(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体プレートの一方の主面に形成され、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有するパターンの該突起を、下地の電極パッドに接続する工程と、
前記導体プレートと前記下地との間に樹脂を注入して樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層が現れるまで前記導体プレートの他方の主面に対して研磨、CMP、又は切削を行い、前記パターンを前記樹脂層に導体パターンとして残す工程と、
を有し、
前記樹脂層に前記導体パターンを残す工程において、前記パターンの前記第１の凸部からなる第１の部分と、前記パターンの前記第２の凸部からなり、該第１の部分よりも厚い第２の部分とを前記導体パターンに形成し、
前記樹脂層に前記導体パターンを残した後に、前記導体パターンの前記第２の部分のみに低融点金属を含む突起電極を接合する工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記パターンを前記電極パッドに接続する工程は、前記パターンの前記突起を前記電極パッドに押し当てながら加熱することにより、前記パターンの前記突起を金属接合により前記電極パッドに接続して行われることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電極パッドの前記加熱は、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中で行われることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記パターンを前記電極パッドに接続する前に、該パターンと該電極パッドのそれぞれの表面の酸化膜を除去する工程を更に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
一方の主面に凹部を有する電極パッドが形成された複数の下地を並べる工程と、
前記下地の各々の前記凹部に、導体プレートの一方の主面に形成され、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有するパターンの該突起を嵌入することにより、前記複数の下地を前記導体プレートにより繋ぐ工程と、
前記複数の下地のそれぞれの主面上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層が現れるまで前記導体プレートの他方の主面に対して研磨、CMP、又は切削を行い、前記パターンを前記樹脂層に導体パターンとして残す工程と、
を有し、
前記樹脂層に前記導体パターンを残す工程において、前記パターンの前記第１の凸部からなる第１の部分と、前記パターンの前記第２の凸部からなり、該第１の部分よりも厚い第２の部分とを前記導体パターンに形成し、
前記樹脂層に前記導体パターンを残した後に、前記導体パターンの前記第２の部分のみに低融点金属を含む突起電極を接合する工程を更に有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂層を形成する工程は、前記複数の下地を前記導体プレートにより繋いだ後に、前記複数の下地のそれぞれの前記主面と前記導体プレートとの間に樹脂を充填することにより行われることを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂層を形成する工程は、前記複数の下地を前記導体プレートにより繋ぐ前に行われ、
前記複数の下地を前記導体プレートにより繋ぐ工程は、前記樹脂層に前記導体プレートを押し当てて行われることを特徴とする請求項５に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記突起は、前記電極パッドに当接することにより形状が潰れる先端を有することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記導体プレートの前記パターンは銅膜を有し、前記銅膜の上に銅拡散防止膜が形成されたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１０】
下地と、
前記下地の上に形成された電極パッドと、
前記下地と前記電極パッドの上に形成された樹脂層と、
前記電極パッドの上の前記樹脂層に埋め込まれた導体パターンとを有し、
前記導体パターンは、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有し、
前記導体パターンの前記突起と前記電極パッドとが低融点金属を介して接合されて、
前記導体パターンの前記第２の凸部のみに、低融点金属を含む突起電極が接合されたことを特徴とする電子部品。
【請求項１１】
下地と、
前記下地の上に形成された電極パッドと、
前記下地と前記電極パッドの上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層に埋め込まれ、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高く、前記電極パッドに当接した突起とを備えた導体パターンとを有し、
前記突起の先端が、前記電極パッドの上面において横方向に潰れて、
前記導体パターンの前記第２の凸部のみに、低融点金属を含む突起電極が接合されたことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI等の半導体素子は微細化の一途を辿っており、出荷される製品の中にはサブミクロンレベルの配線幅を有するものもある。
【０００３】
これに対し、半導体素子を実装するための回路基板では、配線幅が最小でも１０数μm程度に留まっており、半導体素子と比べて２桁も大きな配線幅となっている。電子機器の高速度化や携帯機器の更なる小型化を実現するには、回路基板に半導体素子を高密度に実装しなければならず、そのためにも回路基板における配線幅の縮小化が望まれる。
【０００４】
回路基板における配線の形成方法としては、サブトラクト法、セミアディティブ法、及びインプリント法等が知られている。
【０００５】
このうち、サブトラクト法は、レジストパターンをマスクにしながら導電膜をウエットエッチングすることにより配線を形成するものである。この方法では、エッチングが等方的に進行するため微細な配線の形成には不利であり、最小でも３５μm程度の配線幅しか実現できない。
【０００６】
また、セミアディティブ法では、絶縁層上にシード層を形成した後、その上にめっきレジストを形成し、シード層に給電を行いながらめっきレジストの開口内に電解めっきにより導電膜を形成する。そして、めっきレジストを除去した後にシード層をウエットエッチングすることにより、エッチングされずに残った導電膜よりなる配線が形成される。
【０００７】
そのようなセミアディティブ法によれば、サブトラクト法と比較して配線幅を縮小することができる。但し、配線幅が５μm程度となると、安定した形状に配線を形成するのが困難になると共に、配線と下地との密着性が劣化する。そのため、セミアディティブ法は、幅が１０μmよりも広い配線の形成に使用されることが多い。
【０００８】
これに対し、インプリント法は、導体プレート（スタンパ）の表面の凹凸を樹脂層に印刻することにより、樹脂層に配線溝やホールを形成するものである。配線溝を形成した後は、配線溝にめっき法等により導電膜を形成し、樹脂層上の余分な導電膜をCMP(Chemical Mechanical Polishing)等により除去し、配線溝内に配線を形成する。
【０００９】
しかしながら、微細で複雑な形状の配線を形成する場合にインプリント法を用いると、樹脂層から導体プレートを剥離させるときに、樹脂層の一部が導体プレートに付着し、配線溝が欠損してしまうという問題がある。更に、導体プレートを何度も使用している間に、導体プレートに形成されている配線形状の凹凸が変形するという問題もインプリント法にはある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−３６２１７号公報
【特許文献２】特開２００６−１００４６３号公報
【特許文献３】特開２００５−５７２１号公報
【特許文献４】特開２００６−３０３４３８号公報
【特許文献５】特開２００８−８４９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
電子部品とその製造方法において、従来よりも微細な導体パターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下の開示の一観点によれば、導体プレートの一方の主面に形成され、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有するパターンの該突起を、下地の電極パッドに接続する工程と、前記導体プレートと前記下地との間に樹脂を注入して樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層が現れるまで前記導体プレートの他方の主面に対して研磨、CMP、又は切削を行い、前記パターンを前記樹脂層に導体パターンとして残す工程とを有し、前記樹脂層に前記導体パターンを残す工程において、前記パターンの前記第１の凸部からなる第１の部分と、前記パターンの前記第２の凸部からなり、該第１の部分よりも厚い第２の部分とを前記導体パターンに形成し、前記樹脂層に前記導体パターンを残した後に、前記導体パターンの前記第２の部分のみに低融点金属を含む突起電極を接合する工程を更に有する電子部品の製造方法が提供される。
【００１３】
