(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１以上の光学的に透明な導電層、及び
（ｂ）１〜１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層
を含んでなる透明電極であって、前記光学的に透明な導電層が前記光学的に透明な中間層に接触しており、前記光学的に透明な導電層が１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有し、前記光学的に透明な中間層が室温で１０-12Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する材料であって下記の構造式（Ｉ）を有する繰返し単位を含むアミン置換ポリマー材料からなる、透明電極。
【化１】
0005442997.tif 000007
（式中、Ａはフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン及びフルオレニレンからなる群から選択される芳香族基であり、Ｒ1及びＲ2は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ30脂肪族基又はＣ3〜Ｃ30脂環式基であり、「ｐ」は１からＡ上における置換のために利用できる位置の最大数までの整数である。）
【請求項２】
前記透明な導電層が１種以上の金属酸化物からなる、請求項１記載の透明電極。
【請求項３】
前記金属酸化物が、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛インジウムスズ、酸化アンチモン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項２記載の透明電極。
【請求項４】
前記透明な導電層が１種以上のゼロ原子価金属からなる、請求項１記載の透明電極。
【請求項５】
前記ゼロ原子価金属が、マグネシウム、カルシウム、バリウム、銅、銀、金、アルミニウム、水銀、ニッケル、白金及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項４記載の透明電極。
【請求項６】
前記透明な導電層が酸化インジウムスズからなる、請求項１記載の透明電極。
【請求項７】
前記アミン置換ポリマー材料がジアルキルアミノ基、モノアルキルアミノ基又はＮＨ2基の１以上を含む、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の透明電極。
【請求項８】
前記アミン置換ポリマー材料が、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−エチルメチルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノメチル）スチレン］及びこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の透明電極。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の透明電極を含んでなる発光デバイス。
【請求項１０】
（ａ）１以上の光学的に透明な導電層、
（ｂ）１〜１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層、及び
（ｃ）１以上の電気活性有機層
を含んでなる発光デバイスであって、
前記光学的に透明な導電層が前記光学的に透明な中間層に接触しており、前記光学的に透明な導電層が１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有し、前記光学的に透明な中間層が室温で１０-12Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する材料であって下記の構造式（Ｉ）を有する繰返し単位を含むアミン置換ポリマー材料からなる、発光デバイス。
【化２】
0005442997.tif 000008
（式中、Ａはフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン及びフルオレニレンからなる群から選択される芳香族基であり、Ｒ1及びＲ2は独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ30脂肪族基又はＣ3〜Ｃ30脂環式基であり、「ｐ」は１からＡ上における置換のために利用できる位置の最大数までの整数である。）
【請求項１１】
前記透明な導電層が１種以上の金属酸化物からなる、請求項１０記載の透明電極。
【請求項１２】
前記透明な導電層が１種以上のゼロ原子価金属からなる、請求項１０記載の発光デバイス。
【請求項１３】
透明電子デバイスの製造方法であって、当該方法が、
基板を用意する段階、
１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する透明な導電層を配設する段階、及び
１〜１００Åの厚さ、室温で１０-12Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する透明な中間層を配設する段階
を含んでなり、透明な中間層が下記の構造式（Ｉ）で示される繰返し単位を有するアミン置換ポリマー材料からなる、方法。
【化３】
0005442997.tif 000009
（式中、Ａはフェニレン、ナフチレン、アントラセニレン及びフルオレニレンからなる群から選択される芳香族基であり、Ｒ1及びＲ2は互いに独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ30脂肪族基又はＣ3〜Ｃ30脂環式基であり、「ｐ」は１からＡ上における置換のために利用できる位置の最大数までの整数である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中間層に接触した１以上の導電層を含む透明電極、及びかかる透明電極から製造した電極デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）は、現行のディスプレイ用途及び潜在的な一般照明用途の点から大きな関心を集めている。通例、ＯＬＥＤは、透明な酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）コンタクト上に活性有機層を堆積させ、次いでＣａ／Ａｌ及びＮａＦ／Ａｌのような不透明の低仕事関数金属陰極でキャップしてなる「底面発光型」構成で製造される。かかるデザインでは、ＩＴＯは、その仕事関数が有機発光材料の最低占有分子軌道（ＬＵＭＯ）より最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）に近いので陽極として働く。最近、上面から（上面発光型又は表面発光型）或いは底面及び上面の両方から（透明ＯＬＥＤ（ＴＯＬＥＤという））光を放出し得るＯＬＥＤの製造に対する関心が高まってきた。上面発光型構造の開発動機は、ＯＬＥＤディスプレイを、すべての駆動電子素子（例えば、薄膜トランジスター）が不透明基板上に形成される既存の無機質系チップ技術と統合することの必要性によって与えられたものである。ＴＯＬＥＤはいくつかの理由で魅力的である。例えば、ＴＯＬＥＤ技術は、他の既存技術を用いて達成することが難しいある種の特殊用途（例えば、ヘッドアップディスプレイや透視型ビジュアルサイン）を可能にする。加えて、ＴＯＬＥＤは、複数のＯＬＥＤ構成要素を垂直に積み重ねてなる積層型及びタンデム型デバイスのような新しいデバイス構造も可能にする。適宜に調整された個別の素子（例えば、赤色、緑色及び青色素子）を用いた積層型ＯＬＥＤは、高効率で長寿命のデバイス、フルカラーの高解像度フラットパネルディスプレイ及び／又は調色可能な光源の開発の可能性を有している。
【０００３】
ＴＯＬＥＤ技術の開発を妨げるいくつかの障害が存在している。第一に、効率のよいＴＯＬＥＤを与える新しい代替デバイス構造を提供する必要がある。加えて、ＴＯＬＥＤへの低コストアクセスを可能にする材料及び方法も必要である。
【特許文献１】米国特許第５，７０３，４３６号公報
【特許文献２】米国特許第５，９９８，８０３号公報
【特許文献３】米国特許第６，４２０，０３１号公報
【特許文献４】米国特許第６，４６９，４３７号公報
【特許文献５】米国特許第６，８４７，１６２号公報
【特許文献６】米国特許第６，８８５，１４９号公報
【非特許文献１】Ｌｅｎｉ  Ａｋｃｅｌｒｕｄ，“Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌｕｍｅ  ２８，ｐｐ．８７５−９６２，２００３．
【非特許文献２】Ｇ．Ｇｕ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ６８，Ｎｏ．１９，ｐｐ．２６０６−２６０８，Ｍａｙ  １９９６．
【非特許文献３】Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｗｓ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｓｅｍｉｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｆｏｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ８７，Ｎｏ．６，ｐｐ．３０８０−３０８５，Ｍａｒｃｈ  ２０００．
