(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用用のトランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードによって引き起こされる、支払端末における支払トランザクションのあらゆる中断を識別するために、１つ又はそれ以上の試験を前記トランザクションカード上で実行する段階を含み、
前記１つ又はそれ以上の試験は、炭素ベースの磁気ストライプを有する合格基準カードの性能と前記トランザクションカードとを比較し、
前記１つ又はそれ以上の試験は、
前記トランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
前記合格基準カードの基準電圧レベルと比較される前記既知の電圧レベルの値及び前記合格基準カードの放電波形と比較される前記トランザクションカードの放電波形に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択され、
前記基準電圧レベルが、前記合格基準カードの前記炭素ベースの磁気ストライプが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トランザクションカードに前記合格状態及び前記不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部から０．５ｃｍ付近にある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１の場所と、
前記トランザクションカードの第１縁部から１ｃｍ付近にあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部から１ｃｍ付近にある前記トランザクションカード上の第２の場所と、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部から０．５ｃｍ内側の付近にある、前記トランザクションカード上の第３の場所と、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部から０．５ｃｍ付近にある前記磁気ストライプ上の第４の場所と、
前記トランザクションカードの第２縁部から１ｃｍ付近にあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部から１ｃｍ付近にある前記トランザクションカード上の第５の場所と、
前記構成要素の第１縁部と対向する、前記トランザクションカード上の前記構成要素の第２縁部から０．５ｃｍ内側の付近にある第６の場所と、
のうちの１つを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記既知の電圧レベルが、５００ボルトと２００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記放電プローブが、１００ｐＦの静電容量及び１５００オームの抵抗を有する、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードによって引き起こされる、支払端末における支払トランザクションのあらゆる中断を識別するために、１つ又はそれ以上の試験を前記トランザクションカード上で実行する段階を含み、
前記１つ又はそれ以上の試験は、炭素ベースの磁気ストライプを有する合格基準カードの性能と前記トランザクションカードとを比較し、
前記１つ又はそれ以上の試験は、
前記磁気ストライプを含むトランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカードの第１縁部に沿って前記磁気ストライプ上に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部に沿って、前記磁気ストライプ上で前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
前記合格基準カードの前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否か及び前記合格基準カードの放電波形と比較される前記トランザクションカードの放電波形に少なくとも基づいて、前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準放電波形が、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧レベルにおいて前記合格基準カードの前記炭素ベースの磁気ストライプによって示される波形に基づいている、ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記既知の電圧レベルが５０００ボルトを含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記放電プローブが０オームの抵抗を有する、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記放電プローブが１５００オームの抵抗を有する、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードによって引き起こされる、支払端末における支払トランザクションのあらゆる中断を識別するために、１つ又はそれ以上の試験を前記トランザクションカード上で実行する段階を含み、
前記１つ又はそれ以上の試験は、炭素ベースの磁気ストライプを有する合格基準カードの性能と前記トランザクションカードとを比較し、
前記１つ又はそれ以上の試験は、
シェル及び１つ又はそれ以上のピンを含む読取ヘッドを接地電圧レベルに接続する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して、前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを前記読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記読取ヘッドから放電波形を記録する段階と、
前記合格基準カードの基準電圧レベルと比較される前記既知の電圧レベルの値値及び前記合格基準カードの放電波形と比較される前記トランザクションカードの放電波形に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択され、
前記基準電圧レベルが、前記合格基準カードの前記炭素ベースの磁気ストライプが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記トランザクションカードに前記合格状態及び前記不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記読取ヘッドから放電波形を記録する段階が、前記読取ヘッドの少なくとも１つのピンから放電波形を記録する段階を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記読取ヘッドから放電波形を記録する段階が、前記読取ヘッドのシェルから放電波形を記録する段階を含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部から０．５ｃｍ付近にある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１の場所と、
前記トランザクションカードの第１縁部から１ｃｍ付近にあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部から１ｃｍ付近にある前記トランザクションカード上の第２の場所と、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部から０．５ｃｍ内側の付近の第３の場所と、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部から０．５ｃｍ付近にある前記磁気ストライプ上の第４の場所と、
前記トランザクションカードの第２縁部から１ｃｍ付近にあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部から１ｃｍ付近にある前記トランザクションカード上の第５の場所と、
前記構成要素の第１縁部と対向する前記構成要素の第２縁部から０．５ｃｍ内側の付近の前記トランザクションカード上の第６の場所と、
のうちの１つを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記既知の電圧レベルが、−５０００ボルトと１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードによって引き起こされる、支払端末における支払トランザクションのあらゆる中断を識別するために、１つ又はそれ以上の試験を前記トランザクションカード上で実行する段階を含み、
