(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置
された空洞部を画成する被覆構造とを具備する電子装置において、
前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁
膜と配線層の積層構造を含み、
前記被覆構造のうち前記空洞部を周囲から被覆する周囲被覆部に、複層の導電体層から
形成された包囲壁が設けられ、
前記包囲壁の一部が前記機能構造体と同じ材質で構成されてなり、
前記導電体層は前記配線層の一部で形成されて空洞部を取り巻く平面形状を備え、
前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部は、前記空洞部に臨む貫通孔
を備えた第１被覆層と、該第１被覆層の前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層と、保護層と、
を有し、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成され、且つ空洞部を
取り巻く平面形状を備えて前記導電体層の１層に接続する接続部分を有して形成されてい
る前記第１被覆層を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記周囲被覆部は、前記機能構造体と同層同材質にて前記空洞部を取り巻く形状に構成
された下部包囲壁を有し、該下部包囲壁の上方に前記包囲壁が配置されていることを特徴
とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記包囲壁は前記下部包囲壁に全周に亘って接続されていることを特徴とする請求項２
に記載の電子装置。
【請求項４】
基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置
された空洞部を画成する被覆構造とを具備する電子装置の製造方法において、
前記機能構造体を犠牲層とともに形成する構造体形成工程と、
前記機能構造体上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上に配線層を形成し、前記機能構造体と同じ材質である該配線層の一部が前記機能構造体を取り巻く平面形状を有する導電体層からなる包囲壁とする配線層形成工程と、
前記機能構造体の上方に貫通孔を備え、且つ第１導電体層に接続して前記機能構造体を取り巻く平面形状を有する接続部分を有する第１被覆層を形成する第１被覆工程と、
保護膜を形成する工程と、
前記第１被覆層の前記貫通孔を通して前記機能構造体上の前記層間絶縁膜及び前記犠牲
層を除去し、前記包囲壁を残すリリース工程と、
前記第１被覆層の前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層を形成する第２被覆工程と、
を具備することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記構造体形成工程では、前記機能構造体とともに、前記機能構造体を取り巻く形状で
前記包囲壁を支持する下部包囲壁が形成されることを特徴とする請求項４に記載の電子装
置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置及びその製造方法に係り、特に、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）等の機能素子を基板上に構成された空洞部に配置してなる電子装置の構造及び製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＥＭＳ等の機能素子を基板上に構成された空洞部に配置してなる電子装置が知られている。例えば、マイクロ振動子、マイクロセンサ、マイクロアクチュエータ等のＭＥＭＳは、微小な構造体が振動、変形、その他の動作が可能となる状態で配置される必要があるため、空洞内に動作可能な状態で収容される（例えば、以下の特許文献１及び２参照）。
【０００３】
ところで、上記の空洞を形成する方法として、特許文献１に開示されているように、一方の基板の表面上に微小機械素子を形成した後に、真空チャンバ内でＯリングを介して一方の基板と他方の基板を接合し、その後、Ｏリングの外側に密封剤を充填する方法が知られている。
【０００４】
