(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験片の製造方法において、
絶縁基板上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第１金属膜を形成する第１真空成膜ステップと、
該第１金属膜の上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第２金属膜を形成する第２真空成膜ステップと、
該第２金属膜上にホトレジストパターン層を形成するリソグラフィー成像ステップと、 第１エッチング液で該第２金属膜の該ホトレジストパターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第２金属パターン層を形成する第１エッチングステップと、
第２エッチング液で該第１金属膜の該ホトレジストパターン層及び該第２金属パターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第１金属パターン層を形成する第２エッチングステップと、
該ホトレジストパターン層を除去するホトレジストパターン層除去ステップと、
電気めっき或いは無電解メッキの方式で、該第２金属パターン層上に、第３金属パターン層、第４金属パターン層及び第５金属パターン層を順に形成する化学増層ステップと、 を包含し、該第１金属パターン層、該第２金属パターン層、該第３金属パターン層、該第４金属パターン層、及び該第５金属パターン層のパターン及び位置は完全に重畳し、該第１エッチング液は、該第１金属膜に対して反応を発生せず、該第２エッチング液は該第２金属パターン層に対して反応を発生しないことを特徴とする、試験片の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の試験片の製造方法において、該第１金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜５０ナノメータであり、それはクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、スズ、インジウム、パラジウム、タングステン、鉄、金、銀、白金、鋼の少なくとも一つで形成され、該第２金属パターン層の厚さ範囲は、４０〜９０ナノメータであり、それは銅、ニッケル、チタン、アルミニウム、スズ、インジウム、パラジウム、タングステン、鉄、金、銀、白金、鋼の少なくとも一つで形成されることを特徴とする、試験片の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の試験片の製造方法において、該リソグラフィー成像ステップは、ホトレジスト形成ステップ、露光ステップ及び現像ステップを包含し、該ホトレジスト形成ステップは、該第２金属膜の上にホトレジスト層を形成し、該露光ステップは、該ホトレジスト層上にマスクを通して露光動作を実行し、該現像ステップは、該露光ステップの後の該ホトレジスト層を、現像液で洗浄し、ホトレジストパターン層を形成する、試験片の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の試験片の製造方法において、該第１エッチング液の成分は、酸液及び酸化剤を包含し、該酸液は、リン酸、しゅう酸、硫酸、塩酸、酢酸及び乳酸のうち、少なくともいずれか一つとされ、該酸化剤は、過硫酸ナトリウム、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、オゾンのうち、少なくともいずれか一つとされ、該第２エッチング液は、アルカリ液、第２酸化剤、及び塩を包含し、そのうち、該アルカリ液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、モノエタノールアミン及びトリエチルアミンのうち少なくとも一つとされ、第２酸化剤は、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、重クロム酸ナトリウム及び硝酸セレンアンモニウムのうち少なくとも一つとされ、該塩は、リン酸ナトリウム、リン酸２水素ナトリウム、リン酸水素２ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、しゅう酸ナトリウムのうち、少なくとも一つとされることを特徴とする、試験片の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の試験片の製造方法において、該第３金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、パラジウムで形成され、該第４金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、ニッケルで形成され、該第５金属パターン層の厚さ範囲は、２〜５μｍとされ、金、銀、銅、ニッケル、チタン、パラジウムの少なくとも一つで形成されることを特徴とする、試験片の製造方法。
【請求項６】
