(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、前記回路基板の一主面側に設けられた導電パターンと、前記導電パターン上に固着された回路素子と、前記回路基板を被覆する樹脂封止体とを有する回路装置において、
前記樹脂封止体は、少なくとも前記回路基板の一主面側を被覆する第１の樹脂封止体と、少なくとも前記回路基板の前記一主面と対向する他の主面側を被覆する第２の樹脂封止体とを有し、
前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの粒径は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの粒径よりも大きく、
前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの材質は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの材質とは異なり、前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの熱伝導率は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの熱伝導率よりも大きいことを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記第２の樹脂封止体は、前記回路基板の他の主面の下面に配置された固形の樹脂シートを溶融した後、硬化した樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの形状は、結晶形状または破砕形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーは、球状のシリカであり、前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーは、アルミナであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂パッケージの放熱性を向上させる回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路装置の製造方法の一実施例として、下記の製造方法が知られている。図６（Ａ）に示す如く、Ａｌ基板等の金属基板から成る回路基板５１を準備し、回路基板５１上面に絶縁性の樹脂層５２及び導電パターン５３を形成する。そして、導電パターン５３上に回路素子５４やリード５５を電気的に接続し、回路基板５１上に混成集積回路を形成する。その後、樹脂封止金型５６のキャビティ５７内に回路基板５１を配置し、上金型５８と下金型５９によりリード５５を挟持することで、回路基板５１はキャビティ５７内に固定される。
【０００３】
図６（Ｂ）に示す如く、樹脂封止金型５６のゲート部６０を介してキャビティ５７内へ樹脂を注入する。このとき、矢印６１にて示すように、注入された樹脂は、先ず、回路基板５１の側面にあたる。樹脂は、矢印６１Ａ及び６１Ｂにて示すように、回路基板５１の上面側及び下面側へと流入する。そして、回路基板５１の下面端部には曲面６２が配置されることで、効率的に回路基板５１下面側へと樹脂を流入させる。回路基板５１下面の樹脂封止体の厚みは、例えば、０、５ｍｍ程度であるが、前述した樹脂注入方法により、その狭い隙間への樹脂の充填が実現される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、従来の回路装置の一実施例として、下記の構造が知られている。図７に示す如く、回路装置７１では、回路基板７２の上面に、導電パターン７３と回路素子７４とから成る混成集積回路が構築され、回路基板７２の上面、側面及び下面は、樹脂封止体７５により一体に被覆される。そして、樹脂封止体７５は、トランスファーモールドにより形成される第１の樹脂封止体７５Ａと、固形の樹脂シートを溶融して形成される第２の樹脂封止体７５Ｂから構成される。尚、図示したように、樹脂封止体７５の側面からは、回路基板７２上面の導電パターン７３と電気的に接続するリード７６が、樹脂封止体７５の外部へと導出する（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７５１５号公報（第６−９頁、第８−９図）
【特許文献２】特開２０１０−６７８５２号公報（第４−１０頁、第１−４図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
先ず、図６（Ａ）及び（Ｂ）を用いて説明した製造方法では、樹脂封止金型５６のゲート部６０から注入された樹脂が、回路基板５１の側面にぶつかり、且つ、回路基板５１に形成された曲面６２を利用することで、回路基板５１の下面の狭い領域に樹脂が充填し易くなる。そして、回路基板５１の下面の狭い領域に未充填領域が発生することを防止するためには、樹脂が流動するための幅が必要であり、回路基板５１下面の樹脂封止体の厚みの薄膜化が実現し難く、樹脂封止体からの放熱性が向上し難いという問題がある。
