(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と第２の発光素子とを有する表示装置であって、
前記第１の発光素子は、
第１の陽極と、
陰極と、
前記第１の陽極と前記陰極との間に設けられた第１の色を発光する機能を有する第１の層と、
前記第１の陽極と前記第１の層との間に設けられ、前記陰極側に配置されている第１の正孔輸送層と、前記第１の陽極側に配置され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物である第１の電子注入材料で構成されている第１の電子注入層とを有し、前記第１の電子注入材料を前記第１の正孔輸送層に拡散させることで、電子を流す機能を発揮する第２の層と、
前記第１の陽極と前記第２の層との間に設けられた第２の色を発光する機能を有する第３の層と、
を備え、
前記第２の発光素子は、
第２の陽極と、
前記第１の発光素子と共通して設けられた前記陰極と、
前記第２の陽極と前記陰極との間に設けられた第１の色を発光する機能を有する第４の層と、
前記第２の陽極と前記第４の層との間に設けられ、前記陰極側に配置されている第２の正孔輸送層と、前記第２の陽極側に配置され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物である第２の電子注入材料で構成されている第２の電子注入層とを有し、前記第２の電子注入材料の前記第２の正孔輸送層への拡散を防止することで、電子の流れを抑制する機能を発揮する第５の層と、
前記第２の陽極と前記第５の層との間に、前記第５の層に接触して設けられた、イオン伝導性の正孔注入材料で構成された第１の正孔注入層と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置であって、
前記第１の正孔輸送層と前記第２の正孔輸送層、及び前記第１の電子注入層と前記第２の電子注入層は、一体的に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の表示装置であって、
前記第１の層と前記第４の層は、一体的に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の層及び前記第４の層は、気相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第２の正孔輸送層は、気相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第３の層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の色は、青色であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第２の色は、赤色または緑色のいずれかであることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記第１の発光素子は、前記第２の色を発光する発光素子として機能し、前記第２の発光素子は前記第１の色を発光する発光素子として機能することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか一項に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）の製造において、各色に発光する有機ＥＬ素子が備える赤色発光層と緑色発光層とを塗布法で形成し、青色発光層を真空蒸着法（蒸着法）で形成した表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
これは、インクジェット法のような塗布法を用いて作製された有機ＥＬ素子は、赤色および緑色に発光する有機ＥＬ素子では、実用レベルの発光寿命（輝度寿命）や発光効率（電流効率または外部量子効率）を有するものの、青色に発光する有機ＥＬ素子では、実用レベルの発光寿命や発光効率に達しないことが多く、また、真空蒸着法を用いて作製された青色に発光する有機ＥＬ素子は、塗布法を用いて作製されたものと比較して、その発光寿命が数倍以上長く、実用レベルに達していることが多い点に着目した技術である。つまり、インクジェット法のような液相プロセスを用いて作製されたある発光色の有機ＥＬ素子が、実用レベルの発光寿命や発光効率に達しない場合でも、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて作製された同様の発光色の有機ＥＬ素子は、実用レベルの発光寿命や発光効率を有する場合がある。
【０００３】
このような表示装置において、赤色有機ＥＬ素子（赤色画素）および緑色有機ＥＬ素子（緑色画素）は、それぞれ、これらが有する赤色発光層および緑色発光層上に、真空蒸着法を用いて青色発光層が形成された構成、すなわち、赤色発光層および緑色発光層を含む全面に、真空蒸着法により青色発光層が形成された構成となっている。そのため、かかる構成の表示装置の製造方法は、高精細マスクを用いて、青色有機ＥＬ素子（青色画素）のみに選択的に青色発光層を蒸着（成膜）する必要がないことから、大型パネルを備える表示装置の製造に最適である。
【０００４】
しかしながら、この場合、赤色有機ＥＬ素子および緑色有機ＥＬ素子において、青色発光層は、それぞれ、赤色発光層および緑色発光層上に接触して設けられているため、青色発光層から、赤色発光層および緑色発光層へ、電子が十分注入されない場合が多い。
そのため、赤色有機ＥＬ素子（赤色画素）および緑色有機ＥＬ素子（緑色画素）において、意図しない青色発光層が発光することにより、それぞれ、赤色および緑色としての色純度が低くなってしまうことがあった。
すなわち、陰極と陽極の間に複数の発光する機能を有する層（発光機能層）を備えた発光素子において、前記発光する機能を有する層のうち、所望の層を選択的または支配的に発光させることができないという課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、陰極と陽極の間に複数の発光する機能を有する層を備えた発光素子において、これら複数の発光する機能を有する層のうち、所望の層を選択的または支配的に発光させることができる表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の表示装置は、第１の発光素子と第２の発光素子とを有する表示装置であって、
前記第１の発光素子は、
第１の陽極と、
陰極と、
前記第１の陽極と前記陰極との間に設けられた第１の色を発光する機能を有する第１の層と、
前記第１の陽極と前記第１の層との間に設けられ、前記陰極側に配置されている第１の正孔輸送層と、前記第１の陽極側に配置され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物である第１の電子注入材料で構成されている第１の電子注入層とを有し、前記第１の電子注入材料を前記第１の正孔輸送層に拡散させることで、電子を流す機能を発揮する第２の層と、
前記第１の陽極と前記第２の層との間に設けられた第２の色を発光する機能を有する第３の層と、
を備え、
前記第２の発光素子は、
第２の陽極と、
前記第１の発光素子と共通して設けられた前記陰極と、
前記第２の陽極と前記陰極との間に設けられた第１の色を発光する機能を有する第４の層と、
前記第２の陽極と前記第４の層との間に設けられ、前記陰極側に配置されている第２の正孔輸送層と、前記第２の陽極側に配置され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物である第２の電子注入材料で構成されている第２の電子注入層とを有し、前記第２の電子注入材料の前記第２の正孔輸送層への拡散を防止することで、電子の流れを抑制する機能を発揮する第５の層と、
前記第２の陽極と前記第５の層との間に、前記第５の層に接触して設けられた、イオン伝導性の正孔注入材料で構成された第１の正孔注入層と、
を備えたことを特徴とする。
【０００８】
これにより、第１の発光素子において、第２の層によりキャリアの流れが円滑に行われるので、第３の層を選択的に発光させることができるため、第１の発光素子は第２の色を発光するものとなる。第２の発光素子において、第５の層によりキャリアの流れを抑制して、第１の層を発光させることができるため、第２の発光素子は第１の色を発光するものとなる。
【０００９】
また、本発明の表示装置では、前記第２の層は、前記陰極側に配置されている第１の正孔輸送層と、前記第１の陽極側に配置されている第１の電子注入層と、を有することにより、第２の層としての機能を確実に発揮するものとなる。
さらに、本発明の表示装置では、前記第５の層は、前記陰極側に配置されている第２の正孔輸送層と、前記第２の陽極側に配置されている第２の電子注入層と、を有することにより、第５の層としての機能を確実に発揮するものとなる。
また、本発明の表示装置では、前記第１の電子注入層及び前記第２の電子注入層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることにより、第１の発光素子において、第１の正孔輸送層と第１の電子注入層とを介した、第１の層から第３の層への電子の注入性をより向上させることができるようになる。さらに、第２の発光素子において、第２の電子注入層を構成するこれらの材料の第４の層側への拡散が的確に抑制されるようになる。
【００１０】
本発明の表示装置では、前記第１の正孔輸送層と前記第２の正孔輸送層、及び前記第１の電子注入層と前記第２の電子注入層は、一体的に設けられていることが好ましい。
これにより、表示装置の大面積化が容易に行われる。
本発明の表示装置では、前記第１の層と前記第４の層は、一体的に設けられていることが好ましい。
これにより、表示装置の大面積化が容易に行われる。
【００１２】
本発明の表示装置では、前記第１の層及び前記第４の層は、気相プロセスを用いて形成されたものであることが好ましい。
気相プロセスを経て形成される第４の層を備える発光素子は、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
【００１３】
本発明の表示装置では、前記第２の正孔輸送層は、気相プロセスを用いて形成されたものであることが好ましい。
気相プロセスを経て形成される第２の正孔輸送層を備える発光素子は、液相プロセスを経て形成される第２の正孔輸送層を備える発光素子よりも、優れた寿命特性を備えるものである。
【００１４】
本発明の表示装置では、前記第３の層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることが好ましい。
液相プロセスを経て形成される第３の層を備える表示装置は、容易に大面積化が可能である。
本発明の表示装置では、前記第１の正孔注入層は、液相プロセスを用いて形成されたものであることが好ましい。
液相プロセスを経て形成される第１の正孔注入層を備える表示装置は、容易に大面積化が可能である。
【００１５】
本発明の表示装置では、前記第１の色は、青色であることが好ましい。
このように、第１の発光素子が青色の光を発光する機能を有する第１の層を備え、第２の発光素子が青色の光を発光する機能を有する第４の層を備える表示装置に、本発明の表示装置が好適に適用される。
本発明の表示装置では、前記第２の色は、赤色または緑色のいずれかであることが好ましい。
このように、第１の発光素子が赤色または緑色の光を発光する機能を有する第３の層を備える表示装置に、本発明の表示装置が好適に適用される。
【００１６】
本発明の表示装置では、前記第１の発光素子は、前記第２の色を発光する発光素子として機能し、前記第２の発光素子は前記第１の色を発光する発光素子として機能することが好ましい。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図５】実施例１、２の表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図６】比較例１の表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図７】比較例２の表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図８】比較例３の表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図９】比較例４Ｒ、７Ｒの表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図１０】比較例４Ｇ、７Ｇの表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図１１】比較例４Ｂ、７Ｂの表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図１２】比較例５Ｂの表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【図１３】比較例６Ｂの表示装置を模式的に示した縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。なお、本実施形態、本実施例、本比較例における発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。
（表示装置）
まず、本発明の表示装置について説明する。
なお、以下では、本発明の表示装置を、ディスプレイ装置に適用した場合を一例に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図１に示すディスプレイ装置１００は、基板２１と、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。
なお、本実施形態において、ディスプレイ装置１００は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが光Ｒ、Ｇ、Ｂを発光すると、その光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。
【００２０】
基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコン等の半導体材料からなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
【００２１】
また、平坦化層２２上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して、発光素子（有機ＥＬ素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、それぞれ、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂと、陰極８の間に、陰極８側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とをこの順に備える。
第１の層は、第１の色を発光する機能を有する層である。以下、ある色を発光する機能を有する層を発光機能層と称する。本実施形態では、第１の色は青色であり、第１の層は、青色発光機能層５Ｂである。
【００２２】
第２の層は、キャリア選択層４６である。キャリア選択層とは、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層であり、以下、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層のことをキャリア選択層と称する。本実施形態では、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
【００２３】
発光素子１Ｒと１Ｇにおいては、第３の層は第２の色を発光する機能を有する層であり、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒと緑色発光機能層５Ｇである。つまり、本実施形態における第２の色は、発光素子１Ｒと１Ｇにおいて、それぞれ、赤色と緑色である。
また、発光素子１Ｂにおいては、第３の層は正孔注入層４１Ｂである。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒと、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、第３の層としての赤色発光機能層５Ｒと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
また、発光素子１Ｇは、平坦化層２２上に、陽極３Ｇと、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、第３の層としての緑色発光機能層５Ｇと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
【００２４】
さらに、発光素子１Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３Ｂと、第３の層としての正孔注入層４１Ｂと、第２の層としてのキャリア選択層４６と、第１の層としての青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３と、陰極８とが、この順に積層されている。
かかる構成の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの隣接するもの同士の間には、隔壁３１が設けられ、これにより各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが個別に設けられている。
【００２５】
本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおいて、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、各正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、各中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび各発光機能層５Ｒ、５Ｇが、隔壁３１で区画されることにより個別に設けられ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８が、一体的に設けられている。かかる構成とすることで、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、画素電極（個別電極）を構成し、さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。
