(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、
下記式（５１Ａ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、
ヒドロシリル化反応用触媒と、
酸化珪素粒子とを含み
前記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ前記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない、光半導体装置用ダイボンド材。
【化１】
0005453326.tif 000017
前記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．２０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、前記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【化２】
0005453326.tif 000018
前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ、ｒ１及びｒ２は、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｒ１／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．４０及びｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、前記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ５４及びＲ５５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【請求項２】
前記式（１）で表される第１のシリコーン樹脂が、下記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂である、請求項１に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
【化３】
0005453326.tif 000019
前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ、ｃ１及びｃ２は、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０、（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０、ｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０及びｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、前記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【請求項３】
前記第１のシリコーン樹脂と前記第２のシリコーン樹脂とのそれぞれのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度が１２００ｍＰａ・ｓ以上、６０００ｍＰａ・ｓ以下である、請求項１又は２に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
【請求項４】
前記第１のシリコーン樹脂が、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用ダイボンド材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項の光半導体装置用ダイボンド材と、
接続対象部材と、
前記光半導体装置用ダイボンド材を用いて前記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子をダイボンディングするために用いられる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）素子などの光半導体素子が、表示装置の光源等に広く用いられている。光半導体素子を用いた光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。
【０００３】
下記の特許文献１には、ＬＥＤ素子が基板上に実装された光半導体装置が開示されている。この光半導体装置では、ＬＥＤ素子は、基板の上面にダイボンド材を用いて接合されている。このダイボンド材は、アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子を３個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサンと、白金触媒と、接着性付与剤とを含む。上記アルケニル基含有ポリオルガノシロキサンは、珪素原子に結合する水酸基量が５０〜３０００ｐｐｍであり、珪素原子に結合したアルケニル基を平均１個以上有し、かつＳｉＯ４／２単位を有するポリオルガノシロキサンを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１４３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記光半導体装置を得る際には、先ず、ダイボンダーと呼ばれる塗布装置を用いて、基板上にダイボンド材を塗布又は積層し、ダイボンド層を形成する。次に、ダイボンド層上に、光半導体素子を積層し、ダイボンド層を硬化させる。その後、光半導体素子の電気的な接続を行うために、ワイヤーボンディングを行う。
【０００６】
特許文献１に記載のような従来のダイボンド材では、ダイボンド材の硬化物が比較的軟らかいことなどに起因して、ワイヤーボンディングを精度よく行うことが困難なことがある。例えば、ワイヤーボンディング時に、ダイボンド材の硬化物が超音波振動を吸収することで、接合を阻害して、ワイヤーボンディング不良が生じることがある。
【０００７】
さらに、従来のダイボンド材を用いた光半導体装置では、光半導体素子からの発光等に起因してダイボンド材の硬化物が高温に晒されると、該硬化物にクラックが生じることがある。
【０００８】
本発明の目的は、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる光半導体装置用ダイボンド材、並びに該光半導体装置用ダイボンド材を用いた光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の広い局面によれば、下記式（１）で表され、かつアリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、下記式（５１）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含み、上記第１のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂が、ジメチルシロキサン骨格を有さない、光半導体装置用ダイボンド材が提供される。
【００１０】
【化１】
0005453326.tif 000002
【００１１】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．２０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【００１２】
【化２】
0005453326.tif 000003
【００１３】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ５４及びＲ５５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【００１４】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のある特定の局面では、上記式（１）で表される第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂である。
【００１５】
【化３】
0005453326.tif 000004
【００１６】
上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ、ｃ１及びｃ２は、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０、（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０、ｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０及びｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【００１７】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記式（５１）で表される第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂である。
【００１８】
【化４】
0005453326.tif 000005
【００１９】
上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ、ｒ１及びｒ２は、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｒ１／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．４０及びｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ５４及びＲ５５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。
【００２０】
上記第１のシリコーン樹脂と上記第２のシリコーン樹脂とのそれぞれのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度が１２００ｍＰａ・ｓ以上、６０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。
【００２１】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の他の特定の局面では、上記第１のシリコーン樹脂は、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂である。
【００２２】
