(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜状の常温インプリント用素材を基材に設けるインプリント用素材設置工程と、
前記インプリント用素材設置工程で常温インプリント用素材が設置された前記基材の面である常温インプリント用素材設置面よりも面積が小さい部位に微細な転写パターンが形成されている型で、外部から前記常温インプリント用素材にエネルギーを加えることなく、前記常温インプリント用素材設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記常温インプリント用素材設置面に設けられている常温インプリント用素材の複数箇所に、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、
前記転写工程で微細な転写パターンが形成された常温インプリント用素材設置済み基材を用い、前記型に形成されている微細な転写パターンが複数箇所に形成されている多数個型を形成する多数個型形成工程と、
を有することを特徴とする多数個型の製造方法。
【請求項２】
スピンオンガラスを、基材の面に膜状に設けるスピンオンガラス設置工程と、
前記スピンオンガラス設置工程でスピンオンガラスが設置された前記基材の面であるスピンオンガラス設置面よりも面積が小さい平面状の部位に微細な転写パターンが形成されている型で、前記スピンオンガラス設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスの複数箇所に、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、
前記転写工程でスピンオンガラスに微細な転写パターンが転写された基材を用い、前記型の微細な転写パターンと同様な転写パターンが複数箇所に形成されているインプリント用型を生成するインプリント用型生成工程と、
を有することを特徴とするインプリント用型の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のインプリント用型の製造方法において、
前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記インプリント用型生成工程は、電鋳により前記インプリント用型を生成する工程であるか、
または、前記インプリント用型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記インプリント用型を生成する工程であることを特徴とするインプリント用型の製造方法。
【請求項４】
スピンオンガラスを、基材の面に膜状に設けるスピンオンガラス設置工程と、
前記スピンオンガラス設置工程でスピンオンガラスが設置された前記基材の面であるスピンオンガラス設置面を、微細な転写パターンが形成されている型で押圧して、前記スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスに、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、
前記転写工程でスピンオンガラスに微細な転写パターンが転写された基材を用い、前記型の微細な転写パターンと同様な転写パターンが形成されているインプリント用型を生成するインプリント用型生成工程と、
を有し、前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記インプリント用型生成工程は、電鋳により前記インプリント用型を生成する工程であるか、
または、前記インプリント用型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記インプリント用型を生成する工程であることを特徴とするインプリント用型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な転写パターンが形成されている多数個型（インプリント用型）等の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子線描画法などで石英基板等に超微細な転写パターンを形成して型（モールド）を作製し、被成型品に前記型を所定の圧力で押圧して、当該型に形成された転写パターンを転写するナノインプリント技術が研究開発されている（たとえば、非特許文献１参照）。
