(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを、該半導体ウェハに紫外線剥離テープが貼り付けられた面に当接するように配置された紫外線透過板と、前記半導体ウェハの他方の面に当接するように配置された押圧部材とで、前記半導体ウェハの全面が前記紫外線透過板と密着しないように挟む工程と、
前記紫外線剥離テープに対し、前記紫外線透過板を透過させて紫外線を照射する工程と、
前記紫外線剥離テープを前記半導体ウェハから剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウェハを、該半導体ウェハに紫外線剥離テープが貼り付けられた面に当接するように配置された紫外線透過板と、前記半導体ウェハの他方の面に当接するように配置された押圧部材とで挟み、前記半導体ウェハの反りが１ｍｍ〜５ｍｍとなるまで押圧する工程と、
前記紫外線剥離テープに対し、前記紫外線透過板を透過させて紫外線を照射する工程と、
前記紫外線剥離テープを前記半導体ウェハから剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記挟む工程は、前記半導体ウェハを、前記紫外線透過板と押圧部材とのいずれか一方に載置し、前記紫外線透過板と押圧部材とを相対的に移動させて前記半導体ウェハを挟む工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記挟む工程は、前記紫外線透過板と押圧部材とで前記半導体ウェハを挟むことにより、前記半導体ウェハの反りを矯正する工程であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハの厚みが、８０μｍ以上１４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記紫外線を照射する工程は、前記紫外線剥離テープに対し、１０００ｍＪ／ｃｍ2以上の紫外線を照射する工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
紫外線剥離テープに紫外線を照射する紫外線光源と、前記紫外線剥離テープが貼り付いた半導体ウェハを載置する支持台と、前記支持台と対向して配置され前記半導体ウェハの反りを矯正する矯正部材と、を具備し、前記支持台は前記矯正部材に対し相対的に移動し、前記半導体ウェハの全面が前記矯正部材と密着しないように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
紫外線剥離テープに紫外線を照射する紫外線光源と、前記紫外線剥離テープが貼り付いた半導体ウェハを載置する支持台と、前記支持台と対向して配置され前記半導体ウェハの反りを矯正する矯正部材と、を具備し、前記支持台は前記矯正部材に対し相対的に移動し、前記半導体ウェハの反りが１ｍｍ〜５ｍｍとなるまで押圧するように構成されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記矯正部材と前記半導体ウェハを支持する支持台のうち、前記半導体ウェハに貼り付いた紫外線剥離テープが当接する方を紫外線透過板で構成し、前記紫外線光源からの紫外線を、該紫外線透過板を介して前記紫外線剥離テープに照射可能に配置したことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記紫外線光源と前記紫外線透過板との間に赤外線カットフィルターを配設することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記紫外線光源が、蛍光管方式のブラックライト，メタルハライドランプ，紫外線発光ダイオードまたは水銀ランプのいずれかであることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記紫外線透過板が、紫外線を透過する耐熱ガラス板であることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＦＳ（Ｆｉｅｌｄ  Ｓｔｏｐ）−ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）など薄い半導体ウェハで形成される半導体装置の製造方法およびその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＳ−ＩＧＢＴなど薄いシリコンウェハ（以下、単に、ウェハと称す）で形成される半導体装置の製造工程には、ウェハの上面に半導体素子の表面構造を作り込んだ後に、ウェハ裏面を研削して薄膜化（以下、単に薄化と称す）する工程がある。ウェハ裏面の研削工程においては、ウェハ上面を保護する表面保護テープである研削保護テープをウェハ上面（表面構造上面）に貼り付けた後、裏面研削装置を用いてウェハの裏面を所望の厚みまで研削する。この研削工程はバックグラインド工程とも呼ばれる。研削終了後は、剥離用のテープを用いて研削保護テープをウェハ上面から引き剥がす。