【０００７】
特に、この放熱性の問題を解決するためには、封止用の樹脂内のフィラーの含有率を増大させることやその粒径を大きくすることが考えられる。しかしながら、フィラーの含有率を増大させることで、また、その粒径を大きくすることで、樹脂の流動性が悪化し、回路基板５１の下面に未充填領域が発生し易くなるという新たな問題がある。更に、使用されるフィラーの材料や形状においても、１種類の樹脂にて回路基板５１の全面を一体に封止する製造方法では、回路素子の損傷や金属細線の断線等の問題もあり、その材料や形状が限定されるという問題がある。
【０００８】
次に、図７を用いて説明した回路装置７１では、回路基板７２下面の未充填領域を防止し、樹脂封止体の薄型化を実現しているが、更なる放熱性の向上させるための構造に関し、全く開示がなされていない。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した各事情に鑑みて成されたものであり、本発明の回路装置では、回路基板と、前記回路基板の一主面側に設けられた導電パターンと、前記導電パターン上に固着された回路素子と、前記回路基板を被覆する樹脂封止体とを有する回路装置において、前記樹脂封止体は、少なくとも前記回路基板の一主面側を被覆する第１の樹脂封止体と、少なくとも前記回路基板の前記一主面と対向する他の主面側を被覆する第２の樹脂封止体とを有し、前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの粒径は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの粒径よりも大きく、前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの材質は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの材質とは異なり、前記第２の樹脂封止体に含まれるフィラーの熱伝導率は、前記第１の樹脂封止体に含まれるフィラーの熱伝導率よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明では、回路基板の下面側を被覆する樹脂に含まれるフィラーの粒径が、回路基板の上面側を被覆する樹脂に含まれるフィラーの粒径よりも大きくなることで、回路装置外部への放熱性が向上される。
【００１１】
また、本発明では、回路基板下面側には回路素子等を配置しない構造とし、回路基板下面側の樹脂内のフィラーとしてアルミナを用いることで、そのフィラーを含む樹脂の熱抵抗が大幅に低減される。
【００１２】
また、本発明では、回路基板の下面側の樹脂は、樹脂シートを用いて形成されることで、その樹脂内に含まれるフィラーの粒径が大きくなり、回路装置外部への放熱性が向上される。
【００１３】
また、本発明では、回路基板の下面側に配置されるフィラー形状が多角形形状となることで、そのフィラーを含む樹脂の熱抵抗が大幅に低減される。
【００１４】
また、本発明では、耐湿性が重視される回路基板上面側の樹脂内のフィラーとしてシリカを用いることで、材料コストが大幅に低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態における回路装置を説明する（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における回路装置を説明する（Ａ）斜視図、（Ｂ）断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における回路装置の製造方法を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における回路装置の製造方法を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図５】本発明の実施の形態における半導体装置を説明する（Ａ）平面図、（Ｂ）断面図である。
【図６】従来の実施の形態における回路装置及びその製造方法を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）断面図である。
