(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、アミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上に導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、アミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上に導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項３】
シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成する工程と、シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成する工程と、上記受光面及び裏面それぞれの拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、それぞれアミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上にそれぞれ導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記受光面及び裏面それぞれの拡散層に電気的に接続する受光面電極及び裏面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光エネルギーを直接電気エネルギーに変換する太陽電池の製造方法及びこの製造方法によって得られる太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型などがあり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料を基に分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分類される。シリコン結晶系太陽電池は、更に、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は比較的容易に製造できることから、その生産規模は現在最大となっており、今後も更に普及していくものと思われる（例えば、特許文献１：特開平８−０７３２９７号公報）。
【０００３】
太陽電池の出力特性は、一般に、ソーラーシミュレーターを用いて出力電流電圧曲線を測定することにより評価される。この曲線上で出力電流Ｉmaxと出力電圧Ｖmaxとの積、Ｉmax×Ｖmaxが最大となる点を最大出力Ｐmaxとよび、該Ｐmaxを太陽電池に入射する総光エネルギー（Ｓ×Ｉ：Ｓは素子面積、Ｉは照射する光の強度）で除した値：
η＝｛Ｐmax／（Ｓ×Ｉ）｝×１００（％）
が太陽電池の変換効率ηとして定義される。
【０００４】
変換効率ηを高めるには、短絡電流Ｉsc（電流電圧曲線にてＶ＝０の時の出力電流値）あるいはＶoc（電流電圧曲線にてＩ＝０の時の出力電圧値）を大きくすること、及び出力電流電圧曲線をなるべく角形に近い形状のものとすることが重要である。なお、出力電流電圧曲線の角形の度合いは一般に、
ＦＦ＝Ｐmax／（Ｉsc×Ｖoc）
で定義されるフィルファクタ（曲線因子）により評価でき、該ＦＦの値が１に近いほど出力電流電圧曲線が理想的な角形に近づき、変換効率ηも高められることを意味する。
【０００５】
上記変換効率ηを向上させるには、キャリアの表面再結合を低減させることが重要である。シリコン結晶系太陽電池においては、太陽光の入射光によって光生成した少数キャリアが、主に拡散によってｐ−ｎ接合面へ到達した後、受光面及び裏面に取り付けられた電極から多数キャリアとして外部へ取り出され、電気エネルギーとなる。
その際、電極面以外の基板表面に存在する界面準位を介して、本来電流として取り出すことのできたキャリアが再結合して失われることがあり、変換効率ηの低下に繋がる。
【０００６】
そこで、高効率太陽電池においては、シリコン基板の表面に、電極とのコンタクト部を除いてＳｉＯ2からなるパッシベーション膜を形成しシリコン基板とパッシベーション膜との界面におけるキャリア再結合を抑制し、変換効率ηの向上が図られている。
【０００７】
パッシベーション膜の形成方法としては、主に熱酸化法が用いられ、シリコン基板を酸素雰囲気中又は大気雰囲気中で熱酸化炉内において、９００℃以上に加熱しシリコン基板の表面に酸化膜を形成する。しかし、パッシベーション膜を熱酸化法にて形成する場合、９００℃以上という高温でシリコン基板を処理する必要があり、このような高温処理による不純物の再拡散によって、シリコン基板のライフタイムが低下するといった問題が発生する。
【０００８】
また、特許文献２（特開昭５８−２３４８６号公報）では、パッシベーション膜として酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜をスピンコート法、スプレー法、ディップ法により基板表面に塗布後、焼成することでパッシベーション膜を形成する手法が報告されている。この手法によれば、高温処理を必要としないためシリコン基板のライフタイムを低下させずにパッシベーション膜を形成することが可能だが、酸化タンタルや酸化ニオブ膜は、それ自身パッシベーション能力が低いため、十分なパッシベーション効果が得られず、シリコン基板表面でのキャリア再結合が多くなり、太陽電池の変換効率が低下する問題がある。