【非特許文献４】Ｇ．Ｇｕ  ｅｔ  ａｌ．，“Ａ  Ｍｅｔａｌ−Ｆｒｅｅ，Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ  Ｓｔａｃｋｅｄ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ”，Ｖｏｌｕｍｅ  ７４，Ｎｏ．２，ｐｐ．３０５−３０７，Ｊａｎｕａｒｙ  １９９９．
【非特許文献５】Ｓ．Ｈａｎ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ−Ｃａｔｈｏｄｅ  ｆｏｒ  Ｔｏｐ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ８２，Ｎｏ．１６，ｐｐ．２７１５−２７１７．
【非特許文献６】Ｕｌｌｒｉｃｈ  Ｍｉｔｓｃｈｋｅ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌｕｍｅ  １０，ｐｐ．１４７１−１５０７，２０００．
【非特許文献７】Ｇ．Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙ  ｅｔ  ａｌ．，“Ａ  Ｍｅｔａｌ−Ｆｒｅｅ  Ｃａｔｈｏｄｅ  ｆｏｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ７２，Ｎｏ．１７，Ａｐｒｉｌ  １９９８．
【非特許文献８】Ａｓｕｋａ  Ｙａｍａｍｏｒｉ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｍｅｔａｌ  Ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  Ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ  ａｓ  ａｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｖｅ  Ｂｕｆｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ”，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ  ７８，Ｎｏ．２１，ｐｐ．３３４３−３３４５，Ｍａｙ  ２００１．
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
一実施形態では、本発明は、
（ａ）１以上の光学的に透明な導電層、及び
（ｂ）約１〜約１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層
を含んでなる透明電極であって、前記光学的に透明な導電層は前記光学的に透明な中間層に接触しており、前記光学的に透明な導電層は１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有し、前記光学的に透明な中間層は室温で約１０−１２Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する材料からなる透明電極を提供する。
【０００５】
別の実施形態では、本発明は、
（ａ）１以上の光学的に透明な導電層、
（ｂ）約１〜約１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層、及び
（ｃ）１以上の電気活性有機層
を含んでなる発光デバイスであって、前記光学的に透明な導電層は前記光学的に透明な中間層に接触しており、前記光学的に透明な導電層は１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有し、前記光学的に透明な中間層は室温で約１０−１２Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する材料からなる発光デバイスを提供する。
【０００６】
さらに別の実施形態では、本発明は、透明電子デバイスの製造方法であって、当該方法は
基板を用意する段階、
１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有する透明な導電層を配設する段階、及び
約１〜約１００Åの厚さ、室温で約１０−１２Ｓ／ｃｍ未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する透明な中間層を配設する段階
を含んでなり、透明な中間層はフッ化ナトリウム、酸化カルシウム、又は下記の構造式（Ｉ）で示されるような繰返し単位を有するアミン置換ポリマー材料からなる方法を提供する。
【０００７】
【化１】
0005442997.tif 000002
（式中、Ａは芳香族基であり、Ｒ１及びＲ２は互いに独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ３０脂肪族基、Ｃ３〜Ｃ３０脂環式基、Ｃ３〜Ｃ３０芳香族基又はこれらの任意の組合せからなり、「ｐ」は１からＡ上における置換のために利用できる位置の最大数までの整数である。）
図面の簡単な説明
本発明の上記その他の特徴、態様及び利点は、添付の図面を参照しながら以下の詳しい説明を読んだ場合に一層よく理解されよう。添付の図面中では、図面全体を通じて類似の部品は同一の符号で表されている。
【０００８】
図１は、例示的な電子デバイス構造の側面図である。
【０００９】
図２は、別の例示的な電子デバイス構造の側面図である。
【００１０】
図３は、例示的な積層型／タンデム型電子デバイス構造の側面図である。
【００１１】
図４は、図３に示した積層型／タンデム型電子デバイス構造の例示的な変形例の側面図である。
【００１２】
図５は、電子デバイスの例示的な構造のさらに別の実施形態を示している。
【００１３】
図６は、電子デバイスの例示的な構造のさらに別の実施形態を示している。
【００１４】
図７は、例示的な電子デバイス構造を形成するための例示的な方法段階を示している。
【００１５】
図８は、別の例示的な構成の電子デバイス構造を形成するための例示的な方法段階を示している。
【００１６】
図９は、比較例２に記載した方法で製造された裸のＩＴＯ陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【００１７】
図１０は、比較例２に記載した方法で製造された裸のＩＴＯ陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【００１８】
図１１は、実施例３に記載した方法で製造されたＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【００１９】
図１２は、実施例３に記載した方法で製造されたＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【００２０】
図１３は、実施例４に記載した方法で製造されたＮａＦ／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【００２１】
図１４は、実施例４に記載した方法で製造されたＮａＦ／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の好ましい実施形態及びその実施例に関する以下の詳しい説明を参照することで本発明の理解を深めることができよう。本明細書及び特許請求の範囲では多くの用語を用いるが、これらは以下の意味をもつものと定義される。
【００２３】
単数形で記載したものであっても、前後関係から明らかでない限り、複数の場合も含めて意味する。
【００２４】
「任意の」又は「任意には」という用語は、その用語に続いて記載された事象又は状況が起きても起きなくてもよいことを意味しており、かかる記載はその事象又は状況が起こる場合と起こらない場合を包含する。
【００２５】
