(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型電子部品の端子電極を形成するにあたり、
前記チップ型電子部品の素体の全体にネガ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
当該レジスト塗布工程が終了した前記素体の前記端子電極を形成しない端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストに、露光に用いるスポット状の光と前記素体とを相対的に移動させながら露光する露光工程と、
当該露光工程が終了した前記素体に塗布されている前記ネガ型レジストのうち、未露光部分を除去する第１レジスト除去工程と、
当該第１レジスト除去工程が終了した前記素体の、前記ネガ型レジストが除去された部分に、電極材料の薄膜を成膜する成膜工程と、
当該成膜工程が終了した前記素体に残っている前記ネガ型レジストを取り除く第２レジスト除去工程とを含み、
前記露光工程は、
前記端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストの一部を露光する第１の露光工程と、
前記端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストの残りの部分を露光する第２の露光工程とを有し、
前記素体は四角柱形状であり、
前記第１の露光工程では、前記素体の対向する二つの側面に前記光が到達可能な状態で搬送する第１の回転テーブルが、前記素体を保持して搬送する過程で、前記二つの側面に塗布されている前記ネガ型レジストに向かって露光し、
前記第２の露光工程では、前記素体の露光されていない対向する二つの未露光側面側に前記光が到達可能な状態で搬送する第２の回転テーブルが、前記第１の露光工程が終了した前記素体を保持して搬送する過程で、前記二つの未露光側面に塗布されている前記ネガ型レジストに向かって露光するチップ型電子部品の電極形成方法。
【請求項２】
前記第１の露光工程と前記第２の露光工程とで、前記スポット状の光の直径を異ならせる請求項１に記載のチップ型電子部品の電極形成方法。
【請求項３】
前記露光工程においては、前記端子電極の大きさと前記素体の寸法との少なくとも一方に応じて、前記スポット状の光の直径を変更する請求項１に記載のチップ型電子部品の電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ型電子部品の両端部に端子電極を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、各種の電子部品が実装された基板を備える。近年においては、電子機器の小型化や基板への電子部品の実装密度を向上させる要請から、電子部品の小型化が要求されている。電子部品には、チップ型電子部品と呼ばれるチップ状のものがある。このようなチップ型電子部品を基板に実装するためには、チップ型電子部品に電極を形成する必要がある。例えば、特許文献１には、ＵＶ硬化性樹脂を積層型フィルター焼結体素子の表面全体に塗布し、外部電極を形成させる部分を押さえ治具で保持してＵＶを照射して外部電極の形成領域以外を硬化させ、外部電極を形成させる部分の未硬化の樹脂を溶剤で除去して外部電極を形成させる部分を露出させる外部電極形成方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１４８２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、チップ型電子部品は一般に寸法が小さく、また、略四角柱形状ではあるが、厳密な四角柱形状ではない。このため、特許文献１に開示された技術を適用してレジストを塗布したチップ型電子部品を押さえ治具（遮光手段）で保持して露光しても、端子電極の形成領域以外を精度よく露光することは困難で、端子電極の形状や寸法の精度低下を招くおそれがある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、チップ型電子部品の両端部の電極形成部分に端子電極を精度よく形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、チップ型電子部品の端子電極を形成するにあたり、前記チップ型電子部品の素体の全体にネガ型レジストを塗布するレジスト塗布工程と、当該レジスト塗布工程が終了した前記素体の前記端子電極を形成しない端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストに、露光に用いるスポット状の光と前記素体とを相対的に移動させながら露光する露光工程と、当該露光工程が終了した前記素体に塗布されている前記ネガ型レジストのうち、未露光部分を除去する第１レジスト除去工程と、当該第１レジスト除去工程が終了した前記素体の、前記ネガ型レジストが除去された部分に、電極材料の薄膜を成膜する成膜工程と、当該成膜工程が終了した前記素体に残っている前記ネガ型レジストを取り除く第２レジスト除去工程と、を含むことを特徴とするチップ型電子部品の電極形成方法である。
【０００６】
本発明は、チップ型電子部品の素体の全体にレジストを塗布し、スポット状の光を用いてネガ型のレジストを露光する。そして、露光の際には、スポット状の光と素体とを相対的に移動させる。スポット状の光は、レーザーを用いたり、あるいはミラーやレンズ等で構成される光学系を用いたりすることによって生成でき、また、寸法や形状も精度よく制御できる。このため、端子電極を形成しない部分のみを露光し、端子電極を形成する部分を露光しないで残すことも容易に実現できる。さらに、露光においては、マスク等の遮光手段でチップ型電子部品を覆う必要はないため、遮光手段を用いることによる問題も回避できる。これらの作用によって、端子電極を形成する部分を精度よく、確実かつ簡易に形成できるので、チップ型電子部品の両端部の電極形成部分に端子電極を精度よく形成できる。そして、本発明によれば、端子電極の形状、寸法を精度よく形成できるので、チップ型電子部品の両端部に形成される端子電極間における短絡や、実装時の不良等の発生は極めて低く抑えられる。また、チップ型電子部品を遮光手段によって覆う手順が不要になるので、大量のチップ型電子部品も容易に処理できるので、生産性が向上する。
【０００７】
