(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、
２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器と
からなり、
前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、
前記給電装置は、
前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、
前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を出力し、
前記１次コイル毎に設けられた前記各給電モジュールは、
前記１次コイルを励磁する高周波インバータ回路と、
前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を受信し判別する受信回路と、
前記受信回路が受信した信号が前記励磁要求信号であるとき、前記高周波インバータ回路を駆動して前記給電のための励磁をさせるための駆動制御信号を出力する励磁制御回路と
を備え、
前記各給電モジュールに設けた高周波インバータ回路は、
１次コイルを励磁する発振回路と、
前記励磁制御回路からの前記駆動制御信号に応答して前記発振回路を駆動して前記１次コイルを給電のための励磁動作を行う同期信号発生回路と
を備え、
前記高周波インバータ回路は、一対の第１及び第２パワートランジスタを有し、
その第１及び第２パワートランジスタの制御端子には、それぞれ第１及び第２アンド回路が設けられ、
その両アンド回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを交互にオンオフさせる相補性の第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、
一方、両アンド回路の他方の入力端子には、同じ信号波形であって、前記励磁同期信号をそれぞれ有効もしくは無効を決定するインバータ制御信号をそれぞれ入力されることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記第１及び第２アンド回路の一方の入力端子には、それぞれ第１及び第２切替回路が接続され、前記第１及び第２切替回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを低周波で交互にオンオフさせる相補性の低周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、
前記第１及び第２切替回路の他方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを高周波で交互にオンオフさせる相補性の高周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、
前記第１及び第２切替回路は、前記機器からの切り替え情報に基づいて第１及び第２アンド回路に出力する第１及び第２励磁同期信号を低周波用と高周波用のいずれかに切り替えることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項３】
１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、
２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器と
からなり、
前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、
前記給電装置は、
前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、
前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を出力し、
前記１次コイル毎に設けられた前記各給電モジュールは、
前記１次コイルを励磁する高周波インバータ回路と、
前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を受信し判別する受信回路と、
前記受信回路が受信した信号が前記励磁要求信号であるとき、前記高周波インバータ回路を駆動して前記給電のための励磁をさせるための駆動制御信号を出力する励磁制御回路と
を備え、
前記各給電モジュールに設けた高周波インバータ回路は、
１次コイルを励磁する発振回路と、
前記励磁制御回路からの前記駆動制御信号に応答して前記発振回路を駆動して前記１次コイルを給電のための励磁動作を行う同期信号発生回路と
を備え、
前記高周波インバータ回路は、一対の第１及び第２パワートランジスタを有し、
その第１及び第２パワートランジスタの制御端子には、それぞれ第３及び第４切替回路が設けられ、
前記第３及び第４切替回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを間欠的で交互にオンオフさせる相補性の間欠用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、
前記第３及び第４切替回路の他方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを連続的で交互にオンオフさせる相補性の連続用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、
前記第３及び第４切替回路は、前記機器の載置の有無に基づいて第１及び第２パワートランジスタの制御端子に出力する第１及び第２励磁同期信号を間欠用と連続用のいずれかに切り替えることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項４】
請求項３に記載の非接触給電システムにおいて、
前記機器の送信回路は、自身の２次コイルが給電励磁される際の、励磁される周期を決定する振幅変調された変調信号を生成し、該変調信号を励磁要求変調信号として前記給電モジュールに送信し、
前記給電モジュールの励磁要求受信回路は、前記機器からの励磁同期変調信号を受信し検波復調して、振幅値が大きい期間をハイ・レベルに、振幅値が小さい期間をロー・レベルとなるハイ・ロー信号に波形整形し、
前記給電モジュールの高周波インバータ回路は、前記ハイ・ロー信号に基づいて前記第３及び第４切替回路に出力する相補性の前記連続用第１及び第２励磁同期信号を生成することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項５】
請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記機器から送信される前記励磁要求信号は、前記２次コイルに発生する電圧波形又は電流波形を同励磁要求信号で振幅変調した機器側励磁要求変調信号であって、その機器側励磁要求変調信号を前記１次コイルに受信させ、
前記給電モジュールの励磁要求受信回路は、前記１次コイルで受信した前記機器からの機器側励磁要求変調信号を受信し検波復調して、振幅値が大きい期間をハイ・レベルに、振幅値が小さい期間をロー・レベルとなるハイ・ロー信号に波形整形し、
そのハイ・ロー信号を前記インバータ制御信号として高周波インバータ回路の第１及び第２アンド回路の他方の入力端子に出力することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電モジュールは、前記機器との間で給電側送受信アンテナを介して各種信号を送受信及び前記機器の機器側送受信アンテナに微小電力の供給を行う給電側送受信回路が設けられ、
前記機器は、前記モジュールとの間で前記機器側送受信アンテナを介して各種信号を送受信及び前記給電側送受信回路による前記給電側送受信アンテナの励磁にて前記機器側送受信アンテナに発生する微小電力を入力する給電側送受信回路が設けられていることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項７】
請求項１に記載の非接触給電システムおいて、
前記励磁要求信号は、１次コイルの励磁周波数とは異なる周波数の無線信号に変調させて送信させることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電モジュールに接続された前記機器から送信された励磁要求信号を受信する信号受信アンテナは、対応する前記１次コイルに沿って配置され、
前記送信回路に接続され前記励磁要求信号を送信する送受信アンテナは、前記２次コイルに沿って配置され、
前記１次コイルは、少なくとも前記機器の前記２次コイルの直下にある１つ以上の１次コイルを含んでいることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記励磁制御回路は、
前記受信回路が受信した信号が前記励磁要求信号であるとき、前記システム制御部にその旨を出力した後、前記システム制御部からの許可信号に応答して前記高周波インバータ回路に駆動制御信号を出力することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記機器の送信回路は、
前記励磁要求信号とともに、自身の機器を認証する機器認証信号を生成し、その機器認証信号を前記励磁要求信号とともに送信し、
前記給電装置の給電モジュールの受信回路は、
前記機器の送信回路からの前記励磁要求信号を受信する励磁要求受信回路と、
前記機器の送信回路からの前記機器認証信号を受信する機器認証受信回路と
を有し、
システム制御部は、
前記励磁要求信号と前記機器認証信号とを前記受信回路が受信したとき、前記許可信号を前記励磁制御回路に出力し、一方、前記励磁要求信号と前記機器認証信号のいずれか一方が消失したとき、前記励磁制御回路への前記許可信号の出力停止を行うことを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電モジュールは、前記１次コイルの近辺に設けた金属検出センサと接続され、前記金属検出センサが金属を検出し出力する金属有り信号を受信し金属の有無を判別する金属検出回路を備え、
前記金属検出回路が前記金属検出センサから金属有り信号入力したとき、前記高周波インバータ回路を駆動して前記給電のための励磁をさせるための駆動制御信号を消失させるために、前記励磁制御回路に出力することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電装置の各１次コイル毎に設けられた前記給電モジュールは、前記機器が載置される前の待機状態にあるとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電モジュールは、前記１次コイルの近辺に設けた物体検出センサと接続され、前記物体検出センサが物体を検出し出力する物体有り信号を受信し物体の有無を判別する物体検出回路を備え、
前記物体検出回路が前記物体検出センサから物体有り信号入力したとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の非接触給電システムにおいて、
前記物体検出センサは、光を含む電磁波を出射し、その反射波の有無によって物体を検出するセンサであることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１５】
１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、
２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器と
からなり、
前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、
前記給電装置は、
前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、
前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を出力し、
前記給電装置の各１次コイル毎に設けられた前記給電モジュールは、前記機器が載置される前の待機状態にあるとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機し、
給電装置に設けたれた複数の１次コイルを複数個の組みに区分し、その区分した組毎に、順番に間欠励磁させ、時間が経過する毎に、間欠励磁される組の励磁パターンを異ならせたことを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電モジュールは、前記１次コイルを給電のための励磁を開始した場合、予め定めた時間毎に一定時間の励磁休止時間を設けたことを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
各給電モジュールは、各１次コイルを励磁駆動する際、各１次コイルを同位相で励磁することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電装置を複数台連結して１つの給電システムを構成することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記給電装置は、床、壁、天井の少なくともいずれかに着脱可能で配置され、配置位置を変更できることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２０】
請求項１９に記載の非接触給電システムにおいて、
給電装置を配置する床、壁、天井は、ユーザが給電装置を自由にレイアウトできる木枠にて構成され、その木枠内に給電装置を１つ若しくは複数個配置できることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２１】
請求項１９に記載の非接触給電システムにおいて、
前記床、壁、又は、天井に設けられた幅木に、給電装置を配置したことを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記幅木がダクト形状をしており、１つ乃至複数の機器がダクト形状の幅木上を自由にスライドできることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
前記機器に設けられた２次コイルは、コンデンサが並列または直列に接続され前記給電モジュールの駆動周波数で共振することを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
給電装置の駆動周波数で共振するように設定された、並列接続されたコンデンサを持つ中間コイルを有した中継器を、前記給電装置と前記機器との間に、１つ以上配置したことを特徴とする非接触給電システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触給電システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＡＶ器等を見ると信号通信のためのコードが何本も機器と機器との間で接続され、これら何本ものコードによって、機器の配置の自由度を損ね、美観を損なうとともに、埃がつきやすく、掃除がし難いといった問題があった。しかし、近年、信号通信は、無線化が進み、無線化により信号通信のためのこれらコードを無くすことができるようになってきている。
【０００３】
しかし、無線化が進みこれら信号通信のためのこれらコードが無くなっても、電力を送受するコードは未だに存在し、その太くて長いコードは問題の大半を残していた。
例えば、携帯電話やパソコン、モバイル機器等の、既にコードレスで自由に持ち運びできる機器においては、充電を必要とするため、ＡＣアダプタを用いてコンセントに差し込んで充電を行う。そのため、ＡＣアダプタの充電用コードがコンセントまで延び、コンセント回りの美観を損ね、コードは足を引っ掛けやすかった。
【０００４】
特に、携帯電話の充電は、家庭内においては、多数の携帯電話が一度に行われることが多々あり、その場合には、アダプタの数が多くなり、さらに、充電時のコンセントまわりの美観を損ね、複雑に絡んだコードは足を引っ掛けやすく、解くのに手間のかかるものであった。
【０００５】
また、ＡＣアダプタは、携帯電話の付属品であるため、携帯電話毎に充電のためにＡＣアダプタを付けなければならず、その分コスト高となるとともに、ＡＣアダプタのコード自身に多く含まれる銅等の資源を枯渇させる問題まで発展する。
【０００６】
このような背景から、電源コードを無くし、非接触無接点の給電で行う技術が提案されている。特に、電磁誘導による方法では（例えば、特許文献１）、電動歯ブラシや電気シェーバ（１９９８年発売）、携帯電話の充電機器として実用化が始まっている。そして、特許文献１では、給電する機器を認識するための信号通信等による機器認証技術が採用されており、特定の機器のみを非接触給電を可能にしている。
【０００７】
また、機器が置かれていないときの待機電力を削減するために、給電装置の１次コイルからの機器の２次コイルに向けた励磁を間欠的に行う方法も採用されている。機器には内部に電源を持たない場合があるため、機器給電面への装着を確認するために、時々電力を送ることを行わなければならず、間欠発振等で対応している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−３２５４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、これらの給電装置は、１つの機器に対して給電ができるだけであって、他の機器を合わせて同時に給電することや、同時に複数台の充電はできない。そのため、複数の給電装置が必要になり、そのためのコードが多くなり、従前と同じような問題が生じる。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、複数の機器や異なる機器を同時に非接触給電するこのできる非接触給電システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１、３に記載の発明は、１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器とからなり、前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、前記給電装置は、前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を出力する。
また、前記１次コイル毎に設けられた前記各給電モジュールは、前記１次コイルを励磁する高周波インバータ回路と、前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を受信し判別する受信回路と、前記受信回路が受信した信号が前記励磁要求信号であるとき、前記高周波インバータ回路を駆動して前記給電のための励磁をさせるための駆動制御信号を出力する励磁制御回路とを備えた。
さらに、前記各給電モジュールに設けた高周波インバータ回路は、１次コイルを励磁する発振回路と、前記励磁制御回路からの前記駆動制御信号に応答して前記発振回路を駆動して前記１次コイルを給電のための励磁動作を行う同期信号発生回路とを備えた。
【００１２】
請求項１、３に記載の発明によれば、１次コイルを面状または線状に複数並設したことのより、複数の機器を載置することができる。しかも、給電装置に機器が置かれた箇所の１次コイルが機器から送信された励磁を要求する信号に基づいて給電モジュールが励磁されて載置された箇所の機器に非接触給電する。そして、機器が載置されていない箇所の１次コイルは励磁されない。また、給電装置に１台しか置かれなくてもその部分の１次コイルのみが励磁されるだけなのでシステム全体として高効率である。
また、１次コイル毎に設けた各給電モジュールにおいて、機器が載置された位置ある給電モジュールだけが、１次コイルを励磁し機器を給電する。
さらに、１次コイル毎に設けられた各給電モジュールにおいて、機器が載置された位置ある給電モジュールだけが、高周波インバータ回路を介して１次コイルを励磁し機器を給電する。
とくに、請求項１に記載の発明では、前記高周波インバータ回路は、一対の第１及び第２パワートランジスタを有し、その第１及び第２パワートランジスタの制御端子には、それぞれ第１及び第２アンド回路が設けられ、その両アンド回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを交互にオンオフさせる相補性の第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、一方、両アンド回路の他方の入力端子には、同じ信号波形であって、前記励磁同期信号をそれぞれ有効もしくは無効を決定するインバータ制御信号をそれぞれ入力される。
請求項１に記載の発明によれば、１次コイルを励磁するための一対の第１及び第２パワートランジスタを交互にオンオフする第１及び第２励磁同期信号を、有効とするか無効とするかを論理回路の第１及び第２アンド回路を利用したため簡単で安価な同期制御回路が実現できる。
とくに、請求項３に記載の発明では、前記高周波インバータ回路は、一対の第１及び第２パワートランジスタを有し、その第１及び第２パワートランジスタの制御端子には、それぞれ第３及び第４切替回路が設けられ、前記第３及び第４切替回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを間欠的で交互にオンオフさせる相補性の間欠用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、前記第３及び第４切替回路の他方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを連続的で交互にオンオフさせる相補性の連続用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、前記第３及び第４切替回路は、前記機器の載置の有無に基づいて第１及び第２パワートランジスタの制御端子に出力する第１及び第２励磁同期信号を間欠用と連続用のいずれかに切り替える。
