(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置のための支持テーブルであって、
その上面上で基板の下面を支持する支持セクションと、
前記支持セクションに熱エネルギーを供給し、及び／又は、前記支持セクションから熱エネルギーを除去する調節システムと、を備え、
基板が前記支持セクションによって支持されると、該基板は前記支持セクションに熱結合され、よって前記調節システムが前記支持セクションに熱エネルギーを供給するか又は前記支持セクションから熱エネルギーを除去すると、次にエネルギーがそれぞれ前記支持セクションから前記基板へ又は前記基板から前記支持セクションへと伝達され、
前記支持セクション、前記調節システム又はその両方は、前記調節システムの動作の結果として、前記基板の中心にある前記基板の第２の領域より、前記基板の縁部に隣接した前記基板の第１の領域で、前記基板の単位面積当たりの前記基板への又は前記基板からの前記熱伝達が大きくなるように構成され、
前記調節システムは、前記基板の前記第２の領域に熱結合された前記支持セクションの第２の領域より、前記基板の前記第１の領域に熱結合された前記支持セクションの第１の領域で、前記支持セクションの前記上面の単位面積当たり多くの熱エネルギーを前記支持セクションに提供できるように構成されたヒータシステムを備え、
前記ヒータシステムは、複数の個別に制御可能なヒータユニットを備え、前記支持セクションの前記第１の領域に少なくとも１つのヒータユニットが設けられ、且つ前記支持セクションの前記第２の領域に少なくとも１つの他のヒータユニットが設けられる、支持テーブル。
【請求項２】
前記ヒータシステムは、前記支持セクションの前記第２の領域より、前記支持セクションの前記第１の領域で、前記支持セクションの前記上面の単位面積当たりの加熱要素の長さが長くなるように配置された細長い電気加熱要素を備える、請求項１に記載の支持テーブル。
【請求項３】
前記調節システムは、調節流体を搬送するように構成された流路を前記支持セクション内に備え、
前記流路は、前記基板の前記第１の領域に熱結合された前記支持セクションの第１の領域と、前記基板の前記第２の領域に熱結合された前記支持セクションの第２の領域とを通過するように構成される、請求項１又は２に記載の支持テーブル。
【請求項４】
前記流路の断面積は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で小さい、及び／又は、
前記流路の表面粗さは、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で大きい、及び／又は、
前記流路は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で多数の角を有し及び／又は急角度の角を有し、及び／又は、
前記流路の断面の周囲は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で大きい、及び／又は、
前記流路の第１のセクションと前記流路の隣接する第２のセクションとの間隔は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で小さい、及び／又は、
前記支持セクションの前記上面の所与の面積に対応する前記流路の総体積は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で大きい、請求項３に記載の支持テーブル。
【請求項５】
前記流路内の前記調節流体に熱を供給するように構成された流路ヒータをさらに備える、請求項３又は４に記載の支持テーブル。
【請求項６】
前記流路ヒータは、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で、前記流路の表面積の大きい部分に熱を供給するように構成され、及び／又は、
前記流路ヒータは、複数のヒータを備え、該複数のヒータの空間密度は、前記支持セクションの前記第２の領域より前記支持セクションの前記第１の領域で大きい、請求項５に記載の支持テーブル。
【請求項７】
前記調節システムは、前記調節流体が前記支持セクションの前記第１の領域内に位置した前記流路の端部に提供され、且つ前記支持セクションの前記第２の領域内に位置した前記流路の端部から抽出されるように構成される、請求項３から６のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項８】
前記支持セクションと前記基板の前記第１の領域との間の空間に、前記支持セクションと前記基板の前記第２の領域との間の空間にある気体より高い熱伝導率を有する気体を提供するように構成された気体ハンドリングシステムをさらに備える、請求項１から７のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項９】
前記支持セクションの前記上面は、前記支持セクション上に支持された基板の下面に実質的に平行になるように構成された底面と、前記底面から突出する複数のバールとを備え、基板が前記支持セクションによって支持されるとき、前記バールの上面に接触するだけである、請求項１から８のいずれかに記載の支持テーブル。
【請求項１０】
前記支持セクションによって支持された前記基板の前記第１の領域と接触する前記バールの上面は、前記基板の前記第２の領域と接触する前記バールの上面より低い表面粗さを有するように構成される、及び／又は、
前記バールは、前記支持セクションの前記上面に平行な方向における前記バールの剛性が、前記基板の中心にある前記基板の第２の領域と接触するバールよりも、前記基板の縁部に隣接する前記基板の第１の領域と接触するバールの方が高くなるように、構成され、且つ、前記支持セクションの前記上面に直角の方向における前記バールの剛性が、前記基板の前記第１及び第２の領域に接触するバールで実質的に同じになるように、構成される、請求項９に記載の支持テーブル。
【請求項１１】
前記支持セクションは、前記基板の前記第２の領域より前記基板の前記第１の領域で、前記支持セクションによって支持された基板と接触する前記バールの前記基板の単位面積当たりの総面積が大きくなるように構成される、請求項９又は１０に記載の支持テーブル。
【請求項１２】
前記支持セクションによって支持された基板の前記第１の領域と接触する前記バールの各々の前記上面は、前記基板の前記第２の領域と接触する前記バールの各々の前記上面より大きい、及び／又は、
前記支持セクションによって支持された基板と接触する前記バールの前記基板の単位面積当たりの数は、前記基板の前記第２の領域より前記基板の前記第１の領域で多い、及び／又は、
前記支持セクションは、前記底面と前記支持セクションによって支持された基板との間の間隔が前記基板の前記第２の領域より前記基板の前記第１の領域で小さくなるように、構成され、及び／又は、
前記支持セクションによって支持された基板の前記第１の領域と接触するように配置された少なくとも１つのバールが、前記基板と接触するように構成された上面と、前記第１の部分より少なく前記底面から突出している第２の部分とを備え、及び／又は、
前記支持セクションの前記上面は、前記上面の第１の領域に配置された突出部をさらに備え、該突出部は前記支持セクションによって支持された基板の前記第１の領域と熱結合するように構成され、該突出部はまた前記バールより少なく前記底面から離れるよう突出するように構成される、請求項１１に記載の支持テーブル。
【請求項１３】
前記支持セクションの前記上面が前記突出部をさらに備える場合、
前記突出部は、前記支持セクションの第２の領域を囲む環を形成するように構成され、該環は、前記支持セクションによって支持された基板の前記第２の領域と熱結合するように配置され、及び／又は、
前記突出部は、使用時に流体の層が、前記突出部上に保持され且つ前記支持セクション上に支持された基板と接触するように構成される、請求項１２に記載の支持テーブル。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の支持テーブルを備えるリソグラフィ装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のリソグラフィ装置を使用して、パターニングデバイスから基板へパターンを転写することを含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置の支持テーブル、リソグラフィ装置、及びリソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に液浸することが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、別の液体を使用することもできる。本発明の実施形態は、液体について説明されている。しかし別の流体、特にウェッティング流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に望ましい。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水、又はナノ粒子の懸濁（例えば最大１０ｎｍの最大寸法の粒子）がある液体などの、他の液浸液も提案されている。懸濁粒子は、これが懸濁している液体と同様の屈折率又は同じ屈折率を有しても、有していなくてもよい。適切になり得る他の液体は、芳香族などの炭化水素、フルオロハイドロカーボン、及び／又は水溶液である。
【０００４】
[0004]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００５】
[0005]  液浸装置では、液浸流体は、流体ハンドリングシステム、デバイス構造又は装置によってハンドリングされる。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、液浸流体を供給することができ、それ故、流体供給システムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、少なくとも部分的に液浸流体を閉じ込めることができ、それにより、流体閉じ込めシステムである。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、流体へのバリアを提供することができ、それにより、流体閉じ込め構造などのバリア部材である。ある実施形態では、流体ハンドリングシステムは、ガスのフローを生成又は使用して、例えば、液浸流体のフロー及び／又は位置を制御するのを助けることができる。ガスのフローは、液浸流体を閉じ込める封止を形成することができ、したがって、流体ハンドリング構造を封止部材と呼ぶこともできる。このような封止部材は、流体閉じ込め構造であってもよい。ある実施形態では、液浸液は、液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリングシステムは、液体ハンドリングシステムであってもよい。上記説明に関して、本節で流体に関して定義されたフィーチャへの言及は、液体に関して定義されたフィーチャを含むと考えてもよい。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  リソグラフィ装置内で液浸流体を使用すると、特定の問題点が持ち込まれることがある。例えば液浸流体を使用した結果、リソグラフィ装置内に追加の熱負荷が生じることがあり、これが基板上に像を形成する精度に影響することがある。
【０００７】
[0007]  場合によっては、熱負荷が基板全体で不均一なことがあり、その結果、像に不均一な変動が生じる。例示により、熱負荷は流体ハンドリングシステムの動作及び／又は液浸流体の蒸発によって引き起こされることがある。これらの効果は、基板の部分に局所化することができる。その結果、基板に局所的な温度変化が生じることがあり、その結果、基板に局所化された熱膨張又は熱収縮が生じる。これは、オーバレイ誤差及び／又はクリティカルディメンション（ＣＤ）の局所的な変動につながることがある。
【０００８】
[0008]  例えば、局所的な熱負荷の影響を低減することができるシステムを提供することが望ましい。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置のための支持テーブルであって、その上面上で基板の下面を支持するように構成された支持セクションと、支持セクションに熱エネルギーを供給し、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムとを備え、基板が支持セクションによって支持されると、支持セクションに熱結合され、よって調節システムが支持セクションに熱エネルギーを供給するか、又はそこから熱エネルギーを除去すると、次にエネルギーがそれぞれ支持セクションから基板へ、又は基板から支持セクションへと伝達され、支持セクション、調節システム、又はその両方が、調節システムの動作の結果として、基板の中心にある基板の第２の領域より、基板の縁部に隣接した基板の第１の領域で、基板の単位面積当たりの基板への又はからの熱伝達が大きくなるように構成される、支持テーブルが提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置のための支持テーブルであって、
支持セクションの上面上で基板の下面を支持するように構成された支持セクションを備え、支持セクションの上面が、支持セクションに支持されている場合に基板の下面に実質的に平行になるように構成された底面を備え、さらに、底面から突出する複数のバールであって、基板が支持セクションによって支持されると基板がバールの上面と接触するだけであるように配置された複数のバールを備え、