【０００９】
また、特許文献３（特開昭５８−２２０４７７号公報）では、窒化珪素膜をシリコン基板表面にプラズマＣＶＤ法にて成膜することでパッシベーション効果が得られることが報告されている。窒化珪素膜は、結晶系シリコン太陽電池の反射防止膜としての機能と同時に、シリコン基板表面及び内部のパッシベーション効果にも優れているためパッシベーション膜として窒化珪素膜は有用な膜として使われている。しかし、プラズマＣＶＤ法は、プロセス温度が４００℃程度と比較的低温であっても高い成膜速度を有するため、太陽電池の誘電体膜形成プロセスで多用されているが、プラズマ中で生成される高エネルギー荷電粒子が、成膜した膜やシリコン基板表面にダメージを与えやすいため、得られる窒化珪素膜は界面準位密度が多くなり、窒化珪素膜だけでは十分なパッシベーション効果が得られないといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平８−０７３２９７号公報
【特許文献２】特開昭５８−２３４８６号公報
【特許文献３】特開昭５８−２２０４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、パッシベーション効果に優れたパッシベーション膜（誘電体膜）を得る太陽電池の製造方法、及びその方法により製造される高変換効率な太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため鋭意検討した結果、太陽電池を形成する工程において、シリコン基板にプラズマＣＶＤ法により、特に窒化珪素からなる誘電体膜を形成後、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、その後加熱処理によりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて、上記誘電体膜上に酸化シリコン膜を形成することで、パッシベーション効果が向上することを見出し、本発明をなすに至った。
【００１３】
従って、本発明は、下記の太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
請求項１：
シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、アミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上に導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項２：
シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、アミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上に導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項３：
シリコン基板の受光面側にシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成する工程と、シリコン基板の裏面側の少なくとも一部にシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成する工程と、上記受光面及び裏面それぞれの拡散層上にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素からなる誘電体膜を形成する工程と、上記誘電体膜上に、それぞれアミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランの混合物であってヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布し、８０〜２００℃に加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて膜厚３０〜８０ｎｍのシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリコン酸化膜上にそれぞれ導電性ペーストを印刷し、焼成することによりファイヤースルーさせて上記受光面及び裏面それぞれの拡散層に電気的に接続する受光面電極及び裏面電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項４：
