(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク装置用サスペンションのロードビームに固定されかつ磁気ヘッドを設けるためのジンバル部を有するディスク装置用フレキシャであって、
導電材料からなる板状のメタルベースと、
電気絶縁性の材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に前記メタルベースの長手方向に沿って配置されかつ前記磁気ヘッドに電気的に接続される一対の導体とを含み、
前記メタルベースの長手方向の一部に、開口を有する開口領域と、開口を有しない非開口領域とが形成され、
前記一対の導体の少なくとも一方は、該導体の長手方向に延びるスリットと、該スリットの両側で該スリットに沿って延びる帯状部と、これら帯状部どうしを電気的につなぐ接続部とを有し、
前記スリットを有する前記導体が前記メタルベースの前記開口領域と前記非開口領域とにわたって配置されていることを特徴とするディスク装置用フレキシャ。
【請求項２】
前記スリットが前記導体の幅方向に複数形成されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項３】
前記スリットが前記導体の長手方向に複数形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項４】
前記一対の導体のそれぞれに、前記スリットと、前記帯状部と、前記接続部とが形成されていることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載のディスク装置用フレキシャ。
【請求項５】
前記スリットの内側に、前記メタルベースと前記ロードームとを互いに固定するための溶接部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用フレキシャ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、情報処理装置のためのディスク装置のサスペンションに使用されるフレキシャに関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用サスペンションが設けられている。
【０００３】
ディスク装置用サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを有している。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部にスライダを含む磁気ヘッドが取付けられている。磁気ヘッドには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらサスペンションとフレキシャなどによってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。
【０００４】
前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。その一例として、配線付フレキシャ(flexure with conductors)が知られている。このフレキシャは、薄いステンレス鋼板からなるメタルベースと、このメタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された銅からなる複数対の導体などを含んでいる。これら導体の一端は磁気ヘッドに設けられた素子（例えばＭＲ素子）に電気的に接続されている。導体の他端は、アンプ等の電気回路に電気的に接続されている。これらの導体はサスペンションの配線部を構成している。アンプの消費電力を小さくするには、導体のインピーダンスを小さくする必要がある。また単位時間当たりに伝送する信号量を多くするには、高周波帯域化が望まれている。
【０００５】
例えば特許文献１に開示されているフレキシャでは、メタルベースに複数の開口部が導体に沿って所定間隔で形成されている。これら開口部により、配線部の渦電流損を小さくすることができるため、高周波数帯域での減衰が小さくなる。特許文献２に開示されているサスペンションでは、ロードビームに複数の開口部が導体に沿って所定間隔で形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２８２６２４号公報
【特許文献２】米国特許第６７１４３８５明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ディスク装置の小形化や高記録密度化に伴い、サスペンションがさらに小形化される傾向がある。フレキシャの配線部の低インピーダンス化を図るには、導体の幅が大きいほどよい。このためサスペンションが小形になるほど、サスペンション質量に対して配線部の質量が占める割合が大きくなり、サスペンションの動的特性が配線部によって影響を受けやすくなる。このため配線部を軽量化することが望まれている。
【０００８】
しかし導体の幅を小さくするとインピーダンスが増加し、消費電力が増加する原因となる。また導体の幅を単に小さくすると、配線部の形態によっては高周波数帯域での減衰が大きくなってデータの高速伝送に適さなくなることがある。例えば特許文献１に開示されているように配線部のメタルベースに開口部を形成したとしても、導体が従来と同じであれば配線部の軽量化率が小さい。特許文献２のようにロードビームに開口部を設けても、フレキシャの配線部を軽くすることはできない。
【０００９】
従ってこの発明は、軽量でかつ電気的特性の優れたディスク装置用フレキシャを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、ディスク装置用サスペンションのロードビームに固定されかつ磁気ヘッドを設けるためのジンバル部を有するフレキシャであって、導電材料からなる板状のメタルベースと、電気絶縁性の材料からなり前記メタルベース上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に前記メタルベースの長手方向に沿って配置されかつ前記磁気ヘッドに電気的に接続される一対の導体とを含んでいる。また前記メタルベースの長手方向の一部に、開口を有する開口領域と、開口を有しない非開口領域とが形成されている。また、前記一対の導体の少なくとも一方は、該導体の長手方向に延びるスリットと、該スリットの両側で該スリットに沿って延びる帯状部と、帯状部どうしを電気的につなぐ接続部とを有している。そして前記スリットを有する前記導体が前記メタルベースの前記開口領域と前記非開口領域とにわたって配置されている。前記スリットと接続部は、それぞれ前記導体の長手方向に所定間隔で複数形成されている。前記帯状部は、前記導体の長手方向に連続している。
