(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、間隙を介して前記第１の電極と対向して配置された第２の電極と、を有するセルを複数備えた静電容量型の電気機械変換装置であって、
前記第１の電極は、前記間隙上の振動可能な領域と、前記振動可能な領域同士をつなぐ配線領域と、を有し、
前記振動可能な領域の厚さが、前記配線領域の厚さより薄いことを特徴とする静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項２】
前記セルは基板上に設けられており、
前記振動可能な領域と前記配線領域とは、前記振動可能な領域より前記配線領域のほうが抵抗が小さいことを特徴とする請求項１に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項３】
前記第１の電極は、支持部で支持された振動膜上に形成され、
前記第１の電極の下部に前記支持部がない領域の第１の電極が持つバネ定数が、前記振動膜の持つバネ定数より小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項４】
前記振動可能な領域と前記配線領域とは、電極材料が同じであることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項５】
前記配線領域は、前記振動可能な領域の電極材料と異なる電極材料が積層されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項６】
前記振動可能な領域と前記配線領域とで、電極材料が異なっていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項７】
前記振動可能な領域と前記配線領域とで、前記振動可能な領域の第１の電極が撓んでいない状態において、第１の電極の高さが一致していることを特徴する請求項１から６の何れか１項に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【請求項８】
前記配線領域の一部が、第１の電極を支持するための支持部が有する溝に充填されていることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の静電容量型の電気機械変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波などの弾性波の送受信（本明細書で送受信と言う場合、送信と受信のうちの少なくとも一方を意味する）を行う静電容量型電気機械変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波の送受信を行うトランスデューサとして、静電容量型電気機械変換装置であるＣＭＵＴ（Capacitive Micromachined Ultrasonic
Transducer）が提案されている（特許文献１参照）。ＣＭＵＴは、半導体プロセスを応用したＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）プロセスを用いて作製することができる。図３はＣＭＵＴの模式図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＸ-Ｘ’断面図、（ｃ）はＹ-Ｙ’断面図である。図３において、１０１は振動膜、１０２は第１の電極（上部電極）、１０５は支持部、１０６は間隙、１０７は第２の電極（下部電極）、１０８は基板である。このＣＭＵＴでは、振動膜１０１上に第１の電極１０２が形成され、その振動膜１０１は、基板１０８上に形成された支持部１０５により支持されている。基板１０８上には、振動膜１０１上に形成した第１の電極１０２と、これと間隙１０６（通常１０ｎｍ〜９００ｎｍ）を挟んで対向した第２の電極１０７が配置されている。図３では、振動膜１０１が外力により基板１０８側に少し撓んだ状態で記載している。これらの振動膜１０１と間隙１０６を挟んで対向した２つの電極を１組としてセルと呼ぶ。