(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品と、
前記パッケージ部品の後壁部の内側面に実装され、上側端部に光出射面を備えた発光素子とを有する複数の発光素子実装部品が、
同一方向を向いて前記キャビティの奥行き方向に積層されており、
前記パッケージ部品は、前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の内側面及び外側面にそれぞれ設けられて前記貫通電極を介して相互接続された配線層を有し、
前記発光素子の一方の側面は第１導電性接合材を介して前記後壁部の内側面の前記配線層に接続されており、前記発光素子の他方の側面は第２導電性接合材を介して他の前記パッケージ部品の後壁部の外側面の前記配線層に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記パッケージ部品の各々の前記側壁部の上面に段差部がそれぞれ設けられており、
前記段差部の各々に位置決めされてそれぞれ配置され、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１導電性接合材はインジウム・金合金層であり、前記第２導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
最端の前記発光素子実装部品の発光素子の側面に配線部品が接続されて積層されていることを特徴とする請求項1乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子実装部品の積層体がインジウム層を介して放熱板の上に搭載されていることを特徴とする請求項1乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品であって、
前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、
前記後壁部の外側面及び内側面にそれぞれ設けられ、前記貫通電極を介して相互接続された配線層と、
前記後壁部の内側面に設けられた前記配線層の上に形成され、発光素子を接合するための第１導電性接合材と、
前記後壁部の外側面に設けられた前記配線層の上に形成された第２導電性接合材と
を有することを特徴とするパッケージ部品。
【請求項７】
前記側壁部の上面には、前記発光素子から放出される光を収束する円柱状レンズを位置決めして配置するための段差部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のパッケージ部品。
【請求項８】
前記後壁部の内側面の前記配線層は少なくとも表面が金層から形成され、前記第１導電性接合材はインジウム層であり、前記第２導電性接合材は金・錫合金層であることを特徴とする請求項６又は７に記載のパッケージ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光装置及び発光素子を実装するためのパッケージ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ技術の進歩は目覚しく，光ディスクの記録/再生や光ファイバによる情報通信などの各種のエレクトロニクス機器に応用されている。近年では、複数の半導体レーザ素子を水平方向に積層して配置することにより高出力レーザを得る積層型の半導体レーザ装置が開発されている。
【０００３】
積層型の半導体レーザ装置では、各半導体レーザ素子を銅・タングステン部材で挟んで水平方向に積層し、半導体レーザ素子の上に光収束用のレンズがそれぞれ配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５２４２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
銅・タングステン部材は厚み精度や面精度（表面粗さ）が十分に得られないため、複数の半導体レーザ素子を狭ピッチで精度よく積層することは困難である。このため、特に半導体レーザ素子の配置ピッチが狭くなると、各半導体レーザ素子の上にレンズを配置する際に、位置ずれが生じ易くなり、積層型の半導体レーザ装置を高精度に構築することが困難になる。
【０００６】
