(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の時間において回転速度に上下の変化を有する第１の回転速度で基板を回転させつつ、前記基板上に塗布液を供給する工程と、
前記第１の回転速度で前記基板を回転させた後、前記塗布液供給停止後に、前記第１の回転速度より遅い０ｒｐｍの第２の回転速度で前記基板を停止させる工程と、
前記第２の回転速度で前記基板を停止させた後、前記第１の回転速度より遅く前記第２の回転速度より速い第３の回転速度で前記基板を回転させる工程と、
を有し、
前記第１の回転速度の下限が第４の回転速度であり、
前記第１の回転速度の上限が第５の回転速度であって、
前記第５の回転速度から前記第４の回転速度を差し引いた値を前記第５の
回転速度で除した値が０．ｌ以上、０．３以下であり、
前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化する
ことを特徴とする塗布液の塗布方法。
【請求項２】
前記第４の回転速度は、前記第２の回転速度及び前記第３の回転速度より速いことを特徴とする請求項１に記載の塗布液の塗布方法。
【請求項３】
前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で等分に分割された時間毎に前記回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の塗布液の塗布方法。
【請求項４】
第１の時間において回転速度に上下の変化を有する第１の回転速度で半導体基板を回転させつつ、前記半導体基板上にレジストを供給する工程と、
前記第１の回転速度で前記半導体基板を回転させた後、前記レジスト供給停止後に、前記第１の回転速度より遅い０ｒｐｍの第２の回転速度で前記半導体基板を停止させる工程と、
前記第２の回転速度で前記基板を停止させた後、前記第１の回転速度より遅く前記第２の回転速度より速い第３の回転速度で前記半導体基板を回転させてレジスト膜を形成する工程と、
を有し、
前記第１の回転速度の下限が第４の回転速度であり、
前記第１の回転速度の上限が第５の回転速度であって、
前記第５の回転速度から前記第４の回転速度を差し引いた値を前記第５の
回転速度で除した値が０．ｌ以上、０．３以下であり、
前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４の回転速度は、前記第２の回転速度及び前記第３の回転速度より速いことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジストを供給する工程の前に、前記半導体基板上に被エッチング膜を形成する工程を有し、
前記レジスト膜を形成する工程の後に、
前記レジスト膜を露光、現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被エッチング膜をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布液の塗布方法及び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板、フォトマスク、ＬＣＤ基板等の基板上にレジスト、ＳＯＧ、ポリイミド等の塗布液を塗布するための塗布液の塗布方法、及びパターニングされる膜の上にレジストを塗布する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板に半導体装置を形成するためのプロセスにおいては、基板上の絶縁膜、半導体膜、金属膜等の膜をパターニングする複数の工程を有している。
【０００３】
そのような膜のパターニングは、膜の上にレジストパターンを形成した後に、レジストに覆われない領域の膜をエッチングすることにより行われている。
【０００４】
レジストは、膜が形成された基板上に塗布され、その後に、ベーク、露光、現像等の工程を経てパターニングされる。
【０００５】
レジストの塗布は、レジスト液を基板に滴下した後に基板の回転の遠心力と濡れ性によって基板全面に広げる方法によって行われるが、基板外部に飛散するレジスト量が多くなる。
【０００６】
回転塗布方法により消費されるレジスト量を減らすために、例えば、特開平９−１２９５４９号公報（特許文献１）には、基板に滴下されたレジストが基板全体を覆う前、即ち基板回転時間の途中まで基板回転速度を上昇、下降させることが記載されている。
【０００７】
この方法によれば、基板周縁まで延びるレジスト液の流れ（ヒゲ）の形成を抑制できることが特許文献１に記載されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−１２９５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、基板回転によるレジスト塗布方法においては、レジストを基板面内全体に亘って膜厚を均一に塗布する必要もある。
