(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ端子と、
不平衡信号端子と、
第１、第２平衡信号端子と、
基準接地端子と、
前記アンテナ端子と前記不平衡信号端子との間に配置される第１フィルタと、
縦結合共振子型の第１ＳＡＷフィルタ部を有し、且つ前記アンテナ端子と前記第１、第２平衡信号端子との間に配置される第２フィルタと、を備え、
前記第１ＳＡＷフィルタ部は、中央ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の一方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の他方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極と、を含んで構成され、
前記中央ＩＤＴ電極が、複数の第１電極指を有する第１櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第２電極指を有し、且つ前記第１平衡信号端子に接続される第２櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第３電極指を有し、且つ前記第２平衡信号端子に接続される第３櫛歯状電極と、複数の接地用電極指を有する挿入反射器と、を含み、
前記挿入反射器は、前記第２櫛歯状電極と前記第３櫛歯状電極との間に配置され、且つ前記第１櫛歯状電極と接続され、
前記第１櫛歯状電極が前記挿入反射器を介して前記基準接地端子と電気的に接続されることにより接地されているデュプレクサ。
【請求項２】
前記挿入反射器と前記基準接地端子との間に接続されたインダクタをさらに備える請求項１に記載のデュプレクサ。
【請求項３】
前記挿入反射器は、
前記複数の接地用電極指の本数が２本であり、
前記中央ＩＤＴ電極の全電極指の１０％相当分の本数を、該中央ＩＤＴ電極の両端それぞれから除いた残りの電極指についてのピッチの平均値をＰ１、前記接地用電極指のピッチの平均値をＰ２としたときに、下記式（１）
Ｐｃｒ（％）＝（（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１）×１００                  …（１）
で表されるピッチ変化率Ｐｃｒが、−３０〜９０％の範囲に設定されている請求項１または２に記載のデュプレクサ。
【請求項４】
前記第１隣接ＩＤＴ電極が、複数の第４電極指を有する第４櫛歯状電極と、前記複数の第４電極指の間に配置される複数の第５電極指を有する第５櫛歯状電極と、を有し、
前記第２隣接ＩＤＴ電極が、複数の第６電極指を有する第６櫛歯状電極と、前記複数の第６電極指の間に配置される複数の第７電極指を有する第７櫛歯状電極と、を有し、
前記第５、第７櫛歯状電極が接地されている請求項１〜３のいずれか１つに記載のデュプレクサ。
【請求項５】
前記第２フィルタが、前記第１ＳＡＷフィルタ部と前記アンテナ端子との間に配置される縦結合共振子型の第２ＳＡＷフィルタ部を有し、
前記第４、第６櫛歯状電極が前記第２ＳＡＷフィルタ部と接続され、
前記複数の第４電極指のうち少なくとも１つが前記複数の第２電極指の間に配置され、
前記複数の第６電極指のうち少なくとも１つが前記複数の第３電極指の間に配置されている請求項４に記載のデュプレクサ。
【請求項６】
前記第１櫛歯状電極と前記第５櫛歯状電極とが第１共通電極指により接続され、
前記第１櫛歯状電極と前記第７櫛歯状電極とが第２共通電極指により接続されている請求項４に記載のデュプレクサ。
【請求項７】
アンテナ端子と、
不平衡信号端子と、
第１、第２平衡信号端子と、
基準接地端子と、
前記アンテナ端子と前記不平衡信号端子との間に配置される第１フィルタと、
縦結合共振子型の第１ＳＡＷフィルタ部を有し、且つ前記アンテナ端子と前記第１、第２平衡信号端子との間に配置される第２フィルタと、を備え、
前記第１ＳＡＷフィルタ部は、中央ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の一方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の他方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極と、前記第１隣接ＩＤＴ電極の一方側で該第１隣接ＩＤＴ電極と隣接配置される反射器および前記第２隣接ＩＤＴ電極の他方側で該第２隣接ＩＤＴ電極と隣接配置される反射器からなる第１ＳＡＷフィルタ用反射器と、を含んで構成され、
前記中央ＩＤＴ電極が、複数の第１電極指を有する第１櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第２電極指を有し、且つ前記第１平衡信号端子に接続される第２櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第３電極指を有し、且つ前記第２平衡信号端子に接続される第３櫛歯状電極と、を含み、
前記第１ＳＡＷフィルタ用反射器は、接続パターン導体によって前記第１櫛歯状電極と接続され、
前記第１櫛歯状電極が前記第１ＳＡＷフィルタ用反射器を介して前記基準接地端子と電気的に接続されることにより接地されているデュプレクサ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載のデュプレクサを搭載した携帯電話端末装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、周波数の異なる送信信号と受信信号とを分離するデュプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
デュプレクサは、分波器またはアンテナ共用器とも呼ばれ、周波数の異なる送信信号と受信信号とを分離するものであり、たとえば携帯電話端末装置に搭載される。デュプレクサは、アンテナ端子、送信側端子、受信側端子、送信用フィルタおよび受信用フィルタを備える。送信側端子から入力された送信信号は、送信用フィルタを通過し、所定の周波数帯域（以下、「送信側通過周波数帯域」ということがある）の信号がアンテナ端子から出力される。また、アンテナ端子から入力された受信信号は、受信用フィルタを通過し、所定の周波数帯域（以下、「受信側通過周波数帯域」ということがある）の信号が受信側端子から出力される。
【０００３】
特許文献１には、ラダー型の表面弾性波（Surface Acoustic Wave；以下、「ＳＡＷ」と略記することがある）フィルタを送信用フィルタとして備え、平衡信号用のバランス型のＳＡＷフィルタを受信用フィルタとして備えるデュプレクサが開示されている。
【０００４】
特許文献１に開示されるデュプレクサによれば、受信用フィルタとして、平衡信号用のバランス型ＳＡＷフィルタを備えているので、受信用フィルタを通過し、２つの受信側端子から出力される受信側通過周波数帯域内の信号は、互いに逆位相（位相が１８０°シフトしている）の信号となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−６０７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
デュプレクサにおいて、送信用フィルタを通過する送信信号は、本来アンテナ端子へと向かうが、一部が漏れ電力となって受信側へとリークしてしまう場合がある。
【０００７】
特許文献１に開示されるようなバランス型ＳＡＷフィルタを備えた従来のデュプレクサは、通常、受信用フィルタにおける受信側通過周波数帯域以外の帯域では同相に近い位相信号で出力されるよう設計されているため、いわゆるアイソレーションはハイアイソレーションとなる。ここでいうアイソレーションとは、２つの受信側端子から出力される２つの信号の位相の差をみるものであり、ディファレンシャルモードアイソレーションとも呼ばれる。
【０００８】
ディファレンシャルモードアイソレーションに対し、２つの信号の位相の和をみるのがコモンモードアイソレーションである。近年、このコモンモードアイソレーション特性の改善も要求されるようになってきているが、特許文献１には、コモンモードアイソレーション特性を改善する技術についての開示はない。
【０００９】
本発明の目的は、コモンモードアイソレーション特性に優れたデュプレクサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係るデュプレクサは、アンテナ端子と、
