(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板と、
前記基板に設けられた少なくとも１つの配線と電気的に接続されるビアと、を含み、
前記ビアは、前記基板よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、
前記混合領域の前記フィラーの少なくとも一部は、前記基板の樹脂から離間したネック樹脂によって互いに接続されていることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記混合領域に含まれる樹脂は、前記基板の樹脂よりも少ない請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記混合領域は、電気的に導通する請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記混合領域は、厚みが３μｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項５】
前記複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板は、厚み方向において複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が積層された積層基板であって、前記ビアが形成されるビア形成穴の底部側には、フィラーの含有率がより高い基板が配置されている請求項１から４のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項６】
前記ビアのビア直径に対するビア高さの比が１よりも大きい請求項１から５のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項７】
前記複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板は、複数のフィラーを含有する含有率が５０体積％以上７６体積％以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項８】
前記混合領域は、複数のフィラーを含有する含有率が４５体積％以上７６体積％以下である請求項１から７のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項９】
前記混合領域の厚みが０．５μｍ〜５μｍである請求項１から８のいずれか１項に記載の配線板。
【請求項１０】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板を準備する手順と、
前記基板にビア形成穴を形成する手順と、
少なくとも前記ビア形成穴の内壁をアッシング処理する手順と、
前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきすることにより、前記基板よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を形成する手順と、を有し、
前記混合領域の前記フィラーの少なくとも一部は、前記基板の樹脂から離間したネック樹脂によって互いに接続されていることを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順の後、
電解めっきで前記ビア形成穴に導電体を充填する手順を有する請求項１０に記載の配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順の後、
無電解めっきで前記ビア形成穴に導電体を充填する手順を有する請求項１０に記載の配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記基板は、複数のフィラーを含有する含有率が５０体積％以上７６体積％以下である請求項１０から１２のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１４】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する第１の基板と、前記第１の基板よりも含有率の多い複数のフィラーを含有する樹脂を有する第２の基板とを積層して前記基板とされている請求項１０から１３のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１５】
前記基板の一方の面に配線層が配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記配線層側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記配線層に到達するまで形成されている請求項１４に記載の配線板の製造方法。
【請求項１６】
少なくとも一部が絶縁性の材料に覆われている端子電極が前記基板の一方に隣接して配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記端子電極側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記端子電極に到達するまで形成されている請求項１４に記載の配線板の製造方法。
【請求項１７】
少なくとも一部が絶縁性の材料に覆われている端子電極が前記基板の一方に前記絶縁性の材料を介して配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記端子電極側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記端子電極に到達するまで形成されている請求項１４に記載の配線板の製造方法。
【請求項１８】
端子電極が前記基板の内部に配置され、前記ビア形成穴が前記端子電極まで延在する請求項１０から１４のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１９】
電子部品が前記端子電極を有する請求項１６から１８のいずれか１項に記載の配線板の製造方法。
【請求項２０】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板と、
前記基板に設けられた少なくとも１つの配線と電気的に接続されるビアと、を含み、
前記ビアは、前記基板よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、前記樹脂に内在する電子部品に前記ビアが電気的に接続され、
前記混合領域の前記フィラーの少なくとも一部は、前記基板の樹脂から離間したネック樹脂によって互いに接続されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２１】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する樹脂層と、電子部品とが積層され、
前記樹脂層に設けられたビアと、を含み、
前記ビアは、前記樹脂層よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、前記電子部品に前記ビアが電気的に接続され、
前記混合領域の前記フィラーの少なくとも一部は、前記樹脂層の樹脂から離間したネック樹脂によって互いに接続されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２２】
前記ビアは、端子電極又は再配線層を介して電子部品と接続される請求項２０又は２１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項２３】
複数のフィラーを含有する樹脂を有する樹脂層を電子部品に積層する手順と、
前記樹脂層にビア形成穴を形成する手順と、
少なくとも前記ビア形成穴の内壁をアッシング処理する手順と、
前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきすることにより、前記樹脂層よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を形成する手順と、を有し、
前記混合領域の前記フィラーの少なくとも一部は、前記樹脂層の樹脂から離間したネック樹脂によって互いに接続されていることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板内に層間接続層を有する配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板は、高密度化が進んでいる。配線を高密度で配置できる基板として、絶縁基板内に層間接続層を有する配線板が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、コア材の表面に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを含む前記コア材の表面に無機系フィラーの混入された有機樹脂よりなる絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に前記配線パターンまで届く接続用ホールを選択的に形成する工程と、ドライエッチングにより前記絶縁層の表面を除去して粗面化する工程と、真空成膜により前記無機系フィラーを含む前記絶縁層の表面に電気メッキ用導電膜を形成する工程と、電気メッキにより前記電気メッキ用導電膜上に導体膜を形成する工程とを含むように構成したプリント基板が記載されている。これにより、少ない工程数で線幅や線間幅が微細化されたプリント基板を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２１４８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、微細配線に対応するためビアが小径化し、アスペクト比（ビア高さ／ビア直径）が高くなっている。アスペクト比が高くなると、ビアを形成するビア形成穴の底部付近では、絶縁層表面に導体膜を安定して設けることが難しくなる。絶縁層表面に導体膜が安定して付着していないと給電不足となるため、ビア形成穴を電解めっきにより金属で充填した場合、充填した金属にボイド又はシーム等の欠陥が発生するおそれがある。その結果、層間接続が安定せず、配線に不具合が生じるおそれがある。また、電解めっきを用いない場合は、絶縁層表面に導体膜を安定して設けられていないため、層間接続が導通不良等になるおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、層間接続を安定させ、信頼性の高い配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の配線板は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板と、前記基板に設けられた少なくとも１つの配線と電気的に接続されるビアと、を含み、前記ビアは、前記基板よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る配線板では、混合領域により、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。フィルドビアを電解めっきで形成する場合、混合領域が電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑えることができる。その結果、層間接続を安定させることができ、回路板として、故障が発生しにくく、信頼性を高くすることができる。
【０００９】
本発明の望ましい態様として、前記混合領域に含まれる樹脂は、前記基板の樹脂よりも少ないことが好ましい。その結果、複数のフィラー間に金属が含浸されるフィラー空間をつくることができる。
【００１０】
本発明の望ましい態様として、前記混合領域は、電気的に導通することが好ましい。その結果、ビア形成穴の底部付近において付着領域が少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様として、前記混合領域は、厚みが３μｍ以下であることが好ましい。その結果、基板に対するビアの剥離強度を確保することができる。
【００１２】
本発明の望ましい態様として、前記複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板は、厚み方向において複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が積層された積層基板であって、前記ビアが形成されるビア形成穴の底部側には、フィラーの含有率が高い基板が配置されていることが好ましい。
【００１３】
フィラーの含有率が高いと、混合領域の厚みを厚くすることができる。その結果、混合領域の厚みの厚い基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。
【００１４】
本発明の望ましい態様として、前記ビアのビア直径に対するビア高さの比が１よりも大きいことが好ましい。本発明では、層間接続を安定させ、信頼性の高い配線板となるので、ビアを小径として微細配線を施した配線板を提供できる。
【００１５】
本発明の望ましい態様として、前記混合領域は、複数のフィラーを含有する含有率が４５体積％以上７６体積％以下であることが好ましい。本発明では、フィラーの充填を高めると混合領域の厚みを厚くすることができる。その結果、ビア形成穴の底部付近において付着領域が少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。
【００１６】
本発明の望ましい態様として、前記複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板は、複数のフィラーを含有する含有率が５０体積％以上７６体積％以下であることが好ましい。複数のフィラーを含有する含有率を適切にすると、混合領域を安定的に形成できる。
