(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路領域、及び、複数のスルーホールを有する回路基板用母基板を準備する準備工程と、
それぞれの前記スルーホールにおける開口の一方側からガラスペーストを塗布し、前記ガラスペーストが塗布された前記回路基板用母基板を焼成して、前記開口の一方側のみをガラス組成物により封止するスルーホール封止工程と、
それぞれの前記回路領域を封止樹脂により封止する回路封止工程と、
前記複数のスルーホールに沿って前記母基板を分割する分割工程と、
を備え、
前記スルーホール封止工程後の前記ガラス組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置における厚さが前記スルーホールの径方向の中心部における厚さよりも大きい
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記スルーホール封止工程後における前記スルーホール内の前記ガラス組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置において最厚部が形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記スルーホール封止工程後における前記スルーホール内の前記ガラス組成物は、前記スルーホールの径方向における中心部において、最薄部が形成されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路基板用母基板がセラミックからなる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記回路基板用母基板が単層基板からなる
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法により製造される
ことを特徴とする回路基板。
【請求項７】
複数の回路領域、及び、複数のスルーホールを有し、前記複数のスルーホールに沿って分割される回路基板用母基板であって、
それぞれの前記スルーホールは、開口の一方側のみが、ガラス組成物により封止されており、
前記ガラス組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置における厚さが前記スルーホールの径方向の中心部における厚さよりも大きい
ことを特徴とする回路基板用母基板。
【請求項８】
前記スルーホール内の前記ガラス組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置において最厚部が形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の回路基板用母基板。
【請求項９】
前記スルーホール内の前記ガラス組成物は、前記スルーホールの径方向における中心部において、最薄部が形成されている
ことを特徴とする請求項７または８に記載の回路基板用母基板。
【請求項１０】
前記複数のスルーホールと重なる位置に沿って、分割ラインが形成れている
ことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の回路基板用母基板。
【請求項１１】
少なくとも一方の面に前記分割ラインに沿って分割溝が形成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載の回路基板用母基板。
【請求項１２】
セラミックからなる
ことを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の回路基板用母基板。
【請求項１３】
単層基板からなる
ことを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の回路基板用母基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板に関する。具体的には、複数の回路領域を有し、複数の回路基板を得ることのできる回路基板用母基板、及び、この回路用母基板を用いる回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板に関し、さらに詳細には、簡便な方法によりキャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および高機能化に伴い電子部品の実装密度が高くなっている。このため、水晶振動子、トランジスタ、ＩＣ、ＬＥＤ等の電子部品を搭載する回路基板の小型化が要求されている。この回路基板は、一般的に電子部品が搭載された状態で、実装基板上に実装される。そして、このような回路基板の実装の際、回路基板が適切にはんだ付けされるために、回路基板は、キャスタレーション構造とされる場合がある。このキャスタレーション構造とは、基板の側面に凹部が形成されており、この凹部の壁面に電極が形成されている構造であり、この電極はキャスタレーション電極や、単にキャスタレーションと呼ばれることがある。【０００３】
