(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
関連マーキングデバイスで用いる平面加工構造であって、
関連マーキングデバイスの流体処理構造と統合されるように構成された基板と、
前記関連マーキングデバイスの駆動エレクトロニクスと統合されるように構成された自揚スプリングフィンガーであって、前記基板に取り付けられた非上昇アンカー部分および前記基板から離れるように延伸する剥離部分を有し、前記剥離部分が、近端および遠端を有し、前記遠端が、前記関連マーキングデバイスのマーキング流体容器からマーキング表面に向けてのマーキング流体の静電抽出を促す作用をする静電場集中器として機能する先端を含む、自揚スプリングフィンガーと
を含む平面加工構造。
【請求項２】
前記自揚スプリングフィンガーが、内部組み込み応力勾配のある金属を含む請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項３】
前記自揚スプリングフィンガーが、内部組み込み応力勾配のある部分を含む請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項４】
前記自揚スプリングフィンガーの前記アンカー部分にアンカーパッドをさらに含む請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項５】
前記自揚スプリングフィンガーが、内部組み込みでない応力勾配金属と、内部組み込み応力勾配を有する被覆層部分とを備える、請求項４に記載の平面加工構造。
【請求項６】
前記先端が、円形、三角形、四角形、矩形、平行四辺形、台形、菱形、八角形、五角形、六角形、およびこれらの組み合わせなどの凸形状と、万年筆において例示される凹構造とからなる図形群から選択される形状を有する、請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項７】
前記自揚スプリングフィンガーが、内部応力を有するように製造され、その内部応力において、前記基板に最も近い部分の応力は圧縮応力であり、前記基板から離れた部分の応力は引張応力であることによって、前記剥離部分が前記基板に固定されない状態では、前記剥離部分は前記基板から離れるように屈曲する、請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項８】
前記自揚スプリングフィンガーの前記剥離部分の前記遠端における前記先端が、マーキング流体の静電抽出との関連において、凝集した正帯電の顔料粒子の毛細管定義を促す作用をするように成形されている、請求項１に記載の平面加工構造。
【請求項９】
製造時に前記自揚スプリングフィンガーを弛緩状態に変換し、前記剥離部分を前記基板から剥離した状態にすることで、前記剥離部分の前記先端が前記基板から離れるように延伸する、請求項１に記載の平面加工構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
例示の実施形態は、加工構造に関する。マーキング用液体インクから顔料を静電抽出するのに特に用途が見出されており、それについて特に参照して記載していく。ただし、本例示の実施形態は、他の同様の用途にも適しているものと考えられる。
【背景技術】
【０００２】
懸濁粒子の入った液体インクを用いるデジタル印刷プロセスは、商工業市場においてターゲットとされる高品質および高速印刷のために開発されてきた。ただし、現時点において、プリントヘッド加工スキームの中には、バッチ加工や優れた印刷特性が得られていないものがある。平面バッチ加工プロセスは特に有利である。この技術では、互いに正確かつ均一に配置できる明確に定義された静電場集中器（先端）が要求される。先端は、毛細管および静電力を最適化する内部構造および全体形状を有するのが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６，７９４，７３７号明細書
