(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の上に少なくとも磁性層を形成した後に、減圧した成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入し、この気体をプラズマによりイオン化し、このイオンを用いて前記非磁性基板の表面に炭素膜からなる保護層を形成した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記保護層を形成した後に、前記磁気記録媒体を、洗浄槽内のアルカリ洗浄剤を含む洗浄液に浸漬して洗浄する工程を含み、
前記工程において、前記洗浄槽の上流側に配置された洗浄液を供給する複数の供給口と、前記洗浄槽の下流側に配置された洗浄液を排出する複数の排出口とのうち、何れかの供給口及び排出口を流れる洗浄液の流量を個別に調整することによって、前記洗浄槽内の洗浄液が層流の状態で前記上流側から前記下流側へ流れるようにすると共に、前記磁気記録媒体を、その主面がその層流の状態の洗浄液の流れる方向に平行となるように浸漬することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記アルカリ洗浄剤が、有効成分として、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのうち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記洗浄液中におけるアルカリ洗浄剤の濃度を０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲とすることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体の洗浄を行った後に、この磁気記録媒体に対して純水を用いたスピン洗浄を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波振動を印加することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体の分野では、記録密度の向上が著しく、最近では記録密度が１年間で１．５倍程度と、驚異的な速度で伸び続けている。このような記録密度の向上を支える技術は多岐にわたるが、キーテクノロジーの一つとして、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間における摺動特性の制御技術を挙げることができる。
【０００３】
例えば、ウインチェスター様式と呼ばれる、磁気ヘッドの起動から停止までの基本動作を磁気記録媒体に対して接触摺動−浮上−接触摺動としたＣＳＳ（接触起動停止）方式がハードディスクドライブの主流となって以来、磁気記録媒体上での磁気ヘッドの接触摺動は避けることのできないものとなっている。
【０００４】
このため、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のトライボロジーに関する問題は、宿命的な技術課題となって現在に至っており、磁気記録媒体の磁性膜上に積層される保護膜を改善する努力が営々と続けられていると共に、この媒体表面における耐摩耗性及び耐摺動性が、磁気記録媒体の信頼性向上の大きな柱となっている。
【０００５】
磁気記録媒体の保護層としては、様々な材質からなるものが提案されているが、成膜性や耐久性等の総合的な見地から、主に炭素膜が採用されている。また、この炭素膜の硬度、密度、動摩擦係数等は、磁気記録媒体のＣＳＳ特性、あるいは耐コロージョン特性に如実に反映されるため、非常に重要である。
【０００６】
一方、磁気記録媒体の記録密度の向上、並びに読み書き速度の向上を図るためには、磁気ヘッドの飛行高さ（フライングハイト）の低減や、磁気記録媒体の高回転数化等を行うことが好ましい。このため、磁気記録媒体の表面に形成される保護層には、磁気ヘッドの偶発的な接触等に対応するように、より高い摺動耐久性や平坦性が要求されるようになってきている。さらに、磁気記録媒体と磁気ヘッドとのスペーシングロスを低減して記録密度を高めるためには、保護層の厚さをできるだけ薄く、例えば３０Å以下の厚みにすることが要求されている。したがって、平滑性は勿論のこと、薄く、緻密で且つ強靭な保護層が強く求められている。
【０００７】
また、上述した磁気記録媒体の保護層に用いられる炭素膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法、イオンビーム蒸着法等によって形成される。このうち、スパッタリング法で形成した炭素膜は、例えば１００Å以下の膜厚とした場合に、その耐久性が不十分となることがある。一方、ＣＶＤ法で形成した炭素膜は、その表面の平滑性が低く、膜厚を薄くした場合に、磁気記録媒体の表面の被覆率が低下して、磁気記録媒体のコロージョンが発生する場合がある。一方、イオンビーム蒸着法は、上述したスパッタリング法やＣＶＤ法に比べて、高硬度で平滑性が高く、緻密な炭素膜を形成することが可能である。
【０００８】
イオンビーム蒸着法による炭素膜の形成方法としては、例えば、真空雰囲気下の成膜室内で、加熱されたフィラメント状カソードとアノードとの間の放電により成膜原料ガスをプラズマ状態とし、これをマイナス電位の基板表面に加速衝突させることにより、硬度の高い炭素膜を安定して成膜する方法が提案されている（特許文献１を参照）。
【０００９】
また、上記構成において保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分ではない。このため、保護層の表面に潤滑剤を塗布して、厚さが０．５〜３ｎｍ程度の潤滑剤膜を形成している。これにより、磁気記録媒体の保護層等が大気に直接触れることを防ぎ、その耐食性を高めることができる。また、潤滑剤膜を設けることによって、磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）が保護層と直接接触するのを防止すると共に、磁気記録媒体上を摺動する磁気ヘッドスライダの摩擦力を著しく低減させることができる。
【００１０】
また、保護層の表面に形成される潤滑剤膜は、サブｎｍ単位で膜厚を厳密に管理するようにしており、その潤滑剤膜の形成方法としては、液体潤滑剤の入った浸漬槽に磁気記録媒体を浸漬した後、この浸漬槽から磁気記録媒体を引き上げることによって、磁気記録媒体の表面に潤滑剤膜を均一の膜厚で形成する、いわゆるディッピング法が従来より広く用いられている（例えば、特許文献２を参照。）。また、このディッピング法では、量産性の面から一般にバッチ処理方式が採られており、磁気記録媒体を複数並べた状態で浸漬槽に浸漬し、一括して処理するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−２２６６５９公報
【特許文献２】特開平６−１５０３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、上述したディッピング法を用いた潤滑剤の塗布方法では、浸漬槽から磁気記録媒体を引き上げる際に、液体潤滑剤の液面を揺らさないように一定の速度で引き上げることが重要となる。これは、液体潤滑剤の液面が揺れてしまうと、磁気記録媒体の表面に塗布される潤滑剤膜の膜厚分布にバラツキ（いわゆる塗布ムラ）が生じてしまうためである。しかしながら、このような方法を用いた場合でも、上述した炭素膜からなる保護層の上に潤滑剤を塗布すると、この保護層の表面に形成される潤滑剤膜に塗布ムラが生じてしまうことがある。
【００１３】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、保護層の表面に形成される潤滑剤膜の膜厚分布のバラツキを無くして、この潤滑剤膜の保護層に対する被覆率を飛躍的に高めることを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、先ず、上記保護層の表面に形成される潤滑剤膜の膜厚分布にバラツキ（塗布ムラ）が生じる原因について検討を行った。その結果、減圧した成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入し、この気体を例えば、ＤＣプラズマ、高周波プラズマ、熱プラズマなどのプラズマによりイオン化し、このイオンを用いて非磁性基板の表面に炭素膜からなる保護層を形成した直後に、成膜室内に残留する原料の気体が炭素膜とならずに、有機重合膜となって炭素膜の表面に付着することを解明した。
【００１５】
具体的に、この有機重合膜は、成膜室内で発生させたプラズマを消した後に、成膜室内に残留する炭素を含む原料の気体又はその分解物が有機的に熱重合して形成された膜であり、特に炭素と水素を多く含む。これについては、成膜室内にプラズマが発生している最中は、原料の気体が励起分解されて媒体表面に硬質の炭素膜が形成されるものの、この炭素膜の形成後にプラズマを消した後は、成膜室内に原料の気体やその分解物が残留しているため、更に媒体表面が成膜時のプラズマにより加熱されて高温となっているために、その残留物が媒体表面で熱重合し、炭化水素系の有機重合膜を形成したものと考えられる。