また、他の方法として、特許文献２に開示されているように、基板上にＭＥＭＳ構造体を形成し、その上に犠牲層を形成した後に貫通孔を有する第１封止部材を形成し、この第１封止部材の貫通孔を通して犠牲層を除去してＭＥＭＳ構造体の可動部をリリースさせ、最後に第１封止部材の貫通孔をＣＶＤ膜等の第２封止部材で覆うことで閉鎖するといった方法も知られている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２９７１８０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の２枚の基板を貼り合わせる方法では、封止用の専用基板が必要になるために資材コストが増加し、また、一般の半導体製造技術を用いて微小機械素子を形成しようとしても、基板同士を貼り合わせるといった特殊なプロセスが必要となることから、半導体製造技術を用いる利点が減殺され、製造コストが増大するという問題点がある。
【０００７】
また、前述の貫通孔を有する第１封止部材と貫通孔を閉鎖する第２封鎖部材とを用いる方法を提案する特許文献２は、基本的にＭＥＭＳ構造体を単独で製造する場合の説明のみを開示するものであり、ＭＥＭＳ構造体を電子回路と一体化して製造する場合の構成や製法については何らの示唆もない。通常、ＭＥＭＳ構造体と電子回路との構造的一体化を高めることやＭＥＭＳ構造体を電子回路と共通の工程で製造することは困難であり、電子回路の製造プロセスとは別のプロセスでＭＥＭＳ構造体を製造する必要があることから、製造コストの低減を図ることができないとともに、両プロセスが技術的に影響を与えてＭＥＭＳ構造体や電子素子の性能に悪影響を与えることすら想定される。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、基板上の空洞内に配置される機能構造体と電子回路を高度に一体化させることで、小型化された電子装置を実現するとともに、基板上の空洞内に配置される機能構造体を電子回路と並行して製造可能とすることで、製造コストを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子装置は、基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置された空洞部を画成する被覆構造とを具備する電子装置において、前記被覆構造は、前記空洞部の周囲を取り巻くように前記基板上に形成された層間絶縁膜と配線層の積層構造を含み、前記被覆構造のうち前記空洞部を周囲から被覆する周囲被覆部に、複層の導電体層から形成された包囲壁が設けられ、前記導電体層は前記配線層の一部で形成されて空洞部を取り巻く平面形状を備え、前記被覆構造のうち前記空洞部を上方から覆う上方被覆部は、前記空洞部に臨む貫通孔を備えた第１被覆層と、該第１被覆層の前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層と、保護層と、を有し、前記機能構造体の上方に配置された前記配線層の一部で構成され、且つ空洞部を取り巻く平面形状を備えて前記導電体層の１層に接続する接続部分を有して形成されている前記第１被覆層を含むことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、機能構造体を収容する空洞部を画成する被覆構造に、層間絶縁膜と配線層の積層構造が含まれ、しかも、空洞部を上方から被覆する上方被覆部が配線層の一部で構成されていることにより、機能構造体を収容する空洞部を画成する被覆構造と電子回路とを構造的に高度に一体化できるとともに、機能構造体の製造プロセスと電子回路の製造プロセスとを容易に共通化することができるため、電子装置の小型化を図ることができるとともに製造コストを低減できる。また、上方被覆部が配線層の一部である導電性材料で構成されることで、機能構造体と外部との間の電磁的相互作用を低減できる。
また、この発明によれば、機能構造体を収容する空洞部を画成する被覆構造に、層間絶縁膜と配線層の積層構造が含まれ、しかも、空洞部を周囲から被覆する周囲被覆部に配線層の一部で形成された包囲壁が設けられていることにより、機能構造体を収容する空洞部を画成する被覆構造と電子回路とを構造的に高度に一体化できるとともに、機能構造体の製造プロセスと電子回路の製造プロセスとを容易に共通化することができるため、電子装置の小型化を図ることができるとともに製造コストを低減できる。また、配線層の一部である導電性材料で空洞部を取り巻く平面形状を備えた包囲壁が形成されることで、機能性構造体と外部との間の電磁的相互作用を低減できるとともに、機能性構造体のリリース工程におけるエッチング範囲を包囲壁によって限定することが可能になるため、空洞部の小型化を容易に達成できる。
【００１１】