前記バールは、支持セクションの上面に平行な方向におけるバールの剛性が、基板の中心にある基板の第２の領域と接触するバールよりも、基板の縁部に隣接する基板の第１の領域と接触するバールの方が高くなるように、構成され、且つ、支持セクションの上面に直角の方向におけるバールの剛性が、基板の第１及び第２の領域に接触するバールで実質的に同じになるように、構成される、支持テーブルが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
[0011]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0012]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0013]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。
【図３】[0013]リソグラフィ投影装置に使用する液体供給システムを示す。
【図４】[0014]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。
【図５】[0015]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを示す。
【図６】[0016]リソグラフィ投影装置に使用する別の液体供給システムを断面図で示す。
【図７】[0017]本発明の実施形態に使用することができる支持テーブルを断面図で示す。
【図８】[0018]本発明の実施形態に使用することができる支持テーブルの構成を平面図で示す。
【図９】[0019]本発明の実施形態による支持テーブルを平面図で示す。
【図１０】[0020]本発明の実施形態による支持テーブルの部分の詳細を平面図で示す。
【図１１】[0020]本発明の実施形態による支持テーブルの部分の詳細を平面図で示す。
【図１２】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１３】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１４】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１５】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１６】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１７】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１８】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図１９】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図２０】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図２１】[0021]本発明の実施形態により使用することができる支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【図２２】[0022]本発明の実施形態に使用することができる基板ハンドリング装置を示す。
【図２３】[0023]本発明の実施形態による支持テーブルの部分を平面図で示す。
【図２４】[0024]本発明の実施形態による支持テーブルの部分を断面図で示す。
【図２５】[0025]本発明の実施形態による支持テーブルの詳細を断面図で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、
−  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１３】
[0027]  照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１４】
[0028]  支持構造ＭＴはパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１５】
[0029]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００１６】
[0030]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１７】
[0031]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００１８】
[0032]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００１９】
[0033]  リソグラフィ装置は、２つ以上のテーブル（又はステージ又は支持体）、例えば２つ以上の基板テーブル、又は１つ又は複数の基板テーブルと１つ又は複数のクリーニング、センサ又は測定テーブルとの組合せなどを有するタイプとすることができる。例えばある実施形態では、リソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置決めされた２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルは１つ又は複数のオブジェクトを備え、及び／又は保持する。ある実施形態では、テーブルのうち１つ又は複数は放射線感応性基板を保持することができる。ある実施形態では、テーブルのうち１つ又は複数は投影システムからの放射を測定するセンサを保持することができる。ある実施形態では、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわち、基板テーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以降は一般に、測定、センサ及び／又はクリーニングテーブルと呼ぶが、これに限定されない）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外に１つ又は複数のオブジェクトを備える、及び／又は保持することができる。このような１つ又は複数のオブジェクトには、以下から選択される１つ又は複数がある。すなわち、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ又は複数の位置合わせマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造をクリーニングする）クリーニングデバイスである。
【００２０】
[0034]  このような「複数ステージ」（又は「マルチステージ」）機械では、複数のテーブルを並列に使用でき、あるいは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実施することができる。リソグラフィ装置は、基板、センサ及び測定テーブルと同様に並列に使用できる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ若しくは支持体）を有していてもよい。
【００２１】
[0035]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は装置のコンポーネントの位置、速度などを測定するエンコーダシステムを備えていてもよい。ある実施形態では、コンポーネントは基板テーブルを含んでいる。ある実施形態では、コンポーネントは測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブルを含んでいる。エンコーダシステムは本明細書に記載のテーブル用の干渉計システムの追加、又はその代替であってもよい。エンコーダシステムは、センサ、トランスデューサ、又は目盛又はグリッドを有する例えば１対の関連する読み取りヘッドを備えている。ある実施形態では、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又はグリッドと、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドは、１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する。ある実施形態では、コンポーネントがそれに対して移動するリソグラフィ装置のフレームは１つ又は複数の目盛又はグリッドを有し、可動コンポーネント（例えば基板テーブル及び／又は測定及び／又はセンサ及び／又は洗浄テーブル）は１つ又は複数の目盛又は１つ又は複数のグリッドと連係してコンポーネントの位置、速度などを判定する１つ又は複数のセンサ、トランスデューサ、又は読み取りヘッドを有している。
【００２２】
[0036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２３】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。放射源ＳＯと同様、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成すると考えてもよいし、又は考えなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよく、又はリソグラフィ装置とは別の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、イルミネータＩＬをその上に搭載できるように構成することもできる。任意選択として、イルミネータＩＬは着脱式であり、別に提供されてもよい（例えば、リソグラフィ装置の製造業者又は別の供給業者によって）。
【００２４】
[0038]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めできる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分Ｃの間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２５】
[0039]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２６】
[0040]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２７】
[0041]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２８】
[0042]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２９】
[0043]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３０】
[0044]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどのマイクロスケール、更にはナノスケールのフィーチャを有するコンポーネントの製造である。
【００３１】
[0045]  投影システムＰＳの最終要素と基板との間に液体を提供する構成は、３つの一般的なカテゴリに分類できる。これらは、浴槽タイプの構成、いわゆる局所液浸システムと、オールウェット液浸システムである。浴槽タイプの構成では、実質的に基板Ｗの全体と、任意選択で基板テーブルＷＴの一部が液体の浴槽に浸される。
【００３２】
[0046]  局所液浸システムは、液体が基板の局所領域にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって充填された空間は、基板の上面より平面視で小さく、液体によって充填される領域は、その領域の下を基板Ｗが移動している間、投影システムＰＳに対して実質的に静止している。図２〜図６は、そのようなシステムで使用することができる異なった供給デバイスを示す。液体を局所領域に封止する封止特徴部が存在する。提案されているこれを配置する方法の１つが、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。
【００３３】
[0047]  オールウェット構成では、液体は閉じ込められない。基板上面の全体と基板テーブルの全部又は一部が液浸液に覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは小さい。液体は、基板上の液体の薄膜などの膜であってもよい。液浸液は、投影システムと投影システムに対向する対向面（そのような対向面は基板及び／又は基板テーブルの表面であってもよい）に、又はその領域内に供給することができる。図２〜図５の液体供給デバイスのいずれもそのようなシステムで使用することができる。しかし、封止特徴部が存在しないか、活性化されていないか、通常より効率が落ちるか、又はその他の点で液体を局所領域にのみ封止する効果がない場合がある。
【００３４】
[0048]  図２及び図３に図示されているように、液体は、少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給される。液体は、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは両側に出口を持つ４組の入口が最終要素の周囲に規則的パターンで設けられる。液体のフローの方向は、図２及び図３に矢印で示されていることに留意されたい。
【００３５】
[0049]  局所液体供給システムを備える液浸リソグラフィの別の解決法が図４に図示されている。液体が、投影システムＰＳのいずれかの側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の別個の出口によって除去される。入口は、投影される投影ビームが通る穴が中心にあるプレートに配置することができる。液体は、投影システムＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影システムＰＳの他方側にある複数の別個の出口によって除去されて、投影システムＰＳと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れを引き起こす。どの組合せの入口と出口を使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口及び出口は動作しない）。流体のフローの方向と基板Ｗの方向は図４に矢印で示されていることに留意されたい。