請求項３記載の試験片の製造方法において、該第２エッチングステップ及び該ホトレジスト除去ステップの間に、中和剤に浸漬するステップを有し、該中和剤は、第３酸化剤及び還元剤を包含し、該酸化剤は硫酸、しゅう酸、乳酸及び過酸化水素水のうち少なくとも一つを包含し、該還元剤は、ヒドラジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、ジメチルスルホキシド及びテトラヒドロフランのうち少なくとも一つとされることを特徴とする、試験片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の試験片に係り、主に、血糖試験に応用され、且つ少なくとも１層のナノレベルの金属パターン層を包含するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
化学試験片の応用は、ここ数十年来、各種の流体の試験において成熟している。一般に見られる試験片は、通常、参考電極（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）と作業電極（Ｗｏｒｋｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を包含し、電極の製造方法或いは使用する材料は、いずれも試験で獲得される数値の正確度に影響を与え得て、材料導電部分については、導電の電気抵抗が低く、導電安定性が高いほどよい。
【０００３】
現在一般に使用される状況では、試験用参考電極と作業電極のパターンは、接着方式で絶縁基板上に製作される。しかし、接着剤の使用は、電気抵抗の増大、電気伝導率の低下を形成しやすく、試験データの誤判断を形成しやすい。このほか、構造を改良して電気メッキ方式で実行したものもあるが、メッキ層はさらに後続のエッチング処理を必要とし、電極剥離の現象を形成しやすい。このため、周知の技術の問題を解決する構造と方法が求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主要な目的は、一種の試験片を提供することにあり、それは、絶縁基板と、線路金属パターン構造を包含し、該線路金属パターン構造は、該絶縁基板上に形成されると共に、下から上に順に堆積された第１金属パターン層、第２金属パターン層、第３金属パターン層、第４金属パターン層、及び第５金属パターン層を包含し、そのうち、該第１金属パターン層、第２金属パターン層、第３金属パターン層、第４金属パターン層、及び第５金属パターン層のパターン及び位置は完全に重畳し、且つ該第１金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜５０ナノメータ（ｎｍ）であり、それはクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、鋼の少なくとも一つで形成され、該第２金属パターン層の厚さ範囲は、４０〜９０ナノメータ（ｎｍ）であり、それは銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、鋼の少なくとも一つで形成される。
【０００５】
本発明のもう一つの目的は、一種の試験片の製造方法を提供することにあり、それは、
絶縁基板上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第１金属膜を形成する第１真空成膜ステップと、
該第１金属膜の上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第２金属膜を形成する第２真空成膜ステップと、
該第２金属膜上にホトレジストパターン層を形成するリソグラフィー成像ステップと、
第１エッチング液で該第２金属膜の該ホトレジストパターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第２金属パターン層を形成する第１エッチングステップと、
第２エッチング液で該第１金属膜の該ホトレジストパターン層及び該第２金属パターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第１金属パターン層を形成する第２エッチングステップと、
該ホトレジストパターン層を除去するホトレジストパターン層除去ステップと、
電気めっき或いは無電解メッキの方式で、該第２金属パターン層上に、第３金属パターン層、第４金属パターン層及び第５金属パターン層を順に形成する化学増層ステップと、
を包含し、そのうち、該第１エッチング液は、該第１金属膜に対して反応を発生せず、該第２エッチング液は該第２金属パターン層に対して反応を発生しない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、試験片の製造方法において、
絶縁基板上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第１金属膜を形成する第１真空成膜ステップと、
該第１金属膜の上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第２金属膜を形成する第２真空成膜ステップと、
該第２金属膜上にホトレジストパターン層を形成するリソグラフィー成像ステップと、 第１エッチング液で該第２金属膜の該ホトレジストパターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第２金属パターン層を形成する第１エッチングステップと、
