(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱温度が異なる複数の部材から構成されるデバイスの、前記複数の部材の中で耐熱温度の高い部材への成膜に用いられる成膜用治具において、
前記成膜用治具は、前記デバイスを保持する保持部材と、前記デバイスの非成膜部分をマスクするマスク部材とからなり、
前記保持部材の前記デバイスの被成膜部材と接触する部分は、前記被成膜部材の面に倣って形成されており、
前記保持部材および前記マスク部材の前記非成膜部分と接する部分は、突起物が形成されている成膜用治具。
【請求項２】
前記非成膜部分と前記保持部材の前記突起物との接触面積、および、前記非成膜部分と前記マスク部材の前記突起物との接触面積が、前記非成膜部分の面積に対して１％以下である請求項１に記載の成膜用治具。
【請求項３】
成膜温度が２５０℃以下の成膜に使用される請求項１または２に記載の成膜用治具。
【請求項４】
ＣＶＤ法による成膜に使用される請求項１から３のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項５】
減圧下による成膜に使用される請求項１から４のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項６】
前記被成膜部材の成膜面と、前記マスク部材と、の高さが等しい請求項１から５のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項７】
前記マスク部材は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）で形成されている請求項１から６のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項８】
前記マスク部材はセラミックスで形成されている請求項１から６のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項９】
インクジェットヘッドへの成膜に使用される請求項１から８のいずれか１項に記載の成膜用治具。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の成膜用治具を用いて前記デバイスを保持し、
減圧下で、前記保持部材側から加熱を行い、前記被成膜部材に成膜を行う成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜用治具、および、この成膜用治具を用いた成膜方法に係り、特に、耐熱温度の異なる複数の部材からなる被成膜物に成膜する際に用いられる成膜用治具、および、この成膜用治具を用いた成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）などの耐熱温度の低い材料を含むデバイスに成膜を行う場合、耐熱温度の高い箇所に成膜する場合においても、成膜温度は耐熱温度の低い材料に合わせて設定する必要がある。さらに、材料からの脱ガスなどがある場合には、成膜時のコンタミ（コンタミネーション）の原因となるため、脱ガスが発生する温度より低い温度で成膜を行う必要がある。特に化学気相蒸着法（ＣＶＤ）などのガスを利用する成膜法の場合にこの影響が顕著である。そのため、本来成膜温度を高くしなければ性能が得られない材料の場合には、耐熱温度の低い材料を含むデバイスに成膜することは困難であった。
【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、光ＣＶＤ装置において、成膜材料のマスクパターンへの付着を低減するために、マスク本体に成膜用ガスの付着を抑制する温度（１００℃）に保持するための熱線を備えることが記載されている。下記の特許文献２には、アノード電極に配置された、加熱器と加熱器と並んで延設される冷却管とにより、被処理物の温度を均一にすることが記載されている。これにより、所定の領域に温度差を設けることができる。
【０００４】
また、下記の特許文献３には、基板表面の一部にレーザー光を照射、または、強光、エネルギービームを照射することで、温度を部分的に変化させて成膜を行う方法が記載されている。また、電流を流す、誘導電流により加熱する方法も記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５１６３号公報
【特許文献２】特開２０１２−８２５０４号公報
