(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、
前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁の少なくとも一部に一致する形状に形成され、
前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、
前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、
前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、
前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における各辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、
前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に前記第２基板電極の第１延出部に沿って形成した第２延出部を備え、前記第２延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２延出部は、前記第１延出部の幅と同等以下に形成されると共に、前記第１延出部及び前記第２延出部の合計の幅が、前記第１基板電極の一端から他端までを直線としたときの一辺の長さに対して１０〜５０％の範囲で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１延出部は、前記第１基板電極の一辺の中央に対して対称となるように配置されたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１基板電極は、その角部に対角線方向に延びる第３延出部をさらに備え、前記第３延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２延出部の幅は、前記第１延出部の幅よりも小さい請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２基板電極の第１延出部の幅は、前記第１基板電極の第１延出部の幅よりも大きい請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、
前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁の少なくとも一部に一致する形状に形成され、
前記第１基板電極は、前記素子の外側周縁よりも内側に略矩形状に形成されると共に、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、
前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、
前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に、前記素子の外側周縁よりも内側となる当該基板電極の辺側から延出する第１延出部を備え、
前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における各辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、
前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であること、又は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子等の素子を半導体絶縁基板等の実装基板に実装した発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいはレーザダイオード（ＬＤ）などの発光素子を基板に実装した表面実装型の発光装置が知られている。この発光装置は、照明器具、表示画面のバックライト、車載用光源、ディスプレイ用光源、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に使用されており、発光素子の光取り出し効率を向上させることを目的として、正電極と負電極とを同一面側に有する構成の発光素子が使用されている。そして、発光装置は、配線パターンが形成された絶縁基板上にフリップチップで接合された構造が一般的に提案されている。
【０００３】
その一例として、発光装置は、絶縁基板上に形成された一対の電極の所定位置にハンダペーストを塗布し、ＬＥＤ素子をフリップチップ実装して接合した後、リフローすることによりハンダペーストを溶融して電気的導通をとるように構成されている。この発光装置の絶縁基板上に形成された一対の電極が、ＬＥＤ素子側の電極と同一形状に形成されている場合、ＬＥＤ素子を電極に押し付けて搭載したときに、絶縁基板上に塗布されてハンダペーストが電極からはみ出している部分が、リフロー時の熱により電極部分から離脱してハンダボールとして堆積してしまうことがある。
【０００４】
したがって、発光装置は、その製造過程において、前記したハンダボールが発生することを防ぐために、従来、特許文献１に記載されているような構成をとることが知られている。すなわち、特許文献１では、ＬＥＤ素子の外周に沿って冗長リフローパッドを設けることでハンダボールの発生を抑える構成としていた。
【０００５】
また、発光装置において、発光ダイオードの矩形の縦横長さよりもダイパッド部の矩形の縦横の長さを０．５〜１．５倍の範囲とすることで、セルフアライメントを確実に行わせる構成が特許文献２に記載されている。そして、特許文献２では、絶縁基板側のダイパッド部に発光ダイオードを実装したときにその発光ダイオードの四辺から突出する延長部を設け、この延長部があることで、ダイパッド部の表面における溶融ハンダの盛り上がり高さを、当該溶融ハンダの表面張力によるセルフアライメントを確保した状態のもとで、低くできる構成であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０６−１２０６４８号公報
【特許文献２】特開２００３−２６４２６７号公報（段落番号００３３〜００３５、図８、図９）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、前記した従来の発光装置の構成では、以下に示すような問題点が存在していた。
特許文献１の発光装置の構成では、冗長リフローパッドの形状が素子の電極部分よりも大きく形成されていることで、セルフアライメントを行うための形状に適していないため、リフロー時に実装する発光素子の位置が適切にならず、セルフアライメントが適切に行われない問題が発生した。
【０００８】
