(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層が交互に積層された構造を有し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材と、
前記配線部材の最表面に形成され、該配線部材を補強する、フィラーを含有する樹脂製の第１の補強部材および第２の補強部材と、を有し、
前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に形成された第３の補強部材を設けた配線基板において、
前記第１の補強部材を、前記第２面のソルダーレジスト層上および前記第２の接続電極に配設される前記外部接続用の端子を含む全面に、前記第２の接続電極と前記外部接続用の端子との接合位置を覆うように前記ソルダーレジスト層の開口部に入り込んで形成し、
前記第２の補強部材を、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成してなる配線基板。
【請求項２】
配線層と絶縁層が交互に積層された構造を有し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材と、
前記配線部材の最表面に形成され、該配線部材を補強する、フィラーを含有する樹脂製の第１の補強部材および第２の補強部材と、を有し、
前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に形成された第３の補強部材を設けた配線基板において、
前記第１の補強部材を、前記第２面の前記ソルダーレジスト層の開口部を除く、ソルダーレジスト層上の全面に、前記第１の補強部材の開口部と前記ソルダーレジスト層の開口部とが一致するように形成し、
前記第２の補強部材を、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成してなる配線基板。
【請求項３】
前記第１面に電子素子が実装された場合に、該電子素子の背面と、前記第２の補強部材の表面とが、面一となる請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記配線部材の前記第１の補強部材が配設される面、又は前記配線部材の前記第２の補強部材が配設される面のいずれか一方に粗化面が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２面に電子部品を搭載し、かつ、該電子部品を前記第１の補強部材で封止してなる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
配線層と絶縁層を交互に積層形成し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材を形成する工程と、
該配線部材を金型に装着し、フィラーを含有する樹脂をモールド成型することにより、前記配線部材の最表面に、前記配線部材を補強する、第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程とを有し、
前記第１の補強部材は、前記第２面のソルダーレジスト層上および前記第２の接続電極に配設される前記外部接続用の端子を含む全面に、前記第２の接続電極と前記外部接続用の端子との接合位置を覆うように前記ソルダーレジスト層の開口部に入り込んで形成され、
前記第２の補強部材は、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成され、
前記第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程において、前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に第３の補強部材が形成される配線基板の製造方法。
【請求項７】
配線層と絶縁層を交互に積層形成し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材を形成する工程と、
該配線部材を金型に装着し、フィラーを含有する樹脂をモールド成型することにより、前記配線部材の最表面に、前記配線部材を補強する、第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程とを有し、
前記第１の補強部材は、前記第２面の前記ソルダーレジスト層の開口部を除く、ソルダーレジスト層上の全面に、前記第１の補強部材の開口部と前記ソルダーレジスト層の開口部とが一致するように形成され、
前記第２の補強部材は、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成され、
前記第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程において、前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に第３の補強部材が形成される配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１面に電子素子が実装された場合に、該電子素子の背面と、前記第２の補強部材の表面とが、面一となるように前記第２の補強部材を形成する請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線部材を形成した後、該配線部材の前記第２面に電子部品を搭載する工程を更に設け、
前記第１の補強部材をモールド成型する際、該電子部品も前記第１の補強部材で封止する請求項６乃至８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の補強部材を成型した後、前記第１の補強部材と共に前記配線部材を切断して個片化された配線基板を得る工程を有する請求項６乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の補強部材をモールド成型する際、該第１の補強部材を前記配線部材よりも大なる形状に成型し、
該第１の補強部材を成型した後、前記第１の補強部材を切断して個片化された配線基板を得る工程を有する請求項６乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に係り、支持体上に配線層と絶縁層を積層した後に支持体を除去することにより形成される配線部材に補強部材を設けてなる配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体パッケージ等に用いられる配線基板では、配線パターンを高密度化するため、コア基板の上下両面にビルドアップ配線層と絶縁層を積層したビルドアップ配線基板が用いられていた。
【０００３】
しかし、搭載される半導体チップの高密度化が進み、ビルドアップ配線基板に対し、更なる配線パターンの高密度化や、配線基板の薄型化の要求がなされている。そこで、この要求をかなえるため、特許文献１のようなビルドアップ配線基板（コアレス基板）が開発されている。
【０００４】
このコアレス基板では、支持体上に所要の層数のビルドアップ配線層と絶縁層とを積層し、その後に支持体を除去するため、従来のビルドアップ配線基板と異なり、コア基板が存在せず、配線基板の薄型化を達成できる。また、平坦な支持体上に配線層を形成していくため製造精度が向上し、配線パターンの高密度化も達成できる。
【０００５】
図１（Ａ）は、この製造方法により製造された配線基板（半導体パッケージとして用いられている）の一例を示している。同図に示す配線基板１００は、配線層１０２と絶縁層１０３とを積層することにより配線部材１０１を形成し、その上部に上部電極パッド１０７を形成すると共に、下部に下部電極パッド１０８を形成した構成としている。また、上部電極パッド１０７にははんだバンプ１１０が形成され、また下部電極パッド１０８は配線部材１０１の下面に形成されたソルダーレジスト１０９から露出するよう構成されている。
【０００６】
しかしながら、支持体が完全に除去された配線基板１００は、コア基板が存在しないため、薄型化の要求は達成できたが、基板自体の機械的な強度が小さい。よって、図１（Ｂ）に示すように外力が印加された場合には、容易に配線基板１００が変形してしまうという問題点があった。尚、ガラスエポキシ樹脂等を用いた一般的な配線基板では、配線基板に封止樹脂からなる枠状の補強部材を形成し、これにより配線基板の機械的強度を高めることが提案されている（特許文献２）。
