(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
全ての工程でカラムクロマトグラフィー精製工程を必要せず、かつ下記に示される（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、（ＣＩ）〜（ＣＩＶ）の工程、又は（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とするＮ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドの製造方法。
（ＡＩ）  式（Ａ１）で表されるβ−ケトエステルを還元することにより式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルを調製する工程（還元工程）：
【化１】
0005401708.tif 000066
（式（Ａ１）及び式（Ａ２）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＩＩ）  式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルをスルホン酸エステル化して式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：
【化２】
0005401708.tif 000067
（式（Ａ２）中、Ｘ及びＲＡ１は前記と同じ意味を表す。式（Ａ３）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＡ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。）
（ＡＩＩＩ）  塩基性条件下にて、式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルへ調製する工程（脱離工程）：
【化３】
0005401708.tif 000068
（式（Ａ３）中、Ｘ、ＲＡ１及びＲＡ２は前記と同じ意味を表す。式（Ａ４）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＩＶ）  式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルから誘導される式（Ａ５）で表されるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ａ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【化４】
0005401708.tif 000069
（式（Ａ５）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を、Ｙはアルキル基、若しくは置換基を有していても良いアリール基を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。式（Ａ６）中、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＶ）  式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させるか、または式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを加水分解後に該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアミンとを反応させることにより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）。
（ＢＩ）  式（Ｂ１）で表されるアシルオキシブタナールのアセタール化反応および加水分解により式（Ｂ２）で表されるヒドロキシアセタールを調製する工程（アセタール化工程）：
【化５】
0005401708.tif 000070
（式（Ｂ１）中、Ａｃｙｌは炭素数２〜５のアシル基を表す。式（Ｂ２）中、ＲＢ１及びＲＢ１’はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１’とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよい。）
（ＢＩＩ）  式（Ｂ３）で表されるスルホン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：
【化６】
0005401708.tif 000071
（式（Ｂ２）中、ＲＢ１及びＲＢ１’は前記と同じ意味を表す。式（Ｂ３）中、ＲＢ１及びＲＢ１’はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１’とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよく、ＲＢ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す）
（ＢＩＩＩ）  式（Ｂ４）で表されるハロゲン化物を調製する工程（ハロゲン化工程）：
【化７】
0005401708.tif 000072
（式（Ｂ３）中、ＲＢ１、ＲＢ１’及びＲＢ２は前記と同じ意味を表す。式（Ｂ４）中、ＲＢ１及びＲＢ１’はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１’とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよく、Ｘはハロゲン原子を表す）
（ＢＩＶ）  式（Ｂ４）から誘導されるホスホニウム塩（式（Ｂ５））とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ｂ６）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエンナールのアセタールを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【化８】
0005401708.tif 000073
（式（Ｂ５）中、ＲＢ１、ＲＢ１’及びＸは前記と同じ意味を表し、Ｙはアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。式（Ｂ６）中、ＲＢ１及びＲＢ１’はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１’とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよい。）
（ＢＶ）  式（Ｂ６）で表されるオクタジエンアセタールを酸触媒の存在下で脱保護し式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールを調製する工程（脱保護工程）：
【化９】
0005401708.tif 000074
（式（Ｂ６）中、ＲＢ１及びＲＢ１’は前記と同じ意味を表す。）
（ＢＶＩ）  式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールとマロン酸類とを塩基性条件化で縮合させる工程で、マロン酸類としてマロン酸モノイソブチルアミドを反応させ、Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドおよび式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドの混合物を調製する工程（Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１）：
【化１０】
0005401708.tif 000075
（ＢＶＩＩ）  前記工程（ＶＩ）で得られたＮ−イソブチルデカトリエナミドの位置異性体混合物中における式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドを、塩基性条件化でＮ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）へ異性化する工程（異性化工程）：
【化１１】
0005401708.tif 000076
（ＣＩ）  一般式（Ｃ１）で表される４−ハロブタン酸エステルから誘導される一般式（Ｃ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【化１２】
0005401708.tif 000077
（式中、ＲＣ１は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘは、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）
（ＣＩＩ）  一般式（Ｃ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを還元することにより式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルを調製する工程（還元工程）：
【化１３】
0005401708.tif 000078
（式中、ＲＣ１は、前記と同義である。）
（ＣＩＩＩ）  式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルと一般式（Ｃ５）で表されるホスホノリン酸エステルを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【化１４】
0005401708.tif 000079
（式中、ＲＣ２およびＲＣ３は、炭素数１〜４のアルキル基である。）
（ＣＩＶ）  一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させる、または一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを加水分解後、該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアミンとを反応させることより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）。
【化１５】
0005401708.tif 000080
（式中、ＲＣ２は、前記と同義である。）
（ＤＩ）  一般式（Ｄ１）で表される４−ハロブタン酸エステルとから誘導される一般式（Ｄ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｄ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【化１６】
0005401708.tif 000081
（式中、ＲＤ１は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘは、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）
（ＤＩＩ）  一般式（Ｄ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを加水分解することにより式（Ｄ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸を調製する工程（加水分解工程）：
【化１７】
0005401708.tif 000082
（式中、ＲＤ１は、前記と同義である。）
（ＤＩＩＩ）  式（Ｄ４）で表される４，６−オクタジエン酸と一般式（Ｄ５）で表される酸ハロゲン化物とを塩基性条件化で反応させ、一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物を調製する工程（混合無水物合成工程）：
【化１８】
0005401708.tif 000083
（式中、ＲＤ２は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘ２は、塩素原子または臭素原子である。）
（ＤＩＶ）  一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物と一般式（Ｄ７）で表されるマロン酸モノエステル塩とを反応させ、一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（増炭反応工程）：
【化１９】
0005401708.tif 000084
（式中、ＲＤ２は、前記と同義であり；ＲＤ３は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｍは、ナトリウムまたはカリウムである。）
（ＤＶ）  一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルのケトン部位の還元することにより、一般式（Ｄ９）で表される３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（還元工程）：
【化２０】
0005401708.tif 000085
（式中、ＲＤ３は、前記と同義である。）
（ＤＶＩ）  一般式（Ｄ９）で表わされる３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルをイソブチルアミンと反応させることより、式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（アミド化工程）；
【化２１】
0005401708.tif 000086
（式中、ＲＤ３は、前記と同義である。）
（ＤＶＩＩ）  式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドをスルホン酸エステル化して、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）
【化２２】
0005401708.tif 000087
（式中、ＲＤ４は、アルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基またはトルエンスルホニル基である。）
（ＤＶＩＩＩ）  塩基性条件下にて、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを塩基で処理することにより、式（Ｄ１２）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（脱離工程）：
【化２３】
0005401708.tif 000088
（式中、ＲＤ４は、前記と同義である。）
【請求項２】
全ての工程の反応温度が−２０℃以上で実施され、かつ前記（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、前記（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、又は前記（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドの化学純度が８０％以上で、２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ−異性体含有率が６５％以上であり、かつ前記（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、前記（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、又は前記（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ＡＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ＡＶ）のアミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ＢＶＩ）において、マロン酸類としてマロン酸又はマロン酸モノエステル体を塩基性条件下にて反応させ、式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸エステル又はデカトリエン酸を調製する工程（Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程２）：
【化２４】
0005401708.tif 000089
（式（Ｂ９）中、ＲＢ３は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す）
及び、式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させるか、または式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸及びデカトリエン酸エステルを加水分解して得られるデカトリエン酸を酸ハロゲン化物とした後、イソブチルアミンと反応させ、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）を経ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ＢＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする請求項１〜３及び６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
アミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ＣＩ）および／または（ＣＩＩＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ＣＩＶ）のアミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする請求項１又は９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ＤＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ＤＶＩ）のアミド化工程で触媒としてリパーゼを使用することを特徴とする請求項１〜３及び１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステル。
【化２５】
0005401708.tif 000090
（式（Ａ３）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＡ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。）
【請求項１４】
式（Ａ８）で表されるデカトリエン酸ハロゲン化物。
【化２６】
0005401708.tif 000091
（式（Ａ８）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表す）
【請求項１５】
式（Ｂ６’）で表されるオクタジエナールのアセタール。
【化２７】
0005401708.tif 000092
【請求項１６】
式（Ｄ１０）：
【化２８】
0005401708.tif 000093
で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミド。
【請求項１７】
式（Ｄ１１）：
【化２９】
0005401708.tif 000094
（式中、ＲＤ４は、アルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基またはトルエンスルホニル基である。）
で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は香料化合物として有用なスピラントールの製造方法及びその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
特定の物質は、しみるような、しびれるような刺激及び／又は刺すような刺激感をもたらすことが知られている。これらの物質は一般的なスパイス及び／又はハーブ香辛料として飲食品に活用されている。これらの刺激感を有する物質としてはジャンブーオレオレジン；パラコショウソウ（ｐａｒａ  ｃｒｅｓｓ）（Ｓｐｉｌａｎｔｈｅｓ  ｓｐ．）及びオランダセンニチ（Ｓｐｉｌａｎｔｈｅｓ  ａｃｍｅｌｌａ）などに含まれるスピラントール（Ｓｐｉｒａｎｔｈｏｌ）；サンショウ（Ｚａｎｔｈｏｘｙｌｕｍ  ｐｅｐｅｒｉｔｕｍ）に含まれるサンショオール（Ｓａｎｓｈｏｏｌ）−Ｉ、サンショオール−ＩＩ及びサンショウアミド（Ｓａｎｓｈｏａｍｉｄｅ）；黒胡椒（Ｐｉｐｅｒ  ｎｉｇｒｕｍ）に含まれるカビシン（Ｃｈａｖｉｃｉｎｅ）及びピペリン（Ｐｉｐｅｒｉｎｅ）などが知られている。特に（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）は、強いしびれ・収斂性（Ｔｉｎｇｌｉｎｇ）作用を有する有効成分として知られており、いくつかの合成報告がある。しかし既報の方法は、毒性の高い試薬や高価な試薬を使用したり、大スケールでの製造には不向きなシリカゲルカラムクロマトグラフィーの様な精製工程が必要であるなど問題が多く、大量に供給するためには工業的に実施可能な製造方法が望まれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は高価な試薬を用いることなく大スケールでのスピラントールの製造法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は上記課題を解決するために検討を行った結果、工業的に実施可能なスピラントールの製造方法を見出した。【０００５】
すなわち、本発明は以下の［１］〜［１７］に関する。
［１］  全ての工程でカラムクロマトグラフィー精製工程を必要とせず、かつ下記に示される（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、（ＣＩ）〜（ＣＩＶ）の工程、又は（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とするＮ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドの製造方法。
（ＡＩ）  式（Ａ１）で表されるβ−ケトエステルを還元することにより式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルを調製する工程（還元工程）：
【０００６】
【化１】
0005401708.tif 000002
【０００７】
（式（Ａ１）及び式（Ａ２）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＩＩ）  式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルをスルホン酸エステル化して式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：【０００８】
【化２】
0005401708.tif 000003
【０００９】
（式（Ａ２）中、Ｘ及びＲＡ１は前記と同じ意味を表す。式（Ａ３）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＡ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。）
（ＡＩＩＩ）  塩基性条件下にて、式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルへ調製する工程（脱離工程）：【００１０】
【化３】
0005401708.tif 000004
【００１１】
（式（Ａ３）中、Ｘ、ＲＡ１及びＲＡ２は前記と同じ意味を表す。式（Ａ４）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＩＶ）  式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルから誘導される式（Ａ５）で表されるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ａ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：【００１２】
【化４】
0005401708.tif 000005
【００１３】
（式（Ａ５）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を、Ｙはアルキル基、若しくは置換基を有していても良いアリール基を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。式（Ａ６）中、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（ＡＶ）  式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させるか、または式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを加水分解後に該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアミンとを反応させることにより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）。
（ＢＩ）  式（Ｂ１）で表されるアシルオキシブタナールのアセタール化反応および加水分解により式（Ｂ２）で表されるヒドロキシアセタールを調製する工程（アセタール化工程）：
【００１４】
【化５】
0005401708.tif 000006
【００１５】
（式（Ｂ１）中、Ａｃｙｌは炭素数２〜５のアシル基を表す。式（Ｂ２）中、ＲＢ１及びＲＢ１'はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１'とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよい。）
（ＢＩＩ）  式（Ｂ３）で表されるスルホン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：【００１６】
【化６】
0005401708.tif 000007
【００１７】
（式（Ｂ２）中、ＲＢ１及びＲＢ１'は前記と同じ意味を表す。式（Ｂ３）中、ＲＢ１及びＲＢ１'はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１'とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよく、ＲＢ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。）
（ＢＩＩＩ）  式（Ｂ４）で表されるハロゲン化物を調製する工程（ハロゲン化工程）：【００１８】
【化７】
0005401708.tif 000008
【００１９】
（式（Ｂ３）中、ＲＢ１、ＲＢ１'及びＲＢ２は前記と同じ意味を表す。式（Ｂ４）中、ＲＢ１及びＲＢ１'はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１'とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよく、Ｘはハロゲン原子を表す。）
（ＢＩＶ）  式（Ｂ４）から誘導されるホスホニウム塩（式（Ｂ５））とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ｂ６）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエンナールのアセタールを調整する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：【００２０】
【化８】
0005401708.tif 000009
【００２１】
（式（Ｂ５）中、ＲＢ１、ＲＢ１'及びＸは前記と同じ意味を表し、Ｙはアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。式（Ｂ６）中、ＲＢ１及びＲＢ１'はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１'とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよい。）
（ＢＶ）  式（Ｂ６）で表されるオクタジエンアセタールを酸触媒の存在下で脱保護し式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールを調整する工程（脱保護工程）：【００２２】
【化９】
0005401708.tif 000010
【００２３】
（式（Ｂ６）中、ＲＢ１及びＲＢ１'は前記と同じ意味を表す。）
（ＢＶＩ）  式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールとマロン酸類とを塩基性条件化で縮合させる工程で、マロン酸類としてマロン酸モノイソブチルアミドを反応させ、Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドおよび式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドの混合物を調製する工程（Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１）：【００２４】
【化１０】
0005401708.tif 000011
【００２５】
（ＢＶＩＩ）  前記工程（ＶＩ）で得られたＮ−イソブチルデカトリエナミドの位置異性体混合物中における式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドを、塩基性条件化でＮ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）へ異性化する工程（異性化工程）：【００２６】
【化１１】
0005401708.tif 000012
【００２９】
（ＣＩ）  一般式（Ｃ１）で表される４−ハロブタン酸エステルから誘導される一般式（Ｃ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【００３０】
【化１３】
0005401708.tif 000013
【００３１】
（式中、ＲＣ１は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘは、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）
（ＣＩＩ）  一般式（Ｃ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを還元することにより式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルを調製する工程（還元工程）：【００３２】
【化１４】
0005401708.tif 000014
【００３３】
（式中、ＲＣ１は、前記と同義である。）
（ＣＩＩＩ）  式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルと一般式（Ｃ５）で表されるホスホノリン酸エステルを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：【００３４】
【化１５】
0005401708.tif 000015
【００３５】
（式中、ＲＣ２およびＲＣ３は、炭素数１〜４のアルキル基である。）
（ＣＩＶ）  一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させる、または一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを加水分解後、該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアミンとを反応させることより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）。【００３６】
【化１６】
0005401708.tif 000016
【００３７】
（式中、ＲＣ２は、前記と同義である。）
（ＤＩ）  一般式（Ｄ１）で表される４−ハロブタン酸エステルとから誘導される一般式（Ｄ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｄ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
【００３８】
【化１７】
0005401708.tif 000017
【００３９】
（式中、ＲＤ１は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘは、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）
（ＤＩＩ）  一般式（Ｄ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを加水分解することにより式（Ｄ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸を調製する工程（加水分解工程）：【００４０】
【化１８】
0005401708.tif 000018
【００４１】
（式中、ＲＤ１は、前記と同義である。）
（ＤＩＩＩ）  式（Ｄ４）で表される４，６−オクタジエン酸と一般式（Ｄ５）で表される酸ハロゲン化物とを塩基性条件化で反応させ、一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物を調製する工程（混合無水物合成工程）：【００４２】
【化１９】
0005401708.tif 000019
【００４３】
（式中、ＲＤ２は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘ２は、塩素原子または臭素原子である。）
（ＤＩＶ）  一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物と一般式（Ｄ７）で表されるマロン酸モノエステル塩とを反応させ、一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（増炭反応工程）：【００４４】
【化２０】
0005401708.tif 000020
【００４５】
