(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
金属基板と、
金属基板上に形成された非晶質接着層であって、約８Å未満の厚さであり、かつ炭素ケイ素炭化物及び炭素ケイ素窒化物からなる群から選ばれた組成をもつ接着層と、
接着層上に形成され、１０Å以上１５Å以下の厚さを有する保護ＤＬＣ層とを含み、
炭素ケイ素炭化物は約６５原子％以上の炭素を組成とする、装置。
【請求項２】
接着層の厚さが約７Å未満である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
接着層の厚さが約６Å未満である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
接着層の厚さが約４Å未満である請求項１に記載の装置。
【請求項５】
接着層の組成が、約６５から８５原子％の炭素、及び約１５から３５原子％のケイ素である請求項１に記載の装置。
【請求項６】
接着層の組成が、約７０から８０原子％の炭素、及び約２０から３０原子％のケイ素である請求項５に記載の装置。
【請求項７】
接着層の組成が、約１０から２５原子％の炭素、約３０から５０原子％のケイ素、及び約２５から５５原子％の窒素である請求項１に記載の装置。
【請求項８】
接着層の組成が、約１５原子％の炭素、約４５原子％のケイ素、及び約４０原子％の窒素である請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、磁気読取り／書き込みヘッドである、請求項１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（本発明の背景）
本発明は、一般的に、金属基板を被覆する保護皮膜に関係する。より具体的には、本発明は、十分な接着特性及び改良された耐食性を示す、磁気読取り／書込みヘッド表面のための薄い接着層に関係する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク駆動記憶システムは、磁気ディスク媒体の同心トラック上に記録することができるデジタル情報の記録に用いられる。幾つかのディスクがスピンドル上に回転自在に取り付けられ、書込み変換器を用いてディスク内に磁気変換の形で記憶できる情報が、読取り変換器を用いて呼び出される。読取り及び／又は書込み変換器は、ディスク表面上を半径方向に移動するアクチュエーター（ａｃｔｕａｔｏｒ）アーム上に配置されたスライダ（ｓｌｉｄｅｒ）により支えられる。スライダ及び変換器は、ひとまとめにして磁気ヘッドと呼ぶことができる。
【０００３】
操作中、ディスクは高速回転する。ディスクが回転する時、スライダ及び読取り及び／又は書込み変換器は、空気の小クッションに接して、ディスク表面上方を滑動する。ディスクが、前もって決めた高回転速度に達した時、ヘッドは、読取り及び記録操作時に維持される、ディスク表面からの前以て決められた距離で空気中に浮上する。面記録密度を最大にするためには、浮動高さ（即ち、ヘッドがディスク表面上方に浮上する距離）は、最小でなければならない。
【０００４】
ヘッド及びディスクの空気軸受表面を、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ：ｄｉａｍｏｎｄ  ｌｉｋｅ  ｃａｒｂｏｎ）の保護被覆及び／又は潤滑層で被覆することが、業界ではよく知られている。ＤＬＣ被膜の役割は、下層にある金属及び合金を、製造工程の間及びディスク駆動システムの寿命を通じて、摩耗及び腐食から保護することである。ヘッドに適用される時、ＤＬＣ被膜は、ＤＬＣ層及び接着層を含む。ヘッドのためのＤＬＣ被膜の厚さは、約２０から３０Åの範囲にあることができ、一方磁気媒体に関するＤＬＣ被膜の代表的な値は、３０Å超である。ＤＬＣ被膜の厚さは、潤滑層の厚さとあわせて、ヘッド媒体離隔（ＨＭＳ：ｈｅａｄ  ｍｅｄｉａ  ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）距離に最も寄与する要素である。ＨＭＳ距離は、ヘッドの磁気表面から媒体の磁気表面の距離で測られる。次に、ＨＭＳ距離は、変換器のデータ読取り及び書込み効率に影響を与える。