【００１７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の配線板の製造方法は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板を準備する手順と、前記基板にビア形成穴を形成する手順と、少なくとも前記ビア形成穴の内壁をアッシング処理する手順と、前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順と、を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る配線板の製造方法では、プラズマ処理により、複数のフィラーを含有する樹脂をポーラス層とし、ポーラス層に無電解めっきを含浸させる。その結果、本発明で製造される配線板は電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。フィルドビアを電解めっきで形成する場合、混合領域が電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑えることができる。その結果、層間接続を安定させることができ、回路板として、故障が発生しにくく、信頼性を高くすることができる。
【００１９】
本発明の望ましい態様として、前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順の後、電解めっきで前記ビア形成穴に導電体を充填する手順を有することが好ましい。フィルドビアを電解めっきで形成する場合、混合領域が電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑えることができる。その結果、層間接続を安定させることができ、回路板として、故障が発生しにくく、信頼性を高くすることができる。
【００２０】
本発明の望ましい態様として、前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順の後、さらに無電解めっきで前記ビア形成穴に導電体を充填する手順を有することが好ましい。本発明の配線板の製造方法では、プラズマ処理により、複数のフィラーを含有する樹脂をポーラス層とし、ポーラス層に無電解めっきを含浸させる。そこで、無電解めっきを続けると、ポーラス層に含浸された金属を覆うように無電解めっきによる導電体が充填され一体となり、フィルドビアの欠陥を抑えることができる。
【００２１】
本発明の望ましい態様として、前記基板は、複数のフィラーを含有する含有率が５０体積％以上７６体積％以下であることが好ましい。本発明では、フィラーの充填を高めると混合領域の厚みを厚くすることができる。その結果、ビア形成穴の底部付近において付着領域が少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。
【００２２】
本発明の望ましい態様として、複数のフィラーを含有する樹脂を有する第１の基板と、前記第１の基板よりも含有率の多い複数のフィラーを含有する樹脂を有する第２の基板とを積層して前記基板とされていることが好ましい。フィラーの含有率が高い基板は、ビア形成穴の開口側内径が大きくすることができる。その結果、フィラーを含有する含有率の低い基板に向かうにしたがって、ビア形成穴の開口側内径を小さくしていくことができる。
【００２３】
本発明の望ましい態様として、前記基板の一方の面に配線層が配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記配線層側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記配線層に到達するまで形成されていることが好ましい。
【００２４】
フィラーの含有率が高いと、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが厚くなる。その結果、ポーラス層に含浸する無電解めっきの領域が広がり、より安定的に導通可能となる。その結果、混合領域の厚みの厚い基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。
【００２５】
本発明の望ましい態様として、少なくとも一部が絶縁性の材料に覆われている端子電極が前記基板の一方に隣接して配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記端子電極側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記端子電極に到達するまで形成されていることが好ましい。フィラーの含有率が高いと、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが厚くなる。その結果、ポーラス層に含浸する無電解めっきの領域が広がり、より安定的に導通可能となる。その結果、混合領域の厚みの厚い基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。これにより、端子電極との電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。
【００２６】
本発明の望ましい態様として、少なくとも一部が絶縁性の材料に覆われている端子電極が前記基板の一方に前記絶縁性材料を介して配置され、前記第１の基板よりも前記第２の基板が前記端子電極側に配置され、前記ビア形成穴が前記第１の基板から前記第２の基板へ向けてかつ前記端子電極に到達するまで形成されていることが好ましい。フィラーの含有率が高いと、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが厚くなる。その結果、ポーラス層に含浸する無電解めっきの領域が広がり、より安定的に導通可能となる。その結果、混合領域の厚みの厚い基板をビア形成穴の底部近傍に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。また、絶縁性材料を介して配置された端子電極ともビアを接続できる。これにより、端子電極との電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。
【００２７】
本発明の望ましい態様として、端子電極が前記基板の内部に配置され、前記ビア形成穴が前記端子電極まで延在することが好ましい。これにより、基板内に端子電極を内在しても、端子電極と配線板を低抵抗で接続できる。その結果、回路基板は、高密度となることができる。
【００２８】
本発明の望ましい態様として、電子部品が前記端子電極を有することが好ましい。これにより、基板内に電子部品を内在しても、電子部品と配線板を低抵抗で接続できる。その結果、回路基板は、高密度となることができる。
【００２９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電子部品内蔵基板は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板と、前記基板に設けられた少なくとも１つの配線と電気的に接続されるビアと、を含み、前記ビアは、前記基板よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、前記樹脂に内在する電子部品に前記ビアが電気的に接続されることを特徴とする。これにより、基板内に電子部品を内在しても、電子部品と配線板を低抵抗で接続できる。その結果、回路基板は、高密度となることができる。
【００３０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電子部品内蔵基板は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する樹脂層と、電子部品とが積層され、前記樹脂層に設けられたビアと、を含み、前記ビアは、前記樹脂層よりも径方向内側に、前記複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、前記電子部品に前記ビアが電気的に接続されることを特徴とする。これにより、ウエハーのダイシング時のチッピングによる欠け又は基板内への埋め込み時のハンドリングによる損傷が防止される。また、基板内に電子部品を内在しても、電子部品と配線板を低抵抗で接続できる。その結果、回路基板は、高密度となることができる。
【００３１】
本発明の望ましい態様として、前記ビアは、端子電極又は再配線層を介して電子部品と接続される。これにより接続を安定させることができ、回路板として、故障が発生しにくく、信頼性を高くすることができるという効果を奏する。
【００３２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電子部品内蔵基板の製造方法は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する樹脂層を電子部品に積層する手順と、前記樹脂層にビア形成穴を形成する手順と、少なくとも前記ビア形成穴の内壁をアッシング処理する手順と、前記ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順と、を有することを特徴とする。これにより、接続したい電子部品の近傍に混合領域を形成できるので、ビア形成穴のアスペクト比が高くともビアと低抵抗の接続ができる。また、ウエハーのダイシング時のチッピングによる欠け又は基板内への埋め込み時のハンドリングによる損傷が防止される。また、接続したい電子部品の近傍に混合領域を形成できるので、電子部品を埋め込む樹脂を変更することができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明に係る配線板、電子部品内蔵基板、配線板の製造方法及び電子部品内蔵基板の製造方法は、層間接続を安定させることができ、回路板として、故障が発生しにくく、信頼性を高くすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、本実施形態に係る配線板を説明するための断面図である。
【図２】図２は、混合層を模式的に説明するための部分断面模式図である。
【図３−１】図３−１は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図３−２】図３−２は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図３−３】図３−３は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図３−４】図３−４は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図３−５】図３−５は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図３−６】図３−６は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る配線板を説明するための断面図である。
【図７−１】図７−１は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図７−２】図７−２は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図７−３】図７−３は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図７−４】図７−４は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図７−５】図７−５は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図７−６】図７−６は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る配線板を説明するための断面図である。
【図９−１】図９−１は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図９−２】図９−２は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図９−３】図９−３は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図９−４】図９−４は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図９−５】図９−５は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図９−６】図９−６は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。
【図１０−１】図１０−１は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図１０−２】図１０−２は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図１０−３】図１０−３は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図１１−１】図１１−１は、本実施形態に係る配線板を説明するための断面図である。
【図１１−２】図１１−２は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図１１−３】図１１−３は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。
【図１２−１】図１２−１は、ポーラス層を説明するための評価例の写真である。
【図１２−２】図１２−２は、ポーラス層を説明するための評価例の写真である。
【図１３】図１３は、混合層を説明するための評価例の写真である。
【図１４】図１４は、混合層を説明するための評価例の写真である。
【図１５】図１５は、混合層を説明するための評価例の写真である。
【図１６−１】図１６−１は、混合層を説明するための評価例の写真である。
【図１６−２】図１６−２は、図１６−１に示す写真の拡大写真である。
【図１７】図１７は、フィルドビアを説明するための評価例の写真である。
【図１８】図１８は、プラズマ条件とピール強度との関係を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００３６】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る配線板を説明するための断面図である。図１に示すように配線板（配線回路板）１は、基板１０と、第１配線層２１と、第２配線層２２と、第３配線部２７ａと、ランド２７ｂと、ビア２８と、中間金属層２５と、を有する。ビア２８は、フィルドビア２７と、混合層１５とを有している。
