(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の要素パターンを含む雛形パターン、及び該雛形パターンの補正パターンが記憶された雛形記憶領域と、
ルールベース光近接効果補正手法によってパターン補正を行う際の補正量が記憶されたルールベース光近接効果補正テーブルと、
複数の要素パターンを含む補正対象パターンが記憶される補正対象パターン記憶領域と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記雛形記憶領域に記憶されている雛形パターンと、前記補正対象パターン記憶領域に記憶されている補正対象パターンとを比較して、両パターンのうち一致する部分を、一致部分として抽出し、両パターンのうち一致しない部分を、不一致部分として抽出し、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、ルールベース光近接効果補正手法を適用した際の補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出し、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形記憶領域に記憶されている前記補正パターンに基づいて第１の補正を行い、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正テーブルに基づいて第２の補正を行うマスクパターン作製装置。
【請求項２】
前記処理装置は、
前記第１の補正を行う際に、前記一致部分のうち、前記補正対象パターンに閉じてルールベース光近接効果補正手法を適用できない部分である前線部分を除いた部分に対して補正を行う請求項１に記載のマスクパターン作製装置。
【請求項３】
前記処理装置は、
前記雛形パターンの各要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分と、前記補正対象パターンの要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分とが完全に一致する場合、一致した線分を前記一致部分として抽出する請求項１または２に記載のマスクパターン作製装置。
【請求項４】
雛形パターンと補正対象パターンとを比較し、両者が一致する部分を一致部分として抽出し、一致しない部分を不一致部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、前記ルールベース光近接効果補正に基づく補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形パターンに対応して準備されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う工程と、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正手法を適用して第２の補正を行う工程と、
を有するマスクパターン作製方法。
【請求項５】
雛形パターンと補正対象パターンとを比較し、両者が一致する部分を一致部分として抽出し、一致しない部分を不一致部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、前記ルールベース光近接効果補正に基づく補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形パターンに対応して準備されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う工程と、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正手法を用いて第２の補正を行う工程と、
前記第１の補正及び前記第２の補正の結果に基づいて、前記補正対象パターンの補正を行い、補正パターンを生成する工程と、
前記補正パターンに基づいて、マスクを作製する工程と
を有するマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光近接効果補正（ＯＰＣ）を行うマスクパターン作製装置、作製方法、及び光近接効果補正が行われたマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光用のマスクまたはレチクルのパターンの光近接効果補正を行う際に、ルールベースＯＰＣ手法が広く用いられている。ルールベースＯＰＣ手法においては、補正すべきパターンの外形を構成する各線分に対して、パターンの線幅と、当該線分に対向するパターンの縁までの距離とに基づいて、補正が行われる。補正量は、予め補正テーブルとして準備されている。
【０００３】