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３８６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように樹脂により補強部材を形成する方法は、金型を用いたモールド成型により容易かつ安価に補強部材を形成できるため有効である。しかしながら従来の枠状の補強部材では、補強部材が配設された部位における機械的強度は向上するものの、中央部分に形成された開口内においては、外力等が印加された場合にやはり配線基板に変形が発生してしまうという問題点があった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、補強部材として樹脂を用いると共に基板変形を確実に防止しうる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
配線層と絶縁層が交互に積層された構造を有し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材と、
前記配線部材の最表面に形成され、該配線部材を補強する、フィラーを含有する樹脂製の第１の補強部材および第２の補強部材と、を有し、
前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に形成された第３の補強部材を設けた配線基板において、
前記第１の補強部材を、前記第２面のソルダーレジスト層上および前記第２の接続電極に配設される前記外部接続用の端子を含む全面に、前記第２の接続電極と前記外部接続用の端子との接合位置を覆うように前記ソルダーレジスト層の開口部に入り込んで形成し、
前記第２の補強部材を、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成してなる配線基板により解決することができる。
【００１０】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層が交互に積層された構造を有し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材と、
前記配線部材の最表面に形成され、該配線部材を補強する、フィラーを含有する樹脂製の第１の補強部材および第２の補強部材と、を有し、
前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に形成された第３の補強部材を設けた配線基板において、
前記第１の補強部材を、前記第２面の前記ソルダーレジスト層の開口部を除く、ソルダーレジスト層上の全面に、前記第１の補強部材の開口部と前記ソルダーレジスト層の開口部とが一致するように形成し、
前記第２の補強部材を、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成してなる配線基板により解決することができる。
【００１２】
また、上記発明において、前記第１面に電子素子が実装された場合に、該電子素子の背面と、前記第２の補強部材の表面とが、面一となる構成としてもよい。
また、上記発明において、前記配線部材の前記第１の補強部材が配設される面、又は前記配線部材の前記第２の補強部材が配設される面のいずれか一方に粗化面が形成されている構成としてもよい。
また、上記発明において、前記第２面に電子部品を搭載し、かつ、該電子部品を前記第１の補強部材で封止してなる構成としてもよい。
【００１３】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層を交互に積層形成し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に、前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材を形成する工程と、
該配線部材を金型に装着し、フィラーを含有する樹脂をモールド成型することにより、前記配線部材の最表面に、前記配線部材を補強する、第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程とを有し、
前記第１の補強部材は、前記第２面のソルダーレジスト層上および前記第２の接続電極に配設される前記外部接続用の端子を含む全面に、前記第２の接続電極と前記外部接続用の端子との接合位置を覆うように前記ソルダーレジスト層の開口部に入り込んで形成され、
前記第２の補強部材は、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成され、
前記第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程において、前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に第３の補強部材が形成される配線基板の製造方法により解決することができる。
【００１４】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層を交互に積層形成し、第１面に第１の接続電極が形成されると共に前記第１面とは反対面側の第２面に外部接続用の端子が配設される第２の接続電極が形成され、前記第２面に前記第２の接続電極を露出する開口部が設けられたソルダーレジスト層が形成された配線部材を形成する工程と、
該配線部材を金型に装着し、フィラーを含有する樹脂をモールド成型することにより、前記配線部材の最表面に、前記配線部材を補強する、第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程とを有し、
前記第１の補強部材は、前記第２面の前記ソルダーレジスト層の開口部を除く、ソルダーレジスト層上の全面に、前記第１の補強部材の開口部と前記ソルダーレジスト層の開口部とが一致するように形成され、
前記第２の補強部材は、前記第１面に、その中央部に開口部を有し、該第２の補強部材の開口部から前記第１の接続電極が露出するように形成され、
前記第１の補強部材及び第２の補強部材を形成する工程において、前記配線部材の側面に、前記第１の補強部材及び前記第２の補強部材と一体的に第３の補強部材が形成される配線基板の製造方法により解決することができる。
【００１６】
また、上記発明において、前記第１面に電子素子が実装された場合に、該電子素子の背面と、前記第２の補強部材の表面とが、面一となるように前記第２の補強部材を形成することとしてもよい。
また、上記発明において、前記配線部材を形成した後、該配線部材の前記第２面に電子部品を搭載する工程を更に設け、
前記第１の補強部材をモールド成型する際、該電子部品も前記第１の補強部材で封止することとしてもよい。
【００１７】
また、上記発明において、前記第１の補強部材を成型した後、前記第１の補強部材と共に前記配線部材を切断して個片化された配線基板を得ることとしてもよい。
【００１８】
また、上記発明において、前記第１の補強部材をモールド成型する際、該第１の補強部材を前記配線部材よりも大なる形状に成型し、
該第１の補強部材を成型した後、前記第１の補強部材を切断して個片化された配線基板を得ることとしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、配線部材の第２面の略全面に第１の補強部材をモールド成型したことにより、従来の枠状の補強部材に比べ、配線部材の略全面に対し変形が発生することをより確実に防止でき、配線基板の信頼性を高めることができる。
【００２０】
また、第１の補強部材を配線部材の第２面の略全面に形成する際、第２面の第２の接続電極に配設される端子を含んで形成することにより、第１の補強部材により端子の保持も行わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００２２】
図２は、本発明の第１実施形態に係る配線基板１Ａを模式的に示す図である。本実施形態に係る配線基板１Ａは、大略すると配線部材３０、第１の補強部材５０、及び第２の補強部材５１等により構成されている。配線部材３０は、後に配線基板１Ａの製造工程において詳述するように、絶縁層（図中、梨地で示す）及び配線層（図中、ハッチングで示す）が積層された構成とされている（図５（Ｃ）参照）。
