(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれセンスアンプを有する複数のメモリバンクと、
前記複数のメモリバンクのリフレッシュ動作によって活性化されるセンスアンプ群のうち、一部のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性期間内の第１の期間で前記一部のメモリバンクのセンスアンプを活性状態にする第１の電圧値に、前記活性期間内の前記第１の期間とは異なる第２の期間であり、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了より所定時間前から活性終了までの第２の期間で前記第１の電圧値より高い第２の電圧値にし、前記複数のメモリバンクのうち前記一部のメモリバンクと異なる残余のメモリバンクのセンスアンプの活性期間であって、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性期間と少なくとも一部が重複する前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性期間内のすべての期間で、前記残余のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を前記第１の電圧値にする制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記制御回路は、
前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くすることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くすることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記制御回路は、
前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くすることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くすることを特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記一部のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を前記第１の電圧値にし、前記残余のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を、前記第１の期間で前記第１の電圧値に、前記第２の期間で前記第２の電圧値にすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフレッシュ動作を行う半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄａｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）では、メモリセルが有するキャパシタに電荷を蓄えるか否かで１または０を記憶しているため、記憶を維持するためにリフレッシュという作業を行わなければならない。リフレッシュ動作とは、具体的には、指定されたワード線のメモリセルが保持している値をセンスアンプが検知・増幅することである。
【０００３】
また、リフレッシュ動作時のメモリバンクのピーク電流が重ならないようにするために、複数のメモリバンクをグルーピングする。そして、グルーピングしたメモリバンク群ごとにリフレッシュ動作の開始をずらす技術（「従来技術１」と称する。）が知られている（たとえば、下記特許文献１，２参照。）。たとえば、複数のメモリバンクを２グループに分け、第１のグループのリフレッシュ動作の開始を第２のグループのリフレッシュ動作の開始よりも早くする。この場合、第１のグループのリフレッシュ動作を先行ＲＥＦと称し、第２のグループのリフレッシュ動作を後続ＲＥＦと称する。
【０００４】
また、センスアンプ内のＰＭＯＳ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の動作を早くさせ、ビット線の開きを早くさせるために、閾値電圧を基準に１に該当する通常の電圧値よりも高い電圧値をセンスアンプに供給させるオーバードライブと称する技術（「従来技術２」と称する。）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２２０４６９号公報
【特許文献２】特開２００８−２９９９３２号公報
【特許文献３】特開２００３−６８０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来技術１では、後続ＲＥＦは先行ＲＥＦの消費電流によって発生する電圧ドロップの影響を受ける。そのため、継続して後続ＲＥＦが行われるメモリバンクのメモリセルは、継続して先行ＲＥＦが行われるメモリバンクのメモリセルよりも記憶の劣化速度が速くなる問題点がある。また、従来技術２では通常の電圧値よりも高い電圧値がセンスアンプへ供給されるため、複数のセンスアンプへ同時に通常の電圧値よりも高い電圧値が供給されると、消費電流が増大する問題点がある。
【０００７】
本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、リフレッシュ動作時の消費電流を減少させることができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、それぞれセンスアンプを有する複数のメモリバンクと、前記複数のメモリバンクにおいて、同一のリフレッシュ動作によって活性化されるセンスアンプ群のうち、一部のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性期間内の第１の期間で前記一部のメモリバンクのセンスアンプを活性状態にする第１の電圧値に、前記活性期間内の前記第１の期間とは異なる第２の期間で前記第１の電圧値より高い第２の電圧値にし、前記複数のメモリバンクのセンスアンプ群のうち、残余のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を前記第１の電圧値にする制御回路と、を備える半導体記憶装置が提案される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一側面によれば、リフレッシュ動作時の消費電流を減少させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一の例を示す説明図である。
【図２】図２は、本発明の他の例を示す説明図である。
【図３】図３は、ＤＲＡＭの一例を示すブロック図である。
【図４】図４は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７とメモリバンク３０８−ｉとを示す説明図である。
【図５】図５は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉの一例を示す説明図である。
【図６】図６は、メモリセルの一例を示す説明図である。
【図７】図７は、センスアンプの一例を示す説明図である。
【図８】図８は、期間ｘと期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。
【図９】図９は、期間ｘにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。
【図１１】図１１は、センスアンプをオーバードライブさせない際の信号例を示す説明図である。
【図１２】図１２は、ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３の部分例を示す説明図である。
【図１３】図１３は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７の部分例を示す説明図である。
【図１４】図１４は、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３の一の例を示す説明図である。
【図１５】図１５は、実施例１を示す説明図である。
【図１６】図１６は、実施例２を示す説明図である。
【図１７】図１７は、実施例３を示す説明図である。
【図１８】図１８は、実施例４を示す説明図である。
【図１９】図１９は、実施例５を示す説明図である。
【図２０】図２０は、実施例６を示す説明図である。
【図２１】図２１は、各実施例における信号の値を示す説明図である。
【図２２】図２２は、Ｓｔａｔｕｓの値の切り替え例を示す説明図である。
【図２３】図２３は、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３の他の例を示す説明図である。
【図２４】図２４は、実施例７を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる半導体記憶装置の実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一の例を示す説明図である。たとえば、半導体記憶装置が、メモリバンク１０１〜メモリバンク１０４と制御回路を有している。タイミングチャート１００では、リフレッシュ動作時における、ＳＡ（Ｓｅｎｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ；センスアンプ）００と、ＳＡ１０と、ＳＡ２０と、ＳＡ３０と、の各ＢＬ（Ｂｉｔ  Ｌｉｎｅ；ビット線）０の変化を示す。タイミングチャート１００では、各メモリセルの値が１の場合のＢＬ０であるため、ＢＬの電圧値がセンスアンプの活性期間に第１の電圧値以上の値となっている。
【００１３】
タイミングチャート１００では、ＷＬ（Ｗｏｒｄ  Ｌｉｎｅ；ワード線）０のリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０をオーバードライブさせ、メモリバンク１０３のＳＡ２０とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせない。
【００１４】
具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ０のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０のそれぞれの活性期間の第１の期間に、ＳＡ００とＳＡ１０へ供給する電圧値を第１の電圧値にする。具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ０のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０のそれぞれの活性期間の第２の期間に、ＳＡ００とＳＡ１０へ供給する電圧値を第１の電圧値より高い第２の電圧値にする。
【００１５】
具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ０のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０３のＳＡ２０とメモリバンク１０４のＳＡ３０のそれぞれの活性期間に、ＳＡ２０とＳＡ３０へ供給する電圧値を第１の電圧値にする。
【００１６】
