(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上に基準マークを形成し、前記基準マークを使用して、前記試料上の関心領域の位置を突き止める方法であって、
試料上の、前記試料上の関心領域に隣接した位置に、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックを付着させ、
前記材料ブロックの少なくとも２つの露出した面に、荷電粒子ビームを使用して所定のパターンをミリングする
ことによって基準マークを形成するステップと、
前記基準マークを形成した後に、前記基準マークの位置を検出することによって、前記関心領域の位置を検出するステップと、
前記関心領域の位置を検出した後に、荷電粒子ビームを使用して、前記関心領域を画像化またはミリングするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記基準マークの位置を検出することが、
前記試料の表面の少なくとも一部分を荷電粒子ビームを使用して画像化すること、および
前記試料の前記一部分の画像中の前記基準マークの前記所定のパターンを検出すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料の前記一部分の画像中の前記基準マークの前記所定のパターンが、画像認識ソフトウェアによって自動的に検出される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされる、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
付着させた前記材料ブロックを、荷電粒子ビームによって、少なくとも２つの次元で画像化またはミリングすることが可能である、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも２つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に、前記基準マークが配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
画像化が電子ビームによって実行され、ミリングが集束イオン・ビームによって実行される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークであって、
試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、
前記材料ブロックの少なくとも２つの露出した面にミリングされた所定のパターンと
を含む基準マーク。
【請求項１０】
最大寸法が１００マイクロメートル（１００μｍ）以下である、請求項９に記載の基準マーク。
【請求項１１】
最大寸法が１０マイクロメートル（１０μｍ）以下である、請求項９または１０に記載の基準マーク。
【請求項１２】
最大寸法が１マイクロメートル（１μｍ）以下である、請求項９から１１のいずれか一項に記載の基準マーク。
【請求項１３】
前記材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載の基準マーク。
【請求項１４】
前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされた、請求項９から１３のいずれか一項に記載の基準マーク。
【請求項１５】
少なくとも２つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に配置された、請求項９から１４のいずれか一項に記載の基準マーク。
【請求項１６】
付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項９から１５のいずれか一項に記載の基準マーク。
【請求項１７】
少なくとも１つの荷電粒子ビームと、
試料ステージと、
前記試料ステージ上に配置された試料と、
前記試料上に配置された基準マークと
を備え、前記基準マークが、
試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、前記試料の表面から前記試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、
前記材料ブロックの少なくとも２つの露出した面にミリングされた所定のパターンと
を含むシステム。
【請求項１８】
前記基準マークの最大寸法が１００マイクロメートル（１００μｍ）以下である、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記基準マークの最大寸法が１０マイクロメートル（１０μｍ）以下である、請求項１７または１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記基準マークの最大寸法が１マイクロメートル（１μｍ）以下である、請求項１７から１９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２１】
前記材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む、請求項１７から２０のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２２】
前記基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、前記基準マークが、前記材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが前記基準マークにミリングされた、請求項１７から２１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２３】
少なくとも２つの荷電粒子ビームによって前記基準マークを同時に画像化することができる位置に、前記基準マークが配置された、請求項１７から２２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２４】
付着させた前記材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である、請求項１７から２３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２５】
試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークを前記試料上に形成する方法であって、
前記試料を画像化位置から実質的に９０度回転させるステップと、
前記試料を前記画像化位置から実質的に９０度回転させた後に、前記試料の表面に対して垂直でないある角度で前記試料の表面に向かって導かれた荷電粒子ビームを使用して、前記関心領域上または前記関心領域の近くに材料ブロックを付着させるステップと、