【００１６】
そして、本発明者らは、このような炭素膜の表面に形成された有機重合膜が保護層の表面において潤滑剤の塗布ムラを生じさせる原因となることを解明した。すなわち、この有機重合膜は、基板表面の温度分布等によって膜厚が変化するために、このような有機重合膜が保護層（炭素膜）の表面に残留すると、この上に形成される潤滑剤膜の膜厚分布にバラツキを生させることになる。
【００１７】
次に、本発明者らは、上記有機重合膜を炭素膜の表面から除去する方法について検討を行った。一般に、磁気記録媒体の製造工程で行われる基板表面等のクリーニングは、洗浄液を用いた湿式クリーニングと、ワイピングテープ等を用いた乾式クリーニングとに大別される。前者の湿式クリーニングは、後者の乾式クリーニングに比べ、クリーニングする能力に優れるものの、洗浄液に含まれる磁気記録媒体から除去された汚れが媒体表面に再付着する場合がある。このため、湿式クリーニングは、それほど高い洗浄性が要求されないアルミニウム合金やガラス等の磁気記録媒体用非磁性基板の洗浄に主に用いられている。
【００１８】
また、磁気記録媒体の洗浄に湿式クリーニングが用いられる場合もあるが、磁気記録媒体に含まれるＦｅやＣｏ等の腐食や汚れの再付着を防ぐため、純水を用いた数秒間程度の短時間のスピン洗浄に限られる。また、磁気記録媒体の表面に付着するのは、スパッタダスト等のような粒状物が多く、これらを除去するためには、織布や不織布を用いたワイピングの方が効果的と考えられている。
【００１９】
しかしながら、本発明者らの検討によると、上記有機重合膜は、通常のバーニッシュ処理、ワイピング、洗浄等では除去不能なレベルのものであり、上述した磁気記録媒体の表面に対するバーニッシュ処理や、磁気記録媒体の表面に対する織布等を用いたワイピング処理、湿式洗浄等を行っても、極微量の有機重合膜が媒体表面に残留することによって、保護層の表面に形成される潤滑剤膜の膜厚分布にバラツキが生じることがわかった。
【００２０】
そこで、本発明者らは、更に鋭意研究を重ねた結果、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体を洗浄することで、上記有機重合膜を効率良く除去できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２１】
すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。
（１）  非磁性基板の上に少なくとも磁性層を形成した後に、減圧した成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入し、この気体をプラズマによりイオン化し、このイオンを用いて前記非磁性基板の表面に炭素膜からなる保護層を形成した磁気記録媒体の製造方法であって、
前記保護層を形成した後に、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体を洗浄する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（２）  前記磁気記録媒体の洗浄を洗浄槽内の洗浄液に浸漬して行うことを特徴とする前項（１）に記載磁気記録媒体の製造方法。
（３）  前記洗浄槽内で洗浄液を前記磁気記録媒体の主面と平行な方向に流しながら、前記磁気記録媒体の洗浄を行うことを特徴とする前項（２）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（４）  前記洗浄槽に洗浄液を供給する複数の供給口と、前記洗浄槽から洗浄液を排出する複数の排出口とのうち、何れかの供給口及び／又は排出口を流れる洗浄液の流量を調整することによって、前記洗浄槽内の洗浄液が層流の状態で流れるようにすることを特徴とする前項（３）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（５）  前記アルカリ洗浄剤が、有効成分として、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドのうち少なくとも１種以上を含むことを特徴とする前項（１）〜（４）の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記洗浄液中におけるアルカリ洗浄剤の濃度を０．０００１質量％〜０．１質量％の範囲とすることを特徴とする前項（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）  前記アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体の洗浄を行った後に、この磁気記録媒体に対して純水を用いたスピン洗浄を行うことを特徴とする前項（２）〜（６）の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（８）  前記洗浄槽内の洗浄液に超音波振動を印加することを特徴とする前項（２）〜（７）の何れか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明では、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体を洗浄することで、磁気記録媒体に含まれるＦｅやＣｏ等の腐食を防止しつつ、上記有機重合膜を効率良く除去できることから、保護層の表面に形成される潤滑剤膜の膜厚分布のバラツキを無くして、この潤滑剤膜の保護層に対する被覆率を飛躍的に高めることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、流水式洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図２】図２は、流水式洗浄装置の構成を示す断面図である。
【図３】図３は、洗浄槽内に発生する乱流を説明するための断面図である。
【図４】図４は、洗浄槽内に発生する乱流を説明するための平面図である。
【図５】図５は、炭素膜の形成装置を模式的に示す概略構成図である。
【図６】図６は、永久磁石が印加する磁場とその磁力線の方向を示す模式図である。
【図７】図７は、磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図８】図８は、磁気記録再生装置の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を模式的に示している場合があり、各部の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２５】
本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基板の上に少なくとも磁性層を形成した後に、減圧した成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入し、この気体をプラズマによりイオン化し、このイオンを用いて非磁性基板の表面に炭素膜からなる保護層を形成する工程（保護層形成工程という。）を含む磁気記録媒体の製造方法であって、保護層を形成した後に、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体を洗浄する工程（媒体洗浄工程という。）を含むことを特徴とする。
【００２６】
なお、本発明で言うプラズマとは、炭素を含む原料の気体を励起分解してこれをイオン化することが可能なプラズマのことであり、具体的には、ＤＣアークプラズマ、グロー放電、高周波プラズマ、マイクロ波プラズマ、通電加熱したフィラメントによって形成した熱プラズマなどを例示することができる。
【００２７】
（媒体洗浄工程）
具体的に、本発明の媒体洗浄工程では、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内に磁気記録媒体を浸漬しながら、この磁気記録媒体の湿式洗浄を行う。これにより、磁気記録媒体の表面に僅かに残留し、バーニッシュ処理や、ワイピング、スピン洗浄、従来の湿式洗浄等では除去不可能なレベルの量の汚染物質、特に、減圧した成膜室内に炭素を含む原料の気体を導入し、この気体をプラズマによりイオン化し、このイオンを用いて非磁性基板の表面に炭素膜からなる保護層を形成した直後に、成膜室内に残留する原料の気体が炭素膜とならずに、上記有機重合膜となって炭素膜の表面に付着したものを、効率よく除去することが可能である。
【００２８】
また、本発明では、洗浄槽内で洗浄液を横方向に流しながら、磁気記録媒体の洗浄を行うことが好ましい。この場合、汚染物質等を含む洗浄液を浸漬槽の外へと速やかに排出することができるため、磁気記録媒体の表面に汚染物質等が再付着することを防止することが可能である。その結果、従来の方法では得られない清浄な表面を有する磁気記録媒体を得ることが可能である。
【００２９】
ここで、例えば図１及び図２に示すような本発明の媒体洗浄工程で使用される流水式洗浄装置１の一例について説明する。
