(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金型構造の表面上に形成されているパターニングされた金型キャビティにはんだを充填する装置であって、
前記金型キャビティ内にはんだを射出するための細長いスロット付きの底面を有するはんだリザーバを備えるインジェクタヘッドアセンブリと、
前記インジェクタヘッドアセンブリの下で前記金型構造を運んで走査させるように構成されるキャリッジアセンブリとを備え、該キャリッジアセンブリは、第１の平行レール及び第２の平行レールと、該第１の平行レール及び第２の平行レール上で可動のプレートアセンブリと、開始パーキングスペースと、終了パーキングスペースとを備え、前記金型構造は、前記インジェクタヘッドアセンブリの下で前記走査を行うために前記可動のプレートアセンブリ上に置かれ、そして該プレートアセンブリは、前記金型構造が上に取り付けられる加熱プレートと、非加熱のバックプレートと、該加熱プレート及び該バックプレートの間に置かれる絶縁体プレートとを備え、
前記細長いスロットを囲む前記はんだリザーバの底面の領域と前記金型構造の表面との間にシールが形成されるのであって、
ここで、前記金型構造は、走査中、前記はんだリザーバの底面と接触させられ、前記シールが形成され、続いて、前記金型キャビティ内にはんだを射出しながら前記金型構造を前記インジェクタヘッドの下で開始位置から終了位置まで第１の方向に走査させることによって、前記金型キャビティにはんだが充填され、続いて、前記充填済みの金型キャビティを有する前記金型構造は、はんだ射出を伴わずに前記第１の方向とは逆の第２の方向に走査させることによって、当該工程の完了のため前記開始位置に戻される、装置。
【請求項２】
前記はんだリザーバは、前記はんだ融点よりも高い温度に加熱されてわずかに加圧される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記金型キャビティの前記走査及び前記はんだ充填の前に前記金型構造が前記はんだ融点よりもわずかに低い温度に予熱される、予熱ステーションをさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記金型キャビティの前記はんだ充填の後に前記金型構造が室温にゆっくりと冷却される、冷却ステーションをさらに備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記金型キャビティの前記走査及び前記はんだ充填の前に前記金型構造を位置合わせするアライナをさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記インジェクタヘッドアセンブリは、前記金型構造の前記第１の方向及び前記第２の方向への前記走査中に定置されたままである、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記金型構造は、３つの電動ピンを介して前記加熱プレート上に運動学的に取り付けられ、前記３つの電動ピンは、互いに対して１２０度の角度で配置され、前記加熱プレートに対して前記金型構造を昇降させるために用いられる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記パーキングスペースはそれぞれ、底面にＶ溝を有するパーキングプレートと、該パーキングプレートを支持する加熱ベースと、該加熱ベースを支持する絶縁体プレートと、該絶縁体プレートを支持するバックプレートと、該バックプレートを水平化するように構成される第１のレベリングプレート及び第２のレベリングプレートとを備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記加熱ベース、及び前記金型構造が上に取り付けられる前記加熱プレートは、前記はんだ融点よりもわずかに高い温度に加熱される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記インジェクタヘッドアセンブリは、前記はんだリザーバの底面を囲んでおりそこに熱ガスを吹き付けるように構成される熱ガススカートをさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記インジェクタヘッドアセンブリは、前記細長いスロットを囲んで、該細長いスロットを囲む前記はんだリザーバの底面の領域と前記金型構造の表面との間に前記シールを形成するＯリングをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記Ｏリングは、前記はんだ融点に耐えることが可能な材料を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
インジェクタヘッドスライドアセンブリをさらに備え、前記インジェクタヘッドアセンブリは、前記細長いスロットの方向に沿って横方向のわずかな熱膨張を可能にしつつ前記インジェクタヘッドアセンブリの位置を安定させる取り付け機構を介して、前記インジェクタヘッドスライドアセンブリ上に支持され取り付けられる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記インジェクタヘッドスライドアセンブリを支持する支持フレームと、第１のパーキングスペースリフタ及び第２のパーキングスペースリフタとをさらに備え、該第１のパーキングリフタ及び該第２のパーキングスペースリフタは、前記開始パーキングプレート及び前記終了パーキングプレートをそれぞれピックアップしてそれらを前記対応の加熱ベースに対して上げ下げするように構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記パーキングプレートを清掃するように構成されるパーキングプレートクリーナをさらに備える、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記インジェクタヘッドスライドアセンブリは、低い熱膨張係数を有する材料を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
様々な高さで前記はんだリザーバに挿入される１つ又は複数の熱電対をさらに備え、該熱電対は、前記はんだリザーバ内のはんだ充填レベルを測定するために用いられる熱電対読み値を生成する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