前記材料ブロックを付着させた後、前記関心領域の位置を検出する前に、前記試料を実質的に９０度回転させて、前記試料をその最初の位置に戻すステップと
を含む方法。
【請求項２６】
前記荷電粒子ビームが走査電子顕微鏡の電子ビームであり、前記電子ビームが、前記試料の表面に対して直角でないある角度で前記試料の表面に導かれる、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記基準マークを形成した後に、前記基準マークの位置を突き止めることによって前記関心領域の位置を突き止めるステップと、前記関心領域に向かって集束イオン・ビームを導くステップとをさらに含み、前記集束イオン・ビームが、前記試料の表面に対して実質的に直角なある角度で前記試料の表面に導かれる、請求項２６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム画像化および荷電粒子ビーム・ミリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム、レーザ・ビームおよび中性粒子ビームは、半導体回路の製造、マイクロエレクトロメカニカル・アセンブリの製造など、さまざまなマイクロファブリケーション用途で使用されている。用語「マイクロファブリケーション」の使用は、ナノファブリケーション・プロセスを含む、寸法が数十ミクロン以下の構造物の形成および改変を含む。試料の「処理」は、その試料上での構造物のマイクロファブリケーションを指す。製造する構造物が小さければ小さいほど、ビームをより正確に導くことが必要になる。
【０００３】
ビームの位置を正確に決める１つの方法は、試料上の、関心領域の近くに、フィデューシャル（ｆｉｄｕｃｉａｌ）、すなわち基準マークを配置またはミリングし、その基準マークに対してビームの位置を相対的に決める方法である。用語基準マークの使用は、広く、任意のタイプの基準マークを含む。最初に、ビームを導いて基準マークを画像化し、所望の位置からの初期のずれを決定する。続いて、そのビームを定期的に導いて基準マークを画像化し、基準マークの観察された座標と基準マークの元の座標との間のずれを決定することによって、ビームの位置を、所望の位置に対して補正する。次いで、そのずれをビーム位置決め命令に追加し、ビームが所望の位置に当たるようにする。
【０００４】
図１Ａは、関心領域１０２と基準マーク１０４とを含む試料１００の上面図である。関心領域１０２は、画像化操作またはミリング操作が実行される試料１００の部分である。例えば、試料１００は半導体ウェーハを含み、関心領域１０２は、その特徴部分が仕様の範囲内で製造されたかどうかを確認するために、走査電子顕微鏡または集束イオン・ビームによって画像化される特定の集積回路特徴部分を含む。一般に、試料の表面の多くの異なる特徴部分の中から関心領域の位置を迅速にかつ容易に突き止めることができるように、試料の表面の関心領域１０２の近くに、荷電粒子ビームを使用して、基準マーク１０４がミリングされる。続いて試料１００の表面に対して垂直な角度で画像化したときに（すなわち「トップダウン図（ｔｏｐ  ｄｏｗｎ  ｖｉｅｗ）」において）、機器のオペレータ（またはその機器を制御する自動化ソフトウェア）は、基準マーク１０４を、関心領域１０２よりも容易にまたはより迅速に識別することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，８５１，４１３号明細書
【特許文献２】米国特許第５，４３５，８５０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、試料１００の上面に対して垂直でない角度で基準マーク１０４を画像化するときには、基準マーク１０４がより識別しにくくなる。試料１００の上面に対してほぼ平行な角度では、基準マーク１０４を全く識別できないこともある。試料１００の上面とは、試料１００を保持した試料ステージと接触した表面とは反対側の表面である。図１Ｂは試料１００の側面図であり、この図では、基準マーク１０４を見ることができない。画像化するためのビームまたはミリングするためのビームの位置決めをこの角度で実行するためには、第２の基準マークが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態は、試料上に基準マークを形成し、その基準マークを使用して、試料上の関心領域の位置を突き止める方法を対象とする。この方法の実施形態は、試料上の、試料上の関心領域に隣接した位置に、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックを付着させ、その材料ブロックの少なくとも２つの露出した面に、荷電粒子ビームを使用して所定のパターンをミリングすることによって基準マークを形成するステップと、基準マークを形成した後に、基準マークの位置を検出することによって、関心領域の位置を検出するステップと、関心領域の位置を検出した後に、荷電粒子ビームを使用して、関心領域を画像化またはミリングするステップとを含む。
【０００８】
本発明の実施形態はさらに、少なくとも１つの荷電粒子ビームと、試料ステージと、試料ステージ上に配置された試料と、試料上に配置された基準マークとを備えるシステムを対象とする。この基準マークは、試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、材料ブロックの少なくとも２つの露出した面にミリングされた所定のパターンとを含む。
【０００９】
本発明の実施形態はさらに、試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークを試料上に形成する方法を対象とする。この方法の実施形態は、試料を画像化位置から実質的に９０度回転させるステップと、試料を画像化位置から実質的に９０度回転させた後に、試料の表面に対して垂直でないある角度で試料の表面に向かって導かれた荷電粒子ビームを使用して、関心領域上または関心領域の近くに材料ブロックを付着させるステップと、材料ブロックを付着させた後、関心領域の位置を検出する前に、試料を実質的に９０度回転させて、試料をその最初の位置に戻すステップとを含む。
【００１０】
以上では、以下の本発明の詳細な説明をより十分に理解できるように、本発明の特徴および技術上の利点をかなり広く概説した。以下では、本発明の追加の特徴および利点を説明する。開示される着想および特定の実施形態を、本発明の同じ目的を達成するために他の構造を変更または設計するベースとして容易に利用することができることを当業者は理解すべきである。さらに、このような等価の構造は、添付の特許請求の趣旨および範囲に記載された本発明の範囲を逸脱しないことを当業者は理解すべきである。
【００１１】
次に、本発明および本発明の利点のより完全な理解のため、添付図面に関して書かれた以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】関心領域１０２と基準マーク１０４とを含む試料１００の上面図である。
