(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する描画時間予測部と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す照射量算出部と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量で前記レジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記照射量算出部は、前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
描画後の放置時間によって変化するパターン寸法の変化が飽和する飽和時間を閾値として、前記再予測を行うかどうかを判定する判定部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
複数のレジスト種の各レジスト種に応じた前記飽和時間が定義された飽和時間情報を記憶する記憶部をさらに備え、
前記判定部は、前記記憶部に記憶された飽和時間情報を参照して、判定に必要な前記飽和時間を読み出すことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記判定部は、残りの描画時間が前記閾値よりも短い場合に前記再予測を行うと判定することを特徴とする請求項２又は３記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画開始前に描画時間を予測する工程と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
描画中に改めて描画時間を再予測する工程と、
描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す工程と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量で前記レジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する工程と、
を備え、
前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画予測時間を用いてパターンを描画する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図６は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。
【０００４】
ここで、近年、電子ビーム露光に多く用いられているレジストの１つとして化学増幅型レジストがある。化学増幅型レジストは、露光後の放置によって最適露光量が変化するという問題を抱えている。言い換えれば、化学増幅型レジストをマスク製造に用いた場合、試料となるマスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動が起こる。
【０００５】
ここで、上述したマスクの描画後の線幅寸法（ＣＤ）変動は、描画により生成した酸の拡散によるものと考えられる。酸の拡散は、数十ｎｍの領域で起こり、１．０ｎｍ／ｈ程度の割合である。そのため、描画装置には、時間に依存した補正機能を搭載することが求められる。その１つとして、描画時間に依存して照射量を補正する。例えば、試料に描画するパターン或いはチップの描画順が制御できる場合、時間によるパターンのＣＤエラーを予測し、これを補正するために照射量Ｄｏｓｅを変化させる（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
かかる時間依存の照射量補正を行うためには、描画前に予め描画時間を把握しておく必要がある。そこで、描画装置では、描画されるパターンレイアウトデータを用いて、描画時間の予測を行う。しかしながら、描画処理が開始され、描画が進んでいくにつれ、予測された描画時間と実際の描画時間との間に差が生じてしまうといった問題があった。そのため、かかる描画時間を基に補正された照射量で描画してしまうと、パターン寸法に誤差が生じてしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−０３４７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、描画処理が開始され、描画が進んでいくにつれ、描画前に予測された描画時間と実際の描画時間との間に差（ギャップ）が生じてしまうといった問題があった。そのため、かかる描画時間を基に計算された照射量で描画してしまうと、パターン寸法に誤差が生じてしまうといった問題があった。しかしながら、従来、かかる問題を解決する十分な手法が確立されていなかった。
【０００９】
そこで、本発明は、かかる問題を克服し、より精度の高い寸法でパターンを描画可能な装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する描画時間予測部と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す照射量算出部と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記照射量算出部は、前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする。
【００１１】
また、描画後の放置時間によって変化するパターン寸法の変化が飽和する飽和時間を閾値として、再予測を行うかどうかを判定する判定部をさらに備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、複数のレジスト種の各レジスト種に応じた飽和時間が定義された飽和時間情報を記憶する記憶部をさらに備え、
判定部は、記憶部に記憶された飽和時間情報を参照して、判定に必要な飽和時間を読み出すと好適である。