【特許文献３】特開平８−２８８２８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、特許文献１〜３は、基板やマスクの温度を制御する方法が記載されており、これらの方法を用いれば、被成膜対象を選択的に加熱することで、耐熱温度の低い非被成膜対象よりも、高い温度で被成膜対象に成膜することが可能である。しかしながら、これらの方法は、全て外部から熱を供給したり、冷却溶媒を供給することで、温度制御を行っている。このような場合には、装置の構成が複雑になり、コストが高くなるという問題があった。また、特許文献３においては、レーザー光線を用いて成膜を行っており、細かいパターンで成膜を行うことは可能であるが、大面積にパターニングするためには、同様に、装置構成が非常に複雑になるという問題があった。電流加熱の場合にも、加熱しかできないため、熱伝導により熱が伝わり、温度制御が困難であるという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、簡易な方法で、被成膜対象を選択的に加熱することで、耐熱温度の低い非被成膜対象の耐熱温度よりも高い温度で、被成膜対象に成膜することができる成膜用治具、および、この成膜用治具を用いた成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前記目的を達成するために、耐熱温度が異なる複数の部材から構成されるデバイスの、複数の部材の中で耐熱温度の高い部材への成膜に用いられる成膜用治具において、成膜用治具は、デバイスを保持する保持部材と、デバイスの非成膜部分をマスクするマスク部材とからなり、保持部材のデバイスの被成膜部材と接触する部分は、被成膜部材の面に倣って形成されており、保持部材およびマスク部材の非成膜部分と接する部分は、突起物が形成されている成膜用治具を提供する。
【０００９】
本発明の成膜用治具によれば、複数の部材からなるデバイスの耐熱温度の高い部材への成膜において、成膜を行う被成膜部材は保持部材が被成膜部材の面に倣って形成されているので、接触面積を増やすことができる。したがって、保持部材の温度を被成膜部材に熱伝導により伝わり易くすることができ、被成膜部材の温度を高くすることができる。逆に、非成膜部分は、保持部材およびマスク部材の突起物と接触させているので、非成膜部分と、保持部材およびマスク部材と、の接触面積を小さくすることができる。したがって、非成膜部分には、保持部材およびマスク部材からの熱伝導を抑えることができる。
【００１０】
なお、有機物を含むデバイスに成膜を行う場合には、温度が高温になると、フタル酸系や炭化水素系の脱ガスが大量に発生し、被成膜部材と成膜物との界面、または、膜中に取り込まれることで、十分な性能が得られなくなる。したがって、低温で成膜を行う必要がある。本発明において、「耐熱温度」とは、有機物を含むデバイスに成膜を行う場合は。脱ガスの影響により、成膜物が十分な性能が得られない温度であり、それ以外は、材料が劣化し、十分な性能が得られなくなる温度である。
【００１１】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、非成膜部分と保持部材の突起物との接触面積、および、非成膜部分とマスク部材の突起物との接触面積が、非成膜部分の面積に対して１％以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、非成膜部分と、保持部材およびマスク部材の突起物との接触面積が１％以下であるので、保持部材およびマスク部材から非成膜部分への熱伝導を抑えることができるので、非成膜部分の温度上昇を抑えることができる。
【００１３】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、成膜温度が２５０℃以下の成膜に使用されることが好ましい。
【００１４】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、成膜温度が２５０℃以下の成膜に用いられるため、熱輻射による伝熱の影響が小さい条件で成膜を行っている。したがって、非成膜部材への伝熱は、保持部材とマスク部材の凸部の接点からの熱伝達が支配的となるため、非成膜部材への伝熱を抑えることができる。
【００１５】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、ＣＶＤ法による成膜に使用されることが好ましい。
【００１６】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、非成膜部分からの脱ガスの発生を防ぐことができるので、ＣＶＤ法による成膜に使用したとしても、成膜ガス中に混ざる有機コンタミ成分の量を少なくすることができる。したがって、ＣＶＤ法による成膜において好ましく使用できる。
【００１７】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、減圧下による成膜に使用されることが好ましい。