【０００５】
ＤＬＣ被膜の接着層は、ＤＬＣ層をヘッド表面に付着させるために用いられる。接着層としてケイ素を用いることが、業界ではよく知られている。しかし、ケイ素は、防錆力が弱く、更に、ケイ素接着層が薄く施される場合、弱い接着力又は低下した耐食性のために、又はその両者のために、ＤＬＣ被膜は、信頼性が損なわれやすくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
十分な接着性及び改良された耐食性を依然として示す、より薄いＤＬＣ被膜を使用することにより、ＨＭＳ距離を減少させ、かつ記録面密度を増大させるニーズがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（本発明の概要）
本発明は、金属基板、金属基板上に形成された非晶質接着層、接着層上に形成された保護ＤＬＣ層を含む装置に関係する。接着層は、約８Å未満の厚さを有し、かつ炭素ケイ素炭化物又は炭素ケイ素窒化物の組成を有する。接着層の組成は、金属基板に対して耐食性を与える。
【０００８】
（図面の簡単な説明）
図１Ａは、読取り及び／又は書込み変換器、及び記憶媒体を含むディスク駆動機構のスライダの一部の略図である。
【０００９】
図１Ｂは、スライダ表面上に形成された保護被膜を示す、図１Ａのスライダの一部の拡大図である。
【００１０】
図２は、本発明の実施例１から６の耐食性を示すために、電位差の関数として表した電流のグラフである。
【００１１】
図３は、本発明の実施例７及び８の耐食性を示すために、電位差の関数として表した電流の別のグラフである。
【００１２】
（詳細な説明）
図１Ａは、ディスク駆動記憶システムのスライダ１０及び磁気媒体ディスク１２の一部の略図である。スライダ１０は、リーディング（ｌｅａｄｉｎｇ）エッジ１４及びトレーリング（ｔｒａｉｌｉｎｇ）エッジ１６を備え、読取り及び／又は書込み変換器１８を含む。スライダ１０及び変換器１８は、ひとまとめにして磁気ヘッドと呼ぶことができる。保護被膜２０は、スライダ１０の表面２２に適用され、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）層２４及び接着層２６を含む。炭素層２８及び潤滑層３０は、ディスク１２の表面３２に適用される。層２４，２６，２８及び３０の全ては、説明のために厚さが誇張されている。特に、層２４及び２６を参照して、以下に詳細に説明するように、これらの層は全て、きわめて薄くできている。
【００１３】
スライダ１０は、ディスクの前以て選ばれたデータトラック上にスライダ１０及び変換器１８を配置するように機能するアクチュエーターアーム及びロードビーム（ｌｏａｄ  ｂｅａｍ）を含む懸垂装置（図示しない）に接続される。ディスク１２が、スライダ１０及び変換器１８の下で回転する時、変換器１８は、ディスク１２の前以て選ばれたデータトラックからデータを読み取るか、又はデータを書き込む。表面２２上のＤＬＣ層２４が空気軸受になり、スライダ１０の空気軸受表面とディスク１２の回転から生まれる流体流動の間の相互作用に基づいて、スライダ１０をディスク１２のデータトラックの上方に浮動させるように、スライダ１０は形作られる。ディスク１２が、その有効回転速度に達した時、図１Ａに示したように、スライダ１０のリーディングエッジ１４がスライダ１０のトレーリングエッジ１６より高いレベルに立ち上がるように、スライダ１０が旋回する。このようにして、変換器１８がディスク１２により接近させられ、ディスク１２上により多くのデータを書き込むことができ、かつディスク駆動の全体の電気的性能を改善する。しかし、高速度で回転しているディスク１２上にスライダ１０が突入破壊しないように、スライダ１０とディスク１２の間の最小間隙が維持されなければならない。
【００１４】
