(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子の複数のビームレットを生成するビームレット生成器と、前記ビームレットを偏向させる静電偏向器とを具備する、荷電粒子光学システムであって、
前記静電偏向器は、第１と第２の電極を具備しており、前記ビームレットを偏向させる電場を主に第１の電極の側面と第２の電極の側面とによって前記第１と第２の電極間に生成するために、前記第１と第２の電極は、電圧に接続されるように構成されており、前記第１と第２の電極は、前記静電偏向器の前記第１の電極の側面と第２の電極の側面とによって形成されたアクティブエリアにおいて少なくとも部分的に自立しており、
前記第１の電極は、第１と第３のストリップを具備しており、前記第２の電極は、第２と第４のストリップを具備しており、
前記第１と第２の電極は、前記第１と第２の電極間に前記ビームレットの少なくとも一部分を通す通過窓を定めており、各通過窓における前記電場の配向は、同じであり、
通過窓は、前記第１と第２のストリップ間と、前記第３と第４のストリップ間とに存在し、前記通過窓は、第１の方向に長さを有し、交差方向に幅を有しており、
前記荷電粒子光学システムは、前記ビームレットを少なくとも２列で配置して、前記静電偏向器の各通過窓を通るように、前記ビームレットの1つの列の方向を定めるように構成されており、前記列の前記ビームレットは、前記第１の方向に延在しており、
前記静電偏向器は、前記第１の方向において前記通過窓を超えて前記アクティブエリアの外部に延在している、
荷電粒子光学システム。
【請求項２】
前記列を成している前記ビームレットは、各ビームレット間にピッチを有するように配置されており、
前記静電偏向器は、前記通過窓における前記ビームレットの少なくとも前記ピッチ分、前記第１の方向において前記通過窓を超えて前記アクティブエリアの外部に延在している、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項３】
前記静電偏向器は、前記ビームレットを、前記第１の方向に交差して偏向させる、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項４】
前記静電偏向器は、前記荷電粒子光学システムの最終的な書き込み投影を行なう走査偏向器である、請求項３に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項５】
各通過窓は、前記第1乃至第４のストリップに垂直な方向に、幅を有しており、
前記第１と第２の電極間に電位差を設定すると、前記第1乃至第４のストリップに垂直な方向において、電場が生成され、
前記第1乃至第４のストリップは、３つの相互に直交する方向に、高さと、幅と、横の方向を有しており、
前記第1乃至第４のストリップの前記高さは、前記通過窓の前記幅よりも大きい、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項６】
前記第２と第３のストリップ間の領域には、通過窓がない、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項７】
前記領域は、自由空間として含まれている、請求項６に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項８】
各第１と第２の電極は、平行に延在する複数のストリップを具備しており、
前記第１と第２の電極の前記ストリップは、交互に嵌合した対の電極を構成している、請求項７に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項９】
複数の通過窓は、前記交互に嵌合した電極間に存在する、請求項８に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１０】
前記第１と第２の電極間の前記電場は、１００Ｖ未満である、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１１】
前記第１と第２の電極間の前記電場は、２０Ｖ未満である、請求項１０に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１２】
前記静電偏向器は、前記第１の方向に直交する第２の方向における前記アクティブエリアのエッジに、エッジゾーンを具備しており、
前記エッジゾーンは、前記電極のストリップを具備して、前記電場と同じ配向で電場を定めているが、ビームレットの通過窓がない、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１３】
前記第１の静電偏向器の上流又は下流に含まれている第２の静電偏向器、を更に具備しており、
前記第２の静電偏向器は、前記ビームレットを、前記第１の静電偏向器と異なる方向又は配向で偏向させる、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１４】
自立している前記第１と第２の電極は、電気的にほぼ均一の表面を提供するようにコーティングでカバーされている、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１５】
前記コーティングは、金属のコーティングである、請求項１４に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１６】
終端抵抗が存在する、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１７】
少なくとも１つの電極又はストリップを機械的に支持するために、アパーチャ内に又はアパーチャに重なり合って、機械的支柱が存在する、請求項１に記載の荷電粒子光学システム。
【請求項１８】
荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる、請求項１に記載の荷電粒子光学システムの使用方法。
【請求項１９】
反対の極性の電圧を前記第１と第２の電極に供給するステップを含む、請求項１８に記載の使用方法。
【請求項２０】
反対の極性の前記電圧は、等しい大きさであって、１０Ｖ未満である、請求項１８に記載の使用方法。
【請求項２１】
前記電圧は、０乃至１０ＭＨｚの範囲の周波数で供給される、請求項１９又は２０に記載の使用方法。
【請求項２２】
前記ビームレットは、位置決め期間において開始位置に位置決めされ、書き込み期間において前記開始位置から偏向させられる、請求項１８に記載の使用方法。
【請求項２３】
−走査周波数は、無線周波数(ＲＦ)の範囲であり、
−各走査期間において、前記ビームレットは同じ配向で偏向させられ、
−各ビームレットに対して等しく配向させる前記電場の作用のもとで、各ビームレットは偏向させられ、
−前記位置決め期間は、前記書き込み期間よりも短い、請求項２２に記載の使用方法。
【請求項２４】
マスクレスリソグラフィシステムによってターゲット表面に所定のパターンを投影する方法であって、
ａ．複数のビームレットを生成するステップと、
ｂ．データ記憶装置から取り出した前記所定のパターンのデータを供給された変調手段を使用して、ビームレットを変調するステップと、
ｃ．集束手段を使用して、前記変調ビームレットを前記ターゲット表面上に集束させるステップと、
ｄ．前記変調ビームレットを静電気で偏向させることによって、前記ターゲット表面上で前記所定のパターンを走査するステップと、
を含み、
前記走査するステップは、請求項１８乃至２３の何れか１項に記載されているように行なわれる、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる静電偏向器を具備する荷電粒子光学システムであって、静電偏向器は、第１と第２の電極を具備しており、前記ビームレットは、第１と第２の電極間を通り、電極間に電位差を設定すると、ビームレットが偏向する、荷電粒子光学システムに関する。
【０００２】
更に、本発明は、このような荷電粒子光学システムの使用方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
１つのこのような荷電粒子システムは、ＵＳ６，８９７，４５８から知られている。このシステムは、マスクレスリソグラフィシステムである。このリソグラフィシステムによると、電子のような荷電粒子のビームは、アパーチャプレートにおいて、複数のビームレットに分割される。次に、ビームレットを希望の直径に集束させて、ビームレットブランカアレイ（beamlet blanker array）に通す。ビームレットブランカアレイは、ブランキング静電偏向器を具備している。ブランキング偏向器に電圧を印加すると、ビームレットが偏向して、ビームレットブランカアレイの後ろに配置されているビームレットストップアレイで終端する。偏向しない場合は、ビームレットは１組のレンズに達する。レンズは、ビームレットをターゲット表面上で集束させる。走査偏向手段は、ビームレットをターゲット表面にわたって一方向に一緒に動かす。
【０００４】
静電偏向器は、このようなマスクレスリソグラフィシステムと、他の高速偏向の応用とにおいて、ブランキング偏向器と走査偏向器とに使用され得る。典型例は、オシロスコープ管と、電子ビームリソグラフィシステムと、検査システムと、ストリークカメラである。一般的なタイプの静電偏向器は、平面偏向器である。平面偏向器は、反対電圧、即ち＋Ｖと−Ｖとを有する２枚の平行なプレートを具備している。これらによって、プレートに垂直な（ｘ−）方向に電場を生成する。このような平面偏向器は、ビームを一方向にのみ偏向させる。平面偏向器の欠点は、ターゲット、例えば半導体材料のウェーハまでの異なる距離（即ち、異なるｚ位置)において、ｘとｙの偏向を連続的に加えなければならないことである。
【０００５】
