(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物または酸窒化物の結晶中に発光中心としての光学活性元素を含有する蛍光体の製造方法において、
窒化ケイ素、アルミニウム化合物粉末及び光学活性元素化合物を含む混合物を加熱処理する焼成工程と、
焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、
高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程と、
希ガス処理物を酸で処理する工程と、
を含むことを特徴とする、β型サイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項２】
窒化物または酸窒化物の結晶中に発光中心としての光学活性元素を含有する蛍光体の製造方法において、
ケイ素、アルミニウム化合物粉末及び光学活性元素化合物を含む混合物を窒素雰囲気下で加熱する窒化工程と、
窒化処理された金属化合物と光学活性元素化合物を加熱処理する焼成工程と、
焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、
高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程と、
希ガス処理物を酸で処理する工程と、
を含むことを特徴とする、β型サイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項３】
前記高温アニール工程の加熱処理温度が、焼成工程の加熱温度より低い温度であることを特徴とする、請求項１又は２記載のβ型サイアロン蛍光体の製造方法。
【請求項４】
前記希ガスアニール工程の加熱処理温度が焼成工程の加熱温度より低い温度であることを特徴とする、請求項１又は２記載のβ型サイアロン蛍光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、β型サイアロン蛍光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一次光を発する発光素子と、一次光を吸収して二次光を発する蛍光体とを組み合わせた発光装置は、低消費電力化、小型化、高輝度かつ広範囲な色再現性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究開発が行なわれている。
【０００３】
例えば、青色から紫色の短波長の可視光を発光する半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせ、半導体発光素子の発光と蛍光体により波長変換された光との混色により白色光を得る白色ＬＥＤが開示されている。
【０００４】
白色ＬＥＤの高出力化に伴い、蛍光体の耐熱性、耐久性に対する要求が益々高まり、温度上昇に伴う発光強度低下が小さく、耐久性に優れた蛍光体が求められており、結晶構造の安定したβ型サイアロン蛍光体に代表される窒化物や酸窒化物の蛍光体が注目されている。
【０００５】
β型サイアロン蛍光体は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）と、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）と、酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）のような光学活性元素化合物とを所定のモル比で混合して、２０００℃付近の温度で焼成し、得られた焼成物を粉砕して得られることや、得られた焼成物をさらに酸処理して製造されることが知られている（特許文献１）。
【０００６】
しかし、上述のような方法で得られたβ型サイアロン蛍光体は、発光強度が低いため、半導体発光素子と組み合わせて白色ＬＥＤとした場合に、その発光効率が低いという問題が指摘されている。
【０００７】
β型サイアロン蛍光体の発光強度を向上させるために、焼成前にＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ又はＢａから選ばれる元素のフッ化物、塩化物、ヨウ化物、臭化物又はリン酸塩を添加することが提案されている（特許文献２）。この方法は、前述の化合物を添加することにより、焼成時の反応性を向上して結晶粒の成長を促進させることを目的としていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２５５８８５号公報
