(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部から延出する少なくとも１本の振動腕と、
前記振動腕上に下地層と第１の電極層と圧電体層と第２の電極層とがこの順で積層され、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に通電することにより、前記圧電体層を伸縮させて、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子とを有し、
前記下地層は、Ｔｉを主材料とする金属で構成され、
前記第１の電極層は、Ａｕを主材料とする金属で構成され、
前記圧電体層は、ＺｎＯを主材料として構成され、
前記圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅をｙ［°］とし、前記圧電体層の平均厚さをｘ［Å］としたとき、下記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たすことを特徴とする振動片。
２００≦ｘ≦５０００・・・・・（１）
ｙ≦１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋３．１３３２・・・・・（２）
ｙ≧１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋２．７３３２・・・・・（３）
【請求項２】
前記圧電体層の平均厚さは、５０〜３００［ｎｍ］である請求項１に記載の振動片。
【請求項３】
前記振動腕は、前記振動腕の延出方向と前記圧電体素子による前記振動腕の屈曲振動の振動方向とにそれぞれ直交する方向に並んで複数設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動する請求項１または２に記載の振動片。
【請求項４】
前記振動腕は、水晶で構成されている請求項１ないし３のいずれか一項に記載の振動片。
【請求項５】
基部と、
前記基部から延出する少なくとも１本の振動腕と、
前記振動腕上に下地層と第１の電極層と圧電体層と第２の電極層とがこの順で積層され、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に通電することにより、前記圧電体層を伸縮させて、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子とを有し、
前記下地層は、Ｔｉを主材料とする金属で構成され、
前記第１の電極層は、Ａｕを主材料とする金属で構成され、
前記圧電体層は、ＺｎＯを主材料として構成され、
前記圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅をｙ［°］とし、前記圧電体層の平均厚さをｘ［Å］としたとき、下記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たすことを特徴とする振動片を製造する方法であって、
前記振動腕上に前記下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上に前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に前記第２の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする振動片の製造方法。
２００≦ｘ≦５０００・・・・・（１）
ｙ≦１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋３．１３３２・・・・・（２）
ｙ≧１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋２．７３３２・・・・・（３）
【請求項６】
前記圧電体層の平均厚さは、５０〜３００［ｎｍ］である請求項５に記載の振動片の製造方法。
【請求項７】
前記振動腕は、前記振動腕の延出方向と前記圧電体素子による前記振動腕の屈曲振動の振動方向とにそれぞれ直交する方向に並んで複数設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動する請求項５または６に記載の振動片の製造方法。
【請求項８】
前記振動腕は、水晶で構成されている請求項５ないし７のいずれか一項に記載の振動片の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージとを備えることを特徴とする振動デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載の振動デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動片、振動片の製造方法、振動デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶発振器等の振動デバイスとしては、複数の振動腕を備える音叉型の振動片を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
例えば、特許文献１に記載の振動片は、基部と、この基部から互いに平行となるように延出する３つの振動腕と、各振動腕上に下部電極膜、圧電体膜および上部電極膜がこの順で成膜されて構成された圧電体素子とを有する。このような振動片において、各圧電体素子は、下部電極膜と上部電極膜との間に電界が印加されることにより、圧電層を伸縮させ、振動腕を基部の厚さ方向に屈曲振動させる。
【０００３】
このような振動片では、一般に、水晶基板やシリコン基板を加工することにより基部および振動腕が形成されるとともに、下部電極膜がＡｕ（金）で構成される。
Ａｕは、水晶やシリコンに対する密着性が低いことから、従来においては、水晶で構成された振動腕と下部電極膜との間には、Ｃｒ（クロム）で構成された下地層が設けられていた。
しかし、このような従来の振動片においては、圧電体素子の圧電体膜の配向性が低く、その結果、ＣＩ（crystal impedance）値が大きくなってしまう。そのため、前述したような従来の振動片においては、振動損失を十分に小さくすることができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−５０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、信頼性を優れたものとしつつ、振動損失を低減することができる振動片、振動片の製造方法、および、この振動片を備える振動デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明の振動片は、基部と、