不平衡信号端子と、
第１、第２平衡信号端子と、
基準接地端子と、
前記アンテナ端子と前記不平衡信号端子との間に配置される第１フィルタと、
縦結合共振子型の第１ＳＡＷフィルタ部を有し、且つ前記アンテナ端子と前記第１、第２平衡信号端子との間に配置される第２フィルタと、を備え、
前記第１ＳＡＷフィルタ部は、中央ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の一方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の他方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極と、を含んで構成され、
前記中央ＩＤＴ電極が、複数の第１電極指を有する第１櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第２電極指を有し、且つ前記第１平衡信号端子に接続される第２櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第３電極指を有し、且つ前記第２平衡信号端子に接続される第３櫛歯状電極と、複数の接地用電極指を有する挿入反射器と、を含み、
前記挿入反射器は、前記第２櫛歯状電極と前記第３櫛歯状電極との間に配置され、且つ前記第１櫛歯状電極と接続され、
前記第１櫛歯状電極が前記挿入反射器を介して前記基準接地端子と電気的に接続されることにより接地されているものである。
また本発明の他の一態様に係るデュプレクサは、アンテナ端子と、
不平衡信号端子と、
第１、第２平衡信号端子と、
基準接地端子と、
前記アンテナ端子と前記不平衡信号端子との間に配置される第１フィルタと、
縦結合共振子型の第１ＳＡＷフィルタ部を有し、且つ前記アンテナ端子と前記第１、第２平衡信号端子との間に配置される第２フィルタと、を備え、
前記第１ＳＡＷフィルタ部は、中央ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の一方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極と、前記中央ＩＤＴ電極の他方側で該中央ＩＤＴ電極と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極と、前記第１隣接ＩＤＴ電極の一方側で該第１隣接ＩＤＴ電極と隣接配置される反射器および前記第２隣接ＩＤＴ電極の他方側で該第２隣接ＩＤＴ電極と隣接配置される反射器からなる第１ＳＡＷフィルタ用反射器と、を含んで構成され、
前記中央ＩＤＴ電極が、複数の第１電極指を有する第１櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第２電極指を有し、且つ前記第１平衡信号端子に接続される第２櫛歯状電極と、前記複数の第１電極指の間に配置される複数の第３電極指を有し、且つ前記第２平衡信号端子に接続される第３櫛歯状電極と、を含み、
前記第１ＳＡＷフィルタ用反射器は、接続パターン導体によって前記第１櫛歯状電極と接続され、
前記第１櫛歯状電極が前記第１ＳＡＷフィルタ用反射器を介して前記基準接地端子と電気的に接続されることにより接地されているものである。
また本発明の他の一態様に係る携帯電話端末装置は、上記のデュプレクサを搭載したものである。
【発明の効果】
【００１１】
上記の構成によれば、コモンモードアイソレーション特性に優れたデュプレクサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態であるデュプレクサ１０の等価回路図である。
【図２】第１ＳＡＷフィルタ部７を拡大して示す図である。
【図３】第１ＳＡＷフィルタ部７Ａを拡大して示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態であるデュプレクサ１２の等価回路図である。
【図５】第１ＳＡＷフィルタ部１１を拡大して示す図である。
【図６】第１ＳＡＷフィルタ部１１Ａを拡大して示す図である。
【図７】第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｂを拡大して示す図である。
【図８】第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｃを拡大して示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態であるデュプレクサ１５の等価回路図である。
【図１０】第１ＳＡＷフィルタ部１３および第２ＳＡＷフィルタ部１４を拡大して示す図である。
【図１１】第１ＳＡＷフィルタ部１３Ａを拡大して示す図である。
【図１２】挿入反射器の接地用電極指の本数と、受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。
【図１３Ａ】ピッチ変化率と受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。
【図１３Ｂ】ピッチ変化率と受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。
【図１３Ｃ】ピッチ変化率と受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。
【図１４】実施例および比較例のコモンモードアイソレーション特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係るデュプレクサについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１４】
図１は、本発明の第１実施形態であるデュプレクサ１０の等価回路図である。デュプレクサ１０は、アンテナ端子１と、不平衡信号端子２と、第１平衡信号端子３ａと、第２平衡信号端子３ｂと、基準接地端子４と、第１フィルタ５と、第２フィルタ６とを含む。
【００１５】
デュプレクサ１０では、第１フィルタ５は、アンテナ端子１と不平衡信号端子２との間に配置され、第２フィルタ６は、アンテナ端子１と第１、第２平衡信号端子３ａ，３ｂとの間に配置されている。デュプレクサ１０に接続された信号源から発信されて不平衡信号端子２から入力される送信信号は、第１フィルタ５を通過し、送信側通過周波数帯域の信号がアンテナ端子１から出力される。また、アンテナ端子１から入力される受信信号は、第２フィルタ６を通過し、受信側通過周波数帯域の信号が、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂから出力される。
【００１６】
第１フィルタ５は、高い耐電力性を有するラダー型のＳＡＷフィルタであり、複数の１ポートＳＡＷ共振器である、第１共振器５１、第２共振器５２、第３共振器５３、第４共振器５４、第５共振器５５、第６共振器５６、第７共振器５７および第８共振器５８を、ラダー型に接続して構成される。
【００１７】
第１共振器５１は、複数の電極指を有するＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極である第１共振器電極５１ａと、第１共振器電極５１ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第１共振用反射器５１ｂとを含み、不平衡信号端子２と接続される。第１共振器５１の不平衡信号端子２とは反対側に、第２共振器５２と第３共振器５３とが並列接続されている。
【００１８】
第２共振器５２は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第２共振器電極５２ａと、第２共振器電極５２ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第２共振用反射器５２ｂとを含む。第３共振器５３は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第３共振器電極５３ａと、第３共振器電極５３ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第３共振用反射器５３ｂとを含み、第１インダクタ２ａを介して接地されている。
【００１９】