パターンの集積度が高まると、ルールベースＯＰＣの対象となる線分の数が爆発的に増加し、補正の処理時間が長くなる。処理時間の増大を防止するために、予め、雛形パターンと、それにルールベースＯＰＣ手法を適用した補正パターンが準備される。補正対象パターンが雛形パターンに一致する場合には、雛形パターンの補正パターンを、補正対象パターンの補正パターンとしてそのまま採用することができる。このため、補正対象パターンの外形を構成する線分ごとにルールベースＯＰＣ手法を適用する必要が無い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３１０３５３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
補正対象パターンに一致する雛形パターンが準備されていない場合には、補正対象パターンに、従来のルールベースＯＰＣ手法を適用しなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、
複数の要素パターンを含む雛形パターン、及び該雛形パターンの補正パターンが記憶された雛形記憶領域と、
ルールベース光近接効果補正手法によってパターン補正を行う際の補正量が記憶されたルールベース光近接効果補正テーブルと、
複数の要素パターンを含む補正対象パターンが記憶される補正対象パターン記憶領域と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記雛形記憶領域に記憶されている雛形パターンと、前記補正対象パターン記憶領域に記憶されている補正対象パターンとを比較して、両者が一致する部分を、一致部分として抽出し、一致しない部分を、不一致部分として抽出し、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、ルールベース光近接効果補正手法を適用した際の補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出し、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形記憶領域に記憶されている前記補正パターンに基づいて第１の補正を行い、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正テーブルに基づいて第２の補正を行うマスクパターン作製装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、
雛形パターンと補正対象パターンとを比較し、両者が一致する部分を一致部分として抽出し、一致しない部分を不一致部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、前記ルールベース光近接効果補正に基づく補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形パターンに対応して準備されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う工程と、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正手法を適用して第２の補正を行う工程と、
を有するマスクパターン作製方法が提供される。
【０００８】
本発明のさらに他の観点によると、上記マスクパターン作製方法を用いたマスクの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
補正対象パターンと雛形パターンとが部分的に一致する場合に、雛形パターンに準備された補正パターンの一部を適用することができる。これにより、ルールベース光近接効果補正手法に基づく演算量を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例によるマスクパターン作製装置のブロック図である。
【図２】雛形パターンの一例を示す平面図である。
【図３】補正対象パターンの一例を示す平面図である。
【図４】実施例によるマスクパターン作製方法のフローチャートである。
【図５】不一致部分を抽出する方法を説明するための補正対象パターンの図である。
【図６】要修正部分を抽出する方法を説明するための補正対象パターンの図である。
【図７】前線部分を抽出する方法を説明するための補正対象パターンの図である。
【図８】一致部分のうち要修正部分及び前線部分以外の部分の補正パターンを示す図である。
【図９】不一致部分及び要修正部分の補正パターンを示す図である。
【図１０】前線部分の補正パターンを示す図である。
【図１１】合成された補正パターンを示す図である。
【図１２】変形例による方法を説明するための雛形要素パターン、補正対象要素パターン、及び補正対象要素パターンの不一致部分を示す図である。
