(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されたＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備える反射型マスクブランクであって、
前記吸収膜は、位相シフト層と該位相シフト層上に形成された吸収体層とを有し、
前記位相シフト層は、該位相シフト層内を通過して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に、前記多層反射膜に直接入射して反射されるＥＵＶ露光光に対し、所定の位相差を生じさせる機能を有し、
前記吸収体層は、前記位相シフト層の上に積層し、単独で又は前記位相シフト層と共に、層内を通過するＥＵＶ露光光を吸収して減衰させる機能を有し、
前記位相シフト層は、半透過層に反射防止層が積層した構造からなり、
前記半透過層は、タンタル金属、タンタルホウ化物、タンタルシリサイドおよびこれらの窒化物のうちのいずれかを主成分とする材料から構成され、
前記反射防止層は、タンタル酸化物を主成分とする材料であり、かつ全体組成を１００としたときの酸素の組成比が６０以上７０以下である材料から構成され、
前記吸収体層は、タンタル金属、タンタルホウ化物、タンタル窒化物およびタンタルホウ素窒化物のうちのいずれかを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記反射防止層は、タンタル酸化物またはタンタルホウ素酸化物からなることを特徴とする請求項１記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記半透過層は、タンタル金属、タンタルホウ化物、タンタルシリサイドおよびこれらの窒化物のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記半透過層は、タンタル窒化物またはタンタルホウ素窒化物を主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記半透過層は、塩素系ガスによるドライエッチングで、ハーフピッチ４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンを形成できる材料から構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記吸収体層は、塩素系ガスによるドライエッチングで、ハーフピッチ４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンを形成可能な材料から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記反射防止層は、フッ素系ガスによるドライエッチングで、ハーフピッチ４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンを形成できる材料から構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記反射防止層と前記吸収体層の間に、吸収体層をエッチングするエッチングガスに対して耐性を有する材料から構成されているエッチングストッパー膜を備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記エッチングストッパー膜は、クロムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項８記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記吸収膜は、前記吸収体層の上に低反射層を備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項１１】
前記低反射層は、酸化タンタルを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項１０記載の反射型マスクブランク。
【請求項１２】
前記多層反射膜と吸収膜の間にバッファ膜を備えることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の反射型マスクブランク。
【請求項１３】
前記バッファ膜は、クロムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項１２記載の反射型マスクブランク。
【請求項１４】
前記バッファ膜は、ルテニウムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする請求項１２記載の反射型マスクブランク。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか記載の反射型マスクブランクを用いて製造された反射型マスクであって、前記位相シフト層が転写パターンの形状に加工されている転写パターンエリアと、前記転写パターンエリアの周りに所定の幅で形成され、前記位相シフト層の上に吸収体層が形成されているブラインドエリアと、を備えることを特徴とする反射型マスク。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか記載の反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法であって、
