(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力信号の歪み及び出力信号のＳ／Ｎ悪化の少なくともいずれか一方を抑制するために、
ベースバンド信号を変調して生成された変調信号を減衰する第１のアッテネータ（１５）と、
前記第１のアッテネータの出力信号を減衰する第２のアッテネータ（２１）と、
前記第２のアッテネータの出力信号を減衰する第３のアッテネータ（２３）と、
を備えた信号発生装置（１０）において、
前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量と前記第３のアッテネータの出力信号レベルとが予め定められた周波数ごとに関連付けられた減衰量設定テーブル（３４）を記憶する減衰量テーブル記憶手段（３２）と、
前記減衰量設定テーブルを参照し前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量を設定する減衰量設定手段（３３）と、
を備え、
前記減衰量設定テーブルは、前記第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものであることを特徴とする信号発生装置。
【請求項２】
前記減衰量設定テーブルは、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの所定周波数における各出力信号レベルが予め定められた範囲内に収まるよう、前記周波数特性補正値が３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものであることを特徴とする請求項１に記載の信号発生装置。
【請求項３】
出力信号の歪み及び出力信号のＳ／Ｎ悪化の少なくともいずれか一方を抑制するために、
ベースバンド信号を変調して生成された変調信号を減衰する第１のアッテネータ（１５）と、
前記第１のアッテネータの出力信号を減衰する第２のアッテネータ（２１）と、
前記第２のアッテネータの出力信号を減衰する第３のアッテネータ（２３）と、
を備えた信号発生装置（１０）を用いた信号発生方法において、
前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量と前記第３のアッテネータの出力信号レベルとが予め定められた周波数ごとに関連付けられた減衰量設定テーブル（３４）を記憶する減衰量テーブル記憶ステップ（Ｓ１４）と、
前記減衰量設定テーブルを参照し前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量を設定する減衰量設定ステップ（Ｓ２３）と、
を含み、
前記減衰量設定テーブルは、前記第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものであることを特徴とする信号発生方法。
【請求項４】
前記減衰量設定テーブルは、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの所定周波数における各出力信号レベルが予め定められた範囲内に収まるよう、前記周波数特性補正値が３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものであることを特徴とする請求項３に記載の信号発生方法。
【請求項５】
前記第１のアッテネータの出力信号を増幅して前記第２のアッテネータに出力する第１のアンプ（１６）と、
前記第２のアッテネータの出力信号を増幅して前記第３のアッテネータに出力する第２のアンプ（２２）と、
前記第３のアッテネータの出力信号を増幅して出力する第３のアンプ（２４）と、
をさらに備え、
前記第１のアッテネータから前記第３のアンプまでの信号レベルを表したレベルダイヤグラムに基づいて前記各分割値が定められたことを特徴とする請求項２に記載の信号発生装置。
【請求項６】
前記信号発生装置が、
前記第１のアッテネータの出力信号を増幅して前記第２のアッテネータに出力する第１のアンプ（１６）と、
前記第２のアッテネータの出力信号を増幅して前記第３のアッテネータに出力する第２のアンプ（２２）と、
前記第３のアッテネータの出力信号を増幅して出力する第３のアンプ（２４）と、
をさらに備え、
