(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクブランクスに描画すべき描画パターンに対応する描画データに基づいて、マスクブランクス上における第１の方向に延びかつ前記第１の方向と交差する第２の方向における幅を有するとともに前記第２の方向に並ぶ複数のストライプ状領域に、隣接するストライプ状領域の境界部分に前記第１の方向に沿って延びる重複領域が形成されるように順にパターンの描画を行うフォトマスクの製造方法であって、
前記複数のストライプ状領域のうち一部のストライプ状領域の幅が他のストライプ状領域の幅と異なるように、前記複数のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定するステップと、
各ストライプ領域においてレーザ光を略第２の方向にスウィープさせつつ前記第１の方向に移動させることによりパターンを描画するステップとを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記描画パターンは、前記第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、前記第２の方向において前記第１の規則的領域に並ぶように配置される他の描画領域とを含み、
前記一部のストライプ状領域は、前記第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域であり、前記他のストライプ状領域は、前記他の描画領域の少なくとも一部を含む一または複数の第２のストライプ状領域であり、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の前記第２の方向におけるピッチが前記第１のピッチの整数倍になるように前記複数の第１のストライプ状領域の幅を一定の幅に設定するとともに、前記一または複数の第２のストライプ状領域の幅を前記一定の幅と異なる幅に設定することを含むことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さな許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される各重複領域が第１の単位領域の前記第１のパターン部に位置しないように、前記一または複数の第２のストライプ状領域の幅を設定することを含むことを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記一または複数の第２のストライプ状領域の幅は、前記複数の第１のストライプ状領域の幅よりも大きいことを特徴とする請求項２または３記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記描画パターンは、前記第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、前記第２の方向において前記第１のピッチで配列される複数の第２の単位領域からなる第２の規則的領域と、前記第２の方向において前記第１の規則的領域と前記第２の規則的領域との間に配置される他の描画領域とを含み、前記第２の方向における前記他の描画領域の幅は前記第１のピッチの整数倍とは異なり、
前記一部のストライプ状領域は、前記第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域および前記第２の規則的領域を含む複数の第２のストライプ状領域であり、前記他のストライプ状領域は、前記他の描画領域の少なくとも一部を含む一または複数の第３のストライプ状領域であり、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の前記第２の方向におけるピッチおよび前記第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の前記第２の方向におけるピッチが前記第１のピッチの整数倍になるように前記複数の第１および第２のストライプ状領域の幅を一定の幅に設定するとともに、前記一または複数の第３のストライプ状領域の幅を前記一定の幅と異なる幅に設定することを含むことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、各第２の単位領域は、その第２の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第２のパターン部を含み、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が前記複数の第１の単位領域の前記第１のパターン部に位置せずかつ前記第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が前記複数の第２の単位領域の前記第２のパターン部に位置しないように、前記一または複数の第３のストライプ状領域の幅を設定することを含むことを特徴とする請求項５記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記一または複数の第３のストライプ状領域の幅は、前記複数の第１および第２のストライプ状領域の幅よりも大きいことを特徴とする請求項５または６記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記描画パターンは、前記第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、前記第２の方向において前記第１のピッチと異なる第２のピッチで配列される複数の第２の単位領域からなる第２の規則的領域とを含み、
前記一部のストライプ状領域は、前記第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域であり、前記他のストライプ状領域は、前記第２の規則的領域を含む第２のストライプ状領域であり、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の前記第２の方向におけるピッチが前記第１のピッチの整数倍になるとともに前記第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の前記第２の方向におけるピッチが前記第２のピッチの整数倍になるように、前記複数の第１および第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含むことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、各第２の単位領域は、その第２の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第２のパターン部を含み、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が前記複数の第１の単位領域の前記第１のパターン部に位置せずかつ前記第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が前記複数の第２の単位領域の前記第１のパターン部に位置しないように、前記複数の第１のストライプ状領域の幅および前記複数の第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含むことを特徴とする請求項８記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記描画パターンは、前記第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域を含み、
前記複数のストライプ状領域は、前記第１の規則的領域を含み、複数の第１のストライプ状領域および複数の第２のストライプ状領域により構成されるとともに、前記複数の第１のストライプ状領域の各々と前記複数の第２のストライプ状領域の各々とが交互に配置され、
前記一部のストライプ状領域は、前記複数の第１のストライプ状領域であり、前記他のストライプ状領域は、前記複数の第２のストライプ状領域であり、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域のうち、各第１のストライプ状領域の前記第２の方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域のピッチと各第２のストライプ状領域の前記第２の方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域のピッチとの合計が前記第１のピッチの整数倍になるように、前記複数の第１および第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含むことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および前記他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、
