(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表わされる
ことを特徴とするアントラセン化合物。
【化１】
0005549051.tif 000045
（式（Ｉ）中、Ａｒ11〜Ａｒ20は、それぞれ独立に、水素原子、もしくはアルキル基、芳香族炭化水素基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
Ａｒ21は、アルキル基、芳香族炭化水素基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１を表わす。
Ｚは、１，３−ベンゼンジイル基、１，３−ナフタレンジイル基、１，６−ナフタレンジイル基、１，７−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，４’−ビフェニルジイル基、または２，３’−ビフェニルジイル基を表わす。Ｚに連結するアントラセン環はさらに芳香族炭化水素基を有していてもよく、一分子内にあるアントラセン環同士は、互いに非共役である。）
【請求項２】
請求項１に記載のアントラセン化合物からなる
ことを特徴とする湿式成膜用電荷輸送材料。
【請求項３】
ガラス転移点が１２０℃以上であり、且つ、トルエンに対する溶解度が０．５重量％以上である
ことを特徴とする、請求項２に記載の湿式成膜用電荷輸送材料。
【請求項４】
請求項１に記載のアントラセン化合物を含有する
ことを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料組成物。
【請求項５】
下記式（II）で表わされる電荷輸送性化合物を含有する
ことを特徴とする、請求項４に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。
【化２】
0005549051.tif 000046
（式中、Ａｒ31は、置換基を有していてもよい炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ32およびＡｒ33は、互いに独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。但し、Ａｒ32およびＡｒ33の少なくとも一方は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。Ａｒ31が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。）
【請求項６】
前記のアントラセン化合物１０重量部以上９０重量部以下と、前記式（II）で表わされる電荷輸送性化合物１０重量部以上９０重量部以下とを含有する
ことを特徴とする、請求項５に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。
【請求項７】
発光材料を１重量部以上５０重量部以下含有する
ことを特徴とする、請求項４〜６の何れか一項に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。
【請求項８】
溶剤を含有する
ことを特徴とする、請求項４〜７の何れか一項に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物。
【請求項９】
陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、
請求項２又は請求項３に記載の湿式成膜用電荷輸送材料を含有する層を有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項１０】
陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、
請求項４〜８のいずれか一項に記載の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアントラセン化合物、湿式成膜用電荷輸送材料、湿式成膜用電荷輸送材料組成物および有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは溶剤に対する溶解性が優れており、成膜性、湿式プロセス適性に優れたアントラセン化合物、及び、それを用いた湿式成膜用電荷輸送材料組成物、さらには、それを用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した赤、緑、青などの発光素子の開発が進んでいる。しかしながら、中でも青色の発光素子は、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものではなく、フルカラーディスプレイ用途への適用は限定的であるという課題があった。
【０００３】
また、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶媒に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有することが望まれていた。しかし、従来開発されている蒸着成膜法に使用されてきた材料であっても、湿式成膜法には適さないものが多かった。
【０００５】
例えば、特許文献１では、下記式で示される材料を用いて、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【化１】
0005549051.tif 000002
【０００６】
また、特許文献２には、下記式で示される材料を用い、湿式成膜法によって作製した素子が開示されている。
【化２】
0005549051.tif 000003
【０００７】
しかしながら、これらの材料は、溶剤に対する溶解性や耐熱性といった湿式成膜のプロセス上の要求物性を満足していない上、ホストの正孔注入・輸送性が乏しいため、湿式成膜用途に実用的ではなかった。
【特許文献１】国際公開２００６／０７０７１２号パンフレット
【特許文献２】特開２００４−２２４７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。即ち、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な化合物であって、溶解性に優れ、湿式成膜法で形成しても、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らが鋭意検討した結果、発光層や正孔輸送層等に含有させる化合物を、下記式（Ｉ）に表現で表わされる化合物にすることにより、長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供できることがわかり、本発明に到達した。
【００１０】
すなわち、本発明の要旨は、下記式（Ｉ）で表わされることを特徴とするアントラセン化合物に存する（請求項１）。
【化３】
0005549051.tif 000004
（式（Ｉ）中、Ａｒ11〜Ａｒ20は、それぞれ独立に、水素原子、もしくはアルキル基、芳香族炭化水素基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
Ａｒ21は、アルキル基、芳香族炭化水素基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１を表わす。
Ｚは、１，３−ベンゼンジイル基、１，３−ナフタレンジイル基、１，６−ナフタレンジイル基、１，７−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，４’−ビフェニルジイル基、または２，３’−ビフェニルジイル基を表わす。Ｚに連結するアントラセン環はさらに芳香族炭化水素基を有していてもよく、一分子内にあるアントラセン環同士は、互いに非共役である。）
【００１２】
本発明の別の要旨は、上記のアントラセン化合物からなることを特徴とする湿式成膜用電荷輸送材料に存する（請求項２）。
【００１３】
このとき、ガラス転移点が１２０℃以上であり、且つ、トルエンに対する溶解度が０．５重量％以上であることが好ましい（請求項３）。
【００１４】
本発明の別の要旨は、上記のアントラセン化合物を含有することを特徴とする、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に存する（請求項４）。
【００１５】
このとき、下記式（II）で表わされる電荷輸送性化合物を含有することが好ましい（請求項５）。
【化４】
0005549051.tif 000005
（式中、Ａｒ31は、置換基を有していてもよい炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ32およびＡｒ33は、互いに独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。但し、Ａｒ32およびＡｒ33の少なくとも一方は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。Ａｒ31が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。）
【００１６】
このとき、上記のアントラセン化合物１０重量部以上９０重量部以下と、上記式（II）で表わされる電荷輸送性化合物１０重量部以上９０重量部以下とを含有することが好ましい（請求項６）。
【００１７】
また、発光材料を１重量部以上５０重量部以下含有することも好ましい（請求項７）。
【００１８】
また、溶剤を含有することも好ましい（請求項８）。
【００１９】
本発明の別の要旨は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する（請求項９）。
【００２０】
本発明の別の要旨は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する（請求項１０）。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、新規の化合物を提供できる。該化合物は、溶剤に対する溶解性が高く、また、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適である。該化合物を用いて製造された機電界発光素子用組成物を用いると、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々に変更して実施することができる。
【００２３】
本発明は、下記式（Ｉ）で表わされるアントラセン化合物、該アントラセン化合物からなる湿式成膜用電荷輸送材料及び該化合物を含有する湿式成膜用電荷輸送材料組成物、並びに、それらを含有する有機電界発光素子に関する。
以下、上記の順に説明する。
【００２４】
［１．アントラセン化合物］
＜１−１．アントラセン化合物の構造＞
本発明のアントラセン化合物は、下記式（Ｉ）で表わされる構造を有していれば、他に制限はない。以下、その構造について説明する。
【化５】
0005549051.tif 000006
（式（Ｉ）中、Ａｒ11〜Ａｒ20は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
Ａｒ21は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１以上６以下の整数を表わし、（ａ＋ｂ）は２以上６以下の整数である。ａが２以上の場合、Ｚに結合するａ個の括弧内の部分構造が、互いに同一であっても異なっていてもよい。ｂが２以上の場合、Ｚに結合するｂ個の括弧内の部分構造が、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｚは、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基を表わす。Ｚに連結するアントラセン環はさらに置換基を有していてもよく、一分子内にあるアントラセン環同士は、互いに非共役である。）
【００２５】
（Ａｒ11〜Ａｒ20について）
式（Ｉ）中、Ａｒ11〜Ａｒ20は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。
【００２６】
芳香族炭化水素基としては、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。
例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
【００２７】
また、上述の単環、又は２〜５縮合環が複数個連結されて形成された基も好ましい。例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００２８】
これらの中でも好ましくは、ベンゼン環若しくはナフタレン環等の由来の基、又はこれらが複数個連結されて形成された基（例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基等）が挙げられる。
本発明のアントラセン化合物は、これらの芳香族炭化水素基のうち、１種類のみで有していてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で有していてもよい。
【００２９】
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、下記置換基群Ｑに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基１つあたり、１種の置換基が単独で置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００３０】
＜置換基群Ｑ＞
置換基群Ｑとしては、
置換基を有してもよいアルキル基（好ましくは炭素数１以上８以下の直鎖または分岐のアルキル基であって、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいシクロアルキル基（例えば、アダマンチル基等が挙げられる。）
置換基を有してもよいアルケニル基（好ましくは炭素数１以上８以下のアルケニル基であって、例えば、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアルキニル基（好ましくは炭素数１以上８以下のアルキニル基であって、例えば、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアラルキル基（好ましくは炭素数１以上８以下のアラルキル基であって、例えば、ベンジル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアミノ基（好ましくは、置換基に炭素数１以上８以下のアルキル基を１つ以上有するアミノ基であって、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアリールアミノ基（例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいヘテロアリールアミノ基（例えば、ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアシルアミノ基（例えば、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアルコキシ基（好ましくは、置換基を有してもよい炭素数１以上８以下のアルコキシ基であって、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアリールオキシ基（好ましくは、芳香族炭化水素基や複素環基を有するアリールオキシ基であって、例えば、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアシル基（好ましくは、置換基を有してもよい炭素数１以上８以下のアシル基であって、例えば、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは、置換基を有してもよい炭素数２以上１３以下のアルコキシカルボニル基であって、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアリールオキシカルボニル基（好ましくは、置換基を有してもよい炭素数２以上１３以下のアリールオキシカルボニル基であり、アセトキシ基などが挙げられる。）；
カルボキシ基；
シアノ基；
水酸基；
チオール基；
置換基を有してもよいアルキルチオ基（好ましくは、炭素数１以上８以下までのアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいアリールチオ基（好ましくは、炭素数１以上８以下までのアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいスルホニル基（例えば、メシル基、トシル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいシリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいボリル基（例えば、ジメシチルボリル基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよいホスフィノ基（例えば、ジフェニルホスフィノ基等が挙げられる。）；
置換基を有してもよい芳香族炭化水素基（例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等が挙げられる。）；
置換基を有してもよい芳香族複素環基（例えば、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等が由来の芳香族炭化水素基が挙げられる。）；等が挙げられる。
【００３１】
なお、上記の置換基群Ｑが有していてもよい置換基としては、直鎖、分岐、又は環状のアルキル基、ジアリールアミノ基、芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基等が挙げられる。
【００３２】
（Ａｒ21について）
Ａｒ21は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
【００３３】
芳香族炭化水素基としては、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。
例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。
【００３４】
また、上述の単環、又は２〜５縮合環が複数個連結されて形成された基も好ましい。例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００３５】
これらの中でも好ましくは、ベンゼン環若しくはナフタレン環等の由来の基、又はこれらが複数個連結されて形成された基（例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基等）が挙げられる。
【００３６】
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、上記置換基群Ｑに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基１つあたり、１種の置換基が単独で置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００３７】
（ａ、ｂについて）
ａおよびｂは、それぞれ独立に、１以上６以下の整数を表わし、（ａ＋ｂ）は２以上６以下の整数である。
【００３８】
