(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板の前記第１面上には、第１の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第２面上には、第２の面状導体パターンが形成され、
前記コア基板には、導体群を構成する複数の第１ビア導体と、該導体群を構成しない第２ビア導体と、が形成され、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層には第３ビア導体が形成され、前記第２積層部の最下層の層間絶縁層には第４ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々は、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続され、
前記第３ビア導体の一端は、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第４ビア導体の一端は、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される、
ことを特徴とする配線板。
【請求項２】
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板の前記第１面上には、第１の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第２面上には、第２の面状導体パターンが形成され、
前記コア基板には、導体群を構成する複数の第１ビア導体と、該導体群を構成しない第２ビア導体と、が形成され、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層には第３ビア導体が形成され、前記第２積層部の最下層の層間絶縁層には第４ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々は、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続され、
前記第３ビア導体の一端は、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第４ビア導体の一端は、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される、
ことを特徴とする配線板。
【請求項３】
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々と、前記第３ビア導体と、前記第４ビア導体とは、相互に略同一の太さを有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第１積層部及び前記第２積層部はそれぞれ、少なくとも４組の層間絶縁層及び導体層を含み、
前記第３ビア導体上に、前記第１積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第１積層部には、４段以上のビア導体から構成される第１スタック構造が形成され、
前記第４ビア導体上に、前記第２積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第２積層部には、４段以上のビア導体から構成される第２スタック構造が形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記第３ビア導体を含む前記第１積層部の全層のビア導体が第１スタック構造を構成し、前記第４ビア導体を含む前記第２積層部の全層のビア導体が第２スタック構造を構成する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記第１スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第２スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有する、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線板。
【請求項７】
前記導体群を構成する第１ビア導体はそれぞれ、めっきから構成され、
前記コア基板の前記第１面上には、第１金属箔及び第１めっきから構成される第１導体層が形成され、
前記コア基板の前記第２面上には、第２金属箔及び第２めっきから構成される第２導体層が形成され、
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第１ビア導体を構成する前記めっきと前記第１めっきと前記第２めっきとは、互いに一体的に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する前記開口部は、前記第１金属箔を貫通する第１開口部と、前記第２金属箔を貫通する第２開口部と、前記コア基板を貫通する第３開口部と、から構成され、
前記第３開口部は、前記第１面から前記第２面に向かって細くなるようにテーパしており、
前記第２開口部の幅は、前記第２面における前記第３開口部の幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項７に記載の配線板。
【請求項９】
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線板。
【請求項１０】
前記コア基板は、ＦＲ−５材から構成され、
前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層はそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１１】
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、ＦＲ−５材から構成され、
前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層は、それぞれＦＲ−４材から構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１２】
前記第１積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される前記第３ビア導体を、複数有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１３】
前記第２積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される前記第４ビア導体を、複数有する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の配線板。
【請求項１４】
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板に形成された第１ビア導体と、前記第１積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第３ビア導体と、前記第２積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第４ビア導体とが、スタックされ、
前記コア基板には、前記スタックされない第２ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、
前記第１ビア導体は、前記スタックされた第３ビア導体及び第４ビア導体のいずれよりも太い、
ことを特徴とする配線板。
【請求項１５】
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板に形成された第１ビア導体と、前記第１積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第３ビア導体と、前記第２積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第４ビア導体とが、スタックされ、
前記コア基板には、前記スタックされない第２ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、
前記第１ビア導体は、前記スタックされた第３ビア導体及び第４ビア導体のいずれよりも太い、
ことを特徴とする配線板。
【請求項１６】
前記第１積層部及び前記第２積層部はそれぞれ、少なくとも４組の層間絶縁層及び導体層を含み、
前記第１積層部には、４段以上の第３ビア導体から構成される第１スタック構造が形成され、
前記第２積層部には、４段以上の第４ビア導体から構成される第２スタック構造が形成される、
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の配線板。
【請求項１７】
前記第１積層部の全層の第３ビア導体が第１スタック構造を構成し、前記第２積層部の全層の第４ビア導体が第２スタック構造を構成する、
ことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１８】
前記第１スタック構造を構成する全ての第３ビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第２スタック構造を構成する全ての第４ビア導体が互いに略同一の太さを有する、
ことを特徴とする請求項１７に記載の配線板。
【請求項１９】
前記第１ビア導体は、めっきから構成され、
前記コア基板の前記第１面上には、第１金属箔及び第１めっきから構成される第１導体層が形成され、
前記コア基板の前記第２面上には、第２金属箔及び第２めっきから構成される第２導体層が形成され、
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第１ビア導体を構成する前記めっきと前記第１めっきと前記第２めっきとは、互いに一体的に形成される、
ことを特徴とする請求項１４乃至１８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項２０】
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する前記開口部は、前記第１金属箔を貫通する第１開口部と、前記第２金属箔を貫通する第２開口部と、前記コア基板を貫通する第３開口部と、から構成され、
前記第３開口部は、前記第１面から前記第２面に向かって細くなるようにテーパしており、
前記第２開口部の幅は、前記第２面における前記第３開口部の幅よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１９に記載の配線板。
【請求項２１】
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、
ことを特徴とする請求項１４に記載の配線板。
【請求項２２】
前記第１積層部の最下層の層間絶縁層において前記第１ビア導体上にスタックされる第３ビア導体を複数有する、
ことを特徴とする請求項１４乃至２１のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項２３】
前記第２積層部の最下層の層間絶縁層において前記第１ビア導体上にスタックされる第４ビア導体を複数有する、
ことを特徴とする請求項２２に記載の配線板。
【請求項２４】
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに接続される複数の第１ビア導体から構成される導体群と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、第２層間絶縁層を形成することと、
前記第２層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２５】
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層に含まれる第１層間絶縁層と第２層間絶縁層以外の前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに接続される複数の第１ビア導体から構成される導体群と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、前記第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、前記第２層間絶縁層を形成することと、
前記第２層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２６】
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第１の面状導体パターンに、他端が前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続される第１ビア導体と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記第１の面状導体パターン及び前記第２の面状導体パターンのいずれにも接続されない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第１層間絶縁層を貫通し、前記第１の面状導体パターンに接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、第２層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第２層間絶縁層を貫通し、前記第２の面状導体パターンに接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２７】
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層に含まれる第１層間絶縁層と第２層間絶縁層以外の前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第１の面状導体パターンに、他端が前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続される第１ビア導体と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記第１の面状導体パターン及び前記第２の面状導体パターンのいずれにも接続されない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、前記第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第１層間絶縁層を貫通し、前記第１の面状導体パターンに接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、前記第２層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第２層間絶縁層を貫通し、前記第２の面状導体パターンに接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、スルーホール導体上にビア導体がスタックされて構成されるスタック構造を有する配線板が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、複数のビア導体がスタックされて構成されるスタック構造を有する配線板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２１０９５２号公報
【特許文献２】特開２００３−３１９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１又は特許文献２に記載される配線板では、層間絶縁層（例えば樹脂）の熱膨張率とビア導体（例えば金属）の熱膨張率との差に起因して、スタック構造を構成するビア導体（特に、コア基板に近いビア導体）に大きな応力が生じ易くなると考えられる。また、こうした応力は、スタック構造の階数（層数）が増えるほど大きくなると考えられる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、配線板における電気的接続の信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る配線板は、
