(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付ガラス基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって前記ガラス基板上に導電膜を形成する際に、下記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、導電膜付ガラス基板の製造方法。
（１）前記支持部材は、前記ガラス基板の側面および底面に対して傾斜した支持面もしくは支持湾曲面を有し、該支持面もしくは支持湾曲面が、前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接する。
（２）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（３）前記支持部材の支持面もしくは支持湾曲面と、前記ガラス基板の底面と、のなす角度が５〜７０度である。
（４）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持面もしくは支持湾曲面のうち、前記ガラス基板と当接する部位と、該支持面もしくは支持湾曲面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（５）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記辺のうち、前記支持面もしくは支持湾曲面と当接する部分の端部と、前記辺の端部と、の距離が０．１Ｌ以上である。
【請求項２】
前記支持面の表面粗さのＲａが０．００５〜０．０５μｍである、請求項１に記載の導電膜付ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記支持部材は、ビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０未満である、請求項１または２に記載の導電膜付ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、下記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
（１）前記支持部材は、前記ガラス基板の側面および底面に対して傾斜した支持面もしくは支持湾曲面を有し、該支持面もしくは支持湾曲面が、前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接する。
（２）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（３）前記支持部材の支持面もしくは支持湾曲面と、前記ガラス基板の底面と、のなす角度が５〜７０度である。
（４）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持面もしくは支持湾曲面のうち、前記ガラス基板と当接する部位と、該支持面もしくは支持湾曲面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（５）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記支持面もしくは支持湾曲面と当接する部分の端部と、前記辺の端部と、の距離が０．１Ｌ以上である。
【請求項５】
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの前記ガラス基板の一方の面には、前記反射層の保護層、バッファ層、および、マスクパターンの検査光に対する低反射層のうち、少なくとも１つの機能膜が形成されており、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記機能膜を形成する際に、前記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持する、請求項４に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記支持面の表面粗さのＲａが０．００５〜０．０５μｍである、請求項４または５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項７】
前記支持部材は、ビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０未満である、請求項４〜６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）の製造方法、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される導電膜付基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用することができない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とがこの順で形成された構造を有している。反射層としては、高屈折層であるモリブデン（Ｍｏ）層と低屈折層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００５】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は保持手段によって保持される。ガラス基板の保持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、多層反射膜および吸収層を成膜する際のガラス基板の保持手段、特に多層反射膜を成膜する際のガラス基板の保持手段としては、静電チャックによる吸着保持が好ましく用いられる。
また、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時のマスクハンドリングの際にも、ガラス基板の保持手段として静電チャックによる吸着保持が用いられる。
【０００６】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコンウェハの吸着保持に従来用いられている技術である。このため、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、シリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
このような問題を解消するため、特許文献１に記載されているように、ガラス基板の裏面（多層反射膜や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面に対する裏面。静電チャックで吸着保持される側の面）に高誘電率のコーティング（以下、本明細書において、「裏面導電膜」という。）を形成することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００３−５０１８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
裏面導電膜の形成方法としては、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等が用いられる。ガラス基板を成膜装置内で搬送する際や、裏面導電膜を成膜する際には、ガラス基板の成膜面側を支持ピンによって保持するが、この際の保持方法としては、たとえば、複数の支持ピンの上部面の一部を、基板の平滑面と該平滑面の外周に設けられた面取部との境界領域に形成される稜部に当接させて、基板を保持する方法が考えられる。
しかしながら、このような方法でガラス基板を支持ピンによって保持した場合、ガラス基板を成膜装置内で搬送する際や裏面導電膜を成膜する際の並進運動や回転運動によって、ガラス基板の位置ずれが生じる場合があることが明らかとなった。
【０００９】
ガラス基板を成膜装置内で搬送する際には、ガラス基板を所定の位置に移動するために、ガラス基板の並進運動や回転運動を行う。また、ガラス基板上に裏面導電膜を成膜する際には、膜厚を均一とするために、ガラス基板の並進運動や回転運動を行う。スパッタリング法を用いて裏面導電膜を成膜する場合を例に挙げると、スパッタリングターゲットに対して、ガラス基板の並進運動や回転運動を行う。
上記の方法で支持ピンによってガラス基板を保持した場合、このようなガラス基板の並進運動や回転運動によって、ガラス基板の位置ずれが生じる場合がある。
例えばシリコン基板であれば、成膜中の基板の回転数は数ｒｐｍ程度の回転数であるが、ＥＵＶ光リソグラフィに用いられるガラス基板の場合、膜厚を均一にするために、成膜中の回転数は１０ｒｐｍ以上、時には２０ｒｐｍ以上ともなる。このため、成膜時の回転運動によって、ガラス基板の位置ずれが生じるおそれがある。
【００１０】
ガラス基板の位置ずれが生じると、ガラス基板の成膜位置にずれが生じるため、裏面導電膜の膜厚が不均一になったり、裏面導電膜の形状にずれが生じたりするおそれがある。
以下、本明細書において、成膜装置内で搬送する際や成膜時に実施されるガラス基板の並進運動や回転運動によって生じるガラス基板の位置ずれのことを、「成膜装置内で搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれ」という。
