(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造（１）であって、
−  上面（２０）と、前記上面（２０）に対向する下面（２５）とを有し、金属薄板の半製品からなる、少なくとも１つのリード構造（２）であって、互いに電気的に絶縁されている少なくとも２つの部分（２ａ，２ｂ，２ｃ）を備えている、リード構造（２）と、
−  少なくとも１層のソルダーレジスト層（５）であって、それぞれが前記上面（２０）および前記下面（２５）を部分的に覆っており、前記上面（２０）および前記下面（２５）のうち前記ソルダーレジスト層（５）によって覆われていない少なくともサブゾーンが電気的ランド（９）を形成している、ソルダーレジスト層（５）と、
−  前記リード構造（２）の前記上面（２０）における少なくとも１つの前記ランド（９）の上に実装されて前記リード構造（２）に導電接続されているオプトエレクトロニクス半導体素子（３）であって、前記少なくとも２つの部分のうち１つの部分（２ｂ）の上に実装されており、前記少なくとも２つの部分のうち別の部分（２ａ、２ｃ）に導電接続要素（４）を介して導電接続されている、オプトエレクトロニクス半導体素子（３）と、
−  前記リード構造（２）の少なくとも前記上面（２０）に塗布されている放射透過性の封止材（６）であって、前記半導体素子（３）を覆っており、かつ前記ソルダーレジスト層（５）の少なくとも一部分の上に延在しており、前記少なくとも２つの部分（２ａ，２ｂ，２ｃ）が当該封止材（６）によって機械的に結合されており、前記ランド（９）それぞれの周囲が前記ソルダーレジスト層（５）によって囲まれている、封止材（６）と、
を備え、
前記ソルダーレジスト層（５）が、断面視において少なくとも部分的にＵ字状の構造であり、したがって、前記ソルダーレジスト層（５）が、前記リード構造（２）の端面（２８）を超えて延在しており、連続的な層として前記上面（２０）から前記下面（２５）に達している、半導体構造（１）。
【請求項２】
前記リード構造（２）が少なくとも１つの凹部（７）を備えており、前記凹部（７）の中に前記半導体素子（３）が固定されている、
請求項１に記載の半導体構造（１）。
【請求項３】
前記下面（２５）の前記ランド（９）が前記封止材（６）によって覆われていない、
請求項１または２に記載の半導体構造（１）。
【請求項４】
前記リード構造（２）の１つの表面上において前記ランド（９）それぞれの周囲に、前記ソルダーレジスト層（５）の材料の閉路が存在し、当該閉路は、その全体が前記リード構造（２）の前記上面（２０）または前記下面（２５）に配置されている、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項５】
前記少なくとも２つの部分（２ａ，２ｂ，２ｃ）が隙間（８）によって互いに隔てられている、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項６】
前記下面（２５）の１０％未満が前記封止材（６）および前記ソルダーレジスト層（５）によって覆われている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項７】
前記ソルダーレジスト層（５）がソルダーレジストラッカーからなる、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項８】
前記上面（２０）および前記下面（２５）の両方における少なくとも２つの前記ランド（９）、
を備えている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項９】
前記接続要素（４）がボンディングワイヤ（４）である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項１０】
前記少なくとも１個の半導体素子（３）が、発光ダイオード、レーザダイオード、またはフォトダイオードである、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体構造（１）。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体構造（１）を製造する方法であって、
−  上面（２０）と、前記上面（２０）に対向する下面（２５）とを有するリード構造（２）を設けるステップと、
−  少なくとも１層のソルダーレジスト層（５）を、前記リード構造（２）の前記上面（２０）および前記下面（２５）の、少なくとも一部分に塗布するステップであって、前記上面（２０）および前記下面（２５）のうち前記ソルダーレジスト層（５）によって覆われていない少なくともサブゾーンが、電気的ランド（９）を形成する、ステップと、
−  オプトエレクトロニクス半導体素子（３）を、前記リード構造（２）の前記上面（２０）における前記ランド（９）の１つの上に配置し、前記リード構造（２）に導電接続するステップと、