前記第１のアッテネータから前記第３のアンプまでの信号レベルを表したレベルダイヤグラムに基づいて前記各分割値が定められたことを特徴とする請求項４に記載の信号発生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話やモバイル端末等の移動通信端末に対する特性試験において試験信号を発生する信号発生装置及び信号発生方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、移動通信端末等の特性試験において、試験信号を移動通信端末等に供給するため信号発生装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１記載の信号発生装置は、ＩＱベースバンド信号を発生するベースバンド信号発生部と、局部発振器から入力した局部発振信号をＩＱベースバンド信号で変調した直交変調信号を出力する直交変調手段と、直交変調信号の信号レベルを所定のレベルに制御する可変アッテネータ（ＡＴＴ）を含むレベル制御回路と、レベル制御回路の出力信号を減衰して出力するステップＡＴＴと、を備え、試験者が指定した無線周波数及び信号レベルを有する試験信号を出力できるようになっている。
【０００４】
一般に、従来の信号発生装置は、特許文献１に記載された可変ＡＴＴ及びステップＡＴＴに加えて、さらに２つのアッテネータを備え、図９に示すような構成を有する。
【０００５】
図９は、従来の信号発生装置の主要部を示すブロック構成図であって、従来の信号発生装置１は、可変ＡＴＴ２、アンプ３、レベル制御（ＡＬＣ）回路４、ステップＡＴＴ５、減衰量設定部６を備えている。ＡＬＣ回路４は、可変ＡＴＴ４ａ、アンプ４ｂ、可変ＡＴＴ４ｃ、アンプ４ｄ、検波器４ｅ、レベル制御部４ｆを備えている。
【０００６】
可変ＡＴＴ２は、可変ＡＴＴ４ａ、４ｃ及びステップＡＴＴ５の減衰量と、ＡＬＣ回路４の出力信号レベルとを固定した状態で、減衰量設定部６によって減衰量が可変されるアッテネータである。このアッテネータは、ステップＡＴＴ５が切り替わる際の瞬断時に出力信号の同期が外れるのを防ぐ機能を有する。
【０００７】
可変ＡＴＴ４ａは、検波器４ｅの出力信号レベルに応じて、減衰量がレベル制御部４ｆによって可変されるものであり、減衰量の微細な調整を行うことができる。また、可変ＡＴＴ４ａは、ステップＡＴＴ５の減衰量の補間や減衰量誤差の補正も行うようになっている。
【０００８】
可変ＡＴＴ４ｃは、可変ＡＴＴ４ａの補助として動作するものであり、減衰量の粗調整に用いられる。
【０００９】
ステップＡＴＴ５は、所定の減衰量ステップ（例えば５ｄＢ）でステップ可変されるものである。
【００１０】
可変ＡＴＴ２からステップＡＴＴ５までは、通常、アナログ素子で構成されるため、周波数特性を有する。そこで、従来の信号発生装置は、周波数特性を補正するため、可変ＡＴＴ４ａの減衰量を変化させることによって対応していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−２０５８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、従来の信号発生装置において、可変ＡＴＴ４ａは、前述のように、ステップＡＴＴ５の減衰量の補間や減衰量誤差の補正に加えて、周波数特性の補正も行う構成となっているので、減衰量の可変幅が比較的広くなっていた。減衰量の可変幅が広くなると、従来の信号発生装置では、可変ＡＴＴ４ａの減衰量が小さくなるに従って出力信号の歪みが悪化し、可変ＡＴＴ４ａの減衰量が大きくなるに従って出力信号のＳ／Ｎが悪化するという課題があった。
【００１３】
本発明は、従来の課題を解決するためになされたものであり、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる信号発生装置及び信号発生方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に係る信号発生装置は、出力信号の歪み及び出力信号のＳ／Ｎ悪化の少なくともいずれか一方を抑制するために、ベースバンド信号を変調して生成された変調信号を減衰する第１のアッテネータ（１５）と、前記第１のアッテネータの出力信号を減衰する第２のアッテネータ（２１）と、前記第２のアッテネータの出力信号を減衰する第３のアッテネータ（２３）と、を備えた信号発生装置（１０）において、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量と前記第３のアッテネータの出力信号レベルとが予め定められた周波数ごとに関連付けられた減衰量設定テーブル（３４）を記憶する減衰量テーブル記憶手段（３２）と、前記減衰量設定テーブルを参照し前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量を設定する減衰量設定手段（３３）と、を備え、前記減衰量設定テーブルは、前記第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものである構成を有している。