【００３６】
[0050]  提案されている別の構成は、液体供給システムに液体閉じ込め構造を提供する構成である。液体閉じ込め構造は、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。そのような構成を図５に示す。
【００３７】
[0051]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、メッシュ又は同様の多孔質材料で覆われた入口を有する液体除去デバイスを有する液体閉じ込め構造を備えている。メッシュ又は同様の多孔質材料は、投影システムの最終要素と可動テーブル（例えば基板テーブル）との間の空間で液浸液と接触する二次元配列の穴を備えている。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はハニカムメッシュ又はその他の多角形メッシュを含んでいる。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料はリソグラフィ装置の投影システムの画像フィールドの周囲全体に延在する。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は液体閉じ込め構造の底面に位置し、テーブルの方向に面する表面を有している。ある実施形態では、メッシュ又は同様の多孔質材料は、テーブルの上面と全体的に平行な底面の少なくとも一部を有している。
【００３８】
[0052]  図５は、流体ハンドリング構造１２を有する局所液浸システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間に空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。（以下の説明で、基板Ｗの表面という表現は、明示的に断りのない限り、追加的に又は代替的に、基板テーブルの表面も意味することに留意されたい。）流体ハンドリング構造１２はＸＹ平面内で投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）には相対運動があってもよい。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２と基板Ｗとの間に封止が形成され、封止はガスシール（ガスシールを備えたこのようなシステムが欧州特許出願公開ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールなどの非接触封止であってもよい。
【００３９】
[0053]  流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液体を封じ込める。液体が基板Ｗの表面と投影システムＰＳの最終要素との間の空間１１内に閉じ込められるように、基板Ｗへの非接触封止１６を投影システムＰＳのイメージフィールドの周囲に形成することができる。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下に位置しそれを取り囲む流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、液体入口１３によって投影システムＰＳの下の空間及び流体ハンドリング構造１２内に流し込まれる。液体は、液体出口１３によって除去することができる。流体ハンドリング構造１２は、投影システムの最終要素から上に少し延在することができる。液体のバッファが提供されるように、液面は最終要素より上に上昇する。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、上端で、投影システム又はその最終要素の形状にぴったりと一致する、例えば円形の内周を有する。底部で、内周は、イメージフィールドの形状、例えば矩形にぴったりと一致するが、これはそうでなくてもよい。
【００４０】
[0054]  液体は、流体ハンドリング構造１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１内に封じ込められてもよい。ガスシールは気体によって形成される。ガスシール内の気体は、圧力を受けて入口１５を介して流体ハンドリング構造１２と基板Ｗの間のギャップに提供される。気体は出口１４を介して抽出される。気体入口１５での正圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める内側への高速の気体フロー１６が存在するように構成される。流体ハンドリング１２と基板Ｗとの間の液体にかかる気体の力が液体を空間１１に封じ込める。入口／出口は、空間１１を取り囲む環状の溝であってもよい。環状の溝は連続していてもよいし、又は不連続であってもよい。気体フロー１６は、空間１１内に液体を封じ込める効果がある。このようなシステムは、参照によりその全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号に開示されている。ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２はガスシールを有しない。
【００４１】
[0055]  図６は、液体供給システムの一部である流体ハンドリング構造１２を示す。流体ハンドリング構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周辺（例えば周囲）の周りに延在する。
【００４２】
[0056]  部分的に空間１１を画定する表面の複数の開口２３が液体を空間１１に提供する。液体は、空間１１に流入する前にそれぞれのチャンバ３４、３６をそれぞれ通って側壁２８、３２の開口２９、２３を通過する。
【００４３】
[0057]  流体ハンドリング構造１２の底面と、例えば基板Ｗ、又は基板テーブルＷＴ、又は両方である対向面の間にシールが設けられる。図６では、シールデバイスは非接触シールを形成するように構成され、幾つかのコンポーネントから成っている。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側に、空間１１内に延在する（任意選択の）フロー制御板５３が設けられている。制御板５３は、液体がそれを通って流れることができる開口５５を有していてもよい。開口５５は、制御板５３が（例えば投影システムＰＳの光軸と平行な）Ｚ方向に変位する場合に有利であり得る。例えば基板Ｗである対向面に面する（例えば反対側）流体ハンドリング構造１２の底面上にフロー制御板５３の半径方向外側には、開口１８０があってもよい。開口１８０は対向面に向かう方向に液体を供給することができる。この液は、結像中に基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップを満たすことによって液浸液中に泡が形成されることを防止するのに有用であり得る。
【００４４】
[0058]  開口１８０の半径方向外側に、流体ハンドリング構造１２と対向面との間から液体を抽出するための抽出器アセンブリ７０があってもよい。抽出器アセンブリ７０は単相抽出器として、又は二相抽出器として動作してもよい。抽出器アセンブリ７０は液体のメニスカス３２０のメニスカスピニングフィーチャとして動作する。
【００４５】
[0059]  抽出器アセンブリの半径方向外側にはガスナイフ９０を設けてもよい。抽出器アセンブリとガスナイフの配置は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６／０１５８６２７号に詳細に開示されている。
【００４６】
[0060]  単相抽出器としての抽出器アセンブリ７０は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているような液体除去デバイス、抽出器、又は入口を含んでもよい。ある実施形態では、液体除去デバイス７０は、単一の液相の液体抽出を可能にするために液体をガスから分離するために使用される多孔質材料１１１で覆われた入口１２０を含んでもよい。多孔質材料１１１の穴内に形成されるメニスカスが、周囲ガスが液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に引き込まれることを実質的に防止するようなチャンバ１２１内の負圧が選択される。しかし、多孔質材料１１１の表面が液体と接触すると、フローを制限するメニスカスがなくなり、液体は液体除去デバイス７０のチャンバ１２１内に自由に流入することができる。
【００４７】
[0061]  多孔質材料１１１は、例えば直径などの幅などが５〜５０マイクロメートルの範囲の寸法を各々が有する多数の小さな穴を有している。多孔質材料１１１は、例えば基板Ｗの表面のような、液体がそこから除去される対向面などの表面から５０〜３００マイクロメートルの範囲の高さに保持されてもよい。ある実施形態では、多孔質材料１１１は少なくともやや親液性であり、すなわち例えば水などの液浸液に対するその動的接触角は９０°以下、望ましくは８５°以下、又は望ましくは８０°以下である。
【００４８】
[0062]  ガスナイフ９０の半径方向外側には、ガスナイフ９０からの気体及び／又はガスナイフ９０を越えて逃げることがある液体を除去するために１つ又は複数の出口２１０を設けることができる。ガスナイフ９０の１つ又は複数の出口の間に、１つ又は複数の出口２１０を位置決めすることができる。出口２１０への流体（気体及び／又は液体）の流路形成を容易にするために、ガスナイフ９０の出口から、及び／又はガスナイフ９０の出口の間から出口２１０に向かって配向された凹部２２０を液体閉じ込め構造１２内に設けることができる。
【００４９】
[0063]  図６には特に図示されていないが、液体供給システムは、液体のレベルの変動に対処する構成を有する。これは、投影システムＰＳと液体閉じ込め構造１２の間に蓄積する（そしてメニスカス４００を形成する）液体に対処することができ、これが逃げないようにするためである。この液体に対処する１つの方法は、疎液性（例えば疎水性）コーティングを設けることである。コーティングは、開口を囲む流体ハンドリング構造１２の頂部の周囲に、及び／又は投影システムＰＳの最終光学要素の周囲に帯を形成することができる。コーティングは、投影システムＰＳの光軸の半径方向外側とすることができる。疎液性（例えば疎水性）コーティングは、液浸液を空間１１内に維持するのを助ける。追加的に又は代替的に、構造１２に対して特定の高さに到達した液体を除去するために、１つ又は複数の出口２０１を設けることができる。
【００５０】
[0064]  別の局所領域の配置は、気体抗力原理を利用する流体ハンドリング構造である。いわゆる気体抗力原理は、例えば米国特許出願公開ＵＳ２００８−０２１２０４６号、ＵＳ２００９−０２７９０６０号、及びＵＳ２００９−０２７９０６２号に記載されている。このシステムでは、抽出穴は望ましくはコーナーを有する形状で配置される。コーナーはステップ方向、又はスキャン方向などの好ましい移動方向と位置合わせされてもよい。これによって、２つの出口が好ましい方向に垂直に位置合わせされた場合と比較して、好ましい方向での所与の速度の場合、流体ハンドリング構造の表面の２つの開口の間のメニスカスに加わる力が低減する。しかし、本発明のある実施形態は、平面図でみて任意の形状を有し、又は任意の形状で配置された抽出口などのコンポーネントを有する流体ハンドリングシステムに適用されてもよい。このような形状としては、円のような楕円、例えば四角形などの矩形のような直線形状、ひし形のような平行四辺形、又は４点星以上の星形のような５つ以上のコーナーを有するコーナー付きの形状が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５１】
[0065]  本発明の実施形態が関連する米国特許出願公開ＵＳ２００８／０２１２０４６Ａ１号のシステムの変化形態では、開口が配置されているコーナーを有する幾何形状によって、スキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされたコーナーにとって鋭角のコーナー（約６０°〜９０°、望ましくは７５°〜９０°、最も望ましくは７５°〜８５°）が存在できる。それによって位置合わせされた各コーナーの方向での速度を高めることが可能になる。これは、例えば臨界速度を超えるなど、スキャン方向での不安定なメニスカスによる液滴の生成が低減するからである。コーナーがスキャン方向とステップ方向の両方向に位置合わせされる場合は、これらの方向で速度上昇を達成し得る。スキャン方向とステップ方向での移動速度は実質的に等しいことが望ましい。
【００５２】
[0066]  リソグラフィ装置内で、基板を支持テーブル上に支持することができる。特に、支持テーブルは基板の下面を支持するように構成された支持セクションを含むことができる。支持セクションの上面は、例えば自身から突出する複数のバールを有する底面を含むことができる。基板の下面はバールの上面で支持することができる。このような構成は、基板の変形をもたらすような、支持テーブルと接触している基板の総面積を最小化するか又は減少させ、支持テーブルと基板の間に汚染物質が伝達される可能性を最小化するか又は減少させ、及び／又は基板と支持テーブル上のその支持体との間に汚染物質が位置決めされる可能性を最小化するか又は低減することができる。
【００５３】
[0067]  ある実施形態では、バールの周囲で基板の下にある空間は、負圧源に接続することができる。したがって、基板は支持テーブルに真空締め付けすることができる。
【００５４】
