(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基（Ｇ）を有する分子量５００〜５０００の低分子化合物（１）（但し、鎖状ポリマーを除く）、および、下記一般式（２−１）または（２−３）で表され、活性光線又は放射線の照射により体積３０５Å３以上の酸を発生する化合物（２）を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性組成物。
【化１】
0005401221.tif 000059
一般式（２−１）において、
Ａｒは、芳香族環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。
ｎは、１以上の整数を表し、Ａは、単結合、または２価の連結基を表し、Ｂは、炭素原子数４以上の環状脂肪族基を有する基を表す。
ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。
Ｑ−は共役酸のｐＫａが６以下のアニオンを表し、Ｍ＋は、有機オニウムイオンを表す。
一般式（２−３）において、
Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｊは、単結合、またはエーテル酸素を含んでいてもよい直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、アリーレン基、もしくはこれらの基の組み合わせからなる基を表し、組み合わされる基は酸素原子を介して連結されていてもよい。
Ｌは、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−及び−ＳＯ２−から選択される２価の連結基を表す。複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒは、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。
ｎは、１以上の整数を表し、Ａは、単結合、または２価の連結基を表し、Ｂは、炭素原子数４以上の環状脂肪族基を有する基を表す。
ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表す。
Ｑ−は共役酸のｐＫａが６以下のアニオンを表し、Ｍ＋は、有機オニウムイオンを表す。
【請求項２】
低分子化合物（１）の分子量が１０００〜３０００である、請求項１に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【請求項３】
一般式（２−３）中のＬが、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−及び−ＳＯ２−から選択される２価の連結基である、請求項１又は２に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【請求項４】
一般式（２−１）中のＡ、及び、一般式（２−３）中のＡが単結合である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項５】
一般式（２−１）中のｎ、及び、一般式（２−３）中のｎが２〜５の整数である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項６】
一般式（２−１）中のｎ、及び、一般式（２−３）中のｎが３である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項７】
一般式（２−１）中のＢ、及び、一般式（２−３）中のＢがシクロヘキシル基である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項８】
化合物（２）が一般式（２−１）で表される化合物である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項９】
一般式（２−１）中のＱ−、及び、一般式（２−３）中のＱ−がスルホン酸アニオンである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の感活性光線性又は感放射線性組成物。
【請求項１０】
前記低分子化合物（１）が、さらにアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基（Ｓ）を有していることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【請求項１１】
前記低分子化合物（１）が下記一般式（１−１）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【化２】
0005401221.tif 000060
式（１−１）中、Ｗは（ａ＋ｂ）価の有機基、Ｙ１、Ｙ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基、Ｇは酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基、Ｓはアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基、aおよびｂはそれぞれ独立に１〜３０の整数を表す。各括弧内の基が複数存在するときは、複数の括弧内の基は同じでも異なっていてもよい。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。  
【請求項１３】
前記露光がＸ線、電子線又はＥＵＶを用いて行われることを特徴とする、請求項１２に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセス、インプリント用モールド作成プロセス、その他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられる感活性光線性または感放射線性組成物に関する。さらに詳しくは、本発明は、電子線、Ｘ線、ＥＵＶ光等を使用して高精細化したパターンを形成し得、半導体素子の微細加工に好適に用いることができる感活性光線性または感放射線性組成物に関するものであり、一態様において、ポジ型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
なお、本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、Ｘ線、電子線等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
【背景技術】
【０００３】
従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィによる微細加工が行われている。近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロン領域やクオーターミクロン領域の超微細パターン形成が要求されるようになってきている。それに伴い、露光波長もｇ線からｉ線に、さらにＫｒＦエキシマレーザー光に、というように短波長化の傾向が見られる。さらには、現在では、エキシマレーザー光以外にも、電子線やＸ線、あるいはＥＵＶ光を用いたリソグラフィーも開発が進んでいる。
【０００４】
特に電子線リソグラフィーは、次世代もしくは次々世代のパターン形成技術として位置付けられ、高感度、高解像性のポジ型レジストが望まれている。特にウェハー処理時間の短縮化のために高感度化は非常に重要な課題であるが、電子線用ポジ型レジストにおいては、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインエッジラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。ここで、ラインエッジラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。特に０.２５μｍ以下の微細領域ではラインエッジラフネスの改良は極めて重要な課題となっている。高感度と、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスはトレードオフの関係にあり、これらを如何にして同時に満足させるかが非常に重要である。
【０００５】
さらにＸ線やＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいても同様に高感度と高解像性等を両立させることが重要な課題となっており、これらの解決が必要である。
【０００６】
かかる電子線、Ｘ線、あるいはＥＵＶ光を用いたリソグラフィープロセスに適したレジストとしては高感度化の観点から主に酸触媒反応を利用した化学増幅型レジストが用いられており、ポジ型レジストにおいては主成分として、アルカリ水溶液には不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる性質を有するフェノール性ポリマー（以下、フェノール性酸分解性樹脂と略す）、及び酸発生剤からなる化学増幅型レジスト組成物が有効に使用されている。
【０００７】
しかしながら、１００ｎｍ以下のより微細なパターンニング形成においては、前述のような樹脂化合物では、溶解単位が大きいことに加え、分子量分布および組成比分布が存在するために、十分なラインエッジラフネスおよび解像度を得ることは困難であった。
【０００８】
これらの問題を解決する方法として、従来の樹脂とは異なる低分子の酸分解性化合物［例えば、特定の構造を有するフェノール系化合物誘導体（例えば、特許文献１および４参照）、特定の構造を有するカリックスアレーン（例えば、特許文献２参照）、カリックスレゾルシンアレーン（例えば、特許文献３参照）、カリックスレゾルシンアレーンを母核とするフェノール系デンドリマー（例えば、特許文献３参照）、トルクセン誘導体（例えば特許文献５参照）等］をレジスト組成物として用いている例が知られている。しかしながら、これらの低分子化合物を用いても、従来の樹脂系化合物と比べて十分な改良効果が得られているとはいい難く、更なる改良が望まれている。
【０００９】
一方、ラインエッジラフネスや解像力を改良する方法として、特定の光酸発生剤が有効であることが知られている（例えば、特許文献６参照）が、効果の源泉については明確ではなく、上記で述べたような低分子化合物と組み合わせて用いた例についても知られていない。
【００１０】
また、近年のパターン微細化に伴って、レジストの薄膜化が進んでおり、レジストのエッジング耐性向上も重要な課題として挙がっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−８３０７３号公報
【特許文献２】特開平１０−１２０６１０号公報
【特許文献３】特開平１０−３１０５４５号公報
【特許文献４】特開２０００−３０５２７０号公報
【特許文献５】特開２００８−７６８５０号公報
【特許文献６】特開２００５−９７２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上を図るべく、解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ感度及びパターン形状に優れる感活性光線性または感放射線性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。本発明は、下記の通りである。
【００１４】
［１］  酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基（Ｇ）を有する分子量５００〜５０００の低分子化合物（１）および、活性光線又は放射線の照射により体積３０５Å３以上の酸を発生する化合物（２）を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性組成物。
【００１５】
［２］  前記化合物（２）が下記一般式（２−１）または（２−２）で表されるものであることを特徴とする［１］に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【化１】
0005401221.tif 000002
【００１６】
一般式（２−１）において、
Ａｒは、芳香族環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。
【００１７】
ｎは、１以上の整数を表し、Ａは、単結合、または２価の連結基を表し、Ｂは、炭化水素基を有する基を表す。
【００１８】
ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。
【００１９】
Ｑ−は共役酸のｐＫａが６以下のアニオンを表し、Ｍ＋は、有機オニウムイオンを表す。
【００２０】
一般式（２−２）において、
Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
【００２１】
Ｊは、単結合、またはエーテル酸素を含んでいてもよい直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、アリーレン基、もしくはこれらの基の組み合わせからなる基を表し、組み合わされる基は酸素原子を介して連結されていてもよい。
【００２２】
Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。
【００２３】
Ｅは、環構造を有する基を表す。
【００２４】
ｘは１〜２０の整数を表し、ｙは０〜１０の整数を表す。
【００２５】
Ｑ−及びＭ＋は、一般式（２−１）における各々と同義である。
【００２６】
［３］  一般式（２−２）が下記一般式（２−３）であることを特徴とする［２］に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【化２】
0005401221.tif 000003
【００２７】
式中、各記号は、一般式（２−１）及び（２−２）における各記号と同義である。
【００２８】
［４］  一般式(２−１)または一般式（２−３）において、Ｂが炭素原子数４以上の炭化水素基を有する基である、［２］又は［３］に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【００２９】
［５］  一般式(２−１)または一般式（２−３）において、Ｂが、炭素原子数４以上の３級若しくは４級炭素原子を含む炭化水素基を有する基である、［２］又は［３］に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【００３０】
［６］  一般式(２−１)および一般式（２−３）において、Ｂが炭素原子数４以上の環状炭化水素を有する基である、［２］又は［３］に記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【００３１】
［７］  前記低分子化合物（１）が、さらにアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基（Ｓ）を有していることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【００３２】
［８］  前記低分子化合物（１）が下記一般式（１−１）で表される化合物であることを特徴とする、［１］〜［７］のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物。
【化３】
0005401221.tif 000004
【００３３】
