(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続用パッドの上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続用パッド及び前記はんだを前記貫通部に設け、前記外部接続用パッドの下面を前記底板の下面と面一にし、
前記半導体チップ収容体の熱膨張係数は前記アンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの側面と前記枠体との間に、前記アンダーフィル樹脂を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記底板に、複数の前記外部接続用パッド間を電気的に接続する配線を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップ収容体の材料は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続端子と、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続端子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続端子及び前記はんだを前記貫通部に設け、
前記外部接続端子の下端部は、前記底板の下面から突出し、
前記半導体チップ収容体の熱膨張係数は前記アンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップの側面と前記枠体との間に、前記アンダーフィル樹脂を設けたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップ収容体の材料は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
【請求項８】
支持板となる金属板を準備する金属板準備工程と、
半導体チップに設けられた電極パッドと対向する第１の貫通部、及び該第１の貫通部と一体的に構成された第２の貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体の形状に対応する凹部を有した金型を準備する金型準備工程と、
前記金型を前記金属板上に配置した後、前記凹部内に樹脂材を導入して、前記金属板上に前記半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記半導体チップ収容体形成工程後に、前記半導体チップ収容体から前記金型を取り外す金型取外工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記第１及び第２の貫通部から露出された部分の前記金属板の上面に金属層を形成することで、前記第１の貫通部に配置された外部接続用パッドと前記第２の貫通部に配置された配線とを同時に形成する外部接続用パッド及び配線形成工程と、
前記金属層の上面にはんだを形成するはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記第１及び第２の貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続用パッドとを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記はんだ形成工程の代わりに、電解めっき法により、前記金属層の上面にＡｕ層を形成するＡｕ層形成工程を設けたことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
支持板となる金属板上に、
金型を用いて、前記金属板上に、半導体チップに設けられた電極パッドと対向する貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記貫通部に露出された部分の前記金属板をエッチングして、前記金属板に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板上に、金属層と、金属膜と、はんだとを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる外部接続端子と前記はんだとを形成する外部接続端子及びはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記外部接続端子及びはんだ形成工程の代わりに、電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板に、前記金属層と、前記金属膜と、Ａｕ層とを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる前記外部接続端子と前記Ａｕ層とを同時に形成する外部接続端子及びＡｕ層形成工程を設けたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の半導体装置の断面図である。図１において、Ｊは基板本体１０６の上面１０６Ａと半導体チップ１０２との間隔（以下、「間隔Ｊ」とする）を示している。
【０００３】
図１を参照するに、従来の半導体装置１００は、配線基板１０１と、半導体チップ１０２と、アンダーフィル樹脂１０３とを有する。
【０００４】
配線基板１０１は、貫通孔１０７が形成された基板本体１０６と、貫通孔１０７に設けられた貫通ビア１０８と、基板本体１０６の上面１０６Ａに設けられた配線１０９と、基板本体１０６の下面１０６Ｂに設けられた配線１１１とを有する。配線１０９は、貫通ビア１０８を介して、配線１１１と電気的に接続されている。
【０００５】
半導体チップ１０２は、複数の電極パッド１１３を有する。複数の電極パッド１１３には、内部接続端子１１４（例えば、金バンプ）が設けられている。電極パッド１１３は、内部接続端子１１４を介して、配線１０９と電気的に接続されている。つまり、半導体チップ１０２は、配線１０９に対してフリップチップ接続されている。半導体チップ１０２と基板本体１０６の上面１０６Ａとの間隔Ｊは、例えば、５０μｍとすることができる。
【０００６】
アンダーフィル樹脂１０３は、配線基板１０１と半導体チップ１０２との間を充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１０３は、電極パッド１１３と配線１０９との間の接続強度を補強するための樹脂である。基板本体１０６の上面１０６Ａと半導体チップ１０２との間に配置されたアンダーフィル樹脂１０３の厚さは、例えば、５０μｍとすることができる。
