(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられた一対の基体と、
前記基板に設けられ、平面透視して前記一対の基体の挟まる領域に設けられた温度ヒューズエレメントと、
前記基板に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域であって前記温度ヒューズエレメントと間をあけて設けられた発熱抵抗体と、
前記一対の基体の下面に設けられ、下方に向かって延在するとともに、下端と上端との間に貫通孔を有する支持体とを備えたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の上面に前記温度ヒューズエレメントが設けられ、前記基板の下面に前記発熱抵抗体が設けられたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項３】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の下面に前記温度ヒューズエレメントが設けられ、前記基板の上面に前記発熱抵抗体が設けられたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項４】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の上面に前記温度ヒューズエレメントが設けられ、前記基板の内部に前記発熱抵抗体が設けられたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項５】
請求項１に記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記基板の下面に前記温度ヒューズエレメントが設けられ、前記基板の内部に前記発熱抵抗体が設けられたことを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントと前記基板の前記温度ヒューズエレメントが実装される実装面との間には、溶融した前記温度ヒューズエレメントとの濡れ性が前記実装面の濡れ性よりも小さい被覆層が形成されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の抵抗温度ヒューズであって、
前記温度ヒューズエレメントは、フラックスで被覆されていることを特徴とする抵抗温度ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度ヒューズエレメントが実装される抵抗温度ヒューズパッケージ、並びに、外部からの信号に基づいて発熱抵抗体を高温にし、発熱抵抗体の温度に起因して温度ヒューズエレメントを溶断する抵抗温度ヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズの作動特性を向上させる開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−９６８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
抵抗温度ヒューズの開発において、発熱抵抗体の温度を効率的に温度ヒューズエレメントに伝える作動特性の向上が求められている。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る抵抗温度ヒューズは、基板と、前記基板に設けられた一対の基体と、前記基板に設けられ、平面透視して前記一対の基体の挟まる領域に設けられた温度ヒューズエレメントと、前記基板に設けられ、平面透視して前記温度ヒューズエレメントと重なる領域であって前記温度ヒューズエレメントと間をあけて設けられた発熱抵抗体と、前記一対の基体の下面に設けられ、下方に向かって延在するとともに、下端と上端との間に貫通孔を有する支持体とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図３】図１のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図４】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの発熱抵抗体を示す基板の透過斜視図である。
【図５】本実施形態に係る抵抗温度ヒューズと支持体とを接合した状態を示す斜視図である。
【図６】一変形例に係る抵抗温度ヒューズの概観を示す斜視図である。
【図７】図６のＺ−Ｚ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図８】一変形例に係る抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図９】一変形例に係る抵抗温度ヒューズの断面図である。
【図１０】一変形例に係る抵抗温度ヒューズと支持体とを接合した状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる抵抗温度ヒューズの実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものとする。
