(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、
基板が載置される載置部と、
前記載置部に設けられ、前記基板の搬入又は搬出の際には前記載置部よりも上側に突出して前記載置部上に載置された前記基板を支持するリフトピンと、
前記リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、
前記リフトピン移動手段を制御する制御部と
を備え、
前記基板の搬入又は搬出の際には、前記基板を前記リフトピンで支持した状態で前記リフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ前記基板を上下動させ、
前記リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介して前記リフトピンを上下動させることができ、
前記リフトピン移動手段は、前記筒状シャフト部に設けられ、
前記載置部、前記リフトピンおよび少なくとも一部の前記ウエハリフト部材は、前記エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、
前記制御部は、前記基板の搬入の際、前記基板と前記リフトピンとが当接する直前で前記リフトピンの移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように前記リフトピン移動手段を制御することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項２】
エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、
基板が載置される載置部と、
前記載置部に設けられ、前記基板の搬入又は搬出の際には前記載置部よりも上側に突出して前記載置部上に載置された前記基板を支持するリフトピンと、
前記リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、
前記載置部を上下動させる載置部移動手段と、
前記載置部移動手段を制御する制御部と
を備え、
前記基板の搬入又は搬出の際には、前記基板を前記リフトピンで支持した状態で前記リフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ前記基板を上下動させ、
前記リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介して前記リフトピンを上下動させることができ、
前記リフトピン移動手段は、前記筒状シャフト部に設けられ、
前記載置部、前記リフトピンおよび少なくとも一部の前記ウエハリフト部材は、前記エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、
前記制御部は、前記基板の搬出の際、前記載置部移動手段を制御して前記載置部を上下動させるにあたり、前記基板を支持するリフトピンと前記リフトピン支持部とが当接する直前で前記載置部の移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように前記載置部移動手段を制御することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項３】
エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、
基板が載置される載置部と、
前記載置部に設けられ、前記基板の搬入又は搬出の際には前記載置部よりも上側に突出して前記載置部上に載置された前記基板を支持するリフトピンと、
前記リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、
前記載置部を上下動させる載置部移動手段と、
前記載置部移動手段を制御する制御部と
を備え、
前記基板の搬入又は搬出の際には、前記基板を前記リフトピンで支持した状態で前記リフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ前記基板を上下動させ、
前記リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介して前記リフトピンを上下動させることができ、
前記リフトピン移動手段は、前記筒状シャフト部に設けられ、
前記載置部、前記リフトピンおよび少なくとも一部の前記ウエハリフト部材は、前記エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、