別のタイプの偏向器は、多重極偏向器である。多極偏向器の最も一般的な例は、円筒型又は円錐型部分を備えた曲面プレートから構成される八極偏向器である。電極電位の適切な組み合わせをプレートに加えることによって、２つの直交方向(ｘとｙ)に同時に偏向を加えることができる。この偏向器のタイプの欠点は、その複雑な構造である。
【０００６】
上述の先行技術の参考文献ＵＳ６，８９７，４５８は、走査偏向手段として使用するために平面型の特定の静電偏向器を特定している。この偏向器は、電子ビームレットの集合を一方向に偏向させるように構成された電極を具備している。電極は、ストリップの形状を有して、適切なプレート上に置かれ得る。その代わりに、１組の投影レンズの、ターゲット表面に面している側か、又はその代わりに、前記１組の投影レンズとターゲット表面との間の異なるプレート上に、ストリップ型の電極が置かれ得る。
【０００７】
図１０は、前記先行技術の静電偏向器１１の一部の概略断面図を示している。偏向器１１は、第１のストリップ１３１と、第２のストリップ１３２と、第３のストリップ１３３とを具備している。これらは基板1５０上にある。通過窓１４０、例えば貫通孔が、基板1５０の前記ストリップ１３１、１３２、１３３間に延在している。リソグラフィシステムは、荷電粒子、即ち電子のビームレットが通過窓１４０を通り抜けるように設計されている。第１と第３のストリップ１３１、１３３は、第１の電極の一部であり、一方で、第２のストリップ１３２は、第２の電極の一部を形成している。従って、第２のストリップ１３２は、第１と第３のストリップ１３１、１３３の極性と反対の極性を有している。この例では、第２のストリップ１３２は、負極である。第１と第２の電極間に電位差を加えると、第２のストリップ１３２に向かって電場が生成される。連続して並んだ電極ストリップ、即ち、反対極性の電極ストリップ１３１、１３２、１３３について検討すると、第１と第２のストリップ１３１、１３２間に生成される電場は、第２と第３のストリップ１３２、１３３間に生成される電場と反対の方向を有する。その結果、ビームレット７は、電場によって反対方向に偏向する。
【０００８】
このような偏向には、欠点があることが分かった。即ち、ビームレット７が偏向すると、ビームレット７のグリッドによってカバーされる表面エリアが、偏向しないときよりも大きくなる。この表面エリアよりも相当に大きなターゲット表面上にパターンを書き込む場合に、表面エリアにおけるこの差のために、問題が生じる。従って、隣り合う表面エリア間に望ましくない重なり合い又はギャップを有することなく、隣り合う表面エリアのパターンを合わせる必要がある。
【０００９】
別のタイプの静電偏向器は、ＥＰ１９９３１１８から分かる。このタイプは、基板から突き出ている電極のアレイを使用するブランカ偏向器である。このアレイは、２つの方向に同時に偏向させることができ、且つアレイ中の個々の電極の個々のアドレス指定を可能にするように設計されている。後者の特徴は、ブランカ偏向器において各ビームレットを別々に偏向させる必要から生じた。基板における電極、即ち、一方はアクティブで、一方は接地又は反対極性の電極間には、穴があり、任意のビームレットを通すことができる。電極は壁型であり、電極が少なくとも部分的に互いに向かい合うようなやり方で、積み重ねた２枚の基板上に電極が形成され得る。これらの電極の高さは、３５−５０μｍ程度であり、相互の距離は、１０μｍ未満であり得る。電極が同じ基板上に存在する場合に、高さは、１０μｍ未満であり、相互の距離は、その高さの０．５−２倍程度であり得る。基板は、突き出ている電極を備えた薄膜よりも薄くされ得る。
【００１０】
しかしながら、このタイプの偏向器は、走査偏向器として適用することが意図されている場合に、十分な一様性を提供しないという弱点を有する。電極の１つが第２の基板上に存在すると、漂遊電場を生成し、ほぼ制御不能な結果をもたらす。ブランカ偏向器として使用する場合は、これは問題にならない。ブランカ偏向器における電極間に電位差が加わると、ビームレットは偏向して、ビームストップで終端する。ビームレットがビームストップのどこかで終端する限り、偏向が僅かに大きいか又は小さかは重要ではない。しかしながら、走査偏向器として適用される場合は、このような変化は、提供されるパターンの分解能を直接的に下げる。更に、漂遊電場は、ビームレットの均一性の低下につながり得る。これは、不十分なレジストの成果及び／又は誤ったビームの位置決め、更に、不適切な(即ち、失敗した)パターン生成をもたらし得る。
【００１１】
要するに、先行技術には欠点があり、本発明によって克服される。
【発明の概要】
【００１２】
本発明の第１の態様では、荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる静電偏向器を具備する荷電粒子光学システムを提供する。偏向器は、第１と第２の電極を具備しており、前記ビームレットは、第１と第２の電極間を通り、前記第１と第２の電極の各々は、少なくとも１本のストリップを具備しており、ストリップは、少なくとも部分的に自立している（freestanding）。
【００１３】
本発明の荷電粒子光学システムにおける偏向器の電極が、少なくとも部分的に自立しているストリップを具備しているので、この偏向器は、一様な場の強さを有する電場を提供できるという長所を有する。このより良い一様性は、幾つかの結果からの寄与に基づいている。第一に、自立ストリップを使用していることは、連続性がないことを示唆している。連続性は、一様性に悪影響を及ぼし易い。例えば、絶縁性の支持体は、寄生コンデンサとしてシステムに影響を及ぼし得る。更に、自立電極は、１回のエッチングステップで作ることができる。これは、電極間の距離の低減と、更に、電極に対する電位電圧差の低減とを可能にする。特に、高い走査周波数と組み合わせて適用された場合に、このような低減は、偏向器の一様性の向上につながる。高い走査周波数は、例えば１００ｋＨｚを超える周波数であり、好ましくは３００−３０００ｋＨｚの範囲であり、より好ましくは５００−１５００ｋＨｚである。
【００１４】
更に、電場の方向に垂直なストリップ側面に比較的に大きな表面エリアを有するストリップが、提供され得る。このような大きな表面エリアを備えると、自立ストリップの機械的安定性を更に向上させる。その結果、２つの向かい合ったストリップ間にスピンアップされる電場の寄与が、電場の漂遊成分の寄与と比較して、大きくなる。これが有益であるのは、漂遊成分は、予測と制御が困難であり、従って、目的とするビームレットの軌道をずらす傾向があるからである。更に、全体的に、偏向がより良く制御される。
【００１５】
１本のビームレットを個々にアドレス指定する代わりに、ビームレットのグリッドにわたって、場が一様であるのが適切である。これらの特徴により、この偏向器は、走査偏向を行なうのに特に好都合であるが、他の使用は排除されていない。特に、出力が高精度で均一であるので、他の偏向及び／又はフィルタリングを行なうのに、これを使用することができる。
【００１６】
適切な実施形態では、反対側のストリップに面している表面エリアと比較して、ストリップを互いに近い距離に配置する。例えば、各電極は、少なくとも１本のストリップを具備している。ストリップは、ほぼ平行に延在していて、複数のビームレットが通る通過窓を定めている。前記通過窓は、ストリップに垂直な方向に幅を有している。電極間に電位差を設定すると、ストリップに垂直な方向に電場が生成される。前記ストリップは、３つの相互に直交する方向において、高さと、幅と、横の方向を有している。ストリップの高さは、通過窓の幅よりも大きい。これは、漂遊電場と比較して、大きな真っ直ぐな場と、場の良い一様性とをもたらす。
【００１７】
更に、距離が比較的に短いと、偏向角度の要件を満たし続けながら、駆動電圧を比較的に小さくすることができる。例えば１０Ｖ未満の、小さな駆動電圧を有する設計は、２つ以上の理由で効果的である。第１に、１ＭＨｚ以上のスイッチング周波数で電圧を供給する駆動電子機器を、比較的に単純にしておくことができる。即ち、専用の高電圧のパワートランジスタは不要である。専用の高電圧のパワートランジスタは、大量の電力を消費し、及び／又は概して制限的で限界がある寿命のあるコンポーネントを構成し得る。更に、小さな電圧を用いると、実際にダメージを与える電極間の無制御の放電のリスクを非常に下げる。これは、信頼性とロバスト性のために良い。
【００１８】
別の実施形態では、複数の通過窓があり、各通過窓における電場の配向は同じである。１つの配向における走査は、ビームレットへのパターニングデータの供給を単純化することが分かった。これは、全体として、走査プロセスの精度をより高めて、異なるビームレットによって走査されるライン及び／又は画素のつなぎ合わせ（stitching）を改善する。ここでは、「配向（orientation）」という用語は、「方向(direction)」という用語と対比して使用されている。即ち、３つのデカルト方向ｘ、ｙ、ｚがあり、２つの配向が１つの方向に結合される。「同じ配向」という用語は、１つの通過窓における電場が、時間内に一定の配向を有することを意味することを意図していない。実際には、１つの走査期間内に、電場の配向は逆になることが好ましい。しかしながら、この用語は、任意の瞬間において、異なる通過窓における電場が、同じ配向を有することを意図している。更に、任意の瞬間において、異なる通過窓における電場は、同じ大きさを有することが好ましい。
【００１９】
絶縁領域、好ましくは絶縁窓が、第１と第２の通過窓間にあるのが適切である。これは、等しい方向の電場を有する通過窓を作るロバストな実施である。驚いたことに、このような絶縁窓を追加しても、ビームレット間における指定されたピッチの条件を満たすことができることが分かった。これは、自立電極ストリップを使用した有利な効果であると思われる。自立電極ストリップを互いに短い距離に配置するのが好ましい。ここでは、「短い距離」という用語を使用して、先行技術のマクロスコピック偏向器（macroscopic deflector）における電極の距離、及び偏向器内における他の寸法と比較して、短い距離であることを表現している。偏向器内における他の寸法は、例えば、ストリップの高さ、及び／又は隣り合う通過窓間の距離である。
