(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口およびひとつまたは複数の液体抽出開口を有し、その液体供給開口および液体抽出開口は使用中液体が本流体ハンドリング構造の下面上に提供され、かつ、その下面から除去されるよう構成され、
露光中、下面に提供される液体は下面に対向する表面からガスギャップで隔てられ、
前記液体供給開口は、前記液体抽出開口よりも外側に位置する、流体ハンドリング構造。
【請求項２】
下面上に提供される液体のメニスカスは、液浸流体を含むよう構成された空間内の液体のメニスカスとは別である、請求項１に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項３】
前記リソグラフィ装置のパターン付与されたビームが投影されるべき位置に対して、前記ひとつまたは複数の液体供給開口よりも内側で液体を供給するための別のひとつまたは複数の液体供給開口をさらに備える、請求項１または２に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項４】
リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、
第１列目に細長いアパーチャを有するガスナイフ装置と、
前記境界に対して外側のひとつまたは複数の液体供給開口と、
前記境界に対して前記ガスナイフよりも外側に設けられたひとつまたは複数の液体抽出開口と、を有し、
前記ひとつまたは複数の液体抽出開口は、前記境界に対して前記ひとつまたは複数の液体供給開口よりも内側であり、
本流体ハンドリング構造の下面と接触する液体を前記ひとつまたは複数の液体供給開口によって提供し、前記ひとつまたは複数の液体抽出開口によって抽出するよう構成され、
露光中、下面に提供される液体は下面に対向する表面からガスギャップで隔てられる、流体ハンドリング構造。
【請求項５】
前記ひとつまたは複数の液体供給開口を出る液体は、本流体ハンドリング構造に対向する対向面と本流体ハンドリング構造との間に張られる液体のメニスカスの一部を形成しない、請求項４に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項６】
第２列目に配置されそれを通じて流体を抽出するひとつの細長い開口または複数の開口をさらに備え、その開口は使用中流体ハンドリング構造に対向する対向面に向けられており、前記境界に対して前記ガスナイフよりも内側に設けられる、請求項４または５に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項７】
リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、
本流体ハンドリング構造と本流体ハンドリング構造に対向する対向面との間に張られるメニスカスを固定するメニスカス固定特徴部と、
前記境界に対して前記メニスカス固定特徴部よりも外側に設けられ、本流体ハンドリング構造の下面に液体を提供するひとつまたは複数の液体供給開口と、
前記境界に対して前記メニスカス固定特徴部よりも外側且つ前記液体供給開口よりも内側に設けられ、本流体ハンドリング構造の下面から液体を抽出する液体抽出開口と、を首尾よく有し、
露光中、下面に提供される液体は前記対向面からガスギャップで隔てられる、流体ハンドリング構造。
【請求項８】
下面上に提供される液体のメニスカスは、前記空間内の液体のメニスカスとは別である、請求項７に記載の流体ハンドリング構造。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
投影システムの最終要素と前記最終要素に対向する表面との間に流体を提供し、流体ハンドリング構造を使用して放射投影ビームが通過する空間に流体を閉じ込めることと、
前記空間よりも半径方向外側の位置で、前記流体ハンドリング構造の供給開口を通じて前記表面に対向する前記流体ハンドリング構造の下面に液体を提供することと、
基板上の液体を流体ハンドリング構造の下面上の液体と接触させることで基板から液滴を少なくとも部分的に除去することと、
前記流体ハンドリング構造の抽出開口を通じて液体を抽出することと、を含み、
露光中、下面に提供される液体は下面に対向する表面からガスギャップで隔てられ、
前記供給開口は、前記抽出開口よりも外側に位置する、デバイス製造方法。
【請求項１０】
リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造であって、本流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口を有し、その液体供給開口は、使用中少なくとも液体が下面に対向する対向面上の液滴と接触するまでは、その液体が前記対向面からはガスギャップを有した状態で下面にぶら下がるよう下面上に液体を提供し、
本流体ハンドリング構造の下面に、下面から液体を抽出する液体抽出開口をさらに備え、
前記液体供給開口は、前記液体抽出開口よりも外側に位置する、流体ハンドリング構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の各層に形成されるべき回路パターンを形成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウエハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）ターゲット部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板にはネットワーク状に隣接する一群のターゲット部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、ターゲット部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各ターゲット部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板を走査方向に平行または逆平行に走査するようにして各ターゲット部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。投影システムの最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。液体はある実施の形態では蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の実施の形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。ガスを除く流体が特に望ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下）で懸濁している液体である。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体は炭化水素を含む。例えば芳香族、フッ化炭化水素、および／または水溶液がある。
【０００４】
基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許第４，５０９，８５２号参照）は、液浸システム構成の一形態である。その構成では液体の大きな塊を走査露光中に加速することが要求される。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
液浸装置では液浸液は流体ハンドリング構造などの流体ハンドリングシステムまたは装置によって取り扱われる。流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、したがって流体供給システムであってもよい。流体ハンドリングシステムは液浸流体を閉じ込めてもよく、流体閉じ込めシステムであってもよい。流体ハンドリングシステムは液浸流体に障壁（バリア）をもたらしてもよく、バリア部材であってもよい。流体ハンドリングシステムは、流体（例えば、ガス）の流れを生成または使用してもよい。この流れは例えば液体を取り扱う際に役立つ。液浸液は液浸流体として使用されてもよい。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムである。
【０００６】
提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影システムの最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して液体を供給するというものである（基板は一般に投影システムの最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成として提案された一例がＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。このタイプの構成は局所的液浸システム構成と称されてもよい。
【０００７】
ＰＣＴ特許出願公開第２００５／０６４４０５号には、液浸液が閉じ込められないオールウェット構成が別の構成として開示されている。このようなシステムでは、液浸液は閉じ込められない。基板上面全体が液体で覆われる。これは、基板上面全体が実質的に同じ条件にさらされるので有利な場合がある。これは、基板の温度制御および処理に有利に働く。国際公開第２００５／０６４４０５号では、液体供給システムは、液体を投影システムの最終要素と基板との間のギャップに供給する。供給された液体は、基板の残り部分を覆うように漏れ出すことが可能なようにされている。基板テーブルのエッジの障壁によって液体が漏れるのが防止され、制御された方法で基板テーブルの上面から液体を除去することができる。このようなシステムは、基板の温度制御および処理を改善するが、それでも液浸液の蒸発が生じる可能性がある。米国特許出願公開第２００６／０１１９８０９号明細書には、この問題を多少とも解決するのに役立つ一つの方法が開示されている。基板Ｗを全ての位置において覆う部材が設けられており、該部材は、液浸液を自身と基板及び／または基板を保持する基板テーブルの表面との間に広げるよう構成される。
