(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視において略方形形状を呈する半導体チップが、ダイシング領域を介して複数個形成された半導体ウェーハの第１の面に接着層を形成し、
前記半導体チップの中央寄りに位置する第１の領域を避けて、前記半導体チップの外縁に沿った第２の領域の少なくとも一部で前記接着層に剥離剤を塗布し、
前記半導体ウェーハの前記第１の面にダイシングテープを貼り付け、
前記半導体ウェーハを前記ダイシング領域に沿ってダイシングして前記半導体チップを個片化し、
前記半導体チップを前記ダイシングテープから剥離し、
前記接着層を介して前記半導体チップを基板上に接着させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記剥離剤を、前記第１の領域のうち前記半導体チップの角部に塗布する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記剥離剤を、前記第２の領域の全域に塗布する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体チップは、前記基板上に階段状に複数個積層して接着され、
前記半導体チップのうち上段の半導体チップにおいて、前記剥離剤を、前記第２の領域のうち下段に積層された半導体チップと重ならない領域の少なくとも一部にのみ塗布する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
平面視において略方形形状を呈する複数の半導体チップが、ダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハの第１の面に接着層を形成し、
前記半導体ウェーハの第１の面に貼り付けられるダイシングテープに、前記半導体ウェーハに貼り付けられた際に前記半導体チップの中央寄りに位置する第１の領域を避けて、前記半導体チップの外縁に沿った第２の領域の少なくとも一部と重なるように剥離剤を塗布し、
剥離剤が塗布された前記ダイシングテープを前記半導体ウェーハに貼り付け、
前記半導体ウェーハを前記ダイシング領域に沿ってダイシングして半導体チップを個片化し、
前記半導体チップを前記ダイシングテープから剥離し、
前記接着層を介して前記半導体チップを基板上に接着させる半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの半導体チップを有して利用されている半導体装置は、回路パターンが形成された基板の上に、半導体チップが搭載されて構成されている。半導体チップは、接着層が形成された半導体ウェーハから個片化され、その接着層を介して基板上に貼り付けられる。例えば、半導体チップの個片化は、半導体ウェーハの接着層にダイシングテープと呼ばれるシートを貼り付けてダイシングすることで行われる。そして、個片化された半導体チップがダイシングテープから剥離されてピックアップされる。
【０００３】
ダイシングテープから半導体チップを剥離する際に、半導体チップへの欠けなどの発生を抑えるために、半導体チップがダイシングテープから容易に剥離できることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０６７８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施の形態は、上記に鑑みてなされたものであって、剥離のキッカケを作ることにより、半導体チップがダイシングテープから容易に剥離することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施の形態の半導体装置の製造方法は、平面視において略方形形状を呈する半導体チップが、ダイシング領域を介して複数個形成された半導体ウェーハの第１の面の裏側に接着層を形成する。半導体チップの中央寄りに位置する第１の領域を避けて、半導体チップの外縁に沿った第２の領域の少なくとも一部で接着層に剥離剤を塗布する。半導体ウェーハの第１の面の裏側にダイシングテープを貼り付ける。半導体ウェーハをダイシング領域に沿ってダイシングして半導体チップを個片化する。半導体チップをダイシングテープから剥離し、接着層を介して半導体チップを基板上に接着させる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャート。
【図２】半導体ウェーハを表面側から見た図。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図。