−  前記リード構造（２）の上で前記半導体素子（３）を封止材（６）によって封止するステップであって、前記封止材（６）が前記ソルダーレジスト層（５）の少なくとも一部分に機械的に接触し、前記ランド（９）それぞれの周囲が前記ソルダーレジスト層（５）によって囲まれるように行われる、ステップと、
を含み、
前記リード構造（２）を金属薄板の半製品の一部として形成し、
前記半製品から前記リード構造（２）を分離する前に、前記ソルダーレジスト層（５）を塗布する、方法。
【請求項１２】
前記ソルダーレジスト層（５）を塗布した後、前記ランド（９）それぞれに少なくとも１層の金属層（１６）を形成し、
前記上面（２０）および前記下面（２５）のうち前記ソルダーレジスト層（５）によって覆われている領域が、前記金属層（１６）によって覆われないままである、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ソルダーレジスト層（５）をパターンとして塗布し、次いで、硬化させる、もしくは乾燥させる、またはその両方を行い、
硬化または乾燥の後、前記ソルダーレジスト層（５）が前記リード構造（２）の前記上面（２０）上および前記下面（２５）上にそのまま完全に残る、
請求項１１または１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体構造（semiconductor arrangement）と、半導体構造の製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体構造の製造では、しばしばリードフレームが使用される。リードフレームは、金属薄板の半製品からなり、個別のリード部分の一部が打ち抜きまたはエッチングによってあらかじめ作製され、これらのリード部分の少なくとも一部がリードフレームの外側領域に結合されている。したがって、リードフレームという用語が使用される理由は、個々のリード部分が、後から打ち抜き、エッチング、またはソーイングによってフレームから切り離されるためである。材料としては一般的に銅板が使用され、はんだとの信頼性の高い接触を可能にするため、例えばニッケルおよび金の層が設けられる。
【０００３】
公知の半導体構造を製造するとき、少なくとも１個の半導体チップを、用意された電気リード部分に機械的かつ電気的に接続することが多い。次に、チップと、各リード部分の少なくとも一部とを、封止材によって封止する。この場合、電気リード部分は、例えばこれらを回路基板上に配置する目的で、または何らかの別のタイプのコンタクト構造のため、少なくとも一部分が封止材から突き出している。一般的には、このような配置は、はんだ付け工程を使用して行う。封止材は、多くの場合、わずかな密着力のみによってリード部分の表面に延在しているため、隙間が生じる。半導体構造をプリント基板にはんだ付けするときに、フラックスおよびはんだが、毛細管力によってこの隙間を通じて半導体構造の中に入り込む。錫−鉛はんだがリードフレームの表面に付着し、これによってリードフレームが損傷することがある。封止部の内側に配置されているボンディングワイヤとの望ましくない接触が生じると、脆化による損傷につながることがある。この危険性は、特に、封止材としてシリコーンが使用されるときに生じる。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の目的は、錫−鉛はんだが封止部の中に浸入する可能性が、高い信頼性で防止される、半導体構造の製造方法および半導体構造を提供することである。
【０００５】
この目的は、本発明によると、独立請求項に示した方策によって達成され、さらなる有利な構造形態は、従属請求項に示してある。少なくとも１個の半導体素子が上に実装されて導電接続されるリード構造の上にソルダーレジスト層を設け、封止材が、ソルダーレジスト層の少なくとも一部分の上に延在するように半導体素子を覆うことによって、封止材がソルダーレジスト層の上に延在している領域に錫−鉛はんだが入ることが防止され、なぜなら、封止材がソルダーレジスト層によって保持されるためである。
【０００６】
リード構造に凹部（well）を設けることによって、密着的に封止された平面状の半導体構造を製造することが可能になる。
【０００７】
ソルダーレジスト層としてソルダーレジストラッカー（solder resist lacquer）を塗布する場合、封止材とリード構造との間のより強い密着が達成される。以下では、本発明について、例示的な実施形態に関連して図面を参照しながら説明する。
【０００８】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、リード構造は、相互に対向する上面および下面を備えている。上面および下面それぞれは、部分的にソルダーレジスト層によって覆われている。したがって、ソルダーレジスト層は、リード構造の両方の主面の上に延在している。１個または複数の半導体素子は、上面のみに実装されていることが好ましい。