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板の前記第１面上には、第１の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第２面上には、第２の面状導体パターンが形成され、
前記コア基板には、導体群を構成する複数の第１ビア導体と、該導体群を構成しない第２ビア導体と、が形成され、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層には第３ビア導体が形成され、前記第２積層部の最下層の層間絶縁層には第４ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々は、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続され、
前記第３ビア導体の一端は、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第４ビア導体の一端は、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される。
本発明に係る配線板は、
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板の前記第１面上には、第１の面状導体パターンが形成され、前記コア基板の前記第２面上には、第２の面状導体パターンが形成され、
前記コア基板には、導体群を構成する複数の第１ビア導体と、該導体群を構成しない第２ビア導体と、が形成され、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層には第３ビア導体が形成され、前記第２積層部の最下層の層間絶縁層には第４ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体は、相互に略同一の太さを有し、
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々は、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続され、
前記第３ビア導体の一端は、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続され、前記第４ビア導体の一端は、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される。
【０００８】
前記導体群を構成する第１ビア導体の各々と、前記第３ビア導体と、前記第４ビア導体とは、相互に略同一の太さを有する、ことが好ましい。
【０００９】
前記第１積層部及び前記第２積層部はそれぞれ、少なくとも４組の層間絶縁層及び導体層を含み、
前記第３ビア導体上に、前記第１積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第１積層部には、４段以上のビア導体から構成される第１スタック構造が形成され、
前記第４ビア導体上に、前記第２積層部の層間絶縁層に形成されたビア導体がスタックされることにより、前記第２積層部には、４段以上のビア導体から構成される第２スタック構造が形成される、ことが好ましい。
【００１０】
前記第３ビア導体を含む前記第１積層部の全層のビア導体が第１スタック構造を構成し、前記第４ビア導体を含む前記第２積層部の全層のビア導体が第２スタック構造を構成する、ことが好ましい。
【００１１】
前記第１スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第２スタック構造を構成する全てのビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことが好ましい。
【００１２】
前記導体群を構成する第１ビア導体はそれぞれ、めっきから構成され、
前記コア基板の前記第１面上には、第１金属箔及び第１めっきから構成される第１導体層が形成され、
前記コア基板の前記第２面上には、第２金属箔及び第２めっきから構成される第２導体層が形成され、
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第１ビア導体を構成する前記めっきと前記第１めっきと前記第２めっきとは、互いに一体的に形成される、ことが好ましい。
【００１３】
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する前記開口部は、前記第１金属箔を貫通する第１開口部と、前記第２金属箔を貫通する第２開口部と、前記コア基板を貫通する第３開口部と、から構成され、
前記第３開口部は、前記第１面から前記第２面に向かって細くなるようにテーパしており、
前記第２開口部の幅は、前記第２面における前記第３開口部の幅よりも小さい、ことが好ましい。
【００１４】
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。
【００１５】
前記コア基板は、ＦＲ−５材から構成され、
前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層はそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される、ことが好ましい。
【００１７】
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層はそれぞれ、ＦＲ−５材から構成され、
前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層は、それぞれＦＲ−４材から構成される、ことが好ましい。
【００１８】
前記第１積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される前記第３ビア導体を、複数有する、ことが好ましい。
【００１９】
前記第２積層部の最下層の層間絶縁層に形成され、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される前記第４ビア導体を、複数有する、ことが好ましい。
【００２１】
本発明に係る配線板は、
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板は、前記第１積層部の層間絶縁層及び前記第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板に形成された第１ビア導体と、前記第１積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第３ビア導体と、前記第２積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第４ビア導体とが、スタックされ、
前記コア基板には、前記スタックされない第２ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、
前記第１ビア導体は、前記スタックされた第３ビア導体及び第４ビア導体のいずれよりも太い。
本発明に係る配線板は、
第１面及び第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第１積層部と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を含む第２積層部と、
を有する配線板であって、
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、
前記コア基板に形成された第１ビア導体と、前記第１積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第３ビア導体と、前記第２積層部の少なくとも１つの層間絶縁層に形成された第４ビア導体とが、スタックされ、
前記コア基板には、前記スタックされない第２ビア導体が形成され、
前記第１ビア導体及び前記第２ビア導体の各々は、相互に略同一の太さを有し、
前記第１ビア導体は、前記スタックされた第３ビア導体及び第４ビア導体のいずれよりも太い。
【００２２】
前記第１積層部及び前記第２積層部はそれぞれ、少なくとも４組の層間絶縁層及び導体層を含み、
前記第１積層部には、４段以上の第３ビア導体から構成される第１スタック構造が形成され、
前記第２積層部には、４段以上の第４ビア導体から構成される第２スタック構造が形成される、ことが好ましい。
【００２３】
前記第１積層部の全層の第３ビア導体が第１スタック構造を構成し、前記第２積層部の全層の第４ビア導体が第２スタック構造を構成する、ことが好ましい。
【００２４】
前記第１スタック構造を構成する全ての第３ビア導体が互いに略同一の太さを有し、前記第２スタック構造を構成する全ての第４ビア導体が互いに略同一の太さを有する、ことが好ましい。
【００２５】
前記第１ビア導体は、めっきから構成され、
前記コア基板の前記第１面上には、第１金属箔及び第１めっきから構成される第１導体層が形成され、
前記コア基板の前記第２面上には、第２金属箔及び第２めっきから構成される第２導体層が形成され、
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する開口部にめっきが充填されることにより、前記第１ビア導体を構成する前記めっきと前記第１めっきと前記第２めっきとは、互いに一体的に形成される、ことが好ましい。
【００２６】
前記コア基板、前記第１金属箔、及び前記第２金属箔を貫通する前記開口部は、前記第１金属箔を貫通する第１開口部と、前記第２金属箔を貫通する第２開口部と、前記コア基板を貫通する第３開口部と、から構成され、
前記第３開口部は、前記第１面から前記第２面に向かって細くなるようにテーパしており、
前記第２開口部の幅は、前記第２面における前記第３開口部の幅よりも小さい、ことが好ましい。
【００２８】
前記コア基板、前記第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び前記第２積層部の最下層の層間絶縁層は、前記第１積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層、及び、前記第２積層部における前記最下層の層間絶縁層以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる、ことが好ましい。
【００２９】
前記第１積層部の最下層の層間絶縁層において前記第１ビア導体上にスタックされる第３ビア導体を複数有する、ことが好ましい。
【００３０】
前記第２積層部の最下層の層間絶縁層において前記第１ビア導体上にスタックされる第４ビア導体を複数有する、ことが好ましい。
【００３２】
本発明に係る配線板の製造方法は、
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに接続される複数の第１ビア導体から構成される導体群と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、第２層間絶縁層を形成することと、
前記第２層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む。
本発明に係る配線板の製造方法は、
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層に含まれる第１層間絶縁層と第２層間絶縁層以外の前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、それぞれ前記コア基板を貫通し、一端が共通の前記第１の面状導体パターンに接続され、他端が共通の前記第２の面状導体パターンに接続される複数の第１ビア導体から構成される導体群と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記導体群を構成しない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、前記第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第１の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の一端の外縁で区画される領域に接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、前記第２層間絶縁層を形成することと、
前記第２層間絶縁層を貫通し、一端が、前記第２の面状導体パターンの、前記導体群を構成する各第１ビア導体の他端の外縁で区画される領域に接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む。
【００３３】
本発明に係る配線板の製造方法は、
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第１の面状導体パターンに、他端が前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続される第１ビア導体と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記第１の面状導体パターン及び前記第２の面状導体パターンのいずれにも接続されない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第１層間絶縁層を貫通し、前記第１の面状導体パターンに接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、第２層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第２層間絶縁層を貫通し、前記第２の面状導体パターンに接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む。
本発明に係る配線板の製造方法は、
コア基板と、該コア基板の両面にそれぞれ積層された少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層と、を有する配線板の製造方法であって、
前記層間絶縁層に含まれる第１層間絶縁層と第２層間絶縁層以外の前記層間絶縁層を構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなり、第１面及び第２面を有するコア基板を準備することと、
前記コア基板の前記第１面上に位置する第１の面状導体パターンと、前記コア基板の前記第２面上に位置する第２の面状導体パターンと、前記コア基板を貫通し、一端が前記第１の面状導体パターンに、他端が前記第２の面状導体パターンに、それぞれ接続される第１ビア導体と、前記第１ビア導体と略同一の太さを有し、前記第１の面状導体パターン及び前記第２の面状導体パターンのいずれにも接続されない第２ビア導体と、を形成することと、
前記コア基板の前記第１面上及び前記第１の面状導体パターン上に、前記第１層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第１層間絶縁層を貫通し、前記第１の面状導体パターンに接続される第３ビア導体を形成することと、
前記コア基板の前記第２面上及び前記第２の面状導体パターン上に、前記第２層間絶縁層を形成することと、
前記第１ビア導体よりも細くて、前記第２層間絶縁層を貫通し、前記第２の面状導体パターンに接続される第４ビア導体を形成することと、
前記第３ビア導体を介して前記第１の面状導体パターンに電気的に接続される第１上層導体層を、前記第１層間絶縁層上に形成することと、
前記第４ビア導体を介して前記第２の面状導体パターンに電気的に接続される第２上層導体層を、前記第２層間絶縁層上に形成することと、
を含む。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、配線板における電気的接続の信頼性を向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施形態１に係る配線板を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線板のスルーホール及びスタック構造の配置を示す図である。
【図３】図１の一部を拡大して示す断面図である。
【図４Ａ】図１に示す配線板における第１の面状導体パターンと導体群と第３ビア導体との位置関係を示す図である。
【図４Ｂ】図１に示す配線板における第２の面状導体パターンと導体群と第４ビア導体との位置関係を示す図である。
