(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上に第１のセンサ信号用の第１の信号経路を有する第１のセンサ装置と、
前記半導体チップ上に第２のセンサ信号用の、前記第１の信号経路とは異なる第２の信号経路を有する第２のセンサ装置と、
を含むモノリシック集積回路センサシステムであって、
前記第１の信号経路信号と前記第２の信号経路信号とを比較することによりセンサシステムセルフテストを提供し、
前記第１の信号経路は、第１のアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換器を含み、前記第２の信号経路は、前記第１のＡ／Ｄ変換器とは異なる第２のＡ／Ｄ変換器を含み、
前記第１のＡ／Ｄ変換器は、前記第２のＡ／Ｄ変換器の動作原理とは異なる少なくとも１つの動作原理で動作する、
センサシステム。
【請求項２】
前記半導体チップ上にあって、前記第１および第２の信号経路信号を受信するために前記第１および第２の信号経路に接続されたデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）をさらに含み、前記比較は前記ＤＳＰにより実施される、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項３】
前記ＤＳＰは、前記第１の信号経路に関連する第１のソフトウェアブロックと前記第２の信号経路に関連する第２のソフトウェアブロック、あるいは前記第１の信号経路に関連する第１のデジタル信号処理部と前記第２の信号経路に関連する第２のデジタル信号処理部の少なくとも一方を含む、請求項２に記載のセンサシステム。
【請求項４】
前記ＤＳＰは、アナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換チャネル交差切り替え装置により前記第１および第２の信号経路に接続される、請求項２又は請求項３に記載のセンサシステム。
【請求項５】
比較信号を提供するために前記第２の信号経路に接続された少なくとも１つの追加センサ装置をさらに含む、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のセンサシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの追加センサ装置は、温度センサ、応力センサ、電流センサ、電圧センサ、および磁界センサからなる群から選択される、請求項５に記載のセンサシステム。
【請求項７】
前記半導体チップ上のマルチプレクサをさらに含み、かつ前記第２のセンサ装置および前記少なくとも１つの追加センサ装置を前記第２の信号経路に接続する、請求項５又は請求項６に記載のセンサシステム。
【請求項８】
前記第１および第２のセンサ装置は、磁界センサを含む、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のセンサシステム。
【請求項９】
前記第１のセンサ装置と前記第１の信号経路とに接続された第１のバイアス回路、および前記第２のセンサ装置と前記第２の信号経路とに接続された第２のバイアス回路をさらに含む、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項１０】
前記第１のバイアス回路から信号を受信し、前記第２のバイアス回路から信号を受信し、かつ前記信号同士を比較するように構成されたバイアス比較器をさらに含む、請求項９に記載のセンサシステム。
【請求項１１】
前記第１の信号経路は、前記第２の信号経路と比較すると、「速い」、「高精度である」、「雑音が少ない」、「異なる動作原理を有する」からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項１２】
安全度水準（ＳＩＬ）規格を満たす、請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項１３】
モノリシック集積回路センサシステムにおけるセルフテストを提供する方法であって、
単一半導体チップ上に、主センサを含む主信号経路を実装する工程と、
前記単一半導体チップ上に、副センサと、前記主信号経路とは異なる副信号経路とを実装する工程であって、前記主信号経路と比較すると、前記副信号経路は、「遅い」、「低精度である」、「雑音が多い」、「異なる動作原理を有する」からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、工程と、
前記主信号経路の信号と前記副信号経路の信号とを比較することにより前記センサシステムのセルフテストを行なう工程と、