複数の発光素子を狭ピッチで精度よく積層できる発光装置及び発光素子を実装するためのパッケージ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品と、前記パッケージ部品の後壁部の内側面に実装され、上側端部に光出射面を備えた発光素子とを有する複数の発光素子実装部品が、同一方向を向いて前記キャビティの奥行き方向に積層されており、前記パッケージ部品は、前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の内側面及び外側面にそれぞれ設けられて前記貫通電極を介して相互接続された配線層を有し、前記発光素子の一方の側面は第１導電性接合材を介して前記後壁部の内側面の前記配線層に接続されており、前記発光素子の他方の側面は第２導電性接合材を介して他の前記パッケージ部品の後壁部の外側面の前記配線層に接続されている発光装置が提供される。
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、底部と、前記底部の両端にそれぞれ立設する側壁部と、前記底部の奥端に立設する後壁部とを備えて内側にキャビティが設けられ、絶縁層で被覆されたシリコン立体部材から形成されたパッケージ部品であって、前記後壁部の厚み方向に前記絶縁層を介して形成された貫通電極と、前記後壁部の外側面及び内側面にそれぞれ設けられ、前記貫通電極を介して相互接続された配線層と、前記後壁部の内側面に設けられた前記配線層の上に形成され、発光素子を接合するための第１導電性接合材と、前記後壁部の外側面に設けられた前記配線層の上に形成された第２導電性接合材とを有するパッケージ部品が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、複数の発光素子がシリコン立体部材から形成されるパッケージ部を介して水平方向に積層されている。シリコン立体部材は高精度に微細加工されて作成されるので、十分な厚み精度や面精度が得られる。従って、発光素子を狭ピッチで精度よく積層できるので、小型化された積層型の発光装置を精度よく構築することができる。
【００１０】
さらには、パッケージ部の側壁部の上面にレンズ位置決め用の段差部を発光素子に対応するように位置精度よく形成することができる。従って、複雑なアライメント機構を採用することなく、円柱状レンズを発光素子に容易に位置合わせして配置することができ、コスト削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は関連技術の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は実施形態のパッケージ部品を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面の様子を示す部分斜視図である。
【図３】図３は実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４は実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５は実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６は実施形態の発光装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７は実施形態の発光装置を示す断面図である。
【図８】図８は実施形態の発光装置を示す斜視図である。
【図９】図９は実施形態の第１変形例の発光装置を示す部分断面図である。
【図１０】図１０は実施形態の第２変形例の発光装置を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
本実施形態の説明の前に、基礎となる関連技術（予備的事項）について説明する。
【００１４】
図１に示すように、関連技術の半導体レーザ装置では、銅（Ｃｕ）・タングステン（Ｗ）部材２００の間に半導体レーザ素子１００がそれぞれ配置されており、半導体レーザ素子１００が銅・タングステン部材２００を介して水平方向に積層されている。半導体レーザ素子１００はその上側端部に光出射面Ａを備えている。
【００１５】
各半導体レーザ素子１００はその光出射面Ａが上側を向いた状態で一方の側面が金（Ａｕ）・錫（Ｓｎ）はんだ層１２０によって銅・タングステン部材２００にそれぞれ接合されている。また、各半導体レーザ素子１００の他方の側面がインジウム（Ｉｎ）はんだ層１４０によって銅・タングステン部材２００にそれぞれ接合されている。
【００１６】
また、各半導体レーザ素子１００の上に円柱状レンズ３００がそれぞれ独立して配置されている。複数の半導体レーザ素子１００を積層した銅・タングステン部材２００はＡｌＮ基板やＢｅＯ基板などの絶縁基板を介して金属製の放熱板（ヒートブロック）に搭載される。
【００１７】
各半導体レーザ素子１００は銅・タングステン部材２００を介して電気的に直列に接続されており、右側の半導体レーザ素子１００から左側の半導体レーザ素子１００に電流が供給される。
