(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構成要素（１）およびキャリア（３）を含み、前記キャリアが熱伝導性セラミックを含み、少なくとも１つのバリスタ体（２）に接続され、前記半導体構成要素からの熱が、前記バリスタ体によってキャリア（３）へ少なくとも部分的に消散されることが可能であり、前記キャリア（３）および／または前記バリスタ体が少なくとも１つの熱伝導性チャネルを含み、
前記キャリア（３）が複数の電気的端子（４）を有し、少なくとも１つの第１の電気的端子が前記半導体構成要素（１）への電気的接続部を形成し、少なくとも１つの第２の電気的端子が外側に向けて電気的接続部を形成し、
前記バリスタ体（２）が前記キャリア（３）に一体化され、前記キャリア（３）の前記第１および前記第２の電気的端子に接続され、
前記バリスタ体（２）がビアとして実施される、
電気的構成要素アセンブリ。
【請求項２】
前記キャリア（３）が、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化マンガンから選択された少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項３】
前記キャリア（３）が、前記キャリアの周囲にある材料と異なる材料組成を有する少なくとも１つの熱伝導性チャネル（６）を含む、請求項１または２に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項４】
前記バリスタ体（２）が、少なくとも基質としてのバリスタセラミックと充填材としての熱伝導性材料からなる複合材料を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項５】
前記キャリア（３）がハウジング（１２）に一体化され、前記ハウジングが、前記キャリアに接続されて前記キャリアに熱的に結合される熱伝導性領域を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項６】
前記半導体構成要素（１）が、以下の構成要素：光電子構成要素、ＬＥＤ、キャパシタ、多層キャパシタ、サーミスタ、多層サーミスタ、ダイオード、増幅器、から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【請求項７】
抵抗／温度特性曲線に従属するような、前記半導体構成要素（１）の制御電流の調整に寄与する、サーミスタをさらに有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の電気的構成要素アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体構成要素のための熱消散手段を備える電気的構成要素アセンブリが記載される。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は熱伝導体を備えるバリスタ構成要素を開示している。一実施形態によれば、発光ダイオードがバリスタ構成要素に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２００７０１３０１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
達成すべき一つの目標は、アセンブリ内の電気的構成要素のための熱消散手段を明記することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
半導体構成要素およびキャリアを有する電気的構成要素アセンブリが記載され、キャリアは高熱伝導性セラミックを含み、少なくとも１つのバリスタ体に接続される。この場合には、半導体構成要素からの熱は少なくとも部分的に、バリスタ体によってキャリアへと消散されることが可能である。また、キャリアは以下ではヒートシンクとも呼ばれる。
【０００６】
例えば以下のものはヒートシンクの高熱伝導性セラミックと判明している。窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化マンガン。これらはヒートシンクに、好ましくは相応に含まれる。ヒートシンクの高熱伝導性セラミックが、例えば金属などの高熱伝導性充填材を受け入れる基質として形成されうる。したがって、一実施形態によれば、金属粒子はヒートシンクのすでに高熱伝導性のセラミック基質において充填材として含まれる。この方策はヒートシンクの全体の熱伝導性をさらに増加させる。
