(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエッジベース部（５ｂ）を介してＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に直流電流が供給されるＬＥＤランプ（１００）において、
ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路（Ｃ）を設け、
ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）および定電流回路（Ｃ）の構成部品が実装される第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を設け、
第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とをＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に離間させて配置し、
第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）のうち、ＬＥＤランプ（１００）の先端側に配置された第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）にＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を実装し、
ウエッジベース部側に配置された第２回路基板（１ｂ）のウエッジベース部側表面（１ｂ２）に、定電流回路（Ｃ）の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）を実装し、
スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）として、放熱板（Ｑ２ａ）がインサートモールドされたトランジスタを用い、
第１回路基板（１ａ）と、第２回路基板（１ｂ）と、第２回路基板（１ｂ）に実装されたスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）とを、概略筒状のヒートシンク（３）によって包囲し、
スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）の放熱板（Ｑ２ａ）を概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）の当接部（３ａ３ｂ，３ｂ３ｂ）に当接させたことを特徴とするＬＥＤランプ（１００）。
【請求項２】
第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とをワイヤ（Ｗ１，Ｗ３，Ｗ４）によって接続し、
ダイキャスト製の概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）と、ダイキャスト製の概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）とによって概略筒状のヒートシンク（３）を構成し、
第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を概略筒状のヒートシンク（３）に対してＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に位置決めするための突出部（３ａ３ａ，３ｂ３ａ）を、第１ヒートシンク構成部（３ａ）の内側表面（３ａ３）および第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の内側表面（３ｂ３）に設けたことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）。
【請求項３】
概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）と外側表面（３ａ４，３ｂ４）との間に延びている４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）を周方向に概略９０°間隔で配列したことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）。
【請求項４】
概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ５）に形成された第１切り欠き部（３ａ５ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ５）に形成された第１切り欠き部（３ｂ５ａ）とによって貫通穴（３ｃ１）を構成し、
概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ６）に形成された第２切り欠き部（３ａ６ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ６）に形成された第２切り欠き部（３ｂ６ａ）とによって貫通穴（３ｃ２）を構成したことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）。
【請求項５】
ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）からの光を配光制御するレンズ（４）を設け、
概略円形の端面部（４ａ）と、概略筒状の外周面部（４ｂ）とをレンズ（４）に設け、
端面部（４ａ）および外周面部（４ｂ）によって、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）と、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）に実装されたＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）とを覆い、
外周面部（４ｂ）に４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）を形成し、
４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）を周方向に概略９０°間隔で配列したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＥＤランプ（１００）。
【請求項６】
第１回路基板（１ａ）のウエッジベース部側表面（１ａ２）と、第２回路基板（１ｂ）の先端側表面（１ｂ１）と、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）とによって画定される空間内にゲル剤（１０）を充填したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のＬＥＤランプ（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエッジベース部を介してＬＥＤ光源に直流電流が供給されるＬＥＤランプに関し、特には、ＬＥＤランプ全体の大型化を回避しつつ、ＬＥＤ光源から照射される光の量を安定させることができるＬＥＤランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ウエッジベース部を介してＬＥＤ光源に直流電流が供給されるＬＥＤランプが知られている。この種のＬＥＤランプの例としては、例えば特許文献１（特開２００６−４９７２６号公報）などに記載されたものがある。
【０００３】
特許文献１に記載されたＬＥＤランプでは、ウエッジベース部を介して供給された直流電流によってＬＥＤ光源が発光せしめられ、ＬＥＤ光源からの光がＬＥＤランプの照射方向に照射される。詳細には、特許文献１に記載されたＬＥＤランプでは、直流電源に対してＬＥＤ光源と抵抗とを直列接続することにより、電気回路が構成されている（特許文献１の段落〔００２３〕参照）。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載されたＬＥＤランプのように、直流電源に対してＬＥＤ光源と抵抗とを直列接続することにより電気回路が構成されている場合には、ＬＥＤ光源を発光させ、ＬＥＤ光源から光を照射することができるものの、例えば直流電源電圧の変動に伴ってＬＥＤ光源に供給される電流値が変動すると、ＬＥＤ光源の発光量が変動し、ＬＥＤ光源から照射される光の量が変動してしまう。
【０００５】
この問題点を解決するために、例えば特許文献２（特開２００９−１０４７９２号公報）に記載されたＬＥＤランプでは、ＬＥＤ光源に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路が設けられている（特許文献２の段落〔０００８〕参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−４９７２６号公報
【特許文献２】特開２００９−１０４７９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
つまり、特許文献１に記載されたＬＥＤランプに対し、特許文献２に記載された定電流回路を適用することにより、特許文献１に記載されたＬＥＤランプのＬＥＤ光源から照射される光の量を安定させることができると考えられる。
【０００８】
ところで、特許文献１に記載されたＬＥＤランプに対し、特許文献２に記載された定電流回路を適用しようとすると、電気回路の構成部品（ＬＥＤ光源および定電流回路の構成部品）の総数が大幅に増加する。
【０００９】
仮に、ＬＥＤ光源および定電流回路の構成部品のすべてを１個の回路基板に実装しようとすると、回路基板の直径（ＬＥＤランプの中心軸線に直交する方向の寸法）が大型化してしまい、それに伴って、ＬＥＤランプ全体の径方向寸法が大型化してしまう。
【００１０】
また、仮に、ＬＥＤ光源および定電流回路の構成部品のすべてを１個の回路基板に実装しようとすると、発熱量が大きい部品とＬＥＤ光源とを近接させて配置せざるを得ない。そのため、発熱量が大きい部品からの熱を受けてＬＥＤ光源が昇温してしまい、その結果、ＬＥＤ光源から照射される光の量が不安定になってしまうおそれがある。
【００１１】
前記問題点に鑑み、本発明は、ＬＥＤランプ全体の大型化を回避しつつ、ＬＥＤ光源から照射される光の量を安定させることができるＬＥＤランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、ウエッジベース部（５ｂ）を介してＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に直流電流が供給されるＬＥＤランプ（１００）において、
ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路（Ｃ）を設け、
ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）および定電流回路（Ｃ）の構成部品が実装される第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を設け、
第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とをＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に離間させて配置し、
第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）のうち、ＬＥＤランプ（１００）の先端側に配置された第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）にＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を実装し、
ウエッジベース部側に配置された第２回路基板（１ｂ）のウエッジベース部側表面（１ｂ２）に、定電流回路（Ｃ）の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）を実装し、
スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）として、放熱板（Ｑ２ａ）がインサートモールドされたトランジスタを用い、
第１回路基板（１ａ）と、第２回路基板（１ｂ）と、第２回路基板（１ｂ）に実装されたスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）とを、概略筒状のヒートシンク（３）によって包囲し、
スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）の放熱板（Ｑ２ａ）を概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）の当接部（３ａ３ｂ，３ｂ３ｂ）に当接させたことを特徴とするＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とをワイヤ（Ｗ１，Ｗ３，Ｗ４）によって接続し、
ダイキャスト製の概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）と、ダイキャスト製の概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）とによって概略筒状のヒートシンク（３）を構成し、
第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を概略筒状のヒートシンク（３）に対してＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に位置決めするための突出部（３ａ３ａ，３ｂ３ａ）を、第１ヒートシンク構成部（３ａ）の内側表面（３ａ３）および第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の内側表面（３ｂ３）に設けたことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）と外側表面（３ａ４，３ｂ４）との間に延びている４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）を周方向に概略９０°間隔で配列したことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ５）に形成された第１切り欠き部（３ａ５ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ５）に形成された第１切り欠き部（３ｂ５ａ）とによって貫通穴（３ｃ１）を構成し、
概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ６）に形成された第２切り欠き部（３ａ６ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ６）に形成された第２切り欠き部（３ｂ６ａ）とによって貫通穴（３ｃ２）を構成したことを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）からの光を配光制御するレンズ（４）を設け、
概略円形の端面部（４ａ）と、概略筒状の外周面部（４ｂ）とをレンズ（４）に設け、
端面部（４ａ）および外周面部（４ｂ）によって、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）と、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）に実装されたＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）とを覆い、
外周面部（４ｂ）に４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）を形成し、
４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）を周方向に概略９０°間隔で配列したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、第１回路基板（１ａ）のウエッジベース部側表面（１ａ２）と、第２回路基板（１ｂ）の先端側表面（１ｂ１）と、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）とによって画定される空間内にゲル剤（１０）を充填したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のＬＥＤランプ（１００）が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、ウエッジベース部（５ｂ）を介してＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に直流電流が供給される。更に、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路（Ｃ）が設けられている。また、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）および定電流回路（Ｃ）の構成部品が実装される第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）が設けられている。
【００１９】
そのため、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）および定電流回路（Ｃ）の構成部品が実装される回路基板として１個の回路基板のみが設けられている場合よりも、第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）の直径を小さくすることができ、ＬＥＤランプ（１００）全体の径方向寸法を小型化することができる。
【００２０】
更に、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とが、ＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に離間して配置されている。また、第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）のうち、ＬＥＤランプ（１００）の先端側に配置された第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）にＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）が実装されている。更に、ウエッジベース部側に配置された第２回路基板（１ｂ）のウエッジベース部側表面（１ｂ２）に、定電流回路（Ｃ）の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）が実装されている。
【００２１】
つまり、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）と最も発熱量が大きいトランジスタ（Ｑ２）とが、最も離間して配置されている。
【００２２】
そのため、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）と最も発熱量が大きいトランジスタ（Ｑ２）とが同一の回路基板上で近接して配置されている場合よりも、トランジスタ（Ｑ２）からの熱を受けてＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）が昇温し、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）から照射される光の量が不安定になってしまうおそれを低減することができる。
【００２３】
また、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）として、放熱板（Ｑ２ａ）がインサートモールドされたトランジスタが用いられている。更に、第１回路基板（１ａ）と、第２回路基板（１ｂ）と、第２回路基板（１ｂ）に実装されたスルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）とが、概略筒状のヒートシンク（３）によって包囲されている。また、スルーホール実装型のトランジスタ（Ｑ２）の放熱板（Ｑ２ａ）が、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）の当接部（３ａ３ｂ，３ｂ３ｂ）に当接せしめられている。
【００２４】
つまり、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、トランジスタ（Ｑ２）が発生した熱が、トランジスタ（Ｑ２）の放熱板（Ｑ２ａ）を介してヒートシンク（３）に伝熱され、ヒートシンク（３）の外側表面（３ａ４，３ｂ４）から放熱される。
【００２５】
そのため、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、最も発熱量が大きいトランジスタとして表面実装型のトランジスタが用いられ、トランジスタとヒートシンク（３）の内側表面とが当接せしめられていない場合よりも、最も発熱量が大きいトランジスタ（Ｑ２）の冷却効率を向上させることができ、最も発熱量が大きいトランジスタ（Ｑ２）が発生した熱がＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に伝熱されてしまうおそれを低減することができる。
