(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側の半導体層、および前記下側の半導体層の一部分の上に配置された上側の半導体層を含む最上側部、および前記最上側部の反対側の底面を有する半導体ダイであって、前記下側の半導体層と前記上側の半導体層が同じ導電タイプであり、前記下側の半導体層が前記上側の半導体層よりも高度にドープされており、前記半導体ダイが前記下側の半導体層の最上部の下側コンタクト面から上方へと突き出た複数のメサを含み、前記複数のメサの各々が前記上側の半導体層の一部分を含み、かつ、前記上側の半導体層の上に配置され、前記下側の半導体層の下側コンタクト面から上方に突き出た前記複数のメサの各々の上にショットキー接合を形成し、前記複数のメサの隣り合うメサから離して設けられた上側の半導体層の最上部の上の上側コンタクト面を規定する第１の金属層、を有する半導体ダイと、
前記半導体ダイの前記底面がダイ装着用支持体の最上面に取り付けられるダイ装着用支持体と、
前記半導体ダイおよび前記ダイ装着用支持体を封入するハウジングと、
前記ハウジングから延びる間隔を置かれて設けられた複数の外部導体であって、前記間隔を置かれた複数の外部導体のうちの少なくとも１つがその一方の端部にボンド・ワイヤ用ポストを有する外部導体と、
前記ボンド・ワイヤ用ポストのうちの１つと前記複数のメサに共通した第１のコンタクト領域との間に延びる第１のボンディング・ワイヤとを有する電力用半導体デバイス。
【請求項２】
前記上側および下側の半導体層が窒化ガリウムで構成される、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項３】
前記１つのボンド・ワイヤ用ポストと前記半導体ダイの前記上側コンタクト面上にあってかつ前記複数のメサに共有される第２のコンタクト領域との間に延びる第２のボンディング・ワイヤをさらに含む、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１および第２のボンディング・ワイヤが１２５マイクロメートルの厚さを有する、請求項３に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項５】
前記コンタクト領域が３７５マイクロメートルの辺寸法を備えた実質的に正方形の領域である、請求項３に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項６】
前記ワイヤ用ポストのうちの他の１つと前記半導体ダイの前記下側コンタクト面上の第１のコンタクト領域との間に延びる第２のボンディング・ワイヤをさらに含む、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体ダイが、８アンペアの順方向電圧で動作することが可能なダイオードである、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項８】
前記ボンド・ワイヤ用ポストのうちの前記他の１つと前記半導体ダイの前記下側コンタクト面上の第２のコンタクト領域との間に延びる第３のボンディング・ワイヤをさらに含む、請求項６に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項９】
ショットキー・ダイオードである、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１０】
前記メサが、前記半導体ダイの中央にある中心領域から両方向に反対に延びる細長い平行の指片の列を形成する、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１１】
下側の半導体層、および前記下側の半導体層の一部分の上に配置された上側の半導体層を含む最上側部を有する半導体ダイであって、前記下側の半導体層と前記上側の半導体層が同じ導電タイプであり、前記下側の半導体層が前記上側の半導体層よりも高度にドープされている半導体ダイと、
前記半導体ダイの最上側部の前記上側の半導体層の上に配置され、前記下側の半導体層の下側コンタクト面から上方に突き出た複数のメサの各々の上にショットキー接合を形成する第１の金属層であって、前記複数のメサの各々が前記上側の半導体層の一部分を含み、かつ前記複数のメサの隣り合うメサから離して設けられた上側の半導体層の最上部の上の上側コンタクト面を規定する第１の金属層と、前記第１の金属層の上に配置されて前記メサ上のショットキー・デバイスの各々と電気的コンタクトを作り出し、かつ第１の電極ボンディング表面を形成する第２の金属層と、