【図１３】露光装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に、実施例によるマスクパターン作製装置のブロック図を示す。実施例によるマスクパターン作製装置は、処理装置１０、記憶装置１１、入力装置１２、及び出力装置１３を含む。記憶装置１１には、雛形記憶領域１５、ルールベースＯＰＣテーブル１６、補正対象パターン記憶領域１７、補正パターン記憶領域１８、プログラム領域１９が確保されている。プログラム領域１９には、処理装置１０で実行されるコンピュータプログラムが格納されている。
【００１２】
雛形記憶領域１５に、複数の雛形パターンのパターンデータ、及び雛形パターンの各々にルールベースＯＰＣ手法を適用して得られた補正パターンのパターンデータが記憶されている。ルールベースＯＰＣテーブルには、ルールベースＯＰＣ手法を適用するために必要な情報が格納されている。一例として、パターンの外形を構成する線分に直交する方向のパターン寸法（パターン幅）と、当該線分に対向する隣のパターンの縁までの距離とが決定されると、ルールベースＯＰＣテーブルを参照することにより、当該線分の補正量（具体的には、当該線分の移動量）を求めることができる。
【００１３】
入力装置１２から、補正対象パターンのパターンデータが入力される。このパターンデータは、補正対象パターン記憶領域１７に記憶される。処理装置１０により生成された補正パターンのパターンデータが、出力装置１３から出力される。
【００１４】
図２に、雛形記憶領域１５（図１）に記憶されている雛形パターンの一例を示す。雛形記憶領域１５には、このような複数の雛形パターンが記憶されている。雛形パターン２０の各々は、孤立した複数の要素パターン２１を含む。一例として、図２に示した雛形パターン２０は、８個の要素パターン２１を含む。雛形パターン２０は、例えば大規模半導体集積回路（ＬＳＩ）の設計パターンから一部を抽出することにより得られる。
【００１５】
各要素パターン２１の外形を構成する線分は、横方向（Ｘ方向）または縦方向（Ｙ方向）に延在する。１つの要素パターン２１Ａが、実施例によるパターン補正方法の説明で着目される。この要素パターン２１Ａの形状は、６個の頂点を有するＬ字形（鉤形）である。６個の頂点に、反時計回りにＡ１からＡ６まで順番に符号を付す。
【００１６】
図３に、補正対象パターン記憶領域１７（図１）に記憶される補正対象パターン３０の一例を示す。補正対象パターン３０は、雛形パターンと同様に、孤立した複数の要素パターン３１を含む。１つの要素パターン３１Ａが、実施例によるパターン補正方法の説明で着目される。この要素パターン３１Ａの形状は、１０個の頂点を有するＦ字形である。１０個の頂点に、反時計回りにＢ１からＢ１０まで順番に符号を付す。
【００１７】
図４に、実施例によるマスクパターン作製方法のフローチャートを示す。図４に示したフローチャートは、図１のプログラム領域１９に記憶されたコンピュータプログラムに基づいて、処理装置１０が実行する。
【００１８】
ステップＳ１において、補正対象パターン記憶領域１７（図１）に記憶されている補正対象パターン３０（図３）と、雛形記憶領域１５（図１）に記憶されている複数の雛形パターンとのパターンマッチングを行う。ステップＳ２において、マッチングする雛形パターンが検出されたか否かを判定する。マッチングした雛形パターンが検出された場合には、ステップＳ１１、Ｓ１２、及びＳ１３が実行される。これらのステップについては後に説明する。マッチングする雛形パターンが検出されなかった場合には、ステップＳ３において、マッチング率の最も高い雛形パターンを抽出する。一例として、雛形パターン２０（図２）が抽出される。
【００１９】
マッチング率として種々のパラメータを用いることができる。例えば、補正対象パターン３０に含まれる要素パターン３１の頂点のうち、雛形パターンに含まれる要素パターンの頂点と一致する頂点の数を、マッチング率として採用することができる。または、補正対象パターン３０に含まれる要素パターン３１の外形を構成する線分のうち、雛形パターンに含まれる要素パターンの外形を構成する線分と一致する部分の長さを、マッチング率として採用してもよい。
【００２０】
ステップＳ４において、補正対象パターン３０から、雛形パターン２０に一致した部分と、一致しなかった部分とを抽出する。一致した部分を「一致部分」といい、一致しなかった部分を「不一致部分」ということとする。なお、マッチング率を計算する際に、既に一致部分と不一致部分とが抽出されている場合には、ステップＳ４において、同じ手順をを重複して実行する必要はない。
【００２１】
