(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性下地層と、前記非磁性下地層上に設けられたパターン状に物理的に分離された磁気記録層を有する磁気記録媒体において、
前記磁気記録層の側壁面が水素よりイオン化傾向の小さい材料から成る側壁層で覆われており、
前記非磁性下地層が前記側壁層と同一の材料から成り、
前記磁気記録層の上面と前記側壁層の側面が、ＣもしくはＳｉを含む不導体材料から成る保護膜で覆われていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、
前記非磁性下地層材料がＰｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓのいずれかの金属、あるいはこれらの元素のうち少なくとも一つを含む合金であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載の磁気記録媒体において、
前記保護膜上に存在する凹凸パターンの凹部が非磁性材料により充填されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性下地層と、前記非磁性下地層上に互いに離間して設けられ、側壁面と上面とを備えた磁気記録層とを有する磁気記録媒体において、
前記非磁性下地層は、水素よりイオン化傾向の小さい第１の材料からなり、
前記磁気記録層の前記側壁面を覆い、前記第１の材料と同一の材料からなる側壁層と、
前記磁気記録層の上面と、前記第１の材料からなる前記側壁層および前記非磁性下地層とを覆い、ＣもしくはＳｉを含む不導体材料からなる保護膜と、
前記磁気記録層間凹部の保護膜上に形成された埋め戻し充填層と、を更に有することを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録再生装置（ハードディスクドライブ）に搭載する磁気記録媒体に関わり、特に磁気記録層にディスクリートパターンやビットパターンに代表されるパターン構造を有する磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報化社会の発展に伴い、新たに生み出される情報量は飛躍的に増加している。したがって、磁気記録再生装置には更なる記録密度の向上が求められている。高密度化のためには情報の記録領域の単位であるビットサイズをより微細化していく必要がある。このための技術の一つとして、垂直磁気記録方式が用いられている。垂直磁気記録は、記録媒体の磁化容易軸を媒体面に対して垂直に配向させ、隣接する記録ビットの磁化が互いに反平行に向くようにした方式で面内磁気記録方式と比べて磁化遷移領域を小さくでき、記録ビットの高密度化が可能である。【０００３】
しかし、さらにビットサイズの微細化を進めようとすると、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎの影響でデータの消失を起こしてしまうという問題がある。また、トラック密度を高くすると隣接トラック間距離が近づき、再生時に隣接トラックによるノイズの影響が大きくなる。【０００４】
そこで、熱揺らぎに対する耐性とＳＮ比を向上させる方法として磁気記録層をトラックごとに、もしくはビットごとに分離することが試みられ、それぞれディスクリートトラック媒体、ビットパターンド媒体と呼ばれている。また、これらは総称してパターンド媒体と呼ばれている。【０００５】
パターンド媒体の磁気記録層を物理的に分離する方法として、磁気記録層を形成した後にトラック間もしくはビット間の磁気記録層をエッチングで除去する方法や、基板表面に凹凸を形成した後に磁気記録層を形成して凸部を磁気記録部として用いる方法や、ガードバンド部となる領域にイオンを注入して磁気特性を変化させる方法などがある（例えば、特許文献１、２）。
磁気記録層を部分的にエッチングで除去して溝を形成する方法は、ガードバンド部からのノイズが小さくなり良好なＳＮ比が得られることが期待される。また、ガードバンド部を軟磁性材料で充填することでサイドイレーズを抑圧し、磁気記録層と軟磁性材料の間に非磁性部材を挿入することでＳＮ比を向上させる構造が示されている。（特許文献３）
ただし、磁気記録層を部分的にエッチングで除去して溝を形成したパターンド媒体においては磁気記録層が立体的な構造となるため、磁気記録層の表面積が大きくなり、従来の垂直磁気記録媒体以上の腐食対策が必要となる。【０００６】