前記設定するステップは、前記第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が前記複数の第１の単位領域の前記第１のパターン部に位置しないように、前記複数の第１のストライプ状領域の幅および前記複数の第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含むことを特徴とする請求項１０記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項１３】
マスクブランクスに描画すべき描画パターンに対応する描画データに基づいて、マスクブランクス上における第１の方向に延びかつ前記第１の方向と交差する第２の方向における幅を有するとともに前記第２の方向に並ぶ複数のストライプ状領域に、隣接するストライプ状領域の境界部分に前記第１の方向に沿って延びる重複領域が形成されるように順にパターンの描画を行うフォトマスクの製造装置であって、
前記複数のストライプ状領域のうち一部のストライプ状領域の幅が他のストライプ状領域の幅と異なるように、前記複数のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定する設定手段と、
前記設定手段によりそれぞれ設定された幅を有する複数のストライプ状領域に順に描画を行う描画手段とを含み、
前記描画手段は、レーザ光を略第２の方向にスウィープさせつつ前記第１の方向に移動させることにより各ストライプ領域にパターンを描画することを特徴とするフォトマスクの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの製造方法、この方法を用いて作製されたフォトマスク、およびフォトマスクの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フォトマスクの製造には、レーザ光または電子ビームによりマスクブランクスにパターンの描画を行う描画装置が用いられる（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１記載の描画装置は、一方向（以下、Ｙ方向と呼ぶ）に移動可能なステージを有する。ステージの上方には、レーザ光を出射するためのヘッド部がＹ方向に垂直な一方向（以下、Ｘ方向と呼ぶ）に移動可能に設けられる。
【０００４】
ステージ上にマスクブランクスが固定される。その状態で、ヘッド部がＸ方向に移動しつつ所定のタイミングでマスクブランクス上に向けてレーザ光を出射する。これにより、マスクブランクス上のＸ方向に沿うストライプ状の領域（以下、ストライプ状領域と呼ぶ。）においてパターンの描画が行われる。
【０００５】
次いで、ステージがＹ方向に沿って移動することにより、マスクブランクスの位置がＹ方向にずらされる。その状態で、上記同様にヘッド部がＸ方向に移動しつつ所定のタイミングでマスクブランクス上に向けてレーザ光が出射される。これにより、上記のストライプ状領域と隣接する他のストライプ状領域において、パターンの描画が行われる。
【０００６】
このように、Ｘ方向に沿うストライプ状領域において描画を行う毎に、マスクブランクスの位置をＹ方向にずらすことにより、マスクブランクスの全面において描画を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４４２７２号公報
【特許文献２】特開２００８−２１０８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、マスクブランクスにストライプ状領域毎にパターンを描画する場合には、レーザ光のビームの広がりの誤差等に起因して隣接する２つのストライプ状領域の境界部分に隙間が発生することを防止するために、隣接するストライプ状領域の境界部分に互いに重なり合う領域（以下、重複領域と呼ぶ）が設定される。しかしながら、重複領域での露光量を他の領域での露光量と等しくすることは難しい。そのため、重複領域では、露光されるパターンの寸法変動（寸法誤差）が生じる。液晶表示装置またはＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）等のデバイス内では、配線のように重複領域におけるパターンの寸法変動が許容される部分と、液晶表示装置のトランジスタ形成部分またはＤＲＡＭのキャパシタ形成部分のように重複領域におけるパターンの寸法変動が許容されない部分とが存在する。
【０００９】
そこで、特許文献２には、デバイス内でパターンの寸法変動が許容される部分に重複領域を設定するように描画データを作成することが記載されている。液晶表示装置の複数のトランジスタ形成部分およびＤＲＡＭの複数のキャパシタ形成部分は、デバイス内で一定のピッチで規則的に配列されている。そのため、ストライプ状領域の幅をトランジスタ形成部分またはキャパシタ形成部分のピッチと一致させることにより、パターンの寸法変動が許容される部分に複数の重複領域を設定することができる。それにより、トランジスタ形成部分またはキャパシタ形成部分のようなパターンの寸法変動が許容されない部分に重複領域が位置することを回避することができる。
【００１０】
しかしながら、重複領域におけるパターンの寸法変動が許容されない複数の部分がマスクブランクスの全体の領域で一定のピッチで配列されているとは限らない。パターンの寸法変動が許容されない複数の部分の一部が一定のピッチで配列されていない場合または異なるピッチで配列されている場合に、パターンの寸法変動が許容されない全ての部分を避けるように重複領域を設定することは困難である。
【００１１】
本発明の目的は、隣接するストライプ状領域の重複領域の位置を所望の位置に容易に調整することができるフォトマスクの製造方法、この方法を用いて作製されたフォトマスク、およびフォトマスクの製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係るフォトマスクの製造方法は、マスクブランクスに描画すべき描画パターンに対応する描画データに基づいて、マスクブランクス上における第１の方向に延びかつ第１の方向と交差する第２の方向における幅を有するとともに第２の方向に並ぶ複数のストライプ状領域に、隣接するストライプ状領域の境界部分に第１の方向に沿って延びる重複領域が形成されるように順にパターンの描画を行うフォトマスクの製造方法であって、複数のストライプ状領域のうち一部のストライプ状領域の幅が他のストライプ状領域の幅と異なるように、複数のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定するステップと、各ストライプ領域においてレーザ光を略第２の方向にスウィープさせつつ第１の方向に移動させることによりパターンを描画するステップとを含むものである。
【００１３】
このフォトマスクの製造方法においては、一部のストライプ状領域の幅および他のストライプ状領域の幅を任意に設定することにより、第１の方向に延びる重複領域の位置を第２の方向における所望の位置に容易に調整することができる。したがって、描画パターンにおいて小さい許容寸法精度を有する部分に重複領域が位置することを容易に回避することができる。
【００１４】
（２）描画パターンは、第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、第２の方向において第１の規則的領域に並ぶように配置される他の描画領域とを含み、一部のストライプ状領域は、第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域であり、他のストライプ状領域は、他の描画領域の少なくとも一部を含む一または複数の第２のストライプ状領域であり、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の第２の方向におけるピッチが第１のピッチの整数倍になるように複数の第１のストライプ状領域の幅を一定の幅に設定するとともに、一または複数の第２のストライプ状領域の幅を一定の幅と異なる幅に設定することを含んでもよい。