半導体構造上にはんだバンプを形成する装置であって、
金型構造の表面上に形成されているパターニングされた金型キャビティにはんだを充填する機器であって、前記金型キャビティ内にはんだを射出するための細長いスロット付きの底面を有するはんだリザーバを備えるインジェクタヘッドアセンブリと、前記インジェクタヘッドアセンブリの下で前記金型構造を運んで走査させるように構成されるキャリッジアッセンブリとを備え、該キャリッジアセンブリは、第１の平行レール及び第２の平行レールと、該第１の平行レール及び第２の平行レール上で可動のプレートアセンブリと、開始パーキングスペースと、終了パーキングスペースとを備え、前記金型構造は、前記インジェクタヘッドアセンブリの下で前記走査を行うために前記可動のプレートアセンブリ上に置かれ、そして前記パーキングスペースはそれぞれ、底面にＶ溝を有するパーキングプレートと、該パーキングプレートを支持する加熱ベースと、該加熱ベースを支持する絶縁体プレートと、該絶縁体プレートを支持するバックプレートと、該バックプレートを水平化するように構成される第１のレベリングプレート及び第２のレベリングプレートとを備え、前記金型構造は、走査中、前記はんだリザーバの底面及び前記細長いスロットと接触させられ、該細長いスロットを囲む前記はんだリザーバの底面の領域と前記金型構造の表面との間にシールが形成され、続いて、前記金型キャビティ内にはんだを射出しながら前記金型構造を前記インジェクタヘッドの下で開始位置から終了位置まで第１の方向に走査させることによって、前記金型キャビティにはんだが充填され、続いて、前記充填済みの金型キャビティを有する前記金型構造は、はんだ射出を伴わずに前記第１の方向とは逆の第２の方向に走査させることによって、当該工程の完了のため前記開始位置に戻される、機器と、
半導体構造のパターニングされた第１の表面を、前記金型構造の前記はんだ充填済みのパターニングされた金型キャビティの真向かいに位置決め及び位置合わせする機器と、
前記位置合わせされた金型構造及び半導体構造を合わせて保持して移載する固定ツールと、
前記位置合わせされた金型構造及び半導体構造を伴う前記固定ツールを受け取り、前記位置合わせされたパターニングされた金型キャビティから前記位置合わせされた半導体構造のパターニングされた第１の表面にはんだを転写する機器と、
を備える、装置。
【請求項１９】
前記インジェクタヘッドアセンブリは、溶融はんだを凍結させるために空気を前記細長いスロットに向けて吹き付ける毛管をさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハバンプ形成装置及び方法に関し、より詳細には、射出成形はんだプロセスによる半導体ウェハバンプ形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
射出成形はんだ（ＩＭＳ）は、半導体ウェハ表面上にはんだバンプを形成するために用いられるプロセスである。図１を参照すると、ＩＭＳプロセス３０は、金型キャビティにはんだを堆積させること（３４）、半導体ウェハ表面上にパターンを形成すること（３２）、充填済みの金型キャビティをパターニングされた半導体ウェハ表面と位置合わせすること、及び続いて金型キャビティから半導体ウェハ表面にはんだを転写すること（３８）を含む。はんだバンプは、エッチング加工された金型キャビティ内に溶融はんだを射出することによってガラス製金型プレート８２内に形成される。エッチング加工されたキャビティは、半導体ウェハ表面上で必要なはんだバンプのパターンと一致する。このプロセスは、隣接するはんだバンプ間の分離距離が１０マイクロメートル〜５００マイクロメートルの範囲の、はんだバンプのファインピッチな配置を提供する。
【０００３】
ＩＭＳプロセスは、実験室規模の用途で試験及び適用されてきた。大量生産プロセスを最適化するように設計されるスケールアッププロセス及び大量生産（ＨＶＭ）装置を提供することが望ましい。スケールアッププロセスの重要な側面には、金型キャビティの完全な充填が含まれる。いくつかのキャビティを未充填のままにすることも不完全充填又は過充填のままにすることもなく、全金型キャビティに均一にはんだを充填することが望ましい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
概して、一態様において、本発明は、金型構造の表面上に形成されているパターニングされた金型キャビティにはんだを充填する装置を特徴とする。本装置は、金型キャビティ内にはんだを射出するための細長いスロット付きの底面を有するはんだリザーバを備えるインジェクタヘッドアセンブリと、インジェクタヘッドアセンブリの下で金型構造を運んで走査させるように構成されるキャリッジアセンブリとを備える。金型構造は、はんだリザーバの底面と接触させられ、細長いスロットを囲むはんだリザーバの底面の領域と金型構造の表面との間にシールが形成され、続いて、金型キャビティ内にはんだを射出しながら金型構造をインジェクタヘッドの下で開始位置から終了位置まで第１の方向に走査させることによって、金型キャビティにはんだが充填され、続いて、充填済みの金型キャビティを有する金型構造は、さらなるはんだ射出を伴わずに第１の方向とは逆の第２の方向に走査させることによって、開始位置に戻される。
【０００５】
本発明のこの実施態様は、以下の特徴の１つ又は複数を含み得る。はんだリザーバは、はんだ融点よりも高い温度に加熱されてわずかに加圧される。装置は、金型キャビティの走査及びはんだ充填の前に金型構造がはんだ融点よりもわずかに低い温度に予熱される、予熱ステーションをさらに備える。装置は、金型キャビティのはんだ充填の後に金型構造が室温にゆっくりと冷却される、冷却ステーションをさらに備える。装置は、金型キャビティの走査及びはんだ充填の前に金型構造を位置合わせするアライナをさらに備える。インジェクタヘッドアセンブリは、金型構造の第１の方向及び第２の方向への走査中に定置されたままである。キャリッジアセンブリは、第１の平行レール及び第２の平行レールと、第１の平行レール及び第２の平行レール上で可動のプレートアセンブリと、開始パーキングスペースと、終了パーキングスペースとを備える。金型構造は、インジェクタヘッドアセンブリの下で走査を行うために可動のプレートアセンブリ上に置かれる。プレートアセンブリは、金型構造が上に取り付けられる加熱プレート、非加熱のバックプレート、及び加熱プレートとバックプレートとの間に置かれる絶縁体プレートを備える。