前記制御部は、前記基板の成膜時には、前記載置部移動手段を制御して前記載置部を上下動させるにあたり、前記リフトピンに支持された基板と該載置部とが当接する直前で前記載置部の移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように前記載置部移動手段を制御することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項４】
エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、
基板が載置される載置部と、
前記載置部に設けられ、前記基板の搬入又は搬出の際には前記載置部よりも上側に突出して前記載置部上に載置された前記基板を支持するリフトピンと、
前記リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、
前記リフトピン移動手段を制御する制御部と
を備え、
前記基板の搬入又は搬出の際には、前記基板を前記リフトピンで支持した状態で前記リフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ前記基板を上下動させ、
前記リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介して前記リフトピンを上下動させることができ、
前記リフトピン移動手段は、前記筒状シャフト部に設けられ、
前記載置部、前記リフトピンおよび少なくとも一部の前記ウエハリフト部材は、前記エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、
前記制御部は、前記基板を搬出する際、前記基板を前記リフトピンで支持した状態で移動させて基板搬送装置に載置する場合に、前記基板と前記基板搬送装置とが当接する直前で前記リフトピンの移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように前記リフトピン移動手段を制御することを特徴とするサセプタ装置。
【請求項５】
前記リフトピン移動手段が電動シリンダであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のサセプタ装置。
【請求項６】
前記載置部移動手段が電動シリンダであることを特徴とする請求項２又は３記載のサセプタ装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のサセプタ装置を備えたことを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はサセプタ装置及びこれを備えた成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、成膜装置においては、ロードロック室に搬入された基板をロボットで成膜室に搬入し、基板をサセプタ装置に載置する。そしてピンの先端を基板に当接させ、この状態でピンを上下動させることで基板の上下動を行うものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４１０２８号公報（段落００２０等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように基板を上下動させる場合に、エアシリンダを用いてピンを上下動させることで基板を上下動させるとすれば、停止位置の高さ調整が困難である。また、エアシリンダで移動させる場合にピンと基板との接触時の衝撃等により基板の設置位置が面方向にずれてしまうという問題がある。他方で、ピンと基板との接触時の衝撃を抑制すべく移動スピードを低下して基板の上下動を行うとすれば生産性が低下する。【０００５】
そこで、本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、生産性を低下させずに、かつ、基板移動時の基板に生じる衝撃を抑制できるサセプタ装置及びこれを備えた成膜装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のサセプタ装置は、エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、基板が載置される載置部と、載置部に設けられ、基板の搬入又は搬出の際には載置部よりも上側に突出して載置部上に載置された基板を支持するリフトピンと、リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、リフトピン移動手段を制御する制御部とを備え、基板の搬入又は搬出の際には、基板をリフトピンで支持した状態でリフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ基板を上下動させ、リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介してリフトピンを上下動させることができ、リフトピン移動手段は、筒状シャフト部に設けられ、載置部、リフトピンおよび少なくとも一部のウエハリフト部材は、エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、制御部は、基板の搬入の際、基板とリフトピンとが当接する直前でリフトピンの移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるようにリフトピン移動手段を制御することを特徴とする。このように構成することで、基板の設置位置が面方向にずれることを抑制できる。