【図１Ｂ】試料１００の側面図である。
【図２Ａ】関心領域２０２と３次元基準マーク２０４とを含む試料２００の上面図である。
【図２Ｂ】３次元基準マーク２０４を含む試料２００の側面図である。
【図３】本発明の１つまたは複数の実施形態に基づく３Ｄ基準マークの等角図である。
【図４】３次元基準マークを形成する方法を示す流れ図である。
【図５】３次元基準マークを使用して試料上の関心領域の位置を突き止める方法を示す流れ図である。
【図６】本発明の１つまたは複数の実施形態に基づく典型的な３Ｄ基準マークの顕微鏡写真である。
【図７】本発明の１つまたは複数の実施形態に基づく典型的な３Ｄ基準マークの顕微鏡写真である。
【図８】荷電粒子ビームをｘ軸方向に掃引（ｓｗｅｅｐ）することによって形成された３Ｄ基準マークの「ｘ方向」の側面図である。
【図９】荷電粒子ビームを図８のｘ軸方向に掃引することによって形成された３Ｄ基準マークの「ｙ方向」の側面図である。
【図１０】直角でない付着プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する３Ｄ基準マークに対する補正方法を示す流れ図である。
【図１１】本発明の好ましい実施形態を実施する目的に使用することができる典型的なデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＥＭシステム１１１０を示す図である。
【図１２】画像化位置にある、関心領域８０１を含む試料８００の平面図である。
【図１３】基準マークを付着させる前に画像化位置から付着位置へ９０度回転させた試料８００の平面図である。
【図１４】付着した基準マーク８０４を含む、付着位置にある試料８００の平面図である。
【図１５】付着した基準マーク８０４を含む、回転させて画像化位置に戻した試料８００の平面図である。
【図１６】ＳＥＭカラム１６０６が試料１６０２の表面に対して直角でなく、ＦＩＢカラム１６０４が試料１６０２の表面に対して直角な、デュアル・ビーム・システム１６００の平面図である。
【図１７】ＳＥＭカラム１６０６が試料１６０２の表面に対して直角でなく、ＦＩＢカラム１６０４が試料１６０２の表面に対して直角な、デュアル・ビーム・システム１６００の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態は、２つ以上のビーム位置またはステージ位置を含む画像化操作およびミリング操作を自動化するために必要な正確なビーム配置を提供する基準マークを対象とする。この基準マークは、試料の表面の上方へ、３つの次元に沿った検出可能なある大きさで広がる。３次元（「３Ｄ」）基準マークは、異なる角度から同時に認識することができる単一の基準点である。このような３Ｄ基準マークは例えば、電子ビームとイオン・ビームとを含む、本出願の譲受人である、米オレゴン州ＨｉｌｌｓｂｏｒｏのＦＥＩ  Ｃｏｍｐａｎｙから販売されているＤｕａｌＢｅａｍ（商標）機器群などのデュアル・ビーム・システムで使用することができる。３Ｄ基準マークは、電子ビーム画像認識とイオン・ビーム画像認識の両方に対して使用することができ、それにより必要な可動部品の数がより少なくなるため、手順が単純になる。しかしながら、３Ｄ基準マークはデュアル・ビーム・システムだけに限定されず、単一ビーム・システムと多ビーム・システムの両方で使用することができる。３Ｄ基準マークは、いずれもＦＥＩ  Ｃｏｍｐａｎｙから販売されている自動化されたＳｌｉｃｅ  ａｎｄ  Ｖｉｅｗ（商標）機器ならびにＡｕｔｏＴＥＭ（商標）ソフトウェアおよびｉＦＡＳＴ（商標）ソフトウェアを使用する機器を含む、画像認識を必要とする任意の自動操作に対しても使用することができる。
【００１４】
３Ｄ基準マークは、試料上の、関心領域の近くに材料ブロックを付着させ、次いで材料ブロックの上面および側面に固有のパターンをミリングすることによって構築される。それらのパターンは、画像認識を可能にする、背景のブロック材料とははっきりと異なる輝度値およびコントラスト値を有する。この基準マークは、ユーセントリック（ｅｕｃｅｎｔｒｉｃ）な位置またはユーセントリックな高さで、１つまたは複数のビームから、ならびにさまざまなステージ傾斜位置およびステージ回転位置から認識することができる。ユーセントリックな高さとは、試料を傾けても試料の像が横方向に移動しない試料の高さである。３Ｄ基準マークは、ほぼ垂直な平面上での画像認識を使用して、ＦＩＢによる切削を配置することを可能にする。伝統的に、入射ビームに対する画像および切削の配置は、トップダウン型の基準マークを使用して実行されてきた。平面を掘り下げている間、ＦＩＢはほぼ垂直にその平面を見ているため、この先行技術のトップダウン法では、かすめ角（すなわちミリング中または画像化中の試料の表面に対してほぼ平行な角度）でミリングすることはできない。例えば、一段高い白金パッドの上面および側面に、基準マークを切削し、それによって、このかすめ角からのイオン・ビーム画像認識を可能にすることができる。予め４５°に傾けられたスタブ（ｓｔｕｂ）の使用は、そのたの複数の角度からのビーム画像認識を可能にする。
【００１５】
３Ｄ基準マークは、基準マークが必要な自動化されたどの用途でも使用することができる。自動化のために１つまたは複数のビームおよび１つまたは複数のステージ位置が必要なとき、３Ｄ基準マークは、単一の基準点による解決策を提供する。３Ｄ基準マークは、走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）および透過型走査電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）、ならびに集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムを使用した画像化およびミリングなどの荷電粒子ビーム用途において特に有用である。
【００１６】
次に図面を参照する。図２Ａは、関心領域２０２と３Ｄ基準マーク２０４とを含む試料２００の上面図である。図２Ｂは、３Ｄ基準マーク２０４を含む試料２００の側面図である。関心領域２０２は、画像化操作またはミリング操作が実行される試料２００の一部分である。試料２００は、限定はされないが、集積回路特徴部分を含む半導体ウェーハ、固定された生物試料、または透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）試料を調製するためのバルク材料を含むことができる。例えば、試料２００は半導体ウェーハを含み、関心領域２０２は、その特徴部分が仕様の範囲内で製造されたかどうかを確認するために走査電子顕微鏡または集束イオン・ビームによって画像化される特定の集積回路特徴部分を含む。このような用途では、関心領域２０２の最大寸法が１マイクロメートル（１μｍ）未満であることがある。本発明の一実施形態では、３Ｄ基準マーク２０４の最大寸法が１００μｍ以下である。本発明の他の実施形態では、３Ｄ基準マーク２０４の最大寸法が１０μｍ以下である。本発明の他の実施形態では、３Ｄ基準マーク２０４の最大寸法が１μｍ以下である。