【００２０】
少なくとも１つの終端抵抗が存在するのが適切である。このような終端抵抗は、第１の走査期間と第２の走査期間との間におけるビームレットの位置決めを速める。ここでは、「位置決め（positioning）」という用語は、特に、第２の走査期間中に次のラインを走査するために、ビームレットを開始位置に位置決めすることを指す。更に、第１の走査期間と、好ましくは全ての走査期間との両者において、ビームレットを同じ配向で偏向させる。電極に対する電圧を、開始位置に対応する開始値にして、更に、カラムの上の方のビームレットブランカの動作によって、ビームレットをオフに切り換えることによって、同時に書き込むことなく、ビームレットの位置決めが達成される。後の走査期間においてビームレットを同じ配向で偏向させると、ビームレットへのパターニングデータの供給を単純化することが分かった。全てのビームレットを同じ配向で偏向させるのが最も適切である。
【００２１】
第１の実施では、終端抵抗を電極システムに並列に電気的に接続する。第２の実施では、第１の終端抵抗を、第１の電極と接地との間に電気的に接続して、第２の終端抵抗を、第２の電極と接地との間に電気的に接続する。実施の一方において終端抵抗を備えると、偏向器における寄生容量を弱める。寄生容量は、電位差のスイッチバックを遅くする傾向がある。第１と第２の実施を組み合わせて使用することは、排除されていない。終端抵抗を偏向器に統合するのが適切である。受動と能動の集積回路において通常適用されているように、例えば、ポリシリコン、ＴａＮ、ＴｉＷＮ、ＣｒＳｉの抵抗を含む。
【００２２】
別の実施形態では、基板中のアパーチャに少なくとも部分的に重なるエッジゾーンが存在する。エッジゾーンは、電極のストリップを具備しており、上述の電場と同じ配向で電場を定めているが、ビームレットのための通過窓がない。エッジゾーンは、交互に嵌合した対（interdigitated pair）の電極の延在部として具現されるのが適切である。しかしながら、エッジゾーンは、ビームレットがないように設計される。このようなエッジゾーンを追加すると、電場の一様性にとって非常に有益であることが分かった。第１と第２の電極を反対の極性の電圧にして、追加の接地電極を電極システムに隣り合うように定める設計が、最も有益である。
【００２３】
別の実施形態では、電気的にほぼ均一な表面を備えるように、自立電極をコーティングでカバーする。電極間に電場を作るために、表面構造における局部的な変化が多かれ少なかれアクティブになるのを、このようなコーティングが防ぐ。更に、このようなコーティングは、電場の一様性に寄与する。更に、このような均一性は、静電気の放電の危険を減らすのに役立つ。
【００２４】
別の実施形態では、第１の偏向器と異なる方向に偏向させる第２の静電偏向器が存在する。異なる方向は、走査方向に対して反対の又は直交する方向、或いは走査方向と異なる任意の他の方向であり得る。異なる方向は、特に、光学面(例えば、光学軸が垂直線として出ている面)内の方向である。ターゲット表面に対してリソグラフィシステムを同時に継続的に移動させることを考慮すると、走査方向に直交する修正は有益である。この移動は、機械的走査とも呼ばれる。この移動は、別の偏向器の方向と同じ方向であるのが適切である。このような修正は、走査周波数よりも低い周波数で行なわれるのが適切である。走査に使用される偏向器と同じタイプの偏向器を用いて、走査方向と反対方向に偏向させるのが適切である。実際には、このような偏向は、走査の一部である。これにより、ビームレットを偏向させた場合であっても、投影レンズ構成の有効レンズ面における光学軸の中心部分に、ビームレットを通すことができる。このやり方で、投影レンズ構成を通して偏向させることによって生じる球面収差を小さくする。
【００２５】
本発明の第２の態様では、荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる走査静電偏向器を具備する荷電粒子光学システムを提供する。偏向器は、第１と第２の電極を具備しており、前記ビームレットは、第１と第２の電極間の通過窓を通り、前記電極間に電場がある場合に、電場の作用のもとで、前記ビームレットを偏向させる。複数の通過窓があり、各通過窓における電場の配向は同じである。
【００２６】
１つの配向における走査は、ビームレットへのパターニングデータの提供を単純化することが分かった。全体的に、これは、走査プロセスの精度をより高めて、異なるビームレットによって走査されるライン及び／又は画素のつなぎ合わせを改善する。
【００２７】
より具体的には、偏向器は、偏向器のアクティブエリア内にほぼ一様な電場を有するように設計されている。驚いたことに、電極をこのアクティブエリア内に定めても、一様な電場を有する偏向器が得られるのが分かった。任意のポテンシャル場を乱すもの（potential field disturber）、例えば、相互接続部、コンデンサは、アクティブエリアの外部に定められる。更に、エッジ効果による非一様性を平らにするために、エッジゾーンは、アクティブエリアに隣接するように指定され得る。１つの実施形態では、アクティブエリアの外部において、場を抑える。例えば、絶縁材料を備えることによって、場を抑える。好ましい実施形態では、アクティブエリア内でのみ、場を生成する。
【００２８】
アクティブエリア内でのみ作用させる好ましい１つの実施形態では、交互に嵌合する対のストリップ状の電極を使用する。このような作用を得る別のやり方は、下に位置する支持体（underlying carrier）を無くすことによって、アクティブエリアを定める構造である。このような下に位置する支持体が無いことは、そのエリアでは、下に位置する支持体との避けられない相互作用によって場が乱されないことを、直接的に示唆する。両者のやり方の組み合わせを適用するのが最も適切である。的確なやり方は、自立電極のストリップを備えることである。
【００２９】
本発明の第３の態様では、荷電粒子光学システムの使用方法を提供する。荷電粒子の少なくとも１本のビームレットの偏向に、偏向器を使用するのが適切である。複数のビームレットの偏向に、偏向器を使用するのが好ましい。偏向器の第１と第２の電極に反対の極性の電圧を与えるのが最も適切である。およそ接地値(０ボルト又は別の値)の反対の電圧で偏向器を駆動すると、最良の結果が得られることが分かった。ここで、適切な走査のために、電極における電圧は、所定の電圧プロフィールに従って変化することが分かるであろう。特に、偏向器内の任意の場所で電場が同じ配向を有する構造と組み合わせると、鋸歯状のプロフィールが非常に好都合であることが分かった。本発明によると、電極における反対の電圧は、等しい大きさであり、１０Ｖ未満であることが好ましい。ここで、１０Ｖは、正の極性の場合に、接地との最大の印加電圧の差である。負の極性の場合に、これは−１０Ｖになる。電圧がより一層小さい、例えば、７、５、又は４ボルトの最大電圧がより適切である。このようなより小さな電圧は、本発明の偏向器によって可能である。本発明の偏向器では、自立電極が相互に短い距離を有して、先行技術の偏向器の偏向強度と同様の偏向強度を提供している。走査周波数は、比較的に高く、ＲＦの範囲であるのが適切であり、３００乃至３０００ｋＨｚの中間のＲＦ、例えば０．５−１．２ＭＨｚであるのがより好ましい。
【００３０】
ターゲット表面を露出することなく、位置決め期間において、変調ビームレットを開始位置に位置決めして、書き込み期間において、開始位置から偏向させるのが適切である。特に、この交互の位置決めと走査は、鋸歯状のプロフィールとして行なわれる。これは、走査の一様性を改善することが分かった。
【００３１】
走査周波数は無線周波数(ＲＦ)の範囲であり、１つの走査期間内と後の走査期間中との両者において、各ビームレットと他のビームレットとを同じ配向で偏向させるのが最も適切である。位置決め期間は、書き込み期間よりも短い。ここでは、十分な速度でパターンを正確に走査することができる。これは、例えば、寄生容量を抑えることによって位置決め時間を短くすることと組み合わせて、１つの方向で高周波数の走査をすることを含む。
【００３２】
この使用は、マスクレスリソグラフィシステムによってターゲット表面上に所定のパターンを投影する方法において特に利用される。更に、これは、ターゲット表面上で前記パターンを走査するために適用される。この方法は、複数のビームレットを生成するステップと、データ記憶装置から取り出した所定のパターンのデータを供給された変調手段を使用して、ビームレットの大きさを変調するステップと、集束手段を使用して、前記変調ビームレットをターゲット表面上に集束させるステップと、前記変調ビームレットを静電気で偏向させることによって、ターゲット表面上で前記パターンを走査するステップと、を含む。
【００３３】
本発明の別の態様では、静電偏向器は、少なくとも部分的に自立している第１と第２の電極を具備しており、前記静電偏向器は、第１と第２の電極間における電場の作用によって、前記複数のビームレットを偏向させ、前記複数のビームレットは、第１と第２の電極間を通り、前記複数のビームレットは、通過窓を定めており、前記通過窓が延在している第１の方向と交差する方向における前記通過窓の寸法は、前記ビームレットの直径に一致していて、前記複数のビームレットは、１列で配置され、列は、前記第１の方向に延在しており、静電偏向器のかなりの部分が、前記第１の方向において通過窓を越えて延在している。前記かなりの部分は、前記第1の方向において、前記通過窓におけるビームのピッチの数倍に延在するのが好ましい。偏向器は、ウェーハ上の場のような、前記ターゲットの前記表面内の一部分にわたって、前記第１の方向に交差する方向にビームレットを偏向させる。偏向器は、システムの最終的な書き込み投影を行なう走査偏向器である。
【００３４】
分かり易くするために、上述で概略的に記載されており且つ従属請求項のうちの１つの請求項に係る実施形態のうちの何れかと、独立請求項で特定されている本発明の態様のうちの何れかを組み合わせてもよいことが分かる。