【００３７】
基板１０は、回路を構成するための配線が形成される板状部材である。基板１０は、絶縁性の材料、例えば樹脂で形成されている。そして、基板１０は、絶縁性の材料中にフィラーを混合した複合材料とされている。樹脂とフィラーとの割合は、例えば、樹脂をエポキシ樹脂とし、フィラーを二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とすると、樹脂に対してのフィラー含有率が５０体積％以上７６体積％以下（７０質量％以上８５質量％以下）である。フィラーの樹脂に対する混合比率は５５体積％以上であるとより好ましい。
【００３８】
なお、フィラーの含有率は、ランダムにエリアを数点取って画像加工し、フィラーの割合を算出すれば、フィラーが含有している割合（面積％）を算出できる。フィラーが含有している割合（面積％）は、上述したフィラーの含有率（体積％）と同じ割合範囲となる。
【００３９】
基板１０を形成する樹脂の材料としては、シート状又はフィルム状に成型可能な種々の絶縁性の樹脂材料を用いることができる。例えば、基板１０を形成する樹脂材料は、ビニルベンジル樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンオキサイド）樹脂（ＰＰＥ，ＰＰＯ）、シアネートエステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ＋活性エステル硬化樹脂、ポリオレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリイミド樹脂、（芳香族）ポリエステル樹脂、（芳香族）液晶ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、若しくは、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料やゴム成分を一部に含むような樹脂が挙げられる。さらに、基板１０を形成する樹脂材料は上述した樹脂を単体で用いる他に、上述した樹脂にガラス繊維、アラミド繊維等の樹脂繊維等を配合した材料、或いは、上述した樹脂をガラスクロス、アラミド繊維、不織布等に含浸させた材料等が挙げられる。上述した樹脂材料は、単独で又は複数組み合わせて使用することができる。なお、基板１０は、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、上述した材料から適宜選択して用いることができる。
【００４０】
フィラーの材料としては、樹脂材料に添加して混合できるものであれば、種々の材料を用いることができる。例えば、フィラーの材料としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、アルミナ、ガラスフレーク、ガラス繊維、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも１種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられる。上述した材料は、単独で又は複数組み合わせて使用することができる。なお、フィラーは、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、上述した材料から適宜選択して用いることができる。なお、フィラーの他に、安定剤等の他の添加剤を加えてもよい。
【００４１】
フィラーの形状は、球状であることが混合層１５とする上で好ましい。例えば、フィラーの平均粒径は、０．６μｍから３．０μｍであることが望ましい。フィラーの平均粒径は、１．０μｍから２．０μｍであることがさらに好ましい。フィラーの平均粒径が１．０μｍから２．０μｍであると、基板表面の凹凸が平坦となるので、穴加工等の加工精度が向上する。また、フィラー平均粒径が１．０μｍから２．０μｍであるとフィラーの含有率を例えば、７６体積％とすることができる。つまり、フィラーの平均粒径を変更することで、フィラーの充填度合いを高くすることができる。ここで、例えば、平均粒径は堀場製作所社製装置（LA-920）を用いて、レーザ回折（散乱）により計測することができる。フィラーの真円度は、０．７以上、好ましくは０．８以上であることが好ましい。
【００４２】
第１配線層２１は、基板１０の一方の面に形成されている。第１配線層２１は、導電体で形成されており、基板１０の一方の面に配置されている。第２配線層２２は、基板１０の第１配線層２１が形成されている面とは反対側の面に形成されている。第１配線層２１及び第２配線層２２は、一定厚みの配線パターンであり、導電体で形成されている。第３配線部２７ａは、導電体で形成されかつ第２配線層２２よりも厚みの厚い配線であり、第２配線層２２の配線部の上に、一定厚みの配線部として、後述する中間金属層２５を介して積層されている。なお、第３配線部２７ａは、めっき等により作製することができる。
【００４３】
第１配線層２１、第２配線層２２及び第３配線部２７ａに用いる金属としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、ステンレス、チタン（Ｔｉ）等を用いることができる。なお、導電率とコストとの関係から、用いる金属は、銅（Ｃｕ）が好ましい。
【００４４】
ランド２７ｂは、後述するフィルドビア２７に対応して形成されている部分である。また、ランド２７ｂは、金属等の導電体（実施形態１では、第３配線部２７ａと同じ金属）で形成されている。ランド２７ｂは、ランド２７ｂと反対側の面における面積が、ランド２７ｂが接触しているフィルドビア２７よりも大きい。ランド２７ｂは、さらに金属を盛り半球状に形成し外部接続端子としてもよい。
【００４５】
中間金属層２５は、金属等の導電体で形成されている。中間金属層２５は、第３配線部２７ａ及びランド２７ｂと第２配線層２２とを密着させている。中間金属層２５は、無電解めっきが可能な金属であることが好ましい。中間金属層２５には、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等及びこれらの合金を用いることができる。
【００４６】
フィルドビア２７は、基板１０を貫通して設けられており円柱状に形成されている。フィルドビア２７は、一方の端部が少なくともランド２７ｂと電気的に接続し、他方の端部が第１配線層２１と電気的に接続している。このような構造により、フィルドビア２７は、接触しているランド２７ｂと中間金属層２５を介して接続している第２配線層２２とを電気的に導通させている。ここで、ランド２７ｂは、第１配線層２１と接続している。したがって、フィルドビア２７は、ランド２７ｂを介して第１配線層２１の一部と、第２配線層２２の一部とを導通させている。
【００４７】
フィルドビア２７に用いる金属としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、ステンレス、チタン（Ｔｉ）等を用いることができる。なお、導電率とコストとの関係から、用いる金属は、銅（Ｃｕ）が好ましい。フィルドビア２７に用いる金属は、電解めっきで形成すると、形成スピードが早く好ましい。また、フィルドビア２７に用いる金属としてはんだも用いることもできる。さらに、フィルドビア２７に用いる材料は導電体であればよく、導電性ペーストを充填してもよい。
【００４８】
図２は、混合層を模式的に説明するための部分断面模式図である。次に、図１及び図２を用いて、混合層１５について説明する。なお、図２では、基板１０と混合層１５とフィルドビア２７との関係を明確にするため、一部の図示を省略する。
【００４９】
図１に示すように、混合層１５は、基板１０とフィルドビア２７の表面との間にフィルドビア２７の径方向の外周を取り囲むように配置されている。そして、混合層１５は、基板１０の厚み方向において、第１配線層２１の表面から第２配線層２２の表面（つまり、基板１０の一方の面から他方の面）にわたって配置されている。ビア２８は、基板１０よりも径方向内側に、複数のフィラー３１とフィラー３２との間に金属が設けられている混合領域Ａを有する。基板１０よりも径方向内側であって、混合領域Ａとフィルドビア２７との間には、付着領域Ｂがある。
【００５０】
図２に示す基板１０は、上述のように、樹脂４１と、フィラー３３とが混合されて形成されている。混合層１５は、混合領域Ａと、付着領域Ｂとを含んでいる。なお、付着領域Ｂはなくてもよい。混合領域Ａは、基板１０のフィラー３３と同じ材料で形成されるフィラー３１、３２と、さらに金属等の導電体である導電層３５とを少なくとも含んでいる。なお、混合領域Ａの厚みは、ビアの径方向の厚みである。
【００５１】
混合領域Ａには、樹脂４１がネック樹脂４１ａとして残存している。したがって、ネック樹脂４１ａは、基板１０の樹脂４１と同一材料である。また、混合領域Ａでは、樹脂４１が基板１０よりも少なくなっているため、樹脂４１はフィラー間をすべて埋めていない。
【００５２】
導電層３５が存在しない場合において、混合領域Ａには、フィラー３１とフィラー３２との間に、ネック樹脂４１ａとフィラー空間５１とがある。フィラー空間５１は、フィラー３１とフィラー３２との間に樹脂４１がなくなってできた空隙である。
【００５３】
図２に示す混合層１５のフィラー３１は、ビアの径方向において、最もフィルドビア２７に近い側に位置している。フィラー３２は、フィルドビア２７の径方向において、フィラー３１よりもフィルドビア２７から遠い側に位置している。導電層３５が存在しない場合において、混合領域Ａでは、フィラー３１は、フィラー３１の外周の空間のどこかでネック樹脂４１ａによってフィラー３２と連結されている。例えば、ネック樹脂４１ａがフィラー３１とフィラー３２との間に介在するネック部となり、フィラー３１がフィラー３２と固着されていると考えられる。同様に、フィラー３１間及びフィラー３２間もネック樹脂４１ａを介して連結されている。
【００５４】
導電層３５は、導電体であり、無電解めっきが可能な金属であることが好ましい。導電層３５には、例えば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等及びこれらの合金を用いることができる。
【００５５】
フィラー３１とフィラー３２との間に存在するフィラー空間５１には、少なくとも導電層３５の導電体が設けられる。また、フィラー３２間の空隙にも導電層３５の導電体が設けられる。混合領域Ａにおけるフィラー３１及びフィラー３２が占める割合であるフィラー含有率は、基板１０のフィラー含有率と同じ値となる。そこで、混合領域Ａでは、フィラー含有率は、４５％以上が好ましい。４５％以上とすると、フィラーの充填率が高まり、付着領域Ｂが安定して付着する。フィラー含有率は、５０％以上９０％以下であるとフィラーの脱落等のばらつきが少なくなるので、より好ましい。
【００５６】
付着領域Ｂは、導電層３５がフィルドビア２７側におけるフィラー３１の表面上に設けられた領域である。付着領域Ｂでは、フィラー３１とフィラー３２との間に介在する導電層３５の導電体と、フィルドビア２７側におけるフィラー３１の表面上に設けられた導電体とが導通した状態である。
【００５７】
フィラー３１の表面及びフィラー空間５１に設けられた導電層３５は、第１配線層２１の表面から第２配線層２２の表面（つまり、基板１０の一方の面から他方の面）にわたって配置される。その結果、混合層１５は、第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続できる。そして、電解めっきしてフィルドビア２７を形成する場合、フィラー３１の表面及びフィラー空間５１に設けられた導電層３５は、電解めっきの給電体として作用する。
【００５８】
本実施形態に係る配線板１は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板１０と、基板１０に設けられた配線である第１配線層２１及び第２配線層２２に層間接続可能なビアと、を含み、ビアは、基板よりも径方向内側に、複数のフィラー間に形成されるフィラー空間５１に金属が設けられている混合領域Ａを含む混合層１５を有する。
【００５９】
本実施形態に係る配線板１は、フィルドビア２７及び混合層１５の導電層３５の全体でビア２８となり、第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続できる。また、混合領域Ａだけでも第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続できる。その結果、ビア形成穴の底部付近において混合層１５の付着領域Ｂが少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。ここで、アスペクト比とは、ビア形成穴の直径に対する深さの比である。
【００６０】
本実施形態に係る配線板１は、ビア２８がフィルドビア２７単体よりも接続抵抗が低下するので、低抵抗な配線となる。また、配線板１は、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、第１配線層２１の表面から第２配線層２２の表面（つまり、基板１０の一方の面から他方の面）にわたって、給電体として作用する導電層３５が存在する。このため、配線板１が有するビア２８は、フィルドビア２７のボイド又はシーム等の欠陥を抑制することができる。その結果、ビア２８は、層間接続を安定させ、配線に不具合が生じるおそれを低減できる。
【００６１】
本実施形態に係る配線板１は、ビア直径に対するビア高さであるビアのアスペクト比が１よりも大きくても層間接続を安定させ、配線に不具合が生じるおそれを低減できる。例えば、ビア２８の直径φ５μｍ〜φ２００μｍ、１＜アスペクト比≦６の範囲で、配線に不具合が生じることなく、本実施形態に係る配線板１を作製することができる。
【００６２】
本実施形態に係る配線板１が有するビア２８は、フィルドビア２７を有する、いわゆるフィルドビア構造を有する。しかし、本実施形態において、配線板１が有するビア２８は、フィルドビア構造に限定されない。そして、フィルドビア２７を有さないコンフォーマルビア構造として、混合層１５のみで第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続してもよい。