本発明の望ましい態様としては、前記露光工程は、前記端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストの一部を露光する第１の露光工程と、前記端子電極非形成部分に塗布されている前記ネガ型レジストの残りの部分を露光する第２の露光工程と、を有することが好ましい。これによって、四角柱形状のチップ型電子部品の素体が有する四つの側面について、端子電極を形成しない部分のネガ型レジストを露光し、端子電極を形成する部分のネガ型レジストは未露光とすることができる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記素体は四角柱形状であり、前記第１の露光工程では、前記素体の対向する二つの側面に前記光が到達可能な状態で搬送する第１の回転テーブルが、前記素体を保持して搬送する過程で、前記二つの側面に塗布されている前記ネガ型レジストに向かって露光し、前記第２の露光工程では、前記素体の露光されていない対向する二つの未露光側面側に前記光が到達可能な状態で搬送する第２の回転テーブルが、前記第１の露光工程が終了した前記素体を保持して搬送する過程で、前記二つの未露光側面に塗布されている前記ネガ型レジストに向かって露光することが好ましい。これによって、第１の回転テーブルと第２の回転テーブルとでチップ型電子部品の素体が搬送される過程で、端子電極を形成しない部分のネガ型レジストの露光部分と、端子電極を形成する部分のネガ型レジストの未露光部分とを、前記素体の四つの側面に形成することができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記第１の露光工程と前記第２の露光工程とで、前記スポット状の光の直径を異ならせることが好ましい。これによって、例えば、対向する二つの側面のネガ型レジストをすべて露光することにより、当該側面には端子電極を形成しないようにすることもできる。このように、本態様によれば、端子電極の形状の自由度が向上する。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記露光工程においては、前記素体と前記スポット状の光とを直線でかつ相対的に移動させることが好ましい。これによって、チップ型電子部品の両端部に形成される端子電極の対向する部分を直線に形成できるので、端子電極が突出部を有する形状になって短絡を生じたり、実装後において前記突出部に応力集中が生じたりするおそれを低減できる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記露光工程においては、前記端子電極の大きさと前記素体の寸法との少なくとも一方に応じて、前記スポット状の光の直径を変更することが好ましい。これによって、異なる寸法のチップ型電子部品や端子電極を形成する場合にも対応しやすくなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、チップ型電子部品の両端部の電極形成部分に端子電極を精度よく形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、チップ型電子部品の斜視図である。
【図２】図２は、チップ型電子部品の平面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、レジストを塗布した電子部品の素体を示す模式図である。
【図５】図５は、露光工程の説明図である。
【図６】図６は、第１の露光工程の説明図である。
【図７】図７は、第２の露光工程の説明図である。
【図８】図８は、露光後における電子部品の素体を示す斜視図である。
【図９】図９は、未露光部分のレジストを除去した電子部品の素体を示す側面図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る電極形成方法に用いる露光装置の一例を示す概略図である。
【図１１】図１１は、露光装置で第１素体を搬送した場合における第１素体の軌跡を示す概念図である。
【図１２】図１２は、第１素体とスポット光とを相対的に移動させないで露光した場合の第２素体を示す模式図である。
【図１３】図１３は、図１０に示す露光装置において、スポット光の照射位置等を変更する機構を示す模式図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係る電極形成方法における露光工程を実現する他の例を示す模式図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例を示す説明図である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例を示す説明図である。
【図１７】図１７は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた第２素体の模式図である。
【図１８】図１８は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた電子部品の側面図である。
【図１９】図１９は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた電子部品の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための形態（以下、実施形態という）により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１５】
図１は、チップ型電子部品の斜視図である。図２は、チップ型電子部品の平面図である。チップ型電子部品（以下、必要に応じて電子部品という）１は、４個の側面（側部）４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄと、これらにつながる正方形の両端面を底面とする四角柱形状の部品である。端子電極２Ａ、２Ｂは、それぞれ電子部品１の両端部に形成される。端子電極２Ａ、２Ｂは、それぞれ端面電極２Ａｔ、２Ｂｔと、側部電極２Ａｓ、２Ｂｓとで構成される。端面電極２Ａｔ、２Ｂｔは、電子部品１の両端面に形成されるので、その形状は正方形である。なお、端面電極２Ａｔ、２Ｂｔの形状は正方形に限定されるものではなく、長方形であってもよい。
【００１６】
電子部品１は、例えば、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、フィルター、バリスタ等である。例えば、電子部品１がチップコンデンサのような積層型電子部品である場合、電子部品１は、第１の内部電極と絶縁層と第２の内部電極とが交互に積層され、かつ、第１の内部電極に端面電極２Ａｔが接続され、第２の内部電極に端面電極２Ｂｔが接続されて構成される。
【００１７】
図１、図２に示すように、電子部品１が有するそれぞれの側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄの端面電極２Ａｔ、２Ｂｔ側には、それぞれ側部電極２Ａｓ、２Ｂｓが形成される。側部電極２Ａｓは端面電極２Ａｔと電気的に接続され、側部電極２Ｂｓは端面電極２Ｂｔと電気的に接続される。そして、側部電極２Ａｓ、２Ｂｓは、電子部品１が搭載される基板の電極（基板側電極）とハンダによって電気的に接続される。本実施形態において、側部電極２Ａｓ、２Ｂｓは、すべての側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄへ一体に形成されるが、すべての側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄのうち少なくとも一つに形成されていればよい。このように、電子部品１は、側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄに設けられた側部電極２Ａｓ、２Ｂｓによって基板電極と接合される、いわゆる表面実装型の電子部品である。
【００１８】