タイミングチャート１００では、ＷＬ１のリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０３のＳＡ２０をオーバードライブさせ、メモリバンク１０２のＳＡ１０とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせない。
【００１７】
具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ１のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０３のＳＡ２０のそれぞれの活性期間の第１の期間に、ＳＡ００とＳＡ２０へ供給する電圧値を第１の電圧値にする。具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ１のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０３のＳＡ２０のそれぞれの活性期間の第２の期間に、ＳＡ００とＳＡ２０へ供給する電圧値を第１の電圧値より高い第２の電圧値にする。
【００１８】
具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ１のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０２のＳＡ１０とメモリバンク１０４のＳＡ３０のそれぞれの活性期間に、ＳＡ１０とＳＡ３０へ供給する電圧値を第１の電圧値にする。
【００１９】
タイミングチャート１００では、ＷＬ２のリフレッシュ動作時にメモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせ、メモリバンク１０２のＳＡ１０とメモリバンク１０３のＳＡ２０をオーバードライブさせない。
【００２０】
具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ２のリフレッシュ動作時において、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０４のＳＡ３０のそれぞれの活性期間の第１の期間に、ＳＡ００とＳＡ３０へ供給する電圧値を第１の電圧値にする。具体的には、たとえば、制御回路が、ＷＬ２のリフレッシュ動作時のメモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０４のＳＡ３０のそれぞれの活性期間の第２の期間に、ＳＡ００とＳＡ３０へ供給する電圧値を第１の電圧値より高い第２の電圧値にする。
【００２１】
図２は、本発明の他の例を示す説明図である。タイミングチャート２００では、ＷＬ０〜ＷＬｎのリフレッシュ動作時における、メモリバンク１０１のＳＡ００と、メモリバンク１０２のＳＡ１０と、メモリバンク１０３のＳＡ２０と、メモリバンク１０４のＳＡ３０と、の各ＢＬ０の変化を示す。
【００２２】
タイミングチャート２００では、１回目のＷＬ０〜ＷＬｎのリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０を第２の期間でオーバードライさせる。タイミングチャート２００では、１回目のＷＬ０〜ＷＬｎのリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０３のＳＡ２０とメモリバンク１０４のＳＡ３０をオーバードライブさせない。
【００２３】
タイミングチャート２００では、２回目のＷＬ０〜ＷＬｎのリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０３のＳＡ２０とメモリバンク１０４のＳＡ３０を第２の期間でオーバードライさせる。タイミングチャート２００では、２回目のＷＬ０〜ＷＬｎのリフレッシュ動作時に、メモリバンク１０１のＳＡ００とメモリバンク１０２のＳＡ１０をオーバードライブさせない。
【００２４】
ここで、本実施の形態で使用するアクティブコマンドとプリチャージコマンドとリフレッシュコマンドについて説明する。アクティブコマンド（以下、「ＡＣＴＶコマンド」と称する。）は、入力されたメモリバンクアドレスとロウアドレスに基づいてメモリバンクとワード線を有効にするコマンドである。
【００２５】
プリチャージコマンド（以下、「ＰＲＥコマンド」と称する。）は、ＡＣＴＶコマンドによって開かれたメモリバンクおよびロウアドレスを閉じる（ロウアドレスを無効にして保存する）コマンドである。
【００２６】
リフレッシュコマンド（以下、「ＲＥＦコマンド」と称する。）は、リフレッシュ動作を実行するコマンドである。ＲＥＦコマンド前には、たとえば、ＡＣＴＶコマンドとＰＲＥコマンドが入力される。ＡＣＴＶコマンドの入力からＲＥＦコマンドの入力までにｔＲＥＦの間隔をあけなければならない。また、ＲＥＦコマンド入力から次のＡＣＴＶコマンドまたはＲＥＦコマンド入力までにｔＲＥＦＣの間隔をあけなければならない。
【００２７】
また、実施の形態では、複数のメモリバンクのうちの一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始と、複数のメモリバンクのうちの残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始と、が異なる例で説明する。
【００２８】
（実施の形態）
（ＤＲＡＭのブロック図）
図３は、ＤＲＡＭの一例を示すブロック図である。本実施の形態では、リフレッシュ動作を行う半導体記憶装置として、ＤＲＡＭ３００を例に挙げて説明する。ＤＲＡＭ３００は、ＣＬＯＣＫ  ＢＵＦＦＥＲ３０１と、ＡＤＤＲＥＳＳ  ＢＵＦＦＥＲ３０２と、ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３と、Ｉ／Ｏ（Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ）  ＢＵＦＦＥＲ３０４と、を有している。ＤＲＡＭ３００は、ＢＵＲＳＴ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０５と、ＡＤＤＲＥＳＳ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０６と、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７と、メモリバンク３０８−ｉ（ｉ＝０〜３）と、を有している。
【００２９】
ＣＬＯＣＫ  ＢＵＦＦＥＲ３０１は、ＣＬＫ／ＣＫＥ端子３２１から入力されたクロックを用いて各ブロックへクロックを供給する。ＡＤＤＲＥＳＳ  ＢＵＦＦＥＲ３０２は、Ａ端子３２２とＢＡ端子３２３からそれぞれ入力されたロウアドレスとメモリバンクアドレスを保持する。具体的には、たとえば、ＡＤＤＲＥＳＳ  ＢＵＦＦＥＲ３０２はラッチである。
【００３０】
ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３は、ＣＳＢ端子３２４とＲＡＳＢ端子３２５とＣＡＳＢ端子３２６とＷＥＢ端子３２７と、から入力された値の組み合わせに応じてＤＲＡＭ３００内で解釈可能なコマンドに変換する。具体的には、たとえば、ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３は、ａｃｔｐｚと、ｐｒｅｐｚと、ｒｅｆｐｚと、ｒｅｆｐｚｄと、ｒｅｆｚと、の信号をＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７へ出力する。
【００３１】
Ｉ／Ｏ  ＢＵＦＦＥＲ３０４は、ＭＡＳＫ端子３２８やＤＱ端子３２９から入力された値を保持し、またはＲＥＡＤ  ＡＭＰ３１２−ｉからのデータをＤＱ端子３２９に出力する。具体的には、たとえば、Ｉ／Ｏ  ＢＵＦＦＥＲ３０４はラッチや出力Ｇａｔｅである。
【００３２】
ＡＤＤＲＥＳＳ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０６は、ＡＤＤＲＥＳＳ  ＢＵＦＦＥＲ３０２から受け付けたアドレスを制御する。ＢＵＲＳＴ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０５は、バースト命令を制御する。
【００３３】
ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、Ｉ／Ｏ  ＢＵＦＦＥＲ３０４と、ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３と、ＡＤＤＲＥＳＳ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０６と、からのデータに応じてＸアドレスとＹアドレスを決定する。さらに、具体的には、たとえば、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、ｗｌｏｎｚ＿ｉと、ｓａｅｏｄｚ＿ｉと、ｓａｅａｚ＿ｉと、ｓａｅｚ＿ｉと、の信号をメモリバンク３０８−ｉへ受け渡す。
【００３４】
メモリバンク３０８−ｉは、Ｙ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０９−ｉと、Ｘ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３１０−ｉと、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉと、ＲＥＡＤ  ＡＭＰ３１２−ｉと、ＷＲＩＴＥ  ＡＭＰ３１３−ｉと、を有している。
【００３５】
Ｙ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０９−ｉは、指定されたＹアドレスのメモリセルの読み出しと書き込みを制御する。Ｘ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３１０−ｉは、指定されたＸアドレスのメモリセルの読み出しと書き込みを制御する。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉは、アレイ状に並べられたメモリセル群である。
【００３６】
ＲＥＡＤ  ＡＭＰ３１２−ｉは、読み出し命令時に、それぞれＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉから読み出されたデータの電圧値を増幅する。ＲＥＡＤ  ＡＭＰ３１２−ｉは、増幅したデータをＩ／Ｏ  ＢＵＦＦＥＲ３０４へ受け渡す。ＷＲＩＴＥ  ＡＭＰ３１３−ｉは、書き込み命令時に、Ｉ／Ｏ  ＢＵＦＦＥＲ３０４から受け渡された書き込みデータの電圧値を増幅する。ＷＲＩＴＥ  ＡＭＰ３１３−ｉは、それぞれＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉ内の指定されたメモリセルへ増幅したデータを受け渡す。
【００３７】
図４は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７とメモリバンク３０８−ｉとを示す説明図である。図４では、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７からメモリバンク３０８−ｉへの受け渡される信号を示す。図４では、ＲＥＡＤ  ＡＭＰ３１２−ｉとＷＲＩＴＥ  ＡＭＰ３１３−ｉを省略している。
【００３８】
ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、メモリバンク３０８−０へｗｌｏｎｚ＿０と、ｓａｅｏｄｚ＿０と、ｓａｅａｚ＿０と、ｓａｅｚ＿０と、を受け渡す。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、メモリバンク３０８−１へｗｌｏｎｚ＿１と、ｓａｅｏｄｚ＿１と、ｓａｅａｚ＿１と、ｓａｅｚ＿１と、を受け渡す。
【００３９】
ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、メモリバンク３０８−２へｗｌｏｎｚ＿２と、ｓａｅｏｄｚ＿２と、ｓａｅａｚ＿２と、ｓａｅｚ＿２と、を受け渡す。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、メモリバンク３０８−３へｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｏｄｚ＿３と、ｓａｅａｚ＿３と、ｓａｅｚ＿３と、を受け渡す。
【００４０】
図５は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉの一例を示す説明図である。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ５００は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉの一例であり、オーピンビット線方式である。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ５００では、ＷＬとＢＬ，／ＢＬの交差位置にビットコンタクトを介して、メモリセルが配置されている。
【００４１】
ここで、ＢＬ，／ＢＬは、いずれのビット線を示している。センスアンプは、閾値電圧を基準に１と０に該当する電圧をそれぞれＢＬと／ＢＬへ出力する。ここで、閾値電圧を基準に１に該当する電圧はＨｉｇｈ用の電圧と称し、Ｈｉｇｈ用の電圧の値をＨｉｇｈ用の電圧値と称する。閾値電圧を基準に０に該当する電圧はＬｏｗ用の電圧と称し、Ｌｏｗ用の電圧の値をＬｏｗ用の電圧値と称する。オーバードライブ時の電圧はオーバードライブ用の電圧と称し、オーバードライブ用の電圧の値は、オーバードライブ用の電圧値と称する。閾値電圧をハーフの電圧と称する。
【００４２】
また、センスアンプには、ｓａｅｏｄｚ＿ｎ（ｎは０〜３のいずれかの値である。）と、ｓａｅａｚ＿ｎと、ｓａｅｚ＿ｎと、が入力される。たとえば、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−０のセンスアンプであれば、ｓａｅｏｄｚ＿０と、ｓａｅａｚ＿０と、ｓａｅｚ＿０と、が入力される。
【００４３】
図６は、メモリセルの一例を示す説明図である。メモリセル６００は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ５００の各メモリセルの詳細例である。メモリセル６００はＭＯＳ６０１とキャパシタ６０２を有している。メモリセル６００は、キャパシタ６０２に電荷を蓄えるか否かによって１または０を記憶する。ＭＯＳ６０１のゲートはＷＬと接続され、ＭＯＳ６０１のソースはＢＬと接続され、ＭＯＳ６０１のドレインはキャパシタ６０２の一の端と接続されている。キャパシタ６０２の他の端はＰｌａｔｅ電位を供給する電源と接続されている。
【００４４】
図７は、センスアンプの一例を示す説明図である。センスアンプ７００は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ５００で示したセンスアンプの詳細例である。センスアンプ７００は、指定されたワード線上のメモリセルが１または０のいずれを記憶しているかを検知する。センスアンプ７００は、検知結果に基づいてメモリセルのデータを増幅する。
【００４５】
Ａは、ＰＭＯＳに電源電圧を供給する信号線である。Ｂは、ＮＭＯＳに電源電圧を供給する信号線である。Ｃは、プリチャージのためのハーフの電圧を供給する信号線である。Ｄは、プリチャージのための制御信号である。
【００４６】
ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの場合、ＭＯＳ７０３がオンし、センスアンプ７００へＬｏｗ用の電圧が供給されるため、たとえば、／ＢＬの電圧値はＬｏｗ用の電圧値となる。以降の説明ではＭＯＳ７０３の動作の記載を省略し、ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなると、センスアンプへＬｏｗ用の電圧が供給されることとする。
【００４７】
ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの場合、ＭＯＳ７０２がオンとなり、Ｈｉｇｈ用の電圧がセンスアンプ７００へ供給されるため、たとえば、ＢＬの電圧値はＨｉｇｈ用の電圧値となる。以降の説明ではＭＯＳ７０２の記載を省略し、ｓａｅａｚ＿ｎとなると、センスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給されることとする。
【００４８】
ｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間にＭＯＳ７０１がオンとなり、オーバードライブ用の電圧がセンスアンプ７００に供給されるため、ＢＬの電圧値はオーバードライブ用の電圧値となる。以降の説明ではＭＯＳ７０１の動作の記載を省略し、ｓａｅｏｄｚ＿ｎとなると、センスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給されることとする。
【００４９】
ここで、各ＭＥＭＯＲＹ  ＣＥＬＬ  ＡＲＲＡＹ３１１−ｉのセンスアンプの活性期間はすべて同一時間であるとし、期間ｘと期間ｙと期間ｚとに分けて説明する。期間ｘは、センスアンプの活性期間のうちセンスアンプの活性開始時刻から所定時間経過後の時刻までの期間である。該所定時間は、ＤＲＡＭ３００の設計者によって決定される。期間ｚは、センスアンプの活性期間のうち、センスアンプの活性終了の所定時間前の時刻からセンスアンプの活性終了時刻までの期間である。該所定時間は、ＤＲＡＭ３００の設計者によって決定される。期間ｙは、センスアンプの活性期間のうち、期間ｘと期間ｚの間の期間である。
【００５０】
図８は、期間ｘと期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。タイミングチャート８００では、リフレッシュ動作時に活性化されるセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘと期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す。なお、以降の説明では、ＢＬ側にＨが出力される例で説明する。
【００５１】
タイミングチャート８００では、ｗｌｏｎｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、指定されたＷＬが活性化されるため、指定されたＷＬの値がＨｉｇｈとなる。タイミングチャート８００では、センスアンプの活性期間にｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなることで、センスアンプへＬｏｗ用の電圧が供給され、／ＢＬの電圧値がＬｏｗ用の電圧値まで下がる。
【００５２】
タイミングチャート８００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘに、センスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００５３】
タイミングチャート８００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｙにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈである。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｙに、センスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧となる。
【００５４】
タイミングチャート８００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｚにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｚに、センスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給され、ＢＬ用の電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００５５】
図９は、期間ｘにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。タイミングチャート９００では、リフレッシュ動作時に活性化されるセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す。
【００５６】
タイミングチャート９００では、ｗｌｏｎｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、指定されたＷＬが活性化されるため、指定されたＷＬの値がＨｉｇｈとなる。タイミングチャート９００では、センスアンプの活性期間に、ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなることで、センスアンプへＬｏｗ用の電圧が供給され、／ＢＬの電圧値がＬｏｗ用の電圧値まで下がる。
【００５７】
タイミングチャート９００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘに、センスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００５８】
タイミングチャート９００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｙおよび期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈである。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｙおよび期間ｚに、センスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００５９】
図１０は、期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す説明図である。タイミングチャート１０００では、リフレッシュ動作時におけるセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚにセンスアンプをオーバードライブさせる際の信号例を示す。
【００６０】
タイミングチャート１０００では、ｗｌｏｎｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、指定されたＷＬが活性化されるため、指定されたＷＬの値がＨｉｇｈとなる。タイミングチャート１０００では、ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、センスアンプへＬｏｗ用の電圧が供給され、／ＢＬの電圧値が、Ｌｏｗ用の電圧値まで下がる。
【００６１】