例えば特許文献４、５では、エッチングされた磁気記録層上にカーボン、金属、または金属窒化物などの酸化防止層を成膜することで腐食を防止するとしている。【０００７】
特許文献６では、磁気記録層をエッチング後に酸化防止層を成膜し、ガードバンド部を充填剤で埋め戻す方法が示され、特許文献７では、磁気記録層に含まれる非磁性材料をガードバンド部に残すようにエッチングを行い、それを酸化防止層としてからガードバンド部を埋め戻す方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献２】特開平０５−２０５２５７号公報
【特許文献３】特開２００９−２３８３１７号公報
【特許文献４】特開２００８−２１７９５９号公報
【特許文献５】特開２００９−１９９６３７号公報
【特許文献６】特開２００９−１７６３８９号公報
【特許文献７】特開２００５−７０５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気記録層には記録再生特性の観点から鉄族元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む磁性材料が用いられるが、このような磁性材料はイオン化傾向が大きく腐食性が高いため、腐食対策が必要である。従来は磁気記録層の表面に保護膜を形成することなどにより対策してきた。【００１０】
しかし、パターンド媒体においては磁気記録層を部分的にエッチングで除去して溝を形成するため、特許文献４や５に記載されているように磁気記録媒体表面の凹凸に沿って保護膜を形成したとしても、磁気記録層の表面積が大きくなり、従来以上に腐食のリスクが高くなる。また、特許文献６や７に記載されているように磁気記録層を部分的に除去してできた溝を非磁性材料で埋め戻して磁気記録媒体表面を平坦にした場合にも腐食の問題が発生することが判明した。【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、耐食性に優れたパターン型磁気記録媒体を実現することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための一実施形態として、非磁性下地層と、前記非磁性下地層上に設けられたパターン状に物理的に分離された磁気記録層を有する磁気記録媒体において、前記磁気記録層の側壁面が水素よりイオン化傾向の小さい材料から成る側壁層で覆われており、前記非磁性下地層が前記側壁層と同一の材料から成り、前記磁気記録層の上面と前記側壁層の側面が、ＣもしくはＳｉを含む不導体材料から成る保護膜で覆われていることを特徴とする磁気記録媒体とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、耐食性に優れたパターン型磁気記録媒体が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。
【図２（ａ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｂ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｃ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｄ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｅ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｆ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｇ）】本発明の第１の実施例に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｈ）】比較例１−３に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｉ）】比較例１−３に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図２（ｊ）】本発明の実施例２に係る磁気記録媒体の製造方法を示す工程図である。
【図３】比較例１−３に係る磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係る磁気記録媒体の断面構造を模式的に示した図である。
【図５】本発明の実施例１−１〜１−３、比較例１−１〜１−５の側壁層、非磁性下地層材料の標準電極電位を示す図である。
