(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で表されることを特徴とする化合物。
【化１】
0005549015.tif 000029
（一般式（１）中、Ｃ＾Ｎ（Ａで示す箇所）はシクロメタル化配位子を表し、Ｍは遷移金属原子を表す。
Ｘ１及びＸ２は窒素原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；又はアラルキル基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ３は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アルケニル基；アルキニル基；アリール基；アラルキル基；脂肪族、芳香族又は環状のアミノ基；ホスフィノ基；ボリル基；アルキルチオ基；アリールチオ基；アルコキシ基；又はアリールオキシ基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｍ及びｎはいずれも１以上の整数であり、ｍとｎとの合計は、Ｍに配位することができる配位子の最大数以下である。）
【請求項２】
下記の一般式（２）で表されることを特徴とする化合物。
【化２】
0005549015.tif 000030
（一般式（２）中、Ｍは遷移金属原子を表す。
Ｘ１及びＸ２は窒素原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；又はアラルキル基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ３は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アルケニル基；アルキニル基；アリール基；アラルキル基；脂肪族、芳香族又は環状のアミノ基；ホスフィノ基；ボリル基；アルキルチオ基；アリールチオ基；アルコキシ基；又はアリールオキシ基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表し、炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素はハロゲン原子で置換されていてもよく、炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子で置換されていてもよく、炭化水素基同士が互いに連結して環を形成してもよい。
ｍ及びｎはいずれも１以上の整数であり、ｍとｎとの合計は、Ｍに配位することができる配位子の最大数以下である。）
【請求項３】
下記の一般式（３）で表されることを特徴とする化合物。
【化３】
0005549015.tif 000031
（一般式（３）中、Ｍは遷移金属原子を表す。
Ｘ１及びＸ２は窒素原子を表す。
Ｘ３は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；又はアラルキル基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ３は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アルケニル基；アルキニル基；アリール基；アラルキル基；脂肪族、芳香族又は環状のアミノ基；ホスフィノ基；ボリル基；アルキルチオ基；アリールチオ基；アルコキシ基；又はアリールオキシ基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表し、炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素はハロゲン原子で置換されていてもよく、炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子で置換されていてもよく、炭化水素基同士が互いに連結して環を形成してもよい。
ｍ及びｎはいずれも１以上の整数であり、ｍとｎとの合計は、Ｍに配位することができる配位子の最大数以下である。）
【請求項４】
下記の一般式（２２）で表されることを特徴とする化合物。
【化４】
0005549015.tif 000032
（一般式（２２）中、Ｒ１及び２つのＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；又はアラルキル基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表し、炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素はハロゲン原子で置換されていてもよく、炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子で置換されていてもよく、炭化水素基同士が互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ２７は、水素原子；又はイソプロピル基；を表す。）
【請求項５】
上記一般式（１）又は（２）中で、Ｍがイリジウムを表すことを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の化合物。
【請求項６】
上記一般式（３）中で、Ｍがイリジウムを表し、Ｘ３が硫黄原子を表すことを特徴とする請求項３に記載の化合物。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の化合物に電圧を印加して、当該化合物を発光させることを特徴とする発光方法。
【請求項８】
一対の電極と、該一対の電極間に配された発光材料を含む発光層とを含んでなる発光素子であって、
上記発光層が請求項１から６の何れか一項に記載の化合物を含んでなることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
上記発光層が発光材料として請求項１から６の何れか一項に記載の化合物のみを含んでなることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規化合物、及び当該化合物の利用に関するものである。より詳細には、当該化合物を含む発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
りん光発光する金属錯体を発光材料とした有機発光素子（以下「ＯＬＥＤｓ」と称する：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ）は、蛍光発光材料より発光効率が著しく高いため注目を集めている。 【０００３】
上記発光材料となる、白金、オスミウム又はイリジウムを含む重金属錯体のなかで、イリジウム錯体は最も発光効率が高い。【０００４】
しかし、高パフォーマンスのＯＬＥＤｓは、４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル（以下「ＣＢＰ」と称する）等の発光ホストを基材とし、そこにイリジウム錯体（発光ドーパント）をドープしたものであって、かつ該イリジウム錯体が低濃度でかつ一定濃度以内(例えば、６重量％から１０重量％の範囲内)となるよう正確にコントロールしなければ得られない。【０００５】
つまり、高パフォーマンスのＯＬＥＤｓの製造には、発光ドーパントのドープ量を最適化するために慎重な工程制御がもとめられる。さらに、このＯＬＥＤｓを長期に使用すれば、発光ホストと発光ドーパントとが相分離を起こすという問題も有する。【０００６】
そこで、発光ホストに発光ドーパントをドープするタイプのＯＬＥＤｓ（以下「ドープ型ＯＬＥＤｓ」）に代えて、ドープしないタイプのＯＬＥＤｓ（以下「非ドープ型ＯＬＥＤｓ」）の開発も進められている。実用上充分なパフォーマンスを示す非ドープ型ＯＬＥＤｓが開発できれば、上記したドープ量の厳密な制御や相分離の問題から解放される。【０００７】
なお、従来の発光ドーパントを用いて非ドープ型ＯＬＥＤｓを作製しても、最高性能なドープ型ＯＬＥＤｓと比較すれば、得られる輝度及び発光効率の点で約１桁以上パフォーマンスが劣る（非特許文献１参照）。この問題は、りん光発光材料に共通する特徴である、キャリア（電荷）の移動が極めて少ないこと、又は発光材料による自己消光、の少なくとも一方に起因すると考えられる。【０００８】
そこで、非特許文献２〜５に記載のように、非ドープ型ＯＬＥＤｓに適した新規なりん光発光材料の開発が進められている。【０００９】
また、非特許文献６に記載のように、立体制御スペーサをりん光発光材料に導入し、自己消光を低減する試みもなされている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】S. Lamanskyら： J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 4304.
【非特許文献２】Y. Wangら：Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 449.
【非特許文献３】R. J. Holmesら：Appl. Phys. Lett 2003, 83, 3818.
【非特許文献４】Y. H. Songら：Adv. Func. Mater. 2004, 14, 1221.
【非特許文献５】Z. W. Liuら：Adv. Func. Mater. 2006, 16, 1441.
【非特許文献６】H. Z. Xieら：Adv. Mater. 2001, 13, 1245.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、非特許文献２〜５に記載のりん光発光材料の多くは合成経路が非常に複雑なうえに、実用レベルからは程遠いパフォーマンスしか得られていないという問題を有する。【００１２】
また、非特許文献６に記載のりん光発光材料も合成が容易とはいえず、またそのパフォーマンスは実用上充分なレベルとはいえないという問題を有する。【００１３】
本願発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光ドーパントとしてはもちろん、単独で使用した場合でも実用上充分な発光特性を示す新規化合物及びその利用を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願発明者等は上記課題を解決するために鋭意検討をおこなった。その結果、特定の構造を有する補助配位子を使用することで、優れたりん光発光特性を示す化合物が得られることを見出し、本願発明を完成させるに至った。【００１５】
すなわち、本発明に係る化合物は、上記課題を解決するために、下記の一般式（１）で表される化合物であることを特徴としている。これによれば、発光ドーパントとしてはもちろん、単独で使用した場合でも実用上充分な発光特性を示す新規化合物を提供することができるという効果を奏する。【００１６】
【化１】
0005549015.tif 000002
（一般式（１）中、Ｃ＾Ｎ（Ａで示す箇所）はシクロメタル化配位子を表し、Ｍは遷移金属原子を表す。Ｘ１及びＸ２は互いに独立して窒素原子；酸素原子；硫黄原子；又はリン原子を表す。Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；アラルキル基；又はエーテル基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ３は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アルケニル基；アルキニル基；アリール基；アラルキル基；脂肪族、芳香族又は環状のアミノ基；ホスフィノ基；ボリル基；アルキルチオ基；アリールチオ基；アルコキシ基；アリールオキシ基；エーテル基；又はイミノ基；を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ｍ及びｎはいずれも１以上の整数であり、ｍとｎとの合計は、Ｍに配位することができる配位子の最大数以下である。）
本発明に係る化合物は、下記の一般式（２）又は（３）で表される化合物であることがより好ましい。【００１７】
【化２】
0005549015.tif 000003
（一般式（２）中、Ｍ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｍ及びｎの定義は、上記一般式（１）と同じである。Ｒ１１〜Ｒ１８は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表し、炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素はハロゲン原子で置換されていてもよく、炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子で置換されていてもよく、炭化水素基同士が互いに連結して環を形成してもよい。）【００１８】
【化３】
0005549015.tif 000004
（一般式（３）中、Ｍ、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｍ及びｎの定義は、上記一般式（１）と同じである。Ｘ３は硫黄原子又は酸素原子を表す。Ｒ１９〜Ｒ２６は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表し、炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素はハロゲン原子で置換されていてもよく、炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子で置換されていてもよく、炭化水素基同士が互いに連結して環を形成してもよい。）
本発明に係る化合物は、上記一般式中で、Ｍがイリジウムを表し、Ｘ１及びＸ２が窒素原子を表すことがより好ましい。【００１９】
本発明に係る化合物は、上記一般式中で、さらにＸ３が硫黄原子を表すことがより好ましい。【００２０】
本発明に係る発光方法は、上記化合物に電圧を印加して、発光させることを特徴としている。【００２１】
本発明に係る発光素子は、一対の電極と、該一対の電極間に配された発光材料を含む発光層とを含んでなる発光素子であって、当該発光層が本発明に係る化合物を含んでなることを特徴としている。これによれば、実用上充分な発光特性を示す発光素子を提供することができる。【００２２】
本発明に係る発光素子は、発光材料として本発明に係る化合物のみを含んでなることがより好ましい。これによれば、発光層の形成が容易で、かつ、品質劣化の虞が低減された発光素子を提供することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る化合物及びその利用によれば、発光ドーパントとしてはもちろん、単独で使用した場合でも実用上充分な発光特性を示す新規化合物、当該化合物を用いた発光方法、及び発光素子を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）・（ｂ）は、本発明に係る化合物の結晶パッキングを説明する概略図である。
【図２】図２は、脱気したジクロロメタン中又は固相状態で観察した、本発明に係る化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルとＰＬスペクトルとを示すグラフである。
【図３】図３は、本発明に係る有機発光素子（ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶ）の構造と、当該有機発光素子を構成する材料の化学構造とを示す説明図である。
【図４】図４は、６Ｖの駆動電圧を印加した際のＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶのＥＬスペクトルを示すグラフである。
【図５】図５は、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの輝度−電圧特性の測定結果を示すグラフである。
【図６】図６は、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの電流密度−発光効率の関係を示すグラフである。
【図７】図７は、本発明に係る別の化合物の結晶パッキングを説明する概略図である。
【図８】図８は、本発明に係る別の化合物のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図９】図９は、本発明に係る別の化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図１０】図１０は、１００００ｃｄ／ｍ２の輝度における本発明に係る別の有機発光素子（ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩ）のＥＬスペクトルを示すグラフである。
【図１１】図１１は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩの電流密度−外部量子効率の関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩの電流密度−発光効率の関係を示すグラフである。
【図１３】図１３は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩの輝度−電流密度−電圧特性の関係を示すグラフである。
【図１４】図１４は、さらに別の素子の電流密度−電界の関係を示すグラフである。
【図１５】図１５は、脱気したジクロロメタン中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルとＰＬスペクトルとを示すグラフである。
【図１６】図１６は、固相状態で観察した、図１５における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図１７】図１７は、脱気したジクロロメタン中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルとＰＬスペクトルとを示すグラフである。
【図１８】図１８は、脱気したジクロロメタン中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルとＰＬスペクトルとを示すグラフである。
【図１９】図１９は、固相状態で観察した、図１８における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２０】図２０は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図２１】図２１は、クロロホルム中で観察した、図２０における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２２】図２２は、固相状態で観察した、図２０における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２３】図２３は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図２４】図２４は、クロロホルム中で観察した、図２３における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２５】図２５は、固相状態で観察した、図２３における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２６】図２６は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図２７】図２７は、クロロホルム中で観察した、図２６における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２８】図２８は、固相状態で観察した、図２６における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図２９】図２９は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図３０】図３０は、クロロホルム中で観察した、図２９における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３１】図３１は、固相状態で観察した、図２９における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３２】図３２は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図３３】図３３は、クロロホルム中で観察した、図３２における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３４】図３４は、固相状態で観察した、図３２における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３５】図３５は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図３６】図３６は、クロロホルム中で観察した、図３５における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３７】図３７は、固相状態で観察した、図３５における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図３８】図３８は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図３９】図３９は、クロロホルム中で観察した、図３８における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４０】図４０は、固相状態で観察した、図３８における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４１】図４１は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図４２】図４２は、クロロホルム中で観察した、図４１における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４３】図４３は、固相状態で観察した、図４１における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４４】図４４は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図４５】図４５は、クロロホルム中で観察した、図４４における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４６】図４６は、固相状態で観察した、図４４における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４７】図４７は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図４８】図４８は、クロロホルム中で観察した、図４７における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図４９】図４９は、固相状態で観察した、図４７における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図５０】図５０は、クロロホルム中で観察した、本発明に係る別の化合物のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示すグラフである。
【図５１】図５１は、クロロホルム中で観察した、図５０における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【図５２】図５２は、固相状態で観察した、図５０における化合物のＰＬスペクトルを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００２６】
〔本発明に係る新規化合物〕
本発明に係る新規化合物は、以下の一般式（１）に示す構造を有するものである。
【００２７】
【化４】
0005549015.tif 000005
ここで、上記一般式（１）中、Ｃ＾Ｎ（以下Ａとする）はシクロメタル化配位子を表す。なお、Ａが複数ある場合（後述するｍが２以上の整数の場合）には、複数のＡは、同一のシクロメタル化配位子を表してもよく、互いに異なるシクロメタル化配位子を表してもよい。新規化合物の合成の容易さ、及び当該化合物の発光特性を増強する観点からは、複数のＡは、同一のシクロメタル化配位子であることが好ましい。なお、シクロメタル化配位子の部分は、本発明に係る新規化合物において専ら発光現象に直接関わる部分（発光性の配位子）として機能する。すなわち、励起３重項からの発光（りん光発光）が生じる部分として機能する。
【００２８】
上記のシクロメタル化配位子としては、金属錯体の発光現象に直接関わることが知られている何れの配位子をも採用することができ、所望する発光特性（発光波長など）に応じて適宜選択すればよい。特に限定されるものではないが、具体的には例えば、下記の化学式（４）の（ａ）〜（ｑ）に示すシクロメタル化配位子が挙げられる。なお、化学式（４）中において芳香族環又は複素環又はその他の炭素上にある水素原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン基；炭素数が１〜２０個、好ましくは１〜６個のアルキル基等の炭化水素基；炭素数が１〜２０個、好ましくは１〜６個のハロゲン化アルキル基等のハロゲン化炭化水素基；アミノ基；アルコキシ基；チオアルコキシ基；芳香族環、複素環、或いは、飽和又は不飽和の炭化水素環；等の置換基により置換されてもよい。さらに、化学式（４）に示すシクロメタル化配位子は、１〜数個の芳香族環、複素環、或いは、飽和又は不飽和の炭化水素環等の環状構造をさらに備えた構造であってもよい。
【００２９】
【化５】
0005549015.tif 000006
また、一般式（１）中、Ｒ１−Ｘ１−Ｃ（Ｒ３）−Ｘ２−Ｒ２にて表される部位は、本発明に係る新規化合物の立体制御に関わる補助配位子として機能していると推定される。さらに、Ｘ１、Ｘ２が有する孤立電子対により、潜在的な正孔輸送能も持つと推定される。なお、この補助配位子が複数ある場合（後述するｎが２以上の整数の場合）には、複数の補助配位子は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【００３０】
従来は補助配位子として、アセチルアセトナト配位子（acetylacetonate：acacと称する）が汎用されていたが、本発明では上記補助配位子を採用することで、自己消光の発生が最小限に抑制され、かつ電荷輸送能力が増強された新規なりん光発光物質（本発明の新規化合物）を極めて簡単な合成方法により提供することができる。これにより、発光ドーパントとしてはもちろん、単独で使用した場合でも、実用上充分な発光特性を示す新規な発光材料を提供することができる。
【００３１】
一般式（１）中、Ｘ１及びＸ２は互いに独立して窒素原子（Ｎ）；酸素原子（Ｏ）；硫黄原子（Ｓ）；又はリン原子（Ｐ）；を表し、中ではＸ１及びＸ２の双方が窒素原子を表すアミジナート構造若しくはグアニジナト構造、又は少なくとも何れか一方がリン原子を表すホスフィジナト構造であるものが好ましい。
【００３２】
また、一般式（１）中、Ｒ１及びＲ２は互いに独立して、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アリール基；アラルキル基；又はエーテル基；を表す。ここでアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０個の直鎖状又は分岐状のアルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が例示される。アリール基としては、例えば、フェニル基、等が例示される。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、等が例示される。エーテル基としては、例えば、ジエチルエーテル基、エチルメチルエーテル基、シクロペンチルメチルエーテル基、シクロヘキシルメチルエーテル基、フェニルメチルエーテル基、等が例示される。なお、これらの基はいずれも、例えば炭素数１〜４個のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜４個のハロゲン化アルキル基等の置換基を有していてもよい。これらの例示の中では、ハロゲン化されていてもよいイソブチル基若しくはイソプロピル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有していてもよいアリール基、が好ましい。また、Ｘ１又はＸ２がリン原子である場合、このリン原子には２つのＲ１又はＲ２が結合していてもよい。このとき、２つのＲ１のそれぞれ、又は２つのＲ２のそれぞれは、互いに同じであってもよく、又は互いに異なるものであってもよい。
【００３３】
また、一般式（１）中、Ｒ３は、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基；アルケニル基；アルキニル基；アリール基；アラルキル基；脂肪族、芳香族又は環状のアミノ基；ホスフィノ基；ボリル基；アルキルチオ基；アリールチオ基；アルコキシ基；アリールオキシ基；エーテル基；又はイミノ基；を表す。ここでアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜１０個の直鎖状又は分岐状のアルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が例示される。アルケニル基としては例えばフェニルビニル基、等が例示される。アルキニル基としては例えばフェニルアセチル基、等が例示される。アリール基としては、例えば、フェニル基、インデニル基、フルオレニル基、ナフチル基、チオフェニル基、ピリジル基、等が例示される。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、等が例示される。脂肪族のアミノ基としては、例えば、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジアリルアミノ基、ビス（トリメチルシリル）アミノ基、等が例示される。芳香族のアミノ基としては、例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、等が例示される。環状のアミノ基としては、例えば、カルバゾリル基、インドリル基、等が例示される。ボリル基としては、例えば、フェニルボリル等が例示される。アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基等が例示される。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、イソプロピロキシ基、ｔ―ブトキシ基等が例示される。アリールオキシ基としては、例えば、フェニルオキシ基等が例示される。エーテル基としては、例えば、ジエチルエーテル基、エチルメチルエーテル基、シクロペンチルメチルエーテル基、シクロヘキシルメチルエーテル基、フェニルメチルエーテル基、等が例示される。イミノ基としては、例えば、イソプロピルイミノ基、等が例示される。なお、これらの基はいずれも、例えば炭素数１〜４個のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜４個のハロゲン化アルキル基等の置換基を有していてもよい。これらの例示の中では、ハロゲン化されていてもよいイソブチル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有していてもよいアリール基、が好ましく、この中でも置換基を有していてもよいアリール基がより好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基が特に好ましい。
【００３４】
すなわち、上記の補助配位子として特に好ましいものは、１）Ｘ１、Ｘ２の双方が窒素原子を表すアミジナート構造若しくはグアニジナト構造、又は少なくとも何れか一方がリン原子を表すホスフィジナト構造を有し、かつ、２）Ｒ１及びＲ２が互いに独立してハロゲン化されていてもよいイソブチル基、イソプロピル基若しくはｔｅｒｔブチル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有していてもよいアリール基、又はエーテル基の何れかであり、かつ、３）Ｒ３が置換基を有していてもよいフェニル基、ジフェニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジトリエチルシリルアミノ基、カルバゾリル基、フルオレニル基、又はイソプロピルイミノ基であるものが挙げられる。
【００３５】
また、上記一般式（１）中、中心金属Ｍは、遷移金属原子から任意に選択される金属であり、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、オスミウム、タリウム、鉛、ビスマス、インジウム、スズ、アンチモン、テルル、金、銀、等が挙げられ、中ではイリジウム、オスミウム又は白金のいずれかが好ましく、イリジウムがより好ましい。
【００３６】
また、上記一般式（１）中、ｍ及びｎはいずれも１以上の整数であり、ｍとｎとの合計は、中心金属Ｍに配位することができる配位子の最大数以下、好ましくは当該最大数と同数である。中心金属Ｍの種類にもよるが、より優れた発光特性を得るためにはｎが１であり、ｍが（中心金属Ｍに配位することができる配位子の最大数−１）であることが好ましい。例えば、中心金属Ｍがイリジウムの場合、ｍとｎとの合計は３以下になるので、ｎが１であり、ｍが２であることが好ましい。
【００３７】
さらに、上記一般式（１）で表される本発明に係る新規化合物は、以下の一般式（２）で表されるものが好ましい。
【００３８】
【化６】
0005549015.tif 000007
上記一般式（２）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８（以下、Ｒ１１〜１８と総称）は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表す。ここで、当該炭化水素基に含まれる炭素数は好ましくは１〜５個である。また、当該炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換されていてもよい。また、当該炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に、当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子の少なくとも一方で置換されていてもよい。さらに、炭化水素基同士（より好ましくは、隣接する炭化水素基であるＲ１１とＲ１２、Ｒ１２とＲ１３、Ｒ１３とＲ１４、Ｒ１４とＲ１５、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１６とＲ１７、Ｒ１７とＲ１８から選択される少なくとも一組）は互いに連結して、芳香族環、飽和又は不飽和の炭化水素環（芳香族環を除く）、或いは、硫黄原子及び／又は窒素原子（ヘテロ原子）を含んだ複素環を構成してもよい。
【００３９】
また、上記一般式（２）中の、Ｍ、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ１、及びＸ２の定義は、一般式（１）にて説明したものと同一である。
【００４０】