【０００８】
本明細書にその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号明細書には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。あるいはまた、装置はただ１つのテーブルを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
基板を投影システムの下でできる限り速く動かすことができることが望ましい。このため、流体ハンドリングシステム、特に局所域流体ハンドリングシステムは液体を大きく失うことなしに走査速度を高めることができるよう設計されるべきである。いくらかの液体が失われ、流体ハンドリングシステムに対向する表面（例えば、基板または基板テーブル）（すなわち、対向面）上に取り残される可能性がある。対向面と流体ハンドリングシステムとの間に張られるメニスカスにそのような液体が接触した場合、液体中にガスの泡が混入される可能性がある。そのようなガスの泡が、投影ビームが液浸液を通じて通過する経路上に入ると、結像欠陥が引き起こされる可能性があり、したがって望ましくない。
【００１０】
例えば、結像エラーの可能性を低減するためのひとつまたは複数の手段が実行される流体ハンドリングシステムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口およびひとつまたは複数の液体抽出開口を有し、その液体供給開口および液体抽出開口は使用中液体が本流体ハンドリング構造の下面上に提供され、かつ、その下面から除去されるよう構成される。
【００１２】
ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、第１列目に細長いアパーチャを有するガスナイフ装置と、境界に対して外側のひとつまたは複数の液体供給開口と、を順番に有する。
【００１３】
ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造は、液浸流体を含むよう構成された空間から本流体ハンドリング構造の外部の領域への境界において、本流体ハンドリング構造と本流体ハンドリング構造に対向する対向面との間に張られるメニスカスを固定するメニスカス固定特徴部と、境界に対してメニスカス固定特徴部よりも外側に設けられ、本流体ハンドリング構造の下面に液体を提供するひとつまたは複数の液体供給開口と、を首尾よく有する。
【００１４】
ある態様によると、デバイス製造方法が提供される。このデバイス製造方法は、投影システムの最終要素と最終要素に対向する表面との間に流体を提供し、流体ハンドリング構造を使用して放射投影ビームが通過する空間に流体を閉じ込めることと、空間よりも半径方向外側の位置で、表面に対向する流体ハンドリング構造の下面に液体を提供することと、基板上の液体を流体ハンドリング構造の下面上の液体と接触させることで基板から液滴を少なくとも部分的に除去することと、流体ハンドリング構造の抽出開口を通じて液体を抽出することと、を含む。
【００１５】
ある態様によると、リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造が提供される。この流体ハンドリング構造はその下面にひとつまたは複数の液体供給開口を有し、その液体供給開口は、使用中少なくとも液体が下面に対向する対向面上の液滴と接触するまでは、その液体が対向面からはガスギャップを有した状態で下面にぶら下がるよう下面上に液体を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
本発明の実施の形態が添付の模式的な図面を参照して説明されるがこれらは例示に過ぎない。図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。
【００１８】
【図２】リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示す図である。
【００１９】
【図４】リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す図である。
【００２０】
【図５】リソグラフィ投影装置において使用される別の液体供給システムを示す図である。
【００２１】
【図６】本発明の実施の形態に係るメニスカス固定システムの模式的な平面図である。
【００２２】
【図７】本発明の実施の形態において使用されるメニスカス固定システムの部分断面図であり、その断面図は図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿ったものであり、流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に直交する平面内のものである。
【００２３】
【図８】結像エラーの例示的な原因を模式的に示す断面図である。
【００２４】
【図９】実施の形態に係る流体ハンドリングシステムが結像エラーの可能性を低減するメカニズムを模式的に示す断面図である。
【００２５】
【図１０】図９の模式的な平面図である。
【００２６】
【図１１】実施の形態の模式的な断面図である。
【００２７】
【図１２】本発明の実施の形態に係る流体ハンドリング構造の一部の断面図であり、その断面図は流体ハンドリング構造の下の表面に実質的に直交する平面内のものである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
【００２９】
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００３０】
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、所定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
【００３１】
基板（例えばレジストでコーティングされたウエハ）Ｗを保持するよう構成され、所定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えばウエハテーブル）ＷＴと、
【００３２】
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）ターゲット部分Ｃに投影するよう構成されている投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００３３】
照明システムは、放射を方向付け、放射を形成し、または放射を制御するために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。
【００３４】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向きやリソグラフィ装置の構成、あるいはパターニングデバイスが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的固定、真空固定、またはパターニングデバイスを保持するその他の固定用技術を用いてもよい。支持構造は例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に位置決めできるようにしてもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。
【００３５】
本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に形成される集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する。
【００３６】
パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、例えばマスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルなどがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。
【００３７】
本明細書では「投影システム」という用語は、使用される露光放射あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影システムをも包含するよう広く解釈されるべきである。投影システムには例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影システム」と同義に用いられ得る。
【００３８】
ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。
【００３９】
リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多重ステージ」型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。
【００４０】
図１に示されるようにイルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、光源はリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは光源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適切な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が例えば水銀ランプである場合には、光源はリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。光源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。
【００４１】
イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外径及び／または内径の大きさ（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータはビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビームを調整するために用いられる。
【００４２】
放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、当該パターニングデバイスによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過する。投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃにフォーカスする。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリから機械検索後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用のターゲット部分を占拠しているが、アライメントマークはターゲット部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００４３】
図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。
【００４４】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射でターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる（すなわち単一静的露光）。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写されるターゲット部分Ｃのサイズを制限することになる。
【００４５】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光でのターゲット部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００４６】
３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４７】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。
【００４８】
投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は三種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとオールウェット（all wet）型のシステムとである。浴槽型では、基板Ｗの実質的に全体と任意的に基板テーブルＷＴの一部とが液槽に浸される。
【００４９】
局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さい。その空間の境界を越える領域は液体で満たされない。液体で満たされたボリュームまたは空間は基板Ｗがその空間の下を移動しているとき投影システムＰＳに対し実質的に静止状態にある。図２乃至図５は、そのようなシステムにおいて使用可能な異なる供給デバイスを示す。
【００５０】
オールウェット型の構成では、液体は閉じ込められない。基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。投影システムと投影システムに対向する対向面との間の領域へまたはその中に液浸液を供給してもよい（そのような対向面は基板および／または基板テーブルの表面であってもよい）。図２乃至図５の液体供給装置（後述）はいずれもこうしたシステムに使用可能である。しかしながら、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにしてもよい。
【００５１】
４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって矢印で示されるように基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって矢印で示されるように除去される。基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は構成を模式的に示しており、液体の流れは矢印で示されている。その構成では、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは矢印で示されるように各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。
【００５２】
局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影システムＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口は、投影ビームを通す穴を中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４においては流体および基板Ｗの流れの方向が矢印で示されることに留意されたい。
【００５３】
提案されている別の構成は液体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを設けることである。この液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。矢印は流れの向きを示す。
【００５４】
図５は、液体閉じ込め構造１２を有する局所液体供給システムまたは流体ハンドリング構造を模式的に示す図である。この液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と対向面（例えば、基板テーブルＷＴまたは基板Ｗ）との間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Ｗの表面について言及した場合、追加的にまたは選択的に基板テーブルＷＴの表面にもついても言及していることを留意されたい。明示的に別段の定めをした場合を除き、投影システムなどの別の物体に対する基板の動きについての言及は、同じ物体に対する基板テーブルの動きについての言及を含む。）液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳに対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸方向）では多少の相対運動があってよい。ある実施の形態においては、液体閉じ込め構造１２と基板Ｗの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール（ガスシールを含むシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている）または流体シール等の非接触シールであってもよい。
【００５５】
液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影システムＰＳの像フィールドの周囲に形成され、基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が液体閉じ込め構造１２により形成される。液体閉じ込め構造１２は投影システムＰＳの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影システムＰＳの下方かつ液体閉じ込め構造１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。液体閉じ込め構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。ある実施の形態では液体閉じ込め構造１２は、上端において内周が投影システムＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形または他の任意の適切な形状であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。
【００５６】
液体は、液体閉じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、ある実施の形態ではＮ２又はその他の不活性ガスなどのガスによって形成される。ガスシール１６のガスは、圧力の作用で入口１５を介して液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとのギャップに提供される。ガスは出口１４から抜き取られる。ガス入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速のガスの流れが存在するように構成される。液体閉じ込め構造１２と基板Ｗとの間の液体に作用するガスの力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。ガスの流れは空間１１に液体を収容する効果がある。すなわち、出口１４および入口１５はメニスカス固定特徴部として機能する。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号は全体が参照により本明細書に組み入れられる。別の実施の形態では、液体閉じ込め構造１２はガスシールを有さない。
【００５７】
別のシステムは多孔質材料を使用し、この多孔質材料を負圧にさらすことで基板と液体閉じ込め構造１２とのギャップから液体を抽出する。これによりメニスカスが固定される。
【００５８】