【００１５】
この場合、第１の規則的領域においては、複数の重複領域の各々がいずれかの第１の単位領域の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくなる。その結果、複数の第１の単位領域のパターンにより形成される要素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しい場合には、第１の規則的領域に形成される複数の重複領域がむらとして視認されない。
【００１６】
また、一または複数の第２のストライプ状領域の幅を複数の第１のストライプ状領域の一定の幅と異なる幅に設定することにより第１の規則的領域における複数の重複領域の位置を容易に調整することができる。
【００１７】
（３）各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さな許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される各重複領域が第１の単位領域の第１のパターン部に位置しないように、一または複数の第２のストライプ状領域の幅を設定することを含んでもよい。
【００１８】
この場合、第１のパターン部が高い寸法精度で描画される。一方、第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域においては、重複領域による寸法誤差が許容される。
【００１９】
これらの結果、描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスクの品質を十分に向上させることができる。
【００２０】
（４）一または複数の第２のストライプ状領域の幅は、複数の第１のストライプ状領域の幅よりも大きくてもよい。
【００２１】
この場合、第２のストライプ状領域の数を低減することができる。これにより、パターンの描画時間を短縮することができる。
【００２２】
（５）描画パターンは、第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第２の単位領域からなる第２の規則的領域と、第２の方向において第１の規則的領域と第２の規則的領域との間に配置される他の描画領域とを含み、第２の方向における他の描画領域の幅は第１のピッチの整数倍とは異なり、一部のストライプ状領域は、第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域および第２の規則的領域を含む複数の第２のストライプ状領域であり、他のストライプ状領域は、他の描画領域の少なくとも一部を含む一または複数の第３のストライプ状領域であり、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の第２の方向におけるピッチおよび第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の第２の方向におけるピッチが第１のピッチの整数倍になるように複数の第１および第２のストライプ状領域の幅を一定の幅に設定するとともに、一または複数の第３のストライプ状領域の幅を一定の幅と異なる幅に設定することを含んでもよい。
【００２３】
この場合、第１の規則的領域においては、複数の重複領域の各々がいずれかの第１の単位領域の同一位置に配置される。また、第２の規則的領域においては、複数の重複領域の各々がいずれかの第２の単位領域の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくなるとともに、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第２の単位領域との相対的な位置関係が等しくなる。
【００２４】
その結果、複数の第１および第２の単位領域のパターンにより形成される要素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係および複数の重複領域とそれらが形成される複数の第２の単位領域との相対的な位置関係が等しい場合には、第１の規則的領域および第２の規則的領域に形成される複数の重複領域がむらとして視認されない。
【００２５】
また、一または複数の第３のストライプ状領域の幅を複数の第１および第２のストライプ状領域の幅と異なる幅に設定することにより、第２の方向における他の描画領域の幅が第１のピッチの整数倍とは異なる場合でも、第１または第２の規則的領域における複数の重複領域の位置を容易に調整することができる。
【００２６】
（６）各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、各第２の単位領域は、その第２の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第２のパターン部を含み、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が複数の第１の単位領域の第１のパターン部に位置せずかつ第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が複数の第２の単位領域の第２のパターン部に位置しないように、一または複数の第３のストライプ状領域の幅を設定することを含んでもよい。
【００２７】
この場合、第１および第２のパターン部が高い寸法精度で描画される。一方、第１および第２の単位領域内の他の部分および他の描画領域においては、重複領域による寸法誤差が許容される。
【００２８】
これらの結果、描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスクの品質を十分に向上させることができる。
【００２９】
（７）一または複数の第３のストライプ状領域の幅は、複数の第１および第２のストライプ状領域の幅よりも大きくてもよい。
【００３０】
この場合、第３のストライプ状領域の数を低減することができる。これにより、パターンの描画時間を短縮することができる。
【００３１】
（８）描画パターンは、第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域と、第２の方向において第１のピッチと異なる第２のピッチで配列される複数の第２の単位領域からなる第２の規則的領域とを含み、一部のストライプ状領域は、第１の規則的領域を含む複数の第１のストライプ状領域であり、他のストライプ状領域は、第２の規則的領域を含む第２のストライプ状領域であり、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の第２の方向におけるピッチが第１のピッチの整数倍になるとともに第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域の第２の方向におけるピッチが第２のピッチの整数倍になるように、複数の第１および第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含んでもよい。
【００３２】
この場合、第１の規則的領域においては、複数の重複領域の各々がいずれかの第１の単位領域の同一位置に配置される。また、第２の規則的領域においては、複数の重複領域の各々がいずれかの第２の単位領域の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくなるとともに、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第２の単位領域との位置関係が等しくなる。その結果、複数の第１および第２の単位領域のパターンにより形成される要素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域とそれらが形成される複数の第２の単位領域との相対的な位置関係が等しい場合には、第１の規則的領域および第２の規則的領域に形成される複数の重複領域がむらとして視認されない。
【００３３】
また、複数の第１のストライプ状領域の幅と複数の第２のストライプ状領域の幅とを異なる幅に設定することにより、第２方向における複数の第１の単位領域の第１のピッチと第２の方向における複数の第２の単位領域の第２のピッチとが異なる場合でも、第１および第２の規則的領域における複数の重複領域の位置を容易に調整することができる。
【００３４】