【図６】本発明の実施例１−１〜１−３、比較例１−１〜１−５の標準電極電位と腐食点数の関係を示す図である。
【図７（ａ）】側壁層と非磁性下地層とが異なる材料からなる従来の磁気記録媒体及びその一部を拡大した断面構造を模式的に示した図である。
【図７（ｂ）】発明を実施するための形態に係る磁気記録媒体及びその一部を拡大した断面構造を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
磁気記録層が物理的に分離された凹凸パターンを有する磁気記録媒体において腐食の発生する原因を鋭意検討した結果、以下の現象が腐食の発生に深く関係している問題であることがわかった。異種の金属材料が接合する状態が存在する場合には、金属材料それぞれの電気化学ポテンシャルの違いにより、イオン化傾向のより大きな材料のガルバニック腐食が発生することである。
【００１６】
特にパターンド媒体において物理的に分離された磁気記録層の側壁面は、保護膜あるいは埋め戻し充填層で覆われたとしても欠陥が発生しやすく、水分などの腐食誘発成分が磁気記録媒体表面から侵入しやすい箇所となる。
【００１７】
したがって、磁気記録層の側壁面を埋め戻し充填層で覆った場合には、磁気記録層と埋め戻し充填層の間でガルバニック腐食が発生し、あるいは磁気記録層の側壁面を保護膜で覆った場合には、磁気記録層の側壁面下部に磁気記録層と非磁性下地層が接する状態が存在し、この接合面でガルバニック腐食が発生する。
【００１８】
前記問題を解決するために、非磁性下地層上に設けられたトラック構造またはビット構造などのパターン状に分離された磁気記録層を有する磁気記録媒体において、磁気記録層の側壁面が水素よりイオン化傾向の小さい材料から成る側壁層で覆われており、非磁性下地層が側壁層と同一の材料から成り、かつ、磁気記録層の上面と側壁層の側面がＣもしくはＳｉを含む不導体材料から成る保護膜で覆われた構造を形成する。
【００１９】
ここで、イオン化傾向が水素より小さい材料としては、化学的に安定な金属（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ａｕ）あるいはこれらを含んだ合金であることが好ましい。このような構造を形成することで、磁気記録層の側壁面と底面が水素よりイオン化傾向が小さい材料で完全に覆われて保護されるために、磁気記録層のガルバニック腐食耐性を向上させることができる。
【００２０】
さらに、側壁層の側面を非金属であるＣもしくはＳｉを含む不導体材料の保護膜で覆うことにより磁気記録層の側壁面近傍におけるガルバニック腐食を抑制することができる。埋め戻し充填層には非磁性材料を用いることができる。
【００２１】
図１に本発明の実施形態に係わる磁気記録媒体の断面図を示す。平坦な基板１１上に下地層１２１を介して、非磁性下地層１２２を有する。非磁性下地層１２２上にトラック状またはドット状のパターンに分離された磁気記録層１３を有し、磁気記録層１３の側壁に非磁性下地層と同材料を用いた側壁層１４を有する。磁気記録層１３、側壁層１４及び非磁性下地層１２２の表面を被覆する保護膜１６及び潤滑層１７を有する。なお、図４に示すように、凹凸パターンの凹部の保護膜１６上に埋め戻し充填層１８を有し、表面を被覆する潤滑膜１７を有してもよい。
【００２２】
次に、各層の構造、役割について詳細に説明する。  
（１）非磁性下地層１２２は、側壁層１４とともに磁気記録層１３の腐食を防止する役割を持つ。非磁性下地層１２２と側壁層１４自体が腐食しないようにするためには、非磁性下地層１２２と側壁層１４には、化学的に安定な材料を用いる必要がある。腐食は大気中の成分である、水、酸素、硫黄などとの反応が問題となるため、これらと反応しにくい元素として、イオン化傾向が水素よりも小さい材料を用いればよい。イオン化傾向が水素よりも小さい材料として、白金族元素（Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ）や第１１族元素の中で安定なＡｕを用いることができる。
【００２３】
前記金属に他の元素を加えた合金でも、イオン化傾向が水素よりも小さければ、非磁性下地層１２２と側壁層１４に用いることができる。ただし、非磁性下地層１２２と側壁層１４の接合部の電気化学ポテンシャル差による磁気記録層１３の側壁下部からの腐食を防止するためには、非磁性下地層１２２と側壁層１４に同一の材料を用いる必要がある。
【００２４】