前記１つ又はそれ以上の試験は、炭素ベースの磁気ストライプを有する合格基準カードの性能と前記トランザクションカードとを比較し、
前記１つ又はそれ以上の試験は、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において、前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記端末が異常を示しているか否かを判断する段階と、
異常を示している場合には、前記合格基準カードの基準電圧レベルと比較される前記既知の電圧レベルの値及び前記合格基準カードの放電波形と比較される前記トランザクションカードの放電波形に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準電圧レベルが、前記合格基準カードの前記炭素ベースの磁気ストライプが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部から０．５ｃｍ付近にある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１の場所を含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部から０．５ｃｍ付近にある前記磁気ストライプ上の第２の場所を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記既知の電圧レベルが、−１０００ボルトと１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードによって引き起こされる、支払端末における支払トランザクションのあらゆる中断を識別するために、１つ又はそれ以上の試験を前記トランザクションカード上で実行する段階を含み、
前記１つ又はそれ以上の試験は、炭素ベースの磁気ストライプを有する合格基準カードの性能と前記トランザクションカードとを比較し、
前記１つ又はそれ以上の試験は、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階と、
前記合格基準カードの基準電圧レベルと比較される前記既知の電圧レベルの値及び前記合格基準カードの放電波形と比較される前記トランザクションカードの放電波形に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記基準電圧レベルが、前記合格基準カードの炭素ベースの前記磁気ストライプが機能しなくなる電圧に基づいている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部から０．５ｃｍ付近にある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１の場所を含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部から０．５ｃｍ付近の前記磁気ストライプ上の第２の場所を含む、
請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記既知の電圧レベルが、−１０００ボルトと１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願データ）
本出願は、２００７年１月１９日に出願され、その内容全体が引用により本明細書に組み込まれる米国仮出願番号６０／８８５，７６４に対する優先権を主張する。
【背景技術】
【０００２】
静電放電（ＥＳＤ）とは、電気的絶縁又は非絶縁の物体上に蓄えられた過剰な電荷が、接地などの異なる電位にある物体に流れるときに発生する突発的で瞬間的な電流である。ＥＳＤは、特に、瞬間的な望まれていない電流により電子装置に損傷を引き起こすときに、固体電子機器において深刻な問題である。
【０００３】
電荷が蓄積することができる物体の１つのタイプは、クレジットカード、デビットカード、スマートカード、非接触カード、ポイントカード、支払カード、及び同様のもののようなトランザクションカードである。このようなカードは通常、店舗販売時点情報管理端末のような電子デバイスと接触することになる。従って、トランザクションカード上に電荷が蓄積していた場合、カードから電子デバイスへの静電放電が、デバイスを損傷させる可能性がある。一部のケースでは、ＥＳＤが原因で電子デバイスが支払トランザクションの実行に失敗する場合がある。
【０００４】
このようなカードはまた、ユーザの身体などの異なる電位を有する物体と、支払カード読取装置との間で導管(conduit)としての役目を果たすこともある。トランザクションカードは通常、店舗販売時点情報管理端末のような電子デバイスと接触することになり、帯電したユーザの身体とカード読取装置との間に導管を形成する。従って、ユーザの身体及び／又は他の物体上に電荷が生じていた場合、カードがカード読取装置と接触している間に、ユーザの肌、カード、及びカードの導電素子を通ってユーザから電子デバイス内に静電放電が発生することがある。このような静電放電は、デバイスを損傷させることがある。場合によっては、静電放電が原因で、電子デバイスが一時的又は恒久的に支払トランザクションを実行できない可能性がある。
【０００５】
従って、トランザクションカードによって放出されるＥＳＤ量を判断する方法、及び放電された電荷量が電子デバイスに損傷を引き起こす可能性があるか否かを判断する方法が望ましいことになる。
【発明の概要】
【０００６】
本発明の実施形態、方法、及び構成要素について説明する前に、本開示は、様々とすることができる記載の特定の実施形態、方法、及び構成要素に限定されない点は理解されたい。また、本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明することを目的としているに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない点も理解されたい。
【０００７】
本明細書及び添付の請求項で用いられる単数形の名詞は、文脈上他の意味を明確に示していない限り、複数形の照応を含む点にも留意されたい。従って、例えば、「カード」と言及する場合、１つ又はそれ以上のカード、及び当業者には公知の均等物、その他を意味する。他に定められていない限り、本明細書で用いられる全ての技術用語及び科学用語は全て、当業者によって一般的に理解されているのと同じ意味を有する。本明細書で説明されるものと同様又は均等なあらゆる方法、構成要素、及びデバイスは、実施形態の実施又は試験において使用することができるが、ここでは好ましい方法、構成要素、及びデバイスについて説明する。本明細書で言及する全ての刊行物は、引用によりその全体が組み込まれる。ここでは、従来の発明によるそのような開示に対して本発明が先行しないものであると自認すると解釈されるべきではない。本明細書で使用される「含む」という用語は、「含むが、限定ではない」ことを意味する。
【０００８】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、トランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、トランザクションカード上の第１位置に接地プローブを配置する段階と、放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第２位置において放電プローブを放電する段階と、接地プローブから放電波形を記録する段階と、基準電圧レベルと比較して既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。第１位置及び第２位置は各々、トランザクションカード上の複数の区域から選択することができる。
【０００９】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、磁気ストライプを有するトランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、トランザクションカードの第１縁部に沿って磁気ストライプ上に接地プローブを配置する段階と、放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、第１縁部と対向するトランザクションカードの第２縁部に沿って磁気ストライプ上で放電プローブを放電する段階と、接地プローブから放電波形を記録する段階と、放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに少なくとも基づいて、トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階とを含む。