【０００３】
研削保護テープをウェハ上面から剥離し易くするために、研削保護テープの密着力そのものを低減させる方法が提案されている。それは薄化したウェハから研削保護テープを剥離する際にウェハを破損しないようにする必要があるためである。
【０００４】
また、例えば、特許文献１には、ウェハをダイシングテープ（粘着テープ）で保持し、剥離のための紫外線照射によってダイシングテープが弛まないように、ダイシングテープの下面を支持する部材を設けること、支持部材は紫外線を透過する材料（ガラス、プラスチック）で構成すること、支持部材を透過させてダイシングテープに紫外線を照射すること、などが開示されている。
【０００５】
また、例えば、特許文献２では、紫外線（ＵＶ）照射硬化型テープ（紫外線剥離テープ）を表面保護テープとして用い、この表面保護テープに対し紫外線を照射することにより、その粘着力を弱めて、表面保護テープを容易に引き剥がすことができることが記載されている。
【０００６】
別の方法として、例えば、特許文献３では、紫外線を照射すると接着力が低下する性質を有する接着剤が塗布された光透過性のＵＶ（紫外線）テープをウェハの一方の面に貼り付けてウェハに薄肉部を形成する半導体装置の製造方法が提案されている。
【０００７】
また、例えば、特許文献４では、紫外線により接着力が低下するテープとして、前記紫外線照射硬化型テープ以外に、紫外線硬化発泡型テープも記載されている。
近年、裏面研削以外の湿式エッチングやめっき処理工程などで、ウェハに形成された電極面を保護するために、紫外線剥離テープを用いることが広がっており、より接着力の強い紫外線剥離テープが開発されている。これらの紫外線剥離テープでは接着力が強いために剥離に必要な紫外線照射量が、従来の研削保護テープに用いられる紫外線剥離テープに比べて１０倍以上、具体的には剥離のために１０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線照射量が必要になる。
【０００８】
図１４〜図２２は、従来の半導体装置の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。ここでは半導体装置として、図２４に示すプレーナ型のＦＳ（Ｆｉｅｌｄ  Ｓｔｏｐ）−ＩＧＢＴを取り上げた。図２４は、図２２のＡ部拡大図でありＦＳ−ＩＧＢＴのセルの要部構成図である。尚、図２４中の符号で、５１はｎ型のシリコン基板、５２はｐウェル層、５３はｎエミッタ層、５４はゲート絶縁膜、５５はゲート電極、５６はエミッタ電極、５７は層間絶縁膜、５８はｎＦＳ層、５９はｐコレクタ層、６０はコレクタ電極，６１は表面構造である。
【０００９】
まず、ｎ型のウェハ１の表面層にｐウェル層５２、ｎエミッタ層５３、ゲート絶縁膜５４、ゲート電極５５、エミッタ電極５６、層間絶縁膜５７および外部と電気的に接続するエミッタ電極５６以外の箇所を被覆する図示しない表面保護膜（ポリイミド膜）で構成される表面構造６１を形成する（図１４）。この段階でのエミッタ電極５６はアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）膜３で形成されるアルミ電極である。
【００１０】
つぎに、表面構造６１を研削保護テープ２(バックグラインド用テープ)に貼り付け、ウェハ１の裏面１ａを研削し、ウェハ１を薄化する（図１５）。ウェハ１の厚さは６００Ｖ耐圧品では８０μｍ程度、１２００Ｖ耐圧品では１４０μｍ程度である。
【００１１】
つぎに、研削保護テープ２を剥離し、研削した裏面１ａにリンのイオン注入とボロンのイオン注入を行い、熱処理してｎＦＳ（Ｆｉｅｌｄ  Ｓｔｏｐ）層５８、ｐコレクタ層５９を形成する(図１６)。このＦＳ層５８はバッファ層とも呼ばれる。
【００１２】
つぎに、ｐコレクタ層５９上にアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）膜４、チタン（Ｔｉ）膜５、ニッケル（Ｎｉ）膜６、金（Ａｕ）膜７をスパッタで積層して裏面電極であるコレクタ電極６０を形成する（図１７）。この段階でウェハ１の裏面側はコレクタ電極６０の応力で凹状に湾曲する。６インチウェハではその反りＴは大きいもので１０数ｍｍ程度にもなる。図１７の上側の図はチップ部の拡大図であり、下側の図はウェハ１の反りＴが分かるようにウェハ１の全体を示した図である。
【００１３】
つぎに、ウェハ裏面１ａに形成された金膜７に紫外線剥離テープ８を表面保護テープとして貼り付ける(図１８)。この紫外線剥離テープ８を貼り付けた後も反りは維持される。尚、紫外線剥離テープ８は、紫外線照射硬化型テープや紫外線硬化発泡型テープなどがある。
【００１４】