電子部品１は、平面視が矩形の形状（側面４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄの形状が矩形）であり、長手方向（図２の矢印Ａで示す方向）及び短手方向（図２の矢印Ｂで示す方向）がある。電子部品１は、寸法がいわゆる１００５以下である。ここで、本発明における１００５とは、図２に示す電子部品１の長手方向における寸法（長手方向寸法）Ｌｃが１．０±０．０５ｍｍ、短手方向における寸法Ｌａが０．５±０．０５ｍｍであることを意味する。次に、本実施形態に係るチップ型電子部品の電極形成方法（以下、必要に応じて電極形成方法という）の手順を説明する。
【００１９】
図３は、本実施形態に係る電極形成方法の手順を示すフローチャートである。図４は、レジストを塗布した電子部品の素体を示す模式図である。図５は、露光工程の説明図である。図６は、第１の露光工程の説明図であり、図７は、第２の露光工程の説明図である。図８は、露光後における電子部品の素体を示す斜視図である。図９は、未露光部分のレジストを除去した電子部品の素体を示す側面図である。
【００２０】
本実施形態に係る電極形成方法を実行するにあたり、図４に示す電子部品の素体（以下、素体という）１００を作製する。電子部品１が、内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品である場合、グリーンシートを作製し、これに内部電極を印刷した後積層し、必要な寸法で切断して焼成することで素体１００が作製される。素体１００が作製されたら、ステップＳ１０１において、素体１００の全体にレジストを塗布する。ステップＳ１０１がレジスト塗布工程である。レジスト塗布工程によって、図４に示すように、レジスト１１０が塗布された素体（以下、第１素体という）１０１は、素体１００の外側全体をレジスト１１０が覆うようになる。
【００２１】
レジスト塗布工程で塗布するレジスト１１０はネガ型レジストである。ネガ型レジストは、光照射部分が光架橋し現像液に対して不溶化する感光性高分子材料である。したがって、ネガ型レジストを露光する、すなわち、光を照射して感光させると、光が照射された部分は不溶化し、光が照射されなかった部分は現像液に溶解するようになる。このため、素体１００にレジスト１１０を残したい部分、すなわち、レジスト１１０で素体１００を保護したい部分に露光した後、露光されなかった部分、すなわち、未露光部分を現像液で溶解させればよい。
【００２２】
次にステップＳ１０２へ進み、図４に示す第１素体１０１の端子電極非形成部分６に塗布されているレジスト１１０に露光する。端子電極非形成部分６とは、第１素体１０１の、端子電極２Ａ、２Ｂを形成しない部分である。図１、図２に示すように、端子電極２Ａ、２Ｂは、電子部品１の両端部に形成されるので、第１素体１０１の両端部を除いた部分が端子電極非形成部分となる。なお、第１素体１０１の両端部は、端子電極形成部分５Ａ、５Ｂ、すなわち、端子電極２Ａ、２Ｂが形成される領域である。
【００２３】
本実施形態に係る電極形成方法は、露光工程において、露光にスポット状の光（スポット光）を用いて、スポット光と第１素体１０１とを相対的に移動させながら、端子電極非形成部分に塗布されているレジスト１１０に露光する。例えば、図５に示すように、スポット光Ｌｓを固定し、第１素体１０１をスポット光Ｌｓに対して移動させながら、その過程で第１素体に塗布されたレジスト１１０を露光する。このとき、スポット光Ｌｓの直径は、上述した電子部品１の端面電極２Ａｔ、２Ｂｔ間の距離よりも小さく、かつ対向する端子電極２Ａ、２Ｂ間の距離と同程度の大きさにする。そして、スポット光Ｌｓが、第１素体１０１の両端部１０１ＴＡ、１０１ＴＢの間を通過するようにする。
【００２４】
これによって、露光後における第１素体（第２素体という）１０２のスポット光Ｌｓが照射されない部分は未露光部分１１０ＮＥとなり、スポット光Ｌｓが照射された部分は露光部分１１０Ｅとなる。露光部分１１０Ｅのレジスト１１０は現像液に対して不溶化し、未露光部分１１０ＮＥのレジスト１１０は現像液に対して溶解する。
【００２５】
なお、露光部分１１０Ｅが端子電極非形成部分６になり、未露光部分１１０ＮＥが、端子電極形成部分５Ａ、５Ｂになる。また、第１素体１０１を固定し、スポット光Ｌｓを移動させながら第１素体１０１に照射してもよい。また、スポット光Ｌｓは、照射対象に対して点状に照射される光であり、例えば、光源からの出射方向と直交する平面に前記光源から出射された光を照射した場合、円形形状となるような光である。スポット光Ｌｓの光源としては、レーザー装置、紫外線ランプ、発光ダイオード等を用いることができる。そして、これらの光源出射した光をレンズやミラー等の光学系を通過させて処理することによって、必要な直径のスポット光Ｌｓを生成する。
【００２６】
本実施形態では、スポット光Ｌｓの直径を、これから形成しようとする端面電極２Ａｔ、２Ｂｔ間の距離よりも小さくして、このようなスポット光Ｌｓと第１素体１０１とを相対的に移動させながら、第１素体１０１の両端部１０１ＴＡ、１０１ＴＢの間を通過させる過程で第１素体１０１のレジスト１１０に露光する。これによって、第１素体１０１を遮光手段で覆う必要はないため、未露光部分１１０ＮＥを簡単に形成できる。また、電子部品１は四角柱形状であり、第１素体１０１も同様であるが、いずれもエッジはシャープではない。このため、遮光手段で第１素体１０１の端子電極２Ａ、２Ｂを形成する領域を覆っても、遮光手段と第１素体１０１との密着性が低く、端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに相当する未露光部分１１０ＮＥを精度よく形成することはできない。また、１００５Ｍ以下の電子部品１は寸法が小さいため、遮光手段で端子電極２Ａ、２Ｂを形成する領域を確実に覆えないおそれが高く、端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに相当する未露光部分１１０ＮＥを精度よく形成することはできない。
【００２７】
本実施形態では、スポット光Ｌｓを第１素体１０１に照射するとともに、両者を相対的に移動させてレジスト１１０に露光するので、遮光手段を用いる必要はない。このため、遮光手段で遮光し切れなかった光や遮光手段を回り込んだ光がレジスト１１０に到達するという現象は発生しない。また、スポット光Ｌｓは、レーザーを用いたり、あるいはミラーやレンズ等で構成される光学系を用いたりすることによって寸法、形状を精度よく制御できる。これによって、端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに相当する未露光部分１１０ＮＥ、及び端子電極非形成部分６に相当する露光部分１１０Ｅを精度よく、かつ形成したい部分に対して確実に形成できる。その結果、本実施形態に係る電極形成方法は、端子電極２Ａ、２Ｂを精度よく、かつ容易に形成でき、特に、電子部品１の寸法が小さい場合にはより有利である。
【００２８】
