(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つ以上のグリーンシートを積層する積層工程と、
前記３つ以上のグリーンシートの最上層、少なくとも１つの中間層及び最下層に分割用溝を形成する分割用溝形成工程と、
前記分割用溝が形成され積層されたグリーンシートを焼成して複数のセラミック層を形成する焼成工程と、
前記複数のセラミック層を前記分割用溝を利用して破断させて個別化する個別化工程と
を具備し、
前記分割用溝形成工程において、前記各分割用溝の幅が前記３つ以上のグリーンシートの前記最上層、前記中間層及び前記最下層に従って順次大きくもしくは小さくなっているセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
３つ以上のグリーンシートを積層する積層工程と、
前記３つ以上のグリーンシートの最上層、少なくとも１つの中間層及び最下層に分割用溝を形成する分割用溝形成工程と、
前記分割用溝が形成され積層されたグリーンシートを焼成して複数のセラミック層を形成する焼成工程と、
前記複数のセラミック層を前記分割用溝を利用して破断させて個別化する個別化工程と
を具備し、
前記分割用溝形成工程において、前記各分割用溝の深さが前記３つ以上のグリーンシートの前記最上層、前記中間層及び前記最下層に従って順次大きくもしくは小さくなっているセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
さらに、前記焼成工程の前に、前記３つ以上のグリーンシートの少なくとも１つに分割用スルーホールを形成する分割用スルーホール形成工程を具備し、
前記個別化工程において、前記分割用溝と共に前記分割用スルーホールを利用して前記複数のセラミック層を破断させるようにした請求項１もしくは２に記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミック多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、導電層及びガラスセラミックスを同時焼成する低温同時焼成セラミックス（LTCC）が開発されている。すなわち、導電層、たとえば、銀（Ag）、銅（Cu）の融点は962℃、1085℃と低い。この場合にあっても、誘電体セラミックスにガラスを添加したガラスセラミックスは銀、銅の融点より低い900℃程度で焼成できる。従って、導体及びガラスセラミックスを同時焼成できる。
【０００３】
低温同時焼成セラミックスの製造方法は以下のごとく行われる。誘電体セラミックス、ガラス等の焼結助剤よりなる原料粉末、有機バインダー、可塑剤、溶剤を混合してスラリーを作り、このスラリーをドクターブレード成形機で柔軟性のあるグリーンシートに成形する。次いで、必要に応じてグリーンシートにスルーホールを形成し、銀、銅等の導体ペーストをスクリーン印刷法等によりグリーンシートのスルーホール及び表面に印刷してビア及び導電層を形成する。最後に、複数のグリーンシートを圧着して積層した後に、900℃程度で焼成する。
【０００４】
図２０は上述の低温同時焼成セラミックスの製造方法が適用される発光ダイオード（LED）用低背パッケージの断面図である。
【０００５】
図２０においては、ガラスセラミック層１、２、３、４、５、６、７が積層されて１つの集合基板を形成している。特に、作用、積層位置から、ガラスセラミック層１、２はリフレクタ層、ガラスセラミック層３はボンディング層、ガラスセラミック層４、５、６は内層、ガラスセラミック層７は下層と称する。
【０００６】
ガラスセラミック層１、２は中心に開口部が形成された枠構造をなし、必要に応じて開口部の内壁に銀（Ag）等の高反射率金属層（図示せず）がめっき等によって形成されている。また、各ガラスセラミック層３、４、５、６、７には、たとえば銅（Cu）よりなるビア３１、４１、５１、６１、７１及び導電層３２、３３、４２、５２、６２、７２が必要に応じて設けられている。
【０００７】
また、ガラスセラミック層３の導電層３３上にLED素子８をダイボンディングし、他の導電層３３とLED素子８とをボンディングワイヤ９によって接続する。最後に、封止樹脂層１０によってLED素子８、ボンディングワイヤ９を封止している。
【０００８】
図２１は従来のセラミック多層配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートであって、図２０のLED素子用低背パッケージに適用される。