【００２６】
このように、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備えるディスプレイ装置１００において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの発光輝度を、駆動用トランジスタ２４を用いて制御することにより、すなわち各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂへ印加する電圧を制御することにより、ディスプレイ装置１００のフルカラー表示が可能となる。
かかる構成の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの詳細については後に説明する。
【００２７】
さらに、これらの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上には、本実施形態では、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上に、これを覆うように封止基板２０が設けられている。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
以上説明したようなディスプレイ装置１００は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを同時に発光させることで単色表示が可能であり、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを組み合わせて発光させることでフルカラー表示も可能となる。
以下、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて、順次説明する。
【００２９】
（発光素子１Ｒ）
発光素子（赤色発光素子）１Ｒは、正孔注入層４１Ｒと、中間層４２Ｒと、赤色発光機能層５Ｒと、キャリア選択層４６と、青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｒと陰極８との間に介挿されてなるものである。
【００３０】
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｒにおいて、陽極３Ｒおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｒは正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
【００３１】
以下、発光素子１Ｒを構成する各部について順次説明する。
［陽極３Ｒ］
陽極３Ｒは、正孔注入層４１Ｒに正孔を注入する電極である。
この陽極３Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。
【００３２】
陽極３Ｒの構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、フッ素添加ＳｎＯ２、Ｓｂ添加ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯ等の金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
このような陽極３Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、ディスプレイ装置１００を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極３Ｒには光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
【００３４】
［正孔注入層４１Ｒ］
正孔注入層４１Ｒは、陽極３Ｒからの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層４１Ｒの構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
【００３５】
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記一般式（１）で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記一般式（４）で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。
【００３６】
【化１】
0005418435.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立して未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記一般式（２）または下記一般式（３）で表される二価の基であり、Ｒ４〜Ｒ１１、はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基、アシル基、またはスルホン酸基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の正数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。］
【００３７】
【化２】
0005418435.tif 000003
【００３８】
【化３】
0005418435.tif 000004
［式中、Ｄは、ベンゼン環、ナフタレン環、アトラセン環、フェナントレン環または複素環を表し、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれ独立してカルボキシル基またはヒドロキシル基を表す。］
【００３９】
このような正孔注入層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層４１Ｒは、発光素子１Ｒを構成する、陽極３Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光機能層５Ｒの構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００４０】
［中間層４２Ｒ］
中間層４２Ｒは、正孔注入層４１Ｒから注入された正孔を赤色発光機能層５Ｒまで輸送する機能を有する。また、中間層４２Ｒは、赤色発光機能層５Ｒから中間層４２Ｒへ通過しようとする電子をブロックする機能を有する場合もある。
この中間層４２Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、中間層４２Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記一般式（５）で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。
【００４１】
【化４】
0005418435.tif 000005
【００４２】
このような中間層４２Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この中間層４２Ｒは、発光素子１Ｒを構成する、陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、赤色発光機能層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００４３】
［赤色発光機能層５Ｒ］
赤色発光機能層５Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｒでは、この赤色発光機能層５Ｒが、陽極３Ｒとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この赤色発光機能層５Ｒが発光素子１Ｒにおける第２の色（赤色）を発光する機能を有する。
【００４４】
このような赤色発光機能層５Ｒの構成材料は、特に限定されないが、後述する、赤色発光機能層５Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、赤色発光機能層５Ｒの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（６）および下記一般式（７）で表わされる高分子赤色発光材料が挙げられる。
【００４５】
【化５】
0005418435.tif 000006
【００４６】
なお、このような液相プロセスを経て形成される赤色発光機能層５Ｒを備える発光素子１Ｒは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような赤色発光機能層５Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００４７】
［キャリア選択層４６］
第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｒ側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層（第２の層）４６が構成される。
発光素子１Ｒにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光機能層５Ｒに円滑に注入するというキャリア注入動作を行う。このため、発光素子１Ｒにおいて、青色発光機能層５Ｂの発光は大幅に抑制され、赤色発光機能層５Ｒが選択的もしくは支配的に発光する。
【００４８】
［第１電子注入層６１］
第１電子注入層６１は、キャリア選択層４６を構成する層の一つであり、赤色発光機能層５Ｒに接する層である。
この第１電子注入層６１の構成材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、アルカリ土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、希土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、金属錯体等のような電子注入材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
第１電子注入層６１をこのような電子注入材料を主材料として構成されるものとすることで、キャリア選択層４６を介した、青色発光機能層５Ｂから赤色発光機能層５Ｒへの電子の注入効率をより向上させることができる。
アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。さらに、希土類金属としては、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｂ、Ｅｕが挙げられる。
【００５０】
アルカリ金属塩としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２ＣＯ３、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＣｓＣｌが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩としては、例えば、ＣａＦ２、ＣａＣＯ３、ＳｒＦ２、ＳｒＣＯ３、ＢａＦ２、ＢａＣＯ３が挙げられる。さらに、希土類金属塩としては、例えば、ＳｍＦ３、ＥｒＦ３が挙げられる。
【００５１】
金属錯体としては、例えば、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体が挙げられる。
また、第１電子注入層６１の形成プロセスは、真空蒸着法（蒸着法）やスパッタ法のような気相プロセスを用いても良いし、インクジェット法やスリットコート法のような液相プロセスを用いても良い。
【００５２】
さらに、第１電子注入層６１は、２種以上の電子注入層が積層される形で形成されていても良い。これによって、キャリア選択層４６の発光素子１Ｒにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。
第１電子注入層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。第１電子注入層６１の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、キャリア選択層４６の発光素子１Ｒにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。
【００５３】
［正孔輸送層４３］
正孔輸送層４３は、キャリア選択層４６を構成する層の一つであり、青色発光機能層５Ｂに接する層である。
この正孔輸送層４３の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、正孔輸送層４３の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、下記式（８）で表わされるビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）、下記式（９）で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
【化６】
0005418435.tif 000007
【００５５】
このような正孔輸送層４３の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、キャリア選択層４６の発光素子１Ｒにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。
【００５６】
［青色発光機能層５Ｂ］
青色発光機能層５Ｂは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
本実施形態では、この青色発光機能層５Ｂが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）と陰極８との間に設けられた第１の層を構成し、この青色発光機能層５Ｂが第１の色（青色）を発光する機能を有する。
この青色発光機能層５Ｂの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、青色発光機能層５Ｂの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、例えば、下記式（１０）で表わされるスチリル誘導体の青色発光材料が挙げられる。
【００５７】
【化７】
0005418435.tif 000008
【００５８】
また、その他に青色発光機能層５Ｂの構成材料としては、青色発光材料をゲスト材料としてホスト材料にドープしたものが用いられる。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合させて励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを青色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させる機能を有する。このホスト材料の機能により、ゲスト材料である青色発光材料が効率よく励起され、発光する。
【００５９】
ここで、ホスト材料としては、例えば、下記式（１１）、下記式（１２）および下記式（１３）で表わされるアントラセン誘導体が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。また、ゲスト材料としての青色発光材料としては、例えば、下記式（１４）、下記式（１５）および下記式（１６）で表わされるスチリル誘導体が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００６０】
【化８】
0005418435.tif 000009
【００６１】
なお、このような気相プロセスを経て形成される青色発光機能層５Ｂを備える発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
さらに、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、青色発光機能層５Ｂ中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような青色発光機能層５Ｂの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００６２】
［電子輸送層６２］
電子輸送層６２は、陰極８から第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に注入された電子を青色発光機能層５Ｂに輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層６２は、青色発光機能層５Ｂから電子輸送層６２へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。
【００６３】
電子輸送層６２の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、後述する、電子輸送層６２の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）や８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、下記式（１７）で表わされる化合物のようなシロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、下記式（１８）で表わされる化合物のような含窒素複素環誘導体等が好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６４】
【化９】
0005418435.tif 000010
【００６５】
電子輸送層６２の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、第２電子注入層６３から注入された電子を好適に青色発光機能層５Ｂに輸送することができる。
なお、この電子輸送層６２は、発光素子１Ｒを構成する赤色発光機能層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、第２電子注入層６３および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００６６】