前記主信号経路上に第１のアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換技術を実装する工程と、
前記副信号経路上に、前記第１のＡ／Ｄ変換技術とは異なる第２のＡ／Ｄ変換技術を実装する工程と、
を含む方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの追加センサを前記副信号経路へ多重化する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの追加センサから少なくとも１つの補償信号を受信する工程をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１のバイアス部により前記主センサをバイアスする工程と、
前記第１のバイアス部とは異なる第２のバイアス部により前記副センサをバイアスする工程と、
前記主センサのバイアス電流と前記副センサのバイアス電流とを測定する工程と、
をさらに含む、請求項１３乃至請求項１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記主および副信号経路をデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）に接続する工程と、
前記ＤＳＰの第１のソフトウェア部分を用いて、前記主信号経路の信号を処理する工程と、
前記ＤＳＰの、前記第１のソフトウェア部分とは異なる第２のソフトウェア部分を用いて、前記副信号経路の信号を処理する工程と、
をさらに含む、請求項１３乃至請求項１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
主信号経路部分と副信号経路部分を含む前記ＤＳＰの並行出力を提供する工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記比較工程は、前記主信号経路の信号と前記副信号経路の信号の商または線形変換の少なくとも一方を形成することを含む、請求項１３乃至請求項１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
システム障害を検出するために前記少なくとも１つの商または線形変換を評価する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記主センサまたは前記副センサの少なくとも一方の測定範囲を調整する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記主センサが前記副信号経路に接続され、前記副センサが前記主信号経路に接続されるように、前記主センサと前記副センサとを交換する工程、をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には集積回路（ＩＣ）センサに関し、具体的には複数の通信信号経路を利用したＩＣセンサ自己診断に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車エレクトロニクス分野の発展の一部として自動車運転技術の最近の傾向は、運転者支援機能性の範囲を拡大するためにアンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ：ａｎｔｉ−ｌｏｃｋ  ｂｒａｋｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）、電子安定プログラム（ＥＳＰ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｐｒｏｇｒａｍ）および電子ステアリングシステム等の能動的安全システムにより拡張されるシートベルトやエアバッグ等の確立された受動安全システムに関するものである。既に暫くの間駆動系の場合がそうであったように、システムの複雑さもまた、危険な運転状況を検出しそして制御システムによる能動的介入により事故防止に寄与するためにこの分野では継続的に増している。継続的技術進歩により、これらの傾向は続き、将来さらにその傾向が強くなることが予想される。
【０００３】
安全性関連の機能性を有する電子部品の数の著しい増加の結果、信頼性とシステム可用性の点で過去に先例を見ない要件が生じてきた。これを実現すると同時に費用目標を満足するために、冗長性と共に統合テスト方法を介した機能自己監視のための効率的方法を開発することが望ましい。同時に、安全システムにおけるあり得る弱点を早い時期に特定し回避するために設計方法論の進歩が望まれる。例えば、磁界センサの領域では、これはＳＩＬ（Ｓａｆｅｔｙ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ  Ｌｅｖｅｌ）規格の導入により行われてきた。