また、第２共振器５２の第１共振器５１とは反対側に、第４共振器５４と第５共振器５５とが並列接続されている。第４共振器５４は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第４共振器電極５４ａと、第４共振器電極５４ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第４共振用反射器５４ｂとを含む。第５共振器５５は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第５共振器電極５５ａと、第５共振器電極５５ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第５共振用反射器５５ｂとを含み、第２インダクタ２ｂを介して接地されている。
【００２０】
また、第４共振器５４の第２共振器５２とは反対側に、第６共振器５６が直列接続されている。この第６共振器５６は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第６共振器電極５６ａと、第６共振器電極５６ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第６共振用反射器５６ｂとを含む。そして、第６共振器５６の第４共振器５４とは反対側に、第７共振器５７と第８共振器５８とが並列接続されている。
【００２１】
第７共振器５７は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第７共振器電極５７ａと、第７共振器電極５７ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第７共振用反射器５７ｂとを含み、アンテナ端子１と接続される。第８共振器５８は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第８共振器電極５８ａと、第８共振器電極５８ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第８共振用反射器５８ｂとを含み、第５共振器５５と接続されて、第２インダクタ２ｂを介して接地されている。
【００２２】
本実施形態のデュプレクサ１０は、不平衡信号端子２から入力された送信信号が、第１フィルタ５を通過することによって、周波数８２４〜８４９ＭＨｚの送信側通過周波数帯域を有する信号がアンテナ端子１から出力されるように設計されている。
【００２３】
また、アンテナ端子１と、第１フィルタ５および第２フィルタ６の分岐との間には、整合回路として第３インダクタ２ｃが接続されている。
【００２４】
第２フィルタ６は、第１ＳＡＷフィルタ部７と、アンテナ端子側共振器８と、第１平衡信号端子側共振器９ａと、第２平衡信号端子側共振器９ｂと、第４インダクタ３ｃとを含む。
【００２５】
アンテナ端子側共振器８は、第２フィルタ６において、アンテナ端子１と接続されるＳＡＷ共振器である。アンテナ端子側共振器８は、複数の電極指を有するＩＤＴ電極であるアンテナ端子側共振器電極８１と、アンテナ端子側共振器電極８１に対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置されるアンテナ端子側共振用反射器８２とを含む。第２フィルタ６において、受信信号が入力されるアンテナ端子１側にアンテナ端子側共振器８を直列に設けることによって、良好に整合をとることができる。
【００２６】
次に、第１ＳＡＷフィルタ部７について、図２を用いて説明する。図２は、第１ＳＡＷフィルタ部７を拡大して示す図である。第１ＳＡＷフィルタ部７は、縦結合共振子型のＳＡＷフィルタであり、中央ＩＤＴ電極７１と、中央ＩＤＴ電極７１のＳＡＷの伝搬方向一方側で該中央ＩＤＴ電極７１と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極７２と、中央ＩＤＴ電極７１のＳＡＷの伝搬方向他方側で該中央ＩＤＴ電極７１と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極７３とを含んで構成される。
【００２７】
中央ＩＤＴ電極７１は、複数の第１電極指７１１ａを有する第１櫛歯状電極７１１と、複数の第２電極指７１２ａを有する第２櫛歯状電極７１２と、複数の第３電極指７１３ａを有する第３櫛歯状電極７１３とを含む。
【００２８】
第１櫛歯状電極７１１、第２櫛歯状電極７１２および第３櫛歯状電極７１３において、各々の第１電極指７１１ａ、第２電極指７１２ａおよび第３電極指７１３ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極（バスバー）から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。
【００２９】
第１櫛歯状電極７１１と第２櫛歯状電極７１２とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第１電極指７１１ａと第２電極指７１２ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。また、第３櫛歯状電極７１３は、第２櫛歯状電極７１２と隣接配置され、第１櫛歯状電極７１１と第３櫛歯状電極７１３とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第１電極指７１１ａと第３電極指７１３ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。
【００３０】
そして、第１櫛歯状電極７１１は、自身の帯状電極に設けられる接地用バンプ７５を介して基準接地端子４と電気的に接続されることにより接地されている。第２櫛歯状電極７１２は、第１平衡信号端子側共振器９ａを介して第１平衡信号端子３ａに接続されている。第３櫛歯状電極７１３は、第２平衡信号端子側共振器９ｂを介して第２平衡信号端子３ｂに接続されている。
【００３１】
これによって、デュプレクサ１０では、第１フィルタ５を通過する送信信号の一部が漏れ電力となって第２フィルタ６側にリークし、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに接続される中央ＩＤＴ電極７１に伝搬された場合であっても、そのリーク信号を、第１櫛歯状電極７１１から接地用バンプ７５を介して基準接地端子４に伝搬させることができる。そのため、コモンモードアイソレーション特性を劣化させる要因となる信号が第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに出力されるのを抑制することができる。したがって、デュプレクサ１０は、コモンモードアイソレーションがハイアイソレーションとなり、コモンモードアイソレーション特性を改善することができる。
【００３２】
また、デュプレクサ１０において、第１櫛歯状電極７１１を基準接地端子４に接続させる構成は、接地用バンプ７５を設ける構成に限定されるものではなく、たとえば図３のようにしてもよい。図３は、第１ＳＡＷフィルタ部７Ａを拡大して示す図である。図３に示す第１ＳＡＷフィルタ部７Ａでは、第１櫛歯状電極７１１の帯状電極と、２つの第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４との間に絶縁体からなるブリッジ絶縁体７６が設けられている。そして、ブリッジ絶縁体７６の上から接続パターン導体７７が設けられている。これにより、第１櫛歯状電極７１１と２つの第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４とが、接続パターン導体７７を介して電気的に接続されている。すなわち、第１櫛歯状電極７１１が、ブリッジ絶縁体７６および接続パターン導体７７による立体構造の接地パターン導体を介して、第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４に接続され、その第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４が基準接地端子４に接続されることにより接地されている。このように構成されたデュプレクサ１０では、第１フィルタ５を通過する送信信号の一部が漏れ電力となって第２フィルタ６側にリークし、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに接続される中央ＩＤＴ電極７１に伝搬された場合であっても、そのリーク信号を、ブリッジ絶縁体７６および接続パターン導体７７による立体構造の接地パターン導体を介して、第１櫛歯状電極７１１から基準接地端子４に伝搬させることができる。
