(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長λ１（３９０ｎｍ≦λ１≦４２０ｎｍ）の第１光束を射出する第１光源を有し前記第１光束を用いて厚さがｔ１の保護基板を有する第１光ディスクの情報の記録又は再生を行う光ピックアップ装置において用いられる対物レンズであって、
前記対物レンズのレンズ本体は、樹脂製であり、
前記樹脂は、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（２）で表される繰り返し単位〔２〕または下記式（３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有し、
前記ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ａ（モル％）と、前記ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ｂ（モル％）との関係がａ＞ｂであるブロック共重合体からなる樹脂であり、
【化１】
0005477386.tif 000017
（式中、Ｒ1は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ2は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはハロゲン基を表わし、ｎは１〜１１を表わし、ｎが２以上の場合、Ｒ2は同じでも異なっていても良い。）
【化２】
0005477386.tif 000018
（式中、Ｒ13は、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【化３】
0005477386.tif 000019
（式中、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立に、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
前記対物レンズは、像側の開口数が０．７５以上、０．９以下であり、
前記対物レンズは、第１光学面と、前記第１光学面に対向し、前記第１光学面よりも曲率半径が大きい第２光学面を有し、
前記対物レンズの前記レンズ本体の前記第１光学面側にコートを有し、
前記コートの前記レンズ本体に接する第１層はＳｉＯXからなり、Ｘは、１．３５以上、１．８８以下であり、
以下の条件式（４）を満たすことを特徴とする対物レンズ。
０．９≦ｄ／ｆ≦１．６ （４）
ただし、
ｄ：対物レンズの軸上厚（ｍｍ）
ｆ：第１光束における対物レンズの焦点距離（ｍｍ）
【請求項２】
前記対物レンズの第１光学面は屈折面のみからなることを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項３】
前記対物レンズの第１光学面は光路差付与構造を有することを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項４】
前記コートが単層または複数層からなり、該単層の厚みまたは該複数層のレンズ本体に接する第１層の厚みが、１５ｎｍ以上、５０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項５】
前記コートが単層または複数層からなり、該単層の厚みまたは該複数層のレンズ本体に接する第１層の厚みが、１５ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項６】
前記コートが単層または複数層からなり、該単層の屈折率または該複数層のレンズ本体に接する第１層の屈折率が、５００ｎｍの波長において１．５３以上、１．８３以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項７】
前記コートが複数層からなり、該複数層のレンズ本体側から第２層目は、５００ｎｍの波長における屈折率１．３０〜１．５０の低屈折率材料により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項８】
前記コートが複数層からなり、該複数層のレンズ本体側から第２層目は、５００ｎｍの波長における屈折率１．７２〜２．５０の高屈折率材料により形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項９】
前記コートは反射防止膜であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の対物レンズと、第１波長λ１（３９０ｎｍ≦λ１≦４２０ｎｍ）の第１光束を射出する第１光源と、を有し、
前記第１光束を用いて厚さがｔ１の保護基板を有する第１光ディスクの情報の記録又は再生を行うことを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置に用いられると好適な対物レンズ及び光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、波長４００ｎｍ程度の青紫色半導体レーザを用いて、高密度光ディスクに対して情報の記録及び／又は再生（以下、「記録及び／又は再生」を「記録／再生」と記載する）を行える光ピックアップ装置が開発され、既に市販されている。高密度光ディスクの一例として、ＮＡ０．８５、光源波長４０５ｎｍの仕様で情報記録／再生を行う光ディスク、いわゆるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（以下、ＢＤという）では、ＤＶＤ（ＮＡ０．６、光源波長６５０ｎｍ、記憶容量４．７ＧＢ）と同じ大きさである直径１２ｃｍの光ディスクに対して、１層あたり２５ＧＢの情報の記録が可能である。【０００３】
ここで、光源から出射されるレーザ光を効率よく利用するために、光ピックアップ装置の光学部品には、透過率を高める工夫がなされている。例えば対物レンズ等の光学面には、反射防止膜が成膜され、光の干渉を利用して光学面から反射する光の量を抑制するようにしている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５１３５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、光ピックアップ装置に用いられる対物レンズの樹脂は複屈折が小さくなければならないため、樹脂の選択は重要であり、ある種のポリオレフィンが好適に用いられる。しかし、ポリオレフィンから形成された対物レンズは、反射防止コートの第一層として一般的に用いられているＳｉＯ２の密着性が有機物と無機物とで相性が悪くコート剥がれが生じたり、また温度上昇時に樹脂と無機薄膜とで膨張率が異なるためＳｉＯ２の膜にクラックが入ってしまうという問題があることがわかった。特に、光ピックアップ装置に用いられるＢＤ用の対物レンズは光学面の曲率半径が小さいため、カーブのきつい光学面の周辺部に至る領域において、温度上昇時のクラック等の問題が特に顕著であり、耐熱性に大きな課題を有している。ＢＤ用の対物レンズは開口数ＮＡが大きく、高い集光牲能が特に求められ、安定した集光特性を得ることが特に重要とされるが、コートの剥離やクラック等は、この集光性能に大きな影響を与えることとなる。しかしながら、特許文献１にはコートの剥離やクラック等及びその対策についての言及がされていない。【０００６】