本発明において、前記上方被覆部は、前記空洞部に臨む貫通孔を備えた第１被覆層と、該第１被覆層の前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層と、を有し、前記第１被覆層が前記配線層の一部で構成されていることが好ましい。これによれば、第１被覆層の貫通孔を通して機能構造体の周囲を除去して可動部をリリースさせることができるとともに、その後、貫通孔を閉鎖する第２被覆層を形成することで、空洞部を密閉することができる。
【００１４】
本発明において、前記周囲被覆部は、前記機能構造体と同層同材質にて前記空洞部を取り巻く形状に構成された下部包囲壁を有し、該下部包囲壁の上方に前記包囲壁が配置されていることが好ましい。これによれば、周囲被覆部において下部包囲壁と包囲壁とが上下に配置されることで、上記電磁的相互作用をより低減できるとともに空洞部の小型化もより容易に達成できる。
【００１５】
本発明において、前記包囲壁は前記下部包囲壁に全周に亘って接続されていることが好ましい。これによれば、下部包囲壁と包囲壁とが上下方向に一体化されるため、上記電磁的相互作用をさらに低減することが可能になるとともに、上記空洞部の小型化をさらに容易に実現できる。
【００１７】
次に、本発明の電子装置の製造方法は、基板と、該基板上に形成された機能素子を構成する機能構造体と、該機能構造体が配置された空洞部を画成する被覆構造とを具備する電子装置の製造方法において、前記機能構造体を犠牲層とともに形成する構造体形成工程と、  前記機能構造体上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上に配線層を形成し、該配線層の一部が前記機能構造体を取り巻く平面形状を有する導電体層からなる包囲壁とする配線層形成工程と、前記機能構造体の上方に貫通孔を備え、且つ前記第１導電体層に接続して前記機能構造体を取り巻く平面形状を有する接続部分を有する第１被覆層を形成する第１被覆工程と、保護膜を形成する工程と、前記第１被覆層の前記貫通孔を通して前記機能構造体上の前記層間絶縁膜及び前記犠牲層を除去し、前記包囲壁を残すリリース工程と、前記第１被覆層の前記貫通孔を閉鎖する第２被覆層を形成する第２被覆工程と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
本発明において、前記構造体形成工程では、前記機能構造体とともに、前記機能構造体を取り巻く形状で前記包囲壁を支持する下部包囲壁が形成されることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。最初に、本発明に係る電子装置の製造方法について説明する。図１乃至図８は本発明に係る電子装置の製造方法を示す概略工程図である。
【００２０】
まず、図１に示す半導体基板等からなる基板１を用意する。基板１としてはシリコン基板等の半導体基板であることが最も好ましいが、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いることができる。半導体基板を用いる場合には、基板１に予め、或いは、適宜の工程途中において、所定の半導体集積回路（図示せず、例えば、ＭＯＳトランジスタ等）を作りこんでおくことができる。本実施形態の製造方法では、基板１の表層部に適宜の不純物領域（図示せず）を備えた半導体基板を用いる。また、この半導体基板上に適宜の配線構造を形成し、全体としてＣＭＯＳプロセスによって電子装置（半導体集積回路）を形成していくように製造方法が設定される。
【００２１】
本実施形態では、基板１の表面上に犠牲層２を形成する。この犠牲層２は、例えば、酸化シリコン膜、ＰＳＧ（リンドープガラス）膜等で構成することができ、ＣＶＤ法、スパッタリング法等によって形成される。図示例では、犠牲層２の適所に、後述するＭＥＭＳ構造体の支持部を形成するための開口２ａがフォトリソグラフィ法等によって形成されたパターニングマスクを用いてエッチングを行う方法などの適宜のパターニング処理により形成される。
【００２２】
次に、図２に示すように、上記犠牲層２上に、導電性シリコン膜（ドーピングされた多結晶シリコン）等で構成される機能層３を形成する。この機能層３は、上記のように形成された開口２ａを通して基板１（例えば、基板１に形成された図示しない下部電極など）に接続される。機能層３は、スパッタリング法やＣＶＤ法等によって形成される。そして、この機能層３を適宜のパターニング方法でパターニングすることによって、図３に示すように機能構造体であるＭＥＭＳ構造体３Ｘが形成される。ここで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘは単層で構成されるように説明したが、実際には２層以上の積層構造によって形成してもよい。
