(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
インデクサ部と、
処理部と、
載置部と、
バッファ部と、
を備え、
処理部は、上下方向に並ぶ複数の階層を有し、
各階層は、それぞれ
基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、
基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、
を備え、
各階層における前記塗布処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第１主搬送機構の平面視での配置は略同じであり、
前記載置部は、階層ごとに設置されており、
前記バッファ部は、階層ごとに設置されており、
前記インデクサ部は、基板を各階層に交互に搬送し、
各階層において、
前記第１主搬送機構は、前記インデクサ部から受け取った基板を、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに搬送し、塗膜が形成された基板を前記載置部に載置し、
かつ、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、異常時になった時点で処理中の各基板に対して、前記塗布処理ユニットにおける塗布処理および前記熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めた上で、塗膜が形成された基板を一時的に前記バッファ部に載置し、
異常時には、前記載置部への払い出しを禁止する命令に従って、前記第１主搬送機構は前記載置部に基板を載置できない基板処理装置。
【請求項２】
基板に処理を行う基板処理装置において、
インデクサ部と、
レジスト膜用塗布処理ブロックと、
載置部と、
バッファ部と、
を備え、
レジスト膜用塗布処理ブロックは、上下方向に並ぶ複数の階層を有し、
各階層は、それぞれ
基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、
基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、
を備え、
各階層における前記塗布処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第１主搬送機構の平面視での配置は略同じであり、
前記載置部は、階層ごとに設置されており、
前記バッファ部は、階層ごとに設置されており、
前記インデクサ部は、基板を各階層に交互に搬送し、
各階層において、
前記第１主搬送機構は、前記インデクサ部から受け取った基板を、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに搬送し、塗膜が形成された基板を前記載置部に載置し、
かつ、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、異常時になった時点で処理中の各基板に対して、前記塗布処理ユニットにおける塗布処理および前記熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めた上で、塗膜が形成された基板を一時的に前記バッファ部に載置し、
異常時には、前記載置部への払い出しを禁止する命令に従って、前記第１主搬送機構は前記載置部に基板を載置できない基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記塗布処理ユニットは、前記第１主搬送機構が設置される搬送スペースの一側方に設置され、
前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に設置される基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構から見た前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの配置は、階層間で同じである基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１主搬送機構は、他の主搬送機構に基板を受け渡すために当該基板を前記載置部に載置する基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
通常時または正常動作時においては前記載置部に基板が載置されるのみであり、前記バッファ部に基板は載置されない基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
異常時に行う一連の処理は、通常時または正常動作時に行う一連の処理と同じである基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
異常時に行う一連の処理は、塗布処理、加熱処理および冷却処理をこの順番で行う処理を含む基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
通常時または正常動作時では、各階層において基板に行う処理は同じである基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１主搬送機構を制御して、通常時または正常動作時には基板を前記載置部に載置させ、異常時には基板を一時的に前記バッファ部に載置させる制御部と、を備えている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布処理ブロックや基板を現像するための現像処理ブロックなどが並べられて構成される処理部を備えている。各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。塗布処理ブロックの処理ユニットとしては、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理ユニットと基板に熱処理を行う熱処理ユニットを備えている。そして、各ブロックの主搬送機構はそのブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構との間で載置部を介して基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、塗布処理ブロックの主搬送機構が隣接する他の主搬送機構に基板を受け渡す際に、例えば載置部に他の基板が載置されていれば、載置部に基板を載置することができない。このような場合、塗布処理ブロックの主搬送機構は基板を載置部に載置できる状態になるまで待機する。塗布処理ブロックの主搬送機構が待機しているときは、主搬送機構は各処理ユニット間で基板を搬送できない。このため、仮に塗布処理ユニットにおいて処理が終了した基板があったとしても、その基板は熱処理ユニットなど他の処理ユニットへ搬送されない。したがって、塗布処理ブロックで行う塗布処理および熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに基板に行うことができない。この結果、基板に対する処理品質が低下するという不都合がある。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に塗膜を形成する処理を品質の低下を防ぐことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、インデクサ部と、処理部と、載置部と、バッファ部と、を備え、処理部は、上下方向に並ぶ複数の階層を有し、各階層は、それぞれ基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、を備え、各階層における前記塗布処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第１主搬送機構の平面視での配置は略同じであり、前記載置部は、階層ごとに設置されており、前記バッファ部は、階層ごとに設置されており、前記インデクサ部は、基板を各階層に交互に搬送し、各階層において、前記第１主搬送機構は、前記インデクサ部から受け取った基板を、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに搬送し、塗膜が形成された基板を前記載置部に載置し、かつ、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、異常時になった時点で処理中の各基板に対して、前記塗布処理ユニットにおける塗布処理および前記熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めた上で、塗膜が形成された基板を一時的に前記バッファ部に載置し、異常時には、前記載置部への払い出しを禁止する命令に従って、前記第１主搬送機構は前記載置部に基板を載置できない基板処理装置である。
【０００７】
また、本発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、インデクサ部と、レジスト膜用塗布処理ブロックと、載置部と、バッファ部と、を備え、レジスト膜用塗布処理ブロックは、上下方向に並ぶ複数の階層を有し、各階層は、それぞれ基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、を備え、各階層における前記塗布処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記第１主搬送機構の平面視での配置は略同じであり、前記載置部は、階層ごとに設置されており、前記バッファ部は、階層ごとに設置されており、前記インデクサ部は、基板を各階層に交互に搬送し、各階層において、前記第１主搬送機構は、前記インデクサ部から受け取った基板を、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに搬送し、塗膜が形成された基板を前記載置部に載置し、かつ、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、異常時になった時点で処理中の各基板に対して、前記塗布処理ユニットにおける塗布処理および前記熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めた上で、塗膜が形成された基板を一時的に前記バッファ部に載置し、異常時には、前記載置部への払い出しを禁止する命令に従って、前記第１主搬送機構は前記載置部に基板を載置できない基板処理装置である。
【０００８】
［作用・効果］本発明によれば、バッファ部を備えているので、異常時でないときには第１主搬送機構は基板を載置部に載置し、異常時には第１主搬送機構は当該基板を一時的にバッファ部に載置する。よって、異常時であっても異常時でなくても、第１主搬送機構による搬送が停滞することがない。すなわち、塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対する一連の基板搬送動作を継続することができる。これにより、その他の各基板についても塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対してそれぞれ遅れることなく搬送することができる。すなわち、塗布処理ユニットにおける塗布処理および熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【０００９】
また、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時であっても、引き続き、基板に行っている処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００１０】
また、各階層において基板に一連の処理が並行して行われる。よって、本装置の処理能力を増大させることができる。また、上下方向に各階層が積層された階層構造であり、本装置の設置面積が増大することを回避することができる。
【００１１】
本発明において、前記塗布処理ユニットは、前記第１主搬送機構が設置される搬送スペースの一側方に設置され、前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に設置されることが好ましい。
【００１２】
本発明において、前記主搬送機構から見た前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの配置は、階層間で同じであることが好ましい。
