(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒及び（Ｄ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物の製造方法であって、
前記（Ｂ）硬化剤が酸無水物系硬化剤であり、
前記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物の波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、
前記（Ａ）エポキシ樹脂と前記（Ｂ）硬化剤とを予め混合させて予備混合物を得る予備混合工程を行った後、前記予備混合物と残りの成分とを溶融混練により混合する、
熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項２】
前記（Ｄ）白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
前記（Ｄ）白色顔料の中心粒径が、０．１〜５０μｍである、請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
前記（Ｄ）白色顔料の配合量が、前記熱硬化性樹脂組成物全量を基準として１０〜８５体積％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
前記予備混合工程が、前記（Ａ）エポキシ樹脂と前記（Ｂ）硬化剤とを攪拌し、相溶する温度に加熱して予備混合する工程である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項６】
ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される前記予備混合物の粘度が、１００℃で１０〜１００００ｍＰａ・ｓである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項７】
前記予備混合物がアルコール性水酸基及びカルボン酸基を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項８】
前記予備混合物におけるアルコール性水酸基及びカルボン酸基の含有率が、０．００１〜２０ｍｏｌ％である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項９】
前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方は、０〜３５℃の温度範囲で液状である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ａ）エポキシ樹脂及び前記（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方は、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される粘度が、１００℃で１０ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ａ）エポキシ樹脂が１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１２】
底面及び壁面から構成される凹部を有し、
前記凹部の底面が光半導体素子搭載部であり、前記凹部の壁面の少なくとも一部が請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体素子搭載用基板。
【請求項１３】
底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
前記凹部の壁面の少なくとも一部を、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物を用いて形成する工程を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１４】
底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板と、
前記光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、
前記凹部を充填して前記光半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記凹部の壁面の少なくとも一部が、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性樹脂組成物の製造方法、該製造方法により得られる熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、この光半導体素子搭載用基板を備えた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：発光ダイオード）などの光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置は、高エネルギー効率、長寿命などの利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、車載用途などに使用され、その需要が拡大しつつある。これに伴い、ＬＥＤデバイスの高輝度化が進んでおり、素子の発熱量増大によるジャンクション温度の上昇又は直接的な光エネルギーの増大による材料の熱劣化や光劣化を防ぐことが課題となっている。
【０００３】
特許文献１には、エポキシ樹脂と硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物を用いた、耐熱試験後の光反射特性に優れる光半導体素子搭載用基板が開示されている。
【０００４】
また、熱硬化性樹脂組成物のエポキシ樹脂と硬化剤に着目すると、特許文献２には、固形のエポキシ樹脂と酸無水物とから得られる電気絶縁樹脂の貯蔵安定性に関して、エポキシ樹脂として、液状のフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルなどを用いることにより、粘度上昇を抑え、電気絶縁樹脂の貯蔵安定性を高められることが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４０２０７号公報
【特許文献２】特公昭６１−０４０２４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の熱硬化性樹脂組成物を用いて光半導体素子搭載用基板をトランスファー成形により製造する場合、熱硬化性樹脂組成物のコスト低減や量産性向上を目的に、成形機の自動化及び成形後に不要となるランナー、スプルー等を極力低減したマルチポット成形が行われている。熱硬化性樹脂組成物をミニタブレットにして用いるマルチポット方式では、耐湿性と貯蔵安定性の優れた熱硬化性樹脂組成物が要求される。
【０００７】
しかし、従来の光半導体装置の製造に用いられる熱硬化性樹脂組成物は、貯蔵時に吸湿すると硬化性が著しく低下する問題や、溶融粘度の上昇によって流動性が著しく低下するといった問題があり、熱硬化性樹脂組成物の品質や保管条件を厳密に管理しないと実用に供することができないという問題がある。