タイミングチャート１０００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘおよび期間ｙに、ｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈである。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘおよび期間ｙに、センスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００６２】
タイミングチャート１０００では、センスアンプの活性期間のうちの期間ｚにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。これにより、センスアンプの活性期間のうちの期間ｚに、センスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００６３】
図１１は、センスアンプをオーバードライブさせない際の信号例を示す説明図である。タイミングチャート１１００では、リフレッシュ動作時におけるセンスアンプの活性期間にセンスアンプをオーバードライブさせない例を示す。
【００６４】
タイミングチャート１１００では、ｗｌｏｎｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、指定されたＷＬが活性化されるため、指定されたＷＬの値がＨｉｇｈとなる。タイミングチャート１１００では、ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間に、センスアンプへＬｏｗ用の電圧が供給され、／ＢＬの電圧値が、Ｌｏｗ用の電圧値まで下がる。
【００６５】
タイミングチャート１１００では、センスアンプの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈである。これにより、センスアンプの活性期間のうちに、センスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、ＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００６６】
図１２は、ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３０３の部分例を示す説明図である。ＣＯＭＭＡＮＤ  ＤＥＣＯＤＥＲ３００は、Ｃｏｍｍａｎｄ発生部１２０１とＤｅｌａｙ１２０２を有している。Ｃｏｍｍａｎｄ発生部１２０１は、ＣＳＢ端子３２４と、ＲＡＳＢ端子３２５と、ＣＡＳＢ端子３２６と、ＷＥＢ端子３２７と、から入力される値の組み合わせに応じてコマンドを判別し、内部信号を出力する。図１２では、内部信号はａｃｔｐｚ、ｐｒｅｐｚ、ｒｅｆｚ、ｒｅｆｐｚである。
【００６７】
ＡＣＴＶコマンドが入力された場合に、Ｃｏｍｍａｎｄ発生部１２０１はａｃｔｐｚを一定時間Ｈｉｇｈにする。ＰＲＥコマンドが入力された場合に、Ｃｏｍｍａｎｄ発生部１２０１はｐｒｅｐｚを一定時間Ｈｉｇｈにする。ＲＥＦコマンドが入力された場合に、Ｃｏｍｍａｎｄ発生部１２０１はｒｅｆｚとｒｅｆｐｚを一定時間Ｈｉｇｈにする。Ｄｅｌａｙ１２０２は、ｒｅｆｐｚを遅延させたｒｅｆｐｚｄを出力する。
【００６８】
図１３は、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７の部分例を示す説明図である。図１３では、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７の部分詳細例を示している。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、ｗｌｏｎｚ＿ｉ、ｓａｅａｚ＿ｉ、ｓａｅｏｄｚ＿ｉ、ｓａｅｚ＿ｉをそれぞれメモリバンク３０８＿ｉへ出力する。ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７は、選択回路１３０１と、選択回路１３０２と、インバータ１３０３と、Ｒｅｆカウンタ１３０４と、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３と、を有している。
【００６９】
Ｒｅｆカウンタ１３０４はリフレッシュ動作の動作順序を決定する信号（Ｓｔａｔｕｓ）を発行する。具体的には、たとえば、Ｒｅｆカウンタ１３０４は、リフレッシュの動作回数をカウントし、特定回数を超えると、Ｓｔａｔｕｓの値を反転させる。
【００７０】
選択回路１３０１は、Ｓｔａｔｕｓに応じてｒｅｆｐｚとｒｅｆｐｚｄのいずれか一方の信号が選択される。たとえば、Ｓｔａｔｕｓの値が０の場合、選択回路１３０１はｒｅｆｐｚの値を出力し、Ｓｔａｔｕｓの値が１の場合、選択回路１３０１はｒｅｆｐｚｄの値を出力する。
【００７１】
選択回路１３０２は、Ｓｔａｔｕｓに応じてｒｅｆｐｚとｒｅｆｐｚｄのいずれか一方の信号が選択される。たとえば、Ｓｔａｔｕｓの値が０の場合、選択回路１３０２はｒｅｆｐｚｄの値を出力し、Ｓｔａｔｕｓの値が１の場合、選択回路１３０２はｒｅｆｐｚの値を出力する。
【００７２】
すなわち、Ｓｔａｔｕｓの値が０の場合、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のバンク活性開始がメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のバンク活性開始よりも早くなる。Ｓｔａｔｕｓの値が１であれば、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のバンク活性開始が、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のバンク活性開始よりも遅くなる。
【００７３】
インバータ１３０３はＳＥＬの値の反転値をＣｏｒｅ制御回路１３１２とＣｏｒｅ制御回路１３１３へ出力する。ＳＥＬの値が０の場合、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプにオーバードライブをさせない。ＳＥＬの値が１の場合、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプにオーバードライブをさせない。
【００７４】
Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３は、それぞれｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３、ｓａｅａｚ＿０〜ｓａｅａｚ＿３、ｓａｅｏｄｚ＿０〜ｓａｅｏｄｚ＿３、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３を出力する。
【００７５】
図１４は、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３の一の例を示す説明図である。Ｃｏｒｅ制御回路１４００は、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のそれぞれの詳細例である。
【００７６】
Ｃｏｒｅ制御回路１４００は、ｗｌｏｎｚ＿ｎと、ｓａｅａｚ＿ｎと、ｓａｅｏｄｚ＿ｎと、ｓａｅｚ＿ｎと、を出力する。Ｃｏｒｅ制御回路１４００は、ＮＯＲ１４０１と、インバータ１４０２と、ＲＳラッチ１４０３と、バッファ１４０４と、Ｄｅｌａｙ１４０５と、ＮＡＮＤ１４０６と、Ｄｅｌａｙ１４０７と、ＡＮＤ１４０８と、を有している。Ｃｏｒｅ制御回路１４００は、ＮＡＮＤ１４１１と、ＮＡＮＤ１４１２と、組み合わせ回路１４１３と、Ｄｅｌａｙ１４１４と、インバータ１４１５と、インバータ１４１６と、組み合わせ回路１４１７と、組み合わせ回路１４１８と、を有している。
【００７７】
ここで、ＮＡＮＤ、ＮＯＲ、インバータのいずれか１素子を１段とし、図１４中奇数段とは該素子が奇数個並べられていることを示し、図１４中偶数段とは該素子が偶数個並べられていることを示している。
【００７８】
Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ＮＯＲ１４０１〜ＡＮＤ１４０８によってｗｌｏｎｚ＿ｎとｓａｅｚ＿ｎが出力される。Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ＮＡＮＤ１４１１〜組み合わせ回路１４１８によってｓａｅｏｄｚ＿ｎとｓａｅａｚ＿ｎが出力される。ｓａｅｚ＿ｎがセンスアンプの活性期間分Ｈｉｇｈとなる。Ｄｅｌａｙ１４１４は、具体的には、たとえば、ＮＯＲとインバータとの組み合わせである。
【００７９】
Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ｓｅｌの値がＬｏｗであれば、ｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＬｏｗのままとなる。Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ｓｅｌの値がＨｉｇｈであり、Ｓｔａの値がＨｉｇｈであれば、ｒｅｆｚの値がＬｏｗからＨｉｇｈとなると、センスアンプの活性期間のうちの期間ｘにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなり、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ｓｅｌの値がＨｉｇｈで、Ｅｎｄの値がＨｉｇｈで、ｏｄｚの値がＨｉｇｈの場合、ｒｅｆｚの値がＬｏｗからＨｉｇｈになると、センスアンプの活性期間のうちの期間ｚにｓａｅｏｄｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなる。そして、Ｃｏｒｅ制御回路１４００では、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＬｏｗとなる。
【００８０】
つぎに、同一リフレッシュ動作時に活性化されるセンスアンプ群のうち、一部のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせ、残余のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせない例を実施例１〜６を用いて説明する。
【００８１】
実施例１，３，５では、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせない。実施例１，３，５では、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプをオーバードライブさせる。実施例２，４，６では、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせる。実施例２，４，６では、リフレッシュ動作時に、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプをオーバードライブさせない。
【００８２】
（実施例１）
実施例１では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせない。実施例１では、リフレッシュ動作において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚにオーバードライブさせる。
【００８３】