請求項１乃至３のいずれか１項記載の太陽電池の製造方法により製造された太陽電池。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、パッシベーション効果の優れたパッシベーション膜の形成が可能となり、その結果、高変換効率の太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の太陽電池の製造工程の一例を示す概略断面図である。（Ａ）は基板、（Ｂ）は基板裏面にｎ型拡散層を形成した状態、（Ｃ）は基板表面にｐ型拡散層を形成した状態、（Ｄ）は基板表裏面に反射防止膜（窒化珪素膜）を形成した状態、（Ｅ）はシリコン酸化膜を形成した状態、（Ｆ）は受光面及び非受光面電極を形成した状態をそれぞれ示す。
【図２】本発明の太陽電池の製造工程の他の例を示す概略断面図である。（Ａ）は基板、（Ｂ）は基板表面にｎ型拡散層を形成した状態、（Ｃ）は基板表面に反射防止膜（窒化珪素膜）を形成した状態、（Ｄ）はシリコン酸化膜を形成した状態、（Ｅ）は受光面及び非受光面電極を形成した状態をそれぞれ示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の製造方法は、シリコン基板の受光面側にこのシリコン基板の導電型とは異なる導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する受光面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記誘電体膜上に、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布する工程を含み、及び／又はシリコン基板の裏面側の少なくとも一部にこのシリコン基板の導電型と同じ導電型の拡散層を形成し、この拡散層上に誘電体膜を形成した後、上記拡散層に電気的に接続する裏面電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記誘電体膜上に、ヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布する工程を含み、特にヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物塗布後に、加熱処理することによりヒドロキシ基又はアルコキシ基を縮合反応させて、上記誘電体膜上にシリコン酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
以下、本発明の太陽電池の製造方法を、図面を用いて説明するが、この説明により本発明が限定されるものではない。
図１（Ａ）〜（Ｆ）、及び図２（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の太陽電池の製造方法における一実施形態の製造工程を示す概略断面図である。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１８】
（１）基板
本発明で用いられるシリコン基板１はｎ型でもｐ型でもよいが、図１（Ａ）においてはｎ型基板を、図２（Ａ）においてはｐ型基板を示した。このシリコン単結晶基板はチョクラルスキー（ＣＺ）法及びフロートゾーン（ＦＺ）法のいずれの方法によって作製されていてもよい。シリコン基板１の比抵抗は、高性能の太陽電池を作る点から、０．３〜３．０Ω・ｃｍが好ましく、０．５〜２．０Ω・ｃｍがより好ましい。シリコン基板としては、比較的高いライフタイムが得られる点から、リンドープｎ型単結晶シリコン基板が好ましい。リンドープのドーパント濃度は１×１０15ｃｍ-3〜５×１０16ｃｍ-3が好ましい［図１、図２（Ａ）］。
【００１９】
（２）ダメージエッチング／テクスチャ形成
例えば、シリコン基板１を水酸化ナトリウム水溶液に浸し、スライスによるダメージ層をエッチングで取り除く。この基板のダメージ除去は、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いてもよく、フッ硝酸等の酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。
ダメージエッチングを行った基板１にランダムテクスチャを形成する。太陽電池は通常、表面（受光面）に凹凸形状を形成するのが好ましい。その理由は、受光面における入射光の反射率を低減させるために、できる限り２回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。これら一つ一つの山のサイズは１〜２０μｍ程度が好ましい。代表的な表面凹凸構造としては、Ｖ溝、Ｕ溝が挙げられる。これらは、研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凹凸構造を作るには、水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸すウェットエッチングや、他には、酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチング等を用いることができる。なお、図中では両面に形成したテクスチャ構造は微細なため省略する。
【００２０】
（３）ｎ型拡散層形成
