(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバと、
前記チャンバ内部に回転自在に配置される基体と、
前記チャンバの外部に配置され、前記基体に対して高周波の電磁場を作用させて、前記基体を回転させるモーメントを発生させる高周波コイルと、を有するチャンバ内基体回転装置であって、
前記高周波コイルが、渦巻き状の第１コイルと、前記第１コイルに対して近接して配置された渦巻き状の第２コイルとを有し、
これらの第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間に位置するように、前記基体が前記チャンバの内部に配置されるチャンバ内基体回転装置。
【請求項２】
前記基体が、基体本体と、前記基体本体の少なくとも一部を被覆する被膜とを有し、
前記基体本体の導電率（α１）に対して、前記被膜の導電率（α２）の比率（α２／α１）が１より大きく３００以下である請求項１に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項３】
前記基体から前記第１コイルおよび第２コイルを見た場合において、前記基体と前記第１コイルおよび第２コイルとの重複部分に存在するコイルに流れる電流の方向が同じ方向となる請求項１又は２に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項４】
前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間を、垂直方向に仮想直線で結び、
前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間に位置する前記仮想直線の内側直線上では、前記第１コイルおよび第２コイルのコイルに流れる電流の方向が、前記中心軸線および前記仮想直線の双方に対して垂直な第１方向であり、
前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間の外側に位置する前記仮想直線の外側直線上では、前記第１コイルおよび第２コイルのコイルに流れる電流の方向が、前記第１方向に対して逆方向の第２方向である請求項３に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項５】
前記基体を電磁場により加熱する高周波コイルを備える請求項１〜４のいずれかに記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項６】
前記基体を電磁場により加熱する高周波コイルと、前記基体を電磁場により回転させる高周波コイルとは同じものである請求項５に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項７】
前記基体を電磁場により加熱する高周波コイルと、前記基体を電磁場により回転させる高周波コイルとは別のコイルである請求項５に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項８】
前記基体の近くには、前記チャンバに対して回転移動が制限された被加熱体が設置してあり、
前記基体を電磁場により回転させる高周波コイルが、少なくとも前記被加熱体を電磁場により加熱可能に構成してある請求項１〜７のいずれかに記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項９】
前記被加熱体には、前記基体に向けて流体を吹き出す吹き出し口が具備してあり、
前記被加熱体および前記基体のいずれか一方には、前記吹き出し口から吹き出された流体が作用して、前記基体の回転速度を制御する回転制御溝が形成してある請求項８に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項１０】
前記基体本体の外周部が少なくとも前記被膜で被覆してある請求項２に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項１１】
前記被膜の厚みが１０〜２００μｍである請求項１０に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項１２】