前記下側の半導体層の複数の部分の上に配置され、それらとオーミック・コンタクトを作り出す第３の金属層と、
前記第３の金属層の上に配置され、第２の電極ボンディング表面を形成する第４の金属層と、を有する電力用半導体デバイス。
【請求項１２】
第１および第２のボンディング電極を有するダイ装着用支持体をさらに有し、前記ダイの前記第１および第２の電極ボンディング表面が前記第１および第２のボンディング電極にそれぞれ電気的接続を作り出すように前記ダイの前記最上側部が前記ダイ装着用支持体の最上面に取り付けられる、請求項１１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ダイがハンダまたは熱伝導性のエポキシによって前記ダイ装着用支持体に直接取り付けられる、請求項１２に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第２および第４の金属層がハンダ付け可能な金属層である、請求項１１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第２および第４の金属層が前記ダイの前記最上面上に実質的に長方形の個別のボンディング領域を形成し、各々の領域が誘電体材料の領域によって他の領域から隔てられる、請求項１１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第２の金属層は、アノード接触金属を含み、
前記第４の金属層は、カソード接触金属を含む、請求項１１に記載の電力用半導体デバイス。
【請求項１７】
前記半導体ダイの前記最上側部は、さらに、前記複数のメサの各一つに配置された上部接触表面を含み、前記メサの前記上部接触表面に対してショットキー接触を形成する、請求項１に記載の電力用半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はパッケージ化された半導体デバイスに関し、さらに特定すると、大電力型の窒化ガリウム半導体デバイスを封入するためのリードフレームとパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、共通の譲受人に譲渡され、かつ本願明細書に参照で組み入れる２００４年２月１７日に提出された米国特許出願番号１０／７８０３６３号に関連する。
【０００３】
ダイオードのような半導体デバイス、（ＭＯＳＦＥＴのような）ＭＯＳ電界効果型デバイスなどはシリコン半導体ウェハ内に共通して形成され、それが個々のデバイスまたは集積回路を含むダイへと切断される。ダイはメタライズ処理された複数のパッドまたは他の電極を有し、それらがＭＯＳＦＥＴのソース、ゲート、およびドレイン領域の電極、あるいはダイオードのアノードおよびカソード電極へと電気的に接続される。これらのパッドはまた、ダイの上側表面上に形成され、ワイヤ・ボンディングされ、ダイの導電性電極領域からリードフレームの平坦な接続ポスト領域へと延びる配線用のボンディング領域としてもはたらく。これらのポスト領域が今度は他方で、フレームから平行して延び、かつプリント回路基板上にデバイスを実装するように構成された外部リード導体へと接続される。これらの外部リード導体は、リードフレームおよびダイをオーバーモールドする成型品のハウジングを通って延びる。パッケージ化処理の効率を高めるためにリードフレームは複数の同じ区分を含み、各々がシングルパッケージ化される半導体デバイスに対応し、それらが別々のダイ・ボンドとワイヤ・ボンド、およびオーバーモールディング処理を受けるように同時に処理される。その後、個々のデバイスはモールディング処理の後に分離される。最終デバイスのパッケージ設計はよく知られている工業用パッケージ規格、例えばＴＯ−２２０、ＴＯ−２４７、ＤＰＡＫ、Ｄ２ＰＡＫ、ＴＯ−２６３、またはその他のパッケージ形状因子と一致もしくは準拠することが可能である。
【０００４】
オプトエレクトロニクスおよび他の用途に使用するための窒化ガリウム半導体デバイスの開発はそのようなデバイスのための新たなパッケージ化の要求条件を提示し、その一方で製造経済の配慮およびピン互換性に関する顧客の要望はそれでもそのようなパッケージが工業的に受け容れられるパッケージ様式に一致することを指示してきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電力用半導体デバイスのための改善されたパッケージを提供することが本発明の目的である。
【０００６】
工業的に受け容れられるパッケージ様式に一致する窒化ガリウム半導体デバイス用のパッケージを提供することが本発明の別の目的である。
【０００７】