【００１３】
本発明において、前記第１主搬送機構は、他の主搬送機構に基板を受け渡すために当該基板を前記載置部に載置することが好ましい。
【００１５】
本発明において、通常時または正常動作時においては前記載置部に基板が載置されるのみであり、前記バッファ部に基板は載置されないことが好ましい。
【００１６】
本発明において、異常時に行う一連の処理は、通常時または正常動作時に行う一連の処理と同じであることが好ましい。
【００１７】
本発明において、異常時に行う一連の処理は、塗布処理、加熱処理および冷却処理をこの順番で行う処理を含むことが好ましい。
【００１８】
本発明において、通常時または正常動作時では、各階層において基板に行う処理は同じであることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記第１主搬送機構を制御して、通常時または正常動作時には基板を前記載置部に載置させ、異常時には基板を一時的に前記バッファ部に載置させる制御部と、を備えていることが好ましい。
【００２０】
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
（１）基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理部と、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、前記塗膜形成処理部で塗膜が形成された基板を前記第１主搬送機構から他の主搬送機構に受け渡すために当該基板を載置する載置部と、前記載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００２１】
前記（１）に記載の発明によれば、載置部に近接して設けられるバッファ部を備えているので、たとえ第１主搬送機構が載置部に基板を載置できない場合であっても、第１主搬送機構は当該基板をバッファ部に載置することができる。よって、第１主搬送機構は引き続き基板の搬送を継続することができる。これにより、その他の各基板についても塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対してそれぞれ遅れることなく搬送することができる。すなわち、塗膜形成処理部の各基板について、塗布処理ユニットにおける塗布処理および熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００２２】
（２）本発明において、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時に、前記第１主搬送機構は基板を前記バッファ部に一時的に載置することが好ましい
【００２３】
前記（２）に記載の発明によれば、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時であっても、引き続き、塗膜形成処理部で基板に行っている処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００２４】
（３）本発明において、前記バッファ部に載置された基板を前記他の主搬送機構によって受け取ることが許容されていることが好ましい。
【００２５】
前記（３）に記載の発明によれば、バッファ部に載置された基板を他の主搬送機構に受け渡す場合に、第１主搬送機構がバッファ部から載置部に基板を搬送することを要しないので、効率がよい。
【００２６】
（４）本発明において、前記他の主搬送機構は、前記第１主搬送機構へ基板を受け渡すために当該基板を前記載置部に載置するとともに、基板を一時的に前記バッファ部に載置可能であることが好ましい。
【００２７】
前記（４）に記載の発明によれば、他の主搬送機構から第１主搬送機構への基板の受け渡しも載置部を介して行うとともに、他の主搬送機構もバッファ部に基板を一時的に載置することができる。よって、他の主搬送機構による基板の搬送が滞ることがない。よって、基板の品質に悪影響を与えるおそれがない。
【００２８】
（５）本発明において、前記他の主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時には、前記他の主搬送機構は前記第１主搬送機構へ受け渡すための基板を前記バッファ部に載置することが好ましい。
【００２９】
前記（５）に記載の発明によれば、他の主搬送機構が載置部に基板を載置できない場合であっても、バッファ部に基板を一時的に載置することができる。よって、その他の基板についてもそれぞれ滞りなく搬送することができる。
【００３０】
（６）本発明において、前記バッファ部は前記載置部に積層されていることが好ましい。
【００３１】
前記（６）に記載の発明によれば、第１主搬送機構が昇降するのみで、載置部およびバッファ部に選択的にアクセスすることができる。
【００３２】
（７）本発明において、前記バッファ部は、前記載置部の上方又は下方の少なくともいずれか一方に配置されていることが好ましい。
【００３３】
前記（７）に記載の発明によれば、第１主搬送機構が昇降するのみで、載置部およびバッファ部に選択的にアクセスすることができる。
【００３４】
（８）本発明において、前記バッファ部が載置可能な基板の枚数は、前記塗膜形成処理部で同時に処理可能な基板の枚数以上であることが好ましい。
【００３５】
前記（８）に記載の発明によれば、塗布形成部で同時に処理可能な基板の枚数分は全て、バッファ部に一時的に載置することができる。したがって、いつ載置部に基板を載置できなくなったとしても、その時に塗布形成部で処理している全ての基板に対しては、塗布処理および熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。
【００３６】
（９）本発明において、前記塗膜形成処理部は基板にレジスト膜を形成することが好ましい。
【００３７】
前記（９）に記載の発明によれば、基板にレジスト膜を品質よく形成することができる。
【００３８】
（１０）本発明において、前記塗膜形成処理部は、さらに基板に反射防止膜を形成することが好ましい。
【００３９】
前記（１０）に記載の発明によれば、基板に反射防止膜を品質よく形成することができる。
【００４０】
（１１）基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを有し、基板に塗膜を形成する塗膜形成処理部と、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、前記第１主搬送機構から他の主搬送機構に基板を受け渡すために当該基板を載置する載置部と、前記載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、前記第１主搬送機構を制御して、前記他の主搬送機構に受け渡す基板を前記載置部に載置させ、前記載置部に基板を載置できない異常時には当該基板を一時的に前記バッファ部に載置させる制御部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００４１】
前記（１１）に記載の発明によれば、バッファ部を備えているので、前記第１主搬送機構は基板を一時的にバッファ部に載置することができる。制御部は、第１主搬送機構を制御して、異常時でないときには基板を載置部に載置させ、異常時には当該基板を一時的に前記バッファ部に載置させる。よって、異常時であっても異常時でなくても、第１主搬送機構による搬送が停滞することがない。すなわち、塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対する一連の基板搬送動作を継続することができる。これにより、塗膜形成処理部において処理が行われている各基板に対して、塗布処理ユニットにおける塗布処理および熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理をそれぞれ所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００４２】
（１２）本発明において、前記載置部に載置される基板を検出する第１検出部を備え、前記制御手段は、前記第１主搬送機構から前記他の主搬送機構に基板を受け渡す際、前記第１検出部の検出結果に基づいて前記載置部に基板が載置されていると判断したときは、基板を一時的に前記バッファ部に載置させることが好ましい。
【００４３】
前記（１２）に記載の発明によれば、第１検出部を備えていることで、制御部は載置部に基板を載置できない異常時を好適に判断することができる。よって、制御部は異常時であるか否かに応じて好適に第１主搬送機構を制御することができる。
【００４４】
（１３）本発明において、前記制御手段は、前記第１主搬送機構によって基板を一時的に前記バッファ部に載置させた場合は、前記バッファ部に載置させた基板を前記他の主搬送機構によって受け取らせることが好ましい。
【００４５】
前記（１３）に記載の発明によれば、バッファ部に載置された基板を他の主搬送機構に受け渡す場合に、第１主搬送機構がバッファ部から載置部に基板を搬送することを要しないので、効率がよい。
【００４６】
（１４）基板に処理を行う基板処理装置において、基板にレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、これらレジスト膜用塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構とを備えるレジスト膜用塗布処理ブロックと、前記レジスト膜用塗布処理ブロックに隣接する現像処理ブロックであって、基板に現像液を供給する現像処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構とを備える現像処理ブロックと、前記現像処理ブロックに隣接し、本装置とは別体の露光機との間で基板を搬送するインターフェイス用搬送機構を備えるインターフェイス部と、を備え、前記第１主搬送機構と前記第２主搬送機構とは、基板を載置する第１載置部を介して基板の受け渡しを行うとともに、前記第１主搬送機構が前記第１載置部に基板を載置できない時には当該基板を第１バッファ部に一時的に載置することを特徴とする基板処理装置。
【００４７】
前記（１４）に記載の発明によれば、レジスト膜用塗布処理ブロックでは、第１主搬送機構がレジスト膜用塗布処理ユニットと熱処理ユニットに基板を搬送しつつ、各処理ユニットで基板にレジスト膜を形成する。第１主搬送機構は、レジスト膜が形成された基板を、現像処理ブロックの第２主搬送機構に受け渡す。第２主搬送機構に受け渡された基板は、さらにインターフェイス部のインターフェイス用搬送機構を経由して露光機へ搬送され、露光される。露光された基板はインターフェイス部を介して現像処理ブロックに搬送される。現像処理ブロックでは、第２主搬送機構が現像処理ユニットと熱処理ユニットに基板を搬送しつつ、各処理ユニットで基板に現像処理を行う。現像された基板は、第２主搬送機構から第１主搬送機構に受け渡される。ここで、第１主搬送機構と第２主搬送機構とは、基板を載置する第１載置部を介して基板の受け渡しを行うとともに、第１主搬送機構が第１載置部に基板を載置できない時には当該基板を第１バッファ部に一時的に載置する。これにより、たとえレジスト膜が形成された基板を第１主搬送機構が第１載置部に載置できない場合であっても、第１主搬送機構は当該基板を第１バッファ部に載置することができる。よって、第１主搬送機構は引き続いて、レジスト膜用塗布処理ブロック内のその他の基板をそれぞれ搬送することができる。これにより、各基板に対してレジスト膜用塗布処理ユニットにおける塗布処理および熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理をそれぞれ所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板にレジスト膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００４８】
（１５）本発明において、前記第１バッファ部は、前記第１載置部の上方または下方に近接して設けられていることが好ましい。
【００４９】
前記（１５）に記載の発明によれば、第１主搬送機構が昇降するのみで、載置部およびバッファ部に選択的にアクセスすることができる。
【００５０】