【０００７】
さらに、ヒートシンクは、キャリアを取り囲む材料とは異なる材料構成からなる少なくとも１つの熱伝導性チャネルを有してもよい。特に、熱伝導性チャネルが、取り囲む材料よりも高い熱伝導性を有することが好ましい。この場合には、熱伝導性チャネルは金属または高熱伝導性セラミックからなってもよい。
【０００８】
一実施形態によれば、ヒートシンクは板または堅い支持体として実施される。
【０００９】
一実施形態によれば、ヒートシンクは、例えば半導体構成要素やバリスタ体などの、ヒートシンクに接続された構成要素との接点を構成するようにはたらく複数の電気的端子を有する。一実施形態によれば、電気的端子は電気伝導層として実施される。例として、一実施形態によれば、電気伝導トラックがヒートシンクに配置される。これらは、いずれの場合にも、複数回の方向の変化を伴う進路を有することができるか、または平らで幾何学的なパターンとして実現されることができる。それはスクリーン印刷によってヒートシンクに加えられる。ヒートシンクが板または堅い支持体として実施される場合は、電気的端子は板の互いに反対側の面に配置されうる。ヒートシンクの複数の電気的端子は好ましくはアノード、カソードおよび／または接地接点を有し、一実施形態によればヒートシンクの接地接点はバリスタ体の接地接点に接点接続される。ヒートシンクのアノード接点およびカソード接点はバリスタ体または半導体構成要素の対応する接点と接触してもよい。
【００１０】
一実施形態によれば、半導体構成要素は、その下側をヒートシンクに向けて置かれ、ヒートシンクの電気的端子に接点接続された外部電気的接点を有する。この場合には、半導体構成要素の外部電気的接点は、はんだ球として、特にフリップチップ接点接続部として実施されることが好ましい。そのような外部電気的接点は、ヒートシンクの半導体構成要素の取り付けをかなり容易にする。
【００１１】
有利な一実施形態によれば、ヒートシンクは、適切な場合にはヒートシンクに加えられた、例えば導電トラック構造体に接続された、電気めっきされたスルーホールを有する。したがって、半導体構成要素の、および／またはバリスタ体の電気的接点接続は、ヒートシンクを通って例えばプリント回路基板へと続いてもよい。
【００１２】
ヒートシンクは、上下に配置された、間に導電トラックが延びる複数の層を有してもよく、該導電トラックは、例えばヒートシンクのめっきされたスルーホールに接続されることがある。それらの層は誘電体層、特に高熱伝導性セラミック層であってよい。層は互いに焼結されることができ、モノリシックなセラミック板が形成される。
【００１３】
電気的構成要素アセンブリの一実施形態によれば、バリスタ体は構成要素として実施されてヒートシンクに取り付けられ、一方で、半導体構成要素は、バリスタ体に取り付けられる。
【００１４】
バリスタ体は、好ましくは、少なくともバリスタセラミックと高熱伝導性材料からなる複合材料からなり、該高熱伝導性材料はバリスタセラミックとは異なり、原則としてバリスタ体の非線形抵抗機能に応じて選択される。基質として形成されるバリスタセラミックの適切な組成は、例えば、酸化亜鉛−ビスマス−アンチモンまたは酸化亜鉛−プラセオジム化合物である。
【００１５】
一実施形態では、バリスタセラミックは複合材料の主要構成要素または基質として形成され、熱伝導性材料は前記基質の充填材として形成される。高熱伝導性充填材の一例は金属である。
【００１６】
充填材は好ましくは、バリスタ体の高熱伝導性粒子の分散として存在する。言及されてもよい適切な金属には、特に、１００Ｗ／（ｍ＊Ｋ）より大きい熱伝導性を有する金属、および／または第２および第３の遷移金属周期の貴金属またはその合金が挙げられる。充填材として存在する金属は、好ましくは銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、前記元素の合金または上記物質の混合物から選ばれる。適切な合金には、上記の金属どうしの合金および／または上記の金属と他の元素との合金が挙げられる。銀−パラジウム合金は例として言及されてよい。
