(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスであって、
電極板要素、
信号給電要素、および
チャンバ
を含み、
電極板要素が、カソード板およびカソード板のシールドカバーを包含し、チャンバがローラを持つ可動チャンバであり、電極板からなる設置された電極アレイを含有し、
給電ポートが、電極板要素の裏側の中心における、電極板要素の裏側の表面からくぼんだ円または半円領域に位置し、
表面接触により給電ポートに接続された信号給電要素が、超短波（ＶＨＦ）電源信号のマイナス電極に接続され、
信号給電要素の一つの端部の表面が、円または半円であり、
カソード板のシールドカバーが、スルーホールを有し、
カソード板が、シールドカバーから絶縁され、
電極アレイが少なくとも１セットのカソード板および一つのアノード板を包含する、
堆積ボックス。
【請求項２】
二つの対称位置にあるカソード板の作動放電動作領域の方に個別に向くように、二つの表面を持つ一つのアノード板を配設することにより、１セットのカソード板および一つのアノード板が配置される、請求項１記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項３】
信号給電要素が、銅給電コア、絶縁層およびシールド層を包含する、請求項１記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項４】
カソード板が片面放電し、カソード板のシールドカバーがセラミック絶縁層およびシールド層を包含し、シールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆う、請求項１記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項５】
電極が、シールドカバーを持つ複数のカソード板および複数の接地されたアノード板を包含し、特定の放電空間を持つ電極アレイを形成する、請求項１〜４のいずれか一項記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項６】
ＶＨＦ電源信号を給電するため、シールドカバーが、カソード板の背面側の中心位置および周囲側部のシールドを包含する、請求項５記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項７】
信号給電要素が、胴部およびヘッド部を包含し、Ｚ形状を有し、胴部がセラミック絶縁層を有し、金属給電コアがＶＨＦ給電ラインの導体である、請求項５記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項８】
信号給電要素の一つの端部が、ＶＨＦ電源信号のマイナス出力ポートおよび電源適合装置に接続される、請求項１記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックス。
【請求項９】
シリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスの信号給電方法であって、
チャンバ内に信号給電モードのための電極板要素、給電要素を含み、
電極アレイが、ローラを持つ可動チャンバに設置され、
電極アレイが、少なくとも１セットのカソード板および一つのアノード板を包含し、
給電ポートが、電極板要素の裏側の中心における、電極板要素の裏側の表面からくぼんだ円または半円領域に位置し、
信号給電要素の一つの端部が、円または半円形状であり、電極板要素の給電ポートに表面接触してＶＨＦ電源信号を給電し、
カソードシールドカバーおよびアノード板が接地される、
信号給電方法。
【請求項１０】
電極が複数の給電要素および電極板要素を包含し、
ＶＨＦ電源信号が、表面給電方法により電極板の給電ポートに給電され、特定の放電空間を持つ電極アレイを形成する、請求項９記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスの信号給電方法。
【請求項１１】
「Ｚ形状」給電要素の胴部がセラミック絶縁層を有する一方、金属給電コアがＶＨＦ信号給電ラインの導体である、請求項９記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスの信号給電方法。
【請求項１２】