そして、その開示の別の観点によれば、一方の主面に凹部を有する電極パッドが形成された複数の下地を並べる工程と、前記下地の各々の前記凹部に、導体プレートの一方の主面に形成され、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有するパターンの該突起を嵌入することにより、前記複数の下地を前記導体プレートにより繋ぐ工程と、前記複数の下地のそれぞれの主面上に樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層が現れるまで前記導体プレートの他方の主面に対して研磨、CMP、又は切削を行い、前記パターンを前記樹脂層に導体パターンとして残す工程とを有し、前記樹脂層に前記導体パターンを残す工程において、前記パターンの前記第１の凸部からなる第１の部分と、前記パターンの前記第２の凸部からなり、該第１の部分よりも厚い第２の部分とを前記導体パターンに形成し、前記樹脂層に前記導体パターンを残した後に、前記導体パターンの前記第２の部分のみに低融点金属を含む突起電極を接合する工程を更に有する電子部品の製造方法が提供される。
【００１４】
また、その開示の更に他の観点によれば、下地と、前記下地の上に形成された電極パッドと、前記下地と前記電極パッドの上に形成された樹脂層と、前記電極パッドの上の前記樹脂層に埋め込まれた導体パターンとを有し、前記導体パターンは、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高い突起とを有し、前記導体パターンの前記突起と前記電極パッドとが低融点金属を介して接合されて、前記導体パターンの前記第２の凸部のみに、低融点金属を含む突起電極が接合された電子部品が提供される。
【００１５】
そして、その開示の更に別の観点によれば、下地と、前記下地の上に形成された電極パッドと、前記下地と前記電極パッドの上に形成された樹脂層と、前記樹脂層に埋め込まれ、第１の凸部と、該第１の凸部よりも高い第２の凸部と、該第２の凸部よりも高く、前記電極パッドに当接した突起とを備えた導体パターンとを有し、前記突起の先端が、前記電極パッドの上面において横方向に潰れて、前記導体パターンの前記第２の凸部のみに、低融点金属を含む突起電極が接合された電子部品が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図７】図７は、第３実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、第４実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図１２】図１２（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その４）である。
【図１５】図１５（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その５）である。
【図１６】図１６（ａ）、（ｂ）は、第５実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その６）である。
【図１７】図１７は、第６実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図１８】図１８は、第６実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図１９】図１９は、第６実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図２０】図２０は、第６実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その４）である。
【図２１】図２１（ａ）、（ｂ）は、第７実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図２２】図２２（ａ）、（ｂ）は、第７実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図２３】図２３（ａ）、（ｂ）は、第８実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図２４】図２４（ａ）、（ｂ）は、第８実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図２５】図２５は、第８実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図２６】図２６（ａ）、（ｂ）は、第８実施形態に係る電子部品の別の製造方法について示す断面図である。
【図２７】図２７は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その１）である。
【図２８】図２８は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その２）である。
【図２９】図２９は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その３）である。
【図３０】図３０は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その４）である。
【図３１】図３１は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その５）である。
【図３２】図３２は、第９実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図（その６）である。
【図３３】図３３は、第９実施形態に係る電子装置の拡大平面図である。
【図３４】図３４は、図３３のI−I線に沿う断面図である。
【図３５】図３５は、比較例に係る電子装置の断面図である。
【図３６】図３６（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第１例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その１）である。
【図３７】図３７（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第１例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その２）である。
【図３８】図３８（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第１例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その３）である。
【図３９】図３９（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第１例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その４）である。
【図４０】図４０（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第１例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その５）である。
【図４１】図４１（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第２例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その１）である。
【図４２】図４２（ａ）、（ｂ）は、第１０実施形態の第２例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その２）である。
【図４３】図４３は、第１０実施形態の第２例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その３）である。
【図４４】図４４は、第１０実施形態の第３例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その１）である。
【図４５】図４５は、第１０実施形態の第３例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その２）である。
【図４６】図４６は、第１０実施形態の第３例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その３）である。
【図４７】図４７は、第１０実施形態の第３例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その４）である。
【図４８】図４８は、第１０実施形態の第３例に係る導体プレートの型の製造途中の断面図（その５）である。
【図４９】図４９（ａ）、（ｂ）は、第１１実施形態に係る導体プレートの製造途中の断面図（その１）である。
【図５０】図５０（ａ）、（ｂ）は、第１１実施形態に係る導体プレートの製造途中の断面図（その２）である。
【図５１】図５１（ａ）、（ｂ）は、第１１実施形態に係る導体プレートの製造途中の断面図（その３）である。
【図５２】図５２は、第１１実施形態に係る導体プレートを利用して作製した電子装置の拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、添付図面を参照しながら、各実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
（１）第１実施形態
図１〜図２は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。
【００１９】
本実施形態では、電子部品として回路基板を以下のようにして作製する。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板のような透明支持基板１１の上に接着層１２を形成する。その接着層１２としては、紫外線の照射によって接着力が低下するUVテープや、加熱によって接着力が低下する熱発泡粘着フィルム等を使用するのが好ましい。
【００２１】
次いで、接着層１２の上に、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を塗布し、これらの材料よりなる第１の樹脂層１３を例えば１０〜２０μm程度の厚さに形成する。但し、この厚さは、後述する導体プレートの凸パターンの高さに応じて設定されるものである。
