(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動素子を設けた電子デバイス基板と、
前記電子デバイス基板に固着され、電圧を印加すると誘電作用により変形するエレクトロポリマーと、
前記エレクトロポリマーを挟み込む電極対と、
前記電子デバイス基板或いは前記エレクトロポリマーの少なくとも一方に設けた前記エレクトロポリマーの変形により流路断面積が変化する冷却用流路用の溝と
を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記冷却用流路が、閉鎖還流流路であることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記冷却用流路が並列に複数本設けられ、
前記複数本の冷却用流路の内の少なくとも一本の冷却用流路の電圧非印加時の流路断面積が、他の冷却用流路の電圧非印加時の流路断面積と異なっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電子デバイス基板のホットスポットの近傍に前記ホットスポットの温度を測定する温度読み取り手段を有するとともに、
前記温度読み取り手段の出力に応じて前記電極対に印加する電圧を可変にする可変電圧印加手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記エレクトロポリマーが２つの前記電子デバイス基板の間に設けられており、
前記冷却用流路の上下面が前記第１の電子デバイス基板と第２の電子デバイス基板の主面であり、
前記冷却用流路の両側面が前記エレクトロポリマーの表面であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスに関するものであり、例えば、半導体集積回路装置やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｏｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）等の電子デバイスに設けるポリマーアクチュエータを備えた流路冷却システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
大規模半導体集積回路装置（ＬＳＩ）の高集積化に伴いトランジスタ密度が増加し、インタコネクタ等の接続配線も狭いピッチで多層化が必要になってきている。高集積化は動作周波数の増加やリーク電流の増加を伴うため、発熱量は世代ごとに大きくなっている。
【０００３】
因みに、最近のＬＳＩチップの発熱量は１００Ｗ／ｃｍ２にまで達しており局所的にアイロンが設置されているような構造になっている。これらチップの温度は最大で１５０℃程度まで上昇するため、ヒートスプレッダを介してヒートシンクから空冷放熱している。
【０００４】
多くのＣＰＵユニットでは空冷によりＬＳＩチップを冷却するだけでは足りず、冷却効率の良い水冷ユニットが登場している。冷却媒体としての水は空気に比べて、約４，０００倍も効率的に熱を保持することができ、熱伝導効率も遥かに高い。
【０００５】
しかし、どの冷却システムもＬＳＩチップセットに大掛かりなシステムを搭載するものでありパッケージングレベルでの効率が悪いという問題がある。そこで、最近では発熱するコア部分を分散してマルチコア化した熱設計とした効率的な散熱構造のデザインも採用されている。
【０００６】
一方、最近では微細加工の限界が見え始めたＬＳＩの３次元集積化が盛んに進められている。ＬＳＩチップを３次元的に集積化することで高速化やバンド幅の拡大が期待され、更には、配線距離が縮まることでバス消費電力の低減も期待される。
【０００７】
しかし、３次元的積層化は発熱体の集積を伴うため、発熱量を増加し、熱の放熱効率も悪いことは明らかである。そこで、放熱効率の良い積層方法やチップレイアウトも検討され始めた。
【０００８】
例えば、２００８年にＩＢＭ研究所より微細加工を用いたチップ水冷内蔵３Ｄチップの開発が報告され、ＩＥＥＥ−国際会議（ＩＩＴＣ２００８） でも報告された（例えば、非特許文献１参照）。これは、数層のチップ構造の間に水を流して水冷する方法であり、オンボードでパッケージングしたＬＳＩチップを水冷するよりも遥かに効率的に冷やすことが可能である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】ｈｔｔｐ：//ｗｗｗ.ｚｕｒｉｃｈ.ｉｂｍ.ｃｏｍ/ｎｅｗｓ/０８/３Ｄ＿ｃｏｏｌｉｎｇ.ｈｔｍｌ
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ＭＥＭＳ技術で形成された水冷構造はＬＳＩチップに直接穴を開ける構造であることと、外付けポンプが必要であるため、微細化されたＬＳＩチップのレイアウトに対して制約を与えるという問題がある。
