(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室を有するプラズマ成膜装置であって、
前記反応室は、
基板が載置される第１電極と、
前記第１電極と対向し、高周波電力が供給される第２電極と、を有し、
前記第２電極の前記第１電極と対向する面には、複数の凸部と複数の凹部とを有し、
複数の前記凸部と複数の前記凹部とは、それぞれが１つずつ交互に設けられ、
前記複数の凸部のそれぞれは第１のガス導入口を有し、
前記複数の凹部のそれぞれは第２のガス導入口を有し、
前記第１のガス導入口からは、窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガスが導入され、
前記第２のガス導入口からは、シリコンまたはゲルマニウムを含むガスが導入され、
前記第２電極に前記高周波電力を供給することで、前記第２の電極の複数の前記凸部と前記第１の電極との間で、プラズマは形成され、
前記プラズマは、前記第２電極の複数の前記凹部では形成されず、
前記基板上にはシリコンまたはゲルマニウムを含む膜が成膜されることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記凹部の幅は１０ｍｍ以下であり、前記凹部の深さは１０ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２電極の前記凸部は前記第１電極に近づくにつれ断面積が小さくなることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２電極の前記凸部の頂部または稜は、丸まっていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プラズマ処理装置、該プラズマ処理装置を用いた膜の作製方法、及び薄膜トランジスタの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
分解効率の高いガス及び分解効率の低いガスを原料ガスとして、均質な膜を基板上に堆積させるために、凸部、及び凹部を有する上部電極を備えた平行平板型のプラズマ処理装置がある。当該プラズマ処理装置では、上部電極において下部電極との距離が近い領域（即ち、凸部の表面）の導入口から、分解効率の高いガス（Ｏ２）を処理室内に導入し、上部電極において下部電極との距離が遠い領域（即ち、凹部の表面）の導入口から、分解効率の低いガス（ＳｉＦ４）を処理室内に導入し、下部電極に周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、上部電極に周波数２７．１２ＭＨｚの高周波電圧を印加することで、下部電極と上部電極の間にプラズマを発生させる。この際、凸部の表面と下部電極表面との間のみならず、上部電極の凹部内にもプラズマが発生しており、凸部の表面では下部電極上に設けられた基板の垂直方向における高密度プラズマ領域が狭く、上部電極の凹部内では基板の垂直方向における高密度プラズマ領域が広い。上部電極の凹部の表面の導入口から凹部内の高密度プラズマ領域へ分解効率の低いガスが導入されるため、分解効率の低いガスは、分解効率の高いガスと比較してプラズマに曝される時間が長くなり、解離が促進される。この結果、プラズマ処理速度の向上が可能であると共に、分解効率の低いガスが十分に解離され、均質な膜を基板に堆積させることができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６９２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一態様は、均質で良質な膜を形成することのできるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【０００５】
本発明の一態様は、上記プラズマ処理装置を用いて、均質で良質な膜を作製することを課題とする。
【０００６】
本発明の一態様は、上記プラズマ処理装置を用いて、信頼性の高い薄膜トランジスタの作製することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、上部電極と下部電極を有し、該上部電極は第１導入口が設けられた凸部と第２導入口が設けられた凹部を有し、該上部電極の凸部の間隔は、プラズマ発生時に生じるシース厚さの２倍以下であるプラズマ処理装置である。
【０００８】
または、本発明の一態様は、上部電極と下部電極を有し、該上部電極は第１導入口が設けられた凸部と第２導入口が設けられた凹部を有し、該上部電極の凸部と凹部の高低差は、プラズマ発生時に生じるシース厚さ以下であるプラズマ処理装置である。
【０００９】
本発明の一態様は、上部電極と下部電極を有し、該上部電極は第１導入口が設けられた凸部と第２導入口が設けられた凹部とを有し、該上部電極の凸部近傍で電子密度の高いバルクプラズマを発生させるプラズマ処理装置である。
【００１０】
なお、上記構成のプラズマ処理装置において、第１導入口から反応室に導入されるガスと、第２導入口から反応室に導入されるガスとの種類は異ならせるとよい。
【００１１】
本発明の一態様は、上部電極と下部電極を有し、該上部電極は第１導入孔（第１のガス管）が設けられた凸部と第２導入孔（第２のガス管）が設けられた凹部を有し、該上部電極の第１導入孔（第１のガス管）は解離しにくいガスが充填された第１シリンダと接続し、第２導入孔（第２のガス管）は解離しやすいガスが充填された第２シリンダと接続し、該上部電極の凸部の表面に設けられた第１導入孔（第１のガス管）の導入口から、解離しにくいガスが反応室に導入され、凹部の表面に設けられた第２導入孔（第２のガス管）の導入口から、解離しやすいガスが反応室に導入されるプラズマ処理装置である。なお、ここで括弧書きにて記したように、本明細書中において、「導入孔」はガス管を表し、「導入口」はガス管に接続されたガスの出口部分を表す。
【００１２】
本発明の一態様は、上記プラズマ処理装置を用いる膜の作製方法である。
【００１３】
本発明の一態様は、上記膜の作製方法を適用した薄膜トランジスタの作製方法である。
【発明の効果】
【００１４】
均質で良質な膜を作製することができる。更には、信頼性の高い薄膜トランジスタを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】プラズマ処理装置の一例を説明する図。
【図２】プラズマ処理装置の一例を説明する図。
【図３】プラズマ処理装置の上部電極の形状を説明する図。
【図４】プラズマ処理装置の上部電極の形状を説明する図。
【図５】成膜装置の構成の一例を説明する図。
【図６】プラズマ処理装置の上部電極と下部電極を説明する図。
【図７】計算結果を説明する図。
【図８】計算結果を説明する図。
【図９】プラズマ処理装置中のプラズマの強度を説明する図。
【図１０】プラズマ処理装置中のプラズマの強度を説明する図。
【図１１】計算結果を説明する図。
【図１２】薄膜トランジスタの作製方法の一例を説明する図。
【図１３】薄膜トランジスタの作製方法の一例を説明する図。
【図１４】電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。そして、便宜上、絶縁層は上面図には表さない場合がある。なお、各図面において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて表記している場合がある。従って、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００１７】
（実施の形態１）
図１はプラズマ処理装置の一構成を示す。反応室１００ｂはアルミニウムまたはステンレス等の剛性のある素材で形成され、内部を真空排気できるように構成されている。本実施の形態で示すプラズマ処理装置は、機械的強度を高めるためにチャンバーの素材をステンレスとし、内面にアルミニウム溶射を施したものである。なお、本実施の形態で示すプラズマ処理装置は、メンテナンスのため分解が可能なチャンバー構成とし、定期的に再度のアルミニウム溶射を施す。反応室１００ｂには第２電極１０２（上部電極とも呼ぶ。）と、第２電極１０２と対向する第１電極１０１（下部電極とも呼ぶ。）が備えられている。
【００１８】
第２電極１０２には高周波電力供給手段１０３が連結されている。第１電極１０１は接地され、基板を載置できるように構成されている。第２電極１０２は絶縁材１１６により反応室１００ｂと絶縁分離されることで、高周波電力が漏洩しないように構成されている。絶縁材１１６として、例えばセラミック材料を用いる場合には、上部電極のシールにナイフエッジ型メタルシールフランジを用いることが困難であるため、Ｏリングシールを用いるとよい。
【００１９】
なお、図１では、第２電極１０２と第１電極１０１を有する容量結合型（平行平板型）の構成を示しているが、これに限定されない。高周波電力を供給して反応室１００ｂの内部にグロー放電プラズマを発生させることができるものであれば、誘導結合型等の他の構成を適用してもよい。
【００２０】
第２電極１０２は、凸部１４１及び凹部１４３が規則的に、好ましくは等間隔で配置された凹凸電極である。凸部１４１は、第２電極１０２に設けられた突起部であるともいえる。そして、第２電極１０２の凸部１４１には、ガス供給手段１０８に接続される第１導入孔１４２が設けられており、第２電極１０２の凹部１４３には、ガス供給手段１０８に接続される第２導入孔１４４が設けられている。このような構造とすることにより、凸部１４１と凹部１４３から反応室１００ｂに供給されるガス種を異ならせることができる。なお、ここでは、下部電極の表面との距離が近い導入口を有する領域を凸部１４１とし、下部電極の表面との距離が遠い導入口を有する領域を凹部１４３として示す。
【００２１】