図５を参照して、補正対象パターン３０の一致部分３２と不一致部分３３とを抽出する方法について説明する。雛形パターン２０（図２）に含まれる要素パターン２１Ａ（以下、「雛形要素パターン」という。）の頂点Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６の座標が、それぞれ補正対象パターン３０に含まれる要素パターン３１Ａ（以下、「補正対象要素パターン」という。）の頂点Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０の座標と一致する。要素パターン３１Ａの頂点Ｂ４、Ｂ５、Ｂ６、Ｂ７は不一致である。
【００２２】
補正対象要素パターン３１Ａと、雛形要素パターン２１Ａとの一致した頂点のうち、雛形要素パターン２１Ａ及び補正対象要素パターン３１Ａのいずれにおいても相互に隣り合う頂点を抽出する。図５に示した例では、雛形要素パターン２１Ａの頂点Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３、Ａ４とＡ５、Ａ５とＡ６、Ａ６とＡ１が抽出され、補正対象要素パターン３１Ａの頂点Ｂ１とＢ２、Ｂ２とＢ３、Ｂ８とＢ９、Ｂ９とＢ１０、Ｂ１０とＢ１が抽出される。補正対象要素パターン３１Ａのこれらの頂点を両端とする線分Ｂ１Ｂ２、Ｂ２Ｂ３、Ｂ８Ｂ９、Ｂ９Ｂ１０、Ｂ１０Ｂ１が、一致部分３２として抽出される。
【００２３】
補正対象要素パターン３１Ａと、雛形要素パターン２１Ａとの一致した頂点のうち、雛形要素パターン２１Ａにおいては相互に隣り合うが、補正対象要素パターン３１Ａにおいては隣り合わない頂点を抽出する。図５に示した例では、雛形要素パターン２１Ａの頂点Ａ３、Ａ４と、補正対象要素パターン３１Ａの頂点Ｂ３、Ｂ８とが抽出される。補正対象要素パターン３１Ａの頂点Ｂ３とＢ８との間に含まれる頂点を抽出する。図５に示した例では、頂点Ｂ４〜Ｂ７が抽出される。
【００２４】
頂点Ｂ４〜Ｂ７から、頂点Ｂ３またはＢ８と、Ｘ座標またはＹ座標が一致するものを抽出する。図５に示した例では、頂点Ｂ４及びＢ７のＸ座標が、頂点Ｂ３、Ｂ８のＸ座標と一致する。
【００２５】
最初に抽出された頂点Ｂ３、Ｂ８と、次に抽出された頂点Ｂ４、Ｂ７とから、相互に隣り合う頂点を抽出する。図５に示した例では、頂点Ｂ３とＢ４とが相互に隣り合い、頂点Ｂ７とＢ８とが相互に隣り合う。相互に隣り合う頂点を両端とする線分Ｂ３Ｂ４と、線分Ｂ７Ｂ８とを、一致部分３２として抽出する。補正対象要素パターン３１Ａの外形を構成する線分のうち、一致部分３２以外の線分Ｂ４Ｂ５、Ｂ５Ｂ６、Ｂ６Ｂ７は、不一致部分３３として抽出される。図５において、一致部分３２を実線で示し、不一致部分３３を破線で示す。
【００２６】
補正対象パターン３０に含まれる他の要素パターン３１についても、同様の処理を行う。図５では、補正対象要素パターン３１Ａ以外の補正対象要素パターン３０は、雛形パターン２０の対応する要素パターン２１に一致する。
【００２７】
ステップＳ５（図４）において、一致部分３２から、不一致部分３３の影響を受ける部分を抽出する。
【００２８】
図６を参照して、この抽出方法について説明する。不一致部分３３に含まれる線分Ｂ４Ｂ５を、当該線分と直交する２方向（図６において下方向と上方向）に並進移動させる。補正対象要素パターン３１の外形を構成する線分のうち、線分Ｂ４Ｂ５の軌跡と最初に交差する線分を検出する。検出された線分を要修正部分３４として抽出する。図６において、線分Ｂ４Ｂ５を下方向に並進移動させたときに形成される軌跡と最初に交差する線分Ｃ７Ｃ８が検出される。線分Ｂ４Ｂ５を上方向に並進移動させたときに形成される軌跡と最初に交差する線分は、不一致部分３３の線分Ｂ６Ｂ７である。不一致部分３３の線分が検出された場合には、要修正部分３４として抽出する必要はない。
【００２９】
同様に、線分Ｂ５Ｂ６を並進移動させたときに形成される軌跡から、線分Ｃ１Ｃ２、及び線分Ｃ３Ｃ４が検出される。この線分Ｃ１Ｃ２、Ｃ３Ｃ４は不一致部分３３に含まれていないので、要修正部分３４として抽出する。線分Ｂ６Ｂ７を並進移動させたときに形成される軌跡から、線分Ｃ５Ｃ６が、要修正部分３４として抽出される。
【００３０】
以下、要修正部分３４を抽出する理由について説明する。ルールベースＯＰＣ手法を用いてパターン補正を行う場合の補正量は、補正対象線分から、当該補正対象線分とは反対側の縁までの距離（パターンの幅）、及び当該補正対象線分に対向する隣のパターンまでの距離により決定される。
【００３１】
例えば、図６に示した線分Ｂ７Ｂ８に着目する。一致部分３２に含まれる線分Ｂ７Ｂ８から、当該線分Ｂ７Ｂ８とは反対側の線分Ｂ１Ｂ２までの距離、及び当該線分Ｂ７Ｂ８と対向する要素パターン３１（図６において要素パターン３１Ａの右隣の要素パターン）までの距離は、雛形パターン２０（図２）の対応する部分の寸法と等しい。このため、線分Ｂ７Ｂ８の補正量として、雛形パターン２０の該当する線分の補正量をそのまま適用することができる。
【００３２】