【００１８】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、減圧下による成膜に使用されるため、伝熱の媒体となる気体を少なくすることができる。これにより、断熱効果を向上させ、熱伝達による伝熱を抑えることができるので、デバイスの温度上昇は、成膜用治具からの熱伝導が支配的となる。したがって、被成膜部材の温度を上昇させ、非成膜部分の温度上昇を抑えることができるので、耐熱温度が異なり、成膜温度が非成膜部分の耐熱温度より高くても非成膜部分自体の温度上昇を抑えることができる。
【００１９】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、被成膜部材の成膜面と、マスク部材と、の高さが等しいことが好ましい。
【００２０】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、成膜面とマスク部材の高さを等しくすることにより、プラズマを用いた成膜において、電界集中による放電を防ぐことができるので、均一な膜を形成することができる。
【００２１】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、マスク部材は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）で形成されていることが好ましい。
【００２２】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、マスク部材をチタンまたはクロムで形成することにより、成膜時の付着物との密着性を高くすることができるので、成膜時に付着物が剥離することを防止することができる。
【００２３】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、マスク部材はセラミックスで形成されていることが好ましい。
【００２４】
本発明の他の態様に係る成膜用治具によれば、マスク部材はセラミックスで形成されているので、マスク部材を再利用する際、ウェットエッチング、ドライエッチングで付着物を除去しても、マスク部材に耐久性を持たせることができる。
【００２５】
本発明の他の態様に係る成膜用治具は、インクジェットヘッドへの成膜に使用されることが好ましい。
【００２６】
インクジェットヘッドの成膜に好ましく使用することができる。
【００２７】
本発明は前記目的を達成するために、上記記載の成膜用治具を用いてデバイスを保持し、減圧下で、保持材側から加熱を行い、被成膜部材に成膜を行う成膜方法を提供する。
【００２８】
本発明によれば、減圧下で成膜を行うことにより、空気の熱伝達を抑え、また、上記成膜用治具を用いることで、被成膜部材へは接触面積が大きいため熱伝導により加熱を行い、非成膜部分へは、接触面積が小さいので、加熱を抑えることができる。そのため、被成膜部材のみを選択的に加熱することができるので、耐熱温度の低い非成膜部分よりも高い温度で被成膜部材を成膜することができる。したがって、耐熱温度の低い材料を用いているため、高温で成膜できなかったデバイスについても高い温度で成膜することができるので、被成膜部材に適した条件で成膜を行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の成膜用治具、および、この成膜用治具を用いた成膜方法によれば、成膜部分を選択的に加熱することができるので、耐熱温度の低い非成膜部分を含むデバイスに成膜を行う場合においても、非成膜部分の耐熱温度より高い温度で成膜部分に成膜を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】インクジェットヘッドの斜視図である。
【図２】インクジェットヘッドモジュールに成膜用治具を取り付けた状態を示す斜視図である。
【図３】図２の断面図である。
【図４】ＣＶＤ装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付図面に従って本発明に係る成膜用治具、および、この成膜用治具を用いた成膜方法の好ましい実施の形態について説明する。なお、以下では、シリコン（Ｓｉ）からなる構造体部材に、駆動用のフレキシブル基板が接続されているインクジェットヘッドのデバイスを被成膜物として説明するが本発明はこれに限定されず、耐熱温度の異なる２つの部材が形成されている被成膜物に対して使用することができる。
【００３２】
＜インクジェットヘッドの構成＞