【００１１】
前記スリットが前記導体の幅方向に複数形成されていてもよいし、前記スリットが前記導体の長手方向に複数形成されていてもよい。また前記一対の導体のそれぞれに、前記スリットと、前記帯状部と、前記接続部とが形成されていてもよい。また前記スリットの内側に、前記メタルベースと前記ロードームとを互いに固定するための溶接部が設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、配線部を備えたフレキシャの電気的特性（例えば周波数帯域）を悪化させることなくフレキシャを軽量化することができる。このためサスペンション質量に対してフレキシャの配線部が占める質量の割合を小さくすることができ、フレキシャの配線部がサスペンションの動的特性に及ぼす影響を少なくすることができる。例えば、サスペンションの軽量化によってシーク特性などの動的特性が向上するとともに、サスペンションの耐衝撃特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】サスペンションを備えたディスク装置の一例を示す斜視図。
【図２】図１に示されたディスク装置の一部の断面図。
【図３】本発明の１つの実施形態に係るフレキシャを有するディスク装置用サスペンションの平面図。
【図４】図３に示されたサスペンションのフレキシャの第１の部分の横断面図。
【図５】図４に示された第１の部分の斜視図。
【図６】図３に示されたフレキシャの第２の部分の横断面図。
【図７】図３に示されたフレキシャの第３の部分の横断面図。
【図８】実施例１の導体サンプルの平面図。
【図９】実施例２の導体サンプルの平面図。
【図１０】実施例３の導体サンプルの平面図。
【図１１】実施例４の導体サンプルの平面図。
【図１２】実施例５の導体サンプルの平面図。
【図１３】実施例６の導体サンプルの平面図。
【図１４】実施例７の導体サンプルの平面図。
【図１５】実施例８の導体サンプルの平面図。
【図１６】実施例９の導体サンプルの平面図。
【図１７】実施例１０の導体サンプルの平面図。
【図１８】実施例１１の導体サンプルの平面図。
【図１９】比較例１の導体サンプルの平面図。
【図２０】比較例２の導体サンプルの平面図。
【図２１】比較例３の導体サンプルの平面図。
【図２２】比較例４の導体サンプルの平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に本発明の１つの実施形態に係るディスク装置用フレキシャについて、図１から図７を参照して説明する。  
図１に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１０は、ケース１１と、スピンドル１２を中心に回転するディスク１３と、ピボット軸１４を中心に旋回可能なキャリッジ１５と、キャリッジ１５を駆動するためのポジショニング用モータ１６などを有している。ケース１１は、図示しない蓋によって密閉される。
【００１５】
図２はディスク装置１０の一部を模式的に示す断面図である。図２に示されるように、キャリッジ１５にアーム１７が設けられている。アーム１７の先端部にサスペンション２０が取付けられている。サスペンション２０の先端に、磁気ヘッド２１を構成するスライダが設けられている。ディスク１３が高速で回転すると、ディスク１３と磁気ヘッド２１（スライダ）との間にエアベアリングが形成される。
【００１６】
ポジショニング用モータ１６によってキャリッジ１５を旋回させると、サスペンション２０がディスク１３の径方向に移動することにより、磁気ヘッド２１がディスク１３の所望トラックまで移動する。磁気ヘッド２１には、例えばＭＲ素子のように磁気信号と電気信号とを変換可能な素子が設けられている。この素子によって、ディスク１３に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。
【００１７】
図３にサスペンション２０の一例が示されている。このサスペンション２０は、ベースプレート３０と、ロードビーム３１と、薄いばね板からなるヒンジ部材３２と、配線付フレキシャ(flexure with conductors)４０などを備えている。これ以降、配線付フレキシャ４０を単にフレキシャと称する。ベースプレート３０のボス部３０ａは、キャリッジ１５のアーム１７（図１と図２に示す）に固定される。
【００１８】
図３に示されるようにフレキシャ４０はロードビーム３１に沿って配置されている。フレキシャ４０のロードビーム３１と重なる部分４０ａがレーザ溶接等の固定手段によってロードビーム３１に固定されている。フレキシャ４０の先端部付近に、ジンバル部として機能するタング４１が形成されている。タング４１に前記磁気ヘッド２１が取付けられている。フレキシャ４０の後部（テール部）４０ｂはベースプレート３０の後方に延びている。フレキシャ４０の端子部４０ｃはディスク装置１０のためのアンプ（図示せず）に接続される。
【００１９】
図４は、フレキシャ４０の長手方向の一部（第１の部分）の横断面を示している。図５は、この第１の部分をメタルベース５０の厚さ方向の一方側から見た斜視図である。フレキシャ４０は、導電材料からなる板状のメタルベース５０と、メタルベース５０に沿って形成された配線部５１とを含んでいる。メタルベース５０を構成する導電材料の一例は、ばね性を有する薄いステンレス鋼板である。
【００２０】
配線部５１は、メタルベース５０上に形成された絶縁層５２と、絶縁層５２上に形成された一対の導体５５，５６（第１および第２の導体５５，５６）と、これら導体５５，５６を覆うカバー５７（図４に２点鎖線で示す）を含んでいる。絶縁層５２とカバー５７とは、ポリイミド等の電気絶縁性の材料からなる。図５ではカバー５７が省略されて描かれている。