ここで、ａは、１以上が好ましく、また、３以下が好ましく、２以下がより好ましいが、中でも１が特に好ましい。
ｂは、１以上が好ましく、また、３以下が好ましく、２以下が好ましいが、中でも１が特に好ましい。
（ａ＋ｂ）は、２以上が好ましく、また、３以下が好ましいが、中でも２が特に好ましい。
上記のａ、ｂの中でも、ａ＝ｂ＝１が特に好ましい。溶解性と電気的耐久性と非晶質性が良好になるためである。
【００３９】
式（Ｉ）で表わされるアントラセン化合物のうち、Ｚより左側の括弧内に示された部分構造が、１分子内に２個以上有る場合（即ち、ａが２以上の場合）、ａ個の該部分構造が、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。換言すれば、ａ個の該部分構造が有する、Ａｒ11〜Ａｒ15及びアントラセン環に結合する置換基が、各部分構造毎に同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４０】
同様にして、式（Ｉ）で表わされるアントラセン化合物のうち、Ｚより右側の括弧内に示された部分構造が、１分子内に２個以上有る場合（即ち、ｂが２以上の場合）、ｂ個の該部分構造が、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。換言すれば、ｂ個の該部分構造が有する、Ａｒ16〜Ａｒ21及びアントラセン環に結合する置換基が、各部分構造毎に同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４１】
（Ｚについて）
Ｚは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
【００４２】
芳香族炭化水素基としては、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。また、ビフェニル基のような、芳香族炭化水素や芳香族複素環が２以上連結してなる基であってもよい。
例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が挙げられる。特に、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基、又はベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基由来の基）が好ましい。
【００４３】
（ａ＋ｂ）が２の場合、これらの中でも好ましくは、１，３−ベンゼンジイル基、１，３−ナフタレンジイル基、１，６−ナフタレンジイル基、１，７−ナフタレンジイル基、２，７−ナフタレンジイル基、３，３’−ビフェニレンジイル基、３，４’−ビフェニレンジイル基、及び２，３’−ビフェニレンジイル基等が挙げられる。
【００４４】
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、上記置換基群Ｑに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基１つあたり、１種の置換基が単独で置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００４５】
（アントラセン環について）
一分子内にあるアントラセン環同士は、互いに非共役である。また、上述のＡｒ11〜Ａｒ21の他に、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、上記置換基群Ｑに記載の基が挙げられる。
【００４６】
置換基群Ｑの中でも、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましい。特にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、あるいは、これら置換基から任意の組合せで複数（通常２以上、また、通常８以下、好ましくは４以下）連なった置換基が好ましい。
【００４７】
これらの置換環は、１種の置換基が単独でアントラセン環に置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【００４８】
上記の置換基の置換位置は、２，３，６，７位が好ましい。分子の平面性を著しく損なうことに伴う、電気的耐久性の低下を避けるためである。
【００４９】
本発明で言う非共役とは、アントラセン環同士が共役しないことを言う。具体的に共役するとは、アントラセン環同士が、
【化６】
0005549051.tif 000007
（ｃｉｓ−，ｔｒａｎｓ−のいずれでも可）またはこれらを組み合わせてなる部分構造で連結されていること（ただし、Ｇ1ないしＧ3は各々独立に、水素原子または任意の置換基を表わすか、あるいは、芳香族炭化水素環や芳香族複素環の一部を構成する。）である。すなわち、本発明でいう非共役とは、上記のような連結がされていないことをいう。
【００５０】
＜１−２．アントラセン化合物の物性＞
（分子量）
本発明のアントラセン化合物の分子量は、好ましくは３００以上、更に好ましくは５００以上、特に好ましくは６００以上、また、好ましくは３０００以下、更に好ましくは２０００以下、特に好ましくは１５００以下である。
この範囲を下回ると、湿式成膜時に、結晶化を起こしやすくなったり、加熱処理時、気化してしまったり、耐熱性が低下したりする可能性がある。また、この範囲を上回ると、有機溶剤に対する溶解性が低下したり、不純物の除去が困難になったりする傾向がある。
【００５１】
（結晶化温度）
本発明のアントラセン化合物の結晶化温度は、２００℃以上が好ましく、２５０℃以上が更に好ましく、観測されないことが特に好ましい。
本発明のアントラセン化合物は、湿式成膜の際、あるいはその後の加熱処理の際に、結晶化を起こさないことが特に好ましいためである。
【００５２】
（気化温度）
本発明のアントラセン化合物の気化温度は、０．００１Ｐａ条件下において、５００℃以下が好ましく、４５０℃以下が更に好ましい。
高真空下における昇華精製が可能であると、化合物の高純度化を促進することができるためである。
【００５３】
（ガラス転移点）
本発明のアントラセン化合物のガラス転移点は、通常１２０℃以上、好ましくは１２５℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上、また、通常３５０℃以下、好ましくは３００℃以下、さらに好ましくは２５０℃以下である。ガラス転移点がこの範囲を下回ると、湿式成膜用電荷輸送材料を用いて作製した薄膜が、加熱処理あるいは通電などによって、結晶化を起こす可能性がある。また、ガラス転移点がこの範囲を上回ると、溶剤に対する溶解性が低下する傾向がある。
【００５４】
ガラス転移点の測定は、示差走査熱量分析法により測定できる。
反応装置としては、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製ＤＳＣ６２２０を用いる。サンプル量２〜６ｍｇをアルミ製液体用試料容器に入れ、窒素フロー（５０ｍＬ／分）雰囲気下、室温〜４００℃の間を昇温速度１０℃／分で融点以上まで昇温する。なお、融点が検出されない場合には、３００℃まで昇温する。
次に、一度昇温したサンプルを、−１００℃／分以上の速度で室温以下に急冷してから、再び、昇温速度１０℃／分で昇温した際に検出されたガラス転移点を、本発明のガラス転移点と定義する。
【００５５】
（溶媒への溶解度）
本発明のアントラセン化合物をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１．０重量％以上、特に好ましくは２．０重量％以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶剤の選定が制限される可能性がある。
【００５６】
溶解度の測定は、内容量２ｍＬ以上１０ｍＬ以下のガラス製サンプル瓶に、溶質Ｘｇ（通常３ｍｇ以上１０ｍｇ以下の範囲）、溶剤（例えばトルエン）Ｙｇを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。
その後、室温（通常、１０℃以上３０℃以下）下、１０時間以上静置するとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％未満であると判定する。
【００５７】
＜１−３．アントラセン化合物の製造方法＞
本発明のアントラセン化合物は、公知の合成方法を任意に組み合わせることによって製造することができる。
以下、その一例を説明するが、本発明のアントラセン化合物の製造方法は、以下の例に限定されない。
【００５８】
本発明のアントラセン化合物は、例えば、後述する合成経路によって製造することが好ましい。後述の合成経路に示される化合物の置換基のうち、同様の種類の置換基については、同じ記号で示している（例えば、ＺC、ＸC、ＸD等）。また、式（Ｉ）等で説明した置換基と同じ置換基等に関しても、同じ記号で示している（例えば、Ａｒ11、Ａｒ12、ａ、ｂ等）。以下、合成経路の各反応について詳説する。
【００５９】
＜１−３−１．中間体Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｆから最終物Ａまでの合成経路＞
下記の図は、中間体Ａから、中間体Ｂから、並びに、中間体Ｅ及び中間体Ｆから、最終物Ａ（本発明のアントラセン化合物）を得るための合成経路を表わしている。以下、各反応段階について詳説する。
【化７】
0005549051.tif 000008
【００６０】
＜反応１＞
反応１は、中間体Ａと、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bとを反応させて、中間体Ｃを合成する反応である。該反応によって中間体Ｃには脱離基ＸDが導入される。
【００６１】
中間体Ａは、後述する合成経路（＜反応６＞〜＜反応１２＞）によって得られる。中間体Ａにおいて、ＺAは、直接結合、又は２価の芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が好適に適用できる。
また、ＸAは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【００６２】
（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bにおいて、ＺCは、芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、具体例としては、＜１−１．アントラセン化合物の構造＞で詳述したＺと同様の例を好適に適用できる。
また、ＸC、ＸDは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。但し、このときの脱離基ＸCは、脱離基ＸDよりも、本反応条件下において脱離能に優れていることが望ましい。具体的な組合せを例示すると、ＸCとしてヨウ素原子を用いる共にＸDとして臭素原子を用いたり、ＸCとして臭素原子を用いると共にＸDとして塩素原子を用いたりすることが好適である。
【００６３】
中間体Ｃにおいて、ＺC及びＸDは、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bのＺC及びＸDと同様である。
【００６４】
中間体Ａと（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bとを用いて反応させる場合、パラジウム触媒及び塩基性物質の存在下で、反応させることが好ましい。該反応は、不活性ガス雰囲気下の溶媒中で行なうことが好ましい。
【００６５】
中間体Ａを用いる量は、脱離基ＸCの１当量に対して、通常０．８当量以上、また、通常３当量以下である。
【００６６】
パラジウム触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム等の０価のパラジウム触媒が挙げられる。
【００６７】
また、パラジウム触媒を用いる量は、脱離基ＸCの１当量に対して、通常０．０００１当量以上、また、通常０．２当量以下である。
【００６８】
塩基性物質としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸三カリウム、トリエチルアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、フッ化カリウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【００６９】
また、塩基性物質を用いる量は、脱離基ＸCの１当量に対して、通常２当量以上、また、通常１０当量以下である。
【００７０】
不活性ガスとしては、例えば、窒素；Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ等の希ガス類；等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【００７１】
溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ノルマルヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、エチルベンゾエート、酢酸エチル等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【００７２】
また、溶媒を用いる量は、脱離基ＸCの１ｍｏｌに対して、通常０．０１Ｌ（リットル）以上、また、通常１００Ｌ以下である。
【００７３】
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−４０℃以上、また、通常１５０℃以下である。
【００７４】
また、反応時間は、通常１時間以上、また、通常６０時間以下である。
【００７５】
＜反応２＞
反応２は、中間体Ｂと、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bとを反応させて、中間体Ｄを合成する反応である。この反応によって、中間体Ｄには脱離基ＸDが導入される。
【００７６】
中間体Ｂは、後述する合成経路（＜反応６＞、＜反応１３＞〜＜反応２４＞）によって得られる。中間体Ｂにおいて、ＺBは、直接結合あるいは２価の芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が好適に適用できる。
また、ＸBは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。
【００７７】
（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bは、＜反応１＞で用いた（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bと同様のものである。
中間体Ｄにおいて、ＺC及びＸDは、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bのＺC及びＸDと同様である。
【００７８】
中間体Ｂと、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに、中間体Ｂを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。
【００７９】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｄを得ることができる。
【００８０】
＜反応３＞
反応３は、中間体Ｂと、中間体Ｃとを反応させて、最終物Ａ（式（Ｉ）で表わされる本発明のアントラセン化合物）を合成する反応である。
【００８１】
中間体Ｂは、＜反応２＞で用いたものと同様のものである。
最終物Ａは、式（Ｉ）で表わされる本発明のアントラセン化合物のことである。
【００８２】
中間体Ｂと中間体Ｃとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに中間体Ｃを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、中間体Ｃの脱離基ＸDを基準として規定される。
【００８３】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として最終物Ａを得ることができる。
【００８４】
＜反応４＞
反応４は、中間体Ｄと、中間体Ａとを反応させて、最終物Ａ（式（Ｉ）で表わされる本発明のアントラセン化合物）を合成する反応である。
【００８５】
中間体Ａは、＜反応１＞で用いたものと同様のものである。
【００８６】
中間体Ａと中間体Ｄとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに中間体Ｄを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、中間体Ｄの脱離基ＸDを基準として規定される。
【００８７】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として最終物Ａを得ることができる。
【００８８】
＜反応５＞
反応５は、中間体Ｅと、中間体Ｆとを反応させて、最終物Ａ（式（Ｉ）で表わされる本発明のアントラセン化合物）を合成する反応である。
【００８９】
中間体Ｅは、後述する合成経路（＜反応２５＞〜＜反応２６＞）によって得られる。中間体Ｅにおいて、ＺEは、芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が好適に適用できる。
【００９０】
中間体Ｆは、後述する合成経路（＜反応２７＞〜＜反応２８＞）によって得られる。中間体Ｆにおいて、ＺFは、ＺEと同様の芳香族炭化水素基である。
【００９１】
なお、中間体ＥにおけるＸE及び中間体ＦにおけるＸFは、何れか一方が、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基であり、他方が、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基である。
【００９２】
中間体Ｅと、中間体Ｆとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）b及び中間体Ａの代わりに、中間体Ｅ及び中間体Ｆを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、中間体Ｅ、中間体Ｆ、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、ＸE又はＸFのうち、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、又はＣＦ3ＳＯ3−基等である方の脱離基を基準として規定される。
【００９３】
なお、中間体Ｆを用いる量は、中間体Ｅの１当量に対して、通常０．５当量以上、また、通常２当量以下である。
【００９４】
それ以外の条件（例えば、触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として最終物Ａを得ることができる。
【００９５】
＜１−３−２．出発物質から中間体Ａまでの合成経路＞
下記の図は、化合物ａ（出発物質）から、中間体Ａを得るまでの合成経路を表わしている。以下、各反応段階について詳説する。
【化８】
0005549051.tif 000009
【００９６】
＜反応６＞
反応６は、化合物ａから化合物ｂを合成する反応である。
【００９７】
化合物ａにおいて、Ｘaは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ＣＦ3ＳＯ3−基、−ＯＨ基等の脱離基；等を表わす。
