(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラー面を有するミラーであって、前記ミラー面に対して形成される１つ以上のくさび形要素が設けられた外面を有するプロファイルドコーティング層を含み、前記１つ以上のくさび形要素は１０〜２００ｍｒａｄの範囲内のくさび角を有し、前記プロファイルドコーティング層は一連の凝固小滴を含む、ミラー。
【請求項２】
前記プロファイルドコーティング層は、前記ミラー面全体に亘って実質的に延在する、請求項１に記載のミラー。
【請求項３】
前記プロファイルドコーティング層は、２つのくさび形要素を含む、請求項１または２に記載のミラー。
【請求項４】
前記プロファイルドコーティング層の前記外面は湾曲している、請求項１、２、または３に記載のミラー。
【請求項５】
前記小滴は前記ミラー面を濡らさない材料から形成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のミラー。
【請求項６】
前記プロファイルドコーティング層を形成する材料は、Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、およびＵからなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のミラー。
【請求項７】
前記プロファイルドコーティング層は、前記ミラーの表面全体に亘る実質的に規則的なマトリクスに配置される複数のくさび形要素を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のミラー。
【請求項８】
前記マトリクスは矩形または六角形である、請求項７に記載のミラー。
【請求項９】
前記少なくとも１つのくさび形要素の形状は環状またはピラミッド形である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のミラー。
【請求項１０】
ＥＵＶ放射投影ビームおよび更なる放射を供給するための放射システムを含むリソグラフィ投影装置であって、
前記放射システムは、請求項１から９のいずれか一項に記載のミラーを含む、リソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
前記放射システムは、前記ＥＵＶ放射の焦点を中間焦点上に合わせるように構成され、前記ミラーは、前記中間焦点から前記更なる放射を離れるように偏向させるように構成される、請求項１０に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
前記マトリクスにおけるくさび形要素間の周期は、前記ＥＵＶ放射の波長に少なくとも等しい、請求項７または８に従属した場合の請求項１０または１１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
デバイス製造方法であって、
放射システムを用いてＥＵＶ放射投影ビームを供給することと、
前記投影ビームにパターンを形成することと、
前記パターン付きビームを放射感応性材料の層のターゲット部分上に投影することと、
を含み、
前記放射システム内には、請求項１から９のいずれか一項に記載するミラーが設けられる、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明の実施形態は、ミラー、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置では、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは、投影放射の波長により制限される。デバイス密度の高い、したがって、動作速度の速い集積回路を生成するためには、より小さいフィーチャが結像可能であることが望ましい。最近では、極端紫外線（ＥＵＶ）を用いるリソグラフィ装置が提供されている。
【０００４】
[0004]  幾つかのＥＵＶ源、例えば放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源またはレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源は、赤外線（ＩＲ）、可視光（ＶＩＳ）、紫外線（ＵＶ）、および深紫外線（ＤＵＶ）でさえも含む広範囲の周波数に亘って放射を放出する。「更なる放射」とも呼ばれるこれらの不所望の周波数は、伝播してリソグラフィ装置の照明システムおよび投影システム内で加熱問題を引き起こし、また、遮蔽されない場合はレジストの不所望の露光を引き起こしうる。照明システムおよび投影システムの多層ミラーは、約６．７ｎｍまたは約１３．５ｎｍである所望の波長の反射のために最適化されているが、多層ミラーは光学的に平らで、Ｒ波長、可視波長、およびＵＶ波長に対し比較的高い反射率を有しうる。
【０００５】
[0005]  したがって、投影ビーム用に放射源からの比較的狭い周波数帯を選択する必要がある。放射源が比較的細い輝線を有する場合であっても、当該線、特に長い波長からの放射を除去することが有利でありうる。
【０００６】
[0006]  その全体を本願に参考として組み込む欧州特許出願第１４９６５２１号には、１次元または２次元の回折パターンを形成するように構成された突起部が設けられた多層ミラーを含むリソグラフィ装置が記載される。結果として、ＥＵＶ放射は実質的に吸収されることなくこれらの突起部を通過し、その一方で不所望の更なる放射は、突起部に衝突した際のこの更なる放射の吸収、屈折、または偏向によって実質的に遮断される。
