(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板と、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板との間の放電空間を仕切り、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板間の距離を一定に支える複数の支持用リブとを有し、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板とを封着するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板のいずれか一方に、断面の幅が前記支持用リブの断面の幅より太い嵩上げ用リブを形成し、
前記嵩上げ用リブの少なくとも頂面を覆うようにシール層を形成した後、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板をそれぞれの接合面で重ね合わせ位置を決定して位置決めし、
その後レーザ光を照射して前記シール層を局所加熱して前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板を封着することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，表示装置に用いるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、前面基板と背面基板を対向してはり合わせ、基板周辺でシール層を用いて封着し、内部に放電ガスを封入した構成を取る。
【０００３】
通常のＰＤＰは、前面側のガラス基板に表示電極となる維持電極対を有し、背面側のガラス基板にアドレス電極を有する３電極の面放電型構造をとる。
【０００４】
通常のＰＤＰでは、放電を仕切るための隔壁（リブ）よりも厚くシール層を形成し、前面側ガラス基板、背面側ガラス基板を位置合わせして重ねる。その後に、パネル全体を加熱することでシール層を軟化させ、前面側ガラス基板と背面側ガラス基板を封着してパネルを形成する。
【０００５】
特開平２００５−３４７２００号公報（特許文献１）では、平面型画像表示装置の２枚の基板間に配置されたスペーサの固定の例として、スペーサの両端に導電性成分とガラス化成分を含む固定材で固定する方法、レーザ加熱装置などによる固定部材を加熱溶融してスペーサと基板を接着する固定手法が開示されている。
【０００６】
また第３回次世代ディスプレイシンポジウム（２００６年１１月８日）では、ＰＤＰの封着技術として、レーザ照射による封着技術に関し、封着工程のタクト短縮を目的として、レーザ照射による局所加熱の適用についての発表がなされた。ここでは局所加熱で生じる熱応力に由来するガラスの割れについて検討が行われている。
【０００７】
このように、局所加熱によるレーザ封着が適用できれば、シール封着工程のタクト短縮が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平２００５−３４７２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＰＤＰの前面ガラス基板と背面側ガラス基板の間の距離はリブで規定される。通常この前面ガラス基板と背面側ガラス基板の間の距離は約１００μｍであり、基板に割れを生じることなく封着が可能な程度シール厚が薄い場合には、前背面基板間のギャップを埋めるには厚みが足りない問題が新たに分かった。
【００１０】
またＰＤＰでは、前背面ガラス基板それぞれに電極が配置されている。その電極はシールを跨いでパネルの外側に引き出されている。レーザ照射によりシールを軟化させる場合には、前面側ガラス基板または背面側ガラス基板の少なくともどちらか一方からレーザを照射する必要がある。この際、電極越しにレーザ照射される箇所が発生する。電極でレーザ光がさえぎられると、電極直下の部分は加熱され難く、封着が不十分になる問題が発生する。
【００１１】
図１はこのＰＤＰにおける電極とシールの位置関係を説明する上面透視図である。
【００１２】
ＰＤＰの前面側ガラス基板１には維持電極対１０１が、背面側ガラス基板２にはアドレス電極２０１が形成されている。前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２が重なる表示面の外周には、シール層４が形成されている。
【００１３】
このシール層４と維持電極対１０１またはアドレス電極２０１の交点（図上では＃Ａ、＃Ｂを例に上げる）で上記の問題が生じる。
【００１４】