下記特許文献１には、このような回路基板の一例が記載されている。図１は、従来のキャスタレーション構造を有する回路基板の断面図である。図１に示すように、回路基板１００は、絶縁性材料からなる基体１０５を有する。そして、基体１０５は、その表面に電子部品１０１と接続するための配線導体１０２が設けられており、裏面には、回路基板１００が実装される実装基板と接続するための配線導体１０７が設けられている。また基体１０５には、表面と裏面の配線導体１０２、１０７を接続するための貫通導体（スルーホール、ビアホール等）が設けられている。さらに、基体１０５の側面には、基体１０５の裏面の配線導体１０７と接続されたキャスタレーション電極１０６が設けられている。なお、基体１０５上に設置された電子部品１０１は、ボンディングワイヤによって配線導体に接続されたり、図１に示すように配線導体１０２と直接接続されたりして、一般的に図示しない封止樹脂等により密閉保護される。【０００４】
このような回路基板１００は、上述のように小型化されているので、その取り扱いを容易にし、生産性を高めるため、多数の回路領域が縦横に配列され、回路基板が多数個取りできる回路基板用母基板から製造される場合がある。すなわち、回路基板用母基板における各回路領域において、配線導体や貫通導体を設けて電子部品を搭載した後、各回路領域の外縁に形成された分割ラインに沿って個々の基体に分割して、回路基板を製造することが行われている。そして、回路基板が上述のキャスタレーション構造を有する場合には、回路基板用母基板の各回路領域の外縁に設けられた分割ライン上にスルーホールを設け、このスルーホールを分割することで、キャスタレーション電極を形成することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２３５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
キャスタレーション構造を有する回路基板上において、上述のように回路領域や、回路領域上の電子部品を封止樹脂等により封止する場合、回路基板用母基板の分割前に樹脂封止を行い、その後回路基板用母基板を分割すれば、電子部品の搭載や樹脂封止が容易であり、回路基板の生産効率が上がる。しかし、この方法では、回路領域や電子部品を樹脂封止する際に、封止樹脂がスルーホールに侵入して、回路基板用母基板の裏面にまで漏出する虞がある。このように封止用樹脂がスルーホールに侵入し、回路基板用母基板の裏面にまで漏出すると、スルーホールの内壁面に封止樹脂が付着する。従って、回路基板用母基板の分割後に、回路基板のキャスタレーション電極が封止樹脂に覆われてしまい、キャスタレーション電極が適切に露出せずに、適切なはんだ付けができない虞がある。このような封止樹脂がスルーホールに侵入することを防止するため、図１のように基体を多層構造にしたり、電子部品の周囲にバリア層を設けることが行われている。しかし、これらの方法は製造工程が複雑となり好ましくなく、スルーホールから封止樹脂が漏出することを防止する簡便な方法が求められている。【０００７】
そこで、本発明は、簡便な方法によりキャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の回路基板の製造方法は、複数の回路領域、及び、複数のスルーホールを有する回路基板用母基板を準備する準備工程と、それぞれの前記スルーホールにおける開口の一方側のみを、封止組成物により封止するスルーホール封止工程と、それぞれの前記回路領域を封止樹脂により封止する回路封止工程と、前記複数のスルーホールに沿って前記母基板を分割する分割工程と、を備えることを特徴とするものである。【０００９】
このような回路基板の製造方法によれば、スルーホールにおける開口の一方側のみが、封止組成物により封止されているため、それぞれの回路領域を封止樹脂により封止するときに、封止樹脂がスルーホールに侵入することを防止することができる。そして、スルーホールにおける開口の他方側は、封止組成物により封止されていないため、壁面が露出している。従って、キャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる。【００１０】
また、上記回路基板の製造方法において、前記封止組成物がガラス組成物であり、前記スルーホール封止工程において、前記回路基板用母基板にガラスペーストを塗布して、前記ガラスペーストが塗布された前記回路基板用母基板を焼成することが好ましい。【００１１】
ガラス組成物は、高い強度を有するため、このような回路基板用母基板によれば、回路封止工程において、回路領域を封止樹脂により封止するときに、封止組成物上の封止樹脂に圧力がかかっても封止樹脂がスルーホール内に侵入することを防止することができる。また、ガラス組成物は、脆性であるため、分割工程において、回路基板用母基板を分割するときに容易に破断することができ、容易に回路基板を製造することができる。また、ガラス組成物を分割した後において、分割断面がきれいであり、仕上がりの良い回路基板を製造することができる。【００１２】
また、上記回路基板の製造方法において、前記封止組成物は、前記スルーホールの内壁面と接する位置における厚さが、前記スルーホールの径方向の中心部における厚さよりも大きいことが好ましい。【００１３】
このような回路基板の製造によれば、スルーホールの内壁面と封止組成物との接触面積を大きくすることができるので、分割工程において、封止組成物が不要に剥離してしまうことを防止することができる。【００１４】
