(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハーレベルで発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコーティングを前記発光ダイオードウエハーに行うステップとを含み、ウエハーレベルで製造した発光ダイオードウエハーを切断して発光ダイオードチップを製造するにあたり、
前記ウエハーがコーティングされる前に前記発光ダイオードのスクライブライン及びメタルパッド領域にパラフィンワックスを含む物質を印刷してガイド・ダムを形成するステップと、
配合比の異なる蛍光体とSiからなるコ−ティング材を収容する複数のディスペンサーを用意し、これによりウエハーレベルで前記コーチングを1回又は複数回行い、約１００μの厚みでコンフォーマル・コーチングを可能とするステップと、
上記パラフィンワックスを含む物質を印刷して形成したガイド・ダムを除去し、スクライブラインに沿ってウエハーを切断して発光ダイオードチップを製造するステップを含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記コンフォーマル・コーティングは、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備える蛍光体の配合比を有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記ガイド・ダムは複数の発光ダイオードを取り囲むスクライブライン上に形成される請求項１記載のの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード及びその製造方法に係り、さらに詳細には、白色光を放出する発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、エネルギー効率的な製品であって、その使用が増加しつつあり、それに対する研究開発が続いている。このような方面から、発光ダイオードから出力される白色光を具現することも容易ではない。過去には白色光を具現するための多様な新しい方法が試みられた。
【０００３】
しかし、このような多くの接近方式は、ウエハーレベルの代りにチップレベルでそのような過程を行った。それらの接近方式はチップの無駄遣いをもたらす。
【０００４】
さらに、現存する如何なる接近方式も、出力される光の波長のような根源的な測定結果に基づいて蛍光体（蛍光物質）の割合を変更することができない。
【０００５】
しがって、新しい接近方式による発光ダイオード及びその製造方法が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、収率の高い白色光を放出する発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、製造コストを節減することができる白色光を放出する発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。
【０００８】
本発明のさらに他の目的は、色座標上で同一のターゲットの白色光を出力することができる発光ダイオード及びその製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードを測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマル・コーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法によって達成されることができる。
【００１０】
ここで、前記発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップを含むことができる。
【００１１】
また、前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることができる。
【００１２】
そして、前記コンフォーマル・コーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことができる。
【００１３】
また、前記領域は、パラフィンワックス、シルク・スクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることができる。
【００１４】
ここで、前記コンフォーマル・コーティングは、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備える蛍光体の配合比を有することができる。
【００１５】
ここで、前記発光ダイオードは、複数の他の発光ダイオードと共にウエハー上に配置されており、前記コンフォーマル・コーティングは前記ウエハーに塗布されることができる。
【００１６】