図１Ａに示したように、浮動高さＦＨは、ＤＬＣ層２４であるスライダ１０の空気軸受と潤滑層３０であるディスク１２の表面の間の距離又は間隙である。ヘッド媒体の離隔距離ＨＭＳは、変換器１８の磁気表面２２とディスク１２の対向する磁気表面３２の間の距離である。このように、ヘッド媒体の離隔距離ＨＭＳは、スライダ１０に適用された層２４及び２６、並びにディスク１２に適用された層２８及び３０を含む。スライダ１０及び変換器１８がディスク１２の上方に浮上し、ひとたびディスク１２がその有効回転速度に達した時、浮動高さＦＨ及びヘッド媒体の離隔距離ＨＭＳが測定される。
【００１５】
保護被膜２０は、スライダ１０の表面２２に適用される。被膜２０の主要な機能は、摩耗及び腐食に対して保護することである。特に、腐食又は酸化を受けやすい変換器１８の暴露された金属部分を保護することが重要である。ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）から形成された層２４は、スライダ１０に耐食性を与えるように形作られる。ダイヤモンド状炭素は、その高い硬度、高い耐摩耗性、低い摩擦係数及び化学的不活性度により、保護被膜２０のための好ましい材料となる。ＤＬＣ皮膜の欠点は、皮膜が、スライダ１０の表面２２のような、全ての表面に十分に付着しないことである。それ故、ＤＬＣ層をスライダ１０に付着させるために、接着層２６が用いられる。
【００１６】
接着層２６は、主成分としてケイ素を用いる。ケイ素は、金属に容易に付着する。実際に、ケイ素が金属表面上に堆積された時、ケイ素は、表面と反応してケイ化物を形成する。したがって、接着層２６が、主にケイ素から形成されたならば、接着層２６は、スライダ１０によく付着するであろう。更に、ダイヤモンド状炭素は、ケイ素によく付着し、ケイ素‐炭素結合を形成する。このようにして、ケイ素接着層は、ＤＬＣ層２４をスライダ１０の表面２２に付着させるようによく機能するであろう。しかし、ケイ素は、被膜２０に僅かな耐食性与える。更に、ケイ素は表面２２と反応し、ケイ素の一部が表面２２中に拡散するので、炭素層２４がケイ素と結合し、ケイ素に付着するためには表面２２上に堆積するより多くのケイ素を必要とする。このようにして、本質的に純粋なケイ素接着層の厚さは、炭素層の十分な接着が観察されるまでは、それほど減少させることができない。
【００１７】
本発明は、被膜２０に耐食性を与え、かつ被膜２０の総体厚さを減少させる接着層２６の組成を含む。代わって、被膜２０の総体厚さは、現行の皮膜の設計に類似しているにもかかわらず、接着層２６の組成のために、それに比較すればより大きい耐食性を示す。
【００１８】
図１Ｂは、図１Ａのスライダ１０の一部の拡大図であり、変換器１８、及び厚さＴＡの接着層２６及び厚さＴＤのＤＬＣ層２４を含む保護被膜２０を示す。総体の厚さＴＴは、ＴＡとＴＤの和に等しく、かつ被膜２０の厚さである。当業者は、接着層２６及びＤＬＣ層２４が、ともに層２６及び２４を横切る厚さにおいて、ある程度のバラツキを示し、したがって、厚さＴＡ及びＴＤが、それぞれ層２６及び２４の平均厚さであることを認識するであろう。
【００１９】
接着層２６は、ケイ素と更なる成分との非晶質の混合物であり、炭素及び窒素を含むが、これに限定するものではない。図１Ｂに示したように、接着層２６は、ＳｉａＣｂＮｃとして表示され、この表示は、接着層２６の組成をケイ素、炭素、及び任意選択の第三成分としての窒素の混合物として説明し、その際ａ、ｂ及びｃは、原子％で、それぞれの元素の構成範囲を示す。特定の実施形態を参考にして更に説明する時、ａは、約１５から５０原子％の範囲であることができ、ｂは、約１０から８５原子％の範囲であることができ、ｃは、０から約６０原子％未満の範囲であることができる。この範囲の組成内の原料物質は、市場で販売されている。
【００２０】
一つの実施形態では、接着層２６は、ケイ素と炭素から形成され、ケイ素を約１５と３５原子％の間で含み、炭素を約６５と８５原子％の間で含む。ケイ素と炭素の好ましい組成は、約２０から３０原子％のケイ素、及び約７０から８０原子％の炭素である。接着層２６は、追加の炭素と混合されたケイ素炭化物のターゲットから形成することができ、その結果炭素ケイ素炭化物（ＣＳｉＣ）を生成する。
【００２１】