【００１１】
また、ガラス基板の位置ずれによって、ガラス基板に傷が生じるおそれがある。上記の方法で支持ピンによってガラス基板を保持した場合、複数の支持ピンの上部面の一部が、基板の平滑面と該平滑面の外周に設けられた面取部との境界領域に形成される稜部に当接するため、基板平滑面に傷が生じることはないが、該綾部と基板の平滑面とは近接しているので、傷が生じることが原因となって発生したパーティクルが基板の平滑面に付着するおそれがある。ここで言う基板の平滑面は、多層反射膜や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面であり、成膜面へのパーティクルの付着は、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠陥を生じさせるので問題である。なお、ＥＵＶマスクブランクを形成する際には、ＥＵＶでない透過型のマスクブランクを作成するよりも、パーティクルの発生防止がより重要である。
【００１２】
また、多層反射膜や吸収層の形成時において、上記の方法で支持ピンによってガラス基板を保持した場合にも、ガラス基板を成膜装置内で搬送する際や、多層反射膜や吸収層を成膜する際に、これらに伴うガラス基板の並進運動や回転運動によって、ガラス基板の位置ずれが生じる場合がある。多層反射膜や吸収層の形成時にガラス基板の位置ずれが生じると、ガラス基板の成膜位置にずれが生じることにより、多層反射膜や吸収層の膜厚が不均一になったり、これらの膜の形状にずれが生じるおそれがある。
また、ガラス基板の位置ずれによってガラス基板に傷が生じることが原因となって発生したパーティクルが、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠陥を生じさせるおそれがある。
【００１３】
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、成膜装置内での搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれ、および、それによる問題を解消することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、成膜装置内での搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれ、および、それによる問題を解消することができる、ＥＵＶマスクブランク用の導電膜付基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付ガラス基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって前記ガラス基板上に導電膜を形成する際に、下記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、導電膜付ガラス基板の製造方法を提供する。
（１）前記支持部材は、前記ガラス基板の側面および底面に対して傾斜した支持面もしくは支持湾曲面を有し、該支持面もしくは支持湾曲面が、前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接する。
（２）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（３）前記支持部材の支持面もしくは支持湾曲面と、前記ガラス基板の底面と、のなす角度が５〜７０度である。
（４）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持面もしくは支持湾曲面のうち、前記ガラス基板と当接する部位と、該支持面もしくは支持湾曲面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（５）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記辺のうち、前記支持面もしくは支持湾曲面と当接する部分の端部と、前記辺の端部と、の距離が０．１Ｌ以上である。
【００１５】
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付ガラス基板の製造方法であって、
乾式成膜法によって前記ガラス基板上に導電膜を形成する際に、下記（６）〜（１０）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、導電膜付ガラス基板の製造方法を提供する。
（６）前記支持部材は、前記ガラス基板の底面の外縁部を支持する支持面と、前記ガラス基板の側面に近接する直立面と、を有し、略Ｌ字形状をなしている。
（７）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（８）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記支持面によって支持される前記ガラス基板の底面の外縁部の幅が０．０２５Ｌ以下である。
（９）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持部材の支持面と、前記支持部材の直立面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（１０）前記ガラス基板の側面と、前記支持部材の直立面と、の間隔が１ｍｍ以下である。
【００１６】
本発明の導電膜付ガラス基板の製造方法において、前記支持面の表面粗さのＲａが０．００５〜０．０５μｍであることが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、下記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
（１）前記支持部材は、前記ガラス基板の側面および底面に対して傾斜した支持面もしくは支持湾曲面を有し、該支持面もしくは支持湾曲面が、前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接する。
（２）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（３）前記支持部材の支持面もしくは支持湾曲面と、前記ガラス基板の底面と、のなす角度が５〜７０度である。
（４）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持面もしくは支持湾曲面のうち、前記ガラス基板と当接する部位と、該支持面もしくは支持湾曲面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（５）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記辺のうち、前記支持面もしくは支持湾曲面と当接する部分の端部と、前記辺の端部と、の距離が０．１Ｌ以上である。
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの前記ガラス基板の一方の面に、前記反射層の保護層、バッファ層、および、マスクパターンの検査光に対する低反射層のうち、少なくとも１つの機能膜を形成する場合には、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記機能膜を形成する際に、前記（１）〜（５）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することが好ましい。
【００１８】
また、本発明は、ガラス基板の一方の面にＥＵＶ光を反射する反射層、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を少なくともこの順に形成され、該ガラス基板の他方の面に導電膜が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクの製造方法であって、
乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記導電膜、前記反射層、および、前記吸収層のうち、少なくとも１つを形成する際に、下記（６）〜（１０）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することを特徴とする、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
（６）前記支持部材は、前記ガラス基板の底面の外縁部を支持する支持面と、前記ガラス基板の側面に近接する直立面と、を有し、略Ｌ字形状をなしている。
（７）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺に対して、少なくとも１つの前記支持部材が設けられている。
（８）前記ガラス基板の側面と底面との境界をなす辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、前記支持面によって支持される前記ガラス基板の底面の外縁部の幅が０．０２５Ｌ以下である。