化合物ｂにおいて、Ｘa及びＸbは、それぞれ独立に、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子；ＣＦ3ＳＯ3−基、−ＯＨ基等の脱離基；等を表わす。
反応６として、以下に２種類の反応を説明する。
【００９８】
（反応６の第１の方法）
化合物ａから、化合物ｂを合成する第１の方法について説明する。
Ｘbがハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）である化合物ｂを得る場合、化合物ａとハロゲン分子とを、ルイス酸触媒存在下、溶媒存在下で混合する。
【００９９】
ハロゲン分子としては、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
ハロゲン分子を用いる量は、化合物ａの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１００当量以下である。
【０１００】
ルイス酸触媒としては、塩化鉄（III）等が挙げられる。ルイス酸触媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１０１】
また、ルイス酸触媒を用いる量は、化合物ａの１当量に対して、通常０．００１当量以上、また、通常１００当量以下である。
【０１０２】
溶媒としては、ジクロロメタン等が挙げられる。溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１０３】
また、溶媒を用いる量は、化合物ａの１ｍｏｌに対して、通常０．１Ｌ以上、また、通常１００Ｌ以下である。
【０１０４】
また、反応時間は、通常０．１時間以上、また、通常６０時間以下である。
この反応の結果、生成物として化合物ｂを得ることができる。
【０１０５】
（反応６の第２の方法）
化合物ａから、化合物ｂを合成する第２の方法について説明する。
該第２の方法としては、化合物ａとＮ−ハロゲン化コハク酸イミドとを、溶媒存在下で混合することが好ましい。
【０１０６】
Ｎ−ハロゲン化コハク酸イミドとしては、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド、等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１０７】
また、Ｎ−ハロゲン化コハク酸イミドを用いる量は、化合物ａの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１００当量以下である。
【０１０８】
溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジクロロメタン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１０９】
また、溶媒を用いる量は、化合物ａの１ｍｏｌに対して、通常０．１Ｌ以上、また、通常１００Ｌ以下である。
【０１１０】
反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−５０℃以上、また、通常２００℃以下である。
【０１１１】
また、反応時間は、通常０．１時間以上、また、通常６０時間以下である。
この反応の結果、生成物として化合物ｂを得ることができる。
【０１１２】
＜反応７＞
反応７は、化合物ａと、化合物ｆとを反応させて、化合物ｃを合成する反応である。
【０１１３】
化合物ａは、＜反応６＞で用いたものと同様ものである。
化合物ｆにおいて、Ｘxは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。また、Ａｒ11〜Ａｒ15は式（Ｉ）と同様である。
【０１１４】
化合物ａと化合物ｆとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｆを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ａを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、化合物ａの脱離基Ｘaを基準として規定される。
【０１１５】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｃを得ることができる。
【０１１６】
＜反応８＞
反応８は、化合物ｂと、化合物ｆとを反応させて、化合物ｄを合成する反応である。
【０１１７】
化合物ｂは、＜反応６＞に記載の化合物ｂと同様である。ただし、ＸaとＸbとは、反応性が異なる脱離基であることが好ましい。その様な化合物ｂとしては、例えば、９−ブロモ−１０−ヨードアントラセン等が挙げられる。
化合物ｆは、＜反応７＞で用いたものと同様ものである。
化合物ｄにおいて、Ｘaは、化合物ａのＸaと同様である。
【０１１８】
化合物ｂと化合物ｆとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｆを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｂを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等の用いる量は、Ｘa又はＸbのうち脱離能が高い方の脱離基（同じ場合にはＸb）を基準として規定される。
【０１１９】
また、化合物ｂのＸaとＸbとが、例えば９，１０−ジブロモアントラセン等のように同じ反応性を有する場合、化合物ｆを用いる量は、化合物ｂの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１．５当量以下である。
【０１２０】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、反応１と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｄを得ることができる。
【０１２１】
なお、ＸbよりもＸaの方が反応性が高い場合、化合物ｄはＸaの代わりにＸbを有することになる。ＸaとＸbとは互いに同様な脱離基であり、化合物ｄが何れの脱離基を有する場合であっても、以降の反応において同様に取り扱うことができる。
【０１２２】
＜反応９＞
反応９は、化合物ｃから化合物ｄを合成する反応である。
【０１２３】
化合物ｄは、＜反応８＞に記載の化合物ｄと同様である。
【０１２４】
化合物ｃの反応は、＜反応６＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ａの代わりに化合物ｃを用いる他は＜反応６＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、Ｎ−ハロゲン化コハク酸、溶媒等を用いる量は、化合物ｃを基準として規定される。
【０１２５】
それ以外の条件（例えば、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応６＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｄを得ることができる。
【０１２６】
＜反応１０＞
反応１０は、化合物ｄから中間体Ａ’を合成する反応である。なお、中間体Ａにおける連結基ＺAが直接結合である場合、本反応で得られる中間体Ａ’を、そのまま中間体Ａとして用いることができる。
【０１２７】
中間体Ａ’において、ＸA'は、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基などの脱離基を表わす。
＜反応１０＞として、以下に３種類の反応を説明する。
【０１２８】
（反応１０の第１の方法）
化合物ｄから、中間体Ａ’を合成する第１の方法について説明する。
まず、化合物ｄとリチオ化剤とを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、化合物ｄの脱離基ＸaをＬｉに変換する。次に、ホウ素化剤、ハロゲン化錫、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化マグネシウム等のハロゲン化金属等を作用させて、中間体Ａ’を得る。
【０１２９】
リチオ化剤としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１３０】
また、リチオ化剤を用いる量は、化合物ｄの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１０当量以下である。
【０１３１】
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｎ−ヘキサン、トルエン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１３２】
また、溶媒を用いる量は、化合物ｄの１ｍｏｌに対して、通常０．１Ｌ以上、また、通常１００Ｌ以下である。
【０１３３】
化合物ｄの脱離基ＸaをＬｉに変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−９０℃以上、また、通常２０℃以下である。
【０１３４】
また、反応時間は、通常０．１時間以上、また、通常２４時間以下である。
これらの反応によって、化合物ｄの脱離基ＸaがＬｉに変換される。
【０１３５】
不活性ガスとしては、＜反応１＞で例示した不活性ガスを用いることが出来る。
【０１３６】
次に、脱離基ＸaがＬｉに変換された化合物ｄに、ホウ素化剤及び／又はハロゲン化金属を作用させて、中間体Ａ’を得る。
【０１３７】
ヨウ素化剤としては、例えば、トリメトキシボラン、トリス（ｉ−プロピルオキシ）ボラン、メトキシピナコラートボラン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１３８】
また、ヨウ素化剤を用いる量は、脱離基ＸaがＬｉに変換された化合物ｄの１当量に対して、通常１当量以上、また、通常１０当量以下である。
【０１３９】
ハロゲン化金属としては、例えば、ハロゲン化錫、ハロゲン化亜鉛、ハロゲン化マグネシウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１４０】
また、ハロゲン化金属を用いる量は、脱離基ＸaがＬｉに変換された化合物ｄの１当量に対して、通常１当量以上、また、通常１０当量以下である。
【０１４１】
なお、ヨウ素化剤を用いた場合には、さらに酸性水溶液で処理を行なうことが好ましい。
【０１４２】
（反応１０の第２の方法）
化合物ｄから、中間体Ａ’を合成する第２の方法について説明する。
まず、化合物ｄと金属マグネシウムとを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、化合物ｄの脱離基Ｘaをマグネシウムハライド残基に変換する。次に、ホウ素化剤を作用させて、中間体Ａ’を得る。
【０１４３】
金属マグネシウムを用いる量は、化合物ｄの１当量に対して、通常１当量以上、また、通常５当量以下である。
【０１４４】
溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１４５】
また、溶媒を用いる量は、化合物ｄの１ｍｏｌに対して、通常０．１Ｌ以上、また、通常１０Ｌ以下である。
【０１４６】
不活性ガスとしては、＜反応１＞で例示した不活性ガスを用いることが出来る。
【０１４７】
化合物ｄの脱離基Ｘaをマグネシウムハライド残基に変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常−９０℃以上、また、通常１００℃以下である。
【０１４８】
また、反応時間は、通常０．１時間以上、また、通常２４時間以下である。
これらの反応によって、化合物ｄの脱離基Ｘaがマグネシウムハライド残基に変換される。
【０１４９】
次に、脱離基Ｘaがマグネシウムハライド残基に変換された化合物ｄに、ホウ素化剤を作用させ、その後で酸性水溶液で処理を行なうことで、ボロン酸残基が導入された中間体Ａ’を得が得られる。
なお、ホウ素化剤を作用させる方法や、酸性水溶液で処理する方法は、前述の（反応５の第１の方法）で説明した方法と同様である。
【０１５０】
（反応１０の第３の方法）
化合物ｄから、中間体Ａ’を合成する第３の方法について説明する。
まず、化合物ｄとジボランとＰｄ触媒と塩基性物質とを、無水条件下、不活性ガス雰囲気下の溶媒存在中で混合し、化合物ｄの脱離基Ｘaをボロン酸エステル残基に変換した中間体Ａ’を得る。
【０１５１】
ジボランとしては、例えば、ビス（ピナコラート）ジボラン等が挙げられる。ジボランは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１５２】
また、ジボランを用いる量は、化合物ｄの１当量に対して、通常１当量以上、また、通常１０当量以下である。
【０１５３】
Ｐｄ触媒としては、例えば、［１，１’−ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（II）、ジクロロメタン錯体（１：１）等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１５４】
また、Ｐｄ触媒を用いる量は、化合物ｄの１当量に対して、通常０．００１当量以上、また、通常０．５当量以下である。
【０１５５】
塩基性物質としては、例えば、塩化カリウム等が挙げられる。塩基性物質は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１５６】
溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、１，４−ジオキサン等が挙げられる。溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０１５７】
また、溶媒を用いる量は、化合物ｄの１ｍｏｌに対して、通常０．１Ｌ以上、また、通常１００Ｌ以下である。
【０１５８】
不活性ガスとしては、＜反応１＞で例示した不活性ガスを用いることが出来る。
【０１５９】
化合物ｄの脱離基Ｘaをボロン酸エステル残基に変換する反応は、撹拌混合で行なうことが好ましい。このときの反応温度は、通常２０℃以上、また、通常１２０℃以下である。
【０１６０】
また、反応時間は、通常１時間以上、また、通常６０時間以下である。
これらの反応によって、化合物ｄの脱離基Ｘaがボロン酸エステル残基に変換された中間体Ａ’が得られる。
【０１６１】
＜反応１１＞
反応１１は、中間体Ａ’と、Ｘc−ＺA−Ｘdとを反応させて、化合物ｅを合成する反応である。
【０１６２】
Ｘc−ＺA−Ｘdにおいて、ＺAは、２価の芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が好適に適用できる。
また、Ｘc、Ｘdは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。但し、このときの脱離基Ｘcは、脱離基Ｘdよりも、本反応条件下において脱離能に優れていることが望ましい。具体的な組合せを例示すると、Ｘcとしてヨウ素原子をＸdとして臭素原子を用いたり、Ｘcとして臭素原子をＸdとして塩素原子を用いたりすることが好適である。
【０１６３】
化合物ｅにおいて、ＺA及びＸdは、Ｘc−ＺA−ＸdのＺA及びＸdと同様である。
【０１６４】
中間体Ａ’とＸc−ＺA−Ｘdとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに中間体Ａ’を、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりにＸc−ＺA−Ｘdを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、Ｘc−ＺA−Ｘdの脱離基Ｘcを基準として規定される。
【０１６５】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｅを得ることができる。
【０１６６】
＜反応１２＞
反応１２は、化合物ｅから中間体Ａを合成する反応である。なお、中間体Ａにおける連結基ＺAが直接結合である場合、＜反応１０＞で得られる中間体Ａ’を、そのまま中間体Ａとして用いることができる。
【０１６７】
中間体Ａにおいて、ＺAは、Ｘc−ＺA−ＸdのＺAと同様である。
また、ＸAは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０１６８】
化合物ｅの反応は、＜反応１０＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ｄの代わりに化合物ｅを用いる他は＜反応１０＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等を用いる量は、化合物ｅを基準として規定される。
【０１６９】
それ以外の条件（例えば、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１０＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ａを得ることができる。
【０１７０】
＜１−３−３．出発物質から中間体Ｂまでの合成経路＞
下記の図は、化合物ａ（出発物質）から、中間体Ｂを得るための合成経路を表わしている。以下、各反応段階について詳説する。
【化９】
0005549051.tif 000010
【０１７１】
＜反応１３＞
反応１３は、化合物ａと、化合物ｎとを反応させて、化合物ｇを合成する反応である。
【０１７２】
化合物ａは、＜反応６＞で用いたものと同様のものである。
化合物ｎにおいて、Ｘyは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０１７３】
化合物ａと化合物ｎとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｎを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ａを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、化合物ａの脱離基Ｘaを基準として規定される。
【０１７４】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、反応１と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｇを得ることができる。
【０１７５】
＜反応１４＞
反応１４は、化合物ａと、化合物ｏとを反応させて、化合物ｈを合成する反応である。
【０１７６】
化合物ａは、＜反応６＞で用いたものと同様のものである。
化合物ｏにおいて、Ｘzは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０１７７】
化合物ａと化合物ｏとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｏを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ａを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、化合物ａの脱離基Ｘaを基準として規定される。
【０１７８】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｈを得ることができる。
【０１７９】
＜反応１５＞
反応１５は、化合物ｇから化合物ｉを合成する反応である。
【０１８０】
化合物ｉにおいて、Ｘaは、化合物ａのＸaと同様である。
【０１８１】