【０００７】
このような構成とされた従来の半導体装置１００では、半導体チップ１０２及び／又は基板本体１０６の厚さが薄板化された場合、内部接続端子１１４の内側に配置された部分のアンダーフィル樹脂１０３の応力の影響により、半導体装置１００に反りが発生してしまうという問題があった。このような問題を解決する半導体装置として、例えば、図２に示すような半導体装置がある。
【０００８】
図２は、従来の他の半導体装置の断面図である。図２において、図１に示した半導体装置１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【０００９】
図２を参照するに、従来の半導体装置１２０は、配線基板１２１と、半導体チップ１０２，１２５と、アンダーフィル樹脂１０３とを有する。
【００１０】
配線基板１２１は、基板本体１２２と、基板本体１２２の上面１２２Ａに設けられた配線１２３と、基板本体１２２の下面１２２Ｂに設けられた配線１２４とを有する。
【００１１】
半導体チップ１０２は、電極パッド１１３に設けられた内部接続端子１１４を介して、配線１２３と電気的に接続されている。半導体チップ１０２は、配線１２３に対してフリップチップ接続されている。
【００１２】
半導体チップ１２５は、複数の電極パッド１２６を有する。複数の電極パッド１２６には、内部接続端子１１４（例えば、金バンプ）が設けられている。電極パッド１２６は、内部接続端子１１４を介して、配線１３４と電気的に接続されている。半導体チップ１２５は、配線１３４に対してフリップチップ接続されている。
【００１３】
アンダーフィル樹脂１０３は、配線基板１２１と半導体チップ１０２との間、及び配線基板１２１と半導体チップ１２５との間をそれぞれ充填するように設けられている。
【００１４】
このように、基板本体１２２を挟んで、対向するように２つの半導体チップ１０２，１２５を配置し、配線基板１２１と半導体チップ１０２，１２５との間にそれぞれ厚さの略等しいアンダーフィル樹脂１０３を設けることにより、基板本体１２２の両面１２２Ａ，１２２Ｂに設けられたアンダーフィル樹脂１０３の応力が相殺されるため、アンダーフィル樹脂１０３に起因する半導体基板１２０の反りを低減することができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２６５９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の半導体装置１２０では、反りを低減することは可能であるが、基板本体１２２の両面１２２Ａ，１２２Ｂに半導体チップ１０２，１２５を設けるため、半導体装置１２０が大型化してしまうという問題があった。
【００１６】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する反りを低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続用パッドの上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続用パッド及び前記はんだを前記貫通部に設け、前記外部接続用パッドの下面を前記底板の下面と面一にし、
前記半導体チップ収容体の熱膨張係数は前記アンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２０】
本発明によれば、複数の電極パッドが形成された側の半導体チップの面と対向する底板、及び半導体チップの側面を囲む枠体を備えた半導体チップ収容体と、外部接続用パッドの上面に配置され、内部接続端子を外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、複数の電極パッドが形成されていない部分の半導体チップの面と底板の上面との第１の間隔を電極パッドとはんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、半導体チップと底板との間、及び電極パッドと外部接続用パッドとの間にアンダーフィル樹脂を充填したことにより、半導体チップと底板との間に設けられるアンダーフィル樹脂の厚さを従来よりも薄くすることが可能となる。これにより、半導体装置を大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する半導体装置の反りを低減することができる。
【００２３】
本発明の他の観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続端子と、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続端子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続端子及び前記はんだを前記貫通部に設け、
前記外部接続端子の下端部は、前記底板の下面から突出し、
前記半導体チップ収容体の熱膨張係数は前記アンダーフィル樹脂の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする半導体装置が提供される。
【００２４】
本発明によれば、複数の電極パッドが形成された側の半導体チップの面と対向する底板、及び半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、外部接続端子の上面に配置され、内部接続端子を外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、複数の電極パッドが形成されていない部分の半導体チップの面と底板の上面との第１の間隔を電極パッドとはんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、半導体チップと底板との間、及び電極パッドと外部接続端子との間にアンダーフィル樹脂を充填したことにより、半導体チップと底板との間に配設されるアンダーフィル樹脂の厚さを従来よりも薄くすることが可能となる。これにより、半導体装置を大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する半導体装置の反りを低減することができる。
本発明のその他の観点によれば、支持板となる金属板を準備する金属板準備工程と、
半導体チップに設けられた電極パッドと対向する第１の貫通部、及び該第１の貫通部と一体的に構成された第２の貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体の形状に対応する凹部を有した金型を準備する金型準備工程と、