【００３３】
なお、第１平衡信号端子側共振器９ａは、ＳＡＷ共振器であり、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第１平衡信号端子側共振器電極９１ａと、第１平衡信号端子側共振器電極９１ａに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第１平衡信号端子側共振用反射器９２ａとを含む。第２平衡信号端子側共振器９ｂは、ＳＡＷ共振器であり、複数の電極指を有するＩＤＴ電極である第２平衡信号端子側共振器電極９１ｂと、第２平衡信号端子側共振器電極９１ｂに対するＳＡＷの伝搬方向両端に配置される第２平衡信号端子側共振用反射器９２ｂとを含む。第２フィルタ６において、信号が出力される第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂ側に、第１平衡信号端子側共振器９ａおよび第２平衡信号端子側共振器９ｂを設けることによって、静電破壊耐久性を向上させることができる。
【００３４】
また、第１平衡信号端子側共振器９ａと第１平衡信号端子３ａとを接続する信号出力配線と、第２平衡信号端子側共振器９ｂと第２平衡信号端子３ｂとを接続する信号出力配線との間には、整合回路として第４インダクタ３ｃが接続されている。
【００３５】
中央ＩＤＴ電極７１に一方側で隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極７２は、複数の第４電極指７２２ａを有する第４櫛歯状電極７２２と、複数の第５電極指７２１ａを有する第５櫛歯状電極７２１とを含む。
【００３６】
第４櫛歯状電極７２２および第５櫛歯状電極７２１において、各々の第４電極指７２２ａおよび第５電極指７２１ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。第４櫛歯状電極７２２と第５櫛歯状電極７２１とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第４電極指７２２ａと第５電極指７２１ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。
【００３７】
そして、第４櫛歯状電極７２２はアンテナ端子側共振器８に接続され、第５櫛歯状電極７２１は接地されている。
【００３８】
中央ＩＤＴ電極７１に他方側で隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極７３は、複数の第６電極指７３２ａを有する第６櫛歯状電極７３２と、複数の第７電極指７３１ａを有する第７櫛歯状電極７３１とを含む。
【００３９】
第６櫛歯状電極７３２および第７櫛歯状電極７３１において、各々の第６電極指７３２ａおよび第７電極指７３１ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。第６櫛歯状電極７３２と第７櫛歯状電極７３１とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第６電極指７３２ａと第７電極指７３１ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。
【００４０】
そして、第６櫛歯状電極７３２はアンテナ端子側共振器８に接続され、第７櫛歯状電極７３１は接地されている。
【００４１】
また、第１ＳＡＷフィルタ部７において、第１隣接ＩＤＴ電極７２の中央ＩＤＴ電極７１とは反対側と、第２隣接ＩＤＴ電極７３の中央ＩＤＴ電極７１とは反対側とに、第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４が設けられている。中央ＩＤＴ電極７１、第１隣接ＩＤＴ電極７２および第２隣接ＩＤＴ電極７３で励起されて伝搬するＳＡＷは、第１ＳＡＷフィルタ用反射器７４によって反射され、定在波を発生させる。
【００４２】
本実施形態のデュプレクサ１０は、アンテナ端子１から入力された受信信号が、第２フィルタ６を通過することによって、周波数８６９〜８９４ＭＨｚの受信側通過周波数帯域を有する信号が第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂから出力されるように設計されている。
【００４３】
図４は、本発明の第２実施形態であるデュプレクサ１２の等価回路図である。デュプレクサ１２は、前述したデュプレクサ１０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。デュプレクサ１２は、第１ＳＡＷフィルタ部１１の構成が、デュプレクサ１０の第１ＳＡＷフィルタ部７と異なり、それ以外は同様の構成である。図５は、第１ＳＡＷフィルタ部１１を拡大して示す図である。
【００４４】
第１ＳＡＷフィルタ部１１は、縦結合共振子型のＳＡＷフィルタであり、中央ＩＤＴ電極１１１と、中央ＩＤＴ電極１１１のＳＡＷの伝搬方向一方側で該中央ＩＤＴ電極１１１と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極１１２と、中央ＩＤＴ電極１１１のＳＡＷの伝搬方向他方側で該中央ＩＤＴ電極１１１と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極１１３とを含む。
【００４５】
第１隣接ＩＤＴ電極１１２は、前述した第１ＳＡＷフィルタ部７の第１隣接ＩＤＴ電極７２と同様に構成され、複数の第４電極指１１２２ａを有する第４櫛歯状電極１１２２と、複数の第５電極指１１２１ａを有する第５櫛歯状電極１１２１とを含む。第４櫛歯状電極１１２２はアンテナ端子側共振器８に接続され、第５櫛歯状電極１１２１は接地されている。
【００４６】
第２隣接ＩＤＴ電極１１３は、前述した第１ＳＡＷフィルタ部７の第２隣接ＩＤＴ電極７３と同様に構成され、複数の第６電極指１１３２ａを有する第６櫛歯状電極１１３２と、複数の第７電極指１１３１ａを有する第７櫛歯状電極１１３１とを含む。第６櫛歯状電極１１３２はアンテナ端子側共振器８に接続され、第７櫛歯状電極１１３１は接地されている。
【００４７】
デュプレクサ１２において特徴的な構成は、第１ＳＡＷフィルタ部１１の中央ＩＤＴ電極１１１の構成である。中央ＩＤＴ電極１１１は、複数の第１電極指１１１１ａを有する第１櫛歯状電極１１１１と、複数の第２電極指１１１２ａを有する第２櫛歯状電極１１１２と、複数の第３電極指１１１３ａを有する第３櫛歯状電極１１１３と、複数の接地用電極指１１１４ａを有する挿入反射器１１１４と、挿入反射器１１１４と基準接地端子４との間に接続された挿入反射器用インダクタ１１１５とを含む。
【００４８】
第１櫛歯状電極１１１１、第２櫛歯状電極１１１２および第３櫛歯状電極１１１３において、各々の第１電極指１１１１ａ、第２電極指１１１２ａおよび第３電極指１１１３ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。
【００４９】
第１櫛歯状電極１１１１と第２櫛歯状電極１１１２とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第１電極指１１１１ａと第２電極指１１１２ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。また、第３櫛歯状電極１１１３は、第２櫛歯状電極１１１２と隣接配置され、第１櫛歯状電極１１１１と第３櫛歯状電極１１１３とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第１電極指１１１１ａと第３電極指１１１３ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。
【００５０】
挿入反射器１１１４は、接地用電極指１１１４ａが、第２櫛歯状電極１１１２および第３櫛歯状電極１１１３の各電極指と平行になるように、第２櫛歯状電極１１１２と第３櫛歯状電極１１１３との間に配置され、かつ該接地用電極指１１１４ａが、第１櫛歯状電極１１１１の帯状電極と接続されている。この挿入反射器１１１４は、挿入反射器用インダクタ１１１５を介して基準接地端子４と接続される。