【００１１】
例えば、水冷ユニットの課題は、第一には、冷却流路はＬＳＩチップの微細化を損なう構造ではないことが挙げられる。それ以外には、冷却効率が高いこと、ポンプシステムを含めたコンパクトな構造であること、ホットスポット領域の極限まで水冷が行き届くこと、積極的な水冷をするための新たな機能が盛り込めること、微細化が容易であることも重要になる。なお、このような要請は、ＬＳＩチップに限られるものではなく、ＭＥＭＳセンサ等の他の電子デバイスに対しても要請されるものである。
【００１２】
したがって、本発明は、電子デバイスの微細化を損なうことのない構造の冷却用流路を備えた冷却システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
開示する一観点からは、能動素子を設けた電子デバイス基板と、前記電子デバイス基板に固着され、電圧を印加すると誘電作用により変形するエレクトロポリマーと、前記エレクトロポリマーを挟み込む電極対と、前記電子デバイス基板或いは前記エレクトロポリマーの少なくとも一方に設けた前記エレクトロポリマーの変形により流路断面積が変化する冷却用流路用の溝とを有することを特徴とする電子デバイスが提供される。
【発明の効果】
【００１４】
開示の電子デバイスによれば、電子デバイスの微細化を損なうことのない構造の冷却用流路を備えた冷却システムを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】冷却用流路を形成したポリマーアクチュエータの動作原理の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態における冷却用流路の構成説明図である。
【図３】アクチュエータ動作を利用したヒートパイプの概念的斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態の閉鎖系電子デバイス用冷却システムを搭載した電子デバイスの概念的構成図である。
【図５】図４に示した電子デバイス用冷却システムのブロックダイアグラムである。
【図６】本発明の実施例１の冷却システム付き半導体集積回路装置の概念的要部断面図である。
【図７】本発明の実施例２の冷却システム付き半導体集積回路装置の説明図である。
【図８】本発明の実施例３の冷却システム付き半導体集積回路装置の概念的要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
ここで、図１乃至図５を参照して、本発明の実施の形態の電子デバイス用冷却システムを説明する。図１は、冷却用流路を形成したポリマーアクチュエータの動作原理の説明図であり、左側は同極性の電圧を印加した状態の概念的斜視図であり、右側は互いに逆極性の電圧を印加した状態の概念的斜視図である。
【００１７】
電場を印加すると歪を生じたり圧力を発生するポリマー、即ち、エレクトロポリマー１に冷却用流路２を設けるとともに、その上下の主表面に電極３，４を設けてポリマーアクチュエータを構成する。このような、電場を印加すると歪を生じたり圧力を発生するエレクトロポリマーは昔から知られているが、最近になって研究も進み人口筋肉などに応用されている。
【００１８】
右側の図に示すように、電極３，４に互いに逆極性の電圧を印加すると、電極３，４同士が引き合い、マクスウェル応力が働いて電極３と電極４の間隔が縮小し、間に挟み込まれているエレクトロポリマー１の断面形状が変形する。図の場合には、エレクトロポリマー１が薄くなって冷却用流路２が押し潰されて断面積が小さくなるため内部の冷却液５が押し出される。
【００１９】
一方、左側の図に示すように、同極性の電圧を印加した状態の冷却用流路２の断面積は逆極性の電圧を印加した場合の断面積より大きいので、押し出されてきた冷却液５を受け入れることになる。この特性を利用して伸縮を繰り返すと、冷却用流路２の断面積が変化し、ダイアフラムポンプ作用によるポンピング動作が可能になる。
【００２０】
このような誘電体の電歪効果を用いたエレクトロポリマーは、変形率も高く良好である。例えば、ＥＰＡＭ（電場応答高分子型人工筋肉）は最大変形量が４００％、エレクトロアクティブポリマー（ＥＡＰ）で３８０％、アクリルで２１５％、シリコーンで６３％であり、ポリウレタンは、１０Ｖ／μｍの電圧印加状態で変位量１０％である。因みに、ポリマーではない無機材料のジルコン酸チタン酸塩（ＰＺＴ）などの特定の圧電磁器は一般にひずみが１.６％未満であり変易量は小さい。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態における冷却用流路の構成説明図であり、図２（ａ）は電子デバイス基板側に溝を形成した場合であり、図２（ｂ）はエレクトロポリマー側に溝を設けた場合である。また、図２（ｃ）は、電子デバイス基板とエレクトロポリマーの双方を利用して冷却用流路を形成した場合である。
