(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダウンドロー法を用いて溶融ガラスからガラス基板を製造するガラス基板の製造装置であって、
炉壁で囲まれた炉室と、
溶融ガラスから帯状ガラスを成形するために前記炉室内に設けられた成形体と、
前記炉室内に設けられたローラと、
前記成形体と前記ローラとを互いに異なる２つの空間に間仕切りする、断熱材を含む断熱板と、を有し、
前記炉室には、前記成形体で成形された帯状ガラスを前記ローラの位置する空間へ導くスリット状の隙間が前記断熱板によって形成され、
前記隙間において、少なくとも前記帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第１の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第２の材料（但し、気泡含有率が０％を除く）が用いられる、ことを特徴とするガラス基板の製造装置。
【請求項２】
溶融ガラスからダウンドロー法によりガラス基板を製造するとき、
炉壁で囲まれた炉室内に設けられた成形体の互いに対向する壁面に２つの溶融ガラス流を形成する工程と、
２つの溶融ガラス流が合流してつくられる帯状ガラスを、前記炉室を間仕切りする、断熱材を含む断熱板によって作られるスリット状の隙間を通過させる工程と、を有し、
前記隙間を通過させる工程では、帯状ガラスが通過する前記隙間において、帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第１の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第２の材料（但し、気泡含有率が０％を除く）が用いられ、前記対向面が、帯状ガラスに対して帯状ガラスの幅方向に略均等な熱量の分布を与える、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の材料の熱伝導率は、前記第１の材料の熱伝導率に比べて高い、請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記断熱板の前記対向面は、中空状の角柱部材の側面であり、前記角柱部材の中空部分には、前記第１の材料が充填されている、請求項２又は３に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記断熱板の熱抵抗は０．２ｍ２・Ｋ／Ｗ以上である、請求項２〜４のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
幅方向の幅が２０００ｍｍ以上の大きさであるガラス基板を製造する、請求項２〜５のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記炉室の外部の気圧は、高さ方向の位置が高いほど高い、請求項２〜６のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶融ガラスからガラス基板を製造するガラス基板の製造装置およびラス基板のガラスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、溶融ガラスからガラス基板を製造するために、ダウンドロー法が用いられている。ダウンドロー法は、一方向に延びるくさび状の成形体の両側の壁面上に溶融ガラスを流し、この両側の壁面を伝って鉛直下方に流れ落ちる２つの溶融ガラス流を合流させ、合流後、引っ張りローラを用いて溶融ガラスを所定の板厚の帯状ガラスに成形し、この帯上ガラスを所望のサイズに切断してガラス基板を製造する方法である。【０００３】
この成形体の表面を伝って流れ落ちる一定の幅の溶融ガラス流は、成形体から離れたとき、溶融ガラス流にはガラス自体の表面張力だけが働くようになるため溶融ガラス流の幅は狭くなろうとする。このため、成形体を離れた溶融ガラス流の少なくとも幅方向両端部を急いで冷やして粘度を上昇させることにより溶融ガラス流の幅が狭くならないようにする。例えば液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造において、ダウンドロー法では、成形体から離れて２つの溶融ガラス流が合流した直後に、溶融ガラスの幅方向端部を急冷するため１２００〜１３００℃の上部空間から４００〜７００℃あるいは６００〜７００℃程度の温度雰囲気の下部空間に移動させる方法をとることができる。この４００〜７００℃あるいは６００〜７００℃程度の下部空間には、上記溶融ガラスの幅方向両端部を急冷するローラ、あるいは、溶融ガラスを引き延ばすローラが設けられている。このローラの幅方向両端部の急冷による溶融ガラスの幅収縮の抑制や引き延ばしにより溶融ガラスは所定の厚さの帯状ガラスに成形される。【０００４】
このような２つの空間を１つの炉室内を間仕切りして用いる場合、２つの空間を間仕切るために断熱板が用いられる。この断熱板は、２つの空間間で熱が伝導しないように熱伝導率が低い。【０００５】
例えば、炉室を形成する炉壁と、この炉室内の上側に配置された成形体と、を備え、板状ガラスを冷却しながら下方へ引き抜くガラス板の製造装置が知られている（特許文献１）。
この製造装置では、成形体のすぐ下に、炉室を上室（上部空間）と下室（下部空間）に分離する略水平な隔壁が配置されている。これにより、上室と下室の雰囲気を相互に影響し合わないようにすることができ、さらに、両雰囲気の温度を個別に最適に制御することができる、とされている。その際、隔壁の断熱板の材料として、セラミックファイバが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平２−１４９４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記断熱板にセラミックファイバ製の板材を用いた場合、下記に示す原因により、帯状ガラスの厚さに不均一性が見られる場合がある。【０００８】
断熱板によって作られる、帯状ガラスが通過する隙間の、帯状ガラスと対向する対向面は、帯状ガラスが放射した熱輻射を反射して、及び帯状ガラスが放射した熱輻射を一旦吸収して再び放射して、帯状ガラスに吸収させるため、帯状ガラスの幅方向の温度分布に影響を与える。言い換えると、帯状ガラスは、その対向面が反射した熱輻射あるいは対向面が吸収し再び放射した熱輻射（電磁波）の影響を受け、幅方向の温度分布に影響を与える。例えば、セラミックファイバは、断熱効果を獲得するために、その主成分であるアルミナよりも気泡含有率が高く、熱伝導率が低い。例えば、このようなセラミックファイバをバインダで固めたセラミックファイバボードを断熱板として用いた場合、断熱板自体の温度分布の均一化作用はほとんどなく、断熱板が溶融ガラスから吸収できる熱量も少ないため、断熱板に僅かな欠陥により断熱板の表面の反射率の場所による僅かな差異があれば、その差異が原因となって、帯状ガラスが対向面から受ける熱輻射は不均一となり易く、言い換えると、断熱板の対向面が帯状ガラスに吸収させる熱輻射が不均一となり易い。また、帯状ガラスの幅方向の温度が分布を持つ場合、帯状ガラスが対向面に幅方向で異なる熱輻射を与えると、対向面が一旦吸収して再び帯状ガラスに放射する熱輻射も幅方向で異なる。つまり、帯状ガラスから見ると、断熱板の対向面から受ける熱輻射の影響が均一でなくなり易いため、帯状ガラスの温度は均一化し難く、幅方向に粘度の差が生じ、その結果として厚さにばらつきが生じる。【０００９】
そこで、本発明は、従来の問題を解決するために、炉室を断熱板で間仕切りして得られる上部空間と下部空間の間で断熱効果を維持しつつ、帯状ガラスの厚さの不均一性を抑制して、安定的に帯状ガラスを製造することにより、ガラス基板を製造することができるガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、ダウンドロー法を用いて溶融ガラスからガラス基板を製造するガラス基板の製造装置である。
当該装置は、
炉壁で囲まれた炉室と、
溶融ガラスから帯状ガラスを成形するために前記炉室内に設けられた成形体と、
前記炉室内に設けられたローラと、
前記成形体と前記ローラとを互いに異なる２つの空間に間仕切りする、断熱材を用いた断熱板と、を有する。
前記炉室には、前記成形体で成形された帯状ガラスを前記ローラの位置する空間へ導くスリット状の隙間が前記断熱板によって形成されている。
前記隙間において、少なくとも前記帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第１の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第２の材料が用いられる。あるいは、前記断熱板の対向面には、前記第１の材料の熱伝導率に比べて熱伝導率の高い第２の材料（但し、気泡含有率が０％を除く）が用いられる。
【００１１】
例えば、前記断熱板は、角柱部材に接する前記第１の材料からなる板部材を含み、
前記断熱板の前記対向面は前記角柱部材の側面であり、前記断熱板で仕切られる空間に面する前記断熱板の板面は、前記板部材の板面である。
また、例えば、前記断熱板は、前記第２の材料の角柱部材と、前記第１の材料の板部材と、を有し、前記角柱部材は、前記板部材の周りを覆う枠を形成する。【００１２】
さらに、本発明の他の一態様は、溶融ガラスから帯状ガラスを製造するガラス基板の製造方法である。
当該製造方法は、
炉壁で囲まれた炉室内に設けられた成形体の互いに対向する壁面に２つの溶融ガラス流を形成する工程と、
２つの溶融ガラス流が合流してつくられる帯状ガラスを、前記炉室を間仕切りする、断熱材を含む断熱板によって作られるスリット状の隙間を通過させる工程と、を有する。