（９）各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、各第２の単位領域は、その第２の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第２のパターン部を含み、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が複数の第１の単位領域の第１のパターン部に位置せずかつ第２の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が複数の第２の単位領域の第１のパターン部に位置しないように、複数の第１のストライプ状領域の幅および複数の第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含んでもよい。
【００３５】
この場合、第１および第２のパターン部が高い寸法精度で描画される。一方、第１および第２の単位領域内の他の部分および他の描画領域においては、重複領域による寸法誤差が許容される。
【００３６】
これらの結果、描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスクの品質を十分に向上させることができる。
【００３７】
（１０）描画パターンは、第２の方向において第１のピッチで配列される複数の第１の単位領域からなる第１の規則的領域を含み、複数のストライプ状領域は、第１の規則的領域を含み、複数の第１のストライプ状領域および複数の第２のストライプ状領域により構成されるとともに、複数の第１のストライプ状領域の各々と複数の第２のストライプ状領域の各々とが交互に配置され、一部のストライプ状領域は、複数の第１のストライプ状領域であり、他のストライプ状領域は、複数の第２のストライプ状領域であり、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域のうち、各第１のストライプ状領域の第２の方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域のピッチと各第２のストライプ状領域の第２の方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域のピッチとの合計が第１のピッチの整数倍になるように、複数の第１および第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含んでもよい。
【００３８】
この場合、第１の規則的領域においては、複数の重複領域のうち１つ置きの複数の重複領域の各々が第１の単位領域の同一位置に配置され、残りの１つ置きの複数の重複領域の各々が第１の単位領域の同一位置に配置される。したがって、１つ置きの複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくなるとともに、残りの１つ置きの複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくなる。その結果、複数の第１の単位領域のパターンにより形成される要素の特性のばらつきが低減される。また、１つ置きの複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しくかつ残りの１つ置きの複数の重複領域とそれらが形成される複数の第１の単位領域との相対的な位置関係が等しい場合には、第１の規則的領域に形成される複数の重複領域がむらとして視認されない。
【００３９】
また、複数の第１のストライプ状領域の幅と複数の第２のストライプ状領域の幅とを異なるように設定することにより、第１の規則的領域における複数の重複領域の位置を容易に調整することができる。
【００４０】
さらに、各第１のストライプ状領域の幅または各第２のストライプ状領域の幅のうち一方を最大幅に設定することにより、描画時間を短縮することも可能となる。
【００４１】
（１１）各第１の単位領域は、その第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域よりも小さい許容寸法誤差を有する第１のパターン部を含み、設定するステップは、第１の規則的領域の描画の際に形成される複数の重複領域が複数の第１の単位領域の第１のパターン部に位置しないように、複数の第１のストライプ状領域の幅および複数の第２のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定することを含んでもよい。
【００４２】
この場合、第１のパターン部が高い寸法精度で描画される。一方、第１の単位領域内の他の部分および他の描画領域においては、重複領域による寸法誤差が許容される。
【００４３】
これらの結果、描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスクの品質を十分に向上させることができる。
【００４４】
（１２）第２の発明に係るフォトマスクは、第１の発明に係るフォトマスクの製造方法により製造されたものである。
【００４５】
上記の製造方法により製造されたフォトマスクおいては、一部のストライプ状領域の幅および他のストライプ状領域の幅を任意に設定することにより、第１の方向に延びる重複領域の位置が第２の方向における所望の位置に容易に調整されている。したがって、描画パターンにおいて小さい許容寸法精度を有する部分に重複領域が位置することが容易に回避されている。その結果、このフォトマスクを用いた露光処理により露光パターンの寸法精度を向上させることが可能となる。
【００４６】
マスクブランクスに描画すべき描画パターンに対応する描画データに基づいて、マスクブランクス上における第１の方向に延びかつ第１の方向と交差する第２の方向における幅を有するとともに第２の方向に並ぶ複数のストライプ状領域に、隣接するストライプ状領域の境界部分に第１の方向に沿って延びる重複領域が形成されるように順にパターンの描画を行うフォトマスクの製造装置であって、複数のストライプ状領域のうち一部のストライプ状領域の幅が他のストライプ状領域の幅と異なるように、複数のストライプ状領域の幅をそれぞれ設定する設定手段と、設定手段によりそれぞれ設定された幅を有する複数のストライプ状領域に順に描画を行う描画手段とを含み、描画手段は、レーザ光を略第２の方向にスウィープさせつつ第１の方向に移動させることにより各ストライプ領域にパターンを描画するものである。
【００４７】
このフォトマスクの製造装置においては、一部のストライプ状領域の幅および他のストライプ状領域の幅を任意に設定することにより、第１の方向に延びる重複領域の位置を第２の方向における所望の位置に容易に調整することができる。したがって、描画パターンにおいて小さい許容寸法精度を有する部分に重複領域が位置することを容易に回避することができる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、隣接するストライプ状領域の重複領域の位置を所望の位置に容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】マスクブランクスにパターンを描画する際に用いられる描画装置の構成を示す模式図である。
【図２】描画装置の動作の概要について説明するための模式的平面図である。
【図３】描画装置の動作の概要について説明するための模式的平面図である。
【図４】描画装置の動作の概要について説明するための模式的平面図である。
【図５】レーザ光のスウィープについて説明するための図である。
【図６】単位領域の一例を示す模式的平面図である。
【図７】マスクブランクスに設定される規則的領域の一部を示す模式的平面図である。
【図８】複数のストライプ状領域の幅の第１の設定例を説明するための図である。
【図９】複数のストライプ状領域の幅の第２の設定例を説明するための図である。
【図１０】複数のストライプ状領域の幅の第３の設定例を説明するための図である。
【図１１】複数のストライプ状領域の幅の第４の設定例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の一実施の形態に係るフォトマスクの製造方法、フォトマスクおよびフォトマスクの製造装置について図面を参照しつつ説明する。本実施の形態に係るフォトマスクは、マスクブランクスにレーザ光を出射してパターンの描画を行うことにより作製される。以下の説明では、フォトマスクの一例として、液晶表示装置に設けられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板を製造するために用いられるフォトマスクを説明する。また、フォトマスクの製造装置の一例として、マスクブランクスにパターンの描画を行う描画装置を説明する。
