(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電解めっき法を用いて下地層上に形成された第１層と、反転電解めっき法を用いて前記第１層上に形成された第２層と、直流電解めっき法を用いて前記第２層上に形成された最外層をなす第３層と、を有する、平面視で互いに離間した複数の電解めっき層を前記下地層上に形成する工程と、
平面視で前記電解めっき層同士の間に配された前記下地層の一部をエッチングする工程と、
前記第３層上に絶縁層を形成する工程と、
貫通孔の底面に前記第３層の一部を露出させるために、前記絶縁層に前記貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面上および前記底面上に前記スパッタ層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第３層の厚みは、前記第１層の厚みよりも大きいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第２層の厚みは、前記第１層および前記第３層の厚みよりも大きいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記第１層、前記第２層および前記第３層は、銅を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の配線基板の製造方法により得られた配線基板に電子部品を電気的に接続する工程を備えることを特徴とする実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器及びその周辺機器）等に使用される配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器における実装構造体としては、配線基板に電子部品を実装したものが使用されている。
【０００３】
特許文献１には、セミアディティブ法により、パッドを形成する工程と、該パッド上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層に開口部を形成するとともに該開口部に前記パッドの上面を露出させる工程と、スパッタリング法により、前記開口部を構成する前記絶縁層の面および前記パッドの上面に密着層を形成する工程と、を備えた配線基板の製造方法が記載されている。
【０００４】
ところで、パッドをセミアディティブ法で形成すると、下地層をエッチングする際に用いるエッチング液によって、パッド上面を構成する金属の結晶粒界がエッチングされやすいため、該結晶粒界に凹部が形成されやすい。この場合、スパッタリング法によりパッド上面に密着層を形成する際に、ターゲットからパッド上面に向かって飛散した粒子が結晶粒界の凹部内に到達しにくいため、該凹部の内壁が密着層で被覆されにくい。このため、パッドと密着層との間に剥離が生じやすくなるため、パッドと貫通導体との間に断線が生じやすくなり、ひいては配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１８８３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応え配線基板の製造方法及びその実装構造体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、直流電解めっき法を用いて下地層上に形成された第１層と、反転電解めっき法を用いて前記第１層上に形成された第２層と、直流電解めっき法を用いて前記第２層上に形成された最外層をなす第３層と、を有する、平面視で互いに離間した複数の電解めっき層を前記下地層上に形成する工程と、平面視で前記電解めっき層同士の間に配された前記下地層の一部をエッチングする工程と、前記第３層上に絶縁層を形成する工程と、貫通孔の底面に前記第３層の一部を露出させるために、前記絶縁層に前記貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内壁面上および前記底面上に前記スパッタ層を形成する工程と、を備えている。
【０００８】
本発明の一形態にかかる実装構造体の製造方法は、上述した配線基板の製造方法により得られた配線基板に電子部品を電気的に接続する工程を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法および実装構造体の製造方法によれば、第