【００１０】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、シェル及び１つ又はそれ以上のピンを含む読取ヘッドを接地電圧レベルに接続する段階と、放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で放電プローブを放電してトランザクションカード及びオペレータを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第２位置においてトランザクションカードを読取ヘッドと接触させて配置する段階と、接地プローブから放電波形を記録する段階と、基準電圧レベルと比較して既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。第１位置及び第２位置は各々、トランザクションカード上の複数の区域から選択することができる。
【００１１】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で放電プローブを放電してトランザクションカード及びオペレータを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第２位置においてトランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、端末が異常を示しているか否かを判断する段階と、異常を示している場合には、基準電圧レベルと比較して既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１２】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で放電プローブを放電してトランザクションカード及びオペレータを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカード上の第２位置においてトランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階と、基準電圧レベルと比較して既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１３】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、トランザクションカードを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカードを端末に通す段階と、異常が発生したか否かに基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１４】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、トランザクションカード上の磁気ストライプを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、トランザクションカードを端末に通す段階と、異常が発生したか否かに基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１５】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、トランザクションカードを導電材料に対して擦る段階と、トランザクションカードを端末に通す段階と、異常が発生したか否かに基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１６】
１つの実施形態において、トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法は、トランザクションカードの第１面が金属表面に接触し、磁気ストライプを含み且つ第１面と対向する第２面が金属表面に接触しないように、トランザクションカードを金属表面上に配置する段階と、トランザクションカードの静電容量を求める段階と、静電容量が閾値を超えるか否かに基づいてトランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む。
【００１７】
本発明の態様、特徴、長所、及び利点は、以下の説明及び添付図面に関して明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】１つの実施形態によるカード縁部測定のための例示的な試験ゾーンを示す図である。
【図１Ｂ】１つの実施形態によるカード縁部測定のための例示的な試験ゾーンを示す図である。
【図２】１つの実施形態によるカード構成要素測定のための例示的な試験ゾーンを示す図である。
【図３】１つの実施形態によるカード縁部から構成要素までの測定のための例示的な試験ゾーンを示す図である。
【図４】１つの実施形態に従って試験を実行するための第１の例示的な試験設備を示す図である。
【図５】１つの実施形態に従って絶縁破壊試験によるＥＳＤ波形及び振幅試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図６】１つの実施形態に従って試験を実行するための第２の例示的な試験設備を示す図である。
【図７】１つの実施形態に従って、導電性試験によるＥＳＤ波形及び振幅試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図８】１つの実施形態に従って試験を実行するための第３の例示的な試験設備を示す図である。
【図９】１つの実施形態に従って接地された読取ヘッド上でのＥＳＤを実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１０Ａ】１つの実施形態に従って試験を実行するための第４の例示的な試験設備を示す図である。
【図１０Ｂ】１つの実施形態に従って試験を実行するための第４の例示的な試験設備を示す図である。
【図１１】１つの実施形態に従って人体を介したシミュレート放電試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１２Ａ】１つの実施形態に従って試験を実行するための第５の例示的な試験設備を示す図である。
【図１２Ｂ】１つの実施形態に従って試験を実行するための第５の例示的な試験設備を示す図である。
【図１３】１つの実施形態に従って導電性試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１４】１つの実施形態に従ってクレジットカードを介した摩擦帯電シミュレーション試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１５】１つの実施形態に従って帯電カードシミュレーション試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１６】１つの実施形態に従ってカード帯電レベル試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【図１７】１つの実施形態に従ってカード静電容量及び放電エネルギー試験を実行するための例示的な方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本明細書で使用される、未確認の(unidentified)構成要素とは、ＥＳＤ試験が以前に実行されていないトランザクションカード上の構成要素を指す。
【００２０】
トランザクションカード、特に未確認の構成要素及び要素を有するカードによって引き起こされる支払トランザクションのあらゆる中断を識別するのを支援するために、１つ又はそれ以上の試験を実行することができる。加えて、このような試験は、トランザクションカードが端末に導入されるときに起こりうる潜在的な損傷を識別することができる。１つの実施形態において、磁気ストライプとは異なる電気特性を示すトランザクションカードのあらゆる要素は、本試験において未確認の構成要素とみなすことができる。未確認の構成要素とみなすことができるトランザクションカードの構成要素は、限定ではないが、カードの電源内蔵式の電気回路、ディスプレイ、センサ、ホログラム、或いはトランザクションカード内又はその上の目に見える他のあらゆる構成要素を含むことができる。
【００２１】
１つ又はそれ以上の試験は、未確認の構成要素を有するトランザクションカードによって引き起こされる、デバイスの正常処理におけるトランザクションへのあらゆる中断を識別するための根拠を与えることができる。試験は、カード上のＥＳＤ事象中の電気特性に関して、未確認の要素を有するトランザクションカードの性能を、炭素ベースの磁気ストライプカードの性能に対して比較することができる。１つの実施形態において、未確認の構成要素を有するトランザクションカードが、炭素ベースの磁気ストライプカードと実質的に同等に機能する場合、未確認の構成要素を有するトランザクションカードは、試験に合格したとみなすことができる。
