(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、
前記工程チャンバーの内部へ反応ガスを供給するガス供給部と、
前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスへ高周波電力を印加する上部電極と、
前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターと、
前記上部電極の下部に位置し、前記反応ガスが通過する分配ホールが形成された分配板と、前記上部電極へ第１周波数電力を印加する第１上部電源と、
前記ヒーターへ第２周波数電力を印加する第２上部電源と、
前記第２上部電源と前記ヒーターとの間の区間で前記第２上部電源と前記ヒーターとに電気的に連結され、前記ヒーターへ印加された第２周波数電力が前記第２上部電源へ伝達されることを遮断する第２周波数遮断フィルターと、を含み、
前記第２周波数遮断フィルターは、ローパスフィルターを含み、
前記上部電極は、
前記第１上部電源と電気的に連結される上部板と、
前記上部板の下部に位置し、前記ヒーターが設置されるとともに、前記反応ガスを供給されるガス供給ホールが形成された下部板と、を含み、
前記下部板は、
前記ガス供給ホールが形成された中心領域と、
前記中心領域を囲む縁領域と、を有し、
前記ヒーターは前記縁領域に設けられ、前記中心領域を囲む基板処理装置。
【請求項２】
内部に空間が形成された工程チャンバーと、
前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、
前記工程チャンバーの内部へ反応ガスを供給するガス供給部と、
前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスへ高周波電力を印加する上部電極と、
前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターと、
前記上部電極の下部に位置し、前記反応ガスが通過する分配ホールが形成された分配板と、前記上部電極へ第１周波数電力を印加する第１上部電源と、
前記ヒーターへ第２周波数電力を印加する第２上部電源と、
前記第２上部電源と前記ヒーターとの間の区間で前記第２上部電源と前記ヒーターとに電気的に連結され、前記ヒーターへ印加された第２周波数電力が前記第２上部電源へ伝達されることを遮断する第２周波数遮断フィルターと、
前記チャックに設置された下部電極と、
前記第１周波数電力と同一な周波数電力を発生させる第１下部電源と、
前記第１周波数電力より低い周波数電力を発生させる第２下部電源と、
前記第１下部電源から発生された周波数電力と前記第２下部電源から発生された周波数電力をマッチングさせ、マッチングさせた周波数電力を前記下部電極に印加するマッチング部と、を含み、
前記第２周波数遮断フィルターは、ローパスフィルターを含む基板処理装置。
【請求項３】
前記第１周波数電力は１３．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚ周波数を有し、前記第２周波数電力は６０Ｈｚ周波数を有する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１下部電源は１００ＭＨｚ周波数電力を発生させ、前記第２下部電源は２ＭＨｚ周波数電力を発生させる請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ヒーターは前記上部電極の内部に埋め込まれる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１上部電源と前記上部電極との間の区間で前記第１上部電源と前記上部電極と電気的に連結され、前記上部電極へ印加された第１周波数電力が前記第１上部電源へ伝達されることを遮断する第１周波数遮断フィルターをさらに含む請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２周波数電力は前記第１周波数電力と異なる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、より詳細にはプラズマを利用して基板を処理する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマは非常に高い温度や、強い電界或いは高周波電磁界（ＲＦ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄｓ）によって生成され、イオンや電子、ラジカル等になされたイオン化されたガス状態を言う。半導体素子の製造工程では、プラズマを使用して蝕刻工程を遂行する。蝕刻工程は、プラズマに含有されたイオン粒子が基板と衝突することによって遂行される。