特許文献２の発光装置の構成では、リフロー時にセルフアライメントを行うことはできるが、ダイパッドの形状が一体であるときを想定しているため、発光ダイオード等の一つの素子に対して、ダイパッドが分離した状態、つまり、第１基板電極及び第２基板電極等、基板側電極が分離した構成に実装する場合において、セルフアライメントを行い、かつ、ハンダボールの発生を抑制するための構成としては不十分であった。
【０００９】
特に、素子がフリップチップ実装されるときに、基板上の電極が素子のＰ型電極及びＮ型電極に対応して第１電極及び第２電極として互いに離間して形成されている場合、リフロー時に第１電極側の溶融ハンダが第２電極側に集中してしまうことがある。そのため、溶融ハンダが集中して第２電極側の接続厚みが過大となり、第２電極の接続厚みが大きくなることで、第１電極側が上方に引き上げられ、第１電極側の溶融ハンダにボイドが発生することがあった。したがって、発光装置において、第１電極側のボイドの発生を抑制することが望まれていた。
【００１０】
本発明は、前記した問題点に鑑み創案されたものであり、基板側の電極が実装する一つの素子に対して分離して形成している場合であっても、確実にセルフアライメントを行うことができると共にハンダボールの発生を抑制し、また、電極下の溶融ハンダにボイドが発生するのを抑制することができる発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記した課題を解決するために、請求項１に係る発光装置は、矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁の少なくとも一部に一致する形状に形成され、前記第１基板電極は、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に延出する第１延出部を備え、前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における各辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、前記第１基板電極は、前記切欠凹部の両側の縁の少なくとも一方に前記第２基板電極の第１延出部に沿って形成した第２延出部を備え、前記第２延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成とした。
【００１２】
かかる構成によれば、発光装置は、実装基板に素子が実装されるときに、加熱溶融接続材がリフローされて溶融したときに、第１基板電極及び第２基板電極における外側周縁の少なくとも一部が、第１素子電極及び第２素子電極の一部に、対面して一致する形状に形成されているために、溶融した加熱溶融接続材の表面張力によりセルフアライメントされて所定の実装位置に素子が納まる。そして、発光装置は、セルフアライメントされるときに、第１基板電極及び第２基板電極に、第１延出部を備えていることから、溶融した加熱溶融接続材がその第１延出部に沿って流れることになり、表面張力により外部にハンダボールを形成することがない。さらに、発光装置は、第２基板電極の第１延出部に沿って、第１基板電極に第２延出部が形成されているので、第２延出部がリフロー時に加熱溶融接続材の過剰な集中を抑制する働きを担う。
【００１３】
また、請求項２に記載の発光装置は、請求項１に記載の発光装置において、前記第２延出部が、前記第１延出部の幅と同等以下に形成されると共に、前記第１延出部及び前記第２延出部の合計の幅が、前記第１基板電極の一端から他端までを直線としたときの一辺の長さに対して１０〜５０％の範囲で形成されると都合がよい。
かかる構成によれば、発光装置は、素子が第１基板電極あるいは第２基板電極に対してより有効なセルフアライメントを行い、かつ、ハンダボールの抑制をより有効に行うことが可能となる。
【００１４】
さらに、請求項３に記載の発光装置は、請求項１又は請求項２に記載の発光装置において、前記第１延出部が、前記素子の外側周縁における一辺の中央に対して対称となるように配置された構成とした。
かかる構成によれば、発光装置は、第１延出部が中央に一箇所あるいは２箇所以上であっても、素子の一辺の中央に対して対称となる位置に配置されるので、加熱溶融接続材の塗布されたときの状態が、表面張力により上から見たときに素子の一辺の中央に出っ張っている場合が多いことから、リフロー時に加熱溶融接続材をバランスよく第１延出部により導いてハンダボールの発生をより効率的に抑制する。
【００１５】
また、請求項４に記載の発光装置は、請求項１又は請求項２に記載の発光装置において、前記第１基板電極が、その角部に対角線方向に延びる第３延出部をさらに備え、前記第３延出部は、前記素子の外側周縁より外側に延出する構成としてもよい。
かかる構成によれば、発光装置は、例えば、加熱溶融接続材の塗布量が多くなり、第１基板電極の角部側まで覆うような場合に、第３延出部に沿って加熱溶融接続材が流れて付着することになり、加熱溶融接続材の塗布量が多い場合であっても、第１基板電極及び第２基板電極に実装される素子の高さ位置を他の素子の高さと揃えることができる。
また、前記発光装置において、前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である構成としてもよい。また、前記発光装置において、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である構成としてもよい。さらに、前記発光装置において、前記第２延出部の幅は、前記第１延出部の幅よりも小さい構成としてもよい。そして、前記発光装置において、前記第２基板電極の第１延出部の幅は、前記第１基板電極の第１延出部の幅よりも大きい構成としてもよい。
【００１６】
そして、請求項９に記載の発光装置は、矩形状の素子の外側周縁より内側に形成された第１素子電極及び第２素子電極に対面するように実装基板上に形成された第１基板電極及び第２基板電極に、加熱溶融接続材を介して前記素子を実装する発光装置において、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、前記第１素子電極及び第２素子電極における外側周縁の少なくとも一部に一致する形状に形成され、前記第１基板電極は、前記素子の外側周縁よりも内側に略矩形状に形成されると共に、当該第１基板電極の外側周縁から内側に凹状に切欠かれて形成された切欠凹部を備え、前記第２基板電極は、前記第１基板電極の切欠凹部に沿って離間した位置に形成され、前記第１基板電極及び前記第２基板電極は、その外側周縁の一部が、前記素子の外側周縁より外側に、前記素子の外側周縁よりも内側となる当該基板電極の辺側から延出する第１延出部を備え、前記第１延出部は、矩形状の前記素子の外側周縁における各辺に対して少なくとも一箇所以上形成され、前記第２基板電極は、その第１延出部が、対面する前記第２素子電極より接続面積を大きく形成して前記素子の外側周縁より外側に延出した部分であること、又は、前記第１基板電極の切欠凹部に対する配置を前記第２素子電極に対面する配置から外側にして前記素子の外側周縁より外側に延出した部分である構成とした。