（１６）本発明において、前記レジスト膜用塗布処理ブロックおよび前記現像処理ブロックはそれぞれ上下方向の階層に分けられており、前記レジスト膜用塗布処理ユニットと前記第１主搬送機構と前記レジスト膜用塗布処理ブロックの熱処理ユニットは、前記レジスト膜用塗布処理ブロックの各階層にそれぞれ設けられるとともに、前記現像処理ユニットと前記第２主搬送機構と前記現像処理ブロックの熱処理ユニットは、前記現像処理ブロックの各階層にそれぞれ設けられており、前記第１載置部は、前記レジスト膜用塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックの間に各階層ごとに設けられるとともに、前記第１バッファ部は前記第１載置部のそれぞれに対応して設けられていることが好ましい。
【００５１】
前記（１６）に記載の発明によれば、レジスト膜用塗布処理ブロックおよび現像処理ブロックの各階層に設けられる処理ユニットと第１、第２主搬送機構とが基板に一連の処理を並行して行う。よって、基板処理装置の処理能力を増大させることができる。また、上下方向に各階層が積層された階層構造であり、これにより複数の第１、第２主搬送機構や各種処理ユニットがそれぞれ上下方向に配置されるので、基板処理装置の設置面積が増大することを回避することができる。
【００５２】
（１７）本発明において、前記インターフェイス用搬送機構は前記現像処理ブロックの熱処理ユニットに基板を搬送して、当該熱処理ユニットで露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行うとともに、前記インターフェイス用搬送機構と前記第２主搬送機構とは、基板を載置する第２載置部を介して基板の受け渡しを行い、かつ、前記インターフェイス用搬送機構が前記第２載置部に基板を載置できない時には第２バッファ部に一時的に基板を載置することが好ましい。
【００５３】
前記（１７）に記載の発明によれば、インターフェイス部では、インターフェイス用搬送機構が露光された基板を露光機から受け取ると、現像処理ブロックの熱処理ユニットに搬送する。この熱処理ユニットで、露光後の基板に露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理が行われる。インターフェイス用搬送機構は、露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われた基板を現像処理ブロックの第２主搬送機構に受け渡す。ここで、インターフェイス用搬送機構と第２主搬送機構とは、基板を載置する第２載置部を介して基板の受け渡しを行い、かつ、インターフェイス用搬送機構が第２載置部に基板を載置できない時には第２バッファ部に一時的に基板を載置する。これにより、インターフェイス用搬送機構は、たとえ露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われた基板を第２載置部に載置できない場合であっても、当該基板を第２バッファ部に載置することができる。これにより、インターフェイス用搬送機構の動作は停滞しない。したがって、露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われている他の基板を、所定の時間が経過したときに遅れることなく各熱処理ユニットからそれぞれ搬出することができる。よって、基板を好適に処理することができる。
【００５４】
（１８）本発明において、前記第２バッファ部は、前記インターフェイス部に設けられていることが好ましい。
【００５５】
前記（１８）に記載の発明によれば、インターフェイス用搬送機構が極めて容易にアクセスすることができる。
【００５６】
（１９）本発明において、前記レジスト膜用塗布処理ブロックは、基板に反射防止膜用の処理液を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットをさらに備えていることが好ましい。
【００５７】
前記（１９）に記載の発明によれば、基板に反射防止膜を品質よく形成することができる。
【００５８】
（２０）本発明において、前記バッファ部は、前記第１主搬送機構から前記他の主搬送機構に受け渡すための基板を載置することが好ましい。
【００５９】
前記（２０）に記載の発明によれば、第１主搬送機構は塗膜形成処理部で塗膜が形成された基板をバッファ部に載置することができる。
【００６０】
（２１）本発明において、前記バッファ部には、前記第１主搬送機構によって基板が載置されることが好ましい。
【００６１】
前記（２１）に記載の発明によれば、第１主搬送機構は塗膜形成処理部で塗膜が形成された基板をバッファ部に載置することができる。
【００６２】
（２２）本発明において、前記載置部は、前記第１主搬送機構と前記他の主搬送機構との間に配置されていることが好ましい。
【００６３】
前記（２２）に記載の発明によれば、第１主搬送機構と他の主搬送機構とが好適に基板の受け渡しを行うことができる。
【００６４】
（２３）本発明において、前記バッファ部は前記載置部に並んで設けられていることが好ましい。
【００６５】
前記（２３）に記載の発明によれば、第１主搬送機構は、アクセスする載置部またはバッファ部を容易に選択することができる。
【００６６】
（２４）本発明において、前記バッファ部が載置可能な基板の枚数は、前記塗布処理ユニットの数と同数またはそれより多いことが好ましい。
【００６７】
前記（２４）に記載の発明によれば、いつ載置部に基板を載置できなくなったとしても、その時に塗布処理ユニットで処理している全ての基板に対しては、塗膜形成処理部における一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。
【００６８】
（２５）本発明において、前記塗布処理ユニットは、レジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットを含むことが好ましい。
【００６９】
前記（２５）に記載の発明によれば、基板にレジスト膜を品質よく形成することができる。
【００７０】
（２６）本発明において、前記塗布処理ユニットは、反射防止膜用の処理液を基板に塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットをさらに含むことが好ましい。
【００７１】
前記（２６）に記載の発明によれば、基板に反射防止膜を品質よく形成することができる。
【００７２】
（２７）本発明において、前記バッファ部に載置される基板を検出する第２検出部を備え、前記制御手段は、前記第２検出部の検出結果に基づいて前記バッファ部に基板が載置されていると判断したときは、前記バッファ部の基板を前記他の前記第１主搬送機構によって受け取らせることが好ましい。
【００７３】
前記（２７）に記載の発明によれば、第２検出部を備えていることで、制御部はバッファ部に基板を載置できない異常時を好適に判断することができる。よって、制御部は異常時であるか否かに応じて好適に第１主搬送機構を制御することができる。
【００７４】
（２８）前記レジスト膜用塗布処理ブロックに隣接する反射防止膜用塗布処理ブロックであって、基板に反射防止膜用の処理液を塗布する反射防止膜用塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、これら反射防止膜用塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第３主搬送機構とを備える反射防止膜用塗布処理ブロックと、前記第３主搬送機構と前記第１主搬送機構とは、基板を載置する第３載置部を介して基板の受け渡しを行うとともに、前記第３主搬送機構が前記第３載置部に基板を載置できないときには第３バッファ部に一時的に基板を載置することを特徴とする基板処理装置。
【００７５】
前記（２８）に記載の発明によれば、反射防止膜用塗布処理ブロックでは、第３主搬送機構が反射防止膜用塗布処理ユニットと熱処理ユニットに基板を搬送しつつ、各処理ユニットで基板に反射防止膜を形成する。第３主搬送機構は、反射防止膜が形成された基板を、レジスト膜用塗布処理ブロックの第１主搬送機構に受け渡す。ここで、第３主搬送機構と第１主搬送機構とは、基板を載置する第３載置部を介して基板の受け渡しを行うとともに、第３主搬送機構が第３載置部に基板を載置できないときには第３バッファ部に一時的に基板を載置する。これにより、反射防止膜用塗布処理ブロック内の各基板に対して塗布処理および熱処理を含む一連の処理をそれぞれ所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に反射防止膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００７６】
（２９）本発明において、前記第３バッファ部は、前記第３載置部の上方または下方に近接して設けられていることが好ましい。
【００７７】
前記（２９）に記載の発明によれば、第１主搬送機構が昇降するのみで、載置部およびバッファ部に選択的にアクセスすることができる。
【００７８】
（３０）基板に処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を塗布する塗布処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記塗布処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構と、基板を現像する現像処理部と、前記現像処理部に対して基板を搬送するとともに、前記第１主搬送機構との間で基板の受け渡しを行う第２主搬送機構と、前記第１主搬送機構から前記第２主搬送機構へ基板を受け渡すための載置部に近接して設けられ、基板を一時的に載置するバッファ部と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００７９】
前記（３０）に記載の発明によれば、載置部に近接して設けられるバッファ部を備えているので、たとえ第１主搬送機構が載置部に基板を載置できない場合であっても、第１主搬送機構は当該基板をバッファ部に載置することができる。よって、第１主搬送機構は引き続き基板の搬送を継続することができる。これにより、その他の各基板についても塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対してそれぞれ遅れることなく搬送することができる。すなわち、塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットにおける各種処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００８０】
（３１）本発明において、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、前記第１主搬送機構は基板を前記バッファ部に一時的に載置することが好ましい。
【００８１】
前記（３１）に記載の発明によれば、異常時であっても、塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットで基板に行っている処理を所定の時間どおりに進め続けることができる。
【００８２】
（３２）本発明において、前記バッファ部は、前記バッファ部に載置された基板に対して前記第２主搬送機構がアクセス可能に構成され、前記第２主搬送機構によって前記バッファ部に載置された基板を受け取ることを許容することが好ましい。
【００８３】
前記（３２）に記載の発明によれば、バッファ部に載置された基板を第２主搬送機構に受け渡す場合に、第１主搬送機構がバッファ部から載置部に基板を搬送することを要しないので、効率がよい。
【００８４】
（３３）本発明において、前記第２主搬送機構は、前記第１主搬送機構へ基板を受け渡すために当該基板を前記載置部に載置するとともに、当該基板を一時的に前記バッファ部に載置可能であることが好ましい。
【００８５】
前記（３３）に記載の発明によれば、第２主搬送機構から第１主搬送機構への基板の受け渡しも載置部を介して行うとともに、第２主搬送機構もバッファ部に基板を一時的に載置することができる。よって、第２主搬送機構による基板の搬送が滞ることおそれがない。よって、基板を品質よく現像することができる。
【００８６】
（３４）本発明において、前記第２主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない異常時には、前記第２主搬送機構は基板を前記バッファ部に載置することが好ましい。
【００８７】
前記（３４）に記載の発明によれば、第２主搬送機構が載置部に基板を載置できない場合であっても、第２主搬送機構はバッファ部に基板を一時的に載置することができるので、第２主搬送機構による基板の搬送が滞ることがない。