【０００３】
図１は一般的な基板処理装置を利用して蝕刻工程を遂行した基板の蝕刻率を示すグラフである。図１を参照すれば、蝕刻工程が開始された後、約５枚の基板処理が完了される時まで蝕刻率は基準蝕刻率Ｌに至らない。これは蝕刻工程が開始された後、５枚の基板処理が完了される時まで工程ガスが十分に励起されなかったことを意味する。このため、基準蝕刻率Ｌに近接する蝕刻率を得るために所定時間が掛かり、基板処理に対する全体工程の時間が長くなる。また、工程初期に提供された基板の蝕刻率は基準蝕刻率に至らず、基板処理効率が低くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００９−００４２６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は全体工程の時間を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【０００６】
また、本発明は基準蝕刻率に至らない基板処理発生を防止できる基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバーの内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターと、前記上部電極の下部に位置し、前記反応ガスが通過する分配ホールが形成された分配板と、前記上部電極へ第１周波数電力を印加する第１上部電源と、前記ヒーターへ第２周波数電力を印加する第２上部電源と、前記第２上部電源と前記ヒーターとの間の区間で前記第２上部電源と前記ヒーターに電気的に連結され、前記ヒーターへ印加された第２周波数電力が前記第２上部電源へ伝達されることを遮断する第２周波数遮断フィルターと、を含み、前記第２周波数遮断フィルターは、ローパスフィルターを含み、前記上部電極は、前記第１上部電源と電気的に連結される上部板と、前記上部板の下部に位置し、前記ヒーターが設置されるとともに、前記反応ガスを供給されるガス供給ホールが形成された下部板と、を含み、前記下部板は、前記ガス供給ホールが形成された中心領域と、前記中心領域を囲む縁領域と、を有し、前記ヒーターは前記縁領域に設けられ、前記中心領域を囲む。
また、本発明の基板処理装置は、内部に空間が形成された工程チャンバーと、前記工程チャンバーの内部に位置し、基板を支持するチャックと、前記工程チャンバーの内部に反応ガスを供給するガス供給部と、前記チャックの上部に位置し、前記反応ガスに高周波電力を印加する上部電極と、前記上部電極に設置され、前記上部電極を加熱するヒーターと、前記上部電極の下部に位置し、前記反応ガスが通過する分配ホールが形成された分配板と、前記上部電極へ第１周波数電力を印加する第１上部電源と、前記ヒーターへ第２周波数電力を印加する第２上部電源と、前記第２上部電源と前記ヒーターとの間の区間で前記第２上部電源と前記ヒーターに電気的に連結され、前記ヒーターへ印加された第２周波数電力が前記第２上部電源へ伝達されることを遮断する第２周波数遮断フィルターと、前記チャックに設置された下部電極と、前記第１周波数電力と同一な周波数電力を発生させる第１下部電源と、前記第１周波数電力より低い周波数電力を発生させる第２下部電源と、前記第１下部電源から発生された周波数電力と前記第２下部電源から発生された周波数電力をマッチングさせ、マッチングさせた周波数電力を前記下部電極に印加するマッチング部と、を含み、前記第２周波数遮断フィルターは、ローパスフィルターを含む。
【００１５】
また、前記第１周波数電力は１３．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚ周波数を有し、前記第２周波数電力は６０Ｈｚ周波数を有することができる。
【００１７】
