(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の表面粗さＲａが０．１μｍ以下である銅箔基材と、該銅箔基材の該表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Ｐｔ、Ａｕ及びＰｄのいずれか１種以上で構成された被覆層とを備え、該被覆層上にレジストパターンを形成してエッチングする、プリント配線板用銅箔。
【請求項２】
前記表面粗さＲａが０．０７μｍ以下である請求項１に記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項３】
前記表面粗さＲａが０．０３μｍ以下である請求項２に記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項４】
前記被覆層のＡｕが１０００μｇ／ｄｍ2以下、Ｐｔが１０５０μｇ/ｄｍ2以下、Ｐｄが６００μｇ／ｄｍ2以下の付着量で存在する請求項１〜３のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項５】
前記被覆層のＡｕが２０〜４００μｇ／ｄｍ2、Ｐｔが２０〜４００μｇ/ｄｍ2、Ｐｄが２０〜２５０μｇ／ｄｍ2の付着量で存在する請求項４に記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項６】
前記被覆層のＡｕが５０〜３００μｇ／ｄｍ2、Ｐｔが５０〜３００μｇ/ｄｍ2、Ｐｄが３０〜１８０μｇ／ｄｍ2の付着量で存在する請求項５に記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項７】
プリント配線板はフレキシブルプリント配線板である請求項１〜６のいずれかに記載のプリント配線板用銅箔。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の銅箔と樹脂基板との積層体。
【請求項９】
銅層と樹脂基板との積層体であって、
前記銅層の少なくとも一方の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であり、該表面の少なくとも一部をＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄのいずれか１種以上で被覆する請求項１〜７のいずれかに記載の被覆層を備えた積層体。
【請求項１０】
前記銅箔又は銅層に回路が形成されており、回路表面の幅をＷ１（μｍ）、回路底面の幅をＷ２（μｍ）、該銅箔又は銅層の厚みをｂ（μｍ）、回路のピッチ幅をＸ（μｍ）、エッチングファクターＥ．Ｆ．をｂ／｛（Ｗ２−Ｗ１）／２｝としたとき、Ｗ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧１．５であり、且つ、Ｗ１及びＷ２の標準偏差が０．８以下である請求項８又は９に記載の積層体。
【請求項１１】
Ｗ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧２．５である請求項１０に記載の積層体。
【請求項１２】
前記樹脂基板がポリイミド基板である請求項８〜１１のいずれかに記載の積層体。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれかに記載の積層体を材料としたプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板用の銅箔及びそれを用いた積層体に関し、特にフレキシブルプリント配線板用の銅箔及びそれを用いた積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められている。
【０００３】
プリント配線板は、銅箔に絶縁基板を接着、もしくは絶縁基板上にＮｉ合金等を蒸着させた後に電気めっきで銅層を形成させて積層体とした後に、エッチングにより銅箔または銅層面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。そのため、プリント配線板用の銅箔または銅層には良好なエッチング性が要求される。
【０００４】
銅箔は、樹脂との非接着面に表面処理を施さないと、エッチング後の銅箔回路の銅部分が、銅箔の表面から下に向かって、すなわち樹脂層に向かって、末広がりにエッチングされる（ダレを発生する）。通常は、回路側面の角度が小さい「ダレ」となり、特に大きな「ダレ」が発生した場合には、樹脂基板近傍で銅回路が短絡し、電送特性が悪い不良品となる場合もある。ここで、図３に、銅回路形成時に「ダレ」を生じて樹脂基板近傍で銅回路が短絡した例を示す回路表面の拡大写真を示す。
【０００５】