この流水式洗浄装置１は、上記転写工程の前に、ハードディスクドライブ（磁気記録再生装置）に搭載される磁気記録媒体Ｗを洗浄するのに好適に用いられるものであり、磁気記録媒体Ｗを保持したホルダ５０を洗浄液Ｌに浸漬させて磁気記録媒体Ｗの洗浄を行う洗浄槽２を備えている。
【００３０】
ホルダ５０には、中心孔が形成された円盤状の磁気記録媒体Ｗが互いに平行な状態で複数並んで保持されている。また、各磁気記録媒体Ｗは、ホルダ５０に設けられた一対の支持プレート５１ａ，５１ｂによって、その中心孔を通る鉛直方向の中心線を挟んだ両側の外周部が支持されている。なお、これら一対の支持プレート５１ａ，５１ｂには、各磁気記録媒体Ｗの外周部が係合されるＶ字状の溝部（図示せず。）が設けられている。
【００３１】
各磁気記録媒体Ｗは、これら一対の支持プレート５１ａ，５１ｂに支持されることによって、縦置き状態（磁気記録媒体Ｗの主面が鉛直方向と平行となる状態）でホルダ５０に保持されている。そして、このホルダ５０は、各磁気記録媒体Ｗの主面が洗浄液Ｌの流れる方向と平行となるようにして、洗浄槽２の底面上に配置されている。なお、図１では、磁気記録媒体Ｗを１列に５枚並べた状態を図示しているが、実際の例では、直径３．５インチの磁気記録媒体Ｗを約５ｍｍ間隔で１列に５０枚程度並べてホルダ５０に保持している。
【００３２】
洗浄槽２は、長方形を為す底壁２ａと、底壁２ａの周囲から立ち上がる４つの側壁２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅと、底壁２ａと対向する上面の開口部２ｆとを有して、全体が略直方体状に形成されると共に、その内側に上記ホルダ５０が浸漬される略直方体状の浸漬空間Ｓを形成している。
【００３３】
また、洗浄槽２の上流側の側壁２ｂには、洗浄液Ｌを供給する複数の供給口３が設けられている。これら複数の供給口３は、側壁２ｂの幅方向と高さ方向とに所定の間隔で並んで配置されている。また、各供給口３には、流量調整バルブ（流量調整手段）４が接続されており、この流量調整バルブ４の開度を調整することによって、各供給口３から供給される洗浄液Ｌの流量を個別に調整することが可能となっている。
【００３４】
また、洗浄槽２の下流側の側壁２ｄには、洗浄液Ｌを排出する複数の排出口５が設けられている。これら複数の排出口５は、側壁２ｄの幅方向と高さ方向とに所定の間隔で並んで配置されている。また、各排出口５には、流量調整バルブ（流量調整手段）６が接続されており、この流量調整バルブ６の開度を調整することによって、各供給口３から排出される洗浄液Ｌの流量を個別に調整することが可能となっている。
【００３５】
なお、本実施形態において、上記供給口３と上記排出口５とは、それぞれ側壁２ｂ，２ｄの相対向する位置に、幅方向に５ｃｍ間隔で７列、高さ方向に５ｃｍ間隔で６列並んで計４２つ配置されているが、これら供給口３及び排出口５の配置や数、間隔等については、適宜変更して実施することが可能である。
【００３６】
また、洗浄槽２の底壁２ａには、磁気記録媒体Ｗに対する洗浄能力を高めるため、浸漬空間Ｓ２内の洗浄液Ｌに超音波振動を印加する超音波発振器（超音波発生手段）７が設けられている。この超音波発振器７は、洗浄槽２の底壁２ａ側から洗浄槽２の洗浄液Ｌに対して、例えば２００ｋＨｚで５００Ｗ程度の超音波振動を印加する。
【００３７】
さらに、この流水式洗浄装置１には、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌを循環的に再使用するための機構として、排出口５から排出された洗浄液Ｌを吸引し、再び供給口３に圧送するポンプ８と、このポンプ８により圧送された洗浄液Ｌを浄化するフィルタ９とが設けられている。
【００３８】
本発明の媒体洗浄工程では、以上のような構造を有する流水式洗浄装置１を用いて、ホルダ５０に保持された複数の磁気記録媒体Ｗに対する洗浄を行う。具体的に、この流水式洗浄装置１を用いた媒体洗浄工程では、洗浄槽２の浸漬空間Ｓ内で洗浄液Ｌを層流の状態で横方向（水平方向）に流し、洗浄液Ｌに超音波振動を印加しながら、この浸漬空間Ｓ内の洗浄液Ｌに複数の磁気記録媒体Ｗを保持したホルダ５０を浸漬させる。
【００３９】
このとき、洗浄槽２内では、ホルダ５０に保持された各磁気記録媒体Ｗの主面が洗浄液Ｌの流れる方向と平行とされて、これら各磁気記録媒体Ｗの間を層流状態の洗浄液Ｌが流れることになる。これにより、各磁気記録媒体Ｗの表面が洗浄液Ｌにより洗浄されて、これら各磁気記録媒体Ｗの表面に付着した塵埃や異物などの他に、上述した磁気記録媒体Ｗの表面に僅かに残留し、バーニッシュ処理や、ワイピング、スピン洗浄、従来の湿式洗浄等では除去不可能なレベルの量の汚染物質、特に、上述した保護層となる炭素膜の表面に付着した有機重合膜を効率よく除去することが可能である。
【００４０】
また、この流水式洗浄装置１では、洗浄槽２内で洗浄液Ｌを横方向に流しながら、磁気記録媒体Ｗの洗浄を行うため、上述した汚染物質等を含む洗浄液を洗浄槽２の外へと速やかに排出することが可能である。これにより、磁気記録媒体Ｗの表面に汚染物質等が再付着することを防止することが可能であり、その結果、従来の方法では得られない清浄な表面を有する磁気記録媒体Ｗを得ることが可能である。
【００４１】
ところで、洗浄槽２の底面側から超音波振動を印加した場合には、洗浄槽２内の洗浄液Ｌの液面が盛り上がり、これによって洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌが乱流となり、磁気記録媒体Ｗに対する洗浄能力が低下することが本発明者らの解析によって明らかになった。
【００４２】
具体的に、本発明者らの解析によると、超音波振動を印加しない状態で洗浄槽２内に洗浄液Ｌを層流の状態で流し、その後、超音波振動を印加した場合、洗浄液Ｌの流れは、図３中の矢印の方向で示すように、洗浄槽２の底面側から超音波振動を印加することによって、洗浄槽２内の洗浄液Ｌの液面が盛り上がり、この盛り上がった洗浄液Ｌが四方に分散するものの、この洗浄液Ｌの流れに層流が加わるため、洗浄槽２内に複雑な流れ（乱流）が生じることになる。さらに、図４に示すように、洗浄槽２内に磁気記録媒体Ｗを浸漬した場合には、この洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌが磁気記録媒体Ｗに乱されて乱流となり、この乱流によって磁気記録媒体Ｗに対する洗浄能力が低下することになる。
【００４３】
なお、図３は、洗浄槽２を側面側から見たときに、洗浄槽２内に超音波振動を加えた場合の洗浄液Ｌの流れを表したものである。一方、図４は、洗浄槽２を上面側から見たときに、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌのうち、上層の流れを破線で表し、中層の流れを一点鎖線で表し、下層の流れを二点鎖線で表したものである。
【００４４】
そこで、本発明では、図１及び図２に示すように、上述した流量調整バルブ４，６を制御しながら、何れかの供給口３及び／又は排出口５を流れる洗浄液Ｌの流量を調整し、洗浄液Ｌの流れを乱れのない一様な流れ（層流）となるように、洗浄槽２内における洗浄液Ｌの流れを調整する。
【００４５】
これにより、洗浄槽２内の洗浄液Ｌを乱流の状態から層流の状態で流すことが可能である。特に、本発明では、洗浄液Ｌの供給口３からの供給に加え、洗浄液Ｌの排出口５からの排出も、流量調整バルブ４，６によって流量の制御を行うため、洗浄槽２内の層流の形成をより高い制御性で行うことが可能であり、層流が超音波振動や被洗浄物の配置によって乱されることを防ぐことが可能である。
【００４６】
また、本発明では、上記流水式洗浄装置１のように、洗浄槽２内に流れる洗浄液Ｌを循環的に再使用することが好ましい。これより、洗浄槽２に供給される洗浄液Ｌと、洗浄槽２から排出される洗浄液Ｌとを量的にバランスさせることが容易となり、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌを層流の状態でより安定して流すことが可能となる。
【００４７】
なお、上記流水式洗浄装置１の場合、洗浄槽２の開口部２ｆからの洗浄液Ｌの蒸発等により、洗浄液Ｌが僅かに減少するため、その減少した量の洗浄液Ｌを適宜補充することが好ましい。また、上記流水式洗浄装置１では、洗浄液Ｌと空気との接触によって洗浄液Ｌ中に気泡が混入することを防ぐため、洗浄槽２の開口部２ｆに蓋を設けることも可能である。
【００４８】
また、本発明では、上述したホルダ５０に互いに平行な状態で複数並んで保持された磁気記録媒体Ｗに対して洗浄を行う際に、このホルダ５０に保持された複数の磁気記録媒体Ｗの間隔を、その間を流れる洗浄液Ｌの流水抵抗が増加する範囲まで密とすることが好ましい。
【００４９】
例えば、直径３．５インチ、板厚１．２７ｍｍの円盤状の磁気記録媒体Ｗを洗浄する場合には、基板面の間隔が１０ｍｍ以下となるあたりから、洗浄液の流水抵抗が顕著に増加し始める。
【００５０】