まず、インクジェットヘッドの構成について説明する。図１は、インクジェットヘッドの斜視図であり、インクジェットヘッド１０の下方（斜め下方向）から吐出面を見上げた様子が図示されている。このインクジェットヘッド１０は、インクジェット記録装置の描画部に設置されるプリントヘッドであり、複数個のヘッドモジュール１２を用紙幅方向に並べて繋ぎ合わせて長尺化したフルライン型のバーヘッド（シングルパス印字方式のページワイドヘッド）となっている。ここでは１７個のヘッドモジュール１２を繋ぎ合わせた例を示しているが、モジュールの構成、モジュールの個数及び配列形態については、図示の例に限定されない。符号１４は、複数のヘッドモジュール１２を固定するための枠体となるハウジング（バー状のラインヘッドを構成するためのハウジング）、符号１６は、各ヘッドモジュール１２に接続されたフレキシブル基板である。
【００３３】
以下では、本発明の成膜用治具を用いて、これらのヘッドモジュール１２のノズル面に成膜を行う方法について説明する、ノズル面への成膜としては、例えば、ノズル面に形成される撥水膜の下地膜としてＳｉＯ２を成膜する際に行うことができる。また、他には、アモルファスＳｉ、ＰｏｌｙＳｉ、ＳｉＯＣなどの場合に行うことができる。なお、以下では、ヘッドモジュール１２のＳｉからなるインク流路などが形成された構造体をＳｉデバイス１８として記載する。
【００３４】
ヘッドモジュールのノズル面の成膜は、フレキシブル基板が接続された状態で行うことが好ましい。ノズル面の成膜を行なった後、フレキシブル基板の接続など、他の加工を行うと、加工時のゴミによりノズル詰まりが発生したり、成膜したノズル面の膜が剥がれたりするため、ノズル面の成膜は、インクジェットヘッドの製造の最終段階で行うことが好ましい。
【００３５】
≪成膜用治具≫
図２は、被成膜物であるヘッドモジュールに成膜用治具１００を取り付けた状態を示す斜視図であり、図３は、その断面図である。
【００３６】
成膜用治具１００は、インクジェットヘッドモジュールを保持する保持部材１０２と、インクジェットヘッドモジュールの非成膜部分をマスクするマスク部材１０４と、からなる。成膜時は、保持部材１０２とマスク部材１０４とで被成膜物であるヘッドモジュールを挟んで使用する。
【００３７】
保持部材１０２は、ヘッドモジュールの被成膜部材であるＳｉデバイス１８と接触する接触面１０６を備えている。接触面１０６は、Ｓｉデバイス１８との接触面積が大きくなるように、構成されている。保持部材１０２の熱をＳｉデバイス１８に熱伝導させることができ、Ｓｉデバイス１８の温度を高温にすることができる。保持部材１０２は、後述するように、ＣＶＤ装置２００の下部電極２０６に接するため、高温になっている。したがって、Ｓｉデバイス１８と接触させることで、高温で成膜を行いたいＳｉデバイス１８の成膜温度を高くすることができる。
【００３８】
また、保持部材１０２は、非成膜部分（フレキシブル基板（ＦＰＣ）１６）との接触部分は、凸形状となる突起物１０８を備えており、非成膜部分とは複数の突起物１０８と点接触で接している。非成膜部分は、成膜を行う必要がないので、温度を上げる必要がない。また、本実施形態においては、非成膜部分は、フレキシブル基板１６であり、耐熱温度が高くないため、温度を高温にすることができない。保持部材１０２と、フレキシブル基板１６とを突起物１０８で接触させることにより、保持部材１０２からの熱伝導による加熱を防止することができる。したがって、フレキシブル基板１６が高温になることを防止することができる。非成膜部材としてフレキシブル基板を用いた場合は、Ｓｉデバイスより耐熱性が低いため、成膜時の温度を低く抑える必要がある。フレキシブル基板１６と保持部材１０２の突起物１０８との接触面積は、フレキシブル基板１６の保持部材１０２とマスク部材１０４で覆われている部分の面積の１％以下であることが好ましく、より好ましくは、フレキシブル基板１６を保持できる範囲で突起物１０８との接触面積を小さくすることが好ましい。
【００３９】
逆に保持部材１０２の接触面１０６とＳｉデバイス１８とは、接触面積を大きくすることが好ましい。Ｓｉデバイス１８は、被成膜部分であるため、温度を上げる必要がある。したがって、保持部材１０２からの熱伝導により加熱を行うことができるように、保持部材１０２の接触面１０６とＳｉデバイス１８は、接触面積が大きくなるように、Ｓｉデバイス１８の面に倣って形成されていることが好ましく、接触面１０６と面接触で支持されていることが好ましい。
【００４０】