化合物ｇの反応は、＜反応６＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ａの代わりに化合物ｇを用いる他は＜反応６＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、Ｎ−ハロゲン化コハク酸、溶媒等を用いる量は、化合物ｇを基準として規定される。
【０１８２】
それ以外の条件（例えば、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応６＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｉを得ることができる。
【０１８３】
＜反応１６＞
反応１６は、化合物ｈから化合物ｊを合成する反応である。
【０１８４】
化合物ｊにおいて、Ｘaは、化合物ａのＸaと同様である。
【０１８５】
化合物ｈの反応は、＜反応６＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ａの代わりに化合物ｈを用いる他は＜反応６＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、Ｎ−ハロゲン化コハク酸、溶媒等を用いる量は、化合物ｈを基準として規定される。
【０１８６】
それ以外の条件（例えば、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応６＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｊを得ることができる。
【０１８７】
＜反応１７＞
反応１７は、化合物ｂと、化合物ｏとを反応させて、化合物ｊを合成する反応である。
【０１８８】
化合物ｂは、＜反応６＞に記載の化合物ｂと同様である。ただし、ＸaとＸbとは、反応性が異なる脱離基であることが好ましい。その様な化合物ｂとしては、例えば、９−ブロモ−１０−ヨードアントラセン等が挙げられる。
化合物ｏは、＜反応１４＞で用いたものと同様のものである。
化合物ｊは、＜反応１６＞に記載の化合物ｊと同様である。
【０１８９】
化合物ｂと化合物ｏとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｏを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｂを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、Ｘa又はＸbのうち脱離能が高い方の脱離基（同じ場合にはＸb）を基準として規定される。
【０１９０】
また、化合物ｂのＸaとＸbとが、例えば９，１０−ジブロモアントラセン等のように同じ反応性を有する場合、化合物ｏを用いる量は、化合物ｂの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１．５当量以下である。
【０１９１】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｊを得ることができる。
【０１９２】
なお、ＸbよりもＸaの方が反応性が高い場合、化合物ｊはＸaの代わりにＸbを有することになる。ＸaとＸbとは互いに同様な脱離基であり、化合物ｊが何れの脱離基を有する場合であっても、以降の反応において同様に取り扱うことができる。
【０１９３】
＜反応１８＞
反応１８は、化合物ｂと、化合物ｎとを反応させて、化合物ｉを合成する反応である。
【０１９４】
化合物ｂは、＜反応６＞に記載の化合物ｂと同様である。ただし、ＸaとＸbとは、反応性が異なる脱離基であることが好ましい。その様な化合物ｂとしては、例えば、９−ブロモ−１０−ヨードアントラセン等が挙げられる。
化合物ｎは、＜反応１３＞で用いたものと同様のものである。
化合物ｉは、＜反応１５＞に記載の化合物ｉと同様である。
【０１９５】
化合物ｂと化合物ｎとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｎを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｂを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、Ｘa又はＸbのうち脱離能が高い方の脱離基（同じ場合にはＸb）を基準として規定される。
【０１９６】
また、化合物ｂのＸaとＸbとが、例えば９，１０−ジブロモアントラセン等のように同じ反応性を有する場合、化合物ｎを用いる量は、化合物ｂの１当量に対して、通常０．１当量以上、また、通常１．５当量以下である。
【０１９７】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｉを得ることができる。
【０１９８】
なお、ＸbよりもＸaの方が反応性が高い場合、化合物ｉはＸaの代わりにＸbを有することになる。ＸaとＸbとは互いに同様な脱離基であり、化合物ｉが何れの脱離基を有する場合であっても、以降の反応において同様に取り扱うことができる。
【０１９９】
＜反応１９＞
反応１９は、化合物ｊと、化合物ｎとを反応させて、化合物ｋを合成する反応である。
【０２００】
化合物ｎは、＜反応１３＞で用いたものと同様のものである。
【０２０１】
化合物ｊと化合物ｎとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｎを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｊを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等の用いる量は、Ｘaを基準として規定される。
【０２０２】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｋを得ることができる。
【０２０３】
＜反応２０＞
反応２０は、化合物ｉと、化合物ｏとを反応させて、化合物ｋを合成する反応である。
【０２０４】
化合物ｏは、＜反応１４＞で用いたものと同様のものである。
化合物ｋは、＜反応１９＞に記載の化合物ｋと同様である。
【０２０５】
化合物ｉと化合物ｏとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに化合物ｏを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｉを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、Ｘaを基準として規定される。
【０２０６】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｋを得ることができる。
【０２０７】
＜反応２１＞
反応２１は、化合物ｋから化合物ｌを合成する反応である。
【０２０８】
化合物ｌにおいて、Ｘvは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。
なお、化合物ｌを得る反応は＜反応２１＞以外の方法でもよい。以下、順に説明する。
【０２０９】
（＜反応２１＞について）
化合物ｋの反応としては、＜反応６＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ａの代わりに化合物ｋを用いる他は＜反応６＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、Ｎ−ハロゲン化コハク酸、溶媒等の用いる量は、化合物ｋを基準として規定される。
【０２１０】
それ以外の条件（例えば、ハロゲン分子、ルイス酸触媒、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応６＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｌを得ることができる。
【０２１１】
（化合物ｌを得る他の方法について）
化合物ｋから化合物ｌを合成する上記以外の方法について説明する。
【０２１２】
まず、９，１０−アントラキノンの臭素化（又は、ヨウ素化）を行い、１当量分の２−ブロモ−９，１０−アントラキノン（又は、２−ヨード−９，１０−アントラキノン）を合成する。
【０２１３】
次に、２当量のアリールリチウム（又は、アリールマグネシウムハライド等）を作用させてから、加水処理し、２−ブロモ−９，１０−ジアリール−アントラセン−９，１０−ジオール（又は、２−ヨード−９，１０−ジアリール−アントラセン−９，１０−ジオール）を合成する。
【０２１４】
その後、水酸基の脱離を行うことで、２−ブロモ−９，１０−ジアリールアントラセン（又は、２−ヨード−９，１０−ジアリールアントラセン）を得ることも可能である。
水酸基の脱離方法としては、例えば、塩化錫と塩酸水溶液を作用させる方法、鉄、酢酸で処理後、炭酸水素ナトリウム水溶液を作用させる方法、Ｎａ2ＨＰＯ4、ＮａＩ、酢酸を用いる方法等が挙げられる。
【０２１５】
＜反応２２＞
反応２２は、化合物ｌから中間体Ｂ’を合成する反応である。なお、中間体Ｂにおける連結基ＺBが直接結合である場合、本反応で得られる中間体Ｂ’を、そのまま中間体Ｂとして用いることができる。
【０２１６】
中間体Ｂ’において、ＸWは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０２１７】
化合物ｌの反応は、＜反応１０＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ｄの代わりに化合物ｌを用いる他は＜反応１０＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等を用いる量は、化合物ｌを基準として規定される。
【０２１８】
それ以外の条件（例えば、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１０＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｂ’を得ることができる。
【０２１９】
＜反応２３＞
反応２３は、中間体Ｂ’と、化合物ｐとを反応させて、化合物ｍを合成する反応である。
【０２２０】
化合物ｐにおいて、ＺBは、２価の芳香族炭化水素基を表わす。
また、Ｘe、Ｘfは、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。但し、このときの脱離基Ｘeは、脱離基Ｘfよりも、本反応条件下において脱離能に優れていることが望ましい。具体的な組合せを例示すると、Ｘeとしてヨウ素原子をＸfとして臭素原子を用いたり、Ｘeとして臭素原子をＸfとして塩素原子を用いたりすることが好適である。
【０２２１】
化合物ｍにおいて、ＺB及びＸfは、化合物ｐのＺB及びＸfと同様である。
【０２２２】
中間体Ｂ’と化合物ｐとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに中間体Ｂ’を、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｐを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、化合物ｐの脱離基Ｘeを基準として規定される。
【０２２３】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として化合物ｍを得ることができる。
【０２２４】
＜反応２４＞
反応２４は、化合物ｍから中間体Ｂを合成する反応である。なお、中間体Ｂにおける連結基ＺBが直接結合である場合、＜反応２２＞で得られる中間体Ｂ’を、そのまま中間体Ｂとして用いることができる。
【０２２５】
中間体Ｂにおいて、ＺBは、２価の芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基としては、置換基を有していてもよく、具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の由来の基が好適に適用できる。
また、ＸBは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０２２６】
化合物ｍの反応は、＜反応１０＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ｄの代わりに化合物ｍを用いる他は＜反応１０＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等を用いる量は、化合物ｍを基準として規定される。
【０２２７】
それ以外の条件（例えば、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１０＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｂを得ることができる。
【０２２８】
＜１−３−４．中間体Ａから中間体Ｅ、中間体Ｂから中間体Ｆまでの合成経路＞
下記の図は、中間体Ａから中間体Ｅ、及び中間体Ｂから中間体Ｆを得るための合成経路を表わしている。以下、各反応段階について詳説する。
【化１０】
0005549051.tif 000011
【０２２９】
＜反応２５＞
反応２５は、中間体Ａと、化合物ｑとを反応させて、中間体Ｅ’を合成する反応である。なお、中間体Ｅにおける脱離基ＸEが、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等である場合、本反応で得られる中間体Ｅ’を、そのまま中間体Ｅとして用いることができる。
【０２３０】
中間体Ａは、＜反応１２＞に記載の中間体Ａと同様である。
化合物ｑにおいて、ＺEは、芳香族炭化水素基を表わす。該芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、具体例としては、＜１−１．アントラセン化合物の構造＞で詳述したＺと同様の例を好適に適用できる。
また、Ｘg、ＸE'は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。
【０２３１】
中間体Ａと化合物ｑとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｑを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等を用いる量は、化合物ｑの脱離基Ｘgを基準として規定される。
【０２３２】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｅ’を得ることができる。
【０２３３】
＜反応２６＞
反応２６は、中間体Ｅ’から中間体Ｅを合成する反応である。なお、中間体Ｅにおける脱離基ＸEが、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等である場合、＜反応２５＞で得られる中間体Ｅ’を、そのまま中間体Ｅとして用いることができる。
【０２３４】
中間体Ｅにおいて、ＺEは、中間体Ｅ’のＺEと同様である。また、ＸEは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０２３５】
中間体Ｅ’の反応は、＜反応１０＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ｄの代わりに中間体Ｅ’を用いる他は＜反応１０＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等を用いる量は、中間体Ｅ’を基準として規定される。
【０２３６】
それ以外の条件（例えば、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１０＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｅを得ることができる。
【０２３７】
＜反応２７＞
反応２７は、中間体Ｂと、化合物ｒとを反応させて、中間体Ｆ’を合成する反応である。なお、中間体Ｆにおける脱離基ＸFが、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等である場合、本反応で得られる中間体Ｆ’を、そのまま中間体Ｆとして用いることができる。
【０２３８】
中間体Ｂは、＜反応２４＞に記載の中間体Ｂと同様である。
化合物ｒにおいて、ＺFは、芳香族炭化水素基を表わす。また、Ｘh、ＸF'は、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等の脱離基を表わす。
【０２３９】
中間体Ｂと化合物ｒとの反応は、＜反応１＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを、（ＸC）a−ＺC−（ＸD）bの代わりに化合物ｒを用いる他は＜反応１＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、パラジウム錯体触媒、塩基性物質、溶媒等の用いる量は、化合物ｒの脱離基Ｘhを基準として規定される。
【０２４０】
それ以外の条件（例えば、パラジウム触媒、塩基性物質、溶媒の種類及びそれらを用いる量；反応温度、反応時間等）は、＜反応１＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｆ’を得ることができる。
【０２４１】
＜反応２８＞
反応２８は、中間体Ｆ’から中間体Ｆを合成する反応である。なお、中間体Ｆにおける脱離基ＸFが、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、ＣＦ3ＳＯ3−基等である場合、＜反応２７＞で得られる中間体Ｆ’を、そのまま中間体Ｆとして用いることができる。
【０２４２】
中間体Ｆにおいて、ＺFは、中間体Ｆ’のＺFと同様である。また、ＸFは、ボロン酸残基、ボロン酸エステル残基、錫ハライド残基、亜鉛ハライド残基、マグネシウムハライド残基等の脱離基を表わす。
【０２４３】
中間体Ｆ’の反応は、＜反応１０＞と同様の方法で行なうことが出来る。
具体的には、化合物ｄの代わりに中間体Ｆ’を用いる他は＜反応１０＞と同様にして反応を行なう。また、それに伴い、リチオ化剤、マグネシウムハライド、ジボラン、溶媒、触媒等を用いる量は、中間体Ｆ’を基準として規定される。
【０２４４】
それ以外の条件（例えば、溶媒等の種類；反応温度、反応時間等）は、＜反応１０＞と同様である。
この反応の結果、生成物として中間体Ｆを得ることができる。
【０２４５】
＜その他のアントラセン化合物の製造方法＞
本発明に係るアントラセン化合物の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の効果を著しく損なわない限り、他の何れの公知の方法によって製造してもよい。また、アントラセン化合物の合成には、上述した例以外の、他の何れの公知の原材料を用いてもよい。
【０２４６】
具体例としては、「Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  ｉｎ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ：  Ａ  ｇｕｉｄｅ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔ」（第二版、２００２、Ｊｉｅ  Ｊａｃｋ  Ｌｉ  ａｎｄ  Ｇｏｒｄｏｎ  Ｗ．  Ｇｒｉｂｂｌｅ、Ｐｅｒｇａｍｏｎ社）、「遷移金属が拓く有機合成  その多彩な反応形式と最新の成果」（１９９７年、辻二郎、化学同人社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（２００４年、Ｋ．Ｐ．Ｃ．Ｖｏｌｌｈａｒｄｔ、化学同人社））等に記載または引用されている、環同士の結合（カップリング）反応（例えば、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応等）等を用いることもできる。
