(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に隣接する第３領域とを有する半導体基板の裏面上に、前記第１領域及び前記第２領域の境界線である第１境界線の少なくとも一部と、前記第２領域及び前記第３領域の境界線である第２境界線の少なくとも一部とを覆うように、金属からなる連結層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側から前記第１境界線に沿って力を加えることにより、前記第１領域と前記第２領域とを劈開により分割する工程と、
前記半導体基板の裏面側から前記第２境界線に沿って力を加えることにより、前記第２領域と前記第３領域とを劈開により分割する工程と、を備え、
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域はそれぞれ、分割後に半導体チップとなる主領域と、前記主領域の外側に設けられた捨て領域とを有し、
前記連結層は、前記捨て領域のみに形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に隣接する第３領域とを有する半導体基板の裏面上に、前記第１領域及び前記第２領域の境界線である第１境界線の少なくとも一部と、前記第２領域及び前記第３領域の境界線である第２境界線の少なくとも一部とを覆うように、樹脂からなる連結層を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側から前記第１境界線に沿って力を加えることにより、前記第１領域と前記第２領域とを劈開により分割する工程と、
前記半導体基板の裏面側から前記第２境界線に沿って力を加えることにより、前記第２領域と前記第３領域とを劈開により分割する工程と、を備え、
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域はそれぞれ、分割後に半導体チップとなる主領域と、前記主領域の外側に設けられた捨て領域とを有し、
前記連結層は、前記捨て領域のみに形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記連結層は、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に連続して延在していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記劈開により分割する工程の前に、
前記第１境界線及び前記第２境界線の端に、前記半導体基板を劈開するための第１スクライブ溝を前記半導体基板の表面に形成する工程を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板の裏面側にシードメタル層を形成する工程と、
前記シードメタル層上に裏面電極を形成する工程と、を備え、
前記連結層は、前記シードメタル層を形成する工程と同じ工程で形成される前記シードメタル層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記主領域には、端面入射型または端面射出型の光デバイスが形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記連結層は金属を含み、メッキ、蒸着、またはスパッタリングのいずれかの工程により前記半導体基板上に形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、及びフッ素系樹脂の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１領域と前記第２領域とを分割する工程、及び前記第２領域と前記第３領域とを分割する工程は、
前記半導体基板の裏面に、表面に接着剤が塗布された粘着シートを貼り付ける工程と、
前記半導体基板の表面に、表面保護用のカバーシートを貼り付ける工程と、
中央部に凹部を有する受け台上に、前記カバーシートと前記受け台とが接触するように、前記半導体基板、前記粘着シート、及び前記粘着シートの積層体を設置する工程と、
前記第１境界線が前記凹部上に位置する状態で、前記第１境界線に沿って前記粘着シートに劈開用のブレードを押し当てることにより、前記半導体基板を劈開する工程と、
前記第２境界線が前記凹部上に位置する状態で、前記第２境界線に沿って前記粘着シートに前記ブレードを押し当てることにより、前記半導体基板を劈開する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板の表面に半導体素子または光デバイスが複数アレイ状に形成された半導体ウェハを、基板の裏面側から力を加えて劈開することにより複数のチップに分割する半導体装置の製造方法が知られている。劈開の工程は例えば、半導体ウェハの裏面に粘着シートを、表面に表面保護用のカバーシートをそれぞれ貼り付け、中央部に凹部を有する受け台上で、劈開予定線に沿って粘着シートに劈開用のブレードを押し当てることにより行うことができる。半導体ウェハを含む積層体を徐々にずらしながら劈開を行うことにより、半導体ウェハを複数のチップに分割することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１１８４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の半導体装置の製造方法では、半導体ウェハの劈開を行う際に、これから劈開により分割される半導体ウェハと、既に分割された隣接の半導体ウェハとが小擦れ合い、半導体装置が損傷してしまう場合があった。