(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーを基板上に形成する工程であって、前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーは互いに交互に並びかつ互いに離間されている、工程と、
前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする間に、前記隔置された第１のフィーチャーの幅の水平方向のどのトリミングよりも大きい程度に、前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第２のフィーチャーの側壁上にスペーサーを形成する工程であって、前記スペーサーは、前記隔置された第１のフィーチャーの組成とも、前記隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる、工程と、
前記スペーサーの形成工程後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程の後に、前記スペーサーから構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記隔置された第２のフィーチャーは、第１の材料上に受容された第２の材料から構成されるように形成され、前記第１の材料及び前記第２の材料は異なる組成からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スペーサーを形成する工程は、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーを覆って可変材料を堆積する工程と、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料及び前記隔置された第２のフィーチャーからの材料によって前記可変材料を変性させて、前記スペーサーから構成される変性材料を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする工程は、エッチング工程を含み、
更に、前記隔置された第１のフィーチャーに前記エッチングに対する耐性を与えるように、前記隔置された第１のフィーチャーの最外面を処理する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーの組成とは異なる組成からなる第１の材料を、前記隔置された第１のフィーチャーを覆って堆積する工程と、
前記第１の材料を覆って第２の材料を堆積する工程であって、前記第２の材料は、前記第１の材料の組成とは異なる組成からなる、工程と、
前記第２の材料の一部分のみを除去して、前記第１の材料を露出させるとともに、前記第１の材料上に受容された隔置された第２の材料を形成する、工程と、
前記隔置された第２の材料の形成工程後に、前記隔置された第２の材料の間から前記第１の材料をエッチングするとともに、第１の材料上に受容された隔置された第２の材料からなる隔置された第２のフィーチャーを形成する工程であって、前記第２のフィーチャーは前記第１のフィーチャーから離間されている、工程と、
前記第１の材料のエッチング工程後に、前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第２のフィーチャーの側壁上にスペーサーを形成する工程であって、前記スペーサーは、前記隔置された第１のフィーチャーの組成とも、前記隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる、工程と、
前記スペーサーの形成工程後に、前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程と、
前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程の後に、前記スペーサーから構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーの組成とは異なる組成からなる第１の材料を、前記隔置された第１のフィーチャーを覆って堆積する工程と、
前記第１の材料を覆って第２の材料を堆積する工程であって、前記第２の材料は、前記第１の材料の組成とは異なる組成からなる、工程と、
前記第２の材料の一部分のみを除去して、前記第１の材料を露出させるとともに、前記第１の材料上に受容された隔置された第２の材料を形成する、工程と、
前記隔置された第２の材料の形成工程後に、前記隔置された第２の材料の間から前記第１の材料をエッチングするとともに、第１の材料上に受容された隔置された第２の材料からなる隔置された第２のフィーチャーを形成する工程であって、前記第２のフィーチャーは前記第１のフィーチャーから離間されている、工程と、
前記第１の材料のエッチング工程後に、前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第２のフィーチャーの側壁上にスペーサーを形成する工程であって、前記スペーサーは、前記隔置された第１のフィーチャーの組成とも、前記隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる、工程と、
前記スペーサーの形成工程後に、前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程と、
前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程の後に、前記スペーサーから構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含み、
前記スペーサーを形成する工程は、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーを覆って可変材料を堆積する工程と、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料及び前記隔置された第２のフィーチャーからの材料によって前記可変材料を変性させて、前記スペーサーから構成される変性材料を形成する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記マスクパターンの前記スペーサーは、少なくとも２つの異なる厚さを持つことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記マスクパターンの前記スペーサーは、交互に並んだ、直に近接する第１及び第２の対のスペーサーを含み、前記第１の対のスペーサーは第１の共通な厚さを持ち、前記第２の対のスペーサーは第２の共通な厚さを持ち、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さは異なることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーの組成とは異なる組成からなる第１の材料を前記隔置された第１のフィーチャーを覆って堆積する工程と、
前記第１の材料上に第２の材料を堆積する工程であって、前記第２の材料は、前記第１の材料の組成とは異なる組成からなる、工程と、
前記第２の材料の一部分のみを除去して、前記第１の材料を露出させるとともに、前記第１の材料上に受容された隔置された第２の材料を形成する工程と、
前記隔置された第２の材料の形成後に、前記隔置された第２の材料の間から前記第１の材料をエッチングするとともに、第１の材料上に受容された隔置された第２の材料から構成される隔置された第２のフィーチャーを形成する工程であって、前記第２のフィーチャーは前記第１のフィーチャーから離間されている、工程と、
