(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集合基板の主面に複数のモジュール部品を形成する工程と、
ダイシングにより、前記複数のモジュール部品の間に溝を形成する工程と、
前記集合基板の主面に向けて導電性ペーストを噴射する工程と、
前記複数のモジュール部品を個片化する工程とを備え、
前記導電性ペーストを噴射する工程では、前記噴射方向と前記主面とのなす角が角度θとなるよう前記導電性ペーストを噴射し、
前記角度θは、前記溝の深さをＤ、前記溝の幅をｗとして、式（１）を満たす角度に固定される
ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）≦θ≦ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）  ・・・（１）
ことを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項２】
前記導電性ペーストを噴射する工程は、
前記溝の第１の内側面に向けて前記導電性ペーストを噴射する工程と、
前記第１の内側面と対向する前記溝の第２の内側面に向けて前記導電性ペーストを噴射する工程とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項３】
前記複数のモジュール部品はそれぞれ、側面の下部に露出した端部を含むグランド配線を有し、
前記導電性ペーストは、前記端部を通じて前記グランド配線と電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項４】
前記複数のモジュール部品はそれぞれ４つの側面を有し、
前記グランド配線は、対応する前記モジュール部品の前記４つの側面のうちの１つ以上に露出するよう構成される
ことを特徴とする請求項３に記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項５】
前記溝を形成する工程の前に、前記集合基板の裏面にダイシングテープを貼り付ける工程をさらに備え、
前記個片化する工程は、前記ダイシングテープから前記複数のモジュール部品を剥離する工程である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項６】
前記溝を形成する工程では、前記集合基板の一部が切断されない状態で残存し、かつ、前記グランド配線が前記溝の内側面に露出するように前記ダイシングを行い、
前記個片化する工程は、前記集合基板のうち前記溝を形成する工程で切断されなかった部分を切断する工程である
ことを特徴とする請求項３又は４に記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項７】
前記導電性ペーストを噴射する工程では、パルス制御により、前記導電性ペーストが間欠的に噴射される
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のモジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモジュール部品の製造方法に関し、特に、セルフシールド構造を有するモジュール部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年普及が著しいスマートフォンやタブレット端末には、各種のモジュール部品が搭載される。これらのモジュール部品は、基本的な構成要素として、表面又は内部に各種配線が、底面に接続用パッド及び端子がそれぞれ形成された基板と、それぞれ該基板の表面に搭載された受動素子（インダクタ、コンデンサなど）及び半導体素子と、該受動素子及び半導体素子を覆うモールドとを有するが、中には、端子面以外の各面を導電性ペーストで覆い、この導電性ペーストにグランド電位を供給することによって電磁ノイズからのシールドを可能にした、いわゆるセルフシールド構造をさらに有するものも存在する。特許文献１〜７には、そのようなモジュール部品の例が開示されている。
【０００３】
導電性ペーストへのグランド電位の供給は、基板に形成される各種配線のひとつであるグランド配線を、モジュール部品の側面に露出させることによって実現される。こうすることで、モジュール部品の側面に形成された導電性ペーストが、側面に露出しているグランド配線と導通するので、導電性ペーストに対してグランド電位を供給することが可能になる。
【０００４】
セルフシールド構造は、特許文献１〜７に示されるように、各種の方法によって形成可能である。しかし現在のところ、特許文献６に示されるような導電性ペーストのスプレー塗布による方法が最も好ましいと考えられている。この方法によれば、他の方法に比べて気泡の少ない導電性ペーストを得ることが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１７２１７６号公報
【特許文献２】特開２００４−０９５６０７号公報
【特許文献３】特開２００４−１０３９９８号公報
【特許文献４】特開２００４−２０７３５２号公報