その際、前記隙間を通過させる工程では、帯状ガラスが通過する前記隙間において、帯状ガラスと対向する前記断熱板の対向面には、前記断熱材に用いる第１の材料の気泡含有率に比べて気泡含有率の低い第２の材料（但し、気泡含有率が０％を除く）が用いられ、前記対向面が、帯状ガラスに対して帯状ガラスの幅方向に略均等な熱量の分布を与える。あるいは、前記断熱板の対向面は、帯状ガラスが幅方向に保有する温度分布の偏差（温度の最高値と最低値の差分）を減少させる。
【発明の効果】
【００１３】
上述のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法は、炉室を断熱板で間仕切りして得られる上部空間と下部空間の間で断熱効果を維持しつつ、ガラス基板の厚さの不均一性を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを説明する図である。
【図２】本実施形態のガラス基板の製造方法の一部を実施する装置の外観図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態であるガラス基板の製造装置の主要部の概略構成図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される成形体の斜視図である。
【図４】（ａ）は、図３（ａ）に示される断熱板の構成図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す断熱板のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図５】従来の断熱板の変形状態を示す図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、図３（ａ）に示す断熱板に用いられる断熱材の変形例の断面構成を示す図である。
【図７】本実施形態の断熱板の変形例の断面図である。
【図８】本実施形態の断熱板の他の変形例の断面図である。
【図９】本実施形態の変形例であるガラス基板の製造装置の構成の概略を示す側面図である。
【図１０】本実施形態の変形例であるガラス基板の製造装置の構成の概略を示す正面図である。
【図１１】本実施形態の変形例であるガラス基板の製造装置に用いる制御システムを説明する図である。
【図１２】従来例の断熱板の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
（ガラス基板の製造方法の全体概要）
図１は、ガラス基板の製造方法の一実施形態のフローを説明する図である。図２は、ガラス基板の製造方法の一部を実施する装置の外観図である。
本実施形態のガラス板の製造方法は、熔解工程（ＳＴ１）と、清澄工程（ＳＴ２）と、均質化工程（ＳＴ３）と、供給工程（ＳＴ４）と、成形工程（ＳＴ５）と、徐冷工程（ＳＴ６）と、切断工程（ＳＴ７）と、を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有し、梱包工程で積層された複数のガラス板は、納入先の業者に搬送される。
【００１７】
熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行う装置は、図２に示すように、熔解槽１ａと、清澄槽１ｂと、攪拌槽1ｃと、を有する熔解装置１と、成形装置６と、切断装置８と、を有する。
熔解工程（ＳＴ１）では、熔解槽１ａ内に供給されたガラス原料を、図示されない火焔および電気ヒータで加熱して熔解することで溶融ガラスを得る。
清澄工程（ＳＴ２）は、清澄槽１ｂにおいて行われ、清澄槽１ｂ内の溶融ガラスを加熱することにより、溶融ガラス中に含まれる酸素やＳＯ2の気泡が、清澄剤の酸化還元反応により成長し液面に浮上して放出される、あるいは、気泡中のガス成分が溶融ガラス中に吸収されて、気泡が消滅する。
均質化工程（ＳＴ３）では、配管１ｄを通して清澄槽１ｂから供給された、攪拌槽１ｃ内の溶融ガラスを、スターラを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。
供給工程（ＳＴ４）では、配管１ｅを通して溶融ガラスが成形装置６に供給される。
成形装置６では、成形工程（ＳＴ５）及び徐冷工程（ＳＴ６）が行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、溶融ガラスを帯状ガラスに成形し、帯状ガラスの流れを作り流れる帯状ガラスが所望の厚さになる。徐冷工程（ＳＴ６）では、反りや平面歪が生じないように、さらに、熱収縮率が大きくならないように、冷却される。
切断工程（ＳＴ７）では、切断装置８において、成形装置６から供給された帯状ガラスを所定の長さに切断することで、ガラス基板を得る。切断されたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断された後、ガラス端面の研削・研磨、洗浄が行われる。そして、さらに、気泡や脈理等の異常欠陥の有無が検査された後、検査合格品のガラス基板が最終製品として梱包される。
【００１８】
図３（ａ）は、本発明の一実施形態であるガラス基板の製造装置１０の主要部の概略構成図である。本実施形態のガラス基板の製造装置１０およびガラス基板の製造装置１０を用いたガラス基板の製造方法は、液晶ディスプレイ用ガラス基板やディスプレイのカバーガラス用のガラス基板の製造に好適に適用される。また、有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板、携帯端末機器などの筐体用のカバーガラス、タッチパネル板、太陽電池のガラス基板やカバーガラスとしても用いることができる。また、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ（ポリシリコン TFT (Thin Film Transistor）)を用いたフラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適である。特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板では、目標とする厚さに対して厚さがばらついた板厚偏差が生じると、光路差が生じてしまい表示画像に明暗差が発生してしまう。このため、液晶ディスプレイ用ガラス基板では、板厚偏差を抑制できるという本発明の効果がより顕著となる。
【００１９】
ガラス基板の製造装置（以降、単にガラス製造装置という）１０は、ダウンドロー法を用いて溶融ガラスから帯状ガラスを成形し、切断工程を経てガラス基板を製造する。ガラス製造装置１０は、成形装置６と切断装置８を含む。
ガラス製造装置１０は、炉室１２と、成形体１４と、ローラ１６と、断熱板１８と、を有する。図３（ａ）中の紙面に垂直方向が、帯状ガラスの幅方向であり、図１（ａ）中紙面内の上下方向が、高さ方向である。
【００２０】
炉室１２は、耐火物レンガやブロック状の電鋳柱耐火物等により組み立てられた炉壁１２ａで囲まれた空間である。炉室１２内には、成形体１４と、ローラ１６と、断熱板１８とが設けられている。
成形体１４は、上方に向かって開放された溝１４ａを含み、溝１４ａ内を溶融ガラスが流れる。成形体１４は、例えば煉瓦により構成されている。図３（ｂ）は、成形体１４の斜視図である。
【００２１】
溶融ガラスは、図３（ｂ）の左側から樋状の経路１５に沿って矢印の方向に流れ、図示されない溝１４ａの右端部まで流れると、成形体１４の溝１４ａの両側の壁上部から溢れる。溢れ出た溶融ガラスは、成形体１４の両側壁面１４ｂ，１４ｃを伝って流れる。この２つの溶融ガラスの流れは、成形体１４の最下端１４ｄで合流する。これにより、溶融ガラスは帯状ガラスとなって、断熱板１８によって形成された隙間１９を通って、ローラ１６の位置する下部空間に導かれる。
ローラ１６は、成形体１４より移動した帯状ガラスを所定の速度で引っ張って所定の厚さの帯状ガラスにする。ローラ１６は、例えば、帯状ガラスの幅方向に延びた長尺状のローラである。あるいは、帯状ガラスの幅方向両端部を巻き込んで引っ張る二対のローラであってもよい。また、ローラ１６は、帯状ガラスの幅方向両端を冷却する機能も有する。なお、冷却機能を有するローラは、ローラ１６とは別に、ローラ１６よりも上流に設けるようにしてもよい。
【００２２】
断熱板１８は、互いに対向する炉壁１２ａの高さ方向の同じ位置から炉室１２内に延び
て、成形体１４とローラ１６とを互いに異なる上部空間と下部空間に炉室１２を間仕切りする、断熱材を用いた一対の板状部材である。対向する炉壁１２ａから延びる一対の断熱板１８は互いに接触することなく、溶融状態の帯状ガラスが下方に向かって通過するように、帯状ガラスの幅方向に延びたスリット状の隙間１９が形成されている。断熱板１８により炉室１２を上部空間と下部空間に区切るのは、上部空間と下部空間の各々において、空間内の温度について両空間が互いに影響し合わないように温度制御を行うためである。例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造においては、上部空間を１２００〜１３００℃あるいはそれ以上の温度雰囲気に保持し、下部空間を４００〜７００℃（例えば、６００〜７００℃）の温度雰囲気に保持するためである。
【００２３】
例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造において、上部空間において１２００〜１３００℃あるいはそれ以上の温度雰囲気に保持するのは、溶融ガラスを低粘度の状態とし、溶融ガラスが成形体１２の表面に拡がって「濡れ」状態をつくり、成形体１４の表面上での溶融ガラス流の幅の縮小を防止するためである。
一方、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板の製造において下部空間を４００〜７００℃（例えば、６００〜７００℃）の温度雰囲気に保持するのは、成形体１４によって溶融ガラス流が合流した直後に、速やかに温度を下げて粘度を高めることにより、溶融ガラスに作用する表面張力による溶融ガラスの幅方向の収縮を抑制するためである。