（９）前記ガラス基板の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、前記支持部材の支持面と、前記支持部材の直立面の上端と、の高さの差が、０．１ｔ〜０．９ｔである。
（１０）前記ガラス基板の側面と、前記支持部材の直立面と、の間隔が１ｍｍ以下である。
前記ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの前記ガラス基板の一方の面に、前記反射層の保護層、バッファ層、および、マスクパターンの検査光に対する低反射層のうち、少なくとも１つの機能膜を形成する場合には、乾式成膜法によって、前記ガラス基板上に、前記機能膜を形成する際に、前記（６）〜（１０）を満たす支持部材上に前記ガラス基板を載置することで、前記ガラス基板を支持することが好ましい。
【００１９】
本発明のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法において、前記支持面の表面粗さのＲａが０．００５〜０．０５μｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法によれば、成膜装置内での搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれ、および、それによる問題を解消することができる。
具体的には、成膜装置内での搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれが解消されることにより、ガラス基板上に形成されるＥＵＶマスクブランクの構成要素（裏面導電膜、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される各種機能膜）の膜厚精度および形状精度に優れている。
また、成膜装置内での搬送時や成膜時におけるガラス基板の位置ずれが解消されることにより、ガラス基板表面への傷の発生、特に、ガラス基板表面のうち、ＥＵＶマスクブランクの製造上、重要となる部位（成膜面の場合、レジスト膜が形成されるほぼ中央の１４２ｍｍ角の領域。裏面の場合、裏面導電膜が形成されるほぼ中央の１４６ｍｍ角の領域）への傷の発生が防止される。また、傷が生じることが原因となって発生するパーティクルも防止される。これらにより欠点のないＥＵＶマスクブランクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の方法によって製造されるＥＵＶマスクブランクの基本構成を示した概略断面図である。
【図２】図２は、ガラス基板上に裏面導電膜を形成する手順を示した模式図である。
【図３】図３は、図２のガラス基板１０および第１の支持部材２００を示した平面図である。
【図４】図４は、図２のガラス基板１０および第１の支持部材２００を示した拡大図である。
【図５】図５は、図３と同様の図である。但し、第１の支持部材２００の配置が異なっている。
【図６】図６は、図３と同様の図である。但し、第１の支持部材２００の配置が異なっている。
【図７】図７は、図３と同様の図である。但し、第１の支持部材２００の配置が異なっている。
【図８】図８は、ガラス基板１０および第２の支持部材３００を示した拡大図である。
【図９】図９は、図８のガラス基板１０および第２の支持部材３００を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の方法によって製造されるＥＵＶマスクブランクの基本構成を示した概略断面図である。図１に示すマスクブランク１は、ガラス基板１０上にＥＵＶ光を反射する反射層２０、および、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３０がこの順に掲載されている。図１において、反射層２０は、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜として示されている。
また、図１に示すマスクブランク１において、ガラス基板１０の裏面側（反射層２０および吸収層３０が形成されている面に対する裏面側）には導電膜（裏面導電膜）４０が形成されている。
なお、図１は、ＥＵＶマスクブランクの基本構成を示したものであり、本発明の方法によって製造されるＥＵＶマスクブランクは、上記以外の各種機能層を有していてもよい。このような機能層の具体例としては、反射層の表面が酸化されるのを防止する目的で反射層上に必要に応じて形成される反射層の保護層、パターニングの際に反射層がダメージを受けるのを防止する目的で反射層と吸収層との間に必要に応じて形成されるバッファ層、マスクパターンの検査時のコントラストを向上させる目的で吸収層上に必要に応じて形成されるマスクパターンの検査光に対する低反射層が挙げられる。
【００２３】
次に、本発明のＥＵＶマスクブランク製造方法の具体的な手順について説明する。
本発明のＥＵＶマスクブランク製造方法では、裏面導電膜、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される上記の各種機能膜を、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成する。これらの乾式成膜法のうち、いずれを使用するかは形成する膜によって適宜選択することができるが、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法が、均質な膜厚を作成し易い点、タクトが短い点から好ましい。
【００２４】
本発明のＥＵＶマスクブランク製造方法では、乾式成膜法によって、裏面導電膜、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される上記の各種機能膜のうち、少なくとも１つを形成する際に、以下に述べる第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持することを特徴とする。
上述したＥＵＶマスクブランクの構成要素（裏面導電膜、反射層、吸収層、各種機能膜）の形成手順の中でも、ガラス基板上に裏面導電膜を形成する際に、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持することが以下の理由から好ましい。
（１）裏面導電膜の形成時には、静電チャックでガラス基板を吸着保持できない。
（２）裏面導電膜の形成時には、反射層や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面側を支持することになるが、成膜面での傷の発生や、それによるパーティクルの発生はＥＵＶマスクブランクの製造上、特に問題となる。
なお、本明細書において、ガラス基板上に裏面導電膜を形成したものを「導電膜付ガラス基板」という。
ガラス基板上に裏面導電膜を形成する手順について以下に説明する。
【００２５】
図２は、スパッタリング法を用いてガラス基板上に裏面導電膜を形成する手順を示した模式図であり、成膜装置内でのガラス基板の配置を示している。図２において、ターゲット１００の直下となる位置に回転可能なステージ４００が設置されている。ステージ４００上には第１の支持部材２００が設置されている。第１の支持部材２００上にはガラス基板１０が載置されている。本手順では、ガラス基板上に裏面導電膜を形成するので、ガラス基板１０の裏面（反射層や吸収層が形成される成膜面に対する裏面）がターゲット１００と対向している。
図３は、図２のガラス基板１０および第１の支持部材２００を示した平面図である。この図から明らかなように、図２では省略されているが、図２の手前側および奥側にも第１の支持部材２００が設けられている。
【００２６】
図４は、図２のガラス基板１０および第１の支持部材２００を示した拡大図である。図３および図４を参照して、第１の支持部材２００についてさらに説明する。
図４に示すように、第１の支持部材２００は、ガラス基板１０の側面１１および底面１２に対して傾斜した支持面２１０を有し、該支持面２１０がガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接することによって、ガラス基板１０を支持している。ガラス基板１０において、第１の支持部材２００と接する部位は、側面１１と底面１２との境界をなす辺のみとなり、ガラス基板１０の底面１２が第１の支持部材２００と接することがない。
【００２７】
このような支持形態を取ることにより、ガラス基板１０の底面１２に傷が生じることが防止され、該底面１２に傷が生じることに原因となってパーティクルが発生することが防止される。
裏面導電膜形成時において、ガラス基板１０の底面１２となるのは、その後の手順において、反射層や吸収層が形成されるガラス基板の成膜面である。裏面導電膜の形成時にガラス基板の成膜面に傷が生じることが防止され、該成膜面に傷が生じることが原因となってパーティクルが発生することが防止されることは、ＥＵＶマスクブランクを製造するうえできわめて重要である。なお、ＥＵＶマスクブランクを形成する際には、ＥＵＶでない透過型のマスクブランクを作成するよりも、パーティクルの発生防止がより重要である。
【００２８】
図３に示すように、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす各辺に対して、第１の支持部材２００が設けられている。すなわち、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす４つの辺全てに対して、第１の支持部材２００が設けられている。