また、前記第１下部電源は１００ＭＨｚ周波数電力を発生させ、前記第２下部電源は２ＭＨｚ周波数電力を発生させ得る。
また、前記ヒーターは前記上部電極の内部に埋め込まれ得る。
また、前記第１上部電源と前記上部電極との間の区間で前記第１上部電源と前記上部電極と電気的に連結され、前記上部電極へ印加された第１周波数電力が前記第１上部電源へ伝達されることを遮断する第１周波数遮断フィルターをさらに包含できる。
また、前記第２周波数電力は前記第１周波数電力と異なり得る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、基板処理が基準蝕刻率に至るのに別の工程時間が要求されないので、全体工程の時間が短縮され得る。
【００１９】
また、本発明によると、蝕刻工程初期に提供される基板の蝕刻率が基準蝕刻率に至ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】従来の基板処理装置を利用して蝕刻工程を遂行した基板の蝕刻率を示すグラフである。
【図２】本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態による基板処理装置を利用して処理した基板の蝕刻率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施形態による基板処理装置を詳細に説明する。本発明を説明するにおいて、関連する公知構成や機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曇り得る場合には、その詳細な説明を省略する。
【００２２】
図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。
【００２３】
図２に示す基板処理装置１０は、プラズマを生成して基板Ｗを処理するものであり、工程チャンバー１００、チャック２００、ガス供給部３００、プラズマ生成部４００、及び加熱ユニット５００を含む。
【００２４】
工程チャンバー１００には内部に空間１０１が形成される。内部の空間１０１は基板Ｗに対するプラズマ工程処理を遂行する空間として提供される。基板Ｗに対するプラズマ処理は蝕刻工程を含む。工程チャンバー１００の底面には排気ホール１０２が形成される。排気ホール１０２は排気ライン１２１と連結される。工程過程から発生された反応生成物及び工程チャンバー１００の内部に留まるガスは、排気ライン１２１を通じて外部へ排出される。排気過程によって工程チャンバー１００の内部の空間１０１は所定の圧力に減圧される。
【００２５】
工程チャンバー１００の内部にはチャック２００が位置する。チャック２００は基板Ｗを支持する。このチャック２００は、静電気力を利用して基板Ｗを吸着固定する静電チャック２００である。静電チャック２００は誘電板２１０、下部電極２２０、ヒーター２３０、支持板２４０、及び絶縁板２７０を含む。
【００２６】
誘電板２１０は静電チャック２００の上端部に位置する。誘電板２１０は円板形状の誘電体（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｓｕｂｓｔａｎｃｅ）で提供される。誘電板２１０の上面には基板Ｗが置かれる。誘電板２１０の上面は基板Ｗより小さい半径を有する。そのため、基板Ｗの縁領域は誘電板２１０の外側に位置する。誘電板２１０には第１供給流路２１１が形成される。第１供給流路２１１は誘電板２１０の上面から底面にかけて形成される。第１供給流路２１１は互いに離隔して複数個形成され、基板Ｗの底面へ熱伝達媒体が供給される通路として提供される。
【００２７】
誘電板２１０の内部には下部電極２２０とヒーター２３０とが埋め込まれる。下部電極２２０はヒーター２３０の上部に位置する。下部電極２２０は下部電力供給部２２１と連結される。下部電力供給部２２１は下部電極２２０へ電力を印加する。下部電力供給部２２１は２つの下部電源２２２、２２３とマッチング部２２４とを含む。第１及び第２下部電源２２２、２２３は互いに異なる大きさの周波数電力を発生させる。第１下部電源２２２は第２下部電源２２３より高い周波数電力を発生させ得る。第１下部電源２２２は１３．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの周波数電力を発生させることができ、第２下部電源２２３は２ＭＨｚの周波数電力を発生させる。マッチング部２２４は第１及び第２下部電源２２２、２２３と電気的に連結され、互いに異なる大きさの２つの周波数電力をマッチングして下部電極２２０へ印加する。下部電極２２０へ印加された電力によって下部電極２２０と基板Ｗとの間には電気力が作用し、電気力によって基板Ｗは誘電板２１０に吸着される。