３層によって、貫通孔の底面に露出した導電層の一主面における平坦性を高めることができるため、貫通孔の底面をスパッタ層でより均一に被覆することができる。その結果、導電層とスパッタ層との接着強度を高めることができるため、導電層と貫通導体との間の断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態にかかる実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した実装構造体のＲ１部分を拡大して示した断面図である。
【図２】図２は、図１（ｂ）に示した実装構造体のＲ２部分を拡大して示した断面図である。
【図３】図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）及び図３（ｄ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図３（ｃ）のＲ３部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図５】図５（ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程における直流電解めっき法のタイミングチャートであり、図５（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程における反転電解めっき法のタイミングチャートである。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６（ｂ）のＲ４部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する厚み方向に切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法を用いた実装構造体の製造方法を例に、図面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
図１（ａ）に示した実装構造体１は、本実施形態に係る実装構造体の製造方法を用いて作製されたものであり、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２がバンプ３を介してフリップチップ実装された配線基板４と、を含んでいる。
【００１３】
電子部品２は、例えばＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子であり、母材が、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等の半導体材料によって形成されている。電子部品２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。また、電子部品２の各方向への熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ装置を用いてＪＩＳＫ７１９７−１９９１に準じた測定方法により測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
【００１４】
バンプ３は、例えば鉛、錫、銀、金、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム又はアルミニウム等を含む半田等の導電材料によって形成されている。
【００１５】
配線基板４は、コア基板５とコア基板５の上下に形成された一対の配線層６とを含んでいる。
【００１６】
コア基板５は、配線基板４の強度を高めるものであり、厚み方向に沿ったスルーホールＴが形成された基体７と、スルーホールＴ内に形成された筒状のスルーホール導体８と、該スルーホール導体８によって取り囲まれた領域に形成された柱状の絶縁体９と、を含んでいる。
【００１７】
基体７は、コア基板５の主要部をなして剛性を高めるものであり、樹脂部と、樹脂部により被覆された基材と、該樹脂部により被覆された無機絶縁フィラーと、を含んでいる。基体７の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。基体７の平面方向への熱膨張率は、例えば５ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、基体７の厚み方向への熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、基体７は、基材を含まなくても構わないし、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。
【００１８】
