(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記電極の電圧変化を示すピーク波形を検出することを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記電圧検出器は、所定の閾値との比較に基づいて、前記ピーク波形を検出することを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項３】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記試料が吸着したことを示すピーク波形を検出する回路を含んでいることを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項４】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記電源回路から印加される電圧の低下を示すピーク波形を検出する回路を含んでいることを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項５】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記電源回路から前記電極に電圧を印加している状態にて、前記試料の脱着を示すピーク波形を検出する回路を含んでいることを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項６】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記試料の吸着解除を示すピーク波形を検出する回路を含んでいることを特徴とする静電チャック用電源回路。
【請求項７】
試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャック部と、前記正電極、及び負電極に電圧を印加する静電チャック用電源回路を備えた静電チャック装置において、
前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極の間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間に、それぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有し、前記電圧検出器は、前記電極の電圧変化を示すピーク波形、前記試料が吸着したことを示すピーク波形、前記電源回路から印加される電圧の低下を示すピーク波形、前記電源回路から前記電極に電圧を印加している状態にて、前記試料の脱着を示すピーク波形、及び前記試料の吸着解除を示すピーク波形の少なくとも１つを検出する回路を含んでいることを特徴とする静電チャック装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックに用いられる静電チャック用電源回路に係り、特に、試料の接触，非接触の状態を的確に把握する機能を備えた静電チャック用電源回路、及び静電チャック装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電チャックとはコンデンサの原理を応用し、対象物を吸着する装置である。コンデンサは誘電体を二枚の電極で挟み込む構造をしており、それぞれの電極に電位差を加えると誘電体内で誘電分極が発生し、これが電荷を蓄積する。
【０００３】
このようなコンデンサの基本原理に基づいて、静電チャックの原理を考えると、静電吸着の対象となる試料は、コンデンサの一方の電極と等価であり、対象物と誘電体の接するそれぞれの表面で分極が生じるため、両者は互いに引き合い、吸着される。
【０００４】