【０００９】
始めに、ステップ２１０１を参照すると、図２０のガラスセラミック層１、２に対応するグリーンシート１’、２’（図２２に図示）に開口部を形成すると共に、必要に応じてその内壁に電解めっき法等によって高反射率金属層たとえば銀（Ag）層を形成する。また、図２０のガラスセラミック層３〜７に対応するグリーンシート３’〜７’（図２２に図示）にレーザ加工法等により必要なスルーホールを形成し、これらのグリーンシート３’〜７’のスルーホール及び表面に銅（Cu）等よりなるビア及び導電層をスクリーン印刷法等により形成する。
【００１０】
次に、ステップ２１０２を参照すると、図２２に示すごとく、グリーンシート１’〜７’を圧着して積層する。尚、図２２においては、グリーンシート１’、２’の高反射率金属層、グリーンシート３’〜７’のスルーホール、ビア及び導電層は図示省略してある。
【００１１】
次に、ステップ２１０３を参照すると、図２３に示すごとく、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’の各パッケージ境界に分割用溝G1、G7を形成する。尚、図２３においても、グリーンシート１’、２’の高反射率金属層、グリーンシート３’〜７’のスルーホール、ビア及び導電層は図示省略してある。
【００１２】
次に、ステップ２１０４を参照すると、積層されたグリーンシート１’〜７’を900℃程度で焼成する。尚、導電層等が銅等により形成されている場合、窒素雰囲気中で焼成を行い、導電層等の酸化を防止する。
【００１３】
次に、ステップ２１０５を参照すると、ガラスセラミック層３’の導電層３３上にLED素子８をダイボンディングする（図２０を参照）。
【００１４】
次に、ステップ２１０６を参照すると、LED素子８と導電層３３とをボンディングワイヤ９によって接続する（図２０参照）。
【００１５】
次に、ステップ２１０７を参照すると、必要に応じて封止樹脂層１０でLED素子８及びボンディングワイヤ９を封止する（図２０参照）。
【００１６】
最後に、ステップ２１０８を参照すると、ガラスセラミック層１’側から加圧させて分割用溝G1、G7を利用して破断させて各LED用低背パッケージを個別化する。この結果、図２４に示すごとく、ガラスセラミック層１〜７よりなるLED用低背パッケージが得られる。この場合、最上層のガラスセラミック層１及び最下層のガラスセラミック層７には分割用溝G1、G7が存在した部分G1’、G7’が観察される。尚、図２４においては、ガラスセラミック層１、２の高反射率金属層、ガラスセラミック層３〜７のスルーホール、ビア、導電層、LED素子８、ボンディングワイヤ９及び封止樹脂層１０は図示省略してある。
【００１７】
たとえば、セラミック多層配線基板の最上層、最下層に分割用溝を形成する従来技術は特許文献１に記載され、また、セラミック配線基板の上下面に分割用溝を形成する従来技術は特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００３−２４９７５５号公報
【特許文献２】特開２００８−２８０６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、上述の従来のセラミック多層配線基板の製造方法においては、製造歩留りが低下し、この結果、製造コストが上昇するという課題があった。
【００２０】
つまり、各LED用低背パッケージを個別化する際に、図２５の点線X1に示す破断線のごとく、破断は分割用溝G1を起点に分割用溝G7を終点へ向って垂直に破断するが、セラミックの粒塊の位置、大きさが一定でなく、また、破断が進むにつれてガラスセラミック層１〜７も傾いていくので、図２５の点線X2に示す破断線のごとく、破断は分割用溝G1を起点に斜めに破断して分割用溝G7からずれることがある。この結果、ばりY、欠けZにより不良品が発生して製造歩留りが低下する。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上述の課題を解決するために、本発明に係るセラミック多層配線基板の製造方法は、３つ以上のグリーンシートを積層する積層工程と、これら３つ以上のグリーンシートの最上層、少なくとも１つの中間層及び最下層に分割用溝を形成する分割用溝形成工程と、分割用溝が形成され積層されたグリーンシートを焼成して複数のセラミック層を形成する焼成工程と、複数のセラミック層を分割用溝を利用して破断させて個別化する個別化工程とを具備する。分割用溝形成工程において、各分割用溝の幅が３つ以上のグリーンシートの最上層、中間層及び最下層に従って順次大きくもしくは小さくなっている。あるいは、分割用溝形成工程において、各分割用溝の深さが３つ以上のグリーンシートの最上層、中間層及び最下層に従って順次大きくもしくは小さくなっている。