【００１８】
これにより、各半導体レーザ素子１００の光出射面Ａから上側に向けて光がそれぞれ放出され、放出された光は円柱状レンズ３００でそれぞれ収束されて、高出力レーザとして外部に出射される。
【００１９】
このように、関連技術の半導体レーザ装置では、複数の半導体レーザ素子１００を積層する中間部材として銅・タングステン部材２００を使用している。銅・タングステン部材２００は加工精度が悪いため十分な厚み精度が得られないと共に、十分な面精度（平滑度）も得られない。
【００２０】
従って、特に銅・タングステン部材２００の厚みを４００〜１００μｍに設定して半導体レーザ素子１００の配置ピッチを狭くする場合、半導体レーザ素子１００の配置ピッチのばらつきが許容値を超えてしまうことが多い。
【００２１】
このため、半導体レーザ素子１００の設計上の配置ピッチで円柱状レンズ３００を配置すると、半導体レーザ素子１００と円柱状レンズ３００との間で位置ずれが発生し、積層型の半導体レーザ装置を高精度に構築することが困難になる。
【００２２】
また、銅・タングステン部材２００は導電体であるため、絶縁基板を介して金属製の放熱板に搭載する必要があり、部品数が多くなる問題もある。
【００２３】
このように、銅・タングステン部材２００を使用する場合、半導体レーザ素子１００を狭ピッチで精度よく配置するためには、銅・タングステン部材２００の厚み精度の改善や円柱状レンズ３００の位置合わせの工夫などが必要になり、コスト高を招くおそれがある。
【００２４】
以下に説明する実施形態では、上記した不具合を解消することができる。
【００２５】
（実施の形態）
図２（ａ）は実施形態の発光素子を実装するためのパッケージ部品を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）の斜視図のＩ−Ｉに沿った断面の様子を示す部分斜視図である。
【００２６】
図２（ａ）に示すように、実施形態のパッケージ部品５は、シリコンウェハが３次元的に加工されて個片化されたシリコン立体部材から形成される。パッケージ部品５は、底部１０と、底部１０の両端にそれぞれ立設する第１側壁部１２ａ及び第２側壁部１２ｂと、底部１０の奥端に立設して第１、第２側壁部１２ａ,１２ｂに繋がる後壁部１４とを備えている。後壁部１４の高さは第１、第２側壁部１２ａ，１２ｂの高さより低く設定されており、後壁部１４の上方が開口部９ａとなっている。
【００２７】
また、後壁部１４に対向する前壁部は存在せず、第１側壁部１２ａと第２側壁部１２ｂとが対向する領域の前方が開口部９ｂとなっている。さらに、底部１０に対向する天井部は存在せず、天井部が開口部９ｃとなっている。これにより、第１側壁部１２ａ、第２側壁部１２ｂ及び後壁部１４の内側にシリコン基板が掘り込まれたキャビティＣ（立体空間）が設けられている。
【００２８】
このようにして、パッケージ部品５は、底部１０、第１、第２側壁部１２ａ，１２ｂ、及び後壁部１４から形成されるシリコン立体部材からなり、その表面（全露出面）がシリコン酸化層などの絶縁層２０（図２（ｂ）の斜視図）で被覆されている。所望の形状のシリコン立体部材を作成した後に、それを熱酸化することにより表面に絶縁層２０を形成することができる。
【００２９】
さらに、第１、第２側壁部１２ａ，１２ｂの上面の前方部（キャビティＣに対応する部分）が下側に部分的に切削されてレンズ位置決め用の段差部Ｓがそれぞれ形成されている。段差部Ｓとして階段状の段差を例示しているが、レンズが配置される位置に凹部（Ｕ字状又はＶ字状の切込部など）を形成してレンズ位置決め用の段差部Ｓとしてもよい。
【００３０】
図２（ｂ）の斜視図を加えて参照すると、後壁部１４には内側面から外側面まで貫通するスルーホールＴＨが設けられており、スルーホールＴＨ内には絶縁層２０を介して銅（Ｃｕ）などからなる貫通電極ＴＥが充填されている。貫通電極ＴＥは絶縁層２０によって後壁部１４（シリコン）と電気的に絶縁されている。
【００３１】
後壁部１４の内側面全体に第１配線層３０が形成され、後壁部１４の外側面全体に第２配線層４０が形成されており、第１配線層３０と第２配線層４０とは貫通電極ＴＥを介して相互接続されている。
【００３２】
さらに、後壁部１４の内側面の第１配線層３０の上部側にインジウム（Ｉｎ）層３２（第１導電性接合材）が形成されている。また、後壁部１４の外側面の第２配線層４０の上部側に金（Ａｕ）・錫（Ｓｎ）合金層４２（第２導電性接合材）が形成されている。
【００３３】
第１、第２配線層３０，４０は少なくとも表面が金（Ａｕ）層から形成されていればよく、金層の下に銅層などが形成された積層金属膜から形成してもよい。
【００３４】