本発明の実施の形態は、投影システムの最終要素と基板および／または基板テーブルとの間の空間１１に、例えば液体メニスカスの形で液体のエッジを実質的にある場所に固定するメニスカス固定デバイスを使用するシステムに関する。このメニスカス固定構成はいわゆるガス吸引抽出原理（gas drag extractor principle）に依拠しており、この原理は例えば米国特許出願公開第２００８／０２１２０４６号に開示されている。米国特許出願公開第２００８／０２１２０４６号は全体が参照により本明細書に組み入れられる。このシステムにおいては、抽出孔がコーナを有する形状に配列されている。そのコーナはステップ方向や走査方向などの、投影システムと基板および／または基板テーブルとの相対運動の方向に合わせられていてもよい。これにより、相対運動の方向の所与の速さにおいて２つの出口間のメニスカスに加わる力を、それら２つの出口が相対運動の方向に垂直に配列された場合に比べて、小さくすることができる。しかしながら、本発明の実施の形態は平面視において任意の形状を有する流体ハンドリング構造に適用されうる。また、本発明の実施の形態は任意の形状に構成されたひとつ以上の抽出開口のような部材を有する流体ハンドリング構造に適用されうる。非限定的なリストにあるそのような形状は、楕円（例えば、円）または直線で囲まれた形状（例えば、正方形などの矩形や菱形などの平行四辺形）または４つ以上のコーナを有するコーナ形状（例えば、４以上の点の星）を含んでよい。
【００５９】
本発明の実施の形態が関連しているＵＳ２００８／０２１２０４６のシステムの変形例では、ひとつ以上の開口はコーナを有する形状に配置され、そのジオメトリは走査方向およびステッピング方向などの相対運動の好ましい両方向において整列するコーナについて、鋭角のコーナ（約６０度から９０度までの範囲、望ましくは７５度から９０度までの範囲、最も望ましくは７５度から８５度までの範囲から選択される）の存在を許容するものである。これによると、整列した個々のコーナの方向における速さを増やすことができる。これは、走査方向における不安定なメニスカスに起因する液滴の生成が抑制されることによるものである。走査方向およびステッピング方向の両方においてコーナが整列される場合、これらの方向において速さを大きくすることができる。走査方向およびステッピング方向における動作の速さは実質的に等しくされることが望ましい。
【００６０】
本発明の実施の形態はガス吸引抽出器流体ハンドリングシステムを参照して説明される。しかしながら、本発明は他の任意のタイプの流体ハンドリングシステムにおいても使用されうる。後述の液体供給開口および液体抽出開口は、ガス流（図５）や液体流（図３）や多孔質抽出器などの任意のタイプの液体ハンドリングシステムのメニスカス固定特徴部よりも半径方向外側に設けられてもよい。これにより、後述の通り、対向面とメニスカス固定特徴部との間に張られるメニスカスと衝突したならば結像欠陥を生じうる大きな液滴がそのメニスカスに到達するのを防ぐことができる。
【００６１】
図６は、本発明の実施の形態に係る流体ハンドリング構造の一部のメニスカス固定特徴部を模式的に示す平面図である。示されているメニスカス固定デバイスの特徴は、たとえば図５のメニスカス固定構成１４、１５、１６と置き換えることができる。図６のメニスカス固定デバイスはひとつまたは複数の開口５０を備えており、そのひとつまたは複数の開口５０は第１列目または固定用の列に配置されている。ある実施の形態では、複数の開口５０がある。これらの開口５０の各々は、図には円形の開口として示されているが、必ずしも円形である必要はない。実際、これらの開口５０のうちの１つまたは複数は、円形、正方形、矩形、楕円形、三角形、細長いスリット、等々から選択される１つまたは複数の開口であってもよい。個々の開口は、平面視で、０．２ｍｍ以上の、望ましくは０．５ｍｍまたは１ｍｍ以上の長さ寸法（つまり１つの開口から隣接する開口への方向における寸法）を有しており、ある実施の形態では０．１ｍｍから１０ｍｍまでの範囲から選択され、ある実施の形態では０．２５ｍｍから２ｍｍまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、長さ寸法は０．２ｍｍから０．５ｍｍまでの範囲から、望ましくは０．２ｍｍから０．３ｍｍまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は、０．１ｍｍから２ｍｍまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は、０．２ｍｍから１ｍｍまでの範囲から選択される。ある実施の形態では、個々の開口の幅は０．３５ｍｍから０．７５ｍｍまでの範囲から選択され、望ましくは約０．５ｍｍである。
【００６２】
図６のメニスカス固定デバイスの開口５０の各々を、個別の低圧力源に接続することができる。別法または追加として、これらの開口５０の各々または複数を、それ自体が低圧力に保持される共通のチャンバまたはマニホルド（環状であってもよい）に接続することも可能である。この方法によれば、これらの開口５０の各々または複数における一様な低圧を実現できる。開口５０を真空源に接続することができ、および／または流体ハンドリング構造またはシステム（あるいは閉じ込め構造、バリア部材、液体供給システム）を取り囲んでいる大気の圧力を高くして所望の圧力差を生成することも可能である。
【００６３】
図６の実施の形態の場合、開口５０は流体抽出開口である。開口５０は、流体ハンドリング構造へのガスおよび／または液体の通路における入口である。すなわち、開口は空間１１からの出口と見なされうる。これは後に詳述される。
【００６４】
開口５０は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成される。その表面は、使用中、基板および／または基板テーブルなどの対向面と対向する。ある実施の形態では、開口は、流体ハンドリング構造の平らな表面に存在している。ある実施の形態では、基板に対向する流体ハンドリング構造の表面にリッジが存在しうる。その実施の形態では、開口５０はリッジの中に存在してもよい。ある実施の形態では、針またはチューブによって複数の開口５０が規定されてもよい。これらの針のうちのいくつか、たとえば隣接する針のボディは、一体に結合することができる。これらの針を一体に結合して単一のボディを形成することができる。この単一のボディはコーナ形状を形成してもよい。下面５１に設けられた供給開口４０（図６では不図示だが図８−１１では図示）を通じて開口５０よりも半径方向内側に液体が提供される。
【００６５】
図７に見られるように、個々のまたは複数の開口５０は、例えばチューブまたは細長い通路５５の末端である。開口５０は、使用中、それが基板Ｗに対向するよう配置されることが望ましい。開口５０のリム（つまり表面からの出口）は、基板Ｗの上面と実質的に平行であってもよい。開口５０は使用中基板Ｗおよび／または基板を支持する基板テーブルＷＴに向けられる。これについての別の考え方は、開口５０が接続される通路５５の長手軸は基板Ｗの上面に対して実質的に（直角から＋／−４５度以内、望ましくは３５度以内、２５度以内、さらには１５度以内で）直角である。
【００６６】
開口５０は、液体およびガスの混合物を抽出するように設計されている。液体は空間１１から抽出され、一方、ガスは開口５０の液体とは別の側にある大気から抽出される。これにより、矢印１００によって示されているガス流が生成され、このガス流は、図６に示されているように、開口５０間のメニスカス９０を実質的に所定の位置に固定するために有効である。このガス流は、運動量阻止による、ガス流誘導圧力勾配による、および／または液体に対するガス流のドラッグ（ずり（shear））による、液体閉じ込めの維持に貢献する。
【００６７】
開口５０は、流体ハンドリング構造が液体を供給する空間を取り囲んでいる。すなわち、開口５０は、基板および／または基板テーブルに対向する流体ハンドリング構造の表面に分散されていてもよい。複数の開口５０は、空間の周りに実質的に連続的に間隔を隔てて設けられてもよい。ある実施の形態では、隣接開口のいくつかの間の間隔は同じであってもよいし、隣接開口５０間の間隔は変化してもよい。ある実施の形態では、液体はコーナを有する形状の周り全体から抽出される。液体がコーナを有する形状に衝突するポイントがあり、液体は実質的にそのポイントで抽出される。これが達成されるのは、（コーナを有する形状内の）空間の周り全体に開口５０が形成されることによるものである。この方法によれば、液体を空間１１に閉じ込めることができる。メニスカスは、動作中、開口５０によって固定されうる。
【００６８】
図６から分かるように、開口５０は、平面視で、コーナを有する形状（つまりコーナ５２を備えた形状）を形成するように配置されていてもよい。図６の場合、そのコーナを有する形状は、湾曲したエッジまたは辺５４を有する菱形（例えば、正方形）などの四辺形である。エッジ５４は負の半径を有してもよい。エッジ５４は、例えばコーナ５２から離れているエッジ５４の部分に沿って、コーナを有する形状の中心に向かって湾曲していてもよい。しかしながら、相対運動の方向に対する、エッジ５４上の全ての点の角度の平均は、平均角度の線について参照されてもよく、この平均角度の線は湾曲のない直線として表されてもよい。
【００６９】
コーナを有する形状の主軸１１０、１２０は、投影システム下での基板Ｗの主進行方向に揃えられてもよい。これは、最大走査速さが、開口５０が円形などの移動方向が形状の軸と揃わない形状に配置された場合のものより大きいことを確かなものとするのに役に立つ。これは、主軸が相対運動の方向と揃えられている場合には、２つの開口５０間のメニスカスに働く力が低減されうることによるものである。例えば、係数ｃｏｓθで低減されうる。ここで「θ」は、２つの隣接開口５０を結んでいる線の、基板Ｗが移動する方向に対する角度である。
【００７０】
正方形の形状を使用することにより、ステップ方向の運動および走査方向の運動の最大速さを実質的に同じにすることができる。これは、形状のコーナ５２の各々と走査方向およびステッピング方向１１０、１２０とを整列させることによって達成されうる。一方の方向、たとえば走査方向の運動を他方の方向、例えばステップ方向の運動より速くすることが好ましい場合、ひし形形状を使用することができる。このような構造の場合、ひし形の主軸を走査方向に整列させることができる。ひし形形状の場合、コーナの各々を鋭角にすることができるが、たとえばステッピング方向における相対運動の方向に対する、ひし形の２つの隣接する辺（またはエッジ）の平均角度の線の間の角度は鈍角、すなわち９０度より大きい角度であってもよい（たとえば約９０度から１２０度までの範囲から選択され、ある実施の形態では９０度から１０５度までの範囲から選択され、ある実施の形態では８５度から１０５度までの範囲から選択される）。