また、前記目的は、本発明によって、発光ダイオードの製造方法において、ウエハーレベルで発光ダイオードによって出力された光の波長を測定するステップと、ウエハーレベルで、前記発光ダイオードから出力される光が白色光に変換されるように、前記測定結果に基づく蛍光体の配合比を有するコンフォーマル・コーティングを前記発光ダイオードに行うステップと、を含み、前記配合比は、黄色、緑色または赤色のうち少なくとも何れか一つの色を備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法によっても達成されることができる。
【００１７】
ここで、前記発光ダイオードは、ブルー発光ダイオード及び紫外線発光ダイオードのうち少なくとも何れか一つを備えることができる。
【００１８】
また、前記コンフォーマル・コーティングが塗布される前記発光ダイオードの領域を分離するステップをさらに含むことができる。
【００１９】
ここで、前記領域は、パラフィンワックス、シルク・スクリーン及びフォトレジストのうち少なくとも何れか一つを使用して分離されることができる。
【００２０】
前記目的は、本発明によって、発光ダイオードにおいて、発光部と、前記発光部から出力される光が白色光に変換されるように、前記発光部から出力された光の波長に基づく蛍光体の配合比を有し、前記発光部の上部に塗布されるコンフォーマル・コーティング部と、を備えることを特徴とする発光ダイオードによっても達成されることができる。
【００２１】
ここで、前記蛍光体の配合比は、黄色、緑色、赤色のうち少なくとも一つの色を備えることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の白色発光ダイオードの製造方法は、チップ単位のパッケージング方法と異なり、ウエハーレベルで白色発光ダイオードの製造工程が行われ、ウエハーレベルでそれぞれのすべての単位チップ別に波長データを予め測定して、それぞれの単位チップに該当波長別に蛍光体（黄色（ｙｅｌｌｏｗ：Ｙ）、緑色（ｇｒｅｅｎ：Ｇ）、赤色（ｒｅｄ：Ｒ））の配合比を正確に制御して、ウエハー上のそれぞれのチップに蛍光体をディスフェンシングする。
【００２３】
このようなチップの表面に一定のコーティングの厚さを有するようにするコンフォーマル・コーティング（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）方法は次のような効果を有する。
【００２４】
第一に、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に色座標上の同一のターゲットの白色光に変換するための蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質が決定されてそれぞれのチップに塗布されるため、それぞれのチップに出力される白色光の色偏差が低減する。それにより、白色光ダイオードの工程収率が向上する。
【００２５】
第二に、色偏差の最小化により、それぞれの白色光の発光ダイオードチップを用いた光学レンズの設計時、設計余裕が増加する。
【００２６】
第三に、ウエハー単位でそれぞれのチップに蛍光体の塗布工程が行われるため、パッケージングステップでそれぞれのチップに類似した範囲の波長を有するＬＥＤを分類するソーティング（ｓｏｒｔｉｎｇ）工程が不要となる。また、パッケージングステップではなく、ウエハーレベルで既にホワイト・ターゲット色座標が得られるため、別途のパッケージング工程及び材料コストが追加的に発生しない。
【００２７】
第四に、ウエハーレベルで白色光チップが製作されるため、生産装備の投資コスト及び白色光ダイオードチップの管理コストが削減され、特にソーティングのためのソーティング装備などのパッケージング工程を行うための装備が不要となる。
【００２８】
第五に、ウエハーレベルでチップ別に白色光ダイオードチップが仕上がるため、フリップチップ方式を利用したＣＯＭ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｍｏｄｕｌｅ）、ＣＯＢ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｂｏａｒｄ）で対応する場合、別途のダイ・アタッチ（ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈ）、ワイヤリング、蛍光体の塗布などの既存の工程を省略することができるため、工程コスト、材料コストなどを節減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】発光ダイオードウエハー内のチップ波長の分布図及びグラフである。
【図２】色座標系及び同一の色座標の白色光を具現するための３つのチップ１、２、及び３に対して測定されたチップ波長及びそれに対応する蛍光体とＳｉの配合比を示す表である。
【図３】パッケージングレベルでの蛍光体の塗布方法を図式的に示す図である。