【００２２】
例えば、新しいトランザクションカードを試験するために、以下の３つの試験設備を使用することができ、すなわち、（１）端末を含まない特殊設計の試験設備によるＥＳＤモデル及び振幅比較、（２）端末の読取ヘッドを用いて実行されるＥＳＤ振幅及び極性比較、（３）別のカード、皮革、ナイロン、綿、及び／又は他の一般的な服地に対して擦ったときにトランザクションカード上で生じた電圧レベルを判断して、正常な取り扱い中にトランザクションカード上で生じる電荷の電圧レベル及び極性の指標を提供するようにする。
【００２３】
複数の試験条件下でのトランザクションカードの性能に基づいて、そのカードに関するＥＳＤ事象発生の予期される結果に関して推奨事項を提供することができる。例えば、トランザクションカードが全ての試験で炭素ベースの磁気ストライプカードと実質的に同様に機能する場合、そのトランザクションカードは、損傷を与えるＥＳＤ事象を発生させる可能性は低いとみなすことができる。炭素ベース磁気ストライプのカードを用いたＥＳＤからの端末誤作動の事例は過去３０年以上にわたって報告されていないので、このような炭素ベースのカードの性能は、基準点として選択することができる。
【００２４】
ＥＳＤ試験を実行するためのモデルは、以下のうちの１つ又はそれ以上を含むことができる。すなわち、１）ＩＥＣ  ６１０００−４−２（ツール保持者−１５０ｐＦ／３３０オーム）、２）ＡＮＳＩ／ＥＳＤ  ＳＴＭ  ５．１−２００１（Ｈｕｍａｎ  Ｂｏｄｙ  Ｍｏｄｅｌ（人体モデル）−１００ｐＦ／１５００オーム）、３）ＡＮＳＩ／ＥＳＤ  ＳＴＭ  ５．２−１９９９（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｍｏｄｅｌ（マシンモデル）−２００ｐＦ／０オーム）、及び４）ＡＮＳＩ／ＥＳＤ  ＳＴＭ  ５．３（Ｃｈａｒｇｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｍｏｄｅｌ（デバイス帯電モデル）−ストライプ静電容量／０オーム）。
【００２５】
ＩＳＯ７８１０は、ＩＤカード又は識別カードについての３つのフォームファクタを定義する国際規格である。ＩＤ−１（およそ８．５６ｃｍ×およそ５．４ｃｍ）、ＩＤ−２（およそ１０．５ｃｍ×およそ７．４ｃｍ）、及びＩＤ−３（およそ１２．５ｃｍ×およそ８．８ｃｍ）。トランザクションカードに関しては、ＩＤ−１フォームファクタが使用されることが多いが、ＩＳＯ７８１０で定義されていないフォームファクタを含む他のカードフォームファクタも本開示の範囲内に含めることができる。
【００２６】
試験目的において、トランザクションカード上で様々なゾーンを定義することができる。第１ゾーン（「ゾーン１」）は、通常の又は上下逆にカードを通す際に磁気ストライプ端末の読取ヘッドがカードに直接接触する「安全でない」区域を識別することができる。第１ゾーンはまた、カードを通すときにユーザによって保持されるカードの部分を表すことができる。従って、カード表面上の第１のカード長辺から１ｃｍ内側で且つ第１のカード短辺から１ｃｍ内側にある第１ポイントと、第１のカード長辺から１ｃｍ内側で且つ第２のカード短辺から１ｃｍ内側にある第２ポイントとの間の直線に沿って測定を行うことができる（「試験ゾーン１Ｆ」）。第２のカード長辺から測定されたポイントによって定義される同様の直線もまた測定することができる（「試験ゾーン２Ｆ」）。加えて、カードの裏面についても測定を実行することができる（「試験ゾーン１Ｂ」及び「試験ゾーン２Ｂ」）。上記で定義されたゾーン１の例示的な試験ゾーン（すなわち、試験ゾーン１Ｆ、２Ｆ、１Ｂ、及び２Ｂ）を図１Ａ及び１Ｂに示す。
【００２７】
トランザクションカードに関して安全ゾーンを定義することができる。安全ゾーンとは、図２に示すように、２つの長辺の各々から内側に少なくともおよそ１．９ｃｍ且つ２つの短辺の各々から内側に少なくともおよそ１．９ｃｍの区域とすることができる。未確認の構成要素が安全ゾーンの少なくとも部分的に外側にある場合、２つの追加的追加的なゾーンを定義することができる。
【００２８】
構成要素に応じた測定のために第２ゾーン（「ゾーン２」）を定義することができる。第２ゾーンは、構成要素の第１の短辺の内側およそ０．５ｃｍにある第１ポイントから構成要素の第２の短辺の内側およそ０．５ｃｍにある第２ポイントまでの直線として定義することができる。１つの実施形態において、第１及び第２ポイントは、構成要素の２つの長辺間のほぼ中間とすることができる。例示的な第２ゾーンを図２に示す。
【００２９】
第３ゾーン（「ゾーン３」）は、ゾーン１に関して定義されたポイント及びゾーン２に関して定義されたポイントによって定義することができる。第３ゾーンは、ゾーン１のポイント及びゾーン２のポイントの各々の組み合わせによって定義される直線（全部で８本の直線）を含むことができる。第３ゾーンを定義する直線の例示的なセットを図３に示す。
【００３０】
試験のために追加的及び／又は代替のゾーンを使用することができる。例えば、トランザクションカードの縁部から異なる距離にあるポイントを選択することができる。加えて、１つ又はそれ以上のゾーンの各々に関して、より多い又はより少ないポイントを選択することができる。このような修正形態は、本開示に基づく当業者には明らかであろう。
【００３１】
以下で説明する各試験に関して、実行される試験の再現性及び信頼性を保証するために、１つ又はそれ以上の試験条件を満たすことが必要とすることができる。例えば、試験環境は、およそ２０％に等しいか又はそれよりも低い相対湿度を有することを必要とする場合がある。更に、試験されるトランザクションカード（及び合格及び／又は不合格条件のためのあらゆる制御カード）は、カードの周囲の強制空気(enforced air)により少なくとも２４時間の間、およそ１２％の相対湿度を有する環境で保管されなければならない。試験者は、接地を防ぐために、ポリテトラフルオロエチレン（Ｅ．Ｉ．ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏ．のＴｅｆｌｏｎ（テフロン）（登録商標））、ポリメチル・メタクリレート（Ｒｏｈｍ  ａｎｄ  Ｈａａｓ  Ｃｏ．のＰｌｅｘｉｇｌａｓ（プレキシグラス）（登録商標））、及び／又は発泡ポリエチレンなどの絶縁表面上に立つことを必要とすることができる。追加的及び／又は代替の試験条件を課すこともできる。
【００３２】
各試験は、複数の試験トランザクションカード及び複数の制御トランザクションカードを用いて実行することができる。試験トランザクションカードは、試験されているトランザクションカード設計を含むことができる。制御トランザクションカードは、合格基準の基準として使用される炭素ベースの磁気ストライプカードを含むことができる。１つの実施形態において、制御トランザクションカードは、試験されるのと同等又は同様の状況下での動作中に端末装置が誤動作を引き起こす静電エネルギー量を放電する特定の製造業者のカードなど、動作に失敗すると分かっているカードを含むことができる。
【００３３】
１つの実施形態において、ある試験に関して、１つ又はそれ以上の合格基準を定義することができる。例えば、１つの基準は、試験されるトランザクションカードがおよそ５ｋＶまで帯電されるときに、そのトランザクションカードによって放電される電流はおよそ５００ｍＡ未満でなければならないこととすることができる。別の基準では、試験されるトランザクションカードがおよそ１ｐＦよりも小さい静電容量を有することを要求することができる。更に別の基準は、試験されるトランザクションカードの動作抵抗がおよそ１ｋΩよりも大きくなければならないとすることができる。更に別の基準は、試験されるトランザクションカードからの放電エネルギーはおよそ２μＪよりも小さいことを要求することができる。別の基準は、帯電及び読取試験中に使用されるＥＳＤを感知端末上で障害が発生しないことを要求することができる。更に別の基準は、目に見える(visual)構成要素及び／又はトランザクションインタフェース機能があればこれを全て含む、試験される全てのカードが、試験完了後も機能したままであることを要求することができる。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合には様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００３４】
図４は、１つの実施形態に従って試験を実行するための第１の例示的な試験設備を示している。図４に示すように、試験されるカード４０５は、絶縁層４１０上に配置することができる。接地プローブ４１５をカード４０５上の第１試験ポイントに配置することができ、放電プローブ４２０をカード上の第２試験ポイントに配置することができる。接地プローブ４１５は、接地に接続することができ、ＥＳＤ事象が発生したときに、もしあれば例えば電流波形をキャプチャするために使用することができる。放電プローブ４２０は、既知の電圧レベルでＥＳＤ事象を発生させるのに使用することができる。
