(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から出力されるパルスレーザ光をターゲット物質に照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置において用いられるドライバーレーザであって、
発振によりパルスレーザ光の第１のビームを生成して出力する発振器と、
前記発振器から出力される第１のビームを入力し、該第１のビームを増幅して出力する少なくとも１つの増幅器と、
を具備し、前記増幅器が、
パルスレーザ光を入力するための第１のウィンドウ及びパルスレーザ光を出力するための第２のウィンドウを有し、放電により励起された媒体のエネルギーを用いて、前記第１のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して前記第２のウィンドウから出力する放電部と、
前記発振器から出力される第１のビームを前記放電部の前記第１のウィンドウに出力し、その後に前記放電部の前記第２のウィンドウから出力される第２のビームを前記放電部の前記第１のウィンドウに出力し、その後に前記放電部の前記第２のウィンドウから出力される第３のビームを所定の方向に出力する光学系と、
を含み、
前記第２のビーム及び前記第３のビームの各々の波形が、光強度のピークを含むメインパルス部と、光強度がメインパルス部における光強度の上昇よりも緩やかに上昇するペデスタル部とを含み、
前記第３のビームのペデスタル部の光強度の最大値に対する前記第３のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率が、前記第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値に対する前記第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率以上である、極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項２】
レーザ光源から出力されるパルスレーザ光をターゲット物質に照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置において用いられるドライバーレーザであって、
発振によりパルスレーザ光の第１のビームを生成して出力する発振器と、
前記発振器から出力される第１のビームを入力し、該第１のビームを増幅して出力する少なくとも１つの増幅器と、
を具備し、前記増幅器が、
パルスレーザ光を入出力するための第１及び第２のウィンドウをそれぞれ有し、放電により励起された媒体のエネルギーを用いて、前記第１のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して前記第２のウィンドウから出力し、前記第２のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して前記第１のウィンドウから出力する第１及び第２の放電部と、
前記発振器から出力される第１のビームを前記第１の放電部の前記第１のウィンドウに出力し、その後に前記第１の放電部の前記第２のウィンドウから出力される第２のビームを前記第２の放電部の前記第１のウィンドウに出力し、その後に前記第２の放電部の前記第２のウィンドウから出力される第３のビームを前記第１の放電部の前記第１のウィンドウに出力し、その後に前記第１の放電部の前記第２のウィンドウから出力される第４のビームを前記第２の放電部の前記第１のウィンドウ又は前記第２のウィンドウに出力し、その後に前記第２の放電部の前記第２のウィンドウ又は前記第１のウィンドウから出力される第５のビームを所定の方向に出力する光学系と、
を含み、
前記第２のビーム及び前記第４のビームの各々の波形が、光強度のピークを含むメインパルス部と、光強度がメインパルス部における光強度の上昇よりも緩やかに上昇するペデスタル部とを含み、
前記第４のビームのペデスタル部の光強度の最大値に対する前記第４のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率が、前記第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値に対する前記第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率以上である、極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項３】
前記第１及び／又は第２のウィンドウから出力される自励発振光を減衰させる少なくとも１つの自励発振光減衰手段を更に含む、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項４】
前記自励発振光減衰手段が、可飽和吸収体が充填され、前記可飽和吸収体にパルスレーザ光を入出力するための２つのウィンドウが設けられたセルを含む、請求項３記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項５】
前記自励発振光減衰手段の２つのウィンドウが、パルスレーザ光の光軸に対してブリュースタ角を為すように設けられている、請求項４記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項６】
前記自励発振光減衰手段が、
パルスレーザ光を集光して前記２つのウィンドウの一方に入射するための集光手段と、
前記２つのウィンドウの他方から出射するパルスレーザ光をコリメートするためのコリメート手段と、
を更に含む、請求項４又は５記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項７】
前記自励発振光減衰手段の２つのウィンドウが、ピンホール状の径を有しており、
前記自励発振光減衰手段が、ピンホール板の機能を兼ね備えている、請求項６記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項８】
前記自励発振光減衰手段が、
ピンホールが形成されたピンホール板と、
パルスレーザ光を前記ピンホールに集光させるための集光手段と、
前記ピンホールを通過したパルスレーザ光をコリメートするためのコリメート手段と、
を含む、請求項３記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項９】
前記発振器及び／又は前記増幅器が、レーザ媒質としてＣＯ２を含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項１０】
前記発振器と前記少なくとも１つの増幅器とが、ＭＯＰＡ(Master Oscillator Power Amplifier)を構成する、請求項１〜９のいずれか１項記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等を露光するために用いられる極端紫外光を発生するＬＰＰ（laser produced plasma）型ＥＵＶ（extreme ultraviolet：極端紫外）光源装置においてターゲットに光を照射するドライバーレーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴い、光リソグラフィの微細化も急速に進展しており、次世代においては、１００ｎｍ〜７０ｎｍの微細加工、さらには５０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになっている。そのため、例えば、５０ｎｍ以下の微細加工に応じるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光を発生するＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（catadioptric system）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
そのようなＥＵＶ光源装置においては、一般に、駆動用光源（ドライバー）として短パルスレーザが用いられる。短パルスレーザは、ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において高いＣＥ（conversion efficiency：照射レーザ光からＥＵＶ光への変換効率）を得るのに適しているからである。
【０００４】
図３３は、ドライバーとして用いられる発振増幅型レーザの構成を示す概略図である。
図３３に示す発振増幅型レーザ１０は、短パルスＣＯ２レーザによって構成される発振器１１と、短パルスＣＯ２レーザが発生したレーザ光を増幅する増幅器１２とを含んでいる。ここで、増幅器１２が光共振器を持たない場合に、そのような構成を有するレーザシステムは、ＭＯＰＡ(Master Oscillator Power Amplifier)システムと呼ばれる。増幅器１２は、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、さらに、必要に応じて、水素（Ｈ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、キセノン（Ｘｅ）等を含むＣＯ２レーザガスを放電によって励起する放電装置を有している。
なお、図３３に示す増幅器１２と異なり、増幅段に共振器を設ける場合には、増幅段単体によるレーザ発振が可能である。そのような構成を有するレーザシステムは、ＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）システムと呼ばれる。
【０００５】
発振器１１から出射したエネルギーＡを有するレーザ光は、増幅器１２において所望のエネルギーＢを有するレーザ光に増幅される。このエネルギーＢを有するレーザ光は、レーザ光伝播系を通して、又は、レンズによって集光されて、錫（Ｓｎ）やキセノン（Ｘｅ）等から選択されるＥＵＶ発光ターゲット物質に照射される。
ここで、図３３においては、レーザエネルギーＡをレーザエネルギーＢまで増幅するために、増幅器を１段しか設けていないが、所望のレーザエネルギーＢが得られない場合には、複数段の増幅器を用いてもよい。
【０００６】
次に、発振器である短パルスＣＯ２レーザの構成例について説明する。特許文献１には、短パルスＲＦ（Radio Frequency励起）−ＣＯ２レーザの構成が開示されている（特許文献１の図５）。このＲＦ−ＣＯ２レーザにおいては、１００ｋＨｚ程度までレーザパルスの高繰り返し運転が可能である。実用上は、１００Ｗ級のＥＵＶ発光を得る必要があるが、ＣＯ２レーザによるＣＥを０．５％と見積り、さらに伝播損失を７０％と見積もると、ＣＯ２レーザに求められる出力は６０ｋＷ程度になる。６０ｋＷの出力を短パルスレーザにおいて達成するためには、光学素子等の耐久性等を考慮すると、５０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ程度の繰り返し周波数が必要となる。なお、発振器から出射されるレーザ光のパルス幅は、１００ｎｓ以下が望ましい。
【０００７】
その理由は次の通りである。ＣＯ２レーザの出力をＥｔｏｔａｌ、パルス発振の繰返し周波数をｆｉ（ｉ=１，２，３，…）、１つのパルスの光エネルギーをＥｐｊ（ｊ＝１，２，３，…）とすると、Ｅｔｏｔａｌ＝ｆ１×Ｅｐ１＝ｆ２×Ｅｐ２という関係がある。ここで、Ｅｐが大きい場合には、レーザ光が通過する光学素子に与えられるダメージも大きくなるので、光学素子の劣化が早くなる。そのため、Ｅｐは小さい方が望ましい。そこで、所望のＥｔｏｔａｌを得るためにＥｐを小さくして、繰返し周波数ｆを大きくすれば良い。
【０００８】
このように高い繰返し周波数を実現するためには、ＲＦ（Radio Frequency励起）−ＣＯ２レーザを用いることが適当である。その理由は、パルスＣＯ２レーザとしては、この他にもＴＥＡ（Transverse Excitation Atmospheric）−ＣＯ２レーザがあるが、現状の技術では、２ｋＨｚ程度の繰返し動作が限界だからである。
【０００９】
特許文献１の図５を参照すると、このレーザ装置は、マルチパス導波管レーザ発振器（Multipass Waveguide Laser Oscillator）４００とマルチパス導波管レーザ増幅器（Multipass Waveguide Laser Amplifier）４００ａとを含んでいる。発振器４００の共振器は全反射ミラー４０８及び４０６によって構成されている。これらのミラー間に、Ｑスイッチ、ＲＦ放電部、及び、偏光薄膜（Thin Film Polarizer：ＴＦＰ）が設けてある。Ｑスイッチがオフの時には、レーザ光がミラー４０８とミラー４０６との間を往復し、その際の誘導放出によって光強度が増加する。この光強度が十分に増加したところでＱスイッチをオンにすると、ピークの立った短パルスがＴＦＰ４０４において反射され、ミラー４０９及びλ／４波長板を経由して、図５の下部に示されているマルチパス導波管レーザ増幅器（Multipass Waveguide Laser Amplifier）４００ａに導入される。そして、導入された光が増幅器（Amplifier）において増幅され、レーザ光が外部に出射する。このような構成を有するレーザは、Ｑスイッチ・キャビティ・ダンプ・レーザ（Q-switched cavity-dumped laser）と呼ばれている。
【００１０】
ところで、発振増幅型レーザの増幅器の利得が高い場合等に、増幅器において自励発振又は寄生発振（以下において、単に、「自励発振」と言う）が発生し得ることが知られている。このような自励発振は、ＭＯＰＯシステム内の共振器を有している増幅器だけではなく、ＭＯＰＡシステム内の共振器を有していない増幅器においても発生し得る。
【００１１】