このような「ダレ」は極力小さくすることが電送特性の向上には必要であるが、このような末広がりのエッチング不良を防止するために、エッチング時間を延長して、エッチングをより多くして、この「ダレ」を減少させることも考えられる。しかし、この場合は、すでに所定の幅寸法に至っている箇所があると、そこがさらにエッチングされることになるので、その銅箔部分の回路幅がそれだけ狭くなり、回路設計上目的とする均一な線幅（回路幅）が得られず、特にその部分（細線化された部分）で発熱し、場合によっては断線するという問題が発生する。電子回路のファインパターン化がさらに進行する中で、現在もなお、このようなエッチング不良による問題がより強く現れ、回路形成上で、大きな問題となっている。
【０００６】
これらを改善する方法として、エッチング面側の銅箔に銅よりもエッチング速度が遅い金属又は合金層を形成した表面処理が特許文献１に開示されている。この場合の金属又は合金としては、Ｎｉ、Ｃｏ及びこれらの合金である。回路設計に際しては、レジスト塗布側、すなわち銅箔の表面からエッチング液が浸透するので、レジスト直下にエッチング速度が遅い金属又は合金層があれば、その近傍の銅箔部分のエッチングが抑制され、他の銅箔部分のエッチングが進行するので、「ダレ」が減少し、より均一な幅の回路が形成できるという効果をもたらすという、従来技術と比較して急峻な回路形成が可能となり、大きな進歩があったと言える。
【０００７】
また、特許文献２では、厚さ１０００〜１００００ÅのＣｕ薄膜を形成し、該Ｃｕ薄膜の上に厚さ１０〜３００Åの銅よりもエッチング速度が遅いＮｉ薄膜を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１７６２４２号公報
【特許文献２】特開２０００−２６９６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、回路の微細化、高密度化がさらに進行し、より急峻に傾斜する側面を有する回路が求められている。しかしながら、特許文献１に記載される技術ではこれらには対応できない。
【００１０】
また、特許文献１に記載される表面処理層はソフトエッチングにより除去する必要があること、さらには樹脂との非接着面表面処理銅箔は、積層体に加工される工程で、樹脂の貼付け等の高温処理が施される。これは表面処理層の酸化を引き起こし、結果として銅箔のエッチング性は劣化する。
【００１１】
前者については、エッチング除去の時間をなるべく短縮し、きれいに除去するためには、表面処理層の厚さを極力薄くすることが必要であること、また後者の場合には、熱を受けるために、下地の銅層が酸化され（変色するので、通称「ヤケ」と言われている。）、レジストの塗布性（均一性、密着性）の不良やエッチング時の界面酸化物の過剰エッチングなどにより、パターンエッチングでのエッチング性、ショート、回路パターンの幅の制御性などの不良が発生するという問題があるので、改良が必要か又は他の材料に置換することが要求されている。
【００１２】
そこで、本発明は、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、電送特性が良好なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、鋭意検討の結果、表面粗さが所定値以下に規定された銅箔の樹脂との非接着面側にＰｔ、Ａｕ、Ｐｄのいずれか１種以上で構成された被覆層を設けた場合には、回路側面の傾斜角が８０°以上となるような回路を形勢できることを見出した。これにより、近年の回路の微細化、高密度化に十分対応する電送特性が良好な回路を形成することができる。
【００１４】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、少なくとも一方の表面粗さＲａが０．１μｍ以下である銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、Ｐｔ、Ａｕ及びＰｄのいずれか１種以上で構成された被覆層とを備え、該被覆層上にレジストパターンを形成してエッチングする、プリント配線板用銅箔である。
【００１５】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の一実施形態においては、銅箔の表面粗さＲａが０．０７μｍ以下である。
【００１６】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の別の一実施形態においては、銅箔の表面粗さＲａが０．０３μｍ以下である。
【００１７】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の一実施形態においては、被覆層のＡｕが１０００μｇ／ｄｍ2以下、Ｐｔが１０５０μｇ/ｄｍ2以下、Ｐｄが６００μｇ／ｄｍ2以下の付着量で存在する。