次に、図６に示した線分Ｃ１Ｃ２に着目する。線分Ｃ１Ｃ２とは反対側の線分Ｂ５Ｂ６は、不一致部分３３に含まれる。線分Ｃ１Ｃ２から線分Ｂ５Ｂ６までの距離は、雛形要素パターン２１Ａ（図２）の線分Ｃ１Ｃ２に対応する部分から、反対側の線分Ａ３Ａ４までの距離とは異なる。このため、線分Ｃ１Ｃ２自体は、雛形パターン２０の対応する線分と一致するが、その補正量として、雛形パターン２０の補正量をそのまま適用することができない。このように、雛形パターン２０の補正量をそのまま適用することができない線分を、要修正部分３４として抽出しておくのである。
【００３３】
ステップＳ６（図４）において、補正対象パターン３０から、当該補正対象パターン３０に閉じてルールベースＯＰＣ手法を適用することができない線分を、前線部分として抽出する。
【００３４】
図７を参照して、前線部分として抽出すべき線分の検出方法について説明する。ルールベースＯＰＣ手法では、補正対象線分の補正量が、当該線分から、当該線分に対向するパターンまでの距離に依存する。このため、補正対象パターン３０内の線分のうち、当該補正対象パターン３０内の要素パターン３１に対向していない線分については、当該線分に対向するパターンまでの距離を特定することができない。すなわち、このような線分には、補正対象パターン３０に閉じてルールベースＯＰＣ手法を適用することができない。このような線分を、前線部分３５として抽出する。
【００３５】
具体的には、Ｘ軸の正の向き、負の向き、Ｙ軸の正の向き、及び負の向きから、補正対象パターン３０に平行光線束を照射したとき、照射される部分が、前線部分３５として抽出される。図７において、前線部分３５を細い点線で示す。
【００３６】
ステップＳ７（図４）において、一致部分３２のうち、要修正部分３４及び前線部分３５以外の線分について、雛形記憶領域１５（図１）に記憶されている雛形パターンの補正パターンに基づいて、パターン補正を行う。
【００３７】
図８に、一致部分３２のうち、要修正部分３４及び前線部分３５以外の線分を補正した補正パターン４０の一例を示す。この補正パターン４０は、雛形記憶領域１５（図１）に記憶されている補正パターンをそのまま適用したものである。従って、個々の補正対象線分の補正量を算出する際に、ルールベースＯＰＣ手法に基づく演算を行う必要はない。この段階では、不一致部分３３、要修正部分３４、及び前線部分３５については補正パターンが決定されていない。
【００３８】
ステップＳ８（図４）において、不一致部分３３、及び要修正部分３４について、ルールベースＯＰＣ手法を適用することにより、パターン補正を行う。
【００３９】
図９に、不一致部分３３、及び要修正部分３４の補正パターン４１の一例を示す。不一致部分３３、及び要修正部分３４については、雛形パターンに対して準備された補正パターンをそのまま適用することができない。従って、ルールベースＯＰＣテーブル１６（図１）に記憶されているルールに基づいて演算を行うことにより、不一致部分３３、及び要修正部分３４の補正パターン４１を求める。この演算は、図９に示した補正対象パターン３０に閉じて行うことができる。
【００４０】
ステップＳ９（図４）において、前線部分について、ルールベースＯＰＣ手法を適用することにより、パターン補正を行う。
【００４１】
図１０に、前線部分３５の補正パターン４２の一例を示す。前線部分３５に対しては、補正対象パターン３０に閉じてルールベースＯＰＣ手法を適用することができない。従って、図１０に示した補正対象パターン３０に影響を及ぼす周囲のパターンを含めて、ルールベースＯＰＣ手法を適用することにより、補正パターン４２が得られる。
【００４２】
ステップＳ１０（図４）において、ステップＳ７〜Ｓ９で得られた補正パターンを合成することにより、最終的な補正パターンを生成する。
【００４３】
図１１に、合成された補正パターン３７の一例を示す。以下、合成方法の一例について説明する。図１０に示した点Ｃ１、Ｃ２に対応する位置において、補正対象パターン３０の一本の線分Ｂ１Ｂ２に対して求められた補正後の線分が不連続になっている。この場合、補整後の線分の不連続箇所を接続する線分を付加すればよい。付加される線分は、線分Ｂ１Ｂ２に対して直交する。図１０に示した要素パターンの内側に向かって凸の頂点Ｂ７に対応する位置において、補正後の線分が交差している。この場合、交差している位置よりも内側の線分を削除すればよい。図１０に示した補正対象パターン３０の外側に向かって凸の頂点Ｄに対応する位置において、２本の補正後の線分が不連続になっている。この場合には、２本の補正後の線分を、両者が接触するまで延長すればよい。
【００４４】
図４のステップＳ２で、マッチングした線分が検出された場合には、ステップＳ１１において、補正対象パターン３０に閉じてルールベースＯＰＣ手法を適用できない前線部分を抽出する。この処理は、ステップＳ６と同一である。
【００４５】
