(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化９】
0005533645.tif 000010
式中、
Ｌは、一般式（２）
【化１０】
0005533645.tif 000011
式中、ｎは１を示し、Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ同一又は異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又は同一若しくは異なる２つのアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基を示すか、あるいはＲ4及びＲ5は、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成していても良く、Ｒ1〜Ｒ5が、炭素原子を含む基を示す場合、その炭素原子上の１つ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基で置換されていても良い、
で示される環状アルキルアミノカルベン配位子を示し、
Ｘは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示し、ここで、Ｘの炭素原子上の１つ又は複数の水素原子は、独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基に置換されていても良く、Ｘの炭素原子上の複数の水素原子が、独立して、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基で置換されている場合、隣接している基同士が結合して環を形成しても良い、
で示される置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体。
【請求項２】
Ｒ１が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数６〜１０のポリシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜２０のアリール基であり、
Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５が、独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又は同一若しくは異なる２つのアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基である、請求項１記載の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体。
【請求項３】
Ｒ１がポリシクロアルキル基であって、該ポリシクロアルキル基が、ビシクロ−［２．１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−オクチル基及びアダマンチル基からなる群より選択される、請求項２記載の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体。
【請求項４】
置換エチニル金ホスフィン錯体と環状アルキルアミノカルベン配位子を反応させる、請求項１記載の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体の製法。
【請求項５】
環状アルキルアミノカルベン配位子が、環状イミニウム塩と塩基との反応によって得られたものである、請求項４記載の製法。
【請求項６】
反応が、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、環状アルキルアミノカルベン配位子を１〜５モル使用する、請求項４又は５記載の製法。
【請求項７】
反応が、置換エチニル金ホスフィン錯体と環状アルキルアミノカルベン配位子を混合し、溶媒の存在下、０〜１２０℃の温度で攪拌することにより行われる、請求項４〜６のいずれか１項に記載の製法。
【請求項８】
一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機化合物薄層が１種又は２種以上の請求項１の一般式（１）で示される置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、近年、高性能平面カラーディスプレイ用表示装置として注目されているが、発光材料としては発光分子の励起１重項からの発光を利用する蛍光材料が主に用いられており、さらなる高効率を目指すために励起３重項からの発光を利用するリン光発光材料の開発が盛んに行われている。しかしながら、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子において、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を実現させ、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となるような素子を作成することは非常に困難であることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
また、これまで、本願発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体及び当該金属錯体を発光材料として用いた有機ルミネッセンス素子については全く知られていなかった。【０００３】
【非特許文献１】社団法人高分子学会２００６年度有機ＥＬシンポジウム講演要旨集７ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、即ち、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子において、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域にエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となるような素子を実現させること及びその有機ルミネッセンス素子用発光材料等として有用な化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の課題は、一般式（１）【０００６】
【化１】
0005533645.tif 000002
【０００７】
式中、
Ｌは、環状アルキルアミノカルベン配位子を示し、
Ｘは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示し、ここで、Ｘの炭素原子上の１つ又は複数の水素原子が、独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基に置換されていても良く、Ｘの炭素原子上の複数の水素原子が、独立して、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基で置換されている場合、隣接している基同士が結合して環を形成しても良い、
で示される置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体によって解決される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、４４０ｎｍ以下の深青色領域（４１０〜４４０ｎｍ）にリン光エレクトロルミネッセンス発光ピーク極大を有し、発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となるような有機エレクトロルミネッセンス素子を実現し、その有機ルミネッセンス素子用発光材料等として有用な置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１の錯体のリン光スペクトル、実施例２及び比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＬスペクトルである。
【図２】実施例２の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造である。
【００１０】
［符号の説明］
１    硝子基板
２    ＩＴＯ透明電極
３    ホール輸送層
４    発光層
５    ホールブロック層
６    電子輸送層
７    アルミニウム電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体は、前記の一般式（１）で示される。その一般式（１）において、Ｌは、環状アルキルアミノカルベン配位子を示す。Ｘは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示す。【００１２】