請求項３に記載の発明によれば、給電のための連続用励磁同期信号と、停止あるいは間欠励磁のための間欠用励磁同期信号が両者準備されているため、それを機器あるいはシステムの要求に応じて切り替えるだけなので、回路構成が単純で安価にできる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、前記第１及び第２アンド回路の一方の入力端子には、それぞれ第１及び第２切替回路が接続され、前記第１及び第２切替回路の一方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを低周波で交互にオンオフさせる相補性の低周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、前記第１及び第２切替回路の他方の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを高周波で交互にオンオフさせる相補性の高周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ入力され、前記第１及び第２切替回路は、前記機器からの切り替え情報に基づいて第１及び第２アンド回路に出力する第１及び第２励磁同期信号を低周波用と高周波用のいずれかに切り替える。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、異なる複数の周波数の励磁同期信号が用意されているため、機器の要求に合わせて、最適な励磁駆動ができ、広い負荷に対応でき高効率となる。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の非接触給電システムにおいて、前記機器の送信回路は、自身の２次コイルが給電励磁される際の、励磁される周期を決定する振幅変調された変調信号を生成し、該変調信号を励磁要求変調信号として前記給電モジュールに送信し、前記給電モジュールの励磁要求受信回路は、前記機器からの励磁同期変調信号を受信し検波復調して、振幅値が大きい期間をハイ・レベルに、振幅値が小さい期間をロー・レベルとなるハイ・ロー信号に波形整形し、前記給電モジュールの高周波インバータ回路は、前記ハイ・ロー信号に基づいて前記第３及び第４切替回路に出力する相補性の前記連続用第１及び第２励磁同期信号を生成する。
請求項４に記載の発明によれば、励磁要求信号そのものに、給電のための連続励磁の周期の情報を含ませたので、機器に適した高効率な給電制御ができる。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、前記機器から送信される前記励磁要求信号は、前記２次コイルに発生する電圧波形又は電流波形を同励磁要求信号で振幅変調した機器側励磁要求変調信号であって、その機器側励磁要求変調信号を前記１次コイルに受信させ、前記給電モジュールの励磁要求受信回路は、前記１次コイルで受信した前記機器からの機器側励磁要求変調信号を受信し検波復調して、振幅値が大きい期間をハイ・レベルに、振幅値が小さい期間をロー・レベルとなるハイ・ロー信号に波形整形し、そのハイ・ロー信号を前記インバータ制御信号として高周波インバータ回路の第１及び第２アンド回路の他方の入力端子に出力する。
請求項５に記載の発明によれば、１次コイルが受信アンテナ機能を機能共有できるため、省部品で安価な構成ができる。また、機器側に、高周波インバータ回路の発振回路の第１及び第２パワートランジスタのオンオフのための元信号である機器側励磁要求変調信号を出力するため、機器に対応した様々な周波数やパターンの発振を同期励磁制御できる。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電モジュールは、前記機器との間で給電側送受信アンテナを介して各種信号を送受信及び前記機器の機器側送受信アンテナに微小電力の供給を行う給電側送受信回路が設けられ、前記機器は、前記モジュールとの間で前記機器側送受信アンテナを介して各種信号を送受信及び前記給電側送受信回路による前記給電側送受信アンテナの励磁にて前記機器側送受信アンテナに発生する微小電力を入力する給電側送受信回路が設けられている。
請求項６に記載の発明によれば、機器が、電源を持たない場合に、１次コイルの間欠励磁ではなく、独立した微小電力供給を行える給電側装受電機能があるので、さらに低消費電力となる。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の非接触給電システムおいて、前記励磁要求信号は、１次コイルの励磁周波数とは異なる周波数の無線信号に変調させて送信させる。
請求項７に記載の発明によれば、１次コイルの励磁周波数とは異なる独立した周波数の無線信号を作り、これを励磁要求信号で変調して送信するため、高信頼のシステムができる。
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電モジュールに接続された前記機器から送信された励磁要求信号を受信する信号受信アンテナは、対応する前記１次コイルに沿って配置され、前記送信回路に接続され前記励磁要求信号を送信する送受信アンテナは、前記２次コイルに沿って配置され、前記１次コイルは、少なくとも前記機器の前記２次コイルの直下にある１つ以上の１次コイルを含んでいる。
【００１５】
請求項８に記載の発明によれば、給電される機器は、機器の持つ２次コイルの面積に相当する必要最小限の１次コイル群にて励磁ができるため、高効率の駆動が可能となる。
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記励磁制御回路は、前記受信回路が受信した信号が前記励磁要求信号であるとき、前記システム制御部にその旨を出力した後、前記システム制御部からの許可信号に応答して前記高周波インバータ回路に駆動制御信号を出力する。
【００１６】
請求項９に記載の発明によれば、１次コイル毎に設けられた各給電モジュールにおいて、機器が載置された位置ある給電モジュールだけが、１次コイルを励磁し機器を給電する。
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記機器の送信回路は、前記励磁要求信号とともに、自身の機器を認証する機器認証信号を生成し、その機器認証信号を前記励磁要求信号とともに送信し、前記給電装置の給電モジュールの受信回路は、前記機器の送信回路からの前記励磁要求信号を受信する励磁要求受信回路と、前記機器の送信回路からの前記機器認証信号を受信する機器認証受信回路とを有し、システム制御部は、前記励磁要求信号と前記機器認証信号とを前記受信回路が受信したとき、前記許可信号を前記励磁制御回路に出力し、一方、前記励磁要求信号と前記機器認証信号のいずれか一方が消失したとき、前記励磁制御回路への前記許可信号の出力停止を行う。
【００２０】
請求項１０に記載の発明によれば、筺体に載置された機器が正しいものかどうかの判定を機器認証受信回路で受信した機器認証信号で行い、たとえ、励磁要求受信回路が励磁要求信号を確認しても、機器認証受信回路が正しい機器ではないと判定することで１次コイルの給電のための励磁は停止され、非接触給電システムとして安全、安心で信頼性の高いものにすることができる。
【００２１】
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電モジュールは、前記１次コイルの近辺に設けた金属検出センサと接続され、前記金属検出センサが金属を検出し出力する金属有り信号を受信し金属の有無を判別する金属検出回路を備え、前記金属検出回路が前記金属検出センサから金属有り信号入力したとき、前記高周波インバータ回路を駆動して前記給電のための励磁をさせるための駆動制御信号を消失させるために、前記励磁制御回路に出力する。
【００２２】
請求項１１に記載の発明によれば、金属センサの金属有り信号に基づいて金属検出回路が金属の存在を判定すると、たとえ、励磁要求受信回路が励磁要求信号を、機器認証受信回路が機器認証信号をそれぞれ確認していても、金属が載置され、該金属が誘導加熱されないようにするために、１次コイルの給電のための励磁は停止され、非接触給電システムとして安全、安心で信頼性の高いものにすることができる。
【００２３】
請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１１のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電装置の各１次コイル毎に設けられた前記給電モジュールは、前記機器が載置される前の待機状態にあるとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機する。
【００２４】
請求項１２に記載の発明によれば、待機状態の間は、各１次コイルを間欠的に励磁するため、待機中の電力消費を大幅に削減できる。また、間欠的な励磁により、機器に設けた空になっている２次電池等が少しつずつ充電され、給電装置への励磁要求等の情報通信を可能にする。
【００２５】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電モジュールは、前記１次コイルの近辺に設けた物体検出センサと接続され、前記物体検出センサが物体を検出し出力する物体有り信号を受信し物体の有無を判別する物体検出回路を備え、前記物体検出回路が前記物体検出センサから物体有り信号入力したとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機する。
【００２６】
請求項１３に記載の発明によれば、待機状態であって物体検出センサが物体を検出したときに、初めて１次コイルは間欠的な励磁が開始される。つまり、待機状態であって物体検出センサが物体を検出しないときには、１次コイルは間欠的な励磁が行われない。従って、消費電力を大幅に削減でき、システム全体として大きな省エネとなる。
【００２７】
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の非接触給電システムにおいて、前記物体検出センサは、光を含む電磁波を出射し、その反射波の有無によって物体を検出するセンサである。
【００２８】
請求項１４に記載の発明によれば、物体検出センサが光を含む電磁波を出射し、その反射波の有無によって物体を検出するセンサであることから、構造が簡単で小型の給電装置を作ることができる。
【００２９】
請求項１５に記載の発明は、１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器とからなり、前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、前記給電装置は、前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を出力し、前記給電装置の各１次コイル毎に設けられた前記給電モジュールは、前記機器が載置される前の待機状態にあるとき、各１次コイルを間欠的に励磁させて待機し、給電装置に設けたれた複数の１次コイルを複数個の組みに区分し、その区分した組毎に、順番に間欠励磁させ、時間が経過する毎に、間欠励磁される組の励磁パターンを異ならせた。
【００３０】
とくに、請求項１５に記載の発明によれば、全ての１次コイルが同時刻に一斉に励磁される場合に比べて、ノイズ放射レベルが小さくできる。
請求項１６に記載の発明は、請求項１〜１５のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電モジュールは、前記１次コイルを給電のための励磁を開始した場合、予め定めた時間毎に一定時間の励磁休止時間を設けた。
【００３１】
請求項１６に記載の発明によれば、給電のために励磁中の１次コイルを、ある時間毎に一定時間励磁休止期間を設けたことにより、この休止時間に、機器認証、励磁要求受信、金属検出、物体検出、給電側送受信機能の少なくとも１つの受信判別や信号伝送を行わせることができ、ノイズに影響されない確実な判定ができ高信頼のシステムを提供できる。
【００４５】
請求項１７に記載の発明は、請求項１〜１６のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、各給電モジュールは、各１次コイルを励磁駆動する際、各１次コイルを同位相で励磁する。
【００４６】
請求項１７に記載の発明によれば、給電のために連続励磁している場合や待機状態で間欠励磁している場合においても、１次コイルの励磁波形は同位相の波形となっていることで、機器が置かれた場合、高効率で安定した電力供給ができる。また、必要な受電電力のために発振期間をさらに小さくできる。
【００４７】
請求項１８に記載の発明は、請求項１〜１７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電装置を複数台連結して１つの給電システムを構成する。
請求項１８に記載の発明によれば、使用台数、使用環境に合わせて柔軟な対応をすることができる。
【００４８】
請求項１９に記載の発明は、請求項１〜１８のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記給電装置は、床、壁、天井の少なくともいずれかに着脱可能で配置され、配置位置を変更できる。
【００４９】
請求項１９に記載の発明によれば、家庭内で簡単に、機器のレイアウトを自由に行え、安全、安心、省エネで便利な非接触給電が行える。
請求項２０に記載の発明は、請求項１９に記載の非接触給電システムにおいて、給電装置を配置する床、壁、天井は、ユーザが給電装置を自由にレイアウトできる木枠にて構成され、その木枠内に給電装置を１つ若しくは複数個配置する。
【００５０】
請求項２０に記載の発明によれば、家庭内で簡単に、安全、安心、省エネで便利な非接触給電ができる。
請求項２１に記載の発明は、請求項１９に記載の非接触給電システムにおいて、前記床、壁、又は、天井に設けられた幅木に、給電装置を配置した。
【００５１】
請求項２１に記載の発明によれば、家庭内で簡単に、安全、安心、省エネで便利な非接触給電ができる。
請求項２２に記載の発明は、請求項２１に記載の非接触給電システムにおいて、前記幅木がダクト形状をしており、１つ乃至複数の機器がダクト形状の幅木上を自由にスライドできる。
【００５２】
請求項２２に記載の発明によれば、家庭内で簡単に、安全、安心、省エネで便利な非接触給電ができる。
請求項２３に記載の発明は、請求項１〜２２のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、前記機器に設けられた２次コイルは、コンデンサが並列または直列に接続され前記給電モジュールの駆動周波数で共振する。
【００５３】
請求項２３に記載の発明によれば、負荷整合がとれ、家庭内で簡単に、安全、安心、省エネで高効率な非接触給電システムが実現できる。
請求項２４に記載した発明は、請求項１〜２３のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、給電装置の駆動周波数で共振するように設定された、並列接続されたコンデンサを持つ中間コイルを有した中継器を、前記給電装置と前記機器との間に、１つ以上配置した。
【００５４】
請求項２４に記載の発明は、電力の伝送距離及び給電エリアの拡大を図りつつ、安全、安心、省エネで便利な非接触給電システムが実現できる。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、複数の機器や異なる機器を同時に非接触給電することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】各種機器が載置された状態を示す給電装置の全体斜視図である。
【図２】１次コイルの配列状態を示す説明図である。
【図３】給電装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
【図４】高周波インバータ回路図である。
【図５】第１励磁同期信号及び第２励磁同期信号の出力波形図である。
【図６】高周波インバータ回路の出力波形図である。
【図７】高周波インバータ回路の出力波形図である。
【図８】１つの機器が複数の１次コイル上に載置された状態を説明する説明斜視図である。
【図９】１つの機器が複数の給電モジュールに対してデータ送信する状態を説明する説明斜視図である。
【図１０】システム制御部の処理動作を示すフローチャートである。
【図１１】第２実施形態の物体検出センサを設けた給電装置の全体斜視図である。
【図１２】第２実施形態の給電装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。
【図１３】第２実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１４】第３実施形態の給電モジュールの高周波インバータ回路である。
【図１５】第３実施形態の第１及び第２切替回路の電気回路図である。
【図１６】第３実施形態の低周波用励磁同期信号及び高周波用励磁同期信号の出力波形図である。
【図１７】第３実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。
【図１８】第４実施形態の給電モジュールの高周波インバータ回路である。
【図１９】第４実施形態の切替回路も説明数電気回路図周である。
【図２０】第４実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。
【図２１】第５実施形態の給電モジュールの電気ブロック回路図である。
【図２２】第５実施形態の各信号の出力波形図である。
【図２３】第５施形態の別例を説明するための各信号の出力波形図である。
【図２４】第６施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。
【図２５】第６実施形態の動作を説明するための各信号の出力波形図である。
【図２６】第７実施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。
【図２７】第８実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。
【図２８】第９実施形態の給電装置の１次コイルの配列状態を示す説明図である。
【図２９】第１０実施形態の給電装置が配置された室内を示す説明図である。
【図３０】第１０実施形態の床下に収容される給電装置を説明する説明図である。
【図３１】第１０実施形態の給電を受ける機器が配置される室内を示す説明図である。
【図３２】第１０実施形態の給電を受ける機器が変更して配置された室内を示す説明図である。
【図３３】第１０実施形態の別例を示す幅木に収容される給電装置を説明する説明図である。
【図３４】第１０実施形態の別例を示す給電を受ける各種の機器が配置される室内を示す説明図である。
【図３５】第１１実施形態の給電装置の１次コイルの配列状態を示す説明図である。
【図３６】第１１実施形態の別例を示す手すりに収容される給電装置を説明図である。
【図３７】第１２実施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。
【図３８】第１３実施形態の中継器が配置された室内を示す説明図である。
【図３９】第１３実施形態の中継器を説明するための電気ブロック回路である。
【図４０】第１３実施形態の別例を示す中継器が配置された室内を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
（第１実施形態）
以下、本発明の非接触給電システムを給電装置に具体化した第１実施形態を図面に従って説明する。
【００５８】
図１は、給電装置１とその給電装置１から非接触給電される機器Ｅの全体斜視図を示す。給電装置１の筺体２は、四角形状の底板３を有し、その底板３の四方から側板４が上方に延出形成され、その各側板４によって上方に開口した開口部を強化ガラスよりなる天板５が閉塞することによって形成されている。そして、天板５の上面が、機器Ｅを載置する載置面６となる。また、底板３、各側板４、天板５で形成される空間（筺体２内）には、図２に示すように、天板５の載置面６に載置された各種の機器Ｅに対して非接触給電するための複数の給電モジュールＭが内蔵されている。
【００５９】
筺体２内に設けられた各給電モジュールＭはそれぞれ対応する１次コイルＬ１と接続されている。各１次コイルＬ１は、図２に示すように、本実施形態では４８個であって、天板５の載置面６と平行にＸ方向に６個、Ｙ方向に８個並ぶように配置されている。従って、給電モジュールＭは４８である。
【００６０】
筺体２内に配置された各１次コイルＬ１は、筺体２内において天板５の下面に接触するくらいに近接した位置に配置固定されている。各１次コイルＬ１の下方位置の底板３には、当該１次コイルＬ１を励磁駆動制御するための給電モジュールＭがそれぞれ実装配置されている。そして、各１次コイルＬ１は、単独でまたは他の１次コイルＬ１と協働して励磁駆動し、載置面６に載置された機器Ｅに対して非接触給電をするようになっている。
【００６１】
また、図２に示すように、各１次コイルＬ１の外側には、当該１次コイルＬ１を囲むように信号受信アンテナＡＴ１が、それぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと信号受信アンテナＡＴ１を介して対応する給電モジュールＭとの間で、無線通信にてデータ・情報の授受をそれぞれ行うようになっている。
【００６２】
また、図２に示すように、各１次コイルＬ１の内側には、金属検出アンテナＡＴ２がそれぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと１次コイルＬ１（当該金属検出アンテナＡＴ２を内包した１次コイルＬ１）との間に配置された金属片７を、金属検出アンテナＡＴ２にて検知するようになっている。また、各１次コイルＬ１のＸ方向の両外側の１次コイルＬ１の外部近傍にも金属検出アンテナＡＴ２がそれぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと１次コイルＬ１（当該金属検出アンテナＡＴ２の近傍に位置した１次コイルＬ１）との間に配置された金属片７を金属検出アンテナＡＴ２にて検知するようになっている。
【００６３】
また、筺体２内には、各１次コイルＬ１をそれぞれ励磁駆動する各給電モジュールＭを統括制御するマイクロコンピュータよりなるシステム制御部８が実装されている。そして、各信号受信アンテナＡＴ１にて受信したデータ・情報は、それぞれの給電モジュールＭを介してシステム制御部８に出力される。また、各金属検出アンテナＡＴ２にて検知した金属有り信号ＳＴは、それぞれの給電モジュールＭを介してシステム制御部８に出力される。
【００６４】
給電装置１の載置面６に載置される機器Ｅは、２次コイルＬ２を有している。各機器Ｅの２次コイルＬ２は、図２に示すように、給電装置１の１次コイルＬ１の励磁を介して励磁給電され、その給電された２次電力を、機器Ｅの負荷Ｚに供給する。
【００６５】
