(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、前記セラミック積層体と同時焼成して形成される金属からなる下地金属と、該下地金属を被覆するメッキ層とからなり、
前記下地金属の周縁が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層で縁取りされて、該縁取層と前記セラミック積層体とが接続されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記下地金属が、Ｎｉである請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
セラミック粉末を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、
前記グリーンシートの表面に第１導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、
未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、
前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、
カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面に、Ｎｉ金属を少なくとも含有する第２導電ペーストを塗布して未焼成下地金属を形成する工程と、
前記未焼成下地金属の周縁に、Ｍｇ化合物を含有する縁取層形成用ペーストを塗布し、前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属とを同時焼成する工程と、
前記未焼成下地金属を焼成して得られた下地金属の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、携帯機器、通信機器等の各種電子機器に用いられている。積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、内部電極層の静電容量形成部から交互に異なる端面に露出するように引出された引出部を有するセラミック積層体と、セラミック積層体の各内部電極層の引出部が露出している端面に形成された外部電極とを備えてなるものが一般的である。外部電極は、下地金属と、該下地金属の表層に形成されたメッキ層とからなる。製造工程の簡略化、内部電極と下地金属との接続の信頼性等の要請から、未焼成のセラミック積層体と、未焼成の下地金属とを同時焼成することが行われている。
【０００３】
ところで、携帯機器、通信機器等の電子機器において、近年小型化が求められており、これらの電子機器に搭載される電子部品においても小型化が求められているが、積層セラミックコンデンサを小型化するに伴い、セラミック積層体と下地金属との接触面積が減少して、セラミック積層体と下地金属との接着強度が低下する傾向にあった。
【０００４】
特許文献１には、セラミック誘電体層中に、誘電体セラミックにＭｇ化合物が添加され、セラミック誘電体層と内部電極層とを交互に積層したチップ状セラミック積層体（素体）とＮｉ外部電極の境界面に（Ｎｉ、Ｍｇ）化合物の酸化層を有する積層セラミックコンデンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１８２０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
下地金属の表面にメッキ処理する際において、積層セラミックコンデンサを小型化するに伴い、小型化になった分だけ、短い距離にてセラミック積層体の内部に侵入し易くなる。メッキ液がセラミック積層体の内部に侵入すると、短絡等が発生して所望の電気特性が得られ難くなる。
【０００７】
特許文献１の積層セラミックコンデンサは、セラミック積層体とＮｉ外部電極の境界面に、（Ｎｉ、Ｍｇ）化合物の酸化層を有することにより、両者の接合強度を向上させたものである。この接着強度は、セラミック積層体の面と、Ｎｉ外部電極の面に関したものであり、メッキ液の侵入を抑制することについては、特許文献１では検討されていない。接続強度は、セラミック積層体の面と、Ｎｉ外部電極の面とが部分的であっても、強固に接続されていれば（すなわち、すべての面にて、隙間なくつながっていなくても良い）よいのに対し、メッキ液の侵入を抑制するには、一部でも接続していない部分があれば、その部分からメッキ液が侵入してしまう。
【０００８】
