(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）の上に導電性酸化物からなる複数の第１電極配線（１６）が形成され、前記複数の第１電極配線（１６）の上それぞれに金属材料からなる第２電極配線（１７）がそれぞれ形成されており、
前記第２電極配線（１７）の端部（１７ａ）を覆うと共に前記第２電極配線（１７）に電気的に接続された部材（９、１５）が、塩素を含む絶縁性接着剤（１３）を介して前記基板（２）に固定されており、
前記複数の第１電極配線（１６）のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第１電極配線（１６）の間に配置されると共に、前記一対の第１電極配線（１６）のうち相対的に高電位側の第１電極配線（１６）に接続され、導電性酸化物からなる配線状のガード電極（１８）を備えた配線基板であって、
前記絶縁性接着剤（１３）は、前記基板（２）と前記部材（９、１５）との間からはみ出すと共に、前記基板（２）と前記部材（９、１５）との間から露出した前記第１電極配線（１６）、前記第２電極配線（１７）、およびガード電極（１８）の一部を覆うはみ出し部分（１３ｂ）を有し、
前記一対の第１電極配線（１６）を構成する前記相対的に高電位側の第１電極配線（１６）と相対的に低電位側の第１電極配線（１６）との間の前記はみ出し部分（１３ｂ）において、前記ガード電極（１８）のうち前記相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側の端部は、前記相対的に高電位側の第１電極配線（１６）の上に形成された第２電極配線（１７）のうち前記相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側の端部よりも前記相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側に位置するように、前記相対的に高電位側の第１電極配線（１６）の上に形成された前記第２電極配線（１７）から露出しており、
前記ガード電極（１８）の一端部（１８ａ）は前記高電位側の第１電極配線（１６）のうち前記基板（２）と前記部材（９、１５）との間に位置する部分に電気的に接続され、前記ガード電極の他端部（１８ｂ）は前記高電位側の第１電極配線（１６）のうち前記はみ出し部分（１３ｂ）から突出した部分に電気的に接続されており、
前記ガード電極（１８）の一端部（１８ａ）は、２つ以上に分割されていると共に分割されたそれぞれが前記高電位側の第１電極配線（１６）のうち前記基板（２）と前記部材（９、１５）との間に位置する部分にそれぞれ電気的に接続されており、
前記ガード電極の他端部（１８ｂ）は、２つ以上に分割されていると共に分割されたそれぞれが前記高電位側の第１電極配線（１６）のうち前記はみ出し部分（１３ｂ）から突出した部分にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ガード電極（１８）が接続された高電位側の第１電極配線（１６）のうち、前記一対の第１電極配線（１６）で前記ガード電極（１８）を挟む部分の配線幅が、前記一対の第１電極配線（１６）で前記ガード電極（１８）を挟まない部分の配線幅よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記一対の第１電極配線（１６）のうち前記ガード電極（１８）を挟まない部分において、前記高電位側の第１電極配線（１６）の配線幅とこの高電位側の第１電極配線（１６）に対して相対的に低電位側の第１電極配線（１６）の配線幅とが異なることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２電極配線（１７）は、Ａｌを含む金属材料で形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２電極配線（１７）は、Ａｌ、Ｎｄ、Ｍｏ、Ｎｂのうち少なくとも２種類以上の合金で形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２電極配線（１７）は、ＡｌおよびＮｄのいずれか１つまたは両方を含む金属層（１７ｃ）とＭｏおよびＮｂのいずれか１つまたは両方を含む金属層（１７ｂ、１７ｄ）との少なくとも２層以上の積層配線であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に電極配線を形成してなる配線基板に関し、例えばＥＬ表示装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、金属材料の中でも電気抵抗値が特に低いＣｒやＡｌ等の金属材料は、例えば配線基板において半導体チップの端子間の狭い領域に引き回す場合や狭額縁状に形成する場合等、配線を極力細くする際に非常に有効な材料である。しかし、金属材料は腐食によって配線品質を維持できなくなるといった問題がある。
【０００３】
そこで、特許文献１では、金属配線の腐食の問題を解消するために、いわゆるＣＯＧ（Chip On Glass；ＣＯＧ）方式の実装構造において、隣り合う金属配線間に導電性酸化膜からなるガード電極が設けられた配線基板が提案されている。これによると、隣り合う金属配線間に電位差が生じる場合、隣り合う金属配線間にガード電極が介在したことによって、陽極側の金属配線の腐食を防止できるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６９５３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示される構成では、ガード電極は電位差の生じる全ての隣り合う金属配線間に配置されているので、ガード電極の幅だけ金属配線の幅が細くなってしまい、電気抵抗値を低くするという金属材料の効果が薄れてしまうという問題がある。また、隣り合う金属配線間にガード電極が配置されているので、各金属配線を狭ピッチ化できないという問題もある。
【０００６】
そして、特許文献１では、隣り合う金属配線間にガード電極が配置されているものの、どのようなメカニズムで金属配線に腐食が発生し、ガード電極がどのように作用することで腐食を防止できるのかが不明である。
【０００７】
そこで、本発明者らは、特許文献１と同様のＣＯＧ構造における金属配線の腐食のメカニズムについて検討した。具体的に、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film；ＡＣＦ）を介して、基板と半導体チップとを電気的に接続する構造について検討した。
【０００８】