また、図２に示すように、機器Ｅの２次コイルＬ２の外側には、当該２次コイルＬ２を囲むように送受信アンテナＡＴ３が、巻回されている。そして、機器Ｅは、給電装置１の載置面６に載置したとき、その直下に位置する１次コイルＬ１を囲む信号受信アンテナＡＴ１を介して該１次コイルＬ１を励磁駆動制御する給電モジュールＭとの間で、無線通信にてデータ・情報の授受を行うようになっている。
【００６６】
ここで、１次コイルＬ１のサイズは、機器Ｅが載置面６に載置されたとき、その２次コイルＬ２の直下に位置する１次コイルＬ１が、２次コイルＬ２の面積に１以上内包される大きさに設定されている。
【００６７】
次に、給電装置１と機器Ｅの電気的構成を図３に従って説明する。
図３において、機器Ｅには、送信回路としての機器側送受信回路９を備えられている。
機器側送受信回路９は、送受信アンテナＡＴ３と接続されている。機器側送受信回路９は給電装置１に対して該給電装置１にて給電を受けられる機器Ｅである旨の機器認証信号ＩＤ、及び、給電装置１に対して給電を要求する励磁要求信号ＲＱを生成する。そして、機器側送受信回路９は、その生成した機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを、送受信アンテナＡＴ３を介して給電装置１に送信するようになっている。
【００６８】
ここで、機器Ｅは、２次コイルＬ２に発生する２次電力にて駆動する機器であって、前記した機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを生成し、給電装置１に送信できる機器であればよい。従って、２次コイルＬ２に発生する２次電力を、整流回路にて整流し、その整流した直流電源を使って該機器Ｅを載置面６上で駆動する機器であったり、２次電力をそのまま交流電源として使って該機器を載置面６上で駆動する機器であってもよい。また、２次コイルＬ２に発生する２次電力を、整流回路にて整流し、その整流した直流電源を使って内蔵する充電電池（２次電池）を充電する機器であってもよい。
【００６９】
尚、内蔵した２次電池（充電電池）を充電するための携帯電話、ノート型パソコン等の機器Ｅにおいて、機器側送受信回路９に、その充電が完了した時、充電完了前まで送信していた機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱのうち、励磁要求信号ＲＱを消失させ機器認証信号ＩＤだけを送信させる機能を機器側送受信回路９に持たせるようにしてもよい。
【００７０】
また、タイマを備えた機器Ｅにおいて、給電を受けてタイマでセットした時間だけ駆動し、セットした時間が経過した時、時間が経過する前まで送信していた機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱのうち、励磁要求信号ＲＱを消失させ機器認証信号ＩＤだけを送信させる機能を機器側送受信回路９に持たせるようにしてもよい。
【００７１】
一方、図３において、各１次コイルＬ１に対して設けられた各給電モジュールＭは、励磁要求受信回路１１、機器認証受信回路１２、金属検出回路１３、励磁制御回路１４、高周波インバータ回路１５を備えている。
【００７２】
励磁要求受信回路１１は、該給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１と接続され、該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置された機器Ｅから送信された送信信号を、信号受信アンテナＡＴ１を介して受信する。励磁要求受信回路１１は、受信した送信信号から給電を要求する励磁要求信号ＲＱを抽出する。そして、励磁要求受信回路１１は、送信信号から励磁要求信号ＲＱを抽出すると、その励磁要求信号ＲＱを励磁制御回路１４に出力するようになっている。
【００７３】
機器認証受信回路１２は、該給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１と接続され、該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置された機器Ｅからから送信された送信信号を、信号受信アンテナＡＴ１を介して受信する。機器認証受信回路１２は、受信した送信信号から給電が受けられる機器Ｅである機器認証信号ＩＤを抽出する。そして、機器認証受信回路１２は、送信信号から機器認証信号ＩＤを抽出すると、その機器認証信号ＩＤを励磁制御回路１４に出力するようになっている。
【００７４】
金属検出回路１３は、該給電モジュールＭの１次コイルＬ１内及び近傍に配置された金属検出アンテナＡＴ２と接続されている。そして、金属検出回路１３は、金属検出アンテナＡＴ２を介して該給電モジュールＭの直上または近傍の載置面６に金属片７が載置されているかどうかを検知する。そして、金属検出回路１３は、載置面６に金属片７が載置されていることを検知すると、金属有り信号ＳＴを励磁制御回路１４に出力する。
【００７５】
励磁制御回路１４は、その時々に出力される励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱ、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤ及び金属検出回路１３からの金属有り信号ＳＴを入力する。そして、励磁制御回路１４は、その時々で入力される励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び金属有り信号ＳＴを、自身の給電モジュールＭを識別するモジュール識別信号を付加して、システム制御部８に出力する。
【００７６】
励磁制御回路１４は、システム制御部８に励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び金属有り信号ＳＴを出力することにより、システム制御部８から許可信号ＥＮを待つ。
システム制御部８は、（１）励磁要求信号ＲＱを入力している場合であって、（２）機器認証信号ＩＤを入力している場合には、当該給電モジュールＭに接続された１次コイルＬ１を給電のために励磁駆動させる許可信号ＥＮを励磁制御回路１４に出力する。そして、励磁制御回路１４は、システム制御部８からの許可信号ＥＮを入力すると、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させる駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に出力する。
【００７７】
なお、システム制御部８は、上記（１）（２）条件が成立していても、励磁制御回路１４から金属有り信号ＳＴが入力されたときには、許可信号ＥＮを出力しない。従って、励磁制御回路１４は、給電のために１次コイルＬ１の励磁駆動せるための駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に出力しない。
【００７８】
さらに、システム制御部８は、許可信号ＥＮを出力中に、励磁制御回路１４からの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤの少なくともいずれかが入力されなくなったときには、許可信号ＥＮを出力しない。従って、この場合にも、励磁制御回路１４は、駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に出力しない。
【００７９】
高周波インバータ回路１５は、該給電モジュールＭの１次コイルＬ１と接続されている。そして、高周波インバータ回路１５は、駆動制御信号ＣＴに基づいて１次コイルＬ１を励磁駆動させるようになっている。
【００８０】
詳述すると、高周波インバータ回路１５は、励磁制御回路１４から１次コイルＬ１を励磁駆動させるための駆動制御信号ＣＴを入力すると、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させるようになっている。
【００８１】
従って、給電装置１にて給電を受けられる機器Ｅが該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置され、同機器Ｅから機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱが送信されている場合であって、同機器Ｅの近傍に金属片が無い場合には、１次コイルＬ１は、高周波インバータ回路１５にて励磁駆動される。即ち、１次コイルＬ１は、非接触給電により機器Ｅに２次電力を供給すべく励磁駆動される。
【００８２】
図３に示すように、高周波インバータ回路１５は、発振回路１６と励磁同期信号発生回路１７を備えている。発振回路１６は、１次コイルＬ１と接続され同１次コイルＬ１を励磁駆動する。
【００８３】
図４に発振回路１６の回路構成を示す。
発振回路１６は、ハーフブリッジ型の部分共振回路であって、給電装置１に設けられた電源電圧Ｇとグランド間に第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２を直列に接続した分圧回路が設けられている。この分圧回路に対して、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２を直列に接続した直列回路なる駆動回路が並列に接続されている。また、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は、本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴよりなり、そのソース・ドレイン間には、それぞれフライホイール用のダイオードＤ１，Ｄ２が接続されている。
【００８４】
そして、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２の接続点（ノードＮ１）と、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の接続点（ノードＮ２）との間に、１次コイルＬ１が接続される。尚、１次コイルＬ１には、コンデンサＣ３が並列接続されている。
【００８５】
第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２は、本実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴよりなり、第１パワートランジスタＱ１の制御端子としてのゲート端子には第１アンド回路２１が接続され、第２パワートランジスタＱ２の制御端子としてのゲート端子には第２アンド回路２２が接続されている。
【００８６】
第１アンド回路２１は、２入力端子のアンド回路であって、一方の入力端子には、ハイ・ロー信号である第１励磁同期信号Ｖｓ１が入力されるようになっている。
詳述すると、第１励磁同期信号Ｖｓ１は、予め定められた周期Ｔｓ１のハイ・ロー信号であって、図５に示すように、ハイの時間ｔａ１がローの時間ｔｂ１より短く設定されている。そして、この第１励磁同期信号Ｖｓ１は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
【００８７】
また、第１アンド回路２１の他方の入力端子には、第１オア回路２３からの第１出力信号Ｖｒｓ１が入力されるようになっている。
第１オア回路２３は、２入力端子のオア回路であって、一方の入力端子には、図６に示すような、間欠的にハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが入力されるようになっている。
【００８８】
詳述すると、間欠ハイ信号Ｖｓｔは、本実施形態は、図６に示すように、第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１より６倍長い周期Ｔｓｔ（＝６Ｔｓ１）であって、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイからローに立ち下がって後、ハイに立ち上がり、そのハイに立ち上がった後、２個目の第１励磁同期信号Ｖｓ１が立ち上がる直前にローに立ち下がる。そして、ローに立ち下がった後に出力される５個目の第１励磁同期信号Ｖｓ１が立ち下がった後に、次の間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイに立ち上がるようになっている。ここで、間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイ・レベルになっている時間をハイ時間ｔｘという。
【００８９】
そして、この間欠ハイ信号Ｖｓｔは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
また、第１オア回路２３の他方の入力端子には、励磁同期信号発生回路１７から図７に示すような、インバータ制御信号Ｖｓｓが入力されるようになっている。
【００９０】
励磁同期信号発生回路１７は、励磁制御回路１４からの駆動制御信号ＣＴを入力しているときに、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させるためのハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に出力するようになっている。
【００９１】
尚、励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴが入力されていない時、励磁同期信号発生回路１７はハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを出力しない。
例えば、載置面６に機器Ｅが載置されていない時（励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信していないとき）、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に出力しない。そして、第１オア回路２３は、一方の入力端子から入力される周期Ｔｓｔごとにハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔを第１出力信号Ｖｒｓ１として次段の第１アンド回路２１に出力する。
【００９２】
従って、図６に示すように、第１アンド回路２１は、この周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている時、第１励磁同期信号Ｖｓ１を第１オンオフ信号Ｖｇ１として第１パワートランジスタＱ１のゲートに出力する。その結果、第１パワートランジスタＱ１は、このハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力される間だけ、第１オンオフ信号Ｖｇ１（第１励磁同期信号Ｖｓ１）に応答して間欠的にオンすることになる。
【００９３】
因みに、金属片７が載置されておらず、上記（１）（２）条件が成立している場合、励磁同期信号発生回路１７は、駆動制御信号ＣＴを入力して、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に出力する。そして、第１オア回路２３は、このハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１出力信号Ｖｒｓ１として次段の第１アンド回路２１に出力する。
【００９４】
従って、図７に示すように、第１アンド回路２１は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが出力されている間、予め決められた周期Ｔｓ１で出力されている第１励磁同期信号Ｖｓ１を第１オンオフ信号Ｖｇ１として第１パワートランジスタＱ１のゲートに出力する。その結果、第１パワートランジスタＱ１は第１励磁同期信号Ｖｓ１で決まる周期Ｔｓ１でオンオフすることになる。
【００９５】
一方、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子には第２アンド回路２２が接続されている。第２アンド回路２２は、２入力端子のアンド回路であって、一方の入力端子には、ハイ・ロー信号である第２励磁同期信号Ｖｓ２が入力されるようになっている。
【００９６】
詳述すると、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、予め定められた周期Ｔｓ２（＝Ｔｓ１）のハイ・ロー信号であって、図５に示すように、第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１と同じ周期である。また、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、第１励磁同期信号Ｖｓ１と同様に、ハイの時間ｔａ２（＝ｔａ１）がローの時間ｔｂ２（＝ｔｂ１）より短く設定されて、かつ、前記第１励磁同期信号Ｖｓ１と反転した関係にある。
【００９７】
すなわち、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイのとき、第２励磁同期信号Ｖｓ２はローであり、第１励磁同期信号Ｖｓ１がローのとき、第２励磁同期信号Ｖｓ２はハイである。
また、ここでは、第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２は、ハイの時間ｔａ１，ｔａ２がローの時間ｔｂ１，ｔｂ２より短く設定されている。従って、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイからローに立ち下がって、第２励磁同期信号Ｖｓ２がローからハイに立ち上がるまでの間、及び、第２励磁同期信号Ｖｓ２がハイからローに立ち下がって、第１励磁同期信号Ｖｓ１がローからハイに立ち上がるまでの間、第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２が、共にロー・レベルになるデッドタイムｔｄが設定されている。このデッドタイムｔｄを設けることによって、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２のソフトスイッチングを可能にしている。
【００９８】
尚、この第２励磁同期信号Ｖｓ２は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
また、第２アンド回路２２の他方の入力端子には、第２オア回路２４からの第２出力信号Ｖｒｓ２が入力されるようになっている。
【００９９】
第２オア回路２４は、２入力端子のオア回路であって、一方の入力端子には、前記した間欠ハイ信号Ｖｓｔが入力されるようになっている。また、第２オア回路２４の他方の入力端子には、同様に、励磁同期信号発生回路１７から前記したインバータ制御信号Ｖｓｓが入力されるようになっている。
【０１００】
従って、第２オア回路２４は、励磁同期信号発生回路１７が励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴを入力しているとき（上記（１）（２）条件が成立しているとき）、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを入力するようになっている。
【０１０１】
また、第２オア回路２４は、励磁同期信号発生回路１７が励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴを入力していないとき（上記（１）（２）条件が成立していないとき）、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが入力されないようになっている。
【０１０２】
そして、第２オア回路２４は、一方の入力端子から入力される周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔを第２出力信号Ｖｒｓ２として次段の第２アンド回路２２に出力する。
【０１０３】
従って、第２アンド回路２２は、この周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルの間欠ハイ信号Ｖｓｔを入力している時には、図６に示すように、第２励磁同期信号Ｖｓ２を第２オンオフ信号Ｖｇ２として第２パワートランジスタＱ２のゲートに出力する。その結果、第２パワートランジスタＱ２は、周期Ｔｓｔの間隔で間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイ・レベルのハイ時間ｔｘの間、第２オンオフ信号Ｖｇ２（第２励磁同期信号Ｖｓ２）に応答して間欠的にオンすることになる。
【０１０４】
これによって、たとえば、載置面６に機器Ｅが載置されていない時（励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信していないとき）には、高周波インバータ回路１５の第１パワートランジスタＱ１は、間欠ハイ信号Ｖｓｔで決まる第１励磁同期信号Ｖｓ１でオンオフし、第２パワートランジスタＱ２は、間欠ハイ信号Ｖｓｔで決まる第２励磁同期信号Ｖｓ２でオンオフすることになる。
【０１０５】
つまり、第１励磁同期信号Ｖｓ１と第２励磁同期信号Ｖｓ２は波形が反転した関係にあることから、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は交互に、しかも、間欠的にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の交互で、しかも、間欠的なオンオフによって、１次コイルＬ１は、間欠的に励磁駆動される。
【０１０６】
従って、載置面６に機器Ｅが載置されていない待機状態においては、給電装置１の各１次コイルＬ１は、連続励磁されているのではなく間欠的に励磁駆動されている。
因みに、金属片７が載置されておらず上記（１）（２）条件が成立している場合、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第２オア回路２４に出力する。そして、第２オア回路２４は、このハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第２出力信号Ｖｒｓ２として次段の第２アンド回路２２に出力する。
【０１０７】
従って、第２アンド回路２２は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが出力されている間、予め決められた周期Ｔｓ２の第２励磁同期信号Ｖｓ２を、図７に示すように、第２オンオフ信号Ｖｇ２として第２パワートランジスタＱ２のゲートに出力する。その結果、第２パワートランジスタＱ２は第２励磁同期信号Ｖｓ２で決まる周期でオンオフすることになる。
【０１０８】