【００１３】
また、判定部は、残りの描画時間が閾値よりも短い場合に再予測を行うと判定すると好適である。
【００１４】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画開始前に描画時間を予測する工程と、
予測された描画時間を用いて荷電粒子ビームの照射量を算出する工程と、
描画中に改めて描画時間を再予測する工程と、
描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する荷電粒子ビームの照射量を算出し直す工程と、
照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料に以降のパターンを描画する工程と、
を備え、
前記再予測された描画時間による描画終了時刻が前記予測された描画時間による描画終了時刻より延びる場合に、照射量を算出し直すことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、より精度の高い寸法でパターンを描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるショットと描画時間との関係の一例を示す概念図である。
【図３】実施の形態１における残り描画時間とパターン変化の飽和時間との関係の一例を示す概念図である。
【図４】実施の形態１におけるショットと描画時間と残り描画時間とパターン変化の飽和時間との関係の一例を示す概念図である。
【図５】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図６】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。
【００１８】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカー）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
【００１９】
制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０，１１２，１１４、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプユニット１３０（偏向アンプ）、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０，１１２，１１４、偏向制御回路１２０、ＤＡＣアンプユニット１３０、及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプユニット１３０が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。
【００２０】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが形成される。
【００２１】
また、制御計算機ユニット１１４内には、メモリ５１、照射量計算部５０、描画管理部５２、判定部５４，５６，５８、描画処理制御部６０、及び閾値取得部６２が配置される。照射量計算部５０、描画管理部５２、判定部５４，５６，５８、描画処理制御部６０、及び閾値取得部６２といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機ユニット１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ５１に記憶される。
【００２２】
また、制御計算機ユニット１１０は、ショットデータ生成部として機能する。制御計算機ユニット１１２は、描画時間予測部として機能する。記憶装置１４０には、描画データが外部から入力され、記憶される。記憶装置１４４には、複数のレジスト種の各レジスト種に応じた後述する飽和時間が定義された飽和時間情報が外部から入力され、記憶されている。
【００２３】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、偏向器２０５や偏向器２０８のための各ＤＡＣアンプユニットも備えていることは言うまでもない。
【００２４】
図２は、実施の形態１におけるショットと描画時間との関係の一例を示す概念図である。図２において、描画開始前に予め描画時間が予測される。かかる当初の予測描画時間チャートは、図２の最上段に示されている。かかるタイムチャートに沿って、描画処理が開始される。図２の例では、当初は予測された時間通りにビームのショットが行われていくが、例えばＡで示すショット群の最後のショットを試料に照射する段階で予測時間から遅れた場合を示している。図２の最下段に実際の描画時間チャートが示されている。かかる遅れにより、以降に描画されるＢで示すショット群は、当初予測された描画時間から遅れてショットされることになる。そのため、実際の描画時間の終了時刻は、当初予測された描画時間の終了時刻よりも遅れることになる。このまま、当初予測された描画時間で計算された照射量で描画を続けていくと、パターンの寸法変化が期待通りのものにならなくなってしまう可能性がある。期待通りでなくても許容範囲内なら良いが、かかる許容範囲からもはずれてしまう可能性がある。そこで、実施の形態１では、描画中に改めて残りの描画時間をリアルタイムに再予測する。
【００２５】
制御計算機ユニット１１２は、描画時間予測部として、描画開始前に描画時間を予測すると共に、描画中に改めて描画時間を再予測する。
【００２６】
そして、照射量計算部５０は、予測された描画時間を用いて電子ビーム２００の照射量を算出すると共に、描画中に再予測された描画時間を用いて、残りの描画に対する電子ビーム２００の照射量を算出し直す。照射量計算部５０は、照射量算出部の一例である。
【００２７】