式（１−１）中、Ｗは（ａ＋ｂ）価の有機基、Ｙ１、Ｙ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基、Ｇは酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基、Ｓはアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基、aおよびｂはそれぞれ独立に１〜３０の整数を表す。各括弧内の基が複数存在するときは、複数の括弧内の基は同じでも異なっていてもよい。
【００３４】
［９］  ［１］〜［８］のいずれかに記載の感活性光線性または感放射線性組成物を用いて膜を形成し、該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。  
［１０］  前記露光がＸ線、電子線又はＥＵＶを用いて行われることを特徴とする、［９］に記載のパターン形成方法。
【発明の効果】
【００３５】
本発明により、超微細領域での、特に、電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光リソグラフィーにおける、解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ、高感度で良好なパターン形状を有する、特にポジ型レジスト組成物として好適な、感活性光線性または感放射線性組成物、該組成物を用いたパターン形成方法を提供することが可能となった。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明について詳細に説明する。  
尚、本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。  
また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表され遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
【００３７】
以下、本発明の実施の好ましい形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入るものと理解されるべきである。
【００３８】
本発明は、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を変化させる酸分解性基（Ｇ）を有する分子量５００〜５０００の低分子化合物（１）および、活性光線又は放射線の照射により体積３０５Å３以上の酸を発生する化合物（２）を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性組成物に関するものであり、以下、酸を発生する化合物（２）、低分子化合物（１）の順に詳細に説明する。
【００３９】
〔酸を発生する化合物（１）〕
本発明で用いられる活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」ともいう）は、活性光線又は放射線の照射により体積３０５Å３以上の酸を発生する化合物である。ここで、「酸の体積」とは、酸を構成する原子のファンデルワールス半径に基づいたファンデルワールス球により占有される領域の体積を意味している。具体的には、「酸の体積」とは、以下のようにして計算される体積である。即ち、まず、ＭＭ３法を用いた分子力場計算により、酸の最安定立体配座を決定する。その後、この最安定立体配座に対して、ＰＭ３法を用いた分子軌道計算により、ファンデルワールス体積を計算する。そして、このファンデルワールス体積を、「酸の体積」とする。
【００４０】
本発明で用いられる酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により発生する酸の体積が、上記の方法によって求めて３０５Å３以上であればいかなるものであってもよいが、好ましい態様としては、下記一般式（２−１）または（２−２）で表されるものを挙げることができる。
【化４】
0005401221.tif 000005
【００４１】
一般式（２−１）において、Ａｒは、芳香族環を表し、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有してもよい。ｎは、１以上の整数を表す。
【００４２】
Ａは、単結合、または２価の連結基を表す。Ａで表される２価の連結基の好ましい例としては、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ(＝Ｏ)―、−Ｓ（＝Ｏ）２−、及び−ＯＳ（＝Ｏ）２−から選択されるいずれか、あるいは２以上の組み合わせを挙げることができる。
【００４３】
Ｂは、炭化水素基を有する基を表し、炭素原子数が１〜３０であることが好ましく、４〜３０であることが更に好ましい。Ｂは、特に好ましくは、３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４〜３０の炭化水素基を有する基を表す。ｎが２以上のとき、複数の−（Ａ−Ｂ）基は同一でも異なっていてもよい。  
Ｑ−及びＭ＋は、一般式（２−２）における各々と同義であり、詳細は後述する。
【００４４】
Ａｒにより表される芳香族環としては、炭素数６〜３０の芳香族環が好ましく、また、−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有していてもよい。  
具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インデセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセタフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ペンタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、インデン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化の両立の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
【００４５】
上記芳香族環が−（Ａ−Ｂ）基以外に更に置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン基、メトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基、フェニルチオキシ基、ｐ−トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基及び分岐アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンゾイル基、アセチル基、トリル基等のアシル基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良の観点から、直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基が好ましい。
【００４６】
Ａとしては、解像性、ラフネスの観点から原子数が少ないことが好ましい。Ａは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましく、単結合であることが特に好ましい。
【００４７】
Ｂにより表される３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４〜３０の炭化水素基を有する基における炭化水素基としては、非環式炭化水素基、又は環状脂肪族基が挙げられる。
【００４８】
３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４〜３０の非環式炭化水素基としては、t―ブチル基、t―ペンチル基、ネオペンチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、イソヘキシル基、３，３−ジメチルペンチル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。非環式炭化水素基として、より好ましくは炭素原子数が５〜２０のものである。非環式炭化水素基は置換基を有していてもよい。
【００４９】
炭素原子数が４〜３０の環状脂肪族基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボルニル基、カンフェニル基、デカヒドロナフチル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、カンホロイル基、ジシクロヘキシル基、ピネニル基等が挙げられる。環状脂肪族基として、より好ましくは炭素原子数が５〜２０のものである。環状脂肪族基は置換基を有していてもよい。
【００５０】
上記非環式炭化水素基又は環状脂肪族基が置換基を有している場合、その置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン基；メトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メチルチオキシ基、エチルチオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオキシ基等のアルキルチオキシ基；フェニルチオキシ基、ｐ−トリルチオキシ基等のアリールチオオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；アセトキシ基；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘプチル基、ヘキシル基、ドデシル基、２―エチルヘキシル基等の直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基；シクロヘキシル基等の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；アセチレン基、プロピニル基、ヘキシニル基等のアルキニル基；フェニル基、トリル基等のアリール基；ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホン酸基、カルボニル基等が挙げられる。中でも、ラフネス改良と高感度化の両立の観点から、直鎖アルキル基、及び分岐アルキル基が好ましい。  
このような環状脂肪族基又は非環式炭化水素基を有する基の具体例としては以下のものが挙げられる。なお、式中の＊はＡ（Ａが単結合の場合はＡｒ）との結合部位を表す。
【化５】
0005401221.tif 000006
【００５１】
【化６】
0005401221.tif 000007
【００５２】
上記の中でも下記構造がより好ましい。
【化７】
0005401221.tif 000008
【００５３】
Ｂにより表される３級若しくは４級炭素原子を含む、炭素原子数が４以上の炭化水素基を有する基としては、環状脂肪族基が、解像性、ラフネスの観点より好ましい。上記環状脂肪族基の中でも、ラフネス改良の観点から、シクロアルキル基、アダマンチル基、ノルボルニル基が好ましく、シクロアルキル基がより好ましく、シクロアルキル基の中でもシクロヘキシル基が最も好ましい。  
ｎは１以上の整数を表し、ラフネス改良の観点から、２以上５以下が好ましく、２以上４以下がより好ましく、ｎ＝３が最も好ましい。  
−（Ａ−Ｂ）基は、ラフネス改良の観点からＱ−の置換位置に対して少なくとも１つのo位を置換していることが好ましく、２つのo位を置換していることがより好ましい。
【００５４】
次に、一般式（２−２）について説明する。  
一般式（２−２）において、Ｘｆは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。  
Ｊは、単結合、またはエーテル酸素を含んでいてもよい直鎖状、分岐状または環状のアルキレン基、アリーレン基、もしくはこれらの基の組み合わせからなる基を表し、組み合わされる基は酸素原子を介して連結されていてもよい。
【００５５】
Ｊにより表されるアルキレン基は、好ましくは炭素数1〜２０、より好ましくは炭素数1〜１０の直鎖、分岐鎖または環状のアルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、１，４−シクロヘキシレン）であり、炭素に結合している水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい。Ｊにより表されるアリーレン基は、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１０のアリーレン基（例えば、フェニレン、ナフチレン）であり、炭素に結合している水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい。これらのアルキレン基および／またはアリーレン基は、単独で用いてもよいし、これらを複数組み合わせて用いてもよい。この際、これらのアルキレン基および／またはアリーレン基は、酸素原子を介して組み合わせることもできる。
【００５６】
Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは同一でも異なっていてもよい。  
Ｅは、環構造を有する基を表す。  
ｘは１〜２０の整数を表し、１〜４が好ましい。ｙは０〜１０の整数を表し、０〜３が好ましい。
【００５７】
Ｘｆは、フッ素原子であるか、又は、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基である。このアルキル基としては、炭素数が１〜１０のものが好ましく、炭素数が１〜４のものがより好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
【００５８】
Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。具体的には、Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９又はＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９である。中でも、フッ素原子又はＣＦ３が好ましく、フッ素原子が最も好ましい。
【００５９】
一般式（２−２）中、Ｒ１及びＲ２の各々は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基である。このフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基としては、炭素数１〜４のものが好ましい。また、フッ素原子で置換されたアルキル基としては、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。具体的には、ＣＦ３、Ｃ２Ｆ５、Ｃ３Ｆ７、Ｃ４Ｆ９、Ｃ５Ｆ１１、Ｃ６Ｆ１３、Ｃ７Ｆ１５、Ｃ８Ｆ１７、ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ３、ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ２Ｆ５、ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２ＣＨ２Ｃ３Ｆ７、ＣＨ２Ｃ４Ｆ９又はＣＨ２ＣＨ２Ｃ４Ｆ９が挙げられ、中でもＣＦ３が好ましい。
【００６０】