【００２２】
第１の樹脂層１３として使用し得る熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【００２３】
これらの熱硬化性樹脂を使用する場合は、第１の樹脂層１３を形成した後に、加熱により第１の樹脂層１３を半硬化（Bステージ）の状態にするのが好ましい。
【００２４】
また、このように樹脂を塗布する代わりに、予め半硬化（Bステージ）の状態に形成したフィルムを第１の樹脂層１３として接着層１２上に貼り付けてもよい。
【００２５】
その後に、一方の主面１４ｘに凸パターン１４ｗが形成された第１の導体プレート１４を第１の樹脂層１３の上に配置し、透明支持基板１１と第１の導体プレート１４との位置合わせを行う。
【００２６】
第１の導体プレート１４の材料は特に限定されない。本実施形態では、配線抵抗の低減に有用な銅又は銅合金を第１の導体プレート１４の材料として使用する。
【００２７】
また、第１の導体プレート１４の凸パターン１４ｗは、図示のように高さの異なる二水準の第１及び第２の凸部１４ａ、１４ｂを有する。
【００２８】
次いで、図１（ｂ）に示すように、減圧雰囲気下において第１の樹脂層１３に第１の導体プレート１４を押し当て、第１の樹脂層１３に凸パターン１４ｗを埋め込む。
【００２９】
このとき、上記のように第１の樹脂層１３を半硬化の状態としたので、第１の導体プレート１４を第１の樹脂層１３に押し当てるときに第１の樹脂層１３が流動し、第１の樹脂層１３に凸パターン１４ｗを隙間なく埋め込むことが可能となる。
【００３０】
また、第１の樹脂層１３として熱可塑性樹脂を使用する場合には、第１の導体プレート１４の押し当てと同時に第１の樹脂層１３を加熱することにより、加熱によって軟化した第１の樹脂層１３に凸パターン１４ｗを容易に埋め込むことが可能となる。
【００３１】
更に、本工程を減圧雰囲気下において行うことにより、第１の樹脂層１３と第１の導体プレート１４との間に空気が入り込んでこれらの間に隙間が発生するのを防止できる。
【００３２】
そして、このような凸パターン１４ｗの埋め込みにより、第１の凸部１４ａが第１の樹脂層１３の底面に到達する一方、第２の凸部１４ｂは第１の樹脂層１３の途中の深さまで埋め込まれる。
【００３３】
その後、第１の樹脂層１３が熱硬化性樹脂の場合には加熱により第１の樹脂層１３を硬化する。そして、第１の樹脂層１３が熱可塑性樹脂の場合には、第１の樹脂層１３を冷却して硬化する。
【００３４】
続いて、図２（ａ）に示すように、第１の樹脂層１３の表面が現れるまで第１の導体プレート１４の他方の主面１４ｙに対して研磨、CMP、又は切削を行うことで、凸パターン１４ｗを第１の樹脂層１３に第１の導体パターン１４ｚとして残す。なお、製造コストの低減という観点からすると、研磨やCMPよりもプロセスコストの安い切削により本工程を行うのが好ましい。また、切削には、研磨やCMPよりも高速で処理できるという利点もある。
【００３５】
その後に、透明支持基板１１を介して接着層１２に紫外線を照射することにより接着層１２の接着力を低下させ、透明支持基板１１から第１の樹脂層１３を剥離する。なお、接着層１２として熱発泡フィルムを使用する場合には、加熱によって接着層１２の接着力を低下させればよい。そのような熱発泡フィルムとしては、熱硬化性の第１の樹脂層１３を熱硬化させるときの熱によって剥離性に影響が出ないものを選択するのが好ましい。
【００３６】
以上により、図２（ｂ）に示すように、第１の樹脂層１３内に第１の導体パターン１４ｚを形成してなる回路基板１０の基本構造が完成したことになる。
【００３７】
その第１の導体パターン１４ｚのうち、第１の凸部１４ａ（図１（ｂ）参照）に相当する部分は導体プラグとして機能し、第２の凸部１４ｂに対応する部分は配線として機能する。
【００３８】
ここまでの工程により、本実施形態に係る電子部品の製造方法の主要工程が終了したことになる。
【００３９】
上記した本実施形態によれば、第１の導体プレート１４の凸パターン１４ｗ自身を第１の導体パターン１４ｚとして利用するので、インプリント法のように第１の樹脂層１３から第１の導体プレート１４を剥離する必要がない。
【００４０】
そのため、第１の導体プレート１４の剥離時に第１の樹脂層１３の一部が欠損するというインプリント法の問題を克服することができ、最小の配線幅が１μm程度の微細な配線を高い歩留まりで形成することが可能となる。
【００４１】
しかも、第１の導体パターン１４ｚの形成にあたっては、めっき法により導電膜を形成したりフォトリソグラフィにより導電膜をパターニングしたりする工程が不要となるので、サブトラクト法やセミアディティブ法と比較して製造コストが安価になる。
【００４２】
（２）第２実施形態
図３〜図４は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。なお、これらの図において第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４３】
第１実施形態では、図２（ｂ）に示したように、一層の第１の導体パターン１４ｚを備えた回路基板１０を作製したが、本実施形態では以下のようにして二層の導体パターンが積層された回路基板を作製する。
【００４４】
その回路基板を作製するには、まず、第１実施形態で説明した図１（ａ）〜図２（ａ）の工程を行う。
【００４５】
次いで、図３（ａ）に示すように、第１の樹脂層１３と第１の導体パターン１４ｚのそれぞれの上に、熱硬化性の第２の樹脂層１７を形成する。そして、この第２の樹脂層１７を加熱することにより半硬化の状態とする。
【００４６】
なお、第２の樹脂層１７として使用し得る熱硬化性樹脂としては、第１実施形態で説明したように、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【００４７】
また、これらの熱硬化性樹脂に代えて、熱可塑性樹脂を使用してもよい。
【００４８】
その後に、一方の主面１８ｘに凸パターン１８ｗが形成された第２の導体プレート１８を第２の樹脂層１７の上方に配置し、透明支持基板１１と第２の導体プレート１８との位置合わせを行う。
【００４９】
その第２の導体プレート１８は、例えば銅や銅合金よりなり、配線形状の凸部１８ｃの他に、第１及び第２の突起１８ａ、１８ｂを有する。
【００５０】
このうち、第１の突起１８ａは先の尖った錐状先端を有しているのに対し、第２の突起１８ｂの先端は平坦であり、その幅は第１の突起１８ａや凸部１８ｃといった凸パターン１８ｗの他の部位の幅よりも広く、例えば１００〜数１００μmの幅を有する。
【００５１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、半硬化の状態にある第２の樹脂層１７に第２の導体プレート１８を押し当て、第２の樹脂層１７に凸パターン１８ｗを埋め込み、各突起１８ａ、１８ｂをその下の第１の導体パターン１４ｚに当接させる。
【００５２】
このとき、点線円内に示すように、第１の突起１８ａは、下地の第１の導体パターン１４ｚと当接したことでその錐状先端が変形して基板横方向に広がる。そのように変形した錐状先端は、製造途中で導体プレート１８が第２の樹脂層１７から脱落するのを防止する機能を有すると共に、第１の導体パターン１４ｚと凸パターン１８ｗとの接触面積を拡大する機能を有する。
【００５３】
一方、第２の突起１８ｂは、第１の突起１８ａよりも広い接触面積で下地の第１の導体パターン１４ｚや第１の樹脂層１３と当接することにより、凸パターン１８ｗが所要の深さ以上に過剰に第２の樹脂層１７に埋め込まれるのを阻止するように機能する。
【００５４】
その後に、第２の樹脂層１７を加熱して硬化させる。
【００５５】
なお、第２の樹脂層１７の材料として熱可塑性樹脂を用いる場合には、加熱により第２の樹脂層１７を軟化させるのと同時に第２の樹脂層１７に凸パターン１８ｗを埋め込むのが好ましい。この場合は、凸パターン１８ｗを埋め込んだ後に第２の樹脂層１７を冷却して硬化させることになる。
【００５６】
続いて、図４（ａ）に示すように、第２の樹脂層１７の表面が現れるまで第２の導体プレート１８の他方の主面１８ｙに対して研磨、CMP、又は切削を行うことにより、凸パターン１８ｗを第２の樹脂層１７に第２の導体パターン１８ｚとして残す。
【００５７】
この後に、第１実施形態と同様に紫外線照射又は加熱により接着層１２の接着力を低下させ、透明支持基板１１から第１の樹脂層１３を剥離する。
【００５８】
これにより、図４（ｂ）に示すように、第１の導体パターン１４ｚと第２の導体パターン１８ｚとが積層された回路基板２０の基本構造が完成したことになる。
【００５９】
その回路基板２０では、既述の突起１８ａ、１８ｂが、上下の導体パターン１４ｚ、１８ｚ同士を電気的に接続する導体プラグとなる。また、凸部１８ｃは、第２の樹脂層１７に埋め込まれた配線となる。
【００６０】
以上説明した本実施形態によれば、樹脂層への凸パターンの埋め込みを二回行うことにより、微細な配線を上下に積層してなる回路基板２０を形成することが可能となる。
【００６１】
また、図３（ｂ）に示したように、第１の突起１８ａの先端を錐状にしたので、該先端が第１の導体パターン１４ｚの上面に当接したときにその先端形状が潰れて横方向に広がり、第２の導体プレート１８が第２の樹脂層１７から抜け落ち難くなる。しかも、このように突起１８ａの先端が広がることで、第１の導体パターン１４ｚと第２の導体パターン１８ｚとの接触面積が増大し、各導体パターン１４ｚ、１８ｚ間のコンタクト抵抗を低減できる。
【００６２】
更に、凸パターン１８ｗに第２の突起１８ｂを設けたので、第２の樹脂層１７に凸パターン１８ｗが過剰に埋め込まれるのを防止できる。
【００６３】
特に、第２の突起１８ｂの幅を第１の突起１８ａや配線形状の凸部１８ｃよりも広くすることで、第１の突起１８ａが下地の第１の樹脂層１３等に沈み込み難くなり、凸パターン１８ｗの過剰な埋め込み防止の効果を得やすくなる。
【００６４】
なお、このように第２の突起１８ｂの幅を広くすると、第２の突起１８ｂの電気抵抗が第１の突起１８ａや凸部１８ｃよりも小さくなるので、信号線よりも大電流が流れる電源線や接地線として第２の突起１８ｂを使用するのが好適である。