【図４】本発明の発光ダイオードの製造方法のウエハーレベルでのそれぞれのチップに行われるコンフォーマル・コーティング方式を概略的に示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態による発光ダイオードの製造方法のコンフォーマル・コーティングステップを図式的に示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態による発光ダイオードの製造方法のコンフォーマル・コーティングステップを図式的に示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態による発光ダイオードの製造方法のコンフォーマル・コーティングステップを図式的に示す図である。
【図８】本発明の第４の実施形態による発光ダイオードの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
前述のように、本発明は、白色光を出力することができる発光ダイオード及びその製造方法に関する。さらに詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ）（例えば、ブルーＬＥＤ、紫外線（ＵＶ）ＬＥＤ）から放出される光の波長が、例えば、ウエハーレベルで測定される。前記波長の測定結果に基づいて、コンフォーマル・コーティングが前記ＬＥＤに塗布される。前記コンフォーマル・コーティングは、前記波長に基づく蛍光体の配合比を有する。また、蛍光体の配合比は、黄色、緑色、及び赤色のうち少なくとも一つの色を含む。それにより、前記ＬＥＤから出力される光は、コンフォーマル・コーティングを使用して白色光に変換される。本発明の実施形態において、それらのステップがウエハーレベルで行われて、さらに良好な均一性及び一貫性が得られることができる。
【００３１】
一方、ＬＥＤチップのＥＰＩ工程中、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程で工程偏差及び設備偏差によってＬＥＤウエハー内のそれぞれのチップの間に波長撒布が存在する。図１は、任意のＬＥＤウエハー１２内のチップ１０の青色光の波長を測定した結果を示す。ウエハー１２内のチップ１０が一つの同一の単一波長を有さずに、チップ１０間の波長撒布を有する。通常、チップ１０間の波長において５ｎｍ以上の差異が発生する場合、人間が肉眼で認知することが可能である。
【００３２】
図２は、ＲＧＢ色座標系を示す。図１に示すように、同一のウエハー１２内でチップ１０間の波長撒布が存在する状態で、同一のウエハー１２上のチップ１０を白色光に変換するために、ウエハーレベルで同一の蛍光体を一括して適用する場合、ホワイト・ターゲット色座標がチップ別に変わる。したがって、それぞれのチップ１０の波長によって相異なる蛍光体の配合比を適用して初めて、同一のホワイト・ターゲット色座標の白色光を具現することができる。
【００３３】
図２の色座標系で青色の部分の１番は、チップの波長がａである場合であるが、この場合、ホワイト・ターゲット色座標を形成するためには、黄色、緑色及び赤色（Ｙ、Ｒ、Ｇ）の蛍光体の配合比はＡが適用されねばならない。また、２番及び３番のように、チップの波長がそれぞれｂ及びｃである場合、１番と同一のホワイト・ターゲット色座標を形成するためには、蛍光体の配合比はＡとは異なるそれぞれＢ及びＣが適用されねばならない。ここで、前記配合比の蛍光体はＳｉと共に配合されることができる。
【００３４】
たとえば、波長がａ、ｂ、ｃであり、相異なるチップに対して同一の配合比を有する蛍光体及びＳｉ  Ａの蛍光層が適用されれば、３つのチップが相異なるホワイト・ターゲット色座標を有する。ホワイト・ターゲット色座標が変われば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）装置に使用されるＢＬＵ（Ｂａｃｋ  Ｌｉｇｈｔ  Ｕｎｉｔ）、照明などにＬＥＤを使用する際に、色撒布の発生によって製品の構成に困難さがある。このような問題により、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、ＬＥＤパッケージ工程の際にそれぞれのチップレベルで行われ、蛍光体をコーティングする工程以前にそれぞれのチップをそれぞれのチップが出力する青色光の波長別にソーティング（ＲＡＮＫＩＮＧ）する工程が先に行われる。
【００３５】
しかし、パッケージング工程でそれぞれのチップに蛍光体の塗布が行われる場合、前述のソーティング工程以外にも、ソーティングされたそれぞれのチップに保持せねばならず、工程数が多くなり複雑になるため、製品コストの上昇の主な要因となる。
【００３６】
図３では、それぞれのチップレベルで蛍光体の塗布が行われる工程を図式的に示す。まず、ＣＵＰ  １８が存在するリードフレーム１６で、ＣＵＰ  １８の中心にＬＥＤチップ１０が付着し、前記ＬＥＤチップ１０のメタル・パッド２０と前記リードフレーム１６の電極ライン２２とがワイヤ２４によって互いにポンディングされる。ホワイト・ターゲット色座標を形成するために、前記ＬＥＤチップ１０の表面に該当チップの波長に合わせて設計されたコーティング層２４（蛍光物質）が分配（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）される。
【００３７】