【００１５】
この構成により、本発明の請求項１に係る信号発生装置は、第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量を、第１、第２及び第３のアッテネータに設定するので、第１、第２及び第３のアッテネータの間における出力信号レベルの差分を小さくすることができ、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる。
【００１６】
本発明の請求項２に係る信号発生装置は、前記減衰量設定テーブルは、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの所定周波数における各出力信号レベルが予め定められた範囲内に収まるよう、前記周波数特性補正値が３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものである構成を有している。
【００１７】
この構成により、本発明の請求項２に係る信号発生装置は、レベルダイヤグラムの最適化を行うことにより、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる。
【００１８】
本発明の請求項３に係る信号発生方法は、出力信号の歪み及び出力信号のＳ／Ｎ悪化の少なくともいずれか一方を抑制するために、ベースバンド信号を変調して生成された変調信号を減衰する第１のアッテネータ（１５）と、前記第１のアッテネータの出力信号を減衰する第２のアッテネータ（２１）と、前記第２のアッテネータの出力信号を減衰する第３のアッテネータ（２３）と、を備えた信号発生装置（１０）を用いた信号発生方法において、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量と前記第３のアッテネータの出力信号レベルとが予め定められた周波数ごとに関連付けられた減衰量設定テーブル（３４）を記憶する減衰量テーブル記憶ステップ（Ｓ１４）と、前記減衰量設定テーブルを参照し前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの各減衰量を設定する減衰量設定ステップ（Ｓ２３）と、を含み、前記減衰量設定テーブルは、前記第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものである構成を有している。
【００１９】
この構成により、本発明の請求項３に係る信号発生方法は、第３のアッテネータの出力信号レベルの周波数特性を補正する周波数特性補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量により、第１、第２及び第３のアッテネータの各減衰量が設定されるので、第１、第２及び第３のアッテネータの間における出力信号レベルの差分を小さくすることができ、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる。
【００２０】
本発明の請求項４に係る信号発生方法は、前記減衰量設定テーブルは、前記第１、前記第２及び前記第３のアッテネータの所定周波数における各出力信号レベルが予め定められた範囲内に収まるよう、前記周波数特性補正値が３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量のデータを含むものである構成を有している。
【００２１】
この構成により、本発明の請求項４に係る信号発生方法は、レベルダイヤグラムの最適化を行うことにより、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる。
本発明の請求項５に係る信号発生装置は、前記第１のアッテネータの出力信号を増幅して前記第２のアッテネータに出力する第１のアンプ（１６）と、前記第２のアッテネータの出力信号を増幅して前記第３のアッテネータに出力する第２のアンプ（２２）と、前記第３のアッテネータの出力信号を増幅して出力する第３のアンプ（２４）と、をさらに備え、前記第１のアッテネータから前記第３のアンプまでの信号レベルを表したレベルダイヤグラムに基づいて前記各分割値が定められた構成を有している。