特許文献２の基板支持装置では、基板の平滑面（裏面）と該平滑面の外周に設けられた面取部（面取面）との境界領域に形成される４つの綾部のうち、対向する２つの綾部に対して基板支持部を当接させることによって基板を保持しているが、このような保持形態では、基板の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、基板の位置ずれが生じる場合があることを本願発明者は見出した。なお、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす４つの辺のうち、３辺のみに対して第１の支持部材２００が設けた場合、基板の保持力が不十分となる。よって、成膜装置内での搬送時や成膜時において、基板の位置ずれが生じることは、後述する比較例６、８でも確認されている。
【００２９】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法では、ガラス基板の側面と底面との境界をなす各辺（以下、本明細書において、単に「各辺」という場合もある。）に対して、第１の支持部材を少なくとも１つ設ければよく、各辺に対して設ける第１の支持部材の数は特に限定されない。図３では、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす各辺に対して、第１の支持部材２００を１つ設けているが、各辺に対して２つ以上の第１の支持部材を設けてもよい。各辺に対する第１の支持部材の数を増やした場合、ガラス基板の保持力が増加すると考えられる。しかしながら、各辺に対する第１の支持部材の数を増やした場合、ガラス基板において、第１の支持部材と接する部位が増加するので、ガラス基板の取扱時における傷とそれにともなうパーティクルの発生防止という点では好ましくない。以下、本明細書において、ガラス基板の取扱時における傷の発生防止といった場合、ガラス基板の取扱時における傷とそれにともなうパーティクルの両方の発生防止を意図する。
したがって、各辺に対する第１の支持部材の数は、ガラス基板の保持力の向上と、ガラス基板の取扱時における傷の発生防止と、を考慮して適宜選択すればよい。
【００３０】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θが５〜７０度である。
角度θが５度未満の場合、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板１０の位置ずれが起こるおそれがある。
一方、角度θが７０度超の場合、第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θが大きすぎるため、支持部材２００上にガラス基板１０を載置した際にガラス基板１０が傾いてしまいガラス基板１０を水平に設置できないおそれがある。
角度θは８〜４５度であることが好ましく、１０〜２０度であることがより好ましい。
【００３１】
図示した態様において、第１の支持部材２００の支持面２１０は平面をなしているが、第１の支持部材の支持面は湾曲面であってもよい。すなわち、第１の支持部材は支持湾曲面を有するものであってもよい。この場合、支持湾曲面がガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接し、該支持湾曲面と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θ、すなわち、支持湾曲面がガラス基板の側面と底面との境界をなす辺と当接した位置における接線と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度が５〜７０度である。
以下、本明細書において、第１の支持部材の支持面について記載した場合、支持湾曲面もこれに含まれる。
【００３２】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ガラス基板１０の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、支持面２１０のうちガラス基板１０と当接する部位（ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接する部位）と、該支持面２１０の上端と、の高さの差ｄ1が０．１ｔ〜０．９ｔである。ｄ1が０．１ｔ未満であると、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板１０の位置ずれが起こるおそれがある。一方、ｄ1が０．９ｔ超であると、裏面導電膜の成膜時において、成膜材料がガラス基板１０の側面１１側や底面１２側に廻りこんでしまい、ガラス基板１０の側面１１や底面１２に膜材料が付着するおそれがある。ガラス基板１０の底面１２に膜材料が付着すると、製造されるＥＵＶマスクブランクに欠陥を生じさせる。また、ガラス基板１０の側面１１に膜材料が付着すると以下の点で問題となる。
【００３３】
図１に示すように、本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランク１は、ガラス基板１０の両方の面に膜が形成された構造であるが、ガラス基板１０の側面に膜材料が付着すると、ガラス基板１０の両方の面に形成された膜間で導通が生じる可能性がある。
ガラス基板の両方の面に形成された膜間で導通が生じていると、ＥＵＶブランクスをパターニングして反射型フォトマスクを作成する際に実施する電子線描画において、既存技術である透過型のマスクブランクと等価回路が変化してしまうために、既存の電子線描画装置で設計通りのパターンを描画することが出来なくなる。
【００３４】
また、フォトマスクの製造工程においては、数多くの自動搬送機構が導入されており、その一部にはフォトダイオード等によりガラス基板側面から光学的に基板を検知する手法が採用されている。このようなガラス基板側面から光学的に基板を検知する自動搬送機構において、ガラス基板の側面に膜材料が付着していることが基板検知の妨げとなることがしばしばある。
【００３５】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ｄ1が０．０２ｔ〜０．０６ｔであることが好ましく、０．０３ｔ〜０．０４ｔであることがより好ましい。
【００３６】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす各辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面２１０と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離が０．１Ｌ以上である。この点について、図５〜７を参照して説明する。
図５〜７は、後述する実施例におけるガラス基板１０および第１の支持部材２００の配置の一例を示した平面図である。図５および図６では、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺全てにおいて、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離がいずれも０．１Ｌであるのに対して、図７では、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺のうち１辺において、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離が０．０２Ｌとなっている。
図７のように、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺のうち１辺でも、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離が０．１Ｌ未満の部分が存在すると、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板１０の位置ずれが起こるおそれがある。
ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす各辺において、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面２１０と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離が０．３Ｌ以上であることが好ましく、０．４Ｌ以上であることがより好ましい。
【００３７】
次に、第２の支持部材を用いてガラス基板を支持する場合について説明する。
第２の支持部材を用いてガラス基板を支持する場合は、図２における第１の支持部材２００の代わりに以下に述べる第２の支持部材を使用する。
図８は、図２における第１の支持部材２００の代わりに第２の支持部材を使用した場合について、ガラス基板１０および第２の支持部材３００を示した拡大図である。また、図９は、図２における第１の支持部材２００の代わりに第２の支持部材を使用した場合について、ガラス基板１０および第２の支持部材３００を示した平面図である。図８および図９を参照して、第２の支持部材３００についてさらに説明する。