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、半導体ウェハの劈開に伴う損傷を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本半導体装置の製造方法は、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に隣接する第３領域とを有する半導体基板の裏面上に、前記第１領域及び前記第２領域の境界線である第１境界線の少なくとも一部と、前記第２領域及び前記第３領域の境界線である第２境界線の少なくとも一部とを覆うように、金属からなる連結層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側から前記第１境界線に沿って力を加えることにより、前記第１領域と前記第２領域とを劈開により分割する工程と、前記半導体基板の裏面側から前記第２境界線に沿って力を加えることにより、前記第２領域と前記第３領域とを劈開により分割する工程と、を備え、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域はそれぞれ、分割後に半導体チップとなる主領域と、前記主領域の外側に設けられた捨て領域とを有し、前記連結層は、前記捨て領域のみに形成されている。半導体装置の他の製造方法は、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２領域に隣接する第３領域とを有する半導体基板の裏面上に、前記第１領域及び前記第２領域の境界線である第１境界線の少なくとも一部と、前記第２領域及び前記第３領域の境界線である第２境界線の少なくとも一部とを覆うように、樹脂からなる連結層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面側から前記第１境界線に沿って力を加えることにより、前記第１領域と前記第２領域とを劈開により分割する工程と、前記半導体基板の裏面側から前記第２境界線に沿って力を加えることにより、前記第２領域と前記第３領域とを劈開により分割する工程と、を備え、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域はそれぞれ、分割後に半導体チップとなる主領域と、前記主領域の外側に設けられた捨て領域とを有し、前記連結層は、前記捨て領域のみに形成されている。
【０００７】
上記構成において、前記連結層は、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に連続して延在している構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記劈開により分割する工程の前に、前記第１境界線及び前記第２境界線の端に、前記半導体基板を劈開するための第１スクライブ溝を前記半導体基板の表面に形成する工程を備える構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記半導体基板の裏面側にシードメタル層を形成する工程と、前記シードメタル層上に裏面電極を形成する工程と、を備え、前記連結層は、前記シードメタル層を形成する工程と同じ工程で形成される前記シードメタル層である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記主領域には、端面入射型または端面射出型の光デバイスが形成されている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記連結層は金属を含み、メッキ、蒸着、またはスパッタリングのいずれかの工程により前記半導体基板上に形成される構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記樹脂は、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、及びフッ素系樹脂の少なくとも１つを含む構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１領域と前記第２領域とを分割する工程、及び前記第２領域と前記第３領域とを分割する工程は、前記半導体基板の裏面に、表面に接着剤が塗布された粘着シートを貼り付ける工程と、前記半導体基板の表面に、表面保護用のカバーシートを貼り付ける工程と、中央部に凹部を有する受け台上に、前記カバーシートと前記受け台とが接触するように、前記半導体基板、前記粘着シート、及び前記粘着シートの積層体を設置する工程と、前記第１境界線が前記凹部上に位置する状態で、前記第１境界線に沿って前記粘着シートに劈開用のブレードを押し当てることにより、前記半導体基板を劈開する工程と、前記第２境界線が前記凹部上に位置する状態で、前記第２境界線に沿って前記粘着シートに前記ブレードを押し当てることにより、前記半導体基板を劈開する工程と、を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体ウェハの劈開に伴う損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、比較例に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２】図２は、比較例に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図３】図３は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