金型構造は、３つの電動ピンを介して加熱プレート上に運動学的に取り付けられ、３つの電動ピンは、互いに対して１２０度の角度で配置され、加熱プレートに対して金型構造を昇降させるために用いられる。パーキングスペースはそれぞれ、底面にＶ溝を有するパーキングプレートと、パーキングプレートを支持する加熱ベースと、加熱ベースを支持する絶縁体プレートと、絶縁体プレートを支持するバックプレートと、バックプレートを水平化するように構成される第１のレベリングプレート及び第２のレベリングプレートとを備える。加熱ベース、及び金型構造が上に取り付けられる加熱プレートは、はんだ融点よりもわずかに高い温度に加熱される。インジェクタヘッドアセンブリは、はんだリザーバの底面を囲んでおりそこに熱ガスを吹き付けるように構成される熱ガススカートをさらに備える。インジェクタヘッドアセンブリは、細長いスロットを囲んで、細長いスロットを囲むはんだリザーバの底面の領域と金型構造の表面との間にシールを形成するＯリングをさらに備える。Ｏリングは、はんだ融点に耐えることが可能な材料から成る。装置は、インジェクタヘッドスライドアセンブリをさらに備え、インジェクタヘッドアセンブリは、細長いスロットの方向に沿って横方向のわずかな熱膨張を可能にしつつインジェクタヘッドアセンブリの位置を安定させる取り付け機構を介して、インジェクタヘッドスライドアセンブリ上に支持され取り付けられる。装置は、インジェクタヘッドスライドアセンブリを支持する支持フレームと、第１のパーキングスペースリフタ及び第２のパーキングスペースリフタとをさらに備える。第１のパーキングリフタ及び第２のパーキングスペースリフタは、開始パーキングプレート及び終了パーキングプレートをそれぞれピックアップしてそれらを対応の加熱ベースに対して上げ下げするように構成される。装置は、パーキングプレートを清掃するように構成されるパーキングプレートクリーナをさらに備える。インジェクタヘッドスライドアセンブリは、低い熱膨張係数を有する材料から成る。装置は、様々な高さではんだリザーバに挿入される１つ又は複数の熱電対をさらに備え、熱電対は、はんだリザーバ内のはんだ充填レベルを測定するために用いられる熱電対読み値を生成する。インジェクタヘッドアセンブリは、溶融はんだを凍結させるために空気を細長いスロットに向けて吹き付ける毛管をさらに備え得る。
【０００６】
概して、別の態様では、本発明は、半導体構造上にはんだバンプを形成する装置であって、金型構造の表面上に形成されているパターニングされた金型キャビティにはんだを充填する機器と、半導体構造のパターニングされた第１の表面を、金型構造のはんだ充填済みのパターニングされた金型キャビティの真向かいに位置決め及び位置合わせする機器と、位置合わせされた金型構造及び半導体構造を合わせて保持して移載する固定ツールと、位置合わせされた金型構造及び半導体構造を伴う固定ツールを受け取り、位置合わせされたパターニングされた金型キャビティから位置合わせされた半導体構造のパターニングされた第１の表面にはんだを転写する機器とを備える、装置を特徴とする。金型キャビティ充填機器は、金型キャビティ内にはんだを射出するための細長いスロット付きの底面を有するはんだリザーバを備えるインジェクタヘッドアセンブリを備え、金型構造は、はんだリザーバの底面及び細長いスロットと接触させられ、細長いスロットを囲むはんだリザーバの底面の領域と金型構造の表面との間にシールが形成され、続いて、金型キャビティ内にはんだを射出しながら金型構造をインジェクタヘッドの下で開始位置から終了位置まで第１の方向に走査させることによって、金型キャビティにはんだが充填され、続いて、充填済みの金型キャビティを有する金型構造は、さらなるはんだ射出を伴わずに第１の方向とは逆の第２の方向に走査させることによって、開始位置に戻される。
【０００７】
概して、別の態様では、本発明は、以下のステップを含む、金型構造の第１の表面上に形成されているパターニングされた金型キャビティにはんだを充填する方法を特徴とする。最初に、金型キャビティ内にはんだを射出するための細長いスロット付きの底面を有するはんだ充填リザーバを備えるインジェクタヘッドアセンブリを設けるステップ。次に、インジェクタヘッドアセンブリの下で金型構造を運んで走査させるように構成されるキャリッジアセンブリを設けて、キャリッジアセンブリに金型構造を積載するステップ。次に、金型構造をはんだリザーバの底面及び細長いスロットと接触させ、細長いスロットを囲むはんだリザーバの底面の領域と金型構造の表面との間にシールを形成し、続いて、金型キャビティ内にはんだを射出しながら金型構造をインジェクタヘッドアセンブリの下で開始位置から終了位置まで第１の方向に走査させ、続いて、充填済みの金型キャビティを有する金型構造を、さらなるはんだ射出を伴わずに金型構造を終了位置から開始位置に戻すように、第１の方向とは逆の第２の方向に走査させるステップ。走査させるステップは以下を含む。最初に、加熱された開始パーキングスペース上にインジェクタヘッドアセンブリを位置決めするステップ。次に、金型構造が加熱プレートと接触するようにプレートアセンブリ上に金型構造を積載して中心合わせするステップ。次に、加熱された終了パーキングスペースを固定ストップに移動させて、終了パーキングスペースの縁を金型構造の隣接する縁と位置合わせするステップ。次に、インジェクタヘッドアセンブリを有する開始パーキングスペースを開始位置に移動させ、続いて開始パーキングスペース及び終了パーキングスペースの位置をロックするステップ。次に、インジェクタヘッドアセンブリを開始パーキングスペースから金型構造に移動させるステップ。次に、金型構造を伴う加熱プレートを第１の方向に走査させるステップ。次に、開始パーキングプレートからはんだ付着物を清掃して、第１のパーキングスペースリフタで開始パーキングスペースから開始パーキングプレートを持ち上げるステップ。次に、全ての金型キャビティにはんだが充填されるまで、金型キャビティ内にはんだを射出しながら、金型構造を伴う加熱プレートをインジェクタヘッドアセンブリ及び持ち上げられた開始パーキングプレートの下で第１の方向に走査させ続けるステップ。次に、終了パーキングスペース上にインジェクタヘッドアセンブリを位置決めして、終了パーキングプレートと接触させるステップ。次に、充填済みの金型構造を伴う加熱プレートを終了パーキングスペースから分離するステップ。次に、終了パーキングスペースから終了パーキングプレートを伴うインジェクタヘッドアセンブリを持ち上げて、清掃された開始パーキングプレートを終了パーキングスペースに置くステップ。次に、開始パーキングスペースに達するまで、充填済みの金型構造を伴う加熱プレートを終了パーキングプレート及びインジェクタヘッドアセンブリの下で第２の方向に走査させるステップ。最後に、インジェクタヘッドアセンブリを伴う終了パーキングプレートを開始パーキングスペースに置き、充填済みの金型構造を卸下するステップ。