【０００７】
本発明のサセプタ装置は、エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、基板が載置される載置部と、載置部に設けられ、基板の搬入又は搬出の際には載置部よりも上側に突出して載置部上に載置された基板を支持するリフトピンと、リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、載置部を上下動させる載置部移動手段と、載置部移動手段を制御する制御部とを備え、基板の搬入又は搬出の際には、基板をリフトピンで支持した状態でリフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ基板を上下動させ、リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介してリフトピンを上下動させることができ、リフトピン移動手段は、筒状シャフト部に設けられ、載置部、リフトピンおよび少なくとも一部のウエハリフト部材は、エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、制御部は、基板の搬出の際、載置部移動手段を制御して載置部を上下動させるにあたり、基板を支持するリフトピンとリフトピン支持部とが当接する直前で載置部の移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように載置部移動手段を制御することを特徴とする。このように構成することで、基板の設置位置が面方向にずれることを抑制できる。
【０００８】
本発明のサセプタ装置は、エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、基板が載置される載置部と、載置部に設けられ、基板の搬入又は搬出の際には載置部よりも上側に突出して載置部上に載置された基板を支持するリフトピンと、リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、載置部を上下動させる載置部移動手段と、載置部移動手段を制御する制御部とを備え、基板の搬入又は搬出の際には、基板を前記リフトピンで支持した状態でリフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ基板を上下動させ、リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介してリフトピンを上下動させることができ、リフトピン移動手段は、筒状シャフト部に設けられ、載置部、リフトピンおよび少なくとも一部のウエハリフト部材は、エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、制御部は、基板の成膜時には、載置部移動手段を制御して載置部を上下動させるにあたり、リフトピンに支持された基板と該載置部とが当接する直前で載置部の移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるように載置部移動手段を制御することを特徴とする。このように構成することで、基板の設置位置が面方向にずれることを抑制できる。
本発明のサセプタ装置は、エピタキシャル成膜装置に配置されるサセプタ装置であって、基板が載置される載置部と、載置部に設けられ、基板の搬入又は搬出の際には載置部よりも上側に突出して載置部上に載置された基板を支持するリフトピンと、リフトピンを上下動させるリフトピン移動手段と、リフトピン移動手段を制御する制御部とを備え、基板の搬入又は搬出の際には、基板をリフトピンで支持した状態でリフトピン移動手段によりリフトピンを上下動させ基板を上下動させ、リフトピン移動手段は、リフトピン支持部と、該リフトピン支持部と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部とからなるウエハリフト部材を介してリフトピンを上下動させることができ、リフトピン移動手段は、筒状シャフト部に設けられ、載置部、リフトピンおよび少なくとも一部のウエハリフト部材は、エピタキシャル成膜装置の成膜室内に配置され、制御部は、基板を搬出する際、基板をリフトピンで支持した状態で移動させて基板搬送装置に載置する場合に、基板と基板搬送装置とが当接する直前でリフトピンの移動スピードを、前記基板の重量、前記基板の表面形状、および、前記成膜室内の圧力に基づいて、低下させるようにリフトピン移動手段を制御することを特徴とする。このように構成することで、基板の設置位置が面方向にずれることを抑制できる。