【００２６】
すなわち、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、トランジスタ（Ｑ２）が発生した熱が、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）に伝熱されることなく、ヒートシンク（３）の外側表面（３ａ４，３ｂ４）から放熱される。
【００２７】
更に、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）では、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）が発生した熱が、第１回路基板（１ａ）を介してヒートシンク（３）に伝熱され、ヒートシンク（３）の外側表面（３ａ４，３ｂ４）から放熱される。
【００２８】
そのため、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）が昇温し、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）から照射される光の量が変動してしまうおそれを低減することができる。
【００２９】
換言すれば、請求項１に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤランプ（１００）全体の大型化を回避しつつ、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）から照射される光の量を安定させることができる。
【００３０】
請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）では、第１回路基板（１ａ）と第２回路基板（１ｂ）とがワイヤ（Ｗ１，Ｗ３，Ｗ４）によって接続されている。詳細には、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）では、第１回路基板（１ａ）と、第１回路基板（１ａ）に実装された電気部品と、第２回路基板（１ｂ）と、第２回路基板（１ｂ）に実装された電気部品と、ワイヤ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４）とによって電気部品ユニット（１）が構成されている。
【００３１】
更に、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）では、ダイキャスト製の概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）と、ダイキャスト製の概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）とによって概略筒状のヒートシンク（３）が構成されている。詳細には、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク（３）の半径方向に設定され、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク（３）の半径方向に設定されている。
【００３２】
そのため、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、概略筒状のヒートシンク（３）がダイキャスト製の一部品によって構成され、概略筒状のヒートシンク（３）の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク（３）の中心軸線方向（ＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向）に設定されている場合よりも、成形用金型を小さくすることができ、成形用金型のキャビティからのイジェクトを容易にすることができる。
【００３３】
また、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）では、第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を概略筒状のヒートシンク（３）に対してＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に位置決めするための突出部（３ａ３ａ，３ｂ３ａ）が、第１ヒートシンク構成部（３ａ）の内側表面（３ａ３）および第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の内側表面（３ｂ３）に設けられている。
【００３４】
そのため、請求項２に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、概略筒状のヒートシンク（３）がダイキャスト製の一部品によって構成され、第１回路基板（１ａ）および第２回路基板（１ｂ）を概略筒状のヒートシンク（３）に対してＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）方向に位置決めするための部品が、概略筒状のヒートシンク（３）とは別個に設けられている場合よりも、ＬＥＤランプ（１００）全体の製造コストを低減することができる。
【００３５】
ＬＥＤランプ（１００）は、ＬＥＤランプ（１００）の中心軸線（ＣＬ）が水平面内に位置するようにソケットに対して取り付けられる可能性が最も高いと考えられる。
【００３６】
この点に鑑み、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）と外側表面（３ａ４，３ｂ４）との間に延びている４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）が、周方向に概略９０°間隔で配列されている。
【００３７】
詳細には、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略筒状のヒートシンク（３）の４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）のうち、貫通穴（３ａ７）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴（３ｂ７）が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴（３ａ７）を介して流入し、貫通穴（３ｂ７）を介して流出する概略筒状のヒートシンク（３）の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００３８】
また、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略筒状のヒートシンク（３）の４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）のうち、貫通穴（３ｂ７）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴（３ａ７）が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴（３ｂ７）を介して流入し、貫通穴（３ａ７）を介して流出する概略筒状のヒートシンク（３）の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００３９】
あるいは、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略筒状のヒートシンク（３）の４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）のうち、貫通穴（３ｃ１）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴（３ｃ２）が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴（３ｃ１）を介して流入し、貫通穴（３ｃ２）を介して流出する概略筒状のヒートシンク（３）の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００４０】
また、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略筒状のヒートシンク（３）の４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）のうち、貫通穴（３ｃ２）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、貫通穴（３ｃ１）が最も高い位置に位置する。その結果、貫通穴（３ｃ２）を介して流入し、貫通穴（３ｃ１）を介して流出する概略筒状のヒートシンク（３）の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００４１】
すなわち、請求項３に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）を介して流入し、上側の貫通穴（３ｂ７，３ａ７，３ｃ２，３ｃ１）を介して流出する概略筒状のヒートシンク（３）の内部を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
【００４２】
請求項４に記載のＬＥＤランプ（１００）では、概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ５）に形成された第１切り欠き部（３ａ５ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ５）に形成された第１切り欠き部（３ｂ５ａ）とによって貫通穴（３ｃ１）が構成されている。更に、概略半筒状の第１ヒートシンク構成部（３ａ）の縁部（３ａ６）に形成された第２切り欠き部（３ａ６ａ）と、概略半筒状の第２ヒートシンク構成部（３ｂ）の縁部（３ｂ６）に形成された第２切り欠き部（３ｂ６ａ）とによって貫通穴（３ｃ２）が構成されている。
【００４３】
そのため、請求項４に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、アンダーカットを回避しつつ、概略筒状のヒートシンク（３）の概略半径方向に延びている４個の貫通穴（３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２）を形成することができる。
【００４４】