また、スポット光Ｌｓと第１素体１０１とを直線で移動させれば、露光部分１１０Ｅと未露光部分１１０ＮＥとの境界を直線で形成できるので、両方の端子電極形成部分５Ａ、５Ｂの対向する部分を直線にすることができる。このような端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに形成された端子電極２Ａ、２Ｂは、対向する部分が直線となるので、応力集中や電極間の短絡等のおそれが極めて低くなるとともに、基板に実装する際のセルフアライメント性能が向上する。スポット光Ｌｓと第１素体１０１とを直線で移動させる場合、例えば、第１素体１０１を直線移動するベルトに載置し、直線移動している第１素体１０１にスポット光Ｌｓを照射すればよい。また、第１素体１０１を静止させておき、スポット光Ｌｓを直線移動させながら第１素体１０１の必要な部分に照射してもよい。
【００２９】
第１素体１０１は、電子部品１と同様に四角柱形状なので、四つの側面のレジスト１１０に露光する必要がある。本実施形態では、端子電極非形成部分６に塗布されているレジスト１１０の一部を露光する第１の露光工程と、端子電極非形成部分６に塗布されているレジスト１１０の残りの部分を露光する第２の露光工程とで露光工程を構成する。例えば、第１の露光工程では、図６に示すように、第１素体１０１の四つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄのうち対向する二つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに向かってスポット光Ｌｓを照射する。これによって、素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに塗布されているレジストを露光する。その結果、図７に示す第１素体１０１’のように、素体側面１０１Ａ、１０１Ｃには、それぞれ第１素体１０１の両端部側に未露光部分１１０ＮＥが形成され、その間に露光部分１１０Ｅが形成される。
【００３０】
次に、第２の露光工程では、図７に示すように、第１素体１０１’の露光されていない対向する二つの素体側面（未露光側面）１０１Ｂ、１０１Ｄに向かってスポット光Ｌｓを照射する。これによって、素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄに塗布されているレジストを露光する。その結果、図８に示す第２素体１０２のように、第１素体１０１のすべての素体側面１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄには、それぞれ第１素体１０１の両端部側に未露光部分１１０ＮＥが形成され、その間に露光部分１１０Ｅが形成される。
【００３１】
露光工程が終了したら、ステップＳ１０３へ進み、露光工程の終了した第１素体１０１、すなわち第２素体１０２に塗布されているレジスト１１０のうち、未露光部分１１０ＮＥを除去する。この工程が、第１レジスト除去工程である。レジストを除去するにあたっては、未露光部分１１０ＮＥを溶解させる溶媒、例えば、炭酸ナトリウム水溶液やＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を現像液として用い、この現像液に第２素体１０２を浸漬させることにより、未露光部分１１０ＮＥを除去する。
【００３２】
第１レジスト除去工程が終了した後の第２素体、すなわち、未露光部分１１０ＮＥが除去された第２素体１０２を第３素体１０３という（図９参照）。図９に示すように、第３素体１０３は、素体１００の両端部のレジスト１１０が除去され、両端部の間のみにレジスト１１０が残っている。この部分が露光部分１１０Ｅであり、端子電極非形成部分６となる。そして、第３素体１０３の両端部、すなわち、レジスト１１０が取り除かれた部分は、素体１００が露出した端子電極形成部分５Ａ、５Ｂとなる。なお、素体１００の両端面１００ＴＡ、１００ＴＢには、素体１００を構成する内部電極が露出している。
【００３３】
第１レジスト除去工程が終了したら、ステップＳ１０４へ進み、第３素体１０３の端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに、図１、図２に示す端子電極２Ａ、２Ｂの材料である電極材料の薄膜を成膜することにより、端子電極２Ａ、２Ｂを形成する。この工程が、成膜工程である。成膜工程で電極材料の薄膜を成膜する手段は問わないが、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）に代表される乾式成膜法を用いることが好ましい。ＰＶＤとしては、例えば、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション、抵抗加熱蒸着、イオンプレーティング等を用いることができ、本実施形態ではスパッタリングを用いる。
【００３４】
このように、本実施形態では、スパッタリングを用いることにより、電極材料の薄膜によって端子電極２Ａ、２Ａを形成できるので、金属ペーストを焼成して端子電極２Ａ、２Ｂを形成する場合と比較して、端子電極２Ａ、２Ｂの厚さの増加を抑制できる。その結果、特に、端子電極２Ａ、２Ｂの厚さが増加することによる電子部品１の寸法増加を抑制できる。これは、特に電子部品１の寸法が小さい場合に有利である。
【００３５】
また、成膜工程においては、一種類の電極材料の薄膜を端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに成膜することによって端子電極２Ａ、２Ｂを形成してもよいし、複数種類の電極材料の薄膜を端子電極形成部分５Ａ、５Ｂに積層することによって端子電極２Ａ、２Ｂを形成してもよい。後者の手法で端子電極２Ａ、２Ｂを形成する場合、例えば、第３素体１０３の両端面１００ＴＡ、１００ＴＢに第１の電極材料（例えば、クロム）の薄膜を成膜し、その上に第２の電極材料（例えば、銅）の薄膜を積層する。また、スパッタリングによって成膜された電極材料の薄膜上に、さらに、めっきによって電極材料を成膜してもよい。
【００３６】
ここで、上述した金属ペーストで端子電極２Ａ、２Ｂを形成する手法は、端子電極２Ａ、２Ｂを緻密に形成することが困難である。これは、金属ペーストは１００％が金属ではないからである。このため、前記手法では、めっき液が金属ペーストで成膜された端子電極２Ａ、２Ｂから電子部品１の内部に浸入するおそれがある。しかし、本実施形態に係る電極形成方法は、上述したように、スパッタリングに代表される乾式成膜によって緻密かつ十分な膜厚で、第３素体１０３の端子電極形成部分５Ａ、５Ｂとの密着強度の大きい端子電極２Ａ、２Ｂが形成できる。これによって、めっきによってさらに端子電極２Ａ、２Ｂを形成する場合には、めっき液が端子電極２Ａ、２Ｂに接触しても、めっき液がスパッタリングによって成膜された電極材料の薄膜を通過して電子部品１の内部に浸入することを回避できるので、電子部品１の不良率が低下し、歩留を向上させることができる。
【００３７】
成膜工程が終了したら、ステップＳ１０５へ進み、成膜工程が終了した第３素体１０３に残っているレジスト１１０、すなわち、端子電極非形成部分６を覆っている露光部分１１０Ｅを取り除く。この工程が、第２のレジスト除去工程である。レジスト１１０の露光部分１１０Ｅを除去する場合、レジスト１１０の未露光部分１１０ＮＥを除去する際に用いた現像液とは異なる露光部分除去液を用い、これによって露光部分１１０Ｅを溶解させて除去する。第２のレジスト除去工程が終了すると、図１、図２に示すような、端面電極２Ａｔ、２Ｂｔと、側部電極２Ａｓ、２Ｂｓとで構成される端子電極２Ａ、２Ｂが形成された電子部品１が完成する。