前記アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。特に、炭素原子数１〜６のアルキル基が好ましい。なお、これらの基は、その異性体も含む。【００１３】
前記シクロアルキル基としては炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。【００１４】
前記アリール基としては、炭素原子数６〜１８のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等が挙げられる。特に、炭素原子数６〜１４のアリール基が好ましい。なお、これらの基は、その異性体も含む。【００１５】
前記アラルキル基としては、炭素原子数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基等が挙げられる。【００１６】
前記ヘテロ環基としては、Ｎ、Ｏ又はＳから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含む、３〜１０の環員からなる、飽和又は不飽和の環式基が好ましく、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基等が挙げられる。【００１７】
Ｘの炭素原子上の１つ又は複数の水素原子は、独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基で置換されていても良い。【００１８】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【００１９】
前記アルキル基としては、炭素原子数１〜２０、特に１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。特に、炭素原子数１〜６のアルキル基が好ましい。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２０】
前記シクロアルキル基としては、特に炭素原子数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。【００２１】
前記アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２２】
前記アリール基としては、炭素原子数６〜２０、特に６〜１６のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２３】
前記アラルキル基としては、炭素原子数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基等が挙げられる。【００２４】
前記アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２５】
前記アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２６】
前記ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数１〜６のアルキル基から選択される同一若しくは異なる２つの基で置換されているジアルキルアミノ基が好ましい。特に、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２７】
前記アルキルカルボニル基としては、特に炭素原子数２〜１０のアルキルカルボニル基が好ましく、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２８】
前記アリールカルボニル基としては、特に炭素原子数７〜１１のアリールカルボニル基が好ましく、ベンゾイル基、フルオロベンゾイル基、ナフトイル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２９】
前記アルキルメルカプト基としては、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基が好ましく、例えば、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、ブチルメルカプト基、ペンチルメルカプト基、ヘキシルメルカプト基が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３０】
前記アリールメルカプト基としては炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基が好ましく、例えば、フェニルメルカプト基、トリルメルカプト基、キシリルメルカプト基、ナフチルメルカプト基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３１】
前記アルキルスルホニル基としては炭素数１〜１２のアルキルスルホニル基が好ましく、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等が挙げられる。【００３２】
前記アリールスルホニル基としては炭素数６〜１８のアリールスルホニル基が好ましく、例えば、フェニルスルホニル基、トリルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等が挙げられる。【００３３】
Ｘの炭素原子上の複数の水素原子が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基及びアリールカルボニル基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基で置換されている場合、隣接している置換基同士が結合して環を形成しても良い。【００３４】
例えば、Ｘの炭素原子上の隣接している２つの水素原子が、それぞれ独立して、前記置換基により置換されている場合は、隣接している置換基同士が、それらが結合している炭素原子と一緒になって、５−、６−若しくは７−員単環式又は８−、９−若しくは１０−員二環式の飽和又は不飽和環（これは、場合により、置換基に含まれるＯ、Ｎ及びＳから選択されるヘテロ原子を含有しても良い。）を形成する場合が挙げられる。【００３５】
前記隣接している基同士が結合して環を形成する場合の環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロフラン環、ベンゾピラン環、Ｎ−メチルピロリジン環、Ｎ−メチルピペリジン環等が挙げられる。【００３６】
これらの中でも、Ｘとしては、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数６〜１８のアリール基から選択されるものであり、Ｘの炭素原子上の１つ又は複数の水素原子が、独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ベンゾイル基、フルオロベンゾイル基、ナフトイル基、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基から選択される基で置換されていても良いものが好ましい。【００３７】
環状アルキルアミノカルベン配位子は、一般式（２）【００３８】
【化２】
0005533645.tif 000003
【００３９】
式中、
ｎは１〜３の整数を示し、
Ｒ１はアルキル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ同一又は異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又は同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基を示すか、あるいはＲ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の隣接している基同士は、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成していても良く、Ｒ1〜Ｒ5が、炭素原子を含む基を示す場合、その炭素原子上の１つ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基に置換されていても良い、
で示される。【００４０】
ここで、Ｒ１は、アルキル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示すが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、前記Ｘの炭素原子上の置換基として定義したものと同義である。【００４１】
前記ポリシクロアルキル基としては、炭素原子数６〜１０のポリシクロアルキル基が好ましく、ビシクロ−［２.１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。【００４２】