【００１７】
バリスタセラミックの充填材として好ましくは存在する金属は、バリスタ体により高い熱伝導性を与える利点を有し、熱はバリスタ体自身によってヒートシンクに消散されうる。半導体構成要素とバリスタ体の間の電気的端子を通って伝わる熱もまた、特に熱伝導性を有するように実施されるバリスタ体によってヒートシンクに消散されうる。
【００１８】
有利な一実施形態では、バリスタ体はバリスタセラミックと異なる、またはバリスタセラミックよりも高い熱伝導率を有する高熱伝導性セラミックを含む。適切なセラミックは、例えば窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化ハフニウムおよび酸化マンガンであることが判明している。特にそれらは、例えば、バリスタ体内で望ましくない結晶妨害を形成することのない酸化亜鉛などの、好ましいバリスタセラミックと、良好に焼結されることができるからでもある。追加の高熱伝導性セラミックが、金属の場合と同様に、基質として実施されるバリスタセラミックの充填材として存在してもよい。
【００１９】
バリスタ体の充填材は、例えば、好ましくはできる限り均質である高熱伝導性粒子の分散として存在する。
【００２０】
バリスタ体は、バリスタセラミック層と、少なくとも部分的にその間に置かれる内部電極層との積層体を有する多層バリスタとして実施されてもよい。多層バリスタが、焼結されたモノリシックな多層構成要素となるのが好ましい。主要な割合で、酸化亜鉛は好ましくは個々の層のバリスタセラミックとして選ばれ、内部電極は銀、パラジウム、白金、銅、ニッケル、またはこれらの元素の合金を含んでもよい。
【００２１】
一実施形態では、多層バリスタとして実施されるバリスタ体の１つまたは複数の層が酸化ジルコニウムを含んでもよい。この場合には、多層バリスタの、セラミックヒートシンクに置かれる少なくとも底部層が、酸化ジルコニウムを含むことが好ましい。これによって、セラミックヒートシンクの、および適切ならばセラミックヒートシンクに存在する導電トラックの、多層バリスタの漂遊容量の影響を取り除くことが可能である。多層バリスタの頂部層もまた、酸化ジルコニウムを含む層として実施されることが可能であろう。このことは、さらなる構成要素がバリスタ体に配置され、前記さらなる構成要素が漂遊容量によって妨害されないままであることを意図されたものである場合は、有利となりうるであろう。
【００２２】
任意の多層バリスタに代わって、バリスタ体はバルクバリスタとして実施されることもできる。バルクバリスタは単一のバリスタブロックであり、その外側には、互いに逆の極性の外部接点がある。内側には、しかしながら、バリスタブロックは金属層を有しない。
【００２３】
一実施形態によれば、バリスタ体は複数の電気的端子を有し、その第１の電気的端子の少なくとも１つは、半導体構成要素と接触する。前記電気的端子は好ましくはバリスタ体の金属層として実施される。金属層はバリスタ体の頂部側の少なくとも一部分に、例えばスクリーン印刷によって加えられることができる。電気的端子は好ましくは固着可能である。
【００２４】
複数の電気的接点がヒートシンクの接触線および／または導電トラックに接続されうる。
【００２５】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、バリスタ体の複数の電気的端子は、第１の電気的端子とは分離した、外側に向かってバリスタ体と接触する少なくとも１つの第２の電気的端子を含む。このことは、バリスタ体が前記第２の電気的端子によって、半導体構成要素から離れた第２の電気的ポテンシャルに接続されることを意味する。第２の電気的端子は例えば接地端子であってもよい。この場合には、第２の電気的端子はプリント回路基板の導電トラックに接点接続されてもよい。
【００２６】
第１の電気的端子と第２の電気的端子の両方が金属層として実施されてもよい。金属層として実施されるバリスタ体の電気的端子は、以下の材料：金、ニッケル、クロム、パラジウム、スズ、のうち少なくとも１つを含んでもよい。
【００２７】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、外側に向かってバリスタ体と接触する第２の電気的端子は、バリスタ体の下側に、すなわち、半導体構成要素の取り付け領域とは垂直方向に正反対の領域に配置される。第２の電気的端子は例えば固着パッドとして実施されることができる。