【００６３】
図３−１から図３−６は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。図４は、本実施形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図３−１から図３−６及び図４を参照して、本実施形態に係る配線板の製造方法について説明する。なお、本実施形態に係る配線板１は、マニピュレータや、半導体プロセス機能、プラズマ処理、エッチング処理等、種々の機能を備える製造装置により製造することができる。なお、製造装置は、複数の装置に分離されていてもよい。また、各装置間の搬送及び部品の設置等は、作業者が行ってもよい。
【００６４】
まず、図３−１及び図４に示すように、基板１０を準備する（手順Ｓ１０１）。基板１０の一方の面は、金属膜（金属箔）が設けられ、第１配線層２１とされる。基板１０の他方の面に金属膜（金属箔）が設けられ、第２配線層２２とされる。なお、金属膜としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）等を用いることができる。金属膜（金属箔）は、例えば、厚さを０．１μｍ以上１２μｍ以下とすることができる。
【００６５】
図３−２、図３−３及び図４に示すように、基板１０にビアを形成するための穴を加工する（手順Ｓ１０２）。製造装置は、ＵＶ−ＹＡＧレーザ又はダイレクトＣＯ２レーザを、図３−２に示す基板１０の第２配線層２２の側から所定の位置に照射し、ビア形成穴２４ａを形成する。ビア形成穴２４ａは、第２配線層２２を貫通し、基板１０の一部まで延在している。
【００６６】
製造装置は、その後、ＣＯ２レーザ又はＵＶ−ＹＡＧレーザを用い、形成したビア形成穴２４ａをさらに掘り進め、図３−３に示すようにビア形成穴２４ａを第１配線層２１に到達した状態とし、ビア形成穴２４とする。ビア形成穴２４は、第１配線層２１に到達していればよく、第１配線層２１を貫通していない。なお、ビア形成穴２４は、最終的にはフィルドビア２７が形成される穴となる。本実施形態では、ビア形成穴２４を２段階で形成したが、本実施形態に係る配線板の製造方法はこれに限定されず１段階で形成しても、３段階以上で形成してもよい。
【００６７】
図３−４及び図４に示すように、基板１０に形成した穴の内壁をアッシング処理する（手順Ｓ１０３）。製造装置は、ビア形成穴２４の内壁の表面にアッシング処理を行うプラズマ装置を備えることが好ましい。アッシング処理は、次の手順で実現される。まず、ビア形成穴２４が形成された基板１０を、プラズマ装置内に保持する。図３−４に示すように、プラズマ装置内では、所定投入電力（例えば、３ｋｗ）中で基板１０が所定の圧力（例えば、１００ＭＰａ）に維持されたプラズマガス中に設置され、プラズマに晒される。すると、ビア形成穴２４の内壁の表面には、プラズマ放電されたプラズマガスが作用する。プラズマガスにより、主として、図２に示す基板１０に含まれる樹脂４１の一部が酸素プラズマにより酸化（以下、アッシング（Ashing）という）され、二酸化炭素（ＣＯ２）として飛散する。これによって、図２に示すフィラー空間５１が出現するとともに、樹脂４１の一部がネック樹脂４１ａとして残存し、フィラー同士を連結する。そして、図３−４に示すように、ビア形成穴２４の内壁の表面から一定深さが、図２に示すフィラー空間５１及びネック樹脂４１ａを含むポーラス層１５ａとなる。
【００６８】
プラズマガス雰囲気に含まれるプラズマガスは、四フッ化炭素（ＣＦ４）、フッ化カルボニル（ＣＯＦ）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、パーフルオロシクロブタン（ｃ−Ｃ４Ｆ８）のいずれか一種以上又は、これらいずれか一種以上のガスと酸素（Ｏ２）との混合ガスであることが好ましい。プラズマガスには、不活性ガスである窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）を含んでいてもよい。取り扱いのしやすさ等から、プラズマガスは、四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガス又はフッ化カルボニル（ＣＯＦ）と酸素（Ｏ２）との混合ガスであることが望ましい。
【００６９】
プラズマ装置のプラズマ条件として、フッ素ガス成分を酸素ガスと混合することで効率よくアッシングすることができる。フッ素ガス成分は、その物性値によってもアッシング強度が変化する。四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスの場合、酸素を含めた全体の流量に対する四フッ化炭素（ＣＦ４）の割合が２．５％から２０％の範囲とすることで、ポーラス層１５ａ内のフィラーが保持された状態とすることができる。プラズマ装置のプラズマ条件として、ＣＦ４ガスの全体量からの条件が２．０％より下回るとすると、アッシング効率が低下し、ポーラス層１５ａを形成する時間を要し、ポーラス層１５ａを効率よく製造できない。プラズマ装置のプラズマ条件として、ＣＦ４の条件を２０％より上回るとすると、酸素プラズマ量が低減するため、ポーラス層１５ａが効率よく形成できない。
【００７０】
図３−５及び図４に示すように、基板１０に形成した穴の内壁を無電解めっき処理する（手順Ｓ１０４）。製造装置は、ビア形成穴２４の内壁の表面に図２に示す導電層３５を無電解めっきで形成する。ここで、図３−５及び図２を参照すると、ポーラス層１５ａ内のフィラー空間５１へめっき液が浸入するので、フィラー空間５１が導電層３５で埋められる。フィラー空間５１は、すべてを導電層３５で埋める必要がなく、フィラー空間５１の一部は空隙であってもよい。図２に示すように、フィラー３１の表面もめっき液で浸されるので、導電層３５は、フィラー３１の表面上にも付着する。そして、ポーラス層１５ａが図２に示す混合層１５となる。
【００７１】
中間金属層２５は、図３−５に示すように、無電解めっきでビア形成穴２４の内壁の表面に金属膜が形成される際に、第２配線層２２上に同時に形成される。したがって、本実施形態において、中間金属層２５は、導電層３５と同一の材料である。なお、中間金属層２５は、密着を重視して、スパッタ等で導電層３５と異なる材料とすることもできる。また、無電解めっき時に、予め第２配線層２２上をレジスト等で覆っておくことで、第２配線層２２上に中間金属層２５を設けないことも可能である。
【００７２】
その後、図３−６及び図４に示すように、基板１０に形成した穴に導電体を充填する（手順Ｓ１０５）。製造装置は、図３−６に示すように、電解めっきで金属膜を成長させて導電体であるフィルドビア２７を形成する。フィルドビア２７となる導電体は、手順Ｓ１０４において穴の内壁を無電解めっき処理する金属と同種の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。ここで、フィルドビア２７は、ビア形成穴２４を埋め、かつ、基板１０の第２配線層２２側の表面の全面を覆うように形成される。また、前記電解めっきにより中間金属層２５の表面に形成された金属膜は、第３配線層２７ｃとなる。その後、熱処理を加えてアニールすることがより好ましい。その結果、外力により混合層１５が剥離されることを抑制することができる。
【００７３】
製造装置は、その後、第３配線層２７ｃの表面に所定のレジストを設ける。製造装置は、レジストを露光し、現像した後、第３配線層２７ｃの一部に対してエッチング処理を施すことにより、配線パターンを形成する（サブトラクティブ法）。例えば、第３配線部２７ａ及びランド２７ｂを形成する場合、所定の配線パターンにしたがって、第２配線層２２、中間金属層２５及び第３配線層２７ｃをエッチングすることで、上述した配線板１を得る。なお、第３配線部２７ａ及びランド２７ｂを形成する方法としては、第２配線層２２を予め導電性の下地層で形成しておき、所望のパターニングを施しためっきレジストを形成した後、電解銅めっきすることにより、はじめから第３配線部２７ａ及びランド２７ｂの領域を分けておく方法がある（セミアディティブ法）。本実施形態及び後述する実施形態でも配線層、端子電極、バンプ、電極形成のパターニングにおいて、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法を適用することができる。
【００７４】
上述したように、本実施形態に係る配線板の製造方法は、一方の面に第１配線層２１が配置され、他方の面に第２配線層２２が配置され、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板１０を準備する手順と、前記第２配線層２２及び前記基板１０を貫通し、前記第１配線層２１まで延在するビア形成穴２４を形成する手順と、少なくともビア形成穴２４の内壁をプラズマ処理によりアッシング処理する手順と、ビア形成穴２４に導電層３５となる金属を無電解めっきする手順と、を有する。そして、プラズマ処理により、複数のフィラー３１、３２を含有する樹脂４１をポーラス層１５ａとし、ポーラス層１５ａに無電解めっきを施す。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法で製造される配線板１は、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合層１５の混合領域Ａが電解めっきの給電体として作用し、フィルドビア２７の欠陥を低減することができる。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法は、層間接続の信頼性を向上させることができるので、故障が発生しにくく、信頼性の高い配線板１を製造することができる。なお、他の変形例の配線板の製造方法としては、基板を準備する工程（手順Ｓ１０１）において第２配線層を省略し、その後の基板１０に形成した穴に導電体を充填する（手順Ｓ１０５）工程で、上部（第２配線層２２に相当する部分）に配線パターンを同時形成することもできる。
【００７５】
また、本実施形態に係る配線板の製造方法は、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合領域Ａが電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑制することができる。その結果、確実な層間接続を実現することができるので、本実施形態に係る配線板の製造方法によって製造された配線板１は、故障が発生しにくく、信頼性が高くなる。
【００７６】
図５は、本実施形態に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。本実施形態では、フィルドビアを電解めっきで形成する場合を説明した。本変形例に係る配線板２は、図３−６に示したフィルドビア２７を無電解めっきのみで形成してフィルドビア２６とすることを特徴としている。配線板２のビア２８ａは、フィルドビア２６と、混合層１５とを有する。そして、配線板２は、フィルドビア２６と同一材料で形成される第３配線部２６ａと、ランド２６ｂとを有している。基板１０に形成した穴を充填する手順（手順Ｓ１０５）において、本変形例に係る配線板２は、フィルドビア２６が、無電解めっきのみで形成され、ビア形成穴２４が導電体である金属で充填されている。複数のフィラーを含有する樹脂をポーラス層とし、ポーラス層に無電解めっきのめっき液を含浸させるので、無電解めっきを継続すると、ポーラス層に含浸された金属を覆うように無電解めっきによる導電体が充填され一体となり、フィルドビアの欠陥を抑制することができる。なお、フィルドビア２６となる導電体は、穴の内壁を無電解めっき処理する金属と同種の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。また、フィルドビア２６の無電解めっきの条件をポーラス層に無電解めっきする条件と異ならせてもよい。
【００７７】
（実施形態２）
図６は、実施形態２に係る配線板を説明するための断面図である。本実施形態に係る配線板及び配線板の製造方法は、複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板を用いることに特徴がある。次の説明においては、実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【００７８】
図６に示すように、配線板（配線回路板）３は、積層基板１２と、第１配線層２１と、第２配線層２２と、第３配線部２７ａと、ビア２９と、ランド２７ｂと、中間金属層２５とを有する。積層基板１２は、基板１０と、基板１１とを有する。ビア２９は、フィルドビア２７と、混合層１５と、混合層１６とを有する。
【００７９】
積層基板１２は、基板１０と、基板１１とを厚み方向に重ね合わせた積層基板である。基板１０は、上述のように複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板である。基板１１は、回路となる配線が形成される板状部材であり、基板１０と同様に絶縁性の材料、例えば樹脂で形成されている。基板１１は、絶縁性の材料中にフィラーを混合した複合材料とされている。基板１１の樹脂に対するフィラーの割合は、基板１０の樹脂に対するフィラーの割合よりも大きくなっている。
【００８０】
例えば、基板１１の樹脂をエポキシ樹脂とし、フィラーを二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とすると、樹脂に対してフィラーの含有率が５０体積％以上７６体積％以下（７０質量％以上８５質量％以下）である。基板１０の樹脂をエポキシ樹脂とし、フィラーを二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とすると、樹脂に対してフィラーの含有率が５０体積％以上７６体積％以下（７０質量％以上８５質量％以下）である。ただし、基板１１における樹脂に対するフィラーの含有率は、基板１０における樹脂に対するフィラーの含有率よりも小さくなる範囲とされている。
【００８１】
例えば、基板１０の樹脂に対するフィラーの割合を５０体積％（７０質量％）とし、基板１１の樹脂に対するフィラーの割合を６２体積％（７５質量％）とした場合、基板１０及び基板１１の両方に、混合層１５及び混合層１６が形成される。混合層１６は、図２に示す混合層１５と同様に、基板１０のフィラー３３と同じ材料で形成されるフィラー３１、３２と、さらに導電層３５とを少なくとも含む領域とを有する。
