(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成されるチップ間に升目状のストリートを形成して当該ストリートに貫通孔を形成し、
前記貫通孔は、前記ストリートに沿って回路パターンを囲む全周に点在するとともに、前記ストリートに沿って等間隔を隔てて設けられていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】
回路パターンが形成されるチップ間に升目状のストリートが形成された半導体ウエハを載置する工程と、前記ストリートを検知して当該ストリートに沿って回路パターンを囲む全周に貫通孔を形成する工程とを含む半導体ウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハ及びその製造方法に係り、更に詳しくは、ストリートに貫通孔を設けた半導体ウエハ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称する）は、その表面に多数の回路パターンを形成し、裏面研削を行った後にストリートに沿ってダイサーでチップ状に個片化される。
特許文献１ないし３には、ウエハの面内に貫通孔を形成する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３５１９６９号公報
【特許文献２】特開平７−２１４５４３号公報
【特許文献３】特開２００７−１９４３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１ないし３に開示された貫通孔は、アライメント用或いはボンディング用の孔であって、回路パターン内に形成されてストリートに形成された構成とはなっていない。
また、図５に示されるように、回路パターン内にバンプ４１を有するウエハＷをテーブル４２に保持させた状態で、プレスローラ４３を介して保護用の接着シートＳを貼付した場合、バンプ４１の外側に気泡Ｂが混入してしまう、という不都合がある。かかる不都合は、バンプ４１が存在しない場合においても、回路パターン内の凹凸若しくは段差によっても生じ得る。
【０００４】
［発明の目的］
本発明は、このような不都合に着目して案出されたものであり、その目的は、回路パターンが形成されたウエハに保護用の接着シートを貼付したときに、当該接着シートとウエハとの間に気泡が混入することを回避できる半導体ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウエハは、回路パターンが形成されるチップ間に升目状のストリートを形成して当該ストリートに貫通孔を形成し、
前記貫通孔は、前記ストリートに沿って回路パターンを囲む全周に点在するとともに、前記ストリートに沿って等間隔を隔てて設けられる、という構成を採っている。
【０００８】
更に、本発明に係る半導体ウエハの製造方法は、回路パターンが形成されるチップ間に升目状のストリートが形成された半導体ウエハを載置する工程と、前記ストリートを検知して当該ストリートに沿って回路パターンを囲む全周に貫通孔を形成する工程とを含む、という手法を採っている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ストリートに貫通孔を形成しているため、ウエハの回路パターン面に保護用の接着シートを貼付したときに、当該シートとウエハとの間の空気をウエハ裏面側に逃がすことができるようになる。従って、回路パターンの領域内におけるバンプ等の凸部の存在により気泡が混入し易い不都合を解消することができ、その後のウエハ裏面研削を精度良く行うことができる。
また、前記貫通孔がストリートに沿って点在している構成や、等間隔を隔てて設けられている構成により、回路パターンの全周において、空気を逃がす経路を満遍なく形成することができ、気泡の混入をより確実に回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１には、本実施形態に係るウエハの平面図が示され、図２には、図１のＡ部拡大平面図が示されている。これらの図において、裏面研削前のウエハＷは、平面形状が略円形をなし、その外周部分に結晶方位を示すＶ字状のノッチＮが形成されている。このウエハＷの表面には、多数の回路パターン１０が形成されており、各回路パターン１０間にストリート１１が升目状となる状態で縦横に形成されている。これらストリート１１内には、ウエハＷを貫通する貫通孔１２が形成されており、また、回路パターン１０内にはバンプ１３が複数箇所に設けられている。
【００１３】
前記貫通孔１２は、ウエハＷを吸着保持する図示しないテーブルに載置された状態でレーザ光を照射して形成される。このレーザ光照射に際しては、ウエハ上に図示しないストリート検知手段を配置し、当該手段を介してストリートを検出しつつ行うことができる。各貫通孔１２は、相互に等間隔を隔ててストリート１１の幅方向中央に設けられている。これら貫通孔１２の形成は、レーザ照射装置をストリート１１に対して所定ピッチで移動して形成できる他、前記テーブルをレーザ照射装置に対して所定ピッチで移動して形成することもできる。