【特許文献５】特開２００４−１９３１８７号公報
【特許文献６】特開２００５−０７９１３９号公報
【特許文献７】特許第４５３０１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、モジュール部品の量産工程において導電性ペーストの形成をスプレー塗布によって行う場合、一枚のパネル又はシート（以下、「集合基板」と称する）に形成された複数のモジュール部品の間にダイシングによって溝を形成し、この溝の内部に向けて導電性ペーストを噴射することになる。
【０００７】
従来の製造方法によれば、上記の導電性ペーストの噴射は、溝の真上に設けたスプレーノズルから、真っ直ぐ下に向けて導電性ペーストを噴射することによって行われる。溝が浅ければ、この方法により、溝の内側面の全体に好適に導電性ペーストを形成することが可能である。したがって、モジュール部品の上面及び側面全体に好適に導電性ペーストを形成することが可能になる。
【０００８】
しかしながら、溝が深いと、上記のようにして導電性ペーストを噴射しても、溝の内側面の上側部分にばかり導電性ペーストが付着してしまい、下側部分にまで導電性ペーストが行き渡らない場合が生ずる。そうすると、モジュール部品の側面の特に下側部分（端子面に近い部分）で導電性ペーストの形成が不十分となり、その程度によっては、電磁シールド機能が損なわれ、また、基板に形成されたグランド配線と導電性ペーストの間の導通が取れなくなってしまう場合がある。
【０００９】
したがって、本発明の課題のひとつは、量産工程でのスプレー塗布により、モジュール部品の側面に好適に導電性ペーストを形成できるモジュール部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明によるモジュール部品の製造方法は、集合基板の主面に複数のモジュール部品を形成する工程と、ダイシングにより、前記複数のモジュール部品の間に溝を形成する工程と、前記集合基板の主面に向けて導電性ペーストを噴射する工程と、噴射した前記導電性ペーストを硬化する工程と、前記複数のモジュール部品を個片化する工程とを備え、前記導電性ペーストを噴射する工程では、噴射方向の前記主面への射影が前記溝の幅方向に平行となり、かつ、前記噴射方向と前記主面とのなす角が角度θとなるよう前記導電性ペーストを噴射し、前記角度θは、前記溝の深さをＤ、前記溝の幅をｗとして、式（１）を満たすよう設定される
ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）≦θ≦ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）  ・・・（１）
ことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、要するに溝に対して斜めに導電性ペーストを噴射するので、溝の内側面の下側部分にも、導電性ペーストを行き渡らせることが可能になる。したがって、量産工程でのスプレー塗布により、モジュール部品の側面に好適に導電性ペーストを形成することが可能になる。
【００１２】
上記モジュール部品の製造方法において、前記導電性ペーストを噴射する工程は、前記溝の第１の内側面に向けて前記導電性ペーストを噴射する工程と、前記第１の内側面と対向する前記溝の第２の内側面に向けて前記導電性ペーストを噴射する工程とを有することとしてもよい。これによれば、溝の両側に位置する２つのモジュール部品の両方について、側面に好適に導電性ペーストを形成することが可能になる。
【００１３】
上記各モジュール部品の製造方法において、前記複数のモジュール部品はそれぞれ、側面の下部に露出した端部を含むグランド配線を有し、前記導電性ペーストは、前記端部を通じて前記グランド配線と電気的に接続されることとしてもよく、また、前記複数のモジュール部品はそれぞれ４つの側面を有し、前記グランド配線は、対応する前記モジュール部品の前記４つの側面のうちの１つ以上に露出するよう構成されることとしてもよい。これらによれば、導電性ペーストにグランド電位を供給することが可能になる。
【００１４】
上記各モジュール部品の製造方法において、前記溝を形成する工程の前に、前記集合基板の裏面にダイシングテープを貼り付ける工程をさらに備え、前記個片化する工程は、前記ダイシングテープから前記複数のモジュール部品を剥離する工程であることとしてもよい。これによれば、各モジュール部品の側面の最下部（端子面側の縁辺）にまで、導電性ペーストを形成することが可能になる。
【００１５】
一方、上記各モジュール部品の製造方法において、前記溝を形成する工程では、前記集合基板の一部が切断されない状態で残存し、かつ、前記グランド配線が前記溝の内側面に露出するように前記ダイシングを行い、前記個片化する工程は、前記集合基板のうち前記溝を形成する工程で切断されなかった部分を切断する工程であることとしてもよい。これによれば、ダイシングテープなどの集合基板の形状保持のための粘着性シートを使わずに、導電性ペーストの噴射工程を実施することが可能になる。
【００１６】