Ｌにより表わされる２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ）−（ここで、Ｒは水素原子、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数３〜２０の置換または無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基または炭素数７〜２０の置換または無置換のアラルキル基を表す。）、アルキレン基、シクロアルキレン基及びアルケニレン基、及びこれらを組み合わせたものが挙げられる。中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ２−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＳＯ２−がより好ましい。
【００６１】
一般式（２−２）中、Ｅは、環構造を有する基を表す。Ｅとしては、例えば、脂環基、アリール基及び複素環構造を有する基等が挙げられる。
【００６２】
Ｅとしての脂環基は、単環構造を有していてもよく、多環構造を有していてもよい。単環構造を有した脂環基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基が好ましい。多環構造を有した脂環基としては、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基及びアダマンチル基等の多環のシクロアルキル基が好ましい。特には、Ｅとして６員環以上のかさ高い構造を有する脂環基を採用した場合、ＰＥＢ（露光後加熱）工程での膜中拡散性が抑制され、解像力及びＥＬ（露光ラチチュード）を更に向上させることが可能となる。
【００６３】
Ｅとしてのアリール基は、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環又はアントラセン環である。
【００６４】
Ｅとしての複素環構造を有する基は、芳香族性を有していてもよく、芳香族性を有していなくてもよい。この基に含まれているヘテロ原子としては、窒素原子又は酸素原子が好ましい。複素環構造の具体例としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環等が挙げられる。中でも、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピペリジン環及びモルホリン環が好ましい。
【００６５】
Ｅは、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基及びスルホン酸エステル基が挙げられる。  
Ｅの好ましい態様としては下式のものを挙げることができる。
【化８】
0005401221.tif 000009
【００６６】
式中、Ａｒ、ＡおよびＢは上記一般式（２−１）で述べたものと同義である。  
一般式（２−１）及び一般式（２−２）において、Ｑ−は共役酸（ＱＨ）のｐＫａが６以下のアニオンを表す。ここで、ｐＫａとは、水中（２５℃）での酸解離定数を意味する。  
Ｑ−により表わされるアニオンの好ましい態様としては、以下のアニオンを挙げることができる。
【化９】
0005401221.tif 000010
【００６７】
式中、Ｒｆ１〜Ｒｆ６はそれぞれ独立に炭素数１〜２０のエーテル結合を有していてもよい直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基を表し、より好ましい炭素数としては１〜１０であり、アルキル基としては好ましくは１つ以上のフッ素原子で置換されたフッ化アルキル基であり、より好ましくは全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基である。  
Ｑ−はより好ましくはスルホン酸アニオンである。
【００６８】
以下、活性光線または放射線の照射により本発明の酸発生剤が分解して発生する、体積が３０５Å３以上である酸の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６９】
なお、これら例の各々には、体積の計算値を付記している。この値は、富士通株式会社製の「ＷｉｎＭＯＰＡＣ」を用いて、以下のようにして求めた。即ち、まず、各例に係る酸の化学構造を入力した。次に、この構造を初期構造として、ＭＭ３法を用いた分子力場計算により、各酸の最安定立体配座を決定した。その後、これら最安定立体配座についてＰＭ３法を用いた分子軌道計算を行うことにより、各酸の「accessible volume」を計算した。
【化１０】
0005401221.tif 000011
【００７０】
なお、酸の体積は、好ましくは３５０Å３以上であり、更に好ましくは４００Å３以上である。また、この体積は、好ましくは２０００Å３以下であり、更に好ましくは１５００Å３以下である。この体積が過度に大きいと、低感度化したり、塗布溶剤溶解性が低下する可能性がある。
【００７１】
一般式（２−１）及び一般式（２−２）においてＭ＋は、有機オニウムイオンを表す。  
Ｍ＋により表される有機オニウムイオン（対カチオン）としては、例えば、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウム、ジアゾニウム、アンモニウム、ピリジニウム、キノリニウム、アクリジニウム、オキソニウム、セレノニウム、アルソニウムなどのオニウムイオンが挙げられ、その中でも、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウム、ジアゾニウム、キノリニウム、アクリジニウムなどのオニウムイオンが好ましく挙げられる。
【００７２】
また、例えば、特開平６−１８４１７０号公報等に記載された第１５〜１７属元素のオニウム塩のオニウムイオン、Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅｒ，Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，１８，３８７（１９７４）、Ｔ．Ｓ．Ｂａｌ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ，２１，４２３（１９８０）等に記載されたジアゾニウム塩のジアゾニウムイオン、米国特許第４，０６９，０５５号明細書、同４，０６９，０５６号明細書、同Ｒｅ２７，９９２号明細書、特開平３−１４０１４０号公報等に記載されたアンモニウム塩のアンモニウムイオン、Ｄ．Ｃ．Ｎｅｃｋｅｒ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，１７，２４６８（１９８４）、Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ ｅｔａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）、米国特許第４，０６９，０５５号明細書、同４，０６９，０５６号明細書、特開平９−２０２８７３号公報等に記載されたホスホニウム塩のホスホニウムイオン、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｃｈｅｍ．＆Ｅｎｇ．Ｎｅｗｓ，Ｎｏｖ．２８，ｐ３１（１９８８）、欧州特許第１０４，１４３号明細書、同第３３９，０４９号明細書、同第４１０，２０１号明細書、特開平２−１５０８４８号公報、特開平２−２９６５１４号公報等に記載されたヨードニウム塩のヨードニウムイオン、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊ．１７，７３ （１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ．Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，３０５５（１９７８）、Ｗ．Ｒ．Ｗａｔｔ ｅｔａｌ，Ｊ．ＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，２２，１７８９（１９８４）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂｕｌｌ．，１４，２７９（１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１４（５），１１４１（１９８１）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｊ．ＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，２８７７（１９７９）、欧州特許第３７０，６９３号明細書、同１６１，８１１号明細書、同４１０，２０１号明細書、同３３９，０４９号明細書、同２３３，５６７号明細書、同２９７，４４３号明細書、同２９７，４４２号明細書、米国特許第３，９０２，１１４号明細書、同４，９３３，３７７号明細書、同４，７６０，０１３号明細書、同４，７３４，４４４号明細書、同２，８３３，８２７号明細書、独国特許第２，９０４，６２６号明細書、同３，６０４，５８０号明細書、同３，６０４，５８１号明細書、特開平７−２８２３７号公報、同８−２７１０２号公報等に記載されたスルホニウム塩のスルホニウムイオン、特開９−２２１６５２号等に記載されたキノリニウム塩のキノリニウムイオン、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｊ．ＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，１０４７（１９７９）等に記載されたセレノニウム塩のセレノニウムイオン、Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎｅｔａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎ���．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）等に記載されたアルソニウム塩のアルソニウムイオン等のカチオンが挙げられるが、これらに限定されるわけではない。
【００７３】
また、上記対カチオンとしては、例えば、下記式（II）〜（VII）の構造のカチオンが好ましく挙げられる。
【化１１】
0005401221.tif 000012
【００７４】
前記式（II）〜（VII）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリール基を表し、Ｒ4〜Ｒ6はそれぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基又は複素環基を表し、Ｒ7〜Ｒ11はそれぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基、複素環基、アルコキシ基又はアリーロキシ基を表し、Ｒ12〜Ｒ17はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基を表す。
【００７５】
Ｒ4〜Ｒ11のアルキル基としては、炭素数１〜３０であることが好ましく、炭素数１〜２０であることがより好ましく、炭素数１〜８であることが特に好ましく、直鎖であっても置換基を有していてもよい。  
Ｒ4〜Ｒ11のアルケニル基としては、炭素数２〜３０であることが好ましく、炭素数２〜２０であることがより好ましく、炭素数２〜８であることが特に好ましく、さらに置換基を有していてもよい。  
Ｒ4〜Ｒ11のアルキニル基としては、炭素数２〜３０であることが好ましく、炭素数２〜２０であることがより好ましく、炭素数２〜８であることが特に好ましく、さらに置換基を有していてもよい。
【００７６】
Ｒ1〜Ｒ11のアリール基としては、炭素数６〜３０であることが好ましく、炭素数６〜２０であることがより好ましく、炭素数６〜１０であることが特に好ましく、さらに置換基を有していてもよい。  
Ｒ4〜Ｒ11の炭化水素環基としては、炭素数３〜３０であることが好ましく、炭素数３〜２０であることがより好ましく、炭素数３〜１０であることが特に好ましく、さらに置換基を有していてもよい。  
Ｒ4〜Ｒ11の複素環基としては、炭素数４〜３０であることが好ましく、炭素数４〜２０であることがより好ましく、炭素数４〜１０であることが特に好ましく、さらに置換基を有していてもよい。また、複素環基に含まれるヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であることが好ましい。
【００７７】
Ｒ7〜Ｒ11のアルコキシ基としては、炭素数１〜３０であるアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜２０であることがより好ましく、炭素数１〜８であることがさらに好ましい。また、アルコキシ基は、後述の置換基を有していてもよく、アルコキシ基のアルキル部分はアルケニル基、アルキニル基、炭化水素環基、又は、芳香族でない複素環基であってもよい。  
Ｒ7〜Ｒ11のアリーロキシ基としては、炭素数６〜３０であるアリーロキシ基であることが好ましく、炭素数６〜２０であることがより好ましく、炭素数６〜１０であることがさらに好ましい。また、アリーロキシ基は、後述の置換基を有していてもよく、アリーロキシ基のアリール部分は芳香族複素環基であってもよい。
【００７８】
式（III）中、Ｒ2及びＲ3は、可能であるなら結合して環を形成していてもよい。  
式（IV）中、Ｒ4〜Ｒ6は、可能であるなら２つ以上が結合して環を形成していてもよい。また、Ｒ4〜Ｒ6の少なくとも１つが、式（ＩＶ）で表されるもうひとつの化合物のＲ4〜Ｒ6の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。  
式（V）中、Ｒ7〜Ｒ10は、可能であるなら２つ以上が結合して環を形成していてもよい。
【００７９】
式（VI）中、Ｒ11〜Ｒ14は、可能であるなら２つ以上が結合して環を形成していてもよい。
【００８０】
式（VII）中、Ｒ15〜Ｒ17は、可能であるなら２つ以上が結合して環を形成していてもよい。
【００８１】
前記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素基、複素環基、アルコキシ基、又は、アリーロキシ基が有していてもよい置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられ、好ましい例としては、ハロゲン原子（−Ｆ、−Ｂｒ、−Ｃｌ、−Ｉ）、ヒドロキシル基、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイルオキシ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、
アシルアミノ基、Ｎ−アルキルアシルアミノ基、Ｎ−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、Ｎ’−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキルウレイド基、Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリールウレイド基、Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアルキル−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’，Ｎ’−ジアリール−Ｎ−アリールウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アルキルウレイド基、Ｎ’−アルキル−Ｎ’−アリール−Ｎ−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アルコキシカルボニルアミノ基、Ｎ−アリール−Ｎ−アリーロキシカルボニルアミノ基、