上記一般式（２）で示される新規化合物のうち、より好ましいものは、１）Ｒ１１〜Ｒ１８が互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜５個の炭化水素基を表し、かつ、２）Ｍがイリジウムであり、３）ｍが２でｎが１であり、かつ、４）Ｘ１、Ｘ２の双方が窒素原子を表すアミジナート構造若しくはグアニジナト構造、又は少なくとも何れか一方がリン原子を表すホスフィジナト構造を有し、かつ、５）Ｒ１及びＲ２が互いに独立してハロゲン化されていてもよいイソブチル基、イソプロピル基若しくはｔｅｒｔブチル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有していてもよいアリール基、又はエーテル基の何れかであり、かつ、６）Ｒ３が置換基を有していてもよいフェニル基、ジフェニルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジトリエチルシリルアミノ基、カルバゾリル基、フルオレニル基、又はイソプロピルイミノ基であるものである。
【００４１】
このような新規化合物として、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、以下の化学式（５）に記載の化合物が挙げられる。なお、化学式（５）の（ａ）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジン）を(ppy)2Ir(dipba)と、化学式（５）の（ｂ）に示す新規化合物ビス（７，８−ベンゾキノリナト）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジン）を(bzq)2Ir(dipba)と称する。(ppy)2Ir(dipba)、(bzq)2Ir(dipba)は順に、シクロメタル化配位子としてフェニルピリジン、ベンゾキノリンを用いたものである。また、何れの新規化合物も、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジン（アミジナート構造を有する化合物）を補助配位子として用いたものである。
【００４２】
【化７】
0005549015.tif 000008
この他にも、例えば以下の化学式（８）〜（２１）に記載の化合物が挙げられる。
【００４３】
【化８】
0005549015.tif 000009
化学式（８）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジフェニルグアニジン）を、Ir(ppy)2didpgと称する。
【００４４】
【化９】
0005549015.tif 000010
化学式（９）に示す新規化合物ビス（２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジフェニルグアニジン）を、Ir(dfppy)2didpgと称する。
【００４５】
【化１０】
0005549015.tif 000011
化学式（１０）に示す新規化合物ビス（２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジン）を、Ir(dfppy)2dipbaと称する。
【００４６】
【化１１】
0005549015.tif 000012
化学式（１１）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジターシャリブチルベンズアミジン）を、Ir(ppy)2tbu-baと称する。
【００４７】
【化１２】
0005549015.tif 000013
化学式（１２）に示す新規化合物ビス（７，８−ベンゾキノリナト）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジフェニルグアニジン）を、Ir(bzq)2dip-dpgと称する。
【００４８】
【化１３】
0005549015.tif 000014
化学式（１３）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジアリルグアニジン）を、Ir(ppy)2(dipdg)と称する。
【００４９】
【化１４】
0005549015.tif 000015
化学式（１４）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジエチルグアニジン）を、Ir(ppy)2(dipdeg)と称する。
【００５０】
【化１５】
0005549015.tif 000016
化学式（１５）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジイソブチルグアニジン）を、Ir(ppy)2(dipdbg)と称する。
【００５１】
【化１６】
0005549015.tif 000017
化学式（１６）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ジイソプロピルグアニジン）を、Ir(ppy)2dipgdipと称する。
【００５２】
【化１７】
0005549015.tif 000018
化学式（１７）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピル−Ｎ”，Ｎ”−ビス（トリメチルシリル）グアニジン）を、Ir(ppy)2dip-dtmsgと称する。
【００５３】
【化１８】
0005549015.tif 000019
化学式（１８）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルバゾリルアミジン）を、Ir(ppy)2dip-cbzgと称する。
【００５４】
【化１９】
0005549015.tif 000020
化学式（１９）に示す新規化合物ビス（２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルバゾリルアミジン）を、Ir(ppy)2dip-cbzgと称する。
【００５５】
【化２０】
0005549015.tif 000021
化学式（２０）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルフルオレニルアミジン）を、Ir(ppy)2dip-flaと称する。
【００５６】
【化２１】
0005549015.tif 000022
化学式（２１）に示す新規化合物ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルジフェニルホスフィジン）を、Ir(ppy)2dip-dppと称する。
【００５７】
或いは、上記一般式（１）で表される本発明に係る新規化合物は、以下の一般式（３）で表されるものが好ましい。
【００５８】
【化２２】
0005549015.tif 000023
上記一般式（３）中、Ｒ１９、Ｒ２０、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６（以下、Ｒ１９〜２６と総称）は互いに独立して、水素原子；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１０個の炭化水素基；を表す。ここで、当該炭化水素基に含まれる炭素数は好ましくは１〜５個である。また、当該炭化水素基に含まれる少なくとも一つの水素原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子で置換されていてもよい。また、当該炭化水素基が２個以上の炭素原子を含む場合に、当該炭素原子の一部が硫黄原子又は窒素原子の少なくとも一方で置換されていてもよい。さらに、炭化水素基同士（より好ましくは、隣接する炭化水素基であるＲ１９とＲ２０、Ｒ２０とＲ２１、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２５とＲ２６から選択される少なくとも一組）は互いに連結して、芳香族環、飽和又は不飽和の炭化水素環（芳香族環を除く）、或いは、硫黄原子及び／又は窒素原子（ヘテロ原子）を含んだ複素環を構成してもよい。
【００５９】
上記一般式（３）中の、Ｘ３は硫黄原子又は酸素原子を表す。
【００６０】
また、上記一般式（２）中の、Ｍ、ｍ、ｎ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｘ１、及びＸ２の定義は、一般式（１）にて説明したものと同一である。
【００６１】
上記一般式（３）で示される新規化合物のうち、より好ましいものは、１）Ｒ１９〜Ｒ２６が互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１〜５個の炭化水素基を表し、かつ、２）Ｍがイリジウムであり、３）ｍが２でｎが１であり、かつ、４）Ｘ１、Ｘ２の双方が窒素原子を表すアミジナート構造を有し、かつ、５）Ｒ１及びＲ２が互いに独立してハロゲン化されていてもよいイソブチル基若しくはイソプロピル基、置換基を有していてもよいシクロヘキシル基、置換基を有していてもよいアリール基、又はエーテル基の何れかであり、かつ、６）Ｒ３が置換基を有していてもよいフェニル基であり、かつ、７）Ｘ３が硫黄原子を表すものである。
【００６２】
このような新規化合物として、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、以下の化学式（６）に記載の化合物が挙げられる。なお、化学式（６）に示す新規化合物ビス（フェニルベンゾチオゾラート）イリジウム（III）（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジン）を(bt)2Ir(dipba)と称する。(bt)2Ir(dipba)は、シクロメタル化配位子としてフェニルベンゾチアゾールを用い、補助配位子としてＮ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジンを用いたものである。
【００６３】
【化２３】
0005549015.tif 000024
〔製造方法〕
本発明に係る化合物は、上記のシクロメタル化配位子を中心金属Ｍに配位させて一次金属錯体を得る工程（１）と、次いで、補助配位子を当該一次金属錯体に配位させて本発明に係る化合物を得る工程（２）と、を含んでなる方法により製造される。この方法は、二段階の配位形成という簡単な反応であり、かつ簡単な化学構造の補助配位子を用いるために、発光特性に優れた化合物を従来より容易に合成できるという利点がある。
【００６４】
上記の一次金属錯体を得る工程（１）は、例えば、中心金属Ｍのハロゲン化物（金属塩化物など）とシクロメタル化配位子とを、両者が充分に配位する程度の時間及び条件で共存させればよく、例えば、M. Nonoyama, Bull. Chem. Soc. Jpn. 1974, 47, 767.等に記載の公知の方法を参照して行うことができる。
【００６５】
工程（１）では、中心金属Ｍのハロゲン化物１当量に対して、過剰量のシクロメタル化配位子を共存させればよく、より具体的には、一般式（１）中のｍに相当する当量以上のシクロメタル化配位子を共存させればよい。例えば、中心金属Ｍがイリジウムである場合には、イリジウムのハロゲン化物１当量に対して、２当量以上、より好ましくは２．５〜３当量のシクロメタル化配位子を共存させればよい。
【００６６】
工程（１）は、中心金属Ｍのハロゲン化物及びシクロメタル化配位子に対して反応性を有しない溶媒中で行うことができ、このような溶媒として例えば、２−メトキシエタノール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、エトキシエタノール、等が挙げられる。また、必要に応じて、これら溶媒と水とを混合したものを溶媒として用いることもできる。さらに、必要に応じて、溶媒の還流を行ってもよい。
【００６７】
工程（１）の反応温度、反応圧力は常温・常圧でよいが、上記した溶媒の還流を行う場合などは、例えば溶媒の蒸発が可能な温度及び圧力下で行ってもよい。
【００６８】
上記の工程（２）は、例えば、工程（１）で得られた一次金属錯体と補助配位子とを、両者が充分に配位する程度の時間及び条件で共存させればよい。なお、補助配位子は、一般式（１）中、Ｒ１−Ｘ１−Ｃ（Ｒ３）−Ｘ２−Ｒ２にて表される配位子を指し、市販品を購入する、又は公知の合成方法を参照した合成によって容易に入手可能である。
【００６９】
工程（２）では、中心金属Ｍのハロゲン化物１当量に対して、過剰量の補助配位子を共存させればよく、より具体的には、一般式（１）中のｎに相当する当量以上の補助配位子を共存させればよい。例えば、中心金属Ｍがイリジウムである場合には、当該イリジウム１当量に対して、１当量以上、より好ましくは１．５〜２当量の補助配位子を共存させればよい。
【００７０】
工程（２）は、中心金属Ｍのハロゲン化物及び補助配位子に対して反応性を有しない溶媒中で行うことができ、このような溶媒として例えば、２−メトキシエタノール、テトラヒドロフラン、エトキシエタノール、等が挙げられる。また、必要に応じて、これら溶媒と水とを混合したものを溶媒として用いることもできる。さらに、必要に応じて、溶媒の還流を行ってもよい。
【００７１】
工程（２）の反応温度、反応圧力は常温・常圧でよいが、上記した溶媒の還流を行う場合などは、例えば溶媒の蒸発が可能な温度及び圧力下で行ってもよい。また、生成物の酸化を防止するために、工程（２）はアルゴン等の不活性ガスの雰囲気下で行うことが好ましい。
【００７２】
また、工程（１）及び（２）に加えて、反応生成物を精製する工程、その他の工程を適宜含むこともできる。
【００７３】
中心金属Ｍがイリジウムであり、補助配位子としてＮ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジンを用いた場合の合成スキームの概略を一例として以下の一般式（７）に示す。なお、この合成スキームの理解のために、後述する実施例の記載も参酌できる。
【００７４】
【化２４】
0005549015.tif 000025
〔新規化合物の用途〕
本発明に係る新規化合物の用途の一例として、有機発光素子（ＯＬＥＤｓ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ）の発光材料が挙げられる。また、発光する性質を利用した検出マーカーとしての用途も考えられる。当該新規化合物は、例えば、１）補助配位子中のＸ１及びＸ２が持つ孤立電子対により潜在的な正孔輸送能を持つと考えられる点、２）補助配位子による立体制御により、新規化合物内或いは新規化合物間における発光部位（シクロメタル化配位子）同士の相互作用が低減されると考えられる点、などの発光材料として有利な特徴を備える。
【００７５】
また、後述の実施例にも示すとおり、１）電圧印加により室温下でも実用上充分なりん光を発光すること、２）当該りん光の発光寿命が極めて短く、自己消光が最低限に抑制されること、３）比較的低電圧の印加で発光すること（発光効率がよいこと）、４）比較的高密度電流下でも発光効率が低下しにくく耐久性に優れること等の特性を示し、電圧印加による発光材料として特に適している。より具体的には、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子等の発光材料、電圧印加による発光の有無を指標に対象物を検出する検出マーカー等として特に適している。
【００７６】
有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬ素子の一例）は、液晶表示パネルと比較して、高速応答で動画再生に適しており、かつより薄型化が可能という特徴を有する。その反面、電圧印加による発光材料の劣化や、発光効率等が大きな課題となっている。特に、表示パネルを高精細化すれば各画素が小さくなるので、実用上充分な輝度を確保するために、より高電圧を発光材料に印加する必要が生じるという問題がある。そこで、本発明に係る新規化合物を発光材料として用いれば、例えば、製品寿命が長く、発光効率に優れ低消費電力で、かつ高精細（例えばＶＧＡ以上）な有機ＥＬ表示パネルの提供が可能となる。
【００７７】
本発明はさらに、一対の電極と、この電極間に配された発光材料を含む発光層とを含んでなり、当該発光層が本発明に係る化合物を含んでなる発光素子（有機ＥＬ素子）を提供する。以下、有機ＥＬ素子について具体的に説明する。
【００７８】
上記有機ＥＬ素子における電極は、正極と負極とを少なくとも含んでなる。正極は特に限定されないが、通常、発光層の光を外に取り出すために、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が用いられる。
【００７９】
上記負極は特に限定されないが、例えば、アルミニウム電極を用いることができる。上記正極および負極の厚さは特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲内である。上記正極および負極の抵抗値は、例えば５Ω以上５０Ω以下、好ましくは１０Ω以上３０Ω以下の範囲内である。
【００８０】
上記発光層は、発光材料として本発明に係る化合物を含んでなる。当該発光層は蒸着法、キャストフィルム法等、薄膜を形成するための公知の方法で形成することができ、中でも蒸着法が好ましい。発光層の厚さは特に限定されないが、例えば、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲内である。
【００８１】
上記発光層は発光材料として本発明に係る化合物のみを含んでもよく、発光材料として他の化合物をさらに含んでいてもよい。例えば、本発明に係る化合物を発光ドーパントとし、発光ホスト中にドープする構成であってもよい。
【００８２】
本発明に係る化合物を発光ドーパントとする場合、発光ドーパントと発光ホストとの含有比は、所望する発光特性に応じて適宜設定すればよい。特に限定されないが、発光材料に占める発光ドーパントの割合を１０重量％以上８０重量％以下の範囲内とすることが好ましく、２０重量％以上４０重量％以下の範囲内とすることがより好ましい。なお、発光ホストとしては４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）等の公知のものを適宜利用すればよい。
【００８３】
本発明の化合物（発光ドーパント）を発光ホスト中にドープする構成をとれば、発光ホストの種類又はドープ量に応じて発光特性（発光波長等）を適宜変更することができる。
【００８４】