【特許文献２】米国特許第５，６１３，８６１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１Ａおよび１Ｂに、電気絶縁液体から顔料を抽出する公知のシステム１００の概略を示す。流動液体容器１０４の少し上に延在する導電性ニブまたは先端１０２は、毛細管力により液体１０６でコートされている。正に帯電した顔料粒子１０８（図１Ｂに図示）は、流体内に懸濁されている。ニブ１０２に加わった正パルス１１０は、顔料粒子を「接地電極」１１４に向け、液滴の濃縮粒子を、ニブまたは先端１０２から抽出する。
【０００５】
また、ＣＬＡＷ構造として知られている他の構造は、フォトリソグラフィーパターン化スプリング構造に用途が見出されている。米国特許第６，７９４，７３７  Ｂ２号（Ｆｏｒｋら）および米国特許第５，６１３，８６１  Ａ号（Ｓｍｉｔｈら）には、両方共、内部応力に抗するために下にある基板に取り付けられたままの自揚スプリングフィンガーの部分を覆う応力均衡層が開示されている。これらの構造は、制御された垂直応力勾配で、金属層を付着し、パターン化するものである。剥離の際に、金属ストリップは、加工面から巻き上がる。追加の層は、スパッタリング、めっきおよびこれらの組み合わせ等の様々な方法により形成される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
例示の実施形態の一態様によれば、関連基板にマークを作製する複数のマーキングデバイスタイプから選択される関連マーキングデバイスで用いる平面加工構造が提供される。平面加工構造は、基板と、自揚スプリングフィンガーとを有する。自揚スプリングフィンガーは、基板に取り付けられた非上昇アンカー部分を有する。剥離部分は、基板に延在していて、近端および遠端を有する。遠端は、マーキング流体の放出を促す作用をする先端を有する。エッチングすると、自揚スプリングフィンガーの剥離部分が、面から上昇する。
【０００７】
他の態様によれば、関連基板にマークを作製する複数のマーキングデバイスタイプから選択される関連マーキングデバイスで用いる平面加工構造が提供される。平面加工構造は、基板と、自揚スプリングフィンガーとを有する。自揚スプリングフィンガーは、基板に取り付けられた非上昇アンカー部分を有する。剥離部分は、基板に延在していて、近端および遠端を有する。遠端は、マーキング流体の放出を促す作用をする先端を有する。電気絶縁テザーストリップは、剥離部分を横断して重ねられている。エッチングすると、自揚スプリングフィンガーの剥離部分が、面から上昇する。
【０００８】
他の態様によれば、関連基板にマークを作製する複数のマーキングデバイスタイプから選択される関連マーキングデバイスで用いる平面加工構造が提供される。平面加工構造は、基板と、複数の自揚スプリングフィンガーとを有する。複数の自揚スプリングフィンガーは、それぞれ、基板に取り付けられた非上昇アンカー部分を有する。剥離部分は、基板に延在していて、近端および遠端を有する。遠端は、マーキング流体の放出を促す作用をする先端を有する。複数の自揚スプリングフィンガーは、先端が集まるように構成されている。エッチングすると、自揚スプリングフィンガーの剥離部分が、面から上昇する。
【０００９】
他の態様によれば、関連基板にマークを作製する複数のマーキングデバイスタイプから選択される関連マーキングデバイスで用いる平面加工構造が提供される。平面加工構造は、基板と、複数の自揚スプリングフィンガーとを有する。複数の自揚スプリングフィンガーは、基板に取り付けられた非上昇アンカー部分を有する。剥離部分は、基板に延在していて、近端および遠端を有する。遠端は、マーキング流体の放出を促す作用をする先端を有する。平面加工構造は、各自揚スプリングフィンガーの剥離部分を横断して重ねられた電気絶縁テザーストリップをさらに有する。複数のテザーストリップ行と複数のテザーストリップ列は、テザー網目構造を形成する。エッチングすると、自揚スプリングフィンガーの剥離部分が、面から上昇する。
【発明の効果】
【００１０】