【００５１】
すなわち、第１櫛歯状電極１１１１は、挿入反射器１１１４を介して基準接地端子４に接続されることにより接地されている。また、第２櫛歯状電極１１１２は、第１平衡信号端子側共振器９ａを介して第１平衡信号端子３ａに接続され、第３櫛歯状電極１１１３は、第２平衡信号端子側共振器９ｂを介して第２平衡信号端子３ｂに接続されている。
【００５２】
このように構成されたデュプレクサ１２では、第１フィルタ５を通過する送信信号の一部が漏れ電力となって第２フィルタ６側にリークし、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに接続される中央ＩＤＴ電極１１１に伝搬された場合であっても、そのリーク信号を、挿入反射器１１１４および挿入反射器用インダクタ１１１５を介して、第１櫛歯状電極１１１１から基準接地端子４に伝搬させることができる。これにより、コモンモードアイソレーション特性を劣化させる要因となる信号が第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに出力されるのを抑制することができる。したがって、デュプレクサ１２は、コモンモードアイソレーションがハイアイソレーションとなり、優れたコモンモードアイソレーション特性を有することができる。
【００５３】
また、挿入反射器１１１４に接続された挿入反射器用インダクタ１１１５によって減衰極周波数を制御することでコモンモードアイソレーションをよりハイアイソレーションとすることができる。
【００５４】
さらに、第１櫛歯状電極１１１１と基準接地端子４との間の接続構造を、挿入反射器１１１４を介する接続構造とすることによって、前述した接地用バンプ７５を設ける接続構造や、ブリッジ絶縁体７６および接続パターン導体７７による立体構造の接地パターン導体を設ける接続構造と比較して、デュプレクサの小型化を図ることができる。接地用バンプ７５あるいは立体構造の接地パターン導体を設ける接続構造の場合、製造ばらつき等を考慮してその周囲にあるものとの間に所定の間隔を空ける必要がある。たとえば、接地バンプ７５は、第１隣接ＩＤＴ電極と第２隣接ＩＤＴ電極とを接続する配線導体で囲まれる領域の中に設けられるが、この配線導体と接地バンプ７５とが接触しないように製造ばらつきも考慮して両者間に６０μｍ程度の間隔を設けておく必要がある。これに対し、挿入反射器１１１４を介する接続構造とすれば、配線導体など間隔を設けておく必要のあるものが少ない領域へ引き出すことができるため、その分デュプレクサを小型化することができる。また配線導体との間で発生し得る寄生容量を小さくすることができるという利点もある。
【００５５】
なお、第１ＳＡＷフィルタ部１１において、第１隣接ＩＤＴ電極１１２の中央ＩＤＴ電極１１１とは反対側と、第２隣接ＩＤＴ電極１１３の中央ＩＤＴ電極１１１とは反対側とに、第１ＳＡＷフィルタ用反射器１１４が設けられている。中央ＩＤＴ電極１１１、第１隣接ＩＤＴ電極１１２および第２隣接ＩＤＴ電極１１３で励起されて伝搬するＳＡＷは、第１ＳＡＷフィルタ用反射器１１４によって反射され、定在波を発生させる。
【００５６】
また、デュプレクサ１２において、第１ＳＡＷフィルタ部１１の構成は、たとえば図６のようにしてもよい。図６は、第１ＳＡＷフィルタ部１１Ａを拡大して示す図である。図６に示す第１ＳＡＷフィルタ部１１Ａでは、中央ＩＤＴ電極１１１の第１櫛歯状電極１１１１と、第１隣接ＩＤＴ電極１１２の第５櫛歯状電極１１２１とが、第１共通電極指１１５により接続されている。また、中央ＩＤＴ電極１１１の第１櫛歯状電極１１１１と、第２隣接ＩＤＴ電極１１３の第７櫛歯状電極１１３１とが、第２共通電極指１１６により接続されている。
【００５７】
このように構成される第１ＳＡＷフィルタ部１１Ａを備えるデュプレクサ１２では、第１櫛歯状電極１１１１は、挿入反射器１１１４を介して基準接地端子４に接続されて接地されているだけではなく、接地されている第５櫛歯状電極１１２１と第１共通電極指１１５を介して接続され、接地されている第７櫛歯状電極１１３１と第２共通電極指１１６を介して接続されている。すなわち、第１櫛歯状電極１１１１は、挿入反射器１１１４の接地用電極指１１１４ａ、第１共通電極指１１５および第２共通電極指１１６によって、並列接続された状態で接地されている。
【００５８】
また、デュプレクサ１２において、第１ＳＡＷフィルタ部１１の構成は、たとえば図７のようにしてもよい。図７は、第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｂを拡大して示す図である。図７に示す第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｂでは、挿入反射器１１１４の接地用電極指１１１４ａのうち少なくとも１つずつが、第２櫛歯状電極１１１２の第２電極指１１１２ａの間、および、第３櫛歯状電極１１１３の第３電極指１１１３ａの間に配置されて、第１櫛歯状電極１１１１の帯状電極に接続されている。
【００５９】
また、デュプレクサ１２において、第１ＳＡＷフィルタ部１１の構成は、たとえば図８のようにしてもよい。図８は、第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｃを拡大して示す図である。図８に示す第１ＳＡＷフィルタ部１１Ｃでは、第１隣接ＩＤＴ電極１１２の中央ＩＤＴ電極１１１とは反対側に第１端部ＩＤＴ電極１１７が配置され、第２隣接ＩＤＴ電極１１３の中央ＩＤＴ電極１１１とは反対側に第２端部ＩＤＴ電極１１８が配置されている。
【００６０】
第１端部ＩＤＴ電極１１７は、複数の第８電極指１１７２ａを有する第８櫛歯状電極１１７２と、複数の第９電極指１１７１ａを有する第９櫛歯状電極１１７１とを含む。第８櫛歯状電極１１７２および第９櫛歯状電極１１７１において、各々の第８電極指１１７２ａおよび第９電極指１１７１ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。第８櫛歯状電極１１７２と第９櫛歯状電極１１７１とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第８電極指１１７２ａと第９電極指１１７１ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。そして、第８櫛歯状電極１１７２は、第２櫛歯状電極１１１２と並列接続状態で第１平衡信号端子側共振器９ａを介して第１平衡信号端子３ａに接続され、第９櫛歯状電極１１７１は接地されている。
【００６１】
第２端部ＩＤＴ電極１１８は、複数の第１０電極指１１８２ａを有する第１０櫛歯状電極１１８２と、複数の第１１電極指１１８１ａを有する第１１櫛歯状電極１１８１とを含む。第１０櫛歯状電極１１８２および第１１櫛歯状電極１１８１において、各々の第１０電極指１１８２ａおよび第１１電極指１１８１ａは、それぞれの櫛歯状電極が有する帯状電極から、ＳＡＷの伝搬方向に直交する方向に突出して形成されている。第１０櫛歯状電極１１８２と第１１櫛歯状電極１１８１とは、それぞれの帯状電極同士が平行に配置され、かつ両帯状電極の対向領域内で第１０電極指１１８２ａと第１１電極指１１８１ａとが、ＳＡＷの伝搬方向に対して交互に配置されるように、かみ合わせた状態で対向配置させて構成される。そして、第１０櫛歯状電極１１８２は、第３櫛歯状電極１１１３と並列接続状態で第２平衡信号端子側共振器９ｂを介して第２平衡信号端子３ｂに接続され、第１１櫛歯状電極１１８１は接地されている。このように端部ＩＤＴ電極を設けることによって設計の自由度が向上し、通過周波数帯域内のＶＳＷＲやバランス度といった特性を最適化しやすくすることができる。
【００６２】
図９は、本発明の第３実施形態であるデュプレクサ１５の等価回路図である。デュプレクサ１５は、前述したデュプレクサ１０，１２に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。デュプレクサ１５は、第２フィルタ６が第１ＳＡＷフィルタ部１３と第２ＳＡＷフィルタ部１４とを備えること以外は、デュプレクサ１０，１２と同様に構成される。図１０は、第１ＳＡＷフィルタ部１３および第２ＳＡＷフィルタ部１４を拡大して示す図である。
【００６３】
