(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信することと、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作することと、
直流（ＤＣ）基準電圧に少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第１のペア及びグランドに前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第２のペアに、前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続することであって、ここで、並列なスイッチの各ペアは、前記クロックドスイッチの１つ及び前記クロックドスイッチの１つと並列に１つのノンクロックドスイッチを備える、接続することと、
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力することと、
を備える設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する方法。
【請求項２】
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
請求項１の方法。
【請求項３】
各ペアの前記クロックドスイッチ及びノンクロックドスイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
請求項２の方法。
【請求項４】
前記第１のペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記直流（ＤＣ）基準電圧に前記インバータを接続させるクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、前記第２のペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記グランドに前記インバータを接続させるクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴである、
請求項３の方法。
【請求項５】
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
請求項４の方法。
【請求項６】
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
請求項１の方法。
【請求項７】
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
請求項１の方法。
【請求項８】
第１周波数によって入力信号を受信するように構成された、複数のクロックドスイッチと、
複数の分周比の１つを選択するように構成された、複数のノンクロックドスイッチと、
前記選択された分周比により分周された第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力するように構成された複数のインバータであって、ここで、少なくとも２つのインバータのそれぞれは、直流（ＤＣ）基準電圧に前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第１ペア及びグランドに前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第２ペアに接続され、並列なスイッチの各ペアは、前記クロックドスイッチの１つ及び前記クロックドスイッチの１つと並列に１つのノンクロックドスイッチを備える、複数のインバータと、
を備える設定可能な分周比による周波数分周器。
【請求項９】
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
請求項８の周波数分周器。
【請求項１０】
各ペアの前記クロックドスイッチ及びノンクロックドスイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
請求項９の周波数分周器。
【請求項１１】
前記第１ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記直流（ＤＣ）基準電圧に前記インバータを接続させるクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、前記第２ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記グランドに前記インバータを接続させるクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴである、
請求項１０の周波数分周器。
【請求項１２】
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
請求項１１の周波数分周器。
【請求項１３】
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
請求項８の周波数分周器。
【請求項１４】
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
請求項８の周波数分周器。
【請求項１５】
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信する手段と、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作する手段と、
直流（ＤＣ）基準電圧に少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第１ペア及びグランドに前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第２ペアに、前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続する手段であって、ここで、並列なスイッチの各ペアは、前記クロックドスイッチの１つ及び前記クロックドスイッチの１つと並列に１つのノンクロックドスイッチを備える、接続する手段と、
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力する手段と、
を備える設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する周波数分周器。
【請求項１６】
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
請求項１５の周波数分周器。
【請求項１７】
各ペアの前記クロックドスイッチ及びノンクロックドスイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
請求項１６の周波数分周器。
【請求項１８】
前記第１ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記直流（ＤＣ）基準電圧に前記インバータを接続させるクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、前記第２ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記グランドに前記インバータを接続させるクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴである、
請求項１７の周波数分周器。
【請求項１９】
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
請求項１８の周波数分周器。
【請求項２０】
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
請求項１５の周波数分周器。
【請求項２１】
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
請求項１５の周波数分周器。
【請求項２２】
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信するように、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作するように、
直流（ＤＣ）基準電圧に少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第１ペア及びグランドに前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続させる並列なスイッチの第２ペアに、前記少なくとも２つのインバータのそれぞれを接続し、ここで、並列なスイッチの各ペアは、前記クロックドスイッチの１つ及び前記クロックドスイッチの１つに並列に１つのノンクロックドスイッチを備える、接続するように、及び
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力するように、
構成された、設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周するための集積回路。
【請求項２３】
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
請求項２２の集積回路。
【請求項２４】