【００２３】
なお、図示例では犠牲層２の開口２ａに対応する支持部を中央下部に備えた振動板形状のＭＥＭＳ構造体３Ｘが設けられているが、対向電極などは図示を省略してある。また、図示例はＭＥＭＳ構造体を模式的に示したものであって実際の構造を正確に表現したものではない。ＭＥＭＳ構造体としては、櫛歯状、梁状、円盤状などの種々の平面パターンを備えた可動部を形成することができる。また、振動子として用いられるもの、アクチュエータとして用いられるもの、センサとして用いられるものなど、任意の機能を有する素子として構成されたものを形成することができる。
【００２４】
また、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの他に、ＭＥＭＳ以外の、水晶振動子、ＳＡＷ（表面弾性波）素子、加速度センサ、ジャイロスコープなどの各種の機能素子を構成するための機能構造体であってもよい。すなわち、本発明の機能素子は、空洞部に配置されうる機能構造体を備えたものであれば如何なるものであっても構わない。ここで、機能構造体は機能素子の一部のみを構成するものであってもよい。
【００２５】
本実施形態では、上記ＭＥＭＳ構造体３Ｘと同時に、当該ＭＥＭＳ構造体３Ｘを平面的に取り巻くように構成された下部包囲壁（ガードリング）３Ｙが形成される。下部包囲壁３ＹはＭＥＭＳ構造体３Ｘと同層かつ同材質で構成されたものであり、機能層３をパターニングすることによってＭＥＭＳ構造体３Ｘと同時に形成される。下部包囲壁３Ｙの平面形状は、図示例では四角形（正方形）状であるが、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを包囲する閉じた形状であれば円形、多角形などの任意の形状で構わない。下部包囲壁３Ｙは、上記の犠牲層２や後述する層間絶縁膜を除去するリリース工程において実質的に除去されない素材であること（換言すれば、リリース工程の除去方法が除去されるべき素材と下部包囲壁３Ｙとの間で選択性を有する方法になること）が好ましく、さらに、導電性材料であることがより望ましい。当該導電性材料としては、例えば、導電性半導体（高濃度にドーピングされた半導体）、例えばポリシリコン、或いは、金属材料等が挙げられる。
【００２６】
次に、図４に示すように、ＭＥＭＳ構造体３Ｘ及び下部包囲壁３Ｙ上に、酸化シリコン（例えば、ＴＥＯＳ；テトラエチルオルトシリケート等を原料ガスとするＣＶＤ膜）等の絶縁体よりなる層間絶縁膜４、アルミニウム等の導電体よりなる配線層５、酸化シリコン等の絶縁体よりなる層間絶縁膜６を順次に形成する。この積層構造は、通常のＣＭＯＳプロセスと同様に形成されていく。この積層構造は、最終的にＭＥＭＳ構造体３Ｘを収容する空洞部を画成するための被覆構造を構成するものである。また、配線層５の一部は、上層構造に導電接続するためのスルーホール６ａによって露出された状態とされている。なお、層間絶縁膜４、配線層５及び層間絶縁膜６といった積層構造の積層数は必要に応じて適宜に構成される。例えば、実際のＣＭＯＳプロセスでは、さらに多くの配線層がそれぞれ層間絶縁膜を介して積層される場合もある。
【００２７】
本実施形態の場合、層間絶縁膜４に上記下部包囲壁３Ｙを露出する開口部４ａを形成し、この開口部４ａ内に配線層５の一部を形成することで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り囲む平面形状を有する包囲壁（ガードリング）５Ｙが形成される。図４には包囲壁５Ｙ以外の他の配線層５は図示されていないが、実際には所定の配線パターンが形成されるように配線層５が形成され、その一部が図示の包囲壁５Ｙとなる。ただし、この包囲壁５Ｙは他の配線パターンと導電接続されていないことが望ましい。ここで、包囲壁５Ｙは上記下部包囲壁３Ｙと同様に、円形、多角形などのＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた平面形状を備えたものとされる。この場合、上記開口部４ａ及びその内部を通した包囲壁５Ｙの接続部分がＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた形状とされることで、下部包囲壁３Ｙと包囲壁５Ｙとが一体の側壁として構成される。
【００２８】
なお、図示例では配線層５は単層であるが、図示しない層間絶縁膜を介して複数の配線層５を積層してもよく、この場合には、包囲壁５Ｙも複層となる。ここで、複数の包囲壁５Ｙが層間絶縁膜の開口部を通して接続されていることが好ましい。特に、当該開口部自体及びその内部を通した包囲壁の接続部分がＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた形状に構成されることで、複数の包囲壁５Ｙが一体の側壁として構成される。
