(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0005585044.tif 000013
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は各々独立して置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。なお、Ａｒ２とＡｒ３は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ１は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｘは置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、Ｒ１が置換基を有するアリール基である場合、置換基としてアミノ基は除く。）
で表されるカルバゾール化合物。
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｘが置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、及び置換若しくは無置換のターフェニレン基から選ばれる一種であることを特徴とする請求項１に記載のカルバゾール化合物。
【請求項３】
前記一般式（１）において、ｎが１であり、Ｘが下記一般式（２）〜（６）
【化２】
0005585044.tif 000014
（式中、Ｒ４〜Ｒ１２は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
のいずれか一つで表されることを特徴とする請求項１乃至２に記載のカルバゾール化合物。
【請求項４】
前記一般式（１）において、Ａｒ２とＡｒ３が互いに結合し、下記一般式（７）
【化３】
0005585044.tif 000015
（式中、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるカルバゾール環を形成することを特徴とする請求項１乃至３に記載のカルバゾール化合物。
【請求項５】
前記一般式（１）において、Ａｒ２が下記一般式（８）
【化４】
0005585044.tif 000016
（式中、Ｒ１５は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
で表される置換基であることを特徴とする請求項１乃至３に記載のカルバゾール化合物。
【請求項６】
請求項１乃至５に記載のカルバゾール化合物を発光層、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくともいずれか一層に用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なカルバゾール化合物及びそれを用いた有機ＥＬ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、有機薄膜を１対の電極で狭持した面発光型素子であり、薄型軽量、高視野角、高速応答性といった特徴を有し、各種表示素子への応用が期待されている。また、最近では、携帯電話のディスプレイ等、一部実用化も始まっている。有機ＥＬ素子とは、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子とが発光層で再結合する際に発する光を利用した素子であり、その構造は正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を積層した多層積層型が主流である。ここで、正孔輸送層や電子輸送層といった電荷輸送層は、それ自体は発光するわけではないが、発光層への電荷注入を容易にし、また、発光層に注入された電荷や発光層で生成した励起子のエネルギーを閉じ込めるといった役割を果たしている。従って、電荷輸送層は有機ＥＬ素子の低駆動電圧化及び発光効率を向上させる上で非常に重要である。
【０００３】
正孔輸送材料には、適当なイオン化ポテンシャルと正孔輸送能を有するアミン化合物が用いられ、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ビフェニル（以下、ＮＰＤと略す）がよく知られている。しかしながら、ＮＰＤはガラス転移温度が低く、高温条件下で容易に結晶化してしまうため、素子の耐久性に課題がある。また、ＮＰＤを正孔輸送層に用いた素子の駆動電圧、発光効率は十分ではなく、新しい材料の開発が求められている。
【０００４】
このような背景から、最近では分子内にカルバゾール環を導入したアミン化合物が報告されている。カルバゾール環は平面性が高く、剛直な骨格であることから、カルバゾール環を導入したアミン化合物は、ガラス転移温度と正孔輸送性の向上が期待できる。しかしながら、これまでに報告されているカルバゾール環を導入したアミン化合物は、カルバゾール環の３位に窒素原子が結合した分子構造である（例えば、特許文献１〜３参照）。カルバゾール環の３位は、電子ドナー性である窒素原子のパラ位となるため、３位に置換されたアミノ基はカルバゾール環の窒素原子によって活性化されることになる。即ち、カルバゾール環の３位にアミノ基を導入した化合物は、イオン化ポテンシャルが通常のアミン化合物と比較して低くなってしまう。従って、これまでに報告されているカルバゾール環を有するアミン化合物を正孔輸送層に用いた場合、発光層への正孔の注入障壁が大きくなり、ＥＬ素子の駆動電圧が高くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１５１９７９公報
【特許文献２】特開２００６−２９８８９５公報
【特許文献３】特開２００８−０４４９２３公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料に適したカルバゾール化合物、更には発光効率が高く、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物が正孔輸送特性に優れ、該化合物を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子は駆動電圧が低く、更に発光効率及び耐久性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は、一般式（１）
【０００８】
【化１】
0005585044.tif 000002
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は各々独立して置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。なお、Ａｒ２とＡｒ３は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ１は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｘは置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、ｎは１〜３の整数を表す。ただし、Ｒ１が置換基を有するアリール基である場合、置換基としてアミノ基は除く。）
で表されるカルバゾール化合物及びその用途に関するものである。
【０００９】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
【００１０】
本発明の一般式（１）で表されるカルバゾール化合物において、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は各々独立して置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。