【００１０】
即ち、レジストは基板に塗布された後に、露光、現像の処理によりパターニングされるが、そのパターン精度を高めるためにはレジスト膜厚の面内分布の均一性が要求される。
【００１１】
本発明者らは、レジスト等の塗布液の消費量を減らして基板上に均一な厚さで塗布液を塗布することができる塗布液の塗布方法、及び塗布液の消費量を減らし且つ塗布液の膜厚を均一に塗布することができる塗布液の塗布工程を含む半導体装置の製造方法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
塗布液の塗布方法は、第１の時間において回転速度に上下の変化を有する第１の回転速度で基板を回転させつつ、前記基板上に塗布液を供給する工程と、前記第１の回転速度で前記基板を回転させた後、前記塗布液供給停止後に、前記第１の回転速度より遅い０ｒｐｍの第２の回転速度で前記基板を停止させる工程と、前記第２の回転速度で前記基板を停止させた後、前記第１の回転速度より遅く前記第２の回転速度より速い第３の回転速度で前記基板を回転させる工程と、を有し、前記第１の回転速度の下限が第４の回転速度であり、前記第１の回転速度の上限が第５の回転速度であって、前記第５の回転速度から前記第４の回転速度を差し引いた値を前記第５の回転速度で除した値が０．ｌ以上、０．３以下であり、前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化するようにする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板上に塗布液を回転塗布する際に、基板の回転速度の上下の変化を基板全面塗布の終了まで、即ち回転終了まで行うことにより、塗布膜の膜厚分布をより均一にすることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態に係る塗布液の塗布方法に使用される塗布装置の構成を示す側断面図である。なお、本実施形態では、塗布装置により塗布される塗布液としてレジストを例にして説明する。
【００１６】
図１において、塗布ユニット１の底板２中央には、モータ３が上下に移動可能に取り付けられている。モータ３の外周には、底板２に取り付けられた昇降器４が接続されている。昇降器４は、モータ３を上昇又は下降するように制御部１１により駆動制御される。
【００１７】
モータ３の回転軸の上端にはスピンチャック５の回転軸が固定されていて、モータ３の回転を制御する制御部１１によりスピンチャック５の回転速度が制御される。また、スピンチャック５の周囲には塗布液回収用の環状容器７が配置されている。
【００１８】
環状容器７の外側の領域にある底板２には、昇降部１３により高さが調整されるアーム支持柱１４が取り付けられ、その上端にはアーム移動部１６を有するレール１５が取り付けられている。
【００１９】
アーム移動部１６にはレール１５に直交する方向に移動制御されるスキャンアーム１７が取り付けられている。また、アーム移動部１６のレール１５上の移動位置とアーム移動部１６により移動されるスキャンアーム１７の移動位置は、それぞれ制御部１１により制御される。
【００２０】
スキャンアーム１７の先端には、スピンチャック５の上方でレジストノズル２１、溶剤ノズル２２を保持するノズル保持体２０が取り付けられている。
【００２１】
レジストノズル２１の上端にはレジスト供給管２１ａが接続され、さらに、溶剤ノズル２２の上端には溶剤供給管２２ａが接続されている。
【００２２】
レジスト供給管２１ａには、レジストノズル２１にレジスト液を供給するレジスト供給部２３が接続され、また、溶剤供給管２２ａには、溶剤ノズル２２ａに溶剤、例えばシンナを供給する溶剤供給部２４が接続されている。
【００２３】
レジスト供給部２３からのレジスト供給量、即ちレジストノズル２１からのレジスト滴下量と、溶剤供給部２４からの溶剤供給量、即ち溶剤ノズル２２からの溶剤滴下量は、それぞれ制御部１１により制御される。
【００２４】
次に、本実施形態に係る基板の回転、溶剤の供給及びレジストの供給の制御について例を挙げて説明する。
【００２５】
基板１０に溶剤を供給し、さらにレジストを塗布するため、図２に示すようなタイミングチャートに従って以下のような制御が行われる。なお、基板１０としてベアシリコン基板を使用する。
【００２６】
まず、制御部１１により、モータ３及びスピンチャック５を停止させる。この状態で、溶剤供給管２２ａに流す溶剤供給量を溶剤供給部２４により制御して、その溶剤、例えばシンナを溶剤ノズル２２から基板１０の中央部に吐出させる。
【００２７】
この後に、制御部１１によりモータ３を回転することにより、回転速度の変化を伴う第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11で基板１０を時間Ｔ１で回転する。