【００１０】
＜抵抗温度ヒューズの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズの概観斜視図であって、温度ヒューズエレメントを被覆するフラックスを透過したものである。また、図２は、図１のＸ−Ｘ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。図３は、図１のＹ−Ｙ’に沿った抵抗温度ヒューズの断面図である。図４は、抵抗温度ヒューズの発熱抵抗体を示す基板の透過斜視図である。
【００１１】
本実施形態の抵抗温度ヒューズは、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に異常検出器とともに組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、異常検出器が回路の異常を検出し発熱抵抗体を通電する。その結果、抵抗温度ヒューズは、発熱抵抗体が高温となり、その温度によって温度ヒューズエレメントを溶断することで、回路の動作を緊急停止させるものである。
【００１２】
本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、抵抗温度ヒューズパッケージ２と、抵抗温度ヒューズパッケージ２に実装される温度ヒューズエレメント３とを備えている。
【００１３】
また、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズパッケージ２は、温度ヒューズエレメント３が実装される実装面Ｒを有する基板４と、基板４に設けられる一対の基体５と、基板４に設けられ、平面透視して実装面Ｒと重なる領域であって実装面Ｒと間をあけて設けられる発熱抵抗体６と、を備えている。
【００１４】
基板４は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナ、ムライトまたは窒化アルミ等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基板４の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基板４の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１５】
基板４の上面には、温度ヒューズエレメント３を実装したときに、温度ヒューズエレメントと電気的に接続される電極層７が形成されている。また、電極層７の一部は、基板４の上面から基板４の側面を介して基板４の下面にわたって形成されている。本実施形態では、電極層７は、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、電極層７が電気的にオープンになるように形成されている。なお、電極層７は、温度ヒューズエレメント３と電気的に接続されるものであって、任意のパターンに形成されている。電極層７の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、電極層７の幅とは、電極層７に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００１６】
電極層７は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、あるいはこれらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。
【００１７】
基板４の下面には、基板４を支持する一対の基体５が設けられている。基体５は、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に設けるときに、土台となるものである。そして、基体５が
外部の回路との接合用土台となることで、外部の回路から伝わる熱を基体５上に設けられる基板４に伝わりにくくすることができ、外部の温度影響による抵抗温度ヒューズの誤作動を抑制するとともに、抵抗温度ヒューズの抵抗体か発熱した際の熱が外部の回路に伝わりにくくすることにより、抵抗温度ヒューズの温度上昇特性を向上させることができる。
【００１８】
基体５は、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料、あるいはプラスチックから成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、基体５の厚みは、例えば、０．０５ｍｍ以上２ｍｍ以下に設定されている。また、基体５の熱伝導率は、例えば、１４Ｗ／ｍ・Ｋ以上２００Ｗ／ｍ・Ｋ以下に設定されている。
【００１９】
尚、基体５は、基体５の長手方向に基体５の高さに相当する切り欠き部を設ける等の手段により基体５の熱伝達断面積を小さくすることによる熱伝導を低下させたり、基体として、基板４の熱伝導率よりも小さい熱伝導率の材料や、基板４と同一材料の閉気孔含有材料を使用することにより基体５の熱伝導率を低下させる等の手段により基体５の熱伝導を低下させる手段を選択すると、外部の回路から伝わる熱を基板４に伝わりにくくすることができ、発熱抵抗体６が発する熱は、基板４を介して温度ヒューズエレメント３に伝わりやすくすることができる。