実施例１における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｌｏｗ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｌｏｗ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｈｉｇｈ
【００８４】
図１５は、実施例１を示す説明図である。図１５では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。ＡＣＴＶはＡＣＴＶコマンドの入力を示し、ＰＲＥはＰＲＥコマンドの入力を示し、ＲＥＦはＲＥＦコマンドの入力を示している。タイミングチャート１５００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート１５００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【００８５】
タイミングチャート１５００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート１５００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間に、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００８６】
タイミングチャート１５００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘおよび期間ｙに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗである。タイミングチャート１５００では、該期間ｘおよび該期間ｙに、ｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｘおよび該期間ｙに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｘおよび該期間ｙに、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００８７】
タイミングチャート１５００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｚにｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１５００では、該期間ｚにｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｚに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｚに、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００８８】
（実施例２）
実施例２では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚにはオーバードライブさせる。実施例２では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプをオーバードライブさせない。
【００８９】
実施例２における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｈｉｇｈ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｌｏｗ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｌｏｗ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｈｉｇｈ
【００９０】
図１６は、実施例２を示す説明図である。図１６では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。タイミングチャート１６００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート１６００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【００９１】
タイミングチャート１６００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘおよび期間ｙに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート１６００では、該期間ｘおよび期間ｙにｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｘおよび該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｘおよび該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００９２】
タイミングチャート１６００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１６００では、該期間ｚにｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬがオーバードライブ用の電圧値となる。
【００９３】
タイミングチャート１６００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿２とｓａｅｏｄｚ＿２の値がＬｏｗである。タイミングチャート１６００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間に、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該活性期間に、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。実施例１と実施例２とは、ＳＥＬの値がＬｏｗであるかＨｉｇｈであるかによって切り替えることができる。
【００９４】
（実施例３）
実施例３では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせない。実施例３では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘにオーバードライブさせる。
【００９５】
実施例３における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｌｏｗ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｌｏｗ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｌｏｗ
【００９６】
図１７は、実施例３を示す説明図である。図１７では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。タイミングチャート１７００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート１７００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【００９７】
タイミングチャート１７００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート１７００では、該活性期間にｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間に、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該活性期間に、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【００９８】
タイミングチャート１７００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１７００では、該期間ｘに、ｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｘに、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【００９９】
タイミングチャート１７００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｙおよび期間ｚにｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗである。タイミングチャート１７００では、該期間ｙおよび該期間ｚに、ｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｙおよび該期間ｚに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｙおよび該期間ｚに、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１００】
（実施例４）
実施例４では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘにはオーバードライブさせる。実施例４では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプをオーバードライブさせない。
【０１０１】
実施例４における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｈｉｇｈ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｌｏｗ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｌｏｗ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｌｏｗ
【０１０２】
図１８は、実施例４を示す説明図である。図１８では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。タイミングチャート１８００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート１８００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【０１０３】
タイミングチャート１８００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘにｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１８００では、該期間ｘに、ｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｘに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１０４】
タイミングチャート１８００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｙおよび期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート１８００では、該期間ｙおよび該期間ｚに、ｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈとなる。これにより、該期間ｙおよび該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｙおよび該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１０５】