図１に示すように、シリコン基板１がｎ型の場合は、裏面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことでｎ型拡散層３を裏面の少なくとも一部に、特に裏面全面に形成し［図１（Ｂ）］、図２に示すように、シリコン基板がｐ型の場合は受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布した後に熱処理を行うことでｎ型拡散層３を受光面に形成する［図２（Ｂ）］。熱処理後、シリコン基板１に付いたガラス成分はガラスエッチング等により洗浄する。ドーパントはリンが好ましい。ｎ型拡散層３の表面ドーパント濃度は、１×１０18〜５×１０20ｃｍ-3が好ましく、５×１０18〜１×１０20ｃｍ-3がより好ましい。
【００２１】
（４）ｐ型拡散層形成
同様の処理を受光面で行い、ｐ型拡散層２を受光面全体に形成する［図１（Ｃ）］。受光面にドーパントを含む塗布剤を塗布して熱処理を行い、ｐ型拡散層２を形成する。ドーパントはボロンが好ましく、また、ｐ型拡散層２の表面ドーパント濃度は、１×１０18〜５×１０20ｃｍ-3が好ましく、更には５×１０18〜１×１０20ｃｍ-3がより好ましい。
【００２２】
（５）ｐｎ接合分離
プラズマエッチャーを用い、ｐｎ接合分離を行う。このプロセスでは、プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、サンプルをスタックし、その状態で端面を数ミクロン削る。接合分離後、基板に付いたガラス成分、シリコン粉等はガラスエッチング等により洗浄する。
【００２３】
（６）誘電体膜形成
引き続き、図１（Ｄ）及び図２（Ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型拡散層３及び／又はｐ型拡散層２上に誘電体膜４である窒化珪素膜を堆積する。この膜厚は７０〜１００ｎｍが好ましい。他の反射防止膜として二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、ふっ化マグネシウム膜、酸化アルミニウム膜等があり、代替が可能である。また、形成方法も上記以外にコーティング法、真空蒸着法等があるが、経済的な観点から、上記、窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成するのが好適である。
【００２４】
（７）酸化シリコン膜形成
その後、誘電体膜４上にヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を塗布する（図１（Ｅ）及び図２（Ｄ））。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー法、ディップ法等特に限定されないが、スピンコート法が簡便で好適である。シラン化合物を誘電体膜上に塗布した後、加熱処理することで縮合反応が進行し、酸化シリコン膜５が形成される。
誘電体膜上に塗布するシラン化合物としては、縮合反応により酸化シリコン膜を形成可能な、≡Ｓｉ−ＯＨ又は≡Ｓｉ−ＯＲ（Ｒは炭素数１〜２のアルキル基である。）で示されるヒドロキシ基又はアルコキシ基を有するシラン化合物を用いる。具体例としては、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらシラン化合物は、１種単独で使用しても良く、２種以上を適宜組み合わせて使用することもできる。２種以上を組み合わせて使用する場合、特にアミノプロピルトリメトキシシラン及びテトラメトキシシランを用いることが好ましく、この場合、アミノプロピルトリメトキシシラン：テトラメトキシシラン（質量比）＝２０：１〜１：１が好ましく、より好ましくは１０：１〜１：１である。上記範囲を超えると反応が十分でなくなる場合がある。
【００２５】
酸化シリコン膜を形成するための加熱温度としては８０〜２００℃、特に９０〜１５０℃の範囲で、１〜１００分間、特に１〜１０分間行うことが望ましい。加熱方法は、特に制限されないが、ホットプレートで加熱する方法、電気炉を用いる方法等が挙げられ、コスト上、作業上の簡便さからホットプレートを用いる方法が好ましい。酸化シリコン膜の膜厚は、誘電体膜厚と同等とすればよく、３０〜８０ｎｍが好ましく、より好ましくは４０〜７０ｎｍである。膜厚が薄すぎても厚すぎてもパッシベーション効果が得られなくなる場合がある。
【００２６】
（８）電極形成
スクリーン印刷装置等を用い、受光面側及び裏面側に、例えば銀からなるペーストを、スクリーン印刷装置を用いてｐ型拡散層及びｎ型拡散層上に印刷し、櫛形電極パターン状に塗布して乾燥させる。シリコン基板にｐ型を使用する場合は、裏面側にアルミニウム粉末を有機バインダで混合したペーストをスクリーン印刷し乾燥させる。最後に、焼成炉において、５００〜９００℃で１〜３０分焼成を行い、前記ｐ型拡散層及びｎ型拡散層と電気的に接続するフィンガー電極６、裏面電極７、及びバスバー電極８を形成する［図１（Ｆ）、図２（Ｅ）］。
なお、図１（Ｆ）ではフィンガー電極６、裏面電極７が拡散層２，３と、図２（Ｅ）ではフィンガー電極６は拡散層３と接続されていないように示されているが、焼成によりファイヤースルーされ、実際は拡散層と接続されている。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、下記例において、部は質量部を示す。