［第２電子注入層６３］
第２電子注入層６３は、陰極８から電子輸送層６２への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。
この第２電子注入層６３の構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、前述の第１電子注入層６１の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
【００６７】
なお、第２電子注入層６３および第１電子注入層６１の構成材料（電子注入材料）は、それぞれ、これらを挾持する２つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、第２電子注入層６３の構成材料と第１電子注入層６１の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
第２電子注入層６３の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この第２電子注入層６３は、電子輸送層６２と陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
【００６８】
［陰極８］
陰極８は、第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極である。
この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極８の構成材料のとしては、後述する、陰極８の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
【００６９】
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造のディスプレイ装置１００とする場合、陰極８には光透過性が求められず、陰極８の構成材料のとしては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
【００７０】
なお、ディスプレイ装置１００がトップエミッション構造の表示装置である場合、陰極８の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の光透過性を維持しつつ、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｒの陽極３Ｒ、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒ、赤色発光機能層５Ｒ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００７１】
（発光素子１Ｇ）
発光素子（緑色発光素子）１Ｇは、正孔注入層４１Ｇと、中間層４２Ｇと、緑色発光機能層５Ｇと、キャリア選択層４６と、青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｇと陰極８との間に介挿されてなるものである。
【００７２】
発光素子１Ｇにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｇ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｇにおいて、陽極３Ｇおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｇは正孔注入層４１Ｇに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
以下、発光素子１Ｇについて説明するが、前述した発光素子１Ｒとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
発光素子１Ｇは、赤色発光機能層５Ｒに代えて緑色発光機能層５Ｇを備えること以外は、前述の発光素子１Ｒと同様の構成のものである。
【００７３】
［緑色発光機能層５Ｇ］
緑色発光機能層５Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成される。
発光素子１Ｇでは、この緑色発光機能層５Ｇが、陽極３Ｇとキャリア選択層（第２の層）４６との間に設けられた第３の層を構成し、この緑色発光機能層５Ｇが発光素子１Ｇにおける第２の色（緑色）を発光する機能を有する。
【００７４】
このような緑色発光機能層５Ｇの構成材料は、特に限定されないが、後述する、緑色発光機能層５Ｇの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、緑色発光機能層５Ｇの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１９）および下記一般式（２０）で表わされる高分子緑色発光材料が挙げられる。
【００７５】
【化１０】
0005418435.tif 000011
【００７６】
なお、このような液相プロセスを経て形成される緑色発光機能層５Ｇを備える発光素子１Ｇは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものである。
このような緑色発光機能層５Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｇの陽極３Ｇ、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光機能層５Ｇ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００７７】
（発光素子１Ｂ）
発光素子（青色発光素子）１Ｂは、正孔注入層４１Ｂと、キャリア選択層４６と、青色発光機能層５Ｂと、電子輸送層６２と、第２電子注入層６３とが、陽極３Ｂ側からこの順に積層された積層体が、陽極３Ｂと陰極８との間に介挿されてなるものである。
発光素子１Ｂにおいて、キャリア選択層４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｂ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｂにおいて、陽極３Ｂおよび陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３Ｂは正孔注入層４１Ｂに正孔を注入する電極として機能し、陰極８は第２電子注入層６３を介して電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。
【００７８】
以下、発光素子１Ｂについて説明するが、前述した発光素子１Ｒとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
発光素子１Ｂは、中間層４２Ｒおよび赤色発光機能層５Ｒの形成を省略して、正孔注入層４１Ｂとキャリア選択層４６とが互いに接する構成としたこと以外は、前記発光素子１Ｒと同様の構成のものである。但し、正孔注入層４１Ｂとキャリア選択層４６とが互いに接する構成としたことに起因して、発光素子１Ｂにおけるキャリア選択層４６の機能は、発光素子１Ｒおよび１Ｇにおけるキャリア選択層４６の機能とは大きく異なる。また、正孔注入層４１Ｂに求められる機能も異なる場合がある。
【００７９】
［正孔注入層４１Ｂ］
正孔注入層４１Ｂは、陽極３Ｂからの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層４１Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１Ｂの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
【００８０】
また、正孔注入層４１Ｂの構成材料（正孔注入材料）としては、第１電子注入層６１を構成する電子注入材料が、拡散もしくは吸着しやすい材料を選択することが望ましい。これによって、キャリア選択層４６の発光素子１Ｂにおけるキャリアブロック動作が的確に行われる。第１電子注入層６１を構成する電子注入材料が、拡散もしくは吸着しやすい正孔注入材料としては、例えば、イオン伝導性正孔注入材料が挙げられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、正孔注入層４１Ｒの構成材料（正孔注入材料）として挙げたものと同様のものを用いることができる。
【００８１】
［キャリア選択層４６］
第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３Ｂ側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層（第２の層）４６が構成される。これら第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を構成する材料としては、それぞれ、前述の発光素子１Ｒの第１電子注入層６１および正孔輸送層４３と同様のものを用いることができる。
【００８２】
発光素子１Ｂにおいて、キャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光機能層５Ｂに留めるというキャリアブロック動作を行う。このため、発光素子１Ｂにおいて、青色発光機能層５Ｂは効率よく発光する。このキャリアブロック動作を的確に行うためには、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３には、キャリアブロック機能を有するものを用いることが望ましい。例えば、前述の発光素子１Ｒの正孔輸送層４３の構成材料として挙げたアミン系化合物を用いることにより、正孔輸送層４３は電子ブロック機能を有するものとなる。
なお、かかる構成の発光素子１Ｂの陽極３Ｂ、正孔注入層４１Ｂ、第１電子注入層６１、正孔輸送層４３、青色発光機能層５Ｂ、電子輸送層６２、第２電子注入層６３および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
【００８３】
以下、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおける作用効果について、キャリア選択層４６の機能を中心に説明する。
本実施形態では、キャリア選択層（第２の層）４６は、第１電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側からこの順に積層された積層体により構成される。
かかる構成のキャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に注入される電子の量を、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ）側に接する層（第３の層）に応じて、選択的に制御する層である。すなわち、キャリア選択層（第２の層）４６は、第３の層の機能によってキャリアの流れが選択される機能を有する層である。
【００８４】
具体的には、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に直接接する層が、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇの場合、すなわち、キャリア選択層の陽極側界面に第２の色を発光する機能を有する発光機能層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。このため、発光素子１Ｒの青色発光機能層５Ｂでは、正孔と電子との再結合が的確に抑制または防止されるため、発光素子１Ｒの青色発光機能層５Ｂは、青色発光しないか、青色発光したとしてもその発光は的確に抑制される。これに対して、赤色発光機能層５Ｒには、陰極８側から青色発光機能層５Ｂを介して電子が供給（注入）されるとともに、陽極３Ｒ側から正孔が供給（注入）される。そして、赤色発光機能層５Ｒでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、赤色発光機能層５Ｒが赤色に発光する。その結果、発光素子１Ｒは赤色に発光する。同様に、発光素子１Ｇにおいても、青色発光機能層５Ｂの発光は大幅に抑制され、緑色発光機能層５Ｇが選択的もしくは支配的に発光する。その結果、発光素子１Ｇは緑色に発光する。
【００８５】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、すなわち、キャリア選択層の陽極側界面に正孔注入層が接触する場合、キャリア選択層４６は青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光機能層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。このため、青色発光機能層５Ｂにおいて、陽極３Ｂ側から供給（注入）された正孔と、陰極８側から供給（注入）された電子とが、再結合しやすくなる。この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、青色発光機能層５Ｂは効率良く発光する。その結果、発光素子１Ｂは高効率で青色に発光する。
このように、キャリア選択層４６は、キャリア選択層（第２の層）４６に接する第３の層の種類によって、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。
【００８６】
発光素子１Ｒと発光素子１Ｇにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動と、発光素子１Ｂにおけるキャリア選択層４６の電子に対する挙動が異なる理由について、正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料だった場合を例に説明を行う。
まず、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇの場合、発光素子１Ｒおよび１Ｇのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、それぞれ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３内に拡散し、これによって発光素子１Ｒおよび１Ｇの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が大きく低下する。この結果、発光素子１Ｒおよび１Ｇでは、青色発光機能層５Ｂから正孔輸送層４３へ電子が円滑に注入される。さらに、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇと、正孔輸送層４３との間に存在する第１電子注入層６１の機能により、正孔輸送層４３から、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇへの電子の注入も円滑に行われる。以上より、発光素子１Ｒおよび１Ｇのように、キャリア選択層４６の陽極（３Ｒ、３Ｇ）側に接する層が、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇの場合、キャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子を、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇに円滑に注入する（キャリア注入動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂから、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇに、電子（キャリア）を円滑に流す動作を行う。
【００８７】
一方、発光素子１Ｂのように、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂで、且つ、その正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料によって構成されている場合、発光素子１Ｂのキャリア選択層４６内の第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、発光素子１Ｂの第１電子注入層６１を構成している電子注入材料が、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３内に拡散せず、発光素子１Ｂの正孔輸送層４３に備わっている電子ブロック機能が低下することはない。この結果、発光素子１Ｂでは、青色発光機能層５Ｂから正孔輸送層４３へ流れてくる電子が、正孔輸送層４３によってブロックされ、青色発光機能層５Ｂ内に留まる。以上より、キャリア選択層４６の陽極３Ｂ側に接する層が正孔注入層４１Ｂの場合、キャリア選択層４６は青色発光機能層５Ｂからキャリア選択層４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光機能層５Ｂに留める（キャリアブロック動作）。すなわち、キャリア選択層４６は、青色発光機能層５Ｂから流れてくる電子（キャリア）の流れを抑制する動作を行う。
【００８８】
本発明者の検討により、発光素子１Ｒからキャリア選択層４６を除き、青色発光機能層５Ｂと、赤色発光機能層５Ｒとが接触して積層された構成の赤色発光素子（キャリア選択層除外赤色発光素子）では、当該キャリア選択層除外赤色発光素子が備える陽極３Ｒと、陰極８との間に電圧を印加すると、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、赤色発光機能層５Ｒに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、青色発光機能層５Ｂにおいて、正孔と電子とが再結合するため、青色発光機能層５Ｂが青色に発光し、当該キャリア選択層除外赤色発光素子の赤色の色純度が悪化することが判っている。また、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、赤色発光機能層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光機能層５Ｒにおける電子と正孔のキャリアバランスが崩れ、発光効率が低下することが判っている。さらに、キャリア選択層除外赤色発光素子では、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、赤色発光機能層５Ｒに円滑に注入（供給）することができないことに起因して、赤色発光機能層５Ｒの陰極側界面でのキャリアに対するエネルギー障壁が増加し、駆動電圧が上昇することが判っている。