所定の形状の第１のレジスト膜をマスクとして吸収体層に対して塩素系ガスによるドライエッチングを行い、転写パターンエリアの前記吸収体層を転写パターンの形状に加工する工程と、
前記第１のレジスト膜をマスクとして前記反射防止層に対してフッ素系ガスによるドライエッチングを行い、前記転写パターンエリアの前記反射防止層を前記転写パターンの形状に加工する工程と、
前記第１のレジスト膜をマスクとして前記半透過層に対して塩素系ガスによるドライエッチングを行い、前記転写パターンエリアの前記半透過層を前記転写パターンの形状に加工する工程と、
所定の形状の第２のレジスト膜をマスクとして前記吸収体層に対して塩素系ガスによるドライエッチングを行い、前記転写パターンエリアの前記吸収体層を除去するとともに、前記転写パターンエリアの周りに前記位相シフト層及び前記吸収体層を備えるブラインドエリアを形成する工程と、
を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１７】
前記所定の形状の第１のレジスト膜は、ハーフピッチ４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンを有することを特徴とする請求項１６記載の反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランクおよび反射型マスクに関する。さらに詳しくは、本発明は、極端紫外光などの短波長域の露光光を使用するリソグラフィ法において用いられる反射型マスク用として好適な反射型マスクブランク、および当該反射型マスクブランクを用いてなる反射型マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィー法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされている。このような微細パターンの転写を可能とするため、より波長の短い極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ；以下、ＥＵＶ光と呼ぶ。）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる露光用マスクとしては、特開平８−２１３３０３号公報（特許文献１）に記載されたような反射型マスクが提案されている。【０００３】
この反射型マスクは、基板上に露光光であるＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有し、更に、多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収体膜がパターン状に設けられた構造をしている。このような反射型マスクを搭載した露光機（パターン転写装置）を用いてパターン転写を行なうと、反射型マスクに入射した露光光は、吸収体膜パターンのある部分では吸収され、吸収体膜パターンのない部分では多層反射膜により反射された光が反射光学系を通して例えば半導体基板（レジスト付きシリコンウエハ）上に転写される。【０００４】
また、光の短波長化とは別にＩＢＭのＬｅｖｅｎｓｏｎらによって位相シフトマスクを利用した解像度向上技術が提唱されている（例えば、特公昭６２−５０８１１号公報（特許文献２））。位相シフトマスクでは、マスクパターンの透過部を、隣接する透過部とは異なる物質若しくは形状とすることにより、それらを透過した光に１８０度の位相差を与えている。従って両透過部の間の領域では、１８０度位相の異なる透過回折光同士が打ち消し合い、光強度が極めて小さくなって、マスクコントラストが向上し、結果的に転写時の焦点深度が拡大するとともに転写精度が向上する。尚、位相差は原理上１８０度が最良であるが、実質１７５〜１８５度程度であれば解像度向上効果は得られる。【０００５】
位相シフトマスクの一種であるハーフトーン型マスクは、マスクパターンを構成する材料として光吸収性の薄膜を用い、透過率を数％程度（通常５〜２０％程度）まで減衰させつつ、通常の基板透過光と１８０度の位相差を与えることで、パターンエッジ部の解像度を向上させる位相シフトマスクである。光源としては、現状、これまで使用されて来たＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）に切り替わりつつある。【０００６】
しかしながら、ＡｒＦエキシマレーザをもってしても、将来的な５０ｎｍ以下の線幅を有するデバイスを作製するためのリソグラフィ技術として適用するには、露光機やレジストの課題もあり、容易ではない。【０００７】