前記基部から延出する少なくとも１本の振動腕と、
前記振動腕上に下地層と第１の電極層と圧電体層と第２の電極層とがこの順で積層され、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に通電することにより、前記圧電体層を伸縮させて、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子とを有し、
前記下地層は、Ｔｉを主材料とする金属で構成され、
前記第１の電極層は、Ａｕを主材料とする金属で構成され、
前記圧電体層は、ＺｎＯを主材料として構成され、
前記圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅をｙ［°］とし、前記圧電体層の平均厚さをｘ［Å］としたとき、下記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たすことを特徴とする。
２００≦ｘ≦５０００・・・・・（１）
ｙ≦１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋３．１３３２・・・・・（２）
ｙ≧１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋２．７３３２・・・・・（３）
【０００７】
これにより、振動腕上に下地層、第１の電極層および圧電体層をこの順で積層したときに、第１の電極層の膜質（粒径、表面粗さ等）が下地層の影響を受けて最適化され、圧電体層の配向性を高めることができる。その結果、振動片のＣＩ値を低減し、振動片の振動損失を低減することができる。また、第１の電極層が下地層とは別途設けられているので、第１の電極層の電気抵抗を小さくすることができる。そのため、第１の電極層の電気抵抗増加によるＣＩ値の上昇を招くこともない。
また、下地層と振動腕との密着性、および、下地層と第１の電極層との密着性をそれぞれ優れたものとすることができる。その結果、第１の電極層が振動腕から剥離するのを防止し、振動片の信頼性を優れたものとすることができる。
また、Ａｕは、導電性に優れ（電気抵抗が小さく）、酸化に対する耐性に優れているため、電極材料として好適である。一方、Ａｕは、振動腕を構成する材料との密着性が低い。しかし、振動腕と第１の電極層との間に、Ｔｉを主材料とする金属で構成された下地層を介在させることにより、Ａｕで構成された第１の電極層を振動腕に対して強固に固定することができる。また、ＺｎＯ（酸化亜鉛）は、ｃ軸配向性に優れている。そのため、圧電体層をＺｎＯを主材料として構成することにより、振動片のＣＩ値を低減することができる。
特に、関係式（１）、（２）、（３）を満足することで、圧電体層の配向性を高めるとともに、圧電体層が振動腕の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子の駆動特性を優れたものとすることができる。
【００１０】
本発明の振動片では、前記圧電体層の平均厚さは、５０〜３００［ｎｍ］であることが好ましい。
これにより、圧電体層が振動腕の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子の駆動特性を優れたものとすることができる。
【００１１】
本発明の振動片では、前記振動腕は、前記振動腕の延出方向と前記圧電体素子による前記振動腕の屈曲振動の振動方向とにそれぞれ直交する方向に並んで複数設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動することが好ましい。
これにより、振動漏れの少ない振動片を実現することができる。
本発明の振動片では、前記振動腕は、水晶で構成されていることが好ましい。
これにより、振動腕の振動特性（特に周波数温度特性）を優れたものとすることができる。また、エッチングにより高い寸法精度で振動腕を形成することができる。
【００１２】
本発明の振動片の製造方法は、基部と、
前記基部から延出する少なくとも１本の振動腕と、
前記振動腕上に下地層と第１の電極層と圧電体層と第２の電極層とがこの順で積層され、前記第１の電極層と前記第２の電極層との間に通電することにより、前記圧電体層を伸縮させて、前記振動腕を屈曲振動させる圧電体素子とを有し、
前記下地層は、Ｔｉを主材料とする金属で構成され、
前記第１の電極層は、Ａｕを主材料とする金属で構成され、
前記圧電体層は、ＺｎＯを主材料として構成され、
前記圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅をｙ［°］とし、前記圧電体層の平均厚さをｘ［Å］としたとき、下記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たすことを特徴とする振動片を製造する方法であって、
前記振動腕上に前記下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記第１の電極層を形成する工程と、
前記第１の電極層上に前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層上に前記第２の電極層を形成する工程とを有することを特徴とする。
２００≦ｘ≦５０００・・・・・（１）
ｙ≦１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋３．１３３２・・・・・（２）
ｙ≧１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋２．７３３２・・・・・（３）
これにより、得られる振動片は、信頼性を優れたものとしつつ、ＣＩ値を低減することができる。
本発明の振動片の製造方法では、前記圧電体層の平均厚さは、５０〜３００［ｎｍ］であることが好ましい。
これにより、圧電体層が振動腕の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子の駆動特性を優れたものとすることができる。
本発明の振動片の製造方法では、前記振動腕は、前記振動腕の延出方向と前記圧電体素子による前記振動腕の屈曲振動の振動方向とにそれぞれ直交する方向に並んで複数設けられ、隣り合う２つの前記振動腕が互いに反対方向に屈曲振動することが好ましい。