【図５】図１に示す配線板でスタック構造を構成する導体群のビア導体を示す図である。
【図６】図１に示す配線板でスタック構造を構成するビア導体について、心材の突き出し量を示す図である。
【図７】導体群のないスタック構造を有する配線板（比較例）を示す図である。
【図８Ａ】６層、８層、及び１０層の配線板にかかる応力について、シミュレーションをした結果を示すグラフである。
【図８Ｂ】図８Ａに示すシミュレーション結果を数値で示す図である。
【図９】８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す図である。
【図１０Ａ】異なる材質のコア基板を有する配線板についてシミュレーションを行った結果を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示すシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１１】本発明の実施形態１に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】図１１に示す配線板の製造方法において、コア基板を準備する工程を説明するための図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの工程で準備されたコア基板に第１ビア導体及び第２ビア導体を形成し、コア基板上に導体層を形成する第１の工程を説明するための図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１２Ｄ】図１２Ｃの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１３Ａ】図１１に示す配線板の製造方法において、１段目の積層部を形成する第１の工程を説明するための図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１３Ｄ】図１３Ｃの工程の後の第４の工程を説明するための図である。
【図１４】図１１に示す配線板の製造方法において、２段目の積層部を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】図１１に示す配線板の製造方法において、３段目の積層部を形成する工程を説明するための図である。
【図１６】図１１に示す配線板の製造方法において、４段目の積層部及びスルーホールを形成する第１の工程を説明するための図である。
【図１７】図１６の工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１８】図１７の工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態２に係る配線板を示す断面図である。
【図２０】図１９の一部を拡大して示す断面図である。
【図２１Ａ】図１９に示す配線板におけるコア基板の第１ビア導体及びその上にスタックされる第３ビア導体の位置関係を示す図である。
【図２１Ｂ】図１９に示す配線板におけるコア基板の第１ビア導体及びその上にスタックされる第４ビア導体の位置関係を示す図である。
【図２２Ａ】本発明の他の実施形態において、コア基板の導体群を構成するビア導体の底面とその底面に接続されるコア基板上の導体層との境界に形成されて両者のめっきをつなげる開口部を有する配線板を示す図である。
【図２２Ｂ】本発明の他の実施形態において、コア基板の太いビア導体の底面とその底面に接続されるコア基板上の導体層との境界に形成されて両者のめっきをつなげる開口部を有する配線板を示す図である。
【図２３Ａ】図２２Ａに示す配線板の製造方法の第１の工程を説明するための図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａの工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図２３Ｃ】図２３Ｂの工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図２４Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群を構成するビア導体の底面とその底面に接続されるコア基板上の導体層との境界に形成されて両者のめっきをつなげる開口部の幅が、そのビア導体の底面の幅よりも小さい例を示す図である。
【図２４Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体の底面とその底面に接続されるコア基板上の導体層との境界に形成されて両者のめっきをつなげる開口部の幅が、その太いビア導体の底面の幅よりも小さい例を示す図である。
【図２５Ａ】図２４Ａ又は図２４Ｂの例における、めっきをつなげる開口部の第１の例を示す図である。
【図２５Ｂ】図２４Ａ又は図２４Ｂの例における、めっきをつなげる開口部の第２の例を示す図である。
【図２６Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、第１の面状導体パターンと導体群と第３ビア導体との位置関係を示す図である。
【図２６Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、第２の面状導体パターンと導体群と第４ビア導体との位置関係を示す図である。
【図２７Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、導体群を構成する第１ビア導体の数が３本である例を示す図である。
【図２７Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、導体群を構成する第１ビア導体の数が４本である例を示す図である。
【図２８Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群の片側のみにスタックされるビア導体の数が複数である例を示す図である。
【図２８Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群の両側にそれぞれスタックされるビア導体の数が複数である例を示す図である。
【図２９Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群と、その導体群の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第１の位置関係を示す図である。
【図２９Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群と、その導体群の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第２の位置関係を示す図である。
【図２９Ｃ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の導体群と、その導体群の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第３の位置関係を示す図である。
【図３０Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板におけるコア基板の太いビア導体及びその上にスタックされる第３ビア導体の位置関係を示す図である。
【図３０Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板におけるコア基板の太いビア導体及びその上にスタックされる第４ビア導体の位置関係を示す図である。
【図３１Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体の片側のみにスタックされるビア導体の数が複数である例を示す図である。
【図３１Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体の両側にそれぞれスタックされるビア導体の数が複数である例を示す図である。
【図３２Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体と、そのビア導体の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第１の位置関係を示す図である。
【図３２Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体と、そのビア導体の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第２の位置関係を示す図である。
【図３２Ｃ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板の太いビア導体と、そのビア導体の一端に接続される面状導体パターンと、その面状導体パターンに接続される複数のビア導体と、の第３の位置関係を示す図である。
【図３３Ａ】本発明の他の実施形態において、コア基板のビア導体、積層部のビア導体、及び配線板全体を貫通するスルーホールの平面形状の第１の例を示す図である。
【図３３Ｂ】本発明の他の実施形態において、コア基板のビア導体、積層部のビア導体、及び配線板全体を貫通するスルーホールの平面形状の第２の例を示す図である。
【図３３Ｃ】本発明の他の実施形態において、コア基板のビア導体、積層部のビア導体、及び配線板全体を貫通するスルーホールの平面形状の第３の例を示す図である。
【図３４Ａ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板、第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び第２積層部の最下層の層間絶縁層が、それ以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる第１の例を示す図である。
【図３４Ｂ】本発明の他の実施形態に係る配線板において、コア基板、第１積層部の最下層の層間絶縁層、及び第２積層部の最下層の層間絶縁層が、それ以外の層間絶縁層のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる第２の例を示す図である。
【図３５】本発明の他の実施形態に関し、電子部品が表面に実装された配線板を示す図である。
【図３６】本発明の他の実施形態に係る配線板において、最外層のビア導体がコンフォーマル導体である例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、配線板のコアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【００３７】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００３８】
開口部には、孔及び溝のほか、切欠及び切れ目等も含まれる。
【００３９】
開口部内に形成される導体のうち、ビアホール内に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内に形成される導体をスルーホール導体といい、開口部の壁面（側面及び底面）に形成された導体膜をコンフォーマル導体といい、開口部に充填された導体をフィルド導体という。
【００４０】
ランドは、孔（ビアホール又はスルーホール等）の上又は縁部に形成される導体であり、少なくとも一部が孔内の導体（ビア導体又はスルーホール導体等）と一体的に形成される。
【００４１】
スタックとは、ビア導体が、その下層に形成されたビア導体のランド上に形成されていることをいう。すなわち、ビア導体の底面が、その下層のビア導体のランドからはみ出さなければ、スタックされていることになる。
【００４２】
めっきには、電解めっき又は無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００４３】
ＦＲは、プリント配線板の部材である銅張積層板の難燃性（耐熱性）を示す指標であり、「ＦＲ−Ｘ」（Ｘ：１〜６の整数）と記述され、「Ｘ」の数字が大きいほど難燃性が高い。
【００４４】
孔又は柱体（突起）の「幅（又は太さ）」は、特に指定がなければ、円の場合には直径を意味し、円以外の場合には２√（断面積／π）を意味する。ただし、他の寸法を指すことを明記している場合は、この限りでない。また、寸法が均一でない場合（凹凸がある場合又はテーパしている場合など）は、原則として、その寸法の平均値（異常値を除いた有効値のみの平均）を用いる。ただし、最大値など、平均値以外の値を用いることを明記している場合は、この限りでない。
【００４５】
（実施形態１）
本実施形態に係る配線板１００は、例えば図１に示すような多層プリント配線板である。本実施形態の配線板１００は、両面リジッド配線板である。ただし、本発明に係る配線板は、リジッド配線板には限定されず、例えばフレキシブル配線板又はフレックスリジッド配線板であってもよい。また、配線板１００において、導体層及び絶縁層の寸法、層数等は、任意に変更することができる。
【００４６】
配線板１００は、図１に示すように、コア絶縁層１０ａ（コア基板）と、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ（層間絶縁層）と、導体層１１ａ、１１ｂ、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１と、ビア導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２と、を有する。コア絶縁層１０ａは、第１面Ｆ１（Ｚ１側）及びその反対側の第２面Ｆ２（Ｚ２側）を有し、ビア導体１２は、コア絶縁層１０ａを貫通する。コア絶縁層１０ａ、ビア導体１２、及び導体層１１ａ、１１ｂは、コア部に相当する。また、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上には、ビルドアップ部Ｂ１（第１積層部）が形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上には、ビルドアップ部Ｂ２（第２積層部）が形成される。ビルドアップ部Ｂ１は、４組の層間絶縁層及び導体層（絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ及び導体層２１、４１、６１、８１）を含み、ビルドアップ部Ｂ２は、４組の層間絶縁層及び導体層（絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ及び導体層３１、５１、７１、９１）を含む。
【００４７】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側には、５層の導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１と４層の絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａとが交互に積層される。絶縁層２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａはそれぞれ、導体層１１ａ、２１、４１、６１、８１の各層間に形成される。
【００４８】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側には、５層の導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１と４層の絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａとが交互に積層される。絶縁層３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａはそれぞれ、導体層１１ｂ、３１、５１、７１、９１の各層間に形成される。
【００４９】
コア絶縁層１０ａには、コア絶縁層１０ａを貫通する孔１２ａが形成される。ビア導体１２は、フィルド導体であり、孔１２ａに導体が充填されて構成される。コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に形成される導体層１１ａとコア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に形成される導体層１１ｂとは、ビア導体１２を介して、互いに電気的に接続される。
【００５０】