本発明は、ＢＤ用の対物レンズの材質が上記のポリオレフィンであったとしても、コートの剥離やクラックの問題を大きく低減させ、高い集光性能を安定して得ることが出来、ひいては、ＢＤ用の対物レンズにおける材料の選択肢を広げることを可能にすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の対物レンズは、第１波長λ１（３９０ｎｍ≦λ１≦４２０ｎｍ）の第１光束を射出する第１光源を有し前記第１光束を用いて厚さがｔ１の保護基板を有する第１光ディスクの情報の記録又は再生を行う光ピックアップ装置において用いられる対物レンズであって、
前記対物レンズのレンズ本体は、樹脂製であり、
前記樹脂は、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（２）で表される繰り返し単位〔２〕または下記式（３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有し、
前記ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ａ（モル％）と、前記ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ｂ（モル％）との関係がａ＞ｂであるブロック共重合体からなる樹脂であり、【０００８】
【化１】
0005477386.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒ１は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはハロゲン基を表わし、ｎは１〜１１を表わし、ｎが２以上の場合、Ｒ２は同じでも異なっていても良い。）【００１０】
【化２】
0005477386.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１３は、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）【００１２】
【化３】
0005477386.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｒ１４およびＲ１５はそれぞれ独立に、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
前記対物レンズは、像側の開口数が０．７５以上、０．９以下であり、
前記対物レンズは、第１光学面と、前記第１光学面に対向し、前記第１光学面よりも曲率半径が大きい第２光学面を有し、
前記対物レンズの前記レンズ本体の前記第１光学面側にコートを有し、
前記コートの前記レンズ本体に接する第１層はＳｉＯＸからなり、Ｘは、１．３５以上、１．８８以下であり、
以下の条件式（４）を満たすことを特徴とする。【００１４】
０．９≦ｄ／ｆ≦１．６ （４）
ただし、
ｄ：対物レンズの軸上厚（ｍｍ）
ｆ：第１光束における対物レンズの焦点距離（ｍｍ）
本発明によれば、条件式（４）を満たすために光学面の曲率半径が小さくなり、カーブのきつい光学面の周辺部に至る領域において、温度上昇時のクラック等の問題が特に顕著であるような対物レンズにおいても、前記コートの前記対物レンズ本体に接する第１層をＳｉＯXからなるようにし、さらにＸが、１．３５以上、１．８８以下とすることにより、コートとレンズの密着性を向上させ、コートの剥離やクラック等を抑制することができる。その結果、非常に高精度の集光性能を必要とする像側の開口数が０．７５以上、０．９以下であるような対物レンズにおいても、安定した光学性能を得ることが可能となる。
【００１５】
請求項２に記載の対物レンズは、請求項１に記載の発明において、前記対物レンズの第１光学面は屈折面のみからなることを特徴とする。【００１６】
請求項３に記載の対物レンズは、請求項１に記載の発明において、前記対物レンズの第１光学面は光路差付与構造を有することを特徴とする。対物レンズに光路差付与構造を設けると、コートとレンズ本体の接触面積が増加する。接触面積の増加に伴い、コートとレンズ本体の密着性がより増加するため好ましい。【００１７】
請求項４に記載の対物レンズは、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記コートが単層または複数層からなり、該単層の厚みまたは該複数層のレンズ本体に接する第１層の厚みが、１５ｎｍ以上、５０００ｎｍ以下であることを特徴とする。【００１８】
請求項５に記載の対物レンズは、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、前記コートが単層または複数層からなり、該単層の厚みまたは該複数層のレンズ本体に接する第１層の厚みが、１５ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であることを特徴とする。【００１９】
請求項６に記載の対物レンズは、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、前記コートが単層または複数層からなり、該単層の屈折率または該複数層のレンズ本体に接する第１層の屈折率が、５００ｎｍの波長において１．５３以上、１．８３以下であることを特徴とする。
【００２０】
請求項７に記載の対物レンズは、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記コートが複数層からなり、該複数層のレンズ本体側から第２層目は、５００ｎｍの波長における屈折率１．３０〜１．５０の低屈折率材料により形成されていることを特徴とする。
【００２１】
請求項８に記載の対物レンズは、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、前記コートが複数層からなり、該複数層のレンズ本体側から第２層目は、５００ｎｍの波長における屈折率１．７２〜２．５０の高屈折率材料により形成されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項９に記載の対物レンズは、請求項１〜８のいずれかに記載の発明において、前記コートは反射防止膜であることを特徴とする。【００２３】
請求項１０に記載の光ピックアップ装置は、請求項１〜９のいずれかに記載の対物レンズと、第１波長λ１（３９０ｎｍ≦λ１≦４２０ｎｍ）の第１光束を射出する第１光源と、を有し、前記第１光束を用いて厚さがｔ１の保護基板を有する第１光ディスクの情報の記録又は再生を行うことを特徴とする。
【００２４】
光ピックアップ装置は、光源、光検出器及び対物レンズを含む。光源は波長λ１（３９０ｎｍ≦λ１≦４２０ｎｍ）の光束を出射することが好ましい。本明細書において、対物レンズとは、光ピックアップ装置において光ディスクに対向する位置に配置され、光源から射出された光束を光ディスクの情報記録面上に集光する機能を有する光学系を指す。対物レンズは、二つ以上の複数のレンズから構成されていてもよいし、単玉のレンズのみでもよいが、好ましくは単玉のレンズである。尚、対物レンズが複数のレンズを有する場合、基礎構造である光路差付与構造を有する平板光学素子と非球面レンズ（光路差付与構造を有していてもいなくてもよい）の組み合わせであってもよい。また、対物レンズは、屈折面が非球面であることが好ましい。また、対物レンズは、基礎構造である光路差付与構造が設けられるベース面が非球面であることが好ましい。【００２５】