前記第１の材料のエッチング工程後に、前記隔置された第２のフィーチャーの幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーを覆って可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料及び前記隔置された第２のフィーチャーからの材料によって前記可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第２のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成する工程と、
前記変性させる工程の後に、前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程と、
前記第１のフィーチャー及び前記第２のフィーチャーを前記基板から除去する工程の後に、前記変性材料から構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記変性させる工程は、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーの各々に隣接する前記可変材料の一部分を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第２のフィーチャーの遠位にある前記可変材料の一部分を未変性のまま残しながら前記変性材料を形成することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記変性材料に対して選択的に前記遠位にある部分を取り去るようにエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記変性させる工程は、前記隔置された第１のフィーチャーの上面及び前記隔置された第２のフィーチャーの上面を覆って変性材料を形成することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーを覆って可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料によって前記可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成する工程と、
前記変性材料の組成とは異なる組成からなる第１の材料を前記変性材料を覆って堆積する工程と、
前記第１の材料の一部分のみを除去して、前記変性材料を露出させるとともに、隔置された第１の材料を形成する工程と、
前記隔置された第１の材料の形成後に、前記隔置された第１の材料及び前記隔置された第１のフィーチャーの間から前記変性材料をエッチングする工程と、
前記変性材料のエッチング工程後に、前記隔置された第１の材料の幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第１の材料の側壁上に異方性エッチングされたスペーサーを形成する工程であって、前記異方性エッチングされたスペーサーは、前記隔置された第１のフィーチャーの組成とも、前記隔置された第１の材料の組成とも異なる組成からなる、工程と、
前記異方性エッチングされたスペーサーの形成工程後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の材料を前記基板から除去する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の材料を基板から除去する工程の後に、前記異方性エッチングされたスペーサーから構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記隔置された第１のフィーチャーはフォトレジストから構成され、前記可変材料は、酸に晒されて架橋を形成することができる、有機組成中に分散された一以上の非有機成分から構成され、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料は酸を含み、かつ、前記可変材料を変性させる工程は、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料中の酸に晒されて、前記有機成分中に架橋を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーを覆って可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料によって前記可変材料の一部分のみを変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成し、かつ、前記変性材料の高さ方向の上方及び前記変性材料間に可変材料を残す工程と、
前記変性させる工程の後に、前記可変材料の一部分のみを除去して、前記変性材料を露出させるとともに、隔置された可変材料を形成する工程と、
前記隔置された可変材料の形成後に、前記隔置された可変材料及び前記隔置された第１のフィーチャーの間から前記変性材料をエッチングする工程と、
前記変性材料のエッチング工程後に、前記隔置された可変材料の幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された可変材料の側壁上に、異方性エッチングされたスペーサーを形成する工程であって、前記異方性エッチングされたスペーサーは、前記隔置された第１のフィーチャーの組成とも、前記隔置された可変材料の組成とも異なる組成からなる、工程と、
前記異方性エッチングされたスペーサーの形成工程後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された可変材料を基板から除去する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された可変材料を前記基板から除去する工程の後に、前記異方性エッチングされたスペーサーから構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーを覆って第１の可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料によって前記第１の可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上に第１の変性材料を形成する工程と、
前記第１の変性材料の組成とは異なる組成からなる第１の材料を前記第１の変性材料を覆って堆積する工程と、
前記第１の材料の一部分のみを除去して、前記第１の変性材料を露出させるとともに、隔置された第１の材料を形成する工程と、
前記隔置された第１の材料の形成後に、前記隔置された第１の材料及び前記隔置された第１のフィーチャーの間から前記第１の変性材料をエッチングする工程と、
前記第１の変性材料のエッチング工程後に、前記隔置された第１の材料の幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の材料を覆って第２の可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料及び前記隔置された第１の材料からの材料によって前記第２の可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第１の材料の側壁上に第２の変性材料を形成する工程と、