【００８９】
このように、キャリア選択層除外赤色発光素子では、赤色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題がある。しかしながら、発光素子１Ｒのように、青色発光機能層５Ｂと赤色発光機能層５Ｒとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、青色発光機能層５Ｂに留まらせることなく、赤色発光機能層５Ｒに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
【００９０】
同様に、発光素子１Ｇからキャリア選択層４６を除き、青色発光機能層５Ｂと、緑色発光機能層５Ｇとが接触して積層された構成の緑色発光素子（キャリア選択層除外緑色発光素子）では、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、緑色発光機能層５Ｇに円滑に注入（供給）することができず、これに起因して、緑色の色純度の悪化、発光効率の低下および駆動電圧の上昇という問題が生じる。しかしながら、発光素子１Ｇのように、青色発光機能層５Ｂと緑色発光機能層５Ｇとの間にキャリア選択層４６を介挿する構成とすることで、陰極８側から青色発光機能層５Ｂに注入された電子を、青色発光機能層５Ｂに留まらせることなく、緑色発光機能層５Ｇに円滑に注入（供給）することができるようになるので、これらの問題は全て解決される。
【００９１】
また、本実施形態の正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂは、気相プロセスを用いて形成することができる。本発明者の検討により、発光素子１Ｂにおいて、正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に、インクジェット法のような液相プロセスを用いた構成の青色発光素子では、発光素子１Ｂと比較して、その発光寿命や発光効率が低下するという問題があることが判っている。
【００９２】
正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層の汚染がこの問題の要因の１つになっていると考えられる。つまり、発光素子１Ｂのように気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂを形成することが可能な場合、正孔輸送層４３の陰極側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光機能層５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層の形成に液相プロセスを用いると、液相プロセスによる成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、液相プロセスによる成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４３の陰極８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層を成膜した場合、正孔輸送層４３の陰極８側界面が汚染され易くなることは明白である。また、液相プロセスで正孔輸送層４３の成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒または分散媒に、溶解または分散させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４３内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４３全体を汚染する可能性がある。同様に、液相プロセスで青色発光機能層５Ｂの成膜を行う場合、青色発光機能層５Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが青色発光機能層５Ｂ全体を汚染する可能性がある。
【００９３】
これに対して、発光素子１Ｂのように、気相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂを形成することが可能な場合、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂの汚染を回避でき、液相プロセスを用いて正孔輸送層４３と青色発光機能層５Ｂのうち少なくとも１つの層を形成したことによる青色発光素子の発光寿命や発光効率の低下という問題は全て解決される。
【００９４】
本実施形態では、正孔注入層４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料を主材料として構成されるのが好ましく、第１電子注入層６１がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物の電子注入材料を主材料として構成されるのが好ましいが、この場合、発光素子１Ｂおいて、第１電子注入層６１に含まれるこれら電子注入材料が、正孔輸送層４３側に拡散すると、電子注入材料が正孔輸送層４３に拡散することによる正孔輸送層４３の電子ブロック性の低下およびそれに伴う青色発光機能層５Ｂにおける発光効率の低下や、電子注入材料が青色発光機能層５Ｂへ拡散することによる青色発光機能層５Ｂにおける発光の阻害およびそれに伴う発光効率の低下という問題が起こる。しかしながら、本実施形態では、発光素子１Ｂにおいて、第１電子注入層６１とイオン伝導性の正孔注入層４１Ｂとが接触しているため、正孔注入層４１Ｂ内に激しく拡散、もしくは正孔注入層４１Ｂの陰極８側界面に吸着するため、これに起因して、電子注入材料の正孔輸送層４３側への拡散が的確に抑制または防止され、前述の電子注入材料が正孔輸送層４３側へ拡散することによって起こる問題は全て解決される。
【００９５】
（ディスプレイ装置１００の製造方法）
以上のようなディスプレイ装置１００は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、基板２１を用意し、形成すべきサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応するように、複数の駆動用トランジスタ２４を形成したのち、これら駆動用トランジスタ２４を覆うように平坦化層２２を形成する（第１の工程）。
【００９６】
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用トランジスタ２４を形成する。
［１−Ａａ］まず、基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。
【００９７】
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
【００９８】
［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
【００９９】
［１−Ｂ］次に、駆動用トランジスタ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
【０１００】
［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂとを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。
【０１０１】
［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、陽極（個別電極）３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを形成する（第２の工程）。
この陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
【０１０２】
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを区画するように、すなわち、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する（第３の工程）。
隔壁３１は、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂを覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、各陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂが露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
【０１０３】
ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
また、隔壁３１の開口の形状は、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
【０１０４】
なお、隔壁３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光機能層５Ｒ、５Ｇを、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁３１の高さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。
【０１０５】
なお、インクジェット法によって、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光機能層５Ｒ、５Ｇを形成する場合、隔壁３１が形成された基板２１は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁３１が形成された基板２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３Ｒ、３Ｇ、３Ｂの表面と隔壁３１の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。次にＣＦ４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。
【０１０６】
［４］次に、発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光機能層５Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光機能層５Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１Ｂを形成する（第４の工程）。この第４の工程について、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ毎に以下に詳述する。
【０１０７】
［発光素子１Ｒ］
発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｒ、中間層４２Ｒおよび赤色発光機能層５Ｒをこの順番に形成する。それぞれの層を形成する工程を正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光機能層５Ｒ形成工程とし、以下に詳述する。
【０１０８】
［正孔注入層４１Ｒ形成工程］
まず、正孔注入層４１Ｒをインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層４１Ｒ形成用のインク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３Ｒ上に塗布する（塗布工程）。
ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３Ｒ上に塗布された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３Ｒが隔壁３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層４１Ｒの輪郭形状が正確に規定される。
【０１０９】
次に、塗布した正孔注入層４１Ｒに対して後処理を施す（後処理工程）。具体的には、各陽極３Ｒ上に塗布した正孔注入層形成用のインク（液状材料）を乾燥し、正孔注入層４１Ｒを形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば４０℃以上、８０℃以下程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層４１Ｒの膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層４１Ｒを不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分を除去するために、正孔注入層４１Ｒが形成された基板２１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層４１Ｒの未不溶化部分が、正孔注入層４１Ｒの上に形成される中間層４２Ｒに、混入することを防ぐことができる。
【０１１０】
［中間層４２Ｒ形成工程］
中間層４２Ｒ形成工程では、まず中間層４２Ｒを各正孔注入層４１Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した中間層４２Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、中間層４２Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、中間層４２Ｒの形成に適したものを適宜選択する。
【０１１１】
［赤色発光機能層５Ｒ形成工程］
赤色発光機能層５Ｒ形成工程では、まず赤色発光機能層５Ｒを各中間層４２Ｒ上に正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した赤色発光機能層５Ｒに対して正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の後処理を施す。但し、赤色発光機能層５Ｒ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、赤色発光機能層５Ｒの形成に適したものを適宜選択する。
【０１１２】
以上の、正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光機能層５Ｒ形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量およびインク滴の着弾位置を、基板の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、正孔注入層４１Ｒの薄膜化、画素サイズの微小化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を図ることができる。また、各層を形成するためのインク（液状材料）を、隔壁３１の内側に選択的に供給することができるため、インクのムダを省くことができる。但し、これら、正孔注入層４１Ｒ形成工程、中間層４２Ｒ形成工程、赤色発光機能層５Ｒ形成工程には、インクジェット法に限らず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の液相プロセスも用いることができる。
【０１１３】
［発光素子１Ｇ］
発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇおよび緑色発光機能層５Ｇをこの順番に発光素子１Ｒと同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｇ、中間層４２Ｇ、緑色発光機能層５Ｇのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。
【０１１４】
［発光素子１Ｂ］
発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１Ｂを発光素子１Ｒの正孔注入層４１Ｒ形成工程と同様の手法を用いて形成する。但し、正孔注入層４１Ｂ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、正孔注入層４１Ｂの形成に適したものを適宜選択する。
以上のように、正孔注入層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、中間層４２Ｒ、４２Ｇおよび発光機能層５Ｒ、５Ｇの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、他の層の塗布工程と同時に行っても良いし、各層の後処理工程は、他の層の後処理工程と同時に行っても良い。
【０１１５】
［５］次に、赤色発光機能層５Ｒ、緑色発光機能層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂおよび隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の平坦化層２２と接している面と反対側の全面を覆うように、第１電子注入層６１を形成する（第５の工程）。
これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１が一括（一体的）に形成される。
【０１１６】
この第１電子注入層６１も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、赤色発光機能層５Ｒ、緑色発光機能層５Ｇ、正孔注入層４１Ｂと第１電子注入層６１との間での層溶解を防止しつつ、第１電子注入層６１を確実に形成することができる。
【０１１７】
［６］次に、第１電子注入層６１の全面を覆うように、正孔輸送層４３を形成する（第６の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の正孔輸送層４３が一括に形成される。
［７］次に、正孔輸送層４３の全面を覆うように、青色発光機能層５Ｂを形成する（第７の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光機能層５Ｂが一括に形成される。
【０１１８】
［８］次に、青色発光機能層５Ｂの全面を覆うように、電子輸送層６２を形成する（第８の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子輸送層６２が一括に形成される。