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又は同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基を示すが、これらの基は前記Ｘの炭素原子上の置換基として定義したものと同義である。【００４３】
また、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5の隣接している基同士は、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。一般式（２）において、Ｒ2及びＲ3（又はＲ4及びＲ5）が、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成する場合の環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロペンタン環、シクロヘキセサン環、シクロへプタン環、ベンゼン環、ナフタレン環等の炭素原子数５〜１４の炭素環が挙げられる。【００４４】
なお、Ｒ１〜Ｒ5が、炭素原子を含む基を示す場合、その炭素原子上の１つ又は複数の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基で置換されても良く、これらの基も前記Ｘの炭素原子上の置換基として定義したものと同義である。【００４５】
これらの中でも、Ｒ１が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数６〜１０のポリシクロアルキル基又は炭素原子数６〜２０のアリール基から選択されるものであり、Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５が、独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又は同一若しくは異なる２つの炭素原子数１〜６のアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基であることが好ましい。
特に、Ｒ１としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基が好ましい。また、特に、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５としては、水素原子又は炭素原子数が１〜６のアルキル基であることが好ましく、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５の隣接している基同士が、それらが結合している炭素原子と一緒になって環を形成している場合は、シクロヘキサン環を形成しているものが好ましく、シクロヘキサン環、１-メチル−４−プロピルヘキサン環が好ましい。【００４６】
本発明における含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）の具体例としては、例えば、式（３）〜（１８）で示される化合物が挙げられる。【００４７】
【化３】
0005533645.tif 000004
【００４８】
本発明の一般式（１）で示される置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体は、例えば、反応工程式 [１]【００４９】
【化４】
0005533645.tif 000005
【００５０】
式中、
Ｘ及びＬは、前記と同義であり、Ｐは、単座ホスフィン配位子を示す。
で示されるように、置換エチニル金ホスフィン錯体と環状アルキルアミノカルベン配位子（Ｌ）とを反応させることによって得られる。【００５１】
前記単座ホスフィン配位子としては、例えば、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、（４−ブロモフェニル）ジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、４−（ジメチルアミノ）フェニルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニル（２−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニル−２−ピリジルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（３−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（３−フルオロフェニルホスフィン）、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ネオメンチルジフェニルホスフィン、ｐ−トリルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、トリス（２，４，４−トリメチルペンチル）ホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシプロピル）ホスフィン等が挙げられる。これらは市販のものをそのまま使用することが出来る。【００５２】
前記置換エチニル金ホスフィン錯体は、例えば、反応工程式[２]【００５３】
【化５】
0005533645.tif 000006
【００５４】
式中、
Ｘ及びＰは、前記と同義であり、Ｙは、ハロゲン原子を示す。
で示されるように、塩基の存在下、金ハロゲノホスフィン錯体と置換エチンとを反応させることによって得られる（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，４１１（１９８６）参照）。【００５５】
なお、前記金ハロゲノホスフィン錯体は、公知の方法によって合成可能である（例えば、実験化学講座，第４版，丸善社，４５５頁，１８巻（１９９１年）参照）。【００５６】
前記置換エチンは、市販品をそのまま用いても良いし、置換芳香族臭化物から公知の方法によって合成可能である（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９８５，５０巻，１７６３．参照）。【００５７】
前記環状アルキルアミノカルベン配位子は、対応する環状イミニウム塩と、塩基、例えば、リチウムジイソプロピルアミド等とを公知の方法によって反応させて得られたものである（例えば、国際公開第２００６／１３８１６６号パンフレット参照）。【００５８】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体の合成において、環状アルキルアミノカルベン配位子の使用量は、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、好ましくは１〜１０モル、更に好ましくは１〜４モルである。【００５９】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体の合成において使用する溶媒としては、反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、テトラヒドロフラン、フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類が使用される。なお、これらの溶媒は、１種又は２種以上を混合して使用しても良い。【００６０】
前記溶媒の使用量は、反応液の均一性や攪拌性により適宜調節するが、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、好ましくは１〜３０Ｌ、更に好ましくは５〜２０Ｌである。【００６１】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体の合成は、例えば、置換エチニル金ホスフィン錯体、環状アルキルアミノカルベン配位子及び溶媒を混合して、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは０〜１２０℃、更に好ましくは２０〜１００℃であり、反応圧力は特に制限されない。【００６２】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体は、反応終了後、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、昇華、クロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・生成される。【００６３】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体としては、式（１９）〜（４９）で示される化合物が挙げられる。【００６４】
【化６】
0005533645.tif 000007
【００６５】
【化７】