尚、第１光ディスクは、厚さがｔ１の保護基板と情報記録面とを有する。第１光ディスクがＢＤであることが好ましいが、これに限られるものではない。本明細書において、ＢＤとは、波長３９０〜４１５ｎｍ程度の光束、ＮＡ０．７５〜０．９程度（好ましくはＮＡ０．８５）の対物レンズにより情報の記録／再生が行われ、保護基板の厚さが０．０５〜０．１２５ｍｍ程度であるＢＤ系列光ディスクの総称であり、単一の情報記録層のみ有するＢＤや、２層又はそれ以上の情報記録層を有するＢＤ等を含むものである。したがって、保護基板の厚さｔ１、ｔ２、ｔ３に関しては、以下の式を満たすことが好ましいが、これに限られない。【００２６】
０．０５０ｍｍ  ≦  ｔ１  ≦  ０．１２５ｍｍ
対物レンズの光学面は、屈折面でも良いし、光路差付与構造を有していても良い。本明細書でいう光路差付与構造とは、入射光束に対して光路差を付加する構造の総称である。光路差付与構造には、位相差を付与する位相差付与構造も含まれる。また、位相差付与構造には回折構造が含まれる。光路差付与構造は、段差を有し、好ましくは段差を複数有する。この段差により入射光束に光路差及び／又は位相差が付加される。光路差付与構造により付加される光路差は、入射光束の波長の整数倍であっても良いし、入射光束の波長の非整数倍であっても良い。段差は、光軸垂直方向に周期的な間隔をもって配置されていてもよいし、光軸垂直方向に非周期的な間隔をもって配置されていてもよい。【００２７】
光路差付与構造は、光学面の少なくとも一部に設けられていて良く、光軸を中心とする同心円状の複数の輪帯を有することが好ましい。各輪帯は段差で区切られていることが好ましい。また、光路差付与構造は、光軸を含む断面形状が階段状のパターンが繰り返されるタイプの構造であることが好ましい。また、複数の光路差付与構造を同一領域に重畳した構造としてもよい。「重畳」とは、文字通り重ね合わせるという意味である。本明細書において、ある基礎構造と別の基礎構造がそれぞれ他の光学面に設けられている場合や、ある基礎構造と別の基礎構造とが同一の光学面にあったとしても、それぞれ異なる領域に設けられており、重なる領域が一切ない場合は、本明細書における重畳ではない。【００２８】
コートは、単層であっても良いし複数層を積層しても良い。コートを反射防止膜として用いることができる。複数層の反射防止膜とする場合、高屈折率層（高屈折率材料からなる）と低屈折率層（低屈折率材料からなる）を交互に設けるか、中屈折率層（中屈折率材料からなる）と低屈折率層を交互に設けるか、又は、高屈折率層と中屈折率層と低屈折率層とを交互に設けることが好ましい。尚、低屈折率層とは、好ましくは、設計波長（５００ｎｍの波長）での屈折率が、１．３０以上、１．５０以下の層をいう。また、中屈折率層とは、好ましくは、設計波長での屈折率が、１．５５以上、１．７０以下の層をいう。また、高屈折率層とは、好ましくは、設計波長での屈折率が、１．７２以上、２．５０以下の層をいう。【００２９】
低屈折率層の好ましい例としては、フッ化アルミニウム、フッ化マグネシウム、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等が挙げられる。中屈折率層の好ましい例としては、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、フッ化セリウム等が挙げられる。高屈折率層の好ましい例としては、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ハウニウム等が挙げられる。また、コートの方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、大気圧プラズマ法、塗布法、ミスト法等が挙げられる。【００３０】
ここで、ＳｉＯＸの屈折率の範囲を求める。まず、ＳｉＯＸにおけるＳｉＯの組成比をｚとし、ＳｉＯ２の組成比を（１−ｚ）とすると、
Ｘ＝１・ｚ＋２・（１−ｚ）      （ａ）
と表せる。【００３１】
後述する実施例の評価結果から、Ｘの最小値を１．３５，最大値を１．８８とすると、（ａ）式はそれぞれ以下のようになる。【００３２】
１．３５＝１・ｚ＋２・（１−ｚ）      （ａ’）
１．８８＝１・ｚ＋２・（１−ｚ）      （ａ”）
よって、（ａ’）式におけるｚ＝０．１２であり、（ａ”）式におけるｚ＝０．６５である。【００３３】
一方、λ＝５００ｎｍについてのＳｉＯの屈折率ｎは、２．０３であり、λ＝５００ｎｍについてのＳｉＯ２の屈折率ｎは、１．４６であるから、ＳｉＯＸの屈折率ｎは以下の式で表される。【００３４】
ｚ・２．０３＋（１−ｚ）・１．４６＝ｎ      （ｂ）
ここで、ＳｉＯＸの屈折率の最大ｎｍｘは、ｚが最小となるときであり、ＳｉＯＸの屈折率の最小ｎｍｎは、ｚが最大となるときであるから、上述の通り求めたｚ＝０．１２，０．６５をそれぞれ代入すると、
ｎｍｘ＝０．６５×２．０３＋（１−０．６５）×１．４６＝１．８３
ｎｍｎ＝０．１２×２．０３＋（１−０．１２）×１．４６＝１．５３
となる。従って、本発明のＳｉＯＸの屈折率の範囲は、１．５３以上、１．８３以下とすると好ましい。【００３５】
また、対物レンズは、以下の条件式（４）を満たす。【００３６】
０．９≦ｄ／ｆ≦１．６      （４）
但し、ｄ（ｍｍ）は、対物レンズの軸上厚を表し、ｆ（ｍｍ）は、第１光束（光ピックアップ装置が複数の光源を有する場合、最も短い波長の光束）における対物レンズの焦点距離を表す。【００３７】
ＢＤのような短波長、高ＮＡの光ディスクに対応した対物レンズの場合、軸外光入射時に非点収差が発生しやすくなり、また対物レンズ製造時の面間偏心に対してコマ収差も発生しやすくなるという課題が生じるが、条件式（４）を満たすことにより非点収差やコマ収差の発生を抑制することが可能となる。【００３８】
また、対物レンズが、ＢＤ／ＤＶＤ／ＣＤ等、複数種類の光ディスクに対応した互換タイプのものである場合、条件式（４）を満たすことにより、対物レンズの軸上厚が厚めの厚肉対物レンズになるため、互換光ピックアップ装置において、ＣＤの記録／再生時におけるワーキングディスタンスが短くなりがちになるにも拘わらず、ＣＤの記録／再生におけるワーキングディスタンスも十分に確保できるため、その効果がより顕著なものとなる。本発明によれば、このような厚肉の対物レンズに対しても、密着性や耐熱性に優れた反射防止膜をコートできる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、ＢＤ用の対物レンズの材質がある特定のポリオレフィンであったとしても、コートの剥離やクラックの問題を大きく低減させ、高い集光性能を安定して得ることが出来、ひいては材料の選択肢を広げることを可能にする対物レンズを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本実施の形態の光ピックアップ装置ＰＵ１の構成を概略的に示す図である。
【図２】単層の反射防止膜の断面図である。
【図３】３層の反射防止膜の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。図１は、第１光ディスクであるＢＤに対して適切に情報の記録及び／又は再生を行うことができる本実施の形態の光ピックアップ装置ＰＵ１の構成を概略的に示す図である。かかる光ピックアップ装置ＰＵ１は、光情報記録再生装置に搭載できる。なお、本発明は、本実施の形態に限られるものではない。