【０００８】
また、上記特許文献２のように液状または溶融時に低粘度であるエポキシ樹脂や硬化剤を熱硬化性樹脂組成物のエポキシ樹脂及び硬化剤に適用すると、トランスファー成形時に当該組成物が成形型の上型と下型の隙間に染み出し、樹脂汚れが生じやすいという課題がある。樹脂汚れが発生すると、光半導体素子搭載領域の開口部（凹部）に樹脂汚れが張り出して光半導体素子を搭載する際の障害になる。また、開口部に光半導体素子を搭載できたとしても、樹脂汚れは、光半導体素子と金属配線とをボンディングワイヤなどによって電気的に接続する際の接続不良等の障害を引き起こすことがある。そのため、樹脂汚れを低減することが望まれている。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、貯蔵安定性を改良し、且つ、成形時における樹脂汚れの発生を低減し成形性に十分に優れた熱硬化性樹脂組成物の製造方法、該製造方法により得られる熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、この光半導体素子搭載用基板を備えた光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒及び（Ｄ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物の製造方法であって、上記（Ｂ）硬化剤が酸無水物系硬化剤であり、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物の波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、上記（Ａ）エポキシ樹脂と上記（Ｂ）硬化剤とを予め混合させて予備混合物を得る予備混合工程を行った後、上記予備混合物と残りの成分とを溶融混練により混合する、熱硬化性樹脂組成物の製造方法を提供する。
【００１１】
上記熱硬化性樹脂組成物の製造方法によれば、予備混合工程において熱硬化性樹脂組成物の構成材料のうち（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤とを予め混合した後に、残りの成分と混合することにより、貯蔵安定性が良好であり、成形時における樹脂汚れの発生を低減し成形性に十分に優れ、且つ、耐熱劣化性に十分に優れた熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。
【００１２】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記熱硬化性樹脂組成物が（Ｄ）白色顔料を更に含有するものであり、上記予備混合物と残りの成分とを溶融混練により混合することが好ましい。熱硬化性樹脂組成物が（Ｄ）白色顔料を更に含有することにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物は、可視光から近紫外光の波長領域において高い光反射率を得ることができる。
【００１３】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物の波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることが好ましい。
【００１４】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ｄ）白色顔料は、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの白色顔料を用いることにより、熱硬化性樹脂組成物からなる硬化物の可視光から近紫外光の光反射率をより向上させることができる。
【００１５】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ｄ）白色顔料の中心粒径は、０．１〜５０μｍであることが好ましい。上記範囲の中心粒径を有する白色顔料を用いることにより、熱硬化性樹脂組成物は、優れた成形性が得られるとともに、その硬化物は、可視光から近紫外光の波長領域においてより優れた光反射率を得ることができる。
【００１６】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ｄ）白色顔料の配合量は、上記熱硬化性樹脂組成物全量を基準として１０〜８５体積％であることが好ましい。（Ｄ）白色顔料の配合量を上記範囲とすることにより、熱硬化性樹脂組成物は、優れた成形性が得られるとともに、その硬化物は、可視光から近紫外光の波長領域においてより優れた光反射率を得ることができる。
【００１７】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記予備混合工程が、上記（Ａ）エポキシ樹脂と上記（Ｂ）硬化剤とを攪拌し、相溶する温度に加熱して予備混合する工程であることが好ましい。これにより、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果及び成形性の向上効果をより十分に得ることができる。
【００１８】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される上記予備混合物の粘度が、１００℃で１０〜１００００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。これにより、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果、及び、成形時の樹脂汚れの発生を低減して成形性を向上する効果をより十分に得ることができる。
【００１９】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記予備混合物がアルコール性水酸基及びカルボン酸基を有することが好ましい。これにより、貯蔵安定性をより向上させることができる。
【００２０】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記予備混合物におけるアルコール性水酸基及びカルボン酸基の含有率が、０．００１〜２０ｍｏｌ％であることが好ましい。これにより、貯蔵安定性をより向上させることができる。
【００２１】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ａ）エポキシ樹脂及び上記（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方は、０〜３５℃の温度範囲で液状であることが好ましい。これにより、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果及び成形性の向上効果をより十分に得ることができる。
【００２２】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ａ）エポキシ樹脂及び上記（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方は、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される粘度が、１００℃で１０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。これにより、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果及び成形性の向上効果をより十分に得ることができる。