【００１７】
かかる構成によれば、発光装置は、実装基板に素子が実装されるときに、加熱溶融接続材がリフローされて溶融した場合、第１基板電極及び第２基板電極における少なくとも一部が、第１素子電極及び第２素子電極に、対面して一致する形状に形成されているために、溶融した加熱溶融接続材の表面張力によりセルフアライメントされて所定の実装位置に素子が納まる。そして、発光装置は、セルフアライメントされるときに、第１基板電極及び第２基板電極に、第１延出部を備えていることから、加熱溶融接続材がその第１延出部に沿うことになり、表面張力により外部にハンダボールを形成することがない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る発光装置は、以下に示すように優れた効果を奏するものである。
発光装置は、第１延出部及び第２延出部を備えることで、加熱溶融接続材がリフロー時にハンダボールを発生させることを抑制すると共に、セルフアライメント性も確保されるので、量産時の組み立てを行うときの位置のばらつきの影響が少なく高品質な製品になる。
発光装置は、特に、第２延出部を第１延出部に沿って備えることで、加熱溶融接続材のリフロー時の第２基板電極側に集中して流れることを防ぎ、第１基板電極と第１素子電極との接続状態を良好とする。
発光装置は、第１基板電極に第３延出部をさらに備えることで、加熱溶融接続材で接続される素子のリフロー後の高さをより揃えることができる。
発光装置は、第１延出部があることで、加熱溶融接続材がリフロー時にハンダボールの発生することを抑制すると共に、セルフアライメント性も確保される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る発光装置の第１実施形態において、実装基板の第１基板電極及び第２基板電極と、発光素子の第１素子電極及び第２素子電極との構成及び位置関係を模式的に示す分解斜視図である。
【図２】本発明に係る発光装置の全体を模式的に示す斜視図である。
【図３】本発明に係る発光装置の第１基板電極及び第２基板電極を示す平面図である。
【図４】本発明に係る発光装置のリフロー後における加熱溶融接続材の状態を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｈ）は、本発明に係る実装基板に加熱溶融接続材を介して発光素子を実装する状態を模式的に示す斜視図及び断面図である。
【図６】本発明に係る発光装置の第２実施形態において、実装基板を模式的に示す平面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る発光装置の第３実施形態において、実装基板及び発光素子を模式的に示す底面図及び平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｆ）は、本発明に係る発光装置の第４〜第６実施形態において、発光素子の底面図及び実装基板の第１基板電極及び第２基板電極の平面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る発光装置の第７実施形態において、第１基板電極に第３延出部を形成した状態を示す平面図である。
【図１０】本発明に係る発光装置の発光素子と第１基板電極及び第２基板電極との関係を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る発光装置の実施をするための形態について、図面を参照して説明する。
図１及び図２に示すように、発光装置１は、中央が凹状に形成された実装基板２０と、この実装基板２０の中央の凹状部分に実装されるＬＥＤチップ等の発光素子（素子）１０とを備えている。なお、発光装置１は、例えば、実装基板２０の中央の凹状に形成した部分の回りをケースＣとし、中央の発光素子１０の実装位置となる基板の上面２０ａに配線パターンＨｐが形成されており、その配線パターンＨｐに連続する基板電極（第１基板電極２、基板第２電極３等）にハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを塗布して電気的に発光素子１０と接続し、その発光素子１０を覆うように充填された樹脂Ｐを介して光を照射するように構成されている。また、発光装置１は、必要に応じて発光素子１０を安定して動作させる保護素子（例えばツェナーダイオード）Ｚｄが実装基板２０に実装される構成として使用される。
【００２１】
発光素子１０は、ここでは、実装基板２０の上面２０ａに設けられた実装部となる第１基板電極２及び第２基板電極３の上にフリップチップ実装される。この発光素子１０は、その一面側に、発光部１１（光取り出し部）を備え、その他面側に、第１素子電極１２及び第２素子電極１３を備えている。発光素子１０は、例えば、少なくとも発光層を有し、基板上に第１導電型半導体、発光層及び第２導電型半導体がこの順に形成される半導体積層構造を備え（図示せず）、この半導体積層構造に電流を供給する電極が設けられた半導体発光素子構造を有している。
なお、発光素子１０は、これらの構成に限定されるものではなく、他の半導体材料を用いて構成するようにしてもよく、適宜保護層や反射層（図示せず）などを備えるように構成してもよい。
【００２２】
また、発光素子１０は、例えば白色発光させる場合には、図示しない青色発光する半導体発光素子構造の外側を、蛍光体若しくは蛍光体を含む樹脂等からなる蛍光体層で覆う構成としてもよい。例えば、青色発光する半導体発光素子構造には、黄色発光する、セリウムで賦活されたＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体、又は（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ等のシリケート系蛍光体と組み合わせて白色発光の発光素子１０とすることができる。
なお、発光素子１０の発光部１１は、光を照射することができればその発光色あるいは構造を、ここでは、特に限定されるものではない。
【００２３】
図１に示すように、発光素子１０の他面側に形成された第１素子電極１２及び第２素子電極１３は、当該発光素子の外側周縁よりも内側となる位置に形成されている。
そして、第１素子電極１２は、対向する一方の両辺が直線状に形成され、さらに、対向する他方の両辺に内側に凹状に切欠かれた切欠凹部１２ｃ，１２ｃが形成されている。
また、第２素子電極１３は、第１素子電極１２の切欠凹部１２ｃに沿って離間した位置に形成されている。第２素子電極１３は、切欠凹部１２ｃの曲線に沿った形状の曲線とその曲線の両端をつなぐ直線とで囲まれたＤ字形状に形成されている。そして、第２素子電極１３は、外側周縁の直線部分が第１素子電極の外側周縁の直線部分と同一線上になるように配置されている。なお、第１素子電極１２及び第２素子電極１３の材質は、素子電極として使用されるものであれば、特に限定されるものではない。
【００２４】