請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）からの光を配光制御するレンズ（４）が設けられている。また、概略円形の端面部（４ａ）と概略筒状の外周面部（４ｂ）とがレンズ（４）に設けられている。更に、端面部（４ａ）および外周面部（４ｂ）によって、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）と、第１回路基板（１ａ）の先端側表面（１ａ１）に実装されたＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）とが覆われている。
【００４５】
また、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、外周面部（４ｂ）に４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）が形成されている。更に、４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）が周方向に概略９０°間隔で配列されている。
【００４６】
詳細には、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、レンズ（４）の外周面部（４ｂ）の４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）のうち、開口部（４ｂ２ａ）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部（４ｂ２ｃ）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部（４ｂ２ａ）を介して流入し、開口部（４ｂ２ｃ）を介して流出する第１回路基板（１ａ）およびＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００４７】
また、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、レンズ（４）の外周面部（４ｂ）の４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）のうち、開口部（４ｂ２ｃ）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部（４ｂ２ａ）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部（４ｂ２ｃ）を介して流入し、開口部（４ｂ２ａ）を介して流出する第１回路基板（１ａ）およびＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００４８】
あるいは、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、レンズ（４）の外周面部（４ｂ）の４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）のうち、開口部（４ｂ２ｂ）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部（４ｂ２ｄ）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部（４ｂ２ｂ）を介して流入し、開口部（４ｂ２ｄ）を介して流出する第１回路基板（１ａ）およびＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００４９】
また、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）では、レンズ（４）の外周面部（４ｂ）の４個の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）のうち、開口部（４ｂ２ｄ）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部（４ｂ２ｂ）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部（４ｂ２ｄ）を介して流入し、開口部（４ｂ２ｂ）を介して流出する第１回路基板（１ａ）およびＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００５０】
すなわち、請求項５に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、ＬＥＤランプ（１００）がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の開口部（４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ）を介して流入し、上側の開口部（４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ，４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ）を介して流出する第１回路基板（１ａ）およびＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
【００５１】
請求項６に記載のＬＥＤランプ（１００）では、第１回路基板（１ａ）のウエッジベース部側表面（１ａ２）と、第２回路基板（１ｂ）の先端側表面（１ｂ１）と、概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）とによって画定される空間内にゲル剤（１０）が充填されている。
【００５２】
そのため、請求項６に記載のＬＥＤランプ（１００）によれば、第１回路基板（１ａ）のウエッジベース部側表面（１ａ２）と第２回路基板（１ｂ）の先端側表面（１ｂ１）と概略筒状のヒートシンク（３）の内側表面（３ａ３，３ｂ３）とによって画定される空間内にゲル剤（１０）が充填されていない場合よりも、ＬＥＤ光源（Ｌ１，Ｌ２）から照射される光の量を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を示した図である。
【図２】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を示した図である。
【図３】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を示した図である。
【図４】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を示した図である。
【図５】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ａを示した図である。
【図６】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ａを示した図である。
【図７】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂを示した図である。
【図８】第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂを示した図である。
【図９】ヒートシンク構成部３ａとヒートシンク構成部３ｂとによって構成されるヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
以下、本発明のＬＥＤランプの第１の実施形態について説明する。図１〜図４は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を示した図である。詳細には、図１（Ａ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の完成品の斜視図、図１（Ｂ）はＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬを中心に図１（Ａ）に示すＬＥＤランプ１００を反時計回りに９０°回転させた状態における第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の分解斜視図である。図２（Ａ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の平面図、図２（Ｂ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の正面図（図１（Ａ）の左手前側から第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を見た図）である。図２（Ｃ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の右側面図（図１（Ａ）の右手前側から第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を見た図）、図２（Ｄ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の底面図である。図３（Ａ）は図２（Ｃ）のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３（Ｂ）は図２（Ｃ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図、図３（Ｃ）は図２（Ｃ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。図４（Ａ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の左側面図（図１（Ａ）の左奥側から第１の実施形態のＬＥＤランプ１００を見た図）、図４（Ｂ）は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の電気回路図である。
【００５５】
図５および図６は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ａを示した図である。詳細には、図５（Ａ）はヒートシンク構成部３ａの平面図、図５（Ｂ）はヒートシンク構成部３ａの正面図（図１（Ｂ）の左手前側からヒートシンク構成部３ａを見た図）である。図５（Ｃ）はヒートシンク構成部３ａの右側面図（図１（Ｂ）の右手前側からヒートシンク構成部３ａを見た図）、図５（Ｄ）はヒートシンク構成部３ａの底面図である。図６（Ａ）はヒートシンク構成部３ａの後側面図（図１（Ｂ）の右奥側からヒートシンク構成部３ａを見た図）、図６（Ｂ）はヒートシンク構成部３ａの左側面図（図１（Ｂ）の左奥側からヒートシンク構成部３ａを見た図）、図６（Ｃ）は図５（Ｂ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００５６】