ホルミル基、アシル基、カルボキシル基及びその共役塩基基（以下、カルボキシラートと称す）、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ−アリールカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基（−ＳＯ3Ｈ）及びその共役塩基基（以下、スルホナト基と称す）、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、Ｎ−アルキルスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルフィナモイル基、Ｎ−アリールスルフィナモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルフィナモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、Ｎ−アルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基及びその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルスルファモイル基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2（alkyl））及びその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルスルファモイル基（−ＳＯ2ＮＨＳＯ2（aryl））及びその共役塩基基、Ｎ−アルキルスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ2（alkyl））及びその共役塩基基、Ｎ−アリールスルホニルカルバモイル基（−ＣＯＮＨＳＯ2（aryl））及びその共役塩基基、
シリル基、アルコキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏalkyl）3）、アリーロキシシリル基（−Ｓｉ（Ｏaryl）3）、ヒドロキシシリル基（−Ｓｉ（ＯＨ）3）及びその共役塩基基、ホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ2）及びその共役塩基基（以下、ホスホナト基と称す）、ジアルキルホスホノ基（−ＰＯ3（alkyl）2）、ジアリールホスホノ基（−ＰＯ3（aryl）2）、アルキルアリールホスホノ基（−ＰＯ3（alkyl）（aryl））、モノアルキルホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ（alkyl））及びその共役塩基基（以後、アルキルホスホナト基と称す）、モノアリールホスホノ基（−ＰＯ3Ｈ（aryl））及びその共役塩基基（以後、アリールホスホナト基と称す）、ホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ2）及びその共役塩基基（以後、ホスホナトオキシ基と称す）、ジアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（alkyl）2）、ジアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（aryl）2）、アルキルアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3（alkyl）（aryl））、モノアルキルホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ（alkyl））及びその共役塩基基（以後、アルキルホスホナトオキシ基と称す）、モノアリールホスホノオキシ基（−ＯＰＯ3Ｈ（aryl））及びその共役塩基基（以後、アリールホスホナトオキシ基と称す）、シアノ基、ニトロ基が挙げられる。これらの置換基は、上記置換基でさらに置換されていても良く、また、可能であるなら環を形成していてもよい。
【００８２】
Ｒ12〜Ｒ17はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は一価の有機基を表す。  
Ｒ12〜Ｒ17のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子、塩素原子、又は、臭素原子であるのが好ましい。
【００８３】
Ｒ12〜Ｒ17の一価の有機基としては、ヒドロキシル基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基、複素環基、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アシルオキシ基、−ＳＯ3−Ｒa、−ＮＲbＲc、シアノ基、−ＳｉＲdＲeＲf、−ＳＯＲg、−ＳＯ2Ｒg、ニトロ基を表し、Ｒaは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、アルカリ金属原子又は４級アンモニウムを表し、Ｒb、Ｒc及びＲgはそれぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基又は複素環基を表し、Ｒd〜Ｒfはそれぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基、複素環基、アルコキシ基又はアリーロキシ基を表す。
【００８４】
Ｒ12〜Ｒ17におけるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基、複素環基、アルコキシ基及びアリーロキシ基は、前記Ｒ7〜Ｒ11のそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、これらの基は前記置換基を有していてもよい。  
Ｒ12〜Ｒ17におけるアシル基、又は、アルコキシカルボニル基としては、その炭素鎖側の炭素数はそれぞれ１〜３０であることが好ましく、１〜１２であることが特に好ましく、直鎖であっても前記置換基を有していてもよい。  
Ｒ12〜Ｒ17におけるアシルオキシ基としては、炭素数１〜３０であることが好ましく、炭素数１〜１２であることが特に好ましく、直鎖であっても前記置換基を有していてもよい。
【００８５】
Ｒ12〜Ｒ17における−ＳＯ3−Ｒa中のＲaとしては、水素原子、置換基を有していてもよい前記アルキル基、置換基を有していてもよい前記アリール基、リチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることが好ましい。  
−ＮＲbＲc中のＲb及びＲcにおける前記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基及び複素環基は、前記Ｒ7〜Ｒ11のそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、これらの基は前記置換基を有していてもよい。
【００８６】
−ＳｉＲdＲeＲf中のＲd〜Ｒfにおける前記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基、複素環基、アルコキシ基及びアリーロキシ基は、前記Ｒ7〜Ｒ11のそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、これらの基は前記置換基を有していてもよい。
【００８７】
−ＳＯＲg又は−ＳＯ2Ｒg中のＲgにおける前記アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、炭化水素環基及び複素環基は、前記Ｒ7〜Ｒ11のそれらと同義であり、好ましい範囲も同様である。また、これらの基は前記置換基を有していてもよい。  
上記一般式（II）〜（VII）により表される対カチオンの具体例としては、例えば、以下のＣａ−１〜Ｃａ−４１に示す構造の対カチオンを好ましく挙げることができる。
【化１２】
0005401221.tif 000013
【００８８】
【化１３】
0005401221.tif 000014
【００８９】
【化１４】
0005401221.tif 000015
【００９０】
【化１５】
0005401221.tif 000016
【００９１】
【化１６】
0005401221.tif 000017
【００９２】
また、アウトガス抑制の観点から、好ましい有機オニウムイオンとして、下記一般式（VIII）の構造を有するカチオンが挙げられる。
【化１７】
0005401221.tif 000018
【００９３】
一般式（VIII）中、
Ｒ1〜Ｒ13は、各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ1〜Ｒ13のうち少なくとも１つはアルコール性水酸基を含む置換基である。  
Ｚは単結合または２価の連結基である。
【００９４】
本発明におけるアルコール性水酸基とはアルキル基の炭素原子に結合した水酸基を表す。
【００９５】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、Ｒ1〜Ｒ13は−Ｗ−Ｙで表される基であることが好ましい。ただし、Ｙは水酸基で置換されたアルキル基であり、Ｗは単結合または２価の連結基である。
【００９６】
Ｙのアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができ、好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基であり、更に好ましくはエチル基、プロピル基、イソプロピル基である。Ｙは特に好ましくは−ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ構造を含有する。
【００９７】
Ｗで表される２価の連結基としては、特に制限は無いが、例えば、アルコキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基などの一価の基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基を挙げることができる。
【００９８】
Ｗとして好ましくは単結合、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基であり、更に好ましくは単結合、アシルオキシ基、アルキルスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基における任意の水素原子を単結合で置き換えた二価の基である。
【００９９】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含む置換基である場合、含まれる炭素数は好ましくは２〜１０個であり、更に好ましくは２〜６個であり、特に好ましくは２〜４個である。  
Ｒ1〜Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基は、アルコール性水酸基を２つ以上有しても良い。Ｒ1〜Ｒ13としてのアルコール性水酸基を含む置換基の有するアルコール性水酸基の数としては１個から６個であり、好ましくは１個から３個が好ましく、更に好ましくは１個であることが好ましい。  
一般式（VIII）で表される化合物の有するアルコール性水酸基の数は、Ｒ1〜Ｒ13すべてあわせて１個から１０個であり、好ましくは１個から６個であり、更に好ましくは１個から３個である。
【０１００】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は各々独立に水素原子または置換基であり、置換基としては、いかなるものでも良く、特に制限は無いが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基と言っても良い）、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ(ＯＨ)2）、ホスファト基（−ＯＰＯ(ＯＨ)2）、スルファト基(−ＯＳＯ3Ｈ)、その他の公知の置換基、が例として挙げられる。
【０１０１】
また、Ｒ1〜Ｒ13のうちの隣接する２つが共同して環（芳香族、又は非芳香族の炭化水素環、又は複素環。これらは、さらに組み合わされて多環縮合環を形成することができる。例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環、が挙げられる。）を形成することもできる。
【０１０２】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、シリル基、ウレイド基である。
【０１０３】
Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は更に好ましくは水素原子又はハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、シアノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、アルキルチオ基、スルファモイル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基である。
【０１０４】
更に、Ｒ1〜Ｒ13がアルコール性水酸基を含有しない場合、Ｒ1〜Ｒ13は特に好ましくは水素原子又はアルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む）、ハロゲン原子、アルコキシ基である。
【０１０５】
一般式（VIII）中、Ｒ1〜Ｒ13のうち少なくとも１つはアルコール性水酸基を含み、好ましくは、Ｒ9〜Ｒ13のうち少なくとも１つがアルコール性水酸基を含む。
【０１０６】
Ｚは単結合または２価の連結基を表し、２価の連結基としては例えば、アルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、スルホニル基、カルボニルオキシ基、カルボニルアミノ基、スルホニルアミド基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、ジスルフィド基、アシル基、アルキルスルホニル基、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基、等であり、置換基を有しても良い。これらの置換基としては上のＲ1〜Ｒ13に示した置換基と同様である。Ｚとして好ましくは単結合、アルキレン基、アリーレン基、エーテル基、チオエーテル基、アミノ基、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、アミノカルボニルアミノ基、アミノスルホニルアミノ基など電子求引性を持たない置換基であり、更に好ましくは単結合、エーテル基、チオエーテル基であり、特に好ましくは単結合である。  
以下に、一般式（VIII）で表されるオニウムイオンの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【化１８】
0005401221.tif 000019
【０１０７】
【化１９】
0005401221.tif 000020
【０１０８】