【０００３】
ナノオーダーの微細なパターン（転写パターン）を低コストで成型する方法としてリソグラフィ技術を用いたインプリント法が考案されている。この成型法は大別して熱インプリント法とＵＶインプリント法とに分類される。
【０００４】
熱インプリント法では、型を基板に押圧し、熱可塑性ポリマからなる樹脂（熱可塑性樹脂）が十分に流動可能となる温度になるまで加熱して微細パターンに樹脂を流入させたのち、型と樹脂をガラス転移温度以下になるまで冷却し、基板に転写された微細パターンを固化したのち型を引き離す。
【０００５】
ＵＶインプリント法では、光を透過できる透明な型を使用し、ＵＶ硬化性液に型を押しつけてＵＶ放射光を加える。適当な時間放射光を加えて液を硬化させ微細パターンを転写したのち型を引き戻す。
【０００６】
ハードディスクやＣＤ、ＤＶＤなど回転式の記憶装置では、最近、高密度のデータをディスクに形成するための記憶媒体（記録媒体）を成型する手段として、こうしたナノインプリント技術を活用する方法への関心が高くなってきている。
【０００７】
ところで、電子線描画法で型に微細な転写パターンを形成するには、多くの時間と費用とを要するので、電子線描画法で微細な転写パターンが形成された小さな型Ａ（図５、図６参照）を用いて、熱インプリント法やＵＶインプリント法で被成型品（型Ａよりも大きく、型Ａの微細な転写パターンがお互いに僅かに離れるようにして複数箇所に形成されている被成型品）Ｂ（図５、図６参照）を生成し、この生成された被成型品Ｂを反転型として用い、たとえば電鋳により多数個型Ｃ（図示せず）を形成し、さらに、多数個型Ｃを用い、被成型品Ｄ（図示せず）に、微細な転写パターンを転写する方法が知られている。
【０００８】
被成型品Ｄは、型Ａの微細な転写パターンが形成されている部位毎に切断されて製品や半製品とされることが多い。
【０００９】
ここで、熱インプリント法を用いた被成型品Ｂの製造工程について、図５を参照しつつ説明する。
【００１０】
図５（ａ）で示すように、被成型品Ｂは、平板状の金属等で構成された基材Ｗ３と膜状の熱可塑性樹脂Ｗ６とで構成されており、熱可塑性樹脂Ｗ６に、型Ｍ２（型Ａ）に形成されている微細な転写パターンＭＣを複数回転写している。そして、熱可塑性樹脂Ｗ６の複数の箇所（転写の回数と同じ数の箇所）に、微細な転写パターンＷＢを形成している。
【００１１】
より詳しく説明すると、図５（ａ）の左側に位置している型（熱可塑性樹脂Ｗ６が軟化する温度に加熱されている型）Ｍ２で、熱可塑性樹脂Ｗ６（基材Ｗ３）を押圧し、熱可塑性樹脂Ｗ６に微細な転写パターンＷＢを転写する。このとき、熱可塑性樹脂Ｗ６の一部の領域（図５（ａ）の左側の領域）Ｗ４が軟化して、微細な転写パターンＷＢの転写がされる。この後、型Ｍ２で熱可塑性樹脂Ｗ６を押圧している状態で、型Ｍ２を熱可塑性樹脂Ｗ６が硬化する温度まで冷却する。
【００１２】
この転写の後、型Ｍ２を熱可塑性樹脂Ｗ６から離し、型Ｍ２を距離ｐ３ａだけ図５（ａ）の右側に移動し、図５（ａ）の右側に位置している型（熱可塑性樹脂Ｗ６が軟化する温度に再び加熱されている型）Ｍ２で、熱可塑性樹脂Ｗ６（基材Ｗ３）を押圧し、熱可塑性樹脂Ｗ６に微細な転写パターンＷＢを転写する。このとき、熱可塑性樹脂Ｗ６の一部の領域（図５（ａ）の右側の領域）Ｗ５が軟化する。この後、型Ｍ２で熱可塑性樹脂Ｗ６を押圧している状態で、型Ｍ２を熱可塑性樹脂Ｗ６が硬化する温度まで冷却する。
【００１３】
図５（ａ）で示す転写において、型Ｍ２を距離ｐ３ａだけ移動し離している理由は、図５（ａ）で示す右側の型Ｍ２を用いて転写をするときに、熱可塑性樹脂Ｗ６の軟化領域Ｗ５が、図５（ａ）で示す左側の型Ｍ２を用いた転写により既に形成されている微細な転写パターンＷＢにおよんで、図５（ａ）で示す左側の微細な転写パターンＷＢの形状が崩れてしまうことを、防止する必要があるからである。
【００１４】