【００２８】
一実施形態では、第２の電気的端子を、バリスタ体の頂部側の第１の電気的端子から間隔を空けるように配置する。この場合には、２つの端子はバリスタ体を半導体構成要素および接地へと接続する接触線を有することも可能であろう。
【００２９】
一実施形態では、半導体構成要素と接触するバリスタ体の第１の電気的端子に、同時に外側に向かってバリスタ体の接触を形成するようにし、適切な場合は、第１の電気的接点と共に用いられる接触線を用いる。
【００３０】
一実施形態によれば、バリスタ体は、バリスタ体の容量を調整する役目を果たす少なくとも１つの内部電極を有する。内部電極はバリスタ体の積層体の層の間に配置されうる。内部電極はバリスタを通る、またはバリスタ体からの過電圧またはサージ電流を消散する接地電極であってよい。内部電極はバリスタ体の少なくとも１つの電気的端子に接続される。しかしながら、この場合には機械的な接点接続は必ずしも必要ではない。したがって、内部電極はバリスタ体内で「浮いている（独語でｓｃｈｗｅｂｅｎｄ）」方式で配置されることもできるだろう。代替として、内部電極は少なくとも１つの、ビアとして指定されてもよい、めっきされたスルーホールによって、少なくとも１つの電気的端子に接続される。
【００３１】
一実施形態によれば、複数の内部電極がバリスタ体に存在し、バリスタ体の異なる電気的端子に接触する。内部電極は浮いている方式で実施されてもよく、外側に向かって接点接続されるように実施されてもよい。前記電極はバリスタセラミックまたは誘電体によって互いから隔離されることが好ましく、積層方向に共通の重なり領域を有することが好ましく、それによって容量が形成されうる。一実施形態によれば、内部電極は半導体構成要素の取り付け領域に垂直に延びる。この場合には、バリスタ体はヒートシンクの長手側に置かれうる。すなわち、バリスタ体の積層方向は、ヒートシンクの面に平行に、またはバリスタ体に取り付けられた半導体構成要素の取り付け面に平行に向く。
【００３２】
１つの共通の電気的端子に接点接続されたバリスタ体の内部電極は、いずれの場合にも、バリスタ体のもう１つの共通の電気的端子に接点接続された内部電極と同じ平面にあってもよい。内部電極間の容量は、この場合には、バリスタ体の同じ平面に存在する内部電極の互いに面する端部の間に形成される。互いに反対の極性の内部電極は、このような実施形態では正射影においては重ならない。
【００３３】
構成要素アセンブリの一実施形態によれば、半導体構成要素はヒートシンクに取り付けられる。この場合には、前記構成要素が、その下側をヒートシンクに置いた状態で、ヒートシンクの導電トラックに接点接続された外部電気的接点を有することが好ましい。半導体構成要素の前記外部電気的接点は、はんだ球、特にフリップチップ接点接続部として実施されるのが好ましい。そのような外部電気的接点は、ヒートシンクの半導体構成要素の取り付けを容易にする。
【００３４】
半導体構成要素がヒートシンクに取り付けられる構成要素アセンブリの一実施形態では、バリスタ体はヒートシンクに一体化されてもよい。バリスタ体がヒートシンクに一体化される結果として、バリスタ体がヒートシンクの電気的端子に接続されるという条件で、バリスタ体は機械的にかつ熱的に、適切な場合には電気的にも、ヒートシンクに接続される。ヒートシンク、バリスタ体および半導体構成要素の高度にコンパクトな配置が、これにより提供される。
【００３５】
この場合には、ヒートシンクに一体化されたバリスタ体は好ましくは第１および第２の電気的端子に接続される。これらの端子はヒートシンクの例えば互いに反対側の表面に配置されうる。この場合には、第１の電気的端子が半導体構成要素に対する電気的端子であり、第２の電気的端子が接地端子であってもよい。バリスタ体はヒートシンク内のビアとして実施されてもよい。この場合には、バリスタ体は半導体構成要素に面する表面から反対側の表面へと延びてもよい。複数の、そのようないわゆるバリスタビアがヒートシンクに一体化されてもよい。バリスタビアはヒートシンクにおいてバリスタ材料で満たされる穴として実施されてもよい。
【００３６】