0005533645.tif 000008
【００６６】
本発明の置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体は、クロロホルム中、温度７７Ｋ（ケルビン）、紫外線照射下において、４４０ｎｍ以下の深青色領域（４１０〜４４０ｎｍ）にエレクトロルミネッセンス素子による発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８未満となるような素子を実現することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられることが示唆された。
【００６７】
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について、その実施形態を示す。【００６８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、当該置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体を、有機化合物薄層のうちの少なくとも１層に含むものであり、好ましくは一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。【００６９】
当該置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体の有機化合物層への添加量は、特に限定されるものではないが、有機化合物層１ｇに対して、好ましくは０．００５〜１ｇ、更に好ましくは０．０１〜０．５０ｇ、特に好ましくは０．０１〜０．１５ｇである。【００７０】
この有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料、他のドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することもできる。更に、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。【００７１】
当該置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体と共に有機化合物層に使用できる発光材料又はホスト材料としては、各種カルバゾール誘導体、縮合多環芳香族（アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体等）、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体、芳香族ケイ素化合物、芳香族ゲルマニウム化合物等が挙げられる。【００７２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において使用できる公知の正孔注入材料の中で、効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体、フタロシアニン誘導体又はトリフェニレン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体的な態様は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、１，１−ビス[４−（ジ−４−トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン等、若しくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー又はポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体的な態様は、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2 ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。
トリフェニレン誘導体の具体的な態様は、下式に示される。【００７３】
【化８】
0005533645.tif 000009
【００７４】
式中、
Ｚは、単一若しくは複数のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を示し、Ｚの炭素原子上の１つ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、同一若しくは異なるアルキル基で置換されたジアルキルアミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、オルガノシリル基に置換されていても良い。オルガノシリル基以外の置換基は、前記Ｘの炭素原子上で置換されていても良いとして定義したものと同義である。【００７５】
前記オルガノシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。【００７６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、更に効果的な公知の電子注入材料は、金属錯体化合物又は含窒素五員環誘導体である。金属錯体化合物の具体的な態様は、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００７７】
また、含窒素五員環誘導体は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール又はトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを表す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００７８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電荷注入性向上のために発光層と電極との間に無機化合物層を設けることもできる。【００７９】
この無機化合物層としては、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＲａＯ、ＳｒＯ、ＢａＦ２、ＳｒＦ２等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等を挙げられる。【００８０】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることができる。【００８１】
陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、スズ、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等及びそれらの合金を用いられる。ここで合金とは、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。【００８２】
陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。【００８３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。【００８４】
透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着あるいはスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定して得られる。【００８５】
発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。【００８６】
基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板あるいは透明性樹脂フィルムが挙げられる。【００８７】
透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。 【００８８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、或いは、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することもできる。【００８９】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、あるいはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲であり、更には１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。【００９０】
湿式成膜法の場合、各層上に前記一般式（１）で表わされる化合物を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解又は分散させて薄膜を調製することができる。【００９１】