基体７の樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。なお、樹脂部は、例えばフッ素樹脂、芳香族液晶ポリエステル樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂によって形成しても構わない。
【００１９】
基体７の基材としては、繊維により構成された織布若しくは不織布、又は繊維を一方向に配列したものを使用することができる。また、基材を構成する繊維としては、例えばガラス繊維、樹脂繊維、炭素繊維又は金属繊維等を使用することができる。
【００２０】
基体７の無機絶縁フィラーは、基体７を高剛性及び低熱膨張にするものであり、例えば酸化ケイ素等の無機絶縁材料によって形成された複数の粒子からなる。
【００２１】
スルーホール導体８は、コア基板５の上下の配線層６を電気的に接続するものであり、スルーホールＴの内壁上にて、後述する第１導電層１１ａと同様の構成を有する。
【００２２】
絶縁体９は、後述する貫通導体１２を支持するものであり、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂材料によって形成されている。
【００２３】
一方、コア基板５の上下には、上述した如く、一対の配線層６が形成されている。配線層６は、厚み方向に沿った貫通孔Ｐが形成された絶縁層１０と、基体７上又は絶縁層１０上に形成された導電層１１と、貫通孔Ｐ内に形成されて導電層１１に接続した貫通導体１２と、を含んでいる。
【００２４】
絶縁層１０は、導電層１１同士の短絡を防ぐ絶縁部材として機能するものであり、第１樹脂層１０ａと、該第１樹脂層１０ａよりもコア基板５側に配された第２樹脂層１０ｂと、を含んでいる。絶縁層１０の厚みは、例えば５μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００２５】
第１樹脂層１０ａは、絶縁層１０の剛性を高めるとともに平面方向における熱膨張率を低減するものであり、樹脂部と該樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。第１樹脂層１０ａの厚みは、例えば２μｍ上２０μｍ以下に設定されている。また、第１樹脂層１０ａの平面方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下に設定され、第１樹脂層１０ａの厚み方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第１樹脂層１０ａは、無機絶縁フィラーを含ま
なくても構わない。
【００２６】
第１樹脂層１０ａの樹脂部は、例えばポリイミド樹脂等の熱可塑性樹脂によって形成されている。このような熱可塑性樹脂を用いることにより、第１樹脂層１０ａを高剛性及び低熱膨張率にすることができる。また、第１樹脂層１０ａに含まれた樹脂部は、各樹脂分子鎖の長手方向が同一方向である構造を有するフィルム状であることが望ましい。その結果、平面方向への熱膨張率を小さくすることができる。
【００２７】
第１樹脂層１０ａの無機絶縁フィラーは、第１樹脂層１０ａを高剛性及び低熱膨張にするものであり、例えば、上述した基体７の無機絶縁フィラーと同様の材料によって形成されている。
【００２８】
第２樹脂層１０ｂは、厚み方向に隣接した第１樹脂層１０ａ同士、又は基体７と第１樹脂層１０ａとを接着するとともに、導電層１１の側面及び一主面に接着して導電層１１を固定するものであり、樹脂部と該樹脂部に被覆された無機絶縁フィラーとを含んでいる。第２樹脂層１０ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下に設定されている。また、第２樹脂層１０ｂの各方向への熱膨張率は、例えば１０ｐｐｍ／℃以上４０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。なお、第２樹脂層１０ｂは、無機絶縁フィラーを含まなくても構わない。
【００２９】
第２樹脂層１０ｂの樹脂部は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、又はアミド樹脂等の熱硬化性樹脂によって形成されている。このような熱硬化性樹脂を用いることにより、厚み方向に隣接した第１樹脂層１０ａ同士、又は基体７と第１樹脂層１０ａとを強固に接着することができる。
【００３０】
第２樹脂層１０ｂの無機絶縁フィラーは、第２樹脂層１０ｂを高剛性及び低熱膨張にするものであり、例えば、上述した基体７の無機絶縁フィラーと同様の材料によって形成された複数の粒子からなる。
【００３１】