【００２２】
また、焼成工程の前に、３つ以上のグリーンシートの少なくとも１つに分割用スルーホールを形成する分割用スルーホール形成工程を具備し、個別化工程において、分割用溝と共に分割用スルーホールを利用して複数のセラミック層を破断させるようにする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、個別化する際に、破断線が確実に垂直となり、従って、ばり、欠けによる不良品がなくなり、製造歩留りが向上し、この結果、製造コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態としてのセラミック配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図１の積層処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】図１の最上層、最下層分割用溝形成処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】図１の個別化処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図４の個別化処理の詳細を示す断面図である。
【図６】図５の第１の変更例を示す断面図である。
【図７】図５の第２の変更例を示す断面図である。
【図８】図５の第３の変更例を示す断面図である。
【図９】図５の第４の変更例を示す断面図である。
【図１０】本発明に係る第２の実施の形態としてのセラミック配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０の積層処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】図１０の最上層、最下層分割用スルーホール形成処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１３】図１０の個別化処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１４】図１２の変更例を示す断面図である。
【図１５】本発明に係る第３の実施の形態としてのセラミック配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１６】図１５の積層処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１７】図１５の分割用スルーホール形成処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１８】図１５の個別化処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１９】図１７の変更例を示す断面図である。
【図２０】LED用低背パッケージを示す断面図である。
【図２１】従来のセラミック配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図２２】図２１の積層処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２３】図２１の分割用溝形成処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２４】図２１の個別化処理を説明するための図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２５】従来のセラミック配線基板の製造方法における課題を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は本発明に係る第１の実施の形態としてのセラミック多層配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートであって、図２０のLED素子用低背パッケージに適用される。図１においては、図２１のステップ２１０１とステップ２１０２との間にステップ１０１を付加してある。
【００２７】