そこで、ＥＵＶリソグラフィの転写解像性をより向上するために、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーンマスクの原理を、反射光学系を用いたＥＵＶリソグラフィにおいても適用可能とするＥＵＶ露光用マスクが提案されている（例えば、特開２００４−２０７５９３号公報（特許文献３））。【０００８】
【特許文献１】特開平８−２１３３０３号公報
【特許文献２】特公昭６２−５０８１１号公報
【特許文献３】特開２００４−２０７５９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以下、関連するＥＵＶ露光用マスクについて、図６Ａ及び図６Ｂを用いて説明する。図６Ａは、関連するＥＵＶ露光用マスクの断面図及びその平面図である。
図６Ａに示すように、関連するＥＵＶ露光用マスクは、基板１１０上に露光光の高反射領域となる多層膜１１１が形成され、その多層膜１１１上に低反射領域となる低反射層１１２のパターンが形成されている。当該低反射層１１２は２層膜で構成されており、露光波長において、露光光が多層膜１１１に直接入射するときの反射率を基準とした場合の低反射層１１２を通過して入射するときの反射率は５乃至２０％であり、低反射層１１２からの反射光と多層膜１１１からの反射光との位相差が１７５乃至１８５度であることを特徴とする。【００１０】
このような構成のＥＵＶ露光用マスクは、従来のエキシマレーザ露光等で用いられているハーフトーンマスクの原理を、ＥＵＶ露光および反射光学系においても適用可能とし、ＥＵＶ露光とハーフトーン効果により転写解像性を向上したＥＵＶ露光用マスクを実現することができる。【００１１】
一般的に、半導体デバイスを製造する際には、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、同じフォトマスクを用いて、位置をずらしながら、複数回露光することにより、１枚の被写体に対して同一パターンを複数転写する。【００１２】
本来、露光装置内の光源から照射される露光光は、フォトマスク表面の転写すべきパターン１１３が形成されている部分（以下、転写エリア１１４という）にのみ入射することが理想的であり、露光装置内の光学系で調整される仕組みになっている。しかし、光の回折現象や位置精度等の関係から、一部の露光光が漏れて（これを漏れ光という）転写エリア１１４の外周にまで入射してしまう現象が避けられなかった（以下、この漏れ光で露光されてしまう外周領域を漏れ光エリア１１６という）。このため、図６Ａに示すように、被写体のレジスト膜には、転写エリア１１４の領域だけでなく、漏れ光エリア１１６を含む領域が転写されるようになっていた。【００１３】
露光装置でフォトマスクの転写パターン１１３を被写体（ウェハ等）上に形成されたレジスト膜へ複数転写する際は、被写体を最も有効に利用するために、図６Ｂに示すように被写体上に転写エリア１１４の転写パターン１１３がほとんど隙間なく転写されるようにするのが一般的である。（図６Ｂの転写パターン１１３Ａ，１１３Ｂ，１１３Ｃ，１１３Ｄ等参照）。【００１４】
このとき、例えば、転写パターン１１３Ａを転写後、ほとんど隙間なく転写パターン１１３Ｂを転写する際、転写パターン１１３Ｂの漏れ光エリア１１６Ｂが転写パターン１１３Ａの一部に重なってしまう。また、転写パターン１１３Ａの漏れ光エリア１１６Ａが転写パターン１１３Ｂの一部に重なってしまう。【００１５】
ＥＵＶ露光光を吸収体膜１１２で吸収してしまうタイプの反射型マスクの場合、ＥＵＶ露光光が漏れ光エリア１１６にまで漏れ出ても、吸収体膜１１２がＥＵＶ露光光を吸収し、吸収体膜１１２の被写体上のレジスト膜を感光する強度の反射光が漏れ光エリア１１６からは発生しないため、特に問題にはならなかった。また、エキシマレーザ露光で用いられるハーフトーン型マスクの場合には、漏れ光エリア１１６を含む転写エリア１１４の外周領域であるブラインドエリア１１５に遮光帯を設け、露光をする際に隣接するパターンに影響を与えないようにするのが一般的である。【００１６】
しかし、ハーフトーン効果を利用したＥＵＶ露光用マスクの場合、吸収体膜は、ＥＵＶ露光光を所定の透過率で透過してしまうので、漏れ光エリア１１６からも反射光が発生してしまう。このため、被写体上で転写パターン１１３と漏れ光エリア１１６とが重なると被写体上のレジスト膜を意図せず感光させてしまうという問題があった。【００１７】
以下、図６Ｂを用いて具体的に説明する。
前記の通り、露光装置でフォトマスクの転写パターン１１３を被写体上のレジスト膜へ複数転写する際、例えば、１回目の露光で被写体上に転写された転写パターンを１１３Ａとし、２回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｂ、３回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｃ、４回目の露光で転写された転写パターンを１１３Ｄというように、以降順次露光していく。この場合、転写パターンの吸収体膜１１２が残存する部分である低反射部分（被写体上のレジスト膜を感光させない部分）と、同じく吸収体膜１１２が残存する部分の漏れ光エリア１１６とが重なってしまうことで、２回分の露光が重なる部分１２０、３回分の露光が重なってしまう部分１２１、４回分の露光が重なってしまう部分１２２が被写体上のレジスト膜に生じてしまう。【００１８】