［９］次に、電子輸送層６２の全面を覆うように、第２電子注入層６３を形成する（第９の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第２電子注入層６３が一括に形成される。
【０１１９】
［１０］次に、第２電子注入層６３の全面を覆うように、陰極８を形成する（第１０の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の陰極８が一括に形成される。
なお、前記工程［６］〜［１０］で形成する各層も、前記工程［発光素子１Ｒ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
【０１２０】
また、前記工程［発光素子１Ｒ］および［発光素子１Ｇ］において、それぞれ、発光機能層５Ｒおよび５Ｇをインクジェット法のような液層プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる発光機能層５Ｒおよび５Ｇを容易に塗り分け、かつディスプレイ装置１００の大面積化を容易に実現することができる。加えて、前記工程［６］および［７］において、それぞれ、正孔輸送層４３および青色発光機能層５Ｂを気相プロセス（気相成膜法）を用いて形成することにより、発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の青色発光機能層５Ｂを一括して（一体的に）形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に青色発光機能層５Ｂを成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を容易に図ることができる。
【０１２１】
また、前記工程［５］および［６］において、それぞれ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を一括して形成する構成とした、すなわち第１電子注入層６１および正孔輸送層４３で構成されるキャリア選択層４６を一体的に形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に第１電子注入層６１および正孔輸送層４３を成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を容易に図ることができる。
以上のようにして、駆動用トランジスタ２４に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが形成される。
【０１２２】
［１１］次に、封止基板２０を用意し、陰極８と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。
これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極８を覆うように陰極８と封止基板２０とを接合することができる。
【０１２３】
この封止基板２０は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８上に設ける構成とすることで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが封止基板２０により封止されたディスプレイ装置（本発明の表示装置）１００が完成される。
このようなディスプレイ装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。
【０１２４】
図２は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１２５】
図３は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１２６】
図４は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１２７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。
【０１２８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１２９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１３０】
なお、本発明の電子機器は、図２のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図３の携帯電話機、図４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１３１】
以上、本発明の表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前記実施形態では、表示装置は、青色よりも長波長の光を発光する発光素子として、赤色発光素子および緑色発光素子を備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色発光素子や橙色発光素子のような青色よりも長波長の光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。
【実施例】
【０１３２】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本実施例および比較例は大面積のディスプレイ装置に関するものであり、赤色発光素子および緑色発光素子をインクジェット法で、青色発光素子を高精細マスクによる塗り分けを必要としない真空蒸着法にて形成するものである。まず、実施例１は、前述した本発明の実施形態の具体的実施結果である。次に、比較例１は、赤色発光素子および緑色発光素子をインクジェット法で、青色発光素子を高精細マスクによる塗り分けを必要としない真空蒸着法にて形成する場合に考えられる最も一般的な構造を示す。さらに、比較例２は比較例１において特性の悪かった赤色発光素子および緑色発光素子の特性の改善を企図した構造である。加えて、比較例３は比較例１において特性の悪かった青色発光素子の特性の改善を企図した構造である。
【０１３３】
１．表示装置（発光装置）および発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１３４】
＜２＞  次に、陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂが形成された基板３２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板３２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板３２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１３５】
＜３Ａ＞  次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞  次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞  次に、青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞  次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱し、各陽極３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂを形成した。
【０１３６】
＜４Ａ＞  次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞  次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１３７】
＜４Ｃ＞  次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。さらに、基板３２１の、赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層３４１Ｒおよび３４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇを形成した。
【０１３８】
＜５Ａ＞  次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（６）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞  次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１３９】
＜５Ｃ＞  次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光機能層３０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光機能層３０５Ｇとを形成した。
【０１４０】
＜６＞  次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子３０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光機能層３０５Ｒ、緑色発光機能層３０５Ｇおよび正孔注入層３４１Ｂ上に、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層３６１とした。
【０１４１】
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。
【０１４２】
具体的には、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ２ＣＯ３が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。
【０１４３】
＜７＞  次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８＞  次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光機能層の構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１４４】
＜９＞  次に、青色発光機能層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
＜１０＞  次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層３６３を形成した。
【０１４５】
＜１１＞  次に、第２電子注入層３６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜１２＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図５に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１４６】
（実施例２）
前記実施例１における前記工程＜５Ａ＞、前記工程＜５Ｂ＞、前記工程＜５Ｃ＞、前記工程＜７＞、前記工程＜８＞および前記工程＜９＞を、それぞれ、下記工程＜５Ａ’＞、下記工程＜５Ｂ’＞、下記工程＜５Ｃ’＞、前記工程＜７’＞、前記工程＜８’＞および前記工程＜９’＞のように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、図５に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１４７】
＜５Ａ’＞  次に、赤色発光素子３０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ’＞  次に、緑色発光素子３０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１４８】
＜５Ｃ’＞  次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱する。これにより、各中間層３４２Ｒおよび３４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの赤色発光機能層３０５Ｒと、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの緑色発光機能層３０５Ｇとを形成した。
【０１４９】
＜７’＞  次に、第１電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、上記式（９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜８’＞  次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光機能層の構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光機能層３０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層３０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１３）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１５）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜９’＞  次に、青色発光機能層３０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
【０１５０】
（比較例１）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板４２１として用意した。次に、この基板４２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１５１】
＜２＞  次に、陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂが形成された基板４２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板４２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板４２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１５２】
＜３Ａ＞  次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞  次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞  次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞  次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板４２１を加熱し、各陽極４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂを形成した。
【０１５３】
＜４Ａ＞  次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞  次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１５４】
＜４Ｃ＞  次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱した。さらに、基板４２１の、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層４４１Ｒおよび４４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇを形成した。
【０１５５】
＜５Ａ＞  次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（６）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞  次に、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１５６】
＜５Ｃ＞  次に、青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
＜５Ｄ＞  次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板４２１を加熱する。これにより、各中間層４４２Ｒおよび４４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光機能層４０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光機能層４０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層４４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層４４３Ｂを形成した。
【０１５７】
＜６＞  次に、赤色発光素子４０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子４０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子４０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光機能層４０５Ｒ、緑色発光機能層４０５Ｇおよび正孔輸送層４４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層４０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層４０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層４０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１５８】
＜７＞  次に、青色発光機能層４０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層４６２を形成した。