【特許文献２】特開２００５−２５５８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に記載された方法では、β型サイアロン蛍光体を構成する元素以外の金属元素を焼成時に含むことになるため、α型サイアロン結晶のようなβ型サイアロン結晶とは異なる異相が形成されやすくなることが指摘されている。特に、ＣａやＭｇ等のアルカリ土類金属が焼成時に含まれる場合には、結果として十分な発光強度の向上効果を得ることができず好ましくない。
【００１０】
本発明は、β型サイアロン蛍光体を構成する元素以外の金属元素を添加することなく、発光強度を向上することを目的とするものである。
【００１１】
本発明者等は、β型サイアロン蛍光体の発光強度を高めるために鋭意研究を重ねた結果、焼成後に窒素雰囲気下での熱処理と希ガス雰囲気下での熱処理を行うことにより発光強度が強くなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
本発明は、窒化物または酸窒化物の結晶中に発光中心としての光学活性元素を含有する蛍光体の製造方法において、窒化ケイ素、アルミニウム化合物粉末及び光学活性元素化合物を含む混合物を加熱処理する焼成工程と、焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程とを含む、β型サイアロン蛍光体の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明はまた、窒化物または酸窒化物の結晶中に発光中心としての光学活性元素を含有する蛍光体の製造方法において、ケイ素、アルミニウム化合物粉末及び光学活性元素化合物を含む混合物を窒素雰囲気下で加熱する窒化工程と、窒化処理された金属化合物と光学活性元素化合物を加熱処理する焼成工程と、焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程と、希ガス処理物を酸で処理する工程とを含む、β型サイアロン蛍光体の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のβ型サイアロン蛍光体の製造方法によれば、焼成後に窒素雰囲気下及び希ガス雰囲気下で加熱処理することで発光強度を向上させることができる。
【００１５】
さらに、本発明の蛍光体は、ＬＣＤ等の画像表示装置のバックライト光源に使用するにあたり、明るさや色再現性に関して従来のβ型サイアロン蛍光体に比べて優れた特性を示す。このような蛍光体は、半導体発光装置に好適に用いることができ、当該半導体発光装置は画像表示装置に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のβ型サイアロン蛍光体の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図２】本発明のβ型サイアロン蛍光体の製造方法の別の一例を示すフロー図である。
【図３】実施例１の超音速ジェット粉砕した蛍光粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す図である。
【図４】実施例１の酸処理後の蛍光粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す図である。
【図５】比較例１の酸処理後の蛍光粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す図である。
【図６】実施例１と比較例１の蛍光粉末の粒度分布を示すグラフである。
【図７】実施例１と比較例１の工程ごとの結晶欠陥変化量を示すグラフである。
【図８】実施例１と比較例１の発光強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔第一実施形態〕
本発明のβ型サイアロン蛍光体の製造方法は、窒化ケイ素、アルミニウム化合物及び光学活性元素化合物を含む混合物を加熱処理する焼成工程と、焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