[0068]  局所的な熱負荷が基板及び／又は支持テーブルに作用する場合は、例えば基板内などに局所的な温度変動があることがあり、その結果、局所的な熱膨張又は熱収縮があり、これは基板の主要な上下面に平行な方向で最も重大である。しかし、基板の熱膨張及び／又は熱収縮には、基板が締め付けられている支持テーブルで抗することができる。特に、熱膨張及び／又は熱収縮に抗する力は、バールを介して基板に加えることができる。
【００５５】
[0069]  基板の中心に向かう領域には、基板の各局所部分の周囲にいずれの方向にもバールがある。これらの周囲のバールは、熱膨張及び／又は熱収縮に抗する力を提供することができる。しかし、基板の縁部付近の領域では、基板の中心に向かう方向でバールに接触するのみである。すなわち、基板の縁を越えた位置から熱膨張及び／又は熱収縮に抗して基板の領域に加えられる力はない。
【００５６】
[0070]  その結果、基板の局所領域に所与の温度変化がある場合、正味の、すなわち、バールとの接触によって提供される膨張又は収縮に対する抵抗を考慮した後の基板の熱膨張又は収縮は、基板の中心よりも基板の縁部付近の領域の方が大きくなる。
【００５７】
[0071]  この効果は、基板の局所的な熱負荷及び／又は局所的な温度変化によって引き起こされる熱膨張及び／又は収縮ばかりでなく、基板全体に均一に加えられる熱負荷及び／又は温度変化にも当てはまる。
【００５８】
[0072]  基板内の温度変化を低減するか又は最小化するために、支持テーブルの支持セクションに熱エネルギーを供給し、及び／又はそこから熱エネルギーを除去する調節システムを設けることができる。したがって、基板及び／又は支持テーブルにかかる熱負荷を補償するために、熱を供給又は除去することができる。調節システムは、支持テーブルにかかる熱負荷を補償するために、支持セクションに直接熱を提供するか、又はそこから直接熱を除去することができる。さらに、調節システムは、基板にかかる熱負荷を補償するために、熱が支持セクションから基板へと、又は基板から支持セクションへと流れるように支持セクションに熱を提供するか、又はそこから熱を除去することができる。
【００５９】
[0073]  本発明のある実施形態では、支持セクション、調節システム、又はその両方は、使用中に、調節システムの動作に由来する基板との間の熱伝達が基板全体で均一にならないように構成される。
【００６０】
[0074]  特にある実施形態では、システムは、基板の単位面積当たりの基板との間の熱伝達が、基板の中心、又はその付近に位置する１つ又は複数の領域よりも、基板の縁部にある基板の１つ又は複数の領域の方が大きいように構成される。すなわち、支持セクション及び／又は調節システムは、調節システムの効果が中心領域よりも基板の縁部領域にて大きくなるように構成される。
【００６１】
[0075]  このようなシステムは、所与の熱負荷にて、縁部領域における基板の温度変化を中心領域における基板の温度変化よりも小さくできるように構成することができる。これは、所与の局所的な温度変化の場合、結果となる基板全体の熱膨張及び／又は熱収縮について、以上で説明した変動を補償することができる。したがって、結果となる基板全体の膨張及び／又は収縮の変動を低減するか、又は最小化することができる。
【００６２】
[0076]  以下では、調節システムの動作中に基板の単位面積当たりの基板へ、又は基板からの熱伝達を基板の中心領域より縁部領域の方で大きくすることができる様々な実施形態について説明する。
【００６３】
[0077]  調節システムの効果が最大化されるか、又は増大する１つ又は複数の縁部領域から、調節システムの効果がそれほど大きくない基板の１つ又は複数の内部領域へと徐々に変化することがある。
【００６４】
[0078]  本発明のある実施形態では、支持セクション及び／又は調節システムは、調節システムの効果が大きくなる縁部領域と、調節システムの効果が比較的低下する中心領域との間に明確な区別があるように構成することができる。
【００６５】
[0079]  いずれのケースでも、縁部領域と中心領域との相対位置の構成は、調節システムの効果の変動により、上述したように局所的な温度変化に応じた基板の熱膨張及び／又は熱収縮の変動を最適に補償するために適切に選択することができる。
【００６６】
[0080]  本発明のある実施形態による支持テーブルは、以上の態様の任意の組合せを利用することができる。
【００６７】
[0081]  図７は、本発明の実施形態を設けることができる支持テーブルＷＴを概略的に示す。図７に示された実施形態は簡略化されており、本発明のある実施形態を説明するために必要ではない基板テーブルの形態は示されていない。にもかかわらず、本発明のある実施形態の支持テーブルには多くのこのような追加の形態を含めることができる。
【００６８】
[0082]  図示のように、支持テーブルＷＴは、基板Ｗを支持するように構成された支持セクション２２を含むことができる。特に、基板Ｗは複数のバール２０によって支持することができる。支持テーブルＷＴは、支持セクション２２に熱エネルギーを供給し、及び／又はそこから熱エネルギーを除去する調節システム２１をさらに含む。
【００６９】
[0083]  基板Ｗは、例えば基板Ｗの下面と物理的に接触しているバール２０を通した熱伝導によって、支持セクション２２に熱結合される。すなわち、調節システム２１が支持セクション２２に熱エネルギーを供給するか、又はそこから熱エネルギーを除去する場合、エネルギーは、支持セクションから基板に、又は基板から支持セクションにそれぞれ伝達される。
【００７０】
[0084]  以下で説明するように、支持セクション２２及び／又は調節システム２１は、動作中に、基板の単位面積あたりの基板へ、又は基板からの熱伝達が、基板の第２の内部領域２７よりも、基板Ｗの第１の外部領域２６、すなわち、基板Ｗの縁部に隣接する領域の方が大きくなるように構成される。説明の便宜上、支持セクション２２は、基板Ｗの外部領域２６に隣接して、これに熱結合された外部領域２４を含むことが認識される。支持構造は、基板Ｗの内部領域２７に隣接して、これに熱結合された内部領域２５をさらに含む。
【００７１】
[0085]  図８は、本発明のある実施形態を概略的に示す。図示のように、調節システム２１は、支持セクションに対して、支持セクション２２の上面の単位面積当たり、内部領域２５よりも外部領域２４の方に大きい熱エネルギーを提供することができるヒータシステム３０を含む。
【００７２】
[0086]  図９に示すように、ある実施形態では、このようなヒータシステムは、例えばコントローラ３１によって個別に制御可能である少なくとも第１及び第２のヒータユニット３０ａ、３０ｂを含むことができる。少なくとも１つのヒータユニット３０ａは、支持セクション２２の外部領域２４に熱を提供するように構成することができ、少なくとも１つの他のヒータユニット３０ｂは、支持セクション２２の内部領域２５に熱エネルギーを提供するように構成することができる。
【００７３】
[0087]  ヒータユニット３０ａ、３０ｂを個別に制御することにより、支持セクション２２の上面の単位面積当たりで、内部領域２５よりも外部領域２４に大きい熱エネルギーを提供することができる。例えば、ヒータユニット３０ａ、３０ｂは、抵抗ヒータのように同様の構造の電熱器であってよい。その場合、コントローラ３１は、動作時に、ヒータユニット３０ａに提供されて支持セクション２２の外部領域２４を加熱する電流が、ヒータユニット３０ｂに提供されて支持セクション２２の内部領域２５に熱を提供する電流よりも大きくなるように構成することができる。ある実施形態では、薄膜ヒータを使用することができる。薄膜ヒータは、例えば薄い層として形成された加熱要素を備えることができる。薄膜ヒータは、例えば接着剤として、又はコーティングとして塗布することができる。
【００７４】
[0088]  代替的に又は追加的に、ヒータシステム３０は、入力部が共通である場合、支持セクション２２の上面の単位面積当たり発生する熱が、内部領域２５よりも外部領域２４で多くなるように構成することができる。
【００７５】
[0089]  例えばヒータシステム３０が、例えば抵抗加熱要素などの細長い電気加熱要素を備える場合、加熱システムは、内部領域２５よりも外部領域２４の方で、支持セクション２２の上面の単位面積当たりの加熱要素が長くなるように構成することができる。
【００７６】
[0090]  このようなシステムによって、単独の細長い電熱要素などの単独の加熱ユニットを使用可能にして、外部領域２４と内部領域２５の両方に熱を提供することができる。これは、外部領域と内部領域２４、２５にある電熱要素の構成の違いによって達成することができる。このようなシステムは単独のコントローラしか必要としないことがあるので有利である。
【００７７】
[0091]  図１０及び図１１は、このような実施形態の構成を示している。各ケースで、支持セクション２２の一部が、加熱システムの形成に使用される細長い電熱要素３２の一部とともに示されている。
【００７８】
[0092]  図１０に示すように、  内部領域２５と比較して細長い電熱要素３２の隣接セクションの間隔を狭くすることによって、外部領域２４にて、支持セクション２２の上面の加熱面積当たりの加熱要素の長さを長くすることができる。
【００７９】
[0093]  代替的に又は追加的に、図１１に示すように蛇行する経路に沿って細長い電熱要素３２が設けられる構成では、細長い電熱要素３２の蛇行は、内部領域２５より外部領域２４の方がより密に構成することができる。
【００８０】
[0094]  ある実施形態では、調節システムは支持セクション２２内に流路３５を備えることができる。流路３５を通って流れる調節流体を提供することができる。調節システムは調節ユニット（図示せず）を含むことができ、これは流路に調節流体を供給し、任意選択で調節流体を流路に通し、例えば支持セクション２２の複数の領域を通って経路を辿り、支持セクション２２内の経路を終了すると、調節流体を除去する。調節ユニットは、調節流体が支持セクション２２を通って経路に沿って流れるにつれ、これが支持セクション２２に熱を提供し、及び／又は支持セクション２２から熱を除去することができるために、流路３５に供給される調節流体の温度を調節するためのヒータ及び／又は冷却器を含むことができる。
【００８１】
[0095]  ある実施形態では、流路３５の経路は、流路が支持セクション２２の少なくとも外部領域２４及び内部領域２５を通過するように構成することができる。図１２に示すように、流路３５は領域の一方又は両方を複数回通過することができる。
【００８２】
[0096]  ある実施形態では、支持セクション２２の外部領域２４内にある流路３５のセクション３６は、支持セクション２２の内部領域２５内にある流路３５の未変更セクションにある調節流体からの熱伝達と比較して、流路３５の変更セクション３６内にある調節流体から支持セクション２２の外部領域２４への熱伝達を増大させるために変更することができる。
【００８３】
[0097]  ある実施形態では、流路３５の変更セクション３６は、支持セクション２２の内部領域２５内にある流路３５のセクションより小さい断面積でよい。その結果、体積流量が同じになるために、流路３５の変更セクション３６内にある調節流体の速度は、流路３５の未変更セクション内にある調節流体の速度より速くなる。速度が速くなる結果、調節流体の乱流が増大することがあり、流路３５の変更セクション３６を通過する場合、調節流体と支持セクションの間の熱伝達が増大する。
【００８４】
[0098]  代替的に又は追加的に、流路３５の変更セクション３６は、変更セクション３６で流路の表面粗さが流路３５の未変更セクションより大きくなるように構成することができる。この場合も、これによって内部領域２５内の熱伝達に対して外部領域２４内で調節流体と支持セクションとの間の熱伝達を増大させることができる。例えば、表面粗さは流れの中で乱流を誘発することができる。
【００８５】
[0099]  代替的に又は追加的に、外部領域２４内で流路３５の変更セクション３６が通過する経路は、支持セクション２２の内部領域２５内にある流路３５の未変更セクションと比較して、隅部の数が多い、及び／又は隅部が急角度になるように構成することができる。これで、流路３５の変更セクション３６内にある調節流体の流の乱流を増大させることができ、これも外部領域２４内の調節流体と支持セクション２２の間の熱伝達を増大させる。
【００８６】
[00100]  代替的に又は追加的に、特に図１２に示すように、支持セクション２２の外部領域２４内にある流路３５の変更セクション３６は、流路３５の変更セクション３６の断面の周長が、支持セクション２２の内部領域内にある流路３５の未変更セクションより大きくなるように構成することができる。流路３５の変更セクション３６の断面の周長が増加すると、内部領域２５と比較して、外部領域２４の支持セクション２２の上面の所与の単位面積について調節流体と支持セクション２２との接触面積が増加する。
【００８７】
[00101]  変更セクション３６内で流路３５の断面の形状を適切に選択することにより、流路３５の未変更セクションと比較して流路３５の断面の周長を増大させるが、それでも未変更セクションと比較して変更セクション３６の流路３５の総断面積を小さくすることが可能である。これは例えば、少なくとも一部が比較的高い縦横比を有する形状の断面を選択することによって達成することができる。
【００８８】
[00102]  ある実施形態では、調節流体を搬送する流路の経路は、支持セクション２２の外部領域内にある流路３５の隣接するセクション３７の間隔が、内部領域２５内にある流路３５の隣接するセクションの間隔より小さくなるように構成することができる。以前と同様に、このことは、調節流体と支持セクション２２の内部領域２５との熱伝達に対して、調節流体と支持セクション２２の外部領域２４との熱伝達を増大させることができる。
【００８９】