自励発振によって生ずる自励発振光を吸収するために、強度が低いレーザ光を吸収し、強度が高いレーザ光を透過する物質である可飽和吸収体を増幅段に配置する技術が知られている（例えば、下記の非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許６，６９７，４０８（図５）
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】ウォスコボイニコウ（P.Woskoboinikow）他、「９μｍ帯域のＣＯ２レーザ増幅器のための可飽和ガス吸収体（Saturable gas absorber for a 9-μm-band CO2-laser amplifier）」、オプティクス・レター（Optics Letters）、１９７９年、第４巻、第７号、ｐ．１９９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
半導体露光装置においてプラズマを生成するためには、ＣＥや伝播損失等の種々の条件を考慮すると、３０〜１００ｍＪ程度のエネルギーを有するレーザ光を繰返し周波数５０〜１００ｋＨｚ程度で供給することが必要とされる。このように高い繰返し周波数を実現するためには、先に説明したように、発振器としてＲＦ−ＣＯ２レーザを用いる必要がある。しかしながら、現状においては、ＲＦ−ＣＯ２レーザが出力するレーザ光のエネルギーは１ｍＪ程度以下である。従って、増幅段において、発振器が出力するレーザ光のエネルギーを３０〜１００倍程度増幅する必要がある。
【００１５】
図３４は、増幅器の増幅特性の例を示す図である。図３４に示すように、増幅器の増幅特性には、増幅領域及び増幅飽和領域がある。増幅領域は、外部回路（ＲＦ電源等）から増幅器に供給されたエネルギーを入力レーザ光に良好な効率で伝達し、入力レーザ光を良好な効率で増幅することができる入力レーザ光のエネルギーの領域である。増幅飽和領域は、外部回路（ＲＦ電源等）から増幅器に供給されたエネルギーを入力レーザ光に伝達することが限界に達し、入力レーザ光のエネルギーを良好な効率で増幅することができない入力レーザ光のエネルギーの領域である。外部回路（ＲＦ電源等）から増幅器に供給されたエネルギーを入力レーザ光に最も効率的に伝達し、入力レーザ光を最も効率的に増幅できるのは、入力レーザ光のエネルギーが増幅領域内の最大値に相当する場合である。
【００１６】
従って、ＲＦ−ＣＯ２レーザが出力するレーザ光を最も効率的に３０〜１００倍程度増幅するためには、増幅利得が異なる複数の増幅器を増幅利得が小さいものから大きいものへという順序で多段に配置し、ＲＦ−ＣＯ２レーザが出力するレーザ光を段階的に増幅する必要がある。このように複数の増幅器を多段に配置することは、ドライバーレーザの大型化及び複雑化を招くとともに、信頼性の低下を招くことになる。
【００１７】
なお、図３４（ａ）に示すように、ＲＦ−ＣＯ２レーザが出力するレーザ光（図３４（ａ）において、そのエネルギーをＸ（一般には、１ｍＪ程度以下である）で表している）を大型（増幅利得が高い）の増幅器に直接入射して、ＲＦ−ＣＯ２レーザが出力するレーザ光を３０〜１００倍程度増幅したレーザ光（図３４（ａ）において、そのエネルギーをＸ'で表している）を得ることも考えられる。しかしながら、この場合には、外部回路（ＲＦ電源等）から増幅器に供給されたエネルギーの多くがＲＦ−ＣＯ２レーザから入力されたレーザ光に伝達されることなく増幅器内に残ってしまうので、効率が良くない。また、このような増幅を行うための増幅器は非常に大きくなってしまい、上記した複数の増幅器を多段に配置するよりも却って装置全体のサイズが大きくなってしまう。従って、このような大型の増幅器を用いるよりも多段に配置した複数の増幅器を用いる方がより現実的である。
【００１８】
ところで、増幅段の段数を減少させて装置サイズを小さくするために、或る増幅器において増幅され出力されたレーザ光を当該増幅器に再び入射させて再び増幅させる２パス増幅が知られている。図３４（ｂ）は、２パス増幅の増幅特性の例を示す図である。図３４（ｂ）に示すように、前段からのレーザ光（図３４（ｂ）において、そのエネルギーをＹで表している）を或る増幅器に入射して増幅されたレーザ光のエネルギーＹ'が増幅領域内に相当する場合には、増幅されたレーザ光を当該増幅器に再び入射して再び増幅することができ、高い効率で増幅を行うことができる。
【００１９】
なお、自励発振は、下記の式（１）で表されるＡの値が大きいほど発生しやすいことが知られている。
Ａ＝ｇ０×Ｌ  ・・・（１）
ここで、ｇ０は増幅利得であり、Ｌは増幅利得長（放電長）である。
２パス増幅の場合には、増幅利得長（放電長）が１パス増幅の２倍になるので、自励発振の発生し易さが１パス増幅の２倍になってしまうことになる。
【００２０】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、自励発振光を抑制し、レーザ光の増幅を効率的に行うことができるとともに、装置のサイズを小さくすることが可能な極端紫外光源装置用ドライバーレーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点に係る極端紫外光源装置用ドライバーレーザは、レーザ光源から出力されるパルスレーザ光をターゲット物質に照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置において用いられるドライバーレーザであって、発振によりパルスレーザ光の第１のビームを生成して出力する発振器と、発振器から出力される第１のビームを入力し、該第１のビームを増幅して出力する少なくとも１つの増幅器とを具備し、増幅器が、パルスレーザ光を入力するための第１のウィンドウ及びパルスレーザ光を出力するための第２のウィンドウを有し、放電により励起された媒体のエネルギーを用いて、第１のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して第２のウィンドウから出力する放電部と、発振器から出力される第１のビームを放電部の第１のウィンドウに出力し、その後に放電部の第２のウィンドウから出力される第２のビームを放電部の第１のウィンドウに出力し、その後に放電部の第２のウィンドウから出力される第３のビームを所定の方向に出力する光学系とを含み、第２のビーム及び第３のビームの各々の波形が、光強度のピークを含むメインパルス部と、光強度がメインパルス部における光強度の上昇よりも緩やかに上昇するペデスタル部とを含み、第３のビームのペデスタル部の光強度の最大値に対する第３のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率が、第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値に対する第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率以上である。
【００２２】
また、本発明の第２の観点に係る極端紫外光源装置用ドライバーレーザは、レーザ光源から出力されるパルスレーザ光をターゲット物質に照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置において用いられるドライバーレーザであって、発振によりパルスレーザ光の第１のビームを生成して出力する発振器と、発振器から出力される第１のビームを入力し、該第１のビームを増幅して出力する少なくとも１つの増幅器とを具備し、増幅器が、パルスレーザ光を入出力するための第１及び第２のウィンドウをそれぞれ有し、放電により励起された媒体のエネルギーを用いて、第１のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して第２のウィンドウから出力し、第２のウィンドウに入力されるパルスレーザ光を増幅して第１のウィンドウから出力する第１及び第２の放電部と、発振器から出力される第１のビームを第１の放電部の第１のウィンドウに出力し、その後に第１の放電部の第２のウィンドウから出力される第２のビームを第２の放電部の第１のウィンドウに出力し、その後に第２の放電部の第２のウィンドウから出力される第３のビームを第１の放電部の第１のウィンドウに出力し、その後に第１の放電部の第２のウィンドウから出力される第４のビームを第２の放電部の第１のウィンドウ又は第２のウィンドウに出力し、その後に第２の放電部の第２のウィンドウ又は第１のウィンドウから出力される第５のビームを所定の方向に出力する光学系とを含み、第２のビーム及び第４のビームの各々の波形が、光強度のピークを含むメインパルス部と、光強度がメインパルス部における光強度の上昇よりも緩やかに上昇するペデスタル部とを含み、第４のビームのペデスタル部の光強度の最大値に対する第４のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率が、第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値に対する第２のビームのメインパルス部の光強度の最大値の比率以上である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、自励発振光を抑制することができるので、レーザ光の増幅を効率的に行うことができ、装置のサイズを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る極端紫外光源用ドライバーレーザが適用されるＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置の概要を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。
【図３】ブリュースタプレートの入射角度−反射率特性を示す模式図である。
【図４】図２に示す発振器を示す模式図である。
【図５】図２に示す増幅器を示す模式図である。
【図６】図５に示す自励発振光フィルタの例を示す模式図である。
【図７】可飽和吸収体の入射レーザ光強度−透過率特性を示す模式図である。
【図８】ＳＦ６混合ガスの入射レーザ光強度−透過率特性を示す模式図である。
【図９】増幅器に入出射するレーザ光の波形を示す模式図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係るドライバーレーザの変形例を示す模式図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係るドライバーレーザの変形例を示す模式図である。
【図１２】図５に示す自励発振光フィルタの他の例を示す模式図である。
【図１３】図５に示す自励発振光フィルタの他の例を示す模式図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図１５】図１４に示す増幅器を示す模式図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係るドライバーレーザの変形例を示す模式図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係るドライバーレーザの変形例を示す模式図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２０】本発明の第５の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２１】本発明の第６の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２２】本発明の第７の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２３】本発明の第８の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２４】本発明の第９の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２５】図２４に示す光学系１１１の例を示す模式図である。
【図２６】図２４に示す光学系１１１の他の例を示す模式図である。
【図２７】図２４に示す光学系１１１の他の例を示す模式図である。
【図２８】本発明の第１０の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図２９】本発明の第１１の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図３０】本発明の第１２の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図３１】本発明の第１３の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図３２】本発明の第１４の実施形態に係るドライバーレーザを示す模式図である。
【図３３】発振増幅型レーザの構成を示す模式図である。
【図３４】増幅器の増幅特性を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明に係る極端紫外光源用ドライバーレーザ（以下において、単に「ドライバーレーザ」とも言う）が適用されるＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置の概要を示す模式図である。図１に示すように、このＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置は、ドライバーレーザ１と、ＥＵＶ光発生チャンバ２と、ターゲット物質供給部３と、光学系４とを含んでいる。
【００２６】
ドライバーレーザ１は、ターゲット物質を励起させるために用いられる駆動用のレーザ光を発生する発振増幅型レーザ装置である。ドライバーレーザ１の構成については、後で詳しく説明する。