さらに、上記回路基板の製造方法において、前記スルーホール内の前記封止組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置において最厚部が形成されていることが好ましい。【００１５】
このような回路基板の製造によれば、分割工程において、封止組成物が不要に剥離してしまうことを最も防止することができる。【００１６】
また、上記回路基板の製造方法において、前記スルーホール内の前記封止組成物は、前記スルーホールの径方向における中心部において、最薄部が形成されていることが好ましい。【００１７】
このような回路基板用母基板によれば、分割工程において、回路基板用母基板を分割するときに、封止組成物がスルーホールの径方向における中心部で分割され易く、回路基板に残る封止組成物をそれぞれの回路基板で略同様にすることができ、均質な回路基板を得ることができる。【００１８】
また、上記回路基板の製造方法において、回路基板用母基板が前記セラミックからなることとしても良い。【００１９】
また、上記回路基板の製造方法において、前記回路基板用母基板が単層基板からなることとしても良い。【００２０】
さらに本発明の回路用基板は、上記回路基板の製造方法のいずれかにより製造されることを特徴とするものである。【００２１】
このような回路基板によれば、キャスタレーション電極を適切に露出させることができる。【００２２】
また、上記課題を解決するため、本発明の回路基板用母基板は、複数の回路領域、及び、複数のスルーホールを有し、前記複数のスルーホールに沿って分割される回路基板用母基板であって、それぞれ前記スルーホールは、開口の一方側のみが、封止組成物により封止されていることを特徴とするものである。【００２３】
このような回路基板用母基板によれば、スルーホールにおける開口の一方側のみが、封止組成物により封止されているため、複数の回路領域を封止樹脂により封止する場合においても、封止樹脂がスルーホールに侵入することを防止することができる。そして、スルーホールにおける開口の他方側は、封止組成物により封止されていないため、壁面が露出している。従って、回路基板用母基板を複数のスルーホールに沿って分割することにより、キャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる。【００２４】
また、上記回路基板用母基板において、前記封止組成物がガラス組成物であることが好ましい。【００２５】
ガラス組成物は、高い強度を有するため、このような回路基板用母基板によれば、回路領域を封止樹脂により封止するときに、圧力が掛かっても封止樹脂がスルーホール内に侵入することを防止することができる。また、ガラス組成物は、脆性であるため、このような回路基板用母基板によれば、回路基板用母基板を分割するときに容易に破断することができ、容易に回路基板を製造することができる。また、ガラス組成物を分割した後において、分割断面がきれいであり、このような回路基板用母基板によれば、仕上がりの良い回路基板を製造することができる。【００２６】
また、上記回路基板用母基板において、前記封止組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置における厚さが、前記スルーホールの径方向の中心部における厚さよりも大きいことが好ましい。【００２７】
このような回路基板用母基板によれば、スルーホールの内壁面と封止組成物との接触面積を大きくすることができ、封止組成物が不要に剥離してしまうことを防止することができる。【００２８】
また、上記回路基板用母基板において、前記スルーホール内の前記封止組成物は、前記スルーホールの内壁面に接する位置において最厚部が形成されていることが好ましい。【００２９】
このような回路基板用母基板によれば、封止組成物が不要に剥離してしまうことを最も防止することができる。【００３０】
また、上記回路基板用母基板において、前記スルーホール内の前記封止組成物は、前記スルーホールの径方向における中心部において、最薄部が形成されていることが好ましい。【００３１】
このような回路基板用母基板によれば、回路基板用母基板を分割するときに、封止組成物がスルーホールの径方向における中心部で分割され易く、回路基板に残る封止組成物をそれぞれの回路基板で略同様にすることができ、均質な回路基板を得ることができる。【００３２】
また、上記回路基板用母基板において、前記複数のスルーホールと重なる位置に沿って、分割ラインが形成されていることが好ましい。【００３３】
このような回路基板用母基板によれば、分割ラインに沿って回路基板用母基板を分割すれば良いので、回路基板用母基板の分割作業が容易である。【００３４】
さらに、上記回路基板用母基板において、少なくとも一方の面に前記分割ラインに沿って分割溝が形成されていることが好ましい。【００３５】
このような回路基板用母基板によれば、分割溝に沿って回路基板用母基板を割ることで、容易に回路基板用母基板の分割作業を行うことができる。【００３６】
また、上記回路基板用母基板が、セラミックからなることとしても良い。【００３７】
また、上記回路基板用母基板が、単層基板からなることとしても良い。
【発明の効果】
【００３８】