【００２１】
導体５５，５６の一端は、磁気ヘッド２１の書込み用素子（図示せず）に接続されている。導体５５，５６の他端は、前記端子部４０ｃを介して前記アンプに接続されている。これら導体５５，５６によって、データ書込み用の回路部材６０が構成されている。この回路部材６０はメタルベース５０の一方の側縁５０ａに沿って配置されている、前記アンプから供給されるデータ書込み用の信号は、信号線として機能する一対の導体５５，５６を介して、磁気ヘッド２１に供給される。メタルベース５０の他方の側縁５０ｂに沿って、データ読取用の一対の導体からなる回路部材６１（図３に一部を示す）が配置されている。
【００２２】
第１および第２の導体５５，５６は、互いにほぼ平行に配置されている。導体５５，５６の一例は、めっき銅からなり、絶縁層５２に沿って所定のパターンとなるようにエッチングによって形成されている。メタルベース５０の厚さはロードビーム３１の厚さよりも小さい。メタルベース５０の厚さは、例えば１５〜２０μｍである。ロードビーム３１の厚さは、例えば３０〜６２μｍである。導体５５，５６の厚さの一例は１５μｍ、カバー５７は５μｍである。絶縁層５２の厚さ一例は１０μｍである。
【００２３】
図４において、矢印Ａがメタルベース５０と導体５５，５６の厚さ方向である。図５中の矢印Ｂがメタルベース５０と導体５５，５６の長手方向を示し、矢印Ｃがメタルベース５０と導体５５，５６の幅方向を示している。図３から図５に示すように、メタルベース５０の長手方向の一部（フレキシャ４０の第１の部分）には、メタルベース５０の一方の側縁５０ａに沿って、複数の開口７０が所定間隔で形成されている。これらの開口７０は、書込用の回路部材６０に沿って形成されている。この明細書では、メタルベース５０の全長のうち、開口７０を含む領域を開口領域Ｓ１と称し、開口７０を含まない領域を非開口領域Ｓ２と称している。
【００２４】
メタルベース５０の他の部分には、メタルベース５０の他方の側縁５０ｂに沿って、複数の開口７１が形成されている。これらの開口７１は、読取用の回路部材６１に沿って形成されている。開口７０，７１は、メタルベース５０の材料であるＳＵＳ３０４等のステンレス鋼板をエッチングすることによって形成されている。
【００２５】
図６に示すようにメタルベース５０の長手方向の他の部分（フレキシャ４０の第２の部分）に、開口を有しない非開口領域Ｓ２が形成されている。図７はフレキシャの４０の第３の部分を示している。この第３の部分には、メタルベース５０とロードビーム３１とを互いに固定するための溶接部Ｗ１が設けられている。溶接部Ｗ１は、後述するスリット９０の内側に、例えばレーザスポット溶接によって形成されている。スリット９０の内側に溶接部Ｗ１を配置することにより、スリット９０を溶接部Ｗ１のためのスペースとして利用できるため、フレキシャ４０のデザイン上の自由度が大きくなる。
【００２６】
第１の導体５５は、導体５５の長手方向に形成されたスリット８０と、スリット８０の両側に位置する帯状部８１，８２と、帯状部８１，８２どうしを電気的につなぐ接続部８３とを有している。帯状部８１，８２は、スリット８０に沿って、導体５５の長手方向に延びている。接続部８３は、導体５５の幅方向に延びている。帯状部８１，８２どうしが接続部８３によって互いに電気的に導通している。スリット８０と接続部８３とは、それぞれ導体５５の長手方向の複数箇所に形成され、ラダーの形態をなしている。帯状部８１，８２は、導体５５の全長にわたって連続している。
【００２７】
第２の導体５６は、導体５６の長手方向に形成されたスリット９０と、スリット９０の両側に位置する帯状部９１，９２と、帯状部９１，９２どうしを電気的につなぐ接続部９３とを有している。帯状部９１，９２は、スリット９０に沿って、導体５６の長手方向に延びている。接続部９３は、導体５６の幅方向に延びている。帯状部９１，９２どうしが接続部９３によって互いに電気的に導通している。スリット９０と接続部９３とは、それぞれ導体５６の長手方向の複数箇所に形成され、ラダーの形態をなしている。帯状部９１，９２は、導体５６の全長にわたって連続している。これら導体５５，５６は、メタルベース５０の前記開口領域Ｓ１と非開口領域Ｓ２とにわたって配置されている。
【００２８】
図８から図１８は、それぞれ、以下に説明する実施例１から実施例１１の導体サンプルを示している。図１９から図２２は、それぞれ、比較例１から比較例４の導体サンプルを示している。各導体サンプルの寸法は、いずれも長さが１０００μｍ、幅が２００μｍで共通である。図８から図２２は第１の導体５５のみを示しているが、第２の導体５６も同様に構成されている。
【００２９】
図８は、第１の実施形態に基く導体サンプル（実施例１）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に２つ、導体５５の長手方向に２つ形成されている。スリット長さＬは４８０μｍ、スリット幅Ｗが２０μｍ、開口率（軽量化率）１９．２％である。この導体サンプル（図８）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．２０ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは２１Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．１０ＧＨｚであった。
【００３０】
図９は、第２の実施形態の導体サンプル（実施例２）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に１つ形成されている。スリット長さＬは９６０μｍ、スリット幅Ｗが２０μｍ、開口率（軽量化率）９．６％である。この導体サンプル（図９）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５８Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．１５ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは２１Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．１０ＧＨｚであった。