【０００９】
リフトピン移動手段が電動シリンダであることが好ましい。また、載置部移動手段が電動シリンダであることが好ましい。
【００１０】
本発明の成膜装置は、上記したいずれかのサセプタ装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】成膜装置の構成を示す模式図である。
【図２】サセプタ装置の構成を示す模式的断面図である。
【図３】サセプタ装置の作動を示す模式的断面図である。
【図４】サセプタ装置の作動を示す模式的断面図である。
【図５】サセプタ装置の作動を示す模式的断面図である。
【図６】サセプタ装置の作動を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のサセプタ装置について説明する。
図１に示すように、サセプタ装置３０が搭載される成膜装置Ｉは、枚葉式の成膜装置である。成膜装置Ｉは、成膜用の基板Ｓが収納された第１基板カセット１１が載置された第１ロードロックチャンバー１２と、第２基板カセット１７が載置された第２ロードロックチャンバー１８と、成膜処理を含む各処理がそれぞれ行われる処理室１３〜１６とを有する。各処理室１３〜１６、第１ロードロックチャンバー１２及び第２ロードロックチャンバー１８は、それぞれ図示しない真空排気手段を備え、各室で独立して真空度を保持することができる。本実施形態では、処理室１３〜１６のうち、処理室１４が基板Ｓ上にエピタキシャル成長による膜を成膜する処理を行う成膜室である。
【００１３】
また、成膜装置Ｉは、基板Ｓを各室に搬送するためのロボット（基板搬送装置）２１を備える。ロボット２１は、基板Ｓが載置されるブレード２２を有する。ブレード２２の幅は、基板Ｓの幅よりも小さくなるように設けられている。
【００１４】
処理室１４には、本発明におけるサセプタ装置３０が設置されている。サセプタ装置３０上に基板Ｓが載置される。また、処理室１４には、成膜ガスを処理室１４内に導入する成膜ガス導入手段１４ａが設けられている。サセプタ装置３０上の基板Ｓの成膜面は、サセプタ装置３０により所定の成膜位置に移動され、この成膜位置でエピタキシャル成長法による膜が成膜される。
【００１５】
図２を用いてサセプタ装置について説明する。
サセプタ装置３０は、その表面側に基板が載置される載置部３１を有する。載置部３１は、上面視において円形状である。載置部３１にはその裏面側に載置部シャフト３２が設けられている。この載置部シャフト３２によって載置部３１は支持されている。
【００１６】
載置部３１には、載置部３１を貫通する貫通孔３３が設けられている。この貫通孔３３は、載置部３１の表面側に開口した第１貫通部３４と、載置部３１の裏面側に開口した第２貫通部３５とからなる。第２貫通部３５は、第１貫通部３４よりもその径が小さくなるように設けられている。即ち、貫通孔３３は図示するように断面視においてＴ字状である。貫通孔３３は、それぞれ載置部３１に、基板が載置された場合に基板の縁部よりも内側に位置するように設けられている。
【００１７】
貫通孔３３には、リフトピン４０が設置されている。リフトピン４０は、一つのサセプタ装置３０について、３つ設けられている。各リフトピン４０は、隣接するリフトピン４０と、ブレード２２（図３（ｂ）参照）の幅よりも広い間隔で設けられている。リフトピン４０は、第１貫通部３４よりも若干その径が小さく構成された支持部４１と、支持部４１と一体となって設けられ、第２貫通部３５よりも若干その径が小さく構成されたピン部４２とからなる。即ち、リフトピン４０も図示するように断面視においてＴ字状である。支持部４１は、後述するように成膜室内に搬送された際に基板がその上に載置されるものであり、表面は床面に対して水平となるように構成されている。支持部４１は、第１貫通部３４とその深さが同一であり、支持部４１が第１貫通部３４の底面で支持される。ピン部４２は、床面に対して垂直方向に延設されている。このようなリフトピン４０は、上述のように貫通孔３３よりも若干径が細くなるように構成されているので、リフトピン４０を下方側から床面に対して垂直上方に押圧することで貫通孔３３を移動することができる。
【００１８】