つぎに、ウェハ１の表面構造６１であるエミッタ電極５６上（アルミニウムシリコン膜３上）に無電解ニッケルめっきと置換金めっき処理工程を施して、アルミニウムシリコン膜３上にニッケル膜９と金膜１０を積層形成する（図１９）。この段階でエミッタ電極５６はアルミニウムシリコン膜３、ニッケル膜９および金膜１０で構成される。この工程が終わった後、ウェハ１は裏面１ａ側が凹状であり、６インチウェハの場合、反りは２ｍｍ〜１０数ｍｍになる。また、めっき処理ではウェハ１の裏面１ａに形成されたコレクタ電極６０は紫外線剥離テープ８で保護されている。
【００１５】
この紫外線剥離テープ８として紫外線硬化発泡型テープを用いた場合、紫外線剥離テープ８には紫外線１２に反応して窒素ガスを発生する発泡剤が配合されている。無電解ニッケルめっきではｐＨが１２以上の強アルカリの溶液と、ｐＨが１以下の強酸を前処理液として使用するため紫外線剥離テープ８には金膜７（コレクタ電極６０の表面膜）に対して強い接着力が求められる。
【００１６】
しかし、接着層の接着力を高めると、めっき処理後の剥離に必要な紫外線照射量が１０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ2必要になる。この紫外線照射量は、前記したように、通常のバックグラインド用テープ（研削保護テープ２）として紫外線剥離テープを用いた場合の紫外線照射量と比較して１０倍以上である。
【００１７】
つぎに、支持台１１にウェハ１の表面構造６１を下にし、ウェハ裏面１ａに密着した紫外線剥離テープ８を上にして、反ったウェハ裏面１ａに密着した紫外線剥離テープ８に紫外線１２を照射する（図２０）。
【００１８】
つぎに、ウェハ１の裏面１ａに密着した紫外線剥離テープ８を剥離する（図２１）。
その後、ウェハ１をダイシングライン１７に沿って切断しチップ１８にする（図２２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００４−２８１４３０号公報
【特許文献２】特開平６−２２４３９７号公報
【特許文献３】特開平４−２２５５７４号公報
【特許文献４】特開昭６３−３０５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
図２０に示すように、紫外線１２が照射されるウェハ１は、裏面研削（バックグラインド）により薄化されており、ウェハ１に形成された電極６０による応力でウェハ１の裏面１ａ側(図では上側となる)は凹状に反っている。６インチウェハの場合、反りＴは大きい場合には１０数ｍｍ程度になるため、紫外線光源１３からウェハ１までの距離がウェハ１面内で変わり、紫外線照度がウェハ１面内でばらついてしまう。
【００２１】
紫外線光源１３として水銀ランプやメタルハライドランプを用いた場合、３０〜１００ｍＷ／ｃｍ2の紫外線照度が容易に得られるが、同時に紫外線光源１３からの熱のためウェハ１の温度が数秒で１００℃以上に上昇してしまい、紫外線剥離テープ８のアクリル系の粘着剤が変質し、ウェハ１の剥離面（裏面１ａ）に残渣が残る場合がある。特にウェハ１の厚みが薄ければ薄いほどウェハ１の熱容量が小さくなるので温度上昇が大きく残渣が残る確率が高くなり、残渣による外観不良が発生する。
【００２２】
図２３は、メタルハライドランプを用いた時のウェハの温度の照射時間依存性を示す図である。支持台１１上に載置された厚み１４０μｍ程度のウェハ１に、上方から紫外線１２を照射している。紫外線光源１３であるメタルハライドランプとウェハ１の距離Ｌｏは約３００ｍｍである。この時のメタルハライドランプの波長は３６５ｎｍで、紫外線照度は約１５ｍＷ／ｃｍ2程度である。照射時間２０秒程度で紫外線剥離テープ８の耐熱温度である約８０℃を超える１１０℃に達する。しかし、そのときの紫外線照射量は３００ｍＪ／ｃｍ2であり剥離に必要な紫外線照射量（１０００ｍＪ／ｃｍ2）の１／３以下である。
【００２３】
一方、紫外線光源１３として、発熱が小さい蛍光管方式のブラックライトや紫外線発光ダイオードを用いるとウェハ１の温度上昇を抑えることができるが、ランプ自体からの発熱が少なからずあるためランプにウェハ１を接触させたり、近接させることはできない。そのため、ウェハ１をランプからある程度の距離を離す必要がある。例えば、ウェハ１からの距離Ｌｏが２０〜５０ｍｍの場合は、紫外線照度は数ｍＷ／ｃｍ2と小さくなる。そのため、剥離に必要な１０００ｍJ／ｃｍ2以上の紫外線照射量を得るためには数分〜１０数分の照射時間が必要となり、スループット（製造工数）が低下する問題がある。
【００２４】
このことについて、さらに具体的に説明する。
一般的に、照度と光度の関係は次式で与えられることが知られている。
【００２５】
【数１】
0005585379.tif 000002