図７および図８は第１の実施形態のＬＥＤランプ１００の一部を構成する概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂを示した図である。詳細には、図７（Ａ）はヒートシンク構成部３ｂの平面図、図７（Ｂ）はヒートシンク構成部３ｂの正面図（図１（Ｂ）の左手前側からヒートシンク構成部３ｂを見た図）である。図７（Ｃ）はヒートシンク構成部３ｂの右側面図（図１（Ｂ）の右手前側からヒートシンク構成部３ｂを見た図）、図７（Ｄ）はヒートシンク構成部３ｂの底面図である。図８（Ａ）はヒートシンク構成部３ｂの後側面図（図１（Ｂ）の右奥側からヒートシンク構成部３ｂを見た図）、図８（Ｂ）はヒートシンク構成部３ｂの左側面図（図１（Ｂ）の左奥側からヒートシンク構成部３ｂを見た図）、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＥ−Ｅ線に沿った断面図である。図９は図５および図６に示すヒートシンク構成部３ａと図７および図８に示すヒートシンク構成部３ｂとによって構成されるヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れを示した図である。
【００５７】
第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、例えば２個のＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）が、概略円板状の回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）表面１ａ１（図１（Ｂ）参照）に実装されている。第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、例えば２個のＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２が設けられているが、第２の実施形態のＬＥＤランプ１００では、代わりに、２個以外の任意の数のＬＥＤ光源を設けることも可能である。
【００５８】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、例えば２個の整流用のダイオードＤ（図４（Ｂ）参照）が概略円板状の回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）のウエッジベース部側（図１（Ｂ）の下側）表面１ａ２（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）に実装されている。また、抵抗Ｒ１（図４（Ｂ）参照）が回路基板１ａのウエッジベース部側表面１ａ２に実装されている。
【００５９】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、抵抗内蔵型のトランジスタＱ１（図４（Ｂ）参照）が概略円板状の回路基板１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）表面１ｂ１（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）に実装されている。更に、抵抗Ｒ２，Ｒ３（図４参照）が回路基板１ｂのウエッジベース部側（図１（Ｂ）の下側）表面１ｂ２（図１（Ｂ）参照）に実装されている。また、トランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）が回路基板１ｂのウエッジベース部側表面１ｂ２に実装されている。
【００６０】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ワイヤＷ１（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｄ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照）と、ワイヤＷ３（図４（Ｂ）参照）と、ワイヤＷ４（図４（Ｂ）参照）とによって、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）と、回路基板１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）とが接続されている。また、ワイヤＷ１と、ワイヤＷ２（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）とが、回路基板１ｂからウエッジベース部５ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）に延ばされている。その結果、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、図１（Ｂ）に示すような電気部品ユニット１が構成され、図４（Ｂ）に示すような電気回路が構成される。つまり、絶縁チューブ２ａ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）参照）が被せられたワイヤＷ１が直流電源のプラス端子に電気的に接続され、絶縁チューブ２ｂ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）参照）が被せられたワイヤＷ２が直流電源のマイナス（グランド）端子に電気的に接続され、ウエッジベース部５ｂを介してＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）に直流電流が供給される。
【００６１】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）に供給される電流値をほぼ一定にするための定電流回路Ｃ（図４（Ｂ）参照）が設けられている。図４（Ｂ）に示す例では、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびトランジスタＱ１，Ｑ２によって定電流回路Ｃが構成されている。具体的には、例えば、直流電源電圧の変動に伴ってＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２に供給される電流値が増加すると、抵抗Ｒ２，Ｒ３の両端にかかる電圧が増加し、トランジスタＱ１のベース電圧が上昇し、トランジスタＱ１がターンオンする。その結果、トランジスタＱ２のベース電流が低下し、トランジスタＱ２がターンオフし、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２に供給される電流値が低下する。次いで、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２に供給される電流値が低下し、抵抗Ｒ２，Ｒ３の両端にかかる電圧が低下し、トランジスタＱ１のベース電圧が低下すると、トランジスタＱ１がターンオフする。このようにして、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２に供給される電流値をほぼ一定に維持することができ、その結果、直流電源電圧の変動に伴うＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２の発光量の変動を抑制することができる。
【００６２】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、図４（Ｂ）に示す電気回路の構成部品が、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）および回路基板１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）に振り分けられて実装されている。そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、図４（Ｂ）に示す電気回路の複数の構成部品が実装される回路基板として１個の回路基板のみが設けられている場合よりも、概略円板状の回路基板１ａ，１ｂの直径を小さくすることができ、ＬＥＤランプ１００全体の径方向寸法を小型化することができる。
【００６３】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）と回路基板１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）とが、ＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬ方向（図１（Ｂ）および図３（Ａ）の上下方向）に離間して配置されている。また、回路基板１ａ，１ｂのうち、ＬＥＤランプ１００の先端側に配置された回路基板１ａの先端側表面１ａ１（図１（Ｂ）参照）にＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）が実装されている。更に、ウエッジベース部側（図１（Ｂ）および図３（Ａ）の下側）に配置された回路基板１ｂのウエッジベース部側表面１ｂ２（図１（Ｂ）参照）に、定電流回路Ｃ（図４（Ｂ）参照）の構成部品のうち、最も発熱量が大きいスルーホール実装型のトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４参照）が実装されている。
【００６４】
つまり、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）と、最も発熱量が大きいトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）とが、最も離間して配置されている。
【００６５】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）と、最も発熱量が大きいトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）とが同一の回路基板上で近接して配置されている場合よりも、トランジスタＱ２からの熱を受けてＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２が昇温し、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２から照射される光の量が不安定になってしまうおそれを低減することができる。