従って、ステップ２１０１にて、グリーンシート１’、２’に開口部を形成すると共に、必要に応じてその内壁に電解めっき法等によって高反射率金属層たとえば銀（Ag）層を形成し、グリーンシート３’〜７’にレーザ加工法等により必要なスルーホールを形成し、これらのグリーンシート３’〜７’のスルーホール及び表面に銅（Cu）等よりなるビア及び導電層をスクリーン印刷法等により形成した後に、ステップ１０１において、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’を除くグリーンシート２’〜６’の各パッケージ境界に分割用溝G2〜G6を形成する。
【００２８】
次に、ステップ２１０２にて、図２に示すごとく、グリーンシート１’〜７’を圧着して積層し、ステップ２１０３にて、図３に示すごとく、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’の各パッケージ境界に分割用溝G1、G7を形成する。
【００２９】
次に、ステップ２１０４にて、積層されたグリーンシート１’〜７’を900℃程度で焼成し、次に、ステップ２１０５にて、ガラスセラミック層３’の導電層３３上にLED素子８をダイボンディングし、ステップ２１０６にて、LED素子８と導電層３３とをボンディングワイヤ９によって接続し、次に、ステップ２１０７にて、必要に応じて封止樹脂層１０でLED素子８及びボンディングワイヤ９を封止する。
【００３０】
最後に、ステップ２１０８を参照すると、ガラスセラミック層１側から加圧させて分割用溝G1〜G7を利用して破断させて各LED用低背パッケージを個別化する。この結果、図４に示すごとく、ガラスセラミック層１〜７よりなるLED用低背パッケージが得られる。この場合、ガラスセラミック層１〜７には分割用溝G1〜G7が存在した部分G1’〜G7’が観察される。
【００３１】
より詳しくは、ガラスセラミック層１側から加圧すると、図５の点線X1に示す破断線のごとく、破断は分割用溝G1を起点に斜めに破断しても分割用溝G2に及んだ時点で斜め破断が中断し、分割用溝G2から斜め破断が再開する。以下、同様に、斜め破断が進行しても、順次、分割用溝G3〜G6を介して分割用溝G7に終点の向って破断する。従って、セラミックの粒塊の位置、大きさが一定でなくとも、また、破断が少し斜めに進行しても、ばり、欠けにより不良品は発生しなくなり製造歩留りが向上する。
【００３２】
このように、上述の第１の実施の形態によれば、歩留り向上により製造コストを低減できる。また、同時に、個別化の際のガラスセラミック層に加圧する力も小さくなるので、ガラスセラミック層へのストレス、個別化するための機械の磨耗、騒音も小さくできる。
【００３３】
尚、上述の第１の実施の形態における分割用溝G1〜G7の形状はＶ字型、Ｕ字型等でもよい。また、グリーンシート１〜７の厚さTが100〜300μmであれば、分割用溝G1〜G7の幅Wは5〜30μm、分割用溝G1〜G7の深さDは30〜150μm（Tの30〜50％）である。
【００３４】
さらに、上述の第１の実施の形態では、積層処理後のステップ２１０３に、最上層、最下層のグリーンシート１、７の各パッケージ境界に分割用溝G1、G7を形成しているが、積層処理前のステップ１０１において、グリーンシート２〜６の各パッケージ境界の分割用溝G2〜G6と共に形成してもよい。この場合には、図５の第１の変更例である図６に示すごとく、分割用溝G1〜G7の形状をすべて同一方向に向かせることができる。
【００３５】
また、破断が進行するにつれてガラスセラミック層１〜７は傾いていくので、破断は依然として斜めに進行し易い。この結果、１つの分割用溝から破断線が次の分割用溝により受容し易くするために、図５の第２の変更例を示す図７のごとく、破断が進行するにつれて、分割用溝G1〜G7の幅W1〜W7のみを大きくしている。つまり、
W1≦W2≦W3≦W4≦W5≦W6≦W7
あるいは、図５の第３の変更例を示す図８のごとく、破断が進行するにつれて、分割用溝G1〜G7の深さD1〜D7のみを大きくしている。つまり、
D1≦D2≦D3≦D4≦D5≦D6≦D7
尚、破断方向がガラスセラミック層７からガラスセラミック層１へ向う場合には、上述の２つの式は、
W1≧W2≧W3≧W4≧W5≧W6≧W7
D1≧D2≧D3≧D4≧D5≧D6≧D7
となる。また、破断が進行するにつれて、分割用溝G1〜G7の幅W1〜W7及び深さD1〜D7を共に大きくもしくは小さくしてもよい。
【００３６】