本明細書中で使用する「芳香族基」という用語は、１以上の芳香族原子団を含む原子価１以上の原子配列をいう。１以上の芳香族原子団を含む原子価１以上の原子配列は、窒素、硫黄、セレン、ケイ素及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。本明細書中で使用する「芳香族基」という用語は、特に限定されないが、フェニル基、ピリジル基、フラニル基、チエニル基、ナフチル基、フェニレン基及びビフェニル基を包含する。上述の通り、芳香族基は１以上の芳香族原子団を含む。芳香族原子団は常に４ｎ＋２（式中、「ｎ」は１以上の整数である。）の「非局在化」電子を有する環状構造であり、フェニル基（ｎ＝１）、チエニル基（ｎ＝１）、フラニル基（ｎ＝１）、ナフチル基（ｎ＝２）、アズレニル基（ｎ＝２）、アントラセニル基（ｎ＝３）などで例示される。芳香族基はまた、非芳香族成分も含み得る。例えば、ベンジル基はフェニル環（芳香族原子団）及びメチレン基（非芳香族成分）からなる芳香族基である。同様に、テトラヒドロナフチル基は芳香族原子団（Ｃ６Ｈ３）が非芳香族成分−(ＣＨ２)４−に縮合してなる芳香族基である。便宜上、本明細書中での「芳香族基」という用語は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、ハロ芳香族基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基（例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体）、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、４−メチルフェニル基はメチル基を含むＣ７芳香族基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、２−ニトロフェニル基はニトロ基を含むＣ６芳香族基であり、ニトロ基が官能基である。芳香族基は、４−トリフルオロメチルフェニル、ヘキサフルオロイソプロピリデンビス（４−フェン−１−イルオキシ）（即ち、−ＯＰｈＣ(ＣＦ３)２ＰｈＯ−）、４−クロロメチルフェン−１−イル、３−トリフルオロビニル−２−チエニル、３−トリクロロメチルフェン−１−イル（即ち、３−ＣＣｌ３Ｐｈ−）、４−（３−ブロモプロプ−１−イル）フェン−１−イル（即ち、４−ＢｒＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｐｈ−）などのハロゲン化芳香族基を包含する。芳香族基のさらに他の例には、４−アリルオキシフェン−１−オキシ、４−アミノフェン−１−イル（即ち、４−Ｈ２ＮＰｈ−）、３−アミノカルボニルフェン−１−イル（即ち、ＮＨ２ＣＯＰｈ−）、４−ベンゾイルフェン−１−イル、ジシアノメチリデンビス（４−フェン−１−イルオキシ）（即ち、−ＯＰｈＣ(ＣＮ)２ＰｈＯ−）、３−メチルフェン−１−イル、メチレンビス（フェン−４−イルオキシ）（即ち、−ＯＰｈＣＨ２ＰｈＯ−）、２−エチルフェン−１−イル、フェニルエテニル、３−ホルミル−２−チエニル、２−ヘキシル−５−フラニル、ヘキサメチレン−１，６−ビス（４−フェン−１−イルオキシ）（即ち、−ＯＰｈ(ＣＨ２)６ＰｈＯ−）、４−ヒドロキシメチルフェン−１−イル（即ち、４−ＨＯＣＨ２Ｐｈ−）、４−メルカプトメチルフェン−１−イル（即ち、４−ＨＳＣＨ２Ｐｈ−）、４−メチルチオフェン−１−イル（即ち、４−ＣＨ３ＳＰｈ−）、���−メトキシフェン−１−イル、２−メトキシカルボニルフェン−１−イルオキシ（例えば、メチルサリチル）、２−ニトロメチルフェン−１−イル（即ち、２−ＮＯ２ＣＨ２Ｐｈ）、３−トリメチルシリルフェン−１−イル、４−ｔ−ブチルジメチルシリルフェン−１−イル、４−ビニルフェン−１−イル、ビニリデンビス（フェニル）などがある。「Ｃ３〜Ｃ１０芳香族基」という用語は、３以上で１０以下の炭素原子を含む芳香族基を包含する。芳香族基１−イミダゾリル（Ｃ３Ｈ２Ｎ２−）はＣ３芳香族基を代表する。ベンジル基（Ｃ７Ｈ８−）はＣ７芳香族基を代表する。
【００２６】
本明細書中で使用する「脂環式基」という用語は、環状であるが芳香族でない原子配列を含む原子価１以上の基をいう。本明細書中で定義される「脂環式基」は、芳香族原子団を含まない。「脂環式基」は１以上の非環式成分を含み得る。例えば、シクロヘキシルメチル基（Ｃ６Ｈ１１ＣＨ２−）は、シクロヘキシル環（環状であるが芳香族でない原子配列）及びメチレン基（非環式成分）からなる脂環式基である。脂環式基は、窒素、硫黄、セレン、ケイ素及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。便宜上、本明細書中での「脂環式基」という用語は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基（例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体）、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、４−メチルシクロペント−１−イル基はメチル基を含むＣ６脂環式基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、２−ニトロシクロブト−１−イル基はニトロ基を含むＣ４脂環式基であり、ニトロ基が官能基である。脂環式基は、同一のもの又は相異なるものであり得る１以上のハロゲン原子を含み得る。ハロゲン原子には、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素がある。１以上のハロゲン原子を含む脂環式基には、２−トリフルオロメチルシクロヘキス−１−イル、４−ブロモジフルオロメチルシクロオクト−１−イル、２−クロロジフルオロメチルシクロヘキス−１−イル、ヘキサフルオロイソプロピリデン−２，２−ビス（シクロヘキス−４−イル）（即ち、−Ｃ６Ｈ１０Ｃ(ＣＦ３)２Ｃ６Ｈ１０−）、２−クロロメチルシクロヘキス−１−イル、３−ジフルオロメチレンシクロヘキス−１−イル、４−トリクロロメチルシクロヘキス−１−イルオキシ、４−ブロモジクロロメチルシクロヘキス−１−イルチオ、２−ブロモエチルシクロペント−１−イル、２−ブロモプロピルシクロヘキス−１−イルオキシ（例えば、ＣＨ３ＣＨＢｒＣＨ２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）などがある。脂環式基のさらに他の例には、４−アリルオキシシクロヘキス−１−イル、４−アミノシクロヘキス−１−イル（即ち、Ｈ２ＮＣ６Ｈ１０−）、４−アミノカルボニルシクロペント−１−イル（即ち、ＮＨ２ＣＯＣ５Ｈ８−）、４−アセチルオキシシクロヘキス−１−イル、２，２−ジシアノイソプロピリデンビス（シクロヘキス−４−イルオキシ）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０Ｃ(ＣＮ)２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、３−メチルシクロヘキス−１−イル、メチレンビス（シクロヘキス−４−イルオキシ）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、１−エチルシクロブト−１−イル、シクロプロピルエテニル、３−ホルミル−２−テトラヒドロフラニル、２−ヘキシル−５−テトラヒドロフラニル、ヘキサメチレン−１，６−ビス（シクロヘキス−４−イルオキシ）（即ち、−ＯＣ６Ｈ１０(ＣＨ２)６Ｃ６Ｈ１０Ｏ−）、４−ヒドロキシメチルシクロヘキス−１−イル（即ち、４−ＨＯＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、４−メルカプトメチルシクロヘキス−１−イル（即ち、４−ＨＳＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、４−メチルチオシクロヘキス−１−イル（即ち、４−ＣＨ３ＳＣ６Ｈ１０−）、４−メトキシシクロヘキス−１−イル、２−メトキシカルボニルシクロヘキス−１−イルオキシ（２−ＣＨ３ＯＣＯＣ６Ｈ１０Ｏ−）、４−ニトロメチルシクロヘキス−１−イル（即ち、ＮＯ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、３−トリメチルシリルシクロヘキス−１−イル、２−ｔ−ブチルジメチルシリルシクロペント−１−イル、４−トリメトキシシリルエチルシクロヘキス−１−イル（例えば、(ＣＨ３Ｏ)３ＳｉＣＨ２ＣＨ２Ｃ６Ｈ１０−）、４−ビニルシクロヘキセン−１−イル、ビニリデンビス（シクロヘキシル）などがある。「Ｃ３〜Ｃ１０脂環式基」という用語は、３以上で１０以下の炭素原子を含む脂環式基を包含する。脂環式基２−テトラヒドロフラニル（Ｃ４Ｈ７Ｏ−）はＣ４脂環式基を代表する。シクロヘキシルメチル基（Ｃ６Ｈ１１ＣＨ２−）はＣ７脂環式基を代表する。
【００２７】