一実施形態によれば、さらなる構成要素、例えばサーミスタが、半導体構成要素に横方向に沿ってヒートシンクに配置される。該さらなる構成要素はヒートシンクの電気的端子によって接点接続されてもよい。さらなる構成要素は、本明細書に記載のタイプの半導体構成要素であってもよく、他の電気的構成要素であってもよい。いかなる場合も、ヒートシンクはヒートシンクに配置されたすべての構成要素からの熱を消散することが可能である。バリスタ体がさらなる構成要素にも接点接続される場合には、さらなる構成要素はさらに、過電圧から保護されることができる。
【００３７】
その中に、またはそこにヒートシンクが配置される、ハウジングを有する構成要素アセンブリが好ましい。ハウジングが、バリスタ体および／または半導体構成要素に接点接続された少なくとも１つの導電性部品または領域を有することが好ましい。ハウジングはヒートシンクを保持し、半導体構成要素およびバリスタ体はハウジングの導電性部品と並列に接続される。ハウジングの導電性部品は、特に、例えば導電トラックなどの金属層として実施されてもよい。ハウジングの導電性部品は好ましくはアルミニウムまたは銅を含む。
【００３８】
一実施形態によれば、ハウジングは、絶縁体によって互いに電気的に分断され、半導体構成要素の、バリスタ体の、および／またはヒートシンクの、同一極性の電気的端子に接点接続された複数の導電領域を有する。
【００３９】
一実施形態によれば、ハウジングは、キャリアおよび／またはバリスタ体に熱的に結合された少なくとも１つの熱伝導性領域を有する。結果として、バリスタ体によって、および／またはキャリアによって取り入れられた熱はハウジングを通って消散されうる。この場合には、ハウジングのこの熱伝導性領域は、例えば、高熱伝導性セラミックまたは金属などの、高熱伝導性材料からなってもよい。
【００４０】
構成要素アセンブリの好都合な一実施形態によれば、それは半導体構成要素に接続するサーミスタをさらに有する。その抵抗／温度特性曲線に従属するように、サーミスタは半導体構成要素の制御電流の調整に寄与し、よって安全防護対策に配慮するように動作しうる。一実施形態によれば、サーミスタはバリスタ体に取り付けられるが、そこに取り付けられる必要はない。そのかわりに、半導体構成要素に沿った、または共通ハウジング内のキャリアから離れた、キャリアまたはヒートシンクに配置されることができよう。
【００４１】
半導体構成要素は多数の構成要素から選ばれることができる。それは光電子構成要素、例えばＬＥＤ、キャパシタまたは多層キャパシタ、ＰＴＣまたはＮＴＣ特性を有するサーミスタまたは多層サーミスタ、ダイオード、または増幅器などでありうる。すべての場合に、バリスタ体は、バリスタ体に接点接続される半導体構成要素を、安全防護対策に配慮するように過電圧に対して保護することが可能である。そして、本明細書のいくつかの実施形態によれば、半導体構成要素から熱を消散することさえも可能である。さらに、半導体構成要素から熱を消散しうるヒートシンクが常に存在する。
【００４２】
半導体構成要素としてのＬＥＤは、好ましくは以下の構成要素：リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＰ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）、セレン化スズ（ＺｎＳｅ）、の１つまたはそれ以上からなる。
【００４３】
セラミックヒートシンクを有する構成要素アセンブリは、個々の製品として産業的に応用可能であるという利点を有する。
【００４４】
記載された主題は、以下の図面および例示の実施形態を参考にして、より詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】ヒートシンクに取り付けられた半導体構成要素を有する構成要素アセンブリの断面図である。
【図２】ヒートシンクに取り付けられた半導体構成要素およびそれらの間に配置されたバリスタチップを有する構成要素アセンブリの断面図である。
【図３】バリスタチップの内部部品の１つの可能な構造を有する、図２による構成要素アセンブリの図である。
【図４】ヒートシンクの内部部品の１つの可能な構造、およびヒートシンクに取り付けられた追加の構成要素をも有する、図２による構成要素アセンブリの図である。