一般式（２−１）および／または一般式（２−２）で表される化合物の添加量は、総量として、感活性光線性または感放射線性組成物の全固形分を基準として、０．１〜４０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜３５質量％、更に好ましくは３〜３０質量％である。  
以下に一般式（２−１）および一般式（２−２）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【化２０】
0005401221.tif 000021
【０１０９】
【化２１】
0005401221.tif 000022
【０１１０】
〔低分子化合物（１）〕
本発明の低分子化合物（１）は、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基（Ｇ）を有する分子量５００〜５０００の低分子化合物であり、好ましくは、酸分解性基（Ｇ）に加えて現像液への溶解性を促進する溶解補助基（Ｓ）を有しているものである。
【０１１１】
分子量は、好ましくは７００〜４０００であり、さらに好ましくは１０００〜３０００である。分子量が５００未満であると、PB、PEB等のベーク温度に制限が加わり、解像度が劣化する懸念がある。一方、分子量が５０００を超えると、ラインエッジラフネスが劣化する場合がある。
【０１１２】
本発明の低分子化合物（１）は、いわゆるデンドリマー、星型ポリマーであってもよいが、不飽和結合を持った化合物（いわゆる重合性モノマー）を、開始剤を使用しつつその不飽和結合を開裂させ、連鎖的に結合を成長させることによって得られる、いわゆる鎖状ポリマーではない。
【０１１３】
本発明の低分子化合物（１）は上記の条件を満たせば、構造的に特に限定はないが、好ましい態様として下記一般式（１−１）で表される化合物を挙げることができる。
【化２２】
0005401221.tif 000023
【０１１４】
式（１−１）中、Ｗは（ａ＋ｂ）価の有機基、Ｙ１、Ｙ2はそれぞれ独立に単結合または２価の連結基、Ｇは酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基、Ｓはアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基、aおよびｂはそれぞれ独立に１〜３０の整数を表す。各括弧内の基が複数存在するときは、複数の括弧内の基は同じでも異なっていてもよい。
【０１１５】
Ｗで表される有機基の炭素数は、好ましくは炭素数１〜３００であり、より好ましくは１０〜２００である。  
a及びｂは、好ましくは、２〜２０であり、より好ましくは、３〜１０である。また、ａとｂの比（ａ／ｂ）は、好ましくは１/１０〜１０であり、より好ましくは１/３〜３であり、さらに好ましくは１/２〜２である。
【０１１６】
Ｗで表される有機基は芳香環を含むことが好ましい。芳香環としてはベンゼン環、ビフェニル環のような単環性のものであってもよいし、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、フルオレン環、トリフェニレン環、ナフタセン環、トルクセン環のような二つ以上の環からなる縮合環であってもよい。また、これらの環はヘテロ原子を含んでいてもよい。ヘテロ原子を含む芳香環としては例えばフラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、フェナジン環等、が挙げられる。  
芳香環としては好ましくは、ベンゼン環またはナフタレン環である。
【０１１７】
以下にＷで表される有機基の好ましい例を示す。Ｗで表される有機基の下記具体例において、一般式（１−１）におけるＹ１またはＹ2と結合する結合手を、＊の任意箇所に有する。
【化２３】
0005401221.tif 000024
【０１１８】
【化２４】
0005401221.tif 000025
【０１１９】
【化２５】
0005401221.tif 000026
【０１２０】
【化２６】
0005401221.tif 000027
【０１２１】
【化２７】
0005401221.tif 000028
【０１２２】
【化２８】
0005401221.tif 000029
【０１２３】
【化２９】
0005401221.tif 000030
【０１２４】
Ｙ1で表される２価の連結基は好ましくは、＊−Y11−、＊−Y12−、＊−Y12−Y11−、＊−Y12−C(=O) −Y11−、＊−Y12−C(=O) −、＊−Y12−SO2 −Y11−、＊−C(=O)−Y12−Y11−、＊−SO2 −Y12−Y11−、＊−Y12−C(=O)−Y12’−Y11−およびこれらを任意に組み合わせたものである。但し、＊はＷと結合するサイトを表し、Y11は炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキレン基、炭素数３〜２０の置換または無置換のシクロアルキレン基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリーレン基、または炭素数７〜２０の置換または無置換のアラルキレン基を表し、Y12およびY12’はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ(Ｒy)を表し、Ｒyは炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数３〜２０の置換または無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基または炭素数７〜２０の置換または無置換のアラルキル基を表す。
【０１２５】
Y2で表される２価の連結基は好ましくは、＊−Y21−、＊−Y22−Y21−、＊−Y22−C(=O) −Y21−、＊−Y22−SO2 −Y21−、＊−C(=O)−Y22−Y21−、＊−SO2 −Y22−Y21−、＊−Y22−C(=O)−Y22’−Y21−およびこれらを任意に組み合わせたものである。但し、＊は、Wと結合するサイトを表し、Y21は炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキレン基、炭素数３〜２０の置換または無置換のシクロアルキレン基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリーレン基、または炭素数７〜２０の置換または無置換のアラルキレン基を表し、Y22およびY22’はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子またはＮ(Ｒy)を表し、Ｒyは炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数３〜２０の置換または無置換のシクロアルキル基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアリール基または炭素数７〜２０の置換または無置換のアラルキル基を表す。
【０１２６】
上記各基が有していてもよい置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、アミノ基、シアノ基、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１５）アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜１５）、カルバモイル基（好ましくは炭素数1〜１５）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜１５）、スルファモイル基（好ましくは炭素数１〜１５）等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。
【０１２７】
〔酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基（Ｇ）〕
Ｇは、酸の作用により分解してアルカリ現像液への溶解性を促進させる酸分解性基を表し、例えば、カルボキシル基、水酸基などのアルカリ可溶性基を酸の作用により脱離する基で保護した基であり、好ましいものとして、下記一般式（G11）および（G12）で表される酸分解性基を挙げることができる。
【化３０】
0005401221.tif 000031
【０１２８】
式（G11）において、Ｒ101はアルキル基を表し、Ｒ102及びＲ103は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ102及びＲ103は互いに結合して環を形成してもよい。但し、Ｒ102及びＲ103が同時に水素原子であることはない。Ｒ102、Ｒ103のどちらか一方が水素原子の場合、他方はアリール基である。
【０１２９】
Ｒ101〜Ｒ103のアルキル基としては炭素数1〜２０のものが好ましく、より好ましくは炭素数1〜１０のものであり、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基などの炭素数1〜４のものが特に好ましい。
【０１３０】
Ｒ102及びＲ103で表されるシクロアルキル基としては、炭素数３〜２０のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の多環性のものであってもよい。また、Ｒ102とＲ103が互いに結合して形成される環としては、炭素数３〜２０のものが好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環性のものであってもよいし、ノルボニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基等の多環性のものであってもよい。Ｒ102とＲ103が互いに結合して環を形成する場合、Ｒ103は炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基がより好ましい。
【０１３１】
Ｒ102及びＲ103で表されるアリール基としては、炭素数６〜２０のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【０１３２】
式（G12）において、Ｒ104及びＲ105は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ｍは、単結合又は２価の連結基を表し、Ｒ106は、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよい脂環基、ヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。  
ｑは0または１を表す。  
Ｒ104、Ｍ、Ｒ106の少なくとも２つが結合して環を形成しても良い。  
なお、Ｒ104及びＲ105の双方が水素原子であるとき、ｑは１である。
【０１３３】
Ｒ104及びＲ105で表されるアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１０個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
【０１３４】
Ｒ104及びＲ105で表されるシクロアルキル基は、好ましくは炭素数３〜１５個のシクロアルキル基であって、具体的には、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等を挙げることができる。
【０１３５】
Ｒ104及びＲ105で表されるアリール基は、好ましくは炭素数６〜１５個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。
【０１３６】
Ｒ104及びＲ105で表されるアラルキル基は、好ましくは炭素数６〜２０のアラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。
【０１３７】
Ｍで表される２価の連結基は、例えば、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基など）、シクロアルキレン基（例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基など）、アルケニレン基（例えば、エチレン基、プロペニレン基、ブテニレン基など）、アリーレン基（例えば、フェニレン基、トリレン基、ナフチレン基など）、−Ｓ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｒ0）−、およびこれらの複数を組み合わせた２価の連結基である。Ｒ0は、水素原子またはアルキル基（例えば炭素数１〜８個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、オクチル基など）である。  
Ｒ106で表されるアルキル基、シクロアルキル基は、上述のＲ104及びＲ105で述べたものと同義である。
【０１３８】
Ｒ106で表されるヘテロ原子を含んでいてもよい脂環基及びヘテロ原子を含んでいてもよい芳香環基に於ける脂環基及び芳香環基としては、上述のＲ104及びＲ105としてのシクロアルキル基、アリール基などが挙げられ、好ましくは、炭素数３〜１５である。
【０１３９】
ヘテロ原子を含む脂環基及びヘテロ原子を含む芳香環基としては、例えば、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等のヘテロ環構造を有する基が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造（炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環）であれば、これらに限定されない。
【０１４０】
Ｒ104、Ｍ、Ｒ106の少なくとも２つが結合して形成してもよい環としては、Ｒ104、Ｍ、Ｒ106の少なくとも２つが結合して、例えば、プロピレン基、ブチレン基を形成して、酸素原子を含有する環を形成する場合が挙げられ、５員または６員環が好ましい。
【０１４１】
−Ｍ−Ｒ106で表される基は、炭素数１〜３０個で構成される基が好ましく、炭素数５〜２０個で構成される基がより好ましい。
【０１４２】
尚、Ｇが式（G12）で表される酸分解性基である場合、Ｇと直接結合するＷまたはＹ１は芳香族性の基であることが好ましい。
【０１４３】
上記各基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、アミノ基、シアノ基、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１５）、アリール基（好ましくは炭素数６〜１５）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜１５）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１５）アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜１５）、カルバモイル基（好ましくは炭素数1〜１５）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜１５）、スルファモイル基（好ましくは炭素数１〜１５）等を挙げることができる。各基が有するアリール基及び環構造については、置換基としてさらにアルキル基（好ましくは炭素数１〜１５）を挙げることができる。
【０１４４】