一方、従来の流水式洗浄方法では、洗浄槽２内を流れる洗浄液の層流を安定化させるため、洗浄槽２内に配置する被洗浄物を、各々の間隔を空けて疎に配置し、また洗浄槽内に配置された被洗浄物の周辺に空間を設けることが一般的であった。これは、洗浄槽内での被洗浄物の有無による水流抵抗分布を減らし、洗浄槽内を流れる洗浄液Ｌの層流を安定化させるためである。
【００５１】
これに対して、本発明の流水式洗浄方法では、基板（被洗浄物）Ｗを洗浄槽２内に密に配置することによって、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌの水流抵抗を高め、且つ、その状態で供給口３からの洗浄液Ｌの供給と、排出口５からの強制的な洗浄液Ｌの排出によって、強力で均一な層流を形成する。これにより、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌの層流を安定化させると共に、この洗浄槽２による洗浄能力を高めることが可能である。
【００５２】
また、本発明では、洗浄槽２の内面と磁気記録媒体Ｗとの最短距離を当該磁気記録媒体Ｗの直径の１倍以下とすることが好ましい。特に、本発明では、被洗浄物として、円盤状を為す磁気記録媒体Ｗを洗浄する場合に、この磁気記録媒体Ｗの主面が洗浄液Ｌの流れる方向と平行となるように磁気記録媒体Ｗを洗浄槽２内に配置し、この洗浄槽２の内面と磁気記録媒体Ｗとの最短距離を当該磁気記録媒体Ｗの直径の１倍以下とすることで、磁気記録媒体Ｗを高精度に効率良く洗浄することが可能となる。
【００５３】
なお、本発明の媒体洗浄工程で用いられる流水式洗浄装置は、上記流水式洗浄装置１の構成に必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００５４】
例えば、上記ホルダ５０は、一対の支持プレート５１ａ，５１ｂにより各磁気記録媒体Ｗの外周部を２点で支持する構成となっているが、このような構成に限らず、各磁気記録媒体Ｗを支持する外周部の位置や点数などについては、適宜変更して実施することが可能であり、例えば各磁気記録媒体Ｗの外周部を３点で支持したり、４点で支持したりすることが可能である。
【００５５】
また、各磁気記録媒体Ｗの外周部を支持する部材についても、上記支持プレート５１ａ，５１ｂのようなものに限定されるものではなく、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌの流れを乱さないものであれば、その形状等については適宜変更して実施することが可能である。
【００５６】
本発明の媒体洗浄工程では、上記磁気記録媒体Ｗの洗浄にアルカリ洗浄剤を含む洗浄液Ｌを用いることが好ましい。これは、磁気記録媒体Ｗの表面にわずかに残留し、バーニッシュ処理や、ワイピング、スピン洗浄等では除去不能なレベルの量の汚染物質、特に、上述した保護層となる炭素膜の表面に付着した有機重合膜の除去を目的とし、このアルカリ洗浄剤を含む洗浄液Ｌを用いることによりＦｅやＣｏ等を含む磁性層の腐食を低減し、また高い洗浄力でこれらの汚染物質を除去することができるからである。
【００５７】
アルカリ洗浄剤は、液性がアルカリ性を示す洗浄剤のことであり、一般的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等の界面活性剤、ＮａＯＨ又はＫＯＨ等のアルカリ成分、グリコールエーテル等の溶剤、増粘剤等を含む。本発明では、アルカリ洗浄剤の有効成分として、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどを含むものを用いることができる。なお、本発明者らの検討によると、ＮａＯＨとＫＯＨとの何れも、ほぼ等々の洗浄効果が得られた。
【００５８】
磁気記録媒体には、上述したＦｅやＣｏ等の腐食しやすい元素が含まれているため、磁気記録媒体の洗浄はフッ素化合物等を用いた非水系洗浄液による洗浄に限られていた。本発明では、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いるため、この洗浄液による磁気記録媒体の腐食が発生しにくく、磁気記録媒体の表面に付着した汚染物質を高い洗浄力で除去することが可能となる。特に、洗浄液中におけるアルカリ洗浄剤の濃度を０．０００１質量％（１ｐｐｍ）〜０．１質量％（１０００ｐｐｍ）の範囲とすることによって、その効果を高めることが可能である。
【００５９】
また、本発明の媒体洗浄工程は、多段工程としてもよい。具体的には、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体の洗浄を行った後に、この磁気記録媒体に対して純水を用いたスピン洗浄、又は極短時間の浸漬洗浄を行うことが好ましい。本発明の媒体洗浄工程では、洗浄液にアルカリ洗浄剤を加えることによって、その洗浄力を高めることができる。しかしながら、磁気記録媒体の表面に、これらのアルカリ洗浄剤が残留すると、これが磁気記録媒体やマスター情報担体の汚染原因となる。
【００６０】
これを防ぐため、本発明では、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液を用いて磁気記録媒体の洗浄を行った後に、この磁気記録媒体に対して純水を用いたスピン洗浄、又は極短時間の浸漬洗浄を行うことで、磁気記録媒体の表面にアルカリを残留させることなく、この磁気記録媒体に対する洗浄力を高めることが可能である。そして、洗浄後は、スピン乾燥法やドライエア乾燥法等を用いて磁気記録媒体を速やかに乾燥させることが好ましい。
【００６１】
以上のようにして、本発明の媒体洗浄工程では、磁気記録媒体Ｗの表面に付着した塵埃や異物などの他に、上述した磁気記録媒体Ｗの表面に僅かに残留し、バーニッシュ処理や、ワイピング、スピン洗浄、従来の湿式洗浄等では除去不可能なレベルの量の汚染物質、特に、保護層となる炭素膜の表面に付着した有機重合膜を効率よく除去することが可能である。また、洗浄後に、これらが磁気記録媒体Ｗの表面に再付着することを防止した高度な媒体洗浄を行うことが可能である。その結果、従来の方法では得られない清浄な表面を有する磁気記録媒体Ｗを得ることが可能である。
【００６２】
したがって、本発明によれば、上記保護層となる炭素膜の表面から有機重合膜を効率良く除去できるため、磁気記録媒体Ｗの保護層の表面に形成される潤滑剤膜の膜厚分布のバラツキを無くして、この潤滑剤膜の保護層に対する被覆率を飛躍的に高めることが可能である。
【００６３】
（保護層形成工程）
次に、上記磁気記録媒体Ｗの保護層となる炭素膜の形成方法及び形成装置について説明する。
図５は、炭素膜の形成装置を模式的に示す概略構成図である。
この炭素膜の形成装置は、図５に示すように、炭素を含む原料の気体（以下、原料気体という。）Ｇを高周波プラズマにより励起分解し、これによって生じた炭素イオンを用いて、上記磁気記録媒体Ｗとなる円盤状の基板Ｄの両表面に炭素膜を形成する成膜装置である。
【００６４】
具体的に、この炭素膜の形成装置は、図５に示すように、減圧可能な成膜室１０１と、成膜室１０１内で基板Ｄを保持するホルダ１０２と、成膜室１０１内に原料気体Ｇを導入する導入管１０３と、成膜室１０１内に配置された高周波電極１０４と、高周波電極１０４に高周波を印加する高周波電源１０５と、高周波電極１０４内において原料気体Ｇをイオン化するプラズマ空間１０６と、高周波電極１０４と基板Ｄとの間に電位差を与えて、プラズマ空間１０６で発生した炭素イオンを基板Ｄ側へと加速させる加速用電源１０７と、プラズマ空間１０６に連続して炭素イオンが加速される加速空間１０８と、プラズマ空間１０６及び加速空間１０８に磁場を印加する永久磁石１０９とを備えて概略構成されている。
【００６５】
なお、本装置は、実際は成膜室１０１内の基板Ｄを挟んだ両側に炭素膜を形成するための構成を備えているが、図５においては、基板Ｄの片側の面のみに炭素膜を形成する構成を図示するものとする。
【００６６】
成膜室１０１は、チャンバ壁１０１ａによって気密に構成されると共に、真空ポンプ（図示せず。）に接続された排気管１１０を通じて内部を減圧排気することが可能となっている。高周波電源１０５は、高周波電極１０４に接続された電源であり、高周波電極１０４内にプラズマ空間１０６を形成し、このプラズマ空間１０６内で原料気体Ｇを高周波プラズマにより励起分解し、イオン化する。なお、高周波電源１０５については、日本国内では一般的に１３．５６ＭＨｚの電源が使用されるが、この周波数に限定されず３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの範囲で電源が使用可能である。
【００６７】
以上のような構造を有する炭素膜の形成装置を用いて、基板Ｄの表面に炭素膜を形成する際は、排気管１１０を通じて減圧された成膜室１０１の内部に、導入管１０３を通じて原料気体Ｇを導入する。この原料気体Ｇは、高周波電源１０５からの電力の供給により高周波電極１０４に発生した高周波プラズマによって励起分解されてイオン化した気体（炭素イオン）となる。
【００６８】
