(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの側に絶縁層面と電極面とを有する１以上のＬＳＩチップと、１つの側に絶縁層面と電極面とを有する基板とが、それぞれの該電極面及び該電極周囲を除いた領域における該絶縁層面に薄膜状に形成された金属接合層を介して、該電極面同士及び該絶縁層面同士を互いに対向させて接合されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記電極面同士の接合面にも薄膜状の金属接合層が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属接合層は、単一の平坦面上に構成された薄膜状接合層であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属接合層は、少なくともＣｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｉｎの元素のいずれか１つ又は複数を組み合わせて含む金属接合層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属接合層は、厚さが０．０５μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ＬＳＩチップの前記電極周囲の絶縁層部分及び前記基板の前記電極周囲の絶縁層部分に、空間部を形成していることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ＬＳＩチップの前記電極周囲の絶縁層部分及び前記基板の前記電極周囲の絶縁層部分に、前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁樹脂と同じ又は異なる樹脂が充填されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、有機膜からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、ポリイミド、変性ポリイミド、エポキシのうちの１以上からなることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、無機膜からなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のうちの１以上からなることを特徴とする、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記金属接合層は、部分的に開口部を有する構造であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１３】
ＬＳＩチップ及び基板のそれぞれの電極と絶縁層を平坦化する工程と、平坦化された該電極と該絶縁層の表面に無電解メッキを形成するための触媒を付与する工程と、該電極および該電極周囲の絶縁層表面に付与された該触媒のみを除去する工程と、該無電解メッキ処理により薄膜状の接合層を該絶縁層表面上及び該電極上に形成する工程と、該ＬＳＩチップと該基板のそれぞれの該電極を位置合わせし、加熱、加圧する工程と、を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
ＬＳＩチップ及び基板のそれぞれの電極と絶縁層を平坦化する工程と、平坦化された該電極と該絶縁層の表面に無電解メッキを形成するための触媒を付与する工程と、該電極および該電極周囲の絶縁層表面に付与された該触媒のみを除去する工程と、該無電解メッキ処理により薄膜状の接合層を該絶縁層表面上に形成する工程と、該ＬＳＩチップと該基板のそれぞれの該電極を位置合わせし、加熱、加圧する工程と、を有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記無電解メッキを形成するための前記触媒付与工程の前に、平坦化された前記絶縁層と前記電極の上面を表面改質する工程を有することを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の記載］
本発明は、日本国特許出願：特願２００８−１９８０５２号（２００８年７月３１日出願）の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に封止樹脂を使用せずにフリップチップ実装することにより製造される半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型、薄型化や高性能化が求められることから、フリップチップ実装された半導体装置が数多く実用化されている。フリップチップ実装はＬＳＩチップの電極上に形成されたハンダやＡｕなどのバンプと呼ばれる金属突起と基板の電極を加熱及び／又は加圧により接合し、機械的強度の向上と湿分からの保護を目的として、ＬＳＩチップと基板との間隙を樹脂により封止している。また、加熱、加圧などを必要としないプロセスとして常温接合もしくは表面活性化接合と呼ばれる、電極表面を平坦化した後にＡｒ原子ビームなどで清浄化し、ボンディングする技術も開発されている。【０００３】