図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように磁気記録層の下部では、非磁性下地層１２２、磁気記録層１３、側壁層１４の３種の材料が接合する部分が存在する。図７（ａ）に示すように側壁層１４と非磁性下地層１２２が異なる金属材料の場合、非磁性下地層１２２と磁気記録層１３との間の電気化学ポテンシャルと、側壁層１４と磁気記録層１３との間の電気化学ポテンシャルが異なるため、側壁層１４と非磁性下地層１２２との間に電位差が発生しガルバニック腐食が発生する事になる。
【００２５】
一方で、図７（ｂ）に示すように側壁層１４と非磁性下地層１２２が同一材料の場合、非磁性下地層１２２と磁気記録層１３との間の電気化学ポテンシャルと、側壁層１４と磁気記録層１３との間の電気化学ポテンシャルが釣り合うため当該部分において安定となり耐食性が向上する。
【００２６】
（２）磁気記録層１３の上面と側壁層１４の側面と非磁性下地層１２２の上面を覆うように形成する、カーボンやＳｉなどの不導体材料から成る保護膜１６には三つの役割がある。一つ目は、硬質な保護膜によって磁気記録媒体の表面をヘッドから保護することである。このときヘッドと磁気記録層１３とのスペーシングは、十分な保護膜の強度を保ちつつ、できる限り低減する必要がある。二つ目は、非金属材料で側壁層１４と非磁性下地層１２２を覆うことによって異種の金属材料によるガルバニック腐食が発生しないようにすることである。三つ目は、パターン状に分離された磁気記録層の間を分断するように不導体の保護膜１６が存在することによって、表面欠陥などに起因して発生した腐食が周囲の磁気記録層に広がらないようにすることである。
【００２７】
（１）と（２）に示すような側壁層１４と保護膜１６を形成することで十分に優れた耐食性が得られる。
【００２８】
基板１１、下地層１２１、磁気記録層１３、保護膜１６、潤滑層１７については、一般的な垂直磁気記録媒体の構造を用いることができる。以下にその代表例を示す。
【００２９】
基板１１にはＡｌ−Ｍｇ合金などの非磁性金属や、結晶化ガラス、アモルファスガラス、Ｓｉ、樹脂などの材料を用いることができる。
【００３０】
下地層１２１は、軟磁性下地層や非磁性中間層などから構成することができる。軟磁性層には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む軟磁性材料を用いることができる。非磁性中間層を磁気記録層下部に配置することで、磁気記録層１３の結晶配向性や結晶粒径を制御し、結晶粒間の交換結合を制御する役割を持たせることができる。
【００３１】
磁気記録層１３は、記録部を担う層であり、結晶粒界にＣｒ偏析もしくは酸化物が存在するグラニュラー構造、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｄなどの人工格子構造、ＦｅＰｔなどのＬ１０規則合金構造、ＣｏＰｔなどのＬ１１規則合金構造、希土類−遷移金属合金構造などの垂直磁気異方性の大きく熱減磁特性に優れた垂直磁性膜を用いることができる。
【００３２】
保護膜１６には、アモルファスカーボンや窒化ケイ素の単層膜、またはこれらの多層膜を用いることができる。
【００３３】
潤滑層１７には、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などの液体潤滑剤を用いることができる。
【００３４】
上記構造を形成することにより、磁気記録層の側壁面下部に磁気記録層と非磁性下地層と埋め戻し充填層などの３種類の材料が接合する状態が存在することがなくなるため、この部分で発生するガルバニック腐食も抑制することができる。また、パターン状に分離された磁気記録層の間に非金属材料である保護膜を挿入していることで、表面欠陥などに起因して発生した腐食が周囲の磁気記録層に波及することを抑制できる。
【００３５】
以下、実施例により詳細に説明する。
【実施例１】
【００３６】
第１の実施例について図２(ａ)〜図２(ｇ)を用いて説明する。なお、発明を実施するための形態に記載され、本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。【００３７】
図２（ａ）〜図２（ｇ）は本実施例に係るパターン型磁気記録媒体の作製過程の模式図(断面図)である。図２（ａ）に示すように基板１１として、直径６５ｍｍのガラス基板を用いた。スパッタ装置を用いて、下地層１２１、非磁性下地層１２２、磁気記録層１３、インプリント保護膜２１を順に形成した。下地層には、ＦｅＣｏＴａＺｒ軟磁性膜、非磁性下地層１２２、磁気記録層１３として下層を１３ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー膜を用いた。インプリント保護膜２１としてスパッタカーボンを４ｎｍ形成した。【００３８】