デュプレクサ１５の第２フィルタ６において、第１ＳＡＷフィルタ部１３が、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂ側に配置され、第２ＳＡＷフィルタ部１４が、アンテナ端子１側に配置される。
【００６４】
第１ＳＡＷフィルタ部１３は、縦結合共振子型のＳＡＷフィルタであり、中央ＩＤＴ電極１３１と、中央ＩＤＴ電極１３１のＳＡＷの伝搬方向一方側で該中央ＩＤＴ電極１３１と隣接配置される第１隣接ＩＤＴ電極１３２と、中央ＩＤＴ電極１３１のＳＡＷの伝搬方向他方側で該中央ＩＤＴ電極１３１と隣接配置される第２隣接ＩＤＴ電極１３３とを含む。
【００６５】
第１隣接ＩＤＴ電極１３２は、複数の第４電極指１３２２ａを有する第４櫛歯状電極１３２２と、複数の第５電極指１３２１ａを有する第５櫛歯状電極１３２１とを含む。第４櫛歯状電極１３２２は、第２ＳＡＷフィルタ部１４の第３隣接ＩＤＴ電極１４２の第１４櫛歯状電極１４２２に接続され、第５櫛歯状電極１３２１は接地されている。
【００６６】
第２隣接ＩＤＴ電極１３３は、複数の第６電極指１３３２ａを有する第６櫛歯状電極１３３２と、複数の第７電極指１３３１ａを有する第７櫛歯状電極１３３１とを含む。第６櫛歯状電極１３３２は、第２ＳＡＷフィルタ部１４の第４隣接ＩＤＴ電極１４３の第１６櫛歯状電極１４３２に接続され、第７櫛歯状電極１３３１は接地されている。
【００６７】
中央ＩＤＴ電極１３１は、複数の第１電極指１３１１ａを有する第１櫛歯状電極１３１１と、複数の第２電極指１３１２ａを有する第２櫛歯状電極１３１２と、複数の第３電極指１３１３ａを有する第３櫛歯状電極１３１３と、複数の接地用電極指１３１４ａを有する挿入反射器１３１４と、挿入反射器１３１４と基準接地端子４との間に接続された挿入反射器用インダクタ１３１５とを含む。
【００６８】
挿入反射器１３１４は、接地用電極指１３１４ａが、第２櫛歯状電極１３１２および第３櫛歯状電極１３１３の各電極指と平行になるように、第２櫛歯状電極１３１２と第３櫛歯状電極１３１３との間に配置され、かつ該接地用電極指１３１４ａが、第１櫛歯状電極１３１１の帯状電極と接続されている。この挿入反射器１３１４は、挿入反射器用インダクタ１３１５を介して基準接地端子４と接続される。
【００６９】
すなわち、第１櫛歯状電極１３１１は、挿入反射器１３１４を介して基準接地端子４に接続されることにより接地されている。また、第２櫛歯状電極１３１２は、第１平衡信号端子側共振器９ａを介して第１平衡信号端子３ａに接続されている。第３櫛歯状電極１３１３は、第２平衡信号端子側共振器９ｂを介して第２平衡信号端子３ｂに接続されている。
【００７０】
このように構成されたデュプレクサ１２では、第１フィルタ５を通過する送信信号の一部が漏れ電力となって第２フィルタ６側にリークし、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに接続される中央ＩＤＴ電極１３１に伝搬された場合であっても、そのリーク信号を、挿入反射器１３１４および挿入反射器用インダクタ１３１５を介して、第１櫛歯状電極１３１１から基準接地端子４に伝搬させることができる。さらに挿入反射器用インダクタ１３１５でコモンモードアイソレーションの減衰極周波数を調整することにより、所望の周波数帯をより高減衰にすることができる。したがって、デュプレクサ１５は、コモンモードアイソレーションの高減衰量が確保されて、優れたコモンモードアイソレーション特性を有することができる。
【００７１】
また、デュプレクサ１５において第１ＳＡＷフィルタ部１３では、第１隣接ＩＤＴ電極１３２の第４櫛歯状電極１３２２が有する第４電極指１３２２ａのうち少なくとも１つが、中央ＩＤＴ電極１３１の第２櫛歯状電極１３１２が有する第２電極指１３１２ａの間に配置されている。さらに、第２隣接ＩＤＴ電極１３３の第６櫛歯状電極１３３２が有する第６電極指１３３２ａのうち少なくとも１つが、中央ＩＤＴ電極１３１の第３櫛歯状電極１３１３が有する第３電極指１３１３ａの間に配置されている。このような電極指配置とすることによって、中央ＩＤＴ電極１３１の一部と第１隣接ＩＤＴ電極１３２の一部、あるいは中央ＩＤＴ電極１３１の一部と第２隣接ＩＤＴ電極１３３の一部とが直接交差するため挿入損失を小さくすることができる。
【００７２】
なお、第１ＳＡＷフィルタ部１３において、第１隣接ＩＤＴ電極１３２の中央ＩＤＴ電極１３１とは反対側と、第２隣接ＩＤＴ電極１３３の中央ＩＤＴ電極１３１とは反対側とに、第１ＳＡＷフィルタ用反射器１３４が設けられている。中央ＩＤＴ電極１３１、第１隣接ＩＤＴ電極１３２および第２隣接ＩＤＴ電極１３３で励起されて伝搬するＳＡＷは、第１ＳＡＷフィルタ用反射器１３４によって反射され、定在波を発生させる。
【００７３】
第２ＳＡＷフィルタ部１４は、縦結合共振子型のＳＡＷフィルタであり、第２中央ＩＤＴ電極１４１と、第２中央ＩＤＴ電極１４１のＳＡＷの伝搬方向一方側で該第２中央ＩＤＴ電極１４１と隣接配置される第３隣接ＩＤＴ電極１４２と、第２中央ＩＤＴ電極１４１のＳＡＷの伝搬方向他方側で該第２中央ＩＤＴ電極１４１と隣接配置される第４隣接ＩＤＴ電極１４３とを含んで構成される。
【００７４】
第３隣接ＩＤＴ電極１４２は、複数の第１４電極指１４２２ａを有する第１４櫛歯状電極１４２２と、複数の第１５電極指１４２１ａを有する第１５櫛歯状電極１４２１とを含む。第１４櫛歯状電極１４２２は、第１ＳＡＷフィルタ部１３の第１隣接ＩＤＴ電極１３２の第４櫛歯状電極１３２２に接続され、第１５櫛歯状電極１４２１は接地されている。
【００７５】
第４隣接ＩＤＴ電極１４３は、複数の第１６電極指１４３２ａを有する第１６櫛歯状電極１４３２と、複数の第１７電極指１４３１ａを有する第１７櫛歯状電極１４３１とを含む。第１６櫛歯状電極１４３２は、第１ＳＡＷフィルタ部１３の第２隣接ＩＤＴ電極１３３の第６櫛歯状電極１３３２に接続され、第１７櫛歯状電極１４３１は接地されている。
【００７６】
第２中央ＩＤＴ電極１４１は、複数の第１２電極指１４１１ａを有する第１２櫛歯状電極１４１１と、複数の第１３電極指１４１２ａを有する第１３櫛歯状電極１４１２とを含む。第１２櫛歯状電極１４１１は接地され、第１３櫛歯状電極１４１２はアンテナ端子側共振器８に接続されている。
【００７７】
なお、第２ＳＡＷフィルタ部１４において、第３隣接ＩＤＴ電極１４２の第２中央ＩＤＴ電極１４１とは反対側と、第４隣接ＩＤＴ電極１４３の第２中央ＩＤＴ電極１４１とは反対側とに、第２ＳＡＷフィルタ用反射器１４４が設けられている。第２中央ＩＤＴ電極１４１、第３隣接ＩＤＴ電極１４２および第４隣接ＩＤＴ電極１４３で励起されて伝搬するＳＡＷは、第２ＳＡＷフィルタ用反射器１４４によって反射され、定在波を発生させる。このようにＳＡＷフィルタ部を２段構成とすることで、１段構成の場合に比べて高減衰にすることができる。
【００７８】
また、デュプレクサ１５において、第１ＳＡＷフィルタ部１３の構成は、たとえば図１１のようにしてもよい。図１１は、第１ＳＡＷフィルタ部１３Ａを拡大して示す図である。図１１に示す第１ＳＡＷフィルタ部１３Ａでは、中央ＩＤＴ電極１３１の第１櫛歯状電極１３１１と、第１隣接ＩＤＴ電極１３２の第５櫛歯状電極１３２１とが、第１共通電極指１３５により接続されている。また、中央ＩＤＴ電極１３１の第１櫛歯状電極１３１１と、第２隣接ＩＤＴ電極１３３の第７櫛歯状電極１３３１とが、第２共通電極指１３６により接続されている。
【００７９】
このように構成される第１ＳＡＷフィルタ部１３Ａを備えるデュプレクサ１５では、第１櫛歯状電極１３１１は、挿入反射器１３１４を介して基準接地端子４に接続されて接地されているだけではなく、接地されている第５櫛歯状電極１３２１と第１共通電極指１３５を介して接続され、接地されている第７櫛歯状電極１３３１と第２共通電極指１３６を介して接続されている。すなわち、第１櫛歯状電極１３１１は、挿入反射器１３１４の接地用電極指１３１４ａ、第１共通電極指１３５および第２共通電極指１３６によって、並列接続された状態で接地されている。これによって、第１フィルタ５から第２フィルタ６側にリークしたリーク信号が、第１平衡信号端子３ａおよび第２平衡信号端子３ｂに伝搬するのを抑制する効果を向上することができる。
【００８０】
次に、前述したデュプレクサ１２，１５に備えられる挿入反射器の接地用電極指の本数、電極指ピッチについて、説明する。
【００８１】