【００３１】
図１０は、第３の実施形態の導体サンプル（実施例３）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に１つ形成されている。スリット長さＬは９６０μｍ、スリット幅Ｗが１００μｍ、開口率（軽量化率）４８．０％である。この導体サンプル（図１０）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは６１Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）８．９５ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは２７Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．３５ＧＨｚであった。
【００３２】
図１１は、第４の実施形態の導体サンプル（実施例４）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に１つ形成されている。スリット長さＬは９６０μｍ、スリット幅Ｗが１６０μｍ、開口率（軽量化率）７６．８％である。この導体サンプル（図１１）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは６８Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）８．００ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは４０Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．８５ＧＨｚであった。
【００３３】
図１２は、第５の実施形態の導体サンプル（実施例５）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に２つ形成されている。スリット長さは９６０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）１９．２％である。この導体サンプル（図１２）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．０５ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは２１Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．１０ＧＨｚであった。
【００３４】
図１３は、第６の実施形態の導体サンプル（実施例６）を示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に４つ形成されている。スリット長さは９６０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）３８．４％である。この導体サンプル（図１３）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）８．７５ＧＨｚであった。この導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは２１Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．１５ＧＨｚであった。
【００３５】
図１４は、第７の実施形態の導体サンプル（実施例７）を示している。この導体サンプルのスリット８０は、導体５５の幅方向に１つ、導体５５の長手方向に４つ形成されている。スリット長さは４８０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）９．６％である。この導体サンプル（図１４）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．２５ＧＨｚであった。
【００３６】
図１５は、第８の実施形態の導体サンプル（実施例８）を示している。この導体サンプルのスリット８０は、導体５５の幅方向に１つ、導体５５の長手方向に４つ形成されている。スリット長さは２３０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）９．２％である。この導体サンプル（図１５）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５８Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．１０ＧＨｚであった。
【００３７】
図１６は、第９の実施形態の導体サンプル（実施例９）を示している。この導体サンプルのスリット８０は、導体５５の幅方向に２つ、導体５５の長手方向に４つ形成されている。スリット長さは２３０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）１８．４％である。この導体サンプル（図１６）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．１５ＧＨｚであった。
【００３８】
図１７は、第１０の実施形態の導体サンプル（実施例１０）を示している。この導体サンプルのスリット８０は、導体５５の幅方向に４つ、導体５５の長手方向に２つ形成されている。スリット長さは４８０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）３８．４％である。この導体サンプル（図１７）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）８．８５ＧＨｚであった。
【００３９】
図１８は、第１１の実施形態の導体サンプル（実施例１１）を示している。この導体サンプルのスリット８０は、導体５５の幅方向に４つ、導体５５の長手方向に４つ形成されている。スリット長さは２３０μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）３６．８％である。この導体サンプル（図１８）をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）８．９０ＧＨｚであった。
