(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動部を有する複数のＭＥＭＳ素子をデバイスウエハの上に形成する第１工程と、
前記ＭＥＭＳ素子の形成位置に対応する複数の開口部を備えるマスクウエハを形成する第２工程と、
接着層を介して互いに離間した状態で、前記デバイスウエハに前記マスクウエハを位置合わせして貼り合わせる第３工程と、
前記開口部を介して前記ＭＥＭＳ素子にドライ処理を行う第４工程と、
前記デバイスウエハを切断して前記ＭＥＭＳ素子を備えるチップに分割する第５工程と
を備え、
前記接着層は、前記複数のＭＥＭＳ素子が形成されている領域の外側に配置することを特徴とするＭＥＭＳチップの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のＭＥＭＳチップの製造方法において、
前記第５工程は、前記デバイスウエハと前記マスクウエハとが貼り合わされている状態で行うことを特徴とするＭＥＭＳチップの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のＭＥＭＳチップの製造方法において、
前記第５工程は、前記デバイスウエハより前記マスクウエハを剥がした後で行うことを特徴とするＭＥＭＳチップの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のＭＥＭＳチップの製造方法において、
前記接着層は、一方の面の接着力が電圧印加による接着力低下処理により低下する材料から構成し、
前記接着力低下処理により前記接着層の一方の面の接着力を低下させることで、前記デバイスウエハより前記マスクウエハを剥がす処理を行う
ことを特徴とするＭＥＭＳチップの製造方法。
【請求項５】
可動部を有する複数のＭＥＭＳ素子が形成されたデバイスウエハを保持する第１ステージと、
前記ＭＥＭＳ素子の形成位置に対応する複数の開口部を備えるマスクウエハを前記デバイスウエハに対向して保持する第２ステージと、
前記第１ステージに対して前記第２ステージを前記デバイスウエハの平面内で相対的に移動させる第１ステージ駆動手段と、
前記第１ステージおよび前記第２ステージを前記デバイスウエハの平面の法線方向に相対的に移動させる第２ステージ駆動手段と、
前記第１ステージに保持された前記デバイスウエハおよび前記第２ステージに保持された前記マスクウエハの相対的な位置関係を観察する観察手段と、
前記デバイスウエハと前記マスクウエハとを接着する接着層の接着力を低下させる電圧印加機構である接着力低下手段と
を少なくとも備えることを特徴とするＭＥＭＳチップの製造装置。
【請求項６】
請求項５記載のＭＥＭＳチップの製造装置において、
前記第１ステージの前記デバイスウエハを保持する面に形成された凹部を備えることを特徴とするＭＥＭＳチップの製造装置。
【請求項７】
請求項５記載のＭＥＭＳチップの製造装置において、
前記第１ステージに形成された開口部を備えることを特徴とするＭＥＭＳチップの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
加速度センサやマイクロミラーなどの可動部を備えたＭＥＭＳ（Microel ectro mechanical systems）などのＭＥＭＳチップの製造方法および製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ネットワークの分野で用いられるマイクロミラーや微細な加速度センサなど、シリコンなどの半導体基板上やガラスなどの絶縁体基板上などに、微細な構造を作製するＭＥＭＳ技術が開発されている。このようなＭＥＭＳのチップの製造では、よく知られたＬＳＩチップの製造技術が利用されている（非特許文献１参照）。
【０００３】
ＭＥＭＳチップの製造について一例を示す。まず、図７Ａの断面図に示すように、シリコンからなるウエハ７０１に、複数の素子７０２を形成する。素子７０２は、例えば、図７Ｂの平面図に示すように、枠部７２１の内側に一対の連結部７２２で連結する可動部７２３を備える。可動部７２３は、例えば、ミラーであり、一対の連結部７２２を通る回動軸で回動可能とされている。
【０００４】
このような複数の素子７０２を形成した後、図７Ｃの断面図に示すように、素子７０２の領域に開口部７３１を備えるレジストパターン７０３を、ウエハ７０１の上に形成する。レジストパターン７０３は、レジストを塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングすることで形成すればよい。
【０００５】
次に、レジストパターン７０３をマスクとした状態で、図７Ｄに示すように、ウエハ７０１の全域に金属薄膜７０４を形成する。例えば、スパッタ法により、金属薄膜７０４を形成する。
【０００６】
この後、レジスト剥離液を用いてレジストパターン７０３を除去し、レジストパターン７０３とともにレジストパターン７０３の上に形成されている金属薄膜７０４をリフトオフすることで、図７Ｅに示すように、素子７０２に形成されている可動部（不図示）の上に、選択的に金属薄膜７０５を形成する。金属薄膜７０５が形成された可動部は、ミラーとして機能させることができる。最後に、例えば、回転するブレード７０６により切削することでチップ分割し、素子７０２を備える複数のチップ７０７を得る。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】T. Bifano, et al. ,"Large-scale metal MEMS mirror arrays with integrated electronics", Proceedings of SPIE, Vol.4755, pp.467-476, 2002.