[00103]  このような構成は、支持セクション２２の上面の所与の領域に対応する流路３５の容積が、内部領域２５より外部領域２４で大きくなり、内部領域２５と比較して外部領域２４の熱伝達を増大させるように構成することができる。
【００９０】
[00104]  図１３に示すように、このような構成は、外部領域２４内にある流路３５のセクション３７それぞれの断面積が、支持セクション２２の内部領域２５にある流路３５のセクションの断面積より小さくても、全体として達成することができる。したがって、内部領域２５と比較して、外部領域２４内の支持セクション２２の上面の所与の領域に対応する支持セクション２２の領域を通過する調節流体の体積が大きくなる一方、支持セクション２２の内部領域２５内と比較して外部領域２４内にある流路３５のセクション３７の調節流体の速度を上げることもできるという利点を、以上で説明した利点と組み合わせることができる。
【００９１】
[00105]  ある実施形態では、流路３５のセクションを並列の部分流路に分割することができる。例えば、流路３５に沿って途中まで、その一部を２つ以上のセクションに分岐することができる。これは、例えば図１３に示すような流路３５の隣接するセクション３７を提供することができる。
【００９２】
[00106]  代替的に又は追加的に、特に図１４に示すように、流路ヒータ５３を、流路３５のうち１つ又は複数の中、その隣、又はその周囲に設けることができる。流路ヒータ５３は複数のヒータを備えることができる。複数のヒータの空間密度は、内部領域２５より外部領域２４で高くなるように配置することができる。ある実施形態では、ヒータは内部領域より外部領域２４で間隔をさらに狭くすることができる。ある実施形態では、ヒータは内部領域２５より外部領域２４の方が大きく、例えば長くすることができる。ある実施形態では、ヒータは内部領域２５より外部領域２４の方が大きい範囲まで流路を囲むことができる。ある実施形態では、ヒータは、（例えば間隔を狭くする、長くする、及び／又はより大きい範囲まで流路３５を囲むことによって）内部領域２５より外部領域２４で流路３５の表面積の大きい割合に熱を供給するように配置することができる。ヒータの空間密度を上げると、個々のヒータの加熱能力を調節する複雑な制御システムを必要とせずに、内部領域２５と比較して外部領域２４の支持セクション２２の単位面積当たりに供給される加熱能力を高くすることができる。ある実施形態では、ヒータに供給される加熱能力は各ヒータで同じであるか、又はヒータの単位面積当たりで同じである。
【００９３】
[00107]  調節流体が支持セクション２２内の流路に提供される実施形態では、代替的に又は追加的に、調節流体が支持セクション２２の外部領域２４内にある流路３５の端部に提供され、支持セクション２２の内部領域２５内にある流路３５の端部から抽出されるように調節システムを構成することができる。したがって、調節流体は、最初に支持セクション２２の外部領域２４内にある流路３５のセクションを通過することができる。この段階で、調節流体と支持セクション２２との温度差がその最大値になることがある（支持セクション２２全体の温度変動を無視すると、熱が支持セクションと調節流体との間で伝達されるので、温度差は流路３５の長さに沿って減少する）。したがって、熱伝達率は、調節流体が最初に通過する領域でその最大値になり得る。したがって以上で説明したような構成では、調節流体と支持セクション２２との間の熱伝達率は、支持セクション２２の内部領域２５より外部領域２４の方が大きくなり得る。
【００９４】
[00108]  例えば以下で説明するある実施形態では、支持セクション２２は、内部領域２５と比較して、外部領域２４では支持セクション２２と基板Ｗの間の熱エネルギーの伝達に対する抵抗が低下するように構成することができる。
【００９５】
[00109]  以上で説明したように、支持セクション２２は、基板Ｗの下面を支持する複数のバール２０を含むことができる。バール２０は、バール２０を通る熱伝導により、支持セクション２２と基板Ｗの間に熱伝達に対する抵抗が最小の経路も提供する。
【００９６】
[00110]  ある実施形態では、バール２０は、基板Ｗ及び／又は支持セクション２２の上面の単位面積当たりでバール２０が基板Ｗと接触する総面積が、内部領域２５より外部領域２４の方が大きくなるように配置される。したがって、バール２０と基板Ｗの間で熱を伝達できるようにバール２０と接触している基板Ｗの面積のパーセンテージは、内部領域２５より外部領域２４の方が大きい。
【００９７】
[00111]  ある実施形態では、図１５に示すように、バールに接触している基板の面積の割合の差は、支持セクション２２の外部領域と内部領域２４、２５で異なるサイズのバール２０ａ、２０ｂを使用することによって提供することができる。特に、外部領域２４で基板Ｗの下面に接触している各バール２０ａの面積は、内部領域２５で基板Ｗの下面に接触しているバール２０ｂの面積よりも大きくすることができる。
【００９８】
[00112]  代替的に又は追加的に、図１６に示すように、ある実施形態では、基板Ｗの単位面積当たりで基板Ｗの下面に接触しているバール２０の総面積は、バール２０の間隔を調節することによって支持セクション２２全体で変更することができる。例えば図１６に示すように、外部領域２４におけるバール２０の間隔は、内部領域２５におけるバール２０の間隔と比較して低減することができる。したがって、支持セクション２２の上面の単位面積当たりのバール２０の総数は、内部領域２５よりも外部領域２４で多くすることができる。
【００９９】
[00113]  基板Ｗ全体で、基板Ｗの単位面積当たりに基板Ｗの下面と接触しているバール２０の総面積が分布している上述したような構成は、基板Ｗの変形を引き起こすことがある。特に、このような構成の結果、基板Ｗ全体にバール２０によって提供される支持力の分布に変動を引き起こすことがある。基板Ｗに一様な支持を提供できないように、バール２０の変形の変動を引き起こすことがある。ある実施形態では、このような変動は、支持セクション２２への基板Ｗの真空締め付けを適切に制御することによって部分的に、又は完全に補償することができる。特に、バール２０の周囲の負圧は、真空締め付け力が基板Ｗ全体で変動するように、基板Ｗ全体で変動するように配置することができる。これは、例えば真空締め付けを提供するために使用される負圧源に、バール２０の周囲の空間につながる複数の開口を設けることによって、及び例えば各開口における圧力を制御する適切な弁によって配置することができる。
【０１００】
[00114]  ある実施形態では、図１７に示すように、バール２０の間隔、及び基板Ｗの下面に接触している各バール２０の総面積は、支持セクション２２全体で一定のままにすることができる。これが有利になり得る理由は、バール２０に固定されている場合に、基板Ｗ全体で基板Ｗの単位面積当たり、基板Ｗの下面と接触しているバール２０の総面積の分布に由来してバール２０によって提供される支持力の分布の変動によって引き起こされる基板Ｗの変形を防止できるからである。
【０１０１】
[00115]  図１７に示す構成では、（バール２０が突出する）支持セクション２２の底面を構成することによって、内部領域２５と比較して、外部領域２４では支持セクション２２と基板Ｗの間の熱エネルギーの伝達に対する抵抗が低下しており、したがって外部領域２４の底面のセクション２２ａと基板Ｗの下面との間隔は、支持セクション２２の底面のセクション２２ｂと内部領域２５の基板Ｗの下面との間隔より小さくなる。
【０１０２】
[00116]  外部領域２４で間隔を小さくすることにより、気体（大気圧より低くすることができる）のギャップを通した熱伝導性を増大させることができる。底面には、複数の中間レベルを設けることができる。追加的に又は代替的に、（図示のような）階段状の表面ではなく傾斜した表面を設けることができる。
【０１０３】
[00117]  代替的に又は追加的に、支持セクション２２と基板Ｗの下面との気体ギャップによる外部領域２４での熱抵抗の減少は、外部領域２４に変更バール４０を使用することによって低減することができる。図１８に示すように、変更バール４０は、基板Ｗの下面と接触するように配置されて、内部領域２５に使用される非変更バール２０と対応することができる第１の部分４１を有することができる。変更バール４０は、支持セクション２２の底面から第１の部分４１ほど突出せず、したがって基板Ｗの下面に接触しない第２の部分４２をさらに含むことができる。したがって、変更バール４０の第２の部分４２は各々、支持セクション２２と基板Ｗの下面との間隔が減少しているが、基板Ｗの下面の単位面積当たりで基板Ｗに接触しているバール２０の総面積に影響しない領域を提供する。
【０１０４】
[00118]  図１８に示すように、各変更バール４０の第２の部分４２は第１の部分４１を囲むことができる。第２の部分４２のサイズは、すべての変更バール４０で同じになる必要はない。したがって、例えば変更バールの第２の部分４２の幅及び／又は高さは、支持セクション２２と基板Ｗとの間の熱伝達に対する抵抗が基板Ｗの縁部に向かって減少するように、支持セクション２２の中心からの距離とともに増加させることができる。
【０１０５】
[00119]  代替的に又は追加的に、図１９に示すように、支持セクション２２はバール２０の間に設けられた１つ又は複数の突起を含むことができる。突起４５は、バール２０のいずれにも近接しないように配置することができる。これにより、支持セクション２２の製造を容易にすることができる。しかし、支持セクション２２の最上面と基板Ｗの下面との間隔が減少した局所領域を外部領域２４内に設けることにより、気体ギャップを通した支持セクション２２と基板Ｗとの間の熱エネルギー伝達に対する抵抗を低減することができる。支持セクション２２と基板Ｗの間の熱エネルギー伝達に対する抵抗を内部領域２５より外部領域２４で低減することができる。
【０１０６】
[00120]  ある実施形態では、少なくとも１つの突起４５を、その上面が支持セクション２２の外部領域２４の周囲に延在する、すなわち、内部領域を取り囲む環を形成するように構成することができる。これにより、製造を容易にすることができる。
【０１０７】
[00121]  ある実施形態では、突起４５を、上面が実質的に支持セクション２２の外部領域２４の周囲に延在する環（例えば一連の同心の輪）を形成するが、複数のセクションに分割されるように構成することができる。これにより、突起４５の２つの側の間で気体が容易に確実に流れるようにするのを助ける複数の開口が提供される。これで、基板Ｗを支持セクション２２に真空締め付けするために使用される負圧の局所的減少が確実に最小化されるようにすることができる。
【０１０８】
[00122]  以下でさらに説明するように、ある実施形態では、支持セクション２の全上面にわたって、すなわち、外部領域２４と内部領域２５の両方に分布する突起４５を設けることができる。このような構成では、突起４５は一連の同心の輪として構成することができ、これは各々、以上で説明したように複数の開口を有することができる。このような構成では、突起４５の隣接する同心の輪の間にバール２０を配置することができる。このような構成を設けると、支持セクション２２の製造を容易にすることができる。
【０１０９】
[00123]  ある実施形態では、少なくとも１つの突起４５は、突起４５の上面と支持セクション２２によって支持された基板Ｗの下面との間隔が１０μｍ以下になるように構成することができる。このような実施形態では、基板Ｗの下面から支持セクション２２の底面までの間隔は１５０μｍとすることができる。あるいは、支持セクション２２の底面と基板Ｗの下面との間隔はこれより大きく、例えば４００μｍ以上にすることができる。複数の突起４５を有するある実施形態では、基板Ｗの下面の面積の約５０％が、突起４５の真上にあってよい。したがって、支持セクション２２と基板Ｗとの熱伝導性を改良することができる。特に、他の係数はすべて一定のままで、熱伝達を約２倍から３倍増大させることができる。
【０１１０】
[00124]  ある実施形態では、図２０に示すように、突起４５の位置及びサイズは、液浸リソグラフィ装置内で支持テーブルを使用している間に、突起４５の上面と基板Ｗの下面との間に液浸流体の薄層が配置されるように選択することができる。
【０１１１】
[00125]  この液浸流体の薄層は、突起４５が基板Ｗと物理的に直接接触している場合にあるように、基板Ｗに物理的制約を与えることなく、支持セクション２２と基板Ｗの間の熱伝達に対する抵抗を大幅に低減することができる。
【０１１２】
[00126]  ある実施形態では、基板Ｗの下で基板Ｗの縁部から基板Ｗの中心に向かう液浸流体の移動を防止又は制限するように配置された２つのシール４７の間に、突起４５を位置特定することができる。２つのシール４７は、所望の密閉機能を提供するように、基板の下側に十分近い位置へと延在する環状突起から形成することができる。ある実施形態では、突起４５は、２つのシール４７間にある領域の圧力が確実に均一であるようにするのを助けるように環状ではない。例えば突起４５は、突起の部分間に１つ又は複数の開口を有して、最内シール４７と突起４５の間の領域を、最外シール４７と突起４５の間の領域に接続する周辺（例えば円周方向）経路内に配置することができる。この位置では、例えば使用中に、バール２０の周囲に設けられて基板Ｗを支持セクション２に真空締め付けするのに使用される負圧によって、液浸流体を突起４５に向かって引っ張ることができる。基板Ｗの下面に対する突起４５の高さは、突起４５の頂部と基板Ｗの下面との間のギャップが、液浸流体がギャップ内に保持されるようなギャップであるように選択することができる。特に、ギャップのサイズは、液浸流体をギャップ内に保持する毛管圧が、基板Ｗを支持セクション２２に真空締め付けするのに使用される負圧によって引き起こすことができる突起４５前後の気体圧力の差より大きくなるように選択することができる。
【０１１３】
[00127]  ある実施形態では、液浸リソグラフィの作業のために提供されている流体以外の流体を、突起４５に提供することができる。したがって、適切に選択された流体を突起４５に供給することができる。