【００２０】
基体５の下面には、導電層８が形成されている。導電層８は、基体５の下面から基体５の側面を介して基体５の上面にわたって形成される。抵抗温度ヒューズ１とともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出により、導電層８を介して、発熱抵抗体６に通電し、発熱抵抗体６の温度を上昇させる。さらに、発熱抵抗体６の温度に起因して、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。なお、導電層８の幅は、例えば、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。ここで、導電層８の幅とは、導電層８に流れる電流方向と直交する方向の幅をいう。
【００２１】
導電層８は、例えば、タングステン、モリブデン、ニッケル、銅、銀、金またはアルミニウム等の金属材料、あるいはそれらの合金、複数の材料を混合した複合系材料、あるいはそれらの材料の複合層からなる。
【００２２】
基板４の上面には、温度ヒューズエレメント３が実装される。温度ヒューズエレメント３は、特定の温度以上になると溶断するものである。温度ヒューズエレメント３は、例えば、インジウム、ビスマスまたは錫等の導電材料、あるいはこれらの混合材料からなる。また、温度ヒューズエレメント３の溶断する融点は、例えば、８０℃以上１８０℃以下に設定されている。
【００２３】
温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体６と重なる領域に設けられ、矩形状に形成される。また、温度ヒューズエレメント３は、平面透視したときに発熱抵抗体６が存在する領域から食み出さないように設けられると、発熱抵抗体６の温度を効率良く温度ヒューズエレメント３に伝えることができる。なお、温度ヒューズエレメント３の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下であって、平面視したときの一辺の長さが、例えば、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定されている。
【００２４】
基板４上には、図２に示すように、温度ヒューズエレメント３と重なる領域の一部に被覆層９が形成されている。被覆層９は、基板４の温度ヒューズエレメント３が実装される実装面Ｒ上に形成されている。被覆層９は、温度ヒューズエレメント３の溶融体との濡れ性が基板４の上面に形成された温度ヒューズエレメント実装面Ｒの濡れ性よりも小さい濡れ性の材料であって、例えば、ガラスまたはフッ素樹脂等の材料から成る。
【００２５】
実装面Ｒは、温度ヒューズエレメント３が溶断したときに、温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れやすくするためのものであって、被覆層９上に溶断した温度ヒューズエレメント３の一部が付着しにくくするものである。実装面Ｒは、実装面Ｒ上に溶断した温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が濡れ、溶融体の表面張力作用により被覆層９上の温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体を吸収する作用により、被覆層９上に温度ヒューズエレメント３を構成する材料の溶融体が残存付着しにくくなり、温度ヒューズエレメント３の直下に位置する一対の電極層７間を電気的にオープンにすることができる。
【００２６】
基板４の下面には、図２または図４に示すように、発熱抵抗体６が形成されている。発熱抵抗体６は、温度ヒューズエレメント３に発熱した温度を伝えて、温度ヒューズエレメント３を溶断するものである。発熱抵抗体６は、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域であって、温度ヒューズエレメント３と基板４を介して設けられている。
【００２７】
発熱抵抗体６は、一端が電極層７と接続され、他端が導電層８と接続される。発熱抵抗体６は、所要の発熱量を確保するための抵抗値を有しており、その抵抗値確保方法の例示として、そのパターン形状は基板４の下面にて何度も折れ曲がって形成されている。そして、発熱抵抗体６の幅は、電極層７および導電層８の幅よりも小さく設定されている。発熱抵抗体６の幅を電極層７および導電層８の幅よりも小さくすることで、発熱抵抗体６の電気抵抗を大きくし、発熱抵抗体６部分にて発生するジュール熱の制御を容易にすることができる。
【００２８】
発熱抵抗体６には、抵抗温度ヒューズとともに回路に組込まれた異常検出器による回路の異常検出によって、導電層８を介して発熱抵抗体６に通電する。そして、発熱抵抗体６の電気抵抗が大きいために、発熱抵抗体６の温度が上昇する。さらに、その温度が、基板４を介して温度ヒューズエレメント３に伝わり、温度ヒューズエレメント３が所定温度以上になると溶断する。なお、発熱抵抗体６は、例えば、タングステンまたはプラチナ等の材料から成る。