トランスデューサアレイであるＣＭＵＴは、複数（通常１００〜３０００個程度）のセルを１エレメントとして、２００〜４０００程度のエレメントから構成され、ＣＭＵＴ自体は１０ｍｍ〜１０ｃｍ程度のサイズが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００３−５２７９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＭＵＴにおいて、全ての第１の電極１０２は電気的に接続されている。しかし、振動膜１０１周辺部上では、一部、第１の電極１０２が形成されていない領域Ｐ（図３（ａ）の斜線表示部分）が存在する。これは、振動特性へ特に大きな影響を与える振動膜１０１周辺部分の電極面積を、送受信の効率に大きな影響を与えない範囲に減らすためである。振動膜１０１上に形成される第１の電極１０２の厚さはサブミクロン程度であり、０．１μｍ〜１．０μｍ程度の厚さの振動膜１０１に対して無視できない値となり、第１の電極１０２はＣＭＵＴの振動特性に大きな影響を与える。そこで、振動膜上の第１の電極の厚さはできるだけ薄くすることが望ましい。しかし、第１の電極を薄くすると、電極での配線抵抗成分が大きくなり、ＣＭＵＴ面内で第１の電極に印加する電位が不均一になって分布が発生する。ＣＭＵＴの送受信動作時には、第１の電極には所望の電位が印加されており、第１の電極と第２の電極間に電位差が存在する。この電位差により、第１の電極と第２の電極間に外力として静電引力が発生し、基板側に振動膜が撓んだ状態で、超音波の送受信が行われる。この撓み量により、超音波の送受信効率が決まる。そのため、ＣＭＵＴの第１の電極面内に電位分布が発生すると、振動膜の撓み量が変化し、ＣＭＵＴの送受信特性にばらつきを発生させる。このばらつきは、超音波の情報を元にして再現される画像などを劣化させる要因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題に鑑みて、本発明の静電容量型の電気機械変換装置は、次の特徴を有する。第１の電極と、間隙を介して前記第１の電極と対向して配置された第２の電極と、を有するセルを複数備える。また、前記第１の電極は、前記間隙上の振動可能な領域と、前記振動可能な領域同士をつなぐ配線領域と、を有し、前記振動可能な領域の厚さが、前記配線領域の厚さより薄い。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、第１の電極が可動部分の機械特性に影響を与えにくく、且つ第１の電極面内の電位分布を低減することができる静電容量型電気機械変換装置を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１及び第２の実施形態に係る静電容量型電気機械変換装置を説明する図。
【図２】第３及び第４の実施形態に係る静電容量型電気機械変換装置を説明する図。
【図３】従来の静電容量型電気機械変換装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の静電容量型の電気機械変換装置の重要な点は、前記振動可能ないし可動な領域（後述の図１等の上部電極１０３に対応）の厚さを前記配線領域ないし不動な領域（可動な領域に対して不動な領域とも言うが、後述の図１等の上部電極１０４に対応するので上部電極１０３間を配線する配線領域とも言い得る）の厚さ以下にするという条件の下に、第１の電極の単位面積あたりの抵抗率（種々の厚さであり得る単位面積あたりの抵抗であり、同じ材料であっても厚さが異なることで異なり得る抵抗（請求項４を参照））を、前記振動可能な領域と前記配線領域とで異ならせることである。第１の電極の厚さの規定は、振動可能ないし可動部分の機械特性の向上に係り、抵抗率ないし抵抗の規定は、第１の電極面内の電位分布の抑制に係る。この考え方に基づき、本発明の容量型電気機械変換装置の基本的な形態は、上述した様な構成を有する。この基本的な形態を基に、次に述べる様な実施形態が可能である。
【０００９】