【図７】従来の実施の形態における回路装置を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の第１の実施の形態である回路装置について説明する。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す回路装置のＡ−Ａ線方向の断面図である。図２（Ａ）は、樹脂シートを説明する斜視図である。図２（Ｂ）は、樹脂シートを説明する断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）は、回路装置１の斜視図を示し、回路装置１では、樹脂封止体２内の回路基板４（図１（Ｂ）参照）上面に導電パターン６（図１（Ｂ）参照）と回路素子から成る混成集積回路が構築され、この回路と接続されたリード３が、樹脂封止体２から外部へと導出する。そして、回路基板４の上面、側面及び下面は、熱硬化性樹脂から成る樹脂封止体２により被覆される。
【００１８】
図１（Ｂ）に示す如く、回路基板４は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板であり、例えば、縦×横×厚さ＝６１ｍｍ×４２．５ｍｍ×１．５ｍｍ程度の形状となる。ここで、回路基板４の材料として金属以外が採用されても良く、例えば、セラミックや樹脂材料が採用されても良い。
【００１９】
絶縁層５は、回路基板４の表面全域を覆うように形成される。絶縁層５は、フィラーが高充填されたエポキシ樹脂から成る。そして、導電パターン６が、絶縁層５上面に所定の回路が実現されるように形成される。導電パターン６は、例えば、銅等の金属膜から成り、その厚みが５０μｍ程度と成る。
【００２０】
回路素子を構成する半導体素子７やチップ素子８は、半田等の接着材９を介して、導電パターン６の所定の箇所に固着される。そして、半導体素子７と導電パターン６とは、金属細線１０を介して接続される。ここで、半導体素子７としては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。チップ素子８としては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。尚、図示したように、半導体素子７と導電パターン６との間にヒートシンクが配置される場合でも良い。
【００２１】
リード３は、回路基板４の周辺部に設けられたパッド１１に固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能する。そして、図１（Ａ）に示すように、多数のリード３は、回路基板４の長手方向の対向する２つの側辺に沿って配置される。尚、パッド１１は、導電パターン６の一領域である。
【００２２】
樹脂封止体２は、第１の樹脂封止体２Ａと、第２の樹脂封止体２Ｂとから成る。紙面では、第１の樹脂封止体２Ａと第２の樹脂封止体２Ｂとの境界が描かれているが、実際の回路装置１では両者２Ａ、２Ｂは一体化している。そして、第１の樹脂封止体２Ａは、樹脂封止金型のキャビティ内に溶融した樹脂を注入し形成される。第１の樹脂封止体２Ａは、半導体素子７等の回路素子、リード３の接続部分、回路基板４の上面及び側面を被覆する。
【００２３】
一方、第２の樹脂封止体２Ｂは、回路基板４の下面に配置された樹脂シート１２（図２（Ａ）参照）を溶融し形成される。第２の樹脂封止体２Ｂは、少なくとも回路基板４の下面を被覆し、その厚みＴ１は、例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり非常に薄膜となる。そして、第２の樹脂封止体２Ｂでの熱抵抗は低減され、半導体素子７等の回路素子から放出された熱は、回路基板４および第２の樹脂封止体２Ｂを経由して良好に外部へと放出される。
【００２４】
尚、図１（Ｂ）では、回路基板４下面の全面が、第２の樹脂封止体２Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体２Ａにより被覆される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、回路基板４の下面及び側面の一部が、第２の樹脂封止体２Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体２Ａにより被覆される場合でも良い。また、回路基板４の下面の中心部付近が、第２の樹脂封止体２Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体２Ａにより被覆される場合でも良い。
【００２５】
図２（Ａ）に示す如く、樹脂シート１２は、熱硬化性樹脂を主成分とする粒状の粉末樹脂を加圧加工（打錠加工）して成形され、シート形状となる。粉末樹脂としては、エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック・ビフェニール、ジシクロペンタジエン等が採用される。そして、粉末樹脂にはフィラーが混入され、フィラーの種類としては、アルミナが採用され、アルミナと混在するように、結晶シリカ、破砕シリカ、溶融シリカや窒化ケイ素が採用される場合でも良い。
【００２６】