信号給電要素の一つの端部が、ＶＨＦ電源信号のマイナス出力ポートおよび電源適合装置に接続される、請求項１１記載のシリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスの信号給電方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、太陽電池技術に関し、より詳細には、ＶＨＦ（２７．１２MHz〜１００MHz）で駆動される、シリコン系薄膜太陽電池のための堆積ボックスに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シリコン薄膜太陽電池では、多くの場合、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を使用して単接合または多接合光起電ＰＩＮ膜層を堆積する。このタイプの高周波（ＲＦ）容量結合型平行平板反応器は、一般に、薄膜太陽電池業界で使用される。堆積プロセス、例えば、プラズマ増強化学気相堆積は、電極板アレイを持つ電極板要素により、反応チャンバ内で実施される。ＲＦ容量結合型平行平板電極反応チャンバは、アモルファスシリコン、アモルファスシリコンゲルマニウム、炭化シリコン、窒化シリコンおよび酸化シリコン材料等の様々な種類の大面積薄膜堆積に広く使用される。業界内では、支持フレームを持つ電極は、通例、クランプユニット、ホルダまたは固定具と呼ばれ、チャンバ内部にホルダが設置されるプラズマ化学気相堆積装置は、多くの場合、「堆積ボックス」、すなわち、反応器と呼ばれる。
【０００３】
シリコン薄膜太陽電池分野は、太陽エネルギー業界の重要な部門であり、平行平板電極容量放電パターンは、太陽電池業界のコア技術の一つである。さらに、１３．５６MHz  ＲＦは、高い生産効率および低いプロセスコストを持つ高速アモルファスシリコン薄膜堆積で広く使用される。シリコン薄膜技術に対する需要が高まるにつれ、微結晶およびナノ結晶シリコン薄膜材料が一層注目されている。
【０００４】
しかし、微結晶環境下では、１３．５６MHz ＲＦで生成されるプラズマは、低いプラズマ密度、低い堆積速度、目標膜厚さに到達するまでの長い堆積時間および有意なバックグラウンド汚染を有することができる。したがって、多くの場合、作製される薄膜が高い不純物特性および不十分な光電特性を有し、製品の品質および性能に深刻な影響を及ぼす。結晶シリコン薄膜技術が業界に十分に貢献するには、いかに高速堆積を行うかが重要になる。
【０００５】
超短波（ＶＨＦ）は、１３．５６MHzの二倍以上の正規の周波数を指す。業界で主に使用されるＶＨＦは、一般的に、２７．１２〜１００MHzの範囲である。しかし、容量放電モデルでは、ＶＨＦで生じる定在波効果および表皮効果が非常に顕著になり、駆動周波数が増大するとこれらの効果がより強くなる。カリフォルニア大学バークレー校のM. A. Lieberman教授は、これらの二つの効果について徹底的な調査を行った。彼の研究結果が示すように、均一な薄膜のＶＨＦ  ＰＥＣＶＤ堆積の重大な条件は、励起周波数（λ０）の自由空間波長が容量放電電極チャンバの寸法係数（Χ）よりもはるかに大きく、表皮深さ（δ）が厚さ許容係数（η０）よりもはるかに大きいことである。例として、１m2の放電面積および６０MHzの励起周波数では、λ０≒Χおよびδ≒ηである。そのため、この励起周波数では、表皮効果および定在波効果が非常に顕著になり、１m2の電極板上における不均一な放電につながる。このように、ＶＨＦで駆動される大面積の均一な放電をいかに達成するかは、結晶シリコン薄膜技術のために対処すべき技術的問題の一つである。
【０００６】
これも、業界内で大変な関心を生じさせた。２００３年、米国特許第２００３／０１５０５６２Ａ１号は、ＶＨＦで生じる不均質性を改善するため、容量結合型放電で磁気ミラーを使用する方法を開示した。中国特許第２００７１０１５０２２７．４号、第２００７１０１５０２２８．９号および第２００７１０１５０２２９．３号は、均一な電界を得るため、ＶＨＦ信号の異なる給電形態を適用するＶＨＦの三つの電極設計を開示した。
【０００７】
しかし、依然として以下の問題が残ることができる：  １）ＶＨＦ−ＰＥＣＶＤチャンバ内の電極が複雑な設計構造を有する；  ２）継続的な改善の一つの理由として、反応チャンバおよび電極の定常的な組立／分解および清掃により、電極の異常な変形が生じることができる；  ３）既存特許で開示された多点給電構造は、個々の給電点の対称経路を要求する小さい接触表面を有することができ、給電点のボンディング導体とカソード板との間に接触がない。より具体的には、有効な放電のため、ボンディング導体とカソード板との間に隔離シールドが要望されることができる。これらの構造設計は、比較的厳しい実際の要件を有し、均一な放電のための多過ぎる決定因子を有し、実際の生産における要望、例えば、分解および清掃を満たすことができない。