【非特許文献２】宮口 敏 他、「有機EL フルカラーディスプレイの開発」、ＰＩＯＮＥＥＲ  Ｒ＆Ｄ、Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．１、
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した製造方法では、形成した可動部が破損しやすいという問題がある。上述した製造方法では、可動部に金属薄膜などの薄膜を形成するときに、よく知られたフォトリソグラフィー技術やリフトオフ法を用いており、レジストが塗布され、また、液体を用いたウエット処理が成されることになる。このような処理では、可動状態となっている微細な可動部は破損しやすい。
【０００９】
例えば、レジストの塗布では、レジストの溶液を滴下し、回転塗布法により滴下したレジスト溶液をウエハ全域に展開させて塗布膜を形成している。このとき、滴下して展開しているウエハ上のレジスト溶液によるせん断応力により、可動部が破損する。また、レジストパターン形成時の現像処理、リフトオフにおける剥離処理などのウエット処理では、液体を除去するための乾燥時に、可動部に隣接する微細な間隙に存在する液体の毛細管力により、可動部が変形しまたスティッキングするなどの問題が発生する。このように、可動状態に形成した可動部に薄膜を形成し、また、可動部の一部をエッチング除去するなどの処理を行う場合、可動部が破損しやすいという問題がある。
【００１０】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係るＭＥＭＳチップの製造方法は、可動部を有する複数のＭＥＭＳ素子をデバイスウエハの上に形成する第１工程と、ＭＥＭＳ素子の形成位置に対応する複数の開口部を備えるマスクウエハを形成する第２工程と、接着層を介して互いに離間した状態で、デバイスウエハにマスクウエハを位置合わせして貼り合わせる第３工程と、開口部を介してＭＥＭＳ素子にドライ処理を行う第４工程と、デバイスウエハを切断してＭＥＭＳ素子を備えるチップに分割する第５工程とを備え、接着層は、複数のＭＥＭＳ素子が形成されている領域の外側に配置する。
【００１２】
上記ＭＥＭＳチップの製造方法において、第５工程は、デバイスウエハよりマスクウエハを剥がした後で行えばよい。ここで、接着層は、一方の面の接着力が接着力低下処理により低下する材料から構成し、接着力低下処理により接着層の一方の面の接着力を低下させることで、デバイスウエハよりマスクウエハを剥がす。なお、接着力低下処理は、電圧印加である。また、第５工程は、デバイスウエハとマスクウエハとが貼り合わされている状態で行うようにしてもよい。
【００１３】
また、本発明に係るＭＥＭＳチップの製造装置は、可動部を有する複数のＭＥＭＳ素子が形成されたデバイスウエハを保持する第１ステージと、ＭＥＭＳ素子の形成位置に対応する複数の開口部を備えるマスクウエハをデバイスウエハに対向して保持する第２ステージと、第１ステージに対して第２ステージをデバイスウエハの平面内で相対的に移動させる第１ステージ駆動手段と、第１ステージおよび第２ステージをデバイスウエハの平面の法線方向に相対的に移動させる第２ステージ駆動手段と、第１ステージに保持されたデバイスウエハおよび第２ステージに保持されたマスクウエハの相対的な位置関係を観察する観察手段とを少なくとも備える。
【００１４】
上記ＭＥＭＳチップの製造装置において、デバイスウエハとマスクウエハとを接着する接着層の接着力を低下させる接着力低下手段を備える。接着力低下手段は、電圧印加機構である。
【００１５】
上記ＭＥＭＳチップの製造装置において、第１ステージのデバイスウエハを保持する面に形成された凹部を備えるようにしてもよい。また、第１ステージに形成された開口部を備えるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、接着層を介して互いに離間した状態で、デバイスウエハにマスクウエハを位置合わせして貼り合わせ、開口部を介してＭＥＭＳ素子にドライ処理を行い、この後、デバイスウエハを切断してＭＥＭＳ素子を備えるチップに分割するようにしたので、可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す平面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｉ】図３Ｉは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｊ】図３Ｊは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図３Ｋ】図３Ｋは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態３における他のＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態における他のＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す平面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、ＭＥＭＳチップの製造方法の途中工程における状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について、図１Ａ〜図１Ｊを用いて説明する。図１Ａ〜図１Ｊは、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳチップの製造方法の各工程における状態を模式的に示す平面図および断面図である。まず、図１Ａの平面図および図１Ｂの断面図に示すように、デバイスウエハ１０１の上（表面）に、複数のＭＥＭＳ素子１０２を形成する。ＭＥＭＳ素子１０２は、可動部（不図示）を備える。例えば、可動部は、一対の連結部（不図示）で枠部（不図示）に連結して回動可能とされている。また例えば、可動部は、一端が支持部に固定した片持ち梁であり、他端が変位可能とされている。