通常、ＥＵＶ露光用の反射型マスクの場合、ＥＵＶ光が多層反射膜に直接入射して反射される場合でも、反射率は７０％程度であり、被写体上のレジスト膜がこの７０％の反射光量で感光されるようにＥＵＶ光源の光量等が調整されている。例えば、吸収体膜１１２を経由して多層反射膜１１１に反射される場合の反射率が２０％程度の反射型マスクを用いた場合、２回分の露光が重なる部分１２０では、被写体上のレジスト膜が概ね４０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光されることになり、本来、感光させるべきではない部分のレジスト膜が感光してしまう可能性がある。同様に、３回分の露光が重なる部分１２１では、被写体上のレジスト膜が概ね６０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光され、４回分の露光が重なる部分１２１では、被写体上のレジスト膜が概ね８０％の反射率に相当する光量のＥＵＶ光で露光されてしまい、本来、感光させるべきではない部分のレジスト膜が感光してしまう可能性が高い。【００１９】
本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、ハーフトーンマスクの原理を利用したＥＵＶ露光用マスクにおいて、転写エリアの低反射部分とブラインドエリアの漏れ光エリアが重なるように被写体のレジスト膜に対して転写パターンを隙間なく転写しても、重なり部分のレジストが感光しないようなＥＵＶ露光用マスク及びそれを製造するためのマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明者らは、反射型マスクのブラインドエリアに吸収体層を設け、転写パターンエリアにおける位相シフト層による反射率よりも、ブラインドエリアにおける吸収体層による反射率を低くすることを考えた。【００２１】
つまり、本発明に係る反射型マスクブランクは、基板と、前記基板上に形成された、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されたＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜と、を備える反射型マスクブランクであって、前記吸収膜は、層内を通過して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト層と、前記位相シフト層の上に積層され、単独で又は前記位相シフト層と共に、層内を通過するＥＵＶ露光光を吸収して減衰させる吸収体層と、を備えるものである。【００２２】
上記本発明に係る反射型マスクブランクにおいて、位相シフト層がタンタルを主成分とする材料から構成されていると好適である。また、位相シフト層が半透過層と反射防止層とを含むと好適であり、半透過層が窒化タンタルを主成分とする材料から構成されていると好適である。さらには、反射防止層が酸化タンタルを主成分とする材料から構成されていると好適である。【００２３】
上記本発明に係る反射型マスクブランクにおいて、吸収体層が、前記位相シフト層をエッチングするエッチングガスに対して耐性を有する材料から構成されていると好適である。吸収体層が、窒化タンタルを主成分とする材料から構成されていても良い。【００２４】
上記本発明に係る反射型マスクブランクにおいて、位相シフト層と前記吸収体層の間に、吸収体層をエッチングするエッチングガスに対して耐性を有する材料から構成されているエッチングストッパー膜を備えると好適である。その場合、エッチングストッパー膜が、クロムを主成分とする材料から構成されていると好適である。【００２５】
上記本発明に係る反射型マスクブランクにおいて、吸収膜が前記吸収体層の上に低反射層を備えると好適であり、その場合、低反射層は酸化タンタルを主成分とする材料から構成されていると好適である。【００２６】
上記本発明に係る反射型マスクブランクにおいて、多層反射膜と吸収膜の間にバッファ膜を備えると好適である。その場合、バッファ膜はクロムを主成分とする材料から構成されていても良く、ルテニウムを主成分とする材料から構成されていても良い。【００２７】
本発明に係る反射型マスクは、上記本発明に係る反射型マスクブランクを用いて製造された反射型マスクであって、前記位相シフト層が転写パターンの形状に加工されている転写パターンエリアと、前記転写パターンエリアの周りに所定の幅で形成され、前記位相シフト層の上に吸収体層が形成されているブラインドエリアと、を備えるものである。【００２８】
