(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。
【請求項２】
前記遮光板の遮光率が９５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のオゾンガス発生処理装置。
【請求項３】
前記遮光板の遮光率が１００％未満であることを特徴とする請求項２に記載のオゾンガス発生処理装置。
【請求項４】
前記遮光板は、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のオゾンガス発生処理装置。
【請求項５】
酸素含有雰囲気中で紫外線照射を行うことによりオゾンガスを発生させ、該発生したオゾンガスで処理することでシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成方法であって、
前記紫外線の光源と前記シリコン単結晶ウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記遮光板を通過させたオゾンガスと前記シリコン単結晶ウェーハ表面とを反応させることにより前記酸化珪素膜を形成する処理を行うことを特徴とする酸化珪素膜形成方法。
【請求項６】
前記遮光板の遮光率が９５％以上のものを用いることを特徴とする請求項５に記載の酸化珪素膜形成方法。
【請求項７】
前記遮光板の遮光率が１００％未満のものを用いることを特徴とする請求項６に記載の酸化珪素膜形成方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の酸化珪素膜形成方法によりシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成し、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してＣ-Ｖ特性を測定するシリコン単結晶ウェーハの評価方法。
【請求項９】
前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にｎ型領域を有するものとすることを特徴とする請求項８に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。
【請求項１０】
前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にｎ型エピタキシャル層を有するものとすることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のシリコン単結晶ウェーハの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法、特には、水銀電極を用いてシリコン単結晶ウェーハのＣ−Ｖ測定を行う方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン単結晶ウェーハの抵抗率を測定する方法として、Ｃ−Ｖ（capacitance - voltage）特性を測定する方法が知られている。Ｃ−Ｖ特性を測定するには、試料となるシリコン単結晶ウェーハの表面にショットキー接合を形成し、逆バイアス電圧を連続的に変化させながら印加することによりシリコン単結晶ウェーハの内部に空乏層を拡げて容量を変化させる。シリコン単結晶ウェーハの表面にショットキー接合を形成するために、例えば水銀電極が用いられている。
【０００３】
試料となるシリコン単結晶ウェーハが表面にｎ型領域を有する場合（ｎ型基板、ｎ型エピタキシャル層を表面に有するウェーハ等）、予めウェーハの表面を酸化して薄い酸化珪素膜を形成させ、この酸化珪素膜上に水銀電極を接合することにより、Ｃ−Ｖ特性を測定することができる。
【０００４】
シリコン単結晶ウェーハ表面への薄い酸化珪素膜の形成は、過酸化水素などの酸化剤を含有する溶液にウェーハを数分間浸漬させた後に、リンスと乾燥を行う方法が知られている（非特許文献１）。しかし、この方法では酸化処理から乾燥までに約２０分間かかるので、時間の短縮が必要である。
【０００５】
そこで、シリコン単結晶ウェーハを酸素含有雰囲気中で紫外光に曝すことにより、ウェーハの表面をオゾンガスで酸化する方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００２−５１６４８６号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】ＡＳＴＭ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ  Ｆ１３９２−０２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