【０２４７】
＜アントラセン化合物の精製方法＞
合成して得られたアントラセン化合物の精製方法としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、公知の何れの方法を用いることが出来る。
【０２４８】
具体例としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ
ピー  シー発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法等が挙げられる。
【０２４９】
さらに具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。
【０２５０】
生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ、ＧＣ／ＭＳ、ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（1Ｈ−ＮＭＲ、13Ｃ−ＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ、ＧＦ−ＡＡＳ、ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。
【０２５１】
＜１−４．アントラセン化合物の好ましい例＞
以下、本発明のアントラセン化合物の好ましい例について例示する。以下は例示であって、本発明のアントラセン化合物は、式（Ｉ）を満たしていれば制限されない。
【化１１】
0005549051.tif 000012
【化１２】
0005549051.tif 000013
【化１３】
0005549051.tif 000014
【化１４】
0005549051.tif 000015
【０２５２】
＜１−５．アントラセン化合物の用途＞
本発明のアントラセン化合物は、高耐熱性、有機溶剤に対する優れた溶解性、あるいは高い電荷輸送性を有するため、電荷輸送性材料あるいは発光材料として、電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。
また、高い一重項励起準位、優れた蛍光量子収率、優れた電気的耐久性、あるいは優れた非晶質性を有することから、本発明のアントラセン化合物からなる電荷輸送材料を用いることにより、耐熱性に優れ、長期間安定に駆動（発光）する有機電界発光素子が得られる。そのため、本発明のアントラセン化合物および電荷輸送材料は有機電界発光素子材料として、とりわけ好適である。
【０２５３】
［２．湿式成膜用電荷輸送材料］
本発明はまた、上記式（Ｉ）で表わされるアントラセン化合物からなる湿式成膜用電荷輸送材料に関する。
ここで、湿式成膜用電荷輸送材料とは、溶剤に分散又は溶解させた状態で成膜し、その後、溶剤の一部あるいは全部を除去することで、電荷輸送性を有する膜を形成することを目的とした材料をいう。
【０２５４】
湿式成膜用電荷輸送材料は、ガラス転移点が１２０℃以上であり、且つ、トルエンに対する溶解度が０．５重量％以上であることが、湿式成膜法を利用した有機電界発光素子の用途の上で好ましい。以下、ガラス転移点及び溶媒に対する溶解度について詳述する。
【０２５５】
（ガラス転移点）
湿式成膜用電荷輸送材料のガラス転移点は、通常１２０℃以上、好ましくは１２５℃以上、さらに好ましくは１３０℃以上、また、通常３５０℃以下、好ましくは３００℃以下、さらに好ましくは２５０℃以下である。ガラス転移点がこの範囲を下回ると、湿式成膜用電荷輸送材料を用いて作製した薄膜が、加熱処理あるいは通電などによって、結晶化を起こす可能性がある。また、ガラス転移点がこの範囲を上回ると、溶剤に対する溶解性が低下する傾向がある。
なお、ガラス転移点の測定は、＜１−２．アントラセン化合物の物性＞で説明した方法と同様にして測定できる。
【０２５６】
（溶媒への溶解度）
湿式成膜用電荷輸送材料をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１．０重量％以上、特に好ましくは２．０重量％以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶剤の選定が制限される可能性がある。
なお、溶媒への溶解度の測定は、＜１−２．アントラセン化合物の物性＞で説明した方法と同様にして測定できる。
【０２５７】
［３．湿式成膜用電荷輸送材料組成物］
本発明はまた、上記式（Ｉ）で表わされるアントラセン化合物を含有する湿式成膜用電荷輸送材料組成物に関する。
ここで、湿式成膜用電荷輸送材料組成物とは、湿式成膜用電荷輸送材料と、湿式成膜用電荷輸送材料以外の化合物や溶媒との混合物をいう。本発明のアントラセン化合物以外の化合物としては、例えば、電荷輸送性化合物を含有することが好ましい。
【０２５８】
＜電荷輸送性化合物＞
電荷輸送性化合物としては、従来公知の有機電界発光素子に用いられる電荷輸送性化合物を使用できるが、中でも下記式（II）で表わされる化合物が好ましい。
【化１５】
0005549051.tif 000016
（式（II）中、Ａｒ31は、置換基を有していてもよい炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表わす。また、Ａｒ32およびＡｒ33は、互いに独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。但し、Ａｒ32およびＡｒ33の少なくとも一方は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。Ａｒ31が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。）
【０２５９】
（Ａｒ31について）
式（II）中、Ａｒ31は、置換基を有していてもよい炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表わす。
該芳香族炭化水素基としては、＜１−１．アントラセン化合物の構造＞で説明した、式（Ｉ）の化合物のＡｒ11〜Ａｒ20として例示した基が挙げられる。その中でも好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、またはこれらが複数個連結されて形成された基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基等）が挙げられる。
【０２６０】
芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、上記置換基群Ｑに記載の置換基が挙げられる。これらの置換基は、芳香族炭化水素基１つあたり、１種の置換基が単独で置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【０２６１】
（Ａｒ32およびＡｒ33について）
式（II）中、Ａｒ32およびＡｒ33は、互いに独立に、水素原子または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わす。但し、Ａｒ32およびＡｒ33の少なくとも一方は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
芳香族炭化水素基の好ましい種類などは、Ａｒ31と同様である。
【０２６２】
（アントラセン環が有する、更なる置換基）
Ａｒ31が結合するアントラセン環は、更に置換基を有していてもよい。該置換基としては、上記置換基群Ｑに記載の基が挙げられる。
【０２６３】
置換基群Ｑの中でも、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基が好ましい。特にベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、あるいは、これら置換基から任意の組合せで複数（通常２以上、また、通常８以下、好ましくは４以下）連なった置換基が好ましい。
【０２６４】
Ａｒ31が結合するアントラセン環は、１種の置換基が単独で置換していてもよいし、２種以上の置換基が任意の組み合わせ及び比率で置換していてもよい。
【０２６５】
上記の置換基の好ましい置換位置は、２，３，６，７位が好ましい。分子の平面性を著しく損なうことに伴う、電気的耐久性の低下を避けるためである。
【０２６６】
（分子量）
式（II）で表わされる化合物の分子量は、好ましくは３００以上、更に好ましくは５００以上、特に好ましくは６００以上、また、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、特に好ましくは１５００以下である。分子量がこの範囲を下回ると、湿式成膜時に結晶化を起こしやすくなったり、加熱処理時に気化したり、耐熱性が低下したりする可能性がある。また、この範囲を上回ると、有機溶剤に対する溶解性が低下したり、不純物の除去が困難になる傾向がある。
【０２６７】
（結晶化温度）
式（II）で表わされる化合物の結晶化温度は、２００℃以上が好ましく、２５０℃以上が更に好ましく、観測されないことが特に好ましい。
式（II）で表わされる化合物は、湿式成膜の際、あるいはその後の加熱処理の際に、結晶化を起こさないことが特に好ましいためである。
【０２６８】
（気化温度）
式（II）で表わされる化合物の気化温度は、０．００１Ｐａ条件下において、５００℃以下が好ましく、４５０℃以下が更に好ましい。高真空下における昇華精製が可能であると、化合物の高純度化を促進することができるためである。
【０２６９】
（混合割合）
湿式成膜用電荷輸送材料組成物において、本発明のアントラセン化合物と式（II）で表わされる電荷輸送性化合物とを混合する場合、その混合割合に制限はない。
ただし、湿式成膜用電荷輸送材料組成物を１００重量部としたときに、本発明のアントラセン化合物を通常１０重量部以上、好ましくは２０重量部以上、また、通常９０重量部以下、好ましくは８０重量部以下と、式（II）で表わされる電荷輸送性化合物を通常１０重量部以上、好ましくは２０重量部以上、また、通常９０重量部以下、好ましくは８０重量部位とを含有することが望ましい。
【０２７０】
＜発光材料＞
湿式成膜用電荷輸送材料組成物は、さらに発光材料を含有することが好ましい。
ここで、発光材料とは、不活性ガス雰囲気下、室温で、希薄溶液中における、蛍光量子収率が３０％以上である材料であって、希薄溶液中における蛍光スペクトルとの対比から、それを用いて作製された有機電界発光素子に通電した際に得られる電界発光スペクトルの一部または全部が、該材料の発光に帰属される材料、と定義される。
【０２７１】
発光材料の具体例としては、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物および／又はアリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体、後述する式（III）で表わされる縮合芳香族環化合物等があげられる。
【０２７２】
アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物としては、国際公開第２００６／０７０７１２号パンフレットにおいて式（６）〜式（１１）で表わされる化合物が好ましい。なお、式（１１）における核炭素数が５〜４０のアリール基として、国際公開第２００６／０７０７１２号パンフレットに記載されている例示の他に、ベンゾフェナンスリルも好ましい。
【０２７３】
発光材料として、下記式（III）で表わされる縮合芳香族環化合物も好ましい。
【化１６】
0005549051.tif 000017
式（III）中、Ａｒ10は置換もしくは無置換の核炭素数５以上４０以下のアリール基である。該アリール基は、好ましくは３以上、更に好ましくは４以上、また、好ましくは７以下、さらに好ましくは６以下の芳香環核が縮合した構造を有する。
【０２７４】
式（III）中、Ａｒ10としては、クリセニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、フルオランテニル基、ベンゾフェナンスリル基、アセナフトフルオランテニル基、フルオレニル基などがあげられる。
【０２７５】
式（III）中、Ｒは水素原子、脂環炭化水素基、又は国際公開第２００６／０７０７１２号パンフレットにおける式（１１）のアリール基の置換基として例示された基から選択される。
【０２７６】
脂環炭化水素基としては、炭素数５以上炭素数８以下の脂環式炭化水素基が好ましく、具体例としては、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
また、国際公開第２００６／０７０７１２号パンフレットにおける式（１１）のアリール基の置換基として例示された基の中でも、アルキル基が好ましく、特に３級炭素原子または４級炭素原子を基内に有するアルキル基が好ましく、中でも炭素数４以上炭素数１５以下のアルキル基が好ましい。
【０２７７】
その他、青色用の発光材料として以下の化合物を使用することもできる。
【化１７】
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【０２７８】
【化１８】
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【０２７９】
【化１９】
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【０２８０】
なお、青色用の発光材料としては好ましい化合物としては、中心骨格に好ましくは３以上、更に好ましくは４以上、また、好ましくは７以下、更に好ましくは６以下の芳香環核が縮合したアリール基である。その中心骨格としては、クリセニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、フルオランテニル基、ベンゾフェナンスリル基、アセナフトフルオランテニル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【０２８１】
湿式成膜用電荷輸送材料組成物の発光材料は、１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に対する発光材料は、該組成物を１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。この範囲を上回ると、発光効率の低下、駆動寿命の低下、発光スペクトルのブロード化等が生じる可能性がある。また、この範囲を下回ると、発光寿命の低下、駆動寿命の低下、駆動電圧の上昇が生じる可能性がある。
【０２８２】
＜溶剤＞
湿式成膜用電荷輸送材料組成物は、さらに溶剤を含有することが好ましい。
ここで溶剤とは、湿式成膜により本発明のアントラセン化合物を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
【０２８３】
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０２８４】
（沸点）
溶剤の沸点は、通常１００℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、湿式成膜用電荷輸送材料組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下する可能性がある。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【０２８５】
（使用量）
溶剤の使用量は、湿式成膜用電荷輸送材料組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が１０重量部を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、９９．９５重量部を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
【０２８６】
＜その他、湿式成膜用電荷輸送材料組成物に含有してよいもの＞
湿式成膜用電荷輸送材料組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の化合物を含有していてもよい。
【０２８７】
例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０２８８】
また、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
【０２８９】
［４．有機電界発光素子］
本発明はまた、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子であって、上記の湿式成膜用電荷輸送材料または湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子に関する。
【０２９０】
＜構成＞
図１は、本発明の有機電界発光素子として好適な構造例を示す断面模式図である。
図１において、有機電界発光素子１０は、基板１上に陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、陰極バッファ層８、陰極９をこの順に積層され形成されている。これらの層のうち、正孔注入層３から陰極バッファ層８（ただし、発光層５を除く）までの層は、必要に応じて全ての層が積層されていても、何れかの層が積層されていなくてもよい。
【０２９１】
また、本発明の有機電界発光素子は、本発明の効果を著しく損なわない限り、図１の構成に限定されず、任意の形状、配置等をとることができる。例えば、基板上に上記の有機電界発光素子１０とは逆順に積層（即ち、陰極側から積層）してもよい。
【０２９２】
なお、上記湿式成膜用電荷輸送材料または湿式成膜用電荷輸送材料組成物を含有する層は、発光層５であることが好ましい。
以下、図１を例として、上記の層について詳説する。
【０２９３】
＜基板１＞
基板１は、有機電界発光素子１０の支持体となるものである。
基板１の材料は、本発明の効果を著しく損なわない制限はないが、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が好ましい。特に、ガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０２９４】
なお、基板１として、合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意することが望ましい。基板１のガスバリア性が低すぎると、基板１を通過した外気により、有機電界発光素子１０が劣化する場合がある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に、緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法等を講じることが好ましい。
【０２９５】
基板１の厚さは制限されないが、通常０．０１ｍｍ以上、好ましくは０．１ｍｍ以上、さらに好ましくは０．２ｍｍ以上、また、通常５ｃｍ以下、好ましくは２ｃｍ以下、さらに好ましくは１ｃｍ以下である。
【０２９６】
なお、基板１は単一の層からなる構成であってもよいし、複数の層が積層された構成を有していてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