本発明に係る反射型マスクの製造方法は、上記本発明に係る反射型マスクブランクを用いた反射型マスクの製造方法であって、所定の形状の第１のレジスト膜をマスクとして吸収体層をドライエッチングすることにより、転写パターンエリアの前記吸収体層を転写パターンの形状に加工する工程と、前記第１のレジスト膜をマスクとして前記位相シフト層をドライエッチングすることにより、前記転写パターンエリアの前記位相シフト層を前記転写パターンの形状に加工する工程と、所定の形状の第２のレジスト膜をマスクとして前記吸収体層をドライエッチングすることにより、前記転写パターンエリアの前記吸収体層を除去するとともに、前記転写パターンエリアの周りに前記位相シフト層及び前記吸収体層を備えるブラインドエリアを形成する工程と、を具備するものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る反射型マスクブランクは、位相シフト層の上にＥＵＶ露光光を吸収して減衰させる吸収体層を設けたことにより、この反射型マスクブランクから反射型マスクを作製する際、ブラインドエリアに吸収体層を設け、転写パターンエリアにおける位相シフト層による反射率よりも、ブラインドエリアにおける反射率を低くすることができるので、ブラインドエリアが重なるように転写対象物上のレジスト層に露光した際に、レジスト層の感光を抑制することができる。これにより、レジストが感光してしまい、転写対象物に転写パターンへの転写時に影響を与えることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態における反射型マスクの断面構造を示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施例１における反射型マスクブランクの断面構造である。
【図２Ｂ】本発明の実施例１における反射型マスクの製造工程を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の実施例１における反射型マスクの製造工程を示す図である。
【図３Ａ】本発明の実施例１における反射型マスクの製造工程を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例１における反射型マスクの製造工程を示す図である。
【図４Ａ】本発明の実施例４における反射型マスクブランクの断面構造を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の実施例４における反射型マスクの断面構造を示す図である。
【図５Ａ】本発明の実施例５における反射型マスクブランクの断面構造を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の実施例５における反射型マスクの断面構造を示す図である。
【図６Ａ】関連する反射型マスクの断面構造および平面構造を示す図である。
【図６Ｂ】関連する反射型マスクの平面構造を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。
図１は、本実施の形態に係る反射型マスクの断面構造を示す図である。
図１において、基板１上には、転写パターンが形成されている転写パターンエリア２と、当該転写パターンエリア２の周りを囲むように設けられた転写パターンが形成されていない領域であるブラインドエリア３があり、基板１上の全面には多層反射膜４が形成されている。【００３２】
ブラインドエリア３においては、多層反射膜４の上に、バッファ膜５、吸収膜６が順次積層されている。吸収膜６は２層構造になっており、下層である位相シフト層７は半透過層８及び反射防止層９からなり、上層は吸収体層１０及び低反射層１１からなる。なお、低反射層１１は必要に応じて設ければよく、設けなくても良い。上層の吸収体層１０および低反射層１１は、ブラインドエリア３の中で、図６Ａでも示した漏れ光エリア１１６に最低限形成されていれば、被写体上のレジスト膜の露光が重なる部分の感光を抑制することはできる。この場合には、露光装置のマスクステージの位置精度や、ブラインドエリア３へのＥＵＶ露光光の照射を遮蔽する遮蔽板の精度のことを考慮して、漏れ光エリア１１６の幅に余裕を持たせるとよい。また、反射型マスクを作製する時の反射型マスクブランクのレジスト膜へのパターン描画露光時間を考慮する場合には、上層の吸収体膜１０および低反射層１１をブラインドエリア３の全体（図６Ａでいう、漏れ光エリア１１６と外側エリア１１７の両方）に形成するとよい。【００３３】
転写パターンエリア２においては、多層反射膜４の上に、転写パターンの形状で、バッファ膜５、並びに半透過層８及び反射防止層９からなる位相シフト層７が順次形成されている。それ以外の転写パターンエリア２の多層反射膜４の上には何も積層されていない。【００３４】
基板１は、良好な平滑性と平坦度が必要とされ、その材料としては、ガラス基板を用いることができる。ガラス基板は良好な平滑性と平坦度が得られ、特にマスク用基板として好適である。ガラス基板材料としては、低熱膨張係数を有するアモルファスガラス（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス等）、石英ガラス又はβ石英固溶体を析出した結晶化ガラス等が挙げられる。【００３５】