【００１７】
３Ｄ基準マーク２０４は、画像化またはミリングされる試料の表面の上方へ、３つの次元に沿った検出可能なある大きさで広がる。本明細書で使用する用語「〜の上方へ」は、試料材料の内部から試料材料のない空間に向かう方向へ広がっていることを意味する。用語「検出可能な」は、荷電粒子ビーム・システムを使用して分析することができることを意味する。３Ｄ基準マーク２０４は、試料の表面の上方へ、３つの次元に沿った検出可能なある大きさで広がっているため、３Ｄ基準マーク２０４は、試料２００に向かって導かれた荷電粒子ビームによって、試料２００の上面と実質的に同じ面の基準マークまたは試料２００の表面から内部へミリングされた基準マークよりもはるかに広い範囲の一組の角度で見ることができる。荷電粒子ビームには、限定はされないが、電子ビーム、イオン・ビームおよびレーザ・ビームが含まれる。３Ｄ基準マーク２０４は、試料２００の上面に対して垂直な角度（９０度）、試料２００の上面と共面をなす角度（０度）、または試料２００の上面に対して０度から９０度の間の任意の角度から見ることができる。３Ｄ基準マーク２０４は、試料２００の上面の平面の上方へ検出可能なある大きさで広がっているため、試料２００の上面に近いかすめ角で導かれた荷電粒子ビーム、例えば１０度未満の角度で導かれた荷電粒子ビームは、３Ｄ基準マーク２０４の識別可能な画像をより容易に形成することができる。
【００１８】
３Ｄ基準マーク２０４は、所定のパターン２０６などの固有の所定のパターンを３Ｄ基準マーク２０４の少なくとも２つの露出した面に有するようにミリングされることが好ましい。３Ｄ基準マーク２０４の画像認識および位置検出を容易にするため、所定のパターン２０６は、背景のブロック材料とははっきりと異なる輝度値およびコントラスト値を有するようにミリングされる。本発明の好ましい実施形態では、試料２００の表面に荷電粒子ビームを導くことによって形成された画像を分析することによって、画像認識ソフトウェアが、３Ｄ基準マーク２０４の位置を自動的に突き止める。３Ｄ基準マーク２０４の少なくとも２つの面に所定のパターンを配置すると、ステージのさまざまな傾斜位置および回転位置において、３Ｄ基準マーク２０４を、２つ以上の荷電粒子ビームによって同時に画像化することができる。
【００１９】
図３は、本発明の１つまたは複数の実施形態に基づく３Ｄ基準マーク２０４の３次元図である。３Ｄ基準マーク２０４は、試料２００上の関心領域２０２に実質的に隣接して配置される。３Ｄ基準マーク２０４は、３つの次元（ｘ、ｙ、ｚ）に沿った検出可能なある大きさで広がる。３Ｄ基準マーク２０４は、荷電粒子ビームによって、これらの３つの次元のうちの少なくとも２つの次元内で画像化またはミリングすることができる。例えば、荷電粒子ビームが、ｙ方向に、試料２００の表面に対して平行に導かれる場合、３Ｄ基準マーク２０４は、少なくともｘｚ平面で見ることができる。試料１００の表面にミリングされたマークである先行技術の基準マークは、試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がっていないため、試料２００の表面に対してほぼ平行な角度からは全く見えないかまたはわずかにしか見えず、このことは、先行技術の基準マークの位置を検出すること、特に自動画像認識ソフトウェアが先行技術の基準マークの位置を検出することを困難にまたは不可能にする。
【００２０】
図４は、３次元基準マークを形成する方法を示す流れ図である。試料２００上の関心領域２０２に隣接した位置に材料ブロックを付着させることによって３Ｄ基準マーク２０４を形成する（ステップ４０４）。この材料ブロックは、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がるように付着させる。この材料ブロックは、画像化中またはミリング中の試料の表面と共面をなす角度と画像化中またはミリング中の試料の表面に対して垂直な角度との間の一組の角度のうちのある角度で導かれた荷電粒子ビームによって、少なくとも２つの次元内で画像化またはミリングすることができるように付着させる。試料上に付着物を形成する任意の方法を使用することができる。例えば、荷電粒子ビームの存在下での前駆体ガスの分解を使用して、試料２００上に材料ブロックを付着させることができる。次いで、荷電粒子ビームを使用して、材料ブロックの少なくとも２つの露出した面に所定のパターンをミリングする（ステップ４０６）。形成された基準マークは、所定のパターンを有するようにミリングされた材料ブロックを含む。
【００２１】
図５は、３次元基準マークを使用して試料上の関心領域の位置を突き止める方法を示す流れ図である。図４に示した方法を使用して３Ｄ基準マーク２０４を形成した後、３Ｄ基準マーク２０４の位置を検出することによって関心領域２０２の位置を検出する。本発明の１つまたは複数の実施形態では、試料２００の表面の少なくとも一部分を荷電粒子ビームで走査し、試料２００の表面の画像を形成する（ステップ５０４）ことによって、基準マークの位置を検出する。本発明の少なくとも１つの実施形態では、少なくとも２つの荷電粒子ビームによって３Ｄ基準マーク２０４を同時に画像化することができる位置に、３Ｄ基準マーク２０４が配置される。試料の表面の画像中の３Ｄ基準マーク２０４の所定のパターン２０６を検出する（ステップ５０６）ことによって、その画像中の３Ｄ基準マーク２０４を識別する。少なくとも１つの実施形態では、３Ｄ基準マーク２０４の露出した１つまたは複数の面にミリングされた所定のパターンを含む、試料２００の表面の画像中の３Ｄ基準マーク２０４の像をオペレータが検出するまで、荷電粒子ビーム機器のオペレータが、試料２００の表面の画像を人力で監視する。本発明の好ましい一実施形態では、コンピュータが、試料２００の表面の画像を自動的に分析し、基準マーク２０４の所定のパターン２０６を、例えば所定のパターン２０６に関連したはっきりと異なる輝度値および／またはコントラスト値を検出することによって自動的に検出する。検出された所定のパターン２０６および３Ｄ基準マーク２０４の位置に基づいて関心領域２０２の位置を決定する（ステップ５０８）。ステップ５０８で関心領域２０２の位置を決定した後、荷電粒子ビームを使用して関心領域２０２を画像化またはミリングする（ステップ５１０）。
【００２２】