シリコン単結晶ウェーハをオゾンガスで酸化すると、ウェーハの表面に酸化珪素膜が形成される。この酸化珪素膜は絶縁性を有するので、Ｃ−Ｖ特性を測定する際に、空乏層と直列に配列されたコンデンサとして作用する。コンデンサの容量はその厚さに反比例するので、酸化珪素膜が厚いほどコンデンサの容量は小さくなる。すると、直列配列のコンデンサの容量は、各容量の逆数を加算したものの逆数なので、酸化珪素膜が厚いほど直列配列のコンデンサ全体に与える影響が大きくなる。その結果、Ｃ−Ｖ特性から得られる、エピタキシャル層の深さと不純物濃度の関係を示すグラフの傾きが大きくなり、不純物濃度の繰返し測定精度が悪くなってしまう。また、シリコン単結晶ウェーハの表面が紫外光に曝されてダメージを受け、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生してしまう。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであって、酸素含有雰囲気で紫外線を照射して発生させたオゾンガスでウェーハ表面を処理した際に、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができ、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及び、該酸化珪素膜形成方法を用いた、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明では、紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置を提供する。
【００１１】
本発明のオゾンガス発生処理装置であれば、ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によるウェーハ表面のダメージを抑制することができる。このようなオゾンガス発生処理装置を使用して酸化膜を形成したウェーハ（特に、表面にｎ型領域を有するシリコン単結晶ウェーハ）は、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生しにくくなり、繰返し測定精度の改善が可能となる。
【００１２】
またこのとき、前記遮光板の遮光率が９５％以上であることが好ましい。また、前記遮光板の遮光率が１００％未満であることが好ましい。
【００１３】
このように、遮光板の遮光率が９５％以上であれば、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。
また、遮光板の遮光率が１００％未満であれば、確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。
【００１４】
またこのとき、前記遮光板は、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることが好ましい。
【００１５】
このような遮光板であれば、より確実に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板となるために好ましい。パンチングメタルを複数枚重ねる際に孔の位置を少しずつずらすことにより、遮光率を大幅に向上させることができる。また、パンチングメタルの枚数や孔の位置を調整することによって、形成する酸化膜の膜厚を容易に調整することができるために好ましい。
【００１６】
また、本発明では、酸素含有雰囲気中で紫外線照射を行うことによりオゾンガスを発生させ、該発生したオゾンガスで処理することでシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成する酸化珪素膜形成方法であって、
前記紫外線の光源と前記シリコン単結晶ウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を配置し、前記紫外線を遮光しつつ前記遮光板を通過させたオゾンガスと前記シリコン単結晶ウェーハ表面とを反応させることにより前記酸化珪素膜を形成する処理を行うことを特徴とする酸化珪素膜形成方法を提供する。
【００１７】
本発明の酸化珪素膜形成方法によれば、シリコン単結晶ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化珪素膜形成処理をすることができるので、シリコン単結晶ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化珪素膜厚を薄く調整することができる。また、シリコン単結晶ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によるシリコン単結晶ウェーハ表面のダメージを抑制することができる。
【００１８】
またこのとき、前記遮光板の遮光率が９５％以上のものを用いることが好ましい。また、前記遮光板の遮光率が１００％未満のものを用いることが好ましい。
【００１９】
このように、遮光板の遮光率が９５％以上であれば、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。また、遮光板の遮光率が１００％未満であれば、遮光板のわずかな隙間より確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。