【０００９】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、リード構造は、複数の部分からなる構造である。例えば、リード構造は、その連続する材料によって結合されていない少なくとも２個の個別の部分を備えている。これらの部分は、例えば特に放射透過性の封止材によって機械的に結合されており、封止材は、半導体素子と、リード構造の少なくとも一部分とを覆っている。リード構造のこれらの部分は、半導体素子自体を介しての電気接続を除いて、互いに電気的に絶縁されていることが好ましい。
【００１０】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、ソルダーレジスト層は、特に、リード構造の各部分に対して、連続的に結合されている単一の層である。
【００１１】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、リード構造はランドを備えている。これらのランドは、半導体素子の実装および電気的接続と、半導体構造の外部との電気的接続もしくは機械的結合またはその両方とを目的として設けられている。外部との接続のためのランドと半導体素子を接続するためのランドは、リード構造の互いに対向する面にそれぞれ位置していることが好ましい。
【００１２】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、少なくとも１個のランド、好ましくはすべてのランドは、周囲がソルダーレジスト層によって囲まれている。言い換えれば、リード構造の表面上、特に、ランドそれぞれの周囲に、ソルダーレジスト層の材料の連続的な経路（continuous path）が存在する。この連続的な経路または境界は、その全体がリード構造の一方の主面上に位置していることができる。また、連続的な経路が、リード構造の上面および下面の両方において１個または複数のランドの周囲に延在していることも可能であり、したがって、ランドが端面まで延在していることもできる。
【００１３】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、リード構造の下面におけるランドは、封止材によって覆われていない。言い換えれば、これらのランドを形成している材料は、封止材に物理的に接触していない。下面におけるランドの下流、ランドに垂直な方向には、封止材料が配置されていないことが好ましい。これに対して、上面におけるランドは、封止材によって完全に覆われていることができる。
【００１４】
本半導体構造の少なくとも一実施形態によると、ソルダーレジスト層は、リード構造の端面を超えており、断面視において、部分的にＵ字状の構造である。端面とは、リード構造の面のうち上面と下面とを結合している面である。言い換えれば、端面は、部分的に、または完全に、ソルダーレジスト層によって覆われている、またはソルダーレジスト層によって被覆されている。
【００１５】
さらには、半導体構造の製造方法を提供する。この方法は、特に、記載した実施形態の１つまたは複数に関連して示した半導体構造を製造するために使用される。したがって、開示する本方法の特徴は、半導体構造にも適用され、逆も同様である。
【００１６】
本方法の少なくとも一実施形態によると、接続ゾーンに、少なくとも１層の金属層を設ける。この層は、ソルダーレジスト層を塗布した後に形成することが好ましい。金属層を形成するとき、ソルダーレジスト層はマスクとしての役割を果たすことができる。特に、ソルダーレジスト層は、電気絶縁性であるように塗布し、金属層を例えば電着する。金属層の形成時、ソルダーレジスト層は被覆されないままである。
【００１７】
本方法の少なくとも一実施形態によると、ソルダーレジスト層をパターンとしてリード構造に塗布し、次いで、硬化もしくは乾燥、またはその両方を行う。ソルダーレジスト層は、例えば、噴霧、印刷、スクリーン印刷、カーテンコーティング、またはローラー塗布法によって塗布する。
【００１８】
本方法の少なくとも一実施形態によると、硬化もしくは乾燥またはその両方のステップの後、ソルダーレジスト層はリード構造上にそのまま完全に残る。リード構造上にそのまま完全に残るという表現は、例えばリードフレームまたはリードフレームアセンブリからリード構造を例えばソーイングによって切り離す工程時に、リード構造の除去される領域に位置するソルダーレジスト層の部分が除去されることを除外するものではない。
【００１９】