図６は、本発明の１つまたは複数の実施形態に従って形成した例示的な３Ｄ基準マークの顕微鏡写真である。顕微鏡写真６００は、試料２００の上面に対して垂直な垂線に対して約５２度の角度で電子ビームを試料２００の表面に向かって導くことによって撮影した。関心領域２０２に隣接した位置に３Ｄ基準マーク２０４が付着している。３Ｄ基準マーク２０４の上面に所定のパターン２０６ａがミリングされている。この「上面」は、３Ｄ基準マーク２０４を付着させた表面に対して実質的に平行だが、試料２００とは接触してない３Ｄ基準マーク２０４の表面である。３Ｄ基準マーク２０４の側面に所定のパターン２０６ｂがミリングされている。「側面」は、３Ｄ基準マーク２０４を付着させた表面に対して実質的に垂直な３Ｄ基準マーク２０４の表面である。したがって、３Ｄ基準マーク２０４は、その少なくとも２つの露出した表面に図４のステップ４０６に従ってミリングされた所定のパターン２０６ａ〜ｂを有する。３Ｄ基準マーク２０４の背景のブロック材料とははっきりと異なる所定のパターン２０６ａ〜ｂの輝度値およびコントラスト値は、３Ｄ基準マーク２０４を、関心領域２０２よりも容易に識別することを可能にする。３Ｄ基準マーク２０４を使用して関心領域２０２の位置を突き止めた後、関心領域２０２の周囲にトレンチ６０２をミリングした。
【００２３】
図７は、本発明の１つまたは複数の実施形態に基づく例示的な３Ｄ基準マークの別の顕微鏡写真である。顕微鏡写真７００は、試料２００の上面に対して垂直な垂線に対して約９０度の角度で電子ビームを試料２００の表面に向かって導くことによって撮影した。関心領域２０２に隣接した位置に３Ｄ基準マーク２０４が付着している。３Ｄ基準マーク２０４の上面に所定のパターン（図示せず）がミリングされている。３Ｄ基準マーク２０４の側面に所定のパターン２０６ｂがミリングされている。３Ｄ基準マークの側面の所定のパターン２０６ｂだけが荷電粒子ビームによって画像化されているが、３Ｄ基準マーク２０４は、その少なくとも２つの露出した表面に図４のステップ４０６に従ってミリングされた所定のパターンを有する。これは、荷電粒子ビームがかすめ角で導かれており、この例では荷電粒子ビームが試料２００の上面に対して平行に導かれており、３Ｄ基準マーク２０４の上面が見えないためである。３Ｄ基準マークの上面の所定のパターンが見えないのと同じ理由で、試料２００の上面にミリングされた先行技術の基準マークも、試料２００の表面に向かってかすめ角で導かれた荷電粒子ビームからは見えないであろう。すなわち、トップダウン図すなわち平面図では見える表面特徴部分も、側面図すなわち立面図では全く見えないかまたは容易には見えない。しかしながら、３Ｄ基準マークは、画像化またはミリングする試料の表面の上方へ、３つの次元に沿った検出可能なある大きさで広がっているため、試料２００の表面に向かってかすめ角で導かれた荷電粒子ビームには、所定のパターン２０６ｂを含む３Ｄ基準マークの側面が見える。すなわち、３Ｄ基準マーク２０４は、トップダウン図／平面図と側面図／立面図の両方において見ることができ、およびその間の任意の角度から見ることができる。
【００２４】
場合によっては、試料の表面に対して直角でないある角度で試料２００の表面に向かって導かれた荷電粒子ビームを使用して、材料ブロックを付着させた方が望ましいことがある。例えば、一部のデュアル・ビーム・プラットホームでは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して縁が直角な付着物を形成するためにステージを傾けることができない。また、ステージ傾斜機能を有する小型のデュアル・ビーム・システムを使用するとき、オペレータは、ＳＥＭ付着を実行するときにステージを傾斜させることを回避したいことがある。しかしながら、直角でないＳＥＭビームを使用して（ほぼ無損傷で）「ｘ方向」の３Ｄ基準マークを形成すると、「ｘ方向」に沿ってウェーハの表面に対して直角でない付着プロファイルが形成される。ウェーハの表面に対して垂直なＦＩＢビームを使用して後続の付着を画像化したとき、「ｚ方向」の付着プロファイルすなわち「トップダウン図」の付着プロファイルは、「ｙ方向」には直角だが、「ｘ方向」には直角ではない。自動化された「無損傷」の用途では、関心領域を画像化し、同時に、「ｙ方向」の関心領域の位置を正確に示す基準マークを形成することが決定的に重要である。
【００２５】
図１２は、画像化位置にある、関心領域８０１を含む試料８００の平面図である。画像化位置は、荷電粒子ビームを使用して関心領域を画像化するときに使用する試料の位置である。この例では、直角でない荷電粒子ビームを使用して、関心領域８０１の上に３Ｄ基準マークを付着させる。この荷電粒子ビームは、試料８００の表面に対して直角でないある角度で導かれるため、荷電粒子ビームの方向の基準マークの付着プロファイルは、試料の表面に対して直角にならない。これを補償するため、本発明の１つまたは複数の実施形態では、基準マークを付着させる前に、試料８００を、画像化位置から付着位置へ＋９０°回転させる。図１３は、基準マークを付着させる前に画像化位置から付着位置へ９０度回転させた試料８００の平面図である。
【００２６】
図１４は、付着位置へ回転させた、付着した３Ｄ基準マーク８０４を含む試料８００の平面図である。画像化位置から付着位置へ試料８００を９０度回転させた後、試料８００の表面の関心領域の上に荷電粒子ビーム８０２を導いて、基準マーク８０４を付着させる。荷電粒子ビーム８０２で、ラスタ・パターンに従って走査することが好ましい。すなわち、荷電粒子ビーム８０２で、ｘ方向では左から右へ、ｙ方向では上から下へ、複数の列に沿って走査する。ｘ方向では、荷電粒子ビーム８０２が試料の表面に対して直角でないため、ｘ方向の基準マークの付着プロファイルは試料の表面に対して直角にならない。ｙ方向では、荷電粒子ビーム８０２が試料の表面に対して直角なため、ｙ方向の基準マークの付着プロファイルは試料の表面に対して直角になる。基準マークを付着させる前に、試料８０２を、画像化位置から付着位置へ回転させることによって、ｙ方向の基準マークの付着プロファイルが試料の表面に対して直角になるため、ｙ方向に関して、基準マークを正確に配置することができる。これについては、図８〜９の側面図でより詳細に説明する。
【００２７】
図１５は、回転させて画像化位置に戻した、付着した３Ｄ基準マーク８０４を含む試料８００の平面図である。基準マーク８０４を付着させた後に、試料８００を−９０°回転させて画像化位置に戻す。基準マーク８０４の側面８０６および８０８は試料８００の表面に対して直角でなく、関心領域８０１に対しする正確な配置にはあまり適さない。側面９０６および９０８は試料８００の表面に対して直角であり、関心領域８０１に対する正確な配置によく適する。
【００２８】
図８は、付着位置にある３Ｄ基準マーク８０４の「ｘ方向」のプロファイルの側面図である。荷電粒子ビーム８０２で、ラスタ・パターンに従って、好ましくは付着前駆体ガスの存在下で走査して、３Ｄ基準マーク８０４用の材料ブロックを試料２００上に付着させる。荷電粒子ビーム８０２は最初に側面８０６を形成し、最後に側面８０８を形成する。荷電粒子ビーム８０２は、ｘ方向において、試料２００の表面に対して直角でないある角度で導かれるため、３Ｄ基準マーク８０４の側面８０６および８０８も、ｘ方向において、試料２００の表面に対して直角にならない。３Ｄ基準マーク８０４の側面８０６および８０８は、ｘ方向において試料２００の表面に対して直角でないため、関心領域のｘ方向の位置を示す目的には適さない。すなわち、側面８０６および８０８はｘ方向において「傾いて」おり、そのため、ｘ方向において、３Ｄ基準マーク８０４の頂部の位置は３Ｄ基準マーク８０４の底部の位置と異なる。