前記第２の変性材料の形成工程後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の材料を前記基板から除去する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の材料を前記基板から除去する工程の後に、前記第２の変性材料から構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
基板を作製する方法であって、
隔置された第１のフィーチャーを基板上に形成する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャーを覆って第１の可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料によって前記第１の可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上に第１の変性材料を形成し、かつ、前記第１の変性材料の高さ方向の上方及び前記第１の変性材料の間に第１の可変材料を残す工程と、
前記第１の可変材料を変性させる工程の後に、前記第１の可変材料の一部分のみを除去して、前記第１の変性材料を露出させるとともに、隔置された第１の可変材料を形成する工程と、
前記隔置された第１の可変材料の形成後に、前記隔置された第１の可変材料及び前記隔置された第１のフィーチャーの間から前記第１の変性材料をエッチングする工程と、
前記第１の変性材料のエッチング工程後に、前記隔置された第１の可変材料の幅を水平方向にトリミングする工程と、
前記水平方向にトリミングする工程の後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の可変材料を覆って第２の可変材料を堆積するとともに、前記隔置された第１のフィーチャーからの材料及び前記隔置された第１の可変材料からの材料によって前記第２の可変材料を変性させて、前記隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び前記隔置された第１の可変材料の側壁上に第２の変性材料を形成する工程と、
前記第２の変性材料の形成工程後に、前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の可変材料を前記基板から除去する工程と、
前記隔置された第１のフィーチャー及び前記隔置された第１の可変材料を前記基板から除去する工程の後に、前記第２の変性材料から構成されるマスクパターンを通して前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示した実施形態は基板作製方法に関し、例えば集積回路作製に利用することができるような基板作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は一般に、シリコンウェーハまたは他の半導体材料等の半導体基板上に形成される。一般に、半導体、導体、または絶縁体のいずれかの材料からなる様々な層は、集積回路を形成するのに用いられる。例示として、様々な材料は、ドープされ、イオン注入され、エッチングされ、成長させられる等、様々な工程が用いられている。半導体処理における永続的な目標は、個々の電子構成要素のサイズを縮小するよう努力し続けることであり、それによって、より小さく、より高密度な集積回路を可能にする。
【０００３】
半導体基板のパターニング及び加工のための一技術は、フォトリソグラフィーである。このような技術は、フォトレジストとして公知のパターニング可能なマスキング層の堆積を含む。このような材料は、特定の溶剤における溶解度を変えるように処理することができ、それによって、基板上にパターンを形成するためにすぐに用いることができる。例えば、フォトレジスト層部は、マスクまたはレチクル等の放射線パターニングツールの開口部を通して光化学エネルギーに晒されることができ、露出していない領域に対する露出した領域の溶剤溶解度を、堆積した状態における溶解度に比べて変えることができる。その後、露出した領域または露出していない領域を、フォトレジストタイプに応じて除去することができ、それによって、基板上にフォトレジストのマスキングパターンを残すことができる。マスクされた部分の隣の、下部に横たわる基板の隣接領域は、例えば、エッチングまたはイオン注入によって処理することができ、マスキング材料に隣接する基板に対して所望の加工をもたらすことができる。ある例においては、非放射線感受性マスキング材料を含む複数の異なるフォトレジスト層、及び／またはフォトレジストの組み合わせが利用される。
【０００４】
フィーチャー（ｆｅａｔｕｒｅ）のサイズにおける継続的な縮小は、フィーチャーを形成するのに用いた技術に対して更なる大きな要求を提起している。例えば、フォトリソグラフィーは、導電配線等のパターン化されたフィーチャーを形成するのに一般的に用いられている。「ピッチ」と一般的に呼ばれる概念は、それに近接する間隔に結び付いたフィーチャーサイズを表すのに用いられることができる。ピッチは、直線断面内の繰り返しパターンの隣り合う２つのフィーチャーにおける同一点間の距離として定義されてもよく、それによって、フィーチャーの最大幅及び隣のフィーチャーに近接する間隔を含むことができる。しかしながら、光学及び光、または放射線波長等の要素のため、フォトリソグラフィー技術は、特定のフォトリソグラフィー技術がフィーチャーを確実に形成することができない最小ピッチを持つ傾向がある。それゆえ、フォトリソグラフィー技術の最小ピッチは、フォトリソグラフィーを用いて継続的にフィーチャーのサイズを縮小する際の障害となっている。
【０００５】
ピッチ倍加またはピッチ増倍は、最小ピッチを超えるフォトリソグラフィー技術の可能性を伸ばす１つの提案された方法である。このような方法は一般に、フォトリソグラフィーのフィーチャーの可能な最小サイズの厚さよりも薄い横方向の厚さを持つようにスペーサー形成層を堆積することによって、フォトリソグラフィーの最小解像度より狭いフィーチャーを形成する。スペーサー形成層は、一般に二次リソグラフィーのフィーチャーを形成するように異方性エッチングされ、それから、フォトリソグラフィーのフィーチャーの最小サイズで形成されたフィーチャーが基板からエッチングされる。
【０００６】
ピッチが実際に二等分されるこのような技術を用いて、このようにピッチを縮小することは従来からピッチ「倍加」と呼ばれる。より一般的に、「ピッチ増倍」は、２倍以上のピッチの増加、及び整数以外の分数値の増加も包含する。それゆえ、従来から、ある要素によるピッチの「増倍」は、実際、その要素によってピッチを縮小させることを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る処理における基板を示す断面図である。
【図２】図２は、図１の処理工程前の処理工程における図１の基板を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した処理工程後の処理工程における図１の基板を示す図である。
【図４】図４は、図３に示した処理工程後の処理工程における図３の基板を示す図である。
【図５】図５は、図４に示した処理工程後の処理工程における図４の基板を示す図である。
【図６】図６は、図５に示した処理工程後の処理工程における図５の基板を示す図である。
【図７】図７は、図６に示した処理工程後の処理工程における図６の基板を示す図である。
【図８】図８は、図７に示した処理工程後の処理工程における図７の基板を示す図である。
【図９】図９は、図８に示した処理工程後の処理工程における図８の基板を示す図である。
【図１０】図１０は、図９に示した処理工程後の処理工程における図９の基板を示す図である。
