(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムであって、
ほぼ半径方向外側に延在し、且つ、前記物質を吸収又は偏向するように構成される複数のブレードが設けられた回転式キャリアと、
固定式シャフトと、
前記回転式キャリア及び前記ブレードを前記シャフトについて回転させるように構成された流体ベアリングと、
を備えており、
前記回転式キャリアには、前記シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられており、
前記空間は、前記回転式キャリア内の実質的にコーン形のシェルによって画定され、
前記汚染防止システムには、前記シェルの内面に向けて流体を排出させ且つ前記回転式キャリアの回転と冷却を生じさせるように構成されたノズルを含むドライブが設けられ、
前記流体ベアリングは、前記シェル、及び前記ブレードの質量中心付近に設けられている、汚染防止システム。
【請求項２】
前記流体は液体である、
請求項１に記載の汚染防止システム。
【請求項３】
前記流体は気体であり、
前記ドライブは、前記シェルの前記内面に向けて前記気体のストリームを供給するためのファンを含む、
請求項１に記載の汚染防止システム。
【請求項４】
当該汚染防止システムは、真空中で動作するように構成され、
前記流体は気体であり、
当該汚染防止システムは、前記真空から前記ドライブを密閉するための差動シールを更に含む、
請求項１又は３に記載の汚染防止システム。
【請求項５】
前記差動シールは、前記真空内への化学組成物の気体漏れを制御するための気体スロットを含む、
請求項４に記載の汚染防止システム。
【請求項６】
ブレーキを更に含む、
請求項１乃至５のいずれかに記載の汚染防止システム。
【請求項７】
前記ブレーキは、前記キャリアの回転の方向を逆にするように構成される、
請求項６に記載の汚染防止システム。
【請求項８】
前記ブレーキは、前記キャリアの材料内に渦電流を生じさせて前記キャリアの旋回速度を減少するように構成される、
請求項６又は７に記載の汚染防止システム。
【請求項９】
前記キャリアの旋回速度を決定するように構成されたセンサを更に含み、
前記センサは、当該汚染防止システムから出る振動波を分析するように構成される、
請求項１乃至８のいずれかに記載の汚染防止システム。
【請求項１０】
放射を発生するように構成された放射源と、
物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムであって、前記汚染防止システムは、
ほぼ半径方向外側に延在し、且つ、前記物質を吸収又は偏向するように構成される複数のブレードが設けられた回転式キャリアと、
固定式シャフトと、
前記回転式キャリア及び前記ブレードを前記シャフトについて回転させるように構成された流体ベアリングと、
を備えており、且つ、前記回転式キャリアは、前記シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられている、汚染防止システムと、
を含み、
前記空間は、前記回転式キャリア内の実質的にコーン形のシェルによって画定され、
前記汚染防止システムには、前記シェルの内面に向けて流体を排出させ且つ前記回転式キャリアの回転と冷却を生じさせるように構成されたノズルを含むドライブが設けられ、
前記流体ベアリングは、前記シェル、及び前記ブレードの質量中心付近に設けられている、放射源モジュール。
【請求項１１】
放射を発生するように構成された放射源と、
物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムであって、前記汚染防止システムは、
ほぼ半径方向外側に延在し、且つ、前記物質を吸収又は偏向するように構成される複数のブレードが設けられた回転式キャリアと、
固定式シャフトと、
前記回転式キャリア及び前記ブレードを前記シャフトについて回転させるように構成された流体ベアリングと、
を備えており、且つ、前記回転式キャリアは、前記シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられている、汚染防止システムと、
前記放射を調整するように構成された照明システムと、
前記放射にパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスと、
前記パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
を含み、
前記空間は、前記回転式キャリア内の実質的にコーン形のシェルによって画定され、
前記汚染防止システムには、前記シェルの内面に向けて流体を排出させ且つ前記回転式キャリアの回転と冷却を生じさせるように構成されたノズルを含むドライブが設けられ、
前記流体ベアリングは、前記シェル、及び前記ブレードの質量中心付近に設けられている、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
リソグラフィプロセスにより集積構造を製造する方法であって、
放射源により放出された放射から放射ビームを形成するように構成された放射システムを提供することと、
前記放射ビームにパターンを付けることと、
放射感応性材料によって少なくとも部分的に覆われた基板のターゲット部分上に前記パターン付き放射ビームを投影することと、
物質が前記放射ビームと共に伝播されることを、汚染防止システムによって該物質を遮断又は偏向させることによって阻止することと、
を含み、
前記汚染防止システムは、ほぼ半径方向外側に延在する複数のブレードが設けられており、且つ、固定式シャフトの一部を少なくとも部分的に受容する回転式キャリアと、前記回転式キャリア内の空間内で前記シャフトについて前記キャリアを回転させるように構成された流体ベアリングとを備え、
前記空間は前記回転式キャリア内の実質的にコーン形のシェルによって画定され、
前記汚染防止システムには、前記シェルの内面に向けて流体を排出させ且つ前記回転式キャリアの回転と冷却を生じさせるように構成されたノズルを含むドライブが設けられ、
前記流体ベアリングは、前記シェル、及び前記ブレードの質量中心付近に設けられている、方法。