本発明に係る光半導体装置は、本発明に従って構成された光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、式（１）で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第１のシリコーン樹脂と、式（５１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さずかつアリール基及びアルケニル基を有する第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含み、更に上記第１のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さないので、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができ、更に硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２６】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、第１のシリコーン樹脂と、第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒と、酸化珪素粒子とを含む。上記第１のシリコーン樹脂は、式（１）で表され、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。上記第２のシリコーン樹脂は、式（５１）で表され、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基とアルケニル基とを有する。すなわち、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂を含み、該ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂が、上記第１のシリコーン樹脂と上記第２のシリコーン樹脂とを含む。
【００２７】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材では、上記第１のシリコーン樹脂はジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂はジメチルシロキサン骨格を有さない。すなわち、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている上記ヒドロシリル化反応可能なシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。
【００２８】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材における上記組成の採用により、ダイボンダー等の塗布装置を用いて、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を基板等の塗布対象部材上に塗布し、該ダイボンド材上に光半導体素子を積層し、ダイボンド材を硬化させた後、光半導体素子の電気的な接続を行うために、ワイヤーボンディングを行ったときに、ワイヤーボンディングを精度よく行うことができる。すなわち、上記組成の採用により、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを良好にすることができる。特に、上記第１のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さず、かつ上記第２のシリコーン樹脂がジメチルシロキサン骨格を有さないことは、ワイヤーボンディング時の超音波振動を吸収することなく光半導体素子に効率的に伝達し、ワイヤーボンディング時におけるボンダビィリティーを向上することに大きく寄与する。
【００２９】
さらに、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材における上記組成の採用により、特に第１，第２のシリコーン樹脂の双方がアリール基を有するので、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性を高めることができる。ダイボンド材を用いた光半導体装置では、光半導体素子の発光時などに、ダイボンド材の硬化物が高温下に晒される。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化物は、高温に晒されてもクラックが生じ難いので、光半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００３０】
（第１のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第１のシリコーン樹脂は、下記式（１）で表され、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子とを有する。上記第１のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格（ジメチルシロキサン構造単位）を有さない。上記水素原子は、珪素原子に直接結合している。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。上記第１のシリコーン樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
【化５】
0005453326.tif 000006
【００３２】
上記式（１）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．２０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．３０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。なお、上記式（１）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００３３】
上記のように、上記第１のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。従って、上記式（１）で表される第１のシリコーン樹脂は、下記式（１０１）で表される構造単位を有さない。
【００３４】
【化６】
0005453326.tif 000007
【００３５】
ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式（１）で表される第１のシリコーン樹脂は、（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）で表される構造単位を有することが好ましい。この構造単位の導入により、ダイボンド材の硬化物が冷熱サイクルに晒されても、硬化物にクラックが生じ難くなる。
【００３６】
ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式（１）で表される第１のシリコーン樹脂は、下記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。
【００３７】
【化７】
0005453326.tif 000008
【００３８】
上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ、ｃ１及びｃ２は、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．０５〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０、（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０、ｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０．３０〜０．９０及びｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）＝０〜０．２０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アリール基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ４及びＲ５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記式（１Ａ）中、Ｒ６がアリール基及びアルケニル基以外である場合に、Ｒ６は、メチル基ではなく、炭素数２〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。なお、上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００３９】
ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記第１のシリコーン樹脂は、アリール基と、珪素原子に結合した水素原子と、アルケニル基とを有する第１のシリコーン樹脂であることが好ましい。ガスバリア性にさらに一層優れたダイボンド材を得る観点からは、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基、水素原子及びアルケニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。
【００４０】
上記式（１）及び上記式（１Ａ）は平均組成式を示す。上記式（１）及び上記式（１Ａ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１）及び上記式（１Ａ）中のＲ１〜Ｒ６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００４１】
上記式（１）及び上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位における酸素原子部分、及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００４２】
なお、一般に、上記式（１）及び上記式（１Ａ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のシリコーン樹脂を得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１）及び上記式（１Ａ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１）及び後述の式（５１Ａ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことがいえる。
【００４３】
上記式（１）及び上記式（１Ａ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基等が挙げられる。
【００４４】
上記式（１）及び上記式（１Ａ）中にアルケニル基がある場合には、該アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第１のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式（１）及び上記式（１Ａ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
【００４５】