前記基体本体がカーボンで構成してあり、前記被膜が炭化タンタルで構成してある請求項１０または１１に記載のチャンバ内基体回転装置。
【請求項１３】
内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ内に、基体の少なくとも外周部に被膜が形成してある基体を回転自在に配置する工程と、
前記チャンバの外部に配置された高周波コイルを用いて、前記基体に対して、高周波の電磁場を作用させ、前記基体を回転させるモーメントを発生させる工程と、を有するチャンバ内基体の回転方法であって、
前記高周波コイルが、渦巻き状の第１コイルと、前記第１コイルに対して近接して配置された渦巻き状の第２コイルとを有し、
これらの第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間に位置するように、前記基体を前記チャンバの内部に配置して、チャンバ内基体を回転させる方法。
【請求項１４】
前記チャンバの外部に配置された高周波コイルを用いて、前記基体に対して、高周波の電磁場を作用させ、前記基体を加熱すると共に、回転させるモーメントを発生させる請求項１３に記載のチャンバ内基体の回転方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバ内に配置された基体を回転させる方法と装置に係り、さらに詳しくは、たとえばＣＶＤ装置、エピタキシャル成長装置、スパッタ装置などの成膜装置や、何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることが可能な装置と方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえばＣＶＤ装置などの成膜装置では、チャンバ内を所定の圧力、温度、反応ガス濃度に維持する必要があるために、チャンバ内部を密封する必要がある。一方、チャンバ内部には、成膜すべき対象物としての基板を保持する基板ホルダを回転させるための機構が必要となる（特許文献１および２参照）。
【０００３】
基板ホルダを回転させるための駆動機構を、チャンバ内部に配置すると、チャンバが大型化してしまうために、通常、駆動機構は、チャンバの外部に配置される。そのため、駆動機構により回転させる回転軸を、チャンバの外部から内部に貫通させる必要があり、その回転軸の軸受け構造や密封構造が繁雑となる。
【０００４】
そこで、最近では、チャンバの外部から内部を貫通する回転軸を無くし、チャンバの内部に導入するガス圧を利用して基板ホルダを回転させる機構が提案させている（特許文献３および４）。
【０００５】
しかしながら、チャンバ内部にガスなどの流体を導入して基板ホルダを回転させる場合には、チャンバ内部の圧力が、たとえば真空に近い場合などには、ガスを導入することで、チャンバ内部の圧力が変化してしまい、成膜条件が変化するなどの課題を有している。また、チャンバの内部の成膜条件によっては、導入するガスの温度や成分を制御しなければならない場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−１１１２４５号公報
【特許文献２】特開平７−１４２３９６号公報
【特許文献３】特許第３９８１６３４号公報
【特許文献４】特表２００８−５２６００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることができる新規なチャンバ内基体回転装置と方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、チャンバ外部に配置された高周波コイルを用いて、チャンバ内部に配置された基体を、電磁誘導加熱していたところ、所定条件下においては、基体が回転することを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明に係るチャンバ内基体回転装置は、
内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバと、
前記チャンバ内部に回転自在に配置される基体と、
前記チャンバの外部に配置され、前記基体に対して高周波の電磁場を作用させて、前記基体を回転させるモーメントを発生させる高周波コイルと、を有する。
【００１０】