【００２０】
また、図１Ｃの平面図および図１Ｄの断面図に示すように、複数の開口部１０４を備えるマスクウエハ１０３を形成する。マスクウエハ１０３は、例えば、外形（外径）がデバイスウエハ１０１と同じに形成されている。また、開口部１０４は、ＭＥＭＳ素子１０２の薄膜形成領域に対応して形成されている。開口部１０４は、平面視円形，矩形など、所望とする薄膜形成形状とすればよい。加えて、マスクウエハ１０３は、この周縁部に固定された接着層１０５が形成されている。接着層１０５は、複数のＭＥＭＳ素子１０２が形成されている領域の外側に配置されていればよい。接着層１０５は、例えば、シート状の粘着材（接着剤）から構成され、特定の処理（接着力低下処理）により接着面の接着力が低下して剥離可能な特性を備えていればよい。
【００２１】
接着層１０５は、接着力低下処理により一方の面の接着力が低減する剥離特性を有していればよい。片面が上述した剥離特性を有し、もう一方の面が粘着特性のみを有してもよい。または、両面が異なる剥離粘着特性を有してもよい。例えば、接着層１０５は、一方の面が感圧粘着材から構成され、他方の面が熱剥離粘着材から構成されていればよい。熱剥離粘着材は、マイクロカプセル状の発泡材が含まれており、接着力低下処理として加熱することで、発泡材が発泡し、粘着材による接触面積が低減して粘着力（接着力）が低減する。
【００２２】
以上のように接着層１０５を備えるマスクウエハ１０３を用意したら、デバイスウエハ１０１のＭＥＭＳ素子１０２形成面の周縁部に、マスクウエハ１０３の接着層１０５の接着面を貼り付ける。言い換えると、デバイスウエハ１０１に接着層１０５を介してマスクウエハ１０３を貼り合わせる。この貼り付けは、次に示すようにして行えばよい。
【００２３】
まず、図１Ｅに示すように、デバイスウエハ１０１の裏面を接着剥離装置（ＭＥＭＳチップの製造装置）の第１ステージ１１１に装着し、また、マスクウエハ１０３の裏面を接着剥離装置の第２ステージ１１２に装着する。接着剥離装置は、例えば石英などの透明な部材から構成された第１ステージ１１１と、ヒータなどの加熱機構を内蔵した第２ステージ１１２とを備える。第１ステージ１１１は、ウエハ吸着機構１１１ａを備え、第２ステージ１１２もウエハ吸着機構１１２ａを備える。ウエハ吸着機構１１１ａおよびウエハ吸着機構１１２ａは、例えば、よく知られたバキュームチャックである。
【００２４】
ウエハ吸着機構１１１ａは、デバイスウエハ１０１の周縁部を第１ステージ１１１に吸着させ、第１ステージ１１１にデバイスウエハ１０１を固定（保持）する。同様に、ウエハ吸着機構１１２ａは、マスクウエハ１０３の周縁部を第２ステージ１１２に吸着させ、第２ステージ１１２にマスクウエハ１０３を固定（保持）する。また、各々固定されたデバイスウエハ１０１およびマスクウエハ１０３は、ＭＥＭＳ素子１０２の形成面および接着層１０５の固定面が対向して配置される。また、第１ステージ１１１は、デバイスウエハ１０１を保持する面に形成された凹部１２１を備える。凹部１２１は、ＭＥＭＳ素子１０２が形成されている領域に対応して形成されている。
【００２５】
また、接着剥離装置は、第２ステージ１１２を、マスクウエハ１０３が固定されている平面方向（ＸＹ方向）に移動させ、また、この平面内で回転させるＸＹθ駆動部（第１ステージ駆動手段）１１４を備える。ＸＹθ駆動部１１４は、第１ステージ１１１に対して第２ステージ１１２をデバイスウエハ１０１の平面内で相対的に移動させる。また、接着剥離装置は、ＸＹθ駆動部１１４とともに第２ステージ１１２を、第１ステージ１１１の方向（Ｚ方向）に移動させるＺ駆動部（第２ステージ駆動手段）１１５を備える。Ｚ駆動部１１５は、  第１ステージ１１１および第２ステージ１１２をデバイスウエハ１０１の平面の法線方向に相対的に移動させる。
【００２６】
加えて、接着剥離装置は、第１ステージ１１１に保持されたデバイスウエハ１０１、および第２ステージ１１２に保持されたマスクウエハ１０３の相対的な位置関係を観察する光学顕微鏡（観察手段）１１３を備える。光学顕微鏡１１３は、第１ステージ１１１を透過してデバイスウエハ１０１およびマスクウエハ１０３を観察する。
【００２７】
上述した接着剥離装置を用い、光学顕微鏡１１３による観察と、ＸＹθ駆動部１１４を動作させることによるマスクウエハ１０３のＸＹθ方向の移動とにより、デバイスウエハ１０１に対するマスクウエハ１０３の相対的な位置合わせを行う。
【００２８】
例えば、光学顕微鏡１１３を用い、デバイスウエハ１０１に形成されている位置合わせ用貫通パターン（不図示）を通し、マスクウエハ１０３上に形成されている位置合わせパターンの位置を探す。位置合わせパターンの探索は、ＸＹθ駆動部１１４を動作させて第２ステージ１１２をＸＹ方向に移動させ、また、θ方向に回転させることで行う。この探索で、位置合わせ用貫通パターンを通して対応する位置合わせパターンが観察できる状態とする。次いで、第２ステージ１１２をＸＹθ方向に微動・微回転させ、位置合わせ用貫通パターンの領域内で所定の位置に位置合わせパターンが観察される状態とする。これで、位置合わせがされた状態となる。なお、よく知られているように、ウエハ上で異なる箇所に設けられた２組の位置合わせ貫通パターおよび位置合わせパターンを用いれば、θ方向の位置合わせが容易にかつより正確に行える。
【００２９】