【００８８】
（３５）本発明において、前記バッファ部が載置可能な基板の枚数は、前記塗布処理ユニットの数と同数またはそれより多いことが好ましい。
【００８９】
前記（３５）に記載の発明によれば、いつ載置部に基板を載置できなくなったとしても、その時に塗布処理ユニットで処理している全ての基板に対しては一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。
【００９０】
（３６）本発明において、前記バッファ部が載置可能な基板の枚数は、前記塗布処理ユニットの数に、前記現像処理部で同時に処理可能な基板の枚数を足した合計数以上であることが好ましい。
【００９１】
前記（３６）に記載の発明によれば、いつ載置部に基板を載置できなくなったとしても、その時に現像処理部で処理している全ての基板に対しては品質よく現像することができる。
【発明の効果】
【００９２】
この発明に係る基板処理装置によれば、バッファ部を備えているので、異常時であっても異常時でなくても、第１主搬送機構による搬送が停滞することがない。これにより、塗布処理ユニットにおける塗布処理および熱処理ユニットにおける熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【００９３】
また、前記第１主搬送機構が前記載置部に基板を載置できない時であっても、引き続き、基板に行っている処理を所定の時間どおりに進めることができる。したがって、基板に塗膜を形成する処理の品質が低下することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図３】基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。
【図４】図１におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。
【図５】図１におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。
【図６】図１におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。
【図７】図１におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【図８】（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。
【図９】主搬送機構の斜視図である。
【図１０】実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。
【図１１】基板に行う一連の処理をフローチャートである。
【図１２】各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。
【図１３】変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図２と図３は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図４ないし図７は、図１におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
【００９６】
実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とに分けられる。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。
【００９７】
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９と各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。
【００９８】
処理部３は、基板Ｗに塗膜を形成する処理と、基板Ｗを現像する処理を行う。処理部３は複数の階層を有する階層構造で構成されている。本実施例では、上下方向に２つの階層に分けられている。上側および下側の各階層は、後述するように略同じである。各階層には、それぞれＩＤ部１とＩＦ部５との間にわたって基板Ｗを搬送しつつ、基板Ｗに処理を行う基板処理列が構成される。各階層で行われる処理は、基板Ｗに塗膜を形成する処理と基板Ｗを現像する処理である。なお、図１は、上側の階層を示している。
【００９９】
処理部３は、塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とを各階層にそれぞれ設けている。塗布処理ユニット３１は基板Ｗに処理液を塗布する。熱処理ユニット４１は基板Ｗに熱処理を行う。塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１は、基板Ｗに塗膜を形成する塗膜形成処理部を構成する。また、処理部３は、基板Ｗに現像液を供給する現像処理ユニットＤＥＶや、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２などを備えている（後述）。
【０１００】
また、処理部３は、４基の主搬送機構Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。主搬送機構Ｔ１、Ｔ２は上側の階層に設けられており、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４は下側の階層に設けられている。主搬送機構Ｔ１、Ｔ２は、それぞれ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１に対して基板Ｗを搬送する。また、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４は、それぞれ現像処理ユニットＤＥＶなどに対して基板Ｗを搬送する。また、主搬送機構Ｔ１と主搬送機構Ｔ２との間で、基板Ｗの受け渡しを行う。同様に、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４との間で、基板Ｗの受け渡しを行う。さらに、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２はそれぞれ、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１０１】
ＩＦ部５は、本装置とは別体の露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ（ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢ）は、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。
【０１０２】
以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。
【０１０３】
［処理部３］
本実施例では、処理部３は、複数（２台）の処理ブロックＢａ、Ｂｂを横方向（搬送方向と略同じ）に並べて構成されている。各処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数（２つ）の階層Ｋに分けられている。なお、本明細書では、処理ブロックＢａ、Ｂｂの各階層について符号「Ｋ」を付す。処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１には上述の主搬送機構Ｔ１とこれに対応する各種処理ユニットが配置されており、下側の階層Ｋ３には主搬送機構Ｔ３と各種処理ユニットが配置されている。同様に、処理ブロックＢｂの上側の階層Ｋ２には主搬送機構Ｔ２と各種処理ユニットが配置されており、下側の階層Ｋ４には主搬送機構Ｔ４と各種処理ユニットが配置されている。
【０１０４】
そして、主搬送機構Ｔ１、Ｔ２間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ１、Ｋ２が、処理部３の上側の階層を構成する。同様に、主搬送機構Ｔ３、Ｔ４間で基板Ｗを受け渡し可能に連結された階層Ｋ３、Ｋ４が、処理部３の下側の階層を構成する。
【０１０５】
［処理部３〜処理ブロックＢａ］
処理ブロックＢａはＩＤ部１に隣接して設けられている。ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ１には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１との間で受け渡される基板Ｗが載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ３には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ３との間で受け渡される基板Ｗが載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との間を移動することができる。
【０１０６】
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、各階層Ｋごとに基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が設けられている。具体的には、載置部ＰＡＳＳ２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４は載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗを受け渡す。
【０１０７】
各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４および後述する各載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６は、複数（２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。そして、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。
【０１０８】
たとえば、載置部ＰＡＳＳ１については、上下方向に近接配置される２つの載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ１Ｂを有している。そして、一方の載置部ＰＡＳＳ１Ａには、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗを載置し、他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂには主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ渡す基板Ｗを載置する。
【０１０９】
また、たとえば載置部ＰＡＳＳ２については、載置部ＰＡＳＳ２Ａ、ＰＡＳＳ２Ｂを有する。そして、一方の載置部ＰＡＳＳ２Ａには主搬送機構Ｔ１から主搬送機構Ｔ２へ渡す基板Ｗを載置し、他方の載置部ＰＡＳＳ２Ｂには主搬送機構Ｔ２から主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗを載置する。この場合、一方の載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置される基板Ｗは、階層Ｋ１の塗膜形成処理部（塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１）で塗膜が形成された基板Ｗである。また、他方の載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置される基板Ｗは、階層Ｋ２の現像処理ユニットＤＥＶ等で現像された基板Ｗである。この点は、載置部ＰＡＳＳ４についても同様である。
【０１１０】