次に、ステップＳ１２において、前線部分以外の部分について、雛形の補正パターンに基づいて補正パターンを生成する。この補正の方法は、ステップＳ７の方法を同一である。ステップＳ１３において、前線部分について、ルールベースＯＰＣ手法を適用することにより、補正パターンを生成する。この補正パターンの生成方法は、ステップＳ９の方法と同一である。その後、ステップＳ１０において、補正パターンを合成する。
【００４６】
上記実施例では、補正対象パターン３０（図５）に完全に一致する雛形パターンが検出されなかった場合でも、補正対象パターン３０の一部分で、雛形の補正パターンをそのまま適用することができる。このため、ルールベースＯＰＣ手法を用いた演算量を少なくすることができる。補正対象パターン３０のすべての部分にルールベースＯＰＣ手法を適用する方法に比べて、より効率的に補正パターンを生成することができる。
【００４７】
次に、図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して、上記実施例のステップＳ４（図４）の変形例について説明する。
【００４８】
図１２Ａ及び図１２Ｂに、それぞれ雛形パターン２０（図２）の雛形要素パターン２１Ａ及び補正対象パターン３０（図３）の一つの補正対象要素パターン３１Ａを再掲する。実施例１の図５で示した方法と同じ方法により、不一致の頂点として、雛形要素パターン２１Ａの頂点Ａ３、Ａ４が抽出され、補正対象要素パターン３１Ａから、頂点Ｂ３〜Ｂ８が抽出される。上記実施例では、不一致になった頂点をさらに詳細に分析して、線分Ｂ３Ｂ４及びＢ７Ｂ８を一致部分として抽出した。変形例においては、詳細な分析を行うことなく、不一致となった頂点を両端とするすべての線分を不一致部分として抽出する。図１２Ｃに示した例では、線分Ｂ３Ｂ４、Ｂ４Ｂ５、Ｂ５Ｂ６、Ｂ６Ｂ７、及びＢ７Ｂ８が不一致部分２３として抽出される。
【００４９】
変形例においては、不一致部分３３として抽出される線分が、上記実施例の場合に比べて長くなる。このため、ステップＳ８においてルールベースＯＰＣ手法を適用する際の演算量が多くなる。ただし、不一致部分を抽出するステップＳ４において、詳細な分析を行わないため、ステップＳ４の演算量は少なくなる。
【００５０】
上記実施例及びその変形例による方法で生成された補正パターンは、パターンデータとして補正パターン記憶領域１８（図１）に記憶される。処理装置１０は、この補正パターンのパターンデータを出力装置１３から出力する。
【００５１】
この補正パターンのパターンデータに基づいて、露光用のマスクを作製することができる。なお、この補正パターンの一部分に対して、さらに、シミュレーションベース手法に基づく補正を行ってもよい。
【００５２】
図１３に、マスクを用いた露光装置の概略図を示す。光源５１として、例えばＡｒＦエキシマレーザが用いられる。光源５１から出射したレーザビームが、フライアイレンズ５２、及び開口絞り５３を経由して、マスク５４に入射する。マスク５４には、上記実施例による方法で生成された補正パターンに基づいて、マスクパターン５５が形成されている。マスクパターン５５が、投影レンズ５６により、半導体ウエハ５７の表面に投影される。
【００５３】
上記実施例では、補正対象パターン３０（図３）が８個の要素パターン３１を含む場合を示したが、補正対象パターン３０に含まれる要素パターン３１の数は８個に限定されない。９個以上の要素パターンを含んでもよいし、７個以下であってもよい。ただし、要素パターン３１の数が少ない場合には、図７に示した前線部分３５が占める割合が高くなるため、雛形パターンとのマッチングを行う効果が減殺される。また、要素パターン３１の数が多すぎると、雛形パターンと補正対象パターンとがマッチングする確率が低くなってしまう。要素パターン３１の数は、製造すべき半導体集積回路のパターン配置等に基づいて、最適化することが好ましい。
【００５４】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５５】
以上の実施例に関し、更に以下の付記を開示する。
【００５６】
（付記１）
複数の要素パターンを含む雛形パターン、及び該雛形パターンの補正パターンが記憶された雛形記憶領域と、
ルールベース光近接効果補正手法によってパターン補正を行う際の補正量が記憶されたルールベース光近接効果補正テーブルと、
複数の要素パターンを含む補正対象パターンが記憶される補正対象パターン記憶領域と、
処理装置と
を有し、
前記処理装置は、