また、上記各モジュール部品の製造方法において、前記導電性ペーストを噴射する工程では、パルス制御により、前記導電性ペーストが間欠的に噴射されることとしてもよい。これによれば、必要最小限の厚みを得ることが可能になるとともに、モジュール部品の上面と側面とで導電性ペーストの厚みに差が生ずることを抑制可能になる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、量産工程でのスプレー塗布により、モジュール部品の側面に好適に導電性ペーストを形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態によるモジュール部品の製造工程によって製造されるモジュール部品１の断面を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態によるモジュール部品の製造工程を示すフローチャートである。
【図３】集合基板状態における複数のモジュール部品１の俯瞰図である。
【図４】（ａ）は、導電性ペーストＰの噴射工程を示す俯瞰図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面に対応する断面図である。
【図５】集合基板状態における複数のモジュール部品１の間に設けた溝３と、導電性ペーストＰの噴射方向Ｉとの関係を示す図であり、（ａ）は従来の関係（噴射角θ＝９０°）を、（ｂ）は本発明における噴射方向Ｉの好ましい範囲の一端（噴射角θ＝ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）を、（ｃ）は本発明における噴射方向Ｉの好ましい範囲の他端（噴射角θ＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ））をそれぞれ示している。
【図６】溝３の幅ｗ及び深さＤがそれぞれ０．４ｍｍ，１．０ｍｍである場合に関して、導電性ペーストＰを塗布した後の集合基板を上面から撮影した写真と、個片化後のモジュール部品１を側面から撮影した写真とを、噴射角θが６８°、８０°、９０°である場合のそれぞれについて示す図である。
【図７】溝３の幅ｗ及び深さＤがそれぞれ０．４ｍｍ，１．０ｍｍであり、かつ噴射角θを６８°に設定した場合の、個片化後のモジュール部品１の断面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
初めに、図１を参照しながら、本実施の形態によるモジュール部品の製造方法によって製造されるモジュール部品１の構造について説明する。
【００２１】
モジュール部品１は、スマートフォンやタブレット端末などの電子機器に搭載される直方体状の電子部品であり、図１に示すように、基板１０と、基板１０の上面１０ｕに載置されたチップ部品１１と、チップ部品１１の上から基板１０の上面１０ｕの全体を覆うモールド１２と、モジュール部品１の上面１ｕ及び側面１ｓの全体を覆うシールド１４とを有して構成される。
【００２２】
基板１０は、１枚の大きな集合基板から、後述するモジュール部品１の製造工程で行うダイシングによって、切り出されたものである。基板１０の具体的な構成材料としては、有機基板、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック多層基板）、ＨＴＣＣ（高温焼成セラミック多層基板）、フレキシブルプリント基板などが好適である。また、基板１０は、各種能動素子や各種受動素子を内蔵してもよい。基板の厚みＨ１０は、必要な機能、回路規模、必要形状などに応じて層数と厚みを選択した結果として決定されるものであるが、モジュール高さの薄厚化が要求されるスマートホンやタブレット端末用のモジュ−ル部品では、０．０５〜０．５ｍｍとなることが多い。
【００２３】
基板１０の内部及び上面１０ｕのうちの少なくとも一方には、図示したグランド配線１３を含む各種の配線が形成される。これらの配線は、銅、銀、金、ニッケル、クロム、アルミニウム、パラジウム、インジウムなどの金属、これらの金属の合金、又は、樹脂やガラスをバインダーとする材料などによって構成することができるが、コストや導電率の観点から、銅又は銀により配線を形成することが最も好ましい。配線の形成は、印刷、メッキ、箔押し、スパッタ、蒸着、インクジェット、エッチングなどの方法で行えばよい。グランド配線１３の端部は、図１に示すように、モジュール部品１の側面１ｓに露出している。また、基板１０の上面１０ｕには、上記の配線と接続される接続用パッドも形成される。
【００２４】
図示していないが、基板１０の裏面（モジュール部品１の下面１ｂ）には複数の外部端子が形成される。これらの外部端子は基板１０内の各種配線と接続されており、チップ部品１１の入出力端子や、外部から電源電位（グランド電位を含む）の供給を受ける電源端子として機能する。モジュール部品は、図示しないマザーボード上に搭載されるものであり、下面１ｂに形成された外部端子は、マザーボード上の配線と電気的に接続される。
【００２５】