【００１１】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で示される置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基としては、置換若しくは無置換のフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、ピレニル基、ピセニル基、クリセニル基が好ましく、具体的にはフェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｓｅｃ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ネオペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−シクロペンチルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−トリチルフェニル基、３−トリチルフェニル基、４−トリフェニルシリルフェニル基、３−トリフェニルシリルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、３−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、２−ｓｅｃ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、２−（２−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、２−メチル−５−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、３−エチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、３−メトキシ−４−メチルフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、３，５−ジ−ｎ−ブトキシフェニル基、２−メトキシ−４−エトキシフェニル基、２−メトキシ−６−エトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、４−（１−ナフチル）フェニル基、４−（２−ナフチル）フェニル基、３−（１−ナフチル）フェニル基、３−（２−ナフチル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、６−メチル−２−ナフチル基、４−フェニル−１−ナフチル基、６−フェニル−２−ナフチル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１０−フェニル−９−アントリル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジエチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−オクチル−２−フルオレニル基、９，９−ジフェニル−２−フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、９−フェナントリル基、２−フェナントリル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ピセニル基、４−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基、２−ビフェニリル基、ｐ−ターフェニル基、ｍ−ターフェニル基、ｏ−ターフェニル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１２】
また、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で示される置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のうち少なくとも一つのヘテロ原子を含有する芳香族基であり、例えば、４−キノリル基、４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−カルバゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾチオフェニル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１３】
なお、Ａｒ２及びＡｒ３は互いに結合して環を形成してもよい。Ａｒ２及びＡｒ３が互いに結合して形成される環としては、カルバゾール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１４】
一般式（１）で表されるカルバゾール化合物において、Ｒ１は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。ただし、Ｒ１が置換基を有するアリール基である場合、置換基としてアミノ基は除く。
【００１５】
Ｒ１で示される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００１６】
また、Ｒ１で示される置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、及び置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で例示した置換基が挙げられる。
【００１７】
一般式（１）で表されるカルバゾール化合物において、Ｒ２及びＲ３は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。
【００１８】
Ｒ２及びＲ３で示されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素原子が挙げられる。
【００１９】
Ｒ２及びＲ３で示される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基としては、前記Ｒ１で例示した置換基が挙げられる。
【００２０】
Ｒ２及びＲ３で示される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基としては、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ステアリルオキシ基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
Ｒ２及びＲ３で示される置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、及び置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３で例示した置換基が挙げられる。
【００２２】
一般式（１）で表されるカルバゾール化合物において、Ｘは置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、置換若しくは無置換のターフェニレン基、置換若しくは無置換のナフタレン基、置換若しくは無置換のフルオレニレン基、置換若しくは無置換のピレンジイル基、置換若しくは無置換のアントラセンジイル基、又は置換若しくは無置換のフェナントレンジイル基等を例示することができるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
上記で例示したアリーレン基の中でも、正孔輸送特性に優れることから、Ｘは置換若しくは無置換のフェニレン基、置換若しくは無置換のビフェニレン基、及び置換若しくは無置換のターフェニレン基から選ばれる一種であることが好ましい。
【００２４】
本発明の好ましい具体例としては、前記一般式（１）において、ｎが１であり、Ｘが下記一般式（２）〜（６）
【００２５】
【化２】
0005585044.tif 000003