ここで、ＡＣＦは、絶縁性の接着剤（バインダー）に数μｍ程度のサイズの導電粒子が混入させられた接着フィルムである。各導電粒子間の距離は導電粒子のサイズのレベルでは非常に大きいため、ＡＣＦ単体では導電粒子同士が電気的に接続されることはなく、絶縁性が維持されている。しかし、例えば配線パッドの上にＡＣＦが配置され、ＡＣＦが半導体チップの端子で配線パッドに押し付けられると、ＡＣＦ内の導電粒子が潰され、端子がＡＣＦ内の導電粒子に接触すると共に導電粒子が配線パッドに接触する。これにより、端子は導電粒子を介して配線パッドに電気的に接続され、ＡＣＦのうちＡＣＦ内の導電粒子が潰されない部分の絶縁性は維持される。このような接着剤であるＡＣＦは熱硬化性であり、塩素を含んでいるものが一般的である。
【０００９】
図１４は、ＡＣＦを介して半導体チップと基板とを電気的に接続するＡＣＦ接続工程のうちの圧着工程を示した図である。この図に示されるように、半導体チップ３０には外部接続用の出力バンプ３１が設けられている。また、半導体チップ３０が実装されるガラス等の基板３２には、出力バンプ３１と電気的に接続される引き出し配線３３がパターニングされている。そして、基板３２の引き出し配線３３と半導体チップ３０の出力バンプ３１とが向かい合わされ、引き出し配線３３と出力バンプ３１との間にＡＣＦ３４が挟まれている。ＡＣＦ３４には上述のように導電粒子３５が混入させられている。
【００１０】
このような積層構造がＡＣＦ接続で用いられる熱圧着装置３６に配置され、図１４に示されるように半導体チップ３０の上にヒータヘッド３７が配置される。そして、圧着工程が行われる。ここで、圧着条件は、例えば、加熱温度が１６０〜２００℃、加熱時間が５〜１０ｓｅｃ、圧力が５０〜１５０ＭＰａである。
【００１１】
そして、熱圧着装置３６のヒータヘッド３７で半導体チップ３０を基板３２側に押圧すると共に、ヒータヘッド３７を加熱することにより半導体チップ３０を介してＡＣＦ３４を構成する接着剤を溶解する。この後、ＡＣＦ３４を冷却し、ＡＣＦ３４を構成する接着剤を硬化する。これにより、ＡＣＦ３４を構成する接着剤中の導電粒子３５が、半導体チップ３０の出力バンプ３１と引き出し配線３３との間で潰される。出力バンプ３１と引き出し配線３３とは、潰された導電粒子３５の反発力すなわち潰された導電粒子３５が元の形に戻ろうとする復元力により出力バンプ３１および引き出し配線３３に対して導電粒子３５の接触が維持されることによって導通する。
【００１２】
上記のように圧着工程を行うと、ＡＣＦ３４を構成する接着剤の一部が半導体チップ３０と基板３２との間からはみ出す。すなわち、半導体チップ３０の側面よりも半導体チップ３０の外側にはみ出したはみ出し部分３８が生じる。このはみ出し部分３８は、ヒータヘッド３７で加熱される半導体チップ３０に直接接触しないので熱硬化せずに硬化が不十分なために硬化度が低く、手で触って柔らかい状態となっている。そして、この硬化が不十分であるはみ出し部分３８に覆われた引き出し配線３３に腐食が発生した。
【００１３】
例えば、６５℃、９５％の高温高湿雰囲気下において、塩素濃度が５０ｐｐｍ以下の接着剤を１００℃以上の温度で熱硬化させた場合には引き出し配線３３に腐食は発生しなかったが、接着剤を加熱せずに熱硬化させない場合は引き出し配線３３に腐食が発生した。この腐食が起こるメカニズムを、図１５を参照して説明する。
【００１４】
まず、隣り合う一対の引き出し配線３３において、例えば一方の引き出し配線３３（陽極）に１５Ｖを印加し、他方の引き出し配線３３（陰極）を０Ｖとする。なお、図１５は、陽極の引き出し配線３３に係る断面図を示している。
【００１５】
図１５（ａ）に示されるように、高温高湿雰囲気の条件下では、ＡＣＦ３４の接着剤の硬化が不十分であるはみ出し部分３８に水分が浸透する。これにより、図１５（ｂ）に示されるように、ＡＣＦ３４中の遊離塩素が水に溶出する。このような状態で各引き出し配線３３に上記の電圧が印加されると、図１５（ｃ）に示されるように、電圧印加によって塩素イオン（Ｃｌ−）が陽極の引き出し配線３３の表面に移動する。これにより、図１５（ｄ）に示されるように、塩素イオン（Ｃｌ−）が陽極の引き出し配線３３の表面に凝集する。これにより、陽極の引き出し配線３３に腐食が発生する。以上のように、発明者らは、水と電圧と塩素の３条件が揃うと陽極の引き出し配線３３に腐食が発生することを発見した。
【００１６】
そして、引き出し配線３３を構成する金属材料として例えばＡｌを採用した場合、以下のような化学反応を起こすものと考えられる。
（１）Ａｌ  ＋ ３ＯＨ−  →  Ａｌ（ＯＨ）３  ＋  ３ｅ−
（２）Ａｌ（ＯＨ）３  ＋  Ｃｌ−  →  Ａｌ（ＯＨ）２Ｃｌ  ＋  ＯＨ−
（３）Ａｌ  ＋  ４Ｃｌ−  →  ＡｌＣｌ４−  ＋  ３ｅ−
（４）ＡｌＣｌ４−  ＋  ３Ｈ２Ｏ  →  Ａｌ（ＯＨ）３  ＋  ３Ｈ＋  ＋  ４Ｃｌ−
この場合、（１）→（２）という反応で腐食が起こる、あるいは（３）→（４）という反応で腐食が起こるものと考えられる。
【００１７】
上記では、引き出し配線３３としてＡｌを採用した場合について説明したが、もちろんＡｌ以外の金属材料についても同様のメカニズムにより腐食が発生すると考えられる。
【００１８】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、塩素を含む絶縁性接着剤を介して基板の上に半導体チップやＦＰＣ等の部材を固定するに際し、電極配線の腐食を防止することができる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（２）の上に導電性酸化物からなる複数の第１電極配線（１６）が形成され、複数の第１電極配線（１６）の上それぞれに金属材料からなる第２電極配線（１７）がそれぞれ形成されており、第２電極配線（１７）の端部（１７ａ）を覆うと共に第２電極配線（１７）に電気的に接続された部材（９、１５）が、塩素を含む絶縁性接着剤（１３）を介して基板（２）に固定されており、複数の第１電極配線（１６）のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第１電極配線（１６）の間に配置されると共に、一対の第１電極配線（１６）のうち相対的に高電位側の第１電極配線（１６）に接続され、導電性酸化物からなる配線状のガード電極（１８）を備えた配線基板であって、絶縁性接着剤（１３）は、基板（２）と部材（９、１５）との間からはみ出すと共に、基板（２）と部材（９、１５）との間から露出した第１電極配線（１６）、第２電極配線（１７）、およびガード電極（１８）の一部を覆うはみ出し部分（１３ｂ）を有している。
【００２０】