【００２９】
その後、図５に示すように層間絶縁膜６上にアルミニウム等からなる導体層７を形成し、この導体層７をパターニングすることにより、図示しない配線層７が形成され、当該配線層７の一部として、図６に示すように第１被覆層７Ｙが形成される。ここで、第１被覆層７ＹはＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方を覆うように配置されている。また、本実施形態の場合、第１被覆層７Ｙには複数の貫通孔７ａが形成されている。図示例では、貫通孔７ａは縦横に配列され、全体として第１被覆層７Ｙの一部が網目状に構成されている。貫通孔７ａは導体層７をパターニングする際に同時に形成される。したがって、製造プロセスは、第１被覆層７Ｙを形成しない場合（すなわち、図示しない配線層７の配線パターンのみを形成する場合）と何ら変わらない。
【００３０】
ここで、第１被覆層７Ｙは、上記開口部６ａを介して上記の包囲壁５Ｙと接続されている。特に、上記開口部６ａがＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた形状とされ、この中を通る第１被覆部７Ｙの包囲壁５Ｙに対する接続部分もまたＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた形状とされることが好ましい。
【００３１】
上記のようにして、下部包囲壁３Ｙ、包囲壁５Ｙ及び第１被覆層７Ｙによって一体の側壁１０Ｙが形成される場合には、ＭＥＭＳ構造体３Ｘが、基板１、側壁１０Ｙ及び第１被覆層７Ｙによって下方、上方及び側方から完全に包囲される。
【００３２】
なお、下部包囲壁３Ｙ、包囲壁５Ｙ及び第１被覆層７Ｙ、或いは、これらが一体化されてなる上記側壁１０Ｙには、それぞれ、或いは、一体的に所定の電位（例えば、接地電位）が与えられることが好ましい。これによって、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを外部に対して電磁的に或る程度遮蔽することができ、ＭＥＭＳ構造体３Ｘに対する遮蔽率が高められるに従って、ＭＥＭＳ構造体３Ｘと外部との間の電磁的相互作用を低減することができる。
【００３３】
次に、図７に示すように、貫通孔７ａを通してＭＥＭＳ構造体３Ｘの周囲にある層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２を除去することで、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを収容する空洞部Ｓを形成する（リリース工程）。ここで、貫通孔７ａを通した層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２の除去は、沸酸（ＨＦ）や緩衝沸酸（ＢＨＦ）等によるウエットエッチング、あるいは、沸酸系ガス（蒸気）等によるドライエッチング等によって行うことができる。このようなエッチング方法は等方性エッチングであるので、小さな貫通孔７ａを通してもＭＥＭＳ構造体３Ｘのリリースを容易に達成できる。
【００３４】
上記のエッチング方法はＭＥＭＳ構造体３Ｘ、下部包囲壁３Ｙ、包囲壁５Ｙ及び第１被覆層７Ｙに対して実質的に除去性能を発揮しないため、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの周囲にある層間絶縁膜６、層間絶縁膜４及び犠牲層２を完全に除去しても、空洞部Ｓが下部包囲壁３Ｙ及び包囲壁５Ｙの外側へ広がることを防止できる。ここで、リリース工程が終了したときには空洞部Ｓを十分に洗浄する。例えば、空洞部Ｓを水洗し、その後、置換法等を用いて水分を完全に除去する。なお、下部包囲壁３Ｙ、包囲壁５Ｙ、並びに、第１被覆層７Ｙの下部は上記の周囲被覆部を構成する。
【００３５】
次に、図８に示すように、層間絶縁膜６、第１被覆層７Ｙ及びこれと同時に形成された配線層７の他の部分（図示せず）上に酸化シリコン、窒化シリコン、樹脂材料等で構成される保護膜８を形成する。この保護膜８としては、窒化シリコン、絶縁レジスト等の表面保護膜（パシベーション膜）を用いることができる。そして、ドライエッチング等により保護膜８に開口部８ａを形成することによって上記第１被覆層７Ｙ及び上記配線層の一部を露出させ、導電接続用のパッド部とする。また、保護膜８には上記開口部８ａと同時に開口部８ｂを形成し、この開口部８ｂによって第１被覆層７ＹにおけるＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方にある部分（貫通孔７ａが形成されている領域）を露出させる。なお、保護膜８の形成及びパターニングは、保護膜８がリリース工程のエッチングに耐えうる材料であれば、或いは、保護膜８の表面上にレジスト等のマスクが形成されるのであれば、上記リリース工程の前に行ってもよい。