【０００８】
本方法は、半導体構造のパターニングされた第１の表面を、金型構造のはんだ充填済みのパターニングされた金型キャビティの真向かいに位置決め及び位置合わせすることをさらに含み得る。次に、位置合わせされた金型構造及び半導体構造を合わせて保持して移載する固定ツールを設けることを含む。次に、位置合わせされた金型構造及び半導体構造を伴う固定ツールを受け取り、位置合わせされたパターニングされた金型キャビティから位置合わせされた半導体構造のパターニングされた第１の表面にはんだを転写することを含む。金型キャビティパターンは、半導体表面パターンと一致する。
【０００９】
いくつかの図を通して同じ符号が同じ部分を示す図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実験室規模の射出成形はんだ（ＩＭＳ）プロセスの概略図である。
【図２】本発明によるスケールアップＩＭＳプロセスの概略図である。
【図３】スケールアップＩＭＳプロセスフローのブロック図である。
【図４】本発明によるＨＶＭ  ＩＭＳ機器システムの概略図である。
【図５】金型充填プロセスの概略図である。
【図６】不完全充填の金型プレートの図である。
【図７】Ａ：未充填のキャビティを有する金型を示す。Ｂ：充填されたキャビティを有する金型を示す。
【図８】はんだ転写プロセスの概略図である。
【図９】本発明のＨＶＭ  ＭＦＴ機器システムを示す。
【図１０】金型予熱ステーションを示す。
【図１１】カバーなしの図１０の金型予熱ステーションを示す。
【図１２】金型冷却ステーションを示す。
【図１３】ＨＶＭ  ＭＦＴステーションを示す。
【図１４】図１３のＨＶＭ  ＭＦＴステーションのホットプレートアセンブリ部品を示す。
【図１５】金型を伴うホットプレートアセンブリを示す。
【図１６】図１５のホットプレートアセンブリの詳細側面図である。
【図１７】ピンを上げた金型ピン位置合わせ機構の詳細側面図である。
【図１８】ピンを下げた金型ピン位置合わせ機構の詳細側面図である。
【図１９】開始パーキングスペースの斜視図である。
【図２０】開始パーキングスペースの側面図である。
【図２１】終了パーキングスペースの斜視図である。
【図２２】終了パーキングスペースの側面図である。
【図２３】３ピン電動マウントシステムの側面斜視図である。
【図２４】はんだヘッドアセンブリの正面斜視図である。
【図２５】インジェクタヘッドの正面斜視図である。
【図２６】インジェクタヘッドの正面図である。
【図２７】インジェクタヘッドの上面図である。
【図２８】インジェクタリザーバの斜視図である。
【図２９】図２８のインジェクタリザーバの正面図である。
【図３０】図２８のインジェクタリザーバの底面図である。
【図３１】図２９のインジェクタリザーバの断面Ａ−Ａの詳細図である。
【図３２】図３０のＯリングの断面図である。
【図３３】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップの概略図である。
【図３４】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップの概略図である。
【図３５】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップの概略図である。
【図３６】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップの概略図である。
【図３７】終了パーキングスペースに対する金型位置合わせプロセスを示す。
【図３８】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップと、開始パーキングスペースの機能とを示す。
【図３９】インジェクタヘッドの下でホットプレートを走査させるプロセスステップと、終了パーキングスペースの機能とを示す。
【図４０】パーキングスペース用のクリーナアセンブリの底面図を示す。
【図４１】エアナイフスライドテーブルを示す。
【図４２】インジェクタヘッドの別の実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図２を参照すると、スケールアップＩＭＳプロセス５０は、金型キャビティにはんだを充填すること（３４）、充填済みの金型プレートを検査すること（８６）、半導体ウェハ表面上にパターンを形成すること（３２）、ウェハ表面を検査すること（７５）、及び続いて金型キャビティから半導体ウェハ表面にはんだを転写すること（３８）を含む。図３を参照すると、スケールアップＩＭＳプロセス５０は、金型清掃ステーション６０において金型を浄化すること、金型準備ステーション８０において金型キャビティにはんだを充填して充填済みの金型プレートを検査すること、及びウェハバンプステーション９０において金型キャビティからパターニングされた半導体ウェハ表面にはんだを転写することをさらに含む。金型準備ステーション８０は、金型充填ツール（ＭＦＴ）１００、金型検査ツール（ＭＩＴ）２００、及び金型修復ツール８８を含む。ウェハバンプステーション９０は、はんだ転写ツール（ＳＴＴ）３００及びウェハローダツール４００を含む。新しい金型６１及び以前に使用済みの金型６２が、金型清掃ステーション６０を通過し、そこで酸性溶液６３及び塩基性溶液（base solution）６４で清掃される。きれいな金型８２は、金型ストッカ５００に入り、そこからＭＦＴ１００に導入される。金型キャビティにはんだを充填した後、金型は、ＭＩＴ２００において検査され、続いて準備完了金型ストッカ５５０に移載される。検査に合格しない金型は、金型清掃ステーション６０においてリサイクルされるか、又は修復ツール８８において修復される。修復された金型は、ＭＩＴ２００を再び通過し、検査に合格すると準備完了金型ストッカ５５０に移載される。実施形態によっては、金型修復ツール８８は、ＭＩＴ２００と一体化される。準備完了金型ストッカ５５０から、金型はＳＴＴ３００に導入される。パターニングされたウェハ７４が、ウェハローダ４００に導入され、そこからＳＴＴ３００に導入される。はんだ転写プロセスの後、バンプ付きウェハ７６がウェハバンプステーション９０を出て、汚れた金型６２ｂが金型清掃ステーション６０に再び導入される。