【００４２】
光ピックアップ装置ＰＵ１は、対物レンズＯＢＪ、λ／４波長板ＱＷＰ、偏光プリズムＰＢＳ、４０５ｎｍのレーザ光束（第１光束）を射出する半導体レーザＬＤ（第１光源）と、センサ用レンズＳＬ、ＢＤの情報記録面からの反射光束を受光する受光素子ＰＤとを有する。
【００４３】
対物レンズＯＢＪのレンズ本体はポリオレフィン樹脂であり、かかる樹脂（特定ポリオレフィン樹脂という）は、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、
下記式（１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（２）で表される繰り返し単位〔２〕または／および下記式（３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有し、
前記ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ａ（モル％）と、前記ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ｂ（モル％）との関係がａ＞ｂであるブロック共重合体からなる樹脂である。
【００４４】
【化４】
0005477386.tif 000005
【００４５】
（式中、Ｒ１は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ２は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、またはハロゲン基を表わし、ｎは１〜１１を表わし、ｎが２以上の場合、Ｒ２は同じでも異なっていても良い。）
【００４６】
【化５】
0005477386.tif 000006
【００４７】
（式中、Ｒ１３は、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【００４８】
【化６】
0005477386.tif 000007
【００４９】
（式中、Ｒ１４およびＲ１５はそれぞれ独立に、水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
また、本発明に用いるブロック共重合体は、重合体ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率をａ、重合体ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率をｂとした場合に、ａ＞ｂの関係がある。これにより、透明性、および機械的強度に優れる。
【００５０】
さらに、本発明に用いるブロック共重合体は、ブロック〔Ａ〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍａ、ブロック〔Ｂ〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍｂとした場合に、その比（ｍａ：ｍｂ）が、好ましくは５：９５〜９５：５、より好ましくは３０：７０〜９５：５、特に好ましくは４０：６０〜９０：１０である。（ｍａ：ｍｂ）が上記範囲にある場合に、機械的強度および耐熱性に優れる。
【００５１】
本発明に用いるブロック共重合体の分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと記す。）により測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算重量平均分子量（以下、Ｍｗと記す。）で、好ましくは１０，０００〜３００，０００、より好ましくは１５，０００〜２５０，０００、特に好ましくは２０，０００〜２００，０００の範囲である。ブロック共重合体のＭｗが上記範囲にあると、機械的強度、耐熱性、成形性のバランスに優れる。
【００５２】
ブロック共重合体の分子量分布は、使用目的に応じて適宜選択できるが、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算のＭｗと数平均分子量（以下、Ｍｎと記す。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、好ましくは５以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３以下の範囲である。Ｍｗ／Ｍｎがこの範囲にあると、機械的強度や耐熱性に優れる。
【００５３】
ブロック共重合体のガラス転移温度（以下、Ｔｇと記す。）は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、示差走査型熱量計（以下、ＤＳＣと記す。）による、高温側の測定値で、好ましくは７０℃〜２００℃、より好ましくは８０℃〜１８０℃、特に好ましくは９０℃〜１６０℃である。
【００５４】
本発明に用いる上記ブロック共重合体は、重合体ブロック〔Ａ〕および重合体ブロック〔Ｂ〕を有し、（〔Ａ〕−〔Ｂ〕）型のジブロック共重合体であっても、（〔Ａ〕−〔Ｂ〕−〔Ａ〕）型や（〔Ｂ〕−〔Ａ〕−〔Ｂ〕）型のトリブロック共重合体であっても、重合体ブロック〔Ａ〕と重合体ブロック〔Ｂ〕とが、交互に合計４個以上つながったブロック共重合体であってもよい。また、これらのブロックがラジアル型に結合したブロック共重合体であってもよい。
【００５５】
本発明に用いるブロック共重合体は、以下の方法により得ることができる。その方法としては、芳香族ビニル化合物または／および環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物を含有するモノマー混合物、および、ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く）を含有するモノマー混合物を重合して、芳香族ビニル化合物または／および脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック、および、ビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロックを有するブロック共重合体を得る。そして該ブロック共重合体の芳香環または／および脂肪族環を水素化する方法や、飽和脂環族ビニル化合物を含有するモノマー混合物、および、ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く）を含有するモノマー混合物を重合して、脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック、および、ビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロックを有するブロック共重合体を得る方法などが挙げられる。中でも、本発明に用いるブロック共重合体としてより好ましいものは、例えば、以下の方法により得ることができる。
【００５６】