【００２３】
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法において、上記（Ａ）エポキシ樹脂が１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、且つ、上記（Ｂ）硬化剤が１分子中に１個以上の酸無水物基を有する化合物であることが好ましい。これにより、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との反応性をより向上させることができる。
【００２４】
本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有し、上記凹部の底面が光半導体素子搭載部であり、上記凹部の壁面の少なくとも一部が上記本発明の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体素子搭載用基板を提供する。
【００２５】
本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、上記凹部の壁面の少なくとも一部を、上記本発明の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物を用いて形成する工程を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法を提供する。
【００２６】
本発明はさらに、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板と、上記光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、上記凹部を充填して上記光半導体素子を封止する封止樹脂部と、を備え、上記凹部の壁面の少なくとも一部が、上記本発明の製造方法で製造された熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、貯蔵安定性を改良し、且つ、成形時における樹脂汚れの発生を低減し成形性に十分に優れた熱硬化性樹脂組成物の製造方法、該製造方法により得られる熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、この光半導体素子搭載用基板を備えた光半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、場合により図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。また、本明細書における「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」又はそれに対応する「メタクリレート」を意味する。
【００２９】
［熱硬化性樹脂組成物の製造方法］
本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）硬化触媒を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物の製造方法であって、上記（Ａ）エポキシ樹脂と上記（Ｂ）硬化剤とを予め混合させて予備混合物を得る予備混合工程を行った後、上記予備混合物と残りの成分とを混合することを特徴とする方法である。本発明の熱硬化性樹脂組成物の製造方法により製造される熱硬化性樹脂組成物は、上述の通り、少なくとも（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）硬化触媒を含有するものであり、必要に応じて（Ｄ）白色顔料を更に含有するものである。
【００３０】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物は、良好な貯蔵安定性を得ることができる。また、本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物は、（Ｄ）白色顔料を更に含有する場合、硬化後に、可視光から近紫外光の波長領域において高い反射率が得られる。
【００３１】
ここで、貯蔵安定性は、例えば、熱硬化性樹脂組成物を製造した後、−５℃以上、１０℃以下の温度条件の下に１６８時間保管した際、トランスファー成形時の流動性評価方法のうちスパイラルフローが、初期値に対してどれだけの保持率であるかで評価することができる。
【００３２】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物は、上記スパイラルフローの保持率を初期値に対して７０％以上とすることができる。このスパイラルフローの保持率は、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。このスパイラルフローの保持率が７０％未満であると、溶融粘度の上昇によって、光半導体素子搭載用基板の凹部を形成する金型中に熱硬化性樹脂組成物が流入できなくなり、光半導体素子搭載用基板の製造が困難となる傾向がある。スパイラルフローの保持率が９０％以上である場合は、製造後も長期にわたって保管することが可能であるため、特に粘度上昇に伴う配合物の廃棄ロスが低減でき、実用上優れている。
【００３３】
また、トランスファー成形時の流動性評価方法であるスパイラルフローは、特に制限はないが、成形温度１００〜２００℃、成形圧力０．５〜２０ＭＰａ、６０〜１２０秒の条件で６０ｃｍ以上であることが好ましく、８０ｃｍ以上であることがより好ましく、１００ｃｍ以上であることがさらに好ましい。スパイラルフローが６０ｃｍ未満の場合は、溶融粘度の上昇によって、光半導体素子搭載用基板の凹部を形成する金型中に熱硬化性樹脂組成物が流入できなくなり、光半導体素子搭載用基板の製造が困難となる傾向がある。スパイラルフローが１００ｃｍ以上である場合は、成形用金型の設計における自由度が高く、一度の成形で複数個の光半導体素子搭載用基板の製造が可能となり、生産性に優れる。
【００３４】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物は、実際に成型の際に用いられる成型条件で成型したとき、例えば、成形温度１００〜２００℃、成形圧力２０ＭＰａ以下、６０〜１２０秒の条件でトランスファー成形したときに、バリ長さを５ｍｍ以下とすることができる。
【００３５】
ここで、成形時のバリ長さとは、図７に示すバリ測定用金型を用いトランスファー成形を行った際の、金型中心のキャビティ４０３から、金型の上型４００と下型４０１との合わせ目の隙間にはみ出した硬化物（樹脂バリ４１０）の放射方向の最大長さであり、これが５ｍｍを超えると、光半導体素子搭載領域の開口部（凹部）に樹脂汚れが発生し、光半導体素子を搭載する際の障害となる可能性がある。また、この樹脂汚れは、光半導体素子と金属配線とをボンディングワイヤなど公知の方法によって電気的に接続する際の障害になる可能性がある。半導体装置製造時の作業性の観点から、本発明による熱硬化性樹脂組成物の上記方法で測定されるバリ長さは、３ｍｍ以下であることがより好ましく、１ｍｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３６】