【００３５】
図５は、１つの実施形態に従って、絶縁破壊によるＥＳＤ波形及び振幅試験を実行する例示的な方法を示している。図５に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（５０５）。カード４０５は、１つのストライプ縁部が第１試験ポイントにおいて接地プローブ４１５に接触する（５１０）ように絶縁表面４１０上に配置することができる。放電プローブ４２０は、人体モデル（Ｈｕｍａｎ  Ｂｏｄｙ  Ｍｏｄｅｌ）に構成することができる（５１５）。１つの実施形態において、放電プローブ４２０は、調整可能な電圧レベルを有することができる。例えば、放電プローブ４２０は、およそ５００Ｖなどの既知の電圧レベルに初期設定することができる（５２０）。放電プローブ４２０は次に、第２試験ポイントにおいて放電することができる（５２５）。１つの実施形態において、第１及び第２試験ポイントは、例えば、ゾーン１、２、及び３によって定義された試験ゾーンの１つに基づいて選択することができる。
【００３６】
放電プローブ４２０からの静電放電中に、接地ライン（すなわち、接地プローブ４１５）を調べて（５３０）、放電事象が発生するか否かを判断することができる（５３５）（すなわち、放電プローブの放電中に電流レベルが非ゼロであるか否かを判断する）。放電事象が発生する場合、電圧レベル（ＶESD）、ピーク電流及び／又は電流の放電波形を記録することができる（５４０）。発生しない場合、放電プローブ４２０の電圧レベルは、例えば、およそ１ｋＶ、５ｋＶ、１０ｋＶ、１５ｋＶ、又は２０ｋＶなどの異なる電圧レベルにまで上昇させることができる（５４５）。放電プローブ４２０に対する代替的及び／又は追加的な電圧レベルも本開示の範囲内で使用することができる。放電プローブ４２０の電圧レベルが上昇すると（５４５）、放電プローブを再び放電させることができる（５２５）。１つの実施形態において、放電プローブ４２０を上昇した電圧レベルで放電させる（５２５）前に、少なくともおよそ２分などの時間期間が経過することを必要とすることができる。
【００３７】
最大試験電圧レベルで放電事象が発生しても発生しなくても、試験のために新しいカード４０５を選択することができる（５５０）。１つの実施形態において、複数の試験カード及び複数の制御カードを試験することができる。１つの実施形態において、複数の制御カードは、複数の合格基準カード及び複数の不合格基準カードを含むことができる。１つの実施形態において、各カード４０５のゾーン１、２、及び３によって定義される各試験ゾーンについて試験を実行することができる。１つの実施形態において、試験カード４０５は、試験カードのＶESDが合格基準カードのＶESDと同等である場合、及び試験カードの放電波形と合格基準カードの放電波形との間に有意な差異が認められなかった場合に、試験に合格したとみなすことができる。当業者には明らかであるように、適用可能な場合に様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００３８】
図６は、１つの実施形態に従って試験を実行するための第２の例示的な試験設備を示している。図６に示すように、試験されるカード４０５は、絶縁層４１０上に配置することができる。接地プローブ４１５は、カード４０５上の第１試験ポイントに配置することができ、放電プローブ４２０は、カード上の第２試験ポイントに配置することができる。接地プローブ４１５は、接地に接続することができ、ＥＳＤ事象が発生した場合、もしあれば、例えば電流波形をキャプチャするのに使用することができる。放電プローブ４２０は、既知の電圧レベルでＥＳＤ事象を発生させるのに使用することができる。第１試験ポイントは、カード４０５の縁部に沿ってカードの磁気ストライプに接触することができる。第２試験ポイントは、カード４０５の反対の縁部に沿ってカードの磁気ストライプに接触することができる。
【００３９】
図７は、１つの実施形態に従って、導通によるＥＳＤ波形及び振幅試験を実行するための例示的な方法を示している。図７に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（７０５）。カード４０５は、１つのストライプ縁部が第１試験ポイントにおいて接地プローブ４１５に接触する（７１０）ように絶縁表面４１０上に配置することができる。放電プローブ４２０は、人体モデル（Ｈｕｍａｎ  Ｂｏｄｙ  Ｍｏｄｅｌ）に構成することができる（７１５）。１つの実施形態において、放電プローブ４２０の抵抗は、調整可能とすることができる。例えば、放電プローブ４２０は、およそ１５００Ωに初期設定することができる（７２０）。加えて、放電プローブ４２０の電圧レベルは、およそ５ｋＶに設定することができる（７２０）。放電プローブ４２０は次に、第２試験ポイントにおいて放電することができる（７２５）。接地プローブ４１５において電流波形を調べることによって、放電電流を観測することができる（７３０）。１つの実施形態において、放電プローブ４２０からのＥＳＤ放電によって引き起こされるピーク電流及び電流波形を判断することができる。放電プローブ４２０の電圧レベルをアンペア単位のピーク電流で除算することによって、動作抵抗を計算することができる（７３５）。次に、放電プローブ４２０について、およそ０Ωの抵抗で試験を繰り返すことができる。放電プローブ４２０における追加的及び／又は代替的の抵抗レベル及び電圧レベルも本開示の範囲内で使用することができる。試験は、試験される各カード４０５に関して各抵抗レベルで繰り返すことができる。
【００４０】
図８は、１つの実施形態に従って試験を実行するための第３の例示的な試験設備を示している。図８に示すように、試験されるカード４０５は、絶縁層４１０上に配置することができる。端末の読取ヘッド８０５は、カード４０５上の第１試験ポイントに配置することができ、放電プローブ４２０は、カード上の第２試験ポイントに配置することができる。端末の読取ヘッド８０５は、接地ラインを介して接地に接続することができ、ＥＳＤ事象が発生した場合、もしあれば、例えば電流波形をキャプチャするのに使用することができる。電流波形は、例えば、端末の読取ヘッド８０５のピン及びシェルからキャプチャすることができる。放電プローブ４２０は、既知の電圧レベルでＥＳＤ事象を発生させるのに使用することができる。
【００４１】
図９は、１つの実施形態による、接地された読取ヘッド上でのＥＳＤ試験を実行するための例示的な方法を示している。図９に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（９０５）。カード４０５は、絶縁表面４１０上に配置することができる。放電プローブ４２０の電圧レベルは調整可能とすることができる。例えば、放電プローブ４２０は、およそ−５ｋＶに初期設定することができる（９１０）。カード４０５上に放電プローブ４２０を配置する際に、放電プローブは、第１試験ポイントに配置することができる（９１５）。放電プローブ４２０が第１試験ポイントに配置されて（９１５）、カード及びオペレータを同じ出力電位まで帯電させる場合、試験オペレータは、カード４０５を保持して表面４１０に接触することができる。次に端末の読取ヘッド８０５は、カード４０５上の第２試験ポイントに配置することができる（９２０）。１つの実施形態において、第１及び第２試験ポイントは、例えば、ゾーン１、２、及び３によって定義された試験ゾーンの１つに基づいて選択することができる。
【００４２】
端末の読取ヘッド８０５のシェルに接続された接地ラインは、放電プローブ４２０からの放電９２５中に調べて（９３０）、放電事象が発生するか否かを判断することができる（すなわち、放電プローブの放電中に電流レベルが非ゼロであるか否かを判断する）（９３５）。放電事象が発生する場合、端末の読取ヘッド８０５のピンにおける電圧レベル（ＶESD1）、ピーク電流及び／又は電流の放電波形、及び／又は端末の読取ヘッド８０５のシェルの電圧レベル（ＶESD2）を記録することができる（９４０）。発生しない場合には、放電プローブ４２０の電圧レベルを、例えば、およそ１ｋＶ、２．５ｋＶ、５ｋＶ、又は１０ｋＶなどの異なる電圧レベルに上昇させることができる（９４５）。放電プローブ４２０に関しての代替的及び／又は追加的な電圧レベルもまた、本開示の範囲内で使用することができる。放電プローブ４２０の電圧レベルが上昇すると（９４５）、放電プローブを再び放電させることができる（９２５）。１つの実施形態において、各試験は、複数の回数を実行することができる。１つの実施形態において、カード４０５を、試験を実行する前、すなわち上昇した電圧レベルで試験を実行する前に電離することができる。