【００２０】
また本発明では、前記酸化珪素膜形成方法によりシリコン単結晶ウェーハ表面に酸化珪素膜を形成し、該酸化珪素膜上に水銀電極を接合してＣ−Ｖ特性を測定するシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供する。
【００２１】
このような本発明の酸化珪素膜形成方法を用いて酸化珪素膜を形成したシリコン単結晶ウェーハの評価方法であれば、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生しにくくなり、繰返し測定精度の改善が可能となる。
【００２２】
またこのとき、前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にｎ型領域を有するものとすることが好ましい。また、前記測定するシリコン単結晶ウェーハは、表面にｎ型エピタキシャル層を有するものとすることが好ましい。
【００２３】
このように、測定するシリコン単結晶ウェーハを、表面にｎ型領域を有するもの、例えば、ｎ型基板、表面にｎ型エピタキシャル層を有するウェーハ等とすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明のオゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法によれば、ウェーハ表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハが紫外線に直接曝されないので、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けなくなり、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生しなくなる。これらの結果、従来よりも繰返し測定精度を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のオゾンガス発生処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の酸化珪素膜形成方法、及び、本発明のシリコン単結晶ウェーハの評価方法を説明するフロー図である。
【図３】比較例で測定したＣ−Ｖ特性から、エピタキシャル層の深さＷと不純物濃度Ｎ（Ｗ）の関係を算出したグラフである。
【図４】実施例で測定したＣ−Ｖ特性から、エピタキシャル層の深さＷと不純物濃度Ｎ（Ｗ）の関係を算出したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
前述のように、従来、オゾンガスでシリコン単結晶ウェーハ表面を処理することによって形成した酸化珪素膜が厚いことによるＣ−Ｖ特性の測定精度が悪くなってしまうという問題点があった。また、シリコン単結晶ウェーハの表面が紫外光に曝されてダメージを受け、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生してしまうという問題点があった。
そこで、本発明者らは、オゾンガス発生処理装置の紫外線の光源とウェーハ載置部との間に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板を設けることで、ウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整することができ、更に、紫外線によるウェーハ表面のダメージを抑制することでＣ−Ｖ特性にノイズが発生することを防ぎ、結果として繰返し測定精度を改善することができることを見出し、本発明を完成させた。
【００２７】
以下、図面を参照して説明する。図１は、本発明のオゾンガス発生処理装置の一例を示す概略図である。オゾンガス発生処理装置１は、酸素含有雰囲気中で紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、ウェーハ１２をオゾンガスで処理するものである。
オゾンガス発生処理装置１は、紫外線の光源である水銀ランプ１１と、ウェーハ１２を載置するウェーハ載置部１３とを有し、水銀ランプ１１とウェーハ載置部１３との間に、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板１４が配置されている。
【００２８】
水銀ランプ１１から照射される紫外線には、１８４．９５ｎｍの波長が含まれる。空気中で紫外線を照射すると、酸素分子は１８４．９５ｎｍの波長の光により分解し、オゾンガスと原子状酸素を生じる。
【００２９】
遮光板１４は、発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板であれば特に限定されないが、複数枚のパンチングメタルを重ね合わせてなるものであることが好ましい。更に、上下のパンチングメタルの孔がずらされて重ね合わせてなるものであることが好ましい。
【００３０】