また、図５（ｂ）に示す転写は、型Ｍ２を加熱することに代えてもしくは加えて、基材Ｗ３の背面から熱可塑性樹脂Ｗ６を加熱等している点が、図５（ａ）に示す転写とは異なり、その他の点は、図５（ａ）に示す転写と同様にしてなされる。なお、図５（ｂ）で示す参照符号Ｈ１はヒータおよびペルチエ素子等の冷却装置であり、参照符号Ｈ２は断熱材である。図５（ｂ）で示す型Ｍ２の移動距離ｐ３ｂは、図５（ａ）で示す移動距離ｐ３ａとほぼ同程度の距離になっている。
【００１５】
なお、図５（ａ）、（ｂ）では、基材Ｗ３に熱可塑性樹脂Ｗ６を設けてあるが、基材Ｗ３と熱可塑性樹脂Ｗ６とを同じ材料（熱可塑性樹脂）で構成し、基材Ｗ３と熱可塑性樹脂Ｗ６とを一体で形成してあってもよい。すなわち、被成型品Ｂを、平板状の熱可塑性樹脂のみで構成してあってもよい。
【００１６】
次に、ＵＶインプリント法を用いた被成型品Ｂの製造工程について、図６を参照しつつ説明する。
【００１７】
図６（ａ）で示すように、被成型品Ｂは、平板状のガラス等で構成された基材Ｗ３と膜状の紫外線硬化樹脂Ｗ９とで構成されており、紫外線硬化樹脂Ｗ９に、型Ｍ２（型Ａ）に形成されている微細な転写パターンＭＣを複数回転写している。そして、紫外線硬化樹脂Ｗ９の複数の箇所（転写の回数と同じ数の箇所）に、微細な転写パターンＷＢを形成している。
【００１８】
より詳しく説明すると、図６（ａ）の左側に位置している型Ｍ２で、紫外線硬化樹脂Ｗ９に微細な転写パターンＷＢを転写する。このとき、紫外線硬化樹脂Ｗ９の一部の領域（図６（ａ）の左側の領域）Ｗ７が型Ｍ２を通ってきた紫外線の照射を受けて硬化する。
【００１９】
この転写の後、型Ｍ２と紫外線を発生するＬＥＤとを距離ｐ４ａだけ図６（ａ）の右側に移動して、図６（ａ）の右側に位置している型Ｍ２で、紫外線硬化樹脂Ｗ９に微細な転写パターンＷＢを転写する。このとき、紫外線硬化樹脂Ｗ９の一部の領域（図６（ａ）の右側の領域）Ｗ８が型Ｍ２を通ってきた紫外線の照射を受けて硬化する。
【００２０】
図６（ａ）で示す転写において、型Ｍ２を距離ｐ４ａだけ移動し離している理由は、図６（ａ）で示す左側の硬化領域Ｗ７が、図６（ａ）の右側に示す型Ｍ２による転写領域（微細な転写パターンが形成される領域）と干渉することを避けるためである。
【００２１】
また、図６（ｂ）における転写では、型Ｍを通過させて紫外線を紫外線硬化樹脂Ｗ９に照射することに代えて、基材Ｗ３の背面から紫外線を紫外線硬化樹脂Ｗ９に照射している点が、図６（ａ）に示す転写とは異なり、その他の点は、図６（ａ）に示す転写と同様になっている。図６（ｂ）で示す型Ｍ２の移動距離ｐ４ｂは、図６（ａ）で示す移動距離ｐ４ａとほぼ同程度になっている。なお、図６（ｂ）では、被成型品Ｂとほぼ同じ面積の部位の全面に紫外線発生ＬＥＤを敷き詰め、シャッターによって型Ｍ２で押圧される部位にのみ紫外線を照射しているが、図６（ａ）の場合と同様に、型Ｍ２と紫外線を発生するＬＥＤとを距離ｐ４ｂだけ移動するようになっていることもある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００２２】
【非特許文献１】Precision Engineering Journal of the International Societies for Precision Engineering and Nanotechnology 25(2001) 192-199
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、従来の多数個型Ｃの製造方法では、図５や図６の左側の転写パターン（すでに形成されている微細パターン）ＷＢと右側の転写パターン（これから形成しようとする微細パターン）ＷＢとを、お互いの影響（干渉）が出ないようにして形成するために、型Ｍ２の間隔（移動距離ｐ３ａ，ｐ３ｂ，ｐ４ａ，ｐ４ｂ）を小さくすることができないという問題がある。
【００２４】
移動距離ｐ３ａ，ｐ３ｂ，ｐ４ａ，ｐ４ｂを小さくするには、たとえば、図５（ｂ）に示す断熱材Ｈ２の性能を上げたり、図６に矢印で示す紫外線を囲むような覆いを設けたりすることが考えられるが、このような工夫をしても、移動距離ｐ３ａ，ｐ３ｂ，ｐ４ａ，ｐ４ｂを小さくことには限界があり、また、装置の構成が煩雑になる。