【０２９７】
＜陽極２＞
基板１の上には、陽極２が形成される。
陽極２は、基板１と反対方向の隣接する層への正孔注入の役割を果たすものである。
【０２９８】
陽極２の材料は、導電性を有していれば制限はないが、例えば、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等が好ましい。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０２９９】
陽極２を形成する手法は制限されないが、通常はスパッタリング法、真空蒸着法等が用いられる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、これらを適当なバインダー樹脂溶液に分散させ、基板１上に塗布することにより、陽極２を形成することもできる。
【０３００】
更に、導電性高分子を材料として用いる場合は、電解重合により基板１上に薄膜を直接形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成したりすることもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０３０１】
なお、図１において、陽極２は単層構造であるが、所望により複数の層が積層された積層構造としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
更には、陽極２を上述の基板１と一体に形成し、陽極２が基板１を兼ねる構成としてもよい。
【０３０２】
陽極２の厚みは、陽極２に求められる透明性により適宜選定される。
陽極２に透明性が求められる場合には、可視光の透過率を通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下である。陽極２が薄すぎると、電気抵抗が大きくなる場合がある。また、厚すぎると透明性が低下する。
【０３０３】
一方、陽極２が不透明でよい場合、陽極２の厚みは任意である。
【０３０４】
なお、陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的として、陽極２の表面に対して、紫外線（ＵＶ）処理、オゾン処理をしたり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等のプラズマ処理をしたりすることが好ましい。
【０３０５】
＜正孔注入層３＞
陽極２の上には、正孔注入層３が形成することができる。
正孔注入層３は、陽極２の陰極側に隣接する層へ正孔を輸送する層である。
なお、本発明の有機電界発光素子１０は、正孔注入層３を省いた構成であってもよい。
【０３０６】
正孔注入層３は、正孔輸送性化合物を含むことが好ましく、正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含むことがより好ましい。更には、正孔注入層３中にカチオンラジカル化合物を含むことが好ましく、カチオンラジカル化合物と正孔輸送性化合物とを含むことが特に好ましい。
【０３０７】
正孔注入層３は、必要に応じて、バインダー樹脂や塗布性改良剤を含んでもよい。なお、バインダー樹脂は、電荷のトラップとして作用し難いものが好ましい。
【０３０８】
また、正孔注入層３は、電子受容性化合物のみを湿式成膜法によって陽極２上に成膜し、その上から直接、電荷輸送材料組成物を塗布、積層することも可能である。この場合、電荷輸送材料組成物の一部が電子受容性化合物と相互作用することによって、正孔注入性に優れた層が形成される。
【０３０９】
（正孔輸送性化合物）
上記の正孔輸送性化合物としては、４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。ただし、湿式成膜法に用いる場合には、湿式成膜法に用いる溶媒への溶解性が高い方が好ましい。
【０３１０】
正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましい。
【０３１１】
芳香族アミン化合物の種類は特に制限されず、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよいが、表面平滑化効果の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型炭化水素化合物）が好ましい。
【０３１２】
また、芳香族アミン化合物の中でも、特に、芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０３１３】
芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例としては、下記式（ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【化２０】
0005549051.tif 000021
（上記式（ｉ）中、Ａｒa1、Ａｒa2は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。Ａｒa3〜Ａｒa5は、各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、または置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表わす。Ｚaは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表わす。また、Ａｒa1〜Ａｒa5のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【化２１】
0005549051.tif 000022
（上記各式中、Ａｒa6〜Ａｒa16は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環、または置換基を有していてもよい芳香族複素環由来の１価または２価の基を表わす。Ｒa1およびＲa2は、各々独立して、水素原子または任意の置換基を表わす。）
【０３１４】
Ａｒa1〜Ａｒa16としては、任意の芳香族炭化水素環または芳香族複素環由来の１価または２価の基が適用可能である。これらの基は各々同一であっても、互いに異なっていてもよい。また、これらの基は、更に任意の置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。
【０３１５】
Ａｒa1、Ａｒa2としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の１価の基が好ましく、フェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
【０３１６】
また、Ａｒa3〜Ａｒa5としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環由来の２価の基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基がさらに好ましい。
【０３１７】
一般式（ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載の化合物が挙げられる。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。
２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用するのが好ましい。
【０３１８】
（電子受容性化合物）
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０３１９】
電子受容性化合物の例としては、例えば、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート等の有機基の置換したオニウム塩、塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物、テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物、フラーレン誘導体、ヨウ素等が挙げられる。
【０３２０】
上記の化合物のうち、強い酸化力を有する点で、有機基の置換したオニウム塩、高原子価の無機化合物等が好ましい。また、種々の溶剤に可溶で湿式塗布に適用可能である点で、有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物等が好ましい。
【０３２１】
電子受容性化合物として好適な有機基の置換したオニウム塩、シアノ化合物、芳香族ホウ素化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられ、その好適例も同様である。例えば、下記構造式で表わされる化合物が挙げられるが、何らそれらに限定されるものではない。
なお、電位受容性化合物は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【化２２】
0005549051.tif 000023
【０３２２】
（カチオンラジカル化合物）
カチオンラジカル化合物としては、正孔輸送性化合物から一電子取り除いた化学種であるカチオンラジカルと、対アニオンとからなるイオン化合物が好ましい。但し、カチオンラジカルが正孔輸送性の高分子化合物由来である場合、カチオンラジカルは高分子化合物の繰り返し単位から一電子取り除いた構造となる。
【０３２３】
カチオンラジカルとしては、正孔輸送性化合物として前述した化合物から一電子取り除いた化学種であることが好ましい。正孔輸送性化合物として好ましい化合物から一電子取り除いた化学種であることが、非晶質性、可視光の透過率、耐熱性、溶解性などの点から好適である。
【０３２４】
ここで、カチオンラジカル化合物は、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物を混合することにより生成させることができる。即ち、前述の正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを混合することにより、正孔輸送性化合物から電子受容性化合物へと電子移動が起こり、正孔輸送性化合物のカチオンラジカルと対アニオンとからなるカチオンイオン化合物が生成する。
【０３２５】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，２０００年，１２巻，４８１頁）やエメラルジン塩酸塩（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．，１９９０年，９４巻，７７１６頁）等の高分子化合物由来のカチオンラジカル化合物は、酸化重合（脱水素重合）することによっても生成する。
【０３２６】
ここでいう酸化重合は、モノマーを酸性溶液中で、ペルオキソ二硫酸塩等を用いて化学的に、または、電気化学的に酸化するものである。この酸化重合（脱水素重合）の場合、モノマーが酸化されることにより高分子化されるとともに、酸性溶液由来のアニオンを対アニオンとする、高分子の繰り返し単位から一電子取り除かれたカチオンラジカルが生成する。
【０３２７】
（正孔注入層３の製造方法）
正孔注入層３は、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の方法で形成することができるが、例えば、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極２上に形成される。
【０３２８】
湿式成膜法による層形成の場合、前述した各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）の１種または２種以上の所定量を、必要により電荷のトラップとして作用し難いバインダー樹脂や塗布性改良剤と共に溶剤に溶解させて、まず塗布溶液を調製する。次いで、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等の湿式成膜法により陽極上に塗布し、乾燥して、正孔注入層３を形成させることができる。
【０３２９】
湿式成膜法による層形成のために用いられる溶剤としては、前述の各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）を溶解することが可能な溶剤であれば、その種類は特に限定されない。なお、正孔注入層３に用いられる各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）を失活させる可能性のある失活物質または失活物質を発生させる物質を含まないことが好ましい。
好ましくは、溶剤の具体例としては、エーテル系溶剤またはエステル系溶剤が挙げられる。
【０３３０】
上記塗布溶液中における溶剤の濃度は、通常１０重量％以上、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０％重量以上、また、通常、９９．９９９重量％以下、好ましくは９９．９９重量％以下、さらに好ましくは９９．９重量％以下である。なお、２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにすればよい。
【０３３１】
真空蒸着法による層形成の場合には、まず、前述した各材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物、カチオンラジカル化合物）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、次いで、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度まで排気する。その後、るつぼを加熱し（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱し）、蒸発量を制御して蒸発させて（２種以上材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板１の陽極２上に正孔注入層３を形成させることができる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層３の形成に用いることもできる。
【０３３２】
上述のようにして形成される正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。正孔注入層３が薄すぎると、正孔注入性が不十分になる可能性がある。また、厚すぎると、抵抗が高くなる場合がある。
【０３３３】
なお、正孔注入層３は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
【０３３４】
＜正孔輸送層４＞
正孔輸送層４は、正孔注入層３が有る場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。
正孔輸送層４によって、発光層５へ正孔を輸送し効率良く注入することができる。
なお、本発明の有機電界発光素子１０は、正孔輸送層４を省いた構成であってもよい。
【０３３５】
正孔輸送層４に利用できる材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。
また、多くの場合発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが好ましい。
【０３３６】
このような正孔輸送材料としては、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物に加えて、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．  Ｌｕｍｉｎ．，  ７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔａｌｓ，  ９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体等が挙げられる。
【０３３７】
更には、後述する成膜法により薄膜を形成した後、加熱や光や磁気等の電磁波照射などによって重合する化合物や、任意の複数化合物が予め重合した高分子を利用することも可能である。
【０３３８】
このような高分子としては、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０３３９】
正孔輸送層４は、例えば、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。
【０３４０】
塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種又は２種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を混合し、適切な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極２あるいは正孔注入層３上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。
【０３４１】
バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０３４２】
また、真空蒸着法の場合には、例えば正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極２あるいは正孔注入層３上に正孔輸送層４を形成させることができる。
【０３４３】
正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般にスピンコート法や真空蒸着法が多く用いられる。
【０３４４】
＜発光層５＞
発光層５は、正孔輸送層４が有る場合には正孔輸送層４の上に、正孔輸送層４が無くて正孔注入層３が有る場合には正孔注入層３の上に、正孔輸送層４と正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成される。
発光層５は前述の正孔注入層３や正孔輸送層４、及び後述する正孔阻止層６や電子輸送層７等とは独立した層であってもよいが、独立した発光層５を形成せず、正孔輸送層４や電子輸送層７など他の有機層が発光層の役割を担ってもよい。
【０３４５】
発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から直接に、又は正孔注入層３や正孔輸送層４等を通じて注入された正孔と、陰極９から直接に、又は陰極バッファ層８や電子輸送層７や正孔阻止層６等を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
なお、本発明の発光層５は、本発明の湿式成膜用電荷輸送材料、又は本発明の湿式成膜用電荷輸送材料組成物を用いて形成されることが好ましい。
【０３４６】
発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない限り、任意の方法で形成することができるが、例えば、湿式成膜法または真空蒸着法により陽極２上に形成される。ただし、大面積の有機電界発光素子１０を製造する場合には、湿式成膜法の方が好ましい。湿式成膜法、及び真空蒸着法の方法は、正孔注入層３と同様の方法を用いて行なうことができる。
【０３４７】
一般に有機電界発光素子においては、同じ材料で比較した場合、電極間の膜厚の薄い方が、実効電界が大きくなって注入される電流が多くなるので、駆動電圧が低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方がよいが、あまりに薄いとＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡や、隣接する層界面近傍への励起子拡散に起因する消光などが発生する。従って、ある程度の膜厚を有することが好ましい。