コア絶縁層１０ａは、例えばＦＲ−５材から構成される。コア絶縁層１０ａは、例えば心材を樹脂含浸してなる。ＦＲ−５材は、例えばガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施したものを板状にすることで、形成することができる。ただしこれに限定されず、コア絶縁層１０ａの材料は任意である。
【００５１】
ビア導体１２の形状は、例えばコア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１から第２面Ｆ２に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、ビア導体１２の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体１２の形状は任意である。
【００５２】
絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａには、それぞれビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２が形成される。これらビア導体２２等はそれぞれ、フィルド導体であり、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａに導体が充填されて構成される。ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２の形状はそれぞれ、例えばコア絶縁層１０ａに向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、その平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は例えば真円である。しかしこれに限定されず、ビア導体２２等の形状は任意である。
【００５３】
絶縁層２０ａ（第１積層部の最下層の層間絶縁層）、絶縁層３０ａ（第２積層部の最下層の層間絶縁層）、及びこれらよりも上層の絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａはそれぞれ、例えばＦＲ−４材から構成される。これらの絶縁層はそれぞれ、例えば心材を樹脂含浸してなる。ＦＲ−４材は、例えばガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませて熱硬化処理を施したものを板状にすることで、形成することができる。ただしこれに限定されず、各絶縁層の材料は任意である。
【００５４】
本実施形態の配線板１００には、図１に示すように、配線板１００の全層を貫通するスルーホール１０２ａが形成される。スルーホール１０２ａは、配線板１００をＺ方向（積層方向）に貫通する。本実施形態では、スルーホール導体１０２の一端が、最外層の導体層８１（詳しくは、導体層８１に含まれるランド８１ａ）に接続され、スルーホール導体１０２の他端が、最外層の導体層９１（詳しくは、導体層９１に含まれるランド９１ａ）に接続される。
【００５５】
スルーホール１０２ａは、例えば図２に示すように、配線板１００の周縁部に配置される。スルーホール１０２ａの形状は、例えば円柱であり、スルーホール１０２ａの開口形状は、例えば図２に示すように、長円である。スルーホール１０２ａの開口形状が長円であることで、Ｘ−Ｙ平面における広い領域の強度を効果的に向上させることができると考えられる。ただしこれに限られず、スルーホール１０２ａの数、開口形状、及び配置等は任意である。
【００５６】
本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面に、スルーホール導体１０２が形成される。スルーホール導体１０２は、コンフォーマル導体からなる。コンフォーマル導体は、スルーホール１０２ａに導体が充填されるフィルド導体とは異なり、スルーホール１０２ａの壁面のみに導体を有するため、スルーホール１０２ａ内に空洞が形成され、配線板１００の歪みが緩和され易くなる。ただしこれに限定されず、コンフォーマル導体に代えて、フィルド導体を用いてもよい。
【００５７】
図３に、本実施形態に係る配線板１００のスタック構造を拡大して示す。また、図４Ａに、本実施形態の配線板１００における第１の面状導体パターンと導体群と第３ビア導体との位置関係（詳しくは、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの位置関係）を示し、図４Ｂに、本実施形態の配線板１００における第２の面状導体パターンと導体群と第４ビア導体との位置関係（詳しくは、Ｘ−Ｙ平面に投影したときの位置関係）を示す。
【００５８】
図３、図４Ａ、及び図４Ｂに示されるように、本実施形態の配線板１００では、コア絶縁層１０ａに形成された複数（例えば２つ）のビア導体１２で、導体群１２ｇが形成される。以下、導体群１２ｇを構成するビア導体１２を、ビア導体１２ｓという。
【００５９】
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上には、ビア導体１２ｓのランド１１１ｓ（第１の面状導体パターン）が形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上には、ビア導体１２ｓのランド１１２ｓ（第２の面状導体パターン）が形成される。ランド１１１ｓは導体層１１ａに含まれ、ランド１１２ｓは導体層１１ｂに含まれる。導体層１１ａには、ランド１１１ｓと一体的に形成される配線１１ｗ等も含まれる。ランド１１１ｓ、１１２ｓの形状は、例えば図３、図４Ａ、及び図４Ｂに示すような楕円板状である。
【００６０】
導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々は、一端（上面Ｆ１２１）が共通のランド１１１ｓ（第１の面状導体パターン）に、他端（底面Ｆ１２２）が共通のランド１１２ｓ（第２の面状導体パターン）に、それぞれ接続される。ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１は、ビア導体１２ｓとランド１１１ｓとの境界面に相当し、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２は、ビア導体１２ｓとランド１１２ｓとの境界面に相当する。すなわち、本実施形態に係る配線板１００のコア部では、２つの平板（ランド１１１ｓ、１１２ｓ）が、複数（例えば２つ）の柱（ビア導体１２ｓ）を介して、相互に接続される。
【００６１】
ビルドアップ部Ｂ１の最下層の絶縁層２０ａには複数のビア導体２２が形成され、ビルドアップ部Ｂ２の最下層の絶縁層３０ａには複数のビア導体３２が形成される。本実施形態では、図３及び図４Ａに示すように、ビア導体２２の１つ（以下、ビア導体２２ｓという）の一端（底面Ｆ２２２）が、ランド１１１ｓ（第１の面状導体パターン）の、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の一端（上面Ｆ１２１）の外縁で区画される領域Ｒ１１に接続される。また、図３及び図４Ｂに示すように、ビア導体３２の１つ（以下、ビア導体３２ｓという）の一端（底面Ｆ３２２）が、ランド１１２ｓ（第２の面状導体パターン）の、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の他端（底面Ｆ１２２）の外縁で区画される領域Ｒ１２に接続される。
【００６２】
領域Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ、例えば接線等の補助線によって区画される。本実施形態では、領域Ｒ１１及びＲ１２の境界が、例えばビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１及び底面Ｆ１２２の形状（例えば円）に対して引いた接線で決まる。図４Ａ及び図４Ｂに示す例では、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の全体が領域Ｒ１１内に含まれ、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の全体が領域Ｒ１２内に含まれる。
【００６３】
本実施形態では、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ビア導体２２ｓ及び３２ｓがそれぞれ、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの間（例えば中間）に位置する。また、ランド１１１ｓ上のビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２は、ランド１１１ｓ上に投影した２つのビア導体１２ｓの各上面Ｆ１２１の外縁で区画される領域Ｒ１１内に完全に含まれる。また、ランド１１２ｓ上のビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２は、ランド１１２ｓ上に投影した２つのビア導体１２ｓの各底面Ｆ１２２の外縁で区画される領域Ｒ１２内に完全に含まれる。
【００６４】
さらに、本実施形態では、図１及び図３に示すように、ビア導体２２ｓ（第３ビア導体）上に、ビルドアップ部Ｂ１（第１積層部）の絶縁層４０ａ、６０ａ、８０ａ（それぞれ層間絶縁層）に形成されたビア導体４２、６２、８２の各１つ（以下、それぞれビア導体４２ｓ、６２ｓ、８２ｓという）がスタックされることにより、ビルドアップ部Ｂ１には、４段のビア導体から構成される第１スタック構造Ｓ１が形成される。また、図１及び図３に示すように、ビア導体３２ｓ（第４ビア導体）上に、ビルドアップ部Ｂ２（第２積層部）の絶縁層５０ａ、７０ａ、９０ａ（それぞれ層間絶縁層）に形成されたビア導体５２、７２、９２の各１つ（以下、それぞれビア導体５２ｓ、７２ｓ、９２ｓという）がスタックされることにより、ビルドアップ部Ｂ２には、４段のビア導体から構成される第２スタック構造Ｓ２が形成される。ビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓは、例えば同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。ただし、これらビア導体２２等が、同軸（Ｚ軸）上にスタックされることは必須ではない。
【００６５】
本実施形態では、ビルドアップ部Ｂ１（第１積層部）の全層のビア導体２２ｓ、４２ｓ、６２ｓ、８２ｓが第１スタック構造Ｓ１を構成し、ビルドアップ部Ｂ２（第２積層部）の全層のビア導体３２ｓ、５２ｓ、７２ｓ、９２ｓが第２スタック構造Ｓ２を構成する。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。その結果、高密度配線を実現し易くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。
【００６６】
第１スタック構造Ｓ１及び第２スタック構造Ｓ２の各々では、隣接するフィルド導体同士が密着（接触）し、互いに導通する。また、第１スタック構造Ｓ１と第２スタック構造Ｓ２とは、コア部における導体群１２ｇ及びランド１１１ｓ、１１２ｓを介して、互いに電気的に接続される。導体群１２ｇの一側（詳しくは、ランド１１１ｓ上）には、第１スタック構造Ｓ１を構成するビア導体２２ｓがスタックされ、導体群１２ｇの他側（詳しくは、ランド１１２ｓ上）には、第２スタック構造Ｓ２を構成するビア導体３２ｓがスタックされる。以下、コア部の導体群１２ｇと、ビルドアップ部Ｂ１の第１スタック構造Ｓ１と、ビルドアップ部Ｂ２の第２スタック構造Ｓ２と、によって構成されるスタック構造を、スタック構造Ｓという。スタック構造Ｓは、配線板１００の全層の層間に形成された導体（ビア導体１２ｓ、２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓ）がスタックされて構成されている。以下、こうした配線板の全層にわたるスタック構造を、フルスタック構造という。スタック構造Ｓは、配線板１００の両面の最外導体層、すなわち導体層８１と導体層９１とを相互に電気的に接続する。
【００６７】
本実施形態では、１つのスタック構造Ｓが、例えば図２に示すように、配線板１００の中央に配置される。なお、スタック構造Ｓの配置や数は、任意である。例えばスタック構造Ｓが複数あってもよい。
【００６８】
図３に示すように、導体層１１ａ（ランド１１１ｓ及び配線１１ｗを含む）は、金属箔１１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜１１１ｂと、例えば銅の電解めっき１１１ｃと、から構成される。導体層２１（ランド２１１ｓを含む）は、金属箔２１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜２１１ｂと、例えば銅の電解めっき２１１ｃと、から構成される。導体層４１（ランド４１１ｓを含む）は、金属箔４１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜４１１ｂと、例えば銅の電解めっき４１１ｃと、から構成される。導体層６１（ランド６１１ｓを含む）は、金属箔６１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜６１１ｂと、例えば銅の電解めっき６１１ｃと、から構成される。導体層８１（ランド８１１ｓを含む）は、金属箔８１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜８１１ｂと、例えば銅の電解めっき８１１ｃと、から構成される。
【００６９】
図３に示すように、導体層１１ｂ（ランド１１２ｓを含む）は、金属箔１１２ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜１１２ｂと、例えば銅の電解めっき１１２ｃと、から構成される。導体層３１（ランド３１１ｓを含む）は、金属箔３１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜３１１ｂと、例えば銅の電解めっき３１１ｃと、から構成される。導体層５１（ランド５１１ｓを含む）は、金属箔５１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜５１１ｂと、例えば銅の電解めっき５１１ｃと、から構成される。導体層７１（ランド７１１ｓを含む）は、金属箔７１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜７１１ｂと、例えば銅の電解めっき７１１ｃと、から構成される。導体層９１（ランド９１１ｓを含む）は、金属箔９１１ａ（例えば銅箔）と、例えば銅の無電解めっき膜９１１ｂと、例えば銅の電解めっき９１１ｃと、から構成される。
【００７０】
図３に示すように、ビア導体１２（導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓを含む）の各々は、孔１２ａの壁面上に形成された無電解めっき膜１１０ｂと、孔１２ａにおける無電解めっき膜１１０ｂの内側に充填された電解めっき１１０ｃと、から構成される。
【００７１】
また、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２（それぞれビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓを含む）はそれぞれ、ビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａの壁面上及び底面上に形成された無電解めっき膜２１１ｂ、３１１ｂ、４１１ｂ、５１１ｂ、６１１ｂ、７１１ｂ、８１１ｂ、９１１ｂと、各ビアホールにおける各無電解めっき膜の内側に充填された電解めっき２１１ｃ、３１１ｃ、４１１ｃ、５１１ｃ、６１１ｃ、７１１ｃ、８１１ｃ、９１１ｃと、から構成される。
【００７２】
ビアホール１２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａはそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で穴開けを行うことによって形成され、絶縁層の他側からその導体層に至る（例えば、後述の図１２Ｂ、図１２Ｃ、図１３Ｂ、図１７を参照）。ビア導体１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２はそれぞれ、絶縁層の一側に導体層がある状態で形成されるため、ビア導体と絶縁層の一側の導体層とは、非連続になり、両者の間には界面が形成される。
【００７３】