第１導入孔１４２は、ガスライン１４５を介してガス供給手段１０８の反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が充填されたシリンダ１１０ａに接続されている。第２導入孔１４４は、ガスライン１４６を介してガス供給手段１０８のシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が充填されたシリンダ１１０ｃに接続されている。このため、凸部１４１に設けられている第１導入孔１４２の導入口からは、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が反応室１００ｂに供給される。凹部１４３に設けられている第２導入孔１４４の導入口からは、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が反応室１００ｂに供給される。
【００２２】
ガス供給手段１０８は、ガスが充填されたシリンダ１１０、圧力調整弁１１１、ストップバルブ１１２、マスフローコントローラ１１３等で構成されている。ガス供給手段１０８は、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が充填されたシリンダ１１０ａと、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が充填されたシリンダ１１０ｃと、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂとを有する。なお、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂは、第１導入孔１４２及び第２導入孔１４４の一方または双方に接続されていればよい。なお、ここでは、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が充填されたシリンダ１１０ａ、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が充填されたシリンダ１１０ｃ、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂそれぞれにおいて代表的に一つの供給源を示したが、シリンダ１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃそれぞれにおいて、複数の供給源を有してもよい。
【００２３】
シリンダ１１０ａに充填された酸化性ガスとしては、例えば、酸素ガス、オゾンガス、一酸化二窒素ガス等があるが、他の酸化性ガスを用いることもできる。
【００２４】
シリンダ１１０ａに充填された窒化性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アンモニアガス、ヒドラジンガス等があるが、他の窒化性ガスを用いることもできる。
【００２５】
シリンダ１１０ｃに充填されたシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体としては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガス、ゲルマン（ＧｅＨ４）ガス、ジゲルマン（Ｇｅ２Ｈ６）ガス等があるが、他の堆積性気体を用いることもできる。
【００２６】
シリンダ１１０ｂに充填された希釈ガスとしては、ヘリウムガス、ネオンガス等の希ガスがある。
【００２７】
ヒータコントローラ１１５によりその温度が制御される基板ヒータ１１４は、第１電極１０１内に設けられている。基板ヒータ１１４が第１電極１０１内に設けられる場合、熱伝導加熱方式が採用される。基板ヒータ１１４は、例えばシーズヒータで構成される。
【００２８】
高周波電力供給手段１０３には、高周波電源１０４、整合器１０６、高周波カットフィルタ１２９が含まれている。高周波電源１０４から供給される高周波電力は、第２電極１０２に供給される。整合器１０６の出力側には、高周波電源１０４から出力される高周波成分を遮断する高周波カットフィルタ１２９が設けられる。
【００２９】
高周波電源１０４は、６０ＭＨｚ以下の高周波電力を供給する。第１電極１０１に載置される基板が第７世代以上の大面積基板の場合は、高周波電源１０４として、波長として概ね１０ｍ以上の高周波電力を供給することが好ましい。例えば、１３．５６ＭＨｚ以下、特に、３ＭＨｚ以上１３．５６ＭＨｚ以下の高周波電力を供給することが好ましい。高周波電源１０４が、上記範囲の高周波電力を供給することで、第７世代以上の大面積基板を第１電極１０１に載置してグロー放電を行っても、表面定在波の影響を受けることなく大面積基板上で均一なプラズマを発生させることができるため、基板全体に均質で良質な膜を形成することができる。
【００３０】
例えば、高周波電源１０４として周波数１３．５６ＭＨｚを有する電源を用いる場合、高周波カットフィルタ１２９として１０ｐＦ〜１００ｐＦの可変コンデンサを用いる。
【００３１】
または、高周波カットフィルタ１２９として、さらにコイルを用いて、コイルと可変コンデンサとを用いる並列共振回路を構成してもよい。
【００３２】
反応室１００ｂに接続されている排気手段１０９は真空排気する機能と、反応ガスを流す場合に反応室１００ｂ内を所定の圧力に保持するように調整する機能が含まれている。排気手段１０９の構成としては、バタフライバルブ１１７、バタフライバルブ１１８、ストップバルブ１１９〜１２４、ターボ分子ポンプ１２５、ターボ分子ポンプ１２６、ドライポンプ１２７等が含まれる。なお、ターボ分子ポンプ１２６はストップバルブ１２４を介してドライポンプ１２７と連結されている。
【００３３】
反応室１００ｂ内を真空排気する場合には、まず、粗引き用のストップバルブ１１９と粗引き用のストップバルブ１２１を開き、反応室１００ｂ内をドライポンプ１２７で排気した後、ストップバルブ１１９を閉じて、バタフライバルブ１１７、ストップバルブ１２０を開き、真空排気を行う。さらに、反応室１００ｂ内を１０−５Ｐａよりも低い圧力の超高真空まで排気する場合には、反応室１００ｂ内をドライポンプによって排気を行った後、バタフライバルブ１１７及びストップバルブ１２０、ストップバルブ１２１を閉じ、バタフライバルブ１１８からストップバルブ１２２、ストップバルブ１２３、ストップバルブ１２４を開き、直列接続されたターボ分子ポンプ１２５、ターボ分子ポンプ１２６、ドライポンプ１２７による排気を行って真空排気する。そして、真空排気を行った後に、反応室１００ｂ内を加熱処理して内壁からの脱ガス処理を行うことが好ましい。
【００３４】
第２電極１０２と第１電極１０１の間隔（ギャップ間隔とも呼ぶ）は適宜変更できるように構成されている。このギャップ間隔の調節は、反応室１００ｂ内で第１電極１０１の高さの調整により行うことができる。ベローズ１０７を用いることで、反応室１００ｂ内を真空に保持しつつ、ギャップ間隔の調節を行うことができる。
【００３５】
第２電極１０２は、複数の拡散板を有してもよい（図２参照）。ガスライン１４５から供給されたガスは、拡散板１５１で拡散した後、拡散板１５１の貫通孔１５３を通過して、凸部１４１に設けられる第１導入孔１４２の導入口から、反応室１００ｂに供給される。そして、ガスライン１４６から供給されたガスは、拡散板１５２で拡散した後、拡散板１５２の貫通孔１５４を通過して、凹部１４３に設けられる第２導入孔１４４の導入口から、反応室１００ｂに供給される。図２に示すように、第２電極１０２は拡散板１５１及び拡散板１５２を有することにより、ガスライン１４５及びガスライン１４６から導入されたガスが第２電極１０２内で十分に拡散され、均質なガスを反応室１００ｂに供給することができるため、基板上に均質で良質な膜を形成することができる。
【００３６】
ここで、第２電極１０２の形状の一形態について、図３及び図４を用いて説明する。図３（Ａ）及び図４（Ａ）は第２電極１０２を第１電極１０１側からみた平面図であり、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）は、図３（Ａ）及び図４（Ａ）のＡ−Ｂにおける断面図である。なお、図３（Ａ）及び図４（Ａ）において、凹凸の様子を分かりやすくするため、第１電極１０１側に突出している領域（即ち、凸部）を間隔の広いハッチパターンで示し、窪んでいる領域（即ち、凹部）を間隔の狭いハッチパターンで示す。
【００３７】
図３（Ａ）に示すように、凸部１４１に形成される第１導入孔１４２の導入口と、凹部１４３に形成される第２導入孔１４４の導入口が規則的に、好ましくは等間隔で配置される。そして、図３（Ｂ）に示すように、凸部１４１には第１導入孔１４２の導入口が設けられており、凹部１４３には第２導入孔１４４の導入口が設けられている。凸部１４１のそれぞれは分離されており、凹部１４３のそれぞれは繋がった一の平面上に存在する。ここでは、凸部１４１を四角錐台としている。なお、凸部１４１はこれに限定されず、適宜、三角錐台、五角錐台、六角錐台その他の多角錐台としてもよい。なお、凸部１４１の稜及び頂部を丸めて、角丸の多角錐台とすることが好ましい。
【００３８】
または、図４（Ａ）に示すように、凸部１４１が円錐台となっていてもよい。そして、図４（Ｂ）に示すように、凸部１４１には第１導入孔１４２の導入口が設けられており、凹部１４３には第２導入孔１４４の導入口が設けられている。なお、凸部１４１の稜を丸めて、角丸の円錐台とすることが好ましい。
【００３９】
図３及び図４において、凸部１４１及び凹部１４３の稜及び頂部を丸めることにより、局所的なアーク放電が低減でき、パーティクルの発生を低減できる。
【００４０】