前記金型を前記金属板上に配置した後、前記凹部内に樹脂材を導入して、前記金属板上に前記半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記半導体チップ収容体形成工程後に、前記半導体チップ収容体から前記金型を取り外す金型取外工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記第１及び第２の貫通部から露出された部分の前記金属板の上面に金属層を形成することで、前記第１の貫通部に配置された外部接続用パッドと前記第２の貫通部に配置された配線とを同時に形成する外部接続用パッド及び配線形成工程と、
前記金属層の上面にはんだを形成するはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記第１及び第２の貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続用パッドとを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のその他の観点によれば、支持板となる金属板上に、
金型を用いて、前記金属板上に、半導体チップに設けられた電極パッドと対向する貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記貫通部に露出された部分の前記金属板をエッチングして、前記金属板に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板上に、金属層と、金属膜と、はんだとを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる外部接続端子と前記はんだとを形成する外部接続端子及びはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体装置を大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する半導体装置の反りを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２８】
図３を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、半導体チップ収容体１１と、配線１３と、外部接続用パッド１２と、半導体チップ１４と、内部接続端子１６と、はんだ１７と、アンダーフィル樹脂１８とを有する。
【００２９】
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体チップ収容体の平面図である。図４において、図３に示す半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３０】
図３及び図４を参照するに、半導体チップ収容体１１は、底板２３と、枠体２４と、チップ収容部２５とを有する。底板２３は、板状とされている。底板２３は、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａのうち、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと対向するように配置されている。
【００３１】
底板２３は、第１の貫通部３１と、第１の貫通部３１と一体的に形成された第２の貫通部３２とを有する。第１の貫通部３１は、半導体チップ１４に設けられた電極パッド３８と対向する部分の底板２３に形成されている。第１の貫通部３１は、第２の貫通部３２よりも幅広形状とされている。第１の貫通部３１は、外部接続用パッド１２を配設するためのものである。
【００３２】
第２の貫通部３２は、第１の貫通部３１間に位置する底板２３に形成されている。第２の貫通部３２は、一方の端部が第１の貫通部３１と接続されており、他方の端部が他の第１の貫通部３１と接続されている。第２の貫通部３２は、配線１３を配設するためのものである。
【００３３】
底板２３は、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３の上面２３Ａとの間隔Ｂを、従来の半導体装置１００，１２０の間隔Ｊ（図１及び図２参照）よりも狭くするための部材である。間隔Ｂは、例えば、１０μｍとすることができる。また、底板２３の厚さＭ１は、例えば、３０μｍとすることができる。
【００３４】
このように、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと対向する底板２３を設けて、電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３の上面２３Ａとの間隔Ｂを狭くすることにより、半導体チップ１４と底板２３との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるので、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置１０の反りを低減することができる。
【００３５】
枠体２４は、額縁形状とされている。枠体２４は、半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲むように、底板２３上に設けられている。枠体２４の厚さＭ２は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００３６】
このように、底板２３上に半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲む枠体２４を設けることにより、半導体チップ１４の側面１４Ｃと枠体２４の内壁２４Ａとの間にアンダーフィル樹脂１８を配設することが可能となる。これにより、半導体チップ１４を半導体チップ収容体１１に強固に固定することができる。
【００３７】
チップ収容部２５は、底板２３の上面２３Ａと枠体２４の内壁２４Ａとにより形成される凹部である。チップ収容部２５は、半導体チップ１４を収容するための凹部である。
【００３８】
上記半導体チップ収容体１１は、絶縁性を有する材料により構成されている。半導体チップ収容体１１の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂を用いることによって、一般的なアンダーフィル樹脂１８よりも熱膨張係数の小さい半導体チップ収容体１１を形成できる。
【００３９】
このように、半導体チップ収容体１１の材料として熱膨張係数の小さい熱可塑性樹脂を用いることにより、半導体装置１０の反りを低減することができる。