第２エッチング液で該第１金属膜の該ホトレジストパターン層及び該第２金属パターン層により遮蔽されていない部分を除去し、第１金属パターン層を形成する第２エッチングステップと、
該ホトレジストパターン層を除去するホトレジストパターン層除去ステップと、
電気めっき或いは無電解メッキの方式で、該第２金属パターン層上に、第３金属パターン層、第４金属パターン層及び第５金属パターン層を順に形成する化学増層ステップと、 を包含し、該第１金属パターン層、該第２金属パターン層、該第３金属パターン層、該第４金属パターン層、及び該第５金属パターン層のパターン及び位置は完全に重畳し、該第１エッチング液は、該第１金属膜に対して反応を発生せず、該第２エッチング液は該第２金属パターン層に対して反応を発生しないことを特徴とする、試験片の製造方法としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の試験片の製造方法において、該第１金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜５０ナノメータであり、それはクロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、スズ、インジウム、パラジウム、タングステン、鉄、金、銀、白金、鋼の少なくとも一つで形成され、該第２金属パターン層の厚さ範囲は、４０〜９０ナノメータであり、それは銅、ニッケル、チタン、アルミニウム、スズ、インジウム、パラジウム、タングステン、鉄、金、銀、白金、鋼の少なくとも一つで形成されることを特徴とする、試験片の製造方法としている。
請求項３の発明は、請求項１記載の試験片の製造方法において、該リソグラフィー成像ステップは、ホトレジスト形成ステップ、露光ステップ及び現像ステップを包含し、該ホトレジスト形成ステップは、該第２金属膜の上にホトレジスト層を形成し、該露光ステップは、該ホトレジスト層上にマスクを通して露光動作を実行し、該現像ステップは、該露光ステップの後の該ホトレジスト層を、現像液で洗浄し、ホトレジストパターン層を形成する、試験片の製造方法としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の試験片の製造方法において、該第１エッチング液の成分は、酸液及び酸化剤を包含し、該酸液は、リン酸、しゅう酸、硫酸、塩酸、酢酸及び乳酸のうち、少なくともいずれか一つとされ、該酸化剤は、過硫酸ナトリウム、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、オゾンのうち、少なくともいずれか一つとされ、該第２エッチング液は、アルカリ液、第２酸化剤、及び塩を包含し、そのうち、該アルカリ液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、モノエタノールアミン及びトリエチルアミンのうち少なくとも一つとされ、第２酸化剤は、過マンガン酸カリウム、重クロム酸カリウム、重クロム酸ナトリウム及び硝酸セレンアンモニウムのうち少なくとも一つとされ、該塩は、リン酸ナトリウム、リン酸２水素ナトリウム、リン酸水素２ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、しゅう酸ナトリウムのうち、少なくとも一つとされることを特徴とする、試験片の製造方法としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の試験片の製造方法において、該第３金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、パラジウムで形成され、該第４金属パターン層の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、ニッケルで形成され、該第５金属パターン層の厚さ範囲は、２〜５μｍとされ、金、銀、銅、ニッケル、チタン、パラジウムの少なくとも一つで形成されることを特徴とする、試験片の製造方法としている。
請求項６の発明は、請求項３記載の試験片の製造方法において、該第２エッチングステップ及び該ホトレジスト除去ステップの間に、中和剤に浸漬するステップを有し、該中和剤は、第３酸化剤及び還元剤を包含し、該酸化剤は硫酸、しゅう酸、乳酸及び過酸化水素水のうち少なくとも一つを包含し、該還元剤は、ヒドラジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、ジメチルスルホキシド及びテトラヒドロフランのうち少なくとも一つとされることを特徴とする、試験片の製造方法としている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の特徴は、真空成膜方式で形成した第１金属パターン層及び第２金属パターン層が、真空成膜により形成されるために、均一度が極めて良好で、膜厚の平均値誤差は、３００Åより小さく、同時に、低電気抵抗を有し、これにより、後続試験電流を安定させ、不安定な電流が形成するデータの誤判断を防止し、並びにスピーディーな試験速度を提供できることにある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の試験片の断面図である。
【図２】本発明の試験片の製造方法のフローチャートである。