【０００４】
自動車分野におけるＳＩＬ規格を満たすために、始動時だけでなく通常動作中にも、自動監視構成または対応する冗長機能ブロックおよび／または信号経路だけでなく組み込みセルフテストを含む対応するセルフテストを実装し利用することが望ましい。従来の磁気センサシステム（特に、線形ホール測定システム）は、単一チャネルのアナログ主信号経路を使用してきた。この概念を有する安全性最重要視用途（ｓａｆｅｔｙ−ｃｒｉｔｉｃａｌ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）においてＳＩＬ要件を満たすのは技術的に非常に困難か、恐らく達成するのが難しい。したがってただ１つのセンサシステムにより安全要件をカバーすることはもはや可能ではない。したがって他の従来の解決策は、ＳＩＬ要件を満たすために２つの同一の冗長な磁界センサを使用してきた。明らかに、これらの解決策の大きな欠点は、１つではなく２つのセンサに対応する費用の倍増である。さらに他の解決策は、信号周波数範囲外の重畳テスト信号（例えば、追加のオンチップ導体ループを有する磁界センサ、磁界センサへの重畳静電接続を有する圧力センサ用の）を定義することを提案する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＳＩＬおよび／または他の適用可能な安全規格を満たす、確実で費用効率の高いセンサシステムが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態では、モノリシック集積回路センサシステムは、半導体チップ上に第１のセンサ信号用の第１の信号経路を有する第１のセンサ装置を、そして半導体チップ上に第２のセンサ信号用の、第１の信号経路とは異なる第２の信号経路を有する第２のセンサ装置を含み、第１の信号経路信号と第２の信号経路信号とを比較することによりセンサシステムセルフテストを提供する。
【０００７】
一実施形態では、モノリシック集積回路センサシステムにおいてセルフテストを提供する方法は、主センサを含む主信号経路を単一半導体チップ上に実装する工程と、単一半導体チップ上に副センサおよび主信号経路とは異なる副信号経路を実装する工程であって、主信号経路と比較すると、副信号経路は、「遅い」、「低精度である」、「雑音が多い」、「異なる動作原理を有する」からなる群から選択される少なくとも１つの特徴を有する、工程と、主信号経路の信号と副信号経路の信号とを比較することによりセンサシステムのセルフテストを行なう工程と、を含む。
【０００８】
本発明は、以下の添付図面に関する本発明の様々な実施態様の詳細な説明を考慮すると、より完全に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態によるシステムブロック線図を示す。
【図２】一実施形態によるシステムブロック線図を示す。
【００１０】
本発明は様々な変更と代替形式に変更可能であり、その詳細は添付図面に一例として示されており、これについて詳しく説明する。但し、記載される特定の実施形態に本発明を限定しないように意図されているということを理解すべきである。逆に、添付の特許請求範囲によって定義される本発明の主旨および範囲に入る全ての修正、等化物、および代替物をカバーするように意図している。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施形態は、複数の信号経路を利用したセンサ自己診断のためのシステムと方法に関する。一実施形態では、センサは磁界センサであり、システムおよび／または方法は関連安全規格、またはＳＩＬ規格などの他の業界規格を満たすまたは上回るように構成される。
【００１２】
図１に、一実施形態によるセンサシステム１００の概念的ブロック図を示す。システム１００は、それぞれがデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１０３と通信を行う第１のセンサ１０２と第２のセンサ１０４を含む。一実施形態では、第１のセンサ１０２、第２のセンサ１０４、およびＤＳＰ１０３は、単一チップ１０５上に実装されたモノリシック集積回路を構成し、ＤＳＰ１０３は外部の電子制御装置（ＥＣＵ：ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌ  ｕｎｉｔ）１０６と通信を行う。
【００１３】
センサの１つは一次または主センサである。図１の実施形態では、センサ１０２は主センサであり、センサ１０４は副センサである。以下にさらに詳細に検討されるように、主センサ１０２は主信号経路を介しＤＳＰ１０３と通信を行い、副センサ１０４は主信号経路とは少なくとも部分的に異なる副信号経路を介しＤＳＰ１０３と通信を行う。