アルミニウム化合物は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又は加熱により分解して酸化アルミニウムを産生するアルミニウム含有化合物から選ばれる１種以上のアルミニウム化合物をいう。
【００１９】
光学活性元素化合物とは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂからなる群から選択される１種または２種以上の元素の化合物であり、好ましくは酸化物である。これらの元素が発光中心として機能して蛍光特性を発現する。青色光の照射から黄色光を発光する蛍光体として、一般的に用いられている元素は、酸化ユーロピウムである。
【００２０】
焼成工程は定法の条件に従って窒素雰囲気下又は非酸化条件下で加熱して行えばよい。加熱温度については、１８５０〜２０５０℃の範囲が好ましい。加熱温度が１８５０℃以上であればＥｕ２＋がβ型サイアロン結晶中に入り込むことができ、十分な発光強度を有する蛍光体が得られる。また、加熱温度が２０５０℃以下であれば、非常に高い窒素圧力をかけてβ型サイアロンの分解を抑制する必要がなく、その為に特殊な装置を必要とすることもないので工業的に好ましい。
【００２１】
次に、焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理をする。以下、冷却後の窒素雰囲気下での加熱処理を高温アニール工程という。
【００２２】
冷却は、焼成物の温度が室温又は室温以下になるまで放置して徐冷する。冷却を行わないと、十分にβ型サイアロン蛍光体の発光強度を向上させることができない。
【００２３】
焼成物は粒状又は塊状となるので冷却した後、解砕、粉砕及び／又は分級操作と組み合わせて所定のサイズの粉末にしてもよい。具体的な処理の例としては、焼成物を目開き２０〜４５μｍの範囲で篩分級処理し、篩を通過した粉末を得る方法、或いは合成物をボールミルや振動ミル、ジェットミル等の一般的な粉砕機を使用して所定の粒度に粉砕する方法が挙げられる。なお、ジェットミルによる粉砕は、過度な処理条件とした場合に、粒子表面に結晶欠陥を生成し、発光効率の低下を引き起こすことがある。粉砕機を使用する場合は、粉砕条件をより緩和なものとすることが好ましい。
【００２４】
高温アニール工程の加熱温度は、１７００〜１９００℃の範囲が好ましい。加熱温度が１９００℃以上となるとβ型サイアロンの分解及び発光中心であるＥｕの揮発するため、好ましくない。また、加熱温度が１７００℃以下となると十分に結晶性を改善できないため、好ましくない。圧力条件は、０．１ＭＰａ以上が好ましい。０．１ＭＰａ以下の場合、β型サイアロンの分解が起こるため、好ましくない。
【００２５】
高温アニール工程の後に、高温アニール工程で得られた処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する。この工程を希ガスアニール工程という。高温アニール工程での処理物は、焼成物又は焼成物の粉末と同様、室温程度まで冷却し、希ガスアニール工程において加熱処理する。高温アニール工程と併せて希ガスアニール工程を行うことにより、蛍光特性が向上する。
【００２６】
希ガスアニール工程における加熱温度は、１３００〜１５００℃の範囲であり、１３００〜１５００℃の範囲が特に好ましい。１３００℃以上であれば、低結晶性部の不安定化が可能であり、１５００℃以下であれば、β型サイアロン蛍光体の結晶構造の分解を抑制できる。
【００２７】
希ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ又はＲｎから選ばれる１種のガス又は２種以上の混合ガスを用いることができる。とりわけ、Ａｒガスが好ましい。
【００２８】
本発明者の検討によれば、希ガスアニールにおける熱処理は、蛍光体中の低結晶性部分を不安定にするための処理である。希ガス雰囲気中での熱処理により、低結晶性部を不安定化し、次工程である酸処理工程でこれを取り除く。なお、酸処理工程の前に、篩により粉体の粒度を整えておくことが望ましい。
【００２９】
次に、希ガスアニール工程で生じた不安定な低結晶性部分やβサイアロン蛍光体と異なる相を酸で処理して除去する（以下、酸処理工程という）。酸処理は、例えば、フッ化水素酸と硝酸の混酸で加熱処理することにより行うことができる。低結晶性部分を除去することにより蛍光特性が著しく向上する。加熱処理温度は、フッ素水素酸と硝酸の混合物により６０℃以上で５分以上加熱して行う溶解処理が効果的で好ましい。