少なくとも１つの実施形態の１つの利点は、スパッタに必要な金属が減少することである。これによって、機械運転時間、材料消費および予防保守（フレーキング）のためのダウンタイムが減じることにより、スパッタリングのコストが減じる可能性がある。さらに、より薄い自揚スプリングを利用できることにより、アンダーカット発生よりもリソグラフィーで決められるため、エミッタ先鋭度をさらに調整可能とすることができる。
【００１１】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、先端をパターン化して、毛細管および静電力を最適化できることである。
【００１２】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、加工が、低コスト、高精度およびエレクトロニクスとの整合性をもって、平面およびバッチでなされることであろう。
【００１３】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、三次元構造が自己集合であることである。
【００１４】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、テザー網目が、開口プレートを支持できることである。
【００１５】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、垂直エミッタを異なる高さで加工できることである。
【００１６】
少なくとも１つの実施形態の他の利点は、先鋭端を備えた機械的に安定なエミッタをバッチ処理できることである。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】一般的な静電マーキング構成の概略図である。
【図１Ｂ】一般的な静電マーキング構成の概略図である。
【図２Ａ】剥離前の剥離部分構造（先端を含む）の概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す剥離部分構造（先端を含む）の剥離前の剥離部分構造の概略側面図である。
【図３Ａ】剥離後の剥離部分構造（先端を含む）の概略平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す剥離部分構造（先端を含む）の剥離後の剥離部分構造の概略側面図である。
【図４Ａ】テザー先端を備えた加工構造の概略平面図である。
【図４Ｂ】テザー先端を備えた加工構造の概略側面図である。
【図５Ａ】集まった先端を備えた加工構造の概略平面図である。
【図５Ｂ】集まった先端を備えた加工構造の概略側面図である。
【図６Ａ】テザー網目および支持された開口プレートを備えた加工構造の概略平面図である。
【図６Ｂ】テザー網目および支持された開口プレートを備えた加工構造の概略側面図である。
【図７】典型的な先端の概略図である。
【図８Ａ】剥離部分構造（先端を含む）の剥離前の剥離部分構造の概略側面図である。
【図８Ｂ】剥離部分構造（先端を含む）の剥離後の剥離部分構造の概略側面図である。
【図９】垂直終端セグメントを備えたフィンガーの概略である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本明細書に記載した実施形態によれば、平面バッチ加工構造は、正確にパターン化された自己集合フィーチャーを用いて、好適なマーキングデバイスまたはシステムに用いる静電インクニブまたは先端を配置する。ある形態において、システムは、制御された垂直応力勾配で、単層または多層を用いて、基板からの剥離の際に、三次元構造を形成する。安価で、高度に統合された高機能デジタルマーキングシステムを加工することのできる様々な組立体が提案されている。
【００１９】
例示の実施形態において、図２Ａ、２Ｂ、３Ａおよび３Ｂに、ニブまたは先端配列の費用効率の高い精密加工が可能で、補助流体処理構造および駆動エレクトロニクスと統合が可能な加工構造を示す。少なくとも１つの形態の基本的な概念は、ＣＬＡＷ状の自己集合要素を用いて、ニブまたは先端を提供することである。ニップまたは先端は、ＣＬＡＷ状構造の一部であり、マーキング表面近くまたは実際に接触して、凝集した正に帯電した顔料粒子を付着させる。