よって、本発明の目的は、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを歩留まり良く製造可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層セラミックコンデンサは、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、前記セラミック積層体と同時焼成して形成される金属からなる下地金属と、該下地金属を被覆するメッキ層とからなり、前記下地金属の周縁が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層で縁取りされて、該縁取層と前記セラミック積層体とが接続されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の積層セラミックコンデンサは、前記下地金属が、Ｎｉであることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層され、前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、前記セラミック積層体の内部電極層が露出している端面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法であって、セラミック粉末を少なくとも含有するセラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成する工程と、前記グリーンシートの表面に第１導体ペーストを印刷して未焼成内部電極層を形成する工程と、未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層し、圧着して未焼成セラミック積層体を製造する工程と、前記未焼成セラミック積層体をカットする工程と、カットした未焼成セラミック積層体の前記未焼成内部電極層が露出した端面に、Ｎｉ金属を少なくとも含有する第２導電ペーストを塗布して未焼成下地金属を形成する工程と、前記未焼成下地金属の周縁に、Ｍｇ化合物を含有する縁取層形成用ペーストを塗布し、前記未焼成セラミック積層体と前記未焼成下地金属とを同時焼成する工程と、前記未焼成下地金属を焼成して得られた下地金属の表面をメッキする工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の積層セラミックコンデンサは、下地金属の周縁が縁取層で縁取りされてセラミック積層体に接続している。縁取層と下地金属は、両者の構成成分どうしが相互に拡散しあって強固に接合している。特に下地金属としてＮｉを用いた場合、同種の材料どうしなので、両者がより強固に接合する。また、縁取層とセラミック誘電体層は、いずれも酸化物を含む組成物であるので、両者の構成成分どうしが相互に拡散しあって強固に接合している。このように、下地金属の周縁が、縁取層を介してセラミック積層体に強固に接合している。また、縁取層の熱膨張係数は、下地金属とセラミック誘電体層との中間程度であり、縁取層によって、下地金属とセラミック誘電体層との熱膨張係数の差によって生じる応力が緩和され、セラミック誘電体層にクラックが入り難い。このため、本発明の積層セラミックコンデンサは、下地金属の周縁が、セラミック積層体とが隙間なく接続しており、これによってメッキ液の内部への侵入を抑制して絶縁抵抗を維持でき、不良品の発生が少なく歩留まりが良い。
【００１３】
そして、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、未焼成下地金属の周縁にＭｇ化合物を含有する縁取層形成用ペーストを塗布して、未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属とを同時焼成するので、下地金属の周縁が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層で縁取りされて、縁取層とセラミック積層体とが接続された積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】図１のセラミック積層体の分解斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１の平面図である。
【図５】実施例の積層セラミックコンデンサの図１の平面方向から見た写真（１２０倍拡大）である。
【図６】図５の範囲ａの部分の電子顕微鏡写真である。
【図７】図６の範囲ｂの部分の元素分析結果である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の積層セラミックコンデンサについて、図１〜４を用いて説明する。図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの斜視図であり、図２は、セラミック積層体３の分解斜視図であり、図３は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図４は、図１の平面図である。
【００１６】
本発明の積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック誘電体層１と内部電極層２とが交互に積層され、内部電極層２が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体３と、セラミック積層体３の内部電極層２が露出している端面に形成された一対の外部電極４，４とを備えている。
【００１７】