これにより、振動漏れの少ない振動片を実現することができる。
本発明の振動片の製造方法では、前記振動腕は、水晶で構成されていることが好ましい。
これにより、振動腕の振動特性（特に周波数温度特性）を優れたものとすることができる。また、エッチングにより高い寸法精度で振動腕を形成することができる。
【００１３】
本発明の振動デバイスは、本発明の振動片と、
前記振動片を収納するパッケージとを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有するとともに振動損失の少ない振動デバイスを提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の振動デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図である。
【図２】図１に示す振動デバイスを示す上面図である。
【図３】図１に示す振動デバイスに備えられた振動片を示す下面図である。
【図４】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図２に示す振動片の動作を説明するための斜視図である。
【図６】図２に示す振動片の圧電体層をＺｎＯで構成した場合において、圧電体層の厚さ（膜厚）と、圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅との関係を示すグラフである。
【図７】図２に示す振動片の製造方法を説明するための図である。
【図８】図２に示す振動片の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の振動デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図１０】本発明の振動デバイスを備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１１】本発明の振動デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の振動片および振動デバイスを添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る振動デバイスを示す断面図、図２は、図１に示す振動デバイスを示す上面図、図３は、図１に示す振動デバイスに備えられた振動片を示す下面図、図４は、図２中のＡ−Ａ線断面図、図５は、図２に示す振動片の動作を説明するための斜視図、図６は、図２に示す振動片の圧電体層をＺｎＯで構成した場合において、圧電体層の厚さ（膜厚）と、圧電体層のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅との関係を示すグラフ、図７および図８は、それぞれ、図２に示す振動片の製造方法を説明するための図である。なお、各図では、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。また、以下では、Ｙ軸に平行な方向（第１の方向）をＹ軸方向、Ｘ軸に平行な方向（第２の方向）を「Ｘ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（第３の方向）をＺ軸方向と言う。また、以下の説明では、説明の便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
図１に示す振動デバイス１は、振動片２と、この振動片２を収納するパッケージ３とを有する。
【００１６】
以下、振動デバイス１を構成する各部を順次詳細に説明する。
（振動片）
まず、振動片２について説明する。
振動片２は、図２に示すような３脚音叉型の振動片である。この振動片２は、振動基板２１と、この振動基板２１上に設けられた圧電体素子２２、２３、２４および接続電極４１、４２とを有している。
振動基板２１は、基部２７と、３つの振動腕２８、２９、３０とを有している。
【００１７】
振動基板２１の構成材料としては、所望の振動特性を発揮することができるものであれば、特に限定されず、各種圧電体材料および各種非圧電体材料を用いることができる。
例えば、かかる圧電体材料としては、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。特に、振動基板２１を構成する圧電体材料としては水晶が好ましい。水晶で振動基板２１を構成すると、振動基板２１の振動特性（特に周波数温度特性）を優れたものとすることができる。また、エッチングにより高い寸法精度で振動基板２１を形成することができる。
【００１８】
また、かかる非圧電体材料としては、例えば、シリコン、石英等が挙げられる。特に、振動基板２１を構成する非圧電体材料としてはシリコンが好ましい。シリコンで振動基板２１を構成すると、振動基板２１の振動特性を優れたものを比較的安価に実現することができる。また、基部２７に集積回路を形成するなどして、振動片２と他の回路素子との一体化も容易である。また、エッチングにより高い寸法精度で振動基板２１を形成することができる。
【００１９】
このような振動基板２１において、基部２７は、Ｚ軸方向を厚さ方向とする略板状をなしている。また、図１および図３に示すように、基部２７は、薄肉に形成された薄肉部２７１と、この薄肉部２７１よりも厚肉に形成された厚肉部２７２とを有し、これらがＹ軸方向に並んで設けられている。
また、薄肉部２７１は、後述する各振動腕２８、２９、３０と等しい厚さとなるように形成されている。したがって、厚肉部２７２は、そのＺ軸方向での厚さが各振動腕２８、２９、３０のＺ軸方向での厚さよりも大きい部分である。
このような薄肉部２７１および厚肉部２７２を形成することにより、振動腕２８、２９、３０の厚さを薄くして振動腕２８、２９、３０の振動特性を向上させるとともに、振動片２を製造する際のハンドリング性を優れたものとすることができる。
【００２０】
そして、基部２７の薄肉部２７１の厚肉部２７２とは反対側には、３つの振動腕２８、２９、３０が接続されている。
振動腕２８、２９は、基部２７（薄肉部２７１）のＸ軸方向での両端部に接続され、振動腕３０は、基部２７（薄肉部２７１）のＸ軸方向での中央部に接続されている。
３つの振動腕２８、２９、３０は、互いに平行となるように基部２７からそれぞれ延出して設けられている。より具体的には、３つの振動腕２８、２９、３０は、基部２７からそれぞれＹ軸方向（Ｙ軸の矢印方向）に延出するとともに、Ｘ軸方向に並んで設けられている。
【００２１】