半導体製造，検査，測定等を行う装置では、その対象試料を保持するために、静電チャック方式による試料保持が行われている。これら装置は、連続的に導入される試料に対応すべく、自動化が進められており、静電チャック方式による試料保持装置についても、試料が適正に吸着されているか、そのモニタを自動的に行う手法が提案されている。特許文献１には、基板の静電吸着状態の良否を判断する手法が説明されている。具体的には、基板が適正に静電吸着されているときに、静電チャック回路に流通する電流を参照値として、当該参照値より電流が小さい場合に、異常（正常に試料が配置されていない）と判断する方法が特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３３０２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、静電チャック装置は、半導体検査，測定装置等の中で、試料を保持しつつ、試料を移動させるために用いられるが、その際に生じる外部部材と、試料との間の静電容量の変化に伴い、試料の吸着，脱着とは関係のない過度電流を検出する可能性がある。このような過度電流は、試料が適正に吸着されていても、検出されてしまう可能性があり、誤検出の要因となる場合がある。
【０００７】
以下に、試料の吸着、或いは脱着の状態を適正に検出することを目的とした静電チャック用電源回路、及び静電チャック装置について説明する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、試料を支持する支持部材内に、正電極、及び負電極が設置される静電チャックに、電圧を印加する静電チャック用電源回路において、前記正電極に正の電圧を印加する第１の電源回路と、前記負電極に負の電圧を印加する第２の電源回路と、前記第１の電源回路と前記正電極との間、及び前記第２の電源回路と前記負電極との間のそれぞれに接続される抵抗と、前記正電極、又は負電極の電圧を検出する電圧検出器を備え、当該電圧検出器が接続される電極と、前記電源回路との間に接続される抵抗は、他の電源回路と電極との間に配置される抵抗より高い抵抗値を有する静電チャック用電源回路を提案する。
【０００９】
また、複数種の電圧変化をモニタすることによって、静電チャック上の種々の現象を特定する静電チャック電源回路を提案する。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成によれば、電源回路に過度電流が流れることに基づく、試料の吸着，脱着の誤検出を抑制することが可能となる。また、上記他の構成によれば、単に吸着，脱着だけではなく、その他の現象をも特定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】静電チャック機構と静電チャック電源回路の概要を説明する図。
【図２】静電チャック電源回路の具体的な構成を説明する図。
【図３】静電チャックの電極の出力電圧値波形を説明する図。
【図４】電流検出方式の静電チャック電源回路の構成例を説明する図。
【図５】静電チャック電源回路の他の構成例を説明する図。
【図６】静電チャック電源回路の更に他の構成例を説明する図。
【図７】静電チャック電源回路の更に他の構成例を説明する図。
【図８】吸着状態の良否を判断する論理回路の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
静電チャックの吸着方式は、誘電体の抵抗率，吸着圧力，吸着対象物等の違いに基づいて、Johnson-Rahbek方式，Column（クーロン）方式，Gradient方式などに類別される。
【００１３】
半導体デバイスの測定や検査を行う試料ステージに設けられる静電チャックとしては、電子ビーム等の照射位置付近の安定性を考慮すると、吸着圧力はJohnson-Rahbek方式よりも小さくなるものの、誘電体の抵抗率が高いクーロン方式が適している。
【００１４】
また、静電チャックの様式は、静電チャック内に配置される電極一つで対象物を吸着させるものがモノポール型，電極を二つ用意して対象物を吸着させるものがダイポール型と呼ばれる。ダイポール型の静電チャックは対象物に電圧を加えることなく、電極それぞれに逆極性の電圧を加えることで吸着力を発生させる。
【００１５】