【００３５】
本発明のこれらの態様と他の態様は、図面を参照して、更に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】荷電粒子のマルチビームレットのリソグラフィシステムの実施形態の単純化した概略図を示している。
【図２】本発明の好ましい実施形態の上面図を示している。
【図３】図２の細部を拡大図で示している。
【図４】図２の実施形態の概略断面図を示している。
【図５】図４の概略断面図に直交する方向における図２の実施形態の概略断面図を示している。
【図６】本発明に従って、第２の実施形態の上面図を示している。
【図７】本発明に従って、第３の実施形態を示している。
【図８】本発明に従って、偏向器を備えた偏向器システムの単純化した図を示している。
【図９】本発明の静電偏向器の一部分の単純化した概略断面図を示している。
【図１０】先行技術の静電偏向器の一部分の概略断面図を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図において、同一の参照番号は、同一の又は少なくとも類似の技術的特徴に関する。図は、等寸で描かれておらず、単に図解することを目的としている。図は、例を示しており、何れにしても、請求項を制限することを目的としていない。
【００３８】
図１は、全ての電子ビームレットの通常の交差のない、電子ビーム光学システムに基づく荷電粒子のマルチビームレットのリソグラフィシステムの実施形態の単純化した概略図を示している。このようなリソグラフィシステムは、例えば、米国特許第６，８９７，４５８号と、第６，９５８，８０４号と、第７，０８４，４１４号と、第７，１２９，５０２号に記載されている。これらは、参照することによって全体的にここに組み込まれており、本発明の所有者に譲渡されている。このようなリソグラフィシステムは、複数のビームレットを生成するビームレット生成器と、前記ビームレットを変調ビームレットにパターン化するビームレット変調器と、前記ビームレットをターゲットの表面上に投影するビームレットプロジェクタと、を適切に具備している。一般に、ビームレット生成器は、ソースと、少なくとも１つのアパーチャアレイと、を具備している。一般に、ビームレット変調器は、ブランキング偏向器アレイとビームストップアレイとを備えたビームレットブランカである。一般に、ビームレットプロジェクタは、走査偏向器と投影レンズシステムとを具備している。
【００３９】
リソグラフィシステムは、冗長走査の機能を適切に含んでいる。このような機能は、本出願の譲受人に譲渡されたＷＯ−Ａ２００７／０１３８０２から知られており、参照によってここに含まれている。この機能により、欠陥のあるビームレット、即ち無効のビームレットを補う。これにより、リソグラフィシステムの信頼性は、大幅に向上し得る。前記要素に加えて、冗長走査のためのリソグラフィシステムは、予め定められた規格から外れた特性を有する無効のビームレットを識別するために、センサと、センサに接続された制御ユニットとを含み得る。この制御ユニットをシステムの制御につないで、特定のビームレットをオン又はオフにして、ターゲットに対してシステムを作動させて、又はその逆を行なって、無効のビームレットを有効なビームレットに置き換える。無効のビームレットの投影を妨げるのが好ましい。従って、書き込まれていないパターン要素が残っている。その後に、有効な、置き換えられたビームレットを前記表面にわたって走査することによって、書き込まれていないパターン要素をターゲット表面上に転写する。
【００４０】
以下の記載から明らかになるように、本発明のリソグラフィシステム１は、冗長走査機能を実施するのに非常によく適している。ターゲット表面上に向かう走査線の精度の改善したことにより、第１の走査シーケンスで開いたままにされたギャップを正確に埋める第２の走査を行なうことができる。
【００４１】
図１に示されている実施形態において、リソグラフィシステムは、電子ソース３を具備している。電子ソース３は、均一の拡散する電子ビーム４を生成する。ビームエネルギは、約１乃至１０ｋｅＶの範囲で比較的に低く維持されるのが好ましい。これを達成するために、加速電圧が低いのが好ましく、電子ソースはターゲットに対して接地電位において約−１乃至−１０ｋＶに維持されるのが好ましいが、他の設定も使用され得る。
【００４２】
電子ソース３からの電子ビーム４は、２つの八極（double octopole）を通り、次に、電子ビーム４を平行にするコリメータレンズ５を通る。コリメータレンズ５は、任意のタイプのコリメートする光学系であり得ることが分かるであろう。次に、電子ビーム４はビームスプリッタに当たる。１つの適切な実施形態において、ビームスプリッタはアパーチャアレイ６である。アパーチャアレイ６は、ビームの一部を阻止して、複数のビームレット７がアパーチャアレイ６を通り抜けるのを許す。アパーチャアレイは、貫通孔を有するプレートを具備するのが好ましい。従って、複数の平行する電子ビームレット７が生成される。システムは、多数のビームレット７、好ましくは約１０，０００乃至１，０００，０００本のビームレットを生成するが、当然に、システムは幾らかのビームレット７を使用し得る。更に、他の既知の方法を使用して、平行ビームレットを生成してもよいことに留意すべきである。
【００４３】
複数の電子ビームレット７は、集光レンズアレイを通り抜ける。集光レンズアレイは、図示されていない。集光レンズアレイは、電子ビームレット７の各々を、ビームレットブランカアレイ９の面に集束させる。このビームレットブランカアレイ９は、複数のブランカを具備するのが好ましい。ブランカの各々は、電子ビームレット７の１本以上を偏向させることができる。ビームレットブランカアレイ９と、ビームストップアレイ１０は、変調手段８を構成している。制御ユニット６０からの入力に基づいて、変調手段８は、電子ビームレット７にパターンを加える。端部モジュール内に存在するコンポーネントによって、ターゲット表面１３上にパターンの位置を決める。
【００４４】
この実施形態では、ビームストップアレイ１０は、ビームレットを通すことができるアパーチャのアレイを具備している。ビームストップアレイは、その基本形式において、貫通孔を備えた基板を具備している。貫通孔は、通常は円形の孔であるが、他の形状も使用され得る。１つの実施形態において、ビームストップアレイ１０の基板は、規則的な間隔を有する貫通孔のアレイを備えたシリコンウェーハから形成されており、表面の帯電を防ぐために金属の表面層で被覆され得る。１つの実施形態において、金属は、ＣｒＭｏのような自然酸化皮膜を形成しないタイプである。
【００４５】
１つの実施形態において、ビームストップアレイ１０の通路は、ビームレットブランカアレイ９の要素と整列している。ビームレットブランカアレイ９とビームレットストップアレイ１０は協働して、ビームレット７を阻止又は通過させる。ビームレットブランカアレイ９がビームレットを偏向させる場合は、ビームレット７は、ビームレットストップアレイ１０における対応するアパーチャを通り抜けず、その代りに、ビームレット阻止アレイ１０の基板によって阻止される。しかしながら、ビームレットブランカアレイ９がビームレットを偏向させない場合は、ビームレット７は、ビームレットストップアレイ１０における対応するアパーチャを通り抜けて、次に、ターゲット２４のターゲット表面１３上に、スポットとして投影される。
【００４６】
リソグラフィシステムは、制御ユニット６０を更に具備している。制御ユニット６０は、データ記憶装置６１と、読み出しユニット６２と、データ変換器６３とを具備している。制御ユニット６０は、システムの残りから離れたところに、例えば、無塵室の内部の外に配置され得る。光ファイバ６４を使用して、変調光線が保持しているパターンデータを、プロジェクタ６５に送る。プロジェクタ６５は、ファイバの端部（プレート１５において概略的に示されている）から、電子光学ユニット１８の中に、ここでは変調アレイ９上に投影する。各光ファイバの端部からの変調光線１４は、ビームレットブランカアレイ９上の変調器の感光素子上に投影される。各光線１４は、１つ以上の変調器を制御するパターンデータの一部を保持している。送信手段１７を使用して、ファイバの端部におけるプレート１５と、プロジェクタ６５とを適切に整列させることができる。
【００４７】
次に、電子ビームレット７は、端部モジュールに入る。以下では、「ビームレット」という用語は、変調ビームレットを指す。このような変調ビームレットは、時間的に連続する部分を効果的に含んでいる。これらの連続する部分のうちの幾らかの部分は、より低い強度を有し、好ましくはゼロの強度を有し得る。即ち、その部分は、ビームストップで止められる部分である。次の走査期間のために、ビームレットを開始位置に位置決めできるように、幾らかの部分は、ゼロの強度を有する。
【００４８】
端部モジュールは、挿入可能で交換可能なユニットとして構成されているのが好ましい。端部モジュールは、様々なコンポーネントを具備している。この実施形態では、端部モジュールは、ビームストップアレイ１０と、走査偏向器アレイ１１と、投影レンズ構成１２とを具備しているが、端部モジュールがこれらの全てを含んでいる必要はなく、これらの配置は異なっていてもよい。端部モジュールは、特に、約１００乃至５００倍、例えば３００乃至５００倍の範囲において、好ましくはできるだけ大きく縮小する。以下に記載するように、端部モジュールはビームレットを偏向させるのが好ましい。ビームレット７は、端部モジュールから出た後で、ターゲット面に位置するターゲット表面１３に当たる。リソグラフィの応用の場合に、ターゲットは、通常は、荷電粒子感知層又はレジスト層を備えたウェーハを具備している。
【００４９】