典型的には、第１の電極面内の電位分布を容易に低減できる様にするために、前記抵抗率を、前記可動な領域より、前記不動な領域において小さくする。また、前記第１の電極を、支持部で支持された振動膜上に形成し、前記第１の電極の下部に支持部がない領域（前記可動な領域）の第１の電極が持つバネ定数を、振動膜の持つバネ定数より小さくすることができる（後述の実施形態参照）。ただし、振動膜が第１の電極を兼ねる構成とすることもできる。また、前記可動な領域と前記不動な領域とで、第１の電極の電極材料が同じであり、前記可動な領域の第１の電極の厚さを、前記不動な領域の第１の電極の厚さより薄くすることができる（後述の第１の実施形態参照）。また、前記可動な領域と前記不動な領域とで、第１の電極の電極材料が異なっている様にすることができる（後述の第２の実施形態参照）。また、前記不動な領域において、前記可動な領域の第１の電極の電極材料と異なる電極材料を積層して第１の電極を構成することができる（後述の第３の実施形態参照）。また、前記可動な領域と前記不動な領域とで、前記可動な領域の第１の電極が撓んでいない状態において、第１の電極の高さが一致する様にすることができる（後述の第４の実施形態参照）。この場合、前記不動な領域で、同じ材料から成る第１の電極の一部が、第１の電極を支持するための支持部が有する溝に充填される構造にすることができる（第４の実施形態参照）。しかし、前記可動な領域と前記不動な領域とで、異なる電極材料を用いる構成（後述の第２、３の実施形態参照）でも、この様な構造にすることができる。
【００１０】
また、第１の電極と対向して配置される第２の電極を絶縁材料の基板上に配設する構成とできるが、基板を導電材料で形成して、第１の電極を兼ねる構成とすることもできる。また、前述した様に、典型的には、容量型電気機械変換装置は、複数のセルから構成される素子であるエレメントを複数有し、各エレメントで複数の第１の電極は接続されて電気回路に接続され、第２の電極は互いに独立に電気回路に接続される。こうした構成により、音波、超音波、音響波、光音響波などの弾性波を第１及び第２の電極間の静電容量の変化で検出する受信動作を実行できる。また、第１及び第２の電極間に変調電圧を印加して両電極間に変調する静電引力を発生させ、第１の電極を振動させることにより、超音波などの弾性波を送信する送信動作を実行できる。また、複数のセルに亘り振動部が連続的に形成されていて、その可動部が振動膜、その不動部が支持部となる様に構成することもできる。こうした構成は、次に説明するサーフェスマイクロマシニングを利用する作製方法で容易に作製することができる。
【００１１】
容量型電気機械変換装置は、例えば、シリコン基板上にキャビティ構造を形成し、ＳＯＩ基板を接合させるバルクマイクロマシニングを利用した方法を用いて作製することができる。また、この他にも、サーフェスマイクロマシニングを利用する作製方法を用いることができる。具体的には、例えば、次の様にする。キャビティ形成用のポリシリコン層の犠牲層上にシリコン窒化膜をメンブレンとして成膜し、エッチングホールを形成する。このエッチングホールよりポリシリコン層を犠牲層エッチングし、キャビティを形成する。最後にエッチングホールをシリコン窒化膜で埋めることによりキャビティを形成する。
【００１２】
本発明の容量型電気機械変換装置で用いられる第２の電極は、次の様な材料で形成できる。即ち、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉ等から選択される導電体、Ｓｉ等の半導体、ＡｌＳｉ、ＡｌＣｕ、ＡｌＴｉ、ＭｏＷ、ＡｌＣｒ、ＴｉＮ、ＡｌＳｉＣｕ等から選択される合金のうちの少なくとも一材料で形成できる。また、第１の電極は、振動膜の上面、裏面、内部のうちの少なくとも一箇所に設けるか、若しくは、前述した様に振動膜を導電体や半導体で形成する場合は振動膜が第１の電極を兼ねる構造とすることもできる。本発明で用いられる第１の電極も、第２の電極と同様の導電体や半導体等により形成することができる。第１の電極と第２の電極の材料は異なっていてもよい。前述した様に、基板がシリコン等の半導体基板などである場合、基板が第２の電極を兼ねることもできる。
【００１３】
以下、本発明の容量型電気機械変換装置の実施形態を図を用いて説明する。
（第１の実施形態）