【００１４】
副センサ１０４およびその対応する副信号経路は通常、主センサ１０２と比較すると、精度が低く、遅く、および／または雑音が多く、異なる動作原理を利用して動作し、および／または追加の二次的検知タスクを含む。したがって副センサ１０４は主センサ１０２より安価であり、また、システム１００の費用と複雑さに影響を与える配置、チップ面積、および他の要素についての制約が少ないと考えられる。これらの二次的検知タスクとしては、温度、機械的応力、内部動作またはバイアス電圧、動作またはバイアス電流等の補償信号の測定、および／または追加の単純なターゲット測定が挙げられる。例えば、センサ１０２、１０４は一実施形態では磁界センサを含み、このようなセンサのターゲット測定は磁場となるであろう。しかしながらいくつかの実施形態では、副センサ１０４は、一例の実施形態では、温度センサと応力センサだけでなく主センサ１０２を反映する磁界センサ等の複数のセンサまたはセンサアレイを含むことができる。
【００１５】
しかしながら一実施形態では、副センサおよび信号経路は、主センサおよび信号経路との妥当性比較に利用することができる。さらに、副センサと信号経路は、主センサと信号経路の検証だけでなく故障検出にも利用することができる。このような構成によりいくつかの利点を提供することができる。第１に、ＳＩＬ互換性を実現することができる。第２に、従来の解決策と比較してサイズおよび費用優位性を実現することができ、ハードウェアをさほど追加することなくセルフテストを通常動作中に実施することができる。さらに、デジタル信号処理（ＤＳＰ）と信号処理ソフトウェアの追加のセルフテスト特徴を実装することができる。さらに、フィールド故障と返却率も低減することができ、両者（すなわち、元のチップ製造業者およびチップを実装する顧客）の費用効果を改善する。
【００１６】
図２を参照すると、図１に示した概念に基づくセンサシステム２００の実施形態のブロック図が示されている。システム２００は、ホール効果または巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：ｇｉａｎｔ  ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の主磁界センサ２０２と副磁界センサ２０４を含むが、センサ２０２、２０４は他の実施形態では他のタイプのセンサであってもよく、磁界センサに限定されない。センサ２０２はセンサ１０２と概念的には似ており、センサ２０４は図１を参照して説明されたセンサ１０４と概念的には似ている。
【００１７】
システム２００はまた、副または補助センサとも考えられる１つまたは複数の追加センサ２０８を含む。センサ２０８は、様々な実施形態では、温度、応力、電流、磁場または何らかの他のセンサ形式を含むことができる。
【００１８】
一実施形態では、主センサ２０２はデジタル信号処理（ＤＳＰ）部２２０と通信を行う。ＤＳＰ部２２０は次に、入出力部２１０を介し外部のＥＣＵまたは他の制御装置（例えば、図１を参照）と通信を行う。一実施形態によると、センサ２０２、２０４は個別信号経路（構造的に異なるアナログ信号経路、混合信号経路、ある程度はデジタル信号経路および処理、およびソフトウェア部品を含む）を介しＤＳＰ部２２０と通信を行う。図２では、主センサ２０２に関連する主信号経路は太線で示され、センサ２０４に関連する副信号経路は単純な破線で示されている。
【００１９】
例えば、図２の実施形態では、主信号経路は主センサ２０２からアナログデジタル（Ａ／Ｄ）変換器２１２およびＡ／Ｄ変換チャネル交差スイッチ２１４へ信号を伝達することができる。副信号経路は副センサ２０４からマルチプレクサ２１６へ信号を伝達する。マルチプレクサ２１６はまた、追加的または補助的センサ２０８からのすべての信号を入力として受信する。副信号経路はＭＵＸ２１６から第２のＡ／Ｄ変換器２１８に続く。第２のＡ／Ｄ変換器２１８はまた交差スイッチ２１４にその出力を送信する。
【００２０】
一実施形態では、主信号経路の要素と副信号経路の要素は同一ではなく、および／または異なる動作原理を利用して実装される。例えば、主信号経路内のＡ／Ｄ変換器２１２は三次のシグマデルタ変換器を含むことができ、一方、副信号経路内のＡ／Ｄ変換器２１８は一次のシグマデルタ変換器を含むことができる、あるいは１つまたは複数のＡ／Ｄ変換器は、シグマデルタの代わりに逐次比較レジスタ（ＳＡＲ）またはフラッシュ技術を利用することができる。換言すれば、主センサ１０２と比較すると低精度で、遅くおよび／または雑音が多く、異なる動作原理を利用して動作し、および／または追加の二次的な検知タスクを含む副センサ２０４と同様に、同じことが、Ａ／Ｄ変換器２１２と比較するとＡ／Ｄ変換器２１８について言える。