【００５１】
（１）描画装置の構成
図１は、マスクブランクスにパターンを描画する際に用いられる描画装置の構成を示す模式図である。図１以降の図面においては、水平面内で互いに直交する２方向をＸ方向およびＹ方向と定義する。
【００５２】
図１に示すように、描画装置１００は、ステージ２０、ステージ駆動部３０、キャリッジ４０、ヘッド部５０、レーザ光発生部６０、制御部７０、オンオフ切替部８０およびデータ入力部９０を備える。
【００５３】
ステージ２０上にマスクブランクス１０が固定される。ステージ２０は、ステージ駆動部３０によりＹ方向に沿って移動する。
【００５４】
ステージ２０の上方において、Ｘ方向に沿うようにキャリッジ４０が設けられる。キャリッジ４０には、ヘッド部５０が取り付けられる。ヘッド部５０は、キャリッジ４０に沿ってＸ方向に移動可能に構成される。
【００５５】
レーザ光発生部６０は、レーザ光を発生する。レーザ光発生部６０により発生されたレーザ光は、オンオフ切替部８０を通してヘッド部５０に導かれ、ヘッド部５０からステージ２０上のマスクブランクス１０に向けて出射される。オンオフ切替部８０により、レーザ光の出射のオンオフが切り替えられる。
【００５６】
データ入力部９０は、使用者により操作可能に構成される。データ入力部９０には、例えばマスクブランクス１０に描画すべきパターンの情報（以下、パターン情報と呼ぶ。）、およびマスクブランクス１０上に後述する複数のストライプ状領域を設定するための情報（以下、領域情報と呼ぶ。）が入力される。入力されたパターン情報および領域情報は、制御部７０に与えられる。
【００５７】
制御部７０は、データ入力部９０から与えられるパターン情報および領域情報に基づいてマスクブランクス１０上に描画されるべきパターンの描画データを作成し、作成した描画データに基づいてステージ駆動部３０、ヘッド部５０およびオンオフ切替部８０を制御する。
【００５８】
ヘッド部５０においては、レーザ光発生部６０により発生されるレーザ光の出射方向が一定の周期でＸ方向と交差する方向に繰り返し変化する。それにより、マスクブランクス１０上では、レーザ光が照射されるべき位置が一定の周期でＹ方向に繰り返し移動する。
【００５９】
以下の説明において、マスクブランクス１０上でレーザ光が照射されるべき位置をレーザ光の照準位置と呼ぶ。また、レーザ光の出射方向の変化によりレーザ光の照準位置が移動することをレーザ光のスウィープと呼ぶ。レーザ光のスウィープについては後述する。
【００６０】
（２）描画装置の動作の概要
次に、図１に示した描画装置１００の動作の概要について説明する。図２〜図４は、描画装置１００の動作の概要について説明するための模式的平面図である。ここでは、描画装置１００の全体の動作の理解を容易にするために、レーザ光のスウィープについては説明を省略する。
【００６１】
まず、図２（ａ）に示すように、ヘッド部５０がキャリッジ４０の一端部にある状態で、ヘッド部５０の下方にマスクブランクス１０の端部が位置するように、ステージ２０の位置が調整される。続いて、図２（ｂ）に示すように、ヘッド部５０がキャリッジ４０の一端部から他端部に移動しつつ所定のタイミングでマスクブランクス１０に向けてレーザ光を出射する。これにより、Ｘ方向に沿ったマスクブランクス１０上のストライプ状領域Ｓ１において、パターンの描画が行われる。
【００６２】
続いて、図３（ａ）に示すように、ヘッド部５０がレーザ光の出射を停止した状態でキャリッジ４０の一端部に戻るとともに、ステージ２０がＹ方向に移動する。
【００６３】
次に、図３（ｂ）に示すように、ヘッド部５０が再びキャリッジ４０の一端部から他端部に移動しつつ所定のタイミングでマスクブランクス１０に向けてレーザ光を出射する。これにより、ストライプ状領域Ｓ１に隣接するマスクブランクス１０上のストライプ状領域Ｓ１において、パターンの描画が行われる。
【００６４】
このようにして、ストライプ状領域Ｓ１毎にパターンの描画が行われる。最終的に、図４に示すように、マスクブランクス１０の全面（複数のストライプ状領域Ｓ１）において描画が行われる。全面にパターンが描画されたマスクブランクス１０の現像処理およびエッチング処理を行うことにより、本実施の形態に係るフォトマスク１１が完成する。
【００６５】
図１のデータ入力部９０においては、Ｙ方向における複数のストライプ状領域Ｓ１の幅に関する情報を領域情報として個別に入力することが可能である。そのため、複数のストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅が互いに異なる場合には、ストライプ状領域Ｓ１におけるパターンの描画毎にＹ方向に移動するステージ２０の移動量が変化する。
【００６６】
本実施の形態において、隣接する２つのストライプ状領域Ｓ１は、それらの一部が互いに重なるようにマスクブランクス１０上に設定される。以下の説明では、隣接する２つのストライプ状領域Ｓ１が重なる領域を重複領域と呼ぶ。
【００６７】
この描画装置１００においては、複数のストライプ状領域Ｓ１に関する領域情報がデータ入力部９０に個別に入力されることにより、重複領域Ｓ１を特定のパターンの位置から外れるように容易に調整することが可能である。詳細は後述する。
【００６８】
（３）レーザ光のスウィープおよび重複領域
レーザ光のスウィープについて説明する。図５は、レーザ光のスウィープについて説明するための図である。図５においては、隣接する２つのストライプ状領域Ｓ１にパターンが描画される場合について説明する。
【００６９】
上記のように、図１のヘッド部５０から出射されるレーザ光の照射位置が所定の周期でＹ方向に繰り返し移動する。すなわち、レーザ光がＹ方向にスウィープする。
【００７０】
具体的には、図５に矢印ａで示すように、レーザ光の照準位置ＰＴがＹ方向に沿って所定の長さ（以下、スウィープ長と呼ぶ）移動する。この場合、レーザ光の照準位置ＰＴが移動する領域（以下、照準移動領域と呼ぶ）Ｒｘは、Ｙ方向にスウィープ長を有しかつＸ方向にレーザ光のビーム径Ｄｏを有する。スウィープ長は、各ストライプ状領域Ｓ１にそれぞれ対応して設定される。スウィープ長は、それぞれ対応するストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅ｗｓ１に等しい。
【００７１】
図５に矢印ｂで示すように、レーザ光の照準位置ＰＴが一定の周期で移動するとともに、ヘッド部５０（図１）がＸ方向に移動することにより、照準移動領域ＲｘがＸ方向に徐々にずれる。それにより、ストライプ状領域Ｓ１の全体にレーザ光の照準位置ＰＴが移動する。
【００７２】
パターンを描画すべき位置（露光位置）とレーザ光の照準位置ＰＴとが重なったときに、オンオフ切替部８０（図１）によりレーザ光の出射がオンされる。それにより、ストライプ状領域Ｓ１において所望のパターンの描画を行うことができる。
【００７３】
上記のように、マスクブランクス１０にストライプ状領域Ｓ１毎にパターンを描画する場合には、レーザ光のビームの広がりの誤差等に起因して隣接する２つのストライプ状領域Ｓ１の境界部分に隙間が発生する。このような隙間の発生を防止するために、隣接する２つのストライプ状領域Ｓ１の境界部分に互いに重なり合う重複領域ＯＶが設定される。重複領域ＯＶのＹ方向の幅ｗｏｖは、ストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅ｗｓ１に比べて十分に小さく、図１の制御部７０に予め設定されている。
【００７４】
一方のストライプ状領域Ｓ１の全体にレーザ光の照準位置ＰＴが移動することにより、ステージ２０（図１）がそのストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅ｗｓ１から重複領域ＯＶの幅ｗｏｖを減算した長さ分Ｙ方向に移動する。
【００７５】
続いて、一方のストライプ状領域Ｓ１と同様に、その一方のストライプ状領域Ｓ１に隣接するストライプ状領域Ｓ１におけるパターンの描画が行われる。この場合、重複領域ＯＶでは、一度露光されたパターンの位置に再度レーザ光が照射される。このように、重複領域ＯＶでは重複してレーザ光が照射されるので、重複領域ＯＶでの露光量を他の領域での露光量と等しくすることは難しい。そのため、重複領域ＯＶでは、露光されるパターンの寸法誤差が生じる。本実施の形態において、寸法誤差とは、予め定められたパターンの寸法（設計寸法）と実際にマスクブランクス１０に描画されたパターンの寸法とのずれの大きさをいう。
【００７６】
（４）重複領域の位置の調整