【００２８】
ヒーター２３０は外部電源（図示せず）と電気的に連結される。ヒーター２３０は外部電源から印加された電流の抵抗によって熱を発生させる。発生された熱は誘電板２１０を通じて基板Ｗへ伝達される。ヒーター２３０から発生された熱によって基板Ｗは所定温度に維持される。このヒーター２３０は螺旋形状のコイルであり、均一な間隔で誘電板２１０に埋め込まれている。
【００２９】
誘電板２１０の下部には支持板２４０が位置する。誘電板２１０の底面と支持板２４０の上面とは接着剤２３６によって接着される。支持板２４０はアルミニウム材質等で形成される。支持板２４０の上面は中心領域が縁領域より高く位置するように段差を有する。支持板２４０の上面中心領域は誘電板２１０の底面に相応する面積を有し、誘電板２１０の底面と接着される。支持板２４０には第１循環流路２４１、第２循環流路２４２、及び第２供給流路２４３が形成される。
【００３０】
第１循環流路２４１は熱伝達媒体が循環する通路として提供される。第１循環流路２４１は支持板２４０内部に螺旋形状に形成されているが、互いに異なる半径を有するリング形状の流路を同心円上に配置することで形成してもよい。この場合、第１循環流路２４１の各流路は互いに連通され、同一高さに形成される。
【００３１】
第２循環流路２４２は冷却流体が循環する通路として提供される。第２循環流路２４２は支持板２４０の内部に螺旋形状に形成されているが、互いに異なる半径を有するリング形状の流路を同心円上に配置することで形成してもよい。この場合、第２循環流路２４２の各流路は互いに連通され、同一高さに形成される。第２循環流路２４２は第１循環流路２４１より大きい断面積を有し、第１循環流路２４１の下部に位置される。
【００３２】
第２供給流路２４３は第１循環流路２４１から上部に延長され、支持板２４０の上面にまで形成される。第２供給流路２４３は第１供給流路２１１に対応する個数で提供され、第１循環流路２４１と第１供給流路２１１とを連結する。
【００３３】
第１循環流路２４１は熱伝達媒体供給ライン２５１を通じて熱伝達媒体格納部２５２と連結される。熱伝達媒体格納部２５２には熱伝達媒体が格納される。熱伝達媒体は不活性ガスを含む。実施形態によれば、熱伝達媒体はヘリウムガスを含む。ヘリウムガスは熱伝達媒体供給ライン２５１を通じて第１循環流路２４１へ供給され、第２供給流路２４３と第１供給流路２１１とを順に経て基板Ｗの底面へ供給される。ヘリウムガスはプラズマから基板Ｗへ伝達された熱を静電チャック２００へ伝達させる媒介体の役割を果たす。プラズマに含有されたイオン粒子は静電チャック２００に形成された電気力に引かれて静電チャック２００へ移動し、移動する過程で基板Ｗと衝突して蝕刻工程を遂行する。イオン粒子が基板Ｗに衝突する過程で基板Ｗには熱が発生する。基板Ｗから発生された熱は基板Ｗの底面と誘電板２１０の上面との間の空間に供給されたヘリウムガスを通じて静電チャック２００へ伝達される。これによって、基板Ｗは設定温度に維持され得る。
【００３４】
第２循環流路２４２は冷却流体供給ライン２６１を通じて冷却流体格納部２６２と連結される。冷却流体格納部２６２には冷却流体が格納される。冷却流体格納部２６２内には冷却器２６３が設けられる。冷却器２６３は冷却流体を所定温度に冷却させる。なお、冷却器２６３を冷却流体供給ライン２６１上に設けてもよい。冷却流体供給ライン２６１を通じて第２循環流路２４２へ供給された冷却流体は第２循環流路２４２に沿って循環し、支持板２４０を冷却する。支持板２４０の冷却は、誘電板２１０と基板Ｗを共に冷却させて基板Ｗを所定温度に維持させる。
【００３５】
支持板２４０の下部には絶縁板２７０が設けられる。絶縁板２７０は支持板２４０に相応する大きさで提供される。絶縁板２７０は支持板２４０と工程チャンバー１００の底面との間に位置する。絶縁板２７０は絶縁材質で提供され、支持板２４０と工程チャンバー１００を電気的に絶縁させる。
【００３６】
