(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を伝達するコアと、このコアの上下に設けられるアンダークラッド層およびオーバークラッド層を備え、それ自体の長手方向の端部が、他の光コネクタとの接続用フェルールに設けられた所定の貫通穴に挿入された状態で固定される光コネクタ用光導波路であって、上記アンダークラッド層は、上記フェルールの貫通穴の幅よりも狭い幅に形成され、上記コアは、このアンダークラッド層の上に、感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体として上記長手方向に連続する凸条に形成され、上記オーバークラッド層は、上記コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準として形成された感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体からなり、上記フェルールの貫通穴に対応する部位のコアとアンダークラッド層とが、それらの幅方向端面を含んで上記オーバークラッド層で被覆され、この被覆された部分の光導波路の全幅が、上記フェルールの貫通穴の幅に一致するようになっていることを特徴とする光コネクタ用光導波路。
【請求項２】
上記請求項１に記載の光コネクタ用光導波路の少なくとも一方の長手方向端部が、調芯構造を有するフェルールに設けられた貫通穴の一方の挿入口から挿入されて固定され、その長手方向先端面が上記貫通穴の他方の出口から露出して、光を伝達するコアの長手方向端部が所定位置で位置決めされていることを特徴とする光コネクタ。
【請求項３】
光を伝達するコアと、このコアの上下に設けられるアンダークラッド層およびオーバークラッド層とからなり、それ自体の長手方向端部が、他の光コネクタとの接続用フェルールに設けられた所定の貫通穴に挿入される請求項１記載の光コネクタ用光導波路の製法であって、上記フェルールの貫通穴の幅よりも狭いパターンのアンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、コア形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、この感光樹脂層に照射線を照射して所定パターンに露光し、その露光部分をコアに形成する工程と、このコアを被覆するとともに、上記フェルールの貫通穴に対応するアンダークラッド層の長手方向端部部位を、その幅方向端面を含めて被覆するオーバークラッド層形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、上記コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準に上記フェルールの貫通穴と同じ幅のフォトマスクを位置合わせし、上記感光樹脂層に照射線を照射して所定パターンに露光し、上記フェルールの貫通穴に対応する部分が貫通穴と同幅のオーバークラッド層を形成する工程と、を備えることを特徴とする光コネクタ用光導波路の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光コネクタ用光導波路およびそれを用いた光コネクタ、ならびに、この光コネクタ用光導波路の製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の集積化や大規模化により、機器内のボード間やボード上のチップ間等を接続するのに多用されている電気配線の発熱やその消費電力が問題となってきている。そこで、これらの電気配線を、軽量，低発熱でフレキシブルな高分子光導波路に置き換える光配線（光インターコネクション）技術が開発されている。
【０００３】
この光配線において各ボード間等の連結に用いられる光コネクタは、帯状の光導波路と、この光導波路の長手方向端部に取り付けられた、フェルールと呼ばれる所定形状の接続用端子とから構成されている。また、この光コネクタは、対向して載置されたフェルール間の係合−被係合による位置決め機能を用いて、光ファイバと光導波路の間、または、光導波路と光導波路の間（すなわち光コネクタと光コネクタとの間）を連結（光接続）し、各ボード間の信号等を伝達する（例えば、非特許文献１等を参照。）。
【０００４】
このような光コネクタにおいては、光導波路の長手方向端面が露出するフェルール先端側の端面（接続用端面）に、調芯用ガイドピンを挿入するためのガイド穴等が設けられている。このようなフェルールを利用した光コネクタ間の接続は、つぎのように行われる。すなわち、上記接続用端面が対面（対峙）するように配置された各フェルールのガイド穴に、上記ガイドピンの両端をそれぞれ挿入し、上記接続用端面同士を突き合わせて対面接続する。これにより、各フェルールの所定位置に固定された光ファイバと光導波路の長手方向端面同士、または、光導波路と光導波路の長手方向端面同士が当接し、両者が光接続される。
【０００５】
また、上記のような光コネクタに用いられる光導波路には、通常、幅方向に８芯または１２，２４芯等のコアを有する、幅数ｍｍ，長さ数ｃｍ〜数十ｃｍ程度の帯状の光導波路が使用される。このような幅狭の帯状光導波路は、さらに幅広の長尺フィルム状光導波路を、所定長に切断し、かつ、上記各コアの光軸方向に沿って、ダイシングあるいはレーザー光等を用いて所定幅に切り出すことにより、所定寸法に単離されて形成されている。そして、単離された所定寸法の帯状光導波路は、上記フェルールの光導波路固定用貫通穴の一方の挿入口から挿入され、上記ガイド穴を有するフェルールの接続用端面（前面）に設けられた貫通穴の他方の出口から、その長手方向の一端面（光接続面）を覗かせた状態で固定される（特許文献１，２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２８２０号公報
【特許文献２】特開２００６−３９２８２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】JPCA規格「ＰＭＴ光コネクタの詳細規格」JPCA-PE03-01-07S-(2006)  社団法人日本電子回路工業会  平成１８年５月
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようにダイシングを用いて単離した光コネクタ用光導波路は、ダイシングによる切断加工の性能の限界から、その寸法精度が低く、特に、光導波路幅方向のばらつきが大きいという欠点がある。このように、光導波路幅方向の寸法のばらつきが大きいと、フェルールの所定位置に形成された光導波路固定用貫通穴に嵌め入れて固定し、ガイドピン等を用いて調芯しながら光コネクタ同士を対面接続しても、当接する光導波路内のコア同士の光軸が一致せず、光結合損失が増大する。
【０００９】
また、レーザー光を利用して単離した光コネクタ用光導波路は、上記ダイシングを用いた場合に比べ、その幅方向の寸法精度は向上するものの、レーザー光の加熱により光導波路の性能の低下が生じる。また、ダイシングと異なり、曲線的に光導波路を単離できるという長所がある反面、加工後に残る加工残渣を除去するため、別途洗浄工程を要するという短所をかかえている。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、フェルールの光導波路固定用貫通穴に挿入して固定する際に、コアの幅方向位置が正確に位置決めされて接続時の光結合損失が低く、安価な光コネクタ用光導波路、およびそれを用いた光コネクタ、ならびに光コネクタ用光導波路の製法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明は、光を伝達するコアと、このコアの上下に設けられるアンダークラッド層およびオーバークラッド層を備え、それ自体の長手方向の端部が、他の光コネクタとの接続用フェルールに設けられた所定の貫通穴に挿入された状態で固定される光コネクタ用光導波路であって、上記アンダークラッド層は、上記フェルールの貫通穴の幅よりも狭い幅に形成され、上記コアは、このアンダークラッド層の上に、感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体として上記長手方向に連続する凸条に形成され、上記オーバークラッド層は、上記コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準として形成された感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体からなり、上記フェルールの貫通穴に対応する部位のコアとアンダークラッド層とが、それらの幅方向端面を含んで上記オーバークラッド層で被覆され、この被覆された部分の光導波路の全幅が、上記フェルールの貫通穴の幅に一致するようになっている光コネクタ用光導波路を第１の要旨とする。