タイミングチャート１８００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗである。タイミングチャート１８００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間に、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。実施例３と実施例４とは、ＳＥＬが０であるか１であるかによって切り替えることができる。
【０１０６】
（実施例５）
実施例５では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせない。実施例５では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘと期間ｚにオーバードライブさせる。
【０１０７】
実施例５における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｌｏｗ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｈｉｇｈ
【０１０８】
図１９は、実施例５を示す説明図である。図１９では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。タイミングチャート１９００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート１９００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【０１０９】
タイミングチャート１９００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート１９００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間に、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該活性期間に、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬがＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１１０】
タイミングチャート１９００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１９００では、該活性期間に、ｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１１１】
タイミングチャート１９００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｙに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗである。タイミングチャート１９００では、該期間ｙに、ｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｙに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給され、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１１２】
タイミングチャート１９００では、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート１９００では、該期間ｚにｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｚに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１１３】
（実施例６）
実施例６では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘと期間ｚにオーバードライブさせる。実施例６では、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプをオーバードライブさせない。
【０１１４】
実施例６における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｈｉｇｈ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｌｏｗ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｈｉｇｈ
【０１１５】
図２０は、実施例６を示す説明図である。図２０では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３と、ｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３については省略している。タイミングチャート２０００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。タイミングチャート２０００では、アクティブ動作時にメモリバンク３０８−０のセンスアンプがオーバードライブされない。
【０１１６】
タイミングチャート２０００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート２０００では、該期間ｘに、ｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１１７】
タイミングチャート２０００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｙにｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート２０００では、該期間ｙにｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬがＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１１８】
タイミングチャート２０００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート２０００では、該期間ｚにｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｚに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１１９】
タイミングチャート２０００では、リフレッシュ動作によるメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間に、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗである。タイミングチャート２０００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈである。これにより、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプの活性期間にＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１２０】
図２１は、各実施例における信号の値を示す説明図である。図２１のテーブルでは、実施例１〜６で示した各信号の値を示している。テーブル２１００は、実施例の項目２１０１と、Ｓｔａｔｕｓの項目２１０２と、ＳＥＬの項目２１０３と、Ｓｔａの項目２１０４と、Ｅｎｄの項目２１０５と、を有している。
【０１２１】
実施例の項目２１０１には、実施例の番号が登録されている。−が実施例の項目２１０１に登録されている場合、実施例１〜６に挙げられていない例である。Ｓｔａｔｕｓの項目２１０２には、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７内のＳｔａｔｕｓの値が登録されている。ＳＥＬの項目２１０３には、ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ３０７内のＳＥＬの値が登録されている。Ｓｔａの項目２１０４には、各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａの値が登録されている。Ｅｎｄの項目２１０５には、各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄの値が登録されている。
【０１２２】
たとえば、Ｓｔａｔｕｓの値をＬｏｗに、ＳＥＬの値をＬｏｗに、Ｓｔａの値をＬｏｗに、Ｅｎｄの値をＨｉｇｈにすることで、図１５で示したタイミングチャート１５００の様にメモリバンク３０８−０〜メモリバンク３０８−３のそれぞれのＢＬが変化する。
【０１２３】
また、Ｓｔａｔｕｓの値をＨｉｇｈに、ＳＥＬの値をＬｏｗに、Ｓｔａの値をＬｏｗに、Ｅｎｄの値をＨｉｇｈにすると、実施例１で示した場合とオーバードライブの有無については同一である。そして、実施例１では、メモリバンク３０８−０のリフレッシュ動作とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作のそれぞれの開始が、メモリバンク３０８−２のリフレッシュ動作とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。Ｓｔａｔｕｓの値がＨｉｇｈの場合には、メモリバンク３０８−０のリフレッシュ動作開始とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２のリフレッシュ動作開始とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作開始よりも遅くなる。上述したＲｅｆカウンタ１３０４は、リフレッシュ動作の回数をカウントし、特定回数以上になると、Ｓｔａｔｕｓの値を反転させる。
【０１２４】
図２２は、Ｓｔａｔｕｓの値の切り替え例を示す説明図である。たとえば、ＤＲＡＭ３００の各メモリバンクがワード線をＷＬ０〜ＷＬ４０９５まで有しているとする。特定回数が４０９６であり、Ｒｅｆカウンタ１３０４が０〜４０９６をカウントごとにＳｔａｔｕｓの値を反転させる。
【０１２５】
図２２では、たとえば、１回目のＷＬ０〜ＷＬ４０９５までのリフレッシュ動作時には、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１がＡ動作を行う。メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３がＢ動作を行う。そして、２回目のＷＬ０〜ＷＬ４０９５までのリフレッシュ動作時には、Ｓｔａｔｕｓの値がＨｉｇｈになることで、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１がＢ動作を行い、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３がＡ動作を行う。たとえば、Ａ動作とＢ動作とはリフレッシュ動作であり、Ａ動作はオーバードライブが行われる動作であり、Ｂ動作は、オーバードライブが行われない動作である。これに限らず、Ａ動作はオーバードライブが行われない動作であり、Ｂ動作はオーバードライブが行われる動作であってもよい。