図１２は、挿入反射器の接地用電極指の本数と、受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。図１２のグラフにおける横軸は挿入反射器の接地用電極指の本数（本）を示し、縦軸は受信周波数帯域内リップル（ｄＢ）を示す。なお、図１２において、挿入反射器の接地用電極指のピッチは、そのピッチ平均値が、中央ＩＤＴ電極の全電極指の本数に対しその両端から１０％の本数分だけそれぞれ除いた残りの電極指についてのピッチ（以下、「中央ＩＤＴ電極指ピッチ」という）の平均値と等しくされている。たとえば、中央ＩＤＴ電極が１００本（５０対）の電極指からなる場合は、両端からそれぞれ１０本を除いた残りの８０本の中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と接地用電極指のピッチの平均値とが等しくされている。ここで平均値が等しいとは、中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値をＰ１、接地用電極指のピッチの平均値をＰ２としたときに、｜Ｐ２−Ｐ１｜／Ｐ１≦０．０５の場合をいう。なお電極指ピッチとは、隣接する電極指同士の中心間距離をいう。
【００８２】
図１２のグラフから明らかなように、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた状態で、接地用電極指の本数を１８本以下とすることによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。
【００８３】
図１３Ａ、図１３Ｂおよび図１３Ｃは、ピッチ変化率と受信周波数帯域内リップルとの関係を示すグラフである。図１３Ａ、図１３Ｂおよび図１３Ｃのグラフにおける横軸はピッチ変化率（％）を示し、縦軸は受信周波数帯域内リップル（ｄＢ）を示す。ここで、ピッチ変化率Ｐｃｒは、以下に示す式（１）によって導かれる。
Ｐｃｒ（％）＝（（Ｐ２−Ｐ１）／Ｐ１）×１００                  …（１）
【００８４】
図１３Ａ（ａ）は、挿入反射器の接地用電極指の本数を２本に設定したときの、ピッチ変化率Ｐｃｒと受信周波数帯域内リップルとの関係を示す。図１３Ａ（ａ）から明らかなように、接地用電極指の本数を２本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−３０〜９０％の範囲に設定することによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。また、接地用電極指の本数を２本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−２０〜８０％の範囲に設定することによって、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた基準状態（ピッチ変化率が０％の状態）の受信周波数帯域内リップルに対して、０．３ｄＢ以下の劣化に抑制することができる。
【００８５】
また、図１３Ａ（ｂ）は、挿入反射器の接地用電極指の本数を４本に設定したときの、ピッチ変化率Ｐｃｒと受信周波数帯域内リップルとの関係を示す。図１３Ａ（ｂ）から明らかなように、接地用電極指の本数を４本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−９〜３０％の範囲に設定することによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。また、接地用電極指の本数を４本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−８〜３０％の範囲に設定することによって、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた基準状態の受信周波数帯域内リップルに対して、０．３ｄＢ以下の劣化に抑制することができる。
【００８６】
また、図１３Ｂ（ｃ）は、挿入反射器の接地用電極指の本数を６本に設定したときの、ピッチ変化率Ｐｃｒと受信周波数帯域内リップルとの関係を示す。図１３Ｂ（ｃ）から明らかなように、接地用電極指の本数を６本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−５〜１９％の範囲に設定することによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。また、接地用電極指の本数を６本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−４〜１７．５％の範囲に設定することによって、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた基準状態の受信周波数帯域内リップルに対して、０．３ｄＢ以下の劣化に抑制することができる。
【００８７】
また、図１３Ｂ（ｄ）は、挿入反射器の接地用電極指の本数を８本に設定したときの、ピッチ変化率Ｐｃｒと受信周波数帯域内リップルとの関係を示す。図１３Ｂ（ｄ）から明らかなように、接地用電極指の本数を８本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−３〜１４％の範囲に設定することによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。また、接地用電極指の本数を８本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−３〜１２．５％の範囲に設定することによって、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた基準状態の受信周波数帯域内リップルに対して、０．３ｄＢ以下の劣化に抑制することができる。
【００８８】
また、図１３Ｃ（ｅ）は、挿入反射器の接地用電極指の本数を１０本に設定したときの、ピッチ変化率Ｐｃｒと受信周波数帯域内リップルとの関係を示す。図１３Ｃ（ｅ）から明らかなように、接地用電極指の本数を１０本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−２〜１１％の範囲に設定することによって、受信周波数帯域内リップルを１ｄＢ以下に抑制することができる。また、接地用電極指の本数を１０本に設定したとき、ピッチ変化率Ｐｃｒを−１〜１０％の範囲に設定することによって、接地用電極指ピッチの平均値が中央ＩＤＴ電極指ピッチの平均値と等しくされた基準状態の受信周波数帯域内リップルに対して、０．３ｄＢ以下の劣化に抑制することができる。
【００８９】
（実施例）
以下、本発明の実施形態についての実施例を示す。なお、これらの実施例はあくまで本発明の実施形態の一例示であって、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例においては、送信側通過周波数帯域が、周波数８２４〜８４９ＭＨｚ、受信側通過周波数帯域が、周波数８６９〜８９４ＭＨｚとなるように、デュプレクサを設計した。
【００９０】
＜実施例１および比較例１のデュプレクサの作製＞
（実施例１）
ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板を用意し、その主面上に、厚みが６ｎｍのＴｉ薄膜層を形成し、その上に厚み３９１ｎｍのＡｌ−Ｃｕ薄膜層を形成した。
【００９１】
次に、レジスト塗布装置により、Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ積層膜の上にフォトレジストを約０．５μｍの厚みに塗布した。そして、縮小投影露光機（ステッパ）により、図９に示した配置位置を有するように、共振器や信号線、接地線、パッド電極、挿入反射器用インダクタ等となるフォトレジストパターンを形成した。その後、現像装置により、不要部分のフォトレジストをアルカリ現像液で溶解させた。
【００９２】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置により、必要な箇所を残して残りをエッチングで除去し、図９に示した回路構成を実現する回路パターンを形成した。このとき図９に示した挿入反射器１３１４に接続される挿入反射器用インダクタも他の電極等と同じ薄膜で形成することにより、挿入反射器用インダクタが比較的大きなインダクタンス値を有するようにすることができる。表１にＳＡＷフィルタ部の作製条件を、表２に共振器の作製条件を示す。なお、前述した回路パターンの形成は、多数個取り用の母基板の状態である圧電基板上に、所望の回路パターンを２次元的に繰り返し配置することで行っている。