この振動腕２８、２９、３０は、それぞれ、長手形状をなし、その基部２７側の端部（基端部）が固定端となり、基部２７と反対側の端部（先端部）が自由端となる。
また、振動腕２８、２９は、互いに同じ幅となるように形成され、振動腕３０は、振動腕２８、２９の幅の２倍の幅となるように形成されている。これにより、振動腕２８、２９をＺ軸方向に屈曲振動させるとともに、振動腕３０を振動腕２８、２９と反対方向に（逆相で）Ｚ軸方向に屈曲振動させたとき、振動漏れを少なくすることができる。なお、振動腕２８、２９、３０の幅は、前述したものに限定されず、例えば、互いに同じであってもよい。
【００２２】
また、各振動腕２８、２９、３０は、長手方向での全域に亘って幅が一定となっている。なお、必要に応じて、振動腕２８、２９、３０の各先端部には、基端部よりも横断面積が大きい質量部（ハンマーヘッド）を設けてもよい。この場合、振動片２をより小型なものとしたり、振動腕２８、２９、３０の屈曲振動の周波数をより低めたりすることができる。
【００２３】
図４に示すように、このような振動腕２８上には、圧電体素子２２が設けられ、また、振動腕２９上には、圧電体素子２３が設けられ、さらに、振動腕３０上には、圧電体素子２４が設けられている。これにより、比較的簡単に、各振動腕２８、２９、３０をＺ軸方向に屈曲振動させることができる。また、各振動腕２８、２９、３０が圧電性を有していなくてもよいので、各振動腕２８、２９、３０の材料の選択の幅が広がる。そのため、所望の振動特性を有する振動片２を比較的簡単に実現することができる。
【００２４】
圧電体素子２２は、通電により伸縮して振動腕２８をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。また、圧電体素子２３は、通電により伸縮して振動腕２９をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。また、圧電体素子２４は、通電により伸縮して振動腕３０をＺ軸方向に屈曲振動させる機能を有する。
このような圧電体素子２２は、図４に示すように、振動腕２８上に、下地層２２１、第１の電極層２２２、圧電体層（圧電薄膜）２２３、絶縁体層２２４、第２の電極層２２５がこの順で積層されて構成されている。
【００２５】
以下、圧電体素子２２を構成する各層を順次詳細に説明する。
［下地層］
下地層２２１は、Ｔｉを主材料とする金属で構成されている。
これにより、振動腕２８上に下地層２２１、第１の電極層２２２および圧電体層２２３をこの順で積層（成膜）したときに、第１の電極層２２２の膜質（粒径、表面粗さ等）が下地層２２１の影響を受けて最適化され（例えば、第１の電極層２２２と圧電体層２２３との格子不整合を緩和し）、圧電体層２２３の配向性を高めることができる。その結果、振動片２のＣＩ値を低減し、振動片２の振動損失を低減することができる。また、第１の電極層２２２が下地層２２１とは別途設けられているので、第１の電極層２２２の電気抵抗を小さくすることができる。そのため、第１の電極層２２２の電気抵抗増加によるＣＩ値の上昇を招くこともない。
【００２６】
また、下地層２２１と振動腕２８との密着性、および、下地層２２１と第１の電極層２２２との密着性をそれぞれ優れたものとすることができる。その結果、第１の電極層２２２が振動腕から剥離するのを防止し、振動片の信頼性を優れたものとすることができる。
また、チタン（純チタン）は、耐食性にも優れる。そのため、Ｔｉを主材料とする金属で構成された下地層２２１を用いることにより、この点でも、振動片２の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
このような下地層２２１の構成材料（Ｔｉ（チタン）を主材料とする金属）は、チタンのみ（純チタン）であってもよいし、チタン合金であってもよいが、純チタンを用いるのが好ましい。これにより、簡単かつ確実に、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果を発揮することができる。なお、下地層２２１には、金属以外の元素が微量添加されていてもよい。
【００２８】
下地層２２１の構成材料としてチタン合金を用いる場合、かかるチタン合金中のチタンの含有量は、チタン合金中に含まれるチタン以外の金属の種類や含有量等によっても異なるが、７０ｗｔ％以上であるのが好ましく、８０ｗｔ％以上であるのがより好ましい。これにより、比較的簡単かつ確実に、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果を発揮することができる。
【００２９】
下地層２２１の構成材料としてチタン合金を用いる場合、そのチタン合金中に含まれるチタン以外の金属としては、その含有量によっても異なるが、格子定数がチタンに近いものを用いるのが好ましい。
また、下地層２２１の平均厚さは、下地層２２１が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果を発揮することができれば、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】
［第１の電極層］
第１の電極層２２２は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデンン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料により形成することができる。
中でも、第１の電極層２２２の構成材料としては、金を主材料とする金属（金、金合金）、白金を用いるのが好ましく、金を主材料とする金属（特に金）を用いるのがより好ましい。
【００３１】
Ａｕは、導電性に優れ（電気抵抗が小さく）、酸化に対する耐性に優れているため、電極材料として好適である。また、第１の電極層２２２、２３２、２４２をそれぞれ金または金合金で構成することにより、圧電体層２２３、２３３、２４３の配向性を高めることができる。一方、Ａｕは、振動腕２８、２９、３０を構成する材料（特に水晶）との密着性が低い。
【００３２】
第１の電極層２２２の構成材料として金合金を用いる場合、かかる金合金中の金の含有量は、金合金中に含まれる金以外の金属の種類や含有量等によっても異なるが、７０ｗｔ％以上であるのが好ましく、８０ｗｔ％以上であるのがより好ましい。これにより、比較的簡単かつ確実に、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果を発揮することができる。