本明細書中で使用する「脂肪族基」という用語は、環状でない線状又は枝分れ原子配列からなる原子価１以上の有機基をいう。脂肪族基は１以上の炭素原子を含むものと定義される。脂肪族基をなす原子配列は、窒素、硫黄、ケイ素、セレン及び酸素のようなヘテロ原子を含んでいてもよく、或いは炭素及び水素のみから構成されていてもよい。便宜上、本明細書中での「脂肪族基」という用語は、「環状でない線状又は枝分れ原子配列」の一部として、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ハロアルキル基、共役ジエニル基、アルコール基、エーテル基、アルデヒド基、ケトン基、カルボン酸基、アシル基（例えば、エステルやアミドのようなカルボン酸誘導体）、アミン基、ニトロ基などの広範囲の官能基を含むものと定義される。例えば、４−メチルペント−１−イル基はメチル基を含むＣ６脂肪族基であり、メチル基がアルキル基である官能基である。同様に、４−ニトロブト−１−イル基はニトロ基を含むＣ４脂肪族基であり、ニトロ基が官能基である。脂肪族基は、同一のもの又は相異なるものであり得る１以上のハロゲン原子を含むハロアルキル基であり得る。ハロゲン原子には、例えば、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素がある。１以上のハロゲン原子を含む脂肪族基には、ハロゲン化アルキルであるトリフルオロメチル、ブロモジフルオロメチル、クロロジフルオロメチル、ヘキサフルオロイソプロピリデン、クロロメチル、ジフルオロビニリデン、トリクロロメチル、ブロモジクロロメチル、ブロモエチル、２−ブロモトリメチレン（例えば、−ＣＨ２ＣＨＢｒＣＨ２−）などがある。脂肪族基のさらに他の例には、アリル、アミノカルボニル（即ち、−ＣＯＮＨ２）、カルボニル、２，２−ジシアノイソプロピリデン（即ち、−ＣＨ２Ｃ(ＣＮ)２ＣＨ２−）、メチル（即ち、−ＣＨ３）、メチレン（即ち、−ＣＨ２−）、エチル、エチレン、ホルミル（即ち、−ＣＨＯ）、ヘキシル、ヘキサメチレン、ヒドロキシメチル（即ち、−ＣＨ２ＯＨ）、メルカプトメチル（即ち、−ＣＨ２ＳＨ）、メチルチオ（即ち、−ＳＣＨ３）、メチルチオメチル（即ち、−ＣＨ２ＳＣＨ３）、メトキシ、メトキシカルボニル（即ち、ＣＨ３ＯＣＯ−）、ニトロメチル（即ち、−ＣＨ２ＮＯ２）、チオカルボニル、トリメチルシリル（即ち、(ＣＨ３)３Ｓｉ−）、ｔ−ブチルジメチルシリル、３−トリメトキシシリルプロピル（即ち、(ＣＨ３Ｏ)３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−）、ビニル、ビニリデンなどがある。さらに他の例としては、Ｃ１〜Ｃ１０脂肪族基は１以上で１０以下の炭素原子を含む。メチル基（即ち、ＣＨ３−）はＣ１脂肪族基の例である。デシル基（即ち、ＣＨ３(ＣＨ２)９−）はＣ１０脂肪族基の例である。
【００２８】
前述の通り、本発明は、１以上の光学的に透明な導電層、及び約１〜約１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層を含んでなる透明電極を提供する。光学的に透明な導電層は光学的に透明な中間層に接触していればよく、光学的に透明な導電層は１００Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するのに対し、光学的に透明な中間層は室温で約１０−１２（Ｓ／ｃｍ）未満のバルク導電率及び３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する材料からなる。やはり前述の通り、本発明は、１以上の光学的に透明な導電層、及び約１〜約１００Åの厚さを有する１以上の光学的に透明な中間層を含んでなる透明電極を含む発光デバイスも提供する。
【００２９】
図面を参照すれば、図１は例示的な電子デバイス構造１０の側面図を示している。ここに示す略図は一定の尺度で描かれていないことを理解すべきである。電子デバイス１０は基板１２を含んでいる。基板は、金属、被覆金属、平面化金属、ガラス、プラスチック材料、被覆プラスチック材料、熱可塑性材料、熱硬化性材料、エラストマー材料又はこれらの任意の組合せからなり得る。基板は第１の導電層１４に接触している。第１の導電層は１種以上のゼロ原子価金属（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなど）からなり得るか、或いは第１の導電層は１種以上の金属酸化物（例えば、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム亜鉛など）からなり得るか、或いは第１の導電層は１種以上の導電性有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）からなり得るか、或いは第１の導電層は上述のものの２種以上を任意の組合せで含み得る（例えば、第１の導電層が２種のゼロ原子価金属及び３種の導電性有機材料を含むが金属酸化物を含まない場合）。さらに別の実施形態では、第１の導電層は２種以上の金属酸化物及び２種の導電性有機材料を含むが、ゼロ原子価金属を含まない。別法として、第１の導電層は、１種以上のゼロ原子価金属、１種以上の金属酸化物及び１種以上の導電性有機材料のそれぞれを任意の組合せで含み得る。第１の導電層は電気活性有機層１６に接触している。１以上のかかる電気活性有機層が存在し得ることに注意すべきである。電気活性有機層は中間層１８に接触している。中間層は有機材料又は無機材料から形成できる。中間層が有機材料である場合、それはポリマー材料又は小分子化合物であり得る。第２の導電層２０が中間層１８に接触している。第２の導電層は第１の導電層と同じ材料から形成でき、或いは異なる材料から形成できる。通例、第１の導電層と第２の導電層との間に所要量の電圧を印加することでデバイスを動作させる。
【００３０】
２以上の中間層、２以上の電気活性層、２以上の導電層などを他の層と共に有する積層型デバイスを製造することで、各種の構成を実現できる。一般に、各種の層の適当な組合せを用いることで、電子デバイスは性能の向上を示すか、或いは様々な用途に関する規格を満足する。図２は、本発明の別の実施形態に係る電子デバイスの側面図を示している。電子デバイス構造２２は１以上の電気活性有機層１６を含んでいる。電気活性有機層１６は中間層１８に接触している。中間層１８は導電層２０に接触している。
【００３１】
透明電極を使用する積層型電子デバイスのさらに別の例及び変種は、１以上の金属層、１以上の電荷輸送層、１以上の電荷注入層又はこれらの組合せを追加の層として含んでいる。図３は、電気活性有機層１６、金属層２６、中間層１８及び導電層２０を含む積層型／タンデム型デバイス２４の一実施形態を示している。図４は、図３に記載した構成の変形例をなす本発明のさらに別の実施形態を示している。電子デバイス２８は電気活性有機層１６を含み、次いでこれは中間層１８に接触しており、次いでこれは金属層２６に接触しており、最後にこれは導電層２０で被覆されている。金属層２６は導電層２０と共に導電層として機能することに注意すべきである。かくして、中間層２０は導電層２０の金属層２６部分に接触している。
【００３２】
図５は、本発明のさらに別の実施形態として別の構成の電子デバイス３０を示している。電気活性有機層１６は第１の金属層２６に接触している。第１の金属層は中間層１８に接触しており、次いでこれは第２の金属層２６に接触している結果、中間層は２つの金属層の間にサンドイッチされている。第１の金属層及び第２の金属層は、デバイス内において同一の金属又は相異なる金属から形成できる。最後に、第２の金属層は導電層２０に接触している。かくして、中間層は導電層２０の金属層２６部分に接触している。
【００３３】
図６は、本発明のさらに別の態様としてさらに別の構成の電子デバイス３２を示している。電気活性有機層１６は第１の中間層１８に接触している。第１の中間層は金属層２６に接触しており、次いでこれは第２の中間層１８に接触している結果、金属層は２つの中間層の間にサンドイッチされている。最後に、第２の中間層は導電層２０に接触している。
【００３４】
図７は、電子デバイスを製造するために実施される方法段階３４を示している。第１の段階３６は、中間層を用意することを含む。次いで、番号３８で示すように、中間層を導電層で被覆する。かかる被覆は、当技術分野で公知の技法（例えば、熱蒸着、スパッタリングなど）で達成できる。
【００３５】
図８は、異なる構成の電子デバイスを製造するために実施される方法段階４０を示している。第１の段階４２は、基板を用意することを含む。番号４４で示すように、基板を第１の導電層で被覆する。次いで、段階４６に示すように、第１の導電層を１以上の電気活性有機層で被覆する。次に、４８で示すように、電気活性有機層を中間層で被覆する。次いで、段階５０に示すように、中間層を第２の導電層で被覆する。各段階の被覆は、同一の技法又は各段階ごとに異なる技法を実施することで達成できる。実施する被覆方法は、選択される材料及び製造すべき最終デバイスに依存するが、当業者にとって自明であろう。
【００３６】
本発明の一態様は光学的に透明な電極であり、これは電子デバイス中に含まれる。かかる電極は、光学的に透明な導電層及び透明な導電層に接触した中間層を含んでいる。中間層は有機材料、無機材料又はこれらの組合せで形成される。一実施形態では、中間層は、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化バリウム、塩化ナトリウムなどの金属ハロゲン化物、酸化カルシウム、酸化バリウムなどの金属酸化物、及びこれらの組合せからなる群から選択される無機材料である。中間層が有機材料である場合、それはポリマー材料又は非ポリマー材料で形成できる。中間層として使用できる好適なポリマー材料には、例えば、ポリ（α−オレフィン）、ポリ（アルケニル芳香族）、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、上述のものの２種以上のコポリマー、及びこれらのブレンドがある。「上述のものの２種以上のコポリマー」とは、コポリマー中に存在する構造単位が記載される個別ポリマーの各々に由来する構造単位を含むことを意味する。光学的に透明な導電層は１種以上の導電性材料からなる。使用できる導電性材料には、例えば、ゼロ原子価金属（例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなど）、金属酸化物含有材料（例えば、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム亜鉛など）、導電性有機材料（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）及びこれらの任意の組合せがある。