【０００８】
そのため、業界で使用される設備では、単点給電が主流の設計になる。しかしながら、定在波効果および表皮効果のため、現在の単点給電構造は、高い給電周波数を増大させるための要件を満たすことができない。したがって、現在の市場需要を満たし、コストを低減するには、既存の堆積ホルダをより実用的にするためのさらなる開発および改善が要望されることができる。他方、複数のガラスを加工または堆積することができるＣＶＤ反応器システムを使用する傾向もある。そのため、大量生産の需要を満たし、工業生産段階に入るため、有効なＶＨＦ給電モデルを適用することは、業界にとって実用的に大変に有意義である。
【０００９】
発明の内容
本発明の目的は、ＶＨＦ電源駆動放電システムの不均一性の問題を解決し、電極板要素を有する電極アレイの新しい概念設計の使用により、均一な電界を持つ大面積ＶＨＦ−ＰＥＣＶＤ堆積チャンバを提供することを包含し、大面積ＶＨＦ−ＰＥＣＶＤ電極板多板アレイの生産に適用される。
【００１０】
それゆえに、本発明の堆積ボックス技術による解決策は、電極板要素、信号給電要素およびチャンバを包含し、カソード板のシールドカバーも包含し、チャンバがローラを持つ可動チャンバであり、その内部には電極板からなる電極アレイが設置される。給電ポートが電極板要素の裏側の中心における凹状の円または半円領域に位置し、表面接触により、円または半円形状給電ポートに接続された信号給電要素が、給電用高周波（ＲＦ）または超短波（ＶＨＦ）電源信号のマイナス電極に接続される。カソード板のシールドカバーがスルーホールを有する。カソード板とシールドカバーとの間が絶縁され、電極アレイが少なくとも１セットのカソード板および一つのアノード板を包含する。
【００１１】
堆積ボックスによる解決策で述べたカソード板のセットおよびアノード板は、アノード板の二つの側の方を向く、対称に配置されたカソード板の二つの効率的な放電側部を指す。カソード板が片側放電に使用され、カソード板のシールドカバーがセラミック絶縁層およびシールド層を包含する。シールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆う。
【００１２】
電極が、シールドカバーを持つ複数のカソード板および複数の接地されたアノード板を包含し、特定の放電空間を持つ電極アレイを形成する。
【００１３】
ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電するため、シールドカバーが、カソード板の裏側の中心位置および周囲側部のシールドを包含する。信号給電要素は、銅給電コア、絶縁層および外面シールド層を含む。
【００１４】
信号給電要素が胴部およびヘッド部を含み、Ｚ形状を有する。胴部が高温耐性セラミック絶縁層を有し、金属給電コアがＲＦ／ＶＨＦ給電ラインの導体である。信号給電要素の一つの端部が、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号のマイナス出力ポートおよび電源適合装置に接続される。
【００１５】
本発明による解決策は、電極板要素、給電要素およびチャンバが信号給電モードを形成し、電極アレイがローラを持つ可動チャンバに設置される方法を提供する。電極アレイが少なくとも１セットのカソード板および一つのアノード板を包含する。給電ポートが電極板要素の裏側の中心における凹状の円または半円領域に位置し、給電要素が、表面接触により、円または半円凹部表面でカソード板に接続される。さらに、信号給電要素の一つの端部が、円または半円形状であり、電極板要素の給電ポートに表面接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。
【００１６】
本発明による解決策は、複数セットの給電要素および電極板が、表面接触モードにより、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を電極板給電口に給電し、特定の放電空間を持つ電極アレイを形成することを包含する。
【００１７】
給電要素がＺ形状金属ベルトまたはストリップであることができ、胴部が高温耐性セラミック絶縁層を有し、金属給電コアがＲＦ／ＶＨＦ信号給電ラインの導体である。
【００１８】
信号給電要素の一つの端部が、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号のマイナス出力ポートおよび電源適合装置に接続される。
【００１９】