前述のチップレベルでの蛍光体塗布技術（コーティング技術）はいくつかの問題点を有する。
【００３８】
第一に、蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質の厚さ（最小３００ｕｍ以上）が厚いため、ＬＥＤチップの表面位置によって平均光路が変わり、色偏差が発生する（ＬＥＤビニング現象）。このような色偏差の発生は、光学設計の際に多くの制限的要素をもたらす。
【００３９】
第二に、蛍光体を塗布する工程がウエハーレベルではなく、チップレベルで行われるため、パッケージ後にホワイト・ターゲット色座標の偏差によって不良が発生するとき、チップコスト以外に別途のパッケージ材料及び工程コストが追加的に発生する。
【００４０】
第三に、チップレベルのコーティングを行うために、予めウエハー内のチップの波長撒布に対して同一の波長帯別にソーティング工程が伴われるが、この場合、長い工程時間及び設備投資コストなどが発生する。たとえば、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対する蛍光体の塗布工程が行われれば、別途のソーティング工程が不要であり、パッケージレベルではなく、ウエハーレベルで既にホワイト・ターゲット色座標が得られるため、不良チップの発生時、別途のパッケージ工程及び材料コストが追加的に発生しない。
【００４１】
前述のように、本発明に係る白色発光ダイオードの製造方法は、チップレベルパッケージング方法とは異なり、ウエハーレベルで白色発光ダイオードの製造工程が行われる。特に、前述の相対的に低いステップであるウエハーレベルでそれぞれの単位チップ別に波長データを予め測定して、それぞれの単位チップに該当波長別に同一のターゲットの白色光に変換するために測定された波長に適した蛍光体（黄色（Ｙ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ））の配合比を正確に決定して、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに対して前記決定された配合比を有する蛍光体を分配する方法で、単位チップ別にその表面で所定の厚さを有するコーティング層が形成される。このような方式により、前記蛍光物質のコンフォーマル・コーティングは、チップレベルで行われるものに比べて、その厚さが相対的に薄い。
【００４２】
図４では、本発明に共通的に適用される発光ダイオードの製造方法の蛍光物質のコーティング過程を図式的に示す。ウエハー３２内のすべてのチップ３０に対して同一のホワイト・ターゲット色座標を具現するためにすべてのチップ３０の波長を測定した結果に基づいて、それぞれの単位チップ３０に塗布されるべき適した蛍光体の配合比が決定される。例えば、波長ａの場合にはＡの配合比、波長ｂの場合にはＢの配合比、そして波長ｃの場合にはＣの配合比が決定されることができる。前記３種類以上の複数の配合比に対して同一の３つのディスペンサー ３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃが用意され、それぞれのディスペンサーは配合比を異にした蛍光体を備える。前記複数のディスペンサー３４Ａないし３４Ｃは、図４に示すように、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップに該当する蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をディスペンシングして、チップの上面に蛍光体のコンフォーマル・コーティングを形成する。それにより、ウエハーレベルで蛍光体のコーティングによる白色光を出力するホワイトＬＥＤが具現されることができる。
【００４３】
ここで、前記ウエハー３２上の蛍光物質が塗布される前のＬＥＤチップ３０は発光部と称することができる。前記発光部は、Ｎ層、Ｐ層及び活性層から構成され、このような構成は周知であるため、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
ここで、ウエハーレベルという意味は、ウエハー上に形成されたそれぞれの単位別のＬＥＤチップ３０を切り取って分離する前のウエハー工程を意味する。
【００４５】
ここで、ディスペンサーの数を増加させれば増加させるほど、ウエハーレベルで形成された多様な波長撒布を有するそれぞれの単位チップにより正確な配合比を有する蛍光物質のコーティングが可能である。
【００４６】
場合によって、前述の複数のディスペンサー３４Ａないし３４Ｃにより任意の配合比を有する蛍光物質をウエハーレベルの単位チップ別に塗布することも可能である。さらに詳細に説明すれば、前記複数のディスペンサー３４Ａないし３４Ｃのうち、相異なる配合比を有する少なくとも２つ以上のディスペンサーを使用して一つのダンウィチップに相異なる配合比を有する蛍光物質を複数回塗布することによって、所望の任意の配合比を有する蛍光物質をコーティングすることも可能である。すなわち、前記複数回塗布された蛍光物質が最終的に所望の任意の配合比を有する蛍光層になる。
【００４７】