【００３７】
一実施形態では、中間層は１種以上のアミン置換ポリマー材料、１種以上のアミン置換非ポリマー材料又はこれらの組合せからなる。アミン置換ポリマー材料は、ホモポリマー、コポリマー（ランダム又はブロックコポリマー）又はこれらの任意の組合せであり得る。一実施形態では、アミン置換ポリマー材料は１以上のアミン基を有し得る。さらに、アミン基はポリマー材料の繰返し単位中に存在していてもよいし、及び／又はポリマー材料の末端基中に存在していてもよい。アミン置換基を有する非ポリマー材料は、有利には、電子デバイスの製造での使用を可能にするように適度に大きい分子量及び十分に低い揮発性を有する材料からなる。
【００３８】
本明細書中で使用するアミン置換基とは、第一級、第二級又は第三級アミンを包含するものである。第二級アミン置換基は、一般式ＮＨＲ１（式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３０脂肪族基、Ｃ３〜Ｃ３０芳香族基又はＣ３〜Ｃ３０脂環式基である。）を有する。第三級アミン置換基は、一般式ＮＲ１Ｒ２（式中、Ｒ１及びＲ２は独立にＣ１〜Ｃ３０脂肪族基、Ｃ３〜Ｃ３０芳香族基又はＣ３〜Ｃ３０脂環式基である。）を有する。
【００３９】
別の実施形態では、アミン置換ポリマー材料は下記の構造式（Ｉ）を有する繰返し単位を含んでいる。
【００４０】
【化２】
0005442997.tif 000003
式中、Ａは芳香族基であり、Ｒ１及びＲ２は独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ３０脂肪族基、Ｃ３〜Ｃ３０脂環式基又はＣ３〜Ｃ３０芳香族基であり、「ｐ」は１からＡ上において置換のために利用できる位置の最大数までの整数である。破線（----）は、ポリマー中の隣接する繰返し単位に対する結合点を表している。
【００４１】
一実施形態では、ＮＲ１Ｒ２基はジアルキルアミノ基、モノアルキルアミノ基、ＮＨ２基又はこれらの任意の組合せの１種であればよく、Ａはフェニレン基である。別の実施形態では、ＮＲ１Ｒ２基がジアルキルアミノ基、モノアルキルアミノ基、ＮＨ２基又はこれらの任意の組合せの１種である場合、Ａはベンジレン基である。構造式（Ｉ）で表される好適な基は、下記表１中の例Ｉ−１〜Ｉ−１０によって例示される。例えば、表１の例Ｉ−１では、Ｒ１及びＲ２は窒素が置換されていない構造式（Ｉ）を表し、Ａ基はフェニル基であり、「ｐ」の値は１である。破線（----）は芳香族基に対する窒素原子の結合点を表す一方、＊は繰返し単位の炭素原子に対するＡ基の結合点を表す。同様にＩ−２は、Ｒ１及びＲ２が窒素をモノアルキル基で置換した構造式（Ｉ）を表し、Ａ基がフェニル基であり、「ｐ」の値が１である場合を表している。さらに、表１中の例Ｉ−３、Ｉ−４、Ｉ−５、Ｉ−９及びＩ−１０は、窒素原子が脂肪族基で二置換された場合である。Ｉ−６は窒素原子が脂環式基で二置換された場合であり、Ｉ−７及びＩ−８は窒素原子が芳香族基で二置換された場合である。また、Ｉ−８、Ｉ−９及びＩ−１０は、１より大きい「ｐ」値で示されるように、芳香族基ＡがＮＲ１Ｒ２基に対して複数の結合点を有する場合である。
【００４２】
【表１】
0005442997.tif 000004
製造が比較的容易であるという理由のため、ポリスチレン系アミン置換中間層が一般に有益である。かくして、一実施形態では、使用するポリマー材料は下記の一般構造式（II）を有する繰返し単位を含み得る。
【００４３】
【化３】
0005442997.tif 000005
構造式（II）中のＢは単結合又はスペーサー基或いはこれらの組合せであればよく、Ｒ１及びＲ２は互いに独立に水素原子、Ｃ１〜Ｃ３０脂肪族基、Ｃ３〜Ｃ３０脂環式基、Ｃ３〜Ｃ３０芳香族基又はこれらの任意の組合せからなる。スペーサー基は、脂肪族基、芳香族基、脂肪族基と芳香族基との組合せ、などによって例示される。スペーサー基は、脂肪族基、脂環式基、芳香族基などであってもよい。一実施形態では、スペーサー基は酸素、硫黄、窒素又はリン原子のようなヘテロ原子を含んでいてもよい。スペーサー基の例には、メチレン、エチレン、プロピレン及びブチレンのようなＣ１〜Ｃ１２脂肪族基、メチレンオキシ、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、シクロヘキシレンオキシ、シクロヘキシレン及びシクロヘキシリデンのようなＣ１〜Ｃ１２脂環式基、などがある。
【００４４】
一般に容易に製造できるという理由のため、Ｂがメチレン基であるポリスチレン系中間層が望ましい。例えば、商業的に入手できるポリ（４−クロロメチル）スチレンを、ＮＨＲ１Ｒ２又は(ＮＲ１Ｒ２)−Ｍ＋（式中、Ｒ１及びＲ２は前記に記載した通りであり、Ｍ＋は金属陽イオンである。）のようなアミン系求核試薬と反応させればよい。金属「Ｍ」の非限定的な例には、リチウム、ナトリウム及びカリウムのようなアルカリ金属がある。クロロメチル基中の塩素原子の置換により、構造式（II）を有するポリマー材料が生成される。多種多様のアミン求核試薬が使用できるので、中間層及び電子デバイスを製造するための機能性有機材料として好適な広範囲のアミン置換ポリマー化合物を製造できる。一実施形態では、好適なアミン置換ポリマー材料は、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノメチル）スチレン］、ポリ［（Ｎ，Ｎ−エチルメチルアミノメチル）スチレン］及びポリ［（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノメチル）スチレン］の１種以上である。別の実施形態では、アミン置換ポリスチレンからなる中間層と酸化インジウムスズからなるもののような導電層との組合せは、透明電子デバイスを製造するために特に有用である。
【００４５】
他の実施形態では、１以上のアミン置換基を有する中間層は、１種以上の重合性モノマーから導かれる構造単位を含んでいる。例示的な重合性モノマーには、特に限定されないが、１以上のアミン置換基を有する炭素環式基、或いは１以上のアミン置換基をもった他の有機基を含んでも又は含まなくてもよい複素環式基を有するビニルモノマーがある。好適なビニルモノマーの非限定的な例には、アミン置換基で置換されたビニルナフタレン、スチレン、ビニルアントラセン、ビニルペンタセン、（１，４−ジエチニル）芳香族化合物（例えば、（１，４−ジエチニル）ベンゼン）及びビニルクリセン、並びにビニルカルバゾール、ビニルキノリン、ビニルビピリジル、ビニルチオフェン及びビニルピリジン、などがある。上述の重合性ビニルモノマーの組合せも使用できる。さらに、重合性モノマーは１以上の架橋性基（例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基及びアルキニル基）を含んでいてもよく、これらの基の各々はさらに１以上のアミン置換基を含んでいてもよい。
【００４６】
上述した中間層は、電子デバイスを製造するために使用できる。透明な中間層は、紫外及び可視吸収技法で測定して３．５ｅＶ以上の光学的バンドギャップを有している。「透明」という用語は、１０度以下の入射角で、厚さ約０．５マイクロメートルのデバイスを通して可視波長域の光の５０％以上、通常は８０％以上、さらに通常は９０％以上を透過させることを意味する。本発明の一実施形態では、当技術分野で公知の技術を用いて、１種以上のアミン置換ポリマー材料、１種以上の非ポリマー材料、無機材料又はこれらの組合せを含む被覆組成物を電極表面上に被膜として塗布する。通例は上述の材料を溶解するので、極性溶媒が一般に有益である。極性溶媒の非限定的な例には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｎ−ペンタノールなどの脂肪族アルコールがある。こうして形成された電極はさらに、電荷を一層よく移動させることができ、それにより該電極を含むデバイスの効率を高める可能性を有する層を含むことができる。一実施形態では、こうして得られた電極は、例えばＥＬデバイス、光起電（ＰＶ）デバイス、センサー、エレクトロクロミックデバイス、電界効果トランジスター、（電気活性材料層とエレクトロクロミックデバイスとの組合せで形成できる）調色可能な照明光源或いはこれらの任意の組合せなどの電子デバイスの製造に使用できる。
【００４７】