本発明の目的は、熱応力によるガラスの割れを発生させること無く、局所加熱によるレーザ封着方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００１７】
本発明の代表的な実施の形態は、前面側ガラス基板と、背面側ガラス基板と、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板との間の放電空間を仕切り、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板間の距離を一定に支える複数の支持用リブとを有し、前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板とを封着するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板のいずれか一方に、断面の幅が前記支持用リブの断面の幅より太い嵩上げ用リブを形成し、前記嵩上げ用リブの少なくとも頂面を覆うようにシール層を形成した後、前記前面側ガラス基板または前記背面側ガラス基板をそれぞれの接合面で重ね合わせ位置を決定して位置決めし、その後レーザ光を照射して前記シール層を局所加熱して前記前面側ガラス基板と前記背面側ガラス基板を封着することを特徴とする。
【００１８】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、嵩上げ用リブの高さは支持用リブの高さより低いことを特徴としても良い。
【００１９】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、シール層は嵩上げ用リブの少なくとも頂面を覆う形で構成されることを特徴としても良い。
【００２１】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、嵩上げ用リブの断面の幅は支持用リブの断面の幅より太いことを特徴としても良い。
【００２２】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、嵩上げ用リブの光の吸収率が前面側ガラス基板または背面側ガラス基板のいずれか一方の光の吸収率と略同一であることを特徴としても良い。
【００２３】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、嵩上げ用リブの光の吸収率が前面側ガラス基板または背面側ガラス基板のいずれか一方の光の吸収率よりも低いことを特徴としても良い。
【００２５】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、リブ形成ステップでは、嵩上げ用リブと同時に放電空間を支える支持用リブも形成することを特徴としても良い。
【００２６】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、シール層形成ステップでは、嵩上げ用リブの片側面又は両側面も覆う形でシール層を形成することを特徴としても良い。
【００２７】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、リブ形成ステップで形成される嵩上げ用リブが内周側及び外周側の少なくとも二重以上の構造で形成されることを特徴としても良い。
【００３０】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、レーザ光はリブ形成ステップで嵩上げ用リブが設けられなかったガラス基板を透過して照射されることを特徴としても良い。
【００３１】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、レーザ光はリブ形成ステップで嵩上げ用リブが設けられたガラス基板を透過して照射されることを特徴としても良い。
【００３２】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、嵩上げ用リブの光の吸収率と、嵩上げ用リブが設けられたガラス基板の光の吸収率が略同一であることを特徴としても良い。
【００３３】
このプラズマディスプレイパネルの製造方法において、嵩上げ用リブの光の吸収率は、嵩上げ用リブが設けられたガラス基板の光の吸収率よりも低い値であることを特徴としても良い。
【００３６】
このプラズマディスプレイパネルにおいて、重ね合わされた面から見てアドレス電極をパネル外へ引き出す電極部分と嵩上げ用リブの交点箇所で引き出し電極が櫛歯状に構成されていることを特徴としても良い。
【発明の効果】