【００６５】
また、上記では導体パターンの積層数を２層としたが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、樹脂層１７を形成する工程（図３（ａ））、樹脂層１７に凸パターン１８ｗを埋め込む工程（図３（ｂ））、及び樹脂層１７に導体パターン１８ｚを残す工程（図４（ａ））を所要回数繰り返し、導体パターンの積層数を３層以上にしてもよい。
【００６６】
（３）第３実施形態
図５〜図７は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。
【００６７】
第１、第２実施形態では導体プレートを利用して電子部品として回路基板を作製したが、本実施形態では、既に用意されている回路基板上に以下のように導体パターンを形成する。
【００６８】
まず、図５（ａ）に示すように、樹脂基材３１の表面に例えば５〜１０μm程度の厚さの銅膜等よりなる電極パッド３２が形成された回路基板３０を用意する。
【００６９】
なお、樹脂基材３１に代えて、絶縁層と配線層とが交互に複数形成されたビルドアップ基板を用いてもよい。
【００７０】
次いで、図５（ｂ）に示すように、回路基板３０の上に熱硬化性樹脂を塗布することにより、例えば１０〜２０μmの樹脂層３３を形成する。樹脂層３３の材料は特に限定されず、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等の熱硬化性樹脂を使用し得る。
【００７１】
そして、樹脂層３３を形成した後に、樹脂層３３を加熱して半硬化の状態にする。
【００７２】
なお、樹脂層３３の材料として、上記の熱硬化性樹脂に代えて熱可塑性樹脂を使用してもよい。
【００７３】
次いで、図６（ａ）に示すように、一方の主面３４ｘに凸パターン３４ｗが形成された導体プレート３４を樹脂層３３の上方に配置し、回路基板３０と導体プレート３４との位置合わせを行う。
【００７４】
その凸パターン３４ｗは、第２実施形態と同様に、錐状先端を有する第１の突起３４ａと、先端が平坦な第２の突起３４ｂとを有する。
【００７５】
また、導体プレート３４の材料としては、配線抵抗の低減に有用な銅や銅合金を用いるのが好ましい。
【００７６】
そして、図６（ｂ）に示すように、半硬化の状態にある樹脂層３３に導体プレート３４を押し当て、樹脂層３３に凸パターン３４ｗを埋め込む。これにより、第１の突起３４ａが電極パッド３２に当接してその先端が変形し、樹脂層３３から導体プレート３４が脱落する危険性が低減されると共に、電極パッド３２と凸パターン３４ｗとの接触面積が拡大する。
【００７７】
また、第２の突起３２ｂが下地の樹脂基材３１に当接することにより、導体プレート３４の過度な埋め込みが防止される。
【００７８】
その後に、樹脂層３３を加熱して硬化させる。
【００７９】
なお、樹脂層３３の材料として熱硬化性樹脂を利用する場合には、加熱により樹脂層３３を軟化させるのと同時に樹脂層３３に凸パターン３４ｗを埋め込み、その後に樹脂層３３を冷却して硬化させるのが好ましい。
【００８０】
続いて、図７に示すように、樹脂層３３の表面が現れるまで導体プレート３４の他方の主面３４ｙに対して研磨、CMP、又は切削を行うことにより、凸パターン３４ｗを樹脂層３３に導体パターン３４ｚとして残す。
【００８１】
その導体パターン３４ｚのうち、第１の突起３４ａに対応する部分は導体プラグとして機能し、それ以外の部分は配線として機能する。
【００８２】
以上により、本実施形態に係る電子部品の製造工程の主要工程が終了したことになる。
【００８３】
上記した本実施形態によれば、樹脂層３３に埋め込まれた凸パターン３４ｗを導体パターン３４ｚとして利用するので、第１実施形態と同様の理由で樹脂基材３１上に微細な導体パターン３４ｚを形成することができる。
【００８４】
なお、上記では回路基板３０の上に樹脂層３３を形成したが、樹脂層３３を形成する下地はこれに限定されない。例えば、表面に電極パッド３２が設けられた半導体素子を樹脂基材３１の代わりに使用し、その半導体素子の上に樹脂層３３を形成してもよい。その場合、導体パターン３４ｚは、半導体素子上の再配線層として使用される。
【００８５】
（４）第４実施形態
本実施形態では、第３実施形態を変形し、以下のようにして電子部品として回路基板を作製する。
【００８６】
図８〜図１０は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。なお、これらの図において第３実施形態で説明したのと同じ要素には第３実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００８７】
まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板等のように上面が平坦な基板３５の上にメタルマスク３６を配置する。
【００８８】
そのメタルマスク３６は、例えば厚さが２０〜１００μmのステンレス板またはニッケル板よりなり、直径が板厚と同程度の開口３６ａを有する。
【００８９】
次いで、図８（ｂ）に示すように、ジエチレングリコール等の有機溶媒中にSnのナノ粒子を分散させてなる低融点金属ペースト３８をメタルマスク３６上に供給した後、メタルマスク３６の表面に沿ってスキージ３７を移動させ、開口３６ａ下の基板３５に低融点金属ペースト３８を印刷する。
【００９０】
なお、低融点金属ペースト３８に含まれるナノ粒子はSn粒子に限定されず、Snの融点より低い２３０℃以下の融点の金属粒子であってもよい。そのような金属粒子としては、例えば、SnAg合金やSnBi合金の粒子がある。更に、Snの有機酸を含むペーストを低融点金属ペースト３８として使用してもよい。
【００９１】
続いて、図９（ａ）に示すように、第３実施形態で説明した導体プレート３４を基板３５に対向させる。そして、導体プレート３４を基板３５に向けて下降させることにより、導体プレート３４の第１の突起３４ａの先端部分に低融点金属ペースト３８を転写する。
【００９２】
そして、図９（ｂ）に示すように、導体プレート３４を１５０〜２５０℃程度の温度に加熱して低融点金属ペースト３８中の溶媒成分を蒸散させる。なお、導体プレート３４の加熱の仕方は特に限定されず、ホットプレートや炉を用いて導体プレート３４を加熱し得る。
【００９３】
その後、図１０（ａ）に示すように、第３実施形態に従って回路基板３０上に塗布された樹脂層３３に、上記の導体プレート３４の凸パターン３４ｗを埋め込む。
【００９４】
そして、凸パターン３４ｗの埋め込みと同時、若しくは凸パターン３４ｗが電極パッド３２に当接した後に、低融点金属ペースト３８を加熱して溶融させ、この低融点金属ペースト３８を介して第１の突起と電極パッド３２とを接合する。
【００９５】
低融点金属ペースト３８の加熱方法は特に限定されないが、本実施形態ではホットプレート又は炉を用いて、２００〜２４０℃程度の温度に低融点金属ペースト３８を加熱する。
【００９６】
なお、凸パターン３４ｗを埋め込むときの樹脂層３３の状態は特に限定されないが、樹脂層３３として熱硬化性樹脂を用いる場合には、事前の加熱によって半硬化となった樹脂層３３に凸パターン３４ｗを埋め込むのが好ましい。
【００９７】
また、樹脂層３３として熱硬化性樹脂を用いる場合には、凸パターン３４ｗの埋め込みと同時に加熱により樹脂層３３を軟化させるのが好ましい。その場合、樹脂層３３を軟化させるための加熱が、低融点金属ペースト３８を溶融するための加熱を兼ねてもよい。
【００９８】
そして、樹脂層３３を硬化させた後、図１０（ｂ）に示すように、樹脂層３３が現れるまで導体プレート３４の他方の主面３４ｙに対して研磨、CMP、又は切削を行い、凸パターン３４ｗを樹脂層３３に導体パターン３４ｚとして残す。
【００９９】
以上により、本実施形態に係る電子部品の製造工程の主要工程が終了したことになる。
【０１００】
上記した本実施形態によれば、図９（ｂ）に示したように、凸パターン３４ｗの先端に低融点金属ペースト３８を固着したので、その低融点金属ペースト３８によって凸パターン３４ｗと電極パッド３２との接合強度を増加させることができる。
【０１０１】
更に、低融点金属ペースト３８によって凸パターン３４ｗと電極パッド３２との接触面積も拡大するので、これらの間の電気抵抗を低減することも可能となる。
【０１０２】
（５）第５実施形態
第１〜第４実施形態で説明したように、導体プレートの凸パターンを利用することにより微細な導体パターンを形成することができる。
【０１０３】
但し、微細な導体パターンが不要な層には、従来のサブトラクト法やセミアディティブ法により導体パターンを形成し得る。
【０１０４】
本実施形態では、そのような従来方法を併用しながら、回路基板上に半導体素子を実装してなるモジュールを電子部品として作製する。
【０１０５】
図１１〜図１６は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。なお、これらの図において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ要素を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０６】
この電子部品を作製するには、まず、第１実施形態で説明した図１（ａ）〜図２（ａ）の工程を行った後、図１１（ａ）に示すように、第１の樹脂層１３と第１の導体パターン１４ｚのそれぞれの上に、熱硬化性樹脂よりなる第２の樹脂層１７を形成する。
【０１０７】
その熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【０１０８】
なお、これらの熱硬化性樹脂に代えて、熱可塑性樹脂を使用してもよい。
【０１０９】
そして、第２の樹脂層１７を硬化した後に、図１１（ｂ）に示すように、第２の樹脂層１７にエキシマレーザ等のレーザ光を照射して、第１の導体パターン１４ｚが露出するホール１７ａを形成する。そのホール１７ａの直径は特に限定されないが、本実施形態では２０〜５０μm程度とする。
【０１１０】