【００２０】
これに関して、図２Ａおよび２Ｂに、非弛緩状態の加工構造を示す。これは、剥離の際に、図３Ａおよび３Ｂに示す弛緩した三次元構造へと変換される。当然のことながら、少なくとも１つの形態において、本明細書に記載した実施形態の構造の弛緩した状態への剥離は、エッチング／加工中に生じる。
【００２１】
図２Ａおよび２Ｂに示すとおり、関連マーキングデバイスで用いられる自揚スプリングフィンガー２００は、加工構造２０１内に示されている。当然のことながら、加工構造２０１は、マーキング流体の放出を促す作用をする任意の好適な関連マーキングデバイスと組み合わせて用いてよい。加工構造２０１は、概して、基板２０６と、剥離層２１２と、支持パッド２１０を介して基板２０６に取り付けられた非上昇アンカー部分２０８を有する自揚スプリングフィンガー２００を含む１つ以上の層とを有する。加工構造は、剥離層２１２および基板２０６に延在する剥離部分２０２をさらに含む。剥離層２１２の少なくとも一部の犠牲エッチングの際に、剥離されたフィンガーが内部応力を弛緩して、所望の三次元構造が形成される。一実施形態において、自揚スプリングフィンガーは、内部組み込み応力勾配のある金属を含み、剥離の際に、基板に対して垂直となる。（基板に最も近い応力は圧縮であり、上面に近い応力は引張で、剥離の際に、基板から上方へ曲げて離すことにより、フィンガーは弛緩する）。剥離部分２０２は、非上昇アンカー部分２０８の端部および基板２０６に近端２１２と、遠端２０２Ｔとを有する。図２Ｂに示すとおり、加工構造は、自揚スプリングフィンガー２００のアンカー部分２０８にアンカーパッド２１４をさらに有する。第２の場合において、自揚スプリングフィンガー２００は、内部組み込みでない応力勾配金属と、内部組み込み応力勾配を有する被覆層部分とを含む。
【００２２】
図３Ａに関して、剥離後の弛緩状態にある自揚スプリングフィンガー２００を示す。先端２０２Ｔは、図示するとおり、そのページから延在している。先端２０２Ｔは、凝集した正に帯電した顔料粒子の毛細管定義を向上させて、例えば、マーキング用顔料インクの静電抽出のためのデバイスにおいてインクまたはマーキング流体が放出されるように成形されている。
【００２３】
図３Ｂに関して、図３Ａの断面図を示す。関連マーキングデバイスで用いる加工構造２０１は、剥離後の弛緩状態にある自揚スプリングフィンガー２００の剥離部分２０２を示す。
【００２４】
他の実施形態において、図４Ａおよび４Ｂに、構造４０１内にテザー先端を備えた自揚スプリングフィンガー４００ａ−ｃを示す。当然のことながら、加工構造４０１は、マーキング流体の放出を促す作用をする任意の好適な関連マーキングデバイスと併用してよい。図４Ａに示すとおり、関連マーキングデバイスと共に用いられる自揚スプリングフィンガー４００ａ−ｃが示されている。自揚スプリングフィンガー４００ａ−ｃは、概して、剥離部分４０２ａ−ｃを有する。剥離部分４０２ａ−ｃは、遠端４０４ａ−ｃをさらに有する。遠端４０４ａ−ｃは、一組の先端４０２Ｔａ−Ｔｃを形成する。電気絶縁テザーストリップ４１６は、剥離部分４０２ａ−ｃの遠端４０４ａ−ｃ近くのフィンガー４００ａ−ｃに重ねられ、接合されている。アンカー部分４０８ａ−ｃも示されている。
【００２５】
少なくとも１つの形態において、フォトリソグラフィーまたはその他好適な技術により形成できる先端４０２Ｔａ−Ｔｃの形状は、先端毎に均一である。先端４０２Ｔａ−Ｔｃの各高さは、基板全体にわたって、互いに少なくとも＋／−５ミクロン以内、例えば、＋／−３ミクロン以内または＋／−２ミクロン以内に制御することができる。高さは、先端の電場集中を一定に保つように選択される。
【００２６】
先端４０１Ｔａ−Ｔｃ間の相対距離もまた、均一になるよう構成される。４０２Ｔａ−Ｔｃ等の先端間の相対位置についての偏位は、＋／−１０ミクロン以下、例えば、約＋／−７ミクロン未満または＋／−５ミクロンとなる。本明細書に記載した実施形態によれば、先端間の距離を有効に固定することによって、先端間にテザーストリップ４１６が得られる。