前記雛形記憶領域に記憶されている雛形パターンと、前記補正対象パターン記憶領域に記憶されている補正対象パターンとを比較して、両パターンのうち一致する部分を、一致部分として抽出し、両パターンのうち一致しない部分を、不一致部分として抽出し、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、ルールベース光近接効果補正首手法を適用した際の補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出し、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形記憶領域に記憶されている前記補正パターンに基づいて第１の補正を行い、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正テーブルに基づいて第２の補正を行うマスクパターン作製装置。
【００５７】
（付記２）
前記処理装置は、
前記第１の補正を行う際に、前記一致部分のうち、前記補正対象パターンに閉じてルールベース光近接効果補正手法を適用できない部分である前線部分を除いた部分に対して補正を行う付記１に記載のマスクパターン作製装置。
【００５８】
（付記３）
前記処理装置は、
前記雛形パターンの各要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分と、前記補正対象パターンの要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分とが完全に一致する場合、一致した線分を前記一致部分として抽出する付記１または２に記載のマスクパターン作製装置。
【００５９】
（付記４）
前記処理装置は、
前記雛形パターンの要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分と、前記補正対象パターンの要素パターンの相互に隣り合う頂点を結ぶ線分とが部分的に一致する場合、比較した線分のうち一致する部分を前記一致部分として抽出し、前記補正対象パターンの要素パターンのうち一致しなかった部分を前記不一致部分として抽出する付記１乃至３のいずれか１項に記載のマスクパターン作製装置。
【００６０】
（付記５）
前記処理装置は、
前記第１の補正と前記第２の補正との結果に基づいて、前記補正対象パターンの補正パターンを生成し、出力する付記１乃至４のいずれか１項に記載のマスクパターン作製装置。
【００６１】
（付記６）
雛形パターンと補正対象パターンとを比較し、両者が一致する部分を一致部分として抽出し、一致しない部分を不一致部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、前記ルールベース光近接効果補正に基づく補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形パターンに対応して準備されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う工程と、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正手法を適用して第２の補正を行う工程と、
を有するマスクパターン作製方法。
【００６２】
（付記７）
雛形パターンと補正対象パターンとを比較し、両者が一致する部分を一致部分として抽出し、一致しない部分を不一致部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンのうち、前記不一致部分に起因して、前記ルールベース光近接効果補正に基づく補正量が影響を受ける部分を、要修正部分として抽出する工程と、
前記補正対象パターンの前記一致部分のうち、前記要修正部分以外の部分に対して、前記雛形パターンに対応して準備されている補正パターンに基づいて第１の補正を行う工程と、
前記補正対象パターンの前記要修正部分及び前記不一致部分に対して、前記ルールベース光近接効果補正手法を用いて第２の補正を行う工程と、
前記第１の補正及び前記第２の補正の結果に基づいて、前記補正対象パターンの補正を行い、補正パターンを生成する工程と、
前記補正パターンに基づいて、マスクを作製する工程と
を有するマスクの製造方法。
【符号の説明】
【００６３】
１０  処理装置
１１  記憶装置
１２  入力装置
１３  出力装置
１５  雛形記憶領域
１６  ルールベースＯＰＣ補正テーブル
１７  補正対象パターン記憶領域
１８  補正パターン記憶領域
１９  プログラム領域
２０  雛形パターン
２１、２１Ａ  雛形パターンの要素パターン
３０  補正対象パターン
３１、３１Ａ  補正対象パターンの要素パターン
３２  一致部分
３３  不一致部分
３４  前線部分
４０、４１、４２  補正パターン
５１  光源
５２  フライアイレンズ
５３  開口絞り
５４  マスク
５５  マスクパターン
５６  投影レンズ
５７  半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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