【００３０】
酸処理して得られた、β型サイアロン蛍光体の分散液を水洗、乾燥して蛍光体粉末とする。さらに、蛍光体粉末を湿式沈降法等により微粉を除去してもよい。
〔第二実施形態〕
第一実施形態と異なる点は、第二実施形態では窒化ケイ素の代わりにケイ素を用い、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム又は加熱により分解して酸化アルミニウムを産生するアルミニウム含有化合物から選ばれる１種以上のアルミニウム化合物と光学活性元素化合物とを含む混合物を焼成する前に窒化処理する点にある。
【００３１】
図２に処理フローの概要を示す。すなわち、金属化合物粉末と光学活性元素化合物とを含む混合物を窒素雰囲気下で加熱する窒化工程と、窒化処理された金属化合物と光学活性元素化合物を加熱処理する焼成工程と、焼成物を冷却した後、窒素雰囲気下において加熱処理する高温アニール工程と、高温アニール処理物を希ガス雰囲気下において加熱処理する希ガスアニール工程と、希ガス処理物を酸で処理する工程とを含む、β型サイアロン蛍光体の製造方法である。
【００３２】
窒化処理工程は、ケイ素を窒化するための処理であり、定法の窒化処理条件に従って窒素雰囲気下で加熱して行えばよい。すなわち、ケイ素を窒化してＳｉ３Ｎ４に変換するために１２００〜１５５０℃に加熱する。加熱温度は、好ましくは、１４５０〜１５００℃の範囲が好ましい。加熱温度が１４５０℃以上であればＥｕ２＋がβ型サイアロン結晶中に入り込むことができ、十分な発光強度を有する蛍光体が得られる。予備加熱温度が１５００℃を超えると最終的に得られる蛍光体の発光長波が長くなり、また、圧力が０．５ＭＰａを超えると、最終的に得られる蛍光体の発光長波が長くなることが本発明者の研究により明らかとなった。したがって、１５００℃以下かつ０．５ＭＰａの圧力条件下で行うのが好ましい。
【００３３】
焼成工程、高温アニール工程、希ガスアニール工程及び酸処理の処理条件は、第一実施形態と同じである。また、第一実施形態同様、酸処理して得られたβ型サイアロン蛍光体の分散液を水洗、乾燥して蛍光体粉末とし、さらに、蛍光体粉末を湿式沈降法等により微粉を除去してもよい。
【実施例１】
【００３４】
以下、実験例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。
【００３５】
「Ｅｕ含有βサイアロン用原料粉末の準備」
α型窒化ケイ素粉末（宇部興産社製「ＳＮ−Ｅ１０」グレード、酸素含有量１．１質量％）９５．５質量％、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製「Ｆ」グレード、酸素含有量０．９質量％）３．３質量％、酸化アルミニウム粉末（大明化学社製「ＴＭ−ＤＡＲ」グレード）０．４質量％、及び酸化ユーロピウム粉末（信越化学工業社製「ＲＵ」グレード）０．８質量％を配合し、原料混合物１ｋｇを得た。
【００３６】
原料混合物を、V型混合機を用いて３０分間乾式で混合し、更に目開き１５０μｍのナイロン製篩を全通させ、蛍光体合成用の原料粉末を得た。
【００３７】
「焼成工程」
原料粉末を内寸で直径１０ｃｍ×高さ１０ｃｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製、「Ｎ−１」グレード）に１７０ｇ充填し、カーボンヒーターの電気炉で０．９ＭＰａの加圧窒素雰囲気中、２０００℃で１５時間の加熱処理を行った後、得られた粉末を室温まで徐冷した。得られた焼成物は、緩く凝集した塊状であり、清浄なゴム手袋を着用した人手で軽くほぐすことができた。こうして、軽度の解砕を行った後、目開き１５０μｍの篩を通した。これらの操作によって、１６０ｇの合成粉末を得た。
【００３８】
合成粉末を超音速ジェット粉砕機（日本ニューマチック工業社製、ＰＪＭ−８０ＳＰ）により解砕して、粉砕粉を得た。図３に得られた粉砕粉の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す。なお、この粉砕機は、粉砕室への試料供給速度と粉砕エアー圧力により粉砕粉末の粒径を制御することができるものである。
【００３９】
「高温アニール工程」