ＥＵＶ光発生チャンバ２は、ＥＵＶ光の生成が行われる真空チャンバである。ＥＵＶ光発生チャンバ２には、ドライバーレーザ１から発生したレーザ光６をＥＵＶ光発生チャンバ２内に通過させるための窓２１が設けられている。また、ＥＵＶ光発生チャンバ２の内部には、ターゲット噴射ノズル３１と、ターゲット回収筒３２と、集光ミラー８とが配置されている。
【００２７】
ターゲット物質供給部３は、ＥＵＶ光を発生するために用いられるターゲット物質を、ターゲット物質供給部３の一部であるターゲット噴射ノズル３１を介して、ＥＵＶ光発生チャンバ２内に供給する。供給されたターゲット物質の内、レーザ光が照射されずに不要となったものは、ターゲット回収筒３２によって回収される。ターゲット物質としては、公知の様々な材料（例えば、錫（Ｓｎ）、キセノン（Ｘｅ）等）を用いることができる。また、ターゲット物質の状態は、固体、液体、気体のいずれでも良く、連続流れ（ターゲット噴流）や液滴（ドロップレット）等の公知のいずれの態様でＥＵＶ光発生チャンバ２内の空間に供給しても良い。例えば、ターゲット物質として液体のキセノン（Ｘｅ）ターゲットを用いる場合には、ターゲット物質供給部３は、高純度キセノンガスを供給するガスボンベ、マスフローコントローラ、キセノンガスを液化するための冷却装置、ターゲット噴射ノズル等によって構成される。また、ドロップレットを生成する場合には、それらを含む構成に、ピエゾ素子等の加振装置が追加される。
【００２８】
光学系４は、例えば、集光レンズを含んでおり、ドライバーレーザ１から出射したレーザ光６を、ターゲット物質の軌道上に焦点を形成するように集光する。それにより、ターゲット物質５が励起してプラズマ化し、ＥＵＶ光７が発生する。
集光ミラー８は、例えば、１３．５ｎｍの光を高反射率で反射するＭｏ／Ｓｉ膜がその表面に形成された凹面鏡であり、発生したＥＵＶ光７を反射することにより集光して伝送光学系に導く。さらに、このＥＵＶ光は、伝送光学系を介して露光装置等へ導かれる。なお、図１において、集光ミラー８は、紙面の手前方向にＥＵＶ光を集光する。
【００２９】
次に、本発明の第１の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２に示すように、このドライバーレーザは、共振によりレーザ光を発振する発振器４１と、発振器４１から出射されるレーザ光を増幅する増幅器４２とを具備する。増幅器４２は、偏光子５１と、放電部５２と、自励発振光フィルタ５３と、λ／４波長板５４と、フィードバックミラー５５とを含んでいる。
【００３０】
偏光子５１は、発振器４１から出射したレーザ光（ここでは、Ｐ偏光）を通過させて第１のウィンドウを透過させ放電部５２に入射するとともに、放電部５２から第２のウィンドウを透過して出射したレーザ光（ここでは、Ｓ偏光）をＥＵＶ光発生チャンバの方向に反射する。なお、偏光子５１として、薄膜偏光子（thin film polarizer）やブリュースタプレート（Brewster plate）等を用いることができる。偏光子５１としていずれを用いる場合にも、レーザ光軸に対してブリュースタ角を為すように配置することが好ましい。
【００３１】
偏光子５１としてＺｎＳｅを母材とする薄膜偏光子を用いる場合には、ＣＯ２レーザ光の波長が１０．６μｍのときに、ブリュースタ角は約６７．４°である。薄膜偏光子のＳ偏光反射面（本実施形態においては、放電部５２側の面）には、Ｓ偏光の反射率が高く、Ｐ偏光の反射率が低いコーティングが施されている。現在、Ｓ偏光の反射率（ＲＳ）が９９％以上且つＰ偏光の通過率（ＴＰ）が９５％以上の薄膜偏光子が入手可能である。なお、薄膜偏光子の母材として、ＺｎＳｅに限らず、ＣＯ２レーザ光の通過率が高い材料を用いることができる。
【００３２】
次に、偏光子５１としてＺｎＳｅを母材とするブリュースタプレートを用いる場合について説明する。図３は、ＺｎＳｅを母材とするブリュースタプレートにおけるレーザ光の入射角度と反射率との関係を示す図である。図３に示すように、ＺｎＳｅを母材とするブリュースタプレートを用いる場合にも、ブリュースタ角は約６７．４°である。ブリュースタ角におけるＰ偏光の反射率は約０％であり、Ｓ偏光の反射率は約５０％である。ブリュースタプレートのブリュースタ角におけるＳ偏光の反射率（約５０％）は、先に説明した薄膜偏光子のブリュースタ角におけるＳ偏光の反射率（約９９％以上）の約１／２でしかない。しかしながら、増幅されたレーザ光の強度が大きい場合には、薄膜偏光子よりもブリュースタプレートを用いることが好ましい。その理由は、薄膜偏光子にはコーティングが施されており、増幅されたレーザ光の強度が大きい場合には、コーティングが劣化してしまうのに対し、ブリュースタプレートにはコーティングが施されておらず、コーティングが劣化することがあり得ないからである。なお、ブリュースタプレートの母材として、ＺｎＳｅに限らず、ＣＯ２レーザ光の通過率が高い材料を用いることができる。
【００３３】
再び図２を参照すると、放電部５２内にはレーザ媒質が充填されており、放電部５２内に配置された電極対５２ａ、５２ｂ間に所定のタイミングで放電を行わせることでレーザ媒質を励起することができる。放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【００３４】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過し自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３側に出射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【００３５】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、λ／４波長板５４を通過する。λ／４波長板５４は、直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光を円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光に変換する。
【００３６】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。なお、フィードバックミラー５５として、全反射ミラー等を用いることができる。
【００３７】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、λ／４波長板５４を再度通過する。λ／４波長板５４は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光を直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光に変換する。
【００３８】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過して第２のウィンドウを透過し、放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【００３９】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５１によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向に反射される。
【００４０】
このように、増幅器４２が光共振器を持たない場合には、そのような構成を有するレーザシステムは、ＭＯＰＡ(Master Oscillator Power Amplifier)システムと呼ばれる。なお、増幅器４２が、更に、光共振器を持つこととしても良い。そのような構成を有するレーザシステムは、ＭＯＰＯ（Master Oscillator Power Oscillator）システムと呼ばれる。
【００４１】
次に、発振器４１の構成について、図４を参照しながら説明する。
図４は、発振器４１の構成を示す模式図である。図４に示すように、この発振器４１は、レーザ媒質１００と、共振器を構成するリアミラー１０１及び高反射（ＨＲ）ミラー１０２と、偏光ビームスプリッタ１０４と、ポッケルスセル（ＰＣ）１０５と、λ／４波長板１０６と、反射ミラー１０７とを含んでいる。
【００４２】
レーザ媒質１００は、放電管（又はチャンバ）（図示せず）内に充填されており、放電管（又はチャンバ）に配置された電極対（図示せず）に所定のタイミングで放電を行わせることで、レーザ媒質１００を励起することが可能である。なお、レーザ媒質１００は、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、さらに、必要に応じて、水素（Ｈ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、キセノン（Ｘｅ）等を含むＣＯ２レーザガスであっても良い。
レーザ光は、リアミラー１０１及びＨＲミラー１０２間を往復しながらレーザ媒質１００を通過することにより、ＣＷ（連続発振）励起又はパルス励起される。
【００４３】
偏光ビームスプリッタ１０４は、Ｐ偏光を入射光の進行方向と同じ方向に出射し、Ｓ偏光を入射光とほぼ直角を為す方向に出射することにより、入射光をＰ偏光とＳ偏光とに分離する。
λ／４波長板１０６は、そこを通過する直線偏光のレーザ光を円偏光のレーザ光に変換し、円偏光のレーザ光を直線偏光のレーザ光に変換する。
【００４４】
また、ポッケルスセル（Ｑスイッチ）とは、結晶に電界を印加することにより結晶の屈折率や異方性が変化するというＥＯ効果（electro optic：電気光学効果）を利用した光学素子である。このポッケルスセルに印加される電界を制御することにより、それを通過する光の偏光面を所望の角度だけ回転させることができる。本実施形態においては、ポッケルスセル１０５のスイッチングを制御することにより、レーザ光を図の上方に取り出しており、そのために、取り出されたレーザ光の方向を変化させるための反射ミラー１０７を配置している。なお、このような構成は、Ｑスイッチ・キャビティ・ダンプ・レーザ（Q-switched cavity-dumped laser）と呼ばれる。
【００４５】
ポッケルスセル１０５を所定のタイミングで活性化及び非活性化させることにより、リアミラー１０１及びＨＲミラー１０２によって構成される共振器の外部に出射するレーザ光を、所望のパルス幅に切り出す。これにより、レーザ光を短パルス化することができる。
【００４６】
次に、増幅器４２の構成について、図５を参照しながら説明する。
図５は、増幅器４２の構成を示す模式図である。図５に示すように、増幅器４２の放電部５２は、ウィンドウ１３１、１３２と、放電管１４１〜１４８と、ミラー１５１〜１５８とを含んでいる。放電管１４１〜１４８内にはレーザ媒質が充填されており、放電管１４１〜１４８にそれぞれ配置された電極対に所定のタイミングで放電を行わせることでレーザ媒質を励起することができる。なお、ウィンドウ１３１、１３２は、ＺｎＳｅ等を含んでいても良い。また、レーザ媒質は、二酸化炭素（ＣＯ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、さらに、必要に応じて、水素（Ｈ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、キセノン（Ｘｅ）等を含むＣＯ２レーザガスであっても良い。
【００４７】
発振器４１から出射して偏光子５１を通過したレーザ光（Ｐ偏光）に対して、放電部５２において１パス目の増幅が行われる。
詳細には、発振器４１から出射して偏光子５１を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ウィンドウ１３１を通過し、放電管１４１に入射して増幅される。放電管１４１内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５１によってＹ軸方向に反射され、放電管１４２に入射して増幅される。放電管１４２内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５２によってＸ軸の逆方向に反射され、放電管１４３に入射して増幅される。放電管１４３内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５３によってＹ軸の逆方向に反射され、放電管１４４に入射して増幅される。
【００４８】
放電管１４４内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５４によってＺ軸方向に反射され、更に、ミラー１５５によってＹ軸方向に反射され、放電管１４５に入射して増幅される。放電管１４５内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５６によってＸ軸方向に反射され、放電管１４６に入射して増幅される。放電管１４６内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５７によってＹ軸の逆方向に反射され、放電管１４７に入射して増幅される。放電管１４７内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５８によってＸ軸の逆方向に反射され、放電管１４８に入射して増幅される。
【００４９】
以上のようにして１パス目の増幅が行われたレーザ光は、ウィンドウ１３２を通過して自励発振光フィルタ５３に入射する。なお、放電部５２において自励発振が発生した場合には、自励発振光及び１パス目の増幅が行われたメインパルスが、ウィンドウ１３２を通過して自励発振光フィルタ５３に入射する。
【００５０】
自励発振光フィルタ５３は、集光レンズ６１、強度が低いレーザ光を吸収して強度が高いレーザ光を透過する物質である可飽和吸収体が充填された可飽和吸収体セル６２、及び、コリメートレンズ６３を含んでいる。
【００５１】