チップ部品１１は、メモリー、プロセッサー、ＲＦ制御ＩＣ、電源制御ＩＣ、トランジスター、ダイオードなどの能動素子、キャパシター、インダクター、レジスター、フィルターなどの受動素子、水晶発振器，ＭＥＭＳ素子など、モジュールの機能に必要な部品又は回路素子であり、その下面には多数の端子電極（不図示）が露出している。これらの端子電極は、基板１０の上面１０ｕに形成される接続用パッドと、クリームはんだの印刷、リフロー、又は、導電性ペーストの印刷及び硬化などの手法によって接合される。
【００２６】
モールド１２は、熱硬化性又は熱可塑性の材料をベースとし、適量のフィラーを配合した材料によって構成される。フィラーの配合量は、基板１０とモールド１２の熱膨張係数が、リフロー中のソリを低減し、マザーボードへの実装、接合が確実となるように調整された値となるように設定される。モールド１２の形成は、コンプレッション、インジェクション、印刷、注型などの方法によって行えばよい。モールド１２の厚みＨ１２は、チップ部品１１の厚みに応じて適宜選択すればよい。
【００２７】
モールド１２は、チップ部品１１の上から基板１０の上面１０ｕの全体を覆うように構成される。モールド１２の上面は平坦化されており、モジュール部品１の上面１ｕを構成する。モールド１２の側面は後述するダイシングでの切断面であり、基板１０の側面１０ｓと同一平面を構成する。モジュール部品１の側面１ｓは、モールド１２の側面と基板１０の側面１０ｓとによって構成される。具体的には、モールド１２の側面が側面１ｓの上側部分（上面１ｕから下方向に距離Ｈ１２までの部分）を、基板１０の側面１０ｓが側面１ｓの下側部分（下面１ｂから上方向に距離Ｈ１０までの部分）を、それぞれ構成する。
【００２８】
シールド１４は、金、銀、銅、錫、ニッケルなどからなるフィラーを熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂に分散混合してなる材料、ナノサイズのフィラーを溶剤に分散したナノペースト、又は、２種以上の上記フィラーを混合ないし配合したものなどによって構成される。上記材料およびペーストに関しては、沸点が５０℃〜３００℃の間の溶剤を１種以上混合したものを希釈溶剤として添加することにより、粘度調整を行ってもよい。
【００２９】
シールド１４は、図１に示すように、モジュール部品１の上面１ｕ及び側面１ｓの全体を覆うように形成される。上述したように、モジュール部品１の側面１ｓにはグランド配線１３の端部が露出しているため、シールド１４は、グランド配線１３と導通している（電気的に接続されている）。その結果、シールド１４の電位はグランド電位とされており、これによりシールド１４は、外部からモジュール部品１に到来する電磁的ノイズを遮蔽する役割を果たす。
【００３０】
次に、本実施の形態によるモジュール部品の製造方法について、図１に示したモジュール部品１を製造する場合を例に取り、図２のフローチャートも参照しながら詳しく説明する。以下の説明では、まず初めにモジュール部品の製造方法の全体像を説明し、その後、本発明の特徴部分について詳しく説明する。
【００３１】
本製造方法では、まず初めに、１枚の集合基板（不図示）に、複数のモジュール部品１をマトリクス状に形成する（ステップＳ１）。具体的には、まず、集合基板の内部及び主面に必要な配線を形成するとともに、集合基板の裏面に必要な端子電極を形成する。さらに、集合基板の主面に必要なチップ部品１１を搭載し、主面全体をモールド１２で覆う。
【００３２】
次に、集合基板の裏面にダイシングテープを貼り付ける（ステップＳ２）。そして、その状態でダイサーを用いてダイシングを行うことにより、図３に示すように、複数のモジュール部品１の間に溝３を形成する（ステップＳ３）。このダイシングは、集合基板の主面側から行い、モールド１２及び集合基板（基板１０）をモジュール部品１ごとに完全に分離する一方、ダイシングテープを切断しまうことのないように行う。これにより、溝３の底面にはダイシングテープが露出し、溝３の内側面には各モジュール部品１の側面１ｓが露出する。ダイシングテープが切断されないことから、各モジュール部品１の相対的な位置関係はダイシングの前後で変化しない。
【００３３】
上記のようにして形成された溝３の深さＤは、図１に示したモールド１２の厚みＨ１２及び基板の厚みＨ１０の合計にほぼ等しくなる。ダイサーにおける深さＤの設定値は、チップ部品１１の高さや基板１０の厚みＨ１０などに応じて適宜選択すればよいが、通常、概ね０．５ｍｍ〜１．４ｍｍの間の値となる。また、溝３の幅ｗはダイサーの刃の幅に依存するが、集合基板の面積を効率的に使用する観点から、できるだけ細い刃を使って幅ｗを可能な限り小さくすることが好ましい。幅ｗの最小値は、深さＤの値によって異なるが、概ね０．２ｍｍ〜０．４ｍｍとなる。これらの値から、溝３のアスペクト比（＝Ｄ／ｗ）の範囲は、１．２５〜７と算出される。
【００３４】
なお、ここではダイシングテープを使い、集合基板を完全に切断する例（フルカット）を挙げて説明しているが、集合基板の裏面から一定距離の部分をダイシングせずに残す（ハーフカット）こととしてもよい。この場合、ダイシングテープの使用は必ずしも必要ではなく、ダイシングテープを使わない場合には、削らずに残った部分が簡単に折れてしまうことがない程度に、削らずに残す部分の厚みを設定する必要がある。具体的には、０．０２ｍｍ〜０．２０ｍｍ程度を残すことが好ましい。