（式中、ＲＤ２は、前記と同義であり；ＲＤ３は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｍは、
ナトリウムまたはカリウムである。）
（ＤＶ）  一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルのケトン部位の還元することにより、一般式（Ｄ９）で表される３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（還元工程）：【００４６】
【化２１】
0005401708.tif 000021
【００４７】
（式中、ＲＤ３は、前記と同義である。）
（ＤＶＩ）  一般式（Ｄ９）で表わされる３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルをイソブチルアミンと反応させることより、式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（アミド化工程）；【００４８】
【化２２】
0005401708.tif 000022
【００４９】
（式中、ＲＤ３は、前記と同義である）
（ＤＶＩＩ）  式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドをスルホン酸エステル化して、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）【００５０】
【化２３】
0005401708.tif 000023
【００５１】
（式中、ＲＤ４は、アルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基またはトルエンスルホニル基である。）
（ＤＶＩＩＩ）  塩基性条件下にて、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを塩基で処理することにより、式（Ｄ１２）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（脱離工程）：【００５２】
【化２４】
0005401708.tif 000024
【００５３】
（式中、ＲＤ４は、前記と同義である。）
［２］  全ての工程の反応温度が−２０℃以上で実施され、かつ前記（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、前記（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、又は前記（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とする、［１］に記載の製造方法。
［３］  Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドの化学純度が８０％以上で、２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ−異性体含有率が６５％以上であり、かつ前記（ＡＩ）〜（ＡＶ）の工程、前記（ＢＩ）〜（ＢＶＩＩ）の工程、又は前記（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含むことを特徴とする［１］または［２］に記載の製造方法。
［４］  前記工程（ＡＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする請求項［１］〜［３］のいずれか１に記載の製造方法。
［５］  前記工程（ＡＶ）のアミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする請求項［１］〜［４］のいずれか１に記載の製造方法。
［６］  前記工程（ＢＶＩ）において、マロン酸類としてマロン酸又はマロン酸モノエステル体を塩基性条件下にて反応させ、式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸エステル又はデカトリエン酸を調製する工程（Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程２）：
【化２５】
0005401708.tif 000025
（式（Ｂ９）中、ＲＢ３は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
及び、式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させるか、または式（Ｂ９）で表されるデカトリエン酸及びデカトリエン酸エステルを加水分解して得られるデカトリエン酸を酸ハロゲン化物とした後、イソブチルアミンと反応させ、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）を経ることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１に記載の製造方法。
［７］  前記工程（ＢＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする［１］〜［３］及び［６］のいずれか１に記載の製造方法。
［８］  アミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする［６］又は［７］に記載の製造方法。
［９］  前記工程（ＣＩ）および／または（ＣＩＩＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする［１］に記載の製造方法。
［１０］  前記工程（ＣＩＶ）のアミド化工程で使用される触媒がリパーゼであることを特徴とする［１］又は［９］に記載の製造方法。
［１１］  前記工程（ＤＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程で使用される塩基が炭酸カリウムであることを特徴とする［１］〜［３］のいずれか１に記載の製造方法。
［１２］  前記工程（ＤＶＩ）のアミド化工程で触媒としてリパーゼを使用することを特徴とする［１］〜［３］及び［１１］のいずれか１に記載の製造方法。
［１３］  式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステル。
【００５４】
【化２５】
0005401708.tif 000026
【００５５】
（式（Ａ３）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表し、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＡ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。）
［１４］  式（Ａ８）で表されるデカトリエン酸ハロゲン化物。
【００５６】
【化２６】
0005401708.tif 000027
【００５７】
（式（Ａ８）中、Ｘは塩素原子又は臭素原子を表す。）
［１５］  式（Ｂ６’）で表されるオクタジエナールのアセタール。
【００６０】
【化２８】
0005401708.tif 000028
【００６１】
［１６］  式（Ｄ１０）：
【００６２】
【化２９】
0005401708.tif 000029
【００６３】
で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミド。
［１７］  式（Ｄ１１）：
【００６４】
【化３０】
0005401708.tif 000030
【００６５】
（式中、ＲＤ４は、アルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基またはトルエンスルホニル基である。）
で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミド。
【発明の効果】
【００６６】
本発明により高価な試薬を用いることなく、カラムクロマトグラフィー等の精製工程を経ることなく、スピラントールの製造を工業的に実施することが可能になる。本発明で得られるスピラントールは香料成分として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６７】
本発明の（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）の製造方法は、全ての工程でカラムクロマトグラフィーの精製工程を必要としない。さらに、本発明の製造方法は、全ての工程の反応温度が好ましくは−２０℃以上、より好ましくは０〜１２０℃で実施される。
本発明の製造方法の具体的な態様としては、以下に示す製造方法Ａ〜Ｄが挙げられる。【００６８】
＜製造方法Ａ＞
本発明の（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）の製造方法の概要は、下記に示される工程を含む反応により行なわれる。【００６９】
【化３１】
0005401708.tif 000031
【００７０】
（式中、ＲＡ１は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＡ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。Ｘは塩素原子又は臭素原子を表す。Ｙはアルキル基、若しくは置換基を有していても良いアリール基を表す。）【００７１】
即ち、
（ＡＩ）  式（Ａ１）で表されるβ−ケトエステルを還元することにより式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルを調製する工程（還元工程）：
（ＡＩＩ）  式（Ａ２）で表されるβ−ヒドロキシカルボン酸エステルをスルホン酸エステル化して式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：
（ＡＩＩＩ）  塩基性条件下にて、式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルを式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルへ調製する工程（脱離工程）：
（ＡＩＶ）  式（Ａ４）で表されるα，β−不飽和カルボン酸エステルから誘導される式（Ａ５）で表されるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ａ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
（ＡＶ）  式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させるか、または式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを加水分解後に該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアミンとを反応させることにより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）：
前記の反応式にはこれらの一連の反応が示されている。【００７２】
本発明の製造方法Ａにおいて炭素数１〜４のアルキル基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基をいう。
本発明の製造方法Ａにおける（ＡＩ）の還元工程は、特に制限されるものではないが、ルテニウム、パラジウム、ニッケル等の遷移金属を含む均一系触媒及び不均一系触媒を用いた接触水素化反応、又は水素化ホウ素ナトリウム等の金属ヒドリドによるヒドリド還元等を用いることが出来る。
本工程の反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃で行うことができる。【００７３】
本発明の製造方法Ａにおける（ＡＩＩ）のスルホン酸エステル化工程は、塩基存在下でメタンスルホン酸クロリド等のスルホン酸エステル化剤を上記（ＡＩ）で得られた式（Ａ２）のβ−ヒドロキシカルボン酸エステルと反応させることにより行うことが出来る。スルホン酸エステル化剤としては、メタンスルホン酸クロリド、エタンスルホン酸クロリド等のアルカンスルホン酸クロリド、ベンゼンスルホン酸クロリド、パラトルエンスルホン酸クロリド等のアレーンスルホン酸クロリド等が挙げられる。なお、本工程で得られる式（Ａ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルは新規化合物である。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくはトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
本工程の反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは−１０〜５０℃で行うことができる。【００７４】
本発明の製造方法Ａにおける（ＡＩＩＩ）の脱離工程は、上記（ＡＩＩ）の工程で得られた式（Ａ３）のスルホン酸エステルを塩基存在下で好ましくは加熱することにより行うことが出来る。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくはトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
本工程の反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃で行うことができる。【００７５】
本発明の製造方法Ａにおける（ＡＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程は、上記（ＡＩＩＩ）で得られた式（Ａ４）のα，β−不飽和カルボン酸エステルを３級ホスフィンと反応させホスホニウム塩へと誘導した後に、塩基性条件下でクロトンアルデヒドと反応させることにより行うことが出来る。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくは炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等が挙げられる。
本工程の反応温度としては−２０〜１２０℃、好ましくは４０〜１００℃で行うことができる。
また、ホスホニウム塩を調整する前に式（Ａ４）の化合物のハロゲン原子を、ホスホニウム塩化に対してより活性の高いハロゲン原子へと交換することも可能である（例えば塩素原子から臭素原子、またはその逆）。
ここで用いられる３級ホスフィンとしてはＰＹ３（Ｙはアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を表す。）のような化合物が挙げられる。Ｙで表されるアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。またＹで表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基としては炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。【００７６】
上記した（ＡＩ）〜（ＡＩＶ）の各工程における目的物は、精製操作を行わず粗生成物のまま次工程で使用することも可能であり、また通常行われる精製操作（蒸留、再結晶など）を行った後に次工程で使用することもできる【００７７】
本発明の製造方法Ａにおける（ＡＶ）のアミド化工程は、上記（ＡＩＶ）で得られた式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルとイソブチルアミンを触媒の存在下で直接アミド化するか、又は式（Ａ６）で表されるデカトリエン酸エステルを定法により加水分解して対応するデカトリエン酸とした後に、酸ハロゲン化剤と反応させてデカトリエン酸ハライドとし、該酸ハライドとイソブチルアミンとを塩基存在下でアミド化することにより行うことが出来る。
本工程で用いることができる触媒としては、酢酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛、又はそれらのクラスター化合物のような金属化合物、リパーゼ等の酵素が挙げられる。
触媒によるアミド化工程における反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは２０〜８０℃で行うことができる。
酸ハライドを経由するアミド化工程における反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは−１０〜５０℃で行うことができる。
なお、本工程の中間体である式（Ａ８）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−２，６，８−デカトリエン酸クロライド及び（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエン酸ブロマイドは新規化合物である。また、得られた（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）は必要に応じて蒸留等の精製工程を行い、化学純度及び異性体比を向上させることができる。【００７８】