【００２２】
図２（ａ）に示すように、電子デバイス基板側に溝を形成する場合には、電子デバイス基板３０のデバイス形成面と反対側の面に溝３１を形成して、電極対２３を形成したエレクトロポリマー２１を貼り付ける。この場合、溝の表面には、ＳｉＯ２膜或いは、ＳｉＮ膜を介してＳｉＯ２膜を設けておくことが望ましい。
【００２３】
左側の図のように、電極対２３に互いに逆極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は圧縮されて、溝３１を覆う天井部が凹んで冷却用流路３２のコンダクタンスは大きくなる。一方、右側の溝３１のように、電極対２３に同極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は膨張して、溝３１を覆う天井部が突出して冷却用流路３２のコンダクタンスは小さくなる。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、エレクトロポリマー側に溝を設ける場合には、ベースデバイス１０上に溝２２を形成したエレクトロポリマー２１を用いた電子デバイス用冷却システム２０を貼りつけ、その上に電子デバイス基板３０を貼り付ける。この場合、溝２２の直下のエレクトロポリマー２１を挟むように互いに対向する電極対２３を形成し、頂面が電子デバイス基板３０で覆われた溝２２が冷却用流路２４となる。
【００２５】
左側の溝２２のように、電極対２３に互いに逆の極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は圧縮されて、溝が深くなって冷却用流路２４のコンダクタンスは大きくなる。一方、右側の溝２２のように、電極対２３に同極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は膨張して、溝が浅くなって冷却用流路２４のコンダクタンスは小さくなる。
【００２６】
図２（ｃ）に示すように、電子デバイス基板とエレクトロポリマーを利用して冷却用流路を形成する場合には、ベースデバイス１０上に貫通溝２５を形成したエレクトロポリマー２１を貼りつけ、その上に電子デバイス基板３０を貼り付ける。この場合、貫通溝２５の左右のエレクトロポリマー２１の上下を挟むように互いに対向する電極対２３を形成し、上下が電子デバイス基板３０及びベースデバイス１０で囲まれ、左右がエレクトロポリマーで囲まれた貫通溝２５が冷却用流路２７となる。なお、ベースデバイス１０は、電子デバイス基板３０と同じものでも良い。
【００２７】
左側の貫通溝のように、電極対２３に互いに逆の極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は圧縮されて、左右方向に突出するため貫通溝２５が狭くなって冷却用流路２７のコンダクタンスは小さくなる。一方、右側の貫通溝２５のように、電極対２３に同極性の電圧を印加することによって電極対２３に挟まれたエレクトロポリマー２１は膨張して、貫通溝２５は左右方向に引っ込むので貫通溝２５が広くなって冷却用流路２７のコンダクタンスは大きくなる。
【００２８】
図３は、アクチュエータ動作を利用したヒートパイプの概念的斜視図であり、積層した電子デバイス基板３０の上にそれぞれ冷却用流路２８を設けた電子デバイス用冷却システム２０を設けたものである。上下の電子デバイス用冷却システム２０の間は、上側の電子デバイス基板３０に貫通孔を形成して貫通孔に挿通する接続流路２９で接続する。
【００２９】
例えば、エレクトロポリマー２１としてＥＡＰを用いて冷却用流路２８を形成する。電子デバイス基板３０がＬＳＩチップである場合、ＣＰＵコアの部分がホットスポットとなるが、マルチコアの場合などはコアの動作によって発熱するコアや温度が使用頻度によって変化する。
【００３０】
より発熱している場所に優先的に冷却液を供給する必要があるため、より発熱している場所の冷却用流路の断面積を大きくし、他の場所は小さくなるように、コンダクタンスを変えることが望ましい。コンダクタンスを変える場合には、設計段階で断面積を変えても良いし、或いは、電極対を設け、コア部の温度を検知して、電圧印加により、より発熱している場所の冷却用流路の断面積を大きくし、他の場所は小さくなるようにしても良い。
【００３１】
この場合、冷却液として、水を用いることにより、コア部で吸熱により冷却液が気化し、上側の電子デバイス基板３０上に設けられた電子デバイス用冷却システム２０で放熱されて液化するので、ヒートパイプとして動作することになる。