本発明の請求項６に係る信号発生方法は、前記信号発生装置が、前記第１のアッテネータの出力信号を増幅して前記第２のアッテネータに出力する第１のアンプ（１６）と、前記第２のアッテネータの出力信号を増幅して前記第３のアッテネータに出力する第２のアンプ（２２）と、前記第３のアッテネータの出力信号を増幅して出力する第３のアンプ（２４）と、をさらに備え、前記第１のアッテネータから前記第３のアンプまでの信号レベルを表したレベルダイヤグラムに基づいて前記各分割値が定められた構成を有している。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができるという効果を有する信号発生装置及び信号発生方法を提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る信号発生装置の一実施形態におけるブロック構成図である。
【図２】本発明に係る信号発生装置の一実施形態におけるｆ特補正値の説明図である。
【図３】本発明に係る信号発生装置の一実施形態における可変ＡＴＴ１５からアンプ２４までの各部の諸特性を示した図である。
【図４】本発明に係る信号発生装置の一実施形態における可変ＡＴＴ１５からアンプ２４までの信号レベルを表したレベルダイヤグラムである。
【図５】本発明に係る信号発生装置の一実施形態における減衰量設定テーブルを示す図である。
【図６】本発明に係る信号発生装置の一実施形態における減衰量設定テーブルを求める手順を示す図である。
【図７】本発明に係る信号発生装置の一実施形態におけるフローチャートである。
【図８】本発明に係る信号発生装置の一実施形態において、図７に示したステップＳ２０における処理の説明図である。
【図９】従来の信号発生装置の主要部を示すブロック構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００２５】
まず、本発明に係る信号発生装置の一実施形態における構成について説明する。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態における信号発生装置１０は、波形記憶部１１、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）１２、局部発振器１３、直交変調器１４、可変ＡＴＴ１５、アンプ１６、ステップＡＴＴ１７、操作部１８、ＡＬＣ回路２０、制御回路３０を備えている。
【００２７】
ＡＬＣ回路２０は、可変ＡＴＴ２１、アンプ２２、可変ＡＴＴ２３、アンプ２４、検波器２５、基準値出力部２７、比較器２８を備えている。
【００２８】
波形記憶部１１は、デジタル値の波形データを記憶するものであって、被試験装置（図示せず）を試験するために用意されたＩ相成分及びＱ相成分のベースバンドの波形データを予め記憶するようになっている。このベースバンドの波形データは、例えば、図示しないＤＳＰ（Digital Signal Processor）あるいはＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）によって生成される。
【００２９】
ＤＡＣ１２は、波形記憶部１１が出力するデジタル値のベースバンド信号波形データをアナログ値に変換し、アナログ値に変換したベースバンド信号波形データを直交変調器１４に出力するようになっている。
【００３０】
局部発振器１３は、制御回路３０が出力する局発制御信号に基づいて、所定周波数の局部発振信号を生成し、直交変調器１４に出力するようになっている。
【００３１】
直交変調器１４は、局部発振器１３からの局部発振信号をＤＡＣ１２からのベースバンド信号波形データにより直交変調するとともにＲＦ信号に周波数変換し、この周波数変換された直交変調信号を可変ＡＴＴ１５に出力するようになっている。
【００３２】
可変ＡＴＴ１５は、可変ＡＴＴ２１、２３及びステップＡＴＴ１７の減衰量と、ＡＬＣ回路２０の出力信号レベルとを固定した状態で、減衰量設定部３３によって減衰量が可変されるアッテネータである。また、この可変ＡＴＴ１５は、ステップＡＴＴ１７が切り替わる際の瞬断時に出力信号の同期が外れるのを防ぐ機能を有する。ここで、可変ＡＴＴ１５は、本発明に係る第１のアッテネータを構成する。
【００３３】