図５は、複数の反応室を備えたマルチ・チャンバー・プラズマ処理装置の一形態の概略図を示す。この装置は、共通室１３０と、ロード／アンロード室１３１、第１反応室１００ａ、第２反応室１００ｂ、第３反応室１００ｃ、及び第４反応室１００ｄを備えている。ロード／アンロード室１３１は、カセットに装填される基板が共通室１３０の搬送機構１３４によって各反応室に搬出入される枚葉式の構成である。共通室１３０と各室の間にはゲートバルブ１３３が備えられ、各反応室で行われる処理が、相互に干渉しないように構成されている。
【００４１】
各反応室は、形成する薄膜の種類によって区分されている。勿論、反応室の数はこれに限定されるわけではなく、必要に応じて任意に増減させることができる。なお、一の反応室で一の膜を形成するようにしてもよいし、一の反応室で複数の膜を形成するように構成してもよい。
【００４２】
各反応室には、排気手段１０９が接続されている。排気手段は図１及び図５に示す真空ポンプの組み合わせに限定されるものではなく、概略１０−５Ｐａから１０−１Ｐａの真空度にまで排気できるものであれば他の真空ポンプを適用してもよい。排気手段１０９と各反応室との間にはバタフライバルブが設けられており、これによって大気と真空排気された室内を分離することができ、ストップバルブ及びターボ分子ポンプによって排気速度を調整することで、それぞれの反応室の圧力を調節することができる。
【００４３】
なお、ロード／アンロード室１３１に超高真空まで真空排気が可能なクライオポンプ１３５を連結してもよい。クライオポンプ１３５を用いることで、ロード／アンロード室１３１の圧力を１０−５Ｐａよりも低い圧力の超高真空とすることができ、反応室中の基板に堆積される膜に含まれる不純物元素の濃度を低減することができる。クライオポンプ１３５は、ターボ分子ポンプ及びドライポンプと比較して、排気速度が速いため、開閉頻度の高いロード／アンロード室１３１にクライオポンプ１３５を設けることで、スループットを向上させることができる。
【００４４】
ガス供給手段１０８は、ガスが充填されたシリンダ１１０、圧力調整弁１１１、ストップバルブ１１２、マスフローコントローラ１１３等で構成されている。そして、ガス供給手段１０８は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が充填されたシリンダ１１０ｃと、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が充填されたシリンダ１１０ａと、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂとを有する。なお、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂは、第１導入孔１４２及び第２導入孔１４４の一方または双方に接続されていればよい。なお、ここでは、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体が充填されたシリンダ１１０ｃ、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が充填されたシリンダ１１０ａ、希釈ガスが充填されたシリンダ１１０ｂのそれぞれにおいて代表的に一つの供給源を示したが、これらのシリンダのそれぞれは、複数の供給源を有してもよい。
【００４５】
各反応室にはプラズマを形成するための高周波電力供給手段が連結されている。高周波電力供給手段には、高周波電源１０４と整合器１０６が少なくとも含まれる。
【００４６】
各反応室は形成する薄膜の種類によって使い分けることが可能である。それぞれの薄膜には最適な成膜温度があるので、反応室を個別に分けておくことで成膜温度を形成する膜ごとに管理することが容易となる。さらに、同じ膜種を繰り返し成膜することができるので、前に形成された膜に起因する残留する不純物の影響を排除することができる。
【００４７】
図６は、図１に示す第２電極１０２と、第１電極１０１の形状と寸法の詳細について、計算に用いたパラメータを説明するために示した図である。第２電極１０２には、凸部１４１と凹部１４３が設けられており、凸部１４１はテーパ形状でない。
【００４８】
図６において、ｈは凹部の深さを表し、第２電極１０２の凸部１４１の高さ（凸部１４１の頂部の表面と凹部１４３の表面との高低差）である。ｈＧａｐは電極間距離を表し、第２電極１０２の凸部１４１と第１電極１０１の間の距離（凸部１４１の頂部の表面と第１電極１０１の表面との高低差）である。ｄは凹部１４３の幅を表し、凸部１４１と隣り合う凸部１４１との距離である。ｄｌｏｗｅｒは下部電極の直径を表す。
【００４９】
図７は、図６中のＡ１−Ａ２における電子密度分布についての計算結果を表したものであり、横軸はＡ１からＡ２方向への距離（即ち、凹部１４３の中心から凸部１４１方向への距離）であり、縦軸は電子密度である。図７（Ａ）は、凹部の深さｈ＝４ｍｍのときの凹部１４３の幅ｄ＝０（凹部及び凸部なしの平行平板）、４ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍのそれぞれにおける電子密度分布を表したものである。図７（Ｂ）は、凹部の深さｈ＝２０ｍｍのときの凹部１４３の幅ｄ＝０（凹部及び凸部なしの平行平板）、４ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍのそれぞれにおける電子密度分布を表したものである。
【００５０】
図７からわかるように、凹部１４３の幅が大きいほど凹部１４３の直下の電子密度と凹部１４３から離れた領域の電子密度の差が大きくなっている。そして、凹部の深さが深いほどプラズマが凹部の内部に入り込むため、その変化の度合いが大きくなっている。これらのことから、凹部１４３の幅と凹部の深さを１０ｍｍ以下とすることで、凹部の内部にプラズマが発生せず、凸部１４１の表面にプラズマを発生させることができる。
【００５１】
図８は、図６中のＢ１−Ｂ２における電子密度比の分布についての計算結果を表したものであり、横軸はＢ１からＢ２方向への距離（即ち、凹部１４３の表面及び第１電極１０１の距離）であり、縦軸は電子密度比である。なお、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）において、電子密度比は、各凹部における電子密度の最大値を基準として規格化したものである。図８（Ａ）は、凹部の深さｈ＝４ｍｍのときの凹部１４３の幅ｄ＝０（凹部及び凸部なしの平行平板）、４ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍのそれぞれにおける電子密度比の分布を表したものである。図８（Ｂ）は、凹部の深さｈ＝２０ｍｍのときの凹部１４３の幅ｄ＝０（凹部または凸部なしの平行平板）、４ｍｍ、１０ｍｍ、２０ｍｍのそれぞれにおける電子密度比の分布を表したものである。なお、計算は、圧力１００Ｐａ、電圧１００Ｖ、高周波電源の周波数１３．５６ＭＨｚとして行った。
【００５２】
図８（Ａ）より、凹部の深さｈ＝４ｍｍのときには凹部の内部にプラズマが発生せず、凸部１４１表面にプラズマを発生させることができる。図８（Ｂ）より、凹部の深さｈ＝２０ｍｍのときには凹部１４３の幅を１０ｍｍ以下とすることで、凹部の内部にプラズマが発生させず、凸部１４１表面にプラズマを発生させることができる。計算に用いた条件では、シースの厚さが数ｍｍ程度のためである。図８（Ｂ）より、凹部の内部にプラズマを発生させないためには、凹部１４３の幅がシース厚さの概ね２倍以下であることを要する。そして、低圧力且つ低電力にすることを要する。
【００５３】
上記説明したように、凹部の内部にプラズマを発生させないためには、凹部１４３の幅がシース厚さの概ね２倍以下であるとよい。
【００５４】
または、凹部の深さをシース厚さより小さくすることで、凹部の内部にプラズマを発生させないようにしてもよい。
【００５５】
なお、シースの厚さは、高周波電源の周波数及び電圧、反応室内の圧力等によって調整するが、特に高周波電源の周波数を低くすると、シースの厚さをより厚くすることができる。
【００５６】
図９は、電磁界の強さを計算した結果を示す。図９（Ａ）は、図６等と同様に、凸部の側面が凹部の表面と垂直に設けられた場合の電磁界の強さの分布を示し、図９（Ｂ）は、第２電極１０２の凸部を尖鋭にした場合における電磁界の強さの分布を示す。図９（Ｂ）に示す第２電極１０２の凸部の断面形状はテーパ形状であり、このテーパ角をθとする。すなわち、テーパ角θは、凸部の側面と凹部の表面がなす角を表す。なお、凸部の断面形状がテーパ形状である場合には、導入口側に向かうにつれ断面積が単調に小さくなる。
【００５７】
図９（Ｂ）において、テーパ角θが小さいほど凹部の表面まで電磁波が回り込めるようになるため、電界が極端に弱い領域を小さくし、電界を緩和することができ、イオンダメージを低減すると共に、アーク放電が原因のパーティクルの発生を低減することができる。なお、凸部の頂部の表面の領域を小さくするほど、電界の強い領域を先端に集中させることが可能になる。
【００５８】
本実施の形態で示すプラズマ処理装置は、第２電極１０２の凹部の幅がシースの厚さの概ね２倍以下、または第２電極１０２の凹部の深さをシースの厚さより小さくすることで、プラズマ処理装置の第２電極１０２に高周波電力を供給した場合、第２電極１０２及び第１電極１０１の間でグロー放電が発生し、図１０（Ａ）に示すように、第２電極１０２の凹部にシースを発生させ、第２電極１０２の凸部１４１側においてバルクプラズマ１６１を発生させることができる。そして、バルクプラズマ１６１において、凸部１４１の近傍（突起部の直下、または第１ガス導入口の直下）に高密度プラズマ領域１６２を発生させることができる。
【００５９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示すプラズマ処理装置を用いた膜の作製方法について、説明する。ここでは、プラズマ処理装置として図１及び図１０を用いて説明する。
【００６０】