実装基板２０は、所定の配線パターンＨｐ（例えば、基板電極等）が形成されると共に、ハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを介して発光素子１０を実装するものである。この実装基板２０は、例えば、アルミナセラミックスのシートを積層して支持基板とし、その支持基板上に、金属膜等を積層して構成されている。実装基板２０は、その所定位置に（凹状に）形成した上面２０ａに発光素子１０の第１素子電極１２及び第２素子電極１３に対応する形状に形成された第１基板電極２及び第２基板電極３と、外部の駆動回路と電気的に接続するための外部接続用電極端子（図示せず）とを有している。
【００２５】
図１及び図３に示すように、実装基板２０の第１基板電極２は、発光素子１０のＰ型電極となる第１素子電極１２に、第１延出部２ｂ，２ｂを除いて、その電極体２ａの形状が対面させたときに一致するように形成されている。つまり、第１基板電極２は、その外側周縁において第１延出部２ｂを除く部分の直線部分及び曲線部分が第１素子電極１２の外側周縁と対面したときに一致する形成となっている。この第１基板電極２は、ここでは、電極体２ａの一方の対向する両辺に形成された第１延出部２ｂ、２ｂと、電極体２ａの他方の対向する両辺に形成された切欠凹部２ｃ，２ｃと、を備えている。
【００２６】
第１延出部２ｂは、後記する第２基板電極３の第１延出部３ｂと同様に、リフロー時にハンダボールを発生させないためのものである。この第１延出部２ｂは、電極体２ａの一方の両辺における中央に形成され、実装される発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側に突出するように形成されている。また、第１延出部２ｂは、その幅Ｌが、後記する第２延出部２ｄと併せて、電極体（第１基板電極２）２ａの一辺（直線としたとき）の長さに対して１０〜５０％の範囲になるように形成されている。この第１延出部２ｂが形成されていることにより、加熱溶融接続材ｋｈがリフロー時にその第１延出部２ｂに沿って流れるようになることで、表面張力によりボール状（ハンダボール）になることを防ぐようになっている（図４参照）。
【００２７】
第１延出部２ｂは、その幅Ｌが、電極体２ａの一辺の長さの１０％より小さくなると、面積が小さくなりすぎて、ハンダボールの発生を防ぐことが困難になる。また、第１延出部２ｂの幅Ｌが、電極体２ａの一辺の長さの５０％を越えると、第１素子電極１２の外側周縁の直線部分との形状が一致する部分が少なくなることで、セルフアライメント性が低下してしまう。したがって、第１延出部２ｂの幅Ｌは、電極体２ａの一辺（直線としたとき）の長さに対して１０〜５０％の範囲になるように形成され、さらに、好ましくは、１０〜４５％の範囲、より好ましくは、１５〜４０％の範囲である。
【００２８】
第１延出部２ｂは、その延出長さについては、特に限定されるものではなく、発光素子１０の外側周縁ｇｓから外側に延出されていればよい。もちろん、他の構成との関係で、第１延出部２ｂの延出長さが大きく形成されても構わない。
また、第１延出部２ｂは、発光素子１０の外側周縁ｇｓから延出されている端部は直線状として、その部分の形状が長方形となるように形成されているが、一定幅で延出された後の形状について特に限定されるものではない。
【００２９】
切欠凹部２ｃ，２ｃは、後記する第２基板電極３を設置するためのエリアを形成しており、電極体２ａの他方における両辺のそれぞれの中央に当該電極体２ａの外側周縁より内側に凹状に切欠いて形成されている。なお、切欠凹部２ｃ，２ｃの位置、形状、大きさ、曲率等は、特に限定されるものではなく、実装される発光素子１０の第１素子電極１２の形状に対応して形成される。
【００３０】
なお、第１基板電極２は、図３に示すように、外周周縁を形成している直線部分および曲線部分において、第１延出部２ｂの位置を除いた直線部分及び切欠凹部２ｃの曲線部分が、発光素子１０の第１素子電極１２の外側周縁における直線部分および切欠凹部１２ｃの曲線部分と対面したときに一致するようになっている。また、発光素子１０の切欠凹部１２ｃに対して第１基板電極２の切欠凹部２ｃの曲線部分が内側に位置することで、その部分でのセルフアライメント後の加熱溶融接続材ｋｈが断面視において逆台形状となり、電極間での加熱溶融接続材ｋｈのショート防止の精度を向上させることができる。
【００３１】
第２基板電極３は、第１基板電極２の切欠凹部２ｃ，２ｃに沿って所定間隔Ｓｐをあけて離間した状態で実装基板２０に形成されている。この第２基板電極３は、発光素子１０の第２素子電極１３の直線部（一辺）に沿って形成された直線部と、第１素子電極１２の曲線部に対応すると共に、第１基板電極２の切欠凹部２ｃに沿って形成された曲線部とにより囲まれたＤ字形状となるようにここでは形成されている。そして、第２基板電極３は、発光素子１０の外側周縁より外側となるように接続部３ａから連続して第１延出部３ｂが形成されている。この第１延出部３ｂは、第２基板電極３の直線部分から所定位置までが発光素子１０の外側周縁よりも外側となるように本来の面積（第２素子電極の面積）より大きくして形成されている。
【００３２】
図１及び図３で示すように、第２基板電極３の接続部３ａは、第２素子電極１３と対面する部分である。また、第２基板電極３の第１延出部３ｂは、電極体２ａの直線から外側となる部分であり、接続部３ａから連続して発光素子１０の外側周縁ｇｓから外側となる部分までとして形成されている。この第１延出部３ｂは、すでに説明した第１基板電極２の第１延出部２ｂと、その延出長さ、形成幅、及び形状等について同様の条件が適用されることになる。なお、第２基板電極３の第１延出部３ｂは、第１基板電極２の第１延出部２ｂよりも幅Ｌ（面積）を大きく形成している。第１延出部３ｂの幅Ｌを大きく形成しているのは、加熱溶融接続材ｋｈが第１基板電極２と第２基板電極３との間隔Ｓｐが有る分、加熱溶融接続材ｋｈが集中しやすく、その分をハンダボールにならないようにするためである。
【００３３】
なお、第２基板電極３は、第１延出部３ｂを除く部分で第２素子電極１３と対面する位置関係となる。また、第２基板電極３は、発光素子１０の外側周縁ｇｓに平行な直線部分に沿った幅全部に亘る部分を第１延出部３ｂとしている。また、発光素子１０の外側周縁ｇｓとは、第１素子電極１２及び第２素子電極１３が形成されている面における半導体積層構造体の外側面の周縁を示す。また、第１基板電極２及び第２基板電極の外側周縁とは、それぞれの電極の外側となる周縁を示す。
【００３４】