【００１２】
また、本発明は、上記光コネクタ用光導波路を用いた光コネクタであって、光コネクタ用光導波路の少なくとも一方の長手方向端部が、調芯構造を有するフェルールに設けられた貫通穴の一方の挿入口から挿入されて固定され、その長手方向先端面が上記貫通穴の他方の出口から露出して、光を伝達するコアの長手方向端部が所定位置で位置決めされている光コネクタを第２の要旨とする。
【００１３】
さらに、本発明は、上記光コネクタ用光導波路の製法であって、上記フェルールの貫通穴の幅よりも狭いパターンのアンダークラッド層を形成する工程と、このアンダークラッド層の表面に、コア形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、この感光樹脂層に照射線を照射して所定パターンに露光し、その露光部分をコアに形成する工程と、このコアを被覆するとともに、上記フェルールの貫通穴に対応するアンダークラッド層の長手方向端部部位を、その幅方向端面を含めて被覆するオーバークラッド層形成用の感光性樹脂層を形成する工程と、上記コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準に上記フェルールの貫通穴と同じ幅のフォトマスクを位置合わせし、上記感光樹脂層に照射線を照射して所定パターンに露光し、上記フェルールの貫通穴に対応する部分が貫通穴と同幅のオーバークラッド層を形成する工程と、を備える光コネクタ用光導波路の製法を第３の要旨とする。
【００１４】
すなわち、本発明者らは、前記課題を解決するため鋭意研究を重ね、その結果、ダイシング等による物理的（機械的）な切断加工が、光導波路の幅方向の寸法精度を低下させ、この精度の低下に起因して発生する個々のコアの水平方向の位置ずれが、フェルール間の光結合損失増大の原因になっていることを突き止めた。そこで、本発明者らは、光導波路を所定幅形状に形成するにあたり、上記物理的な切断加工に比べ遙かに高精度に寸法加工できる、フォトリソグラフィ等の光学的手法を利用することを着想し、本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、以上のような知見にもとづきなされたものであり、本発明の光コネクタ用光導波路は、オーバークラッド層が、コアを被覆するとともに、上記フェルールの貫通穴に対応する部位の上記コアとアンダークラッド層とが、それらの幅方向端面を含んで被覆され、この被覆された部分の光導波路の全幅が、上記フェルールの貫通穴の幅に一致するように形成されている。そのため、このオーバークラッド層の幅方向端面が、光導波路の全幅を構成するようになっている。また、このオーバークラッド層は、フォトリソグラフィ法により形成されているため高精度で、かつ、上記コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準として形成されていることから、フェルールの貫通穴に嵌合させた際も、上記コアが当初の設計どおりの所望の位置に正確に位置決めされる。これにより、フェルール同士を接続した場合も、光導波路内のコアと光ファイバのコアとの光軸、または、光導波路内のコア同士の光軸が一致し、光結合損失の増大を防ぐことができる。
【００１６】
また、上記光コネクタ用光導波路を用いた光コネクタであって、光コネクタ用光導波路の少なくとも一方の長手方向端部が、調芯構造を有するフェルールに設けられた貫通穴の一方の挿入口から挿入されて固定され、その長手方向先端面が上記貫通穴の他方の出口から露出して、光を伝達するコアの長手方向端部が所定位置で位置決めされている光コネクタは、フェルールに固定された光導波路のコア位置の再現性が高く、製品間のばらつきも少ない。そのため、ガイドピン等を用いて調芯しながら光コネクタ（フェルール）同士を対面接続した場合も、当接する光導波路内のコアと光ファイバのコア間の光軸、または、光導波路内のコア同士の光軸が一致するため、光結合損失を極めて低く維持することができる。
【００１７】
そして、本発明の光コネクタ用光導波路の製法では、オーバークラッド層が、コアを被覆するとともに、上記フェルールの貫通穴に対応するアンダークラッド層の長手方向端部部位を、その幅方向端面を含めて覆うように形成され、このオーバークラッド層が、フォトリソグラフィ法を用いて形成されている。そのため、オーバークラッド層の幅方向端部、すなわち光導波路の全幅が安定した高精度で形成される。
【００１８】
また、この製法は、オーバークラッド層が、コアの位置または位置決め用アライメントマークを基準として形成されることから、フェルールの光導波路固定用の貫通穴に嵌合させた際も隙間が生じず、上記コアが設計どおりの所望の位置に、再現性よく位置決めされる。これにより、光コネクタ（フェルール）同士を対面接続した場合の光結合損失を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態における光コネクタの概略構成図である。
【図２】本発明の実施形態における光コネクタを接続する方法を説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）はいずれも、実施形態の光コネクタ用光導波路の構成を示す模式図であり、図３（ａ）は光導波路を上から見た平面図、図３（ｂ）は側面図、図３（ｃ）は端面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）はいずれも、本発明の光コネクタの他の形状例を示す図である。
【図５】（ａ１）〜（ｃ６）はいずれも、実施形態の光コネクタ用光導波路の製法を説明する図であり、（ａ１）〜（ａ６）は光導波路を上から見た平面図、（ｂ１）〜（ｂ６）は長手方向の断面図、（ｃ１）〜（ｃ６）は端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
つぎに、本発明の実施の形態を、図面にもとづいて詳しく説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態における光コネクタの概略構成図であり、図２は、光コネクタ間を接続する方法を説明する図である。また、図３（ａ）〜（ｃ）はいずれも、第１実施形態の光コネクタに用いられる光導波路の構成を示す模式図であり、図３（ａ）は光導波路を上から見た平面図、図３（ｂ）は光導波路を長手方向横から見た側面図、図３（ｃ）は光導波路の長手方向端部の端面図である。なお、実際は、図３（ａ）平面図および図３（ｂ）側面図において、光導波路コアは、オーバークラッド層に被覆されており見えないが、説明を容易にするために実線で表示している。また、帯状の光導波路１０の長辺方向を長手（長さ）方向、コア１が並ぶ上記光導波路１０の短辺方向を幅方向、光導波路１０を構成する各層の積層方向（厚さ方向）を上下方向、と呼ぶ。
【００２２】
本実施形態における光コネクタは、図３（ａ）に示す、幅方向に複数のストレート状コア１（本実施形態においては１２条）を有する帯状の光導波路１０の長手方向端部に、図１に示すように、先に述べた社団法人日本電子回路工業会（ＪＰＣＡ）で規格化された所定形状の接続用端子〔（ＰＭＴ）フェルール２０〕を取り付けたものである。なお、図１，図２において、符号２１は光導波路１０の挿入口を構成する筒状のブーツ部、２２はフェルール本体、２３は蓋部であり、符号３０は各フェルール２０間を対面接続するための調芯用ガイドピン、２０ｃはガイドピン３０挿入用のガイド穴である。
【００２３】
上記フェルール２０は、フェルール本体２２に、上記ブーツ部２１および蓋体２３を組み合わせて形成されており、このフェルール本体２２と蓋体２３との間には、光導波路固定用の貫通穴を構成する、断面方形状の隙間が形成されている。そして、この隙間は、上記筒状のブーツ部２１の内部空間と連通しており、このブーツ部２１の外側開口が、光導波路固定用貫通穴の光導波路挿入口２０ａを形成し、上記隙間の開口（図２の右側フェルールの端面開口）が、光導波路固定用貫通穴の光導波路出口２０ｂを形成している。
【００２４】
この第１実施形態では、図３（ｃ）に示す帯状光導波路１０の連結用端部（長手方向端部）を、図１に示すようにフェルール挿入用のブーツ部２１に挿入し、図２の右側のフェルール２０のように、帯状光導波路１０の連結用端部の先端（光接続面）を、フェルール端面の光導波路出口２０ｂ内に位置決めして外部に露出した状態で、上記帯状光導波路１０がフェルール２０に固定されている。
【００２５】