【００２９】
図９は、付着位置にある３Ｄ基準マーク８０４の「ｙ方向」のプロファイルの側面図である。荷電粒子ビーム（図示せず）で、ラスタ・パターンに従って、好ましくは付着前駆体ガスの存在下で走査して、３Ｄ基準マーク８０４用の材料ブロックを試料２００上に付着させる。荷電粒子ビーム８０２で側面９０６から側面９０８に向かって走査し、次いで側面９０６に戻り、図９の平面からわずかに移動して、別の列を形成する。荷電粒子ビーム８０２は、ｙ方向において、試料２００の表面に対して直角なある角度で導かれるため、３Ｄ基準マーク８０４の側面９０６および９０８も、試料２００の表面に対して実質的に直角になる。３Ｄ基準マーク８０４の側面９０６および９０８は、試料２００の表面に対して実質的に直角であるため、関心領域の位置を示すのに適する。すなわち、側面９０６および９０８はｙ方向において「傾いて」おらず、そのため、ｙ方向において、３Ｄ基準マーク８０４の頂部の位置は３Ｄ基準マーク８０４の底部の位置と実質的に同じである。
【００３０】
図１０は、直角でない付着プロファイルを有する３Ｄ基準マークに対する補正方法を示す流れ図である。最初に、試料２００を、関心領域２０２を画像化するために使用するステージの向きである画像化位置に対して９０度回転させる（ステップ１００４）。試料を＋９０度回転させて付着位置に置いた後、ｙ方向に材料ブロックを付着させる（ステップ１００６）。次いで、試料を−９０度回転させて、その元の向きである画像化位置に戻し（ステップ１００８）、ＦＩＢまたはＳＥＭを使用して試料を画像化する（ステップ１０１０）。付着の中心は３Ｄ基準マークの中心であり、付着時間または付着厚さとは無関係である。このとき、このｘ方向の３Ｄ基準マークはｚ方向の直角なプロファイルを有する。
【００３１】
図１１は、本発明の好ましい実施形態を実施する目的に使用することができる例示的なデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＥＭシステム１１１０を示す。デュアル・ビーム・システムを参照するが、本発明の態様はデュアル・ビーム・システムだけに限定されず、単一ビーム・システムなどの他の荷電粒子ビーム・システムで実施することもできる。本発明の一実施形態は、試料の表面の平面に対して垂直なまたは試料の表面の平面に対して数度傾いたイオン・ビームと、イオン・ビームの軸から例えば５２度傾いた軸を有する電子ビームとを使用するデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＥＭシステム１１１０を利用する。いくつかの実施形態では、イオン・ビームの視野と電子ビームの視野が互いから数ミクロン以内に位置するように、これらの両方のビームが互いに整列することができる。イオン・ビームは一般に加工物を画像化する目的および加工する目的に使用され、電子ビームは主に画像を形成する目的に使用されるが、加工物を改変する目的に電子ビームを使用することもできる。電子ビームは一般に、イオン・ビーム画像よりも高分解能の画像を生成し、イオン・ビームとは違い、入射した表面を傷つけない。これらの２つのビームによって形成される画像は異なって見えることがあり、したがってこれらの２つのビームは、単一のビームよりも多くの情報を提供することができる。
【００３２】
このようなデュアル・ビーム・システムは、別個の構成要素から製作することができ、あるいは米オレゴン州ＨｉｌｌｓｂｏｒｏのＦＥＩ  Ｃｏｍｐａｎｙから販売されているＡｌｔｕｒａ（商標）またはＥｘｐｉｄａ（商標）システムなどの従来の装置を基にして構成することもできる。本発明は、例えばＦＩＢだけのシステム、ＳＥＭだけのシステムなどの単一ビーム・システム、または２つのＦＩＢカラムを有するデュアル・ビーム・システムを含む、他の粒子ビーム・システムを使用して実現することもできる。
【００３３】
集束イオン・ビーム・システム１１１０は、上部ネック部分１１１２を有する排気された囲い１１１１を含み、上部ネック部分１１１２内にはイオン源１１１４および集束カラム１１１６が位置し、集束カラム１１１６は、引出し電極および静電光学系を含む。イオン源１１１４を出たイオン・ビーム１１１８は、カラム１１１６を通過し、１１２０に概略的に示されている静電偏向手段間を通り抜けて、下室１１２６内の可動Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１１２４上に配置された試料１１２２、例えば半導体デバイスを含む試料１１２２に向かって進む。イオン・ポンプまたは他のポンピング・システム（図示せず）を使用してネック部分１１１２を排気することができる。室１１２６は、真空コントローラ１１３２の制御の下、ターボ分子／機械ポンピング・システム１１３０によって排気される。この真空システムは、室１１２６に、約１×１０−７トルから５×１０−４トルの間の真空を提供する。エッチング支援ガス、エッチング遅延ガスまたは付着前駆体ガスを使用する場合、室のバックグラウンド圧力は典型的には約１×１０−５トルまで上昇することがある。
【００３４】
イオン源１１１４と、イオン・ビーム１１１８を形成し下方へ導く集束カラム１１１６内の適当な電極とに高圧電源１１３４が接続される。パターン発生器１１３８によって提供される決められたパターンに従って動作する偏向コントローラおよび増幅器１１３６が偏向板１１２０に結合され、それによって対応するパターンを試料１１２２の上面に描くようにビーム１１１８を制御することができる。いくつかのシステムでは、当技術分野ではよく知られているように、偏向板が、最後のレンズの前に配置される。
【００３５】
イオン源１１１４は一般にガリウムの金属イオン・ビームを提供するが、マルチカスプ（ｍｕｌｔｉｃｕｓｐ）イオン源、他のプラズマ・イオン源など、他のイオン源を使用することもできる。イオン・ミリング、強化されたエッチングもしくは材料付着によって試料１１２２を改変するため、または試料１１２２を画像化するために、イオン源１１１４を一般に、試料１１２２の位置における幅が１／１０ミクロン未満のビームに集束させることができる。画像化のために２次イオンまたは２次電子の放出を検出する目的に使用される荷電粒子増倍器１１４０が信号処理装置１１４２に接続されており、荷電粒子増倍器１１４０からの信号は信号処理装置１１４２で増幅され、ディジタル信号に変換され、信号処理にかけられる。その結果生成されるディジタル信号は、試料１１２２の画像をモニタ１１４４に表示する。
【００３６】
ＦＩＢ／ＳＥＭシステム１１１０はさらに、走査電子顕微鏡１１４１、電源および制御ユニット１１４５を備える。陰極１１５２と陽極１１５４の間に電圧を印加することによって、陰極１１５２から電子ビーム１１４３が放出される。電子ビーム１１４３は、集光レンズ１１５６および対物レンズ１１５８によって微細なスポットに集束する。電子ビーム１１４３は、偏向コイル１１６０によって試料の表面を２次元的に走査する。集光レンズ１１５６、対物レンズ１１５８および偏向コイル１１６０の動作は電源および制御ユニット１１４５によって制御される。