したがって、発光層５以外に正孔注入層３や正孔輸送層４、後述する正孔阻止層６や電子輸送層７等の有機層を有する場合、発光層５と他の有機層とを合わせた総膜厚としては、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは３００ｎｍ以下である。
【０３４８】
また、発光層５以外の有機層の導電性が高い場合、発光層５に注入される電荷量が増加する。例えば正孔注入層３の膜厚を厚くして発光層４の膜厚を薄くする等により、総膜厚としてある程度の膜厚を維持しながら駆動電圧を下げることも可能である。斯かる場合、発光層５の膜厚としては、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。
なお、本実施の形態の有機電界発光素子１０が、陽極２および陰極９の両極間に、発光層５のみを有する場合の発光層５の膜厚としては、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、また、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。
【０３４９】
＜正孔阻止層６＞
正孔阻止層６は、発光層５の上に形成することができる。
正孔阻止層６は、陽極２から注入され移動してくる正孔が陰極９に到達するのを阻止することができ、且つ陰極９から注入された電子を効率よく発光層５に輸送、注入することができる化合物によって形成されることが望ましい。
なお、本発明の有機電界発光素子１０は、正孔阻止層６を省いた構成であってもよい。
【０３５０】
正孔阻止層６に利用できる材料としては、電子移動度が高く、かつ、正孔移動度が低いことが好ましい。また、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ（最高被占軌道；Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）とＬＵＭＯ（最低空軌道；Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）との差）が大きいことや、発光層５中で生成した励起子のエネルギーが正孔阻止層６を形成する材料へ移動しないことや、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないこと等がさらに好ましい。
【０３５１】
このような条件を満たす正孔阻止層用の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）；バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）；２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物（国際公開第２００５／０２２９６２号パンフレット）；等が挙げられる。
これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０３５２】
正孔阻止層６の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。正孔阻止層６は、正孔注入層３から発光層５までの各層と同様の方法で形成することができ、湿式成膜法、真空蒸着法等を用いることができる。
【０３５３】
＜電子輸送層７＞
電子輸送層７は、正孔阻止層６が有る場合には正孔阻止層６の上に、正孔阻止層６が無い場合には発光層５の上に形成することができる。
電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物によって形成されることが望ましい。
なお、本発明の有機電界発光素子１０は、電子輸送層７を省いた構成であってもよい。
【０３５４】
電子輸送層７に利用できる電子輸送性化合物としては、陰極９または陰極バッファ層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが好ましい。
【０３５５】
このような条件を満たす電子輸送性化合物としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体等の金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−または５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラセンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。
これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０３５６】
電子輸送層７の膜厚は、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。電子輸送層７は、正孔注入層３から正孔阻止層６までの各層と同様の方法で形成することができ、例えば、湿式成膜法、又は真空蒸着法により形成することができる。中でも真空蒸着法が好ましい。
【０３５７】
＜陰極バッファ層８＞
陰極バッファ層８は、電子輸送層７が有る場合には電子輸送層７の上に、電子輸送層７が無くて正孔阻止層６が有る場合には正孔阻止層６の上に、電子輸送層７と正孔阻止層６が無い場合には発光層５の上に形成することができる。
陰極バッファ層８は、陰極９から注入された電子を効率よく隣接する有機層へ注入する層である。
なお、本発明の有機電界発光素子１０は、陰極バッファ層８を省いた構成であってもよい。
【０３５８】
陰極バッファ層８に利用できる材料としては、仕事関数の低い金属を使用することが好ましい。有機層へ電子注入を効率よく行うためである。
具体的には、例えば、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属が用いられる。また、ＬｉＦ、ＭｇＦ2、Ｌｉ2Ｏ、Ｃｓ2ＣＯ3等の金属塩を利用することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，１５４頁）。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０３５９】
陰極バッファ層８の膜厚としては、通常０．０１ｎｍ以上、好ましくは０．１ｎｍ以上で、通常は１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下である。
【０３６０】
陰極バッファ層８は、前述の正孔注入層３から電子輸送層７までの各層と同様の方法で形成することができ、例えば、湿式成膜法、又は真空蒸着法により形成することができる。
真空蒸着法の場合には、例えば、真空容器内に設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源を入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧する。その後、るつぼ又は金属ボートを加熱して蒸発させ、るつぼまたは金属ボートと向き合って置かれた基板上に陰極バッファ層８を形成することができる。
【０３６１】
アルカリ金属の蒸着は、例えばクロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを用いて行うことができる。このディスペンサーを真空容器内で加熱することにより、クロム酸アルカリ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発される。
また、電子輸送性を有する有機化合物（有機電子輸送材料）とアルカリ金属とを共蒸着する場合は、有機電子輸送材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで減圧する。その後、各々のるつぼ及びディスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、るつぼおよびディスペンサーと向き合って置かれた基板１上の電子輸送層７（又は、正孔阻止層６、発光層５）に陰極バッファ層８を形成することができる。このとき、陰極バッファ層８の膜厚方向において均一に共蒸着されるが、膜厚方向において濃度分布があってもよい。
【０３６２】
＜陰極９＞
陰極９は、陰極バッファ層８が有る場合には陰極バッファ層８の上に、陰極バッファ層８が無くて電子輸送層７が有る場合には電子輸送層７の上に、陰極バッファ層８と電子輸送層７が無くて正孔阻止層６が有る場合には正孔阻止層６の上に、陰極バッファ層８と電子輸送層７と正孔阻止層６とが無い場合には発光層５の上に形成される。
陰極９は、隣接する陽極側の層（陰極バッファ層８、電子輸送層７等）に電子を注入する役割を果たす。
【０３６３】
陰極９の形成には、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能である。効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属を用いることが好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属又はそれらの合金が用いられる。
低仕事関数合金電極を形成する素材の具体例としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等が挙げられる。
これらの材料は、１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
【０３６４】
陰極９の膜厚は、通常は陽極２と同様であるが、低仕事関数金属からなる陰極を保護する目的で、陰極９の上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することができる。この目的に適した金属としては、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が挙げられる。
【０３６５】
＜その他の構成層＞
以上、図１に示す層構成の素子を中心に説明してきたが、本発明の有機電界発光素子は、陽極２及び陰極９と、発光層５との間には、その性能を損なわない限り、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよい。また、発光層の役割を担う最低一層の有機層以外の任意の層を省略してもよい。
【０３６６】
また、正孔阻止層６と同様の目的で、発光層５の陽極側に隣接する形で電子阻止層を設けることも可能である。電子阻止層は、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３あるいは正孔輸送層４に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、陽極側の層から注入された正孔を効率よく発光層５に注入する役割とがある。
【０３６７】
更には、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。この場合、段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ2Ｏ5等を電荷発生層（ＣＧＬ）として用いると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０３６８】
本発明の有機電界発光素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
また、本発明の有機電界発光素子において、透明陰極を用いることにより、上方より（基板１とは反対側の面より）発光を取り出す、トップエミッション型の素子として形成することも可能である。
【０３６９】
＜本発明の有機電界発光素子の利点＞
本発明有機電界発光素子は、高効率な発光素子であり、耐久性が高く、長寿命な有機電界発光素子が得られる。
【０３７０】
［５．本発明の利点］
本発明によれば、新規のアントラセン化合物を提供できる。該化合物は、溶剤に対する溶解性が高く、また、耐熱性、溶剤に対する溶解性、電気化学的安定性、大気中における安定性の全てにおいて優れている。そのため、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適であり、湿式成膜用電荷輸送材料として好適に用いられる。
また、該化合物を用いて湿式成膜法有機層を製造すると、有機電界発光素子は高効率、長寿命な有機電界発光素子が得られる。
【実施例】
【０３７１】
以下、本発明について、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、特に断りがない限り、以下の記載において部とは重量部のことを指す。
【０３７２】
［測定・評価方法］
（溶剤に対する溶解度の評価方法）
内容量２ｍＬ〜１０ｍＬのガラス製サンプル瓶に、溶質Ｘｇ（通常３〜１０ｍｇの範囲）、溶剤（例えばトルエン）Ｙｇを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。その後、室温（通常、１０〜３０℃）下、１０時間以上静置したとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％未満であると判定した。
【０３７３】
［実施例１］
以下のスキームに従って、３−ビフェニルボロン酸と２−ブロモヨードベンゼンとを出発物質として、目的化合物１（本発明のアントラセン化合物）を得た。以下、各反応段階について詳説する。
【０３７４】
【化２３】
0005549051.tif 000024
【０３７５】
（中間化合物１の合成）
窒素気流中、２−ブロモヨードベンゼン（１５．７１ｇ）、３−ビフェニルボロン酸（１０ｇ）、トルエン（８０ｍｌ）、及びエタノール（８０ｍｌ）の混合溶液に、リン酸三カリウム（３２．２ｇ）、水（８０ｍｌ）の水溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（２．０７ｇ）を順次添加し、加熱還流下、７時間撹拌した。
得られた溶液に、トルエン、及び食塩水を加え、よく振り混ぜた後、有機層を分取して、無水硫酸マグネシウムと活性白土とを加え、しばらく置いてから、ろ過、濃縮した。
得られた残留物にｎ−ヘキサンを加えて抽出し、これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ｎ−ヘキサン）で精製し、中間化合物１の無色液体（１１．９５６ｇ）を得た。
【０３７６】
（中間化合物２の合成）
窒素雰囲気下、マグネシウム片（１．１２８ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（５ｍｌ）懸濁溶液に、途中、ヨウ素を微量添加しつつ、中間化合物１（１１．９５６ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）溶液を３０分かけて滴下した後、加熱還流下、１．５時間撹拌した。次いで、−７０℃下で、トリメトキシボラン（１７ｍｌ）を１０分かけて滴下してから、１５分間撹拌後、室温まで２．５時間かけて昇温した。
得られた溶液を、氷冷下で、１Ｎ（規定）塩酸水溶液、及び１２Ｎ塩酸水溶液で酸性にした後、一晩静置した。ここにジクロロメタン（１５０ｍｌ）、及び食塩水（１００ｍｌ）を加えてよく振り混ぜてから、有機層を分取、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／酢酸エチル＝１０／０〜５／５）で精製し、中間化合物２の無色アモルファス固体（８．２６ｇ）を得た。
【０３７７】
（中間化合物３の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（３２０部）とエタノール（１６０部）との混合溶媒に、中間化合物２（８．９部）と９−ブロモアントラセン（７．６部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（６８部）を水（３４２部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（１．７部）とを順次加え、８３℃の油浴で３時間加熱攪拌した。
放冷後、塩化メチレン（７２０部）を加え、有機層を分液した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、得られた油状物をトルエン（２００部）に再溶解させ、活性白土で精製し、濃縮乾固した。
得られた固体を、ヘキサンとイソプロパノール＝１：１の混合溶媒（８０部）で懸濁洗浄し、濾過、乾燥し、中間化合物３（９．９部）を得た。
【０３７８】
（中間化合物４の合成）
窒素気流下室温で、中間化合物３（９．９部）を、ジメチルホルムアミド（２００部）に懸濁させ、Ｎ−ブロモコハク酸（５部）をジメチルホルムアミド（８０部）に溶解させた溶液を滴下した。２時間攪拌した後、懸濁液を水（３５０部）に放出し、濾過した。
得られたウェットケーキを、メタノール（１００部）で洗浄し、乾燥した。
得られた固形物を、トルエン（８０部）に加熱溶解し、放冷と中間濾過の後、中間濾過濾液にヘキサン（３２０部）を加え、生じた結晶を濾過し、乾燥し、中間化合物４（９．１部）を得た。
【０３７９】
（中間化合物５の合成）
窒素気流下、中間化合物４（９．１部）を、テトラヒドロフラン（１１０部）に溶解し、−７５℃に冷却した。その溶液に、ｎ−ブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液）（１２部）を滴下し、−７５℃で攪拌した後、トリメチルホウ酸（６部）を同温度で滴下し、一夜攪拌した。
得られた溶液に、１Ｎの塩酸（１２０部）を添加して攪拌した後、飽和食塩水（１２０部）を添加して分液した。
得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮した。得られた褐色油状物をトルエン（２０部）に溶解し、ヘキサン（８０部）を加え、生じた結晶を濾過し乾燥して、中間化合物５（４．５部）を得た。
【０３８０】
（中間化合物６の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（１１０部）とエタノール（５５部）との混合溶媒に、中間化合物５（４．５部）と３−ブロモヨードベンゼン（４．０部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（２３部）を水（１２０部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（０．６部）とを順次加え、８０℃の油浴で３時間加熱攪拌した。
有機層を分液した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、ヘキサン：トルエン＝９：１（体積：体積）混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間化合物６（２．６部）を得た。
【０３８１】
（中間化合物７の合成）
１，４−ジオキサン（１３０部）、２−ブロモ−９，１０−ジフェニルアントラセン（５．４部）、酢酸カリウム（３．９部）、ピナコラトジボラン（３．７部）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．４部）、及びパラジウム−１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン塩化メチレン錯体（０．５部）の混合溶液を、１１０℃の油浴で８時間加熱攪拌した。