本発明に係るチャンバ内基体回転装置では、機械的な駆動機構を用いることなく基体を回転させることができる。したがって、チャンバの外部から内部を貫通する回転軸をチャンバに設ける必要が無く、回転軸のための複雑なシール構造や軸受け構造を必要とせず、チャンバの構造を単純にすることができる。また、回転軸のシール部からのコンタミネーションも防げると共に、装置の設計の自由度も増す。
【００１１】
しかも、本発明の装置では、基体を回転させるためには、チャンバの外部に高周波コイルを設けるのみでよく、基体に向けて流体を吹き出させる必要はない。ただし、基体の回転速度を制御するために、基体に向けて流体を吹き出させてもよい。
【００１２】
好ましくは、前記基体が、基体本体と、前記基体本体の少なくとも一部を被覆する被膜とを有し、
前記基体本体の導電率（α１）に対して、前記被膜の導電率（α２）の比率（α２／α１）が１より大きく３００以下である。比率（α２／α１）がこのような範囲にあるときに、基体を回転させるモーメントを発生させる力が強くなる。
【００１３】
好ましくは、前記高周波コイルが、渦巻き状の第１コイルと、前記第１コイルに対して近接して配置された渦巻き状の第２コイルとを有し、
これらの第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間に位置するように、前記基体が前記チャンバの内部に配置される。
【００１４】
好ましくは、前記基体から前記第１コイルおよび第２コイルを見た場合において、前記基体と前記第１コイルおよび第２コイルとの重複部分に存在するコイル（詳しくは、コイルを形成する線）に流れる電流の方向が同じ方向となる。
【００１５】
好ましくは、前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間を、垂直方向に仮想直線で結び、
前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間に位置する前記仮想直線の内側直線上では、前記第１コイルおよび第２コイルのコイルに流れる電流の方向が、前記中心軸線および前記仮想軸線の双方に対して垂直な第１方向であり、
前記第１コイルの中心軸線と前記第２コイルの中心軸線との間の外側に位置する前記仮想直線の外側直線上では、前記第１コイルおよび第２コイルのコイルに流れる電流の方向が、前記第１方向に対して逆方向の第２方向である。
【００１６】
好ましくは、前記高周波コイルが、前記基体を電磁場により加熱可能に構成してある。なお、基体を加熱するための手段は、基体を回転させるための高周波コイルとは別の高周波コイルでも良いし、あるいは、電熱線、光輻射熱源、高温ガスなどのコイル以外の加熱手段でも良い。
【００１７】
好ましくは、前記基体を電磁場により加熱する前記高周波コイルと、前記基体を電磁場により回転させる前記高周波コイルとは同じものである。この場合には、部品点数を削減することができ、装置のコンパクト化に寄与する。
【００１８】
前記基体の近くには、前記チャンバに対して回転移動が制限された被加熱体を設置してもよい。また、前記高周波コイルが、少なくとも前記被加熱体を電磁場により加熱可能に構成してあってもよい。
【００１９】
前記被加熱体には、前記基体に向けて流体を吹き出す吹き出し口が具備してもよい。前記被加熱体および前記基体のいずれか一方には、前記吹き出し口から吹き出された流体が作用して、前記基体の回転速度を制御する回転制御溝が形成してあってもよい。高周波コイルが基体の回転と被加熱体の加熱とを兼ねている場合には、高周波コイルの出力を高くするほど、被加熱体の加熱温度を高くすることができるが、それと同時に、基体の回転速度が速くなる。そこで、基体に向けて流体を吹き出すことで、たとえば基体の回転速度を、高周波コイルの出力によらず一定に制御することが可能になる。
【００２０】
好ましくは、前記基体本体の外周部が少なくとも前記被膜で被覆してある。好ましくは前記被膜の厚みが１０〜２００μｍである。
【００２１】
好ましくは、前記前記基体本体がカーボンで構成してあり、前記被膜が炭化タンタルで構成してある。
【００２２】
本発明に係るチャンバ内基体の回転方法は、
内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ内に、基体の少なくとも外周部に被膜が形成してある基体を回転自在に配置する工程と、