【図１１】図１１は、図１０に示した処理工程後の処理工程における図１１の基板を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施形態に係る処理における他の基板を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示した処理工程後の処理工程における図１２の基板を示す図である。
【図１４】図１４は、図１３に示した処理工程後の処理工程における図１３の基板を示す図である。
【図１５】図１５は、図１４に示した処理工程後の処理工程における図１４の基板を示す図である。
【図１６】図１６は、図１５に示した処理工程後の処理工程における図１５の基板を示す図である。
【図１７】図１７は、図１６に示した処理工程後の処理工程における図１７の基板を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施形態に係る処理における他の基板を示す断面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示した処理工程後の処理工程における図１８の基板を示す図である。
【図２０】図２０は、図１９に示した処理工程後の処理工程における図１９の基板を示す図である。
【図２１】図２１は、図２０に示した処理工程後の処理工程における図２０の基板を示す図である。
【図２２】図２２は、図２１に示した処理工程後の処理工程における図２１の基板を示す図である。
【図２３】図２３は、図２２に示した処理工程後の処理工程における図２１の基板を示す図である。
【図２４】図２４は、図２３に示した処理工程後の処理工程における図２３の基板を示す図である。
【図２５】図２５は、図２４に示した処理工程後の処理工程における図２４の基板を示す図である。
【図２６】図２６は、図２５に示した処理工程後の処理工程における図２１の基板を示す図である。
【図２７】図２７は、図２６に示した処理工程後の処理工程における図２６の基板を示す図である。
【図２８】図２８は、本発明の実施形態に係る処理における他の基板を示す断面図である。
【図２９】図２９は、図２８に示した処理工程後の処理工程における図２８の基板を示す図である。
【図３０】図３０は、図２９に示した処理工程後の処理工程における図２９の基板を示す図である。
【図３１】図３１は、図３０に示した処理工程後の処理工程における図３０の基板を示す図である。
【図３２】図３２は、図３１に示した処理工程後の処理工程における図２１の基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明による基板作製方法の、例えば集積回路形成におけるいくつかの実施形態は、最初に図１〜図１０を参照して記載される。図１を参照すると、例えば半導体基板等の基板は、全体に参照番号１０で示される。本明細書の文脈において、用語「半導体基板」または「半導体性基板」は、半導体材料から構成される任意の構造物を意味し、半導体材料は特に限定されるものではないが、半導体ウェーハ（単独、またはその上にある他の材料から構成されている組み立て品）等のバルク半導体材料、及び半導体材料層（単独、または他の材料から構成されている組み立て品）を含む。用語「基板」は、任意の支持構造体について総称するものであり、特に制限されるものではないが、上記の半導体基板を含む。
【０００９】
基板１０は、その上に形成されたマスクパターンを通して最後に処理される材料１２から構成されるように示されている。材料１２は、均質なものであってもよく、または、例えば、複数の異なる構成領域及び／または複数の異なる構成層から構成されている非均質なものであってもよい。隔置された（すなわち、間隔を置いて配置された）第１のフィーチャー１４は、基板１２上に形成されている。任意の適切な材料が企図され、均質または非均質のいずれでもよい。本明細書の文脈において、「隔置された（ｓｐａｃｅｄ）」とは、垂直方向または他の方向とは対照的な水平方向について言及するものである。隔置された第１のフィーチャー１４は、例えば、フォトレジスト（単一パターンまたは多重パターンのリソグラフィーの結果から、ポジティブ、ネガティブ、またはデュアルトーンレジストのいずれか）を用いてフォトリソグラフィーパターニングで、任意の既存の方式または開発中の方式によってパターン化され／形成されてもよい。更に、隔置された第１のフィーチャー１４は、以下に記載する任意の技術によって形成されてもよい。一例において、隔置されたフィーチャー１４は、例えば、トップダウン図（図示せず）に見られるような少なくとも基板の一部上に互いに平行に走るように、伸張した線状になっていてもよい。
【００１０】
更に一実施形態において、隔置された第１のフィーチャー１４は、より幅の広いフィーチャーを水平方向にエッチング／トリミングした結果であってもよい。例えば、図２は、図１の処理工程に先行した処理工程における基板１０を示す。このような基板１０は、例えば、フォトレジストを含んでなるか、実質的にフォトレジストからなるか、又はフォトレジストのみからなる隔置されたマスクフィーチャー１６から構成されているように示され、ピッチ“Ｐ”の繰り返しパターンで基板１２上に作製されている。ピッチＰは、基板１０が作製されたフォトリソグラフィーの最小解像度に等しくてもよく、最小解像度より大きくてもよく、または最小解像度より小さくてもよい。いずれにせよ、図２の隔置されたマスクフィーチャー１６は、隔置されたフィーチャー１４から構成される図１の構造例を作り出すそれぞれの幅を減少するように、水平方向にトリミングされている。このように、隔置されたマスクフィーチャー１６の側部及び上部から、材料を近似的に等しく除去する等方性エッチングによって行われてもよい。または、隔置されたマスクフィーチャー１６の横方向からそれぞれの上部より大きく材料をエッチングする傾向があるケミストリ及び条件が用いられてもよい。または、隔置されたマスクフィーチャー１６の上部から横方向側よりも大きくエッチングする傾向があるケミストリ及び条件が用いられてもよい。
【００１１】
例えば、図１によって示した構造は、導電的に連結された反応装置内で、図２の基板をプラズマエッチングすることによって得ることができる。隔置されたマスクフィーチャー１６がフォトレジスト及び／または他の有機物で構成される材料である場合の実質的に等方性エッチングを達成するエッチングパラメータの例としては、約２ｍＴｏｒｒから約５０ｍＴｏｒｒまでの圧力、約０℃から約１１０℃までの基板温度と、約１５０ワットから約５００ワットまでの電力、及び、約２５ボルト以上のバイアス電圧がある。エッチングガスの例としては、約２０ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍまでのＣｌ２と、約１０ｓｃｃｍから約５０ｓｃｃｍまでのＯ２との組み合わせがある。隔置されたマスクフィーチャー１６の材料がフォトレジストから構成される場合、１秒当たり約０．２ナノメーターから１秒当たり約３ナノメーターの割合でマスク１６を等方性エッチングする。このようなエッチングの例が実質的に等方性である一方で、より大きな隔置されたマスクフィーチャーの水平方向のエッチングは、単一の上面のみと比べて二側面が水平方向に露出されるように起こる。
【００１２】
水平方向のエッチングが垂直方向のエッチングよりも多く望まれる場合、導電的に連結された反応装置のパラメータ範囲の例には、約２ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒまでの圧力、約１５０ワットから約５００ワットまでの電力、約２５ボルト以下のバイアス電圧、約０℃から約１１０℃までの基板温度、約２０ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍまでのＣｌ２量及び／またはＨＢｒ量、約５ｓｃｃｍから約２０ｓｃｃｍまでのＯ２量、及び、約８０ｓｃｃｍから約１２０ｓｃｃｍまでのＣＦ４量が含まれる。