【図４】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図５】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図６】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図７】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図８】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図９】図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図であって、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の一工程を経た状態を示す図。
【図１０】半導体チップ部分の平面図。
【図１１】半導体チップ部分の平面図であって、剥離剤が塗布された状態を示す図。
【図１２】半導体チップ部分の断面図であって、突上げピンによって突上げられた状態を示す図。
【図１３】第１の実施の形態にかかる半導体装置の断面構成を模式的に示す図。
【図１４】塗布装置の側面図。
【図１５】図１４に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視図。
【図１６】第１の実施の形態の変形例１にかかる半導体チップ部分の平面図であって、剥離剤が塗布された状態を示す図。
【図１７】第１の実施の形態の変形例２にかかる半導体チップ部分の平面図であって、剥離剤が塗布された状態を示す図。
【図１８】第１の実施の形態の変形例３にかかる半導体装置の断面構成を模式的に示す図。
【図１９】図１８に示す半導体装置が備える半導体チップの平面図。
【図２０】第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図２は、半導体ウェーハを表面側から見た図である。図３〜図９は、図２に示すＡ−Ａ線に沿った矢視断面図である。
【００１０】
図２および図３に示すように、半導体回路等が形成された半導体ウェーハ１を用意する。半導体ウェーハ１には、チップ領域を有する複数の半導体チップ２が、ダイシング領域３を介して形成されている。このダイシング領域３に沿って半導体ウェーハ１を切断することによって、半導体チップ２を個片化することができる。ここで、半導体ウェーハ１の表面とは回路素子や金属パッドなどが配置された面であり、裏面とは半導体ウェーハ１の表面と反対側の面である。また、半導体ウェーハ１の裏面は研磨された面を指す場合もある。また、半導体ウェーハ１の裏面と半導体チップ２の裏面は同じ面を意味する。
【００１１】
半導体装置５０を製造するにあたって、まず図４に示すように、研削済み半導体ウェーハ１の裏面１ａに接着剤を塗布して接着層１０を形成する（ステップＳ１）。接着剤は、例えば樹脂と溶媒とを含むものが用いられる。接着剤に用いられる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。接着層１０は、後の工程において、ダイシングテープ１１や基板５１に対して半導体ウェーハ１や半導体チップ２を接着させる。
【００１２】
次に、図５に示すように、接着層１０に剥離剤１２を塗布する（ステップＳ２）。剥離剤１２としては、例えばシリコーン系、アルキッド系、またはフッ素系の剥離剤が用いられる。図１０は、半導体チップ２部分の平面図である。図１０に示すように、半導体チップ２の裏面１ａは、仮想的に第１の領域Ｐ１と第２の領域Ｐ２とに区分されている。第１の領域Ｐ１は、半導体チップ２の裏面１ａの中央寄りに位置する領域である。第２の領域Ｐ２は、半導体チップ２の裏面１ａの外縁に沿って設けられる領域であり、第１の領域Ｐ１を囲むように設けられている。第２の領域Ｐ２の領域の幅は、半導体チップ２の裏面１ａの外縁から内側に０．５ｍｍ前後が望ましい。
【００１３】
図１１は、半導体チップ２部分の平面図であって、剥離剤１２が塗布された状態を示す図である。図１１に示すように、半導体チップ２の裏面（第１の面）１ａのうち、領域Ｐ１を避けるとともに、領域Ｐ２に剥離剤１２が塗布される。なお、剥離剤１２の塗布は、後に詳説する塗布装置によって行われる。なお、接着層１０は半導体チップ２の裏面１ａの領域Ｐ１及び領域Ｐ２のほぼ全領域に塗られている。その結果、半導体チップ２の接着力を大きくすることができる。すなわち領域Ｐ２において、半導体チップ２の裏面１ａに接着層１０と剥離剤１２が積層するように形成されている。
【００１４】
次に、図６に示すように、半導体ウェーハ１の裏面１ａにダイシングテープ１１を貼り付ける（ステップＳ３）。すなわち、ダイシングテープ１１は、剥離剤１２が塗布された接着層１０に貼り付けられることとなる。なお、図７〜９では、図３〜図６と上下を反転させて半導体ウェーハ１を図示している。
【００１５】