上述のように、本実施の形態に係るフォトマスク１１は液晶表示装置に設けられるＴＦＴアレイ基板の製造に用いられる。ＴＦＴアレイ基板は、液晶表示装置の１画素に対応する回路（以下、単位回路と呼ぶ）が一定のピッチで規則的に配列された構成を有する。
【００７７】
以下の説明では、ＴＦＴアレイ基板の各単位回路を形成するためにマスクブランクス１０に描画されるパターンの領域を単位領域と呼ぶ。１のＴＦＴアレイ基板に対応してマスクブランクス１０に描画されるパターンの領域においては、複数の単位領域がＸ方向およびＹ方向に並ぶように配列される。以下の説明では、１のＴＦＴアレイ基板に対応してマスクブランクス１０に描画されるパターンの領域を規則的領域と呼ぶ。
【００７８】
図６は、単位領域の一例を示す模式的平面図である。図６に示すように、単位領域ＵＲ１は矩形形状を有し、第１の部分Ｒ、第２の部分Ｇおよび第３の部分Ｂを含む。第１〜第３の部分Ｒ，Ｇ，Ｂは、それぞれ長方形状を有し、Ｘ方向に並ぶようにマスクブランクス１０上に配置される。
【００７９】
第１〜第３の部分Ｒ，Ｇ，Ｂには、それぞれＴＦＴを形成するためのＴＦＴ形成部Ｔが含まれる。図６の例では、ＴＦＴ形成部Ｔが、Ｙ方向における第１〜第３の部分Ｒ，Ｇ，Ｂの一端部近傍に位置する。
【００８０】
本実施の形態において、ＴＦＴ形成部Ｔに許容される寸法誤差（許容寸法精度）は、単位領域ＵＲ１における他の部分およびマスクブランクス１０における規則的領域以外の領域で許容される寸法誤差（許容寸法精度）よりも小さい。
【００８１】
そこで、本実施の形態では、図６に示すように、パターンの許容寸法精度が小さいＴＦＴ形成部Ｔに位置しないように重複領域ＯＶの位置が調整される。
【００８２】
重複領域ＯＶの位置の調整について一例を説明する。図７は、マスクブランクス１０に設定される規則的領域の一部を示す模式的平面図である。以下の説明では、マスクブランクス１０に描画される単位領域ＵＲ１のＹ方向の長さを単位長さと呼ぶ。
【００８３】
図７では、規則的領域を含む３つのストライプ状領域Ｓ１が太い一点鎖線で示されている。この規則的領域ＲＲ１においては、複数の重複領域ＯＶの位置がＴＦＴ形成部Ｔに位置しないように、例えば複数のストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅ＷＳ１が、単位領域ＵＲ１の単位長さの整数倍（本例では２倍）の値に重複領域ＯＶの幅ｗｏｖを加算して得られる値に設定される。
【００８４】
これにより、複数の重複領域ＯＶを単位領域ＵＲ１の単位長さの整数倍（本例では２倍）のピッチｐｏｖでＹ方向に配置することができる。この場合、ＴＦＴ形成部Ｔは単位長さのピッチｐ１でＹ方向に配列されるので、Ｙ方向における複数の重複領域ＯＶの位置をＴＦＴ形成部Ｔからずらすことにより、ＴＦＴ形成部Ｔに重複領域ＯＶが位置することを回避することができる。
【００８５】
また、この場合、複数の重複領域ＯＶは単位領域ＵＲ１の単位長さの整数倍（本例では２倍）のピッチｐｏｖでＹ方向に並ぶので、複数の重複領域ＯＶと単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係にばらつきが生じない。すなわち、複数の重複領域ＯＶは単位領域ＵＲ１における一定の位置（本例では、Ｙ方向における単位領域ＵＲ１の中央部）に設定される。
【００８６】
一定のピッチｐ１で規則的に配列される単位領域ＵＲ１に対して、複数の重複領域ＯＶが単位領域ＵＲ１のピッチｐ１の整数倍とずれたピッチで配列されるように設定されると、複数の重複領域ＯＶと単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係にばらつきが生じる。この状態でマスクブランクス１０にパターンが描画されると、作製されるフォトマスク１１にはむらが視認される。
【００８７】
そこで、単位領域ＵＲ１のピッチｐ１に基づいて複数のストライプ状領域Ｓ１のＹ方向の幅ＷＳ１が設定される。これにより、小さい許容寸法精度を有するＴＦＴ形成部Ｔに重複領域ＯＶが位置することを容易に回避すること、および複数の重複領域ＯＶと単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係にばらつきが生じることを防止することができる。
【００８８】
（５）ストライプ状領域の幅の第１の設定例
図８は、複数のストライプ状領域のＹ方向の幅の第１の設定例を説明するための図である。図８では、１枚のマスクブランクス１０上に描画されるパターンの一例が平面図で示されている。マスクブランクス１０上に描画されるパターンが点線で示されている。マスクブランクス１０は、一対の短辺および一対の長辺を有する。
【００８９】
このマスクブランクス１０では、一点鎖線により取り囲まれる範囲が描画装置１００によるパターンの描画可能部分１０ａである。描画可能部分１０ａも、一対の短辺および一対の長辺を有する。パターンの描画時には、描画可能部分１０ａの全面に対してスウィープが行われる。以下、描画可能部分１０ａ内に描画されるべきパターンを描画パターンと呼ぶ。
【００９０】
マスクブランクス１０には、矩形形状を有する２つの規則的領域ＲＲ１が、所定の間隔を隔ててＹ方向に並ぶように配置される。描画可能部分１０ａの一方の短辺と規則的領域ＲＲ１との間に端部領域Ａ１が設けられる。２つの規則的領域ＲＲ１間に中間領域Ａ２が設けられる。他方の短辺と規則的領域ＲＲ１との間に端部領域Ａ３が設けられる。
【００９１】
本例では、Ｙ方向における２つの規則的領域ＲＲ１間の間隔（中間領域Ａ２の幅）は、複数の単位領域ＵＲ１のピッチｐ１の２倍である。２つの規則的領域ＲＲ１の各々には、複数の単位領域ＵＲ１および配線用パターンＷＰが含まれる。
【００９２】
端部領域Ａ１，Ａ３には、それぞれ矩形のマークパターンＭＰ１が描画される。また、端部領域Ａ１，Ａ３および中間領域Ａ２には複数のマークパターンＭＰ２が描画される。複数のマークパターンＭＰ２は、それぞれ十字形状を有する。
【００９３】
これらのマークパターンＭＰ１，ＭＰ２は、例えば位置合わせを行うためにフォトマスク１１に形成されるアライメントマークおよびパターンの寸法精度を検査するためにフォトマスク１１に形成される検査用マークである。
【００９４】
上述のように、ＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）は、小さい許容寸法精度を有する。これに対して、マークパターンＭＰ１，ＭＰ２は、ＴＦＴ形成部Ｔが有する許容寸法精度よりも十分に大きい許容寸法精度を有する。したがって、マークパターンＭＰ１，ＭＰ２においては、重複領域ＯＶで生じる寸法誤差が許容される。
【００９５】
この場合、図８に示すように、規則的領域ＲＲ１では、複数の単位領域ＵＲ１がピッチｐ１で配列される。規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される複数の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖがピッチｐ１の整数倍になるように、規則的領域ＲＲ１を含む複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１が一定の幅に設定される。
【００９６】
また、端部領域Ａ１，Ａ３のストライプ状領域Ｓ２の幅ｗｓ２は、ストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１と異なる任意の幅に設定することができる。
【００９７】
それにより、規則的領域ＲＲ１においては、複数の重複領域ＯＶの各々がいずれかの単位領域ＵＲ１の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくなる。その結果、複数の単位領域ＵＲ１のパターンにより形成される画素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しい場合には、規則的領域ＲＲ１に形成される複数の重複領域ＯＶがむらとして視認されない。
【００９８】
また、端部領域Ａ１，Ａ３におけるストライプ状領域Ｓ２の幅をストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１と異なる幅ｗｓ２に設定することにより、規則的領域ＲＲ１における複数の重複領域ＯＶの位置を容易に調整することができる。
【００９９】
規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される各重複領域ＯＶが小さい許容寸法誤差を有するＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）に位置しないように、ＯＶの位置を容易に調整することができる。それにより、ＴＦＴ形成部Ｔが高い寸法精度で描画される。