【００１３】
定められたエッチングでは、例えば、等しい高さで幅の減少に至るか、または、より高くなって幅の減少に至るかのどちらかになるように、隔置されたマスクフィーチャーの側部よりも上部から多くを除去することが望ましい。水平方向と反対に垂直方向におけるエッチングの割合をより大きくするパラメータの例には、約２ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒまでの圧力、約０℃から約１００℃までの温度、約１５０ワットから約３００ワットまでの電力、約２００ボルト以上のバイアス電圧、約２０ｓｃｃｍから約１００ｓｃｃｍまでのＣｌ２及び／またはＨＢｒ量、約１０ｓｃｃｍから約２０ｓｃｃｍまでのＯ２量が含まれる。
【００１４】
図１及び図２に例示した実施形態は、図示した断面においてそれぞれのフィーチャーが互いに等しい形状及び幅を持ち、それらの間隔も同様に等しいことを示している。しかしながら、このようなことは、この実施形態または他の実施形態において必要とされるわけではない。  
【００１５】
隔置された第１のフィーチャー１４の最外面は、例えば、後で基板上の他の材料をエッチングするために用いられてもよい溶剤または他のエッチング作用を用いるエッチングに対して抵抗性を与えるように処理されてもよい。このような任意の処理が行われる場合、第１のフィーチャー１４の組成に応じてもよく、それらの最外面に近接する部分のみ隔置された第１のフィーチャー１４の組成を変化させてもよく、または、隔置された第１のフィーチャー１４全体の組成を変化させる可能性を含む内部の組成を変化させてもよい。例えば、第１のフィーチャー１４は、アニーリングして最外面を固くしても、及び／または、高分子材料で形成された場合は架橋を促進してもよい。
【００１６】
更なる実施例として、隔置された第１のフィーチャー１４は、例えば、フィーチャー１４がフォトレジスト及び／または他の有機材料から構成される場合、水素を形成するのに効果的なフッ素含有プラズマ、及び、最外面付近のフッ素含有有機高分子被覆剤（図示せず）に晒されてもよい。このような被覆剤は、フィーチャー１４の上の層として堆積されてもよく、及び／または、フィーチャー１４の厚さの増加に無関係な被覆剤を形成するようなフィーチャー１４の外側の材料の変質に起因してもよい。いずれにせよ、フッ素含有プラズマは、基板１０が収容されるチャンバ内と、基板１０が収容されるチャンバの遠隔の一方または両方のいずれかで発生させられてもよい。基板１０が収容されるチャンバ内でプラズマ発生が起こる場合、このようなチャンバは、例示として、誘導的に連結されたプラズマ発生反応器、または、静電的に連結されたプラズマ発生反応器を含む。他の既存のプラズマシステム、または開発中のプラズマシステムも用いられてもよい。フッ素含有プラズマを形成するのに用いられてもよいガスの例は、フルオロカーボン（すなわち、ＣＦ４，Ｃ４Ｆ６，Ｃ４Ｆ８）、ハイドロフルオロカーボン（すなわち、ＣＨ２Ｆ２，ＣＨＦ３）、及びＮＦ３から、これらの任意の混合物を含めて、少なくとも１つを含む。導電的に連結された反応器において、パラメータの例は、約１ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒまでの圧力、約０℃から約１１０℃までの基板温度、約１５０ワットから約８００ワットまでの電源、及び、約５０ボルトか、それ以下のバイアス電圧を含む。フッ素含有ガス全体の反応器内への流量例は、約２０ｓｃｃｍから約１５０ｓｃｃｍまでである。より具体的な例において、ＣＦ４及びＣＨ２Ｆ２はいずれも反応器内に流入され、例えば、ＣＦ４は約２０ｓｃｃｍから約１２０ｓｃｃｍまでであり、ＣＨ２Ｆ２は約５ｓｃｃｍから２５ｓｃｃｍまでである。Ｏ２は更に、フッ素含有プラズマを形成するガスに用いられても用いられなくてもよい。Ｏ２の流量例は、０ｓｃｃｍから約１０ｓｃｃｍまでである。
【００１７】
フッ素含有プラズマへの露出は、図示した断面図において隔置された第１のフィーチャー１４の水平面を変化させても変化させなくてもよく、図示した断面において隣接する第１のフィーチャー１４間の間隔を変化させても変化させなくてもよい。上記の処理例における単に例示として、上限が１ｍＴｏｒｒから２０ｍＴｏｒｒまでの範囲の所定の圧力と、上限が５ｓｃｃｍから２４ｓｃｃｍまでの範囲の所定のＣＨ２Ｆ２流入との組み合わせは、隔置された第１のフィーチャー１４の幅を増加させるとともにそれらの間隔幅を狭める傾向がある。
【００１８】
図３を参照すると、第１の材料１８は、隔置された第１のフィーチャー１４上に堆積されている。このような材料は、隔置された第１のフィーチャー１４の組成と異なる組成であり、導体、半導体、または絶縁体であっても、これらの任意の組み合わせであってもよい。具体的な例には、シリコン酸化物、シリコン窒化物、有機反射防止被覆剤、非有機反射防止被覆剤、ポリシリコン、チタン、窒化チタン、これらの任意の組み合わせが含まれる。
【００１９】
図４を参照すると、第２の材料２０は、第１の材料１８上に堆積されてあり、第１の材料１８の組成とは異なる組成である。このような材料は、隔置された第１のフィーチャー１４の組成と同じ組成であっても異なる組成であってもよい。このような材料は、図示されている平面状の最外面２１を有する、平面状の最外面または非平面状の最外面を持つように形成されてもよい。このような形成は、例えば、液体充填法に固有の材料２０の堆積結果であってもよく、または、数種類のポリッシュバックまたはエッチバックが後続する一以上のコンフォーマル層の堆積結果であってもよい。第２の材料２０の例は、フォトレジスト及び、例えば、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、及びポリシロキサンの他の高分子を含む。第２の材料２０は、均質であってもよく、均質でなくてもよい。
【００２０】
図５を参照すると、第１の材料１８を露出するとともに、第１の材料１８上に受容されるとともに隔置された第２の材料２０の領域を形成するように、第２の材料２０の一部分のみが除去されている。任意の適切なエッチング技術及び条件が、当業者によって選択されてもよい。図５の構造を作り出す処理工程中に、第１の材料１８の一部がエッチングされても、エッチングされなくてもよい。
【００２１】
図６を参照すると、第１の材料１８は、隔置された第２の材料２０の間からエッチングされてあり、隔置された第２のフィーチャー２２は、第１の材料１８上に受容されるとともに隔置された第２の材料２０から構成されて形成されている。第２のフィーチャー２２は、第１のフィーチャー１４から間隔があけられている。図６の構造を作り出すために、任意の適切な実質的に異方性のエッチングのためのケミストリ及び条件が、当業者によって選択されてもよい。一実施形態において、第２の材料２０は、第２の材料２０の任意の除去工程に先立って、平面状の最外面を持つ。一実施形態において、このような第１の材料１８のエッチング工程中に、基板の上のどこにもエッチマスクは受容されない。
【００２２】