【００６６】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、スルーホール実装型のトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）として、放熱板Ｑ２ａ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）参照）がインサートモールドされたトランジスタが用いられている。更に、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）と、回路基板１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）と、回路基板１ｂに実装されたスルーホール実装型のトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）とが、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）によって包囲されている。また、スルーホール実装型のトランジスタＱ２の放熱板Ｑ２ａが、概略筒状のヒートシンク３の内側表面３ａ３，３ｂ３（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図５、図６、図７および図８参照）の当接部３ａ３ｂ，３ｂ３ｂ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６、図７および図８参照）に当接せしめられている。
【００６７】
つまり、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、トランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）が発生した熱が、トランジスタＱ２の放熱板Ｑ２ａ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）参照）を介してヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）に伝熱され、ヒートシンク３の外側表面３ａ４，３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７および図８参照）から放熱される。
【００６８】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、最も発熱量が大きいトランジスタとして表面実装型のトランジスタが用いられ、トランジスタとヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の内側表面とが当接せしめられていない場合よりも、最も発熱量が大きいトランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）の冷却効率を向上させることができ、最も発熱量が大きいトランジスタＱ２が発生した熱がＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）に伝熱されてしまうおそれを低減することができる。
【００６９】
すなわち、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、トランジスタＱ２（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ｂ）参照）が発生した熱が、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）に伝熱されることなく、ヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の外側表面３ａ４，３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７および図８参照）から放熱される。
【００７０】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）が発生した熱が、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）の外周面１ｃ（図１（Ｂ）参照）を介してヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）に伝熱され、ヒートシンク３の外側表面３ａ４，３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７および図８参照）から放熱される。
【００７１】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）が昇温し、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２から照射される光の量が変動してしまうおそれを低減することができる。
【００７２】
換言すれば、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、ＬＥＤランプ１００全体の大型化を回避しつつ、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）および図４（Ｂ）参照）から照射される光の量を安定させることができる。
【００７３】
更に、第２の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ダイキャスト製の概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）と、ダイキャスト製の概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）とによって概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）が構成されている。
【００７４】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の半径方向（詳細には、図１（Ｂ）の左手前側−右奥側方向）に設定されている。また、概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク３の半径方向（詳細には、図１（Ｂ）の左手前側−右奥側方向）に設定されている。
【００７５】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、概略筒状のヒートシンク３がダイキャスト製の一部品によって構成され、概略筒状のヒートシンク３の成形用金型のキャビティからのイジェクト方向が概略筒状のヒートシンク３の中心軸線方向（ＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬ方向）に設定されている場合よりも、成形用金型を小さくすることができ、成形用金型のキャビティからのイジェクトを容易にすることができる。更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、概略筒状のヒートシンク３がダイキャスト製の一部品によって構成されている場合よりも、設計上、回路基板１ａ，１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）の外周面１ａ３，１ｂ３（図１（Ｂ）参照）と、ヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の内側表面３ａ３，３ｂ３（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図５、図６、図７および図８参照）との隙間を小さく設定することができ、回路基板１ａ，１ｂからヒートシンク３への熱伝達率を向上させ、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）の冷却効率を向上させることができる。
【００７６】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、回路基板１ａ，１ｂ（図１（Ｂ）および図３（Ｂ）参照）を概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）に対してＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬ方向に位置決めするための突出部３ａ３ａ，３ｂ３ａ（図１（Ｂ）、図５、図７および図８参照）が、ヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の内側表面３ａ３（図１（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図５および図６参照）およびヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の内側表面３ｂ３（図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図７および図８参照）に設けられている。
【００７７】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、概略筒状のヒートシンク３がダイキャスト製の一部品によって構成され、回路基板１ａおよび回路基板１ｂを概略筒状のヒートシンク３に対してＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬ方向に位置決めするための部品が、概略筒状のヒートシンク３とは別個に設けられている場合よりも、ＬＥＤランプ１００全体の製造コストを低減することができる。
【００７８】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の縁部３ａ５（図１（Ｂ）、図５および図６参照）の位置決め突起３ａ５ｂ（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図５および図６参照）と、ヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の縁部３ｂ５（図７および図８参照）の位置決め穴３ｂ５ｂ（図８（Ａ）参照）とを嵌合させると共に、ヒートシンク構成部３ａの縁部３ａ６（図１（Ｂ）、図５および図６参照）の位置決め突起３ａ６ｂ（図１（Ｂ）、図５および図６参照）と、ヒートシンク構成部３ｂの縁部３ｂ６（図７および図８参照）の位置決め穴３ｂ６ｂ（図８（Ａ）参照）とを嵌合させることにより、ヒートシンク構成部３ａとヒートシンク構成部３ｂとが相対的に位置決めされている。
【００７９】
第１の実施形態のＬＥＤランプ１００が適用される場合には、ＬＥＤランプ１００の中心軸線ＣＬが水平面内に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる可能性が最も高いと考えられる。
【００８０】