以上のように、デバイスウエハ１０１に対してマスクウエハ１０３が位置合わせされたら、Ｚ駆動部１１５を動作させ、第２ステージ１１２を第１ステージ１１１の方向に移動させ、図１Ｆに示すように、接着層１０５の接着面をデバイスウエハ１０１の表面の周縁部に当接させて接着させる。この後、第１ステージ１１１のウエハ吸着機構１１１ａおよび第２ステージ１１２のウエハ吸着機構１１２ａの動作を停止させ、デバイスウエハ１０１およびマスクウエハ１０３を接着剥離装置より搬出する。この結果、図１Ｇに示すように、デバイスウエハ１０１が接着層１０５を介してマスクウエハ１０３に固定された状態が得られる。
【００３０】
なお、可動部を有するＭＥＭＳ素子１０２が形成されているデバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３の位置合わせ精度は、可動部の寸法に適合させて数μｍ程度であることが重要となる。上述したように位置合わせを行った後でウエハ同士を接着すれば、これ以降の膜形成などの製造工程でも位置合わせ精度が維持される状態となる。これに対し、ウエハ同士を接着しない場合は、位置合わせをした後の膜形成工程などにおけるハンドリング中に、デバイスウエハとマスクウエハの間で位置ずれを引き起こす可能性がある。従って、接着によって、位置合わせ精度、すなわち、所望とする箇所への成膜の選択性が向上する。
【００３１】
以上のようにデバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３とを位置合わせして貼り合わせた後、ＭＥＭＳ素子１０２に対してマスクウエハ１０３の開口部１０４を介した選択的なドライ処理を行う。例えば、ＭＥＭＳ素子１０２の可動部（不図示）に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積などのドライ処理により金属などの膜を選択的に形成する。また、ＭＥＭＳ素子１０２の一部を、例えばプラズマを用いて選択的にドライエッチングを行う。本実施例では、一例として、ＭＥＭＳ素子１０２に対して選択的に金からなる金属膜を形成する。
【００３２】
この場合、図１Ｈに示すように、蒸着装置を用いてマスクウエハ１０３の側より金などの金属膜１０６および金属膜１０７を形成する。デバイスウエハ１０１においては、ＭＥＭＳ素子１０２以外の領域が、マスクウエハ１０３により覆われており、ＭＥＭＳ素子１０２は開口部１０４により開放状態とされているので、ＭＥＭＳ素子１０２に選択的に金属膜１０７が形成される。
【００３３】
なお、膜の形成ではなく、ＭＥＭＳ素子１０２のエッチング加工の場合、蒸着装置を用いてマスクウエハ１０３の側より、開口部１０４を介してエッチングガスのプラズマを作用させればよい。このようなドライエッチングにより、ＭＥＭＳ素子１０２の領域が選択的にエッチングされるようになる。
【００３４】
次に、貼り合わされているデバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３とを離間させる。まず、デバイスウエハ１０１の裏面を接着剥離装置の第１ステージ１１１に装着し、また、マスクウエハ１０３の裏面を接着剥離装置の第２ステージ１１２に装着する。Ｚ駆動部１１５を動作させて第２ステージ１１２を第１ステージ１１１の側に移動させ、第１ステージ１１１と第２ステージ１１２との間隔を適宜に調整させることで、貼り合わされているデバイスウエハ１０１およびマスクウエハ１０３を、第１ステージ１１１および第２ステージ１１２に装着させる。また、デバイスウエハ１０１は、ウエハ吸着機構１１１ａを動作させることで、第１ステージ１１１に吸着させる。同様に、マスクウエハ１０３は、ウエハ吸着機構１１２ａを動作させることで、第２ステージ１１２に吸着させる。
【００３５】
以上のように各ウエハを各ステージに吸着（保持）させた状態で、第２ステージ１１２が内蔵している加熱機構を動作させ、第２ステージ１１２を１００℃程度に加熱し、マスクウエハ１０３を介して接着層１０５を加熱し、接着層１０５の粘着力を低下させる。引き続いて、Ｚ駆動部１１５を動作させて第２ステージ１１２を第１ステージ１１１より離間させる。これらのことにより、図１Ｉに示すように、デバイスウエハ１０１よりマスクウエハ１０３が剥離されるようになる。従って、本実施の形態では、加熱機構が接着力低下手段となる。この後、デバイスウエハ１０１およびマスクウエハ１０３を接着剥離装置より搬出する。なお、剥離したマスクウエハ１０３は、再利用することができる。図１Ｉでは、マスクウエハ１０３の側に接着層１０５が残存した状態に示しているが、接着力を低下させた接着層１０５は、マスクウエハ１０３より除去すればよい。
【００３６】
ところで、接着層１０５の感圧粘着材の面をマスクウエハ１０３に接着させておくことで、上述したように加熱することで、接着層１０５をデバイスウエハ１０１より離間させることができる。これに対し、熱剥離粘着材の面をマスクウエハ１０３に接着させた場合、上述した加熱により剥離では、接着層１０５はマスクウエハ１０３より離間し、デバイスウエハ１０１に残ることになる。しかしながら、デバイスウエハ１０１の接着層１０５が配置されている領域は、チップ分割によりチップとなる部分より離間されるので、問題とならない。
【００３７】
以上のように薄膜形成などの処理が行われたデバイスウエハ１０１をレーザ照射によりダイシングし、図１Ｊに示すように、チップ分割して複数のチップ１０１ａを形成する。各チップ１０１ａは、各々、金属膜１０７が形成されたＭＥＭＳ素子１０２を備えている。
【００３８】
上述した本実施の形態によれば、可動状態に形成した可動部に金属膜を形成するなどの処理を、よく知られたフォトリソグラフィー技術やリフトオフ法などによるウエット処理を用いることなく行い、チップに分割することができるようになる。
【００３９】