図１に示すプラズマ処理装置において、第２電極１０２の凸部１４１の内部に設けられた第１導入孔１４２の導入口から、ガス供給手段１０８のシリンダ１１０ａに充填された反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）を、反応室１００ｂに導入する。
【００６１】
第２電極１０２の凹部１４３の内部に設けられた第２導入孔１４４の導入口からは、ガス供給手段１０８のシリンダ１１０ｃに充填されたシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を反応室１００ｂに導入する。
【００６２】
そして、排気手段１０９を用いて、反応室１００ｂ内のガスを排気した後、反応室１００ｂ内の圧力を調整する。
【００６３】
その後、実施の形態１で説明したプラズマ処理装置の第２電極１０２に高周波電力を供給すると、第２電極１０２及び第１電極１０１の間でグロー放電が発生し、図１０（Ａ）に示すように、第２電極１０２の凸部１４１側においてバルクプラズマ１６１が発生する。そして、バルクプラズマ１６１において、凸部１４１の近傍に高密度プラズマ領域１６２が発生する。一方、第２電極１０２の凹部１４３にはバルクプラズマが発生せず、シースが発生する。
【００６４】
バルクプラズマ１６１の高密度プラズマ領域１６２においては、電子密度が高く、単位時間当たりの電離頻度が高いため、第１導入孔１４２から反応室に導入された反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）は容易に解離し、高エネルギーの活性種となる。解離しにくいガスを反応室に導入しても、高密度プラズマ領域１６２において電離頻度が高いため、解離しにくいガスの解離が容易となる。
【００６５】
シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体中に、高次シラン、または高次シラン及びシランの一方若しくは複数が分子間力により結合した会合分子が含まれると、高次シランまたは会合分子は十分に反応せず、一部は未反応のままで基板上に堆積してしまう。これは膜の欠陥の一因となる。
【００６６】
しかしながら、実施の形態１で説明したプラズマ処理装置を用いて基板上に膜を形成することで、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体中に含まれる会合分子やクラスターは、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が解離した高エネルギーの活性種との反応が促進されるため、未反応である高次シランやシリコンクラスターの一部が基板上にそのまま堆積されにくく、基板上に欠陥の少ない膜を形成することができる。
【００６７】
一方、図１０（Ｂ）に示すように、第２電極１０２の表面及び凹部の内側においてバルクプラズマ１６３が発生し、更に高密度プラズマ領域１６４が隣接する凸部１４１の間（突起部の側面の周辺、または第２のガス導入口の直下）で発生すると、第２導入孔１４４から導入されたシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体は、高密度プラズマ領域１６４で活性種が生成されると共に、当該活性種同士が、高密度プラズマ領域１６４において反応し、会合分子及びクラスターが形成されてしまう。
【００６８】
しかしながら、本実施の形態では、実施の形態１で説明したプラズマ処理装置を用いてグロー放電を発生させると、図１０（Ａ）に示すように、第２電極１０２の凹部１４３においては、バルクプラズマ１６１が発生せず、シースが発生している。このため、第２導入孔１４４から反応室に導入されたシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体は、活性種が生成されても、当該活性種同士の反応が促進されない。この結果、会合分子やクラスターが形成されず、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の活性種は、基板表面へ移動する。または、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の活性種は、高密度プラズマ領域１６２で解離した高エネルギーの活性種とは反応して基板上に堆積される。
【００６９】
従って、反応室に導入されたシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体では、活性種が生成されても当該活性種同士の反応は抑制され、且つ高密度プラズマ領域１６２で解離した高エネルギーの活性種とは反応して解離するため、会合分子やクラスターが未反応のまま堆積されることを低減することが可能であり、基板上に欠陥の少ない、均質な膜を形成することができる。
【００７０】
次に、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）がバルクプラズマ中で解離して形成された活性種により、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体に含まれる会合分子を分解する機構について述べる。ここでは、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）がプラズマ中で解離して形成された活性種の代表例としてアミノラジカル（ＮＨ２＊）を用い、会合分子としてシリコン会合分子の一例であるジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いて、ジシランの分解機構の微視的モデルを、密度汎関数法を用いて計算を行った。計算用のソフトウェアとしては、Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の量子化学計算ソフトウェアＧａｕｓｓｉａｎ０３を用いた。
【００７１】
ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）及びアミノラジカル（ＮＨ２＊）が反応して、シリルラジカル（ＳｉＨ３＊）及びアミノシラン（ＳｉＮＨ５）が生成されるモデル（モデル１）を反応式１に示す。
Ｓｉ２Ｈ６    ＋    ＮＨ２＊    →    ＳｉＮＨ５    ＋    ＳｉＨ３＊            （１）
【００７２】
そして、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）及びアミノラジカル（ＮＨ２＊）が反応して、ジシランラジカル（Ｓｉ２Ｈ５＊）及びアンモニアが生成されるモデル（モデル２）を反応式２に示す。
Ｓｉ２Ｈ６    ＋    ＮＨ２＊    →    Ｓｉ２Ｈ５＊    ＋    ＮＨ３              （２）
【００７３】
モデル１及びモデル２それぞれにおいて、反応物のエネルギーを基準として、生成物のエネルギー及び活性化エネルギーを計算したエネルギーダイアグラム及び分子の模型の概念図を、図１１に示す。なお、活性化エネルギーは、中間体のエネルギーと反応物のエネルギーとの差で示した。反応式１の計算結果を図１１（Ａ）に示し、反応式２の計算結果を図１１（Ｂ）に示す。
【００７４】
図１１（Ａ）より、モデル１の遷移状態における活性化エネルギーは０．１７１ｅＶである。そして、生成物のエネルギーは−１．１２ｅＶである。生成物のエネルギーが反応物のエネルギーより低いことから、生成物は反応物より安定していることがわかる。
【００７５】
図１１（Ｂ）から、モデル２の遷移状態における活性化エネルギーは０．１７０ｅＶである。そして、生成物のエネルギーは−０．８５２ｅＶである。生成物のエネルギーが反応物のエネルギーより低いことから、生成物は反応物より安定していることがわかる。
【００７６】
モデル１に示すような、ジシラン及びアミノラジカルからシリルラジカルを生成する反応の活性化エネルギー（反応障壁１）と、モデル２に示すような、ジシラン及びアミノラジカルからアンモニアを生成する反応の活性化エネルギー（反応障壁２）はほぼ同じ程度のため、上記２つのモデルの反応速度はほぼ同じといえる。即ち、アミノラジカルによりジシランが分解されることがわかる。
【００７７】
モデル１において、生成物から中間体となる反応障壁３は、生成物のエネルギー及び活性化エネルギーの差で、１．２９ｅＶである。モデル２において、生成物から中間体となる反応障壁４は、同様の計算から１．０２ｅＶである。反応障壁３及び４は、反応障壁１及び反応障壁２と比較して大きいため、上記２つのモデルにおいて生成物が反応前のジシラン及びアミノラジカルに戻る反応は発生しにくい。
【００７８】
以上のことから、アミノラジカルを含む雰囲気においてジシランは分解され、ジシランラジカル及びシリルラジカルが生成されることがわかる。反応式２で生成されるジシランラジカルは、その後別のアミノラジカルと反応して分解され、シリルラジカルが生成される。即ち、図１に示すような、第２電極１０２の表面が凹凸状であり、且つ凸部１４１近傍においてバルクプラズマを発生させることが可能なプラズマ処理装置において、凸部１４１内の第１導入孔１４２の導入口から反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）を反応室に導入し、凹部１４３内の第２導入孔１４４の導入口からシリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を反応室に導入することで、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体中に含まれる会合分子やクラスターは、反応性気体（窒化性ガス、酸化性ガス、または水素ガス）が解離された高エネルギーの活性種と反応して分解するため、高次シランやシリコンクラスターが基板上に堆積されにくく、基板上に欠陥の少ない膜を形成することができる。