断熱板１８は、上部空間の１２００℃以上の高熱に対する耐久性を有し、上部空間と下部空間の温度差を維持するために熱伝導率が低い材料が断熱板１８の断熱材料として用いられる。また、断熱板１８の断熱材料として、例えばアルミナファイバをバインダにより固めたセラミックファイバボードが好適に用いられる。アルミナファイバとは、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）とシリカ（ＳｉＯ2）を主成分とした繊維であるセラミックファイバの一種である。アルミナファイバはアルミナを７０質量％以上含有し、アルミナを４０〜６０質量％含有する他のセラミックファイバと区別され得る。なお、上記繊維には、非晶質繊維および結晶質繊維があるが、耐熱性に優れる点で結晶質繊維が好適である。
【００２４】
図４（ａ）は、断熱板１８の構成図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示すＡ−Ａ’
線に沿った断熱板１８の断面図である。
断熱板１８は、中空の四角柱形状の枠部材１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄにより断熱板１８の矩形形状の枠が形成され、この枠内にアルミナファイバをバインダにより固めたセラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇが断熱本体部として設けられている。断熱板１８の大きさは、一辺が例えば５００〜４０００ｍｍであり、断熱板１８の最も大きな面積を有する面の形状は、例えば矩形形状であり、長方形あるいは正方形である。
枠部材１８ａ〜１８ｄは、図示されない接合部材で互いに固定されている。帯状ガラスに対向する断熱板１８の対向面は、枠部材１８ａの側面によって形成されている。なお、枠部材１８ａの側面とは、枠部材１８の四角柱形状において、多角形の面を底面というとき、底面から立設する四角形の面をいう。なお、断熱板１８には、放射率のばらつきが小さく、熱容量が大きく、熱伝導率の高い材料が用いられる。
【００２５】
枠部材１８ａ〜１８ｄには、セラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇのアルミナファイバに比べて熱伝導率の高いＳｉＣやＳｉＣを主成分とした材料（例えば、ＳｉＣ焼結体など）が用いられる。その他、枠部材１８ａ〜１８ｄには、窒化アルミセラミックスを用いることができ、また純ニッケル、モリブデンなどを成分として含ませることもできる。また、これらの部材の表面に放射率を向上させるために塗装やコートを施すことも可能である。また、ＳｉＣやＳｉＣを主成分とした材料（以降、ＳｉＣ等という）は、セラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇのアルミナファイバに比べて気泡含有率の低い材料（例えば、気泡含有率が略０）であり、１２００℃以上の高温の帯状ガラス近傍に配置しても耐久性を有する。枠部材１８ａ〜１８ｄとしては、特に、ＳｉＣ等の中でも気泡含有率が低いものが好ましく、例えば、気泡含有率が略０の常圧焼結ＳｉＣが好ましい。ＳｉＣの他に、モリブデン等の金属を酸化被膜で覆ったものも用いてもよい。枠部材１８ａ〜１８ｄの四角柱形状内の空間は、断熱材料であるアルミナファイバで充填されている。
このように、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面は四角柱形状の部材の側面であり、断熱板１８で仕切られる空間に面する断熱板の板面は、セラミックファイバボードである板部材の板面である。なお、板面とは、板材のうち面積が最も大きい平面をいう。
本実施形態では、枠部材１８ａ〜１８ｄを用いるが、隙間１９において帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面に該当する部分のみ、枠部材１８ａを用いてもよい。
中空の枠部材１８ａ〜１８ｄの各側面を形成する板の厚さは、５〜１０ｍｍであることが好ましい。上記板厚が１０ｍｍを越えると、枠部材１８ａ〜１８ｄの中空部分に充填する断熱材の量が少なくなり、断熱板１８としての断熱効果が小さくなる一方、板厚が５ｍｍ未満になると、板厚が薄いことにより均熱化効果が小さくなり、後述するように帯状ガラスへの熱輻射を均一に行うことが難しくなる。したがって、枠部材１８ａの帯状ガラスと対向する対向面を形成する板の厚さも、５〜１０ｍｍであることが好ましい。なお、図４（ｂ）の紙面横方向における断熱板１８の幅（枠部材１８ａの左端から枠部材１８ｂの右端までの長さ）のうち炉室１２内に存在する断熱板１８の幅に対する、帯状ガラスに対向する断熱板１８の対向面に設けられるＳｉＣ等の部材の板厚の比率は、例えば、０．０１％〜５％であることが好ましい。上記比率が５％を超えると、枠部材１８ａ〜１８ｄに充填するアルミナファイバの量が少なくなり、断熱板１８としての断熱効果が小さくなる一方、上記比率が０．０１％未満になると、均熱効果が小さくなり、後述するように帯状ガラスへの熱輻射を均一に行うことが難しくなる。
【００２６】
このように、枠部材１８ａ〜１８ｄ、特に枠部材１８ａとして断熱板１８のアルミナファイバ等の断熱材料に比べて気泡含有率の低い材料であり、放射率のばらつきが小さく、熱容量が大きく、熱伝導率の高い材料を用いるのは、以下の理由による。
すなわち、帯状ガラスが一対の断熱板１８により作られる隙間１９を通過するとき、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面から帯状ガラスが受ける熱輻射の影響によって帯状ガラスの幅方向の温度分布が変化する（帯状ガラスが一対の断熱板１８により作られる隙間１９を通過するとき、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面から熱輻射により帯状ガラスが受ける熱によって帯状ガラスの幅方向の温度分布は影響を受ける）。
アルミナファイバなどの断熱材は、空気を含んだ多孔質構造であるため、蓄えることができる熱量は多くなく、帯状ガラスから放射される熱輻射の大半はそのまま反射される。このため、断熱材表面に、場所により僅かな反射特性の違いがあると、その影響がその熱輻射を再び吸収するガラス面に及ぶ。このため、断熱板１８の対向面には、十分な熱量を蓄えることができ、断熱板１８の表面に場所により僅かな反射特性の違いがあっても、帯状ガラスへの影響が相対的に小さくなるように、気泡含有率がアルミナファイバよりも低い材料が用いられる。ＳｉＣを主成分とした材料を含むＳｉＣ等は、気泡含有率がアルミナファイバに比べて低いということから、断熱板１８の対向面に好適に用いられ得る。
また、帯状ガラスの幅方向に沿って受ける熱輻射の不均一を緩和する機能を持つように、枠部材１８ａ〜１８ｄに熱伝導率の高い材料が用いられる。特に、断熱板１８の、帯状ガラスと対向する対向面の温度差があってもその温度差を幅方向に沿って緩和するために、断熱板１８の対向面には、断熱材に比べて熱伝導率の高い材料が用いられる。ＳｉＣ等は、熱伝導率がアルミナファイバに比べて高く、１２００℃以上の高温耐久性も有することから、ＳｉＣ等が断熱板１８の対向面に好適に用いられ得る。断熱板１８の対向面の熱伝導率が高いことにより、対向する帯状ガラスが幅方向にもともと温度分布を保有していたとしても、断熱板１８の近傍を帯状ガラスが通過時に生じる相互の熱交換に伴って、その幅方向の温度分布をある程度改善することができる。言い換えると、帯状ガラスが通過する隙間１９において、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面が、帯状ガラスに対して略均等な熱量の分布を与えることで、幅方向の温度分布の偏差（温度の最高値と最低値の差分）を減少させる。
ＳｉＣ以外に、酸化被膜を表面に形成したモリブデンが用いられてもよい。なお、ＳｉＣは、アルミナファイバ等の断熱材料に比べて、表面の平滑性も高く、高剛性で、構造物として高い平面度（対向するガラスとの間の、幅方向における距離の均一性）を保つことも容易である。そのため、上述したように、帯状ガラスと対向する対向面の温度を幅方向に沿って一定にし、帯状ガラスと対向する対向面から放射される熱輻射の不均一を抑制する、という効果が一層高くなる。これにより、帯状ガラスの幅方向で生じる粘度のばらつきを抑制することができ、帯状ガラスの厚さも均一化される。
【００２７】
本実施形態では、枠部材１８ａ〜１８ｄの材料にＳｉＣを用いた例を挙げて説明したが、上部空間の温度における熱伝導率が、２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは、４５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、特に好ましくは５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する材料であるとよい。そのため、枠部材１８ａ〜１８ｄの材料としては、上部空間の温度における熱伝導率が、２５〜２００Ｗ／ｍ・Ｋ、より好ましくは、４５〜２００Ｗ／ｍ・Ｋ、特に好ましくは５０〜２００Ｗ／ｍ・Ｋの熱伝導率を有する材料であるとよい。また、枠部材１８ａ〜１８ｄの材料としては、断熱材と比較して、上部空間の温度における放射率の大きな材料を適用することが好ましい。例えば、枠部材１８ａ〜１８ｄの材料の放射率が、好ましくは０．８〜１、より好ましくは０．９５〜１であるとよい。また、帯状ガラスの温度分布のばらつきを抑制するために、枠部材１８ａ〜１８ｄの材料の気泡含有率は０〜１５％であり、好ましくは０〜５％、より好ましくは０〜２．５％である。