アンプ１６は、可変ＡＴＴ１５の出力信号を増幅して、可変ＡＴＴ２１に出力するようになっている。
【００３４】
可変ＡＴＴ２１及び２３は、ＡＬＣ回路２０の出力部に設けられた基準点の信号レベル（以下「基準点レベル」という。）を所定値に設定するため、各減衰量を設定するための制御電圧を比較器２８から入力するようになっている。なお、可変ＡＴＴ２１及び２３は、それぞれ、本発明に係る第２及び第３のアッテネータを構成する。
【００３５】
可変ＡＴＴ２１は、例えば連続的に減衰量を設定できるものであり、可変ＡＴＴ２３よりも減衰量を微細に調整することができる。また、可変ＡＴＴ２１は、ステップＡＴＴ１７の減衰量の補間や減衰量誤差の補正も行うようになっている。
【００３６】
アンプ２２は、可変ＡＴＴ２１の出力信号レベルを増幅し、可変ＡＴＴ２３に出力するようになっている。
【００３７】
可変ＡＴＴ２３は、可変ＡＴＴ２１の補助として動作するものであって、例えば０．２５ｄＢステップで減衰量を設定できるものであり、減衰量の粗調整に用いられる。
【００３８】
アンプ２４は、可変ＡＴＴ２３の出力信号レベルを増幅し、ステップＡＴＴ１７及び検波器２５に出力するようになっている。
【００３９】
検波器２５は、アンプ２４の出力信号を検波し、比較器２８に出力するようになっている。
【００４０】
基準値出力部２７は、制御回路３０からの制御信号に基づき、基準点レベルが所望の電力値（例えば−１０ｄＢｍ）となる制御電圧を生成して比較器２８に出力するようになっている。
【００４１】
比較器２８は、検波器２５の出力信号レベルと、基準値出力部２７の出力信号レベルとを比較して、基準点レベルが例えば−１０ｄＢｍの電力値となるよう、減衰量設定信号を可変ＡＴＴ２１に出力するようになっている。
【００４２】
ステップＡＴＴ１７は、可変ＡＴＴ２１及び２３よりも大きいステップ（例えば５ｄＢステップ）で減衰量が設定されるＡＴＴである。ステップＡＴＴ１７の減衰量は、制御回路３０からの設定信号によって設定されるようになっている。
【００４３】
操作部１８は、試験者が試験条件及び試験手順に関する設定等を行うために操作するものであり、例えば、キーボード、ダイヤル又はマウスのような入力デバイス、これらを制御する制御回路等で構成される。試験者が設定する試験条件としては、例えば、波形記憶部１１に記憶された波形データ、ステップＡＴＴ１７が出力するＲＦ試験信号の出力レベル及び無線周波数等がある。
【００４４】
制御回路３０は、例えばマイクロコンピュータによって構成され、設定部３１、テーブル記憶部３２、減衰量設定部３３を備え、装置全体の制御を行うようになっている。
【００４５】
設定部３１は、試験者が操作部１８を操作して定めた波形データを示す信号を波形記憶部１１に出力し、試験者が操作部１８を操作して定めたＲＦ試験信号の無線周波数に基づいて、局部発振器１３の局部発振周波数を示す信号を局部発振器１３に出力するようになっている。
【００４６】
テーブル記憶部３２は、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の各減衰量と、基準点レベル（換言すれば可変ＡＴＴ２３の出力信号レベル）とが、予め定められた周波数ごとに関連付けられた減衰量設定テーブルを記憶するようになっている。このテーブル記憶部３２は、本発明に係る減衰量テーブル記憶手段を構成する。
【００４７】
減衰量設定部３３は、試験者が操作部１８を操作して定めた出力レベルに基づいて、減衰量設定テーブルを参照し、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の各減衰量を設定するようになっている。この減衰量設定部３３は、本発明に係る減衰量設定手段を構成する。
【００４８】
次に、減衰量設定テーブルについて、図２〜図５を用いて説明する。減衰量設定テーブルは、信号発生装置１０の出力信号レベルの所定周波数における周波数特性を補正する周波数特性補正値（ｆ特補正値）に基づいて決定されている。また、減衰量設定テーブルは、ｆ特補正値に加えて、出力信号のレベルダイヤグラムを考慮して決定されるのが好ましい。
【００４９】
まず、ｆ特補正値について図２を用いて説明する。
【００５０】
図２（ａ）は、信号発生装置１０の出力信号レベルの周波数特性を示している。図中に示した周波数ｆ１〜ｆ５のうち、周波数ｆ２における出力信号レベルを周波数特性基準レベル（ｆ特基準レベル）としている。周波数ｆ１、ｆ３〜ｆ５における周波数特性は、ｆ特基準レベルに対する増減で示される。