これらを示す特許文献として、接合プロセスにおいて温度、荷重を負荷せず実装し、かつ樹脂による封止を必要としない技術が特許文献１に開示されている（図９）。さらにフリップチップ実装時の課題に挙げられる電磁ノイズに対し接地層を電極面と同じ平面内に形成し、電極接合と共に接合する技術が特許文献２に開示されている（図１０）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４０９５０４９号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
なお、上記特許文献１、２の全開示内容はその引用をもって本書に繰込み記載する。以下の分析は、本発明によって与えられたものである。
しかしながら、これらの特許文献に開示された半導体装置にはいくつかの問題がある。第１の問題点は、バンプ形成の微細化と微細化されたバンプを使用した場合の樹脂封止工程が困難になるということである。この原因は微細化に適するメッキ法によるバンプ形成がフォトリソグラフィの技術を使用する点にある。微小な開口部を形成するためにはレジストの厚さは薄くしなければならないが、レジストが薄いとバンプ高さは低くなり、後工程の樹脂封止で樹脂充填ができずボイドが発生する。【０００６】
第２の問題点として、バンプが単にスケールダウンして微細化された場合に、バンプ同士の接続が困難となることがあげられる。ハンダバンプの場合、隣接するバンプとのショート発生率が高くなる。そのほかＡｕバンプは接続時に大きな荷重を掛ける必要があり、変形による接続不良、隣接バンプとのショートなど不具合が発生する。Ｃｕバンプについては変形量は小さいが、表面酸化があり、接続には加圧、加熱など多大なエネルギーを必要とする上、前処理やデバイスの管理など生産面での課題がある。【０００７】
Ｃｕバンプの場合はこれらの課題に対し、常温接合もしくは表面活性化接合と呼ばれる電極表面を平坦化した後にＡｒ原子ビームなどで清浄化し、真空中でボンディングするという手段もあるが、バンプ以外の絶縁層は接続できず、平坦化したため樹脂封止する隙間もない。この課題に対し、金属の封止枠を形成する方法が開示されているが、接続面積が小さく隙間が大きいので信頼性上の課題がある。また、チップ表面に接地層を形成し、電極と共に平坦化した後に接合する技術もあるが、平坦化する際に金属面積が大きいと研磨することができない。このため金属面積を減少させると接合されない絶縁層の部分が多くなり信頼性が低下する。【０００８】
本発明の目的は、封止樹脂を用いずＬＳＩチップおよび基板の絶縁層を接着し、電極接合と封止を一括して実施できることで生産性の向上と信頼性の向上が可能となる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の視点において、本発明に係る半導体装置は、１つの側に絶縁層面と電極面とを有する１以上のＬＳＩチップと、１つの側に絶縁層面と電極面とを有する基板とが、それぞれの該電極面及び該電極周囲を除いた領域における該絶縁層面に薄膜状に形成された金属接合層を介して、該電極面同士及び該絶縁層面同士を互いに対向させて接合されていることを特徴とする。
【００１０】
第２の視点において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＬＳＩチップ及び基板のそれぞれの電極と絶縁層を平坦化する工程と、平坦化された電極と絶縁層の表面に無電解メッキを形成するための触媒を付与する工程と、電極および電極周囲の絶縁層表面に付与された触媒のみを除去する工程と、無電解メッキ処理により薄膜状の接合層を絶縁層表面上及び電極上に形成する工程と、ＬＳＩチップと基板のそれぞれの電極を位置合わせし、加熱、加圧する工程と、を有することを特徴とする。【００１１】
第３の視点において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＬＳＩチップ及び基板のそれぞれの電極と絶縁層を平坦化する工程と、平坦化された電極と絶縁層の表面に無電解メッキを形成するための触媒を付与する工程と、電極および電極周囲の絶縁層表面に付与された触媒のみを除去する工程と、無電解メッキ処理により薄膜状の接合層を絶縁層表面上に形成する工程と、ＬＳＩチップと基板のそれぞれの電極を位置合わせし、加熱、加圧する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る半導体装置の構造により、微細ピッチに対応可能な絶縁層同士（及び電極同士と）の接合が一括して実施されるため工程を追加することなく、樹脂封止工程を削減することができる。このため信頼性は高く、低コストで生産性の高い半導体装置及び半導体装置製造方法が提供できる。また、接合強度はＬＳＩチップの全面に形成された接合層が大きく寄与するため電極のみが金属接合され、樹脂により封止された場合に比べ格段に強度が向上し、信頼性が増す。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体装置の断面構造図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る半導体装置の断面構造図である。
【図３】絶縁層に無機膜を使用した場合の本発明の半導体装置の実施例を示す断面図である。