なお、発光装置１は、図２に示すように、実装基板２０に発光素子１０の他、保護素子Ｚｄ等を所定の位置に実装している。また、実装基板２０は、はじめに、必要に応じて貫通孔等の穴明が施され、かつ、導体パターンが印刷される等の工程を経た複数のシートを積層し、その中央を凹状とし、その凹状の周囲を側壁としたケースＣの状態で形成される（例えばセラミックパッケージの工程等）。そして、発光装置１では、凹状となる基板の上面２０ａに発光素子１０を実装すると共に、必要な部材を実施したら、発光素子１０を実装している位置に封止部材として樹脂Ｐが充填される。なお、ケースＣの状態とするときに、例えば、アルミナセラミックや導体パターンに、発光素子１０から光に対して反射率の高いに金属メッキ（Ａｕや銀白色の金属、特に反射率の高いＡｇやＡｌ等の金属を用いるのが好ましい）して形成される等、発光装置１のケースＣとして使用される形態であれば、特に限定されるものではない。
【００３５】
図２に示すように、封止部材としての樹脂Ｐは、発光素子１０の全体及び実装基板２０の凹部分の上部（上面２０ａ及びケースＣとなる内側面２０ｂの一部）を封止するとともに、発光装置１の光取り出し方向である凹部分から上方側に光取り出し面を有する。これによって、樹脂Ｐは、発光素子１０の外気による劣化を防止する。また平面視において、樹脂Ｐの（外形の）ほぼ中心に発光素子１０を配置することで、光取り出し面に対して発光素子１０から光を均一に照射することができる。更に、樹脂Ｐにおける光取り出し面を半球面とし、平面視でこの半球面のほぼ中心に発光素子１０を配置することで、半球面に入射する光の入射角が、全反射の臨界角以上となることを抑制することができる。
なお、このほか樹脂Ｐの光取り出し面は、半球面、球面から扁形された凸曲面、砲弾型、凹曲面などの所望の形状とし、光を集光、拡散させるレンズとして機能させることもできる。樹脂Ｐは、透明な樹脂、ガラスなどからなる。樹脂Ｐとしては、例えば、硬質シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３６】
つぎに、図５を参照して実装基板２０に発光素子１０を実装するときの状態を説明する。なお、図５に示す状態は、ケースＣの状態に形成された実装基板２０における凹状の部分について図示したものとする。
図５（ａ）、（ｂ）に示すように、電極形成工程において、実装基板２０に第１基板電極２及び第２基板電極３が形成されている。第１基板電極２及び第２基板電極３は、露光作業等により実装基板２０に他の回路と一緒に形成される。
図５（ｃ）、（ｄ）に示すように、塗布工程において、実装基板２０の第１基板電極２及び第２基板電極３にハンダペースト等の加熱溶融接続材ｋｈを塗布する。
図５（ｅ）、（ｆ）に示すように、素子載置工程において、発光素子１０を加熱溶融接続材ｋｈ上に載置する。このとき、図５（ｆ）に示すように、加熱溶融接続材ｋｈは、発光素子１０から外側にはみ出した状態となっている。
【００３７】
図５（ｇ）、（ｈ）に示すように、リフロー工程において、加熱溶融接続材ｋｈを加熱する。このときに、第１基板電極２及び第２基板電極３にそれぞれ第１延出部２ｂ，３ｂが形成されているので、加熱溶融接続材ｋｈは、その第１延出部２ｂ，３ｂに沿ってなだらかに流れ、表面張力により外部に分離することがなくなる。したがって、図４及び図５（ｈ）に示すように、加熱溶融接続材ｋｈは、第１素子電極１２と第１基板電極２との対面している位置、及び、第２素子電極１３と第２基板電極３との対面している位置、ならびに、第１延出部２ｂ，３ｂの上面に位置することになる。つまり、発光素子１０は、フリップチップ実装によって電気的及び機械的に実装基板２０の第１基板電極２と第２基板電極３に実装されるときに、ハンダボールを発生させることがない。
【００３８】
また、リフロー工程において、発光素子１０は、加熱溶融接続材ｋｈの表面張力によりセルフアライメントを行うように移動して適切な位置に移動することになる。なお、セルフアライメントの動作を発生させるように、発光素子１０の載置位置をあえて第１基板電極２及び第２基板電極３の適切な位置から回転方向に所定角度ずらし、リフロー時に加熱されてセルフアライメントを発生させて適切な位置になることを一つの設置判断としても構わない。つまり、セルフアライメントを起こさない発光素子１０があった場合には、その発光素子１０あるいは第１基板電極２及び第２基板電極３に何かの不具合があるとして判断するようにしても構わない。
【００３９】
第１基板電極２及び第２基板電極３の構成により、リフロー工程において、発光素子１０がセルフアライメントの動作を維持し、かつ、加熱溶融接続材ｋｈがハンダボールの発生を抑制されることになる。
実装基板２０に発光素子１０あるいはその他の必要な素子（保護素子Ｚｄ等）が実装されると、その後、ケースＣの凹部分、つまり、発光素子１０が実装されている部分に封止部材としての樹脂Ｐが充填されて発光装置１が製造される。
したがって、発光装置１は、製造工程において、第１延出部２ｂ，３ｂ及び第２延出部２ｄにより、ハンダボールを発生させることがなく、量産時の組み立てを行うときのばらつきの影響が少なく高品質な製品になる。
【００４０】
また、発光装置１は、点灯する場合には、つぎのような動作となる。発光装置１は、外部接続用電極端子において外部の駆動回路（不図示）に接続され、実装基板２０の上面２０ａ側に配設された配線パターンである金属膜を介して第１基板電極２及び第２基板電極３で電気的に接続された発光素子１０に電力を供給する。発光素子１０は電力の供給を受けて発光し、発光素子１０の外部に樹脂Ｐを介して光を出射する。
【００４１】
また特に、発光素子１０をフリップチップ実装する場合には、例えば、図６に示すような構成の第１基板電極２の構成であることが望ましい。図６において、すでに説明した発光装置１の構成において同じ構成は同じ符号を付して説明を省略する。図６において、図３と異なる部分は、第２延出部２ｄがさらに形成されている点である。
第１基板電極２と第２基板電極３とは、間隔Ｓｐをあけて離間している。そのため、リフロー時に加熱溶融接続材ｋｈが第２基板電極３側に集まり易くなっている。したがって、加熱溶融接続材ｋｈが必要以上に、第２基板電極３に集まらないように、ここでは、第２延出部２ｄを第１延出部３ｂの切欠凹部２ｃの縁となる両側に沿って形成している。第２延出部２ｄ，２ｄは、第１基板電極２の直線部分から曲線部分の区切りとなる位置（直線部分の第２基板電極３側となる端部）に形成されている。
【００４２】
図６に示すように、第２延出部２ｄは、第２基板電極３の第１延出部３ｂと同じ延出長さとなるように、発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側となるように形成されている。また、第２延出部２ｄは、第１延出部３ｂの幅Ｌよりも小さい幅となるように形成されている。そして、第２延出部２ｄは、図３の構成と同様に、その第１基板電極２の一辺を一端から他端まで直線としたときに、第１延出部２ｂと合計した幅が、５０％を超えないように形成されている。なお、第２延出部２ｄ及び第１延出部２ｂの合計の幅が、５０％を越えないようにしている理由は、すでに述べた第１延出部２ｂの構成と同じ理由である。
【００４３】