導電層１１は、接地用配線、電力供給用配線又は信号用配線として機能するものであり、側面及び一主面が第２樹脂層１０ｂに接着するとともに他主面が基体７又は第１樹脂層１０ａに接着している。また、導電層１１は、一主面及び他主面の一部が貫通導体１２に接続されている。この導電層１１は、基体７上に形成された第１導電層１１ａと、第１樹脂層１０ａ上に形成された第２導電層１１ｂと、を含んでいる。
【００３２】
第１導電層１１ａは、図１（ｂ）に示すように、無電解めっき法を用いて基体７上に形成された無電解めっき層１３と、電解めっき法を用いて無電解めっき層１３上に形成された電解めっき層１４と、を含んでいる。第１導電層１１ａの厚みは、例えば８．５μｍ以上１０．５μｍ以下に設定されている。また、第１導電層１１ａの一主面Ｓ１（第２樹脂層１０ｂに接着した一主面）の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．１μｍ以上０．５μｍ以下に設定され、第１導電層１１ａの他主面Ｓ２（基体７に接着した他主面）の算術平均粗さは、例えば０．５μｍ以上２μｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さは、ＩＳＯ４２８７：１９９７に準ずる。
【００３３】
また、第１導電層１１ａの一主面Ｓ１の算術平均粗さ（Ｒａ）は、第１導電層１１ａの他主面Ｓ２の算術平均粗さよりも小さいことが望ましい。その結果、第１導電層１１ａの一主面Ｓ１の算術平均粗さを小さくすることによって、後述するように第１導電層１１ａとスパッタ層１６との接着強度を高めつつ、第１導電層１１ａの他主面Ｓ２の算術平均粗さを小さくすることによって、アンカー効果を高めて第１導電層１１ａと基体７との接着強度を高めることができる。
【００３４】
第１導電層１１ａの無電解めっき層１３は、基体７と電解めっき層１４との間に介されており、電解めっき層１４の下地層として機能するものである。無電解めっき層１３は、例えば銅によって形成されている。なお、無電解めっき層１３は、銅の他にリン、パラジウム又は錫等を含有していても構わない。無電解めっき層１３の厚みは、例えば０．３μｍ以上０．５μｍ以下に設定されている。
【００３５】
第１導電層１１ａの電解めっき層１４は、第１導電層１１ａの主要部をなすものであり、高導電率の材料である銅により形成されている。電解めっき層１４は、直流電解めっき法を用いて無電解めっき層１３上に形成された第１層１５ａと、反転電解めっき法を用いて第１層１５ａ上に形成された第２層１５ｂと、直流電解めっき法を用いて第２層１５ｂ上に形成された最外層をなす第３層１５ｃと、を含んでいる。電解めっき層１４の厚みは、例えば７．５μｍ以上１３μｍ以下に設定されている。なお、電解めっき層１４において、第１層１５ａ、第２層１５ｂ及び第３層１５ｃは、電解めっき層１４を厚み方向に沿って切断した断面を走査イオン顕微鏡によって結晶状態を観察することによって、区別することができる。
【００３６】
電解めっき層１４の第１層１５ａは、無電解めっき層１３と第２層１５ｂとの間に介されている。この第１層１５ａは、第２層１５ｂと比較して、下地層の表面に対して緻密に析出するため、無電解めっき層１３との接着強度が高い。また、第１層及び第２層１５ｂは、後述するように、連続的に電解めっき法で形成されるため、接着強度が高い。それ故、第１層１５ａによって、無電解めっき層１３と第２層１５ｂとの接着強度を高めることができるため、無電解めっき層１３と電解めっき層１４との剥離を低減し、ひいては導電層１１の断線を低減することができる。第１層１５ａの厚みは、例えば０．８μｍ以上１．２μｍ以下に設定されている。
【００３７】
電解めっき層１４の第２層１５ｂは、電解めっき層１４の主要部をなすものである。この第２層１５ｂは、直流電解めっき層と比較して、後述するように、均一の厚みで形成しやすい。それ故、第２層１５ｂによって、導電層１１の厚みをより均一にすることができ、ひいては導電層１１の厚みのばらつきに起因した導電層１１の断線を低減することができる。第２層１５ｂの厚みは、例えば５．５μｍ以上６．５μｍ以下に設定されている。
【００３８】
電解めっき層１４の第３層１５ｃは、第１導電層１１ａの一主面Ｓ２を構成し、貫通導体１２が接続される部材である。この第３層１５ｃは、第２層１５ｂと比較して、結晶粒径が大きく、結晶粒界が少ないことから、展延性が高いため、クラックが生じにくい。それ故、導電層１１の一主面に応力が印加された場合に、第３層１５ｃによって、導電層１１のクラックを低減し、ひいては導電層１１の断線を低減することができる。第３層１５ｃの厚みは、例えば１．５μｍ以上２．５μｍ以下に設定されている。
【００３９】