（１）第一の方法としては、まず、芳香族ビニル化合物または環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物を５０モル％以上含有するモノマー混合物〔ａ’〕を重合して、芳香族ビニル化合物または環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ａ’〕を得る。ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く）を２モル％以上含有し、且つ、芳香族ビニル化合物または環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物をモノマー混合物〔ａ’〕中の割合よりも少ない割合の量で含有するモノマー混合物〔ｂ’〕を重合して、芳香族ビニル化合物または前記脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位とビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る。これらの工程を少なくとも経て、前記重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有するブロック共重合体を得た後、該ブロック共重合体の芳香環または／および脂肪族環を水素化する。
【００５７】
（２）第二の方法としては、まず、飽和脂環族ビニル化合物を５０モル％以上含有するモノマー混合物〔ａ〕を重合して、飽和脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ａ〕を得る。ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く）を２モル％以上含有し、且つ、飽和脂環族ビニル化合物をモノマー混合物〔ａ〕中の割合よりも少ない割合の量で含有するモノマー混合物〔ｂ〕を重合して、飽和脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位とビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕を得る。これらの工程を少なくとも経て、前記重合体ブロック〔Ａ〕および重合体ブロック〔Ｂ〕を有するブロック共重合体を得る。
【００５８】
上記方法の中で、モノマーの入手容易性、重合収率、重合体ブロック〔Ｂ’〕への繰り返し単位〔１〕の導入のし易さ等の観点から、上記（１）の方法がより好ましい。
【００５９】
上記（１）の方法における芳香族ビニル化合物の具体例としては、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−プロピルスチレン、α−イソプロピルスチレン、α−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メチルスチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、モノフルオロスチレン、４−フェニルスチレン等や、これらにヒドロキシル基、アルコキシ基などの置換基を有するもの等が挙げられる。中でもスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン等が好ましい。
【００６０】
上記（１）方法における不飽和脂環族ビニル系化合物の具体例としては、シクロヘキセニルエチレン、α−メチルシクロヘキセニルエチレン、およびα−ｔ−ブチルシクロヘキセニルエチレン等や、これらにハロゲン基、アルコキシ基、またはヒドロキシル基等の置換基を有するもの等が挙げられる。
【００６１】
これらの芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル系化合物は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることもできるが、本発明においては、モノマー混合物〔ａ’〕および〔ｂ’〕のいずれにも、芳香族ビニル化合物を用いるのが好ましく、中でも、スチレンまたはα−メチルスチレンを用いるのがより好ましい。
【００６２】
上記方法で使用するビニル系モノマーには、鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエン化合物が含まれる。
【００６３】
鎖状ビニル化合物の具体例としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン等の鎖状オレフィンモノマー等が挙げられ、中でも、鎖状オレフィンモノマーが好ましく、エチレン、プロピレン、１−ブテンが最も好ましい。
【００６４】
鎖状共役ジエンは、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、および１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これら鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエンの中でも鎖状共役ジエンが好ましく、ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。これらの鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６５】
上記のモノマーを含有するモノマー混合物を重合する場合、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等のいずれの方法で重合反応を行ってもよいが、アニオン重合によるのが好ましく、不活性溶媒の存在下にリビングアニオン重合を行うのが最も好ましい。
【００６６】
アニオン重合は、重合開始剤の存在下、通常０℃〜２００℃、好ましくは２０℃〜１００℃、特に好ましくは２０℃〜８０℃の温度範囲において行う。開始剤としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ヘキシルリチウム、フェニルリチウムなどのモノ有機リチウム、ジリチオメタン、１，４−ジオブタン、１，４−ジリチオー２−エチルシクロヘキサン等の多官能性有機リチウム化合物などが使用可能である。
【００６７】
使用する不活性溶媒としては、例えば、ｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、中でも脂肪族炭化水素類や脂環式炭化水素類を用いると、水素化反応にも不活性な溶媒としてそのまま使用することができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用でき、通常、全使用モノマー１００質量部に対して２００〜１０，０００質量部となるような割合で用いられる。
【００６８】
それぞれの重合体ブロックを重合する際には、各ブロック内で、或る１成分の連鎖が長くなるのを防止するために、重合促進剤やランダマイザーなどを使用することができる。特に重合反応をアニオン重合により行う場合には、ルイス塩基化合物などをランダマイザーとして使用できる。ルイス塩基化合物の具体例としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルフェニルエーテル等のエーテル化合物；テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の第３級アミン化合物；カリウム−ｔ−アミルオキシド、カリウム−ｔ−ブチルオキシド等のアルカリ金属アルコキシド化合物；トリフェニルホスフィン等のホスフィン化合物が挙げられる。これらのルイス塩基化合物は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００６９】