尚、図５、図６、図７、図８においては、分割用溝をガラスセラミック層１〜７のすべてに設けているが、分割用溝は、最上層のガラスセラミック層１、最下層のガラスセラミック層７及びガラスセラミック層２〜６の少なくとも１つに設ければ、従来に比較して製造歩留りを向上できる。たとえば、図５の第４の変更例である図９の（Ａ）に示すように、分割用溝G1、G3、G4、G6、G7をガラスセラミック層１、３、４、６、７に設ける。また、図９の（Ｂ）に示すように、ガラスセラミック層（ボンディング層）３の分割予定位置に導電層３３のパターンが形成されている場合にあって、この導電層３３のパターンがたとえば焼成処理後の電解めっき処理のためにパッケージ間に接続されている必要がある場合には、ガラスセラミック層３の導電層３３の当該パターン部分には分割用溝を設けない。
【００３７】
図１０は本発明に係る第２の実施の形態としてのセラミック多層配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートであって、図２０のLED素子用低背パッケージに適用される。図１０においては、図１のステップ１０１の後にステップ１００１を付加し、ステップ２１０３の後にステップ１００２を付加してある。
【００３８】
従って、ステップ２１０１にて、グリーンシート１’、２’に開口部を形成すると共に、必要に応じてその内壁に電解めっき法等によって高反射率金属層たとえば銀（Ag）層を形成し、グリーンシート３’〜７’にレーザ加工法等により必要なスルーホールを形成し、これらのグリーンシート３’〜７’のスルーホール及び表面に銅（Cu）等よりなるビア及び導電層をスクリーン印刷法等により形成し、ステップ１０１において、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’を除くグリーンシート２’〜６’の各パッケージ境界に分割用溝G2〜G6を形成した後に、ステップ１００１において、最上層、最下層のグリーンシート１’、７’を除くグリーンシート２’〜６’の各パッケージ境界にレーザ加工法等により分割用スルーホールTH2〜TH6（図１１参照）を形成する。尚、スルーホールTH2〜TH6はステップ２１０１におけるグリーンシート２’〜６’のスルーホールと同時に形成してもよい。
【００３９】
次に、ステップ２１０２にて、図１１に示すごとく、グリーンシート１’〜７’を圧着して積層し、ステップ２１０３にて、図１２に示すごとく、最上層のグリーンシート１’及び最下層のグリーンシート７’の各パッケージ境界に分割用溝G1、G7を形成した後に、ステップ１００２において、図１２に示すごとく、最上層、最下層のグリーンシート１’、７’の各パッケージ境界にレーザ加工法等により分割用スルーホールTH1、TH7を形成する。
【００４０】
次に、ステップ２１０４にて、積層されたグリーンシート１’〜７’を900℃程度で焼成し、次に、ステップ２１０５にて、ガラスセラミック層３’の導電層３３上にLED素子８をダイボンディングし、ステップ２１０６にて、LED素子８と導電層３３とをボンディングワイヤ９によって接続し、次に、ステップ２１０７にて、必要に応じて封止樹脂層１０でLED素子８及びボンディングワイヤ９を封止する。
【００４１】
最後に、ステップ２１０８を参照すると、ガラスセラミック層１側から加圧させて分割用溝G1〜G7及び分割用スルーホールTH1〜TH7を利用して破断させて各LED用低背パッケージを個別化する。この結果、図１３に示すごとく、ガラスセラミック層１〜７よりなるLED用低背パッケージが得られる。この場合、ガラスセラミック層１〜７には分割用溝G1〜G7が存在した部分G1’〜G7’と共にスルーホールTH1〜TH7の半分が観察される。
【００４２】
このように、上述の第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態に比較して、さらに破断が垂直方向に進行し易くなるので、さらなる歩留り向上により製造コストを低減できる。また、同時に、個別化の際のガラスセラミック層に加圧する力も小さくなるので、ガラスセラミック層へのストレス、個別化するための機械の磨耗、騒音も小さくできる。
【００４３】
さらに、上述の第２の実施の形態においても、積層処理後のステップ２１０２に、最上層、最下層のグリーンシート１、７の各パッケージ境界に分割用溝G1、G7及び分割用スルーホールTH1、TH6を形成しているが、積層処理前のステップ１００１において、グリーンシート２〜６の各パッケージ境界の分割用スルーホールTH1〜TH6と共に形成してもよい。