前記チャンバの外部に配置された高周波コイルを用いて、前記基体に対して、高周波の電磁場を作用させ、前記基体を回転させるモーメントを発生させる工程と、を有する。
【００２３】
好ましくは前記チャンバの外部に配置された高周波コイルを用いて、前記基体に対して、高周波の電磁場を作用させ、前記基体を加熱すると共に、回転させるモーメントを発生させる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図２】図２は図１に示すＣＶＤ装置の内部に配置されるサセプタの断面図である。
【図３】図３（Ａ）は図１のIII−III線に沿う矢視図であり、サセプタと高周波コイルとの位置関係を示す概略図、図３（Ｂ）は本発明の参考例を示し、図３（Ａ）と同様な矢視図であり、サセプタと高周波コイルとの位置関係を示す概略図、図３（Ｃ）は本発明の参考例を示し、図３（Ａ）と同様な矢視図であり、サセプタと高周波コイルとの位置関係を示す概略図、図３（Ｄ）は本発明の参考例を示し、図３（Ａ）と同様な矢視図であり、サセプタと高周波コイルとの位置関係を示す概略図である。
【図４】図４は導電率の比率とトルク倍率との関係を示すグラフである。
【図５】図５は本発明の他の実施形態に係るＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図６】図６は本発明の他の実施形態で用いられるサセプタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
第１実施形態
図１に示すように、本発明の一実施形態に係るチャンバ内基体回転装置が組み込まれたＣＶＤ装置２は、内部が密封状態に保持されるチャンバ４を有する。チャンバ４の底部には、底板６が設置してある。チャンバ４の外部で底板６の下方には、高周波コイル２０が配置してある。底板６は、高周波コイル２０により発生する電磁場をチャンバ４内に透過させる材質で構成してある。
【００２６】
チャンバ４には、チャンバ４の内部を所定圧力および所定ガス濃度に保持するための配管（図示省略）が接続してある。底板６には、チャンバ４の内部に向けて突出する回転軸１２が直接または間接的に回転自在に装着してある。本実施形態では、この回転軸１２は、底板６を貫通せず、チャンバ４の外部には露出しない。
【００２７】
回転軸１２の上端は、基体としてのサセプタ８の底面に形成してある嵌合孔１４（図２参照）に固定してある。回転軸１２の下端は、底板６の上面に直接に、または他の部材（軸受け部材など）を介して、底板６に対して回転自在に装着してある。サセプタ８の上面には、チャンバ４の内部においてＣＶＤ法により所望の膜が成膜される基板を保持する凹部１０が形成してあり、この凹部１０に、図示省略してある基板が着脱自在に装着される。基板は、サセプタ８と共に回転軸１２の回りに回転可能になっている。
【００２８】
サセプタ８は、全体として円盤形状を有し、図２に示すように、基体本体１６を有する。好ましくは基体本体１６の外周面は被膜１８により全体的に覆われている。特に、基体本体１６が耐腐食性に劣る場合には、耐腐食性に優れた被膜１８が基体本体１６の外周面の全体を覆っていることが好ましい。
【００２９】
被膜１８の厚みｔ１は、特に限定されないが、好ましくは１０〜２００μｍ、さらに好ましくは２０〜１００μｍである。基体本体１６の厚みｔ２は、特に限定されないが、ＣＶＤ装置として用いられるサセプタ８としては、１〜１０ｍｍ程度である。凹部１０の深さや嵌合孔１４の深さは、本実施形態では、これらが貫通しないように決定されるが、用途によっては、貫通してあっても良い。
【００３０】
図１および図３（Ａ）に示すように、チャンバ４の外部に配置してある高周波コイル２０は、この実施形態では、渦巻き状の第１コイル２２と、第１コイル２２に対して近接して配置された渦巻き状の第２コイル２４とを有する。この実施形態では、第１コイル２２の上面と第２コイル２４の上面とは略同一平面上にある。図３（Ａ）に示すように、第１コイル２２の中心軸線２２ａと第２コイル２４の中心軸線２４ａとの間に位置するように、サセプタ８がチャンバ４の内部に配置される。
【００３１】