【００７９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示すプラズマ処理装置を用いた薄膜トランジスタの作製方法について図１２及び図１３を参照して説明する。
【００８０】
ここでは、同一の基板上に形成する薄膜トランジスタを全て同じ導電性に統一すると、工程数を抑えることができるため好ましい。そのため、本実施の形態では、ｎチャネル型の薄膜トランジスタの作製方法について説明する。
【００８１】
図１２（Ａ）に示すように、基板３０１上にゲート電極３０３を形成する。次に、ゲート電極３０３を覆うゲート絶縁層３０５を形成した後に、第１の半導体層３０６を形成する。
【００８２】
基板３０１としては、ガラス基板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基板等を用いることができる。または、基板に透光性を要しない場合には、ステンレス合金等の金属の基板の表面に絶縁層を設けたものを用いてもよい。ガラス基板としては、例えば、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス若しくはアルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板を用いるとよい。なお、基板３０１としては、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を用いることができる。
【００８３】
ゲート電極３０３は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料、またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で、または積層して形成することができる。または、リン等をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体層やＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。
【００８４】
ゲート電極３０３の２層の積層構造としては、アルミニウム層上にモリブデン層が積層した二層構造、銅層上にモリブデン層を積層した二層構造、銅層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタルを積層した二層構造、または窒化チタン層とモリブデン層とを積層した二層構造とすることが好ましい。ゲート電極３０３の三層の積層構造としては、タングステン層または窒化タングステン層と、アルミニウム及びシリコンの合金層またはアルミニウムとチタンの合金層と、窒化チタン層またはチタン層とを積層した構造とすることが好ましい。電気的抵抗が低い層上にバリア層として機能する金属層が積層されることで、電気的抵抗が低く、且つ金属層から半導体層への金属元素の拡散を防止することができる。
【００８５】
なお、ゲート電極３０３及び基板３０１との密着性向上として、上記の金属材料の窒化物層を、基板３０１とゲート電極３０３との間に設けてもよい。
【００８６】
ゲート電極３０３は、基板３０１上に、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて導電層を形成し、該導電層上にフォトリソグラフィ法またはインクジェット法等によりマスクを形成し、該マスクを用いて導電層をエッチングして形成することができる。または、銀、金または銅等の導電性ナノペーストをインクジェット法により基板上に吐出し、焼成することで形成することもできる。ここでは、基板３０１上に導電層を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程で形成したレジストマスクによりエッチングして、ゲート電極３０３を形成する。
【００８７】
なお、フォトリソグラフィ工程においては、レジストを基板全面に形成してもよいが、レジストマスクを形成する領域に印刷法によりレジストを印刷した後、露光することで、レジストを節約することが可能であり、コスト削減が可能である。または、露光機を用いてレジストを露光する代わりに、レーザビーム直描装置によってレジストを露光してもよい。
【００８８】
なお、ゲート電極３０３は、テーパ形状とすることで、ゲート電極３０３上に形成する半導体層及び配線層の段差の箇所における配線切れを低減することができる。ゲート電極３０３をテーパ形状にするためには、レジストマスクを後退させつつエッチングを行えばよい。
【００８９】
なお、ゲート電極３０３を形成する工程でゲート配線（走査線）及び容量配線も同時に形成することができる。なお、走査線とは画素を選択する配線をいい、容量配線とは画素の容量素子の一方の電極に接続された配線をいう。ただし、これに限定されず、ゲート配線及び容量配線の一方または双方と、ゲート電極３０３とは別工程で形成してもよい。
【００９０】
ゲート絶縁層３０５は、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、または窒化酸化シリコン層を、単層または積層して形成することができる。
【００９１】
なお、本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものであって、好ましくは、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ：Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）を用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が５０〜７０原子％、窒素が０．５〜１５原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が０．１〜１０原子％の範囲で含まれるものをいう。窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、好ましくは、ＲＢＳ及びＨＦＳを用いて測定した場合に、組成範囲として酸素が５〜３０原子％、窒素が２０〜５５原子％、シリコンが２５〜３５原子％、水素が１０〜３０原子％の範囲で含まれるものをいう。ただし、酸化窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを構成する原子の合計を１００原子％としたとき、窒素、酸素、シリコン及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
【００９２】
実施の形態１に示すプラズマ処理装置を用いたプラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁層３０５を形成することで、欠陥の少ないゲート絶縁層を形成することができる。このため、後に形成される薄膜トランジスタの電気特性のばらつきや劣化を低減することができる。
【００９３】
なお、ゲート絶縁層３０５の最表面として、有機シランガスを用いたＣＶＤ法により酸化シリコン層を形成することで、後に形成する第１の半導体層の結晶性を高めることが可能であり、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度を高めることができる。有機シランガスとしては、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ３）４）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）等のシリコン含有化合物を用いることができる。
【００９４】
第１の半導体層３０６としては、微結晶半導体層を形成する。微結晶半導体層としては、例えば、微結晶シリコン層、微結晶シリコンゲルマニウム層、微結晶ゲルマニウム層等を用いて形成する。または、リン、砒素、またはアンチモンを含む微結晶シリコン層、リン、砒素、またはアンチモンを含む微結晶シリコンゲルマニウム層、リン、砒素、またはアンチモンを含む微結晶ゲルマニウム層等を用いて形成してもよい。
【００９５】
微結晶半導体層を構成する微結晶半導体とは、結晶構造（単結晶、多結晶を含む）を有する半導体である。微結晶半導体は、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な半導体であり、結晶粒径が２ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、より好ましくは、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の柱状結晶または針状結晶が基板表面に対して法線方向に成長している。このため、柱状結晶または針状結晶の界面には、結晶粒界が形成される場合もある。
【００９６】
微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルのピークが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークを示す。なお、未結合手（ダングリングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませてもよい。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、またはネオン等の希ガス元素を含ませてもよく、これにより格子歪みをさらに助長させることで、微結晶の構造の安定性が増し良好な微結晶半導体が得られる。このような微結晶半導体に関する記述は、例えば、米国特許４，４０９，１３４号で開示されている。
【００９７】