セラミック誘電体層１は、セラミックペーストをグリーンシート化して焼成したセラミック焼結体から構成される。セラミックペーストとしては、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３等のセラミック粉末を主原料とし、これに、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｙ等の希土類金属酸化物、Ｖ、Ｃｒ及びＭｎ等の遷移金属酸化物、ＳｉＯ２等のガラス成分、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３等のＭｇ化合物を添加物として混合したセラミック組成物に、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂等のバインダーと、トルエン等の溶剤と、その他助剤を添加してペースト化したもの等が挙げられる。セラミック組成物は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）を例として主成分としたものが挙げられる。他にペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａＸＳｒｙＴｉ１−ＺＺｒｚＯ３(０≦Ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)で表されるセラミックスを用いても良い。
【００１８】
内部電極層２は、導体ペーストの薄膜を焼結した金属薄膜からなる。導体ペーストは、導電材料となる導電性金属と、バインダーと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。導電性金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ等が挙げられ、後述する下地金属５との同時焼成が容易であるという理由からＮｉ、Ｃｕが好ましい。バインダー、溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。
【００１９】
外部電極４は、下地金属５と、該下地金属５の表面を被覆するメッキ層６とで構成される。
【００２０】
下地金属５は、導体ペーストの薄膜を焼結した金属薄膜からなる。導体ペーストに含まれる導電性金属は、セラミック積層体３と同時焼成して形成される金属であり、例えば、Ｎｉが挙げられる。
【００２１】
図３，４を合わせて参照すると、下地金属５の周縁５ａが、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層７で縁取りされて、最外層のセラミック誘電体層１に接続している。縁取層７の幅Ｗは、１〜５０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好ましい。縁取層７の幅が５０μｍを超えると、画像認識等で、外部電極と縁取層７とが誤認識されるおそれがあり、更には、メッキ付き性が低下する傾向にある。縁取層７の幅Ｗが１μｍ未満であると、下地金属５とセラミック誘電体層１との接着性が不十分な場合があり、メッキ処理時などにおいて外部から下地金属５の端部に応力が加わると、下地金属５がセラミック誘電体層１から剥離する可能性がある。なお、縁取層７は、セラミック誘電体層１の表面であって、下地電極５の端部（周縁）にて、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む部位である。縁取層７が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含むものであるかどうかは、縁取層７を元素分析することにより確認できる（Ｍｇ、Ｎｉ、Ｏが同時に検出される）。
【００２２】
メッキ層６は、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらの合金からなる第１メッキ層６ａと、該第１メッキ層６ａ上に形成された、Ｓｎ及び／又はＳｎ合金からなる第２メッキ層６ｂとで構成されることが好ましい。第１メッキ層６ａによって、下地金属５と第２メッキ層６ｂとの接着性が向上し、第２メッキ層６ｂによって、半田濡れ性が向上する。
【００２３】
次に、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一例について以下説明する。
【００２４】
まず、従来公知の方法で形成されたＢａＴｉＯ３粉末等のセラミック粉末と、必要に応じてその他の添加物粉末を適宜の量加え、バインダー及び溶剤を加えて、ボールミルなどで混合攪拌してセラミックスラリーを調製する。その他添加物粉末としては、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３などのＭｇ化合物が好ましい。Ｍｇ化合物は、セラミック粉末１００ｍｏｌに対し０．４〜１．４ｍｏｌ含有することが好ましい。
【００２５】
次に、ドクターブレード法等の従来公知の方法により、セラミックスラリーをＰＥＴフィルム等の長尺のベースフィルムに流し、その厚みをドクターブレードとの隙間で調整し、乾燥して、所定厚みのグリーンシートを作製する。
【００２６】
次に、グリーンシート上に、スクリーン印刷法等の従来公知の方法により、内部電極形成用導電ペーストを塗布し、未焼成内部電極層を所定パターンで形成する。
【００２７】
次に、未焼成内部電極層を形成したグリーンシートを所定の単位寸法でカットしてベースフィルムから取り出し、取り出されたグリーンシートを必要枚数積層し、静水圧プレス機等により圧着成型して未焼成セラミック積層体を作製する。
【００２８】