樹脂シート１２の平面的な大きさ（Ｌ１×Ｌ２）は、樹脂シート１２が使用される回路装置１の種類により異なるが、使用される回路基板４と同等の大きさ、または、若干、回路基板４よりも大きくなる。一方、樹脂シート１２の厚みＴ２は、例えば０．１ｍｍ以上０．６ｍｍ以下である。樹脂シート１２の厚みを０．６ｍｍ以下とすることで、回路基板４の下面側の第２の樹脂封止体２Ｂが薄く形成され、回路基板４の下面側からの放熱性が向上される。
【００２７】
図２（Ｂ）に示す如く、樹脂シート１２は、多数の粒状の粉末樹脂１３から構成される。この粉末樹脂１３は、フィラー等の添加剤が添加されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、各粉末樹脂１３の直径は、例えば、１．０ｍｍ以下である。そして、樹脂シート１２では、粉末樹脂１３の充填率（樹脂シート１２全体の容積に対して粉末樹脂１３が占める割合）は９９％以上である。この様に樹脂シート１２の充填率を高くすることで、樹脂シート１２が溶融して形成される第２の樹脂封止体２Ｂへのボイドの発生が抑制される。
【００２８】
前述したように、先ず、第１の樹脂封止体２Ａは、樹脂封止金型のキャビティに溶融した樹脂を注入し形成される。そして、樹脂内に含まれる硬いフィラーが、樹脂注入の際に回路素子や金属細線に衝突し、回路素子が損傷し、金属細線が倒れたり、断線することを抑止する必要がある。そのため、第１の樹脂封止体２Ａを形成する樹脂に含まれるフィラーの形状は、球状のものが使用され、その粒径も最大で７５μｍ程度のものが使用される。
【００２９】
更に、第１の樹脂封止体２Ａは、主に、回路基板４の上面側を被覆し、放熱性よりも金属細線の腐食防止等の耐湿性の方が要求される。そのため、フィラーとしては、耐湿性に優れるシリカが用いられる。シリカの材料コストは、アルミナと比較して安価なため、第１の樹脂封止体２Ａの耐湿性を維持しつつ、材料コストも低減される。尚、第１の樹脂封止体２Ａでは、耐湿性が重視されるため、フィラーの含有量を低減することも可能であり、この場合には、樹脂注入の際に硬いフィラーが回路素子や金属細線に衝突する頻度が少なくなり、回路素子の損傷等が抑制される。
【００３０】
次に、第２の樹脂封止体２Ｂは、樹脂シート１２を溶融することで形成される。詳細は後述するが、回路基板４が溶融した樹脂シート１２の樹脂内へと沈みこむことで、第２の樹脂封止体２Ｂは、回路基板２の下面側を被覆するように形成される。つまり、第１の樹脂封止体２Ａとは異なり、第２の樹脂封止体２Ｂを形成する樹脂は、回路基板４の下面と下金型２２の内壁との間の、例えば、０．３ｍｍ程度の隙間を流動する必要はない。そのため、第２の樹脂封止体２Ｂを形成する樹脂に含まれるフィラーの粒径は、最大で１５０μｍ程度のものが使用される。つまり、第２の樹脂封止体２Ｂでは、第１の樹脂封止体２Ａよりも粒径の大きいフィラーを使用することで、第２の樹脂封止体２Ｂでの熱抵抗が大幅に低減され、回路基板４の下面側からの放熱性が大幅に向上される。尚、前述したように、第２の樹脂封止体２Ｂを形成する樹脂は、殆ど流動しないため、第２の樹脂封止体２Ｂ全域に渡り比較的均一にフィラーが充填される。この構造により、第２の樹脂封止体２Ｂの熱抵抗が全体に渡り均一となる。
【００３１】
更に、第２の樹脂封止体２Ｂは、主に、回路基板４の下面側を被覆することを目的とし、回路基板４の上面側には廻り込まないように形成される。そのため、前述したように、回路素子の損傷や金属細線の断線等の問題を考慮する必要はなく、フィラーの形状として、結晶系や破砕系のように多角形形状のものが使用される。フィラー形状が多角形形状となることで、フィラーの表面積が増大し、フィラーと樹脂との接触面積が増大し、フィラーを経由した熱の伝導が良好とり、第２の樹脂封止体２Ｂでの熱抵抗が大幅に低減される。尚、第２の樹脂封止体２Ｂに含まれるフィラー量が、第１の樹脂封止体２Ａに含まれるフィラー量よりも増大することでも、第２の樹脂封止体２Ｂでの熱抵抗が低減される。
【００３２】
更に、第２の樹脂封止体２Ｂでは、耐湿性よりも放熱性が要求され、第２の樹脂封止体２Ｂに含まれるフィラーとしては、熱伝導率に優れるアルミナが用いられる。アルミナの熱伝導率は、例えば、２．１Ｗ／ｍ・Ｋである。第２の樹脂封止体２Ｂにアルミナが含まれることで、第２の樹脂封止体２Ｂ内にポーラスが発生し、吸湿性が高まるが、回路基板４の下面側には金属細線等は配置されず、特に、問題とはならない。尚、前述したように、第２の樹脂封止体２Ｂに含まれるフィラーとしては、アルミナと混在するように、結晶シリカ、破砕シリカ、溶融シリカや窒化ケイ素が用いられる場合でも良い。
【００３３】
尚、本実施の形態では、回路基板４の下面に配置された樹脂シート１２を溶融し、加熱硬化させることで、第２の樹脂封止体２Ｂが形成される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、第１の樹脂封止体２Ａと同様に樹脂封止金型への樹脂の注入やポッティング等のその他の製造方法により第２の樹脂封止体２Ｂが形成される場合でも良い。つまり、前述したように、第２の樹脂封止体２Ｂの熱抵抗が低減し、回路基板４の下面側からの放熱性が向上されれば良い。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００３４】