この第２延出部２ｄが形成されていることにより、リフロー時に加熱溶融接続材ｋｈは、必要以上に第２基板電極３側に流れこむことが抑制され、発光素子１０の第１素子電極１２と第１基板電極２の間に位置する加熱溶融接続材ｋｈにボイド等の不具合を抑制することが可能となる。この第２延出部２ｄは、第１基板電極２および第２基板電極３が形成されるときに、同様にして実装基板２０に形成される。なお、本実施例における発光素子１０は、図２で示すものと同じ構成となる。
【００４４】
また、図７（ｂ）に示すような構成の第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａとしてもかまわない。なお、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａの構成では、図７（ａ）に示すような発光素子１０Ａの構成が使用されることになる。また、第１延出部２ｂ１及び第２延出部２ｄ１の大きさの関係および一辺に対する割合の範囲はすでに説明したものと同じである。
【００４５】
図７（ａ）に示すように、発光素子１０Ａは、一面側（表面側）に発光部（図示せず）を有し、他面側に、第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａを備えている。
第１素子電極１２Ａは、外側周縁より内側となる面の全体が電極となっており、かつ、電極凹部１２Ａ１が所定間隔で複数形成されている。そして、第１素子電極１２Ａは、対向する一方の両辺Ａ１，Ａ２は直線で形成され、対向する他方の両辺Ａ３，Ａ４に内側に切り欠いて切欠凹部１２ｃ１が形成されている。切欠凹部１２ｃ１は、半円弧凹部１２ｃ１１と、この半円弧凹部１２ｃ１１から連続して、対向あるいは隣接する辺側に延びる凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４とから構成されている。
【００４６】
凹溝部１２ｃ１３は、隣接する辺Ａ１，Ａ２に平行となるように形成され、辺Ａ３から辺Ａ４に向かって１／３程度の切欠き深さとなるように形成されている。また、凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１４は、凹溝部１２ｃ１３を中央として左右対称に形成されている。そして、凹溝部１２ｃ１２は、辺Ａ２のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ａ４に向かって凹溝部１２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。また、凹溝部１２ｃ１４は、辺Ａ１のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ａ４に向かって凹溝部１２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。
【００４７】
第２素子電極１３Ａは、第１素子電極１２Ａの切欠凹部１２ｃ１，１２ｃ１に所定間隔Ｓｐをあけた位置にそれぞれ形成されている。この第２素子電極１３Ａは、それぞれ辺Ａ３，Ａ４と同一直線上に形成した直線部分とその直線部分の両端から切欠凹部１２ｃ１に沿って形成された曲線部分とからなる砲弾形状にそれぞれ形成されている。なお、第２素子電極１３Ａ、１３Ａのそれぞれは、凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４に沿って形成された補助電極１３Ａａ，１３Ａｂ，１３Ａｃを備えている。そして、ここでは、切欠凹部１２ｃ１の部分、つまり、半円弧凹部１２ｃ１１と、この半円弧凹部１２ｃ１１から連続する凹溝部１２ｃ１２、１２ｃ１３、１２ｃ１４との部分に、絶縁保護膜（ハッチング縦線で示す部分）により覆われた状態になっている。したがって、第２素子電極１３Ａ、１３Ａの電極面は、第１素子電極１２Ａの電極面と絶縁保護膜で離間されており、絶縁保護膜に覆われることなく露出した状態となっている。
【００４８】
図７（ｂ）に示すように、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａは、発光素子１０Ａの第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａに加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）を介して接続（実装）される。第１基板電極２Ａは、一方の対向する辺Ｂ１，Ｂ２に第１延出部２ｂ１，２ｂ１がそれぞれ形成され、他方の対向する辺Ｂ３，Ｂ４には、内側に凹状に切欠いて切欠凹部２ｃ１，２ｃ１が形成されている。
第１延出部２ｂ１，２ｂ１は、すでに説明した第１延出部２ｂ，２ｂと同じ構成であるので説明を省略する。
【００４９】
また、切欠凹部２ｃ１，２ｃ１は、それぞれ第１素子電極１２Ａの切欠凹部１２ｃ１に対面したときにほぼ一致する曲線部分を備える形状に形成されおり、半円弧凹部２ｃ１１と、この半円弧凹部２ｃ１１から連続して、対向するあるいは隣接する辺側に切り欠いて延びる凹溝部２ｃ１２，２ｃ１３，２ｃ１４から構成されている。
【００５０】
凹溝部２ｃ１３は、隣接する辺Ｂ１，Ｂ２に平行となるように形成され、辺Ｂ３から辺Ｂ４に向かって１／３程度の切欠き深さとなるように形成されている。また、凹溝部２ｃ１２、２ｃ１４は、凹溝部２ｃ１３を中央として左右対称に形成されている。そして、凹溝部２ｃ１２は、辺Ｂ２のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ｂ４に向かって凹溝部２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。また、凹溝部２ｃ１４は、辺Ｂ１のほぼ中央に向かうように所定角度に傾斜して形成され、対向する辺Ｂ４に向かって凹溝部２ｃ１３とほぼ同じ切欠き深さとなるまで形成されている。
【００５１】
図７（ｂ）に示すように、切欠凹部２ｃ１，２ｃ１の縁の両側には、第２延出部２ｄ１，２ｄ１がそれぞれ形成されている。この第２延出部２ｄ１，２ｄ１は、その延出長さが後記する第１延出部３ｂ１よりもｄ１で示すように短くなるように形成されている。また、第２延出部２ｄ１，２ｄ１は、幅が後記する第１延出部３ｂ１よりも小さくなるように形成されている。
【００５２】
第２基板電極３Ａは、長方形の一端側が第１基板電極２Ａの切欠凹部２ｃ１に沿って円弧状に形成された形状であり、当該一端側が第２素子電極１３Ａの曲線部分に沿って対面したときに一致する形状となっている。そして、第２基板電極３Ａは、他端側となる直線部分側が発光素子１０Ａの外側周縁ｇｓよりも外側になるようにして第１延出部３ｂ１が形成されている。つまり、第２基板電極３Ａは、第２素子電極１３Ａと対面する接続部３ａ１と、この接続部３ａ１に連続する第１延出部３ｂ１とを備えている。