本発明の製造方法において、熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を予め予備混合して予備混合物を得た後、この予備混合物とそれ以外の残りの成分とを、例えば公知のロールミル、押出機等により混練することによって製造される。
【００３７】
また、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の成分が、０〜３５℃の温度範囲で液状の性質を示すことが好ましい。（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方又は両方が液状である場合、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果及び成形性の向上効果をより十分に得ることができる。
【００３８】
さらに、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方の成分は、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される粘度が、１００℃で１０ｍＰａ・ｓ以下の低粘度であることが好ましく、１〜１０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方又は両方の粘度が上記範囲である場合、予備混合工程を行うことによる熱硬化性樹脂組成物の貯蔵安定性の向上効果及び成形性の向上効果をより十分に得ることができる。
【００３９】
なお、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を用いつつ、これらの予備混合を実施しない場合は、貯蔵安定性に乏しく、さらには熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が著しく低くなる傾向にあり、トランスファー成形時の成型が困難となる場合がある。
【００４０】
本発明の製造方法において、長い貯蔵安定性と優れたパッケージ外観が得られる熱硬化性樹脂組成物を製造するためには、予備混合工程において（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を予め混合して得られる予備混合物の、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定される粘度が、１００℃で１０〜１００００ｍＰａ・ｓの範囲にあることが好ましい。この予備混合物の粘度が１０ｍＰａ・ｓ未満の低粘度の場合は、トランスファー成形時にバリが発生しやすくなる傾向があり、１００００ｍＰａ・ｓを超える場合は、成形時に流動性が乏しくなり、光半導体装置を模った金型に樹脂を流し込むことが困難となり、成形性に乏しくなる傾向がある。
【００４１】
ここで、「粘度」とは、上記の通りＩＣＩコーンプレート型粘度計を用いて測定した際の粘度を示す。本発明において、粘度の測定は、Ｒｅｓｅａｃｈ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ（Ｌｏｎｄｏｎ）ＬＴＤ．製のＩＣＩコーンプレート型粘度計を用いて行った。
【００４２】
また、本発明の製造方法においては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が相溶性を有することが好ましい。「相溶性」を有するとは、（Ａ）成分が、その他の（Ａ）成分及び（Ｂ）成分と親和性を示し、均一な溶液または混合物として存在することを意味する。
【００４３】
より具体的には、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が相溶性を有するとは、例えば、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを１／１の質量比で混合し、それら成分を１２０℃にて完全に溶解し、引き続き攪拌を行って得られる混合液に関し、３０分にわたり静置した後に混合液の一部を取り出して目視した場合、成分間の分離がない透明な液体として確認できる状態を意味する。このような状態を本発明では「可溶」と称し、成分が分離し不透明な液体となる場合を「不溶」と称す。なお、互いに可溶ではあるが、溶解するまでに長い時間が必要であるような（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の組み合わせは、長時間に渡る加熱により多くの熱エネルギーを必要とし、生産性やコストの面で不利となる。
【００４４】
さらに、上記予備混合工程において、析出物が発生することにより粘度が増加することを防ぐ観点から、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の硬化反応物であるゲル等が析出して析出物による白濁が予備混合物に生じないように、混合条件等を調整することが好ましい。
【００４５】
ここで、「析出物による白濁」が生じている状態とは、電磁波の可視光領域における散乱がある状態を意味する。より具体的には、光のレイリー散乱、ミー散乱、回折散乱現象を生じるような、散乱中心を有する微粒子が存在することを意味する。したがって、予備混合工程においては、このような散乱がない予備混合物を得ることが好ましい。
【００４６】
予備混合工程において、具体的には、（Ａ）エポキシ１００質量部及び（Ｂ）硬化剤１２０質量部を耐熱ガラス製の容器に秤量し、この混合容器をシリコーンオイルや水などの流体を媒体としたヒーターを用いて、３５〜１８０℃で加熱するなどの方法を用いることができる。加熱方法としては上記の方法に限定されるものではなく、熱電対、電磁波照射等を用いることができ、さらに溶解を促進するために超音波などを照射してもよい。
【００４７】
また、予備混合工程において、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤は、熱硬化性樹脂組成物に配合する（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の一部を予備混合することが可能である。具体的には、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対し、（Ｂ）硬化剤１２０質量部含む熱硬化性樹脂組成物を製造する場合、まず、（Ａ）エポキシ樹脂５０質量部及び（Ｂ）硬化剤１２０質量部を耐熱ガラス製の容器に秤量し、この混合容器をシリコーンオイルや水などの流体を媒体としたヒーターを用いて３５〜１８０℃で加熱することで予備混合物を得る。そして、得られた予備混合物と、残りの（Ａ）エポキシ樹脂５０質量部、並びに、必要配合量の（Ｃ）硬化促進剤及びその他の成分（（Ｄ）白色顔料等）とをロール混練などにより混合し熱硬化性樹脂組成物を製造してもよい。
【００４８】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物に用いる（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤は、それぞれ複数種類用いることができる。