微結晶半導体層に含まれる酸素及び窒素の二次イオン質量分析法によって計測される濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とすることで、微結晶半導体層３１５ａの結晶性を高めることができるため好ましい。
【００９８】
なお、図１２においては、第１の半導体層３０６を層状に示しているが、この代わりに、半導体粒子をゲート絶縁層３０５上で分散させてもよい。半導体粒子の大きさを、１〜３０ｎｍとし、密度を１×１０１３／ｃｍ２未満、好ましくは１×１０１０／ｃｍ２未満とすると、分離された半導体粒子を形成することが可能である。この場合、後に形成される混合領域３０７ｂは、半導体粒子及びゲート絶縁層３０５に接する。さらには、第１の半導体層３０６として、ゲート絶縁層３０５上に微結晶半導体粒子を形成した後、当該微結晶半導体粒子上に微結晶半導体層を堆積することで、ゲート絶縁層３０５の界面からの結晶性が高い微結晶半導体層を形成してもよい。
【００９９】
第１の半導体層３０６の厚さは、３〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍとすることが好ましい。これは、第１の半導体層３０６が薄すぎると、薄膜トランジスタのオン電流が低減する。または、第１の半導体層３０６が厚すぎると、薄膜トランジスタが高温で動作する際に、オフ電流が上昇してしまうためである。第１の半導体層３０６の厚さを厚さ３〜１００ｎｍ、好ましくは５〜５０ｎｍとすることで、薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流を良好なものとすることができる。
【０１００】
第１の半導体層３０６は、実施の形態１に示すプラズマ処理装置の処理室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。または、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対して、水素の流量を１０〜２０００倍、好ましくは１０〜２００倍に希釈して、微結晶シリコン、微結晶シリコンゲルマニウム、微結晶ゲルマニウム等を形成する。このときの堆積温度は、室温〜３００℃、好ましくは２００〜２８０℃が好ましい。
【０１０１】
シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の代表例としては、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ゲルマン（ＧｅＨ４）、ジゲルマン（Ｇｅ２Ｈ６）、等がある。
【０１０２】
なお、ゲート絶縁層３０５を窒化シリコン層で形成すると、第１の半導体層３０６が微結晶半導体層の場合、堆積初期の非晶質半導体領域が形成されやすく、微結晶半導体層の結晶性が低く、薄膜トランジスタの電気特性が悪い。このため、ゲート絶縁層３０５を窒化シリコン層で形成する場合は、微結晶半導体層を、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の希釈率の高い条件、または低温条件で堆積することが好ましい。例えば、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積気体の流量に対して、水素の流量を２００〜２０００倍、好ましくは２５０〜４００倍とする高希釈率条件が好ましい。そして、微結晶半導体層の堆積温度を２００〜２５０℃とする低温条件が好ましい。高希釈率条件または低温条件により、初期核発生密度が高まり、ゲート絶縁層上の非晶質成分が低減し、微結晶半導体層の結晶性が向上する。
【０１０３】
第１の半導体層３０６の原料ガスとして、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスを用いることで、第１の半導体層３０６の堆積速度が高まる。堆積速度が高まることで、第１の半導体層３０６に混入する不純物の量が低減するため、第１の半導体層３０６の結晶性を高めることができる。このため、薄膜トランジスタのオン電流及び電界効果移動度が高まると共に、スループットを高めることができる。
【０１０４】
なお、第１の半導体層３０６を形成する前に、ＣＶＤ装置の処理室内の気体を排気しながら、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体を導入して、処理室内の不純物を除去することで、後に形成される薄膜トランジスタのゲート絶縁層３０５及び第１の半導体層３０６における不純物の量を低減することが可能であり、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることができる。
【０１０５】
または、第１の半導体層３０６を形成する前に、ゲート絶縁層３０５の表面に酸素プラズマ、水素プラズマ等を曝してもよい。
【０１０６】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、第１の半導体層３０６上に第２の半導体層３０７を形成する。ここでは、第２の半導体層３０７として、混合領域３０７ｂ及び非晶質半導体を含む領域３０７ｃを示す。次に、第２の半導体層３０７上に、不純物半導体層３０９、及び導電層３１１を形成する。次に、導電層３１１上にレジストマスク３１３を形成する。
【０１０７】
第１の半導体層３０６を種結晶として、部分的に結晶成長させる条件で、混合領域３０７ｂ及び非晶質半導体を含む領域３０７ｃを有する第２の半導体層３０７を形成することができる。
【０１０８】
第２の半導体層３０７は、実施の形態１に示すプラズマ処理装置の処理室内において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。窒素を含む気体としては、アンモニア、窒素、フッ化窒素、塩化窒素、クロロアミン、フルオロアミン等がある。グロー放電プラズマの生成は、第１の半導体層３０６と同様にすることができる。
【０１０９】
このとき、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素との流量比は、第１の半導体層３０６と同様に微結晶半導体層を形成する条件を用い、原料ガスに窒素を含む気体を用いることで、第１の半導体層３０６の堆積条件よりも、結晶成長を低減する条件とすることができる。この結果、第２の半導体層３０７において、混合領域３０７ｂ、及び欠陥が少なく、価電子帯のバンド端における準位のテール（裾）の傾きが急峻である秩序性の高い半導体層で形成される非晶質半導体を含む領域３０７ｃを形成することができる。
【０１１０】
ここでは、第２の半導体層３０７を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量が１０〜２０００倍、好ましくは１０〜２００倍である。なお、通常の非晶質半導体層を形成する条件の代表例は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量は０〜５倍である。
【０１１１】
または、第２の半導体層３０７の原料ガスに、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトン等の希ガスを導入することで、成膜速度を高めることができる。
【０１１２】
第２の半導体層３０７の厚さは、厚さ５０〜３５０ｎｍ、好ましくは１２０〜２５０ｎｍとすることが好ましい。
【０１１３】
第２の半導体層３０７の堆積初期においては、原料ガスに窒素を含む気体が含まれるため、部分的に結晶成長が抑制され、錐形状の微結晶半導体領域が成長すると共に、当該錐形状の微結晶半導体領域の間を充填する非晶質半導体領域が形成される。このように、微結晶半導体領域と非晶質半導体領域が混在する領域を混合領域３０７ｂという。さらに、錐形状の微結晶半導体領域の結晶成長が停止し、微結晶半導体領域が含まれず、非晶質半導体領域のみが形成される。このように、微結晶半導体領域が含まれず、非晶質半導体領域のみが形成され領域を、非晶質半導体を含む領域３０７ｃという。なお、錐形状の微結晶半導体領域が成長する前に、第１の半導体層３０６を種結晶として、第１の半導体層３０６上全体に微結晶半導体層が堆積される場合もある。
【０１１４】
なお、ここでは、第２の半導体層３０７の原料ガスに窒素を含む気体を含ませて、混合領域３０７ｂ及び非晶質半導体を含む領域３０７ｃを有する第２の半導体層３０７を形成したが、他の第２の半導体層３０７の形成方法として、第１の半導体層３０６の表面に窒素を含む気体を曝して、第１の半導体層３０６の表面に窒素を吸着させた後、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体及び水素を原料ガスとして、混合領域３０７ｂ及び非晶質半導体を含む領域３０７ｃを有する第２の半導体層３０７を形成することができる。
【０１１５】
不純物半導体層３０９は、プラズマ処理装置の処理室内において、シリコンを含む堆積性気体と、水素と、フォスフィン（水素希釈またはシラン希釈）とを混合し、グロー放電プラズマにより形成する。シリコンを含む堆積性気体を水素で希釈して、リンが添加されたアモルファスシリコン、またはリンが添加された微結晶シリコンを形成する。なお、ｐチャネル型の薄膜トランジスタを作製する場合は、不純物半導体層３０９として、フォスフィンの代わりに、ジボランを用いて、グロー放電プラズマによりボロンが添加されたアモルファスシリコン、またはボロンが添加された微結晶シリコンを形成すればよい。
【０１１６】