【００３８】
図８に示すように、第２の支持部材３００は、ガラス基板１０の底面１２の外縁部を支持する支持面３１０と、ガラス基板１０の側面１１に隣接する直立面３２０と、を有しており、略Ｌ字形状をなしている。
図９に示すように、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす各辺に対して、第２の支持部材３００が設けられている。すなわち、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす４つの辺全てに対して、第２の支持部材３００が設けられている。
【００３９】
ＥＵＶマスクブランクを製造する際、ガラス基板の成膜面全体がマスクパターンの形成に用いられるわけではない。例えば、成膜面が１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、該ガラス基板を用いて製造されるＥＵＶマスクにおける光学特性の品質保証領域はほぼ中央の１３２ｍｍ角の領域である。このため、ＥＵＶマスクブランクをパターニングしてＥＵＶマスクを作成する際に、レジスト膜が形成される領域はほぼ中央の１４２ｍｍ角の領域である。成膜面上に反射層、吸収層および必要に応じて形成される各種機能膜を形成する場合も、レジスト膜が形成される１４２ｍｍ角の領域に反射層、吸収層および各種機能膜を形成することになる。
したがって、ガラス基板の成膜面のうち、上述した１４２ｍｍ角の領域よりも外側の外縁部については、ガラス基板の支持により傷が発生したり、該傷が原因となってパーティクルが発生しても、発生する傷やパーティクルが軽微である限り、ＥＵＶマスクブランクの製造上問題となることがない。ゆえに、第２の支持部材３００の支持面３１０によって、ガラス基板１０の底面１２の外縁部を支持することで、上述した１４２ｍｍ角の領域に傷が生じることが防止され、該領域に傷が生じることに原因となってパーティクルが発生することが防止される。
品質保証領域やレジスト膜が形成される領域が上述した範囲とは異なる場合でも、第２の支持部材３００の支持面３１０によって、ガラス基板１０の底面１２の外縁部を支持することで、品質保証領域やレジスト膜が形成される領域に傷が生じることが防止され、該領域に傷が生じることに原因となってパーティクルが発生することが防止される。
【００４０】
第２の支持部材３００の支持面３１０によって、ガラス基板１０の底面１２の外縁部を支持する点のみに着目した場合、特許文献２の基板支持装置におけるガラス基板の保持形態、すなわち、基板の平滑面（裏面）と該平滑面の外周に設けられた面取部（面取面）との境界領域に形成される綾部に対して基板支持部を当接させることによって基板を保持する形態に類似していると考えられる。
しかしながら、第１の支持部材２００の説明の中で述べたように、特許文献２の基板支持装置のように、基板の平滑面（裏面）と該平滑面の外周に設けられた面取部（面取面）との境界領域に形成される４つの綾部のうち、対向する２つの綾部に対して基板支持部を当接させることによって基板を保持した場合、基板の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、基板の位置ずれが生じる。
【００４１】
また、第２の支持部材３００は、支持面３１０を有するのみでは不十分であり、さらに、ガラス基板１０の側面１１に隣接する直立面３２０を有しており、略Ｌ字形状をなしていることが求められる。第２の支持部材３００が、所定の高さの直立面３２０を有していないと、基板の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板１０の位置ずれが生じることは、後述する比較例１０でも示されている。
【００４２】
したがって、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法では、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす各辺に対して、第２の支持部材３００を少なくとも１つ設ける必要がある。図９では、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす各辺に対して、第２の支持部材３００を１つずつ設けているが、各辺に対して設ける第２の支持部材の数は特に限定されず、各辺に対して２つ以上の第２の支持部材を設けてもよい。各辺に対する第２の支持部材の数を増やした場合、ガラス基板の保持力が増加すると考えられる。しかしながら、各辺に対する第２の支持部材の数を増やした場合、ガラス基板において、第２の支持部材と接する部位が増加するので、ガラス基板の取扱時における傷の発生防止という点では好ましくない。
したがって、各辺に対する第２の支持部材の数は、ガラス基板の保持力の向上と、ガラス基板の取扱時における傷の発生防止と、を考慮して適宜選択すればよい。
【００４３】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす辺の長さをＬ（ｍｍ）とするとき、第２の支持部材３００の支持面３１０によって支持されるガラス基板１０の底面１２の外縁部の幅ｄ2が０．０２５Ｌ以下である。
上述したように、ガラス基板上に裏面導電膜を形成する際、第２の支持部材３００の支持面３１０によって支持するのは、ガラス基板の成膜面のうち、上述した１４２ｍｍ角の領域よりも外側の外縁部である。第２の支持部材３００の支持面３１０によって支持されるガラス基板１０の底面１２の外縁部の幅ｄ2が０．０２５Ｌよりも大きいと、第２の支持部材３００の支持面３１０によって支持される部位が、上述した１４２ｍｍ角の領域に近接する、または、１４２ｍｍ角の領域に入ってくるので、ガラス基板の支持によって発生する傷や、該傷が原因となって発生するパーティクルが問題となるおそれがある。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ｄ2が０．０１５Ｌ以下であることが好ましく、０．０１０Ｌ以下であることがより好ましい。
【００４４】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ガラス基板１０の厚さをｔ（ｍｍ）とするとき、第２の支持部材３００の支持面３１０と、直立面３２０の上端と、の高さの差ｄ3が０．１ｔ〜０．９ｔである。ｄ3が０．１ｔ未満であると、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板１０の位置ずれが生じるおそれがある。一方、ｄ3が０．９ｔ超であると、裏面導電膜の成膜時において、成膜材料がガラス基板１０の側面１１側や底面１２側に廻りこんでしまい、ガラス基板１０の側面１１や底面１２に膜材料が付着するおそれがある。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ｄ3が０．０２ｔ〜０．０６ｔであることが好ましく、０．０３ｔ〜０．０４ｔであることがより好ましい。
【００４５】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、ガラス基板１０の側面１１と、第２の支持部材３００の直立面３２０と、の間隔ｄ4が１ｍｍ以下である。ｄ4が１ｍｍ超であると、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板の位置ずれが生じるおそれがある。
但し、ガラス基板１０の側面１１と、第２の支持部材３００の直立面３２０と、が接していると、ガラス基板１０の着脱時にガラス基板１０の側面１１に傷が生じるおそれがある。このため、ｄ4は０．５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４６】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、第１の支持部材２００の支持面２１０、および、第２の支持部材３００の支持面３１０の表面粗さのＲａ（算術平均表面粗さ）が０．００５〜０．０５μｍであることが好ましい。Ｒａが０．００５μｍ（下限）未満だと、支持面２１０、３１０の表面粗さが小さすぎるため、ガラス基板１０の保持力が不十分となり、成膜装置内での搬送時や成膜時において、ガラス基板の位置ずれが生じるおそれがある。
一方、Ｒａが０．０５μｍ（上限）超だと、支持面２１０、３１０の表面粗さが大きすぎるため、該支持面２１０、３１０によって支持されるガラス基板の部位に傷およびそれによるパーティクルが生じるおそれがある。
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、支持面２１０、３１０の表面粗さのＲａが０．０１〜０．０４μｍであることがより好ましく、０．０２〜０．０３μｍであることがさらに好ましい。
【００４７】
本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００は、ガラス基板１０を支持するのに十分な機械的強度、具体的にはビッカース硬さ（ＨＶ）を有している必要がある。しかしながら、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００のビッカース硬さ（ＨＶ）が、支持されるガラス基板１０よりも大きいと、第１の支持部材２００または第２の支持部材３００によって支持されるガラス基板に傷が生じるおそれがある。