【００２７】
図４Ｂに関して、自揚スプリングフィンガー４００ａを有する加工構造４０１の断面図が示されている。自揚スプリングフィンガー４００ｂおよび４００ｃも同様に示されるものと考えられる。
【００２８】
関連マーキングデバイスと共に用いられる加工構造４０１は、非弛緩状態の自揚スプリングフィンガー４００ａを示しており、電気絶縁テザーストリップ４１６は、剥離部分４０２ａの遠端４０４ａ近くのフィンガー４０９に重ねられ、接合されている。
【００２９】
他の実施形態において、図５Ａおよび５Ｂに、集まった先端を備えた加工構造５０１を集合的に示す。当然のことながら、加工構造５０１は、マーキング流体の放出を促す作用をする任意の好適な関連マーキングデバイスと組み合わせて用いてよい。図５Ａに関して、自揚スプリングフィンガー５００ａ−ｄが、構造５０１内に示されている。自揚スプリングフィンガー５００ａ−ｄは、互いに垂直に配列されて、集まった先端５０２Ｔａ−Ｔｄを形成する複数の剥離部分５０２ａ−ｄを有する。
【００３０】
図５Ｂに関して、自揚スプリングフィンガー５００ａ、５００ｂおよび５００ｃを有する加工構造５０１の断面図を示す。関連マーキングデバイスと共に用いられる加工構造５０１は、弛緩状態の自揚スプリングフィンガー５００ａ−ｃを示す。加工構造５０１は、自揚スプリングフィンガー５００ｄを有するが、参照し易いように、同じようには示されていない。
【００３１】
ある形態においては、５０２Ｔａ−Ｔｄのように複数の先端が集まって、単一の毛細管構造を形成するのが望ましい。個々の先端５０２Ｔａ−Ｔｄクラスターに、個々に対応して、ドロップステアリングやデジタルグレイレベル放出を可能とすることができる。
【００３２】
図５Ｂに関して、集まった先端は、式１Ｄ＝Ｌ（１−２／Π）を満足する約９０°の屈曲部を形成する。式中、Ｄは近接する遠端間、例えば、剥離部分５０２ｂの５０４ｂと剥離部分５０２ｃの５０４ｃ間の距離であり、図５Ａに示すＬは、スプリングフィンガー５００ｄの先端５０２Ｔｄとスプリングフィンガー５００ｄの近端、すなわち、アンカーの剥離端間の距離である。式は、図５Ａの先端間の距離が、フィンガー長さＬに比べて無視できるとき、すなわち、Ｌがアンカーから未剥離クラスターの中点までの距離にほぼ等しいときに限って正確である。
【００３３】
他の実施形態において、図６Ａおよび６Ｂに、テザー網目および支持開口プレート（図６Ａには図示せず）を備えた加工構造を示す。先端の二次元配列のテザリングは、図６Ａおよび６Ｂに示すとおりに実施することができる。図６Ａに関して、自揚スプリングフィンガー６００ａ−ｆおよび６００ｇ−ｌを構造６０１内に示す。自揚スプリングフィンガー６００ａ−ｆおよび６００ｇ−ｌは、複数のテザーストリップ行６１８および複数のテザーストリップ列６１６をそれぞれ備えていて、テザー網目構造を形成している。２組のテザー間の犠牲スペーサパッドは図示されていない。スプリングを剥離する前に、犠牲スペーサパッドをエッチングして、２組のテザーを互いに独立して自由に動くようにする。
【００３４】
図６Ｂに関して、自揚スプリングフィンガー６００ａおよび６００ｄを有する加工構造６０１の部分断面図を示す。当然のことながら、加工構造６０１は、マーキング流体の放出を促す作用をする任意の好適な関連マーキングデバイスと併用してよい。加工構造６０１はまた、自揚スプリングフィンガー６００ａ−ｃおよび６００ｅ−ｌも有していてよく、同様に図示することができると考えられる。加工構造６０１は、剥離部分６００ａおよび６００ｄに重ねられた電気絶縁テザーストリップ６１６、６１８を有する。テザーストリップの接続点６２０も見てとれる。
【００３５】