直径７０ｍｍ×高さ４５ｍｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製「Ｎ−１」グレード）に粉砕粉を７０ｇ充填し、カーボンヒーターの電気炉で０．９ＭＰａの加圧窒素雰囲気中、１９００℃で８時間の加熱処理を行った。得られた粉末は、目開き４５μｍの篩を全て通過した。
【００４０】
「希ガス工程」
得られた粉末１５ｇを、直径４０ｍｍ×高さ４５ｍｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製「Ｎ−１」グレード）に充填し、カーボンヒーターの電気炉で大気圧アルゴン雰囲気中、１４５０℃で８時間の加熱処理を行った。得られた粉末には焼成を伴う収縮はなく、加熱前とほとんど同じ性状であり、目開き４５μｍの篩を全て通過した。なお、以下の記載において、希ガス工程でアルゴンガスを用いた加熱処理をアルゴンアニール工程という。
【００４１】
「酸処理工程」
粉末を５０％フッ化水素酸と７０％硝酸の１：１混酸中で処理した。処理中に懸濁液は深緑色から鮮やかな緑色に変化した。その後、水洗及び乾燥してβ型蛍光体粉末を得た。図４に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を示す。
【００４２】
得られたβ型蛍光体粉末を湿式沈降法により、微粉除去処理を行った。
【００４３】
蛍光体粉末１０ｇを分散剤として、ヘキサメタ燐酸ナトリウムを添加した蒸留水５００ｍＬ中に十分に分散した後、内寸８０ｍｍ、高さ１４０ｍｍの容器に移し、５０分間静置し、水面から９０ｍｍの上澄み液を除去した。再び、ヘキサメタ燐酸水溶液を追加し、分散し、所定時間静置した後、上澄み液を除去するという操作を上澄み液が透明になるまで繰り返した。その後、沈殿物をろ過し、分散剤を除去するために十分に水洗し、乾燥を行い微粉除去したβ型蛍光体粉末を得た。
【００４４】
「比較例１」
実施例１の高温アニール工程を省いた他は、同じ処理工程及び条件で処理を行い、蛍光体粉末を得た。すなわち、「焼成工程」、「アルゴンアニール工程」及び「酸処理工程」を含む方法により、β型蛍光粉末を製造した。酸処理後の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図５に示す。
【００４５】
図４に示すβ型蛍光粉末粒（実施例１）のほうが図５のβ型蛍光粉末粒（比較例１）より表面が丸みを帯び、滑らかになっていることがわかる。
【００４６】
また、超音速ジェット粉砕した蛍光体、実施例１の酸処理後のβ型蛍光体及び比較例１の酸処理後のβ型蛍光体の粒度を、レーザー回折散乱方式粒度分布測定装置（ベックマン・コールター  ＬＳ２３０）を使用して測定した。粒度分布を図６に示す。アルゴン工程単独より、高温アニール工程とアルゴンアニール工程を行うことにより、粒径が大きくなっているのがわかる。
【００４７】
電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）を用いた結晶欠陥変化量を測定した。測定結果を表１と図７に示す。
【００４８】
【表１】
0005508817.tif 000002
表１と図７から、高温アニール工程もアルゴンアニール工程も結晶欠陥量を減少することができることがわかる。さらに、両方の処理を行ってから酸処理することによって結晶欠陥量を減少できることがわかる。ユーロピウム量には変化がない。
【００４９】
また、実施例１の酸処理後のβ型蛍光体及び比較例１の酸処理後のβ型蛍光体の粒度を測定した。結果を表２に示す。
【００５０】
【表２】
0005508817.tif 000003
高温アニール工程とアルゴンアニール工程を経ることにより、酸素量が減少していることがわかる。
【００５１】
実施例１の蛍光体と比較例１の発光強度を分光蛍光光度計（日立ハイテクノロジーズ社製、「Ｆ４５００」）により測定した結果を表１に示す。蛍光体の発光強度は、次のように評価した。まず蛍光体粉末を凹型のセルを表面が平滑になるように充填し、積分球を取り付けた。この積分球に、発光光源（Ｘｅランプ）から所定の波長に分光した単色光を、光ファイバーを介して導入した。この単色光を励起源として、蛍光体試料に照射し、分光光度計を用いて、試料の蛍光及び反射光のスペクトル測定を行った。本実施例では、単色光は、波長４５５ｎｍの青色光を用いた。なお、発光強度は、ＹＡＧ：Ｃｅ（Ｐ４６Ｙ３；化成オプトニクス）の発光強度を１００％とした相対ピーク強度（％）で表した。結果を表３と図８に示す。