このようにして、後壁部１４の外側面の金・錫合金層４２は、第２配線層４０、貫通電極ＴＥ及び第１配線層３０を介して後壁部１４の内側面のインジウム層３２に電気的に接続されている。
【００３５】
そして、後述するように、後壁部１４の内側面のインジウム層３２に発光素子（半導体レーザ素子など）の側面が接合されて実装される。
【００３６】
なお、本実施形態では、発光素子をパッケージ部品５に実装するための第１導電性接合材としてインジウム層３２を例示するが、各種のはんだ層又は銀ペーストなどの導電性ペーストを使用してもよい。
【００３７】
また、パッケージ部品５の後壁部１４の外側面に形成する第２導電性接合材として金・錫合金層４２を例示するが、同様に、各種のはんだ層又は銀ペーストなどの導電性ペーストを使用してもよい。
【００３８】
図２（ａ）のパッケージ部品５のキャビティＣの深さＤ（奥行き）は、発光素子を実装したパッケージ部品５を水平方向（奥行き方向）に積層する際に、発光素子が他のパッケージ部品５と隙間なく積層される深さに設定される。
【００３９】
つまり、パッケージ部品５のキャビティＣの深さＤは、第１配線層３０及びインジウム層３２と、発光素子と、第２配線層４０及び金・錫合金層４２とのトータルの厚みに概ね対応するように設定される。
【００４０】
また、パッケージ部品の厚みＴは好適には４００〜１００μｍに設定され、発光素子を実装したパッケージ部品５を水平方向に積層する際に、パッケージ部品５の厚みＴによって発光素子の配置ピッチが概ね決定される。
【００４１】
本実施形態のパッケージ部品５は、シリコンウェハをフォトリソグラフィ及びウェットエッチング又はドライエッチングに基づいて精度よく微細加工して作成できるため、銅・タングステン部材を使用する場合より厚み精度や面精度を格段に向上させることができる。
【００４２】
従って、複数のパッケージ部品５の間でそれらの厚みＴ（図２（ａ））のばらつきを設計スペック内に抑えることができる。
【００４３】
従って、本実施形態のパッケージ部品５を介して発光素子を積層することにより、複数の発光素子を狭小ピッチで精度よく配置することができる。
【００４４】
次に、前述したパッケージ部品５を使用して発光素子を水平方向に積層することにより発光装置を製造する方法について説明する。
【００４５】
図３に示すように、前述した図２（ａ）のパッケージ部品５を用意する。図３では図２（ａ）のパッケージ部品５を横方向に倒して配置した様子を模式的に示している。
【００４６】
次いで、図４に示すように、チップ状の発光素子５０を用意する。発光素子５０は一方の端部に光出射面Ａを備える端面出射型の光デバイスであり、光出射面Ａから外側に光が放出される。発光素子５０として、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のダブルヘテロ接合構造の半導体レーザ素子が使用される。発光素子５０の両側面には電極（不図示）がそれぞれ設けられている。
【００４７】
そして、発光素子５０の光出射面Ａが外側を向くようにして、発光素子５０の一方の側面の電極をパッケージ部品５のインジウム層３２の上に配置する。さらに、発光素子５０をインジウム層３２側に押圧しながら２００℃程度の温度雰囲気で加熱することにより、発光素子５０をインジウム層３２に接合する。
【００４８】
このとき、インジウム層３２はその下の第１配線層３０（金層）と合金化してインジウム・金合金層３２ｘとなる。インジウム層３２の融点は１８０〜２００℃と比較的低いが、インジウム・金合金層３２ｘとなることにより融点が５００℃程度まで上昇する。
【００４９】
これにより、一つのパッケージ部品５に発光素子５０が実装されて一つの発光素子実装部品６が得られる。そして、このような発光素子実装部品６を所定数用意する。
【００５０】
前述したように、インジウム層３２以外のはんだ層や導電性ペーストによって発光素子５０をパッケージ部品５に実装してもよい。
【００５１】
続いて、図５に示すように、下側の発光素子実装部品６の発光素子５０の他方の側面の電極に、上側の発光素子実装部品６の金・錫合金層４２が配置されるようにして、複数の発光素子実装部品６を処理ステージ８の上で積層する。各発光素子実装部品６は同一方向を向いて積層される。
【００５２】
さらに、最上の発光素子実装部品６の上に配線部品６０を積層する。配線部品６０では、シリコン基板６２にスルーホールＴＨが設けられており、シリコン基板６２の両面及びスルーホールＴＨの内面に絶縁層６３が設けられている。そして、スルーホールＴＨに銅などからなる貫通電極ＴＥが充填されている。
【００５３】