【図３Ａ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｂ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｃ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｄ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｅ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｆ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｇ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｈ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｉ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｊ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【図３Ｋ】本発明の試験片の製造方法のステップにおける構造断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の技術内容、構造特徴、達成する目的を詳細に説明するため、以下に実施例を挙げ並びに図面を組み合わせて説明する。
【００１０】
図１を参照されたい。それは本発明の試験片の断面図である。図１に示されるように、本発明の試験片１は、絶縁基板１０及び線路金属パターン構造３０を包含する。線路金属パターン構造３０は絶縁基板１０の上に形成され、該線路金属パターン構造３０は、下から上に順に堆積された第１金属パターン層３１、第２金属パターン層３３、第３金属パターン層３５、第４金属パターン層３７及び第５金属パターン層３９を包含する。該第１金属パターン層３１、第２金属パターン層３３、第３金属パターン層３５、第４金属パターン層３７及び第５金属パターン層３９のパターン及び位置は完全に重畳する。
【００１１】
絶縁基板１０は、ポリエチレンテレフタレート、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミドで製造され、その厚さ範囲は２５〜５００μｍとされる。
該第１金属パターン層３１の厚さ範囲は、２０〜５０ナノメータ（ｎｍ）であり、それはクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、鋼の少なくとも一つで形成され、好ましくは、クロムで形成される。
【００１２】
該第２金属パターン層３３の厚さ範囲は、４０〜９０ナノメータ（ｎｍ）であり、それは銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、鋼の少なくとも一つで形成され、好ましくは、銅で形成される。
【００１３】
第３金属パターン層３５の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、パラジウムで形成される。
【００１４】
第４金属パターン層３７の厚さ範囲は、２０〜３０μｍとされ、ニッケルで形成される。
【００１５】
第５金属パターン層３９の厚さ範囲は、２〜５μｍとされ、金、銀、銅、ニッケル、チタン、パラジウムの少なくとも一つで形成され、好ましくは金で形成される。
【００１６】
図２及び図３Ａ〜３Ｋを参照されたい。それはそれぞれ本発明の試験片の製造フローチャートと各ステップの断面図である。図２に示されるように、本発明の試験片製造方法Ｓ１は、第１真空成膜ステップＳ１１、第２真空成膜ステップＳ１３、リソグラフィー成像ステップＳ２０、第１エッチングステップＳ３１、第２エッチングステップＳ３３、リソグラフィー除去ステップＳ４０、化学増層ステップＳ５０を包含する。
【００１７】
図３Ａ及び図３Ｂを参照されたい。第１真空成膜ステップＳ１１は絶縁基板１０上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＡＬＤ）で第１金属膜２１を形成し、第２真空成膜ステップＳ１３は、該第１金属膜２１上に、蒸着、スパッタ或いは原子層堆積により第２金属膜２３を形成する。
【００１８】
図２及び図３Ｃから図３Ｅを参照されたい。リソグラフィー成像ステップＳ２０は、ホトレジスト形成ステップＳ２１、露光ステップＳ２３及び現像ステップＳ２５を包含する。図３Ｃに示されるように、ホトレジスト形成ステップＳ２１は、第２金属膜２３の上にホトレジスト層１００を形成し、露光ステップＳ２３は、ホトレジスト層１００上にマスク２００を通して露光動作を実行し、現像ステップＳ２５は、露光ステップの後のホトレジスト層１００を、現像液で洗浄し、これはポジ型ホトレジストを例として示しており、ホトレジスト層１００の、マスク２００の透光部２１０に対応する部分は、現像液により溶解し、ホトレジスト層１００の、遮光部２２０に対応する部分は、現像液に溶けずに保留され、こうして、ホトレジストパターン層１２０が形成される。本発明はポジ型ホトレジストを例として説明しているが、実際には、ネガ型ホトレジストを応用して同じ構造を形成することができる。
【００１９】