一般式（G11）および（G12）で表される基の具体例を以下に挙げるが、これらに限定されるものではない。＊は、結合手を意味する。
【化３１】
0005401221.tif 000032
【０１４５】
【化３２】
0005401221.tif 000033
【０１４６】
【化３３】
0005401221.tif 000034
【０１４７】
〔アルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基（Ｓ）〕
Ｓのアルカリ現像液への溶解性を促進する溶解補助基として、アルカリ現像液に溶解性を有する基、または、アルカリ現像液との反応により、アルカリ現像液に溶解性を有する基を生成する基を挙げることができる。
【０１４８】
アルカリ現像液に溶解性を有する基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、スルホンアミド基、ジスルホンイミド基、アシルスルホニルイミド基、ジアシルイミド基、−C(OH)（Rf1）（Rf2）[Rf1、Rf2は、それぞれ独立に、パーフルオロアルキル基（好ましくは炭素数１〜８）を表す。] などが挙げられる。アルカリ現像液に溶解性を有する基としての水酸基の存在形態として、好ましくは芳香環に直接置換された水酸基であり、より好ましくはベンゼン環またはナフタレン環に直接置換された水酸基である。
【０１４９】
アルカリ現像液との反応により、アルカリ現像液に溶解性を有する基を生成する基としては、ラクトン構造を有する基が好ましい。
【０１５０】
ラクトン構造を有する基としては、ラクトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式（ＬＣ１−１）〜（ＬＣ１−１７）のいずれかで表されるラクトン構造を有する基がより好ましい。中でも特に好ましいラクトン構造としては（ＬＣ１−１）、（ＬＣ１−４）、（ＬＣ１−５）、（ＬＣ１−６）、（ＬＣ１−１３）、（ＬＣ１−１４）である。
【化３４】
0005401221.tif 000035
【０１５１】
ラクトン構造部分は、置換基（Ｒｂ2）を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ2）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基、酸分解性基である。ｎ２は、０〜４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ2）は、同一でも異なっていてもよく、また、複数存在する置換基（Ｒｂ2）同士が結合して環を形成してもよい。
【０１５２】
ラクトン基を有する基は、通常光学異性体が存在するが、いずれの光学異性体を用いてもよい。また、１種の光学異性体を単独で用いても、複数の光学異性体混合して用いてもよい。１種の光学異性体を主に用いる場合、その光学純度（ｅｅ）が９０以上のものが好ましく、より好ましくは９５以上である。  
以下に、ラクトン基の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【化３５】
0005401221.tif 000036
【０１５３】
【化３６】
0005401221.tif 000037
【０１５４】
以下に一般式（１−１）で表される化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【化３７】
0005401221.tif 000038
【０１５５】
【化３８】
0005401221.tif 000039
【０１５６】
【化３９】
0005401221.tif 000040
【０１５７】
【化４０】
0005401221.tif 000041
【０１５８】
【化４１】
0005401221.tif 000042
【０１５９】
【化４２】
0005401221.tif 000043
【０１６０】
【化４３】
0005401221.tif 000044
【０１６１】
〔溶剤〕
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物に含有される溶剤は、好ましくは有機溶剤であり、例えば以下のものを挙げることができる。
【０１６２】
アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；１−メトキシ−２−アセトキシプロパン）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートが好ましく挙げられる。
【０１６３】
アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ；１−メトキシ−２−プロパノール）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げられる。
【０１６４】
乳酸アルキルエステルとしては、例えば、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチルを好ましく挙げられる。  
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチルを好ましく挙げられる。
【０１６５】
環状ラクトンとしては、例えば、β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−オクタノイックラクトン、α−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンが好ましく挙げられる。
【０１６６】
環を含有しても良いモノケトン化合物としては、例えば、２−ブタノン、３−メチルブタノン、ピナコロン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、３−メチル−２−ペンタノン、４−メチル−２−ペンタノン、２−メチル−３−ペンタノン、４，４−ジメチル−２−ペンタノン、２，４−ジメチル−３−ペンタノン、２，２，４，４−テトラメチル−３−ペンタノン、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、５−メチル−２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−メチル−３−ヘプタノン、５−メチル−３−ヘプタノン、２，６−ジメチル−４−ヘプタノン、２−オクタノン、３−オクタノン、２−ノナノン、３−ノナノン、５−ノナノン、２−デカノン、３−デカノン、４−デカノン、５−ヘキセン−２−オン、３−ペンテン−２−オン、シクロペンタノン、２−メチルシクロペンタノン、３−メチルシクロペンタノン、２，２−ジメチルシクロペンタノン、２，４，４−トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、３−メチルシクロヘキサノン、４−メチルシクロヘキサノン、４−エチルシクロヘキサノン、２，２−ジメチルシクロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、２，２，６−トリメチルシクロヘキサノン、シクロヘプタノン、２−メチルシクロヘプタノン、３−メチルシクロヘプタノンが好ましく挙げられる。
【０１６７】
アルキレンカーボネートとしては、例えば、プロピレンカーボネート、ビニレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネートが好ましく挙げられる。  
アルコキシ酢酸アルキルとしては、例えば、酢酸−２−メトキシエチル、酢酸−２−エトキシエチル、酢酸−２−（２−エトキシエトキシ）エチル、酢酸−１−メトキシ−２−プロピルが好ましく挙げられる。  
ピルビン酸アルキルとしては、例えば、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピルが好ましく挙げられる。
【０１６８】
好ましく使用できる溶剤としては、２−ヘプタノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸−２−エトキシエチル、酢酸−２−（２−エトキシエトキシ）エチル、プロピレンカーボネートが挙げられるが、アウトガス低減の観点から２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等、常圧での沸点が１５０℃以下の溶媒が特に好ましい。これらの溶剤は単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。  
本発明の組成物全量中における溶媒の含有率は、所望の膜厚等に応じて適宜調整可能であるが、一般的には組成物の全固形分濃度が０．５〜３０質量％、好ましくは１．０〜２０質量％、より好ましくは１．５〜１０質量％となるように調製される。
【０１６９】
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物は、上記で述べた低分子化合物（１）および酸発生剤（２）以外にも必要に応じて更に、塩基性化合物、酸の作用により分解してアルカリ水溶性に対する溶解速度が増大する樹脂、従来型の光酸発生剤、界面活性剤、酸分解性溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解促進性化合物、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物等を含有させることができる。この際、低分子化合物（１）と酸発生剤（２）の合計の含有量は、感活性光線性または感放射線性組成物に含有される溶剤以外の成分を１００質量％とした場合に、８０質量％〜１００質量％であることが好ましく、９０質量％〜１００質量％であることが更に好ましい。低分子化合物（１）含有量が６０質量％未満であると、本発明の効果が十分に得られず、ラインエッジラフネスが劣化する場合がある。
【０１７０】
〔その他の成分〕
＜塩基性化合物＞
本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。  
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
【０１７１】
使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の（１）〜（４）に分類される化合物が好ましく用いられる。
【０１７２】
（１）下記一般式（ＢＳ−１）で表される化合物
【化４４】
0005401221.tif 000045
【０１７３】
一般式（ＢＳ−１）中、
Ｒは、各々独立に、水素原子、アルキル基（直鎖又は分岐）、シクロアルキル基（単環又は多環）、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのＲの全てが水素原子とはならない。  
Ｒとしてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常１〜２０、好ましくは１〜１２である。  
Ｒとしてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常３〜２０、好ましくは５〜１５である。  
Ｒとしてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常６〜２０、好ましくは６〜１０である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。  
Ｒとしてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常７〜２０、好ましくは７〜１１である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。  
Ｒとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。  
一般式（ＢＳ−１）で表される化合物は、３つのＲの１つのみが水素原子、あるいは全てのＲが水素原子でないことが好ましい。
【０１７４】
一般式（ＢＳ−１）の化合物の具体例としては、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリイソデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルウンデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアニリン、２，６−ジイソプロピルアニリン、２，４，６−トリ（ｔ−ブチル）アニリンなどが挙げられる。
【０１７５】
また、一般式（ＢＳ−１）において、少なくとも１つのＲが、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の１つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。
【０１７６】
また、Ｒとしてのアルキル基は、アルキル鎖中に、酸素原子を有し、オキシアルキレン鎖が形成されていてもよい。オキシアルキレン鎖としては−CH2CH2O−が好ましい。具体的例としては、トリス（メトキシエトキシエチル）アミンや、ＵＳ６０４０１１２号明細書のカラム３、６０行目以降に例示の化合物などが挙げられる。
【０１７７】
（２）含窒素複素環構造を有する化合物
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物（２−フェニルベンゾイミダゾールなど）、ピペリジン構造を有する化合物（Ｎ−ヒドロキシエチルピペリジンなど）、ピリジン構造を有する化合物（４−ジメチルアミノピリジンなど）、アンチピリン構造を有する化合物（アンチピリンなど）が挙げられる。
【０１７８】
また、環構造を２つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−ウンデカ−７−エンなどが挙げられる。
【０１７９】
（３）フェノキシ基を有するアミン化合物
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも１つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。１分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは３〜９個、さらに好ましくは４〜６個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が好ましい。
【０１８０】
具体例としては、２−［２−｛２―（２，２―ジメトキシ−フェノキシエトキシ）エチル｝−ビス−（２−メトキシエチル）］−アミンや、米国特許出願公開第２００７／０２２４５３９号明細書の段落［００６６］に例示されている化合物（Ｃ１−１）〜（Ｃ３−３）などが挙げられる。
【０１８１】
（４）アンモニウム塩
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシドまたはカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
【０１８２】
その他、特開２００２−３６３１４６号公報の実施例で合成されている化合物、特開２００７−２９８５６９号公報の段落０１０８に記載の化合物なども使用可能である。
【０１８３】
塩基性化合物は、単独であるいは２種以上併用して用いられる。  
塩基性化合物の使用量は、感活性光線性又は感放射線性組成物の全固形分を基準として、通常、０．００１〜１０質量％、好ましくは０．０１〜５質量％である。