別の実施形態では、接着層２６は、炭素ケイ素窒化物（ＣＳｉＮ）から形成され、ケイ素を約３０と５０原子％の間で含み、炭素を約１０と２５原子％の間で含み、窒素を約２５と５５原子％の間で含む。炭素ケイ素窒化物に対する好ましい組成は、約４５原子％のケイ素、約１５原子％の炭素、及び約４０原子％の窒素である。
【００２２】
上に紹介した実施形態では、接着層２６は、炭素と混合したケイ素、又は炭素及び窒素の両者と混合したケイ素の非晶質皮膜である。それぞれの実施形態に対する非晶質混合物は、ケイ素、炭素及び窒素原子の不規則分布である。それ故、説明した実施形態に関する前記の名称（ＣＳｉＣ、ＣＳｉＮ）は、予測可能な又は反復可能な元素間の結合パターンを示唆しない。全ての実施形態及び接着層２６の組成範囲は、原子％として記載される。
【００２３】
接着層２６が、第二の元素及び任意選択の第三の元素と混合されたケイ素の非晶質混合物である時、接着層２６は、ケイ素単独の接着層に比較して顕著な利点を示す。接着層２６（ＳｉａＣｂＮｃ）は、ＤＬＣ層２４に関係なく、被膜２０に耐食性を与える。更に、接着層２６の表面２２への拡散がほんの少しになる。このようにして、ＤＬＣ層２４に対して適切な接着力を与える均質な層を形成するために、多量の接着層２６を表面２２上に堆積させる必要がなくなる。したがって、接着層２６の厚さＴＡが減少できる。更にいっそう有利なことに、接着層２６が耐食性であるので、ＤＬＣの厚さＴＤも減少できる。このように、被膜２０の総皮膜厚さＴＴの減少が２倍になる。
【００２４】
接着層２６が独特の組成をもつ故に、磁気記録ヘッド用保護被膜の現行の構成に比較して、保護被膜２０の厚さをより薄くすることができる。被膜２０の総厚さＴＴが減少する結果として、ヘッド媒体離隔距離ＨＭＳが減少する。保護被膜２０の厚さが薄くなるにも拘わらず、保護被膜２０は、接着層２６の組成のために、十分な接着力及び耐食性を有する。接着層２６の追加の利点は、本質的にケイ素単独の接着層に比較して、改善された耐酸化性である。
【００２５】
一方、増進した腐食頑健性が必要になるか、又は望まれる場合、保護被膜２０は、磁気記録ヘッド用保護被膜の現行の構成に匹敵する厚さをもつように設計することができる。接着層２６の組成により、被膜２０は、匹敵する厚さを有する現行の被覆に比較して、より大きい耐食性を示すであろう。
【００２６】
現行の設計に比較して、薄い被膜２０を達成し、かつヘッド媒体離隔距離ＨＭＳを減少するために、接着層２６の厚さＴＡのための適切な範囲は、約４と１０Åの間であり、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤのための適切な範囲は、約７と１５Åの間である。したがって、保護被膜２０の総厚さＴＴは、一貫して約２５Å未満である。好ましい範囲では、保護被膜２０の総厚さＴＴは、約１２と２０Åの間である。
【００２７】
被膜２０の総厚さＴＴを最小にする代わりに、被膜２０の全体の耐食性を増大させる意図がある場合、接着層２６の厚さＴＡのための適切な範囲は、約１０と１５Åの間であり、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤのための適切な範囲は、約１５と２０Åの間である。これらの実施形態において、保護被膜２０の総厚さＴＴは、約２５と３０Åの間である。
【００２８】
特別な実施形態に関連して接着層２６を説明したが、ケイ素と混合された時に望まれる接着性及び耐食性を示す追加的な成分は、本発明の範囲に属する。
【００２９】
接着層２６は、蒸発、スパッタリング又はプラズマ堆積（これらに限定されない）を含む任意の既知の薄膜堆積技術を用いて形成できる。通常、接着層２６は、物理蒸着法によりスライダ１０の表面２２上に堆積される。好ましい方法では、接着層２６は、イオンビームスパッタ蒸着法又はＤＣ‐マグネトロンスパッタリング法により形成される。しかし、殆どどのようなタイプの物理蒸着法又は化学蒸着法でも使用できる。
【００３０】
同様に、ＤＬＣ層２４は、任意の既知の薄膜堆積技術を用いて形成できる。好ましい方法では、ＤＬＣ層２４は、フィルターカソードアーク（ＦＣＡ）源を用いて堆積できる。