また、ステンシルマスクを用いたシャドウマスク法によって、真空成膜で材料を微細パターニングする例が非特許文献２に開示されている。この場合、単にシャドウマスクを基板に密着させるとすでに成膜した領域がシャドウマスクによって傷つけられるため、基板上に隔壁を設けて膜選択成膜の際の突き合わせ部材として利用するという方法が用いられている。これに対し、本実施の形態によれば、接着層を介してデバイスウエハとマスクウエハとが離間しているので、上述したような問題が発生しない。
【００４０】
また、レーザダイシングによれば、ブレードダイシングとは異なり、冷却液や切削液を供給するなどの液処理が必要とならないため、液処理による問題が発生しない。
【００４１】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について、図２Ａ〜図２Ｃを用いて説明する。図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳチップの製造方法の各工程における状態を模式的に示す断面図である。
【００４２】
本実施の形態では、デバイスウエハ１０１よりマスクウエハ１０３を離間させる前に、デバイスウエハ１０１をチップ分割する。まず、前述した実施の形態１と同様に、デバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３とを位置合わせして接着層１０５により貼り合わせる。次いで、やはり前述した実施の形態１と同様に、金属膜１０６および金属膜１０７を形成する（図２Ａ）。
【００４３】
本実施の形態では、上述したようにデバイスウエハ１０１にマスクウエハ１０３が貼り合わされている状態で、図２Ｂに示すように、デバイスウエハ１０１に欠刻２０１を形成する。欠刻２０１は、例えば、レーザダイシングのレーザ照射により形成することができる。欠刻２０１は、例えば、デバイスウエハ１０１を貫通して形成すればよい。なお、欠刻２０１は、いわゆる断裁線に沿って形成すればよい。
【００４４】
以上のように欠刻２０１を形成することで、各々のＭＥＭＳ素子１０２の領域がデバイスウエハ１０１より分離された状態となる。この状態より、各々のＭＥＭＳ素子１０２の領域をピックアップすれば、図２Ｃに示すように、分割された複数のチップ１０１ａが得られる。各チップ１０１ａには、各々、金属膜１０７が形成されたＭＥＭＳ素子１０２を備えている。上述したように、デバイスウエハ１０１のみを分割するようにすれば、マスクウエハ１０３は再利用することができる。
【００４５】
［実施の形態３］
次に、本実施の形態３について図３Ａ〜図３Ｋを用いて説明する。図３Ａ〜図３Ｋは、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳチップの製造方法の各工程における状態を模式的に示す断面図である。
【００４６】
まず、図３Ａの断面図に示すように、デバイスウエハ３０１の上（表面）に、複数のＭＥＭＳ素子３０２を形成する。本実施の形態では、ＭＥＭＳ素子３０２がデバイスウエハ３０１の表面に形成された凹部内に形成されている。凹部は、ＭＥＭＳ素子３０２毎に形成されている。また、ＭＥＭＳ素子３０２は、可動部（不図示）を備える。例えば、可動部は、一対の連結部（不図示）で枠部（不図示）に連結して回動可能とされている。また例えば、可動部は、一端が支持部に固定した片持ち梁であり、他端が変位可能とされている。
【００４７】
また、図３Ｂの断面図に示すように、複数の開口部３０４を備える第１マスクウエハ３０３を形成する。第１マスクウエハ３０３は、例えば、外形（外径）がデバイスウエハ３０１と同じに形成されている。また、開口部３０４は、ＭＥＭＳ素子３０２の薄膜形成領域に対応して形成されている。加えて、第１マスクウエハ３０３は、この周縁部に固定された接着層３０５が形成されている。接着層３０５は、前述した実施の形態と同様である。
【００４８】
以上のように接着層３０５を備える第１マスクウエハ３０３を用意したら、デバイスウエハ３０１のＭＥＭＳ素子３０２が形成されていない裏面の周縁部に、第１マスクウエハ３０３の接着層３０５の接着面を貼り付ける。この貼り付けは、前述した実施の形態で用いた接着剥離装置を用い、次に示すようにして行えばよい。
【００４９】
まず、図３Ｃに示すように、デバイスウエハ３０１の表面（ＭＥＭＳ素子３０２の形成面）を接着剥離装置の第１ステージ１１１に装着し、また、第１マスクウエハ３０３の裏面を接着剥離装置の第２ステージ１１２に装着する。ウエハ吸着機構１１１ａにより、デバイスウエハ３０１の周縁部を第１ステージ１１１に吸着させて固定する。同様に、ウエハ吸着機構１１２ａにより、第１マスクウエハ３０３の周縁部を第２ステージ１１２に吸着させて固定する。また、各々固定されたデバイスウエハ３０１および第１マスクウエハ３０３は、裏面および接着層３０５の固定面を対向させて配置する。
【００５０】
次に、前述した実施の形態１と同様に、光学顕微鏡１１３による観察と、ＸＹθ駆動部１１４を動作させることによる第１マスクウエハ３０３のＸＹθ方向の移動とにより、デバイスウエハ３０１に対する第１マスクウエハ３０３の相対的な位置合わせを行う。ここでは、ＭＥＭＳ素子３０２が形成されている箇所に開口部３０４の位置が対応するように、デバイスウエハ３０１に対する第１マスクウエハ３０３の相対的な位置を合わせる。
【００５１】
次に、Ｚ駆動部１１５を動作させ、第２ステージ１１２を第１ステージ１１１の方向に移動させ、接着層３０５の接着面をデバイスウエハ３０１の裏面の周縁部に当接させて接着させる。この後、第１ステージ１１１のウエハ吸着機構１１１ａおよび第２ステージ１１２のウエハ吸着機構１１２ａの動作を停止させ、デバイスウエハ３０１および第１マスクウエハ３０３を接着剥離装置より搬出する。この結果、図３Ｄに示すように、第１マスクウエハ３０３が、接着層３０５を介してデバイスウエハ３０１の裏面に固定された状態が得られる。