そして、このプラズマ中で励起された炭素イオンは、加速用電源１０７により高周波電極１０４と基板Ｄとの間に加速電位が加えられている場合は、加速空間１０８で加速される、すなわち加速用電源１０７によりマイナス電位とされた基板Ｄに向かって加速しながら、この基板Ｄの表面に衝突することになる。
【００６９】
一方、加速用電源１０７をゼロ電位とした場合、すなわち加速電位が加えられていない場合は、高周波プラズマによって励起分解された気体は加速空間１０８でほとんど加速されずに基板Ｄに到達し、基板Ｄの表面に炭素膜として析出することになる。
【００７０】
また、本実施形態では、成膜室１０１内においてプラズマ空間１０６と加速空間１０８とが直線状に連続した空間を形成していることが好ましい。一般に、加速空間１０８では、イオン以外の飛行粒子をフィルターリングするため、偏向電極を用いる場合が多い。しかしながら、偏向電極を用いた場合には、加速空間が曲線状となるため、加速されていないイオン又は低加速のイオンを高密度で形成することが困難となる。すなわち、偏向電極を用いた場合は、イオンを通過させるのに、ある程度イオンを加速する必要が生じてしまう。
一方、本発明では、プラズマ空間１０６と加速空間１０８とが直線状に連続した空間を形成することによって、加速されていないイオン又は低加速のイオンを高密度で簡便に形成することが可能である。
【００７１】
また、本実施形態では、基板Ｄのサイズにもよるが、外径３．５インチの円盤状の基板に炭素膜を成膜する場合、高周波電源１０５については、１００Ｗ〜１ｋＷの範囲内の電力を高周波電極１０４に供給することが好ましく、加速用電源１０７については、電圧を０〜５００Ｖの範囲、電流を０〜１Ａの範囲に設定することが好ましい。
【００７２】
また、本実施形態では、チャンバ壁１０１ａの周囲を囲むように配置された永久磁石１０９によって、プラズマ空間１０６及び加速空間１０８（以下、励起空間という。）に磁場を印加する。
【００７３】
本実施形態では、炭素イオンを基板Ｄの表面に加速照射又は単に照射するときに、外部から磁場を印加することによって、この基板Ｄの表面に照射される炭素イオンのイオン密度を高めることができる。このように、励起空間内のイオン密度が高められると、この励起空間内の励起力が高められ、より高いエネルギー状態となった炭素イオンを基板Ｄの表面に照射することができ、その結果、基板Ｄの表面に硬度が高く緻密性の高い炭素膜を成膜することが可能となる。
【００７４】
本実施形態では、上述したプラズマ空間１０６及び加速空間１０８の周囲を囲むように設けられた永久磁石１０９によって成膜室１０１内の励起空間に磁場を印加することができるが、この永久磁石１０９が印加する磁場とその磁力線の方向については、例えば図６（ａ）〜（ｃ）に示すような構成を採用することができる。
【００７５】
すなわち、図６（ａ）に示す構成（図５に示す場合と同様な構成）では、成膜室１０１のチャンバ壁１０１ａの周囲に、Ｓ極が基板Ｄ側、Ｎ極が高周波電極１０４側となるように永久磁石１０９が配置されている。この構成の場合、永久磁石１０９によって生ずる磁力線Ｍは、成膜室１０１の中央付近においては、イオンビームＢの加速方向とほぼ平行となる。成膜室１０１内の磁力線Ｍの方向をこのような方向に設定することにより、励起空間における炭素イオンを、その磁気モーメントにより成膜室１０１内の中央付近に集中させ、この励起空間内のイオン密度を効率良く高めることが可能である。
【００７６】
一方、図６（ｂ）に示す構成では、成膜室１０１のチャンバ壁１０１ａの周囲に、Ｓ極が高周波電極１０４側、Ｎ極が基板Ｄ側となるように永久磁石１０９が配置されている。
一方、図６（ｃ）に示す構成では、成膜室１０１のチャンバ壁１０１ａの周囲に、Ｎ極とＳ極との向きを内周側と外周側とで交互に入れ替えた複数の永久磁石１０９が配置されている。何れの場合も、永久磁石１０９によって生ずる磁力線Ｍは、成膜室１０１の中央付近においては、イオンビームＢの加速方向とほぼ平行となり、これにより励起空間内のイオン密度を効率良く高めることが可能である。
【００７７】
また、本実施形態では、上記原料気体Ｇとして、例えば炭化水素を含むものを用いることができる。炭化水素としては、低級飽和炭化水素、低級不飽和炭化水素、低級環式炭化水素のうち何れか１種又は２種以上の低炭素炭化水素を用いることが好ましい。なお、ここでいう低級とは、炭素数が１〜１０の場合を指す。
【００７８】
このうち、低級飽和炭化水素としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン、オクタン等を用いることができる。一方、低級不飽和炭化水素としては、イソプレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン等を用いることができる。一方、低級環式炭化水素としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、スチレン、ナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサジエン等を用いることができる。
【００７９】
本実施形態において、低級炭化水素を用いることが好ましいとしたのは、炭化水素の炭素数が上記範囲を越えると、導入管１０３から気体として供給することが困難となることに加え、放電時の炭化水素の分解が進行しににくくなり、炭素膜が強度に劣る高分子成分を多く含むものとなるためである。
【００８０】
さらに、本実施形態では、成膜室１０１内でのプラズマの発生を誘発するため、上記原料気体Ｇに、不活性ガスや水素ガスなどを含有させた混合ガス等を用いることが好ましい。この混合ガスにおける炭化水素と不活性ガス等との混合割合は、炭化水素：不活性ガスを２：１〜１：１００（体積比）の範囲に設定することが好ましく、これにより、高硬度の耐久性の高い炭素膜を形成することができる。
【００８１】
なお、上記原料気体Ｇの励起手段としては、上記高周波プラズマの他にも、例えば、ＤＣアークプラズマ、グロー放電、マイクロ波プラズマ、通電加熱したフィラメントによって形成した熱プラズマなどを用いることが可能である。
【００８２】
以上のようにして、本発明の保護層形成工程では、密着性が高く高硬度で緻密な炭素膜を形成することが可能であり、この炭素膜を上記磁気記録媒体Ｗの保護層に用いた場合には、炭素膜の膜厚を薄くすることが可能となるため、磁気記録媒体Ｗと磁気ヘッドとの距離を狭く設定することが可能となり、その結果、磁気記録媒体Ｗの記録密度を高めると共に、磁気記録媒体Ｗの耐コロージョン性を高めることが可能である。
【００８３】
（磁気記録媒体）
次に、本発明を適用して製造される磁気記録媒体Ｗの一例を図７に示す。
この磁気記録媒体Ｗは、図７に示すように、非磁性基板３１上に、スペーサ層３２ｂにより反強磁性結合させた２層の軟磁性層３２ａを含む軟磁性下地層３２と、配向制御層３３と、垂直磁性層３４と、保護層３５と、潤滑剤膜３６とを順次積層した構造を有している。
【００８４】
また、垂直磁性層３４は、下層の磁性層３４ａと、中層の磁性層３４ｂと、上層の磁性層３４ｃとの３層を含み、磁性層３４ａと磁性層３４ｂの間で非磁性層３７ａを、磁性層３４ｂと磁性層３４ｃの間で非磁性層３７ｂを挟み込むことで、これら磁性層３４ａ〜３４ｃと非磁性層３７ａ，３７ｂとが交互に積層された構造を有している。
【００８５】
非磁性基板３１としては、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板を用いてもよく、例えば、ガラスや、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板を用いてもよい。また、これら金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層又はＮｉＰ合金層が形成されたものを用いることもできる。
【００８６】
ガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができ、アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。セラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。
【００８７】
非磁性基板３１は、その平均表面粗さ(Ｒａ)が１ｎｍ（１０Å）以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であるとことが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、表面の微小うねり(Ｗａ)が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下。）であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、端面のチャンファー部の面取り部と、側面部との少なくとも一方の表面平均粗さ(Ｒａ)が１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下。）のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。なお、微少うねり(Ｗａ)は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００８８】