【図４】絶縁層に無機膜を使用した場合の本発明の半導体装置の他の実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体装置の断面構造図である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る半導体装置の製造方法を示す概略図である。
【図７】本発明の第２の実施例に係る半導体装置の製造方法を示す概略図である。
【図８】電極表面にも接合層を形成した場合の本発明に係る半導体装置の断面構造図である。
【図９】従来技術を示す半導体装置の断面図である。
【図１０】従来技術を示す半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１  ＬＳＩチップ
２  ＬＳＩチップの電極
３  ＬＳＩチップの絶縁層
４  基板
５  基板の電極
６  基板の絶縁層
７  接合層
７ａ  ＬＳＩチップの絶縁層上に形成された接合層
７ｂ  基板の絶縁層上に形成された接合層
７ｃ  ＬＳＩチップの電極上に形成された接合層
７ｄ  基板の電極上に形成された接合層
８  補強樹脂
９  電極金属とＡｕによる接合部
【発明を実施するための形態】
【００１５】
前記電極面同士の接合面にも薄膜状の金属接合層を形成することができる。
【００１６】
前記金属接合層は、どのような形状でもよいが、単一の平坦面上、即ち１つの平面上に構成された薄膜状接合層であることが好ましい。
【００１７】
前記金属接合層は、少なくともＣｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｉｎの元素のいずれか１つ又は複数を組み合わせて含む金属接合層とすることができる。
【００１８】
前記金属接合層は、厚さが０．０５μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。これにより、接合層が持つ電磁シールド効果をさらに高め、ＬＳＩチップもしくは基板の配線から放射されるノイズを抑制し、高速動作が可能となる。
【００１９】
前記ＬＳＩチップの前記電極周囲の絶縁層部分及び前記基板の前記電極周囲の絶縁層部分に、空間部が形成されていてもよい。
【００２０】
前記ＬＳＩチップの前記電極周囲の絶縁層部分及び前記基板の前記電極周囲の絶縁層部分に、前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁樹脂と同じ又は異なる樹脂を充填してもよい。これにより、これまで封止特性、流動特性とＬＳＩチップと基板の熱膨張差などを吸収するための線膨張係数と弾性率をあわせ持つ樹脂により封止されてきたが、電極周囲に接合部の強度を向上させる専用の樹脂材料を供給することが可能となり、接合部の信頼性を著しく向上させることができる半導体装置及び半導体装置製造方法を提供することができる。
【００２１】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、有機膜からなり、特にポリイミド、変性ポリイミド、エポキシのうちの１以上とすることができる。
【００２２】
前記ＬＳＩチップ又は前記基板の絶縁層は、無機膜からなり、特にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のうちの１以上とすることができる。
【００２３】
前記金属接合層は、部分的に開口部を有する構造や網目状としても良い。
【００２４】
また、前記半導体装置の製造方法は、前記無電解メッキを形成するための前記触媒付与工程の前に、平坦化された前記絶縁層と前記電極の上面を表面改質する工程を有することができる。
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、微細な電極の接合と封止を兼ねたＬＳＩチップ全面に形成された接合層をより低荷重で確実に接合するために表面を平坦化させる。平坦化の工程は電極と絶縁層とを同時に平坦化する。この平坦化されただけの状態では絶縁層同士を直接接合することができないため、実装することはできない。
【００２６】
そこでＬＳＩチップ全面に無電解メッキを形成するための触媒を付与する。通常この後に洗浄工程を経て絶縁層上の触媒を除去するプロセスにより無電解メッキは電極上のみに成長するのであるが、本発明では、触媒を付与した後に乾燥させ、電極上もしくは電極周囲もしくはその両方に対して触媒を除去する工程を設け、絶縁層上に無電解メッキを成長させることを可能とした。
【００２７】
平坦化された電極と絶縁層上の接合層の高さの差が生じるが、成長させるメッキ厚みは極めて薄いので適正な荷重によりその高さは吸収され接合が可能となる。特に絶縁層が有機膜の場合有機膜自体が変形しやすく、接合が容易である。
【００２８】
絶縁層が無機膜の場合や、有機膜であっても平坦化の際にディッシング現象で絶縁層と電極の高さの差が大きくなる場合はそのプロセスを制御する必要があり、特にＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）を用いる場合、電極の研磨に寄与する化学的成分を抑制し、機械的に絶縁層を研磨し電極の高さを高くしておくことが有効となる。逆に電極も研磨が進むような電極材料と絶縁材料の組み合わせにおいては、平坦化工程の後にイオンエッチングのような選択的なエッチング手法により絶縁層を低くすることが望ましい。