向上した信頼性および低い製造コストのためのリードフレーム構造および半導体デバイス構造を提供することが本発明の別の目的である。
【０００８】
フリップ・チップ技術を使用した半導体デバイスのパッケージ化のための改善された方法を提供することが本発明のさらに別の目的である。
【０００９】
本発明の付加的な目的、利点、および新規性のある特徴は、以下の詳細な説明を含めた本開示から、ならびに本発明の実践によって当業者に明らかになるであろう。好ましい実施形態を参照して本発明が以下で説明されるが、本発明がそれに限定されないことは理解されるはずである。本願明細書の教示へのアクセスを有する当業者は他の分野での付加的な応用例、改造例、および実施形態を認識するであろうが、それらは本出願に開示され、かつ権利主張されるような本発明の範囲内にあり、それらに関して本発明は有用である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
簡単に、かつ総括的に述べると、本発明は下側のコンタクト面から上方に突き出た複数のメサを含む最上面を有する半導体ダイを含むパッケージ化された半導体デバイスを提供し、メサの各々は前記下側コンタクト面の一部分によって前記複数のメサの隣り合うそれから分離された上側のコンタクト面を規定する。
【００１１】
このデバイスは、ダイの底部がダイ実装用支持体の最上面に取り付けられるダイ実装用支持体、および半導体ダイとダイ実装用支持体を包み込むハウジングをさらに有する。
【００１２】
間隔を置かれた複数の外部導体がハウジングから延び、それら外部導体のうちの少なくとも１つがその一方の端部にボンド・ワイヤ用ポストを有する。ボンド・ワイヤ用ポストと、半導体ダイの上側コンタクト面上の複数のメサに共通のコンタクト領域との間にボンディング・ワイヤが延びる。
【００１３】
したがって本願明細書に述べられる本発明の方法およびデバイスは、その信頼性、制御性、および安定性を向上させるように複数のデバイスおよび／または他の半導体デバイス構造と関連させて利用されることが可能である。したがって本発明は、能動領域を規定するメサ構造を利用するいずれかの半導体デバイス、特にＩＩＩ−Ｖ族半導体デバイスに当てはまる。
【００１４】
本発明の特性と見なされる新規性のある特徴は、特に添付の特許請求項に述べられる。しかしながら本発明自体は、その付加的な目的および利点と共に、その構造と動作の方法の両方に関して、添付の図面と関連付けて読むときの以下の特定の実施形態の説明から最もよく理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のこれらおよび他の特徴と利点は添付の図面と結び付けて読むときの以下の詳細な説明を参照することによってさらによく理解され、さらに充分に評価されるであろう。
【００１６】
本発明の詳細が、その範例の態様および実施形態を含めてここで述べられるであろう。図面および以下の説明に関すると、同様の参照番号は同様の、もしくは機能的に類似した素子を識別するために使用され、高度に簡略化された図式的な様式で範例の実施形態の主要な特徴を例示するように意図されている。さらに、図面は実際の実施形態のすべての特徴を描くように意図されているわけでもなければ、描かれた素子の相対的寸法を描くように意図されているわけでもなく、縮尺通りに作図されていない。
【００１７】
図１Ａ、１Ｂ、および１Ｃを参照すると、リードフレームに装着され、かつ本発明による特徴を有する半導体ダイ１０５の断片的な透視図のセットが示されている。特に、それぞれの図には支持体１０４に取り付けられ、その前部の壁から平行して延びるリードもしくは電極１０１、１０２、および１０３が示されている。リード１０１および１０３は半導体ダイ１０５の能動領域と電気的接触を形成することが可能であり、その一方で中央のリード１０２はパッケージ自体の中の他の装着素子と電気的接触を形成することが可能である。
【００１８】
支持体１０４は成型されたプラスティック材料で構成されることが好ましく、リードフレームを封入する。半導体ダイ１０５はエポキシ１０６によって支持体１０４に装着される。ワイヤ・ボンド１０８および１０９は半導体ダイ１０５の最上面の能動領域と、リード１０１および１０３上のワイヤ・ボンドのランド用パッド１１０または支持体１０４表面上のワイヤ・ボンドのランド用領域もしくはパッド１０７との間に電気的接続を形成するために使用される。
【００１９】
特に、図１Ａは第１のワイヤ・ボンディング配列を備えた本発明による半導体パッケージの前面の透視図を示している。特に、ワイヤ・ボンド１０８はリード１０３へと電気的に接続され、ワイヤ・ボンド１０９はパッド１０７へと電気的に接続される。