また、第１の電極層２２２の構成材料として金合金を用いる場合、その金合金中に含まれる金以外の金属としては、その含有量によっても異なるが、格子定数が金に近いものを用いるのが好ましい。
【００３３】
また、第１の電極層２２２の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、第１の電極層２２２が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果を発揮することができる。これに対し、かかる厚さが前記下限値未満であると、前述したような圧電体層２２３の配向性を高める効果が低下する傾向を示すとともに、第１の電極層２２２の導電性を良好なものとすることが難しい。一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、第１の電極層２２２が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるおそれがある。
【００３４】
［圧電体層］
圧電体層２２３の構成材料（圧電体材料）としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、４ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等が挙げられるが、ＡＩＮ、ＺｎＯを用いるのが好ましい。
【００３５】
特に、圧電体層２２３は、ＺｎＯを主材料として構成されているのが好ましい。
ＺｎＯ（酸化亜鉛）は、ｃ軸配向性に優れている。そのため、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成することにより、振動片２のＣＩ値を低減することができる。
圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成した場合、圧電体層２２３のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅（ＦＷＨＭ）は、４°以下であるのが好ましく、２°以下であるのがより好ましい。これにより、低ＣＩ値の振動片２を実現することができる。
【００３６】
また、下地層２２１をＴｉで構成し、第１の電極層２２２をＡｕで構成し、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成した場合、図６に示すように、圧電体層２２３のＺｎＯ（００２）面におけるＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅（以下、単に「ＦＷＨＭ」とも言う）をｙ［°］とし、圧電体層２２３の平均厚さをｘ［Å］としたとき、下記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たす。
２００≦ｘ≦５０００・・・・・（１）
ｙ≦１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋３．１３３２・・・・・（２）
ｙ≧１０−７ｘ２−０．０００８ｘ＋２．７３３２・・・・・（３）
【００３７】
図６からわかるように、下地層２２１をＴｉで構成し、第１の電極層２２２をＡｕで構成し、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成した場合、圧電体層２２３の厚さを抑えても、前述したように圧電体層２２３の配向性を優れたものとすることができる。特に、ＦＷＨＭを４°以下に抑えることができる。また、圧電体層２２３の厚さを２０００Å（２００ｎｍ）以上とすることにより、ＦＷＨＭを２°以下に抑えることができる。このようなことから、上記関係式（１）、（２）および（３）をそれぞれ満たすことにより、圧電体層２２３の配向性を高めるとともに、圧電体層２２３が振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子２２の駆動特性を優れたものとすることができる。
【００３８】
なお、図６に示すグラフでは、下地層２２１をＴｉで構成し、第１の電極層２２２をＡｕで構成し、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成した場合のＦＷＨＭ（各条件につき２つのサンプルをそれぞれ測定）の最大値（２つのサンプルのうち大きい方）を「ＡｕＴｉ上ｍａｘ」、最小値（２つのサンプルのうち小さい方）を「ＡｕＴｉ上ｍｉｎ」、平均値を「ＡｕＴｉ上ａｖｅ」で示している。また、下地層２２１をＣｒで構成し、第１の電極層２２２をＡｕで構成し、圧電体層２２３をＺｎＯを主材料として構成した場合のＦＷＨＭ（２つのサンプルを測定）を「ＡｕＣｒ上１」、「ＡｕＣｒ上２」で示している。また、上記関係式（２）を「多項式（ＡｕＴｉ上ｍａｘ）」、上記関係式（３）を「多項式（ＡｕＴｉ上ｍｉｎ）」で示している。
また、図６に示すように、圧電体層２２３の平均厚さは、２０〜５００［ｎｍ］であればよいが、２０〜３００［ｎｍ］であるのが好ましく、５０〜３００［ｎｍ］であるのがより好ましい。これにより、圧電体層２２３が振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、圧電体素子２２の駆動特性を優れたものとすることができる。
【００３９】
［絶縁体層］
絶縁体層２２４は、圧電体層２２３を保護するとともに、第１の電極層２２２と第２の電極層２２５との間の短絡を防止する機能を有する。
本実施形態では、絶縁体層２２４は、圧電体層２２３の上面のみを覆うように形成されている。なお、絶縁体層２２４は、圧電体層２２３の側面（第１の電極層２２２に接する面以外の面）も覆うように形成されていてもよい。
【００４０】
このような絶縁体層２２４の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ２（酸化ケイ素）あるいはＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ２Ｏ、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２のような酸化物、ＳｉｘＮｙ、ＡｌＮのような窒化物、ＴｉＣ、ＳｉＣのような炭化物等が挙げられ、これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
また、絶縁体層２２４の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜８０ｎｍであるのが好ましい。かかる厚さが前記下限値未満であると、前述したような短絡を防止する効果が小さくなる傾向となり、一方、かかる厚さが前記上限値を超えると、圧電体素子２２の特性に悪影響を与えるおそれがある。