【００７１】
開口５０の形状の主軸を基板の主移動方向（通常は走査方向）に整列させ、かつ、別の軸を基板のもう一方の主移動方向（通常はステップ方向）に整列させることによって、スループットを最適化することができる。θが９０度以外の任意の構造は、少なくとも１つの運動方向には有利であることは理解されよう。したがって、主軸と主移動方向の正確なアライメントは重要ではない。
【００７２】
負の半径を有するエッジを提供する利点は、コーナをより鋭くすることができることである。走査方向に整列したコーナ５２およびステップ方向に整列したコーナ５２の両方に対して、７５から８５度までの範囲から選択される角度、さらにはそれより小さい角度を達成することができる。この特徴が無かったならば、両方の方向に整列したコーナ５２に同じ角度を持たせるためには、これらのコーナは９０度の角度を有するほかない。コーナが９０度未満の角度を有することが望まれる場合、ある相対運動の方向に整列したコーナを９０度未満のコーナとして選択する必要があるであろう。この場合、他のコーナは９０度より大きい角度を有することになる。
【００７３】
開口５０は星形に配置されてもよい。星形のある実施の形態では、エッジは湾曲する代わりに直線的である。複数のエッジは、２つのコーナ５２間に引かれる直線よりも半径方向内側のある点で交わってもよく、その点は例えば中間コーナである。この構成は、（複数の）開口５０によって定義される、２つの隣接するコーナ５２間のエッジが滑らかである構成と比べて、大きな相対速度のもとでメニスカスを固定するという点では劣っているかもしれない。（複数の）開口５０によって定義されるそのような線はコーナを有する形状を定義してもよく、連続的であり、かつ、連続的に変化する方向を有する。星形の実施の形態では、その形状の辺に沿う中間コーナはメニスカスを固定してもよい。コーナが鋭いほど、メニスカスを固定する力がより多くコーナに集中する。鋭いコーナでは、固定するための力は形状のエッジの短い長さの部分に集中する。鋭いコーナよりも滑らかな湾曲を有するコーナ（例えば、大きな曲率半径を有するコーナ）はより長く、したがってそのコーナのより長い曲線に沿って、すなわちコーナに亘って、固定するための力を分散させる。したがって、基板と流体ハンドリング構造との相対速度のある値において、両方のコーナに働く有効メニスカス固定力は同じになる。しかしながら、所定の長さのエッジ部分については、鋭いコーナの場合の有効固定力は滑らかに湾曲するコーナの場合のものよりも大きい。基板と流体ハンドリング構造との相対速度がより低い場合、鋭いコーナで固定されたメニスカスは滑らかに湾曲するコーナによって固定されたメニスカスよりも不安定となる。
【００７４】
開口５０の半径方向内側にはひとつまたは複数の開口（不図示）が設けられてもよく、液体は流体ハンドリングシステム１２の下面と対向面との間のギャップにこのひとつまたは複数の開口を通じて提供される。
【００７５】
液浸液の液滴は、液浸液が閉じ込められる空間１１から逃げ出すことがある。例えば、その空間に対向する表面上の高さステップ（基板Ｗのエッジとテーブルに設けられた基板を支持する凹部のエッジとのギャップやセンサの表面など）が空間１１の下を相対的に移動する間に、また、流体ハンドリング構造と対向面との相対速度、例えば走査速度が臨界速度よりも大きくなる場合（これは、より大きな走査速度／より高いスループットが要求される場合に必要となりうる）に、そのような逃げ出しが発生しうる。そのような臨界速度は対向面の少なくともひとつの性質によるものであってもよい。
【００７６】
液滴が空間内の液浸液から逃れる際、液滴は、流体ハンドリング構造と対向面（例えば、基板Ｗまたは基板Ｗを支持する基板テーブルＷＴ）との間の液浸液のメニスカス９０から離脱する。メニスカスは流体抽出開口５０（液体抽出器）によって流体ハンドリング構造１２に対して固定されてもよく、流体抽出開口５０は２相流体流として液体とガスとを抽出してもよい。液滴は、対向面の動きに対する液浸空間１１の追尾側から逃げ出してもよい。
【００７７】
（流体ハンドリング構造１２に対して）対向面と共に動いていくと、液滴は次にガスナイフ６１に遭遇しうる。このガスナイフ６１はその液滴を液体抽出器の方へと方向転換させる。しかしながら、時折、液滴がメニスカス９０からさらに離れるよう動くことがガスナイフ６１によって妨げられるような条件となることがある。時折、そのような液滴はガスナイフ６１を超えて通過する。ある実施の形態では、液滴は流体ハンドリング構造１２の部材の影響から逃れてしまう。別の実施の形態では、液滴はさらなる抽出器およびガスナイフに遭遇し、それらは液滴を抽出するおよび／または液滴がメニスカスから離れるように動くのを妨げる役割を果たす。
【００７８】
対向面内における流体ハンドリング構造１２と対向面との相対運動、例えば走査方向またはステッピング方向が変化する場合、そのような液滴は流体ハンドリング構造１２に対する動きとして液体メニスカス９０に向けて戻りうる。液滴は、それがメニスカス９０から離脱した際に最初に通過したガスナイフ６１によって少なくとも部分的には止められうる。液滴が十分に大きい場合はその液滴はメニスカス９０に向けてガスナイフ６１を通過する。液滴は、空間１１に閉じ込められている液浸液のエッジまたは境界にまたは少なくともその近くに設けられた抽出開口５０を通じた抽出作用により抽出されうる。しかしながら、そのような液滴が完全には抽出されない場合、その液滴は、空間に閉じ込められている液体の液体メニスカス９０との衝突によって泡を生成しうる。
【００７９】
液滴は、メニスカス９０に向けてガスナイフ６１を通過するのには不十分な大きさであるおよび／または不十分な速さを有しているかもしれない。液滴は、小さくてもよいひとつまたは複数の液滴と合体し、ガスナイフ６１の前でより大きな液滴を形成しうる。この場合、ガスナイフ６１は液浸液による過負荷状態となり、合体した液滴が通過しうる。そのような液滴は流体ハンドリング構造１２に対する動きとしてメニスカス９０に向けて動き、潜在的にはひとつまたは複数の泡を生成しうる。
【００８０】
本発明の実施の形態によって解決される課題は、対向面から液滴を除去し、かつ、液滴がメニスカス９０に入るのを防ぐために、液滴は抽出器と接触する必要があることである。例えば、高さ４０μｍの液滴は結像欠陥を引き起こすのに十分な大きさの泡を空間１１の中に生成しうるので、流体ハンドリング構造１２の対向面上での（浮上）高さＦＨは４０μｍより低くあるべきである。しかしながら、機械的な観点からは公差や衝突の危険性などの理由でこれは非常に難しい。
【００８１】
ある実施の形態では、流体ハンドリング構造１２の下面５１上にひとつまたは複数の液滴（以降、本文中での液滴への言及は、追加的にまたは代替的に液体の膜を含むものとする）を追加することによって、有効浮上高さＥＦＨを低減する。液滴が下面上の液体と接触した場合、その液滴は下面上の液体によって（少なくとも部分的に）吸収され、対向面から除去される。対向面上の液滴は抽出器を通じて抽出される。下面５１上の液体は（例えば、当然ながら浮上高さＦＨが下面上の液体よりも大きい限りにおいて）１００−１５０μｍ程度の厚さを有しうる。対向面が偶然に下面５１上の液体と衝突した場合、対向面、流体ハンドリング構造１２のいずれにも損傷は生じない。
【００８２】
濡れた流体ハンドリング構造１２の下面５１を使用して流体ハンドリング構造１２の浮上高さを仮想的に低くすることによって、対向面上の液滴の抽出を顕著に改善することができる。流体ハンドリング構造１２の下面５１を濡らすことは、流体ハンドリング構造の下面にぶら下がる小さな液滴および／または液体供給部から抽出部へ下面５１上を流れる液体流によって達成されうる。通常、浮上高さＦＨよりも低い高さを有する液滴は下面５１に接触せず抽出されない（図８参照）。液体８０（液滴／膜）で浮上高さを「低くする」ことにより、対向面上を戻ってきた液滴は下面５１にぶら下がる液体８０にぶつかり、その液体８０と合体し、抽出されるであろう（図９および図１１）。本明細書で説明されるように、流体ハンドリング構造１２のジオメトリを変えるかまたはひとつまたは複数の液体８０の液滴によって（例えばその液滴のサイズを変えることによって）、機械的に有効浮上高さＥＦＨを変えることができる。
【００８３】
ある実施の形態では、例えば図６−１２に示されるようにひとつまたは複数の追加的な抽出開口３００およびひとつまたは複数の液体供給開口４００をガスナイフ６１の近くに追加することによって、走査方向が変化する間にメニスカス９０に向けてガスナイフ６１を通過する液滴の（量および）サイズを顕著に低減できる。液体供給開口４００は例えば図９および図１０に示されるような多孔質材料または多孔質プレートであってもよい。
【００８４】
追加的な抽出開口３００および液体供給開口４００は、大きな液滴がガスナイフ６１を通過してメニスカス９０と衝突するのを防ぐことができる。流体ハンドリング構造１２の下面５１に液体を供給しそこから液体を除去するための他の構成も可能である。
【００８５】
追加的な抽出部および供給部はそれぞれ単一の細長い開口として設けられてもよく、または例えば一列に並ぶ複数の開口として設けられてもよい。
【００８６】
したがって、図６に見られるように、ひとつまたは複数の抽出開口３００はガスナイフ６１を囲み、ひとつまたは複数の供給開口４００は抽出開口３００を囲む。供給開口４００を通じて流体ハンドリング構造１２の下方の面または下面５１上に液体８０が供給される。図８および図９を参照して後述される通り、これにより大きな液滴がメニスカス９０に衝突する可能性が低減される。
【００８７】