【００２０】
図１Ｂは図１Ａに示されたパッケージの後方の透視図であり、リード１０３へと接続された一方のワイヤ・ボンド１０８、およびパッド１０７へと接続された他方のワイヤ・ボンド１０９を備えたワイヤ・ボンディングを示している。パッド１０７は中央のリード１０２へと電気的に接続される。
【００２１】
図１Ｃはワイヤ・ボンディングの第２の実施形態で本発明によるパッケージの後方の透視図を示しており、一方のワイヤ・ボンド１０８が第１のリード１０３へと接続され、他方のワイヤ・ボンド１０９が第２のリード１０１へと接続されている。
【００２２】
図２および３は本発明によるリードフレームの平面図を描いている。さらに特定すると、図２は単一のダイ１０５を備えたリードフレームを例示しており、図３は２つのダイ１０５Ａおよび１０５Ｂを備えたリードフレームを例示している。両方の図で、中央のリード１０２はグラウンドへと接続される。
【００２３】
好ましい実施形態では、半導体デバイスは大電力用ダイオードであり、アノードとカソードはパッケージ化されたダイの２つの別々のボンディング電極（これらはリードとも称され、パッケージ化されたリードフレームはそれを３本有する）へと取り付けられる。多数のワイヤがダイ自体からこれら２本のリードの各々へと進むそれもやはり本発明の範囲内にある。したがって、ダイの構成および使用されるボンディング・ワイヤのタイプに応じて、アノードから出る複数のボンディング・ワイヤがあることが可能であり、カソードから出る複数のボンディング・ワイヤがあることが可能である。大電力用ダイオードに加えて、ＧａＮ電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、あるいは集積化および産業界のニーズに合致するための複数のダイオードおよび複数のＦＥＴのいずれかの組み合わせを含めた他のＧａＮデバイスがこのパッケージの中に組み入れられることもやはり可能である。多数のダイとパッケージとの間の必要な相互接続を供給するために１つのダイから他のダイへ、ならびにリードフレームへのワイヤ・ボンド接続が為されることが可能である。どのような数のダイも、割り当てられたスペースにそれらが嵌まり込むと仮定するとこのパッケージの中に含まれることが可能である。
【００２４】
好ましい実施形態では、２本の５ミル（「ミル」は１０００分の１インチ。１インチは約２．５４ｃｍ。以下同様。）のアルミニウム・ワイヤがダイのカソード端子へと接着され、そのようなワイヤが、今度は他方で中央のリードへと接続される。
【００２５】
２本の５ミル（５ｍｉｌ）のアルミニウム・ワイヤがやはりダイのアノード端子へと接着され、そのようなワイヤが、今度は他方で最も右のリードへと接続される。
【００２６】
電力用デバイスの要求条件は、サージ電流を持ちこたえるために充分な径（合計のワイヤ面積）をカソードおよびアノード用のワイヤ・ボンドが有することを必要とする。これに関して、高いサージ電流を持ちこたえるために２本の５ミルのＡｌワイヤよりも径を上げることが必要となる。標準的なＧａＮショットキー・ダイオードのダイのケースでは、２本の５ミルのワイヤは８．２ｍｓの正弦波半周期のパルス列（６０Ｈｚ連続波）の２０〜３０Ａのサージ電流を持ちこたえることが可能であろう。さらに高いサージ電流能力については、１０ミルまたは１５ミルのＡｌワイヤが使用されなければならない。他の実施形態では、ワイヤが金で作製されて２ミルの細さであることが可能であるが、しかしアノードからリードへの合計のワイヤの厚さ（すべてのワイヤの合計）を８ミル（このケースではカソードとアノードの各々について４本の２ミル（２ｍｉｌ）のワイヤでパッケージ内では合計８本のワイヤ）よりも大きくすることを必要とする可能性が高い。
【００２７】
図４は本発明による窒化ガリウム半導体デバイスの拡大された平面図であり、図３にダイ１０５Ａまたは１０５Ｂで例示されるデバイス上のワイヤ・ボンディングのコンタクト領域を示している。図４の中で指定されるＡ−Ａ平面を貫通して見られるような図５で例示されるデバイスの断片的な断面図を調べることによって分かるであろうが、このデバイスはメサ構造として構成され、プレーナ領域４０１がプレーナ領域４０３よりも高い準位にある。
【００２８】
さらに特定すると、第１の領域４０１の表面上に２つのワイヤ・ボンディング領域４０２と４０７が示されて図５に示されるような能動性のショットキー金属へのコンタクトを代表し、第２または低い方の領域４０３上に２つのワイヤ・ボンディング領域４０８と４０９が示されて能動性のオーミック金属へのコンタクトを代表する。
【００２９】
図５は、図４に示されたＡ−Ａ平面を貫通する本発明による半導体の構造の断片的なｓ詳しい断面図である。