一方、本発明に係る化合物のみを発光材料として用いる場合には、１）発光層の形成が容易であり、かつ、２）発光ドーパントと発光ホストとの相分離の問題が生じない（すなわち品質劣化の虞が低減される）という利点がある。また、実施例も参照されるように、非ドープ型ＯＬＥＤｓはドープ型ＯＬＥＤｓに遜色のない特性を示す。なお、発光ホストに発光ドーパントをドープするタイプのＯＬＥＤｓをドープ型ＯＬＥＤｓと称し、一種類の発光材料のみからなる（ドープ構造をとらない）ＯＬＥＤｓを非ドープ型ＯＬＥＤｓと称する。
【００８５】
なお、上記の非ドープ型構造をとる場合は、本発明の化合物に含まれるシクロメタル化配位子の種類を変更することにより発光特性（発光波長等）を適宜変更できる。例えば、実施例に記載の(ppy)2Ir(dipba)、(bzq)2Ir(dipba)、(bt)2Ir(dipba)は、順に、非ドープ型ＯＬＥＤｓとしては最も優れた黄色発光（ＥＬ）、オレンジ発光（ＥＬ）、赤色発光（ＥＬ）を示す。
【００８６】
上記有機ＥＬ素子は、発光層での正孔及び電子の再結合を促進するために、必要に応じて公知材料からなる正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等をさらに含んでもよい。有機ＥＬ素子がこれらの層を全て含む場合、基板／電極（正極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／電極（負極）の順に積層される。
【００８７】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【実施例】
【００８８】
次に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。【００８９】
〔実施例１：(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)の合成、その構造の解析〕
（合成反応全般について）
特に言及しない限り、市販の材料は精製せずにそのまま使用した。洗浄又は合成時の溶媒として用いるヘキサンは、窒素雰囲気下でナトリウムとベンゾフェノンとを共存させて無水へキサンを蒸留して得たものを用いた。合成反応に用いるガラス製器具、シリンジ、及び磁性攪拌棒等は、対流式オーブン中で４時間以上乾燥させた。【００９０】
合成反応のモニターは、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）を用いて行った。具体的には、市販のＴＬＣプレート（Ｓｉｌｉｃａ  ｇｅｌ  ６０  Ｆ２５４，メルク社）を利用し、波長２５４ｎｍ及び３６５ｎｍの紫外光のもとでスポットを観察した。合成反応により得られたイリジウム錯体の精製は、シリカゲル６０Ｇ（ｓｉｌｉｃａ  ｇｅｌ  ６０Ｇ，粒径５〜４０μｍ，メルク社）を充填したシリカカラムクロマトグラフィーを用いて行った。【００９１】
（シクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋前駆物質の合成）
一般式Ｃ＾Ｎ２Ｉｒ（μ−Ｃｌ）２ＩｒＣ＾Ｎ２で表されるシクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋二量体（一次金属錯体）は、Nonoyamaらの手法（M.Nonoyama, Bull. Chem. Soc. Jpn. 1974, 47, 767.を参照）を改良した方法に従い合成した。【００９２】
具体的には、２−メトキシエタノールと水とを３：１の割合で含む溶媒中で、ＩｒＣｌ３．ｎＨ２Ｏ（７ｍｍｏｌ，２．５ｇ）と２．５当量のシクロメタル化配位子(２．８ｇのフェニルピリジン、又は３．２ｇのベンゾキノリン)とを共存させて、６〜７時間または２４時間還流した。次いで、反応混合物を室温まで冷却した後に加水し、反応生成物を沈降させた。【００９３】
次いで、沈降物（反応生成物）を含む反応混合物をブフナーロートでろ過した。次いで、ろ過にて得られた残留物をヘキサンとエチルエーテルとで数回洗浄して粗精製物を得た。フェニルピリジン配位子を含むμ−塩化物架橋二量体の収率は８５％、ベンゾキノリン配位子を含むμ−塩化物架橋二量体の収率は８２％または８０％であった。【００９４】
（(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)の合成）
容積５０ｍｌのフラスコにヘキサン溶媒（１０ｍl）を入れ、当該溶媒中で１−ブロモベンゼン（６５ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）と２．６ｍｏｌ／ｌのｎ−ＢｕＬｉとを共存させて、約１時間攪拌し、１−ブロモベンゼンのリチウム化を行った。次いで、得られたフェニルリチウムを、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）中に滴下した。滴下中は溶液をすばやく３０分以上攪拌して、無色透明の溶液を得た。当該溶液には反応生成物としてリチウムＮ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジナート（補助配位子）が含まれる。【００９５】
容積５０ｍｌの他のフラスコに、上記の対応するμ−塩化物架橋二量体であるテトラキス（２−フェニルピリジン−Ｃ２，Ｎ’）（μ−ジクロロ）−ジイリジウム、又はテトラキス（７，８−ベンゾキノリナト−Ｃ２，Ｎ’）（μ−ジクロロ）−ジイリジウムをとり、ここに上記で得られた無色透明の溶液を滴下して、８０℃で８時間、アルゴン雰囲気下で反応させた。なお、μ−塩化物架橋二量体の使用量はいずれも０．２ｍｍｏｌであり、フェニルピリジンを含む架橋二量体では２２０ｍｇに、ベンゾキノリンを含む架橋二量体では２３０ｍｇに相当する。【００９６】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。その後、加熱したジエチルエーテルで反応残留物を３回洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体(ppy)2Ir(dipba)と(bzq)2Ir(dipba)とをそれぞれ７４％、６８％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体を質量分析及びＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す。
(ppy)2Ir(dipba):
MS: m/z 705 (M+). Anal. Calcd for C35H36IrN4: C, 59.64; H, 5.15; N, 7.95 Found: C, 59.76; H, 5.09; N, 7.88. 1H NMR (300 MHz, CDCl3, δ): 9.36 (d, J = 5.70, 2H), 7.87 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.72 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 7.56 (d, J = 8.1, 2H), 7.39 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 7.26-7.20 (m, 5H), 6.77 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 6.66 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 6.36 (d, J = 7.8 Hz, 2H), 3.24-3.16 (m, 2H), 0.67 (d, J = 6.3, 2H), -0.09 (d, J = 6.3, 2H); 13C NMR (CDCl3, δ): 24.39, 24.66, 47.94, 117.83, 119.29, 121.13, 123.51, 127.90, 128.16, 128.86, 131.98, 135.24, 137.07, 144.11, 150.92, 156.05, 169.75, 174.63.
(bzq)2Ir(dipba):
MS: m/z 753 (M+). Anal. Calcd for C39H36IrN4: C, 62.21; H, 4.82; N, 7.44. Found: C, 62.12; H, 4.78; N, 7.55. 1H NMR (300 MHz, CDCl3,δ): 9.63 (d, J = 5.10, 2H), 8.19 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 7.74 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 7.62 (t, J = 7.2, 2H), 7.60 (d, J = 9.0 Hz, 2H), 7.44-7.33 (m, 5H), 7.30 (d, J = 8.1 Hz, 2H), 6.91 (t, J = 7.2 Hz, 2H), 6.38 (d, J = 7.2 Hz, 2H), 3.23-3.16 (m, 2H), 0.65 (d, J = 6.0 Hz, 2H), -0.47 (d, J = 6.0 Hz, 2H); 13C NMR (CDCl3, δ): 24.04, 24.86, 48.05, 117.01, 120.50, 122.89, 126.01, 128.01, 128.19, 128.62, 129.07, 129.37, 133.76, 134.30, 136.92, 142.04, 149.74, 152.54, 159.66, 175.13.
（単結晶エックス線回折分析）
エックス線構造解析に適した(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)の単結晶を得て、その構造を単結晶エックス線回折分析により確認した。エックス線回折データは、R-Axis Rapid diffractometer(Ｍｏ Ｋα radiation, graphite monochromator)（株式会社リガク製の商品名）を用いてΨ回転スキャンモードにて取得した。構造決定は、SHELXTL5.01vを用いた直接法で行った後に、Ｆ２に対するフルマトリックス最小二乗法により精密化した。【００９７】
図１（ａ）は、(ppy)2Ir(dipba)の結晶パッキング（crystal packing）を、図１（ｂ）は、(bzq)2Ir(dipba)の結晶パッキングを説明する概略図である。アミジナート（補助配位子）により立体制御がなされるために、これら２種類のイリジウム錯体はいずれも、固相状態で分子間相互作用が無視できる程である。【００９８】
すなわち、図１（ａ）（ｂ）に示すように、(bzq)2Ir(dipba)の結晶では、隣接分子のベンゾキノリン芳香族環同士にわずかな重なりしか見られず、これら隣接する芳香族環同士の平面間距離は約３．３Åである。一方、(ppy)2Ir(dipba)の結晶では、隣接分子のフェニルピリジン配位子間に重なりは見られない。また、(ppy)2Ir(dipba)では隣接分子のフェニルピリジン平面間の垂直距離は３．９Åであり、(bzq)2Ir(dipba)の場合と比較してより長い。いずれのイリジウム錯体も、隣接分子間に働く相互作用により不所望な３重項−３重項崩壊が回避又は低減される傾向にあり、特に固相状態の(ppy)2Ir(dipba)ではその傾向が強く現れる。この点については後述する。【００９９】
〔実施例２：(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)における吸収、フォトルミネセンス（ＰＬ）、及び電気化学的測定〕
（吸収、ＰＬ、及び電気化学的測定の方法）
（１）電気化学的測定
電気化学的測定は、BAS 100W Bioanalytical electrochemical work station (Bioanalytical Systems Inc, 米国)を用いて行った。より具体的には、白金棒を動作電極（working electrode）に、白金線を補助電極（auxiliary electrode）に採用し、参照電極として多孔質ガラスを芯としたＡｇ／Ａｇ＋電極を採用し、フェロセン／フェロセニウム対に対して標準化し、スキャンレートを１００ｍＶ／ｓとしてサイクリック・ボルタンメトリーにより行った。なお、この測定は、電解質であるＢｕ４ＮＰＦ６を０．１ｍｏｌ／ｌの濃度で含むＣＨ２Ｃｌ２溶媒中で行った。【０１００】
（２）吸収スペクトル及びＰＬスペクトル
吸収スペクトルはＵＶ−２５５０ ＵＶ−ｖｉｓスペクトロメータ（株式会社島津製作所製の商品名）を用いて取得した。ＰＬスペクトルは、励起源としてキセノンアークランプを備えたＬＳ−５５蛍光スペクトロメータ（パーキンエルマー（Perkin-Elmer）社製の商品名）を用いて記録した。使用した溶媒はいずれも、凍結−ポンプ−融解（freeze-pump-thaw）サイクルを三回行い脱気した。【０１０１】
（３）発光の量子収率
ＰＬの量子収率は、１ｍｏｌ／ｌ硫酸中の硫酸キニーネを標準（Φ ＝０．５４６）として測定した。【０１０２】
（４）発光寿命
低温下での発光寿命は、真空かつ７７Ｋの温度下で、凍結ガラス発光サンプル（frozen glass emission samples）として測定した。この凍結ガラス発光サンプルは、液体窒素で満たされ石英窓を備えたデュアー瓶中に、濃度が約１０−５ｍｏｌ／ｌのイリジウム錯体溶液（溶媒は、脱気したエタノール/メタノール（体積比4：1）混合物）を含んだ石英管を挿入することにより準備した。【０１０３】
その他の発光寿命は、マイクロ秒単位で、Quanta Ray DCR-3 pulsed Nd:YAG レーザシステム(パルス出力３５５ｎｍ，６ｎｓ：Newport社製の商品名)を用いて測定した。【０１０４】
（吸収、ＰＬ、及び電気化学的測定の結果）【０１０５】
【表１】
0005549015.tif 000026
（１）電気化学的測定
電気化学的測定の結果を表１に示す。表１中で、還元ポテンシャルは、最適な吸収を示すオンセット波長から見積もった。また、参考までに、後述する実施例３で用いた材料ＮＰＢ、ＣＢＰ、ＢＣＰ、ＡＬＱに関して文献値を記載した。【０１０６】
なお、ＣＨ２Ｃｌ２溶媒中では、還元ポテンシャルは−２．７Ｖから−３．５Ｖの間しか測定できないという制約があったため、本発明のイリジウム錯体ついては酸化ポテンシャルのみを得た。【０１０７】
酸化ポテンシャルは、(ppy)2Ir(dipba)が０．２３Ｖ、(bzq)2Ir(dipba)が０．２６Ｖであった。これらイリジウム錯体はいずれも、acacを補助配位子とした従来の錯体（(ppy)2Ir(acac)及び(bzq)2Ir(acac)）、又はacacを補助配位子とした他のＩｒ（Ｃ＾Ｎ）３錯体（Ｃ＾Ｎはシクロメタル化配位子）と比較して酸化ポテンシャルがより低く、すなわち相対的に容易に酸化されやすいことを示している（以下の文献参照。S. Jungら, Eur. J. Inorg. Chem. 2004, 17, 3415.； A. B. Tamayoら, J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 7377.； S. Lamanskyら,Inorg. Chem. 2001, 40, 1704.）。アミジナート配位子は電子供与能力が非常に高いという特性を有し、その結果、酸化ポテンシャルが非常に低下していると考えられる。【０１０８】
したがって、これらの新規なイリジウム錯体のエネルギーギャップは非常に小さくなり、当該錯体のＨＯＭＯエネルギーレベル（以下「ＨＯＭＯ」と称する）は、(ppy)2Ir(acac)、(bzq)2Ir(acac)、又はacacを補助配位子とした他のＩｒ（Ｃ＾Ｎ）３錯体と比較してより高い。例えば、(ppy)2Ir(dipba)の真空状態でのＨＯＭＯは−４．７８ｅＶであり、(ppy)2Ir(acac)(ＨＯＭＯ＝−５．０ｅＶ（文献値）)やIr(ppy)3(ＨＯＭＯ＝−５．２ｅＶ（文献値）)より高い。つまり、本発明に係る新規なイリジウム錯体は、そのアナログと比較してより優れた正孔輸送能力を有することを示す。【０１０９】
（２）吸収スペクトル及びＰＬスペクトル
図２は、脱気したジクロロメタン中又は固相状態で観察した、新規なイリジウム錯体のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルとＰＬスペクトルとを示す。３６０ｎｍ下における強い吸収バンドは、シクロメタル化配位子上でスピンが許容されたπ−π*遷移が関与している。低エネルギーにおけるブロードな吸収バンドは、金属−配位子電荷移動（ＭＬＣＴ：metal-ligand charge transfer）に特有なものである。これら新規なイリジウム錯体はいずれも、黄色、又はオレンジ−赤の範囲で強力な発光（ＰＬ）を示す。ジクロロメタン中での(ppy)2Ir(dipba)、及び(bzq)2Ir(dipba)の発光は、順に５４３ｎｍ、５７２ｎｍの波長で極大値を示した。【０１１０】
一方で、これらイリジウム錯体の粉末状態（固相状態の一態様）での発光は、溶液状態（すなわちジクロロメタン中）でのスペクトルと比較してレッドシフトした。具体的には、粉末状態での(ppy)2Ir(dipba)、及び(bzq)2Ir(dipba) の発光は、順に５５３ｎｍ、５９６ｎｍの波長で極大値を示した。【０１１１】
この現象には、発色団となる配位子間の分子間相互作用も関与していると考えられる。上記レッドシフトの程度は、(bzq)2Ir(dipba)が(ppy)2Ir(dipba)より大きいが、これは(bzq)2Ir(dipba)では二量体ユニットにわずかにπ電子同士の重複が存在することと関係すると考えられる。【０１１２】
（３）発光の量子収率
りん光発光の量子収率を指すＣＨ２Ｃｌ２溶液中でのΦpは、(ppy)2Ir(dipba)が０．３０で、(bzq)2Ir(dipba)が０．４１であった。この値は、従来のイリジウム錯体であるIr(ppy)3のΦp（０．４）に匹敵する。【０１１３】