ビームレットストップアレイ１０を通った後で、従って変調されたビームレット７は、走査偏向器アレイ１１を通り抜ける。走査偏向器アレイ１１は、各ビームレット７を、Ｘ及び／又はＹ方向に、即ち、偏向されていないビームレット７の方向に対してほぼ直交する方向に偏向させる。本発明では、後で説明するように、偏向器アレイ１１は、比較的に小さな駆動電圧の印加を可能にした走査静電偏向器である。次に、ビームレット７は、投影レンズ構成１２を通り抜けて、ターゲットのターゲット表面１３、通常は、ターゲット面におけるウェーハに投影される。投影レンズ構成１２は、ビームレットを集束させて、直径約１０乃至３０ナノメートルの幾何学的スポットサイズにするのが好ましい。このような設計における投影レンズ構成１２は、約１００乃至５００倍に縮小するのが好ましい。この好ましい実施形態では、ターゲット表面１３の近くに投影レンズ構成１２を配置するのが好都合である。他の実施形態では、ターゲット表面１３と集束投影レンズ構成１２との間に保護手段を配置してもよい。保護手段は、必要なアパーチャを明らかに備えたフォイル又はプレートであり得る。放出されたレジスト粒子がリソグラフィシステムにおける感知要素の何れかに到達する前に、保護手段が、放出されたレジスト粒子を吸収する。その代わりに又は加えて、投影レンズ構成１２とターゲット表面１３との間に、走査偏向アレイ１１を備えてもよい。
【００５０】
おおざっぱに言うと、投影レンズ構成１２は、ビームレット７をターゲット表面１３に集束させる。更に、投影レンズ構成１２によって、１画素のスポットサイズが正確であることが保証される。走査偏向器１１は、ビームレット７をターゲット表面１３にわたって偏向させる。更に、ターゲット表面１３上の画素の位置は、マイクロスケールで正確であることが保証されなければならない。特に、ターゲット表面１３上のパターンを最終的に構成する画素グリッドに、画素が確実に整合するように、走査偏向器１１は動作しなければならない。ターゲット１３の下にあるウェーハ位置決め手段によって、ターゲット表面上に画素をマクロスケールで適切に位置決めできることが分かるであろう。
【００５１】
再現可能な結果を提供するリソグラフィシステムを得るために、このような高品質の投影が適切である。一般に、ターゲット表面１３は、基板の上にレジスト膜を具備している。荷電粒子、即ち電子のビームレットを適用することによって、レジスト膜の一部分が化学的に変更される。その結果、膜の照射部分が現像剤において幾分溶けて、ウェーハ上にレジストパターンを生成する。次に、半導体製造技術において知られている実装、エッチング、及び／又は蒸着のプロセスによって、ウェーハ上のレジストパターンを下位層に転写できる。照射が一様でない場合は、レジストは一様に現像されず、パターンの失敗につながり得るのは明らかである。更に、このようなリソグラフィシステムの多くは、複数のビームレットを使用する。照射の差は、偏向ステップによって生じないはずである。
【００５２】
本発明は、複数の走査ビームレットをターゲット表面１３上に精密に一様に投影する目的に対処している。ここで、走査偏向器１１における少なくとも自立電極が、非常に一様な電場を生成し、更に、一様に偏向させて、その目的を達成できるようにしていることが分かる。更に、適切な機械的強度を備えていて、且つより一層解決し難い新たな技術的問題を生じない自立電極を製造できることが分かった。１つの適切な実施形態では、自立電極は、１つ以上の機械的共振周波数を有する。この機械的共振周波数は、走査偏向器の選ばれた動作周波数よりもかなり低い及び／または高い。言い換えると、この実施形態では、電極に電圧差を与えることは、自立電極の振動につながらない。このような振動は、電極間の一様な場を終わらせる。特に、１つの実施形態では、自立電極は、電場に小さな変動及び／又は外乱のみをもたらす表面構造を備えている。
【００５３】
図２は、本発明の静電走査偏向器１１の好ましい実施形態の上面図を示している。図３は、図２の一部分の拡大図を示している。図４は、第１の方向における概略断面図を開示している。図５は、図４の概略断面図に直交する方向における概略断面図を示している。図９は、単純化した図を示している。
【００５４】
図２は、幾つかの連続するストリップ３１−３８を示している。連続するストリップ３１−３８は、それぞれ、くし型構造の第１の電極２１又はくし型構造の第２の電極２２の一部分である。この実施形態では、ストリップ３１−３８は、交互に嵌合した対の電極を一緒に構成している。以下では、これを電極システムとも呼ぶ。ここでは、基板５０は、電極システムを支持している。しかしながら、電極システムは、基板５０中のアパーチャ５１に、少なくとも部分的に重なり合っており、大部分が重なり合っているのが適切である。理解し易いように、図４は、連続するストリップ３１−３５のみを示していることが分かる。しかしながら、ストリップをこのように減らしても、図４は、その原理を十分に示している。ブリッジからの連続するストリップは、アパーチャ５１の第１の側部１０１から第２の側部１０２に延在しているのが適切である。しかしながら、図７に関連して示されているように、これは必須ではないと考えられる。
【００５５】
理解し易いように図２に点線で示されているように、アクティブエリア２０において、場が効果的に生成されることが分かる。この実施形態の自立電極は、主に側面によって場を生成している。アクティブエリア２０の外側には、このような側面はない。しかしながら、その代わりに、アクティブエリア２０を定めることができる。「少なくとも部分的に自立している電極」という用語は、アクティブエリア内に存在する適切な導体が、自立している又は部分的に自立していることを説明することを意図している。「自立」という用語は、これらの導体が、アクティブエリアにおいて、任意の薄膜又は他の支持体によって支持されていないことを説明することを意図している。「部分的に自立している」という用語は、薄膜、機械的な支柱、又は任意の他の支持構造によって支持されている制限されたエリアにおいて、これらの導体が、局部的及び／又は全体的に存在している状況を説明することを目的としている。好ましい実施形態では、連続するストリップがアクティブエリアにおいて自立しているときに、「少なくとも部分的に自立している電極」という用語の条件が満たされる。
【００５６】
窓４０、４１が、ストリップ間に延在している。これらのうちの幾つかは、通過窓４０である。他のものは、絶縁領域４１である。この好ましい例において、絶縁領域４１は、窓であり、例えば、任意の誘電体又は他の材料で埋められていない自由空間である。通過窓４０は、幅ｂを有する。通過窓４０は、ビームレット７が通り抜けるように設計された窓である。通過窓は、数本のビームレット７に合わせて設計された穴、又は電極のストリップ間に全体的に延在している溝であり得る。通過窓４０を数本のビームレット７に制限する場合は、(例えば、ストリップに直交して延在する支柱又は梁（beam）のような)支持構造を備えることによって、十分に制限できる。しかしながら、通過窓４０を制限する理由は他にもあり得る。最大の一様性を得るために、比較的に長い通過窓を備えるのが好都合である。通過窓を遮る又は制限すると、電場が変化する可能性が高い。
【００５７】
連続するストリップの数は比較的に多く、且つ連続するストリップの相互の距離は短いのが好ましい。ストリップ３１-３８は、横寸法、即ち幅ａと、高さｚとを有する。絶縁窓４１は、幅ｃを有する。通過窓４０の幅ｂは、通過窓４０間の合計距離２ａ＋ｃよりも小さいのが適切である。多くとも３列の電子ビームレット７が通過窓４０を通り抜けるように、通過窓４０の幅ｂを選ぶのがより適切である。列の数は、２本であるのがより好ましく、列の数は、１本であるのが最も好ましい。列の数を減らすと、一様な場を生成するのに、より有益であることが分かった。大抵は、ストリップ３１−３８の横方向延在部に対して垂直な方向に、力線が走っている。例えば、アパーチャの向かい合う側部に例えばＵ字型の電極を２つ備えた先行技術のマクロスコピック偏向器よりも、これは明らかに改善されている。このような偏向器の場の強さは、一様ではない。特に、電極の角部の近くでは、場の強さがより高く、そのうえ、側部は、電場の外乱をもたらす。本発明による走査偏向器１１では、場の強さは極めて一様であり、先行技術よりも明らかにより一様である。走査偏向器は、５％未満、より好ましくは３％未満、最も好ましくは２％未満の、偏向強度の変化を示している。本発明の１つの実施形態では、１乃至１．５％の偏向強度の変化を達成した。
【００５８】
通過窓４０の幅ｂがこのように短い結果として、電極に対する電位差２１、２２がかなり小さくなり、一方で、それでもなお十分な偏向角度を得ることができる。
【００５９】
電極に対する電位差を小さくすると、多くの恩恵が得られる。第１に、偏向器をより良いやり方で電気的に駆動できる。即ち、電極に対して可変の電圧差を提供すると、速度が上がる、及び／又はより高い帯域幅になり得る。ここでは、「帯域幅」という用語は、電気信号を適用する一様性に対する測度として使用されている。帯域幅が低過ぎると、問題が生じ得る。問題は、例えば、電圧差を与えるタイミングの制御不能な遅延及び変化と、電圧差の大きさの変化である。第２に、静電気の放電の結果として、偏向器を損傷する危険が減る。
【００６０】
剛性を最適化するために、ストリップ３１の高さｚは、比較的に大きくなるように設計されている。高さｚは、通過窓４０の幅ｂよりも大きいのが適切である。更に、高さが大きくなると、いわゆる偏向強度を増すか、又はその代わりに、所定の偏向角度に必要な電位差を小さくするのに役立つ。
【００６１】