【００２９】
温度ヒューズエレメント３は、フラックス１０で被覆されている。フラックス１０は、熱伝導性の優れた材料であって、例えば、松脂をテレピン油に溶かしてペースト状にしたもの、あるいは塩化亜鉛等の材料から成る。フラックス１０は、温度ヒューズエレメント３に発熱抵抗体６の温度を伝えやすくするものである。そして、発熱抵抗体６の温度と温度ヒューズエレメント３の温度差を小さくすることができる。
【００３０】
図５は、抵抗温度ヒューズ１と支持体１１とを接続した状態を示す概観斜視図である。
【００３１】
図５に示すように、抵抗温度ヒューズ１の基体５には、支持体１１が形成されている。支持体１１は、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、外部の回路と電気的に接続するものである。抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に実装するときに、仮に、支持体１１がなく抵抗温度ヒューズ１の基体５を半田等の接着材を介して外部の回路と接続しようとすると、接着材の溶融温度によっては、抵抗温度ヒューズ１の温度ヒューズエレメント３が溶断する虞がある。このようなケースにおいては、抵抗温度ヒューズ１に支持体１１を設け、支持体１１の下面を介して外部の回路と接続することにより、抵抗温度ヒューズの実装作業を容易にするとともに、実装後の抵抗温度ヒューズの作動信頼性を向上させ得る。
【００３２】
支持体１１には、例えば図５に示すように、貫通孔Ｈが形成されている。貫通孔Ｈは、支持体１１の下面の高さ位置よりも高い箇所であって、抵抗温度ヒューズ１と支持体１１との間に設けられている。支持体１１の下面を半田等の接着材を介して外部の回路と接続
するときに、支持体１１の下面の電気伝導性接合材の接合時の熱が抵抗温度ヒューズ１に伝わろうとする。支持体１１と抵抗温度ヒューズ１との間に貫通孔Ｈが形成されていることにより、支持体１１の下面から抵抗温度ヒューズ１に向かって伝わる熱の熱伝導断面積を小さくすることができ、抵抗温度ヒューズ１に熱を伝わりにくくすることができる。
【００３３】
上述したように、本実施形態によれば、外部回路に組み込んだ抵抗温度ヒューズ１は、外部回路から伝わる熱が、基体５または支持体１１を介して基板４に伝わるため、温度ヒューズエレメント３が外部回路の熱に起因して、溶断するのを抑制することができる。しいては、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１は、環境温度の影響を受けにくくすることができ、発熱抵抗体６の温度に起因した温度によって、温度ヒューズエレメント３を溶断することができる。その結果、作動特性の向上に寄与することが可能な抵抗温度ヒューズパッケージおよび抵抗温度ヒューズを提供することができる。
【００３４】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、本実施形態の変形例について説明する。なお、本実施形態の変形例に係る抵抗温度ヒューズ１のうち、本実施形態に係る抵抗温度ヒューズ１と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００３５】
＜変形例＞
図６は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１の概観を示す斜視図であって、基板４を複数層から構成したものである。また、図７は、図６のＺ−Ｚ’に沿った抵抗温度ヒューズ１の断面図であって、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６との位置関係を示している。
【００３６】
上述した実施形態では、図１に示すように、基板４は、一層であるが、これに限られない。例えば、図６または図７に示すように、基板４を複数層から構成してもよい。基板４を複数層に形成することにより、温度ヒューズエレメント３を加熱する発熱抵抗体６を基板４の内部に設けることができ、発熱抵抗体６の温度が直接外部に向かって放散されにくくすることができる。また、基板４を複数層から構成し、その最上層の下面に発熱抵抗体６を形成することにより、発熱抵抗体６と温度ヒューズエレメント３との間の距離を短くすることができ、発熱抵抗体６の温度を温度ヒューズエレメント３に伝えやすくすることができる。
【００３７】
図８は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１の断面図であって、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６との間に伝熱層１２を介在させたものである。
【００３８】
上述した実施形態では、図２に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６との間には基板４が介在されているのみの構成であったが、これに限られない。例えば、図８に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６との間に、熱伝導率の優れた伝熱層１２を設けても良い。