しかし、Ir(ppy)3は粉末状態でほぼＰＬを示さないが、この新規なイリジウム錯体は、粉末状態で、鮮明な黄色又はオレンジ色のＰＬを大気中でさえも示す。すなわち、これら新規なイリジウム錯体は固相状態で、発光の自己消光がほぼ起こらないことを示す。【０１１４】
（４）発光寿命
りん光の発光寿命は、３重項−３重項崩壊の重要なファクターの一つである。りん光の発光寿命が長いほど、その材料は潜在的により多くの３重項−３重項崩壊を持つことが知られている。固相状態において、(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)のりん光の発光寿命は、順に０．１４μｓ、０．１２μｓであり、極めて短い。すなわち、これらの新規なイリジウム錯体はいずれも、非常に高いりん光発光を示し、相対的に発光寿命が短く、かつ固相状態においても自己消光は非常に弱くしか現れないことが示された。【０１１５】
加えて、(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)の低温（７７Ｋ）下での発光寿命は、順に、０．２８、０．６０μｓであった。この値は、(ppy)2Ir(acac)及び(bzq)2Ir(acac)の発光寿命(順に３．２、２３．３μｓ)より短い（S. Lamanskyら：Inorg. Chem. 2001, 40, 1704を参照）。この結果は、(ppy)2Ir(dipba)分子間及び(bzq)2Ir(dipba)分子間の発光部位同士の相互作用の低減に、アミジナートスペーサが非常に重要な役割を果たすことを示唆する。【０１１６】
〔実施例３：(ppy)2Ir(dipba)又は(bzq)2Ir(dipba)を用いたＯＬＥＤｓの製造、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）の測定〕
（非ドープ型ＯＬＥＤｓの作製）
本発明に係るイリジウム錯体の発光特性を理解するため、これら錯体を用いた非ドープ型ＯＬＥＤｓ（ここではダイオード）Ｉ及びＩＩＩを製造した。まず、一面がＩＴＯ(正極になる)で被覆されたガラス基板(シート抵抗：２０Ω／ｃｍ２)を、エタノール、アセトン及び洗浄剤にて超音波洗浄した。次いで、ＩＴＯの膜上に有機物材料であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン(ＮＰＢ)、イリジウム錯体（ＯＬＥＤｓＩは(ppy)2Ir(dipba)、ＯＬＥＤｓＩＩＩは(bzq)2Ir(dipba)）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン(ＢＣＰ)、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡｌＱ）を、この順に、約３．５×１０−４Ｐａの圧力下、１．０Å／ｓのレートで熱蒸着した。ＮＰＢ、イリジウム錯体、ＢＣＰ、ＡｌＱそれぞれの膜厚は、順に、３０ｎｍ、３５ｎｍ、１０ｎｍ、２５ｎｍである。【０１１７】
続いて、ＡｌＱの膜上に、厚さ０．５ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）層を０．２Å／ｓのレートで真空蒸着した。最後にアルミニウム電極（負極になる）を別の真空チャンバー内で、１０Å／ｓのレートで真空蒸着し、ダイオードを作製した。【０１１８】
上記ダイオードのアクティブ領域の大きさは、２×３ｍｍ２であった。なお、上記ＮＰＢ層は正孔輸送層として、イリジウム錯体層は発光層として、ＢＣＰ層は正孔阻止層として、ＡＬＱ層は電子輸送層として、ＬｉＦ層は電子注入層として機能している。これら材料の化学構造と、ＯＬＥＤｓの構造とを図３に示す。【０１１９】
（ドープ型ＯＬＥＤｓの作製）
一方、本発明に係るイリジウム錯体を発光ドーパントとし、発光ホストであるＣＢＰにドープして、ドープ型ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶを製造した。ドープ型ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶの発光層の厚さはいずれも３５ｎｍで、順に、発光ドーパントとして(ppy)2Ir(dipba)、(bzq)2Ir(dipba)を含む。いずれの場合も、発光ドーパントと発光ホストとの含有比は７重量％：９３重量％である。なお、この発光層は、約３．５×１０−４Ｐａの圧力下、１．０Å／ｓのレートで材料を熱蒸着して作製した。また、発光層以外の各層の構成及び作製方法は、上記非ドープ型ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩと共通である。【０１２０】
（ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）の測定）
作製されたＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの、ＥＬスペクトル、輝度−電流密度−電圧特性は、室温において、Spectrascan PR-650分光光度計（ＰＨＯＴＯ ＲＥＡＳＥＲＣＨ社製の商品名）と、コンピュータ制御直流電流電源Keithley model 2400電圧電流源（computer-controlled direct-current power supply Keithley model 2400 voltage-current source）との組み合わせを用いて測定した。【０１２１】
（結果）
ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶはいずれも、印加した駆動電圧（３Ｖ〜１６Ｖ）に関わらず、黄色又はオレンジの発光を示した。【０１２２】
図４は、６Ｖの駆動電圧を印加した際の、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶのＥＬスペクトルを示す。発光層がイリジウム錯体のみからなるＯＬＥＤｓＩ・ＩＩＩは順に黄色、オレンジ色の光を発光し、発光ピークは順に５５２ｎｍ、５９６ｎｍであった。これは固相状態でのイリジウム錯体のＰＬスペクトルに近く（図２参照）、ＯＬＥＤｓの作製・その駆動に際してイリジウム錯体の化学変化は起こっていないことを示す。また、６Ｖの駆動電圧を印加した際の、ＯＬＥＤｓＩ・ＩＩＩのＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は、順に（０．４４，０．５５）、（０．５８，０．４２）である。【０１２３】
ドープ型ＯＬＥＤｓＩＩ・ＩＶのＥＬスペクトルの極大は、順に、５４４ｎｍ、５７２ｎｍであり、非ドープ型ＯＬＥＤｓＩ・ＩＩＩと比べてブルーシフトした。これは、発光ドーパントを発光ホスト基材に導入したことで、発光ドーパントが局在化した効果であると考えられる。分光学的な特徴では、ＣＩＥ色度座標がＯＬＥＤｓＩＩでは（０．４０，０．５８）に、ＯＬＥＤｓＩＶでは（０．５１，０．４７）にシフトした。ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶではいずれも、ＮＰＢ、ＣＢＰ、ＡＬＱからの特徴的な発光は見られなかった。すなわち、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの発光が、専らイリジウム錯体の３重項励起状態に由来することを示唆している。【０１２４】
図５は、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの輝度−電圧特性の測定結果を示す。ドープ型ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶと比較して、非ドープ型ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩの駆動電圧はより低くなる。具体的には、ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩでは、１ｃｄ／ｍ2の発光輝度を実現するために２．４Ｖ以下のターンオン電圧の印加で足り、そのＥＬ強度はオン電圧（onset voltage）付与後、急速に上昇する。すなわち、低印加電圧で高発光が可能なため、発光効率に優れている。【０１２５】
ＯＬＥＤｓＩは、３．２Ｖの電圧印加により１００ｃｄ／ｍ2の輝度に達し、ＯＬＥＤｓＩＩＩは、３．７Ｖの電圧印加により１００ｃｄ／ｍ2の輝度に達する。これは、低パワー駆動の表示デバイスに必要とされる典型的な条件を満たす。【０１２６】
ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩは、いずれも８．０Ｖの電圧印加にてピーク輝度に達する。ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩのピーク輝度は、それぞれ、４５７７０ｃｄ／ｍ2、１５２４０ｃｄ／ｍ2である。一方、ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶでは、当該ピーク輝度と同等の輝度を実現するために、より高電圧（それぞれ、１４．５Ｖ、１１．５Ｖ）の印加を必要とする。【０１２７】
ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩで駆動電圧がより低くなる理由の一つとして、(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)のEgが狭いことが考えられる（表１参照）。(ppy)2Ir(dipba)及び(bzq)2Ir(dipba)のＨＯＭＯレベルはＣＢＰより高く、これはＮＰＢからイリジウム錯体に直接、正孔注入を行う（ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩの形態）ほうが、ＮＰＢからＣＢＰに正孔注入を行う（ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶの形態）よりもエネルギー的により好ましいことを示唆する。すなわち、正孔輸送層を構成するＮＰＢと、イリジウム錯体との間で直接、正孔輸送することが、発光体での効率的な正孔−電子輸送に重要である。【０１２８】
図６は、ＯＬＥＤｓＩ〜ＩＶの電流密度―発光効率の関係を示す。全てのＯＬＥＤｓは優れたＥＬ特性を示すが、とりわけＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩがより優れている。ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩの最大パワー効率は、それぞれ、３２．５  ｌｍ／Ｗ、１４．８  ｌｍ／Ｗである。また、非ドープ型のＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩは、全ての電流密度の範囲内で、対応するドープ型のＯＬＥＤｓと比較してより高いパワー効率を示す。【０１２９】
ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩは、発明者らの知る限りにおいて、非ドープ型ＯＬＥＤｓとして最高の効率を示す（次の文献を参照。（１）Y. Wangら：Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 449-451.、（２）R. J. Holmesら：Appl. Phys. Lett 2003, 83, 3818-3820.、（３）Y. H. Songら：Adv. Func. Mater. 2004, 14, 1221-1226.、（４）Z. W. Liuら：Adv. Func. Mater. 2006, 16, 1441-1448.）。【０１３０】
さらに、ＯＬＥＤｓＩのパワー効率（最大３２．５  ｌｍ／Ｗ）は、これまで報告されたIr(ppy)3又は(ppy)2Ir(acac)をドープしたＯＬＥＤｓの中で最高の効率を示すものにさえ匹敵する（次の文献を参照。（１）Baldo, M. A.ら：Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6.、（２）Adachiら：J. Appl. Phys. 2001, 90, 5048-5051.、（３）Lamansky, S.ら：J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 4304-4312.、（４）Nazeeruddin, M. K.ら：J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 8790-8797.）。また、ＯＬＥＤｓＩのパワー効率は、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ2〜１００ｍＡ／ｃｍ2の範囲内において、常に１０  ｌｍ／Ｗを超えた値を維持するという優れた特性を示す。【０１３１】
さらに、広範囲な電流密度（０．１ｍＡ／ｃｍ2〜１００ｍＡ／ｃｍ2）と輝度(ＯＬＥＤｓＩでは２０〜２００００ｃｄ／ｍ2、ＯＬＥＤｓＩＩＩでは２０〜１００００ｃｄ／ｍ2)において、ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩの発光効率の低下は比較的少ない。具体的には、ＯＬＥＤｓＩでは２０ｃｄ／Ａを超え、ＯＬＥＤｓＩＩＩでは１０ｃｄ／Ａを超えており、いずれも非常に高いレベルを維持する。【０１３２】
高電流密度及び高輝度下で発光効率の低下が緩やかなことは、ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩが非常に耐久性に優れることを示唆しており、その理由は、１）安定した電荷-キャリアバランスと、発光層内で生じた３重項励起子の効率的な閉じ込めの効果、及び、２）イリジウム錯体に導入されたアミジナート（補助配位子）によりエミッタ（発光体）の中心同士が隔離されたことで、３重項−３重項崩壊の効率が低下したことに帰すると考えられる。【０１３３】
この優れたＥＬパフォーマンスにより、これら二種類の新規イリジウム錯体は、例えば、アクティブマトリクスディスプレイやイルミネーションシステムなどのエミッタとして利用することができる。【０１３４】
また、本発明に係る上記非ドープ型ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩのパワー効率は、１ｍＡ／ｃｍ2を超える電流密度では、対応するドープ型ＯＬＥＤｓＩＩ及びＩＶと同等の高レベルを維持した（図６参照）。【０１３５】
ＯＬＥＤｓＩ及びＩＩＩのパワー効率が優れる理由の一つに、その駆動電圧が極めて低い点が挙げられる。加えて、本発明に係る新規なイリジウム錯体を単独でエミッタとして用いると、優れた正孔輸送能力と、抑制された自己消光特性とを示す点が挙げられる。さらに、いずれのイリジウム錯体も３重項状態の寿命が極めて短く、これは高効率なＯＬＥＤｓの製造に有利な特徴点になる。【０１３６】
〔実施例４：(bt)2Ir(dipba)の合成、その構造の解析〕
合成反応全般については上記実施例１における説明を準用できる。【０１３７】
（シクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋前駆物質の合成）
シクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋二量体（一次金属錯体）である[(bt)2Ir(μ−Cl)]2は、上述のNonoyamaらの手法を改良した方法に従い合成した。【０１３８】
具体的には、２−メトキシエタノールと水とを３：１の割合で含む溶媒中で、ＩｒＣｌ３．ｎＨ２Ｏ（７ｍｍｏｌ，２．５ｇ）と２．５当量のシクロメタル化配位子(３．８ｇのフェニル−２−ベンゾチオゾラート)とを共存させて、６〜７時間還流した。次いで、反応混合物を室温まで冷却した後に加水し、反応生成物を沈降させた。【０１３９】
次いで、沈降物（反応生成物）を含む反応混合物をブフナーロートでろ過した。次いで、ろ過にて得られた残留物をヘキサンとエチルエーテルとで数回洗浄して粗精製物を得た。[(bt)2Ir(μ−Cl)]2の収率は９５％であった。【０１４０】
（(bt)2Ir(dipba)の合成）
容積５０ｍｌのフラスコにヘキサン溶媒（１０ｍl）を入れ、当該溶媒中で１−ブロモベンゼン（６５ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）と２．６ｍｏｌ／ｌのｎ−ＢｕＬｉ（０．１５ｍｌ）とをアルゴン雰囲気下で共存させて、約１時間攪拌し、１−ブロモベンゼンのリチウム化を行った。次いで、得られたフェニルリチウムを、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）中に滴下した。滴下中は溶液をすばやく３０分以上攪拌して、無色透明の溶液を得た。当該溶液には反応生成物としてリチウムＮ，Ｎ’−ジイソプロピルベンズアミジナート（補助配位子）が含まれる。【０１４１】
容積５０ｍｌの他のフラスコに、上記のμ−塩化物架橋二量体である[(bt)2Ir(μ−Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ、２３５ｍｇ）を含むヘキサン溶媒（１５ｍｌ）をとり、ここに上記で得られた無色透明の溶液を滴下して、８０℃で８時間、反応させた。【０１４２】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。その後、ジエチルエーテル（２０ｍｌ）で反応残留物を３回洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)を４６％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体を質量分析及びＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す。