【００４３】
最大試験電圧で放電事象が発生しても発生しなくても、試験のために新しいカード４０５を選択することができる（９５０）。１つの実施形態において、複数の試験カード及び複数の制御カードを試験することができる。１つの実施形態において、複数の制御カードは、複数の合格基準カード及び複数の不合格基準カードを含むことができる。１つの実施形態において、各カード４０５のゾーン１、２、及び３によって定義される各試験ゾーンについて試験を実行することができる。１つの実施形態において、試験カード４０５は、試験カード４０５のＶESD1が合格基準カードのＶESD1と同等である場合、及び試験カードのＶESD2が合格基準カードのＶESD2と同等である場合、更に、試験カードの放電波形と合格基準カードの放電波形との間に有意な差が認められない場合に、試験に合格したとみなすことができる。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合に様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００４４】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、１つの実施形態に従って試験を実行するための第４の例示的な試験設備を示している。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、カード４０５は、試験中にカード読取機（端末）１００５内に挿入することができる。カード４０５は、端末１００５にカードを通す前に、放電プローブ４２０を用いて帯電させることができる。カード４０５上のカードストライプ１０１０上などの第１試験ポイントは、端末の読取ヘッド１０１５に接触して、カード上の電荷が端末１００５に異常を発生させるか否かを判断することができる。１つの実施形態において、カード４０５は、帯電されたとき及び試験中に試験オペレータが保持することができる。
【００４５】
図１１は、１つの実施形態による、人体を介したシミュレート放電試験を実行するための例示的な方法を示している。図１１に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１１０５）。放電プローブ４２０は、およそ−５００Ｖなどの初期電圧レベルまで帯電させることができる（１１１０）。次に、試験オペレータは、カードの表面及び縁部に接触するようにカード４０５を保持することができる（１１１５）。試験オペレータは、次に、放電プローブ４２０でカード４０５に接触し（１１２０）、カードを静電気的に帯電させることができる。カード４０５が帯電された後、放電プローブ４２０をカードとの接触から取り外すことができ、カードの磁気ストライプ１０１０の少なくとも一部分が端末の読取ヘッド１０１５に接触する（１１２５）ように、カードを端末１００５内に挿入することができる。試験オペレータは、カード４０５が端末の読取ヘッド１０１５に接触した（１１２５）ときに、端末１００５が、再起動、再初期化、フリーズ、又は他のいずれかの異常を示すか否かを判断することができる（１１３０）。異常を示す場合、カード４０５が帯電された電圧（ＶESD）を記録することができる（１１３５）。異常を示さない場合は、カード４０５の電圧レベルを、例えば、およそ１ｋＶ、２．５ｋＶ、５ｋＶ、又は１０ｋＶなどの異なる電圧レベルに上昇させることができ（１１４０）、上記の試験を繰り返すことができる。１つの実施形態において、カード４０５を、カードに対して次の試験の反復を実行する前に電離することができる。１つの実施形態において、カード４０５は、特定の電圧レベルにまで帯電されたときに、複数の回数を試験することができる。１つの実施形態において、試験される１つ又はそれ以上のカード、１つ又はそれ以上の合格基準カード、及び／又は１つ又はそれ以上の不合格基準カードなどの複数のカード４０５を試験することができる（１１４５）。試験カード４０５は、試験カードのＶESDが合格基準カードのＶESDと同等である場合に、試験に合格したとみなすことができる。当業者には明らかであるように、適用可能な場合には様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００４６】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、１つの実施形態に従って試験を実行するための第５の例示的な試験設備を示している。図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、カード４０５は、試験中に端末１００５内に挿入することができる。カード４０５は、端末１００５に通す前に放電プローブ４２０を用いて帯電させることができる。カード４０５のカードストライプ１０１０上などの第１試験ポイントは、端末１００５内に配置された接地プローブ４１５に接触することができる。１つの実施形態において、カード４０５は、帯電時及び試験中、試験オペレータによって保持することができる。
【００４７】
図１３は、１つの実施形態による、人体を介したシミュレート放電試験を実行するための例示的な方法を示している。図１３に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１３０５）。放電プローブ４２０は、およそ−５００Ｖなどの初期電圧レベルにまで帯電させることができる（１３１０）。次に、試験オペレータは、カードの表面及び縁部に接触するようにカード４０５を保持することができる（１３１５）。次いで、試験オペレータは、放電プローブ４２０でカード４０５に接触し（１３２０）、カードを静電気的に帯電させることができる。カード４０５が帯電された後、放電プローブ４２０をカードから取り外すことができ、カード４０５の磁気ストライプ１０１０の一部分が接地プローブ４１５に接触する（１３２５）ように、カードを端末１００５内に挿入することができる。ピーク電圧、並びに電圧及び／又は電流波形を接地プローブ４１５から記録することができる（１３３０）。カード４０５の電圧レベルは、例えば、およそ１ｋＶ、２．５ｋＶ、５ｋＶ、又は１０ｋＶなどの異なる電圧レベルに上昇させることができ（１３３５）、上記の試験を繰り返すことができる。１つの実施形態において、試験は、障害が生じるまで増大する電圧で繰り返すことができる。１つの実施形態において、カード４０５を、次の試験の反復を実行する前に電離することができる。１つの実施形態において、カード４０５は、特定の電圧レベルで複数の回数を試験することができる。１つの実施形態において、試験される１つ又はそれ以上のカード、１つ又はそれ以上の合格基準カード、及び／又は１つ又はそれ以上の不合格基準カードなどの複数のカード４０５を試験することができる（１３４０）。試験カード４０５は、試験カードのＶESDが合格基準カードのＶESDと同等である場合に試験に合格したとみなすことができる。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合には様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００４８】
図１４は、１つの実施形態に従って、帯電プレートによる摩擦帯電シミュレーション試験を実行するための例示的な方法を示している。図１４に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１４０５）。カード４０５は、例えばコロナ荷電装置（図示せず）を用いて、およそ３０ｋＶなどの電圧レベルまで帯電させることができる（１４１０）。次に、カード４０５を端末内に通すことができる（１４１５）。試験オペレータは、カード４０５を通す（１４１５）ときに端末が、再起動、再初期化、フリーズ、又は他のいずれかの異常を示すか否かを判断することができる１４２０。異常がある場合、端末が異常を示したカードの電圧レベルを判断することができる（１４２５）。試験カード４０５は、端末によって異常が示された場合には、不合格とみなすことができる（１４３０）。そうでない場合、カードは合格とみなすことができる（１４３５）。１つの実施形態において、カード４０５は、試験の反復の間に電離することができる。カード４０５は、上記のプロセスを用いて複数の回数を試験することができる。１つの実施形態において、試験される１つ又はそれ以上のカード、１つ又はそれ以上の合格基準カード、及び／又は１つ又はそれ以上の不合格基準カードなどの複数のカード４０５を試験することができる（１４４０）。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合に様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００４９】