マスク部材１０４は、被成膜物の被成膜部材以外の部分が成膜されないように、保護する部材である。マスク部材１０４は、Ｓｉデバイス１８の部分に開口部１１０を有し、非成膜部分を覆うことで、被成膜部材にのみに成膜を行っている。マスク部材１０４の非成膜部分と接触する部分は、保持部材１０２と同様に凸形状となる突起物１１２を備えており、複数の突起物と点接触で接している。マスク部材１０４においても、突起物１１２とフレキシブル基板１６とで接触させることで、マスク部材１０４からの熱伝導により、フレキシブル基板１６が加熱されることを防止することができる。フレキシブル基板１６とマスク部材１０４の突起物１１２との接触面積についても、保持部材１０２と同様に、フレキシブル基板１６の保持部材１０２とマスク部材１０４で覆われている部分の面積の１％以下であることが好ましく、より好ましくは、フレキシブル基板１６を保持できる範囲で突起物１１２との接触面積を小さくすることが好ましい。
【００４１】
保持部材１０２の材質は、耐熱温度が成膜温度より高ければ良く、例えば、ＳＵＳ３０３を用いることができる。また。マスク部材１０４の材質も耐熱温度が成膜温度より高ければよく、さらに、成膜物との密着性の良い材料であることが好ましい。マスク部材は、被成膜物の成膜面側に取り付けられるため、マスク部材１０４表面には成膜物が付着する。マスク部材１０４と成膜物の密着性が悪いと、マスク部材１０４から付着物が剥がれ、成膜装置内を汚染することが考えられる。マスク部材の材質としては、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などを用いることができる。また、マスク部材１０４および保持部材１０２の材料をブラスト処理（酸化物、異物の除去）してもよい。また、マスク部材１０４を再利用する場合には、堆積した付着物を除去する必要がある。ウェットエッチング、ドライエッチングなどに耐性のあるセラミックスなどで作製することによりマスク部材１０４の再利用による耐久性を向上させることができる。
【００４２】
保持部材１０２の突起物１０８、マスク部材１０４の突起物１１２は、機械加工、エッチング、ピンの圧入などで作成することができる。
【００４３】
また、図３に示すように、Ｓｉデバイス１８の被成膜部分である上面とマスク部材１０４の上面との高さを等しくすることが好ましい。被成膜物の被成膜部分とマスク部材１０４との上面の高さを等しくすることにより、プラズマを用いる成膜の場合に、電解集中による放電を防ぐことができる。被成膜部材の上面とマスクの上面との高さが等しいとは、差が１ｍｍ以内のことである。
【００４４】
≪成膜方法≫
次に、成膜用治具１００を用いた成膜方法について説明する。成膜方法としては、例えば、次の方法により成膜することができる。
【００４５】
図４は、ＣＶＤ装置の一実施形態を示す一例の概略図である。図４に示すＣＶＤ装置２００は、平行平版型のプラズマＣＶＤ装置であり、内部にチャンバ２０２を備えている。チャンバ２０２の上部には上部電極（カソード）２０４、下部には下部電極（アノード）２０６を備えている。また、上部電極２０４にはプラズマ発生用の高周波電源（ＲＦ電源）２０８が接続されている。高周波電源２０８の周波数は１３．５６ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の周波数帯を用いることができ、例えば１３．５６ＭＨｚを用いる。
【００４６】
上部電極２０４には、チャンバ２０２内部にプロセスガスを供給するための多数の孔が設けられている。また、下部電極２０６には、下部電極２０６上に配置された被成膜物の加熱を行うヒーターが設けられている。また、排気口２１０が、チャンバ２０２内部の圧力を調整するため、チャンバ２０２に設けられている。排気口２１０は真空ポンプ（不図示）と接続され、チャンバ２０２内の圧力調整が行なわれる。
【００４７】
サンプルは、フレキシブル基板１６を備えるヘッドモジュール１２を上記の成膜用治具１００で保持した状態で、ＣＶＤ装置２００の下部電極２０６上に配置する。成膜用治具１００は、下部電極２０６上に配置されるため、成膜用治具１００の保持部材１０２は、ヒーターにより加熱される。成膜用治具１００の保持部材１０２が加熱されるため、Ｓｉデバイス１８は保持部材１０２と接することにより、Ｓｉデバイス１８の温度を上げることができる。
【００４８】
成膜温度はヒーター温度を２００℃、成膜圧力は、２０Ｐａとし、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）とキャリアガスとしてＡｒを所定の割合で混合したガスを用いた。ＴＥＯＳとＡｒの割合は、成膜速度、面内均一性などから適宜決定することができる。成膜パワーは１５０Ｗ，成膜時間は１０分（ヒーター上にサンプルを置いてから取り出しまでは３０分）とした。
【００４９】
なお、成膜方法は上述したプラズマＣＶＤ法に限定されず、光ＣＶＤ、Ｃａｔ−ＣＶＤなどの低温ＣＶＤ法や、蒸着法、スパッタ法などのＰＶＤ法で行うこともできる。成膜材料についても、特に限定されず、上記のＳｉＯ２以外に、金属、半導体などを用いることができる。