図３Ｆも参照されたい。第１エッチングステップＳ３１は、第１エッチング液で第２金属膜２３のホトレジストパターン層１２０により遮蔽されていない部分を除去し、第２金属パターン層３３を形成する。そのうち、第１エッチング液は、第１金属膜２１に対して反応を発生せず、第１エッチング液の成分は、少なくとも一種類の酸液及び酸化剤を包含し、該酸液は、リン酸、しゅう酸、硫酸、塩酸、酢酸及び乳酸のうち、少なくともいずれか一つとされる。該酸化剤は、過硫酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｐｅｒｓｕｌｆａｔｅ，ＳＰＳ）、過酸化水素水、過硫酸アンモニウム、オゾンのうち、少なくともいずれか一つとされる。
【００２０】
図３Ｇも参照されたい。第２エッチングステップＳ３３は、第２エッチング液で、第１金属膜２１の、ホトレジストパターン層１２０及び第２金属パターン層３３により遮蔽されていない部分を除去し、第１金属パターン層３１を形成する。そのうち、第２エッチング液は、第２金属パターン層３３に対して反応を発生せず、該第２エッチング液は、少なくとも一種類のアルカリ液、第２酸化剤、及び塩を包含する。そのうち、該アルカリ液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ，ＭＥＡ）及びトリエチルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ，ＴＥＡ）のうち少なくとも一つとされ、第２酸化剤は、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ4 ）、重クロム酸カリウム（Ｋ2 Ｃｒ2 Ｏ7 ）、重クロム酸ナトリウム（Ｎａ2 Ｃｒ2 Ｏ7 ）及び硝酸セレンアンモニウム（（ＮＨ4）2Ｃｅ（ＮＯ3）6）のうち少なくとも一つとされる。該塩は、リン酸ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）、リン酸２水素ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ4）、リン酸水素２ナトリウム（Ｎａ2ＨＰＯ4）、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ3）、しゅう酸ナトリウム（Ｎａ2Ｃ2Ｏ4）のうち、少なくとも一つとされる。
【００２１】
図３Ｈも参照されたい。第３ホトレジスト除去ステップＳ４０は、有機溶液で、ホトレジストパターン層１２０を除去し、さらに、第２エッチングステップＳ３３及びホトレジスト除去ステップＳ４０の間に、さらに図３Ｅに示される構造のように、中和剤に浸漬する。そのうち、該中和剤は、第３酸化剤及び還元剤を包含し、該酸化剤は硫酸、しゅう酸、乳酸及び過酸化水素水のうち少なくとも一つを包含し、該還元剤は、ヒドラジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ，ＴＭＡＨ）、ジメチルスルホキシド（Ｄｉｍｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｏｘｉｄｅ，ＤＭＳＯ）及びテトラヒドロフラン（Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｆｕｒａｎ，ＴＨＦ）のうち少なくとも一つとされる。
【００２２】
化学増層ステップＳ５０は、第１成膜ステップＳ５１、第２成膜ステップＳ５３及び第３成膜ステップＳ５５を包含し、図３Ｉから図３Ｋに示されるように、それぞれ第２金属パターン層３１上にあって、電気メッキ或いは無電解メッキ（化学メッキ）の方式で、順に、第３金属パターン層３５、第４金属パターン層３７及び第５金属パターン層３９を形成する。
【００２３】
本発明の特徴は、真空成膜方式により第１金属パターン層及び第２金属パターン層を形成することで、均一度が極めて良好で、膜厚平均値の誤差が３００Å以下で、同時に、低電気抵抗を有するものとし、これにより、後続試験電流を安定させ、不安定な電流が形成する試験データの誤判断を防止し、また、スピーディーな試験速度を提供できるようにすることにある。
【００２４】
以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００２５】
１  試験片
１０  絶縁基板
３０  線路金属パターン構造
３１  第１金属パターン層
３３  第２金属パターン層
３５  第３金属パターン層
３７  第４金属パターン層
３９  第５金属パターン層
Ｓ１  試験片の製造方法
Ｓ１１、Ｓ１３、Ｓ２０、Ｓ２３、Ｓ２５、Ｓ３１、Ｓ３３、Ｓ４０、Ｓ５０  ステップ
【図１】
0005567172.tif 000002
【図２】
0005567172.tif 000003
【図３Ａ】
0005567172.tif 000004
【図３Ｂ】
0005567172.tif 000005
【図３Ｃ】
0005567172.tif 000006
【図３Ｄ】
0005567172.tif 000007
【図３Ｅ】
0005567172.tif 000008
【図３Ｆ】
0005567172.tif 000009
【図３Ｇ】
0005567172.tif 000010
【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
0005567172.tif 000013
【図３Ｋ】
0005567172.tif 000014