（式中、Ｒ４〜Ｒ１２は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
のいずれか一つで表されるカルバゾール化合物である。
【００２６】
前記一般式（１）で表されるアリーレン基において、Ｒ４〜Ｒ１２で表されるハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ２及びＲ３で例示した置換基を挙げることができる。
【００２７】
更に、高いガラス転移温度を確保することができ、正孔輸送特性に優れることから、前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物は、Ａｒ２とＡｒ３が互いに結合し、下記一般式（７）
【００２８】
【化３】
0005585044.tif 000004
（式中、Ｒ１３及びＲ１４は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
で表されるカルバゾール環を形成する構造、若しくはＡｒ２が下記一般式（８）
【００２９】
【化４】
0005585044.tif 000005
（式中、Ｒ１５は炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表し、Ｒ１６及びＲ１７は各々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基を表す。）
で表される構造であることが好ましい。
【００３０】
前記一般式（７）において、Ｒ１３及びＲ１４で表されるハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ２及びＲ３で例示した置換基を挙げることができる。
【００３１】
前記一般式（８）において、Ｒ１５で表される炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ２及びＲ３で例示した置換基を挙げることができる。
【００３２】
前記一般式（８）において、Ｒ１６及びＲ１７で表されるハロゲン原子、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜１８の直鎖、分岐若しくは環状のアルコキシ基、置換若しくは無置換の炭素数６〜５０のアリール基、又は置換若しくは無置換の炭素数４〜５０のヘテロアリール基としては、前記一般式（１）のＲ２及びＲ３で例示した置換基を挙げることができる。
【００３３】
以下に好ましい化合物を例示するが、これらの化合物に限定されるものではない。
【００３４】
【化５】
0005585044.tif 000006
【００３５】
【化６】
0005585044.tif 000007
【００３６】
【化７】
0005585044.tif 000008
【００３７】
【化８】
0005585044.tif 000009
前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物は、例えば、公知の方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，１９９８年，第３９巻，２３６７頁）によって合成することができる。具体的には、２位がハロゲン化されたカルバゾール化合物と２級アミン化合物とを塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて反応させ、合成することができる。また、塩基の存在下、銅触媒又はパラジウム触媒を用いて２位がハロゲン化されたカルバゾール化合物と１級アミン化合物を反応させ、２級アミンを得た後に、ハロゲン化アリールと反応することでも合成することが可能である。
【００３８】
本発明の前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物は、有機ＥＬ素子の発光層、正孔輸送層又は正孔注入層として使用することができる。
【００３９】
特に、前記一般式（１）で示されるカルバゾール化合物は正孔輸送能に優れることから、正孔輸送層及び／又は正孔注入層として使用した際に、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、高発光効率化及び耐久性の向上を実現することができる。
【００４０】
前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物を有機ＥＬ素子の正孔注入層及び／又は正孔輸送層として使用する際の発光層には、従来から使用されている公知の発光材料を使用することができる。発光層は１種類の発光材料のみで形成されていてもよく、ホスト材料中に１種類以上の発光材料がドープされていてもよい。
【００４１】
近年、高い発光効率を実現できることから、発光材料として燐光材料を使用した有機ＥＬ素子が注目されているが、前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物は燐光材料とも組み合わせて使用することができる。
【００４２】
前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物からなる正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する際には、必要に応じて２種類以上の材料を含有若しくは積層させてもよく、例えば、酸化モリブデン等の酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等の公知の電子受容性材料を含有若しくは積層させてもよい。
【００４３】
前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物を有機ＥＬ素子の発光層として使用する場合には、カルバゾール化合物を単独で使用、公知の発光ホスト材料にドープして使用、又は公知の発光ドーパントをドープして使用することができる。
【００４４】
前記一般式（１）で表されるカルバゾール化合物を含有する正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を形成する方法としては、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法を適用することができる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明による一般式（１）で表されるカルバゾール化合物は、従来材料以上の高い正孔輸送特性と高いガラス転移温度を有するため、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化、高発光効率化、耐久性の向上を実現することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【００４７】
１Ｈ−ＮＭＲ及び１３Ｃ−ＮＭＲ測定は、バリアン社製  Ｇｅｍｉｎｉ２００を用いて行った。
【００４８】
ＦＤＭＳ測定は、日立製作所製  Ｍ−８０Ｂを用いて行った。
【００４９】
ガラス転移温度の測定は、マックサイエンス製  ＤＳＣ−３１００を用い、１０℃／分の昇温条件下にて行った。
【００５０】
イオン化ポテンシャルは、北斗電工製のＨＡ−５０１及びＨＢ−１０４を使用したサイクリックボルタンメトリーで評価した。
【００５１】
有機ＥＬ素子の発光特性は、作製した素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて評価した。
【００５２】
合成例１  （２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼンの合成［下記（９）式参照］）