導電層３１１は、アルミニウム、銅、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデン、クロム、タンタル若しくはタングステン等により単層で、または積層して形成することができる。または、ヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金（ゲート電極３０３に用いることができるアルミニウム−ネオジム合金等）により形成してもよい。不純物半導体層３０９と接する側の層を、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンまたはこれらの元素の窒化物により形成し、その上にアルミニウムまたはアルミニウム合金を形成した積層構造としてもよい。更には、アルミニウムまたはアルミニウム合金の上面及び下面を、チタン、タンタル、モリブデン、若しくはタングステン、またはこれらの元素の窒化物で挟んだ積層構造としてもよい。
【０１１７】
導電層３１１は、ＣＶＤ法、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成する。または、導電層３１１は、スクリーン印刷法またはインクジェット法等を用いて、銀、金または銅等の導電性ナノペーストを配置し、焼成することで形成してもよい。
【０１１８】
第２のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスク３１３を形成する。レジストマスク３１３は厚さの異なる領域を有する。このようなレジストマスクは、多階調マスクを用いて形成することができる。多階調マスクを用いることで、使用するフォトマスクの枚数が低減し、作製工程数が削減できるため好ましい。本実施の形態において、第１の半導体層３０６、第２の半導体層３０７のパターンを形成する工程と、ソース領域とドレイン領域を分離する工程において、多階調マスクを用いて形成したレジストマスクを用いることができる。
【０１１９】
多階調マスクとは、多段階の光量で露光を行うことが可能なマスクであり、例えば、露光領域、半露光領域及び未露光領域の３段階の光量で露光を行う。多階調マスクを用いることで、一度の露光及び現像工程によって、複数（例えば二種類）の厚さを有するレジストマスクを形成することができる。そのため、多階調マスクを用いることで、フォトマスクの枚数を削減することができる。
【０１２０】
次に、レジストマスク３１３を用いて、第１の半導体層３０６、第２の半導体層３０７、不純物半導体層３０９、及び導電層３１１をエッチングする。この工程により、第１の半導体層３０６、第２の半導体層３０７、不純物半導体層３０９及び導電層３１１を素子毎に分離し、第３の半導体層３１５、不純物半導体層３１７、及び導電層３１９を形成する。なお、第３の半導体層３１５は、第１の半導体層３０６がエッチングされた微結晶半導体層３１５ａ、第２の半導体層３０７の混合領域３０７ｂがエッチングされた混合領域３１５ｂ、及び第２の半導体層３０７の非晶質半導体を含む領域３０７ｃがエッチングされた非晶質半導体を含む領域３１５ｃを有する（図１２（Ｃ）を参照）。
【０１２１】
次に、レジストマスク３１３を後退させて、分離されたレジストマスク３２３を形成する。レジストマスクの後退には、酸素プラズマによるアッシングを用いればよい。ここでは、ゲート電極上で分離するようにレジストマスク３１３をアッシングすることで、レジストマスク３２３を形成することができる（図１３（Ａ）参照）。
【０１２２】
次に、レジストマスク３２３を用いて導電層３１９をエッチングし、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線３２５を形成する（図１３（Ｂ）を参照）。ここでは、ドライエッチングを用いる。配線３２５は、ソース電極またはドレイン電極のみならず信号線としても機能する。ただし、これに限定されず、信号線とソース電極及びドレイン電極とは別に設けてもよい。
【０１２３】
次に、レジストマスク３２３を用いて、第３の半導体層３１５の非晶質半導体を含む領域３１５ｃ、及び不純物半導体層３１７のそれぞれ一部をエッチングする。ここでは、ドライエッチングを用いる。本工程までで、表面に凹部を有する非晶質半導体を含む領域３２９ｃ、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物半導体層３２７を形成する（図１３（Ｃ）参照）。この後、レジストマスク３２３を除去する。
【０１２４】
なお、ここでは、導電層３１９、非晶質半導体を含む領域３１５ｃ、及び不純物半導体層３１７のそれぞれ一部をドライエッチングしたため、導電層３１９が異方的にエッチングされ、配線３２５の側面及び不純物半導体層３２７の側面は概略一致する形状となる。
【０１２５】
なお、レジストマスク３２３を除去した後、不純物半導体層３１７及び非晶質半導体を含む領域３１５ｃの一部をエッチングしてもよい。当該エッチングより、配線３２５を用いて不純物半導体層３１７をエッチングするため、配線３２５の側面及び不純物半導体層３２７の側面が概略一致する。
【０１２６】
なお、導電層３１９をウェットエッチングし、非晶質半導体を含む領域３１５ｃ及び不純物半導体層３１７をドライエッチングしてもよい。ウェットエッチングにより、導電層３１９が等方的にエッチングされるため、レジストマスク３２３よりも内側に後退した、配線３２５が形成される。そして、配線３２５の側面の外側に、不純物半導体層３２７の側面が形成される形状となる。
【０１２７】
次に、レジストマスク３２３を除去した後、ドライエッチングを行ってもよい。ドライエッチングの条件は、露出している非晶質半導体を含む領域３２９ｃ表面にダメージが入らず、且つ非晶質半導体を含む領域３２９ｃに対するエッチングレートが低い条件を用いる。つまり、露出している非晶質半導体を含む領域３２９ｃ表面にほとんどダメージを与えず、且つ非晶質半導体を含む領域３２９ｃの露出している部分の厚さがほとんど減少しない条件を用いる。エッチングガスとしては、例えばＣｌ２、ＣＦ４、またはＮ２等を用いる。エッチング方法については特に限定はなく、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）方式、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）方式等を用いることができる。
【０１２８】
次に、非晶質半導体を含む領域３２９ｃの表面にプラズマ処理、例えば水プラズマ処理、アンモニアプラズマ処理、窒素プラズマ処理等を行ってもよい。
【０１２９】
水プラズマ処理は、水蒸気を主成分とするガスを反応空間に導入し、プラズマを生成して、行うことができる。
【０１３０】
上記したように、不純物半導体層３２７を形成した後に、非晶質半導体を含む領域３２９ｃにダメージを与えない条件で更なるドライエッチングを行うことで、露出した非晶質半導体を含む領域３２９ｃ表面上に存在する残渣等の不純物を除去することができる。そして、プラズマ処理を行うことで、ソース領域とドレイン領域との間の絶縁を確実なものにすることができ、完成する薄膜トランジスタのオフ電流を低減し、電気的特性のばらつきを低減することができる。
【０１３１】
以上の工程により、少ないマスク数で、欠陥の少ないゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタを生産性高く作製することができる。そして、電気特性のばらつきや劣化の少ない薄膜トランジスタを生産性高く作製することができる。なお、本実施の形態では、薄膜トランジスタとして逆スタガ型の薄膜トランジスタを示したが、適宜トップゲート構造の薄膜トランジスタを適用することができる。
【０１３２】
（実施の形態４）
実施の形態３にて説明した薄膜トランジスタは、さまざまな電子機器（遊技機も含む。）に適用することができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう。）、コンピュータ用のモニタ、電子ペーパー、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう。）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機等の大型ゲーム機等が挙げられる。
【０１３３】
実施の形態３にて説明した薄膜トランジスタは、例えば電子ペーパーに適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍（電子ブック）、ポスター、電車等の乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおける表示等に適用することができる。電子機器の一例を図１４に示す。
【０１３４】
図１４（Ａ）は、電子書籍の一例を示している。図１４（Ａ）に示す電子書籍は、筐体４００及び筐体４０１で構成されている。筐体４００及び筐体４０１は、蝶番４０４によ一体になっており、開閉動作を行うことができる。このような構成により、紙の書籍と同様に扱うことができる。
【０１３５】
筐体４００には表示部４０２が組み込まれ、筐体４０１には表示部４０３が組み込まれている。表示部４０２及び表示部４０３は、続き画面を表示する構成としてもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とすることで、例えば右側の表示部（図１４（Ａ）では表示部４０２）に文章を表示し、左側の表示部（図１４（Ａ）では表示部４０３）に画像を表示することができる。表示部４０２及び表示部４０３は、実施の形態３で説明した薄膜トランジスタにより構成される表示装置を適用することができる。
【０１３６】
図１４（Ａ）では、筐体４００に操作部等を備えた例を示している。例えば、筐体４００は、電源入力端子４０５、操作キー４０６、スピーカ４０７等を備えている。操作キー４０６は、例えば頁を送る機能を備えることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキーボードやポインティングデバイス等を備える構成としてもよい。または、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子（イヤホン端子、ＵＳＢ端子、及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能な端子等）、記録媒体挿入部等を備える構成としてもよい。さらに、図１４（Ａ）に示す電子書籍には、電子辞書としての機能を持たせてもよい。