【００２５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、小さな型に形成されている微細な転写パターンを用いて複数回の転写を行い、多数個型を製造する多数個型の製造方法において、上記多数個型に形成されている微細な転写パターンの間隔（上記小さな型に形成されていた微細な転写パターンに対応する一群の微細な転写パターン同士の間隔）を小さくすることが容易である多数個型の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
請求項１に記載の発明は、膜状の常温インプリント用素材を基材に設けるインプリント用素材設置工程と、前記インプリント用素材設置工程で常温インプリント用素材が設置された前記基材の面である常温インプリント用素材設置面よりも面積が小さい部位に微細な転写パターンが形成されている型で、外部から前記常温インプリント用素材にエネルギーを加えることなく、前記常温インプリント用素材設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記常温インプリント用素材設置面に設けられている常温インプリント用素材の複数箇所に、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で微細な転写パターンが形成された常温インプリント用素材設置済み基材を用い、前記型に形成されている微細な転写パターンが複数箇所に形成されている多数個型を形成する多数個型形成工程とを有する多数個型の製造方法である。
【００２７】
請求項２に記載の発明は、スピンオンガラスを、基材の面に膜状に設けるスピンオンガラス設置工程と、前記スピンオンガラス設置工程でスピンオンガラスが設置された前記基材の面であるスピンオンガラス設置面よりも面積が小さい平面状の部位に微細な転写パターンが形成されている型で、前記スピンオンガラス設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行い、前記スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスの複数箇所に、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程でスピンオンガラスに微細な転写パターンが転写された基材を用い、前記型の微細な転写パターンと同様な転写パターンが複数箇所に形成されているインプリント用型を生成するインプリント用型生成工程とを有するインプリント用型の製造方法である。
【００２８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のインプリント用型の製造方法において、前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記インプリント用型生成工程は、電鋳により前記インプリント用型を生成する工程であるか、または、前記インプリント用型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記インプリント用型を生成する工程であることを特徴とするインプリント用型の製造方法である。
【００３０】
請求項４に記載の発明は、スピンオンガラスを、基材の面に膜状に設けるスピンオンガラス設置工程と、前記スピンオンガラス設置工程でスピンオンガラスが設置された前記基材の面であるスピンオンガラス設置面を、微細な転写パターンが形成されている型で押圧して、前記スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスに、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程でスピンオンガラスに微細な転写パターンが転写された基材を用い、前記型の微細な転写パターンと同様な転写パターンが形成されているインプリント用型を生成するインプリント用型生成工程とを有し、前記スピンオンガラスは導電性を備えており、前記インプリント用型生成工程は、電鋳により前記インプリント用型を生成する工程であるか、または、前記インプリント用型生成工程は、前記基材の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスに導電性を備えたシード層を設け、電鋳により、前記インプリント用型を生成する工程であるインプリント用型の製造方法である。