【００３９】
伝熱層１２は、図８に示すように、温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６との間であって、平面透視して温度ヒューズエレメント３と発熱抵抗体６と重なる領域に設けられる。
【００４０】
伝熱層１２は、発熱抵抗体６から、発熱抵抗体６と伝熱層１２の間に位置する基板４の一部を介して熱が伝わる。伝熱層１２に伝わる熱は、伝熱層１２から、伝熱層１２と温度ヒューズエレメント３との間に位置する基板４の一部を介して熱が伝わる。伝熱層１２は、発熱抵抗体６から熱が伝わりやすいように、例えば、銅またはタングステン等の熱伝導率の優れた材料、あるいはこれらの混合材料から成る。
【００４１】
図９は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１の断面図であって、基板４の下面であって、一対の基体５の間に温度ヒューズエレメント３を形成したものである。
【００４２】
上述した実施形態では、図２に示すように、基板４の上面に温度ヒューズエレメント３を形成したが、これに限られない。例えば、図９に示すように、温度ヒューズエレメント３を基板４の下面に設ける。また、発熱抵抗体６を基板４の上面であって、平面透視して温度ヒューズエレメント３と重なる領域に設ける。
【００４３】
温度ヒューズエレメント３を基板４の下面であって、一対の基体５の挟まる領域内に設けることで、抵抗温度ヒューズ１全体の厚みを小さくすることができ、抵抗温度ヒューズ１の小型化に寄与することができる。また、温度ヒューズエレメント３を一対の基体５の間に挟むように設けることで、フラックス１０および温度ヒューズエレメント３が抵抗温度ヒューズの外面より低い位置に存在する事により、温度ヒューズエレメント３およびフラックス１０を外部と接触しにくくすることができ、抵抗温度ヒューズの回路基板への搭載時や抵抗温度ヒューズ搭載後の回路基板の電子装置への実装時の取扱によるヒューズエレメント部への外力による影響を小さくすることができる。そして、温度ヒューズエレメント３およびフラックス１０が基板４から剥離する虞を低減することができ、装置取付後の作動信頼性が向上する。さらに、温度ヒューズエレメント３を基板４の上面でなく、基板４の下面に設けることで、基板４の上方から基板４に伝わる熱が直接温度ヒューズエレメント３に伝わりにくくすることができ、温度ヒューズエレメント３が環境温度の影響を受けにくくすることができる。その結果、作動特性の優れた抵抗温度ヒューズ１を提供することができる。
【００４４】
図１０は、一変形例に係る抵抗温度ヒューズ１と支持体１１とを接合した状態を示す斜視図であって、支持体１１を平板としたものである。
【００４５】
上述した実施形態では、図５に示すように、支持体１１を基体５の下方に向かって延在したが、これに限られない。例えば、図１０に示すように、支持体１１を基板４に沿って平面方向に沿って延在させてもよい。支持体１１の厚みを小さくすることで、抵抗温度ヒューズ１を外部の回路に組み込む自由度を向上させることができる。
【００４６】
抵抗温度ヒューズ、電流ヒューズまたは温度ヒューズ等のヒューズ装置全般の課題として、ヒューズ装置を回路基板に実装するときに、ヒューズ装置に熱が加わり、ヒューズ装置が必要以上に高温になることがある。かかる場合は、ヒューズ装置の温度ヒューズエレメント等が溶断し、ヒューズ装置が製品として機能しなくなる虞がある。なお、ここでは、ヒューズ装置として称した場合は、ヒューズ装置に設けられる温度ヒューズエレメントまたは電流ヒューズエレメントのことをヒューズエレメントと総称する。
【００４７】
そこで、回路基板に実装するヒューズ装置に支持体１１を設けて、支持体１１を回路基板と接続する。このとき、支持体１１のヒューズ装置よりも外方に位置する端部であって、支持体１１に形成した貫通孔Ｈよりも外側の端部を回路基板に実装するとよい。支持体１１と回路基板とを直接接続することによって、実装時にヒューズ装置に伝わる熱を低減することができる。また、支持体１１に貫通孔Ｈを設けることで、支持体１１の一端から支持体１１の他端にまで熱が伝わろうとするとき、貫通孔Ｈを避けて熱が伝わるため、貫通孔Ｈが支持体１１の一端から支持体１１の他端に熱が伝わるのを阻害する。このように、ヒューズ装置と支持体１１とを備えたヒューズ実装構造体は、ヒューズエレメントを実装したヒューズ装置と、ヒューズ装置の下面に設けられ、ヒューズエレメントと重ならない領域に向けて平面方向に延在した貫通孔Ｈを有する支持体１１とを備えた構造である。
【００４８】
ヒューズ装置は、図１０に示す例では、抵抗温度ヒューズ１と支持体１１とを接合したものであったが、これに限られない。抵抗温度ヒューズ１に代えて、温度ヒューズと支持体１１とを組み合わせた構造であってもよい。また、抵抗温度ヒューズ１に代えて、電流ヒューズと支持体とを組み合わせたものを用いた構造であってもよい。
【００４９】
さらに、図１０に示す抵抗温度ヒューズ１と支持体１１との組み合わせた構造に加えて、温度ヒューズおよび電流ヒューズを追加した構造であってもよい。
【００５０】