【００２３】
この配線部材３０の表面３０ａには、第１の接続端子Ｃ１となる第１の配線層１８（説明において、接続パッド１８ということもある）に接続されたはんだバンプ２９が配設されている。また、配線部材３０の裏面にはソルダーレジスト２２が形成されており、このソルダーレジスト２２には開口部２２Ｘが設けられている。第２の接続端子Ｃ２となる第４配線層１８ｃは、この開口部２２Ｘ内に位置した構成とされている。
【００２４】
この第４配線層１８ｃには、ピン４０がはんだ４５を用いて接合されている。このピン４０は、配線基板１Ａの外部接続端子として機能するものである。
【００２５】
第１及び第２の補強部材５０，５１は、配線部材３０の補強材（スティフナー）として機能するものである。この第１及び第２の補強部材５０，５１は、後述するように金型１９Ａを用いてモールド成型されるものである。また、第１及び第２の補強部材５０，５１を形成するモールド樹脂としては、プラスチックパッケージ材料であるエポキシ系の樹脂（例えば、半導体装置の封止材として用いられるエポキシ樹脂）を適用することができる。この際、シリカ等のフィラーの含有量を調整することにより、第１及び第２の補強部材５０，５１の強度を調整することができる。フィラーの含有量としては、例えば85〜90wt%とすることが望ましい。
【００２６】
配線部材３０の表面３０ａ（第１面）には第２の補強部材５１が形成される。この第２の補強部材５１は、その中央部に開口部５１Ｘが形成されている。接続パッド１８（第１の接続電極）は、この開口部５１Ｘ内に位置するよう構成されている。この開口部５１Ｘには、図中一点鎖線で示すように、半導体チップ等の電子素子１２が実装される。この電子素子１２を接続パッド１８（はんだバンプ２９）に接続するため、第２の補強部材５１には開口部５１Ｘが形成されている。
【００２７】
この際、第２の補強部材５１の配線部材３０の表面３０ａからの高さと、配線部材３０に実装された状態における電子素子１２の背面の配線部材３０の表面３０ａからの高さを等しく設定する構成としてもよい。この構成とすることにより、電子素子１２の背面と第２の補強部材５１の表面は面一となり、仮に電子素子１２の冷却用の放熱フィンを設ける必要が生じた場合には、この放熱フィンと電子素子１２との熱的な接続を容易に行うことが可能となる。
【００２８】
一方、配線部材３０の裏面３０ｂ（第２面）には、第１の補強部材５０が形成されている。この第１の補強部材５０は配線部材３０の裏面３０ｂの全面に形成されている。特に本実施形態では、第１の補強部材５０は開口部２２Ｘの内部にまで配設されている。よって、第１の補強部材５０は、裏面３０ｂに第４配線層１８ｃとピン４０との接合位置をも含んで形成されている。
【００２９】
ここで、上記構成とされた配線基板１Ａの機械的強度について考察する。
【００３０】
配線部材３０の表面３０ａについては、第２の補強部材５１が形成され、これにより配線部材３０の機械的強度の向上が図られている。しかしながら、上記のように電子素子１２を実装するために第２の補強部材５１には必然的に開口部５１Ｘを形成する必要がある。よって、単に配線部材３０の表面３０ａに第２の補強部材５１のみを配設した補強構造では、第２の補強部材５１の内部における機械的強度は弱くなり、十分な強度出しを行えない。
【００３１】
そこで、本実施形態では配線部材３０の裏面３０ｂの全面に第１の補強部材５０を形成した構成としている。このように、配線部材３０を挟むように第１の補強部材５０と第２の補強部材５１を形成することにより、配線基板１Ａの機械的強度を高めることができる。
【００３２】
この際、第１の補強部材５０と第２の補強部材５１の厚さは、配線部材３０に発生する反り具合に合わせ、適宜設定することができる。例えば、第１の補強部材５０と第２の補強部材５１を同一の厚さとすることも可能である。
【００３３】
また、第１の補強部材５０は、第２の補強部材５１に形成された開口部５１Ｘと対向する位置にも形成されるため、配線部材３０の開口部５１Ｘと対向する部分における機械的強度を第１の補強部材５０により高めることができる。これにより、配線部材３０はその全体にわたり機械的強度が増大され、よって外力印加時等に配線基板１Ａに変形が発生することを防止することができる。
【００３４】
更に、本実施形態では第１の補強部材５０はソルダーレジスト２２内にも入り込み、ピン４０と第４配線層１８ｃとの接合位置も第１の補強部材５０に覆われた状態となる。このため、第１の補強部材５０によりピン４０と第４配線層１８ｃとの接合位置も補強され、ピン４０と第４配線層１８ｃとの接合強度を高めることができる。
【００３５】
次に、上記した配線基板１Ａの製造方法について説明する。図３〜図７は、本発明の第１実施形態の配線基板１Ａの製造方法を説明するための図である。
【００３６】
配線基板１Ａを製造するには、先ず図３（Ａ）に示すように、支持体１０を用意する。本実施形態では支持体１０として銅箔を用いている。この銅箔の厚さは、例えば３５〜１００μｍである。この支持体１０には、図３（Ｂ）に示すように、レジスト膜１６が形成される。このレジスト膜１６としては、例えばドライフィルムを利用することができる。
【００３７】
次に、このレジスト膜１６に対してパターニング処理を行い、図３（Ｃ）に示すように、所要部（後述する接続パッド１８の形成位置に対応する位置）に開口部１６Ｘを形成する。尚、ドライフィルム状のレジスト膜１６に対して予め開口部１６Ｘを形成しておき、この開口部１６Ｘが形成されたレジスト膜１６を支持体１０に配設することとしてもよい。
【００３８】
次に、支持体１０をめっき給電層に利用する電解めっきにより、図４（Ａ）に示すように支持体１０上に第１配線層となる接続パッド１８を形成する。この接続パッド１８は、レジスト膜１６に形成された開口部１６Ｘ内に形成されており、パッド表面めっき層２５とパッド本体２６とにより構成されている。
【００３９】
パッド表面めっき層２５は、Ａｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を積層した構造を有している。よって、接続パッド１８を形成するには、先ずＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を順にめっきすることによりパッド表面めっき層２５を形成し、続いてこのパッド表面めっき層２５上にＣｕからなるパッド本体２６をめっきにより形成する。
【００４０】
このように接続パッド１８が形成されると、その後に図４（Ｂ）に示すように、レジスト膜１６が除去される。尚、接続パッド１８は、電子素子１２と接続される第１の接続端子Ｃ１として機能する。
【００４１】
続いて、図４（Ｃ）に示すように、支持体１０に接続パッド１８を被覆する第１絶縁層２０を形成する。第１絶縁層２０の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材が使用される。第１絶縁層２０の形成方法の一例としては、支持体１０に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）しながら１３０〜１５０℃の温度で熱処理して硬化させることにより第１絶縁層２０を得ることができる。
【００４２】
次いで、図４（Ｄ）に示すように、支持体１０に形成された第１絶縁層２０に、接続パッド１８が露出するようにレーザ加工法等を用いて第１ビアホール２０Ｘを形成する。尚、第１絶縁層２０は、感光性樹脂膜をフォトリソグラフィによりパターニングして形成してもよいし、またスクリーン印刷により開口部が設けられた樹脂膜をパターニングする方法を用いてもよい。
【００４３】
続いて、図４（Ｅ）に示すように、支持体１０に接続パッド１８（第１配線層を構成する）に第１ビアホール２０Ｘを介して接続される第２配線層１８ａを形成する。この第２配線層１８ａは銅（Ｃｕ）からなり、第１絶縁層２０上に形成される。この第２配線層１８ａは、例えばセミアディティブ法により形成される。
【００４４】
詳しく説明すると、先ず、無電解めっき又はスパッタ法により、第１ビアホール２０Ｘ内及び第１絶縁層２０の上にＣｕシード層（不図示）を形成した後に、第２配線層１８ａに対応する開口部を備えたレジスト膜（不図示）を形成する。次いで、Ｃｕシード層をめっき給電層に利用した電解めっきにより、レジスト膜の開口部にＣｕ層パターン（不図示）を形成する。