そして、描画部１５０は、照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料１０１にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料１０１に以降のパターンを描画する。
【００２８】
かかる動作により、描画終了時刻を実際の終了時刻に合わせる、或いはより近づけることができる。その結果、再予測された以降に描画されるショットについては、各ショットを照射してから描画終了時刻までの予測される放置時間を実際の放置時間に合わせる或いはより近づけることができる。かかる新たな放置時間を把握することで、再予測された以降に描画されるショットの照射量を補正できる。補正することで、寸法精度を向上させることができる。
【００２９】
しかしながら、既に照射済みのショット群（Ａ）については、描画後の放置時間が延びてしまったままであり、もはや補正もできないといった問題が残る。しかし、実施の形態１では、さらに、以下のように工夫することでかかる問題を解決する。
【００３０】
図３は、実施の形態１における残り描画時間とパターン変化の飽和時間との関係の一例を示す概念図である。化学増幅型レジストにおける描画後の放置時間によるパターン変化は、ある程度の時間が経過すると飽和する。かかる飽和時間はレジストの種類によって異なっている。図３に示すように、残りの描画時間Ｔｒが飽和時間となる閾値Ｔｔｈよりも長い場合、それまでに照射したショットのパターン寸法変化は、描画終了時刻までには飽和していることになる。よって、たとえ描画終了時刻が後に延びても描画中に飽和時間以上放置されればそれ以降のパターンの寸法変化はしないことになる。そこで、実施の形態１では、かかる飽和時間を利用する。
【００３１】
図４は、実施の形態１におけるショットと描画時間と残り描画時間とパターン変化の飽和時間との関係の一例を示す概念図である。図４において、描画前に予測された描画時間のチャートが最上段に示されている。そして、実際の描画時間チャートが最下段に示されている。図４において、当初に予測された描画時間に対して残り描画時間Ｔｒがレジストの飽和時間となる閾値Ｔｔｈ以上になる時刻に照射されたショットのパターンについては描画中にパターン変化が飽和する。逆に、残り描画時間Ｔｒが飽和時間となる閾値Ｔｔｈよりも短くなる時刻に照射されるショットについては、描画終了時刻が仮に遅くなったとしても飽和前に描画が終了する可能性があるので、照射量を見直す必要がある。そこで、実施の形態１では、描画後の放置時間によって変化するパターン寸法の変化が飽和する飽和時間を閾値として、再予測を行うかどうかを判定する。
【００３２】
図５は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における描画方法は、描画時間予測工程（Ｓ１０２）と、閾値Ｔｔｈ取得工程（Ｓ１０４）と、照射量計算工程（Ｓ１０６）と、描画開始処理工程（Ｓ１１０）と、判定工程（Ｓ１１２）と、描画時間再予測工程（Ｓ１２０）と、判定工程（Ｓ１２２）と、照射量再計算工程（Ｓ１２４）と、描画工程（Ｓ１３０）と、判定工程（Ｓ１３２）と、残り描画時間算出工程（Ｓ１３４）という一連の工程を実施する。
【００３３】
まず、制御計算機ユニット１１０は、ショットデータ生成部として、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する。
【００３４】
描画時間予測工程（Ｓ１０２）として、制御計算機ユニット１１２は、描画時間予測部として、記憶装置１４０から描画データを読み出し、パターンレイアウトに基づいて、描画開始前に描画時間を予測する。描画時間は、例えば、総ショット数にショットサイクルを乗じることで算出できる。かかる処理は、ショットデータ生成と並列に実施すると好適である。
【００３５】
閾値Ｔｔｈ取得工程（Ｓ１０４）として、閾値取得部６２は、記憶装置１４４に記憶された飽和時間情報を参照して、描画対象となる試料１０１に塗布されたレジスト種に対応する飽和時間を取得する。
【００３６】
照射量計算工程（Ｓ１０６）として、照射量計算部５０は、予測された描画時間を用いて電子ビーム２００の照射量を算出する。各ショットのビームの照射量は、例えば、以下のように算出される。まず、生成されたショットデータを入力し、ショット毎の基準照射量Ｄ０を計算する。さらに、予測された描画時間情報を入力し、描画開始時刻からそれぞれのショットが照射される時刻までの時間ｔを用いて、ショット毎の基準照射量Ｄ０を補正する。具体的には、所定の補正ドーズ量δＤ、予想描画時間Ｔｅ、１／ｅ減衰時間定数Ｔλを用いて、補正後の照射量Ｄ（ｔ）は、次の式で定義される。
Ｄ（ｔ）＝Ｄ０−δＤ・ｅｘｐ｛（ｔ−Ｔｅ）／Ｔλ｝
【００３７】
各ショットのビームの照射量は、上述した式に限るものではなく、描画後の放置時間に依存して変化するパターン寸法を補正できればよい。また、描画後の放置時間が飽和時間以上になるショットについては、飽和時間により変化するパターン寸法を補正する照射量となるように算出されることは言うまでもない。
【００３８】
描画開始処理工程（Ｓ１１０）として、描画処理制御部６０は、偏向制御回路１２０等を介して描画部１５０を制御して、描画処理を開始する。描画部１５０は、ショット位置毎に得られた照射量の電子ビーム２００を用いて、試料１０１上に所望のパターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。偏向制御回路１２０は、ショット毎の照射時間を制御するデジタル信号をＤＡＣアンプユニット１３０に出力する。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅した上で偏向電圧としてブランキング偏向器２１２に印加する。
【００３９】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器２１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間Ｔで試料１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。