４】図４は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図５】図５は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図６】図６は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図７】図７は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図８】図８は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図９】図９は、実施例１の変形例に係る半導体装置の製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（比較例）
最初に、比較例に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１８】
半導体ウェハを分割して半導体チップを得る方法として、劈開による分割が知られている。劈開による分割は、例えば、光デバイスで用いられる
【００１９】
図１〜図２は、比較例に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図１（ａ）は半導体ウェハの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の一部を拡大したウェハブロックの平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）の一部を拡大した半導体チップの平面図である。図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０は、縦横方向に規定された２つの境界線（劈開予定線及びチップ化予定線）により矩形状に区画されており、各区画には所定の半導体素子（例えば、光デバイス）が形成されている。半導体装置の製造工程では、最初に半導体ウェハ１０を適当な大きさのウェハブロック２０に分割し（図１（ｂ））、次にウェハブロック２０を半導体チップ３０のチップサイズに分割する。これにより、半導体ウェハ１０から複数の半導体チップ３０を得ることができる。
【００２０】
図２（ａ）はウェハブロック２０を裏面側から見た詳細な構成を示す平面図であり、図２（ｂ）はウェハブロック２０を半導体チップ３０に分割する工程を説明するための断面図である。図２（ａ）に示すように、ウェハブロック２０は横方向に規定された劈開予定線２２と、縦方向に規定されたチップ化予定線２４により、複数の半導体チップ３０に分割されている。各半導体チップ３０には、半導体チップ３０のグランド電極となる裏面電極４０が形成されている。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、ウェハブロック２０を分割する際には、最初にウェハブロック２０の裏面側に接着剤の塗布された粘着シート７２（例えば、紫外線硬化型シート）を貼り付け、表面側に表面保護用のカバーシート７４を貼り付ける。そして、ウェハブロック２０、粘着シート７２、及びカバーシート７４を含む積層体７０を、中央部に凹部６２を有する受け台６０に、カバーシート７４の側を下にして設置する。次に、図２（ａ）の劈開予定線２２に沿ってブレード８０を上側から押し当てて力を加えることにより、ウェハブロック２０を劈開してアレイ状ウェハへと分割する。ウェハブロック２０の劈開は、積層体を図２（ｂ）の矢印の方向にずらしながら順次行っていく。劈開工程が全て完了したら、図２（ａ）のチップ化予定線２４に沿ってアレイ状ウェハを分割（例えば、ダイシング）することにより、端面が劈開された半導体チップ３０を得ることができる。
【００２２】
ここで、図２（ｂ）において、アレイ状ウェハとなるウェハブロック２０のうち最も右側の領域を第１領域２０Ａ、その隣の領域を第２領域２０Ｂ、さらにその隣の領域を第３領域２０Ｃとする。また、第１領域２０Ａと第２領域２０Ｂとの間の劈開予定線を第１境界線２２ａ、第２領域２０Ｂと第３領域２０Ｃとの間の劈開予定線を第２境界線２２ｂとする。図２（ｂ）は、既に第１境界線２２ａに沿って第１領域２０Ａと第２領域２０Ｂの分割が行われた後で、第２境界線２２ｂに沿って第２領域２０Ｂと第３領域２０Ｃの分割が行われる状態を示している。このとき、第２領域２０Ｂ及び第３領域２０Ｃは、粘着シート７２を介したブレード８０の圧力により下側（受け台６０側）に押し下げられている。一方、分割されてアレイ状ウェハとなった第１領域２０Ａは、粘着シート７２から剥がれてしまい、第２領域２０Ｂ及び第３領域２０Ｃと連動しない状態となっている。その結果、第１領域２０Ａの角が第２領域２０Ｂの端面と衝突し（図中の符号８２）、半導体チップ３０の端面に傷がついてしまう場合がある。
【００２３】
以下の実施例では、半導体ウェハ１０の劈開に伴う半導体チップ３０の損傷を抑制することのできる半導体装置及びその製造方法について説明する。
【実施例１】
【００２４】
図３〜図８は、実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図３（ａ）は半導体ウェハの平面図、図３（ｂ）は半導体ウェハを分割したウェハブロックを裏面側から見た平面図である。図３（ｂ）に示すように、ウェハブロック２０は、分割後に半導体チップとなる主領域１２と、その外側に位置する捨て領域１４に区画されている。また、ウェハブロック２０の裏面における捨て領域１４には、連結層４２が設けられている。連結層４２は、後述するウェハブロック２０の劈開工程において、捨て領域１４が完全に分割されないように連結するための層である。