上記基板１上に形成する多層反射膜４は、高屈折率な材料と低屈折率な材料を交互に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射することができる。例えば１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する反射率が高いＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が挙げられる。ＥＵＶ光の領域で使用されるその他の多層反射膜の例としては、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層反射膜などが挙げられる。多層反射膜４は、例えばマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など周知の成膜方法により形成することができる。【００３６】
バッファ膜５は、後述する上層を転写パターンの形状にエッチング処理等で加工する際に下層の多層反射膜４がエッチング処理等によるダメージを受けないようにこれを保護することを目的として設けられる。したがってバッファ膜５の材質としては、上層の半透過層８のエッチング処理による影響を受けにくく、かつ後でエッチングにより除去可能な物質が選択される。たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３などの物質が好ましく、この中から上層の材質やエッチング方法などを考慮して適宜選択する。このバッファ膜５の膜厚は、１００ｎｍ以下、好ましくは８０ｎｍ以下である。このバッファ膜５の成膜は、同様にマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法など周知の成膜方法を用いて行うことができる。【００３７】
例えば、後述する半透過層８として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を用いた場合には、ＴａＢＮのエッチングガスである塩素系ガスでエッチングされにくい窒化クロム（ＣｒＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）系材料（Ｒｕ，ＲｕＮｂ，ＲｕＺｒ，ＲｕＭｏ，ＲｕＹ，ＲｕＢ，ＲｕＴｉ，ＲｕＬａ等）をバッファ膜５として用いると好適である。又、バッファ膜５としてＲｕやＲｕＮｂを用いた場合、Ｒｕ系材料はＥＵＶ光において透明性が高いので、除去しなくてもフォトマスクとして使用することができる。又、バッファ膜５は必要に応じて設ければよく、吸収体層へのパターン形成方法、条件によっては、反射層上に直接吸収体層を設けてもよい。【００３８】
吸収膜６は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有する膜であり、上述のとおり、半透過層８及び反射防止層９からなる位相シフト層７と、その上に形成された吸収体層１０からなる。必要に応じて吸収体層１０の上に低反射層１１を設けても良い。【００３９】
位相シフト層７は、転写パターンエリア２において、上述したハーフトーン型マスクとして機能する。そのためには、ＥＵＶ露光光の波長が多層反射膜４に直接入射して反射した場合（図１において１２で示した場合）の反射率を基準とした場合の、当該位相シフト層７およびバッファ膜５を透過して多層反射膜４に入射して反射し、再度バッファ膜５及び当該位相シフト層７を透過した反射光（図１において１３で示した場合）の反射率が、５％乃至２０％であることが好ましい。さらには、上記位相シフト層７を介した場合の反射光（図１において１３で示した場合の反射光）と、上記多層反射膜４に直接入射した場合の反射光（図１において１２で示した場合の反射光）との位相差が１７５乃至１８５度であることが好ましい。よって位相シフト層７の材料及び膜厚は、反射率及び位相差が上記にようになるよう設計する。なお、バッファ膜５としてＲｕ系材料を用い、位相シフト層７が除去されている部分のバッファ膜についても除去しない場合においては、バッファ膜５は位相差に寄与しないことになるので、位相シフト層７のみで、位相シフト層７を介した場合の反射光と多層反射膜４に直接入射した場合の反射光との位相差が１７５乃至１８５度となるように調整することが好ましい。【００４０】
位相シフト層７はタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。半透過層８は、タンタル金属（Ｔａ）、タンタルホウ化物（ＴａＢ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、あるいはこれらの窒化物を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。これらの中でも、タンタル窒化物（ＴａＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を主成分とする材料から構成されていることが特に好ましい。反射防止層９は、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）等のタンタル酸化物を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。【００４１】