また、非磁性基板３１は、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層３２と接することで、表面の吸着ガスや、水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。この場合、非磁性基板３１と軟磁性下地層３２の間に密着層を設けることが好ましく、これにより、これらを抑制することが可能となる。なお、密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金など適宜選択することが可能である。また、密着層の厚みは２ｎｍ（２０Å）以上であることが好ましい。
【００８９】
軟磁性層３２ａ，３２ｃとしては、Ｆｅ：Ｃｏを４０：６０〜７０：３０（原子比）の範囲で含む材料を用いることが好ましい。また、その透磁率や耐食性を高めるために、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒの中から選ばれる何れか１種を１〜８原子％の範囲で含有させることが好ましい。スペーサ層３２ｂとしては、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｕ等を用いることができるが、この中で特にＲｕを用いることが好ましい。
【００９０】
配向制御層３３は、垂直磁性層３４の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善するためのものである。この配向制御層３３としては、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有するものを用いることが好ましい。特に、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金を用いることが好ましい。また、これらの合金を多層化してもよい。例えば、基板側からＮｉ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｃｏ系合金とＲｕ系合金との多層構造、Ｐｔ系合金とＲｕ系合金との多層構造を採用することが好ましい。
【００９１】
ここで、配向制御層３３直上の垂直磁性層３４の初期部には、結晶成長の乱れが生じやすく、これがノイズの原因となる。この場合、配向制御層３３と垂直磁性層３４の間に非磁性下地層３８を設けることが好ましい。この初期部の乱れた部分を非磁性下地層３８で置き換えることで、ノイズの発生を抑制することができる。
【００９２】
非磁性下地層３８としては、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料からなるものを用いることが好ましい。Ｃｒの含有量は、２５原子％以上、５０原子％以下とすることが好ましい。酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、その中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを好適に用いることができる。酸化物の含有量としては、磁性粒子を構成する、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の合金を１つの化合物として算出したｍｏｌ総量に対して、３ｍｏｌ％以上、１８ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
【００９３】
磁性層３４ａ，３４ｂ，３４ｃとしては、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料を用いることが好ましく、この酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましい。その中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを好適に用いることができる。また、下層の磁性層３４ａは、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００９４】
磁性層３４ａ，３４ｂ，３４ｃに適した材料としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１４原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ２Ｏ３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ２Ｏ５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ２）などを挙げることができる。
【００９５】
また、本発明では、上記垂直磁性層３４を４層以上の磁性層で構成することも可能である。例えば、上記磁性層３４ａ，３４ｂに加えて、グラニュラー構造の磁性層を３層で構成し、その上に、酸化物を含まない磁性層３４ｃを設けた構成とし、また、酸化物を含まない磁性層３４ｃを２層構造として、磁性層３４ａ，３４ｂの上に設けた構成とすることができる。
【００９６】
また、本発明では、垂直磁性層３４を構成する３層以上の磁性層間に非磁性層３７を設けることが好ましい。非磁性層３７を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。その結果Ｓ／Ｎ比をより向上させることが可能である。
【００９７】
保護層３５は、垂直磁性層３４の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが磁気記録媒体Ｗに接触したときに媒体表面の損傷を防ぐためのものであり、上記図５に示す炭素膜の形成装置を用いて形成された高硬度で緻密な炭素膜からなる。この磁気記録媒体Ｗでは、炭素膜の膜厚を薄くすることが可能であり、具体的には炭素膜の膜厚を２ｎｍ程度以下とすることが可能である。
【００９８】
潤滑剤膜３６は、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などのフッ素系潤滑剤や、炭化水素系潤滑剤、これらの混合物等からなる潤滑剤を保護層３５上に塗布することにより形成することができる。また、潤滑剤膜３６の膜厚は、通常は１〜４ｎｍ程度である。
【００９９】
また、潤滑剤を生成する未精製潤滑剤としては、化学的に安定で、低摩擦で、低吸着性を有するものが好適に用いられる。具体的には、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含むパーフルオロポリエーテル系潤滑剤などのフッ素樹脂系潤滑剤を用いることが好ましい。
【０１００】
パーフルオロポリエーテル系潤滑剤としては、１種類のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いてもよいし、環状トリフォスファゼン系潤滑剤とパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を組み合わせた潤滑剤や、末端基にホスファゼン環を有するパーフルオロポリエーテル化合物と末端基に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物をと組み合わせた潤滑剤を用いてもよい。
【０１０１】
パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含む潤滑剤としては、例えばＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＯＬ、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ（商品名）等が挙げられる。また、環状トリフォスファゼン系潤滑剤としては、ＤｏｗＣｈｅｍｉｃａｌ社製のＸ−１ｐ（商品名）などが挙げられる。また、末端基にホスファゼン環を有するパーフルオロポリエーテル化合物としては、松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製のＭＯＲＥＳＣＯ  ＰＨＯＳＰＨＡＲＯＬＡ２０Ｈ−２０００（商品名）などが挙げられる。
【０１０２】
続いて、このようにして得られた潤滑剤を溶媒に溶解し、塗布方法に適した濃度を有する塗布溶液（液体潤滑剤）とする。ここで用いる溶媒としては、上述した潤滑剤を希釈する溶剤と同じく、フッ素系溶媒などが用いられる。
【０１０３】
その後、このようにして得られた塗布溶液を保護層上に塗布する。塗布工程には、従来公知のディッピング装置を用いて、ディッピング法（ディップコート法）により行う。ディップコート法は、塗布溶液（液体潤滑剤）をディッピング装置の浸漬槽に入れ、この浸漬槽に保護層までの各層が形成された非磁性基板を浸漬し、その後、浸漬槽から非磁性基板を所定の速度で引き上げて非磁性基板の保護層上の表面に均一な膜厚の潤滑剤膜を形成する方法である。