図１（ａ-１）、（ａ-２）、（ａ-３）に、第１の実施形態に係る静電容量型電気機械変換装置であるＣＭＵＴを示す。図１（ａ-１）に上面図、図１（ａ-２）にＸ-Ｘ’断面図、図１（ａ-３）にＹ-Ｙ’断面図を示す。１０１は振動膜、１０２は第１の電極である上部電極、１０３は第１の領域の上部電極、１０４は第２の領域の上部電極、１０５は支持部、１０６は間隙、１０７は第２の電極である下部電極、１０８は基板である。本実施形態では、振動膜１０１上に上部電極１０２が形成され、ＣＭＵＴ内の上部電極１０２は全て電気的に接続されている。振動膜１０１は、基板１０８上に形成された支持部１０５により支持されており、第１の領域の上部電極１０３と共に振動する様になっている。振動膜１０１上の上部電極１０３と、間隙１０６を介して対向する位置に、下部電極１０７が基板１０８上に形成されている。
【００１４】
以下の説明では、下部に支持部１０５がない領域の上部電極１０２を、第１の領域の上部電極１０３と呼ぶ（前述の可動な第１の電極の領域に対応する）。ここで、下部に支持部１０５がない領域は、超音波の送受信時に振動膜１０１が振動する領域である。すなわち、下部電極１０７に対して振動膜１０１と上部電極１０３が可動な領域である。また、下部に支持部１０５がある領域の上部電極１０２は、第２の領域の上部電極１０４と呼ぶ（前述の不動な第１の電極の領域に対応する）。ここで、下部に支持部１０５がある領域は、超音波の送受信時に実際には振動しない領域である。すなわち、下部電極１０７に対して上部電極１０４が不動な領域である。本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３の単位面積あたりの抵抗率と、第２の領域の上部電極１０４の単位面積あたりの抵抗率が異なっている。加えて、下部に支持部がない領域の上部電極１０３の厚さが、下部に支持部がある領域の上部電極１０４の厚さ以下である。これらの関係は、第２の領域の上部電極１０４の単位面積あたりの抵抗率が、第１の領域の上部電極１０３の単位面積あたりの抵抗率より低くなる様に設定することが望ましい。ＣＭＵＴは、周辺部より、上部電極１０２へ所望の電位が印加される構成になっている。前述した様に、ＣＭＵＴは小さなセルと呼ばれる構造が複数集まって構成されており、ＣＭＵＴ面内は支持部１０５によって細かく区切られている。そのため、一般に、第１の領域の上部電極１０３で発生する配線抵抗は、第２の領域の上部電極１０４で発生する配線抵抗より小さい。従って、支持部１０５上の上部電極１０２、すなわち第２の領域の上部電極１０４の抵抗成分を低減することで、ＣＭＵＴ全体の電位分布を容易に低減することができる。
【００１５】
本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３の単位面積あたりの抵抗率と、第２の領域の上部電極１０４の単位面積あたりの抵抗率とを異ならせる方法として、上部電極１０２の厚さ設定を用いる。具体的には、第１の領域の上部電極１０３の厚さを、第２の領域の上部電極１０４の厚さより小さくする。ここでは、第１の領域の上部電極１０３と第２の領域の上部電極１０３は、同一の金属により構成されている。そこで、上記の如き厚さ設定を行う。本実施形態では、金属の材料にアルミニウムを用いるが、他の金属も同様に用いることができる。
【００１６】
ＣＭＵＴの振動特性は、振動膜１０１の持つバネ定数と、第１の領域の上部電極１０４の持つバネ定数により決まる。具体的には、円形の振動膜のバネ定数kは、以下の式で表すことができる。
k=(16π*Y0*tn3)/((1-ρ2)*a2)
ここでY0はヤング率、ρは密度、aは半径、tnは厚さである。従って、上部電極１０２が振動膜１０１の振動特性に影響を与え難くするために、第１の領域の上部電極１０３の持つバネ定数が、振動膜１０１が持つバネ定数より小さな値になる様に、上部電極１０３の厚さが設定される。一方、支持部１０５上の振動膜１０１や上部電極１０２は、振動膜１０１が振動を行う際にも、殆ど固定されたまま動かない。そのため、支持部１０５上の振動膜１０１や上部電極１０４は、ＣＭＵＴの振動特性に大きな影響を与えない。よって、支持部１０５上の上部電極１０２、すなわち第２の領域の上部電極１０４の厚さを大きくしても、ＣＭＵＴの振動特性に影響を与えない。
【００１７】
また、第２の領域の上部電極１０４を厚くすることで、全体の上部電極１０２を同じ材料を用いて形成しても、支持部１０５上の上部電極１０２（第２の領域の上部電極１０４）の抵抗率を厚さに比例して下げられる。そのため、電位が印加される上部電極１０２の周辺部からの配線抵抗を、効果的に低減することができる。
【００１８】