また、一対の第１電極配線（１６）を構成する相対的に高電位側の第１電極配線（１６）と相対的に低電位側の第１電極配線（１６）との間のはみ出し部分（１３ｂ）において、ガード電極（１８）のうち相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側の端部は、相対的に高電位側の第１電極配線（１６）の上に形成された第２電極配線（１７）のうち相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側の端部よりも相対的に低電位側の第１電極配線（１６）側に位置するように、相対的に高電位側の第１電極配線（１６）の上に形成された第２電極配線（１７）から露出している。
【００２１】
そして、ガード電極（１８）の一端部（１８ａ）は高電位側の第１電極配線（１６）のうち基板（２）と部材（９、１５）との間に位置する部分に電気的に接続され、ガード電極の他端部（１８ｂ）は高電位側の第１電極配線（１６）のうちはみ出し部分（１３ｂ）から突出した部分に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
これによると、絶縁性接着剤（１３）のはみ出し部分（１３ｂ）では、高電位側の第１電極配線（１６）と低電位側の第１電極配線（１６）との間にガード電極（１８）が介在すると共に、第２電極配線（１７）から露出したガード電極（１８）が低電位側の第１電極配線（１６）に対して電位差を生じさせる部分となるので、はみ出し部分（１３ｂ）に水分と塩素が存在し、ガード電極（１８）と低電位側の第１電極配線（１６）との間に電位差が生じることでガード電極（１８）の表面に塩素が凝集したとしても、導電性酸化物からなるガード電極（１８）に腐食が発生することはない。すなわち、はみ出し部分（１３ｂ）に含まれる塩素はガード電極（１８）に凝集するので、高電位側の第１電極配線（１６）の上に設けられた金属材料からなる第２電極配線（１７）の腐食を防止することができる。
【００２３】
請求項２に記載の発明では、ガード電極（１８）が接続された高電位側の第１電極配線（１６）のうち、一対の第１電極配線（１６）でガード電極（１８）を挟む部分の配線幅が、一対の第１電極配線（１６）でガード電極（１８）を挟まない部分の配線幅よりも小さいことを特徴とする。
【００２４】
このように、高電位側の第１電極配線（１６）のうち一対の第１電極配線（１６）でガード電極（１８）を挟む部分の配線幅を部分的に小さくしているので、高電位側の第１電極配線（１６）全体の配線抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。また、第１電極配線（１６）の配線幅内にガード電極（１８）を位置させることができるので、一対の第１電極配線（１６）の間を狭ピッチ化することができる。
【００２６】
また、請求項１に記載の発明では、ガード電極（１８）の一端部（１８ａ）は、２つ以上に分割されていると共に分割されたそれぞれが高電位側の第１電極配線（１６）のうち基板（２）と部材（９、１５）との間に位置する部分にそれぞれ電気的に接続されており、ガード電極の他端部（１８ｂ）は、２つ以上に分割されていると共に分割されたそれぞれが高電位側の第１電極配線（１６）のうちはみ出し部分（１３ｂ）から突出した部分にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２７】
これによると、高電位側の第１電極配線（１６）とガード電極（１８）とは２箇所以上で短絡されているので、微細化による高電位側の第１電極配線（１６）とガード電極（１８）との断線のリスクを減らすことができる。すなわち、第１電極配線（１６）とガード電極（１８）との電気的接続の冗長性を確保することができる。
【００２８】
請求項３に記載の発明では、一対の第１電極配線（１６）のうちガード電極（１８）を挟まない部分において、高電位側の第１電極配線（１６）の配線幅とこの高電位側の第１電極配線（１６）に対して相対的に低電位側の第１電極配線（１６）の配線幅とが異なることを特徴とする。
【００２９】
これによると、隣り合う一対の第１電極配線（１６）およびこの第１電極配線（１６）の上に形成される第２電極配線（１７）の電気抵抗値が揃うようにすることができる。このため、各電極配線（１６、１７）に流れる電流の大きさも揃えることができる。
【００３０】
請求項４に記載の発明では、第２電極配線（１７）は、Ａｌを含む金属材料で形成されていることを特徴とする。
【００３１】
このように、第２電極配線（１７）がＡｌを含む金属材料で形成されているので、第２電極配線（１７）の配線抵抗を小さくすることができる。
【００３２】
請求項５に記載の発明では、第２電極配線（１７）は、Ａｌ、Ｎｄ、Ｍｏ、Ｎｂのうち少なくとも２種類以上の合金で形成されていることを特徴とする。
【００３３】
このように、第２電極配線（１７）は合金であるので、第２電極配線（１７）の耐腐食性を向上させることができる。
【００３４】
請求項６に記載の発明では、第２電極配線（１７）は、ＡｌおよびＮｄのいずれか１つまたは両方を含む金属層（１７ｃ）とＭｏおよびＮｂのいずれか１つまたは両方を含む金属層（１７ｂ、１７ｄ）との少なくとも２層以上の積層配線であることを特徴とする。
【００３５】
これによると、ＡｌおよびＮｄのいずれかを含む金属層（１７ｃ）がＭｏおよびＮｂのいずれかを含む金属層（１７ｂ、１７ｄ）で覆われているので、ＡｌおよびＮｄのいずれかを含む金属層（１７ｃ）が水分や塩素との接触が防止され、第２電極配線（１７）の耐腐食性を向上させることができる。
【００３６】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ表示装置の分解平面図である。
【図２】図１に示されるＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】（ａ）は高電位側の第２引き出し配線を構成する第１電極配線の平面図であり、（ｂ）は高電位側の第２引き出し配線を構成する第２電極配線の平面図である。
【図６】第２実施形態において、複数の第１引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第１引き出し配線を示した平面図である。
【図７】第３実施形態において、複数の端子配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の端子配線を示した平面図である。
【図８】第４実施形態において、複数の端子配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の端子配線を示した平面図である。
【図９】第５実施形態において、複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図である。
【図１０】第６実施形態において、複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図である。