【００４０】
図５は、図３に示す半導体装置をＡ視した図である。
【００４１】
図３及び図５を参照するに、外部接続用パッド１２は、第１の貫通部３１に設けられている。外部接続用パッド１２は、第１の金属層３５と、第２の金属層３６とを積層することで構成されている。第１の金属層３５は、第１及び第２の貫通部３１，３２に設けられている。第１の金属層３５の下面３５Ａは、底板２３の下面２３Ｂと略面一とされている。第１の金属層３５としては、例えば、Ａｕ層を用いることができる。第１の金属層３５の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００４２】
第２の金属層３６は、第１の金属層３５の上面を覆うように設けられている。第２の金属層３６は、内部接続端子１６と接続されている。第２の金属層３６としては、例えば、第１の金属層３５上にＣｕ層、Ｎｉ層の順に積層されたＣｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。第２の金属層３６としてＣｕ／Ｎｉ積層膜を用いた場合、Ｃｕ層の厚さは、例えば、５μｍ、Ｎｉ層の厚さは、例えば、３μｍとすることができる。
【００４３】
なお、半導体装置１０をマザーボード等の実装基板に接続する場合、外部接続用パッド１２の下端部（第１の金属層３５の下面）には、図示していないはんだボールが接続される。
【００４４】
配線１３は、第２の貫通部３２に設けられている。配線１３は、第１の金属層３５と、第２の金属層３６とが積層された構成とされている。配線１３は、複数の外部接続用パッド１２間を電気的に接続するためのものである。
【００４５】
図３を参照するに、半導体チップ１４は、半導体チップ収容体１１に形成されたチップ収容部２５に収容されている。半導体チップ１４は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板に設けられた半導体集積回路（図示せず）と、半導体集積回路と電気的に接続された複数の電極パッド３８とを有する。電極パッド３８は、内部接続端子１６を介して、外部接続用パッド１２と電気的に接続されている。半導体チップ１４は、外部接続用パッド１２に対してフリップチップ接続されている。
【００４６】
内部接続端子１６は、複数の電極パッド３８に設けられている。内部接続端子１６の下端部は、外部接続用パッド１２と接続されている。内部接続端子１６は、半導体チップ１４と外部接続用パッド１２及び配線１３とを電気的に接続するためのものである。内部接続端子１６としては、例えば、金バンプを用いることができる。
【００４７】
はんだ１７は、第２の金属層３６上に設けられている。はんだ１７は、内部接続端子１６を外部接続用パッド１２上に固定するためのものである。はんだ１７としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇはんだを用いることができる。はんだ１７の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。また、はんだ１７の上面から電極パッド３８までの間隔Ｃは、半導体チップ１４と底板２３との間隔Ｂよりも広くなるように設定されている。具体的には、間隔Ｂが１０μｍの場合、隙間Ｃは、例えば、３５μｍとすることができる。
【００４８】
このように、はんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｃを半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間隔Ｂよりも広くすることにより、はんだ１７と電極パッド３８と間に十分な量のアンダーフィル樹脂１８を充填することが可能となる。これにより、外部接続用パッド１２と電極パッド３８との間の電気的な接続信頼性を十分に確保することができる。
【００４９】
アンダーフィル樹脂１８は、半導体チップ１４が収容されたチップ収容部２５と、はんだ１７上に位置する第１及び第２の貫通部３１，３２とを充填するように設けられている。アンダーフィル樹脂１８としては、例えば、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））や、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。
【００５０】
本実施の形態の半導体装置によれば、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと対向する底板２３と、半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲む枠体２４とを備えた半導体チップ収容体１１を設けると共に、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間隔Ｂを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｃよりも狭くすることにより、半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるため、半導体装置１０を大型化することなく、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置１０の反りを低減することができる。
【００５１】
また、はんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｃを半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間隔Ｂよりも広くすることにより、はんだ１７と電極パッド３８との間に十分な量のアンダーフィル樹脂１８を充填することが可能となるので、電極パッド３８と外部接続用パッド１２との間の電気的な接続信頼性を十分に確保することができる。
【００５２】
なお、本実施の形態では、複数の外部接続用パッド１２間を電気的に接続する配線１３を備えた半導体装置１０を例に挙げてしたが、本実施の形態は、配線１３を備えていない半導体装置（半導体装置１０の構成要素から配線１３を除いた半導体装置）にも適用可能である。また、配線１３を備えていない半導体装置においても、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００５３】
図６〜図１３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図６〜図１３において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５４】