現行の透明電極は、通例、優れた光学的透明度及び良好な導電率を有することから、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）で形成された導電層からなっている。ＩＴＯ層は、通常はスパッタリングによって堆積させる。ＩＴＯスパッタリングプロセス中に、活性有機層は高エネルギー粒子の衝撃を受けやすい。ＩＴＯスパッタリングプロセス中に損傷を受ける可能性を低下させるため、緩衝層が通常使用される。これまで２種の緩衝材料が報告されている。即ち、薄い金属層（例えば、Ｇ．Ｇｕ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６８，２６０６（１９９６）及びＰ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｗｓ  ｅｔ  ａｌ．，“Ｓｅｍｉｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｆｏｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８７，３０８０（２０００）によって報告されたＭｇ：Ａｇ）及び有機半導体の薄層（例えば、Ｇ．Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙ  ｅｔ  ａｌ．，“Ａ  ｍｅｔａｌ−ｆｒｅｅ  ｃａｔｈｏｄｅ  ｆｏｒ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７２，２１３８（１９９８）によって報告された銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ））である。本明細書中に開示される中間層は、一般に電気活性有機層を損傷から保護し、性能の向上したデバイスを与える。非限定的な一例では、本明細書中に記載される中間層を用いて電子ディスプレイデバイスが製造できる。一実施形態では、中間層を電子デバイス中に組み込むことで電極からの電子輸送を向上させることができる。例えば、有機エレクトロルミネセント（「ＥＬ」）デバイスは本発明の中間層（例えば、上記に開示した材料の１種）の利益を受けることができる。かかる材料は、導電層の表面上にあって導電層に接触するようにして、デバイスの導電層と有機エレクトロルミネセント層との間に配設される。電気活性有機層は、導電層間に電圧を印加した場合に光を放出する。中間層は、電気活性有機層に対して明確な界面を形成するか、或いは実質的に純粋な中間層から実質的に純粋な電気活性有機層まで変化する組成をもった連続遷移領域を形成し得る。一実施形態では、中間層は、スピンコーティング、吹付け塗り、漬け塗り、ローラー塗り、インクジェット印刷、グラビアコーティング技法、物理蒸着などを含む方法により、下方に位置する層（例えば、導電層）上に堆積させることができる。
【００４８】
有機ＥＬデバイスの透明な第１の導電層は陽極であり得ると共に、一般に四点プローブ技法で測定して１００（Ｓ／ｃｍ）以上のバルク導電率を有する材料を含み得る。この目的には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が通例使用される。これは、ＩＴＯが光の透過に対して実質的に透明であり、したがって電気活性有機層から放出された光が顕著な減衰なしにＩＴＯ陽極層を通って脱出することを容易にするからである。「透明」という用語は、１０度以下の入射角で、デバイスを通して可視波長域の光の５０％以上、通常は８０％以上、さらに通常は９０％以上を透過させることを意味する。陽極層として使用される他の材料には、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛インジウムスズ、酸化アンチモン及びこれらの混合物がある。
【００４９】
製造に際しては、物理蒸着、化学蒸着又はスパッタリング或いは他の方法により、下方に位置する構成要素上に導電層を堆積させることができる。導電層の厚さは、一般に、一実施形態では約１０〜約５００ｎｍ、別の実施形態では約１０〜約２００ｎｍ、さらに別の実施形態では約５０〜約２００ｎｍの範囲内にある。例えば約５０ｎｍ未満の厚さを有する薄くて実質的に透明な金属層を好適な導電層として使用することもできる。かかる例示的な金属には、銀、銅、タングステン、ニッケル、コバルト、鉄、セレン、ゲルマニウム、金、白金、アルミニウム、これらの混合物又はこれらの合金がある。一実施形態では、陽極は実質的に透明な基板（例えば、ガラス又はポリマー材料からなるもの）上に配設される。
【００５０】
一般に、第２の導電層は陰極であり得るが、これは負電荷キャリヤー（電子）を電気活性有機層中に注入する目的に役立つ。一実施形態では、第２の導電層はＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｙ、ランタニド系列の元素、これらの合金又はこれらの混合物である。第２の導電層を形成するための好適な合金材料は、Ａｇ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｌｉ、Ｉｎ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｃａ及びＡｌ−Ａｕ合金である。金属（例えば、カルシウム）又は非金属（例えば、ＬｉＦ）の薄層をある種の他の金属（例えば、アルミニウム又は銀）の厚い層で被覆したもののような層状の非合金構造物も使用可能である。第２の導電層は、物理蒸着、化学蒸着又はスパッタリングによって下方に位置する構成要素上に堆積させることができる。
【００５１】
さらに、電気活性有機層は正孔及び電子の両方に対する輸送媒体として役立ち得る。この電気活性有機層中では、励起された化学種が結合して低エネルギー準位に降下し、それと同時に可視域内のＥＭ放射を放出する。電気活性有機材料は、通例、所望の波長範囲内でエレクトロルミネセンスを示すように選択される。
【００５２】
電気活性層の厚さは、一般に約１０〜約３００ｎｍの例示的な範囲内に維持される。電気活性材料は、ポリマー、コポリマー、ポリマーの混合物、又は不飽和結合を有する低分子量有機分子などの有機材料であり得る。かかる材料は一般に非局在化π電子系を有しており、それによってポリマー鎖又は有機分子は比較的高い移動度を有する正又は負電荷キャリヤーを支持できるのが通例である。通常の電気活性ポリマーは、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（「ＰＶＫ」、約３８０〜５００ｎｍの波長の紫色ないし青色の光を放出する）及びそれの誘導体、ポリフルオレン及びポリ（アルキルフルオレン）（例えば、ポリ（９，９−ジヘキシルフルオレン）（４１０〜５５０ｎｍ）、ポリ（ジオクチルフルオレン）（４３６ｎｍのピークＥＬ発光波長）又はポリ｛９，９−ビス（３，６−ジオキサヘプチル）フルオレン−２，７−ジイル｝（４００〜５５０ｎｍ））のようなそれの誘導体、ポリ（パラフェニレン）（「ＰＰＰ」）及びポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（４００〜５５０ｎｍ）やポリ（２，５−ジヘプチル−１，４−フェニレン）のようなそれの誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（「ＰＰＶ」）及びジアルコキシ置換ＰＰＶやシアノ置換ＰＰＶのようなそれの誘導体、ポリチオフェン及びポリ（３−アルキルチオフェン）やポリ（４，４’−ジアルキル−２，２’−ビチオフェン）やポリ（２，５−チエニレンビニレン）のようなそれの誘導体、ポリ（ピリジンビニレン）及びそれの誘導体、ポリキノキサリン及びそれの誘導体、並びにポリキノリン及びそれの誘導体である。これらのポリマーの混合物又はこれらのポリマーの１種以上及び他のポリマーに基づくコポリマーも、例えば、放出される光の色を調整するために使用できる。
【００５３】
別の部類の例示的な電気活性材料はポリシランである。ポリシランは、各種のアルキル及び／又はアリール側基で置換された線状のケイ素主鎖ポリマーである。これらは、ポリマー主鎖に沿って非局在化σ共役電子を有する準一次元物質である。ポリシランの例は、ポリ（ジ−ｎ−ブチルシラン）、ポリ（ジ−ｎ−ペンチルシラン）、ポリ（ジ−ｎ−ヘキシルシラン）、ポリ（メチルフェニルシラン）及びポリ｛ビス（ｐ−ブチルフェニル）シラン｝などである。これらのポリシランは、一般に約３２０〜約４２０ｎｍの範囲内の波長を有する光を放出する。
【００５４】
多数の芳香族単位を含むと共に、例えば約５０００未満の分子量を有する有機材料も、電気活性材料として適用できる。かかる物質の例は１，３，５−トリス｛ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ｝ベンゼンであり、これは３８０〜５００ｎｍの波長範囲内の光を放出する。電気活性有機層はまた、フェニルアントラセン、テトラアリールエテン、クマリン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン又はこれらの誘導体のような低分子量有機分子からも形成できる。これらの材料は、一般に約５２０ｎｍの最大波長を有する光を放出する。さらに他の有利な材料は、４１５〜４５７ｎｍの波長範囲内の光を放出するアルミニウムアセチルアセトネートやガリウムアセチルアセトネートやインジウムアセチルアセトネート及び４２０〜４３３ｎｍの範囲内の光を放出するアルミニウム−（ピコリルメチルケトン）−ビス｛２，６−ジ（ｔ−ブチル）フェノキシド｝やスカンジウム−（４−メトキシ−ピコリルメチルケトン）−ビス（アセチルアセトネート）のような低分子量の金属有機錯体である。白色光用途のためには、有益な電気活性有機材料は例えば青緑色波長の光を放出するものである。
【００５５】