全てのウェハ７４がバンプ形成されるまでプロセスが繰り返される。ＨＶＭ  ＩＭＳ機器システム５２の概略図を図４に示す。ＨＶＭシステム５２は、金型清掃ステーション６０、金型ストッカ５００、ＭＦＴ１００、ＭＩＴ２００、ＳＴＴ３００、ウェハローダすなわち前面開放一体式ポッド（ＦＯＵＰ）４００、及び金型カート６００を含む。一例では、ＨＶＭシステム５２は、１日に３００個のウェハ（４分毎に１個のウェハ）及び１日に３５０個の金型（３．５分毎に１個の金型）の処理能力を有する。これは、ウェハ及び金型移載の自動化を提供する。ＳＴＴは、いかなるハードウェア変更も行わずに２００ｍｍ及び３００ｍｍのウェハを加工することができ、各金型キャリアが最高２５個の金型を運ぶことができる。金型は、バーコード機構で識別され、金型ストッカ／ソータがプロセスラインに組み込まれる。一体型の金型・ウェハ追跡管理システムもある。このシステムは、開始時の鉛フリー／共晶ＰｂＳｎ（低温）からその後の高鉛を含むいかなるはんだタイプにも適応することができる。
【００１２】
図５及び図６を参照すると、金型充填プロセス３４は、リザーバ８１内でバルクはんだ（ワイヤ、ショット、スラグ）を溶融させることを含む。リザーバ８１は、はんだの融点よりも高温に加熱され、わずかに加圧される。インジェクタヘッド８３が、リザーバ８１と連通して金型プレート８２と接触する。金型プレート８２が、インジェクタヘッド８３の下で走査方向８７に走査され、溶融はんだが、インジェクタヘッド８３の底部に形成されているはんだスロット８９を通して射出されて、金型８２の空のキャビティ８５ａを充填する。充填済みの金型プレートは、続いてＭＩＴ２００において冷却及び検査される。図７Ａは、未充填のキャビティ８５ａを有するガラス製金型プレート８２を示し、図７Ｂは、充填済みのキャビティ８５ｂを有するガラス製金型を示す。キャビティ８５は、必要なバンプパターンに従ってガラス製金型８２にエッチング加工される。ガラス製金型８２は、半導体ウェハ７２の熱膨張係数（ＣＴＥ）と同様のＣＴＥを有する。
【００１３】
図８を参照すると、はんだ転写プロセス３８は、アンダーバンプ冶金（ＵＢＭ）構造７３をパターニングされたウェハ７４をはんだ充填済みのキャビティ８５ｂを有する金型プレート８２と合わせること（９２）を含む。次に、金型８２及びウェハ７４をはんだ融点よりも２０度高い温度に加熱し（９４）、続いて、はんだがＵＢＭ構造７３を濡らすように金型８２とウェハ７４とを近接させるか（約２０マイクロメートル）又は軽く接触させる（９６）。キャビティ８５ｂからのはんだバンプが、ＵＢＭ構造７３に転写され、金型８２がウェハ７４から離れた後にウェハ７４上に残る（９８）。このプロセスの重要な側面は、はんだバンプ８５ｂが的確なＵＢＭ構造７３に転写されるような半導体ウェハ７４に対する金型プレート８２の位置合わせである。位置合わせは、ステーションからステーションへの位置合わせされた金型ウェハシステムの搬送中及び実際のはんだ転写プロセス中に、必要な温度、気圧、及び圧力で維持される必要がある。位置合わせされた金型及び半導体構造を合わせて保持して移載するための固定ツールが、「Apparatus and Method for Semiconductor Bumping via Injection MoldedSolder」と題する関連の同時係属出願第１２／０２５６４４号に記載されており、該出願の内容は参照により本明細書に援用される。
【００１４】
図９を参照すると、金型充填装置７００は、金型アライナ７１０、金型予熱ユニット７２０、金型冷却ユニット７３０、及び金型充填ツール（ＭＦＴ）１００を含む。室温のガラス製金型プレート８２を高温のＭＦＴツール１００に挿入すると、金型の側部が上方に曲がる（反り）。ＭＦＴに挿入する前に、室温の金型８２を金型予熱ユニット７２０に置いてはんだ融点直下の温度に予熱することで、反り問題が軽減する。図１０及び図１１を参照すると、金型予熱ユニット７２０は、カートリッジヒータで加熱されるホットプレート７２８、ロボットエンドエフェクタ１１６、ホットプレート支持プレート７２３、支持プレート用のマウント及びレベリングアセンブリ７２４、ガス供給ライン７２７、及び排気管７２６を含む。一例では、金型は２００℃に加熱され、はんだ融点は２１７Ｃである。熱い金型プレートを高温のＭＦＴツール１００から室温に直接移すことも、無制御の急速冷却プロセスに起因してガラス製金型プレートの反りを引き起こす。冷却中の反りを防止するために、金型充填プロセスの終わりに、金型は、金型冷却ユニット７３０上に置かれて制御された方法で冷却される。図１２を参照すると、金型冷却ユニット７３０は、エアチラー７３２で冷却されるクールプレート７３６を含む。金型は、３つのリフトピン７３４ａ〜７３４ｃでプレート７３６の上に支持される。ガスライン７３５が、エアチラー７３２にガスを供給する。クールプレートは、レベリングアセンブリ７３１の上に取り付けられる支持プレート７３３の上に取り付けられる。クールプレート７３６は、優れた熱導体材料製である。一例では、これはアルミニウム製である。
【００１５】
図１３を参照すると、ＭＦＴツール１００は、キャリッジアセンブリ１４０及びはんだヘッドアセンブリ１３０が上に取り付けられる天板１０２を有するテーブル１０１を含む。未充填のキャビティを有する金型プレート８２が、キャリッジアセンブリ１４０に置かれ、図１３に示す方向６０２ａに沿ってはんだヘッドアセンブリ１３０の下で走査させられる（すなわち移動させられる）。この走査中、溶融はんだが定置式のはんだヘッドアセンブリから金型キャビティ内に射出される。図１４に示すように、キャリッジアセンブリ１４０は、ホットプレートアセンブリ１１０、開始スペース１５０、及び終了スペース１６０を含む。ホットプレートアセンブリ１１０は、レール１１１ａ、１１１ｂ上を移動するステージ１１２を含む。ステージ１１２は、ホットプレート１１４を支持し、その上に金型プレート８２が取り付けられる。図１５に示すように、ロボットエンドエフェクタ（ＲＥＦ）１１６が、ホットプレート１１４に対する金型プレート８２の乗せ降ろしを行う。プレートに対する金型の乗せ降ろしの位置決めは、４つの金型ガイドピン１８１ａ、１８１ｂ、１８１ｃ、１８１ｄで案内される。各ピン１８１ａ〜１８１ｄの端は、円錐台形であり、図１７及び図１８にそれぞれ示すように、ピンが上下に移動するとその円錐状の側部１８２が金型プレート８２の丸みのある縁８２ａを案内してプレート８２を横、上、又は下に移動させるような位置決め及び寸法になっている。テーブル１０１は、ガス供給ライン１０３及び圧力制御弁１０４も含む。