図６〜図１３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図６に示す工程では、半導体装置１０を製造するときの支持板となる金属板４３を準備する。金属板４３としては、例えば、Ｃｕ板を用いることができる。金属板４３としてＣｕ板を用いた場合、Ｃｕ板の厚さは、例えば、２００μｍとすることができる。
【００５５】
次いで、図７に示す工程では、半導体チップ収容体１１の形状に対応する凹部４５を有した金型４４を金属板４３上に配置し、その後、凹部４５内に樹脂材を導入して、金属板４３上に半導体チップ収容体１１を形成する。樹脂材としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。半導体チップ収容体１１の底板２３の厚さＭ１は、例えば、３０μｍとすることができる。また、半導体チップ収容体１１の枠体２４の厚さＭ２は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。続く、図８に示す工程では、金型４４を半導体チップ収容体１１から取り外す。
【００５６】
次いで、図９に示す工程では、金属板４３を給電層とする電解めっき法により、第１及び第２の貫通部３１，３２に露出された部分の金属板４３の上面４３Ａに第１の金属層３５と、第２の金属層３６とを順次形成する。これにより、第１の貫通部３１に第１及び第２の金属層３５，３６からなる外部接続用パッド１２と、第２の貫通部３２に第１及び第２の金属層３５，３６からなる配線１３とが同時に形成される。
【００５７】
第１の金属層３５としては、例えば、Ａｕ層を用いることができる。第１の金属層３５の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。第２の金属層３６としては、例えば、第１の金属層３５側からＣｕ層、Ｎｉ層の順に積層されたＣｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。第２の金属層３６としてＣｕ／Ｎｉ積層膜を用いた場合、Ｃｕ層の厚さは、例えば、５μｍとすることができ、Ｎｉ層の厚さは、例えば、３μｍとすることができる。
【００５８】
続いて、図１０に示す工程では、金属板４３を給電層とする電解めっき法により、第２の金属層３６上にはんだ１７を形成する。はんだ１７としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇはんだを用いることができる。はんだ１７の厚さは、例えば、１０μｍとすることができる。
【００５９】
次いで、図１１に示す工程では、チップ収容部２５及びはんだ１７上に位置する第１及び第２の貫通部３１，３２に、アンダーフィル樹脂１８を形成する。具体的には、アンダーフィル樹脂１８をディスペンスする。アンダーフィル樹脂１８としては、例えば、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））や、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。
【００６０】
次いで、図１２に示す工程では、電極パッド３８に内部接続端子１６が形成された半導体チップ１４を準備すると共に、図１１に示す構造体を加熱し、半導体チップ１４を図１１に示す構造体に押圧して、内部接続端子１６と外部接続用パッド１２とを圧着させる。これにより、半導体チップ１４は、外部接続用パッド１２に対してフリップチップ接続される。このとき、電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｃは、例えば、３５μｍとすることができる。また、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間隔Ｂは間隔Ｃよりも狭く、例えば、１０μｍとすることができる。
【００６１】
このように、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板２３との間隔Ｂを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｃよりも狭くすることにより、半導体チップ１４と底板２３との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるので、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置１０の反りを低減することができる。
【００６２】
次いで、図１３に示す工程では、金属板４３を除去する。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより金属板４３を除去する。これにより、半導体装置１０が製造される。
【００６３】
図１４〜図１７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図である。図１４〜図１７において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６４】
図１４〜図１７を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０の他の製造方法について説明する。始めに、図１４に示す工程では、金属板４３上に開口部４８Ａを有したレジスト膜４８を形成する。開口部４８Ａは、外部接続用パッド１２及び配線１３の形成領域に対応する部分の金属板４３の上面４３Ａを露出するように形成する。
【００６５】
次いで、図１５に示す工程では、金属板４３を給電層とする電解めっき法により、開口部４８Ａに露出された部分の金属板４３の上面４３Ａに第１の金属層３５と、第２の金属層３６と、はんだ１７とを順次形成する。これにより、第１及び第２の金属層３５，３６からなる外部接続用パッド１２と、第１及び第２の金属層３５，３６からなる配線１３とが同時に形成される。
【００６６】
次いで、図１６に示す工程では、レジスト膜４８を除去する。次いで、図１７に示す工程では、半導体チップ収容体１１の形状に対応する凹部５１を有した金型４９を金属板４３上に配置し、その後、凹部５１内に樹脂材を導入して、金属板４３上に半導体チップ収容体１１を形成する。樹脂材としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。半導体チップ収容体１１の底板２３の厚さＭ１は、例えば、３０μｍとすることができる。また、半導体チップ収容体１１の枠体２４の厚さＭ２は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００６７】