具体的には、例えば図３に示されるように、無電解めっき膜２１１ｂ及び電解めっき２１１ｃは、ビア導体２２とその上層側の導体層２１との両方にわたって連続して（切れ目なく）形成される。そして、ビア導体１２、４２、６２、８２も、これと同様の構造を有する。一方、ビア導体１２とその底面の導体層１１ｂとの間、ビア導体２２とその下層側の導体層１１ａとの間、ビア導体４２とその下層側の導体層２１との間、ビア導体６２とその下層側の導体層４１との間、及びビア導体８２とその下層側の導体層６１との間にはそれぞれ、界面（切れ目）が形成され、ビア導体とその下層側の導体層とは不連続になる。
【００７４】
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に関しては、無電解めっき膜３１１ｂ及び電解めっき３１１ｃが、ビア導体３２とその上層側の導体層３１との両方にわたって連続して（切れ目なく）形成される。そして、ビア導体５２、７２、９２も、これと同様の構造を有する。一方、ビア導体３２とその下層側の導体層１１ｂとの間、ビア導体５２とその下層側の導体層３１との間、ビア導体７２とその下層側の導体層５１との間、及びビア導体９２とその下層側の導体層７１との間にはそれぞれ、界面（切れ目）が形成され、ビア導体とその下層側の導体層とは不連続になる。
【００７５】
図５に示されるビア導体１２ｓの寸法のうち、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の幅Ｄ１（直径）は、例えば１００μｍであり、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の幅Ｄ２（直径）は、例えば８０μｍである。
【００７６】
本実施形態では、コア絶縁層１０ａに形成される全てのビア導体１２（導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓを含む）が、互いに略同じ寸法を有する。すなわち、本実施形態では、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々と、導体群１２ｇを構成しないビア導体１２とが、略同一の太さ（幅）を有する。こうした構造によれば、電気的特性又は製造条件等を均一にし易くなる。
【００７７】
本実施形態では、ビア導体２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２（それぞれビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓを含む）の各々が、コア絶縁層１０ａに形成されたビア導体１２と略同じ寸法を有する。すなわち、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々と、ビア導体２２ｓ（第３ビア導体）と、ビア導体３２ｓ（第４ビア導体）とは、略同一の太さを有する。こうした構造によれば、電気的特性又は製造条件等を均一にし易くなる。ただしこれに限られず、これらのビア導体は、コア基板のビア導体１２と異なる寸法を有していてもよい。
【００７８】
本実施形態では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）、絶縁層２０ａ（第１積層部の最下層の層間絶縁層）、及び絶縁層３０ａ（第２積層部の最下層の層間絶縁層）がそれぞれ、心材を樹脂含浸してなる。そして、図６に示すように、コア絶縁層１０ａに形成されたビア導体１２ｓの側面における心材の突き出し量Ｄ１０１（複数ある場合は平均的な値）は、絶縁層２０ａに形成されたビア導体２２ｓ（第３ビア導体）の側面における心材の突き出し量Ｄ１０２（複数ある場合は平均的な値）、及び、絶縁層３０ａに形成されたビア導体３２ｓ（第４ビア導体）の側面における心材の突き出し量Ｄ１０３（複数ある場合は平均的な値）のいずれよりも大きい。
【００７９】
こうした構造によれば、コア部において、ビアホール内の表面積（ひいては、ビア導体と層間絶縁層との接触面積）が大きくなるため、ビア導体と層間絶縁層との密着性が向上する。また、心材のＣＴＥ（熱膨張係数）は、層間絶縁層を構成する樹脂のＣＴＥよりも小さくて、ビア導体のＣＴＥに近いため、コア部におけるビア導体の底面でのクラック発生率を低減し易くなると考えられる。
【００８０】
好ましい一例では、突き出し量Ｄ１０１及びＤ１０２及びＤ１０３はそれぞれ、約１〜約３μｍの範囲にある。
【００８１】
以下、比較例を用いて、本実施形態の配線板１００の特性について説明する。
【００８２】
図７に、比較例に係る配線板を示す。図７に示す配線板は、フルスタック構造を有する。ただし、図７に示す配線板のスタック構造Ｓは、ビア導体１０ｓ、２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓが、同軸（Ｚ軸）上に１つずつスタックされて構成される。すなわち、図７に示す配線板のスタック構造Ｓは、コア部に導体群を有さない。この点で、図７に示す比較例に係る配線板と、図１に示した本実施形態の配線板１００とは異なる。なお、図７では、図１に示した要素と同一の要素に各々同一の符号を付して示している。
【００８３】
比較例に係る配線板についてシミュレーションを行った結果を、図８Ａ〜図９に示す。
【００８４】
図８Ａ及び図８Ｂは、６層、８層、及び１０層の配線板（６層品、８層品、１０層品）にかかる応力（特にヒートサイクルによる熱応力）について、シミュレーションをした結果を示す図である。１０層品は、図７に示す構造を有する配線板であり、８層品は、１０層品から両面の最外層（絶縁層８０ａ、９０ａ及び導体層８１、９１）がなくなった配線板であり、６層品は、１０層品から両面の最外２層（絶縁層６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ及び導体層６１、７１、８１、９１）がなくなった配線板である。図８Ａ中、線Ｌ１は、６層品に係るデータであり、線Ｌ２は、８層品に係るデータであり、線Ｌ３は、１０層品に係るデータである。
【００８５】
図８Ａ及び図８Ｂに示されるように、６層品、８層品、及び１０層品のいずれにおいても、コアにかかる応力が最も大きく、コアから離れるほど応力は小さくなる。また、６層品、８層品、及び１０層品の各々にかかる応力を比較すると、１０層品における応力が最も大きく、次に８層品における応力が大きく、６層品における応力が最も小さい。このことから、層数が多くなるほど、配線板における応力は大きくなると推察される。
【００８６】
図９に、８層品、１０層品の各層におけるクラック占有率について、シミュレーションをした結果を示す。
【００８７】
図９に示されるように、クラックの大半は、コア（コア基板）に集中すると考えられる。これにより、コア部における接続信頼性の低下が懸念される。また上述のように、層数が多くなるほど配線板における応力は大きくなると考えられるため、コア部周辺におけるクラックの発生は、配線板の層数が多くなるほど深刻になると考えられる。
【００８８】
この点、本実施形態の配線板１００は、コア基板（コア絶縁層１０ａ）に、コア基板を貫通する複数のビア導体１２ｓから構成される導体群１２ｇが形成され、ビア導体１２ｓの各々は、一端（上面Ｆ１２１）が共通の第１の面状導体パターン（ランド１１１ｓ）に、他端（底面Ｆ１２２）が共通の第２の面状導体パターン（ランド１１２ｓ）に、それぞれ接続される。そして、絶縁層２０ａ（コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上の層間絶縁層）に形成された第３ビア導体（ビア導体２２ｓ）の一端（底面Ｆ２２２）は、第１の面状導体パターンの、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の一端（上面Ｆ１２１）の外縁で区画される領域Ｒ１１に接続され（図４Ａ参照）、絶縁層３０ａ（コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上の層間絶縁層）に形成された第４ビア導体（ビア導体３２ｓ）の一端（底面Ｆ３２２）は、第２の面状導体パターンの、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々の他端（底面Ｆ１２２）の外縁で区画される領域Ｒ１２に接続される（図４Ｂ参照）。こうした構造では、コア基板に、複数のビア導体１２ｓから構成される導体群１２ｇが形成されるため、大きな応力が生じ易いコア部の強度又は放熱性が向上する。その結果、熱応力が小さくなり、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２でのクラック、又は底面Ｆ１２２と導体層１１ｂとのデラミネーションが、生じにくくなると考えられる。また、コア部の放熱性が高まることにより、配線板の耐熱性は向上すると考えられる。また、第１の面状導体パターン（ランド１１１ｓ）と第２の面状導体パターン（ランド１１２ｓ）とが複数のビア導体１２ｓを介して接続されるため、１本のビア導体を介して接続される場合よりも、導通抵抗が低くなる。
【００８９】
本実施形態の配線板１００では、コア基板（コア絶縁層１０ａ）が、第１積層部（ビルドアップ部Ｂ１）の層間絶縁層及び第２積層部（ビルドアップ部Ｂ２）の層間絶縁層（絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ）のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなる。すなわち、コア基板の耐熱性を選択的に高めている。具体的には、コア絶縁層１０ａが、ＦＲ−５材から構成され、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａがそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される。こうした構造では、大きな応力が生じ易いコア部の耐熱性が向上する。その結果、コア部に生じる熱応力が小さくなると考えられる。以下、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、このことについて説明する。
【００９０】
図１０Ａ及び図１０Ｂはそれぞれ、図１に示した構造を有する配線板（試料Ａ〜試料Ｆ）についてシミュレーションを行った結果を示す図である。ただし、試料Ａ〜試料Ｃでは、本実施形態の配線板１００とは異なり、コア絶縁層１０ａ及び絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａがそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される。一方、試料Ｄ〜試料Ｆでは、本実施形態の配線板１００と同様、コア絶縁層１０ａが、ＦＲ−５材から構成され、絶縁層２０ａ、３０ａ、４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａがそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される。
【００９１】
シミュレーションでは、試料Ａ、Ｄについてそれぞれ、温度２５℃の状態から加熱して温度１５０℃にしたときに生じた応力を求めた。また、試料Ｂ、Ｅについてはそれぞれ、温度２５℃の状態から加熱して温度６０℃にしたときに生じた応力を求めた。また、試料Ｃ、Ｆについてはそれぞれ、温度２５℃の状態から加熱して温度４５℃にしたときに生じた応力を求めた。
【００９２】
図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるように、上記加熱により生じたコア基板にかかる応力は、試料Ａで２１５ＭＰａであり、試料Ｂで２０８ＭＰａであり、試料Ｃで１４７ＭＰａであり、試料Ｄで１３９ＭＰａであり、試料Ｅで１０４ＭＰａであり、試料Ｆで７４ＭＰａであった。このように、いずれの加熱においても、コア基板がＦＲ−４材から構成される配線板（試料Ａ〜試料Ｃ）よりも、コア基板がＦＲ−５材から構成される配線板（試料Ｄ〜試料Ｆ）の方が、応力が小さくなった。このことから、コア基板の材料の耐熱性を、コア基板の両面に積層される第１積層部の層間絶縁層及び第２積層部の層間絶縁層のいずれを構成する材料の耐熱性よりも高くすることで、コア部に生じる熱応力を小さくすることができると考えられる。
【００９３】
また、本実施形態の配線板１００は、スルーホール導体１０２を有する。スルーホール導体１０２によれば、配線板１００の全層が平均的に補強されるため、コア基板の上層（絶縁層２０ａ〜９０ａ）におけるクラックの発生が抑制されると考えられる。
【００９４】
また、本実施形態の配線板１００は、スタック構造Ｓを有する。スタック構造Ｓにより、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。その結果、高密度配線を実現し易くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、配線長の短縮を図ることができる。
【００９５】
以上説明したように、本実施形態の配線板１００に係る上記構造によれば、高い信頼性の電気的接続、高放熱性、低導通抵抗、及び高密度配線を有するプリント配線板が得られると考えられる。
【００９６】
本実施形態の配線板１００では、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１側に形成される導体層の層数及びコア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２側に形成される導体層の層数がそれぞれ、５層以上である。本実施形態の配線板１００では、上記構造により層間の電気的接続の信頼性が向上するため、こうした多層配線板についても、高い歩留まりで製造することが可能になる。ただしこれに限定されず、上記構造が適用される配線板の層数（導体層の数）は任意である。
【００９７】
以下、本実施形態に係る配線板１００の製造方法について説明する。配線板１００は、例えば図１１に示すような手順で製造される。
【００９８】
ステップＳ１１では、コア基板が準備される。
【００９９】
具体的には、図１２Ａに示すように、両面銅張積層板１０００（出発材料）を準備する。両面銅張積層板１０００は、コア絶縁層１０ａ（コア基板）と、金属箔１１１ａ及び１１２ａ（それぞれ例えば銅箔）と、を有する。コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上には金属箔１１１ａが形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上には金属箔１１２ａが形成される。コア絶縁層１０ａは、例えば完全に硬化したＦＲ−５材から構成される。
【０１００】
本実施形態では、例えばエッチングで厚さを調整することなく、はじめから所定の厚さ（例えば７．５μｍ）の金属箔１１１ａ、１１２ａをコア絶縁層１０ａに貼り付ける。ただしこれに限られず、金属箔１１１ａ、１１２ａの形成方法は任意である。例えば比較的厚い（例えば１２μｍ）金属箔をコア絶縁層１０ａに貼り付けた後、その金属箔をハーフエッチングすることで、所定の厚さ（例えば７．５μｍ）の金属箔１１１ａ、１１２ａを得てもよい。
【０１０１】
また、本実施形態では、出発材料である両面銅張積層板１０００の金属箔１１１ａ及び１１２ａの厚さが５μｍ以上である。こうした寸法にすることで、両面銅張積層板１０００の強度が高まり、そのハンドリング性が向上すると考えられる。ただし、金属箔１１１ａ及び１１２ａの厚さは、この範囲に限定されず、適宜変更してもよい。
【０１０２】
続けて、図１１のステップＳ１２では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）に導体群を形成するとともに、コア絶縁層１０ａ（コア基板）の両面にそれぞれ導体層を形成する。
【０１０３】
具体的には、図１２Ｂに示すように、例えばレーザにより、金属箔１１１ａ及びコア絶縁層１０ａを貫通し、金属箔１１２ａを貫通しない開口部１１０ｄを形成する。開口部１１０ｄは、金属箔１１１ａを貫通する開口部１１１ｄと、コア絶縁層１０ａを貫通する孔１２ａと、から構成される。開口部１１０ｄの形成後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１０４】