【００２８】
時間Ｔ１での基板１０の回転速度については、回転時間Ｔ１をｎ（ｎは数）区間に分割して、分割数ｎが偶数の期間では回転速度を所定範囲の最大値Ｒ12に高くするかそれより低い回転速度Ｒ11に制御し、ｎが奇数の場合にはその逆の回転速度Ｒ11、Ｒ12に制御することにより、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11に変化を与える。
【００２９】
回転の周期ＴはＴ＝２Ｔ１／ｎとなる。また、回転速度の変化の振幅ΔＲは、ΔＲ＝（Ｒ12−Ｒ11）となり、回転速度の最大値Ｒ12に対する回転数変動幅ΔＲの割合（変動率）γは次の式で表される。
γ（％）＝（（Ｒ12−Ｒ11）／Ｒ12）×１００
【００３０】
また、基板１０の回転時間Ｔ１の初めから終わりに至るまで、レジストノズル２１からレジストを基板１０の中央に吐出させる。その供給量は、レジスト供給管２１ａに接続されたレジスト供給部２３により制御される。
【００３１】
回転時間Ｔ１が経過した時点で、制御部１１によりモータ３を制御することにより、基板１０の回転を第２の回転速度Ｒ2まで減速する。第２の回転速度Ｒ2は、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11よりも低い。
【００３２】
続いて、基板１０の第２の回転速度Ｒ2への減速開始から時間Ｔ2を経過した時点で、さらに基板１０の回転を上昇させて第３の回転速度Ｒ3まで加速し、その後にその回転速度Ｒ3を時間Ｔ3で保持する。
【００３３】
第３の回転速度Ｒ3は、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11よりも遅く、かつ第２の回転速度Ｒ２よりも速く設定する。
【００３４】
時間Ｔ3の経過後には、必要に応じてさらに基板１０の回転速度を制御してもよく、これにより、基板１０上へのレジストの塗布が終了する。
【００３５】
上記のように、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11で基板１０を回転させる時間Ｔ１に対する分割数ｎと、回転時間Ｔ１における回転速度の変動率γを次の表１のように設定してレジストを塗布し、これにより本実施形態について５種類のレジスト塗布試験１〜５を行った。
【表１】
0005401763.tif 000002
【００３６】
表１における試験１〜試験５では、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11の時間Ｔ１、即ちレジストの吐出時間を１秒とした。そして、試験１では分割数（step）ｎをｎ＝１０とし、試験２では分割数（step）ｎをｎ＝５とし、試験３、試験４では分割数（step）ｎをｎ＝１０とし、試験５では分割数（step）ｎをｎ＝５とした。
【００３７】
また、試験１と試験２では回転数変動幅の割合γをγ＝１０％とし、試験３ではその割合γをγ＝２０％とし、試験４と試験５ではその割合γをγ＝３０％とした。
【００３８】
さらに、試験１〜試験５では、第１の回転速度Ｒ１１〜Ｒ１２のトータルの時間Ｔ１を１．０秒、第１の回転速度Ｒ１１〜Ｒ１２の最大回転速度Ｒ１２を３０００ｒｐｍとし、また、第２の回転速度Ｒ２を１００ｒｐｍ、その時間Ｔ２を１．０秒とし、さらに、第３の回転速度Ｒ３を１６５０ｒｐｍ、その時間Ｔ３を１５秒とした。
【００３９】
その一例として試験２のタイミングチャートを表２に示す。
【表２】
0005401763.tif 000003
【００４０】
表２において、ステップ１で、停止している基板１０に溶媒としてシンナを供給する。なお、シンナ供給後に低速で基板１０を回転させてもよい。
【００４１】
表２のステップ３では、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11の回転時間Ｔ１対する分割数ｎをｎ＝５とし、最初の０．２秒では基板１０の回転速度を３０００ｒｐｍとし、次の、０．２秒ではその回転速度を２７００ｒｐｍとし、さらに、０．２秒毎に回転速度を３０００ｒｐｍ、２７００ｒｐｍ、３０００ｒｐｍと変化させている。
【００４２】
ステップ３では、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11で回転している基板１０にレジストを供給する。レジスト供給を停止した後のステップ４では、基板１０の回転数速度を１．５秒間、１００ｒｐｍに減速し、続いて、ステップ５では、基板１０の回転速度を上昇させて１６５０ｒｐｍで１５秒間、回転する。
【００４３】
なお、表２における加速度の値は、その左の回転数を得るための加速度であり、また、負（−）で示している加速度の値は、基板１０の回転を減速するための加速度であり、減速度とも呼ばれている。
【００４４】