【００２１】
交差スイッチ２１４の出力は、主および副信号経路の両方に関連付けられ、デジタル信号処理（ＤＳＰ）部２２０に送信される。ＤＳＰ２２０は、一実施形態では、状態機械２２２、クランピングアルゴリズム（ｃｌａｍｐｉｎｇ  ａｌｇｏｒｉｔｈｍ）２２４およびメモリマトリクス２２６を含む。主および副信号経路の概念と一致して、ＤＳＰ２２０もまた、主信号経路に関連する第１のソフトウェア部分と副信号経路に関連する第２のソフトウェア部分を含む。追加的にまたは代替的に、ＤＳＰ２２０はまた、主信号経路と副信号経路のための異なるＤＳＰ方法または技術を実装することができる。一実施形態では、ＤＳＰ２２０はインターフェース２２８を介しＩ／Ｏ２１０に接続され、Ｉ／Ｏ２１０は外部のＥＣＵ（図２に示さない）に接続される。
【００２２】
これにより主および副信号経路は、多くの有益な特性を提供する２つの異なる準冗長アナログ信号経路を提供することができる。例えば、主信号経路を介したサイクル中のセンサ２０２からの主磁界信号の送信により高精度な計算結果を提供することができる。主信号経路自体は、少なくとも副信号経路に比し、チョッピングまたは他の技術を利用すること等により非常に高精度かつ速やかに動作する。主信号経路はまた、他のシステム部品に影響されること無く独立かつ自由に動作する。
【００２３】
解析目的のために、副信号経路はまた、そのデータを制御装置に提供する可能性を提供する。データは正または負符号のいずれかにより処理されてよいであろう。ＤＳＰ２２０からインターフェース２２８とＩ／Ｏ２１０への可能な並行出力をシステム２００内に示すが、逐次送信はまた、例えば時分割多重を利用して、あるいは外部要求などの要求に応じて実施されてもよいであろう。
【００２４】
センサ２０２、２０４と随意的にセンサ２０８は、それらの測定値に関し、様々な検知原理（処理、技術的性能および仕様、センサ２０２、２０４自体のサイズおよび／または配置、およびバイアスを含む）を利用することができる。システム２００の実施形態は、２つのバンドギャップバイアス部２３０、２３２と１つのバイアス比較部２３４を含む。バイアス部２３０は主信号経路に関連付けられ、バイアス部２３２は副信号経路に関連付けられる。バイアス部２３０、２３２はそれぞれ、センサ１０２、１０４の異なるバイアスの選択肢を提供し、バイアス比較部２３４は出力信号を、考察のためにＤＳＰ２２０へ提供することができる。
【００２５】
システム２００の実施形態はまた、Ａ／Ｄ変換器２１２、２１８と交差スイッチ２１４を介し、異なるＡ／Ｄ変換および／またはスイッチング概念を利用することができる。例えば、前述のように、主信号経路内のＡ／Ｄ変換器２１２は、三次のシグマデルタ変換器を含むことができ、一方、副信号経路内のＡ／Ｄ変換器２１８は一次のシグマデルタ変換器を含むことができる、あるいは１つまたは複数のＡ／Ｄ変換器は、シグマデルタの代わりに逐次比較レジスタ（ＳＡＲ）またはフラッシュ技術を利用することができる。様々な実施形態では、これらの異なるＡ／Ｄ変換および／またはスイッチング概念は、異なる故障振る舞いおよび／または故障確率を提供することができる。測定範囲もまた、クランピング効果または制限効果を検出するために、図２のＡ／Ｄ変換器２１２、２１８への顕著な入力（ｎｏｔｅｄ  ｉｎｐｕｔｓ）を介し、いくつかの実施形態では切り替えることができる。
【００２６】
いくつかの実施形態はまた、それぞれの主および副信号経路を有するセンサ２０２、２０４を切り替える選択肢を提供することができる。例えば、副センサ２０４を主信号経路内に交換し、主センサ２０２も同様に副信号経路内に交換することができる。この選択肢は、例えばセンサをその経路から分離することにより、故障検出および／または特定を改善することができる。
【００２７】
システム２００の実施形態により提供される別の利点は、主および副信号経路のそれぞれの出力信号を比較し（例えば商を形成することにより）その結果を評価する能力である。結果を評価することにより、センサ２０２、２０４、信号経路、システム２００、および／または他のいくつかの部品の性能または機能性に関係する１つまたは複数の態様を決定することができる。例えば、出力信号を比較することにより、入力信号の急激な変化を検出することができる。補償（例えば、センサ２０８が温度センサを含む場合の温度補償）を利用した実施形態では、出力信号同士を温度補償信号に応じて比較することができる。他の実施形態では、他の信号、特性、または情報を分離するために、センサ２０８からの情報のクランピングまたは制限を実施することができる。