半導体パターンの寸法測定を行う測長用走査電子顕微鏡（Critical Dimension-Scanning Electron Microscope：ＣＤ−ＳＥＭ）を一例とする測定，検査装置は、自動的な制御が求められる。一方で、意図しない現象が発生した場合に、速やかな対処が可能なように、診断機能を設ける必要がある。更に、理想的には、単に吸着，脱着の状態をモニタするだけではなく、吸着状態の良否判定を設けることが望ましい。
【００１６】
上記のような診断を行う一手法として、圧力センサを利用した直接的な状態観察、メカ的に対象物の吸着面を押し返したり、ガスを噴出させたり、また精度が追いつけば位置センサを利用するなども考えられるが、半導体デバイスに対し、物理的な影響を与える手法や真空室内にてガスを噴出する手法等は選択すべきではない。また、静電チャック機構の簡素化も求められる。
【００１７】
クーロン方式、ダイポール型の静電チャックのメカニズムを詳しく見ると、正負電極それぞれに正負電源電圧を加えた瞬間、前述した通り静電チャックホルダ表面と吸着対象物（半導体ウェハ）裏面で誘電分極が発生する。これは即ち、正負電極−半導体ウェハ間にコンデンサが形成されたことと同義である。コンデンサは正負電極相互間にも勿論形成されているが、半導体ウェハとの間のコンデンサよりも容量は小さい。誘電分極の発生と吸着による半導体ウェハの接近は同時に正負電極−半導体ウェハ間に過度電流を発生させる。前述した過度電流（ピーク）の大きさはコンデンサ容量に比例するため、半導体ウェハの有無と吸着したかどうかを判別できる。
【００１８】
図４に示す静電チャック電源回路は、過度電流を検出することによって、静電チャックホルダ上に半導体ウェハがあるかどうか、或いは静電チャックホルダ上に半導体ウェハがある場合には吸着したかどうかを判定できる。図４に例示する静電チャック電源回路は、ダイポール型静電チャックホルダ４０の一方の電極に、電流検出抵抗３１を介して、正極高電圧回路１０の正極出力電圧１１を印加し、前述した検出抵抗の流れる電流を正極側吸着良否判定回路７０の電流検出絶縁アンプ７４、及び正極側各種ピーク検出回路７１によって検出する構成となっている。
【００１９】
半導体デバイスやフォトマスク等に対し、荷電粒子ビームを照射することによって、測定，検査する装置では、静電チャックホルダ４０と半導体ウェハ４４は真空チャンバ４５内に配置され、当該真空チャンバ４５内で試料ステージや、試料搬送機構等の移動機構によって移動する。このときウェハ−チャンバ天板間容量４６，チャック電極−チャンバ内壁間容量４７の変化に伴い、吸脱着現象とは関係のない過度電流を検出する可能性がある。
【００２０】
以下に説明する静電チャックの電源回路は、チャック電極に加えるための所望の値と極性の電圧を出力可能とすると共に、種々のチャック状態の判定を可能とする機能が設けられている。具体的には、吸着の状態判定、チャック電極に所定の電圧を印加した状態で適正に半導体ウェハが吸着されているかの判定、チャック電極に所定電圧を印加した状態で、脱着が発生したかの判定、チャック電極への電圧印加を停止したときに、適正に吸着が解除されたかの判定、吸着を維持できない状態かどうかの判定、チャック電極に印加する電圧が制御に依らず低下した状態の判定を行う機能が備えられている。
【００２１】
本実施例装置では、上述のような判定を電気回路によって実現する。半導体ウェハ等の試料は、傷や異物の発生を抑制する観点から、他部材との接触を極力避けることが望まれる。傷や異物の発生は、半導体デバイス等の歩留まりの低下につながるため、極力避けなければならない。また、上述したような過度電流に基づく誤検出を抑制するようなチャック機構の提供が望まれる。本実施例装置では、チャック電極に印加する電圧が高電圧であっても、絶縁アンプのような高価な装置を用いることなく、上述のような判定が可能となる。
【００２２】
本実施例装置では、ダイポール型の静電チャックホルダに対して、各チャック電極と、正負電源出力電圧端子間に、アンバランサ抵抗となるどちらか一方を相対的に大きくした抵抗を接続し、このときのチャック電極電圧を検出することで吸着状態の良否を判定する。図４に例示した電流検出抵抗を用いた判定は、電流検出方式であるのに対し、本実施例装置は電圧検出方式を用いた判定であると言える。