オゾンガスと原子状酸素は、遮光板１４を構成するパンチングメタル間の隙間と孔を通過してウェーハ１２まで到達するが、紫外線は殆ど遮光される。従って、ウェーハ１２表面に紫外線を殆ど曝さずに酸化処理をすることができるので、ウェーハ近傍のオゾンガス濃度が低下し、ウェーハ１２の表面に形成される酸化膜１５の膜厚を薄く調整することができる。また、ウェーハ１２が紫外線に直接曝されないので、紫外線によるウェーハ１２表面のダメージの発生を抑制することができる。
【００３１】
遮光板１４の遮光率は９５％以上が好ましく、より望ましくは９９％以上１００％未満である。遮光率が９５％以上の場合、Ｃ−Ｖ特性にノイズが発生する恐れがないために好ましい。遮光板の遮光率が１００％未満であれば、遮光板のわずかな隙間より確実にオゾンガスが遮光板を通過することができ、容易にウェーハ表面に所望厚さの酸化膜を形成することができるため好ましい。
【００３２】
図２に、本発明の酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法の一例を示すフロー図を示す。先ず、シリコン単結晶ウェーハを準備する（図２（Ａ））。
Ｃ−Ｖ特性を測定する場合には、測定されるシリコン単結晶ウェーハは、表面にｎ型領域を有するもの、特には、ｎ型基板や表面にｎ型エピタキシャル層を有するものとすることができる。以下、シリコン単結晶ウェーハ１２として、ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハを準備する場合について詳述する。
【００３３】
次に、オゾンガス発生処理装置１内のウェーハ載置部１３にｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２を載置し（図２（Ｂ））、該ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２と水銀ランプ１１との間に発生したオゾンガスを通過させかつ紫外線を遮光する遮光板１４を配置する（図２（Ｃ））。
【００３４】
次いで、酸素含有雰囲気（例えば空気中）で紫外線の光源である水銀ランプ１１から紫外線を照射すると、水銀ランプ１１の近傍にオゾンガスが生成される。オゾンガスは遮光板１４のパンチングメタル間の隙間と孔を通過してｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２まで到達するが、紫外線は遮光板１４により殆ど遮光される。
【００３５】
ｎ型シリコンエピタキシャルウェーハ１２の表面まで到達したオゾンガスは、ウェーハ１２の表面を薄く酸化し、所望厚さの酸化珪素膜１５がｎ型エピタキシャル層の表面に形成される（図２（Ｄ））。
【００３６】
形成した酸化珪素膜１５上に水銀電極を接合し、ｎ型エピタキシャル層に逆バイアス電圧を連続的に変化させながら印加すると、逆バイアス電圧に応じてｎ型エピタキシャル層内に形成された空乏層が拡がり、キャパシタンスとして計測される。この逆バイアス電圧とキャパシタンスの関係をグラフにプロットすると、Ｃ−Ｖ特性を得ることができる（図２（Ｅ））。
【００３７】
さらに、逆バイアス電圧値とキャパシタンス値を例えば下記（１）式と下記（２）式に代入すると、ｎ型エピタキシャル層の深さＷならびに、深さＷにおける不純物濃度Ｎ（Ｗ）を算出することができるので、エピタキシャル層中の深さ方向における不純物濃度のプロファイルを得ることができる。
Ｗ＝ＡεＳｉ／Ｃ      ・・・（１）
Ｎ（Ｗ）＝２／（ｑεＳｉＡ２）×｛ｄ（Ｃ−２）／ｄＶ｝−１・・・（２）
ここで、Ｗはエピタキシャル層内の深さに相当する空乏層幅、Ａは水銀電極の面積（水銀がエピタキシャル層の表面に接合するときの接触面積）、εＳｉはシリコンの誘電率、Ｃはキャパシンタンス容量、Ｎ（Ｗ）はエピタキシャル層内の深さＷにおける不純物濃度、ｑは電子の電荷量、Ｖは印加電圧である。
【００３８】
エピタキシャル層中の深さ方向における不純物濃度のプロファイルの中で、測定深さを指定すると、その深さにおける不純物濃度を測定することができる。また、得られた不純物濃度をＡＳＴＭ  ＳＴＡＮＤＡＲＤＳ  Ｆ７２３等の換算式により換算することにより、不純物濃度を抵抗率に換算することができる。
【００３９】
このようにして得られる不純物濃度もしくは抵抗率をエピタキシャルウェーハの同じ場所で複数回、例えば１０回連続して繰返し測定することにより、Ｃ−Ｖ特性の安定性を繰返し測定精度として評価することができる。繰返し測定精度は例えば１０回の測定値から平均値ｘと標準偏差σを求め、下記（３）式を用いて算出する。なお、繰返し測定の際、水銀電極を測定の度にエピタキシャルウェーハから一旦離し、再び接合させる。
繰返し測定精度＝１σ／ｘ×１００（％）・・・（３）
【００４０】