【００８２】
樹脂に対するフィラーの割合が多いと、図２に示すフィラー空間５１が基板内部まで形成され、混合層のビアの径方向の厚みが厚くなる傾向にある。したがって、混合層１５と比較して混合層１６は、混合層のビアの径方向の厚みが厚い。アスペクト比が高くなると、ビアを形成するビア形成穴の底部付近では、ビア内の絶縁層表面に導体膜を安定して付着させることが難しい。無電解めっきでは、アスペクト比が高くなるとビア形成穴の底部付近におけるめっきの密着が抑制されるためである。
【００８３】
本実施形態に係る配線板３は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板を、厚み方向に複数のフィラーを含有する含有率の異なる基板が積層された積層基板とするとともに、フィラーの含有率が高い基板１１を、ビアが形成されるビア形成穴の底部側となるように配置する。
【００８４】
フィラーの含有率が高いと、混合領域の厚みを厚くすることができる。このため、ビアの径方向の混合領域の厚みが大きい基板１１をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。ビアの径方向の混合領域の厚みが大きいと、フィラーとフィラーとの間にあるフィラー空間５１にめっき液が浸入し、めっきが混合領域に定着しやすくなる。ビア形成穴の底部に給電体として作用する導電層が安定して形成される。その結果、本実施形態に係る配線板３は、混合層１６をビア形成時にビア形成穴の底部付近となるようにすれば、アスペクト比が高くとも、フィルドビア２７の欠陥の発生を抑制することができる。
【００８５】
配線板３は、フィルドビア２７、混合層１５及び混合層１６を有するビア２９で、第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続できるので、第１配線層２１と第２配線層２２との接続抵抗が下がり、低抵抗な配線となる。また、第１配線層２１の表面から第２配線層２２の表面（つまり、基板１１の一方の面から基板１０の他方の面）にわたって給電体として作用する導電層３５が存在する。このため、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、導電層３５は、フィルドビア２７のボイド又はシーム等の欠陥を抑えることができる。その結果、層間接続が安定し、配線に不具合が生じるおそれを低減できる。
【００８６】
配線板３は、フィルドビア２７があるいわゆるフィルドビア構造である。しかし、本実施形態は、フィルドビア構造に限定されず、フィルドビア２７がないコンフォーマルビア構造として、混合層１５及び混合層１６のみで第１配線層２１と第２配線層２２とを電気的に接続してもよい。次に、本実施形態に係る配線板の製造方法について説明する。
【００８７】
図７−１から図７−６は、実施形態２に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。図７−１から図７−６及び図４を参照して、本実施形態に係る配線板の製造方法について説明する。
【００８８】
まず、図７−１及び図４に示すように、基板１１の上に基板１０を積層した積層基板１２を準備する（手順Ｓ１０１）。基板１１の一方の面は、金属膜（金属箔）が配置され、第１配線層２１とされる。基板１１の他方の面に基板１０の一方の面が積層されている。基板１０の他方の面に金属膜（金属箔）が配置され、第２配線層２２とされる。
【００８９】
図７−２、図７−３及び図４に示すように、積層基板１２にビアを形成するための穴を加工する（手順Ｓ１０２）。製造装置は、ＵＶ−ＹＡＧレーザ又はダイレクトＣＯ２レーザを、図７−２に示す基板１０の第２配線層２２の側から所定の位置に照射し、ビア形成穴２４ａを形成する。ここで、ビア形成穴２４ａは、第２配線層２２を貫通し、基板１０の一部まで延在している。
【００９０】
製造装置は、その後、ＣＯ２レーザ又はＵＶ−ＹＡＧレーザを用い、形成したビア形成穴２４ａをさらに掘り進め、図７−３に示すようにビア形成穴２４ａを第１配線層２１に到達した状態とし、ビア形成穴２４とする。
【００９１】
図７−４及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴の内壁をアッシング処理する（手順Ｓ１０３）。製造装置は、ビア形成穴２４の内壁の表面にアッシング処理を行うプラズマ装置を備えることが好ましい。アッシング処理は、次の手順で実現される。まず、ビア形成穴２４が形成された基板１０及び基板１１を、プラズマ装置内に保持する。図７−４に示すように、プラズマ装置内では、基板１０及び基板１１が所定の圧力に維持されたプラズマガス中に設置され、プラズマに晒される。ビア形成穴２４の内壁の表面にプラズマ放電されたプラズマガスが作用する。主として、基板１０及び基板１１に含まれる樹脂４１の一部がアッシングされ、飛散する。これによって、図２に示すフィラー空間５１が出現するとともに、樹脂４１の一部がネック樹脂４１ａとして残存し、フィラー同士を結合する。そして、図７−４に示すように、ビア形成穴２４の内壁の表面から一定深さが、図２に示すフィラー空間５１及びネック樹脂４１ａを含むポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａとなる。
【００９２】
図７−５及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴の内壁を無電解めっき処理する（手順Ｓ１０４）。製造装置は、図７−５に示すように、無電解めっきでビア形成穴２４の内壁の表面に図２に示す導電層３５を無電解めっきで形成する。ここで、図７−５及び図２を参照すると、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａ内のフィラー空間５１へめっき液が浸入するので、フィラー空間５１が導電層３５で埋められる。フィラー空間５１は、すべてを導電層３５で埋める必要がなく、フィラー空間５１の一部は空隙であってもよい。図２に示すように、フィラー３１の表面もめっき液で浸されるので、導電層３５は、フィラー３１の表面上にも付着する。そして、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａが混合層１５及び混合層１６となる。
【００９３】
フィラーの含有率が高い基板１１に形成されるポーラス層１６ａの方がポーラス層１５ａより厚くなる。つまり、フィラーの含有率が高い基板は、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが大きくなる。その結果、ポーラス層に浸入する無電解めっき液の領域が広がるので、ポーラス層にはより厚い導電層３５が形成される。このため、より安定して混合領域が導通可能となる。高アスペクト比のビアでは、ビア形成穴の底部ほど、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなる。複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板を用いることで、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなっても、無電解めっきの密着を高くすることができる。その結果、混合領域の厚みの大きい基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。
【００９４】
図７−５に示すように、中間金属層２５は、無電解めっきでビア形成穴２４の内壁の表面に金属膜が形成される際に、第２配線層２２上に同時に形成される。したがって、本実施形態において、中間金属層２５は、導電層３５と同一の材料である。なお、中間金属層２５は、密着を重視して、スパッタ等で導電層３５と異なる材料とすることもできる。無電解めっき時に、予め第２配線層２２上をレジスト等で覆っておくことで、第２配線層２２上に中間金属層２５を設けないことも可能である。
【００９５】
その後、図７−６及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴に導電体を充填する（手順Ｓ１０５）。製造装置は、その後、図７−６に示すように、電解めっきで、金属膜を成長させてフィルドビア２７を形成する。フィルドビア２７となる導電体は、手順Ｓ１０４において穴の内壁を無電解めっき処理する金属と同種の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。ここで、導電体であるフィルドビア２７は、ビア形成穴２４を埋め、かつ、基板１０の第２配線層２２側の表面の全面を覆うように形成される。また、前記電解めっきにより中間金属層２５の表面に形成された金属膜は、第３配線層２７ｃとなる。その後、熱処理を加えてアニールすることがより好ましい。その結果、外力により混合層１５、１６が剥離されることを抑制することができる。
【００９６】
製造装置は、その後、第３配線層２７ｃの表面に所定のレジストを設ける。製造装置は、レジストを露光し、現像した後、第３配線層２７ｃの一部に対してエッチング処理を施すことにより、配線パターンを形成する。第３配線部２７ａ及びランド２７ｂを形成する場合、所定の配線パターンにしたがって、第２配線層２２、中間金属層２５及び第３配線層２７ｃをエッチングすることで、上述した配線板３を得る。
【００９７】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、基板１１の一方の面に第１配線層２１が配置され、他方の面に基板１０の一方の面が積層され、基板１０の他方の面に第２配線層２２が配置され、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板１０及び基板１１を準備する手順と、前記第２配線層２２及び前記基板１０及び基板１１を貫通し、前記第１配線層２１まで延在するビア形成穴２４を形成する手順と、少なくともビア形成穴２４の内壁をプラズマ処理する手順と、ビア形成穴２４に導電層３５となる金属を無電解めっきする手順と、を有する。そして、プラズマ処理により、複数のフィラー３１、３２を含有する樹脂４１をポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａとし、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａに無電解めっきを施す。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法で製造される配線板３は電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合領域が電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を低減することができる。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法は、層間接続を安定させることができるので、故障が発生しにくく、信頼性の高い配線板３を製造することができる。なお、他の変形例の配線板の製造方法としては、基板を準備する工程（手順Ｓ１０１）において第２配線層を省略し、その後の基板１０に形成した穴に導電体を充填する（手順Ｓ１０５）工程で、上部（第２配線層２２に相当する部分）に配線パターンを同時形成することもできる。
【００９８】
また、本実施形態に係る配線板の製造方法は、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合領域Ａが電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑制することができる。その結果、確実な層間接続を実現することができるので、本実施形態に係る配線板の製造方法によって製造された配線板３は、故障が発生しにくく、信頼性が高くなる。
【００９９】
なお、上記実施形態２では、複数のフィラーを含有する樹脂を有する第１の基板である基板１０と、第１の基板１０より含有率の多い複数のフィラーを含有する樹脂を有する第２の基板である基板１１とを基板の厚み方向に積層して積層基板とし、前記第１の基板１０よりも前記第２の基板１１が前記第１配線層２１側に配置されている。フィラーの含有率が高いと、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが厚くなる。その結果、ポーラス層に含浸する無電解めっきの領域が広がり、より安定的に導通可能となる。その結果、混合領域の厚みの厚い基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。
【０１００】
高アスペクト比のビアは、ビア形成穴の底部ほど、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなる。複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板を用いることで、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなっても、無電解めっきの密着を高くすることができる。複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が３以上積層され、ビア形成穴の底部ほど複数のフィラーを含有する含有率を高くなるように基板を積層すれば、アスペクト比をさらに高くしても信頼性を保つことができる。
【０１０１】
本実施形態では、基板１０を複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板とし、例えば、基板１０の樹脂をエポキシ樹脂とし、フィラーを二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とすると、樹脂に対してフィラーの含有率が５０体積％以上７６体積％以下（７０質量％以上８５質量％以下）であると説明した。本実施形態の変形例として、基板１０の樹脂をエポキシ樹脂とし、フィラーを二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）とすると、樹脂に対してフィラーが０体積％以上５５体積％以下（０質量％以上６９質量％以下）であってもよい。つまり、基板１０及び基板１１は、第２の基板１１に上述した混合領域を含む混合層が形成されれば、第１の基板１０には、混合領域を含む混合層が形成されていなくともアスペクト比が大きいビアホールであっても信頼性の高いビアが形成される効果を奏する。なお、実施形態１と同様に、図７−６示したフィルドビア２７は、無電解めっきのみで形成してもよい。