上式より、紫外線光源１３の光度が一定の場合、紫外線光源１３からの距離が２倍になると照度が４分の１になることが判る。尚、光度は紫外線光源１３から放射される光束×面積であり、照度は受光面での単位時間・単位面積当たりのエネルギーでありＷ／面積で表す。また照射量は受光面での単位面積当たりエネルギーでありＪ／面積で表す。
【００２６】
紫外線光源１３として、蛍光管方式のブラックライトや紫外線発光ダイオードを用いる場合、紫外線照度が小さいため、剥離に必要な紫外線照射量を得るためには、紫外線光源１３からウェハ１までの距離Ｌｏを短縮する必要がある。
【００２７】
紫外線光源１３として、例えば、蛍光管方式のブラックライトを用いて、紫外線照度を大きくするために距離Ｌｏを２０ｍｍに短縮し、ウェハ１が１０ｍｍ反っている場合について説明する。この場合、蛍光管式のブラックライトから最も近い場所（ウェハ１の周端部）の距離は１０ｍｍに対して、最も遠い場所（凹部の底）の距離は２０ｍｍとなる。そのため近い場所の紫外線照度は対して、遠い場所の紫外線照度は前式により４分の１となる。一方、ウェハ１に反りがない場合には距離を１０ｍｍまで短縮できるので、反りがある場合は、反りがない場合に比べて照射時間を４倍長くする必要がある。そのため、ウェハ１に反りがある場合はスループットが低下し、製造コストが増大する。
【００２８】
また、特許文献１〜特許文献４には、ウェハが元々反っていた場合に、これを矯正して紫外線を照射して紫外線剥離テープをウェハから剥離することについては記載がされていない。
【００２９】
尚，ウェハの反りを矯正する他の方法として、ポーラスチャックや静電チャックでウェハを吸着する方法が考えられるが、その場合でもウェハの反りを全く矯正せずに吸着するのは困難であるため、ウェハの反りを矯正する補助的な機構が必要になるためウェハの支持機構が複雑になり、コストアップになる問題があった。
【００３０】
この発明の目的は、前記の課題を解決して、ウェハに反りがある場合に短時間の紫外線照射で良好に紫外線剥離テープを剥離できる半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
前記の目的を達成するために、この発明によれば、半導体ウェハを、該半導体ウェハに紫外線剥離テープが貼り付けられた面に当接するように配置された紫外線透過板と、前記半導体ウェハの他方の面に当接するように配置された押圧部材とで、前記半導体ウェハの全面が前記紫外線透過板と密着しないように挟む工程と、挟む工程と、前記紫外線剥離テープに対し、前記紫外線透過板を透過させて紫外線を照射する工程と、前記紫外線剥離テープを前記半導体ウェハから剥離する工程を含む半導体装置の製造方法とする。
【００３２】
また、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウェハを、該半導体ウェハに紫外線剥離テープが貼り付けられた面に当接するように配置された紫外線透過板と、前記半導体ウェハの他方の面に当接するように配置された押圧部材とで挟み、前記半導体ウェハの反りが１ｍｍ〜５ｍｍとなるまで押圧する工程と、前記紫外線剥離テープに対し、前記紫外線透過板を透過させて紫外線を照射する工程と、前記紫外線剥離テープを前記半導体ウェハから剥離する工程を含む。また、この発明によれば、上述した発明において、前記挟む工程は、前記半導体ウェハを、前記紫外線透過板と押圧部材とのいずれか一方に載置し、前記紫外線透過板と押圧部材とを相対的に移動させて前記半導体ウェハを挟む工程であるとよい。
【００３３】
また、この発明によれば、上述した発明において、前記挟む工程は、前記紫外線透過板と押圧部材とで前記半導体ウェハを挟むことにより、前記半導体ウェハの反りを矯正する工程であるとよい。
【００３４】
また、この発明によれば、上述した発明において、前記半導体ウェハの厚みが、８０μｍ以上１４０μｍ以下であるとよい。
また、この発明によれば、上述した発明において、前記紫外線を照射する工程は、前記紫外線剥離テープに対し、１０００ｍＪ／ｃｍ2以上の紫外線を照射する工程であるとよい。
【００３５】
また、この発明によれば、紫外線剥離テープに紫外線を照射する紫外線光源と、前記紫外線剥離テープが貼り付いた半導体ウェハを載置する支持台と、前記支持台と対向して配置され前記半導体ウェハの反りを矯正する矯正部材と、を具備し、前記支持台は前記矯正部材に対し相対的に移動し、前記半導体ウェハの全面が前記矯正部材と密着しないように構成されている半導体装置の製造装置とする。
【００３６】
また、この発明によれば、紫外線剥離テープに紫外線を照射する紫外線光源と、前記紫外線剥離テープが貼り付いた半導体ウェハを載置する支持台と、前記支持台と対向して配置され前記半導体ウェハの反りを矯正する矯正部材と、を具備し、前記支持台は前記矯正部材に対し相対的に移動し、前記半導体ウェハの反りが１ｍｍ〜５ｍｍとなるまで押圧するように構成されている半導体装置の製造装置とする。また、この発明によれば、上述した発明において、前記矯正部材と前記半導体ウェハを支持する支持台のうち、前記半導体ウェハに貼り付いた紫外線剥離テープが当接する方を紫外線透過板で構成し、前記紫外線光源からの紫外線を、該紫外線透過板を介して前記紫外線剥離テープに照射可能に配置した製造装置とするとよい。