【００３１】
業界で知られているように、層２６及び層２４が堆積される時、接着層２６の厚さＴＡ及びＤＬＣ層２４の厚さＴＤを監視し、測定するために、楕円偏光計が用いられる。接着層２６の組成（即ち、ケイ素、炭素、及びある実施形態では窒素の原子％）を分析するために、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）が用いられる。組成を分析するその他の方法は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）及び二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）（それらに限定されない）を含む。
【００３２】
上に説明したように、保護被膜２０は、読取り及び／又は書込み変換器１８を含む、スライダ２０の全表面２２上に堆積させられる。しかし、被膜２０が、スライダ１０の全表面２２を必ずしも被覆する必要がないこと、かつ変換器１８を含む、腐食を受けやすい表面２２部分に限り被覆されればよいことが認識される。同時に、スライダ１０の表面２２の特定部分を選択的に被覆することは、時間がかかり、コストがかかるということが認識される。更に、スライダ１０の全表面２２を被覆することにとって、摩擦学的利点を含む、追加の二次的な利点が存在する。
【実施例】
【００３３】
本発明は、以下の実施例において、より具体的に説明されるが、実施例は具体的な説明を意図したものであって、多くの変性及び変更が、本発明の範囲内で当業者に明らかである。以下の実施例の組成は、原子％に基づいている。
【００３４】
（実施例１〜６）
実施例１〜６は、接着層２６及びＤＬＣ層２４の組成においては、本質的に同一であった。接着層２６及びＤＬＣ層２４の形成方法は、実施例１〜６にわたり本質的に同一であった。実施例１〜６の間の変動要素は、接着層２６の厚さＴＡ及びＤＬＣ層２４の厚さＴＤであった。
【００３５】
実施例１〜６は、炭素ケイ素窒化物ターゲットを用いて開始された。代替法として、ケイ素炭化物ターゲットを用いることができ、かつ、処理中に窒素ガスを環境に加えて、炭素ケイ素窒化物の接着層を形成することができた。炭素ケイ素窒化物ターゲットを用いた場合、ターゲット組成は、約４５原子％のケイ素、約１５原子％の炭素、及び約４０原子％の窒素であった。接着層２６の実際の組成は、イオンビーム堆積法に基づいて僅かに変動する可能性がある。接着層２６の組成は、Ｘ線光電子分析法（ＸＰＳ）の深さ分布技術により測定できる。
【００３６】
実施例１〜６では、接着層２６は、イオンビームスパッタ蒸着法によりスライダ１０の表面２２上に堆積された。イオンビームに関する本方法の因子は、約５５０ボルトのビーム電圧、約２００ｍＡのビーム電流、及び約２００ボルトのサプレッサ（ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）電圧を含む。接着層２６の厚さＴＡは、インシチュー楕円偏光計を用いて、蒸着作業の間監視された。
【００３７】
ＤＬＣ層２４は、フィルターカソードアーク（ＦＣＡ）堆積法を用いて、接着層２６上に堆積させた。ＤＬＣ層２４の厚さＴＤは、同様に、インシチュー楕円偏光計を用いて、堆積作業の間監視された。
【００３８】
以下の表１は、実施例１〜６のそれぞれに対する、接着層２６及びＤＬＣ層２４の厚さＴＡ及びＴＤの概略を表す。また、表１は、保護被膜２０の総厚さＴＴを示す。また、以下の表１に掲載した、比較例Ａは、対照試料として含まれた。比較例Ａにおいて、接着層２６の組成は、本質的には純粋なケイ素であった。
【００３９】
【表１】
0005396597.tif 000002
＊上に説明したように、比較例Ａの接着層２６は、純粋なケイ素であった。
【００４０】
実施例１〜６及び比較例Ａについて試験を実施し、純粋なケイ素からなる接着層（比較例Ａ）に比較して、接着層２６（炭素ケイ素窒化物）の組成の結果として、接着層２６及びＤＬＣ層２４の耐食性を精査した。
【００４１】