【００４０】
以上のようにブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。
【００４１】
判定工程（Ｓ１１２）として、判定部５４は、残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短いかどうかを判定し、短い場合に再予測を行うと判定する。残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短い場合、Ｓ１２０に進み、短くない場合、Ｓ１３０に進む。
【００４２】
描画時間再予測工程（Ｓ１２０）として、制御計算機ユニット１１２は、残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短いと判定された場合に、描画時間予測部として、描画中に改めて描画時間Ｔｅを再予測する。
【００４３】
判定工程（Ｓ１２２）として、判定部５６は、再予測された再予測描画時間の終了時刻が当初予測された描画終了時刻より延びるかどうかを判定する。延びる場合にＳ１２４へ進み、延びない場合にＳ１３０に進む。
【００４４】
照射量再計算工程（Ｓ１２４）として、照射量計算部５０は、再予測された再予測描画時間の終了時刻が当初予測された描画終了時刻より延びる場合に、描画中に再予測された残りの描画時間を用いて、残りの描画に対する電子ビーム２００の照射量を算出し直す。算出方法は、描画前に行った方法と同様でよい。
【００４５】
描画工程（Ｓ１３０）として、照射量計算部５０は、残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短くない場合、及び、残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短いが再予測の結果描画終了時刻が延びない場合に、当初算出された照射量で当該ショットのビームをレジストが塗布された試料１０１に照射してパターンを描画する。一方、照射量計算部５０は、残り描画時間Ｔｒが閾値Ｔｔｈよりも短く、再予測の結果描画終了時刻が延びる場合に、算出し直された照射量で当該ショットのビームをレジストが塗布された試料１０１に照射してパターンを描画する。
【００４６】
判定工程（Ｓ１３２）として、判定部５８は、すべてのショットのビームが照射されたかどうかを判定する。そして、まだ、撃つべきショットが残っている場合にＳ１３４へ進み、すべてのショットが照射され、描画が終了している場合に終了する。
【００４７】
残り描画時間算出工程（Ｓ１３４）として、制御計算機ユニット１１２は、描画時間予測部として、残り描画時間Ｔｒを算出する。かかる描画処理の間、偏向制御回路１２０は、既に照射したショット情報をその都度、描画管理部５２に出力する。そのため、描画管理部５２は、現在の描画状況を把握できる。また、描画管理部５２は、既に照射したショット数を制御計算機ユニット１１２に出力する。これにより、制御計算機ユニット１１２は、残り描画時間を算出し、その都度、リアルタイムに記憶装置１４２に一時的に記憶させる。制御計算機ユニット１１２は、合計ショット数からすでに撃ったショット数を引くことで残りショット数を計算し、残りショット数にショットサイクルを乗じることで残り描画時間を算出すればよい。残り描画時間の算出方法はこれに限るものではなく、他の計算手法を用いてもよい。そして、Ｓ１１２に戻る。
【００４８】
以上のようにして、Ｓ１１２からＳ１３４までを繰り返す。そして、描画部１５０は、照射量が算出し直される前は算出し直される前に算出された照射量でレジストが塗布された試料１０１にパターンを描画すると共に、照射量が算出し直された後は算出し直された照射量でレジストが塗布された試料１０１に以降のパターンを描画する。その結果、描画終了時刻が延びる場合でも、描画終了時刻までに飽和時間に達しないショットについて照射量を再計算して描画できる。よって、期待したパターンの寸法変化が得られ、所望の精度のパターン寸法を得ることができる。以上のように、実施の形態１によれば、より精度の高い寸法でパターンを描画できる。
【００４９】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００５０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００５１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５２】
５０  照射量計算部
５１  メモリ
５２  描画管理部
５４，５６，５８  判定部
６０  描画処理制御部
６２  閾値取得部
１００  描画装置
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０，１１２，１１４  制御計算機ユニット
１２０  偏向制御回路
１３０  ＤＡＣアンプユニット
１４０，１４２，１４４  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  第１の成形アパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０６  第２の成形アパーチャ
２０７  対物レンズ
２０８  偏向器
２１２  ブランキング偏向器
２１４  ブランキングアパーチャ
３３０  電子線
３４０  試料
４１０  第１のアパーチャ
４１１  開口
４２０  第２のアパーチャ
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
0005566235.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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