以上説明したように、本発明によれば、簡便な方法によりキャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の回路基板の概略図である。
【図２】本発明の実施形態に係る回路基板の斜視図である。
【図３】図２のキャスタレーション電極を通る面における断面の構造を示す図である。
【図４】図２の回路基板のキャスタレーション電極の付近における側面図である。
【図５】回路基板に電子部品が搭載されて封止樹脂により封止された様子を示す図である。
【図６】図２に示す回路基板が実装されているキャスタレーション電極の様子を示す図である。
【図７】回路基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】孔あけ工程後の基板の様子を示す図である。
【図９】導体形成工程後の回路基板用母基板の様子を示す図である。
【図１０】スルーホール封止工程後の回路基板用母基板の様子を示す図である。
【図１１】回路基板用母基板のスルーホールにおける断面の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明に係る回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板の好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４１】
図２は、本実施形態に係る回路基板用母基板、及び、回路基板の製造方法により製造される回路基板の斜視図である。図２に示すように、本回路基板２０は、略直方体形状の基体９と、基体９の一方側の面に形成される回路領域２１と、回路領域２１に少なくとも一部が形成される配線導体２と、基体９の側面に設けられるキャスタレーション電極６と、基体９の他方側の面に形成される配線導体７と、配線導体２上に少なくとも一部が形成される封止組成物８と、少なくとも回路領域２１を封止する封止樹脂とを主な構成として備える。また、図３は、図２のキャスタレーション電極６を通る面における断面の構造を示す図である。なお、図２、図３において、封止樹脂は、理解の容易のため省略している。
【００４２】
基体９は、上述のように略直方体の形状をしており、互いに対向する一対の側面が複数個所略半円筒状に削られて凹部が形成されている。そして、それぞれ凹部の表面にキャスタレーション電極６が設けられており、それぞれのキャスタレーション電極６は、凹部に沿って、基体９の一方の表面から他方の表面まで延在している。つまり、キャスタレーション電極６は、スルーホールを孔の長さ方向に沿って分割した形状をしており、基体９の側面に対して、凹状の形状をしている。さらに、キャスタレーション電極６は、基体９の一方の面上に設けられる配線導体２と接続されており、さらに基体９の他方の面上に設けられる配線導体７とも接続されている。また、それぞれのキャスタレーション電極６と接続されているそれぞれの配線導体２は、基体９の一方の面上において、一部が基体９に設けられた凹部により円弧形に削られた矩形の形状をしている。同様に、それぞれのキャスタレーション電極６と接続されているぞれそれの配線導体７は、基体９の他方の面上において、一部が基体９に設けられた凹部により円弧形に削られた矩形の形状をしている。
【００４３】
また、上述のように基体９の一方の面には回路領域２１が形成されており、配線導体２の少なくとも１部は、この回路領域２１内まで延在している。回路領域２１は、少なくとも、回路基板２０に搭載する電子部品と接続するための配線導体２を有し、さらに回路基板と実装基板とを接続するための配線導体、スルーホール、ビアホールの何れかを有する場合がある。
【００４４】
図４は、図２の回路基板２０のキャスタレーション電極６の付近における側面図である。図２〜図４に示すように、それぞれの配線導体２の一部と、それぞれのキャスタレーション電極６の一部は、封止組成物８により被覆されており、封止組成物８は、それぞれの配線導体２の表面から、それぞれのキャスタレーション電極６の凹部まで入り込んでいる。つまり、封止組成物８は、それぞれのキャスタレーション電極６における一方の表面側のみの凹部に充填されている。また、図４に示すように、凹部に入り込んでいる封止組成物８は、凹部の略中心において、最薄部とされており、厚さがａとされている。また、封止組成物８は、キャスタレーション電極６と接する位置において、最厚部とされており、厚さがｂとされている。また、封止組成物８は、配線導体２上においては、厚さがｆとされている。
【００４５】
図５は、このような回路基板２０に電子部品１が搭載されて封止樹脂１３により封止された様子を示す図である。図５に示すように、電子部品１は、図示しない手段により基体９の一方の面上に固定されており、ボンディングワイヤ１１により配線導体２と電気的に接続されている。また、封止樹脂１３は、回路基板２０の表面と平行な表面が略平面状に形成されている。そして封止樹脂１３は、回路基板２０の回路領域２１から封止組成物８の表面まで封止している。
【００４６】