本実施形態のＣＭＵＴは、ＭＥＭＳ技術を用いて作製することができる。上部電極１０２以外のＣＭＵＴの部分を形成した後、上部電極を全面に同じ厚さ（第２の領域の上部電極１０４と同じ厚さ）で形成し、第１の領域の上部電極１０３を、エッチングにより一様の深さ除去して作製する。また別の方法としては、上部電極１０２以外のＣＭＵＴの部分を形成した後、上部電極を全面に同じ厚さ（第１の領域の上部電極１０３と同じ厚さ）で形成し、第１の領域をレジスト等で保護する。そして、第２の領域の上部電極１０４のみが所望の厚さになるまで、メッキやリフトオフなどの手法を用いて電極を形成する。
【００１９】
本実施形態の構成によれば、振動膜１０１上の上部電極１０２（第１の領域の上部電極１０３）を厚くする必要がなく、第１の電極である上部電極面内の電位分布を低減することができる。そのため、上部電極での電位分布と切り離して、ＣＭＵＴの振動特性の設計を行うことができ、柔軟に設計できる。従って、超音波の送受信特性に優れ、且つばらつきが少ない静電容量型電気機械変換装置を提供できる。また、上部電極の厚さを変える構成にすることにより、上部電極に同一の金属材料を用い、従来のトランスデューサの構成や作製方法を大きく変えることなく、簡易な構成で所望の静電容量型電気機械変換装置を実現できる。
【００２０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態を、図１（ａ-２）と図１（ａ-３）の断面図に夫々相当する図１（ｂ-１）、（ｂ-２）を用いて説明する。第２の実施形態は、第２の領域の上部電極１０４の構成が異なる。それ以外は、第１の実施形態と同じである。本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３の単位面積あたりの抵抗率と、第２の領域の上部電極１０４の単位面積あたりの抵抗率を異ならせる方法として、第１の領域と第２の領域で異なる電極材料を用いる。
【００２１】
図１（ｂ-１）、（ｂ-２）において、第１の領域の上部電極１０３は、第１の電極材料２０１のみで構成され、第２の領域の上部電極１０４は、第２の電極材料２０２のみで構成されている。本実施形態では、第１の電極材料２０１にアルミニウム、第２の電極材料に銅を用いるが、他の金属も同様に用いることができる。本実施形態の構成によると、第１の領域と第２の領域で上部電極１０２の電極材料が異なるため、第１の領域では、ＣＭＵＴの振動特性と電気特性を考慮して第１の電極材料２０１（ここではアルミニウム）を選択する。一方、第２の領域では、ＣＭＵＴの振動特性を考慮する必要はなく電気特性のみを考慮して第２の電極材料２０２（ここでは銅）を選択できる。特に、第２の領域の上部電極１０４は、第２の電極材料２０２のみで構成されるため、配線の設計の制約が少なく、最適な配線抵抗を提供することができる。
【００２２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態を、図１（ａ-２）と図１（ａ-３）の断面図に夫々相当する図２（ａ-１）、（ａ-２）を用いて説明する。第３の実施形態は、第２の領域の上部電極１０４の構成が異なる。それ以外は、第１の実施形態と同じである。本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３の単位面積あたりの抵抗率と、第２の領域の上部電極１０４の単位面積あたりの抵抗率を異ならせる方法として、異なる電極材料を積層して用いる。
【００２３】
図２（ａ-１）、（ａ-２）において、２０１は第１の電極材料、２０２は第２の電極材料である。本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３は、第１の電極材料２０１のみで構成されている。他方、第２の領域の上部電極１０４は、第１の電極材料２０１と第２の電極材料２０２が積層された構造となっている。本実施形態では、第１の電極材料２０１にアルミニウム、第２の電極材料２０２に銅を用いるが、他の金属も同様に用いられる。
【００２４】