【００３８】
本実施形態に係る電極形成方法では、スポット光Ｌｓを用いるので、レジスト１１０の露光部分１１０Ｅと未露光部分１１０ＮＥとを確実に形成することができる。その結果、第３素体１０３の端子電極形成部分５Ａ、５Ｂ以外の端子電極非形成部分６を、レジスト１１０で確実に覆うことができる。これによって、スパッタリングを用いて端子電極２Ａ、２Ｂを形成する場合でも、端子電極非形成部分６はレジスト１１０の露光部分１１０Ｅによってターゲットから照射される電極材料から保護される。その結果、本実施形態に係る電極形成方法によれば、両方の端子電極２Ａ、２Ｂの間に電極材料が付着することを回避できるので、両端子電極２Ａ、２Ｂ間の短絡のおそれが極めて低い、品質の高い電子部品１を製造でき、歩留も向上する。
【００３９】
図１０は、本実施形態に係る電極形成方法に用いる露光装置の一例を示す概略図である。この露光装置１０は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程を実現するものであり、特に、四角柱形状の素体１００にレジスト１１０を塗布したものに露光する場合に有効である。露光装置１０は、第１の回転テーブル１１と、第２の回転テーブル１２と、対向して配置される一対の第１光源１５Ａ、１５Ｂと、同じく対向して配置される一対の第２光源１６Ａ、１６Ｂと、電子部品素体供給装置２０と、電子部品素体収集装置２２とを含んで構成される。
【００４０】
第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２は、いずれも円板形状の構造体であり、それぞれ第１回転軸Ｚａ、第２回転軸Ｚｂを中心として回転する。第１回転軸Ｚａと第２回転軸Ｚｂとは互いに直交しており、第１の回転テーブル１１と第２の回転テーブル１２とは、それぞれの板面を互いに直交させて回転する。第１の回転テーブル１１の外周部には、第１素体１０１、及び露光後の第１素体１０１’を格納して保持する部品保持部１３が等間隔で複数形成されている。また、第２の回転テーブル１２の外周部には、露光後の第１素体１０１’、及び第２素体１０２を格納して保持する部品保持部１４が等間隔で複数形成されている。
【００４１】
部品保持部１３は、第１の回転テーブル１１の両板面側が開口しており、当該開口にはスポット光Ｌｓが透過する材料で構成された窓が設けられている。同様に、部品保持部１４は、第２の回転テーブル１２の両板面側が開口しており、スポット光Ｌｓが透過する材料で構成された窓が設けられている。そして、部品保持部１３、１４は、第１素体１０１、１０１’の対向する二つの側面を部品保持部１３、１４の開口側に向け、かつスポット光Ｌｓが前記窓を透過して前記側面に到達可能な状態で保持して搬送する。
【００４２】
第１光源１５Ａ、１５Ｂは、第１の回転テーブル１１を挟み、かつそれぞれの出射口を対向させて、部品保持部１３の位置と前記出射口とが対向するように配置される。また、第２光源１６Ａ、１６Ｂは、第２の回転テーブル１２を挟み、かつそれぞれの出射口を対向させて、部品保持部１４の位置と前記出射口とが対向するように配置される。対向する第１光源１５Ａ、１５Ｂは、それぞれスポット光Ｌｓの直径が異なっていてもよい。同様に、対向する第２光源１６Ａ、１６Ｂは、それぞれスポット光Ｌｓの直径が異なっていてもよい。次に、この露光装置１０を用いて、図６に示す第１素体１０１、図７に示す第１素体１０１’のレジスト１１０に露光する手順を説明する。
【００４３】
まず、第１素体１０１は、電子部品素体供給装置２０の部品供給治具２１によって第１の回転テーブル１１の部品保持部１３へ供給される。このとき、第１の回転テーブル１１は停止しており、部品保持部１３へ第１素体１０１が供給されると、これを保持した状態で回転して搬送する。すなわち、第１の回転テーブル１１は、間欠的に回転する。部品保持部１３に保持された第１素体１０１は、例えば、図６に示す対向する二つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｃが部品保持部１３の開口側に向き、かつスポット光Ｌｓが素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに到達可能な状態で部品保持部１３に保持されて、第１の回転テーブル１１に搬送される。
【００４４】
第１素体１０１は、第１の回転テーブル１１によって搬送される過程で、第１光源１５Ａ、１５Ｂの間を通過する。このとき、第１光源１５Ａ、１５Ｂから出射されるスポット光Ｌｓが、第１回転軸Ｚａ方向における、部品保持部１３の開口側を通って第１素体１０１の対向する素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに照射される。これによって、素体側面１０１Ａ、１０１Ｃのレジストが露光される（第１の露光工程）。露光後における第１素体１０１’は、第１の回転テーブル１１によってさらに搬送される。第１素体１０１’が、第１の回転テーブル１１と第２の回転テーブル１２とが対向する位置まで搬送される。この位置で、部品保持部１３と部品保持部１４とが対向すると、部品保持部１３に保持された第１素体１０１’は部品保持部１４へ受け渡される。例えば、部品保持部１３内から気体（例えば、空気）ｇを噴射することによって第１素体１０１’を押し出して、部品保持部１４内へ受け渡す。なお、この受け渡しにおいては、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２は停止している。
【００４５】
第１素体１０１’を受け取った第２の回転テーブル１２は、これを保持した状態で回転して搬送する。第２の回転テーブル１２も、第１の回転テーブル１１と同様に間欠的に回転する。第１の回転テーブル１１と第２の回転テーブル１２とは、それぞれの回転軸である第１回転軸Ｚａと第２回転軸Ｚｂとを直交させた状態で回転するので、第２の回転テーブル１２の部品保持部１４に保持された第１素体１０１’は、例えば、図７に示す第１素体１０１’の対向する二つの素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄ、すなわち、未露光側面が第２回転軸Ｚｂ方向における、部品保持部１４の開口側に向き、かつスポット光Ｌｓが素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄに到達可能な状態で部品保持部１４に保持されて、第２の回転テーブル１２に搬送される。なお、第１の回転テーブル１１と第２の回転テーブル１２とが同期して回転する場合には、両者が連続回転しながら、両者の間で第１素体１０１’を受け渡すこともできる。
【００４６】