【００４５】
続いて、レジスト膜を除去した後に、Ｃｕ層パターンをマスクにしてＣｕシード層をエッチングすることにより、第２配線層１８ａを得る。尚、第２配線層１８ａの形成方法としては、上記したセミアディティブ法の他にサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を採用できる。
【００４６】
次いで、図５（Ａ）に示すように、上記と同様な工程を繰り返すことにより、支持体１０に第２配線層１８ａを被覆する第２絶縁層２０ａを形成した後に、第２配線層１８ａ上の第２絶縁層２０ａの部分に第２ビアホール２０Ｙを形成する。さらに、第２ビアホール２０Ｙを介して第２配線層１８ａに接続される第３配線層１８ｂを支持体１０の第２絶縁層２０ａ上に形成する。
【００４７】
更に、支持体１０に第３配線層１８ｂを被覆する第３絶縁層２０ｂを形成した後に、第３配線層１８ｂ上の第３絶縁層２０ｂの部分に第３ビアホール２０Ｚを形成する。更に、第３ビアホール２０Ｚを介して第３配線層１８ｂに接続される第４配線層１８ｃを、支持体１０の第３絶縁層２０ｂ上に形成する。
【００４８】
続いて、支持体１０の第４配線層１８ｃ上には、開口部２２Ｘが設けられたソルダーレジスト膜２２が形成される。これにより、ソルダーレジスト膜２２の開口部２２Ｘ内に露出する第４配線層１８ｃが第２の接続端子Ｃ２となる。
【００４９】
また、後述するように配線部材３０の第４配線層１８ｃが形成される側の面には第１の補強部材５０が形成される。この第１の補強部材５０は、ソルダーレジスト２２の替わりとして機能するため、ソルダーレジスト２２の形成を省略することも可能である。
【００５０】
尚、必要に応じてソルダーレジスト膜２２の開口部２２Ｘ内の第４配線層１８ｃにＮｉ／Ａｕめっき層などのコンタクト層を形成してもよい。
【００５１】
このようにして、支持体１０上の接続パッド１８（第１の接続端子Ｃ１）の上に所要のビルドアップ配線層が形成される。上記した例では、４層のビルドアップ配線層（第１〜第４配線層１８〜１８ｃ）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００５２】
次に、図５（Ｂ）に示すように支持体１０を除去する。この支持体１０の除去は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウエットエッチングにより行うことができる。この際、接続パッド１８は最表面にパッド表面めっき層２５が形成されているため、第１配線層１８及び第１絶縁層２０に対し、支持体１０を選択的にエッチングして除去することができる。これにより、第１の接続端子Ｃ１として機能する接続パッド１８は第１絶縁層２０から露出され、各配線層１８，１８ａ，１８ｂ，１８ｃ及び各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂが積層された構造の配線部材３０が形成される。
【００５３】
次に本実施形態では、図５（Ｃ）に示すように、接続パッド１８にはんだバンプ２９（接合金属）を形成する。このはんだバンプ２９は、第１絶縁層２０から露出した接続パッド１８にはんだを印刷し、このはんだ印刷がされた配線部材３０をリフロー炉に装着してリフロー処理することにより得られる。但し、はんだバンプ２９は、後述する配線部材３０に補強部材５０，５１を設けた後に形成することも可能である。
【００５４】
続いて、第４配線層１８ｃには、はんだ４５を用いてピン４０を接合する。これにより、図６（Ａ）に示す接続パッド１８にはんだバンプ２９が配設されると共に、第４配線層１８ｃにピン４０が配設された配線部材３０が形成される。また、支持体１０が多数個取りの基板であった場合には、図５（Ｂ）又は図５（Ｃ）に示す工程が終了した後に、個々の配線基板１Ａに対応する領域で配線部材３０を切断（ダイシング等）し、これにより配線基板１Ａを個片化する工程が追加される。
【００５５】
尚、図６（Ａ）は配線部材３０を簡易的に示した図である。図６（Ａ）以降の各図においては、図示の便宜上、配線部材３０は図６（Ａ）のように簡易的に図示するものとする。
【００５６】
図６（Ａ）に示す配線部材３０に対し、続いて第１の補強部材５０及び第２の補強部材５１を成型する工程が実施される。第１及び第２の補強部材５０，５１を成型するには、図６（Ｂ）に示すように、配線部材３０を金型１９Ａに装着する。
【００５７】
金型１９Ａは、上型１９ａと下型１９ｂとにより構成されている。この上型１９ａと下型１９ｂの内側には成型しようとする第１及び第２の補強部材５０，５１の形状に対応したキャビティ１９ｇ，１９ｈが形成されている。また、上型１９ａ及び下型１９ｂの所定位置にはダム部１９ｄが形成されると共に、下型１９ｂには配線部材３０の裏面３０ｂに設けられたピン４０が挿入されるピン挿入凹部１９ｅが形成されている。
【００５８】
また、上型１９ａ及び下型１９ｂの内壁（キャビティ１９ｇ，１９ｈの内壁）には、リリースフィルム６２が設けられている。リリースフィルム６２は、上型１９ａ及び下型１９ｂの内壁に直にモールド樹脂６０が接触するのを防止するために設けられている。
【００５９】
リリースフィルム６２は、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するもので、上型１９ａ及び下型１９ｂの内壁から容易に剥離するものであって、かつ、キャビティ１９ｇ，１９ｈの形状に倣って容易に変形する柔軟性及び伸展性を有する材質が選定されている。具体的には、リリースフィルム６２として、例えばＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等を用いることができる。尚、このリリースフィルム６２は、金型１９Ａに自動供給される構成としてもよい。
【００６０】
配線部材３０が金型１９Ａに装着された状態において、ダム部１９ｄは配線部材３０の表面３０ａ及び裏面３０ｂの所定位置に当接し、またピン４０はリリースフィルム６２を破ってピン挿入凹部１９ｅの内部に挿入された状態となっている。
【００６１】
本実施形態では、ダム部１９ｄは配線部材３０の表面３０ａ及び裏面３０ｂに当接しており、よって側面３０ｃは金型１９Ａから露出した状態となっている。また、ダム部１９ｄの一部ははんだバンプ２９を囲繞するよう設けられており、よってはんだバンプ２９がモールド樹脂６０により封止されることを防止している。
【００６２】
更に、ピン４０はリリースフィルム６２を破ってピン挿入凹部１９ｅ内に挿入されるが、リリースフィルム６２はピン４０と密着した状態を維持するため、モールド樹脂６０がピン挿入凹部１９ｅ内に侵入するようなことはない。尚、図中右端部における配線部材３０と金型１９Ａとの間には、キャビティ１９ｇ，１９ｈ内にモールド樹脂６０を注入するための樹脂注入口１９ｃが形成される。
【００６３】
配線部材３０が金型１９Ａに装着されると、図６（Ｃ）に示すように、図示しない樹脂供給装置から金型１９Ａ内に樹脂注入口１９ｃを介してモールド樹脂６０が注入される。
【００６４】
前記のように、上型１９ａにははんだバンプ２９の形成領域を囲繞するようモールド樹脂６０の進行を阻止するダム部１９ｄが形成されているため、モールド樹脂６０によりはんだバンプ２９が封止されることはない。これにより、配線部材３０の表面３０ａに、はんだバンプ２９を囲繞する開口部５１Ｘを有する第２の補強部材５１が成型される。
【００６５】
これに対し、下型１９ｂに形成されたダム部１９ｄは、配線部材３０の外周で裏面３０ｂと当接した状態となっている。よって、樹脂注入口１９ｃから注入されるモールド樹脂６０は、配線部材３０の裏面３０ｂにおいては、その全面に供給されることとなる。これにより、第１の補強部材５０は、第２の接続端子Ｃ２とピン４０との接合位置を含め、裏面３０ｂの全面を覆うように成型されることとなる。
【００６６】
図７（Ａ）は、金型１９Ａ内に第１の補強部材５０及び第２の補強部材５１が成型された状態を示している。このように第１及び第２の補強部材５０，５１が成型されると、補強部材５０，５１が成型された配線部材３０は金型１９Ａから離型される。図７（Ｂ）は、金型１９Ａから取り出された配線部材３０を示している。続いて、配線基板１Ａの形状に対応する所定切断位置（図中Ａ１−Ａ２で示す）で配線部材３０及び補強部材５０，５１の切断処理を行い、これにより図７（Ｃ）に示す配線基板１Ａが製造される。