次に、図１２（ａ）に示すように、ホール１７ａの内面と第２の樹脂層１７の上面に、スパッタ法により銅膜を０．１μm程度の厚さに形成し、その銅膜をシード層４０とする。
【０１１１】
なお、スパッタ法に代えて、無電解めっきによりそのシード層４０を形成してもよい。
【０１１２】
その後に、図１２（ｂ）に示すように、シード層４０の上に液状のフォトレジスト４１を塗布し、それをベークして半硬化の状態とする。なお、このように液状のフォトレジストを用いるのではなく、フィルム状のフォトレジスト４１をシード層４０上に貼付するようにしてもよい。
【０１１３】
続いて、図１３（ａ）に示すように、フォトレジスト４１を露光、現像し、フォトレジスト４１に配線形状の窓４１ａを形成する。
【０１１４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、シード層４０を給電層にしながら電解めっきを行うことにより、窓４１ａ内のシード層４０上に５〜３０μm程度の厚さの導電層４２を形成する。
【０１１５】
なお、電解めっきに代えて、蒸着法や印刷法により導電層４２を形成してもよい。このうち、印刷法を使用する場合は、銅等の導電性ナノ粒子を含有したナノペーストを窓４１ａ内のシード層４０上にインクジェット方式で印刷することで、導電層４２を形成し得る。
【０１１６】
その後に、図１４（ａ）に示すようにフォトレジスト４１を除去する。
【０１１７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、エッチング液として過酸化水素に硫酸系の溶液を加えた薬液等を使用しながら、導電層４２が形成されていない部分のシード層４０をウエットエッチングして除去すると共に、エッチングされないシード層４０と導電層４２を第２の導体パターン４５とする。このような第２の導体パターン４５の形成方法はセミアディティブ法と呼ばれる。
【０１１８】
ここまでの工程により、透明支持基板１１の上には、第１及び第２の樹脂層１３、１７と第１及び第２の導体パターン１４ｚ、４５とを有する回路基板４９が形成されたことになる。
【０１１９】
続いて、図１５（ａ）に示すように、第２の導体パターン４５の上に接着層４７を介して素子搭載用透明支持基板４６を貼付する。この素子搭載用透明支持基板４６は、ガラス基板のような透光性のであるのが好ましい。
【０１２０】
また、接着層４７としては、紫外線の照射によって接着力が低下するUVテープや、加熱によって接着力が低下する熱発泡粘着フィルム等を使用するのが好ましい。
【０１２１】
そして、透明支持基板１１を通して接着層１２に紫外線を照射することにより接着層１２の接着力を低下させた後、図１５（ｂ）に示すように、第１の樹脂層１３から透明支持基板１１を剥離する。
【０１２２】
なお、接着層１２として熱発泡粘着フィルムを使用する場合は、接着層１２を加熱してその接着力を低下させ、上記のように透明支持基板１１を剥離すればよい。
【０１２３】
このように透明支持基板１１を剥離することで、第１の樹脂層１３の底面に第１の導体パターン１４ｚが表出することになる。
【０１２４】
次に、図１６（ａ）に示すように、素子搭載用透明支持基板４６を下側にし、表出している第１の導体パターン１４ｚに半導体素子５１の外部接続端子５２を接合する。外部接続端子５２は、例えば金バンプよりなり、超音波接合によって第１の導体パターン１４ｚ上に接合される。
【０１２５】
なお、このような超音波接合に代えて、低融点はんだや異方性導電フィルムを介して外部接続端子５２と第１の導体パターン１４ｚとを電気的に接続するようにしてもよい。
【０１２６】
また、素子搭載用透明支持基板４６により回路基板４９を支持しながら本工程を行うことにより、回路基板４９の撓みを抑えながらその上に半導体素子５１を接合でき、接合時の回路基板４９の操作性が向上する。
【０１２７】
その後、図１６（ｂ）に示すように、素子搭載用透明支持基板４６を通した紫外線照射により接着層４７の接着力を弱めた後、回路基板４９から素子搭載用支持基板４６を剥離する。
【０１２８】
なお、接着層４７として熱発泡フィルムを使用する場合には、加熱によって接着層４７の接着力を低下させればよい。
【０１２９】
以上により、回路基板４９上に半導体素子５１を搭載してなるモジュールが完成した。
【０１３０】
本実施形態によれば、回路基板４９のうち半導体素子５１に近い側の第１の導体パターン１４ｚを第１実施形態に従って形成したので、第１実施形態で説明した理由により第１の導体パターン１４ｚの幅を微細にすることができる。
【０１３１】
また、半導体素子５１よりも離れており配線幅の微細化が不要な第２の導体パターン４５については、従来から手法が確立されているセミアディティブ法により形成することで、量産工場内にある既存の製造設備を活かしてモジュールを作製することが可能となる。
【０１３２】
なお、回路基板４９に搭載する素子は半導体素子５１に限定されず、任意の電子素子、例えばキャパシタや抵抗素子であってもよい。
【０１３３】
（６）第６実施形態
本実施形態では、多層回路基板に半導体素子を搭載してなるモジュールを以下のようにして製造する。
【０１３４】
図１７〜図２０は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。
【０１３５】
この電子部品を製造するには、まず、図１７に示すように、多層回路基板１１０を用意する。
【０１３６】
その多層回路基板１１０は、複数の配線パターン９２〜９８と絶縁層９１とを交互に積層してなる。このうち、各配線パターン９２〜９８は例えば銅膜よりなり、絶縁層９１はエポキシ樹脂等よりなる。
【０１３７】
そして、この多層回路基板１１０を貫通するようにスルーホール９１ｃが形成され、その内面に形成されたスルーホール内銅めっき膜１０２により、最下層の配線パターン９２と最上層の配線パターン９８とが電気的に接続される。
【０１３８】
最上層の配線パターン９８は、絶縁層９１のビアホール９１ａの内面にも形成されており、このビアホール９１ａの形状を反映した凹部９８ａが配線パターン９８に形成される。
【０１３９】
本工程では、このようにして用意した多層回路基板１１０の最上層に熱硬化性の樹脂層１０３を形成する。
【０１４０】
その樹脂層１０３として使用し得る熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【０１４１】
これらの熱硬化性樹脂を使用する場合は、樹脂層１０３を形成した後に、加熱により樹脂層１０３を半硬化の状態にするのが好ましい。
【０１４２】
なお、このような熱硬化性樹脂に代えて、熱可塑性樹脂を使用してもよい。
【０１４３】
その後に、一方の主面１００ｘに凸パターン１００ｗが形成された導体プレート１００を樹脂層１０３の上方に配置し、多層回路基板１１０と導体プレート１００との位置合わせを行う。
【０１４４】
導体プレート１００は、例えば銅や銅合金よりなり、突起１００ａと配線形状の凸部１００ｃとを有する。このうち、突起１００ａは、図示のような先の尖った錐状先端を有していてもよい。
【０１４５】
次に、図１８に示すように、半硬化の状態にある樹脂層１０３に導体プレート１００を押し当て、樹脂層１０３に凸パターン１００ｗを埋め込み、突起１００ａを凹部９８ａに嵌入させ、突起１００ａを潰して凹部９８ａに密着させる。
【０１４６】
その後に、樹脂層１０３を加熱して硬化させる。
【０１４７】
なお、樹脂層１０３の材料として熱可塑性樹脂を用いる場合には、加熱により樹脂層１０３を軟化させるのと同時に樹脂層１０３に凸パターン１００ｗを埋め込むのが好ましい。この場合は、凸パターン１００ｗを埋め込んだ後に樹脂層１０３を冷却して硬化させることになる。
【０１４８】
また、突起１００ａを凹部９８ａに嵌入させ、突起１００ａを潰して凹部９８ａに密着させた後、導体プレート１００と多層回路基板１１０との間に樹脂１０３を注入し、樹脂１０３を加熱により硬化させてもよい。
【０１４９】
続いて、図１９に示すように、樹脂層１０３の表面が現れるまで導体プレート１００の他方の主面１００ｙに対して研磨、CMP、切削、又は研削を行い、凸パターン１００ｗを樹脂層１０３に導体パターン１００ｚとして残す。
【０１５０】
その導体パターン１００ｚの平面レイアウトは特に限定されない。例えば、最上層の配線パターン９８のうち、グランドパターンとなるものの上方に導体パターン１００ｚを形成し、これら配線パターン９８と導体パターン１００ｚとをマイクロストリップ線路構造にしてもよい。
【０１５１】
その後に、図２０に示すように、樹脂層１０３に表出している導体パターン１００ｚに半導体素子１１５の外部接続端子１１６を接合する。外部接続端子１１６は、例えば金バンプよりなり、超音波接合によって導体パターン１００ｚ上に接合される。
【０１５２】
なお、このような超音波接合に代えて、低融点はんだや異方性導電フィルムを介して外部接続端子１１６と導体パターン１００ｚとを電気的に接続するようにしてもよい。
【０１５３】
以上により、回路基板１１０上に半導体素子１１５を搭載してなるモジュールの基本構造が完成した。
【０１５４】
上記した本実施形態では、導体プレート１００の凸パターン１００ｗを利用して導体パターン１００ｚを形成し、この導体パターン１００ｚにより半導体素子１１５と多層回路基板１００とを電気的に接続する。
【０１５５】
これにより、半導体素子１１５の品種や世代によって外部接続端子１１６の配列が変更された場合でも、その配列に応じて導体パターン１００ｚと最上層の配線パターン９８のレイアウトを設計し直すのみで、多層回路基板１００上に半導体素子１１５を搭載できる。そのため、多層回路基板１００に大きな設計変更を行わなくても、多層回路基板１００に様々な半導体素子１１５を搭載できるようになる。
【０１５６】
なお、多層回路基板１００に搭載する素子は半導体素子１１５に限定されず、任意の電子素子、例えばキャパシタや抵抗素子であってもよい。
【０１５７】
（７）第７実施形態
上記した第１〜第６実施形態では、樹脂層を形成する工程の後に当該樹脂層に導体プレートを押し当てる工程を行ったが、本実施形態ではこれらの工程の順序を以下のように逆にする。
【０１５８】