【００３７】
また、この発明によれば、上述した発明において、前記紫外線光源と前記紫外線透過板との間に赤外線カットフィルターを配設するとよい。
【００３８】
また、この発明によれば、上述した発明において、前記紫外線光源が、蛍光管方式のブラックライト，メタルハライドランプ，紫外線発光ダイオードまたは水銀ランプのいずれかであるとよい。
【００３９】
また、この発明によれば、上述した発明において、前記紫外線透過板が、紫外線を透過する耐熱ガラス板であるとよい。
【発明の効果】
【００４０】
この発明によると、ウェハに反りがある場合でも、予めウェハの反りを矯正してから、紫外線を照射することにより、ウェハに貼り付けた紫外線剥離テープに対し紫外線をほぼ均一に照射することができる。また、紫外線剥離テープの剥離に必要とする十分な紫外線照射量が得られ、照射時間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図２】図１に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図３】図２に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図４】図３に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図５】図４に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図６】図５に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図７】図６に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図８】図７に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図９】図８に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１０】図９に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１１】図１０に続く、この発明の第１実施例の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１２】紫外線光源として蛍光管方式のブラックライトを用いた時のウェハの温度と照射時間の関係を示した図である。
【図１３】この発明の第２実施例であり、半導体装置の製造装置の要部構成図である。
【図１４】従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１５】図１４に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１６】図１５に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１７】図１６に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１８】図１７に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図１９】図１８に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図２０】図１９に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図２１】図２０に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図２２】図２１に続く、従来の半導体装置の要部製造工程断面図である。
【図２３】メタルハライドランプを用いた時のウェハの温度の照射時間依存性を示す図である。
【図２４】図２２のＡ部拡大図でありＦＳ−ＩＧＢＴのセルの要部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
実施の形態を以下の実施例で説明する。従来と同一部位には同一符号を付した。
【実施例１】
【００４３】
図１〜図１１は、この発明の第１実施例の半導体装置の製造方法を工程順に示した要部製造工程断面図である。ここでは半導体装置としてシリコンの薄いウェハ１に形成したプレーナ型のＦＳ（Ｆｉｅｌｄ  Ｓｔｏｐ）−ＩＧＢＴを取り上げた。
【００４４】