遮光板１４を用いて紫外線を遮光しながらｎ型エピタキシャル層の表面に酸化珪素膜１５を形成すると、安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることができ（繰返し測定精度を改善することができ）、特に、遮光率が９５％以上であれば、繰返し測定精度を０．５％以下にすることが可能である。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例、比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４２】
遮光板の作製
口径３ｍｍ、ピッチ５ｍｍ、６０°千鳥配列、厚さ１．５ｍｍの鋼種のパンチングメタルを４枚準備し、各枚数（１〜４枚）で遮光率ができるだけ高くなるようにして、オゾンガス発生処理装置内のウェーハと紫外線の光源との間に配置した。
尚、各遮光板の遮光率は、暗室で照度計を用いて測定した。照度１９，０００Ｌｘのハロゲンランプで遮光板の一方側から照らし、重ね合わせた（実際は積層させた）パンチングメタルの孔の位置を少しずつずらしながら、反対側１０ｍｍの位置に置いた照度計で透過光の照度を測定した。各遮光板について得られた、最も低い照度と遮光率を表１に示す。表１中、パンチングメタルの「枚数０枚」とは、遮光板を用いない場合に相当する。表１に示すように、パンチングメタルを複数枚重ねる際に孔の位置を少しずつずらすことにより、遮光率を大幅に向上できることがわかる。
【００４３】
【表１】
0005434989.tif 000002
【００４４】
（実施例１〜４，比較例１）
酸化珪素膜の形成
比較例１として、遮光板を用いずにオゾンガス発生処理装置内で酸化珪素膜を形成した。また、オゾンガス発生処理装置内で、パンチングメタル１枚から構成される遮光板を用いた場合（実施例１）、パンチングメタルを２枚重ね合わせた遮光板を用いた場合（実施例２）、パンチングメタルを３枚重ね合わせた遮光板を用いた場合（実施例３）、パンチングメタルを４枚重ね合わせた遮光板を用いた場合（実施例４）のそれぞれについて、酸化珪素膜を形成した。
【００４５】
遮光板は、オゾンガス発生処理装置内の、ｎ型エピタキシャルウェーハと水銀ランプとの間に配置した。水銀ランプの下端から遮光板までは約１０ｍｍとした。また、ｎ型エピタキシャルウェーハは、面方位（１００）、直径２００ｍｍのｎ型シリコン単結晶ウェーハ上に抵抗率約０．７Ωｃｍのエピタキシャル層が気相成長されたものであり、気相成長後２４時間以内のものを用いた。
【００４６】
空気中で、２５４ｎｍでの出力が２８０００μＷ／ｃｍ２（６ｍｍ離隔位置）の低圧水銀ランプから１８４．９５ｎｍの波長を含む紫外線を５分間照射し、約７０ｐｐｍのオゾンガスを発生させた。オゾン濃度は、パンチングメタルを３枚重ねた遮光板を通過すると、約６０ｐｐｍに低下した。紫外線照射後５分間パージを行い、オゾン含有雰囲気をオゾンガス発生装置内から排出させた。
【００４７】
ｎ型エピタキシャルウェーハの表面に形成された酸化珪素膜の厚さをＸＰＳ法（Ｘ線光電子分光法）で測定した結果を表１に示す。酸化膜の厚さは、遮光板を用いない場合（比較例１）が０．４ｎｍ、パンチングメタル１〜３枚で構成された遮光板の場合（実施例１〜３）は０．３ｎｍ、パンチングメタル４枚で構成された遮光板の場合（実施例４）は０．２ｎｍであった。
【００４８】
Ｃ−Ｖ特性の測定
オゾンガス発生処理装置からｎ型エピタキシャルウェーハを取り出し、エピタキシャル層の表面に形成した酸化珪素膜上に水銀電極を接合してＣ−Ｖ特性の測定を行った。
【００４９】
測定は、周波数１ＭＨｚで逆バイアス電圧を１５Ｖまで連続的に変化させながら印加して行った。そして得られたＣ−Ｖ特性から、エピタキシャル層の深さＷと不純物濃度Ｎ（Ｗ）の関係を算出し、グラフ化した（図３、図４（ａ）〜（ｄ））。その結果、遮光板を用いない場合の比較例１ではグラフが明らかに傾いており、ウェーハ表面が紫外線に曝されてダメージを受けたことによりノイズが多発している（図３）のに対し、遮光率９５％以上の遮光板を用いた実施例２、実施例３、実施例４のグラフは殆ど傾いておらず、ノイズも発生していない（図４（ｂ）、図４（ｃ）、図４（ｄ））。
【００５０】
続いて、エピタキシャル層の深さ０．５μｍにおける不純物濃度を求めた。Ｃ−Ｖ特性の測定後、ｎ型エピタキシャルウェーハから水銀電極を毎回切り離した。この操作をｎ型エピタキシャルウェーハの中心部で１０回繰返して行い、その繰返し測定精度１σ／ｘ×１００（％）を表１に示した。
【００５１】
表１のように、遮光板を用いた実施例１〜実施例４は、繰返し測定精度が比較例１に比べて大幅に改善された。特に、遮光率９５％以上の遮光板を用いた実施例２、実施例３、実施例４では繰返し測定精度が０．５％以下であった。
【００５２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５３】
１…オゾンガス発生処理装置、  １１…紫外線の光源（水銀ランプ）、  １２…ウェーハ、  １３…ウェーハ載置部、  １４…遮光板、  １５…酸化膜（酸化珪素膜）。
【図１】
0005434989.tif 000003
【図２】
0005434989.tif 000004
【図３】
0005434989.tif 000005
【図４】
0005434989.tif 000006