このようにして、帯状光導波路１０は、フェルール２０とともに光コネクタＰを構成する。そして、図２のように、上記フェルール２０は、ガイドピン３０，３０を用いて、光ファイバ１１等の端部に取り付けられた光コネクタＭの略同形のフェルール２０’と連結され、この光コネクタＰ（本実施形態においては、光導波路１０を用いたＰＭＴ光コネクタ）と、光コネクタＭ（本実施形態においては、光ファイバ１１を用いたＭＴ光コネクタ）とが光接続される。
【００２６】
この場合、帯状光導波路１０は、図３（ｃ）に示すように、オーバークラッド層３が、各コア１を被覆するとともに、アンダークラッド層２の幅方向の端面２ａ，２ａ’を被覆した状態で形成されている。そのため、このオーバークラッド層３の幅方向の端面３ａ，３ａ’が、帯状光導波路１０の全幅を構成するようになっている。そして、上記オーバークラッド層３は、フォトリソグラフィ法により形成されたフォトリソグラフィ体からなるため、寸法が正確かつ高精度で、しかも、後述する製法により、上記各コア１の位置または位置決め用アライメントマークを基準として形成されていることから、フェルール２０の方形状貫通穴に挿入した際も隙間が生じず、各コア１が当初の設計どおりの所望の位置に正確に位置決めされる。これにより、他の光コネクタＭと接続した場合も、上記帯状光導波路１０内の各コア１の光軸と、対向する他のフェルール２０’内の光ファイバコアの光軸とが一致し、光結合損失の増大を防ぐことができる。
【００２７】
つぎに、上記光コネクタＰに用いる光導波路について説明する。
光コネクタに使用される帯状の光導波路１０には、曲げが可能な柔軟性を有し、フォトリソグラフィによる成形加工が容易な、ポリマー系光導波路が用いられる。この光導波路１０は、基本的な構成は従来のフィルム状光導波路と同様であり、図３のように、光を伝達する光路となる複数のコア１と、このコア１の上下に設けられるオーバークラッド層３およびアンダークラッド層２とからなる。このオーバークラッド層３は、上記各コア１を被覆するとともに、上記アンダークラッド層２の幅方向の端面２ａ，２ａ’をも被覆するように形成されている。
【００２８】
アンダークラッド層２は、断面方形状の帯状体であり、上記ＪＰＣＡ規格に合わせて光導波路を作成する場合、その幅は、３．０００ｍｍ（誤差  ＋０．００ｍｍ，−０．０３ｍｍ）に形成することが求められている。本実施形態の光コネクタ用光導波路の場合は、このアンダークラッド層２の幅方向端面２ａ，２ａ’を、後述するオーバークラッド層３で被覆する点を考慮して、予め上記所要幅より若干（片側につき１０〜３０μｍ，全幅で２０〜６０μｍ）狭い幅に形成されている。
【００２９】
上記各コア１は、フォトリソグラフィ法により形成された、感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体で構成され、その個々が光導波路長手方向に連続する断面略正方形状の凸条である。また、各コア１は、その長さ方向に互いに平行に形成されている。上記ＪＰＣＡ規格に合わせて光導波路を作成する場合、各コア１は、０．０４ｍｍ角（誤差  ±０．００５ｍｍ）に形成されており、各コア１間のピッチは０．２５ｍｍに設定されている。なお、これらコア１は、フォトリソグラフィ法により、１２条すべてが一度に作製される。また、本発明にいう「感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体」とは、上記フォトリソグラフィ法により形成されたもののことをいう。
【００３０】
また、上記コア１の厚さ（高さ）や幅、コアパターンの間隔（配線ピッチ）、コアの本数に関しては、接続すべき対象に応じて設計することができる。また、本実施形態では、各コア１の幅を長手方向で一定としたが、上記帯状光導波路１０の端部（出光側端部および受光側端部）における光結合効率を向上させるために、一端側の各コア幅を広めに、他端側の各コア幅を狭めに形成してもよい。例えば、５０μｍのコア幅を持つ光ファイバから光を受ける場合、光コネクタ用光導波路の受光側端部のコアの断面形状を、高さ（厚さ）５０μｍ×幅６０μｍと大きめに形成し、他端の出光側端部のコアの断面形状を、高さ５０μｍ×幅４０μｍと小さめに形成してもよい。
【００３１】
上記コア１およびアンダークラッド層２を覆うオーバークラッド層３は、上記各コア１の位置または位置決め用アライメントマークを基準として、先に述べた感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体で構成されている。これについてより詳しく述べると、コア１，アンダークラッド層２を被覆するとともに、このアンダークラッド層２の長手方向に沿う左右両側部を厚肉で覆うように感光性樹脂を塗布する。そして、上記厚肉の左右両側部の外側部分のみを所定寸法で覆うフォトマスクを用い、幅方向左右のコア１の位置または位置決め用アライメントマークを、目視，光学顕微鏡，光学センサまたはカメラを用いた画像処理等によって検出し、それらの位置を基準に、上記フォトマスクを位置合わせし、露光して現像する。これにより、コア１およびアンダークラッド層２、ならびに、アンダークラッド層２の幅方向の左右両端部（端面２ａ，２ａ’）を所定幅で覆うオーバークラッド層３が形成される。
【００３２】
上記オーバークラッド層３は、層単体での厚さが０．０３〜０．１３ｍｍで、光導波路１０全体としての厚さ（全厚）が０．１〜０．２ｍｍになるように形成されている。そして、オーバークラッド層３の全幅は、３．０００ｍｍ（誤差  ＋０．００ｍｍ，−０．０３ｍｍ）に形成されている。
【００３３】
また、このオーバークラッド層３も、上記アンダークラッド層２および各コア１と同じく、顧客の要望に合わせて数十ｍｍ〜数百ｍｍ程度の長さに形成されるが、これらアンダークラッド層２および各コア１の長手方向端面を覆うように、若干長めに形成してもよい。上記顧客の要望を上回る長さの部分は、後述するダイシング等により切除して、光導波路１０の長手方向端面（先端面であり、他の光コネクタとの接触面）に、上記各コア１の長手方向端面（略正方形状の光接続面）が露出する。このオーバークラッド層３も、上記フォトリソグラフィ法により形成された「感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体」である。
【００３４】
このように、本実施形態の光コネクタ用光導波路は、上記オーバークラッド層３が、フォトリソグラフィ法により形成されたフォトリソグラフィ体からなるため、寸法が正確かつ高精度に形成されている。また、このオーバークラッド層３が、上記各コア１の位置または位置決め用アライメントマークを基準に形成されているため、前記光コネクタＰのフェルール２０の光導波路固定用穴に挿入した際も、各コア１が当初の設計どおりの位置に正確に位置決めされる。
【００３５】
なお、上記実施形態においては、ＪＰＣＡ規格に開示されているＭＴフェルールまたはＰＭＴフェルールに対応する、１２条（１２ｃｈ）の直線状光導波路を例示したが、本発明の光コネクタ用光導波路は、その他の形状の光導波路に形成することもできる。例えば、光導波路のコアパターンが曲線状となっているものや、光信号を分波・合波するために光導波路コアが分岐しているもの〔図４（ａ）参照〕、光信号の組換え（再配列）のためにコアが交差しているもの〔図４（ｂ）参照〕等へも適用できる。これらのコアパターンにおいては、取り付けるフェルールも、光導波路の両端に１個ずつであるという必要はなく、求められる機能に応じて複数個取り付けることができる。
【００３６】
つぎに、本発明の光コネクタ用光導波路の製法について述べる。
【００３７】
図５は、本発明の実施形態の光コネクタ用光導波路の製法を説明する図であり、（ａ１）〜（ａ６）は光導波路を上から見た平面図、（ｂ１）〜（ｂ６）は光導波路の長手方向の断面図、（ｃ１）〜（ｃ６）は光導波路の長手方向端部の端面図である。また、１から６の番号順に、図中左の矢印のように工程が進む様子を示している。
【００３８】
本発明の第１実施形態における光コネクタ用光導波路の製法は、まず、図５（ａ１），（ｂ１），（ｃ１）に示すように、ガラス板，樹脂板，金属板等の基板（図示省略）の上に、所定幅のアンダークラッド層２を塗布等により形成する。
【００３９】
このアンダークラッド層２の形成は、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、材料樹脂からなるワニスを基板上に塗布する。このワニスの塗布は、例えば、スピンコート法，ディッピング法，ダイ塗工，ロール塗工等により行われる。ついで、これを硬化させ、アンダークラッド層２を作製する。
【００４０】