可視波長範囲内の光を放出すると共に、本発明の技術で使用できる他の電気活性有機材料は、Ｕ．Ｍｉｔｓｃｈｋｅ  ａｎｄ  Ｐ．Ｂａｕｅｒｌｅ，“Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．１０，ｐｐ．１４７１−１５０７（２０００）（その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす）に開示されているトリス（８−キノリノラト）アルミニウム及び他の物質のような８−ヒドロキシキノリンの有機金属錯体である。本発明のＥＬ層中で使用できる追加の例示的な有機材料には、Ａｋｃｅｌｒｕｄが“Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃ，Ｖｏｌ．２８（２００３），ｐｐ．８７５−９６２（その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす）に開示したものがある。これらの材料は、電気活性を示すことが当技術分野で知られ又はそれを示すことが予想される構造又は構造単位と、デバイス性能を高める他の機能（例えば、正孔輸送、電子輸送、電荷輸送及び電荷閉込めなど）を果たすことが知られ又は果たすことが潜在的に予想される構造との様々な組合せを含む構造を有するポリマー材料を含み得る。
【００５６】
２以上の電気活性有機層を順次に重ねて形成してもよいことに注意すべきである。各層は異なる波長範囲内の光を放出する異種の電気活性有機材料を含み得る。
【００５７】
さらに、例示的なＥＬデバイスの効率をさらに高めるため、１以上の追加層を発光デバイス中に含めることができる。例えば、追加層はＥＬ層中への正電荷（「正孔」）の注入及び／又は輸送を向上させるために役立ち得る。これらの層の各々の厚さは、通例、５００ｎｍ未満、通常は１００ｎｍ未満に保たれる。これらの追加層用の好適な材料は、若干の例を挙げれば、低分子量ないし中分子量（例えば、分子量約２０００未満）の有機分子、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」）及びポリアニリンである。これらは、吹付け塗り、漬け塗り、物理蒸着又は化学蒸着或いは他の方法のような通常の方法により、デバイスの製造中に適用できる。本発明の一実施形態では、所定の順方向バイアスの下で一層高い注入電流を得るため及び／又はデバイスの破損までに一層高い最大電流を得るため、陽極層とＥＬ層との間に正孔注入向上層を導入できる。このようにすれば、正孔注入向上層は陽極からの正孔の注入を容易にする。正孔注入向上層用の例示的な材料は、米国特許第５，９９８，８０３号（その開示内容は援用によって本明細書の内容の一部をなす）に開示されているもののようなアリーレン系化合物である。特定の例には、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド及びビス（１，２，５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス（１，３−ジチオール）がある。
【００５８】
例示的なＥＬデバイスはさらに、正孔注入向上層とＥＬ層との間に配設された正孔輸送層を含み得る。正孔輸送層は正孔を輸送すると共に電子の輸送をブロックする結果、正孔及び電子がＥＬ層中で実質的に最適に結合する。正孔輸送層用の例示的な材料には、若干の例を挙げれば、トリアリールジアミン、テトラフェニルジアミン、芳香族第三アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、及びポリチオフェンがある。
【００５９】
他の実施形態では、例示的なＥＬデバイスはさらに、追加層として「電子注入及び輸送向上層」を含み得る。かかる層は、電子供与材料とＥＬ層との間に配設できる。電子注入及び輸送向上層として使用される典型的な材料には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムのような有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体及びニトロ置換フルオレン誘導体などがある。
【００６０】
一実施形態では、電気活性材料は、母材ポリマーとして役立ち得るポリマー材料と混合することもできる。一般に、公知ポリマー材料の任意のものが使用できる。
【００６１】
電気活性材料はさらに、蛍光染料又はりん光染料の１種以上を含み得る。発光デバイスはさらに、例えば米国特許第６，８４７，１６２号に開示されているもののような、少なくとも蛍光層及び／又はりん光層を有する１以上のホトルミネセント（「ＰＬ」）層を含み得る。
【００６２】
本明細書中に前述したようにして形成した中間層は、有機光起電デバイス、光検出器、ディスプレイデバイス及び有機発光デバイスのような電子デバイスを製造するために有用である。ディスプレイデバイスは、ビジュアルサインを生み出すために使用されるデバイスで例示される。即ち、一実施形態では、中間層は複数の電子デバイスを含むディスプレイユニットを含んでなる装置を製造するために有用である。これらの電子デバイスは、一般に第１の導電層、第２の導電層、中間層及び電気活性材料層を含んでいる。一実施形態では、第１及び第２の導電層の少なくとも一方が透明であり得る。別の実施形態では、電子デバイス中に存在するすべての層が透明である。透明電極とは、一実施形態では約９０％以上、別の実施形態では９５％以上の光透過率を有する電極を意味する。電極と隣接するＥＬ活性材料との間の界面を横切る効率的な電子輸送から利益を受けることができる別のタイプの電子デバイスは光起電（「ＰＶ」）セルである。
【００６３】
本発明のさらに別の実施形態は、電子デバイスの動作方法を包含する。かかる方法は、電子デバイスに電界又は光エネルギーを印加して電気エネルギー及び光エネルギーの間で変換を行うことを含んでなる。この例示的な方法では、電子デバイスは第１の導電層、第２の導電層、中間層及び電気活性材料層を有している。
【実施例】
【００６４】
以下の実施例では、ポリスチレンスルホネートをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）は、Ｂａｙｅｒ  ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎからＢａｙｔｒｏｎ（登録商標）Ｐの商品名で購入した。緑色発光ポリマー（ＬＥＰ）は、Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＣｏｍｐａｎｙからＬｕｍａｔｉｏｎ（登録商標）１３０４の商品名で入手した。ポリ（（Ｎ，Ｎ−エチルメチルアミノメチル）スチレン）（ＰＳ−アミン）は以下のようにして合成した。ポリ（３−クロロメチル）スチレンとポリ（４−クロロメチル）スチレンとの異性体混合物（２グラム、１３．２ミリモル）及びＮ−エチルメチルアミン（ＣＡＳ  Ｎｏ．６２４−７８−２、１１．８グラム、２００ミリモル）を２５ミリリットルのトルエンに溶解した溶液を室温で５日間撹拌した。沈殿した固体を含むスラリーである反応混合物を分液漏斗に移し、トルエンで希釈した。有機相を１重量％ＮａＯＨ水溶液で２回洗い、水で２回洗い、溶媒を真空下で除去した。粘着性の白色固体残留物をメタノールに溶解し、ブレンダー内で水中に沈殿させた。集めた固体を風乾し、次いで５０℃の真空オーブン内で乾燥することで、ポリ（（Ｎ，Ｎ−エチルメチルアミノメチル）スチレン）生成物を得た。フッ化ナトリウム（≧９９％）はＡｌｄｒｉｃｈ社から購入し、受け入れたままで使用した。すべての酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）被膜は、ＣＶＣ６０１スパッターツールを用いて１×１０−６トルの基底圧で堆積させた。ＩＴＯのＤＣマグネトロンスパッタリングは、３０標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）のアルゴン（Ａｒ）及び８．５ｓｃｃｍのＯ２を使用しながら０．７ｍｍトルの圧力で実施した。スパッター電力密度は１８．３ワット／平方インチであった。試料を電気的に接地し、加熱せず、スパッターターゲットから１インチ離れた位置に配置した。均一なＩＴＯ被膜を得るため、堆積プロセス全体を通じて基板を（４秒／サイクルで）絶えず回転させた。以下の実験では、スパッターしたＩＴＯ層の厚さは１１０ｎｍであった。ＩＴＯは１１分間堆積させたので、約１．７Å／秒の堆積速度に相当していた。堆積したままで、ＩＴＯ被膜は約４５オーム／平方のシート抵抗を示した。光透過率は、Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ  ＵＳＢ２０００小形光ファイバー分光計を用いて測定した。デバイス性能は、電流−電圧−輝度（Ｉ−Ｖ−Ｌ）特性及びエレクトロルミネセンススペクトルを測定することで特徴づけた。輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ  ＬＳ−１１０）で較正したホトダイオードを用いて輝度を（カンデラ／平方メートル（ｃｄ／ｍ２）単位で）測定した。各デバイスに関し、それのＩ−Ｖ−Ｌデータから、（カンデラ／アンペア（ｃｄ／Ａ）単位で測定した）効率を（ミリアンペア／平方センチメートル（ｍＡ／ｃｍ２）単位で測定した）電流密度の関数としてプロットしたグラフを得た。
【００６５】
比較例１：１１０ｎｍのＩＴＯ層からなる透明電極の形成