図面において、同一または類似する要素、または機能が同じである要素には、同じ参照数字を付してある。これらの図と、図に示してある要素の互いの大きさの比率は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、もしくは深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張して大きな縮尺で示してある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図２】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図３】リードフレームを示す。
【図４】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図５】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図６】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図７】本明細書において説明する半導体構造の例示的な実施形態を概略的に示す。
【図８】リードフレームを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、半導体構造１を断面図として示している。この構造には、３つのリード部分２ａ，２ｂ，２ｃからなるリード構造２が設けられている。個々の部分２ａ，２ｂ，２ｃは、隙間８によって隔てられている。リード構造２の上面２０の上、接続ゾーン９におけるリード部分２ｂには、半導体素子３、例えば発光ダイオード（ＬＥＤとしても公知である）が、例えばはんだ付けによって実装されて導電接続されている。発光ダイオード３は、ボンディングワイヤ４によってリード部分２ａに導電接続されている。リード部分２ｂ，２ｃは、一体構造とすることができる。
【００２２】
さらには、ソルダーレジスト５が、ソルダーレジスト層の形でリード構造２に塗布されており、封止材６が、ボンディングワイヤ４のボンディング接続を含めてダイオード３を封止している。封止材６は、半導体構造１の縁部におけるソルダーレジストラッカー上に延在するように塗布されている。これによって、封止材６の保持力を高めることが可能である。
【００２３】
リード構造２を回路基板のコンタクト（図示していない）に良好にはんだ付けできるように、リード構造２の基本材料として使用される銅板は、特に、ニッケル、パラジウム、および金によって連続的に被覆されている。銀による点状コーティング（punctiform coating）、あるいは「銀によるスポットめっき」も同様に可能である。
【００２４】
特に、半導体素子３として発光ダイオードが使用され、透明な封止部が要求される場合、シリコーン、エポキシ、またはシリコーン／エポキシのハイブリッド材料を封止材６として使用する。この封止材６がリード構造２上に良好に保持されるようにするため、封止部は、図１に示したように、リード構造２の上面２０から、半導体素子３とは反対側の下面２５まで、ソルダーレジスト層５と同様に、リード構造２の端面２８の周囲に延在している。しかしながら、隙間８は、ソルダーレジスト層５によって完全に覆われており、したがって、封止材料６は隙間８の中に浸入しない。
【００２５】
図１に示したように、半導体素子３とは反対側のリード構造２の下面２５にもソルダーレジスト層５が塗布されているため、封止材６との十分な密着性が提供され、したがって、封止材６の縁部において、封止材６とリード構造２の間、もしくは封止材６とソルダーレジスト層５の間、またはその両方に開口が生じない。封止材６がソルダーレジスト層５に密着する強さ（単位面積あたりの計算値）は、封止材６がリード構造２に直接密着する場合の強さの、少なくとも１．５倍、特に、少なくとも２倍であることが好ましい。
【００２６】
図１におけるように封止されているリード構造２を回路基板の端子にはんだ付けすることができるように、リード構造２は、その主延在方向に垂直な方向に、封止材６よりも突き出しているランド９を下面２５上に備えている。これらのランド９は、冷間成形によって形成され、この場合、リード構造２の上面２０上の凹部７の反対側に形成される。しかしながら、この構造化は、エッチングによって行うこともできる。図１に示した実施形態の変形として、封止材６およびランド９を、リード構造３の主延在方向に垂直な方向において同じ高さであるように、もしくは横方向に端面が揃っているように、またはその両方であるようにすることも可能である。
【００２７】
図２は、さらなる例示的な実施形態を示しており、半導体構造１が平面状のリード構造２を備えている。この例示的な実施形態においては、封止材６が片面のみに塗布されており、したがって、上面２０は部分的に封止材６によって覆われており、下面２５には封止材６がまったく、または実質的に存在しない。封止材６もしくはソルダーレジスト層５またはその両方によって、下面２５の例えば２５％未満または１０％未満が覆われている。
【００２８】
リード構造２の一部は、ランド９を形成する目的で、リード構造２の少なくとも一方の縁部において封止材６を横方向に突き出している。図示した例示的な実施形態においては、封止材６は開口１２の中に浸入しており、したがって封止材６がリード構造２に固定されている。隙間８もしくは開口１２（それぞれリード部分２ａ，２ｂに形成されている）またはその両方の中に封止材６を完全に浸入させて、下面２５の一部を覆うようにすることも可能である。