【発明の効果】
【００３２】
請求項１〜請求項３に記載の発明によれば、小さな型に形成されている微細な転写パターンを用いて複数回の転写を行い、多数個型を製造する多数個型の製造方法において、上記多数個型に形成されている微細な転写パターンの間隔（上記小さな型に形成されていた微細な転写パターンに対応する一群の微細な転写パターン同士の間隔）を小さくすることが容易であるという効果を奏する。
【００３３】
請求項４に記載の発明によれば、マスターモールドを傷つけたり破損したりすることなく、インプリント用の型を容易に得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】インプリント用型（多数個型）の製造工程の概要を示す図である。
【図２】インプリント用型（多数個型）の製造工程の概要を示す図である。
【図３】インプリント用型（型）の製造工程の概要を示す図である。
【図４】インプリント用型（型）の製造工程の概要を示す図である。
【図５】従来より知られている熱インプリント法を用いた被成型品Ｂの製造工程について説明する図である。
【図６】従来より知られているＵＶインプリント法を用いた被成型品Ｂの製造工程について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図１、図２は、インプリント用型（多数個型）Ｍの製造工程の概要を示す図である。
【００３６】
多数個型Ｍの製造工程では、まず、スピンオンガラス（ＳＯＧ；Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｒａｓｓ）Ｗ２を、１枚の平板状の基材（基板）Ｗ１の厚さ方向の一方の面（たとえば、ほぼ全面）に薄い膜状に設けて被成型品Ｗを生成する（図１（ａ）参照）。
【００３７】
スピンオンガラスとして、無機系のスピンオンガラスを採用してよいし常温インプリント用樹脂等有機系のスピンオンガラスを採用してもよい。なお、スピンオンガラスＷ２は、常温（３０℃±１５℃）で粘度が高く、導電性を備えている。基材Ｗ１は、導電性を備えており、たとえば、金属や導電性樹脂等の固体で構成されている。
【００３８】
次に、微細な転写パターンが形成されている１枚の平板状の型Ｍ１（Ｐ１）の微細な転写パターンＭＡを、被成型品Ｗの複数の箇所に転写する（図１（ａ）参照）。これにより、図１（ｂ）で示すように、スピンオンガラスＷ２の複数箇所に微細な転写パターンＷＡが転写された被成型品Ｗを得ることができる。なお、微細な転写パターンＭＡ（ＷＡ）は、ピッチや高さがたとえば可視光や赤外線や紫外線の波長と同程度である微細な凹凸で形成されている。
【００３９】
型Ｍ１の微細な転写パターンＭＡが形成されている平面状の部位（平板状の型Ｍ１の厚さ方向の一方の面）の面積は、スピンオンガラスＷ２が設置された基材Ｗ１の面であるスピンオンガラス設置面（平板状の基材Ｗ１の厚さ方向の一方の面）の面積よりも小さくなっている。たとえば、１／２よりも小さくなっている。
【００４０】
型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＡの被成型品Ｗ（スピンオンガラスＷ２）への転写は、型Ｍ１で、基材Ｗ１のスピンオンガラス設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行うことによりなされている。すなわち、微細な転写パターンＭＡが形成されている型Ｍ１の平面状部位よりも広いスピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスＷ２の複数箇所に、型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＡをステップ・アンド・リピートで転写している。なお、スピンオンガラスＷ２に転写された各微細なパターン（型Ｍ１の微細な転写パターンに対応する各微細なパターン）ＷＡは、お互いが僅かに離れている。
【００４１】
ここで、図１で示した工程についてさらに詳しく説明する。
【００４２】