以下のようにしてＩＴＯ電極を形成した。使用に先立ち、石英基板をアセトン及びイソプロパノールで洗浄した。次いで、基板上に１１０ｎｍのＩＴＯ層をスパッターした。様々な波長におけるＩＴＯ層の透過率を表１にまとめて示す。
【００６６】
実施例１：ＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層からなる透明電極の形成
以下のようにしてＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層電極を形成した。使用に先立ち、石英基板をアセトン及びイソプロパノールで洗浄した。空気中においてＬＥＰ上にＰＳ−アミン層をそれの１−ブタノール溶液からスピンコートし、次いで９０℃で３０分間ベークした。ＰＳ−アミン層は、機械的及び光学的プロフィロメトリーの両方で測定して約５〜８ｎｍの厚さを有していた。次いで、ＰＳ−アミン層上に１１０ｎｍのＩＴＯ層をスパッターした。様々な波長におけるＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層電極の光透過率を表１にまとめて示す。
【００６７】
実施例２：ＮａＦ／ＩＴＯ二層からなる透明電極の形成
以下のようにしてＮａＦ／ＩＴＯ二層電極を形成した。使用に先立ち、石英基板をアセトン及びイソプロパノールで洗浄した。次いで、公称的に１ｐｐｍ未満の水分及び酸素を含むアルゴンで満たしたグローブボックス内に基板を移した。次に、２×１０−６トルの基底圧で積層基板上に４ｎｍのフッ化ナトリウム層を熱蒸着した。試料を短時間だけ周囲条件（２４℃、相対湿度４２％）に暴露した後、ＩＴＯ堆積室内に移した。空気への暴露時間を最小にするように注意を払った。次いで、ＮａＦ層上に１１０ｎｍのＩＴＯ層をスパッターした。ＮａＦ／ＩＴＯ二層の光透過率を表１にまとめて示す。
【００６８】
【表２】
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比較例２：裸のＩＴＯ電極を陰極とする透明ＯＬＥＤの製造
裸のＩＴＯ陰極を有する透明ＯＬＥＤを以下のようにして製造した。ＩＴＯで予備被覆したガラスを基板として使用した。スピンコーティングにより、紫外線−オゾン処理ＩＴＯ基板上に６０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を堆積させ、次いで空気中において１８０℃で１時間ベークした。次に、周囲条件下においてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層上に緑色ＬＥＰ（Ｌｕｍａｔｉｏｎ（登録商標）１３０４）の層を空気中でスピンコートした。ＬＥＰ層は、機械的プロフィロメトリーで測定して６５ｎｍの厚さを有していた。次に、実施例１に記載したようにして、ＬＥＰ上に１１０ｎｍのＩＴＯ電極を施工した。この例では、ＬＥＰとＩＴＯ層との間にＰＳ−アミン中間層が配設されていないことを強調しておきたい。図９は、比較例２のデバイスが４００〜８００ｎｍの波長を有する放射に対して実質的に透明であることを示している。図１０は、比較例２のデバイスが電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率が悪いことを示している。
【００６９】
実施例３：ＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層を陰極とする透明ＯＬＥＤの製造
ＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤを以下のようにして製造した。ＩＴＯで予備被覆したガラスを基板として使用した。スピンコーティングにより、紫外線−オゾン処理ＩＴＯ基板上に６０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を堆積させ、次いで空気中において１８０℃で１時間ベークした。次に、周囲条件（２４℃、相対湿度４２％）下においてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層上に緑色ＬＥＰ（Ｌｕｍａｔｉｏｎ（登録商標）１３０４）の層を空気中でスピンコートした。ＬＥＰ層は、機械的プロフィロメトリーで測定して８０ｎｍの厚さを有していた。次に、実施例１に記載したようにして、ＬＥＰ上にＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層電極を施工した。図１１は、実施例３のデバイスが４００〜８００ｎｍの波長を有する放射に対して実質的に透明であることを示している。図１２は、実施例３のデバイスが比較例２のデバイスに比べて電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率が良いことを示している。
【００７０】
実施例４：ＮａＦ／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの製造
ＮａＦ／ＩＴＯを有する透明ＯＬＥＤを以下のようにして製造した。ＩＴＯで予備被覆したガラスを基板として使用した。スピンコーティングにより、紫外線−オゾン処理ＩＴＯ基板上に６０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層を堆積させ、次いで空気中において１８０℃で１時間ベークした。次に、周囲条件（２４℃、相対湿度３５％）下においてＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ層上に緑色ＬＥＰ（Ｌｕｍａｔｉｏｎ（登録商標）１３０４）の層を空気中でスピンコートした。ＬＥＰ層は、機械的プロフィロメトリーで測定して７０ｎｍの厚さを有していた。次いで、公称的に１ｐｐｍ未満の水分及び酸素を含むアルゴンで満たしたグローブボックス内に基板を移した。次に、実施例２に記載したようにして、ＬＥＰ上にＮａＦ（４ｎｍ）／ＩＴＯ（１１０ｎｍ）二層電極を施工した。図１３は、実施例４のデバイスが４００〜８００ｎｍの波長を有する放射に対して実質的に透明であることを示している。図１４は、実施例４のデバイスが比較例２のデバイスに比べて電気エネルギーを光エネルギーに変換する効率が良いことを示している。
【００７１】
ＰＳ−アミン（実施例１及び３）及びＮａＦ（実施例２及び４）の使用は、二層電極並びにかかる二層電極を陰極とする裸のＩＴＯ層を有する比較例１及び２のデバイスに比べて同等の透過率を示すことから見て光学的性能に影響を及ぼさなかった。ＰＳ−アミン（実施例３）及びＮａＦ（実施例４）の使用は、ＰＳ−アミンもＮａＦも含まない比較例２のデバイスに比べて顕著に向上した効率を有する透明ＯＬＥＤを与える。
【００７２】
以上、本明細書中には本発明の若干の特徴のみを例示し説明してきたが、当業者には多くの修正及び変更が想起されるであろう。したがって、特許請求の範囲は本発明の真の技術思想の範囲内に含まれるすべてのかかる修正及び変更を包括することを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】例示的な電子デバイス構造の側面図である。
【図２】別の例示的な電子デバイス構造の側面図である。
【図３】例示的な積層型／タンデム型電子デバイス構造の側面図である。
【図４】図３に示した積層型／タンデム型電子デバイス構造の例示的な変形例の側面図である。
【図５】電子デバイスの例示的な構造のさらに別の実施形態を示している。
【図６】電子デバイスの例示的な構造のさらに別の実施形態を示している。
【図７】例示的な電子デバイス構造を形成するための例示的な方法段階を示している。
【図８】別の例示的な構成の電子デバイス構造を形成するための例示的な方法段階を示している。
【図９】比較例２に記載した方法で製造された裸のＩＴＯ陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【図１０】比較例２に記載した方法で製造された裸のＩＴＯ陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【図１１】実施例３に記載した方法で製造されたＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【図１２】実施例３に記載した方法で製造されたＰＳ−アミン／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【図１３】実施例４に記載した方法で製造されたＮａＦ／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの光透過率を波長の関数として示している。
【図１４】実施例４に記載した方法で製造されたＮａＦ／ＩＴＯ二層陰極を有する透明ＯＬＥＤの効率を電流密度特性の関数として示している。
【符号の説明】
【００７４】
１０  電子デバイス
１２  基板
１４  第１の導電層
１６  電気活性有機層
１８  中間層
２０  第２の導電層
２６  金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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