【請求項１３】
前記汚染防止システムから出る振動波を分析するように構成されたセンサによって前記キャリアの旋回速度を決定することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、汚染防止システム、リソグラフィ投影装置、放射源、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００３】
本明細書中に使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内に作り出されるべきパターンに対応するパターンを入射放射ビームの断面に与えるために使用できるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。「ライトバルブ」という用語もこの文脈で用いることができる。通常、パターンは、集積回路又は他のデバイスなどのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。そのようなパターニングデバイスの一例は、マスクである。マスクの概念は、リソグラフィにおいては周知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。このようなマスクを放射ビーム内に配置すると、マスクのパターンに応じて、マスクに衝突する放射が選択的に透過する（透過型マスクの場合）又は反射する（反射型マスクの場合）。マスクの場合は、サポート構造は、通常、マスクテーブルであり、マスクテーブルは、入射放射ビーム内の所望の位置にマスクを確実に保持し、また、必要に応じてビームに対して移動されることが可能である。
【０００４】
パターニングデバイスの別の例は、プログラマブルミラーアレイである。このようなアレイの一例としては、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックスアドレス指定可能面がある。このような装置の背後にある基本原理は、例えば、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射する一方で、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するということである。適切なフィルタを用いることで、非回折光を反射ビームから除去して回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリックスアドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに応じてビームにパターンが付けられる。マトリックスアドレス指定は、好適なエレクトロニクスを用いて行うことができる。上述した両方の状況において、パターニングデバイスは、１つ以上のプログラマブルミラーアレイを含むことができる。プログラマブルミラーアレイの場合、サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルによって具現化されてよい。
【０００５】
リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、パターニングデバイスによってＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成し、このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層によってコーティングされている基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）に結像することができる。一般には、単一の基板が、１回ずつ投影システムによって連続的に照射される隣接したターゲット部分のネットワーク全体を含んでいる。
【０００６】
リソグラフィ投影装置を用いた公知の製造プロセスでは、放射感応性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板上にパターン（例えば、マスク）が結像される。この結像の前に、基板には、プライミング、レジストコーティング、及びソフトベークといった様々な処置が施されてよい。露光後、基板には露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、及び、結像されたフィーチャの測定／検査といった他の処置が施されてよい。この数々の処置は、例えばＩＣである、デバイスの個々の層をパターニングするための基礎として用いられる。このようなパターンが付けられた層には、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学−機械的研磨などの様々なプロセスが施され、これらは全て個々の層を仕上げるためのものである。幾つかの層が必要である場合、これらの処置全てを又はこれらの変形を新しい層のそれぞれに対して繰り返す必要がある。種々のスタックされた層のオーバレイ（並置）が可能な限り正確であることを確実にすることが重要である。この目的のために、ウェーハ上の１つ以上の位置に小さい基準マークを設けて、それにより、ウェーハ上の座標系の基点を定義している。光学及び電子デバイス（以下「アライメントシステム」と呼ぶ）を用いて、このマークを、新しい層が既存の層上に並置する必要がある度に移動することができ、また、アライメント基準として用いることができる。最終的には、基板（ウェーハ）上にデバイスのアレイが存在することになる。これらのデバイスは、ダイシング又はソーイングといった技術によって互いから切り離され、個々のデバイスは、例えば、キャリア上に取り付けられて、ピンに接続されることができる。
【０００７】
便宜上、本明細書において、投影システムは、以下「レンズ」と呼ぶ。しかし、この用語は、屈折型光学部品、反射型光学部品、及び反射屈折光学系などを含むさまざまな型の投影システムを包含するとして広く解釈されるべきである。放射システムは更に、投影放射ビームを誘導、整形、又は制御するためにこれらの設計型のうちのいずれかに従って動作するコンポーネントを含んでよく、これらのコンポーネントも、以下、集合的に又は単独で「レンズ」と呼ぶことがある。