乾式成膜法としては、真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０−３Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明の式（１）で表わされる置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体を加熱し、該材料を蒸発させることにより薄膜を調製することができる。このとき、蒸着源の温度をコントロールするために、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。また蒸着量をコントロールするために蒸着膜厚計が好適に用いられる。【００９２】
蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。【００９３】
前記一般式（１）で表わされる置換エチニル金−環状アルキルアミノカルベン錯体と発光材料又は他のホスト材料の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことができる。【００９４】
ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のためポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などの樹脂、あるいは酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を使用することができる。【００９５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば壁掛けテレビや携帯電話のフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
【実施例】
【００９６】
以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。【００９７】
実施例１（［Ｎ−（２’，６’−ジイソプロピルフェニル）−２，２，４，４−テトラメチルピロリジニリデン−４’’−フルオロフェニルエチニル金（２３）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管に１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２，２，４，４−テトラメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピロリウム−トリフルオロメタンスルホネート（２６１ｍｇ，０．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（６ｍｌ）を加え、懸濁溶液とした。リチウムジイソプロピルアミド（２．０Ｍ溶液、３００μｌ，０．６ｍｍｏｌ）を−７８℃で加え、５分間攪拌後、室温で４５分攪拌した後、テトラヒドロフランと副生したジイソプロピルアミンを減圧留去した。テトラヒドロフラン（８ｍｌ）と、を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液を４−フルオロフェニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（１１６ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えた後、室温で２時間攪拌した。テトラヒドロフランを減圧留去後、塩化メチレンを加え、水洗しＰＨを７とした。硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝６／１）によって精製することにより、白色固体である目的物を６２．４ｍｇ得た（収率５１％）。【００９８】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２４−７．４２（ｍ，５Ｈ），６．８１−６．８５（ｍ，２Ｈ），２．７５−２．８１（ｓｅｐｔ，２Ｈ），２．０７（ｓ，２Ｈ），１．５３（ｓ，６Ｈ），１．４４（ｄ，６Ｈ），１．３４（ｓ，６Ｈ），１．３１（ｄ，６Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６０１（Ｍ＋），ＣＩ（ｍ／ｚ）：６０２（ＭＨ＋）
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４１２（ｍａｘ）
熱分析：融点：２１２℃
元素分析  観測値  Ｃ：５６．０，Ｈ：５．９，Ｎ：２．３
理論値  Ｃ：５５．９，Ｈ：５．９，Ｎ：２．３【００９９】
実施例２（有機エレクトロルミネッセンス素子の作製）
次のように図２に示すエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
イーエッチシー製インジウムスズ酸化物（以下ＩＴＯと略す）被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、２-（４’-トリメチルシリルフェニル）トリフェニレンからなるホール輸送層３を膜厚４０ｎｍ、ホストとして２−メチル−１，４−ビス（トリフェニルゲルミル）ベンゼン（以下、Ｍｅ−ｐ−ＢＴＰＧＢと略す）中にゲストとしてリン光錯体（Ｎ−（２’，６’−ジイソプロピルフェニル）−２，２，４，４−テトラメチルピロリジニリデン−４’’−フルオロフェニルエチニル金（以下、リン光錯体（２３）と略す）を５．０重量％含む発光層４を膜厚３０ｎｍ、３-（４-ビフェニルイル）-４-フェニル-５-ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（昇華精製品；以下、ＴＡＺと略す）からなるホールブロック層５を３０ｎｍ、フッ化リチウム（以下、ＬｉＦと略す）からなる電子輸送層６を０．５ｎｍ、電極７としてアルミニウム（以下、Ａｌと略す）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。【０１００】
比較例（有機エレクトロルミネッセンス素子の作製）
比較例として、発光層４にリン光錯体（２３）を含んでいないこと以外は、実施例２と同様にして、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０１０１】
実施例２のエレクトロルミネッセンス素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青色発光を開始し、＋２４Ｖにおいて４．６ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。【０１０２】
電流効率＝（単位面積当りの発光輝度）／（単位面積当り電流密度）【０１０３】
このようにして求めた電流効率は＋２１Ｖで０．０１４ｃｄ／Ａであった。
この素子の発光色を、日本分光製蛍光光度計を用いて測定した。電極間電圧＋１９Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ  Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．１６９，ｙ＝０．１３９であった。【０１０４】
実施例１で合成したリン光錯体（２３）、実施例２及び比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子をリン光蛍光光度計により発光スペクトル（クロロホルム中、温度７７Ｋ（ケルビン）、紫外線照射下）を測定した。【０１０５】
図１に示すように、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０ｎｍ以下の深青色領域（４１０〜４４０ｎｍ）に発光ピーク極大を示した。一方、発光層にリン光錯体（２３）を含有していない比較例の有機エレクトロルミネッセンス素子は、深青色領域外（紫外域）の３８０ｎｍ付近に発光ピーク極大を示した。なお、比較例のエレクトロルミネッセンス素子は、ＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し、電極間電圧を上げていったが、３８０ｎｍの紫外域に微弱な発光が観測されただけであった。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明により、リン光性有機エレクトロルミネッセンス素子において、フルカラーディスプレイを完成させるために重要である４４０ｎｍ以下の深青色領域（４１０〜４４０ｎｍ）にエレクトロルミネッセンスによる発光ピーク極大を有し、かつ発光色がＣＩＥ（国際照明委員会）表色系でｙ座標が０．１８０未満となるような素子を実現させることができる。
【図１】
0005533645.tif 000012
【図２】
0005533645.tif 000013