【００３０】
特に、サファイヤ基板５０１、高度にドープされたＧａＮの（ｎ＋）層５０２、および層５０２の複数の部分の上に堆積した長い（ｎ−）ドープ層５０３が示されている。図４にさらに特定して示されるように、層５０３は「指片」４０５にレイアウトされており、ダイ１０５Ａを二分する中心線から反対方向に延びる。ショットキー接合を形成するためにニッケルのような金属がｎ−ＧａＮ層５０３の上に堆積させられ、それにより、結果的に得られるデバイスはショットキー・ダイオードとなる。
【００３１】
能動性のショットキー金属の上にプラチナのようなバリヤ金属が堆積させられ、そのバリヤ金属の上にアルミニウムのような金属プレート層が堆積させられる。この金属プレート層は図４の領域４０１を形成し、ダイオードの一方の端子への電気的コンタクト部を表わし、さらに特定すると、ダイ１０５Ａの中央の領域に置かれる各々約３７５ミクロンの長さの２つの実質的に正方形のボンディング・パッドもしくは領域４０２と４０７として表わされる。
【００３２】
同様に、ｎ＋のＧａＮ層に対する能動性のオーミック・コンタクトがＡｌ／Ｔｉで作られ、それが大きめの指片４０５の間に相対的に狭い領域４０６を形成する。このオーミック・コンタクト層の上にプラチナのようなバリヤ金属が堆積させられ、今度は他方でこのバリヤ金属層の上にアルミニウムのような金属プレート層が堆積させられる。この金属プレート層は図４の領域４０３を形成し、ダイオードの第２の端子への電気的コンタクト部を表わし、さらに特定するとチップ１０５Ａの対向する側もしくは周縁側に位置付けられる各々約３７５μの辺長の２つの実質的に正方形のボンディング・パッドもしくは領域４０８と４０９で表わされる。
【００３３】
図6は図4に示されたA−A平面を貫通する、本発明による別の実施形態の断片的で詳細な断面図である。さらに特定すると、第1の誘電体操６０１がダイの第1の部分で能動性のオーミック層を覆い、アノード接着金属層が堆積させられて「指片」４０５の各々と電気的コンタクトを作り出し、かつダイの一方の側でアノードのボンディング・パッド領域を形成する。同様に、アノード接着金属層の上に第2の誘電体層が堆積させられ、カソード接着金属層が堆積させられてオーミック・コンタクトと電気的コンタクトを作り出すことを可能にするビアを有する。そのようなカソード金属層はダイの他方の側で図7に例示されるようなボンディング・パッド領域を形成する。全体的なデバイスの抵抗値を下げるためのショットキー接続とオーミック接続の両方に必要な金属積層の詳細は、2005年1月6日に提出された米国特許出願番第11/030,554号「GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES」に詳しく述べられている。
【００３４】
理論的には、ラテラルＧａＮショットキー・ダイオードについては所定の電流密度に関する最も低い順方向動作電圧は図４に示されるような狭い指片形状のショットキー・コンタクト領域を使用することによって得られ、それは低ドープのｎ−ＧａＮ層での横方向の電流の広がりを最適化する。付け加えると、金属の広がり抵抗を下げるためにオーミック金属トレースもやはり最適化される。しかしながら、指片形状のショットキー・メサ領域はアノードおよびカソードの相互接続のための長いショットキーおよびオーミックの金属トレースを必要とし、大きな単一の金属製コンタクト・パッドとは対照的に一層大きなコンタクト金属の広がり抵抗につながる。結果として、順方向動作の直列抵抗が増大し、不均一に分布する電流を生じさせる。ショットキーとオーミック金属トレースの両方での一様に配分された多数のワイヤ・ボンドの使用は金属の広がり抵抗を下げることが可能であるけれども、パッケージ化のコストもやはり増大する。電流の広がりの不均一性に加えて、ＧａＮ／サファイヤのエピタキシャル層ショットキー・ダイオードの熱抵抗は、サファイヤ基板の貧弱な熱伝導率のせいでシリコンまたはＳｉＣのダイオードよりもはるかに高い。能動領域の直ぐ上に効率的な熱伝導体が使用されないという事実と組み合わせると、結果として生じる動作時の接合部温度の上昇は、デバイスの動作範囲の制限と同様にデバイスの信頼性に有害である。
【００３５】
フリップ・チップ処理は、ダイのエピタキシャル側をヒート・シンクまたは実装素子に直接実装することによって熱抵抗を大幅に下げる。フリップ・チップ法を用いる一般的な方式は、最初にダイをサブマウントに取り付け、その後、このサブマウントをパッケージのリードフレームに取り付けることである。しかしながら、付加的なサブマウントとダイの取り付けが合計のパッケージ化のコストに加わるであろう。