【０００７】
[0007]  この公知のリソグラフィ装置には、回折パターンを形成するために、個々に製造される要素である突起部を高精度に設けなければならないという欠点がある。このことは、公知の多層ミラーの製造コストを不必要に増加してしまいうる。さらに、公知の多層ミラーは、例えば突起部間の領域といった突起部の材料によって覆われない領域を含む。このような領域は、リソグラフィ装置の例えばＨ２雰囲気といった反応環境に露出されると汚染物質によって覆われてしまいうる。これらの汚染物質は、ＥＵＶ放射に対するミラー面の反射性を低下し、それによりビーム品質を劣化させてしまいうる。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]  上記を鑑みて、特にＥＵＶ動作可能リソグラフィ装置における使用のためのミラーであって、容易に製造可能であり、また、使用時にＥＵＶビーム品質を向上させるミラーが必要とされる。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様では、ミラー面と、外面を有するプロファイルドコーティング層とを有し、１つ以上のくさび形要素がミラー面に対して外面によって形成され、１つ以上のくさび形要素は約１０〜２００ｍｒａｄの範囲内のくさび角を有する、ミラーが提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の別の態様では、ＥＵＶ放射投影ビームおよび更なる放射を供給するための放射システムを含むリソグラフィ投影装置が提供される。放射システムは、上述したミラーを含む。
本発明のさらに別の態様では、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法の一実施形態では、放射システムを用いてＥＵＶ放射投影ビームが提供される。投影ビームにパターンが形成される。次に、パターン付きビーム放射感応材料の層のターゲット部分上に投影される。放射システムにおいて、上述したミラーが用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参考符号は対応する部分を示す。
【図１】[0012]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0013]  図２は、図１によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学部の側面図を示す。
【図３】[0014]  図３は、本発明の一実施形態によるミラーを示す。
【図４】[0015]  図４は、本発明の更なる実施形態によるミラーを示す。
【図５】[0016]  図５は、本発明のさらに更なる実施形態によるミラーを示す。
【図６】[0017]  図６は、プロファイルドコーティング層が設けられたミラーの選択された実施形態の平面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0018]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、
を含む。
【００１３】
[0019]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0020]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する、すなわち、パターニングデバイスＭＡの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１５】
[0021]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しなくてもよいことに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００１６】
[0022]  パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
【００１７】
[0023]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、或いは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含すると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。
【００１８】
[0024]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１９】
[0025]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルを露光用に使うこともできる。 
【００２０】
[0026]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば水といった比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、例えばマスクと投影システムの間といったリソグラフィ装置内の別の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書にて使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２１】
[0027]  図１を参考すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合、放射源はリソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２２】