さらに、シリコン基板６２の上面側には貫通電極ＴＥに接続される第１配線層６４が形成されている。上面側の第１配線層６４の上に形成されたインジウム層６５に第１接続ピン７０が接合されている。
【００５４】
また、シリコン基板６２の下面側には貫通電極ＴＥに接続される第２配線層６６が形成されている。下面側の第２配線層６６の上に金・錫合金層６７が形成されている。
【００５５】
そして、配線部品６０の下面側の金・錫合金層６７が最上の発光素子実装部品６の発光素子５０の側面の電極に対応するように、配線部品６０を最上の発光素子実装部品６の上に積層する。
【００５６】
この状態で、図５の積層構造体をプレス装置によって下側に押圧しながら、３００℃程度の温度雰囲気で加熱する。これにより、下側の発光素子実装部品６の発光素子５０と上側の発光素子実装部品６の金・錫合金層４２とが接合される。これと同時に、最上の発光素子実装部品６の発光素子５０と配線部品６０の金・錫合金層６７とが接合される。
【００５７】
このとき、発光素子実装部品６のパッケージ部５の底部１０及び第１、第２側壁部１２ａ，１２ｂは、他のパッケージ部品５と単に接触した状態となっている。
【００５８】
またこのとき、前述したようにパッケージ部品５のキャビティＣの深さＤ（図２（ａ））は、発光素子５０が隙間なくキャビティＣの深さＤ方向に配置されるように設定されているので、複数の発光素子実装部品６及び配線部品６０は傾くことなく水平方向を向いて積層される。
【００５９】
積層される発光素子５０の配置ピッチはパッケージ部品５の厚みＴ（図２（ａ））で概ね決定される。前述したようにパッケージ部品５はシリコンウェハが高精度に微細加工されて作成されるので、複数の発光素子５０を狭ピッチで精度よく配置することができる。
【００６０】
またこのとき、前述したように、各発光素子実装部品６のインジウム層３２は発光素子５０を実装する際に高融点（５００℃程度）のインジウム・金合金層３２ｘになっているので、上記した加熱処理（３００℃程度）で再溶融することはなく、接合の不具合が発生するおそれはない。
【００６１】
前述したように、金・錫合金層４２，６７以外のはんだ層や導電性ペーストによって、一方の発光素子実装部品６の発光素子５０と他方の発光素子実装部品６とを接合してもよい。
【００６２】
図６には、上記した方法で４つの発光素子実装部品６を積層し、積層方向を水平方向にして配置した様子が示されている。図６に示すように、図５の方法で発光素子実装部品６を積層した後に、配線部品６０と反対の端側（図５の積層時では最下）の発光素子実装部品６の金・錫合金層４２に第２接続ピン７２が接合される。
【００６３】
そして、銅などの金属製の放熱板８０（ヒートブロック）の上にインジウム層８２を形成し、発光素子実装部品６の積層体をインジウム層８２に押し込んで配置する。
【００６４】
本実施形態のパッケージ部品５は絶縁層２０で被覆されたシリコン立体部材から形成されるので、絶縁基板を介すことなく発光素子実装部品６の積層体を放熱板８０に搭載することができる。
【００６５】
その後に、図７に示すように、各発光素子実装部品６のレンズ位置決め用の段差部Ｓにエポキシ樹脂を塗布し、円柱状レンズ８４を段差部Ｓの垂直面に押し当てて配置した後に、加熱処理によってエポキシ樹脂を硬化させて円柱状レンズ８４を固定する。このとき、段差部Ｓは発光素子５０の光出射面Ａに対応する位置に精度よく形成できるので、円柱状レンズ８４が発光素子５０に高精度で位置合わせされて配置される。
【００６６】
このため、複雑なアライメント機構を使用することなく、極めて簡易な方法によって円柱状レンズ８４を発光素子５０に位置合わせして搭載することができる。なお、段差部Ｓとして凹部を形成する場合は、円柱状レンズ８４を凹部に配置することで発光素子５０に位置合わせして搭載することができる。
【００６７】
以上により実施形態の発光装置１が得られる。
【００６８】
図８には説明を容易にするために図７の発光装置１から配線部品６０と第２接続ピン７２を省略した構造体の斜視図が示されている。
【００６９】
図７及び図８に示すように、実施形態の発光装置１では、前述した構造の複数の発光素子実装部品６がパッケージ部品５のキャビティＣの奥行き方向（水平方向）に積層されている。図７及び図８の例では４つの発光素子実装部品６が水平方向に積層されているが、発光素子実装部品６の水平方向へ積層数は任意に設定することができる。
【００７０】
さらに、最端の発光素子実装部品６の発光素子５０に前述した構造の配線部品６０が電気的に接続されて積層されている（図７）。
【００７１】
また、各発光素子実装部品６のレンズ位置決め用の段差部Ｓに円柱状レンズ８４がそれぞれ配置されている。円柱状レンズ８４は段差部Ｓに押し当てられることで発光素子５０の光出射面Ａに位置合わせされて配置されている。