上記第１のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ１）より求められるアリール基の含有比率は３モル％以上、３０モル％以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が３モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が３０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は５モル％以上であることがより好ましい。ダイボンド材の剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、２０モル％以下であることがより好ましい。
【００４６】
アリール基の含有比率（モル％）＝（上記第１のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／上記第１のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００  ・・・式（Ｘ１）
【００４７】
上記式（Ｘ１）中、「第１のシリコーン樹脂」は、「平均組成式が上記式（１）又は上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂」を示す。
【００４８】
フェニル基を有する第１のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００４９】
上記式（１）又は上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００５０】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２）  ・・・式（１−２）
【００５１】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。なお、下記式（１−ｂ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００５２】
【化８】
0005453326.tif 000009
【００５３】
上記式（１−２）及び（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、（１−２）及び（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１）又は上記式（１Ａ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。
【００５４】
上記式（１）又は上記式（１Ａ）で表される第１のシリコーン樹脂において、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００５５】
（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２）  ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２）  ・・・式（１−４）
【００５６】
（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【００５７】
【化９】
0005453326.tif 000010
【００５８】
上記式（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、（１−３）、（１−３−ｃ）、（１−４）及び（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１）又は上記式（１Ａ）中のＲ６と同様の基である。
【００５９】
上記式（１−ｂ）及び（１−ｃ）、式（１−２）〜（１−４）、並びに式（１−２−ｂ）、（１−３−ｃ）及び（１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００６０】
上記式（１）中のａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び上記式（１Ａ）中のａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０．０５以上、０．５０以下である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及びａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなり、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（１）中のａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び上記式（１Ａ）中のａ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、好ましくは０．１０以上、より好ましくは０．１５以上、好ましくは０．４５以下、より好ましくは０．４０以下である。
【００６１】
上記式（１）中のｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び上記式（１Ａ）中のｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０以上、０．２０以下である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及びｂ（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が上記上限以下であると、高温での貯蔵弾性率が高くなる。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及びｂ（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０を超えていてもよく、０．０１以上であってもよい。上記式（１）及び上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位が存在していても、ダイボンド材の硬化物のボンダビィリティーを良好にし、かつ耐熱クラック特性を高めることができる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及びｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が０である場合、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。
【００６２】
上記式（１）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び上記式（１Ａ）中の（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０．３０以上、０．９０以下である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が上記下限以上であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性が高くなる。上記式（１）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）及び上記式（１Ａ）中の（ｃ１＋ｃ２）／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、好ましくは０．４０以上、より好ましくは０．５０以上、好ましくは０．８０以下、より好ましくは０．７５以下である。
【００６３】
上記式（１Ａ）中のｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０．３０以上、０．９０以下であり、かつｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０以上、０．２０以下である。ｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）及びｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方を大きく高めることができる。上記式（１Ａ）中のｃ１／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、好ましくは０．３５以上、より好ましくは０．４０以上、好ましくは０．８０以下、より好ましくは０．７５以下である。ｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）は、０を超えていてもよく、０．０１以上であってもよい。なお、ｃ２が０であり、ｃ２／（ａ＋ｂ＋ｃ１＋ｃ２）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【００６４】
上記第１のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）及び（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の（Ｒ６ＳｉＯ３／２）、（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）、並びに（１−３）及び（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【００６５】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の各構造単位の比率を測定できる。
【００６６】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１）及び上記式（１Ａ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【００６７】
（第２のシリコーン樹脂）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれている第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１）で表され、アリール基と、アルケニル基とを有する。上記第２のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格（ジメチルシロキサン構造単位）を有さない。上記アルケニル基は、珪素原子に直接結合している。上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。上記アリール基としては、無置換のフェニル基及び置換フェニル基が挙げられる。上記第２のシリコーン樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６８】
【化１０】
0005453326.tif 000011
【００６９】