【００３７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００３８】
本発明の代表的な実施の形態に関わるレーザ照射によるシール封着方法を適用することで、製造工程を増やすことなく、ガラス基板の割れを生ぜずにレーザを用いて封着を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】ＰＤにおける電極とシールの位置関係を説明する上面透視図である。
【図２】従来のレーザ封着に関する問題点を説明するための概念図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるレーザ封着を説明するための概念図である。
【図４】嵩上げ用リブ及びリブの形成について説明する工程図である。
【図５】シール層及び嵩上げ用リブが背面側ガラス基板に二重に構成された際の状況を表す概念図である。
【図６】本発明におけるこのシール層の形成の仕方を説明する模式図である。
【図７】図３の形態でのレーザ光照射時の注意点を説明するための概念図である。
【図８】前面側ガラス基板と背面側ガラス基板の張り合わせ時の問題点の概念図である。
【図９】レーザ光入射時の封着の問題点についての概念図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に関わる引き出し電極パターンを採用したＰＤＰの概念図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に関わる別の引き出し電極パターンを採用したＰＤＰの概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、図を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００４１】
（第１の実施の形態）
図２は従来のレーザ封着に関する問題点を説明するための概念図である。また、図２は本発明のレーザ封着方法を説明するための概念図である。
【００４２】
まず、従来のレーザ封着に関する問題点を説明する。
【００４３】
図２（ａ）は、前面側ガラス基板または背面側ガラス基板を密着させる前の状態を表す概念図である。
【００４４】
この図では、前面側ガラス基板１及び背面側ガラス基板２に大別される。背面側ガラス基板２上には低融点ガラス材料を焼成するなど工程により支持用リブ３が設けられている。また前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の接合面の重なり部分の外周で背面側ガラス基板２上にはシール層４が塗布されている。
【００４５】
前面側ガラス基板１は、表示電極となる維持電極対、及びバス電極を形成した後、誘電体層や保護膜を形成したものである。なお、電極や誘電体層などについては本図では省略している。また図中の矢印はレーザ光の照射方向を表す。
【００４６】
背面側ガラス基板２は、アドレス電極及び誘電体層などを形成した後に、支持用リブ３をサンドブラスト法などで形成したものである。なお、アドレス電極及び誘電体層などもここでは省略している。
【００４７】
支持用リブ３は、そのリブ間に格式蛍光対を導入し、また個々の放電空間を確保するためのリブである。設計にもよるが、このリブの高さは約１００μｍである。本実施の形態ではこの支持用リブ３を作製するために、酸化クロムやチタニアなどのフィラーを含まない、焼成収縮が厚み方向で７０％程度の物を用いた。
【００４８】
シール層４は、シール材料（低融点ガラス、無鉛フリットなど）により構成される。プラズマディスプレイパネル内に導入される放電ガスの外部への漏出や大気の流入を防ぐために封着（ここではレーザ光の照射による）後は気密性を有することが必須となる。通常は、樹脂などのバインダ成分と溶剤も含むシールペースト材料を塗布し、乾燥と仮焼成を行って溶剤とバインダ成分を除去した状態で封着工程を行う。
【００４９】
図２（ｂ）は、前面側ガラス基板または背面側ガラス基板を密着後の状態を表す概念図である。
【００５０】
本実施の形態では、前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２を当接して位置合わせをした後に、前面側ガラス基板１を通してレーザ光を照射する。
【００５１】
レーザ光照射前は、シール層４は支持用リブ３より高い高さを有する。しかし、レーザ光を照射すると加熱溶融による粘度低下で形状の変形と、僅かに焼成収縮が発生する。
【００５２】
図２（ｃ）は、この焼成収縮発生後の前面側ガラス基板または背面側ガラス基板を密着後の状態を表す概念図である。