そして、試験１〜試験５によるレジスト塗布条件でＡｒＦレジストを基板１０に塗布したところ、図３の試験１〜試験５の曲線に示すようなレジストの膜厚分布が得られた。なお、レジストの目標膜厚を２５０ｎｍとし、時間Ｔ１＝１秒間でのレジストの総供給量を１．０ｍｌとした。
【００４５】
図３に示す膜厚分布は、基板１０の中心を通る直線に沿って４ｍｍ間隔で中心点を含めて４９点測定したデータに基づいている。
【００４６】
試験１〜試験５の膜厚分布の標準偏差σと、それらの膜厚の最大値と最小値の較差（換言すれば、膜厚較差）ｒａｎｇｅを求めたところ図４に示すような結果が得られた。
【００４７】
これに対してリファレンスとして図５に示すようなタイミングチャートによりレジストを塗布したところ、図３に示す黒いダイヤの線に示すような膜厚分布が得られ、さらに図４に示すような膜厚偏差値σと膜厚較差ｒａｎｇｅが得られた。
【００４８】
図５に示したリファレンスによるレジストの塗布条件は、表３のタイミングチャートに例示するように、第１の回転速度Ｒ１により基板１０を回転する前の０．１秒間に、３０００ｒｐｍの回転速度Ｒ10で基板１０を回転した後に、基板１０へのレジスト供給開始と同時に第１の回転速度Ｒ１を２５００ｒｐｍに設定しこれを変動させずに１秒間一定に保持している。それ以外の条件は、試験１〜試験５と同じである。
【表３】
0005401763.tif 000004
【００４９】
試験１〜試験５とリファレンスによるそれぞれのレジストの膜厚分布の中間値は、図４から明らかなようにほぼ同じになっている。
【００５０】
しかしながら、本実施形態に係る試験１〜試験５による塗布方法によれば、リファレンスの塗布方法よりも膜厚分布の均一性がより良好になった。
【００５１】
例えば、図３において、基板１０の中心とその近傍での平坦性について、試験１〜試験５の方法による膜厚分布は、リファレンスによる膜厚分布に比べて平坦性が良い。また、図４によれば、標準偏差σ、膜厚較差ｒａｎｇｅの双方ともに、試験１〜試験５はリファレンスに比べて大幅に良い値が得られ、高い平坦性が確保されていることがわかる。
【００５２】
一方、本実施形態における試験１〜試験５の膜厚分布の結果を相互に比較してみると、標準偏差σ、膜厚較差ｒａｎｇｅ、膜厚ともに殆ど変わりはなく、第１の回転速度Ｒ11〜Ｒ12の時間Ｔ１を少なくとも５分割〜１０分割し、さらに、回転数変動幅の割合γを１０％〜３０％の範囲で変動させても、レジストの膜厚及び平坦性はほぼ同じになることがわかる。
【００５３】
これは、基板１０上にレジストを供給する間に、まず、回転速度を所定範囲の最大値から最小値に急激に減少し、その後、その変化を繰り返して基板全面にレジストを塗布するまで続けているからである。これによりレジストの基板周方向への攪拌を最後まで行うことができ、基板の中心と周辺とで生じやすいレジストの偏りが抑制できるからであると考えられる。
【００５４】
ところで、表１の条件の違いによって、レジスト膜厚の平坦性が殆ど変わらないことから、第１の回転速度Ｒ12〜Ｒ11において、回転速度の変動幅ΔＲが不均一となるように変化させてもよいし、また、時間Ｔ１の分割を等分しなくてもよい。
【００５５】
なお、図２において、基板１０を第１の回転速度Ｒ11〜Ｒ12で回転させた後に、回転速度を第２の回転速度Ｒ２に減速したが、基板１０を停止してもよい。
【００５６】
以上のようなレジスト塗布方法は例えば半導体装置の製造プロセスに適用され、そのような工程を図６〜図８に基づいて説明する。
【００５７】
まず、図６（ａ）に示すように、上記した基板１０に該当するシリコン基板５１の表面にシリコン酸化膜／シリコン窒化膜積層膜５２を形成した後に、その上層側のシリコン窒化膜積層膜上に溶剤であるシンナを溶剤ノズル２２から供給し、ついでレジストノズル２１から粘度２．２ｍＰａ・ｓのＡｒＦレジスト５３をシリコン窒化膜上に塗布する。このレジストの塗布は、例えば上記の表１、表２に示した条件により行われる。
【００５８】
この場合のレジストノズル２１によるレジスト滴下量は、上記したように１．０ｍｌより少なくしても均一な膜厚分布が得られる。
【００５９】
この後に、図６（ｂ）に示すように、シリコン基板５１上のＡｒＦレジスト５３を波長１９３ｎｍの光源を用いて露光し、さらに現像して、シャロートレンチ領域に開口部５４を形成する。続いて、図６（ｃ）に示すように、開口部５４から露出したシリコン酸化膜／シリコン窒化膜積層膜５２をエッチングし、ＡｒＦレジスト５３を除去後、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜積層膜５２をマスクにしてシリコン基板５１を反応性イオンエッチング法によりエッチングして溝５５を形成する。
【００６０】
ついで、図６（ｄ）に示すように、シリコン基板５１の溝５５内にシリコン酸化膜を埋め込んで、これをシャロートレンチアイソレーション５６とする。なお、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜積層膜５２のうちの上側のシリコン窒化膜は、その上から埋込用シリコン酸化膜を化学機械研磨法等により除去した後に例えばリン酸により除去される。