【００２３】
図１に静電チャック機構と静電チャック電源回路構成を例示する。図１はダイポール型の静電チャックホルダである。静電チャックホルダの上面は、試料を支持する支持部材として機能する。静電チャック正電極４１と、正極高電圧回路１０の正極出力電圧１１端子との間、及び静電チャック負電極４２と、負極高電圧回路２０の負極出力電圧２１端子との間には、アンバランサ抵抗３０が接続されている。静電チャック正電極４１には、正極側出力分圧回路５０が接続され、静電チャック負電極４２には、負極側出力分圧回路６０が接続されている。
【００２４】
正極側出力分圧回路５０の分圧値は、正極側吸着良否判定回路７０の正極側バッファ７２に入力され、正極側各種ピーク検出回路７１により吸着状態の良否を示す特徴的な電圧波形ピークを検出し、判定信号が出力される。負極側出力分圧回路６０の分圧値も負極側吸着良否判定回路８０の負極側バッファ８２，負極側各種ピーク検出回路８１に入力される。
【００２５】
各吸着良否判定回路には各電極電圧における吸着状態の良否を示す特徴的な電圧波形ピークを抽出するために、各出力制御電圧や各判定に用いられる閾値が入力される。また各吸着良否判定回路の出力，判定信号には各電極電圧の分圧値そのものである出力電圧値，出力電圧の低下を指し示す電圧低下判定信号，半導体ウェハが吸着されたことを指し示す吸着判定信号，半導体ウェハの意図しない脱着と任意に吸着が解除されたことを指し示す吸着解除判定信号がある。
【００２６】
上述のような構成を持つ静電チャック機構のチャック電極に出力電圧を加えると、各チャック電極−半導体ウェハ間にはコンデンサが形成され過度電流が流れる。図１に例示する静電チャック機構はダイポール型であり、静電チャック正電極４１、及び静電チャック負電極４２のそれぞれには、逆極性の電圧が印加されているため、過度電流は静電チャックされる試料の一種である半導体ウェハを介して各電源間を貫通して流れる。
【００２７】
アンバランサ抵抗３０は、過度電流の電流経路に接続されているため、抵抗値Ｒｐ，Ｒｎに差を持たせるほどに、各チャック電極電圧の立ち上がりに時間差が発生する。接地電位基準でチャック電極電圧を見た場合、立ち上がりが遅れた側では、反対の極性の電圧が現れる。この反対極性の電圧が、半導体ウェハの吸着状態の良否を示す特徴的な電圧波形ピークを出現させる。
【００２８】
図１に例示するような電圧検出方式を採用した静電チャック機構によれば、種々の試料の吸着状態の判定を容易に実現できる。また、静電チャック機構周囲の浮遊容量変化を、鋭敏に検知することがないため、吸着判定を高精度に実現可能であり、シンプルな回路構成にて上記判定を可能とする。
【００２９】
図２に静電チャック電源回路の一態様を例示する。この回路構成例はアンバランサ抵抗の各抵抗値をＲｐ＜Ｒｎとした場合のものであり、吸着状態の良否を示す特徴的な電圧波形ピークの大きさは、アンバランサ抵抗の大きい負電極側の方が大きく現れるため、吸着ピーク検出回路８４，吸着解除ピーク検出回路８５を負電極側に追加したものである。
【００３０】
図３は、図２の静電チャック負電極４２側の出力電圧値：Ｖｎｏｍの電圧波形例を説明する図である。図３に例示する吸着状態の良否を示す特徴的な電圧波形ピークは、吸着したことを示すピーク波形，電圧低下を示すピーク波形，吸着後の意図しない半導体ウェハの脱着を示すピーク波形、及び吸着解除を示すピーク波形の４種類である。出力電圧値：Ｖｎｏｍは負極高電圧出力制御電圧：Ｖｎｃと同等となるように出力電圧を分圧，反転増幅した値である。
【００３１】
吸着したことを示すピーク波形は吸着ピーク検出回路８４を用いて検出する。その検出では吸着判定閾値：Ｖｎｏｏｎｌとの比較を行う。また、電圧低下を示すピーク波形は、負極出力電圧低下ピーク検出回路８３を用いて検出する。この場合、まず負極側の出力電圧より、出力制御電圧：Ｖｎｃ分を差し引いてから、当該差し引き後の電圧と、電圧低下判定閾値：Ｖｎｏｌとの比較に基づいて、ピーク波形を抽出する。意図しない半導体ウェハの脱着と吸着解除を示すピーク波形は、吸着解除ピーク検出回路８５を用い、負極側の出力電圧より出力制御電圧：Ｖｎｃ分を差し引いてから、吸着解除判定閾値：Ｖｎｏｏｆｌとの比較に基づいて抽出される。