サセプタ８から前記第１コイル２２および第２コイル２４を見た場合において、サセプタ８と第１コイル２２および第２コイル２４との重複部分に存在するコイルに流れる電流の方向（図３（Ａ）に示す矢印）が、同じ方向となる。第１コイル２２および第２コイル２４に流れる電流は、高周波で変化するが、高周波電磁場の瞬間瞬間において、同じ方向となる。
【００３２】
図３（Ａ）に示すように、第１コイル２２の中心軸線２２ａと第２コイル２４の中心軸線２４ａとの間を、垂直方向に仮想直線３０で結ぶ。そして、第１コイル２２の中心軸線２２ａと第２コイル２４の中心軸線２４ａとの間に位置する仮想直線３０の内側直線３０ａ上では、第１コイル２２および第２コイル２４のそれぞれのコイルに流れる電流の方向が、中心軸線２２ａ，２４ａおよび仮想軸線３０の双方に対して垂直な第１方向Ｄ１を向く。
【００３３】
また、第１コイル２２の中心軸線２２ａと第２コイル２４の中心軸線２４ａとの間の外側に位置する仮想直線３０の外側直線３０ｂ上（サセプタ８と重複しない領域）では、第１コイル２２および第２コイル２４のそれぞれのコイルに流れる電流の方向が、第１方向Ｄ１に対して逆方向の第２方向Ｄ２である。なお、第１コイル２２および第２コイル２４のそれぞれのコイルに流れる電流は、高周波で変化するため、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは、高周波に応じて入れ替わる。
【００３４】
本実施形態では、図２に示す基体本体１６の導電率α１に対して、被膜１８の導電率α２の導電率比（α２／α１）が、好ましくは１より大きく３００以下、さらに好ましくは１０〜２００である。このような導電率比（α２／α１）となる組合せとしては、たとえば基体本体１６がカーボン（Ｃ）であり、被膜１８が炭化タンタル（ＴａＣ）である。室温において、カーボンの導電率（α１）は、１．４×１０５Ｓ／ｍであり、炭化タンタルの導電率（α２）は、４．６×１０６Ｓ／ｍである。したがって、導電率比（α２／α１）は、３２．８である。
【００３５】
本発明者の実験によれば、基体本体１６がカーボン（Ｃ）であり、被膜１８が炭化タンタル（ＴａＣ）である場合には、安定してサセプタ８を回転させることが可能であった。一方で、皮膜１８がカーボン（Ｃ）もしくは炭化珪素（ＳｉＣ）の場合には、サセプタ８は回転しなかった。また、基体本体１６および被膜１８が絶縁体の場合にもサセプタ８は回転しなかった。
図４は、基体本体１６をカーボンで構成し、皮膜１８の導電率を変化させた場合に、基体本体１６および被膜１８を全てカーボンで構成し、サセプタ８に作用する回転トルクを１とした場合（図４に示すプロットα０）と比較して、何倍に回転トルクが増大したかを示すシミュレーション結果である。
皮膜１８が導電率比３２．８の場合には、図４に示すプロットα１に示すように、トルク倍率（図４の縦軸）が約６近くとなることが確認された。なお、トルク倍率とは、導電率比が１、すなわち、基体本体１６および被膜１８を全てカーボンで構成し、サセプタ８に作用する回転トルクを１とした場合、図４に示すプロットα０に比較して、何倍に回転トルクが増大したかを示す値である。
【００３６】
図４に示すその他のプロットα２〜α３は、基体本体１６がカーボンのままで、被膜１８の導電率が炭化タンタルの導電率の１／２、１／５および１／１０とした場合におけるトルク倍率の変化を示すシミュレーション結果である。また、プロットα５〜α７は、基体本体１６がカーボンのままで、被膜１８の導電率が炭化タンタルの導電率の２倍、５倍および１０倍とした場合におけるトルク倍率の変化を示すシミュレーション結果である。
【００３７】
さらに、プロットα８は、基体本体１６がカーボンのままで、被膜１８を炭化珪素（ＳｉＣ）とした場合におけるトルク倍率を示す実験結果である。
これらの結果から、導電率比は、好ましくは１より大きく３００以下、さらに好ましくは１０〜２００である場合に、サセプタ８を回転させる回転トルクが増大することが確認できた。
さらに、プロットα９は、導電率の絶対値の影響を調査する為、プロットα１から、導電率比（α２／α１）を変えずに、導電率の絶対値のみを１／１０とした場合のトルク倍率を示すシミュレーション結果である。導電率の絶対値を１／１０にしても、トルク倍率は、１を超えることが確認できた。そのため、基体本体１６の導電率は、室温において、好ましくは１．４×１０４Ｓ／ｍ以上、より好ましくは２．０×１０４Ｓ／ｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０５Ｓ／ｍ以上である場合に、サセプタ８を回転させる回転トルクが増大することが確認できた。また、基体本体１６の導電率の上限は、特に制限されるものではないが、基体の入手のし易さを考慮すると、５．０×１０６Ｓ／ｍである。