まず、ｎ型のウェハ１の表面層に図２６で示すｐウェル層５２、ｎエミッタ層５３、ゲート電極５５、エミッタ電極５６、層間絶縁膜５７で構成される表面構造６１を形成する（図１）。尚、図１では表面構造６１を構成する各部位は図示されていない。また、この段階では、図２４のエミッタ電極５６はアルミニウムシリコン膜３で形成されている。
【００４５】
つぎに、表面構造６１を研削保護テープ２(バックグラインド用テープ)に貼り付け、ウェハ裏面１ａを研削し、ウェハ１を薄化する（図２）。６００Ｖ耐圧品では８０μｍ程度、１２００Ｖ耐圧品では１４０μｍ程度の厚さである。
【００４６】
つぎに、研削保護テープ２を剥離し、研削した裏面１ａにリンのイオン注入とボロンのイオン注入を行い、熱処理してｎＦＳ層５８、ｐコレクタ層５９を形成する(図３)。
つぎに、ｐコレクタ層５９上にアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）膜４、チタン（Ｔｉ）膜５、ニッケル（Ｎｉ）膜６および金（Ａｕ）膜７をスパッタで積層しコレクタ電極６０を形成する（図４）。各層の膜厚は、例えば、アルミニウムシリコン膜４は０．５μｍ、チタン膜５は０．２５μｍ、ニッケル膜６は０．７μｍ、金膜７は０．１μｍである。この段階でウェハ１の裏面１ａ側はコレクタ電極６０の応力で凹状に湾曲する（反る）。６インチウェハではその反りＴは大きいもので１０数ｍｍになる。
【００４７】
つぎに、ウェハ裏面１ａに形成された金膜７に紫外線剥離テープ８を表面保護テープとして貼り付ける(図５)。この紫外線剥離テープ８を貼り付けた後も反りＴは維持される。尚、紫外線剥離テープ８には紫外線照射硬化型テープや紫外線硬化発泡型テープがある。
【００４８】
つぎに、ウェハ１の表面構造６１であるエミッタ電極５６上に無電解ニッケルめっきと置換金めっき処理でニッケル膜９と金膜１０を積層形成する（図６）。各層の膜厚は、例えば、無電解ニッケルめっき層が５μｍ、置換金めっき層が０．０３μｍである。この工程後のウェハ１はやはり裏面１ａが凹状となり、その反りＴは６インチウェハで２ｍｍ〜１０数ｍｍになる。また、ウェハ１の裏面１ａは紫外線剥離テープ８で保護されている。この段階では、エミッタ電極５６はアルミニウムシリコン膜３、ニッケル膜９および金膜１０で構成される。従って、表面構造６１の最表面の金属膜は金膜１０となる。
【００４９】
つぎに、紫外線剥離テープ８を剥離するため、紫外線剥離テープ８が貼付されたウェハ１を紫外線照射装置１００に載置する。この例では、紫外線照射装置１００の支持台１１にウェハ１の表面構造６１（金膜１０）を下にしてウェハ１を載置する(図７)。ここで、図７では、表面構造６１（金膜１０）は図示を省略しているが、ウェハ１の紫外線剥離テープ８が貼付された面とは反対側の面が支持台１１に接するように載置する。
【００５０】
つぎに、支持台１１を上昇させる。支持台１１に対向する位置には紫外線透過板１４が配置されているため、紫外線剥離テープ８が貼付されたウェハ１の裏面１ａの外周部が、紫外線透過板１４に接触する。支持台１１をさらに上昇させて、支持台１１と紫外線透過板１４ｔの距離を近づけることで、ウェハ１の反りＴを矯正する(図８)。また、反りのあるウェハ１を押し付けても、紫外線透過板１４が撓むことがないように、紫外線透過板１４にはウェハ１の反りを矯正しうる程度の強度（厚さ）が必要となる。紫外線透過板１４が石英ガラス板の場合には、その厚みは、例えば、１．５ｍｍ程度以上にする。
【００５１】
尚、図８において、支持台１１を上昇させてウェハ１が完全に平坦になるように紫外線透過板１４に密着させると、紫外線剥離テープを強い力でウェハ１に密着させることになり、剥離の段階でウェハ１に紫外線剥離テープ８の粘着剤が残留する場合があるので好ましくない。そのため、矯正後であっても、ウェハ１には１ｍｍ〜５ｍｍ、好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍ以内の反りＴを残し、ウェハ１が完全に紫外線透過板１４に密着しないようにするとよい。
【００５２】
つぎに、紫外線透過板１４のウェハ１との接触面とは反対側に配置した紫外線光源１３から紫外線を照射する（図９）。ウェハ裏面１ａに貼り付けた紫外線剥離テープ８には、紫外線光源１３から出射される紫外線１２が紫外線透過板を透過して照射される。
【００５３】
ウェハ１の反りＴが矯正されることで、紫外線剥離テープ８に紫外線１２がほぼ均一に照射される。
前記の紫外線透過板１４は紫外線光源１３からの対流熱を遮蔽する働きがある。また、ウェハ１の温度上昇が大きい場合には空気１５を流して紫外線透過板１４を冷却するとよい。
【００５４】
このように、紫外線透過板１４でウェハ１の反りを矯正し紫外線光源1３からの熱を遮蔽することで、ウェハ１の温度上昇を防ぎながら紫外線光源１３とウェハ１の距離Ｌを小さくすることができる。その結果、剥離に必要な紫外線照射をほぼ均一に効率良く、短時間で実施することができる。尚、紫外線光源１３とウェハ１の距離Ｌが２０ｍｍ程度の場合、ウェハ１の反りＴが数ｍｍ程度まで矯正できれば、紫外線１２の照射が短時間で、粘着剤の残渣がない状態で紫外線剥離テープ８をウェハ１から良好に剥離することができる。