【図５】ヒートシンクに取り付けられた半導体構成要素、およびハウジングをも有する構成要素アセンブリの図である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
図１は、例えばＬＥＤなどの半導体構成要素１が、キャリアとして実施されたヒートシンク３に配置された、光電子構成要素アセンブリを示す。ヒートシンク３と半導体構成要素１の間の電気的接触が、ＬＥＤの下側に位置するフリップチップ接点接続部５によって、およびヒートシンク３の頂部側の電気的端子４によって達成される。電気的端子４は、ヒートシンクの頂部側において互いから離間しており、いずれの場合にも、例えば接触パッドまたは金属層として実施される。半導体構成要素１のフリップチップ接点接続部５のはんだ球は、ヒートシンク３の頂部側の各電気的接点４に配置されうる。
【００４７】
ヒートシンク３それ自身はセラミック板として実施される。セラミック板は頂部側および下側に、例えば導電トラックの形態である、互いから離間している金属層４を有し、該金属層４は、別々の電気的極性で、ヒートシンクに配置された半導体構成要素に接触する。金属層４は例えばアルミニウムを含む。
【００４８】
例えば窒化アルミニウムからなる高熱伝導性セラミック板３の互いに反対側の面に配置される電気的端子４は、例えば、板３に一体化されたそれぞれのバリスタビア２によって互いに接続される。それぞれのバリスタビアは、例えば、基質としての酸化亜鉛を含み、いずれの場合も充填材としての、熱伝導性セラミックおよび／または金属で強化されていてもよい。その結果として、バリスタ体の熱伝導性は増加する。
【００４９】
ヒートシンクの下側に配置される電気的端子４は、それぞれのバリスタビア３を接地に接点接続する接地端子を有してよい。頂部側にあり、半導体要素に接点接続されたヒートシンク３の電気的端子は、アノードおよび／またはカソード接点として実施されてもよい。
【００５０】
図２は、チップとして実施されたバリスタ体２が、頂部側にあるセラミック板３の電気的接点４に配置される、光電子構成要素アセンブリを示す。図１に示したＬＥＤの場合には、バリスタチップ２は、ヒートシンクの金属層４に接触するフリップチップ接点接続部（図示せず）を下側に有してよい。一方で、頂部側では、バリスタチップ２が、バリスタチップ２に取り付けられたＬＥＤ１の下側の電気的端子５と接触する金属層の形態の電気的端子９ａを有する。前記端子はアノードの端子でもカソードの端子でもよい。バリスタチップ２はバルクバリスタとして実施されてもよく、それはバリスタセラミックと、任意で熱伝導率を向上させるための本明細書に記載されたタイプのさらなる添加物とを有する、一体の（層がない）基本体からなる。バリスタ体は、前記バリスタ体の内部を通るＬＥＤ１の取り付け領域に垂直に延びる熱伝導チャネル１０（これは任意であるが）を備えている。熱伝導性チャネル１０は金属で満たされた穴または高熱伝導性セラミックで満たされた穴として実施されてもよく、前記熱伝導性セラミックは周囲のバリスタセラミックよりも高い熱伝導性を有する。
【００５１】
図３は、積層されたセラミックと電極層または内部電極８との積層体からなるモノリシックな焼結された多層バリスタとしてバリスタ体２が実施される点において異なる、図２による構成要素のアセンブリを示す。各内部電極セットの内部電極８、すなわち同一の極性の内部電極の各セットは、これらの内部電極と共通しており多層バリスタ２に一体化された、めっきされたスルーホール９ｂとそれぞれ接触する。めっきされたスルーホール９ｂは多層バリスタ２の頂部側から下側へと延び、多層バリスタの各面に、さらなる構成要素へと、または電気的端子へと接点接続されうる電気的端子領域を形成する。例として、ＬＥＤ１のフリップチップ接点接続部のはんだ球７が、バリスタ体のめっきされたスルーホール９ｂの露出された端部領域に直接着座する。バリスタ体２の下側では、めっきされたスルーホール９ｂの端部領域がセラミックプレート３に加えられたメタリック層４に着座する。それゆえに、めっきされたスルーホール９ｂは、バリスタ体２の外部接点としても機能しうる。
【００５２】