本発明の堆積ボックスの有益な効果は、側部給電モードを持つスロットタイプのカソード板と異なり、より高い均一性、より大きい放電面積および安定した放電性能を達成する堆積が堆積ボックス内で得られ、接続キャパシタンスがより小さく、実際の放電電力がより大きく、電極板アレイ間の高周波干渉がより小さいことを包含する。単チャンバ堆積システムのカソード板中心点タイプ給電モードとも異なり、接続キャパシタンスがより小さく、定在波および表皮効果がより小さく、一体化されたアレイタイプの多チャンバ堆積が得られ、生産効率を大いに改善することができる。そのため、ＶＨＦ電源給電形態および電極板構造の最適化により、ＲＦ／ＶＨＦ放電均一性の解決策を得ることができ、それは、結晶化シリコン薄膜のための高効率な作製技術の前提である。本発明は、大面積の均一な放電のため、２７．１２MHz〜２００MHzの範囲の任意の電源および任意の正規のＶＨＦ周波数に適用可能である。この構造は、生産性を大いに改善し、太陽電池のコストを低減するため、複数のガラス堆積システムに適用することができる。本発明は、従来の電極設計の技術的な制限を打破し、ＶＨＦ誘導効果、例えば、定在波および表皮効果を効果的に除去し、均一な放電を工業的な適用レベルまで改善する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】堆積ボックス断面図。
【図２】堆積ボックスチャンバ図。
【図３】図１の信号給電要素２０１の概略図。
【図４】図１のカソード板２０３の概略図。
【図５】図１のカソード板シールド２０４の概略図。
【図６】本発明の実施態様１の構造スケッチ図。
【図７】本発明の実施態様２の構造スケッチ図。
【図８】本発明の実施態様３の構造スケッチ図。
【００２１】
図１〜８では、堆積ボックス０２は、真空チャンバ０１内でガス堆積をプロセスするため、信号給電要素２０１、絶縁シールド層２０２、カソード板２０３、カソード板シールドカバー２０４、基板２０６、絶縁ストリップ２０７、アノード板２０８、接地金属ガイド溝２０９、下部背面ドア板２１１、上部背面ドア板２１２、ガスキャビティ２１４、前面ドアパネル２１５、側部フレーム２１６、ホイールまたはローラ２１８、ガスパイプライン２２０および下部ベース板２２１等からなる。真空チャンバ０１は、ガスアクセスシステムの給入口１０１、電源給電システム口１０２、真空チャンバドア１０３、トラック１０４および真空システムの給入口１０５を含有する。
【００２２】
本発明の堆積ボックスは、表面接触給電モードにより、先に提案した本発明の目標を達成する。それは、結晶化シリコン薄膜のＶＨＦ−ＰＥＣＶＤ堆積における多点給電手法の多くの問題、例えば、反応チャンバの電極構造が複雑であり、電極が容易に変形し、接触面積が小さく、給電点間の経路および距離が完全に対称であり、全面的にシールドされることが要求されること等を克服した。本発明の表面給電堆積ボックス設計は、これらの問題を解決し、均一な電界を持つ大面積チャンバ放電を得ることができる。それは、特にアノード板の二重作用表面の高効率な利用を達成することができる。一方、より多くの枚数のガラスを処理または堆積するためのＣＶＤ堆積ボックスシステムについては、有効なＶＨＦ表面給電モードを適用し、工業生産稼働プロセスが達成され、シリコン系薄膜太陽電池の大量生産における要望を満たすことができる。
【００２３】
本発明の寄与は、高堆積速度において超短波（ＶＨＦ）電源で駆動される薄膜堆積の均一性および整合性の問題について、実質的な解決策を提供することを包含する。堆積ボックス０２は、真空チャンバ０１内に配設され、堆積ボックス０２は、電極板、信号給電要素、チャンバおよびカソード板シールドカバー２０４を含む。平行電極板は、カソード板２０３およびアノード板２０８を包含する。カソード板の給電ポート２０３−１は、円形状である。信号給電要素２０１は、階段形状であり、胴部セクションと半円端部２０１−１とを含み、シールドカバー２０４を持つカソード板２０３の中間でくぼんだ円給電ポート２０３−１に接続される。要素の胴部は、容易な設置のために平坦であり、給電信号の損失が少ない。要素の他の端部２０１−３は、ＲＦ／ＶＨＦ電源のマイナスポートおよび電源適合装置（図示せず）に接続され、階段形状である。要素の端部は、半円形状であり、表面接触モードで電極板に接続され、接地設定を持つ堆積ボックス内で電極板要素の構成要素となり、すべてが絶縁シールド（図示せず）を有する。
【００２４】
発明の詳細な説明
実施態様１
電極板が垂直に配設される。カソード板が円給電ポートを有し、給電要素が平坦な胴部および半円給電インターフェースを有する。
【００２５】