なお、絶縁体層２２４は、必要に応じて設ければよく、省略してもよい。
【００４２】
［第２の電極層］
第２の電極層２２５は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデンン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料により形成することができる。
【００４３】
また、第２の電極層２２５の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、１〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、第２の電極層２２５が圧電体素子２２の駆動特性や振動腕２８の振動特性に悪影響を与えるのを防止しつつ、第２の電極層２２５の導電性を優れたものとすることができる。
このような圧電体素子２２においては、第１の電極層２２２と第２の電極層２２５との間に電圧が印加されると、圧電体層２２３にＺ軸方向の電界が生じる。この電界により、圧電体層２２３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕２８をＺ軸方向に屈曲振動させる。
【００４４】
以上説明した圧電体素子２２と同様に、圧電体素子２３は、振動腕２９上に、下地層２３１、第１の電極層２３２、圧電体層（圧電薄膜）２３３、絶縁体層２３４、第２の電極層２３５がこの順で積層されて構成されている。また、圧電体素子２４は、振動腕３０上に、下地層２４１、第１の電極層２４２、圧電体層（圧電薄膜）２４３、絶縁体層２４４、第２の電極層２４５がこの順で積層されて構成されている。
【００４５】
そして、圧電体素子２３においては、第１の電極層２３２と第２の電極層２３５との間に電圧が印加されると、圧電体層２３３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕２９をＺ軸方向に屈曲振動させる。また、圧電体素子２４においては、第１の電極層２４２と第２の電極層２４５との間に電圧が印加されると、圧電体層２４３は、Ｙ軸方向に伸張または収縮し、振動腕３０をＺ軸方向に屈曲振動させる。
【００４６】
このような圧電体素子２２、２３、２４において、前述した第１の電極層２２２、２３２は、図示しない貫通電極および配線からなる導通部を介して、第２の電極層２４５に電気的に接続されている。そして、第２の電極層２４５は、図２に示すように、基部２７の上面に設けられた接続電極４１に電気的に接続されている。これにより、第１の電極層２２２、２３２および第２の電極層２４５は、それぞれ、接続電極４１に電気的に接続されている。
【００４７】
また、第１の電極層２４２は、図示しない貫通電極および配線からなる導通部を介して、第２の電極層２２５、２３５に電気的に接続されている。そして、第２の電極層２２５、２３５は、図２に示すように、配線４３を介して、基部２７の下面に設けられた接続電極４２に電気的に接続されている。これにより、第１の電極層２４２および第２の電極層２２５、２３５は、接続電極４２に電気的に接続されている。
【００４８】
また、接続電極４１、４２および配線４３等は、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデンン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料により形成することができる。また、これらは、第１の電極層２２２、２３２、２４２または第２の電極層２２５、２３５、２４５と同時に一括形成することができる。
【００４９】
このような構成の振動片２においては、接続電極４１と接続電極４２との間に電圧（各振動腕２８、２９、３０を振動させるための電圧）が印加されると、第１の電極層２２２、２３１および第２の電極層２４５と、第１の電極層２４２および第２の電極層２２５、２３３とが逆極性となるようにして、前述した圧電体層２２３、２３２、２４２にそれぞれＺ軸方向の電圧が印加される。これにより、圧電体材料の逆圧電効果により、ある一定の周波数（共鳴周波数）で各振動腕２８、２９、３０を屈曲振動させることができる。このとき、図５に示すように、振動腕２８、２９は、互いに同方向に屈曲振動し、振動腕３０は、振動腕２８、２９とは反対方向に屈曲振動する。
【００５０】
このように、隣り合う２つの振動腕を互いに反対方向に屈曲振動させることにより、隣り合う２つの振動腕２８、３０および２９、３０により生じる漏れ振動を互いに相殺することができる。その結果、振動漏れを防止することができる。
また、各振動腕２８、２９、３０が屈曲振動すると、接続電極４１、４２間には、圧電体材料の圧電効果により、ある一定の周波数で電圧が発生する。これらの性質を利用して、振動片２は、共鳴周波数で振動する電気信号を発生させることができる。
【００５１】
（振動片の製造方法）
ここで、図７、８に基づき、前述した振動片２の製造方法について説明する。
前述した振動片２の製造方法は、［Ａ］振動腕２８、２９、３０上に下地層２２１、２３１、２４１を形成する工程と、［Ｂ］下地層２２１、２３１、２４１上に第１の電極層２２２、２３２、２４２を形成する工程と、［Ｃ］第１の電極層２２２、２３２、２４２上に圧電体層２２３、２３３、２４３を形成する工程と、［Ｄ］圧電体層２２３、２３３、２４３上に第２の電極層２２５、２３５、３４５を形成する工程とを有する。
これにより、得られる振動片２は、前述したように、信頼性を優れたものとしつつ、ＣＩ値を低減することができる。
【００５２】
以下、各工程を簡単に説明する。
［Ａ］
まず、図７（ａ）に示すように、基板１２１を用意する。
この基板１２１は、振動基板２１となるものであり、前述した振動基板２１と同様の構成材料で構成されている。
そして、基板１２１をエッチングすることにより、図７（ｂ）に示すように、振動腕２８、２９、３０を形成する。
【００５３】
より具体的に説明すると、例えば、基板１２１が水晶基板である場合、水晶基板の薄肉部２７１となる部分を、ＢＨＦ（buffer hydrogen fluoride）をエッチング液として用いた異方性エッチングにより除去して薄肉化する。その後、その薄肉化された部分を、上記と同様の異方性エッチングにより部分的に除去して、振動腕２８、２９、３０を形成する。これにより、振動基板２１が形成される。