【図１１】（ａ）は第７実施形態において複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１２】他の実施形態において、ガード電極の形状を説明するための図である。
【図１３】他の実施形態において、ガード電極の形状を説明するための図である。
【図１４】課題を説明するための図であり、ＡＣＦを介して半導体チップを基板に接着する圧着工程を示した図である。
【図１５】課題を説明するための図であり、腐食が起こるメカニズムを説明した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００３９】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、例えば車両に搭載され、所定の情報を画像表示する車両用表示器として用いられる。
【００４０】
図１は、本発明に係る配線基板を適用したＥＬ表示装置の分解平面図である。また、図２は、図１に示されるＥＬ表示装置の断面図である。これら図１および図２を参照してＥＬ表示装置１の構成を説明する。
【００４１】
まず、図２に示されるように、ＥＬ表示装置１は、透明なガラス等によって形成された基板２を有している。その基板２の一面には、第１電極３がストライプ状に形成されている。また、第１電極３の上にＥＬ発光層４が一様な厚さで平面的に形成されている。さらに、ＥＬ発光層４の上には第２電極５がストライプ状に形成されている。
【００４２】
第１電極３は、ホール注入電極として機能するＩＴＯ等の導電性酸化膜によって形成された電極である。この第１電極３は、いわゆるデータ線である。また、第２電極５は、電子注入電極として機能するＡｌ等の光反射性材料によって形成された電極である。この第２電極５は、いわゆる走査線である。これら第１電極３を構成するＩＴＯ等の導電性酸化膜の厚さは例えば１５０ｎｍであり、第２電極５を構成するＡｌ等の光反射性材料の厚さは例えば２００ｎｍである。
【００４３】
ＥＬ発光層４は、例えばホール注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等が順に形成されたＥＬ膜である。ＥＬ膜として、無機ＥＬ膜や有機ＥＬ膜が採用される。
【００４４】
そして、第１電極３および第２電極５は、図１に示されるように、互いに直交するようにそれぞれ形成されており、第１電極３と第２電極５との交差に画素がそれぞれ形成されている。したがって、各画素は基板２の一面においてドッド・マトリクス状に配列されており、このドット・マトリクス状に配列された各画素により有効表示領域６が形成される。この有効表示領域６に画像が表示される。
【００４５】
また、第１電極３はカラム配線としての第１引き出し配線７に接続され、第２電極５はロウ配線としての第２引き出し配線８に接続されている。これら第１引き出し配線７および第２引き出し配線８は、基板２の外縁部に実装された駆動用ＩＣ９まで基板２の外縁部にそれぞれ引き回されている。第１引き出し配線７および第２引き出し配線８は、例えば１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ等の導電性酸化膜上に例えば５５０ｎｍの厚さのＡｌを含む金属材料が積層された積層配線構造になっている。なお、「Ａｌを含む金属材料」とは、Ａｌそのものでも良いし、Ａｌを含んだＡｌ合金でも良い。
【００４６】
そして、図２に示されるように、接着剤１０を介して有効表示領域６を覆うカバー１１が基板２の一面に装着される。これにより、ＥＬ発光層４が封止されている。また、第１引き出し配線７および第２引き出し配線８の一部がカバー１１から露出し、上述のように駆動用ＩＣ９まで引き伸ばされている。
【００４７】
さらに、基板２の一面には、第１引き出し配線７および第２引き出し配線８の各端部から一定間隔を空けてさらに基板２の外縁側に端子配線１２が形成されている。この端子配線１２は、第１引き出し配線７および第２引き出し配線８と同様に、例えば１５０ｎｍの厚さのＩＴＯ等の導電性酸化膜上に例えば５５０ｎｍの厚さのＡｌを含む金属材料が積層された積層配線構造になっている。
【００４８】
駆動用ＩＣ９は、導電接合要素であるＡＣＦ１３を介して基板２に固定され、上記の第１引き出し配線７、第２引き出し配線８、および端子配線１２に電気的に接続された電子部品である。駆動用ＩＣ９は、外部からの指令に基づいて、第１電極３および第２電極５に所望の電圧をそれぞれ印加することにより、有効表示領域６に所望の画像を表示させるための集積回路である。なお、駆動用ＩＣ９は半導体チップである。
【００４９】
図２に示されるように、駆動用ＩＣ９は出力側バンプ９ａおよび入力側バンプ９ｂを有している。そして、出力側バンプ９ａが第１引き出し配線７や第２引き出し配線８に電気的に接続され、入力側バンプ９ｂが端子配線１２に電気的に接続されている。
【００５０】
ＡＣＦ１３は、塩素を含む絶縁性の接着剤に導電粒子１３ａが混入させられた接着フィルムである。ＡＣＦ１３の厚さは、例えば２０μｍである。また、ＡＣＦ１３の接着剤に含まれる導電粒子１３ａの材質は例えばＮｉ／Ａｕめっきの樹脂粒子であり、大きさは例えば３μｍφであり、密度は例えば４００００ｐｃｓ／ｍｍ２である。
【００５１】
駆動用ＩＣ９は以下のようにＣＯＧ実装される。まず、第１引き出し配線７、第２引き出し配線８、および端子配線１２の端部を覆うようにＡＣＦ１３が基板２の上に貼付され、ＡＣＦ１３が基板２に仮圧着される。続いて、ＡＣＦ１３表面のカバーフィルムが剥がされ、駆動用ＩＣ９の出力側バンプ９ａおよび入力側バンプ９ｂがＡＣＦ１３側に向けられると共にＡＣＦ１３の上に駆動用ＩＣ９が配置される。
【００５２】
そして、図１４に示された熱圧着装置３６のヒータヘッド３７で駆動用ＩＣ９を基板２側に押さえ付けると共にヒータヘッド３７で駆動用ＩＣ９を介してＡＣＦ１３を加熱する。ここで、圧着条件は、例えば、加熱温度が１６０〜２００℃、加熱時間が５〜１０ｓｅｃ、圧力が５０〜１５０ＭＰａである。
【００５３】
ＣＯＧ実装前は駆動用ＩＣ９の出力側バンプ９ａおよび入力側バンプ９ｂは例えば高さが約１０μｍである。ヒータヘッド３７によって駆動用ＩＣ９が基板２側に押し付けられることで、各バンプ９ａ、９ｂによって、各バンプ９ａ、９ｂと各配線７、８、１２との間の導電粒子１３ａが潰される。これにより、各バンプ９ａ、９ｂと各配線７、８、１２とが導通する。また、ＡＣＦ１３のうち各バンプ９ａ、９ｂと各配線７、８、１２との間に位置していない導電粒子１３ａは潰されることはないので、基板２の一面の面方向に対しては絶縁性が維持されている。
【００５４】
このように、本実施形態では、ＥＬ表示装置１は、基板２上に半導体チップである駆動用ＩＣ９が直接に実装されるいわゆるＣＯＧ方式により形成されている。
【００５５】