一方、断熱材は、アルミナファイバの他に、アルミナを４０〜６０質量％含有する他のセラミックファイバ、あるいはマイクロサーム（日本マイクロサーム社製商品名）を用いることもできる。なお、断熱材料は上記材料に限定されるものではなく、上部空間の温度における熱伝導率が、好ましくは１Ｗ／ｍ・Ｋ以下、好ましくは０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以下、より好ましくは０．３Ｗ／ｍ・Ｋ以下、さらに好ましくは０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以下、特に好ましくは０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料であるとよい。言い換えると、断熱材料は、上部空間の温度における熱伝導率が、好ましくは０〜１Ｗ／ｍ・Ｋ、好ましくは０〜０．５Ｗ／ｍ・Ｋ、より好ましくは０〜０．３Ｗ／ｍ・Ｋ、さらに好ましくは０〜０．１Ｗ／ｍ・Ｋ、特に好ましくは０〜０．０５Ｗ／ｍ・Ｋ以下の材料であるとよい。また、断熱効果を得るために、断熱材料の気泡含有率は２０〜１００％であり、好ましくは３５〜１００％、より好ましくは４０〜１００％である。
【００２８】
また、炉室１２内の上部空間と下部空間とを独立して温度制御を行うためには、断熱板１８の厚さは、厚いほうが好ましい。しかし、断熱板１８の厚さが厚くなりすぎると、成形体１４を加熱するヒータなどを、成形体１４近傍に設置することが困難となることが考えられる。そのため、断熱板１８の厚さは、好ましくは３０ｍｍ〜２５０ｍｍ、より好ましくは５０ｍｍ〜２００ｍｍ、さらに好ましくは１００ｍｍ〜２００ｍｍであるとよい。
また、断熱板１８の熱抵抗は、好ましくは０．２ｍ２・Ｋ／Ｗ以上、より好ましくは０．４ｍ２・Ｋ／Ｗ以上、さらに好ましくは０．５ｍ２・Ｋ／Ｗ以上であるとよい。なお、熱抵抗は、断熱板の材料や板厚を変更することで、調整することが可能である。
上記のような熱抵抗を有する断熱板１８とすることで断熱効果が向上し、上部空間及び下部空間における冷却あるいは加熱のエネルギ効率が向上、コストを低減することができる。
【００２９】
熱伝導率の測定には、ファインセラミックスのレーザフラッシュ法による熱伝導率の試験法（JIS R 1611-1997）や、電気絶縁体用セラミック材料試験法（JIS C 2141-1992）や、熱拡散率測定法（ASTM E 1461）などの周知の方法を用いることができる。
また、気泡含有率は、{１−（嵩密度／真密度）×１００}により算出することができる。熱抵抗は、上記熱伝導率を用いて、熱抵抗＝厚さ／熱伝導率  に従って算出することができる。また、放射率は、放射温度計により測定することができる。
【００３０】
また、断熱板１８の形状は、直方体に限定されるものではない。例えば、断熱板１８は、成形体１４にて形成された帯状ガラスが速やかに冷却され、高粘度化するように、成形体１４の極近傍に設置されることが好ましい。このとき、断熱板１８は、上部空間と下部空間とにおける断熱効果が高まるように、広い範囲で成形体１４の下部傾斜面に接近させるために、断熱板１８の枠部材１８ａのうち、成形体（溶融ガラス）との対向面の上部の角部は、成形体１４の下部傾斜面と略平行な方向に面取りされた形状であることが好ましい。言い換えると、断熱板１８と成形体１４や溶融ガラスとの間の平面間距離が略一定になるように、断熱板１８のうち成形体や帯状ガラスと対向する面の上部が面取りされた形状であることが好ましい。断熱板１８を上記面取りされた形状とすることで、断熱板１８が溶融ガラスに接触せずに広い範囲で溶融ガラスに近接させることができる。この結果、断熱板１８から溶融ガラスに及ぼす熱輻射の影響が、溶融ガラスの流れ方向においてばらつくことを抑制することができる。
【００３１】
図５は、従来の断熱板１１８の変形状態を示す図である。従来の断熱板１１８は、枠部材１８ａ〜１８ｄを用いず、アルミナファイバをバインダで固めたセラミックファイバボード１１８で構成される。この断熱板１１８は、炉室内の空間を仕切るために長時間用いると、高温側の上部空間に面する側が、アルミナファイバを固めるためのバインダに起因して、経時的に徐々に収縮し、帯状ガラスが通過する隙間を形成する断熱板１１８には、上側空間に対して凹状（下側空間に対して凸状）に変形する「反り」が生じる（図５参照）。一方、断熱板１１８の直上には成形体１１４が設けられているので、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面の中央部の高さ方向（溶融ガラスあるいは帯状ガラスの流下方向）の位置は、断熱板１８の対向面の端部の高さ方向の位置に比べて低くなっている。
【００３２】
本来、断熱板１１８は成形体１１４下端のガラス接合線に対して高さ方向について近接しかつ一定の距離にあることが、溶融状態の帯状ガラスの冷却を早期かつ均一に行い、所望の幅を十分に確保する点で好ましい。断熱板１１８の位置が成形体１１４下端のガラス接合線に対して低すぎると帯状ガラスの幅が大きく狭まることになり、また、逆に帯状ガラスの両端で成形体１１４下端のガラス接合線に対して高くなり過ぎると、溶融ガラスの粘度が高くなりすぎ、ガラス接合線において溶融ガラス同士がうまく接合しなくなることになる。
このため、図５に示すように断熱板１１８に「反り」が発生することは、帯状ガラスを
製造するに従って経時変化により帯状ガラスの厚さや接合の特性が変化する点で好ましくない。ＳｉＣ等を用いた部材は、剛性が高く、しかも、温度差に基づく膨張差による変形は起こっても、セラミックファイバボードのように経時的に変形量が大きく変化することはない。
さらに、ＳｉＣ等を用いた部材は、高温、酸化雰囲気での耐酸化性にも優れ、表面の平滑性も高く、かつ場所による平滑性のばらつきも極めて少ない。
このため、ＳｉＣ等を用いた対向面を、１２００℃以上の高温の帯状ガラス近傍に配置しても、成形される帯状ガラスやガラス基板の品質（例えば、温度分布の幅方向におけるばらつきによる帯状ガラス及びガラス基板の板厚のばらつきなど）に悪影響を与えにくい。
なお、上述した断熱板１１８の反り量は、断熱板や製造するガラス基板の大きさが大きいほど、増加する。反り量が増加すると、ガラス基板の成形幅の変化が起こり、結果的に帯状ガラスの幅方向両端部の冷却条件が変化するため、ガラス基板の反りや歪みの値が変化してしまうため、ガラス基板の品質が悪化してしまう。
【００３３】
一方、断熱板１８によって作られる断熱板１８の対向面は、溶融ガラスが放射した熱輻射（赤外線等の電磁波）を反射し、あるいは一旦吸収した熱輻射を再びガラス面に向かって放射することで、この熱輻射（電磁波）が溶融ガラス温度に影響を及ぼす。この放射による熱伝達は基本的に相互の距離に影響を受けないが、両者の熱交換にはそこに存在する空気の流れによる対流熱伝達も寄与するため、溶融ガラスと対向面との間の距離は、溶融ガラスの幅方向（あるいは、隙間に沿った方向）において均一であることが、結果的に帯状ガラスの温度を均一化し、帯状ガラスの厚さのばらつきを抑制する上で好ましい。
また、断熱板１８の対向面に不均一な凹凸があると、帯状ガラスから出る熱輻射（電磁波）を反射する対向面の反射面の法線方向の熱輻射が不均一になるため、帯状ガラスが受ける熱は幅方向で不均一になる場所が生じ、その結果帯状ガラスの幅方向の温度分布は不均一になる。この影響は断熱板１８の対向面の放射率が低いほど大きい。断熱板１８の対向面の放射率が高い場合、熱を全方向に比較的均一に輻射するのに対し、放射率が低い場合、溶融ガラスの熱を吸収しにくく、対向面の不均一な凹凸の状態に依存して特定の方向に帯状ガラスから出る熱輻射（電磁波）の熱エネルギが集中的に反射することが起こり得る。このため、帯状ガラスが受ける熱は幅方向で不均一になり、その結果帯状ガラスの幅方向の温度分布は不均一になる。
以上より、帯状ガラスの幅方向の温度分布の不均一を抑制し、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の厚さの幅方向の不均一を抑制するためには、断熱板１８の上記対向面の表面は不均一な凹凸がないこと、あるいは、凹凸があっても均一な凹凸であること、あるいは、対向面の放射率が高いことが好ましい。
従来の断熱板１１８に用いられるセラミックファイバボードは断熱材として空気を含んだ多孔質構造であるため、セラミックファイバボードの表面は、凹凸のばらつきのない均一な表面にすることは難しい。また、セラミックファイバボードは硬度が極めて低いため、炉室への設置時、対向面に局部的に凹凸をつけ、あるいは傷をつける場合もある。この結果、帯状ガラスに不均一な温度分布を作り、帯状ガラスを引き伸ばして形成される帯状ガラス及びその後に得られるガラス基板の厚さに分布を作る場合もある。
【００３４】
これに対して、ＳiＣ等の部材は、セラミックファイバボードに比べて硬度が高く、しかも比較的平滑で均一な表面を有するので、帯状ガラスの温度分布を悪化させることがなく（帯状ガラスに温度分布を作ることがなく）、したがって、帯状ガラスを引き伸ばして形成される帯状ガラス及びガラス基板の厚さに不要な分布を作ることもない。
あるいは、ＳｉＣ等の部材は、セラミックファイバボードに比べて放射率が高く、いったん吸収した熱を部材内部で速やかに拡散し、全面で（全方向に）比較的均一に放射するので、帯状ガラスと対向する対向面にわずかな凹凸があっても、帯状ガラスが受ける熱のばらつきは、セラミックファイバボードに比べて小さい。
このため、断熱板１８の対向面にＳｉＣ等の部材を用いる場合、従来のセラミックファイバボードを断熱板に用いる場合に比べて所定の厚さの帯状ガラス及びガラス基板を安定して製造することができる。
【００３５】