【００７２】
そして、発光装置１はインジウム層８２を介して金属製の放熱板８０の上に搭載されている。
【００７３】
本実施形態の発光装置１では、図７に示すように、水平方向に並んで配置された複数の発光素子５０は電気的に直列に接続されている。右側の第２接続ピン７２から供給される電流は、金・錫合金層４２、第２配線層４０、貫通電極ＴＥ、第１配線層３０、及びインジウム・金合金層３２ｘを介して発光素子５０に供給される。さらに同様な電流経路によって次の発光素子５０に電流が順次供給され、配線部品６０の第１接続ピン７０側に電流が流れる。
【００７４】
これにより、各発光素子５０の光出射面Ａから光がそれぞれ放出され、放出された光は円柱状レンズ８４でそれぞれ収束されて、高出力レーザとして外部に出射される。各発光素子５０から発する熱は、下側のインジウム層８２を介して放熱板８０に放熱される。
【００７５】
本実施形態では、放熱経路に絶縁基板が存在しないので良好な放熱特性が得られる。これにより、発光装置１の信頼性が向上すると共に、部品点数を削減できるという観点からも有利である。
【００７６】
なお、本実施形態では、パッケージ部５の後壁部１４に貫通電極ＴＥを設けることに基づいて隣接する発光素子５０同士を電気的に直列に接続して電流を供給しているが、パッケージ部５に必ずしも貫通電極ＴＥを設ける必要はない。
【００７７】
パッケージ部５に貫通電極ＴＥを設けない場合は、各パッケージ部５に発光素子５０に接続されるリード端子などがそれぞれ装着されて個別に電流が供給される。
【００７８】
本実施形態の発光装置１では、複数の発光素子５０はシリコン立体部材から形成されるパッケージ部５を介して水平方向に積層されている。シリコン立体部材は高精度に微細加工されて作成されるので、十分な厚み精度や面精度が得られる。従って、発光素子５０を狭ピッチで精度よく積層できるので、小型化された積層型の発光装置を精度よく構築することができる。
【００７９】
さらには、実装される発光素子５０の光出射面Ａの位置に合わせてパッケージ部５にレンズ位置決め用の段差部Ｓを設けることができる。従って、複雑なアライメント機構を採用することなく、円柱状レンズ８４を発光素子５０に容易に位置合わせして配置することができ、コスト削減を図ることができる。
【００８０】
図９は実施形態の第１変形例の発光装置１ａの部分拡大断面図である。図９に示すように、第１変形例の発光装置１ａでは、パッケージ部５の後壁部１４の外側面において、金・錫合金層４２の下側に、溶融する金・錫合金層４２を流し込むための凹部１４ｘが設けられている。
【００８１】
図９では、複数の発光素子実装部品６を水平方向に積層した後の様子が示されており、接合時に溶融した金・錫合金層４２が後壁部１４の凹部１４ｘに流れ込んで溜まっている。
【００８２】
これにより、余分な金・錫合金層４２が凹部１４ｘに流れて収容されるため、各発光素子５０を接合する金・錫合金層４２の厚みのばらつきが抑制され、発光素子５０の配置ピッチの精度をさらに向上させることができる。
【００８３】
また、図１０は実施形態の第２変形例の発光装置１ｂの部分拡大断面図である。図１０に示すように、第２変形例の発光装置１ｂでは、一方のパッケージ部５の底部１０の後方の外側面に嵌合用の凹部１０ｘが設けられている。そして、他方のパッケージ部５の底部１０の前方の外側面に嵌合用の凸部１０ｙが水平方向に突出して設けられている。
【００８４】
複数の発光素子実装部品６を積層する際に、一方のパッケージ部５の底部１０の凹部１０ｘに他方のパッケージ部５の底部１０の凸部１０ｙを嵌合させる。これにより、複数の発光素子実装部品６の間で水平方向に配置される際の上下方向の位置ずれが防止され、発光装置の信頼性をさらに向上させることができる。
【符号の説明】
【００８５】
１，１ａ，１ｂ…発光装置、５…パッケージ部品、６…発光素子実装部品、８…処理ステージ、９ａ，９ｂ、９ｃ…開口部、１０…底部、１０ｘ，１４ｘ…凹部、１０ｙ…凸部、１２ａ…第１側壁部、１２ｂ…第２側壁部、１４…後壁部、２０，６３…絶縁層、３０，６４…第１配線層、３２，６５，８２…インジウム層、３２ｘ…インジウム・金合金層、４０，６６…第２配線層、４２，６７…金・錫合金層、５０…発光素子、６０…配線部品、７０…第１接続ピン、７２…第２接続ピン、８０…放熱板、８４…円柱状レンズ、Ａ…光出射面、Ｃ…キャビティ、ＴＥ…貫通電極、ＴＨ…スルーホール、Ｓ…段差部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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