【００１８】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の一実施形態においては、被覆層のＡｕが２０〜４００μｇ／ｄｍ2、Ｐｔが２０〜４００μｇ/ｄｍ2、Ｐｄが２０〜２５０μｇ／ｄｍ2の付着量で存在する。
【００１９】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の一実施形態においては、被覆層のＡｕが５０〜３００μｇ／ｄｍ2、Ｐｔが５０〜３００μｇ/ｄｍ2、Ｐｄが３０〜１８０μｇ／ｄｍ2の付着量で存在する。
【００２０】
本発明に係るプリント配線板用銅箔の更に別の一実施形態においては、プリント配線板はフレキシブルプリント配線板である。
【００２１】
本発明は更に別の一側面において、本発明に係る銅箔と樹脂基板との積層体である。
【００２２】
本発明は更に別の一側面において、銅層と樹脂基板との積層体であって、銅層の少なくとも一方の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であり、銅層の表面の少なくとも一部をＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔのいずれか１種以上で被覆する本発明に係る被覆層を備えた積層体である。
【００２３】
本発明に係る積層体の一実施形態においては、銅箔又は銅層に回路が形成されており、回路表面の幅をＷ１（μｍ）、回路底面の幅をＷ２（μｍ）、銅箔又は銅層の厚みをｂ（μｍ）、回路のピッチ幅をＸ（μｍ）、エッチングファクターＥ．Ｆ．をｂ／｛（Ｗ２−Ｗ１）／２｝としたとき、Ｗ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧１．５であり、且つ、Ｗ１及びＷ２の標準偏差が０．８以下である。
【００２４】
本発明に係る積層体の別の一実施形態においては、Ｗ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧２．５である。
【００２５】
本発明に係る積層体の別の一実施形態においては、樹脂基板がポリイミド基板である。
【００２６】
本発明は更に別の一側面において、本発明に係る積層体を材料としたプリント配線板である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、電送特性が良好なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】回路パターンの一部の表面写真、当該部分における回路パターンの幅方向の横断面の模式図、及び、該模式図を用いたエッチングファクター（ＥＦ）の計算方法の概略である。
【図２】実施例２９により形成された回路およびその断面を示す写真である。
【図３】銅回路形成時に「ダレ」を生じて樹脂基板近傍で銅回路が短絡した例を示す回路表面の拡大写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（銅箔基材）
本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はないが、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で用いることができる。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。
銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
【００３０】
本発明に用いることのできる銅箔基材の厚さについても特に制限はなく、プリント配線板用に適した厚さに適宜調節すればよい。例えば、５〜１００μｍ程度とすることができる。但し、ファインパターン形成を目的とする場合には３０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以下であり、典型的には５〜２０μｍ程度である。
【００３１】
本発明に使用する銅箔基材は、少なくとも、銅箔基材の絶縁基板との接着面の反対側（回路形成予定面側）の表面において、表面粗さＲａが０．１μｍ以下である。このため、ファインピッチや高周波電気特性が良好となる。また、表面粗さＲａは好ましくは０．０７μｍ以下であり、更に好ましくは０．０３μｍ以下である。
【００３２】
（１）被覆層の構成
銅箔基材の上述の表面の少なくとも一部には、被覆層が形成されている。被覆層は、Ｐｔ、Ａｕ及びＰｄのいずれか１種以上で構成されている。