＜製造方法Ｂ＞
本発明の（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）の製造方法Ｂの概要は、下記に示される工程を含む反応により行なわれる。【００７９】
【化３２】
0005401708.tif 000032
【００８０】
（式中、Ａｃｙｌは炭素数２〜５のアシル基を表し、ＲＢ１及びＲＢ１'はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルキル基を表すか、ＲＢ１とＲＢ１'とで置換基を有してもよい二価炭素鎖を形成してもよい。ＲＢ２はアルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基及びトルエンスルホニル基を表す。ＲＢ３は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）【００８１】
即ち；
（ＢＩ）式（Ｂ１）で表されるアシルオキシブタナールのアセタール化反応および加水分解により式（Ｂ２）で表されるヒドロキシアセタールを調製する工程（アセタール化工程）：
（ＢＩＩ）式（Ｂ３）で表されるスルホン酸エステルを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）：
（ＢＩＩＩ）式（Ｂ４）で表されるハロゲン化物を調製する工程（ハロゲン化工程）：
（ＢＩＶ）式（Ｂ４）から誘導されるホスホニウム塩（式（Ｂ５））とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、式（Ｂ６）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエンナールのアセタールを調整する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
（ＢＶ）式（Ｂ６）で表されるオクタジエンアセタールを酸触媒の存在下で脱保護し式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールを調整する工程（脱保護工程）：
（ＢＶＩ）式（Ｂ７）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナールとマロン酸類とを塩基性条件化で縮合させる工程で、マロン酸類としてマロン酸モノイソブチルアミドを反応させ、Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドおよび式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドの混合物を調製する工程（Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１）：
（ＢＶＩＩ）前記工程（ＶＩ）で得られたＮ−イソブチルデカトリエナミドの位置異性体混合物中における式（Ｂ８）で表されるＮ−イソブチル−３，６，８−デカトリエナミドを、塩基性条件化でＮ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）へ異性化する工程（異性化工程）：
前記の反応式にはこれらの一連の反応が示されている。【００８２】
本発明の製造方法Ｂにおいて炭素数１〜４のアルキル基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基をいう。
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＩ）のアセタール化工程は、特に制限されるものではないが、４−アシルオキシブタナールのホルミル基をメタノール又はエタノール等のモノオール、エチレングリコール等のジオール又はオルソギ酸メチル等のオルソギ酸エステル等を用いた定法によるアセタール化反応により行うことが出来る。
またアセタール反応を行った後の加水分解による脱アシル化も定法により行うことができ、対応するヒドロキシ体を得ることが出来る。ここで用いられる４−アシルオキシブタナールのアシル基としては、アセチル基、プロパノイル基、ブチリル基等のアシル基が挙げられる。またアセタール部位となるＲＢ１とＲＢ１'とで形成される二価炭素鎖としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、２，３−ブタンジイル基等が挙げられる。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜４０℃で行うことができる。【００８３】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＩＩ）のスルホン酸エステル化工程は、塩基存在下でメタンスルホン酸クロリド等のスルホン酸エステル化剤を上記（ＢＩ）で得られた式（２）のヒドロキシアセタールと反応させることにより行うことが出来る。スルホン酸エステル化剤としては、メタンスルホン酸クロリド、エタンスルホン酸クロリド等のアルカンスルホン酸クロリド、ベンゼンスルホン酸クロリド、パラトルエンスルホン酸クロリド等のアレーンスルホン酸クロリド等が挙げられる。なお、本工程で得られる式（３）で表されるスルホン酸エステルは新規化合物である。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜１０℃で行うことができる。【００８４】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＩＩＩ）のハロゲン化工程は、上記（ＢＩＩ）の工程で得られた式（３）のスルホン酸エステルに臭化リチウム等のアルカリ金属ハライドを反応させることにより行うことが出来る。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０℃〜４０℃で行うことができる。【００８５】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＩＶ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程は、上記（ＢＩＩＩ）で得られた式（４）のハロゲン化アセタールを３級ホスフィンと反応させホスホニウム塩へと誘導した後に、塩基性条件下でクロトンアルデヒドと反応させることにより行うことが出来る。ここで用いられる３級ホスフィンとしてはＰＹ３（Ｙはアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を表す。）のような化合物が挙げられる。Ｙで表されるアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。またＹで表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基としては炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。なお、本工程で得られる４Ｚ，６Ｅ−オクタジエナールのアセタールは新規化合物である。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは３０〜９０℃で行うことができる。【００８６】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＶ）の脱保護工程は、特に限定されるものではないが、通常用いられるアセタールのアルデヒドへの変換方法で行うことが出来る。本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは５０〜８０℃で行うことができる。【００８７】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＶＩ）のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１は、塩基存在下でアルデヒドと活性メチレン化合物を反応させる定法を用いることが出来、アルデヒドとして４Ｚ，６Ｅ−オクタジエナール、活性メチレン化合物としてマロン酸モノイソブチルアミドを用いることにより行われる。この工程では、カルボニル基に対してαβ不飽和の化合物とβγ不飽和の化合物の二つの異性体が生成するが、両異性体を分離することなく次工程の異性化反応を行うことが出来る。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは３０〜９０℃で行うことができる。【００８８】
本発明の製造方法Ｂにおける（ＢＶＩＩ）の異性化反応工程は、前記工程（ＢＶＩ）で得られた２つの異性体混合物を塩基存在下で加熱することにより、βγ不飽和異性体を選択的にαβ不飽和体へ異性化させることができる。ここで用いられる塩基としては、無機塩基が好ましい。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃で行うことができる。【００８９】
さらに、前記のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１において用いられるマロン酸モノイソブチルアミドの代わりに、本発明の製造方法（ＢＶＩＩＩ）のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程２に示すように、マロン酸又はマロン酸ハーフエステルを用いることによりスピラントールの前駆体であるデカトリエン酸又はそのエステルを得ることが出来る。ここで得られたデカトリエン酸又はそのエステルは、アミド工程（ＢＩＸ）に示されるように、必要に応じて定法による加水分解を経た後に、酸クロリド化剤により酸クロリドへと変換し、これにイソブチルアミンを反応させることによりスピラントールを得ることも出来る。
さらに触媒としてリパーゼ等の酵素や酢酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛等の金属化合物を用いてデカトリエン酸エステルとイソブチルアミンとを直接縮合させスピラントールを得ることもできる。【００９０】
上記した各工程における目的物は、精製操作を行わず粗生成物のまま次工程で使用することも可能であり、また通常行われる精製操作（蒸留、再結晶など）を行った後に次工程で使用することもできる。ただし、スピラントールは必要に応じて蒸留等の精製工程を行い、化学純度及び異性体比を向上させることが望ましい。【００９１】
＜製造方法Ｃ＞
本発明の（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）の製造方法Ｃの概要は、下記に示される（ＣＩ）〜（ＣＩＶ）の工程を含む反応により行なわれる。【００９２】
【化３３】
0005401708.tif 000033
【００９３】
（式中、ＲＣ１、ＲＣ２およびＲＣ３は、炭素数１〜４のアルキル基であり；Ｘは、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）
即ち、
（ＣＩ）一般式（Ｃ１）で表される４−ハロブタン酸エステルと３級ホスフィンとから誘導される一般式（Ｃ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
（ＣＩＩ）一般式（Ｃ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを還元することにより式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルを調製する工程（還元工程）：
（ＣＩＩＩ）式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルと一般式（Ｃ５）で表されるホスホノリン酸エステルを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｃ６）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
（ＣＩＶ）一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを触媒の存在下でイソブチルアミンと反応させる、または一般式（Ｃ６）で表わされるデカトリエン酸エステルを加水分解後、該酸の酸ハロゲン化物として、この酸ハロゲン化物とイソブチルアモンとを反応させることより、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（アミド化工程）。
前記の反応式にはこれらの一連の反応が示されている。【００９４】
本発明の製造方法Ｃにおいて炭素数１〜４のアルキル基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基をいう。
本発明の製造方法Ｃにおける（ＣＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程は、特に制限されるものではないが、一般式（Ｃ１）で表される４−ハロブタン酸エステルを３級ホスフィンと反応させホスホニウム塩へと誘導した後に、塩基性条件下でクロトンアルデヒドと反応させることにより行うことが出来る。また、ホスホニウム塩を調整する前に式（Ｃ１）の化合物のハロゲン原子を、ホスホニウム塩化に対してより活性の高いハロゲン原子へと交換することも可能である（例えば塩素原子から臭素原子、またはその逆）。ここで用いられる３級ホスフィンとしてはＰＹ３（Ｙはアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を表す。）のような化合物が挙げられる。Ｙで表されるアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。またＹで表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基としては炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。【００９５】
本発明の製造方法Ｃにおける（ＣＩＩ）の還元工程は、エステルをカルボン酸へと返還できる還元方法であれば特に制限されるものではないが、上記（ＣＩ）で得られた一般式（Ｃ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエンカルボン酸エステルを、ＤＩＢＡＬＨ、Ｒｅｄ−Ａｌ、ＬＴＥＡなどの金属水素化物等を用いることが出来る。【００９６】
本発明の製造方法Ｃにおける（ＣＩＩＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程は、特に制限されるものではないが、上記（ＣＩＩ）で得られた式（Ｃ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナ−ルを一般式（Ｃ５）で表されるホスホノリン酸エステルを塩基性条件下にて反応させることにより行うことが出来る。【００９７】
上記した（ＣＩ）〜（ＣＩＩＩ）の各工程における目的物は、精製操作を行わず粗生成物のまま次工程で使用することも可能であり、また通常行われる精製操作（蒸留、再結晶など）を行った後に次工程で使用することもできる。【００９８】
本発明の製造方法Ｃにおける（ＣＩＶ）のアミド化工程は、上記（ＣＩＩＩ）で得られた式（Ｃ６）で表されるデカトリエン酸エステルとイソブチルアミンを触媒の存在下で直接アミド化するか、又は式（Ｃ６）で表されるデカトリエン酸エステルを定法により加水分解して対応するデカトリエン酸とした後に、酸ハロゲン化剤と反応させてデカトリエン酸ハライドとし、該酸ハライドとイソブチルアミンとを塩基存在下でアミド化することにより行うことが出来る。また、得られた（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）は必要に応じて蒸留等の精製工程を行い、化学純度及び異性体比を向上させることができる。【００９９】
＜製造方法Ｄ＞
本発明の（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）の製造方法Ｄの概要は、下記に示される（ＤＩ）〜（ＤＶＩＩＩ）の工程を含む反応により行なわれる。【０１００】
【化３４】
0005401708.tif 000034
【０１０１】
（式中、ＲＤ１、ＲＤ２およびＲＤ３は、炭素数１〜４のアルキル基であり；ＲＤ４は、アルカンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基またはトルエンスルホニル基であり；Ｘ１およびＸ２は、塩素原子または臭素原子であり；Ｙは、アルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である。）【０１０２】
即ち、
（ＤＩ）一般式（Ｄ１）で表される４−ハロブタン酸エステルとから誘導される一般式（Ｄ２）で表わされるホスホニウム塩とクロトンアルデヒドとを塩基性条件下にて反応させ、一般式（Ｄ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを調製する工程（Ｗｉｔｔｉｇ反応工程）：
（ＤＩＩ）一般式（Ｄ３）の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを加水分解することにより式（Ｄ４）で表わされる（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸を調製する工程（加水分解工程）：