通常、ＥＵＶ用の反射型マスクブランクから反射型マスクを作製した後、マスクに転写パターンが求められている精度で転写されていることを確認するパターン検査を行う必要がある。このパターン検査を行うパターン検査機では、検査光の光源には、ＥＵＶ光ではなく、それよりも長波長の光源（例えば、１９０〜２６０ｎｍ程度の深紫外光、あるいはそれよりも長波長の可視光など）が使用されているのが一般的である。ＥＵＶ光源機が高価であることや、ＥＵＶ光の場合、大気中での減衰が激しいため、検査機内部を真空にする必要があり、パターン検査機が大掛かりとなることなどがその理由である。パターン検査機では、反射型マスクに長波長の光を照射し、多層反射膜４とマスクパターン部分（位相シフト層７が積層する部分）との反射コントラストでパターンの精度を検査するようになっている。このとき、位相シフト層７が、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）等の半透過層８のみで構成されていると、検査光に対する反射率が高く、多層反射膜４との反射コントラストが取り難いという問題がある。このため、位相シフト層７は、ＥＵＶ光の吸収率の高いタンタル金属やタンタル窒化物を主成分とする半透過層８の上に検査光に対する反射率が低いタンタル酸化物を主成分とする反射防止層９を積層した構造となっている。【００４２】
吸収体層１０はブラインドエリア３において、ＥＵＶ露光光を吸収する役目を有する。吸収体層１０によりＥＵＶ露光光が十分吸収されることにより、ブラインドエリアにおける被写体上のレジスト膜の感光を低減することができる。吸収体層１０の材料としては、タンタル金属（Ｔａ）、タンタルホウ化物（ＴａＢ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉ）、あるいはこれらの窒化物を主成分とする材料や、ＣｒＮ、低反射Ｃｒ等のクロムを主成分とする材料から構成されていることが好ましい。これらの中でも、タンタル窒化物（ＴａＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）を主成分とする材料から構成されていることが特に好ましい。吸収体層１０は、位相シフト層７をエッチングする際のエッチングガスに耐性を有する材料が好ましく、位相シフト層７の材料と吸収体層１０の材料をそのような組み合わせで、選択すると好適である。【００４３】
低反射層１１はブラインドエリア３において、パターン検査機の検査光に対する多層反射膜４との間の反射コントラストを得る役割を有する。また、ブラインドエリア３に形成されるアライメントマーク（図示せず）を露光機が検出する際に使用する長波長の光に対する反射コントラストを得る役割も有している。吸収体層１０と共に、ブラインドエリアにおける被写体上のレジスト膜の感光を低減することができる。なお、低反射層１１は必要に応じて適宜設ければよく、例えば、吸収体層１０の材料が低反射層１１の役目を兼ねるものである場合は、低反射層を設ける必要はない。低反射層１１の材料としては、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）等のタンタル酸化物を主成分とする材料や、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）等から構成されていることが好ましい。特に、ＥＵＶ光に対する吸収率の観点から、反射防止層９は、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）等のタンタル酸化物を主成分とする材料から構成されていることが好ましい。【００４４】
本発明において、タンタル金属、タンタル窒化物系等のような塩素系ガスでドライエッチングが可能な場合のエッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３が適用可能である。また、本発明において、タンタル酸化物系、酸化シリコン系、モリブデンシリサイド系等のようなフッ素系ガスでドライエッチングを行う必要がある場合のエッチングガスとしては、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨＣｌ３が適用可能である。また、これらのフッ素系ガスに、Ｈｅ、Ｈ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガス、あるいは、Ｃｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素系ガス、または、これらと、Ｈｅ、Ｈ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガスを用いることもできる。【００４５】
［実施例１］
以下、実施例により、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。まずに本実施例における反射型マスクの製造方法を、図面を用いて説明する。
図２Ａ〜図２Ｃ、図３Ａ及び図３Ｂは、本実施の形態に係る反射型マスクの製造工程の断面構造を示す図である。【００４６】