ついで、図５（ａ２），（ｂ２），（ｃ２）に示すように、アンダークラッド層２の上に、コア１の形成材料（感光性樹脂）を塗布した後、破線で示すフォトマスクＭ１を用いて、白抜き矢印Ｌで示す照射線を照射し、コア１形成用感光樹脂層を所定パターンに露光して現像し、図５（ａ３），（ｂ３），（ｃ３）に示すようなストレート状コア１を作製する。
【００４１】
より詳しく述べると、コア１の形成は、つぎのようにして行われる。すなわち、まず、感光性樹脂が溶媒に溶解しているワニスを、上記と同様スピンコート法，ディッピング法，ダイ塗工，ロール塗工等により、アンダークラッド層２上に塗布する。ついで、これを乾燥し、感光性樹脂層を形成する。そして、上記感光性樹脂層を、所望のコア１パターンに対応する開口パターンが形成されているフォトマスクＭ１を介して、紫外線，可視光等の照射線Ｌにより露光する。この露光された部分が、未露光部分の溶解除去工程を経て、コア１となる。
【００４２】
上記露光後、感光性樹脂のタイプに応じて、光反応を完結させるための加熱処理を行う。その後、現像液を用いて浸漬法，スプレー法，パドル法等により現像を行い、感光性樹脂層における未露光部分を溶解させて除去して、残存した感光性樹脂層をコア１のパターンに形成する。ついで、そのコア１のパターンに形成された残存樹脂層中の現像液を加熱処理により除去する。これにより、上記コア１のパターン形成された残存樹脂層を、コア１に形成する〔図５（ａ３），（ｂ３），（ｃ３）を参照〕。
【００４３】
つぎに、図５（ａ４），（ｂ４），（ｃ４）に示すように、塗布等により、オーバークラッド層３の形成材料（感光性樹脂）で、各コア１を被覆するとともに、アンダークラッド層２の幅方向の端面２ａ，２ａ’をも被覆する。ついで、上記オーバークラッド層３の形成材料で被覆されたコア１の位置、または、上記コア１の作製と同時に形成された位置決め用アライメントマークの位置を、目視，光学顕微鏡，光学センサまたはカメラを用いた画像処理等により検出し、そのコア位置を基準としてフォトマスクＭ２を位置合わせしてから、オーバークラッド層３形成用感光樹脂層を露光して現像し、図５（ａ５），（ｂ５），（ｃ５）に示すような帯状光導波路を得る。
【００４４】
より詳しく述べると、まず、上記感光性樹脂からなるワニスを、上記コア１とアンダークラッド層２の上に塗布する。このとき、図５（ｃ４）のように、アンダークラッド層２の幅方向の端面２ａ，２ａ’を被覆するように、広く（最終目標とする全幅より広く）塗布するとともに、図５（ｂ４）のように、アンダークラッド層２の長手方向の端面２ｂ，２ｂ’も被覆するように長く塗布する。このワニスの塗布は、例えば、スピンコート法，ディッピング法，ダイ塗工，ロール塗工等により行われる。ついで、これを硬化させる。
【００４５】
この硬化に際しては、所望のオーバークラッド層３の形状に対応する開口パターンが形成されているフォトマスクＭ２を介して照射線Ｌにより露光する。このとき、上記フォトマスクを位置決めする前に、位置決めの起点となるコア１またはアライメントマークの位置を光学顕微鏡，光学センサ等により予め計測し、その計測位置を基準として、図５（ｃ４）のように、フォトマスクＭ２の開口パターンの幅方向縁部が、上記最終目標とする全幅を形成できる位置にくるように、正確に位置制御する。
【００４６】
上記フォトマスクＭ２の位置決め方法についてさらに詳しく説明すると、使用する位置決め方法としては、（１）アンダークラッド層２上に形成したコア１（コアパターン）そのものを基準として位置決めする方法と、（２）アンダークラッド層２上に、上記コア１と同時に形成したアライメントマークを基準に位置決めする方法があげられる。
【００４７】
光導波路に用いられる材料は、一般的に、可視光において透明性を有しており、フォトマスクＭ２の位置合わせ方法には、従来のフォトリソプロセスで用いられる画像処理方法が適用できる。例えば、上記（１）の方法の場合、コア１の材料が、アンダークラッド層２およびオーバークラッド層３の材料よりも、使用波長において通常０．０１以上屈折率が高いため、この屈折率差を利用してコアパターンを認識し、画像処理等によって２値化することで、高精度なアライメントが可能となる。もちろん、光学顕微鏡や作業者の目視によって位置合わせすることも可能である。
【００４８】
そして、基板が透明である場合、上記コアパターンのエッジ（輪郭）が検出できるように、基板裏面から光照射を行うことで、コアパターンを正確に認識することもできる。基板が透明でない場合は、コアパターンの上方から光を照射し、パターンのエッジを浮かび上がらせて認識し、位置合わせすることもできる。なお、コアパターンを基準とする場合、コアパターンの中央部（端部以外の領域）でなく、終端部を確認する方が、位置ずれのリスクが少なく好ましい。また、上記コア１のうち、幅方向両端に位置するコア１，１またはその一方のコア１を基準とすることが好ましい。もちろん、すべてのコア１を基準としてもよい。
【００４９】
また、上記コア１の形成と同時に、アンダークラッド層２上に予め形成された、位置決め用アライメントマークを基準に位置決めする方法（２）の場合も、目視，光学顕微鏡あるいは上記画像処理等によってこのアライメントマークを認識し、フォトマスクＭ２の位置合わせを行う。このアライメントマークは、上記コア露光用フォトマスクＭ１上に、コアパターンとは別に形成されているもので、上記コア１の形成時に、フォトリソグラフィ法によってコア１と同時に形成されるため、これらの相対的な寸法位置精度は、通常０．１μｍ程度の正確なものとなる。そのため、このアライメントマークを基準に上記フォトマスクＭ２の位置合わせを行っても、上記コアそのもののパターンを基準とする場合と同等の位置精度を維持できる。なお、フォトマスクＭ２の位置決めにアライメントマークを利用する場合も、このアライメントマークは、上記フォトマスクＭ１の中央付近でなく、その周辺部に配置する方が好ましい。上記アライメントマークの形状としては、十字マークや円形等の対象性を有する形状が、画像認識時の方向性による影響が少ないので、好ましい。
【００５０】
フォトマスクＭ２の位置決めが完了したら、このフォトマスクＭ２を介して、照射線Ｌにより露光する。この露光された部分が、未露光部分の溶解除去工程を経て、オーバークラッド層３となる。照射線としては、好適に紫外線が用いられる。また、上記露光後、光反応を完結させるために、加熱処理を行う。その後、現像液を用いて現像を行うことにより、感光性樹脂層における未露光部分を溶解させて除去し、この現像液を加熱処理により除去することによって、残存した感光性樹脂層が、図５（ａ５），（ｂ５），（ｃ５）に示すように、所要幅パターンのオーバークラッド層３となる。また、この方法により、光導波路の全幅を、所望の幅に正確に幅出しできる。
【００５１】
そして、図５（ｂ５）→図５（ｂ６）のように、切刃４，４を用いたダイシングにより、光導波路の長手方向端部を切断して、帯状光導波路を所要の長さに切り揃える。これにより、その長手方向の一端面（光接続面）に、各コア１の長手方向端面（正方形状端面）が露出する、所定幅で所定長さの光コネクタ用光導波路が製造される。
【００５２】
このように、本実施形態の光コネクタ用光導波路の製法では、オーバークラッド層３が、フォトリソグラフィ法により形成されているため高精度で、かつ、その幅方向の端面が上記コア１の位置を基準として形成されていることから、図１のように、光コネクタのフェルール（２０）の貫通穴（光導波路挿入口２０ａ）に嵌合させた際も、この光コネクタ用光導波路の幅（全幅）と上記貫通穴の幅とが一致するため隙間が生じず、各コア１が当初の設計どおりの所望の位置に正確に位置決めされる。これにより、光コネクタ同士を接続した場合も、光ファイバコアと光導波路コアの光軸、または、光導波路内のコア同士の光軸が一致し、光結合損失の増大を防ぐことができる。
【００５３】
なお、本発明の光コネクタ用光導波路は、アンダークラッド層２も、上記コア１およびオーバークラッド層３と同様に、上記フォトリソグラフィ法により形成された「感光性樹脂製のフォトリソグラフィ体」とすることが望ましい。このように、フォトリソグラフィ体とすることにより、アンダークラッド層２の寸法精度をより向上させることができる。
【００５４】
また、上記フォトリソグラフィ法におけるフォトマスクを介した紫外線の照射には、通常、超高圧水銀灯や高圧水銀灯等が使用される。しかしながら、これらの光源は、単独の波長ではなく、ｇ線，ｈ線，ｉ線など複数の波長を数多く含んでいる。一方、感光性樹脂のタイプによっては、これらの複数の波長を含むブロード光よりも、波長域を限定して照射した方が、解像性・画像形成性の点で向上することが知られている。特に、光カチオン重合を利用したエポキシ系，オキセタン系や、光ラジカル重合を利用したアクリル系材料では、上記ブロード光を照射すると、膜表面近傍が優先的に硬化しパターン断面の上部が幅広となる、いわゆる「Ｔトップ」と呼ばれる現象が見られる。このＴトップ現象は、光導波路の断面形状を観察した場合、その下側（基板側）の幅が狭く、上側（表層側）の幅が広くなるため、光導波路の全幅が不均一となり、本発明のように、光コネクタのフェルールの光導波路固定用貫通穴に挿入して固定する際に、光導波路コアの位置（光軸）が所定位置からずれるといった不具合が生じる。