次に、圧着後の未焼成セラミック積層体を、回転ブレードや昇降ブレード等のブレードでカットして、個々のチップ状未焼成セラミック積層体とする。このチップ状未焼成セラミック積層体の相対する面には未焼成内部電極層の端縁が交互に露出している。
【００２９】
次に、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、Ｎｉ金属を少なくとも含有する下地金属形成用導電ペーストを、ローラ塗布法やディップ法等の公知の方法で塗布して、未焼成下地金属を形成する。
【００３０】
次に、チップ状未焼成セラミック積層体の最外層の表層であって、未焼成下地金属の周縁に沿って、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３等のＭｇ化合物を含有する縁取層形成用導電ペーストを塗布する。なお、縁取層形成用導電ペーストの塗布量や、縁取層形成用導電ペーストの中のＭｇＯ粉末の比率をかえることで、焼成後の縁取層７の幅Ｗを調整することができる。
【００３１】
そして、脱バインダー炉に投入し、好ましくはＮ２雰囲気で脱バインダー処理した後、焼成炉に投入して、所定の温度及び時間等の条件下で焼成して、チップ状未焼成セラミック積層体と未焼成下地金属とを同時焼成する。焼成温度は、１１５０〜１４００℃が好ましい。焼成時の酸素分圧Ｏ２濃度は６．２×１０−４Ｐａ以下が好ましい。Ｏ２濃度が６．２×１０−４Ｐａよりも大きい場合には、下地金属の酸化が全体的に進んでしまい、次の工程のメッキ付き性が悪くなる。
【００３２】
次に、未焼成下地金属を焼成して得られた下地金属５の表面を、Ｎｉ、Ｃｕ及びこれらの合金でメッキして第１メッキ層６ａを形成して、第２メッキ層６ａのメッキ付け性を向上させる。その後、第１メッキ層６ａ上に、Ｓｎ及び／又はＳｎ合金でメッキして第２メッキ層６ｂを形成する。メッキ方法としては特に限定はなく、バレルメッキなど従来公知の方法が挙げられる。
【００３３】
このようにして、図１〜４に示す本発明の積層セラミックコンデンサ１０が得られる。この積層セラミックコンデンサ１０は、下地金属５の周縁が縁取層７で縁取りされてセラミック誘電体層１に接続している。縁取層７と下地金属５は、相溶性が良好で、両者の構成成分どうしが相互に拡散しあって強固に接合している。また、縁取層７とセラミック誘電体層１は、いずれも酸化物を含む組成物であるので、両者の構成成分どうしが相互に拡散しあって強固に接合している。また、ＢａＴｉＯ３を主成分とするセラミック誘電体層１の熱膨張係数は約１０〜１２×１０−６℃−１であり、Ｎｉ金属からなる下地金属５の熱膨張係数は約１４〜１６×１０−６℃−１であり、セラミック誘電体層１と下地金属５は、熱膨張係数が異なる材料で構成されていることから、従来では、未焼成セラミック積層体と、未焼成下地金属とを同時焼成すると、セラミック誘電体層１の下地金属５の周縁と接する部分を起点にして、セラミック誘電体層１にクラックが発生したり、下地金属５がセラミック誘電体層１からはがれることがあった。この積層セラミックコンデンサは、下地金属５の周縁が縁取層７で縁取りされてセラミック誘電体層１に接続しており、縁取層７の熱膨張係数は約１１〜１４×１０−６℃−１であることから、縁取層７によって、下地金属５とセラミック誘電体層１との熱膨張係数の差によって生じる応力が緩和され、セラミック誘電体層１にクラックが入り難い。また、下地金属５がセラミック誘電体層１からはがれ難く、下地金属５とセラミック誘電体層１とがほぼ隙間なく接続している。
【００３４】
このため、本発明の積層セラミックコンデンサは、メッキ液の内部への侵入を抑制でき、これによって電気特性（絶縁抵抗）のバラつきや低下を抑えることができ、不良品の発生率が極めて低く、歩留まりがよい。
【００３５】
つまり、本発明では、積層セラミックコンデンサにて、セラミック誘電体と、下地電極との縁部に着目したものである。積層セラミックコンデンサの製造工程において、セラミック積層体と下地電極とを同時焼成すると、下地電極の縁部にてセラミック誘電体と、下地電極との熱膨張差により密着性が悪くなること（クラック、はがれ）、その後のメッキ処理工程において、セラミック積層体と下地金属との界面において、両者が接続していない部分があると、その部分からメッキ液が侵入すること、との観点から、下地金属の周縁をセラミック積層体に隙間なく接続することにより、メッキ液の侵入による絶縁抵抗を維持できる効果が得られている。
【実施例】
【００３６】
以下の実施例、比較例で使用したセラミックスラリー、内部電極形成用導電ペースト、外部部電極形成用導電ペースト、縁取層形成用導電ペーストは以下である。
【００３７】
・セラミックスラリー１
アルコキシド法にて作製した平均粒径０．１５μｍのＢａＴｉＯ３粉末を用い、ＢａＴｉＯ３１００ｍｏｌに対し、Ｈｏ２Ｏ３１．０ｍｏｌ、ＭｇＯ０．４ｍｏｌ、ＭｎＯ０．１ｍｏｌ、ＳｉＯ２１．５ｍｏｌの割合にて、トルエン中で混合し、ブチラール樹脂を添加してセラミックスラリーを作製した。
【００３８】
・セラミックスラリー２
アルコキシド法にて作製した平均粒径０．１５μｍのＢａＴｉＯ３粉末を用い、ＢａＴｉＯ３１００ｍｏｌに対し、Ｈｏ２Ｏ３１．０ｍｏｌ、ＭｇＯ１．０ｍｏｌ、ＭｎＯ０．１ｍｏｌ、ＳｉＯ２１．５ｍｏｌの割合にて、トルエン中で混合し、ブチラール樹脂を添加してセラミックスラリーを作製した。