【０１１４】
[00128]  ある実施形態では、支持セクション２２の全体で支持セクション２２と基板Ｗの間の熱伝達に対する抵抗の差は、バール２０の上面、すなわち、基板Ｗに接触している面を制御することによって実現することができる。例えば図２１に示すように、バール２０は、バール２０の上面の表面粗さが、バールについては内部領域２５より外部領域２４で小さくなるように構成することができる。
【０１１５】
[00129]  この表面粗さの差は、例えば内部領域２５のバール２０と比較して外部領域２４のバール２０の上面では改良された研磨を使用することによって達成することができる。代替的に又は追加的に、表面粗さは、例えば引っ掻き又はエッチングによって、内部領域２５のバール２０の上面に誘発することができる。
【０１１６】
[00130]  支持セクション２２全体にわたってバール２０の上面の表面粗さに差がある結果、基板Ｗを支持セクション２２に真空締め付けすることによって引き起こされるバール２０の変形に変動が生じることがあり、これは以上で説明したような基板Ｗの下面と接触しているバール２０の総面積の分布によって引き起こされる変形の変動と同様である。したがって、以上で説明したように、真空締め付けを提供するために使用される負圧が基板Ｗ全体に分布している上述のような真空締め付けの構成を提供することによって部分的又は完全に補償することができる。
【０１１７】
[00131]  ある実施形態では、支持セクション２２全体で支持セクション２２と基板Ｗの間の熱伝達に対する抵抗の差は、支持セクション２２と基板Ｗの間で領域によって異なる気体を使用することで実現することができる。特に、ある実施形態では、支持セクション２２の外部領域２４と基板Ｗの外部領域２６との間の空間には、支持区画２２の内部領域２５と基板Ｗの内部領域２７との間にある空間に提供されるより高い熱伝導性の気体が提供される。ある実施形態では、相対的に高い熱伝導率の気体には、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｈ２（水素）、ＨｅとＨ２の混合気、水蒸気を含む気体、別の気体、又はその任意の組合せが含まれる。ある実施形態では、気体には以上のいずれか及び／又は以下のうち少なくとも１つを含めることができる。すなわち、空気、アルゴン及び／又は窒素である。
【０１１８】
[00132]  図２５は、支持セクション２２と基板Ｗの外部領域２６との間の空間に比較的高い熱伝導率の気体を提供する気体ハンドリングシステム７０を備える実施形態を示している。わかりやすくするために、基板Ｗを支持するバールは図示されていない。
【０１１９】
[00133]  気体は、供給管路７１によって空間に供給し、基板Ｗの外部領域２６によって画定された空間のいずれかの側に設けられた気体抽出管路７２によって引き出すことができる。したがって、比較的高い熱伝導率の気体を、支持セクション２２と基板Ｗの外部領域２６との間の空間に実質的に保持することができる。このような構成は、支持セクション２２と基板Ｗの内部領域２７との間よりも、支持セクション２２と基板Ｗの外部領域との間の方に高い熱伝導率を提供することができる。
【０１２０】
[00134]  ある実施形態では、気体供給管路７１及び気体抽出管路７２は各々、支持セクション２２の上面にある複数のそれぞれのポート７３に接続される。気体供給管路７１及び気体抽出管路７２は各々、複数のポート７３に接続することができる。特に、気体抽出管路７２は、基板Ｗの外部領域２６に対応する空間の境界に沿って設けられた複数のポート７３に接続することができる。
【０１２１】
[00135]  ある実施形態では、高い熱伝導率の気体が提供される空間との間の気体の流れを制約するために、気体抽出管路７２に接続されたポート７３のいずれかの側に、流れ抵抗構造７４を設けることができる。
【０１２２】
[00136]  図２５に示すように、支持セクションの基板の外部領域２６との間の空間に比較的高い熱伝導率の気体を供給するために、気体ハンドリングシステム７０を設けることができる。ある実施形態では、これと同様のものでよい第２の気体供給システムを設けて、支持セクション２２と基板の内部領域２７との間の空間に異なる気体を、すなわち、支持セクション２２と基板Ｗの外部領域２６との間の空間に提供された気体より低い熱伝導率を有する気体を供給することができる。これによって、内部及び外部領域２７、２６内で支持セクション２２と基板Ｗの間の空間における気体の制御を容易にすることができる。気体は両方とも、気体供給システムがいずれも設けられていないか、又は動作していない場合よりも高い熱伝導率を有することができる。
【０１２３】
[00137]  以上で説明した実施形態では、調節システムが動作した結果として特定の領域で、基板の単位面積当たりで基板との間の熱伝達を改良することができる様々な方法が提供される。特に、調節システムの動作の結果として、基板の単位面積当たりの基板との熱伝達は、基板の中心にある基板の第２の領域でよりも、基板の縁部に隣接する基板の第１の領域で大きくなるように配置することができる。これらの構成の組合せを使用することができる。
【０１２４】
[00138]  さらに、製造上の困難及び／又は制約がないので、調節システムの動作の結果として基板との間の熱伝達を改良するために以上で説明した構成は、支持セクション及び／又は基板の温度変化の減少又は最小化に鑑みて、支持セクションの全体に適用することができる。このような実施形態では、望ましくない効果を許容可能なレベルまで軽減する程度まで、温度変化を減少さえることが可能なことがある。したがって、複数の実施形態では、基板の第１の領域との間での熱伝達を改良する上記構成の１つ又は複数は、支持セクションの全体に、すなわち、支持セクション２２の内部及び外部領域２５、２４の両方に適用することができる。
【０１２５】
[00139]  同様に、ある実施形態では、基板との間の熱伝達を改良する上記構成の１つ又は複数は、基板の第２の領域、すなわち、基板の内部領域に対応する支持セクションの領域に適用することができる。例えば、基板との間の熱伝達を改良する第１の構成を基板の第１の領域に対して利用することができるが、支持セクションの全体に利用することは実際的又は経済的でないことがある。その場合、基板との間の熱伝達を改良する上記構成のうち異なる方を、基板の第２の領域に対して利用することができる。第２の構成は、例えば基板の第１の領域に対して利用された第１の構成と同じ程度まで、基板との間の熱伝達を改良できないことがあるが、より簡単に提供し、及び／又はより費用対効果を高くすることができる。
【０１２６】
[00140]  上述した実施形態のいずれかと組み合わせることが可能なある実施形態では、支持セクションは、基板の中心にある基板の内部領域と比較して、基板の縁部に隣接する基板の外部領域で熱変動に対する感度が高くなるという効果を軽減するように構成することができる。
【０１２７】
[00141]  ある実施形態では、このことは、支持される基板の下面に実質的に平行である底面を備える上面と、底面から突出する複数のバールとを含むように支持セクションを構成することによって達成することができる。支持セクションは、基板が支持セクションによって支持されている場合に、バールの上面のみが基板と接触するように構成することができる。ある実施形態では、支持セクションの上面に平行な方向におけるバールの剛性が、基板Ｗの内部領域２７と接触しているバールよりも、基板の外部領域２６と接触しているバールの方が高くなるようにバールをさらに構成することができる。以上で説明したように、基板の範囲が有限であることにより、基板の縁部では基板の領域に基板と接触して全方向に延在するバールがないという事実を補償するために、基板の主要面に平行な方向における各バールの剛性を向上させることを選択することができる。
【０１２８】
[00142]  ある実施形態では、支持セクションの上面に平行な方向では剛性が異なるにもかかわらず、支持セクションの上面に直角の方向におけるバールの剛性が、基板の外部領域と基板の内部領域との両方に接触するバールで実質的に同じになるように、バールを構成することができる。これは、基板が支持セクションに締め付けられた、例えば真空締め付けされた場合に、基板の局所的な高さの変動を低減することができる。このような締め付け中に、基板は支持セクションの上面に直角の方向で各バールに力を加え、この方向でのバールの剛性に比例した小さい変形を引き起こす。
【０１２９】
[00143]  ある実施形態では、基板の外部領域に接触しているバールは、バールの剛性が基板の内部領域と接触しているバールよりも大きくなる方向が半径方向になるように構成することができる。半径方向とは、通常は円形とすることができる基板の中心から離れる方向を意味する。しかし、円形以外の基板の場合、これはそれでも基板の中心から離れる方向になる。したがって、この方向は、基板の外部領域の異なる部分と接触しているバールでは異なる。
【０１３０】
[00144]  図２３は、ある実施形態による支持セクション２２上の複数のバールを平面図で示している。図示のように、基板Ｗの第１の領域と接触するように第１のタイプの複数のバール６５が設けられ、基板Ｗの第２の領域と接触するように第２のタイプの複数のバール６６が設けられる。
【０１３１】
[00145]  第１のタイプのバール６５は、（支持セクション２２の上面に平行な面で）半径方向６７、すなわち、基板Ｗの中心から離れる方向に細長い断面を有する。他方で、第２のタイプのバール６６は従来の円形の断面を有する。その結果、バール６５、６６がすべて同じ断面積を有する場合でも、第１のタイプのバール６５は第２のタイプのバール６６よりも半径方向６７の剛性を高くすることができる。ある実施形態では、この２タイプのバール６５、６６は、実質的に同じ断面積を有して、バール６５、６６がすべて、支持セクション２２の底面に直角の方向で実質的に同じ剛性を確実に有するのを助けるように構成することができる。
【０１３２】
[00146]  代替的に又は追加的に、図２１に示し、以上で説明したように、支持セクション２２の外部領域２４のバール２０が、支持セクション２２の内部領域２５のバール２０よりも表面粗さが低い上面を有するように支持セクション２２を構成することによって、同様の効果を提供することができる。表面粗さが低下すると、基板と接触しているバールの面積が増加し、バールと基板との局所的接触の剛性が上がる。したがって、このような構成は、基板の外部領域２６で基板Ｗと支持セクション２２との間の熱伝達を増加させ、基板Ｗの内部領域２７と比較して基板Ｗの外部領域２６における温度変動の効果を軽減するという利点の両方を提供することができる。
【０１３３】
[00147]  代替的に又は追加的に、図２４に示すある実施形態では、基板Ｗの外部領域２６に接触している、すなわち、支持セクション２２の外部領域２４にあるバール６８は、支持セクション２２の底面から離れる方向でバール６８の断面積が減少するように、テーパ状にすることができる。例えば、バール６８は円錐台形の形状にすることができる。このような構成を使用することにより、基板Ｗの外部領域２６に接触しているバール６８は、支持区画２２の底面に直角の方向で、基板Ｗの内部領域２７に接触しているバール６９と実質的に同じ剛性を有するように構成することができ、これは例えば従来の形状を有することができるが、支持セクションの底面に平行な方向の剛性を高くすることができる。ある実施形態では、基板Ｗの内部領域２７に接触しているバール６９は、実質的に円筒形の形状にすることができる。
【０１３４】
[00148]  リソグラフィ装置に使用されている調節システムの問題として、応答時間もある。これは、例えば基板の温度の変化を最小化するか又は低減することが望ましいことがある。しかし、これらの変化を直接検出することが不可能なことがある。したがって、基板Ｗを支持する支持テーブルＷＴの支持セクション２２の温度を監視することが必要なことがある。例えば、支持セクション２２の温度が低下中であると測定された場合、これは基板Ｗの温度低下に起因すると判定することができ、温度を上昇させる熱を提供するために、調節システム２１を適切に制御することができる。
【０１３５】
[00149]  しかし、基板Ｗの温度低下と、その結果である支持セクション２２の温度低下との間には遅れがある。
【０１３６】
[00150]  代替的に又は追加的に、遅れは調節システム２１自体によって導入されることがある。特に、熱を調節システム２１によって提供するか、調節システム２１によって除去するべきと判定されると、熱伝達が実現される前に遅れがあることがある。例えば、支持セクション２２内の流路を通る調節流体の流れを利用する調節システム２１では、調節が必要であると判定された時点から、適切に加熱又は冷却された調節流体が支持テーブルＷＴを通過する時間との間に遅れができる。さらに、熱を支持テーブルＷＴの支持セクション２２と基板Ｗ自体との間で伝達するのにかかる時間により、さらなる遅れが生じることがある。
【０１３７】
[00151]  このように、基板の温度変化から、熱を基板に提供するか、そこから除去するまでに応答に遅れがある結果、基板の温度変動が大きくなることがある。
【０１３８】
[00152]  ある実施形態では、図８に示すように、調節システム２１は、調節システム２１に改良された制御を提供するコントローラ３１によって制御することができる。図示の構成では、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置内の支持テーブルＷＴの位置を測定するように構成された位置測定システム５０をさらに含む。この位置測定システム５０は、支持テーブルＷＴを移動するために使用されるアクチュエータシステムを制御するために設けられる位置測定システムでよい。あるいは、調節システムの制御に使用される位置測定システム５０は、支持テーブルＷＴの移動制御の部品としては使用されない別個の位置測定システムでよい。