図６は、自励発振光フィルタ５３を示す模式図である。図６に示すように、可飽和吸収体セル６２は、集光レンズ６１とコリメートレンズ６３との間に、レーザ光軸に沿って移動可能に配置されている。集光レンズ６１は、放電部５２から出射したレーザ光を集光する。可飽和吸収体セル６２には、レーザ光が通過するためのウィンドウ６２ａ、６２ｂが設けられており、レーザ光は、ウィンドウ６２ａを通過して可飽和吸収体セル６２内に入射する。
【００５２】
図７は、可飽和吸収体に入射するレーザ光の強度と透過率との関係を示す図である。図７に示すように、可飽和吸収体は、強度が低いレーザ光を吸収し（強度が低いレーザ光の透過率が低い）、強度が高いレーザ光を透過する（強度が高いレーザ光の透過率が高い）。一般に、自励発振光の強度はメインパルスの強度より低い。そのため、放電部５２において自励発振が発生した場合に、可飽和吸収体は、自励発振光を吸収してメインパルスを通過させることができる。
【００５３】
なお、ＣＯ２レーザ光の可飽和吸収体としては、一般に、ＳＦ６を含む混合ガスが用いられる。可飽和吸収体としてＳＦ６を含む混合ガスを用いる場合には、バッファガスとして、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等を使用することができる。混合ガス中のＳＦ６の含有量、バッファガスの種類及び含有量、バッファガスのほかに更に他のガスを混合すること、可飽和吸収体を通過するレーザ光路長等を調整すること等により、可飽和吸収体のレーザ光吸収特性を調整することが可能である。ＳＦ６の混合ガスの他には、エタノール（ethanol：Ｃ２Ｈ５ＯＨ）、フロン１２（freon12：ＣＣｌ２Ｆ２）、フォーミック酸（formic acid：ＨＣＯＯＨ）等を可飽和吸収体として用いることができる。
【００５４】
図８は、ＳＦ６の含有量がそれぞれ異なる第１〜第５の混合ガスの入射レーザ光強度と透過率との関係を示す図である。図８においては、第１〜第５の混合ガスのＳＦ６の含有量をＳＦ６の分圧でそれぞれ示している。ここでは、第１の混合ガスのＳＦ６の分圧Ａ＜第２の混合ガスのＳＦ６の分圧Ｂ＜第３の混合ガスのＳＦ６の分圧Ｃ＜第４の混合ガスのＳＦ６の分圧Ｄ＜第５の混合ガスのＳＦ６の分圧Ｅである。
【００５５】
図８に示すように、自励発振光の強度がα'であり、その自励発振光の約９５％以上を吸収させたい場合には、可飽和吸収体として第４の混合ガス（ＳＦ６の分圧Ｄ）又は第５の混合ガス（ＳＦ６の分圧Ｅ）を用いれば良い。
【００５６】
また、図８に示すように、メインパルスの強度がγ'であれば、そのメインパルスの約１００％がＳＦ６の混合ガスを通過する。メインパルスの強度がγ'に満たない場合には、可飽和吸収体セル６２を、レーザ光軸に沿って移動させて、集光レンズ６１の焦点に近づければ良い。レーザ光の強度は、集光レンズ６１の焦点から遠いほど低くなり、集光レンズ６１の焦点に近いほど高くなるからである。
【００５７】
再び図６を参照すると、可飽和吸収体を通過したレーザ光は、ウィンドウ６２ｂを通過し、コリメートレンズ６３に入射して、コリメートされる。
なお、可飽和吸収体は、自励発振光を吸収すると、自励発振光のエネルギーにより、温度が上昇する。また、可飽和吸収体の可飽和吸収特性は、温度が上昇すると悪化する。そこで、可飽和吸収体セル６２に吸気口及び排気口を設けて、可飽和吸収体をフローさせるようにしても良い。
【００５８】
再び図５を参照すると、自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、λ／４波長板５４を通過する。λ／４波長板５４は、直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光を円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光に変換する。λ／４波長板５４を通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によってＸ軸方向に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【００５９】
フィードバックミラー５５によってＸ軸方向に反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、λ／４波長板５４を再度通過する。λ／４波長板５４は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光を直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光に変換する。λ／４波長板５４を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過する。
【００６０】
自励発振光フィルタ５３を再び通過したレーザ光（Ｓ偏光）に対して、放電部５２において２パス目の増幅が行われる。
詳細には、自励発振光フィルタ５３を再び通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、ウィンドウ１３２を通過し、放電管１４８に入射して増幅される。放電管１４８内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５８によってＹ軸方向に反射され、放電管１４７に入射して増幅される。放電管１４７内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５７によってＸ軸の逆方向に反射され、放電管１４６に入射して増幅される。放電管１４６内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５６によってＹ軸の逆方向に反射され、放電管１４５に入射して増幅される。
【００６１】
放電管１４５内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５５によってＺ軸の逆方向に反射され、更に、ミラー１５４によってＹ軸方向に反射され、放電管１４４に入射して増幅される。放電管１４４内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５３によってＸ軸方向に反射され、放電管１４３に入射して増幅される。放電管１４３内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５２によってＹ軸の逆方向に反射され、放電管１４２に入射して増幅される。放電管１４２内において増幅されたレーザ光は、ミラー１５１によってＸ軸の逆方向に反射され、放電管１４１に入射して増幅される。
以上のようにして２パス目の増幅が行われたレーザ光は、ウィンドウ１３１を通過し、偏光子５１によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向に反射される。
【００６２】
再び図１を参照すると、ドライバーレーザ１から出射されたレーザ光は、光学系４によってターゲット物質の軌道上に集光される。それにより、ターゲット物質５が励起してプラズマ化し、ＥＵＶ光７が発生する。
【００６３】
次に、本実施形態の作用について、図９を参照しながら説明する。
図９（ａ）は、自励発振光フィルタ５３が存在しないものとした場合に、放電部５２において自励発振が発生したときに、放電部５２からフィードバックミラー５５側に出射しフィードバックミラー５５によって反射されて放電部５２に再び入射する入射レーザ光（１パス目の出射レーザ光、すなわち２パス目の入射レーザ光に相当）、及びそのような入射レーザ光を増幅することで放電部５２から偏光子５１側に出射されるレーザ光（２パス目の出射レーザ光に相当）の波形を規格化して示す図である。放電部５２において自励発振が発生した場合には、図９（ａ）において実線で示すように、自励発振光が、ペデスタル（pedestal）部として波形に現れる。そのようなレーザ光がフィードバックミラー５５によって反射されて放電部５２に入射すると、図９（ａ）において破線で示すように、２パス目の増幅においてペデスタル部も増幅されてしまう。このように、メインパルスの２パス目の増幅において、放電部５２内の放電エネルギーの一部がペデスタル部の増幅に使われてしまうと、メインパルス部の増幅に使われる放電エネルギーが少なくなってしまうことになる。
【００６４】
一方、図９（ｂ）は、本実施形態において、放電部５２において自励発振が発生した場合に、放電部５２からフィードバックミラー５５側に出射しフィードバックミラー５５によって反射されて放電部５２に再び入射する入射レーザ光（１パス目の出射レーザ光、すなわち２パス目の入射レーザ光に相当）、及びそのような入射レーザ光を増幅することで放電部５２から偏光子５１側に出射されるレーザ光（２パス目の出射レーザ光に相当）の波形を規格化して示す図である。本実施形態においては、放電部５２において自励発振が発生した場合であっても、自励発振光フィルタ５３が、自励発振光（図９（ａ）のペデスタル部参照）を減衰させることができる。そのため、図９（ｂ）において実線で示すように、フィードバックミラー５５によって反射されて放電部５２に再び入射する入射レーザ光（１パス目の出射レーザ光、すなわち２パス目の入射レーザ光に相当）において、ペデスタル部の強度が非常に弱くなっている。従って、２パス目の増幅において、放電部５２内の放電エネルギーの内のペデスタル部の増幅に使われてしまうエネルギーを非常に少なくすることができる。そのため、図９（ｂ）において破線で示すように、放電部５２内の放電エネルギーがメインパルス部の増幅に効率良く使われることになる。
【００６５】
このように、本実施形態によれば、増幅部５２において自励発振が発生した場合であっても、自励発振光フィルタ５３により自励発振光を減衰させることができるので、メインパルスの増幅を効率良く行うことができる。また、２パス増幅を行うことにより、増幅器の段数を減少させることができるので、装置サイズを小さくすることが可能である。
【００６６】
なお、本実施形態においては、図２に示すように、自励発振光フィルタ５３を放電部５２とλ／４波長板５４との間に配置しているが、図１０に示すように、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間や、図１１に示すように、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。
【００６７】
自励発振光フィルタ５３を配置する位置は、放電部５２とλ／４波長板５４との間（図２）又はλ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間（図１０）の方が、偏光子５１と放電部５２との間（図１１）よりも好ましい。その理由は、次の通りである。自励発振光フィルタ５３を放電部５２とλ／４波長板５４との間（図２）又はλ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間（図１０）に配置した場合には、自励発振光フィルタ５３は、増幅されていない比較的エネルギーの低い自励発振光を吸収すれば済む。一方、自励発振光フィルタ５３が偏光子５１と放電部５２との間（図１１）に配置されている場合には、自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において発生し、放電部５２〜λ／４波長板５４〜フィードバックミラー５５〜λ／４波長板５４〜放電部５２という経路を経て放電部５２において増幅されたエネルギーの高い自励発振光を吸収しなければならないので、可飽和吸収体の温度が上昇し易いからである。また、上記のような経路を経て放電部５２において自励発振光が増幅されると、放電部５２内の放電エネルギーの内のメインパルス部の増幅に使われる放電エネルギーが少なくなってしまうことになるからである。
【００６８】
さらに、放電部５２とλ／４波長板５４との間（図２）、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間（図１０）、及び、偏光子５１と放電部５２との間（図１１）の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【００６９】
また、本実施形態においては、図６に示すように、可飽和吸収体セル６２のウィンドウ６２ａ、６２ｂをレーザ光軸に対して略直交するように設けているが、図１２に示すように、可飽和吸収体セル６２のウィンドウ６２ａ、６２ｂをレーザ光軸に対してブリュースタ角を為すように設けても良い。また、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、自励発振光フィルタが、集光レンズ及びコリメートレンズを含まないようにしても良い。さらに、図１３（ｃ）に示すように、自励発振光フィルタとして、ピンホール６４ａを有するピンホール板６４、レーザ光をピンホール６４ａに集光する集光レンズ６１、及び、ピンホール６４ａを通過したレーザ光をコリメートするコリメートレンズ６３を含む空間フィルタを用いるこようにしても良い。
【００７０】
また、図６や図１２に示す自励発振光フィルタにおいて、ウィンドウ６２ａ，６２ｂの径をピンホールのように非常に小さくすることにより、可飽和吸収体セル６２にピンホール板の機能を兼ね備えさせるようにしても良い。
【００７１】
次に、本発明の第２の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図１４は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図１４に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、発振器４１から出射されるレーザ光を増幅する増幅器４３とを具備する。増幅器４３は、偏光子５１と、放電部５２と、円偏光ミラー（λ/4 phase retarding mirror）５６と、自励発振光フィルタ５３と、フィードバックミラー５５とを含んでいる。
