(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅器と、
前記増幅器に電気的に接続された、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極と、
前記２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤと、
光子が前記ナノワイヤ上に入射して前記ナノワイヤを加熱できるようにするために配置された集束素子と、
を含み、
前記増幅器は、前記ナノワイヤに光子がぶつかるのに応じて前記ナノワイヤが加熱されることに応答して、前記電極の電圧変化を検出するように構成され、
前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置されている、
装置。
【請求項２】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは、前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記集束素子は、ピンホール素子又はアンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
検出アレイと、
焦点面を有する光学系と、
コンピュータ装置と、
を含む装置であって、前記検出アレイの個々の検出要素が、
増幅器と、
前記増幅器に電気的に接続された、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極と、
前記２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤと、
光子が前記ナノワイヤ上に入射して前記ナノワイヤを加熱できるようにするために配置された集束素子と、ここで、前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置され、
を含み、前記増幅器は、前記ナノワイヤに光子がぶつかるのに応じて前記ナノワイヤが加熱されることに応答して、電圧変化を検出するように構成され、
前記検出アレイは、前記光学系により収集された光子が前記検出アレイにぶつかって前記検出アレイの集束素子に入り込むように前記焦面内に配置され、
前記コンピュータ装置は、前記検出器アレイの前記検出要素と通信し、前記検出器アレイからの信号を収集して、前記光学系に入射する放射線に関連する画像を作成するように構成される、
ことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記集束素子は、ピンホール素子又はアンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤ上に集束素子を通じて光を受光するステップと、
前記２つの電極をまたいで結合された前記ナノワイヤ上に前記集束素子を通じて光を受光したことに応答して、前記２つの電極に電気的に接続された増幅器を用いて電圧変化を検知するステップと、
を含み、
前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置されていることを特徴とする方法。
【請求項１２】
光学系を通じて、該光学系の焦点面内に配置された検出器アレイ上に光を集束させ、前記光学系により収集された光子が前記検出アレイにぶつかって前記検出アレイの集束素子に入り込むようにするステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記検出器アレイからの信号を収集して、前記光学系に入射する放射線に関連する画像を作成するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記集束素子は、ピンホール素子又はアンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
〔関連出願との相互参照〕
本出願は、２００９年５月１９日に出願された米国仮特許出願第６１／１７９，６２６号に対する優先権を主張するものであり、該仮特許出願はその全体が引用により本明細書に組み入れられる。
【０００２】
本発明は、一般に光エネルギーを検知することに関し、より詳細には、ナノワイヤを使用して光子エネルギーを検出することに関する。
【背景技術】
【０００３】