また、駆動用ＩＣ９が基板２にＣＯＧ実装されたことで、ＡＣＦ１３には基板２と駆動用ＩＣ９との間からはみ出すと共に、基板２と駆動用ＩＣ９との間から露出した各配線７、８、１２の一部を覆うはみ出し部分１３ｂが形成されている。このはみ出し部分１３ｂは、ヒータヘッド３７で加熱される駆動用ＩＣ９に直接接触しないので、熱硬化せずに硬化が不十分な状態で基板２と駆動用ＩＣ９との間から露出している。つまり、駆動用ＩＣ９の側面よりも側面の外側に突出した状態になっている。
【００５６】
なお、駆動用ＩＣ９に対してＡＣＦ１３の平面サイズが非常に大きい場合、はみ出し部分１３ｂのうち駆動用ＩＣ９に近い部分は硬化が不十分な状態となっているが、はみ出し部分１３ｂのうち駆動用ＩＣ９から遠い部分は熱が伝達されずに未硬化となっている場合もあり得る。
【００５７】
そして、駆動用ＩＣ９やカバー１１の外周には、各導電接続部に水滴等が付着することを防止するための防滴材１４が設けられている。
【００５８】
さらに、端子配線１２には、配線接続要素としてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit；ＦＰＣ）１５が電気的に接続されている。このＦＰＣ１５は、フィルム状の絶縁体の上に金属配線パターン１５ａが形成され、この金属配線パターン１５ａの端部に金属配線端子１５ｂが形成された電子部品である。なお、金属配線端子１５ｂとしては、はんだめっきやＡｕめっきやＳｎめっき等が採用される。
【００５９】
具体的には、駆動用ＩＣ９と端子配線１２との電気的接続と同様に、ＦＰＣ１５に設けられた金属配線端子１５ｂがＡＣＦ１３の導電粒子１３ａを介して端子配線１２に電気的に接続され、端子配線１２とＦＰＣ１５とが導通している。また、ＦＰＣ１５と基板２の接続部には、水滴等が付着することを防止するための防滴材１４が設けられている。
【００６０】
ＦＰＣ１５のうち基板２側とは反対側の端部には図示しない外部接続端子が設けられており、この外部接続端子が図示しない外部回路に接続される。そして、この外部回路から伝送される信号に基づいて駆動用ＩＣ９が駆動され、駆動用ＩＣ９により第１電極３にデータ信号が入力され、第２電極５に走査信号が入力される。
【００６１】
本実施形態に係るＥＬ表示装置１は以上のように構成されており、第１電極３と第２電極５との間に流れる電流が画素毎に制御され、各画素が選択的に発光させられることにより、有効表示領域６内に文字や数字等の画像が表示される。
【００６２】
次に、第２引き出し配線８の端部の具体的な構造について図３および図４を参照して説明する。図３は、図１に示された複数の第２引き出し配線８のうち互いに隣り合う一対の第２引き出し配線８を示した平面図である。また、図４は図３のＡ−Ａ断面図である。
【００６３】
図３に示されるように、駆動用ＩＣ９と第２引き出し配線８とが駆動用ＩＣ９の出力側バンプ９ａによって電気的に接続されている。そして、互いに隣り合う一対の第２引き出し配線８には高電位側（Ｖ１）と低電位側（Ｖ２）という相対的にＶ１＞Ｖ２の関係になっている。
【００６４】
また、図４に示されるように、第２引き出し配線８は、基板２の上に形成されたＩＴＯ等の導電性酸化物からなる第１電極配線１６と、この第１電極配線１６の上に形成されたＡｌ等の金属材料からなる第２電極配線１７との積層構造になっている。このように、高電位側および低電位側の各第２引き出し配線８が第１電極配線１６および第２電極配線１７の２層構造になっている。本実施形態では、第１電極配線１６と第２電極配線１７との各配線幅は同じである。
【００６５】
なお、図４では、高電位側の第２引き出し配線８に係る断面図を示しているが、低電位側の第２引き出し配線８に係る断面も図４に示される断面図と同じである。
【００６６】
そして、図３に示されるように、一対の第２引き出し配線８のうち高電位側の第２引き出し配線８は、高電位側の第２引き出し配線８と低電位側の第２引き出し配線８との間に位置すると共に、第１電極配線１６に接続されたガード電極１８を備えている。
【００６７】
言い換えると、高電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６は、互いに隣り合う一対の第１電極配線１６の間に配置されると共に、当該一対の第１電極配線１６のうち相対的に高電位側の第１電極配線１６に接続されたガード電極１８を備えている。このガード電極１８は、基板２の一面のうち基板２と駆動用ＩＣ９との間の領域からはみ出し部分１３ｂ側に延びると共に、ＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂとＡＣＦ１３の形成されていない部分との境界線を越えて形成されているとも言える。つまり、ＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂでは、高電位側および低電位側の各第２引き出し配線８の間にはガード電極１８の中間部分のみが位置している。
【００６８】
図５（ａ）は高電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６の平面図であり、図５（ｂ）は高電位側の第２引き出し配線８を構成する第２電極配線１７の平面図である。
【００６９】
図５（ａ）に示されるように、ガード電極１８は第１電極配線１６の一部として設けられている。つまり、ガード電極１８は第１電極配線１６と同じＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されている。ここで、ガード電極１８の厚さは第１電極配線１６と同じ例えば１５０ｎｍである。また、ガード電極は配線状をなしており、ガード電極１８の一方と他方が第１電極配線１６にそれぞれ接続された状態になっている。このため、第１電極配線１６とガード電極１８とで囲まれた空間（窓部）が形成される。
【００７０】
一方、図５（ｂ）に示されるように、第１電極配線１６の上に形成される第２電極配線１７にはガード電極１８は設けられていない。したがって、図５（ｂ）に示される第２電極配線１７が図５（ａ）に示される第１電極配線１６の上に形成されると、図３に示されるように、ガード電極１８が第２電極配線１７から突出した状態となる。そして、第２電極配線１７の端部１７ａが駆動用ＩＣ９で覆われると共にＡＣＦ１３中の導電粒子１３ａおよび出力側バンプ９ａを介して駆動用ＩＣ９に電気的に接続される。
【００７１】
ここで、図５（ａ）に示されるように、高電位側の第１電極配線１６のうちガード電極１８が設けられた部分の配線幅が、ガード電極１８が設けられていない部分の配線幅よりも細くなっている。なお、「高電位側の第１電極配線１６のうちガード電極１８が設けられた部分」とは、ガード電極１８が接続された高電位側の第１電極配線１６のうち、一対の第１電極配線１６でガード電極１８を挟む部分である。また、「高電位側の第１電極配線１６のうちガード電極１８が設けられていない部分」とは、一対の第１電極配線１６でガード電極１８を挟まない部分である。