図６は、図２に示す回路基板が実装されているキャスタレーション電極の様子を示す図である。図６に示すように、回路基板２０が実装基板上に配置されて、実装基板の端子１２と、配線導体７及びキャスタレーション電極６とがはんだ１５により接続されている。このはんだ付けを行う場合、キャスタレーション電極６を伝ってはんだが回路基板２０の配線導体２側に吸いあがってくる場合があるが、はんだ１５は、封止組成物８により、回路基板２０の配線導体２まで到達することが防止される。従って、このような回路基板２０によれば、基体を多層構造にしたり、電子部品の周囲にバリア層を設けるといった複雑な構成にすることをせずとも、実装時において、はんだによる不要な短絡等を防止することができる。
【００４７】
次に、このような回路基板２０を製造する製造方法について説明する。なお、以下の説明においては、図５に示すように電子部品１が回路基板２０に搭載されている場合について説明する。図７は、回路基板２０の製造方法を示すフローチャートである。
【００４８】
図７に示すように、回路基板２０の製造方法は、複数の回路領域２１、及び、複数のスルーホールを有する回路基板用母基板を準備する準備工程Ｐ１と、それぞれのスルーホールにおける開口の一方側のみを、封止組成物８により封止するスルーホール封止工程Ｐ２と、電子部品１を回路領域上に配置する部品配置工程Ｐ３と、それぞれの回路領域２１を封止樹脂１３により封止する回路封止工程Ｐ４と、複数のスルーホールに沿って回路基板用母基板を分割する分割工程Ｐ５とを主な工程として備える。
【００４９】
なお、電子部品として機能する回路が回路基板２０の回路領域２１に形成されており、電子部品１を搭載する必要がない場合には、部品配置工程Ｐ３は不要である。
【００５０】
（準備工程Ｐ１）
準備工程Ｐ１は、基板準備工程Ｐ１ａと、孔あけ工程Ｐ１ｂと、導体形成工程Ｐ１ｃとを備える。
【００５１】
（基板準備工程Ｐ１ａ）
まず、回路基板用母基板の基となる基板３１を準備する。この基板は、最終的に回路基板２０の基体９となるものである。
【００５２】
基板３１の材料としては、ポリイミド、ガラスエポキシ、ＢＴレジン（三菱瓦斯化学株式会社の登録商標）、セラミック等の一般的な配線基板に用いる材料を挙げることができる。また、この基板３１としては、耐久性の点から酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックを用いることが好ましい。また、本発明における基板３１の厚さは、特に限定されないが、強度、回路基板のサイズを考慮すると、１００μｍ〜５，０００μｍであることが好ましい。また、基板３１は、単層基板、多層基板の何れであっても良いが、製造工程を簡略化できる点から単層基板を用いることが好ましい。
【００５３】
なお、基板３１には、後の分割工程Ｐ５において、分割作業が容易となるように、分割ラインＬが設けられていることが好ましい。この分割ラインとは、分割工程Ｐ５において、複数の回路領域２１を有する回路基板用母基板を個々の回路領域に分割する位置を示すものである。
【００５４】
（孔あけ工程Ｐ１ｂ）
次に準備した基板３１に複数のスルーホールを形成するための複数の貫通孔３２をあける。貫通孔３２は、分割ラインＬ上に中心が位置するようにあけられる。この貫通孔３２は、基板に、パンチング、ドリル、レーザー加工等によって穿つことができる。また、基板準備工程Ｐ１ａの一部と孔あけ工程Ｐ１ｂの一部とを同時に行うことができる。例えば、基板３１としてアルミナ基板を用いる場合、焼成前のグリーシートにパンチング加工によって、貫通孔を穿ち、その後焼成することで、複数の貫通孔３２を有する基板３１とされる。一方、基板準備工程Ｐ１ａの一部と孔あけ工程Ｐ１ｂの一部とを同時に行わない場合には、焼成後のアルミナ基板にレーザーやドリル加工によって、貫通孔３２と穿つことができる。こうして、図８に示す複数の貫通孔３２が開けられた基板３１を得る。
【００５５】
（導体形成工程Ｐ１ｃ）
次に、孔あけ工程Ｐ１ｂにより形成された貫通孔３２の側面、及び、基板３１の表面における貫通孔３２の周囲に導体を形成する。この導体の形成によりスルーホール、及び、スルーホールと接続されている配線導体２、及び、配線導体７が形成される。スルーホール及び配線導体２、７を形成するための導電性材料としては、特に制限されないが、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等の金属を使用することができる。また、この導体は、メッキ、印刷、蒸着等によって基板３１上に被着させて形成することができる。さらに導体の厚さは１〜３０μｍであることが好ましい。また、導体の酸化腐食を防止するために、導体の表面にＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の耐食性に優れる金属を１〜２０μｍ程度の厚みに被着させることが好ましい。こうして図９に示すように、配線導体２、及び、スルーホールが形成された回路基板用母基板３０を得る。
【００５６】
（スルーホール封止工程Ｐ２）
次に封止組成物により、スルーホールにおける開口の一方側のみを封止する。スルーホール封止工程Ｐ２においては、封止組成物をスルーホールにおける開口の一方側に配置・固定することにより行うことができる。
【００５７】