図７を参照すると、図６からの隔置された第２のフィーチャー２２の幅は水平方向にトリミングされている。このように行う技術例は、第２の材料２０及び第１の材料１８のエッチングを含む。隔置された第１のフィーチャー１４の水平幅トリミングも同様に、第２のフィーチャー２２の水平幅のトリミング中に起こることがあってもよい。あるいは、図６から図７に進む処理工程において示したように、隔置された第１のフィーチャー１４の水平幅トリミングは、隔置された第２のフィーチャー２２の水平幅トリミング中に起こることはない。例えば、第２の材料２０及び第１の材料１８の組成に応じて、少なくとも第１のフィーチャー１４の最外面を処理する工程を上記のように処理することで、図７の構造の作製において、隔置された第１のフィーチャー１４に対するエッチ耐性を、いくらかまたは無限に近く与えるようにしてもよい。
【００２３】
いずれにせよ、図７の水平方向トリミング例は、各隔置された第２のフィーチャー２２が等しい幅になるように行っても、そうでなくもよく、及び／または、各隔置された第２のフィーチャー２２の第２の材料２０及び第１の材料１８が等しい幅になるように行っても、そうでなくもよい。更に、隔置された第１のフィーチャー１４は全て、互いに対するそれぞれの開始寸法が同じであるように示されているとともに、第２のフィーチャー２２も互いに対するそれぞれの開始寸法が同じであるように示されているが、そのようなことは必要ではない。更に、いずれにせよ、水平方向トリミングは、第１の材料及び第２の材料が互いに対して同じ程度に行われてもよく、及び／または、複数の異なるエッチング作用が、第２の材料２０の組成及び第１の材料１８の組成に応じて用いられてもよい。例えば、材料２０及び材料１８の組成がいずれも有機である場合、隔置された第２のフィーチャー２２の第２の材料２０及び第１の材料１８の幅を水平方向にトリミングするように用いられてもよい処理工程例は、図２の構造から図１の構造を作り出すことにおいて上に記載した任意の処理工程を実質的に等しく含む。更に、いずれにせよ、水平方向トリミングを行っている間に、隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２のそれぞれの幅は減少しても減少しなくてもよい。
【００２４】
一実施形態において、基板を作製する方法は、隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーを基板上に形成する工程を含み、隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーは互いに交互になるとともに、互いに間隔があけられる。隔置された第２のフィーチャーの水平幅トリミングを行う間に、隔置された第２のフィーチャーの幅は、隔置された第１のフィーチャーのどの水平幅よりも大きく水平方向にトリミングされる。
【００２５】
スペーサーが、隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び隔置された第２のフィーチャーの側壁上に形成され、隔置された第１のフィーチャーの組成とも隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる。任意の既存の技術または開発中の技術が用いられてもよく、一例が図８及び図９に示されている。図８を参照すると、スペーサー形成層２８が、図７の構造の隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２を覆って堆積されている。全部ではないにしろ、少なくともいくつかの、隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２が選択的にエッチング可能であるところに、任意の適切な材料が考えられる。
【００２６】
図９を参照すると、スペーサー形成層２８は、スペーサー３０を形成するとともに、隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２の外側を露出するように異方性エッチングされている。一実施形態において、このようなことは、マスクを用いない方式で行われてもよい。図９の構造を作り出すようにスペーサー形成層２８をエッチングする間に、基板上に受容されるマスクはない。
【００２７】
図１０を参照すると、第１のフィーチャー１４（図示せず）及び第２のフィーチャー２２（図示せず）は、基板から除去されている。技術例は、任意の既存のエッチングケミストリ及び条件または開発中のエッチングケミストリ及び条件を選択することができる当業者によるエッチングを含む。図１０は、スペーサー３０から構成されるマスクパターン３２が基板１２上に形成されている一実施形態を示す。このような実施形態はまた、スペーサー３０が少なくとも２つの異なる厚さを持つ実施形態例を示しているが、結果として共通の厚さまたはより変化に富む厚さを持つようになってもよい。一実施形態において、マスクパターン３２のスペーサー３０は、直に隣接するスペーサーの、それぞれ交互になっている第１及び第２の対３１、３３を備えている。第１の対３１のスペーサー３０は、第１の共通する厚さを持ち、第２の対３３のスペーサー３０は、第２の共通する厚さを持っている。第１の厚さ及び第２の厚さは異なる。
【００２８】
上記の処理は、例えば、二次リソグラフィーであってもそうでなくてもよいピッチ増倍になるように行われてもよい。いずれにせよ、図１〜図１０の実施形態は、図２における隔置されたマスクフィーチャー１６のピッチ“Ｐ”の１／４（整数要素の４）のピッチを持つように形成されているマスクパターン３２（図１０）を示す。図１〜図１０における任意のピッチの減少度（非整数である分数の減少を含む）、または他の状態は、当然、フィーチャー及びフィーチャー間の間隔を作るように堆積された層の厚さとともに、(例えば、図２、図６、及び図７の構造を形成する際に)隔置されたフィーチャーに対して起こり得る水平トリミングの度合いに応じて大部分が決定される。例えば、図３における材料１８の堆積厚は、図６の構造を創り出すエッチング技術と組み合わせることで、図６における隔置された第２のフィーチャー２２の幅に影響を与える。更に、いずれにせよ、第１のフィーチャー１４、及び／または第２のフィーチャー２２の一部または全部は、図７の構造を形成した後に更に水平方向にトリミングされてもよい。更に、図１０のスペーサー３０は、第１のフィーチャー１４及び第２のフィーチャー２２の除去を行うことによって、及び／または、その後に続く専用の水平方向トリミングによって、水平方向にトリミングされてもよい。
【００２９】
スペーサーから構成されているマスクパターンは、このようなマスクパターンを通してそれらの高さ方向の下に受容された基板を処理するように用いられる。このような処理工程は、具体的な例として、エッチング、及び／またはイオン注入を用いた既存のまたは開発中の任意の技術から構成されてもよい。図１１は、マスクパターン３２が、基板１０の材料１２にエッチングしている間にエッチマスクとして用いられたこのような処理工程の一例を示す。
【００３０】