【００７２】
そして、図３に示されるように、ガード電極１８の一端部１８ａは高電位側の第１電極配線１６のうち基板２と駆動用ＩＣ９との間に位置する部分に電気的に接続されている。また、ガード電極の他端部１８ｂは高電位側の第１電極配線１６のうちはみ出し部分１３ｂから突出した部分に電気的に接続されている。つまり、ガード電極１８の他端部１８ｂは、基板２上のうちはみ出し部分１３ｂが形成されていない領域に位置している。このようにガード電極１８の一端部１８ａおよび他端部１８ｂが位置しているので、ガード電極１８の一端部１８ａと他端部１８ｂとの間の中間部分が、ＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂに覆われている。
【００７３】
このように、ＩＴＯ等の導電性酸化膜の上にＡｌを含む金属材料が積層されることによって形成されている第２引き出し配線８の間であって、かつ、ＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂに、導電性酸化膜からなるガード電極１８を介在させている。このような構造により、はみ出し部分１３ｂに位置する隣り合う高電位側と低電位側の各第２引き出し配線８において、電位差が生じるのはガード電極１８と低電位側の第２引き出し配線８となるので、はみ出し部分１３ｂに腐食の原因となる水分と塩素が存在した状態でガード電極１８に低電位側の第２引き出し配線８よりも高い電圧が印加されてガード電極１８の表面に塩素が凝集したとしても、導電性酸化物からなるガード電極１８に腐食が発生することはない。
【００７４】
また、一対の第１電極配線１６を構成する相対的に高電位側の第１電極配線１６と相対的に低電位側の第１電極配線１６との間のはみ出し部分１３ｂにおいて、ガード電極１８のうち相対的に低電位側の第１電極配線１６側の端部は、相対的に高電位側の第１電極配線１６の上に形成された第２電極配線１７のうち相対的に低電位側の第１電極配線１６側の端部よりも相対的に低電位側の第１電極配線１６側に位置するように、相対的に高電位側の第１電極配線１６の上に形成された第２電極配線１７から露出している。
【００７５】
言い換えると、高電位側の第２引き出し配線８のうち低電位側の第２引き出し配線８側の端部と低電位側の第２引き出し配線８のうち高電位側の第２引き出し配線８側の端部との間のはみ出し部分１３ｂにおいて、ガード電極１８と高電位側の第２引き出し配線８との間、およびガード電極１８と低電位側の第２引き出し配線８との間にははみ出し部分１３ｂのみが存在し、各第２引き出し配線８の構成部分は存在していない。
【００７６】
このように、高電位側の第２引き出し配線８と低電位側の第２引き出し配線８との間で電位差を生じさせる部分はガード電極１８のみであるから、はみ出し部分１３ｂにおいてＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂに含まれる塩素が凝集するのはガード電極１８のみである。したがって、高電位側の第２引き出し配線８を構成する金属材料で形成された第２電極配線１７には塩素が凝集することもないし、ひいては高電位側の第２電極配線１７に腐食が発生することもない。
【００７７】
ここまで、隣り合う一対の第２引き出し配線８について説明したが、電位差の大小関係が成り立つ限り、各第２引き出し配線８にガード電極１８がそれぞれ設けられる。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態では、各引き出し配線７、８や端子配線１２を、導電性酸化物からなる第１電極配線１６の上に金属材料からなる第２電極配線１７を形成した積層構造とし、隣り合う第２引き出し配線８間のうち相対的に高電位側の第２引き出し配線８に、ＡＣＦ１３の硬化が不十分であるはみ出し部分１３ｂに位置するガード電極１８を設けたことが特徴となっている。
【００７９】
これにより、高電位側の第２引き出し配線８（第１電極配線１６）とガード電極１８とが接続され、高電位側の第２引き出し配線８とガード電極１８とが同電位状態となるので、隣り合う第２引き出し配線８間において、電位差が生じるのは高電位側のガード電極１８と低電位側の第２引き出し配線８となる。このため、腐食の原因の一つである塩素を、腐食しないガード電極１８に凝集させることができるので、各配線８を構成する金属材料からなる第２電極配線１７を腐食から防止することができる。なお、本実施形態ではガード電極１８の厚さは第１電極配線１６と同じであるが、高電位側の第２引き出し配線８とガード電極１８とが同電位状態であれば、ガード電極１８の厚さは第１電極配線１６と異なっていても良い。
【００８０】
また、本実施形態では、高電位側の第１電極配線１６においてガード電極１８が設けられる部分の配線幅をガード電極１８が設けられない部分の配線幅よりも部分的に小さくしている。このため、第１電極配線１６全体（つまり高電圧側の配線８）の配線抵抗の上昇を最小限に抑えることができる。そして、ガード電極１８が設けられない部分の配線幅の範囲内にガード電極１８を配置できるので、各配線８のピッチを狭くすることができ、ひいては狭ピッチ化することができる。
【００８１】
特に、図１に示されるように、基板２の外縁部に第２引き出し配線８を引き回す場合には、各第２引き出し配線８を狭ピッチ化することができるので、基板２のサイズや外縁部のスペースを大きくする必要がなく、表示パネルを狭額縁化することができる。
【００８２】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、駆動用ＩＣ９が特許請求の範囲の「部材」に対応し、ＡＣＦ１３が特許請求の範囲の「絶縁性接着剤」に対応する。
【００８３】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。上記第１実施形態では、第２引き出し配線８にガード電極１８を設けることについて説明した。しかしながら、第１引き出し配線７についても隣り合う第１引き出し配線７間で電位差が生じる場合には高電位側の第１引き出し配線７にガード電極１８を設けることで、金属材料で形成された第２電極配線１７の腐食を防止することができる。
【００８４】
図６は、複数の第１引き出し配線７のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第１引き出し配線７を示した平面図である。この図に示されるように、隣り合う第１引き出し配線７間のうち高電位側（Ｖ１）の第１引き出し配線７に、ＡＣＦ１３の硬化が不十分であるはみ出し部分１３ｂに位置するガード電極１８が設けられている。なお、第１引き出し配線７の断面構造は、図４に示されるように、導電性酸化物からなる第１電極配線１６の上に金属材料からなる第２電極配線１７が形成された積層構造である。