【００３７】
電子ビーム１１４３を、下室１１２６内の可動Ｘ−Ｙ−Ｚステージ１１２４上にある試料１１２２の表面に集束させることができる。走査電子顕微鏡１１４１は、微細な集束電子ビーム１１４３を生成し、微細な集束電子ビーム１１４３は、構造体の表面を、好ましくはあるラスタ・パターンに従って走査する。電子ビーム１１４３中の電子が加工物１１２２の表面に衝突すると、２次電子および後方散乱電子が放出される。この２次電子および後方散乱電子はそれぞれ、２次電子検出器１１４０または後方散乱電子検出器１１６２によって検出される。２次電子検出器１１４０または後方散乱電子検出器１１６２によって生成されたアナログ信号は、信号処理ユニット１１４２によって増幅され、ディジタル輝度値に変換される。その結果生成されるディジタル信号を、試料１１２２の画像としてモニタ１１４４に表示することができる。
【００３８】
ステージ１１２４上に試料１１２２を挿入するため、および内部ガス供給リザーバが使用される場合には内部ガス供給リザーバを使用するために、扉１１７０が開かれる。ステージ１１２４は加熱または冷却されていることがある。システムが真空状態にある場合に開かないように、この扉はインタロックされる。イオン・ビーム１１１８にエネルギーを与え集束させるため、高電圧電源は、イオン・ビーム・カラム１１１６内の電極に適当な加速電圧を印加する。
【００３９】
ガス蒸気を導入し試料１１２２に向かって導くためにガス送達システム１１４６が下室１１２６内へ延びている。本発明の譲受人に譲渡されたＣａｓｅｌｌａ他の「Ｇａｓ  Ｄｅｌｉｖｅｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｂｅａｍ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」という名称の米国特許第５，８５１，４１３号明細書は適当なガス送達システム１１４６を記載している。別のガス送達システムが、やはり本発明の譲受人に譲渡されたＲａｓｍｕｓｓｅｎの「Ｇａｓ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ」という名称の米国特許第５，４３５，８５０号明細書に記載されている。例えば、ヨウ素を送達してエッチングを強化することができ、または金属有機化合物を送達して金属を付着させることができる。
【００４０】
システム・コントローラ１１１９は、デュアル・ビーム・システム１１１０のさまざまな部分の動作を制御する。従来のユーザ・インタフェース（図示せず）にコマンドを入力することによって、ユーザは、システム・コントローラ１１１９を介してイオン・ビーム１１１８または電子ビーム１１４３で思い通りに走査することができる。システム・コントローラ１１１９は、コンピュータ可読の記憶装置１１２１をさらに備えることができ、記憶装置１１２１に記憶された、データまたはプログラムされた命令に従って、デュアル・ビーム・システム１１１０を制御することができる。記憶装置１１２１に記憶された試料／半導体に関するＣＡＤデータを使用して、前述のように関心の特徴部分および位置合せ点の位置を突き止めまたは基準マークを転写する目的に使用するＣＡＤ多角形オーバレイまたは他の位置データを生み出すことができる。
【００４１】
代替実施形態では、ＦＩＢカラムが、試料の表面に対して直角にイオン・ビームが導かれるように配置され、ＳＥＭカラムが、試料の表面に対して直角でないある角度で電子ビームが導かれるように配置される。例えば、図８〜１０および１２〜１５に示した本発明の実施形態によれば、試料の表面に対して４５°の角度で電子ビームが導かれるようにＳＥＭを配置することが好ましい。図１６〜１７は、ＦＩＢカラムが、試料の表面に対して直角にイオン・ビームが導かれるように配置され、ＳＥＭカラムが、試料の表面に対して直角でないある角度で電子ビームが導かれるように配置された代替実施形態を示す。図１６は、ＳＥＭカラム１６０６が試料１６０２の表面に対して直角でなく、ＦＩＢカラム１６０４が試料１６０２の表面に対して直角な、デュアル・ビーム・システム１６００の平面図である。図１７は、ＥＭカラム１６０６が試料１６０２の表面に対して直角でなく、ＦＩＢカラム１６０４が試料１６０２の表面に対して直角な、デュアル・ビーム・システム１６００の側面図である。
【００４２】
本発明のいくつかの実施形態によれば、試料上に基準マークを形成し、その基準マークを使用して、試料上の関心領域の位置を突き止める方法は、試料上の、試料上の関心領域に隣接した位置に、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックを付着させることによって基準マークを形成するステップと、その材料ブロックの少なくとも２つの露出した面に、荷電粒子ビームを使用して所定のパターンをミリングするステップと、基準マークを形成した後に、基準マークの位置を検出することによって、関心領域の位置を検出するステップと、関心領域の位置を検出した後に、荷電粒子ビームを使用して、関心領域を画像化またはミリングするステップとを含む。
【００４３】
いくつかの実施形態では、基準マークの位置を検出することが、試料の表面の少なくとも一部分を荷電粒子ビームを使用して画像化すること、および試料の前記一部分の画像中の基準マークの前記所定のパターンを検出することを含む。いくつかの実施形態では、試料の前記一部分の画像中の基準マークの前記所定のパターンが、画像認識ソフトウェアによって自動的に検出される。
【００４４】
いくつかの実施形態では、基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、基準マークが、材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが基準マークにミリングされる。いくつかの実施形態では、付着させた材料ブロックを、荷電粒子ビームによって、少なくとも２つの次元で画像化またはミリングすることが可能である。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの荷電粒子ビームによって基準マークを同時に画像化することができる位置に、基準マークが配置される。いくつかの実施形態では、画像化が電子ビームによって実行され、ミリングが集束イオン・ビームによって実行される。いくつかの実施形態では、付着させた材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である。
【００４５】