各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６は、突出形成された複数の支持ピンをそれぞれ有し、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成されている。また、各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６には基板Ｗの有無を検知するセンサＳｐがそれぞれ付設されている。各センサＳｐの検出信号は後述する制御部９０に入力される。制御部９０は、各センサＳｐの検出結果に基づいて、当該載置部ＰＡＳＳに基板Ｗが載置されているか否かを判断し、当該載置部ＰＡＳＳを介してして受け渡しを行う各搬送機構を制御する。載置部ＰＡＳＳ２と載置部ＰＡＳＳ４は、この発明における第１載置部に相当する。また、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に載置される基板Ｗを検出する各センサＳｐは、この発明における第１検出部に相当する。
【０１１１】
さらに、処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４ごとにそれぞれバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４が設けられている。バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、基板Ｗを一時的に載置する。本実施例では、載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない時に、バッファ部ＢＦに基板Ｗを一時的に載置する。すなわち、通常時または正常動作時においては各載置部ＰＡＳＳに基板Ｗが載置されるのみであり、バッファ部ＢＦに基板Ｗは載置されない。
【０１１２】
バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、それぞれ載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に近接する位置に配置されている。本実施例では、バッファ部ＢＦ２は載置部ＰＡＳＳ２の下方に、バッファ部ＢＦ４は載置部ＰＡＳＳ４の下方に積層配置されている。
【０１１３】
各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置できる基板Ｗの枚数としては、それぞれ階層Ｋ１、Ｋ３に設けられる塗布処理ユニット３１の台数以上であることが好ましい。例えば、本実施例のように（後述）、階層Ｋ１に２台のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と、２台の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１が設けられている場合は、それらの合計数である４以上の枚数をバッファ部ＢＦ２で載置可能であることが好ましい。より好ましくは、階層Ｋ１、Ｋ３の各塗膜形成処理部で同時に処理可能な基板Ｗの枚数以上であることが好ましい。本実施例では、図４に示すように、各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置できる基板Ｗの枚数は５枚である。
【０１１４】
バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４の構成は、それぞれ基板Ｗを多段に収納できる棚を備えて、主搬送機構Ｔ１および主搬送機構Ｔ２に対向する両側が開放されている。このようなバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４では、主搬送機構Ｔ１および主搬送機構Ｔ２がいずれも当該棚に基板Ｗを載置すること、および、当該棚に載置された基板Ｗを取り出すことが許容されている。なお、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、上述した構成に限られない。すなわち、基板Ｗを一時的に載置できれば、基板Ｗの周縁部や下面などいずれの位置で保持してもよい。たとえば、載置部ＰＡＳＳと同様に、突出形成された複数の支持ピンを備えて、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成してもよい。
【０１１５】
また、各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４および後述するバッファ部ＢＦＩＦに載置される基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されている。各センサの検出信号は後述する制御部９０に入力される。制御部９０は、各センサの検出結果に基づいて、当該バッファ部ＢＦに基板Ｗが載置されているか否かを判断し、対応する各搬送機構の基板搬送を制御する。バッファ部ＢＦ２とバッファ部ＢＦ４はそれぞれ、この発明における第１バッファ部に相当する。また、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置される基板Ｗを検出する各センサは、この発明における第２検出部に相当する。
【０１１６】
階層Ｋ１について説明する。主搬送機構Ｔ１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ１を移動可能に設けられている。階層Ｋ１に設けられる処理ユニットは、基板Ｗに処理液を塗布する塗布処理ユニット３１と、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４１に大きく分けられる。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１とは、上述したように塗膜形成処理部を構成する。
【０１１７】
塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。
【０１１８】
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する（レジスト膜形成処理を行う）レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとは、それぞれこの発明における塗膜形成処理ユニットに相当する。
【０１１９】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布し、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴはレジスト膜材料を基板Ｗに塗布する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。
【０１２０】
図８を参照する。図８（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。
【０１２１】
供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
【０１２２】
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
【０１２３】
熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。
【０１２４】
主搬送機構Ｔ１を具体的に説明する。図９を参照する。図９は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。
【０１２５】
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１及び載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対向する位置に回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
【０１２６】
階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３および処理ユニットの平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ３から見た階層Ｋ３の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ１から見た階層Ｋ１の各種処理ユニットの配置と略同じである。階層Ｋ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ階層Ｋ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。
【０１２７】
以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
【０１２８】
処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。
【０１２９】
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
【０１３０】
階層Ｋ１、Ｋ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
【０１３１】
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
【０１３２】
また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。処理ブロックＢａは、この発明におけるレジスト膜用塗布処理ブロックに相当する。また、主搬送機構Ｔ１および主搬送機構Ｔ３は、この発明における第１主搬送機構に相当する。
【０１３３】
［処理部３〜処理ブロックＢｂ］
処理ブロックＢｂはＩＦ部５と隣接している。階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
【０１３４】
階層Ｋ２の処理ユニットは、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。現像処理ユニットＤＥＶおよび熱処理ユニット４２は、基板を現像する現像処理部を構成する。
【０１３５】
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。
【０１３６】
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。
【０１３７】
加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。同様に、階層Ｋ４に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰは、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。
【０１３８】
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
【０１３９】
さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ５が積層されている。この載置部ＰＡＳＳ５を介して、主搬送機構Ｔ２と後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦとが基板Ｗの受け渡しを行う。
【０１４０】
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。そして、載置部ＰＡＳＳ２と各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で、主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
【０１４１】
階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
【０１４２】
以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。処理ブロックＢｂは、この発明における現像処理ブロックに相当する。主搬送機構Ｔ２および主搬送機構Ｔ４はそれぞれ、この発明における第２主搬送機構に相当するとともに、この発明における他の主搬送機構に相当する。載置部ＰＡＳＳ５と載置部ＰＡＳＳ６はそれぞれ、この発明における第２載置部に相当する。
【０１４３】
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は処理部３（より詳しくは処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４）と、露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能なＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、各階層Ｋ２、Ｋ４に対して基板Ｗを搬送する。上述したように、本実施例ではＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、階層Ｋ３、Ｋ４の載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と、各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。