【００６１】
次に、図７（ａ）に示すように、シリコン基板５１にｎ型又はｐ型のいずれかの不純物をイオン注入してｎ型又はｐ型のウェル５７を形成する。さらに、シリコン基板５１の表面を熱酸化してゲート絶縁膜５８を形成する。
【００６２】
続いて、図７（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５８上にポリシリコン膜５９を形成する。そして、表１、表２に示す方法により、ポリシリコン膜５９上に溶剤を供給し、続いてＡｒＦレジスト６０を塗布する。さらに、ＡｒＦレジスト６０を露光、現像して図７（ｃ）に示すように、ゲートパターンを形成する。
【００６３】
ついで、パターニングされたＡｒＦレジスト６０をマスクに使用してポリシリコン膜５９をエッチングし、その後にＡｒＦレジスト６０を除去する。これにより、図７（ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜５８を介してウェル５７上に、ポリシリコン膜５９から構成されるゲート電極５９ｇが形成される。
【００６４】
この後に、図８（ａ）に示すように、シリコン基板５１のうちゲート電極５９ｇの両側にソース／ドレインとなるｎ型又はｐ型の不純物拡散領域６１ａ，６１ｂを形成する。不純物拡散領域６１ａ，６１ｂを形成する場合には、複数回の不純物イオン注入工程があり、その間にゲート電極５９ｇの側面に絶縁性サイドウォール６５を形成する。絶縁性サイドウォール６５は、二酸化シリコン等の絶縁膜をシリコン基板５１上に形成した後に、これをエッチバックして形成される。
【００６５】
次に、図８（ｂ）に示すように、ゲート電極５９ｇとシリコン基板５１の上に化学気相成長（ＣＶＤ）法により一層目の層間絶縁膜６２となるシリコン酸化膜を形成する。続いて、不純物拡散領域６１ａ、６１ｂに接続される導電性プラグ６３を一層目の層間絶縁膜６２内に形成する。
【００６６】
次に、一層目の層間絶縁膜６２上にタングステンの導電膜６４を形成した後に、その上に溶剤を滴下し、続いてＫｒＦレジスト６５を塗布する。
【００６７】
さらに、図８（ｃ）に示すように、波長２４８ｎｍの光源を使用してＫｒＦレジスト６５を露光し、現像して配線用パターンを形成する。さらに、図８（ｄ）に示すように、ＫｒＦレジスト６５のパターンをマスクにして導電膜６４をエッチングし、残された導電膜６４を一層目の配線６４ａとする。この後に、配線６４ａ及び層間絶縁膜６２上に二酸化シリコン膜を形成し、これをエッチバックして一層目の配線６４ａの周囲に絶縁性サイドウォール６６として残す。
【００６８】
その後に、さらに層間絶縁膜、配線等が形成され半導体装置の形成が終了する。
【００６９】
ところで、上記の実施形態では、基板表面にレジストを塗布方法することについて説明したが、上記の塗布方法は、フォトマスク基板、ＬＣＤ基板、その他の基板上にレジストを塗布する場合にも適用してもよい。また、上記の塗布方法は、基板上にレジストを塗布する場合に限るものではなく、ＳＯＧ（spin-on-glass）、ポリイミド樹脂等を基板上に塗布する場合にも適用してもよい。
【００７０】
次に、上記実施形態の特徴を付記する。
（付記１）第１の時間において回転速度に上下の変化を有する第１の回転速度で基板を回転させつつ、前記基板上に塗布液を供給する工程と、前記塗布液の供給後に、前記基板の回転速度を前記第１の回転速度から減速する工程とを有することを特徴とする塗布液の塗布方法。
（付記２）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１に記載の塗布液の塗布方法。
（付記３）前記第１の回転速度は、設定された速度範囲の最大速度と最小速度の繰り返しによって変化することを特徴とする付記１又は付記２に記載の塗布液の塗布方法。
（付記４）前記第１の回転速度は、前記第１の時間を等分割した時間毎に変化することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
（付記５）前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を第２の回転速度に減速することを特徴とする付記１乃至付記４のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
（付記６）前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を停止することを特徴とする付記１乃至付記４のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