【００２９】
このようにしてＬＳＩチップの搭載される面全体に接合層が形成され、かつ電極より絶縁されている構造を得た後に、同様に平坦化され、接合層が形成された基板と位置あわせし、面全体を加熱及び／又は加圧により接合することができるようになる。特徴として、通常接合が不可能な絶縁層を電極と一括して実装するための接合層を簡便に形成する手段を提供し、実装するものである。本発明の最大の特徴は絶縁層と電極を平坦化した後に極薄い接合層を少ない工程数で電極との絶縁性を保ち形成することにある。
【実施例】
【００３０】
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。【００３１】
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施例に係る半導体装置の断面図を示す。また図６には本発明の第１の実施例に係る半導体装置の製造方法を示している。図１に示すように、電極周辺を除いてＬＳＩチップ１の絶縁層３と基板４の絶縁層６とが接合層７を介して接合されており、ＬＳＩチップ１の電極２と基板４の電極５とは、接合部９を介して接合されている。【００３２】
接合層７は、両方の電極２、５とはショート（短絡）しないように所定の距離を保つよう両方の電極２、５及び電極２、５の周囲を除き極薄く形成されている。接合層７は、ＬＳＩチップ１の絶縁層３上に形成された接合層７ａと基板４の絶縁層６上に形成された接合層７ｂとがそれぞれ接合されてできた構造である。また、両方の電極２、５との接合部９は、Ａｕを拡散媒とした電極表面のＣｕの拡散接合を形成している。【００３３】
図１に示す半導体装置の製造方法を、図６に従い詳細に説明する。本実施例においては、両方の電極２、５の表面はそれぞれＣｕメッキにより形成されている。ＬＳＩチップ１と基板４の絶縁層３、６はそれぞれポリイミドを用いて形成されている。図６（ａ）に示すように、まずＬＳＩチップ１及び基板４の電極及び絶縁層表面をＣＭＰによりそれぞれ同一平面上で平坦になるように仕上げる。【００３４】
次に接合層７及び接合部９を形成するが、本実施例では無電解メッキを用いる。まず図６（ｂ）に示すように、無電解メッキに使用する触媒となるＰｄをＬＳＩチップ１、基板４のそれぞれの電極及び絶縁層の平坦面の全面に付与する。その後に両方の電極２、５の表面及び電極２、５の周囲の絶縁層表面に付着した触媒のＰｄを除去するためレーザ照射を行う。電極自体はレーザ照射では加工されないが、電極２、５の周囲の絶縁層３、６は、レーザ照射により触媒のＰｄとともに加工除去されるために窪みを形成し、接合には寄与せず実装後には空間部を形成する。【００３５】
この後、無電解Ｃｕメッキ処理を行い、Ｐｄ触媒の付着した絶縁層３、６表面上にＣｕを析出させる。さらに接合性を増し、表面酸化を防止するためのＡｕ層を、電極２、５の表面及び電極２、５の周囲を除く絶縁層３、６の表面上に無電解メッキにより析出させ、接合層７ａ〜７ｄの形成を完了する（図６（ｃ））。このようにして処理されたＬＳＩチップ１ならびに基板４を各々の電極２、５を位置合わせして対向接触させ、加熱及び加圧する。これにより、両方の電極２、５上にそれぞれ形成された、電極のＣｕとメッキＡｕとで形成されている接合層７ｃ、７ｄが接合されて接合部９となり、絶縁層３、６上にそれぞれ形成された接合層７ａ、７ｂが接合されて接合層７となる。これらの接合の形態はＡｕを拡散媒としたＣｕの拡散接合である（図６（ｄ））。【００３６】
（実施例２）
ここでは接合層７としてＣｕ及びＡｕを無電解メッキで析出させたが、Ｃｕのみで接合することも可能である。図２は本発明の第２の実施例に係る半導体装置の断面構造図を示している。ＬＳＩチップ１と基板４の絶縁層３、６にはＣｕのみがメッキされ、このＣｕ同士が直接接合している。また、電極２、５の接合は、Ａｕをメッキしていないため、電極表面の金属であるＣｕ同士が直接接合している。【００３７】
図７はその製造工程を示す。Ａｕメッキをしないで接合する点を除き、基本的には図６に示す製造工程と同様である。この場合、Ｃｕ同士の接合には、加熱温度を高くしたＣｕ拡散接合もしくは表面をＡｒ原子ビームなどで清浄化した後に真空中で密着させる表面活性化接合を使用する。【００３８】
（実施例３）
また、実施例１において、Ａｕに変えてＳｎやＩｎを使用しても良い。但しこの場合、ＳｎやＩｎを置換メッキに使用する場合はＣｕの膜厚を厚くする必要がある。構造及び製造方法は図示しないが、Ａｕに代えてＳｎ、Ｉｎを用いる点を除き、基本的に図１、図６と同様である。【００３９】
さらには、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｉｎ以外にも無電解Ｎｉメッキと無電解Ａｕメッキを組み合わせて実施しても良い。例えばＮｉを使用した場合、電極２、５上の触媒は除去しているので電極２、５上には接合層７となるＮｉは成長せず、絶縁層３、６上にのみ成長する。この後、酸化防止のＡｕを形成するので電極２、５の接合はＡｕを介した電極金属Ｃｕの接合部９となり、接合層７はＮｉＡｕ同士の接合となる。以上では、選択する無電解メッキの性質により、触媒を必要とせず電極上に析出可能な材料を用いた場合は、接合層７と電極２、５の接合構造は基本的に同じものとなる実施例を示している。【００４０】