【００３５】
次に、集合基板の主面（各モジュール部品の上面１ｕ）に向けて、導電性ペーストを噴射する（ステップＳ４）。具体的には、図４（ａ）（ｂ）に示すように、上面１ｕから距離Ｌのところにスプレーノズル２０を設置し、このスプレーノズル２０から、集合基板の主面に向けて導電性ペーストＰを噴射する。図示した噴射方向Ｉは、スプレーノズル２０から噴射される導電性ペーストＰの流れの中心を示している。実際の導電性ペーストＰの流れは、図４（ｂ）に示すように、この噴射方向Ｉから一定程度の広がりを有するものとなる（スプレー角度２α≠０）。
【００３６】
導電性ペーストＰの噴射について、詳しく説明する。この噴射は、複数のモジュール部品１が形成された集合基板を、水平面内での平行移動及び回転移動に対応するワークテーブル２１に設置した状態で行う。スプレーノズル２０は、噴射方向Ｉとワークテーブル２１の上面とのなす角が角度θとなるように、ワークテーブル２１の上方に固定する。
【００３７】
ここで、以下の説明では、ワークテーブル２１の法線方向をｚ方向とし、ワークテーブル２１の表面に平行な方向をｘ方向及びｙ方向とする。このうちｘ方向はスプレーノズル２０の噴射方向Ｉのｘｙ平面内への射影Ｉａの延在方向とし、ｙ方向はｘ方向に直角な方向とする。ワークテーブル２１としては、少なくとも、ｘ方向及びｙ方向それぞれへの平行移動と、ｘｙ平面内での回転移動とに対応しているものを使用する。
【００３８】
導電性ペーストＰの噴射は、ワークテーブル２１を移動させながら、溝３をターゲットとして実施する。具体的に説明すると、まず初めにワークテーブル２１を移動させ、ターゲットとなる溝３をｙ方向と平行に配置する。これにより、噴射方向Ｉのｘｙ平面内への射影Ｉａと、ターゲットである溝３の幅方向とが平行になる。すなわち、溝３の延在方向と射影Ｉａとのなす角度φが直角となる。ただし、角度φが直角とならないように構成してもよく、その場合の角度θは、噴射方向Ｉのｘｚ平面内への射影と、ワークテーブルの上面とのなす角により定義される。
【００３９】
次に、噴射方向Ｉの先端がターゲットである溝３の内部に入るよう、ワークテーブル２１をｘｙ平面内で平行移動させる。その後、導電性ペーストＰの噴射を開始し、噴射しながらワークテーブル２１を一定速度でｙ方向に移動する。これにより、ターゲットである溝３の幅方向の両内側面のうち、スプレーノズル２０から遠い方の内側面（図４（ｂ）に示した内側面１ｓａ）に、導電性ペーストＰの薄膜が形成される。角度θが鋭角である場合、スプレーノズル２０に近い方の内側面（図４（ｂ）に示した内側面１ｓｂ）には、ほとんど導電性ペーストＰが付着しない。
【００４０】
以上のような噴射工程を、すべての溝３について、幅方向の内側面ごとに順次行う。図４（ｂ）に示した溝３を例として具体的に説明すると、まずスプレーノズル２０を内側面１ｓａ（第１の内側面）に向けた状態で、ワークテーブル２１をｙ方向に移動させながら、導電性ペーストＰを噴射する。これにより、内側面１ｓａに導電性ペーストＰの薄膜が形成される。次に、ワークテーブル２１を１８０°回転させることにより、スプレーノズル２０を内側面１ｓａと対向する内側面１ｓｂ（第２の内側面）に向け、その状態で、ワークテーブル２１をｙ方向に移動させながら、導電性ペーストＰを噴射する。これにより、内側面１ｓｂにも導電性ペーストＰの薄膜が形成される。以上の工程を、すべての溝３について行う。
【００４１】
これにより、すべての溝３について、幅方向の両内側面が導電性ペーストＰによって覆われた状態となる。なお、上述したように導電性ペーストＰはある程度の広がりをもって噴射されるため、上記のような溝３をターゲットとした噴射を行うことにより、各モジュール部品１の上面１ｕも、導電性ペーストＰによって覆われた状態となる。
【００４２】
なお、導電性ペーストＰを噴射する際には、パルス制御により、導電性ペーストＰを間欠的に噴射することが好ましい。こうすることで、必要最小限の厚みを得ることが可能になるとともに、上面１ｕと側面１ｓとで導電性ペーストＰの厚みに差が生ずることを抑制可能になる。したがって、製造工程を低コスト化することが可能になる。パルス制御とワークテーブル２１の動きとを同期させる必要は特にないが、同期させても構わない。
【００４３】
図２に戻る。導電性ペーストＰの噴射が完了したら、次に、一枚の集合基板に形成された複数のモジュール部品１のそれぞれを、ダイシングテープ２から剥離する（ステップＳ５）。これにより、各モジュール部品１が個片化され、製品としてのモジュール部品１が完成する。
【００４４】
なお、上述したように集合基板の裏面から一定距離の部分をダイシングせずに残す場合には、ステップＳ５において、集合基板の残存部分のダイシングを行うこととしてもよい。こうすることで、集合基板を完全に切断することができるので、上記同様、各モジュール部品１を個片化することが可能になる。
【００４５】