このような封止組成物の材料としては、特に限定されないが、金属等の導電性材料や、ガラス、絶縁性樹脂等の絶縁性材料等を挙げることができ、中でも、絶縁性材料を用いることが好ましく、作業性および耐久性の点からガラス組成物を用いることが特に好ましい。封止組成物として、絶縁性樹脂を用いる場合、例えば、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を用いれば良い。封止組成物として、熱可塑性樹脂を用いる場合は、加熱して可塑化した樹脂をスルーホールにおける一方の開口側から塗布して、その後冷却することで固化させて、スルーホールを封止することができる。また、封止組成物として、熱硬化性樹脂を用いる場合は、未硬化状態の樹脂をスルーホールにおける一方の開口側から塗布して、その後加熱することで固化させて、スルーホールを封止することができる。なお、封止組成物としてこのような絶縁性樹脂を用いる場合には、絶縁性樹脂を塗布するときに、スルーホールを通じて基板の反対側まで絶縁性樹脂が流れ落ちないように、絶縁性樹脂が一定の粘度を有するように調整しておく。さらに、封止組成物としてガラス組成物を用いる場合、ガラス粉末、バインダー、溶剤等を含むガラスペーストをスルーホールにおける一方の開口側から塗布して、その後乾燥固化させることにより、スルーホールを封止することができる。なお、ガラスペーストには、酸化ケイ素、アルミナ等の充填剤を含有させることができる。また、基板３１が耐熱性を有する場合においては、ガラスペーストを塗布後に焼成することが好ましい。このように焼成を行うことで、ガラス組成物が基板に強固に固定される。こうして、図１０に示す、スルーホールが封止組成物８で封止された回路基板用母基板３０を得る。
【００５８】
図１１は、図１０の回路基板用母基板３０のスルーホールにおける断面の様子を示す図である。具体的には、図１１の（Ａ）〜（Ｃ）は、スルーホールの断面における封止組成物８の形状が異なる状態を示しており、図１１の（Ａ）は、封止組成物８の底面が上がっている様子を示し、図１１の（Ｂ）は、封止組成物８の底面が下がっている様子を示し、図１１の（Ｃ）は、封止組成物８がスルーホールの中心からずれている様子を示す。
【００５９】
図１１の（Ａ）に示すように、分割ラインＬに沿って設けられ封止組成物８で封止されたスルーホールにおいて、分割ラインＬと基板３１に設けられた貫通孔３２の内壁面（スルーホールの導体の外周面）とが最も離れている距離ｃは、５０〜３００μｍであることが好ましい。分割ラインＬと貫通孔３２の内壁面との最大距離が５０μｍ以上であれば、導体形成工程Ｐ１ｃにおいて、貫通孔３２がスルーホールを形成する導体で密閉されることが抑制される。仮に、貫通孔３２がスルーホールを形成する導体で密閉されてしまうと、後の分割工程Ｐ５において、回路基板用母基板３０を分割する時にスルーホールの導体が、基板から剥離することがあり好ましくない。一方、分割ラインＬとスルーホール内壁面との最大距離が３００μｍ以下であれば、スルーホール封止工程Ｐ２において、封止組成物８でスルーホールをより適切に封止できるので好ましい。
【００６０】
また、図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、スルーホール内における封止組成物８の最薄部ａは、５〜５００μｍの厚さであることが好ましい。スルーホールを封止する封止組成物８の最薄部ａが５μｍ以上であれば、後の回路封止工程Ｐ４において、電子部品等を密閉保護する封止樹脂を塗布する際、封止組成物８の最薄部が破断することを適切に防止することができる。一方、スルーホールを封止する封止組成物８の最薄部ａが５００μｍを以下であれば、後の分割工程Ｐ５において、回路基板用母基板３０の分割が容易であるので好ましい。
【００６１】
また、スルーホールを封止する封止組成物８の最薄部ａは、図１１の（Ａ）、（Ｂ）に示すように、回路基板用母基板３０を各回路領域に分割することを容易にするため、分割ラインＬ付近に存在することが好ましく、分割ライン上に存在することがより好ましい。
【００６２】
図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、スルーホールを封止する封止組成物８の最厚部ｂは、スルーホールの内壁部付近にあることが好ましく、特に、最厚部ｂは、スルーホールの内壁面に接する位置に存在することが好ましい。封止組成物８の最厚部ｂがスルーホールの内壁面に接する位置に存在すれば、封止組成物８とスルーホールの内壁面との接触面積が大きくなり、封止組成物８とスルーホールの内壁面との密着性を高くすることができ、後の分割工程Ｐ５において、回路基板用母基板３０の分割時に封止組成物８がスルーホールの内壁面から剥離することを防止することができる。
【００６３】
また、封止組成物８は、スルーホールの深さ方向において１〜８５％付着していることが好ましい。図１１に示すように、スルーホール内に付着している封止組成物８が、深さ方向において、スルーホールの１％以上であれば、封止組成物８とスルーホールの内壁面との密着性を十分確保することができる。従って、回路封止工程Ｐ４において、電子部品等を密閉保護する封止樹脂を塗布するときに、スルーホールの内壁面から封止組成物８が脱落することをより適切に防止することができ、さらに、分割工程Ｐ５において、回路基板用母基板３０の分割時に、封止組成物８がスルーホール内壁面から剥離することをより適切に防止することができる。一方、スルーホール内に付着している封止組成物８が、深さ方向において、スルーホールの８５％以下であれば、分割工程Ｐ５の後において、回路基板２０のキャスタレーション電極６をより十分に露出させることができる。