【００６７】
上記のように本実施形態に係る製造方法によれば、第１及び第２の補強部材５０，５１を同時に成型できるため、上記のように機械的強度が向上された配線基板１Ａを容易に製造することができる。また、ピン４０を設けた配線部材３０であっても、下型１９ｂにピン挿入凹部１９ｅを形成し、かつリリースフィルム６２を配設した上で樹脂モールド処理を行うことにより、ピン挿入凹部１９ｅ内にモールド樹脂６０が侵入することを防止でき、ピン挿入凹部１９ｅの洗浄等のメンテナンスを不要とすることができる。また、第１及び第２の補強部材５０，５１の成型時にピン４０にモールド樹脂６０が付着することを防止することができる。
【００６８】
次に、本発明の第２実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図８は第２実施形態である配線基板１Ｂの断面図であり、図９はその製造方法を説明するための図である。尚、以下の説明に用いる図８〜図２９の各図に示す構成において、図２乃至図７に示した構成（第１実施形態の構成）と対応する構成については、同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【００６９】
第２実施形態である配線基板１Ｂの基本構成は、図２乃至図７を用いて説明した第１実施形態の配線基板１Ａと略同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｂは、配線部材３２の裏面３０ｂに電子部品を搭載するとともに、この電子部品を第１の補強部材５０により封止したことを特徴としている。
【００７０】
本実施形態では電子部品としてチップキャパシタ７０を用いた例を示している。尚、電子部品はチップキャパシタに限定されるものではなく、抵抗やインダクタ等の他の電子部品を搭載することも可能である。
【００７１】
チップキャパシタ７０は、はんだ４５を用いて第４配線層１８ｃに接合されている。また、本実施形態においても裏面３０ｂには、その全面に第１の補強部材５０が成型された状態となっているが、この成型状態においてチップキャパシタ７０は第１の補強部材５０の内部に埋設された状態となっている。この構成とすることにより、チップキャパシタ７０に対する絶縁性が向上し、いわゆるチップ内蔵基板としての信頼性を高めることができる。
【００７２】
上記構成とされた第２実施形態に係る配線基板１Ｂを製造するには、図９（Ａ）に示すように、予めチップキャパシタ７０を配線部材３２の裏面３０ｂにはんだ４５を用いて搭載しておく。チップキャパシタ７０は小型のチップ状部品であるため、これを配線部材３２の裏面３０ｂに搭載しても、裏面３０ｂから大きく突出するようなことはない。
【００７３】
図９（Ｂ）は、チップキャパシタ７０を搭載した配線部材３２を金型１９Ａに装着した状態を示している。この状態で、チップキャパシタ７０は下側のキャビティ１９ｈの内部に位置しており、かつキャビティ１９ｈの内壁とチップキャパシタ７０との間には間隙が形成されるよう構成されている。
【００７４】
このように配線部材３２が金型１９Ａに装着されると、図６（Ｃ）及び図７を用いて説明したと同様のモールド樹脂６０を金型１９Ａ内に注入する処理が実施され、第１及び第２の補強部材５０，５１が成型される。これにより、図８に示す配線基板１Ｂが製造される。このように、配線部材３２にチップキャパシタ７０を設けた構成としても、第１実施形態と同一のモールド成型方法で配線基板１Ｂを製造することができる。
【００７５】
尚、チップキャパシタ７０の配設位置は配線部材３２の裏面３２ｂに限定されるものではなく、図８（Ｂ）に示すように、配線部材３２の表面３０ａに配設することも可能である。この構成の配線基板を製造するには、図９（Ｃ）に示すように予め配線部材３２の表裏面３０ａ，３０ｂの配線層の所定位置にチップキャパシタ７０を配設しておき、これを図９（Ｄ）に示すように金型１９Ａに装着し、各チップキャパシタ７０を被覆（封止）するように第１及び第２の補強部材５０，５１を成型すればよい。
【００７６】
次に、本発明の第３実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図１０は第３実施形態である配線基板１Ｃの断面図であり、図１１及び図１２はその製造方法を説明するための図である。
【００７７】
第３実施形態である配線基板１Ｃも、基本構成は図２乃至図７を用いて説明した第１実施形態の配線基板１Ａと同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｃは、配線部材３０の側面３０ｃと対向する位置に第３の補強部材５２を設けたことを特徴としている。
【００７８】
前記した第１及び第２実施形態に係る配線基板１Ａ，１Ｂは、配線部材３０，３２の表面３０ａに第２の補強部材５１を形成し、裏面３０ｂに第１の補強部材５０を形成し、側面３０ｃは露出した構成していた。しかしながら、第１の補強部材５０と第２の補強部材５１とを分離した構成では、より強い機械的強度が要求される場合には十分な強度を実現できないおそれがある。
【００７９】
これに対して本実施形態に係る配線基板１Ｃは、配線部材３０の側面３０ｃにも第３の補強部材５２を形成し、第１の補強部材５０と第２の補強部材５１を第３の補強部材５２で一体的に接続した構成としている。これにより、配線部材３０は開口部５１Ｘと対向する領域を除いて第１〜第３の補強部材５０〜５２に封止された状態となり、配線基板１Ｃの機械的補強をより高めることができる。
【００８０】
続いて、上記構成とされた第３実施形態に係る配線基板１Ｃの製造方法について説明する。尚、配線部材３０の製造工程（図３〜図５に示す工程）は第１実施形態と同様であるため、以下の説明では、配線部材３０に対し第１〜第３の補強部材５０〜５２を成型する工程についてのみ説明するものとする。
【００８１】
図１１（Ａ）は、配線部材３０を金型１９Ｂに装着した状態を示している。本実施形態で用いる金型１９Ｂは、図６（Ｂ）で示した金型１９Ａと異なり、配線部材３０を完全にキャビティ１９ｇ，１９ｈの内部に収納するよう構成されている。即ち、本実施形態では、配線部材３０を金型１９Ｂに装着した状態で、配線部材３０の側面３０ｃは金型１９Ｂの外部に露出した構成とはならいことを特徴としている。
【００８２】
このように配線部材３０が金型１９Ｂに装着されると、図１１（Ｂ）に示すように樹脂注入口１９ｃからモールド樹脂６０が金型１９Ｂ内に注入される。これにより、図１２（Ａ）に示すように、配線部材３０の表面３０ａと対向する位置には第２の補強部材５１が形成され、裏面３０ｂと対向する位置には第１の補強部材５０が形成され、更に側面３０ｃと対向する位置には第３の補強部材５２が形成される。続いて、図１２（Ｂ）に示すように各補強部材５０，５１，５２が形成された配線部材３０は金型１９Ｂから取り出され、配線基板１Ｃの形状に対応する所定切断位置（図中Ａ１−Ａ２で示す）で補強部材に対する切断処理を行い、これにより配線基板１Ｃが製造される。
【００８３】
次に、本発明の第４実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図１３は第４実施形態である配線基板１Ｄの断面図であり、図１４はその製造方法を説明するための図である。
【００８４】
第４実施形態である配線基板１Ｄの基本構成は、図８を用いて説明した第２実施形態の配線基板１Ｂと同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｄは、配線部材３２の側面３０ｃに第３の補強部材５２を設けたことを特徴としている。このように、配線部材３２にチップキャパシタ７０を搭載する配線基板１Ｄであっても、側面３０ｃに第３の補強部材５２を設けることは可能であり、機械的な強度をより高めることができる。
【００８５】
尚、上記した各配線基板１Ｂ〜１Ｄは、いずれも裏面３０ｂと対向する位置の全面に第１の補強部材５０が形成されており、これにより開口部５１Ｘと対向する位置の強度出し及び第４配線層１８ｃとピン４０とが接合する接合位置の補強が行われていることは、第１実施形態に係る配線基板１Ａと同様である。
【００８６】