（付記７）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１に記載の塗布液の塗布方法。
（付記８）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で不等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１に記載の塗布液の塗布方法。
（付記９）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化することを特徴とする付記１に記載の塗布液の塗布方法。
（付記１０）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が不均一に変化することを特徴とする付記１に記載の塗布液の塗布方法。
（付記１１）第１の時間において回転速度に上下の変化を有する第１の回転速度で半導体基板を回転させつつ、前記半導体基板上に塗布液を供給する工程と、前記塗布液の供給後に、前記半導体基板の回転速度を前記第１の回転速度から減速する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）前記第１の回転速度は、設定された速度範囲の最大速度と最小速度の繰り返しによって変化することを特徴とする付記１１又は付記１２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）前記第１の回転速度は、前記第１の時間を等分割した時間毎に変化することを特徴とする付記１１乃至付記１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１５）前記基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記基板の回転を第２の回転速度に減速することを特徴とする付記１１乃至付記１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１６）前記半導体基板への前記塗布液の供給を停止した後、前記半導体基板の回転を停止することを特徴とする付記１１乃至付記１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で不等分に分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返すことによって変化することを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が均一に変化することを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記２０）前記第１の回転速度は、前記第１の時間内で分割された時間毎に回転速度の上昇と下降を繰り返す変動率が不均一に変化することを特徴とする付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１は、本発明の実施形態における塗布液の供給方法に使用される塗布ユニットの一例を示す側面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る塗布液の塗布方法における基板の回転速度と回転時間の一例を示すタイムチャートである。
【図３】図３は、本発明の実施形態に係る第１例のレジスト液塗布方法の条件により形成されたレジストの膜厚分布を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明に係る実施形態とリファレンスのそれぞれの塗布方法により塗布されたレジストの平坦性を示すチャートである。
【図５】図５は、リファレンスに係る塗布液の塗布方法における基板の回転速度と回転時間の一例を示すタイムチャートである。
【図６】図６は、本発明の実施形態の方法による半導体装置の形成工程を示す断面図（その１）である。
【図７】図７は、本発明の実施形態の方法による半導体装置の形成工程を示す断面図（その２）である。
【図８】図８は、本発明の実施形態の方法による半導体装置の形成工程を示す断面図（その２）である。
【符号の説明】
【００７２】
１  塗布ユニット、
３  モータ、
５  スピンチャック、
１０  基板、
１１  制御部、
２１  レジストノズル、
２２  溶剤ノズル、
２３  レジスト供給部、
２４  溶剤供給部、
５１  シリコン基板、
５２  シリコン酸化膜／シリコン窒化膜積層膜
５３  ＡｒＦレジスト（塗布液）、
５５  溝、
５９  ポリシリコン膜、
６０  ＡｒＦレジスト（塗布液）、
５９ｇ  ゲート電極、
６４  導電膜、
６５  ＫｒＦレジスト、
６４ａ  配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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