【００５５】
つぎに、ウェハ１の裏面１ａに密着した紫外線剥離テープ８を剥離する（図１０）。
その後、ウェハ１の裏面１ａを下にして、ウェハ１をダイシングライン１７に沿って切断しチップ１８にする（図１１）。
【００５６】
図１２は、紫外線光源として蛍光管方式のブラックライトを用いた時のウェハの温度と照射時間の関係を示した図である。紫外線光源１３をウェハ１の下方に配置して、紫外線１２を紫外線剥離テープ８に照射する下面照射の場合（図９に相当する各部位の配置図は表示せず）と、紫外線光源１３をウェハの上方に配置して、紫外線１２を紫外線剥離テープ８に照射する上面照射した場合（図９の場合）のデータがプロットしてある。どちらも紫外線光源１３からウェハ１までの間には１．５ｍｍから２ｍｍ程度の厚さの紫外線透過板１４である石英ガラス板が配置されており、紫外線光源１３からの熱がウェハ１に伝わることを防止している。また、紫外線光源１３とウェハ１の間の距離Ｌはどちらも２０ｍｍとしている。蛍光管方式のブラックライトは紫外線のピーク波長が３６５ｎｍであり、Ｌ＝２０ｍｍにおける紫外線照度は約３ｍＷ／ｃｍ2である。距離Ｌは紫外線光源１３とウェハ１が最も離れた箇所での距離であり、ウェハ１のの凹部の底からの距離である。また、紫外線透過板１４とウェハ１の間の最大の距離（図８の反りＴに相当する）は２ｍｍ以内である。
【００５７】
図１２より、上面照射では蛍光管方式のブラックライト（紫外線光源１３）からの対流による熱伝導が抑制できるので、ウェハ１の温度上昇が５０℃以下に抑制できて良好である。
【００５８】
また、下面照射の場合も上面照射よりはウェハ１の温度が上がるものの紫外線透過板１４が熱を遮蔽するので、紫外線剥離テープの耐熱温度８０℃より低い６０℃以下に抑制できて良好である。下面照射の場合、発熱源である蛍光管方式のブラックライト（紫外線光源１３）からの熱が対流で上方へ上がり、紫外線透過板１４を暖めるのでウェハ１の温度が上面照射の場合より上昇する。
【００５９】
前記したように、紫外線透過板１４でウェハ１をできるだけ平坦に矯正して紫外線１２が均一に照射されるようにすることで、紫外線剥離テープ８を剥離するために必要な紫外線照射時間を短縮することができる。
【００６０】
以上のように、ウェハの温度上昇を抑制しつつ、短時間の紫外線照射で紫外線剥離テープをウェハから良好に（接着剤の残渣がない状態で）剥離することができる。これによって、ウェハのスループットが向上し、外観不良の発生も防止される。
【００６１】
尚、本発明は、シリコン以外のＳｉＣやＧａＮなどの半導体ウェハを用いた半導体装置にも適用できる。また、実施例１では半導体装置としてプレーナ型のＦＳ−ＩＧＢＴを例に挙げて説明した。しかし、トレンチ型のＦＳ−ＩＧＢＴ、ＮＰＴ（Ｎｏｎ  Ｐｕｎｃｈ  Ｔｈｒｏｕｈ）−ＩＧＢＴおよびパワーＭＯＳＦＥＴなどで薄いウェハを用いて製作する半導体装置にも本発明が適用できることは勿論である。
【００６２】
また、上記の例では、支持台１１にウェハ１を載置し、支持台１１を上昇させることで、紫外線透過板１４にウェハ１を押し当てているが、支持台１１と紫外線透過板１４は相対的に移動すればよく、紫外線透過板を可動させてもよい。
【００６３】
また、支持台１１を紫外線透過板で構成し、ここに、ウェハ１の紫外線剥離テープ側を載置しし、支持台１１（紫外線透過板）の下側から紫外線を照射するようにしてもよい。このとき、紫外線透過板としての支持台１１に対向して、押圧部材を配置すればよい。この押圧部材は、反りのあるウェハ１を押し付けても、撓むことがないようウェハ１の反りを矯正しうる程度の強度（厚さ）が必要となる。
【実施例２】
【００６４】
図１３は、この発明の第２実施例の半導体装置の製造装置の要部構成図である。この製造装置はウェハ１に貼り付いた紫外線剥離テープ８を剥離するために必要となる紫外線照射装置１００である。ここで示した紫外線照射装置１００は上面照射方式の例である。
【００６５】
この紫外線照射装置１００は、上下に可動しウェハ１を載置する支持台１１と、支持台１1上に配置される紫外線透過板１４と、紫外線透過板１４上に配置され、ウェハ１に貼り付いた紫外線剥離テープ８に紫外線１２を照射する紫外線光源１３からなる。
【００６６】
支持台１１は、反りのあるウェハ１を押し付けても、撓むことがないように、ウェハ１の反りを矯正しうる程度の強度（厚さ）が必要となる。また、支持台１１は、図示しないウェハ１の表面構造６１に接触するため、表面構造６１を汚染せず、また傷等をつけにくい材質の部材で構成する。例えば、フッ素系の樹脂やポリイミドなどでコートした部材が好適である。
【００６７】