次に、本発明の第５実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図１５は第５実施形態である配線基板１Ｅの断面図であり、図１６及び図１７はその製造方法を説明するための図である。
【００８７】
前記した第１〜第４実施形態に係る配線基板１Ａ〜１Ｄは、配線部材３０，３２の裏面３０ｂの全面に第１の補強部材５０を形成し、これにより第４配線層１８ｃとピン４０との接合位置も第１の補強部材５０により補強する構成としていた。これに対して本実施形態に係る配線基板１Ｅは、配線部材３０の裏面３０ｂにおいて、第２の接続端子としてパッド状に第４配線層１８ｃが形成された位置を除いた全面に第１の補強部材５０を形成したことを特徴としている。
【００８８】
具体的には、配線部材３０の裏面にはソルダーレジスト２２が形成されており、このソルダーレジスト２２の第４配線層１８ｃと対向する位置には開口部２２Ｘが形成されている。よって、第４配線層１８ｃはソルダーレジスト２２を介して外部に露出した構成となっている。第１の補強部材５０は、この開口部２２Ｘを除くソルダーレジスト２２の全面に積層された状態で形成されている。これにより本実施形態では、第４配線層１８ｃは開口部２２Ｘ及び第１の補強部材５０に形成された開口部５０Ｘを介して外部に露出した構成となる。
【００８９】
上記のように構成された第１の補強部材５０を形成した場合、第１の補強部材５０は開口部５０Ｘ及び開口部２２Ｘの内部に形成されないため、第４配線層１８ｃに対して任意の構造の外部接続端子を配設することが可能となる。
【００９０】
図１５に示す第５実施例に係る配線基板１Ｅでは、第２の接続端子となる第４配線層１８ｃにピン４０をはんだ４５を用いて接合した例を示している。これに対して図１６（Ａ），（Ｂ）に示す第６実施例に係る配線基板１Ｆでは、第４配線層１８ｃにはんだボールによるボール状端子４１を接合した例を示している。このように、第１の補強部材５０が第４配線層１８ｃを覆わないよう構成することにより、第４配線層１８ｃに接続する外部接続端子の選定の自由度を高めることができる。
【００９１】
また本実施形態の構成とすることにより、必然的に第１の補強部材５０に開口部５０Ｘが形成されることとなるが、第２の補強部材５１に形成されるはんだバンプ２９の形成領域の全面に形成される開口部５１Ｘと異なり、小径の開口部５０Ｘが複数離間して形成されることとなる。このため、第１の補強部材５０は第４配線層１８ｃ（開口部２２Ｘ，５０Ｘ）の形成領域を除き裏面３０ｂの全面に形成されるため、配線部材３０に対する機械的強度を向上させる機能は維持される。このように、本実施形態による配線基板１Ｅ，１Ｆによれば、外部接続端子の選定の自由度を高めつつ、かつ配線基板１Ｅ，１Ｆの強度を高めることができる。
【００９２】
尚、図１５に示した第５実施形態に係る配線基板１Ｅでは、第４配線層１８ｃにピン４０を配設し、また図１６に示した第６実施形態に係る配線基板１Ｆでは第４配線層１８ｃにボール状端子４１を設けた構成を示した。しかしながら、ピン４０及びボール状端子４１は必ずしも配設する必要はなく、第４配線層１８ｃを直接外部接続用の端子として用いることも可能である。
【００９３】
続いて、上記構成とされた第５実施形態に係る配線基板１Ｅの製造方法について説明する。尚、本実施形態においても配線部材３０の製造工程（図３〜図５に示す工程）は第１実施形態と同様であるため、以下の説明では、配線部材３０に対し第１及び第２の補強部材５０，５１を成型する工程についてのみ説明するものとする。
【００９４】
図１７（Ａ）は、本実施形態に係る製造方法に用いる配線部材３０を示している。同図に示すように、配線部材３０にピン４０或いはボール状端子４１等の外部接続端子は設けられておらず、第４配線層１８ｃはソルダーレジスト２２に形成された開口部２２Ｘから露出した状態となっている。
【００９５】
尚、後述するように配線部材３０の第４配線層１８ｃが形成された面には第１の補強部材５０が形成される。この第１の補強部材５０は、ソルダーレジスト２２の替わりとなるため、ソルダーレジスト２２の配設を省略することも可能である。
【００９６】
図１７（Ｂ）は、配線部材３０を金型１９Ａに装着した状態を示している。本実施形態で用いる金型１９Ａは、図６（Ｂ）で示した金型１９Ａと異なりピン挿入凹部１９ｅが設けられておらず、その代わりに第４配線層１８ｃと当接する凸部１９ｆが形成されている。この凸部１９ｆは注入されるモールド樹脂６０が第４配線層１８ｃに付着するのを防止する機能を奏する。尚、第４配線層１８ｃは、例えば円形のバッド状に設けられている。
【００９７】
このように配線部材３０が金型１９Ａに装着されると、図１７（Ｃ）に示すように樹脂注入口１９ｃからモールド樹脂６０が金型１９Ａ内に注入される。これにより、図１８（Ａ）に示すように、配線部材３０の表面３０ａには第２の補強部材５１が形成され、裏面３０ｂの第４配線層１８ｃの形成位置を除き第１の補強部材５０が形成される。
【００９８】
続いて、図１８（Ｂ）に示すように第１及び第２の補強部材５０，５１が形成された配線部材３０は金型１９Ａから取り出され、次に配線基板１Ｅの形状に対応する所定切断位置（図中Ａ１−Ａ２で示す）で切断処理を行い、これにより図１８（Ｃ）に示すように配線基板が製造される。そして、この配線基板にピン４０を配設することにより図１５に示す配線基板１Ｅが製造され、またボール状端子４１を配設することにより図１６に示す配線基板１Ｆが製造される。
【００９９】
次に、本発明の第７実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図１９は第７実施形態である配線基板１Ｇの断面図であり、図２０はその製造方法を説明するための図である。
【０１００】
第７実施形態である配線基板１Ｇの基本構成は、図１５乃至図１８を用いて説明した第５及び第６実施形態の配線基板１Ｅ，１Ｆと略同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｇは、配線部材３２の裏面３０ｂにチップキャパシタ７０（電子部品）を搭載するとともに、このチップキャパシタ７０を第１の補強部材５０により封止したことを特徴としている。
【０１０１】
このチップキャパシタ７０は、はんだ４５を用いて第４配線層１８ｃに接合されている。また、本実施形態においても配線部材３２の裏面３０ｂには、第４配線層１８ｃの形成位置を除き、その全面に第１の補強部材５０が成型された状態となっている。この成型状態において、チップキャパシタ７０は第１の補強部材５０の内部に埋設された状態となっている。よって本実施形態によっても、チップキャパシタ７０に対する絶縁性が向上し、いわゆるチップ内蔵基板としての信頼性を高めることができる。
【０１０２】
上記構成とされた第７実施形態に係る配線基板１Ｇを製造するには、図２０に示すように、チップキャパシタ７０を搭載した配線部材３２を金型１９Ａに装着する。この状態で、チップキャパシタ７０は下側のキャビティ１９ｈの内部に位置しており、かつキャビティ１９ｈの内壁とチップキャパシタ７０との間には間隙が形成されるよう構成されている。また、下型１９ｂに形成された凸部１９ｆは、配線部材３０の第４配線層１８ｃと当接した状態となっている。
【０１０３】
このように配線部材３２が金型１９Ａに装着されると、図１７（Ｃ），図１８（Ａ）〜（Ｂ）の処理が実施され、図１９に示す配線基板１Ｇが製造される。このように、配線部材３２にチップキャパシタ７０を設けた構成としても、第５及び第６実施形態と同一のモールド成型方法で配線基板１Ｇを製造することができる。
【０１０４】
次に、本発明の第８実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図２１は第８実施形態である配線基板１Ｈの断面図であり、図２２及び図２３はその製造方法を説明するための図である。
【０１０５】
第８実施形態である配線基板１Ｈも、基本構成は図１５乃至図１８を用いて説明した第５及び第６実施形態の配線基板１Ｅ，１Ｆと略同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｈは、配線部材３０の側面３０ｃと対向する位置に第３の補強部材５２を設けたことを特徴としている。これにより配線部材３０は、開口部５０Ｘ，５１Ｘと対向する領域を除いて第１〜第３の補強部材５０〜５２に封止された状態となり、配線基板１Ｈの機械的補強をより高めることができる。