（実施例４）
また本発明に係る半導体装置の他の実施例を図５に示す。図１、２に示す実施例では、レーザ照射により電極２、５の周囲に空間部が形成されたままであるが、ＬＳＩチップ１の全面に形成した接合層７で接合されているため強度に問題はない。しかしながらこの空間部が吸湿などにより２次実装時のリフロー温度にさらされることで膨張し、信頼性低下に繋がることが懸念される場合には、図５のように予め実装前に（補強）樹脂８を窪み（空間部）に供給しても良い。この時、補強樹脂８として接続部を補強するような剛性の高い樹脂を選ぶことで接続の信頼性をさらに向上させることができる。【００４１】
（実施例５）
図３及び図４は絶縁層３、６にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの無機膜を使用した場合の構造を示している。図３は、実施例１（図１）で示した構造と同様に、電極２、５の周囲を除く絶縁層３、６表面上にＣｕ層を形成し、さらにＣｕ層及び電極２、５の表面にＡｕ層を形成して接合させている。図１と異なり、電極周囲の絶縁層は加工されず、窪み（空間部）が形成されない。しかし電極２、５の周囲の絶縁層３、６上には接合層７が形成されておらず、接合はされない。【００４２】
なお、触媒層を除去する際に、レーザ照射範囲を制御することにより、電極２、５の周囲の絶縁層３、６表面上の触媒のみを昇華もしくは酸化させ無電解メッキが成長しないようにすることができる。その場合、電極上にも触媒が残存し、その上に絶縁層と同様にＣｕ層を新たに形成することができる（図示せず）。【００４３】
図４は、絶縁層３、６に無機膜を用いて、実施例２（図２）で示した構造と同様に、Ａｕ層を形成せずＣｕ層のみで接合させた構造である。いずれも電極２、５の周囲に窪みは形成されていないが、電極２、５の周囲の絶縁層３、６上には接合層７が形成されておらず、接合はされない。【００４４】
（実施例６）
上記の実施例では、チップと基板のそれぞれの電極の表面はＣｕメッキされたものを前提としている。これは上述の実施例１のように接合部を形成できるか、又は実施例２のように電極同士を直接接合できる金属である。しかし電極表面が、上述のＣｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｉｎのような接合部に適した金属材料でない場合は、絶縁層上に形成する接合層と同様に電極表面上にも接合層を形成すればよい。【００４５】
即ち、例えば実施例１において、電極表面に付着させたＰｄを除去しないで残し、電極周囲の絶縁層表面のＰｄのみをレーザ照射等により除去する。これはレーザ照射の範囲をコントロールすることで可能である。この後、無電解Ｃｕメッキ処理を行い、Ｐｄ触媒の付着した電極表面上にもＣｕを析出させ、さらにＡｕ層を、電極の周囲を除く絶縁層表面及び電極表面上に無電解メッキにより析出させれば、その後の加熱及び加圧処理により電極同士と絶縁層同士を同時に接合できる。図８にその構造図を示す。【００４６】
上記の製造方法においては、不要な部分の触媒の除去方法としてレーザ照射による方法を示してきたが、その他の物理的手段によっても良い。また予めパターンニングなどの手法により、最初から触媒が必要な領域のみに選択的に触媒を供給する方法でも良い。【００４７】
さらに、接合層７形成前の触媒を供給する工程において、触媒の付着性を高め、無電解メッキを均一に成長させるためにアッシングなどにより表面改質すなわち表面粗さを増すことで密着性も向上する。【００４８】
上記の実施例においては、接合層７の供給方法は無電解メッキによる方法を示してきたが、スパッタリングや、蒸着などの方法により供給してもよい。その場合は、マスクを使用した形成方法もしくはエッチングなどの方法により電極２、５の周囲のメッキを除去する必要がある。【００４９】
また接合層７はＬＳＩチップ１もしくは基板４の配線から放射される電磁ノイズを他の配線に影響を及ぼさないようシールドする効果を持たせることも可能であり、この場合は膜厚を０．０５μｍ以上にすることが望ましい。ただし、厚くすると無電解メッキの結晶成長のバラツキが出現するため、絶縁層の平坦化効果が薄れてくるので、最大でも３μｍ程度までとすることが好ましい。Ａｕを用いた実施例では、０．０５〜０．１μｍの層厚でも接合可能であった。【００５０】
また、全面均一に接合層７が形成されることが望ましいが、開口部を設けたり、網目状に形成してもよく、この場合は接合に掛かる荷重を抑制することができ、大型のＬＳＩチップ１に適用する場合など、生産装置の低コスト化に繋がる。【００５１】
以上、本発明を上記実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態の構成にのみ制限されるものでなく、本発明の範囲内で当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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