リビングアニオン重合によりブロック共重合体を得る方法は、従来公知の、逐次付加重合反応法およびカップリング法などが挙げられるが、本発明においては、逐次付加重合反応法を用いるのが好ましい。
【００７０】
逐次付加重合反応法により、重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有する上記ブロック共重合体を得る場合には、重合体ブロック〔Ａ’〕を得る工程と、重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る工程は、順次連続して行われる。具体的には、不活性溶媒中で、上記リビングアニオン重合触媒存在下、モノマー混合物〔ａ’〕を重合して重合体ブロック〔Ａ’〕を得、引き続きその反応系にモノマー混合物〔ｂ’〕を添加して重合を続け、重合体ブロック〔Ａ’〕とつながった重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る。さらに所望に応じて、再びモノマー混合物〔ａ’〕を添加して重合し、重合体ブロック〔Ａ’〕をつなげてトリブロック体とし、さらには再びモノマー混合物〔ｂ’〕を添加して重合し、重合体ブロック〔Ｂ’〕をつなげたテトラブロック体を得る。
【００７１】
得られたブロック共重合体は、例えばスチームストリッピング法、直接脱溶媒法、アルコール凝固法等の公知の方法によって回収する。重合反応において、水素化反応で不活性な溶媒を用いた場合には、重合溶液そのままを水素化反応工程にも使用することができるので、重合溶液からブロック共重合体を回収しなくてもよい。
【００７２】
上記（１）の方法において得られる、重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有するブロック共重合体（以下、水素化前ブロック共重合体という。）のうち下記の構造の繰り返し単位を有するものが好ましい。
【００７３】
好ましい水素化前ブロック共重合体を構成する重合体ブロック〔Ａ’〕は、下記式（４）で表される繰り返し単位〔４〕を５０モル％以上含有する重合体ブロックである。
【００７４】
【化７】
0005477386.tif 000008
【００７５】
（式中、Ｒ１６は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ１７は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基またはハロゲン基を表わし、ｎは１〜５を表わし、ｎが２以上の場合、Ｒ２は同じでも異なっていても良い。
【００７６】
また、好ましい重合体ブロック〔Ｂ’〕は、前記繰り返し単位〔４〕を必ず含み、下記式（５）で表される繰り返し単位〔５〕および下記式（６）で表される繰り返し単位〔６〕のいずれかを少なくとも１つ含む重合体ブロックである。また、重合体ブロック〔Ａ’〕中の繰り返し単位〔４〕のモル分率をａ’、ブロック〔Ｂ’〕中の繰り返し単位〔４〕のモル分率をｂ’とした場合、ａ’＞ｂ’である。
【００７７】
【化８】
0005477386.tif 000009
【００７８】
（式中、Ｒ２２は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【００７９】
【化９】
0005477386.tif 000010
【００８０】
（式中、Ｒ２３は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ２４は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルケニル基を表す。）
さらに、ブロック〔Ｂ’〕中には、下記式（Ｙ）で示される繰り返し単位〔Ｙ〕を含有していてもよい。
【００８１】
【化１０】
0005477386.tif 000011
【００８２】
（式中、Ｒ２８は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ２９はニトリル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ヒドロキシカルボニル基、またはハロゲン基を表し、Ｒ３０は水素原子を表す。または、Ｒ２９とＲ３０とは相互に結合して、酸無水物基、またはイミド基を形成してもよい。）
さらに、好ましい水素化前ブロック共重合体は、ブロック〔Ａ’〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍａ’、ブロック〔Ｂ’〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍｂ’とした場合に、その比（ｍａ’：ｍｂ’）が、５：９５〜９５：５、より好ましくは３０：７０〜９５：５、特に好ましくは４０：６０〜９０：１０である。（ｍａ’：ｍｂ’）が上記範囲にある場合に、機械的強度や耐熱性に優れる。
【００８３】
好ましい水素化前ブロック共重合体の分子量は、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算Ｍｗで、１２，０００〜４００，０００、より好ましくは１９，０００〜３５０，０００、特に好ましくは２５，０００〜３００，０００の範囲である。ブロック共重合体のＭｗが過度に小さいと、機械的強度が低下し、過度に大きいと、水素添加率が低下する。
【００８４】
好ましい水素化前のブロック共重合体の分子量分布は、使用目的に応じて適宜選択できるが、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算のＭｗとＭｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、５以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３以下の範囲である。Ｍｗ／Ｍｎがこの範囲にあると、水素添加率が向上する。
【００８５】
好ましい水素化前のブロック共重合体のＴｇは、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、ＤＳＣによる高温側の測定値で、７０℃〜１５０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃、特に好ましくは９０℃〜１３０℃である。
【００８６】
上記の、水素化前のブロック共重合体の、芳香環やシクロアルケン環などの不飽和環の炭素−炭素不飽和結合、および主鎖や側鎖の不飽和結合等を水素化する方法および反応形態に特別な制限はなく、公知の方法にしたがって行えばよいが、水素化率を高くでき、重合体鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましく、例えば、有機溶媒中、ニッケル、コバルト、鉄、チタン、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、およびレニウムから選ばれる少なくとも１つの金属を含む触媒を用いて行う方法が挙げられる。水素化触媒は、不均一系触媒、均一系触媒のいずれも使用可能である。
【００８７】