第１素体１０１’は、第２の回転テーブル１２によって搬送される過程で、第２光源１６Ａ、１６Ｂの間を通過する。このとき、第２光源１６Ａ、１６Ｂから出射されるスポット光Ｌｓが、部品保持部１４の開口側を通って第１素体１０１’の対向する素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄ（未露光側面）に照射される。これによって、素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄのレジストが露光される（第２の露光工程）。露光後における第１素体１０１’、すなわち第２素体１０２は、第２の回転テーブル１２によって電子部品素体収集装置２２の位置まで搬送される。そして、第２素体１０２は、電子部品素体収集装置２２の位置で部品保持部１４から取り出されて電子部品素体収集装置２２に受け渡される。例えば、部品保持部１４内から気体ｇを噴射することによって第２素体１０２を押し出して、電子部品素体収集装置２２へ受け渡す。
【００４７】
第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２は、第１素体１０１を第１の回転テーブル１１の部品保持部１３に搬送するタイミング、及び部品保持部１３に保持された第１素体１０１’を第２の回転テーブル１２の部品保持部１４に受け渡すタイミングで停止する。この両方のタイミングを合わせることにより、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が停止している時間を最小限にすることができる。また、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が停止しているときには、第１光源１５Ａ、１５Ｂから照射されるスポット光Ｌｓ、及び第２光源１６Ａ、１６Ｂから照射されるスポット光Ｌｓは、隣接する部品保持部１３、１３の間、あるいは部品保持部１４、１４の間に照射されるものとする。そして、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が回転しているときに、部品保持部１３に保持された第１素体１０１が第１光源１５Ａ、１５Ｂ間を通過し、また部品保持部１４に保持された第１素体１０１’が第２光源１６Ａ、１６Ｂ間を通過するようにする。
【００４８】
これによって、第１素体１０１、１０１’とスポット光Ｌｓとが相対的に移動しているタイミングで、確実に第１素体１０１、１０１’のレジスト１１０に露光することができる。なお、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が停止しているときには、スポット光Ｌｓを停止させることが好ましい。このようにすれば、スポット光Ｌｓを生成するためのエネルギー消費を抑制でき、また、スポット光Ｌｓが散乱する機会も低減できるため、安全性がさらに向上する。なお、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が停止しているときにスポット光Ｌｓを点灯させてもよい。すなわち、スポット光Ｌｓを連続点灯させて、スポット光Ｌｓの間に第１素体１０１、１０１’を順次通過させてもよい。
【００４９】
このような手順で、露光装置１０は、本実施形態に係る露光工程（第１の露光工程及び第２の露光工程）を実現する。この露光装置１０は、第１の回転テーブル１１と第２の回転テーブル１２との間で第１素体１０１’を受け渡す過程で、自動的に第１素体１０１’の未露光側面をスポット光Ｌｓの出射側に向けることができる。このため、この露光装置１０を用いれば、第１素体１０１’の姿勢を変更する機構を設けることなく、第１素体１０１のすべての側面を露光することができる。
【００５０】
図１１は、露光装置１０で第１素体を搬送した場合における第１素体の軌跡を示す概念図である。露光装置１０を用いると、第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２によって、露光の過程において、第１素体１０１、１０１’は円弧状に移動することになる。このため、露光装置１０によって露光された第２素体１０２は、厳密には、図８に示す未露光部分１１０ＮＥの対向する部分が直線ではなく円弧状になる。この円弧状の部分の曲率半径は、露光装置１０を構成する第１の回転テーブル１１及び第２の回転テーブル１２が有する部品保持部１３、１４の回転半径と略同じ大きさになる。
【００５１】
ここでは、第１素体１０１、１０１’が円弧状に移動した場合と、第１素体１０１、１０１’が直線で移動した場合とで、図８に示す未露光部分１１０ＮＥの対向する部分がどの程度直線とは異なるかを評価する。露光装置１０を用いる場合、上述した第１回転軸Ｚａ、第２回転軸Ｚｂ側における第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴの曲率半径が最も小さくなるので、この端面ＰＴにおける曲率半径と直線との差を比較する。これは、第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴの軌跡が直線と見なせれば、それよりも曲率半径が大きい未露光部分１１０ＮＥの対向する部分を直線と見なしてもよいと考えられるからである。
【００５２】
第１素体１０１、１０１’が第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２によって搬送され、円弧状に移動した場合において、第１回転軸Ｚａ、第２回転軸Ｚｂ側における第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴの軌跡を図１１に示すＴＬとし、第１素体１０１、１０１’が直線で移動した場合における第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴの軌跡をＴＩとする。また、第１回転軸Ｚａ、第２回転軸Ｚｂと第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴとの距離をＲ、第１素体１０１、１０１’の端面ＰＴにおける一辺の長さをＬａ、軌跡ＴＬと軌跡ＴＩとの最大距離をΔＲとする。
【００５３】
ΔＲは、Ｒ−ＲＬで求めることができる。ここで、ＲＬは、√（Ｒ２−（Ｌａ／２）２）である。電子部品１が１００５Ｍである場合、Ｌａは０．５ｍｍであり、Ｌａと直交する方向における電子部品１の寸法は１．０ｍｍである。Ｒを仮に１００ｍｍとすると、ＲＬ＝９９．９９９６ｍｍとなり、ΔＲ＝０．０００４ｍｍ＝４００ｎｍである。このように、ΔＲは、Ｌａと直交する方向における電子部品１の寸法（電子部品１の長手方向における寸法）の１／１０００未満なので、第１素体１０１、１０１’が第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２によって搬送され、円弧状に移動した場合の軌跡ＴＬは直線と見なすことができる。
【００５４】
また、電子部品１が０４０２Ｍである場合、Ｌａは０．２ｍｍであり、Ｌａと直交する方向における電子部品１の寸法は０．４ｍｍである。Ｒを仮に１００ｍｍとすると、ＲＬ＝９９．９９９４ｍｍとなり、ΔＲ＝０．０００６ｍｍ＝６００ｎｍである。このように、ΔＲは、Ｌａと直交する方向における電子部品１の寸法の１／１０００未満なので、電子部品１が０４０２Ｍの場合も、第１素体１０１、１０１’が第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２によって搬送され、円弧状に移動した場合の軌跡ＴＬは直線と見なすことができる。このように、露光装置１０を用いて第１素体１０１、１０１’を円弧状に移動させた場合、図８に示す未露光部分１１０ＮＥの対向する部分は直線と見なすことができる。