【００３２】
エレクトロポリマーによる冷却用流路は、非閉鎖系でも良いが、循環閉鎖回路で構成することが望ましく、一度循環が始まれば、ポンプ動作を停止しても冷却液は流れ続けることができる。図４は、本発明の実施の形態の閉鎖系電子デバイス用冷却システムを搭載した電子デバイスの概念的構成図であり、図４（ａ）は電子デバイス用冷却システムの斜視図であり、図４（ｂ）は積層状態の断面図である。
【００３３】
図に示した電子デバイスは、コントロールチップ等の半導体集積回路装置或いはインターポーザー等のベースデバイス１０と、電子デバイス用冷却システム２０と、電子デバイス基板３０とを積層した構造になっている。この場合、電子デバイス用冷却システム２０を構成するエレクトロポリマー２１自体を接着剤としてベースデバイス１０と電子デバイス用基板３０とを貼り合わせる。
【００３４】
電子デバイス基板３０は、半導体集積回路装置或いはＭＥＭＳセンサ等であり、典型的には半導体集積回路装置である。半導体集積回路装置の場合には、ロジック部とメモリ部とが区画されて形成されており、ロジック部の一部、例えば、ＣＰＵコアがホットスポット部３３となりメモリ部は非ホットスポット部３４となる。
【００３５】
電子デバイス用冷却システム２０は、母体となるエレクトロポリマー２１に循環閉鎖ループを構成する冷却用流路２７が形成されており、その途中に電圧を印加する電極対４１が形成されたマイクロポンプ４０を設けている。なお、冷却用流路２７の平面形状は任意であるが、冷却効率を高めるためには蛇行した形状、典型的には櫛歯状の形状が望ましい。
【００３６】
電極対４１は、冷却液の流れる方向に沿って、２対以上、好適には３対以上設けることが望ましく、複数の電極対４１に互いに位相のずれたパルス電圧を順次印加することによって、所定方向に冷却液が流れ、ポンプ作用を停止しても冷却液は流れ続ける。但し、抵抗により流れが止まりかけた場合には、再び、電極対４１に電圧を印加してポンプ作用を行わせれば良い。なお、非ホットスポット部３４が放熱部となる。
【００３７】
図４（ｂ）に示すように、冷却用流路２７には流路に沿ってコンダクタンス変更用の電極対４２が設けられており、ホットスポット部３３の近傍では冷却用流路２７の断面積を広げるように同極性の電圧を印加して断面積を拡大する。
【００３８】
図５は、図４に示した電子デバイス用冷却システムのブロックダイアグラムであり、ここでは、ホットスポット部３３となるＣＰＵコアが３個所ある場合を示している。また、ポンプ部は基本的には１箇所で良いが、ここでは、ＣＰＵコアに合わせて３つのポンプ部を設けた場合を例として図示している。
【００３９】
各ＣＰＵコアの近傍には、温度センサを設けてＣＰＵコアの発熱温度を測定する。例えば温度センサとしてトランジスタを用い、このトランジスタの抵抗変化を検出することによって発熱温度を直接モニタすることができる。
【００４０】
モニタ結果を制御部に入力してポンプ動作を行わせて冷却液を循環させるとともに、制御部によりコンダクタンス変更部の電極対に印加する電圧を、モニタした温度に応じて可変に印加して、冷却用流路の断面積を拡大する。なお、ここでは、図示はしていないが、非ホットスポット部３４における冷却用流路に対しては、断面積が小さくなるように電圧を印加しても良い。
【００４１】
本発明の実施の形態においては、即ち、エレクトロポリマーを用いて電子デバイス用冷却システムを形成しているので、電子デバイスの微細化を損なうことなく、冷却システムを構築することができる。
【００４２】
なお、電子デバイス用冷却システムは、通常の半導体製造プロセスを利用して順次成膜して形成すれば良い。或いは、ガラス基板等の成膜基板上に通常の半導体製造プロセスを利用して順次成膜して電子デバイス用冷却システムを形成したのち、基板から剥離して電子デバイス基板に貼り付けても良い。
【００４３】
また、電極対は、Ａｕに限られるものではないが、エレクトロポリマーの変形を阻害しないためにできるだけ柔らかい金属が望ましく、Ａｕ以外には、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ等を用いることができる。
【実施例１】
【００４４】
以上を前提として、次に、図６を参照して、本発明の実施例１の冷却システム付き半導体集積回路装置を説明する。図６は、本発明の実施例１の冷却システム付き半導体集積回路装置の概念的要部断面図である。シリコン基板５０のデバイス形成面５１と反対側の面にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いて（１１０）面方位エッチングにより溝５５を形成する。溝５５の幅は、例えば、３０μｍとし、深さは２０μｍとする。なお、図においては、溝５５は２本であるが、実際には多数の溝を並列に設けた多チャンネル構造とする。