その後、図７（ｃ）に示すように、振動腕２８、２９、３０上に下地層２２１、２３１、２４２を形成する。
【００５４】
この下地層２２１、２３１、２４２の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法）を用いるのが好ましい。また、下地層２２１、２３１、２４２の形成に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、下地層２２１、２３１、２４２は、同一の成膜工程で一括形成することができる。
【００５５】
［Ｂ］
次に、図７（ｄ）に示すように、下地層２２１、２３１、２４１上に第１の電極層２２２、２３２、２４２を形成する。その際、必要に応じて、配線等も同時に形成する。
この第１の電極層２２２、２３２、２４２の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特にスパッタリング法）を用いるのが好ましい。また、第１の電極層２２２、２３２、２４２の形成に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、第１の電極層２２２、２３２、２４２は、同一の成膜工程で一括形成することができる。
【００５６】
［Ｃ］
次に、図８（ａ）に示すように、第１の電極層２２２、２３２、２４２上に圧電体層２２３、２３３、２４３を形成する。
この圧電体層２２３、２３３、２４３の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられるが、気相成膜法（特に反応性スパッタリング法）を用いるのが好ましい。また、圧電体層２２３、２３３、２４３の形成（パターニング）に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。また、圧電体層２２３、２３３、２４３をパターニングする際に、不要部分の除去にはウエットエッチングを用いるのが好ましい。
なお、圧電体層２２３、２３２、２４２は、同一の成膜工程で一括形成することができる。
その後、図８（ｂ）に示すように、圧電体層２２３、２３３、２４３上に絶縁体層２２４、２３４、２４４を形成する。
【００５７】
この絶縁体層２２４、２３４、２４４の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等の物理成膜法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の化学蒸着法等の気相成膜法、また、インクジェット法等の各種塗布法等が挙げられる。また、絶縁体層２２４、２３４、２４４の形成に際しては、フォトリソグラフィ法を用いるのが好ましい。
なお、絶縁体層２２４、２３４、２４４は、同一の成膜工程で一括形成することができる。また、絶縁体層２２４、２３４、２４４の形成は、必要に応じて行えばよく、省略することができる。
【００５８】
［Ｄ］
次に、図８（ｃ）に示すように、絶縁体層２２４、２３４、２４４上に第２の電極層２２５、２３５、３４５を形成する。その際、接続電極４１、４２等も同時に形成する。
この第２の電極層２２５、２３５、３４５の形成は、前述した第１の電極層２２２、２３２、２４２と同様にして行うことができる。
以上説明したようにして振動片２を製造することができる。
【００５９】
（パッケージ）
次に、振動片２を収容・固定するパッケージ３について説明する。
パッケージ３は、図１に示すように、板状のベース基板３１と、枠状の枠部材３２と、板状の蓋部材３３とを有している。ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３は、下側から上側へこの順で積層されている。ベース基板３１と枠部材３２とは、後述のセラミック材料等で形成されており、互いに一体に焼成されることで接合されている。そして、枠部材３２と蓋部材３３は、接着剤あるいはろう材等により接合されている。そして、パッケージ３は、ベース基板３１、枠部材３２および蓋部材３３で画成された内部空間Ｓに、振動片２を収納している。なお、パッケージ３内には、振動片２の他、振動片２を駆動する電子部品等を収納することもできる。
【００６０】
ベース基板３１の構成材料としては、絶縁性（非導電性）を有しているものが好ましく、例えば、各種ガラス、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物系セラミックス等の各種セラミックス材料、ポリイミド等の各種樹脂材料などを用いることができる。
また、枠部材３２および蓋部材３３の構成材料としては、例えば、ベース基板３１と同様の構成材料、Ａｌ、Ｃｕのような各種金属材料、各種ガラス材料等を用いることができる。特に、蓋部材３３の構成材料として、ガラス材料等の光透過性を有するものを用いた場合、振動片２に予め金属被覆部（図示せず）を形成しておくと、振動片２をパッケージ３内に収容した後であっても、蓋部材３３を介して前記金属被覆部にレーザーを照射し、前記金属被覆部を除去して振動片２の質量を減少させることにより（質量削減方式により）、振動片２の周波数調整を行うことができる。
【００６１】
このベース基板３１の上面には、固定材５を介して、前述した振動片２が固定されている。この固定材５は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の接着剤で構成されている。このような固定材５は、未硬化（未固化）の接着剤をベース基板３１上に塗布し、さらに、この接着剤上に振動片２を載置した後、その接着剤を硬化または固化させることにより形成される。これにより、振動片２（基部２７）がベース基板３１に確実に固定される。
なお、この固定は、導電性粒子を含有するエポキシ系、ポリイミド系、シリコーン系等の導電性接着剤を用いて行ってもよい。
【００６２】
また、ベース基板３１の上面には、一対の電極３５ａ、３５ｂが内部空間Ｓに露出するように形成されている。
この電極３５ａは、例えばワイヤーボンディング技術により形成された金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）３８を介して、前述した接続電極４２に電気的に接続されている。また、電極３５ｂは、例えばワイヤーボンディング技術により形成された金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）３７を介して、前述した接続電極４１に電気的に接続されている。