図９は、本発明の静電偏向器の一部分の単純化した断面図である。先行技術の図１０と比較すると、本発明で得られた主要な改善点が明らかになるであろう。先ず第１に、偏向器における場は、第１の電極から第２の電極に真っ直ぐに延びている。先行技術では、電場は、電極の上に延びている。従って、一様性は、より大きくなり、場の強さは、よりよく制御される。第２に、本発明では、電極３１−３６の高さｚは、先行技術よりも大きい。本発明では、ビームレット７は高さｚの全体にわたって偏向するので、偏向がより緩やかに現われる。従って、予め定められた偏向角度に必要な場の強さを下げることができる。図に示されているように、高さｚは、通過窓４０の幅ｂよりも大きいことが好ましい。第３に、本発明の偏向器は、通過窓４０に加えて、絶縁窓４１を含んでいる。従って、全てのビームレット７は同じ方向に偏向する。図１０に示されている先行技術では、ビームレット７は反対方向に偏向する。従って、図１０の先行技術と比較して、本発明が追加のストリップを有していても、第１のビームレットと第２のビームレットとの間のピッチは大きくならない。希望であれば、ピッチを小さくすることさえ可能である。このような小さなピッチは、本発明のリソグラフィシステムにおけるより小さな限界寸法のパターニングに向けての１ステップである。この図又は図１０に示されていないが、先行技術の偏向器は、個々のビームレットが通り抜ける特定の穴を具備している。本発明では、複数のビームレットが、第１のストリップと第２のストリップとの間を通る。一連の自立ストリップのような本発明の偏向器の構成では、穴を追加する必要はない。更に、個々の穴を通る代わりに、第１のストリップと第２のストリップとの間を複数のビームレットが通ることは、一様性に寄与する。
【００６２】
この偏向器の長所の１つは、接地電極の位置である。この接地電極２５は、正又は負に帯電した電極に隣り合って配置されておらず、基板上の、アパーチャに重ならない又はほぼ重ならないエリアに存在している。更に、このような帯電した電極と接地電極との間の距離を、相当により大きくした。これは、偏向器を破壊するダメージを伴って、静電気の放電が発生しないという境界条件を満たすのを助ける。結果として、局部に接地電極が無いので、第１と第２の電極２１、２２の連続するストリップを、より短い距離に配置できる。明確にするために、接地電極の電位は、通常の環境における接地電位（０Ｖ）と等しくなくてもよいことが確認された。例えば、接地電極は、ｆ.ｉ.−１０ｋＶ乃至＋１０ｋＶの任意のものであり得る。従って、第１と第２の電極２１、２２に印加される電位は、およそこの接地、即ち、ｆ．ｉ．−１０ｋＶ−／＋１０ｋＶである。第１と第２の電極２１、２２間の電位差は、最大で５０Ｖであるのが適切であり、最大で２０Ｖであるのがより適切であり、最大で１０Ｖであるのがより一層適切である。本発明の様々な実施形態では、例えば、８Ｖ、６Ｖ、５Ｖに対して、１０Ｖ未満の電位差が達成された。このようなより低い電圧によって、ロバストで、それにも関わらず高速であるが、それでもなお高い帯域幅を有する駆動回路が可能になるので、このようなより低い電圧が適切である。帯域幅は、走査周波数の少なくとも５倍であるのが適切である。走査周波数の１０倍の帯域幅が、一様性の点で非常に適切な結果を与える。走査周波数は、少なくとも１００ｋＨｚであるのが適切であり、少なくとも５００ｋＨｚ又は更に１ＭＨｚ以上であるのがより好ましい。
【００６３】
図２に示されているように、構造は、ボンドパッド２８を備えている。これらのボンドパッド２８は、相互接続部２９を通して電極の各々に接続される。相互接続部２９は、接地平面エリア２５間に存在する。これは、ほぼ５００ｋＨｚ以上のより高いスイッチング周波数の場合に、特に適切である。従って、ＲＦの影響が関連し始める。相互接続部を導波管として実施することによって、このようなＲＦの性質はかなり抑えられる。当業者には、代わりに、ストリップ線路、伝送線路、等の他の伝送線路の実施を選んでもよいことが分かるであろう。
【００６４】
１つの実施形態では、図２に示されているように、各通過窓４０における電場の配向は同じである。電場の配向が等しいので、全てのビームレット７は、同じ配向で偏向する。その結果、偏向するか又はしないかに関係なく、ビームレット７の投影グリッドの形状と表面エリアは同じになる。この原理は、示されている実施形態において次のように具現される。即ち、第１の電極は、第１と第３のストリップとを具備しており、一方で、第２の電極は、第２と第４のストリップとを具備している。第１の通過窓は、第１と第２のストリップ間に存在している。第２の通過窓は、第３と第４のストリップ間に配置されている。しかしながら、絶縁領域が、第２と第３のストリップ間に存在している。即ち、絶縁領域には、通過窓がない。製造上の理由で、絶縁領域は、窓であるのが適切である。更に、この設計は、駆動電圧を下げることができるので、放電のリスクがかなり下がる。
【００６５】
この更なる改善では、終端抵抗を、第１と第２の電極２１、２２の電極システムと並列に接続する。このような終端抵抗を、偏向器の基板上に統合してもよい。その代わりに、終端抵抗は、異なるコンポーネント、例えば、別々に組み立てられた抵抗器であって、１つ以上の表面にマウントできる抵抗器であってもよい。システムにおける寄生容量の位置決め時間に対する任意の影響を取り除くために、終端抵抗を備える。特に、抵抗は、静電容量を減少させ、及び／又は抵抗と寄生容量は、一緒にフィルタとして作用する。その結果、位置決め期間が書き込み期間よりも短くなる。これらが、１本のラインを走査するのに必要な時間と、更に走査周波数とを一緒に定めている。
【００６６】
熱を除去する経路に抵抗を機械的に接続するのが最も適切である。熱を除去する経路は、熱拡散器、ヒートシンク、等を含み得る。真空容器中の偏向器から、真空の外部の場所への熱伝導経路があるのが、最も適切である。このような抵抗を使用すると、比較的に低い駆動電圧であるので、電極に対する電位差を比較的に小さくできる。これは、抵抗に対する熱放散が制限されることを示唆している。抵抗の恩恵は、電極に対する電位差をより速く低減できるということである。実際には、電極システムの寄生容量は、抵抗器によって弱められ、更に、電位差のこの低減を妨げない。電位差の前記低減は、後の偏向のためにビームレットを開始位置へ動かす時間を短くすることに、直接に対応する。更に、これは走査周波数を上げる。
【００６７】
図４と５は、図２の実施形態の概略断面図を示している。図４は、基板におけるアパーチャ５１と、ストリップ３１−３８の相互の位置とを、より一層明確に示している。図５は、この実施形態では、ストリップ３１が、アパーチャ５１の第１の側部１０１から反対側の第２の側部１０２まで延在していることを示している。この構成では、電極は、下に位置するアパーチャをカバーするブリッジを効果的に構成している。これは、機械的安定性の観点から好ましい構成である。アパーチャ５１の上に、ストリップに対するサポートの役割をする薄膜の支持体はないが、ストリップは、少なくとも部分的に自立している。自立するために、ストリップ３１−３８がフレキシブルになって制御不能に曲がるのを防ぐような寸法と剛性とを、ストリップは有している。
【００６８】
上側と下側との両者から選択的にエッチング又はパターニングができる半導体基板に基づいて、この構造を製造するのが適切である。シリコン オン インシュレータ(silicon-on-insulator, SOI)基板は、この目的にとって非常に好都合であることが分かった。即ち、この基板の中に埋め込まれた酸化物５２が、エッチ止めの役割をする。その代わりに、技術的に知られているように、ｐｎ接合又は他のドーピングの遷移を用いて、エッチ止めを作ってもよい。ＳＯＩ基板を例にとると、電極を上側半導体層(デバイス層)５３に作る。基板５０を底側半導体層(処理ウェーハ)に作る。アパーチャ５１は、任意のタイプのエッチング、例えばドライエッチングとウェットエッチングとによって作られ得る。当業者には、シリコンウェーハをｐ型又はｎ型の何れでドープするのが好ましいかが分かるであろう。自立電極内における電流の生成を防ぐために、ｐｎ接合が無いのが適切である。エッチングと微細加工の分野における当業者に知られているように、ドーピングレベルを自由に選んでもよい。
【００６９】
自立電極にコーティング５４を施すのが適切である。コーティングを加えると、電場の一様性が更に向上することが分かった。誘電材料と導電材料とを含む様々な材料を使用して、滑らかさを改善することができる。しかしながら、金属のコーティングが最も適切であると考えられる。誘電材料のコーティングとは逆に、金属のコーティングは、システムに静電容量を加えない。金属のコーティングを加えるプロセス、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング、電気めっきが、技術的に知られている。所望であれば、接着層を使用してもよい。金属のコーティングを施す前に、自立電極の半導体材料を酸化させないのがより適切である。例えばＣＶＤプロセスによって、自立電極の全表面に同時に金属のコーティングを施してもよいが、これは必須ではないと考えられる。その代わりに、底側と上側からコーティングして、一方で、任意の側面を導電材料によって少なくとも部分的に確実にカバーしてもよい。このような実施形態では、２つの異なる材料をコーティングに適用してもよい。自立電極は、完全に導電性であるのが最も好ましい。
【００７０】
シリコンは周知であり、自立電極の生成によく適しているが、別の材料とプロセスは排除されていない。このような代替例は、例えばＲＦ ＭＥＭＳの応用に適用されているように、基板上に自立電極を形成し、Ｓｉの処理ウェーハに加えて、ＳｉＣとＳｉＧｅを含む別の基板材料を、代わりに又は特に上位層として使用することを含む。
【００７１】
図６は、本発明に従って、第２の実施形態の上面図を示している。この実施形態は、交互に嵌合した対の電極２１、２２を示している。偏向器１１の向かい合っているエッジに、エッジゾーン２３が存在する。エッジゾーン２３は、第１と第２の電極２１、２２の平行に向いた１組のストリップを具備している。しかしながら、通過窓４０は、エッジゾーン２３内に設計されていない。ストリップの設計が、偏向器９の主要な部分の設計に相当するのが適切であるが、これは必須ではない。等しく示されているが、エッジゾーン２３は異なる設計で十分に実施できる。
【００７２】
電場に平行な方向におけるエッジゾーン２３に加えて、電場に垂直な方向、即ち、電極又はストリップの自立している部分の遠端部の近くに、エッジゾーン２６を作るのが好都合である。このようなエッジゾーン２６は、基板及び／又は導体、例えばリード線又は相互接続部の相互作用の結果としての電場におけるアーチファクトを防ぐのを支援する。これらのエッジゾーンは、それぞれ、ストリップ３１の横方向延在部の２乃至２０％、より好ましくは４乃至１２％の延在部を有するのが好ましい。