【００７２】
偏光子５１は、発振器４１から出射したレーザ光（ここでは、Ｐ偏光）を通過させて第１のウィンドウを透過させ放電部５２に入射する。偏光子５１から放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【００７３】
円偏光ミラー５６は、放電部５２において増幅された直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光を、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光に変換して、図中の上方に反射する。
【００７４】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生した場合に、自励発振光を減衰させる。
【００７５】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって図中の下方に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【００７６】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再度通過する。
自励発振光フィルタ５３を再度通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、円偏光ミラー５６によって図中の左方に反射される。円偏光ミラー５６は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光を、直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光に変換して反射する。
【００７７】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５１によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向に反射される。
【００７８】
次に、増幅器４３の構成について、図１５を参照しながら説明する。
図１５は、増幅器４３の構成を示す模式図である。
発振器４１から出射して偏光子５１を通過したレーザ光（Ｐ偏光）に対して、放電部５２において１パス目の増幅が行われる。
【００７９】
放電部５２において１パス目の増幅が行われたレーザ光は、ウィンドウ１３２を通過し、円偏光ミラー５６によって、Ｙ軸の逆方向に反射される。円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（円偏光）は、自励発振光フィルタ５３に入射する。なお、１パス目の増幅において自励発振が発生した場合には、自励発振光及び１パス目の増幅が行われたメインパルスが、自励発振光フィルタ５３に入射する。
【００８０】
自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生した場合に、自励発振光を吸収して１パス目の増幅が行われたメインパルスを通過させることができる。
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（円偏光）は、フィードバックミラー５５によってＹ軸方向に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【００８１】
フィードバックミラー５５によってＹ軸方向に反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過する。
自励発振光フィルタ５３を再び通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、円偏光ミラー５６によってＸ軸方向に反射される。
【００８２】
円偏光ミラー５６によってＸ軸方向に反射されたレーザ光（Ｓ偏光）に対して、放電部５２において２パス目の増幅が行われる。
２パス目の増幅が行われたレーザ光は、ウィンドウ１３１を通過し、偏光子５１によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向に反射される。
【００８３】
なお、本実施形態においては、図１４に示すように、自励発振光フィルタ５３を円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間に配置しているが、図１６に示すように、放電部５２と円偏光ミラー５６との間や、図１７に示すように、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。自励発振光フィルタ５３を配置する位置は、円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間（図１４）又は放電部５２と円偏光ミラー５６との間（図１６）の方が、偏光子５１と放電部５２との間（図１７）よりも好ましい。
【００８４】
また、円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間（図１４）、放電部５２と円偏光ミラー５６との間（図１６）、及び、偏光子５１と放電部５２との間（図１７）の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【００８５】
次に、本発明の第３の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図１８は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図１８に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器４２とを具備する。
【００８６】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５１のコーティングが施された反射面（放電部５２側の面）に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【００８７】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３側に出射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【００８８】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、λ／４波長板５４を通過する。λ／４波長板５４は、直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光を円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光に変換する。
【００８９】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【００９０】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、λ／４波長板５４を再度通過する。λ／４波長板５４は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光を直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光に変換する。
【００９１】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過して第２のウィンドウを透過し、放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【００９２】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５１を通過して、ＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の左方向）に出力される。
【００９３】
なお、本実施形態においては、図１８に示すように、自励発振光フィルタ５３が、放電部５２とλ／４波長板５４との間に配置されているが、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置されても良い。また、放電部５２とλ／４波長板５４との間、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【００９４】
次に、本発明の第４の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図１９は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図１９に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器４３とを具備する。
【００９５】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５１のコーティングが施された反射面（放電部５２側の面）に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【００９６】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、円偏光ミラー５６によって図中の上方に反射される。円偏光ミラー５６は、放電部５２において増幅された直線偏光（Ｓ偏光）のレーザ光を、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光に変換して反射する。
【００９７】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生した場合に、自励発振光を減衰させる。
【００９８】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって図中の下方に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【００９９】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再度通過する。
自励発振光フィルタ５３を再度通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、円偏光ミラー５６によって図中の左方向に反射される。円偏光ミラー５６は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光を、直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光に変換して反射する。
【０１００】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５１を通過して、ＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の左方向）に出力される。
【０１０１】
なお、本実施形態においては、図１９に示すように、自励発振光フィルタ５３を円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間に配置しているが、放電部５２と円偏光ミラー５６との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。また、円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間、放電部５２と円偏光ミラー５６との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【０１０２】
次に、本発明の第５の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２０は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２０に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、２パス増幅を行う増幅器４４と、１パス増幅を行う増幅器４５と、ミラー１１０とを具備する。増幅器４４は、偏光子５７と、放電部５２と、自励発振光フィルタ５３と、λ／４波長板５４と、フィードバックミラー５５とを含んでいる。
【０１０３】
偏光子５７は、発振器４１から出射したレーザ光（ここでは、Ｐ偏光）を通過させて第１のウィンドウを透過させ放電部５２に入射する。偏光子５７を通過して放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１０４】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３側に出射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１０５】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、λ／４波長板５４を通過する。λ／４波長板５４は、直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光を円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回りのレーザ光に変換する。
【０１０６】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【０１０７】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、λ／４波長板５４を再度通過する。λ／４波長板５４は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光を直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光に変換する。