【００５２】
次に、図３Ｅに示すように、複数の凸部３０７および複数の開口部３０８を備える第２マスクウエハ３０６を形成する。マスクウエハ３０６には、デバイスウエハ３０１のＭＥＭＳ素子３０２が形成されている凹部に対応して凸部３０７が形成されている。例えば、凹部に嵌合するように凸部３０７が形成されている。また、開口部３０８は、凸部３０７毎に形成され、また、ＭＥＭＳ素子３０２の薄膜形成領域に対応して形成されている。加えて、第２マスクウエハ３０６も、この周縁部に固定された接着層３０９が形成されている。接着層３０９は、接着層３０５と同様である。
【００５３】
次に、デバイスウエハ３０１のＭＥＭＳ素子３０２が形成されている表面の周縁部に、第２マスクウエハ３０６の接着層３０９の接着面を貼り付ける。この貼り付けは、上述した第１マスクウエハ３０３の貼り付けと同様にして行えばよい。
【００５４】
図３Ｆに示すように、まず、デバイスウエハ３０１に貼り合わされている第１マスクウエハ３０３の裏面を接着剥離装置の第１ステージ１１１に装着し、また、第２マスクウエハ３０６の裏面を接着剥離装置の第２ステージ１１２に装着する。ウエハ吸着機構１１１ａにより、第１マスクウエハ３０３の裏面の周縁部を第１ステージ１１１に吸着させて固定する。同様に、ウエハ吸着機構１１２ａにより、第２マスクウエハ３０６の周縁部を第２ステージ１１２に吸着させて固定する。また、デバイスウエハ３０１および第２マスクウエハ３０６は、ＭＥＭＳ素子３０２の形成面および接着層３０９の固定面を対向させて配置する。
【００５５】
次に、前述した第１マスクウエハ３０３の貼り合わせと同様に、光学顕微鏡１１３による観察と、ＸＹθ駆動部１１４を動作させることによる第２マスクウエハ３０６のＸＹθ方向の移動とにより、デバイスウエハ３０１に対する第２マスクウエハ３０６の相対的な位置合わせを行う。
【００５６】
次に、Ｚ駆動部１１５を動作させ、第２ステージ１１２を第１ステージ１１１の方向に移動させ、接着層３０９の接着面をデバイスウエハ３０１の表面の周縁部に当接させて接着させる。このように、位置合わせをしてから貼り合わせを行うので、縁の部分が衝突して破損するなどのことがなく、第２マスクウエハ３０６の凸部３０７が、デバイスウエハ３０１の凹部に嵌合した状態に貼り合わせることができる。
【００５７】
この後、第１ステージ１１１のウエハ吸着機構１１１ａおよび第２ステージ１１２のウエハ吸着機構１１２ａの動作を停止させ、第１マスクウエハ３０３および第２マスクウエハ３０６が接着固定されたデバイスウエハ３０１を接着剥離装置より搬出する。
【００５８】
この結果、図３Ｇに示すように、ＭＥＭＳ素子３０２が形成されているデバイスウエハ３０１の凹部に凸部３０７が嵌合し、第２マスクウエハ３０６が、接着層３０９を介してデバイスウエハ３０１の表面に固定された状態が得られる。ここで、第２マスクウエハ３０６では、凸部３０７を設けて開口部３０８を形成しているので、開口部３０８のデバイスウエハ３０１側の開口端を、ＭＥＭＳ素子３０２により近づけて配置させることができる。
【００５９】
以上のようにデバイスウエハ３０１に対し、第１マスクウエハ３０３および第２マスクウエハ３０６を各々位置合わせして貼り合わせた後、ＭＥＭＳ素子３０２に対し、開口部３０４および開口部３０８を介した選択的な処理を行う。例えば、第１マスクウエハ３０３の側より、ＭＥＭＳ素子３０２の裏面側となるデバイスウエハ３０１の裏面に、物理的気相堆積または化学的気相堆積による金属などの膜を選択的に形成する。また、ＭＥＭＳ素子３０２形成部のデバイスウエハ３０１裏面の一部を、例えばプラズマを用いて選択的にエッチング処理する。同様に、第２マスクウエハ３０６の側より、ＭＥＭＳ素子３０２の可動部（不図示）に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積による金属などの膜を選択的に形成する。また、ＭＥＭＳ素子３０２の一部を、例えばプラズマを用いて選択的にエッチング処理する。本実施例では、一例として、ＭＥＭＳ素子３０２に対して金からなる金属膜を選択的に形成する。
【００６０】
この場合、図３Ｈに示すように、蒸着装置を用いて第１マスクウエハ３０３の側および第２マスクウエハ３０６の側より、金などの金属膜３１０および金属膜３１１を形成する。デバイスウエハ３０１の裏面においては、ＭＥＭＳ素子３０２が形成されている領域以外の領域が、第１マスクウエハ３０３により覆われており、ＭＥＭＳ素子３０２が形成されている領域は、開口部３０４により開放状態とされているので、この領域に選択的に金属膜３１０が形成される。また、デバイスウエハ３０１の表面においては、ＭＥＭＳ素子３０２の可動部以外の領域が、第２マスクウエハ３０６により覆われており、可動部は、開口部３０８により開放状態とされているので、可動部に選択的に金属膜３１１が形成される。また、凸部３０７により、開口端をＭＥＭＳ素子３０２により近づけるようにしているので、回り込みによる他の領域への不要な金属膜の形成が、抑制された状態となっている。
【００６１】
なお、膜の形成ではなく、ＭＥＭＳ素子３０２のエッチング加工の場合、蒸着装置を用いてエッチングガスのプラズマを作用させればよい。このようなドライエッチングにより、ＭＥＭＳ素子３０２の領域が選択的にエッチングされるようになる。
【００６２】