放冷後中間濾過を行い、濾液を減圧濃縮し、ヘキサン：塩化メチレン＝２：１（体積：体積）混合溶媒と塩化メチレン溶媒とを順次用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間化合物７（１．９部）を得た。
【０３８２】
（目的化合物１の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（２０部）とエタノール（１０部）との混合溶媒に、中間化合物６（０．９部）と中間化合物７（１．２部）とを加え攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（４．２部）を水（２１部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（０．１部）とを順次加え、８０℃の油浴で３時間加熱攪拌した。放冷後、塩化メチレン（８０部）を加え有機層を分液した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、褐色油状物を得た。
得られた褐色油状物をヘキサン：トルエン＝８：２（体積：体積）混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、得られた結晶を３６０℃で昇華精製処理して、目的化合物１（０．９部）を得た。
【０３８３】
（目的化合物１の物性）
得られた目的化合物１に、ＤＥＩ−ＭＳ（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  ｍａｓｓ  ｓｐｅｃｔｒｕｍ：脱離電子イオン化法マススペクトル法）を行なった結果、ｍ／ｚ＝８１０（Ｍ＋）が得られた。
【０３８４】
また、目的化合物１のガラス転移点は１５０℃、結晶化温度は観測されず、融点は２６５．７℃、重量減少開始温度は３５３．６℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は３重量％以上であった。
【０３８５】
［実施例２］
以下のスキームに従って、３−ビフェニルボロン酸と９−ブロモアントラセンとを出発物質として、目的化合物２（本発明のアントラセン化合物）を得た。以下、各反応段階について詳説する。
【０３８６】
【化２４】
0005549051.tif 000025
【０３８７】
（中間化合物８の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（１６０部）とエタノール（８０部）との混合溶媒に、３−ビフェニルボロン酸（４．６部）と９−ブロモアントラセン（５．７部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（１８部）を水（９０部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（１．０部）とを順次加え、８３℃の油浴で６時間加熱攪拌した。放冷後、有機層を分液した減圧濃縮し、得られた油状物にメタノールを加えて結晶を得た。この結晶を塩化メチレン（１３０部）に再溶解させ、活性白土で精製し、濃縮乾固した中間化合物８（６．９部）を得た。
【０３８８】
（中間化合物９の合成）
窒素気流下室温で、中間化合物８（６．９部）をジメチルホルムアミド（５５部）に懸濁させ、そこにＮ−ブロモコハク酸（３．９部）をジメチルホルムアミド（１１部）に溶解した溶液を滴下した。３時間攪拌した後、懸濁液をメタノール（３６０部）に放出し、水（２００部）を加え、攪拌し、濾過した。得られたウェットケーキをメタノール（１００部）で洗浄した後乾燥し、中間化合物９（７．３部）を得た。
【０３８９】
（中間化合物１０の合成）
窒素気流下、中間化合物９（７．２部）を、テトラヒドロフラン（１００部）に溶解し、−７５℃に冷却した。その溶液に、ｎ−ブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液）（１０部）を滴下し、−７５℃で攪拌した後、トリメチルホウ酸（６．５部）を同温度で滴下し、一夜攪拌した。得られた溶液に、１規定の塩酸（６０部）を添加して攪拌した後、飽和食塩水（８０部）を添加して分液した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮の後乾燥して、中間化合物１０（６．８部）を得た。
【０３９０】
（中間化合物１１の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（１６０部）とエタノール（８０部）との混合溶媒に、中間化合物７（９．６部）と３−ブロモヨードベンゼン（８．９部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（１７部）を水（８７部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（１．２部）とを順次加え、８０℃の油浴で３時間加熱攪拌した。有機層を分液した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、ヘキサン：トルエン１９：１（体積：体積）混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間化合物１１（７．３部）を得た。
【０３９１】
（中間化合物１２の合成）
窒素気流下、中間化合物１１（７．３部）を、テトラヒドロフラン（１１０部）に溶解し、−７５℃に冷却した。その溶液に、ｎ−ブチルリチウム（１５％ヘキサン溶液）（９部）を滴下し、−７５℃で攪拌した後、トリメチルホウ酸（５．５部）を同温度で滴下し、一夜攪拌した。得られた溶液に、１規定の塩酸（６５部）を添加して攪拌した後、飽和食塩水（８０部）を添加して分液した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮の後乾燥して、中間化合物１２（５．５部）を得た。
【０３９２】
（中間化合物１３の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（１４０部）とエタノール（６４部）の混合溶媒に、中間化合物１２（５．４部）と３−ブロモヨードベンゼン（５．１部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（１０部）を水（５０部）に溶解した溶液と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（０．７部）とを順次加え、８０℃の油浴で３時間加熱攪拌した。有機層を分液した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮し、ヘキサン：トルエン９：１（体積：体積）混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間化合物１３（４．９部）を得た。
【０３９３】
（目的化合物２の合成）
予め窒素を通気して脱気した、トルエン（４０部）とエタノール（２０部）との混合溶媒に、中間化合物１０（３．０部）と中間化合物１３（２．３部）とを加え、攪拌した。更に窒素気流下、炭酸ナトリウム（３．０部）を水（１７部）に溶解した溶液とテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム錯体（０．２部）とを順次加え、８０℃の油浴で３時間加熱攪拌した。放冷後、沈殿を濾過した後乾燥した。得られた結晶をヘキサン：トルエン５：１（体積：体積）混合溶媒を用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、得られた結晶を３６０℃で昇華精製処理して、目的化合物２（０．９部）を得た。
【０３９４】
（目的化合物２の物性）
得られた目的化合物２に、ＤＥＩ−ＭＳを行なった結果、ｍ／ｚ＝８１０（Ｍ＋）が得られた。
【０３９５】
また、目的化合物２のガラス転移点は、１６７℃、結晶化温度は検出されず、融点は明確には検出されず、重量減少開始温度は５０４℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は、０．５重量％以上であった。
【０３９６】
［実施例３］
（目的化合物３の合成）
目的化合物２の合成において、３−ビフェニルボロン酸に代えて２-ビフェニルボロン酸を用いた他は、目的化合物２の合成と同様の操作を行い、以下に示す目的化合物３（１．９部）を得た。
【化２５】
0005549051.tif 000026
【０３９７】
（目的化合物３の物性）
得られた目的化合物３に、ＤＥＩ−ＭＳを行なった結果、ｍ／ｚ＝８１０（Ｍ＋）が得られた。
【０３９８】
また、目的化合物３のガラス転移点は、１５４℃、結晶化温度は検出されず、融点は２８１．８℃、重量減少開始温度は５００℃であった。
室温下、トルエンに対する溶解度は、１．５重量％以上であった
【０３９９】
［比較例１］
比較例として、以下の化合物について、室温下のトルエンに対する溶解度を測定したところ、１重量％未満であった。
【化２６】
0005549051.tif 000027
【０４００】
［比較例２］
比較例として、以下の化合物について、室温下のトルエンに対する溶解度を測定したところ、１重量％未満であった。
【化２７】
0005549051.tif 000028
【０４０１】
［比較例３］
比較例として、以下の化合物について、室温下のトルエンに対する溶解度を測定したところ、１重量％未満であった。
【化２８】
0005549051.tif 000029
【０４０２】
［実施例４］
以下の製造法で有機電界発光素子を作製した。
【０４０３】
（陽極の形成）
ガラス基板の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍの厚さで成膜した（スパッタ成膜品、シート抵抗１５Ω）。これに、通常のフォトリソグラフィ技術により２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。
パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、紫外線オゾン洗浄を行った。
【０４０４】
（正孔注入層の形成）
陽極の上に正孔注入層を形成した。正孔注入層の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物（ＰＢ−１：重量平均分子量が２９４００、数平均分子量が１２６００）を用いて、光反応開始剤（ＰＩ−１）と共にスピンコートした。
【０４０５】
スピンコートは、表１の条件で行なった。また、ＰＢ−１とＰＩ−１との使用比率は、ＰＢ−１：ＰＩ−１＝１０：４（重量比）とした。
スピンコートを行なった後、２６０℃で１８０分の乾燥を行ない、膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層の薄膜を形成した。
【化２９】
0005549051.tif 000030
【化３０】
0005549051.tif 000031
【表１】
0005549051.tif 000032
【０４０６】
（正孔輸送層）
正孔注入層の上に正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の材料として、以下に示す化合物（ＨＴ−１）を用いて、スピンコートにより、正孔輸送層を形成した。
【０４０７】
スピンコートは、表２の条件で行なった。スピンコートを行なった後、２３０℃で６０分の乾燥を行ない、膜厚２０ｎｍの均一な正孔輸送層の薄膜を形成した。
【化３１】
0005549051.tif 000033
【表２】
0005549051.tif 000034
【０４０８】
（発光層）
正孔輸送層の上に発光層を形成した。発光層の材料として、以下に示した目的化合物１（実施例１で得られた本発明のアントラセン化合物）、及び蛍光発光性のドーパント（Ｄ−１）を用いて、スピンコートにより発光層を形成した。
【０４０９】
スピンコートは、表３の条件で行なった。また、目的化合物１とＤ−１との使用比率は、化合物１：Ｄ−１＝１０：１（重量比）とした。
スピンコートを行なった後、１００℃で６０分の乾燥を行ない、膜厚４０ｎｍの均一な発光層の薄膜を形成した。
【化３２】
0005549051.tif 000035
【表３】
0005549051.tif 000036
【０４１０】
（正孔阻止層・電荷輸送層）
発光層の上に正孔阻止層、正孔阻止層の上に電荷輸送層を形成した。
正孔阻止層の材料として、下記に示すＨＢ−１を用いて、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を形成した。
次に、電子輸送層の材料として、下記に示すＥＴ−１を用いて、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍの電子素子層を形成した。
【化３３】
0005549051.tif 000037
【０４１１】
（陰極バッファ層・陰極）
電荷輸送層の上に陰極バッファ層を、陰極バッファ層の上に陰極を形成した。
有機層と同様の真空蒸着法により、陰極バッファ層の材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて膜厚０．５ｎｍの陰極バッファ層を、陰極の材料としてアルミニウムを用いて膜厚８０ｎｍの陰極を、それぞれ陽極であるＩＴＯストライプと直交する形状の２ｍｍ幅のストライプ状に積層した。
【０４１２】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子を電界発光させたところ電界発光ピーク波長４６３ｎｍの青色発光が得られた。なお、実施例４〜実施例９、比較例４、及び比較例５で得られた有機電界発光素子の特性及び駆動寿命を、まとめて表４に示す。
【０４１３】
［実施例５］
正孔輸送層の材料として、上記の化合物（ＨＴ−１）の代わりに下記の化合物（ＨＴ−２）を用いたこと、並びに、発光層の形成におけるスピンコート条件として、溶媒をシクロヘキシルベンゼン、及び塗布液濃度を２．３重量％としたこと以外は、実施例４と同様にして有機電界発光素子を得た。
【化３４】
0005549051.tif 000038
【０４１４】
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長４６３ｎｍの青色発光を呈した。
【０４１５】
［実施例６］
正孔輸送層の材料として上記の化合物（ＨＴ−２）を用いたこと、及び発光層の材料のうち目的化合物１の代わりに以下に示した目的化合物２（実施例２で得られた本発明のアントラセン化合物）を用いたこと以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を得た。
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長が４６７ｎｍの青色発光を呈した。
【化３５】
0005549051.tif 000039
【０４１６】
［実施例７］
発光層に用いる溶媒をシクロヘキシルベンゼンとし、塗布液濃度を２．３重量％としたこと以外は、実施例６と同様にして有機電界発光を得た。
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長４６５ｎｍの青色発光を呈した。
【０４１７】
［実施例８］
目的化合物２の代わりに以下に示した目的化合物３（実施例３で得られた本発明のアントラセン化合物）を用いたこと以外は、実施例６と同様にして有機電界発光素子を得た。
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長４６５ｎｍの青色発光を呈した。
【化３６】
0005549051.tif 000040
【０４１８】
［実施例９］
発光層に用いる溶媒をシクロヘキシルベンゼン溶液とし、塗布液濃度を２．３重量％としたこと以外は、実施例８と同様にして有機電界発光素子を得た。
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長が４６４ｎｍの青色発光を呈した。
【０４１９】
［比較例４］
発光層を形成する組成物として、上記の目的化合物１及びＤ−１の代わりに、下記の化合物Ｅ−１を用いた以外は、実施例１と同様にして有機電界発光素子を得た。
【化３７】
0005549051.tif 000041
【０４２０】
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長４６２ｎｍの青色発光を呈した。しかし、この素子は発光面全体に無数の黒点が発生しており、均質な発光を得ることができなかった。そこで、発光層を塗布、乾燥した後、表面を顕微鏡で観察したところ、この薄膜は均質なアモルファスではなく、無数の微細結晶が発生していることが分かった。このため、素子の駆動寿命を測定することができなかった。
【０４２１】
［比較例５］
発光層の形成におけるスピンコート条件として、溶媒をシクロヘキシルベンゼン、及び塗布液濃度を１．０重量％とし、発光層の膜厚を２０ｎｍとしたこと以外は、比較例４と同様にして有機電界発光素子を得た。
【０４２２】
得られた有機電界発光素子は、電界発光ピーク波長は４５９ｎｍの青色領域にあったが、スペクトルの半値幅が７７ｎｍと広い青緑色発光であり、発光効率も低く寿命も短かった。
【０４２３】
【表４】
0005549051.tif 000042
【０４２４】
［実施例１０］
本発明のアントラセン化合物を用いて、蒸着法により有機電界発光素子を作製した。
実施例４と同様の方法によりパターニングを施したＩＴＯ基板上に、正孔注入層の薄膜を作製した。得られた正孔注入層の薄膜の上に、真空蒸着法により下記の化合物ＨＴ−３を蒸着し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。更にその上に、発光層ホストとして目的化合物１（実施例１で得られた本発明のアントラセン化合物））、及び蛍光発光性のドーパントとして化合物Ｄ−１を重量比９５：５となるように同時蒸着し、膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。更に、正孔阻止層として化合物ＨＢ−１を１０ｎｍ、電子輸送層として化合物ＥＴ−１を３０ｎｍ蒸着した。最後にＬｉＦを０．５ｎｍ、Ａｌを８０ｎｍ蒸着し、陰極を作製した。
【化３８】
0005549051.tif 000043
【０４２５】
実施例１０、及び実施例１１で得られた有機電界発光素子の特性及び駆動寿命を、まとめて表５に示す。
【０４２６】
［実施例１１］
正孔阻止層を形成しない以外は実施例１０と同様にして、有機電界発光素子を作製した。
【０４２７】
【表５】
0005549051.tif 000044
【０４２８】
以上のように、本発明の化合物を用いることにより、高輝度かつ長寿命な有機電界発光素子を構築することが可能であった。
【産業上の利用可能性】
【０４２９】
本発明のアントラセン化合物は、溶剤に対する溶解性が優れている。そのため、成膜性、湿式プロセス適性に優れた湿式成膜用電荷輸送材料組成物に好適に用いることができ、さらには、それを用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０４３０】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を、模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０４３１】
１    基板
２    陽極
３    正孔注入層
４    正孔輸送層
５    発光層
６    正孔阻止層
７    電子輸送層
８    陰極バッファ層
９    陰極
１０  有機電界発光素子
【図１】
0005549051.tif 000047