このため、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００は、ビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０未満であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。
【００４８】
また、本発明のＥＵＶマスクブランクの製造方法において、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって裏面導電膜を形成する際にガラス基板を支持することから、成膜容器内の真空雰囲気下において、ガス成分を放出するものであってはならない。さらに、成膜装置では基板などが熱を持つ場合があるため、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００は、少なくとも約１５０℃程度まで化学的・物理的に耐熱性を有していることが求められる。
【００４９】
以上の点を満たすことが必要であることから、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００の構成材料としては、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド、ポリベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）樹脂、フッ素樹脂、フッ素ゴム、等の樹脂材料やエラストマー材料を用いることができる。これらの中でも、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド、フッ素ゴム、が好ましく、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）がより好ましい。
【００５０】
以上、ガラス基板上に裏面導電膜を形成する手順について説明したが、本発明のＥＵＶマスクブランク製造方法は、裏面導電膜、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される上記の各種機能膜のうち、少なくとも１つを形成する際に、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持するものである。
したがって、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される各種機能膜のうち、少なくとも１つを形成する際に、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持してもよい。
【００５１】
通常、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される各種機能膜の形成時には、静電チャックによりガラス基板を吸着保持するが、静電チャックでガラス基板を吸着保持した場合、導電膜に静電チャックとの接触痕が残る場合があるために、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持することができる構成の成膜装置の場合には、静電チャックを使用せずにガラス基板を支持することが好ましい。このような場合、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持することにより、上述した本発明による効果が発揮され、成膜装置内での搬送時や、成膜時におけるガラス基板の位置ずれが解消される。
なお、反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される各種機能膜の形成時、第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いてガラス基板を支持する場合であっても、マスクパターニングプロセス時や、露光時のマスクハンドリングの際には、静電チャックによってガラス基板を吸着保持することから、ガラス基板上には裏面導電膜を形成する必要がある。
成膜装置内での搬送時や、成膜時におけるガラス基板の位置ずれが解消されることにより、ガラス基板上に反射層、吸収層、および、必要に応じて形成される各種機能膜の膜厚精度および形状精度が向上する。
また、反射層、吸収層、および、各種機能膜の形成時には、ガラス基板の裏面側を第１の支持部材２００、または、第２の支持部材３００のいずれかを用いて支持することになるが、ガラス基板の裏面には裏面導電膜が形成されている点に留意する必要がある。例えば、成膜面が１５２ｍｍ角のガラス基板の場合、ほぼ中央の１４８ｍｍ角の領域には裏面導電膜が形成されている。裏面導電膜の損傷防止、および、それによるパーティクルの発生防止の理由から、上述した１４８ｍｍ角の領域には支持部材が接しないことが好ましい。
上述したように、第１の支持部材２００と接するのはガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺のみである。また、第２の支持部材３００と接するのはガラス基板１０の底面１２の外縁部のみである。したがって、第１の支持部材２００、および、第２の支持部材３００は、上述した１４８ｍｍ角の領域に接することがなく、裏面導電膜の損傷やそれによるパーティクルの発生を防止することができる。
【００５２】
以下、本発明の方法により製造されるＥＵＶマスクブランク１の構成例を示す。
【００５３】
ガラス基板１０は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、ガラス基板１０は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃であることが好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。ガラス基板１０としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いることができる。
ガラス基板１０は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
ガラス基板１０の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。後で示す実施例では外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
反射層２０、吸収層３０、および、必要に応じて各種機能膜が形成されるガラス基板１０の成膜面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅が６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
ＥＵＶマスクブランクの反射層２０に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層１２表面に入射角度６度で照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
【００５５】
ＥＵＶマスクブランクの反射層としては、ＥＵＶ波長域において高反射率を達成できることから、高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数回積層させた多層反射膜が広く用いられている。多層反射膜の具体例としては、高屈折率膜としてのＭｏ膜と、低屈折率膜としてのＳｉ膜とを交互に複数回積層させたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。
Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合に、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１２とするには、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００５６】
なお、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を構成する各層は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を４０〜５０周期積層させることによりＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が成膜される。
【００５７】
吸収層３０に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層３０表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましい。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料の具体例としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が挙げられる。
タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料で構成される吸収層３０の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび窒素（Ｎ）を以下に述べる比率で含有する吸収層（ＴａＢＳｉＮ膜）が挙げられる。
Ｂの含有率  １ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率  １〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）  ８：１〜１：１
Ｔａの含有率  好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率  好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
【００５８】
上記組成の吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）は、その結晶状態はアモルファスであり、表面の平滑性に優れている。
上記組成の吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）であれば、吸収層３０表面の表面粗さを０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下とすることができる。吸収層３０表面の表面粗さが大きいと、吸収層３０に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体３０表面は平滑であることが要求される。
吸収層３０表面の表面粗さが０．５ｎｍ  ｒｍｓ以下であれば、吸収層３０表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。
【００５９】
吸収層３０の厚さは、５０〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００６０】
上記組成の吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）は、乾式成膜法、具体的にはマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、Ａｒで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによって吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で同時放電させることによって吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをＡｒで希釈したＮ2雰囲気中で放電させることによって吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収体層１７の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
【００６１】
上記例示した方法で吸収層３０（ＴａＢＳｉＮ膜）を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｓｅｃ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｓｅｃ
【００６２】
裏面導電膜４０は、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。裏面導電膜４０の構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率物質層、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなる群から選択される物質層が挙げられる。また、再表２００８／０７２７０６に記載のクロムおよび窒素を含有する導電膜（ＣｒＮ膜）が挙げられる。該ＣｒＮ膜は、乾式成膜法、具体的には、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、および、真空蒸着法といった乾式成膜法によって形成することができる。該ＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法により形成する場合、ターゲットをＣｒターゲットとし、スパッタガスをＡｒとＮ2の混合ガスとして、マグネトロンスパッタリングを実施すればよく、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜４５ｖｏｌ％、好ましくは５〜４０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜３５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜４０×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍ
【実施例】
【００６３】
以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下に示す実施例および比較例では、ＥＵＶマスクブランクの代わりに、ガラス基板上に裏面導電膜が形成された導電膜付基板を作成した。
【００６４】
（実施例１）
実施例１では、マグネトロンスパッタリング法を用いて、ガラス基板上に裏面導電膜としてＣｒＮ膜を形成した。ＣｒＮ膜の形成時、図２に示すように、スパッタリングターゲット１００の直下となる位置に回転可能なステージ４００を設置した。ステージ４００上には第１の支持部材２００が設置されており、該第１の支持部材２００上にガラス基板１０を載置した。図４に示すように、第１の支持部材２００は、底面が直角２等辺三角形の三角柱の形状をしており、支持面２１０がガラス基板１０の側面と底面との境界をなす辺と当接している。図３に示すように、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす４つの辺全てに対して、これらの辺の中央に位置するように、第１の支持部材２００が１つずつ設けられている。
【００６５】
第１の支持部材２００は導電性ＰＥＥＫ製であり、支持面２１０の表面粗さのＲａは
０．０２μｍである。第１の支持部材２００はビッカース硬さ（ＨＶ）が３０である。
ガラス基板１０は、主成分をＳｉＯ2としたゼロ膨張ガラス（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス）製であり、２２℃における熱膨張係数が０／℃である。ガラス基板１０はビッカース硬さ（ＨＶ）が６５０である。ガラス基板１０の寸法は、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３ｍｍである。
【００６６】
第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θは１０度である。第１の支持部材２００の支持面２１０のうちガラス基板１０と当接する部位（ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接する部位）と、該支持面２１０の上端と、の高さの差ｄ1は１ｍｍである。
【００６７】
ＣｒＮ膜の成膜条件は以下の通りである。
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｎ2：４０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１３Ｐａ）
電圧：２９０Ｖ
成膜速度：０．１３ｎｍ／ｓｅｃ
膜厚：７０ｎｍ
基板回転数  ３０ｒｐｍ
【００６８】
上記の手順で得られた導電膜付基板について、以下の手順によって、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれを測定した。
ガラス基板の位置ずれ測定方法
ステージ４００上（第１の支持部材２００上）に設置する、ガラス基板１０を載置するためのロボットアームの表面にあらかじめ目盛を記入しておき、ステージ４００上（第１の支持部材２００上）にガラス基板１０を載置する前の状態を写真で撮影した。次いで、成膜後にステージ４００上（第１の支持部材２００上）からロボットアームでガラス基板１０を取り外した後の状態を再び撮影して両者の比較からガラス基板１０の位置ずれの有無を判定した。
判定の結果、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
【００６９】
上記の手順で得られた導電層付基板について、以下の手順によって、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数を測定した。
基板底面の付着パーティクル数測定方法
上記の手順で得られた導電層付基板の底面１２について、市販の欠陥検査装置（レーザーテック社製Ｍ１３５０）にて２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定した。その結果、付着欠陥数は０個であった。
【００７０】
（実施例２）