各ペアの前記クロックドスイッチ及びノンクロックドスイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
請求項２３の集積回路。
【請求項２５】
前記第１ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記直流（ＤＣ）基準電圧に前記インバータを接続させるクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴであり、前記第２ペアの前記クロックドスイッチの前記ＭＯＳＦＥＴは、前記グランドに前記インバータを接続させるクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴである、
請求項２４の集積回路。
【請求項２６】
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
請求項２５の集積回路。
【請求項２７】
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
請求項２２の集積回路。
【請求項２８】
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
請求項２２の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連した出願
この出願は、２００９年７月１６日に提出された「A Frequency Divider with Reconfigurable Dividing Ratios」という米国仮特許出願第６１／２２６，２２６号と関連し、それからの優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、一般的に通信システムに関連する。より具体的には、本開示は、設定可能な分周比による周波数分周器に関する。
【背景技術】
【０００３】
無線通信システムは、世界中の多くの人々が通信するようになっている重要な手段となっている。無線通信システムは、それぞれ基地局により提供されることができるいくつかの移動体機器のため通信を提供することができる。移動体機器の例は、携帯電話、個人情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｉｔａｎｔ：ＰＤＡ）、ハンドヘルドデバイス、無線モデム、ラップトップコンピュータ、パソコンなどを含む。
【０００４】
移動体機器は、動作中に使用される様々なデジタル回路を含む。例えば、発振器は、移動体機器内のボード又は集積回路を横切る様々な回路を同調させるために使用されることができる。さらに、移動体機器内の他の回路は、異なる周波数を使って動作することができる。それゆえ、移動体機器は、異なる目的のために複数の発振器を使用することができる。
【０００５】
しかしながら、他の持ち運び可能な電子機器のような移動体機器は、限られた電池の寿命を持つことができる。動作中、回路の他のタイプと一緒に、発振器は、電流を消費し、その結果、電池の寿命を縮める。さらに、集積回路上の回路コンポーネントによって使用される領域の合計を小さくすることが望まれることができる。それゆえ、利点は、設定可能な分周比による周波数分周器によって理解されることができる。
［先行技術文献］
［特許文献１］  ＵＳ２００６／００８７３５０  Ａ１
【発明の概要】
【０００６】
設定可能な分周比を利用する信号の周波数を分周するための方法は、開示される。第１周波数による入力信号は、設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで受信される。周波数分周器の内側にあるノンクロックドスイッチは、複数の分周比の１つを選択するために操作される。出力信号は、選択された分周比によって分周された第１周波数である第２周波数により出力される。
【０００７】
一つの設定において、入力信号は、電圧制御発振器の出力信号であることができ、スイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴ）であることができる。さらに、スイッチは、直流（ｄｉｒｅｃｔ  ｃｕｒｒｅｎｔ：ＤＣ）基準電圧にインバータを接続させるｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びグランドにインバータを接続させるｎ型ＭＯＳＦＥＴであることができる。少なくとも２つのインバータは、それぞれノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴに、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴｓに接続されることができる。クロックドＭＯＳＦＥＴは、入力信号又は入力信号の反転されたバージョンを受信することができ、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信することができ、ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信することができる。
【０００８】
他の設定において、出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため無線周波数信号を混合されることができる。あるいはまた、出力信号は、無線周波数信号を作り出すためベースバンド信号を混合されることができる。
【０００９】
設定可能な分周比による周波数分周器もまた開示されている。周波数分周器は、第１周波数による入力信号を受信するように構成された、複数のクロックドスイッチを含む。周波数分周器は、複数の分周比の１つを選択するように構成された、複数のノンクロックドスイッチも含む。装置は、選択された分周比によって分周された第１周波数である第２周波数により出力信号を出力するように構成された複数のインバータも含む。
【００１０】
設定可能な分周比による周波数分周器もまた開示されている。周波数分周器は、設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数による第１信号を受信する手段を含む。周波数分周器は複数の分周比の１つを選択するため、周波数分周器の内側にある、ノンクロックドスイッチを操作する手段も含む。周波数分周器は、選択された分周比によって分周された第１周波数である第２周波数により出力信号を出力する手段も含む。
【００１１】
設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する集積回路もまた、開示されている。集積回路は、設定可能な分周比による周波数分周器における、クロックドスイッチで、入力信号を受信するように構成される。集積回路は、また複数の分周比の１つを選択するため周波数分周器の内側にある、ノンクロックドスイッチを操作するように構成される。集積回路は、また選択された分周比によって分周された第１周波数である第２周波数により出力信号を出力するように構成される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、設定可能な分周比による周波数分周器を使用することができる局部発振器（ｌｏｃａｌ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：ＬＯ）パスによる受信機を示すブロック図である。
【図２】図２は、設定可能な分周比による周波数分周器を使用することができるＯＬパスによる送信器を示すブロック図である。
【図３】図３は、ＬＯパスを示すブロック図である。
【図４】図４は、２つの分周器及びミキサーを含むＬＯパスを示すブロック図である。
【図５Ａ】図５Ａは、２分割周波数分周器を示す回路ブロック図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの周波数分周器における様々なノードでの信号を示すタイミングブロック図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、インバータの一つの設定を示す回路ブロック図である。
【図６】図６は、４分割周波数分周器を示す回路ブロック図である。
【図７】図７は、２つの周波数分周器及び１つのミキサーを含むＬＯパスを示すブロック図である。
【図８】図８は、設定可能な分周比による周波数分周を含むＬＯパスを示すブロック図である。
【図９】図９は、設定可能な分周比による周波数分周を示す回路ブロック図である。
【図１０】図１０は、制御信号がローのときの、設定可能な分周比による周波数分周を示す回路ブロック図である。
【図１１】図１１は、設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する方法を示すフローブロック図である。
【図１２】図１２は、設定可能な分周比による周波数分周器を含むＬＯパスを示すブロック図である。
【図１３】図１３は、４つの利用可能な分周比を含む設定可能な分周比による周波数分周器を示す回路ブロック図である。
【図１４】図１４は、無線機器内に含まれることができるあるコンポーネントを示す図である。
【詳細な説明】
【００１３】
局部発振器（ＬＯ）は、特定の信号を異なる周波数へ変換するために移動体機器において使用されることができる。例えば、高周波信号は、低いもの、ベースバンド又は反対に変換されることができる。電圧制御発振器（ｖｏｌｔａｇｅ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：ＶＣＯ）のような発振器に加えて、ＬＯは、１つ又はそれ以上のバッファ、周波数分周器及びミキサーを含むことができるＬＯパスを含むことができる。ＬＯパスは、望まれた出力を達成するため発振器の出力を処理することができる。