【０１２６】
（実施例７）
実施例７では、ＡＣＴＶコマンドによるアクティブ動作時に活性化されるセンスアンプは、必ずオーバードライブさせ、リフレッシュ動作時には一部のメモリバンクのセンスアンプのみオーバードライブさせる例を示す。
【０１２７】
図２３は、Ｃｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３の他の例を示す説明図である。Ｃｏｒｅ制御回路２３００は、実施例７の場合におけるＣｏｒｅ制御回路１３１０〜Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のそれぞれの詳細例である。
【０１２８】
Ｃｏｒｅ制御回路２３００は、ｗｌｏｎｚ＿ｎとｓａｅａｚ＿ｎと、ｓａｅｏｄｚ＿ｎと、ｓａｅｚ＿ｎと、を出力する。Ｃｏｒｅ制御回路２３００は、ＮＯＲ２３０１と、インバータ２３０２と、ＲＳラッチ２３０３と、バッファ２３０４と、Ｄｅｌａｙ２３０５と、ＮＡＮＤ２３０６と、Ｄｅｌａｙ２３０７と、ＡＮＤ２３０８と、を有している。Ｃｏｒｅ制御回路２３００は、組み合わせ回路２３１１と、組み合わせ回路２３１２と、組み合わせ回路２３１３と、Ｄｅｌａｙ２３１４と、インバータ２３１５と、インバータ２３１６と、組み合わせ回路２３１７と、組み合わせ回路２３１８と、を有している。
【０１２９】
図２３で示すＮＯＲ２３０１と、インバータ２３０２と、ＲＳラッチ２３０３と、バッファ２３０４とは、図１４で示したＮＯＲ１４０１と、インバータ１４０２と、ＲＳラッチ１４０３と、バッファ１４０４とそれぞれ同一である。図２３で示すＤｅｌａｙ２３０５と、ＮＡＮＤ２３０６と、Ｄｅｌａｙ２３０７と、ＡＮＤ２３０８とは、Ｄｅｌａｙ１４０５と、ＮＡＮＤ１４０６と、Ｄｅｌａｙ１４０７と、ＡＮＤ１４０８とそれぞれ同一である。
【０１３０】
図２３で示す組み合わせ回路２３１３とＤｅｌａｙ２３１４とは、図１４で示した組み合わせ回路１４１３と、Ｄｅｌａｙ１４１４とそれぞれ同一である。図２３で示すインバータ２３１５と、インバータ１４１６と、組み合わせ回路２３１７と、組み合わせ回路２３１８とは、図１４で示したインバータ１４１５と、インバータ１４１６と、組み合わせ回路１４１７と、組み合わせ回路１４１８とそれぞれ同一である。各素子間の接続関係も同一である。
【０１３１】
図１４で示したＣｏｒｅ制御回路１４００と図２３で示すＣｏｒｅ制御回路２３００とは、ＮＡＮＤ１４１１およびＮＡＮＤ１４１２と、組み合わせ回路２３１１および組み合わせ回路２３１２と、が異なる。
【０１３２】
ｒｅｆｚの値がＬｏｗからＨｉｇｈへの変化時以外にｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなる場合、ＳｔａとＥｎｄに応じてｓａｅｏｄｚ＿ｎとｓａｅａｚ＿ｎが変化する。すなわち、リフレッシュ動作時以外のセンスアンプの活性時には、ＳｔａとＥｎｄに応じてセンスアンプをオーバードライブさせる。
【０１３３】
Ｃｏｒｅ制御回路２３００では、ｒｅｆｚの値がＬｏｗからＨｉｇｈへの変化時に、ｓｅｌの値がＬｏｗの場合、ｓａｅｚ＿ｎの値がＨｉｇｈの期間にｓａｅｏｄｚ＿ｎの値をＬｏｗのままにし、ｓａｅａｚ＿ｎの値がＨｉｇｈとなる。すなわち、リフレッシュ動作時には、ｓｅｌの値がＬｏｗであると、センスアンプをオーバードライブさせない。
【０１３４】
実施例７では、アクティブ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプをオーバードライブさせ、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプをオーバードライブさせない。そして、リフレッシュ動作時において、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプを、それぞれのセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘと期間ｚにオーバードライブさせる。
【０１３５】
実施例７における各信号の値を下記に示す。
・Ｓｔａｔｕｓ＝Ｌｏｗ
・ＳＥＬ＝Ｌｏｗ（Ｃｏｒｅ制御回路１３１０のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１１のｓｅｌ＝Ｌｏｗ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１２のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ，Ｃｏｒｅ制御回路１３１３のｓｅｌ＝Ｈｉｇｈ）
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＳｔａ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のＥｎｄ＝Ｈｉｇｈ
・各Ｃｏｒｅ制御回路のｏｄｚ＝Ｈｉｇｈ
【０１３６】
図２４は、実施例７を示す説明図である。図２４では、ｗｌｏｎｚ＿０〜ｗｌｏｎｚ＿３とｓａｅｚ＿０〜ｓａｅｚ＿３とは記載していない。タイミングチャート２４００では、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１のリフレッシュ動作開始が、メモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−３のリフレッシュ動作の開始よりも早い。
【０１３７】
タイミングチャート２４００では、ＡＣＴＶコマンドによりメモリバンク３０８−０が指定された場合を例に挙げている。タイミングチャート２４００では、アクティブ動作時のメモリバンク３０８−０のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値がＨｉｇｈであり、ｓａｅａｚ＿０がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｘにメモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１３８】
タイミングチャート２４００では、アクティブ動作時のメモリバンク３０８−０のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｙに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値がＬｏｗであり、ｓａｅａｚ＿０の値がＨｉｇｈである。これにより、該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｙに、メモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１３９】
タイミングチャート２４００では、アクティブ動作時のメモリバンク３０８−０のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿０の値がＨｉｇｈであり、ｓａｅａｚ＿０の値がＬｏｗである。これにより、メモリバンク３０８−０のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｚに、メモリバンク３０８−０のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−０のＢＬが期間ｚにオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１４０】
タイミングチャート２４００では、リフレッシュ動作時のメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のそれぞれのセンスアンプの活性期間にｓａｅｏｄｚ＿０の値とｓａｅｏｄｚ＿１の値がＬｏｗである。タイミングチャート２４００では、該活性期間にｓａｅａｚ＿０の値とｓａｅａｚ＿１の値がＨｉｇｈである。これにより、該活性期間にメモリバンク３０８−０のセンスアンプとメモリバンク３０８−１のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該活性期間にメモリバンク３０８−０のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−１のＢＬの電圧値がＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１４１】
タイミングチャート２４００では、リフレッシュ動作時のメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｘに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート２４００では、該期間ｘにｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｘに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値が期間ｘにオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１４２】
タイミングチャート２４００では、リフレッシュ動作時のメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプの活性期間のうちの期間ｙにｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＬｏｗとなる。タイミングチャート２４００では、該期間ｙにｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＨｉｇｈとなる。これにより、該期間ｙに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへＨｉｇｈ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｙに、メモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値が期間ｙにＨｉｇｈ用の電圧値となる。
【０１４３】
タイミングチャート２４００では、リフレッシュ動作時のメモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプのそれぞれの活性期間のうちの期間ｚに、ｓａｅｏｄｚ＿２の値とｓａｅｏｄｚ＿３の値がＨｉｇｈである。タイミングチャート２４００では、該期間ｚにｓａｅａｚ＿２の値とｓａｅａｚ＿３の値がＬｏｗである。これにより、該期間ｚに、メモリバンク３０８−２のセンスアンプとメモリバンク３０８−３のセンスアンプへオーバードライブ用の電圧が供給される。したがって、該期間ｚにメモリバンク３０８−２のＢＬの電圧値とメモリバンク３０８−３のＢＬの電圧値がオーバードライブ用の電圧値となる。
【０１４４】
また、図示しないが、リフレッシュ動作を除く動作時に活性化されるセンスアンプはすべてオーバードライブさせる。そして、リフレッシュ動作時のみ一部のメモリバンクのセンスアンプのみオーバードライブさせ、残余のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせないこととしてもよい。
【０１４５】