次に、図２（ｂ）に示すようにインプリント装置を用いて、インプリントレジストパターン２２を形成した。レジストの総厚は７０ｎｍでパターンの高さが６０ｎｍ、レジストの残渣が１０ｎｍとなるようにした。次に図２（ｃ）に示すようにリアクティブイオンエッチング装置を用いて、酸素ガス中でエッチングを行い、ガードバンド部のレジスト残渣２２とインプリント保護膜２１を除去した。記録部のレジストの高さは５０ｎｍまで減少した。次に、図２（ｄ）に示すようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングでガードバンド部の磁気記録層１３を非磁性下地層１２２がちょうど露出するまで除去した。次に、図２（ｅ）に示すようにスパッタ装置を用いて非磁性下地層１２２と同一の材料の側壁層１４を、磁気記録層１３の側壁面を覆うように成膜した。次に、図２（ｆ）に示すように水素を用いたリアクティブイオンエッチングにより記録部の上部に残ったインプリントレジスト２２とインプリント保護膜２１と側壁層１４を除去した。図２（ｇ）に示すようにＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎを用いて保護膜１６としてカーボンを４ｎｍ成膜した。最後に、図１に示すように潤滑層１７としてパーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオロカーボン材で希釈した潤滑剤を塗布してパターン型磁気記録媒体を作製した。【００３９】
これらの媒体について、耐食性の評価を以下の手順で行った。まず、温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨ以上の高温多湿状態の条件下にサンプルを９６時間放置する。次に、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒを用いて半径１４ｍｍから２５ｍｍまでの範囲内における腐食点の数をカウントし、以下のようにランク付けした。カウント数が５０未満のものをＡ、５０以上２００未満のものをＢ、２００以上５００未満のものをＣ、５００以上のものをＤとして評価した。作製した磁気記録媒体を磁気記録装置に取り付けて十分な信頼性を得るには、ランクＡであることが必要である。【００４０】
実施例１は側壁層１４としてＲｕを厚さ２ｎｍ形成した媒体である。比較例１−１は側壁層１４を形成せずに保護層１６としてカーボンを厚さ４ｎｍ形成した媒体である。比較例１−２は側壁層１４を形成せずに磁気記録層１３の側壁面と非磁性下地層１２２の上面に沿ってＣｒＴｉを厚さ１３ｎｍ形成して溝を埋めてから保護膜１６として厚さ４ｎｍのカーボンを形成した媒体である。比較例１−３は保護膜１６を形成する前に側壁層１４として厚さ２ｎｍのＲｕと側壁層１４の側面と非磁性下地層１２２の上面に沿ってＣｒＴｉを１３ｎｍ形成し（図２（ｆ）の構造）、溝を埋めて（図２（ｈ）の構造）から保護膜１６として厚さ４ｎｍのカーボンを形成し（図２（ｉ）の構造）、更に潤滑層１７を形成した図３に示すような断面構造の媒体である。【００４１】
実施例１と比較例１−１〜１−３の腐食性試験の結果について纏めたものを表１に示す。【００４２】
【表１】
0005433781.tif 000002
【００４３】
側壁層１４が無く、磁気記録層１３の側壁面に接するように保護膜１６が形成されている比較例１−１では耐食性ランクＣとなり十分な耐食性が得られなかった。磁気記録層の側壁面のように角度のついた面へカーボンを成膜すると膜中に欠陥が生じやすく膜質の良い膜を形成しにくい。その結果、大気中の水、酸素、硫黄などが磁気記録層表面に侵入し易くなり、磁気記録層１３の耐食性が低下すると考えられる。【００４４】
比較例１−２のように磁気記録層１３の側壁面に接するようにＣｒＴｉを形成した場合には、三種類の金属材料が接することになりガルバニック腐食の発生により耐食性が低下すると考えられ、耐食性ランクはＤとなる。【００４５】
比較例１−３のように側壁層１４を形成してから側壁層１４に接するように金属材料の埋め戻し充填層１８を形成した場合には側壁層１４と埋め戻し充填層１８との間に電位差が生じてガルバニック腐食が生じると考えられ、耐食性ランクＣとなり十分な耐食性は得られない。【００４６】
実施例１のように側壁層１４に非磁性下地層１２２と同じで化学的に安定なＲｕを用いて磁気記録層１３の側面と底面を完全に覆い、かつ保護膜１６を側壁層１４の側面に形成した構造では耐食性ランクＡとなり十分な耐食性が得られた。【００４７】