【００４５】
次いで、背面全面にＳｉＮ膜を介してＳｉＯ２膜（いずれも図示は省略）を設けたのち、溝５５の周囲にＡｕ電極５６を形成する。なお、デバイス形成面５１側にはソルダーレジスト５２に設けた開口部を介してパッド５３及びバンプ５４が形成されている。
【００４６】
次いで、ガラス基板（図示は省略）上に一方の側のＡｕ電極５６と対向するＡｕ対向電極５７を形成したのち、ＥＡＰ膜５８をスピンコートによって、例えば、２０μｍの厚さに成膜し、不要部を除去する。次いで、一方の溝５５に設けたＡｕ電極５６と接続するともに、他方の溝に設けたＡｕ電極５６と対向するＡｕ対向電極５９を形成する。
【００４７】
次いで、再び、ＥＡＰ膜５８をスピンコートによって、２０μｍの厚さに塗布したのち、不要部分のＥＡＰ膜５８を除去することによって、電子デバイス用冷却システム２０が完成する。なお、Ａｕ電極５６及びＡｕ対向電極５７,５９は流路方向に例えば、１００μｍ幅で分割するように形成する。また、このＡｕ電極５６及びＡｕ対向電極５７,５９の対は、流路に沿って多段、例えば、３段構造に設ける。
【００４８】
次いで、電子デバイス用冷却システム２０をガラス基板から剥離したのち、ウェーハボンディング法により、例えば、２００℃の加熱雰囲気で圧力を印加してＥＡＰ自体を接着剤として電子デバイス用冷却システム２０とシリコン基板５０とを貼り合わせる。
【００４９】
その結果、ＥＡＰ膜５８を天井部材とする溝５５によって冷却用流路６０が形成され、この冷却用流路６０に冷却液６１、例えば、超純水を導入する。ここで、３段構造の電極対に例えば、５Ｖのパルス電位を与えて動作させた。このときのＥＡＰの変形量は約１０%となる。
【００５０】
本発明の実施例１においては、シリコン基板の裏面に溝を形成するだけで流路を形成しているので、半導体集積回路装置の微細化に影響を与えることなく優れた冷却システムを構築することができる。
【実施例２】
【００５１】
次に、図７を参照して、本発明の実施例２の冷却システム付き半導体集積回路装置を説明する。図７は、本発明の実施例２の冷却システム付き半導体集積回路装置の説明図であり、図７（ａ）は、要部概念的斜視図であり、図７（ｂ）は概念的断面図である。
【００５２】
ベースデバイスとなるシリコン基板７０上に多チャンネル構造のＡｕ電極７１を形成したのち、スピンコートによりＥＡＰ膜７２を例えば、２０μｍの厚さに成膜する。次いで、レジストパターンを用いたドライエッチングにより、幅が、例えば、２０μｍの貫通溝７３を形成するとともに、１００μｍ間隔のスリット７４を形成する。
【００５３】
次いで、予めＡｕ対向電極７６を形成した半導体集積回路装置７５を貼り付ける。この基板貼り付けにおいては、ウェーハボンディング法により、例えば、２００℃の加熱雰囲気で圧力を印加してＥＡＰ自体を接着剤としてボンディングすることによって、冷却用流路７７が形成される。Ａｕ電極７１とＡｕ対向電極７６との間に印加する電圧を調整することによって、冷却用流路７７の断面積を変化させて冷却液７８を一定の方向に流すことができる。
【００５４】
本発明の実施例２においては、ＥＡＰに形成した貫通溝を冷却用流路としているので、半導体集積回路装置の微細化に影響を与えることなく、簡単なエッチング工程によって優れた冷却システムを構築することができる。
【実施例３】
【００５５】
次に、図８を参照して、本発明の実施例３の冷却システム付き半導体集積回路装置を説明する。図８は、本発明の実施例３の冷却システム付き半導体集積回路装置の概念的要部断面図である。まず、シリコン基板８０のデバイス形成面８１の表面に多チャンネル構造のＡｕ電極８２を形成する。なお、Ａｕ電極８２のピッチは１００μｍとする。
【００５６】
次いで、スピンコートにより、ＥＰＡ膜８３を例えば、２０μｍの厚さに成膜する。次いで、Ａｕ電極８２に対向するＡｕ対向電極８４を形成する。次いで、ナノインプリント法を用いてＡｕ対向電極８４上において深さが１０μｍの溝８５となるようにＥＰＡ膜８６を形成する。次いで、ウェーハボンディング法により２００℃の加熱雰囲気で圧力を印加してシリコン基板８７のデバイス形成面８８側を貼り合わせることによって、冷却用流路８９が形成される。
【００５７】
Ａｕ電極８２とＡｕ対向電極８４との間に印加する電圧を調整することによって、冷却液９０の流れる冷却用流路８９のコンダクタンスを調整することができる。
【００５８】
本発明の実施例３においては、エレクトロポリマーに溝を形成するだけであるので、半導体集積回路装置に影響を与えることなく、簡単な成膜工程によって優れた冷却システムを構築することができる。
【００５９】