図７は、開口５０が流体ハンドリング構造１２の下面５１に設けられることを示す。しかしながらそうである必要はなく、開口５０は流体ハンドリング構造１２の下面５１から突出する部分にあってもよい。矢印１００は、流体ハンドリング構造１２の外側から開口５０に伴う通路５５のなかへのガスの流れを示す。矢印１５０は空間から開口５０のなかへの液体の経路を示す。通路５５および開口５０は、望ましくは環状フローモードにおいて２相抽出（すなわち、ガスおよび液体）が生じるよう設計される。環状ガスフローでは、ガスは実質的に通路５５の中央を流れ、液体は実質的に通路５５の壁に沿って流れる。これにより、脈動の発生の少ないスムーズな流れを実現できる。
【００８８】
開口５０の半径方向内側にはメニスカス固定特徴部は存在しなくてもよい。メニスカス９０は開口５０の近くに、開口５０へのガス流によって誘起されるドラッグ力（drag forces）で固定される。約１５ｍ／ｓより大きなガスドラッグ速度、望ましくは２０ｍ／ｓより大きなガスドラッグ速度で十分である。基板からの液体の蒸発量を低減することができ、それにより液体の跳ねの影響および熱膨張／収縮の影響の両方を低減できる。
【００８９】
複数（例えば、少なくとも３６）の離散的な針（そのそれぞれは開口５０と通路５５とを有してもよい）はメニスカスを固定するのに有効でありうる。各針は直径１ｍｍであり、３．９ｍｍ間隔で離間されている。ある実施の形態では、１１２個の開口５０が存在する。開口５０は正方形であってもよく、辺の長さは０．５ｍｍ、０．３ｍｍ、０．２ｍｍまたは０．１ｍｍである。
【００９０】
流体ハンドリング構造の底部の他のジオメトリも可能である。例えば、本発明の実施の形態において、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示される任意の構成を使用することができる。
【００９１】
図６に示されるように、開口５０の外側に細長いアパーチャ６１（これはスリット形状であってもよい）が設けられてもよい。細長いアパーチャ６１は、第１列目に配置された開口５０よりも、液浸流体を含む空間からさらに離れた場所に配置されてもよい。アパーチャ６１は、開口５０が配置される第１列目と実質的に平行であってもよい。細長いアパーチャは第２列目またはナイフ列を形成してもよい。第２列目は開口５０によって形成される形状の周囲を囲んでもよい。ある実施の形態では、細長いアパーチャは連続し、第１列目によって形成される形状を完全に囲んでもよい。使用中、アパーチャ６１は高圧源に接続される。アパーチャ６１から流れるガスはガスナイフ６０を形成してもよく、そのガスナイフ６０は開口５０によって形成されるメニスカス固定システムを囲む。このガスナイフの機能は後述される。ある実施の形態では、細長いアパーチャは複数の離散的なアパーチャ（それは細長くてもよい）を形状の辺５４に沿って含む。複数のアパーチャは直列に設けられてもよい。
【００９２】
隣接するアパーチャ６１（複数のアパーチャが第２列目に沿って存在する場合）と隣接する開口５０との距離を一定に保つことが望ましい。ある実施の形態では、アパーチャ６１および開口５０の中心線の長さに沿ってそうであることが望ましい。ある実施の形態では、流体ハンドリングデバイスの多くのコーナのうちのひとつの領域内においてその距離が一定であってもよい。
【００９３】
ガスナイフ６０は開口５０に、それらの間の空間に亘って圧力勾配を生成するのに十分に近いことが望ましい。流体ハンドリング構造１２の下などに液体層（例えば、液滴や液体膜）が蓄積されうる停滞ゾーンが存在しないことが望ましい。ある実施の形態では、開口５０を通じたガスの流量は細長いアパーチャ６１を通じたガスの流量と関連付けられていてもよい。これは、２００９年９月３日に提出された米国特許出願第６１／２３９５５５号および米国特許出願公開第２００７−００３０４６４号に記載されており、それらはそれぞれ全体が参照により本明細書に組み込まれる。したがって、ガスの割合は実質的に、アパーチャ６１から開口５０へと内向きに向けられていてもよい。開口５０およびアパーチャ６１を通じたガスの流量が同じ場合、その流量は「バランスしている」と称されてもよい。ガス流がバランスしていると液体残留物、例えば液体膜の厚さを低減するか最小化することができるので望ましい。
【００９４】
本明細書の他の個所に記載されている通り、開口５０は任意の閉じた形状を形成するよう構成されてもよい。そのような閉じた形状は、非限定的にリストすると、平行四辺形、菱形、矩形、正方形などの四辺形や円などの楕円を含んでもよい。それぞれの場合において、ガスナイフ６０用のアパーチャ６１は、開口５０によって形成される形状と実質的に同様の形状を有してもよい。開口５０によって形成される形状のエッジとアパーチャ６１によって形成される形状のエッジとの距離は上述の範囲内にある。ある実施の形態では、その距離は一定であることが望ましい。
【００９５】
図８は、本発明の実施の形態によって解決される課題を示し、図９−１１は本発明の実施の形態がいかに働くかを示す。それらの思想は、図６および図７の実施の形態、後述の図１２の実施の形態、並びに任意の他の局所域流体ハンドリング構造のいずれにも適用可能である。さらに、それらの思想は、空間１１に液体を維持する流体ハンドリングシステムのメニスカス固定特徴部などよりも半径方向外側に本発明の実施の形態が適用された任意の流体ハンドリングシステムに関連する。
【００９６】
本発明の実施の形態は、液体閉じ込めシステム１２の下面５１に液体を供給し、かつ、そこから液体を抽出する構成または機構を備える。ある実施の形態では、ひとつまたは複数の液体抽出開口３００が設けられる。ある実施の形態では、（ひとつまたは複数の液体抽出開口３００よりも半径方向外側に）ひとつまたは複数の液体供給開口４００が設けられる。ひとつまたは複数の液体抽出開口３００およびひとつまたは複数の液体供給開口４００は、リソグラフィ装置の投影システムＰＳの光軸に対して逆であってもよい。
【００９７】
図８は、例えば流体ハンドリングシステム１２の下面５１に液体が供給されない場合の問題を示す。ガスナイフ６１よりも半径方向外側に抽出開口３００が存在してはいるものの、対向面（この場合、基板Ｗ）上の大きな液滴１０００は（基板Ｗが液体閉じ込め構造１２の下を矢印４５の向きに通過するとき）抽出開口３００の下を通過し、対向面（基板Ｗ）とメニスカス固定特徴部（例えば、開口５０）との間に張られるメニスカス９０と衝突する。大きな液滴１０００がメニスカス９０と衝突すると、投影システムＰＳの最終要素と基板との間の空間１１の液体にガスが泡８００として混入されうる。これにより結像エラーが生じうる。
【００９８】
上述の課題に対処するためのひとつの方法は、流体ハンドリング構造１２の下面５１と対向面との距離を縮めることである。しかしながら、これは流体ハンドリング構造１２と対向面とが衝突するリスクが高まるので難しい。
【００９９】
本発明の実施の形態は、例えば「仮想的な」低減された浮上高さ（下面５１と対向面との距離）を導入することでこの問題を解決する。これは、図９に示されるように流体ハンドリング構造１２の下面５１上に液体８０を提供することによって達成される。対向面上の液滴１０００が下面５１上の液体８０と接触すると、それら２つの液体メニスカスは合体する。すると抽出器３００が合体した液体を流体ハンドリング構造１２を通じて抽出することが可能となり、液滴１０００は対向面から除去されるかまたは小さくなる。小さな液滴がメニスカス９０と衝突しても、その場合に空間内に混入されるガスは少ないので問題となる可能性は小さい。ビームＰＢが液体を通過して基板Ｗに至る経路にそのようなガスが到達する前に、そのようなガスは液体に溶ける。
【０１００】
図１０は、図９の実施の形態の平面図である。図示されるように、下面５１上の液体８０は液滴の形をとりうる。あるいはまた、図１１に示されるように、液体は膜の形をとりうる。いかなる実施の形態も動作し、下面５１上に液体８０を得るいかなる方法もうまくいく。ある実施の形態（例えば、図９および図１０）では、液体供給開口４００を定義するために多孔質材料が使用される。ある実施の形態（例えば、図６、図７および図１１）では、細長いスリットが液体供給開口４００を定義する。下面上での液体８０の形態は、ひとつまたは複数の液体供給開口４００およびひとつまたは複数の液体抽出開口３００の性質によって決められる。
【０１０１】
図１２は、本発明の実施の形態に係る流体ハンドリング構造の一部の模式的な断面図である。液体が含まれる空間１１と、流体ハンドリング構造の外部の領域、例えば流体ハンドリング構造の外部の雰囲気の領域と、の間の境界において、開口５０およびアパーチャ６１は上述のようにして配置されてもよい。開口５０は、液体を空間から流体ハンドリング構造のなかへと抽出するために、第１列目に設けられてもよい。アパーチャ６１は第２列目に設けられてガスナイフデバイスを形成してもよい。ガスナイフからのガスは、液体を第１列目の開口５０の方へ押しやってもよい。本発明のある実施の形態では、液体を空間から流体ハンドリング構造のなかへと抽出するために、第１列目に細長い開口または複数の開口５０のいずれか一方を使用してもよい。
【０１０２】
第１列目および第２列目よりも液浸液からさらに遠い所に、第３列目または液滴列のひとつまたは複数の開口７１が設けられてもよい。第２ガスナイフデバイスは第４列目または液滴ナイフ列に配置されるアパーチャ７２によって形成される。（ある実施の形態では、アパーチャ７２は複数のアパーチャ７２を有する。）第４列目は第３列目よりも液浸液を含む空間１１からさらに遠くの所に配置される。第２ガスナイフデバイスを通じたガス流は主に内側に向けられ、そのほとんどは開口７１を通過する。ある実施の形態では、開口７１を通じたガス流と第２ガスナイフデバイスのアパーチャ７２を通じたガス流とはバランスしている。
【０１０３】
本実施の形態の流体ハンドリング構造は、開口５０と協働する第１ガスナイフデバイスを含む。この組み合わせは液浸液の主たる抽出を担う。
【０１０４】
流体ハンドリング構造は第３開口７１と協働する第２ガスナイフデバイスを有する。ひとつまたは複数の開口とそれに伴うガスナイフとの組み合わせを追加的に提供することは、想像以上に有益であることが見出された。
【０１０５】