【００９３】
次に、回路パターンの所定領域上に保護膜を作製した。すなわち、ＣＶＤ（Chemical 
Vapor Deposition）装置により、圧電基板の主面上に電極パターンおよびＳｉＯ２膜を約１５ｎｍの厚みに形成した。そして、フォトリソグラフィによってフォトレジストのパターニングを行い、ＲＩＥ装置等でフリップチップ用電極部（入出力電極、接地電極などのパッド電極部分、および環状電極部分）のＳｉＯ２膜のエッチングを行った。
【００９４】
次に、スパッタリング装置を使用し、ＳｉＯ２膜を除去した部分に、Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｕよりなる積層電極を成膜した。このときの電極膜厚は約１μｍ（Ｃｒ：０．０１μｍ、Ｎｉ：１μｍ、Ａｕ：０．２μｍ）とした。そして、フォトレジストおよび不要箇所の積層電極をリフトオフ法により同時に除去し、積層電極が形成された部分を、フリップチップ用バンプを接続するためのフリップチップ用電極部とした。
【００９５】
その後、圧電基板に設けられたダイシング線に沿ってダイシング加工を施し、圧電基板上に電極パターンが形成されてなる状態の多数のチップを得た。
【００９６】
次に、インダクタンス素子に相当する線路を内部に設けた回路基板を用意し、その上に、タングステンからなるパターン電極、入出力導体、接地導体、および環状導体の導電材（半田）を印刷してセラミック回路基板を得た。そして、フリップチップ実装装置によって、各チップを、電極形成面を下面にして該セラミック回路基板上に仮接着した。窒素雰囲気中でベークを行い、半田を溶融することによって、チップとセラミック回路基板とを接着した。チップに形成された環状電極と、セラミック回路基板に形成された環状導体とにおいて半田が溶融し、接着することで、チップ表面の電極パターンが気密封止された。
【００９７】
さらに、チップが接着されたセラミック回路基板に樹脂を塗布し、ベークを行い、チップを樹脂封止した。
【００９８】
そして、セラミック回路基板のダイシング線に沿ってダイシング加工を施して個片に分割することで、回路基板上に実装された状態の、実施例１に係るデュプレクサが得られた。なお、個片に分割された状態のセラミック回路基板は、平面サイズが２．５×２．０ｍｍであり、積層構造を有してなる。
【００９９】
実施例１のデュプレクサは、受信用フィルタの第２フィルタが第１ＳＡＷフィルタ部と第２ＳＡＷフィルタ部を備え、第１ＳＡＷフィルタ部の中央ＩＤＴ電極において、第２櫛歯状電極と第３櫛歯状電極との間に挿入反射器が配置され、第１櫛歯状電極が挿入反射器を介して基準接地端子に接続されてなる、前述したデュプレクサ１５である。
【０１００】
（比較例１）
中央ＩＤＴ電極に挿入反射器が設けられていないこと以外は実施例１と同様にして、比較例１のデュプレクサを得た。この比較例１のデュプレクサは、中央ＩＤＴ電極において第１櫛歯状電極が、基準接地端子に接続されていない、浮き電極となる。
【０１０１】
【表１】
0005442428.tif 000002
【０１０２】
【表２】
0005442428.tif 000003
【０１０３】
＜実施例１および比較例１のデュプレクサの周波数特性＞
実施例１および比較例１のデュプレクサについて、周波数特性を評価した。図１４は、実施例および比較例のコモンモードアイソレーション特性を示すグラフである。図１４（ａ）が、実施例１および比較例１のコモンモードアイソレーション特性を示す。図１４（ａ）のグラフにおける横軸は周波数（ＭＨｚ）を、縦軸はコモンモードアイソレーション（ｄＢ）を表している。図１４（ａ）のグラフにおいて、実線Ａ１の特性曲線が実施例１のデュプレクサの結果を示し、破線Ｂ１の特性曲線が比較例１のデュプレクサの結果を示す。
【０１０４】
また、実施例１および比較例１のデュプレクサについての送受信側それぞれの挿入損失と、アイソレーションの減衰量とを表３に示す。
【０１０５】
【表３】
0005442428.tif 000004
【０１０６】
表３および図１４（ａ）に示す結果から、実施例１のデュプレクサは、挿入反射器が設けられていない比較例１のデュプレクサに比べて、送信側通過周波数帯域Ｆ１のコモンモードアイソレーションの減衰量が大きく、優れたコモンモードアイソレーション特性を有していることが分かる。それ以外の特性は、比較例とほぼ同等である。すなわち、挿入損失特性等はほとんど劣化させずにコモンモードアイソレーション特性を大幅に改善することができた。
【０１０７】
＜実施例２および比較例２のデュプレクサの作製＞
（実施例２）
実施例１と同様にして、実施例２のデュプレクサを作製した。実施例２のデュプレクサは、図９に示す回路構成からなるデュプレクサ１５の第１ＳＡＷフィルタ部１３を図３に示す第１ＳＡＷフィルタ部７Ａに置き換えたものである。表４にＳＡＷフィルタ部の作製条件を、表５に共振器の作製条件を示す。
【０１０８】
実施例２のデュプレクサは、受信用フィルタの第２フィルタが第１ＳＡＷフィルタ部を備え、第１ＳＡＷフィルタ部の中央ＩＤＴ電極において、第１櫛歯状電極が、ブリッジ絶縁体および接続パターン導体による立体構造の接地パターン導体を介して基準接地端子に接続されたものである。
【０１０９】
（比較例２）
中央ＩＤＴ電極に立体構造の接地パターン導体が設けられていないこと以外は実施例２と同様にして、比較例２のデュプレクサを得た。この比較例２のデュプレクサは、中央ＩＤＴ電極において第１櫛歯状電極が、基準接地端子に接続されていない、浮き電極となる。
【０１１０】
【表４】
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【０１１１】
【表５】
0005442428.tif 000006
【０１１２】
＜実施例２および比較例２のデュプレクサの周波数特性＞
実施例２および比較例２のデュプレクサについて、周波数特性を評価した。図１４（ｂ）が、実施例２および比較例２のコモンモードアイソレーション特性を示す。図１４（ｂ）のグラフにおける横軸は周波数（ＭＨｚ）を、縦軸はコモンモードアイソレーション（ｄＢ）を表している。図１４（ｂ）のグラフにおいて、実線Ａ２の特性曲線が実施例２のデュプレクサの結果を示し、破線Ｂ２の特性曲線が比較例２のデュプレクサの結果を示す。
【０１１３】
また、実施例２および比較例２のデュプレクサについての送受信側それぞれの挿入損失と、アイソレーションの減衰量とを表６に示す。
【０１１４】
【表６】
0005442428.tif 000007
【０１１５】
表６および図１４（ｂ）に示す結果から、第１ＳＡＷフィルタ部の中央ＩＤＴ電極において、第１櫛歯状電極が、ブリッジ絶縁体および接続パターン導体による立体構造の接地パターン導体を介して基準接地端子に接続された実施例２のデュプレクサは、立体構造の接地パターン導体が設けられていない比較例２のデュプレクサに比べて、送信側通過周波数帯域Ｆ１のコモンモードアイソレーションの減衰量が大きく、優れたコモンモードアイソレーション特性を有していることが分かる。
【符号の説明】
【０１１６】
１  アンテナ端子
２  不平衡信号端子
３ａ  第１平衡信号端子
３ｂ  第２平衡信号端子
４  基準接地端子
５  第１フィルタ
６  第２フィルタ
７，７Ａ，１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１３，１３Ａ  第１ＳＡＷフィルタ部
１０，１２，１５  デュプレクサ
１４  第２ＳＡＷフィルタ部
７１，１１１，１３１  中央ＩＤＴ電極
７２，１１２，１３２  第１隣接ＩＤＴ電極
７３，１１３，１３３  第２隣接ＩＤＴ電極
１１１４，１３１４  挿入反射器
【図１】
0005442428.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005442428.tif 000014
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
0005442428.tif 000020
【図１３Ｂ】
0005442428.tif 000021
【図１３Ｃ】
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【図１４】
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