第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θを７０度とした以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は０個であった。
【００７１】
（実施例３）
第１の支持部材２００の支持面２１０のうちガラス基板１０と当接する部位（ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接する部位）と、該支持面２１０の上端と、の高さの差ｄ1を５ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は０個であった。
【００７２】
（実施例４）
図５に示すように、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺全てにおいて、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離がいずれも０．１Ｌとなるように、かつ、第１の支持部材２００同士が対角線対称で相対するように配置した以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は０個であった。
【００７３】
（実施例５）
図６に示すように、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺全てにおいて、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離がいずれも０．１Ｌとなるように、かつ、第１の支持部材２００同士が対角線非対称になるように配置した以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は０個であった。
【００７４】
（参考例）
本参考例では、第１の支持部材２００の代わりに、図８に示す支持面３１０と直立面３２０とを有する略Ｌ字形状の第２の支持部材３００を用いた。図９に示すように、ガラス基板１０の側面と底面との境界をなす４つの辺全てに対して、これらの辺の中央に位置するように、第２の支持部材３００が１つずつ設けられている。
第２の支持部材３００は導電性ＰＥＥＫ製であり、支持面３１０の表面粗さのＲａは０．０２μｍである。第２の支持部材３００はビッカース硬さ（ＨＶ）が３０である。
第２の支持部材３００の支持面３１０よって支持されるガラス基板１０の底面１２の外縁部の幅ｄ2は１ｍｍである。
第２の支持部材３００の支持面３１０と、直立面３２０の上端と、の高さの差ｄ3は１ｍｍである。
ガラス基板１０の側面１１と、第２の支持部材３００の直立面３２０と、の間隔ｄ4は０．５ｍｍである。
ガラス基板１０は実施例１と同じものを使用し、実施例１と同様の条件でガラス基板上にＣｒＮ膜を形成した。導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は０個であった。
【００７５】
（比較例１）
第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θを３度とした以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に３ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００７６】
（比較例２）
第１の支持部材２００の支持面２１０と、ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θを８５度とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
ガラス基板１０の底面１２と、がなす角度θが急であったために、ガラス基板１０をうまく支えることができず、ガラス基板１０が斜めになってしまった。
【００７７】
（比較例３）
第１の支持部材２００の支持面２１０のうちガラス基板１０と当接する部位（ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接する部位）と、該支持面２１０の上端と、の高さの差ｄ1を０．１ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に４ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００７８】
（比較例４）
第１の支持部材２００の支持面２１０のうちガラス基板１０と当接する部位（ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす辺と当接する部位）と、該支持面２１０の上端と、の高さの差ｄ1を７ｍｍとした以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、付着欠陥数は１５個であった。成膜時に成膜材料がガラス基板１０の底面１２側に廻りこんでしまい、ガラス基板１０の底面１２に膜材料が付着したことによると考える。
【００７９】
（比較例５）
図７に示すように、ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺のうち、３辺については、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離がいずれも０．１Ｌとなるように第１の支持部材２００を配置し、残りの１辺については、該辺のうち、第１の支持部材２００の支持面と当接する部分の端部と、該辺の端部と、の距離が０．０２Ｌとなるように第１の支持部材２００を配置した以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に２ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００８０】
（比較例６）
ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺のうち、３辺については、実施例１と同様の手順で第１の支持部材２００を配置し、残りの１辺については、第１の支持部材を配置しなかった以外は実施例１と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に３ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００８１】
（比較例７）
ガラス基板１０の側面１１と、第２の支持部材３００の直立面３２０と、の間隔ｄ4を２ｍｍとした以外は実施例６と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に２ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００８２】
（比較例８）
ガラス基板１０の側面１１と底面１２との境界をなす４辺のうち、３辺については、実施例６と同様の手順で第２の支持部材３００を配置し、残りの１辺については、第２の支持部材を配置しなかった以外は実施例６と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に３ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【００８３】
（比較例９）
第２の支持部材３００の支持面３１０よって支持されるガラス基板１０の底面１２の外縁部の幅ｄ2を４ｍｍとした以外は実施例６と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でのガラス基板１０の位置ずれは０．５ｍｍ未満であり、検知されなかった。
得られた導電膜付基板について、２００ｎｍ以上の欠陥数を、検査領域を基板中央１４６ｍｍ□として測定したところ、基板中央１４６ｍｍ□の領域に第２の支持部材３００との摩擦によるものとみられる付着欠陥がみられ、付着欠陥数が１８個であった。
【００８４】
（比較例１０）
第２の支持部材３００の支持面３１０と、直立面３２０の上端と、の高さの差ｄ3を０．１ｍｍとした以外は実施例６と同様の手順を実施して導電膜付基板を得た。
得られた導電膜付基板について、ガラス基板の位置ずれの有無を判定したところ、成膜前後でガラス基板１０に２ｍｍの位置ずれがみられた。
ガラス基板の位置ずれが認められたため、成膜後のガラス基板１０の底面１２に付着したパーティクル数の測定は実施しなかった。
【符号の説明】
【００８５】
１：ＥＵＶマスクブランク
１０：基板
１１：側面
１２：底面
２０：反射層
３０：吸収層
４０：導電膜（裏面導電膜）
１００：ターゲット
２００：第１の支持部材
３００：第２の支持部材
３１０：支持面
４００：ステージ
【図１】
0005533395.tif 000002
【図２】
0005533395.tif 000003
【図３】
0005533395.tif 000004
【図４】
0005533395.tif 000005
【図５】
0005533395.tif 000006
【図６】
0005533395.tif 000007
【図７】
0005533395.tif 000008
【図８】
0005533395.tif 000009
【図９】
0005533395.tif 000010