また、上述のＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＥＥＲ３０７では、メモリバンク３０８−０およびメモリバンク３０８−１とメモリバンク３０８−２およびメモリバンク３０８−３とでグループ化している。これに限らず、たとえば、メモリバンク３０８−０およびメモリバンク３０８−２とメモリバンク３０８−１およびメモリバンク３０８−３とでグループ化してもよい。たとえば、メモリバンク３０８−０およびメモリバンク３０８−３とメモリバンク３０８−１およびメモリバンク３０８−２とでグループ化してもよい。たとえば、メモリバンク３０８−０とメモリバンク３０８−１〜メモリバンク３０８−３とでのように、グループごとにグループに属するメモリバンク数が異なっていてもよい。
【０１４６】
以上実施の形態で説明したように、半導体記憶装置によれば、複数のメモリバンクにおいて、同一のリフレッシュ動作時に活性化されるセンスアンプ群のうち、一部のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせる。該センスアンプ群のうち、残余のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせない。すなわち、すべてのメモリバンクのセンスアンプでオーバードライブを行わない。これにより、リフレッシュ動作時にオーバードライブによって発生する消費電流を減少させることができる。
【０１４７】
また、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を、残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くする。すなわち、一部のメモリバンクのリフレッシュ動作開始が、残余のメモリバンクのリフレッシュ動作開始よりも遅くする。したがって、残余のメモリバンクのリフレッシュ動作による一部のメモリバンクへの影響を、一部のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせることにより、軽減させることができる。
【０１４８】
また、異なるリフレッシュ動作時に、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を、残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くする。すなわち、一部のメモリバンクの動作開始と残余のメモリバンクの動作開始の順序を切り替える。これにより、一部のメモリバンクのリフレッシュ動作が継続して後続ＲＥＦである状態を防止することができ、一部のメモリバンクのリフレッシュ動作と残余のメモリバンクのリフレッシュ動作が、後続ＲＥＦとして行われる場合を分散させることができる。したがって、一部のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性と残余のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性に偏りが発生するのを防止することができる。メモリセルの記憶の特性とは、メモリセルのキャパシタに蓄えられる電荷の変動量である。
【０１４９】
また、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を、残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くする。すなわち、一部のメモリバンクのリフレッシュ動作開始が、残余のメモリバンクのリフレッシュ動作開始よりも早くする。したがって、他のリフレッシュ動作による影響がないときに、センスアンプをオーバードライブさせることにより、オーバードライブさせたメモリバンクの記憶の劣化を防止することができる。
【０１５０】
また、異なるリフレッシュ動作時に、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を、残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くする。すなわち、一部のメモリバンクの動作開始と残余のメモリバンクの動作開始を切り替える。これにより、残余のメモリバンクのリフレッシュ動作が継続して後続ＲＥＦである状態を防止することができ、一部のメモリバンクのリフレッシュ動作と残余のメモリバンクのリフレッシュ動作が、後続ＲＥＦとして行われる場合を分散させることができる。したがって、一部のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性と残余のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性に偏りが発生するのを防止することができる。
【０１５１】
また、一部のメモリバンクのセンスアンプを、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始から所定時間経過までの期間にオーバードライブさせる。これにより、一部のメモリバンクのセンスアンプのビット線の開きを早くさせることで、メモリセルへの書き込み動作を早くすることができる。
【０１５２】
また、一部のメモリバンクのセンスアンプを、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了より所定時間前から前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了までの期間にオーバードライブさせる。これにより、一部のメモリバンクのセンスアンプのビット線が閉じるときに、メモリセルへの書き込みの電荷量を増加させることができ、メモリセルへの書き込みを強化させることができる。
【０１５３】
また、一部のメモリバンクのセンスアンプを、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始から所定時間経過までの期間にオーバードライブさせる。さらに、一部のメモリバンクのセンスアンプを、一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了より所定時間前から前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了までの期間にオーバードライブさせる。これにより、一部のメモリバンクのセンスアンプのビット線の開きを早くさせことができ、一部のメモリバンクのセンスアンプのビット線が閉じるときに、メモリセルへの書き込みを強化させることができる。
【０１５４】
異なるリフレッシュ動作時に、一部のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせず、残余のメモリバンクのセンスアンプをオーバードライブさせる。オーバードライブの有無を切り替えることで、一部のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性と残余のメモリバンクのメモリセルの記憶の特性に偏りが発生するのを防止することができる。
【０１５５】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１５６】
（付記１）それぞれセンスアンプを有する複数のメモリバンクと、
前記複数のメモリバンクのリフレッシュ動作によって活性化されるセンスアンプ群のうち、一部のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性期間内の第１の期間で前記一部のメモリバンクのセンスアンプを活性状態にする第１の電圧値に、前記活性期間内の前記第１の期間とは異なる第２の期間で前記第１の電圧値より高い第２の電圧値にし、前記複数のメモリバンクのセンスアンプ群のうち、残余のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を前記第１の電圧値にする制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【０１５７】
（付記２）前記制御回路は、
前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くすることを特徴とする付記１に記載の半導体記憶装置。
【０１５８】
（付記３）前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くすることを特徴とする付記２に記載の半導体記憶装置。
【０１５９】
（付記４）前記制御回路は、
前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも遅くすることを特徴とする付記１に記載の半導体記憶装置。
【０１６０】
（付記５）前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記残余のメモリバンクのセンスアンプの活性開始を前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始よりも早くすることを特徴とする付記４に記載の半導体記憶装置。
【０１６１】
（付記６）前記第２の期間が、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始から所定時間経過までの期間であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
【０１６２】
（付記７）前記第２の期間が、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了より所定時間前から前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了までの期間であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
【０１６３】
（付記８）前記第２の期間が、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性開始から所定時間経過までの期間と、前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了より前記所定時間前から前記一部のメモリバンクのセンスアンプの活性終了までの期間であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
【０１６４】
（付記９）前記制御回路は、
前記リフレッシュ動作と異なるリフレッシュ動作時に、前記一部のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を前記第１の電圧値にし、前記残余のメモリバンクのセンスアンプへ供給する電圧値を、前記第１の期間で前記第１の電圧値に、前記第２の期間で前記第２の電圧値にすることを特徴とする付記１乃至８のいずれか一つに記載の半導体記憶装置。
【符号の説明】
【０１６５】
３００  ＤＲＡＭ
３０７  ＭＥＭＯＲＹ  ＣＯＲＥ  ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ
３０８−０，３０８−１，３０８−２，３０８−３  メモリバンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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