サセプタ装置３０には、さらにウエハリフト部材５０が設けられている。ウエハリフト部材５０は、傾斜したリフトピン支持部５１と、リフトピン支持部５１と一体となって設けられた筒状の筒状シャフト部５２とからなる。リフトピン支持部５１は、筒状シャフト部５２の上端部から上方外側へ向かって延設されたアーム状の支持部材であり、各リフトピン４０のピン部４２の端部と対向するように位置している。即ち、本実施形態では３本のリフトピン支持部５１が筒状シャフト部５２の上端部に設けられており、各リフトピン支持部５１は、各リフトピン４０をその下方側から支持するものである。
【００１９】
ウエハリフト部材５０と、載置部シャフト３２とは、それぞれ床面に対して垂直な上下動を行うために電動シリンダ６１、６２が設けられている。即ち、載置部シャフト３２には第１電動シリンダ（載置部移動手段）６１が設けられており、また、ウエハリフト部材５０の筒状シャフト部５２には、第２電動シリンダ（リフトピン移動手段）６２が設けられている。これらの電動シリンダ６１、６２は、それぞれ制御部６３から個別に制御信号が送信されて、個別に上下動が行われる。
【００２０】
そして、制御部６３により制御信号が送信されて電動シリンダ６１、６２は、それぞれ筒状シャフト部５２及び載置部シャフト３２を移動させ、基板を移動させる。基板を移動させる場合とは、それぞれロボットが基板をサセプタ装置３０に載置する場合、基板を成膜位置に移動させる場合、及び基板をロボットが搬出する場合である。そして、これらの基板を移動する各場合においては、基板とサセプタ装置３０を構成する部材やブレードとが接触するのでこの衝撃により基板が面方向においてずれてしまうことが考えられる。また、この衝撃により、基板に小さな傷や割れが発生してしまうことが考えられる。そこで、本実施形態では、この基板に生じる衝撃を抑制すると共に生産性を向上して効率的に基板に対して一連の処理を行うことができるように、制御部６３により基板の移動制御を行う。即ち、本実施形態では以下に説明するように制御部６３により電動シリンダ６１、６２による載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２の移動スピードを２段階で制御することでサセプタ装置３０の動きを制御して、基板移動時の基板に生じる衝撃を抑制しつつ、生産性を向上して効率的に基板に対して一連の処理を行うことができるように構成している。
【００２１】
以下、図３〜図６を用いて一連の処理におけるサセプタ装置３０の作動について説明する。
【００２２】
図３は、基板搬入前から基板設置までのサセプタ装置３０の作動を説明するものである。
図３（ａ）に示すように、基板搬入前にはウエハリフト部材５０の上端部と載置部３１との距離は、リフトピン４０の長さよりも短いので、リフトピン４０はウエハリフト部材５０に支持されて載置部３１よりも上方に突出している。
【００２３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ロボット２１（図１参照）のブレード２２が成膜室内に導入される。ブレード２２上には基板Ｓが載置されている。基板Ｓは、搬送位置Ｐ１に位置するようにブレード２２に載置されて搬入されてくる。基板Ｓの幅はブレード２２の幅よりも広く、基板Ｓの中央部が支持されるようにブレード２２上に基板Ｓが載置されている。
【００２４】
そして、ブレード２２が成膜室内に導入されると、制御部６３（図２参照）により、各電動シリンダ６１、６２（図２参照）が作動されて載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２が同時に同じ移動スピードで上方に移動を開始する。この場合には、移動スピードは第１移動スピードとなるように制御部６３が制御する。なお、第１移動スピードは第２移動スピードよりも速い。本実施形態では、第１移動スピードは２０ｍｍ／ｓであり、第２移動スピードは５ｍｍ／ｓである。
【００２５】
制御部６３により各電動シリンダ６１、６２が作動して載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２が同時に同スピードで上方に移動する。そして、図３（ｃ）に示すように、リフトピン４０の支持部４１と基板Ｓとが近接した位置まで上昇すると、制御部６３（図２参照）により載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２の移動スピードが第２移動スピードに切り換えられる。即ち、載置部３１及びリフトピン４０の移動スピードが低下する。
【００２６】
そして、図３（ｄ）に示すように、この第２移動スピードのまま載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２が移動して、リフトピン４０の支持部４１が基板Ｓの裏面に当接する。この場合に、上述のように載置部３１及びリフトピン４０の移動スピードが低下するので、支持部４１が基板Ｓの裏面に当接した場合の衝撃が小さく、基板Ｓが面方向においてずれることがない。
【００２７】