【００３６】
本発明の一実施形態は、チップの表面上に適切な電極を作製し、その後、フリップ・チップ法を介してリードフレーム上に直接ダイの取り付けを行なうことである。
【００３７】
本発明による処理またはデバイス作製の工程の順序は以下のように述べられることが可能である。
１．サファイヤ基板、高度にドープされたＧａＮの（Ｎ＋）層、および軽くドープされたＧａＮの（Ｎ−）層（真性のＧａＮがＮ−ＧａＮに置き換えられることが可能である）から成るエピタキシャル構造の上に金属層を堆積させる。金属とＮ−ＧａＮ層がショットキー・コンタクトを形成するはずである。このショットキー金属はショットキー・ダイオード・デバイスのアノード金属としてもやはりはたらく。
２．単一の電極あるいは多数の電気的に隔離されたアイランドであることが可能なメサを形成する。（工程１と工程２の順序は代替例として入れ換えられることが可能である）。
３．残りのＮ＋層の上にｎ型のオーミック金属を堆積させる。このｎ型のオーミック金属はショットキー・ダイオード・デバイスのためのカソード・コンタクト部としてはたらく。
４．アノード金属層の大部分、およびカソード金属層の選択された部分の上に開口を備えた誘電体層を堆積させる。この誘電体層はカソード・コンタクト領域からアノードを隔離するように機能する。
５．単一の電極金属層を堆積させる。それは、
・処理工程４に述べられたアノード開口部を通じてアノード・メサ構造に共通接続を供給する。
・工程４に述べられた前記カソード開口部を通じてカソード金属を足場とする。
・この工程５が２つの異なった金属蒸着工程、すなわち第１にアノードをコーティングし、第２にカソードをコーティングする工程に分割され得るということが分かる。
６．カソードおよびアノードの金属の表面の一部または全部を露出させる２つの開口部を備えた誘電体層を堆積させる。この誘電体層はアノードをカソード領域から隔離しなければならない。
７．カソードとアノードの両方を、工程６に述べられた開口部を通じて次段のパッケージへと相互接続するための相互接続金属トレースを堆積させる。
８．（場合によって、）高電圧でのアーク発生を防止するためにボンディング・パッドの一部が誘電体の非導電層（図示せず）でコーティングされることが可能である。
９．工程６または７のどちらかを完了した後に、導電性エポキシまたはハンダ付けによってチップをリードフレームに取り付ける。
【００３８】
上述の処理工程または構成要素の各々、あるいは２つ以上が共に、上述のタイプとは異なる他のタイプの構成で有用な用途を見出すこともやはり可能であることは理解されるであろう。
【００３９】
窒化ガリウム構造のためのパッケージ化された半導体デバイスとして本発明が例示されてきたが、本発明の精神からいずれにせよ逸脱することなく様々な改造および構造的変更が為され得るので、本発明は示された細部に限定されるように意図されるものではない。
【００４０】
さらなる分析を待たずに、前述の説明は本発明の主旨を充分に明らかにしており、他者は最新の知識を応用することによって、先行技術の見地から本発明の一般的もしくは特定の態様の本質的特徴を殆ど構成する特徴を除外することなくこれを様々な用途に容易に適応させるであろう。したがって、そのような適応例は添付の特許請求項の真意および同等の範囲の中に包含されるべきであり、そのように意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】様々な異なるワイヤ・ボンディング構造を備えた本発明によるパッケージ化された半導体デバイスを示す透視図である。
【図１Ｂ】様々な異なるワイヤ・ボンディング構造を備えた本発明によるパッケージ化された半導体デバイスを示す透視図である。
【図１Ｃ】様々な異なるワイヤ・ボンディング構造を備えた本発明によるパッケージ化された半導体デバイスを示す透視図である。
【図２】本発明による、単一の半導体ダイを備えたリードフレームを示す詳細な平面図である。
【図３】本発明による、２つの半導体ダイを備えたリードフレームを示す詳細な平面図である。
【図４】本発明による窒化ガリウム半導体構造を拡大して示す詳細な平面図である。
【図５】図４に示されたＡ−Ａ平面を貫通して本発明による半導体構造を断片的に示す詳細な断面図である。
【図６】図４に示されたＡ−Ａ平面を貫通して本発明による別の実施形態を断片的に示す詳細な断面図である。
【図７】図６の実施形態の半導体構造を示す平面図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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