【００２９】
図３は、リードフレームアセンブリ１０を示しており、リード構造２は、例えば分割線１１に沿った打ち抜きまたはソーイングによって、リードフレームアセンブリ１０から切り離される。図１に示した断面図の構造は、切断線Ａ／Ａに沿ったものであるが、図３では、リードフレームアセンブリ１０のみを示してあり、半導体部品および封止材は示していない。分割線１１をたどることによって明らかであるように、例えば分割線１１に沿って打ち抜くことにより、リード部分２ａとリード部分２ｂが隙間８によって互いに隔てられる。しかしながら、この分離は領域２ｃおよび領域２ｂには影響せず、これらの領域は互いに結合されたままである。
【００３０】
次に、図１および図２に示した半導体構造１を製造する方法の例について説明する。リードフレーム２は、図３に示したように形成する。最初に、金属薄板材料に、隙間８および開口１２を打ち抜きまたはエッチングによって形成する。金属薄板材料は、銅を含んでいる、または銅からなり、ニッケル、パラジウム、および金によって被覆することが好ましい。この被覆は、リードフレームアセンブリ１０を成形するステップの前、または後に行うことができる。さらに、図１にしたがって、領域７および領域９を、冷間成形によって、またはエッチングによって形成する。
【００３１】
次いで、影を付けた領域にソルダーレジストラッカーを塗布し、結果としてソルダーレジスト層５を形成する。あるいは、リードフレームアセンブリ１０を被覆する前に、ソルダーレジスト層５を設けることもできる。その場合、ソルダーレジスト層５の材料がリードフレームアセンブリ１０の材料（例えば銅）と直接接触する。銅とソルダーレジスト層５の密着性は、被覆材料（特に金）とソルダーレジスト層５の密着性よりも強い。特に、リードフレームアセンブリ１０がアンダーカット（undercuts）を備えている場合、リードフレームアセンブリ１０の両面から、例えば両面スクリーン印刷工程によって、ソルダーレジスト層５を塗布する。
【００３２】
次いで、リード部分２ｂにおける凹部７に半導体素子３を実装し、部分２ｂに導電接続する。次いで、半導体素子３とリード部分２ａにおける凹部７との間に、ボンディングワイヤ４によってボンディング接続を形成する。最後に、封止材６を塗布する。図３に示したリードフレームアセンブリ１０から、分割（dividing）、ソーイング、エッチング、またはカッティングによって分割線１１に沿って半導体構造１を分離すると、リード部分２ａおよび２ｃは、封止材６によってひとつに保持されているためバラバラにならない。
【００３３】
図１に示した半導体構造１を、ランド９によって回路基板（図示していない）上に配置し、部分的にはんだ付けする場合、封止材の下、特に、封止材６とリードフレーム２との間に錫−鉛はんだが浸入することを、ソルダーレジストラッカー５が防止する。ソルダーレジスト層５が存在しないと、このような浸入は毛細管力によって強められる。
【００３４】
ソルダーレジストラッカーを使用することの、さらなる有利な結果として、封止材６が透明であるとき、ソルダーレジストラッカーの特定の色を選択することにより、半導体構造１の色合いも決まる。例えば、黒色のソルダーレジスト層５は、半導体構造１によって放出される放射のコントラストを高めることができる。白色のソルダーレジスト層５は、封止材６から放射を取り出す効率を高めることができる。さらに、ソルダーレジスト層５を透明とする、あるいは散漫散乱（diffuse scattering）が生じるようにすることもできる。
【００３５】
図４に示した構造は、図２による例示的な実施形態のさらなる構造形態である。この構造形態においても、半導体素子３がリード部分２ｂ上に配置され、ボンディングワイヤ４を介してリード部分２ａに導電接続されている。部分２ｃを含めて、リード構造２を形成している３つの部分は、封止材６によってほぼ完全に囲まれている。図４に示したように、ランド９のみに封止材６が存在していない。オプションとして、端面２８（リード構造２の横方向範囲を画成している）も、例えば切り離し工程の結果として、封止材６が存在しないようにすることができる。
【００３６】
この構造形態においても、リード構造２の面のうち、半導体素子３の接続または外部との接続を行う必要がない面すべてに、ソルダーレジスト層５が塗布されていることが好ましい。このソルダーレジスト層は、封止材６とリード構造２との良好な密着性を確保し、封止材６とリード構造２との間にはんだ付け用フラックスが浸入することを防止している。オプションとして、図４に示した形態の変形として、横方向外側の端面２８がソルダーレジスト層５によって覆われていないようにすることができる。
【００３７】