【００１４】
周波数分周器は、入力としてＶＣＯ信号を受信することができ、分周比によって分周された周波数による信号を出力することができる。例えば、２分割周波数分周器は、入力ＶＣＯ信号の周波数の２分の１による信号を出力することができる。同様に、４分割周波数分周器は、入力ＶＣＯ信号の周波数の４分の１による信号を出力することができる。
【００１５】
様々な理由で、異なる利用可能な分周比を持つことは望まれるかもしれない。第１に、移動体機器における無線周波数（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）チップは、異なる周波数バンドで使用されることができる。ＶＣＯのチューニングレンジを少なくするため、異なる分周比は、異なる周波数バンドのための信号を生成するために利用されることができる。第２に、移動体機器は、同時に１つ以上の受信機を利用することができる。このシステムの種類は、複数のＶＣＯを持つことができる。ＶＣＯが互いに近い周波数で動作する場合、引き込み効果が発生するかもしれず、即ち、ＶＯＣは、互いに周波数の正確さに影響をあたえるだろう。異なる分周比による周波数分周器が使用される場合、ＶＣＯは、互いに遠く離れた周波数帯で動作し、引き込み効果は防止されることができる。
【００１６】
異なる分周比を達成するための１つの利用可能な道は、ＬＯパスにおける異なる周波数分周器の組み合わせを使用することであることができる。例えば、２及び４の分周比を達成するため、２分割周波数分周器及び４分割周波数分周器は、並列に置かれることができ、スイッチでコントロールされることができる。あるいはまた、２つの、２分割周波数分周器は、直列に接続されることができ、それらの１つは、スイッチを使用し迂回されることができる。しかしながら、２つの周波数分周器及び関連する制御スイッチは、集積回路上の比較的大きい領域を使用することができ、比較的高い電力消費を持つことができる。その結果、本システム及び方法は、設定可能な分周比による周波数分周器を使用する。
【００１７】
図１は、設定可能な分周比による周波数分周器を使用することができる局部発振器（ＬＯ）パス１１２による受信機１００を示すブロック図である。受信機１００は、移動体機器又は無線通信のために設計された基地局の一部となることができる。受信機１００は、他の物の中に、低雑音アンプ（ｌｏｗ  ｎｏｉｓｅ  ａｍｐｌｉｆｉｅｒ：ＬＮＡ）１０２、ＶＣＯ１０８及びＬＯパス１１２を含むことができる。ＬＮＡ１０２は、アンテナ１０４から無線通信信号を受信することができる。ＬＮＡ１０２は、受信した信号を利用可能なレベルへ増幅することができ、無線周波数（ＲＦ）信号１０６、即ち、送信された元信号の表示、を作り出すことができる。ＶＣＯ１０８は、ＶＣＯ１０８入力での直流（ＤＣ）電圧レベルに基づいた周波数によりＶＣＯ信号１１０を出力する機器であることができる。ＬＯパス１１２は、ベースバンド信号１１４を作り出すために、ＬＮＡ１０２からのＲＦ信号１０６及びＶＣＯ１０８からのＶＣＯ信号１１０を受信することができ、バッファ、周波数分周器、ミキサー及び加算器のいくつかの組み合わせを使用することができる。ベースバンド信号１１４は、送信機器のマイクにより受信された、現実の再現された音声、即ち、有声のスピーチ又は他のデータの種類、であることができる。したがって、受信機１００は、ベースバンド信号１１４を再現するためにＬＯパス１１２を使用することができる。
【００１８】
図２は、設定可能は分周比による周波数分周器を使用することができるＬＯパス２１２による送信器２００を示すブロック図である。送信器２００は、図１に示された受信機１００を含むこともできる移動体機器の一部となることができる。送信器２００は、他の物の中に、ＶＣＯ２０８、ＬＯパス２１２、ドライブアンプ２１６及びパワーアンプ２１８を含むことができる。ＬＯパス２１２は、ＲＦ信号２０６を作り出すため、ＶＣＯ信号２１０及びベースバンドシグナル２１４（例えば、有声のスピーチ）を受信することができ、バッファ、周波数分周器、ミキサー及び加算器の組み合わせを使用することができる。他の言い方をすれば、送信器２００は、送信されるため調整された高周波ＲＦ信号２０６を作り出すため、ＬＯパス２１２を使用することができる。ＲＦ信号２０６がアンテナ２０４を通じて送信される前に、それは、ドライブアンプ２１６、パワーアンプ２１８又は両者によって増幅されることができる。したがって、送信器２００は、送信のためのＲＦ信号２０６を構成するためＬＯパス２１２を使用することができる。
【００１９】
図３は、ＬＯパス３１２を示すブロック図である。ＬＯパス３１２は、平均電力消費を減少すること、集積回路上の領域を最小にすること、又は両者のため、本システム及び方法で使用されることができる。本文中で使用されるように、「ＬＯパス」という用語は、少なくとも周波数分周器３１８及びミキサー３２２の組み合わせを示す。ＬＯパス３１２は、入力バッファ３１６及び出力バッファ３２０を含むこともできる。他の機能の中に、ＬＯパス３１２は、繰り返し特定の振幅及び位相でベースバンド信号１１４又はＲＦ信号２０６を作り出すため、受信機１００又は送信器２００において使用されることができる。一つの設定では、ＬＯパス３１２は、単一の入力バッファ３１６、単一の周波数分周器３１８、単一の出力バッファ３２０、及び単一のミキサー３２２を含むことができる。
【００２０】
移動体機器は、いくつかの異なる周波数バンドで働くように設計されることができる。ＬＯパス３１２が、動作し、移動体機器が使用している周波数バンドに依存しているとき、周波数分周器３１８は、設定可能な分周比を持つことができ、即ち、複数の分周比の１つは、周波数分周器３１８のために選択されることができる。１つの設定では、分周比を選択することは、周波数分周器３１８における一連の送信器を設定するため制御信号を使用することを含むことができる。
【００２１】
図４は、２つの周波数分周器４１８、４１９及びミキサー４２２ａ―ｂを含むＬＯパス４１２を示すブロック図である。周波数分周器４１８、４１９及びミキサー４２２ａ―ｂは、独立することができる。１つの設定では、ＬＯパス４１２は、設定可能ではない２分割周波数分周器４１８及び４分割周波数分周器４１９を含むことができる。１つ又はそれ以上のスイッチ４２６ａ―ｂは、ＶＣＯ４０８の出力を、望まれた分周比に基づく２分割周波数分周器４１８又は４分割周波数分周器４１９のいずれかへ向けることができる。第１スイッチ４２６ａが閉じているとき、２分割周波数分周器４１８は、第１ミキサー４２２ａへのＶｃｏ４０８信号の２分の１である周波数により信号を出力することができる。受信機設定では、第１ミキサー４２２は、ベースバンド信号４１４ａを作り出すために、ＲＦ信号４０６ａに２分割周波数分周器の出力を混ぜることができる。あるいはまた、第２スイッチ４２６ｂが閉じているとき、４分割周波数分周器４１９は、ベースバンド信号４１４ｂを作り出すため、ＶＣＯ４０８信号の４分の１で、第２ミキサー４２２ｂによってＲＦ信号４０６ｂに混合させられる周波数により信号を出力することができる。
【００２２】
ＬＯパス４１２は、２又は４の分周比のいずれかを選択することができる間、それは、集積回路上の比較的大きな領域を使用することもでき、なぜならそれは、２つの独立した周波数分周器４１８、４１９を使用することができるからである。さらに、この設定は大きな入力容量を持つことができ、それはＶＣＯ出力バッファ（図示されない）へ比較的大きな負荷として動作することができる。
【００２３】
図５Ａは、２分割周波数分周器５１８を示す回路ブロック図である。周波数分周器５１８は、それぞれ２つのスイッチ及びインバータ５３２ａ―ｂを持つ２つの分岐を含むことができる。例えば、各分岐は、インバータ５３２ａ―ｂを直流（ＤＣ）電圧（Ｖｄｄ）５３４に接続させるｐ型金属酸化半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタ５２８ａ―ｂ及びインバータ５３２ａ―ｂをグランド５３６に接続させるｎ型金属酸化半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタ５３０ａ―ｂを含むことができる。
【００２４】
トランジスタ５２８ａ―ｂ、５３０ａ―ｂは、それらの各ゲートでクロック信号５３８ａ―ｂ又は反転されたクロック信号５４０ａ―ｂを受信することができ、例えば、クロック信号５３８ａ―ｂはＶＣＯの出力であることができる。１つの設定では、第２ｐ型ＭＯＳＦＥＴ５２８ｂがそれらの各ゲートで反転されたクロック信号５４０ｂを受信することができる間、第１ｐ型ＭＯＳＦＥＴ５２８ａは、クロック信号５３８ａを受信することができる。逆に、それらの各ゲートで、第１ｎ型ＭＯＳＦＥＴ５３０ａは反転されたクロック信号５４０ａを受信することができ、第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴはクロック信号５３８ｂを受信することができる。さらに、第３分岐は、直接、即ち、トランジスタなしに、Ｖｄｄ５３４及びグランド５３６に接続されているインバータ５３２ｃを含むことができる。第３インバータ５３２ｃの出力は、第１インバータ５３２ａへフィードバックされることができる。安定した状態のときは、第３インバータ５３２ｃの出力は、クロック信号５３８ａ―ｂの２分の１の周波数によるデジタル信号であることができる。