【００５５】
そのため、本発明において、上記のように、フォトマスクを介して紫外線を照射する場合は、クラッドパターンの解像性の観点から、感光性材料の種類に応じて、目的とする露光線のみが照射されるように、バンドパスフィルターと称される露光フィルターを用いることが好ましい。なお、樹脂材料によっては、硬化収縮など体積の収縮や、露光線（紫外線）の散乱などのプロセス上の理由により、フォトマスクの設計値よりも、実際のパターンが太ったり細ったりするケースがある。このため、最終的に必要とされる範囲の寸法に仕上げるため、上記フォトマスクのサイズに補正率を掛けるなどの対策を講じることが望ましい。
【００５６】
また、本発明の光コネクタ用光導波路の製法に使用する形成材料としては、クラッド層およびコアともに、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，メタクリル樹脂の他、オキセタン，シリコーン樹脂等の感光性樹脂（光重合性樹脂）があげられる。これらの樹脂のなかでも、コスト，膜厚制御性，損失等の観点から、カチオン重合性エポキシ樹脂が好ましい。
【００５７】
また、上記光重合性樹脂は、光酸発生剤，光塩基剤，光ラジカル重合開始剤などの光触媒とともに光重合性樹脂組成物を構成し、他の成分として、反応性オリゴマー，希釈剤，カップリング剤等を含んでいてもよい。
【００５８】
光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩やメタロセン錯体などの化合物を用いることができる。オニウム塩としては、ジアゾニウム塩，スルホニウム塩，ヨードニウム塩，ホスホニウム塩およびセレニウム塩などが用いられ、これらの対イオンとしては、ＣＦ3ＳＯ3-，ＢＦ4-，ＰＦ6-，ＡｓＦ6-，およびＳｂＦ6-などのアニオンが用いられる。具体例としては、トリフェニルスルホニウムトリフレート，４−クロロベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート，トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート，（４−フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート，（４−フェニルチオフェニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート，ビス[４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル]スルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート，ビス[４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル]スルフィド−ビス−ヘキサフルオロホスフェート，（４−メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート，（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート，ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート，ベンジルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート，トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフェート等があげられる。これらの化合物は、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００５９】
反応性オリゴマーとしては、例えば、フルオレン誘導体型エポキシや、その他多くのエポキシ，エポキシ（メタ）アクリレート，ウレタンアクリレート，ブタジエンアクリレート，オキセタン等が用いられる。特に、オキセタン類は、少量添加するだけで重合性混合物の硬化を促進させる効果を有するため、好ましい。例として、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン，３−エチル−３−（フェノキシメチル）オキセタン，ジ（１−エチル（３−オキセタニル））メチルエーテル，３−エチル−３−（２−エチルヘキシロメチル）オキセタン等あげられる。これら反応性オリゴマーは、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００６０】
希釈剤としては、例えば、ブチルグリシジルエーテル，２−エチルヘキシルグリシジルエーテルなどの炭素数２から２５のアルキルモノグリシジルエーテル，ブタンジオールジグリシジルエーテル，１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル，ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル，ドデカンジオールジグリシジルエーテル，ペンタエチトリトールポリグリシジルエエーテル，トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル，グリセロールポリグリシジルエーテル，フェニルグリシジルエーテル，レゾルシングリシジルエーテル，ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル，アリルグリシジルエーテル，テトラフルオロプロピルグリシジルエーテル，オクタフルオロプロピルグリシジルエーテル，ドデカフルオロペンチルグリシジルエーテル，スチレンオキシド，１，７−オクタジエンジエポキシド，リモネンジエポキシド，リモネンモノオキシド，α―ピネンエポキシド，β−ピネンエポキシド，シクロヘキセンエポキシド，シクロオクテンエポキシド，ビニルシクロヘキセンオキシドなどをあげることができる。
【００６１】
さらに、耐熱性，透明性の観点から、好ましい希釈剤として、分子内に脂環式構造を有するエポキシである３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート，３，４−エポキシシクロヘキセニルエチル−８，４−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート，ビニルシクロヘキセンジオキシド，アリルシクロヘキセンジオキシド，８，４−エポキシ−４−メチルシクロヘキシル−２−プロピレンオキシド，ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）エーテル等をあげることができる。主剤となるエポキシ樹脂に、これらの希釈剤を適量混合することにより、エポキシ基の反応率を上昇させ、結果として、得られる硬化物の耐熱性やフィルムとしての柔軟性を向上させることができる。
【００６２】
カップリング剤としては、エポキシ系のカップリング剤を使用することができる。例えば、２−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン，３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン，３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等をあげることができる。また、アミノ系の３−アミノプロピルトリメトキシシランや、３−アミノプロピルトリエトキシシランなども使用できる。
【００６３】
なお、成形後の寸法伸縮等を考慮して、オーバークラッド層の形成材料となる光重合性樹脂組成物は、粘度調整用の溶媒（主剤である感光性樹脂と反応せず、樹脂を膨潤・可塑化させる作用のみの有機溶剤）を含まない方が好ましい。例えば、エポキシ樹脂を使用する場合、上記溶媒に代えて、液状のエポキシモノマーを使用することにより、オーバークラッド層の形成材料を無溶媒化できる。液状のエポキシモノマーとしては、例えば、ダイセル化学工業社製  セロキサイド２０２１Ｐ，ダイセル化学工業社製  セロキサイド２０８１，アデカレジン社製  ＥＰ４０８０Ｅ等があげられ、これらを用いて、固体状もしくは粘ちょう液体状のエポキシ樹脂を溶解させ、無溶媒化することができる。