（ＤＩＩＩ）式（Ｄ４）で表される４，６−オクタジエン酸と一般式（Ｄ５）で表される酸ハロゲン化物とを塩基性条件化で反応させ、一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物を調製する工程（混合無水物合成工程）：
（ＤＩＶ）一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物と一般式（Ｄ７）で表されるマロン酸モノエステル塩とを反応させ、一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（増炭反応工程）：
（ＤＶ）一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルのケトン部位の還元することにより、一般式（Ｄ９）で表される３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルを調製する工程（還元工程）：
（ＤＶＩ）一般式（Ｄ９）で表わされる３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルをイソブチルアミンと反応させることより、式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（アミド化工程）；
（ＤＶＩＩ）式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドをスルホン酸エステル化して、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを調製する工程（スルホン酸エステル化工程）；
（ＤＶＩＩＩ）塩基性条件下にて、一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを塩基で処理することにより、式（Ｄ１２）で表される（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミドを得る工程（脱離工程）：
前記の反応式にはこれらの一連の反応が示されている。【０１０３】
本発明の製造方法Ｄにおいて炭素数１〜４のアルキル基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基をいう。【０１０４】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＩ）のＷｉｔｔｉｇ反応工程は、特に制限されるものではないが、一般式（Ｄ１）で表される４−ハロブタン酸エステルを３級ホスフィンと反応させホスホニウム塩へと誘導した後に、塩基性条件下でクロトンアルデヒドと反応させることにより行うことが出来る。また、ホスホニウム塩を調整する前に式（Ｄ１）の化合物のハロゲン原子を、ホスホニウム塩化に対してより活性の高いハロゲン原子へと交換することも可能である（例えば塩素原子から臭素原子、またはその逆）。ここで用いられる３級ホスフィンとしてはＰＹ３（Ｙはアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を表す。）のような化合物が挙げられる。Ｙで表されるアルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。またＹで表される置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、置換基としては炭素数１〜４のアルキル基が挙げられる。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくは炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム、炭酸セシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等が挙げられる。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは７０〜９０℃で行うことができる。【０１０５】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＩＩ）の加水分解工程は、エステルをカルボン酸へと返還できる方法であれば特に制限されるものではないが、上記（ＤＩ）で得られた一般式（Ｄ３）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エステルを、塩基存在下、有機溶媒中で行う方法等を用いることが出来る。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくは水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等が挙げられるが、より好ましくは水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが挙げられる。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは２０〜４０℃で行うことができる。【０１０６】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＩＩＩ）の加水分解工程は、カルボン酸を混合酸無水物へと返還できる方法であれば特に制限されるものではないが、上記（ＤＩＩ）で得られた一般式（Ｄ４）で表される（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸と一般式（Ｄ５）で表される酸ハロゲン化物とを有機溶媒中にて塩基性条件下で反応させて行う方法等を用いることが出来る。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくはトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜５０℃で行うことができる。【０１０７】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＩＶ）の増炭反応工程は、特に制限されるものではないが、上記（ＤＩＩＩ）で得られた一般式（Ｄ６）で表される混合酸無水物と一般式（Ｄ７）で表されるマロン酸モノエステル塩とを有機溶媒中にて塩基性条件下で反応させて行う方法等を用いることが出来る。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜５０℃で行うことができる。【０１０８】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＶ）の還元工程は、特に制限されるものではないが、上記（ＤＩＶ）で得られた一般式（Ｄ８）で表される３−オキソ−６，８−デカジエン酸エステルのケトン部位を、ルテニウム、パラジウム、ニッケル等の遷移金属を含む均一系触媒及び不均一系触媒を用いた接触水素化反応、又は水素化ホウ素ナトリウム等の金属ヒドリドによるヒドリド還元等を用いることが出来る。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜２０℃で行うことができる。【０１０９】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＶＩ）のアミド化工程は、上記（ＤＶ）で得られた一般式（Ｄ９）で表わされる３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルとイソブチルアミンとを触媒の存在下で直接アミド化するか、又は一般式（Ｄ６）で表される３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸エステルを定法により加水分解して対応する３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸とした後に、酸ハロゲン化剤と反応させて３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸ハライドとし、該酸ハライドとイソブチルアミンとを塩基存在下でアミド化することにより行うことが出来る。なお、本工程で得られる式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドは新規化合物である。
触媒としては、リパーゼ等の酵素や酢酸亜鉛、トリフルオロ酢酸亜鉛等の金属化合物が挙げられる。
触媒によるアミド化工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは２０〜８０℃で行うことができる。
酸ハライドを経由するアミド化工程における反応温度としては、−２０〜１２０℃、好ましくは−１０〜５０℃で行うことができる。【０１１０】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＶＩＩ）のスルホン酸エステル化工程は、塩基存在下でメタンスルホン酸クロリド等のスルホン酸エステル化剤を上記（ＤＶＩ）で得られた式（Ｄ１０）で表されるＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナミドと反応させることにより行うことが出来る。スルホン酸エステル化剤としては、メタンスルホン酸クロリド、エタンスルホン酸クロリド等のアルカンスルホン酸クロリド、ベンゼンスルホン酸クロリド、パラトルエンスルホン酸クロリド等のアレーンスルホン酸クロリド等が挙げられる。なお、本工程で得られる式（Ｄ３）で表されるβ−スルホニルオキシカルボン酸エステルは新規化合物である。使用する塩基としては特に制限されるものではないが、好ましくはトリエチルアミン、トリブチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
本工程における反応温度としては、−１０℃〜１００℃、好ましくは０〜１０℃で行うことができる。【０１１１】
本発明の製造方法Ｄにおける（ＤＶＩＩＩ）の脱離工程は、上記（ＤＶＩＩ）の工程で得られた一般式（Ｄ１１）で表されるＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミドを塩基存在下で好ましくは加熱することにより行うことが出来る。また、得られた（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナミド（スピラントール）は必要に応じて蒸留等の精製工程を行い、化学純度及び異性体比を向上させることができる。
本工程における反応温度としては、−１０〜１００℃、好ましくは０〜１５℃で行うことができる。【０１１２】
このようにして得られたスピラントールは単独で、又は既存の冷感剤もしくは温感剤等の感覚（味覚、皮膚感覚など）刺激剤と組み合わせることにより、飲食品、香粧品、医薬品等の香味添加剤として有用である。
上述した既存の冷感剤としては例えば、メントール、メントン、カンファー、プレゴール、イソプレゴール、シネオール、ハッカオイル、ペパーミントオイル、スペアーミントオイル、ユーカリプタスオイル、ｌ−メントキシプロパン−１，２−ジオール、Ｎ−アルキル−ｐ−メンタン−３−カルボキサミド、３−ｌ−メントキシ−２−メチルプロパン−１，２−ジオール、ｐ−メンタン−３，８−ジオール、２−ｌ−メントキシエタン−１−オール、３−ｌ−メントキシプロパン−１−オール、乳酸ｌ−メンチル、メントングリセリンケタール、Ｎ−メチル−２，２−イソプロピルメチル−３−メチルブタンアミド、グリオキシル酸メンチル、ハッカ油、ペパーミント油またはスペアミント等を挙げることができ、これらは１種または２種以上を適宜配合して用いることができる。【０１１３】
また、温感（辛味）剤としては例えばバニリルエチルエーテル、バニリルプロピルエーテル、バニリルブチルエーテル、バニリンプロピレングリコールアセタール、エチルバニリンプロピレングリコールアセタール、カプサイシン、ジンゲロール、トウガラシ油、トウガラシオレオレジン、ジンジャーオレオレジン、ノニル酸バニリルアミド、ジャンブーオレオレジン、サンショウエキス、サンショオール−Ｉ、サンショオール−II、サンショウアミド、黒胡椒エキス、カビシン、ピペリン等を挙げることができ、これらは１種または２種以上を適宜配合して用いることができる。
尚、スピラントールは飲食品、香粧品、医薬品等などの各種製品に直接配合してもよいが、特に上記感覚刺激剤と共に香料組成物中にまず配合して、この香料組成物を製品に配合することもできる。【０１１４】
飲食品としては、例えば果汁飲料類、果実酒類、乳飲料類、炭酸飲料、清涼飲料、ドリンク剤類のような飲料類；アイスクリーム類、シャーベット類、アイスキャンディー類のような冷菓類；ゼリー、プリンなどのデザート類；ケーキ、クッキー、チョコレート、チューインガムなどの洋菓子類；饅頭、羊羹、ウイロウなどの和菓子類；ジャム類；キャンディー類；パン類；緑茶、ウーロン茶、紅茶、柿の葉茶、カミツレ茶、クマザサ茶、桑茶、ドクダミ茶、プアール茶、マテ茶、ルイボス茶、ギムネマ茶、グアバ茶、コーヒー、ココアのような茶飲料または嗜好飲料類；和風スープ、洋風スープ、中華スープのようなスープ類；風味調味料；各種インスタント飲料乃至食品類；各種スナック食品類等が挙げられる。【０１１５】
香粧品としては、例えば＿オードパルファム、オードトワレ、オーデコロンのようなフレグランス製品；洗顔クリーム、クレンジングクリーム、コールドクリーム、マッサージクリーム、乳液、化粧水、美容液、パック、メイク落とし、のような基礎化粧品類；ファンデーション、粉おしろい、固形おしろい、タルカムパウダー、口紅、リップクリーム、頬紅、アイライナー、マスカラ、アイシャドウ、アイパック、のような仕上げ化粧品類；ポマード、セットローション、ヘアーオイル、ヘアートリートメント、ヘアークリーム、ヘアートニック、ヘアーリキッド、ヘアースプレー、養毛剤、染毛剤、のような頭髪化粧品；、日焼け用化粧品、制汗剤、アフターシェービングローション及びジェル、パーマネントウェーブ剤、薬用石鹸、薬用シャンプー、薬用皮膚化粧料のような薬用化粧品；、シャンプー、リンス、リンスインシャンプー、コンディショナー、トリートメント、ヘアパックのようなヘアケア製品；、石鹸、ボディソープ、ボディシャンプー、ハンドソープのような身体洗浄剤；、入浴剤（バスソルト、バスタブレット、バスリキッド等）、フォームバス（バブルバス等）、バスオイル（バスパフューム、バスカプセル等）、ミルクバス、バスジェリー、バスキューブ、のような浴用剤；、洗剤；柔軟仕上げ剤；消臭・芳香剤；忌避剤；歯磨き、口腔洗浄料、マウスウオッシュ、のような口腔用製剤；その他の雑貨類などが挙げられる。【０１１６】
医薬品としては、例えばハップ剤、軟膏剤のような皮膚外用剤、トローチ、内服剤などが挙げられる。【０１１７】
本発明のスピラントールの各種飲食品、香粧品、医薬品に添加配合する量は、対象物などにより大幅に異なるものであるが、通常対象物に対して０．００００１〜３０質量％とすることが好ましく、０．０００１〜１０質量％とすることがより好ましい。
【実施例】
【０１１８】
以下実施例をもって、本発明の詳細を説明するが、本発明はこれらになんら制約されるものではない。なお以下の実施例において、得られた化合物の物性の測定には次の機器を用いた。
ＮＭＲ：ＤＲＸ５００（Ｂｒｕｋｅｒ社製）
ＧＣ／ＭＳ：ＧＣＭＳ−ＱＰ２０１０（島津製作所社製）
カラム：ＲＴＸ−１（長さ３０ｍ×内径０．２５ｍｍ、液相膜厚０．２５μｍ）
ＧＣ純度：ＧＣ−１４Ａ（島津製作所社製）
カラム：クロマトパックＣＲ−４Ａ（島津製作所社製）、
Ｊ＆Ｗサイエンティフィック社キャピラリーカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ×内径０．２５ｍｍ、液相膜厚０．２５μｍ）
温度条件：カラム１００℃×２分→２５０℃（１０℃／分）。
注入口３００℃、  検出器３００℃（ＦＩＤ）【０１１９】
（実施例Ａ１）
（１）縮合反応【０１２０】
【化３５】
0005401708.tif 000035
【０１２１】
窒素雰囲気下、１０Ｌフラスコにアセト酢酸メチル（４８０ｇ，４．１４ｍｏｌ）、水酸化カルシウム（８０．０ｇ，１．０８ｍｏｌ）、トルエン（４８２２ｍｌ）を加え、トルエン還流下、脱水／水抜きを行った。１時間後、６０℃に冷却して、４−クロロブタン酸クロライド（２５４ｇ，１．８ｍｏｌ）を滴下後、６０℃にて攪拌した。更に１時間後、メタノール（１３２５ｇ，４１．４ｍｏｌ）を投入し、メタノール還流下、６時間攪拌した。反応終了後、５Ｎ塩酸４３２ｍｌ（２．１６ｍｏｌ）にて反応を停止した後、有機層を分液し、５％炭酸ナトリウム水溶液及び水で有機層を洗浄した。減圧下、エバポレーターで溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（７５−８５℃／０．１ｔｏｒｒ）することにより粗６−クロロ−３−オキソ−へキサン酸メチルエステル（１）；２１４．９ｇ（ＧＣ純度；６０．３％）を得た。【０１２２】