以下、本発明では、ウエハーレベルでそれぞれの単位チップ３０に蛍光体及びＳｉ（蛍光物質）が独立的にコーティングされる３つの実施形態を提示する。
【００４８】
図５は第１の実施形態を示す。この場合、ウエハー３２内のチップ３０とチップ３０間のスクライブ・ライン（ｓｃｒｉｂｅ  ｌｉｎｅ）は、パラフィン３６を含む物質（他のものを含んでもよい）で印刷する。それにより、前記蛍光物質が前記スクライブ・ラインにコーティングされることを防止することができる。次いで、メタル・パッドの部分もパッド・ラインに沿ってパラフィン３６などを含む物質で印刷されて、メタル・パッド３５の部分にディスペンサーによってディスフェンシングされるべき蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質が侵透することを防止する。この場合、パラフィンなどの物質が印刷される場合、前記蛍光物質コーティング層の厚さは約１００ｕｍである。パラフィン物質の主な機能は、前記チップ３０上にコーティングされる蛍光物質を流動させずにその内部に存在させるガイド・ダム（ｇｕｉｄｅ  ｄａｍ）３８の役割を行う。
【００４９】
本実施形態による発光ダイオードの製造方法は次の通りである。
（１）ウエハーレベルでそれぞれのダイオードチップ３０の波長を測定する。
（２）測定された波長群別にホワイト・ターゲット色座標に対応する蛍光体（Ｙ、Ｇ、Ｂ）とＳｉの配合比を決定する。
（３）図５に示すように、ウエハー３２内のそれぞれのチップ３０でスクライブ・ラインとメタル・パッド３５の部分にパラフィン３６などの物質を印刷してガイド・ダム３８を形成する。
（４）ホワイト・ターゲット色座標を具現するために、ウエハー３２内でそれぞれのチップ３０の波長に対して、該当する配合比を有する蛍光体と、前記蛍光体を前記チップ３０の上部に良好に付着させるためのＳｉから構成された蛍光物質をコーティングする。
ここで、前記特定の配合比を有する蛍光体と前記Ｓｉを含む蛍光物質が、前述の複数のディスペンサー（図４の３４Ａないし３４Ｃ）によって分配されることができる。
（５）前記蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をオーブンでハード硬化（ｈａｒｄ  ｃｕｒｉｎｇ）する。
（６）次いで、前記スクライブ・ラインに沿って前記ウエハー３２上で蛍光物質のコーティングされた前記チップ３０を切り取る。
【００５０】
ここで、図５では、それぞれのチップ３０にスクライブ・ラインを形成することを説明したが、波長撒布が誤差範囲内に存在して、同一のディスペンサーによって前記蛍光物質の塗布が可能な場合のように、２つのチップ３０に同時に一つのディスペンサーにより蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、必要によってスクライブ・ラインも２つのチップ３０を取り囲むように形成することも可能である。
【００５１】
必要によって、互いに隣接した３つ以上の複数のチップ３が誤差範囲内の波長撒布を有して、一つのディスペンサーによって蛍光物質をコーティングすることが可能な場合、前記３つ以上の複数のチップ３を取り囲むようにスクライブ・ラインを形成することも可能である。
【００５２】
また、前述のステップ（３）とステップ（４）との間に、前記ウエハー３２上のそれぞれのチップ３０の測定された波長データから、前記それぞれのチップ３０にいずれのディスペンサーによって蛍光物質を塗布すべきかを判別するステップをさらに含むことができる。すなわち、前記それぞれのチップ３０の波長撒布は多様に表れ得るため、限定されたディスペンサーによって蛍光物質を塗布するためには、それぞれのディスペンサーで補償できる波長撒布の範囲を決定することができる。例えば、Ａディスペンサーで蛍光物質を塗布すべき波長の範囲として、ａ±１０ｎｍであることができる。
【００５３】
ここで、複数のディスペンサー別に所定の蛍光体の配合比が既に決定されている場合なら、前述のステップ（２）は、ステップ（１）を通じて前記ウエハー３２上のそれぞれのチップ３０の測定された波長データから、前記それぞれのチップ３０が前記複数のディスペンサーのうちいずれに適しているかを判別するステップに代替されることも可能である。
【００５４】
図６を参照して、本発明の第２の実施形態を説明すれば次の通りである。この場合、チップ３０とチップ３０間のスクライブ・ラインとメタル・パッド３５の部分は、ディスフェンシングされるべき蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質が侵透できないように、シルク・スクリーン（ｓｉｌｋ  ｓｃｒｅｅｎ）４０またはメタル・マスク（ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ）４０などでブロッキングされることができる。ブロッキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハーレベルでそれぞれの単位チップの波長に合わせて蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。さらに詳細には、本発明による発光ダイオードの製造方法を説明すれば次の通りである。