【００７３】
本発明の偏向器１１を投影レンズ構成１２と一緒に組み立てるのが適切である。図１０に示されている先行技術の平面偏向器で観測される重大な静電気の放電の問題を起こすことなく、これを達成することができる。少なくとも部分的に自立している電極ストリップと、より一様な場とを備えた偏向器は、静電気の電圧により一層の耐性があることが分かった。投影レンズ構成１２の近くか、或いは投影レンズ構成１２の直ぐ上又は下に、偏向器を構成してもよい。
【００７４】
１つの実施形態では、本発明の走査偏向器１１は、その厚さが、先行技術の偏向器の厚さよりも薄いという更なる長所を有する。本質的に、基板５０と電極との全体的な厚さは、５００マイクロメートル未満であり、好ましくは３００マイクロメートル未満であり得る。従って、走査偏向器１１を投影レンズ構成１２の近くに置くことができる。走査偏向器１１が投影レンズ構成１２の近くにある別の構成は、排除されていない。投影レンズ構成１２までの距離が短い結果として、走査偏向器１１によって偏向させられたビームレット７は、投影レンズ構成１２の非常に近くに、回転の有効な中心を有する。その結果として、投影レンズ構成１２の収差は、画素のスポットサイズに悪影響をあまり及ぼさない。
【００７５】
図７は、本発明に従って、第３の実施形態を示している。この実施形態では、電極システムは、幾つかの部分９１−９４を具備している。この例では、その数は４つであるが、４つである必要はなく、又は４つに制限されているわけでもない。数が増えると（例えば、９又は１６個）、これはより小さくなり得る（２）。電極システムは、複数のブロックではなく、互いに隣り合う一連の部分に細分化され得る。部分の各々は、電極２１、２２の連続するストリップを具備しており、これらは、基板５０におけるアパーチャ５１ａ−ｄに重なっている。この実施形態では、４つのアパーチャ５１ａ−ｄがあり、４つのアパーチャは、４つの部分９１−９４に対応している。しかしながら、これは厳密に必須とされているわけではない。追加層が、全ストリップの電極システムに対する支持体の役割をする場合がある。この追加層は、アパーチャ５１ａ−ｄを備えており、更に、一方で、基板５０におけるアパーチャ５１に重なっている。アパーチャ５１ａ−ｄは、立方体断面を有している必要はない。例えば、横方向延在部が、幅よりも大きくてもよく、又はこの逆であってもよい。前記部分の各々における連続するストリップは、電極の交互に嵌合した対を形成しているのが適切であるが、これは厳密に必須ではない。更に、ここでは、上述の他の特徴を４つの部分の各々に適用できる。
【００７６】
図８は、本発明の走査静電偏向システムの実施形態の概略図である。この実施形態は、第１の静電走査偏向器１１ａと第２の静電走査偏向器１１ｂとを具備している。本発明によると、偏向器１１ａ、１１ｂのうちの少なくとも一方は、本発明の偏向器である。両者が本発明の走査偏向器であるのが、適切である。このシステムの設計を用いると、ビームレット７が偏向された場合であっても、ビームレット７は、投影レンズ構成の有効レンズ面１９において、光学軸０の中心部分を通り抜けることが達成される。このやり方では、本発明の単一の走査偏向器１１を備えた構成と比較して、投影レンズ構成による偏向によって引き起こされる球面収差が、更に小さくなる。この設計に関する重要な改善点は、使用できる偏向量が増す一方で、スポットサイズの分解能が損なわれないということである。図８に示されているこの設計において、２つの偏向器１１ａと１１ｂは、前後に配置されており、各々は、電極において逆電圧を有する。偏向させるために、各偏向器１１ａ、１１ｂに対するこれらの電圧の符号は、同時に切り換えられる。投影レンズシステム構成の有効レンズ面１９と偏向器１１ｂとの間の距離ｄ５を考慮して、偏向角度の比を微調整することによって、有効レンズ面１９における偏向ビームレット７の中心が、投影レンズシステムの光学軸０の近くになるようにする。この微調整の操作において、２つの偏向器１１ａ、１１ｂ間の相互の距離ｄ６と、電極間に加えられる電位差とを、更に使用してもよい。ここでは、第１の走査偏向器１１ａに加えられる電位差と、第２の走査偏向器１１ｂに加えられる電位差は、相互に結合される。これらを変更して、投影レンズ構成の光学面において、ビームレット７の中心点を、投影レンズシステムの光学軸０と交差させる。適切な実施では、第１と第２の偏向器１１ａ、１１ｂの駆動回路を、１つの制御装置を通して制御する。更に、駆動回路の一部分、例えば走査周波数を生成する部分を、統合又はさもなければ結合するのが適切である。
【００７７】
従って、第１の偏向器１１ａは、ビームレット７を光学軸０から角度α１で偏向させ、第２の偏向器１１ｂは、ビームレット７を角度α２で反対方向にもとの状態に偏向させる。このように、投影レンズ構成の有効レンズ面１９を通過するときに、ビームレット７は角度α３にわたって偏向させられている。
【００７８】
図に示されていない更に別の実施形態では、アパーチャは、通過窓の下にのみ存在する。
【００７９】
本発明の別の態様では、荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる走査静電偏向器を具備する荷電粒子システムを提供する。偏向器は第１と第２の電極を有しており、前記ビームレットは、第１と第２の電極間を通り、各電極は、少なくとも１本のストリップを具備しており、ストリップは、ほぼ平行に延在していて、且つ複数のビームレットが通り抜ける通過窓を定めていて、前記通過窓は、ストリップに垂直な方向に、幅を有しており、電極間に電位差を設定すると、ストリップに垂直な方向に電場が生成され、前記ストリップは、３つの相互に直交する方向に、高さと、幅と、横の方向を有しており、ストリップの高さは、通過窓の幅よりも大きい。
【００８０】
この偏向器を使って、はるかにより大きな電位差で動作するマクロスコピック偏向器と同じオーダの偏向角度が得られた。先行技術のマクロスコピック偏向器と、本発明の偏向器との電位差の比は、５、更に１０さえも越え得るので、これは驚くべきことである。更に、高さが増すと、電場の漂遊成分が減り、これは、場の線形性と偏向の一様性とを改善する。更に、マクロスコピック偏向器と比較して、偏向器の全体の厚さが薄いことが分かる。その結果、本発明の偏向器を投影レンズ構成とより容易に組み立てて、収差を小さくすることができる。
【００８１】
偏向器は、自立電極ストリップを具備しているのが適切である。
【００８２】
本発明の別の態様では、静電偏向器を使用して、走査周波数で表面を走査する方法を提供する。偏向器は、第１と第２の偏向器を具備しており、第１と第２の偏向器の間に、通過窓が存在する。ここでは、各ビームレットは、１走査期間において、表面上の１本のラインを走査する。走査は、位置決め期間において、ビームレットを開始位置に位置決めすることと、書き込み期間において、電極に対する電場の強さを変えることによってビームレットを開始位置から偏向させることとを含む。本発明によると、走査周波数は、無線周波数(ＲＦ)の範囲である。各走査期間において、ビームレットを同じ方向に偏向させる。電場の作用のもとで、各ビームレットに対する配向を定めて、各ビームレットを偏向させる。更に、位置決め期間は、書き込み期間よりも短い。
【００８３】
本発明は、先行技術と異なるルールによる異なる規制方式で、効果的に走査することができる。この規制方式は、高周波数の走査に関する。より具体的には、高い走査周波数は、無線周波数(ＲＦ)の範囲内の周波数であって、３００乃至３０００ｋＨｚの中間の範囲であるのが最も好ましい。その結果として、必要な材料と導体のＲＦの振る舞いに因る遅延と非一様性とを防ぐために、ＲＦの電子機器のルールに従うように偏向させる必要がある。１つの著しいＲＦ特性は、寄生容量である。特に、電圧を変えて逆にするときに、寄生容量は大幅な遅延をもたらし得る。更に、寄生容量は、場を歪ませて、更に、走査を、規格から外れ易くする傾向がある。
【００８４】
従って、本発明の発明者によって確認された課題は、転写されるパターンの精度に関する問題を生じることなく、十分な速度でパターンをどのように走査するかであった。
【００８５】
ここで、本発明の発明者は、比較的に小さな角度だけビームレットを偏向させて、無線周波数の範囲内でのみ走査することを提案した。偏向角度をこのようにより小さくすると、精度が向上し、偏向器の電極に対する印加電圧差を小さくできる。更に、このような高周波数の走査に対して適切で且つ信頼できる結果を得るために、偏向を１つの配向に制限することが分かった。このような１つの配向の偏向には、ビームレットを更に再位置決めする必要があり、コストと時間がかかる。しかしながら、逆の配向に偏向させると、偏向した状況と偏向しない状況との間において、ビームレットのグリッドの表面エリアに差がでることが分かった。高周波数では、表面エリアにおけるこのような差を修正できないと考えられていた。本発明の発明者は、寄生容量を抑えることによって、ビームレットの再位置決めにかかる時間がかなり低減すると考えた。同時に、寄生容量をこのように抑えると、場の歪みが減り、更に、走査精度が向上することが分かった。
【００８６】
要するに、パターンを十分な速度で正確に走査することについての本発明の発明者の解決策は、１つのみの配向における高周波数の走査を、寄生容量を抑えることによる再位置決めにかかる時間の低減と組み合わせることを含む。
【００８７】
１つの適切な実施形態では、鋸歯の特性によって偏向器の電極に電圧を印加する。性能を最適化するために、正確な鋸歯の形状を調整してもよい。なお、電圧を逆に設定すると、望ましい再位置決めと、リソグラフィシステムに対するターゲットの機械的な再位置決めとが得られる。これは、同時に行なわれる。
【００８８】