【０１４４】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢとは、処理部３の各階層に設けられる主搬送機構Ｔの並び方向と略直交した方向に並んで設けられている。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは処理ブロックＢｂの熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは処理ブロックＢｂの現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。
【０１４５】
また、ＩＦ用第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファ部ＢＦＩＦが多段に積層されている。バッファ部ＢＦＩＦは、露光機ＥＸＰへ送るための基板Ｗを一時的に収容する送り用バッファ部ＢＦＩＦＳと、処理部３へ戻すための基板Ｗを一時的に収容する戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲとに分けられる。戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲには、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われた基板Ｗが載置される。送り用バッファ部ＢＦＩＦＳは、５枚の基板Ｗを載置可能である。戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲが載置可能な基板Ｗの枚数は８枚であり、露光後加熱（ＰＥＢ）処理を行う加熱冷却ユニットＰＨＰの合計数と同数である。
【０１４６】
ＩＦ用第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ７を介して基板Ｗを受け渡す。バッファ部ＢＦＩＦには、専らＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡのみがアクセスする。戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲは、この発明における第２バッファ部に相当する。
【０１４７】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
【０１４８】
次に本装置の制御系について説明する。図１０は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置の制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。
【０１４９】
メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。また、メインコントローラ９１は、ホストコンピュータを介して露光機ＥＸＰが備える露光機用コントローラと通信可能である。第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１と冷却ユニットＣＰ１と加熱冷却ユニットＰＨＰ１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢによる基板搬送を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。
【０１５０】
メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【０１５１】
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。図１１は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１２は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。なお、図１２、図１３は、載置部ＰＡＳＳを介して各搬送機構同士が基板Ｗの受け渡しを行うことができる通常の動作例である。以下では、搬送機構ごとに分けて説明する。さらに、主搬送機構Ｔ１〜Ｔ４、ＩＦ用搬送機構ＴＩＦについては、通常の動作例に加えて、載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない時の動作例を説明する。
【０１５２】
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図８におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
【０１５３】
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。
【０１５４】
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
【０１５５】
主搬送機構Ｔ１は所定の冷却ユニットＣＰ１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ１には既に所定の熱処理（冷却）が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１に移動する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗに対して熱処理（冷却）を開始する（ステップＳ２）。この熱処理（冷却）は、当該冷却処理ユニットＣＰ１に主搬送機構Ｔ１が次にアクセスする際には既に終了している。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ１がアクセスする際に、それぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。
【０１５６】
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ３）。
【０１５７】
具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。
【０１５８】
主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４）。
【０１５９】
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１に移動すると、冷却ユニットＣＰ１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５）。
【０１６０】
続いて、主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に基板Ｗを搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Ｗにレジスト膜を形成する（ステップＳ６）。
【０１６１】
主搬送機構Ｔ１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う。（ステップＳ７、Ｓ８）。
【０１６２】
主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に移動して、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置し（ステップＳ９）、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１）。
【０１６３】
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、主搬送機構Ｔ１は、載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取って、所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを他の処理ユニットに搬送するとともにこの他の処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ２に載置して、階層Ｋ２へ払いだす。同様に、先に載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗから順に載置部ＰＡＳＳ１に載置して、ＩＤ部１へ払い出す。
【０１６４】
続いて、上記ステップＳ９において、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時について説明する。
【０１６５】
まず、「載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない」とは、載置部ＰＡＳＳ２に他の基板Ｗが載置されているなど載置部ＰＡＳＳ２の状態に拠って載置できない場合のほか、各種搬送機構、各種処理ユニットまたは制御部９０など載置部ＰＡＳＳ２以外の構成に拠って載置できない場合を含む。また、載置部ＰＡＳＳ２に他の基板Ｗが載置されているなど物理的に載置不能の場合のほか、載置部ＰＡＳＳ２への払い出しを禁止する命令等に従って基板Ｗに載置できない場合を含む。本明細書では、「載置部ＰＡＳＳに基板Ｗを載置できない時」を適宜、異常時と呼ぶ。
【０１６６】
なお、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できるか否かは第２コントローラ９４が判断する。また、第２コントローラ９４が載置部ＰＡＳＳ２のセンサＳｐの検出結果に基づいて載置部ＰＡＳＳ２に他の基板Ｗが載置されているか否かを判断し、載置部ＰＡＳＳ２に他の基板Ｗが載置されていると判断するときは、さらに載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できないと判断する。また、載置部ＰＡＳＳ２のセンサＳｐの検出結果は第３コントローラ９５にも入力されるので、同様の判断は第３コントローラ９５でもされる。
【０１６７】
ステップＳ９において、第２コントローラ９４が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時には、主搬送機構Ｔ１はバッファ部ＢＦ２に対向する位置に移動して、保持している基板Ｗをバッファ部ＢＦ２に一時的に載置する。バッファ部ＢＦ２に基板Ｗを載置すると、上記ステップＳ２１の通常の基板搬送動作に移る。すなわち、載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１）。その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして一連の動作を繰り返す。
【０１６８】
この一連の動作を繰り返す中で、ステップＳ９において再び載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時には、主搬送機構Ｔ１はバッファ部ＢＦ２に基板Ｗを一時的に載置する。本実施例のようにバッファ部ＢＦ２は５枚の基板Ｗを載置することができる場合は、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない状態で、主搬送機構Ｔ１は一連の動作を少なくとも５回は繰り返すことができる。なお、この主搬送機構Ｔ１の動作も第２コントローラ９４によって制御されている。
【０１６９】
このように、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時であっても、バッファ部ＢＦ２に一時的に載置可能であるので、ステップＳ９を省略するとともに、引き続きステップＳ２１以降の搬送動作を継続することができる。また、バッファ部ＢＦ２は載置部ＰＡＳＳ２に近接しているため、バッファ部ＢＦ２に基板Ｗを載置する動作にかかる時間は、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置する動作（ステップＳ９）に要する時間とほとんど同じである。よって、ステップＳ９の後に続くステップＳ２１以降の搬送工程を、通常の動作例のスケジュール（具体的には、仮に載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できた場合のスケジュール）に比べて遅れることなく再開することができる。