【００６４】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００６５】
まず、実施例に先立って、使用材料を調整した。
〔実施例１，４のアンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料〕
成分Ａ：Ｏ−クレゾールノボラックグリシジルエーテル〈東都化成社製  ＹＤＣＮ−７００−１０〉  １００重量部
成分Ｂ：トリアリールスルホニウム塩の５０％プロピオンカーボネート溶液〈サンアプロ社製、ＣＰＩ−２００Ｋ〉（光酸発生剤）  １重量部
これらを乳酸エチル〈武蔵野化学社製〉６０重量部に撹拌溶解（温度８０℃，撹拌２５０ｒｐｍ×３時間）させ、クラッドの形成材料（光重合性樹脂組成物）を調製した。調製したワニスの粘度をデジタル粘度計〈ブルックフィールド社製  ＨＢＤＶ−Ｉ＋ＣＰ〉にて測定したところ、１８００ｍＰａ・ｓであった。
【００６６】
〔実施例２，５のアンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料〕
成分Ｃ：ビスフェノキシエタノールフルオレンジクリシジルエーテル〈大阪ガスケミカル社製  オグゾールＥＧ〉  ７０重量部
成分Ｄ：１，１，３−トリス〔２，５−ジメチル−４−［２−（３−オキセタニル）ブトキシフェニル］〕−３−フェニルプロパン〈日東電工社製  特開２００７−１９１４３３参照〉  ３０重量部
成分Ｅ：４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの５０％プロピオンカーボネート溶液（光酸発生剤）  １重量部
これらを乳酸エチル〈和光純薬社製〉４０重量部に撹拌溶解（温度８０℃，撹拌２５０ｒｐｍ×３時間）することより、クラッド形成材料を調製した。調製したワニスの粘度をデジタル粘度計〈ブルックフィールド社製  ＨＢＤＶ−Ｉ＋ＣＰ〉にて測定したところ、１３００ｍＰａ・ｓであった。
【００６７】
〔実施例３，６のアンダークラッド層およびオーバークラッド層の形成材料〕
成分Ｃ：ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル〈大阪ガスケミカル社製  オグゾールＥＧ〉  ３５重量部
成分Ｆ：３’，４’−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート〈ダイセル化学工業社製  セロキサイド２０２１Ｐ〉  ４０重量部
成分Ｇ：（３’，４’−エポキシシクロヘキサン）メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート〈ダイセル化学工業社製  セロキサイド２０８１〉  ２５重量部
成分Ｈ：４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの５０％プロピオンカーボネート溶液〈光酸発生剤〉  ２重量部
これらを混合し、撹拌溶解（温度９０℃，撹拌３００ｒｐｍ×１時間）させることより、クラッド層形成材料を調製した。調製したワニスの粘度を、デジタル粘度計〈ブルックフィールド社製  ＨＢＤＶ−Ｉ＋ＣＰ〉にて測定したところ、２６００ｍＰａ・ｓであった。なお、このクラッド層形成材料（光重合性樹脂組成物）は、上記乳酸エチル等の粘度調整用の有機溶媒（主剤である感光性樹脂と反応せず、樹脂を膨潤・可塑化させる作用のみの有機溶剤）を含まない、「無溶媒タイプ」である。
【００６８】
〔各実施例のコアの形成材料〕
成分Ｃ：ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル〈大阪ガスケミカル社製  オグゾールＥＧ〉  ７０重量部
成分Ｉ：ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル〈大阪ガスケミカル社製  オグゾールＰＧ〉  ３０重量部
成分Ｈ：４，４’−ビス〔ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ〕フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートの５０％プロピオンカーボネート溶液〈光酸発生剤〉  １重量部
これらをシクロヘキサノン〈和光純薬社製〉５５重量部に撹拌溶解（温度８０℃，撹拌４００ｒｐｍ×１８時間）させることより、コア形成材料（光重合性樹脂組成物）を調製した。調製したワニスの粘度をデジタル粘度計〈ブルックフィールド社製  ＨＢＤＶ−Ｉ＋ＣＰ〉にて測定したところ、１０００ｍＰａ・ｓであった。
【００６９】
（実施例１）
〔アンダークラッド層の作製〕
まず、ガラス基板〈セントラルガラス社製  厚さ１．１ｍｍ，１４０ｍｍ角〉の表面に上記実施例１用のアンダークラッド層の形成材料をスピンコート装置〈ミカサ社製  １Ｘ−ＤＸ２〉により塗布した後、１３０℃×１５分間の乾燥処理を行った。そして、アンダークラッド層に対応する方形状パターン（幅２．８８ｍｍ×長さ１０２．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、丸型アライメントマークＡ（直径１ｍｍ，幅５０μｍ）に対応するパターンの開口が形成された石英フォトマスクＭ１を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、１５０℃×１０分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて、３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１０分間の加熱処理を行うことにより、基板上に、アンダークラッド層と２個の丸型アライメントマークＡを形成した。得られたアンダークラッドの断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅２．９０ｍｍ×厚さ３０μｍであった。
【００７０】
〔コアの作製〕
つぎに、上記アンダークラッド層の表面に、上記コアの形成材料をスピンコート装置〈ミカサ社製  １Ｘ−ＤＸ２〉により塗布した後、１５０℃×２０分間の乾燥処理を行った。ついで、長手方向に沿って互いに平行なストレート状コアに対応するパターン（１２条，各コアの長さ１０１ｍｍ，Ｌ／Ｓ＝４０μｍ／２１０μｍ）の開口を有し、これらコアパターンの開口の長手方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、十字型アライメントマークＢ（長さ１ｍｍ，幅５０μｍ）に対応するパターンの開口が形成された石英フォトマスクＭ２を、上記アンダークラッド層の上方に配置し、上記各十字型アライメントマークＢに対応するパターンが、前記丸型アライメントマークＡの枠内に納まるように、この石英フォトマスクＭ２を位置決めした。ついで、上記石英フォトマスクＭ２を介して、その上から３７０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、１００℃×６０分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×３０分間の加熱処理を行うことにより、複数条のコアと、２個の十字型アライメントマークＢ（丸型アライメントマークＡの枠内）とを形成した。得られた各コア層の断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製、ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅４０μｍ×高さ４０μｍであった。
【００７１】
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、その上に、上記実施例１用のオーバークラッド層の形成材料をスピンコート法により塗布して、各コアを被覆するとともに、上記アンダークラッド層を長手方向に沿う左右両側部（幅方向の両端部）を含む全体を被覆した。なお、このときオーバークラッド層は、コアおよびアンダークラッドの長手方向端面も被覆した状態であった。その後、１３０℃×１５分間の乾燥処理を行った。
【００７２】
ついで、オーバークラッド層に対応する方形状パターン（幅２．９８ｍｍ×長さ１０４．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、十字型アライメントマークＣ（１辺の長さ１ｍｍ，幅１００μｍ）が形成された石英フォトマスクＭ３を準備した。そして、この石英フォトマスクＭ３を基板の上方に配置し、アライメント用光学顕微鏡により上記各十字型アライメントマークＢの位置を認識し、このマークＢの上に、上記フォトマスクＭ３に設けられているアライメントマークＣを合わせて、上記石英フォトマスクＭ３の水平位置を正確に位置決めした。