窒素気流下、５００ｍｌの三口フラスコに、ｏ−ブロモニトロベンゼン  ２５．０ｇ（１２３．０ｍｍｏｌ）、ｐ−クロロフェニルボロン酸  ２１．１ｇ（１３５．３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム  ０．７１ｇ（０．６１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン  １００ｇ、２０ｗｔ％の炭酸カリウム水溶液  １６２ｇ（３０７．５ｍｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流した。室温まで冷却した後、水層と有機層を分液し、有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼンを２７．２ｇ単離した（収率９４％）。
【００５３】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００５４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．８７（ｄ，１Ｈ），７．３６−７．６６（ｍ，５Ｈ），７．２１−７．２７（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４８．９８，１３５．８５，１３５．１２，１３４．３７，１３２．４５，１３１．７９，１２９．２３，１２８．８４，１２８．５３，１２４．２１
合成例２  （２−クロロカルバゾールの合成［下記（９）式参照］）
窒素気流下、２００ｍｌのナス型フラスコに、合成例１で得られた２−（４−クロロフェニル）ニトロベンゼン  １０．０ｇ（４２．７ｍｍｏｌ）を仕込み、亜リン酸トリエチルを５０ｍｌ加えた後、１５０℃で２４時間攪拌した。減圧下に亜リン酸トリエチルを留去し、残渣にｏ−キシレンを加えて再結晶することにより、２−クロロカルバゾールの白色粉末を５．１ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）単離した（収率６０％）。
【００５５】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００５６】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６）；１０．４６（ｂｒ−ｓ，１Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ），７．３７−７．５５（ｍ，３Ｈ），７．１５−７．２４（ｍ，２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（Ａｃｅｔｏｎｅ−ｄ６）；１４１．３５，１４１．１５，１３１．３３，１２６．７０，１２３．１７，１２２．６４，１２１．９２，１２０．８４，１２０．０９，１１９．７８，１１１．８１，１１１．４３
【００５７】
【化９】
0005585044.tif 000010
合成例３  （２−クロロ−９−フェニルカルバゾールの合成）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例２で得られた２−クロロカルバゾール  ４．０ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン  １５．４ｇ（９９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ３．８ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ４４ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ０．１４ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、純水  １０ｇを加え、有機層を分離した。有機層を水、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、無色オイル状の２−クロロ−９−フェニルカルバゾールを４．５ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）単離した（収率８１％）。
【００５８】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；８．０８（ｄ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．１６−７．６４（ｍ，１０Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４１．４０，１４１．２０，１３７．０４，１３１．６６，１３０．０１，１２７．８５，１２７．０６，１２６．１９，１２２．７２，１２１．８８，１２１．１１，１２０．３６，１２０．２３，１０９．９４，１０９．８７
合成例４  （２−クロロ−９−ビフェニリルカルバゾールの合成）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例２で得られた２−クロロカルバゾール  ４．０ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、４−ブロモビフェニル  ５．５ｇ（２３．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム  ３．８３ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ２０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ４４ｍｇ（０．１９ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ０．１４ｇ（０．６９ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、析出した沈殿を濾取し、得られた固体を純水及びメタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｎ−ブタノールで再結晶し、２−クロロ−９−ビフェニリルカルバゾールの白色粉末を４．９ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）単離した（収率６９％）。
【００６０】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；８．０７（ｄ，１Ｈ），８．００（ｄ，１Ｈ），７．７７（ｄ，２Ｈ），７．６５（ｄ，２Ｈ），７．５４（ｄ，２Ｈ），７．２１−７．４１（ｍ，８Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４１．３８，１４１．１８，１４０．７２，１４０．０８，１３６．１７，１３１．７５，１２８．９９，１２８．６６，１２７．７４，１２７．２７，１２７．１６，１２６．２３，１２２．８２，１２１．９９，１２１．１９，１２０．４７，１２０．２９，１１０．０５，１０９．９８
合成例５  （２−クロロ−９−メチルカルバゾールの合成）
窒素気流下、２００ｍｌの三口フラスコに、合成例２で得られた２−クロロカルバゾール  １０．０ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）、ヨードメタン  ８．４ｇ（５９．４ｍｍｏｌ）、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド  １１．２ｇ（４９．５ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド  １００ｍｌを加え、攪拌下、４８％水酸化ナトリウム水溶液を６．１ｇ添加した。７０℃で２時間反応後、室温まで冷却し、１００ｇの純水に反応液を加えた。析出した沈殿を濾取し、得られた白色固体を純水で洗浄した。減圧乾燥した後、エタノールで再結晶し、２−クロロ−９−メチルカルバゾールの白色粉末を６．５ｇ（３０．２ｍｍｏｌ）単離した（収率６１％）。