図７に示されるような構成、すなわち単一のガスナイフデバイスと単一の関連する開口列とを有する構成では、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの表面に液体の残留物が残される可能性がある。液体残留物は液体膜または複数の液滴の形態を取りうる。しばらくすると膜は複数の液滴に分裂するかもしれない。複数の液滴はより大きな液滴に成長し、許容できないくらいに大きくなるかもしれない。本明細書で説明されるように、走査速度が対向面の部分についての臨界走査速度を超える場合、液体残留物が残されうる。例えばこれは、連続的な接触角を有する表面について走査速度がその表面の臨界走査速度を超えて増大する場合に生じうる。表面の一部分で接触角が変化し、したがってその部分において臨界走査速度が減少し、したがって走査速度が一定であってもその走査速度が臨界走査速度を超える。液体残留物はそのような部分に残されうる。そのような部分は、基板のエッジやシャッター部のエッジやセンサのエッジやセンサターゲットのエッジなどのフィーチャのエッジであってもよく、例えば液体メニスカスがそのエッジを横切るときのそのエッジであってもよい。
【０１０６】
ガスナイフデバイスが大気圧との接続によって、例えば大気と接続されガスナイフデバイスと開口５０、７１との間に配置された空間によって開口列５０、７１と分断される構成では、さらなる課題が生じうる。液体はガスナイフデバイスと開口との間に蓄積され、大きな液滴が生成されうる。投影システムＰＳおよび流体ハンドリング構造に対する基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの運動の向きが変わるとき、そのような大きな液滴は液浸液の進行側のメニスカスと衝突しうる。液滴がメニスカスと衝突するとガスが混入され、小さいかもしれないし大きいかもしれない泡を生成しうる。さらに、衝突によってメニスカスが攪乱されることによってもまた泡が形成されうる。泡の形成は望ましくない。本明細書で説明される構成は上述または他の課題のひとつまたは複数を低減するのに役に立ちうる。すなわち、内側ガスナイフ６１よりも半径方向外側に、流体ハンドリング構造の下面上に液体を提供するための構成または機構が設けられる。これにより、２つのガスナイフ６１、７１の間に形成され合体しうるどのような液滴もメニスカス９０に衝突しないようにすることができる。
【０１０７】
２つのガスナイフデバイスと関連する抽出用開口とを流体ハンドリング構造に提供することにより、（ガスナイフデバイスと抽出用開口との）組み合わせのそれぞれのプロセス制御パラメータの設計および／または設定を、各組み合わせの特定の目的に合わせて選択することが可能となる。そのような設計および／または設定は異なるものであってもよい。第１ガスナイフを形成する、第２列目のアパーチャ６１からのガス流量は、第２ガスナイフデバイスを形成する、第４列目のアパーチャ７２からのガス流量よりも少なくてもよい。
【０１０８】
ある実施の形態では、第１ガスナイフデバイスについてのガス流量は比較的低いことが望ましい。これは、上述の通り、第１列目の開口５０を通じた流れは２相であり、かなりの量の液体を含むからである。第２列目のアパーチャ６１を通じた流量と第１列目の開口５０を通じた流量とが２相流の不安定レジームにある場合、例えば流量が高すぎる場合、２相流は振動などの力の変動を引き起こす可能性があり、望ましくない。一方で、第２列目のアパーチャ６１を通じた流量および／または第１列目の開口５０を通じた流量のレジームが安定であればあるほど、例えば流量が低ければ低いほど、投影システムＰＳおよび流体ハンドリング構造に対する基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの所与の運動速度においてガスナイフデバイスを通過して漏れ出す液浸液は多くなる。したがって、単一ガスナイフ構成におけるガス流量は、基本的にこれら２つの相容れない要求の間の妥協によるものであった。
【０１０９】
第２ガスナイフデバイスとそれに伴う抽出部とを流体ハンドリング構造に提供することにより、第１ガスナイフデバイスについてより低い流量を使用することができるので有利である。第２ガスナイフデバイスは第１ガスナイフデバイスを通過した液滴を除去するために使用されうる。さらに、第４列目のアパーチャ７２を通じたガス流量および第３列目のひとつまたは複数の開口７１を通じたガス流量は、比較的高くてもよい。これは、流れの大部分がガスであるからである。このように流量を増加させることにより、基板Ｗおよび／または基板ＷＴの表面からの液滴の除去の性能を向上させることができ、有利である。
【０１１０】
ある構成では、第１ガスナイフデバイスを形成する、第２列目のアパーチャ６１からのガス流量は、毎分１００リットル以下であってもよく、毎分７５リットル以下であることが望ましく、毎分約５０リットルであるかそれ以下であることが望ましい。ある特定の構成では、第２ガスナイフデバイスを形成する、第４列目のアパーチャ７２からのガス流量は、毎分６０リットル以上であってもよく、毎分１００リットル以上であることが望ましく、毎分約１２５リットルであるかそれ以上であることが望ましい。
【０１１１】
ある実施の形態では、第２列目のアパーチャ６１を通じたガス流量を制御するためのコントローラ６３が設けられる。ある実施の形態では、コントローラ６３は、第１列目の開口５０を通じたガス流量を制御してもよい。コントローラ６３は、高圧源６４（例えば、ポンプ）および／または低圧源６５（例えばポンプであり、高圧を提供するポンプと同じポンプであるかもしれない）を制御してもよい。所望の流量を達成するために、コントローラ６３はひとつまたは複数の適切な流量制御バルブと接続されていてもよい。コントローラは、ひとつまたは複数の開口５０に伴うひとつまたは複数の２相流量計と接続されて抽出流量を測定してもよいし、アパーチャ６１に伴う流量計と接続されて供給ガス流量を測定してもよいし、それら両方の流量計と接続されていてもよい。２相流量計の適切な構成は２００９年６月３０日に提出された米国特許出願第６１／２１３６５７号に記載されている。この出願は参照により全体が本明細書に組み入れられる。
【０１１２】
アパーチャ７２を通じたガス流量を制御するためにコントローラ７３（これはコントローラ６３と同じであってもよい）が設けられる。コントローラ７３は、ひとつまたは複数の開口７１を通じたガス流量も制御する。コントローラ７３は、高圧源７４（例えば、ポンプ）および／または低圧源７５（例えばポンプであり、高圧を提供するポンプと同じポンプであるかもしれない）を制御してもよい。所望の流量を達成するために、コントローラ７３に接続されコントローラ７３によって制御されるひとつまたは複数の適切な制御バルブが存在してもよい。コントローラは、ひとつまたは複数の開口７１を通じた流れを測定するひとつまたは複数の２相流量計またはアパーチャ７２を通じた流れを測定するひとつまたは複数の流量計もしくはその両方によって供給される流量計測に基づいて、値を制御してもよい。このような構成は、第１列目および第２列目に伴う流れ成分についての構成と同様のものであってもよい。
【０１１３】
コントローラ６３、７３の一方または両方は、開口５０、７１を通じたガス流を、対応するガスナイフのガス流量に比例する形で制御するよう構成されてもよい。ある実施の形態では、ガスナイフを通じたガス流量は、対応する開口５０、７１を通じた全流量との差が２０％または１０％以内とされる。ある実施の形態では、開口５０、７１を通じたガス流量は、対応するひとつまたは複数のアパーチャ６１、７２を通じたガス流とマッチするよう制御されてもよい。ある実施の形態では、ひとつまたは複数のアパーチャ６１、７２またはガスナイフを通じたガス流量は、対応する開口５０、７１を通じたガス流量と実質的に同じであってもよい。
【０１１４】
開口５０、７１を通じたガス流量を対応するガスナイフのガス流量とマッチするようにすることは、ガスナイフから流れ出るガスの実質的に全てが対応する開口５０、７１へと流れ入ることを意味する。ガスの流れは内向きであってもよく、メニスカスに向いていてもよく、または液体残留物源に向いていてもよい。孤立したガスナイフは実質的に対称な圧力ピークを生成し、ガスはそのピークから離れる両方の方向へと流れる。しかしながら、ある実施の形態ではガス流はガスナイフの一方または両方についてバランスされているので、ガスナイフはガスナイフのひとつまたは複数のアパーチャ６１、７２とそれに対応する開口５０、７１との間に圧力勾配を形成しうる。ガスナイフのいずれについてもそのガスナイフからの外向き（図７および図８において右向き）の、すなわち液浸液を含む空間から離れる向きのガス流は小さいか存在しない。
【０１１５】
ある実施の形態では、コントローラ６３、７３は、ガスナイフの一方または両方が必要とされているかまたは必要とされるかもしれないときにそれが起動されるように、ガスナイフの一方または両方の起動を制御してもよい。言い換えると、ガスナイフは適切な所定の条件下でスイッチオフされてもよい。例えば、走査速度が安全に臨界速度より小さいときにはガスナイフはスイッチオフされてもよく、また現在メニスカス下にある表面またはメニスカスに近づいている表面についての臨界速度を走査速度が超えるか超える可能性が高いときにはガスナイフはスイッチオンされてもよい。例えば、基板の中央部分が流体ハンドリング構造１２の下を動くときには、ガスナイフの一方または両方はスイッチオフされてもよい。基板のこの部分に亘る接触角は一定であり、この部分についての臨界走査速度は超過されることがない程度に十分に高いものでありうる。基板やセンサやシャッター部材やセンサターゲットなどのエッジを超えて空間のメニスカスが移動する前、移動中および／または移動後に、ガスナイフデバイスの一方または両方は動作状態とされうる。
【０１１６】
リソグラフィ装置のある構成では、その装置の想定されるいかなる動作モードについても、特に内側のガスナイフは必須ではないかもしれない。したがって、ある実施の形態では、内側のガスナイフは省略されうる。そのような実施の形態では、第２列目のアパーチャ６１が省略されうる。高圧源６４に対する要請は存在しなくてよい。本発明の装置のこの変形は、本願で説明される他の実施の形態および変形例に関連して適用されうることは理解されるべきである。