【００２５】
図５Ｂは、図５Ａの周波数分周器５１８における様々なノードでの信号を示すタイミングブロック図である。他の言い方をすると、図５Ｂは、どのように周波数分割が２分割周波数分周器５１８において達成されるかを示す。タイミングブロック図は、第３インバータの初期状態がゼロであると仮定する。ノードＡ５２７の状態は、クロック信号５３８及びノードＣ５３１の両者がロー（即ち、グランド５３６）のとき、ハイ（即ち、Ｖｄｄ５３４）にセットされることができ、反転されたクロック信号５４０及びノードＣ５３１の両者がハイのとき、ローにセットされることができる。他の場合では、ノードＡ５２７の状態はチャージされないままであることができる。ノードＢ５２９の状態は、反転されたクロック信号５４０及びノードＡ５２７の両者がロー（即ち、グランド５３６）のとき、ハイ（即ち、Ｖｄｄ５３４）にセットされることができ、クロック信号５３８及びノードＡ５２７がハイのとき、ローにセットされることができる。他の場合では、ノードＢ５２９の状態は、チャージされないままであることができる。それゆえ、全てのノードＡ５２７、ノードＢ５２９及びノードＣ５３１での波形は、クロック信号５３８の周波数の２分の１を持つことができる。
【００２６】
図３Ｃは、インバータ５３２ｄの１つの設定を示す回路ブロック図である。１つの設定では、各インバータ５３２ｄは、それぞれそれらのゲートでインバータ入力５３７を受信し、それらのドレインでインバータ出力５３９を出力するインバータｎ型ＭＯＳＦＥＴ５３５に直列されたインバータｐ型ＭＯＳＦＥＴを使用し実行されることができる。他の言い方をすれば、インバータ出力５３９は、一緒に接続されたインバータｐ型ＭＯＳＦＥＴ５３３及びインバータｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレインから得られることができる。インバータＭＯＳＦＥＴ５３３、５３５のエネルギー源は、例えば１つ又はそれ以上のＭＯＳＦＥＴ５２８ａ―ｂ、５３０ａ―ｂを通じて、Ｖｄｄ５３４又はグランド５３６に接続されることができる。
【００２７】
図６は、４分割周波数分周器６１９を示す回路ブロック図である。図５で示された２分割周波数分周器５１８とは反対に、４分割周波数分周器６１９は、それぞれ２つのスイッチ及びインバータ６３２ａ―ｄを持つ４つの分岐を含むことができる。前のように、各分岐は、インバータ６３２ａ―ｄをＤＣ電圧（Ｖｄｄ）６３４に接続しているｐ型金属酸化半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタ６２８ａ―ｄ及びインバータ６３２ａ―ｄをグランド６３６に接続しているｎ型金属酸化半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタ６３０ａ―ｄを含むことができる。トランジスタ６２８ａ―ｄ、６３０ａ―ｄは、それらの各ゲートでクロック信号６３８ａ―ｄ又は反転されたクロック信号６４０ａ―ｄを受信することができ、例えば、クロック信号６３８ａ―ｄはＶＣＯの出力であることができる。１つの設定では、それらの各ゲートで、第１ｐ型ＭＯＳＦＥＴ６２８ａは、クロック信号６３８ａを受信することができ、第２ｐ型ＭＯＳＦＥＴ６２８ｂは、反転されたクロック６４０ｂを受信することができ、第３ｐ型ＭＯＳＦＥＴ６２８ｃは、クロック信号６３８ｃを受信することができ及び第４ｐ型ＭＯＳＦＥＴ６２８ｄは、反転されたクロック信号６４０ｄを受信することができる。逆に、それらの各ゲートで、第１ｎ型ＭＯＳＦＥＴ６３０ａは、反転されたクロック信号６４０ａを受信することができ、第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴ６３０ｂは、クロック信号６３８ｂを受信することができ、第３ｎ型ＭＯＳＦＥＴ６３０ｃは、反転されたクロック信号６４０ｃを受信することができ及び第４ｎ型ＭＯＳＦＥＴ６３０ｄは、クロック信号６３８ｄを受信することができる。さらに、第５分岐は、直接、即ち、トランジスタなしに、Ｖｄｄ６３４及びグランド６３６に接続されたインバータ６３２ｅを含むことができる。第５インバータ６３２ｅの出力は、第１インバータ６３２ａへフィードバックされることができる。安定した状態のときは、第５インバータ６３２ｅの出力は、クロック信号６３８ａ―ｄの４分の１の周波数によるデジタル信号であることができる。
【００２８】
図７は、２つの周波数分周器７１８ａ―ｂ及び単一のミキサー７２２を含むＬＯパス７１２を示すブロック図である。１つの設定では、ＬＯパス７１２は、２つの２分割周波数分周器７１８ａ―ｂを含むことができる。この設定では、周波数分周器７１８自身は、設定可能な分周比を持つことができなかったとしても、全体のＬＯパス７１２の分周比は、３つのスイッチ７２６ａ―ｃによって設定可能となることができる。特に、２の分周比がＬＯパス７１２のため望まれた場合は、ＶＣＯ７０８出力は、第１の２分割周波数分周器７１８ａへ供給されることができ、第１の２分割周波数分周器７１８ａの出力は、ミキサー７２２へ向けられることができ、即ち、第１スイッチ７２６ａは閉じられることができ、第２スイッチ７２６ｂ及び第３スイッチ７２６ｃは開かれることができる。それゆえ、ミキサー７２２への入力は、ＶＣＯ７０８信号の周波数の２分の１であることができる。あるいはまた、４の分周比がＬＯパス７１２のために望まれた場合は、第１の２分割周波数分周器７１８ａの出力は、第２の２分割周波数分周器７１８ｂへ向けられることができ、即ち、第２の２分割周波数分周器７１８ｂを通じて信号を向けるために、第１スイッチ７２６ａは開かれることができ、第２スイッチ７２６ｂ及び第３スイッチ７２６ｃは閉じられることができる。それゆえ、ミキサー７２２への入力は、ＶＣＯ７０８信号の周波数の４分の１であることができる。
【００２９】
受信機の設定では、ミキサー７２２は、ベース信号７１４を作り出すため、ＲＦ信号７０６に入力信号（ＶＣＯ７０８の周波数の２分の１又は４分の１）を混合することができる。ＬＯパス７１２が２又は４の分周比のいずれかを選択することができる間に、それは比較的大きな電力量を消費し、なぜなら第１の２分割周波数分周器７１８ａは高周波数、即ちＶＣＯ７０８の周波数の４分の１の代わりに２分の１、で動作することができるからである。さらに、この設定でのスイッチ７２６ａ―ｃは、集積回路ダイ（ｄｉｅ）上の領域を使用することができる。
【００３０】
図８は、設定可能な分周比による周波数分周器８４２を含むＬＯパス８１２を示すブロック図である。制御信号８４４は、周波数分周器８４２の分周比を設定することができる。例えば、周波数分周器８４２は、制御信号８４４に基づく２又は４でＶＣＯ８０８の周波数を分周することができる。制御信号８４４は、周波数分周器８４２におけるスイッチを開く又は閉じることができ、例えば、制御信号８４４は、電界効果トランジスタのゲートで受信されることができる。１つの設定では、周波数分周器８４２は、制御信号８４４がハイのとき４で、制御信号がローのとき２で、ＶＣＯ８０８の周波数を分周することができる。あるいはまた、周波数分周器８４２は、８と４、８と２、１６と８、１６と４、１６と２などの分周比により設定可能となることができる。あるいはまた、周波数分周器８４２は、例えば８／４／２、１６／８／４、１６／８／４、１６／４／２などの３又はそれ以上の分周比により設定可能となることができる。３又はそれ以上の分周比によるいくつかの設定では、周波数分周器８４２は、例えば２つ又は３つの１つより多い制御信号８４４を受信することができる。
【００３１】
受信機の設定では、ミキサー８２２は、ベースバンド信号８１４を作り出すため、ＲＦ信号８０６にインプット信号を混合することができる。分周比は、制御信号８４４に基づき選択されることができ、即ち、分周比は、設定可能である。示された周波数分周器８４２は、集積回路上の比較的小さな領域を使用することができ、なぜなら異なる分周比による周波数分周器のための回路要素、即ちトランジスタ及びインバータ、は、再利用されることができるからである。さらに、示された周波数分周器８４２は、比較的小さな電力量を消費することができ、なぜなら、それは低周波数、即ち、４の分周比が選択されたときＶＣＯの周波数の４分の１、で動作するからである。反対に、図７に示される、直列の２分割周波数分周器７１８ａ―ｂは、低周波数では両方ともは動作することができない。特に第１の２分割周波数分周器７１８ａは、ＶＣＯ７０８周波数の２分の１で動作することができ、第２の２分割周波数分周器７１８ｂは、ＶＣＯ周波数の４分の１で動作することができる。それゆえ、図７に示されたＬＯパスによって消費される合計電力は、図８に示された設定可能な４分割周波数分周器８４２によるＬＯパス８１２よりも大きくなることができる。
【００３２】