このように、実装基板２０（図１参照）では、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａに第１延出部２ｂ１を形成していると共に、対向する一方の第１延出部２ｂ１，２ｂ１に沿って第２延出部２ｄ１，２ｄ１をそれぞれ幅が特定の範囲（一辺における幅の割合）となるように形成しているので、セルフアライメントを維持しながら、加熱溶融接続材ｋｈが第２基板電極３Ａ側に集中することを防ぐと共に、加熱溶融接続材ｋｈのハンダボールとなることを防ぐことができる。
【００５３】
なお、この発光素子１０Ａの第１素子電極１２Ａ及び第２素子電極１３Ａと、第１基板電極２Ａ及び第２基板電極３Ａとの形状において、特に、加熱溶融接続材ｋｈがハンダボールを発生しにくい形状になっている。また、実装基板側の切欠凹部２ｃ１，２ｃ１に凹溝部２ｃ１２〜２ｃ１４を形成し、かつ、発光素子１０Ａ側の切欠凹部１２ｃ１，１２ｃ１に凹溝部１２ｃ１２〜１２ｃ１４を形成していることにより、セルフアライメント性を向上することができる。
【００５４】
また、第２基板電極が第１基板電極に対して２つある構成について説明したが、例えば、図８（ａ）〜（ｆ）に示すように、第２基板電極が第１基板電極に対して一つの構成であっても、すでに説明したように、セルフアライメントを維持してハンダボールの発生を防止することができる。
すなわち、図８（ａ）に示すように、発光素子１０Ｂの第１素子電極１２Ｂは、長方形の長辺の一方に内側に切り欠いた切欠凹部１２ｃ２が形成され、その切欠凹部１２ｃ２に沿って半円弧形状の第２素子電極１３Ｂが形成されている。
【００５５】
そして、図８（ｂ）に示すように、第１基板電極２Ｂは、一方の対向する両辺に第１延出部２ｂ２，２ｂ２を形成し、かつ、他方の対向する一方の辺に第１延出部２ｂ２を形成すると共に、他方の辺に切欠凹部２ｃ２、第２延出部２ｄ２，２ｄ２を形成する構成としている。第１基板電極２Ｂでは、各辺の長さに応じて第１延出部２ｂ２の幅も大きさも比例して大きくなるように形成されている。
第２基板電極３Ｂは、長方形の一端側となる短辺を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｂは、接続部３ａ２から連続して、発光素子１０Ｂの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ２を形成している。
このように、発光素子１０Ｂの電極構成により第２基板電極３Ｂが第１基板電極２Ｂの一方の辺にしか配置されない構成であっても、すでに説明した構成と同様に発明の効果を達成することができる。
【００５６】
また、図８（ｃ）に示すように、発光素子１０Ｃは、長方形の一角に切欠凹部１２ｃ３を形成して、その切欠凹部１２ｃ３に沿って第２素子電極１３Ｃを配置した第１素子電極１２Ｃを備えている。なお、切欠凹部１２ｃ３は、凹溝部１２ｃ３１が第１素子電極の一方の短辺側に向かって当該第１素子電極１２Ｃのほぼ半分まで形成されている。
【００５７】
そして、図８（ｄ）に示すように、第１基板電極２Ｃは、長方形の一角に切欠凹部２ｃ３を形成すると共に、各辺に第１延出部２ｂ３を形成している。切欠凹部２ｃ３には、第１基板電極２Ｃの一方の短辺側に向かって当該第１基板電極２Ｃのほぼ半分まで凹溝部２ｂ３１が形成されている。第１基板電極２Ｃの長辺側及び一方の短辺側では、第１延出部２ｂ３が、その辺においてほぼ中央に形成さている。また、切欠凹部２ｃ３に隣接する第１基板電極２Ｃの辺においては、第１延出部２ｂ３が、その切欠凹部２ｃ３の縁から連続して形成されるように配置されている。
【００５８】
第２基板電極３Ｃは、長方形の一端側において一方の角を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｃは、接続部３ａ３から連続して、発光素子１０Ｃの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ３を備えている。この第２基板電極３Ｃに形成された第１延出部２ｂ３は、発光素子１０Ｃの矩形となる４辺のうちの一辺において、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３と並列した状態で形成されている。また、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３は、二点鎖線で示すように他の配線との接続を行うために実線で記載した位置よりも外部にさらに長く形成するように構成しても構わない。
【００５９】
なお、第１基板電極２Ｃのように、面積の割合が図３のものと比較して小さく、かつ、各辺の長さが小さい場合には、第２基板電極３Ｃの第１延出部３ｂ３に対して、第１基板電極２の第１延出部２ｂ３は、図６で示す第２延出部の役割も兼ねることになる。つまり、第２基板電極３Ｃに対して、第１基板電極２Ｃの第１延出部２ｂ３の一つが、切欠凹部２ｃ３の縁の一方から発光素子１０Ｃの外側周縁ｇｓの外側になるように形成されていることで、当該第１延出部２ｂ３の本来の機能と併せて、その形成位置により第２基板電極３Ｃに加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）の集中を防止する（第２延出部２ｄの機能）ことができる。
【００６０】
さらに、図８（ｅ）、（ｆ）で示す構成としても構わない。図８（ｅ）に示すように、発光素子１０Ｄは、正方形の一角に切欠凹部１２ｃ４を形成して、その切欠凹部１２ｃ４に沿って第２素子電極１３Ｄを配置した第１素子電極１２Ｄを備えている。なお、切欠凹部１２ｃ４は、凹溝部１２ｃ４１が第１素子電極１２Ｄの対角方向に向かって当該第１素子電極１２Ｄのほぼ半分（中央）まで形成されている。
【００６１】
そして、図８（ｆ）に示すように、第１基板電極２Ｄは、正方形の一角に切欠凹部２ｃ４を形成すると共に、各辺の中央に第１延出部２ｂ４を形成している。切欠凹部２ｃ４には、第１基板電極２Ｄの対角方向に向かって当該第１基板電極２Ｄのほぼ半分まで凹溝部２ｃ４１が形成されている。第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４は、同じ幅で同じ縁出長さに形成されている。また、ここでは、第１基板電極２Ｄは、切欠凹部２ｃ４の縁となる両側の位置にそれぞれ第１延出部２ｂ４，２ｂ４が形成される構成としている。
【００６２】
第２基板電極３Ｄは、長方形の一端側において一方の角を円弧状にした形状に形成されている。この第２基板電極３Ｄは、接続部３ａ４から連続して、発光素子１０Ｄの外側周縁ｇｓより外側になるように形成した第１延出部３ｂ４を備えている。この第２基板電極３Ｄに形成された第１延出部３ｂ４は、発光素子１０Ｄの矩形（正方形）となる４辺のうちの一辺において、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４と並列した状態で形成されている。また、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４は、二点鎖線で示すように他の配線との接続を行うために実線で記載した位置よりも外部にさらに長く形成するように構成しても構わない。
【００６３】