型Ｍ１（Ｐ１；図１（ａ）の左側の型）の厚さ方向の一方の面（微細な転写パターンＭＡが形成されている下面）とスピンオンガラス設置面とが平行で所定の距離だけ離れて対向している状態から、型Ｍ１（Ｐ１）を平行移動して（図１（ａ）の下方に移動して）基材Ｗ１（スピンオンガラスＷ２）に近づけ、型Ｍ１で基材Ｗ１のスピンオンガラス設置面（膜状のスピンオンガラスＷ２）を押圧し、スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスＷ２に微細な転写パターンＷＡを転写して形成する。この転写をするときに超音波により転写の補助をするようにしてもよい。
【００４３】
続いて、型Ｍ１と基材Ｗ１との距離が所定の距離になるまで型Ｍ１を平行移動して（図１（ａ）の上方に移動して）型Ｍ１を被成型品Ｗから離す（離型する）。この離型をするときに、超音波により離型の補助をするようにしてもよい。
【００４４】
続いて、型Ｍ１（Ｐ１）を基材Ｗ１に対して、この面内方向（型Ｍ１の厚さ方向の一方の面やスピンオンガラス設置面が展開している方向；図１（ａ）の右方向）に所定の距離ｐ１だけ移動する。この移動をした後、型Ｍ１（Ｐ２）による転写や離型を同様に行う。
【００４５】
上述した転写、離型、面内方向での移動を所定の回数繰り返し、スピンオンガラス設置面に設けられているスピンオンガラスＷ２の複数の箇所に、微細な転写パターンＷＡを転写で形成する。これにより、図１（ｂ）で示すような被成型品Ｗを得ることができる。なお、図１（ｂ）で示すような被成型品Ｗでは、ピンオンガラス設置面のスピンオンガラスＷ２に転写された各微細なパターン（型Ｍ１による１回の押圧で転写された微細な転写パターンの群）ＷＡ同士が僅かに離れている。
【００４６】
次に、図２（ｃ）で示すように、スピンオンガラスＷ２に微細な転写パターンＷＡが転写された基材Ｗ１を用い（微細な転写パターンＷＡが転写されたスピンオンガラスＷ２と基材Ｗ１とを反転レプリカとして用い）、たとえば、電鋳により、型Ｍ１の微細な転写パターンと同様な転写パターンが複数箇所に形成されている１枚のインプリント用型（ニッケル等の金属で構成されている多数個型）Ｍを生成する。上記電鋳では、基材Ｗ１とスピンオンガラスＷ２とに電流を流している。
【００４７】
次に、生成されたインプリント用型Ｍを基材Ｗ１（被成型品Ｗ）から分離することにより、図２（ｄ）で示すように、微細なパターン（型Ｍ１の微細な転写パターンＭＡとほぼ同形態の微細なパターン）ＭＢが複数箇所に形成されている１枚のインプリント用型Ｍを得る。
【００４８】
なお、図１、図２で示す各工程（スピンオンガラスＷ２の基材Ｗ１への設置、型Ｍ１の微細な転写パターンの転写、電鋳によるインプリント用型Ｍの生成）は、常温でなされる。すなわち、型Ｍ１の全体と基材Ｗ１の全体とスピンオンガラスＷ２の全体とインプリント用型Ｍが常温の雰囲気の中に存在している状態でなされる。
【００４９】
なお、スピンオンガラスＷ２は、型Ｍ１による複数回の転写終了後、インプリント用型（多数個型）Ｍを生成し終えるまで、型Ｍ１から転写された微細な転写パターンＷＡの形状を維持することができる程度の粘度になっている。
【００５０】
また、図１、図２で示す各工程を実行するときの温度であるが、必ずしも常温の範囲である必要はなく、たとえば、１００℃±２０℃もしくは−２０℃±１０℃等、常温の範囲と同程度の所定の温度範囲であってもよい。
【００５１】
インプリント用型（多数個型）Ｍの製造方法によれば、スピンオンガラス設置面を型Ｍ１で押圧する動作を複数回繰り返して行い、スピンオンガラス設置面のスピンオンガラスＷ２の複数箇所に、型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＡを、押圧するたけで転写して形成している。すなわち、スピンオンガラスＷ２の複数箇所に、熱や紫外線の照射をすることなく、微細な転写パターンＷＡを形成している。
【００５２】
したがって、スピンオンガラスＷ２に転写して形成された一群の微細な転写パターン（１つの型Ｍ１に形成されている微細な転写パターンＭＡに対応した微細な転写パターン）ＷＡ同士の距離を、従来の図５や図６に示す場合に比べて近づけることができる。すなわち、図１（ａ）に示す距離ｐ１を図５や図６に示す距離ｐ３ａ，ｐ３ｂ，ｐ４ａ，ｐ４ｂよりも小さくすることができる。そして、多数個型Ｍを従来よりも小さくすることができる。