【０１７０】
また、主搬送機構Ｔ１が一連の動作を少なくとも５回、繰り返すことができるので、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できなくなった時に、４台の塗布処理ユニット３１の全てにおいて基板Ｗが処理されているとしても、これら塗布処理が行われている全ての基板Ｗを引き続き所定の熱処理ユニット４１に搬送することができる。したがって、これらの基板Ｗに所定の熱処理を通常時のスケジュールどおりに行うことができる。よって、載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時であっても、基板Ｗに塗膜を形成する処理の品質が低下することを防止できる。
【０１７１】
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置するとともに（ステップＳ２１）、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ９）。
【０１７２】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０）。
【０１７３】
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ１１）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。
【０１７４】
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。
【０１７５】
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
【０１７６】
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９、Ｓ２０）。
【０１７７】
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂに払い出される。
【０１７８】
続いて、上記ステップＳ９において、主搬送機構Ｔ１が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時について説明する。上述したように、主搬送機構Ｔ１は基板Ｗをバッファ部ＢＦ２に載置する。この場合、第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２を制御して、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置させると（ステップＳ２１）、主搬送機構Ｔ１のステップＳ９を省略して、バッファ部ＢＦ２に対向する位置まで下降させ、バッファ部ＢＦ２に載置された基板Ｗを保持させる。バッファ部ＢＦ２から基板Ｗを受け取ると、上記ステップＳ１０以降から通常の基板搬送動作を再開する。すなわち、受け取った基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２へ搬送させる。
【０１７９】
このように、主搬送機構Ｔ１がバッファ部ＢＦ２に載置した基板Ｗを、主搬送機構Ｔ２が直接受け取ることができる。よって、バッファ部ＢＦ２に載置した基板Ｗを主搬送機構Ｔ１が再び載置部ＰＡＳＳ２に載置する場合に比べて、基板Ｗの受け渡しを効率よく行うことができる。よって、主搬送機構Ｔ１が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時にであっても、基板Ｗの受け渡しを効率よく行うことができる。
【０１８０】
続いて、ステップＳ２１において、主搬送機構Ｔ２が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時について説明する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２を制御して、ステップＳ２１を省略して、基板Ｗをバッファ部ＢＦ２に載置させる。その後、上記ステップＳ９以降の通常の基板搬送動作を引き続き主搬送機構Ｔ２に行わせる。
【０１８１】
このように、主搬送機構Ｔ２が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置できない時であっても、バッファ部ＢＦ２に載置することで、主搬送機構Ｔ２のその他の搬送動作については通常の動作時と同じスケジュールで進行する。よって、熱処理を含む一連の現像処理を、通常の動作例のスケジュールどおりに行うことができる。よって、基板Ｗに行う現像処理の品質が低下することがない。
【０１８２】
なお、この場合、主搬送機構Ｔ１の動作としては、上記ステップＳ２１（載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る）を省略して、バッファ部ＢＦ２にアクセスしてバッファ部ＢＦ２に載置された基板Ｗを受け取ることが好ましい。
【０１８３】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
【０１８４】
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。
【０１８５】
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１６）。続いて、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する。
【０１８６】
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。
【０１８７】
続いて、上記ステップＳ１６において、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに基板Ｗを載置できない時について説明する。第６コントローラ９８はＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡを制御して、ステップＳ１６を省略して、基板Ｗを戻り用バッファ部ＢＦＩＦＢに載置させる。その後、上記ステップＳ１１ｂ、１２以降の搬送をＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡに行わせる。
【０１８８】
このように、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡが載置部ＰＡＳＳ５Ｂに基板Ｗを載置できない時であっても、戻り用バッファ部ＢＦＩＦＢに載置することで、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入してから（ステップＳ１５）、所定の時間が経過したときに、当該基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２から搬出することができる。よって、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに基板Ｗを載置できない時であっても、基板Ｗに対して露光後加熱（ＰＥＢ）処理を好適に行うことができる。
【０１８９】
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢ］
ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。
【０１９０】
その後、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
【０１９１】
このように、実施例に係る基板処理装置によれば、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４のそれぞれに対応して設けられるバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４を備えているので、たとえ主搬送機構Ｔ１、Ｔ３がそれぞれ載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に基板Ｗを載置できない場合であっても、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３は当該基板Ｗをそれぞれバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置することができる。よって、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３は引き続き基板Ｗの搬送を継続することができる。よって、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３がそれぞれ載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に基板Ｗを載置できなくなった時点で、塗膜形成処理部（塗布処理ユニット３１、熱処理ユニット４１）で処理中の他の基板Ｗがあったとしても、これらの基板Ｗに対して、塗布処理および熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めることができる。よって、これらの基板Ｗについて行う塗膜（レジスト膜、反射防止膜）を形成する処理の品質が低下することがない。
【０１９２】
また、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４を載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４にそれぞれ近接して設けているので、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３がそれぞれバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４にアクセスするための移動量は、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４にアクセスするための移動量と大きく異ならない。このため、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４にアクセスする際にかかる時間は、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４にアクセスするために要する時間と略同じとすることができる。よって、その後の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３の搬送動作を、通常のスケジュールどおりに進行させることができる。
【０１９３】
また、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、それぞれ主搬送機構Ｔ２、Ｔ４が対向する向きにも開放されているので、主搬送機構Ｔ２、Ｔ４がバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に一時的に載置された基板Ｗを受け取ることができる。このため、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３がバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に基板Ｗを載置しても、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３から主搬送機構Ｔ２、Ｔ４への基板Ｗの受け渡しを効率よく行うことができる。
【０１９４】
また、処理ブロックＢｂの主搬送機構Ｔ２、Ｔ４が、それぞれ載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に基板Ｗを載置できない場合であっても、主搬送機構Ｔ２、Ｔ４も当該基板Ｗをそれぞれバッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置することができる。このため、基板Ｗに品質よく現像処理を行うことができる。
【０１９５】