＜８＞  次に、電子輸送層４６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層４６３を形成した。
【０１５９】
＜９＞  次に、第２電子注入層４６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極４０８を形成した。
＜１０＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略され、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層４４３Ｂが形成された、図６に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１６０】
（比較例２）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板５２１として用意した。次に、この基板５２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１６１】
＜２＞  次に、陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂが形成された基板５２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板５２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板５２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１６２】
＜３Ａ＞  次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞  次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞  次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞  次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板５２１を加熱し、各陽極５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層５４１Ｒ、５４１Ｇ、５４１Ｂを形成した。
【０１６３】
＜４Ａ＞  次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞  次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１６４】
＜４Ｃ＞  次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱した。さらに、基板５２１の、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層５４１Ｒおよび５４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇを形成した。
【０１６５】
＜５Ａ＞  次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（６）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞  次に、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｃ＞  次に、青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、α−ＮＰＤの１．０ｗｔ％テトラリン溶液を塗布した。
【０１６６】
＜５Ｄ＞  次に、５Ａ、５Ｂおよび５Ｃの各工程で塗布した、上記一般式（６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、α−ＮＰＤのテトラリン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板５２１を加熱する。これにより、各中間層５４２Ｒおよび５４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光機能層５０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光機能層５０５Ｇとを形成した。さらに、正孔注入層５４１Ｂ上に、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層５４３Ｂを形成した。
【０１６７】
＜６＞  次に、赤色発光素子５０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子５０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子５０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光機能層５０５Ｒ、緑色発光機能層５０５Ｇおよび正孔輸送層５４３Ｂ上に、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層５６１とした。
【０１６８】
＜７＞  次に、第１電子注入層５６１上に、真空蒸着法を用いて、以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層５０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層５０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層５０５Ｂ中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１６９】
＜８＞  次に、青色発光機能層５０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層５６２を形成した。
＜９＞  次に、電子輸送層５６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層５６３を形成した。
【０１７０】
＜１０＞  次に、第２電子注入層５６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極５０８を形成した。
＜１１＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、正孔輸送層３４３が形成される代わりに正孔輸送層５４３Ｂが形成された、図７に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１７１】
（比較例３）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板６２１として用意した。次に、この基板６２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ／個別電極）を形成した。
そして、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１７２】
＜２＞  次に、陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂが形成された基板６２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁を形成した。さらに、隔壁が形成された基板６２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板６２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１７３】
＜３Ａ＞  次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｂ＞  次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｃ＞  次に、青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
＜３Ｄ＞  次に、３Ａ、３Ｂ、３Ｃの各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板６２１を加熱し、各陽極６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ上に、それぞれ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層６４１Ｒ、６４１Ｇ、６４１Ｂを形成した。
【０１７４】
＜４Ａ＞  次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜４Ｂ＞  次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１７５】
＜４Ｃ＞  次に、４Ａおよび４Ｂの各工程で塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱した。さらに、基板６２１の、赤色発光素子６０１Ｒおよび緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層６４１Ｒおよび６４１Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇを形成した。
【０１７６】
＜５Ａ＞  次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（６）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
＜５Ｂ＞  次に、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
【０１７７】
＜５Ｃ＞  次に、５Ａおよび５Ｂの各工程で塗布した、上記一般式（６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板６２１を加熱する。これにより、各中間層６４２Ｒおよび６４２Ｇ上に、それぞれ、上記一般式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの赤色発光機能層６０５Ｒと、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ６０ｎｍの緑色発光機能層６０５Ｇとを形成した。
【０１７８】
＜６＞  次に、赤色発光素子６０１Ｒを形成すべき領域、緑色発光素子６０１Ｇを形成すべき領域および青色発光素子６０１Ｂを形成すべき領域に、それぞれ位置する、赤色発光機能層６０５Ｒ、緑色発光機能層６０５Ｇおよび正孔注入層６４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層６４３を形成した。
＜７＞  次に、正孔輸送層６４３上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層６０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層６０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１７９】
＜８＞  次に、青色発光機能層６０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層６６２を形成した。
＜９＞  次に、電子輸送層６６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層６６３を形成した。
【０１８０】
＜１０＞  次に、第２電子注入層６６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極６０８を形成した。
＜１１＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、実施例１に対して、第１電子注入層３６１の形成が省略された、図８に示すようなボトムエミッション構造の表示装置を製造した。
【０１８１】
（比較例４Ｒ）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板７２１として用意した。次に、この基板７２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極７０３Ｒ）を形成した。
そして、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１８２】
＜２＞  次に、陽極７０３Ｒが形成された基板７２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板７２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極７０３Ｒの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板７２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１８３】
＜３＞  次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板７２１を加熱し、陽極７０３Ｒ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層７４１Ｒを形成した。
【０１８４】
＜４＞  次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱した。続いて、基板７２１の、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層７４１Ｒ上に、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層７４２Ｒを形成した。
【０１８５】
＜５＞  次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（６）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（６）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（６）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光機能層７０５Ｒを形成した。
【０１８６】
＜６＞  次に、赤色発光機能層７０５Ｒ上に、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層７６３とした。
＜７＞  次に、第２電子注入層７６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極７０８を形成した。
【０１８７】
＜８＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図９に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この赤色発光素子７０１Ｒは、実施例１の赤色発光素子３０１Ｒ、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒ、比較例２の赤色発光素子５０１Ｒおよび比較例３の赤色発光素子６０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
【０１８８】
（比較例４Ｇ）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板８２１として用意した。次に、この基板８２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極８０３Ｇ）を形成した。
そして、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１８９】
＜２＞  次に、陽極８０３Ｇが形成された基板８２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板８２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極８０３Ｇの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板８２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１９０】
＜３＞  次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板８２１を加熱し、陽極８０３Ｇ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層８４１Ｇを形成した。
【０１９１】
＜４＞  次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（５）で表わされる化合物の１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（５）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱した。続いて、基板８２１の、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層８４１Ｇ上に、上記一般式（５）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの中間層８４２Ｇを形成した。
【０１９２】
＜５＞  次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（１９）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（１９）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（１９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光機能層８０５Ｇを形成した。
【０１９３】