【００４４】
尚、図１０、図１１、図１２、図１３においては、分割用スルーホールをガラスセラミック層１〜７のすべてに設けているが、分割用スルーホールは、ガラスセラミック層１〜７の一部に設ければ、第１の実施の形態に比較してさらに製造歩留りを向上できる。たとえば、図１２の変更例である図１４に示すように、分割用スルーホールTH5、TH7をガラスセラミック層５、７に設けるだけでもよい。
【００４５】
図１５は本発明に係る第３の実施の形態としてのセラミック多層配線基板の製造方法を説明するためのフローチャートであって、図２０のLED素子用低背パッケージに適用される。図１５においては、図１の分割用溝形成ステップ１０１及びステップ２１０３を削除し、ステップ２１０２の後に分割用スルーホール形成ステップ１５０１を付加してある。
【００４６】
従って、ステップ２１０１にて、グリーンシート１’、２’に開口部を形成すると共に、必要に応じてその内壁に電解めっき法等によって高反射率金属層たとえば銀（Ag）層を形成し、グリーンシート３’〜７’にレーザ加工法等により必要なスルーホールを形成し、これらのグリーンシート３’〜７’のスルーホール及び表面に銅（Cu）等よりなるビア及び導電層をスクリーン印刷法等により形成し、ステップ２１０２にて、図１７に示すごとく、グリーンシート１’〜７’を圧着して積層した後に、ステップ１５０１において、図１６に示すごとく、グリーンシート１’〜７’の各パッケージ境界にレーザ加工法等により分割用スルーホールTH1〜TH7を形成する。
【００４７】
次に、ステップ２１０４にて、積層されたグリーンシート１’〜７’を900℃程度で焼成し、次に、ステップ２１０５にて、ガラスセラミック層３’の導電層３３上にLED素子８をダイボンディングし、ステップ２１０６にて、LED素子８と導電層３３とをボンディングワイヤ９によって接続し、次に、ステップ２１０７にて、必要に応じて封止樹脂層１０でLED素子８及びボンディングワイヤ９を封止する。
【００４８】
最後に、ステップ２１０８を参照すると、ガラスセラミック層１側から加圧させて分割用スルーホールTH1〜TH7を利用して破断させて各LED用低背パッケージを個別化する。この結果、図１８に示すごとく、ガラスセラミック層１〜７よりなるLED用低背パッケージが得られる。この場合、ガラスセラミック層１〜７にはスルーホールTH1〜TH7の半分が観察される。
【００４９】
このように、上述の第３の実施の形態によれば、従来に比較して、破断が垂直方向に進行し易くなるので、歩留り向上により製造コストを低減できる。また、同時に、個別化の際のガラスセラミック層に加圧する力も小さくなるので、ガラスセラミック層へのストレス、個別化するための機械の磨耗、騒音も小さくできる。
【００５０】
尚、図１５、図１６、図１７、図１８においては、分割用スルーホールをガラスセラミック層１〜７のすべてに設けているが、分割用スルーホールは、ガラスセラミック層１〜７の一部に設ければ、従来に比較して製造歩留りを向上できる。たとえば、図１７の変更例である図１９に示すように、分割用スルーホールTH1、TH3、TH5、TH7をガラスセラミック層１、３、５、７に設けるだけでもよい。
【００５１】
また、上述の実施の形態においては、個別化処理をガラスセラミック層１側から加圧させているが、ガラスセラミック層７側から加圧してもよい。この場合には、破断がガラスセラミック層７からガラスセラミック層１側へ進み易いように、上述の第１、第２の実施の形態において、多くの分割用溝のＶ字型またはＵ字型の向きを上側となるようにする。
【００５２】
さらに、本発明はLED用セラミック多層配線基板以外にも、他の半導体装置、能動素子、受動素子用セラミック多層配線基板にも適用し得る。
【符号の説明】
【００５３】
１：ガラスセラミック層（リフレクタ層）
３：ガラスセラミック層（ボンディング層）
４、５、６：ガラスセラミック層（内層）
７：ガラスセラミック層（下層）
１’、２’、…、７’：グリーンシート 
８：LED素子
９：ボンディングワイヤ
１０：封止樹脂層
G1、G2、…、G7：分割用溝 
G1’、G2’、…、G7’：分割用溝が存在した部分
TH1、TH2、…、TH7：分割用スルーホール
X1、X2：破断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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