６−クロロ−３−オキソ−へキサン酸メチルエステル（１）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１７８（Ｍ＋，２％），１４２（１１），１２９（８），１１６（７２），１０５（１００），７７（３４），５９（４６），４１（５６）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ３．７４（ｓ，３Ｈ），３．５８（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），３．４８（ｓ，２Ｈ），２．７６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），２．０９（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．２，６．９Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ２０１．９２，１６７．８３，５２．８１，４９．４９，４４．４７，４０．０２，２６．４４【０１２３】
（２）還元工程【０１２４】
【化３６】
0005401708.tif 000036
【０１２５】
５００ｍｌオートクレーブに、上記粗６−クロロ−３−オキソ−へキサン酸メチルエステル（１）２１４．９ｇ、Ｒｕ２Ｃｌ４［（Ｓ）−Ｓｅｇｐｈｏｓ］２（ＮＥｔ）３（６０．７ｍｇ，０．０７２５×１０−３ｍｏｌ）、メタノール（１３０ｍｌ）を加え、水素（３ＭＰａ）、６５−７０℃にて６時間攪拌した。反応終了後、エバポレーターで減圧下溶媒を除去した後、その残渣を減圧蒸留（７５−８５℃／０．１ｔｏｒｒ）することにより６−クロロ−３−ヒドロキシ−へキサン酸メチルエステル（２）；１７８．２ｇ｛ＧＣ純度；８０．１％，純量；１４２．７ｇ（０．７９０ｍｏｌ，収率４４％／４−クロロブタン酸クロライド）｝を得た。【０１２６】
６−クロロ−３−ヒドロキシ−へキサン酸メチルエステル（２）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１７９（１％），１６２（１），１４７（１），１２７（３），１１３（１５），１０３（１００），７１（６８），６１（２８），４３（８４）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ４．０４（ｍ，１Ｈ），３．７２（ｓ，３Ｈ），３．６０（ｍ，２Ｈ），２．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．２，１６．６Ｈｚ），２．４５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．９，１６．６Ｈｚ），１．９８（ｍ，１Ｈ），１．８６（ｍ，１Ｈ），  １．６４（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １７３．７１，６７．６４，５２．２１，４５．３３，４１．５２，３３．９６，２９．０５【０１２７】
（３）スルホン酸エステル化工程、脱離工程【０１２８】
【化３７】
0005401708.tif 000037
【０１２９】
窒素雰囲気下、５００ｍｌフラスコに６−クロロ−３−ヒドロキシ−へキサン酸メチルエステル（２）；６６．５ｇ｛ＧＣ純度；７９．１％，純量；５２．６ｇ（０．２９５ｍｏｌ）｝、トリエチルアミン（４４．７ｇ，０．４４３ｍｏｌ）、トルエン（２５０ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。メタンスルホニルクロライド（３７．０ｇ，０．３２５ｍｏｌ）を滴下後、５℃にて０．５時間攪拌して６−クロロ−３−メタンスルホニルオキシ−へキサン酸メチルエステル（３）のトルエン溶液を得た。
引き続いて更にトリエチルアミン（４４．７ｇ，０．４４３ｍｏｌ）を投入し、トリエチルアミン還流下、０．５時間攪拌した。反応終了後、水を加え有機層を分液した。エバポレーターで減圧下溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（６０−７０℃／０．１ｔｏｒｒ）することにより６−クロロ−２−へキセン酸メチルエステル（４）；５５．７ｇ｛ＧＣ純度；８１．４％，純量；４５．４ｇ（０．２７９ｍｏｌ，収率９５％／（２））｝を得た。【０１３０】
６−クロロ−３−メタンスルホニルオキシ−へキサン酸メチルエステル（３）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２２７（１％），１８１（１４），１６３（４），１４７（１２），  １３１（３３），１０５（２０），８５（１００），７１（４８），４１（２７）６−クロロ−２−へキセン酸メチルエステル（４）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１６２（Ｍ＋，１２％），１３１（４４），１１３（１００），８１（２０），６７（３２），５５（２８），４１（３８）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．９４（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．６，７．０Ｈｚ），  ５．８９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．６，１．６Ｈｚ），３．７４（ｓ，３Ｈ），３．５５（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），２．３９（ｄｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝１．６，７．０，７．２Ｈｚ），１．９５（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．４，７．２Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６６．７９，１４７．２２，１２２．０９，５１．４６，４３．８９，３０．６９，２９．１８【０１３１】
（４）ブロモ化【０１３２】
【化３８】
0005401708.tif 000038
【０１３３】
窒素雰囲気下、５００ｍｌフラスコに６−クロロ−２−へキセン酸メチルエステル（４Ｃｌ）；１８８．８ｇ｛ＧＣ純度；８３．６％，純量；１５７．９ｇ（０．９７１ｍｏｌ）｝、臭化リチウム（１２６．５ｇ，１．４５７ｍｏｌ）、ヘプタン（１６ｍｌ）を加え、ヘプタン還流下、６時間攪拌した。反応終了後、抽出溶剤としてヘプタンを投入し、水を加え有機層を分液した。減圧下、エバポレーターで溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（７０−８０℃／０．１ｔｏｒｒ）することにより６−ブロモ−２−へキセン酸メチルエステル（４Ｂｒ）；２０３．４ｇ｛ＧＣ純度；８２．３％，純量（４Ｂｒ）；１６７．５ｇ（０．８０９ｍｏｌ，収率８３％／（４Ｃｌ））｝を得た。【０１３４】
６−ブロモ−２−へキセン酸メチルエステル（４Ｂｒ）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２０８，２０６（Ｍ＋，１０％），１７７（１６），１７５（１６），１２７（３８），１１３（１００），６７（３８），５５（２８），４１（３９）１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．９３（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．６，７．０Ｈｚ），  ５．８９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．６，１．６Ｈｚ），３．７４（ｓ，３Ｈ），３．４２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），２．３９（ｄｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝１．６，７．０，７．２Ｈｚ），２．０２（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．６，７．２Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６６．７７，１４７．０２，１２２．１７，５１．４７，３２．４７，３０．７７，３０．４２【０１３５】
（５）Ｗｉｔｔｉｇ反応工程【０１３６】
【化３９】
0005401708.tif 000039
【０１３７】
窒素雰囲気下、１Ｌフラスコに６−ブロモ−２−へキセン酸メチルエステル（４）；２０３．４ｇ｛ＧＣ純度；８２．３％，純量；１６７．５ｇ（０．８０９ｍｏｌ）｝、トリフェニルホスフィン（２５４．５ｇ，  ０．９７０ｍｏｌ）、アセトニトリル（１６７ｍｌ）を加え、９０℃にて１８時間攪拌した。反応終了後、トルエン（１９００ｍｌ）を投入してホスホニウム塩（５）のトルエン溶液を得た。
引き続いて６５℃に冷却後、炭酸カリウム（３３５．３ｇ，２．４２６ｍｏｌ）、クロトンアルデヒド（１６９．８ｇ，２．４２６ｍｏｌ）を投入し、６５℃、６時間攪拌した。反応終了後、含水メタノールを加え有機層を分液した。減圧下、エバポレーターで溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（７０−８０℃／０．１ｔｏｒｒ）することにより２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）；１３８．２ｇ｛ＧＣ；８１．２％，純量；１１２．２ｇ（０．６２３ｍｏｌ，収率８２％／（４））｝を得た。【０１３８】
２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１８０（Ｍ＋，７％），１４８（７），１２１（６），１００（２４），８１（１００），６８（８），５３（２３），４１（２２）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．９８（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．７，６．６Ｈｚ），  ６．２８（ｍ，１Ｈ），５．９８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．９Ｈｚ），５．９１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．７Ｈｚ），５．７０（ｍ，１Ｈ），５．２５（ｍ，１Ｈ），３．７３（ｓ，  ３Ｈ），２．２−２．４（ｍ，４Ｈ），１．７８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ） １３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６７．０１，１４８．６３，１３０．０９，１２９．６５，１２７．２２，１２６．６０，１２１．３０，５１．３８，３２．２７，２６．１１，１８．２７【０１３９】
（６）アミド化工程【０１４０】
【化４０】
0005401708.tif 000040
【０１４１】
窒素雰囲気下、２００ｍＬフラスコに２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）；１９．１ｇ｛ＧＣ；９３．９％，純量；１７．９ｇ（０．０９９５ｍｏｌ）｝、５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液（６０ｍｌ，０．３０ｍｏｌ）を加え、７０℃にて２時間攪拌した。反応終了後、５ｍｏｌ／Ｌ塩酸（６３ｍｌ，０．３１５ｍｏｌ）にて反応を停止した後、トルエン（３２ｍｌ）にて抽出を行い、２，６，８−デカトリエン酸（７）のトルエン溶液を得た。
窒素雰囲気下、１００ｍＬフラスコに上記２，６，８−デカトリエン酸（７）のトルエン溶液、ＤＭＦ（３．７ｇ，０．０５ｍｏｌ）を加え、５℃に冷却した。これに塩化チオニル（１１．９ｇ，０．１０ｍｏｌ）を滴下し、５℃にて０．５時間攪拌を行い、２，６，８−デカトリエン酸クロライド（８）のトルエン溶液を得た。
窒素雰囲気下、２００ｍＬフラスコにイソブチルアミン（７．３ｇ，０．１０ｍｏｌ）、トリエチルアミン（１０．１ｇ，０．１０ｍｏｌ）、トルエン（３２ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。続いて上記で得られた２，６，８−デカトリエン酸クロライド（８）のトルエン溶液を滴下し、５℃にて０．５時間攪拌を行った。反応終了後、水を加えて反応を停止した後、有機層を分液して、５％炭酸ナトリウム水溶液、０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液、水の順で有機層を洗浄した。減圧下、エバポレーターで溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（１３０−１３５℃／０．１ｔｏｒｒ）することによりスピラントール（９）；１９．７ｇ｛ＧＣ純度；９１．２％，純量；１８．０ｇ（０．０８１７ｍｏｌ，収率８２％／（６））｝を得た。【０１４２】
２，６，８−デカトリエン酸（７）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１６６（Ｍ＋，８％），１４８（２），１２１（２），１０５（２），  ９１（４），８１（１００），６５（５），５３（１８），４１（１６）【０１４３】
２，６，８−デカトリエン酸クロライド（８）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１８４（Ｍ＋，６％），１４９（７），１２１（３），１０５（２），  ９３（３），８１（１００），６８（１４），５３（１５），４１（１４）【０１４４】
スピラントール（９）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２２１（Ｍ＋，１０％），２０６（３），１９２（４），１７８（２），  １６７（２），１４１（７０），１２６（４４），９８（３０），８１（１００），６９（１５），５３（１７），４１（２４）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．８２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３，６．７Ｈｚ），  ６．２８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１５．０Ｈｚ），５．９７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１０．７Ｈｚ），５．８７（ｂｓ，１Ｈ），５．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ），５．６９（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝１５．０，６．７Ｈｚ），５．２６（ｄｔ，１Ｈ，  Ｊ＝１０．７，６．８Ｈｚ），３．１４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．３１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．２６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．７，  ６．８Ｈｚ），１．８１（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），１．７７（ｄ，３Ｈ，  Ｊ＝６．７Ｈｚ），０．９２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６６．４５，１４３．７４，１３０．２９，１２９．８３，１２８．０３，１２７．０９，１２４．６５，４７．２６，３２．５０，２８．９７，２６．７９，２０．５３，１８．６７【０１４５】
（実施例Ａ２）酵素によるイソブチルアミド化【０１４６】
【化４１】
0005401708.tif 000041
【０１４７】
５０ｍＬフラスコに実施例Ａ１にて調整した２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）；１０ｇ｛ＧＣ純度；９６％，純量；８．３ｇ（０．０４６ｍｏｌ）、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ体）のＧＣ純度：８２．９％｝、イソブチルアミン（４．０ｇ，  ０．０５５ｍｏｌ）、Ｎｏｖｏｚｙｍ４３５（５ｇ）、ジイソプロピルエーテル（１０ｍｌ）を加え、３５℃にて４日間攪拌を行った。反応終了後、酵素をろ過した後、エバポレーターで減圧下溶媒を除去、蒸留精製して、スピラントール（９）；１１．１ｇ（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）体のＧＣ純度：８５．７％）を得た。【０１４８】
（実施例Ｂ１）スピラントールの合成
（１）アセタール化反応【０１４９】
【化４２】
0005401708.tif 000042
【０１５０】