以上述べたように、本実施例で示した側壁層と保護膜とを有することにより、耐食性に優れたパターン型の磁気記録媒体を提供できることが分かった。
【実施例２】
【００４８】
第２の実施例について説明する。なお、発明を実施するための形態又は実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。【００４９】
本実施例と本比較例では、実施例１と同様の過程で磁気記録媒体を作製し、側壁層１４の厚さは１．５ｎｍとした。また、耐食性の評価として実施例１と同様の手順で腐食性試験を行った。【００５０】
図５に、本実施例、比較例で側壁層と非磁性下地層に用いた材料と、水素の標準電極電位Ｅｏを示す。標準電極電位が大きいほどイオン化傾向が小さく、標準電極電位が小さいほどイオン化傾向が大きい。ここで、実施例２−１〜２−３、比較例２−１〜２−５とは側壁層と非磁性下地層の材料が同一の媒体である。実施例２−１〜２−３の材料では、イオン化傾向が水素よりも小さく、比較例２−１〜２−５ではイオン化傾向が水素よりも大きいことが分かる。【００５１】
また、図６に側壁層と下地層に用いた材料の標準電極電位と腐食点数の関係を示す。イオン化傾向が水素よりも小さい、実施例２−１〜２−３では腐食点数が５０未満のランクＡであり、磁気記録媒体として十分な信頼性がある。【００５２】
一方で、比較例２−１〜２−５では腐食点数が、実施例２−１〜２−３と比較して大幅に増大しており、ランクＣもしくはランクＤであった。したがって、側壁層と非磁性下地層に用いる材料のイオン化傾向が水素よりも小さいことが、耐食性には重要であることが分かる。【００５３】
非磁性下地層１２２と側壁層１４の材料と、腐食性試験の結果について纏めたものを表２に示す。【００５４】
【表２】
0005433781.tif 000003
【００５５】
非磁性下地層１２２と側壁層１４の一方にイオン化傾向が水素より小さい材料を用いないとランクＤと非常に腐食しやすかった。一方、非磁性下地層１２２と側壁層１４に異なる材料を用いた場合ランクＣとなった。これらに対して、非磁性下地層１２２と側壁層１４に同じ材料を用いるとランクＡとなり腐食信頼性の高い媒体が得られることがわかる。【００５６】
側壁層１４にイオン化傾向が水素より小さい材料を用いなかったランクＤの媒体で腐食点が発生した場所の断面を透過型電子顕微鏡で観察したところ、磁気記録層１３が酸化していることが分かった。また、非磁性下地層１２２と側壁層１４に異なるイオン化傾向が水素より小さい材料を用いた媒体で腐食点が発生した場所の断面を透過型電子顕微鏡で観察したところ磁気記録層１３の側壁下部が白くなっており、電子エネルギー損失分光法を用いて分析したところ酸素が増加していることがわかった。これは、磁気記録層１３と非磁性下地層１２２と側壁層１４の３層が接合した部分で、非磁性下地層１２と側壁層１４の間に電気化学ポテンシャルに差が発生すると、空気中の水分の侵入により磁気記録層１３中の磁性材料がイオン化し酸化したと考えられる。【００５７】
すなわち、非磁性下地層１２２と側壁層１４にイオン化傾向が水素より小さい材料でかつ同じ材料を用いることで磁気記録層１３の耐食性を格段に向上させることができ、耐食性に優れたパターン型の磁気記録媒体を提供できることが分かった。
【実施例３】
【００５８】
第３の実施例について説明する。なお、発明を実施するための形態、実施例１又は実施例２に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。【００５９】
図２（ａ）〜図２（ｄ）、図２（ｊ）、図２（ｆ）、図２（ｇ）、図４に本実施例に係るパターン型磁気記録媒体の作製過程の模式図(断面図)を示す。【００６０】
図２（ａ）に示すように基板１１として、直径６５ｍｍのガラス基板を用いた。スパッタ装置を用いて、下地層１２１、非磁性下地層１２２、磁気記録層１３、インプリント保護膜２１を順に形成した。下地層には、ＦｅＣｏＴａＺｒ軟磁性膜、非磁性下地層１２２、磁気記録層１３として下層を１３ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー膜を用いた。インプリント保護膜２１としてスパッタカーボンを４ｎｍ形成した。【００６１】