上記式（５１）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．０５〜０．５０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ５４及びＲ５５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。なお、上記式（５１）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００７０】
上記のように、上記第２のシリコーン樹脂は、ジメチルシロキサン骨格を有さない。従って、上記式（５１）で表される第２のシリコーン樹脂は、下記式（１０１）で表される構造単位を有さない。
【００７１】
【化１１】
0005453326.tif 000012
【００７２】
ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式（５１）で表される第２のシリコーン樹脂は、（ＣＨ３ＳｉＯ３／２）で表される構造単位を有することが好ましい。この構造単位の導入により、ダイボンド材の硬化物が冷熱サイクルに晒されても、硬化物にクラックが生じ難くなる。
【００７３】
ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方をより一層高める観点からは、上記式（５１）で表される第２のシリコーン樹脂は、下記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂であることが好ましい。
【００７４】
【化１２】
0005453326.tif 000013
【００７５】
上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ、ｒ１及びｒ２は、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．５０、ｒ１／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０．０５〜０．４０及びｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）＝０〜０．５０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個がアリール基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、アリール基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数１〜８の炭化水素基を表す。但し、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、Ｒ５４及びＲ５５の双方がメチル基ではなく、ジメチルシロキサン構造単位ではない。上記式（５１Ａ）中、Ｒ５６がアリール基及びアルケニル基以外である場合に、Ｒ５６は、メチル基ではなく、炭素数２〜８の炭化水素基を表すことが好ましい。なお、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００７６】
上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）は平均組成式を示す。上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中のＲ５１〜Ｒ５６は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００７７】
上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、第２のシリコーン樹脂におけるアルケニル基及び上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
【００７８】
上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）における炭素数１〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基及びアリル基等が挙げられる。
【００７９】
上記第２のシリコーン樹脂における下記式（Ｘ５１）より求められるアリール基の含有比率は３モル％以上、３０モル％以下であることが好ましい。このアリール基の含有比率が３モル％以上であると、ガスバリア性がより一層高くなる。アリール基の含有比率が３０モル％以下であると、ダイボンド材の剥離が生じ難くなる。ガスバリア性を更に一層高める観点からは、アリール基の含有比率は５モル％以上であることがより好ましい。剥離をより一層生じ難くする観点からは、アリール基の含有比率は、２０モル％以下であることがより好ましい。
【００８０】
アリール基の含有比率（モル％）＝（第２のシリコーン樹脂の１分子あたりに含まれるアリール基の平均個数×アリール基の分子量／第２のシリコーン樹脂の数平均分子量）×１００  ・・・式（Ｘ５１）
【００８１】
上記式（Ｘ５１）中、「第２のシリコーン樹脂」は、「平均組成式が上記式（５１）又は上記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂」を示す。
【００８２】
上記式（５１）又は上記式（５１Ａ）で表され、フェニル基を有する第２のシリコーン樹脂を用いる場合には、上記式（Ｘ５１）におけるアリール基はフェニル基を示し、アリール基の含有比率はフェニル基の含有比率を示す。
【００８３】
上記式（５１）又は上記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００８４】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２）  ・・・式（５１−２）
【００８５】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。
【００８６】
【化１３】
0005453326.tif 000014
【００８７】
上記式（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、（５１−２）及び（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１）又は上記式（５１Ａ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。
【００８８】
上記式（５１）又は上記式（５１Ａ）で表される第２のシリコーン樹脂において、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００８９】
（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２）  ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２）  ・・・式（５１−４）
【００９０】
（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【００９１】
【化１４】
0005453326.tif 000015
【００９２】
上記式（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、（５１−３）、（５１−３−ｃ）、（５１−４）及び（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１）及び上記（５１Ａ）中のＲ５６と同様の基である。
【００９３】
上記式（５１−ｂ）及び（５１−ｃ）、式（５１−２）〜（５１−４）、並びに式（５１−２−ｂ）、（５１−３−ｃ）及び（５１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００９４】
上記式（５１）中のｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び上記式（５１Ａ）中のｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０．０５以上、０．５０以下である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及びｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が上記下限以上及び上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなり、かつダイボンド材の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１）中のｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び上記式（５１Ａ）中のｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、好ましくは０．１０以上、より好ましくは０．１５以上、好ましくは０．４５以下、より好ましくは０．４０以下である。
【００９５】
上記式（５１）中のｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び上記式（５１Ａ）中のｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０．０５以上、０．５０以下である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及びｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が上記上限以下であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。上記式（５１）中のｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び上記式（５１Ａ）中のｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、好ましくは０．４０以下、より好ましくは０．３５以下である。
【００９６】
上記式（５１）中のｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び上記式（５１Ａ）中の（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０．０５以上、０．５０以下である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が上記下限以上であると、ダイボンド材の高温での貯蔵弾性率が高くなる。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）及び（ｒ１＋ｒ２）／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が上記上限以下であると、ダイボンド材の耐熱性が高くなる。
【００９７】