【００１４】
前記貫通孔１２が形成されたウエハＷの回路パターン１０の面には、図３に示されるシート貼付装置１５を介して保護用の接着シートＳが貼付される。シート貼付装置１５は、ウエハＷを吸着保持するテーブル１６と、当該テーブル１６の上面に沿って相対移動可能なプレスローラ１７と、図示しないシート供給装置とを含んで構成されている。接着シートＳは、ウエハＷの上面に臨む位置に供給された後に、プレスローラ１７が図３中二点鎖線で示される位置から実線で示される位置に向かって相対移動することで貼付され、接着シートＳとウエハＷとの間に存在する空気は、回路パターン１０間の隙間を経てストリート１１に押し流される。ストリート１１内に流れた空気は、貫通孔１２を通じてテーブル１６の上面側に流れ、テーブル１６に設けられた図示しない吸着孔を通じて外部に排出される。従って、回路パターン１０の領域内にバンプ１３等の凹凸が存在する場合であっても、当該バンプ１３の外周側に気泡が残ってしまうような不都合は生じない。
【００１５】
接着シートＳが貼付されたウエハＷは、後工程において、裏面側が上面側となるように研削装置のテーブルに載置された後、裏面研削が施されて所定の厚みに加工される。このようにして研削されたウエハは、一般的に、研削面側からダイシングテープが貼付されてリングフレームと一体化される（マウント処理）。その後、接着シートＳが剥離されてストリート１１に沿ってダイシングが行われることとなる。ここで、前記のようなマウント処理を省略するために、研削されたウエハ面から例えば赤外線等の透視光を用いてストリートを検出し、そのストリートに沿ってダイシングが行われる場合があるが、本発明のウエハＷの場合、貫通孔１２に沿ってダイシングができるので、透視光を発光する装置が不要となる。また、接着シートＳを貼付した後、ウエハＷの裏面側から貫通孔１２に沿ってダイシングを行い、裏面研削後に接着シートＳを剥離するようにしてもよい。更に、回路面が形成された面から貫通孔１２に沿ってウエハＷの途中深さまでダイシングを行い、当該ダイシングされた面に接着シートＳを貼付し、前記ダイシング深さに達するまで裏面研削を行った後に接着シートＳを剥離するようにしてもよい。このようにして最終的に個片化されたチップは、リードフレーム等にボンディングされることとなる。
【００１６】
従って、このような実施形態によれば、ストリート１１内に貫通孔１２が等間隔を隔てて点在するように設けられているため、つまり、各回路パターン１０の全周に貫通孔１２が形成されているため、接着シートＳを貼付するときに、当該接着シートＳとウエハＷとの間に存在する空気をストリート１１、貫通孔１２を通じて外部に排出することができ、これにより、回路パターン１０の領域内に気泡が残るような不都合を解消することができる。そのため、接着シートＳが貼付されたウエハＷの裏面研削を精度良く行うことが可能となる。
【００１７】
以上のように、本発明を実施するための最良の構成、方法等は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示、説明されているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、位置若しくは配置等に関し、必要に応じて当業者が様々な変更を加えることができるものである。
【００１８】
例えば、前記実施形態では、貫通孔１２がストリート１１の幅方向中央において一列設けられた場合を図示、説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図４に示されるように、幅方向に複数列、例えば二列設けることもできる。この際、各列における貫通孔１２間の中間に、隣接する列の貫通孔１２が位置する配置、所謂千鳥配置を採用するとよい。これにより、貫通孔１２間のピッチがより微細のものとなり、脱気を高精度に行うことが可能となる。
【００２０】
更に、リングフレームとともに回路パターン１０が形成された面に接着シートＳを貼付し、その状態で裏面研削を施した後に、リングフレームを介して接着シートＳを引っ張ることで、貫通孔１２に沿ってウエハＷを個片化することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る半導体ウエハの概略正面図。
【図２】図１のＡ部拡大平面図。
【図３】前記半導体ウエハの回路パターン側に保護用の接着シートを貼付する状態を示す部分断面図。
【図４】変形例を示す図２と同様の拡大平面図。
【図５】従来の不都合を説明するための図３と同様の部分断面図。
【符号の説明】
【００２２】
１０  回路パターン
１１  スリート
１２  貫通孔
Ｗ  半導体ウエハ
【図１】
0005486772.tif 000002
【図２】
0005486772.tif 000003
【図３】
0005486772.tif 000004
【図４】
0005486772.tif 000005
【図５】
0005486772.tif 000006