【０１０２】
本実施形態に係る配線板及び配線板の製造方法は、複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板を用いることで、複数のフィラーを含有する含有率の高い基板の混合層のビア形成穴の開口側内径が、複数のフィラーを含有する含有率の低い基板の混合層のビア形成穴の開口側内径より、広がる傾向にある。樹脂に対するフィラーの含有率に応じて、アッシング処理時の樹脂の反応速度が変わるからである。そこで、複数のフィラーを含有する含有率を調整することにより、複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板のビア形成穴の開口側内径を制御することができる。
【０１０３】
また、変形例の配線板として、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板を、複数のフィラーを含有する含有率の異なる基板が積層された積層基板とするとともに、フィラーの含有率が高い基板を、ビアが形成されるビア形成穴の開口側となるように配置する。フィラーの含有率が高い基板は、ビア形成穴の開口側内径を大きくすることができる。また、フィラーを含有する含有率の低い基板に向かうにしたがって、ビア形成穴の開口側内径を小さくしていくことができる。
【０１０４】
（実施形態３）
図８は、実施形態３に係る配線板を説明するための断面図である。本実施形態に係る配線板及び配線板の製造方法は、上述した複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板が、端子電極を含む基板に積層されていることに特徴がある。次の説明においては、実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
【０１０５】
図８に示すように、配線板（配線回路板）４は、積層基板１３と、第２配線層２２と、第３配線部２７ａと、ビア２９と、ランド２７ｂと、中間金属層２５と、電子部品６０と、端子電極６１とを有する。積層基板１３は、基板１０と、基板１１とを有する積層基板１２と、基板７１と、基板７２とを有する積層基板７０とを有する。ビア２９は、フィルドビア２７と、混合層１５と、混合層１６とを有する。積層基板１３には、電子部品６０及び端子電極６１が含まれ、電子部品内蔵基板となっている。
【０１０６】
積層基板７０は、基板７１と、基板７２とを厚み方向に重ね合わせた積層基板である。基板７１、７２は、板状部材であり、基板１０と同様に絶縁性の材料、例えば樹脂で形成されている。基板７１、７２は、絶縁性の材料のみとしてもよいし、絶縁性の材料中にフィラーを混合した複合材料とされていてもよい。
【０１０７】
積層基板７０は、基板７１上に搭載された電子部品６０を含み、電子部品６０は基板７２の材料により封止されている。電子部品６０としては、例えば抵抗、コンデンサ、コイル、集積回路等があげられる。電子部品６０は、入出力のための端子電極６１を有する。
【０１０８】
端子電極６１は、金属等の導電体で形成されている。端子電極６１には、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等及びこれらの合金を用いることができる。また、電子部品６０のアルミニウム（Ａｌ）電極上に、無電解めっきにより、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）等の上述した合金から選ばれる積層構造を設けてもよい。
【０１０９】
本実施形態に係る配線板４は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板を、厚み方向に複数のフィラーを含有する含有率の異なる基板が積層された積層基板とするとともに、フィラーの含有率が高い基板１１を、ビアが形成されるビア形成穴の底部側となるように配置する。
【０１１０】
フィラーの含有率が高いと、混合領域の厚みを厚くすることができる。このため、ビアの径方向の混合領域の厚みが大きい基板１１をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。ビアの径方向の混合領域の厚みが大きいと、フィラーとフィラーとの間にあるフィラー空間５１にめっき液が浸入し、めっきが混合領域に定着しやすくなる。ビア形成穴の底部に給電体として作用する導電層が安定して形成される。その結果、本実施形態に係る配線板４は、混合層１６をビア形成時にビア形成穴の底部付近となるようにすれば、アスペクト比が高くとも、フィルドビア２７の欠陥の発生を抑制することができる。
【０１１１】
配線板４は、フィルドビア２７、混合層１５及び混合層１６を有するビア２９で、第１配線層２１と端子電極６１とを電気的に接続できるので、第２配線層２２と端子電極６１との接続抵抗が下がり、低抵抗な配線となる。また、第２配線層２２の表面から端子電極６１の表面（つまり、基板１０の一方の面から基板１１の他方の面）にわたって給電体として作用する導電層３５が存在する。このため、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、導電層３５は、フィルドビア２７のボイド又はシーム等の欠陥を抑えることができる。その結果、層間接続が安定し、配線に不具合が生じるおそれを低減できる。
【０１１２】
配線板４は、電子部品内蔵基板であって、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板１０、１１と、積層基板１３に設けられた少なくとも１つの第２配線層２２と電気的に接続されるビア２９と、を含み、ビア２９は、基板１０、１１よりも径方向内側に、複数のフィラー間に金属が設けられている混合領域を有し、樹脂に内在する電子部品６０にビア２９が電気的に接続される。これにより、電子部品６０への低抵抗接続が可能となる。
【０１１３】
配線板４は、フィルドビア２７があるいわゆるフィルドビア構造である。しかし、本実施形態は、フィルドビア構造に限定されず、フィルドビア２７がないコンフォーマルビア構造として、混合層１５及び混合層１６のみで第１配線層２１と端子電極６１とを電気的に接続してもよい。次に、本実施形態に係る配線板の製造方法について説明する。
【０１１４】
図９−１から図９−６は、実施形態３に係る配線板の製造方法の一例を説明するための説明図である。図９−１から図９−６及び図４を参照して、本実施形態に係る配線板の製造方法について説明する。
【０１１５】
まず、図９−１及び図４に示すように、基板１１の上に基板１０を積層した積層基板１２及び端子電極６１を含む積層基板７０を積層して準備する（手順Ｓ１０１）。基板１１の一方の面は、積層基板７０と対向しており、端子電極６１の表面６１ａが接した状態で配置される。基板１１の他方の面に基板１０の一方の面が積層されている。基板１０の他方の面に金属膜（金属箔）が配置され、第２配線層２２とされる。
【０１１６】
図９−２、図９−３及び図４に示すように、積層基板１２にビアを形成するための穴を加工する（手順Ｓ１０２）。製造装置は、ＵＶ−ＹＡＧレーザ又はダイレクトＣＯ２レーザを、図９−２に示す基板１０の第２配線層２２の側から所定の位置に照射し、ビア形成穴２４ａを形成する。ここで、ビア形成穴２４ａは、第２配線層２２を貫通し、基板１０の一部まで延在している。
【０１１７】
製造装置は、その後、ＣＯ２レーザ又はＵＶ−ＹＡＧレーザを用い、形成したビア形成穴２４ａをさらに掘り進め、図９−３に示すようにビア形成穴２４ａを端子電極６１に到達した状態とし、ビア形成穴２４とする。
【０１１８】
図９−４及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴の内壁をアッシング処理する（手順Ｓ１０３）。製造装置は、ビア形成穴２４の内壁の表面にアッシング処理を行うプラズマ装置を備えることが好ましい。アッシング処理は、次の手順で実現される。まず、ビア形成穴２４が形成された基板１０及び基板１１を、プラズマ装置内に保持する。図９−４に示すように、プラズマ装置内では、基板１０及び基板１１が所定の圧力に維持されたプラズマガス中に設置され、プラズマに晒される。ビア形成穴２４の内壁の表面にプラズマ放電されたプラズマガスが作用する。主として、基板１０及び基板１１に含まれる樹脂４１の一部がアッシングされ、飛散する。これによって、図２に示すフィラー空間５１が出現するとともに、樹脂４１の一部がネック樹脂４１ａとして残存し、フィラー同士を結合する。そして、図９−４に示すように、ビア形成穴２４の内壁の表面から一定深さが、図２に示すフィラー空間５１及びネック樹脂４１ａを含むポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａとなる。
【０１１９】
図９−５及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴の内壁を無電解めっき処理する（手順Ｓ１０４）。製造装置は、図９−５に示すように、無電解めっきでビア形成穴２４の内壁の表面に図２に示す導電層３５を無電解めっきで形成する。ここで、図９−５及び図２を参照すると、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａ内のフィラー空間５１へめっき液が浸入するので、フィラー空間５１が導電層３５で埋められる。フィラー空間５１は、すべてを導電層３５で埋める必要がなく、フィラー空間５１の一部は空隙であってもよい。図２に示すように、フィラー３１の表面もめっき液で浸されるので、導電層３５は、フィラー３１の表面上にも付着する。そして、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａが混合層１５及び混合層１６となる。
【０１２０】
フィラーの含有率が高い基板１１に形成されるポーラス層１６ａの方がポーラス層１５ａより厚くなる。つまり、フィラーの含有率が高い基板は、プラズマ処理により、ポーラス層となる厚さが大きくなる。その結果、ポーラス層に浸入する無電解めっき液の領域が広がるので、ポーラス層にはより厚い導電層３５が形成される。このため、より安定して混合領域が導通可能となる。高アスペクト比のビアでは、ビア形成穴の底部ほど、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなる。複数のフィラーを含有する含有率の異なる複数の基板が基板の厚み方向に積層された積層基板を用いることで、ビア形成穴の内壁での付着領域が少なくなっても、無電解めっきの密着を高くすることができる。その結果、混合領域の厚みの大きい基板をビア形成穴の底部に配置することで、さらに高アスペクト比のビアを形成できるようになる。
【０１２１】
図９−５に示すように、中間金属層２５は、無電解めっきでビア形成穴２４の内壁の表面に金属膜が形成される際に、第２配線層２２上に同時に形成される。したがって、本実施形態において、中間金属層２５は、導電層３５と同一の材料である。なお、中間金属層２５は、密着を重視して、スパッタ等で導電層３５と異なる材料とすることもできる。無電解めっき時に、予め第２配線層２２上をレジスト等で覆っておくことで、第２配線層２２上に中間金属層２５を設けないことも可能である。
【０１２２】
その後、図９−６及び図４に示すように、基板１０、１１に形成した穴に導電体を充填する（手順Ｓ１０５）。製造装置は、その後、図９−６に示すように、電解めっきで、金属膜を成長させてフィルドビア２７を形成する。フィルドビア２７となる導電体は、手順Ｓ１０４において穴の内壁を無電解めっき処理する金属と同種の金属であってもよく、異なる金属であってもよい。ここで、導電体であるフィルドビア２７は、ビア形成穴２４を埋め、かつ、基板１０の第２配線層２２側の表面の全面を覆うように形成される。また、前記電解めっきにより中間金属層２５の表面に形成された金属膜は、第３配線層２７ｃとなる。その後、熱処理を加えてアニールすることがより好ましい。その結果、外力により混合層１５、１６が剥離されることを抑制することができる。
【０１２３】
製造装置は、その後、第３配線層２７ｃの表面に所定のレジストを設ける。製造装置は、レジストを露光し、現像した後、第３配線層２７ｃの一部に対してエッチング処理を施すことにより、配線パターンを形成する。第３配線部２７ａ及びランド２７ｂを形成する場合、所定の配線パターンにしたがって、第２配線層２２、中間金属層２５及び第３配線層２７ｃをエッチングすることで、上述した配線板４を得る。
【０１２４】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、基板１１の一方の面に端子電極６１が配置され、他方の面に基板１０の一方の面が積層され、基板１０の他方の面に第２配線層２２が配置され、複数のフィラーを含有する樹脂を有する基板１０及び基板１１を準備する手順と、前記第２配線層２２及び前記基板１０及び基板１１を貫通し、前記端子電極６１まで延在するビア形成穴２４を形成する手順と、少なくともビア形成穴２４の内壁をプラズマ処理する手順と、ビア形成穴２４に導電層３５となる金属を無電解めっきする手順と、を有する。そして、プラズマ処理により、複数のフィラー３１、３２を含有する樹脂４１をポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａとし、ポーラス層１５ａ及びポーラス層１６ａに無電解めっきを施す。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法で製造される配線板４は電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合領域が電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を低減することができる。その結果、本実施形態に係る配線板の製造方法は、層間接続を安定させることができるので、故障が発生しにくく、信頼性の高い配線板４を製造することができる。