MS: m/z 816 (M+). Anal. Calcd for C39H35IrN4S2: C, 57.40; H, 4.32; N, 6.87. Found: C, 57.47; H, 4.35; N, 6.98. 1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 9.20 (d, J=8.1 Hz, 2H), 7.94 (d, J=7.8 Hz, 2H), 7.62-7.67 (m, 4H), 7.52 (t, J=7.8 Hz, 2H), 7.29-7.36 (m, 3H), 7.18 (d, J=6.9 Hz, 2H), 6.78 (t, J=7.8 Hz, 2H), 6.60 (t, J=7.5 Hz, 2H), 6.47 (d, J=7.8 Hz, 2H), 3.36 (m, 2H), 0.58 (d, J=6.3 Hz, 6H), -0.17 (d, J=6.3 Hz, 6H).
（単結晶エックス線回折分析）
エックス線構造解析に適した(bt)2Ir(dipba)の単結晶を得て、その構造を単結晶エックス線回折分析により確認した。エックス線回折データは、R-AXIS RAPID diffractometer(Ｍｏ Ｋα radiation, graphite monochromator)を用いてΨ回転スキャンモードにて取得した。構造決定は、SHELXTL5.01vを用いた直接法で行った後に、Ｆ２に対するフルマトリックス最小二乗法により精密化した。水素原子の位置は、等方的に、計算し精密化した。【０１４３】
図７は、(bt)2Ir(dipba)の結晶パッキングを説明する概略図である。図７に示すように、(bt)2Ir(dipba)の結晶では、隣接分子のπ−π同士にわずかな重なりしか見られず、これら隣接するπ−π面同士の平面間距離は約３．４４Åである。このように(bt)2Ir(dipba)の固相状態では、アミジナート（補助配位子）間における強力な分子間相互作用が存在しないため、不所望な自己消光の問題が低減している。【０１４４】
〔実施例５：(bt)2Ir(dipba)における吸収、フォトルミネセンス（ＰＬ）、及び電気化学的測定〕
電気化学的測定、吸収スペクトル及びＰＬスペクトル、並びに発光の量子収率の測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１４５】
（吸収、ＰＬ、及び電気化学的測定の結果）【０１４６】
【表２】
0005549015.tif 000027
（１）電気化学的測定
電気化学的測定の結果を表２に示す。比較目的のために、同じ条件下で(bt)2Ir(acac)のデータも測定した。【０１４７】
この新規イリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)は、ＣＨ２Ｃｌ２溶媒中で、１つの酸化波長を示し、還元波長は検出されなかった。【０１４８】
ＬＵＭＯは何れの錯体も互いに同等のレベルであった。しかしながら、新規な錯体(bt)2Ir(dipba)では、acacを補助配位子とした従来の錯体(bt)2Ir(acac)と比較して、ＨＯＭＯがより高くなり、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップ（Ｅｇ）がより小さくなっている。すなわち、(bt)2Ir(dipba)の真空状態でのＨＯＭＯは−４．８８ｅＶであり、(bt)2Ir(acac)のＨＯＭＯ（−５．３２ｅＶ)より高い。また、(bt)2Ir(dipba)の真空状態でのエネルギーギャップは２．０７Ｖであり、(bt)2Ir(acac)のエネルギーギャップ（２．２３Ｖ）より小さい。それゆえ、新規なイリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)は、飽和赤色発光領域において光を発光する。【０１４９】
酸化ポテンシャルは０．２１Ｖであった。(bt)2Ir(acac)では、酸化ポテンシャルは０．６１Ｖであった。(bt)2Ir(dipba)は、(bt)2Ir(acac)と比較して酸化ポテンシャルがより低く、すなわち相対的に容易に酸化されやすいことを示している。アミジナート配位子は電子供与能力が非常に高いという特性を有し、その結果、酸化ポテンシャルが非常に低下していると考えられる。【０１５０】
（２）吸収スペクトル及びＰＬスペクトル
図８は、脱気したジクロロメタン中で観察した、新規なイリジウム錯体である(bt)2Ir(dipba)のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルを示す。３６０ｎｍ下における強い吸収バンドは、シクロメタル化配位子上でスピンが許容されたπ−π*遷移が関与している。低エネルギーにおけるブロードな吸収バンドは、金属−配位子電荷移動（ＭＬＣＴ）に特有なものである。【０１５１】
図９は、脱気したジクロロメタン中又は固相フィルムで観察した、(bt)2Ir(dipba)のＰＬスペクトルを示す。(bt)2Ir(dipba)はジクロロメタン中及び固相フィルム中何れにおいても、赤の強力な発光（ＰＬ）を示す。６０９−６１６ｎｍにおいて発光の極大値を示している。【０１５２】
（３）発光の量子収率
りん光発光の量子収率を指すＣＨ２Ｃｌ２溶液中でのΦpは、およそ０．１０であった。【０１５３】
(bt)2Ir(dipba)は、きれいな薄膜状態において、鮮明な赤色（６１６ｎｍ）のＰＬを大気中でさえも示す。すなわち、この新規なイリジウム錯体は固相状態で、発光の自己消光がほぼ起こらないことを示す。【０１５４】
〔実施例６：(bt)2Ir(dipba)を用いたＯＬＥＤｓの製造、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）の測定〕
（非ドープ型ＯＬＥＤｓの作製）
本発明に係るイリジウム錯体の発光特性を理解するため、(bt)2Ir(dipba)を用いた非ドープ型ＯＬＥＤｓ（ここではダイオード）ＶＩＩＩを製造した。ＯＬＥＤｓＶＩＩＩの製造方法は、イリジウム錯体として(bt)2Ir(dipba)を用いた以外は、上記実施例３に示す非ドープ型ＯＬＥＤｓの作製方法と同じである。なお、全ての有機物は、勾配昇華により精製した。【０１５５】
このダイオードのアクティブ領域の大きさは、２×３ｍｍ２であった。上記ＮＰＢ層は正孔輸送層として、イリジウム錯体層は発光層として、ＢＣＰ層は正孔阻止層として、ＡＬＱ層は電子輸送層として、ＬｉＦ層は電子注入層として機能している。【０１５６】
（ドープ型ＯＬＥＤｓの作製）
一方、本発明に係るイリジウム錯体 (bt)2Ir(dipba)を発光ドーパントとし、発光ホストであるＣＢＰにドープして、ドープ型ＯＬＥＤｓＶ，ＶＩ及びＶＩＩを製造した。構造は非ドープ型であるＯＬＥＤｓＶＩＩＩと同じであるが、発光層として、７ｍｏｌ％（ＯＬＥＤｓＶ）、１５ｍｏｌ％（ＯＬＥＤｓＶＩ）、又は３０ｍｏｌ％（ＯＬＥＤｓＶＩＩ）の(bt)2Ir(dipba)がドープされているＣＢＰを用いている点で異なる。【０１５７】
（ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）の測定）
作製したＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩの、ＥＬスペクトル、輝度−電流密度−電圧特性は、上記実施例３における測定方法と同様の方法により測定した。【０１５８】
（結果）
ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩはいずれも、印加した駆動電圧のいかんに関わらず、明るい赤色の発光を示した。【０１５９】
図１０は、輝度が１００００ｃｄ／ｍ２の際のＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩのＥＬスペクトルを示す。また、このときの発光ピーク及びＣＩＥ色度座標を表３に示す。ドーパントの濃度が低いドープ型ＯＬＥＤｓＶ及びＶＩ（それぞれ、７ｍｏｌ％及び１５ｍｏｌ％）では、オレンジ色がかった赤色の光を発光し、発光ピークはそれぞれ６０８ｎｍ及び６１０ｎｍであった。これに対し、ドーパントの濃度が高いドープ型ＯＬＥＤｓＶＩＩ（３０ｍｏｌ％）では、純粋な赤色の光を発光した。非ドープ型であるＯＬＥＤｓＶＩＩＩでもほぼ同じく、純粋な赤色の光を発光した。発光ピークはそれぞれ６１５ｎｍ及び６１７ｎｍであった。さらにＯＬＥＤｓＶＩＩ・ＶＩＩＩのＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は、順に（０．６４，０．３６）、（０．６５，０．３５）であった。これは米国テレビジョン方式委員会（ＮＴＳＣ）が要求している標準の赤色（０．６７，０．３３）に非常に近い値である。【０１６０】
【表３】
0005549015.tif 000028
図１１は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩの外部量子効率の測定結果を示す。図１２は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩのパワー効率の測定結果を示す。【０１６１】
ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩＩはいずれも、１ｃｄ／ｍ２の発光輝度を実現するために、３．３Ｖ以下の比較的低いターンオン電圧で足り、そのＥＬ強度はオン電圧付与後、急速に上昇する。すなわち、低電圧印加で高輝度発光が可能なため、発光効率に優れている。【０１６２】
中でも、ドープ濃度が３０ｍｏｌ％であるＯＬＥＤｓＶＩＩが最も優れており、ターンオン電圧が２．５％で足り、９Ｖの電圧印加により３０１６０ｃｄ／ｍ２の最大輝度に達する。また、３．８Ｖの電圧印加により１５．４％の最大外部量子効率が得られ、このときの輝度は２２７ｃｄ／ｍ２であった。ＯＬＥＤｓＶＩＩでは、２．８Ｖの電圧印加においてパワー効率が１８．４  ｌｍ／Ｗに達した。これは発明者らの知る限りにおいて、飽和型の赤色のＯＬＥＤｓとして最高の効率を示す（次の文献を参照。（１）J. P. Duanら：Adv. Mater. 2003, 15, 224.、（２）C.-H. Chienら：Adv. Func. Mater. 2008, 18, 1430.）
さらに、これらのＯＬＥＤｓが発光層のドープ濃度による影響を比較的受けない点も着目される。例えば、ＯＬＥＤｓＶ（７ｍｏｌ％ドープ）及びＶＩ（１５ｍｏｌ％ドープ）において、ＥＬパフォーマンスの減少は全くみられず、ピーク効率値は同等の高レベルを維持していた。具体的には、ＯＬＥＤｓＶ及びＶＩのパワー効率はそれぞれ、１８．２  ｌｍ／Ｗ及び１８．４  ｌｍ／Ｗであり、外部量子効率はそれぞれ、１２％及び１２．８％であった。【０１６３】
(bt)2Ir(dipba)の濃度がさらに増加すると（＞３０ｍｏｌ％）、効率が低下する結果となる。これは、高ドープ濃度の発光中心における自己消光効果が増加するためである。それでもなお、非ドープ型であるＯＬＥＤｓＶＩＩＩのパフォーマンスは注目に値する。すなわち、４．２Ｖの駆動電圧により１００ｃｄ／ｍ２の充分な赤色輝度及び優れた効率（８．１ｃｄ／Ａの輝度効率、７．３％の外部量子効率、６  ｌｍ／Ｗのパワー効率）が見事に得られる。ＯＬＥＤｓＶＩＩＩにおけるピーク効率（８．４ｃｄ／Ａの最大輝度効率、７．５％の最大外部量子効率、６．１  ｌｍ／Ｗの最大パワー効率）は、これまで報告されている非ドープ型の低分子りん光発光体として最高の効率である（次の文献を参照。（１）Y. H. Songら：Adv. Func. Mater. 2004, 14, 1221.、（２）Z. W. Liuら：Adv. Func. Mater. 2006, 16, 1441.、（３）J. Q. Dingら：Wang, Adv. Func. Mater. 2008, 18, 2754.）。非ドープ型のＯＬＥＤｓＶＩＩＩにおけるこのような注目に値するＥＬパフォーマンスの増強からすると、発光イリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)は発光ホストを用いなくても効率的に電荷を輸送できることが示唆される。【０１６４】
図１３は、ＯＬＥＤｓＶ〜ＶＩＩの電流密度−輝度−電圧特性をプロットしたグラフである。図１３に示されるように、ドープレベルが上昇すると駆動電圧が低くなる傾向にある。また、(bt)2Ir(dipba)が電荷輸送の役割を果たしていると考えられる。【０１６５】
以上のように、発光イリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)を用いれば、高効率及び低駆動電圧である純粋赤色ＯＬＥＤｓを、幅広い範囲のドープ濃度又は非ドープ型のいずれにおいても製造できる。【０１６６】
（単一キャリア素子の作製）
(bt)2Ir(dipba)でのＥＬパフォーマンスの飛躍的な向上は、発光層内における安定した電荷−キャリアバランス及び効率的な再結合に帰すると考えられる。そこで、発光層での電荷注入及びキャリア輸送の両方についてさらに理解を深めるために、単一キャリア素子を作製した。この素子は、Ａｌ／アクティブ分子層／Ａｌ、又はＩＴＯ／アクティブ分子層／Ａｕの構造を有する。キャリアが電子のみ（electron-only）の素子における電極として、仕事関数が小さい金属（Ａｌ）を用いている。また、キャリアが正孔のみ（hole-only）の素子における電極として、仕事関数が大きい金属（Ａｕ）又は金属酸化物（ＩＴＯ）を用いている。なお比較目的のために、電子のみ、正孔のみのいずれの素子においても、アクティブ分子層として(bt)2Ir(dipba)を用いた素子、及び(bt)2Ir(acac)を用いた素子の両方の種類の素子を作製した。【０１６７】
（単一キャリア素子の電流密度及び輝度の測定）
図１４は、各素子における電流密度−電界特性を測定した結果を示すグラフである。キャリアが正孔のみの素子の場合、(bt)2Ir(dipba)を用いた素子及び(bt)2Ir(acac)を用いた素子の間で大差はなかった。しかしながら、キャリアが電子のみの素子の場合、(bt)2Ir(dipba)を用いた素子における電流密度は、(bt)2Ir(acac)を用いた素子における電流密度に比べはるかに大きかった。これは、dipba配位子におけるより強力なπ結合能力に起因するものと考えられる。これによって、隣接する分子間での電子のホップがより容易になると考えられる。【０１６８】
通常、有機ＥＬ材料における電子の移動度は、正孔の移動度よりも数オーダーのレベルで低いものである。そのため、ＯＬＥＤｓのパフォーマンスのさらなる向上は、(bt)2Ir(dipba)を用いた素子のように、ＥＬ素子における効率的な電子の移動及びＥＬ素子への効率的な電子注入によるところが大きい。(bt)2Ir(dipba)を用いた素子では、正孔及び電子の間での広範囲にわたる量的コントラストを低減でき、その結果、発光層内のキャリアバランスが優れたものとなる。【０１６９】
上述のように(bt)2Ir(dipba)の酸化ポテンシャル（０．２１Ｖ）は(bt)2Ir(acac)の酸化ポテンシャル（０．６１Ｖ）のよりもはるかに小さく、また(bt)2Ir(dipba)のＨＯＭＯは(bt)2Ir(acac)のＨＯＭＯよりも大きい。そのため、アミジナート配位イリジウム錯体(bt)2Ir(dipba)は正孔を直接捕捉する能力に長けていると考えられる。(bt)2Ir(dipba)を用いた素子におけるＥＬパフォーマンスの顕著な増大は、部分的にはこの優れた能力によるものである。この結果、(bt)2Ir(dipba)を用いたＯＬＥＤｓの発光層内において、より多くの正孔と電子とが効率的に再結合して３重項励起子を生じさせることができる。
〔実施例７：Ir(ppy)2didpgの合成、Ir(ppy)2didpgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
合成反応全般については上記実施例１における説明を準用できる。なお、後述する実施例８〜２０についても同様である。【０１７０】
（Ir(ppy)2didpgの合成）
アルゴン雰囲気下において、容積１００ｍｌのフラスコに、ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦ、及びｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（２．７７Ｍ、０．４ｍｍｏｌ、０．１４ｍｌ）を加え、室温で約２時間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この反応液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（ppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０１７１】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。次いで、反応物を５ｍｌのトルエンに加えた後、トルエンを蒸発させた。その後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2didpgを８０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt) δ= 9.20 (d, 2H, py-H), 7.86 (d, py-H, 2H), 7.75 (t, 4H, dph-o), 7.54 (d, 2H, Ph-H), 7.25 (m, 4H, dph-m), 7.00 (m, 4H, py-H and Ph-H), 6.76 (t, 2H, dph-p), 6.64 (t,2H, Ph-H), 6.31 (d, 2H, Ph-H), 3.58 (b, 2H, C-H), 0.42 (d, 6H, -CH3), 0.086 (d, 6H, -CH3)。【０１７２】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１７３】
図１５は、脱気したジクロロメタン中で観察した、Ir(ppy)2didpgのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル及びＰＬスペクトルを示した図である。ジクロロメタン中での発光は、５４０ｎｍの波長で極大値を示した。【０１７４】