図９は、設定可能な分周比による周波数分周器９４２を示す回路ブロック図である。周波数分周器９４２は、４つの分岐を含むことができ、各分岐は、インバータ９３２ａ―ｄをＤＣ電圧（Ｖｄｄ）９３４に接続させている、クロックドｐ型金属酸化半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタ９２８ａ―ｄ及びインバータ９３２ａ―ｄをグランド９３６に接続させている、クロックドｎ型金属酸化半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタ９３０ａ―ｄを含む。本文中で使用されたように、「クロックド」という用語は、例えばクロック信号９３８ａ―ｄ又は反転されたクロック信号９４０ａ―ｄである入力として、クロック信号又はそのいくつかのバリエーションを受信する回路要素を示す。反対に、「ノンクロックド」という用語は、入力でクロック信号を受信しない回路要素を指す。クロックドトランジスタ９２８ａ―ｄ、９３０ａ―ｄは、それらの各ゲートで、クロック信号９３８ａ―ｄ又は反転されたクロック信号９４０ａ―ｄを受信することができ、例えば、クロック信号９３８ａ―ｄは、ＶＣＯの出力であることができる。１つの設定では、それらの各ゲートで、第１クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ａは、クロック信号９３８ａを受信することができ、第２クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ｂは、反転されたクロック信号９４０ｂを受信することができ、第３クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ｃは、クロック信号９３８ｃを受信することができ、第４クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ｄは、反転されたクロック信号９４０ｄを受信することができる。逆に、それらの各ゲートで、第１クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ａは、反転されたクロック信号９４０ａを受信することができ、第２クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ｂは、クロック信号９３８ｂを受信することができ、第３クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ｃは、反転されたクロック信号９４０ｃを受信することができ、第４クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ｄは、クロック信号９３８ｄを受信することができる。
【００３３】
加えて、周波数分周器９４２における第２及び第３分岐は、それぞれクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ｂ―ｃと並列なノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９４６ａ―ｂ及びクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ｂ―ｃと並列なノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９４８ａ―ｂを含むことができる。ノンクロックドトランジスタ９４６ａ―ｂ、９４８ａ―ｂは、それらの各ゲートで、制御信号９５０ａ―ｂ又は反転された制御信号９５２ａ―ｂを受信することができる。特に、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９４６ａ―ｂは、制御信号９５０ａ―ｂを受信することができ、ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９４８ａ―ｂは、反転された制御信号９５２ａ―ｂを受信することができる。その結果、制御信号９５０ａ―ｂがハイのとき、ノンクロックドトランジスタ９４６ａ―ｂ、９４８ａ―ｂは、開いたスイッチのように作用することができ、周波数分周器９４２は、図６に示された４分割周波数分周器６１９と同様になることができる。反対に、制御信号９５０ａ―ｂがローのとき、ノンクロックドトランジスタ９４６ａ―ｂ、９４８ａ―ｂは、閉じられたスイッチのように作用することができ、したがって、クロックドトランジスタ９２８ａ―ｄ、９３０ａ―ｄをショートさせる。
【００３４】
さらに、第５分岐は、直接、即ち、トランジスタなしに、Ｖｄｄ９３４及びグランド９３６に接続されているインバータ９３２ｅを含むことができる。第５インバータ９３２ｅの出力は、第１インバータ９３２ａへフィードバックされることができる。安定した状態のときは、第５インバータ９３２ｅの出力(即ち、出力信号９３９)は、制御信号９５０ａ―ｂがハイのときクロック信号９３８ａ―ｄの４分の１の周波数、又は制御信号９５０ａ―ｂがローのときクロック信号９３８ａ―ｄの２分の１の周波数によるデジタル信号となることができる。
【００３５】
図１０は、制御信号がローのとき、設定可能な分周比による周波数分周器１０４２を示す回路ブロック図である。他の言い方をすれば、制御信号９５０ａ―ｂがローのとき、示された周波数分周器１０４２は、図９に示された周波数分周器９４２と同等の回路であることができる。
【００３６】
前のように、周波数分周器１０４２は、インバータ１０３２ａ―ｅによる複数の分岐を含むことができる。しかしながら、制御信号がローのとき、第２インバータ１０３２ｂ及び第３インバータ１０３２ｃをＶｄｄ１０３４及びグランド１０３６へ接続させるトランジスタは、ショートされることができ、即ち、第２並びに３クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ９２８ｂ―ｃ及び第２並びに３クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ９３０ｂ―ｃは図示されず、なぜなら制御信号がローのとき、それらはショートされることができるからである。したがって、第２インバータ１０３２ｂ及び第３インバータ１０３２ｃは、直接Ｖｄｄ１０３４及びグランド１０３６に接続されることができる。第１インバータ１０３２ａは、第１クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０２８ａを通じてＶｄｄ１０３４へ、第１クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０３０ａを通じてグランド１０３６へ接続されることができる。同様に、第４インバータ１０３２ｄは、第４クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０２８ｄを通じてＶｄｄ１０３４へ、第４クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０３０ｄを通じてグランド１０３６へ接続されることができる。前のように、クロックドトランジスタ１０２８、１０３０は、クロック信号１０３８又は反転されたクロック信号１０４０を受信することができる。
【００３７】
さらに、第５分岐は、直接、即ち、トランジスタなしで、Ｖｄｄ１０３４及びグランド１０３６に接続されているインバータ１０３２ｅを含むことができる。第５インバータ１０３２ｅの出力は、第１インバータ１０３２ａへフィードバックされることができる。安定した状態（制御信号ローによる）では、第５インバータ１０３２ｅの出力は、クロック信号１０３８の２分の１の周波数によるデジタル信号であることができる。
【００３８】
図１１は、設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する方法１１００を示すフローブロック図である。方法１１００は、設定可能な分周比による周波数分周器９４２によって実行されることができる。設定可能な分周比による周波数分周器９４２は、第１周波数によって入力信号を受信することができ（１１５４）、即ち、入力信号は、クロックドスイッチで受信されることができる（１１５４）。入力信号は、ＶＣＯ信号であることができる。設定可能な分周比による周波数分周器９４２は、複数の分周比の１つを選択するため、ノンクロックドスイッチを操作することもできる（１１５６）。１つの設定では、これは、制御信号をハイ又はローにセットすることを含むことができる。周波数分周器９４２は、２、３、４又はそれ以上の利用可能な分周比を含むことができる。利用可能な分周比の組み合わせは、４／２、８／４、１６／８、８／４／２、１６／８／４、１６／８／２、１６／４／２などを含むことができる。３又はそれ以上の利用可能な分周比による設定では、分周比を選択することは、２又はそれ以上の制御信号をハイ又はローにセットすることを含むことができる。設定可能な分周比による周波数分周器９４２は、選択された分周比で分周された第１周波数である第２周波数による出力信号を出力することもできる（１１５８）。他の言い方では、第１周波数がＦＶＣＯである場合、第２周波数は、制御信号に基づき、ＦＶＣＯ／２、ＦＶＣＯ／４、ＦＶＣＯ／８、又はＦＶＣＯ／１６となることができる。
【００３９】
図１２は、設定可能な分周比による周波数分周器１２４２を含むＬＯパスを示すブロック図である。図８に示された周波数分周器８４２とは反対に、しかしながら、周波数分周器１２４２は、第１制御信号１２４４と第２制御信号１２４５の組み合われにより選択された４つの利用可能な分周比を含むことができる。例えば、周波数分周器１２４２は、制御信号１２４４、１２４５に基づき、２、４、６又は８により、ＶＣＯ１２０８の周波数を分周することができる。制御信号１２４４、１２４５は、３つの分周比の１つを選択するため、周波数分周器１２４２におけるスイッチを開く又は閉じることができる。１つの設定では、周波数分周器１２４２は、ＶＣＯ１２０８信号の周波数を、制御信号１２４４、１２４５の両者がハイのとき８で、第１制御信号１２４４がロー及び第２制御信号１２４５がハイのとき６で、第１制御信号１２４４がハイ及び第２制御信号１２４５がローのとき４で、又は制御信号１２４４、１２４５の両者がローのとき２で分周することができる。あるいはまた、周波数分周器１２４２は、例えば８／４／２、１６／８／４、１６／８／２、１６／４／２などの３又は５の利用可能な分周比を持つことができる。受信機の設定では、ミキサー１２２２は、ベースバンド信号１２１４を作り出すため、ＲＦ信号１２０６に入力信号を混合することができる。