【０１００】
一方、単位領域ＵＲ１内の他の部分、端部領域Ａ１，Ａ３および中間領域Ａ２は、ＴＦＴ形成部Ｔよりも大きい許容寸法誤差を有する。したがって、これらの他の部分、端部領域Ａ１，Ａ３および中間領域Ａ２においては、重複領域ＯＶによる寸法誤差が許容される。
【０１０１】
これらの結果、描画可能部分１０ａ内の描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスク１１の品質を十分に向上させることができる。
【０１０２】
さらに、ストライプ状領域Ｓ２の幅ｗｓ２を、複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１よりも大きい最大スウィープ長（図２のヘッド部５０により調整可能なスウィープ長の最大値）に設定した場合には、ストライプ状領域Ｓ２の数を低減することができる。これにより、描画パターンの描画時間を短縮することができる。
【０１０３】
（６）ストライプ状領域の幅の第２の設定例
ストライプ状領域の幅の第２の設定例について、第１の設定例と異なる点を説明する。図９は、複数のストライプ状領域の幅の第２の設定例を説明するための図である。図９においては、図８の例と同様に、１枚のマスクブランクス１０上に描画されるパターンの一例が平面図で示されている。
【０１０４】
本例では、Ｙ方向における２つの規則的領域ＲＲ１間の間隔（中間領域Ａ２の幅）が、複数の単位領域ＵＲ１のピッチｐ１の整数倍とは異なる。
【０１０５】
２つの規則的領域ＲＲ１においては複数の単位領域ＵＲ１がピッチｐ１で配列される。２つの規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される複数の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖがピッチｐ１の整数倍になるように、２つの規則的領域ＲＲ１を含む複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１が一定の幅に設定される。また、中間領域Ａ２におけるストライプ状領域Ｓ３の幅ｗｓ３は、複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｓｗ１と異なる任意の幅に設定することができる。
【０１０６】
それにより、２つの規則的領域ＲＲ１においては、複数の重複領域ＯＶの各々がいずれかの単位領域ＵＲ１の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくなる。
【０１０７】
その結果、複数の単位領域ＵＲ１のパターンにより形成される画素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しい場合には、２つの規則的領域ＲＲ１に形成される複数の重複領域ＯＶがむらとして視認されない。
【０１０８】
また、中間領域Ａ２におけるストライプ状領域Ｓ３の幅ｗｓ３を複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１と異なる幅に設定することにより、本例のように中間領域Ａ２の幅がピッチｐ１の整数倍とは異なる場合でも、２つの規則的領域ＲＲ１における複数の重複領域ＯＶの位置を容易に調整することができる。
【０１０９】
したがって、規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される各重複領域ＯＶが小さい許容寸法誤差を有するＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）に位置しないように、重複領域ＯＶの位置を容易に調整することができる。それにより、ＴＦＴ形成部Ｔが高い寸法精度で描画される。
【０１１０】
一方、単位領域ＵＲ１内の他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３は、ＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）よりも大きい許容寸法誤差を有する。したがって、これらの他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３においては、重複領域ＯＶによる寸法誤差が許容される。
【０１１１】
これらの結果、描画可能部分１０ａ内の描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスク１１の品質を十分に向上させることができる。
【０１１２】
さらに、ストライプ状領域Ｓ３の幅ｗｓ３を複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１よりも大きい最大スウィープ長（図２のヘッド部５０により調整可能なスウィープ長の最大値）に設定した場合には、ストライプ状領域Ｓ３の数を低減することができる。これにより、描画パターンの描画時間を短縮することができる。
【０１１３】
（７）ストライプ状領域の幅の第３の設定例
ストライプ状領域の幅の第３の設定例について、第２の設定例と異なる点を説明する。図１０は、複数のストライプ状領域の幅の第３の設定例を説明するための図である。図１０においては、図９の例と同様に、１枚のマスクブランクス１０上に描画されるパターンの一例が平面図で示されている。
【０１１４】
本例では、マスクブランクス１０に大きさが互いに異なる２つの規則的領域ＲＲ１，ＲＲ２が配置される。一方の規則的領域ＲＲ１は他方の規則的領域ＲＲ２よりも大きい。また、一方の規則的領域ＲＲ１に含まれる単位領域ＵＲ１も、他方の規則的領域ＲＲ２に含まれる単位領域ＵＲ２よりも大きい。これにより、一方の規則的領域ＲＲ１においては複数の単位領域ＵＲ１がピッチｐ１で配列され、他方の規則的領域ＲＲ２においては複数の単位領域ＵＲ２がピッチｐ１よりも小さいピッチｐ２で配列される。
【０１１５】
規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される複数の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖがピッチｐ１の整数倍になるように、規則的領域ＲＲ１を含む複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１が設定される。
【０１１６】
また、規則的領域ＲＲ２の描画の際に形成される複数の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖがピッチｐ１と異なるピッチｐ２の整数倍になるように、規則的領域ＲＲ２を含む複数のストライプ状領域Ｓ４の幅ｗｓ４が設定される。
【０１１７】
それにより、規則的領域ＲＲ１においては、重複領域ＯＶの各々がいずれかの単位領域ＵＲ１の同一位置に配置される。また、規則的領域ＲＲ２においても、複数の重複領域ＯＶの各々がいずれかの単位領域ＵＲ２の同一位置に配置される。したがって、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくなるとともに、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ２との位置関係が等しくなる。
【０１１８】
その結果、複数の単位領域ＵＲ１，ＵＲ２のパターンにより形成される画素の特性のばらつきが低減される。また、複数の重複領域ＯＶとそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１，ＵＲ２との相対的な位置関係が等しい場合には、各規則的領域ＲＲ１，ＲＲ２に形成される複数の重複領域ＯＶがむらとして視認されない。
【０１１９】
また、規則的領域ＲＲ１を含む複数のストライプ状領域Ｓ１の幅ｗｓ１と規則的領域ＲＲ２を含む複数のストライプ状領域Ｓ４の幅ｗｓ４とを異なる幅に設定することにより、本例のように複数の単位領域ＵＲ１のピッチｐ１と単位領域ＵＲ２のピッチｐ２とが異なる場合でも、規則的領域ＲＲ１，ＲＲ２における複数の重複領域ＯＶの位置を容易に調整することができる。
【０１２０】
したがって、規則的領域ＲＲ１，ＲＲ２の描画の際に形成される各重複領域ＯＶが小さい許容寸法誤差を有するＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）に位置しないように、重複領域ＯＶの位置を容易に調整することができる。それにより、ＴＦＴ形成部Ｔが高い寸法精度で描画される。