次いで、金型４９を除去し、その後、先に説明した図１１〜図１３に示す工程と同様な処理を行うことにより、半導体装置１０が製造される。このような手法により、半導体装置１０を製造してもよい。
【００６８】
図１８及び図１９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のその他の製造工程を示す図である。図１８及び図１９において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６９】
図１８及び図１９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０のその他の製造方法について説明する。始めに、図１８に示す工程では、金属板４３上を覆うように樹脂層５３を形成する。具体的には、例えば、金属板４３上にシート状の熱可塑性樹脂（例えば、ポリイミド系樹脂）を貼り付けることで樹脂層５３を形成する。樹脂層５３の厚さＭ３は、例えば、１００μｍとすることができる。
【００７０】
次いで、図１９に示す工程では、半導体チップ収容体１１の形状に対応する凹部４５を有した金型４４を樹脂層５３に押し当て、樹脂層５３に凹部４５の形状を転写させることで、金属板４３上に半導体チップ収容体１１を形成する。半導体チップ収容体１１の底板２３の厚さＭ１は、例えば、３０μｍとすることができる。また、半導体チップ収容体１１の枠体２４の厚さＭ２は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００７１】
次いで、金型４４を半導体チップ収容体１１から取り外し、その後、先に説明した図９〜図１３に示す工程と同様な処理を行うことで、半導体装置１０が製造される。このような手法により、半導体装置１０を製造してもよい。
【００７２】
なお、本実施の形態では、１枚の金属板４３上に１つの半導体装置１０を形成する場合を例に挙げて説明したが、１枚の金属板４３上に複数の半導体装置１０を形成してもよい。また、本実施の形態では、第２の金属層３６上にはんだ１７を形成した場合を例に挙げて説明したが、はんだ１７の代わりに、電解めっき法により形成されたＡｕ層を用いてもよい。
【００７３】
（第２の実施の形態）
図２０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、図２１は、半導体チップ配設部材の平面図である。図２０及び図２１において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７４】
図２０及び図２１を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた半導体チップ収容体１１の代わりに、絶縁部材６１を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００７５】
絶縁部材６１は、板状とされている。絶縁部材６１は、複数の第１及び第２の貫通部３１，３２を有する。第１の貫通部３１は、外部接続用パッド１２を配設するためのものである。第２の貫通部３２は、第１の貫通部３１の一体的に構成されている。第２の貫通部３２は、配線１３を配設するためのものである。絶縁部材６１は、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと対向している。また、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと絶縁部材６１の上面６１Ａとの間隔Ｄは、電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｅよりも狭くなるように構成されている。
【００７６】
このように、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと対向するように絶縁部材６１を設けると共に、半導体チップ１４と絶縁部材６１との間隔Ｄを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｅよりも狭くすることにより、半導体チップ１４と絶縁部材６１との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるので、半導体装置６０を大型化することなく、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置６０の反りを低減することができる。
【００７７】
電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｅが３５μｍの場合、半導体チップ１４と絶縁部材６１との間隔Ｄは、例えば、１０μｍとすることができる。また、絶縁部材６１の厚さＭ４は、例えば、３０μｍ〜４０μｍとすることができる。
【００７８】
本実施の形態の半導体装置によれば、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと対向するように絶縁部材６１を配置して、半導体チップ１４と絶縁部材６１との間隔Ｄを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｅよりも狭くすることにより、半導体チップ１４と絶縁部材６１との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるため、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置６０の反りを低減することができる。
【００７９】
なお、本実施の形態では、複数の外部接続用パッド１２間を電気的に接続する配線１３を備えた半導体装置６０を例に挙げてしたが、本実施の形態は、配線１３を備えていない半導体装置（半導体装置６０の構成要素から配線１３を除いた半導体装置）にも適用可能である。また、配線１３を備えていない半導体装置においても、第２の実施の形態の半導体装置６０と同様な効果を得ることができる。
【００８０】
また、第２の実施の形態の半導体装置６０は、第１の実施の形態の半導体装置１０と同様な手法により製造することができる。
【００８１】
（第３の実施の形態）
図２２は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図であり、図２３は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体チップ収容体の平面図である。図２２及び図２３において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８２】