図５は、さらなる例示的な実施形態を示している。この例示的な実施形態においては、リード構造２は、キャリア１３と、両面におけるランド９およびランド１５を備えている。内側のランド１５は、半導体素子３（この実施形態においても例えばＬＥＤ）のためのコンタクトパッドと、半導体素子３から延びるボンディングワイヤ４が取り付けられるボンディングパッドとを提供している。これら内側のランド１５は、ビア１４を介してランド９に導電接続されている。
【００３８】
基本的には、キャリア１３（この例示的な実施形態においてはプラスチック材料からなる）は、ランド９をはんだ付けするときにはんだ材料が端面２８を上昇することを防止するものと想定することができる。しかしながら、切り離し時、この例示的な実施形態による上述したリード構造２をソーイングする。ソーイング時、ランド９もしくはランド１５またはその両方の導体材料が端面２８に位置することがあり、これにより、はんだ材料が封止材６に達する危険性が生じる。したがって、この例示的な実施形態においても、図示したように、リード構造の特に端面２８にソルダーレジスト層を塗布することが有利である。さらには、この例示的な実施形態においては、ソルダーレジスト層５は、内側のランド１５の上に封止材６が良好に保持されるようにする役割も果たす。
【００３９】
この例示的な実施形態は、図１による例示的な実施形態を参照しながら説明した製造方法に類似した方法で製造される。
【００４０】
図６Ｃは、半導体構造のさらなる例示的な実施形態の上からの概略図、図６Ｄは、下からの概略図を示しており、いずれも斜視図である。図６Ａおよび図６Ｂは、それぞれ、全体のリードフレームまたは全体のリードフレームアセンブリ１０の、上からの斜視図および下からの斜視図を示している。
【００４１】
図６には、リード構造２の個々のリード部分は示しておらず、封止材も示してない。リード構造２それぞれの上面２０には２個のランド９が配置されており、下面２５にはそれぞれ３個のランド９が配置されている。ランド９それぞれは、全体がソルダーレジスト層５によって囲まれている。上面２０において、第１のランド９の上には、半導体素子３と、静電気帯電に起因する損傷に対する保護を提供する保護部品１７の両方が実装されている。保護部品１７は、同様に発光ダイオードとすることができる。
【００４２】
上面２０上の第２のランド９を使用することで、半導体素子３または保護部品１７との電気接続がボンディングワイヤ４を介して形成されている。ボンディングワイヤ４は、例えば摩擦溶接工程を使用して取り付けられている。ソルダーレジスト層５によってランド９を囲むことによって、ボンディングワイヤ４は、錫−鉛はんだ（図示していない）（半導体構造１を下面２５を介して例えばプリント基板（図示していない）に取り付ける）との物理的な接触から、永久的に保護される。さらに、これにより、ボンディングワイヤ４の脆化あるいは破損も防止される。
【００４３】
図７の概略図を参照し、半導体構造１のさらなる例示的な実施形態においては、複数層の封止材６ａ，６ｂ，６ｃによって、リード部分２ｂ，２ｃとリード部分２ａとが機械的に結合されている。封止材６ａ，６ｂ，６ｃは、例えばシリコーン、および特に、拡散媒体、波長変換のための変換媒体、フィルタ媒体、熱伝導率を増大させる、または熱膨張係数を調整するための媒剤、あるいは硬化剤などとの混合物、をベースとしている、またはこのような混合物を含んでいる。例えば、半導体素子３を直接囲んで封止する封止材６ａに変換媒体を混合し、連続的な封止材６ｂに、紫外線放射を吸収または反射するための媒剤を混合し、薄層状の封止材６ｃに、例えば耐擦傷性を増大させる硬化剤を混合する。封止材６ａ，６ｂ，６ｃは、互いに異なる材料をベースとすることもできる。封止材６ａは、横方向範囲が実質的にランド９までであるが、封止材６ｂ，６ｃは上面２０全体を覆っている。
【００４４】
図８Ａは、リードフレームのさらなる例示的な実施形態の平面図、図８Ｂは下からの図を示している。上面２０には複数のランド９ｂが形成されており、上面２０のいくつかのランド９ｂが、下面２５における対応する単一のランド９ｂにまとめられている。特に、例えばプリント基板（図示していない）上の実装方向を示す目的で、下面２５におけるランド９ａは、例えば、ソルダーレジスト層５によってランド９ａに形成されているくぼみ９５の形での有色マークを備えている（図６Ｄも参照）。分割線１１それぞれは、リードフレームを貫いている複数の穴または開口を通っている。
【００４５】
ここまで、本発明について例示的な実施形態を参照しながら説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００４６】
本特許出願は、独国特許出願第１０２００９００８７３８．９号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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