フォーカスリング２８０は静電チャック２００の縁領域に配置される。フォーカスリング２８０はリング形状を有し、誘電板２１０の周縁に沿って配置される。フォーカスリング２８０の上面は外側部２８０ａが内側部２８０ｂより高くなるように段差を有する。フォーカスリング２８０の上面の内側部２８０ｂは誘電板２１０の上面と同一高さに位置される。フォーカスリング２８０の上面の内側部２８０ｂは誘電板２１０の外側に位置された基板Ｗの縁領域を支持する。フォーカスリング２８０の上面の外側部２８０ａは基板Ｗの縁領域を囲むように位置される。フォーカスリング２８０はプラズマが形成される領域の中心に基板Ｗが位置するように電気場形成領域を拡張させる。これによって、基板Ｗの全体領域に掛けてプラズマが均一に形成され、基板Ｗの各領域が均一に蝕刻される。
【００３７】
ガス供給部３００は工程チャンバー１００へ工程ガスを供給する。ガス供給部３００はガス格納部３１０、ガス供給ライン３２０、及びガス流入ポート３３０を含む。ガス供給ライン３２０はガス格納部３１０とガス流入ポート３３０とを連結し、ガス格納部３１０に格納された工程ガスをガス流入ポート３３０へ供給する。ガス流入ポート３３０は上部電極４１０に形成されたガス供給ホール４１２と連結される。
【００３８】
プラズマ生成部４００は工程チャンバー１００内部に留まる工程ガスを励起させる。プラズマ生成部４００は上部電極４１０、分配板４２０、及び上部電力供給部４４０を含む。
【００３９】
上部電極４１０は円板形状を有し、静電チャック２００の上部に位置する。上部電極４１０は上部板４１０ａと下部板４１０ｂとを含む。上部板４１０ａは円板形状である。上部板４１０ａは第１上部電源４４１と電気的に連結される。上部板４１０ａは第１上部電源４４１から発生された高周波電力を工程チャンバー１００内部に留まる工程ガスへ印加して工程ガスを励起させる。工程ガスは励起されてプラズマ状態に変換される。上部板４１０ａの底面は、中心領域が縁領域より高く位置するように段差を有する。上部板４１０ａの中心領域にはガス供給ホール４１２が形成される。ガス供給ホール４１２はガス流入ポート３３０と連結され、バッファ空間４１４へ工程ガスを供給する。上部板４１０ａの内部には冷却流路４１１が形成される。冷却流路４１１は螺旋形状に形成されているが、互いに異なる半径を有するリング形状の流路を同心円上に配置することで形成してもよい。冷却流路４１１は冷却流体供給ライン４３１を通じて冷却流体格納部４３２と連結される。冷却流体格納部４３２は冷却流体を格納する。冷却流体格納部４３２に格納された冷却流体は冷却流体供給ライン４３１を通じて冷却流路４１１へ供給される。冷却流体は冷却流路４１１を循環し、上部板４１０ａを冷却させる。
【００４０】
下部板４１０ｂは上部板４１０ａの下部に位置する。下部板４１０ｂは上部板４１０ａに相応する大きさに提供され、上部板４１０ａと対向して位置する。下部板４１０ｂの上面は、中心領域が縁領域より低く位置するように段差を有する。下部板４１０ｂの上面と上部板４１０ａの底面とが互いに組合されてバッファ空間４１４を形成する。バッファ空間４１４は、ガス供給ホール４１２を通じて供給されたガスが工程チャンバー１００内部に供給される前に一時的に留まる空間となる。下部板４１０ｂの中心領域にはガス供給ホール４１３が形成される。ガス供給ホール４１３は一定の間隔で離隔されて複数個形成される。ガス供給ホール４１３はバッファ空間４１４と連結される。
【００４１】
下部板４１０ｂの下部には分配板４２０が位置する。分配板４２０は円板形状を有する。分配板４２０には分配ホール４２１が形成される。分配ホール４２１は分配板４２０の上面から下面にかけて形成される。分配ホール４２１はガス供給ホール４１３に対応する個数で提供され、ガス供給ホール４１３が位置された地点に対応して位置される。バッファ空間４１４に留まる工程ガスは、ガス供給ホール４１３と分配ホール４２１を通じて工程チャンバー１００内部に均一に供給される。
【００４２】
上部電力供給部４４０は上部板４１０ａへ高周波電力を印加する。上部電力供給部４４０は第１上部電源４４１とフィルター４４２とを含む。第１上部電源４４１は上部板４１０ａと電気的に連結され、高周波電力を発生させる。第１上部電源４４１は第１周波数電力を発生させる。第１上部電源４４１は第１下部電源２２２と同一の周波数電力を発生させ得る。つまり、第１上部電源４４１は、１３．５６ＭＨｚ乃至１００ＭＨｚの周波数電力を発生させることができる。