ここで、実施例１乃至実施例３を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）能動素子を設けた電子デバイス基板と、前記電子デバイス基板に固着され、電圧を印加すると誘電作用により変形するエレクトロポリマーと、前記エレクトロポリマーを挟み込む電極対と、前記電子デバイス基板或いは前記エレクトロポリマーの少なくとも一方に設けた前記エレクトロポリマーの変形により流路断面積が変化する冷却用流路用の溝とを有することを特徴とする電子デバイス。
（付記２）前記エレクトロポリマーの変形が伸縮運動であり、前記伸縮運動によりポンプ動作がなされるマイクロポンプ構造を有することを特徴とする付記１に記載の電子デバイス。
（付記３）前記マイクロポンプ構造が、前記冷却用流路の延在方向にそって、前記電極対を３対以上有することを特徴とする付記２に記載の電子デバイス。
（付記４）前記冷却用流路が、閉鎖還流流路であることを特徴とする付記１乃至付記３のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記５）前記冷却用流路が並列に複数本設けられ、前記複数本の冷却用流路の内の少なくとも一本の冷却用流路の電圧非印加時の流路断面積が、他の冷却用流路の電圧非印加時の流路断面積と異なっていることを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記６）前記電子デバイス基板のホットスポットの近傍に前記ホットスポットの温度を測定する温度読み取り回路を有するとともに、前記温度読み取り回路の出力に応じて前記電極対に印加する電圧を可変にする可変電圧印加手段を有することを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記７）前記電子デバイス基板が半導体基板であり、前記冷却用流路が前記半導体基体側に形成されていることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記８）前記エレクトロポリマーが２つの前記電子デバイス基板の間に設けられており、前記冷却用流路の上下面が前記第１の電子デバイス基板と第２の電子デバイス基板の主面であり、前記冷却用流路の両側面が前記エレクトロポリマーの表面であることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記９）前記エレクトロポリマーが、電場応答高分子型人工筋肉、エレクトロアクティブエレクトロポリマー、アクリル、シリコーン或いはポリウレタンのいずれかの材料からなることを特徴とする付記１乃至付記８のいずれか１に記載の電子デバイス。
（付記１０）電子デバイス基板に能動素子を形成する工程と、基板上に、少なくとも一対の電極対で挟み込まれた電圧を印加すると誘電作用により変形するエレクトロポリマーを形成する工程と、前記少なくとも一対の電極対で挟み込まれたエレクトロポリマーを前記基板から剥離する工程と、前記剥離した少なくとも一対の電極対で挟み込まれたエレクトロポリマーを前記エレクトロポリマー自体を接着剤として前記電子デバイス基板に固着して、前記電子デバイス基板或いは前記エレクトロポリマーの少なくとも一方に前記エレクトロポリマーの変形により流路断面積が変化する冷却用流路を形成する工程とを有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【符号の説明】
【００６０】
１  エレクトロポリマー
２  冷却用流路
３，４  電極
５  冷却液
１０  ベースデバイス
２０  電子デバイス用冷却システム
２１  エレクトロポリマー
２２  溝
２３，４１，４２  電極対
２４，２７，２８  冷却用流路
２５  貫通溝
２９  接続流路
３０  電子デバイス基板
３１  溝
３２  冷却用流路
３３  ホットスポット部
３４  非ホットスポット部
４０  マイクロポンプ
５０，７０，８０，８７  シリコン基板
５１，８１，８８  デバイス形成面
５２  ソルダーレジスト
５３  パッド
５４  バンプ
５５  溝
５６，７１，８２  Ａｕ電極
５８，７２，８３，８６  ＥＡＰ膜
５７，５９，７６，８４  Ａｕ対向電極
６０，７７，８９  冷却用流路
６１，７８，９０  冷却液
７３  貫通溝
７４  スリット
７５  半導体集積回路装置
８５  溝
【図１】
0005630215.tif 000002
【図２】
0005630215.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005630215.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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