【００３９】
・内部電極形成用導電ペースト
平均粒径０．２μｍのＮｉ粉末に、共材としてＢａＴｉＯ３粉末とエチルセルロース及びターピネオールを加えて混合し、内部電極形成用導電ペーストを作製した。
【００４０】
・下地金属形成用導電ペースト
平均粒径０．５μｍのＮｉ粉末に、エチルセルロースとブチルカルビトールを加えて混合し、下地金属形成用導電ペーストを作製した。
【００４１】
・縁取層形成用導電ペースト
平均粒径０．２μｍのＭｇＯ粉末に、エチルセルロースとブチルカルビトールを加えて混合し、縁取層形成用導電ペーストを作製した。
【００４２】
（実施例１）
セラミックスラリー１を、ＰＥＴフィルム上にドクターブレード法により塗布して厚さ３μｍグリーンシートを形成した。次に、このグリーンシート上に、スクリーン印刷法により、内部電極形成用導電ペーストを塗布して、未焼成内部電極層を形成した。次に、未焼成内部電極層を形成したグリーンシートを４８０層積層し、静水圧プレス機により圧着成型した後、焼成後に１．０ｍｍ×０．５ｍｍの大きさになるように切断分割して、チップ状未焼成セラミック積層体を作製した。次に、チップ状未焼成セラミック積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、下地金属形成用導電ペーストを、ローラ塗布して、未焼成下地金属を形成した。次に、チップ状未焼成セラミック積層体の最外層の表層であって、未焼成下地金属の周縁に沿って、縁取層形成用導電ペーストを塗布した。そして、脱バインダー炉に投入し、Ｎ２雰囲気で１２６０℃、２時間加熱して脱バインダー処理した後、焼成炉に投入して、焼成雰囲気中の酸素分圧（Ｏ２濃度）を６．２×１０−４Ｐａの条件にて、１２６０℃で２時間保持して焼成を行なった。その後、再酸化を目的とした再酸化処理を１０００℃／１ｈ、３０Ｐａで実施した後、バレルメッキ法により、Ｃｕメッキ、Ｓｎ−Ｚｎメッキの順にメッキ層を施して、実施例１の積層セラミックコンデンサを得た。
【００４３】
この積層セラミックコンデンサの図１の平面方向から見た写真（１２０倍拡大）を図５に示す。また、図５の範囲ａの部分の電子顕微鏡写真（６００倍拡大）を図６に示す。また、図６の範囲ｂの部分の元素分析結果を図７に示す。
図５〜７に示されるように、この積層セラミックコンデンサは、下地金属の周縁が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層で縁取りされていた。
また、この積層セラミックコンデンサについて、ＤＣ２５Ｖを印加して１分後、絶縁抵抗試験を行い、抵抗値が１０ＭΩ以上のものを合格とし、抵抗値が１０ＭΩ未満のものを不合格としたところ、試験数１００個中、不合格数は０個であった。結果を表１に記す。
【００４４】
（実施例２）
実施例１において、セラミックスラリー１の代わりにセラミックスラリー２を用いた以外は、実施例１と同様にしてチップ状未焼成セラミック積層体を作製し、その最外層の表層であって、未焼成下地金属の周縁に沿って、縁取層形成用導電ペーストを塗布した。そして、脱バインダー炉に投入し、Ｎ２雰囲気で１２６０℃、２時間加熱して脱バインダー処理した後、焼成炉に投入して、焼成雰囲気中の酸素分圧（Ｏ２濃度）を３．０×１０−４Ｐａの条件にて、１２６０℃で２時間保持して焼成を行なった。その後、再酸化を目的とした再酸化処理を１０００℃／１ｈ、３０Ｐａで実施した後、バレルメッキ法により、Ｃｕメッキ、Ｓｎ−Ｚｎメッキの順にメッキ層を施して、実施例２の積層セラミックコンデンサを得た。
この積層セラミックコンデンサは、下地金属の周縁が、Ｍｇの酸化物と、Ｎｉ及び／又はその酸化物とを含む縁取層で縁取りされていた。
また、実施例１と同様にして絶縁抵抗試験を行ったところ、試験数１００個中、不合格数は０個であった。結果を表１に記す。
【００４５】
（比較例１）
実施例１において、縁取層形成用導電ペーストを使用しなかった以外は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、縁取層が形成されていなかった。また、実施例１と同様にして絶縁抵抗試験を行ったところ、試験数１００個中、不合格数は４個であった。結果を表１に記す。
【００４６】
（比較例２）
実施例２において、縁取層形成用導電ペーストを使用しなかった以外は実施例２と同様にして積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサは、縁取層が形成されていなかった。また、実施例１と同様にして絶縁抵抗試験を行ったところ、試験数１００個中、不合格数は４個であった。結果を表１に記す。
【００４７】
【表１】
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【符号の説明】
【００４８】
１：セラミック誘電体層
２：内部電極層
３：セラミック積層体
４：外部電極
５：下地金属
６：メッキ層
６ａ：第１メッキ層
６ｂ：第２メッキ層
７：縁取層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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