次に、貼り合わされているデバイスウエハ３０１と第２マスクウエハ３０６とを離間させる。まず、第１マスクウエハ３０３の裏面を接着剥離装置の第１ステージ１１１に装着し、また、第２マスクウエハ３０６の裏面を接着剥離装置の第２ステージ１１２に装着する。Ｚ駆動部１１５を動作させて第２ステージ１１２を第１ステージ１１１の側に移動させ、第１ステージ１１１と第２ステージ１１２との間隔を適宜に調整させることで、貼り合わされている第１マスクウエハ３０３および第２マスクウエハ３０６を、第１ステージ１１１および第２ステージ１１２に装着させる。また、第１マスクウエハ３０３は、ウエハ吸着機構１１１ａを動作させることで、第１ステージ１１１に吸着させる。同様に、第２マスクウエハ３０６は、ウエハ吸着機構１１２ａを動作させることで、第２ステージ１１２に吸着させる。
【００６３】
以上のように各ウエハを各ステージに吸着させた状態で、第２ステージ１１２が内蔵している加熱機構を動作させ、第２ステージ１１２を１００℃程度に加熱し、第２マスクウエハ３０６を介して接着層３０９を加熱し、接着層３０９の粘着力を低下させる。引き続いて、Ｚ駆動部１１５を動作させて第２ステージ１１２を第１ステージ１１１より離間させる。ここで、第２ステージ１１２をデバイスウエハ３０１の平面の法線方向に移動させれば、デバイスウエハ３０１の凹部に嵌合している凸部３０７を、縁の部分が衝突して破損するなどのことがなく、凹部より離間させることができる。これらのことにより、図３Ｉに示すように、デバイスウエハ３０１より第２マスクウエハ３０６が剥離されるようになる。
【００６４】
次に、上述同様にすることで、デバイスウエハ３０１より第１マスクウエハ３０３を離間させる。この結果、図３Ｊに示すように、ＭＥＭＳ素子３０２の上に金属膜３１１が形成され、ＭＥＭＳ素子３０２形成領域の裏面に金属膜３１０が形成されたデバイスウエハ３０１が得られる。ここで、第１マスクウエハ３０３を剥がすときには、第２ステージ１１２が内蔵している加熱機構を動作させ、第２ステージ１１２を１２０℃程度に加熱し、第１マスクウエハ３０３を介して接着層３０５を加熱し、接着層３０５の粘着力を低下させる。
【００６５】
例えば、接着層３０９は、１００℃の加熱で粘着力が低下し、接着層３０５は、１００℃の加熱では粘着力が低下せず、１２０℃に加熱することで粘着力が低下するようにしておけばよい。このようにすることで、上述したように、加熱温度１００℃の条件で第２マスクウエハ３０６を剥がすときには、接着層３０５の粘着力は低下させず、デバイスウエハ３０１に対して第１マスクウエハ３０３が接着固定された状態が維持され、第２マスクウエハ３０６をデバイスウエハ３０１より剥がすことができる。
【００６６】
次に、デバイスウエハ３０１をレーザ照射によりダイシングし、図３Ｋに示すように、チップ分割して複数のチップ３０１ａを形成する。各チップ３０１ａには、各々、金属膜３１１が形成されたＭＥＭＳ素子３０２を備え、裏面の一部に金属膜３１０が形成されている。
【００６７】
上述した本実施の形態によれば、可動状態に形成した可動部に金属膜を形成するなどの処理を、よく知られたフォトリソグラフィー技術やリフトオフ法などによるウエット処理を用いることなく行い、チップに分割することができるようになる。
【００６８】
なお、デバイスウエハ３０１より各マスクウエハを離間させる前に、デバイスウエハ３０１をチップ分割してもよい。まず、前述した実施の形態３と同様に、デバイスウエハ３０１に、位置合わせをした後で、第１マスクウエハ３０３および第２マスクウエハ３０６を貼り合わせる。次いで、やはり前述した実施の形態３と同様に、金属膜３１０および金属膜３１１を形成する。
【００６９】
この後、図４に示すように、第１マスクウエハ３０３およびデバイスウエハ３０１に欠刻４０１を形成する。欠刻４０１は、例えば、レーザダイシングのレーザ照射により形成することができる。欠刻４０１は、例えば、第１マスクウエハ３０３およびデバイスウエハ３０１を貫通して形成すればよい。
【００７０】
以上のように欠刻４０１を形成することで、各々のＭＥＭＳ素子３０２の領域がデバイスウエハ３０１より分離された状態となる。この状態より、各々のＭＥＭＳ素子３０２の領域をピックアップすれば、図３Ｋに示すように、分割された複数のチップ３０１ａが得られる。なお、上述したようにレーザダイシングをする場合、欠刻４０１を形成しようとする箇所には、金属膜３１０が除去しておく。これは、金属膜３１０が形成されている領域は、レーザが反射されて欠刻４０１を形成することができないためである。
【００７１】
また、接着層は、接着力低下処理として紫外線を照射することで粘着力が低下する材料（紫外線剥離型フィルムなど）を用いてもよい。この場合、マスクウエハは、ガラスなどの紫外線を透過する材料から構成するとよい。紫外線剥離型フィルムは、紫外線硬化樹脂から構成されており、紫外線による化学反応で樹脂が硬化収縮して界面でのせん断力を発生させ粘着力を低減させる。この場合、紫外線照射を行う機構が、接着力低下手段となる。
【００７２】
また、接着層は、通電剥離樹脂から構成してもよい。通電剥離樹脂は、接着力低下処理として電圧を印加することで粘着力が低下する材料である。通電剥離材としては、例えば、「ＥＩＣ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ」製のエレクトリリースがある。この材料は、５０Ｖの電圧を１分間印加すれば、粘着力が低下して剥離可能となる。この場合、マスクウエハが金属や半導体などの導電性材料から構成し、デバイスウエハが半導体から構成されていればよい。また、第１ステージ１１１および第２ステージ１１２に、電圧印加可能な電極が備えられていればよい。デバイスウエハの側がプラス、マスクウエハの側がマイナスとなるように電圧を印加することで、デバイスウエハより接着層を剥離することができる。この場合、上述したように電圧を印加する機構が、接着力低下手段となる。
【００７３】