なお、銅箔基材の絶縁基板との接着面側には、絶縁基板との接着性向上のために、例えば銅箔基材表面から順に積層した中間層及び表層で構成された別の被覆層を形成してもよい。この場合、中間層は、例えば、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含むのが好ましい。中間層は、金属の単体で構成されていてもよく、例えば、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｂ及びＴａのいずれか１種で構成されるのが好ましい。中間層は、合金で構成されていてもよく、例えば、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｒ及びＣｕの少なくともいずれか２種の合金で構成されるのが好ましい。
【００３３】
（２）被覆層の同定
被覆層の同定はＸＰＳ、若しくはＡＥＳ等表面分析装置にて表層からアルゴンスパッタし、深さ方向の化学分析を行い、夫々の検出ピークの存在によって同定することができる。
【００３４】
（３）付着量
被覆層がＡｕで構成されている場合は、Ａｕの付着量が１０００μｇ／ｄｍ2以下であり、２０〜４００μｇ／ｄｍ2であるのがより好ましく、５０〜３００μｇ／ｄｍ2であるのが更により好ましい。被覆層がＰｄで構成されている場合は、Ｐｄの付着量が６００μｇ／ｄｍ2以下であり、２０〜２５０μｇ／ｄｍ2であるのがより好ましく、３０〜１８０μｇ／ｄｍ2であるのが更により好ましい。被覆層がＰｔで構成されている場合は、Ｐｔの付着量が１０５０μｇ／ｄｍ2以下であり、２０〜４００μｇ／ｄｍ2であるのがより好ましく、５０〜３００μｇ／ｄｍ2であるのが更により好ましい。被覆層のＡｕの付着量が１０μｇ／ｄｍ2未満、被覆層のＰｄの付着量が１０μｇ／ｄｍ2未満、及び、被覆層のＰｔの付着量が１０μｇ／ｄｍ2未満であると、それぞれ効果が十分でない。一方、被覆層のＡｕの付着量が１０００μｇ／ｄｍ2、被覆層のＰｄの付着量が６００μｇ／ｄｍ2、及び、被覆層のＰｔの付着量が１０５０μｇ／ｄｍ2を超えると、それぞれ初期エッチング性に悪影響を及ぼす。
【００３５】
（銅箔の製造方法）
本発明に係るプリント配線板用銅箔は、銅箔基材の表面処理により表面粗さＲａを０．１μｍ以下とした後、スパッタリング法により形成することができる。すなわち、スパッタリング法によって銅箔基材の表面の少なくとも一部を、被覆層により被覆する。具体的には、スパッタリング法によって、銅箔のエッチング面側に銅よりもエッチングレートの低いＰｔ、Ａｕ及びＰｄのいずれか１種以上からなる被覆層を形成する。被覆層は、スパッタリング法に限らず、例えば、電気めっき、無電解めっき等の湿式めっき法で形成してもよい。
【００３６】
（プリント配線板の製造方法）
本発明に係る銅箔を用いてプリント配線板（ＰＷＢ）を常法に従って製造することができる。以下に、プリント配線板の製造方法の例を示す。
【００３７】
まず、銅箔と絶縁基板とを貼り合わせて積層体を製造する。銅箔が積層される絶縁基板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。
【００３８】
貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。
【００３９】
フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用の場合、ポリイミドフィルム又はポリエステルフィルムと銅箔とをエポキシ系やアクリル系の接着剤を使って接着することができる（３層構造）。また、接着剤を使用しない方法（２層構造）としては、ポリイミドの前駆体であるポリイミドワニス（ポリアミック酸ワニス）を銅箔に塗布し、加熱することでイミド化するキャスティング法や、ポリイミドフィルム上に熱可塑性のポリイミドを塗布し、その上に銅箔を重ね合わせ、加熱加圧するラミネート法が挙げられる。キャスティング法においては、ポリイミドワニスを塗布する前に熱可塑性ポリイミド等のアンカーコート材を予め塗布しておくことも有効である。
【００４０】
本発明に係る積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。また、本発明に係る積層体は、銅箔を樹脂に貼り付けてなる上述のような銅張積層板に限定されず、樹脂上にスパッタリング、めっきで銅層を形成したメタライジング材であってもよい。
【００４１】
上述のように作製した積層体の銅箔上に形成された被覆層表面にレジストを塗布し、マスクによりパターンを露光し、現像することによりレジストパターンを形成したものをエッチング液に浸漬する。このとき、エッチングを抑制するＰｔ、Ａｕ及びＰｄのいずれか１種以上で構成された被覆層は、銅箔上のレジスト部分に近い位置にあり、レジスト側の銅箔のエッチングは、この被覆層近傍がエッチングされていく速度よりも速い速度で、被覆層から離れた部位の銅のエッチングが進行することにより、銅の回路パターンのエッチングがほぼ垂直に進行する。これにより銅の不必要部分を除去されて、次いでエッチングレジストを剥離・除去して回路パターンを露出することができる。