【００５３】
また、基材Ｗ１と多数群の微細な転写パターンＷＡが形成されたスピンオンガラスＷ２そのものを多数個型として用いることはしないので、スピンオンガラスＷ２が一時的に（多数個型Ｍが形成されるまでの間）形状を保つことができればよく、電鋳で形成された多数個型Ｍの微細な転写パターンＭＢの強度や耐久性が、スピンオンガラスＷ２の粘度の影響を直接受けることがなく、十分な強度と耐久性とを備えた多数個型Ｍを容易に製造することができる。
【００５４】
ところで、上記説明において、基材Ｗ１が非導電性の材料で構成されており、スピンオンガラスＷ２のみが、導電性の材料で構成されていてもよい。そして、スピンオンガラスＷ２に電流を流し、電鋳により多数個型Ｍを生成してもよい。図１（ｃ）は、図１（ｂ）におけるＩ部の拡大図であるが、微細な転写パターンＷＡが転写されたスピンオンガラスＷ２には、図１（ｃ）に示すように、厚さｔの残膜が形成されている。そして上記電鋳をする場合には、上記残膜にも電流が流れるようになっている。
【００５５】
なお、上述した多数個型Ｍの製造方法は、インプリント用素材設置工程と転写工程と多数個型形成工程と分離工程とを有する多数個型の製造方法の例である。
【００５６】
ここで、インプリント用素材設置工程は、膜状のインプリント用素材を１枚の基板（平板状に形成されている基板の厚さ方向の一方の面）に設ける工程である。インプリント用素材として、たとえば、水ガラス等のある程度の粘度を備えて、転写された微細なパターンの形状を所定の時間（多数個型が形成されるまでの間）保つことができる材料、もしくは、紫外線や熱エネルギー等のエネルギーを加えることなく所定の時間圧縮されることで硬化する材料で構成されているものを採用することができる。
【００５７】
転写工程は、インプリント用素材設置工程でインプリント用素材が設置された基材の面である常温インプリント用素材設置面よりも面積が小さい平面状の部位に微細な転写パターンが形成されている１枚の平板状の型で、外部からインプリント用素材にエネルギー（熱や紫外線等のエネルギー）を加えることなく、インプリント用素材設置面を押圧する動作を複数回繰り返して行い、常温インプリント用素材設置面に設けられている常温インプリント用素材の複数箇所に、型に形成されている微細な転写パターンを転写する工程である。
【００５８】
多数個型形成工程は、転写工程で微細な転写パターンが形成された常温インプリント用素材設置済み基材を用い、型に形成されている微細な転写パターンが複数箇所に形成されている多数個型（インプリント用型）を形成する工程である。
【００５９】
また、分離工程は、多数個型生成工程で生成された多数個型を基材（常温インプリント用素材）から分離する工程である。
【００６０】
ところで、図１や図２では、型に形成されている微細な転写パターンが複数箇所に形成されている多数個型（インプリント用型）を製造する場合について説明したが、図１や図２で示す場合と同様にして、型（マスターモールド）に形成されている微細な転写パターンが１箇所に形成されている型（インプリント用型）を製造するようにしてもよい。
【００６１】
図３、図４は、インプリント用型（型）Ｍａの製造工程の概要を示す図である。
【００６２】
型Ｍａの製造工程では、まず、絶縁性の素材（非導電性の素材）で構成されているスピンオンガラスＷ１２を、１枚の平板状の基材（絶縁性の素材で構成されている基材）Ｗ１１の厚さ方向の一方の面（たとえば、ほぼ全面）に薄い膜状に設けて被成型品Ｗ１３を生成する（図３（ａ）参照）。
【００６３】
次に、微細な転写パターンが形成されている１枚の平板状の型（マスターモールド）Ｍ１１の微細な転写パターンＭ１２を、型Ｍ１１で被成型品Ｗ１３を押圧することにより被成型品Ｗ１３に転写する（図３（ｂ）参照）。これにより、図３（ｃ）で示すように、スピンオンガラスＷ１２に微細な転写パターンＷ１４が転写された被成型品Ｗ１３を得ることができる。なお、転写パターンＷ１４が転写された被成型品Ｗ１３では、図１（ｃ）で示した場合と同様にして、厚さｔの残膜が形成されている。この残膜を除去する必要はない。