【００２８】
［実施例１］
図１に示すように、結晶面方位（１００）、１５．６５ｃｍ角、２００μｍ厚、アズスライス比抵抗２Ω・ｃｍ（ドーパント濃度７．２×１０15ｃｍ-3）リンドープｎ型単結晶シリコン基板を、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板１の裏面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、９００℃，１時間熱処理を行い、ｎ型拡散層３を裏面に形成した。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
引き続き受光面にボロンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、１０００℃で１時間熱処理を行い、ｐ型拡散層２を受光面全体に形成した。
次に、プラズマエッチャーを用い、ｐｎ接合分離を行った。プラズマやラジカルが受光面や裏面に侵入しないよう、対象をスタックした状態で端面を数ミクロン削った。基板に付いたガラス成分を高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
次に、平行平板型ＣＶＤ装置を用い、成膜用ガスとしてモノシランとアンモニアと水素の混合ガスを使用して、受光面側ｐ型拡散層、及び裏面ｎ型拡散層上に誘電体膜である窒化珪素膜４を積層した。この膜厚は７０ｎｍであった。
【００２９】
引き続きアミノプロピルトリメトキシシラン５部、テトラメトキシシラン０．５部、０．０１ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液０．０２部を混合したシラン化合物をスピンコート法にて誘電体膜上に塗布し、１５０℃で４分間ホットプレートにて加熱し、縮合反応させ、酸化シリコン膜５を形成させた。膜厚は６０ｎｍであった。
引き続き、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペーストを電極印刷し、乾燥後８００℃で２０分焼成を行い、フィンガー電極６、裏面電極７及びバスバー電極８を形成した。
【００３０】
［実施例２］
実施例１同様、図２に示すように、シリコン基板にｐ型単結晶シリコン基板を使用し、水酸化ナトリウム水溶液に浸してダメージ層をエッチングで取り除き、水酸化カリウム水溶液にイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸してアルカリエッチングすることでテクスチャ形成を行った。得られたシリコン基板１の受光面に、リンドーパントを含む塗布剤を塗布した後に、８００℃，１時間熱処理を行い、ｎ型拡散層３を受光面に形成した。熱処理後、基板に付いたガラス成分は高濃度フッ酸溶液等により除去後、洗浄した。
次に、平行平板型ＣＶＤ装置を用い、成膜用ガスとしてモノシランとアンモニアと水素の混合ガスを使用して、受光面側ｎ型拡散層上に誘電体膜であるシリコン窒化膜４を積層した。この膜厚は９０ｎｍであった。
【００３１】
引き続きアミノプロピルトリメトキシシラン５部、テトラメトキシシラン０．５部、０．０１ｍｏｌ／Ｌ塩酸水溶液０．０２部を混合したシラン化合物をスピンコート法にて誘電体膜上に塗布し、１５０℃で４分間ホットプレートにて加熱し、縮合反応させ、酸化シリコン膜５を形成させた。膜厚は６０ｎｍであった。
引き続き、受光面側及び裏面側にそれぞれ銀ペースト及びアルミニウムペーストを電極印刷し、乾燥後８００℃で２０分焼成を行い、フィンガー電極６、裏面電極７及びバスバー電極８を形成した。
【００３２】
［比較例１］
窒化珪素膜形成後、シラン化合物を塗布する工程を省いた以外は、実施例１と同様な方法にて作製した。
即ち、窒化珪素膜４上に酸化シリコン膜５を形成せずに作成したものである。
【００３３】
［比較例２］
窒化珪素膜形成後、シラン化合物を塗布する工程を省いた以外は、実施例２と同様な方法にて作製した。
即ち、窒化珪素膜４上に酸化シリコン膜５を形成せずに作成したものである。
【００３４】
実施例及び比較例で得られた太陽電池を、２５℃の雰囲気の中、ソーラーシミュレーター（光強度：１ｋＷ／ｍ2，スペクトル：ＡＭ１．５グローバル）の下で電流電圧特性を測定した。結果を表１に示す。なお、表中の数字は実施例１，２及び比較例１，２で作製したセル１０枚の平均値である。
【００３５】
【表１】
0005477220.tif 000002
【００３６】
上記のように、本発明の製造方法による太陽電池は、窒化珪素膜上にシラン化合物を塗布して引き続き酸化シリコン膜を形成することで、パッシベーション効果が優れたパッシベーション膜が形成されるため、高い変換効率の太陽電池が得られる。
【符号の説明】
【００３７】
１    シリコン基板
２    ｐ型拡散層
３    ｎ型拡散層
４    誘電体膜
５    酸化シリコン膜
６    受光面電極（フィンガー電極）
７    裏面電極
８    バスバー電極
【図１】
0005477220.tif 000003
【図２】
0005477220.tif 000004