【００８５】
このように、第１引き出し配線７にガード電極１８を設けることにより、高電位側の第１引き出し配線７を構成する金属材料からなる第２電極配線１７の腐食を防止することができる。
【００８６】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。上記第１、第２実施形態では、第１、第２引き出し配線７、８にガード電極１８をそれぞれ設けることについて説明した。しかしながら、端子配線１２にガード電極１８を設けることもできる。
【００８７】
図７は、複数の端子配線１２のうち互いに隣り合う少なくとも一対の端子配線１２を示した平面図である。この図に示されるように、端子配線１２についても隣り合う端子配線１２間で電位差が生じる場合には高電位側の端子配線１２にガード電極１８を設けることで、金属材料で形成された第２電極配線１７の腐食を防止することができる。
【００８８】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。上記第１〜第３実施形態では、ＡＣＦ１３を介して第１、第２引き出し配線７、８や端子配線１２に駆動用ＩＣ９を接続した場合にＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂにガード電極１８をそれぞれ設けることについて説明した。しかしながら、図２に示されるように、ＡＣＦ１３を介して端子配線１２にＦＰＣ１５を接続する場合にもＡＣＦ１３のはみ出し部分１３ｂが設けられるので、端子配線１２とＦＰＣ１５との接続関係に基づいて端子配線１２にガード電極１８を設けることもできる。
【００８９】
図８は、複数の端子配線１２のうち互いに隣り合う少なくとも一対の端子配線１２を示した平面図である。この図に示されるように、各端子配線１２にはＦＰＣ１５の金属配線端子１５ｂが電気的に接続されている。そして、複数の端子配線１２にＦＰＣ１５が接続されたことにより、隣り合う端子配線１２間で電位差が生じる場合、高電位側の端子配線１２にガード電極１８が設けられる。これにより、端子配線１２を構成する金属材料で形成された第２電極配線１７の腐食を防止することができる。
【００９０】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ＦＰＣ１５が特許請求の範囲の「部材」に対応する。
【００９１】
（第５実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。上記各実施形態では、各引き出し配線７、８や端子配線１２を構成する第１電極配線１６および第２電極配線１７の配線幅はガード電極１８を除いて同じであった。本実施形態では、これら第１電極配線１６と第２電極配線１７との配線幅やピッチを規定したことが特徴となっている。
【００９２】
図９は、複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図である。この図に示されるように、高電位側の第２引き出し配線８のうち、ガード電極１８が設けられていない部分の第１電極配線１６の配線幅をＴとするとＴ＝５０μｍであり、第２電極配線１７の配線幅をＴ’とするとＴ’＝４０μｍである。また、第２電極配線１７は第１電極配線１６に沿って形成されており、第１電極配線１６の端部と第２電極配線１７の端部との幅をＬとするとＬ＝５μｍである。
【００９３】
また、ガード電極１８の幅をＩとするとＩ＝１０μｍであり、高電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６とガード電極１８との間のスペースをＪとするとＪ＝５μｍである。
【００９４】
一方、低電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６の配線幅をＵとするとＵ＝５０μｍであり、第２電極配線１７の配線幅をＵ’とするとＵ’＝４０μｍである。また、第２電極配線１７は第１電極配線１６に沿って形成されており、第１電極配線１６の端部と第２電極配線１７の端部との幅をＭとするとＭ＝５μｍである。
【００９５】
そして、高電位側の第２引き出し配線８のうちガード電極１８が設けられていない部分において、各第２引き出し配線８を構成する各第１電極配線１６の間隔をＶとするとＶ＝３５μｍであり、各第２電極配線１７の間隔をＷとするとＷ＝４５μｍである。
【００９６】
以上のように、各第２引き出し配線８において、第１電極配線１６の配線幅を第２電極配線１７の配線幅よりも広くすることもできる。なお、本実施形態では、第２引き出し配線８と駆動用ＩＣ９との接続部分について説明したが、第１引き出し配線７や端子配線１２についても同様である。また、端子配線１２とＦＰＣ１５との接続部分についても同様に各配線幅や間隔を規定することができる。
【００９７】
（第６実施形態）
本実施形態では、第５実施形態と異なる部分について説明する。図１０は、複数の第２引き出し配線のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線を示した平面図である。この図に示されるように、本実施形態では、高電位側の第２引き出し配線８のうち、ガード電極１８が設けられていない部分の第１電極配線１６の配線幅をＰとするとこの配線幅ＰはＰ＝６０μｍであり、第５実施形態で示された配線幅Ｔよりも大きい値になっている。第２電極配線１７の配線幅Ｐ’についても同様にＰ’＝５０μｍであり、第５実施形態で示された配線幅Ｔ’よりも大きくなっている。また、第２電極配線１７は第１電極配線１６に沿って形成されており、第１電極配線１６の端部と第２電極配線１７の端部との幅をＮとするとＮ＝５μｍである。
【００９８】
また、ガード電極１８の幅をＧとするとＧ＝１０μｍであり、高電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６とガード電極１８との間のスペースをＨとするとＨ＝５μｍである。
【００９９】
一方、低電位側の第２引き出し配線８を構成する第１電極配線１６の配線幅をＱとするとＱ＝５０μｍであり、第２電極配線１７の配線幅をＱ’とするとＱ’＝４０μｍである。
【０１００】
そして、高電位側の第２引き出し配線８のうちガード電極１８が設けられていない部分において、各第２引き出し配線８を構成する各第１電極配線１６の間隔をＲとするとＲ＝２５μｍであり、各第２電極配線１７の間隔をＳとするとＳ＝３５μｍである。また、第２電極配線１７は第１電極配線１６に沿って形成されており、第１電極配線１６の端部と第２電極配線１７の端部との幅をＯとするとＯ＝５μｍである。