【０１０４】
上述したように、本発明を適用した磁気記録媒体の製造方法では、保護層３５を形成した後に、保護層３５を形成した後に、アルカリ洗浄剤を含む洗浄液Ｌを用いて磁気記録媒体Ｗを洗浄することで、上述した有機重合膜を効率良く除去できることから、保護層３５の表面に形成される潤滑剤膜３６の膜厚分布のバラツキを無くして、この潤滑剤膜３６の保護層３５に対する被覆率を飛躍的に高めることが可能である。
【０１０５】
上記潤滑剤膜３６の塗布工程の後には、ワイピング工程、バーニッシュ工程が行われる。ここで、上記媒体洗浄工程は、ワイピング工程やバーニッシュ工程では除去できない磁気記録媒体Ｗの表面の汚染物質等を除去する目的で行われる。これらの汚染物質は、潤滑剤の塗布工程、ワイピング工程、バーニッシュ工程の後では洗浄除去することが困難となる場合がある。その理由は、推測ではあるが、汚染物質が潤滑剤膜３６に覆われると、その撥水性により除去が困難となること、ワイピング工程、バーニッシュ工程の後では、汚染物質等が磁気記録媒体Ｗの表面に塗り込められ、除去しにくくなることが考えられる。
【０１０６】
また、上記媒体洗浄工程では、スパッタダスト等の粉状物をある程度除去することが可能であるが、ワイピング工程、バーニッシュ工程のように磁気記録媒体Ｗの表面をスクラブし、ワイプし、また削る効果が低いため、磁気記録媒体Ｗの表面に強固に付着した粉状物を除去することは困難である。したがって、上記媒体洗浄工程は、ワイピング工程、バーニッシュ工程と併用することが好ましい。
【０１０７】
ワイピング工程は、例えば、布製のワイピングテープ等を用いて行われる。すなわち、このワイピング工程は、ワイピングテープを磁気記録媒体Ｗの表面に対して相対走行させつつ、ゴム製のコンタクトロール又はパッドによってワイピングテープの表面を磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てることにより、媒体表面を軽く拭く工程である。このような処理を行うことにより、磁気記録媒体Ｗの表面に付着したスパッタダスト等が除去されるので、磁気ヘッドの浮上量をより小さくすることが可能となる。
【０１０８】
また、ワイピング工程に用いられるワイピングテープとしては、超極細繊維よりなる布帛を帯状にスリットしたワイピングテープや、超極細繊維マルチフィラメント糸の織編物などが用いられる。
【０１０９】
また、このようなワイピングテープを用いる磁気記録媒体Ｗのワイピング方法は、具体的には、磁気記録媒体Ｗを回転させつつ、この磁気記録媒体Ｗの磁性層側の面に、ワイピングテープの表面（拭き面）を押し当てることにより行われる。これにより、磁気記録媒体Ｗの表面に付着したスパッタダスト等が拭き取られ、媒体表面が清浄化される。
【０１１０】
ワイピングテープは、供給リールと巻取リールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取リールに順次巻き取られる。そして、この供給リール側から巻取リール側に走行する途中で、ワイピングテープの拭き面と反対側の面（裏面）がゴム等のバッキングロール又はフェルト等により押圧され、その拭き面が磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てられる。
【０１１１】
バーニッシュ工程は、磁気記録媒体Ｗの表面にある突起物を除去するため、研磨テープを用いてその表面を研磨する工程である。これにより、ハードディスクドライブでの磁気ヘッドの浮上量をより小さくし、また、上記磁気転写工程で磁気記録媒体Ｗとマスター情報担体Ｍとの間に隙間が生じて転写パターンが不鮮明となり、マスター情報担体Ｍが損傷を受けることを防止することができる。
【０１１２】
このようなバーニッシュ工程は、例えば、アルミナ砥粒を塗布した研磨テープ等を用いて行われる。すなわち、このバーニッシュ工程は、研磨テープをゴム製のコンタクトロールを磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てることにより、媒体表面を軽く研磨する工程である。このような処理を行うことにより、磁気記録媒体Ｗの表面にある異常突起等が除去される。
【０１１３】
バーニッシュ工程に用いられる研磨テープ（バーニッシュテープ）としては、通常ポリエステル製のベースフィルム上に研磨材層を形成してなるテープを使用する。そして、この研磨材層が磁気記録媒体Ｗの表面と接触して摺動することによって、媒体表面に付着した微小な塵埃が除去されると共に、その媒体表面に存在する異常突起等が研磨・除去されて、その媒体表面が平滑化される。
【０１１４】
研磨材としては、平均粒子径が０．０５μｍ〜５０μｍ程度の、酸化クロム、α−アルミナ、炭化珪素、非磁性酸化鉄、ダイヤモンド、γ−アルミナ、α，γ−アルミナ、熔融アルミナ、コランダム、人造ダイヤモンド等が用いられる。
【０１１５】
また、このようなバーニッシュ加工は、磁気記録媒体Ｗを回転させつつ、この磁気記録媒体Ｗの表面に、研磨テープの砥粒面を押し当てることにより行われる。これにより、磁気記録媒体Ｗの表面にある突起が研磨除去され、その媒体表面が平滑化される。ここで、研磨テープは、供給リールと巻取リールとの間に掛け渡されており、供給リールから順次供給され、巻取リールに順次巻き取られる。そして、この供給リール側から巻取リール側に走行する途中で、研磨テープの砥粒面と反対側の面（裏面）がゴム等のバッキングロール又はフェルト等により押圧され、研磨テープの研磨面が磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てられる。
【０１１６】
上記バーニッシュ工程の後は、得られた磁気記録媒体Ｗに対してグライド検査が行われる。グライド検査とは、磁気記録媒体Ｗの表面に突起物が無いかどうか検査する工程である。すなわち、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体Ｗに対して記録再生を行う際に、磁気記録媒体Ｗの表面に浮上量（媒体と磁気ヘッドの間隔）以上の高さの突起があると、磁気ヘッドが突起に衝突して磁気ヘッドが損傷したり、磁気記録媒体Ｗに欠陥が発生したりする原因となる。グライド検査では、そのような高い突起の有無を検査する。
【０１１７】
グライド検査をパスした磁気記録媒体Ｗには、通常ではサーティファイ検査が実施される。サーティファイ検査とは、通常のハードディスクドライブの記録再生と同様に、磁気記録媒体Ｗに対して磁気ヘッドで所定の信号を記録した後、その信号を再生し、得られた再生信号によって磁気記録媒体Ｗの記録不能を検出し、磁気記録媒体Ｗの電気特性や欠陥の有無など媒体の品質を確かめるものである。
【０１１８】
（磁気記録再生装置）
次に、本発明を適用して製造された磁気記録媒体Ｗを備える磁気記録再生装置（ハードディスクドライブ）の一例を図８に示す。
この磁気記録再生装置は、上記図７に示す本発明を適用して製造された磁気記録媒体７０と、磁気記録媒体７０を回転駆動させる媒体駆動部７１と、磁気記録媒体７０に情報を記録再生する磁気ヘッド７２と、この磁気ヘッド７２を磁気記録媒体７０に対して相対運動させるヘッド駆動部７３と、記録再生信号処理系７４とを備えている。また、記録再生信号処理系７４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド７２に送り、磁気ヘッド７２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることが可能となっている。また、この磁気記録再生装置が備える磁気ヘッド７２には、再生素子として巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有した、より高記録密度に適した磁気ヘッドを用いることができる。
【０１１９】
上記磁気記録再生装置によれば、上記磁気記録媒体７０に、本発明を適用して製造された高記録密度、高速書き込み、優れた電磁変換特性の磁気記録媒体Ｗを採用することで、優れたハードディスクドライブとすることが可能である。
【実施例】
【０１２０】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【０１２１】
（実施例）
実施例では、先ず、洗浄済みのガラス基板（コニカミノルタ社製、外形２．５インチ）をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した後、このガラス基板の上に、６０Ｃｒ−４０Ｔｉターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。また、この密着層の上に、４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂ｛Ｆｅ含有量４６原子％、Ｃｏ含有量４６原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｂ含有量３原子％｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚３４ｎｍの軟磁性層を成膜し、この上にＲｕ層を層厚０．７６ｎｍで成膜した後、さらに４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂの軟磁性層を層厚３４ｎｍ成膜して、これを軟磁性下地層とした。