【００４３】
フィルター４４２は第１上部電源４４１と上部板４１０ａとの間の区間で第１上部電源４４１と上部板４１０ａに電気的に連結される。フィルター４４２は第１上部電源４４１から発生された第１周波数電力が上部板４１０ａへ印加されるように第１周波数電力を通過させる。そして、フィルター４４２は上部板４１０ａへ印加された第１周波数電力が第１上部電源４４１へ伝達されることを遮断する。フィルター４４２はハイパスフィルター（ｈｉｇｈ−ｐａｓｓ  ｆｉｌｔｅｒ）を含む。
【００４４】
加熱ユニット５００は下部板４１０ｂを加熱する。加熱ユニット５００はヒーター５１０、第２上部電源５２０、及びフィルター５３０を含む。ヒーター５１０は下部板４１０ｂの内部に設置される。ヒーター５１０は下部板４１０ｂの縁領域に提供される。ヒーター５１０はヒーティングコイルを含み、下部板４１０ｂの中心領域を囲むように提供される。第２上部電源５２０はヒーター５１０と電気的に連結される。第２上部電源５２０は第２周波数電力を発生させる。第２周波数電力は第１周波数電力と異なり、第１周波数電力より低い周波数で提供される。第２周波数電力は６０Ｈｚの周波数を有することができる。第２上部電源５２０は直流電力又は交流電力を発生させることができる。第２上部電源５２０から発生された第２周波数電力はヒーター５１０へ印加され、ヒーター５１０は印加された電流の抵抗によって発熱する。ヒーター５１０から発生された熱は下部板４１０ｂを加熱し、加熱された下部板４１０ｂはその下に位置された分配板４２０を所定温度に加熱する。下部板４１０ｂは６０℃〜３００℃の温度に加熱できる。
【００４５】
フィルター５３０は第２上部電源５２０とヒーター５１０との間の区間で第２上部電源５２０及びヒーター５１０と電気的に連結される。フィルター５３０は第２上部電源５２０から発生された第２周波数電力がヒーター５１０へ印加されるように、第２周波数電力を通過させる。そして、フィルター５３０はヒーター５１０へ印加された第２周波数電力が第２上部電源５２０へ伝達されることを遮断する。フィルター５３０はローパスフィルター（Ｌｏｗ−ｐａｓｓ  ｆｉｌｔｅｒ）を含む。
【００４６】
図４は本発明の実施形態による基板処理装置を利用して処理した基板の蝕刻率を示すグラフである。
【００４７】
基板は順次的にプラズマによる蝕刻工程に提供されるが、本発明の基板処理装置を利用して基板を蝕刻した結果、図４に示すように、蝕刻工程に最初に提供される基板とその後に提供される基板の蝕刻率は、共に基準蝕刻率Ｌに近接する。これはヒーター５１０から発生された熱によって、下部板４１０ｂと分配板４２０が速やかに所定温度に加熱されることによって、工程チャンバー１００内部に留まる工程ガスが工程初期から活発に励起されるためである。このように、本発明は蝕刻工程が開始された直後から蝕刻率が基準蝕刻率に至るので、蝕刻率が基準蝕刻率に至るために別途の時間が要求されない。したがって、全体工程時間が短くなるのみでなく、基準蝕刻率に至らない基板処理発生を防止することができる。
【００４８】
以上の説明は本発明の技術思想を例示的に説明したに過ぎず、当業者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。つまり、本発明の実施形態は本発明の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであり、この実施形態によって本発明の技術思想の範囲は限定されない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈され、それと同等な範囲内にある全て技術思想は本発明の権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４９】
１００  工程チャンバー
２００  静電チャック
３００  ガス供給部
４００  プラズマ生成部
５００  加熱ユニット
【図１】
0005630667.tif 000002
【図２】
0005630667.tif 000003
【図３】
0005630667.tif 000004
【図４】
0005630667.tif 000005