【００３８】
なお、サセプタ８を回転させる回転トルクを増大させるための導電率比が、上記の範囲となるような基体本体１６の材質と被膜１８の材質との組合せ（基体本体１６／被膜１８）は、（カーボン／炭化タンタル）に限らず、（カーボン／炭化タングステン）、（カーボン／炭化モリブデン）、（カーボン／炭化チタン）、（カーボン／タングステン）、（カーボン／モリブデン）、（カーボン／タンタル）などが例示される。
【００３９】
ただし、基体本体１６がカーボンであり、被膜１８が炭化タンタルである場合には、耐熱性および耐食性にも優れていることから、高温域（たとえば１０００°Ｃ以上）でも、安定してサセプタ８を回転させることができる。また、基体本体１６をカーボンなどの導電体で構成することにより、高周波コイル２０による電磁誘導加熱によりサセプタ８を加熱すると同時に、回転軸１２の回りで回転させることも可能である。サセプタ８を回転させると共に加熱するためには、基体本体１６の導電率は、上記の通り、室温において、好ましくは１．４×１０４Ｓ／以上、より好ましくは２．０×１０４Ｓ／ｍ以上、さらに好ましくは１．０×１０５Ｓ／ｍ以上であり、該導電率の上限は、好ましくは５．０×１０６Ｓ／ｍである。
【００４０】
本実施形態では、内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ４の内部に、サセプタ８を回転自在に配置し、そのサセプタ８の表面に形成してある凹部１０に、ＣＶＤ装置２により所望の膜が成膜されるべき基板を保持させる。その後に、チャンバ４の外部に配置された高周波コイル２０を用いて、サセプタ８に対して、高周波の電磁場を作用させ、サセプタ８を加熱させると共に、サセプタ８を回転させるモーメントを発生させる。
【００４１】
本実施形態では、機械的な駆動機構を用いることなくチャンバ４の内部でサセプタ８を回転させることができる。したがって、チャンバ４の外部から内部を貫通する回転軸をチャンバ４に設ける必要が無く、回転軸のための複雑なシール構造や軸受け構造を必要とせず、チャンバ４の構造を単純にすることができる。また、回転軸のシール部からのコンタミネーションも防げると共に、装置の設計の自由度も増す。
【００４２】
しかも、本実施形態のＣＶＤ装置２では、サセプタ８を回転させるためには、チャンバ４の外部に高周波コイル２０を設けるのみでよく、サセプタ８に向けて流体を吹き出させる必要はない。ただし、サセプタ８の回転速度を制御するために、後述する第２実施形態と同様にして、サセプタ８に向けて流体を吹き出させてもよい。
【００４３】
本実施形態において、サセプタ８を加熱するための手段は、サセプタ８を回転させるための高周波コイル２０とは別の高周波コイルでも良いし、あるいは、電熱線、光輻射熱源、高温ガスなどのコイル以外の加熱手段でも良い。
【００４４】
本実施形態において、回転軸１２の材質は、特に限定されず、サセプタ８の基体本体１６と一体に形成してあっても良い。その場合には、サセプタ８と同様に、回転軸１２の表面には、被膜１８を形成しても良い。また、回転軸１２は、サセプタ８の基体本体１６とは異なる材質、たとえばセラミックなどの絶縁体で構成しても良い。また、回転軸１２は、サセプタ８に対して固定することなく、底板６に固定しても良い。さらに、本実施形態では、必ずしも回転軸１２は、必要ではなく、サセプタ８自体を、底板６により直接、またはその他の部材を介して回転自在に保持するような構造であっても良い。
【００４５】
なお、シミュレーションによりコイルに流れる電流の方向（電圧の位相）の影響を調べたところ、図３（Ｂ）に示すように、サセプタ８に対して、第１コイル２２および第２コイル２４のコイルにそれぞれ流れる電流の方向（図３（Ｂ）に示す矢印）が、異なる場合には、図３（Ａ）に示す電流の方向に比較して、サセプタ８に対する回転モーメントが小さいことが確認された。
【００４６】