なお、一対の電極３５ａ、３５ｂと接続電極４１、４２との接続方法は、これに限定されず、例えば、導電性接着剤により行ってもよい。この場合、例えば、振動片２の図示とは表裏反転するか、振動片２の下面に接続電極４１、４２を形成すればよい。
【００６３】
また、ベース基板３１の下面には、４つの外部端子３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄが設けられている。
これら４つの外部端子３４ａ〜３４ｄのうち、外部端子３４ａ、３４ｂは、それぞれ、ベース基板３１に形成されたビアホールに設けられた導体ポスト（図示せず）を介して電極３５ａ、３５ｂに電気的に接続されたホット端子である。また、他の２つの外部端子３４ｃ、３４ｄは、それぞれ、パッケージ３を実装用基板に実装するときに、接合強度を高めたり、パッケージ３と実装用基板との間の距離を均一化するためのダミー端子である。
【００６４】
このような電極３５ａ、３５ｂおよび外部端子３４ａ〜３４ｄは、それぞれ、例えば、タングステンおよびニッケルメッキの下地層に、金メッキを施すことで形成することができる。
なお、パッケージ３内部に電子部品を収納した場合、ベース基板３１の下面には、必要に応じて、電子部品の特性検査や、電子部品内の各種情報（例えば、振動デバイスの温度補償情報）の書き換え（調整）を行うための書込端子が形成されていてもよい。
【００６５】
以上説明したような第１実施形態によれば、下地層２２１、２３１、２４１がＴｉを主材料とする金属で構成されているので、振動腕２８、２９、３０上に下地層２２１、２３１、２４１、第１の電極層２２２、２３２、２４２および圧電体層２２３、２３３、２４３をこの順で積層したときに、第１の電極層２２２、２３２、２４２と圧電体層２２３、２３３、２４３との格子不整合を緩和等し、圧電体層２２３、２３３、２４３の配向性を高めることができる。その結果、振動片２のＣＩ値を低減することができる。また、第１の電極層２２２、２３２、２４２が下地層２２１、２３１、２４１とは別途設けられているので、第１の電極層２２２、２３２、２４２の電気抵抗を小さくすることができる。そのため、第１の電極層２２２、２３２、２４２の電気抵抗増加によるＣＩ値の上昇を招くこともない。
【００６６】
また、下地層２２１、２３１、２４１と振動腕２８、２９、３０との密着性、および、下地層２２１、２３１、２４１と第１の電極層２２２、２３２、２４２との密着性をそれぞれ優れたものとすることができる。その結果、振動片２の信頼性を優れたものとすることができる。
また、このような振動片２をパッケージ３に収納した振動デバイス１は、優れた信頼性を有するとともに振動損失の少ないものとなる。
以上説明したような各実施形態の振動デバイスは、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００６７】
ここで、本発明の振動デバイスを備える電子機器について、図９〜図１１に基づき、詳細に説明する。
図９は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、フィルタ、共振器、基準クロック等として機能する振動デバイス１が内蔵されている。
【００６８】
図１０は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、フィルタ、共振器等として機能する振動デバイス１が内蔵されている。
【００６９】
図１１は、本発明の振動デバイスを備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００７０】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００７１】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルタ、共振器等として機能する振動デバイス１が内蔵されている。
【００７２】
なお、本発明の振動デバイスを備える電子機器は、図９のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１０の携帯電話機、図１１のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００７３】
以上、本発明の振動片および振動デバイスを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【００７４】
例えば、前述した実施形態では、振動片が３つの振動腕を有する場合を例に説明したが、振動腕の数は、１つまたは２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。
また、本発明の振動デバイスは、水晶発振器（ＳＰＸＯ）、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）等の圧電発振器の他、ジャイロセンサー等に適用される。
【符号の説明】
【００７５】
１‥‥振動デバイス  ２‥‥振動片  ３‥‥パッケージ  ５‥‥固定材  ２１‥‥振動基板  ２２‥‥圧電体素子  ２３‥‥圧電体素子  ２４‥‥圧電体素子  ２７‥‥基部  ２８‥‥振動腕  ２９‥‥振動腕  ３０‥‥振動腕  ３１‥‥ベース基板  ３２‥‥枠部材  ３３‥‥蓋部材  ３４ａ‥‥外部端子  ３４ｂ‥‥外部端子  ３４ｃ‥‥外部端子  ３４ｄ‥‥外部端子  ３５ａ‥‥電極  ３５ｂ‥‥電極  ３７‥‥金属ワイヤー  ３８‥‥金属ワイヤー  ４１‥‥接続電極  ４２‥‥接続電極  ４３‥‥配線  １２１‥‥基板  ２２１‥‥下地層  ２２２‥‥第１の電極層  ２２３‥‥圧電体層  ２２４‥‥絶縁体層  ２２５‥‥第２の電極層  ２３１‥‥下地層  ２３２‥‥第１の電極層  ２３３‥‥圧電体層  ２３４‥‥絶縁体層  ２３５‥‥第２の電極層  ２４１‥‥下地層  ２４２‥‥第１の電極層  ２４３‥‥圧電体層  ２４４‥‥絶縁体層  ２４５‥‥第２の電極層  ２７１‥‥薄肉部  ２７２‥‥厚肉部  １００‥‥表示部  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥デ−タ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  Ｓ‥‥内部空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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