【００２５】
図４（ａ）は、ウェハブロック２０を裏面側から見た詳細な構成を示す平面図である。主領域１２は、比較例と同じく、劈開予定線２２及びチップ化予定線２４により矩形状に区画されている。連結層４２は、分割後にアレイ状ウェハとなる領域に連続して、劈開予定線２２を覆うように形成されている。ここで、主領域１２と捨て領域１４との間の境界線を捨て領域境界線２６（第３境界線）とする。
【００２６】
図４（ｂ）は、ウェハブロック２０を表面側から見た詳細な構成を示す平面図である。矩形状に区画された主領域１２の各区画には、半導体チップ３０の表面側の電極である表面電極５０が形成されている。表面電極５０は、劈開予定線２２に重ならないように形成されている。また、ウェハブロック２０の捨て領域１４の表面側には、電極は形成されていない。
【００２７】
ここで、図３及び図４に至るまでの製造工程について説明する。製造に使用する半導体ウェハ１０は、例えば厚さ３５０μｍのｎ型ＩｎＰを用いることができる。最初に、半導体ウェハ１０上に各種の半導体層（例えば、活性層及びクラッド層）を形成した後、半導体ウェハ１０の表面に表面電極５０を形成する。その後、研磨工程により半導体ウェハ１０の裏面側を削り、半導体ウェハ１０を所定の厚さ（例えば、１００μｍ）まで薄くする。
【００２８】
次に、半導体ウェハ１０の裏面側にシードメタル層（例えば、厚さ５０ｎｍのＡｕＧｅＮｉ層、厚さ５０ｎｍのＴｉ層、厚さ１００ｎｍのＡｕ層を順次蒸着したもの。図４（ａ）では不図示）を形成する。なお、シードメタル層の厚みは上記以外の値であってもよいが、厚みの合計を１５０ｎｍ〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００２９】
次に、半導体ウェハ１０の裏面側にフォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成し、シードメタル層上に裏面電極４０及び連結層４２をメッキにより形成する。メッキには、例えば１リットルあたり１０ｇのＡｕを含むノンシアン系の金メッキ液を使用することができる。液温を例えば４０℃とした上記の金メッキ液に半導体ウェハ１０を浸し、さらに対電極として例えば白金メッキが施されたＴｉ電極を液中に浸し、例えば１０ｍＡの電流を１０００秒流すことにより電解メッキ処理を行う。その後、レジストパターンを除去し、例えば３２０℃で３分の合金化処理を行うことで、裏面電極４０及び連結層４２が完成する。裏面電極４０及び連結層４２の厚みは、例えば３μｍとすることができる。なお、裏面電極４０及び連結層４２は、メッキ以外の方法（例えば、蒸着またはスパッタリング）により形成してもよい。
【００３０】
半導体ウェハ１０からウェハブロック２０への分割は、例えば最初に半導体ウェハ１０の裏面側をダイシングフレーム上の粘着シートに貼り付け、表面側にスクライブ溝を形成した上でカバーシートを被せ、劈開（ブレーキング）により行うことができる。本工程は、後述のウェハブロック２０からアレイ状ウェハ３６への分割工程と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。なお、半導体ウェハ１０からウェハブロック２０への分割には、上記以外の方法（例えば、ダイヤモンドカッターを用いたダイシング）を用いてもよい。例えば、直径２インチの１枚の半導体ウェハ１０から、大きさが１８ｍｍ×３６ｍｍの２枚の矩形のウェハブロック２０を切り出すことができる。
【００３１】
図５〜図８は、ウェハブロック２０の分割工程を示す図である。最初に、図５（ａ）に示すように、ダイシングフレーム９０上の粘着シート７２に、ウェハブロック２０の裏面側を貼り付ける。粘着シート７２には、例えば約１０μｍの厚みで１Ｎ／２０ｍｍの密着力をもつアクリル製粘着剤が表面に塗布された、厚み８０μｍの塩化ビニル製の紫外線硬化型粘着シートを用いることができる。
【００３２】
次に、図５（ａ）に示すように、ウェハブロック２０の表面側（粘着シート７２の反対側）の端である捨て領域１４に、劈開予定線２２に沿って劈開用の第１スクライブ溝３２を形成する。このとき、第１スクライブ溝が、主領域１２と捨て領域１４との境界線である捨て領域境界線２６に重ならないようにすることが好ましい。第１スクライブ溝３２の長さは例えば５００μｍ、ピッチは例えば３００μｍとすることができる。第１スクライブ溝３２は、ウェハブロック２０の両端の捨て領域１４に形成してもよい。
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示すように、主領域１２と捨て領域１４との境界線である捨て領域境界線２６に沿って、劈開用の第２スクライブ溝３４を形成する。このとき、第２スクライブ溝が、劈開予定線２２に重ならないように（劈開予定線２２を跨ぐように）することが好ましい。第２スクライブ溝３４の長さは、例えば１５０μｍとすることができる。第１スクライブ溝３２及び第２スクライブ溝３４は、例えばダイヤモンドカッター等により形成することができる。
【００３４】
次に、図６（ａ）に示すように、ウェハブロック２０に表面保護用のカバーシート７４を貼り付ける。カバーシート７４には、例えば透明のＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）製シートを用いることができる。その後、ウェハブロック２０の裏面側から劈開予定線２２に沿って力を加えることにより、ウェハブロック２０を劈開によりアレイ状ウェハ３６へと分割する。ウェハブロック２０の劈開は、周知のブレーキング装置により行うことができる。