【００４０】
図１９は、比較例１の導体サンプルを示している。この導体サンプルにはスリットが形成されていないため、導体の開口率（軽量化率）はゼロであり軽量化には寄与しない。比較例１の導体サンプルをメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）９．２５ＧＨｚであった。比較例１の導体サンプルをメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスは１９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）１．００ＧＨｚであった。
【００４１】
図２０は、比較例２の導体サンプルを示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に１つ形成され、しかもスリット８０の両端が開放されている。この比較例２は、実施例１〜１１の接続部８３に相当する部分を有していない。比較例２のスリット長さは１０００μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）１０．０％である。比較例２の導体サンプルをメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）７．７５ＧＨｚであった。
【００４２】
図２１は、比較例３の導体サンプルを示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に２つ形成され、しかも各スリット８０の両端がそれぞれ開放されている。この比較例３も、実施例１〜１１の接続部８３に相当する部分を有していない。比較例３のスリット長さは１０００μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）２０．０％である。比較例３の導体サンプルをメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ω、周波数帯域（減衰−３ｄＢ）７．２５ＧＨｚであった。
【００４３】
図２２は比較例４の導体サンプルを示している。この導体サンプルのスリット８０は導体５５の幅方向に４つ形成され、しかも各スリット８０の両端がそれぞれ開放されている。この比較例４も、実施例１〜１１の接続部８３に相当する部分を有していない。比較例４のスリット長さは１０００μｍ、スリット幅が２０μｍ、開口率（軽量化率）４０．０％である。比較例４の導体サンプルをメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスは５９Ωである。周波数帯域（減衰−３ｄＢ）は測定できなかった。
【００４４】
下記の表１は、前記実施例１〜１１と比較例１〜４の各導体サンプルを、それぞれメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合のインピーダンスと周波数帯域（減衰−３ｄＢ）とを示している。
【００４５】
【表１】
0005453153.tif 000002
【００４６】
表１に示されるように、実施例１〜１１の導体サンプルは、スリット無しの導体（比較例１）と比較して９％以上の軽量化が可能であり、しかもインピーダンスが比較例１と同等でかつ周波数帯域が８．０ＧＨｚＧ以上となっている。このような実施例１〜１１は、軽量化と電気的特性（高周波数帯域）を両立できている。
【００４７】
比較例１の開口率はゼロであるため軽量化には寄与しない。比較例２〜４は１０％以上の軽量化が可能であるが、スリット８０の両端が開放されている形状ゆえに、導体の端に生じる反射によって周波数帯域が狭くなり、周波数帯域が８．０ＧＨｚＧ未満に下がっている。周波数帯域を広く（高く）するためには、実施例１〜１１のようなスリット８０を有する導体５５，５６において、スリット８０の少なくとも両端に接続部８３，９３を設けるとよい。
【００４８】
下記の表２は、前記実施例１〜６と比較例１の各導体サンプルを、それぞれ、メタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合のインピーダンスと周波数帯域（減衰−３ｄＢ）を表にしたものである。
【００４９】
【表２】
0005453153.tif 000003
【００５０】
表２に示されるように、導体をメタルベース５０の非開口領域Ｓ２に設けた場合には、導体をメタルベース５０の開口領域Ｓ１に設けた場合（表１）と比較してインピーダンスを小さくすることができる。しかもスリット８０の開口率が大きくなるほど、周波数帯域を広くすることができる。これらの性質を利用して、本発明に基く導体をメタルベース５０の開口領域Ｓ１と非開口領域Ｓ２とにわたって配置することにより、フレキシャ配線部のインピーダンスや周波数特性を、アンプや磁気ヘッドにマッチングさせることが可能である。
【００５１】
なお本発明を実施するに当たり、サスペンションの形態をはじめとして、メタルベースに形成される開口や、導体に形成されるスリット、帯状部、接続部の形状などの発明の構成要素を種々に変形して実施できることは言うまでもない。また、フレキシャの配線部に要求される電気的特性によっては、回路部材を構成する一対の導体のうちの一方に、前記スリットと帯状部および接続部が形成されてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０…ディスク装置
２０…サスペンション
３１…ロードビーム
４０…フレキシャ
５０…メタルベース
５５，５６…導体
７０，７１…開口
Ｓ１…開口領域
Ｓ２…非開口領域
８０…スリット
８１，８２…帯状部
８３…接続部
９０…スリット
９１，９２…帯状部
９３…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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