次に、図７、図８に示すように、半導体ウェーハ１を、表面１ｂ側からダイシング領域３に沿って切断する（ステップＳ４）。例えば、ダイシング領域３の幅に応じた刃厚を有するブレード（図示せず）を用いて半導体ウェーハ１を切断する。これにより、半導体ウェーハ１から半導体チップ２が個片化される。
【００１６】
なお、ステップＳ４では、半導体ウェーハ１と接着層１０を切断するが、ダイシングテープ１１は切断しない。これにより、個片化された半導体チップ２がばらけずに、ダイシングテープ１１上で全体としてウェーハ形状が維持される。
【００１７】
次に、図９に示すように、個片化された半導体チップ２を個々にダイシングテープ１１から剥離してピックアップする（ステップＳ５）。より具体的には、ダイシングテープ１１の半導体ウェーハ１が接着された側の裏面から、突上げピン１３で１つの半導体チップ２を突上げるとともに、コレット１４で突上げられた半導体チップ２を吸着する。
【００１８】
図１２は、半導体チップ２部分の断面図であって、突上げピン１３によって突上げられた状態を示す図である。図１２に示すように、ダイシングテープ１１のうち突上げピン１３に突上げられた部分が半導体チップ２側に盛り上がる。これにより、半導体チップ２の外縁側から接着層１０とダイシングテープ１１との剥離が始まる。そして、ある程度の領域で半導体チップ２が剥離したところで、半導体チップ２を吸着させたコレット１４で持ち上げることで、半導体チップ２をピックアップすることができる。なお、ダイシングテープ１１から半導体チップ２を剥離させる際に、突上げピン１３以外のものを用いてもよく、例えば多段ブロックでダイシングテープ１１を突上げて半導体チップ２を剥離させてもよい。
【００１９】
図１３は、第１の実施の形態にかかる半導体装置の断面構成を模式的に示す図である。図１３に示すように、ピックアップされた半導体チップ２を、配線パターンが形成された基板５１上に接着し（ステップＳ６）、半導体チップ２に設けられた電極パッド（図示せず）と基板５１に設けられた接続パッドとを金属ワイヤ４１でワイヤボンディングする（ステップＳ７）そして、基板５１の表面を樹脂モールドすることで（ステップＳ８）、半導体装置５０が製造される。
【００２０】
次に、半導体ウェーハ１に接着剤や剥離剤１２を塗布するための塗布装置について説明する。図１４は、半導体製造装置としての塗布装置の側面図である。図１５は、図１４に示すＤ−Ｄ線に沿った矢視図である。塗布装置３０には、基台３１、移動部３２、載置部３３、支持部３４、吐出部３５などが設けられている。
【００２１】
基台３１は、略直方体形状を呈し、その底面には脚部３１ａが設けられている。また、底面に対向する側の面にはベース板３１ｂが設けられている。移動部３２には、軌道レール３２ａ、移動ブロック３２ｂ、取付部３２ｃ、駆動部３２ｄなどが設けられている。
【００２２】
軌道レール３２ａは、略矩形の断面形状を呈し、ベース板３１ｂの上面に設けられている。また、軌道レール３２ａは、図１４に示すようにベース板３１ｂの長手方向に延在しており、図１５に示すように基台３１の両端側にそれぞれ設けられている。
【００２３】
移動ブロック３２ｂは、略逆Ｕ字状の断面形状を呈し、図示しない複数のボールを介して軌道レール３２ａに取り付けられている。そして、移動ブロック３２ｂが軌道レール３２ａを跨るようにして軌道レール３２ａ上を往復自在に移動できるようになっている。取付部３２ｃは、平板状を呈し、移動ブロック３２ｂの上面に設けられている。
【００２４】
駆動部３２ｄには、ボールネジ部３２ｅ、ナット部３２ｆ、駆動モータ３２ｇなどが設けられている。ボールネジ部３２ｅは、図１４に示すようにベース板３１ｂの長手方向に延在して設けられ、その両端部が基台３１に回転自在に取り付けられている。ナット部３２ｆは、図１５に示すように取付部３２ｃの下面に設けられ、ボールネジ部３２ｅと螺合するようになっている。ボールネジ部３２ｅの一端には、サーボモータなどの駆動モータ３２ｇが接続されている。そのため、駆動モータ３２ｇによりボールネジ部３２ｅが回転駆動されれば、取付部３２ｃが図１４に示す矢印Ｘの方向に往復駆動されるようになっている。
【００２５】
載置部３３には図示しない静電チャックや真空チャックなどが内蔵され、その載置面に半導体ウェーハ１を載置、保持することができるようになっている。また、載置部３３にはヒータなどの加熱部３３ａが内蔵され、保持された半導体ウェーハ１に塗布した接着剤を加熱することができるようになっている。なお、加熱部３３ａは接着剤を加熱することができるものであればよく、例えば、熱媒体を循環させて加熱を行うようにしたものであってもよい。また、載置部３３と離隔させて加熱部３３ａを設けるようにすることもできる。例えば、載置部３３に保持された半導体ウェーハ１を照射可能な位置に赤外線ヒータなどを設けるようにすることもできる。すなわち、加熱部は、半導体ウェーハ１上に塗布された接着剤を加熱して、Ｂステージ化させる。