【０１８４】
＜酸の作用により分解してアルカリ水溶性に対する溶解速度が増大する樹脂＞
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物は、低分子化合物（１）以外に、酸の作用により分解してアルカリ水溶性に対する溶解速度が増大する樹脂を含有していてもよい。
【０１８５】
酸の作用により分解してアルカリ水溶液に対する溶解速度が増大する樹脂（以下、「酸分解性樹脂」ともいう）は、樹脂の主鎖又は側鎖、或いは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基（酸分解性基）を有する樹脂である。この内、酸分解性基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
【０１８６】
酸分解性樹脂は、欧州特許２５４８５３号明細書、特開平２−２５８５０号公報、同３−２２３８６０号公報、同４−２５１２５９号公報等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合して得ることができる。
【０１８７】
酸分解性基としては、例えば、−ＣＯＯＨ基、−ＯＨ基などのアルカリ可溶性基を有する樹脂において、左記のアルカリ可溶性基の水素原子を酸の作用により脱離する基で置換した基が好ましい。  
酸分解性基として具体的には、前述した本発明の低分子化合物（１）中のＧ成分で説明した酸分解性基と同様の基を好ましい例として挙げることができる。
【０１８８】
前記アルカリ可溶性基を有する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリ（ｏ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｍ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、下記構造で表される置換基を有するポリ（ヒドロキシスチレン）類、およびフェノール性水酸基を有する樹脂、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、水素化ノボラック樹脂等のヒドロキシスチレン構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂、（メタ）アクリル酸、ノルボルネンカルボン酸などのカルボキシル基を有する繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂が挙げられる。
【化４５】
0005401221.tif 000046
【０１８９】
これらアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して１７０Å／秒以上が好ましい。特に好ましくは３３０Å／秒以上である。  
酸で分解し得る基の含有率は、樹脂中の酸で分解し得る基を有する繰り返し単位数（Ｘ）と酸で脱離する基で保護されていないアルカリ可溶性基を有する繰り返し単位の数（Ｙ）をもって、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）で表される。含有率は、好ましくは０．０１〜０．７、より好ましくは０．０５〜０．５０、更に好ましくは０．０５〜０．４０である。
【０１９０】
酸分解性樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ法によりポリスチレン換算値として、５０，０００以下が好ましく、より好ましくは１，０００〜２００００、特に好ましくは、１，０００〜１０，０００である。  
酸分解性樹脂の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０が好ましく、より好ましくは１．０５〜２．０であり、更に好ましくは１．１〜１．７である。  
酸分解性樹脂は、２種類以上組み合わせて使用してもよい。  
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物において、樹脂の組成物中の配合量は、組成物の全固形分中０〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０〜１０質量％である。
【０１９１】
＜酸発生剤＞
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物では、上記で述べた酸発生剤（２）以外の酸発生剤、すなわち、活性光線又は放射線の照射により体積３０５Å３未満の酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」ともいう）を含有してもよい。
【０１９２】
そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【０１９３】
たとえば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、ｏ−ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。これらの具体例としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４１７３７Ａ１号明細書の〔０１６４〕〜〔０２４８〕に説明されているものを挙げることができる。これらの酸発生剤は2種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１９４】
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物において、光酸発生構造を有する化合物（２）以外に、酸発生剤を用いる場合には、酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。化合物（２）以外の酸発生剤の組成物中の含量は、組成物の全固形分を基準として、０〜１０質量％が好ましく、より好ましくは０〜５質量％である。化合物（２）以外の酸発生剤は、本発明において必須成分ではないが、添加の効果を得る上では、通常０．０１質量％以上で使用される。
【０１９５】
＜界面活性剤＞  
本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤が好ましい。  
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業（株）製のメガファックＦ１７６、メガファックＲ０８、ＯＭＮＯＶＡ社製のＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、トロイケミカル（株）製のトロイゾルＳ−３６６、住友スリーエム(株)製のフロラードＦＣ４３０、信越化学工業（株）製のポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１などが挙げられる。
【０１９６】
また、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
【０１９７】
その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の［０２７３］以降に記載の界面活性剤が挙げられる。  
界面活性剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。  
界面活性剤の使用量は、感活性光線性又は感放射線性組成物の全固形分に対し、好ましくは０〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％である。
【０１９８】
＜酸分解性溶解阻止化合物＞
本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物は、酸の作用により分解してアルカリ現像液中への溶解速度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物（以下、「溶解阻止化合物」ともいう）を含有することができる。
【０１９９】
溶解阻止化合物としては、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ，２７２４，  ３５５  （１９９６）に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、前記酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
【０２００】
本発明の感活性光線性又は感放射線性組成物を、電子線またはＥＵＶ光で照射する場合には、フェノール化合物のフェノール性水酸基を酸分解基で置換した構造を含有するものが好ましい。フェノール化合物としてはフェノール骨格を１〜９個含有するものが好ましく、さらに好ましくは２〜６個含有するものである。  
本発明における溶解阻止化合物の分子量は、３０００以下であり、好ましくは３００〜３０００、更に好ましくは５００〜２５００である。
【０２０１】
＜染料＞
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。  
＜光増感剤＞
露光による酸発生効率を向上させるため、光増感剤を添加することができる。  
本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性ＯＨ基を２個以上、又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。このような分子量１０００以下のフェノール化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８号、特開平２−２８５３１号、米国特許第４９１６２１０号、欧州特許第２１９２９４号に記載のものを挙げることができる。  
また、特開２００６−２０８７８１号公報や、特開２００７−２８６５７４号公報等に記載の、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物も、本願組成物に対して好適に用いることができる。
【０２０２】
＜パターン形成方法＞
本発明の感活性光線性または感放射線性組成物は、基板など支持体上に塗布され、膜を形成する。この膜の膜厚は、０.０２〜０．１μｍが好ましい。  
基板上に塗布する方法としては、スピン塗布が好ましく、その回転数は１０００〜３０００ｒｐｍが好ましい。
【０２０３】
例えば、感活性光線性または感放射線性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布、乾燥し、膜を形成する。なお、予め公知の反射防止膜を塗設することもできる。基板としては、Ｓｉ、Ｓｉ／ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＴｉＮ、Ｃｒ層を有する石英基板など、特に限定されない。  
当該膜に、必要に応じてマスクを通して、電子線（ＥＢ）、Ｘ線又はＥＵＶ光を照射し、好ましくはベーク（加熱）を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
【０２０４】
なお、背景技術で述べた、情報記録媒体の製造（より詳しくは、情報記録媒体の製造に用いられるモールド構造体、スタンパーの製造）に本発明の組成物を適用する場合は、基板を回転させながら、即ち、基板をr-θ方向に制御して露光／描画を行うことができる。この方法の詳細、およびこの方法によるモールド構造体の製造については、例えば特許第４１０９０８５号公報や、特開２００８−１６２１０１号公報などを参照されたい。
【０２０５】
現像工程では、アルカリ現像液を次のように用いる。アルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
【０２０６】
さらに、上記アルカリ現像液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。  
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％である。  
アルカリ現像液のｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。  
上記のようにして形成されたパターンをマスクとして用いてエッチング処理、イオン注入などを行い、半導体微細回路やインプリント用モールド構造体などを作成する。
【実施例】
【０２０７】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。  
合成例１  低分子化合物（Ｂ−６）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−６）を合成した。
【化４６】
0005401221.tif 000047
【０２０８】
化合物１（５．４ｇ）、化合物２（５．２ｇ）、炭酸カリウム（３．４５ｇ）及びジメチルアセトアミド（１００ｍｌ）の混合液を９０℃で３時間攪拌した。反応液を室温まで冷却後、酢酸エチル（３００ｍｌ）／１Ｎ塩酸水（３００ｍｌ）に注加し、分液した。有機層を水（300ml×2回）および飽和食塩水（300ml）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−６）（２．２ｇ）を得た。
【０２０９】
合成例２  低分子化合物（Ｂ−７）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−７）を合成した。
【化４７】
0005401221.tif 000048
【０２１０】
化合物１（５．４ｇ）のアセトニトリル（５０ｍｌ）溶液に０℃にてジイソプロピルアミン（２．０ｇ）を滴下し、さらにアセチルクロリド（１．５７ｇ）を滴下した。反応液を室温にて１時間攪拌し、酢酸エチル（３００ｍｌ）／１Ｎ塩酸水（３００ｍｌ）に注加し、分液した。有機層を水（３００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（３００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、酢酸エチル／へキサンから再結晶することにより化合物３（３．２ｇ）を得た。
【０２１１】
化合物３（３．２ｇ）、化合物４（２．６ｇ）およびカンファースルホン酸（０．２ｇ）の酢酸エチル（５０ｍｌ）溶液を室温にて５時間攪拌することにより化合物５を含む反応液を得た。この反応液に２８％ナトリウムメトキシドメタノール溶液（２．５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、４０℃で３時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水(２００ｍｌ)/酢酸エチル(２００ｍｌ)にゆっくり注ぎ、抽出した。有機層を水（２００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（２００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−７）（２．１ｇ）を得た。
【０２１２】
合成例３  低分子化合物（Ｂ−１３）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−１３）を合成した。
【化４８】
0005401221.tif 000049
【０２１３】