【０１０１】
このような構造によると、駆動用ＩＣ９の出力側バンプ９ａと第２電極配線１７から有効表示領域６までの電気抵抗値を揃えることができる。したがって、各第２引き出し配線８に等電圧を印加したときに、駆動用ＩＣ９の出力側バンプ９ａと第２電極配線１７との接続部から有効表示領域６までに流れる電流値を揃えることができる。
【０１０２】
なお、第１引き出し配線７や端子配線１２、端子配線１２とＦＰＣ１５との接続部分についても上記と同様に各配線幅や間隔を規定することができる。
【０１０３】
（第７実施形態）
本実施形態では、上記各実施形態と異なる部分について説明する。図１１（ａ）は、複数の第２引き出し配線８のうち互いに隣り合う少なくとも一対の第２引き出し配線８を示した平面図である。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１０４】
図１１（ｂ）に示されるように、第２引き出し配線８を構成する第２電極配線１７は、第１電極配線１６の上に形成された第１金属層１７ｂと、この第１金属層１７ｂの上に形成された第２金属層１７ｃと、この第２金属層１７ｃの上に形成された第３金属層１７ｄと、で構成された積層構造になっている。
【０１０５】
第１金属層１７ｂは例えばＭｏで形成され、厚さは例えば５０ｎｍである。第２金属層１７ｃは例えばＡｌＮｄで形成され、厚さは例えば４５０ｎｍである。また、第３金属層１７ｄは例えばＭｏＮｂで形成され、厚さは例えば５０ｎｍである。導電性酸化膜である第１電極配線１６の厚さは例えば１５０ｎｍである。
【０１０６】
以上のように、金属材料で構成された第２電極配線１７を複数の金属層１７ｂ〜１７ｄとすることで、腐食が発生しやすいＡｌＮｄからなる第２金属層１７ｃを第１金属層１７ｂおよび第３金属層１７ｄで覆うことができ、ＡｌＮｄからなる第２金属層１７ｃの水分や塩素との接触が防止され、第２金属層１７ｃの耐腐食性を向上させることができる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、第２引き出し配線８の構造について説明したが、第１引き出し配線７や端子配線１２についても上記と同様の構造とすることができる。
【０１０８】
（他の実施形態）
上記各実施形態では、車両用のＥＬ表示装置１を例に説明したが、車両用のＥＬ表示装置１に限らず、基板２にＡＣＦ１３を介して半導体チップが実装される装置に適用することができる。
【０１０９】
上記各実施形態で示されたＥＬ表示装置１の構成は一例を示すものであり、形状や材質などについて適宜変更することができる。例えば、ガード電極１８は１本の配線状に形成されたものであったが、ガード電極１８の形状はこれに限らず他の形状でも良い。
【０１１０】
具体的には、図１２（ａ）に示されるように、ガード電極１８の他端部１８ｂが第２引き出し配線８の延設方向にそって引き伸ばされて第１電極配線１６に接続されていても良い。つまり、ガード電極１８は中間部から他端部１８ｂの先端まで直線状に形成されている。また、図１２（ｂ）に示されるように、ガード電極１８は二重に設けられていても良い。これにより、ガード電極１８の冗長性を確保できる。
【０１１１】
さらに、図１３（ａ）に示されるように、１つのガード電極１８に第２引き出し配線８に並行に延びる部分が２箇所設けられていても良い。これにより、第２引き出し配線８とガード電極１８との間に空間部分が２箇所設けられる。そして、ガード電極１８のうち第２引き出し配線８に並行に延びる２箇所のうちの１箇所が断線したとしても、もう１箇所が接続されているので、ガード電極１８の冗長性を確保できる。
【０１１２】
また、図１３（ｂ）に示されるように、ガード電極１８の他端部１８ｂが２つに分割され、それぞれが第１電極配線１６に接続されていても良い。このように、ガード電極１８と第１電極配線１６とが２箇所以上で接続されているため、１箇所が断線しても、もう１箇所が接続されていることにより、ガード電極１８と第１電極配線１６との同電位状態は保たれる。すなわち、ガード電極１８の断線のリスクを減らすことができる。
【０１１３】
なお、ガード電極１８の一端部１８ａ側が複数に分割されていても良い。また、ガード電極１８の一端部１８ａと他端部１８ｂの両方がそれぞれ複数に分割されていても良い。
【０１１４】
上記図１２および図１３では、第２引き出し配線８を例に説明したが、もちろん、第１引き出し配線７や端子配線１２に設けられるガード電極１８についても同様のことが言える。
【０１１５】
そして、第５、第６実施形態で配線幅の一例が示されたように、各配線７、８、１２のうちガード電極１８を挟まない部分において、高電位側の第１電極配線１６の配線幅とこの高電位側の第１電極配線１６に対して相対的に低電位側の第１電極配線１６の配線幅とが異ならせることができる。これにより、各配線７、８、１２の配線抵抗を調節することができる。
【０１１６】
さらに、第７実施形態では、第２電極配線１７が３つの金属層１７ｂ〜１７ｄで構成されていたが、第２電極配線１７は、Ａｌ、Ｎｄ、Ｍｏ、Ｎｂのうち少なくとも２種類以上の合金で形成されていても良い。また、第２電極配線１７は、第２金属層１７ｃが水分や塩素との接触から防止されるように第２金属層１７ｃの上層が覆われていれば良いので、第２電極配線１７は３層ではなく少なくとも２層以上の積層配線となっていれば良い。このように、第２電極配線１７を合金とすることで、第２電極配線１７の耐腐食性を向上させることができる。
【０１１７】
上記各実施形態では、第２電極配線１７は第１電極配線１６と同じ配線幅であるかまたは第２電極配線１７は第１電極配線１６よりも小さい配線幅であった。すなわち、第２電極配線１７は第１電極配線１６の上のみ（もしくは第１電極配線１６のうちガード電極１８を除く範囲内）に形成されていた。しかし、これは各電極配線１６、１７の配線幅の一例である。したがって、第２電極配線１７は第１電極配線１６よりも大きい配線幅になっていても良い。このような場合であっても、はみ出し部分１３ｂにおいて、ガード電極１８のうち相対的に低電位側の第１電極配線１６側の端部は、相対的に高電位側の第２電極配線１７から露出していれば良い。これにより、相対的に低電位側の第１電極配線１６に対してガード電極１８が高電位側の電極となる。
【符号の説明】
【０１１８】
２      基板
９      駆動用ＩＣ
１３    ＡＣＦ
１３ｂ  はみ出し部分
１６    第１電極配線
１７    第２電極配線
１７ａ  第２電極配線の端部
１７ｂ  第１金属層
１７ｃ  第２金属層
１７ｄ  第３金属層
１８    ガード電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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