積層体に回路パターンを形成するために用いるエッチング液に対しては、被覆層のエッチング速度は、銅よりも十分に小さいためエッチングファクターを改善する効果を有する。エッチング液は、塩化第二銅水溶液、又は、塩化第二鉄水溶液等を用いることができる。また、銅箔基材と被覆層との間には、初期エッチング性に悪影響を及ぼさない限り、耐加熱変色性の観点から下地層を設けてもよい。下地層としては、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、銀、マンガンが好ましい。下地層を設ける方法は、乾式法及び湿式法のいずれを用いても良い。
【００４２】
（プリント配線板の銅箔表面の回路形状）
上述のように被覆層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の銅箔表面の回路は、その長尺状の２つの側面が絶縁基板上に垂直に形成されるのではなく、通常、銅箔の表面から下に向かって、すなわち樹脂層に向かって、末広がりに形成される（ダレの発生）。これにより、長尺状の２つの側面はそれぞれ絶縁基板表面に対して傾斜角θを有している。現在要求されている回路パターンの微細化（ファインピッチ化）のためには、回路のピッチをなるべく狭くすることが重要であるが、この傾斜角θが小さいと、それだけダレが大きくなり、回路のピッチが広くなってしまう。また、回路表面の幅Ｗ１(μｍ)および回路底面の幅Ｗ２（μｍ）は、通常、各回路及び回路内で完全に一定ではない。このようなＷ1及びＷ２のばらつきが大きいと、回路の品質に悪影響を及ぼすおそれがある。従って、被覆層側からエッチングされて形成されたプリント配線板の銅箔表面の回路は、長尺状の２つの側面がそれぞれ絶縁基板表面に対して６５〜９０°の傾斜角θを有するのが望ましい。また、銅箔又は銅層の厚みをｂ（μｍ）、回路のピッチ幅をＸ（μｍ）、エッチングファクターＥ．Ｆ．をｂ／｛（Ｗ２−Ｗ１）／２｝としたとき、Ｗ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧１．５且つ、Ｗ１及びＷ２の標準偏差が０．８以下であるのが望ましく、さらにＷ２／Ｘ≧０．２のときＥ．Ｆ．≧２．５であるのが望ましい。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００４４】
（例１：実施例１〜３２）
（銅箔への被覆層の形成）
実施例１〜３２の銅箔基材として、表１に記載の厚さ及び表面粗さの各種銅箔又は銅層（圧延銅箔については日鉱金属製Ｃ１１００、メタライジングＣＣＬについては、日鉱金属製マキナス〔銅層側Ｒａ０．０１μｍ、タイコート層の金属付着量Ｎｉ１７８０μｇ/ｄｍ2、Ｃｒ３６０μｇ/ｄｍ2〕）を用意した。
【００４５】
銅箔の表面に付着している薄い酸化膜を逆スパッタにより取り除き、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄのターゲットを以下の装置及び条件でスパッタリングすることにより、被覆層を形成した。被覆層の厚さは成膜時間を調整することにより変化させた。スパッタリングに使用した各種金属の単体は純度が３Ｎのものを用いた。
・装置：バッチ式スパッタリング装置（アルバック社、型式ＭＮＳ−６０００）
・到達真空度：１．０×１０-5Ｐａ
・スパッタリング圧：０．２Ｐａ
・逆スパッタ電力：１００Ｗ
・スパッタリング電力：５０Ｗ
・ターゲット：エッチング面用
Ａｕ−５０ｗｔ％Ｐｄ、Ｐｔ−５０ｗｔ％Ｐｄ
Ａｕ−５０ｗｔ％Ｐｔ
Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｎ（３Ｎ）
Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｒ、Ｎｉ−７ｗｔ％Ｖ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｍｎ
Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｚｎ、Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｓｎ
・ターゲット：接着面用
Ｎｉ、Ｃｒ（３Ｎ）
・成膜速度：各ターゲットについて一定時間約０．２μｍ成膜し、３次元測定器で厚さを測定し、単位時間当たりのスパッタレートを算出した。
【００４６】
被覆層を設けた銅箔に対して、被覆層と反対側の表面にあらかじめ付着している薄い酸化被膜を逆スパッタリングによって取り除き、Ｎｉ層及びＣｒ層を順に成膜した。
上記手順で表面処理が施された銅箔に、接着剤付ポリイミドフィルム（ニッカン工業製、ＣＩＳＶ１２１５）を７ｋｇｆ/ｃｍ2の圧力、１６０℃で４０分間の加熱プレスで積層させた。一部の銅箔は、窒素雰囲気下で３５０℃で２時間保持した後に、上記手順でポリイミドフィルムと積層させた。