[0028]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２３】
[0029]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２４】
[0030]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２５】
[0031]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２６】
[0032]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２７】
[0033]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
[0034]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２９】
[0035]  図２は、放射システム３（すなわち「放射源‐コレクタモジュール」）、照明システムＩＬ、および投影システムＰＬを含む、図１のリソグラフィ投影システムのＥＵＶ照明システムおよび投影光学部の一実施形態の側面図を示す。放射システム３には、放電プラズマ源を含みうる放射源ＬＡが設けられる。放射源ＬＡは、例えば、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といったガスまたは蒸気を用いてよく、このガスまたは蒸気内では、非常に高温のプラズマが放射源の電極間の放電によって生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射が放出される。この非常に高温のプラズマは、放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸０上に崩壊させることにより生成される。０．１ｍｂａｒの分圧のＸｅ、Ｌｉ蒸気、または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。
【００３０】
[0036]  キセノンが用いられる場合、プラズマは約１３．５ｎｍのＥＵＶ範囲において放射しうる。当然ながら約６．７ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射も検討される。放射源ＬＡによって放出される放射は、放射源チャンバ７から汚染物質バリア９へと導かれる。汚染物質バリア９は、例えば、その全体を本願に参考として組み込む欧州特許出願第１０５７０７９号に詳細に記載されるようなチャネル構造を含みうる。
【００３１】
[0037]  放射システム３（すなわち「放射源‐コレクタモジュール」）は、かすめ入射コレクタによって形成されうる放射コレクタ１０を含む。放射コレクタ１０を通り過ぎたＥＵＶ放射は、アパーチャにおける中間焦点１２に集束されるように格子スペクトル純度フィルタまたはミラー１１に反射する。本発明の一態様では、ミラー１１は、ミラー１１のミラー面に対してくさび形要素が設けられた外面を有するプロファイルドコーティング層を含み、これらのくさび形要素は、約１０〜２００ｍｒａｄの範囲内のくさび角を有する。結果として、放射源ＬＡから伝播する放射ビーム内にある不所望の波長が中間焦点１２から離れるように偏向される。当然ながら、くさび角の絶対値は幾つかの要因によって決定される。まず、この値は、ミラーと、光学システム内の適切な後続の構造との間、例えばミラーと中間焦点との間の経路長によって決定される。さらに、下流方向においてミラーに続く光学素子のサイズもくさび角の値に影響を及ぼす。一実施形態では、くさび角は、ミラー１１と中間焦点１２との間の約２メートルの経路長について約５０ｍｒａｄであり、この中間焦点１２は、例えば約４ｍｍの大きさのスリットによって決定されうる。当然ながら、ミラー１１と中間焦点１２との間の別の距離についてくさび角は適宜増減されうる。
【００３２】
[0038]  投影ビームＰＢは、照明システムＩＬ内で、法線入射リフレクタ１３、１４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク上に反射される。パターン付きビーム１７が形成され、このビームは、投影光学システムＰＬ内で、反射素子１８、１９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。通常、図示するよりも多くの素子が照明システムＩＬおよび投影システムＰＬ内に存在しうる。
【００３３】
[0039]  本発明の実施形態はミラー１１を参照して説明するが、当然ながら、一般に、複数のミラーに、上述したようにプロファイルドコーティング層が設けられてよい。具体的には、図２の放射コレクタ１０または法線入射リフレクタ１３、１４が、本発明の実施形態によるミラーであってもよい。コーティング層の材料は、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、リン（Ｐ）、カリウム（Ｋ）、カルシウム（Ｃａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、臭素（Ｂｒ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、プロトアクチニウム（Ｐａ）、およびウラン（Ｕ）の少なくとも１つから選択されることが好適である。