【００５５】
（１）ウエハーレベルでそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。
（２）測定された波長群別にホワイト・ターゲット色座標に対応する蛍光体（Ｙ、Ｇ、Ｂ）とＳｉの配合比を決定する。
（３）図６に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、スクライブ・ライン３７とメタル・パッド３５の部分をシルク・スクリーン４０を使用してブロッキングする。
（４）ホワイト・ターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をそれぞれのチップにコーティングする。
（５）蛍光物質を簡易硬貨する。
（６）シルク・スクリーン及び／またはメタル・マスク・ブロックを取り除く。
（７）蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。
【００５６】
ここで、場合によって前述の（５）の簡易硬貨ステップは省略してもよい。
【００５７】
図７を参照して、本発明の第３の実施形態を説明すれば次の通りである。
この場合、チップ３０とチップ３０間のスクライブ・ライン３７とメタル・パッド３５の部分は、ディスフェンシングされた蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質が侵透できないようにフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ：ＰＲ）の犠牲層４２及び／または有機物によってマスキングされる。マスキングを行った後、ディスフェンシング方法でウエハー単位でそれぞれのチップの波長に合わせて蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質がディスフェンシングされる。本実施形態による発光ダイオードの製造方法をさらに詳細に説明すれば次の通りである。
【００５８】
（１）ウエハー単位でそれぞれ構成されたダイオードチップの波長を測定する。
（２）測定された波長群別にホワイト・ターゲット色座標に合わせて蛍光体Ｙ、Ｇ、ＲとＳｉとの配合比を決定する。
（３）図７に示すように、ウエハー内のそれぞれのチップにおいて、前記犠牲層を利用してスクライブ・ラインとメタル・パッドの部分をマスキングする。
（４）ホワイト・ターゲット色座標を具現するために、ウエハー内でそれぞれのチップの波長に対して該当する配合比を有する蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をコーティングする。
（５）前記蛍光体及びＳｉを含む蛍光物質をオーブンでハード硬貨する。
（６）前記スクライブ・ラインとメタル・パッドの部分の犠牲層ＰＲなどを取り除く。
【００５９】
以下では、図８を参照して本発明の第４の実施形態による発光ダイオードの製造方法を詳細に説明すれば次の通りである。
【００６０】
まず、ウエハー上に複数のＬＥＤチップを形成する（Ｓ１０）。ここで、前記ＬＥＤは、青色または紫外線を出力するブルーＬＥＤまたはＵＶ  ＬＥＤであってもよい。
【００６１】
次いで、前記ウエハー上にそれぞれのＬＥＤチップが出力する固有な波長値を測定する（Ｓ２０）。次いで、前記ＬＥＤチップの波長撒布を補償するために、ウエハー上にそれぞれのＬＥＤチップの波長値に対応する蛍光体の配合比を決定する（Ｓ３０）。ここで、 ステップＳ１０で、半導体工程によって形成されたそれぞれのＬＥＤが同一の波長を出力するのではなく、誤差を持って波長が撒布されているため、それぞれのＬＥＤチップが同一の色座標上の白色光を出力するように光変換するために、それぞれのＬＥＤチップの測定された波長に対応する蛍光体の配合比を決定する。
【００６２】
次いで、図３に示すように、ウエハー上のそれぞれのＬＥＤチップの測定された波長値に正確に対応する蛍光体の配合比を示すマッチングマップを得る（Ｓ４０）。前記マッチングマップの配合比によって配合比の種類別に複数の蛍光体とＳｉを混合して脱泡する（Ｓ５０）。
【００６３】
前記マッチングマップによって混合された蛍光物質（適切な配合比を有する蛍光体及びＳｉ）をウエハー上のそれぞれのＬＥＤチップに塗布する（Ｓ６０）。前記ウエハー状態で前記蛍光物質を硬化させる（Ｓ７０）。前記ウエハー上のスクライブ・ラインに沿って前記それぞれのＬＥＤチップを切り取ってウエハーから分離する（Ｓ８０）。
【００６４】
ここで、前記スクライブ・ライン及び前記ＬＥＤチップのメタル・パッドをマスキングした後に前記蛍光物質を塗布することは、前記第１ないし第３の実施形態で説明したため省略する。
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図２】
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