図１６は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2didpgのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５３０ｎｍの波長で極大値を示した。【０１７５】
〔実施例８：Ir(dfppy)2didpgの合成、Ir(dfppy)2didpgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（シクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋前駆物質の合成）
シクロメタル化Ｉｒ(III)μ−塩化物架橋二量体（一次金属錯体）である[(dfppy)2Ir(μ−Cl)]2を以下の方法により合成した。【０１７６】
まず、２−エトキシエタノールと水とを３：１の割合で含む溶媒中で、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（２．３５ｍｍｏｌ，０．７０２ｇ）と２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジン（１０．５ｍｍｏｌ，２．００ｇ)とを共存させて、１４０℃で２４時間還流した。次いで、反応混合物を冷却し、反応生成物を沈降させた。【０１７７】
次いで、沈降物（反応生成物）を含む反応混合物をろ過した。次いで、ろ過にて得られた残留物をアセトン（６０ｍｌ）：エタノール（６０ｍｌ）の溶液で洗浄して粗精製物を得た。粗精製物をｎ−ヘキサン（１０ｍｌ）：トルエン（２５ｍｌ）の溶液で再結晶化して、黄色の結晶を得た。μ−塩化物架橋二量体の収率は７０％であった。なお、得られた産物をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz in CDCl3, rt) δ= 9.15 (d, 2H),  8.32 (d, 2H), 7.86 (dd, 2H), 6.84 (dd, 2H), 6.36 (dd, 2H), 5.34 (dd, 2H)。【０１７８】
（Ir(dfppy)2didpgの合成）
アルゴン雰囲気下において、容積１００ｍｌのフラスコに、ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦ、及びｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（２．７７Ｍ、０．４ｍｍｏｌ、０．１４ｍｌ）を加え、室温で約２時間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この反応液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（dfppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０１７９】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(dfppy)2didpgを６５％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 9.15 (d, 2H), 8.30 (d, 2H), 7.87 (t, 2H), 7.30 (m, 5H), 7.14 (m, 5H), 7.08 (t, 2H), 6.33-6.25 (m, 2H), 5.70 (dd, 2H), 3.61-3.53 (m, 2H), 0.42 (d, 6H), 0.11 (d, 6H)。【０１８０】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１８１】
図１７は、Ir(ppy)2dipbaのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル及びＰＬスペクトルを示した図である。発光は５２４ｎｍの波長で極大値を示した。【０１８２】
〔実施例９：Ir(dfppy)2dipbaの合成、Ir(dfppy)2dipbaにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(dfppy)2dipbaの合成）
容積１００ｍｌのフラスコに、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦを加え、フェニルリチウムのヘキサン溶液（Ｐｈ−Ｌｉ:０．２１ｍｌ，０．４ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液をすばやく室温で２時間攪拌した後、この反応液を、[（dfppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２９ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０１８３】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。その後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(dfppy)2dipbaを７０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 9.32 (d, 2H), 8.29 (d, 2H), 7.81 (t, 2H), 7.44 (m, 2H), 7.29 (m, 5H), 6.32 (dtd, 2H), 5.75 (dd, 2H), 3.23-3.16 (m, 2H), 0.67 (d, 6H), -0.08 (d, 6H)。【０１８４】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１８５】
図１８は、脱気したジクロロメタン中で観察した、Ir(dfppy)2dipbaのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル及びＰＬスペクトルを示した図である。ジクロロメタン中での発光は、５３５ｎｍの波長で極大値を示した。【０１８６】
図１９は、固相状態で観察した、Ir(dfppy)2dipbaのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５１０ｎｍの波長で第１の極大値を示し、５４０ｎｍの波長で第２の極大値を示した。各極大値の強度は、第１の極大値の方が大きかった。【０１８７】
〔実施例１０：Ir(ppy)2tbu-baの合成、Ir(ppy)2tbu-baにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2tbu-baの合成）
容積１００ｍｌのフラスコに、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルカルボジイミド（６２ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦを加え、フェニルリチウムのヘキサン溶液（Ｐｈ−Ｌｉ:０．２１ｍｌ，０．４ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液をすばやく室温で２時間攪拌した後、この反応液を、[（ppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０１８８】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。その後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2tbu-baを７０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300MHz, C6D6, rt): δ= 9.65 (d, 2H), 7.53-7.46 (m, 4H), 7.38 (t, 2H), 7.11-7.02 (m, 6H), 6.81-6.72 (m, 5H), 6.66 (d,2H), 0.73 (s, 18H)。【０１８９】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１９０】
図２０は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2tbu-baのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０１９１】
図２１は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2tbu-baのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５４５ｎｍの波長で極大値を示した。【０１９２】
図２２は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2tbu-baのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５４３ｎｍの波長で極大値を示した。【０１９３】
〔実施例１１：Ir(bzq)2dip-dpgの合成、Ir(bzq)2dip-dpgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(bzq)2dip-dpgの合成）
アルゴン雰囲気下において、容積１００ｍｌのフラスコに、ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦ、及びｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（２．７７Ｍ、０．４ｍｍｏｌ、０．１４ｍｌ）を加え、室温で約２時間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この反応液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（bzq）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２３０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０１９４】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(bzq)2dip-dpgを８０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt):δ = 9.50 (d, 2H), 8.28 (d, 2H), 7.76-7.61 (m,5H), 7.29 (t, 5H), 7.21 (t, 5H), 7.03-6.92 (tt, 5H), 6.36 (d,2H), 3.56 (m,2H), 0.44 (d,6H), -0.31 (d, 6H)。【０１９５】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０１９６】
図２３は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(bzq)2dip-dpgのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０１９７】
図２４は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(bzq)2dip-dpgのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５６５ｎｍの波長で極大値を示した。【０１９８】
図２５は、固相状態で観察した、Ir(bzq)2dip-dpgのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５６７ｎｍの波長で極大値を示した。【０１９９】
〔実施例１２：Ir(ppy)2(dipdg)の合成、Ir(ppy)2(dipdg)における吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2(dipdg)の合成）
ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにジアリルアミン（３９ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例７と同様の方法により、合成を行った。【０２００】
トルエンを蒸発させた後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2(dipdg)を５０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, C4D8O, rt): δ =9.20 (d, 2H), 7.95 (t,2H), 7.80 (t, 2H), 7.60 (t, 2H), 7.20 (m, 2H), 6.70 (t, 2H), 6.50 (t,2H), 6.30 (d,2H), 6.15 (d, 2H), 4.95 (m, 2H), 3.65 (m, 2H), 1.65 (d, 4H), 0.72 (d, 6H), 0.61 (d, 6H)。【０２０１】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２０２】
図２６は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdg)のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２０３】
図２７は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdg)のＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５３６ｎｍの波長で極大値を示した。【０２０４】
図２８は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2(dipdg)のＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５４８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２０５】
〔実施例１３：Ir(ppy)2(dipdeg)の合成、Ir(ppy)2(dipdeg)における吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2(dipdeg)の合成）
ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにジエチルアミン（２９ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例７と同様の方法により、合成を行った。【０２０６】
トルエンを蒸発させた後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2(dipdeg)を６０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 9.25 (d, 2H), 7.95 (d, 2H), 7.75 (t, 2H), 7.56 (d, 2H), 7.20 (t,2H), 6.66 (t, 2H), 6.49 (t, 2H), 6.23(d, 2H), 3.75-3.67 (m, 2H), 3.23-3.02 (m, 4H), 1.11 (t, 6H), 0.77 ( d, 6H), -0.012 (d, 6H)。【０２０７】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２０８】
図２９は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdeg)のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２０９】
図３０は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdeg)のＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５４６ｎｍの波長で極大値を示した。【０２１０】
図３１は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2(dipdeg)のＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５６６ｎｍの波長で極大値を示した。【０２１１】
〔実施例１４：Ir(ppy)2(dipdbg)の合成、Ir(ppy)2(dipdbg)における吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2(dipdbg)の合成）
ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにジイソブチルアミン（５２ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例７と同様の方法により、合成を行った。【０２１２】
トルエンを蒸発させた後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2(dipdbg)を６５％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, C4D8O, rt): δ =9.25 (d, 2H), 7.92 (d, 2H), 7.74 (t, 2H), 7.54 (d, 2H), 7.20-7.16 (m, 2H), 6.64 (t, 2H), 6.51 (t, 2H), 6.22 (d, 2H), 3.84 (m, 2H), 2.96-2.85 (m, 4H), 1.93-1.85 ( m, 2H), 0.94 (dd, 12H), 0.85 (d, 12 H)。【０２１３】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２１４】