【０１０８】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過して第２のウィンドウを透過し、放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【０１０９】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射される。
偏光子５７によって図中の下方向に反射されたレーザ光は、ミラー１１０によって、図中の右方向に反射され、増幅器４５に入射する。増幅器４５に入射したレーザ光は、増幅されてＥＵＶ光発生チャンバ（図１）に入射する。
【０１１０】
このように、２パス増幅を行う増幅器４４の後段に、１パス増幅を行う増幅器４５を更に設けるようにしても良い。
【０１１１】
なお、本実施形態においては、図２０に示すように、自励発振光フィルタ５３を放電部５２とλ／４波長板５４との間に配置しているが、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。また、放電部５２とλ／４波長板５４との間（図２０）、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【０１１２】
次に、本発明の第６の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２１は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２１に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、２パス増幅を行う増幅器４６と、１パス増幅を行う増幅器４５と、ミラー１１０とを具備する。増幅器４６は、偏光子５７と、放電部５２と、円偏光ミラー５６と、自励発振光フィルタ５３と、フィードバックミラー５５とを含んでいる。
【０１１３】
偏光子５７は、発振器４１から出射したレーザ光（ここでは、Ｐ偏光）を通過させて第１のウィンドウを透過させ放電部５２に入射する。偏光子５７を通過して放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１１４】
円偏光ミラー５６は、放電部５２において増幅された直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光を、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光に変換して、図中の上方に反射する。
【０１１５】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１１６】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって図中の下方に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【０１１７】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再度通過する。
自励発振光フィルタ５３を再度通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、円偏光ミラー５６によって図中の左方に反射される。円偏光ミラー５６は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光を、直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光に変換して反射する。
【０１１８】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射される。
【０１１９】
偏光子５７によって図中の下方向に反射されたレーザ光は、ミラー１１０によって、図中の右方向に反射され、増幅器４５に入射する。増幅器４５に入射したレーザ光は、増幅されてＥＵＶ光発生チャンバ（図１）に入射する。
【０１２０】
このように、２パス増幅を行う増幅器４４の後段に、１パス増幅を行う増幅器４５を更に設けるようにしても良い。
【０１２１】
なお、本実施形態においては、図２１に示すように、自励発振光フィルタ５３を円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間に配置しているが、放電部５２と円偏光ミラー５６との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。また、円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間、放電部５２と円偏光ミラー５６との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【０１２２】
次に、本発明の第７の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２２は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２２に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、２パス増幅を行う増幅器４４と、１パス増幅を行う増幅器４５と、ミラー１１０とを具備する。
【０１２３】
偏光子５７は、発振器４１から図中の上方に出射したレーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を図中の右方向に反射して放電部５２に入射する。偏光子５７によって反射されて第１のウィンドウを透過し、放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１２４】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過し、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３側に出射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１２５】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、λ／４波長板５４を通過する。λ／４波長板５４は、直線偏光（ここでは、Ｓ偏光）のレーザ光を円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回りのレーザ光に変換する。
【０１２６】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【０１２７】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、λ／４波長板５４を再度通過する。λ／４波長板５４は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光を直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光に変換する。
【０１２８】
λ／４波長板５４を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再び通過して第２のウィンドウを透過し、放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【０１２９】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第１のウィンドウを透過し偏光子５７を通過して、増幅器４５に入射する。増幅器４５に入射したレーザ光は、増幅されてＥＵＶ光発生チャンバ（図１）に入射する。
【０１３０】
このように、２パス増幅を行う増幅器４４の後段に、１パス増幅を行う増幅器４５を更に設けるようにしても良い。
【０１３１】
なお、本実施形態においては、図２２に示すように、自励発振光フィルタ５３を放電部５２とλ／４波長板５４との間に配置しているが、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。また、放電部５２とλ／４波長板５４との間（図２２）、λ／４波長板５４とフィードバックミラー５５との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【０１３２】
次に、本発明の第８の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２３は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２３に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、２パス増幅を行う増幅器４６と、１パス増幅を行う増幅器４５とを具備する。
【０１３３】
偏光子５７は、発振器４１から図中の上方に出射したレーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を図中の右側に反射して第１のウィンドウを透過し放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１３４】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過し、円偏光ミラー５６によって図中の上方に反射される。円偏光ミラー５６は、放電部５２において増幅された直線偏光（Ｓ偏光）のレーザ光を、円偏光（ここでは、進行方向に向かって時計方向回り）のレーザ光に変換して反射する。
【０１３５】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を通過する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２において自励発振が発生した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１３６】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（進行方向に向かって時計方向回りの円偏光）は、フィードバックミラー５５によって図中の下方に反射される。フィードバックミラー５５は、進行方向に向かって時計方向回りの円偏光のレーザ光を進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光のレーザ光に変換する。
【０１３７】
フィードバックミラー５５によって反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、自励発振光フィルタ５３を再度通過する。
自励発振光フィルタ５３を再度通過したレーザ光（進行方向に向かって反時計方向回りの円偏光）は、円偏光ミラー５６によって図中の左方向に反射される。円偏光ミラー５６は、円偏光（ここでは、進行方向に向かって反時計方向回り）のレーザ光を、直線偏光（ここでは、Ｐ偏光）のレーザ光に変換して反射する。
【０１３８】
円偏光ミラー５６によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過し、放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第１のウィンドウを透過し偏光子５７を通過して、増幅器４５に入射する。増幅器４５に入射したレーザ光は、増幅されてＥＵＶ光発生チャンバ（図１）に入射する。
【０１３９】
このように、２パス増幅を行う増幅器４６の後段に、１パス増幅器４５を更に設けるようにしても良い。
【０１４０】
なお、本実施形態においては、図２３に示すように、自励発振光フィルタ５３を円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間に配置しているが、放電部５２と円偏光ミラー５６との間や、偏光子５１と放電部５２との間に配置しても良い。また、円偏光ミラー５６とフィードバックミラー５５との間、放電部５２と円偏光ミラー５６との間、及び、偏光子５１と放電部５２との間の内の複数の場所に、複数の自励発振光フィルタをそれぞれ配置しても良い。
【０１４１】
次に、本発明の第９の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２４は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２４に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器４４〜４６と、光学系１１１とを具備する。
【０１４２】
増幅器４４は、発振器４１から入射したレーザ光（Ｓ偏光）を２パス増幅したレーザ光（Ｐ偏光）を光学系１１１に出射する。
光学系１１１は、増幅器４４から入射したレーザ光（Ｐ偏光）をＳ偏光に変換して図中の上方に出射する。
【０１４３】
図２５は、光学系１１１を示す模式図である。図２５に示すように、この光学系１１１は、ミラー１２１と、λ／２波長板１２２とを具備する。
増幅器４４から出射したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１２１によって図中の上方に反射され、λ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換されて増幅器４６に入射する。
【０１４４】
再び図２４を参照すると、増幅器４６は、光学系１１１から入射したレーザ光（Ｓ偏光）を２パス増幅したレーザ光（Ｐ偏光）を増幅器４５に出射する。
増幅器４５は、増幅器４６から入射したレーザ光（Ｐ偏光）を増幅してＥＵＶ光発生チャンバ（図１）に出射する。