また、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４は、塗布処理ユニット３１の数より多い枚数の基板Ｗを載置可能であるので、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４に主搬送機構Ｔ２、Ｔ４が基板Ｗを載置できなくなった時に全ての塗布処理ユニット３１で基板Ｗが処理されていても、これら処理中の基板Ｗの全てについて、塗布処理以降の一連の処理を所定のスケジュールで行うことができる。したがって、これらの基板Ｗについて塗膜を形成する処理の品質が低下することを防止できる。
【０１９６】
また、各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６には基板Ｗの有無を検知するセンサＳｐが設けられているので、制御部９０（具体的には各コントローラ９３〜９９）は各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６に基板Ｗを載置できるか否かを好適に判断することができる。
【０１９７】
また、処理部３は上側と下側の２階層に分けられ、各階層において基板Ｗに一連の処理が並行して行われる。よって、本装置の処理能力を増大させることができる。また、上下方向に各階層が積層された階層構造であり、例えば主搬送機構Ｔ１と主搬送機構Ｔ３のように各構成を上下方向に配置しているので、本装置の設置面積が増大することを回避することができる。
【０１９８】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１９９】
（１）上述した実施例では、バッファ部ＢＦ２を、載置部ＰＡＳＳ２の下方に積層配置していたが、これに限られない。たとえば、載置部ＰＡＳＳ２の上方に配置してもよいし、載置部ＰＡＳＳ２に並ぶように配置してもよい。主搬送機構Ｔ１は容易にバッファ部ＢＦ２にアクセスすることができる。また、バッファ部ＢＦ４についても同様に変更してもよい。
【０２００】
（２）上述した実施例では、バッファ部ＢＦ２の構成は、主搬送機構Ｔ１および主搬送機構Ｔ２に対向する両側が開放されて、主搬送機構Ｔ２もバッファ部ＢＦ２にアクセス可能に構成されているが、これに限られない。例えば、バッファ部ＢＦ２を主搬送機構Ｔ１に対向する一方側のみ開放して、主搬送機構Ｔ１のみがバッファ部ＢＦ２にアクセス可能に変更してもよい。バッファ部ＢＦ４についても同様に変更してもよい。
【０２０１】
（３）上述した実施例では、各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置できる基板Ｗの枚数としては、５枚を例示したが、これに限られない。たとえば、階層Ｋ１の塗膜形成処理部で同時に処理可能な基板Ｗの枚数以上を、各バッファ部ＢＦ２が載置できるように変更してもよい。同様に、バッファ部ＢＦ４についても階層Ｋ３の塗膜形成処理部で同時に処理可能な基板Ｗの枚数以上を載置可能に変更してもよい。これによれば、塗布形成部で同時に処理可能な複数の基板Ｗの全てを、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に一時的に載置することができる。したがって、どのタイミングで載置部ＰＡＳＳ２または載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗを載置できなくなったとしても、その時に塗布形成部で処理している全ての基板Ｗに対して、塗布処理および熱処理を含む一連の処理を所定の時間どおりに進めた上で、バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４に載置することができる。
【０２０２】
あるいは、階層Ｋ１の各塗布処理ユニット３１の台数に、階層Ｋ２の現像処理ユニットＤＥＶの台数を加えた合計数と同数以上の基板Ｗを載置可能にバッファ部ＢＦ２を変更してもよい。同様にＢＦ４も階層Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶの台数を考慮して変更してもよい。これによれば、処理ブロックＢｂの主搬送機構Ｔ２、Ｔ４が載置部ＰＡＳＳ２または載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗを載置できなくなったとしても、その時に現像処理ユニットＤＥＶで処理している基板Ｗに対して品質よく現像することができる。
【０２０３】
（４）上述した実施例では、センサＳｐの検出結果に基づいて各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６に基板Ｗの有無を制御部９０が判断していたが、これに限られない。たとえば、主搬送機構Ｔ１が載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを載置した後に、主搬送機構Ｔ２が載置部ＰＡＳＳ２から当該基板Ｗを受け取ったか否かを、第２、第３コントローラ９４、９５がそれぞれ主搬送機構Ｔ１、Ｔ２に対して行った制御から判断し、受け取ったと判断した場合には載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗが無い（なくなった）と判断するように変更してもよい。
【０２０４】
（５）同様に、各バッファ部ＢＦ２、ＢＦ４およびバッファ部ＢＦＩＦにも、基板Ｗの有無を検知するセンサを備えていたが、これに限られない。各バッファ部ＢＦに基板Ｗがあるか否かを判断できれば、適宜にセンサを省略してもよい。
【０２０５】
（６）上述した実施例では、処理ブロックＢａに反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを設けていたがこれに限られない。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを有する処理ブロックを処理ブロックＢａとは別個に設けてもよい。あるいは、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを省略してもよい。
【０２０６】
（７）また、上述した実施例では、処理部３は上側および下側の２つの階層を有する階層構造であったが、これに限られない。処理部３を３以上の階層に分けてもよい。あるいは、処理部３を階層構造としなくてもよい（処理部３を１階層で構成してもよい）。
【０２０７】
上記（６）および（７）の変形例について、図１３を参照して説明する。図１３は変形実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０２０８】
図示するように、処理部３は、３つの処理ブロックＢを横方向に並べて構成されるように変更してもよい。具体的には、反射防止膜用塗布処理ブロックＢｃ、レジスト膜塗布処理ブロックＢｄおよび現像処理ブロックＢｅがＩＤ部１側から順番に並べられ、ＩＦ部５には現像処理ブロックＢｅが隣接している。
【０２０９】
反射防止膜用塗布処理ブロックＢｃは、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、熱処理ユニット４１と、これら反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣおよび熱処理ユニット４１に対して基板Ｗを搬送する主搬送機構Ｔ９を備えている。
【０２１０】
レジスト膜用塗布処理ブロックＢｄは、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと、熱処理ユニット４１と、これらレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴおよび熱処理ユニット４１に対して基板Ｗを搬送する主搬送機構Ｔ１とを備えている。
【０２１１】
現像処理ブロックＢｅは、現像処理ユニットＤＥＶと熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと主搬送機構Ｔ２とを備えている。
【０２１２】
反射防止膜用塗布処理ブロックＢｃとレジスト膜用塗布処理ブロックＢｄとの間には載置部ＰＡＳＳ９が設けられ、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ１との間の基板Ｗの受け渡しは、載置部ＰＡＳＳ９を介して行う。また、載置部ＰＡＳＳ９に近接してバッファ部ＢＦ９が設けられている。バッファ部ＢＦ９には、主搬送機構Ｔ９が載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを載置できないときには一時的に基板Ｗが載置される。主搬送機構Ｔ９は、この発明における第３主搬送機構に相当する。載置部ＰＡＳＳ９は、この発明における第３載置部に相当する。バッファ部ＢＦ９は、この発明における第３バッファ部に相当する。
【０２１３】
なお、上述した各処理ブロックＢｃ〜Ｂｅは、本実施例の複数の階層に分けられていない。よって、処理部３は階層構造ではなく、複数の階層を有しない（単一の階層である）。
【０２１４】
このような変形実施例では、載置部ＰＡＳＳ９に対応して設けられるバッファ部ＢＦ９を備えているので、たとえ主搬送機構Ｔ９が載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗを載置できない場合であっても、主搬送機構Ｔ９は当該基板Ｗをそれぞれバッファ部ＢＦ９に載置することができる。よって、主搬送機構Ｔ９は引き続いて基板Ｗの搬送を継続することができる。よって、反射防止膜用塗布処理ブロックＢｃにおいて基板Ｗに反射防止膜を形成する処理を好適に行うことができる。
【０２１５】
（８）上述した実施例では、処理ブロックＢａで基板Ｗに形成する塗膜は、レジスト膜および反射防止膜であったがこれに限られない。その他の種類の塗膜を基板Ｗに形成するように変更してもよい。
【０２１６】
（９）上述した実施例では、各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６は、複数（２台）であり、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択されるように構成されていたが、これに限られない。各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６を単一に変更してもよい。また、この場合に、いずれの方向に受け渡しを行う基板Ｗも単一の載置部ＰＡＳＳに載置させるように変更してもよい。
【符号の説明】
【０２１７】
１  …インデクサ部（ＩＤ部）
３  …処理部
５  …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１  …塗布処理ユニット
４１、４２  …熱処理ユニット
６１  …第１吹出ユニット
６１ａ  …第１吹出口
６２  …排出ユニット
６２ａ  …排出口
６５  …第２気体供給管
６６  …第２気体排出管
９０  …制御部
９１  …メインコントローラ
９３〜９９  …第１ないし第７コントローラ
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４  …階層
Ｂ、Ｂａ、Ｂｂ  …処理ブロック
Ｂｃ  …反射防止膜用塗布処理ブロック
Ｂｄ  …レジスト膜用塗布処理ブロック
Ｂｅ  …現像処理ブロック
ＢＡＲＣ  …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ  …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ  …現像処理ユニット
ＥＥＷ  …エッジ露光ユニット
ＰＨＰ  …加熱冷却ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ９  …主搬送機構
ＴＩＦ  …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ  …載置部
ＢＦ、ＢＦ２、ＢＦ４、ＢＦＩＦ、ＢＦ９  …バッファ部
ＢＦＩＦＳ  …送り用バッファ部
ＢＦＩＦＲ  …戻り用バッファ部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４  …搬送スペース
ＥＸＰ  …露光機
Ｓｐ  …センサ
Ｃ  …カセット
Ｗ  …基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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