【００４９】
（Ａ）エポキシ樹脂としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができ、かかるエポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ及びアルキル置換ビスフェノール等のジグリシジルエーテル、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、並びに脂環族エポキシ樹脂が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
また、これらのうち比較的着色の少ないものが好ましく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレート、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸又は１，４−シクロヘキサンジカルボン酸から誘導されるジカルボン酸ジグリシジルエステル等が挙げられる。同様の理由から、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルテトラヒドロフタル酸、ナジック酸、メチルナジック酸等のジカルボン酸のジグリシジルエステルも好適である。また、芳香環が水素化された脂環式構造を有する核水素化トリメリット酸、核水素化ピロメリット酸等のグリシジルエステルなども挙げられる。また、シラン化合物を有機溶媒、有機塩基及び水の存在下に加熱して、加水分解・縮合させることにより製造される、主鎖がシリコーン骨格であるようなエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンなども挙げられる。
【００５１】
また、（Ａ）成分として、グリシジル（メタ）アクリレート単量体と、これと重合可能な単量体との共重合体である、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いることもできる。
【００５２】
【化１】
0005401907.tif 000002
［式中、Ｒ１はグリシジル基を示し、Ｒ２は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ３は水素原子又は炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の１価の炭化水素基を示し、Ｒ４は１価の飽和炭化水素基を示し、ａ及びｂは正の整数を示す。］
【００５３】
（Ａ）エポキシ樹脂は、加熱により反応し分子量を向上させることができる観点から、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であることが好ましい。
【００５４】
上記（Ｂ）硬化剤としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料などで一般に使用されているものを用いることができ、エポキシ樹脂と反応するものであれば、特に制限なく用いることができるが、比較的着色の少ないものが好ましい。（Ｂ）硬化剤としては、例えば、酸無水物系硬化剤、イソシアヌル酸誘導体系硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられる。
【００５５】
酸無水物系硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられ、イソシアヌル酸誘導体としては、１，３，５−トリス（１−カルボキシメチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレート、１，３−ビス（２−カルボキシエチル）イソシアヌレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いても良く、２種類以上を併用しても良い。
【００５６】
これらの硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、１，３，５−トリス（３−カルボキシプロピル）イソシアヌレートを用いることが好ましい。
【００５７】
（Ｂ）硬化剤は、その分子量が１００〜４００程度のものが好ましい。また、（Ｂ）硬化剤は、無色ないし淡黄色のものが好ましい。さらに、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸など芳香環を有する酸無水物は、芳香環の不飽和結合のすべてを水素化させた水素化無水トリメリット酸、水素化無水ピロメリット酸が好ましい。（Ｂ）硬化剤として用いる酸無水物は、ポリイミド樹脂の原料として一般的に使用される酸無水物を用いても良い。
【００５８】
（Ｂ）硬化剤は、エポキシ樹脂と反応性の観点から、１分子中に１個以上の酸無水物基を有する化合物であることが好ましい。
【００５９】
また、（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤の配合比は、（Ａ）エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、当該エポキシ基との反応可能な（Ｂ）硬化剤中の活性基（酸無水物基又は水酸基）が０．５〜０．９当量となるように配合することが好ましく、０．７〜０．８当量であることがより好ましい。上記活性基が０．５当量未満の場合には、熱硬化性樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化体のガラス転移温度が低くなる傾向があり、充分な弾性率が得られ難い傾向がある。一方、上記活性基が０．９当量を超える場合には、熱硬化性樹脂組成物の硬化後の強度が低下する傾向がある。
【００６０】
予備混合工程で得られる（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との予備混合物は、貯蔵安定性を向上させることができる観点から、アルコール性水酸基及びカルボン酸基を有することが好ましい。また、予備混合物におけるアルコール性水酸基及びカルボン酸基の含有率は、０．００１〜２０ｍｏｌ％であることが好ましく、０．０１〜２０ｍｏｌ％であることがより好ましい。この含有率が０．００１ｍｏｌ％未満であると、貯蔵安定性が低下する傾向があり、２０ｍｏｌ％を超えると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物が水分を含みやすくなり、硬化物強度の低下、着色の原因となる傾向がある。
【００６１】
上記（Ｃ）硬化触媒としては、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分間の硬化反応を促進させるような触媒機能を有するものであれば、特に限定されることなく用いることができる。（Ｃ）硬化触媒としては、例えば、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリエチレンジアミン、トリ−２，４，６−ジメチルアミノメチルフェノール等の３級アミン類、２−エチル−４メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のリン化合物、４級アンモニウム塩、有機金属塩類及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらの硬化促進剤の中では、３級アミン類、イミダゾール類、リン化合物を用いることが好ましい。