本実施形態のように断熱材１８の対向面を一つの枠部材１８ａの側面により形成することにより、熱的特異点となる部材間の継ぎ目がなくなるので、対向面の温度分布および帯状ガラスへ与える熱のばらつきを抑えることができる。なお、枠部材１８ａ〜１８ｄに囲まれた断熱材料からなるボードでは、３つのセラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇで構成されるため継ぎ目が２つあるが、これらの継ぎ目は、帯状ガラスから離れているため、その影響は小さく、溶融ガラスや帯状ガラスの温度に局部的影響を与える熱的特異点とならない。
また、枠部材１８ａ〜１８ｄに中空状の四角柱部材を用いることにより、中空部分にアルミナファイバ等の断熱材を充填することができる。このため、枠部材１８ａ〜１８ｄにアルミナファイバ等の断熱材に比べて熱伝導率の高い材料を用いても、断熱板１８の断熱効果を維持することができる。枠部材１８ａ〜１８ｄの中空部分に断熱材を充填しない場合であっても、中空部分内の空気がある程度断熱機能を果たす。しかし、中空部分を隔てて上部空間に面する部分と下部空間に面する部分との温度差が６００℃以上にもなり、中空部分内の空気の対流や熱輻射により熱交換を起こしてしまう場合もあるため、アルミナファイバ等の断熱材を中空部分に充填することがより好ましい。アルミナファイバ等の断熱材を上記中空部分に充填することで、中空部分は、極めて多数の部屋に分離され、部屋
間で空気の移動もできず熱輻射も遮られるため、断熱機能を効果的に果たす。
【００３６】
さらに、断熱板１８に、中空状の枠部材１８ａ〜１８ｄを用いることにより、無垢材に比べて同一重量で断面二次モーメントが大きく、軽くて機械的強度の高い板を構成することができる。
【００３７】
本実施形態の断熱板１８は、４つの枠部材１８ａ〜１８ｄで構成されたが、これに限定されない。少なくとも断熱板１８の帯状ガラスと対向する対向面に枠部材が用いられるとよい。また、４つの枠部材１８ａ〜１８ｄの他に、枠の補強用梁として、同じ形状、材料の枠部材を用いてもよい。さらに、枠部材１８ａ〜１８ｄは、四角柱部材でなくてもよく、三角柱部材、多角柱部材であってもよい。また、断熱板１８の矩形形状の枠を形成する枠部材１８ａ〜１８ｄは枠である必要は必ずしもなく、少なくとも隙間１９において帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面に該当する部分に、断熱材に比べて気泡含有量の低い材料あるいは熱伝導率の高い材料を用いることで、本発明の課題を解決することができる。例えば、枠部材１８ａは、板状やＬ字状の部材であってもかまわない。
【００３８】
本実施形態の断熱板１８を用いることにより、一定の厚さおよび一定の品質を有する帯状ガラス及びガラス基板を安定的に製造することができる。また、セラミックファイバボードは、枠部材１８ａ〜１８ｄに囲まれるように複数枚を隙間無く設ければよいので、断熱板の対向面に継ぎ目を作らないように、標準サイズよりも大きくて高価なサイズのセラミックファイバボードを用いることが無くなる。このため、ガラス基板の製造装置のコストが低減する。また、硬度が高いＳｉＣ等の枠部材を用いるので、枠部材の設置時、対向面に傷を付けたり、凹凸をつくるリスクが少なくなり、作業性が向上する。
【００３９】
このようなガラス製造装置１０を用いて帯状ガラスを製造するとき、まず、炉壁１２ａで囲まれた炉室１２内に設けられた成形体１４の互いに対向する壁面１４ｂ，１４ｃに２つの溶融ガラス流を形成する。
次に、２つの溶融ガラス流が合流して成形された帯状ガラスを、炉室１２内を間仕切りする断熱板１８によって作られるスリット状の隙間１９を通過させる。
この後、炉室１２内の断熱板１８で間仕切りされた、成形体１４と異なる空間に設けられたローラ１６を用いて帯状ガラスを引き伸ばす、あるいは帯状ガラスの幅方向両端を冷却する。これにより、所定の厚さの帯状ガラスが作製される。
帯状ガラスが通過するスリット状の隙間１９において、帯状ガラスと対向する断熱板１８の対向面には、断熱板１８に用いる断熱材の材料の熱伝導率に比べて熱伝導率の高く平滑で均一な表面を持つ材料が用いられる。これにより、上述した理由により、従来のセラミックファイバボードを断熱板に用いる場合に比べて所定の厚さの帯状ガラス及びガラス基板を安定して製造することができる。
【００４０】
なお、本実施形態および下記変形例で製造されるガラス基板は、例えば以下の組成を有する。以下のような組成を有する無アルカリガラスは、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適であり、特に、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板に好適である。
（ａ）ＳｉＯ２:５０〜７０質量％、
（ｂ）Ｂ２Ｏ３:５〜１８質量％、
（ｃ）Ａｌ２Ｏ３:１０〜２５質量％、
（ｄ）ＭｇＯ:０〜１０質量％、
（ｅ）ＣａＯ:０〜２０質量％、
（ｆ）ＳｒＯ:０〜２０質量％、
（ｏ）ＢａＯ:０〜１０質量％、
（ｐ）ＲＯ:合計含有量５〜２０質量％（ただしＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち、含有する成分）。
また、上記では無アルカリガラスとしたが、ガラス基板はアルカリを微量含んでいてもよい。アルカリを含有させる場合、
（ｑ）Ｒ’２Ｏ:合計含有率が０．２０質量％を超え２．０質量％以下（ただしＲ’はＬｉ、ＮａおよびＫのうち、含有する成分）であることが好ましい。なお、Ｌｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏは含有させずに、上記成分中でも、ガラスから溶出してＴＦＴの特性を最も劣化させ難いＫ2Ｏを含有させることが好ましい。
（ｒ）清澄剤として、酸化スズ、酸化鉄および酸化セリウムから選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を合計で０．０５〜１．５質量％含有させることが好ましい。
ガラスの組成によっては上部空間の温度が１２００℃未満でも成形可能である。この場
合、断熱材には必ずしも結晶質のアルミナファイバ程の耐熱性は必要とされず、例えば、非晶質のアルミナファイバやセラミックファイバなど、他の断熱材を使用することができ
る。
【００４１】
また、本実施形態で製造する他のガラス基板のガラス組成は例えば以下のものを挙げることができる。以下に示す組成とすることで、帯状ガラスにおける歪点温度（ガラス粘度のｌｏｇが１４．５であるガラスの温度）を上昇させることができ、熱処理時の熱収縮量をより低減することができるので、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板に好適であり、特にＴＦＴとして、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴを適用したものに好適である。ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴを適用した液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイは高精細な特性が求められ、例えば上述した明暗差の問題の原因である板厚偏差に対する要求が高い。そのため、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴを適用した液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板の製造においては、本実施形態における板厚偏差を抑制するという効果が顕著となる。
ＳｉＯ２：５７〜７５質量％、
Ａｌ２Ｏ３：８〜２５質量％、
Ｂ２Ｏ３：３質量％以上１１質量％未満、
ＣａＯ：０〜２０質量％、
ＭｇＯ：０〜１５質量％、
であり、歪点が６８０℃以上の無アルカリガラス。
【００４２】
このとき、下記の数式を満たすように組成を定めると、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ用ガラス基板により好適となる。
ＳｒＯ＋ＢａＯ：０〜３．３質量％、
ＣａＯ/ＲＯ:０．６５以上（ただしＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうち、含有する成分）、
ＳｉＯ２+Ａｌ２Ｏ３：７９質量％以上、
ＣａＯ／Ｂ２Ｏ３：０．６以上
なお、上記では無アルカリガラスとしたが、ガラス基板はアルカリを微量含んでいてもよい。アルカリを含有させる場合、Ｒ’２Ｏの合計含有量が０．２０質量％を超え２．０質量％以下(ただし、Ｒ’はＬｉ、Ｎａ及びＫのうち含有する成分)含むことが好ましい。なお、Ｌｉ2Ｏ，Ｎａ2Ｏは含有させずに、上記成分中でも、ガラスから溶出してＴＦＴの特性を最も劣化させ難いＫ2Ｏを含有させることが好ましい。また、清澄剤を合計で０．０５〜１．５質量％含み、Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3及びＰｂＯを実質的に含まないことが好ましい。清澄剤としては、特にＳｎＯ２を含有することが好ましい。また、ガラスの熔解を容易にするために、比抵抗を低下させるという観点から、ガラス中の酸化鉄の含有量が０．０１〜０．２質量％であることがさらに好ましい。
【００４３】
本実施形態において製造されるガラス基板の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１．５ｍｍである。好ましくは０．１〜１．２ｍｍ、より好ましくは０．３〜１．０ｍｍ、さらにより好ましくは０．３〜０．８ｍｍ、特に好ましくは０．３〜０．５ｍｍである。
【００４４】