【００４７】
＜付着量の測定＞
被覆層のＡｕ，Ｐｄ、Ｐｔの付着量測定は、王水で表面処理銅箔サンプルを溶解させ、その溶解液を希釈し、原子吸光分析法で行った。Ｎｉ、Ｎｉ系合金の付着量測定としては、５０ｍｍ×５０ｍｍの銅箔表面の被膜をＨＮＯ3（２重量％）とＨＣｌ（５重量％）を混合した溶液に溶解し、その溶液中の金属濃度をＩＣＰ発光分光分析装置（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、ＳＦＣ−３１００）にて定量し、単位面積当たりの金属量（μｇ／ｄｍ2）を算出した。
【００４８】
（エッチングによる回路形状）
銅箔のエッチング面をアセトンで脱脂し、硫酸（１００ｇ／Ｌ）に３０秒浸漬させて、表面の汚れ及び酸化層を取り除いた。次に、スピンコーターを用いて液体レジスト（東京応化工業製、ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）をエッチング面に滴下し、乾燥させた。乾燥後のレジスト厚みは１μｍとなるように調整した。その後、露光工程により１０本の回路を印刷し、さらに銅箔の不要部分を除去するエッチング処理を以下の条件で実施した。
【００４９】
＜エッチング条件＞
・塩化第二鉄水溶液：（３７ｗｔ％、ボーメ度：４０°）
・液温：５０°Ｃ
・スプレー圧：０．２５ＭＰａ
（５０μｍピッチ回路形成）
・レジストＬ／Ｓ＝３３μｍ／１７μｍ
・仕上がり回路ボトム（回路底部）幅：２５μｍ
・エッチング時間：１０〜１３０秒
（３０μｍピッチ回路形成）
・レジストＬ／Ｓ＝２５μｍ／５μｍ
・仕上がり回路ボトム（回路底部）幅：１５μｍ
・エッチング時間：３０〜２００秒
・エッチング終点の確認：時間を変えてエッチングを数水準行い、光学顕微鏡で回路間に銅が残存しなくなるのを確認し、これをエッチング時間とした。
エッチング後、４５℃のＮａＯＨ水溶液（１００ｇ／Ｌ）に１分間浸漬させてレジストを剥離した。
【００５０】
＜エッチングファクターの測定条件＞
エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａ（＝（Ｗ２−Ｗ１）／２）とした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図１に、回路パターンの一部の表面写真と、当該部分における回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＷ１及びＷ２は、それぞれ回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。さらに、傾斜角θは上記手順で測定したａ及び銅箔の厚さｂを用いてアークタンジェントを計算することにより算出した。これらの測定範囲は回路長６００μｍで、１２点のＷ１、Ｗ２、その標準偏差、及びエッチングファクター、傾斜角θの平均値を結果として採用した。
【００５１】
（例２：比較例３３〜４９）
比較例３３〜４９の銅箔基材として、表３に記載の厚さ及び表面粗さの各種銅箔又は銅層を準備し（圧延銅箔については日鉱金属製Ｃ１１００、電解銅箔については日鉱金属製ＪＴＣ箔、メタライジングＣＣＬについては、日鉱金属製マキナス〔銅層側Ｒａ０．０１μｍ、タイコート層の金属付着量Ｎｉ１７８０μｇ/ｄｍ2、Ｃｒ３６０μｇ/ｄｍ2〕）、それぞれ例１の手順で表面処理を施し、エッチング処理を行った。
例１〜２の各測定結果を表１〜４に示す。
【００５２】
【表１】
0005506497.tif 000002
【００５３】
【表２】
0005506497.tif 000003
【００５４】
【表３】
0005506497.tif 000004
【００５５】
【表４】
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【００５６】
＜評価＞
（実施例１〜３２）
実施例１〜３２では、５０μｍピッチ及び３０μｍピッチの両方のレジストパターンで、エッチングファクターが大きく且つバラツキもなく、矩形方に近い断面の回路を形成することができた。
図２に、実施例２９により形成された回路の写真およびその断面写真を示す。
【００５７】
（比較例３３〜４９）
比較例３３及び４６は、表面にＰｔ、Ｐｄ、Ａｕが付着しておらず、エッチングファクターが小さくなった。
比較例３４〜３９では、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕの付着量が多く、直線性が不良となった。
比較例４０〜４９では、用いた銅箔の表面粗さＲａが大きく、直線性が不良となった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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