(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４角部を備えた矩形であり素子周縁部を画定する半導体基板上に、第１導電型の第１半導体層と、光吸収層と、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型の第２半導体層とが順次積層されると共に、少なくとも前記第２半導体層と前記光吸収層とからなるメサ構造を有し、前記半導体基板の中心部よりも前記第１角部に寄せて設けられた受光部と、
前記半導体基板上に設けられ、前記第１半導体層に電気的に接続する第１電極パッドと、
前記第１角部と対角に位置する第２角部の近傍の前記半導体基板上に設けられ、前記第２半導体層に電気的に接続する第２電極パッドと、を具備し、
前記第２電極パッドと前記素子周縁部との最短距離は、前記第１電極パッドと前記素子周縁部との最短距離に比べて長いことを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドは、ワイヤボンディングパッドであることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記第１電極パッドは、前記半導体基板の角部のうち前記第１角部および前記第２角部以外の第３および第４角部の近傍に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。
【請求項４】
前記第３および第４角部のいずれか一方の近傍に設けられた前記第１電極パッドにのみ、ワイヤボンディングがなされることを特徴とする請求項３記載の半導体受光素子。
【請求項５】
前記半導体基板は、半絶縁性であることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体受光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体受光素子として、メサ構造を採用した半導体受光素子が知られている。メサ構造を有する半導体受光素子は、例えば、半導体基板上に、ｎ型半導体層、光吸収層、ｐ型半導体層が順次形成され、ｎ型半導体層に接続するｎ電極、ｐ型半導体層に接続するｐ電極を備えている。また、ｎ電極および／またはｐ電極を複数備えた半導体受光素子が知られており、例えば特許文献１には、２つのｎ電極を備えた半導体受光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３９４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近、半導体受光素子の小型化の要求が大きい。素子の小型化を進めていくと、電極パッドのサイズも小さくなるので、ワイヤボンディングの精度によっては、電極パッドの外にワイヤがはみ出し、はみ出したワイヤにより、電極パッドと半導体基板との間で漏れ電流が生じてしまう場合がある。電極パッドと半導体基板との間で漏れ電流が生じてしまうと、半導体受光素子の特性が劣化してしまう場合がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１乃至第４角部を備えた矩形であり素子周縁部を画定する半導体基板上に第１導電型の第１半導体層と、光吸収層と、前記第１導電型と反対の導電型である第２導電型の第２半導体層とが順次積層されると共に、少なくとも前記第２半導体層と前記光吸収層とからなるメサ構造を有し、前記半導体基板の中心部よりも前記第１角部に寄せて設けられた受光部と、前記半導体基板上に設けられ、前記第１半導体層に電気的に接続する第１電極パッドと、前記第１角部と対角に位置する第２角部の近傍の前記半導体基板上に設けられ、前記第２半導体層に電気的に接続する第２電極パッドと、を具備し、前記第２電極パッドと前記素子周縁部との最短距離は、前記第１電極パッドと前記素子周縁部との最短距離に比べて長いことを特徴とする半導体受光素子である。本発明によれば、受光部を第１角部に寄せて設けることで半導体受光素子の小型化が図れ、第２電極パッドと素子周縁部との距離が長いことでワイヤボンディングの際のワイヤにより第２電極パッドと半導体基板との間で漏れ電流が生じることを抑制できる。これにより、小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を得ることができる。
【０００７】
上記構成において、前記第１電極パッドおよび前記第２電極パッドは、ワイヤボンディングパッドである構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１電極パッドは、前記半導体基板の角部のうち前記第１角部および前記第２角部以外の第３および第４角部の近傍に設けられてなる構成とすることができる。この構成によれば、ワイヤの引き出し方向の自由度が増すため、ワイヤが受光面上を通過することによる受光感度特性の劣化やワイヤ同士の接触を抑制できる。
【０００９】
上記構成において、前記第３および第４角部のいずれか一方の近傍に設けられた前記第１電極パッドにのみ、ワイヤボンディングがなされる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記半導体基板は、半絶縁性である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施例１に係る半導体受光素子の上面模式図の例である。