本実施態様の原理を図１〜６に例示する。堆積ボックス０２では、二つのカソード板２０３が一つのアノード板２０８を囲む。ＰＥＣＶＤ堆積システムは、気相堆積チャンバ、ガスシステム、電源システム、真空システム、加熱システム、制御システムなどからなる。ガスシステムは、主に、気相堆積のための異なるガスおよびガスラインを提供する。電源システムは、主に、膜堆積のためのプラズマを放電する短波または超短波電源を提供する。真空システムは、主に、真空ポンプ機および真空パイプラインを提供する。加熱システムは、主に、気相堆積チャンバに熱を供給する。制御システムは、主に、堆積プロセスのパラメータを制御する。気相堆積チャンバは、ガスによる基板２０６への薄膜堆積を実現するための装置である。
【００２６】
気相堆積チャンバは、主に、真空チャンバ０１と、スクロールホイール２１８および接地設定を持つ堆積ボックス０２とを含む。真空チャンバ０１を使用して真空が達成される。堆積ボックス０２を使用してプラズマを放電し、Ｐ−Ｉ−Ｎ薄膜層を基板２０６に堆積する。堆積ボックス０２は、カソード板２０３、カソードシールド２０４、絶縁ストリップ２０７、アノード板２０８、信号給電要素２０１、シールド層２０２、下部板２２１、ガスチャンバ２１４、接地金属溝２０９、前面ドア板２１５、上部背面ドア板２１２、下部背面ドア板２１１、側部フレーム２１６およびホイール２１８を包含する。側部フレーム２１６は、溶接ステンレス鋼スリップで作られた四角形状フレームであり、長方形フックイヤ部２１６−４を有する。側部フレーム２１６は、上部側でガスチャンバ２１４と、下部側で下部板２２１と接続し、一体ボディを形成する。ガスチャンバ２１４および下部板２２１の逆側に位置する金属溝２０９は、アノード板２０８、カソード板２０３およびカソードシールド２０４を固定することができる。アノード板２０８は、金属溝２０９に直接挿入されて接触し、カソードシールド２０４を金属溝２０９に接触させる。絶縁スリップ２０７は、カソード２０３とカソードシールド２０４との間で固定され、これらの二つの部分を分離させる。
【００２７】
アノード板２０８およびカソードシールド２０４は、金属溝２０９に接触し、接地を確保するために下部板２２１に接続される。円給電ポート２０３−１は、板の表面からくぼんだ、カソード板の中間または中心領域に位置する。信号給電要素２０１の胴部およびヘッド部は、Ｚ形状を形成する。さらに、信号給電要素２０１は、カソード板の中間のくぼんだ円ポートを高周波／超短波信号電源に接続するため、半円端部２０３−１を有する。カソードシールド２０４の中間のスルーホール２０４−１は、給電ポート２０３−１に対応して設けられ、カソードシールド２０４に触れることなく、カソード板２０３から信号給電要素２０１を出す。信号給電要素２０１のもう一つの端部は、ホール２０１−３を通って電源ポート２０５に接続される。給電要素の胴部は、カソードシールド２０４との接触を避けるため、高温耐性セラミック絶縁層２０２で覆われる。信号給電要素は、良好な導電性を持つ銅から作られる。前面ドア板２１５は、基板２０６を堆積ボックス０２に配設した後、フックイヤ部２１６−１上のフック２１５−２を側部フレーム２１６に掛け、下部側をＺ形状ソケットに挿入することにより、堆積ボックス０２に比較的閉鎖した空間を形成することができる。トラック１０４を通して堆積ボックス０２を真空チャンバ０１内に押し込むことができる。したがって、堆積ボックス０２上のガスパイプライン２２０の上部口は、真空チャンバのパイプに挿入することにより、真空チャンバ０１のガスシステムの入口１０１に接続する。真空チャンバの所望の真空状態は、真空チャンバ０１の可動真空ドア１０３を閉じた後に達成することができる。次いでガスを真空チャンバに加え、薄膜気相堆積を進める。
【００２８】
実施態様２
電極板が垂直に配設される。カソード板が円給電ポートを有する。給電要素が平坦な胴部および半円給電インターフェースを有する。カソード板がシールドから絶縁され、スルーホールがカソード板のシールドに設けられる。
【００２９】
図７の堆積ボックスは、実施態様１のものと同じであり、８個のガラス基板２０６を同時に加工することができる。二つのカソード板２０３が一つのアノード板２０８を囲み、二つのアノード板２０８および４個のカソード板２０３で４対の電極を形成することができる。このような構成では、８個の基板を同時に薄膜でコーティングすることができる。詳細なプロセスを以下に例示する。
【００３０】
ａ）  ６００nmの透明導電性薄膜を持つ８個のガラス基板（１６４０mm×７０７mm×３mm）を堆積ボックス０２内の基板位置に配設する。基板の膜側を外側に向ける一方、基板のガラス側を電極板の方に向ける。
【００３１】