図４は、ＬＥＤが取り付けられたバリスタチップ２が高熱伝導性セラミック板３に取り付けられた、光電子構成要素アセンブリを示す。バリスタチップに沿って、さらなる構成要素１１、例えばサーミスタが、セラミック板３から隔てて配置される。サーミスタ１１とバリスタチップ２が、セラミック板３の頂部側の同一の電気的端子４に部分的に接点接続され、前記電気的端子は金属層として実施される。サーミスタは下側にフリップチップ接点接続部を同様に有してもよい。サーミスタは、その温度および抵抗特性曲線に従属するように、ＬＥＤまたは半導体構成要素の制御電流を調整するように用いられる。この場合には、サーミスタは評価ユニットに接続されることができ、それは半導体構成要素に供給する電流を調整するようにサーミスタの測定値を用いる。制御電流は、ＬＥＤがいかなるサージ電流の影響も受けず、またはできる限り一定の交流電流で駆動されるように調整される。
【００５３】
熱伝導性セラミック板３は、セラミック板３の互いに反対の面に加えられた電気的端子４と接触する、複数の電気めっきされたスルーホール５を有する。バリスタチップ２の保持領域に垂直なセラミック板３にもまた、セラミック板３のバリスタチップ２の保持領域に垂直に同様に延びる熱伝導性チャネル６の形態の複数の熱的ビアが存在する。熱的ビア６は、金属または高熱伝導性セラミックで満たされたセラミック板の穴として実施されてもよい。
【００５４】
図５はＬＥＤ１のキャリアとして高熱伝導性セラミック板３を含む光電子構成要素アセンブリを示す。キャリア３はバリスタ体２に接続され、該バリスタ体２はバリスタビアとしてキャリアに一体化される。構成要素アセンブリはハウジング１２を有し、そのくぼみ１３において、セラミック板３が基板に保持される。半導体構成要素１、バリスタ体２、およびセラミックヒートシンク３は、これらの装置に対応して、また、これらの各構造に対応して、この文献に記載されたタイプの１つによって、実施されうる。
【００５５】
ハウジング１２のくぼみ１３は、ＬＥＤからの光に晒される表面に、反射コーティングを好ましくは有する。構成要素アセンブリからの光を合わせた出力（独語でＬｉｃｈｔａｕｓｋｏｐｐｌｕｎｇ）全体はこれによって増加しうる。図１によって詳細に示されてもいる、セラミック板３の下側の電気的端子は、例えば接地端子である、ハウジング１２の対応する電気的端子１４ｃに接点接続される。接地端子１４ｃは、絶縁体１５、例えばハウジングに一体化された絶縁層によって、ハウジング１２のカソード端子１４ｂから、およびアノード端子１４ａから電気的に分断される。ハウジング１２のアノード端子１４ａとカソード端子１４ｂは、半導体構成要素１とバリスタ体２との対応する端子に、例えば接続線によって接続されてもよい。接地端子１４ｃとして機能する、またはバリスタ体２に接点接続するハウジング１２のこの領域は、例えば銅またはアルミニウムなどの、例えば金属などからなってもよい。特に、低抵抗の導電性を有し、光を合わせた出力を向上させるような高い反射性を有する金属が好ましい。
【００５６】
好ましくは、ヒートシンク３はハウジング１２の高熱伝導性領域に機械的に結合されるが、いかなる場合にも、ハウジングがヒートシンクによって汲み上げられる熱を消散することができ、前記熱がさらに外側に向けてバリスタ体２または半導体構成要素１から出る、および／またはバリスタ体２または半導体構成要素１によって発せられるように、ヒートシンク３はハウジング１２に熱的に結合される。
【符号の説明】
【００５７】
１  半導体構成要素
２  バリスタ体
３  キャリアまたはヒートシンク
４  キャリアの電気的端子
５  キャリアのめっきされたスルーホール
６  キャリアの熱伝導性チャネル
７  半導体構成要素の電気的端子
８  バリスタ体の内部電極
９ａ  バリスタ体の外部電極
９ｂ  バリスタ体のめっきされたスルーホール
１０  バリスタ体の熱伝導チャネル
１１  さらなる電気的構成要素
１２  ハウジング
１３  ハウジングのくぼみ
１４ａ  ハウジングの第１の導電領域
１４ｂ  ハウジングの第２の導電領域
１４ｃ  ハウジングの第３の導電領域
１５  絶縁層
【図１】
0005607028.tif 000002
【図２】
0005607028.tif 000003
【図３】
0005607028.tif 000004
【図４】
0005607028.tif 000005
【図５】
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