この点に鑑み、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の内側表面３ａ３，３ｂ３（図１（Ｂ）、図３（Ｂ）、図５、図６、図７および図８参照）と外側表面３ａ４，３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７および図８参照）との間に延びている４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７、図８および図９参照）が、周方向に概略９０°間隔で配列されている。
【００８１】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図９参照）のうち、貫通穴３ｂ７が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合（図９（Ａ）参照）に、貫通穴３ａ７が最も高い位置に位置する。その結果、図９（Ａ）に矢印で示すように、貫通穴３ｂ７を介して流入し、貫通穴３ａ７を介して流出する概略筒状のヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００８２】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図９参照）のうち、貫通穴３ｃ１が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合（図９（Ｂ）参照）に、貫通穴３ｃ２が最も高い位置に位置する。その結果、図９（Ｂ）に矢印で示すように、貫通穴３ｃ１を介して流入し、貫通穴３ｃ２を介して流出する概略筒状のヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００８３】
あるいは、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図９参照）のうち、貫通穴３ａ７が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合（図９（Ｃ）参照）に、貫通穴３ｂ７が最も高い位置に位置する。その結果、図９（Ｃ）に矢印で示すように、貫通穴３ａ７を介して流入し、貫通穴３ｂ７を介して流出する概略筒状のヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００８４】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図９参照）のうち、貫通穴３ｃ２が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合（図９（Ｄ）参照）に、貫通穴３ｃ１が最も高い位置に位置する。その結果、図９（Ｄ）に矢印で示すように、貫通穴３ｃ２を介して流入し、貫通穴３ｃ１を介して流出する概略筒状のヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００８５】
すなわち、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、ＬＥＤランプ１００がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２を介して流入し、上側の貫通穴３ｂ７，３ａ７，３ｃ２，３ｃ１を介して流出する概略筒状のヒートシンク３の内部を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
【００８６】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の縁部３ａ５（図１（Ｂ）、図５および図６参照）に形成された切り欠き部３ａ５ａ（図１（Ｂ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）および図６（Ｃ）参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の縁部３ｂ５（図７および図８参照）に形成された切り欠き部３ｂ５ａ（図１（Ｂ）、図７（Ｃ）、図８（Ａ）および図８（Ｃ）参照）とによって貫通穴３ｃ１（図１（Ａ）、図２（Ｂ）、図３（Ｂ）および図９参照）が構成されている。
【００８７】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の縁部３ａ６（図１（Ｂ）、図５および図６参照）に形成された切り欠き部３ａ６ａ（図１（Ｂ）、図５（Ｂ）、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の縁部３ｂ６（図７および図８参照）に形成された切り欠き部３ｂ６ａ（図８参照）とによって貫通穴３ｃ２（図３（Ｂ）および図９参照）が構成されている。
【００８８】
そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、アンダーカットを回避しつつ、概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）の概略半径方向に延びている４個の貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図９参照）を形成することができる。
【００８９】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）のウエッジベース側（図１（Ｂ）の下側）端面３ａ２（図１（Ｂ）、図５および図６参照）および概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）のウエッジベース側（図１（Ｂ）の下側）端面３ｂ２（図７および図８参照）と、ハウジング５（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）の筒状部５ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）端面５ａ１（図１（Ｂ）参照）とが対向するように、ハウジング５が概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）に取り付けられている。
【００９０】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ハウジング５（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）が、可撓性を有する電気絶縁性材料によって形成されている。また、ハウジング５の筒状部５ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）のフック端５ａ２ａ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の外側表面３ａ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図５および図６参照）の突起３ａ４ｂ（図１（Ａ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図５および図６参照）とがスナップフィットによって係合せしめられている。更に、ハウジング５の筒状部５ａのフック端５ａ２ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図４参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の外側表面３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図４（Ａ）、図７および図８参照）の突起３ｂ４ｂ（図１（Ｂ）、図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７および図８参照）とがスナップフィットによって係合せしめられている。
【００９１】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ワイヤＷ１（図１（Ｂ）参照）が、ハウジング５（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）の筒状部５ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）の穴５ａ３ｂ（図２（Ｄ）参照）を通され、図４（Ａ）に示すように、ウエッジベース部５ｂに巻かれると共に、ワイヤＷ２（図１（Ｂ）参照）が、ハウジング５の筒状部５ａの穴５ａ３ａ（図２（Ｄ）参照）を通され、図２（Ｃ）に示すように、ウエッジベース部５ｂに巻かれている。更に、ハウジング５の筒状部５ａのウエッジベース側（図１（Ｂ）の下側）端面５ａ３（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図２（Ｄ）および図４（Ａ）参照）に開口５ａ３ｃ，５ａ３ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）および図２（Ｄ）参照）が形成されている。
【００９２】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）からの光を配光制御するレンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）が設けられている。また、例えばレンズカットが形成された概略円形の端面部４ａ（図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）と、例えばローレット部４ｂ１（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）が形成された概略筒状の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）とが、レンズ４に設けられている。更に、端面部４ａおよび外周面部４ｂによって、回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）表面１ａ１（図１（Ｂ）参照）と、回路基板１ａの先端側表面１ａ１に実装されたＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２とが覆われている。
【００９３】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）に４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）が形成されている。更に、４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄが周方向に概略９０°間隔で配列されている。