【００３２】
また、抽出した判定信号の妥当性を確保し、一つの吸着解除ピーク検出回路を用いて、吸着後の意図しない脱着と、吸着解除を区別するために、上記判定に加え、高電圧回路電源と高電圧出力制御電圧を、上記判定に利用する。
【００３３】
図８に、検出した各判定信号に加え、高電圧回路電源と高電圧出力制御電圧から吸着状態の良否を判断する論理回路を例示する。まず吸着，吸着解除の良否を判定する区間、吸着完了から吸着解除開始までの意図しない電圧低下、脱着を判定する区間があり、それぞれの区間で動作の完了と異常の発生を監視する。監視する対象の信号は、高電圧回路電源と高電圧出力制御電圧のＨｉｇｈ／Ｌｏｗ、電圧低下判定信号のPositive edge／Negative edge、吸着判定信号と吸着解除判定信号のPositive edgeである。
【００３４】
吸着の良否を判定する区間では、負極高電圧出力制御電圧：Ｖｎｃ＝Ｈｉｇｈと共に、電圧低下判定信号：Ｖｎｏｏ＝Positive edgeが検知され、高電圧回路電源＝Ｈｉｇｈの瞬間に、吸着判定信号：Ｖｎｏｏｎが検知され、出力電圧値：Ｖｎｏｍが目標値に達すると電圧低下判定信号：Ｖｎｏｏ＝Negative edgeが検知される。これを全てＡＮＤ素子で捉え吸着完了を示す信号を出力する。
【００３５】
吸着完了から吸着解除開始までの意図しない電圧低下、及び脱着を判定する区間では、高電圧回路電源と負極高電圧出力制御電圧：ＶｎｃがＨｉｇｈである状態で、電圧低下判定信号：Ｖｎｏｏ＝Positive edgeを検知した場合には、これらのＡＮＤを取って吸着時に意図しない電圧低下を検出したことを示す信号を出力する。また、吸着解除判定信号：Ｖｎｏｏｆ＝Positive edgeを検知した場合には同じくＡＮＤを取って吸着時に意図しない脱着を検出したことを示す信号を出力する。
【００３６】
吸着解除の良否を判定する区間では、高電圧回路電源＝Ｌｏｗと共に電圧低下判定信号：Ｖｎｏｏ＝Positive edgeと吸着解除判定信号：Ｖｎｏｏｆ＝Positive edgeを検知し、その後負極高電圧出力制御電圧：Ｖｎｃ＝Ｌｏｗ、及び出力電圧値が完全に放電された状態を示す電圧低下判定信号：Ｖｎｏｏ＝Negative edgeの検知に基づいて、吸着解除完了を示す信号を出力する。
【００３７】
図５に静電チャック電源回路の他の構成例を例示する。これは静電チャックホルダがダイポール型ではあるが、電極が４極の同心円状タイプのものである。静電チャックにより半導体ウェハを吸着した場合、半導体ウェハの表面電位は、正負電源電圧の絶対値が同じであり、半導体ウェハ直下にある正負電極の面積比も同じであれば、正負電源電圧の中間電圧、即ちゼロ［Ｖ］となる。４極同心円状タイプの電極構成であっても前述した原理に則り、電圧電圧，電極面積を制御すれば、半導体ウェハ表面電位をゼロにできる。
【００３８】
電極数が２つよりも多い偶数であれば、２つの逆極性の電源からの電圧印加によって、静電チャックとして機能するが、本実施例では、１つの電源が故障した場合等にも静電チャックを可能とすべく、逆極性の電源を２セット設けた。
【００３９】
図６に静電チャック電源回路の更に他の構成例を示す。ＳＥＭでは、電子ビームの試料への到達エネルギーの抑制、或いは試料から放出される二次電子の高効率収集を目的として、試料に負電圧（以下、リターディング電圧と称することもある）を印加することがある。
【００４０】
試料に負電圧を印加する場合、上述の実施例にて例示した静電チャックでは、以下の２点の課題を考慮する必要がある。一つはアンバランサ抵抗による電圧検出方式の効果が失われる可能性があること、もう一つは半導体ウェハ印加電圧電源９０を可変する場合の各電極−半導体ウェハ間の吸着力の変化である。
【００４１】
１つ目の課題は、半導体ウェハ導通部−印加電圧間抵抗９２の抵抗値に依存する。半導体ウェハにリターディング電圧を印加しない場合には、吸着の良否を判定するための電圧波形ピークを生じさせる過度電流は、各電源電圧間を貫通して流れていたが、半導体ウェハに前述した半導体ウェハ導通部−ウェハ印加電圧間抵抗９２を介して電圧を印加すると、半導体ウェハ導通部−ウェハ印加電圧間抵抗９２の抵抗値に依存して、過度電流は半導体ウェハ導通部−ウェハ印加電圧間抵抗９２の方へ流れ、電圧波形ピークを生成することができない。