このように支持部４１が基板Ｓの裏面に当接した状態から、成膜位置に移動するまでのサセプタ装置３０の作動を図４を用いて説明する。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、支持部４１を基板Ｓの裏面に当接させると、ブレード２２と基板Ｓとが離間する。そして、この状態でさらに載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２を上方へ移動スピードを第１スピードに切り換えて移動させると、基板Ｓはリフトピン４０の支持部４１によってのみ支持された状態で、ブレード２２と基板Ｓとの距離が開いていく。ブレード２２は成膜室から搬出される。
【００２９】
次に、ブレード２２が搬出された後に、載置部シャフト３２のみを第１移動スピードで移動させて、載置部３１のみをリフトピン４０によって支持されている基板Ｓ側に移動させる。そして、図４（ｂ）に示すように基板Ｓと載置部３１とが近接した位置まで載置部３１を第１移動スピードで移動させると、制御部６３は載置部３１を移動させる載置部シャフト３２の移動スピードを第２移動スピードとなるように切り換え、載置部シャフト３２を、即ち載置部３１をそのまま上昇させる。
【００３０】
次に図４（ｃ）に示すように、第２移動スピードで載置部３１が上方に移動してリフトピン４０に支持された基板Ｓの裏面に当接する。この場合にも、上述のように載置部シャフト３２の移動スピードは低下しているので、載置部３１が基板Ｓの裏面に当接した場合の衝撃が小さく、基板Ｓがずれることがない。
【００３１】
次いで、載置部３１に基板Ｓを載置すると、再度、制御部は載置部３１の移動スピードを第１移動スピードとなるように切り換えて上昇させて図４（ｄ）に示すようにそのまま載置部３１を上昇させる。載置部３１が上昇すると、リフトピン４０とリフトピン支持部５１とは離間し、所定の成膜位置Ｐ２で載置部３１の上昇が停止される。
【００３２】
次に成膜時から基板搬出開始時までのサセプタ装置３０の作動について図５を用いて説明する。
【００３３】
図５（ａ）に示すように、成膜位置Ｐ２まで載置部３１上に載置された基板Ｓが移動されると、成膜が開始される。成膜時には、載置部シャフト３２が載置部シャフト３２自体を軸中心として回転し、これにより基板Ｓ上に均一に膜が成膜される。
【００３４】
成膜が終了すると、載置部シャフト３２が下方へ第１移動スピードで移動する。即ち載置部３１のみが第１移動スピードで降下する。そして、リフトピン４０とリフトピン支持部５１とが近接すると、載置部３１の下方への移動スピードは第２移動スピードに切り換えられる。
【００３５】
そして、図５（ｂ）に示すように、リフトピン４０がリフトピン支持部５１に当接すると、この当接の衝撃が基板Ｓに伝達されるが、この場合であってもリフトピン４０の移動スピードは第２移動スピードであり、比較的遅いので基板に生じる衝撃は小さく、基板Ｓのずれが抑制される。
【００３６】
その後、図５（ｃ）に示すように、リフトピン４０がリフトピン支持部５１に当接することで、載置部３１と基板Ｓとが離間するので、この状態で載置部３１のみが下方へ第１移動スピードで移動する。これにより、載置部３１と基板Ｓとの距離が開く。そして、図５（ｄ）に示すように、成膜室内にブレード２２が搬入される。この場合に、基板Ｓがブレード２２に載置された場合に基板Ｓが搬送位置に位置するように、この載置部３１と基板Ｓとの間隙に挿入される。その後、さらに載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２をそれぞれ下方にブレード２２と基板Ｓとの距離が近接する位置まで第１移動スピードで移動させる。
【００３７】
基板Ｓを成膜室から搬出するまでを図６を用いて説明する。
ブレード２２と基板Ｓとの距離が近接する位置から載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２とを下方へ第２移動スピードで移動させて、図６（ａ）に示すようにブレード２２上に基板Ｓを載置する。この場合にもブレード２２上に基板Ｓを載置すると、この載置の際の衝撃が基板Ｓに伝達されるが、この場合であっても基板Ｓの移動スピードは第２移動スピードであり、比較的遅いので基板に生じる衝撃は小さく、基板Ｓのずれが抑制される。
【００３８】
その後、図６（ｂ）に示すようにブレード２２上に基板Ｓが載置されると、さらに載置部シャフト３２及び筒状シャフト部５２とを下方へ第１移動スピードで移動させて、基板Ｓをブレードのみで支持するようにする。
【００３９】
最後に、このブレード２２上の基板Ｓが載置された状態でブレード２２を成膜室から搬出することで、基板Ｓを次の処理室に搬送することができる。
【００４０】