【００２６】
支持部３４は、略逆Ｕ字状を呈し、一対の軌道レール３２ａを跨ぐようにしてベース板３１ｂ上から立設されている。また、支持部３４の架設部３４ａからは取付部３４ｂが突出するようにして設けられている。この取付部３４ｂには吐出部３５が取り付けられる。
【００２７】
吐出部３５は、接着剤や剥離剤１２を半導体ウェーハ１に向けて吐出させる。吐出部３５は、インクジェット法により接着剤や剥離剤１２を半導体ウェーハ１に向けて吐出させるものである。インクジェット法には、加熱により気泡を発生させ膜沸騰現象を利用して液体を吐出させる「サーマル式」と、圧電素子の屈曲変位を利用して液体を吐出させる「圧電式」などがあるが、どちらの方式を採用してもよい。なお、吐出部３５としては、インクジェット法により液体を吐出させる既知のインクジェットヘッドを採用することができる。そのため、その詳細な構成については説明を省略する。
【００２８】
吐出部３５には、配管３５ｂを介して収納部３５ａが接続されている。収納部３５ａには、接着剤や剥離剤１２が収納され、吐出部３５に対して供給可能となっている。収納部３５ａから吐出部３５への接着剤や剥離剤１２の供給は、位置水頭などを利用したものであってもよいし、ポンプなどの送液手段を用いたものであってもよい。
【００２９】
また、吐出部３５からの吐出タイミングや吐出量などを制御する制御部３８が設けられている。例えば、「圧電式」の吐出部３５の場合には、圧電素子に印加する電圧を変えて圧電素子の作動量を制御することで、各圧電素子が対向する吐出ノズルから吐出される接着剤や剥離剤１２の液滴の大きさ、つまり吐出量を制御するようになっている。そのため、接着剤や剥離剤１２を膜状に付着させた際の厚みを１μｍ（マイクロメートル）以下とすることができる。また、制御部３８は、駆動モータ３２ｇの駆動や吐出部３５からの接着剤や剥離剤１２の吐出タイミングを制御することで、半導体ウェーハ１上の所望の領域に接着剤や剥離剤１２を塗布させることができる。
【００３０】
制御部３８は、記憶部３９に格納されたプログラムにしたがって、上述した接着剤の塗布を塗布装置に実行させる。例えば、記憶部３９に格納されたプログラムには、領域Ｐ１，Ｐ２の範囲を示す情報や、剥離剤１２の吐出量を示す情報が記述されていてもよい。または、領域Ｐ１，Ｐ２の範囲や剥離剤１２の吐出量を示すテーブル情報が記憶部３９に格納され、プログラムの記述にしたがって制御部３８が記憶部３９から必要な情報を読み出して、駆動モータ３２ｇや吐出部３５を制御してもよい。
【００３１】
以上説明したように、半導体チップ２の裏面１ａのうち外縁に沿った第２の領域Ｐ２に剥離剤１２が塗布されているので、図１２に示すように接着層１０とダイシングテープ１１との剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が剥離しやすくなる。このように、ダイシングテープ１１から半導体チップ２を容易に剥離する部分（以下、「キッカケ」と称する場合がある）ができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなる。その結果、剥離時に半導体チップ２の欠けの発生を抑えることができる。
【００３２】
また、半導体チップ２の裏面１ａの中央寄りに位置する第１の領域Ｐ１を避けた上で、外縁に沿った第２の領域Ｐ２に剥離剤１２が塗布されるので、剥離剤１２を蒸発させやすくなる。剥離剤１２が蒸発せずに接着層１０上に残存していると、基板５１に接着させた半導体チップ２が剥がれやすくなってしまう。また、基板５１と半導体チップ２の接着力が低下し、例えば、ステップＳ７のワイヤボンディング工程で半導体チップ２が動くことにより、金属ワイヤ４１が半導体チップ２の金属パッドと接着できない場合（以下、「ボンディング不良」と称する場合がある）がある。一方、本実施の形態では、半導体チップ２を基板５１に接着させた際に、外縁部から剥離剤１２が蒸発しやすくなる。その結果、基板５１と半導体チップ２の接着性を向上させることができる。半導体チップ２を接着させる際に、接着層１０を硬化させるために加熱を行う場合がある。この場合には、より一層剥離剤１２が蒸発しやすくなる。また、剥離剤１２を蒸発させる熱工程を用いなくても、上記接着層１０を硬化させるための加熱により剥離剤１２を蒸発させることもできる。その結果、製造工程を省略することができる。
【００３３】