図２１〜図２２は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。
【０１５９】
まず、図２１（ａ）に示すように、樹脂基材１２１の表面に例えば５〜１０μm程度の厚さの銅膜等よりなる電極パッド１２２が形成された回路基板１２０を用意する。
【０１６０】
なお、樹脂基材１２０に代えて、絶縁層と配線層とが交互に複数形成されたビルドアップ基板を用いてもよい。
【０１６１】
そして、導体プレート１２４を回路基板１２０の上方に配置し、回路基板１２０と導体プレート１２４との位置合わせを行う。
【０１６２】
その導体プレート１２４は、高さの異なる二水準の第１及び第２の凸部１２４ａ、１２４ｂが形成された凸パターン１２４ｗを一方の主面１２４ｘに有する。また、導体プレート１２４の材料としては、配線抵抗の低減に有用な銅や銅合金を用いるのが好ましい。
【０１６３】
ここで、凸パターン１２４ｗや電極パッド１２４の表面には自然酸化膜が形成されているので、本工程においてその自然酸化膜を除去しておくのが好ましい。自然酸化膜が厚さ１００nm程度の銅酸化膜である場合、酢酸等の有機酸やTMAH（水酸化テトラメチルアンモ
ニウム）の希釈液に導体プレート１２４や電極パッド１２４の表面を曝すことで、その自然酸化膜を容易に除去することができる。
【０１６４】
次いで、図２１（ｂ）に示すように、窒素等の不活性ガスの雰囲気中において、導体プレート１２４と電極パッド１２２とを加熱しながら、電極パッド１２２に導体プレート１２４を押し当てる。
【０１６５】
このときの加熱温度や押圧力は特に限定されないが、本実施形態では、加熱温度を２００℃、押圧力を数１００Pa、押圧時間を数１０分とする。導体パッド１２２や導体プレート１２４の表面の自然酸化膜が数nm以下になっている場合、このような条件を採用することで第１の凸部１２４ａと導体パッド１２２とが金属接合するようになる。
【０１６６】
また、本工程を上記のように不活性ガスの雰囲気中で行うことで、第１の凸部１２４ａや導体パッド１２２の表面に自然酸化膜が形成するのを抑制しつつ、第１の凸部１２４ａと導体パッド１２２とを金属接合させることができる。
【０１６７】
或いは、不活性ガスに代えて還元性ガスの雰囲気中で本工程を行ってもよい。これにより、更に良好な金属接合を得ることができる。そのような還元性ガスとしては、例えば、数１０ppm〜数%の濃度でギ酸（HCOOH）が混入した窒素ガスがある。
【０１６８】
続いて、図２２（ａ）に示すように、ノズル１２６から熱硬化性の樹脂を滴下し、毛細管現象を利用して導体プレート１２４と回路基板１２０との間に樹脂を隙間なく充填し、樹脂層１２３を形成する。
【０１６９】
樹脂層１２３の材料は特に限定されない。本実施形態では、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等のいずれかの材料で樹脂層１２３を形成し得る。
【０１７０】
その後に、樹脂１２３を加熱して硬化させる。
【０１７１】
次に、図２２（ｂ）に示すように、樹脂層１２３の表面が現れるまで導体プレート１２４の他方の主面１２４ｙに対して研磨、CMP、又は切削を行うことにより、凸パターン１２４ｗを樹脂層１２３に導体パターン１２４ｚとして残す。
【０１７２】
その導体パターン１２４ｚのうち、第１の突起１２４ａに対応する部分は導体プラグとして機能し、第２の突起１２４ｂに対応する部分は配線として機能する。
【０１７３】
以上により、本実施形態に係る電子部品の製造工程の主要工程が終了したことになる。
【０１７４】
本実施形態によれば、樹脂層１２３の形成前に、図２１（ｂ）に示したように導体プレート１２４と電極パッド１２２とを金属接合させる。よって、導体プレート１２４と電極パッド１２２との間に樹脂層１２３が介在する余地がなくなり、導体プレート１２４と電極パッド１２２との接続の信頼性を向上させることが可能となる。
【０１７５】
（８）第８実施形態
本実施形態では、以下に説明するように、複数の回路基板を接続するのに導体プレートを使用する。
【０１７６】
図２３〜図２５は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。
【０１７７】
まず、図２３（ａ）に示すように、下地として供せられる第１の回路基板１３１と第２の回路基板１３２を水平面内に並べて用意する。
【０１７８】
各回路基板１３１、１３２は、ビアホール１３０ａが形成された樹脂基材１３０を備えており、そのビアホール１３０ａの内面と樹脂基材１３０の上面に銅膜等をパターニングしてなる電極パッド１３８が形成される。
【０１７９】
そして、これらの基板１３１、１３２の繋ぎ目に重なるように、一方の主面１４０ｘに凸パターン１４０ｗを備えた導体プレート１４０を配置する。凸パターン１４０ｗは、突起１４０ａと配線形状の凸部１４０ｃとを有し、各回路基板１３１、１３２との位置合わせによって突起１４０ａはビアホール１３０ａの上方に配される。
【０１８０】
なお、導体プレート１４０の材料は限定されないが、その材料として配線抵抗の低減に有用な銅や銅合金を用いるのが好ましい。
【０１８１】
次いで、図２３（ｂ）に示すように、ビアホール１３０ａを反映して各電極パッド１３８の表面に形成された凹部１３８ａに突起１４０ａを嵌入する。これにより、各回路基板１３１、１３２が導体プレート１４０によって機械的に結合される。
【０１８２】
次に、図２４（ａ）に示すように、毛細管現象を利用して、各回路基板１３１、１３２の各主面１３１ｘ、１３２ｘと導体プレート１４０との間の隙間に熱硬化性の樹脂を隙間なく充填し、樹脂層１３９を形成する。
【０１８３】
その樹脂層１３９に使用し得る樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【０１８４】
その後、その樹脂層１３９を加熱して熱硬化させる。
【０１８５】
ここで、図２４（ａ）の点線円内に示すように、樹脂層１３９の形成前に電極パッド１３８に突起１４０ａを押し当てて当該突起１４０ａの先端を横方向に潰しておくのが好ましい。このようにすると、樹脂層１３９から導体プレート１４０が抜け落ちようとするのを潰れた突起１４０ａによって阻止することができる。しかも、突起１４０ａの先端が潰れたことで、電極パッド１３８と突起１４０ａとの接触面積が増大し、突起１４０ａと電極パッド１３８とのコンタクト抵抗を低減できる。
【０１８６】
続いて、図２４（ｂ）に示すように、樹脂層１３９の表面が現れるまで導体プレート１４０の他方の主面１４０ｙを砥石２３３で研磨し、凸パターン１４０ｗ（図２３（ａ）参照）を樹脂層１３９に導体パターン１４０ｚとして残す。なお、研磨に代えて、CMPや研削で本工程を行うようにしてもよい。
【０１８７】
その後に、図２５に示すように、上記の導体パターン１４０ｚに第１の半導体素子１５４をフリップチップ接続すると共に、各回路基板１３１、１３２の電極パッド１３８に第２〜第６の半導体素子１５２〜１５６をフリップチップ接続する。
【０１８８】
このうち、第１の半導体素子１５１は、はんだバンプ等の第１の外部接続端子１５１ａにより導体パターン１４０ｚと電気的かつ機械的に接続される。また、第２〜第６の半導体素子１５２〜１５６は、はんだバンプ等の第２〜第６の外部接続端子１５２ａ〜１５６ａを介して電極パッド１３８と電気的かつ機械的に接続される。
【０１８９】
以上により、本実施形態に係る電子部品１４９の基本構造が完成したことになる。
【０１９０】
上記した本実施形態によれば、図２４（ｂ）に示したように、導体プレート１４０を利用して形成された導体パターン１４０ｚと樹脂層１３９とにより二つの回路基板１３１、１３２が結合された新規な構造が得られる。これによれば、異種の回路基板１３１、１３２を繋げて様々な外形サイズの電子部品１４９を得ることができる。
【０１９１】
なお、上記では図２３（ｂ）のように各回路基板１３１、１３２を導体プレート１４０で繋いだ後に、図２４（ａ）のように樹脂層１３９を形成したが、本実施形態はこれに限定されない。
【０１９２】
図２６（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る電子部品の別の製造方法について示す断面図である。
【０１９３】
この例では、図２６（ａ）のように先に樹脂層１３９を形成し、その後に図２６（ｂ）のように樹脂層１３９に導体プレート１４０の凸パターン１４０ｗを埋め込む。このようにしても、異種の回路基板１３１、１３２を組み合わせて様々な外形サイズの電子部品１４９を得ることができる。
【０１９４】
また、この場合も、点線円内に示すように、電極パッド１３８に突起１４０ａを押し当てて該突起１４０ａを横方向に潰すことで、樹脂層１３９から導体プレート１４０が抜け落ちるのを防止でき、突起１４０ａと電極パッド１３８とのコンタクト抵抗を低減できる。
【０１９５】
更に、繋げる回路基板１３１、１３２の個数も２個に限定されず、３個以上の回路基板を導体プレート１４０で繋げるようにしてもよい。
【０１９６】
（９）第９実施形態
本実施形態では、導体プレートから得られた導体パターンと、半導体素子のはんだバンプとの接続信頼性を向上させ得る電子部品について説明する。
【０１９７】
図２７〜図３２は、本実施形態に係る電子部品の製造途中の断面図である。なお、これらの図において、第６実施形態で説明したのと同じ要素には第６実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１９８】
まず、図２７に示すように、多層回路基板１１０と導体プレート１００とを用意する。このうち、導体プレート１００は、一方の主面１００ｘに凸パターン１００ｗが形成されている。
【０１９９】
本実施形態では、その凸パターン１００ｚは、第６実施形態で説明した突起１００ａ（図１７参照）の他に、高さが異なる二水準の第１の凸部１００ｂと第２の凸部１００ｃとを有する。
【０２００】
そして、突起１００ａがビアホール９１ａの上方に位置するように、導体プレート１００と多層回路基板１１０との位置合わせをする。
【０２０１】
次いで、図２８に示すように、ビアホール９１ａの形状を反映した配線パターン９８の凹部９８ａに突起１００ａを嵌入し、回路基板１１０に導体プレート１００を固定する。