続けて、図１２Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１１１ａ上、及び開口部１１０ｄ内にめっき１００１を形成し、金属箔１１２ａ上に、めっき１００２を形成する。これにより、開口部１１０ｄには、めっき１００１が充填される。その結果、ビア導体１２（導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓを含む）が形成される。コア絶縁層１０ａには、ビア導体１２ｓ（第１ビア導体）と一緒に、ビア導体１２ｓと略同一の太さを有し、導体群１２ｇを構成しないビア導体１２（第２ビア導体）も形成される。
【０１０５】
めっき１００１は、例えば、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。めっき１００１は、図３に示す無電解めっき膜１１０ｂ、１１１ｂと電解めっき１１０ｃ、１１１ｃとを構成し、めっき１００２は、図３に示す無電解めっき膜１１２ｂと電解めっき１１２ｃとを構成する。
【０１０６】
無電解めっきのめっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液などを用いることができる。また、電解めっきのめっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。
【０１０７】
続けて、図１２Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、コア絶縁層１０ａの両面の導体層をパターニングする。これにより、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に導体層１１ａが形成され、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に導体層１１ｂが形成される。導体層１１ａにはランド１１１ｓが含まれ、導体層１１ｂにはランド１１２ｓが含まれる。ランド１１１ｓとランド１１２ｓとは、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓを介して、相互に接続される。
【０１０８】
上記のように、本実施形態では、開口部１１０ｄ（開口部１１１ｄ及び孔１２ａ）の形成後に、ビア導体１２及び導体層１１ａ、１１ｂを形成するためのめっきが行われる。
【０１０９】
続けて、図１１のステップＳ１３では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）の第１面Ｆ１上及び第２面Ｆ２上の各々に、１組の層間絶縁層及び導体層（第１積層部及び第２積層部の１段目）を形成する。層間絶縁層にはビア導体が形成され、層間絶縁層上の導体層とコア基板上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。
【０１１０】
具体的には、例えば図１３Ａに示すように、コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上及び導体層１１ａ上に、絶縁層２０ａ（層間絶縁層）と、金属箔１０１１（例えば銅箔）とを、この順で配置し、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上及び導体層１１ｂ上に、絶縁層３０ａ（層間絶縁層）と、金属箔１０１２（例えば銅箔）とを、この順で配置する。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａはそれぞれ、ＦＲ−４材のプリプレグ（半硬化状態の接着シート）からなる。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。その後、必要に応じて、金属箔１０１１及び１０１２をハーフエッチングする。以下、こうして得られた図１３Ａに示す配線板を、配線板１０００ａという。
【０１１１】
続けて、配線板１０００ａをＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、配線板１０００ａは一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１１２】
続けて、例えば図１３Ｂに示すように、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａを形成し、絶縁層３０ａにビアホール３２ａを形成する。ビアホール２２ａの底面（図４Ａに示すビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２に相当）は、ランド１１１ｓの、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の一端（上面Ｆ１２１）の外縁で区画される領域Ｒ１１（図４Ａ参照）内に配置され、ビアホール３２ａの底面（図４Ｂに示すビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２に相当）は、ランド１１２ｓの、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の他端（底面Ｆ１２２）の外縁で区画される領域Ｒ１２（図４Ｂ参照）内に配置される。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１１３】
続けて、図１３Ｃに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１０１１上及びビアホール２２ａ内にめっき１０１３を形成し、金属箔１０１２上及びビアホール３２ａ内にめっき１０１４を形成する。めっき１０１３、１０１４は、例えば図１２Ｃの工程と同様、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。これにより、ビアホール２２ａ、３２ａには、それぞれめっき１０１３、１０１４が充填される。その結果、ビア導体２２及び３２が形成される。ビア導体２２は、図４Ａに示すような配置を有し、ビア導体３２は、図４Ｂに示すような配置を有する。すなわち、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２は、ランド１１１ｓの、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の一端（上面Ｆ１２１）の外縁で区画される領域Ｒ１１（図４Ａ参照）に接続され、ビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２は、ランド１１２ｓの、導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓの各々の他端（底面Ｆ１２２）の外縁で区画される領域Ｒ１２（図４Ｂ参照）に接続される。
【０１１４】
続けて、図１３Ｄに示すように、例えばリソグラフィ技術により、絶縁層２０ａ上の導体層と絶縁層３０ａ上の導体層とをそれぞれパターニングする。これにより、絶縁層２０ａ上に導体層２１が形成され、絶縁層３０ａ上に導体層３１が形成される。
【０１１５】
続けて、図１１のステップＳ１４では、導体層２１上及び導体層３１上の各々に、１組の層間絶縁層及び導体層（第１積層部及び第２積層部の２段目）を形成する。１段目と同様、２段目の層間絶縁層にもビア導体が形成され、１段目の層間絶縁層上の導体層と２段目の層間絶縁層上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。
【０１１６】
具体的には、１段目と同様の工程（図１１のステップＳ１３）を経て、図１４に示すように、絶縁層４０ａ及び５０ａ（それぞれ層間絶縁層）、ビアホール４２ａ及び５２ａ、ビア導体４２及び５２、並びに導体層４１及び５１を形成する。第１スタック構造Ｓ１（図１参照）を構成するビア導体４２は、第１スタック構造Ｓ１を構成する他のビア導体２２と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。また、第２スタック構造Ｓ２（図１参照）を構成するビア導体５２は、第２スタック構造Ｓ２を構成する他のビア導体３２と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。
【０１１７】
続けて、図１１のステップＳ１５では、導体層４１上及び導体層５１上の各々に、１組の層間絶縁層及び導体層（第１積層部及び第２積層部の３段目）を形成する。２段目と同様、３段目の層間絶縁層にもビア導体が形成され、２段目の層間絶縁層上の導体層と３段目の層間絶縁層上の導体層とが、そのビア導体を介して、互いに電気的に接続される。
【０１１８】
具体的には、１段目と同様の工程（図１１のステップＳ１３）を経て、図１５に示すように、絶縁層６０ａ及び７０ａ（それぞれ層間絶縁層）、ビアホール６２ａ及び７２ａ、ビア導体６２及び７２、並びに導体層６１及び７１を形成する。第１スタック構造Ｓ１（図１参照）を構成するビア導体６２は、第１スタック構造Ｓ１を構成する他のビア導体２２等と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。また、第２スタック構造Ｓ２（図１参照）を構成するビア導体７２は、第２スタック構造Ｓ２を構成する他のビア導体３２等と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。
【０１１９】
続けて、図１１のステップＳ１６では、導体層６１上及び導体層７１上の各々に、１組の層間絶縁層及び導体層（第１積層部及び第２積層部の４段目）を形成するとともに、コア部及び１〜４段目の積層部の全層を貫通するスルーホールを形成する。
【０１２０】
具体的には、例えば図１６に示すように、絶縁層６０ａ上及び導体層６１上に、絶縁層８０ａ（層間絶縁層）と、金属箔１０２１（例えば銅箔）とを、この順で配置し、絶縁層７０ａ上及び導体層７１上に、絶縁層９０ａ（層間絶縁層）と、金属箔１０２２（例えば銅箔）とを、この順で配置する。この段階では、絶縁層８０ａ及び９０ａはそれぞれ、ＦＲ−４材のプリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。その後、必要に応じて、金属箔１０２１及び１０２２をハーフエッチングする。以下、こうして得られた図１６に示す配線板を、配線板１０００ｂという。
【０１２１】
続けて、配線板１０００ｂをＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層８０ａ、９０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、配線板１０００ｂは一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【０１２２】
続けて、例えば図１７に示すように、例えばレーザにより、絶縁層８０ａを貫通するビアホール８２ａ、絶縁層９０ａを貫通するビアホール９２ａ、及び配線板１０００ｂの全層を貫通するスルーホール１０２ａを形成する。ビアホール８２ａは、ビア導体６２と同軸（Ｚ軸）上に形成され、ビアホール９２ａは、ビア導体７２と同軸（Ｚ軸）上に形成される。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施すことが好ましい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１２３】
上記レーザの照射においては、例えば遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射する。ただしこれに限られず、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。また、レーザ光の走査中において、ビアホール８２ａ及び９２ａを形成する部位よりも、スルーホール１０２ａを形成する部位に照射するレーザ光の強度（光量）を強めることで、ビアホール８２ａ及び９２ａ、並びにスルーホール１０２ａを、１回の走査で形成することができる。この際、レーザ強度（光量）の調整は、パルス制御で行うことが好ましい。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。例えば、コア部の孔１２ａは２ショットで形成し、ビルドアップ部Ｂ１、Ｂ２のビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａは１ショットで形成する。そして、スルーホール１０２ａの形成では、さらにショット数を増やす。こうした制御方法によれば、照射条件を変える時間を省略できるため、スループットが向上すると考えられる。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。スルーホール１０２ａは、配線板１０００ｂの一側のみからレーザ光を照射することによっても、あるいは配線板１０００ｂの両側から同時にレーザ光を照射することによっても、形成することができる。さらに、配線板１０００ｂの一側からレーザ光を照射して有底孔（非貫通孔）を形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、スルーホール１０２ａを形成してもよい。また、スルーホール１０２ａの形成方法は任意であり、例えばドリルにより、スルーホール１０２ａを形成してもよい。
【０１２４】
続けて、図１８に示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１０２１上、ビアホール８２ａ内、金属箔１０２２上、ビアホール９２ａ内、及びスルーホール１０２ａ内に、めっき１０２３を形成する。めっき１０２３は、例えば図１２Ｃの工程と同様、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。これにより、ビアホール８２ａ、９２ａには、それぞれめっき１０２３が充填され、スルーホール１０２ａの壁面には、めっき１０２３が形成される。その結果、ビア導体８２、９２、及びスルーホール導体１０２が形成される。第１スタック構造Ｓ１（図１参照）を構成するビア導体８２は、第１スタック構造Ｓ１を構成する他のビア導体２２等と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。また、第２スタック構造Ｓ２（図１参照）を構成するビア導体９２は、第２スタック構造Ｓ２を構成する他のビア導体３２等と同軸（Ｚ軸）上にスタックされる。
【０１２５】
本実施形態では、スルーホール１０２ａの壁面へのめっき１０２３の形成と、最外層のビアホール（ビアホール８２ａ及び９２ａ）へのめっき１０２３の形成とが、同時に行われる。このため、工程数の削減、ひいてはコスト削減が図られると考えられる。
【０１２６】
続けて、例えばリソグラフィ技術により、両面の導体層をパターニングする。これにより、絶縁層８０ａ上に導体層８１が形成され、絶縁層９０ａ上に導体層９１が形成される。その結果、図１に示す本実施形態に係る配線板１００が完成する。その後、例えば最外層に外部接続端子を形成することで、その外部接続端子を通じて、配線板１００を他の配線板と接続したり、配線板１００に電子部品を実装したりすることが可能になる。
【０１２７】
なお、導体パターンの形成方法は任意である。例えばめっきレジストを用いてパターン部のみに選択的にめっきする手法、いわゆるパターンめっき法により、各導体層を形成してもよい。
【０１２８】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、
第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２を有するコア絶縁層１０ａ（コア基板）を準備することと、
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に位置するランド１１１ｓ（第１の面状導体パターン）と、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に位置するランド１１２ｓ（第２の面状導体パターン）と、それぞれコア絶縁層１０ａを貫通し、一端（上面Ｆ１２１）が共通のランド１１１ｓに接続され、他端（底面Ｆ１２２）が共通のランド１１２ｓに接続される複数のビア導体１２ｓ（それぞれ第１ビア導体）から構成される導体群１２ｇと、ビア導体１２ｓと略同一の太さを有し、導体群１２ｇを構成しないビア導体１２（第２ビア導体）と、を形成することと、
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上及びランド１１１ｓ上に、絶縁層２０ａ（第１層間絶縁層）を形成することと、