以上、モジュール部品の製造方法の全体像について説明した。次に、本発明の特徴部分について詳しく説明する。
【００４６】
本実施の形態によるモジュール部品の製造方法では、角度θを次の式（２）を満たすように設定する。これにより、モジュール部品１の側面に好適に導電性ペーストを形成することが実現される。以下、この点について詳しく説明する。
ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）≦θ≦ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）  ・・・（２）
【００４７】
まず図５（ａ）は、従来の製造工程における角度θを示す図である。同図に示すように、従来の製造工程では、角度θが９０°となるように導電性ペーストＰの噴射を行っていた。この噴射によれば、上述したように、側面１ｓの上部にばかり導電性ペーストＰが付着してしまい、側面１ｓの下部には僅かな導電性ペーストＰしか到達しない。その結果、特に溝３のアスペクト比（＝Ｄ／ｗ）が高い場合に、図６に示したθ＝９０°の例に示すように、側面１ｓの下部における導電性ペーストＰの厚みが足りなくなってしまう。なお、図６に示した各側面写真では、導電性ペーストＰが薄いところほど色が濃くなっている。したがって、θ＝９０°の側面写真を見ると、側面１ｓの下部における導電性ペーストＰの厚みが、側面１ｓの上部における導電性ペーストＰの厚みに比べて薄くなっていることが理解される。
【００４８】
本実施の形態では、角度θが９０°より小さな値、具体的には上記式（２）を満たすように設定される。図５（ｂ）には、角度θが上限値θ１＝ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）となる場合の例を、図５（ｃ）には、角度θが下限値θ２＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）となる場合の例を、それぞれ示している。これらの図から明らかなように、角度θが小さくなるほど、導電性ペーストＰの内側面１ｓａ（スプレーノズル２０から遠い方の内側面）に吹き付ける角度が急になる。その結果、内側面１ｓａの下部に好適に導電性ペーストＰが付着し、側面１ｓの下部における導電性ペーストＰの厚みを十分に確保することが可能になる。ただし、角度θが９０°より小さければ何でもいいというわけではなく、角度θが９０°に近すぎると、角度θが９０°となるように導電性ペーストＰの噴射を行っていた従来の例と実質的に変わらず、側面１ｓの下部における導電性ペーストＰの厚みが不十分となる。また、角度θが小さすぎると、図５（ｃ）から理解されるように、内側面１ｓａの下部に届かなくなり、側面１ｓの下部における導電性ペーストＰの厚みが不十分となる。したがって、角度θには０°〜９０°の間に好適な範囲があり、具体的には、上記式（２）を満たすように角度θを設定することで、各モジュール部品１の側面１ｓの下部に、好適に導電性ペーストＰを行き渡らせることが可能になる。
【００４９】
なお、図５（ｃ）の例では、導電性ペーストＰの噴射方向Ｉの先端が、内側面１ｓａの下部には届いていない。しかしながら、噴射方向Ｉは実際には完全な直線ではなく、重力の影響によって、図示した矢印Ｂの方向に曲がる。その結果、ある程度角度θがｔａｎ−１（Ｄ／ｗ）より小さくても内側面１ｓａの下部に好適に導電性ペーストＰを行き渡らせることは可能であり、その限界が、上述した下限値θ２＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）となる。
【００５０】
図６を再度参照する。溝３の幅ｗ及び深さＤがそれぞれ０．４ｍｍ，１．０ｍｍである場合、角度θの上限値θ１は約７８．６９°となり、角度θの下限値θ２は約５１．３４°となる。したがって、図６に示したθ＝６８°の例は角度θが上記式（２）を満たす場合の例であり、θ＝８０°の例は角度θが上記式（２）を満たさない場合の例である。図６に示した側面写真から理解されるように、θ＝８０°の例では側面１ｓにおける導電性ペーストＰの厚みが均一でなく、特に側面１ｓの下部における厚みが十分でないのに対し、θ＝６８°の例では、側面１ｓにおける導電性ペーストＰの厚みが均一になっている。したがって、この例からも、角度θが上記式（２）を満たすようにすることで、導電性ペーストＰを側面１ｓの下部にも好適に行き渡らせることが可能になる、ということが理解される。
【００５１】
角度θが上記式（２）を満たす場合に、導電性ペーストＰが側面１ｓの下部に好適に行き渡っていることは、図７に示したモジュール部品１の断面写真にも示されている。同断面写真は、図６に示したθ＝６８°の例によるモジュール部品１を、側面１ｓと垂直な方向で切断し、その切断面を撮影したものである。図７の（ａ）は上面１ｕから下面１ｂまでの全体を示しており、（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、（ａ）を側面１ｓの上端付近、中央付近、下端付近のそれぞれについて拡大したものとなっている。これらの断面写真から明らかなように、溝３の幅ｗ及び深さＤがそれぞれ０．４ｍｍ，１．０ｍｍであり、かつ噴射角θを６８°に設定した場合、すなわち角度θが上記式（２）を満たす場合、シールド１４（導電性ペーストＰ）は、側面１ｓの下部にも好適に形成される。