【００１６】
図１６を参照すると、ホットプレート１１４は、ホットプレート絶縁体１１５の上に取り付けられ、ホットプレート絶縁体１１５はさらに、バッキングプレート１１５ａの上に取り付けられる。一例では、絶縁体プレート１１５は、ケイ酸カルシウム製である。ホットプレート１１４の加熱には、カートリッジヒータ１１７が用いられる。ホットプレート１１４の上面１１８は、真空が引かれる小さな孔を有する溝１１９を含む。真空を用いて、ホットプレート１１４上に金型８２が保持される。金型８２は、図２３に示す３ピン電動マウント１７０によってホットプレート１１４の上に運動学的に取り付けられる。ピン１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃは、互いに対して１２０度の角度で配置され、ホットプレート１１４に対する金型８２の上げ下げをガイドするために用いられる。マウント１７０は、互いに対して１２０度の角度で中心１７５から延びている３つのアーム１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃを含む。ピン１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃは、各アーム１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃの端の上面からそれぞれ上方に延びる。一例では、ピン１７２ａ〜１７２ｃは、ポリアミド製である。
【００１７】
図１９及び図２０を参照すると、開始スペースアセンブリ１５０は、ベースパーキング要素１５７の上に取り付けられる開始パーキングスペース１５２を含む。開始パーキングスペース１５２は、底面にＶ溝１５２ｖを含む。ベースパーキング要素１５７は、絶縁体プレート１５４の上に取り付けられ、絶縁体プレート１５４は、バッキングプレート１５４ａの上に取り付けられる。セラミックスペーサ１５３が、バッキングプレート１５４ａを第２のレベリングプレート１５５の上に取り付けられる第１のレベリングプレート１５６から隔てる。レベリングプレート１５５は、支持プレート１５８の上に取り付けられ、支持プレート１５８はさらに、ホットプレートスレッド１１１の上に設置される。
【００１８】
キャリッジアセンブリ１４０を挟んだ反対端には、鏡像の終了パーキングスペースアセンブリ１６０がある。図２１及び図２２を参照すると、終了スペースアセンブリ１６０は、ベースパーキング要素１６７の上に取り付けられる終了Ｖ溝パーキングスペース１６２を含む。ベースパーキング要素１６７は、絶縁体プレート１６４の上に取り付けられ、絶縁体プレート１６４は、バッキングプレート１６４ａの上に取り付けられる。セラミックスペーサ１６３が、バッキングプレート１６４ａを第２のレベリングプレート１６５の上に取り付けられる第１のレベリングプレート１６６から隔てる。レベリングプレート１６５は、支持プレート１６８の上に取り付けられ、支持プレート１６８はさらに、ホットプレートスレッド１１１の上に設置される。これらの要素に加えて、終了スペースアセンブリ１６０は、終了パーキングスペース１６２に隣接する固定ストップヒートシンク１６１を含む。エアシリンダ２５１が、固定ストップ１６１をベースパーキング要素１６７と接続する。パーキングスペース１５２、１６２はいずれも、金型キャビティの充填に用いられるはんだの融点よりもわずかに高い温度にカートリッジヒータ１７４で加熱される。
【００１９】
図２４を参照すると、はんだヘッド（又はガントリ）アセンブリ１３０は、２つの支持要素１３１ａ、１３１ｂを含み、２つの支持要素１３１ａ、１３１ｂは、インジェクタヘッドアセンブリ１３２を担持しているインジェクタヘッドスライドアセンブリ１３３と、インジェクタヘッドリフトシリンダ１３４と、２対の第１のパーキングスペースリフタ及び第２のパーキングスペースリフタ１３５ａ、１３５ｂ（図示せず）及び１３５ｃ、１３５ｄと、パーキングスペースクリーナアセンブリ１３６と、２つのプロセスガスヒータ１３７ａ、１３７ｂとを支持している。パーキングスペースリフタ１３５ａ〜１３５ｄは、開始パーキングスペース１５２及び終了パーキングスペース１６２をピックアップして１３８の方向に上げ下げするように設計される。
【００２０】
図２５及び図２６を参照すると、インジェクタヘッドスライドアセンブリ１３３は、２つの下方に延びる脚部１３３ｂ、１３３ｃを有するクロスバー１３３ａを含む。脚部１３３ｂ、１３３ｃの底部は、図２６に示すインジェクタヘッドアセンブリエンドプレート２４１ａ、２４１ｂ用の取り付け面を提供するように横方向に延びる。領域Ａ及びＢの取り付け機構は、２４２の方向の横方向のわずかな熱膨張を可能にしつつリザーバ２３０の位置を安定させる。インジェクタヘッドスライドアセンブリは、非常に低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し高温で安定を保つ材料でできている。一例では、ヘッドスライドアセンブリ１３０は、インバー合金製である。
【００２１】
図２７〜図３０を参照すると、インジェクタヘッドアセンブリ１３２は、はんだリザーバブロック２３０、及び熱ガスフィード２３８ａ、２３８ｂを有する熱ガススカート要素２３１ａ、２３１ｂを含む。リザーバブロック２３０は、キャップ２３９、及び２つの別個の熱電対２３７ａ、２３７ｂをはんだ浴の２つの異なる既定の高さに導く熱電対フィード２３６ａ、２３６ｂを有する。有効な熱電対読み値は、熱電対が取り付けられる既定の高さにはんだ浴レベルがあることを示す。２つの熱電対読み値を用いて、はんだ浴の充填レベルが監視される。３つ以上の熱電対を用いてもよく、より細かい高さ選択を設定してもよい。図２６に示すように、リザーバブロック２３０は、インジェクタヘッドスライドアセンブリ１３３の底部の領域Ａ及びＢにおいて２つのハードエンドプレート２４１ａ、２４１ｂで支持される。
【００２２】
図３０を参照すると、リザーバ２３０の底面２３０ａは、Ｏリング２３３によって囲まれているスロット２３４を含む。金型充填プロセスのためには、底面２３０ａを金型プレートと接触させ、スロット２３４を通して金型キャビティ内に溶融はんだを射出する。Ｏリング２３３は、はんだの高い融点に耐えるように設計される。熱ガスが、熱ガススカート要素２３１ａ、２３１ｂを通して底面２３０ａ及びその周りに吹き付けられる。一例では、熱ガスは窒素及び空気の混合物であり、ガス温度は２００Ｃである。はんだリザーバブロックは、カートリッジヒータ２４３ａ、２４３ｂではんだ融点よりも高い温度に加熱される。