【００５３】
シール層４を仮焼成すると焼成収縮が発生する。レーザ光の照射により基板の割れなく封着できるシール層４の厚みは約２０μｍになる。従って、レーザ封着可能なシール層４の厚みは支持用リブ３の高さを確保できない。結果、このままではシール層４は放電ガスの封入という本来果たすべき機能を果たせなくなる。
【００５４】
図３は、本発明の第１の実施の形態におけるレーザ封着を説明するための概念図である。
【００５５】
図３（ａ）は、基本的には図２（ａ）同様前面側ガラス基板または背面側ガラス基板を密着させる前の状態を表す概念図である。しかし、シール層４形成前に嵩上げ用リブ５を形成している点が本発明の特徴である。
【００５６】
本図においては、嵩上げ用リブ５は背面側ガラス基板２に形成されている。嵩上げ用リブ５の形成は、支持用リブ３の生成と同時に行われることで、工程の追加を行わずに済ませることができる。ただし、これに限られることは無く、例えば図３（ｂ）の様に、前面側ガラス基板１側に嵩上げ用リブ５を形成しても良い。また、図３（ｃ）の様に、前面側ガラス基板１及び背面側ガラス基板２のそれぞれに、嵩上げ用リブ５を形成することも考えられる。
【００５７】
この嵩上げ用リブ５にはシール材を塗布することで、前面側ガラス基板１との気密性を確保するため、前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の接合面の重なり部分の外周のシール層形成位置に形成する（図１のシール層４の位置）。嵩上げ用リブ５の材料としては、レーザ光の吸収が無い、または少ない材料が望ましい。
【００５８】
図４は、嵩上げ用リブ５及び支持用リブ３の形成について説明する工程図である。
【００５９】
図４（ａ）は、サンドブラスト法により加工した嵩上げ用リブ５及び支持用リブ３の焼成前の形成を示す。この際に、背面側ガラス基板２表面からの嵩上げ用リブ５及び支持用リブ３の高さは同じで良い。ただし、嵩上げ用リブ５の断面の幅は支持用リブ３の断面の幅より太いものとする。一般に、焼成収縮のあるリブ材料（低融点ガラス材料）を用いた場合、パターン幅が太いほうが高さ方向の焼成収縮が大きく、焼成後嵩上げ用リブ５の高さは支持用リブ３よりも１０−２０μｍ低くなるためである。
【００６０】
図４（ｂ）は、焼成後の嵩上げ用リブ５及び支持用リブ３を表す。既に述べたとおり、焼成を行うと、太い嵩上げ用リブ５の方が狭い支持用リブ３よりも高さは低くなる。この図４（ｂ）に記載した高低差が２０μｍ程度になるようにリブの幅を調整する。
【００６１】
図４（ｃ）は、焼成後の嵩上げ用リブ５の周りにシール層４形成用のシール材を塗布した様子を表す。このようにすることで、レーザ封着が可能な２０μｍ程度の厚みで、前背面基板間の機密性を保つことができ、なおかつ前背面基板間の距離が全面に渡って略一定となるようにシール層４を嵩上げすることが可能となる。なお、結果支持用リブ３よりも低くなれば、本発明は上述の方法に限定するものではない。
【００６２】
また、形成する嵩上げ用リブ５は必ずしも一重である必要は無い。図５はこのシール層４及び嵩上げ用リブ５が背面側ガラス基板２に二重に構成された際の状況を表す概念図である。
【００６３】
図５（ａ）は、嵩上げ用リブ５が二重に形成された背面側ガラス基板２に関する上面図である。この図でも分かるように内外二重の嵩上げ用リブ５を背面側ガラス基板２に設けることで、気密性及び経年変化への対処を行うことができる。
【００６４】
この際、図５（ｂ）のように内外二重の嵩上げ用リブ５の空間にシール材を充填してシール層４を構成しても良い。また、図５（ｃ）のように二組の嵩上げ用リブ５及びシール層４が存在する形でも良い。
【００６５】
また、図５（ｄ）のように、嵩上げ用リブ５の一方を背面側ガラス基板２に、他方を前面側ガラス基板１に設けるような構成を取っても良い。
【００６６】
この嵩上げ用リブ５の形成後、シール材を塗布してシール層４を形成する。本発明におけるこのシール層４の形成の仕方としては図６に表す。
【００６７】
図６は、本発明におけるこのシール層４の形成の仕方を説明する模式図である。
【００６８】
図６（ａ）は、嵩上げ用リブ５がガスバリア性を有する場合の模式図である。嵩上げ用リブ５がガスバリア性を有する場合には、嵩上げ用リブ５の頂面にのみにシール層４を形成するだけでよい。
【００６９】