【０２０２】
続いて、図２９に示すように、毛細管現象を利用して多層回路基板１１０と導体プレート１００との間の隙間に熱硬化性の樹脂を隙間なく充填し、樹脂層１０３を形成する。
【０２０３】
樹脂層１０３の材料は特に限定されないが、本実施形態では、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等のいずれかの材料で樹脂層１０３を形成する。
【０２０４】
その後に、樹脂層１０３を加熱して硬化する。
【０２０５】
次に、図３０に示すように、樹脂層１０３の表面が現れるまで導体プレート１００の他方の主面１００ｙを砥石２３３で研磨し、凸パターン１００ｗを樹脂層１０３に導体パターン１００ｚとして残す。なお、研磨に代えて、CMPや研削で本工程を行うようにしてもよい。
【０２０６】
この後は、導体パターン１００ｚの上に半導体素子のはんだバンプを接合する工程に移るが、上記のように研磨を行った直後の研磨面は、溶融したはんだが濡れ広がりやすい状態となっている。よって、この状態で導体パターン１００ｚの上にはんだバンプを接合しようとすると、隣接する導体パターン１００ｚ同士が濡れ広がったはんだによって電気的にショートするおそれがある。また、このようにはんだが濡れ広がることで、導体パターン１００ｚにおいてはんだバンプが当接する部分のはんだ量が不足し、はんだバンプと導体パターン１００ｚとが電気的にオープンになるおそれもある。
【０２０７】
そのようなはんだの濡れ広がりを防止すべく、次の工程では、図３１に示すように、樹脂層１０３と導体パターン１００ｚのそれぞれの上面を覆うように、熱硬化性樹脂の塗膜１１８を形成する。その熱硬化性樹脂の材料は特に限定されないが、後述の半導体素子と多層回路基板１１０との接着強度を高めるという観点から、接着性のある熱硬化性樹脂を採用するのが好ましい。そのような熱硬化性樹脂として、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、及びベンゾシクロブテン等がある。
【０２０８】
そして、この塗膜１１８が形成された状態で、多層回路基板１１０の上方に半導体素子１１５を用意し、多層回路基板１１０に向かってその半導体素子１１５を下ろす。その半導体素子１１５の主面には、はんだバンプ等の低融点金属を材料とする突起電極１１７が設けられる。
【０２０９】
このようにすると、図３２に示すように、突起電極１１７が塗膜１１８を押し退けて導体パターン１００ｚに当接する。
【０２１０】
そして、この状態で、塗膜１１８の硬化温度と突起電極１１７の融点の双方よりも高い温度に塗膜１１８と突起電極１１７を加熱する。これにより、溶融した突起電極１１７が横方向に広がるのを塗膜１１８で防止しつつ、塗膜１１８を熱硬化させることができる。
【０２１１】
その後に、塗膜１１８と突起電極１１７の加熱を停止することにより、溶融していた突起電極１１７を固化し、当該突起電極１１７を介して半導体素子１１５を多層回路基板１１０に電気的かつ機械的に接続する。
【０２１２】
以上により、本実施形態に係る電子部品１１９の基本構造が完成した。
【０２１３】
上記のように、本実施形態では、溶融した突起電極１１７が濡れ広がるのを樹脂の塗膜１１８により防ぐことができるので、隣接する導体パターン１００ｚ同士がその突起電極１１７によって電気的にショートするのを防止できる。
【０２１４】
しかも、突起電極１１７が濡れ広がらないことから、導体パターン１００ｚにおいて突起電極１１７が当接する部分のはんだ量不足を解消でき、突起電極１１７と導体パターン１００ｚとが電気的にオープンになる危険性を低減できる。
【０２１５】
更に、その塗膜１１８は接着性を有しているため、塗膜１１８によって多層回路基板１１０と半導体素子１１５との機械的な接続強度を補強することができる。
【０２１６】
ところで、図２７を参照して説明したように、導体パターン１００ｚの基となる凸パターン１００ｗは、高さの異なる第１の凸部１００ｂと第２の凸部１００ｃとを有する。そのような高さの相違に起因して、導体パターン１００ｚには以下のように厚さの異なる二種類の部分が形成されることになる。
【０２１７】
図３３はこの電子装置１１９の拡大平面図であり、図３４は図３３のI−I線に沿う断面図である。
【０２１８】
図３４に示されるように、導体パターン１００ｚは、第１の部分１００ｆと第２の部分１００ｅとを有する。このうち、第２の部分１００ｅは、凸パターン１００ｗの第１の凸部１００ｂに起因して形成されたものであって、第２の凸部１００ｃに起因して形成された第１の部分１００ｆよりも厚い。
【０２１９】
本実施形態では、このような導体パターン１００ｚの第２の部分１００ｅ上に突起電極１１７が接合される。
【０２２０】
突起電極１１７は、はんだ等の低融点金属を含んでいるため、その低融点金属と導体パターン１００ｚとの化合物よりなる化合物層１００ｇが第２の部分１００ｅに形成される。
【０２２１】
周囲の導体パターン１００ｚとは異なる結晶構造を有する化合物層１００ｇは、その形成過程で堆積が収縮し、化合物層１００ｇと周囲の導体パターン１００ｚとの間にクラックが形成され易い。
【０２２２】
仮にそのようなクラックが形成されたとしても、そのクラックの形成部位は、突起電極１１７の直下にある第２の部分１００ｅである。第２の部分１００ｅは、第１の部分１００ｆよりも厚く形成されているので、仮にクラックが形成されたとしても、クラックによって第２の部分１００ｅが基板垂直方向に分断されることはなく、クラックによって導体パターン１００ｚが断線することはない。
【０２２３】
一方、図３５は、比較例に係る電子装置の断面図である。
【０２２４】
この比較例では、導体パターン１００ｚに第２の部分１００ｅを形成せず、導体パターン１００ｚを上記の第１の部分１００ｆと同程度の薄さに形成している。
【０２２５】
この場合、化合物層１００ｇとその周囲の導体パターン１００ｚのそれぞれの結晶構造の違いに起因したクラックCが導体パターン１００ｚに形成される。本例に係る導体パターン１００ｚは、その全体が上記した第１の部分１００ｆと同程度に薄く形成されているため、クラックCが導体パターン１００ｚを基板垂直方向に横断し、導体パターン１００ｚが断線してしまう。
【０２２６】
これに対し、本実施形態では上記のように膜厚が厚い第２の部分１００ｅを形成するので、このようなクラックに起因した導体パターン１００ｚの断線を防止できる。
【０２２７】
（１０）第１０実施形態
本実施形態では、第１〜第６実施形態で説明した導体プレートの型の作製方法について説明する。
【０２２８】
・第１例
本例は、図１（ａ）に示したような高さの異なる二水準の凸部１４ａ、１４ｂを備えた導体プレート１４の型の作製方法に関する。
【０２２９】
図３６〜図４０は、その導体プレートの型の製造途中の断面図である。
【０２３０】
その型を作製するには、まず、図３６（ａ）に示すように、シリコン基板７０の上側全面に第１のフォトレジスト７１を塗布し、それをベークして半硬化の状態とする。
【０２３１】
次に、図３６（ｂ）に示すように、クロム膜等の遮光膜よりなるマスクパターン（不図示）が形成された第１の露光マスク７２をシリコン基板７０の上方に配置する。そして、その第１の露光マスク７２を通じて露光光を第１のフォトレジスト７１に照射することにより、第１のフォトレジスト７１を露光する。
【０２３２】
なお、このようにシリコン基板７０の上方に露光マスク７２を配置するのではなく、ステッパ等の露光装置を用いて第１のフォトレジスト７１を露光するようにしてもよい。
【０２３３】
次いで、図３７（ａ）に示すように、第１のフォトレジスト７１を現像して窓７１ａを形成し、その窓７１ａを通じてシリコン基板７０をRIE(Reactive Ion Etching)によりドライエッチングして、シリコン基板７０に第１の溝７０ａを形成する。
【０２３４】
このドライエッチングの条件は特に限定されないが、本実施形態では、反応性ガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして使用する。このうち、反応性ガスとしては、F2、SF6、CF4、及びC4F8のいずれかのフッ素系ガスを使用し得る。或いは、Cl2又はH2を反応性ガスとして使用してもよい。また、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスがある。
【０２３５】
なお、このようなドライエッチングに代えて、フッ酸又はKOH等のエッチング液を使用するウエットエッチングを行ってもよい。
【０２３６】
このエッチングを終了後、第１のフォトレジスト７１は除去される。
【０２３７】
次に、図３７（ｂ）に示すように、シリコン基板７０の上側全面に第２のフォトレジスト７３を形成した後、この第２のフォトレジスト７３をベークして半硬化の状態にする。
【０２３８】
その後、図３８（ａ）に示すように、シリコン基板７０の上方に第２の露光マスク７４を配置し、その第２の露光マスク７４を通して第２のフォトレジスト７３に露光光を照射する。これにより、第２の露光マスク７４に形成されたクロム膜等の遮光膜よりなるマスクパターン（不図示）が第２のフォトレジスト７３に投影され、第２のフォトレジスト７３が露光されることになる。
【０２３９】
なお、ステッパ等の露光装置を用いてこの露光を行ってもよい。
【０２４０】
続いて、図３８（ｂ）に示すように、第２のフォトレジスト７３を現像して窓７３ａを形成し、その窓７３ａを通じてシリコン基板７０をRIEによりドライエッチングする。これにより、シリコン基板７０には、第１の溝７０ａよりも深い第２の溝７０ｂが形成される。
【０２４１】
このエッチングで使用されるエッチングガスは、第１の溝７０ａを形成するときと同様に、反応性ガスと不活性ガスとの混合ガスである。その反応性ガスとしては、F2、SF6、CF4、及びC4F8のいずれかのフッ素系ガス、或いはCl2又はH2が使用される。そして、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスが使用される。
【０２４２】
このエッチングを終了後、第２のフォトレジスト７３を除去することにより、図３９（ａ）に示すような母型７７が得られる。