第２導電層１１ｂは、スパッタリング法を用いて第１樹脂層１０ａ上に形成されたスパッタ層１６と、電解めっき法を用いてスパッタ層１６上に形成された電解めっき層１４と、を含んでいる。第２導電層１１ｂの厚みは、例えば４．５μｍ以上６．５μｍ以下に設定されている。また、第２導電層１１ｂの一主面Ｓ３（第２樹脂層１０ｂに接着した一主面）の算術平均粗さは、例えば０．１μｍ以上２μｍ以下に設定され、第２導電層１１ｂの他主面Ｓ４（第１樹脂層１０ａに接着した他主面）の算術平均粗さは、例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下に設定されている。
【００４０】
第２導電層１１ｂのスパッタ層１６は、第１樹脂層１０ａと電解めっき層１４との間に介されており、電解めっき層１４の下地層として機能するものである。このように下地層をスパッタ層１６とすることによって、下地層を無電解めっき層１３とした場合と比較し
て、第１樹脂層１０ａを粗化することなく、第１樹脂層１０ａとの接着強度が高い下地層を形成することができる。それ故、第１樹脂層１０ａを粗化しないことによって、配線層６にて第２導電層１１ｂを微細化することができる。このスパッタ層１６は、図２に示すように、スパッタリング法を用いて第１樹脂層１０ａ上に形成された第１スパッタ層１６ａと、スパッタリング法を用いて第１スパッタ層１６ａ上に形成された第２スパッタ層１６ｂと、を含んでいる。また、スパッタ層１６の厚みは、例えば０．５５μｍ以上０．６μｍ以下に設定されている。
【００４１】
第１スパッタ層１６ａは、第１樹脂層１０ａに接着するものであり、例えばニッケルクロム合金又はチタン等の導電材料によって形成されている。このような導電材料によって第１スパッタ層１６ａが形成されていることから、第１スパッタ層１６ａと熱可塑性樹脂からなる第１樹脂層１０ａとの接着強度は高い。それ故、第１スパッタ層１６ａによって、第１樹脂層１０ａとスパッタ層１６との接着強度を高めることができる。なお、第１スパッタ層１６ａの厚みは、例えば０．０７μｍ以上０．０８μｍ以下に設定されている。
【００４２】
第２スパッタ層１６ｂは、第１スパッタ層１６ａと電解めっき層１４との間に介されており、銅によって形成されている。このように電解めっき層１４と同一材料である銅によって第２スパッタ層１６ｂが形成されていることから、第２スパッタ層１６ｂと電解めっき層１４との接着強度を高い。また、第１スパッタ層１６ａ及び第２スパッタ層１６ｂは、後述するようにスパッタ法によって連続的に形成されているため、接着強度が高い。したがって、第２スパッタ層１６ｂによって、スパッタ層１６と電解めっき層１４との接着強度を高めることができる。なお、第２スパッタ層１６ｂの厚みは、例えば０．４８μｍ以上０．５２μｍ以下に設定されている。
【００４３】
第２導電層１１ｂの電解めっき層１４は、上述した第１導電層１４ａの電解めっき層１４と同様に、第１層１５ａ、第２層１５ｂ及び第３層１５ｃを含んでいる。
【００４４】
第２導電層１１ｂにおける第２層１５ｂの厚みは、第１導電層１１ａにおける第２層１５ｂの厚みよりも小さい。その結果、第１導電層１１ａにおける第２層１５ｂの厚みを大きくすることによって、第１導電層１１ａと同時に形成するスルーホール導体８の厚みを大きくして信頼性を高めつつ、第２導電層１１ｂにおける第２層１５ｂの厚みを大きくすることによって、第２導電層１１ｂの厚みを小さくして配線部６にて配線密度を高めることができる。第２導電層１１ｂにおける第２層１５ｂの厚みは、例えば１．５μｍ以上２．５μｍ以下に設定されており、第１導電層１１ａにおける第２層１５ｂの厚みの例えば３０％以上４０％以下に設定されている。
【００４５】
第２導電層１１ｂの電解めっき層１４の他の構成は、第２導電層１１ｂの電解めっき層１４の構成と同様である。
【００４６】
貫通導体１２は、厚み方向に離間した導電層１１同士を接続するものであり、コア基板５に向って幅狭となるテーパー状に形成されており、貫通孔Ｐの底面にて、導電層１１と接続されている。この貫通導体１２は、貫通孔Ｐの内壁上及び底面上に形成されたスパッタ層１６と、該スパッタ層１６層上に形成された電解めっき層１４と、を含んでいる。貫通導体１２のスパッタ層１６及び電解めっき層１４は、第２導電層１１ｂのスパッタ層１６及び電解めっき層１４と同様の構成を有する。
【００４７】
ところで、配線基板に熱が印加された場合、熱応力が導電層１１と貫通導体１２との接続箇所に印加されやすい。
【００４８】
一方、本実施形態の配線基板３においては、貫通導体１２は、導電層１１の第３層１５
ｃ上に接続されている。その結果、第３層１５ｃは、上述したように、展延性が高いため、熱応力が導電層１１と貫通導体１２との接続箇所に印加された場合に、該熱応力に起因した導電層１１のクラックを低減することができる。したがって、導電層１１の断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【００４９】