【００６２】
上記（Ｃ）硬化触媒の配合量は、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、０．０１〜８．０質量部であることが好ましく、０．１〜３．０質量部であることがより好ましい。（Ｃ）硬化触媒の配合量が、０．０１質量部未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、８．０質量部を超えると、得られる成形体に変色が見られる場合がある。
【００６３】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物を、光半導体装置等に利用可能な白色の成形樹脂として用いる場合には、熱硬化性樹脂組成物に更に（Ｄ）白色顔料を配合することが好ましい。上記（Ｄ）白色顔料としては、公知のものを使用することができ、特に制限されない。（Ｄ）白色顔料としては、例えば、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子を用いることができる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種類以上併用してもよい。無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。
【００６４】
（Ｄ）白色顔料の粒径は、中心粒径が０．１〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。この中心粒径が０．１μｍ未満であると粒子が凝集しやすく分散性が低下する傾向があり、５０μｍを超えると硬化物の反射特性が十分に得られ難くなる傾向がある。ここで、中心粒径とは、光散乱を用いた微粒子の粒度分布を測定する方法で、得られた粒度分布の最大ピークに対応する粒径を意味する。
【００６５】
（Ｄ）白色顔料の配合量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、１０〜８５体積％であることが好ましく、２０〜７５体積％であることがより好ましい。この配合量が１０体積％未満であると硬化後の熱硬化性樹脂組成物の光反射特性が十分に得られ難い傾向があり、８５体積％を超えると熱硬化性樹脂組成物の成形性が低下し、基板の作製が困難となる傾向がある。
【００６６】
また、熱硬化性樹脂組成物が（Ｄ）白色顔料と共に後述する無機充填剤を含有する場合、（Ｄ）白色顔料と無機充填材との合計配合量が、熱硬化性樹脂組成物全体に対して、１０〜８５体積％であると、熱硬化性樹脂組成物の成形性をより一層向上することができる。
【００６７】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物は、成形性を調整するために、無機充填材を含むことが好ましい。無機充填材としては、特に制限はないが、例えば、シリカ、酸化アンチモン、酸化チタン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム等からなる群の中から選ばれる少なくとも１種以上を用いることができる。熱伝導性、光反射特性、成型性、難燃性の点から、無機充填剤は、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等のうち２種類以上の混合物であることが好ましい。
【００６８】
無機充填材の中心粒径は、特に制限されるものではないが、（Ｄ）白色顔料とのパッキング性を向上させる観点から、１〜１００μｍの範囲であることが好ましい。
【００６９】
本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂成分である（Ａ）〜（Ｃ）成分と、（Ｄ）白色顔料及び必要に応じて添加される無機充填材との接着性を向上させる観点から、カップリング剤を添加することが好ましい。カップリング剤としては、特に制限はないが、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等があり、シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系及びこれらの複合系などが挙げられ、任意の添加量で用いることができる。カップリング剤の種類や処理条件は特に制限はないが、カップリング剤の配合量は、熱硬化性樹脂組成物全体に対して５質量％以下とすることが好ましい。
【００７０】
また、本発明で製造される熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、離型剤、イオン捕捉剤等の添加剤を添加してもよい。
【００７１】
以上のような成分を含有する熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化前、室温（１５〜３０℃）において、加圧成形してタブレットを作製可能であり、熱硬化後の、波長３５０〜８００ｎｍ、特に波長４００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることが望まれる。上記加圧成形は、例えば、室温において、５〜５０ＭＰａ、１〜５秒程度の条件で行うことができる。上記光反射率が８０％未満であると、光半導体装置の輝度向上に充分寄与できない傾向がある。より好ましい光反射率は９０％以上である。
【００７２】
上記熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を予め混合する予備混合工程を経た後に、他の成分を加えて混合することにより製造される。予備混合工程及びその後の混合工程において、上述した各種成分を均一に分散混合する手段や条件などについては特に制限はないが、一般的な方法として、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー等によって溶融混練し、さらに、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。
【００７３】
溶融混練の条件は、成分の種類や配合量により適宜決定すればよく、特に制限はないが、１５〜１００℃の範囲で５〜４０分間溶融混練することが好ましく、２０〜１００℃の範囲で１０〜３０分間溶融混練することがより好ましい。
【００７４】
溶融混練温度が１５℃未満であると、各成分を溶融混練させることが困難であり、分散性も低下する傾向があり、１００℃を超えると、熱硬化性樹脂組成物の高分子量化が進行し、熱硬化性樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。また、溶融混練時間が５分未満であると、トランスファー成形時に樹脂バリが発生してしまう可能性がある。この場合、光半導体素子搭載領域の開口部に樹脂汚れが発生し、光半導体素子を搭載する際の障害になる可能性や、光半導体素子と金属配線とをボンディングワイヤなど公知の方法により電気的に接続する際の障害になる可能性がある。一方、溶融混練時間が４０分を超えると、熱硬化性樹脂組成物の高分子化が進行し、熱硬化性樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。