【００４０】
図１３は、４つの利用可能な分周比を含む設定可能な分周比による周波数分周器１３４２を示す回路ブロック図である。特に、周波数分周器１３４２は、制御信号に基づく、８、６、４又は２の分周比により構成されることができる。周波数分周器１３４２は、８つの分岐を含むことができ、それぞれインバータ（Ｉ１―Ｉ８）１３３２ａ―ｈをＤＣ電圧（Ｖｄｄ）１３３４に接続させている、クロックドｐ型金属酸化半導体（ＰＭＯＳ）電界効果トランジスタ（Ａ１―Ａ８）１３２８ａ―ｈ及びインバータ１３３２ａ―ｈをグランド１３３６に接続させている、クロックドｎ型金属酸化半導体（ＮＭＯＳ）電界効果トランジスタ（Ｂ１―Ｂ８）１３３０ａ―ｈを含む。クロックドトランジスタ１３２８ａ―ｈ、１３３０ａ―ｈは、それらの各ゲートで、クロック信号１３３８ａ―ｈ又は反転されたクロック信号１３４０ａ―ｈを受信することができ、例えば、クロック信号１３３８ａ―ｈは、ＶＣＯの出力であることができる。１つの設定では、第１クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１３２８ａは、クロック信号１３３８ａを受信することができ、第２クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１３２８ｂは、反転されたクロック信号１３４０ｂを受信することができ、第３クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１３２８ｃは、クロック信号１３３８ｃを受信することができ、第４クロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１３２８ｄは、反転されたクロック信号１３４０ｄを受信することができるなど。反対に、第１クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３３０ａは、反転されたクロック信号１３４０ａを受信することができ、第２クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３３０ｂは、クロック信号１３３８ｂを受信することができ、第３クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３３０ｃは、反転されたクロック信号１３４０ｃを受信することができ、第４クロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３３０ｄは、クロック信号１３３８ｄを受信することができるなど。
【００４１】
加えて、周波数分周器１３４２における第２、３、４、５、７及び８分岐は、それぞれクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ１３２８に並列なノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｃ１―Ｃ６）１３４６ａ―ｆ及びそれぞれクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ１３３０に並列なノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｅ１―Ｅ６）１３４８ａ―ｆをそれぞれ含むことができる。ノンクロックドトランジスタ１３４６ａ―ｆ、１３４８ａ―ｆは、それらの各ゲートで、第１制御信号（ＣＴＲＬ１）１３５０ａ―ｂ、反転された第１制御信号  
【数１】
0005571185.tif 000002
【００４２】
、第２制御信号（ＣＴＲＬ２）１３５１ａ―ｄ又は反転された第２制御信号  
【数２】
0005571185.tif 000003
【００４３】
を受信することができる。
【００４４】
特に、第１及び２ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｃ１―Ｃ２）１３４６ａ―ｂは、第１制御信号（ＣＴＲＬ１）１３５０ａ―ｂを受信することができ、第１及び２ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｅ１―Ｅ２）１３４８ａ―ｂは、反転された第１制御信号  
【数３】
0005571185.tif 000004
【００４５】
を受信することができる。それゆえ、第１制御信号（ＣＴＲＬ１）１３５０ａ―ｂがハイのとき、第１及び２ノンクロックドトランジスタ１３４６ａ―ｂ、１３４８ａ―ｂは、開いたスイッチのように作動する。反対に、第１制御信号（ＣＴＲＬ１）１３５０ａ―ｂがローのとき、第１ノンクロックドトランジスタ１３４６ａ―ｂ、１３４８ａ―ｂは、閉じられたスイッチのように作動する。
【００４６】
第３、４、５及び６ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｃ３―Ｃ６）１３４６ｃ―ｆは、第２制御信号（ＣＴＲＬ２）１３５１ａ―ｄを受信することができ、第３、４、５及び６ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴ（Ｅ３―Ｅ６）１３４８ｃ―ｆは、反転された第２制御信号  
【数４】
0005571185.tif 000005
【００４７】
を受信することができる。それゆえ、第２制御信号（ＣＴＲＬ２）１３５１ａ―ｄがハイのとき、第３から６及び２ノンクロックドトランジスタ１３４６ｃ―ｆ、１３４８ｃ―ｆは、開いたスイッチのように動作する。反対に、第２制御信号（ＣＴＲＬ２）１３５１ａ―ｄがローのとき、第３から６ノンクロックドトランジスタ１３４６ｃ―ｆ、１３４８ｃ―ｆは、閉じられたスイッチのように動作する。
【００４８】
それゆえ、周波数分周器１３４２は、入力信号の周波数を、制御信号１３５０ａ―ｂ、１３５１ａ―ｄの両者がハイのときは８で、第１制御信号１３５０ａ―ｂがローで第２制御信号１３５１ａ―ｄがハイのときは６で、第１制御信号１３５０ａ―ｂがハイで第２制御信号１３５１ａ―ｄがローのときは４で、又は制御信号１３５０ａ―ｂ、１３５１ａ―ｄの両者がローのときは２で分周することができる。それゆえ、例えば、２、４、６，８、１０など、すべての偶数の分周比は、本システム及び方法を使用して得られることができる。
【００４９】
さらに、第９分岐は、直接、即ち、トランジスタなしに、Ｖｄｄ１３３４及びグランド１３３６に接続されているインバータ１３３２ｉを含むことができる。第９インバータ１３３２ｉの出力は、第１インバータ１３３２ａへフィードバックされることができる。安定した状態では、第９インバータ１３３２ｉの出力は、選択された分周比で分周された周波数によるデジタル信号であることができる。
【００５０】
図１４は、無線機器１４０１内に含まれることができるあるコンポーネントを示す。無線機器１４０１は、移動体機器又は基地局であることができる。特に、無線機器１４０１は、設定可能な分周比による周波数分周器９４２によって、図１に示されたような受信機１００及び／又は図２に示されたような送信器２００を含む移動体機器となることができる。
【００５１】
無線機器１４０１は、プロセッサ１４０３を含む。プロセッサ１４０３は、汎用単一又は複数マイクロプロセッサ（例えば、ＡＲＭ）、特定目的プロセッサ（例えば、デジタル信号プロセッサ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ：ＤＳＰ））、マイクロコントローラ、プログラマルゲートアレイなどであることができる。プロセッサ１４０３は、中央演算処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）として示されることができる。ただ１つのプロセッサ１４０３が図１４の無線通信機器１４０１において示されているが、他の設定としてプロセッサの組み合わせ（例えば、ＡＲＭとＤＳＰ）が使用されることができた。
【００５２】
無線機器１４０１は、メモリ１４０５も含む。メモリ１４０５は、電気的情報を格納することができる全ての電気的コンポーネントであることができる。メモリ１４０５は、ランダムアクセスメモリ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ：ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ｒｅａｄ  ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ：ＲＯＭ）、磁気ディスク記録媒体、光学記録媒体、ＲＡＭ内のフラッシュメモリ機器、プロセッサと共に含まれるオンボードメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、及びそれらの組み合わせをふくむものとして具体化される。
【００５３】
データ１４０７及び命令１４０９は、メモリ１４０５内に格納されることができる。命令１４０９は、本文中に開示された方法を実行するためプロセッサ１４０３によって実行されることができる。命令１４０９を実行することは、メモリ１４０５内に格納されているデータ１４０７の使用を含むことができる。
【００５４】