本実施形態の構成によって、支持部１０５上の上部電極１０２（第２の領域の上部電極１０４）を、２種類の電極材料の配線抵抗が並列に接続されたものと見なすことができる。そのため、第２の領域の上部電極１０４での配線抵抗を、効果的に低減できる。こうした構成を用いることで、振動膜１０１上の上部電極１０２（第１の領域の上部電極１０３）の厚くする必要がなく、電位分布を低減することができる。その上、第２の電極材料２０２は振動に関与しないので、その機械的な特性を考慮する必要はなく抵抗率の電気特性のみを考慮して、第２の電極材料２０２を選択することができる。よって、第２の領域の上部電極１０４の配線抵抗を、より効果的に低減することができる。
【００２５】
本実施形態のＣＭＵＴは、ＭＥＭＳ技術を用いて、以下の方法で作製することができる。まず、上部電極１０２以外のＣＭＵＴの部分を形成した後、上部電極として第１の電極材料２０１を、全面に同じ厚さ（第１の領域の上部電極１０３と同じ厚さ）で形成する。次に、第１の電極材料２０１の上に、第２の電極材料２０２を形成し、第１の電極材料２０１と第２の電極材料２０２の厚さの合計が、第２の領域の上部電極１０４と同じ厚さになる様にする。その後、第１の領域に形成されている第２の電極材料２０２を、これのみを溶かし第１の電極材料２０１はエッチングざれにくいエッチング手法で、除去する。これにより、第１の領域の上部電極１０３の厚さを、第１の電極材料２０１を形成した時の厚さの制御性により、決めることが出来るため、ＣＭＵＴの振動特性のばらつきを低減し易くなる。
【００２６】
また、以下の別の作製方法でも、実現することができる。まず、上部電極１０２以外のＣＭＵＴの部分を形成した後、上部電極として第１の電極材料２０１を、全面に同じ厚さ（第１の領域の上部電極１０３と同じ厚さ）で形成する。次に、第１の領域に形成した第１の電極材料２０１を、レジストなどにより保護する。そして、その上の全面に、第２の電極材料を、第１の電極材料２０１と第２の電極材料２０２の厚さの合計が、第２の領域の上部電極１０４と同じ厚さになるまで形成する。最後に、レジストとその上に形成された第２の電極材料２０２を除去し、第１の領域に第１の電極材料２０１のみが残る様にする。この一連の手法はリフトオフである。他方、レジストで保護した後、第２の領域のみに選択的に第２の電極材料２０２を形成するメッキ手法を用いて作製することもできる。
【００２７】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態を、図１（ａ-２）と図１（ａ-３）の断面図に夫々相当する図２（ｂ-１）、（ｂ-２）を用いて説明する。第４の実施形態は、上部電極１０２の構成が一部異なる。それ以外は、第１から第３の何れかの実施形態と同じである。本実施形態では、第１の領域の上部電極１０３の上面と第２の領域の上部電極１０４の上面の高さが、上部電極１０３が撓んでいない状態において、ほぼ一致していることが特徴である。
【００２８】
図２（ｂ-１）、（ｂ-２）において、３０１は溝である。支持部１０５に溝３０１が設けられており、第２の領域の上部電極１０４が一部、支持部１０５の溝３０１内に充填されている。また、第１の領域の上部電極１０３の上面と第２の領域の上部電極１０４の上面との高さがほぼ一致している。支持部１０５内に溝３０１を設けることで、第２の領域の上部電極１０４の配線抵抗を低減しつつ、上部電極１０２の高さを全面的にほぼ一致させられる。これにより、送受信する超音波に対して上部電極１０２の凹凸が影響して送受信特性の劣化が問題となりそうな場合に、その問題の発生を防ぐことができる。
【００２９】
本実施形態の構成によると、上部電極１０２の高さがほぼ一致している。従って、送受信する超音波に影響を与えることなく、且つ振動膜１０１上の上部電極１０２（第１の領域の上部電極１０３）を厚くする必要なく、第１の電極である上部電極面内の電位分布を低減することができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０１…振動膜、１０２…上部電極（第１の電極）、１０３…第１の領域の上部電極（第２の電極に対して可動な領域の第１の電極）、１０４…第２の領域の上部電極（第２の電極に対して不動な領域の第１の電極）、１０５…支持部、１０６…間隙、１０７…下部電極（第２の電極）
【図１】
0005550363.tif 000002
【図２】
0005550363.tif 000003
【図３】
0005550363.tif 000004