図１５は、１つの実施形態に従った、帯電カードシミュレーション試験を実行するための例示的な方法を示している。図１５に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１５０５）。カード４０５上の磁気ストライプは、およそ−５００Ｖなどの初期電圧レベルまで帯電させることができる（１５１０）。次に、カード４０５を端末に通すことができる（１５１５）。試験オペレータは、カード４０５を通す（１５１５）ときに、端末が、再起動、再初期化、フリーズ、又は他のいずれかの異常を示すか否かを判断することができる（１５２０）。端末で異常が発生した場合、異常が発生した磁気ストライプの電圧を記録することができ、カード４０５を不合格とみなすことができる（１５２５）。カード４０５を、端末に通した（１５１５）後に電離することができる。試験は、各カード４０５について特定の電圧レベルで複数回を繰り返すことができる。カード４０５上の磁気ストライプは、試験を再度実行する前に、例えば、およそ−１ｋＶ、−２．５ｋＶ、−５ｋＶ、−１０ｋＶ、５００Ｖ、１ｋＶ、２．５ｋＶ、５ｋＶ、又は１０ｋＶなどの異なる電圧まで帯電させることができる（１５３０）。試験カード４０５は、端末によって異常が示されなかった場合に、合格したとみなすことができる（１５３５）。１つの実施形態において、試験される１つ又はそれ以上のカード、１つ又はそれ以上の合格基準カード、及び／又は１つ又はそれ以上の不合格基準カードなどの複数のカード４０５を試験することができる（１５４０）。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合には様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００５０】
図１６は、１つの実施形態による、カード帯電レベル試験を実行するための例示的な方法を示している。図１６に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１６０５）。カード４０５は、限定ではないが、例えば、別のカード、皮革、ナイロン、綿、及び／又は１つ又はそれ以上の他の材料に対して擦ることによって帯電させることができる（１６１０）。次に、カード４０５を端末に通すことができる（１６１５）。端末は、シミュレートされた読取ヘッドを含むことができる。静電放電波形をキャプチャすることができ（１６２０）、ピーク放電電流を記録することができる（１６２５）。試験カード４０５のピーク放電電流が、合格基準カードに実質的に類似する、及び／又は不合格基準カードと実質的に異なると判断された（１６３０）場合、その試験カードは、合格とみなすことができる（１６３５）。そうでない場合、試験カード４０５は不合格とみなすことができる（１６４０）。１つの実施形態において、試験される１つ又はそれ以上のカード、１つ又はそれ以上の合格基準カード、及び／又は１つ又はそれ以上の不合格基準カードなどの複数のカード４０５を試験することができる（１６４５）。１つの実施形態において、各カード４０５は、複数の回数を試験することができる。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合に様々な値を含む、追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００５１】
図１７は、１つの実施形態による、カード静電容量及び放電エネルギー試験を実行するための例示的な方法を示している。図１７に示すように、相対湿度及び温度のような環境条件は、試験前、試験中及び／又は試験後に記録することができる（１７０５）。カード４０５は、磁気ストライプを含まないカード面が平坦な金属表面に接触するように配置することができる（１７１０）。静電容量計（図示せず）を平坦な金属表面及びカード４０５のストライプに接続して、カードの静電容量を測定することができる（１７１５）。カード４０５の放電エネルギーは、例えば、以下の式：
0005549974.tif 000002
を用いて計算することができ（１７２０）、ここでＣはカードの静電容量である。次に、カードの静電容量が、およそ１ｐＦなどの閾値よりも小さいか否かを判断することができる（１７２５）。閾値よりも小さい場合、その試験カード４０５は合格とみなすことができる（１７３０）。そうでない場合、試験カード４０５は不合格とみなすことができる（１７３５）。試験は、試験される各カード４０５について繰り返すことができる（１７４０）。当業者であれば明らかであるように、適用可能な場合には様々な値を含む追加的及び／又は代替の基準を本開示の範囲内で使用することができる。
【００５２】
上記で開示された及び他の種々の特徴及び機能、又はこれらの代替形態は、望ましくは、他の多くの異なるシステム及びアプリケーションに組み合わせることができる点は理解されるであろう。また、現在予見できない又は予期しない様々な代替形態、修正形態、変形形態、又は改善形態は、引き続き当業者によって実施できる点も理解されるであろう。このような代替形態、修正形態、変形形態、又は改善形態もまた、以下の請求項によって保護されるものとする。
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択される、
ことを特徴とする方法。
（２）前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
第１項に記載の方法。
（３）前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントと、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第２ポイントと、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第３ポイントと、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第４ポイントと、
前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第５ポイントと、
前記構成要素の第１縁部と対向する前記構成要素の第２縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第６ポイントと、
のうちの１つを含む、
第１項に記載の方法。
（４）前記既知の電圧レベルが、およそ５００ボルトとおよそ２００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
第１項に記載の方法。
（５）前記放電プローブが、およそ１００ｐＦの静電容量及びおよそ１５００オームの抵抗を有する、
第４項に記載の方法。
（６）前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
第１項に記載の方法。
（７）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
磁気ストライプを含むトランザクションカードを絶縁表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカードの第１縁部に沿って前記磁気ストライプ上に接地プローブを配置する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部に沿って、前記磁気ストライプ上で前記放電プローブを放電する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに少なくとも基づいて、前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、を含む方法。
（８）前記既知の電圧レベルがおよそ５０００ボルトを含む、
第７項に記載の方法。
（９）
前記放電プローブがおよそ０オームの抵抗を有する、
第７項に記載の方法。
（１０）前記放電プローブがおよそ１５００オームの抵抗を有する、
第７項に記載の方法。
（１１）前記基準放電波形が、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧レベルにおいて前記炭素ベースの磁気ストライプカードによって示される波形に基づいている、第７項に記載の方法。
（１２）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
シェル及び１つ又はそれ以上のピンを含む読取ヘッドを接地電圧レベルに接続する段階と、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して、前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを前記読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記接地プローブから放電波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含み、