【００５５】
図１２は、第１素体とスポット光とを相対的に移動させないで露光した場合の第２素体を示す模式図である。スポット光Ｌｓの半径をＲＬｓ、第２素体２０２の両端面間の距離、すなわち長手方向寸法をＬｃとすると、未露光部分２１０ＮＥの対向する部分、すなわち、露光部分２１０Ｅの両端部は円弧状になり、その曲率半径は、スポット光Ｌｓの半径ＲＬｓとなる。ｔｓは、ｔ＋｛ＲＬｓ−√（ＲＬｓ２−（Ｌａ／２）２）｝で求めることができる。電子部品１が１００５Ｍである場合、Ｌａは０．５ｍｍであり、Ｌｃは１．０ｍｍである。ｔを０．１ｍｍとすると、スポット光Ｌｓの直径は０．８ｍｍとなるので、ＲＬｓは０．４ｍｍとなる。この場合、ｔｓ＝０．１８７７ｍｍとなり、ｔｓとｔとの差は０．０８７７ｍｍである。すなわち、第１素体１０１、１０１’とスポット光Ｌｓとを相対的に移動させないで露光した場合、未露光部分２１０ＮＥの寸法差は、最大で電子部品１の長手方向における寸法の１／１０弱となる。
【００５６】
また、電子部品１が０４０２Ｍである場合、Ｌａは０．２ｍｍであり、Ｌｃは０．４ｍｍである。ｔを０．１ｍｍとすると、スポット光Ｌｓの直径は０．２ｍｍとなるので、ＲＬｓは０．１ｍｍとなる。この場合、ｔｓ＝０．２ｍｍとなり、ｔｓとｔとの差は０．１ｍｍである。すなわち、第１素体１０１、１０１’とスポット光Ｌｓとを相対的に移動させないで露光した場合、未露光部分２１０ＮＥの寸法差は、最大で電子部品１の長手方向における寸法の１／４となる。このように、第１素体１０１、１０１’とスポット光Ｌｓとを相対的に移動させないで露光した場合、形成しようとする端子電極の寸法と電子部品１の寸法との関係によっては、図８に示す未露光部分１１０ＮＥの対向する部分は直線と見なすことができない場合があり、特に、電子部品１の寸法が小さい場合に顕著になる。露光装置１０を用いて第１素体１０１、１０１’を円弧状に移動させた場合、電子部品１の寸法が０４０２Ｍであっても、図８に示す未露光部分１１０ＮＥの対向する部分は直線と見なすことができるので、特に寸法の小さい電子部品１に対して有利である。
【００５７】
図１３は、図１０に示す露光装置において、スポット光の照射位置等を変更する機構を示す模式図である。図１３に示す露光装置１０は、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂの位置を変更する第１移動機構１７Ａ、１７Ｂ及び第２移動機構１８Ａ、１８Ｂを備える。第１移動機構１７Ｂ、１７Ａ、第２移動機構１８Ａ、１８Ｂは、第１光源１５Ａ、１５Ｂ、第２光源１６Ａ、１６Ｂを第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２の径方向（図１３の矢印Ｈ方向）に移動させて、前記径方向における第１光源１５Ａ、１５Ｂ等の位置を変更する。
【００５８】
第１移動機構１７Ｂ、１７Ａ、第２移動機構１８Ａ、１８Ｂは、制御装置３１によって制御される。また、制御装置３１は、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂから出射されるスポット光Ｌｓの直径（スポット径）Ｄを変更する。制御装置３１には、第１素体１０１、１０１’の位置を検出する位置センサ３０が接続されており、制御装置３１は、位置センサ３０が検出した第１素体１０１、１０１’の位置センサ３０側における端面の位置に基づき、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂの位置やスポット径Ｄを変更する。
【００５９】
例えば、同じ寸法の第１素体１０１、１０１’であっても、製造誤差によって寸法が異なる場合があるが、本実施形態に係る電極形成方法において、制御装置３１は、この寸法の違いを位置センサ３０で検出して、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂの位置やスポット径Ｄを変更する。例えば、第１素体１０１、１０１’の長手方向寸法Ｌｃが基準値よりも大きい場合、制御装置３１は、第１移動機構１７Ｂ、１７Ａ及び第２移動機構１８Ａ、１８Ｂを駆動して、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂを第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２の径方向外側に移動させる。
【００６０】
これによって、第１素体１０１、１０１’のレジストは、両方の未露光部分の寸法が同じ大きさに保たれる。なお、この場合、スポット径Ｄをそれまでよりも大きくして、異なる第１素体１０１、１０１’において、レジストの未露光部分の寸法を一定に保つことが好ましい。第１素体１０１、１０１’の長手方向寸法Ｌｃが基準値よりも小さい場合、制御装置３１は、第１素体１０１、１０１’の長手方向寸法Ｌｃが基準値よりも大きい場合と反対の制御をすればよい。ここで、スポット径Ｄを大きくする場合、パワーも同時に大きくし、スポット径Ｄを小さくする場合には、パワーも同時に小さくすることが好ましい。これによって、スポット径Ｄを変更しても、単位面積あたりのパワーを一定に保つことができるので、露光条件を一定に保ちやすくなる。
【００６１】
また、本実施形態に係る電極形成方法では、同じ露光装置１０を用いて異なる寸法の電子部品１を露光することもできる。この場合、制御装置３１は、第１素体１０１、１０１’間における寸法の違いを位置センサ３０で検出して、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂの位置やスポット径Ｄを変更する。例えば、これまで露光してきた第１素体１０１、１０１’よりも長手方向寸法Ｌｃが大きい第１素体１０１、１０１’を露光する場合、制御装置３１は、第１移動機構１７Ｂ、１７Ａ及び第２移動機構１８Ａ、１８Ｂを駆動して、第１光源１５Ａ、１５Ｂ及び第２光源１６Ａ、１６Ｂを、第１の回転テーブル１１、第２の回転テーブル１２の径方向外側に移動させる。そして、制御装置３１は、スポット径Ｄをそれまでよりも大きくする。
【００６２】
これによって、スポット光Ｌｓの中心が、第１素体１０１、１０１’の長手方向における中心と合致するので、異なる寸法の第１素体１０１、１０１’であっても、レジストは、両方の未露光部分の寸法が同じ大きさに保たれる。また、スポット径Ｄを変更することにより、電子部品１の端子電極２Ａ、２Ｂを形成するために必要な大きさの未露光部分を確保できる。
【００６３】