【００２３】
上述したように、金型８２を上に担持しているホットプレートキャリッジアセンブリ１４０は、金型充填プロセスにおいてはんだヘッドアセンブリ１３０の下で６０２ａの方向に走査される。インジェクタ及びパーキングスペース機構の下で金型プレートを走査させるプロセスを、図３３〜図３７を参照して説明する。最初に、図３８に示すように、加熱された開始パーキングスペース１５２上にインジェクタヘッド１３２を位置決めし、キャリッジアセンブリ１４０の中央に置かれるホットプレート１１４に金型８２を積載する（ステップ１）。開始パーキングスペースの縁１５２ａに前回の操業からのはんだがいくらか付着していることが、図３３に示されている。次に、支持ピン１７２ａ〜１７２ｃを下げ、金型８２をホットプレート１１４と接触させる（ステップ２）。続いて、終了パーキングスペース１６２を固定ストップ１６１ｂに低圧で移動させ（ステップ３）、続いて、図３７に示すように、金型８２の縁８２ａを終了パーキングスペースの縁１６２ａと位置合わせする（ステップ４）。開始パーキングスペース１５２も、Ｘ軸エンコーダ位置１６１ａに移動させる。次に、開始パーキングスペース１５２及び終了パーキングスペース１６２の位置をロックし、ホットプレート１１４上に金型８２を保持するための真空をかけて、位置合わせされた金型を走査中にホットプレート１１４上に固定する。図３３及び図３８のステップ５に示すように、金型プレート８２が定置式のインジェクタヘッド１３２の下に位置決めされるようにホットプレートアセンブリ１４０を方向６０２ａに走査させる。図３３に示すように、開始パーキングスペース１５２から金型プレート８２へのインジェクタヘッド１３２の移行が、はんだ残渣をパーキングスペース１５２の縁１５２ｂに付着させる。次に、クリーナアセンブリ１３６において開始パーキングスペース１５２の縁１５２ａ、１５２ｂからのはんだ付着物を清掃し（ステップ６）、続いて、図３４及び図３８のステップ７に示すように、きれいな開始パーキングスペース１５２を第２のリフタ１３５ｂによってピックアップする。図３８に示すように、開始パーキングスペース１５２を第２のリフタ１３５ｂによって担持したまま、金型キャビティのはんだ充填のために金型８２をインジェクタヘッド１３２の下で走査させる（ステップ８）。図３９のステップ９に示すように、全てのキャビティが充填されると、ヘッド１３２は終了パーキングスペース１６２に載置される位置にくる。この移行点において、終了パーキングベース１６２の縁１６２ａがインジェクタヘッド１３２からのはんだ付着物で汚染される。ヘッド１３２が終了パーキングスペース１６２に位置決めされ（ステップ９）、金型／ホットプレートアセンブリが終了パーキングスペース１６２から離れる（ステップ１０）。次に、図３９及び図３５に示すように、ヘッド１３２が終了パーキングスペース１６２を持ち上げ（ステップ１１）、第２のリフタ１３５ｂがきれいな開始パーキングスペース１５２を終了ベース１６７に置く（ステップ１２）。続いて、終了パーキングスペース１６２を担持しているインジェクタヘッド１３２の下で充填済みの金型８２を逆の方向６０２ｂに走査させ（ステップ１３）、最終的に、インジェクタヘッド１３２が開始ベース１５７の上にくる位置に充填済みの金型８２を到達させる（ステップ１４）。図３５に示すこの時点で、インジェクタヘッド１３２は、終了パーキングベース１６２を開始ベース１５７に載置する（ステップ１５）。充填済みの金型を卸下して空の金型をホットプレートに積載し、プロセスが再び繰り返される。インジェクタヘッドが金型とパーキングスペースとの間で移載されるときにヘッドから漏れる余分なはんだは、ホットプレート１１４の両側で図１６に示すはんだキャッチャ１９９に捕捉される。
【００２４】
図３２を参照すると、ＨＶＭ  ＭＦＴは、金型８２が方向６０２ａに走査されるときに金型キャビティを充填し、充填済みの金型を開始位置に戻した後で新しい金型で充填プロセスを繰り返すように設計される。この一方向堆積は、インジェクタヘッドＯリング２３３の縁２３３ａがスロット２３４を通して射出される溶融はんだ２４５と常に接触し、縁２３３ｂが空気（又は酸素）及び窒素の熱空気混合物２４６と常に接触することを確実にする。図３２に示すように、酸化物層２４８が、Ｏリングの底面に形成されて金型表面と常に接触する。この特定の走査制限は、堆積パラメータの再現性及び欠陥の低減に重要である。
【００２５】
上述したように、両方のパーキングスペース１５２、１６２が、金型キャビティの充填に用いられるはんだの融点よりも僅かに高い温度に加熱され、金型８２は、走査プロセス中にホットプレート１１４の上に浮いて真空によって所定位置に保持される。ガラス製金型８２は、正方形であり、はんだバンプ欠陥形成につながり得る金型のいかなる寸法不備も修正するように、正方形の左縁が終了パーキングスペースに対して位置合わせされる。一例では、金型８２は、１辺の長さが１４インチである。正方形金型表面の周囲には、パターニングされたキャビティを有していない境界部がある。金型充填プロセス中にはんだ付着物で汚染された開始パーキングスペース１５２及び終了パーキングスペース１６２の縁は、図４０に示すクリーナアセンブリ１３６において清掃される。クリーナアセンブリ１３６は、２つの回転ブラシ６０４ａ、６０４ｂを含む。パーキングスペースの縁及び金型の縁の汚染を引き起こさない代替的なインジェクタヘッド設計を、図４２に示す。このインジェクタヘッド６０５は、毛管６０８を含み、それを通して空気を吹き付けて、金型表面又はパーキングスペース表面からインジェクタヘッドを持ち上げる前に溶融はんだを「凍結させる」。
【００２６】
金型充填プロセス中のインジェクタヘッドに関する問題は、びびり、傾き、及び反りを含む。びびりは、インジェクタヘッドの小さな振動によって引き起こされ、ガラス製金型に沿ったスキップ及びキャビティの未充填又は不完全充填につながり得る。びびりを減らす１つの方法は、はんだヘッドアセンブリをガラス製金型に対して締め付けて圧力を加えることによって、インジェクタヘッドをガラス製金型に対して押さえ付けることである。傾きは、インジェクタヘッドのわずかな前方傾斜又は後方傾斜を指し、これも、不完全に充填されたキャビティ、不均一なサイズのバンプ、及びブリッジにつながり得る。上述の締め付け及び加圧の解決手段は、この問題にも対処する。ヘッドの反りは、インジェクタヘッドの長さに沿った温度勾配によって引き起こされ、インジェクタヘッドの側端を上又は下に曲げ得る。ヘッドの反りを減らす１つの方法は、インジェクタキャップを別個に加熱すること、及びインジェクタヘッドの長さに沿って別個のヒータを加えることである。一例では、ヘッドに低ワット数のカートリッジヒータを担持する等間隔の孔が設けられ、ヘッドが金型に対してわずかに圧迫される。