【００７３】
その後、上記石英フォトマスクＭ３を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、１５０℃×１０分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１０分間の加熱処理を行うことにより、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。上記オーバークラッド層を含む光導波路全体の断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅３．０ｍｍ×厚さ１００μｍであった。
【００７４】
〔光導波路の端面加工〕
上記作製した光導波路を、ガラス基板より剥離し、フィルム化した光導波路をダイシングテープ〈日東電工社製  ＵＥ−１１１ＡＪ〉に貼り付けた。オーバークラッド長手方向端部近傍を、ダイシング〈ダイシング装置（ディスコ製  ＤＡＤ５２２），ディスコ社製ブレード（ＮＢＣ−Ｚ２０５０  ５０．６×０．０２５×４０ｍｍ，カット速度０．３ｍｍ／ｓｅｃ）〉により、コアおよびアンダークラッド層ごと切断して、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例１の光コネクタ用光導波路を得た。
【００７５】
（実施例２）
〔アンダークラッド層の作製〕
まず、ガラス基板〈セントラルガラス社製  厚さ１．１ｍｍ，１４０ｍｍ角〉の表面に上記実施例２用のアンダークラッド層の形成材料をスピンコート装置〈ミカサ社製  １Ｘ−ＤＸ２〉により塗布した後、１３０℃×１５分間の乾燥処理を行った。そして、アンダークラッド層に対応する方形状パターン（幅２．９０ｍｍ×長さ１０２．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、丸型アライメントマークＡ（直径１ｍｍ，幅５０μｍ）に対応するパターンの開口が形成された石英フォトマスクＭ１を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、１００℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて、３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１５分間の加熱処理を行うことにより、基板上に、アンダークラッド層と２個の丸型アライメントマークＡを形成した。得られたアンダークラッドの断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅２．９０ｍｍ×厚さ３０μｍであった。
【００７６】
〔コアの作製〕
つぎに、上記実施例１と同様にして、上記アンダークラッド層の表面に、複数条のコアと、２個の十字型アライメントマークＢとを形成した。
【００７７】
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、その上に、上記実施例２用のオーバークラッド層の形成材料をスピンコート法により塗布して、各コアを被覆するとともに、上記アンダークラッド層を長手方向に沿う左右両側部（幅方向の両端部）を含む全体を被覆した。なお、このときオーバークラッド層は、コアおよびアンダークラッドの長手方向端面も被覆した状態であった。その後、１３０℃×１５分間の乾燥処理を行った。
【００７８】
ついで、オーバークラッド層に対応する方形状パターン（幅３．００ｍｍ×長さ１０４．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、十字型アライメントマークＣ（１辺の長さ１ｍｍ，幅１００μｍ）が形成された石英フォトマスクＭ３を準備した。そして、この石英フォトマスクＭ３を基板の上方に配置し、アライメント用光学顕微鏡により上記各十字型アライメントマークＢの位置を認識し、このマークＢの上に、上記フォトマスクＭ３に設けられているアライメントマークＣを合わせて、上記石英フォトマスクＭ３の水平位置を正確に位置決めした。
【００７９】
その後、上記フォトマスクＭ３を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、１００℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１５分間の加熱処理を行うことにより、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。上記オーバークラッド層を含む光導波路全体の断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅３．０ｍｍ×厚さ１００μｍであった。
【００８０】
〔光導波路の端面加工〕
上記実施例１と同様にして、上記作製した光導波路を、ガラス基板より剥離して、ダイシングにより、コアおよびアンダークラッド層ごと切断して、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例２の光コネクタ用光導波路を得た。
【００８１】
（実施例３）
〔アンダークラッド層の作製〕
まず、ガラス基板〈セントラルガラス社製  厚さ１．１ｍｍ，１４０ｍｍ角〉の表面に上記実施例３用のアンダークラッド層の形成材料をスピンコート装置〈ミカサ社製  １Ｘ−ＤＸ２〉により塗布した。そして、アンダークラッド層に対応する方形状パターン（幅２．８８５ｍｍ×長さ１０２．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、丸型アライメントマークＡ（直径１ｍｍ，幅５０μｍ）に対応するパターンの開口が形成された石英フォトマスクＭ１を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、７０℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて、３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１５分間の加熱処理を行うことにより、基板上に、アンダークラッド層と２個の丸型アライメントマークＡを形成した。得られたアンダークラッドの断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅２．９０ｍｍ×厚さ３０μｍであった。
【００８２】
〔コアの作製〕
つぎに、上記実施例１と同様にして、上記アンダークラッド層の表面に、複数条のコアと、２個の十字型アライメントマークＢとを形成した。
【００８３】
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、その上に、上記実施例３用のオーバークラッド層の形成材料をスピンコート法により塗布して、各コアを被覆するとともに、上記アンダークラッド層を長手方向に沿う左右両側部（幅方向の両端部）を含む全体を被覆した。なお、このときオーバークラッド層は、コアおよびアンダークラッドの長手方向端面も被覆した状態であった。
【００８４】
ついで、オーバークラッド層に対応する方形状パターン（幅２．９８５ｍｍ×長さ１０３．０ｍｍ）の開口を有し、この方形状開口の長手（長辺）方向と平行な線上の互いに離れた２カ所に、十字型アライメントマークＣ（１辺の長さ１ｍｍ，幅１００μｍ）が形成された石英フォトマスクＭ３を準備した。そして、この石英フォトマスクＭ３を基板の上方に配置し、アライメント用光学顕微鏡により上記各十字型アライメントマークＢの位置を認識し、このマークＢの上に、上記フォトマスクＭ３に設けられているアライメントマークＣを合わせて、上記石英フォトマスクＭ３の水平位置を正確に位置決めした。
【００８５】
その後、上記フォトマスクＭ３を介して、４０００ｍＪ／ｃｍ2の３６５ｎｍ線照射〈露光機（ミカサ社製  ＭＡ−６０Ｆ），超高圧水銀灯（ウシオ電機社製  ＵＳＨ−２５０Ｄ）〉による露光を行った。つづいて、７０℃×１５分間の加熱処理を行った。つぎに、γ―ブチロラクトン〈三菱化学製〉を用いて３分間のディップ現像することにより、未露光部分を溶解除去した後、１５０℃×１５分間の加熱処理を行うことにより、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。上記オーバークラッド層を含む光導波路全体の断面寸法は、デジタルマイクロスコープ〈ＫＥＹＥＮＣＥ社製  ＶＨＸ−２００〉で測定したところ、幅３．０ｍｍ×厚さ１００μｍであった。
【００８６】
〔光導波路の端面加工〕