【００６２】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．９９（ｄ，１Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），７．１２−７．４９（ｍ，５Ｈ），３．７０（ｓ，３Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４１．４４，１４１．１８，１３１．３９，１２５．９３，１２２．２１，１２１．３１，１２１．０２，１２０．２２，１１９．３６，１１９．２６，１０８．６１，２９．１７
合成例６  （Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミンの合成）
窒素気流下、２００ｍｌの三口フラスコに、合成例４で得られた２−クロロ−９−ビフェニリルカルバゾール  １９．０ｇ（５３．６ｍｍｏｌ）、アニリン  ７．４ｇ（８０．４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ７．２１ｇ（７５．０ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １２０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  １２０ｍｇ（０．５３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ３７８ｍｇ（１．８７ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で１２時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を７０ｇ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、更に有機層を純水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。ｏ−キシレンで再結晶し、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミンの白色粉末を１６．８ｇ（３．０ｍｍｏｌ）単離した（収率７６％）。
【００６４】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．９５−８．０４（ｍ，２Ｈ），７．７４（ｄ，２Ｈ），７．１８−７．６６（ｍ，１２Ｈ），６．９９−７．１２（ｍ，４Ｈ），５．７７（ｂｒ，１Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４３．６２，１４２．１９，１４１．７３，１４１．０２，１４０．２１，１３６．７９，１２９．３７，１２８．９５，１２８．４９，１２７．６３，１２７．２３，１２７．１４，１２４．７９，１２３．７７，１２１．１１，１２０．７１，１２０．１２，１１９．４５，１１８．００，１１７．２７，１１２．３８，１０９．６３，９９．０３
合成例７  （Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（９−メチル）カルバゾリル）アミンの合成）
窒素気流下、１００ｍｌの三口フラスコに、合成例５で得られた２−クロロ−９−メチルカルバゾール  ４．０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、アニリン  ３．４ｇ（３７．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ２．５ｇ（２６．０ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ４０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ４１ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １３１ｍｇ（０．６５ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で８時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を３０ｇ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、更に有機層を純水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−（９−メチル）カルバゾリル）アミンの白色粉末を４．８ｇ（１７．６ｍｍｏｌ）単離した（収率９４％）。
【００６６】
化合物の同定は、１Ｈ−ＮＭＲ測定、１３Ｃ−ＮＭＲ測定により行った。
【００６７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；７．９０−８．００（ｍ，２Ｈ），６．８９−７．４３（ｍ，１０Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）；１４３．７６，１４２．３０，１４１．６６，１４１．１５，１２９．４３，１２４．５０，１２３．０９，１２１．１１，１２０．７８，１１９．３９，１１８．９９，１１７．６０，１１７．４３，１１１．５４，１０８．２０，９７．４７，２９．１０
実施例１  （化合物（Ａ３）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例６で得られたＮ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミン  １．０ｇ（２．４ｍｍｏｌ）、ｍ−ジブロモベンゼン  ０．２７ｇ（１．１ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ３０９ｍｇ（３．２ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ８ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ５ｍｇ（０．０２ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  １６ｍｇ（０．０８ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で７時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を１０ｇ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、更に有機層を純水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ａ３）のガラス状固体を０．７ｇ（０．７８ｍｍｏｌ）単離した（収率６７％）。
【００６８】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００６９】
ＦＤＭＳ：８９５
真空蒸着法によってガラス板上に形成した薄膜は、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１５０℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００７０】