上記式（５１Ａ）中のｒ１／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０．０５以上、０．４０以下であり、かつｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０以上、０．５０以下である。ｒ１／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）及びｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱クラック特性及び耐冷熱サイクル特性の双方を大きく高めることができる。ｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）は、０を超えていてもよく、０．０１以上であってもよい。なお、ｒ２が０であり、ｒ２／（ｐ＋ｑ＋ｒ１＋ｒ２）が０である場合、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【００９８】
上記第２のシリコーン樹脂について、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）及び（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）、（ＣＨ３ＳｉＯ２／２）並びに（５１−３）及び（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【００９９】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の各構造単位の比率を測定できる。
【０１００】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１）及び上記式（５１Ａ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【０１０１】
上記第１のシリコーン樹脂１００重量部に対して、上記第２のシリコーン樹脂の含有量は、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは３０重量部以上、好ましくは４００重量部以下、より好ましくは２００重量部以下である。第１，第２のシリコーン樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、高温での貯蔵弾性率がより一層高く、かつガスバリア性により一層優れたダイボンド材を得ることができる。
【０１０２】
（第１，第２のシリコーン樹脂の他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量は、好ましくは０．５モル％以上、より好ましくは１モル％以上、好ましくは１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の密着性を高めることができる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなり、ダイボンド材の耐熱性がより一層高くなる。
【０１０３】
上記アルコキシ基の含有量は、第１，第２のシリコーン樹脂の平均組成式中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。
【０１０４】
上記第１，第２のシリコーン樹脂はシラノール基を含有しないほうが好ましい。第１，第２のシリコーン樹脂がシラノール基を含有しないと、第１，第２のシリコーン樹脂及びダイボンド材の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。
【０１０５】
上記第１，第２のシリコーン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は好ましくは５００以上、より好ましくは８００以上、更に好ましくは１０００以上、好ましくは５００００以下、より好ましくは１５０００以下である。数平均分子量が上記下限以上であると、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、高温環境下でダイボンド材の硬化物の厚みが減少しにくくなる。数平均分子量が上記上限以下であると、粘度調節が容易である。
【０１０６】
上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質して求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製  Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ  ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／分、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。
【０１０７】
上記第１，第２のシリコーン樹脂を合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、クロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解する方法が好ましい。
【０１０８】
アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。
【０１０９】
上記第１，第２のシリコーン樹脂にアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１０】
上記第１，第２のシリコーン樹脂にアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１１１】
上記第１のシリコーン樹脂に珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１１２】
上記第１，第２のシリコーン樹脂を得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１３】
上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。
【０１１４】
上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。
【０１１５】
上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。
【０１１６】
上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。
【０１１７】
上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好適である。
【０１１８】
上記第１のシリコーン樹脂と上記第２のシリコーン樹脂とのそれぞれのＥ型粘度計を用いて測定された２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は、１２００ｍＰａ・ｓ以上、６０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。粘度がこの範囲内であることにより、ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方を抑制できる。ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記第２のシリコーン樹脂のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度は、好ましくは１３００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは４０００ｍＰａ・ｓ以下である。
【０１１９】
また、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η１は、好ましくは８０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは３００００ｍＰａ・ｓ以下である。さらに、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１ｒｐｍでの粘度η２（ｍＰａ・ｓ）のＥ型粘度計を用いて測定された２５℃における１０ｒｐｍでの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）に対する比（η２／η１）は好ましくは１．５以上、好ましくは４．０以下である。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が特定の上記粘度を有することにより、ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方を顕著に抑制できる。
【０１２０】
ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記粘度η１は、より好ましくは１２０００ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは２５０００ｍＰａ・ｓ以下である。ダイボンド材の糸曳きと滲みとの双方をより一層抑制する観点からは、上記比（η２／η１）は、より好ましくは１．６以上、より好ましくは２．８以下である。
【０１２１】
なお、シリコーン樹脂及び光半導体装置用ダイボンド材における上記「粘度」は、Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて測定された値である。
【０１２２】
（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のシリコーン樹脂中の珪素原子に結合した水素原子と、上記第２のシリコーン樹脂中のアルケニル基とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
【０１２３】
上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２４】
上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。ダイボンド材の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。
【０１２５】
上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。
【０１２６】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。
【０１２７】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。
【０１２８】