また、剥離剤１２は、半導体チップ２の裏面１ａの中央寄りに位置する第１の領域Ｐ１を避けて塗布されているので、第１の領域Ｐ１に塗布された接着層１０によって、ダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。したがって、半導体ウェーハ１のハンドリング時や、ブレードによる切断時に、半導体ウェーハ１がダイシングテープ１１からずれてしまうのを抑えることができる。第２の領域Ｐ２の領域の幅は、半導体チップ２の裏面１ａの外縁から内側に０．５ｍｍ前後が望ましい。特に、第１の領域Ｐ１が方形である場合には、半導体チップ２のダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。また、第１の領域Ｐ１の面積が第２の領域Ｐ２の面積より大きい場合には、さらに半導体チップ２のダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。
【００３４】
また、インクジェット法によって剥離剤１２を塗布するので、接着剤や剥離剤１２の吐出量や、塗布範囲を細かく設定することができる。そのため、本実施の形態のように、半導体チップ２の裏面１ａの一部の領域（第２の領域Ｐ２）にのみ剥離剤１２を正確に塗布することが可能となる。
【００３５】
図１６は、第１の実施の形態の変形例１にかかる半導体チップ２部分の平面図であって、剥離剤１２が塗布された状態を示す図である。本変形例１では、図１６に示すように、第２の領域Ｐ２のうち、半導体チップ２の裏面１ａのそれぞれの角部に剥離剤１２を塗布している。また、剥離剤１２は、第１の領域Ｐ１を避けて塗布されている。このように、半導体チップ２の裏面１ａの一部（角部）のみに剥離剤１２ａを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。
【００３６】
本変形例１では、半導体チップ２をダイシングテープ１１から剥離する場合に、剥離剤１２が塗布された角部部分が容易に剥離する。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００３７】
なお、本変形例１では、半導体チップ２の裏面１ａにある４箇所の角部のすべてに剥離剤１２を塗布しているが、一部の角部のみに剥離剤１２を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の角部に剥離剤１２を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００３８】
図１７は、第１の実施の形態の変形例２にかかる半導体チップ２部分の平面図であって、剥離剤１２が塗布された状態を示す図である。本変形例２では、図１７に示すように、第２の領域Ｐ２のうち、半導体チップ２の裏面１ａの辺であって角部から離れた部分に剥離剤１２を塗布している。また、剥離剤１２は、第１の領域Ｐ１を避けて塗布されている。このように、半導体チップ２の裏面１ａの一部（辺の一部）のみに剥離剤１２ａを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。
【００３９】
本変形例２では、半導体チップ２をダイシングテープ１１から剥離する場合に、剥離剤１２が塗布された辺部分が容易に剥離する。この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００４０】
なお、本変形例２では、半導体チップ２の裏面１ａにある４箇所の辺のすべてに剥離剤１２を塗布しているが、一部の辺のみに剥離剤１２を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の一辺に剥離剤１２を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００４１】
図１８は、第１の実施の形態の変形例３にかかる半導体装置５０の断面構成を模式的に示す図である。図１９は、図１８に示す半導体装置５０が備える半導体チップ２の平面図である。本変形例３では、図１８に示すように、基板５１上に複数の半導体チップ２が階段状に積層されて接着される。変形例３では半導体チップ２の大きさは全て同じである。また、階段状に積層するとは、半導体チップ２の表面に配置された金属パッドＰＡを露出するように半導体チップ２をずらして積層することをいう。また、金属パッドＰＡには金属ワイヤ４１が接続されている。変形例３では半導体チップ２は３層積層されているが、２層以上積層されていれば良い。
【００４２】