図２２及び図２３を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた半導体チップ収容体１１、外部接続用パッド１２、及び配線１３の代わりに、半導体チップ収容体７１及び外部接続端子７２を設けた以外は半導体装置１０と同様に構成される。
【００８３】
半導体チップ収容体７１は、底板７４と、枠体７５と、チップ収容部７６とを有する。底板７４は、板状とされている。底板７４は、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａのうち、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと対向するように配置されている。底板７４は、電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと底板７４の上面７４Ａとの間隔Ｆを従来の半導体装置１００，１２０の間隔Ｊ（図１及び図２参照）よりも狭くするための部材である。間隔Ｆは、はんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｇよりも狭くなるように構成されている。間隔Ｇが３５μｍの場合、間隔Ｆは、例えば、１０μｍとすることができる。また、底板７４の厚さＭ５は、例えば、３０μｍとすることができる。
【００８４】
このように、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと対向するように底板７４を設けて、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板７４との間隔Ｆを狭くすることにより、半導体チップ１４と底板７４との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるため、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置７０の反りを低減することができる。
【００８５】
底板７４は、貫通部７７を有する。貫通部７７は、半導体チップ１４に設けられた電極パッド３８と対向する部分の底板７４に形成されている。貫通部７７は、はんだ１７及び外部接続端子７２を配設するためのものである。
【００８６】
枠体７５は、額縁形状とされている。枠体７５は、半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲むように、底板７４上に設けられている。枠体７５の厚さＭ６は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００８７】
このように、底板７４上に半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲む枠体７５を設けることにより、半導体チップ１４の側面１４Ｃと枠体７５の内壁７５Ａとの間にアンダーフィル樹脂１８を配置することが可能となる。これにより、半導体チップ１４を半導体チップ収容体７１に強固に固定することができる。
【００８８】
チップ収容部７６は、底板７４の上面７４Ａと枠体７５の内壁７５Ａとにより形成される凹部である。チップ収容部７６は、半導体チップ１４を収容するためのものである。
【００８９】
上記半導体チップ収容体７１は、絶縁性を有する材料により構成されている。半導体チップ収容体７１の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂を用いることにより、一般的なアンダーフィル樹脂１８よりも熱膨張係数の小さい半導体チップ収容体７１を形成できる。
【００９０】
このように、半導体チップ収容体７１の材料として熱膨張係数の小さい熱可塑性樹脂を用いることにより、半導体装置７０の反りを低減することができる。
【００９１】
外部接続端子７２は、金属膜８１と、金属層８２とから構成されている。金属膜８１は、貫通部７７に設けられている。金属膜８１の上端部は、内部接続端子１６と接続されている。これにより、金属膜８１は、内部接続端子１６を介して、半導体チップ１４と電気的に接続されている。金属膜８１は、その下端部が底板７４の下面７４Ｂから突出している。金属膜８１としては、Ｃｕ層上にＮｉ層を積層させたＣｕ／Ｎｉ積層膜を用いることができる。
【００９２】
また、金属膜８１上に設けられたはんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｇは、半導体チップ１４と底板７４との間隔Ｆよりも広くなるように構成されている。
【００９３】
このように、はんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｇを広くすることにより、はんだ１７と電極パッド３８との間に十分な量のアンダーフィル樹脂１８を配置することが可能となるため、電極パッド３８と外部接続端子７２との間の電気的な接続信頼性を十分に確保することができる。
【００９４】
金属層８２は、底板７４の下面７４Ｂから突出した部分の金属膜８１を覆うように設けられている。金属層８２としては、例えば、Ａｕ層を用いることができる。金属層８２の厚さは、例えば、１μｍとすることができる。
【００９５】
本実施の形態の半導体装置によれば、複数の電極パッド３８が形成された側の半導体チップ１４の面１４Ａと対向する底板７４と、半導体チップ１４の側面１４Ｃを囲む枠体７５とを備えた半導体チップ収容体７１を設けると共に、電極パッド３８が形成されていない部分の半導体チップ１４の面１４Ａと底板７４との間隔Ｆを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｇよりも狭くすることにより、半導体チップ１４の面１４Ａと底板７４との間に設けられるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることが可能となるため、半導体装置７０を大型化することなく、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置７０の反りを低減することができる。
【００９６】
また、はんだ１７と電極パッド３８との間隔Ｇを、半導体チップ１４の面１４Ａと底板７４との間隔Ｆよりも広くすることにより、はんだ１７と電極パッド３８との間に十分な量のアンダーフィル樹脂１８を充填することが可能となるため、電極パッド３８と外部接続端子７２との間の電気的な接続信頼性を十分に確保することができる。