アセトキシブタナール２３２ｇ（１．７８ｍｏｌ）を１Ｌの４口フラスコに入れ、氷冷下５℃でエチレングリコール１０９ｍｌ（１．１ｅｑ）を加えた。次にパラトルエンスルホン酸水和物１．１６ｇ（０．５％ｗｔ）を加え、室温にて攪拌した。１．５時間後に４０℃まで加熱し、減圧下にて脱水反応を行い、同温にて攪拌した。２時間後、氷冷下にて水２３２ｍｌとＮａＯＨ７８．４ｇ（１．１ｅｑ）を加え３時間攪拌した後、酢酸エチル１１６０ｍｌを加え有機層を分液した。得られた有機層を減圧下溶媒留去し、目的とするアセタール体を２２４ｇ得た（収率９５％）。【０１５１】
（２）スルホン酸エステル化反応【０１５２】
【化４３】
0005401708.tif 000043
【０１５３】
上記（１）で得られたヒドロキシアセタール体１５８ｇ（１．２ｍｏｌ）およびトリエチルアミン１８３ｍｌ（１ｅｑ）をトルエン７９０ｍｌに溶解し、氷冷下にて塩化メタンスルホニル９３ｍｌ（１ｅｑ）を２時間で滴下した。滴下終了後、１時間同温で攪拌し、水３００ｍｌを加え，有機層を分液後（ｐＨ＝９）、水３００ｍｌで３回洗浄した（ｐＨ＝９）。得られた有機層を減圧下溶媒留去し、目的とするメタンスルホン酸エステル（Ｍｓ体）を２０５ｇ（収率８１％）得た。
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）：２０９（Ｍ−Ｈ），１１３（Ｍ−Ｏ３ＳＭｅ），８４，７３【０１５４】
（３）ブロモ化反応【０１５５】
【化４４】
0005401708.tif 000044
【０１５６】
上記（２）で得られたＭｓ体２０５ｇ（９７８ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）４１０ｍｌに溶解し、室温にてＬｉＢｒ８４．７ｇ（１ｅｑ）を加えた。反応液を３５℃にて２２時間攪拌後、トルエン４００ｍｌ、水４００ｍｌ（ｓ／ｓ＝２）を加え、有機層を分液後、再度水２００ｍｌで洗浄した。得られた有機層を減圧下溶媒留去し、目的とするブロモ体を１６３ｇ  （収率８６％）得た。【０１５７】
（４）ホスホニウム塩合成【０１５８】
【化４５】
0005401708.tif 000045
【０１５９】
上記（３）で得られたブロモ体１６３ｇ（８３６ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン２４１ｇ（１ｅｑ）をアセトニトリル１６３ｍｌに溶解し、９０℃にて１８時間攪拌した後、同温でトルエン４８９ｍｌへ反応液を加えた。すぐに結晶が析出し、室温まで放冷した後、ろ過、乾燥し目的とするホスホニウム塩を２５６ｇ（収率６７％）得た。【０１６０】
（５）Ｗｉｔｔｉｇ反応【０１６１】
【化４６】
0005401708.tif 000046
【０１６２】
上記（４）で得られたホスホニウム塩１００ｇ（２１８．６ｍｍｏｌ）およびＫ２ＣＯ３  ６０．４ｇ（２ｅｑ）をトルエン５００ｍｌ、ＤＭＳＯ５０ｍｌに懸濁させ、クロトンアルデヒド７３ｍｌ（４ｅｑ）を加え８０℃にて２４時間攪拌した。水２００ｍｌで有機層を２回分液・洗浄した後、（ＢｕＯ）３ＰＯ  １００ｍｌを加え、ビグロ蒸留により溶媒留去ならびに減圧蒸留（６０−７０℃／１ｔｏｒｒ）し、目的とするジエン体３２．３ｇを得た（収率８８％、異性体比  Ｅ：Ｚ＝１６：８４，ＧＣ純度７３．１％）。
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）：１６７（Ｍ−Ｈ），１５３，１３９，１２５，９９，７３【０１６３】
（６）脱保護【０１６４】
【化４７】
0005401708.tif 000047
【０１６５】
上記（５）で得られたジエン体５７ｇ（３３８．８ｍｍｏｌ）を水１１４ｍｌに懸濁し、５０％グリオキシル酸水溶液１１４ｍｌを加え７０℃にて３時間攪拌した。有機層を分液した後、有機層に水１１４ｍｌおよび５０％グリオキシル酸水溶液１１４ｍｌを加え７０℃にて３時間攪拌した。反応液にヘプタン１１４ｍｌ、５％Ｎａ２ＣＯ３水溶液５７ｍｌを加え有機層を分液し、水５７ｍｌで有機層を２回分液・洗浄した後、ビグロ蒸留により溶媒留去ならびに蒸留（４０−５０℃／２ｔｏｒｒ）し、目的とするジエンアルデヒド体３２．７ｇを得た（収率７８％）。【０１６６】
（７）Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ工程１【０１６７】
【化４８】
0005401708.tif 000048
【０１６８】
マロン酸モノイソブチルアミド２０．７ｇ（９７．５ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ）および４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）１．０８ｇ（０．１ｅｑ），ピペリジン０．８８ｍｌ（０．１ｅｑ）をトルエン２２ｍｌ，ピリジン１１ｍｌに懸濁させ８０℃にて攪拌し、これに上記（６）で得られたジエンアルデヒド体１１ｇを３０分で滴下した。滴下終了後、２時間同温にて攪拌し、室温まで冷却して水２２ｍｌを加え有機層を分液し（ｐＨ＝８）、１０％硫酸水溶液で２回洗浄後、水で洗浄、５％Ｎａ２ＣＯ３水溶液で洗浄、最後に水で２回洗浄し、減圧下溶媒留去して目的とするスピラントール混合物１８．４ｇを得た（収率９４％、αβ不飽和体（スピラントール）：βγ不飽和体（８）＝４３：５７）。【０１６９】
（８）異性化反応【０１７０】
【化４９】
0005401708.tif 000049
【０１７１】
上記（７）で得られたスピラントール混合物０．５ｇ（αβ不飽和体：βγ不飽和体＝４３：５７）に、Ｋ３ＰＯ４  ０．０５ｇ（１０％ｗｔ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ４００）０．０５ｇ（１０％ｗｔ）を加え、８０℃、１６時間攪拌した。ＧＣでの確認により、αβ不飽和体：βγ不飽和体の比がαβ不飽和体：βγ不飽和体＝９９：１へ変換していた。反応液を冷却した後、トルエン５ｍｌ、水５ｍｌを加え分液した後、有機層を減圧下溶媒留去し目的とするスピラントール０．５ｇを得た（収率９９％、αβ不飽和体：βγ不飽和体＝９９：１）。【０１７２】
（実施例Ｂ２）スピラントールの合成
（１）Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応２【０１７３】
【化５０】
0005401708.tif 000050
【０１７４】
マロン酸２５．１ｇ（２４０ｍｍｏｌ，１．１ｅｑ）およびＤＭＡＰ２．７ｇ（０．１ｅｑ），ピペリジン２．２ｍｌ（０．１ｅｑ）をトルエン５７ｍｌ、ピリジン２７ｍｌに懸濁させ７０℃にて攪拌し、これにジエンアルデヒド体２７．２ｇを１０分で滴下した。滴下終了後、２時間同温にて攪拌し、室温まで冷却し６Ｎ−ＨＣｌ８２ｍｌを加え有機層を分液した後（ｐＨ＝１）、水で２回洗浄し、有機層を減圧下溶媒留去し目的とするトリエンカルボン酸３０．２ｇを得た（収率９３％）。【０１７５】
（２）アミド化反応【０１７６】
【化５１】
0005401708.tif 000051
【０１７７】
上記実施例Ｂ２（１）で得たトリエンカルボン酸３０．２ｇ（１８０．５ｍｍｏｌ）をヘプタン９０ｍｌ、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）１２ｍｌに溶解し、氷冷下攪拌した中に塩化チオニル１４．５ｍｌ（１．１ｅｑ）を１０分で滴下した。滴下後、１時間攪拌し、水６０ｍｌを加え分液した。得られた酸クロライドのヘプタン溶液をトルエン６０ｍｌ、イソブチルアミン２１．５ｍｌ（１．２ｅｑ）、トリエチルアミン３０．２ｍｌ（１．２ｅｑ）の混合物へ、氷冷下にて２時間で滴下し、滴下終了後、２時間室温にて攪拌した。水１２０ｍｌを加え有機層を分液し、有機層を０．１Ｎ−ＮａＯＨ水溶液１２０ｍｌで洗浄後、水１２０ｍｌで２回洗浄した。得られた有機層を、減圧下溶媒留去し目的とするスピラントール３５．３ｇを得た（収率８８％）。【０１７８】
（実施例Ｂ３）リパーゼによるイソブチルアミド化【０１７９】
【化５２】
0005401708.tif 000052
【０１８０】
５０ｍＬフラスコに実施例Ｂ１にて調整した２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）；１０ｇ｛ＧＣ純度；９６％，純量；８．３ｇ（０．０４６ｍｏｌ）、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）体のＧＣ純度：８２．９％｝、イソブチルアミン（４．０ｇ，  ０．０５５ｍｏｌ）、Ｎｏｖｏｚｙｍ４３５（５ｇ）、ジイソプロピルエーテル（１０ｍｌ）を加え、３５℃にて４日間攪拌を行った。反応終了後、酵素をろ過した後、エバポレーターで減圧下溶媒を除去、蒸留精製（１３０−１３５℃／０．１ｔｏｒｒ）して、スピラントール（９）；１１．１ｇ（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）体のＧＣ純度：８５．７％）を得た。【０１８１】
［実施例Ｃ１］
（１）Ｗｉｔｔｉｇ反応工程【０１８２】
【化５３】
0005401708.tif 000053
【０１８３】
還流装置、撹拌装置、温度計の付いた１Ｌフラスコに、窒素気流下、４−ブロモブタン酸エチル（１）（１９５ｇ、１．０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２８８ｇ、１．１ｍｏｌ）、アセトニトリル（１９５ｍｌ）を入れ、９０℃に加熱し、４０時間撹拌した。反応溶液をトルエン（８００ｍｌ）に滴下し、２０℃まで冷却すると白色固体が析出し、この固体をろ過した後、減圧乾燥（５０℃／１ｔｏｒｒ）を行い、ホスホニウム塩（２）（４２０ｇ０．９２ｍｏｌ、収率９２％）を得た。【０１８４】
４−トリフェニルホスホニウムブタン酸エチルブロマイド（２）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ  １．２３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２），１．９０〜１．９７（ｍ，２Ｈ），２．８７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３），３．９４〜４．０４（ｍ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝７．２），７．６３〜７．９１（ｍ，１５Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ  ２４．０４【０１８５】
撹拌装置、温度計の付いた５Ｌフラスコに、窒素気流下、ホスホニウム塩（２）（４２０ｇ、０．９２ｍｏｌ）、トルエン（１６００ｍｌ）、炭酸カリウム（５０６．２ｇ、３．６６ｍｏｌ）、クロトンアルデヒド（２５６．７ｇ、３．６６ｍｏｌ）を入れ、６５℃に加熱し７時間撹拌を続けた。反応溶液を室温まで冷却し、水（８４０ｇ）を入れ、３０分撹拌した後、分液した。有機層を減圧下、溶媒を除去すると固体が析出し、ろ過することで固体を除去した。この溶液を減圧蒸留（６５〜７０℃／１．５ｔｏｒｒ）することで（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）（１１４．４ｇ、０．６８ｍｏｌ、収率７４％）を得た。【０１８６】
（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１６８（Ｍ＋，５５％），１２３（１４），９４（１００），８１（９３），７９（９５），６７（１９），５５（２０）、４１（２３）
（２）還元工程【０１８７】
【化５４】
0005401708.tif 000054
【０１８８】
滴下ロート、撹拌装置のついた５００ｍｌの反応容器に（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）（２６．９ｇ、０．１６ｍｏｌ）、ジエチルエーテル（２５０ｍｌ）を加え、−７５℃に冷却した。滴下ロートにＤＩＢＡＬ（１．０ｍｏｌ／Ｌヘキサン溶液、１９５．８ｍｌ、０．１９２ｍｏｌ）を入れ、温度が上がらないように、３時間かけて滴下した。滴下終了後、同温で３０分撹拌した。４Ｎ塩酸水溶液（５４７ｇ）を０℃に冷却し、そこへ、反応液を加え反応を停止した。水層をエーテル（５０ｍｌ）で抽出した後、有機層を飽和食塩水で１回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮し、（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナール（４）を(２０．０ｇ、純度９６％)を得た。【０１８９】
（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナール（４）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１２４（Ｍ＋，７２％），１０９（８），９６（６５），８１（７１），７９（８３），６７（１００），５３（５５），４１（６２）
（３）Ｗｉｔｔｉｇ反応工程【０１９０】
【化５５】
0005401708.tif 000055
【０１９１】
温度計、滴下ロート、撹拌装置のついた５００ｍｌフラスコに、窒素気流下、水素化ナトリウム（純度５５％、７．３７ｇ、０．１６１ｍｏｌ）、トルエン（１００ｍｌ）を入れ、０℃に冷却した。滴下ロートに上記で得られた（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエナール（４）（２０．０ｇ）、ホスホノ酢酸トリメチル（３０．８ｇ、０．１６９ｍｏｌ）、トルエン（２００ｍｌ）を入れ、０℃を保つように１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、室温（２５℃）まで温度を上げ、さらに４時間撹拌を続けた。ガスクロマトグラフィーにより、アルデヒドの消失を確認した後、４Ｎ塩酸水溶液（５０ｍｌ）を加え、分液した。水層はヘキサン（５０ｍｌ）で２回、抽出を行った。有機層を合わせて、水洗を２回行い（ｐＨ＝５．５）、硫酸マグネシウムで乾燥させた。ろ過、濃縮後、減圧蒸留（７５℃／０．５ｔｏｒｒ）を行い、（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸メチル（１９．６９ｇ、還元反応からの収率６８．３％）が得られた。【０１９２】
（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ）−デカトリエン酸メチル
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１８０（Ｍ＋，７％），１４８（７），１２１（６），１００（２４），８１（１００），６８（８），５３（２３），４１（２２）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．９８（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．７，６．６Ｈｚ），  ６．２８（ｍ，１Ｈ），５．９８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．９Ｈｚ），５．９１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．７Ｈｚ），５．７０（ｍ，１Ｈ），５．２５（ｍ，１Ｈ），３．７３（ｓ，  ３Ｈ），２．２−２．４（ｍ，４Ｈ），１．７８（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６７．０１，１４８．６３，１３０．０９，１２
９．６５，１２７．２２，１２６．６０，１２１．３０，５１．３８，３２．２７，２６．１１，１８．２７
（４）アミド化工程【０１９３】
【化５６】
0005401708.tif 000056
【０１９４】
窒素雰囲気下、２００ｍＬフラスコに２，６，８−デカトリエン酸メチル（６）；１９．１ｇ｛ＧＣ；８２．９％，純量；１５．９ｇ（０．０８８１ｍｏｌ）｝、５ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液（６０ｍｌ，０．３０ｍｏｌ）を加え、７０℃にて２時間攪拌した。反応終了後、５ｍｏｌ／Ｌ塩酸（６３ｍｌ，０．３１５ｍｏｌ）にて反応を停止した後、トルエン（３２ｍｌ）にて抽出を行い、２，６，８−デカトリエンカルボン酸／トルエン溶液を得た。
窒素雰囲気下、１００ｍＬフラスコに上記２，６，８−デカトリエン酸のトルエン溶液、ＤＭＦ（３．７ｇ，０．０５ｍｏｌ）を加え、５℃に冷却した。これに塩化チオニル（１１．９ｇ，０．１０ｍｏｌ）を滴下し、５℃にて０．５時間攪拌を行い、２，６，８−デカトリエン酸クロライドのトルエン溶液を得た。
窒素雰囲気下、２００ｍＬフラスコにイソブチルアミン（７．３ｇ，０．１０ｍｏｌ）、トリエチルアミン（１０．１ｇ，０．１０ｍｏｌ）、トルエン（３２ｍｌ）を加え、５℃に冷却した。続いて上記で得られた２，６，８−デカトリエン酸クロライド（８）のトルエン溶液を滴下し、５℃にて０．５時間攪拌を行った。反応終了後、水を加えて反応を停止した後、有機層を分液して、５％炭酸ナトリウム水溶液、０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液、水の順で有機層を洗浄した。減圧下、エバポレーターで溶媒を除去後、その残渣を減圧蒸留（１３０〜１３５℃／０．１ｔｏｒｒ）により精製を行い、スピラントール（７）；１９．７ｇ｛ＧＣ純度；７８．７％，純量；１５．５ｇ（０．０７００ｍｏｌ，収率７９％／（６））｝を得た。【０１９５】
２，６，８−デカトリエン酸