【００９４】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）のうち、開口部４ｂ２ａ（図１（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）参照）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部４ｂ２ｃ（図４（Ａ）参照）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部４ｂ２ａを介して流入し、開口部４ｂ２ｃを介して流出する回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）およびＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００９５】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）のうち、開口部４ｂ２ｃ（図４（Ａ）参照）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部４ｂ２ａ（図１（Ａ）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）参照）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部４ｂ２ｃを介して流入し、開口部４ｂ２ａを介して流出する回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）およびＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００９６】
あるいは、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）のうち、開口部４ｂ２ｂ（図２（Ｃ）参照）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部４ｂ２ｄ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）および図４（Ａ）参照）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部４ｂ２ｂを介して流入し、開口部４ｂ２ｄを介して流出する回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）およびＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００９７】
また、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の４個の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）のうち、開口部４ｂ２ｄ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）および図４（Ａ）参照）が最も低い位置に位置するように、ＬＥＤランプ１００がソケットに対して取り付けられる場合に、開口部４ｂ２ｂ（図２（Ｃ）参照）が最も高い位置に位置する。その結果、開口部４ｂ２ｄを介して流入し、開口部４ｂ２ｂを介して流出する回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）およびＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）を冷却する冷却空気の流れ（上昇気流）が形成される。
【００９８】
すなわち、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、ＬＥＤランプ１００がソケットに対してどのような姿勢で取り付けられても、下側の開口部４ｂ２ａ，４ｂ２ｂ，４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図４（Ａ）参照）を介して流入し、上側の開口部４ｂ２ｃ，４ｂ２ｄ，４ｂ２ａ，４ｂ２ｂを介して流出する回路基板１ａ（図１（Ｂ）および図３（Ａ）参照）およびＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）を冷却する冷却空気の流れを形成することができる。
【００９９】
更に、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）端面３ａ１（図１（Ｂ）、図５および図６参照）および概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の先端側（図１（Ｂ）の上側）端面３ｂ１（図１（Ｂ）、図７および図８参照）と、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）のウエッジベース側（図１（Ｂ）の下側）端面とが対向するように、レンズ４が概略筒状のヒートシンク３（図１（Ａ）および図９参照）に取り付けられている。
【０１００】
詳細には、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、レンズ４（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ａ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）が、可撓性を有する透光性材料によって形成されている。また、レンズ４の外周面部４ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）および図４（Ａ）参照）のフック端４ｂ３ａ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）および図３（Ａ）参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ａ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図５、図６および図９参照）の外側表面３ａ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図５および図６参照）の突起３ａ４ａ（図１（Ａ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図５および図６参照）とがスナップフィットによって係合せしめられている。更に、レンズ４の外周面部４ｂのフック端４ｂ３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）および図４参照）と、概略半筒状のヒートシンク構成部３ｂ（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、図４（Ａ）、図７、図８および図９参照）の外側表面３ｂ４（図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図４（Ａ）、図７および図８参照）の突起３ｂ４ａ（図１（Ｂ）、図３（Ａ）、図４（Ａ）、図７および図８参照）とがスナップフィットによって係合せしめられている。
【０１０１】
更に、本発明者等による鋭意研究により、図３（Ａ）に示すように、回路基板１ａのウエッジベース部側（図３（Ａ）の下側）表面１ａ２と、回路基板１ｂの先端側（図３（Ａ）の上側）表面１ｂ１と、概略筒状のヒートシンク３（図１参照）の内側表面３ａ３，３ｂ３とによって画定される空間内にゲル剤１０を充填した場合に、ゲル剤１０が充填されない場合よりも、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）から照射される光の量が安定する点が見い出された。このような結果が得られる理由としては、例えば、ゲル剤１０が充填された場合に、ゲル剤１０が充填されない場合よりも、回路基板１ａ，１ｂの外周面１ａ３，１ｂ３（図１（Ｂ）参照）からヒートシンク３への熱伝達率が向上し、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２の冷却効率が向上するためのであると考えられる。
【０１０２】
上述した研究結果に鑑み、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００では、図３（Ａ）に示すように、回路基板１ａのウエッジベース部側（図３（Ａ）の下側）表面１ａ２と、回路基板１ｂの先端側（図３（Ａ）の上側）表面１ｂ１と、概略筒状のヒートシンク３（図１参照）の内側表面３ａ３，３ｂ３とによって画定される空間内に、例えばシリコン樹脂などのようなゲル剤１０が、例えば貫通穴３ａ７，３ｂ７，３ｃ１，３ｃ２（図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）、図５、図６、図７、図８および図９参照）のいずれかを介して充填されている。そのため、第１の実施形態のＬＥＤランプ１００によれば、回路基板１ａのウエッジベース部側表面１ａ２と回路基板１ｂの先端側表面１ｂ１と概略筒状のヒートシンク３の内側表面３ａ３，３ｂ３とによって画定される空間内にゲル剤１０が充填されていない場合よりも、ＬＥＤ光源Ｌ１，Ｌ２（図１（Ｂ）参照）から照射される光の量を安定させることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明のＬＥＤランプは、例えば車両用灯具、一般照明装置などに適用可能である。
【符号の説明】
【０１０４】
１ａ，１ｂ    回路基板
１ａ１        表面
１ｂ２        表面
３            ヒートシンク
３ａ３        内側表面
３ａ３ｂ      当接部
３ｂ３        内側表面
３ｂ３ｂ      当接部
５ｂ          ウエッジベース部
１００        ＬＥＤランプ
Ｃ            定電流回路
Ｌ１，Ｌ２    ＬＥＤ光源
Ｑ２          トランジスタ
Ｑ２ａ        放熱板
【図１】
0005385088.tif 000002
【図２】
0005385088.tif 000003
【図３】
0005385088.tif 000004
【図４】
0005385088.tif 000005
【図５】
0005385088.tif 000006
【図６】
0005385088.tif 000007
【図７】
0005385088.tif 000008
【図８】
0005385088.tif 000009
【図９】
0005385088.tif 000010