【図２】図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ間の断面模式図の例であり、図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。
【図３】図３は、比較例１に係る半導体受光素子の上面模式図の例である。
【図４】図４は、ｐ電極パッドにワイヤボンディングを行った場合を説明する、図３のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。
【図５】図５は、ｐ電極パッドにワイヤボンディングを行った場合を説明する、図１のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。
【図６】図６は、実施例１の変形例に係る半導体受光素子が、実装部に搭載された場合を示す上面模式図の例である。
【図７】図７は、実施例１に係る半導体受光素子が、実装部に搭載された場合を示す上面模式図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１は、実施例１に係る半導体受光素子の上面模式図の例である。図１のように、半導体受光素子１００は、例えば、半絶縁性ＩｎＰ基板である半導体基板１０上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層とＩｎＧａＡｓ光吸収層とｐ型ＩｎＧａＡｓ層とが順次積層され、ＩｎＧａＡｓ光吸収層とｐ型ＩｎＧａＡｓ層とからなるメサ構造を有する受光部４０と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層に電気的に接続する２つのｎ電極パッド１２と、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層に電気的に接続する１つのｐ電極パッド１４と、を有する。ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４とは、例えば半導体基板１０側からＴｉ、Ｐｔ、Ａｕが順次堆積された積層体である。ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４とはワイヤボンディングパッドである。よって、ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４との大きさはワイヤボンディングの精度に基づき決定されるものであり、夫々同じ大きさとなっている。
【００１５】
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層上には２つのｎ型オーミック電極１６が設けられ、２つのｎ型オーミック電極１６と２つのｎ電極パッド１２とは夫々、例えばＡｕからなる配線１８により接続されている。これにより、ｎ電極パッド１２とｎ型ＩｎＧａＡｓ層とが電気的に接続している。２つのｎ型オーミック電極１６は、受光部４０を挟むように位置している。ｐ型ＩｎＧａＡｓ層上には、受光面４８の周囲にリング状のｐ型オーミック電極２０が設けられ、ｐ型オーミック電極２０とｐ電極パッド１４とは、例えばＡｕからなる配線２２により接続されている。これにより、ｐ電極パッド１４とｐ型ＩｎＧａＡｓ層とが電気的に接続している。ｎ型オーミック電極１６とｐ型オーミック電極２０とは、例えば半導体基板１０側からＰｔ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが順次堆積された積層体である。
【００１６】
半導体基板１０は矩形であり、素子周縁部１１を画定している。即ち、半導体基板１０の周囲が、素子周縁部１１となっている。受光部４０は、矩形の半導体基板１０が有する４つの角部（第１角部２４から第４角部３０）のうちの１つである第１角部２４側に寄せて設けられている。つまり、受光部４０は、半導体基板１０の中心部よりも第１角部２４に寄せて設けられている。言い換えると、半導体基板１０の中心を原点として、第１象限、第２象限、第３象限、および第４象限に区分けした場合に、受光面４８の中心は、第１角部２４を含む第１象限に位置している。
【００１７】
ｐ電極パッド１４は、半導体基板１０が有する４つの角部のうちの第１角部２４と対角に位置する第２角部２６の近傍に設けられている。即ち、ｐ電極パッド１４は、第２角部２６を含む第３象限に位置している。
【００１８】
２つのｎ電極パッド１２は、半導体基板１０が有する４つの角部のうちの第１角部２４および第２角部２６以外の残りの角部である第３角部２８および第４角部３０の近傍に夫々設けられている。即ち、ｎ電極パッド１２は、第３角部２８を含む第２象限と、第４角部３０を含む第４象限と、に位置している。
【００１９】
ｐ電極パッド１４と受光部４０との最短距離Ｘ１、ｎ電極パッド１２と受光部４０との最短距離Ｘ２は夫々、耐圧や形状などの観点から必要最低限な長さが確保されている。ｐ電極パッド１４と受光部４０との最短距離Ｘ１は、例えば４６μｍであり、ｎ電極パッド１２と受光部４０との最短距離Ｘ２は、例えば１２μｍである。受光面４８の中心は第１象限に位置し、ｎ電極パッド１２は第２象限および第４象限に位置し、ｐ電極パッド１４は第３象限に位置する。このことから、ｐ電極パッド１４と受光部４０との最短距離Ｘ１およびｎ電極パッド１２と受光部４０との最短距離Ｘ２を夫々、必要最低限な長さを確保して設けると、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１は、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との最短距離Ｙ２に比べて長くなる。半導体基板１０が、例えば一辺４００μｍの正方形である場合、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１は、例えば２５μｍであり、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との最短距離Ｙ２は、例えば１０μｍである。このように、ｐ電極パッド１４は、ｎ電極パッド１２よりも半導体基板１０の中心側に寄せて設けられている。