【０１２１】
一方、単位領域ＵＲ１，ＵＲ２内の他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３は、ＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）よりも大きい許容寸法誤差を有する。したがって、これらの他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３においては、重複領域ＯＶによる寸法誤差が許容される。
【０１２２】
これらの結果、描画可能部分１０ａ内の描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスク１１の品質を十分に向上させることができる。
【０１２３】
（８）ストライプ状領域の幅の第４の設定例
ストライプ状領域の幅の第４の設定例について、第１の設定例と異なる点を説明する。図１１は、複数のストライプ状領域の幅の第４の設定例を説明するための図である。図１１においては、１枚のマスクブランクス１０上に描画されるパターンの一部（主として図８の一方の規則的領域ＲＲ１、端部領域Ａ１および中間領域Ａ２の部分）が平面図で示されている。
【０１２４】
図１１に示すように、本例では、マスクブランクス１０上に描画されるパターンは第１の設定例と同じであるが、規則的領域ＲＲ１を含む領域に互いに異なる幅ｗｓ５，ｗｓ６を有する２種類のストライプ状領域Ｓ５，Ｓ６が交互に配置される。ストライプ状領域Ｓ５，Ｓ６の幅ｗｓ５，ｗｓ６は、以下のように設定される。
【０１２５】
規則的領域ＲＲ１においては、複数の単位領域ＵＲ１がピッチｐ１で配列される。規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される複数の重複領域ＯＶのうち、各ストライプ状領域Ｓ５のＹ方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖと各ストライプ状領域Ｓ６のＹ方向に沿った両側辺に形成される一対の重複領域ＯＶのピッチｐｏｖとの合計がピッチｐ１の整数倍になるように、複数のストライプ状領域Ｓ５，Ｓ６の幅ｗｓ５，ｗｓ６がそれぞれ設定される。
【０１２６】
すなわち、規則的領域ＲＲ１においては、複数の重複領域のうち１つ置きの複数の重複領域ＯＶ１のＹ方向におけるピッチｐｏｖａがピッチｐ１の整数倍になり、残りの１つ置きの複数の重複領域ＯＶ２のＹ方向におけるピッチｐｏｖｂがピッチｐ１の整数倍になる。
【０１２７】
それにより、規則的領域ＲＲ１においては、複数の重複領域のうち１つ置きの複数の重複領域ＯＶ１の各々が単位領域ＵＲ１の同一位置に配置され、残りの１つ置きの複数の重複領域ＯＶ２の各々が単位領域ＵＲ１の同一位置に配置される。
【０１２８】
したがって、１つ置きの複数の重複領域ＯＶ１とそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくなるとともに、残りの１つ置きの複数の重複領域ＯＶ２とそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくなる。その結果、複数の単位領域ＵＲ１のパターンにより形成される画素の特性のばらつきが低減される。また、１つ置きの複数の重複領域ＯＶ１とそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しくかつ残りの１つ置きの複数の重複領域ＯＶ２とそれらが形成される複数の単位領域ＵＲ１との相対的な位置関係が等しい場合には、規則的領域ＲＲ１に形成される複数の重複領域ＯＶ１，ＯＶ２がむらとして視認されない。
【０１２９】
さらに、複数のストライプ状領域Ｓ５の幅ｗｓ５と複数のストライプ状領域Ｓ６の幅ｗｓ６とを異なるように設定することにより、規則的領域ＲＲ１における複数の重複領域ＯＶ１，ＯＶ２の位置を容易に調整することができる。
【０１３０】
また、各ストライプ状領域Ｓ５の幅ｗｓ５または各ストライプ状領域Ｓ６の幅ｗｓ６のうち一方を最大スウィープ長（図２のヘッド部５０により調整可能なスウィープ長の最大値）に設定することにより、描画時間を短縮することも可能となる。
【０１３１】
上記のように、複数のストライプ状領域Ｓ５の幅ｗｓ５と複数のストライプ状領域Ｓ６の幅ｗｓ６とを異なるように設定することにより、規則的領域ＲＲ１における複数の重複領域ＯＶ１，ＯＶ２の位置を容易に調整することができる。
【０１３２】
したがって、規則的領域ＲＲ１の描画の際に形成される各重複領域ＯＶが小さい許容寸法誤差を有するＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）に位置しないように、重複領域ＯＶ１，ＯＶ２の位置を容易に調整することができる。それにより、ＴＦＴ形成部Ｔが高い寸法精度で描画される。
【０１３３】
一方、単位領域ＵＲ１，ＵＲ２内の他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３は、ＴＦＴ形成部Ｔ（図６および図７）よりも大きい許容寸法誤差を有する。したがって、これらの他の部分、中間領域Ａ２および端部領域Ａ１，Ａ３においては、重複領域ＯＶによる寸法誤差が許容される。
【０１３４】
これらの結果、描画可能部分１０ａ内の描画パターンの全体において要求される寸法精度を満足させることができ、フォトマスク１１の品質を十分に向上させることができる。
【０１３５】
（９）その他
上記では、重複領域ＯＶのＹ方向の幅ｗｏｖが、図１の制御部７０により予め定められている例を説明したが、重複領域ＯＶのＹ方向の幅ｗｏｖ（図５）はそれぞれ任意の値に設定可能であってもよい。
【０１３６】
上記では、小さい許容寸法精度を有するパターンとしてＴＦＴを形成するためにマスクブランクス１０に描画されるＴＦＴ形成部Ｔの例を説明したが、小さい許容寸法精度を有するパターンとしては、例えばマスクブランクス１０に描画されるＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）のキャパシタ形成部分が挙げられる。
【０１３７】
（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３８】
上記実施の形態においては、Ｘ方向が第１の方向の例であり、Ｙ方向が第２の方向の例であり、描画装置１００がフォトマスクの製造装置の例であり、制御部７０およびデータ入力部９０が設定手段の例であり、ステージ２０、ステージ駆動部３０、キャリッジ４０、ヘッド部５０、レーザ光発生部６０およびオンオフ切替部８０が描画手段の例である。
【０１３９】
また、ストライプ状領域の幅の第１の設定例が請求項１，２，３，４に記載のフォトマスクの製造方法の例であり、ストライプ状領域の幅の第２の設定例が請求項１，５，６，７に記載のフォトマスクの製造方法の例であり、ストライプ状領域の幅の第３の設定例が請求項１，８，９に記載のフォトマスクの製造方法の例であり、ストライプ状領域の幅の第４の設定例が請求項１，１０，１１に記載のフォトマスクの製造方法の例である。
【０１４０】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１４１】
本発明は、フォトマスクの製造等に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４２】
１０  マスクブランクス
１１  フォトマスク
２０  ステージ
３０  ステージ駆動部
４０  キャリッジ
５０  ヘッド部
６０  レーザ光発生部
７０  制御部
８０  オンオフ切替部
９０  データ入力部
１００  描画装置
Ａ１，Ａ３  端部領域
Ａ２  中間領域
Ｂ  第３の部分
Ｄｏ  ビーム径
Ｇ  第２の部分
ＭＰ１，ＭＰ２  マークパターン
ＯＶ，ＯＶ１，ＯＶ２  重複領域
ｐ１，ｐ２，ｐｏｖ，ｐｏｖａ，ｐｏｖｂ  ピッチ
ＰＴ  照準位置
Ｒ  第１の部分
Ｒｘ  照準移動領域
ＲＲ１，ＲＲ２  規則的領域
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６  ストライプ状領域
Ｔ  ＴＦＴ形成部
ＵＲ１，ＵＲ２  単位領域
ＷＰ  配線用パターン
ｗｓ１、ｗｓ２、ｗｓ３，ｗｓ４，ｗｓ５，ｗｓ６，ｗｏｖ  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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