加工構造は、例えば、開口プレート６２５ａ（マーキングデバイスの構造および操作に対応する様々な形態を採ってよい）をさらに有しており、それは、テザー網目構造に、または、同一平面として、端部でなければ、多数組のテザーの少なくとも１つにある。加工構造は、支持開口プレート６２５ｂ（構成は変えることができる）のための構造をさらに有する。分かりやすくするために、操作プレートおよび支持構造は図６Ａに図示していない。先端を弛緩して、機械的か、テザーを交点で接合するかのいずれかにより、連動構造を形成するとき、テザーは、互いに接触可能である。
【００３６】
当然のことながら、スプリングフィンガーおよび関連構造は、図２Ａ−８に記載した全ての実施形態において、実質的に同じ形態を採り、実質的に同じやり方（別記した以外は）で操作される。
【００３７】
同様の構造を、シリコン微細加工プロセスを用いて小規模で作製することができる。好ましい実施形態は、ガラス、プラスチック、プリント基板または同時焼成セラミック基板および大面積フォトリソグラフィーまたはソフトリソグラフィープロセスおよびこれらの組み合わせを用いる。
【００３８】
他の実施形態において、図７に、自揚スプリングフィンガー７００用成形先端を示す。図１−６で上述した自揚スプリングフィンガーは、成形先端を有している。自揚スプリングフィンガー７００は、概して、正に帯電した成形先端７０２Ｔａを有しており、自揚スプリングフィンガー７００の剥離部分の遠端に位置する先端７０２ＴａＰが、凝集した正に帯電した顔料粒子７３０を保持し、放出できるようになっている。先端の形状としては、凸形状、例えば、円形、三角形、四角形、矩形、平行四辺形、台形、菱形、八角形、五角形、六角形およびこれらの組み合わせ、ならびに、万年筆ニブまたは先端が例となる凹構造が挙げられる。先端２０２Ｔは、凝集した正に帯電した顔料粒子の毛細管定義を向上させて、例えば、マーキング用顔料インクの静電抽出のためのデバイスにおいてインクまたはマーキング流体が放出されるように成形されている。前述した加工構造は、正確にパターン化され自己集合されていてよい。
【００３９】
他の実施形態において、これまで記載してきたとおり、９０度で円形のフィンガーよりも、先端により垂直な配向を有するｃｌａｗｊｅｔフィンガーが好ましい。概念は単純で、追加のマスクカウントなしで実施することができる。
【００４０】
スパッタリング中、応力勾配層に、平衡カウンターモーメントロード層を適用する。これによって、非常に大きな半径のスプリングの端部を後に作製することができる。ベースセグメントはきつく屈曲する。金属画定の際、層は全て剥離層までエッチングする。剥離段階で、剥離ウィンドウフォトレジストが、スプリングベースを画定し、端部セグメント上の追加のレジストが、剥離エッチング前、カウンターモーメント材料を、ベースセグメントから除去する別個のエッチング浴から端部を保護する。ベースセグメントは、９０度屈曲するように設計されており、端部セグメントは、設計された高さに対して垂直に延在する。
【００４１】
図８Ａおよび８Ｂに関して、変形方法は、応力のかかっていない層を用いて、加工構造３０１内に自揚スプリングフィンガー３００を画定することを含んでいてもよい。加工構造３０１は、さらに層３５０を有する。層３５０は、バイメタルストリップのように作用する応力金属または第２の材料（内部組み込み均一応力）の少なくとも１つを含んでいてよく、パターン化して、必要であれば、曲げトルクを与える位置に自揚スプリングフィンガー３００を覆う。
【００４２】
このようにすると、角度を変えずに異なる高さで近接する先端が得られる。例えば、近接する、異なる高さのエミッタにかかる電位を調節することにより、様々なドロップサイズに調整することのできる構造を作製することができる。この概念は、単一のセグメントビームで機能するが、角度および高さは、異なるフィンガー長さにより、両方共変わる。
【００４３】
これに関して、図９に、垂直末端セグメントを備えたフィンガーの構造を示す。前述した加工構造は、垂直セグメントを作製するために、スプリングの端部で処理されたカウンターモーメント層を有する。垂直末端セグメント８００は、概して、剥離層８０２、絶縁層８０４、自揚スプリング８０６、カウンターモーメント層８０８、オープンウィンドウマスク８１０、末端ウィンドウマスク８１２および先端マスク８１４を有する。