【００５１】
図２（ｂ）は、周波数特性（実線）と、周波数特性をｆ特基準レベルに補正するためのｆ特補正値（破線）とを示している。例えば、周波数ｆ５における出力信号レベルが、ｆ特基準レベルに対して−６ｄＢであったとすると、周波数ｆ５におけるｆ特補正値は＋６ｄＢである。後述するように、本実施形態では、ｆ特補正値を予め定められた比率に応じて３分割し、３分割した分割値を取得して、各分割値を可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の減衰量に加算する。例えば、予め定められた比率が１／３であれば各分割値は＋２ｄＢとなり、分割値＋２ｄＢを可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の減衰量に加算する。
【００５２】
次に、ＡＬＣ回路２０のレベルダイヤグラムについて図３及び図４を用いて説明する。
【００５３】
図３は、例として、周波数が３ＧＨｚにおける、可変ＡＴＴ１５からアンプ２４までの各部の諸特性を示したものである。図３（ａ）は従来の構成、図３（ｂ）は本発明における周波数特性補正前の状態、図３（ｃ）は本発明における周波数特性補正後の状態の諸特性を示す。
【００５４】
図中のＧａｉｎは利得、ＯＩＰ３は３次インターセプトポイント、ＮＦは低雑音指数、Ｓは信号レベル、Ｎはノイズレベル、Ｓ／Ｎは信号レベル対ノイズレベル比、ＩＭ３は３次相互変調歪を示す。なお、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３において、例えば、−１２ｄＢの利得とは１２ｄＢの減衰量のことをいう。
【００５５】
また、ＡＣＰ（Adjacent Channel Power）は隣接チャネル漏洩電力、ＡＬＴ（Alternate Channel Power）は次隣接チャネル漏洩電力を示す。一般に、信号レベルが大きくなりすぎるとアンプで信号歪みが発生し、信号レベルが小さくなりすぎるとＳ／Ｎが低下し、ダイナミックレンジが狭くなってしまう。そこで、信号発生装置では、例えば世界共通の通信規格であるＷ−ＣＤＭＡでの特性で性能を表す場合があり、信号歪みの評価はＡＣＰ特性、Ｓ／Ｎの評価はＡＬＴ特性が用いられる。ここで、ＡＣＰ特性は信号歪みが大きくなるに従って劣化する特性であり、ＡＬＴ特性はＳ／Ｎが小さくなるに従って劣化する特性である。
【００５６】
図３（ａ）に示した従来の構成において、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の利得は、それぞれ、−８ｄＢ、−２３ｄＢ及び−８ｄＢである。また、アンプ１６、２２及び２４の利得は、ともに１３ｄＢである。この条件において、可変ＡＴＴ１５の入力信号レベルを−１０ｄＢｍとしたとき、アンプ２４の出力信号レベルは−１０ｄＢｍである。すなわち、ＡＬＣ回路２０の出力信号レベルは−１０ｄＢｍである。
【００５７】
次に、本発明の周波数特性補正前の状態において、ＡＬＣ回路２０の出力信号のｆ特基準レベルを−１０ｄＢｍとしたときに、図３（ｂ）に示すように、可変ＡＴＴ１５、２１、２３の利得を同じにした場合に、ＡＬＣ回路２０の出力信号レベルが−７ｄＢｍになったとする。すなわち、ＡＬＣ回路２０は、ｆ特基準レベルである−１０ｄＢｍに対して＋３ｄＢの周波数特性を有する。
【００５８】
ここで、周波数特性をｆ特基準レベルに一致させるためのｆ特補正値は−３ｄＢである。このｆ特補正値を３分割した分割値（＝−３／３ｄＢ）が、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３にそれぞれ加算された状態が図３（ｃ）に示されている。
【００５９】
すなわち、可変ＡＴＴ１５は分割値−１．０ｄＢが加算されて利得は−１３．０ｄＢ、可変ＡＴＴ２１は分割値−１．０ｄＢが加算されて利得は−１３．０ｄＢ、可変ＡＴＴ２３は分割値−１．０ｄＢが加算されて利得は−１３．０ｄＢとなっている。この結果、ＡＬＣ回路２０の出力信号レベルが−１０ｄＢｍとなり、周波数特性が補正されたこととなる。この場合、ＡＣＰ＝−７３．９ｄＢｃ、ＡＬＴ＝−７５．６ｄＢｃという、従来の構成よりも良好な結果が得られている。
【００６０】
なお、上記の例は、ｆ特補正値の−３ｄＢを３等分する例であって、−３は３で割り切れるので前述の配分としているが、ｆ特補正値の３分割は３等分に限定されるものではなく、後述のレベルダイヤグラムに基づいて分割比を定めてもよい。