次に、図２（ｂ）に示すようにインプリント装置を用いて、インプリントレジストパターン２２を形成した。レジストの総厚は７０ｎｍでパターンの高さが６０ｎｍ、レジストの残渣が１０ｎｍとなるようにした。次に図２（ｃ）に示すようにリアクティブイオンエッチング装置を用いて、酸素ガス中でエッチングを行い、ガードバンド部のレジスト残渣２２とインプリント保護膜２１を除去した。記録部のレジストの高さは５０ｎｍまで減少した。次に、図２（ｄ）に示すようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングでガードバンド部の磁気記録層１３と非磁性下地層１２２がちょうど露出するまで除去した。【００６２】
次に、図２（ｊ）に示すようにＡｒガスを用いたイオンビームエッチングでガードバンド部の非磁性下地層１２２の上部２ｎｍまでエッチングした。ここで、エッチング角度を基板に対して垂直に近付けて、非磁性下地層１２２のエッチング再付着物が磁気記録層１３の側壁面に十分に付着するようにし、側壁面を覆うようにする。前記エッチング再付着物を側壁層１４とする。次に、図２（ｆ）に示すように水素を用いたリアクティブイオンエッチングにより記録部の上部に残ったインプリントレジスト２２とインプリント保護膜２１と側壁層１４を除去した。図２（ｇ）に示すように保護膜１６を成膜した。【００６３】
次に、図４に示すように保護層１６のトップ部が覆われないように埋め戻し充填層１８を形成し、最後に潤滑層１７としてパーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオロカーボン材で希釈した潤滑剤を塗布してパターン型磁気記録媒体を作製した。【００６４】
ここで、実施例３−１は保護膜１６にカーボンを用い、埋め戻し充填層１８にＣｒＴｉを用いた。実施例３−２は保護膜１６にカーボンを用い、埋め戻し充填層１８にパーフルオロアルキルポリエーテル系の材料Ａを用いた。実施例３−３は保護膜１６にカーボンを用い、埋め戻し充填層１８にカーボンを用いた。実施例３−４は保護膜１６にカーボンを用い、埋め戻し充填層１８は形成せず図１と同様の構造とした。実施例３−５は保護膜１６にＳｉＮｘとカーボンの複合膜を用い、埋め戻し充填層１８は形成せず図１と同様の構造とした。【００６５】
実施例３−１、３−２、３−３、３−４、３−５、実施例１の腐食性試験の結果について纏めたものを表３に示す。【００６６】
【表３】
0005433781.tif 000004
【００６７】
実施例３−１、３−２、３−３、３−４、３−５いずれも腐食点の数は少なく、本実施例の作製方法においても、実施例１と同等の耐食性が得られ、耐食性に優れたパターン型の磁気記録媒体を提供できることが分かった。また、埋め戻し充填層を形成することにより表面平坦性が向上し、安定したヘッドの浮上性が得られた。
【符号の説明】
【００６８】
１１…非磁性基板、  
１２１…下地層、  
１２２…非磁性下地層、  
１３…磁気記録層、  
１４…側壁層、  
１６…保護膜、  
１７…潤滑層、  
１８…埋め戻し充填層、  
２１…インプリント保護膜、  
２２…ナナノインプリントレジスト。
【図１】
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【図２（ａ）】
0005433781.tif 000006
【図２（ｂ）】
0005433781.tif 000007
【図２（ｃ）】
0005433781.tif 000008
【図２（ｄ）】
0005433781.tif 000009
【図２（ｅ）】
0005433781.tif 000010
【図２（ｆ）】
0005433781.tif 000011
【図２（ｇ）】
0005433781.tif 000012
【図２（ｈ）】
0005433781.tif 000013
【図２（ｉ）】
0005433781.tif 000014
【図２（ｊ）】
0005433781.tif 000015
【図３】
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【図４】
0005433781.tif 000017
【図５】
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【図６】
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【図７（ａ）】
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【図７（ｂ）】
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