一方、図６（ｂ）は、嵩上げ用リブ５がガスバリア性を持たない場合の模式図である。嵩上げ用リブ５がガスバリア性を持たない場合には、嵩上げ用リブ５の頂面から背面側ガラス基板２にいたるまでの側面（嵩上げ用リブ５の片側面でも、図６（ｃ）のように両側面でも良い）にシール層４を形成する。シール層４は、バインダ成分を除去する仮焼成後において、図６（ｂ）又は図６（ｃ）の形状になっていれば良い。シール材料を塗布する時点でそのように塗布しても良いし、図６（ａ）の様にリブ頂面付近にシール材料を塗布しておいて仮焼成時に流動させて図６（ｂ）、又は図６（ｃ）の様に形成しても良い。
【００７０】
このように仮焼成まで行ったシール層４を有する背面側ガラス基板２と前面側ガラス基板１を位置合わせして重ね、嵩上げ用リブ５の頂面のシール層４に前面側ガラス基板１を通してレーザ光を照射する（図２（ｂ）を参照）。この際、パネル周辺を少なくとも１周、すなわち図１の番号４を１周以上、レーザ光を照射する。このレーザ光により、背面側ガラス基板２と前面側ガラス基板１の封着を行うことができる。
【００７１】
このレーザ光の照射方向として考えられるのは、１）前面側ガラス基板１を通過して照射する方法、２）背面側ガラス基板２を通過して照射する方法、の２つが考えられる。この際、考慮すべきことを以下に述べる。
【００７２】
図７は、図３の形態でのレーザ光照射時の注意点を説明するための概念図である。図７（ａ）は前面側ガラス基板１に嵩上げ用リブ５を設けたときの注意点であり、図７（ｂ）は背面側ガラス基板２に嵩上げ用リブ５を設けたときの注意点である。まず図７（ａ）について説明する。
【００７３】
前面側ガラス基板１に嵩上げ用リブ５を設けたときに前面側ガラス基板１からレーザ光を入射させる場合、前面側ガラス基板１だけでなく嵩上げ用リブ５を透過して、シール層４を形成するシール材にレーザ光を照射する必要がある。すなわち、嵩上げ用リブ５に対してもレーザ光の透過性が要求されることとなる。
【００７４】
これは、図７（ｂ）の場合のように背面側ガラス基板２に嵩上げ用リブ５を形成した際に背面側ガラス基板２からレーザ光を入射させる場合も同様である。
【００７５】
この際、嵩上げ用リブ５の光の吸収率は、嵩上げ用リブ５が設けられたガラス基板（図７（ａ）であれば前面側ガラス基板１、図７（ｂ）であれば背面側ガラス基板２の光の吸収率と略同一または嵩上げ用リブ５の吸収率の方が低いことが望ましい。これは、シール層４へのレーザ光の到達量を増やすためである。
【００７６】
最後に、前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の張り合わせ時の問題点について検討する。
【００７７】
図８は、前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の張り合わせ時の問題点の概念図である。
【００７８】
既述の通り、シール層４により前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の張り合わせが行われる。気密性を具備するためには、このシール層４と前面側ガラス基板１との接点が支持用リブ３と前面側ガラス基板１との接点よりも高くなることとなる。
【００７９】
しかし、パネル内圧力は５００Ｔｏｒｒ程度（大気圧より低い）なので、ある程度は前面側ガラス基板１がたわんで追従する。このため、表示領域の周辺を除いてリブトップと前面板は密着することとなる。
【００８０】
しかし、図８の距離ｘ（シール層４に最も近い支持用リブ３とシール層４との距離）があまりにも近いと、前面側ガラス基板１が追従しきれない。このため、支持用リブ３と前面側ガラス基板１との間に隙間ができ、誤放電が生じる。結果表示不良が発生する。
【００８１】
したがって、設計段階において、支持用リブ３と前面側ガラス基板１との間に隙間ができないように、この距離ｘを考慮する必要がある。
【００８２】
このように、本発明を適用することで、ＰＤＰ製造時に局所加熱によるレーザ封着を行うことが可能となる。
【００８４】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００８５】
（発明が解決しようとする課題）でも述べた通り、前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の少なくとも一辺のシール層４上には維持電極対１０１からの引き出し電極（前面側ガラス基板１）またはアドレス電極２０１の引き出し電極（背面側ガラス基板２）が横切ることになる。
【００８６】
図７に示したようにレーザ光を入射する場合には、維持電極対１０１からの引き出し電極部分またはアドレス電極２０１からの引き出し電極部分の上を通過する。これらの電極直下のシール材にはレーザ光が当たらずに封着が不十分になる。
【００８７】