これによって、金属片７が載置されておらず上記（１）（２）条件が成立している場合、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが出力されている間、第１パワートランジスタＱ１は、第１励磁同期信号Ｖｓ１でオンオフし、第２パワートランジスタＱ２は、第２励磁同期信号Ｖｓ２でオンオフすることになる。
【０１０９】
つまり、（１）（２）条件が成立している間、第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２として出力される第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２は波形が反転した関係にある。そのため、高周波インバータ回路１５の第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は、（１）（２）条件が成立している間、交互にオンオフする。
【０１１０】
そして、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２のソース・ドレイン間にそれぞれ励磁電圧ＶＤ１，ＶＤ２を発生させる。
従って、給電のために機器Ｅが載置面６に載置された時には、給電装置１の機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１は、連続的に励磁駆動される。
【０１１１】
各給電モジュールＭを統括制御するシステム制御部８は、マイクロコンピュータを備え、全ての給電モジュールＭと電気的に接続されている。システム制御部８は、各給電モジュールＭの励磁制御回路１４から、自身のモジュール識別信号を付加した励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び金属有り信号ＳＴを入力する。
【０１１２】
システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤに基づいて該給電モジュールＭの直上に給電可能であって給電を要求している機器Ｅが載置されているかどうかを判断する。
【０１１３】
そして、システム制御部８は、給電モジュールＭの励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを入力したとき、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを出力する。つまり、システム制御部８は、該給電モジュールＭの直上に給電可能であって給電を要求している機器Ｅが載置されたことを判断して、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを出力する。
【０１１４】
なお、給電可能であって給電を要求している機器Ｅが、図８に示すように、そのサイズが大きくて、給電装置１の載置面６に載置されるとき、２個以上の１次コイルＬ１がその直下に位置する場合がある。
【０１１５】
この場合、機器Ｅの直下に位置する各１次コイルＬ１に対応する各給電モジュールＭは、図９に示すように、それぞれ個々に当該機器Ｅの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信し、システム制御部８に出力する。
【０１１６】
システム制御部８は、各給電モジュールＭからのモジュール識別信号が付加された励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて、各給電モジュールＭの直上に載置された機器Ｅは同一の機器かどうかを判定する。
【０１１７】
このとき、サイズが大きい場合、各モジュールＭのモジュール識別信号及び機器認証信号ＩＤによって、各給電モジュールＭは、離間しないで隣合う給電モジュールＭの集合体であることで判別できる。
【０１１８】
そして、システム制御部８は、載置された機器Ｅの直下に位置し励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを出力してきた各給電モジュールＭに対して、許可信号ＥＮを同時に出力する。
【０１１９】
従って、複数の給電モジュールＭが協働して複数の１次コイルＬ１を励磁して、サイズの大きい１つの機器Ｅに対して給電を行うことになる。
また、２個以上の給電を要求している機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置される場合がある。
【０１２０】
この場合、各機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１に対応する給電モジュールＭは、それぞれ対応する機器に対する励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信し、システム制御部８に出力する。
【０１２１】
システム制御部８は、各給電モジュールＭからのモジュール識別信号が付加された励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて、各給電モジュールＭの直上に載置された機器Ｅが１個ではなく２個以上載置されているかどうかを判定する。
【０１２２】
このとき、２個以上の場合、各給電モジュールＭのモジュール識別信号及び機器認証信号ＩＤによって、各給電モジュールＭは互いに離間した位置にあることで判別できる。
そして、システム制御部８は、載置された２個以上の機器Ｅの直下に位置し励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを出力してきた各給電モジュールＭに対して、個々に許可信号ＥＮに出力する。従って、各機器Ｅに対応した給電モジュールＭがそれぞれの１次コイルＬ１を励磁して、各機器Ｅに対して個々に給電を行うことになる。
【０１２３】
また、システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４から金属有り信号ＳＴに基づいて該給電モジュールＭの直上に金属片７が載置されていることを判断する。システム制御部８は、給電モジュールＭの励磁制御回路１４から金属有り信号ＳＴを入力しているとき、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを出力しない。つまり、システム制御部８は、該給電モジュールＭの直上に金属片７が載置されていると判断して、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを出力しない。
【０１２４】
従って、給電可能であって給電を要求している機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置されていても、機器Ｅと載置面６の間に金属片７が挟まれている場合には、システム制御部８は、許可信号ＥＮを出力しない。
【０１２５】
これは、金属片７の誘導加熱を防止するためである。
尚、上記した２個以上の１次コイルＬ１を使って給電するサイズの大きい機器Ｅを載置した場合であって、各１次コイルＬ１に対応して設けられた給電モジュールＭの少なくとも１つから金属有り信号ＳＴがシステム制御部８に出力される場合がある。この場合には、システム制御部８は、対応する全ての給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮを出力しない。従って、載置されたサイズの大きい機器Ｅは給電されない。
【０１２６】
また、２個以上の機器Ｅが載置される場合、それぞれ個々に判断され金属片７が検出された機器Ｅを給電する給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮを出力しないようになっている。つまり、金属片７が挟まれたほうの機器Ｅのみが励磁が停止され、金属片７が挟まれていない方の機器Ｅは給電が継続される。
【０１２７】
システム制御部８は、前記した第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成する図示しない信号発生回路を備えている。システム制御部８は、給電装置１の電源スイッチ（図示せず）をオンさせたとき、信号発生回路を駆動させ、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成する。そして、システム制御部８は、生成した第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に出力する。
【０１２８】
従って、全ての給電モジュールＭは、許可信号ＥＮを入力していない状態（例えば待機状態）において、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５は、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを入力し続けることから、給電装置１の各１次コイルＬ１は、連続励磁されているのではなく間欠的に励磁駆動されている。
【０１２９】
次に、上記のように構成した給電装置１の作用を、図１０に示すマイクロコンピュータよりなるシステム制御部８の処理動作を示すフローチャートに従って説明する。
今、図示しない電源スイッチがオンされて、給電装置１に電源が供給されると（ステップＳ１−１でＹＥＳ）、１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させる。すなわち、システム制御部８は、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に対して、１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させるための第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを出力する（ステップＳ１−２）。
【０１３０】
これによって、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５は、１次コイルＬ１を間欠的に励磁する。そして、システム制御部８は、各給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待ち（ステップＳ１−３）、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが入力されるまで、ステップＳ１−２，ステップＳ１−３を繰り返し、各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を継続する。即ち、待機状態となる。
【０１３１】
やがて、機器Ｅが置かれた場合、機器Ｅは、給電装置１の１次コイルＬ１の間欠励磁によって僅かな２次給電電力を得て機器側送受信回路９を働かせる。具体的には、機器Ｅは、機器側送受信回路９にて機器Ｅの機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを生成し送受信アンテナＡＴ３を介して機器Ｅの直下に位置する給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に向かって送信する。
【０１３２】
そして、信号受信アンテナＡＴ１が機器Ｅから機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを受信し、励磁要求受信回路１１で励磁要求信号ＲＱが、機器認証受信回路１２で機器認証信号ＩＤが抽出され、励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが励磁制御回路１４を介してシステム制御部８に入力される。
【０１３３】
システム制御部８は、励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて該給電モジュールＭの直上に給電可能であって給電を要求している機器Ｅが載置されたとして該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを出力する（ステップＳ１−４）。
【０１３４】
即ち、励磁制御回路１４は、許可信号ＥＮに応答して、高周波インバータ回路１５（励磁同期信号発生回路１７）に対して駆動制御信号ＣＴを出力する。これによって、励磁同期信号発生回路１７からインバータ制御信号Ｖｓｓが出力され、機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１に対して連続励磁を開始する。
【０１３５】
続いて、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したか、金属有り信号ＳＴが出力されたかどうかの判断をして（ステップＳ１−５，Ｓ１−６）、励磁要求信号ＲＱが消失せず（ステップＳ１−５でＮＯ）、金属有り信号ＳＴが出力されない（ステップＳ１−６でＮＯ）の場合、ステップＳ１−３に戻り、１次コイルＬ１に対して連続励磁を継続する（ステップＳ１−３〜ステップＳ１−６）。即ち、機器Ｅに対して給電を継続する。従って、機器Ｅは、給電装置１から非接触給電を受け、その給電電力にて負荷Ｚを駆動させる。
【０１３６】
ここで、ステップＳ１−５において、機器Ｅが載置面６から取り外されたとき、又は、励磁要求信号ＲＱが消失したとき、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したと判断して（ステップＳ１−５でＹＥＳ）、ステップＳ１−７に移行して、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知するとともに、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの出力を停止し、ステップＳ１−３に移る。
【０１３７】
システム制御部８は、ステップＳ１−３に移ると、該給電モジュールＭからの新たな励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待ち、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが入力されるまで、ステップＳ１−２，ステップＳ１−３を繰り返し、各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を継続する。
【０１３８】
従って、機器Ｅが給電装置１から離された場合には、１次コイルＬ１は待機モードとなって間欠励磁状態になることから、待機電力を抑えることができる。
また、ステップＳ１−６において、給電モジュールＭから金属有り信号ＳＴが入力されたとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭからの金属有り信号ＳＴが出力に応答して（ステップＳ１−６でＹＥＳ）、ステップＳ１−７に移行する。
【０１３９】
従って、金属有り信号ＳＴが出力された場合、システム制御部８は、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知するとともに、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの出力を停止し、ステップＳ１−３に戻る。以後、金属有り信号ＳＴが消失するまで、システム制御部８は、ステップＳ１−３〜ステップＳ１−７の処理を繰り返し報知ランプ又は報知ブザーを駆動し続ける。システム制御部８は、ステップＳ１−３〜ステップＳ１−７の処理を繰り返す際、ステップＳ１−４での連続励磁の処理時間は、ステップＳ１−７での許可信号ＥＮの出力停止時間より、遙かに短いため該給電モジュールＭの１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を行う。
【０１４０】
従って、金属片７があると判断された状態が続く場合には、継続した間欠励磁となり、金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。
上記のように構成することによって、本実施形態では、以下の効果を有する。
【０１４１】
（１）本実施形態では。給電装置１に複数の１次コイルＬ１を、載置面６を有する天板５の下側に同一面状に配置し、各１次コイルＬ１に対してそれぞれ設けられ励磁駆動する各給電モジュールＭを設けるとともに、各給電モジュールＭを統括するシステム制御部８を設けた。
【０１４２】
また、各給電モジュールＭは、対応する１次コイルＬ１と隣接した位置に設けた信号受信アンテナＡＴ１を介して、機器Ｅからの機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを受信し、その機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱをシステム制御部８に出力するようにした。
【０１４３】
そして、システム制御部８は、各給電モジュールＭの中で機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを出力した給電モジュールＭに対して１次コイルＬ１の連続励磁を許可する許可信号ＥＮを出力するようにした。
【０１４４】
従って、給電装置１の載置面６に機器Ｅが載置された時、同一面状に配置された全ての１次コイルＬ１が連続励磁されるのではなく、サイズの大小に関係なくその機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１だけが給電のために連続励磁されることから、給電時の消費電力が低減でき高効率な給電ができる。
【０１４５】
（２）また、機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１だけを給電のために連続励磁することができることから、給電装置１の載置面６に２個以上の機器Ｅを同時に載置し、これら機器Ｅに対して同時に給電することができる。
【０１４６】
（３）また、各１次コイルＬ１を励磁駆動する高周波インバータ回路１５に設けた第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２は、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に供給される第１励磁同期信号Ｖｓ１と第２励磁同期信号Ｖｓ２でオンオフされるため、各１次コイルＬ１は同位相の波形で励磁する。
【０１４７】
従って、載置面６に載置された１つの機器Ｅに対して複数の１次コイルＬ１が同時励磁して、協働して機器Ｅに給電する際、これらの１次コイルＬ１の励磁波形が揃っているため、高効率で安定した電力供給ができる。
【０１４８】
（４）また、載置面６に載置された機器Ｅからの機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱの送信があった時に、１次コイルＬ１の連続励磁が行われるため、対象とされない機器や給電を要求しなくなった機器Ｅが載置面６に置かれている場合には、無駄な励磁を防ぐとともに安全である。
【０１４９】
（５）本実施形態では、給電装置１の載置面６に何も載置されていないとき、全ての１次コイルＬ１は間欠励磁状態になることから、待機中の消費電力を抑えることができる。
（６）また、１次コイルＬ１の間欠励磁は、載置面６に載置され他機器Ｅの２次コイルＬ２に対して微小な２次電力を発生させることができるようにした。
【０１５０】
従って、２次電池で動作する携帯電話のような機器Ｅが載置面６に載置された場合、この微小２次電力によって少しずつ充電される。つまり、載置した時点では２次電池が充電されておらず、２次電池で動作する機器Ｅの機器側送受信回路９が動作しない場合が生じる。この場合、機器Ｅの機器側送受信回路９はこの２次電池の少しずつの充電によって、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱの生成及び送信を可能にすることができる。
【０１５１】
（７）しかも、載置した機器Ｅから給電の停止を要求するための励磁要求信号ＲＱの消失があったとき、１次コイルＬ１の励磁を連続励磁から間欠励磁に切り替え機器Ｅへの給電を停止するようにした。これによって、機器Ｅへの給電が高精度にかつ安全に行えるとともに、消費電力の低減を図ることができる。
【０１５２】
（８）本実施形態では、給電装置１の載置面６に載置された金属片７を検知する金属検出アンテナＡＴ２を設け、金属検出アンテナＡＴ２が金属片７を検知したとき、１次コイルＬ１の励磁を連続励磁から間欠励磁に切り替え機器Ｅへの給電を停止するようにした。これによって、載置面６に載置された金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。
【０１５３】
（９）また、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２をオンオフさせる第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２の波形は、ともにロー・レベルとなるになるデッドタイムｔｄが設定されていることから、デッドタイムｔｄにおいて、ソフトスイッチングが自動的行われる。
【０１５４】
従って、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２のソース・ドレイン間の電圧をゼロボルトになってからオンさせることができるため、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２のターンオン損失を無くすことができる。また、ターンオン時やターンオフ時の１次コイルＬ１に流れる電流波形の高調波成分を小さくできることからノイズも低減できる。
【０１５５】
（１０）さらに、各１次コイルＬ１の大きさを、機器Ｅが載置面６に載置されたとき、その２次コイルＬ２の直下に位置する１次コイルＬ１が、２次コイルＬ２の面積に１以上内包される大きさに設定した。
【０１５６】
従って、給電される機器Ｅは、機器Ｅの持つ２次コイルＬ２の面積に相当する必要最小限の１次コイルＬ１群にて励磁ができるため、高効率の駆動ができる。
尚、本実施形態では、第１オア回路２３と第２オア回路２４はそれぞれ同じインバータ制御信号Ｖｓｓ及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを入力する。従って、第１オア回路２３の第１出力信号Ｖｒｓ１と第２オア回路２４の第２出力信号Ｖｒｓ２は同じ出力波形であるため、第１オア回路２３と第２オア回路２４のいずれか一方を省略してもよい。そして、残した例えば、第１オア回路２３からの第１出力信号Ｖｒｓ１を、第１アンド回路２１に出力するとともに、第２アンド回路２２に第２出力信号Ｖｒｓ２として出力してもよい。
【０１５７】
これによって、高周波インバータ回路１５の回路規模を縮小することができる。