ダイボンド材１００重量％中、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０２重量％以上、好ましくは０．５重量％以下、より好ましくは０．３重量％以下である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材を十分に硬化させることが容易であり、ダイボンド材のガスバリア性をより一層高めることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材がより一層変色し難くなる。
【０１２９】
（酸化珪素粒子）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材に酸化珪素粒子が含まれていることにより、ダイボンド材の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前のダイボンド材の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、ダイボンド材の取り扱い性を高めることができる。
【０１３０】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは８ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、ダイボンド材の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。
【０１３１】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用ダイボンド材の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。
【０１３２】
上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積は、好ましくは３０ｍ２／ｇ以上、好ましくは４００ｍ２／ｇ以下である。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上であると、ダイボンド材の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が４００ｍ２／ｇ以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更にダイボンド材の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。
【０１３３】
上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高いダイボンド材を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。
【０１３４】
上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ  ５０（比表面積：５０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ９０（比表面積：９０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  １３０（比表面積：１３０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ２００（比表面積：２００ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ３００（比表面積：３００ｍ２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ  ３８０（比表面積：３８０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１３５】
上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前のダイボンド材の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
【０１３６】
上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
【０１３７】
酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、表面処理に用いられる上記有機珪素化合物は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種であることが好ましい。上記酸化珪素粒子は、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物の内の少なくとも１種により表面処理されていることが好ましい。
【０１３８】
有機珪素化合物により表面処理する方法の一例として、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。
【０１３９】
上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１４０】
上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１４１】
上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。
【０１４２】
上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用ダイボンド材を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のシリコーン樹脂等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。
【０１４３】
上記光半導体装置用ダイボンド材１００重量％中、上記酸化珪素粒子の含有量は、好ましくは５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前のダイボンド材の粘度を適当な範囲に調整できる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、ダイボンド材の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材では、上記酸化珪素粒子の含有量が３０重量％以下であっても、高温での貯蔵弾性率が高くなる。
【０１４４】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材が、上記有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子を含有することにより、アリール基を有する第２のシリコーン樹脂又はアリール基を有する第１のシリコーン樹脂を含有していても、ダイボンド材の高温での粘度を十分な高さに維持できる。これにより、ダイボンド材が高温に加熱された時の粘度を適切な範囲に調整でき、ダイボンド材中の酸化珪素粒子の分散状態を良好にすることができる。このため、ダイボンド材の透明性をより一層高めることができる。
【０１４５】
（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。
【０１４６】
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１４７】
（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、必要に応じて、紫外線吸収剤、酸化防止剤、溶剤、着色剤、充填剤、消泡剤、表面処理剤、難燃剤、粘度調節剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、防黴剤、レベリング剤、安定剤、カップリング剤、タレ防止剤又は蛍光体等を含有してもよい。
【０１４８】
（光半導体装置用ダイボンド材の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であってもよく、フィルム状であってもよい。本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、ペースト状であることが好ましい。
【０１４９】
上記第１のシリコーン樹脂と、上記第２のシリコーン樹脂と、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、酸化珪素粒子及びカップリング剤はそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。例えば、上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、第１のシリコーン樹脂を含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液を混合して、ダイボンド材を調製してもよい。この場合に、酸化珪素粒子及びカップリング剤はＡ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。このように上記第２のシリコーン樹脂及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第１のシリコーン樹脂とを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって保存安定性を向上させることができる。
【０１５０】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のシリコーン樹脂、上記第２のシリコーン樹脂、上記ヒドロシリル化反応用触媒及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。
【０１５１】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材を、基板等の接続対象部材上に配置し、又は光半導体素子の下面に配置し、ダイボンド材を介して接続対象部材と光半導体素子とを接続することにより、光半導体装置を得ることができる。
【０１５２】
本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用ダイボンド材の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。硬化温度が上記下限以上であると、ダイボンド材の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、ダイボンド材及びダイボンド材により接合される部材の熱劣化が起こり難い。
【０１５３】
硬化方法として、特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、ダイボンド材の硬化収縮を抑えることができる。
【０１５４】
（光半導体装置）
本発明に係る光半導体装置は、光半導体装置用ダイボンド材と、接続対象部材と、上記光半導体装置用ダイボンド材を用いて上記接続対象部材に接続された光半導体素子とを備える。
【０１５５】
本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。
【０１５６】