図９は、レーザ光入射時の封着の問題点についての概念図である。例として、維持電極対１０１からの引き出し電極部分がシール層４を横切る図１＃Ｂの箇所を上げる。
【００８８】
図９（ａ）は、図１＃Ｂの拡大図である。
【００８９】
維持電極対１０１からの引き出し電極部分は図の横方向に配線が伸びている。またシール層４は図の縦方向に隔壁が延びる構成を取っている。既述の通り、レーザ光はシール層４による前面側ガラス基板１と背面側ガラス基板２の張り合わせのために照射する。したがってレーザ光はシール層４に沿って照射される。
【００９０】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のａ−Ａ断面の断面図である。
【００９１】
なお、ここまでは前面側ガラス基板１及び背面側ガラス基板２は電極の形成が終わったものを一体として説明していた。これに対し、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）では前面側ガラス基板１では電極に光が当たるか否かが問題となる為、維持電極対１０１からの引き出し電極部分、維持電極対１０１からの引き出し電極部分を保護する誘電体層１１０、及びその他の箇所（図面上では１として表記）に大別して表記する。
【００９２】
図９（ｂ）の様に前面側ガラス基板１側からレーザ光を照射する場合、前面側ガラス基板１の表面に形成され必要に応じて誘電体層１１０で覆われた維持電極からの引き出し電極部分１０１は、誘電体層１１０を挟んでシール層４よりもレーザ光の光源側に位置する。
【００９３】
シール層４はレーザ光を吸収する材料であるため、前面側ガラス基板１とシール層４の界面に近い位置のシール層４が強度の高いレーザ光を吸収し最も加熱される。レーザ照射方向に垂直な方向へは、レーザ照射領域からのシール材料の熱伝導によって、シール層４が加熱される。この熱伝導を考慮しても一定の範囲でレーザ光の当たらない箇所、すなわち軟化が不十分な箇所がシール層（軟化不十分箇所）４０１に生じる。図９（ｂ）では、この範囲を軟化不十分箇所４０１として表している。この軟化不十分箇所４０１は維持電極対１０１からの引き出し電極部分の線幅が太いほどその範囲を広くする。
【００９４】
用途にも拠るが、フルＨＤでの表示が可能なＰＤＰ１枚に対して維持電極対１０１からの片側への引き出し電極部分は１０８０本、アドレス電極２０１は５７６０本存在する。したがって、ＰＤＰ１枚に対して、この軟化不十分箇所４０１は相当数存在することとなる。このままでは封着強度に問題が生じ、ＰＤＰの機密性を保てない問題を生ずることも考えられる。
【００９５】
図１０は、本発明の第２の実施の形態に関わる維持電極対１０２からの引き出し電極部分を採用したＰＤＰの概念図である。
【００９６】
図１０（ａ）は、本実施の形態に関わる維持電極対１０２からの引き出し電極部分を採用した際の図１＃Ｂの拡大図である。
【００９７】
本実施の形態の維持電極対１０２は、シール層４を横切る箇所では櫛歯状の形状を取る。このように櫛歯状に細分して電極を構成することで、レーザ光が照射される位置で過熱されたシール材料からの熱伝導を利用し、軟化不十分箇所４０１を最小限、場合によっては軟化不十分箇所４０１を無くすことが可能となる。
【００９８】
なお、上記では前面側ガラス基板１からレーザ光を入射する場合の維持電極対１０１、１０２からの引き出し電極部分についてのみ述べた。しかし、背面側ガラス基板２からレーザ光を入射する場合のアドレス電極２０１についても適用可能である。
【００９９】
また、櫛歯状より効果は劣るものの、図１１のようにシール層４との交点部分で維持電極対１０３を細くする、またはメッシュ状に細分して電極を構成するというのも方策の一つとしてあることを付言する。図１１は本発明の第２の実施の形態に関わる別の維持電極対１０３を採用したＰＤＰの概念図である。
【０１００】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、ＰＤＰの封着について、特にレーザ封着に関するものである。しかし、気密性を重視する他の製品についても応用することは可能である。
【符号の説明】
【０１０２】
１…前面側ガラス基板、２…背面側ガラス基板、３…支持用リブ、４…シール層、
５…嵩上げ用リブ、１０１、１０２、１０３…維持電極対（バス電極部分を含む）、
１１０…誘電体層、２０１…アドレス電極、４０１…軟化不十分箇所。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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