【００２７】
金型充填プロセスの前に、未充填の金型プレートが、図４１に示すエアナイフテーブル６５０において清掃される。超音波振動及びイオン化空気の吹き付けの組み合わせを用いて、金型表面から汚染物質が剥離及び除去される。汚染物質は、金型表面を真空引きすることによって除去される。
【００２８】
本発明のいくつかの実施形態を説明してきた。しかしながら、本発明の精神及び範囲から逸脱せずに様々な変更を行うことができることが理解されるであろう。したがって、他の実施形態も添付の特許請求の範囲内にある。
【符号の説明】
【００２９】
３２    半導体ウェハ表面上へのパターン形成
３４    金型キャビティへのはんだの充填
３６    金型清掃リサイクル
３８    金型キャビティから半導体ウェハ表面へのはんだの転写
５０    スケールアップＩＭＳプロセス
５２    ＨＶＭ  ＩＭＳ機器システム
６０    金型清掃ステーション
６１    新しい金型
６２    使用済みの汚れた金型
６３    酸性溶液
６４    塩基性溶液
７２    半導体ウェハ
７４    パターニングされたウェハ
７６    バンプ付きウェハ
８０    金型準備ステーション
８１    リザーバ
８２    金型プレート
８２ａ  金型８２の縁
８３    インジェクタヘッド
８５ａ  未充填のキャビティ
８５ｂ  充填済みのキャビティ
８６    充填済み金型プレートの検査
８８    金型修復ツール
８９    はんだスロット
９０    ウェハバンプステーション
１００    金型充填ツール（ＭＦＴ）
１０１    テーブル
１０２    天板
１０３    ガス供給ライン
１０４    圧力制御弁
１１０    ホットプレートアセンブリ
１１１    ホットプレートスレッド
１１１ａ  レール
１１１ｂ  レール
１１２    ステージ
１１４    ホットプレート
１１５    ホットプレート絶縁体
１１５ａ  バッキングプレート
１１６    ロボットエンドエフェクタ（ＲＥＦ）
１１７    カートリッジヒータ
１１９    真空が引かれる小さな孔を有する溝
１３０    ヘッドアセンブリ
１３１ａ  支持要素
１３１ｂ  支持要素
１３２    インジェクタヘッドアセンブリ
１３３    インジェクタヘッドスライドアセンブリ
１３３ａ  クロスバー
１３３ｂ  脚部
１３３ｃ  脚部
１３４    インジェクタヘッドリフトシリンダ
１３５ａ  パーキングスペースクリーナアセンブリ
１３５ｂ  パーキングスペースクリーナアセンブリ
１３５ｃ  パーキングスペースリフタ
１３５ｄ  パーキングスペースリフタ
１３６    クリーナアセンブリ
１３７ａ  プロセスガスヒータ
１３７ｂ  プロセスガスヒータ
１４０    キャリッジアセンブリ
１５０    開始スペース
１５２    開始パーキングスペース
１５２ａ  開始パーキングスペースの縁
１５２ｂ  開始パーキングスペースの縁
１５２ｖ  底面の溝
１５３    開始パーキングスペースの縁
１５４    絶縁体プレート
１５４ａ  バッキングプレート
１５５    レベリングプレート
１５６    レベリングプレート
１５７    ベースパーキング要素
１５８    支持プレート
１６０    終了スペースアセンブリ
１６１    固定ストップヒートシンク
１６１ａ  Ｘ軸エンコーダ位置
１６１ｂ  固定ストップ
１６２    終了パーキングスペース
１６２ａ  終了パーキングスペースの縁
１６３    セラミックスペーサ
１６４    絶縁体プレート
１６４ａ  バッキングプレート
１６５    レベリングプレート
１６６    レベリングプレート
１６７    ベースパーキング要素
１６８    支持プレート
１７０    ３ピン電動マウント
１７２ａ  ピン
１７２ｂ  ピン
１７２ｃ  ピン
１７３ａ  アーム
１７３ｂ  アーム
１７３ｃ  アーム
１７４    カートリッジヒータ
１７５    中心
１８１ａ  金型ガイドピン
１８１ｂ  金型ガイドピン
１８１ｃ  金型ガイドピン
１８１ｄ  金型ガイドピン
１８２    円錐状の側部
１９９    キャッチャ
２００    金型検査ツール（ＭＩＴ）
２３０    リザーバブロック
２３０ａ  リザーバ２３０の底面
２３１ａ  熱ガススカート要素
２３１ｂ  熱ガススカート要素
２３３    Ｏリング
２３３ａ  Ｏリングの縁
２３３ｂ  Ｏリングの縁
２３４    スロット
２３６ａ  熱電対フィード
２３６ｂ  熱電対フィード
２３７ａ  熱電対
２３８ａ  熱ガスフィード
２３８ｂ  熱ガスフィード
２３９    キャップ
２４１ａ  ハードエンドプレート
２４１ｂ  ハードエンドプレート
２４３ａ  カートリッジヒータ
２４３ｂ  カートリッジヒータ
２４５    はんだ
２４６    熱空気混合物
２４８    酸化物層
３００    はんだ転写ツール（ＳＴＴ）
４００    ウェハローダツール
５００    金型ストッカ
５５０    準備完了金型ストッカ
６００    金型カート
６０４ａ  回転ブラシ
６０４ｂ  回転ブラシ
６０５    インジェクタヘッド
６０８    毛管
６５０    エアナイフテーブル
７００    金型充填装置
７１０    金型アライナ
７２０    金型予熱ユニット
７２３    ホットプレート支持プレート
７２４    レベリングアセンブリ
７２６    排気管
７２７    ガス供給ライン
７２８    ホットプレート
７３０    金型冷却ユニット
７３１    レベリングアセンブリ
７３２    エアチラー
７３３    支持プレート
７３４    リフトピン
７３５    ガスライン
７３６    クールプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005478485.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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