【００３６】
最後に、第１被覆層７Ｙ上に第２被覆層９を形成することで貫通孔７ａを閉鎖し、上記空洞部Ｓを密閉する。この第２被覆層９は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法などの気相成長法で形成することが好ましい。このようにすると、そのまま空洞部Ｓを減圧状態で密閉することができるからである。気相成長法で形成する第２被覆層９としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁体（ＣＶＤ法）、或いは、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ等の金属その他の導電性材料（スパッタリング法）などが挙げられる。
【００３７】
なお、この工程において、第２被覆層９を金属その他の導電性材料で構成する場合には、開口部８ａ上に成膜された部分を残すことで接続パッドを形成するようにしてもよい。また、上述の上方被覆部は、第１被覆層７Ｙ及び第２被覆層９により構成される。
【００３８】
図９は上記電子装置の部分平面図である。この図に示すように、第１被覆層７Ｙに設けられた貫通孔７ａは、リリース工程においてエッチングが可能となる程度に大きく、また、上記の第２被覆層９によって容易に閉鎖される程度に小さく形成されることが好ましい。例えば、円換算直径で１〜１０μｍ、特に３〜５μｍ程度である。また、上記と同じ理由により、貫通孔７ａは円形や正多角形に近い形状（図示例では正方形）であることが好ましい。
【００３９】
さらに、貫通孔７ａはＭＥＭＳ構造体３Ｘの直上位置からオフセットされた位置に形成されていることが好ましい。図示例では、ＭＥＭＳ構造体３Ｘに対して平面方向に間隔Ｇだけずれた位置に貫通孔７ａが存在するように構成されている。このようにすると、第２被覆層９の形成時等においてＭＥＭＳ構造体３Ｘに第２被覆層９等の素材が付着するなどの不具合を回避できる。間隔Ｇは第２被覆層９等の形成方法によっても異なるが、上記の気相成長法で形成する場合であれば、最低でも０．５μｍ程度、現実には０．５〜５．０μｍ程度であることが好ましい。
【００４０】
図１０は第１被覆層７Ｙの貫通孔７ａの形成部分を拡大して示す拡大部分断面図である。貫通孔７ａの孔形状は任意であるが、図示例のように貫通孔７ａの内面７ｂが外側（図示上側）に傾斜した面として形成されることで、第２被覆層９の成膜時において貫通孔７ａを容易に閉鎖することができる。なお、図示例では上記の傾斜した内面７ｂは第１被覆層７Ｙの厚み方向の全体にわたり形成されているが、当該厚み方向の一部範囲にのみ形成されていてもよい。
【００４１】
本実施形態の電子装置では、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを収容する空洞部Ｓを層間絶縁膜４，６と配線層５、７の積層構造が取り巻く被覆構造を有し、この被覆構造によって上記空洞部Ｓが画成されるとともに、当該空洞部Ｓ上を被覆する第１被覆層７Ｙを上記配線層の一部で構成することにより、上記積層構造を要する電子回路との一体性を高めることができるため、電子装置の小型化を図ることができるとともに製造コストを抑制することができる。特に、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを覆う第１被覆層７Ｙが配線層の一部よりなる導電性材料で構成されることで外部との電磁的相互作用を低減できる。この場合に、第２被覆層９もまた導電性材料で構成されていればさらに好適であることは言うまでもない。
【００４２】
また、上記の被覆構造において、配線層の一部により、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻く閉じた平面形状を有する構成される包囲壁５Ｙが設けられることで、上記と同様に上記積層構造を要する電子回路との一体性を高めることができるため、電子装置の小型化を図ることができるとともに製造コストを抑制することができる。特に、包囲壁５Ｙが存在することでリリース工程時におけるサイドエッチングの範囲を抑制できるため、ＭＥＭＳ構造体３Ｘを収容する空洞部Ｓの小型化が容易になるとともに、配線層の一部よりなる導電性材料で構成される包囲壁５Ｙの存在により、ＭＥＭＳ構造体３Ｘと外部との電磁的相互作用を低減できる。