【００５０】
また、成膜圧力も特に限定されないが、伝熱の媒体となる気体が少なくなると断熱効果が高くなるため、成膜圧力は低いほうが好ましい。成膜圧力としては、常圧よりも低い圧力であることが好ましく、１００Ｐａ以下であることが好ましい。
【００５１】
また、成膜時間は、ヒーターからフレキシブル基板に熱が伝わるのを防止するため、極力短い方が好ましい。チャンバ内を予め真空状態としておき、ロードロック室から搬送することで、成膜時間を短くすることが好ましい。
【００５２】
成膜温度は、２５０℃以下とすることが好ましい。伝熱には、熱伝導、熱伝達、熱輻射により分けられる。熱輻射は、下記式で表わすことができる。
【００５３】
【数１】
0005594851.tif 000002
【００５４】
ｑ：伝熱量［Ｗ］
Ａ：伝熱面積［ｍ２］
σ：ステファンボルツマン係数［Ｗ／ｍ２／Ｋ４］
Ｔ１：高温物体の温度［Ｋ］
Ｔ２：低温物体の温度［Ｋ］
熱輻射は、温度の４乗に比例し、高温になるほどその比率が大きくなる。２５０℃以下とすることで、輻射熱の影響を小さくすることができる。さらに、非成膜部分を熱することによりガスを発生する場合は、成膜温度をガスが発生する温度より低くする必要があるが、本発明の成膜用治具を用いることで、非成膜部分の温度を低くすることができるので、ガスが発生することを防止することができる。
【００５５】
また、減圧状態で成膜を行うことで、空気による熱伝達も起こりにくくなる。したがって、フレキシブル基板１６への伝熱は、成膜用治具１００との接点の熱伝達が支配的になる。すなわち、温度を２５０℃以下とした場合は、成膜用治具１００と、フレキシブル基板１６との接点を減らすことで、フレキシブル基板１６への伝熱量を減らすことができる。
【００５６】
≪その他の実施形態≫
上記実施形態においては、フレキシブル基板１６を有するヘッドモジュール１２に成膜を行っているが、例えば、液晶における薄膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）や薄膜シリコン太陽電池の製造において、ｐｏｌｙＳｉやアモルファスＳｉ、Ｓｉ３Ｎ４などを成膜する場合などに使用することができる。
【実施例】
【００５７】
本発明の成膜用治具１００を用いて、上記のＣＶＤ装置２００、上記の条件でフレキシブル基板１６を備えるヘッドモジュール１２への成膜を行った（実施例１）。比較例として、成膜用治具を用いずに、ヘッドモジュール１２を直接下部電極２０６上に設置し、成膜を行った（比較例１）。また、非成膜部分を保持する成膜用治具の部分に凹凸形状の突起部を設けず、直接フレキシブル基板を保持し、成膜を行った（比較例２）。なお、フレキシブル基板１６の材質としてポリイミド膜を使用した。
【００５８】
比較例１においては、プラズマによる放電が発生し、フレキシブル基板が焦げエレキショートが起きてしまい、インクジェットヘッドとしての使用が不可能であった。比較例２においては、プラズマによる放電は見られず、成膜後のフレキシブル基板の外観、性能ともに問題は見られなかったが、成膜用治具から熱が伝わり、フレキシブル基板からの脱ガスにより、成膜物に有機コンタミ（コンタミネーション）が見られた。実施例１は、成膜後のフレキシブル基板の外観、性能とも問題はなく、成膜物に有機物のコンタミも見られず、良好に成膜を行うことができた。
【００５９】
なお、有機コンタミは次の方法で分析を行った。
【００６０】
成膜したＳｉＯ２膜で、ＴｏＦ−ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析法）の深さ方向分析を行った。
【００６１】
装置；ＴＯＦ．ＳＩＭＳ５（ＩＯＮ−ＴＯＦ社製）
一次イオン源；Ｂｉ
測定モード；高質量分解能
測定面積；３０μｍ角
正イオン分析
成膜物の成分を分析したところ、比較例２においては、有機コンタミとして、直鎖の炭化水素起因のＣ４Ｈ９、Ｃ５Ｈ１１や、フタル酸起因のＣ８Ｈ５Ｏ３が検出された。実施例１においては、有機物のコンタミは、検出されなかった。
【符号の説明】
【００６２】
１０…インクジェットヘッド、１２…ヘッドモジュール、１４…ハウジング、１６…フレキシブル基板、１８…Ｓｉデバイス、１００…成膜用治具、１０２…保持部材、１０４…マスク部材、１０６…接触面、１０８、１１２…突起物、１１０…開口部、２００…ＣＶＤ装置、２０２…チャンバ、２０４…上部電極、２０６…下部電極、２０８…高周波電源、２１０…排気口
【図１】
0005594851.tif 000003
【図２】
0005594851.tif 000004
【図３】
0005594851.tif 000005
【図４】
0005594851.tif 000006