さらに、本実施形態に係る電極形成方法では、同じ電子部品１において端子電極２Ａ、２Ｂの大きさを異ならせることもできる。例えば、電子部品１の長手方向における端子電極２Ａ、２Ｂの寸法を大きくしたい場合、制御装置３１はスポット径Ｄを小さくする。これによって、図８に示す第２素体１０２の長手方向における未露光部分１１０ＮＥが大きくなるので、この部分に形成される端子電極２Ａ、２Ｂの寸法を大きくできる。また、電子部品１の長手方向における端子電極２Ａ、２Ｂの寸法を小さくしたい場合、制御装置３１はスポット径Ｄを大きくする。これによって、第２素体１０２の長手方向における未露光部分１１０ＮＥが小さくなるので、この部分に形成される端子電極２Ａ、２Ｂの寸法を小さくできる。
【００６４】
このように、本実施形態に係る電極形成方法では、露光工程において、端子電極の大きさと前記素体の大きさとの少なくとも一方に応じて、前記スポット状の光の直径を変更する。これによって、電子部品１の寸法や、これに形成される端子電極２Ａ、２Ｂの寸法が変化した場合でも、適切に端子電極２Ａ、２Ｂを形成できる。
【００６５】
図１４は、本実施形態に係る電極形成方法における露光工程を実現する他の例を示す模式図である。図１４に示す手法は、第１素体１０１の周囲を光源装置３６が旋回しながら（図１４の矢印ＲＲ方向）、スポット光Ｌｓを素体側面１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄへ向かって照射し、レジストを露光する。なお、光源装置３６を固定して、第１素体１０１をその長手方向と平行な軸周りに回転させてもよい。このような手法によっても、レジストを露光することができる。
【００６６】
図１５、図１６は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例を示す説明図である。図１７は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた第２素体の模式図である。図１８は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた電子部品の側面図である。図１９は、本実施形態に係る電極形成方法の露光工程の変形例によって得られた電子部品の平面図である。
【００６７】
この露光工程の変形例は、例えば、端子電極非形成部分に塗布されているレジストの一部を露光する第１の露光工程と、端子電極非形成部分に塗布されているレジストの残りの部分を露光する第２の露光工程とで露光工程を構成する場合に、第１の露光工程と第２の露光工程とで、スポット光の直径を異ならせる点に特徴がある。本変形例は、例えば、図１０に示す露光装置１０で実現できる。
【００６８】
例えば、第１の露光工程では、図１５に示すように、第１素体１０１の四つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄのうち対向する二つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに向かってスポット光Ｌｓａを照射する。これによって、素体側面１０１Ａ、１０１Ｃに塗布されているレジストを露光する。スポット光Ｌｓａの直径はＤａであり、第１素体１０１の長手方向寸法Ｌｃよりも小さい。第１の露光工程が終了すると、図１６に示す第１素体１０１’のように、素体側面１０１Ａ、１０１Ｃには、それぞれ第１素体１０１の両端部側に未露光部分１１０ＮＥが形成され、その間に露光部分１１０Ｅが形成される。
【００６９】
次に、第２の露光工程では、図１６に示すように、第１素体１０１’の露光されていない対向する二つの素体側面（未露光側面）１０１Ｂ、１０１Ｄに向かってスポット光Ｌｓｂを照射する。ここで、スポット光Ｌｓｂの直径はＤｂであり、第１素体１０１’の長手方向寸法Ｌｃよりも大きく、かつ、スポット光Ｌｓｂに二つの素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄが含まれる程度の大きさである。これによって、素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄ全体にスポット光Ｌｓｂが照射され、素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄ全体のレジストが露光される。
【００７０】
その結果、図１７に示す第２素体１０２のように、第１素体１０１の素体側面１０１Ａ、１０１Ｃには、それぞれ第１素体１０１の両端部側に未露光部分１１０ＮＥが形成され、その間に露光部分１１０Ｅが形成され、素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄは、全面が露光部分１１０Ｅとなる。なお、第１の露光工程におけるスポット光Ｌｓａの直径Ｄａが第１素体１０１の長手方向寸法Ｌｃよりも大きく、かつ、スポット光Ｌｓａに二つの素体側面１０１Ａ、１０１Ｃが含まれる程度の大きさであり、第２の露光工程におけるスポット光Ｌｓｂの直径Ｄｂが第１素体１０１’の長手方向寸法Ｌｃよりも小さくてもよい。
【００７１】
第２の露光工程が終了したら、第１レジスト除去工程、成膜工程、第２レジスト除去工程を実行して、図１８、図１９に示すような電子部品１ａが完成する。この電子部品１ａは、端子電極２Ａａ、２Ｂａが、それぞれ端面電極２Ａｔａ、２Ｂｔａと側面電極２Ａｓａ、２Ｂｓａとで構成される。しかし、図１８、図１９に示すように、側面電極２Ａｓａ、２Ｂｓａは、対向する側面４Ａ、４Ｃのみに形成され、対向する側面４Ｂ、４Ｄには形成されない。これは、第２の露光工程で、第１素体１０１’の素体側面１０１Ｂ、１０１Ｄ全面のレジストを露光させたからである。本変形例のように、第１の露光工程と第２の露光工程とでスポット光の直径を変更することにより、端子電極の形状の自由度を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上のように、本発明に係るチップ型電子部品の電極形成方法は、チップ型電子部品に端子電極を形成する場合に、端子電極を形成する部分と形成しない部分とを分けるレジストパターンを効率よく確実に形成することに有用である。
【符号の説明】
【００７３】
１、１ａ  電子部品（チップ型電子部品）
２Ａ、２Ａａ、２Ｂ、２Ｂａ  端子電極
２Ａｓ、２Ａｓａ、２Ｂｓ、２Ｂｓａ  側部電極
２Ａｔ、２Ｂｔ、２Ａｔａ、２Ｂｔａ  端面電極
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ  側面
５Ａ、５Ｂ  端子電極形成部分
６  端子電極非形成部分
１０  露光装置
１１  第１の回転テーブル
１２  第２の回転テーブル
１３、１４  部品保持部
１５Ａ、１５Ｂ  第１光源
１６Ａ、１６Ｂ  第２光源
１７Ａ、１７Ｂ  第１移動機構
１８Ａ、１８Ｂ  第２移動機構
２０  電子部品素体供給装置
２１  部品供給治具
２２  電子部品素体収集装置
３０  位置センサ
３１  制御装置
３６  光源装置
１００  素体
１０１  第１素体
１０１Ａ、１０１Ｂ、１０１Ｃ、１０１Ｄ  素体側面
１０２、２０２  第２素体
１０３  第３素体
１１０  レジスト
１１０Ｅ、２１０Ｅ  露光部分
１１０ＮＥ、２１０ＮＥ  未露光部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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