更なる実施形態では、寄生容量をフィルタにかける及び／又は弱めることによって、位置決め時間を短くする。偏向器にコンポーネントを追加して、フィルタリングを行なうことによって、このようなフィルタによる除去を適切に行なう。アナログ電子工学の当業者には、フィルタのトポロジが分かるであろう。例えば、ＲＣフィルタと、ＲＬＣフィルタと、パイフィルタと、ＬＣフィルタと、ネットワークとを含む。ＲＣフィルタを使用するのが最も適切である。これは、終端抵抗を通して実施され得る。
【００８９】
更に別の実施形態では、偏向器の電極に印加される電圧は、１０Ｖ未満である。前記フィルタリングの結果としての電力の損失を減らすために、この電圧低減は特に適切である。小さな電位差で動作する偏向器として、本発明の偏向器を使用するのが最も適切である。更に、この偏向器は、自立電極を使って、この偏向器の寄生容量をさらに減らし、従って、低減を支援する。
【００９０】
位置決め期間は、書き込み期間のほぼ半分の持続期間を有するのが適切である。位置決め期間は、書き込み期間の４０％未満の持続期間を有するのがより適切であり、２５％未満の持続期間を有するのが最も好ましい。
【００９１】
本発明は、請求項の他に、上述の説明及び紹介部分に加えて、図においてのみ明らかにされている詳細及び態様に更に関連している。しかしながら、当業者は、図においてのみ明らかにされている詳細及び態様を、図から直接且つ明確に導き出すことができる。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[１]荷電粒子の複数のビームレットを生成するビームレット生成器と、前記ビームレットを偏向させる静電偏向器とを具備する、荷電粒子光学システムであって、
前記静電偏向器は、第１と第２の電極を具備しており、前記ビームレットを偏向させる電場を前記第１と第２の電極間に生成するために、前記第１と第２の電極は、電圧に接続されるように構成されており、前記第１と第２の電極は、前記静電偏向器のアクティブエリアにおいて少なくとも部分的に自立しており、
前記第１の電極は、第１と第３のストリップを具備しており、前記第２の電極は、第２と第４のストリップを具備しており、
前記第１と第２の電極は、前記第１と第２の電極間に前記ビームレットの少なくとも一部分を通す通過窓を定めており、各通過窓における前記電場の配向は、同じであり、
通過窓は、前記第１と第２のストリップ間と、前記第３と第４のストリップ間とに存在し、前記通過窓は、第１の方向に長さを有し、交差方向に幅を有しており、
前記荷電粒子光学システムは、前記ビームレットを少なくとも２列で配置して、前記静電偏向器の各通過窓を通るように、前記ビームレットの1つの列の方向を定めるように構成されており、前記列の前記ビームレットは、前記第１の方向に延在しており、
前記静電偏向器のかなりの部分が、前記第１の方向において前記通過窓を超えて延在している、
荷電粒子光学システム。
[２]前記列を成している前記ビームレットは、各ビームレット間にピッチを有するように配置されており、
前記静電偏向器の前記かなりの部分は、前記通過窓における前記ビームレットの少なくとも前記ピッチ分、前記第１の方向において前記通過窓を超えて延在している、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[３]前記静電偏向器は、前記ビームレットを、前記第１の方向に交差して偏向させる、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[４]前記静電偏向器は、前記荷電粒子光学システムの最終的な書き込み投影を行なう走査偏向器である、前記[３]に記載の荷電粒子光学システム。
[５]各通過窓は、前記第1乃至第４のストリップに垂直な方向に、幅を有しており、
前記第１と第２の電極間に電位差を設定すると、前記第1乃至第４のストリップに垂直な方向において、電場が生成され、
前記第1乃至第４のストリップは、３つの相互に直交する方向に、高さと、幅と、横の方向を有しており、
前記第1乃至第４のストリップの前記高さは、前記通過窓の前記幅よりも大きい、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[６]前記第２と第３のストリップ間の領域には、通過窓がない、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[７]前記領域は、自由空間として含まれている、前記[６]に記載の荷電粒子光学システム。
[８]各第１と第２の電極は、平行に延在する複数のストリップを具備しており、
前記第１と第２の電極の前記ストリップは、交互に嵌合した対の電極を構成している、前記[７]に記載の荷電粒子光学システム。
[９]複数の通過窓は、前記交互に嵌合した電極間に存在する、前記[８]に記載の荷電粒子光学システム。
[１０]前記第１と第２の電極間の前記電場は、１００Ｖ未満である、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１１]前記第１と第２の電極間の前記電場は、２０Ｖ未満である、前記[１０]に記載の荷電粒子光学システム。
[１２]前記静電偏向器は、前記第１の方向に直交する第２の方向における前記アクティブエリアのエッジに、エッジゾーンを具備しており、
前記エッジゾーンは、前記電極のストリップを具備して、前記電場と同じ配向で電場を定めているが、ビームレットの通過窓がない、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１３]前記第１の静電偏向器の上流又は下流に含まれている第２の静電偏向器、を更に具備しており、
前記第２の静電偏向器は、前記ビームレットを、前記第１の静電偏向器と異なる方向又は配向で偏向させる、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１４]自立している前記第１と第２の電極は、電気的にほぼ均一の表面を提供するようにコーティングでカバーされている、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１５]前記コーティングは、金属のコーティングである、前記[１４]に記載の荷電粒子光学システム。
[１６]終端抵抗が存在する、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１７]少なくとも１つの電極又はストリップを機械的に支持するために、アパーチャ内に又はアパーチャに重なり合って、機械的支柱が存在する、前記[１]に記載の荷電粒子光学システム。
[１８]荷電粒子の少なくとも１本のビームレットを偏向させる、前記[１]に記載の荷電粒子光学システムの使用方法。
[１９]反対の極性の電圧を前記第１と第２の電極に供給するステップを含む、前記[１８]に記載の使用方法。
[２０]反対の極性の前記電圧は、等しい大きさであって、１０Ｖ未満である、前記[１８]に記載の使用方法。
[２１]前記電圧は、０乃至１０ＭＨｚの範囲の周波数で供給される、前記[１９]又は[２０]に記載の使用方法。
[２２]前記ビームレットは、位置決め期間において開始位置に位置決めされ、書き込み期間において前記開始位置から偏向させられる、前記[１８]に記載の使用方法。
[２３]−走査周波数は、無線周波数(ＲＦ)の範囲であり、
−各走査期間において、前記ビームレットは同じ配向で偏向させられ、
−各ビームレットに対して等しく配向させる前記電場の作用のもとで、各ビームレットは偏向させられ、
−前記位置決め期間は、前記書き込み期間よりも短い、前記[２２]に記載の使用方法。
[２４]マスクレスリソグラフィシステムによってターゲット表面に所定のパターンを投影する方法であって、
ａ．複数のビームレットを生成するステップと、
ｂ．データ記憶装置から取り出した前記所定のパターンのデータを供給された変調手段を使用して、ビームレットを変調するステップと、
ｃ．集束手段を使用して、前記変調ビームレットを前記ターゲット表面上に集束させるステップと、
ｄ．前記変調ビームレットを静電気で偏向させることによって、前記ターゲット表面上で前記所定のパターンを走査するステップと、
を含み、
前記走査するステップは、前記[１８]乃至[２３]の何れか１つに記載されているように行なわれる、方法。
【符号の説明】
【００９２】
０・・・光学軸、１・・・リソグラフィシステム、３・・・電子ソース、４・・・ビーム、５・・・レンズによって表されているコリメートする光学系、６・・・ビームスプリッタ、７・・・ビームレット、８・・・変調器ユニット、９・・・ビームブランカアレイ１０・・・ビームレットストップアレイ、１１・・・静電走査偏向器アレイ、１２・・・投影レンズ、１３・・・ターゲット表面、１４・・・光線、１５・・・プレート、１６・・・アクチュエータ、１７・・・ユニット、１８・・・電子光学ユニット、１９・・・レンズ面、２０・・・アクティブエリア、２１・・・第１の電極、２２・・・第２の電極、２３・・・エッジゾーン、２４・・・ターゲット、２５・・・接地電極、２６・・・エッジゾーン、２８・・・ボンドパッド、２９・・・相互接続部、３１−３８・・・ストリップ、４０・・・通過窓、４１・・・絶縁窓、５０・・・基板、５１、５１ａ−ｄ・・・アパーチャ、５２・・・埋め込まれた酸化層、５３・・・処理ウェーハ、５４・・・金属のコーティング、６０・・・制御ユニット、６１・・・データ記憶装置、６２・・・読み出しユニット、６３・・・データ変換器、６４・・・光ファイバ、６５・・・プロジェクタ、９１−９４・・・部分、１０１・・・第１の側部、１０２・・・第２の側部、１３１、１３２、１３３・・・(先行技術の)ストリップ、ａ・・・通過窓４０の幅、ｂ・・・ストリップ３１の幅、ｃ・・・絶縁窓４１の幅、ｚ・・・ストリップの高さ。
【図１】
0005607145.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005607145.tif 000008
【図８】
0005607145.tif 000009
【図９】
0005607145.tif 000010
【図１０】
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