次に、本発明の第２の実施の形態である回路装置の製造方法について説明する。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、回路基板が樹脂封止金型内に配置される状況を説明する断面図である。図４（Ａ）及び（Ｂ）は、樹脂封止金型内に樹脂を注入する状況を説明する断面図である。尚、本実施の形態では、図１〜図２を用いて説明した回路装置の製造方法を説明するため、同一の構成部材には同一の符番を付し、また、適宜、図１〜図２を参照する。
【００３５】
図３（Ａ）に示す如く、先ず、回路基板４を準備し、回路基板４上に絶縁層５を形成する。絶縁層５上面に、例えば、銅の金属膜を貼りあわせ、その金属膜を所望のパターンにエッチングすることで、回路基板４上に導電パターン６やパッド１１を形成する。そして、導電パターン６上の所望の箇所に多数の半導体素子７やチップ素子８を固着し、また、パッド１１上にリード３を固着する。
【００３６】
次に、樹脂封止金型２１の下金型２２の内壁上面に樹脂シート１２を載置した後、この樹脂シート１２上面に回路基板４を載置する。そして、上金型２３と下金型２２とを当接させ、上下金型２３、２２によりリード３が狭持されることにより、キャビティ２４内に回路基板４が位置固定される。尚、樹脂封止金型２１内に配置され、熱処理が加わる前段階では、前述したように、樹脂シート１２は、粒状の熱硬化性樹脂が加圧加工された固体の状態である。
【００３７】
図３（Ｂ）に示す如く、樹脂シート１２の厚みＴ２は、例えば、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であり、回路装置１の回路基板４の下面側を被覆する樹脂封止体２の厚みＴ１（図１（Ｂ）参照）よりも厚く形成される。
【００３８】
一方、前述したように、キャビティ２４内の回路基板４は、上下金型２３、２２によりリード３が狭持され、回路基板４の下面が、下金型２２の内壁上面からＴ１離れた箇所に位置固定される状態となる。このことから、樹脂シート１２上面に回路基板４を載置した状態にて、樹脂封止金型２１によりリード３を狭持すると、丸印２５にて示すように、リード３は弾性変形する。そして、回路基板４は、樹脂シート１２を下金型２２側へと押し付けることで、樹脂シート１２は固定された状態となる。
【００３９】
図３（Ｃ）に示す如く、樹脂封止金型２１にはヒータ機構（図示せず）が装備され、樹脂封止金型２１は、そのヒータ機構により、樹脂シート１２が溶融して加熱硬化する温度（例えば１７０℃以上）まで加熱される。そして、キャビティ２４内に樹脂シート１２及び回路基板４を位置固定した後、樹脂封止金型２１を加熱することで、時間の経過と共に樹脂シート１２は溶融して軟化する。
【００４０】
前述したように、リード３は弾性変形した状態にて樹脂封止金型２１に狭持されるため、樹脂シートが溶融すると、丸印２６にて示すように、リード３の形状が元に戻り、回路基板４が、溶融した樹脂内へと沈み込む。そして、回路基板４の沈み込みと共に、溶融した樹脂は回路基板４の下方から側方へ移動し、硬化することで、回路基板４の下面や側面の下端付近は、第２の樹脂封止体２Ｂにより被覆される。このとき、樹脂シート１２の平面的な大きさは、回路基板４よりも大きく形成されることで、回路基板４の下面側は、少なくとも全面的に第２の樹脂封止体２Ｂにより被覆される。また、溶融した樹脂を回路基板４の下方から側方へ移動させることで、回路基板４下面へのボイドの発生が抑止される。
【００４１】
図４（Ａ）に示す如く、下金型２２に設けたポッド２７に、タブレット２８を投入して加熱溶融した後に、プランジャー２９にてタブレット２８を加圧する。タブレット２８は、フィラー等の添加物が混入された粉状の熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック・ビフェニール、ジシクロペンタジエン等）を円柱状に加圧成型したものである。前述したように、樹脂封止金型２１は、１７０℃程度以上に加熱されているので、ポッド２７にタブレット２８を投入すると、タブレット２８は徐々に溶融する。そして、タブレット２８が、溶融して液状または半固形状の状態となると、ランナー３０を流通してゲート３１を通過し、キャビティ２４内に供給される。
【００４２】
図４（Ｂ）に示す如く、キャビティ２４内は、タブレット２８が溶融した樹脂により充填される。このとき、樹脂封止金型２１の温度は、その溶融した樹脂が加熱硬化する温度よりも高温となっているので、キャビティ２６に充填された樹脂は時間の経過と共に重合して硬化する。前述したように、第２の樹脂封止体２Ｂにより回路基板４の下面と側面の下端部が被覆されている場合は、回路基板４の上面および側面が、第１樹脂封止体２Ａにより被覆される。