光の量子センシング又は単一光子の検出はよく知られており、多くの装置で行うことができる。光子は単一光の成分であり、単一光子のエネルギーの検出は、複数の設定で行うことが望ましい。光電管、光電子増倍管、アバランシェ固体フォトダイオード、及びＨｇＣｄＴｅ検出器は全て、光子計数検出器及び光子数分解検出器として大まかに分類できる量子検出器である。場合によっては、このような検出器を（局所的な発生源と戻ってくるレーザー光との間を行き来するレーザー光内の干渉を検出する）ヘテロダイン検出器として構成することができる。このような装置における検出は、多重化を伴わずに電荷を通じて行われるので、これらの検出器は色を区別することができない。例えば、ＨｇＣｄＴｅ検出器では、十分なエネルギーの赤外光子が、価電子帯から伝導帯へ電子を放出したときに検出が行われる。このような電子が適当な外部読み出し回路によって収集され、電気信号に変換される。電子が価電子帯に入ると、価電子帯における衝突により電子エネルギーが熱化されるので、電子のエネルギー情報は失われる。
【０００４】
別のエネルギー検出装置にボロメータがある。上述した装置とは対照的に、ボロメータでは、光が材料の小さな断片を加熱する。このとき、ボロメータは熱量計のように動作して出力を測定する。ボロメータの温度変化を測定し、電気信号に変換する。しかしながら、既知のボロメータ装置は、検知素子又は装置の熱容量又はサイズに起因して細かいエネルギー変動が分かりにくいため、単一光子のエネルギーを求めて光子の色を判別することができない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｐ．Ｊｏｎｅｓ、Ｔ．Ｅ．Ｈｕｂｅｒ、Ｊ．Ｍｅｌｎｇａｉｌｉｓ、Ｊ．Ｂａｒｒｙ、Ｍ．Ｅｒｖｉｎ、Ｔ．Ｓ．Ｚｈｅｌｅｖａ、Ａ．Ｎｉｋｏｌａｅｖａ、Ｌ．Ｋｏｎｏｐｋｏ、及びＭ．Ｊ．Ｇｒａｆ著、「個々のテルル化ビスマスナノワイヤの電気接点抵抗」２００６年開催、第２５回国際熱電会議（ＩＥＥＥ、Ｐｉｓｃａｔｔａｗａｙ、２００７年）、３６７頁
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記のニーズは、以下の詳細な説明に記載する熱電式ナノワイヤに基づくナノ熱電対検出器を提供することにより、特に図面とともに検討した場合に少なくとも部分的に満たされる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の様々な実施形態に基づいて構成された装置の概略平面図である。
【図２】本発明の様々な実施形態に基づいて構成された装置の一部の斜視図である。
【図３】本発明の様々な実施形態に基づいて構成された、本発明の様々な実施形態で使用できるナノワイヤを準備する方法を示す図である。
【図４】装置を使用する方法のフロー図である。
【図５】本発明の様々な実施形態に基づいて構成された装置のアレイの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
当業者であれば、図中の要素は、説明を単純かつ明確にするために示すものであり、必ずしも縮尺通りに描かれていないことを理解するであろう。例えば、本発明の様々な実施形態をより良く理解できるように、図中の要素のいくつかの寸法及び／又は相対的位置を他の要素に対して誇張している場合がある。また、これらの様々な実施形態がより明確に分かるようにするために、商業的に実行可能な実施形態において有用又は必要な、一般的ではあるが汎用的な要素については示していないことが多い。さらに、いくつかの動作及び／又はステップを特定の発生順で記載又は図示する場合があるが、当業者であれば、このような順序に関する特定性は実際には不要であることを理解するであろう。また、本明細書で使用する用語及び表現は、本明細書に異なる特定の意味を別途示している場合を除き、上述した技術分野の当業者によるこのような用語及び表現に従う通常の技術的意味を有する。
【０００９】
一般的に言うと、これらの様々な実施形態によれば、ナノ熱電対検出器が、２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤを含む。さらに、この２つの電極が増幅器に電気的に接続される。この２つの電極は、一般に約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター分離し、これらをまたいでナノワイヤが結合される。集束素子を配置して、この集束素子からナノワイヤ上にぶつかってナノワイヤを加熱する光子が入れるようにする。この加熱によるナノワイヤの電圧変化が増幅器によって検出される。この電圧変化は、ナノワイヤが光から吸収したエネルギーに対応する。
【００１０】
このように構成することで、ナノワイヤの物理的特性を考えると、光を検知する際のエネルギー感度が増加する。例えば、このような装置を使用して単一光子の色を検出することができる。集束素子を使用することで、ボロメータをこのような基準に基準化する上での困難性が克服される。様々な方法では、当たる光をナノワイヤベースのセンサの特定の部分に定置させることにより、基準化の困難性にさらに対処する。ナノワイヤ及び電極の構成によっても、センサのサイズを縮小する能力が改善されて、上述したエネルギー感度が実現される。