【００６４】
また、封止組成物８は、スルーホールの端部から、深さ方向において、５〜５００μｍスルーホールの内壁面に付着していることが好ましい。図２に示すように、スルーホール内に充填された封止組成物８が、スルーホールの一方側の開口から５μｍ以上付着していれば、封止組成物８とスルーホールの内壁面との密着性を十分確保することができる。従って、回路封止工程Ｐ４において、電子部品等を密閉保護する封止樹脂を塗布するときに、スルーホールの内壁面から封止組成物が脱落することをより適切に防止することができ、さらに、分割工程Ｐ５において、回路基板用母基板３０の分割時に、封止組成物８がスルーホール内壁面から剥離することをより適切に防止することができる。一方、スルーホール内に侵入した封止組成物８がスルーホールの内壁面に付着する深さが、スルーホールの端部から５００μｍ以下であれば、分割工程Ｐ５の後において、回路基板２０のキャスタレーション電極６をより十分に露出させることができる。
【００６５】
また、スルーホール内に充填された封止組成物８の深さが最大となる部分は、スルーホールの内壁部付近にあることが好ましく、さらに、図１１の（Ａ）に示すように、スルーホール内に充填された封止組成物８の深さが最大となる部分は、スルーホールを封止する封止組成物８の最厚部ｂと一致することが好ましい。この場合、封止組成物８とスルーホール内壁面との密着性が高くなり、分割工程Ｐ５における回路基板用母基板３０の分割時に封止組成物８がスルーホールの内壁部から剥離することを防止することができる。
【００６６】
また、スルーホールを封止する封止組成物８は、図１１の（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、回路基板用母基板３０の表面の配線導体２の一部分を被覆するように設けることが望ましい。配線導体２の一部分を封止組成物８で被覆することにより、回路領域２１を封止する封止樹脂と配線導体２との密着性が向上し、封止樹脂が剥離することを抑制することができる。特に、配線導体２の表面がＡｕの場合、配線導体２の一部分を封止組成物８で被覆することにより、封止樹脂と配線導体２との密着性を著しく向上させることができる。
【００６７】
（部品配置工程Ｐ３）
次に、回路領域２１に電子部品を配置する必要がある場合には、電子部品を配置する。電子部品の配置においては、電子部品を回路領域２１に配置した後、電子部品の端子と配線導体２とを電気的に接続する。この電気的な接続には、図５に示すようにワイヤーボンディングにより、電子部品の端子と配線導体２とを接続しても良く、配線導体２上に電子部品の端子を配置して導電性ペーストやはんだで接続しても良い。
【００６８】
（回路封止工程Ｐ４）
次に、回路領域２１を封止樹脂により封止する。封止樹脂に用いる樹脂としては、熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂や、紫外線硬化樹脂を挙げることができ、具体的には、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウレタン系樹脂等の樹脂を挙げることができる。熱可塑性樹脂により封止を行う場合には、回路領域２１に、加熱されて可塑化した熱可塑性樹脂を塗布して、その後冷却・固化することにより回路領域２１の封止を行う。熱硬化性樹脂により封止を行う場合には、未硬化状態の熱硬化性樹脂を回路領域２１に塗布して、その後、加熱して固化することにより回路領域２１の封止を行う。紫外線硬化樹脂を用いる場合には、紫外線硬化樹脂の前駆体である紫外線硬化性樹脂をを回路領域２１に塗布して、その後、紫外線を照射して固化することにより、回路領域２１の封止を行う。こうして、回路領域２１が封止樹脂により封止された状態の回路基板用母基板を得る。
【００６９】
（分割工程Ｐ５）
次に、スルーホールの貫通孔３２の一方側のみが、封止組成物８により封止された回路基板用母基板３０を分割する。分割は、スルーホールを通るようにして、レーザーやダイシングにより、複数の回路領域に分割すれば良い。上述のように、分割工程Ｐ５を容易にするため、準備工程Ｐ１おいて準備する基板の少なくとも一方の面に、分割ラインを設けておくことが好ましい。回路基板用母基板３０を分割する際には、この分割ラインＬに沿って、上述のようにレーザーまたはダイシングによって分割すれば良い。さらに回路基板用母基板３０の少なくとも一方の面に分割ラインＬに沿って分割溝が形成されていることが好ましい。このように分割溝を設ける場合は、基板準備工程Ｐ１ａにおいて、分割溝を有する基板３１を準備すれば良い。このように分割溝が設けられている場合の分割する方法としては、設けられた分割溝に沿って回路基板用母基板３０を破断することが挙げられる。
【００７０】
こうして、回路基板用母基板３０をそれぞれの回路基板２０に分割することにより、図２に示す回路基板２０を得る。
【００７１】
以下、本発明における複数の回路領域２１を有する多数個取りの回路基板用母基板、およびその回路基板用母基板から得られた回路基板の実施例を示すが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【実施例】
【００７２】
（実施例１）