そして、図１９に示すように、第２の領域Ｐ２のうち、下段の半導体チップ２と重ならない部分に剥離剤１２を塗布している。また、剥離剤１２は、第１の領域Ｐ１を避けて塗布されている。本変形例３では、半導体チップ２をダイシングテープ１１から剥離する場合に、剥離剤１２が塗布された部分が容易に剥離する。この場合も、半導体チップ２の外縁部分の一部に剥離のキッカケを作ることで、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなる。その結果、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、図１８に示すように剥離剤１２が蒸発せずに接着層１０上に残存してしまった場合であっても、下段の半導体チップ２と重ならない部分に剥離剤１２が塗布されている。その結果、半導体チップ２同士の剥がれ、または、半導体チップ２同士の接着力低下によるボンディング不良が生じる可能性を小さくすることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、剥離剤１２を蒸発させる熱工程を省略することもできる。
【００４３】
また、最下層の半導体チップ２は変形例１や変形例２のように剥離剤１２を形成し、最下層の半導体チップ１２より上層の半導体チップ１２は変形例３のように接着剤１２を塗布しても良い。
【００４４】
図２０は、第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。なお、上記実施の形態と同様の構成については同様の符号を用いて説明する。第１の実施の形態のステップＳ２（図１を参照）で接着層１０に剥離剤１２を塗布しているが、本実施の形態では、ステップＳ２に代えたステップＳ２２において、ダイシングテープ１１に剥離剤１２を塗布する。なお、剥離剤１２の塗布は、第１の実施の形態で説明した塗布装置３０（図１４および図１５も参照）によって行われる。
【００４５】
ここで、ステップＳ２２における剥離剤１２の塗布工程では、ダイシングテープ１１を半導体ウェーハ１に貼り付けた場合に、半導体チップ２の第２の領域Ｐ２と重なる部分に対して剥離剤１２が塗布される。また、第１の領域Ｐ１は避けて剥離剤１２が塗布される。したがって、ダイシングテープ１１を半導体ウェーハ１に貼り付ければ、半導体チップ２の第２の領域Ｐ２に剥離剤１２を塗布したのと同様の構成、効果を得ることができる。そして、ダイシングテープ１１を半導体ウェーハ１に貼り付けるステップＳ３以降は、その工程および構成は第１の実施の形態と同様に行われる。
【００４６】
以上説明したように、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面１ａのうち外縁に沿った第２の領域Ｐ２に剥離剤１２を塗布したのと同様に、接着層１０とダイシングテープ１１との剥離が始まる外縁部分で、半導体チップ２が剥離しやすくなる。このように、半導体チップ２の一部に剥離のキッカケを作ることにより、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。
【００４７】
また、剥離剤１２を蒸発させやすくなる。剥離剤１２が蒸発せずに接着層１０上に残存していると、基板５１に接着させた半導体チップ２が剥がれやすくなってしまう。また、基板５１と半導体チップ２の接着力が低下し、例えば、ボンディング不良が発生する場合がある。一方、本実施の形態では、半導体チップ２を基板５１に接着させた際に、外縁部から剥離剤１２が蒸発しやすくなる。その結果、基板５１と半導体チップ２の接着性を向上させることができる。半導体チップ２を接着させる際に、接着層１０を硬化させるために加熱を行う場合がある。この場合には、より一層剥離剤１２が蒸発しやすくなる。また、剥離剤１２を蒸発させる熱工程を用いなくても、上記接着層１０を硬化させるための加熱により剥離剤１２を蒸発させることもできる。その結果、製造工程を省略することができる。
【００４８】
また、第１の領域Ｐ１を避けて剥離剤１２を塗布したのと同様に、第１の領域Ｐ１に塗布された接着層１０によって、ダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。したがって、半導体ウェーハ１のハンドリング時や、ブレードによる切断時に、半導体ウェーハ１がダイシングテープ１１からずれてしまうのを抑えることができる。特に、第１の領域Ｐ１が方形である場合には、半導体チップ２のダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。また、第１の領域Ｐ１の面積が第２の領域Ｐ２の面積より大きい場合には、さらに半導体チップ２のダイシングテープ１１への接着強度を確保しやすくなる。
【００４９】
また、インクジェット法によって剥離剤１２を塗布するので、接着剤や剥離剤１２の吐出量や、塗布範囲を細かく設定することができる。そのため、本実施の形態のように、ダイシングテープ１１の所望の領域に正確に剥離剤１２を塗布することが可能となる。
【００５０】
また、ダイシングテープ１１に剥離剤１２を塗布するので、剥離剤１２の塗布工程を半導体ウェーハ１への接着層１０の形成工程とは別個に進めることができる。したがって、半導体ウェーハ１に塗布した接着剤の乾燥などを待たずに剥離剤１２の塗布工程を進めることができるため、工期の短縮化や、製造効率の向上を図ることができる。なお、同様の理由により、剥離剤１２を塗布するステップＳ２２は、ダイシングテープ１１を半導体ウェーハ１に貼り付ける前であればいつ行っても構わない。