【００１１】
さらに、このような装置のアレイを使用して光を２次元規模で検知することにより、検出器アレイに当たる光のエネルギーのわずかな変動を示す画像を提供することができる。以下の詳細な説明の徹底的な見直し及び検討を行うと、これら及びその他の利点をより明らかにすることができる。
【００１２】
ここで図面を、特に図１を参照すると、これらの教示の多くに適合する例示的な装置を示している。この装置は、増幅器１０５、及びこの増幅器１０５に電気的に接続された２つの電極１１２及び１１４を含む。１つの方法によれば、増幅器１０５を別の回路と電気的に通信する前置増幅器とし、この回路が、信号を収集すること、及びこれをデータとして分析することなどの装置の動作に関する前置増幅器からの信号を増幅して処理するようにすることができる。当業者であれば、上述の処理及び回路が、当業で公知の部分的又は全体的にプログラム可能なプラットフォーム、又はいくつかの用途に望まれ得るような専用プラットフォームを含む、様々な利用可能な及び／又は容易に構成されるプラットフォームのいずれかを使用して可能になることを理解するであろう。増幅器１０５に電気的に接続された２つの電極１１２及び１１４は、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れている。この２つの電極１１２及び１１４をまたいでナノワイヤ１２０が結合される。ナノワイヤは、結合点１２２及び１２４において電極１１２及び１１４にそれぞれ結合される。１つの方法によれば、ナノワイヤが単一のビスマステルル結晶を含む。通常のビスマス（Ｂｉ）テルル（Ｔｅ）結晶の化学表記法は、Ｂｉ2Ｔｅ3である。使用される化合物であるＢｉ（２）Ｔｅ（３）は、［Ｂｉ（１−ｘ）Ｓｂ（ｘ）］（２ａ）［Ｔｅ（１−ｙ）Ｓｅ（ｙ）］（３ｂ）という技術的意味を有し、ｘ、ａ、ｙ、及びｂは、０と１の間のあらゆる値をとることができると理解できよう。換言すれば、Ｂｉ（２）Ｔｅ（３）は、熱電エネルギー変換で使用される化合物群を示し、この群は、最先端技術に精通する当業者には周知である。
【００１３】
集束素子１３０を配置して、光子１４０がこの集束素子１３０からナノワイヤ１２０上に入射してナノワイヤ１２０を加熱できるようにする。１つの方法によれば、光子１４０がナノワイヤ１２０上に入射できるようにする集束素子１３０が、２つの電極１１２及び１１４の一方とのナノワイヤ接点１２４に隣接して配置される。電磁エネルギーは光であり、電磁場内でほぼ光の波長と同じ程度の距離にわたって分散するので、このような方法は有利となり得る。ナノスケールでの吸収に関して言えば、光子のエネルギーは、即座にナノワイヤ１２０上の単一の地点内に着地し、方法によっては、抵抗率が最も高いという理由で熱電接点上に着地する。この吸収過程は瞬間的なものであり、エネルギーは、着地点から接点自体の上へ発展した後に、ナノワイヤの断面内に収まる。接点における熱拡散の時定数は約ｄ2／Ｄである。
【００１４】
集束素子１３０は、いくつかの異なる種類の公知の技術のうちのいずれか１つを含むことができる。１つの方法では、集束素子が、ピンホール素子又は小型アンテナの少なくとも一方を含む。例えば、小型アンテナは、光子をナノワイヤ１２０の特定の部分上に導く役に立つレンズ及び／又は鏡を含むことができる。ピンホール素子は光を遮断し、一定量の光のみを通過させてナノワイヤ１２０の特定の部分に着地できるようにする。
【００１５】
光がナノワイヤ１２０上にぶつかると、増幅器が電極１１２及び１１４の電圧変化を検出するように構成される。光子がナノワイヤ１２０にぶつかったことに応答して、光子エネルギーがナノワイヤ１２０内で熱に変換される。この加熱が、ナノワイヤの電気的特性にさらに影響を与える。この場合、電極１１２及び１１４間のナノワイヤ１２０の電位又は電圧の変化が検出される。増幅器１０５は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成される。単一光子がナノワイヤ１２０にぶつかると、電極１１２及び１１４の検出可能な電圧変化を引き起こすのに十分なほどナノワイヤを加熱することができ、この結果、増幅器１０５と支持回路が共同して、この電圧変化を、光子がナノワイヤ１２０にぶつかったエネルギー準位に一致するものとして解釈することができる。
【００１６】
１つの方法によれば、電極１１２及び１１４、及び増幅器１０５が、基板１６０に装着される。ナノワイヤ１２０は、基板１６０と直接接触せずに電極１１２及び１１４をまたいで配置される。図２に示す方法でもこのような構成を見ることができる。この方法では、電極２１２及び２１４が、基板２６０に接触して配置されるとともに、この基板に支持される。２つの電極２１２及び２１４をまたいで、及び電極２１２及び２１４との接点２２２及び２２４においてそれぞれ電気接触してナノワイヤ２２０が配置される。