絶縁層２０ａを貫通し、一端（底面Ｆ２２２）が、ランド１１１ｓの、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々の一端（上面Ｆ１２１）の外縁で区画される領域に接続されるビア導体２２ｓ（第３ビア導体）を形成することと、
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上及びランド１１２ｓ上に、絶縁層３０ａ（第２層間絶縁層）を形成することと、
絶縁層３０ａを貫通し、一端（底面Ｆ３２２）が、ランド１１２ｓの、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々の他端（底面Ｆ１２２）の外縁で区画される領域に接続されるビア導体３２ｓ（第４ビア導体）を形成することと、
ビア導体２２ｓを介してランド１１１ｓに電気的に接続される導体層２１（第１上層導体層）を、絶縁層２０ａ上に形成することと、
ビア導体３２ｓを介してランド１１２ｓに電気的に接続される導体層３１（第２上層導体層）を、絶縁層３０ａ上に形成することと、
を含む。
【０１２９】
本実施形態の製造方法によれば、配線板１００（図１）を製造することができる。本実施形態の製造方法は、配線板１００の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１００が得られる。
【０１３０】
（実施形態２）
本発明の実施形態２について、上記実施形態１との相違点を中心に説明する。なおここでは、上記図１等に示した要素と同一の要素には各々同一の符号を付し、既に説明した共通の部分、すなわち説明が重複する部分については、その説明を省略又は簡略化する。
【０１３１】
本実施形態の配線板１００ａは、図１９に示すように、実施形態１の配線板１００と同様、フルスタック構造を有する。ただし、配線板１００ａのスタック構造Ｓは、ビア導体１２ｓ、２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓが、同軸（Ｚ軸）上に１つずつスタックされて構成される。すなわち、配線板１００ａのスタック構造Ｓは、コア部に導体群を有さない。
【０１３２】
本実施形態の配線板１００ａでは、図２０に示すように、スタック構造Ｓを構成するビア導体１２ｓ、２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓのうち、ビア導体１２ｓの幅が、ビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓのいずれの幅よりも大きくなっている。また、スタック構造Ｓを構成するビア導体１２（ビア導体１２ｓ）が、スタック構造Ｓを構成しないビア導体１２よりも太くなっている。
【０１３３】
具体的には、図２１Ａに示すように、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の幅Ｄ１１及びビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の幅Ｄ１２がそれぞれ、ビア導体２２ｓの上面Ｆ２２１の幅Ｄ２１よりも大きく、且つ、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２の幅Ｄ２２よりも大きい。
【０１３４】
また、図２１Ｂに示すように、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の幅Ｄ１２は、ビア導体３２ｓの上面Ｆ３２１の幅Ｄ３１よりも大きく、且つ、ビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２の幅Ｄ３２よりも大きい。
【０１３５】
なお、配線板１００ａにおけるビア導体１２ｓ及び各ビア導体は、底面よりも大きな幅の上面を有する。すなわち、幅Ｄ１１は幅Ｄ１２よりも大きく（Ｄ１１＞Ｄ１２）、幅Ｄ２１は幅Ｄ２２よりも大きく（Ｄ２１＞Ｄ２２）、幅Ｄ３１は幅Ｄ３２よりも大きい（Ｄ３１＞Ｄ３２）。
【０１３６】
好ましい一例では、幅Ｄ１１は１２５μｍであり、幅Ｄ１２は１０５μｍであり、幅Ｄ２１及びＤ３１はそれぞれ、１００μｍであり、幅Ｄ２２及びＤ３２はそれぞれ、８０μｍである。
【０１３７】
ビア導体４２ｓ、６２ｓ、８２ｓの形状及び寸法はそれぞれ、例えばビア導体２２ｓの形状及び寸法と同じであり、ビア導体５２ｓ、７２ｓ、９２ｓの形状及び寸法はそれぞれ、例えばビア導体３２ｓの形状及び寸法と同じである。
【０１３８】
また、スタック構造Ｓを構成しないビア導体１２（ビア導体１２ｓ以外のビア導体１２）の形状及び寸法は、図１９に示されるように、スタック構造Ｓを構成するビア導体１２（ビア導体１２ｓ）と略同一の太さを有する。本実施形態では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）に形成される全てのビア導体が、略同じ太さになっている。
【０１３９】
図２１Ａに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体２２ｓの上面Ｆ２２１及び底面Ｆ２２２はそれぞれ、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の直上領域（投影した領域）内に位置する。また、図２１Ｂに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体３２ｓの上面Ｆ３２１及び底面Ｆ３２２はそれぞれ、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の直上領域（投影した領域）内に位置する。
【０１４０】
本実施形態の配線板１００ａでは、コア基板（コア絶縁層１０ａ）に形成されたビア導体１２ｓと、ビルドアップ部Ｂ１（第１積層部）の層間絶縁層に形成されたビア導体２２ｓ、４２ｓ、６２ｓ、８２ｓと、ビルドアップ部Ｂ２（第２積層部）の層間絶縁層に形成されたビア導体３２ｓ、５２ｓ、７２ｓ、９２ｓとが、スタックされる。ビア導体１２ｓは、それらスタックされたビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓのいずれよりも太い。すなわち、ビア導体１２ｓの幅は、ビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓのいずれの幅よりも大きい。
【０１４１】
本実施形態の配線板１００ａでは、スタック構造Ｓにおいて特に応力が生じ易いコア絶縁層１０ａ（コア基板）のビア導体１２ｓ（フィルド導体）が、他のビア導体（フィルド導体）よりも太くなる。これにより、ビア導体１２ｓの強度が高くなり、コア部におけるクラック又はデラミネーション等が抑制される。また、ビア導体１２ｓの電気抵抗の低下又は放熱性の向上により、コア部に熱応力が生じにくくなる。その結果、接続信頼性が向上する。
【０１４２】
本実施形態の配線板１００ａでも、実施形態１の配線板１００（図６参照）と同様、コア絶縁層１０ａ（コア基板）、絶縁層２０ａ（第１積層部の最下層の層間絶縁層）、及び絶縁層３０ａ（第２積層部の最下層の層間絶縁層）がそれぞれ、心材を樹脂含浸してなる。そして、コア絶縁層１０ａに形成されたビア導体１２ｓの側面における心材の突き出し量は、絶縁層２０ａに形成されたビア導体２２ｓの側面における心材の突き出し量、及び、絶縁層３０ａに形成されたビア導体の側面における心材の突き出し量のいずれよりも大きい。
【０１４３】
こうした構造によれば、コア部において、ビアホール内の表面積（ひいては、ビア導体と層間絶縁層との接触面積）が大きくなるため、ビア導体と層間絶縁層との密着性が向上する。また、心材のＣＴＥ（熱膨張係数）は、層間絶縁層を構成する樹脂のＣＴＥよりも小さくて、ビア導体のＣＴＥに近いため、コア部におけるビア導体の底面でのクラック発生率を低減し易くなると考えられる。
【０１４４】
本実施形態の配線板１００ａは、実施形態１の製造方法に準ずる方法によって、製造することができる。ただし、コア絶縁層１０ａ（コア基板）にビア導体１２ｓを形成するための工程（図１２Ｂ〜図１２Ｄに示す工程に相当する工程）では、スタック構造Ｓを構成するビア導体１２ｓ（及びその孔１２ａ）の数を１つにして、そのビア導体１２ｓ（及びその孔１２ａ）の幅が、後工程で形成するビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓ（及びそのビアホール２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ、６２ａ、７２ａ、８２ａ、９２ａ）の幅よりも大きくなるようにする。
【０１４５】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、
第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２を有するコア絶縁層１０ａ（コア基板）を準備することと、
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上に位置するランド１１１ｓ（第１の面状導体パターン）と、コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上に位置するランド１１２ｓ（第２の面状導体パターン）と、コア絶縁層１０ａを貫通し、一端（上面Ｆ１２１）がランド１１１ｓに、他端（底面Ｆ１２２）がランド１１２ｓに、それぞれ接続されるビア導体１２ｓ（第１ビア導体）と、ビア導体１２ｓと略同一の太さを有し、ランド１１１ｓ及び１１２ｓのいずれにも接続されない（スタック構造Ｓを構成しない）ビア導体１２（第２ビア導体）と、を形成することと、
コア絶縁層１０ａの第１面Ｆ１上及びランド１１１ｓ上に、絶縁層２０ａ（第１層間絶縁層）を形成することと、
ビア導体１２ｓよりも細くて、絶縁層２０ａを貫通し、ランド１１１ｓに接続されるビア導体２２ｓ（第３ビア導体）を形成することと、
コア絶縁層１０ａの第２面Ｆ２上及びランド１１２ｓ上に、絶縁層３０ａ（第２層間絶縁層）を形成することと、
ビア導体１２ｓよりも細くて、絶縁層３０ａを貫通し、ランド１１２ｓに接続されるビア導体３２ｓ（第４ビア導体）を形成することと、
ビア導体２２ｓを介してランド１１１ｓに電気的に接続される導体層２１（第１上層導体層）を、絶縁層２０ａ上に形成することと、
ビア導体３２ｓを介してランド１１２ｓに電気的に接続される導体層３１（第２上層導体層）を、絶縁層３０ａ上に形成することと、
を含む。
【０１４６】
本実施形態の製造方法によれば、配線板１００ａ（図１９）を製造することができる。本実施形態の製造方法は、配線板１００ａの製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１００ａが得られる。
【０１４７】
実施形態１と同様の構成及び処理については、本実施形態でも、前述した実施形態１の効果に準ずる効果が得られる。
【０１４８】
（他の実施形態）
図２２Ａ又は図２２Ｂに示すように、金属箔１１１ａを貫通する開口部１１１ｄ（第１開口部）と、金属箔１１２ａを貫通する開口部１１２ｄ（第２開口部）と、コア絶縁層１０ａを貫通する孔１２ａ（第３開口部）と、が形成され、開口部１１１ｄと開口部１１２ｄと孔１２ａとがつながって、コア絶縁層１０ａ、金属箔１１１ａ、及び金属箔１１２ａを貫通する開口部が形成されてもよい。なお、底面に孔（例えば小孔）が形成された導体も、ビア導体と称する。
【０１４９】
図２２Ａ又は図２２Ｂの例では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）の第１面Ｆ１上には、金属箔１１１ａ（第１金属箔）と、無電解めっき膜１１１ｂ及び電解めっき１１１ｃ（第１めっき）と、から構成される導体層１１ａ（第１導体層）が形成され、コア絶縁層１０ａ（コア基板）の第２面Ｆ２上には、金属箔１１２ａ（第２金属箔）と、無電解めっき膜１１２ｂ及び電解めっき１１２ｃ（第２めっき）と、から構成される導体層１１ｂ（第２導体層）が形成される。
【０１５０】
こうした開口部（開口部１１１ｄ、開口部１１２ｄ、及び孔１２ａ）の形成は、例えばビア導体１２及び導体層１１ａ、１１ｂを形成するためのめっきに先だって行われる。このため、ビア導体１２ｓを構成する無電解めっき膜１１０ｂと、導体層１１ａを構成する無電解めっき膜１１１ｂと、導体層１１ｂを構成する無電解めっき膜１１２ｂとが、互いに一体的に（切れ目なく）形成され、また、ビア導体１２ｓを構成する電解めっき１１０ｃと、導体層１１ａを構成する電解めっき１１１ｃと、導体層１１ｂを構成する電解めっき１１２ｃとが、互いに一体的に（切れ目なく）形成される。こうした構造によれば、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２でのクラック、又は底面Ｆ１２２と導体層１１ｂとのデラミネーションが、生じにくくなると考えられる。
【０１５１】
図２２Ａ又は図２２Ｂに示されるようなビア導体１２は、絶縁層を貫通する孔の両端が導体層で塞がれていない状態で形成される。このため、ビア導体と絶縁層の両側の導体層とは、連続する。以下、図２２Ａに示すコア部の形成方法について詳述する。
【０１５２】
両面銅張積層板１０００を準備（例えば図１２Ａ参照）した後、図２３Ａに示すように、例えばレーザにより、金属箔１１１ａ、１１２ａ及びコア絶縁層１０ａを貫通する開口部１１０ｅを形成する。開口部１１０ｅは、金属箔１１１ａを貫通する開口部１１１ｄ（第１開口部）と、金属箔１１２ａを貫通する開口部１１２ｄ（第２開口部）と、コア絶縁層１０ａを貫通する孔１２ａ（第３開口部）と、から構成される。本実施形態では、開口部１１１ｄ、孔１２ａ、及び開口部１１２ｄが連続して（例えば、連続のレーザ照射で）形成されるため、開口部１１２ｄの幅が、第２面Ｆ２における孔１２ａの幅と略一致する。開口部１１０ｅの形成後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。
【０１５３】
例えば一側からレーザ光を照射して開口部１１０ｅの全体を形成することができる。ただしこれに限られず、一側からレーザ光を照射して開口部１１１ｄ及び孔１２ａ（有底孔）のみを形成した後、他側からレーザ光を照射してその底部を貫通させることにより、開口部１１２ｄを形成してもよい。
【０１５４】
続けて、図２３Ｂに示すように、例えば銅のパネルめっきにより、金属箔１１１ａ上、金属箔１１２ａ上、及び開口部１１０ｅ内にめっき１００１を形成する。これにより、開口部１１０ｅには、めっき１００１が充填される。その結果、ビア導体１２（導体群１２ｇを構成する２つのビア導体１２ｓを含む）が形成される。めっき１００１は、例えば、無電解めっきを行って無電解めっき膜を形成し、続けてその無電解めっき膜をシード層として電解めっきを行うことで、形成される。めっき１００１は、図２２Ａに示す無電解めっき膜１１０ｂ、１１１ｂ、１１２ｂと電解めっき１１０ｃ、１１１ｃ、１１２ｃとを構成する。
【０１５５】
上記形成方法により、コア絶縁層１０ａ（コア基板）に形成される全てのビア導体を、図２２Ａ又は図２２Ｂに示されるような構造にすることができる。
【０１５６】
金属箔１１２ａに形成された開口部１１２ｄの幅は、例えば第２面Ｆ２（底面Ｆ１２２）における孔１２ａの幅と略一致することが好ましい。しかしこれに限られず、例えば図２４Ａ又は図２４Ｂに示すように、金属箔１１２ａに形成された開口部１１２ｄの幅は、第２面Ｆ２（底面Ｆ１２２）における孔１２ａの幅よりも小さくてもよい。この場合も、ビア導体１２ｓを構成する無電解めっき膜１１０ｂと、導体層１１ａを構成する無電解めっき膜１１１ｂと、導体層１１ｂを構成する無電解めっき膜１１２ｂとが、互いに一体的に（切れ目なく）形成され、また、ビア導体１２ｓを構成する電解めっき１１０ｃと、導体層１１ａを構成する電解めっき１１１ｃと、導体層１１ｂを構成する電解めっき１１２ｃとが、互いに一体的に（切れ目なく）形成される。こうした開口部１１２ｄは、例えばレーザ（第１のレーザ照射）により、開口部１１１ｄ及び孔１２ａを形成した後、第１のレーザ照射よりも小径のレーザを金属箔１１２ａに照射すること（第２のレーザ照射）で、形成することができる。
【０１５７】
第２面Ｆ２（底面Ｆ１２２）における孔１２ａの幅Ｄ１２よりも小さな幅Ｄ１３を有する開口部１１２ｄの数は、図２５Ａに示すように、１つであってもよいし、図２５Ｂに示すように、複数（例えば４つ）であってもよい。金属箔１１２ａに形成される開口部１１２ｄは、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の中央部に配置されても、端部に配置されてもよい。