不均一系触媒は、金属または金属化合物のままで、または適当な担体に担持して用いることができる。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭化カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化珪素等が挙げられ、触媒の担持量は、好ましくは０．０１〜８０質量％、より好ましくは０．０５〜６０質量％の範囲である。均一系触媒は、ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物と有機金属化合物（例えば、有機アルミニウム化合物、有機リチウム化合物）とを組み合わせた触媒、またはロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等の有機金属錯体触媒を用いることができる。ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物としては、例えば、各種金属のアセチルアセトン塩、ナフテン酸塩、シクロペンタジエニル化合物、シクロペンタジエニルジクロロ化合物等が用いられる。有機アルミニウム化合物としては、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等のハロゲン化アルミニウム、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等の水素化アルキルアルミニウム等が好適に用いられる。
【００８８】
有機金属錯体触媒の例としては、上記各金属のγ−ジクロロ−π−ベンゼン錯体、ジクロロ−トリス（トリフェニルホスフィン）錯体、ヒドリド−クロロ−トリフェニルホスフィン錯体等の金属錯体が使用される。これらの水素化触媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上組み合わせて使用することができ、その使用量は、重合体１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１００質量部、より好ましくは０．０５〜５０質量部、特に好ましくは０．１〜３０質量部である。
【００８９】
水素化反応は、通常１０℃〜２５０℃であるが、水素化率を高くでき、且つ、重合体鎖切断反応を小さくできるという理由から、好ましくは５０℃〜２００℃、より好ましくは８０℃〜１８０℃である。また水素圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａであるが、上記理由に加え、操作性の観点から、より好ましくは１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、特に好ましくは２ＭＰａ〜１０ＭＰａである。
【００９０】
このようにして得られた、ブロック共重合体の水素化率は、１Ｈ−ＮＭＲによる測定において、主鎖および側鎖の炭素−炭素不飽和結合、芳香環やシクロアルケン環の炭素−炭素不飽和結合のいずれも、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上、特に好ましくは９７％以上である。水素化率が低いと、得られる共重合体の低複屈折性、熱安定性等が低下する。
【００９１】
水素化反応終了後、ブロック共重合体は、例えば濾過、遠心分離等の方法により反応溶液から水素化触媒を除去した後、溶媒を直接乾燥により除去する方法、反応溶液を、ブロック共重合体にとっての貧溶媒中に注ぎ、凝固させる方法等によって回収できる。
【００９２】
更に、ＢＤに必要とされる高い解像度を得るために、対物レンズＯＢＪは像側の開口数が０．７５〜０．９であることを要し、光源側の第１光学面Ｓ１と、第１光学面Ｓ１に対向し、第１光学面Ｓ１よりも曲率半径が大きい光ディスク側の第２光学面Ｓ２を有し、対物レンズＯＢＪのレンズ本体の第１光学面Ｓ１側に反射防止膜を有し、反射防止膜のレンズ本体に接する第１層はＳｉＯＸからなり、Ｘは、１．３５以上、１．８８以下である。
【００９３】
また、ＢＤに必要とされる高い解像度を得るために、以下の条件式（４）を満たすことを要する。
【００９４】
０．９≦ｄ／ｆ≦１．６      （４）
ＢＤの記録／再生を行う場合について説明する。青紫色半導体レーザＬＤから射出された第１光束（λ１＝４０５ｎｍ）の発散光束は、偏光プリズムＰＢＳを透過し、λ／４波長板ＱＷＰにより直線偏光から円偏光に変換され、図示しない絞りによりその光束径が規制され、対物レンズＯＢＪによって厚さ０．１ｍｍの保護基板を介して、ＢＤの情報記録面上に形成されるスポットとなる。
【００９５】
ＢＤの情報記録面上で情報ピットにより変調された反射光束は、再び対物レンズＯＢＪ、絞りを透過した後、λ／４波長板ＱＷＰにより円偏光から直線偏光に変換され、偏光プリズムＰＢＳで反射した後、センサ用レンズＳＬによって、受光素子ＰＤの受光面上に収束する。そして、受光素子ＰＤの出力信号を用いて、不図示の２軸アクチュエータにより対物レンズＯＢＪをフォーカシングやトラッキングさせることで、ＢＤに記録された情報を読み取ることができる。
【実施例】
【００９６】
以下、上述した実施の形態に好適な実施例について、比較例と比較して説明する。なお、以下に記載されている「部」は、断りの無い限り「質量部」を意味する。【００９７】
〔樹脂１の製造例〕
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製重合器に、脱水シクロヘキサン３２０部、スチレン６０部、およびジブチルエーテル０．３８部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム溶液（１５％含有ヘキサン溶液）０．３６部を添加して重合反応を開始する。１時間重合反応を行った後、反応溶液中に、スチレン８部とイソプレン１２部とからなる混合モノマー２０部を添加し、さらに１時間重合反応を行った後、反応溶液にイソプロピルアルコール０．２部を添加して反応を停止させる。得られたブロック共重合体のＭｗは１０２，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．１１とする。【００９８】
次いで、上記重合反応溶液４００部を、攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒として、シリカ−アルミナ担持型ニッケル触媒（日揮化学工業社製；Ｅ２２Ｕ、ニッケル担持量６０％）１０部を添加して混合する。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度を高く１６０℃に設定し、圧力４．５ＭＰａにて８時間反応することにより、芳香環まで水素化を行う。水素化反応終了後、反応溶液をろ過して水素化触媒を除去した後、シクロヘキサン８００部を加えて希釈し、該反応溶液を３５００部のイソプロパノール（クラス１０００のクリーンルームで、孔径１μｍのフィルターにてろ過したもの）中に注いでブロック共重合体を析出させ、ろ過により分離回収し、８０℃にて４８時間減圧乾燥させることにより樹脂１を得た。ブロック共重合体である前記樹脂１は、スチレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以降Ｓｔと略記する）、およびスチレンとイソプレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以降Ｓｔ／Ｉｐと略記する）とからなる２元ブロック共重合体であり、それぞれのブロックのモル比は、Ｓｔ：Ｓｔ／Ｉｐ＝６９：３１（Ｓｔ：Ｉｐ＝１０：２１）である。該ブロック共重合体のＭｗは８５，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．１７、主鎖および芳香環の水素化率は９９．９％、Ｔｇは１２６．５℃であった。【００９９】