また、上記の例では、支持台１１にウェハ１を載置し、支持台１１を上下に可動するように構成しているが、支持台１１と紫外線透過板１４は相対的に移動すればよく、紫外線透過板を可動させてもよい。
【００６８】
また、前記の支持台１１と紫外線透過板１４と紫外線光源１３を収納する収納箱２０と、収納箱２０の内壁２１に沿って空気１５を流す空気流通路２２とからなる。この空気流通路２２は、収納箱２０の内壁２１と、紫外線透過板１４を支える遮断壁２３の外壁２４および紫外線透過板１４で挟まれた空間２５である。この空間２５の入口１６ａから取り入れた空気１５を出口１６ｂに向って流すことで、紫外線光源１３で加熱した紫外線透過板１４を冷却して、紫外線透過板１４に接するウェハ１の昇温を抑制する働きがある。また、紫外線透過板１４は紫外線光源１３からの対流による熱を遮断する働きもある。また、ウェハ１の温度上昇が小さい場合には空気流通路２２は設ける必要がないため、遮断壁２３は不要となり、紫外線透過板１４は収納箱２０に固着される。
【００６９】
前記の紫外線透過板１４の上方または下方に図示しない赤外線カットフィルターを設けるとウェハ１の昇温が抑制されて好ましい。勿論、紫外線透過板１４として赤外線カットフィルター機能を有するものを用いと紫外線照射装置１００が大きくならないのでよい。
【００７０】
また、支持台１１を水冷にすることで、ウェハ１の昇温を抑制することができる。
また、紫外線透過板１４として紫外線１２を透過する耐熱ガラス板を用いるとよい。反りのあるウェハ１を押し付けても、紫外線透過板１４が撓むことがないように、紫外線透過板１４にはウェハ１の反りを矯正しうる程度の強度（厚さ）が必要となる。紫外線透過板１４が石英ガラス板の場合には、その厚みは、例えば、１．５ｍｍ程度以上にする。
【００７１】
紫外線透過板１４には、紫外線を透過する耐熱ガラスが適用できる。その耐熱ガラスとして前記した石英ガラス板に限らず種々の耐熱ガラスが広範囲に使用されており、品質は安定し、入手が容易である。
また、紫外線光源１３として蛍光管方式のブラックライトの他に、水銀ランプ、メタルハライドランプおよび紫外線発光ダイオード（ＵＶ−ＬＥＤ）などがある。しかし、例えば。メタルハライドランプを用いる場合には、メタルハライドランプとウェハ１の距離を大きくするなどウェハ１の温度上昇を抑える方策が必要となる。
【００７２】
尚、紫外線照射装置１００は上面照射方式の場合を示したが、図示しないが下面照射方式の場合もある。その場合は、紫外線照射装置としては、紫外線光源１３の上に紫外線透過板１４を配置し、紫外線透過板１４上にウェハ１に貼り付いた紫外線剥離テープ８が接するようにウェハ１を配置し、このウェハ１に接するように押圧部材を配置する構成となる。押圧部材としては、上面照射方式の例の支持台と同様に、反りのあるウェハ１を押し付けても、撓むことがないように、ウェハ１の反りを矯正しうる程度の強度（厚さ）を有するものを用いればよい。
【００７３】
なお、本発明は、反りのあるウェハの紫外線剥離テープが貼り付いた面に紫外線透過板を他方の面を押圧部材で挟み、紫外線透過板と押圧部材とを相対的に移動させてウェハの反りを矯正した後、紫外線透過板を透過させて、紫外線剥離テープに紫外線を照射するものである。したがって、上記のように上面もしくは下面から紫外線を照射する構成に限らず、例えば、ウェハを紫外線透過板と押圧部材とで左右方向から挟むように構成してもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１    ウェハ
１ａ  ウェハ裏面
１ｂ  上面
２    研削保護テープ
３    アルミニウムシリコン膜（エミッタ電極）
４    アルミニウムシリコン膜（コレクタ電極）
５    チタン膜（コレクタ電極）
６    ニッケル膜（コレクタ電極）
７    金膜（コレクタ電極）
８    紫外線剥離テープ
９    ニッケル膜（エミッタ電極）
１０    金膜（エミッタ電極）
１１    支持台
１２    紫外線
１３    紫外線光源
１４    紫外線透過板
１５    空気
１６ａ  入口
１６ｂ  出口
１７    ダイシングライン
１８    チップ
２０    収納箱
２１    内壁
２２    空気流通路
２３    遮断壁
２４    外壁
５１    ｎ型のシリコン基板
５２  ｐウェル層
５３    ｎエミッタ層
５４    ゲート絶縁膜
５５    ゲート電極
５６    エミッタ電極
５７    層間絶縁膜
５８    ｎＦＳ層（ｎフィールドストップ層）
５９    ｐコレクタ層
６０    コレクタ電極
６１    表面構造
１００    紫外線照射装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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