第３層１５ｃの厚みは、第１層１５ａの厚みよりも大きいことが望ましい。その結果、第３層１５ｃの厚みを大きくすることによって、導電層１１の上面の強度をより高めることができるため、熱応力に起因した導電層１１のクラックを低減することができ、ひいては導電層１１の断線を低減することができる。また、第１層１５ａの厚みを小さくすることによって、直流電解めっき層に起因した導電層１１の厚みのばらつきを低減し、ひいては導電層１１の断線を低減することができる。なお、第３層１５ｃの厚みは、第１層１５ａの厚みの例えば１．５倍以上２．５倍以下に設定されている。
【００５０】
また、第１層１５ａ及び第３層１５ｃの厚みは、第２層１５ｂの厚みよりも小さいことが望ましい。その結果、導電層１１における第２層１５ｂの占める割合（体積％）を高めることができるため、導電層１１の厚みのばらつきを低減し、ひいては導電層１１の断線を低減することができる。なお、第１導電層１１において、第１層１５ａの厚みは、第２層１５ｂの厚みの例えば１０％以上２０％以下に設定されており、第３層１５ｃの厚みは、第２層１５ｂの厚みの例えば３５％以上４５％以下に設定されている。また、第２導電層１１において、第１層１５ａの厚みは、第２層１５ｂの厚みの例えば４５％以上５５％以下に設定されており、第３層１５ｃの厚みは、第２層１５ｂの厚みの例えば７５％以上１２５％以下に設定されている。
【００５１】
かくして、上述した実装構造体１は、配線基板４を介して供給される電源や信号に基づいて電子部品２を駆動若しくは制御することにより、所望の機能を発揮する。
【００５２】
次に、上述した実装構造体１の製造方法を、図３から図７に基づいて説明する。
【００５３】
（１）図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、基体７を形成し、該基体７にスルーホールＴを形成する。具体的には、例えば、以下のように行う。
【００５４】
まず、未硬化の熱硬化性樹脂を含む樹脂シートを複数積層し、該積層体を加熱加圧して、熱硬化性樹脂を硬化させることにより、基体７を作製する。なお、未硬化は、ＩＳＯ４７２：１９９９に準ずるＡ−ステージ又はＢ−ステージの状態である。次に、例えば、ドリル加工やレーザー加工等により、基体７を厚み方向に貫通したスルーホールＴを形成する。
【００５５】
（２）図３（ｃ）に示すように、スルーホールＴ内にスルーホール導体８を形成するとともに、基体７上に第１導電層１１ａを形成した後、図３（ｄ）に示すように、スルーホール導体８の内部に樹脂材料を充填して絶縁体９を形成する。スルーホール導体８及び第１導電層１１ａは、具体的には、例えば以下のように形成する。
【００５６】
まず、図４（ａ）に示すように、無電解めっき法を用いて、基体７の両主面及びスルーホールＴの内壁に銅を被着させることによって、無電解めっき層１３を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、基体７の両主面にて、下地層である無電解めっき層１３上に部分的に電解めっき層１４を形成する。次に、図４（ｃ）にて、過酸化水素水及び硫酸水溶液の混合液、又は、塩酸、硝酸及び塩化鉄水溶液の混合液等のエッチング液を用いて、電解めっき層１４から露出した無電解めっき層１３の一部を厚み方向に沿ってエッチングすることによって、第１導電層１１ａ及びスルーホール導体８を形成することができる。
【００５７】
以下、本実施形態の電解めっき層１４の形成方法について、詳細に説明する。
【００５８】
まず、直流の電流を用いた直流電解めっき法によって、無電解めっき層１３上に部分的に銅を被着させて、第１層１５ａを形成する。次に、電流の流れる方向を交互に反転された反転電解めっき法（ＰＲ法：periodic reverse electroplating）によって、第１層１
５ａ上に銅を被着させて、第２層１５ｂを形成する。次に、直流電解めっき法によって、第２層１５ｂ上に銅を被着させて、第３層１５ｃを形成する。
【００５９】
直流電解めっき法においては、図５（ａ）に示すように、下地層がカソードとなる方向Ｄ１に略一定の電流を流している。それ故、第１層１５ａ及び第３層１５ｃは、銅の結晶が連続的に成長するため、銅の結晶が断続的に成長する第２層１５ｂと比較して、結晶が大きく成長することから、結晶粒界の形成領域が少ない。したがって、第１層１５ａ及び第３層１５ｃは、第２層１５ｂと比較して、応力が印加された際に、結晶粒界に起因したクラックが低減するため、クラックが生じにくい。なお、直流電解めっき法において、電流密度は、例えば０．５Ａ/ｄｍ２以上２Ａ/ｄｍ２以下に設定されている。また、第１層１５ａを形成する際に電流を流す時間（以下、ｔ１という）は、例えば２分以上１０分以下に設定されている。また、第３層１５ｃを形成する際に電流を流す時間（以下、ｔ２という）は、例えば６分以上２７分以下に設定されている。また、ｔ１は、ｔ２よりも長く設定されており、ｔ２の例えば２倍以上５倍以下に設定されている。