実施例１〜６及び比較例Ａについて、直流（ＤＣ）ポーラログラフィ試験を実施して、比較例Ａに比較して、実施例１〜６の腐食特性を考察した。試験条件は、０．０５Ｍの塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）溶液、約５．４と５．７の間に制御されたｐＨ値、約１ｃｍ２の試験面積、室温での試験を含んだ。ポテンシオスタットを用いて、電気化学ポテンシャルを負の電位から正の電位まで走査し、ポテンシャルの関数として流れた電流を測定した。電流は、腐食速度に本質的に比例する。図２に、ターフェルのプロットを用いて、実施例１〜６及び比較例Ａについて、直流ポーラログラフィ試験の結果を図解した。
【００４２】
図２は、ポテンシャルの関数として電流をプロットしたものである。皮膜破損を示すことなく、皮膜がより高い電流に耐えることができるならば、皮膜はより高い耐食性を表す。この皮膜破損は、点蝕及び皮膜の耐食能力の衰弱を表すメカニズムを含むものとする。皮膜破損は、相対的に一定したポテンシャルにおいて、電流が急激に増加する特殊な見本として示される。破壊までにより高いポテンシャルに耐える能力が好ましい。
【００４３】
比較例Ａは、約０．８７５ボルトのポテンシャルで破損を示す。（図２における破線矢印は、比較例Ａについて皮膜破損が起きた位置を示す。実施例１〜６は、比較例Ａについて特徴付けられたものに類似した曲線のシフトがあった時、皮膜破損があったことを示した。）実施例１及び４は、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤが、それぞれ、８Å及び７Åであり、両者とも、より低いポテンシャルで破損を示した（約０．６５及び０．７ボルト）。実施例２〜３及び５〜６は、１．０ボルトまでのポテンシャルでは破損を示さなかった。
【００４４】
図２のターフェルのプロットは、実施例１及び４に見られるように、ＤＬＣ層２４が薄すぎる場合（例えば、７又は８Å）、被膜２０は、より低いポテンシャルで破損を示すであろうことを示している。しかし、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤは、１０Åに減少させることができ（実施例３を参照）、かつ１２．５Åに等しい厚さＴＤを有する比較例Ａに比較して、より大きい耐食性を示すことができる。接着層２６は、炭素及び窒素を添加したことで、耐食性に貢献しているので、ＤＬＣ層２４が被膜２０の全体の耐食性に対し単独で寄与するものではない故、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤは減少可能である。
【００４５】
また、ターフェルのプロットは、ＤＬＣ層２４の厚さＴＤが１０Å以上である限り、より低いポテンシャルで破損が発現することなく、接着層２６の厚さＴＡを約４Åに減少することができることを示す。このように、比較例Ａの総被膜厚さ以下の総被膜厚さＴＴを有する実施例２〜３及び５〜６は、接着層が本質的に純粋なケイ素である比較例Ａに比較して、より耐食性である。
【００４６】
（実施例７〜８）
実施例７及び８は、接着層２６及びＤＬＣ層２４の組成において、互いに、本質的に同一であった。接着層２６及びＤＬＣ層２４の形成方法は、実施例７及び８と本質的に同一であった。実施例１〜６のように、実施例７及び８の変動要素は、接着層２６の厚さＴＡ及びＤＬＣ層２４の厚さＴＤであった。
【００４７】
実施例７及び８は、約１９から２１原子％のケイ素及び約７９から８１原子％の炭素からなる炭素ケイ素炭化物ターゲットを用いて開始された。接着層２６の実際の組成は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）深さ分布技術により調べられる。
【００４８】
実施例７及び８において、接着層２６は、イオンビームスパッタ蒸着法により、スライダ１０の表面２２上に堆積させられる。この過程の因子及び監視システムは、実施例１〜６を参考にして上に記載したものと同等であった。また、実施例１〜６と同様に、実施例７及び８においても、フィルターカソードアーク（ＦＣＡ）堆積法により、接着層２６上にＤＬＣ層２４を堆積させた。
【００４９】