【０１１７】
ひとつまたは複数の開口７１およびアパーチャ７２は第３列目および第４列目に沿って配置され、ひとつまたは複数の開口５０およびアパーチャ６１は第１列目および第２列目に沿って形成され、第３列目および第４列目は、第１列目および第２列目に大略的にしたがってもよい。ある実施の形態では、ひとつまたは複数の開口７１によって形成される形状はひとつまたは複数の開口５０によって形成される形状とは異なる。第３列目および第４列目、例えばある実施の形態では第１列目から第４列目までが平行であり列間に一定の距離が設けられることが望ましい。
【０１１８】
ある実施の形態では、第２列目のアパーチャ６１の、第１列目から第４列目までを横切る方向における幅は、４０μｍから７５μｍの範囲から選択され、約５０μｍであることが望ましい。
【０１１９】
ある実施の形態では、第２ガスナイフデバイスを形成するのに使用される、第４列目のアパーチャ７２は、第２列目のアパーチャ６１について説明されたような特徴と同じ特徴を有してもよい。第１ガスナイフデバイスのアパーチャ６１のように、アパーチャ７２は単一のスリットまたは複数の細長いアパーチャとして形成されてもよい。ある実施の形態では、第４列目のアパーチャ７２の、第１列目から第４列目までを横切る方向における幅は、２０μｍから５０μｍの範囲から選択され、３０μｍであることが望ましい。
【０１２０】
第３列目のひとつまたは複数の開口７１は、単一の細長いスリットまたは複数の細長い開口として形成されてもよい。ある実施の形態では、第３列目のひとつまたは複数の開口７１の、第１列目から第４列目までを横切る方向における幅は、１００μｍから２００μｍの範囲から選択され、１５０μｍであることが望ましい。あるいはまた、第３列目のひとつまたは複数の開口７１は、第１列目のひとつまたは複数の開口５０と同様に構成されてもよい。
【０１２１】
ある実施の形態では、下側の面の外側の部分が第４列目のアパーチャ７２から少なくとも２ｍｍ、望ましくは少なくとも５ｍｍだけ延在するように、流体ハンドリング構造の下側の面５１を構成してもよい。流体ハンドリング構造の下側の面５１のこの外側の部分５１ａは、基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの表面と協働して、ダンパとして機能しうる。その結果、第３列目のひとつまたは複数の開口７１から離れる向きへのガス流を低減できる。したがって、このような構成により、特に比較的高い走査速度において、例えば液滴の形態で流体ハンドリング構造から離れていく液体の漏出を低減できる。
【０１２２】
図１２に示される実施の形態では、流体ハンドリング構造の下側の面５１に凹部８０が設けられる。凹部８０は第２列目と第３列目との間の第５列目または凹部列に設けられてもよい。ある実施の形態では、凹部８０は第１列目から第４列目のいずれか、望ましくは少なくとも第２列目または第３列目もしくはその両方と平行となるよう構成される。
【０１２３】
凹部８０はひとつまたは複数の開口８１を含んでもよい。この開口８１はガス路８２によって雰囲気などの大気と、例えば流体ハンドリング構造の外部領域と接続されていてもよい。この凹部８０は、望ましくは外部の大気と接続された場合、第１ガスナイフデバイスおよび関連する第１列目のひとつまたは複数の開口５０を、第２ガスナイフデバイスおよび関連する第３列目のひとつまたは複数の開口７１から分離するよう機能しうる。凹部８０は両側に位置する部材の動作を分離する。したがって、凹部よりも半径方向内側にある特徴は半径方向外側にある特徴から分離される。
【０１２４】
一般に、第１ガスナイフと第２ガスナイフとを分離する機能を所望の通りに提供できるよう、凹部８０の体積は十分に大きくあるべきであることは理解されるべきである。しかしながら、凹部８０の体積が大きいほど、液体が凹部内に集まる可能性は高くなり、および／または凹部８０内に集まる液体の量も多くなる。そのように液体が集まる結果、大きな液滴が形成され、その大きな液滴は次に基板Ｗおよび／または基板テーブルＷＴの表面上に放たれるので、そのように液体が集まることは望ましくない。代替的にまたは追加的に、凹部８０に集まった液体は、走査方向に変化が生じたときにメニスカスと衝突する可能性があり、その場合上述の課題のうちのひとつまたは複数が生じうる。
【０１２５】
凹部８０のサイズの選択は妥協によるものであってもよい。ある実施の形態では、流体ハンドリング構造の下側の面５１に対する凹部８０の深さＤ１は、０．２５ｍｍから０．７５ｍｍの範囲から選択されてもよく、望ましくは約０．５ｍｍである。ある実施の形態では、第１列目から第５列目までを横切る方向における凹部８０の幅は、１ｍｍから１５ｍｍの範囲から選択されてもよく、望ましくは１ｍｍから１０ｍｍの範囲から選択され、望ましくは２ｍｍから３ｍｍの範囲から選択される。
【０１２６】
ある実施の形態では、凹部８０のサイズは、主に第１ガスナイフと第２ガスナイフとを分離する機能を所望の通りに実現するように選択されてもよい。例えば、凹部８０のサイズは上述の例よりも大きくてもよい。そのような実施の形態では、凹部内に液体が集まるのを低減するかまたは凹部に集まった液体による影響を改善するかあるいはその両方を実行するような追加的な方策を講じてもよい。
【０１２７】
図１２の実施の形態は、内側のガスナイフ６１と外側の抽出開口７１との間に平坦な表面を提供したり、それらの間に段差を提供したり、それらの間にスロープがついた（望ましくは湾曲した）表面を提供したり、および／または２０１０年４月２２日に提出された米国特許出願第６１／３６２９７２に教示されているように内側のガスナイフ６１を省略したりすることによって、変形されてもよい。
【０１２８】
図１２の実施の形態では、抽出開口３００および液体供給開口４００は、２つのガスナイフ６１、７２の間に捕らえられた大きな液滴がメニスカス９０に衝突するのを防ぐのに効果的でありうる。抽出開口３００および供給開口４００は下面５１の、内側のガスナイフ６１と凹部８０との間に描かれている。ある実施の形態では、抽出開口３００および供給開口４００は、凹部８０と抽出開口７１との間に位置してもよい。
【０１２９】
本発明の実施の形態は、個別の乾燥ステーションにおいて使用されてもよい。
【０１３０】
理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。
【０１３１】
本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウエハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。
【０１３２】
本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を含む。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。
【０１３３】
本発明の特定の実施の形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施の形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令のひとつ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムはひとつ以上の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【０１３４】
本明細書に記載のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくともひとつの構成要素内部に設けられたひとつ以上のコンピュータプロセッサによってひとつ以上のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。ひとつ以上のプロセッサは少なくとも１つのコントローラと通信可能に構成されていてもよい。例えば、コントローラの各々は、上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するためのひとつ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラはそのようなコンピュータプログラムを記録するデータ記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウエアを含んでもよい。したがって、コントローラはひとつ以上のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。
【０１３５】
本発明のひとつ以上の実施の形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。
【０１３６】
本明細書で述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施の形態においては投影システムと基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。ひとつ以上の構造体、及びひとつ以上の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、ひとつ以上の液体開口、ひとつ以上の気体開口、ひとつ以上の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。ある実施の形態においては、空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するためのひとつ以上の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。ある実施の形態では、液浸液は水であってもよい。
【０１３７】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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