【００５２】
【表３】
0005508817.tif 000004
表１と図８より、高温アニール工程とアルゴンガス工程を合わせて行うことにより、相対ピーク強度が向上していることがわかる。
【実施例２】
【００５３】
実施例１の窒化ケイ素粉末に代えて、実施例２ではシリコン粉末を使用した例を示す。
「Ｅｕ付活アルミニウム含有窒化ケイ素粉末の製造」
シリコン粉末（純度９９．９９９％以上、−４５μｍ、高純度化学社製）９６．４１質量％、窒化アルミニウム粉末（トクヤマ社製Ｅグレード）１．１６質量％、及び酸化ユーロピウム粉末（信越化学工業社製ＲＵグレード）２．４３質量％を窒化ケイ素焼成体製の乳鉢と乳棒を用い混合し、更に目開き２５０μｍの篩を全通させ凝集を取り除き、原料混合粉末とした。
【００５４】
「窒化工程」
原料混合粉末を直径４０ｍｍ×高さ３０ｍｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製、「Ｎ−１」グレード）に充填し、カーボンヒーターの電気炉で０．４８ＭＰａの加圧窒素雰囲気中、１５５０℃で８時間の加熱処理を行った。なお、加熱時の昇温速度は、室温〜１２００℃を２０℃／分で、１２００〜１５００℃を０．５℃／分とした。得られた生成物は塊状であり、これを窒化ケイ素焼成体製の乳鉢と乳棒を用い粉砕した。粉砕した粉末を目開き４５μｍの篩で分級し、４５μｍ以下の粉末を蛍光体合成用のＥｕ付活アルミニウム含有窒化ケイ素粉末とした。さらに、得られたＥｕ付活アルミニウム含有窒化ケイ素粉末を目開き２５０μｍの篩を全通させ、β型サイアロン蛍光体用原料混合粉末とした。
【００５５】
「焼成工程」
β型サイアロン蛍光体用原料混合粉末を直径６０ｍｍ×高さ３０ｍｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製、「Ｎ−１」グレード）に充填し、カーボンヒーターの電気炉で０．８ＭＰａの加圧窒素雰囲気中、２０００℃で８時間の加熱処理を行った。得られた生成物は緑色の緩く凝集した塊状物であり、室温まで徐冷した後、清浄なゴム手袋を着用した人手で軽くほぐすことができた。こうして、軽度の解砕を行った後、目開き４５μｍの篩を通過させた。
【００５６】
「高温アニール工程」
直径６０ｍｍ×高さ３０ｍｍの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器（電気化学工業社製、「Ｎ−１」グレード）に蛍光体粉末を充填し、カーボンヒーターの電気炉で大気圧窒素雰囲気中、１８００℃で８時間の再加熱処理を行った。
【００５７】
「アルゴンアニール工程」
得られた蛍光粉末をカーボンヒーターの電気炉で大気圧アルゴン雰囲気中、１４００℃で８時間の加熱処理を行なった。
【００５８】
「酸処理工程」
５０％フッ化水素酸と７０％硝酸の１：１混酸中、７５℃での加熱処理、その後、実施例１と同様に処理して、ろ過、水洗及び乾燥してβ型蛍光体粉末を得た。
「比較例２」
実施例２の「焼成工程」後に高温アニール工程及びアルゴンアニール工程を経ないβ型蛍光体粉末を比較例２とした。
「比較例３」
実施例２の「焼成工程」後に高温アニール工程を行わず、アルゴンアニール工程と酸処理を行ったβ型蛍光体粉末を比較例３とした。
【００５９】
励起光に分光したキセノンランプ光源を使用し、実施例１と同様の条件で発光強度を測定した。結果を表４に示す。
【００６０】
【表４】
0005508817.tif 000005
高温アニール工程による処理を行うことで発光強度が向上することがわかる。また、高温アニール工程とアルゴンアニール工程とを組み合わせることにより、さらに発光強度が向上することがわかる。
以上、本発明を実施例に基づいて説明したが、この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることが当業者に理解されるところである。
【図１】
0005508817.tif 000006
【図２】
0005508817.tif 000007
【図３】
0005508817.tif 000008
【図４】
0005508817.tif 000009
【図５】
0005508817.tif 000010
【図６】
0005508817.tif 000011
【図７】
0005508817.tif 000012
【図８】
0005508817.tif 000013