【０１３９】
[00153]  コントローラ３１は、調節システム２１を制御して、支持テーブルＷＴの測定位置を含む情報に基づいて支持テーブルＷＴに熱エネルギーを提供する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成することができる。例えばコントローラは、支持テーブルＷＴの特定の位置で、特定の量の熱エネルギーが調節システムによって支持テーブルＷＴに提供される、又はそこから除去されるように、予めプログラムすることができる。
【０１４０】
[00154]  このような構成の場合、コントローラ３１は、支持テーブルＷＴの１つ又は複数の位置に対して調節システム２１によって供給及び／又は除去する必要があると予想される熱の量に対応するデータを記憶するメモリ５１を含むことができる。
【０１４１】
[00155]  したがって、支持テーブルＷＴが特定の位置にある場合、基板Ｗにて（例えば液浸流体ハンドリングシステムの動作によって引き起こされる）所定量の冷却が生じることが分かる。したがって、コントローラ３１は、冷却を補償するために、適切な量の熱エネルギーを支持テーブルＷＴに供給するように構成することができる。
【０１４２】
[0056]  したがってシステムは、例えば支持テーブルＷＴで測定された温度応答を待たずに、システム２１が支持テーブルＷＴに熱エネルギーを提供する、及び／又は支持テーブルから熱エネルギーを除去して、それと基板テーブルＷの間に所望の熱伝達を提供できるように構成することができる。
【０１４３】
[00157]  ある実施形態では、メモリ５１は、基板Ｗの処理中に予想される支持テーブルＷＴの移動、及び予想される移動中に調節システム２１によって供給及び／又は除去されると予想される熱エネルギーの量に対応するデータを含むことができる。このデータに基づいて、コントローラ３１は、支持テーブルＷＴの所望の加熱及び／又は冷却をよりよく予測することができる。
【０１４４】
[00158]  特に、例えばオーバシュートの問題を回避することができる。例えば、コントローラ３１のメモリ５１内のデータによって、支持テーブルＷＴが液浸流体ハンドリングシステムから離れる直前に、コントローラ３１が調節システム２１から支持テーブルＷＴへの熱供給を停止し、液浸流体ハンドリングシステムによって引き起こされた冷却を補償できるようにすることができる。調節システム２１から支持テーブルＷＴを通って基板Ｗへの熱伝達には遅れがあるので、流体ハンドリングシステムの動作の最終段階（基板Ｗの冷却であることもある）中に、熱が基板Ｗへと供給され続ける。しかし、タイミングを適切に定めることにより、基板Ｗ上で冷却効果がなくなる時点で、調節システム２１から支持テーブルＷＴを介して基板Ｗへの熱の大量提供を中止することができる。対照的に、このような予測システムがない場合、冷却が終了した後に基板の温度が早期に上昇した結果、基板テーブルの温度上昇が測定されるまで、熱が基板テーブルＷＴに提供され続ける。その後、基板テーブルＷＴと基板Ｗの温度が等しくなるまで、基板テーブルＷＴから基板Ｗへと熱が供給され続ける。その結果、基板Ｗの温度のオーバシュートが生じることがある。
【０１４５】
[00159]  コントローラ３１は、支持テーブルＷＴの位置に基づいて主に予測的であるように（すなわち、フィードフォワードを使用して）配置することができるが、図８に示すように、例えば支持テーブルＷＴの支持セクション２２内に１つ又は複数の温度センサ５２を設けることができる。したがって、コントローラ３１は、調節システムの制御を改良するために、温度センサ５２からの情報を利用することができる（すなわち、フィードバックループを含むことができる）。
【０１４６】
[00160]  例えばコントローラ３１は、調節システム２１への命令を修正し、各瞬間に測定した温度を使用して支持テーブルＷＴの支持セクション２２から熱エネルギーを供給及び／又は除去することができる。代替的に又は追加的に、コントローラ３１は、その後の基板Ｗの処理中に調節システム３０の制御に使用するメモリ５１内の情報を更新するために、温度センサ５２によって測定した履歴データを使用することができる。
【０１４７】
[00161]  複数の温度センサ５２を、例えば支持テーブルＷＴの支持セクション２２全体に分散させて設ける、及び／又は基板Ｗの温度を直接測定するために使用することができる。さらに、調節システム２１は、支持テーブルＷＴの位置に応答して、支持テーブルＷＴの複数の異なる領域に供給する、及び／又はそこから除去する熱の量をコントローラ３１によって個別に制御できるように構成することができる。
【０１４８】
[00162]  ある実施形態では、コントローラ３１は、基板Ｗを支持テーブルＷＴに装填するために、支持テーブルがリソグラフィ装置内の位置に設けられている場合、基板Ｗを支持テーブルＷＴに装填する前に、コントローラ３１が調節システム２１を制御して、支持テーブルＷＴへの熱エネルギーの供給及び／又はそこからの熱エネルギーの除去を開始できるように構成することができる。コントローラ３１は、調節システム２１が基板Ｗに必要と予想される量の熱エネルギーを支持テーブルＷＴに供給、及び／又は熱エネルギーをそこから除去し始めるように構成することができる。これによって、熱が調節システム２１と基板Ｗの間に伝達されるために支持テーブルＷＴを通過しなければならないことに由来する遅れを回避、又は短縮することができる。したがって、支持テーブルＷＴに装填されたばかりの基板が熱負荷に遭遇した時点で、基板Ｗが支持テーブルＷＴに装填される前に、調節システム２１と支持テーブルＷＴの支持セクション２２との間で提供される熱の流れの結果として、支持テーブルＷＴの支持セクション２２によって必要な熱の流れが提供される。
【０１４９】
[00163]  ある実施形態では、基板を支持テーブルに装填する前に調節システム２１によって支持テーブルに提供、及び／又はそこから除去する熱の量は、基板Ｗの測定温度に基づくものでよい。
【０１５０】
[00164]  図２２に示すようなある実施形態では、基板Ｗを支持テーブルＷＴに装填する前に、基板ハンドリング装置６０が基板Ｗを取り扱っている間に、その温度を測定することができる。したがって、以上で説明したように、調節システム２１によって支持テーブルＷＴの支持セクション２２に提供される、及び／又はそこから除去される熱エネルギーを制御するのに十分な時間で、基板Ｗの温度測定値をコントローラ３１に提供することができる。
【０１５１】
[00165]  ある実施形態では、基板ハンドリング装置６０は１つ又は複数の温度センサ６１を含むことができる。例えば、１つ又は複数の温度センサ６１は、基板Ｗが基板ハンドリング装置６０に保持されている場合に、基板Ｗと接触することができる。
【０１５２】
[00166]  代替的に又は追加的に、基板ハンドリング装置６０が取り扱っている間に基板Ｗの温度を測定できるように、赤外線カメラなどの非接触型温度センサを配置することができる。例えば、このような非接触型温度センサを基板ハンドリング装置６０に装着することができる。あるいは、非接触型温度センサは、リソグラフィ装置の別の部品に装着することができるが、基板Ｗを支持テーブルＷＴに装填するプロセス中に、基板ハンドリング装置６０が非接触型温度センサを越えて基板Ｗを移動させるように配置することができる。
【０１５３】
[00167]  温度センサの性質にかかわらず、システムは、基板Ｗの単独の温度測定値を利用するように構成することができる。
【０１５４】
[00168]  あるいは、基板Ｗ全体で複数の温度測定を実行することができる。これは、調節システム２１が支持テーブルＷＴの様々な領域に提供される、及び／又はそこから除去される熱エネルギーを個別に制御するように構成されている場合に使用できるので有利である。その場合、調節システム２１の各部品は、基板Ｗの初期温度に基づいて個別に制御することができる。
【０１５５】
[00169]  複数の別個の温度センサ６１を設けた場合、別個の温度センサ６１は、それに対応して調節システム２１の各セクションに設けることができる。あるいは、例えば赤外線カメラを利用する場合、調節システム２１の各セクションに必要な制御を提供するために、基板Ｗ全体の像を取得し、像の複数のセクションを別個に分析することができる。
【０１５６】
[00170]  認識されるように、上述した形態のいずれも任意の他の形態とともに使用することができ、本出願に含まれるのは明示的に説明された以上の組合せのみではない。例えば、本発明のある実施形態を、図２から図４の実施形態に適用することができる。さらに、本明細書で説明した加熱又はヒータは、それぞれ冷却又は冷却器を包含することを理解されたい。
【０１５７】
[00171]  さらに、便宜上、本発明を液浸リソグラフィ装置の状況で上述してきたが、本発明は任意の形態のリソグラフィ装置と組み合わせて使用できることが認識される。
【０１５８】
[00172]  ある態様では、リソグラフィ装置の支持テーブルが提供され、支持テーブルは、上面上で基板の下面を支持するように構成された支持セクションと、支持セクションに熱エネルギーを供給し、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムとを備え、基板が支持セクションに支持されている場合、これは支持セクションに熱結合され、したがって調節システムが支持セクションに熱エネルギーを供給するか、そこから熱エネルギーを除去する場合、エネルギーが支持セクションから基板へ、又は基板から支持セクションへとそれぞれ伝達され、支持セクション、調節システム、又はその両方は、調節システムの動作の結果として、基板の単位面積当たりの基板への又はからの熱伝達が、基板の中心にある基板の第２の領域より基板に縁部に隣接する基板の第１の領域の方で大きくなるように構成される。
【０１５９】
[00173]  ある実施形態では、調節システムは、基板の第２の領域に熱結合された支持セクションの第２の領域より、基板の第１の領域に熱結合された支持セクションの第１の領域で、支持セクションの上面の単位面積当たり多くの熱エネルギーを支持セクションに提供できるように構成されたヒータシステムを備える。
【０１６０】
[00174]  ある実施形態では、ヒータシステムは複数の個別に制御可能なヒータユニットを備え、少なくとも１つのヒータユニットが支持セクションの第１の領域に設けられ、少なくとも１つの他のヒータユニットが支持セクションの第２の領域に設けられる。
【０１６１】
[00175]  ある実施形態では、ヒータシステムは、支持セクションの第２の領域よりも支持セクションの第１の領域で、支持セクションの上面の単位面積当たりの加熱要素の長さが長くなるように配置された細長い電気加熱要素を備える。
【０１６２】
[00176]  ある実施形態では、調節システムは、調節流体を搬送するように構成された流路を支持セクション内に備え、流路は、基板の第１の領域に熱結合された支持セクションの第１の領域と、基板の第２の領域に熱結合された支持セクションの第２の領域とを通過するように構成される。
【０１６３】
[00177]  ある実施形態では、流路の断面積は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で小さくなる。
【０１６４】
[00178]  ある実施形態では、流路の表面粗さは、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で大きくなる。
【０１６５】
[00179]  ある実施形態では、流路は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域の方が多数の角及び／又は急角度の角を有する。
【０１６６】
[00180]  ある実施形態では、流路の断面の周囲は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で大きくなる。
【０１６７】
[00181]  ある実施形態では、流路の第１のセクションと流路の隣接する第２のセクションとの間隔は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で小さくなる。
【０１６８】
[00182]  ある実施形態では、支持セクションの上面の所与の領域に対応する流路の総容積は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で大きくなる。
【０１６９】
[00183]  ある実施形態では、支持テーブルは、流路内の調節流体に熱を供給するように構成された流路ヒータをさらに備える。
【０１７０】
[00184]  ある実施形態では、流路ヒータは、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域で、熱が供給される流路の表面積の割合が大きくなるように構成される。
【０１７１】
[00185]  ある実施形態では、流路ヒータは複数のヒータを備え、複数のヒータの空間密度は、支持セクションの第２の領域より支持セクションの第１の領域の方が大きくなる。
【０１７２】
[00186]  ある実施形態では、調節システムは、流体が支持セクションの第１の領域内に位置特定された流路の端部に提供され、支持セクションの第２の領域内に位置特定された流路の端部から抽出されるように構成される。
【０１７３】
[00187]  ある実施形態では、支持セクションの上面は、支持セクション上に支持された基板の下面に実質的に平行になるように構成された底面と、表面から突出した複数のバールとを備え、基板が支持セクションに支持されている場合、これはバールの上面に接触しているだけである。
【０１７４】
[00188]  ある実施形態では、支持セクションは、支持セクションによって支持されている基板と接触しているバールの、基板の単位面積当たりの総面積が、基板の第２の領域より基板の第１の領域で大きくなるように構成される。