電子部品を搭載するための回路基板を次のようにして製造した。基板として、分割ラインとして５ｍｍの間隔で深さ０．１５ｍｍのＶ字型の分割溝が設けられ、さらに、この分割ライン上に予めΦ０．３ｍｍの貫通孔が形成されたアルミナ基板（北陸セラミック社製：アルミナ純度９６％、厚さ０．５ｍｍ、大きさ６０ｍｍ×７０ｍｍ）を準備した。このアルミナ基板の配線導体とスルーホール導体を設ける位置に、導体ペースト（京都エレックス社製、グレード名「ＤＤ１１３０」）をスクリーン印刷にて塗布した。この時、スルーホール導体は、スクリーン印刷時において、基板の印刷する面と反対側の面から吸引しながら塗布した。印刷終了後、基板を５０℃の温度で１０分間乾燥し、その後、基板を最高温度８５０℃で１０分間保持することにより焼成して、厚さ１２μｍの銀系の配線導体を有する回路基板用母基板を作製した。【００７３】
次いで、上記基板の封止組成物を設ける位置（スルーホールの開口が形成されている位置を含む）にガラスペースト（旭硝子株式会社製、グレード名「ＡＰ５７００」）を塗布し、１５０℃の温度で２０分間乾燥させた。その後、昇温して最高温度８５０℃で１０分間保持することにより焼成して、封止組成物として厚さ３５μｍのガラス層が形成された回路基板用母基板を得た。【００７４】
次に、得られた回路基板用母基板を、Ｖ字型の分割溝に沿って、それぞれ回路基板に分割したところ、基板にバリもなくガラス層もスルーホールのほぼ中央で割れ分割性は良好であった。さらに、分割断面を顕微鏡で観察したところ、ガラス層によりスルーホールが片側から封止されていることが確認できた。【００７５】
本実施例における回路基板用母基板において、得られた回路基板の各部位を複数個所測定したところ、図４の各部位に相当する部分のサイズは以下の通りであった。
ａ：０．１２〜０．１６ｍｍ
ｂ：０．３０〜０．１６ｍｍ
ｃ：０．１４５ｍｍ（２ｃ：０．２９０ｍｍ）
ｅ：０．５０ｍｍ
ｆ：０．０３〜０．０３５ｍｍ【００７６】
（実施例２）
基体となるセラミック板を、厚さを０．３ｍｍとし、貫通孔の直径を０．２ｍｍとし、Ｖ字型の分割溝の間隔が３ｍｍである基板を用いたこと以外は実施例１と同様にして回路基板用母基板を作製した。この基板をＶ字型の分割溝に沿って回路基板に分割したところ、基板にバリもなくガラスもスルーホールのほぼ中央で割れ分割性は良好であった。【００７７】
本実施例における回路基板用母基板において、得られた回路基板の各部位を複数個所測定したところ、図４の各部位に相当する部分のサイズは以下の通りであった。
ａ：０．１０〜０．１３ｍｍ
ｂ：０．１７〜０．１９ｍｍ
ｃ：０．１０５ｍｍ（２ｃ：０．２１０ｍｍ）
ｅ：０．３１ｍｍ
ｆ：０．０３〜０．０３５ｍｍ【００７８】
次に、実施例１、実施例２で作製した回路基板用母基板に、電子部品としてＬＥＤを搭載しボンディングワイヤで配線導体と接続した。次いで、エポキシ系封止樹脂をモールド印刷してＬＥＤを封止した。この母基板をＶ字型の分割溝に沿って回路基板用に分割し、分割断面を顕微鏡で観察した。その結果、キャスタレーション電極となる部位にエポキシ系封止樹脂の付着は認められず、ガラス層によって封止樹脂の漏出が防止されていることが確認された。さらに、回路基板を実装基板へはんだ付けしたところ、良好なはんだフィレットが形成された。【００７９】
以上より、実施例１、実施例２の回路基板用母基板では、キャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得られることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明によれば、簡便な方法によりキャスタレーション電極が適切に露出している回路基板を得ることができる回路基板の製造方法、及び、これにより製造される回路基板、及び、これに用いられる回路基板用母基板が提供される。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・電子部品
２・・・配線導体
６・・・キャスタレーション電極
７・・・配線導体
８・・・封止組成物
９・・・基体
１１・・・ボンディングワイヤ
１２・・・端子
１３・・・封止樹脂
１５・・・はんだ
２０・・・回路基板
２１・・・回路領域
３０・・・回路基板用母基板
３１・・・基板
３２・・・貫通孔
１００・・・回路基板
１０１・・・電子部品
１０２・・・配線導体
１０５・・・基体
１０６・・・キャスタレーション電極
１０７・・・配線導体
Ｌ・・・分割ライン
Ｐ１・・・準備工程
Ｐ１ａ・・・基板準備工程
Ｐ１ｂ・・・孔あけ工程
Ｐ１ｃ・・・導体形成工程
Ｐ２・・・スルーホール封止工程
Ｐ３・・・部品配置工程
Ｐ４・・・回路封止工程
Ｐ５・・・分割工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0005566383.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0005566383.tif 000009
【図９】
0005566383.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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