例えば、図５に示すように、金属からなる第１ステージ５１１および金属からなる第２ステージ５１２から接着剥離装置を構成し、第１ステージ５１１および第２ステージ５１２の間に電圧印加が可能な構成とすればよい。なお、第１ステージ５１１は、ウエハ吸着機構５１１ａを備え、第２ステージ５１２もウエハ吸着機構５１２ａを備える。また、図５に例示する接着剥離装置では、吸着したデバイスウエハ１０１のＭＥＭＳ素子１０２形成領域が観察できるように、第１ステージ５１１に開口部５１１ｂが形成されている。
【００７４】
また、紫外線硬化樹脂を用いる場合は、第２ステージに紫外線ランプを組み込めばよい。また、２つ以上のマスクウエハを接合して剥離する場合には、上記の熱剥離粘着材、通電剥離材、紫外線硬化樹脂を組み合わせて用いてもよい。また、上述では、接着層をマスクウエハに形成したが、これに限るものではなく、デバイスウエハに形成してもよく、また、両者に形成してもよい。
【００７５】
［実施の形態４］
次に、本発明の実施の形態４について、図６Ａ〜図６Ｄを用いて説明する。図６Ａは、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳチップの製造方法を説明するための平面図であり、図６Ｂ〜図６Ｄは断面図である。
【００７６】
本実施の形態では、図６Ａに示すように、デバイスウエハ１０１に、予め断裁領域６０１を形成しておく。例えば、図６Ｂに示すように、断面視矩形の溝からなる断裁領域６０１ａを形成してもよく、また、図６Ｃに示すように、断面視Ｖ字形状の断裁領域６０１ｂを形成してもよい。これらは、ドライエッチング，ウエットエッチングやブレードダイシングなどにより形成できる。
【００７７】
このように断裁領域６０１を形成しておき、レーザダイシングによるチップ分割の時には、レーザを断裁領域６０１の底部に照射して断裁を行う。このようにすることで、レーザダイシング時の断裁対象部が薄くなり、チッピングなどの発生を抑制して安定してチップ分割をすることができるようになる。
【００７８】
また、よく知られたＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用い、埋め込み絶縁層を犠牲層としてＳＯＩ層を加工することで、ＳＯＩ層に可動部を形成するＭＥＭＳ素子がある。このような場合、図６Ｄに示すように、ＳＯＩ基板６１０の埋め込み絶縁層６１１より深い箇所まで断裁領域６０１ｃを形成しておくことで、断裁領域６０１ｃに酸化シリコンなどの絶縁層が存在しない状態とすることができる。酸化シリコンなどの絶縁層は、レーザダイシングによる切断が容易でないため、上述したように除去しておくことで、チップ分割がより容易となる。
【００７９】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの組み合わせおよび変形が実施可能であることは明白である。例えば、位置合わせは、光学顕微鏡による観察像をイメージセンサーで撮像し、撮像した画像をよく知られたパターンマッチングなどの技術により処理し、この処理結果によりＸＹθ駆動部の動作を制御することで行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８０】
１０１…デバイスウエハ、１０１ａ…チップ、１０２…ＭＥＭＳ素子、１０３…マスクウエハ、１０４…開口部、１０５…接着層、１０６，１０７…金属膜、１１１…第１ステージ、１１２…第２ステージ、１１１ａ，１１２ａ…ウエハ吸着機構、１１３…光学顕微鏡、１１４…ＸＹθ駆動部、１１５…Ｚ駆動部。
【図１Ａ】
0005551511.tif 000002
【図１Ｂ】
0005551511.tif 000003
【図１Ｃ】
0005551511.tif 000004
【図１Ｄ】
0005551511.tif 000005
【図１Ｅ】
0005551511.tif 000006
【図１Ｆ】
0005551511.tif 000007
【図１Ｇ】
0005551511.tif 000008
【図１Ｈ】
0005551511.tif 000009
【図１Ｉ】
0005551511.tif 000010
【図１Ｊ】
0005551511.tif 000011
【図２Ａ】
0005551511.tif 000012
【図２Ｂ】
0005551511.tif 000013
【図２Ｃ】
0005551511.tif 000014
【図３Ａ】
0005551511.tif 000015
【図３Ｂ】
0005551511.tif 000016
【図３Ｃ】
0005551511.tif 000017
【図３Ｄ】
0005551511.tif 000018
【図３Ｅ】
0005551511.tif 000019
【図３Ｆ】
0005551511.tif 000020
【図３Ｇ】
0005551511.tif 000021
【図３Ｈ】
0005551511.tif 000022
【図３Ｉ】
0005551511.tif 000023
【図３Ｊ】
0005551511.tif 000024
【図３Ｋ】
0005551511.tif 000025
【図４】
0005551511.tif 000026
【図５】
0005551511.tif 000027
【図６Ａ】
0005551511.tif 000028
【図６Ｂ】
0005551511.tif 000029
【図６Ｃ】
0005551511.tif 000030
【図６Ｄ】
0005551511.tif 000031
【図７Ａ】
0005551511.tif 000032
【図７Ｂ】
0005551511.tif 000033
【図７Ｃ】
0005551511.tif 000034
【図７Ｄ】
0005551511.tif 000035
【図７Ｅ】
0005551511.tif 000036
【図７Ｆ】
0005551511.tif 000037