また、本実施形態では、機器Ｅから機器認証信号ＩＤと励磁要求信号ＲＱを入力したが、機器認証信号ＩＤだけであったり、また、励磁要求信号ＲＱであったりと、いずれか一方の信号だけであってもよい。これによって、省部品で安価な構成ができる。
【０１５８】
さらに、本実施形態では、特に機器Ｅから送信される励磁要求信号ＲＱの無線周波数については、詳述しなかったが、機器Ｅの電源もしくは１次コイルＬ１からの電磁誘導で得られた機器Ｅ側の補助電源を利用して、１次コイルＬ１の励磁周波数とは異なる周波数の無線信号を作り、この異なる周波数の無線信号を励磁要求信号で変調し、直下の給電モジュールＭに送信する。そして、励磁要求受信回路１１は、信号受信アンテナＡＴ１がこの変調された無線信号を検出して励磁信号を復調してもよい。
【０１５９】
これにより、励磁要求受信回路１１は、信号受信アンテナＡＴ１を介して１次コイルＬ１の励磁周波数とは異なる独立した周波数の変調された無線信号を検出して励磁要求信号を復調し励磁同期信号を得るので、高信頼のシステムができる。
【０１６０】
さらにまた、本実施形態では、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔをシステム制御部８で生成し出力するようにしたが、これを励磁制御回路１４又は高周波インバータ回路１５内で生成してもよい。
【０１６１】
また、本実施形態では、１次コイルＬ１の大きさを、機器Ｅが載置面６に載置されたとき、その２次コイルＬ２の直下に位置する１次コイルＬ１が、２次コイルＬ２の面積に１以上内包される大きさに設定した。しかし、これに限定されるものではなく、１個の２次コイルＬ２の面積よりも、直下にくる１次コイルＬ１の１個の面積が大きくてもよい。効率は落ちるが、要は、１次コイルＬ１と２次コイルＬ２の間で電磁誘導が行われ２次コイルＬ２に給電電力が発生すればよい。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について、図１１に従って説明する。
【０１６２】
本実施形態は、第１実施形態の給電装置１では待機状態において全ての１次コイルＬ１を間欠励磁させるのに対して、機器Ｅを含む物体３０が載置面６に載置された時、初めて１次コイルＬ１の全部又は一部分が間欠励磁を行うこと点に特徴を有している。
【０１６３】
尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の部分については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図１１に示すように、給電装置１の天板５の上面（載置面６）であって、前記各金属検出アンテナＡＴ２の配置位置に、それぞれ物体検出センサ３１が設けられている。従って、各物体検出センサ３１は、載置面６の全体に一様に配置されている。
【０１６４】
各物体検出センサ３１は、本実施形態では、発光素子と受光素子からなる光反射型のセンサであって、物体３０（図１２参照）が直上に配置されたとき、発光素子が真上に出射した光が物体３０に反射しその反射光を受光子が受光することによって、物体３０を検知し、物体有り信号ＭＴを出力するセンサである。従って、物体３０が直上に配置されていないとき、発光素子が出射した光は、反射光とならず受光素子は光を受光できず物体有り信号ＭＴを出力しない。
【０１６５】
尚、物体検出センサ３１は、本実施形態では、発光素子と受光素子からなる光反射型のセンサであったが、物体３０の重さを検出する圧力検出素子で具体化してもよい。要は、材質に限らず金属、プラスチック、木製とどんな材質の物体３０を検出できる物体検出センサであればよい。
【０１６６】
各物体検出センサ３１は、対向して配置された金属検出アンテナＡＴ２を接続した給電モジュールＭに接続され、物体３０を検出した時、物体有り信号ＭＴを、当該給電モジュールＭに出力するようになっている。
【０１６７】
図１２は、本実施形態の給電装置１の電気的構成を示す電気ブロック回路図を示す。
図１２において、各給電モジュールＭには、励磁要求受信回路１１、機器認証受信回路１２、金属検出回路１３、励磁制御回路１４、高周波インバータ回路１５に加えて、物体検出回路３２を備えている。
【０１６８】
物体検出回路３２は、物体検出センサ３１に接続され、対応する物体検出センサ３１から出力される物体有り信号ＭＴを入力する。そして、物体検出回路３２は、その物体有り信号ＭＴを載置面６に物体３０が載置されたとして励磁制御回路１４に出力する。
【０１６９】
励磁制御回路１４は、励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱ、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤ及び金属検出回路１３からの金属有り信号ＳＴに加えて、物体検出回路３２からの物体有り信号ＭＴを、自身の給電モジュールＭを識別するモジュール識別信号を付加して、システム制御部８に出力する。
【０１７０】
システム制御部８は、励磁制御回路１４から物体有り信号ＭＴのみを入力すると、当該給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５の発振回路１６に対して、前記した第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを出力する。
【０１７１】
つまり、本実施形態の給電装置１は、電源スイッチがオンされても、全ての１次コイルＬ１が休止されており、間欠励磁されていない。そして、給電装置１は、物体３０が検知されたとき、その物体３０が載置された位置の１次コイルＬ１のみが間欠励磁され、他の位置にある１次コイルＬ１は励磁させないで休止させている。
【０１７２】
従って、機器Ｅを含む物体３０が載置されていない時には、全ての１次コイルＬ１は間欠励磁されず、仮に、機器Ｅでない物体３０が載置された時、その部分の１次コイルＬ１が間欠励磁されるだけなので、待機状態での消費電力を大幅に削減できる。
【０１７３】
次に、上記のように構成した給電装置１の作用を、図１３に示すシステム制御部８の処理動作を示すフローチャートに従って説明する。
尚、本実施形態では、物体検出センサ３１からの物体有り信号ＭＴの有無に基づいてシステム制御部８が制御対象となる１次コイルＬ１を選定し、その選定された１次コイルＬ１の励磁制御する点に特徴を有し、その他は基本的に第１実施形態と同じである。そのため、その特徴部分について詳細に説明し共通の部分は説明の便宜上省略する。
【０１７４】
今、図示しない電源スイッチがオンされて、給電装置１に電源が供給されると（ステップＳ２−１でＹＥＳ）、システム制御部８は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを出力することなく（ステップＳ２−２）、各給電モジュールＭからの物体有り信号ＭＴを待ち（ステップＳ２−３）。即ち、システム制御部８は、全ての１次コイルＬ１に対して間欠励磁をしない状態で物体有り信号ＭＴを待つ。
【０１７５】
やがて、載置面６の所定の位置に物体３０が載置されると、載置された物体３０の直下に位置する複数の給電モジュールＭに接続した物体検出センサ３１が物体３０を検知し物体有り信号ＭＴを出力する。そして、物体検出センサ３１から物体有り信号ＭＴを入力した各給電モジュールＭの励磁制御回路１４は、該物体有り信号ＭＴをシステム制御部８に出力する。
【０１７６】
システム制御部８が、各給電モジュールＭから物体有り信号ＭＴを入力すると（ステップＳ２−３でＹＥＳ）、物体有り信号ＭＴを出力して給電モジュールＭに接続された１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させる（ステップＳ２−４）。
【０１７７】
すなわち、システム制御部８は、載置された物体３０の直下に位置する複数の給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に対して、１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させるための第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを出力する。これによって、載置された物体３０の直下に位置する１次コイルＬ１のみが間欠的に励磁される。
【０１７８】
続いて、システム制御部８は、各給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待ち（ステップＳ２−５）、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが入力されるまで、ステップＳ２−３〜ステップＳ２−５を繰り返す。つまり、載置された物体３０の直下に位置する各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を継続する。従って、この間に、物体３０が取り除かれたときには（ステップＳ２−３でＮＯ）、システム制御部８は、ステップＳ２−２に移行し、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔの出力を停止して、１次コイルＬ１の間欠励磁を停止する。
【０１７９】
やがて、載置された物体３０が機器Ｅであるとき、同物体３０、即ち機器Ｅは、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱが機器Ｅの直下に位置する給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に向かって送信する。
【０１８０】
そして、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４は、励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱを、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤをそれぞれシステム制御部８に出力する。
【０１８１】
システム制御部８は、励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを入力すると（ステップＳ２−５でＹＥＳ）、該給電モジュールＭの直上に給電可能であって給電を要求している機器Ｅが載置されたとして該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを出力する（ステップＳ２−６）。
【０１８２】
即ち、励磁制御回路１４は、許可信号ＥＮに応答して、高周波インバータ回路１５（励磁同期信号発生回路１７）に対して駆動制御信号ＣＴを出力する。これによって、機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１に対して連続励磁を開始する。
【０１８３】
続いて、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したか、金属有り信号ＳＴが出力されたかどうかの判断をし（ステップＳ２−７，Ｓ２−８）、励磁要求信号ＲＱが消失せず（ステップＳ２−７でＮＯ）、金属有り信号ＳＴが出力されない（ステップＳ２−７でＮＯ）の場合、ステップＳ２−５に戻り、１次コイルＬ１に対して連続励磁を継続する（ステップＳ２−５〜ステップＳ２−８）。即ち、機器Ｅに対して給電を継続する。従って、機器Ｅは、給電装置１から非接触給電を受け、その給電電力にて負荷Ｚを駆動させる。
【０１８４】
ここで、ステップＳ２−７において、機器Ｅが載置面６から取り外されたとき、又は、励磁要求信号ＲＱが消失したとき、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したと判断して（ステップＳ２−５でＹＥＳ）、ステップＳ２−９に移行して、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知するとともに、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの出力を停止し、ステップＳ２−５に移る。
【０１８５】
システム制御部８は、ステップＳ２−５に移ると、該給電モジュールＭからの新たな励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが入力されていないことから（ステップＳ２−５でＮＯ）、ステップＳ２−３に移行する。このとき、システム制御部８は、物体有り信号ＭＴも消失していることから（ステップＳ２−３でＮＯ）、ステップＳ２−２に移行して、給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に出力していた第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを停止し、１次コイルＬ１の間欠励磁を停止する。即ち、システム制御部８は、今まで機器Ｅに給電していたために励磁駆動していた１次コイルＬ１の励磁を停止する。
【０１８６】
また、ステップＳ２−８において、給電モジュールＭから金属有り信号ＳＴが入力されたとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭからの金属有り信号ＳＴが出力に応答して（ステップＳ６でＹＥＳ）、ステップＳ２−９に移行する。
【０１８７】
従って、金属有り信号ＳＴが出力された場合、システム制御部８は、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知するとともに、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの出力を停止し、ステップＳ２−５に戻る。以後、金属有り信号ＳＴが消失するまで、システム制御部８は、ステップＳ２−５〜ステップＳ２−９の処理を繰り返し報知ランプ又は報知ブザーを駆動し続ける。システム制御部８は、ステップＳ２−５〜ステップＳ２−９の処理を繰り返す際、ステップＳ２−６での連続励磁の処理時間は、ステップＳ２−９での許可信号ＥＮの出力停止時間より、遙かに短いため該給電モジュールＭの１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を行う。
【０１８８】
従って、金属片７があると判断された状態が続く場合には、継続した間欠励磁となり、金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。
こように、本実施形態では、給電装置１に何も載置されていない場合は、全ての１次コイルＬ１の励磁動作を停止させるようにしたので、さらに消費電力の低減を図ることができる。
【０１８９】
また、物体３０（機器Ｅ）が載置された場合、その載置された位置にある１次コイルＬ１だけを励磁動作させるようにしたので消費電力の低減をさらに図ることができる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態について、図１４に従って説明する。
【０１９０】
上記第１実施形態の給電装置１においては、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、それぞれ１種類であったが、本実施形態では、第１励磁同期信号Ｖｓ１及び第２励磁同期信号Ｖｓ２が、周波数の異なる２種類の低周波用及び高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ１ｂ、並びに、低周波用及び高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａ，Ｖｓ２ｂを有し、載置される機器Ｅに応じて、又は、機器のその時々の状態に応じて異なる周波数の励磁同期信号を出力する点に特徴を有している。
【０１９１】
尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の部分については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図１４は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５を示す電気回路を示す。
【０１９２】
第１アンド回路２１は、一方の入力端子には第１切替回路４１が接続され、同第１切替回路４１から低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａと高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂのいずれかが入力される。また、第１アンド回路２１は、他方の入力端子には前記第１オア回路２３が接続され、第１オア回路２３から第１出力信号Ｖｒｓ１が入力されている。
【０１９３】
第１切替回路４１は、図１５に示すように、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが入力される第１トランスミッションゲート４１ａと、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが入力される第２トランスミッションゲート４１ｂを有している。
【０１９４】
低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａは、本実施形態では、図１６に示すように、第１実施形態の第１励磁同期信号Ｖｓ１と同じ波形の信号である。つまり、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａは、その周期Ｔｓ１ａ、ハイの時間ｔａ１ａ、ローの時間ｔｂ１ａが第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１、ハイの時間ｔａ１、ローの時間ｔｂ１と同じに設定されている。そして、この低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
【０１９５】
一方、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂは、図１６に示すように、その周期Ｔｓ１ｂが低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの周期Ｔｓ１ａの２分の１であって、そのハイの時間ｔａ１ｂ、ローの時間ｔｂ１ｂも、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａのハイの時間ｔａ１ａ、ローの時間ｔｂ１ａの２分の１にそれぞれ設定されている。
【０１９６】
そして、この高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
そして、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが入力される第１トランスミッションゲート４１ａは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ４が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３のゲート端子には第１切替信号ＳＷ１が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ４のゲート端子には第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が入力される。従って、第１トランスミッションゲート４１ａは、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が入力されたとき、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを第１アンド回路２１に出力するようになっている。
【０１９７】
尚、この第１切替信号ＳＷ１は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
一方、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが入力される第２トランスミッションゲート４１ｂは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ５とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ６が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ５のゲート端子は第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ６のゲート端子は前記第１切替信号ＳＷ１が入力される。従って、第２トランスミッションゲート４１ｂは、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が入力されたとき、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを第１アンド回路２１に出力するようになっている。
【０１９８】
つまり、第１切替回路４１は、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が出力されているとき、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを第１アンド回路２１に出力し、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が出力されているとき、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを第１アンド回路２１に出力するようになっている。
【０１９９】
第２アンド回路２２は、一方の入力端子には第２切替回路４２が接続され、同第２切替回路４２から低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａと高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂのいずれかが入力される。また、第２アンド回路２２は、他方の入力端子には前記第２オア回路２４が接続され、第２オア回路２４から前記第２出力信号Ｖｒｓ２が入力されている。
【０２００】
第２切替回路４２は、図１５に示すように、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが入力される第３トランスミッションゲート４２ａと、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが入力される第４トランスミッションゲート４２ｂを有している。