【００９７】
図２４〜図２９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図２４〜図２９において、第３の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９８】
始めに、図２４に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図６〜図８に示す工程と同様な処理を行うことにより、金属板４３上に底板７４及び枠体７５よりなる半導体チップ収容体７１を形成する。半導体チップ収容体７１の材料としては、絶縁性を有する材料を用いることができる。具体的には、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる。底板７４の厚さＭ５は、例えば、３０μｍとすることができる。また、枠体７５の厚さＭ６は、例えば、４０μｍ〜６０μｍとすることができる。
【００９９】
次いで、図２５に示す工程では、貫通部７７に露出された部分の金属板４３をエッチングして、金属板４３に凹部８５を形成する。
【０１００】
次いで、図２６に示す工程では、金属板４３を給電層とする電解めっき法により、凹部８５に対応する部分の金属板４３上に、金属層８２と、金属膜８１と、はんだ１７とを順次形成する。これにより、金属膜８１及び金属層８２からなる外部接続端子７２が形成される。
【０１０１】
次いで、図２７に示す工程では、チップ収容部７６とはんだ１７上に位置する貫通部７７とに、アンダーフィル樹脂１８を形成する。具体的には、アンダーフィル樹脂１８をディスペンスする。アンダーフィル樹脂１８としては、例えば、ペースト状の絶縁樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））や、ペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。
【０１０２】
次いで、図２８に示す工程では、電極パッド３８に内部接続端子１６が形成された半導体チップ１４を準備すると共に、図２７に示す構造体を加熱し、半導体チップ１４を図２７に示す構造体に押圧して、内部接続端子１６と外部接続端子７２とを圧着させる。これにより、半導体チップ１４は、外部接続端子７２に対してフリップチップ接続される。このとき、半導体チップ１４と底板７４との間隔Ｆは、電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｇよりも狭くする。具体的には、間隔Ｇが３５μｍの場合、間隔Ｆは、例えば、１０μｍとすることができる。
【０１０３】
このように、半導体チップ１４と底板７４との間隔Ｆを電極パッド３８とはんだ１７との間隔Ｇよりも狭くして、半導体チップ１４と底板７４との間に配設されるアンダーフィル樹脂１８の厚さを従来よりも薄くすることにより、アンダーフィル樹脂１８に起因する半導体装置７０の反りを低減することができる。
【０１０４】
次いで、図２９に示す工程では、金属板４３を除去する。具体的には、例えば、ウエットエッチングにより金属板４３を除去する。これにより、半導体装置７０が製造される。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、１枚の金属板４３上に１つの半導体装置７０を形成する場合を例に挙げて説明したが、１枚の金属板４３上に複数の半導体装置７０を形成してもよい。また、本実施の形態では、金属膜８１上にはんだ１７を形成した場合を例に挙げて説明したが、はんだ１７の代わりに、電解めっき法により形成されたＡｕ層を設けてもよい。
【０１０６】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置及びその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の他の半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体チップ収容体の平面図である。
【図５】図３に示す半導体装置をＡ視した図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その１）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その２）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その３）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その４）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のその他の製造工程を示す図（その１）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のその他の製造工程を示す図（その２）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２１】半導体チップ配設部材の平面図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体チップ収容体の平面図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図２９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０，６０，７０  半導体装置
１１，７１  半導体チップ収容体
１２  外部接続用パッド
１３  配線
１４  半導体チップ
１４Ａ  面
１４Ｃ  側面
１６  内部接続端子
１７  はんだ
１８  アンダーフィル樹脂
２３，７４  底板
２３Ａ，４３Ａ，６１Ａ，７４Ａ  上面
２３Ｂ，３５Ａ，７４Ｂ  下面
２４，７５  枠体
２４Ａ，７５Ａ  内壁
２５，７６  チップ収容部
３１  第１の貫通部
３２  第２の貫通部
３５  第１の金属層
３６  第２の金属層
３８  電極パッド
４３  金属板
４４，４９  金型
４５，５１，８５  凹部
４８  レジスト膜
４８Ａ  開口部
５３  樹脂層
６１  絶縁部材
７２  外部接続端子
７７  貫通部
８１  金属膜
８２  金属層
Ｂ〜Ｇ  間隔
Ｍ１〜Ｍ６  厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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