【００２０】
図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ間の断面模式図の例であり、図２（ｂ）は、図１のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、例えば、半絶縁性ＩｎＰ基板である半導体基板１０上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６が順次積層されると共に、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とからなるメサ構造を有する受光部４０が形成されている。即ち、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２上に形成されたＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６との周辺部分が除去されてｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２の上面の一部が露出されている。受光部４０の形成方法は、半導体基板１０上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６を順に結晶成長させて積層構造を形成した後、ウエットエッチングを行うことで、所望の形状の受光部４０を形成している。受光部４０の一部は、結晶成長させた際の結晶方位に起因し、ウエットエッチングにより順テーパ形状となっている。
【００２１】
ｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２上には、ｎ型オーミック電極１６が形成されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６上には、受光面４８の周囲にリング状のｐ型オーミック電極２０が形成されている。ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６上の受光面４８、受光面４８の周囲の領域、および受光部４０のメサ側面を覆うように、例えばＩｎＰからなるパッシベーション膜５０が形成されている。このとき、ｐ型オーミック電極２０は露出されている。チップ表面上の受光面４８を除いた領域の表面を覆うように、例えばＳｉＮからなる絶縁膜５１が形成されている。このとき、ｎ型オーミック電極１６およびｐ型オーミック電極２０は露出されている。このように、受光部４０の側面をパッシベーション膜５０で覆うことで、低暗電流化を図ることができる。
【００２２】
絶縁膜５１上に、ｎ電極パッド１２およびｎ電極パッド１２とｎ型オーミック電極１６とを接続する配線（図示せず）が設けられている。また、絶縁膜５１上に、ｐ電極パッド１４およびｐ電極パッド１４とｐ型オーミック電極２０とを接続する配線２２が設けられている。配線２２は、受光部４０の順テーパ形状をした部分に沿って設けられている。これにより、配線２２が断線することを抑制できる。ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４を露出させ、その他の表面を覆うように、受光面４８に入射する光の波長に対して透明な例えばＳｉＯＮである保護膜５２が形成されている。
【００２３】
ここで、比較例１に係る半導体受光素子を用い、ワイヤボンディングを行う際に生じる課題について説明する。図３は、比較例１に係る半導体受光素子３００の上面模式図の例である。図３のように、比較例１に係る半導体受光素子３００は、実施例１に係る半導体受光素子１００よりも、ｐ電極パッド１４が第２角部２６側に配置されている。つまり、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１が、実施例１に係る半導体受光素子１００よりも短くなっている。その他の構造については、図１に示した実施例１に係る半導体受光素子１００と同じであるため、ここでは説明を省略する。
【００２４】
図４は、比較例１に係る半導体受光素子３００のｐ電極パッド１４にワイヤボンディングを行ったときの、図３のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。図４のように、ワイヤボンディングの精度によっては、ワイヤ５４がｐ電極パッド１４の外にはみ出す場合があり得る。この場合、比較例１に係る半導体受光素子３００のように、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１が短い場合は、ワイヤ５４が、ｐ電極パッド１４と半導体基板１０の側面とに渡り形成される場合がある。これにより、ｐ電極パッド１４と半導体基板１０との間で漏れ電流が生じ、特性の劣化が生じてしまう。例えば、ワイヤボンディングがはみ出した場合、ｐ電極パッド１４とｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２とが、半導体基板１０を介して短絡してしまい、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２とｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６との間に正常な電位差を印加することができなくなってしまう。