【０２０１】
低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａは、本実施形態では、図１６に示すように、第１実施形態の第２励磁同期信号Ｖｓ２と同じ波形の信号である。つまり、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａは、その周期Ｔｓ２ａ、ハイの時間ｔａ２ａ、ローの時間ｔｂ２ａが第２励磁同期信号Ｖｓ２の周期Ｔｓ２、ハイの時間ｔａ２、ローの時間ｔｂ２と同じに設定されている。そして、この低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
【０２０２】
一方、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂは、図１６に示すように、その周期Ｔｓ２ｂが低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの周期Ｔｓ１ａの２分の１であって、ハイの時間ｔａ２ｂ、ローの時間ｔｂ２ｂも、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａのハイの時間ｔａ２ａ、ローの時間ｔｂ２ａの２分の１にそれぞれ設定されている。そして、この高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から出力されている。
【０２０３】
そして、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが入力される第３トランスミッションゲート４２ａは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ７とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ８が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ７のゲート端子は前記第１切替信号ＳＷ１が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ８のゲート端子には第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が入力される。従って、第３トランスミッションゲート４２ａは、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が入力されたとき、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを第２アンド回路２２に出力するようになっている。
【０２０４】
一方、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが入力される第４トランスミッションゲート４２ｂは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ９とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１０が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ９のゲート端子はインバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１０のゲート端子は前記切替信号ＳＷ１が入力される。従って、第４トランスミッションゲート４２ｂは、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が入力されたとき、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを第２アンド回路２２に出力するようになっている。
【０２０５】
つまり、第２切替回路４２は、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が出力されているとき、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを第２アンド回路２２に出力し、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が出力されているとき、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを第２アンド回路２２に出力するようになっている。
【０２０６】
従って、第１及び第２切替回路４１，４２がハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を入力しているとき、第１アンド回路２１は低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを入力し、第２アンド回路２２は低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを入力する。反対に、第１及び第２切替回路４１，４２がロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１を入力しているとき、第１アンド回路２１は高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを入力し、第２アンド回路２２は高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを入力する。
【０２０７】
そして、（Ａ）第１切替信号ＳＷ１がハイ・レベルであって、第１及び第２アンド回路２１，２２が第１及び第２オア回路２３，２４からインバータ制御信号Ｖｓｓをそれぞれ第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２を入力しているとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａをそれぞれ第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２として第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ出力する。
【０２０８】
つまり、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａと低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａは波形が反転した関係にあることから、前記実施形態と同様に、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は連続的に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の交互のオンオフによって、１次コイルＬ１は、連続励磁駆動される。
【０２０９】
（Ｂ）反対に、第１切替信号ＳＷ１がロー・レベルであって、第１及び第２アンド回路２１，２２が第１及び第２オア回路２３，２４からインバータ制御信号Ｖｓｓをそれぞれ第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２として入力しているとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂをそれぞれ第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２として第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ出力する。
【０２１０】
つまり、この場合にも、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂと高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂは波形が反転した関係にあることから、前記実施形態と同様に、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は連続的にしかも高速に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の交互のオンオフによって、１次コイルＬ１は、高周波数で連続励磁駆動される。
【０２１１】
因みに、（Ｃ）第１切替信号ＳＷ１がハイ・レベルであって、第１及び第２アンド回路２１，２２が第１及び第２オア回路２３，２４から間欠ハイ信号Ｖｓｔをそれぞれ第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２として入力しているとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａをそれぞれ第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２として第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ出力する。
【０２１２】
つまり、間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている間、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａと低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａに応答して、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は間欠的に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の間欠的なオンオフによって、１次コイルＬ１は、間欠励磁駆動される。
【０２１３】
（Ｄ）反対に、第１切替信号ＳＷ１がロー・レベルであって、第１及び第２アンド回路２１，２２が第１及び第２オア回路２３，２４からインバータ制御信号Ｖｓｓをそれぞれ第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２として入力しているとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂをそれぞれ第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２として第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ出力する。
【０２１４】
つまり、この場合にも、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂと高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂは波形が反転した関係にあることから、間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている間、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は間欠的にしかも高速に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２の間欠的な交互のオンオフによって、１次コイルＬ１は、高周波数で間欠励磁駆動される。
【０２１５】
このように構成された給電装置１は、載置された機器Ｅが、その時々の状態で２種類の異なる周波数で励磁を要求する場合に有効である。この場合、機器Ｅは、機器側送受信回路９が励磁要求信号ＲＱを生成し送信する際、励磁要求信号ＲＱに、２次コイルＬ２を低周波数の励磁にて給電を要求するか、高周波数で励磁にて給電を要求するかの種別信号を合わせて送信することになる。
【０２１６】
例えば、機器Ｅがスリープ機能を有するとき、給電を受けて負荷Ｚを駆動させていた状態から、負荷Ｚを駆動させないスリープ状態になったとき、１次コイルＬ１を高周波数から低周波数の励磁駆動に変えることにより、消費電力の低減が可能となる。
【０２１７】
また、機器Ｅが充電器のように、満充電に近づいたとき、１次コイルＬ１を、高周波数から低周波数の励磁駆動に変えることにより、より高効率な制御が可能となる。
勿論、終始いずれか一方の周波数の励磁を要求する種別信号を送信する機器Ｅであってもよい。
【０２１８】
そして、励磁要求受信回路１１が、励磁要求信号ＲＱと種別信号を入力すると、その励磁要求信号ＲＱと種別信号を励磁制御回路１４は、システム制御部８に出力する。システム制御部８は、種別信号に基づいて、載置された機器Ｅが低周波数の励磁を要求している場合には、高周波インバータ回路１５の発振回路１６に設けた第１及び第２切替回路４１，４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力する。
【０２１９】
これによって、第１アンド回路２１には、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが、第２アンド回路２２には、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが入力される。その結果、１次コイルＬ１は、低周波数の低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，号Ｖｓ２ａに基づいて、間欠励磁又は連続励磁が行われ、載置された機器Ｅの要求に応じた低周波数の励磁が行われる。
【０２２０】
一方、載置された機器Ｅが高周波数の励磁を要求している場合には、システム制御部８は、第１及び第２切替回路４１，４２にロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力する。これによって、第１アンド回路２１には、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが、第２アンド回路２２には、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが入力される。その結果、１次コイルＬ１は、高周波数の高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂに基づいて、間欠励磁又は連続励磁が行われ、載置された機器Ｅの要求に応じた高周波数の励磁が行われる。
【０２２１】
また、システム制御部８は、第１実施形態のように、機器Ｅが載置されてない間欠励磁のとき、第１及び第２切替回路４１，４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力する。これによって、間欠励磁の際には、低周波数に励磁動作を行い消費電力の低減を図るようにしている。
【０２２２】
次に、上記のように構成した給電装置１の作用について図１７に従って説明する。
今、時刻ｔ１において、機器Ｅが載置され、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び低周波数での励磁要求の種別信号が送信されると、システム制御部８は、直ちに、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力し、第１切替回路４１は低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを選択状態に、第２切替回路４２は低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを選択状態にする。そして、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされて１次コイルＬ１は連続励磁される。
【０２２３】
従って、載置された機器Ｅは、低周波数で連続励磁され給電される。
そして、時刻ｔ２において、機器Ｅが取り去られると、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び低周波数での励磁要求の種別信号が消失する。システム制御部８は、直ちに、第１実施形態と同様に、間欠励磁移る。
【０２２４】
このとき、システム制御部８は、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力し続け、第１切替回路４１は低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの選択状態を、第２切替回路４２は低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの選択状態を維持する。そして、間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている間、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされて１次コイルＬ１は間欠励磁される。
【０２２５】
やがて、時刻ｔ３において、新たな機器Ｅが載置され、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び高周波数での励磁要求の種別信号が送信されると、システム制御部８は、直ちに、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１を出力し、第１切替回路４１は高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを選択状態に、第２切替回路４２は高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを選択状態にする。そして、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，及び第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされて１次コイルＬ１は連続励磁される。
【０２２６】
従って、載置された機器Ｅは、高周波数で連続励磁され給電される。
こように、本実施形態では、第１実施形態の効果に加えて、機器Ｅが載置されてない間欠励磁のときには、低周波数に励磁動作ができ消費電力の低減を図ることができる。
【０２２７】
また、載置された機器Ｅの時々の状態で２種類の異なる周波数で励磁給電できより高精度で高効率な制御が可能となる。
（第４実施形態）
次に、第４実施形態について、図１８に従って説明する。
【０２２８】
上記第１実施形態の給電装置１においては、第１励磁同期信号Ｖｓ１及び第２励磁同期信号Ｖｓ２は、それぞれ連続して出力されるハイ・ロー信号であった。本実施形態では、これを必要なときに出力される励磁同期信号である点に特徴を有している。
【０２２９】
尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の部分については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図１８は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５を示す電気回路を示す。
【０２３０】
図１８において、第１パワートランジスタＱ１のゲート端子には、第３切替回路４５が接続され、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子には、第４切替回路４６が接続されている。
【０２３１】
第３切替回路４５は、システム制御部８から出力される間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉと、第１励磁同期信号発生回路１７ａから出力される連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを入力し、いずれか一方を選択して第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に第１オンオフ信号Ｖｇ１として出力する。第４切替回路４６は、システム制御部８から出力される間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉと、第２励磁同期信号発生回路１７ｂから出力される連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを入力し、いずれか一方を選択して第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に第２オンオフ信号Ｖｇ２として出力する。
【０２３２】
第３切替回路４５は、図１９に示すように、第５トランスミッションゲート４５ａと第６トランスミッションゲート４５ｂを有している。そして、第５トランスミッションゲート４５ａは、出力端子が第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に接続され、入力端子にシステム制御部８から間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉが入力されるようになっている。第６トランスミッションゲート４５ｂは、出力端子が第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に接続され、入力端子に第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃが入力されるようになっている。
【０２３３】
第５トランスミッションゲート４５ａは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１２が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１１のゲート端子は第２切替信号ＳＷ２が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート端子には第２インバータ回路４７を介して第２切替信号ＳＷ２が入力される。
【０２３４】
従って、第５トランスミッションゲート４５ａは、ハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき、システム制御部８から間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に出力するようになっている。
【０２３５】