【０００８】
更に、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」デバイスでは、追加のテーブルは並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うことができる。この技術は、デュアルステージリソグラフィと呼ばれ、それ自体は当技術において知られている。
【０００９】
リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限される。デバイス密度の高い、したがって動作速度の高い集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを結像可能であることが望ましい。現行のリソグラフィ投影装置の多くが、水銀ランプ又はエキシマレーザにより生成された紫外線光を用いている一方で、特に、約１３ｎｍである５〜２０ｎｍの範囲内の短い波長放射を用いることが提案されている。このような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）又は軟Ｘ線と呼ばれ、好適な放射源には、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、又は、電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。
【００１０】
放電プラズマ源では、例えば、放電が電極間で生成され、結果として生じる部分的にイオン化されたプラズマが、次に、崩壊させられて、ＥＵＶ範囲内の放射を放出する非常に高温のプラズマを生成する。Ｓｎ、Ｌｉ、及びＸｅプラズマを用いて、１３．５ｎｍ周辺の極端ＵＶ（ＥＵＶ）範囲で放射することができる。
【００１１】
ＥＵＶ放射に加えて、ＥＵＶ放射システムに用いられる放射源は、光学部品や、リソグラフィプロセスがその中で行われる作業環境内を劣化させてしまいうる汚染物質を発生する。このような放射システムは、通常、１対の電極を含み、この電極に電圧差を印加することができる。更に、例えば、電極のうちの１つに向けられた、例えば、レーザビームによって生成される。これに応じて電極間に放電が生じ、この放電は、ＥＵＶ放射がその中で生成されるいわゆるピンチを生じさせる。この放射に加えて、放電源は、通常、デブリパーティクルを生成する。デブリパーティクルは、帯電していてもいなくてもよい原子粒子から複合粒子まで様々なサイズのあらゆる種類の微粒子であってよい。
【００１２】
ＥＵＶ放射源から入射される放射ビームを調整するように構成された光学システムを、これらのデブリからシールドすることが望ましい。光学システムをシールドすることは、放射源から放出される物質（デブリ）がＥＵＶ放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するための汚染防止システムを用いて行われてよい。
【００１３】
ＥＵＶ放射源の別の生成物は熱であり、熱は、汚染防止システムを加熱してしまうことがある。汚染防止システムは、放射源の大きい収集角に亘って放射を集めるべく汚染防止システムのサイズが大きくされると熱くなり、汚染防止システムが機能不全を起こしてしまうことがある。熱負荷及び旋回速度が高いと、汚染防止システムは、汚染防止システム内の不均衡と振動に敏感になり、それにより故障する可能性が増加する。この不均衡は、ブレード上で吸収される物質の一様でない発散によって開始されてよい。
【発明の概要】
【００１４】
本発明の実施形態は、汚染防止システムへの熱負荷が高い場合でもデブリがうまく軽減される汚染防止システムを提供することを一態様とする。
【００１５】
本発明の一態様では、物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムが提供される。この汚染防止システムは、ほぼ半径方向外側に延在する複数のブレードが設けられた回転式キャリアを含む。これらのブレードは、物質を吸収又は偏向するように構成される。システムは更に、固定式シャフトと、回転式キャリア及びブレードをシャフトのまわりで（に対して、について）回転させるように構成されたベアリングを含む。回転式キャリアには、シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられている。
【００１６】
本発明の一態様では、放射を発生するように構成された放射源と、物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムとを含む放射源モジュールが提供される。この汚染防止システムは、ほぼ半径方向外側に延在する複数のブレードが設けられた回転式キャリアを含む。これらのブレードは、物質を吸収又は偏向するように構成される。汚染防止システムは更に、固定式シャフトと、回転式キャリア及びブレードをシャフトのまわりで（に対して、について）回転させるように構成されたベアリングとを含む。回転式キャリアは、シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられている。
【００１７】
本発明の一態様では、放射を発生するように構成された放射源と、物質が放射と共にリソグラフィ装置内へと伝播されることを阻止するように構成された汚染防止システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。この汚染防止システムは、ほぼ半径方向外側に延在する複数のブレードが設けられた回転式キャリアを含む。これらのブレードは、物質を吸収又は偏向するように構成される。汚染防止システムは更に、固定式シャフトと、回転式キャリア及びブレードをシャフトのまわりで（に対して、について）回転させるように構成されたベアリングとを含む。回転式キャリアは、シャフトの一部を少なくとも部分的に受容するための空間が設けられている。リソグラフィ装置は更に、放射を調整するように構成された照明システムと、放射にパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを含む。
【００１８】