【０１３７】
図１４（Ａ）に示す電子書籍は、無線で情報を送受信できる構成を備えていてもよい。無線通信により、電子書籍サーバから所望の書籍データ等を購入し、ダウンロードする構成とすることもできる。
【０１３８】
図１４（Ｂ）は、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、図１４（Ｂ）に示すデジタルフォトフレームは、筐体４１１に表示部４１２が組み込まれている。表示部４１２は、各種画像を表示することが可能であり、例えば、デジタルカメラ等で撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。表示部４１２は、実施の形態３で説明した薄膜トランジスタにより構成される表示装置を適用することができる。
【０１３９】
なお、図１４（Ｂ）に示すデジタルフォトフレームは、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能な端子等）、記録媒体挿入部等を備える構成とするとよい。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部４１２に表示させることができる。
【０１４０】
図１４（Ｂ）に示すデジタルフォトフレームは、無線で情報を送受信出来る構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０１４１】
図１４（Ｃ）は、テレビジョン装置の一例を示している。図１４（Ｃ）に示すテレビジョン装置は、筐体４２１に表示部４２２が組み込まれている。表示部４２２により、映像を表示することができる。ここでは、スタンド４２３により筐体４２１を支持した構成を示している。表示部４２２は、実施の形態３で説明した薄膜トランジスタにより構成される表示装置を適用することができる。
【０１４２】
図１４（Ｃ）に示すテレビジョン装置の操作は、筐体４２１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機により行うことができる。リモコン操作機が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部４２２に表示される映像を操作することができる。または、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０１４３】
なお、図１４（Ｃ）に示すテレビジョン装置は、受信機やモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、片方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士等）の情報通信を行うことも可能である。
【０１４４】
図１４（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。図１４（Ｄ）に示す携帯電話機は、筐体４３１に組み込まれた表示部４３２の他、操作ボタン４３３、操作ボタン４３７、外部接続ポート４３４、スピーカ４３５、及びマイク４３６等を備えている。表示部４３２は、実施の形態３で説明した薄膜トランジスタにより構成される表示装置を適用することができる。
【０１４５】
図１４（Ｄ）に示す携帯電話機は、表示部４３２がタッチパネルであってもよく、指等の接触により、表示部４３２の表示内容を操作することができる構成を有していてもよい。この場合、電話の発信、或いはメールの作成等は、表示部４３２を指等で接触することにより行うことができる。
【０１４６】
表示部４３２の画面は主として３つのモードがある。第１のモードは、画像の表示を主とする表示モードであり、第２のモードは、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３のモードは表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１４７】
例えば、電話の発信、或いはメールを作成する場合には、表示部４３２を、文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合には、表示部４３２の画面の大部分を使用してキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１４８】
図１４（Ｄ）に示す携帯電話機の内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを備えた検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦または横）を判別して、表示部４３２の表示情報を自動的に切り替える構成とすることもできる。
【０１４９】
なお、画面モードの切り替えは、表示部４３２への接触、または筐体４３１の操作ボタン４３７の操作により行われる構成とすればよい。または、表示部４３２に表示される画像の種類によって切り替える構成としてもよい。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える構成にすればよい。
【０１５０】
または、入力モードにおいて、表示部４３２の光センサで検出される信号を検知し、表示部４３２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替える構成としてもよい。
【０１５１】
表示部４３２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部４３２を掌や指で触れ、掌紋及び指紋等をイメージセンサで撮像することで、本人認証を行うことができる。または、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈等を撮像することもできる。
【０１５２】
以上説明したように、本発明の一態様である薄膜トランジスタと表示装置は様々な電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【０１５３】
１００ａ    反応室
１００ｂ    反応室
１００ｃ    反応室
１００ｄ    反応室
１０１    第１電極
１０２    第２電極
１０３    高周波電力供給手段
１０４    高周波電源
１０６    整合器
１０７    ベローズ
１０８    ガス供給手段
１０９    排気手段
１１０    シリンダ
１１０ａ    シリンダ
１１０ｂ    シリンダ
１１０ｃ    シリンダ
１１１    圧力調整弁
１１２    ストップバルブ
１１３    マスフローコントローラ
１１４    基板ヒータ
１１５    ヒータコントローラ
１１６    絶縁材
１１７    バタフライバルブ
１１８    バタフライバルブ
１１９    ストップバルブ
１２０    ストップバルブ
１２１    ストップバルブ
１２２    ストップバルブ
１２３    ストップバルブ
１２４    ストップバルブ
１２５    ターボ分子ポンプ
１２６    ターボ分子ポンプ
１２７    ドライポンプ
１２９    高周波カットフィルタ
１３０    共通室
１３１    ロード／アンロード室
１３３    ゲートバルブ
１３４    搬送機構
１３５    クライオポンプ
１４１    凸部
１４２    導入孔
１４３    凹部
１４４    導入孔
１４５    ガスライン
１４６    ガスライン
１５１    拡散板
１５２    拡散板
１５３    貫通孔
１５４    貫通孔
１６１    バルクプラズマ
１６２    高密度プラズマ領域
１６３    バルクプラズマ
１６４    高密度プラズマ領域
３０１    基板
３０３    ゲート電極
３０５    ゲート絶縁層
３０６    第１の半導体層
３０７    第２の半導体層
３０７ｂ    混合領域
３０７ｃ    非晶質半導体を含む領域
３０９    不純物半導体層
３１１    導電層
３１３    レジストマスク
３１５    半導体層
３１５ａ    微結晶半導体層
３１５ｂ    混合領域
３１５ｃ    非晶質半導体を含む領域
３１７    不純物半導体層
３１９    導電層
３２３    レジストマスク
３２５    配線
３２７    不純物半導体層
３２９ｃ    非晶質半導体を含む領域
４００    筐体
４０１    筐体
４０２    表示部
４０３    表示部
４０４    蝶番
４０５    電源入力端子
４０６    操作キー
４０７    スピーカ
４１１    筐体
４１２    表示部
４２１    筐体
４２２    表示部
４２３    スタンド
４３１    筐体
４３２    表示部
４３３    操作ボタン
４３４    外部接続ポート
４３５    スピーカ
４３６    マイク
４３７    操作ボタン
【図１】
0005478380.tif 000002
【図２】
0005478380.tif 000003
【図３】
0005478380.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005478380.tif 000011
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１１】
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