反対に、第５トランスミッションゲート４５ａは、ロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき、システム制御部８からの間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に出力しないようになっている。
【０２３６】
一方、第６トランスミッションゲート４５ｂは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１４が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３のゲート端子は第２インバータ回路４７を介して第２切替信号ＳＷ２が入力され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３のゲート端子には第２切替信号ＳＷ２が入力される。
【０２３７】
従って、第６トランスミッションゲート４５ｂは、ロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に出力するようになっている。
【０２３８】
反対に、第６トランスミッションゲート４５ｂ、ハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に出力しない。
【０２３９】
つまり、第３切替回路４５は、ハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを、ロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が入力されたとき連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを、それぞれ第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に第１オンオフ信号Ｖｇ１として出力するようになっている。
【０２４０】
第４切替回路４６は、第７トランスミッションゲート４６ａと第８トランスミッションゲート４６ｂを有している。そして、第７トランスミッションゲート４６ａは、出力端子が第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に接続され、入力端子にシステム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが入力されるようになっている。第８トランスミッションゲート４６ｂは、出力端子が第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に接続され、入力端子に第２励磁同期信号発生回路１７ｂから連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが入力されるようになっている。
【０２４１】
第７トランスミッションゲート４６ａは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５のゲート端子は第３切替信号ＳＷ３が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６のゲート端子には第３インバータ回路４８を介して第３切替信号ＳＷ３が入力される。
【０２４２】
従って、第７トランスミッションゲート４６ａは、ハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたとき、システム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に出力するようになっている。
【０２４３】
反対に、第７トランスミッションゲート４６ａは、ロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたとき、システム制御部８からの間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に出力しない。
【０２４４】
一方、第８トランスミッションゲート４６ｂは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１７とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１８が並列に接続されている。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１７のゲート端子は第３インバータ回路４８を介して第３切替信号ＳＷ３が入力され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６のゲート端子には第３切替信号ＳＷ３が入力される。
【０２４５】
従って、第８トランスミッションゲート４６ｂは、ロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたとき、第２励磁同期信号発生回路１７ｂからの間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に出力するようになっている。
【０２４６】
反対に、第８トランスミッションゲート４６ｂは、ハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたとき、第２励磁同期信号発生回路１７ｂからの連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に出力しないようになっている。
【０２４７】
つまり、第４切替回路４６は、ハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたときは間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを、ロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が入力されたときは連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを、それぞれ第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に第２オンオフ信号Ｖｇ２として出力するようになっている。
【０２４８】
第１励磁同期信号発生回路１７ａは、システム制御部８からの許可信号ＥＮに応答して励磁制御回路１４から出力される駆動制御信号ＣＴを入力する。
第１励磁同期信号発生回路１７ａは、駆動制御信号ＣＴに応答して、図２０に示すように、ロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２と、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第３切替回路４５に出力する。従って、第３切替回路４５は、許可信号ＥＮが出力されたとき、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１に出力する。因みに、第３切替回路４５は、許可信号ＥＮが出力されていないとき、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１に出力する。
【０２４９】
一方、第２励磁同期信号発生回路１７ｂは、システム制御部８からの許可信号ＥＮに応答して励磁制御回路１４から出力される駆動制御信号ＣＴを入力する。
第２励磁同期信号発生回路１７ｂは、駆動制御信号ＣＴに応答して、図２０に示すように、ロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３と、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第４切替回路４６に出力する。従って、第４切替回路４６は、許可信号ＥＮが出力されたとき、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第２パワートランジスタＱ２に出力する。因みに、第４切替回路４６は、許可信号ＥＮが出力されていないとき、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第１パワートランジスタＱ１に出力する。
【０２５０】
ここで、間欠用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｉ，Ｖｓ２ｉと連続用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｃ，Ｖｓ２ｃについて説明する。
まず、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉと間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉは、第１実施形態で、間欠励磁されているときの、第１オンオフ信号Ｖｇ１と第２オンオフ信号Ｖｇ２にそれぞれ対応させている。つまり、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉは、間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている時に出力される第１オンオフ信号Ｖｇ１として出力される第１励磁同期信号Ｖｓ１と同じ波形となる。また、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉは、間欠ハイ信号Ｖｓｔが出力されている時に出力される第２オンオフ信号Ｖｇ２として出力される第２励磁同期信号Ｖｓ２と同じ波形となる。
【０２５１】
次に、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃと連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃは、第１実施形態で、連続励磁されているときの、第１オンオフ信号Ｖｇ１と第２オンオフ信号Ｖｇ２にそれぞれ対応させている。つまり、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃは、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが出力されている時に出力される第１オンオフ信号Ｖｇ１として出力される第１励磁同期信号Ｖｓ１と同じ波形となる。また、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃは、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが出力されている時に出力される第２オンオフ信号Ｖｇ２として出力される第２励磁同期信号Ｖｓ２と同じ波形となる。
【０２５２】
こように、本実施形態では、第１実施形態のように同期の揃った間欠励磁ができる。また、機器Ｅが載置されたには、対応する１次コイルＬ１に対して同期の揃った連続励磁することができる。
【０２５３】
尚、この間欠励磁に関しては、全ての１次コイルが、同期が揃った間欠励磁になる必要がなく、いくつかの１次コイルで区分けされたグループの中のみが同期励磁になっており、このグループ毎が時分割で励磁されるようにしてもよい。
【０２５４】
（第５実施形態）
次に、第５実施形態について、図２１に従って説明する。
上記第４実施形態の給電装置１においては、連続用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｃ，Ｖｓ２ｃの信号波形は、それぞれ給電装置１の第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂで生成し出力した。本実施形態では、これを機器Ｅ側からの信号によって、第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂにて生成し出力する点に特徴を有している。
【０２５５】
尚、説明の便宜上、第４実施形態と共通の部分については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図２１は、第５実施形態の各給電モジュールＭの電気回路図を示す。
【０２５６】
機器Ｅは、機器側送受信回路９に加えて、第２機器側送受信回路９ａを備えている。第２機器側送受信回路９ａは、自身の２次コイルＬ２が給電励磁される際の、励磁される周期を決定する振幅変調された変調信号Ｓｉｎ１を生成し、アンテナＡＴ４を介して直下に位置する給電モジュールＭに送信するようになっている。変調信号Ｓｉｎ１は、図２２に示すように、大きい値の振幅値と小さな値の振幅値が、一定期間交互に繰り返す変調信号である。
【０２５７】
給電モジュールＭの励磁要求受信回路１１は、第２機器側送受信回路９ａからの変調信号Ｓｉｎ１を受信する。励磁要求受信回路１１は、変調信号Ｓｉｎ１を検波復調し、図２２に示すように、振幅値が大きい期間ではハイ・レベルに、振幅値が小さい期間ではロー・レベルとなるハイ・ロー信号Ｓｉｎ２に波形整形して、励磁制御回路１４に出力する。
【０２５８】
そして、励磁制御回路１４は、このハイ・ロー信号Ｓｉｎ２を、前記第４実施形態の高周波インバータ回路１５に設けた図１８に示す第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂに出力する。
【０２５９】
第１励磁同期信号発生回路１７ａは、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２に基づいて、図２２に示すような、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを生成し出力するようになっている。詳述すると、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２がハイ・レベルに立ち上がった後に、ハイ・レベルとなり、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２がロー・レベルに立ち下がる前にロー・レベルに立ち下がる信号を出力する。
【０２６０】
一方、第２励磁同期信号発生回路１７ｂは、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２に基づいて、図２２に示すような、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを生成し出力するようになっている。詳述すると、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２がロー・レベルに立ち下がった後に、ハイ・レベルとなり、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２がハイ・レベルに立ち上がる前にロー・レベルに立ち下がる信号を出力する。
【０２６１】
従って、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃと連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃとの間において、ともにロー・レベルとなるデッドタイムｔｄが形成される。
このように、本実施形態では、機器Ｅが要求する励磁周波数で、励磁給電されることから、機器Ｅに応じて、高精度で高効率な給電制御が可能となる。
【０２６２】
尚、本実施形態では、励磁要求受信回路１１は、変調信号Ｓｉｎ１を検波復調し、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ２を生成した。これを、図２３に示すように、励磁要求受信回路１１は、振幅値が大きい期間ではプラス電位に、振幅値が小さい期間ではマイナス電位となるハイ・ロー信号Ｓｉｎ２に波形整形して、励磁制御回路１４に出力するようにしてもよい。そして、このハイ・ロー信号Ｓｉｎ２に基づいて、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃ及び連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを生成してもよい。
【０２６３】
(第６実施形態) 
次に、第６の実施形態について、図２４に従って説明する。
第１実施形態では、機器Ｅからの励磁要求信号ＲＱの送信信号を、給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１にて受信して励磁要求受信回路１１に出力した。本実施形態では、機器Ｅからの励磁要求信号ＲＱの送信信号を、給電モジュールＭの１次コイルＬ１が受信する点に特徴を有する。
【０２６４】
尚、説明の便宜上、第１実施形態と共通の部分については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
図２４は、第６実施形態の給電モジュールＭと機器Ｅの電気回路図を示す。
【０２６５】
図２４において、機器Ｅの負荷Ｚは、２次コイルＬ２を介して、１次コイルＬ１に機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２を送信するようになっている。
機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２は、図２５に示すように、１次コイルＬ１の連続励磁に基づいて２次コイルＬ２に発生する電圧波形又は電流波形を励磁要求信号で振幅変調したものであって、機器Ｅの負荷Ｚが変調を行う。そして、本実施形態では、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２は、図２５に示すように、大きい値の振幅値と小さな値の振幅値が、一定期間交互に繰り返す変調信号である。
【０２６６】
尚、機器認証信号ＩＤは、機器側送受信回路９が第１実施形態と同様に行う。
給電モジュールＭの１次コイルＬ１は、送信された機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２を、給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１として受信する。そして、受信した給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１は、励磁要求受信回路１１ａに出力される。
【０２６７】
励磁要求受信回路１１ａは、この給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１を検波し、図２５に示すように、振幅値が大きい期間ではプラス電位に、振幅値が小さい期間ではマイナス電位となるハイ・ロー信号Ｓｉｎ３に検波し、励磁制御回路１４に出力する。励磁制御回路１４は、このハイ・ロー信号Ｓｉｎ３を、前記第１実施形態の高周波インバータ回路１５に設けた図４に示す励磁同期信号発生回路１７に出力する。
【０２６８】
そして、励磁同期信号発生回路１７は、このハイ・ロー信号Ｓｉｎ３をインバータ制御信号Ｖｓｓとして発振回路１６の第１及び第２オア回路２３，２４に出力する。
従って、本実施形態の場合、連続励磁においても、ハイ・ロー信号Ｓｉｎ３がマイナス電位の期間は、連続励磁は行われないことになる。
【０２６９】
このように、本実施形態では、給電装置１側に第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２を設け、機器Ｅからの機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２に従って、複数の１次コイルＬ１を同期励磁するため、機器Ｅ側の回路を簡素化できる。
【０２７０】
また、本実施形態では、機器側Ｅに、高周波インバータ回路１５の発振回路１６の第１及び第２パワートランジスタＱ１、Ｑ２のオンオフのための元信号（機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２）を持つため、機器Ｅに対応した様々な周波数やパターンの発振を同期励磁制御できる。
【０２７１】
さらに、本実施形態では、機器Ｅ側から高周波インバータ回路１５の発振回路１６の第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のオンオフのための元信号（機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２）を送る方法が、独立した信号経路でできているため、信頼性が高いものとなる。
【０２７２】
さらにまた、本実施形態では、機器Ｅ側から高周波インバータ回路１５の発振回路１６の第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のオンオフさせるための元信号（機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２）を送る方法が、電力伝送のための１次コイルＬ１と２次コイルＬ２を兼用できるため、回路構成が簡素化できる。
【０２７３】
（第７実施形態）
次に、第７実施形態を図２６に従って説明する。
本実施形態では、各給電モジュールＭが、機器Ｅとの間で情報の授受及び機器Ｅに対して微小電力供給を行うことができる点に特徴を有している。
【０２７４】
尚、本実施形態は、第２実施形態で説明した図１２に示す物体検出回路３２を備えた給電装置１に具体化したので、説明の便宜上、特徴部分を詳細に説明し、共通の部分は省略する。
【０２７５】
図２６は、本実施形態の給電モジュールＭと機器Ｅの電気ブロック回路を示す。
図２６において、給電モジュールＭは、給電側送受信回路４９が加えられている。給電側送受信回路４９は、給電側アンテナＡＴ５を介して載置された機器Ｅに向かって各種信号を送信したり、励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤ以外の機器Ｅから送信される各種信号を、同給電側アンテナＡＴ５を介して受信する。また、給電側送受信回路４９は、給電側アンテナＡＴ５を励磁して機器Ｅに微小電力の供給を行う。
【０２７６】
機器Ｅは、機器側送受信回路９に加えて、第３機器側送受信回路９ｂを備えている。第３機器側送受信回路９ｂは、機器側アンテナＡＴ６と接続され、給電側送受信回路４９から送信された各種信号を受信するとともに、同機器側アンテナＡＴ６を介して直下の給電モジュールＭに向かって各種信号を送信する。また、第３機器側送受信回路９ｂは、給電側アンテナＡＴ５が微小電力の供給のために励磁されることに基づいて機器側アンテナＡＴ６から発生する微小の２次供給電力を入力するようになっている。
【０２７７】