表２は、実施例７及び８について、接着層２６及びＤＬＣ層２４の厚さＴＡ及びＴＤ、及び保護被膜２０の総厚さＴＴの概略を表す。また、以下の表２に記載された比較例Ａ（表１の）が、再度、対照試料として用いられた。比較例Ａにおいて、接着層２６の組成は、本質的に純粋なケイ素であった。
【００５０】
【表２】
0005396597.tif 000003
＊上で説明したように、比較例Ａの接着層２６は純粋なケイ素であった。
【００５１】
実施例１〜６で実施したものと同様な試験が、実施例７及び８についても実施され、接着層２６が炭素ケイ素炭化物である場合の接着層２６及びＤＬＣ層２４の性能を、本質的純粋なケイ素からなる接着層（比較例Ａ）と比較した。
【００５２】
実施例７〜８及び比較例Ａについて、直流ポーラログラフィ試験（試験条件は上で実施例１〜６について行ったものと同様である）を実施し、比較例Ａと比較して実施例７〜８の腐食特性を考察した。図２のプロットと同様に、図３のターフェルのプロットは、実施例７〜８及び比較例Ａに対する直流ポーラログラフィ試験の結果を示す。
【００５３】
図３は、ポテンシャルの関数として電流をプロットしたものである。上に述べたように、被膜が、皮膜破損を示さずに高電流に耐えることができる場合、この被膜は該当する金属基板に適正な耐食性を付与する。
【００５４】
図２を参照して上に述べたように、比較例Ａは、約０．８７５ボルトのポテンシャルで破損を示した。（図２と同様に、図３において、破線の矢印は、比較例Ａについて皮膜破損が発現したことを示す。実施例７〜８は、比較例Ａについて特徴付けられたものに類似した曲線のシフトがあった時、皮膜破損があったことを示した。）より薄い接着層２６及び僅かに薄いＤＬＣ層２４を有する実施例８は、比較例Ａの破損に似た破損の結果を示した。再び、図３の結果は、接着層２６が炭素のような非ケイ素成分を含む場合には、耐食性を犠牲にすることなく、被膜２０をより薄くできることを示している。同様に、接着層２６が、ケイ素だけを含有する接着層と同一の厚さである場合、接着層２６は、比較するならば、改善された耐食性を有するであろう。
【００５５】
また、図２から得られた結果に準じて、図３は、ＤＬＣ層２４が薄すぎる（約１０Å未満）場合、接着層２６の厚さＴＡにかかわらず、より低いポテンシャルで皮膜破損が起きることを例証する。
【００５６】
本発明は、十分な接着特性及び耐食性を示す薄い接着層に関係する。本発明は、磁気読取り及び／又は書込みヘッドのための保護被膜を基準にして上に説明したが、本発明は、薄い被膜が好ましく又は必要とされるかもしれないその他の用途で使用できることが認識される。例えば、本発明は、ディスク駆動システム又は任意のその他の金属基板の別の部品として使用することができる。
【００５７】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明されたが、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、型式で及び細部で、変更を行うことができることを当業者は認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１Ａ】本発明が適用されるディスク駆動機構のスライダの説明図である。
【図１Ｂ】スライダ表面上に形成された保護被膜の拡大説明図である。
【図２】保護被膜の耐食性を説明する、電位差の関数として表した電流のグラフである。
【図３】保護被膜の耐食性を説明する、電位差の関数として表した電流のグラフである。
【符号の説明】
【００５９】
１０  スライダ
１２  ディスク
１４  リーディングエッジ
１６  トレーリングエッジ
１８  読取り及び／又は書込み変換器
２０  保護被膜
２２  スライダの表面
２４  ＤＬＣ層
２６  接着層
２８  炭素層
３０  潤滑層
３２  ディスクの表面
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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