【００２５】
次に、実施例１に係る半導体受光素子１００のｐ電極パッド１４にワイヤボンディングを行った場合を説明する。図５は、実施例１に係る半導体受光素子１００のｐ電極パッド１４にワイヤボンディングを行ったときの、図１のＢ−Ｂ間の断面模式図の例である。図５のように、ワイヤ５４がｐ電極パッド１４の外にはみ出した場合であっても、実施例１に係る半導体受光素子１００では、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１が長いことから、ワイヤ５４がｐ電極パッド１４と半導体基板１０の側面とに渡り形成され難く、ｐ電極パッド１４と半導体基板１０との間で漏れ電流は生じ難い。
【００２６】
以上説明してきたように、実施例１によれば、図１で説明したように、第１角部２４から第４角部３０を備えた矩形であり素子周縁部１１を画定する半導体基板１０上に、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とが順次積層され、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とからなるメサ構造を有する受光部４０が形成されている。そして、受光部４０は、半導体基板１０の中心部よりも第１角部２４に寄せて設けられている。このように、受光部４０を第１角部２４に寄せて設けることで、受光面４８の大きさを確保しつつ、半導体受光素子１００の小型化を図ることができる。
【００２７】
また、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６に電気的に接続するｐ電極パッド１４は、半導体基板１０の角部のうち第１角部２４と対角に位置する第２角部２６の近傍に設けられている。これにより、ｐ電極パッド１４と受光部４０との最短距離Ｘ１およびｎ電極パッド１２と受光部４０との最短距離Ｘ２を必要最低限な長さを確保した場合に、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１を、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との最短距離Ｙ２に比べて長くすることができる。よって、図５で説明したように、ｐ電極パッド１４へのワイヤボンディングの精度如何により、ワイヤ５４がｐ電極パッド１４の外にはみ出したとしても、ｐ電極パッド１４と半導体基板１０との間で漏れ電流が生じることを抑制でき、半導体受光素子１００の特性劣化を抑制できる。このように、実施例１によれば、小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子１００を得ることができる。
【００２８】
なお、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との距離Ｙ２は短いことから、ｎ電極パッド１２にワイヤボンディングを行った場合に、ワイヤ５４がｎ電極パッド１２の外にはみ出し、ｎ電極パッド１２と半導体基板１０とが接続する場合が有り得る。しかしながら、ｎ型オーミック電極１６と半導体基板１０とは電気的に同電位であるため、ワイヤ５４によりｎ電極パッド１２と半導体基板１０とが接続した場合でも、特性劣化などは生じない。
【００２９】
実施例１では、図１のように、ｎ電極パッド１２およびｐ電極パッド１４は夫々、受光部４０に近い側の角部が面取りされている。これにより、半導体受光素子１００の小型化を図りつつ、ｎ電極パッド１２と受光部４０との距離およびｐ電極パッド１４と受光部４０との距離を開けることができる。
【００３０】
実施例１では、受光部４０は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とからなるメサ構造を有する場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。例えば、受光部４０は、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２の一部とからなるメサ構造を有する場合でもよい。即ち、受光部４０は、少なくともｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とからなるメサ構造を有する場合であればよい。
【００３１】
実施例１では、ｎ電極パッド１２は、第３角部２８および第４角部３０の夫々の近傍に設けられている場合を例に示したが、これに限られる訳ではない。ｎ電極パッド１２は、例えば第３角部２８および第４角部３０のいずれか一方の角部近傍に設けられている場合や、第３角部２８および第４角部３０の近傍以外の１箇所に設けられている場合でもよい。これらの場合でも、小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を得ることができる。しかしながら、ｎ電極パッド１２は、図１のように、第３角部２８および第４角部３０夫々の近傍に設けられている場合が好ましい。以下に、好ましい理由を説明する。
【００３２】