【００３４】
[0040]  図３に、本発明の一実施形態によるミラー３０を概略的に示す。本実施形態では、スペクトル純度フィルタまたはミラー３０には、くさび形要素３２ａ、３２ｂを有するプロファイルドコーティング層が設けられる。当然ながら、用語「層」とは非ゼロの厚さを有する連続構造として解釈される。
【００３５】
[0041]  プロファイルドコーティング層には１つ、２つ、またはそれ以上のくさび形構造が設けられることが可能である。特定の実施形態では、プロファイルドコーティング層は、２つのくさび形要素を含んでよく、これらは想像上の対称軸Ｓに対して対称でありうる。当然ながら、対称軸Ｓはくさび形要素に対して画定されるのであって、スペクトル純度フィルタまたはミラー３１の中心線と一致する必要はない。一実施形態では、対称軸Ｓと、スペクトル純度フィルタまたはミラー３１の中心線は一致する。
【００３６】
[0042]  本発明の一実施形態では、放射ビームは、ＥＵＶ放射３８と更なる放射３５とを含みうる。ＥＵＶ放射３８と更なる放射３５が、プロファイルドコーティングに衝突すると、ＥＵＶ放射３８と更なる放射３５の各々は、プロファイルドコーティングとの異なる相互作用を経る。一実施形態では、ＥＵＶ放射３８は、くさび形要素３２ａ、３２ｂを有するプロファイルドコーティング層を実質的に透過し、その一方で更なる放射３５は、くさび形要素の表面において反射される。結果として、ＥＵＶ３８放射の反射角は、更なる放射３５の反射角とは異なり、結果として、反射されたＥＵＶビーム３８ａの伝播方向から離れる更なる放射３８ａの実質的な偏向がもたらされる。一実施形態では、角度θは、更なる放射３５が図２に示す中間焦点２から離れるように偏向されるように選択される。
【００３７】
[0043]  本発明の一実施形態によるコーティング層によってプロファイルされたミラーは、例えば、ミラー面上に次の材料：Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｐ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐａ、Ｕの１つ以上を含む好適なコーティング層が配置されて製造されうる。一実施形態では、１３．５ｎｍのＥＵＶ放射については、この波長に対する吸収が低いのでＭｏ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｒ、またはＲｕが用いられる。このようなコーティング層をリソグラフィ装置のミラーに設けることによって、コーティング層はミラー面の保護層としても作用し、ミラー面上に汚染物質が凝結することを阻止するという追加の利点がある。結果として、反射されたＥＵＶビーム（例えば反射されたＥＵＶビーム３８ａ）の光学品質は減少しない。本発明の一実施形態によるミラーをＥＵＶリソグラフィ装置において用いると、赤外線（ＩＲ）、可視光（ＶＩＳ）、紫外線（ＵＶ）、および深紫外線（ＤＵＶ）といった不所望の放射について約１００倍の抑制が達成されうることが分かっている。
【００３８】
[0044]  図３に示すプロファイルドコーティング層の形状は、様々な製造手順を用いて得られうる。例えば、コーティング層は、ダイアモンドターニングまたはレーザアブレーションによって加工されうる。当然ながら、結果として得られるプロファイルドコーティング層はくさび形要素３２ａ、３２ｂ間の領域においても非ゼロの厚さを有しうる。
【００３９】
[0045]  図４は、本発明の更なる実施形態によるミラー４０を示し、本実施形態では、くさび形要素４２ａ、４２ｂの外面は湾曲している。この場合、くさび角の値は、接線４６と、図３を参照して説明した構造３１の表面とによって決定される最大値θを有してよく、この最大値θは、一例では約１０〜２００ｍｒａｄの範囲で選択される。この構成では、くさび形要素４２ａに衝突する更なる放射４４、４７の反射角は、くさび形要素４２ａの表面に沿って変動する。結果として、更なる放射は中間焦点から偏向されて散乱迷光を形成しうる。一方、ＥＵＶ放射４５、４５’は構造３１によって反射されて、有用な方向、例えば中間焦点の方向に伝播する共平面光線ビーム４５ａ、４５’を生成する。
【００４０】
[0046]  本実施形態においても、構造３１には１つ、２つ、またはそれ以上のくさび形要素が設けられることが可能である。したがって、くさび形要素４２ａ、４２ｂが、想像上の対称線Ｓに対して対称的に配置されることが可能である。
【００４１】
[0047]  くさび形要素４２ａ、４２ｂは、例えばリソグラフィまたはエッチングといった複数の適切な製造方法を用いて製造されうる。或いは、凸状のくさび形要素４２ａ、４２ｂは、例えば構造３１のミラー面上に一連の連通する小滴（communicating droplets）を配置することによって形成されうる。一実施形態では、小滴はミラー面を濡らさない材料から形成される。リソグラフィ装置において用いられている従来のミラーでは、Ｍｏを小滴形成材料として用いうる。小滴がミラー面上に設けられた後、構造３１は高温に晒され、その温度において小滴は凝固し凸状の外面を有するプロファイルドコーティング層が形成される。
【００４２】
[0048]  図５は、本発明のさらに更なる実施形態によるミラー５０を示す。この特定例では、くさび形要素５２ａ、５２ｂを含むプロファイルドコーティング層が、図３を参照して説明した構造３１のミラー面上に設けられる。くさび形要素５２ａ、５２ｂは、接線５６と構造３１のミラー面によって形成される可変のくさび角θを有して凹面であってよい。本実施形態でもミラー５０が、１つ、２つ、またはそれ以上の５２ａのタイプのようなくさび形要素を含むことが可能である。一実施形態では、２つの対称的に配置されたくさび形要素５２ａ、５２ｂがミラー面上に設けられる。