更なる実施形態について、次に図１２〜図１７を参照して記載する。図１２は、処理シーケンスにおける図８の基板断片に対応する、代替実施形態の基板断片１０ａを示す。最初に記載した実施形態と類似の番号が必要に応じて用いられており、構成の違いは接尾辞“ａ”または異なる数字で示されている。接尾辞“ａ”が異なる構造を示す一方で、このような構造の材料例は、上記の実施形態において接尾辞“ａ”のない同じ数字で用いた材料と同じである。可変材料４０が、図７の構造の隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２を覆って形成されている。可変材料４０は、それと共に界面を形成する所定の材料と選択的にまたは一様に相互作用する。可変材料４０は、（例えば、図示したような）予めパターン化された表面上に堆積されてもよく、コンフォーマルであっても、非コンフォーマルであってもよい。スピン堆積、ディップ堆積、ドロップ堆積、または類似の堆積を経て堆積する工程が例として挙げられる。可変材料は、隔置された第２のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成するように、隔置された第２のフィーチャーからの材料によって変性されることになる。変性材料は、可変材料の堆積上に自然に形成されてもよく、単に例示として、例えば、熱処理、光学処理、電気的処理、イオン処理（酸に基づく化学処理を含む）を経て、その後に活性化されてもよい。したがって、変性工程は、堆積中、及び／または堆積後に生じてもよい。一実施形態において、可変材料の堆積完了後まで変性は生じない。更に、変性させる工程は、限定反応物質または平衡条件の場合に自己制御的であってもよく、または、反応物が超過した場合に動力学的に停止されてもよい。可変材料４０は、例えば、図１２に示されている平面状の最外面４２のような、平面状の最外面を持ってもよく、または非平面状の最外面を持ってもよい。可変材料４０は、均質であっても、非均質であってもよい。
【００３１】
材料４０は、クラリアントインターナショナル社から入手可能な、例えば、ＡＺ Ｒ２００（登録商標）、ＡＺ Ｒ５００（登録商標）、及びＡＺ Ｒ６００（登録商標）等の“ＡＺ Ｒ”と総称されるクラスの材料と類似のものであってもよい。“ＡＺ Ｒ”材料は、化学的に増幅されたレジストから放出された酸に晒されて架橋する有機合成物を含む。したがって、例えば、このような材料は、隔置された第２のフィーチャー２０の材料が化学的に増幅されたレジストから構成される場合に、可変材料の例を構成する。より具体的には、“ＡＺ Ｒ”材料は、フォトレジストを横切って覆われてもよく、続いて、レジストは、約１００℃から約１２０℃までの温度で焼成され、レジストから可変材料中に酸を放散し、レジストに近接する可変材料の領域内に化学的架橋を形成してもよい。レジストに隣接する部分は、それゆえ、レジストに十分に近接しない材料の他の部分に対して選択的に硬化されている。材料は、硬化された部分に対して非硬化部分を選択的に除去する条件下に置かれてもよい。このような除去は、例えば、消イオン化水１０％イソプロピルアルコール、またはクラリアントインターナショナル社によって“ＳＯＬＵＴＩＯＮ Ｃ（登録商標）”として販売された溶液を用いて成し遂げることができる。“ＡＺ Ｒ”材料を用いる処理は、ＲＥＬＡＣＳ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ Ａｓｓｉｓｔｅｄ ｂｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｈｒｉｎｋ）の例と考えられることもある。
【００３２】
“ＡＺ Ｒ”材料での挑戦は、硬化した“ＡＺ Ｒ”材料に対してフォトレジストを選択的に除去することが困難であり得るフォトレジストに、組成が十分に類似することができることである。一実施形態において、可変材料４０は、基板が焼成されるときに材料４０によって覆われている材料１４、材料２０、材料１８から放出された一以上の物質（すなわち、酸）に晒されて変性した（すなわち、架橋を形成する）類似の有機組成または同一の有機組成から構成されてもよいという点において“ＡＺ Ｒ”材料に類似してもよい。しかしながら、“ＡＺ Ｒ”材料とは異なり、材料４０はまた、フィーチャー１４との材料に対して材料４０が化学的に変性するようにさせる有機組成中に分散された一以上の成分（例えば、フィーチャー１４及びフィーチャー２２の材料が材料４０に対して選択的に除去されてもよい実施形態におけるフォトレジスト及び／または他の有機材料）を含んでもよい。材料４０の有機組成中に分散されてもよい成分は、チタン、炭素、フッ素、臭素、シリコン、及びゲルマニウムの中から一以上を含むことができる。有機組成中に分散された任意の炭素は、有機組成のバルク炭素とは化学的に異なるようなカーバイド成分の一部であってもよい。任意のフッ素及び／または臭素は、例えば、フッ化水素酸及びフッ化臭素酸から構成されてもよい。いくつかの実施形態において、材料４０の有機組成中に分散された成分は、例えば、シリコン、ゲルマニウム、金属（すなわち、チタン、タングステン、白金等）、及び／または、金属含有成分（すなわち、金属チッ化物、金属シリサイド等）等である一以上の有機成分を含む。“ＡＺ Ｒ”材料に類似する材料４０の成分は、“ＡＺ Ｒ”型組成として参照されてもよい。したがって、いくつかの実施形態において、可変材料４０は、有機“ＡＺ Ｒ”型組成中に分散された一以上の非有機組成を持つようにみなされてもよい。しかしながら、可変材料４０は、例えば以下に説明するように、有機組成以外、及び、“ＡＺ Ｒ”型組成以外から構成されてもよい。
【００３３】
図１３を参照すると、基板１０ａは、材料２０及び材料４０の相互拡散と、材料１４及び材料４０の相互拡散とを起こす条件に曝されている。材料２０及び材料１４の一部の物質は、隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２に近接する変性材料４４を形成するように、材料４０を変性させる。したがって、可変材料は、例えば図１３に示すように、隔置された第２のフィーチャーの側壁上に変性材料を形成するように、隔置された第２のフィーチャーからの材料によって変性させられることが可能である。一実施形態において、変性工程は、隔置された第１のフィーチャー及び隔置された第２のフィーチャーから遠位にある可変材料の部分を未変性にして残したまま、変性材料４４を形成するように、各々の隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２に隣接する部分の可変材料４０を変性させる。図１３はまた、変性材料４４が、第１のフィーチャー１４及び第２のフィーチャー２２の高さ方向の上方を覆って形成された実施形態を示す。変性材料４４は、均質であっても、均質でなくてもよい。
【００３４】
いくつかの実施形態において、第１のフィーチャー１４及び第２のフィーチャー２２の材料は、化学的に増幅されたフォトレジストから構成され、材料４４に変性を与えるこのようなフォトレジストから拡散される物質は酸である。酸は、約１００℃以上の温度で半導体基板１０ａを焼成することによって、フォトレジストから解放されるようにしてもよい。酸は、“ＡＺ Ｒ”型組成の材料４０に架橋を形成する。架橋の量、及び、架橋がフィーチャー１４及びフィーチャー２２から広がった距離は、焼成する時間及び焼成温度の一方または両方を変えることによって調整されてもよい。
【００３５】
材料１４、材料１８、材料２０がシリコンから構成される更なる例として、可変材料４０の例は、チタン等の高融点金属であり、最終的に金属シリサイドから構成される変性材料を形成するように反応することになる。このようなことは単に例として、米国特許出願公開公報ＵＳ２００７／００４９０３０号に示され、かつ記載されている。隔置された第２のフィーチャーの組成上の少なくとも一部に依存する更なる可変物質も当然考えられるが、既存のものであっても、開発中のものであってもよい。
【００３６】