本発明のいくつかの実施形態によれば、試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークは、試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、材料ブロックの少なくとも２つの露出した面にミリングされた所定のパターンとを含む。
【００４６】
いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１００マイクロメートル（１００μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１０マイクロメートル（１０μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１マイクロメートル（１μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む。
【００４７】
いくつかの実施形態では、基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、基準マークが、材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが基準マークにミリングされている。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの荷電粒子ビームによって基準マークを同時に画像化することができる位置に、基準マークが配置される。いくつかの実施形態では、付着させた材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である。
【００４８】
本発明のいくつかの実施形態によれば、システムが、少なくとも１つの荷電粒子ビームと、試料ステージと、試料ステージ上に配置された試料と、試料上に配置された基準マークとを備え、この基準マークが、試料上の関心領域に隣接した位置に付着させた材料ブロックであり、試料の表面から試料の表面の上方へ検出可能なある大きさで広がる材料ブロックと、材料ブロックの少なくとも２つの露出した面にミリングされた所定のパターンとを含む。
【００４９】
いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１００マイクロメートル（１００μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１０マイクロメートル（１０μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、基準マークの最大寸法が１マイクロメートル（１μｍ）以下である。いくつかの実施形態では、材料ブロックが、一段高い白金パッドを含む。
【００５０】
いくつかの実施形態では、基準マークを荷電粒子ビームによって画像化したときに、基準マークが、材料ブロックとははっきりと異なる輝度値またはコントラスト値を有するように、前記所定のパターンが基準マークにミリングされている。いくつかの実施形態では、少なくとも２つの荷電粒子ビームによって基準マークを同時に画像化することができる位置に、基準マークが配置されている。いくつかの実施形態では、付着させた材料ブロックの幾何形状が実質的に平行六面体である。
【００５１】
本発明のいくつかの実施形態によれば、試料上の関心領域の位置を突き止めるための基準マークを試料上に形成する方法は、試料を画像化位置から実質的に９０度回転させるステップと、試料を画像化位置から実質的に９０度回転させた後に、試料の表面に対して垂直でないある角度で試料の表面に向かって導かれた荷電粒子ビームを使用して、関心領域上または関心領域の近くに材料ブロックを付着させるステップと、材料ブロックを付着させた後、関心領域の位置を検出する前に、試料を実質的に９０度回転させて、試料をその最初の位置に戻すステップとを含む。
【００５２】
いくつかの実施形態では、前記荷電粒子ビームが走査電子顕微鏡の電子ビームであり、この電子ビームが、試料の表面に対して直角でないある角度で試料の表面に導かれる。いくつかの実施形態では、この方法が、基準マークを形成した後に、基準マークの位置を突き止めることによって関心領域の位置を突き止めるステップと、関心領域に向かって集束イオン・ビームを導くステップとをさらに含み、この集束イオン・ビームが、試料の表面に対して実質的に直角なある角度で試料の表面に導かれる。
【００５３】
本発明および本発明の利点を詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲によって定義された本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、本明細書に、さまざまな変更、置換および改変を加えることができることを理解すべきである。さらに、本出願の範囲が、本明細書に記載されたプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法およびステップの特定の実施形態に限定されることは意図されていない。当業者なら本発明の開示から容易に理解するように、本明細書に記載された対応する実施形態と実質的に同じ機能を実行し、または実質的に同じ結果を達成する既存のまたは今後開発されるプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法またはステップを、本発明に従って利用することができる。したがって、添付の特許請求の範囲は、その範囲内に、このようなプロセス、機械、製造、組成物、手段、方法またはステップを含むことが意図されている。
【符号の説明】
【００５４】
１１１０  デュアル・ビームＦＩＢ／ＳＥＭシステム
１１１４  イオン源
１１１６  集束カラム
１１１９  システム・コントローラ
１１２１  記憶装置
１１２２  試料
１１２４  可動Ｘ−Ｙ−Ｚステージ
【図１Ａ】
0005492364.tif 000002
【図１Ｂ】
0005492364.tif 000003
【図２Ａ】
0005492364.tif 000004
【図２Ｂ】
0005492364.tif 000005
【図３】
0005492364.tif 000006
【図４】
0005492364.tif 000007
【図５】
0005492364.tif 000008
【図６】
0005492364.tif 000009
【図７】
0005492364.tif 000010
【図８】
0005492364.tif 000011
【図９】
0005492364.tif 000012
【図１０】
0005492364.tif 000013
【図１１】
0005492364.tif 000014
【図１２】
0005492364.tif 000015
【図１３】
0005492364.tif 000016
【図１４】
0005492364.tif 000017
【図１５】
0005492364.tif 000018
【図１６】
0005492364.tif 000019
【図１７】
0005492364.tif 000020