温度ヒューズまたは電流ヒューズは、回路保護素子として用いるものであって、特定の回路に組み込むものである。そして、回路の異常発生時に、回路の動作を緊急停止させるものである。
【００５１】
ここで、温度ヒューズとは、外部機器の異常な温度の影響を受けて、温度ヒューズエレメントが溶断することによって、回路の動作を緊急に停止させるものである。すなわち、温度ヒューズとは、外部の温度に応じて温度ヒューズエレメントが溶断されるものである。また、温度ヒューズとは、発熱抵抗体の加熱された温度によって、温度ヒューズエレメントが溶断するものではない。温度ヒューズは、基板４と、基板４に設けられた一対の基体５と、基板４に設けられ、平面透視して一対の基体５の挟まる領域に設けられた温度ヒューズエレメント３と、を備えている。
【００５２】
また、電流ヒューズとは、抵抗温度ヒューズから温度ヒューズエレメントおよび発熱抵抗体を除き、これらの温度ヒューズエレメントおよび発熱抵抗体に代えて、電流ヒューズエレメントを設けたものである。
【００５３】
ここで、電流ヒューズは、電流ヒューズの電流ヒューズエレメントが、外部機器と電気的に接続されており、外部機器に過電流が流れて所定以上の電流値になると、電流ヒューズの電流ヒューズエレメントにも同じく過電流が流れて所定以上の電流値となる。そして、電流ヒューズエレメントが加熱して、電流ヒューズエレメントが溶断することで、外部機器の回路の動作を緊急停止させるものである。電流ヒューズは、基板４と、基板４に設けられた一対の基体５と、基板４に設けられ、平面透視して一対の基体４の挟まる領域に設けられた電流ヒューズエレメントと、を備えている。なお、ヒューズ装置に電流ヒューズを組み込んだ場合は、支持体１１に別途電気を流す導電部材を接合することで、ヒューズ装置に所望の電流が流れるように設計してもよい。
【００５４】
＜抵抗温度ヒューズの製造方法＞
ここで、図１に示す抵抗温度ヒューズ１および抵抗温度ヒューズパッケージ２の製造方法について説明する。
【００５５】
先ず、基板４を準備する。基板４が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤、および溶剤等を添加混合して得た混合物よりグリーンシートを成型する。
【００５６】
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。
【００５７】
そして、グリーンシートの状態の基板４の上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って電極層７を形成する。また、同様にして、基板４の下面に対して、発熱抵抗体６を形成する。
【００５８】
次に、一対の基体５を準備する。基板４と同様に、基体５用のグリーンシートを成形する。そして、基体５の下面、側面側上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って導電層８を形成する。
【００５９】
次に、準備した焼結前の基板４および基体５を接続させた状態で、約１６００度の温度で焼成する。そして、基板５および枠体６を一体焼結する。一体焼結後の部材の、温度ヒューズエレメント搭載部、回路基板実装部および支持体の表面に所要のめっきを行う。ここでは、抵抗温度ヒューズについての個片製品の製法を述べたが、多数個取のシート形状による製造が量産性、コスト面からは好ましい。このようにして、抵抗温度ヒューズパッケージ２を作製することができる。
【００６０】
次に、基板４上の所定箇所に温度ヒューズエレメント３を実装する。そして、温度ヒューズエレメント３と電極層７とを電気的に接続する。また、基板４上に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１０を形成する。その結果、抵抗温度ヒューズ１を作製することができる。
【００６１】
尚、多数個取のシート形状にて作成した抵抗温度ヒューズパッケージ２の個々の抵抗温度ヒューズに相当する部位の所定箇所に温度ヒューズエレメント３を実装した後に、温度ヒューズエレメント３を被覆するようにフラックス１０を形成し、その後に多数個取シートを個片に分割することが量産性、コスト面からは好ましい。
【符号の説明】
【００６２】
１  抵抗温度ヒューズ
２  抵抗温度ヒューズパッケージ
３  温度ヒューズエレメント
４  基板
５  基体
６  発熱抵抗体
７  電極層
８  導電層
９  被覆層
１０  フラックス
１１  支持体
１２  伝熱層
Ｒ  実装面
ＡＳ  空隙
Ｈ  貫通孔
【図１】
0005586380.tif 000002
【図２】
0005586380.tif 000003
【図３】
0005586380.tif 000004
【図４】
0005586380.tif 000005
【図５】
0005586380.tif 000006
【図６】
0005586380.tif 000007
【図７】
0005586380.tif 000008
【図８】
0005586380.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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