【０１２５】
本実施形態に係る配線板４では、積層基板１２を用いて説明した。他の変形例として、基板１０と基板１１のフィラーの含有率を同一とし単一層として、上述の配線板４を形成してもよい。また、基板７２は、基板１０及び基板１１と同様に、複数のフィラーを含有する樹脂で形成されてもよい。また、基板７２は、基板１１よりも複数のフィラーを含有する含有率が高い基板であってもよい。
【０１２６】
図１０−１は、実施形態３に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。変形例に係る配線板５は、図８に示した端子電極６１及び電子部品６０が基板１０の内部に配置されていることを特徴としている。電子部品６０は、表面にパシベーションと呼ばれる保護層６７が端子電極６１の周囲を保護していることが多い。これにより、端子電極６１の腐食等の可能性を低減できる。基板１０内に電子部品６０を内在するためには、フィルドビア２７と端子電極６１とを接続する必要がある。
【０１２７】
電子部品６０は、端子電極６１の表面６１ａが保護層６７から露出するように表面をＣＭＰ等で研削した上、基板１０内に埋め込むことが好ましい。あるいは、電子部品６０は、端子電極６１の表面６１ａが保護層６７に覆われていても、ミーリング等のエッチングにより、端子電極６１の表面６１ａを露出させ基板１０内に埋め込むこともできる。
【０１２８】
本変形例に係る配線板５は、電子部品６０が基板１０内に埋め込まれ電子部品６０の搭載スペースを省くことができるので、回路基板は、高密度となることができる。本変形例に係る配線板５においても、基板１０が上述した積層基板１２とされてもよい。変形例では、端子電極６１が基板１０の内部に埋めて配置されているが、例えば端子電極６１の表面６１ａが基板１０の内部に埋められていれば、他は基板１０外とされていてもよい。
【０１２９】
本変形例に係る配線板５は電子部品内蔵基板であって、フィルドビア２７及び混合層１５の導電層３５の全体でビア２８となり、端子電極６１と第２配線層２２とを電気的に接続できる。また、混合領域Ａだけでも端子電極６１と第２配線層２２とを電気的に接続できる。その結果、ビア形成穴の底部付近である端子電極６１の表面６１ａにおいて混合層１５の付着領域Ｂが少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。これにより、配線板５は、フィルドビア２７と端子電極６１とが低抵抗で接続される。
【０１３０】
図１０−２は、実施形態３に係る配線板の他の変形例を説明するための断面図である。上述した配線板５では、端子電極６１及び電子部品６０が基板１０の内部に配置されている場合を説明した。本変形例に係る配線板１０１は、電子部品６０が端子電極６１ではなく再配線層６５に接続していることを特徴とする。図１０−２に示すように、配線板１０１は、積層基板１４と、第２配線層２２と、第３配線部２７ａと、ビア２９と、ランド２７ｂと、中間金属層２５と、電子部品６０と、再配線層６５と、保護層６７とを有する。積層基板１４は、基板１０と、基板１１とを有する積層基板１２と、基板１０Ａとを有する。基板１０Ａは、基板１０と同じ材料の基板である。なお、基板１１の材料が基板１０と同じで、積層基板１４が単一材料とされていてもよい。ビア２９は、フィルドビア２７と、混合層１５と、混合層１６とを有する。基板１０Ａには、電子部品６０と、再配線層６５と、が含まれる。これにより、積層基板１４は、電子部品内蔵基板となる。
【０１３１】
電子部品６０は、表面にパシベーションと呼ばれる保護層６７が電子部品６０の電極の周囲を保護していることが多い。これにより、電極の腐食等の可能性を低減できるが外部との接続のため再配線層６５を介して電子部品６０の外部と接続する。再配線層６５は、例えば銅（Ｃｕ）により形成され、フィルドビア２７との接続位置を変更することができる。再配線層６５には、他に例えば、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、スズ（Ｓｎ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等及びこれらの合金を用いることができる。また、電子部品６０のアルミニウム（Ａｌ）電極上に、無電解めっきにより、上述した合金から選ばれる積層構造を設けてもよい。
【０１３２】
本変形例では、基板１１の一方の面と再配線層６５とが隣接して接続されている。そして、フィルドビア２７と再配線層６５とが接続されている。この場合、基板１０Ａは、基板１０と同様に、複数のフィラーを含有する樹脂で形成されるが、フィラーを含有しない絶縁材料であってもよい。
【０１３３】
本変形例に係る配線板１０１は、フィルドビア２７及び混合層１５、１６の導電層３５の全体でビア２９となり、再配線層６５と第２配線層２２とを電気的に接続できる。また、混合領域Ａだけでも再配線層６５と第２配線層２２とを電気的に接続できる。その結果、ビア形成穴の底部付近である再配線層６５の表面６５ａにおいて混合層１６の付着領域Ｂが少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。これにより、配線板１０１は、フィルドビア２７と再配線層６５とが低抵抗で接続される。
【０１３４】
図１０−３は、実施形態３に係る配線板の他の変形例を説明するための断面図である。本変形例に係る配線板１０２は、図１０−２に示した基板１１と同じフィラーを含有する樹脂層が樹脂層１１Ａとして予め電子部品６０上に形成された状態で基板１０に埋め込まれることを特徴としている。
【０１３５】
樹脂形成電子部品８０は、電子部品６０と、電子部品６０の電極６０ａと、再配線層６５と、保護層６７と、樹脂層１１Ａとを有している。これにより、再配線層６５及び保護層６７の厚みに加え樹脂層１１Ａの厚みを加えることができる。その結果、電子部品６０の厚みが薄く変形しやすくても、電子部品６０と、再配線層６５及び保護層６７の厚みと、樹脂層１１Ａの厚みとにより、ウエハーのダイシング時のチッピングによる欠け又は基板１０内への埋め込み時のハンドリングによる損傷が防止される。本変形例に係る配線板１０２では、基板１０内に樹脂形成電子部品８０が埋め込まれて形成される。基板１０は、電子部品内蔵基板である。
【０１３６】
本変形例に係る配線板１０２は電子部品内蔵基板であって、フィルドビア２７及び混合層１５、１６の導電層３５の全体でビア２９となり、再配線層６５と第２配線層２２とを電気的に接続できる。また、混合領域Ａだけでも再配線層６５と第２配線層２２とを電気的に接続できる。その結果、ビア形成穴の底部付近である再配線層６５の表面６５ａにおいて混合層１６の付着領域Ｂが少なくなる高アスペクト比のビアであっても、電気的な層間接続が可能となり、低抵抗な配線とすることができる。これにより、配線板１０２は、フィルドビア２７と再配線層６５とが低抵抗で接続される。本変形例に係る配線板１０２においても、樹脂層１１Ａが上述した基板１０と同じフィラー含有量とされてもよい。変形例では、再配線層６５が基板１０の内部に埋めて配置されているが、例えば再配線層６５の表面６５ａが基板１０の内部に埋められていれば、他は基板１０外とされていてもよい。
【０１３７】
本変形例に係る配線板１０２の製造方法（電子部品内蔵基板の製造方法）は、複数のフィラーを含有する樹脂を有する樹脂層１１Ａを電子部品６０に積層する手順と、樹脂層１１Ａにビア形成穴を形成する手順と、少なくともビア形成穴の内壁をアッシング処理する手順と、ビア形成穴の内壁を無電解めっきする手順と、を有する。これにより、ウエハーのダイシング時のチッピングによる欠け又は基板１０内への埋め込み時のハンドリングによる損傷が防止される。また、接続したい電子部品６０の近傍に混合領域を形成できるので、ビア形成穴のアスペクト比が高くともビアと低抵抗の接続ができる。さらに、接続したい電子部品６０の近傍に混合領域を形成できるので、電子部品を埋め込む樹脂を変更することができる。
【０１３８】
（実施形態４）
図１１−１は、実施形態４に係る配線板を説明するための断面図である。実施形態３では、電子部品６０を含む場合を説明した。本実施形態に係る配線板は、図８に示した基板７２に含まれる電子部品６０の代わりに、導体ポストとなる端子電極を含むことを特徴としている。配線板６の基板７２では、導体ポストとなる端子電極として端子電極６１及び端子電極６２を有する。端子電極６２は、端子電極６１よりも体積が大きく、端子電極６２から端子電極６１が突出する形で導体ポストが形成される。端子電極６１は、上述した端子電極６１と同様の材料で形成される。端子電極６２は、一端が端子電極６１と電気的に接続しており、基板７２の露出面７２ａに他端が露出している。その結果、配線板６は、フィルドビア２７と端子電極６２とが低抵抗で接続される。
【０１３９】
図１１−２は、実施形態４に係る配線板の変形例を説明するための断面図である。配線板６では、基板１１の一方に端子電極６１が隣接して配置され、フィルドビア２７と端子電極６１とを接続する場合を説明した。本変形例に係る配線板１１１は、基板１１の一方の面側に端子電極６１が隣接配置されてはいるが、基板７２の絶縁性の材料に内包されている。基板１１の一方の面と端子電極６１が基板７２の絶縁性の材料を介して配置されている。そして、基板１１からフィルドビア２７が基板７２内部へ延出し、フィルドビア２７と端子電極６１とが接続されている。この場合、基板７２は、基板１０及び基板１１と同様に、複数のフィラーを含有する樹脂で形成されると、フィルドビア２７が基板７２内部へ延出した部分の周囲にも混合層が形成されるので好ましい。基板７２は、基板１１よりも複数のフィラーを含有する含有率が高い基板であるとさらに好ましく、ポーラス層に含浸する無電解めっきの領域が広がり、より安定的に導通可能となる。
【０１４０】
図１１−３は、実施形態４に係る配線板の他の変形例を説明するための断面図である。本変形例に係る配線板１１２は、図１１−１に示した導電ポストである端子電極６１、６２が基板１０の内部に配置されていることを特徴としている。これにより、基板１０内に導電ポストを内在しても、導電ポストとフィルドビア２７を低抵抗で接続できる。また、他の変形例として、導電ポストである端子電極６１、６２の代わりに端子電極６１を有する電子部品６０が基板１０の内部に配置されていてもよい。その結果、電子部品６０の搭載スペースを基板１０内とすることができるので、回路基板は、高密度となることができる。本変形例に係る配線板１１２においても、基板１０が上述した積層基板１２とされてもよい。変形例では、端子電極６１が基板１０の内部に埋めて配置されているが、例えば端子電極６１の表面６１ａが基板１０の内部に埋められていれば、他は基板１０外とされていてもよい。
【０１４１】
また、本実施形態に係る配線板の製造方法は、フィルドビア２７を電解めっきで形成する場合、混合領域Ａが電解めっきの給電体として作用し、フィルドビアの欠陥を抑制することができる。その結果、確実な層間接続を実現することができるので、本実施形態に係る配線板の製造方法によって製造された配線板４、５、６、１０１、１０２、１１１、１１２は、故障が発生しにくく、信頼性が高くなる。上述した配線板１、２、３、４、５、６、１０１、１０２、１１１、１１２は、いずれかの配線板を平面で並べて又は上下に積層して組み合わせて、一体とした配線基板としてもよい。
【０１４２】
（評価）
実施形態１に係る配線板１を評価例として作製した。具体的には、基板１０は、エポキシ樹脂と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のフィラーを混合した樹脂シート（例えば、味の素ファインテクノ社製ＡＢＦ−ＧＸ１３等）を用意した。二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のフィラーは、粒子径が１０μｍ以下であり、平均粒子径（Ｄ５０）１．４μｍの樹脂シートを用意した。なお、平均粒子径は、レーザ回折（散乱）法で計測した。二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のフィラーの真円度は、０．７以上であった。真円度は、レーザ回折（散乱）法のデータより計測した。
【０１４３】
基板１０の厚さは、５０μｍで形成し、ビア形成穴２４は、直径φ１０μｍとした。第１配線層２１及び第２配線層２２の厚みは、５μｍで形成した。したがって、アスペクト比（ビア高さ／ビア直径）は、５である。
【０１４４】
プラズマ処理装置（ニッシン社製型式Ｍ２１０）を用いてプラズマ処理によるアッシング処理を行った。プラズマ処理は、マイクロ波プラズマ方式により行われた。プラズマガスは四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）との混合ガスを用いた。具体的には、プラズマガスは、１ａｔｍ（大気圧）及び一定温度（３０℃）における、プラズマ処理装置のメーカーにより規格化された流量で、四フッ化炭素（ＣＦ４）を１８０ｃｍ３／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、酸素（Ｏ２）を１４００ｃｍ３／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とする混合ガスを用いた。プラズマ処理装置の投入電力量は３ｋｗ、圧力は１００ＭＰａである。
【０１４５】
プラズマ処理装置のプラズマ条件（プラズマアッシング量）は、標準試料である液体レジストの反応度合い（アッシング量）で強度が定められている。標準試料は、プラズマ処理装置のメーカーで規定されている。例えば、プラズマ条件１００ｎｍ（１０００オングストローム）、プラズマ条件２５０ｎｍ（２５００オングストローム）、プラズマ条件５００ｎｍ（５０００オングストローム）の順で、プラズマ反応が強い。基板１０のフィラーの含有率（体積％）を０体積％、３０体積％、５０体積％、５５体積％、７６体積％、９０体積％とした基板サンプルを用意した。これら基板サンプルをプラズマ処理なし（プラズマ条件０）、プラズマ条件５０ｎｍ、プラズマ条件１００ｎｍ、プラズマ条件２５０ｎｍ、プラズマ条件５００ｎｍで処理した。その上で、ビア形成穴２４の内壁の表面に図２に示す導電層３５を銅（Ｃｕ）の無電解めっきで形成して導電層３５の形成状態を評価した。評価結果を下記表１に示す。
【０１４６】
【表１】
0005585426.tif 000002
【０１４７】