【０１２２】
次に、上記軟磁性下地層の上に、Ｎｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲット、Ｒｕターゲットを用いて、それぞれ５ｎｍ、２０ｎｍの層厚で順に成膜し、これを配向制御層とした。
【０１２３】
次に、配向制御層の上に、多層構造の磁性層として、Ｃｏ１２Ｃｒ１６Ｐｔ−１６ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｃｏ５Ｃｒ２２Ｐｔ−４ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｒｕ４７．５Ｃｏ（膜厚０．５ｎｍ）、Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ３Ｒｕ−４ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｃｏ６Ｃｒ１６Ｐｔ６Ｒｕ−４ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｒｕ４７．５Ｃｏ、Ｃｏ１１．５Ｃｒ１３Ｐｔ１０Ｒｕ−４ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ６Ｂ（膜厚３ｎｍ）を積層した。
【０１２４】
次に、上記図５に示す炭素膜の形成装置を用いて、高周波プラズマＣＶＤ法により層厚２．５ｎｍの炭素保護層を成膜した。具体的に、上記成膜室１０１は、外径が１８０ｍｍ、長さが２５０ｍｍの円筒形状を有する処理チャンバであり、ＳＵＳ３０４からなるチャンバ壁によって構成されている。また、成膜室１０１内には、上記高周波電極１０４が配置され、この高周波電極１０４と上記ホルダ１０２に保持される基板Ｄとの距離は１６０ｍｍである。さらに、チャンバ壁の周囲を囲むように、内径が１８５ｍｍ、長さが４０ｍｍの円筒状の上記永久磁石１０９を、その中心に高周波電極１０４が位置すると共に、Ｓ極が基板側となり、Ｎ極がカソード電極側となるように配置した。そして、この永久磁石１０９のトータル磁力は５０Ｇ（５ｍＴ）である。
【０１２５】
そして、上記原料気体Ｇとして、トルエンをガス化したものを用い、上記導入管１０３から成膜室１０に導入される原料気体Ｇの流量を２．９ＳＣＣＭ、反応圧力を０．３Ｐａ、高周波電極１０４に印加する電力を１ｋＷ（１３．５６ＭＨｚ）、高周波電極１０４とアノード電極との間の電圧を７５Ｖ、電流を１６５０ｍＡ、イオンの加速電圧を２００Ｖ、電流値を６０ｍＡ、成膜時間を８秒間とする成膜条件で、上記磁性層上に膜厚３．５ｎｍの炭素膜からなる保護層を形成した。
【０１２６】
なお、成膜後（上記高周波電源１０５を切った後）は、成膜室１０１から原料気体Ｇを排気したものの、成膜室１０１内の圧力が０．０１Ｐａに至るまでの時間は約２秒であった。
【０１２７】
次に、以上の方法で作製した磁気記録媒体を、上記図１及び図２に示す流水式洗浄装置１を用いて洗浄した。具体的には、長さ４０ｃｍ、幅４０ｃｍ、深さ３５ｃｍのＳＵＳ３０４製の洗浄槽２を用い、この洗浄槽２の側壁２ｂ，２ｄには、それぞれ直径１５ｍｍの供給口３及び排出口５が相対向しながら、幅方向に５ｃｍ間隔で７列、高さ方向に５ｃｍ間隔で６列、計４２（＝７×６）つが格子状に並んで配置されて、各々に流量調整バルブ４，６が接続されている。また、洗浄槽２の底面の外側には、周波数９５０ｋＨｚ、出力６００Ｗの超音波発振器７が配置されている。フィルタ９には、０．５ミクロンフィルタ及びイオンフィルタを各１段で使用し、洗浄槽２内を流れる洗浄液Ｌを循環的に再使用した。
【０１２８】
また、磁気記録媒体Ｗは、１０ｍｍ間隔で主面と直交する方向に１列当たり３９枚として５列（計３９５枚）並べてホルダ５０に保持した後、このホルダ５０を各磁気記録媒体Ｗの主面が洗浄液Ｌの流れる方向と平行となるように洗浄槽２の底面上に配置した。そして、洗浄槽２内の洗浄液Ｌにホルダ５０を浸漬させた状態で、洗浄液Ｌを層流の状態で横方向に流し、この洗浄液Ｌに超音波振動を印加しながら洗浄を行った。
【０１２９】
また、洗浄液Ｌの水温は２３±３℃、洗浄槽２内を層流の状態で流れる洗浄液Ｌの平均流速（被洗浄物を浸漬し、超音波振動を印加した状態での流速）が３ｍ／分となるように、各供給口３及び排出口５に接続された流量調整バルブ４，６の開度を調整しながら、各供給口３及び排出口５を流れる洗浄液Ｌの流量を調整した。
【０１３０】
具体的には、表１に示すように、各供給口３及び排出口５に接続された流量調整バルブ４，６の開度を調整した。なお、表１は、上流側及び下流側の側壁２ｂ，２ｄをそれぞれ洗浄槽２の内側から見たときに、幅方向及び高さ方向に並ぶ４２つの供給口３及び排出口５側のバルブ開度（％）を示したものである。
【０１３１】
【表１】
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【０１３２】
実施例の洗浄工程は、２段の洗浄槽２を用い、１段目の洗浄槽２の洗浄液には、超純水を用いて調整したＫＯＨ５ｐｐｍを有効成分とするアルカリ洗剤を用いた。アルカリ洗剤には、他に、ポリオキシエチレンアルキルエーテルを０．０１質量％、グリコールエーテルを０．０１質量％添加した。また、２段目の洗浄槽２の洗浄液には、超純水のみを用いた。この２段の洗浄槽２に順に磁気記録媒体を浸漬し、１段目の洗浄時間を３０秒間、２段目の洗浄時間を５秒間とし、２段目の洗浄後は磁気記録媒体を速やかにドライエアで乾燥させた。
【０１３３】
次に、この磁気記録媒体の表面に、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤膜を厚さ１５オングストロームで形成した。
【０１３４】
次に、潤滑剤を塗布した磁気記録媒体に対してワイピング処理を施した。ワイピングテープには、ナイロン樹脂とポリエステル樹脂による線径２μｍの剥離型複合繊維を用いた。ワイピング処理は、磁気記録媒体の回転数を３００ｒｐｍ、ワイピングテープの送り速度は１０ｍｍ／秒、ワイピングテープを磁気記録媒体に押し当てる際の押圧力は９８ｍＮ、処理時間は５秒間とした。ワイピング処理に際してワイピングテープにパーフルオロポリエーテルを噴霧し、テープ表面に約０．０１μｍの潤滑剤層を形成した。
【０１３５】
次に、ワイピング処理を施した磁気記録媒体に対してバーニッシュ加工を施した。バーニッシュテープには、ポリエチレンテレフタレート製のフィルム上に、平均粒径０．５μｍの結晶成長タイプのアルミナ粒子をエポキシ樹脂で固着したものを用いた。バーニッシュ加工は、磁気記録媒体の回転数は３００ｒｐｍ、研磨テープの送り速度は１０ｍｍ／秒、研磨テープを磁気ディスクに押し当てる際の押圧力は９８ｍＮ、処理時間は５秒間とした。
【０１３６】
（比較例）
比較例では、上記洗浄工程を行わなかった以外は、実施例と同じ条件で磁気記録媒体を作製した。
【０１３７】
（磁気記録媒体の評価）
以上のように作製された実施例及び比較例の磁気記録媒体の潤滑剤膜の膜厚分布を測定した。この膜厚分布の測定には、光学式表面検査装置、（米国）ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、Ｃａｎｄｅｌａ  ６１００（商品名）を使用した。
【０１３８】
その結果、比較例の磁気記録媒体では、基板の外端部分の約５ｍｍの範囲とその内側の部分で潤滑剤膜の塗布ムラによる縞模様が観察された。これに対して、実施例の磁気記録媒体では、潤滑剤膜の塗布ムラによる縞模様は一切観察されなかった。なお、比較例１で観察された縞模様による潤滑剤膜の膜厚変動は±２Åであった。
【符号の説明】
【０１３９】
１…流水式洗浄装置  ２…洗浄槽  ３…供給口  ４…流量調整バルブ（流量調整手段）  ５…排出口  ６…流量調整バルブ（流量調整手段）  ７…超音波発振器（振動発生手段）  ８…ポンプ  ９…フィルタ  Ｗ…磁気記録媒体
３１…非磁性基板  ３２…軟磁性下地層  ３２ａ…軟磁性層  ３２ｂ…スペーサ層  ３３…配向制御層  ３４…垂直磁性層  ３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…磁性層  ３５…保護層  ３６…潤滑剤膜  ３７ａ，３７ｂ…非磁性層  ３８…非磁性下地層
７０…磁気記録媒体  ７１…媒体駆動部  ７２…磁気ヘッド  ７３…ヘッド駆動部  ７４…記録再生信号処理系
１０１…成膜室  １０２…ホルダ  １０３…導入管  １０４…高周波電極  １０５…高周波電源  １０６…プラズマ空間  １０７…加速用電源  １０８…加速空間  １０９…永久磁石  １１０…排気管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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