【０１７５】
[00189]  ある実施形態では、支持セクションによって支持されている基板の第１の領域と接触している各バールの上面が、基板の第２の領域と接触している各バールの上面より大きい。
【０１７６】
[00190]  ある実施形態では、支持セクションによって支持されている基板と接触しているバールの、基板の単位面積当たりの数が、基板の第２の領域より基板の第１の領域で多くなる。
【０１７７】
[00191]  ある実施形態では、支持セクションは、底面と支持セクションによって支持されている基板との間隔が、基板の第２の領域より基板の第１の領域で小さくなるように構成される。
【０１７８】
[00192]  ある実施形態では、支持セクションによって支持されている基板の第１の領域と接触するように配置された少なくとも１つのバールは、基板と接触するように構成された上面を含む第１の部分と、第１の部分ほど底面から突出していない第２の部分とを備える。
【０１７９】
[00193]  ある実施形態では、支持セクションの上面は、上面の第１の領域内に配置され、支持セクションによって支持されている基板の第１の領域と熱結合するように構成された突出部をさらに備え、突出部は、バールほど底面から突出しないように構成される。
【０１８０】
[00194]  ある実施形態では、突出部は、支持セクションの第２の領域を囲み、支持セクションによって支持されている基板の第２の領域に熱結合するように配置された環を形成するように構成される。
【０１８１】
[00195]  ある実施形態では、突出部は、使用時に流体の層が突出部上に保持され、支持セクション上に支持されている基板と接触するように構成される。
【０１８２】
[00196]  ある実施形態では、支持セクションによって支持されている基板の第１の領域と接触しているバールの上面が、基板の第２の領域と接触しているバールの上面より低い表面粗さを有するように構成される。
【０１８３】
[00197]  ある実施形態では、支持テーブルは、支持セクションと基板の第１の領域との間の空間に、支持セクションと基板の第２の領域との間の空間内にある気体よりも高い熱伝導率を有する気体を提供するように構成された気体ハンドリングシステムをさらに備える。
【０１８４】
[00198]  ある実施形態では、支持セクションと基板の第１の領域との間の空間に提供される気体は、Ｈｅ、Ｈ２及び／又は水蒸気から選択された少なくとも１つを含む。
【０１８５】
[00199]  ある態様では、リソグラフィ装置の支持テーブルが提供され、支持テーブルは、支持セクションの上面上で基板の下面を支持するように構成された支持セクションを備え、支持セクションの上面は、支持セクション上で支持した場合に基板の下面に実質的に平行になるように構成された底面を備え、さらに、底面から突出して、基板が支持セクションによって支持されている場合に、基板が自身の上面にのみ接触するように配置された複数のバールを備え、バールは、支持セクションの上面に平行な方向におけるバールの剛性が、基板の中心にある基板の第２の領域と接触しているバールよりも、基板の縁部に隣接する基板の第１の領域と接触しているバールの方が高くなるように構成され、支持セクションの上面に直角の方向におけるバールの剛性は、基板の第１の領域と第２の領域に接触するバールで実質的に同じになる。
【０１８６】
[00200]  ある実施形態では、バールの剛性は基板の中心から離れる半径方向について比較される。
【０１８７】
[00201]  ある実施形態では、基板の第１の領域に接触しているバールは、基板の中心から離れる半径方向の長さが、半径方向に直角の接線方向における幅より大きくなるような断面を有する。
【０１８８】
[00202]  ある実施形態では、基板の第１の領域と第２の領域に接触しているバールの断面積は同じである。
【０１８９】
[00203]  ある実施形態では、基板の第１の領域に接触しているバールは、支持セクションの底面から離れる方向に減少する断面積を有する。
【０１９０】
[00204]  ある実施形態では、基板の第１の領域に接触しているバールの上面は、基板の第２の領域に接触しているバールの上面より低い表面粗さを有する。
【０１９１】
[00205]  ある態様では、上述した支持テーブルを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０１９２】
[00206]  ある態様では、上述したリソグラフィ装置を使用して、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することを含むデバイス製造方法が提供される。
【０１９３】
[00207]  ある実施形態では、リソグラフィ装置が提供され、リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された支持テーブルと、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムと、リソグラフィ装置内で支持テーブルの位置を測定するように構成された位置測定システムと、支持テーブルの測定位置を含む情報に基づいて、調節システムを制御し、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成されたコントローラとを備える。
【０１９４】
[00208]  ある実施形態では、コントローラは、支持テーブルの特定の位置のために調節システムによって供給及び／又は除去する必要があると予想される熱エネルギーの量に対応するデータが記憶されているメモリを備え、コントローラは、データに基づいて調節システムを制御するように構成される。
【０１９５】
[00209]  ある実施形態では、メモリは、基板の処理中にリソグラフィ装置内で予想される支持テーブルの移動に、及び予想される移動中に調節システムによって供給及び／又は除去することが予想される熱エネルギーの量に対応するデータをさらに備える。
【０１９６】
[00210]  ある実施形態では、調節システムによって供給及び／又は除去する必要があると予想される熱の量は、支持テーブルの各位置にて支持テーブル及び基板によって支持された基板にかかると予想される熱負荷に基づく、及び／又は各移動中に、調節システムと基板及び／又は基板テーブルの間で予想される熱エネルギー伝達の遅れによって相殺される。
【０１９７】
[00211]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、支持テーブルの少なくとも部分及び／又は支持テーブル上に支持された基板の少なくとも部分の温度を測定する温度センサをさらに備え、コントローラは、温度センサからの温度測定値をさらに含む情報に基づいて、調節システムを制御するように構成される。
【０１９８】
[00212]  ある実施形態では、調節システムは、支持テーブルの複数の様々な領域に供給される、及び／又はそこから除去される熱の量を、コントローラによって個別に制御できるように構成される。
【０１９９】
[00213]  ある実施形態では、コントローラは、基板を支持テーブルに装填するための位置に支持テーブルがある場合に、調節システムを制御して、基板を支持テーブルに装填する前に必要であると予想される熱エネルギーを支持テーブルに供給、及び／又はそこから熱エネルギーを除去し始めるように構成される。
【０２００】
[00214]  ある態様では、基板を支持するように構成された支持テーブルと、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムと、調節システムを制御して支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成されたコントローラとを備え、コントローラが、基板を支持テーブルに装填するための位置に支持テーブルがある場合に、調節システムを制御して、基板を支持テーブルに装填する前に必要であると予想される熱エネルギーを支持テーブルに供給、及び／又はそこから熱エネルギーを除去し始めるように構成される、リソグラフィ装置が提供される。
【０２０１】
[00215]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、基板を基板テーブルに装填するように構成された基板ハンドリング装置と、基板ハンドリング装置が取り扱っている基板の少なくとも部分の温度を測定するように構成された温度センサとをさらに備え、コントローラは、基板の測定温度を使用して、支持テーブルに供給する、及び／又はそこから除去する必要があると予想される熱エネルギーを決定する。
【０２０２】
[00216]  ある実施形態では、温度センサは、基板の複数の部分の温度を測定するように構成される。
【０２０３】
[00217]  ある態様では、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法が提供され、リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された支持テーブルと、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムと、リソグラフィ装置内で支持テーブルの位置を測定するように構成された位置測定システムとを備え、該方法は、支持テーブルの測定位置を含む情報に基づいて、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するために調節システムを制御することを含む。
【０２０４】
[00218]  ある態様では、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するためにリソグラフィ装置を使用することを含むデバイス製造方法が提供され、リソグラフィ装置は、基板を支持するように構成された支持テーブルと、支持テーブルに熱エネルギーを供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するように構成された調節システムとを備え、該方法は、基板を支持テーブルに装填する前に必要であると予想される熱エネルギーを支持テーブルに供給する、及び／又はそこから熱エネルギーを除去するために調節システムを制御することを含む。
【０２０５】
[00219]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０２０６】
[00220]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指す。
【０２０７】
[00221]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに機械読み取り式命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０２０８】
[00222]  １つ又は複数のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内にある１つ又は複数のコンピュータプロセッサによって読み出される時に、本明細書に記載するあらゆるコントローラは各々、又は組み合わせて動作可能になる。コントローラは各々、又は組み合わせて、信号を受信、処理、送信するのに適した任意の構成を有する。１つ又は複数のプロセッサは、コントローラの少なくとも１つと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記方法のための機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行する１つ又は複数のプロセッサを含むことができる。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はそのような媒体を収容するハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械読み取り式命令に従って動作することができる。
【０２０９】
[00223]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に液浸液が槽の形態で提供されるか、基板の局所的な表面領域のみに提供されるか、基板及び／又は基板テーブル上に閉じ込められないかにかかわらず、上述したタイプに適用することができるが、それに限定されない。閉じ込められない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって実質的に基板テーブル及び／又は基板の覆われていない表面全体が濡れる。このように閉じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムが液浸液を閉じ込めることができない、又はある割合の液浸液閉じ込めを提供することができるが、実質的に液浸液の閉じ込めを完成しない。
【０２１０】
[00224]  本明細書で想定するような液体供給システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは、液体を投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部でよいか、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆ってよいか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液体供給システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含むことができる。
【０２１１】
[00225]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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