また、図３（Ｃ）に示すように、サセプタ８に対して、第１コイル２２および第２コイル２４のコイルにそれぞれ流れる電流の方向（図３（Ｃ）に示す矢印）が同じになるように想定した場合でも、サセプタ８に対して重複しない領域において、電磁場が発生しない場合には、図３（Ａ）に示す電流の方向に比較して、サセプタ８に対する回転モーメントが小さいことが確認された。
【００４７】
さらに、図３（Ｄ）に示すように、サセプタ８に対して、第１コイル２２および第２コイル２４のコイルにそれぞれ流れる電流の方向（図３（Ｄ）に示す矢印）が同じになるように想定した場合でも、サセプタ８と重複しない領域上で発生する電磁場の方向が同じ場合には、図３（Ａ）に示す電流の方向に比較して、サセプタ８に対する回転モーメントが小さいことが確認された。
【００４８】
すなわち、図３（Ａ）に示す関係にあることが好ましいことが本発明者の実験により確認されている。
第２実施形態
【００４９】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図５に示す第２実施形態に係るＣＶＤ装置２ａでは、以下に示す以外は、前述した第１実施形態に係るＣＶＤ装置２と同様な構成を有し、同様な作用効果を奏するので、重複する説明は一部省略する。
【００５０】
図５に示すように、本実施形態では、サセプタ８ａの近くには、チャンバ４の底板６に対して回転移動が制限された被加熱体４０を設置してある。その被加熱体４０の上面には、回転軸１２が固定してあり、この回転軸１２に対して、サセプタ８ａが回転自在に配置してある。被加熱体４０は、サセプタ８ａと同様に円盤形状をする。この被加熱体４０は、高周波コイル２０により加熱可能になっており、たとえばカーボン、タングステン、モリブデン、タンタルなどで構成してある。また、被加熱体４０は、サセプタ８ａと同様に、カーボンを炭化タンタルで被覆するように構成しても良い。
【００５１】
被加熱体４０には、サセプタ８ａの底面４６に向けてガスを吹き出す吹き出し口４２が具備してあってもよい。被加熱体４０の上面およびサセプタ８ａの底面４６のいずれか一方には、吹き出し口４２から吹き出されたガスが作用して、サセプタ８ａの回転速度を制御する回転制御溝が形成してあってもよい。高周波コイル２０がサセプタ８ａの回転と被加熱体４０の加熱とを兼ねている場合には、高周波コイル２０の出力を高くするほど、被加熱体４０の加熱温度を高くすることができるが、それと同時に、サセプタ８ａの回転速度が速くなる。そこで、サセプタ８ａに向けてガスを吹き出すことで、たとえばサセプタ８ａの回転速度を、高周波コイル２０の出力によらず一定に制御することが可能になる。ガスの吹き出しは、サセプタ８ａの回転速度を低減するように作用させても良いし、回転速度を上げる方向に作用させても良い。
【００５２】
吹き出し口４２から吹き出されるガスは、チャンバ４の内部に導入されるガスと同じ種類のガスが好ましい。そのガスは、配管４４を通して、チャンバ４の外部から導入しても良いし、チャンバ４の内部に存在するガスを循環させて使用しても良い。
【００５３】
本実施形態のサセプタ８ａでは、図６に示すように、基体本体１６の外周部のみが被膜１８ａで被覆してあるが、基体本体１６の全外周を被覆しても良い。
【００５４】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば本発明の装置および方法は、上述したＣＶＤ装置のみでなく、何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることが要求される装置および方法に全て適用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
２，２ａ…  ＣＶＤ装置
４…  チャンバ
６…  底板
８，８ａ…  サセプタ
１６…  基体本体
１８，１８ａ…  被膜
２０…  高周波コイル
２２…  第１コイル
２２ａ…  中心軸線
２４…  第２コイル
２４ａ…  中心軸線
３０…  仮想直線
３０ａ…  内側直線
３０ｂ…  外側直線
４０…  被加熱体
４２…  吹き出し口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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