本実施形態のガラス基板の幅方向の長さは、例えば５００ｍｍ〜３５００ｍｍであり、１０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましく、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることがより好ましい。一方、ガラス基板の縦方向の長さも、例えば５００ｍｍ〜３５００ｍｍであり、１０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることが好ましく、２０００ｍｍ〜３５００ｍｍであることがより好ましい。なお、上述したようにガラス基板のサイズが大きく、断熱板１１８のサイズが大きいほど、上記断熱板１１８の「反り」量が大きくなり、板厚偏差や帯状ガラスやガラス基板の反りや歪の特性が悪化してしまう。つまり、ガラス基板の幅方向の長さが２０００ｍｍ以上のガラス基板において、本実施形態の効果がより顕著となる。
【００４５】
本実施形態において製造されるガラス基板の板厚偏差は、好ましくは０〜２５μｍ未満であり、より好ましくは０〜２３μｍであり、さらに好ましくは０〜１５μｍである。
【００４６】
（変形例１）
図６（ａ），（ｂ）は、断熱板１８の枠部材１８に囲まれる、セラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇの変形例を示す断熱本体部１８ｈの断面構成を示す図である。
図６（ａ）に示す断熱本体部１８ｈは、断熱性の高い材料を中心に配置し、その周囲を高温耐久性の高い材料で覆うように配置した構成である。断熱性の高い材料として、例えばマイクロサーム（日本マイクロサーム社製商品名）が用いられ、高温耐久性の高い材料としてアルミナファイバを含むセラミックファイバが用いられる。
あるいは、図６（ｂ）に示す断熱本体部１８ｈのように層状に積層した複数種類の材料で構成してもよい。この場合、高温雰囲気にある上部空間に接する側は、高温耐久性のある材料が用いられ、下部空間に接する側は、耐熱温度は劣るが断熱性に優れた材料が用いられる。図６（ｂ）に示す３層構成の場合、上部空間に接する層には、セラミックファイバのうち、アルミナの含有率の高いセラミックファイバが用いられ、中間層には、アルミナの含有率が上部空間に接する層に用いられるセラミックファイバより低いセラミックファイバが用いられ、下部空間に接する層にはアルミナの含有率が各層の中で最も低いセラミックファイバが用いられ、あるいは、マイクロサーム（日本マイクロサーム社製商品名）が用いられる。
このように、断熱本体部は、複数の種類の断熱材を組み合わせて構成することで、断熱効果を高めることができる。
【００４７】
（変形例２）
図７は、溶融状態の帯状ガラスを挟んで設けられた一対の断熱板１８の間の隙間１９近傍の断面図である。
図７に示すように、枠部材１８ａの対向面側には、枠部材１８ａより断面の小さい中空状の四角柱の部材２０が１つの部材として（継ぎ目が無く）隙間１９に沿って設けられている。部材２０の材料は、枠部材１８ａと同じ材料が用いられる。この部材２０は、下部空間に接する面が、枠部材１８ａの下部空間に接する面と面一となるように枠部材１８ａに固定されている。部材２０の中空部分には、枠部材１８ａと同様に、アルミナファイバ等の断熱材２２が充填されている。このような構成により、帯状ガラスが通過する隙間の上部空間に面する第１の開口端は、下部空間に面する第２の開口端に比べて隙間の幅が広くなっている（第１の開口端は第２の開口端に比べて隙間の幅が狭くなっている）。
本変形例では、部材２０を枠部材１８ａに１段設けたが、部材２０の対向面にさらに、部材２０と同様の形状を成すがサイズが小さい他の部材を多段階に設けてもよい。
本変形例の部材２０は四角柱の形状を成すが、四角柱の形状に限定されず、三角柱等の他の形状の部材であってもよい。少なくとも下部空間に向かうにしたがって、隙間が狭くなうように、部材２０や他の部材を組み合わせるとよい。
【００４８】
このように隙間の開口端の幅を異ならせるのは、上部空間に面する開口端の隙間を広くして、成形体１４に近づけるためである。成形体１４の下部は傾斜面であるため、上部空間に面する開口端の隙間を下部空間に面する隙間より広くしなければ、断熱板をガラス流れに対し、より高い位置で成形体１４に近づけることができない。断熱板１８の隙間と成形体１４とを帯状ガラスの流れに対し、ある程度高い位置で近づけるのは、上述したように、帯状ガラスの両端の接合を不安定にさせない範囲で帯状ガラスの幅を十分広く確保するためである。特に、枠部材１８ａに断面の小さい、枠部材１８ａと同じ材料の部材２０を設けることにより、断熱板１８をガラス流れに対し、より高い位置で成形体１４に近づけることができることになる。部材２０の中空部分には部材１８ａと同様断熱材２２を充填するので、断熱板１８としての断熱機能も果たすことができる。
【００４９】
（変形例３）
図８（ａ），（ｂ）は、溶融状態の帯状ガラスを挟んで設けられた一対の断熱板１８の間の隙間１９近傍の断面図である。
図８（ａ）に示すように、断熱板１８の形状は、中空を有した四角柱であり、上記四角柱を構成する面のうち、帯状ガラスから最も離れた面にチューブ２３が設けられている。チューブ２３には、図示されない空気供給源が接続されている。また、少なくとも、上記四角柱を構成する面のうち、帯状ガラスに最も近く、帯状ガラスと対向する対向面を形成する部材１８ｉには、上記枠部材１８ａと同様の材料を用いている。チューブ２３は、所望の温度の空気を上記断熱板１８に設けられた中空に流し込むことができる。
本変形例では、チューブ２３から流入される空気を断熱材１８ｎとして用いることで、上下空間を所望の温度に保持している。なお、断熱板１８のうち、上部空間側あるいは下部空間側を形成する面には、チューブ２３から流入された空気が通過する開口が設けられていてもよい。あるいは、断熱板の中空の空気を外部に排出する排出チューブが設けられていてもよい。ここで、チューブ２３から流入される空気の温度、流量または圧力は、適宜変更可能である。
なお、図８（ｂ）に示すように、断熱板１８は、上述した枠部材１８ａと同じ材料が用いられた部材１８ｉと、板状の断熱材１８ｊ、１８ｋ、１８ｍとで、中空状の四角柱を構成するようにしてもよい。これにより、上述した場合に比べ、断熱効果を向上させることができる。また、部材１８ｉは、上部空間側を底面としたＬ字形状であってもかまわない。
【００５０】
（変形例４）
本変形例は、ガラス製造装置１０において、上述の断熱板１８を用いるとともに、上述した板厚偏差をさらに効率よく抑制するために、ガラス製造装置１０における炉外部空間（炉室の外）と炉内部空間（炉室内）との気圧差を制御する例である。
図９，１０は、成形工程と徐冷工程を行うガラス製造装置１０と、切断工程を行う切断装置８を示しており、ガラス製造装置１０内に炉壁１２ａにより区切られて炉外部空間（炉室の外）と炉内部空間（炉室の内）が設けられている。図９及び図１０は、ガラス製造装置１０の構成を主に示す図であり、図９は主にガラス製造装置１０の概略の側面図を示し、図１０はガラス製造装置１０の概略の正面図を示す。
【００５１】
成形工程を行う成形炉８０および徐冷工程を行う徐冷炉５０の炉室１２の内部空間（炉室内）は、耐火レンガ等の耐火物で構成された炉壁１２ａに囲まれて構成されている。成形炉８０は、徐冷炉５０に対して鉛直上方に設けられている。なお、成形炉８０および徐冷炉５０をあわせて炉という。炉の炉壁１２ａで囲まれた炉内部空間に、成形体１４と、雰囲気仕切り部材である断熱板１８と、ローラ１６と、冷却ユニット３０と、搬送ローラ３２ａ〜３２ｈと、圧力センサ６０，６２ａ〜６２ｃ（図１０参照）が設けられている。
【００５２】
冷却ユニット３０の下方には、搬送ローラ３２ａ〜３２ｈが所定の間隔で設けられ、帯状ガラスを下方向に牽引する。冷却ユニット３０の下方の空間は、炉壁１２ａで仕切られた炉内部空間である。搬送ローラ３２ａ〜３２ｈのそれぞれは、ローラ対を有し、帯状ガラスの両側を挟むように帯状ガラスの幅方向の両側端部に設けられている。
【００５３】
炉壁１２ａで仕切られた成形炉８０の炉内部空間には、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ６０（図１０参照）が設けられている。圧力センサ６０は、成形体１４と高さ方向（鉛直上方向）の同じ位置に設けられている。徐冷炉５０の炉内部空間には、圧力センサ６２ａ〜６２ｃ（図１０参照）が設けられている。
【００５４】
一方、成形炉８０の炉壁１２ａの外側には、隔壁により大気圧雰囲気に対して建物Ｂの隔壁で区切られた空間（炉室１２の外の空間）、すなわち炉外部空間Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃが設けられている。これらの空間のそれぞれは、高さ方向に関して、床面４１，４２，４３ａ〜４３ｃによって区切られている。すなわち、ガラス製造装置１０は、複数のフロアを有する建物Ｂに設けられ、床面によって複数に区切られた炉外部空間（部分空間）Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃが各フロアに設けられている。さらに、炉外部空間Ｓ３ｃの下方には、床面４４上に壁で区切られた空間Ｓ４（切断空間）が設けられている。空間Ｓ４では、切断装置８を用いて帯状ガラスＧが切断されて、ガラス基板が得られる。空間Ｓ４には、炉壁１２ａは設けられない。これらの空間の気圧はそれぞれ後述する送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５により調整されている。
【００５５】
炉外部空間Ｓ１は、成形体１４の高さ方向の位置よりも鉛直上方にある空間であり、炉外部空間Ｓ１には、炉外部空間の気圧を計測する圧力センサ４５が設けられている。