実施例２  （化合物（Ａ６）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例３で得られた２−クロロ−９−フェニルカルバゾール  ２．０ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−（９−カルバゾリル）フェニル）アミン  ２．５ｇ（７．４ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  １．０ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  １６ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ５２ｍｇ（０．２６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２０時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を１０ｇ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、更に有機層を純水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ａ６）のガラス状固体を１．５ｇ（２．６ｍｍｏｌ）単離した（収率３４％）。
【００７１】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００７２】
ＦＤＭＳ：５７５
実施例１と同様の方法でガラス板上に薄膜を形成したところ、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１００℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００７３】
実施例３  （化合物（Ｂ３）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例６で得られたＮ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミン  １．５ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、４，４’−ジヨードビフェニル  ６９０ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ４５７ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ７ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２１ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を添加して１２０℃で６時間攪拌した。室温まで冷却後、純水  １０ｇを加え攪拌した。析出した沈殿を濾取し、得られた黄色固体を水及びエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ｂ３）の黄色粉末を１．３ｇ（１．３ｍｍｏｌ）単離した（収率８１％）。
【００７４】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００７５】
ＦＤＭＳ：９７１
実施例１と同様の方法でガラス板上に薄膜を形成したところ、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１４５℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００７６】
実施例４  （化合物（Ｂ１０）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例６で得られたＮ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミン  １．５ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、３，３’−ジクロロビフェニル  ３８５ｍｇ（１．７ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ４５７ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ７ｍｇ（０．０３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ２１ｍｇ（０．１０ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、純水  １０ｇを加え攪拌した。析出した沈殿を濾取し、得られた白色固体を水及びエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ｂ１０）の白色粉末を１．１ｇ（１．１ｍｍｏｌ）単離した（収率６３％）。
【００７７】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００７８】
ＦＤＭＳ：９７１
実施例１と同様の方法でガラス板上に薄膜を形成したところ、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１３４℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００７９】
実施例５  （化合物（Ｂ１４）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例６で得られたＮ−フェニル−Ｎ−（２−（９−ビフェニリル）カルバゾリル）アミン  ２．０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）、３，４’−ジクロロビフェニル  ４９１ｍｇ（２．２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  ５９４ｍｇ（６．１ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  １０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  １０ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ３１ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、純水を１０ｇ添加し攪拌した。水層と有機層を分液し、更に有機層を純水と飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮し茶色の固体を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエンとヘキサンの混合溶媒）で精製し、化合物（Ｂ１４）のガラス状固体を１．７ｇ（１．７ｍｍｏｌ）単離した（収率７９％）。
【００８０】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００８１】
ＦＤＭＳ：９７１
実施例１と同様の方法でガラス板上に薄膜を形成したところ、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１３８℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００８２】
実施例６  （化合物（Ｃ７）の合成と薄膜安定性の評価）
窒素気流下、５０ｍｌの三口フラスコに、合成例７で得られたＮ−フェニル−Ｎ−（２−（９−メチル）カルバゾリル）アミン  ４．０ｇ（１４．６ｍｍｏｌ）、４，４’’−ジクロロ−ｍ−ターフェニル  １．９９ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド  １．７ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン  ２０ｍｌを加え、スラリー状の反応液に酢酸パラジウム  ２９ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン  ９４ｍｇ（０．４６ｍｍｏｌ）を添加して１３０℃で２４時間攪拌した。室温まで冷却後、純水  ２０ｇを加え攪拌した。析出した沈殿を濾取し、得られた白色固体を純水及びエタノールで洗浄した。減圧乾燥した後、ｏ−キシレンで再結晶し、化合物（Ｃ７）の白色粉末を３．８ｇ（４．９ｍｍｏｌ）単離した（収率７４％）。