図３２は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdbg)のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２１５】
図３３は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipdbg)のＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５４８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２１６】
図３４は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2(dipdbg)のＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５５８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２１７】
〔実施例１５：Ir(ppy)2(dipgdip)の合成、Ir(ppy)2(dipdbg)における吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2(dipgdip)の合成）
ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにジイソプロピルアミン（４０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例７と同様の方法により、合成を行った。【０２１８】
トルエンを蒸発させた後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2(dipgdip)を７０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, C6D6, rt): δ =9.35 (d, 2H), 7.52 (d, 2H), 7.41 (d, 2H), 7.02 (t, 2H), 6.87-6.73 (m, 6H), 6.67 (t, 2H), 3.93-3.88 (m, 2H), 3.48-3.44 (m, 2H), 1.20(t, 12 H), 1.10 (d, 6H), 0.25 (d, 6H)。【０２１９】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２２０】
図３５は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipgdip)のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２２１】
図３６は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2(dipgdip)のＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５４８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２２２】
図３７は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2(dipgdip)のＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５６０ｎｍの波長で極大値を示した。【０２２３】
〔実施例１６：Ir(ppy)2dip-dtmsgの合成、Ir(ppy)2dip-dtmsgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2dip-dtmsgの合成）
容積１００ｍｌのフラスコに、リチウム（ビス−トリメチルシリル）アミド（６７ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦを加え、３０分間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この溶液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（ppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０２２４】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。次いで、反応物を５ｍｌのトルエンに加えた後、トルエンを蒸発させた。その後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2dip-dtmsgを７０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, C6D6, rt): δ =9.45 (d, 2H), 7.50 (d, 2H), 7.43(d, 2H), 7.09(t, 2H), 6.85-6.71 (m, 6H), 6.64 (d, 2H), 3.93-3.88 (m, 2H), 1.09 (d, 6H), 0.34 (d, 6H), 0.28 (s, 18H)。【０２２５】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２２６】
図３８は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-dtmsgのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２２７】
図３９は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-dtmsgのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５３５ｎｍの波長で極大値を示した。【０２２８】
図４０は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2dip-dtmsgのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５４８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２２９】
〔実施例１７：Ir(ppy)2dip-cbzgの合成、Ir(ppy)2dip-cbzgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2dip-cbzgの合成）
ジフェニルアミン（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにカルバゾール（６７ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例７と同様の方法により、合成を行った。【０２３０】
トルエンを蒸発させた後、得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2dip-cbzgを７５％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 9.59 (d, 2H), 8.09 (d, 2H), 7.94 (d, 2H), 7.84 (t, 2H), 7.62 (dd, 4H), 7.50-7.38 (m, 6H), 6.84 (t, 2H), 6.73 (t, 2H), 6.42 (d, 2H), 3.06-3.02 (m, 2H), 0.64 (d, 6H), -0.06 (d, 6H)。【０２３１】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２３２】
図４１は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-cbzgのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２３３】
図４２は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-cbzgのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５３０ｎｍの波長で極大値を示した。【０２３４】
図４３は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2dip-cbzgのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５１２ｎｍの波長で極大値を示した。【０２３５】
〔実施例１８：Ir(dfppy)2dip-cbzgの合成、Ir(dfppy)2dip-cbzgにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(dfppy)2dip-cbzgの合成）
アルゴン雰囲気下において、容積１００ｍｌのフラスコに、カルバゾール（６７ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦ、及びｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（２．７７Ｍ、０．４ｍｍｏｌ、０．１４ｍｌ）を加え、室温で約２時間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この反応液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（dfppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０２３６】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(dfppy)2dip-cbzgを７０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CD2Cl2, rt): δ = 9.45 (d, 2H), 8.25 (d, 2H), 7.99 (d, 2H), 7.84 (t, 2H), 7.49-7.37 (m, 6H), 7.20 (dt, 2H), 6.29 (t, 2H), 5.71 (dd, 2H), 2.95-2.89 (m, 2H), 0.54 (d, 6H), -0.17(d, 6H)。【０２３７】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２３８】
図４４は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(dfppy)2dip-cbzgのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２３９】
図４５は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(dfppy)2dip-cbzgのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、４９５ｎｍの波長で極大値を示した。【０２４０】
図４６は、固相状態で観察した、Ir(dfppy)2dip-cbzgのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５１８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２４１】
〔実施例１９：Ir(ppy)2dip-flaの合成、Ir(ppy)2dip-flaにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2dip-flaの合成）
アルゴン雰囲気下において、容積１００ｍｌのフラスコに、フルオレン（６６ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含む１０ｍｌのＴＨＦ、及びｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液（２．７７Ｍ、０．４ｍｍｏｌ、０．１４ｍｌ）を加え、室温で約２時間攪拌した。その後、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジイミド（５０ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を、この反応液に滴下した。反応液をすばやく２時間攪拌した後、この反応液を、[（ppy）2Ir(μ-Cl)]2（０．２ｍｍｏｌ，２２０ｍｇ）を含む１５ｍｌのＴＨＦ中に滴下して、８０℃で１２時間攪拌した。【０２４２】
続いて、反応物を室温まで冷却した後、減圧下で溶媒を蒸発させた。得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2dip-flaを６０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 9.46 (d, 1H), 9.22 (d, 1H), 7.92 (d, 1H), 7.78-7.74 (m, 5H), 7.68 (t, 1H), 7.61 (t, 3H), 7.48-7.40 (m, 4H), 7.37(d, 2H), 6.81(t, 1H), 6.70 (dd, 2H), 6.59 (t, 1H), 6.34 (dd, 2H), 4.93(s, 1H), 4.13-4.09 (m, 1H), 2.16-2.12 (m, 1H), 0.88 (d, 3H), 0.35 (d, 3H), 0.09 (d, 3H), -0.74 (d, 3H)。【０２４３】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２４４】
図４７は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-flaのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２４５】
図４８は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-flaのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５４５ｎｍの波長で極大値を示した。【０２４６】
図４９は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2dip-flaのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５５３ｎｍの波長で極大値を示した。【０２４７】
〔実施例２０：Ir(ppy)2dip-dppの合成、Ir(ppy)2dip-dppにおける吸収及びフォトルミネッセンスの測定〕
（Ir(ppy)2dip-dppの合成）
フルオレン（６６ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦの代わりにジフェニルホスフィン（７４ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦを用いた以外は実施例１９と同様の方法により、合成を行った。【０２４８】
得られた産物をジエチルエーテルで洗浄して、本発明に係る新規なイリジウム錯体Ir(ppy)2dip-dppを６０％の収率で得た。なお、得られた新規なイリジウム錯体をＮＭＲ分析し、目的物であることを確認した。以下に分析の結果を示す；
1H NMR (300 MHz, CDCl3, rt): δ = 8.70 (d, 1H), 8.60 (d, 1H), 7.82 (d, 1H), 7.55-7.65 (m, 3H), 7.35-7.48 (m, 2H), 7.38 (d, 2H), 7.14 (d, 1H), 7.08 (d, 2H), 6.90(t, 1H), 6.62-6.75 (m, 5H), 6.35-6.60 (m, 6H), 5.95 (t, 1H), 4.13 (m, 1H), 3.61(m, 1H), 0.90 (d, 3H), 0.61 (d, 3H), 0.45 (d, 3H), 0.15 (d, 3H)。【０２４９】
（吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定）
吸収スペクトル及びＰＬスペクトルの測定は、実施例２と同様にしておこなった。【０２５０】
図５０は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-dppのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルを示した図である。【０２５１】
図５１は、クロロホルム溶液中で観察した、Ir(ppy)2dip-dppのＰＬスペクトルを示した図である。クロロホルム溶液中での発光は、５５８ｎｍの波長で極大値を示した。【０２５２】
図５２は、固相状態で観察した、Ir(ppy)2dip-dppのＰＬスペクトルを示した図である。固相状態での発光は、５４８ｎｍの波長で極大値を示した。
【産業上の利用可能性】
【０２５３】
本発明によれば、発光ドーパントとしてはもちろん、単独で使用した場合でも実用上充分な発光特性を示す新規化合物、当該化合物を用いた発光方法、及び発光素子を提供することができる。本発明は、例えば、検出マーカー、又は有機エレクトロルミネセンス素子の発光材料として好適に利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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