【００６０】
また、反転電解めっき法においては、図５（ｂ）に示すように、直流の電流の流れる方向を周期的に交互に反転させている。具体的には、まず、下地層がカソードとなる方向Ｄ１に電流を流すことによって、めっき液の銅イオンを還元して銅を下地層に被着させる。次に、電流の流れる方向を反転させて、下地層がアノードとなる方向Ｄ２に電流を流すことによって、下地層の銅を酸化させて銅イオンを下地層からめっき液に溶出させる。次に、この電流の方向の反転を周期的に交互に行う。この際、下地層がカソードである際の電流密度とパルス幅との積の値を、下地層がアノードである際の電流密度とパルス幅との積の値よりも大きくすることによって、銅の被着量が銅イオンの溶出量よりも大きくなるため、第２層１５ｂを形成することができる。
【００６１】
ここで、下地層をアノードとする際の電流密度を、下地層をカソードとする際の電流密度より高くするとともに、下地層をアノードとある際のパルス幅を、下地層をカソードとする際のパルス幅より短くする。これにより、下地層がアノードである際に、銅の厚みが大きい部位における銅イオンの溶出を高めることができる。それ故、下地層がカソードである際にスルーホールの開口部等にて電流密度が高くなって下地層に被着した銅の厚みにばらつきが生じたとしても、下地層をアノードである際に、銅の厚みが大きい部位にて銅イオンを多く溶出させることによって、下地層に被着した銅の厚みのばらつきを低減することができる。したがって、第２層１５ｂは、第１層１５ａ及び第３層１５ｃと比較して、厚みが均一となるように形成することができる。
【００６２】
反転電解めっき法において、下地層がアノードである際の電流密度は、例えば１Ａ/ｄ
ｍ２以上５Ａ/ｄｍ２以下に設定され、下地層がカソードである際の電流密度は、例えば
０．５Ａ/ｄｍ２以上２Ａ/ｄｍ２以下に設定される。また、反転電解めっき法において、下地層がアノードである際のパルス幅は、例えば０．５ｍｓ以上３ｍｓ以下に設定され、下地層がカソードである際のパルス幅は、例えば１０ｍｓ以上３０ｍｓ以下に設定される。
【００６３】
以上のようにして、第１層１５ａと第２層１５ｂと第３層１５ｃとからなり、第３層１５ｃが露出した一主面を有する電解めっき層１４を形成することができる。このように形成した電解めっき層１４は、第１層１５ａによって、下地層である無電解めっき層１３と
の接着強度を高め、第２層１５ｂによって、厚みをより均一なものとして平坦性を高め、第３層１５ｃによって、露出した一主面の結晶粒界の形成領域を低減することができる。
【００６４】
ところで、エッチング液を用いて、電解めっき層１４から露出した無電解めっき層１３の一部を厚み方向に沿ってエッチングする際に、電解めっき層１４の露出した一主面は、エッチング液に浸漬される。その結果、エッチング液が結晶粒界を他の領域よりも多くエッチングするため、結晶粒界には凹部が形成されやすい。
【００６５】
一方、本実施形態の配線基板４の製造方法においては、上述したように、第３層１５ｃによって、電解めっき層１４の露出した一主面の結晶粒界の形成領域を低減しているため、エッチング液による凹部を低減することができ、ひいては露出した一主面の凹部が低減された平坦性の高い第１導電層１１ａを形成することができる。
【００６６】
（３）図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１導電層１１ａ上に絶縁層１０を形成し、該絶縁層１０に貫通孔Ｐを形成する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００６７】
まず、未硬化の熱硬化性樹脂を含む第２樹脂層１０ｂを介して、フィルム状の第１樹脂層１０ａを第１導電層１１ａの第３層１５ｃ上に配置した後、コア基板７、第２樹脂層１０ｂ及び第１樹脂層１０ａを加熱加圧して第２樹脂層１０ｂの熱硬化性樹脂を硬化させることにより、第１導電層１１ａの第３層１５ｃ上に絶縁層１０を形成する。次に、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置により、絶縁層１０に貫通孔Ｐを形成し、貫通孔Ｐの底面に第１導電層１１ａの第３層１５ｃを露出させる。この露出した第３層１５ｃは、図７（ａ）に示すように、貫通孔Ｐの底面に露出した第１導電層１１ａの一主面をなす。