評価基準は、「○：ビア形成穴の底部付近において混合層が全面的に形成されている。△：ビア形成穴の底部付近において混合層が断続的に形成されている。×：ビア形成穴の底部付近において混合層が形成されない。」とした。
【０１４８】
表１に示すように、基板にフィラーを含有しており、プラズマ処理を施せば、ビア形成穴の底部付近において導電層が形成されやすい。また、基板のフィラー含有率を５０体積％以上とすれば、プラズマ条件５０ｎｍからプラズマ条件５００ｎｍにおいて、安定してビア形成穴の底部付近の導電層が形成される。また、基板のフィラー含有率が５５体積％以上であると、ビア形成穴にスミア（表面荒れ）が確認されなかった。そこで、好ましくは、基板のフィラー含有率を５５体積％以上とすれば、プラズマ条件５０ｎｍからプラズマ条件５００ｎｍにおいて、スミアを考慮しなくても安定してビア形成穴の底部付近の導電層が形成される。また、基板のフィラー含有率がフィラーの脱落もあるものも見られたが基板のフィラー含有率が５０体積％であってもフィラー含有率が４５体積％以上あることが確認された。
【０１４９】
上述の評価結果を反映して、フィラー含有率を７６体積％とした基板（エポキシ樹脂と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のフィラーを混合した樹脂シート）を用意した。用意した基板は、プラズマ条件１００ｎｍ（１０００オングストローム）、プラズマ条件２５０ｎｍ（２５００オングストローム）、プラズマ条件５００ｎｍ（５０００オングストローム）の３種類のプラズマ条件でプラズマ処理され、本実施形態に係る配線板１の評価例を３種類作製した。
【０１５０】
図１２−１及び図１２−２は、ポーラス層を説明するための評価例の写真である。この写真は、ポーラス層を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope、以下ＳＥＭという）で撮影したＳＥＭ画像である。図１２−１の倍率は１００００倍、図１２−２の倍率は３００００倍である。図１２−１及び図１２−２の評価例は、プラズマ処理装置がプラズマ条件５００ｎｍで、評価例の基板をアッシングし、集束イオンビーム（以下ＦＩＢ（Focused Ion Beam）という）で断面加工した。図１２−１に示すように、基板よりも径方向内側かつビア形成穴の内壁には、複数のフィラー間にフィラー空間が設けられている混合領域がある。図１２−２において、図１２−１より拡大して確認すると、図１２−２に示すように、フィラーとフィラーとの間にフィラー空間が空いている。また、フィラーが飛散せず留まっているのは、フィラーの外周の空間のどこかで他のフィラーと固着されているからと考えられる。
【０１５１】
図１３から図１５は、混合層を説明するための評価例の図である。これらの図に示す写真は、混合層をＳＥＭで撮影したＳＥＭ画像（倍率は２５０００倍）である。図１３の例は、プラズマ条件１００ｎｍで評価例の基板をアッシングしたものである。図１４の例は、プラズマ条件２５０ｎｍで、評価例の基板をアッシングしたものである。図１５の例は、プラズマ条件５００ｎｍで、評価例の基板をアッシングしたものである。図１３から図１５の例は、ポーラス層を、銅（Ｃｕ）の無電解めっきをし、混合層とした状態でＦＩＢにより断面加工したものをＳＥＭで撮影することによって得られたＳＥＭ画像である。
【０１５２】
図１３、図１４、図１５の混合層は、いずれも基板の厚み方向において、基板の一方の表面から基板の他方の表面にわたって形成されている。図１３、図１４、図１５の混合層は、いずれも基板の厚み方向において、基板の一方の表面から基板の他方の表面に近づくにしたがって混合層の付着領域が薄くなっている。つまり、図１３、図１４、図１５の混合層は、ビアを形成するビア形成穴の底部付近では、付着領域として無電解めっきで付着した金属の厚みが薄くなっていることが分かる。
【０１５３】
また、図１３、図１４、図１５の混合層は、いずれも基板の厚み方向において、基板の一方の表面（ビア形成穴の開口側）から基板の他方の表面（ビア形成穴の底部側）に近づくにしたがって混合層の混合領域も薄くなっている。図１３、図１４、図１５の混合層は、ビア形成穴の底部付近において付着領域が少なくなっても、混合領域が存在していることが分かる。図１３の混合層の混合領域は、図１４又は図１５の混合層の混合領域の厚みよりも薄くなっている。したがって、プラズマ条件により、アッシングされる樹脂の厚みが異なり、混合層の混合領域の厚みが変化することが分かる。具体的には、プラズマ反応が強くなるほど、混合層の混合領域の厚みが大きくなる。
【０１５４】
図１３の混合領域の厚みを計測すると、０．５μｍから０．８μｍであった。図１４の混合層の厚みを計測すると、２μｍから３μｍであった。図１５の混合層の厚みを計測すると、４μｍから５μｍであった。
【０１５５】
上述したように、アスペクト比が高くなると、ビア形成穴の開口側から離れてビア形成穴の底部に近づくほど図２に示す付着領域Ｂの厚みが減少する。図１３、図１４及び図１５の評価例では、ビアを形成するビア形成穴の底部付近にも混合層が認められ、基板の一方の表面から基板の他方の表面が電気的に導通可能であった。
【０１５６】
図１６−１は、混合層を説明するための評価例の写真である。図１６−１の写真は、混合層をＳＥＭで撮影したＳＥＭ画像である。図１６−１の例は、プラズマ条件１００ｎｍで評価例の基板をアッシングし、ポーラス層を銅（Ｃｕ）の無電解めっきを５回繰り返して混合層とした後、ＦＩＢで断面加工し、切断面をＳＥＭで撮像して得られたＳＥＭ画像である。ＦＩＢの切断面は図１３の撮影断面と直交する面であり、ビア形成穴を輪切りとした平面である。図１６−１の評価例では、銅（Ｃｕ）の無電解めっきを５回繰り返したので、混合層の付着領域が厚くなっている。
【０１５７】
図１６−２は、図１６−１に示す写真を拡大した図である。図１６−２に示す写真は、図１６−１に示す拡大表示の範囲を２５０００倍したＳＥＭ写真である。図１６−２に示すように、混合領域Ａは、複数のフィラーと、複数のフィラー間にさらに導電層である無電解めっきされた銅（Ｃｕ）とを含んでいることが分かる。
【０１５８】
図１７は、フィルドビアを説明するための評価例の写真である。図１７の評価例のサンプルは、図１３に示した混合層と同一の条件、つまり、プラズマ処理装置がプラズマ条件１００ｎｍの条件で、評価例の基板をアッシングし、ポーラス層を、銅（Ｃｕ）の無電解めっきをした。さらに図１７の評価例のサンプルはフィルドビアを銅（Ｃｕ）の電解めっきを用いて作製した。図１７は、このサンプルをＦＩＢで断面加工し、切断面をＳＥＭで撮像して得られたＳＥＭ画像である。図１７に示すように、フィルドビアを銅（Ｃｕ）の電解めっきで形成すると、ボイド又はシーム等の欠陥は認められなかった。同様に、プラズマ処理装置がプラズマ条件１００ｎｍの条件を２５０ｎｍ及び５００ｎｍの条件に変更したサンプルでフィルドビアを評価したがいずれもボイド又はシーム等の欠陥は認められなかった。次に、混合層の剥離に対する強度であるピール強度を評価した。
【０１５９】
図１８は、プラズマ条件とピール強度との関係を説明するための説明図である。ピール強度を確認する評価例のサンプルは、図１３、図１４、図１５に示した混合層と同一の条件、つまり、プラズマ処理装置がプラズマ条件１００ｎｍ、２５０ｎｍ及び５００ｎｍの各条件で、評価例の基板をアッシングし、ポーラス層を、銅（Ｃｕ）の無電解めっきをした。ピール強度を確認する評価例のサンプルは、さらにフィルドビアを銅（Ｃｕ）の電解めっきを用いて作製した。
【０１６０】
またピール強度を確認するリファレンス（比較例）として、プラズマ処理装置でプラズマ処理を行わず、ウエットブラスト装置で、ビア形成穴の内壁を粗面とするサンプルを作製した。ウエットブラスト装置は、セラミック等の研磨剤の粒子と水等の溶剤とを混合したスラリーを高圧でビア形成穴の内壁に吹き付けて、ビア形成穴の内壁を粗面とすることができる。そして、リファレンス（比較例）のサンプルは、ビア形成穴の内壁を銅（Ｃｕ）の無電解めっきをした後、さらにフィルドビアを銅（Ｃｕ）の電解めっきを用いて作製した。
【０１６１】
リファレンス（比較例）のサンプル、評価例のサンプル（プラズマ条件１００ｎｍ、２５０ｎｍ及び５００ｎｍの各条件で作製したサンプル）について、初期評価（銅（Ｃｕ）の電解めっき後）、及びアニール後（１８０℃、２時間の熱処理後）の剥離強度であるピール強度を測定した。ビア形成穴の内壁には、銅（Ｃｕ）の電解めっきにより、試験用導体層が１２μｍの厚さで形成されている。ピール強度は、ピール強度試験機（プッシュプルゲージ）を用いて、各サンプルの試験用導体層を基板表面に対して垂直（９０度）に速度１０ｍｍ／秒で引き上げて計測した。測定結果を表２に示すとともに、図１８にグラフ化した。
【０１６２】
【表２】
0005585426.tif 000003
【０１６３】
表２及び図１８に示すように、評価例のサンプルは、初期評価では、リファレンス（比較例）のサンプルに対して、ピール強度は低かった。しかし、アニール後は、プラズマ条件１００ｎｍ及び２５０ｎｍの各条件で作製した評価例のサンプルはリファレンス（比較例）のサンプルと同程度のピール強度をえることができた。
【０１６４】
プラズマ条件５００ｎｍの条件で作製した評価例のサンプルは、剥離しやすい傾向があった。したがって、プラズマ処理装置がプラズマ条件を強くし、評価例の基板をアッシングしすぎると、ポーラス状態の厚さが厚くなり、剥離強度が低下するおそれがあることが分かった。したがって、ビア径に合わせて、適切な混合層の厚みとなるように、アッシングのためのプラズマ条件を調製する必要があることが分かる。
【０１６５】
リファレンス（比較例）のサンプル及び評価例のサンプルの断面をＦＩＢで切断しＳＥＭで確認すると、リファレンス（比較例）のサンプルには、フィルドビアに欠陥があるものもあった。リファレンス（比較例）のサンプルは、ウエットブラストというウエットプロセスであり、スラリーの除去が十分でなかったことが原因と考えられる。評価例のサンプルは、フィルドビアに欠陥があるものはなかった。評価例のサンプルは、プラズマ処理というドライプロセスでポーラス層を作製したので、ウエットプロセスのように、異物の混入の可能性は少ないからと考えられる。
【０１６６】
上述したように、実施形態１、実施形態２、実施形態３、実施形態４及びこれらの変形例に係る配線板及び配線板の製造方法は、アスペクト比が１より大きい高アスペクト比のビアを有する配線板に適用すると、配線板を小さくできるので好ましい。また、ビアを小径として微細配線を施した配線板にも好ましい。そして、前記配線板及び配線板の製造方法は、アスペクト比が１より小さいアスペクト比のビアを有する配線板にも適用できるので、設計者は配線板の設計の自由度が増すことになる。
【０１６７】
上述したように、実施形態１、実施形態２、実施形態３、実施形態４及び変形例に係る配線板及び配線板の製造方法は、複数の配線板を多層化した多層配線板及び多層配線板の製造方法にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【０１６８】
以上のように、本発明はビアを有する配線板又は電子部品内蔵基板に有用である。
【符号の説明】
【０１６９】
１、２、３、４、５、６、１０１、１０２、１１１、１１２  配線板
１０、１０Ａ、１１、７１、７２  基板
１１Ａ  樹脂層
１２、１３、１４、７０  積層基板
２１  第１配線層
２２  第２配線層
１５ａ、１６ａ  ポーラス層
１５、１６  混合層
２４ａ、２４  ビア形成穴
２５  中間金属層
２７、２６  フィルドビア
２７ａ  第３配線部
２７ｂ  ランド
２７ｃ  第３配線層
２８、２８ａ、２９  ビア
３１、３２、３３  フィラー
３５  導電層
４１  樹脂
４１ａ  ネック樹脂
５１  フィラー空間
６０  電子部品
６１、６２  端子電極
６５  再配線層
６７  保護層
８０  樹脂形成電子部品
Ａ  混合領域
Ｂ  付着領域
【図１】
0005585426.tif 000004
【図２】
0005585426.tif 000005
【図３−１】
0005585426.tif 000006
【図３−２】
0005585426.tif 000007
【図３−３】
0005585426.tif 000008
【図３−４】
0005585426.tif 000009
【図３−５】
0005585426.tif 000010
【図３−６】
0005585426.tif 000011
【図４】
0005585426.tif 000012
【図５】
0005585426.tif 000013
【図６】
0005585426.tif 000014
【図７−１】
0005585426.tif 000015
【図７−２】
0005585426.tif 000016
【図７−３】
0005585426.tif 000017
【図７−４】
0005585426.tif 000018
【図７−５】
0005585426.tif 000019
【図７−６】
0005585426.tif 000020
【図８】
0005585426.tif 000021
【図９−１】
0005585426.tif 000022
【図９−２】
0005585426.tif 000023
【図９−３】
0005585426.tif 000024
【図９−４】
0005585426.tif 000025
【図９−５】
0005585426.tif 000026
【図９−６】
0005585426.tif 000027
【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１０−３】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１１−３】
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【図１８】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６−１】
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【図１６−２】
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【図１７】
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