【０２４３】
次いで、図３９（ｂ）に示すように、第１及び第２の溝７０ａ、７０ｂを埋め込むように母型７７上に金属層を形成し、この金属層よりなる第１の子型７８を形成する。その金属層は、例えば、電解めっきにより形成されたニッケル層である。
【０２４４】
そして、母型７７から第１の子型７８を外した後、図４０（ａ）に示すように、樹脂によって第１の子型７８の型取りを行い、その樹脂よりなる第２の子型８０を得る。なお、樹脂で型取りをするのではなく、ニッケルの電鋳により第１の子型８０の型取りを行い、第２の子型を作製してもよい。
【０２４５】
この後は、図４０（ｂ）に示すように、第１の子型７８から第２の子型８０を外す。
【０２４６】
以上により、導体プレート１４（図１（ａ）参照）を形成するための第２の子型８０が完成した。
【０２４７】
導体プレート１４の作製にあたっては、例えば第２の子型８０の表面に無電解銅めっきと電解銅めっきをこの順に行う。そして、これらのめっき膜を第２の子型８０から外すことにより、銅よりなる導体プレート１４を作製し得る。
【０２４８】
また、一つの第２の子型８０から複数の導体プレート１４を同じ形状及び同じ品質で作り出すことができ、導体プレート１４を安価に大量生産することができる。
【０２４９】
・第２例
本例は、図６（ａ）に示したような錐状先端の突起３４ａを備えた導体プレート３４の型の作製方法に関する。
【０２５０】
図４１〜図４３は、その導体プレートの型の製造途中の断面図である。
【０２５１】
その型を作製するには、まず、第１例で説明した図３６（ａ）〜図３８（ｂ）の工程を行うことにより、図４１（ａ）に示すように、シリコン基板７０に第１及び第２の溝７０ａ、７０ｂが形成された状態にする。
【０２５２】
次いで、図４１（ｂ）に示すように、第２のフォトレジスト７３の上方に、開口８１ａを備えたメタルマスク８１を配置する。そして、その窓８１ａが第２のフォトレジスト７３の窓７３ａの上方に位置するように、シリコン基板７０とメタルマスク８１との位置合わせを行う。
【０２５３】
続いて、図４２（ａ）に示すように、メタルマスク８１の窓８１ａ下のシリコン基板７０をRIEによりドライエッチングする。
【０２５４】
このドライエッチングでは、反応性ガスと不活性ガスとの混合ガスがエッチングガスとして使用される。このうち、反応性ガスとしては、F2、SF6、CF4、及びC4F8のいずれかのフッ素系ガスを使用し得る。或いは、Cl2又はH2を反応性ガスとして使用してもよい。また、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスがある。
【０２５５】
そして、このエッチングガスにおける反応性ガスの流量比を、第２の溝７０ｂを形成したときにおけるよりも低減することにより、反応ガスによる横方向のエッチング作用が弱まり、図示のように第２の溝７０ｂの底部をテーパ状にエッチングすることが可能となる。
【０２５６】
その後、図４２（ｂ）に示すように、第２のフォトレジスト７３を除去することにより母型８５が完成する。
【０２５７】
この後は、第１例で説明した図３９（ｂ）〜図４０（ｂ）の工程を行うことで、図４３に示すように、導体プレート３４（図６（ａ））を形成するための樹脂又は電鋳よりなる子型８６が完成する。
【０２５８】
導体プレート３４の作製にあたっては、子型８６の表面に無電解銅めっきと電解銅めっきをこの順に行う。そして、これらのめっき膜を子型８６から外すことにより、銅よりなる導体プレート３４を作製し得る。
【０２５９】
上記した子型８６の作製方法では、図４２（ａ）のエッチング工程において、第２の溝７０ｂを形成するときよりも反応性ガスの流量比を少なくすることにより、溝７０ｂの底面をテーパ状にすることができる。これにより、図４３に示した子型８６に、錐状先端の突起３４ａ（図６（ａ）参照）に対応した溝８６ａを形成することが可能となる。
【０２６０】
・第３例
本例では、二層のレジストパターンを利用することにより、図１（ａ）のような高さの異なる二水準の凸部１４ａ、１４ｂを備えた導体プレート１４の型を製造する。
【０２６１】
図４４〜図４８は、その導体プレートの型の製造途中の断面図である。
【０２６２】
まず最初に、図４４（ａ）に示すように、シリコン基板１５０の上にポジ型の第１のレジスト層１５１を形成し、その第１のレジスト層１５１をベークして半硬化の状態にする。
【０２６３】
次いで、その第１のレジスト層１５１の上に更にネガ型の第２のレジスト層１５２を形成し、その第２のレジスト層１５２をベークして半硬化の状態にする。
【０２６４】
次に、図４４（ｂ）に示すように、遮光性の第１の露光マスク１５３の窓１５３ａを通じて露光光を第２のレジスト層１５２に照射し、第２のレジスト層１５２に感光部１５２ａを形成する。
【０２６５】
その後に、現像により感光部１５２ａ以外の部分の第２のレジスト層１５２を除去することにより、図４５（ａ）に示すように、第１のレジスト層１５１の上に上側レジストパターン１５２ｂを形成する。
【０２６６】
なお、この現像の際の現像液としては、未感光の第２のレジスト層１５２のみが溶解して第１のレジスト層１５１が溶解しない現像液が使用されるので、現像の後に第１のレジスト層１５１はシリコン基板１５０上に残存する。
【０２６７】
次いで、図４５（ｂ）に示すように、遮光性の第２の露光マスク１５５の窓１５５ａを通じて露光光を第１のレジスト層１５１に照射して、第１のレジスト層１５１に感光部１５１ａを形成する。
【０２６８】
そして、現像により感光部１５１ａを除去することで、図４６（ａ）に示すような下部レジストパターン１５１ｂを形成する。この現像では、感光部１５１ａのみを選択的に除去する現像液を使用するので、現像によって上側レジストパターン１５２ｂが除去されることはない。
【０２６９】
続いて、図４６（ｂ）に示すように、各レジストパターン１５１ｂ、１５２ｂのそれぞれの上に金属層を形成し、この金属層よりなる母型１６０を形成する。その金属層は、例えば、電界めっきにより形成されたニッケル層である。
【０２７０】
そして、各レジストパターン１５１ｂ、１５２ｂのそれぞれをアッシングにより除去した後、図４７（ａ）に示すように、シリコン基板１５０から母型１６０を剥離する。
【０２７１】
次に、図４７（ｂ）に示すように、樹脂によって母型１６０の型取りを行い、その樹脂よりなる子型１６１を得る。なお、樹脂で型取りをするのではなく、ニッケルの電鋳により母型１６０の型取りを行うことで、子型１６１を作製してもよい。
【０２７２】
この後は、図４８に示すように、母型１６０から子型１６１を外す。
【０２７３】
以上により、導体プレート１４（図１（ａ）参照）を作製するための子型１６１が完成した。
【０２７４】
導体プレート１４を作製するには、例えば、子型１６１の表面に無電解銅めっきと電解銅めっきをこの順に行った後、これらのめっき膜を子型１６１から外し、銅よりなる導体プレート１４を作製し得る。
【０２７５】
本例のように子型１６１を作製することで、その子型１６１から同一の品質の導体プレート１４を安価に大量生産することが可能となる。
【０２７６】
（１１）第１１実施形態
本実施形態では、銅の拡散防止に有効な導体プレート１００の作製方法について説明する。
【０２７７】
図４９〜図５１は、本例に係る導体プレートの製造途中の断面図である。
【０２７８】
まず最初に、図４９（ａ）に示すように、第１０実施形態の第３例に従って作製された子型１６１を用意する。なお、この子型１６１に代えて、第１０実施形態の第１例で作製した第２の子型８０や、第１０実施形態の第２例で作製した子型８６を用意してもよい。
【０２７９】
次いで、図４９（ｂ）に示すように、その子型１６１の型面１６１ａにスパッタ法により銅拡散防止膜１７０として窒化チタン膜を１００nm程度の厚さに形成する。
【０２８０】
なお、銅拡散防止膜１７０は窒化チタン膜に限定されない。銅拡散防止膜１７０としては、窒化シリコン膜、チタン膜、タンタル膜、及び窒化タンタル膜のいずれかを形成し得る。
【０２８１】
また、後で形成される導体プレート１００を子型１６１から剥離し易いようにするため、銅拡散防止膜１７０の形成前に、子型１６１の型面１６１ａに有機系の離型剤の層を数nmから１０nm程度の厚さに形成しておいてもよい。
【０２８２】
そして、図５０（ａ）に示すように、銅拡散防止膜１７０の上にシード層１７１として厚さが約１００nmのチタン膜と厚さが約５００nmの銅膜とをこの順にスパッタ法により形成する。
【０２８３】
続いて、図５０（ｂ）に示すように、シード層１７１から給電を行い、該シード層１７１層の上に銅めっき層１７２を形成する。その銅めっき層１７２の厚さは限定されないが、本実施形態では子型１６１の上面から約１０μm以上の厚さに銅めっき層１７２を形成する。
【０２８４】
この後に、子型１６１から銅めっき層１７２を剥離することにより、図５１に示すように、銅めっき層１７２、シード層１７１、及び銅拡散防止膜１７０を備えた導体プレート１００を得ることができる。
【０２８５】
なお、上記では図４９（ｂ）のように子型１６１の型面１６１ａ上に銅拡散防止膜１７０を形成したが、銅拡散防止膜１７０の形成方法はこれに限定されない。例えば、銅拡散防止膜１７０を形成しない状態で導体プレート１００を形成し、その導体プレート１００の完成後にその表面にスパッタ法で銅拡散防止膜１７０を形成するようにしてもよい。
【０２８６】
図５２は、本実施形態に係る銅拡散防止膜１７０を備えた導体プレート１００を利用し、第９実施形態の図２７〜図３２に従って作製した電子部品の拡大断面図である。
【０２８７】
図５２に示すように、上記のように導体プレート１００に銅拡散防止膜１７０を形成したことで、導体パターン１００ｚにも銅拡散防止膜１７０が形成される。これにより、導体パターン１００ｚの銅が樹脂層１０３内に拡散するのが防止され、隣接する導体パターン１００ｚ同士を樹脂層１０３によって良好に絶縁することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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