ｂ）  真空チャンバの作動ドア１０３を開き、堆積ボックス０２をトラック１０４に沿って真空チャンバ０１内に押し込む。次いで真空チャンバ０１の作動ドア１０３を閉じる。
【００３２】
ｃ）  真空が５．０×１０−４Paに達したときに、チャンバにアルゴンを充填する。４０．６８MHz超短波電源を入れ、４００Ｗプラズマ放電でチャンバを２分間清掃する。次いで電源を切る。
【００３３】
ｄ）  そのうえで、〜５．０×１０−４Paの高真空までシステムをポンプダウンし、次いでシステムをアルゴンで２回洗浄する。
【００３４】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmの流速でチャンバに加える。チャンバの圧力が６０Paに達したときに、４０．６８MHz超短波電源を入れる。４００Ｗ電源でプラズマ放電を発生させ、微結晶真性シリコン薄膜を４０分間堆積する。
【００３５】
ｆ）  電源を切り、高真空までシステムをポンプダウンする。
【００３６】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、チャンバの作動ドア１０３を開く。堆積ボックス０２をチャンバから押し出し、次いでＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００３７】
この給電構成により、４０．６８MHz超短波電源で駆動される均一な電界を達成することができ、微結晶シリコン薄膜を１６４０mm×７０７mm（長さ×幅）ＴＣＯガラス上に〜５％の均一性および調節可能な微結晶化度で堆積することができる。
【００３８】
実施態様３
電極板が垂直に配設される。カソード板が円給電ポートを有する。給電要素が平坦な胴部および半円給電インターフェースを有する。カソード板がシールドから絶縁され、スルーホールがカソード板のシールドに設けられる。
【００３９】
図８の堆積ボックスは、実施態様１のものと同じであり、２４個のガラス基板２０６を同時に加工することができる。二つのカソード板２０３が一つのアノード板２０８を囲み、６個のアノード板２０８および１２個のカソード板２０３で１２対の電極を形成することができる。このような構成では、２４個の基板を同時に薄膜でコーティングすることができる。詳細なプロセスを以下に例示する。
【００４０】
ａ）  ６００nmの透明導電性膜を持つ２４個のガラス基板２０６（１６４０mm×７０７mm×３mm）を堆積ボックス０２の基板位置に配設する。基板の膜側を外側に向ける一方、基板のガラス側を電極板の方に向ける。
【００４１】
ｂ）  真空チャンバの作動ドア１０３を開き、堆積ボックス０２をトラック１０４に沿って真空チャンバ０１内に押し込む。次いで真空チャンバ０１の作動ドア１０３を閉じる。
【００４２】
ｃ）  真空が５．０×１０−４Paに達したときに、チャンバにアルゴンを充填する。４０．６８MHz超短波電源を入れ、４００Ｗプラズマ放電でチャンバを２分間清掃する。次いで電源を切る
【００４３】
ｄ）  そのうえで、〜５．０×１０−４Paの高真空までシステムをポンプダウンし、次いでシステムをアルゴンで２回洗浄する。
【００４４】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmの流速でチャンバに加える。チャンバの圧力が６０Paに達したときに、４０．６８MHz超短波電源を入れる。４００Ｗでプラズマを発生させ、微結晶真性シリコン薄膜を４０分間堆積する。
【００４５】
ｆ）  電源を切り、高真空までポンプダウンする。
【００４６】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、チャンバの作動ドア１０３を開く。堆積ボックス０２をチャンバから押し出し、次いでＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００４７】
この給電構成により、４０．６８MHz超短波電源で駆動される均一な電界を達成することができ、１６４０mm×７０７mm（長さ×幅）ＴＣＯガラス上に微結晶シリコン薄膜を〜４．８％の均一性で堆積することができる。
【００４８】
先の説明は、本発明の実施態様を添付図によって詳細に例示している。しかし、本発明は、先の実施態様、特に、給電要素の形状に関して限定されない。当業者は、本発明の原理を逸することなく、本発明の異なる変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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