本発明の一態様では、リソグラフィプロセスにより集積構造を製造する方法が提供される。この方法は、放射源により放出された放射から放射ビームを形成するように構成された放射システムを提供することと、放射ビームにパターンを付けることと、放射感応性材料によって少なくとも部分的に覆われた基板のターゲット部分上にパターン付き放射ビームを投影することと、物質が放射ビームと共に伝播されることを、汚染防止システムによって該物質を遮断又は偏向させることによって阻止することとを含む。汚染防止システムは、ほぼ半径方向外側に延在する複数のブレードが設けられた回転式キャリアを含む。キャリアは、固定式シャフトの一部を少なくとも部分的に受容する。汚染防止システムは更に、回転式キャリア内の空間内でシャフトのまわりで（に対して、について）キャリアを回転させるように構成されたベアリングを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００２０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】図２は、図１のリソグラフィ装置の汚染防止システムを概略的に示す。
【図３】図３は、キャリア及びブレードを含むアセンブリを概略的に示す。
【図４】図４は、リソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２２】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２３】
サポート構造は、パターニングデバイスを支持する。すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２４】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付いたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２５】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２６】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、又は液浸液の使用若しくは真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２７】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。あるいは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２８】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルは並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うことができる。
【００２９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００３１】
放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３２】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３３】
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３４】
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３５】
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３７】
図２は、本発明の一実施形態による汚染防止システムを概略的に示す。汚染防止システム２０は、図１に示すようなリソグラフィ装置の放射源ＳＯと照明システムＩＬとの間に位置付けられるように構成される。汚染防止システムは、真空環境内で動作し、放射源から放出される物質を吸収又は偏向させて、該物質が、放射と共に軸２７に沿って照明システム内へと伝播されることを阻止（防止）するように構成される。
【００３８】
汚染防止システムは、一連のブレード２２が備え付けられた回転式シェル２５を含む回転式キャリアを含み、一連のブレード２２は、シェルに対して外側方向に実質的に半径方向に延在する。シェル２５は、固定式シャフト２４の一部を受容するように構成され、固定式シャフト２４には、固定式シャフト２４についてのシェル２５の回転を支え且つその回転をもたらす好適なベアリング２１ａ、２１ｂ及びドライブ（例えば、タービン）２３が備え付けられる。ベアリング２１ａ、２１ｂ、及びドライブ２３は、一体式ユニットの一部であっても別個であってもよい。固定式シャフトの少なくとも一部とベアリングを、回転式キャリアに設けられた空間内に設けることによって、ベアリングを回転式シェル及びブレードの質量中心付近に設けることができる。ベアリングが質量中心付近にあることによって不均衡及び振動の影響を最小限にすることができ、それにより、安定した汚染防止システムが提供される。
【００３９】
一実施形態では、シェル２５はコーン形である。このことは、アスクルとホースで異なる温度、従って、異なる膨張があったとしても最適な空隙が達成できるように、シェル２５はその軸方向の位置を調節することを可能にする。ベアリング２１ａ、２１ｂは、流体ベアリングであってよい。ドライブ及びベアリングの好適な例としては、気体及び液体といった流体を用いて動作してよい空気ベアリング及びドライブが挙げられる。固定式シャフト２４には、駆動及び軸受け（bearing）のためにシェル２５の内壁２５ａに向けて流体（気体又は液体）のストリームを排出させる好適な複数のノズル２３ａが設けられてよい。これらのノズル２３ａは、流体ベアリング２１ａ、２１ｂの一部であっても、流体ベアリングとは別個であってもよい。流体ベアリングは、汚染防止システムの温度制御を与えてよい。
【００４０】