【００５１】
また、上記第１の実施の形態の変形例１と同様に、第１の領域Ｐ１を避けるとともに、第２の領域Ｐ２のうち、半導体チップ２の裏面１ａのそれぞれの角部に剥離剤１２を塗布してもよい。このように、半導体チップ２の裏面１ａの一部（角部）のみに剥離剤１２ａを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。
【００５２】
この場合も、半導体チップ２の外縁部分の一部に剥離のキッカケを作ることで、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００５３】
また、一部の角部のみに剥離剤１２を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の角部に剥離剤１２を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００５４】
また、上記第１の実施の形態の変形例２と同様に、第１の領域Ｐ１を避けるとともに、第２の領域Ｐ２のうち、半導体チップ２の裏面１ａの辺であって角部から離れた部分に剥離剤１２を塗布してもよい。このように、半導体チップ２の裏面１ａの一部（辺の一部）のみに剥離剤１２ａを塗布するのには、インクジェット法を用いることが好適である。
【００５５】
この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００５６】
また、一部の辺のみに剥離剤１２を塗布するように構成してもよい。少なくとも一部の一辺に剥離剤１２を塗布しておけば、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、ダイシングテープ１１から半導体チップ２が剥離しやすくなるからである。また、半導体チップ２を基板５１に接着させた後に、剥離剤１２がより蒸発しやすくなる。
【００５７】
また、上記第１の実施の形態の変形例３と同様に、第１の領域Ｐ１を避けるとともに、第２の領域Ｐ２のうち、下段の半導体チップ２と重ならない部分に剥離剤１２を塗布してもよい。
【００５８】
この場合も、剥離が始まる外縁部分で剥離のキッカケを作ることができ、そのキッカケから剥離部分が広がりやすくなるため、半導体チップ２が円滑に剥離されやすくなり、剥離時に半導体チップ２での欠けの発生を抑えることができる。また、剥離剤１２が蒸発せずに接着層１０上に残存してしまった場合であっても、下段の半導体チップ２と重ならない部分に剥離剤１２が塗布されているので、半導体チップ２同士の剥がれ、または、半導体チップ２同士の接着力低下によるボンディング不良が生じる可能性を小さくすることができる。また、第２の領域Ｐ２全体に剥離剤１２を塗布する場合に比べて、剥離剤１２の使用量を抑えることができ、資源を有効に活用することができる。
【００５９】
なお、上記実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００６０】
１  半導体ウェーハ、１ａ  裏面、１ｂ  表面（第１の面）、２  半導体チップ、３  ダイシング領域、１０  接着層、１１  ダイシングテープ、１２  剥離剤、１３  突上げピン、１４  コレット、４１  金属ワイヤ、５０  半導体装置、５１  基板、Ｐ１  第１の領域、Ｐ２  第２の領域。
【図１】
0005492100.tif 000002
【図２】
0005492100.tif 000003
【図３】
0005492100.tif 000004
【図４】
0005492100.tif 000005
【図５】
0005492100.tif 000006
【図６】
0005492100.tif 000007
【図７】
0005492100.tif 000008
【図８】
0005492100.tif 000009
【図９】
0005492100.tif 000010
【図１０】
0005492100.tif 000011
【図１１】
0005492100.tif 000012
【図１２】
0005492100.tif 000013
【図１３】
0005492100.tif 000014
【図１４】
0005492100.tif 000015
【図１５】
0005492100.tif 000016
【図１６】
0005492100.tif 000017
【図１７】
0005492100.tif 000018
【図１８】
0005492100.tif 000019
【図１９】
0005492100.tif 000020
【図２０】
0005492100.tif 000021