【００４３】
上記構成においては、さらに一体の側壁１０ＹがＭＥＭＳ構造体３Ｘを取り巻くように形成されることで、リリース工程における除去範囲を平面的に完全に限定できるため、空洞部Ｓのさらなる小型化を図ることができる。また、当該側壁１０Ｙが全て導電性材料で構成されていれば、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの導電体による遮蔽度がより高められるため、ＭＥＭＳ構造体３Ｘと外部との間の電磁的相互作用をより低減することができる。特に、側壁１０Ｙと第１被覆層７Ｙとが接続されることでＭＥＭＳ構造体３Ｘの電磁的遮蔽効果をさらに高めることができる。
【００４４】
図１１は上記の保護膜８を第２被覆層として用いた例を示す。この場合、第２被覆層８は絶縁体で構成されることが好ましい。これによれば、保護膜と第２被覆層とを兼ねることでプロセス数が削減される（上記の第２被覆層９の成膜及びパターニングが不要となる）ため、製造コストをさらに低減できる。
【００４５】
図１２は上記の配線層５の一部により、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの上方を覆うとともに貫通孔５ａを備えた第３被覆層５Ｚを構成した例を示す。ここで、第３被覆層５Ｚは、第１被覆層７Ｙの貫通孔７ａと平面的に重なり、しかも、貫通孔５ａが第１被覆層７Ｙと平面的に重なるように構成されている。すなわち、貫通孔７ａで露出する平面領域は第３被覆層５Ｚで覆われており、貫通孔５ａで露出する平面領域は第１被覆層７Ｙで覆われているので、例えば、第２被覆層９を気相生長法で成膜した場合でも、第２被覆層９の素材がＭＥＭＳ構造体３Ｘに付着することを防止できる。したがって、図９にて説明したように、ＭＥＭＳ構造体３Ｘの平面範囲と、貫通孔７ａの開口範囲とを平面的にオフセットさせて設ける必要もなくなる。この場合、上述の上方被覆部は、第１被覆層７Ｙ、第２被覆層９及び第３被覆層５Ｚにより構成される。
【００４６】
尚、本発明の電子装置及びその製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００４７】
例えば、上記実施形態では半導体基板上にＣＭＯＳプロセスと同様の半導体製造工程を実施しつつ、アクチュエータ、共振子、高周波フィルタ等の機能素子としてのＭＥＭＳ素子を構成するＭＥＭＳ構造体３Ｘを形成しているが、本発明はＭＥＭＳ素子を備えたものに限らず、水晶振動子、ＳＡＷ素子、加速度センサ、ジャイロセンサなどのＭＥＭＳ素子以外の各種の機能素子を備えたものに適用することができる。
【００４８】
また、上記実施形態では機能素子を半導体集積回路と一体化してなる半導体装置を構成しているが、半導体基板以外の基板を用いてもよく、或いは、半導体回路以外の他の電子回路を機能素子と接続したものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図２】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図３】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図４】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図５】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図６】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図７】実施形態の製造工程を示す概略工程断面図。
【図８】実施形態の完成状態の概略縦断面図。
【図９】実施形態の平面形状を示す部分平面図。
【図１０】実施形態の第１被覆層の貫通孔への第２被覆層の堆積状況を示す拡大部分断面図。
【図１１】他の電子装置の構造を示す縦断面図。
【図１２】異なる電子装置の構造を示す縦断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１…基板、２…犠牲層、３…機能層、３Ｘ…ＭＥＭＳ構造体（機能構造体）、３Ｙ…下部包囲壁、４…層間絶縁膜、４ａ，６ａ…開口部、５…配線層、５Ｙ…包囲壁、６…層間絶縁膜、７…（配線層）、７Ｙ…第１被覆層、７ａ…貫通孔、８…保護膜、９…第２被覆層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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