【００３５】
次に、図６（ｂ）に示すように、ウェハブロック２０の裏面側から捨て領域境界線２６に沿って力を加え、ウェハブロック２０を主領域１２及び捨て領域１４に分割する。その後、粘着シート７２に紫外線を照射し、周知の拡張器を用いてダイシングフレーム９０を拡張する。これにより、図７に示すように、捨て領域１４が主領域１２から分割されると共に、主領域１２が複数のアレイ状ウェハ３６へと分割される。その後、図４（ａ）のチップ化予定線２４に沿ってアレイ状ウェハ３６を分割することにより、半導体チップ３０を得ることができる。アレイ状ウェハ３６から半導体チップ３０への分割は、例えばウェハブロック２０からアレイ状ウェハ３６への劈開工程と同様の工程により行うことができる。
【００３６】
図８は、実施例１に係る半導体装置の製造工程における、ウェハブロック２０の劈開工程を示す図であり、比較例と同様にウェハブロック２０を第１領域２０Ａ〜第３領域２０Ｃに順次分割する工程を示している。比較例（図２（ｂ））と異なり、ウェハブロック２０の裏面側（粘着シート７２側）に連結層４２（図８では不図示）が形成されているため、第１領域２０Ａ及び第２領域２０Ｂの裏面側は、完全には分離されずに繋がっている（図中の符号８４）。これにより、ブレード８０の圧力で第２領域２０Ｂ及び第３領域２０Ｃが下側（受け台６０側）に押し下げられた場合でも、第１領域２０Ａが第２領域２０Ｂと同期して動くため、第１領域２０Ａ及び第２領域２０Ｂの端面が傷付きにくくなっている。以上のように、実施例１に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェハ１０の劈開に伴う半導体装置の損傷を抑制することができる。
【００３７】
図９（ａ）は、実施例１の変形例に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、実施例１の図４（ａ）に相当する図である。実施例１と異なり、裏面電極４０の下地となるシードメタル層４４が、主領域１２の全面に形成されている。連結層４２は、形成されていない。これにより、シードメタル層４４が連結層４２と同様の役割を果たし、図８の劈開工程において第１領域２０Ａ〜第３領域２０Ｃの裏面側が分離されにくくなる。その結果、半導体ウェハ１０の劈開に伴う半導体装置の損傷を抑制することができる。この場合、シードメタル層４４は少なくとも劈開予定線２２を跨いで形成されていればよいが、ウェハブロック２０の裏面全体に形成されていることがより好ましい。シードメタル層４４の厚みは、密着性向上の観点からは１５０ｎｍ以上であることが好ましいが、劈開工程を容易に行う観点からは５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
図９（ｂ）は、実施例１の変形例に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、実施例１の図４（ａ）に相当する図である。ウェハブロック２０では、連結層４２ａが金属メッキではなく樹脂により形成されている。例えば、裏面電極４０の形成後に、ネガ感光剤入りのポリイミド樹脂を厚さ３μｍでウェハブロック２０の裏面全体に塗布し、その後露光装置により捨て領域１４のみを露光、現象する。その後、３００℃で３０分のキュア処理を行い、ポリイミド樹脂を固化させることにより、樹脂を材料とする連結層４２ａを得ることができる。樹脂による連結層４２を用いた場合でも、実施例１と同じく半導体ウェハ１０の劈開に伴う半導体装置の損傷を抑制することができる。樹脂としては、ポリイミドの他にも、例えばベンゾシクロブテン、フッ素系樹脂等を用いることができる。また、樹脂の除去は、ウェハブロック２０を劈開により分割した後に行ってもよい。
【００３９】
実施例１及びその変形例に係る半導体装置の製造方法は、表面に半導体素子が形成され、端面が劈開された任意の半導体装置に対し適用することができるが、端面射出型または端面入射型の光デバイス（例えば、半導体レーザ）に対し特に好適である。これらの光デバイスでは、劈開予定線２２に沿った端面がデバイスの入射面または射出面となる。
【００４０】
また、実施例１及びその変形例では、連結層４２（４２ａ）が捨て領域１４に連続して形成されている例について説明したが、連結層４２（４２ａ）は少なくとも劈開予定線２２の一部を覆うように形成されていればよい。ただし、前述の例のように連結層４２（４２ａ）を連続して形成する方が、捨て領域１４を連結する効果が高くなるため、壁開工程における半導体装置の損傷をより抑制することができる。
【００４１】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１０      半導体ウェハ
１２      主領域
１４      捨て領域
２０      ウェハブロック
２２      劈開予定線
２４      チップ化予定線
２６      捨て領域境界線
３０      半導体チップ、チップ領域
３２      第１スクライブ溝
３４      第２スクライブ溝
４０      裏面電極
４２      連結層
４４      シードメタル層
５０      表面電極
６０      受け台
７０      積層体
７２      粘着シート
７４      カバーシート
８０      ブレード
【図１】
0005631179.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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