炉外部空間Ｓ２は、床面４２上に設けられた空間であり、この空間に対応する炉内部空間には成形体１４が配置されている。また、炉外部空間Ｓ２には、炉外部空間Ｓ２の気圧を計測する圧力センサ４６が設けられている。炉壁１２ａで囲まれた炉内部空間には、圧力センサ４６の高さ方向の同じ位置に、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ６０が設けられている（図１０参照）。
炉外部空間Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃは、炉外部空間Ｓ２の下方に、高さ方向の高い方から炉外部空間Ｓ３ａ〜３ｃの順に設けられた空間である。炉外部空間Ｓ３ａ〜３ｃは、床面４３ａ〜４３ｃ上に設けられている。また、炉外部空間Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃのそれぞれには、炉外部空間３ａ〜３ｃの気圧を計測する圧力センサ４７ａ〜４７ｃが設けられている。炉壁１２ａで囲まれた徐冷炉５０の炉内部空間には、圧力センサ４７ａ〜４７ｃの高さ方向の同じ位置に、炉内部空間の気圧を計測する圧力センサ６２ａ〜６２ｃが設けられている（図１０参照）。
なお、本変形例では、圧力センサ６０，６２ａ〜６２ｃが炉内部空間の各位置に設けられているが、炉内部空間の各位置に圧力センサが挿入されて圧力の測定が行われてもよい。
【００５６】
また、炉外部空間Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃ及び空間Ｓ４それぞれを区切る隔壁の外側には、炉外部空間Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃ及び空間Ｓ４のそれぞれに対して、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５が設けられている。送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５により大気から送り込まれる空気は、管を通して炉外部空間Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃ及び空間Ｓ４のそれぞれに供給される。送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５が送り込む空気の量は、それぞれ、後述する駆動ユニット７２（図１１参照）からの駆動信号によって定められている。
【００５７】
図１１は、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５が送り込む空気の量を制御する制御システムを説明する図である。
制御システムは、炉内部空間に設けられた圧力センサ６０，６２ａ〜６２ｃと、それぞれの炉外部空間に設けられた圧力センサ４５，４６，４７ａ〜４７ｃ，４８と、制御装置７０と、駆動ユニット７２と、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５と、を有する。
制御装置７０は、圧力センサ６０，６２ａ〜６２ｃのそれぞれから送られる炉内部空間における気圧の計測結果と、圧力センサ４５，４６，４７ａ〜４７ｃ，４８から送られる炉外部空間における気圧の計測結果とを用いて、炉内部空間及び炉外部空間における高さ方向の同じ位置における気圧の差分が設定された範囲に調整されるように、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５が送り込む空気の量を調整するための制御信号を生成する。生成された制御信号は、駆動ユニット７２に送られる。
駆動ユニット７２は、制御信号に基いて、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５によって送り込む空気の量を個別に調整するための駆動信号を生成する。駆動ユニット７２は、駆動信号を、それぞれ送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５に送る。
本変形例では、制御装置７０及び駆動ユニット７２が空気の送り込み量を自動制御するが、オペレータがマニュアルで空気の送り込み量を調整してもよい。
【００５８】
ここで、送風機５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５の送り込む空気の量は、炉外部空間Ｓ２，Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃの気圧が、高さ方向の同じ位置における炉内部空間の気圧に対して低くなるように、各炉外部空間の気圧は調整される。すなわち、炉内部空間である炉室内の気圧が炉外部空間である炉室の外部の気圧よりも大きくなるように気圧が制御される。
成形炉８０の炉内部空間の気圧から炉外部空間Ｓ２の気圧を差し引いた気圧の差分は、０超〜４０Ｐａであり、４〜３５Ｐａであることが好ましく、８〜３０Ｐａであることがより好ましく、１０〜２７Ｐａであることがさらに好ましく、１０〜２５Ｐａであることがさらに好ましい。上記気圧の差分が、上記範囲を上回ると、炉内部空間から炉外部空間Ｓ２に向かって炉壁の隙間から大量の空気が流出する場合があり、この空気の流出に伴って炉内部空間における空気の上昇を増大させる。一方、上記気圧の差分が、上記範囲を下回ると、炉外部空間Ｓ２から炉内部空間に向かって炉壁の隙間から空気が流入する場合がある。この空気の上昇や空気の流入により、炉内部空間の温度分布がばらつく。気圧の差分を上記の範囲に調整することで、空気の上昇や空気の流入を防止できる。このため、炉内部空間の温度のばらつきを抑制できる。これにより、帯状ガラスの冷却速度のばらつき、ひいては帯状ガラスの板厚偏差を抑制できる。なお、この場合、炉外部空間の気圧は、高さ方向の位置が高いほど高いことが好ましい。これにより、炉外部空間において、炉壁に沿って発生する上昇気流の大きさを低減できるので、ひいては炉内部空間の温度のばらつきも抑制することができる。
また、徐冷炉５０の炉内部空間と炉外部空間Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃとの間の気圧の差分は、０超〜４０Ｐａであり、２〜３５Ｐａであることが好ましく、２〜２５Ｐａであることがより好ましく、３〜２３Ｐａであることがさらに好ましく、５〜２０Ｐａであることがさらに好ましい。上記気圧の差分が、上記範囲を上回ると、炉内部空間から炉外部空間Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃに向かって炉壁の隙間から大量の空気が流出する場合があり、炉内部空間における空気の上昇を増大させる。一方、上記気圧の差分が、上記範囲を下回ると、炉外部空間Ｓ３ａ〜Ｓ３ｃから炉内部空間に向かって炉壁の隙間から空気が流入する場合がある。この結果、炉内部空間の温度分布がばらつく。気圧の差分を上記の範囲に調整することで、空気の上昇や空気の流入を防止できるので、徐冷炉５０の炉内部空間の温度のばらつきを抑制できる。これにより、帯状ガラスの変形、反り、平面歪のばらつき及び熱収縮のばらつきを抑制することができる。
以上のように、本変形例では、炉内部空間（炉室内）の気圧は、炉外部空間（炉室の外）の気圧よりも大きくなるように、送風機の送り込む空気の量が制御されるので、炉内部空間において、低温の空気の流れを抑制することができる。この結果、炉内部空間の温度変動を抑制できる。したがって、帯状ガラスさらにはガラス基板の板厚偏差を抑制することができる。
【００５９】
（変形例５）
本実施形態において、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち、成形体１４（溶融ガラス）と面する部材、例えば、炉壁１２ａ（図３（ａ）参照）の部材あるいは炉壁１２ａの上部空間に面する表面部材において、温度分布のばらつきや放射率のばらつきが生じてしまうと、成形体１４に接している溶融ガラスの温度分布にもバラツキが生じてしまい、ひいては帯状ガラス及びガラス基板に板厚偏差が生じる。本変形例では、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち成形体１４（溶融ガラス）と面する部材に、熱伝導率が２５〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであり、放射率が０．８〜１である材料が用いられる。成形炉内の上部空間を構成する部材のうち、成形体１４（溶融ガラス）と面する部材には、上記枠部材１８ａなどと同様の材料（例えば、ＳｉＣ等）を適用することができる。また、成形炉内の上部空間を構成する部材のうち成形体１４（溶融ガラス）と面する部材の厚さを５ｍｍ以上とすることで、帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差を、よりいっそう抑制することができる。
【００６０】
（変形例６）
成形炉内の下部空間を構成する部材のうち、帯状ガラスと面する部材において温度分布のばらつきや放射率のばらつきが生じてしまうと、帯状ガラスの温度分布にもバラツキが生じてしまい、ひいては帯状ガラス及びガラス基板に板厚偏差が生じてしまう。そこで、成形炉内の下部空間を構成する部材のうち帯状ガラスと面する部材、例えば炉壁１２ａ（図３（ａ）参照）の部材あるいは炉壁１２ａの下部空間に面する表面部材に、熱伝導率が２５〜２００Ｗ／ｍ・Ｋであり、放射率が０．８〜１である材料材を用いることが好ましい。成形炉内の下部空間を構成する部材のうち帯状ガラスと面する部材には、例えば上記枠部材１８ａなどと同様の材料（例えば、ＳｉＣ等）を適用することができる。また、成形炉内の下部空間を構成する部材のうち、帯状ガラスと面する部材の厚さを５ｍｍ以上とすることで、帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差を、よりいっそう抑制することができる。
【００６１】