なお、第１基板電極２Ｄのように、面積が図３のものと比較して小さく、かつ、各辺の長さが小さい場合には、第２基板電極３Ｄの第１延出部３ｂ４に対して両側に位置する第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４，２ｂ４は、図６で示す第２延出部の役割も兼ねることになる。つまり、第２基板電極３Ｄに対して、第１基板電極２Ｄの第１延出部２ｂ４，２ｂ４が、切欠凹部２ｃ４の縁から発光素子１０Ｄの外側周縁ｇｓの外側になるように形成されていることで、当該第１延出部２ｂ４の本来の機能と併せて、その形成位置により第２基板電極３Ｄに、リフロー時において加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）の集中を防止する（第２延出部２ｄと同じ機能）ことができる。
【００６４】
以上説明したように、第１基板電極２Ｃ，２Ｄのように、第１基板電極の第１延出部２ｂ３，２ｂ４が、第２基板電極３Ｃ，３Ｄに対して、切欠凹部２ｃ３，２ｃ４の片側あるいは両側に沿って形成されることで、第１延出部２ｂ３，２ｂ４は、本来の機能と併せて、その第１基板電極の第２延出部の機能を兼ねる構成となる場合もある。
【００６５】
また、すでに説明した第１基板電極２，２Ａ等で示す角部分に図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第３延出部１０２ａ、１０２ｂを形成するようにしても構わない。なお、図９（ａ）、（ｂ）において、すでに説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図９（ａ）に示すように、第１基板電極２は、その４つの角部に第３延出部１０２ａを形成している。この第３延出部１０２ａは、発光素子１０の外側周縁ｇｓよりも外側となるように形成されている。また、この第３延出部１０２ａは、第１延出部２ｂの幅、又は、第１延出部２ｂ及び第２延出部２ｄとの合計の幅が、第１基板電極の一辺を直線としたときの５０％を超えることがないように形成されている。また、第３延出部１０２ａの形状は、図面では、角部に長方形を接続した形状として示しているが、その外側となる先端側は、円弧形状であっても構わない。
【００６６】
また、図９（ｂ）に示すように、すでに説明した第１基板電極２Ａの角部に第３延出部１０２ａを形成しても構わない。この第３延出部１０２ａは、すでに説明したものと同じ条件で形成される。
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、第３延出部１０２ａを第１基板電極２，２Ａが備えることで、加熱溶融接続材ｋｈ（図４、図５参照）の塗布量が多くなり厚く塗られていても、リフロー時にその加熱溶融接続材ｋｈが第３延出部１０２ａ側に沿うように流れるので、発光素子１０を実装したときの高さを揃えることが可能となる。なお、加熱溶融接続材ｋｈの塗布量が多い場合には、第１基板電極２，２Ａの角部分を覆うように加熱溶融接続材ｋｈが塗布されることから、塗布量が多いときのみに、第３延出部１０２ａに沿って加熱溶融接続材ｋｈを流すことができ、塗布量が適量であるときには、第３延出部１０２ａは機能しないことになる。
【００６７】
また、図１０に示すように、第１基板電極５２と第２基板電極５３がほぼ同じ大きさで隣接して配置された構成であっても、第１基板電極５２と第２基板電極５３にそれぞれ第１延出部５２ｂ、５３ｂが形成されていれば、ハンダボールの発生を防止することが可能となる。
【００６８】
第１基板電極５２及び第２基板電極５３の構成では、使用する発光素子１０Ｅも矩形状であり外側周縁ｇｓより内側に並列に形成された第１素子電極及び第２素子電極（図示せず）が形成されている。そして、すでに説明した構成と同じように、加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）を介してセルフアライメントにより発光素子を実装するものとなる。なお、第１基板電極５２及び第２基板電極５３がほぼ同じ大きさである場合には、電極の正負を誤認しないように、ここでは、一方の電極体５３ａに直線部分を有する形状とし、他方の電極体５２ａには曲線を有する形状に形成している。そして、矩形の発光素子１０Ｅの長辺側において、外側周縁ｇｓから外側に延出する第１延出部５２ｂ，５３ｂが発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ延出となるように配置している。このように、第１基板電極５２及び第２基板電極５３では、長辺に対する第１延出部５２ｂ，５３ｂの幅の割合を増やしてハンダボールの発生の防止を図っている。このように発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ配置される場合には、当該辺の中央に対して対称となる位置であることが望ましい。
【００６９】
以上説明したように、第１基板電極および第２基板電極に第１延出部あるいは第２延出部（さらに第３延出部）を形成することで、セルフアライメントの機能を維持して、ハンダボールの発生を防止することが可能となる。なお、第２基板電極は、発光素子１０の外側周縁ｇｓに沿う直線部分の全部幅を、接続部から連続して第１延出部とするようにしたが、その外側周縁の直線部分の一部の幅部分を第１延出部としても構わない。また、第２基板電極は、接続部から連続して第１延出部を形成し、第２素子電極と対面して接合する部分の面積を大きくした部分を第１延出部として示したが、第２素子電極と対面する面積を変えずに、第２基板電極の位置を移動させ、その移動したことで、発光素子１０の外側周縁ｇｓより外側となった部分を第１延出部として構成しても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明の発光装置は、照明用光源、ＬＥＤディスプレイ、液晶表示装置などのバックライト光源、信号機、照明式スイッチ、各種センサ及び各種インジケータ、動画照明補助光源、その他の一般的な民生品用光源等に好適に利用できる。
【符号の説明】
【００７１】
１      発光装置
２      第１基板電極
２ａ    電極体
２ｂ    第１延出部
２ｃ    凹部
２ｄ    第２延出部
３      第２基板電極
３ａ    接続部
３ｂ    第１延出部
１０    発光素子（素子）
１１    発光部
１２    第１素子電極
１２ｃ  凹部
１３    第２素子電極
２０    実装基板
２０ａ  上面
２０ｂ  側面
Ｃ      ケース
Ｈｐ    配線パターン
Ｐ      樹脂
Ｓｐ    所定間隔
Ｓｐ    間隔
Ｚｄ    保護素子
ｇｓ    外側周縁
ｋｈ    加熱溶融接続材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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