【００４３】
[0049]  くさび形要素５２ａ、５２ｂは、例えばレーザアブレーションを用いて製造されてよく、アブレーションに用いられたレーザビームの断面に実質的に対応する凹状キャビティが形成される。本実施形態は、少なくとも図３を参照して説明した実施形態に対して、プロファイルドコーティング層の厚さｘが、コーティング層の完全性を維持しつつ最小限にされるという利点を有しうる。厚さが最小限にされたプロファイルドコーティング層は、コーティング層における非ゼロ吸収によるＥＵＶビームの強度の損失を減少するのに有利でありうる。
【００４４】
[0050]  図５に概略的に示されるように、凹面を用いて不所望の更なる放射４５を方向５４ａに偏向させうる。ＥＵＶビーム５７、５７’は構造３１から反射して、有用方向５７、５７ａ’に伝播する。一実施形態では、更なる放射は、図２を参照して説明した中間焦点から離れるように偏向される。図３〜図５を参照して説明したくさび形要素は、環状対称（annular symmetry）を有する各々のプロファイルとして設けられうる。これは、不所望の更なる放射用の偏向パターンに関して利点がありうる。
【００４５】
[0051]  図６は、プロファイルドコーティング層が設けられたミラーの選択された実施形態の平面図を示す。図６０ａは、上述したようにプロファイルドコーティング層によって覆われた例えば多層ミラーであるミラーの平面図を概略的に示す。明確にするために、くさび形要素間のプロファイルドコーティング層の領域を６１と示す。ミラーは、図平面の範囲を超えており図示されない。
【００４６】
[0052]  くさび形要素６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｇは、図３〜図５を参照して説明したプロファイルを含むがそれらに限定されない任意のプロファイルに従って構成されうる。具体的には、くさび形要素６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｇは、くさび形要素の各々の外周において厚さが増加するように構成されても、または、或いは、くさび形要素の各々の外周において厚さが減少するように構成されてもよい。
【００４７】
[0053]  図６０ａは、くさび形要素６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｇが六角形パターンに従って配置される構成を概略的に示す。このパターンは、適切なマトリクスにミラーの表面領域に沿って伝播するように適切に繰り返されてよい。
【００４８】
[0054]  図６０ｂは、矩形パターンに配置されたくさび形要素６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄを有するプロファイルドコーティングを含むミラーの一実施形態を概略的に示す。当然ながら、くさび形要素は、各々の外周において厚さが増加するように配置されても、または、或いは、くさび形要素は、各々の外周において厚さが減少するように配置されてもよい。
【００４９】
[0055]  図６０ｃは、本発明のさらに更なる実施形態によるミラーを概略的に示し、ここでは、くさび形要素６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ、６６ｅは、ピラミッド形のプロファイルで構成される。ミラーのミラー面はプロファイルドコーティング層によって覆われてよく、くさび形要素６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ、６６ｅは行列で配置されてよく、それにより適切な矩形マトリクスが形成される。
【００５０】
[0056]  図６０ａ、図６０ｂ、および図６０ｃは実質的に等しいサイズのくさび形要素の規則的なパターンを示すが、当然ながら、プロファイルドコーティング層が不規則に位置決めされたくさび形要素で構成されることも可能である。追加的に、または、或いは、くさび形要素は異なるサイズであってもよい。さらに当然ながら、図６に示すようなミラーが、例えば約６．７〜１３．５ｎｍの範囲内のＥＵＶ放射を用いて動作可能であるリソグラフィ装置において用いられる場合、マトリクスにおける連続するくさび形要素間の周期は、ＥＵＶ放射の波長に少なくとも等しい値に設定されることが有利でありうる。
【００５１】
[0057]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５２】
[0058]  本明細書において使用される「放射」および「ビーム」という用語は、文脈によって、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（約５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５３】
[0059]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５４】
[0060]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
【００５５】
[0061]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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