上記実施例１と同様にして、上記作製した光導波路を、ガラス基板より剥離して、ダイシングにより、コアおよびアンダークラッド層ごと切断して、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例３の光コネクタ用光導波路を得た。
【００８７】
（実施例４）
〔アンダークラッド層およびコアの作製〕
上記実施例１と同様にして、基板上に、アンダークラッド層を形成し、その上に、複数条のコアを形成した。
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、上記実施例１と同じパターンの石英フォトマスクＭ３を用いて、コアパターン両端部の位置を利用して、このフォトマスクを位置決めしたこと以外、上記実施例１と同様にして、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。
〔光導波路の端面加工〕
つぎに、上記実施例１と同様にして、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例４の光コネクタ用光導波路を得た。
【００８８】
（実施例５）
〔アンダークラッド層およびコアの作製〕
上記実施例２と同様にして、基板上に、アンダークラッド層を形成し、その上に、複数条のコアを形成した。
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、上記実施例２と同じパターンの石英フォトマスクＭ３を用いて、コアパターン両端部の位置を利用して、このフォトマスクを位置決めしたこと以外、上記実施例２と同様にして、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。
〔光導波路の端面加工〕
つぎに、上記実施例２と同様にして、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例５の光コネクタ用光導波路を得た。
【００８９】
（実施例６）
〔アンダークラッド層およびコアの作製〕
上記実施例３と同様にして、基板上に、アンダークラッド層を形成し、その上に、複数条のコアを形成した。
〔オーバークラッド層の作製〕
つぎに、上記実施例３と同じパターンの石英フォトマスクＭ３を用いて、コアパターン両端部の位置を利用して、このフォトマスクを位置決めしたこと以外、上記実施例３と同様にして、オーバークラッド層を完成させ、帯状光導波路を得た。
〔光導波路の端面加工〕
つぎに、上記実施例３と同様にして、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、実施例６の光コネクタ用光導波路を得た。
【００９０】
（比較例１）
〔アンダークラッド層の作製〕
フォトマスクを用いずに、その全面を露光した以外は、実施例１と同様にして、アンダークラッド層を形成した。
〔コアの作製〕
実施例１と同様にして、コアを形成した（アライメント作業は無し）。
〔オーバークラッド層の作製〕
フォトマスクを用いずに、その全面を露光した以外は、実施例１と同様にしてオーバークラッド層を形成し、光導波路フィルムを得た（アライメント作業は無し）。
【００９１】
〔光導波路の幅加工および端面加工〕
つぎに、実施例１で用いたダイシング装置とダイシングブレード，テープを用いて、上記光導波路フィルムを、コアの光軸方向（光導波路の長手方向）に沿って、コア１２条分、光導波路の全幅（３．０ｍｍ）となるように、１．０ｍｍ／ｓの速度で切断し、帯状光導波路を得た。また、オーバークラッド層の長手方向端部近傍を、上記ダイシングにより、コアおよびアンダークラッド層ごと、０．３ｍｍ／ｓの速度で切断して、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記各コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、比較例１の光コネクタ用光導波路を得た。
【００９２】
（比較例２）
〔光導波路フィルムの作製〕
上記比較例１と同様にして、光導波路フィルムを得た。
【００９３】
〔光導波路の幅加工および端面加工〕
つぎに、上記作製した光導波路フィルムを、ガラス基板より剥離し、Ｅｘｉｔｅｃｈ社製エキシマレーザー加工装置（品番Ｍ８０００，波長：２４８ｎｍ，平均出力：５０Ｗ，パルス幅：２０ｎｓ，周波数：１００Ｈｚ）を用いて、上記比較例１と同様、コアの光軸方向（光導波路の長手方向）に沿って、コア１２条分を含む光導波路の全幅が３．０ｍｍとなるように切断し、帯状光導波路を得た。ついで、実施例１と同様、この光導波路の長手方向端部を、ダイシングにより、コアおよびクラッド層ごと切断して、光導波路の長さ（全長）を１００ｍｍに調節し、上記角コアの長手方向端面（光接続面）を露出させ、比較例２の光コネクタ用光導波路を得た。
【００９４】
［光コネクタの作製］
以上のようにして、得られた実施例１〜６および比較例１，２の光コネクタ用光導波路を用いて、これらの端部（長手方向端部）を、ＪＰＣＡ規格に準じたＰＭＴフェルールのブーツ部に挿入し、光導波路の連結用端部の先端（光接続面）を、上記フェルール端面の光導波路出口内に位置決めして外部に露出した状態で、上記光導波路をフェルールに固定し、実施例１〜６および比較例１，２の光コネクタを作製した。
【００９５】
〈光導波路の寸法精度〉
上記で得られた実施例１〜６および比較例１，２の光導波路を各２０本、ＫＥＹＥＮＣＥ社製デジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ−２００）を用いて光接続面を観察することにより、１２条の束になっている幅方向一番外側のコアと、光導波路の幅方向端部（側面）との位置精度を測定した。その結果を「表１」に示す。
【００９６】
【表１】
0005486359.tif 000002
【００９７】
上記「表１」より、実施例１〜６のいずれも、比較例１の光導波路より寸法精度が優れていることが分かった。また、比較例２の寸法精度は、実施例１〜６とほぼ同等であった。
【００９８】
〈光コネクタの性能試験〉
上記で得られた実施例１〜６および比較例１，２の光コネクタの光結合損失（接続損失）の測定を、ＪＰＣＡ−ＰＥ０３−０１−０７Ｓに準じて行った。
【００９９】
結果は、実施例１〜６の光導波路を用いた光コネクタはすべて、結合損失が１．５ｄＢ未満であった。これは、ＪＰＣＡ−ＰＥ０３−０１−０７Ｓで定められた規格内に収まっている。また、比較例２の光導波路を用いた光コネクタもすべて、結合損失は、１．５ｄＢ未満であったが、比較例１の光導波路を用いた光コネクタは、接続損失が１．５ｄＢを超えるものが３つ存在した。
【０１００】
このように、作製した光コネクタすべてが、規格内に収まってのは、実施例１〜６および比較例２であった。しかしながら、比較例２については、１２条あるコアのうち両端２本ずつ、計４本のコアの伝播損失が、他のコアに比べ３．０ｄＢ以上大きくなっていることが確認された。これは、高出力のレーザー加工により、加工部付近が熱ダメージを受けているためであると考えられる。この熱ダメージの影響は、加工部付近が目視でも確認できるほど変色が起こっていることからも確認できる。このように、比較例２では、レーザー加工部付近は、光導波路として使用できないという問題がある。
【０１０１】
一方、比較例１は、ダイシングのため、直線加工は可能であるが、曲線部の加工が不可能であり、加工自由度に問題がある。また、比較例２は、曲線加工など任意の形状に加工することが可能であるが、切断速度が遅く、切断後に切断面の残渣の洗浄処理を必要とする。また、装置自体のランニングコストが高いことから、量産性が乏しい。
【０１０２】
これらに比べ、実施例１〜６では、幅方向の切断処理工程を省くことができるため、切断速度、ランニングコストなどの問題が生じず、量産性においても有利である。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の光コネクタ用光導波路およびそれを用いた光コネクタは、光結合損失が低く、電子機器内のボード間やボード上のチップ間等を接続する光配線に適する。また、本発明の光コネクタ用光導波路の製法は、低結合損失の光導波路を効率良く安価に製造できる。
【符号の説明】
【０１０４】
１  コア
２ａ，２ａ’  端面
２  アンダークラッド層
３  オーバークラッド層
【図１】
0005486359.tif 000003
【図２】
0005486359.tif 000004
【図３】
0005486359.tif 000005
【図４】
0005486359.tif 000006
【図５】
0005486359.tif 000007