前記第１位置及び前記第２位置が各々、前記トランザクションカード上の複数の区域から選択される、
ことを特徴とする方法。
（１３）前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階が更に、前記放電波形が基準放電波形に実質的に類似しているか否かに基づいている、
第１２項に記載の方法。
（１４）前記接地プローブから放電波形を記録する段階が、前記接地プローブの少なくとも１つのピンから放電波形を記録する段階を含む、
第１２項に記載の方法。
（１５）前記接地プローブから放電波形を記録する段階が、前記接地プローブのシェルから放電波形を記録する段階を含む、
第１２項に記載の方法。
（１６）前記第１位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントと、
前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第２ポイントと、
前記トランザクションカード上の構成要素の第１縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第３ポイントと、
のうちの１つを含み、
前記第２位置が、
前記トランザクションカードの第１縁部と対向する第３縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第４ポイントと、
前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ１ｃｍにあり且つ前記トランザクションカードの前記第３縁部からおよそ１ｃｍにある前記トランザクションカード上の第５ポイントと、
前記構成要素の第１縁部と対向する前記構成要素の第２縁部からおよそ０．５ｃｍ内側の第６ポイントと、
のうちの１つを含む、
第１２項に記載の方法。
（１７）前記既知の電圧レベルが、およそ−５０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
第１２項に記載の方法。
（１８）前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
第１２項に記載の方法。
（１９）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において、前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記端末が異常を示しているか否かを判断する段階と、
異常を示している場合には、基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（２０）前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
第１９項に記載の方法。
（２１）前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントを含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記磁気ストライプ上の第２ポイントを含む、
第１９項に記載の方法。
（２２）前記既知の電圧レベルが、およそ−１０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
第１９項に記載の方法。
（２３）前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
第１９項に記載の方法。
（２４）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
放電プローブを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第１位置において、オペレータによって保持されたトランザクションカード上で前記放電プローブを放電して前記トランザクションカード及び前記オペレータを前記既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカード上の第２位置において前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階と、
前記読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階と、
基準電圧レベルと比較して前記既知の電圧レベルの値に少なくとも基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（２５）前記第１位置が、前記トランザクションカードの第１縁部からおよそ０．５ｃｍにある前記トランザクションカードの磁気ストライプ上の第１ポイントを含み、
前記第２位置が、前記トランザクションカードの第１縁部と対向する前記トランザクションカードの第２縁部からおよそ０．５ｃｍの前記磁気ストライプ上の第２ポイントを含む、
第２４項に記載の方法。
（２６）前記既知の電圧レベルが、およそ−１０００ボルトとおよそ１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
第２４項に記載の方法。
（２７）前記基準電圧レベルが、炭素ベースの磁気ストライプカードが機能しなくなる電圧に基づいている、
第２４項に記載の方法。
（２８）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカードを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて、前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（２９）前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
第２８項に記載の方法。
（３０）前記既知の電圧が、およそ３００００ボルトの電圧レベルを含む、
第２８項に記載の方法。
（３１）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
トランザクションカード上の磁気ストライプを既知の電圧レベルまで帯電させる段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（３２）前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
第３１項に記載の方法。
（３３）前記既知の電圧レベルが、およそ−１００００ボルトと１００００ボルトとの間の電圧レベルを含む、
第３１項に記載の方法。
（３４）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードを導電材料に対して擦る段階と、
前記トランザクションカードを端末に通す段階と、
前記端末で異常が発生したか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（３５）前記導電材料が、プラスチック、皮革、ナイロン、及び綿のうちの１つ又はそれ以上を含む、
第３４項に記載の方法。
（３６）前記異常が、前記端末の再起動、前記端末の再初期化、及び、前記端末の動作の一時停止のうちの１つ又はそれ以上を含む、
第３４項に記載の方法。
（３７）前記トランザクションカードを端末に通す段階が、前記トランザクションカードを端末の読取ヘッドと接触させて配置する段階を含み、
前記方法が更に、
前記読取ヘッドにおけるピーク電圧及び電圧波形を記録する段階を含む、
第３４項に記載の方法。
（３８）トランザクションカード上で静電放電試験を実行する方法であって、
前記トランザクションカードの第１面が金属表面に接触し、磁気ストライプを含み且つ前記第１面と対向する第２面が前記金属表面に接触しないように、前記トランザクションカードを前記金属表面上に配置する段階と、
前記トランザクションカードの静電容量を求める段階と、
前記静電容量が閾値を超えるか否かに基づいて前記トランザクションカードに合格状態及び不合格状態のうちの１つを割り当てる段階と、
を含む方法。
（３９）前記トランザクションカードの静電容量を求める段階が、
静電容量計の第１プローブを前記金属表面に接続する段階と、
前記静電容量計の第２プローブを前記磁気ストライプに接続する段階と、
を含む、
第３８項に記載の方法。
（４０）前記閾値がおよそ１ｐＦを含む、
第３８項に記載の方法。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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