無線機器１４０１は、無線機器１４０１と遠隔地の間の信号を送信及び受信可能にするため送信器１４１１及び受信機１４１３を含むこともできる。送信器１４１１及び受信機１４１３は、共同体としてトランシーバ１４１５と呼ばれることができる。アンテナ１４１７は、電気的にトランシーバ１４１５へ接続されることができる。無線機器１４０１は、複数の送信器、複数の受信機、複数のトランシーバ及び又複数のアンテナも含むことができる（図示されない）。
【００５５】
無線機器１４０１の様々なコンポーネントは、パワーバス、制御信号バス、状態信号バス、データバズなどを含むことができる、１つ又はそれ以上のバスによって、互いに接続されることができる。明確さのため、様々なバスは、バスシステム１４１９のように図１４に示される。
【００５６】
上記では、参照番号はときどき様々な項目に関して使用されている。用語が参照番号と関連して使用される所では、これは１つ又はそれ以上の図において示される特定の要素を示すことを意味する。用語が参照番号なく使用される所では、これは全ての個々の図に限定することなく一般的に用語に言及する意図で書かれる。
【００５７】
「決定すること」という用語は行為の広い多様性を含み、それゆえ「決定すること」は、計算すること（ｃａｌｃｕｌａｔｉｎｇ）、計算すること（ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）、処理すること、引き出すこと、調査すること（ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｎｇ）、調べること（ｌｏｏｋｉｎｇ  ｕｐ）（例えば、テーブル、データベース又は他のデータ構造内を調べること）、確かめること及び似たものを含むことができる。また、「決定すること」は、受信すること（例えば、情報を受信すること）、アクセスすること（例えば、メモリ内のデータにアクセスすること）及び似たものを含むことができる。また、「決定すること」は、解決すること、選択すること（ｓｅｌｅｃｔｉｎｇ）、選択すること（ｃｈｏｏｓｉｎｇ）、確証すること及び似たものを含むことができる。
【００５８】
もし明確に特定しなければ、「に基づく」という成句は「のみに基づく」を意味しない。他の言い方をすれば、「に基づく」という成句は「のみに基づく」及び「少なくとも…に基づく」の両方を述べる。
【００５９】
「プロセッサ」という用語は、汎用プロセッサ、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、コントローラ、マイクロコントローラ、状態装置、及びその他を大体含むと解釈するべきである。いくつかの事情の下で、「プロセッサ」は、特定用途向け集積回路（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）、プログラマブルロジックデバイス（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ：ＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ｆｉｅｌｄ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｇａｔｅ  ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ）などを示すことができる。「プロセッサ」という用語は、例えば、ＤＳＰ及びマイクロプロセッサの組み合わせ、多数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアに接続された１つ又はそれ以上のマイクロプロセッサ、又は全てのその様な設定といった処理機器の組み合わせを示すことができる。
【００６０】
「メモリ」という用語は、電気的な情報を格納する能力のある全ての電気的コンポーネントを大体含むと解釈するべきである。メモリという用語は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ：ＮＶＲＡＭ）、プログラマブルリードオンリーメモリ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ：ＰＲＯＭ）、消去可能なプログラマブルリードオンリーメモリ（ｅｒａｓａｂｌｅ  ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ：ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能なＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｅｒａｓａｂｌｅ  ＰＲＯＭ：ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ、磁気又は光学データ記録装置、レジスタなどのようなプロセッサ可読媒体の様々なタイプを示すことができる。プロセッサがメモリから情報を読み込み及び／又は書き込むことができる場合は、メモリはプロセッサに電気的に通信していると言われる。プロセッサに内蔵されたメモリは、プロセッサと電気的に通信している。
【００６１】
「命令」及び「コード」という用語は、コンピュータ可読ステートメントの全てのタイプを大体含むと解釈するべきである。例えば、「命令」及び「コード」という用語は、１つ又はそれ以上のプログラム、ルーチン、サブルーチン、関数、プロシージャなどを示すことができる。「命令」及び「コード」は、単一のコンピュータ可読ステートメント又は多数のコンピュータ可読ステートメントを備えることができる。
【００６２】
本文中に記載された機能は、コンピュータ可読媒体上の１つ又はそれ以上の命令として格納されることができる。「コンピュータ可読媒体」という用語は、コンピュータによりアクセスされることができる全ての利用可能な媒体を示す。限定でなく例として、コンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＣＯ−ＲＯＭ若しくは他の光学ディスク媒体、磁気ディスク媒体若しくは他の磁気媒体機器、又は命令若しくはデータ構造の形式で望まれたプログラムコードを運ぶ若しくは格納するために使用されることができコンピュータによりアクセスされることができる全ての媒体を備えることができる。ディスク（ｄｉｓｋ）は一般に磁気的にデータを再生し、一方ディスク（ｄｉｓｃ）はレーザーで光学的にデータを再生するところ、本文中で使用されているディスク（ｄｉｓｋ）及びディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｓｃ：ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、ディジタル・バーサタイル・ディスク（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ：ＤＶＤ）、フロッピー（登録商標）ディスクおよびブルーレイディスクを含む。「コンピュータ可読媒体」という用語は、一時的でないコンピュータ可読媒体を示す。
【００６３】
ソフトウェア又は命令は、送信媒体上で送信されることもできる。例えば、ソフトウェアがウェブサイト、サーバー、又は同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、デジタル加入者ライン（ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｕｂｃｒｉｂｅｒ  ｌｉｎｅ：ＤＳＬ）若しくは赤外線、無線、及びマイクロ波のような無線技術を使用したその他遠隔ソースからの送信される場合、そのときは同軸ケーブル、光ファイバーケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、又は赤外線、無線、並びにマイクロ波のような無線技術は、送信媒体の定義に含まれる。
【００６４】
本文中に開示された方法は、開示された方法を達成するため１つ若しくはそれ以上のステップ若しくは行動を備える。方法のステップ及び／又は行動は、請求の範囲から離れることなく他のものと交換されることができる。言い換えれば、ステップ又は行動の特定の手順が記述された方法の適切な作業のため必要でないならば、特定のステップ及び／又は行動の手順及び／又は使用は請求の範囲から離れることなく修正されることができる。
【００６５】
さらに、図１１に示されたような、本文中に記述された方法及び技術を実行するためのモジュール及び／又は適当な手段は、ダウンロードされることができ、さもなければ、機器により得られることができる。例えば、機器は、本文中に記述された方法を実行するための手段の移し替えを容易にするためサーバーに接続されることができる。あるいはまた、本文中に記述された様々な方法は、機器が機器へ記録手段を接続する又は供給する様々な方法を得ることができるような、記録手段（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）又はフロッピー（登録商標）ディスクのような物理的記録媒体など）を通じて供給されることができる。そのうえ、機器へ本文中に記述された方法及び技術を供給するための全ての適当な技術は、利用されることができる。
【００６６】
特許請求の範囲は、上に示された正確な設定及びコンポーネントに限られないことが理解される。様々な修正、交換、変化は、特許請求の範囲から離れることなく本文中に記述された手筈、作業並びにシステムの詳細、方法、及び装置内で作り出されることができる。