化合物６（７．１５ｇ）、化合物７（４７．６ｇ）および炭酸カリウム（１６．６ｇ）のジメチルアセトアミド混合液を３０℃で４８時間攪拌した。反応液を酢酸エチル（１Ｌ）／水（１Ｌ）に注加し、分液した。有機層を水（５００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（５００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物８（９．６ｇ）を得た。
【０２１４】
化合物８（９．６ｇ）の酢酸エチル（５００ｍｌ）溶液に２８％ナトリウムメトキシドメタノール溶液（１０ｇ）を加え、窒素雰囲気下、４０℃で３時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水(５００ｍｌ)/酢酸エチル(５００ｍｌ)にゆっくり注ぎ、抽出した。有機層を水（５００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（２００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−１３）（２．６５ｇ）を得た。
【０２１５】
合成例４  低分子化合物（Ｂ−１４）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−１４）を合成した。
【化４９】
0005401221.tif 000050
【０２１６】
化合物６（７．１５ｇ）、化合物９（５５．７ｇ）および炭酸カリウム（１６．６ｇ）のジメチルアセトアミド混合液を３０℃で４８時間攪拌した。反応液を酢酸エチル（１Ｌ）／水（１Ｌ）に注加し、分液した。有機層を水（５００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（５００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物１０（１１．２ｇ）を得た。
【０２１７】
化合物１０（１１．２ｇ）の酢酸エチル（５００ｍｌ）溶液に２８％ナトリウムメトキシドメタノール溶液（１０ｇ）を加え、窒素雰囲気下、４０℃で３時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、水(５００ｍｌ)/酢酸エチル(５００ｍｌ)にゆっくり注ぎ、抽出した。有機層を水（５００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（２００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−１４）（４．１ｇ）を得た。
【０２１８】
合成例５  低分子化合物（Ｂ−１６）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−１６）を合成した。
【化５０】
0005401221.tif 000051
【０２１９】
化合物１１（５．０ｇ）および化合物１２（３．３ｇ）のテトラヒドロフラン（３０ｍｌ）溶液に、０℃にてトリエチルアミン（１．２ｇ）を滴下し、室温にて２４時間攪拌した。反応液を１Ｎ塩酸水(３００ｍｌ)/酢酸エチル(３００ｍｌ)にゆっくり注ぎ、抽出した。有機層を水（３００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（３００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−１６）（３．８ｇ）を得た。
【０２２０】
合成例６  低分子化合物（Ｂ−１８）の合成
以下のルートにより低分子化合物Ｃを合成した。
【化５１】
0005401221.tif 000052
【０２２１】
化合物１３（９．０ｇ）およびレゾルシノール（３．０ｇ）のエタノール(２００ｍｌ)溶液に塩酸水（１０ｍｌ）を添加し、室温にて７５時間攪拌した。生成した結晶を濾過、水洗、乾燥後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−1８）を得た。
【０２２２】
合成例７  低分子化合物（Ｂ−１９）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−１９）を合成した。
【化５２】
0005401221.tif 000053
【０２２３】
化合物１４（３．５ｇ）、ジ−ｔ−ブチルジカーボネート（１７．４ｍｌ）、１８−クラウン−６(１５．１ｇ)および炭酸カリウム(１０ｇ)のテトラヒドロフラン（１８０ｍｌ）の混合液をアルゴン雰囲気下、４０℃で１時間３０分攪拌した。反応液を酢酸エチル(５００ｍｌ)／水（５００ｍｌ）に注ぎ、抽出した。有機層を希塩酸水(３００ｍｌ)、重曹水(３００ｍｌ)、水(３００ｍｌ)および飽和食塩水(３００ｍｌ)でそれぞれ洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−１９）を得た。
【０２２４】
合成例８  低分子化合物（Ｂ−３１）の合成
以下のルートにより低分子化合物（Ｂ−３１）を合成した。
【化５３】
0005401221.tif 000054
【０２２５】
化合物１６の合成
ヘキサブロモベンゼン（１．０ｇ）、化合物１５(８．９ｇ)、パラジウム（II）クロリドビスアセト二トリル錯体（０．５２ｇ）、トリフェニルホスフィン（２．６２ｇ）、塩化第一銅（０．７６ｇ）およびトリエチルアミン（１００ｍｌ）の混合液を窒素雰囲気下、還流温度で６時間攪拌した。  
反応液を室温まで冷却した後、１Ｎ塩酸水(３００ｍｌ)/酢酸エチル(３００ｍｌ）にゆっくり注ぎ、抽出した。有機層を水（３００ｍｌ×２回）および飽和食塩水（３００ｍｌ）で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物１６（１．７２ｇ）を得た。
【０２２６】
化合物（Ｂ−３１）の合成
化合物１６（１．７２ｇ）および０．５質量％パラジウム炭素（０．１５ｇ）の酢酸エチル（６０ｍｌ）/メタノール(６０ｍｌ)溶液を水素加圧下（５．０ＭＰａ）、５０℃で４時間攪拌した。反応液を室温まで冷却した後、触媒を濾別した。濾液を減圧にて濃縮した後、シリカゲルカラムで精製することにより、化合物（Ｂ−３１）（０．７３ｇ、０．３３ｍｍｏｌ）を得た。
【０２２７】
低分子化合物（Ｂ−２５）及び（Ｂ−２６）については、上記化合物（Ｂ−３１）と同様の方法で合成した。
【０２２８】
合成例９  酸発生剤（Ａ−１）の合成
ベンゼン（６０.０ｇ）に塩化アルミニウム（２０．５ｇ）を加え、３℃で冷却攪拌し、シクロヘキシルクロリド（１２１．２ｇ）をゆっくり滴下した。滴下後、室温で５時間攪拌し、氷水にあけた。酢酸エチルで有機層を抽出し、得られた有機層を４０℃で減圧留去した。更に１７０℃で減圧留去後、室温に冷却し、アセトン（１５０ｍｌ）を投入し、再結晶させた。析出した結晶を濾取し、２，４，６−トリシクロヘキシルブロモベンゼン（４２ｇ）を得た。
【０２２９】
２，４，６−トリシクロヘキシルブロモベンゼン（３０ｇ）を塩化メチレン（５０ｍｌ）に溶解し、３℃で冷却攪拌し、クロロスルホン酸（１５．２ｇ）をゆっくり滴下した。滴下後、室温で５時間攪拌し、氷（１０ｇ）を投入後、５０％水酸化ナトリウム水溶液（４０ｇ）を投入した。更にエタノール（２０ｇ）を加え、５０℃で１時間攪拌後、不溶分を濾過除去し、４０℃で減圧留去した。析出した結晶を濾取し、ヘキサン洗浄し、１，３，５−トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（３０ｇ）を得た。
【０２３０】
トリフェニルスルホニウムブロミド（４．０ｇ）をメタノール（２０ｍｌ）に溶解し、２０ｍｌのメタノールに溶解させた１，３，５−トリシクロヘキシルベンゼンスルホン酸ナトリウム（５．０ｇ）を加えた。室温で２時間攪拌後、イオン交換水（５０ｍｌ）を加えクロロホルムで抽出した。得られた有機層を水で洗浄後、４０℃で減圧留去し、得られた結晶をメタノール/酢酸エチル溶媒で再結晶することにより酸発生剤（Ａ−１）（５．０ｇ）を得た。
【０２３１】
合成例１０  酸発生剤（Ａ−２０）の合成
2,4,6-トリシクロヘキシルブロモベンゼン（２０.０ｇ）をジエチルエーテル（８００ｍｌ）に溶解し、窒素雰囲気下、テトラメチルエチレンジアミン（６.０ｇ）とｎ−ブチルリチウム（１.６３Ｍヘキサン溶液）（３１.９ｍｌ）を０℃で加えた。０℃で１時間攪拌後、その反応溶液を１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロパン−１，３−ジスルホニルジフロリド（１５.７ｇ）のジエチルエーテル（２００ｍｌ）溶液に０℃で３０分かけて滴下した。滴下後さらに３０分攪拌し、蒸留水（２００ｍｌ）を加え、有機層を飽和食塩水で２回洗浄した。溶媒を除去し、メタノール（１００ｍｌ）と１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を加え１時間攪拌し、メタノールを留去した後に、酢酸エチルを加え有機層を飽和食塩水で２回洗浄した。溶媒を留去し、得られた固体をヘキサンで洗浄し、得られた固体をメタノール（１００ｍｌ）溶解させ、トリフェニルスルホニウムブロミド（１０ｇ）を加えて２時間攪拌した。溶媒を留去した後に、酢酸エチルを加え、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次洗浄し、溶媒を除去することで、酸発生剤（Ａ−２０）（２３.５ｇ）を得た。  
酸発生剤（Ａ−３）、（Ａ−９）、（Ａ−１３）、（Ａ−１４）、（Ａ−１７）、及び（Ａ−２３）についても、上記合成方法と同様の方法を用いて合成した。
【０２３２】
比較化合物の合成：高分子化合物（Ｐ−１）の合成
１−メトキシ−２−プロパノール(５０ｍｌ)を窒素気流下、８０℃に加熱した。この液を攪拌しながら、ｐ−ヒドロキシスチレン(７．２ｇ、６０ｍｍｏｌ)、１−メチル−１−アダマンチルメタクリレート(９．４ｇ、４０ｍｍｏｌ)、２，２’−アゾビスイソラク酸ジメチル（V−６０１、和光純薬工業（株）製）０．８ｇ(３．５ｍｍｏｌ)および１−メトキシ−２−プロパノール(５０ｍｌ)の混合溶液を５時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃で更に３時間攪拌した。反応液を放冷後、多量のヘキサン／酢酸エチルで再沈殿・真空乾燥を行うことで、比較樹脂Ｐ−１(１２．３ｇ)を得た。得られた樹脂の1Ｈ  ＮＭＲを測定したところ、樹脂の組成比（上記構造式における繰り返し単位の左からの順として）６５／３５モル比）を算出した。また、ＧＰＣ（キャリア：Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ））から求めた重量平均分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）は、Ｍｗ＝４８００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５６であった。  
高分子化合物（Ｐ−２）についても、上記高分子化合物（Ｐ−１）の合成方法と同様の方法を用いて合成した。
【０２３３】
実施例１〜１２及び比較例１〜１３
＜評価（ＥＢ）＞
下記表１に示した成分を、表１に示した溶剤に溶解させ、全固形分濃度が５．０質量％の溶液を調製した。この溶液を０．１μｍのポアサイズを有するポリテトラフルオロエチレンフィルターでろ過して感活性光線性または感放射線性組成物（ポジ型レジスト溶液）を得た。調製したポジ型レジスト溶液を、スピンコーターを用いて、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上に均一に塗布し、１1０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱乾燥を行い、膜厚６０ｎｍのレジスト膜を形成させた。
【０２３４】
このレジスト膜を、電子線照射装置（（株）日立製作所製ＨＬ７５０、加速電圧５０ｋｅＶ）を用いて電子線照射を行った。照射後直ぐに１２０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に濃度２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液を用いて２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、ラインアンドスペースパターンを形成し、得られたパターンを下記方法で評価した。評価結果を同表に示した。
【０２３５】
〔感度〕
得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いて観察した。１００ｎｍライン（ライン：スペース＝１:１）を解像する時の最小照射エネルギーを感度とした。
【０２３６】
〔解像力〕
上記の感度を示す照射量における限界解像力（ラインとスペースが分離解像する最小の線幅）を解像力とした。
【０２３７】
〔ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）〕
上記の感度を示す照射量における１００ｎｍラインパターンの長さ方向５０μｍにおける任意の３０点について、走査型電子顕微鏡（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）を用いてエッジがあるべき基準線からの距離を測定し、標準偏差を求め、３σを算出した。
【０２３８】
〔パターン形状〕
上記の感度を示す照射量における１００ｎｍラインパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（(株)日立製作所製Ｓ−４３００）を用いて観察し、矩形、ややテーパー、テーパーの３段階評価を行った。
【０２３９】
〔ドライエッチング耐性〕
上記と同様にして膜厚６０ｎｍのレジスト膜を作成し、日立ハイテクノロジー社製ドライエッチャー（U-621）を用いてＡｒ／Ｃ４Ｆ９／Ｏ2＝１００：４：２のガスで２分間ドライエッチングを行い、残膜量の測定から、１秒間当たりのエッチング速度を算出した。
【表１−１】
0005401221.tif 000055
【０２４０】
【表１−２】
0005401221.tif 000056
【０２４１】
【表１−３】
0005401221.tif 000057
【０２４２】
実施例、比較例で用いた高分子化合物、塩基性化合物および光酸発生剤の構造を以下に示す。
【化５４】
0005401221.tif 000058
【０２４３】
実施例、比較例で用いた界面活性剤、溶剤を以下に示す。
【０２４４】
〔界面活性剤〕
Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製、フッ素系）
Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製、フッ素及びシリコン系）
Ｗ−３：ポリシロキサンポリマー（信越化学工業（株）製、シリコン系）
〔溶剤〕
Ｓ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｓ３：乳酸エチル
Ｓ４：シクロヘキサノン
表１に示す結果、特に、実施例１と比較例１、２、３、実施例２と比較例４、５、実施例３と比較例６、実施例４と比較例７、実施例５と比較例８、実施例６と比較例９、実施例７と比較例１０、実施例８と比較例１１、実施例９と比較例１２、実施例１０、１１、１２と比較例１３から、本発明の感活性光線性または感放射線性組成物は、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネスおよび良好なドライエッチング耐性を同時に満足することが明らかである。