【０１４５】
このように、２パス増幅を行う増幅器を多段に設けるようにしても良い。
【０１４６】
なお、本実施形態においては、図２５に示すように、光学系１１１をミラー１２１とλ／２波長板１２２とで構成しているが、図２６に示すように、光学系１１１を２枚のミラー１２３、１２４で構成するようにしても良い。
図２６の（ａ）又は（ｂ）に示すように、増幅器４４からＸ軸の逆方向に出射したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１２３によってＺ軸方向に反射され、更に、ミラー１２４によってＹ軸の逆方向に反射される。
【０１４７】
また、光学系１１１を、図２７に示すように、２枚の円偏光ミラー１２５、１２６で構成するようにしても良い。
図２７に示すように、増幅器４４から出射したレーザ光（Ｐ偏光）は、円偏光ミラー１２５によって円偏光（進行方向に向かって反時計回りの円偏光）に変換されて図中の上方に反射される。円偏光ミラー１２５によって図中の上方に反射されたレーザ光（進行方向に向かって反時計回りの円偏光）は、円偏光ミラー１２６によってＳ偏光に変換されて図中の右方向に反射される。
【０１４８】
次に、本発明の第１０の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２８は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２８に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器１６１とを具備する。増幅器１６１は、放電部５２と、偏光子５７と、λ／２波長板１２２と、ミラー１７１〜１７４とを含んでいる。なお、放電部５２の構成は、先に説明した第１〜第９の実施形態における放電部５２（図５、図１５参照）と同様であり、図５、図１５に示すウィンドウ１３１、１３２が本発明における第１、第２のウィンドウに対応する。
【０１４９】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５７に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射され、更に、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１５０】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＳ偏光は、Ｐ偏光に変換される。
【０１５１】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７３によって図中の左方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１５２】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５７を通過し、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【０１５３】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換される。
【０１５４】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７３によって図中の左方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１５５】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の右方向）に反射される。
【０１５６】
なお、本実施形態においては、Ｓ偏光からＰ偏光への変換及びＰ偏光からＳ偏光への変換のためにλ／２波長板１２２を用いているが、他の光学素子又は光学系を用いることとしても良い。例えば、λ／２波長板１２２に代えて、図２５〜図２７に示すような光学系１１１を用いることとしても良い。
また、自励発振光フィルタ（図６、図１２、図１３等参照）をレーザ光路中に更に配置することとしても良い。
【０１５７】
次に、本実施形態の作用について、先に説明した第１〜第９の実施形態と比較しながら説明する。
第１〜第９の実施形態に係るドライバーレーザにおいては、フィードバックミラー５５を用いて、放電部５２から出射したレーザ光を放電部５２に再度入射させている。そして、フィードバックミラー５５は、基本的に、その光学反射面がレーザ光軸と略直交するように配置される。しかしながら、そのように配置されるフィードバックミラー５５は、放電部５２のゲイン（増幅度）が高い場合に、放電部５２内のレーザ媒質が励起状態であるときに発生するＡＳＥ（Amplified. Spontaneous Emission）光を共振・増幅させてしまう自励発振を誘発する。
【０１５８】
一方、本実施形態に係るドライバーレーザによれば、光学素子として偏光子５７、λ／２波長板１２２、及び、ミラー１７１〜１７４を用いているが、フィードバックミラーは用いていない。そして、これらの光学素子の内の偏光子５７は、その光学面がレーザ光軸に対して所定の角度を為すように配置されるものであり、自励発振に寄与しない。また、λ／２波長板１２２は、その光学面をレーザ光軸に対して±５°程度は傾ける事が可能であり、放電部５２との間の距離が所定以上となる位置に配置すれば、自励発振現象を回避することが可能である。従って、本実施形態に係るドライバーレーザによれば、第１〜第９の実施形態に係るドライバーレーザよりも自励発振をより発生し難くすることが可能である。
【０１５９】
また、λ／２波長板１２２に代えて図２５〜図２７に示すような光学系１１１を用いることとすれば、レーザ光軸に略直交する光学素子を無くすことができるので、自励発振を更に発生し難くすることが可能である。
【０１６０】
次に、本発明の第１１の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図２９は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図２９に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器１６２とを具備する。増幅器１６２は、放電部５２と、偏光子５７と、λ／２波長板１２２と、ミラー１７１〜１７４とを含んでいる。
【０１６１】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５７に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射され、更に、ミラー１７１によって図中の左方向に反射され、λ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＳ偏光は、Ｐ偏光に変換される。
【０１６２】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１６３】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第１のウィンドウを透過してミラー１７２によって図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７３によって図中の右方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１６４】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５７を通過し、ミラー１７１によって図中の左方向に反射され、λ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換される。
【０１６５】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【０１６６】
放電部５２において再び増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第１のウィンドウを透過してミラー１７２によって図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７３によって図中の右方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１６７】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の右方向）に反射される。
【０１６８】
なお、本実施形態においては、Ｓ偏光からＰ偏光への変換及びＰ偏光からＳ偏光への変換のためにλ／２波長板１２２を用いているが、他の光学素子又は光学系を用いることとしても良い。例えば、λ／２波長板１２２に代えて、図２５〜図２７に示すような光学系１１１を用いることとしても良い。
また、自励発振光フィルタ（図６、図１２、図１３等参照）をレーザ光路中に更に配置することとしても良い。
【０１６９】
次に、本実施形態の作用について、先に説明した第１０の実施形態と比較しながら説明する。
第１０の実施形態に係るドライバーレーザにおいては、偏光子５７が増幅器１６１内の図中左側（発振器４１側）に配置されており（図２８参照）、レーザ光が後段の装置（レーザ光をＥＵＶ光発生チャンバや他の増幅器等へ導く光学系等）に向かって出射される位置（偏光子５７の位置）と後段の装置との間の距離が長くなっている。また、偏光子５７から後段の装置に向かって出射されるレーザ光が、ミラー１７２によって反射されてミラー１７３に向かうレーザ光と交差する。
【０１７０】
一方、本実施形態に係るドライバーレーザにおいては、偏光子５７が、増幅器１６２内の図中右側（ＥＵＶ光発生チャンバ側）に配置されており、レーザ光が後段の装置に向かって出射される位置（偏光子５７の位置）と後段の装置との間の距離が短くなっている。そのため、第１０の実施形態に係るドライバーレーザと比較して、レーザ光が出射される位置を把握することが容易である。また、偏光子５７から後段の装置に向かって出射されるレーザ光が、他のレーザ光と交差することがない。そのため、第１０の実施形態に係るドライバーレーザと比較して、偏光子５７から出射されるレーザ光の後段の光路配置が容易である。
【０１７１】
次に、本発明の第１２の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図３０は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図３０に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器１６３とを具備する。増幅器１６３は、放電部５２と、偏光子５７、５８と、λ／２波長板１２２と、ミラー１７１、１７２とを含んでいる。
【０１７２】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｐ偏光）を偏光子５７に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５７を通過して第１のウィンドウを透過し、放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１７３】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換される。
【０１７４】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５８によって図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７１によって図中の左方向に反射される。ミラー１７１によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７２によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１７５】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に再び増幅される。
【０１７６】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＳ偏光は、Ｐ偏光に変換される。
【０１７７】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５８を通過し、ＥＵＶ光発生チャンバ側に出射する。
【０１７８】
なお、本実施形態においては、Ｓ偏光からＰ偏光への変換及びＰ偏光からＳ偏光への変換のためにλ／２波長板１２２を用いているが、他の光学素子又は光学系を用いることとしても良い。例えば、λ／２波長板１２２に代えて、図２５〜図２７に示すような光学系１１１を用いることとしても良い。
また、自励発振光フィルタ（図６、図１２、図１３等参照）をレーザ光路中に更に配置することとしても良い。
【０１７９】
本実施形態に係るドライバーレーザにおいては、発振器４１、偏光子５７、放電部５２、λ／２波長板１２２、及び、偏光子５８を直線上に配置することができる。そのため、先に説明した第１０及び第１１の実施形態に係るドライバーレーザと比較して、光路を直感的に把握することが容易である。
【０１８０】
また、発振器４１、偏光子５７、放電部５２、λ／２波長板１２２、及び、偏光子５８が配置されている直線上から外れる光路、すなわち、偏光子５８〜ミラー１７１〜ミラー１７２〜偏光子５７という光路には、レーザ光が１度しか通過しない。そのため、第１０及び第１１の実施形態に係るドライバーレーザと比較して、オペレータがドライバーレーザの調整中に手等を偏光子５８〜ミラー１７１〜ミラー１７２〜偏光子５７という光路に入れて怪我を負ってしまう危険性を低くすることができるので、安全上好適である。
【０１８１】
