンでは、複数の基板側カソード電極４８が連結部７８によって連結され、且つ、カソード電極用ランド部８０が設けられている。このため、バーンイン試験の際、基板側カソード電極４８については、基板側カソード電極４８の数に拘わらず、１本のプローブ（カソード電極用プローブ）９０をカソード電極用ランド部８０に当接させればよい。
【００４０】
そして、基板側アノード電極４６については、基板側カソード側電極４８と基板側アノード電極４６のピッチＰｅではなく、基板側アノード電極４６同士のピッチにて、残りの４本のプローブ（アノード電極用プローブ）９０を当接させればよい。
従って、このカソード電極パターンによれば、プローブ９０を当接させるのが容易であり、バーンイン試験の実施が容易である。この結果として、この光電変換モジュール２６では、光電変換アレイ素子４４の信頼性の確保が容易である。また、バーンイン試験が短時間で行われるために生産性が高く、光電変換モジュール２６は低コストにて提供される。
【００４１】
上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、好ましい態様として、連結部７８が、光電変換アレイ素子４４の端から離れており、隙間７９が光電変換アレイ素子４４の外側で開口している。このため、充填部材６８を形成するときに、充填部材６８の材料である樹脂が、開口を通じて、ＦＰＣ基板３０と光電変換アレイ素子４４の隙間に容易に注入される。この結果として、この光電変換モジュール２６は生産性が高い。
【００４２】
本発明は、上述した一実施形態に限定されることはなく、一実施形態に変更を加えた形態も含む。
例えば、上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、基板側アノード電極４６が、それぞれ一定の幅を有していたけれども、図１１に示したように、プローブ９０が当接させられる領域を幅広に形成し、アノード電極用ランド部９４を設けてもよい。これにより、プローブ９０を基板側アノード電極４６に一層容易に当接させられる。
なおこの場合、必要に応じて、図１１に示したように、アノード電極用ランド部９４と隣り合う基板側カソード電極４８の領域を幅狭に形成してもよい。
【００４３】
上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、基板側カソード電極４８の各々がＩＣチップ４２に接続されていたけれども、図１２に示したように、１つのカソード電極用ランド部９６を通じて、全ての基板側カソード電極４８をＩＣチップ４２と接続してもよい。この場合、ＩＣチップ４２側の基板側カソード電極４８の端は、基板側アノード電極４６の端と揃っている必要はない。
【００４４】
上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、カソード電極用ランド部８０は、好ましい態様として、５本のプローブ９０を一列に配列できる位置に設けられていたが、他の位置に設けられていてもよい。例えば、カソード電極用ランド部８０は、連結部７８に連なっていてもよい。
【００４５】
上述した一実施形態の光電変換モジュール２６では、光電変換アレイ素子４４が４つの光電変換要素７０を含んでいたが、光電変換アレイ素子４４は、２つ以上の光電変換要素７０を含んでいればよい。
【００４６】
最後に、本発明の光電変換モジュールは、光アクティブケーブル以外にも適用可能であり、また、デジタルＡＶ機器以外に、ネットワーク機器、携帯電話、及び、パーソナルコンピュータ等にも適用可能であるのは勿論である。
【符号の説明】
【００４７】
１０        光アクティブケーブル
１２        光送信器
１４        光受信器
２６        光電変換モジュール
２８        光ファイバー
３０        ＦＰＣ基板（回路基板）
３２        フィルム
４２        ＩＣチップ
４４        光電変換アレイ素子
４６        基板側アノード電極（基板側第２電極）
４８        基板側カソード電極（基板側第１電極）
７２        素子側カソード電極（素子側第１電極）
７４        素子側アノード電極（素子側第２電極）
７６        入出射部
７８        連結部
８０        カソード電極用ランド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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