【００６４】
次に、図４で示すように、スピンオンガラスＷ１２に微細な転写パターンＷ１４が転写された被成型品Ｗ１３を用い（微細な転写パターンＷ１４が転写されたスピンオンガラスＷ１２と基材Ｗ１１とを反転レプリカとして用い）、電鋳により、型Ｍ１１の微細な転写パターンと同様な転写パターンが形成されている１枚のインプリント用型（ニッケル等の金属で構成されている型）Ｍａを生成する。
【００６５】
詳しく説明すると、基材Ｗ１１の微細な転写パターンが転写されたスピンオンガラスＷ１２の表面に導電性を備えたシード層Ｓ１を設ける（図４（ｄ）参照）。シード層Ｓ１は、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等により設ける。
【００６６】
続いて、シード層Ｓ１に電流を流して、電鋳によりインプリント用型Ｍａを生成し（図４（ｅ）参照）、被成型品Ｗ１３を型Ｍａから分離することにより、図４（ｆ）や図４（ｇ）で示すような型Ｍａを得る。シード層Ｓ１は、型Ｍａの一部になる。すなわち、図４（ｆ）では、シード層Ｓ１を示してあり、図４（ｇ）ではシード層Ｓ１を示していないが、図４（ｆ）で示した型Ｍａと図４（ｇ）で示した型Ｍａとはお互いに同じものである。
【００６７】
図３や図４で示す型Ｍａの製造方法によれば、マスターモールド（型Ｍ１１）を傷つけたり破損したりすることなく、インプリント用の型Ｍａを容易に得ることができる。
【００６８】
マスターモールドＭ１１は、非常に高価であるので、破損等すると大きな損失が発生する。マスターモールドＭ１１を用い電鋳により直接インプリント用の型Ｍａを生成すると、マスターモールドＭ１１を破損するおそれが高くなる。しかし、型Ｍ１１から比較的柔らかいスピンオンガラスＷ１２に微細なパターンＷ１４を一旦転写し、この転写がされた被成型品Ｗ１３（レプリカ）を用いて、電鋳によりインプリント用型Ｍａを得るので、型Ｍ１１を傷つけたり破損したりすることを回避することができる。
【００６９】
また、スピンオンガラスＷ１２を用いることにより、熱可塑性樹脂を使用した場合に比べて、より微細なパターンの形成に対応することができ、また、紫外線硬化樹脂を用いる場合に比べて、インプリント用型Ｍａに樹脂残りが発生するという弊害を防止することができる。
【００７０】
なお、図３や図４で示すインプリント用型Ｍａの製造方法において、図１や図２で示す場合と同様にしてスピンオンガラスＷ１２に導電性を持たせ、シード層Ｓ１を形成することなく、スピンオンガラスＷ１２に電流を流し、電鋳により、インプリント用型Ｍａを生成してもよい。
【００７１】
また、図１や図２で示すインプリント用型Ｍの製造方法において、図４で示す場合と同様にして、シード層Ｓ１を形成し、シード層Ｓ１に電流を流し、電鋳により、インプリント用型Ｍを生成してもよい。
【００７２】
なお、図３、図４に示す型の製造方法は、膜状のインプリント用素材を基材に設けるインプリント用素材設置工程と、前記インプリント用素材設置工程でインプリント用素材が設置された前記基材の面であるインプリント用素材設置面を、微細な転写パターンが形成されている型で、外部から前記インプリント用素材にエネルギーを加えることなく押圧して、前記常温インプリント用素材設置面に設けられている常温インプリント用素材に、前記型に形成されている微細な転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で微細な転写パターンが形成された常温インプリント用素材設置済み基材を用い、前記型に形成されている微細な転写パターンが形成されている別の型を形成する型形成工程とを有する型の製造方法の例である。
【符号の説明】
【００７３】
Ｍ  多数個型（インプリント用型）
Ｍ１、Ｍ１１  型
ＭＡ、Ｍ１２  微細な転写パターン
Ｍａ  型（インプリント用型）
Ｗ、Ｗ１３  被成型品
Ｗ１、Ｗ１１  基材
Ｗ２、Ｗ１２  スピンオンガラス
ＷＡ、Ｗ１４  微細な転写パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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