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１６６（Ｍ＋，８％），１４８（２），１２１（２），１０５（２），  ９１（４），８１（１００），６５（５），５３（１８），４１（１６）
２，６，８−デカトリエン酸クロライド
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１８４（Ｍ＋，６％），１４９（７），１２１（３），１０５（２），  ９３（３），８１（１００），６８（１４），５３（１５），４１（１４）【０１９６】
スピラントール（７）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２２１（Ｍ＋，１０％），２０６（３），１９２（４），１７８（２），  １６７（２），１４１（７０），１２６（４４），９８（３０），８１（１００），６９（１５），５３（１７），４１（２４）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．８２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３，６．７Ｈｚ），  ６．２８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１５．０Ｈｚ），５．９７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１０．７Ｈｚ），５．８７（ｂｓ，１Ｈ），５．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ），５．６９（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝１５．０，６．７Ｈｚ），５．２６（ｄｔ，１Ｈ，  Ｊ＝１０．７，６．８Ｈｚ），３．１４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．３１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．２６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．７，  ６．８Ｈｚ），１．８１（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），１．７７（ｄ，３Ｈ，  Ｊ＝６．７Ｈｚ），０．９２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  １６６．４５，１４３．７４，１３０．２９，１２
９．８３，１２８．０３，１２７．０９，１２４．６５，４７．２６，３２．５０，２８．９７，２６．７９，２０．５３，１８．６７【０１９７】
［実施例Ｃ２］酵素によるイソブチルアミド化【０１９８】
【化５７】
0005401708.tif 000057
【０１９９】
５０ｍＬフラスコに実施例Ｃ１にて調製した２，６，８−デカトリエン酸メチルエステル（６）；１０ｇ｛ＧＣ純度；９６％、２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ；８２．９％｝、イソブチルアミン（４．０ｇ，  ０．０５５ｍｏｌ）、Ｎｏｖｏｚｙｍ４３５（５ｇ）、ジイソプロピルエーテル（１０ｍｌ）を加え、３５℃にて４日間攪拌を行った。反応終了後、酵素をろ過した後、エバポレーターで減圧下溶媒を除去、蒸留精製して、スピラントール（７）；１１．１ｇ（２Ｅ，６Ｚ，８Ｅ；８５．７％）を得た。【０２００】
［実施例Ｄ１］
（１）Ｗｉｔｔｉｇ反応工程【０２０１】
【化５８】
0005401708.tif 000058
【０２０２】
還流装置、撹拌装置、温度計の付いた１Ｌフラスコに、窒素気流下、４−ブロモブタン酸エチル（１）（１９５ｇ、１．０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（２８８ｇ、１．１ｍｏｌ）、アセトニトリル（１９５ｍｌ）を入れ、９０℃に加熱し、４０時間撹拌した。反応溶液をトルエン（８００ｍｌ）に滴下し、２０℃まで冷却すると白色固体が析出し、この固体をろ過した後、減圧乾燥（５０℃／１ｔｏｒｒ）を行い、ホスホニウム塩（２）（４２０ｇ０．９２ｍｏｌ、収率９２％）を得た。【０２０３】
４−トリフェニルホスホニウムブタン酸エチルブロマイド（２）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ  １．２３（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．２），１．９０〜１．９７（ｍ，２Ｈ），２．８７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３），３．９４〜４．０４（ｍ，２Ｈ），４．１０（ｑ，２Ｈ，Ｊ＝７．２），７．６３〜７．９１（ｍ，１５Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ  ２４．０４【０２０４】
撹拌装置、温度計の付いた５Ｌフラスコに、窒素気流下、ホスホニウム塩（２）（４２０ｇ、０．９２ｍｏｌ）、トルエン（１６００ｍｌ）、炭酸カリウム（５０６．２ｇ、３．６６ｍｏｌ）、クロトンアルデヒド（２５６．７ｇ、３．６６ｍｏｌ）を入れ、６５℃に加熱し７時間撹拌を続けた。反応溶液を室温まで冷却し、水（８４０ｇ）を入れ、３０分撹拌した後、分液した。有機層を減圧下、溶媒を除去すると固体が析出し、ろ過することで固体を除去した。この溶液を減圧蒸留（６５〜７０℃／１．５ｔｏｒｒ）することで（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）（１１４．４ｇ、０．６８ｍｏｌ、収率７４％）を得た。【０２０５】
（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１６８（Ｍ＋，５５％），１２３（１４），９４（１００），８１（９３），７９（９５），６７（１９），５５（２０）、４１（２３）【０２０６】
（２）加水分解工程【０２０７】
【化５９】
0005401708.tif 000059
【０２０８】
温度計、撹拌装置の付いた４つ口フラスコに２０％水酸化カリウム水溶液（４７７ｇ、１．７ｍｏｌ）、（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸エチル（３）（１１４．４ｇ、０．６８ｍｏｌ）を入れ、４５℃に加熱し、３時間撹拌を続けた。反応溶液を室温まで冷却し、ヘプタン（２３０ｍＬ）を加え、３５％塩酸（１７７ｇ）を滴下した。分液後、水洗を１回行い、減圧下、溶媒を除去し、（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸（４）（９０．６ｇ、０．６５ｍｏｌ、収率９５％）を得た。【０２０９】
（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸（４）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１４０（Ｍ＋，６８％），１２２（５），９５（２２），８１（１００），７９（９０），６７）２２），５３（２４），４１（３１）【０２１０】
（３）混合無水物合成工程【０２１１】
【化６０】
0005401708.tif 000060
【０２１２】
温度計、撹拌装置、滴下ロートのついた２Ｌ反応器に、窒素気流下、（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸（４）（９０．６ｇ、０．６５ｍｏｌ）、トルエン（７２０ｍｌ）、塩化ピバロイル（５）（８５．７ｇ、０．０．７１ｍｏｌ）を加え、５℃に冷却した。滴下ロートよりトリエチルアミン（７１．９ｇ、０．７１ｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、その後徐々に室温まで温度を上げ、２時間撹拌した。水洗３回行い濃縮した後、粗製の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸ピバロイル酸無水物（６）を１３９．８ｇ得た。【０２１３】
（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸ピバロイル酸無水物（６）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２２４（Ｍ＋，３％），１９６（３），１４０（６８），１２３（９７），９４（８８），８１（１００），５７（９８），５１（５１）【０２１４】
（４）増炭反応工程【０２１５】
【化６１】
0005401708.tif 000061
【０２１６】
撹拌装置、温度計の付いた５００ｍｌフラスコに上記得た粗製の（４Ｚ，６Ｅ）−オクタジエン酸ピバロイル酸無水物（６）（１３９．８ｇ）、ＴＨＦ（１４０ｍｌ）、トリエチルアミン（６９．３ｇ、０．６８５ｍｏｌ）を入れ、５℃に冷却し、イミダゾール（４５．２ｇ、０．７２ｍｏｌ）を加え１時間撹拌した。
滴下ロート、撹拌装置、温度計の付いた２Ｌフラスコに、窒素気流下、塩化マグネシウム（７５．３ｇ、０．７９ｍｏｌ）、ＴＨＦ（５６０ｍｌ）、マロン酸メチルモノカリウム塩（７）（１５５ｇ、０．９９６ｍｏｌ）を入れ、滴下ロートより上記の反応溶液を１時間かけて滴下し、さらに５時間撹拌した。３５％塩酸水溶液（２６５ｇ、２．５５ｍｏｌ）を滴下し、分液後、１０％炭酸ナトリウム水溶液で２回洗浄した。溶媒を減圧除去し、減圧蒸留（９０℃／０．５ｔｏｒｒ）を行うことで３−オキソ−６,８−デカジエン酸メチル（８）（８８．８ｇ、収率７０％）を得た。【０２１７】
３−オキソ−６,８−デカジエン酸メチル（８）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１９６（Ｍ＋，１５％），１７８（８），１６４（１２），１４６（１８），１３５（８），１２２（８８），１０１，（２０），９４（７８），８１（５６），７９（１００），５５（２０），４１（２２）【０２１８】
（５）還元工程【０２１９】
【化６２】
0005401708.tif 000062
【０２２０】
撹拌装置、滴下ロート、温度計の付いた１Ｌフラスコに窒素気流下、水素化ホウ素ナトリウム（５．１ｇ、０．１４ｍｏｌ）、ＴＨＦ（３６０ｍｌ）を入れ、０℃に冷却し、３−オキソ−６．８−デカジエン酸メチル（８）（８８．８ｇ、０．４５ｍｏｌ）を滴下ロートより、１時間かけて滴下した。滴下終了後、３５％塩酸水溶液（４７ｇ）を滴下し、酢酸エチル（１８０ｍｌ）で２回抽出した。有機層を水洗した後、溶媒を減圧除去し、３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸メチル（９）（８６．１ｇ、０．４３ｍｏｌ、収率９６％）を得た。【０２２１】
３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸メチル（９）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；１９８（Ｍ＋，６％），１８０（４５），１６５（３），１４９（１２），１２９（１３），１２０（４０），１０６（１００），９１（７２），７９（９５），６７（３３），５５（３９），４１（４０）【０２２２】
（６）アミド化工程【０２２３】
【化６３】
0005401708.tif 000063
【０２２４】
撹拌装置、温度計、還流管の付いた５００ｍｌフラスコに３−ヒドロキシ−６，８−デカジエン酸メチル（９）（８６．１ｇ、０．４３ｍｏｌ）、イソブチルアミン（９５．３ｇ、１．３ｍｏｌ）を入れ、９０℃に加熱し、２４時間撹拌した。減圧下、イソブチルアミンを回収した後、ヘプタン（７００ｍｌ）を加え、０℃に冷却すると白色固体が析出した。この固体をろ過し、減圧下乾燥することでＮ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナアミド（１０）（８５．２ｇ、０．３５ｍｏｌ、収率８２％）を得た。
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２３９（Ｍ＋，４５％），２２１（４０），２０６（１２），１９２（７），１７０（５），１５７（８），１４４（１２），１２８（７），１１５（６２），１０７（４３），８１（５２），７９（８５），５７（１００），５５（３０），４１（５３）３０（５４）【０２２５】
（７）スルホン酸エステル化工程【０２２６】
【化６４】
0005401708.tif 000064
【０２２７】
撹拌装置、温度計、滴下ロートのついた１Ｌフラスコに窒素気流下、Ｎ−イソブチル−３−ヒドロキシ−６，８−デカジエナアミド（１０）（８５．２ｇ、０．３５ｍｏｌ）、酢酸エチル（６８０ｍｌ）、トリエチルアミン（７２．１ｇ、０．７０ｍｏｌ）を入れ、５℃に冷却した後、塩化メタンスルホニル（４４．７ｇ、０．３９２ｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下終了後、水（１７０ｍｌ）を加え分液した。さらに水洗３回行い、減圧下溶媒を除去し、Ｎ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミド（１１）（１０８．９ｇ、収率９８％）を得た。【０２２８】
Ｎ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミド（１１）
ＧＣ／ＭＳ （ｍ／ｅ）； ３１７（Ｍ＋，３％），３０１（１８），２８８（２），２６０（３），２４３（１），２２２（４８），２０６（１２），１９２（７），１７８（５），１５５（４），１４１（１８），１２８（４０）， １１５（５０）， １０７（５３）， ９３（６３），７９（８０），５７（１００），４１（６８）【０２２９】
（８）脱離工程【０２３０】
【化６５】
0005401708.tif 000065
【０２３１】
ＴＨＦ（４２５ｍｌ）にＮ−イソブチル−３−スルホニルオキシ−６，８−デカジエナミド（１１）（１０８．９ｇ）を溶解させ、０℃に冷却した溶液に、２８％ナトリウムメトキシド−メタノール溶液（７５．５ｇ、０．３９ｍｏｌ）を１時間かけて滴下し、滴下終了後さらに２時間撹拌をした。水（１７０ｇ）を加え分液した後、水洗を２回行い、溶媒を減圧除去し粗生成物を得た。この粗生成物を減圧蒸留（１４０℃／０．３ｔｏｒｒ）することで、Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナアミド（１２）（５８．８ｇ、０．２７ｍｏｌ、純度９８．９％）を得た。【０２３２】
Ｎ−イソブチル−２，６，８−デカトリエナアミド（１２）
ＧＣ／ＭＳ（ｍ／ｅ）；２２１（Ｍ＋，１０％），２０６（３），１９２（４），１７８（２），  １６７（２），１４１（７０），１２６（４４），９８（３０），８１（１００），６９（１５），５３（１７），４１（２４）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；δ  ６．８２（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３，６．７Ｈｚ），  ６．２８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１５．０Ｈｚ），５．９７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７，１０．７Ｈｚ），５．８７（ｂｓ，１Ｈ），５．８５（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１５．３Ｈｚ），５．６９（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝１５．０，６．７Ｈｚ），５．２６（ｄｔ，１Ｈ，  Ｊ＝１０．７，６．８Ｈｚ），３．１４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．３１（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），２．２６（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．７，  ６．８Ｈｚ），１．８１（ｄｑ，１Ｈ，Ｊ＝６．８，６．８Ｈｚ），１．７７（ｄ，３Ｈ，  Ｊ＝６．７Ｈｚ），０．９２（ｄ，６Ｈ，Ｊ＝６．７Ｈｚ）【０２３３】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２００８年１月１８日出願の日本特許出願（特願２００８−００９２９５）、２００８年１月１８日出願の日本特許出願（特願２００８−００９８３２）、２００８年１月１８日出願の日本特許出願（特願２００８−００９８２１）、２００８年１月１８日出願の日本特許出願（特願２００８−００９８５１）、に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２３４】
本発明により高価な試薬を用いることなく、カラムクロマトグラフィー等の精製工程を経ることなく、スピラントールの製造を工業的に実施することが可能になる。本発明で得られるスピラントールは香料成分として有用である。