【００６８】
（４）図７（ｂ）に示すように、スパッタリング装置を用いて、第１樹脂層１０ａ上と貫通孔Ｐの内壁上及び底面上とに第１スパッタ層１６ａ、第２スパッタ層１６ｂを順次被着させて、スパッタ層１６を形成する。
【００６９】
ここで、本実施形態の配線基板４の製造方法においては、貫通孔Ｐの底面に露出した第１導電層１１ａの一主面は、（２）の工程にて、エッチング液による凹部が低減されている。その結果、貫通孔Ｐの底面に露出した第１導電層１１ａの一主面において、より多くの領域をスパッタ層１６によって被覆することができるため、第１導電層１１ａとスパッタ層１６との接着強度を高め、第１導電層１１ａとビア導体１２との断線を低減し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板４を得ることができる。
【００７０】
（５）図８（ａ）に示すように、下地層であるスパッタ層１６上に部分的に電解めっき層１４を形成し、電解めっき層１４の間に露出したスパッタ層１６の一部を厚み方向に沿ってエッチングすることによって、貫通孔Ｐ内に貫通導体１２を形成するとともに第１樹脂層１０ａ上に第２導電層１１ｂを形成する。具体的には、（２）の工程と同様に行うことができる。
【００７１】
（６）図８（ｂ）に示すように、上述した（３）乃至（５）の工程を繰り返すことにより、配線層６を形成し、配線基板４を作製することができる。
【００７２】
（７）配線基板４にバンプ３を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００７３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００７４】
例えば、上述した本発明の実施形態においては、３層の絶縁層により配線層を形成したが、絶縁層は１層、２層又は４層以上であっても構わない。
【００７５】
また、上述した実施形態においては、第１樹脂層及び第２樹脂層の双方を有する絶縁層を用いたが、絶縁層は、第２樹脂層のみによって形成されていても構わないし、他の樹脂層によって形成されていても構わない。
【００７６】
また、上述した実施形態においては、第１導電層及び第２導電層の双方に第３層を形成したが、第１導電層又は第２導電層のいずれか一方のみに第３層を形成しても構わない。
【００７７】
また、上述した実施形態においては、貫通導体が電解めっき層によって充填されていたが、貫通導体は電解めっき層によって充填されていなくてもよく、該電解めっき層が被膜状に形成されていても構わない。
【００７８】
また、上述した実施形態においては、電解めっき層の下地層として無電解めっき層及びスパッタ層を用いたが、下地層は、電解めっき層の下地として機能するものであればよく、例えばスパッタリング法以外の蒸着法等により形成しても構わない。
【００７９】
また、上述した実施形態においては、スパッタ層が第１スパッタ層及び第２スパッタ層の双方を有していたが、スパッタ層は第１スパッタ層又は第２スパッタ層のいずれか一方のみを有していても構わない。
【符号の説明】
【００８０】
１                実装構造体
２                電子部品
３                配線基板
４                バンプ
５                コア基板
６                配線層
７                基体
８                スルーホール導体 
９                絶縁体
１０              絶縁層
１０ａ            第１樹脂層
１０ｂ            第２樹脂層
１１              導電層
１１ａ            第１導電層
１１ｂ            第２導電層
１２              貫通導体
１３              無電解めっき層
１４              電解めっき層
１５ａ            第１層
１５ｂ            第２層
１５ｃ            第３層
１６              スパッタ層
１６ａ            第１スパッタ層
１６ｂ            第２スパッタ層
Ｔ                スルーホール
Ｐ                貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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