【０１０６】
続いて、上記構成とされた第８実施形態に係る配線基板１Ｈの製造方法について説明する。尚、配線部材３０の製造工程（図３〜図５に示す工程）は第１実施形態と同様であるため、本実施形態の説明においても、配線部材３０に対し第１〜第３の補強部材５０〜５２を成型する工程についてのみ説明するものとする。
【０１０７】
図２２（Ａ）は、本実施形態に係る製造方法に用いる配線部材３０を示している。同図に示すように、配線部材３０にピン４０或いはボール状端子４１等の外部接続端子は設けられておらず、第４配線層１８ｃはソルダーレジスト２２に形成された開口部２２Ｘから露出した状態となっている。
【０１０８】
図２２（Ｂ）は、この配線部材３０を金型１９Ｂに装着した状態を示している。本実施形態で用いる金型１９Ｂは、図１７（Ｂ）で示した金型１９Ａと異なり、配線部材３０を完全にキャビティ１９ｇ，１９ｈの内部に収納するよう構成されている。即ち、本実施形態では、配線部材３０を金型１９Ｂに装着した状態で、配線部材３０の側面３０ｃは金型１９Ｂの外部に露出した構成とはなっていない。
【０１０９】
このように配線部材３０が金型１９Ｂに装着されると、図２２（Ｃ）に示すように樹脂注入口１９ｃからモールド樹脂６０が金型１９Ｂ内に注入される。これにより、図２３（Ａ）に示すように、配線部材３０の表面３０ａと対向する位置には第２の補強部材５１が形成され、裏面３０ｂと対向する位置には第１の補強部材５０が形成され、更に側面３０ｃと対向する位置には第３の補強部材５２が形成される。続いて、図２３（Ｂ）に示すように各補強部材５０，５１，５２が形成された配線部材３０は金型１９Ｂから取り出され、配線基板１Ｈの形状に対応する所定切断位置（図中Ａ１−Ａ２で示す）で切断処理を行い、これにより配線基板１Ｈが製造される。
【０１１０】
次に、本発明の第９実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図２４は第９実施形態である配線基板１Ｉの断面図であり、図２５はその製造方法を説明するための図である。
【０１１１】
第９実施形態である配線基板１Ｉの基本構成は、図１９を用いて説明した第７実施形態の配線基板１Ｇと同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｉは、配線部材３２の側面３０ｃに第３の補強部材５２を設けたことを特徴としている。このように、配線部材３２にチップキャパシタ７０を搭載する配線基板１Ｉであっても、側面３０ｃに第３の補強部材５２を設けることは可能であり、機械的な強度をより高めることができる。
【０１１２】
尚、上記した各配線基板１Ｇ〜１Ｉは、いずれも配線部材３０の裏面３０ｂにおいて第４配線層１８ｃと対向する位置には第１の補強部材５０が形成されておらず、外部接続端子（ピン４０，ボール状端子４１等）の選択の自由度を有していることは、第５及び第６実施形態に係る配線基板１Ｅ，１Ｆと同様である。
【０１１３】
次に、本発明の第１０実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図２６は第１０実施形態である配線基板１Ｊの断面図であり、図２７はその製造方法を説明するための図である。
【０１１４】
第１０実施形態である配線基板１Ｊの基本構成は、図２を用いて説明した第１実施形態の配線基板１Ａと同一である。しかしながら、本実施形態に係る配線基板１Ｊは、配線部材３０の上面に粗化面３１を形成したことを特徴としている。この粗化面３１は、後述する製造工程において支持体１０に接する面であり、本実施形態では配線部材３０の電子素子１２が搭載される側の面に形成されている。
【０１１５】
このように配線部材３０に粗化面３１を形成することにより、配線部材３０と第２の補強部材５１との密着性を向上させることができ、配線基板１Ｊの信頼性を向上させることができる。
【０１１６】
上記構成の配線基板１Ｊを製造するには、図２７（Ａ）に示す支持体１０の表面に対して粗面化処理を行う。この粗面化処理の方法としては、例えばウエットエッチングやサンドブラストを用いることができる。図２７（Ｂ）は、粗化面１０ａが形成された支持体１０を示している。
【０１１７】
続いて、支持体１０の粗化面１０ａの上部に、前記したと同様の製造方法により配線部材３０が形成される。図２７（Ｃ）は、粗化面１０ａの上部に配線部材３０が積層形成された状態を示している。
【０１１８】
支持体１０上に配線部材３０が形成されると、支持体１０がエッチングにより除去される。図２７（Ｄ）は、支持体１０が除去された状態の配線部材３０を示している。同図に示すように、支持体１０に形成された粗化面１０ａは配線部材３０に転写され、よって配線部材３０の支持体１０と接していた面には粗化面３１が形成される。
【０１１９】
次に、第４配線層１８ｃにピン４０を配設した上で、図６及び図７を用いて説明したと同様に、粗化面３１が形成された配線部材３０を金型１９Ａに装着し、第１及び第２の補強部材５０，５１の成型処理を行う。
【０１２０】
図２７（Ｅ）は、第１及び第２の補強部材５０，５１が成型された配線部材３０を金型１９Ａから離型した状態を示している。同図に示すように、第２の補強部材５１は粗化面３１に成型されているため、第２の補強部材５１は粗化面３１の凹凸に食い込んだ状態となる。
【０１２１】
このため、第２の補強部材５１は配線部材３０に強固に固定され、よって第２の補強部材５１の配線部材３０からの剥離が防止されるため配線基板１Ｊの信頼性を高めることができる。続いて、第１及び第２の補強部材５０，５１が設けられた配線部材３０は、図２７（Ｅ）に示すＡ１−Ａ２線で切断され、これにより図２６に示す配線基板１Ｊが製造される。
【０１２２】
次に、本発明の第１１実施形態である配線基板及びその製造方法について説明する。図２８は第１１実施形態である配線基板１Ｋの断面図であり、図２９はその製造方法を説明するための図である。
【０１２３】
第１１実施形態である配線基板１Ｋの基本構成は、図２６を用いて説明した第１０実施形態の配線基板１Ｊと同一である。しかしながら、第１０実施形態の配線基板１Ｊでは製造工程時において支持体１０に接していた面（粗化面３１）が
電子素子１２の実装面となり、これと反対側の面が外部接続用の面とされていたのに対し、本実施形態に係る配線基板１Ｋは製造工程時において支持体１０に接していた面（粗化面３１）を外部接続用の面とし、これと反対側の面を電子素子１２の実装面としたことを特徴とするものである。
【０１２４】
本実施形態に係る配線基板１Ｋは、粗化面３１に第１の補強部材５０が成型された構成となり、第１の補強部材５０は粗化面３１の凹凸に食い込んだ状態となる。このため、第１の補強部材５０は配線部材３０に強固に固定され、よって第１の補強部材５０の配線部材３０からの剥離が防止されるため配線基板１Ｋの信頼性を高めることができる。
【０１２５】
上記構成の配線基板１Ｋを製造する工程は、基本的には図２７に示した第１０実施形態の製造方法と同一である。具体的には、図２７（Ａ）〜（Ｄ）までの工程は、本実施形態に係る製造方法と同一である。図２９（Ａ）は図２７（Ｄ）に示す配線部材３０と等価の図であり、支持体１０が除去された状態を示す図である。
【０１２６】
本実施形態では、支持体１０が除去された面である粗化面３１側に設けられた接続パッド１８にピン４０を配設し、その上で配線部材３０を金型１９Ａに装着して第１及び第２の補強部材５０，５１の成型処理を行う。図２９（Ｂ）は、粗化面１０ａの上に補強部材が積層形成された状態を示している。
【０１２７】
同図に示すように、第１の補強部材５０は粗化面３１に成型されているため、第１の補強部材５０は粗化面３１の凹凸に食い込んだ状態となる。このため、第１の補強部材５０は配線部材３０に強固に固定され、よって第１の補強部材５０の配線部材３０からの剥離が防止されるため配線基板１Ｋの信頼性を高めることができる。
【０１２８】
続いて、第１及び第２の補強部材５０，５１が設けられた配線部材３０は、図２９（Ｂ）に示すＡ１−Ａ２線で切断され、これにより図２８に示す配線基板１Ｋが製造される。
【０１２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【０１３０】