上記光半導体素子である発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
【０１５７】
上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
【０１５８】
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【０１５９】
本実施形態の光半導体装置１は、接続対象部材であるハウジング２と、光半導体素子３とを有する。ハウジング２内にＬＥＤ素子である光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。
【０１６０】
ハウジング２の内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光Ｂ１が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。
【０１６１】
光半導体素子３は、ハウジング２に設けられたリード電極４に、ダイボンド材５を用いて接続されている。ダイボンド材５は、光半導体装置用ダイボンド材である。光半導体素子３に設けられたボンディングパッド（図示せず）とリード電極４とが、ボンディングワイヤー６により電気的に接続されている。光半導体素子３及びボンディングワイヤー６を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、封止剤７が充填されている。
【０１６２】
ダイボンド材５は、光半導体素子３の底部からはみ出してその周囲を囲むように配置されてもよく、光半導体素子３の底部からはみ出さないように配置されてもよい。ダイボンド材５の厚みは、２〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１６３】
光半導体装置１では、光半導体素子３を駆動すると、破線Ａで示すように光が発せられる。この場合、光半導体素子３からリード電極４の上面とは反対側すなわち上方に照射される光だけでなく、ダイボンド材５に到達した光が矢印Ｂ２で示すように反射される光もある。
【０１６４】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子３の実装構造等には適宜変形され得る。
【０１６５】
以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０１６６】
（第１，第２のシリコーン樹脂）
第１，第２のシリコーン樹脂を以下のようにして合成した。
【０１６７】
（合成例１）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、エチルトリメトキシシラン１８５ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン１２０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ａ）を得た。
【０１６８】
得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。
【０１６９】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（ＥｔＳｉＯ３／２）０．５０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．３０  …式（Ａ１）
【０１７０】
上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１７１】
得られたポリマー（Ａ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は１５．６モル％であった。
【０１７２】
なお、合成例１及び合成例２〜９で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製  Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ
ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。
【０１７３】
（合成例２）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、メチルトリメトキシシラン１６５ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン１２０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｂ）を得た。
【０１７４】
得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。
【０１７５】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．３０  …式（Ｂ１）
【０１７６】
上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１７７】
得られたポリマー（Ｂ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は１５．６モル％であった。
【０１７８】
（合成例３）第１のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン２６ｇ、メチルトリメトキシシラン１３２ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｃ）を得た。
【０１７９】
得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。
【０１８０】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（ＶiＭｅＳｉＯ２／２）０．１０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．６０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．１０    …式（Ｃ１）
【０１８１】
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１８２】
得られたポリマー（Ｃ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は６モル％であった。
【０１８３】
（合成例４）第２のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン６２ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン７８ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン８１ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｄ）を得た。
【０１８４】
得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２０００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。
【０１８５】
（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．３０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４０  …式（Ｄ１）
【０１８６】
上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１８７】
得られたポリマー（Ｄ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は１５．６モル％であった。
【０１８８】
（合成例５）第２のシリコーン樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン６２ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン７８ｇ、メチルトリメトキシシラン６６g及びフェニルトリメトキシシラン８１ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｅ）を得た。
【０１８９】
得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１８００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。
【０１９０】
（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．３０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．２０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．２０  …式（Ｅ１）
【０１９１】
上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１９２】
得られたポリマー（Ｅ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は８．６モル％であった。
【０１９３】
（合成例６）第１のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、フェニルメチルジメトキシシラン７５ｇ、メチルトリメトキシシラン６６ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン１２０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｆ）を得た。
【０１９４】
得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２５００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。
【０１９５】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（ＰｈＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．２０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．３０  …式（Ｆ１）
【０１９６】
上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０１９７】
得られたポリマー（Ｆ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は１８．７モル％であった。
【０１９８】