このように、本実施形態では、基板Ｓに基板Ｓと別体との当接時に衝撃が生じる場合、サセプタ装置３０を第２移動スピードで移動させるとともに、それ以外の場所では第１移動スピードにより移動させることで、効率良く、かつ、衝撃を抑制して基板Ｓのずれを防止している。基板Ｓに基板Ｓと別体との当接時に衝撃が生じる場合とは、上述した図３（ｄ）の場合に示す基板Ｓと支持部４１とが当接する場合、図４（ｃ）に示す基板Ｓと載置部３１とが当接する場合、図５（ｂ）に示す基板Ｓがリフトピン４０に載置された状態でリフトピン４０とリフトピン支持部５１とが当接する場合と、図６（ａ）に示す基板Ｓがブレード２２に載置した場合とをいう。即ち、本実施形態では、基板Ｓとリフトピン４０又は載置部３１とが、当接する直前において移動スピードを低下させることで、効率良く、かつ、衝撃を抑制して基板Ｓのずれを防止している。ここで、当接する直前とは、基板Ｓとリフトピン４０又は載置部３１との距離が１０ｍｍ以下、好ましくは３〜６ｍｍであることが挙げられる。両者の距離が１０ｍｍより長いと、サイクルタイムを減少させることが難しい。そして、好ましい範囲とすることで、最も効率よく、かつ衝撃を抑制することができる。
【００４１】
本実施形態によるサセプタ装置による一枚の基板に対するサイクルタイムは、本実施形態によらないサセプタ装置（電動シリンダではなくエアシリンダで各シャフトを移動させるもの）のサイクルタイムよりも５％程度短かった。また、基板のずれは生じなかった。これにより、本実施形態におけるサセプタ装置を用いることで、衝撃を抑制して基板のずれを抑制でき、かつ、生産性を向上させられることが分かった。
【００４２】
本実施形態では、第１移動スピードが２０ｍｍ／ｓ、第２移動スピードが５ｍｍ／ｓで移動を行ったが、この速度は、第１移動スピードが５ｍｍ／ｓより速く５０ｍｍ／ｓ以下であり、第２移動スピードが０ｍｍ／ｓより速く５ｍｍ／ｓ以下であれば好ましく本発明の効果を得ることができる。第２移動スピードが５ｍｍ／ｓより速いと基板がずれやすくなることがあり、また第１移動スピードが５ｍｍ／ｓ以下であると、効率的に成膜を行うことができない。なお、第２移動スピードは５ｍｍ／ｓに近いほうが効率的に成膜を行うことができるので好ましい。他方で、第１移動スピードが５０ｍｍ／ｓより速いと、基板がずれてしまったり跳ねてしまうという問題がある。従って、各移動スピードは上述した範囲内であることが好ましい。
【００４３】
また、上述した移動スピードの範囲で、例えば、基板の重量、表面形状、成膜室内の圧力等によってさらに詳細に各スピードを決定してもよい。基板が重いほど、表面粗さが粗いほどさらに圧力が大気圧に近いほど接触時に基板はずれにくいのでスピードは速くてもよい。
【００４４】
本実施形態では、図３（ｄ）、図４（ｃ）、図５（ｂ）、図６（ａ）の箇所で移動スピードの切換を行ったがこれに限定されない。例えば、少なくとも基板とリフトピンとの接触時のみ切換を行うように構成してもよい。この範囲であれば、生産性を向上させると共に、基板に生じる衝撃を抑制して基板のずれを抑制することができる。
【００４５】
本実施形態では、エピタキシャル成膜を行う成膜室に本発明のサセプタ装置を用いたが、これに限定されない。例えば、他のＣＶＤ装置等に用いてもよい。
【００４６】
本実施形態ではサセプタ装置は成膜時に回転するように構成したが、これに限定されない。例えば、成膜方法によっては成膜時に回転しなくてもよい。
【００４７】
本実施形態では、成膜装置は複数の処理室を有するものであるが、これに限定されない。サセプタ装置が設けられた成膜室のみからなる成膜装置であってもよい。
【００４８】
本実施形態では、各室は真空排気手段を備えたが、これに限定されない。真空排気手段を有していなくてもよい。
【００４９】
本発明では、載置部移動手段及びリフトピン移動手段として電動シリンダを用いたが、これに限定されない。移動スピードを調整できる手段であればよい。
【符号の説明】
【００５０】
１１   第１基板カセット
１２   第１ロードロックチャンバー
１３，１４，１５，１６      処理室
１４ａ 成膜ガス導入手段
１７   第２基板カセット
１８   第２ロードロックチャンバー
２１   ロボット
２２   ブレード
３０   サセプタ装置
３１   載置部
３２   載置部シャフト
３３   貫通孔
３４   第１貫通部
３５   第２貫通部
４０   リフトピン
４１   支持部
４２   ピン部
５０   ウエハリフト部材
５１   リフトピン支持部
５２   筒状シャフト部
６１，６２   電動シリンダ
６３   制御部
Ｉ     成膜装置
Ｓ     基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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