【００４３】
ここで、図４（Ｂ）では、第１の樹脂封止体２Ａと第２の樹脂封止体２Ｂとの境界が示されている。本工程では、例えば、工程作業順序や樹脂配合を調整し、第２の樹脂封止体２Ｂを第１の樹脂封止体２Ａよりも先に加熱硬化させる。そして、第１の樹脂封止体２Ａは、液状状態にてキャビティ２４内に供給されるため、第１の樹脂封止体２Ａは、プランジャー２９からの圧力が加わった状態にて加熱硬化が進行する。その結果、図示した第１の樹脂封止体２Ａと第２の樹脂封止体２Ｂとの境界面では、第１の樹脂封止体２Ａから第２の樹脂封止体２Ｂ側へと圧力が加わることで、両者２Ａ、２Ｂが重合し易く、その一体化が高められ、この境界領域での耐湿性が確保される。
【００４４】
最後に、樹脂封止金型２１内にて、第１の樹脂封止体２Ａと第２の樹脂封止体２Ｂとが十分に重合（樹脂同士が十分に混合し、十分な接合強度が得られる状態）して加熱硬化したら、上金型２３と下金型２２とを離間させ、成型品である回路装置１を取り出す。その後、エアベント３２及びランナー３０等に充填された部分の硬化樹脂を樹脂封止体２から切断し、リードのアウターリード部を加工することで、図１に示す回路装置が完成する。
【００４５】
次に、本発明の第３の実施の形態である半導体装置について説明する。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示す半導体装置のＢ−Ｂ線方向の断面図である。尚、図５（Ａ）では、樹脂封止体により見えない部分も図示し、説明する。また、その説明の際に、適宜、図１〜図２の説明を参酌するものとする。
【００４６】
図５（Ａ）に示す如く、半導体装置４１は、主に、アイランド４２と、アイランド４２上に半田等の接着材により固着された半導体素子４３と、半導体素子４３の電極パッド４４と金属細線４５により電気的に接続されるリード４６と、これらを一体に被覆する樹脂封止体４７とから構成される。図示したように、吊りリード４８が、アイランド４２の４隅から外側に向かって延在し、この吊りリード４８によりアイランド４２は、フレームへと機械的に支持される。
【００４７】
図５（Ｂ）に示す如く、樹脂封止体４７は、第１の樹脂封止体４７Ａと、第２の樹脂封止体４７Ｂとから成る。紙面では、第１の樹脂封止体４７Ａと第２の樹脂封止体４７Ｂとの境界が描かれているが、実際の半導体装置４１では両者４７Ａ、４７Ｂは一体化している。そして、第１の樹脂封止体４７Ａは、樹脂封止金型のキャビティ内に溶融した樹脂を注入し形成され、第２の樹脂封止体４７Ｂは、アイランド４２の下面に配置された樹脂シートを溶融し形成される。第２の樹脂封止体４７Ｂの厚みＴ３は、例えば、０．１ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であり、非常に薄膜となり、第２の樹脂封止体４７Ｂでの熱抵抗は低減される。
【００４８】
そして、第１の樹脂封止体４７Ａを構成する樹脂の組成は、第１の樹脂封止体２Ａと同じであり、第２の樹脂封止体４７Ｂを構成する樹脂の組成は、第２の樹脂封止体２Ｂと同じであり、それらの説明は、第１の実施の形態の図１及び図２の説明を参酌し、ここではその説明を割愛する。この構造により、半導体装置４１においても、アイランド４２の下面が、薄膜であり、熱抵抗が低減された第２の樹脂封止体４７Ｂにより被覆され、半導体素子４３から放出された熱は、アイランド４２及び第２の樹脂封止体４７Ｂを経由して良好に外部へと放出される。
【００４９】
尚、図５（Ｂ）では、アイランド４２の下面が、第２の樹脂封止体４７Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体４７Ａにより被覆される場合について説明したが、この場合に限定するものではない。例えば、半導体素子４３近傍のアイランド４２の表面側まで第２の樹脂封止体４７Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体４７Ａにより被覆される場合でも良い。また、アイランド４２の下面の中心部付近が、第２の樹脂封止体４７Ｂにより被覆され、その他の領域が第１の樹脂封止体４７Ａにより被覆される場合でも良い。
【符号の説明】
【００５０】
１  回路装置
２  樹脂封止体
２Ａ  第１の樹脂封止体
２Ｂ  第２の樹脂封止体
３  リード
４  回路基板
６  導電パターン
１２  樹脂シート
２１  樹脂封止金型
【図１】
0005607447.tif 000002
【図２】
0005607447.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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