（合成例７）第１のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、ジメチルジメトキシシラン４８ｇ、メチルトリメトキシシラン９９ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン１２０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸１．２ｇと水８３ｇとの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｇ）を得た。
【０１９９】
得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量（Ｍｎ）は２３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。
【０２００】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．２０（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．３０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．３０  …式（Ｇ１）
【０２０１】
上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０２０２】
得られたポリマー（Ｇ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は１０．１モル％であった。
【０２０３】
（合成例８）第２のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン１５６ｇ、メチルトリメトキシシラン３３ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｈ）を得た。
【０２０４】
得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１８００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。
【０２０５】
（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．２０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．６０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．１０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．１０  …式（Ｈ１）
【０２０６】
上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０２０７】
得られたポリマー（Ｈ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は４．３モル％であった。
【０２０８】
（合成例９）第２のシリコーン樹脂に類似した樹脂の合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン４１ｇ、ジメチルジメトキシシラン２４ｇ、ビニルメチルジメトキシシラン７８ｇ、メチルトリメトキシシラン６６ｇ、及びフェニルトリメトキシシラン８０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム０．８ｇを水１１４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、反応液に酢酸０．９ｇを加え、減圧して揮発成分を除去し、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｉ）を得た。
【０２０９】
得られたポリマー（Ｉ）の数平均分子量（Ｍｎ）は１９００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。
【０２１０】
（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．２０（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．１０（ＶｉＭｅＳｉＯ２／２）０．３０（ＭｅＳｉＯ３／２）０．２０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．２０  …式（Ｉ１）
【０２１１】
上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。
【０２１２】
得られたポリマー（Ｉ）のフェニル基の含有比率（アリール基の含有比率）は８．２モル％であった。
【０２１３】
（参考例１）
ポリマーＡ５重量部、ポリマーＤ５重量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体０．０２重量部、及び酸化珪素微粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ ＲＹ２００、ポリジメチルシロキサン基を有する有機ケイ素化合物により表面処理された酸化ケイ素粒子、比表面積１２０ｍ２／ｇ、日本アエロジル社製）２．２重量部を混合し、脱泡を行い、光半導体素子用ダイボンド材を得た。
【０２１４】
（参考例２、実施例３〜５及び比較例１〜４）
使用した材料の種類及び配合量を、下記の表１に示すように変更したこと以外は参考例１と同様にして、光半導体装置用ダイボンド材を得た。
【０２１５】
（評価）
（１）２５℃における粘度の測定
Ｅ型粘度計（ＴＶ−２２型、東機産業社製）を用いて、光半導体装置用ダイボンド材に用いたシリコーン樹脂（第１，第２のシリコーン樹脂）の２５℃における１０ｒｐｍでの粘度（ｍＰａ・ｓ）を測定した。
【０２１６】
（２）ワイヤーボンディング時におけるワイヤーボンダビリティー
ダイボンダー（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ−Ｄ０１Ｒ」）を用いて、銀メッキされた銅基板上に得られた光半導体装置用ダイボンド材を、厚みが５μｍでダイボンド材上に積層される光半導体素子の大きさとなるように塗布し、ダイボンド層を形成した。次に、ダイボンド層上に光半導体素子を積層し、積層体を得た。
【０２１７】
得られた積層体を１５０℃で３時間加熱し、ダイボンド層を硬化させた。次に、ダイボンド層上の光半導体素子上に設けられた電極パッド上にワイヤーボンディングを行った。このときのワイヤーボンダビリティーを下記の判定基準で判定した。
【０２１８】
［ワイヤーボンダビリティーの判定基準］
○○：１０００サンプル中ワイヤーボンドＮＧ（不良）無し
○：１０００サンプル中ワイヤーボンドＮＧ１サンプル
△：１０００サンプル中ワイヤーボンドＮＧ２サンプル
×：１０００サンプル中ワイヤーボンドＮＧ３サンプル以上
【０２１９】
（３）耐熱クラック特性
ＡｇメッキしたＣｕ基板上に、接着面積が３ｍｍ×３ｍｍになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、３ｍｍ角のＳｉチップを載せた。その後、１５０℃で３時間加熱し、ダイボンド材を硬化させ、硬化物により上記基板と上記Ｓｉチップとが接合された接合体（テストサンプル）を得た。得られた接合体１０００個をオーブン内に入れ、２７０℃で５分間加熱した。
【０２２０】
加熱後の接合体１０００個中、クラックが生じている接合体の数を数え、耐熱クラック特性を下記の判定基準で判定した。
【０２２１】
［耐熱クラック特性の判定基準］
○○：１０００サンプル中、硬化物にクラックが発生したサンプル（不良）無し
○：１０００サンプル中、２サンプルで硬化物にクラックが発生した
△：１０００サンプル中、２サンプルで硬化物にクラックが発生した
×：１０００サンプル中、３サンプル以上で硬化物にクラックが発生した
【０２２２】
（４）耐冷熱サイクル特性
ＡｇメッキしたＣｕ基板上に、接着面積が３ｍｍ×３ｍｍになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、３ｍｍ角のＳｉチップを載せた。その後、１５０℃で３時間加熱し、ダイボンド材を硬化させ、硬化物により上記基板と上記Ｓｉチップとが接合された接合体（テストサンプル）を得た。得られたテストサンプル１０００個を用いて、かつ液槽式熱衝撃試験機（「ＴＳＢ−５１」、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクル後に接合体１０００個中、クラックが生じている接合体の数を数え、耐冷熱サイクル特性を下記の判定基準で判定した。
【０２２３】
［耐冷熱サイクル特性の判定基準］
○○：１０００サンプル中、硬化物にクラックが発生したサンプル（不良）無し
○：１０００サンプル中、１サンプルで硬化物にクラックが発生した
△：１０００サンプル中、２サンプルで硬化物にクラックが発生した
×：１０００サンプル中、３サンプル以上で硬化物にクラックが発生した
結果を下記の表１に示す。
【０２２４】
（５）接着性（ダイシェア強度）
ＡｇメッキしたＣｕ基板上に、接着面積が３ｍｍ×３ｍｍになるように光半導体装置用ダイボンド材を塗布し、３ｍｍ角のＳｉチップを載せて、テストサンプルを得た。
【０２２５】
得られたテストサンプルを１５０℃で３時間加熱し、ダイボンド材を硬化させた。次に、ダイシェアテスター（アークテック社製、型番：ＤＡＧＥ  ４０００）を用いて、３００μ／秒の速度で、１８５℃でのダイシェア強度を評価した。
【０２２６】
［ダイシェア強度の判定基準］
○○：ダイシェア強度が１８００ｇ以上
○：ダイシェア強度が１０００ｇ以上、１８００ｇ未満
×：ダイシェア強度が１０００ｇ未満
【０２２７】
（６）滲み
ダイボンダー（キャノンマシナリー社製「ＢＥＳＴＥＭ-Ｄ０１Ｒ」）を用いて銀めっきされた銅基板上に得られた光半導体装置用ダイボンド材を、厚みが５μｍでダイボンド材上に積層される光半導体素子の大きさとなるように塗布し、基板上にダイボンド材が塗布された塗布物を得た。
【０２２８】
得られた塗布物を平面視して、光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積を評価した。滲みを下記の判定基準で判定した。
【０２２９】
［滲みの判定基準］
○○：ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が１％未満
○：ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が１％以上、３％未満
×：ダイボンド材上に積層される光半導体素子の面積に対して、はみ出した光半導体装置用ダイボンド材の塗布面積が３％以上
【０２３０】
結果を下記の表１に示す。
【０２３１】
【表１】
0005453326.tif 000016

【符号の説明】
【０２３２】
１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…リード電極
５…ダイボンド材
６…ボンディングワイヤー
７…封止剤
【図１】
0005453326.tif 000020