【０１５８】
図２５Ａ及び図２５Ｂ中、第２面Ｆ２（底面Ｆ１２２）における孔１２ａの幅Ｄ１２は、例えば８０μｍであり、開口部１１２ｄの幅Ｄ１３は、例えば１５μｍである。
【０１５９】
スタック構造Ｓを構成する導体群１２ｇをコア部に有する配線板（例えば、実施形態１を参照）において、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓ（フィルド導体）の各々の配置は、図４Ａ、図４Ｂに示したものに限られない。例えば図２６Ａ、図２６Ｂに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、コア絶縁層１０ａ（コア基板）上の絶縁層２０ａ、３０ａに形成されるビア導体２２ｓ、３２ｓの一部が、コア絶縁層１０ａに形成される複数のビア導体１２ｓの外縁で区画される領域Ｒ１１、Ｒ１２からはみ出すように配置されてもよい。ビア導体２２ｓ、３２ｓの少なくとも一部が領域Ｒ１１、Ｒ１２内にあれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。
【０１６０】
図２６Ａの例では、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２の一部が、２つのビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の外縁で区画される領域Ｒ１１内に位置し、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２の他の部分が、領域Ｒ１１からはみ出している。図２６Ｂの例では、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２の一部が、２つのビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の外縁で区画される領域Ｒ１２内に位置し、ビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２の他の部分が、領域Ｒ１２からはみ出している。
【０１６１】
上記実施形態１では、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの数が２つであるが、これに限られない。例えば図２７Ａに示すように、コア絶縁層１０ａに、正三角形の頂点に配置される３つのビア導体１２ｓによって、導体群１２ｇが形成されてもよい。また、例えば図２７Ｂに示すように、コア絶縁層１０ａに、正四角形の頂点に配置される４つのビア導体１２ｓによって、導体群１２ｇが形成されてもよい。これらの場合も、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体２２ｓ、３２ｓの少なくとも一部が、３つ又は４つのビア導体１２ｓの外縁で区画される領域Ｒ１１（又は領域Ｒ１２）に接続されれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。
【０１６２】
上記実施形態１では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）上の絶縁層２０ａ又は３０ａに形成されてスタック構造Ｓを構成するビア導体２２ｓ、３２ｓの数がそれぞれ１つであるが、これに限られない。例えば図２８Ａに示すように、絶縁層２０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体２２ｓが形成されてもよい。あるいは、絶縁層３０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体３２ｓが形成されてもよい。また、例えば図２８Ｂに示すように、絶縁層２０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体２２ｓが形成されるとともに、絶縁層３０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体３２ｓが形成されてもよい。
【０１６３】
コア絶縁層１０ａ（コア基板）上の絶縁層２０ａに形成されてスタック構造Ｓを構成するビア導体２２ｓの数が２以上である場合には、例えば図２９Ａに示すように、導体群１２ｇを構成するビア導体１２ｓの各々の同軸上に、ビア導体２２ｓを配置してもよい。また、例えば図２９Ｂ又は図２９Ｃに示すように、隣り合うビア導体１２ｓの間に、それぞれビア導体２２ｓを配置してもよい。なお、こうした配置は、ビア導体３２ｓに適用することもできる。
【０１６４】
スタック構造Ｓを構成するビア導体のうち、ビア導体２２ｓ、３２ｓよりも上層のビア導体の数を複数にしてもよい。ただし、少ないビア導体で効率良く電気的接続信頼性を高めるためには、スタック構造Ｓにおいて特に応力が生じ易いコア部周辺のビア導体の数を選択的に増やすことが望ましい。
【０１６５】
スタック構造Ｓを構成するコア部のビア導体（フィルド導体）が太い配線板（例えば、実施形態２を参照）において、スタック構造Ｓを構成するビア導体１２ｓの各々の寸法の関係性は、図２１Ａ、図２１Ｂに示したものに限られない。
【０１６６】
例えば図３０Ａに示すように、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の幅Ｄ１１（ビア導体１２ｓの最大幅）を、ビア導体２２ｓの上面Ｆ２２１の幅Ｄ２１（ビア導体２２ｓの最大幅）よりも大きくし、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の幅Ｄ１２を、ビア導体２２ｓの上面Ｆ２２１の幅Ｄ２１よりも小さくしてもよい。また、例えば図３０Ｂに示すように、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の幅Ｄ１１（ビア導体１２ｓの最大幅）を、ビア導体３２ｓの上面Ｆ３２１の幅Ｄ３１（ビア導体３２ｓの最大幅）よりも大きくし、ビア導体１２ｓの底面Ｆ１２２の幅Ｄ１２を、ビア導体３２ｓの上面Ｆ３２１の幅Ｄ３１よりも小さく、且つ、ビア導体３２ｓの底面Ｆ３２２の幅Ｄ３２よりも大きくしてもよい。
【０１６７】
スタック構造Ｓを構成するビア導体１２ｓ及びビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓのうち、コア絶縁層１０ａ（コア基板）に形成されるビア導体１２ｓが、ビルドアップ部Ｂ１、Ｂ２（第１積層部又は第２積層部）に形成されるビア導体２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓよりも太くなっていれば、電気的接続信頼性の向上等の効果は奏されると考えられる。
【０１６８】
上記実施形態２では、コア絶縁層１０ａ（コア基板）上の絶縁層２０ａ又は３０ａに形成されてスタック構造Ｓを構成するビア導体２２ｓ、３２ｓの数がそれぞれ１つであるが、これに限らない。ビア導体２２ｓ、３２ｓの数は複数であってもよい。例えば図３１Ａに示すように、絶縁層２０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体２２ｓが形成されてもよい。あるいは、絶縁層３０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体３２ｓが形成されてもよい。また、例えば図３１Ｂに示すように、絶縁層２０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体２２ｓが形成されるとともに、絶縁層３０ａに、スタック構造Ｓを構成する複数（例えば２つ）のビア導体３２ｓが形成されてもよい。
【０１６９】
コア絶縁層１０ａ（コア基板）上の絶縁層２０ａ又は３０ａに形成されてスタック構造Ｓを構成するビア導体２２ｓ、３２ｓの数が２以上である場合には、例えば図３２Ａに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、コア絶縁層１０ａ（コア基板）に形成されるビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の直上領域（投影した領域）に、複数（例えば３つ）のビア導体２２ｓをそれぞれ、その底面Ｆ２２２全部が含まれるように配置してもよい。あるいは、例えば図３２Ｂに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１の直上領域に、複数（例えば３つ）のビア導体２２ｓをそれぞれ、その底面Ｆ２２２の一部が含まれ、他の部分がビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１とランド１１１ｓとの間の領域に含まれるように配置してもよい。あるいは、例えば図３２Ｃに示すように、Ｘ−Ｙ平面において、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２の全部が、ビア導体１２ｓの上面Ｆ１２１とランド１１１ｓとの間の領域に含まれるように配置してもよい。なお、図３２Ａ〜図３２Ｃのいずれの例でも、ビア導体２２ｓの底面Ｆ２２２は、その下層のビア導体１２ｓのランド１１１ｓからはみ出していないため、ビア導体２２ｓはビア導体１２ｓ上にスタックされているといえる。また、ビア導体３２ｓについても、同様の配置を適用することができる。
【０１７０】
ビア導体１２ｓ、２２ｓ、３２ｓ、４２ｓ、５２ｓ、６２ｓ、７２ｓ、８２ｓ、９２ｓ、スルーホール導体１０２、及びそれらの開口部（孔）の平面形状（Ｘ−Ｙ平面）は、円（真円又は楕円等）に限られず任意である。これらの平面形状は、例えば図３３Ａに示されるように、略正方形であってもよい。また、略正六角形、略正八角形など、略正方形以外の略正多角形であってもよい。なお、多角形の角の形状は任意であり、例えば略直角でも、鋭角でも、鈍角でも、丸みを帯びていてもよい。ただし、熱応力の集中を防止する上では、角が丸みを帯びていた方が好ましい。
【０１７１】
さらに、上記平面形状の各々は、略長方形又は略三角形等であってもよいし、図３３Ｂに示す略十字形又は図３３Ｃに示す略正多角星形など、中心から放射状に直線を引いた形（複数の羽根を放射状に配置した形）であってもよい。
【０１７２】
図３４Ａ又は図３４Ｂに示すように、コア基板（コア絶縁層１０ａ）、第１積層部（ビルドアップ部Ｂ１）の最下層の層間絶縁層（絶縁層２０ａ）、及び第２積層部（ビルドアップ部Ｂ２）の最下層の層間絶縁層（絶縁層３０ａ）が、それ以外の層間絶縁層（絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａ）のいずれを構成する材料よりも耐熱性の高い材料からなってもよい。具体的には、例えばコア絶縁層１０ａ、及び絶縁層２０ａ、３０ａがそれぞれ、ＦＲ−５材から構成され、絶縁層４０ａ、５０ａ、６０ａ、７０ａ、８０ａ、９０ａがそれぞれ、ＦＲ−４材から構成される。こうした構造によれば、大きな応力が生じ易いコア部周辺の耐熱性が向上する。
【０１７３】
また、コア基板（コア絶縁層１０ａ）のみが心材を含み、それ以外の層間絶縁層は心材を含んでいなくてもよい。また、コア基板（コア絶縁層１０ａ）及び絶縁層２０ａ、３０ａのみが心材を含み、それ以外の層間絶縁層は心材を含んでいなくてもよい。また、コア部に十分な耐熱性を確保できるのであれば、全層の絶縁層が、心材を含んでいなくてもよい。
【０１７４】
図３５に示すように、最外層に、開口部１０３１ａ、１０３２ａを有するソルダーレジスト１０３１、１０３２を形成し、開口部１０３１ａ、１０３２ａの各々に露出したパッド（導体層８１、９１）に、それぞれ半田１０３１ｂ、１０３２ｂを介して、電子部品２００を実装してもよい。図３５の例では、両面に電子部品２００を実装しているが、片面のみに電子部品を実装してもよい。
【０１７５】
図３５の例では、スタック構造Ｓを構成する導体群１２ｇをコア部に有する配線板（例えば、実施形態１を参照）に電子部品を実装させているが、これに限られない。例えばスタック構造Ｓを構成するコア部のビア導体が太い配線板（例えば、実施形態２を参照）に、同じように電子部品を実装させてもよい。こうした電子デバイスは、携帯機器（携帯電話等）の回路基板などに用いることができる。
【０１７６】
図３６に示すように、最外層のビア導体がそれぞれコンフォーマル導体からなってもよい。図３６の例では、図１に示す配線板のビア導体８２及び９２をそれぞれコンフォーマル導体で形成している。
【０１７７】
その他の点についても、上記各実施形態の配線板１００、１００ａの構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【０１７８】
例えばビア導体等の側面（又は各開口部の壁面）は、テーパしていても、テーパしていなくてもよい。
【０１７９】
本発明に係る配線板の製造方法は、実施形態で示した順序及び内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【０１８０】
上記実施形態及び変形例は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。
【０１８１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
本発明に係る配線板は、携帯電話などの回路基板に適している。本発明に係る配線板の製造方法は、そうした配線板の製造に適している。
【符号の説明】
【０１８３】
１０ａ  コア絶縁層
１０ｓ  ビア導体
１１ａ、１１ｂ  導体層
１１ｗ  配線
１２  ビア導体
１２ａ  孔
１２ａ  導体層
１２ｇ  導体群
１２ｓ  ビア導体
２０ａ、４０ａ、６０ａ、８０ａ  絶縁層
２１、４１、６１、８１  導体層
２２、４２、６２、８２  ビア導体
２２ａ、４２ａ、６２ａ、８２ａ  ビアホール
２２ｓ、４２ｓ、６２ｓ、８２ｓ  ビア導体
３０ａ、５０ａ、７０ａ、９０ａ  絶縁層
３１、５１、７１、９１  導体層
３２、５２、７２、９２  ビア導体
３２ａ、５２ａ、７２ａ、９２ａ  ビアホール
３２ｓ、５２ｓ、７２ｓ、９２ｓ  ビア導体
８１ａ、９１ａ  ランド
１００、１００ａ  配線板
１０２  スルーホール導体
１０２ａ  スルーホール
１１０ｂ  無電解めっき膜
１１０ｃ  電解めっき
１１０ｄ、１１０ｅ  開口部
１１１ａ、１１２ａ  金属箔
１１１ｂ、１１２ｂ  無電解めっき膜
１１１ｃ、１１２ｃ  電解めっき
１１１ｄ、１１２ｄ  開口部
１１１ｓ、１１２ｓ  ランド
２００  電子部品
２１１ａ、４１１ａ、６１１ａ、８１１ａ  金属箔
２１１ｂ、４１１ｂ、６１１ｂ、８１１ｂ  無電解めっき膜
２１１ｃ、４１１ｃ、６１１ｃ、８１１ｃ  電解めっき
２１１ｓ、４１１ｓ、６１１ｓ、８１１ｓ  ランド
３１１ａ、５１１ａ、７１１ａ、９１１ａ  金属箔
３１１ｂ、５１１ｂ、７１１ｂ、９１１ｂ  無電解めっき膜
３１１ｃ、５１１ｃ、７１１ｃ、９１１ｃ  電解めっき
３１１ｓ、５１１ｓ、７１１ｓ、９１１ｓ  ランド
１０００  両面銅張積層板
１０００ａ、１０００ｂ  配線板
１００１  めっき
１０１１、１０１２  金属箔
１０２１、１０２２  金属箔
１０２３  めっき
１０３１、１０３２  ソルダーレジスト
１０３１ａ、１０３２ａ  開口部
１０３１ｂ、１０３２ｂ  半田
Ｂ１、Ｂ２  ビルドアップ部
Ｆ１  第１面
Ｆ２  第２面
Ｆ１２１、Ｆ２２１、Ｆ３２１  上面
Ｆ１２２、Ｆ２２２、Ｆ３２２  底面
Ｒ１１、Ｒ１２  領域
Ｓ  スタック構造
Ｓ１  第１スタック構造
Ｓ２  第２スタック構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図２９Ｃ】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３２Ａ】
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【図３２Ｂ】
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【図３２Ｃ】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３３Ｃ】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３５】
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【図３６】
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