図６は、実施例１の変形例に係る半導体受光素子が、実装部に搭載された場合を示す上面模式図の例である。図６のように、実施例１の変形例に係る半導体受光素子２００は、ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４とを夫々１つづつ備えている。ｐ電極パッド１４は、第２角部２６の近傍に設けられ、ｎ電極パッド１２は、第４角部３０の近傍に設けられている。その他の構成については、実施例１と同じであり、図１に示しているため、ここでは説明を省略する。
【００３３】
半導体受光素子２００と実装部６０とを電気的に接続するため、半導体受光素子２００に備わるｎ電極パッド１２およびｐ電極パッド１４と、実装部６０に備わるｎ電極パッド６２およびｐ電極パッド６４と、をそれぞれワイヤ５４により接続する。実施例１の変形例に係る半導体受光素子２００のように、ｎ電極パッド１２とｐ電極パッド１４とを夫々１つづつ備えている場合は、半導体受光素子２００のｎ電極パッド１２およびｐ電極パッド１４の配置と、実装部６０に備わるｎ電極パッド６２およびｐ電極パッド６４の配置との関係によっては、ワイヤ５４が受光面４８上を通過して受光感度特性が劣化する場合がある。また、ｎ電極パッド１２に接続するワイヤ５４とｐ電極パッド１４に接続するワイヤ５４とが接触してしまう場合がある。
【００３４】
図７は、実施例１に係る半導体受光素子１００が、実装部に搭載された場合を示す上面模式図の例である。図７のように、実施例１に係る半導体受光素子１００は、第２角部２６の近傍にｐ電極パッド１４を、第３角部２８および第４角部３０夫々の近傍にｎ電極パッド１２を備える。これにより、ワイヤ５４を引き出す向きの自由度が増し、実装部６０に備わるｎ電極パッド６２およびｐ電極パッド６４の配置に関らず、ワイヤ５４が受光面４８上を通過することによる受光感度特性劣化や、ワイヤ５４同士が接触することによる特性劣化を抑制することができる。
【００３５】
このことから、ｎ電極パッド１２は、半導体基板１０の角部のうち受光部４０が寄せて設けられた第１角部２４およびｐ電極パッド１４が近傍に設けられた第２角部２６以外の第３角部２８および第４角部３０夫々の近傍に設けられている場合が好ましい。これにより、図７で説明したように、ワイヤ５４が受光面４８上を通過することによる受光感度特性劣化や、ワイヤ５４同士が接触することによる特性劣化を抑制することができる。特に、図７で示したように、実装部６０に１つのｎ電極パッド６２が設けられ、第３角部２８および第４角部３０の夫々に設けられたｎ型電極パッド１２のいずれか一方にのみワイヤボンディングをする場合に、受光感度特性の劣化や、ワイヤ５４同士の接触による特性劣化を抑制する効果が大きい。
【００３６】
また、ｎ電極パッド１２は、第３角部２８および第４角部３０夫々の近傍に設けられている場合に限らず、例えば、第２角部２６を形成する２つの辺夫々に沿って設けられていればよい。即ち、第２角部２６を形成する２つの辺に沿って、ｎ電極パッド１２、ｐ電極パッド１４、ｎ電極パッド１２の順に設けられていればよい。言い換えると、ｎ電極パッド１２は、第１角部２４の対角線により２つに区分けされる半導体基板１０の夫々の領域に設けられていればよい。この場合でも、ワイヤ５４を引き出す向きの自由度を増すことができ、ワイヤ５４が受光面４８上を通過することによる受光感度特性劣化や、ワイヤ５４同士が接触することによる特性劣化を抑制できる。特に、図１で説明したように、ｎ電極パッド１２を、第３角部２８および第４角部３０夫々の近傍に設けると、ワイヤ５４が受光面４８上を通過することによる受光感度特性劣化の抑制やワイヤ５４同士が接触することによる特性劣化の抑制に加え、半導体受光素子１００をより小型化することが可能となる。
【００３７】
実施例１において、第１導電型の第１半導体層はｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２であり、第２導電型の第２半導体層はｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６である場合を例に示したが、これに限られるわけではない。例えば、第１導電型がｐ型で第２導電型がｎ型である場合でもよい。また、半導体基板１０などの材料に応じてＩｎＧａＡｓ以外の材料を用いる場合でもよい。また、半導体基板１０は、半絶縁性ＩｎＰ基板である場合を例に示したが、半絶縁性ＩｎＰ以外の半絶縁性半導体基板を用いる場合でもよい。
【００３８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  半導体基板
１２  ｎ電極パッド
１４  ｐ電極パッド
１６  ｎ型オーミック電極
１８  配線
２０  ｐ型オーミック電極
２２  配線
２４  第１角部
２６  第２角部
２８  第３角部
３０  第４角部
４０  受光部
４２  ｎ型ＩｎＧａＡｓ層
４４  ＩｎＧａＡｓ光吸収層
４６  ｐ型ＩｎＧａＡｓ層
４８  受光面
５０  パッシベーション膜
５１  絶縁膜
５２  保護膜
５４  ワイヤ
６０  実装部
６２  ｎ電極パッド
６４  ｐ電極パッド
１００  半導体受光素子
２００  半導体受光素子
３００  半導体受光素子
【図１】
0005474662.tif 000002
【図２】
0005474662.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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