これにより、本実施形態によれば、給電装置１に機器Ｅとのより詳細な相互のデータ通信が可能となる。また、機器Ｅへの微小な電力伝送機能が追加されることから、機器Ｅが機器認証信号ＩＤ、励磁要求信号ＲＱ、その信号を作るための必要最小限の微小な電力を供給できる。
【０２７８】
また、機器Ｅが、電源を持たない場合に、１次コイルＬ１の間欠励磁ではなく、独立した微小電力供給を行える給電側送受信機能があるので、さらに低消費電力となる。
尚、信号の授受、微小電力供給のために給電側アンテナＡＴ５及び機器側アンテナＡＴ６を用いたが、１次コイルＬ１、２次コイルＬ２，信号受信アンテナＡＴ１、送受信アンテナＡＴ３等で代用してもよい。
【０２７９】
また、機器Ｅに新たに備えた第３機器側送受信回路９ｂを、励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤを生成する機器側送受信回路９で兼務させるようにしてもよい。
（第８実施形態）
次に、第８実施形態を図２７に従って説明する。
【０２８０】
本実施形態では、機器Ｅが載置されている間、連続励磁を行うのではなく、連続励磁が予めた一定駆動時間が経過する毎に、その予め定めた一定駆動時間より十分短い一定時間の１次コイルＬ１の励磁を休止させる点に特徴を有している。
【０２８１】
尚、本実施形態は、第１実施形態で説明した図３、図４の給電装置１に具体化したので、説明の便宜上、特徴部分を詳細に説明し、共通の部分は省略する。
本実施形態の高周波インバータ回路１５（図４参照）において、第１アンド回路２１の出力端子と第１パワートランジスタＱ１のゲート端子の間に、ＭＯＳトランジスタからなる第１トランスファーゲートを接続する。また、第２アンド回路２２の出力端子と第２パワートランジスタＱ２のゲート端子の間に、ＭＯＳトランジスタからなる第２トランスファーゲートを接続する。
【０２８２】
そして、第１及び第２トランスファーゲートに遮断信号が入力されると、第１及び第２アンド回路２１，２２から第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２に出力される第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２（第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２）を遮断するようになっている。
【０２８３】
この遮断信号は、本実施形態では、システム制御部８で生成されて出力される。システム制御部８は、機器Ｅが載置され許可信号ＥＮが出力された時から、内蔵したタイマを計時し、予め定めた駆動時間ｔｙ経過する毎に、駆動時間ｔｙに比べて十分短い予め定めた休止時間ｔｚだけ遮断信号を出力するようになっている。従って、機器Ｅが載置され許可信号ＥＮが出力されている間中、駆動時間ｔｙ経過する毎に、休止時間ｔｚだけ遮断信号が出力される。
【０２８４】
今、図２７に示すように、時刻ｔ１に機器Ｅが置かれ連続励磁が開始された場合、その時刻ｔ１から駆動時間ｔｙ経過すると、遮断信号が時間ｔｚだけ出力されて、第１及び第２アンド回路２１，２２から第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２に出力される第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２が消失される。
【０２８５】
その結果、休止時間ｔｚの間、第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２はオンオフされず、連続励磁は休止することになる。
尚、この休止時間ｔｚの間は、第１及び第２トランスファーゲートが遮断信号に基づいて第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２を遮断しているだけであって、給電装置１は、第１実施形態と同様に、図１０に示す処理動作を継続して実行する。
【０２８６】
このように、本実施形態では、１次コイルＬ１の連続励磁が休止する休止時間ｔｚに、機器認証信号ＩＤや励磁要求信号ＲＱに受信判別や信号送信ができるため、さらに信頼性のある給電が可能となる。
【０２８７】
（第９実施形態）
次に、第９実施形態を図２８に従って説明する。
本実施形態は、給電装置１に設けたれた複数の１次コイルＬ１が複数個の組みに区分され、その区分された組毎に間欠励磁され、時間が経過する毎に、間欠励磁される組の励磁パターンを異ならせた点に特徴を有する。
【０２８８】
図２８は、第９実施形態の給電装置１の１次コイルの配列状態を説明する説明図を示す。
図２８において、破線で示すように載置面６をＸ方向に３分割に、Ｙ方向に４分割することによって、１２個の第１〜第１２分割エリアＡ１〜Ａ１２が区画形成される。そして、第１〜第１２各分割エリアＡ１〜Ａ１２には、それぞれ４個の１次コイルＬ１が含まれる。
【０２８９】
そして、本実施形態では、第１〜第２分割エリアＡ１〜Ａ１２毎で、１次コイルＬ１を間欠励磁させるタイミングを異ならしている。
例えば、第１分割エリアＡ１、第２分割エリアＡ２、…、…、第１１分割エリアＡ１１、第１２分割エリアＡ１２の順で時間だけ間欠励磁させる。そして、第１２分割エリアＡ１２の間欠励磁が終わると、再び、第１分割エリアＡ１から間欠励磁を行い、これを繰り返す。
【０２９０】
そして、第１〜第１２分割エリアＡ１〜Ａ１２の間欠励磁タイミングパターンは、システム制御部８が行う。つまり、システム制御部８は、第１実施形態では、電源スイッチをオンしたとき、各１次コイルＬ１の給電モジュールＭに対して、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを、一斉に出力した。これを、本実施形態の場合、システム制御部８は、第１〜第２各分割エリアＡ１〜Ａ１２の各々に属する４個の１次コイルＬ１の給電モジュールＭに順番に所定のタイミングで、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを出力するようにしている。
【０２９１】
また、システム制御部８は、所定の時間が経過すると、先に行っていた第１〜第２各分割エリアＡ１〜Ａ１２の間欠励磁タイミングパターンを変更するようになっている。
例えば、上記した第１分割エリアＡ１、第２分割エリアＡ２、…、…、第１２分割エリアＡ１２の順の間欠励磁タイミングパターンを、第１２分割エリアＡ１２、第１１分割エリアＡ１１、…、…、第２分割エリアＡ２、第１分割エリアＡ１という反対の間欠励磁タイミングパターンを間欠励磁に変更する。これは、所定の時間が経過する毎に、システム制御部８は、先に行っていた間欠励磁パターンとは異なる間欠励磁パターンを実行するようにしている。
【０２９２】
この異なる間欠励磁パターンのデータは、システム制御部８に用意されていて、システム制御部８は、間欠励磁パターンのデータを用いて第１〜第２各分割エリアＡ１〜Ａ１２の間欠励磁タイミングパターンを変更する。
【０２９３】
本実施形態は、機器Ｅが置かれていない場合、又は、機器Ｅが置かれている場所以外の１次コイルＬ１は、待機状態の時には分割エリア毎に時分割で間欠励磁されるため、待機時間を削減でき、待機状態の消費電力の削減を図ることができる。
【０２９４】
また、全ての１次コイルＬ１が同時刻に一斉に励磁されないので、ノイズ放射レベルが小さくできる。
（第１０実施形態）
次に、第１０実施形態を図２９、図３０に従って説明する。
【０２９５】
本実施形態では、給電装置１を室内の床、壁、天井の少なくともいずれかに直接目で見えないように配置位置した点に特徴を有している。
図２９に示すように、給電装置１を室内５０の床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上に配置されている。
【０２９６】
床５１に配置した給電装置１は、図３０示すように、床５１の下に構成した格子状の木枠としての枠体６０で囲まれた空間Ｓに収容配置される。給電装置１は、適宜の空間Ｓに収容配置された後、床板５２が張られ、目に見えない床５１の下に配置される。
【０２９７】
同様に、壁５２、及び天井５３に配置される給電装置１も、壁５２中、天井５３の上にそれぞれ構成した格子状の枠体で囲まれた空間に収容配置されて、目に見えないように壁５１中及び天井５３上に配置される。
【０２９８】
尚、床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上にそれぞれ配置された各給電装置１は、それぞれ床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上に設けたコンセントと給電装置のプラグが接続されるようにしている。
【０２９９】
そして、図３１に示すように、天井５３には、天井５３の上に設けた給電装置１と相対向する位置に照明機器Ｅ１を配置する。そして、照明機器Ｅ１は、天井５３の上に設けた給電装置１から非接触給電を受けて点灯するようになっている。
【０３００】
また、壁５２には、壁５２の中に設けた給電装置１と相対向する位置にＴＶ機器Ｅ２を配置する。そして、ＴＶ機器Ｅ２は、壁５２の中に設けた給電装置１から非接触給電を受けてテレビを映し出すようになっている。
【０３０１】
さらにまた、床５１には、床５１の下に設けた給電装置１と相対向する位置にスピーカ機器Ｅ３を配置する。そして、スピーカ機器Ｅ３は、床５１の下に設けた給電装置１から非接触給電を受けて音楽を流すようになっている。
【０３０２】
また、給電装置１は、枠体６０で囲まれた空間Ｓを簡単に着脱可能で配置を変更できることから、図３２に示すように、スピーカ機器Ｅ３の配置位置に応じて、床５１の下に設けた給電装置１を適宜に配置位置を変更するだけでスピーカ機器Ｅ３の室内５０でのレイアウトを自由に変更できる。
【０３０３】
しかも、ユーザが床板５２が自由に取り外すことができる構造の場合には、ユーザは、いつでも自由に配置変更できる。
勿論、給電装置１を床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上の配置するとき、事前に取付工事の際に適宜の位置を選択し埋設させて、ユーザが自由に配置変更できなくてもよい。
【０３０４】
このように、本実施形態は、室内５０の床５１、壁５２、及び天井５３に設けた各機器Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３は、それぞれの給電装置１から非接触で給電を受けるため、従来のような電力を供給するコードが無くなる。その結果、何本ものコードで機器と機器とが接続されて、機器の配置の自由度を制限し、美観を損なうとともに、埃がつきやすく、掃除がし難いといった問題が解消される。
【０３０５】
また、図３４に示すように、壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６１，６２や、壁５２の最上端に沿って設けられた幅木６３，６４や、壁５２と壁５２の交差部分であって上下方向に沿って設けられた幅木６５、天井５３の中央に設けられた幅木６６の中に給電装置１を配置してもよい。また、壁５２の中央であって左右方向に沿って設けられたダクト形状の幅木６７の中に給電装置１を配置してもよい。
【０３０６】
壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６１に配置される給電装置１は、図３３に示すように、幅木６１内の所定の位置に収容配置される。給電装置１は、所定の空間に収容配置された後、上板６１ａが張られ、目に見えないように幅木６１内に配置される。
【０３０７】
そして、図３４に示すように、幅木６１に設けた給電装置１と相対向する位置に複数のモバイル機器Ｅ４、照明機器Ｅ１を配置する。そして、照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けて点灯するようになっている。
【０３０８】
この場合、幅木６１の上板６１ａは自由に取り外せて、幅木６１内に給電装置１を長手方向に自由に移動配置できる。そのため、生活スタイルに合わせて、モバイル機器Ｅ４、照明機器Ｅ１の配置位置を自由に変更することができる。
【０３０９】
また、壁５２の最上端に沿って設けられた幅木６３に収容配置される給電装置１も同様な方法で収容配置される。そして、該給電装置１と相対向する位置にスポット型の照明機器Ｅ１を配置する。そして、スポット型の照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けて点灯するようになっている。
【０３１０】
さらに、壁５２と壁５２の交差部分であって上下方向に沿って設けられた幅木６５も同様な方法で収容配置される。そして、該給電装置１と相対向する位置にスピーカ機器Ｅ３を配置する。そして、スピーカ機器Ｅ３は、該給電装置１から非接触給電を受けて駆動させることができる。
【０３１１】
さらにまた、図３４に示すように、壁５２の中央であって左右方向に沿って設けられたダクト形状の幅木６７の中に給電装置１を配置してもよい。そして、ダクト形状の幅木６７に設けた給電装置１と相対向する位置に照明機器Ｅ１を配置する。照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けて点灯するようになっている。この場合、ダクト形状の幅木６７内の給電装置１を長手方向に自由に移動配置できる。そのため、生活スタイルに合わせて、照明機器Ｅ１の配置位置を自由に変更することができる。
【０３１２】
このように本実施形態は、室内５０の各機器Ｅ１〜Ｅ４のコードを完全に無くすことができ、コードにつまずいたりすることがなくなり安全である。また、コードがないことから、室内５０の掃除が容易である。
【０３１３】
さらに、自分スタイルに合わせて各機器Ｅ１〜Ｅ４の位置が自分で変えられる。しかも、人が容易に触れる位置や埃がたまりやすい位置にも給電装置１が配置できるため、安全で高信頼である。
【０３１４】
尚、各実施形態の給電装置１を単独でした場合について説明したが、複数の給電装置１を、四方に併設して１つの大きな面積を有する載置面を有する給電装置を構成したり、複数の給電装置１を、一方向に帯状に併設して１つの長い載置面を有する給電装置にして実施してもよい。この場合、各給電装置１のシステム制御部８が互いにデータの授受を行えるように接続される必要がある。
【０３１５】
これに、よって、より多くの機器を同時に非接触給電ができるとともに、使用台数、使用環境に合わせて柔軟な対応ができる。
（第１１実施形態）
次に、第１１実施形態を図３５に従って説明する。
【０３１６】
前記各実施形態では、給電装置１は、複数の１次コイルＬ１を面状に配置した。本実施形態では、複数の１次コイルＬ１を一方向に線状に配置した点に特徴を有している。
図３５に示すように、給電装置１の筐体２内には、複数の１次コイルＬ１が１列、即ち、線状に配置され、その各１次コイルＬ１に対して給電モジュールＭが配設されている。機器Ｅは、その線状に配置された複数の１次コイルＬ１の上側に位置する部分が線状に延びた帯状の載置面６となり載置される。そして、この帯状の載置面６に機器Ｅが載置されると、その直下に位置する１つ又は複数の１次コイルＬ１が励磁され、機器Ｅは給電される。
【０３１７】
また、複数の１次コイルＬ１を１列、即ち、線状に配置した給電装置１は、天井又は壁に沿って配置される。そして、天井又は壁に沿って長く延びた給電装置１に対して、例えば、複数のスポット型の照明機器Ｅ１を列設すれば、これら複数のスポット型の照明機器Ｅ１は給電装置１から給電され点灯する。
【０３１８】
また、例えば、図３６に示すように、複数の１次コイルＬ１を、円柱形の手すり６９の表面（円柱表面状）に配置して実施してもよい。
（第１２実施形態）
次に、第１２実施形態を図３７に従って説明する。
【０３１９】
本実施形態では、機器Ｅの２次コイルＬ２に共振回路を設けた点に特徴を有している。
図３７に示すように、機器Ｅに設けられた２次コイルＬ２に対して、コンデンサＣｚを並列に接続させて給電モジュールＭ（１次コイルＬ１）の駆動周波数で共振するようにしている。これによって、負荷Ｚとの整合（マッチング）が容易にとれて２次コイルＬ２が共振し、簡単に、安全、安心、省エネで高効率な非接触給電システムが実現できる。尚、２次コイルＬ２に対して直列にして給電モジュールＭの駆動周波数で共振するようにしてもよい。
【０３２０】
（第１３実施形態）
次に、第１３実施形態を図３８〜図４０に従って説明する。
前記各実施形態では、機器Ｅの給電装置１への配置を給電装置１の載置面６に載置又は第１０実施形態のように近接させて、機器Ｅを給電した。本実施形態では、給電装置１に対して所定の距離だけ機器Ｅを離間させて配置して機器Ｅを給電させる点に特徴を有している。
【０３２１】
図３８に示すように、壁５２の中に設けた給電装置１と壁５２から離間して給電装置１と相対向するように配置されたＴＶ機器Ｅ２との間に、中継器７０を配置する。中継器７０は、図３９に示す電気回路のように、１次コイルＬ１の駆動周波数で共振する共振回路であって、並列接続されたコンデンサＣｘを有する中間コイルＬｘからなる。
【０３２２】
つまり、１次コイルＬ１は、中継器７０の中間コイルＬｘを有する共振回路を磁気共鳴させ、その１次コイルＬ１にて共振した中間コイルＬｘにて２次コイルＬ２を励磁させてＴＶ機器Ｅ２を給電する。
【０３２３】
これによって、電力の伝送距離や給電エリアの拡大を図りつつ、安全、安心、省エネで便利な非接触給電システムが実現できる。
なお、図４０に示すように、壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６２に収容配置された給電装置１に対し、同給電装置１の上方に位置する壁５２に中継器７０を設置する。そして、中継器７０の上側の壁５２に配置したスポット型の照明機器Ｅ１に対してその中継器７０を介して給電装置１から給電を受けるようにしてもよい。
【０３２４】
なお、図３８では給電装置１とＴＶ機器Ｅ２との間、図４０では給電装置１とスポット型の照明機器Ｅ１との間に、それぞれ１つの中継器７０を配置したが、これに限定されるものではなく複数の中継器７０を配置するようにして実施してもよい。
【０３２５】
尚、上述の各実施形態では、１次コイルＬ１として、平面コイルを例にして説明したが、Ｃ型、Ｅ型等のコアを含む構成にして実施してもよい。
【符号の説明】
【０３２６】
１…給電装置、２…筐体、５…天板、６…載置面、７…金属片、８…システム制御部、９…機器側送受信回路、９ａ…第２機器側送受信回路、９ｂ…第３機器側送受信回路、１１…励磁要求回路、１２…機器認証受信回路、１３…金属検出回路、１４…励磁制御回路、１５…高周波インバータ回路、１６…発振回路、１７…励磁同期信号発生回路、２１…第１アンド回路、２２…第２アンド回路、２３…第１オア回路、２４…第２オア回路、３０…物体、３１…物体検出センサ、３２…物体検出回路、４１…第１切替回路、４２…第２切替回路、４５…第３切替回路、４６…第４切替回路、４９…給電側送受信回路、５０…室内、５１…床、５２…壁、５３…天井、６０…枠体、６１〜６５…幅木、６９…手すり、７０…中継器、Ｃｘ，Ｃｚ…コンデンサ、Ｅ…機器、Ｍ…給電モジュール、Ｚ…負荷、ＡＴ１…信号受信アンテナ、ＡＴ２…金属検出アンテナ、ＡＴ３…送受信アンテナ、ＡＴ４…アンテナ、ＡＴ５…給電側アンテナ、ＡＴ６…機器側アンテナ、Ｅ１…照明機器、Ｅ２…ＴＶ機器、Ｅ３…スピーカ機器、Ｅ４…モバイル機器、Ｌ１…１次コイル、Ｌ２…２次コイル、Ｌｘ…中間コイル、ＣＴ…駆動制御信号、ＲＱ…励磁要求信号、ＩＤ…機器認証信号、ＥＮ…許可信号、Ｑ１…第１パワートランジスタ、Ｑ２…第２パワートランジスタ、Ｖｓ１…第１励磁同期信号、Ｖｓ２…第２励磁同期信号、Ｖｓｓ…インバータ制御信号、Ｖｓｔ…間欠ハイ信号、Ｓｉｎ１…変調信号、Ｓｉｎ２…ハイ・ロー信号、Ｓｉｎ３…ハイ・ロー信号、Ｖｇ１…第１オンオフ信号、Ｖｇ２…第２オンオフ信号、ＶＬ１１…給電側励磁要求変調信号、ＶＬ１２…機器側励磁要求変調信号、Ｖｓ１ａ…低周波用第１励磁同期信号、Ｖｓ１ｂ…高周波用第１励磁同期信号、Ｖｓ２ａ…低周波用第２励磁同期信号、Ｖｓ２ｂ…高周波用第２励磁同期信号、Ｖｓ１ｃ…連続用第１励磁同期信号、Ｖｓ１ｉ…間欠用第１励磁同期信号、Ｖｓ２ｃ…連続用第２励磁同期信号、Ｖｓ２ｉ…間欠用第２励磁同期信号、ＳＷ１…第１切替信号、ＳＷ２…第２切替信号、ＳＷ３…第３切替信号。
【図１】
0005478326.tif 000002
【図２】
0005478326.tif 000003
【図３】
0005478326.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005478326.tif 000006
【図６】
0005478326.tif 000007
【図７】
0005478326.tif 000008
【図８】
0005478326.tif 000009
【図９】
0005478326.tif 000010
【図１０】
0005478326.tif 000011
【図１１】
0005478326.tif 000012
【図１２】
0005478326.tif 000013
【図１３】
0005478326.tif 000014
【図１４】
0005478326.tif 000015
【図１５】
0005478326.tif 000016
【図１６】
0005478326.tif 000017
【図１７】
0005478326.tif 000018
【図１８】
0005478326.tif 000019
【図１９】
0005478326.tif 000020
【図２０】
0005478326.tif 000021
【図２１】
0005478326.tif 000022
【図２２】
0005478326.tif 000023
【図２３】
0005478326.tif 000024
【図２４】
0005478326.tif 000025
【図２５】
0005478326.tif 000026
【図２６】
0005478326.tif 000027
【図２７】
0005478326.tif 000028
【図２８】
0005478326.tif 000029
【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
0005478326.tif 000033
【図３３】
0005478326.tif 000034
【図３４】
0005478326.tif 000035
【図３５】
0005478326.tif 000036
【図３６】
0005478326.tif 000037
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
0005478326.tif 000040
【図４０】
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