以下に本件出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信することと、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作することと、
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力することと、
を備える設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する方法。
［２］
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
［１］の方法。
［３］
前記スイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
［２］の方法。
［４］
前記スイッチは、さらに、直流（ＤＣ）基準電圧にインバータを接続させるｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びグランドに前記インバータを接続させるｎ型ＭＯＳＦＥＴを備える、
［３］の方法。
［５］
前記インバータの少なくとも２つは、それぞれ、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴに、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴに接続される、
［４］の方法。
［６］
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、前記ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及び前記ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
［５］の方法。
［７］
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
［１］の方法。
［８］
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
［１］の方法。
［９］
第１周波数によって入力信号を受信するように構成された、複数のクロックドスイッチと、
複数の分周比の１つを選択するように構成された、複数のノンクロックドスイッチと、
前記選択された分周比により分周された第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力するように構成された複数のインバータと、
を備える設定可能な分周比による周波数分周器。
［１０］
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
［９］の周波数分周器。
［１１］
前記スイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
［１０］の周波数分周器。
［１２］
前記スイッチは、さらに、直流（ＤＣ）基準電圧にインバータを接続させるｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びグランドに前記インバータを接続させるｎ型ＭＯＳＦＥＴを備える、
［１１］の周波数分周器。
［１３］
前記インバータの少なくとも２つは、それぞれ、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴに、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴに接続される、
［１２］の周波数分周器。
［１４］
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、前記ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及び前記ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
［１３］の周波数分周器。
［１５］
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
［９］の周波数分周器。
［１６］
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
［９］の周波数分周器。
［１７］
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信する手段と、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作する手段と、
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力する手段と、
を備える設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周する周波数分周器。
［１８］
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
［１７］の周波数分周器。
［１９］
前記スイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
［１８］の周波数分周器。
［２０］
前記スイッチは、さらに、直流（ＤＣ）基準電圧にインバータを接続させるｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びグランドに前記インバータを接続させるｎ型ＭＯＳＦＥＴを備える、
［１９］の周波数分周器。
［２１］
前記インバータの少なくとも２つは、それぞれ、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴに、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴに接続される、
［２０］の周波数分周器。
［２２］
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、前記ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及び前記ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
［２１］の周波数分周器。
［２３］
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
［１７］の周波数分周器。
［２４］
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
［１７］の周波数分周器。
［２５］
設定可能な分周比による周波数分周器におけるクロックドスイッチで、第１周波数によって入力信号を受信するように、
複数の分周比の１つを選択するため、前記周波数分周器の内部にあるノンクロックドスイッチを操作するように、及び
前記選択された分周比で分周された前記第１周波数である第２周波数によって出力信号を出力するように、
構成された、設定可能な分周比を使用する信号の周波数を分周するため］の集積回路。
［２６］
前記入力信号は、電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号を備える、
［２５］の集積回路。
［２７］
前記スイッチは、金属酸化半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を備える、
［２６］の集積回路。
［２８］
前記スイッチは、さらに、直流（ＤＣ）基準電圧にインバータを接続させるｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びグランドに前記インバータを接続させるｎ型ＭＯＳＦＥＴを備える、
［２７］の集積回路。
［２９］
前記インバータの少なくとも２つは、それぞれ、ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴに、及びノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴと並列にクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴに接続される、
［２８］の集積回路。
［３０］
前記クロックドＭＯＳＦＥＴは、前記入力信号又は前記入力信号の反転されたバージョンを受信し、前記ノンクロックドｐ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号を受信し、及び前記ノンクロックドｎ型ＭＯＳＦＥＴは、制御信号の反転されたバージョンを受信する、
［２９］の集積回路。
［３１］
前記出力信号は、ベースバンド信号を作り出すため、無線周波数信号に混合される、
［２５］の集積回路。
［３２］
前記出力信号は、無線周波数信号を作り出すため、ベースバンド信号に混合される、
［２５］の集積回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005571185.tif 000017
【図１１】
0005571185.tif 000018
【図１２】
0005571185.tif 000019
【図１３】
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【図１４】
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