【００１７】
再び図１を参照すると、様々な方法では、電極が、リソグラフィ技術を用いて誘電体基板上に繊細加工される。この加工ステップは、Ｐ．Ｊｏｎｅｓ、Ｔ．Ｅ．Ｈｕｂｅｒ、Ｊ．Ｍｅｌｎｇａｉｌｉｓ、Ｊ．Ｂａｒｒｙ、Ｍ．Ｅｒｖｉｎ、Ｔ．Ｓ．Ｚｈｅｌｅｖａ、Ａ．Ｎｉｋｏｌａｅｖａ、Ｌ．Ｋｏｎｏｐｋｏ、及びＭ．Ｊ．Ｇｒａｆ著、「個々のテルル化ビスマスナノワイヤの電気接点抵抗」２００６年開催、第２５回国際熱電会議（ＩＥＥＥ、Ｐｉｓｃａｔｔａｗａｙ、２００７年）、３６７頁によって実証されており、この文献は、引用により完全に書き換えたかのように本明細書に組み入れられる。ナノワイヤ１２０は懸架され、誘電体基板１６０と接触していない。様々な方法では、ナノワイヤが容易に屈曲しない単結晶要素であり、このため電極接点が基板に対して高い位置にあるので、ナノワイヤが基板に接触しない。
【００１８】
電極は、ナノワイヤとの熱接触が良好でない材料で作成することができる。このように想定して、検出器の応答に関連するパラメータをモデル化した。ナノワイヤの抵抗をＲとし、ナノワイヤ電極接点の抵抗をＲｃとする。２００ｎｍのＢｉＴｅナノワイヤでは、Ｒ〜５ＫΩ及びＲＣ〜１００Ωであることが知られている。関連する熱パラメータを、ナノワイヤから電極内への熱拡散時間であるτとする。ワイヤの長さをｌとし、拡散率をＤとした場合、熱パラメータτは約ｌ2／Ｄである。この場合、熱導電率をκとし、特定の熱をＣとすると、Ｄ＝κ／Ｃとなる。バルクＢｉＴｅに適したパラメータを使用すると、τは、ワイヤの直径とは無関係に２．５μ秒であることが分かる。光子吸収後に生じる温度上昇をΔＴ、温度上昇に対応するナノワイヤの電圧増大をΔＶとすると、応答パラメータは、ΔＴ＝Ｔh−Ｔambientとなる。
【００１９】
単一光子では、光子エネルギーをＥ（ｐｈｏｔｏｎ）＝ｈω（換算プランク定数に光子の角周波数を乗算したもの）とした場合、ΔＴ＝Ｅ（ｐｈｏｔｏｎ）／ＣＶとなる。λ〜１μｍの光子波長では、光子エネルギーはＥ＝１×１０-19Ｊとなり、これらの方程式、これらの仮説に基づいて、及び加熱される体積及び特定の熱を考慮すると、２００ｎｍのナノワイヤ（ΔＴ〜ｄ−２）の場合、温度変化はΔＴ＝０．１Ｋとなる。ｐ−ｎＢｉＴｅ接点の熱電力は約２００μＶ／Ｋであり、従って発生する電圧は２０μＶとなる。装置のノイズを考慮する必要があり、従って雑音等価電力（ＮＥＰ）の観点から結果を表すことが有利である。ＮＥＰは、検出された場合、辛うじてノイズと区別される信号を生じる電力である。以下の表１に、様々な最新式のボロメータ室温検出器での実験結果、及び２００ｎｍのＢｉＴｅナノワイヤ及び１０ｎｍのＢｉＴｅナノワイヤの場合のモデルの結果を示す。表１は、ＮＥＰ及び速度（両方とも数字が小さい方が良好）によって評価した性能が、２００ｎｍのＢｉＴｅナノワイヤでは中域にあり、１０ｎｍのＢｉＴｅナノワイヤの方が比較的良好であることを示している。
【００２０】
表１：３００Ｋにおけるボロメータ検出器の性能比較
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【００２１】
装置の性能に関して考慮する必要がある要素は２つある。第１の要素は、ワイヤの断面及び加工の改善に比例する熱質量である。１０ｎｍ直径のナノワイヤを使用した場合、ナノ熱電対のΔＴは、（２００／１０）２＝４００倍大きい。これに対応して、ＮＥＰの推定値は、２００ｎｍモデルと比較して０．０４に変化し、ほぼ室温での動作におけるノイズレベルが小さい。第２の要素は、音子サイズの影響である。個々のＳｉナノワイヤを使用して、ナノワイヤの境界によって音子が効果的に停止したことにより、ナノワイヤにおける音子の熱導電率が、約２桁の規模で大幅に減少したことが示された。換言すれば、この境界は音子にとって粗い。この効果は理論的に予想され、ビスマスなどの他のナノワイヤでも観察される。表１のτの内容は、このパラメータに関する不確実性を反映する。
【００２２】
このような構成により、 約５マイクロメーターから約３０マイクロメーターの間の長さのナノワイヤを含むナノ熱電対検出器を、ナノワイヤにぶつかる個々の光子の色を検知するのに十分な高さのエネルギー感度を有するように構成することができる。個々のナノワイヤを準備する１つの方法について、図３を参照しながら説明する。図３では、多孔性アルミナ鋳型３１０が、鋳型３１０全体にわたって配置された細孔３２０を含む。１つの方法によれば、鋳型３１０が多孔性陽極酸化アルミニウム（ＰＡＡＯ）を含み、鋳型の深さは約５０〜１００マイクロメーターであり、鋳型内の個々の細孔は７〜２０ナノメータの広さである。鋳型３１０は、ワイヤの長さに沿ったＢｉの３回対称軸（高対称方向）、（鋳型内に空のチャネルが存在しない）高密度Ｂｉ相、及び一般に１０-7Ωｃｍ2未満の低接触抵抗のＢｉナノワイヤアレイを有する結晶配向を実現するように設計される。