【００６１】
次に、可変ＡＴＴ１５からアンプ２４までの信号レベルを表したレベルダイヤグラムについて、図４を用いて説明する。
【００６２】
図４に示した破線は、図３（ａ）に示した従来の構成における信号レベルの変化を表している。すなわち、図４に示した破線は、従来の信号発生装置におけるレベルダイヤグラムを示している。また、図４に示した実線は、図３（ｃ）に示した、本実施形態での周波数特性の補正後における信号レベルの変化を表している。
【００６３】
本実施形態での周波数特性の補正後における信号レベルの変化と従来の構成における信号レベルの変化とを比較すると、従来の構成における信号レベルは−２８ｄＢから−５ｄＢまでの間で変化しているのに対し、本実施形態での信号レベルの変化は、−２３ｄＢから−１０ｄＢまでの間で変化している。すなわち、本実施形態では、従来の構成に対して、信号レベルが下がりすぎず、上がりすぎない特性（つまり、信号レベルの変化の幅が小さい特性）が得られることがわかる。
【００６４】
可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の間における信号レベルが予め定めた範囲内に収まるように調整（レベルダイヤグラムの最適化）を行うことにより、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３にそれぞれ加算する分割値（減衰量）を予め定めて減衰量設定テーブルを定める。レベルダイヤグラムの最適化により、どの周波数においても、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の間における出力信号レベルの差分を小さくすることができ、信号歪み及びＳ／Ｎを改善することができる。
【００６５】
また、本実施形態では、可変ＡＴＴ１５からアンプ２４に至る系の全体の利得が大きいとき（すなわち基準点レベルが大きいとき）は、信号歪み及びＳ／Ｎを改善し、前述の系の全体の利得が小さいとき（すなわち基準点レベルが小さいとき）は、ＡＬＣ回路２０のマージンを拡大することができる。
【００６６】
図３（ｃ）に示した内容に基づいて定めた減衰量設定テーブル３４を図５に示す。図５に示すように、減衰量設定テーブル３４は、基準点レベルと、各周波数における可変ＡＴＴ１５、２１及び２３に設定する各減衰量とを関連付けたものである。
【００６７】
次に、減衰量設定テーブル３４を求める手順について図６を用いて説明する。この減衰量設定テーブル３４の取得は、工場出荷時に行われる。
【００６８】
図６に示すように、制御回路３０は、例えば、校正用のトーン信号を波形記憶部１１から出力させる（ステップＳ１１）。
【００６９】
続いて、制御回路３０は、基準点レベルが、例えば−１０ｄＢｍ、−１１ｄＢｍ、−１２ｄＢｍ・・・になるｆ特補正値を周波数ごとに求める（ステップＳ１２）。
【００７０】
そして、制御回路３０は、図５に示したような減衰量設定テーブル３４を作成し（ステップＳ１３）、テーブル記憶部３２は、減衰量設定テーブル３４を記憶する（ステップＳ１４）。
【００７１】
次に、本実施形態における信号発生装置１０の動作について図７〜図８を用いて説明する。
【００７２】
制御回路３０は、ユーザが操作部１８を操作して設定した試験条件を設定する（ステップＳ２０）。ここで、ユーザが指定したＲＦ試験信号の中心周波数を３ＧＨｚ、ＲＦ試験信号の出力信号レベルを−３０ｄＢｍとする。また、直交変調器１４の出力信号レベルは−１０ｄＢｍとする。以下、図８を用いてステップＳ２０の処理の詳細を説明する。
【００７３】
制御回路３０は、出力信号レベル−３０ｄＢｍのＲＦ試験信号をステップＡＴＴ１７から出力させるため、ステップＡＴＴ１７の減衰量を２０ｄＢに、ＡＬＣ回路２０の出力信号レベルを−１０ｄＢｍに決定し、ステップＡＴＴ１７の減衰量を２０ｄＢに設定する（ステップＳ２１）。
【００７４】
制御回路３０は、テーブル記憶部３２から、基準点レベル＝−１０ｄＢｍにおける可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の減衰量データを読み出す（ステップＳ２２）。図５に示したように、基準点レベル＝−１０ｄＢｍにおいて、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の減衰量は、それぞれ、１３．０ｄＢ、１３．０ｄＢ及び１３．０ｄＢである。
【００７５】