＜６＞  次に、緑色発光機能層８０５Ｇ上に、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ１ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第２電子注入層８６３とした。
＜７＞  次に、第２電子注入層８６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極８０８を形成した。
【０１９４】
＜８＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１０に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この緑色発光素子８０１Ｇは、実施例１の緑色発光素子３０１Ｇ、比較例１の緑色発光素子４０１Ｇ、比較例２の緑色発光素子５０１Ｇおよび比較例３の緑色発光素子６０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
【０１９５】
（比較例４Ｂ）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板９２１として用意した。次に、この基板９２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでＩＴＯ電極（陽極９０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０１９６】
＜２＞  次に、陽極９０３Ｂが形成された基板９２１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ電極を露出するようにパターニングすることで隔壁（バンク）を形成した。さらに、隔壁が形成された基板９２１の表面を、まずＯ２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極９０３Ｂの表面と隔壁の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、隔壁が形成された基板９２１の表面を、ＣＦ４ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなる隔壁の表面のみにＣＦ４ガスが反応して撥液化される。
【０１９７】
＜３＞  次に、青色発光素子９０１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。さらに、塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板９２１を加熱し、陽極９０３Ｂ上に、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層９４１Ｂを形成した。
【０１９８】
＜４＞  次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５＞  次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０１９９】
＜６＞  次に、青色発光機能層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
＜７＞  次に、電子輸送層９６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層９６３を形成した。
【０２００】
＜８＞  次に、第２電子注入層９６３上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極９０８を形成した。
＜９＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１１に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この青色発光素子９０１Ｂは、実施例１の青色発光素子３０１Ｂ、比較例１の青色発光素子４０１Ｂ、比較例２の青色発光素子５０１Ｂおよび比較例３の青色発光素子６０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０２０１】
（比較例５Ｂ）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２１２１として用意した。次に、この基板２１２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２１０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２１０３Ｂが形成された基板２１２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
＜２＞  次に、陽極２１０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、下記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２１４１Ｂを形成した。
【０２０２】
【化１１】
0005418435.tif 000012
【０２０３】
＜３＞  次に、正孔注入層２１４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２１４３Ｂを形成した。
＜４＞  次に、正孔輸送層２１４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層２１０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層２１０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０２０４】
＜５＞  次に、青色発光機能層２１０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２１６２を形成した。
＜６＞  次に、電子輸送層２１６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２１６３を形成した。
【０２０５】
＜７＞  次に、電子注入層上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２１０８を形成した。
＜８＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１２に示すような陽極２１０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２１４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層を有しない、ボトムエミッション構造の青色発光素子２１０１Ｂを製造した。
【０２０６】
（比較例６Ｂ）
＜１＞  まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板２２２１として用意した。次に、この基板２２２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ電極（陽極２２０３Ｂ）を形成した。
そして、陽極２２０３Ｂが形成された基板２２２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
【０２０７】
＜２＞  次に、陽極２２０３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（２１）で表わされる化合物で構成される平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層２２４１Ｂを形成した。
＜３＞  次に、陽極２２４１Ｂ上に、Ｃｓ２ＣＯ３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、第１電子注入層２２６１Ｂとした。
【０２０８】
＜４＞  次に、第１電子注入層２２６１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層２２４３Ｂを形成した。
＜５＞  次に、正孔輸送層２２４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ２０ｎｍの青色発光機能層２２０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層２２０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１１）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１４）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
【０２０９】
＜６＞  次に、青色発光機能層２２０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層２２６２を形成した。
＜７＞  次に、電子輸送層２２６２上に、真空蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、平均厚さ１ｎｍの第２電子注入層２２６３を形成した。
【０２１０】
＜８＞  次に、電子注入層上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極２２０８を形成した。
＜９＞  次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図１３に示すような各層が蒸着層で構成される青色発光素子を製造した。
以上の工程により、図１３に示すような陽極２２０３Ｂ上の各層が蒸着層で構成され、正孔注入層２２４１Ｂにイオン伝導性の材料を用いず、かつ第１電子注入層２２６１Ｂを有する、ボトムエミッション構造の青色発光素子２２０１Ｂを製造した。
【０２１１】
（比較例７Ｒ）
前記比較例４Ｒにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例４Ｒと同様にして、図９に示すようなボトムエミッション構造の赤色発光素子７０１Ｒを製造した。この比較例７Ｒの赤色発光素子７０１Ｒは、実施例２の赤色発光素子３０１Ｒの特性を規格化するために用いた。
【０２１２】
＜５’＞  次に、赤色発光素子７０１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（７）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（７）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板７２１を加熱する。これにより、各中間層７４２Ｒ上に、上記一般式（７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの赤色発光機能層７０５Ｒを形成した。
【０２１３】
（比較例７Ｇ）
前記比較例４Ｇにおける前記工程＜５＞を、下記工程＜５’＞のように変更したこと以外は、前記比較例４Ｇと同様にして、図１０に示すようなボトムエミッション構造の緑色発光素子８０１Ｇを製造した。この比較例７Ｇの緑色発光素子８０１Ｇは、実施例２の緑色発光素子３０１Ｇの特性を規格化するために用いた。
【０２１４】
＜５’＞  次に、緑色発光素子８０１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記一般式（２０）で表わされる化合物の１．２ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。さらに、塗布した上記一般式（２０）で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板８２１を加熱する。これにより、各中間層８４２Ｇ上に、上記一般式（２０）で表わされる化合物で構成される平均厚さ８０ｎｍの緑色発光機能層８０５Ｇを形成した。
【０２１５】
（比較例７Ｂ）
前記比較例４Ｂにおける前記工程＜４＞、前記工程＜５＞および前記工程＜６＞を、それぞれ、下記工程＜４’＞、下記工程＜５’＞および下記工程＜６’＞のように変更したこと以外は、前記比較例４Ｂと同様にして、図１１に示すようなボトムエミッション構造の青色発光素子９０１Ｂを製造した。この比較例７Ｂの青色発光素子９０１Ｂは、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの特性を規格化するために用いた。
【０２１６】
＜４’＞  次に、正孔注入層９４１Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（９）で表わされる化合物で構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層９４３Ｂを形成した。
＜５’＞  次に、正孔輸送層９４３Ｂ上に、真空蒸着法を用いて以下に示す構成材料で構成される平均厚さ１０ｎｍの青色発光機能層９０５Ｂを形成した。
ここで、青色発光機能層９０５Ｂの構成材料としては、ホスト材料として上記式（１３）で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記式（１５）で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
＜６’＞  次に、青色発光機能層９０５Ｂ上に、真空蒸着法を用いて、上記式（１７）で表わされる化合物で構成される平均厚さ３０ｎｍの電子輸送層９６２を形成した。
【０２１７】
２．評価
各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１０ｃｄ／ｍ２となるように発光素子に定電流を流し、このときに発光する発光素子の光の色を目視にて観察した。
ここで、１０ｃｄ／ｍ２という低輝度の値を選んだ理由は、各実施例の各発光素子および各比較例の各発光素子において、例え高輝度側（高電流密度側）で所望の発光色が得られたとしても、低輝度側（低電流密度側）に行くにつれて発光色が変化し、低輝度側（低電流密度側）では所望の発光色が得られない場合があったためである。逆に、低輝度側（低電流密度側）で所望の発光色が得られれば、高輝度側（高電流密度側）でも問題なく所望の発光色が得られた。なお、ここで所望の発光色が得られるとは、赤色発光素子では赤色発光が、緑色発光素子では緑色発光が、青色発光素子では青色発光が得られることを指す。
【０２１８】
また、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２となるように発光素子に定電流を流し、発光素子にかかる電圧、発光素子から放出された光の電流効率を測定した。
さらに、各実施例および各比較例の表示装置および発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ２となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の８０％となるまでの時間（ＬＴ８０）を測定した。
そして、実施例１、比較例１、２、３については、比較例４Ｒ、４Ｇ、４Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。また、実施例２については、比較例７Ｒ、７Ｇ、７Ｂで測定された測定値を基準として規格した値を求めた。
これらの結果を表１、表２に示す。
【０２１９】
【表１】
0005418435.tif 000013
【０２２０】
【表２】
0005418435.tif 000014
【０２２１】
表１、２から明らかなように、各実施例の表示装置において、これらが備える発光素子は、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光機能層３０５Ｒと青色発光機能層３０５Ｂとの間に、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光機能層３０５Ｇと青色発光機能層３０５Ｂとの間に、青色発光素子３０１Ｂでは正孔注入層３４１Ｂと青色発光機能層３０５Ｂとの間に、それぞれ、キャリア選択層として第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３とが介挿された構成となっていることにより、赤色発光素子３０１Ｒでは赤色発光機能層３０５Ｒが、緑色発光素子３０１Ｇでは緑色発光機能層３０５Ｇが、青色発光素子３０１Ｂでは青色発光機能層３０５Ｂが、それぞれ、選択的に発光した。その結果、赤色、緑色および青色の各発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂにおいて、それぞれ、高い色純度の赤色発光、緑色発光および青色発光が得られた。また、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例１では０．８９以上、実施例２では０．９３以上という高い規格化電流効率が得られ、発光効率に優れた素子となった。さらに、赤色、緑色および青色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇ、３０１Ｂすべてにおいて、実施例１では０．７２以上、実施例２では０．６５以上という優れた規格化寿命が得られ、長寿命化が図られたものとなった。加えて、赤色および緑色の発光素子３０１Ｒ、３０１Ｇの規格化電圧は、実施例１では１．１５以下、実施例２では１．０７以下、に抑えられており、駆動電圧の観点からも優れた特性が得られた。
【０２２２】
実施例１および実施例２に対して、比較例１の表示装置では、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との介挿が省略されている。このため、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇでは、それぞれ、青色発光機能層４０５Ｂから赤色発光機能層４０５Ｒおよび緑色発光機能層４０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われず、その結果、赤色および緑色の他に、青色が発光してしまう結果となった。これによって、赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、それぞれ、赤色および緑色の色純度が大幅に低下した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光機能層４０５Ｂから、赤色発光機能層４０５Ｒもしくは緑色発光機能層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光機能層４０５Ｒもしくは緑色発光機能層４０５Ｇのみならず、青色発光機能層４０５Ｂも同時に発光したためである。