【００８３】
化合物の同定は、ＦＤＭＳ測定により行った。
【００８４】
ＦＤＭＳ：７７０
実施例１と同様の方法でガラス板上に薄膜を形成したところ、室温下１ヶ月間放置しても白濁（凝集及び結晶化）は見られなかった。また、ガラス転移温度は１３８℃であり、従来材料であるＮＰＤのガラス転移温度（９６℃）と比較して高い結果であった。
【００８５】
実施例７  （化合物（Ａ３）のイオン化ポテンシャルの評価）
過塩素酸テトラブチルアンモニウムの濃度が０．１ｍｏｌ／ｌである無水ジクロロメタン溶液に、化合物（Ａ３）を０．００１ｍｏｌ／ｌの濃度で溶解させ、サイクリックボルタンメトリーでイオン化ポテンシャルを測定した。作用電極にはグラッシーカーボン、対極に白金線、参照電極にＡｇＮＯ３のアセトニトリル溶液に浸した銀線を用いた。標準物質としてフェロセンを用い、フェロセンの酸化還元電位を基準とした際の化合物（Ａ３）のイオン化ポテンシャルは０．３９Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であった。この値は、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００８６】
実施例８  （化合物（Ａ６）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法で化合物（Ａ６）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．３８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００８７】
実施例９  （化合物（Ｂ３）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法で化合物（Ｂ３）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．２８Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００８８】
実施例１０  （化合物（Ｂ１０）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法で化合物（Ｂ１０）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．３７Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００８９】
実施例１１  （化合物（Ｂ１４）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法で化合物（Ｂ１４）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．３７Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００９０】
実施例１２  （化合物（Ｃ７）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法で化合物（Ｃ７）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．３５Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と同等であった。
【００９１】
比較例１  （比較化合物（ａ）のイオン化ポテンシャルの評価）
実施例７と同様の方法でカルバゾール環の３位にアミノ基が結合した以下に示す比較化合物（ａ）のイオン化ポテンシャルを評価したところ、０．１５Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋であり、従来から正孔輸送材料として知られているＮＰＤのイオン化ポテンシャル（０．３１Ｖ  ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）と比較すると低い値であった。
【００９２】
【化１０】
0005585044.tif 000011
実施例１３  （化合物（Ａ３）の素子評価）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を積層したガラス基板を、アセトン及び純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる沸騰洗浄を行った。更に紫外線オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後、１×１０−４Ｐａになるまで真空ポンプにて排気した。まず、ＩＴＯ透明電極上に銅フタロシアニンを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２５ｎｍの正孔注入層とした。引続き、化合物（Ａ３）を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で４０ｎｍ蒸着した後、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを蒸着速度０．３ｎｍ／秒で６０ｎｍ蒸着して発光層とした。引続き、電子注入層として沸化リチウムを蒸着速度０．０１ｎｍ／秒で０．５ｎｍ蒸着し、更にアルミニウムを蒸着速度０．２５ｎｍ／秒で１００ｎｍ蒸着して陰極を形成した。窒素雰囲気下、封止用のガラス板をＵＶ硬化樹脂で接着し、評価用の有機ＥＬ素子とした。このように作製した素子に２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、駆動電圧及び外部量子効率を測定した。結果を表１に示す。
【００９３】
実施例１４  （化合物（Ａ６）の素子評価）
化合物（Ａ３）を化合物（Ａ６）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９４】
実施例１５  （化合物（Ｂ３）の素子評価）
化合物（Ａ３）を化合物（Ｂ３）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９５】
実施例１６  （化合物（Ｂ１０）の素子評価）
化合物（Ａ３）を化合物（Ｂ１０）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９６】
実施例１７  （化合物（Ｂ１４）の素子評価）
化合物（Ａ３）を化合物（Ｂ１４）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９７】
実施例１８  （化合物（Ｃ７）の素子評価）
化合物（Ａ３）を化合物（Ｃ７）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９８】
比較例２
化合物（Ａ３）をＮＰＤに変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【００９９】
比較例３
化合物（Ａ３）を比較化合物（ａ）に変更した以外は実施例１３と同様な有機ＥＬ素子を作製した。２０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加した際の駆動電圧及び外部量子効率を表１に示す。
【０１００】
【表１】
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