〔ペレット１の製造〕
得られた樹脂１の１００部に対し、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン・ブロック共重合体（クラレ社製、セプトン２００２）０．１部、および酸化防止剤としてテトラキス−〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−第三−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン（ＢＡＳＦジャパン（株）社製、イルガノックス１０１０）０．１部、およびベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール（ＢＡＳＦジャパン（株）社製、ＴＩＮＵＶＩＮ  Ｐ）を０．１部、さらにＨＡＬＳとして、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジン・Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，６−ヘキサメチレンジアミンとＮ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物〔ＨＡＬＳ（Ａ）、Ｍｎ＝３，０００〕０．１部をそれぞれ添加し、２軸混練機（東芝機械社製、ＴＥＭ−３５Ｂ、スクリュー径３７ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３２、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、樹脂温度２４０℃、フィードレート１０ｋｇ／時間）で混練し、ストランド状に押し出す。これを水冷してペレタイザーで切断し、ペレット１を製造した。【０１００】
まず本発明者らは、ｄ／ｆ（ｄ：軸上厚、ｆ：焦点距離）を変えた３種類の対物レンズを、前記ペレット１を素材として製作した。尚、これ以降（表のレンズデータ含む）において、１０のべき乗数（例えば、２．５×１０−３）を、Ｅ（例えば、２．５×Ｅ−３）を用いて表す場合がある。【０１０１】
得られたペレット１を、空気を流通させた熱風乾燥器を用いて７０℃で２時間乾燥して水分を除去した後、射出成形機により射出成形し、下記表１〜３に記すｄ／ｆ（ｄ：軸上厚、ｆ：焦点距離）を有する３種類の対物レンズを得た。【０１０２】
【数１】
0005477386.tif 000012
【０１０３】
ここで、Ｘ（ｈ）は光軸方向のサグ量（光の進行方向を正とする）、κは円錐係数、Ａｉは非球面係数、ｈは光軸からの高さ、ｒは近軸曲率半径である。【０１０４】
３種類の対物レンズのレンズデータを、表１〜３にそれぞれ示す。各対物レンズの光学面は、それぞれ数１式に表に示す係数を代入した数式で規定される、光軸の周りに軸対称な非球面に形成されている。表１に示すレンズは、ｄ／ｆの値が１．１０であり、表２に示すレンズは、ｄ／ｆの値が０．９２であり、表３に示すレンズは、ｄ／ｆの値が１．５４である。【０１０５】
【表１】
0005477386.tif 000013
【０１０６】
【表２】
0005477386.tif 000014
【０１０７】
【表３】
0005477386.tif 000015
【０１０８】
次に、本発明者らは、３種類の対物レンズそれぞれに、Ｘの値を１．３，１．３５，１．７６，１．８８，１．９２と変化させて、図２に示す単層の反射防止膜（ＳｉＯＸ：膜厚２００ｎｍ）と、図３に示す３層の反射防止膜（ＳｉＯＸ：膜厚２００ｎｍ＋ＺｒＯ２：膜厚２５ｎｍ＋ＳｉＯ２：膜厚１０３ｎｍ）をＣＶＤ等によりそれぞれ成膜し、以下の評価試験を行った。尚、Ｘの値が１．３５、１．７６、１．８８のものが本発明であり、Ｘの値が１．３のものと１．９２のものは比較例となる。尚、Ｘの値は成膜時に酸素導入量を増減させることで、任意の値を得ることができる。【０１０９】
なお、Ｘの値を変化させたときのＳｉＯXの５００ｎｍの波長における屈折率は、１．８６（Ｘ＝１．３）、１．８３（Ｘ＝１．３５）、１．６０（Ｘ＝１．７６）、１．５３（Ｘ＝１．８８）、１．５１（Ｘ＝１．９２）であり、ＳｉＯ2の屈折率は１．４６であり、ＺｒＯ2の屈折率は１．９７であった。
【０１１０】
（評価基準）
（１）密着性評価：各仕様にてコートした対物レンズの第１光学面に、イソプロピルアルコールを含ませた麺棒を荷重１０ｇで押し付けながら摺動させ、その後目視にて表面を検査。
評価結果○：２００回拭いても膜はがれなく、実用上問題なし。
評価結果△：１００回拭いても膜はがれないが、２００回拭いて膜はがれあり。
評価結果×：１００回拭いて膜はがれあり、実用に適さない。【０１１１】
（２）クラック評価：各仕様にてコートした対物レンズを８５℃の環境下に７２時間放置し、その後目視にて表面を検査。
評価結果○：膜全体にクラックが見られず、実用上問題なし。
評価結果△：膜の一部にクラックが見られる。
評価結果×：膜全体にクラックが見られ、実用に適さない。【０１１２】
表４に評価結果を示す。Ｘ＝１．３とした比較例１においては、クラック評価は単層、３層ともいずれのｄ／ｆの対物レンズでも良好であった。しかしながら、コートの密着性評価では、ｄ／ｆ＝０．９２の対物レンズでは単層、３層とも評価△、ｄ／ｆ＝１．１０，１．５４の対物レンズでは単層、３層とも評価×であった。これは、対物レンズの表面に接するＳｉＯの分子数が多すぎて、密着性が悪化したものと考えられる。【０１１３】
一方、Ｘ＝１．９２とした比較例２においては、コートの密着性評価は単層、３層ともいずれのｄ／ｆの対物レンズでも良好であった。しかしながら、クラック評価では、ｄ／ｆ＝０．９２の対物レンズでは単層、３層とも評価△、ｄ／ｆ＝１．１０，１．５４の対物レンズでは単層、３層とも評価×であった。これは、対物レンズの表面に接するＳｉＯ２の分子数が多すぎて、耐熱性が悪化したものと考えられる。【０１１４】
これに対し、Ｘ＝１．３５、Ｘ＝１．７６、Ｘ＝１．８８とした実施例においては、コートの密着性評価及びクラック評価は、単層、３層ともいずれのｄ／ｆの対物レンズでも良好であった。尚、レンズ本体の材料として、日本ゼオン株式会社のＺＥＯＮＥＸ（登録商標）３５０Ｒを用いて上述と同様の比較例、実施例の対物レンズを作成したが、結果は上記と同一であった。【０１１５】
【表４】
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【符号の説明】
【０１１６】
ＬＤ  青紫色半導体レーザ
ＯＢＪ  対物レンズ
ＰＢＳ  偏光プリズム
ＰＤ  受光素子
ＰＵ１  光ピックアップ装置
ＱＷＰ  λ／４波長板
Ｓ１  光源側光学面
Ｓ２  光ディスク側光学面
ＳＬ  センサ用レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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