図１４を参照すると、一実施形態において、材料４４を形成するように変性されていない材料４０の未反応の遠位部（図示せず）は、例えばエッチングによって、変性材料４４に対して選択的に除去されている。適切なケミストリ及び条件は、材料４０、材料４４、材料１２の組成に応じて、当業者によって選択されてもよい。上に記載した“ＡＺ Ｒ”型組成に関する例として、このような除去は、上に記載したようなイソプロピルアルコール、及び／または、ＳＯＬＵＴＩＯＮ Ｃ（登録商標）を用いて達成されてもよい。材料４０が“ＡＺ Ｒ”型組成中に分散された追加組成から構成されてもよい場合、このような成分は、材料４０の未変性領域が除去されるように簡単に洗い流してもよい。あるいは、このような追加成分は、追加成分を除去する溶液を用いて除去されてもよい。すなわち、もしシリコン酸化物が、材料４０の成分として用いられる場合、フッ化水素酸は、材料４０の未変性領域を除去する間に、未変性領域のシリコン酸化物が、未変性領域の“ＡＺ Ｒ”型組成に加えて除去されることを確実にするように用いられてもよい。
【００３７】
図１５を参照すると、変性材料４４は、スペーサー３５を形成するように、異方性エッチングされている。
【００３８】
図１６を参照すると、第１のフィーチャー１４及び第２のフィーチャー２２は、基板から除去されており、変性材料４４から構成されるマスクパターン３７を形成している。
【００３９】
図１７を参照すると、基板１０ａは、マスクパターン３７を通して処理されている。図１７に示した処理工程例は、注入領域４６を形成するイオン注入の処理工程である。
【００４０】
基板作製方法の更なる実施形態については、次に図１８〜図２７を参照して、基板断面１０ｂに関して記載する。上に記載した実施形態と類似の番号が必要に応じて用いられており、構造の違いは、接尾辞“ｂ”または異なる数字で示されている。接尾辞“ｂ”が異なる構造を示す一方で、このような構造の材料例は、上記の実施形態において接尾辞“ｂ”のない同じ数字で用いた材料と同じである。図１８は、図３の処理工程に代わる処理工程例を示すものであり、可変材料４０ｂが隔置された第１のフィーチャー１４上に形成されている。
【００４１】
図１９を参照すると、可変材料４０ｂは、変性材料４４ｂを隔置された第１のフィーチャー１４の側壁上に形成するように、隔置された第１のフィーチャー１４からの材料によって変性されている。処理工程は、上に記載したように、あるいは、上に記載したようにではなくても、可変材料４０及び変性材料４４に関して行われてもよい。
【００４２】
図２０を参照すると、可変材料４０ｂ（図示せず）の変性されていない領域は、基板１０ｂから除去されている。
【００４３】
図２１を参照すると、第１の材料２０ｂは、変性材料４４ｂ上に堆積されており、変性材料４４ｂの組成とは異なる組成からなる。
【００４４】
図２２を参照すると、変性材料４４ｂを露出するとともに、隔置された第１の材料２０ｂを形成するように、第１の材料２０ｂの一部分のみが除去されている。
【００４５】
図２３を参照すると、変性材料４４ｂ（図示せず）が、隔置された第１の材料２０ｂ及び隔置された第１のフィーチャー１４の間からエッチングされている。
【００４６】
図２４を参照すると、隔置された第１のフィーチャー１４の幅は水平方向にトリミングされているとともに、隔置された第２のフィーチャー２２ｂが形成されている。
【００４７】
一実施形態において、隔置された第１のフィーチャーの組成とも、隔置された第２のフィーチャーの組成とも異なる組成からなる、異方性エッチングされたスペーサーが、隔置された第１のフィーチャーの側壁上及び第１の材料の側壁上に形成される。例えば、図２５は、スペーサー形成層２８の堆積を示し、図２６は、スペーサー３０を形成するための、スペーサー形成層２８のエッチング工程を示す。
【００４８】
図２７を参照すると、隔置された第１のフィーチャー１４（図示せず）及び隔置された第１の材料２０ｂ（図示せず）は、基板から除去されており、それによって、異方性エッチングされたスペーサー３０から構成されるマスクパターン３２ｂを形成している。基板１２は、例えば、上に記載した任意の技術を用いて、マスクパターン３２ｂを通して処理されてもよい。
【００４９】
図２０〜図２７に示した実施形態に代わる実施形態も考えられる。例えば、図１９の材料４０ｂは、材料２０ｂの堆積及びその一部を除去する工程とは反対に、変性材料４４ｂを露出するとともに隔置された可変材料を形成するために、その一部のみが除去されるように処理されてもよい。例えば、図１９の材料４０ｂは、材料２０ｂが材料４０ｂによって置換される図２２の構造を直接作り出すように除去されてもよい。このような隔置された可変材料を形成した後、変性材料４４ｂは隔置された可変材料の間からエッチングされ、第３のフィーチャーは隔置された可変材料から構成されて形成され、第３のフィーチャーは第２のフィーチャーから間隔があけられる。例えば、図２３の構造は、図２１の材料４４ｂが除去された後に、材料２０ｂが隔置された可変材料４０ｂによって置換されて形成されてもよい。その後、図２４〜図２７を参照して記載して示したように、処理工程が進められてもよい。
【００５０】
更なる実施形態について、次に図２８〜図３２を参照して記載する。図２８は、基板断片１０ｃに関して、図２５の処理工程に代わる処理工程を示す。上に記載した実施形態と類似の番号が必要に応じて用いられており、構成の違いは接尾辞“ｃ”または異なる数字で示されている。接尾辞“ｃ”が異なる構造を示す一方で、このような構造の材料例は、上記の実施形態において接尾辞“ｃ”のない同じ数字で用いた材料と同じである。図２８の処理工程に先立って、図１８〜図２４の処理工程が行なわれ、この工程では、図２８の材料４０ｂが、隔置された第１のフィーチャー１４を覆って形成された第１の可変材料と考えられてもよく、この材料４０ｂは、隔置された第１のフィーチャー１４の側壁上に第１の変性材料４４ｂを形成するように、隔置された第１のフィーチャー１４からの材料によって変性される。第１の材料２０ｂが、第１の変性材料４４ｂを覆って堆積される。続いて、第１の変性材料４４ｂを露出するとともに、隔置された材料２０ｂを形成するように、第１の材料２０ｂの一部分のみが除去される。第１の変性材料は、隔置された第１の材料２０ｂ及び隔置された第１のフィーチャー１４の間からエッチングされる。隔置された第１の材料２０ｂの幅は水平方向にトリミングされ、隔置された第２のフィーチャー２２ｂが形成される。あるいは、未変性の可変材料が、上に記載したように、第１の材料に置き換わって用いられてもよい。
【００５１】
図２８を参照すると、第２の可変材料６０は、隔置された第１のフィーチャー１４上及び隔置された第１の材料２０ｂを覆って堆積されている。第２の可変材料６０の組成及び属性は、可変材料４０について上に記載したものと同じであり、少なくとも或る程度は、隔置された第１のフィーチャー１４及び隔置された第２のフィーチャー２２ｂの組成に依存している。
【００５２】
図２９を参照すると、第２の可変材料６０は、隔置された第１のフィーチャー１４の側壁上及び隔置された第１の材料／隔置された第２のフィーチャー２２ｃの側壁上に第２の変性材料６２を形成するように、隔置された第１の材料／隔置された第２のフィーチャー２２ｃからの材料によって変性されている。
【００５３】
図３０を参照すると、未変性の第２の可変材料６０（図示せず）は、第２の変性材料６２に対して選択的に基板から除去されている。
【００５４】
図３１を参照すると、第２の変性材料６２は、スペーサー３０ｃを形成するように異方性エッチングされている。
【００５５】
図３２を参照すると、第１のフィーチャー１４（図示せず）及び第１の材料／隔置された第２のフィーチャー２２ｂ（図示せず）は、基板から除去されており、それによって、第２の変性材料６２から構成されるマスクパターン４９を形成している。基板１２は、例えば、上に記載した任意の技術を用いて、マスクパターン４９を通して処理されてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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