【００４４】
リソグラフィー限定先鋭端で終端した厚いめっき金属で構造強化された強い剛性シャフトを必要とする場合、これは、追加のマスクカウントなしで（例えば、まだ２つのレベルで）行うことができる。これによって、かなりの量の流体フローに耐えうる優れた電場集中構造を作製できる可能性がある。
【００４５】
９０度以上屈曲する長いスプリングは、垂れる傾向があるが、めっきによって、構造を強化することができる。エミッタセクションの鈍化を防ぐために、先端以外は全てめっきしたいであろう。応力金属をプラスチックに接合するやり方が最近開発されている。ポリイミド等の可撓性絶縁体の下層に沿った上昇カンチレバーを作製することが提案されている。第１の金属マスクを用いて、図９に示すとおり、金属と下部絶縁体の両方を、剥離層まで画定する。剥離ウィンドウ画定により、絶縁レジストの末端キャップを先端に配置する。キャップはフィンガーと共に上昇する。構造全体がバッチめっきされる。めっき金属は、スプリングのベースセグメントの上部および側部のみである。レジストをストリップすると、先鋭端のある強固で剛性のエミッタを備えた構造が得られる。下部絶縁体はまた、デバイスの操作が妨げられる場合には、この時点で、スプリングからストリップすることもできる。
【００４６】
加工構造を、任意の好適な関連マーキングデバイスで用いることに関して説明してきたが、構造は、図１Ａおよび１Ｂに示す公知のシステム１００を形成するのにも用いられるものと考えられる。すなわち、加工構造は、高品質および高速印刷を用いる現在の技術を改善するのに用いると好適であろう。製造スキームによって、バッチ製造および優れた印刷特性が可能となろう。現在の技術では、互いに正確かつ均一に配置できる良く定義された静電場集中（先端）を必要とするため、平面バッチ加工プロセスが有利であろう。加工構造は、毛細管および静電力を最適化する内部構造および全体構造を有する先端を有していてよい。これに関して、本明細書に記載した実施形態の構造を用いて、好適かつ／または選択的に配置されたニブまたは先端を提供して、様々な公知の技術に従って、インクまたは顔料粒子を抽出することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００  システム、１１０  正パルス、１０２  ニブまたは先端、１０４  流動液体容器、１０６  液体、１０８  顔料粒子、１１２  、１１４  接地電極、２００  自揚スプリングフィンガー、２０１  加工構造、２０２  剥離部分、２０２Ｔ  遠端、２０６  基板、２０８  非上昇アンカー部分、２１０  支持パッド、２１２  剥離層、２１４  アンカーパッド、３００  自揚スプリングフィンガー、３０１  加工構造、３５０  層、４００ａ−ｃ  自揚スプリングフィンガー、４０１  構造、４０２ａ−ｃ  剥離部分、４０４ａ−ｃ  遠端、４０６ａ−ｃ  、４０８ａ−ｃ  アンカー部分、４１４ａ−ｃ  、４１６  電気絶縁テザーストリップ、５００ａ−ｃ  自揚スプリングフィンガー、５０１  加工構造、５０２ａ−ｃ  剥離部分、５０２Ｔａ−Ｔｃ  集まった先端、５０４ａ−ｃ  、５０６ａ−ｃ  、５０８ａ−ｄ  、５１０ａ−ｃ  、５１４ａ−ｃ  、６００ａ−ｌ  自揚スプリングフィンガー、６０１  構造、６０２Ｔａ−Ｔｄ  、６１６  テザーストリップ列、６１８  テザーストリップ行、６２０  接続点、６２５ａ−ｂ  開口プレート、７００  自揚スプリングフィンガー、７０２Ｔａ  先端、７０２ＴａＰ  先端、７３０  顔料粒子、８０２  剥離層、８０４  絶縁層、８０６  自揚スプリング、８０８  カウンターモーメント層、８１０  オープンウィンドウマスク、８１２  末端ウィンドウマスク、８１４  先端マスク。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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