【００５２】
また、図７に示されるように、本実施の形態によるモジュール部品の製造方法によれば、側面１ｓの上端付近における導電性ペーストＰを、比較的厚く形成することができる。これは、溝３に対して斜めに導電性ペーストＰを吹き付けていることによる、副次的な効果であると考えられる。したがって、本実施の形態によるモジュール部品の製造方法によれば、上面１ｕに形成された導電性ペーストＰと側面１ｓに形成された導電性ペーストＰとを、確実に導通させることも可能になる。
【００５３】
さらに、本実施の形態によるモジュール部品の製造方法によれば、側面１ｓの全体にわたって連続して導電性ペーストＰが形成される。したがって、グランド配線１３（図１）の露出位置に関わらず、グランド配線１３と導電性ペーストＰとを確実に導通させることが可能になる。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるものではなく、本発明が、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施され得ることは勿論である。
【実施例】
【００５５】
以下、ここまでで説明したモジュール部品１を、様々な条件を変えつつ実際に作製し、その側面１ｓに形成されたシールド１４の状態を確認した結果について、説明する。
【００５６】
初めに、今回作製したモジュール部品１の詳細な構成材料及び作製方法について、詳しく説明する。まず集合基板としては、パナソニック株式会社製の基板材料であるＲ−１５１５Ｂによって構成され、かつ厚みＨ１０（図１）が０．２ｍｍのものを用いた。基板１０（図１）に形成される各種配線は、集合基板の表面に、サブトラクティブ法によるパターニングを用いて形成した。
【００５７】
各種配線の形成後には、太陽インキ製造株式会社製のドライフィルムであるＰＦＲ（登録商標）−８００  ＡＵＳ（登録商標）  ４１０を全面にラミネートし、さらに露光、現像、ポストキュアを順次行うことにより、ソルダーレジストのパターンを形成した。次いで、このパターンにより露出させた銅製ランドの表面に、四国化成工業株式会社製の防錆剤を用いて耐熱プリフラックス処理（ＯＳＰ：Organic Solderability Preservative）を施した。その後、千住金属工業株式会社製のＳｎ／Ａｇ系ハンダであるＭ７０５クリームはんだを印刷し、マウンターを用いて０６０３〜２５２０サイズのチップ部品１１（図１）を実装した後、最大２６０℃のリフロー処理を行うことにより、チップ部品１１を基板１０に接合した。
【００５８】
続いて、基板１０の表面及びはんだに含まれるフラックスを洗浄によって除去した後、コンプレッションモールド法によってモールド１２（図１）の形成を行い、所定の硬化条件にてポストキュアを行った。モールド１２の材料としては、パナソニック株式会社製のＩＣ／ＬＳＩ用モールド材であるＣＶ８７１０ＴＡＣ（カットポイント３０μｍ以下、平均粒径６μｍのフィラーを含む材料）を用いた。また、モールド１２の成型はメーカー推奨条件の下で行い、成型厚みＨ１２（図１）を０．７ｍｍ、０．９ｍｍ、１．１ｍｍの三種類とした。
【００５９】
モールド１２を形成した後、厚さ０．４ｍｍのブレードを有するダイサーを用い、成型厚みＨ１２＋０．１ｍｍの切込み深さで、ｘ方向及びｙ方向のそれぞれに延在する溝３（図３）の形成を行った。これにより、各モジュール部品１の間に、幅ｗが０．４ｍｍであり、深さＤが、モールド１２の厚みＨ１２に応じて０．８ｍｍ、１．０ｍｍ、１．２ｍｍのいずれかである溝３が形成された。なお、溝３のピッチは１０．４ｍｍである。
【００６０】
溝３を形成した後には、図４に示したワークテーブル２１に集合基板状態のモジュール部品１を載置し、スプレーノズル２０から導電性ペーストＰ（図４）の噴射を行った。この場合において、ワークテーブル２１を移動させながら、パルス制御によって導電性ペーストＰの間欠的な噴射を行うことで、溝３の内側面の全体に均一に導電性ペーストＰが形成されるようにした。導電性ペーストＰの材料としては、住友電気化学工業株式会社製の導電性ペーストＳＰ−１３００Ａをメチルエチルケトンによって希釈したものを用いた。また、スプレーノズル２０（図４）としては、ノードソン株式会社製のＮＣＧノズルを用いた。スプレーノズル２０と上面１ｕとの間の距離Ｌ（図４（ｂ））は３６ｍｍとし、ワークテーブル２１の掃引速度は４５ｍｍ／秒とした。導電性ペーストＰの噴射が完了した後には、メーカー推奨条件の下で導電性ペーストＰを硬化した後、モジュール部品１の個片化を実施した。
【００６１】