【００７５】
［光半導体素子搭載用基板］
本発明の半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、凹部の底面が光半導体素子搭載部であり、凹部の壁面の少なくとも一部が上述した熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものである。図１は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板１１０は、金属配線１０５と、リフレクター１０３とを備え、金属配線１０５とリフレクター１０３とから形成されたる凹部を有している。すなわち、凹部の底面は金属配線１０５から構成され、凹部の壁面はリフレクター１０３から構成されるものであり、リフレクター１０３は、上述した熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。
【００７６】
本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、上述した熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。図２は、本発明の光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。光半導体素子搭載用基板は、例えば、金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線１０５を形成する工程（図２（ａ））、次いで、該金属配線１０５を所定形状の金型１５１に配置し、金型１５１の樹脂注入口１５０から本発明の熱硬化性樹脂組成物を注入し、所定の条件でトランスファー成形する工程（図２（ｂ））、そして、金型１５１を外し、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター１０３に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に、電気めっきによりＮｉ／銀めっき１０４を施す工程（図２（ｃ））を経て製造することができる。なお、上記トランスファー成形の条件としては、金型温度１７０〜２００℃、成形圧力０．５〜２０ＭＰａで６０〜１２０秒間、アフターキュア温度１２０℃〜１８０℃で１〜３時間が好ましい。
【００７７】
［光半導体装置］
本発明の光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する封止樹脂部とを備えるものである。
【００７８】
図３は、本発明の光半導体素子搭載用基板１１０に光半導体素子１００を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。図３に示すように、光半導体素子１００は、光半導体素子搭載用基板１１０の光半導体素子搭載領域（凹部）２００の所定位置に搭載され、金属配線１０５とボンディングワイヤ１０２により電気的に接続される。図４及び５は、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図４及び５に示すように、光半導体装置は、光半導体素子搭載用基板１１０と、光半導体素子搭載用基板１１０の凹部２００内の所定位置に設けられた光半導体素子１００と、凹部２００を充填して光半導体素子を封止する蛍光体１０６を含む透明封止樹脂１０１からなる封止樹脂部とを備えており、光半導体素子１００と金属配線１０５とがボンディングワイヤ１０２又ははんだバンプ１０７により電気的に接続されている。
【００７９】
図６もまた、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図６に示す光半導体装置では、リフレクター３０３が形成されたリード３０４上の所定位置にダイボンド材３０６を介してＬＥＤ素子３００が配置され、ＬＥＤ素子３００とリード３０４とがボンディングワイヤ３０１により電気的に接続され、蛍光体３０５を含む透明封止樹脂３０２によりＬＥＤ体素子３００が封止されている。
【００８０】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【実施例】
【００８１】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８２】
＜熱硬化性樹脂組成物の作製＞
（実施例１〜８）
表１に示す配合表に従って、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の全量を、ヒーターを備えた湿式混合ミキサーを使用し、１２０℃に加熱しながら相溶するまで混合することで予備混合を行った後、残りの各成分を配合した。（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の予備混合条件、及び、ＩＣＩコーンプレート型粘度計によって測定した予備混合物の１００℃での粘度を表１に示す。なお、表中の各成分の配合量の単位は質量部であり、空欄は配合なしを意味する。
【００８３】
予備混合後の予備混合物とその他の成分とをミキサーによって十分混合した後、ミキシングロールにより溶融混練し、冷却、粉砕を行い、実施例１〜８の熱硬化性樹脂組成物を作製した。
【００８４】
（比較例１〜６）
表２に示す配合表に従って、予備混合を行うことなく全ての材料を配合し、ミキサーによって混合した後、ミキシングロールにより溶融混練し、冷却、粉砕を行って、比較例１〜６の熱硬化性樹脂組成物を作製した。なお、表中の各成分の配合量の単位は質量部であり、空欄は配合なしを意味する。
【００８５】
＜熱硬化性樹脂組成物の評価＞
各実施例及び各比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、下記の各種特性試験によりそれぞれ評価した。その結果を表１及び表２に示す。
【００８６】
（光反射性試験）
各実施例及び各比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、成形温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、キュア時間９０秒の条件でトランスファー成形した後、１５０℃で２時間ポストキュアすることにより、厚み１．０ｍｍのテストピースを作製した。積分球型分光光度計Ｖ−７５０型（日本分光株式会社製、商品名）を用いて、波長４００ｎｍにおける上記テストピースの光反射率を測定した。そして、下記の評価基準により光反射特性を評価した。評価結果を表１及び２に示す。
○：光波長４００ｎｍにおいて光反射率８０％以上
△：光波長４００ｎｍにおいて光反射率７０％以上、８０％未満
×：光波長４００ｎｍにおいて光反射率７０％未満
【００８７】
（初期スパイラルフローの測定）
ＥＭＭＩ−１−６６の規格に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、各実施例及び各比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を上記光反射性試験時と同じ条件でトランスファー成形し、そのときの流動距離（ｃｍ）を初期スパイラルフローとして求めた。その結果を表１及び２に示す。