次に、本発明の第１３の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図３１は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図３１に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器１６４とを具備する。増幅器１６４は、放電部５２、５９と、自励発振光フィルタ５３と、偏光子５７と、λ／２波長板１２２と、ミラー１７１〜１７４とを含んでいる。なお、放電部５９の構成は、放電部５２（図５、図１５参照）と同様であり、図５、図１５に示すウィンドウ１３１、１３２が本発明における第１、第２のウィンドウに対応する。
【０１８２】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５７に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射され、更に、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１８３】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＳ偏光は、Ｐ偏光に変換される。
【０１８４】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、自励発振光フィルタ５３に入射する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２、５９において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３に入射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１８５】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７３によって図中の左方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５９に入射する。放電部５９に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１８６】
放電部５９において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第１のウィンドウを透過してミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１８７】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５７を通過し、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１８８】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換される。
【０１８９】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、自励発振光フィルタ５３に入射する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２、５９において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３に入射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１９０】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７３によって図中の左方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５９に再び入射する。放電部５９に再び入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１９１】
放電部５９において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第１のウィンドウを透過してミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０１９２】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の右方向）に反射される。
【０１９３】
本実施形態に係るドライバーレーザによれば、２つの放電部５２、５９に２回ずつレーザ光の増幅を行わせることができるので、高いゲイン（増幅度）を得ることができる。但し、複数の放電部を使用する場合、複数の放電部が光学的に結合し、各放電部のＡＳＥ光を増幅し合って自励発振に至ることが起こり得る。そのため、図３１に示すように、レーザ光の光路上に自励発振光フィルタ５３を配置することが好ましい。
【０１９４】
次に、本発明の第１４の実施形態に係るドライバーレーザについて説明する。
図３２は、本実施形態に係るドライバーレーザの原理を示す模式図である。図３２に示すように、このドライバーレーザは、発振器４１と、増幅器１６５とを具備する。増幅器１６５は、放電部５２、５９と、自励発振光フィルタ５３と、偏光子５７、５８と、λ／２波長板１２２と、ミラー１７１〜１７４とを含んでいる。
【０１９５】
発振器４１は、レーザ光（ここでは、Ｓ偏光）を偏光子５７に出射する。発振器４１から出射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５７によって図中の下方向に反射され、更に、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に入射する。放電部５２に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１９６】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＳ偏光は、Ｐ偏光に変換される。
【０１９７】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、自励発振光フィルタ５３に入射する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２、５９において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３に入射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０１９８】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５８を通過し、ミラー１７３によって図中の左方向に反射される。ミラー１７３によって反射されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過して放電部５９に入射する。放電部５９に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０１９９】
放電部５９において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第１のウィンドウを透過しミラー１７４によって図中の下方向に反射され、偏光子５７に入射する。
【０２００】
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、偏光子５７を通過し、ミラー１７１によって図中の右方向に反射され、第１のウィンドウを透過して放電部５２に再び入射する。放電部５２に再び入射したレーザ光（Ｐ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０２０１】
放電部５２において増幅されたレーザ光（Ｐ偏光）は、第２のウィンドウを透過してλ／２波長板１２２に入射する。λ／２波長板１２２は、そこを通過する光の偏光面を９０°回転させる。すなわち、λ／２波長板１２２に入射したＰ偏光は、Ｓ偏光に変換される。
【０２０２】
λ／２波長板１２２を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７２によって図中の上方向に反射され、自励発振光フィルタ５３に入射する。自励発振光フィルタ５３は、放電部５２、５９において自励発振が発生し、自励発振光が自励発振光フィルタ５３に入射した場合に、自励発振光を減衰させる。
【０２０３】
自励発振光フィルタ５３を通過したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５８によって図中の左方向に反射され、偏光子５７に入射する。
偏光子５７に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、図中の上方向に反射され、更に、ミラー１７４によって図中の右方向に反射される。ミラー１７４によって反射されたレーザ光（Ｓ偏光）は、第１のウィンドウを透過して放電部５９に入射する。放電部５９に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、励起されたレーザ媒質を通過する際に増幅される。
【０２０４】
放電部５９において増幅されたレーザ光（Ｓ偏光）は、ミラー１７３によって図中の下方向に反射され、偏光子５８に入射する。
【０２０５】
偏光子５８に入射したレーザ光（Ｓ偏光）は、偏光子５８によってＥＵＶ光発生チャンバ（図１）の方向（図中の右方向）に反射される。
【０２０６】
先に説明したように、複数の放電部を使用する場合、複数の放電部が光学的に結合し、各放電部のＡＳＥ光を増幅し合って自励発振に至ることが起こり得る。但し、ＡＳＥ光の偏光方向はランダムであるので、放電部間の光路上においてレーザ光の偏光方向を所定の方向に規制することにより、ＡＳＥ光のエネルギーを低減する事が出来る。そこで、本実施形態に係るドライバーレーザにおいては、２つの偏光子５７、５８を放電部５２と放電部５９との間にそれぞれ配置することにより、放電部５２と放電部５９との間を伝播するレーザ光の偏光純度を向上させている。これにより、放電部５２と放電部５９との間での光学的結合による自励発振を発生し難くすることが可能である。なお、自励発振をより発生し難くする為に、図３２に示すように、自励発振光フィルタ５３を光路上に挿入しても良い。
【産業上の利用可能性】
【０２０７】
本発明は、半導体ウエハ等を露光する極端紫外光を発生するＬＰＰ型ＥＵＶ光源のターゲットへ光を照射するドライバーレーザにおいて利用することが可能である。
【符号の説明】
【０２０８】
１…ドライバーレーザ、２…ＥＵＶ光発生チャンバ、３…ターゲット物質供給部、４…光学系、５…ターゲット物質、６…レーザ光、７…ＥＵＶ光、８…集光ミラー、１０…発振増幅型レーザ、１１、４１…発振器、１２、４２〜４６、１６１〜１６５…増幅器、２１…窓、３１…ターゲット噴射ノズル、３２…ターゲット回収筒、５１、５７、５８…偏光子、５２、５９…放電部、５２ａ、５２ｂ、５９ａ、５９ｂ…電極、５３…自励発振光フィルタ、５４、１０６…λ／４波長板、５５…フィードバックミラー、５６、１２５、１２６…円偏光ミラー、６１…集光レンズ、６２…可飽和吸収体セル、６２ａ、６２ｂ…ウィンドウ、６３…コリメートレンズ、６４…ピンホール板、６４ａ…ピンホール、１００…レーザ媒質、１０１…リアミラー、１０２…フロントミラー、１０４…偏光ビームスプリッタ、１０５…ポッケルスセル、１０７…反射ミラー、１１０、１２１、１２３、１２４…ミラー、１１１…光学系、１２２…λ／２波長板、１３１、１３２…ウィンドウ、１４１〜１４８…放電管、１４１ａ、１４１ｂ、１４２ａ、１４２ｂ…電極、１５１〜１５８、１７１〜１７４…ミラー
【図１】
0005551722.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005551722.tif 000004
【図７】
0005551722.tif 000005
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0005551722.tif 000008
【図１４】
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【図１６】
0005551722.tif 000010
【図１７】
0005551722.tif 000011
【図１８】
0005551722.tif 000012
【図１９】
0005551722.tif 000013
【図２０】
0005551722.tif 000014
【図２１】
0005551722.tif 000015
【図２２】
0005551722.tif 000016
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
0005551722.tif 000021
【図２８】
0005551722.tif 000022
【図２９】
0005551722.tif 000023
【図３０】
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【図３１】
0005551722.tif 000025
【図３２】
0005551722.tif 000026
【図３３】
0005551722.tif 000027
【図３４】
0005551722.tif 000028
【図４】
0005551722.tif 000029
【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図１２】
0005551722.tif 000033
【図１３】
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【図１５】
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