【００４２】
２つ目の課題は、半導体ウェハに負の電圧を印加することによって、ダイポール型の静電チャックホルダであっても、各電極と半導体ウェハとの間にモノポール型の静電チャックと同じ原理で吸着力が発生する。
【００４３】
このとき半導体ウェハ印加電圧９０を変化すると、各電極と半導体ウェハとの電位差が、一方は小さくなり吸着力が弱まり、もう一方は大きくなって吸着力が強まるといった現象が発生する。このとき半導体ウェハ印加電圧９０を変化する前に比べて、吸着力が低下する可能性がある。
【００４４】
上述した２つの課題は、図６（ｂ）に例示する静電チャック電源回路のように、正極出力電圧電源１１と負極出力電圧電源２１を、半導体ウェハ印加電圧電源９０と、各電極との間に接続し、且つ半導体ウェハ導通部−ウェハ印加電圧間抵抗９２の抵抗値を大きく取れば解決する。更にこのように構成された静電チャック電源回路は、以下に説明するような他の効果をも奏することができる。
【００４５】
半導体ウェハの導通を取ることによって、半導体ウェハの表面電位を意図した通りに固定，維持することができる。このように試料の表面電界を制御は、測定装置の性能や再現性の向上に用いられる。このような半導体ウェハの導通をとる上での課題は、導通手段の導通部の寿命、及び安定性である。また半導体ウェハの中には絶縁膜に覆われる等の理由により、導通がとれないものがある。
【００４６】
本実施例では、上述の課題に対し、電流検出方式と、電圧検出方式を併用することを提案する。２つの方式を併用した回路の電圧検出方式による検出回路部では、半導体ウェハの導通が取れなかったときの警報、或いは導通の取れない半導体ウェハ用の吸着状態の良否判定に選択的に適用する。
【００４７】
図７に静電チャック電源回路の更に他の構成を例示する。他の回路構成と比較すると、回路を構成する部品数を削減することができる。図７に例示する回路構成では、アンバランサ抵抗の１つを削減すると共に、吸着状態の良否を示す電圧波形ピークを、微分回路３３を用いて検出している。図７の構成によれば、吸着状態の良否判定を行う回路を簡単にできる。但し、アンバランサ抵抗の抵抗値は、微小な過度電流を識別するための電圧波形ピークに変換するために、メガオーム或いはそれ以上の抵抗値を必要とする。、このため微分回路３３に使用するコンデンサをチャック電極部に接続することは、系全体の応答性を悪化させることに繋がる可能性がある。よって、要求される仕様等に沿った回路構成を選択することが望ましい。
【符号の説明】
【００４８】
１０  正極高電圧回路
１１  正極出力電圧：Ｖｐｏ＝Ａｐ×Ｖｐｃ
２０  負極高電圧回路
２１  負極出力電圧：Ｖｎｏ＝−Ａｎ×Ｖｎｃ
３０  アンバランサ抵抗
３１  電流検出抵抗
３２  負極側電圧検出抵抗
３３  微分回路
４０  静電チャックホルダ
４１  静電チャック正電極
４２  静電チャック負電極
４３  誘電体
４４  半導体ウェハ
４５  真空チャンバ
４６  ウェハ−チャンバ天板間容量
４７  チャック電極−真空チャンバ内壁間容量
５０  正極側出力分圧回路：分圧値＝Ｖｐｏ／Ａｐ
６０  負極側出力分圧回路：分圧値＝−Ｖｎｏ／Ａｎ
７０  正極側吸着良否判定回路
７１  正極側各種ピーク検出回路
７２  正極側バッファ
７４  電流検出絶縁アンプ
８０  負極側吸着良否判定回路
８１  負極側各種ピーク検出回路
８２  負極側バッファ
８３  負極出力電圧低下ピーク検出回路
８４  吸着ピーク検出回路
８５  吸着解除ピーク検出回路
９０  半導体ウェハ印加電圧電源
９１  半導体ウェハ導通部
９２  半導体ウェハ導通部−ウェハ印加電圧間抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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