起動時において、流体は、汚染防止システムを加熱するために用いられる一方で、放射源が汚染防止システムを加熱する通常使用時においては、流体は、汚染防止システムを冷却するために用いられてよい。液体の一例としては水が挙げられる一方で、気体はストリームであってよく、又は、両方の組み合わせを用いてもよい。起動時、ストリームを用いて、汚染保護システムを摂氏２３２度までにしてもよい。この温度ではスズ汚染物質は液相に留まり、また、ブレードを回転させることにより起動時にスズがブレードを流れ落ちるので、汚染保護システムを摂氏２３２度までにすることは、スズ汚染物質の減少に役立つ。ベアリング２１ａ、２１ｂが気体のストリームを供給するように構成される場合、汚染防止システム２０は、シャフトの付近において気体を実質的に密閉するための好適なシールを含む。このシールには、汚染防止システムの真空雰囲気内への化学組成物の気体漏れを制御するための気体スロットが設けられていてよい。また、汚染防止システム２０は、領域２８ｂにおける気圧を領域２８ａにおける中真空に向けて次第に下げるポンプを更に含む。
【００４１】
ドライブは、シャフト２４についてシェル２５を回転させるための電気ドライブを含んでよい。回転式キャリアと固定式シャフト２４にあるブレードを接地させるように構成された接地電極２６を、回転式キャリア及びブレードが放射源からの電子を受け取るように設けてよく、これらの電子は、回転式キャリア及びブレードを帯電させてよい。汚染防止システム２０は、シャフト２４上のシェル２５の位置を固定するように構成された少なくとも１つの磁石２９を含んでよい。シャフト２４上の磁石２９の位置は、シェル２５への磁気負荷の好適な動的制御を可能にすべく調節可能であってよい。固定式シャフト２４には、使用中に回転式シェル２５を冷却するための好適な流体クーラーが設けられてよい。循環液体又は気体を有する公知の冷却構成がこの目的に適している。一実施形態では、汚染阻止システムは、接地アセンブリからのパーティクルがドライブに到達することを阻止するように構成された気流ジェネレータを含んでよい。気流ジェネレータは、固定式シャフト上に位置付けられてよい。
【００４２】
汚染防止システム２０には、回転式シェル２５の緊急制動を可能にするための制動システム、すなわち、ブレーキが設けられてよい。例えば、このブレーキは、シェル２５の回転を逆にするように構成されてよい。このことは、ドライブを好適に調節してシェル２５に逆の力がかかるようにすることによって実施しうる。制動システムは、シェルの材料内に渦電流をもたらし、それにより、シェルの旋回速度を下げるためにシェル２５内に制動力を生じさせるように構成されてよい。制動システムは、固定式シャフトの一部をシェルに接触させることによって動作する機械式ブレーキを含んでもよい。
【００４３】
図３は、キャリア及びブレードを含むアセンブリを概略的に示す。図３では、キャリア３０ａの容積中にブレードを固定するための様々な構成を示す。一実施形態では、キャリア３０ａから半径方向に延在するブレード３１は、構成Ａに示すように、キャリア３０ａの容積内に入れられた曲げ部分３２を有してよい。この曲げ部分３２は、はんだ付けによってキャリア３０ａの材料に取り付けられてよい。一実施形態では、ブレード３３は、異なる形状を有する端部３４を有し、この端部３４は、構成Ｂに示すようにスネーク状のテイルを有する。この形状は、ブレード３３をキャリア３０ａの容積中に固定するのに適している。一実施形態では、ブレード３５は、厚くなった端部３６を有し、この端部３６は、構成Ｃに示すようにブレード３５の平面に対して角度が付けられ下方向に延びるエッジを有する。テイル部分にこのような厚みを与えることによって、ブレード３５をキャリア３０ａにしっかりと取り付けることができる。一実施形態では、ブレード３７は、球状又は円盤状の端部３８を有し、この端部は、図Ｄに示すようにキャリア３０ａの容積中に入れられる。これは、ブレード３７をキャリア３０ａの容積内にしっかりと取り付けることを可能にする。
【００４４】
図４は、リソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す。リソグラフィ装置４０は、放射源４２及び図２を参照して説明した汚染防止システムを有する放射源モジュール４１を含む。放射源４２は、軸４３に沿って放射を放出するように構成される。放射源４２から放出され、軸４３に沿って伝播される物質は、複数の回転式ブレード４７によって遮断される。汚染防止システムは、回転式シェル４５上に取り付けられる一組のブレード４７を含み、回転式シェル４５は、好適なドライブ４６ａ、４６ｂによって固定式シャフト４４について回転式シェル４５を回転させるように駆動される。ブレード４７は、シェル４５に対して半径方向に配置され、互いの間にチャネルを有し、このチャネルを通り、放射を、リソグラフィ装置４０の更なるモジュールに向けて減衰されることなく伝播させることができる。放射源４２及び汚染防止システムは、放射源モジュール４１内の真空中で動作する。一実施形態では、シェル４５の旋回速度を決定するためのセンサ４９が設けられている。このセンサは、マイクロホンといった振動センサ又は圧力ディテクタを含んでよく、使用中のブレード４７から出る振動波を分析する。センサ４９は、シェル４５の旋回速度を調節するためにドライブ４６ａ、４６ｂを制御するように構成された制御ユニット４９ａと電子通信するように構成されてよい。このようにして、汚染防止システムの動作を制御するためのフィードバックが与えられてよい。汚染防止システムから伝播される放射ビームは、次に、イルミネータモジュール５１、投影モジュール５３、及びウェーハモジュール５５といったリソグラフィ装置の更なるモジュール５０に供給されてよい。これらのモジュールは、図１を参照して上に概略してある。
【００４５】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４６】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４７】
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００４８】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
0005506669.tif 000002
【図２】
0005506669.tif 000003
【図３】
0005506669.tif 000004
【図４】
0005506669.tif 000005