【０２２３】
さらに、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化寿命（ＬＴ８０）が、それぞれ、０．１３および０．３８と低い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光機能層４０５Ｂから、赤色発光機能層４０５Ｒもしくは緑色発光機能層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光機能層４０５Ｒもしくは緑色発光機能層４０５Ｇの陰極４０８側界面の電子による劣化が大きかったためだと考えられる。
【０２２４】
また、比較例１の青色発光素子４０１Ｂの規格化寿命も０．５１と低い値となった。これは、比較例１の青色発光素子４０１Ｂの正孔輸送層４４３Ｂをインクジェット法で成膜したためである。つまり、真空蒸着法のような気相プロセスを用いれば、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面を、真空以外の雰囲気にさらすことなく、次の青色発光機能層４０５Ｂの成膜を連続的に行うことができるが、インクジェット法のような液相プロセスを用いると、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空雰囲気で行うことが困難であるため、正孔輸送層４４３Ｂの成膜は真空以外の雰囲気（例えば大気や窒素）で行うことになり、少なくとも正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面は真空以外の雰囲気にさらされることになる。このように液相プロセスを用いて正孔輸送層４４３Ｂを成膜した場合、正孔輸送層４４３Ｂの陰極４０８側界面が汚染され易くなり、これが青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くする。また、液相プロセスで正孔輸送層４４３Ｂの成膜を行う場合、正孔輸送材料を溶媒に溶解させた溶液を成膜に用いるため、正孔輸送層４４３Ｂ内に極微量の溶媒が残留し、これが正孔輸送層４４３Ｂ全体を汚染するため、青色発光素子４０１Ｂの寿命を短くなる。
【０２２５】
加えて、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇの規格化電圧が１．２５および１．２７と高い値を示した。これは、比較例１の赤色発光素子４０１Ｒおよび緑色発光素子４０１Ｇにおいて、青色発光機能層４０５Ｂから、赤色発光機能層４０５Ｒもしくは緑色発光機能層４０５Ｇへの電子注入性が不十分であるため、赤色発光機能層４０５Ｒおよび緑色発光機能層４０５Ｇの陰極４０８側界面での電子に対するエネルギー障壁が高いという状態が生じ、その結果、駆動電圧が２割以上上昇するという結果になったと考えられる。
【０２２６】
また、比較例２の表示装置では、実施例１および実施例２に対して、正孔輸送層３４３の介挿が省略されている。しかしながら、赤色発光素子５０１Ｒおよび緑色発光素子５０１Ｇにおいて、青色発光機能層５０５Ｂと赤色発光機能層５０５Ｒおよび緑色発光機能層５０５Ｇの間に第１電子注入層５６１が存在しているため、青色発光機能層５０５Ｂから赤色発光機能層５０５Ｒおよび緑色発光機能層５０５Ｇへの電子の注入が円滑に行われ、その結果、赤色発光素子５０１Ｒでは赤色発光機能層５０５Ｒのみが、緑色発光素子５０１Ｇでは緑色発光機能層５０５Ｇのみが、選択的に発光し、青色発光機能層５０５Ｂの発光を抑制することができた。但し、青色発光素子５０１Ｂにおいて、第１電子注入層５６１が青色発光機能層５０５Ｂに接する構造となっているため、この第１電子注入層５６１が青色発光機能層５０５Ｂの発光を阻害し、このため、規格化電流効率と規格化寿命が極端に低い値となり、実用レベルの特性に程遠い結果となった。また、電流効率が極端に低くなったことに起因して、駆動電圧も１．３６と大幅に上昇する結果となった。
【０２２７】
また、比較例３の表示装置では、実施例１および実施例２に対して、第１電子注入層３６１の介挿が省略されている。
このため、赤色発光素子６０１Ｒにおいて、青色発光機能層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から赤色発光機能層６０５Ｒへの電子の注入が円滑に行われない。このため、赤色発光機能層６０５Ｒはほとんど発光せず、青色発光機能層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
【０２２８】
同様に、比較例３の表示装置の緑色発光素子６０１Ｇにおいて、青色発光機能層６０５Ｂから正孔輸送層６４３への電子注入、および正孔輸送層６４３から緑色発光機能層６０５Ｇへの電子の注入が円滑に行わない。このため、緑色発光機能層６０５Ｇはほとんど発光せず、青色発光機能層６０５Ｂが強く発光してしまう結果となった。
つまり、比較例３の表示装置では、赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇと青色発光素子６０１Ｂの全てが青色に発光した。
【０２２９】
以上の各実施例と各比較例の結果をまとめると以下の通り。まず、赤色発光素子と緑色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例１および実施例２および比較例２である。しかしながら、比較例２の青色発光素子５０１Ｂの電流効率は極端に低く、寿命も極端に短かったため、比較例２は表示装置として実用レベルに達しなかった。
【０２３０】
次に、青色発光素子において、所望の発光色および０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、実施例１および実施例２および比較例３である。しかしながら、比較例３の赤色発光素子６０１Ｒと緑色発光素子６０１Ｇは、青色に発光したため、表示装置として実用レベルに達しなかった。
以上より、表示装置として実用レベルに達したのは、実施例１と実施例２のみであった。
【０２３１】
なお、本発明の実施例１および実施例２の赤色発光素子３０１Ｒ、緑色発光素子３０１Ｇおよび青色発光素子３０１Ｂの全てにおいて、所望の色が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体がキャリア選択層として機能したためである。また、本発明の実施例１および実施例２の赤色発光素子３０１Ｒおよび緑色発光素子３０１Ｇにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのも、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能したためである。さらに、本発明の実施例の青色発光素子３０１Ｂにおいて、０．６０以上の実用レベルの規格化寿命が得られたのは、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３との積層体がキャリア選択層として機能し、且つ、正孔輸送層３４３と青色発光機能層３０５Ｂを真空蒸着法によって成膜したためである。
【０２３２】
比較例１と比較例３の青色発光素子の比較より、比較例３の真空蒸着法によって成膜した正孔輸送層６４３を有する青色発光素子６０１Ｂでは、比較例１のインクジェット法によって成膜した正孔輸送層４４３Ｂを有する青色発光素子４０１Ｂに比べ、２倍近い寿命が得られ、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命は実用レベルに達した。さらに実施例１と比較例３の青色発光素子の比較により、実施例１の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例１の正孔輸送層３４３と青色発光機能層３０５Ｂを、比較例３の正孔輸送層６４３と青色発光機能層６０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
【０２３３】
同様に、実施例２と比較例７Ｂの青色発光素子の比較により、実施例２の青色発光素子３０１Ｂの発光寿命は、比較例７Ｂの青色発光素子９０１Ｂの発光寿命と同等であり、実用レベルに達していることがわかる。これは、実施例２の正孔輸送層３４３と青色発光機能層３０５Ｂを、比較例７Ｂの正孔輸送層９４３Ｂと青色発光機能層９０５Ｂと同様に、真空蒸着法にて成膜したことに起因する。
【０２３４】
また、前述の電流効率の測定方法に従って測定した測定値から、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、実施例１の青色発光素子３０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例３の青色発光素子６０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。さらに、比較例５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率と、比較例６Ｂの青色発光素子２２０１Ｂの電流効率とを、それぞれ、比較例５Ｂの青色発光素子２１０１Ｂの電流効率で規格化した値を求めた。
これらの結果を表３、表４に示す。
【０２３５】
【表３】
0005418435.tif 000015
【０２３６】
【表４】
0005418435.tif 000016
【０２３７】
ここで、表３は、青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合において、第１電子注入層３６１の有無が青色発光素子６０１Ｂおよび３０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。これに対し、表４は、青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂがそれぞれ有する正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂが、イオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合において、第１電子注入層２２６１Ｂの有無が青色発光素子２１０１Ｂおよび２２０１Ｂの電流効率にどう影響するかを示すものである。
【０２３８】
表３から明らかなように、正孔注入層６４１Ｂおよび３４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成される場合、第１電子注入層３６１を有する青色発光素子３０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層３６１を有しない青色発光素子６０１Ｂの電流効率と、大きく変わらない。これに対して、表４から明らかなように、正孔注入層２１４１Ｂおよび２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔注入材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂを有する青色発光素子２２０１Ｂの電流効率は、第１電子注入層２２６１Ｂを有しない青色発光素子２１０１Ｂの電流効率に比べ、大幅に低下する結果となった。
【０２３９】
つまり、正孔注入層／電子注入層／正孔輸送層／青色発光機能層／電子輸送層という同一の積層構造（積層体）であっても、正孔注入層をイオン伝導性の正孔注入材料で構成しなければ、第１電子注入層２２６１Ｂの存在により、青色発光素子２２０１Ｂの青色発光が著しく阻害される結果となった。
このことは、正孔注入層２２４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成されない場合、第１電子注入層２２６１Ｂに含まれる電子注入材料が正孔輸送層２２４３Ｂや青色発光機能層２２０５Ｂに拡散し、これによって、青色発光機能層２２０５Ｂの青色発光が阻害されたことを示す。
【０２４０】
これに対して、正孔注入層３４１Ｂがイオン伝導性の正孔輸送材料で構成される場合、第１電子注入層３６１に含まれる電子注入材料が主として、正孔注入層３４１Ｂに拡散、もしくは正孔注入層３４１Ｂの陰極３０８側界面に吸着するため、正孔輸送層３４３や青色発光機能層３０５Ｂへの拡散が大幅に抑制された。
つまり、実施例１および実施例２において、第１電子注入層３６１と正孔輸送層３４３の積層体から成るキャリア選択層を備える青色発光素子３０１Ｂを、高い電流効率（発光効率）で発光させるには、正孔注入層３４１Ｂにイオン伝導性の正孔注入材料を用いる必要がある。
上記実施形態の他にも、様々な変形を加えることができる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０２４１】
（変形例１）
本実施形態では、発光素子１Ｒ、１Ｇおよび１Ｂに対して、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇであり、且つ、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第１の層が青色発光機能層５Ｂである場合について説明した。しかしながら、本発明の適用範囲は、かかる場合に限定されず、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層と第１の層が、それぞれ、異なる発光色の発光機能層であれば良く、例えば、発光素子１Ｒおよび１Ｇの第３の層が、それぞれ、黄色および橙色、第１の層が緑色を発光するものであっても良い。この場合、発光素子１Ｒは赤色発光機能層５Ｒに代えて黄色発光機能層を備え、発光素子１Ｇは緑色発光機能層５Ｇに代えて橙色発光機能層を備えるものとなる。さらに、発光素子１Ｒおよび１Ｇは、青色発光機能層５Ｂに代えて緑色発光機能層を備えるものとなる。
ただし、本実施形態のように、発光素子１Ｒおよび１Ｇの、それぞれの第３の層に赤色発光機能層５Ｒおよび緑色発光機能層５Ｇを、第１の層に青色発光機能層５Ｂを、適用することが好ましい。
【０２４２】
（変形例２）
本実施形態では、ディスプレイ装置１００を、基板２１側から光を取り出すボトムエミッション構造のディスプレイパネルに適用した場合について説明したが、これに限定されず、封止基板２０側から光を取り出すトップエミッション構造のディスプレイパネルにも適用することが可能である。これによって、ディスプレイ装置１００の色再現範囲を向上させることができる。
【０２４３】
（変形例３）
本実施形態では、ディスプレイ装置１００の光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるにあたって、それぞれの光に対応したカラーフィルタ（色変換層）を設けていないが、基板２１に接する面もしくは基板２１内に、各サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられたカラーフィルタを有する構造としても良い。これによって、ディスプレイ装置１００の色再現範囲を向上させることができる。
【符号の説明】
【０２４４】
１Ｒ、３０１Ｒ、４０１Ｒ、５０１Ｒ、６０１Ｒ、７０１Ｒ……赤色発光素子  １Ｇ、３０１Ｇ、４０１Ｇ、５０１Ｇ、６０１Ｇ、８０１Ｇ……緑色発光素子  １Ｂ、３０１Ｂ、４０１Ｂ、５０１Ｂ、６０１Ｂ、９０１Ｂ、２１０１Ｂ、２２０１Ｂ……青色発光素子  ３Ｒ、３Ｇ、３Ｂ、３０３Ｒ、３０３Ｇ、３０３Ｂ、４０３Ｒ、４０３Ｇ、４０３Ｂ、５０３Ｒ、５０３Ｇ、５０３Ｂ、６０３Ｒ、６０３Ｇ、６０３Ｂ、７０３Ｒ、８０３Ｇ、９０３Ｂ、２１０３Ｂ、２２０３Ｂ……陽極  ４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ、３４１Ｒ、３４１Ｇ、３４１Ｂ、４４１Ｒ、４４１Ｇ、４４１Ｂ、５４１Ｒ、５４１Ｇ、５４１Ｂ、６４１Ｒ、６４１Ｇ、６４１Ｂ、７４１Ｒ、８４１Ｇ、９４１Ｂ、２１４１Ｂ、２２４１Ｂ……正孔注入層  ４２Ｒ、４２Ｇ、３４２Ｒ、３４２Ｇ、４４２Ｒ、４４２Ｇ、５４２Ｒ、５４２Ｇ、６４２Ｒ、６４２Ｇ、７４２Ｒ、８４２Ｇ……中間層  ４３、３４３、４４３Ｂ、５４３Ｂ、６４３、９４３Ｂ、２１４３Ｂ、２２４３Ｂ……正孔輸送層  ４６……キャリア選択層  ５Ｒ、３０５Ｒ、４０５Ｒ、５０５Ｒ、６０５Ｒ、７０５Ｒ……赤色発光機能層  ５Ｇ、３０５Ｇ、４０５Ｇ、５０５Ｇ、６０５Ｇ、８０５Ｇ……緑色発光機能層  ５Ｂ、３０５Ｂ、４０５Ｂ、５０５Ｂ、６０５Ｂ、９０５Ｂ、２１０５Ｂ、２２０５Ｂ……青色発光機能層  ６１、３６１、５６１、２２６１Ｂ……第１電子注入層  ６３、３６３、４６３、５６３、６６３、７６３、８６３、９６３、２１６３、２２６３……第２電子注入層  ６２、３６２、４６２、５６２、６６２、９６２、２１６２、２２６２……電子輸送層  ８、３０８、４０８、５０８、６０８、７０８、８０８、９０８、２１０８、２２０８……陰極  １００……ディスプレイ装置  １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ……サブ画素  ２０……封止基板  ２１、３２１、４２１、５２１、６２１、７２１、８２１、９２１、２１２１、２２２１……基板  ２２……平坦化層  ２４……駆動用トランジスタ  ２４１……半導体層  ２４２……ゲート絶縁層  ２４３……ゲート電極  ２４４……ソース電極  ２４５……ドレイン電極  ２７……配線  ３１……隔壁  ３５……エポキシ層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
0005418435.tif 000017
【図２】
0005418435.tif 000018
【図３】
0005418435.tif 000019
【図４】
0005418435.tif 000020
【図５】
0005418435.tif 000021
【図６】
0005418435.tif 000022
【図７】
0005418435.tif 000023
【図８】
0005418435.tif 000024
【図９】
0005418435.tif 000025
【図１０】
0005418435.tif 000026
【図１１】
0005418435.tif 000027
【図１２】
0005418435.tif 000028
【図１３】
0005418435.tif 000029