【００２３】
多孔性アルミナ鋳型３１０には、ビスマステルル融液３３０が、例えば、約１ｋＢａｒなどの高圧で注入される。冷却すると、ビスマステルル融液と多孔性アルミナ鋳型が共同して、ビスマステルルワイヤアレイ３４０を形成する。アルミナが溶解して、溶解液３６０内に浮かぶ自立したビスマステルルナノワイヤ３５０が得られる。その後、これらのナノワイヤの各々を、上述したようなナノ熱電対検出器に組み込むことができる。
【００２４】
本明細書で説明したナノ熱電対検出器に関する教示を、ナノ熱電対検出器を組み込んだより大きな装置が、検出装置にぶつかるより高い感度の２次元画像の光エネルギーを提供できるように拡張することができる。図４を参照すると、このような装置の一例が検出アレイ４１０を含み、検出アレイ４１０の個々の検出要素４１５が、上述したようなナノ熱電対検出器を含む。光学系４２０が焦点面を含み、この光学系４２０の焦点面内に検出アレイ４１０が配置される。１つの方法によれば、光学系４２０が、光学系４２０により収集された光子４４０が、検出アレイ４１０にぶつかって、個々の光学素子４２５に対応する個々の検出要素４１５の集束素子に入り込むように構成された個々の光学素子４２５を含む。光学系４２０は、光を収集して検出アレイ４１０の方へ導くように配置された、例えば、レンズ、光学アレイ、光ファイバ要素などのあらゆる数の装置を含むことができる。
【００２５】
コンピュータ装置４３０が、検出器アレイ４１０の検出要素４１５と通信するように構成される。当業者であれば、このようなコンピュータ装置４３０は、専用目的の有線プラットフォーム、又は部分的又は全体的にプログラム可能なプラットフォームを含むことができると認識及び理解するであろう。当業では、これらの構造上の選択肢は全て周知であるとともに理解されており、本明細書でさらに説明する必要はない。コンピュータ装置４３０は、検出器アレイ４１０から信号を収集して、光学系４２０に入射する放射線に関連する画像を作成するように構成される。例えば、コンピュータ装置４３０は、個々の増幅器１０５からの信号を検出器アレイ４１０の個々の検出要素４１５から収集することができる。個々の信号は、検出要素４１５内のナノワイヤが受ける個々の電圧変動に対応する。その後、これらの電圧変動を、光学系４２０の特定の焦点にぶつかる光エネルギーと相関付けることができる。従って、このような色レベルの感度を有する検出アレイは、光がぶつかる領域のわずかなエネルギー変化を示す画像を提供することができる。
【００２６】
図５を参照しながら、ナノ熱電対検出器を使用する方法について説明する。この方法は、２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤ上に集束素子を通じて入射する光を受光するステップ５１０を含む。この方法はまた、集束素子を通じてナノワイヤ上に入射する光を受光したことに応答して、２つの電極に電気的に接続された増幅器を用いて電圧変化を検知するステップ５２０も含む。上述したように、この２つの電極は、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れており、これをまたいでナノワイヤが配置される。１つの方法によれば、光学系の焦点面内に配置された検出器アレイ上に、光学系を通じて光を集束５３０させ、光学系により収集された光子が検出アレイにぶつかるようにする。このような方法で電圧変化を検知した後、コンピュータ装置が検出器アレイからの信号を収集５４０して、光学系に入射する放射線エネルギーに関連する画像を作成する。当業者であれば、上述の検出器アレイからの信号に基づいて画像を作成するための処理が、当業で知られているような部分的に又は全体的にプログラム可能なプラットフォーム、又はいくつかの用途に望まれ得るような専用目的のプラットフォームを含む様々な利用可能な及び／又は容易に構成されるプラットフォームのいずれかを使用して容易に可能になることを理解するであろう。
【００２７】
当業者であれば、上述した実施形態に対して、本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正、変更、及び組み合わせを行えることを認識するであろう。例えば、他の種類の光子及び／又は高いエネルギー粒子のエネルギー検知などの、光検知以外の用途にこの技術を適用することができる。このような修正、変更、及び組み合わせは、本発明の概念の範囲に含まれるとみなすべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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