（変形例７）
オーバーフローダウンドロー法によりガラス基板を製造すると、ガラス製造装置１０の鉛直方向に延びる帯状ガラスの移動路を細長い空間とした煙突効果により、帯状ガラスの下流側から上流側に向かって上昇気流が発生することがある。この上昇気流は溶融ガラスや帯状ガラスよりも温度が低いことが多く、ガラス製造装置１０内の領域における上昇気流の流量の差異や上昇気流の温度の差異により、帯状ガラスの温度分布がばらつき、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の板厚偏差が生じることが想定される。本変形例では、上記上昇気流の通路を最小化し、前記移動路の幅を均一化することで、上記上昇気流の影響による炉室１２内の各領域における温度変動を抑制することができ、ひいては帯状ガラス及びガラス基板の温度分布にばらつきが生じることを抑制できる。
本変形例では、断熱板１８によって形成される、成形体１４で成形された帯状ガラスをローラ１６の位置する下部空間へ導くスリット状の隙間１９（図３（ａ）参照）の幅（断熱板１８間の距離）は、３０ｍｍ〜１４０ｍｍとすることが好ましく、４０ｍｍ〜１００ｍｍとすることがより好ましい。なお、上記スリット状の隙間１９は狭い隙間ほど、上記上昇気流が上部空間に流入することを抑制できるが、隙間１９の幅が狭くなりすぎると断熱板１８に帯状ガラスが触れて乗り上げてしまうという問題が生じる場合がある。このため、スリット状の隙間１９の幅は３０ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００６２】
〔実施例、従来例〕
本実施形態の効果を調べるために、従来の断熱板（従来例）と本実施形態の断熱板（実施例）をそれぞれ用いて帯状ガラスを製造して、帯状ガラスの厚さのばらつきを測定した。
用いたガラス基板の製造装置は、図３に示すダウンドロー法の１つであるオーバーフローダウンドロー法によるガラス製造装置１０である。ガラスは以下の組成を有するアルミノシリケートガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）を用い、溶融ガラスを１３００℃の溶融状態で成形を行った。このため、成形体１４が位置する上部空間の温度雰囲気は１３００℃に調整した。一方、下部空間の温度雰囲気は、６００℃に調整した。帯状ガラスの幅は２ｍとし、ローラ１６により、厚さ０．７ｍｍの帯状ガラスになるように引っ張った。帯状ガラス表面と断熱板１８の対向面との距離は５０ｍｍとした。
【００６３】
（ガラス組成）
ＳｉＯ２：６０質量％
Ａｌ２Ｏ３：１９．５質量％
Ｂ２Ｏ３：１０質量％
ＣａＯ：５質量％
ＳｒＯ：５質量％
ＳｎＯ２：０．５質量％。
【００６４】
従来例である従来の断熱板は、図１２に示すように、３つのセラミックファイバボード２４ａを接続して、幅２ｍの一体化した断熱板２４を作製した。従って、帯状ガラスと対向する断熱板２４の対向面２４ａには、２つの継ぎ目が存在する。
一方、実施例である本実施形態の断熱板１８は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、セラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇの周りを囲むように、ＳｉＣからなる中空状の四角柱の枠部材１８ａ〜１８ｄを用いて枠を作った。枠部材１８ａ〜１８ｄそれぞれの断面は、一辺が６０ｍｍの正方形形状であり、枠部材１８ａ〜１８ｄの厚さは７ｍｍであった。枠部材１８ａ〜１８ｄの各部材は、金属プレートを４角に設けて機械的接合をした。さらに、枠部材１８ａ〜１８ｄには、約３００ｍｍピッチで枠側面にあけた孔を利用してセラミックファイバボード脱落防止用のＬ字型金属プレートを設けた。枠部材１８ａ〜１８ｄの中空部分には、断熱材料としてアルミナファイバを充填した。この枠に、図４（ａ）に示すように、断熱材料であるセラミックファイバボード１８ｅ〜１８ｇを３つ隙間無く設けた。
【００６５】
実施例である断熱板１８の枠部材１８ａの上部空間温度（１３００℃）における熱伝導率は約４５Ｗ／ｍ・Ｋであり、気泡含有率は約０．６％であり、放射率は０．９５であった。また、断熱材料であるセラミックファイバボードの上部空間温度（１３００℃）における熱伝導率は約０．２Ｗ／ｍ・Ｋであり、気泡含有率は４５％であり、放射率は約０．６であった。なお、上記断熱板１８の熱抵抗は０．２５ｍ２・Ｋ／Ｗであった。
他方、従来例である、従来の断熱板２４の上部空間温度（１３００℃）における熱伝導率は０．２３Ｗ／ｍ・Ｋであり、気泡含有率は４５％であり、放射率は約０．６であった。なお、上記断熱板２４の熱抵抗は０．２２ｍ２・Ｋ／Ｗであった。
なお、熱伝導率は、ファインセラミックスのレーザフラッシュ法による熱伝導率の試験法（JIS R 1611-1997）により測定した。気泡含有率は、{１−（嵩密度／真密度）×１００}により算出した。熱抵抗は、熱抵抗＝厚さ／熱伝導率  に従って算出した。また、放射率は、放射温度計により測定した。
【００６６】
上記２つの断熱板１８，２４を用いて、それぞれ２ヶ月間、帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）を製造した後、帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）の厚さを、マイクロメーターを用いて計測し、厚さ分布を得た。
従来例である断熱板２４を用いた場合、帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）の有効幅（商品として切り出される幅）内において、厚さの偏差、すなわち板厚偏差は３０μｍであった。つまり、厚さの偏差を２５μｍ以下に抑えることができず、さらに、帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）の有効幅内において、３μｍ前後の比較的小周期の肉厚ムラが幅方向に沿って生じた。一方、図４（ａ），（ｂ）に示す実施例である断熱板１８を用いた場合、小周期の肉厚ムラは生じず、帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）の有効幅内において、厚さの偏差は１２μｍであった。つまり、厚さの偏差を２０μｍ以下に抑えることができ、安定的に帯状ガラス（液晶ディスプレイ用ガラス基板）を製造できることがわかった。
また、断熱板１８を用いた場合であっても、炉室１２の下部空間における帯状ガラスの両端部の冷却不足による帯状ガラスの幅方向の収縮は観測されなかった。つまり、断熱板１８を用いた場合であっても、炉室１２の上部空間と下部空間とにおける断熱効果は十分であることがわかった。
【００６７】
２ヶ月間使用した断熱板２４（従来例）を取り出して形状変化を確認したところ、幅２．５ｍの断熱板２４において、中央部が下側空間に向かって凸状に５ｍｍ反っているのが確認された。一方、断熱板１８（実施例）は、炉外に取り出した際の「反り」は１ｍｍ未満であった。
以上より、本実施形態の効果は明らかである。
【００６８】
以上、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本実施形態のガラス製造装置１０は、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板やディスプレイのカバーガラス用のガラス基板の製造に好適に適用される。
ガラス製造装置１０に用いる断熱板１８は、成形体１４のごく近傍に設置される断熱板に好適である。しかし、これに限定されるものではなく、成形体１４の極近傍に設置される断熱板１８よりも下流に設けられる断熱板にも、上記断熱板１８と同様の板を適用することが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１  熔解装置
１ａ  熔解槽
１ｂ  清澄槽
１ｃ  攪拌槽
１ｄ，１ｅ  配管
６  成形装置
８  切断装置
１０  ガラス製造装置
１２  炉室
１２ａ  炉壁
１４，１１４  成形体
１４ａ  溝
１４ｂ，１４ｃ  壁面
１４ｄ  最下端
１６  ローラ
１８，１１８  断熱板
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ  枠部材
１８ｅ，１８ｆ，１８ｇ  セラミックファイバボード
１８ｈ  断熱本体部
１８ｉ，２０  部材
１８ｊ、１８ｋ、１８ｍ，１８ｎ，２２  断熱材
１９  隙間
２０  部材
２３  チューブ
２４  断熱板
２４ａ  対向面
３０  冷却ユニット
３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ，３２ｈ  搬送ローラ
４１，４２，４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４４  床面
４５，４７ａ，４７ｂ，４７ｃ，４８  圧力センサ
５０  徐冷炉
５２，５３，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５５  送風機
６０，６２ａ，６２ｂ，６２ｃ  圧力センサ
７０  制御装置
７２  駆動ユニット
８０  成形炉
【図１】
0005456789.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005456789.tif 000008
【図８】
0005456789.tif 000009
【図９】
0005456789.tif 000010
【図１０】
0005456789.tif 000011
【図１１】
0005456789.tif 000012
【図１２】
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