今回の実験では、三種類の溝３の深さＤ（上述した０．８ｍｍ、１．０ｍｍ、１．２ｍｍ）のそれぞれについて、六種類の角度θのそれぞれにより、１０個ずつモジュール部品１のサンプルを作製した。そして、それぞれの側面１ｓを目視で確認することにより、シールド１４（導電性ペーストＰ）の状態を評価した。評価基準は、１０個のサンプルのいずれにおいても側面１ｓにおけるシールド１４の形成が十分である場合に○、１０個のサンプルの一部においては側面１ｓにおけるシールド１４の形成が十分であるが、残りの一部においては不十分である場合に△、１０個のサンプルのいずれにおいても側面１ｓにおけるシールド１４の形成が不十分である場合に×、という３段階とした。
【００６２】
まず、表１は、深さＤが０．８ｍｍである場合の評価結果である。この場合、溝３のアスペクト比（＝Ｄ／ｗ）は２．０、角度θの上限値θ１＝ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）は約７５．９６°、角度θの下限値θ２＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）は約４５．００°となる。表１に示す六種類のサンプル１〜６の評価結果から、この場合、角度θがθ１以上θ２以下であれば良好な結果が得られる一方、そうでないと良好な結果が得られないことが理解される。
【００６３】
【表１】
0005549769.tif 000002
【００６４】
次に、表２は、深さＤが１．０ｍｍである場合の評価結果である。この場合、溝３のアスペクト比（＝Ｄ／ｗ）は２．５、角度θの上限値θ１＝ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）は約７８．６９°、角度θの下限値θ２＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）は約５１．３４°となる。表２にはさらに、図７（ｂ）〜（ｄ）に示した３カ所（側面１ｓの上端付近、中央付近、下端付近）のそれぞれにおけるシールド１４の最大厚みの実測結果も示している。なお、この実測結果の単位はμｍである。表２に示す六種類のサンプル７〜１２の評価結果及び最大厚みの実測結果から、この場合にも、角度θがθ１以上θ２以下であれば良好な結果が得られる一方、そうでないと良好な結果が得られないことが理解される。
【００６５】
【表２】
0005549769.tif 000003
【００６６】
次に、表３は、深さＤが１．２ｍｍである場合の評価結果である。この場合、溝３のアスペクト比（＝Ｄ／ｗ）は３．０、角度θの上限値θ１＝ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）は約８０．５４°、角度θの下限値θ２＝ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）は約５６．３１°となる。表３に示す六種類のサンプル１３〜１８の評価結果から、この場合にも、角度θがθ１以上θ２以下であれば良好な結果が得られる一方、そうでないと良好な結果が得られないことが理解される。
【００６７】
【表３】
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【００６８】
以上のように、実験の結果、溝３の深さＤ及びアスペクト比の値によらず、式（２）により示される範囲内の角度θを用いることで、良好な結果を得られることが確認された。
【符号の説明】
【００６９】
１        モジュール部品
１ｂ      モジュール部品の裏面
１ｓ      モジュール部品の側面
１ｓａ    溝の内側面
１ｓｂ    溝の内側面
１ｕ      モジュール部品の上面
２        ダイシングテープ
３        溝
１０      基板
１０ｓ    基板の側面
１０ｕ    基板の上面
１１      チップ部品
１２      モールド
１３      グランド配線
１４      シールド
２０      スプレーノズル
２１      ワークテーブル
Ｉ        噴射方向
Ｐ        導電性ペースト
【要約】
【課題】量産工程でのスプレー塗布により、モジュール部品の側面に好適に導電性ペーストを形成できるモジュール部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるモジュール部品の製造方法は、集合基板の主面に複数のモジュール部品１を形成する工程と、ダイシングにより、複数のモジュール部品１の間に溝３を形成する工程と、集合基板の主面に向けて導電性ペーストＰを噴射する工程と、複数のモジュール部品１を個片化する工程とを備える。導電性ペーストＰを噴射する工程では、噴射方向Ｉの主面への射影Ｉａが溝３の幅方向に平行となり、かつ、噴射方向Ｉと主面とのなす角が角度θとなるよう導電性ペーストＰを噴射する。角度θは、溝３の深さをＤ、溝３の幅をｗとすると、式（１）を満たすように設定される。
ｔａｎ−１（Ｄ／２ｗ）≦θ≦ｔａｎ−１（２Ｄ／ｗ）  ・・・（１）
【選択図】図４【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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