【００８８】
（貯蔵安定性評価）
各実施例及び各比較例の熱硬化性樹脂組成物を製造した後、これを温度０℃の環境下でシリカゲル乾燥剤と共に１６８時間密閉保存した。１６８時間経過後の熱硬化性樹脂組成物を用いて、上記初期スパイラルフローの測定と同じ方法で流動距離（ｃｍ）を測定し、これを１６８時間後スパイラルフローとした。また、初期スパイラルフロー長さに対する１６８時間後スパイラルフロー長さを、スパイラルフロー保持率（％）として求めた。これらの結果を表１及び２に示す。
【００８９】
（バリ長さの測定）
各実施例及び各比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を、ポットを用いて、バリ測定用金型（図７を参照）に流し込み、次いで、硬化させることによって熱硬化性樹脂組成物を成形した。なお、成形時の金型温度は１８０℃、成形圧力は６．９ＭＰａ、樹脂の流し込み時間（トランスファー時間）は１０秒であり、硬化温度は１８０℃、硬化時間は９０秒とした。成形後、バリ測定用金型の上型を外し、成型時に金型の上型と下型との隙間を流れて生じたバリの長さの最大値を、ノギスを使用して測定した。
【００９０】
図７は、先のバリ長さの測定時に使用するバリ測定用金型の構造及びバリを模式的に示した図であり、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は平面図である。図７に示すように、バリ測定用金型は、一対の上型４００と下型４０１とから構成され、上型４００は樹脂注入口４０２を有する。また、下型４０１は、樹脂注入口４０２に対向するキャビティ４０３と、キャビティ４０３から金型外周部に向かって伸びる６本のスリット４０４、４０５、４０６、４０７、４０８及び４０９を有する。
【００９１】
バリは、図７に示すように、熱硬化性樹脂組成物がキャビティ４０３の外延から各スリットに沿って流れ込み硬化した部分（樹脂バリ）４１０を意味する。ここで、本発明で規定する「バリ長さ」とは、図７に示すバリ測定用金型を用いトランスファー成形を行った際の、金型中心のキャビティ４０３から、金型の上型４００と下型４０１との合わせ目の隙間にはみ出した硬化物（樹脂バリ４１０）の放射方向の最大長さをノギスで測定した値である。また、バリ測定用金型の寸法は、上型４００及び下型４０１の外形が（１４０ｍｍ）×（１４０ｍｍ）、樹脂注入口の径が上部７ｍｍ、下部４ｍｍ、キャビティの径が３０ｍｍ、キャビティの深さが４ｍｍであり、６本のスリット４０４〜４０９の深さは、順に７５、５０、３０、２０、１０及び２μｍである。
【００９２】
【表１】
0005401907.tif 000003
【００９３】
【表２】
0005401907.tif 000004
【００９４】
＊１：トリグリシジルイソシアヌレート（エポキシ当量１００、日産化学社製、商品名：ＴＥＰＩＣ−Ｓ）
＊２：ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル（エポキシ当量１５５、阪本薬品社製、商品名：ＳＲ−ＨＨＰＡ）
＊３：水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１０００、ジャパンエポキシレジン社製、商品名：ＹＬ７１７０）
＊４：グリシジルメタリレート−メチルメタクリレート共重合体（エポキシ当量３１０、日本油脂社製、商品名：マープルーフＧ−０１５０Ｍ）
＊５：ヘキサヒドロ無水フタル酸（和光純薬社製）
＊６：テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチエート（日本化学工業社製、商品名：ＰＸ−４ＥＴ）
＊７：トリメトキシエポキシシラン（東レダウコーニング社製、商品名：Ａ−１８７）
＊８：溶融シリカ（電気化学工業社製、商品名：ＦＢ−３０１）
＊９：中空粒子（住友３Ｍ社製、商品名：Ｓ６０−ＨＳ）
＊１０：アルミナ（アドマテックス社製、商品名：ＡＯ−２５Ｒ）
【００９５】
表１及び表２に示されるように、本発明の製造方法により製造された熱硬化性樹脂組成物は、光反射特性及び貯蔵安定性に優れ、且つ、バリを十分に低減することが可能であることが明らかである。
【００９６】
また、本発明の製造方法により製造された熱硬化性樹脂組成物は、製造後も長期にわたって保管することが可能であるため、特に粘度上昇に伴う配合物の廃棄ロスが低減でき、実用上優れている。
【００９７】
また、当該熱硬化性樹脂組成物を用いてトランスファー成形することにより、光半導体素子搭載領域の開口部にバリが染み出さず光半導体素子を搭載することが可能になる。
【００９８】
また、光半導体素子と金属配線とをボンディングワイヤなど公知の方法により電気的に接続することが可能になる。結果として、光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子搭載用基板の製造工程においてバリを除去する工程が不要となり、コストや製造時間など生産性の面で非常に有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。
【図３】本発明の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。
【図４】本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図５】本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図６】本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図７】バリ長さの測定時に使用するバリ測定用金型の構造及びバリを模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１００】
１００…光半導体素子、１０１…透明封止樹脂、１０２…ボンディングワイヤ、１０３…熱硬化性樹脂組成物の硬化物（リフレクター）、１０４…Ｎｉ／Ａｇめっき、１０５…金属配線、１０６…蛍光体、１０７…はんだバンプ、１１０…光半導体素子搭載用基板、２００…光半導体素子搭載領域、１５０…樹脂注入口、１５１…金型、３００…ＬＥＤ素子、３０１…ボンディングワイヤ、３０２…透明封止樹脂、３０３…リフレクター、３０４…リード、３０５…蛍光体、３０６…ダイボンド材、４００…バリ測定用金型（上型）、４０１…バリ測定用金型（下型）、４０２…樹脂注入口、４０３…キャビティ、４０４…スリット（７５μｍ）、４０５…スリット（５０μｍ）、４０６…スリット（３０μｍ）、４０７…スリット（２０μｍ）、４０８…スリット（１０μｍ）、４０９…スリット（２μｍ）、４１０…樹脂バリ。
【図１】
0005401907.tif 000005
【図２】
0005401907.tif 000006
【図３】
0005401907.tif 000007
【図４】
0005401907.tif 000008
【図５】
0005401907.tif 000009
【図６】
0005401907.tif 000010
【図７】
0005401907.tif 000011