制御回路３０は、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の減衰量を、それぞれ、１３．０ｄＢ、１３．０ｄＢ及び１３．０ｄＢに設定する（ステップＳ２３）。
【００７６】
制御回路３０は、ユーザが指定した波形データを波形記憶部１１に指示する（ステップＳ２４）。
【００７７】
制御回路３０は、局部発振周波数を局部発振器１３に指示する（ステップＳ２５）。
【００７８】
図７に戻り、波形記憶部１１は、制御回路３０から指定されたベースバンド波形データをＤＡＣ１２に出力する（ステップＳ３１）。
【００７９】
ＤＡＣ１２は、デジタル値のベースバンド波形データをアナログ値のベースバンド波形データに変換し、直交変調器１４に出力する（ステップＳ３２）。
【００８０】
直交変調器１４は、局部発振器１３が出力する局部発振信号に基づいて、ベースバンド波形データの直交変調及び周波数変換を行って（ステップＳ３３）、信号レベルが−１０ｄＢｍのＲＦ信号を可変ＡＴＴ１５に出力する。
【００８１】
可変ＡＴＴ１５はＲＦ信号を１３．０ｄＢ減衰し、減衰されたＲＦ信号をアンプ１６が１３ｄＢ増幅し（ステップＳ３４）、ＡＬＣ回路２０にＲＦ信号を出力する。
【００８２】
ＡＬＣ回路２０は、レベル制御を実施し（ステップＳ３５）、−１０ｄＢｍのＲＦ信号をステップＡＴＴ１７に出力する。
【００８３】
具体的には、可変ＡＴＴ２１は、その減衰量が１３．０ｄＢになるよう、制御回路３０により基準値出力部２７の基準値が設定されており、入力したＲＦ信号を１３．０ｄＢ減衰してアンプ２２に出力する。アンプ２２は、入力したＲＦ信号を１３ｄＢ増幅して可変ＡＴＴ２３に出力する。可変ＡＴＴ２３は、入力したＲＦ信号を１３．０ｄＢ減衰してアンプ２４に出力する。アンプ２４は、入力したＲＦ信号を１３ｄＢ増幅してステップＡＴＴ１７及び検波器２５に出力する。検波器２５は、入力したＲＦ信号を検波して比較器２８に出力する。比較器２８は、検波器２５の出力信号レベルと、基準値出力部２７の出力信号レベルとを比較し、基準点レベルが−１０ｄＢｍの電力値となるよう、減衰量設定信号を可変ＡＴＴ２１に出力する。
【００８４】
ステップＡＴＴ１７は、アンプ２４からのＲＦ信号を２０ｄＢ減衰する（ステップＳ３６）。その結果、出力信号レベルの周波数特性がｆ特基準レベルと一致するよう補正された３ＧＨｚのＲＦ試験信号が信号発生装置１０から出力される（ステップＳ３７）。
【００８５】
なお、上述の例では、アンプ１６、２２、２４の利得が１３ｄＢで同一となり、可変ＡＴＴ１５、２１、２３の減衰量が１３ｄＢで同一となっているが、これはあくまで例であり、周波数や基準点レベルによって、それぞれが異なる値になる場合もある。
【００８６】
以上のように、本実施形態における信号発生装置１０は、減衰量設定部３３が、減衰量設定テーブル３４を参照し、ｆ特補正値が予め定められた比率により３分割された各分割値に基づいて決定された各減衰量により、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の各減衰量を設定するので、可変ＡＴＴ１５、２１及び２３の間における出力信号レベルの差分を小さくすることができ、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
以上のように、本発明に係る信号発生装置及び信号発生方法は、出力信号の周波数特性を補正しつつ、出力信号の歪みやＳ／Ｎの悪化を抑制することができるという効果を有し、携帯電話やモバイル端末等の移動通信端末に対する特性試験において試験信号を発生する信号発生装置及び信号発生方法として有用である。
【符号の説明】
【００８８】
１０  信号発生装置
１１  波形記憶部
１２  ＤＡＣ
１３  局部発振器
１４  直交変調器
１５  可変ＡＴＴ（第１のアッテネータ）
１６、２２、２４  アンプ
１７  ステップＡＴＴ
１８  操作部
２０  ＡＬＣ回路
２１  可変ＡＴＴ（第２のアッテネータ）
２３  可変ＡＴＴ（第３のアッテネータ）
２５  検波器
２７  基準値出力部
２８  比較器
３０  制御回路
３１  設定部
３２  テーブル記憶部（減衰量テーブル記憶手段）
３３  減衰量設定部（減衰量設定手段）
３４  減衰量設定テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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