例えば、図１３，１９，２４に示した配線基板１Ｄ，１Ｇ，１Ｉでは、配線部材３２の裏面３０ｂ側にのみチップキャパシタ７０を配設しこれを第１の補強部材５０により封止した構成を示したが、図８に示した配線基板１Ｂと同様に、配線部材３２の表面３０ａ側にチップキャパシタ７０を配設し、これを第２の補強部材５１で封止する構成とすることも可能である。
【０１３１】
また、第１乃至第１０の各実施形態では、各配線基板１Ａ〜１Ｊの製造工程において支持体１０に接していた面が電子素子１２の搭載面となり、その反対側の面が外部接続される面とされていた。しかしながら、上記した第１１実施形態のように、各配線基板１Ａ〜１Ｊの製造工程において支持体１０に接していた面を外部接続される面とし、その反対側の面を電子素子１２の搭載面とすることも可能である。
【０１３２】
また、上記した第１１実施例では配線部材３０に粗化面３１を形成した構成を示したが、第１乃至第１０実施例における配線部材３０，３２に粗化面３１を形成することも可能である。これにより、補強部材５０，５１と配線部材３０，３２との密着性，接合性の向上を図ることができる。
【０１３３】
更に、上記した第５乃至第９実施例では、パッド状の第４配線層１８ｃは、周縁部がソルダーレジスト２２や第１の補強部材５０に被覆された構成とされていた。しかしながら、パッド状の第４配線層１８ｃの全体がソルダーレジスト２２の２２Ｘ内や第１の補強部材５０の５０Ｘ内に露出した構成とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３４】
【図１】図１（Ａ）及び（Ｂ）は、従来の一例である配線基板及びその問題点を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態の配線基板の断面図である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その３）である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その４）である。
【図７】図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その５）である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態の配線基板の断面図である。
【図９】図９（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第２実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３実施形態の配線基板の断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図１２】図１２（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第３実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図１３】図１３は、本発明の第４実施形態の配線基板の断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第５実施形態の配線基板の断面図である。
【図１６】図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第６実施形態の配線基板の断面図及び底面図である。
【図１７】図１７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図１８】図１８（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第５実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図１９】図１９は、本発明の第７実施形態の配線基板の断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第７実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第８実施形態の配線基板の断面図である。
【図２２】図２２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第８実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図２３】図２３（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第８実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図２４】図２４は、本発明の第９実施形態の配線基板の断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第９実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第１０実施形態の配線基板の断面図である。
【図２７】図２７（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の第１０実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第１１実施形態の配線基板の断面図である。
【図２９】図２９（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の第１１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１３５】
１Ａ〜１Ｋ  配線基板Ｉ
１０  支持体
１０ａ，３１  粗化面
１１  半導体チップ
１６  レジスト膜
１８  接続パッド
１８ａ  第２配線層
１８ｂ  第３配線層
１８ｃ  第４配線層
１９Ａ，１９Ｂ  金型
１９ｅ  ピン挿入凹部
１９ｆ  凸部
２０  第１絶縁層
２２  ソルダーレジスト
２９  はんだバンプ
３０，３２  配線部材
５０  第１の補強部材
５０Ｘ，５１Ｘ  開口部
５１  第２の補強部材
５３  第３の補強部材
６０  モールド樹脂
６２  リリースフィルム
７０  チップキャパシタ
【図１】
0005394625.tif 000002
【図２】
0005394625.tif 000003
【図３】
0005394625.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005394625.tif 000006
【図６】
0005394625.tif 000007
【図７】
0005394625.tif 000008
【図８】
0005394625.tif 000009
【図９】
0005394625.tif 000010
【図１０】
0005394625.tif 000011
【図１１】
0005394625.tif 000012
【図１２】
0005394625.tif 000013
【図１３】
0005394625.tif 000014
【図１４】
0005394625.tif 000015
【図１５】
0005394625.tif 000016
【図１６】
0005394625.tif 000017
【図１７】
0005394625.tif 000018
【図１８】
0005394625.tif 000019
【図１９】
0005394625.tif 000020
【図２０】
0005394625.tif 000021
【図２１】
0005394625.tif 000022
【図２２】
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【図２３】
0005394625.tif 000024
【図２４】
0005394625.tif 000025
【図２５】
0005394625.tif 000026
【図２６】
0005394625.tif 000027
【図２７】
0005394625.tif 000028
【図２８】
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【図２９】
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