【００２８】
ＤＳＰ２２０は主信号経路のソフトウェア１と副信号経路のソフトウェア２を利用するので、いくつかの実施形態では信号経路の出力結果同士を比較することができる。このような比較により、ソフトウェアアルゴリズム自体の検査を行うことができる。内部または外部窓比較（ｉｎｔｅｒｎａｌ  ｏｒ  ｅｘｔｅｒｎａｌ  ｗｉｎｄｏｗ  ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎｓ）もまた、２つの信号経路またはＤＳＰ２２０の計算結果の妥当性検査に利用することができる。このような妥当性検査の一部として、警告を行うおよび／または故障閾値を用いることができる。
【００２９】
したがって、いくつかの実施形態はセンサシステムにおける故障自己診断だけでなく安全規格互換性も提供することができる。故障の取り扱いは、当該の特定システムおよび／または安全規格だけでなくシステムのタイプと安全規格の厳格性により変わり得るが、いくつかの実施形態は検出された問題点についてシステム利用者に警告する機会を提供することができる。例えば、磁界センサを利用した安全性最重要視自動車電子パワーステアリングセンサ用途では、検出故障はＥＣＵに、適切な行動が取られるように運転者に重大なシステム問題について警告するようにさせる。いくつかの用途では、ＥＣＵを、エラー障害状況において安全モードまたは安全動作プロトコルに切替えるようにプログラムすることができる。
【００３０】
さらに、いくつかの実施形態は、冗長な複数の一次センサを利用する従来の解決策より空間および費用効率が高い。例えば、いくつかの実施形態では、主／副センサおよび信号経路は、その性能に対する要求の低減という点で通常は安価な装置である副センサと共に単一の一次センサだけ（２つの一次センサではなく）を利用しながらチップ面積を１０％未満の増加で済ますことができる。安価な副センサを考慮すると、単一チップ上に２つの一次センサを利用する従来の解決策を越えた利点も実現される。
【００３１】
システム、装置、および方法の様々な実施形態についてここでは説明してきた。これらの実施形態は一例として示しただけであり、本発明の範囲を制限するように意図するものではない。さらに、説明してきた実施形態の様々な特徴はさらに多くの実施形態を生み出すために様々なやり方で組み合わせられ得るということを理解すべきである。また、開示された実施形態と共に使用する様々な材料、寸法、形状、移植場所等について説明してきたが、開示されたもの以外のものが本発明の範囲を逸脱することなく利用されてもよい。
【００３２】
本発明は上述したすべての個々の実施形態に示されたものより少ない特徴を含んでもよいということを当業者は認識することになる。本明細書に記載の実施形態は、本発明の様々な特徴が組み合わせられ得るやり方を網羅的に表現するように意図していない。したがって実施形態は特徴の相互排他的組み合わせではない。むしろ本発明は当業者により理解されるように異なる個々の実施形態から選択される異なる個々特徴の組み合わせを含んでもよい。
【００３３】
上記文書の参照によるいかなる援用も、本明細書における明示的開示内容に反する主題が援用されないように制限される。上記文書の参照によるいかなる援用も、上記文書に含まれるいかなる特許請求範囲も参照により本明細書に援用されないようにさらに制限される。上記文書の参照によるいかなる援用も、上記文書に記載されるいかなる定義も本明細書に明示的に含まれない限り参照により本明細書に援用されないようにさらに制限される。
【００３４】
本発明の特許請求の範囲を解釈する目的のために、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．第６節、第１１２章の条項は特定用語「手段：ｍｅａｎｓ  ｆｏｒ」または「工程：ｓｔｅｐ  ｆｏｒ」が請求項に記載されない限り発動されないということは明らかである。
【符号の説明】
【００３５】
１００  センサシステム
１０２  主センサ
１０３  デジタルシグナルプロセッサ
１０４  副センサ
１０５  単一チップ
１０６  電子制御装置
２００  センサシステム
２０２  主センサ
２０４  副センサ
２０８  追加センサ
２１０  入出力部
２１２  Ａ／Ｄ変換器
２１４  交差スイッチ
２１６  マルチプレクサ
２１８  Ａ／Ｄ変換器
２２０  デジタル信号処理部
２２２  状態機械
２２４  クランピングアルゴリズム
２２６  メモリマトリクス
２２８  インターフェース
２３０  バンドギャップバイアス部
２３２  バンドギャップバイアス部
２３４  バイアス比較部
【図１】
0005474018.tif 000002
【図２】
0005474018.tif 000003