図２Ａに示すように、反射型マスクブランクを製造した。まず基板１として、外形１５２ｍｍ角、厚さが６．３ｍｍの低膨張のＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を用意した。【００４７】
次に、上記基板１上に、多層反射膜４として、ＥＵＶ光の波長である露光波長１３〜１４ｎｍの領域の反射膜として適したＭｏとＳｉからなる交互積層膜を形成した。成膜はイオンビームスパッタリング装置を用いて行った。まずＳｉターゲットを用いて、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層した後、最後にＳｉ膜を４ｎｍ成膜した。合計膜厚は、２８４ｎｍであった。【００４８】
次に、上記多層反射膜４上に、窒化クロム（ＣｒＮ：Ｎ＝１０ａｔ％）からなるバッファ膜５を形成した。成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置により行い、膜厚は１０ｎｍとした。【００４９】
次に、上記バッファ膜５上に、吸収膜６の下層である位相シフト層７を形成した。位相シフト層７は前述したとおり、半透過層８と反射防止層９からなり、まず、半透過層８として、Ｔａを主成分とし、Ｎを含む膜（ＴａＮ膜）を膜厚２８ｎｍ形成した。成膜方法は、Ｔａターゲットを用い、アルゴンガス（Ａｒ）及び窒素ガス（Ｎ２）の混合ガスによるＤＣマグネトロンスパッタリングにより成膜した。この膜の組成は、Ｔａ：Ｎ＝７０：３０であった。【００５０】
次に、半透過層８の上に、反射防止層９として、Ｔａを主成分とし、Ｏを含む膜（ＴａＯ膜）を膜厚１４ｎｍ形成した。成膜方法は、Ｔａターゲットを用い、アルゴンガス（Ａｒ）及び酸素ガス（Ｏ２）の混合ガスによるＤＣマグネトロンスパッタリングにより成膜した。この膜の組成は、Ｔａ：Ｏ＝３０：７０であった。【００５１】
次に、上記反射防止層９上に、吸収体層１０として、Ｔａを主成分とし、Ｎを含む膜（ＴａＮ膜）を膜厚４０ｎｍ形成した。成膜方法は、Ｔａターゲットを用い、アルゴンガス（Ａｒ）及び窒素ガス（Ｎ２）の混合ガスによるＤＣマグネトロンスパッタリングにより成膜した。この膜の組成は、Ｔａ：Ｎ＝７０：３０であった。【００５２】
以上のようにして、本実施例の反射型マスクブランクが得られた。なお、本実施例では、低反射層１１がない場合の例を示す。【００５３】
次に、図２Ｂに示すように、転写パターンエリア２において、吸収体層１０であるＴａＮ膜を転写パターンに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした。【００５４】
まず、上記反射型マスクブランクの吸収体層１０上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターンを形成した（図示せず）。次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体層１０であるＴａＮ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングし、吸収体層１０を所定のパターンに加工した。【００５５】
次に、図２Ｃに示すように、上記レジストパターンをマスクとして、吸収体層１０と同様に反射防止層９と半透過層８を順次エッチングした。ＴａＯ膜である反射防止層９のエッチングはフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いたドライエッチングで行い、ＴａＮ膜である半透過層８のエッチングは塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いたドライエッチングで行った。【００５６】
次に、図３Ａに示すように、上記吸収体層１０等の加工に用いたレジストパターンを除去した後に、再度ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像によりブラインドエリア３の吸収体層１０の上のみにレジスト膜を形成した（図示せず）。このレジスト膜をマスクとして、転写パターンエリア２における吸収体層１０をエッチングした。ＴａＮ膜である吸収体層１０のエッチングは塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いたドライエッチングで行った。【００５７】
次に、図３Ｂに示すように、転写パターンエリア２における反射防止層９をマスクとして、ＣｒＮ膜であるバッファ膜５を、塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。エッチング後、レジスト膜を除去して本実施例に係る反射型マスクを製造した。【００５８】
上記のように製造した反射型マスクは、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。【００５９】
反射型マスクブランクを、図２Ａに示すように、吸収膜６として位相シフト層７の上に吸収体層１０を積層した構成としたので、上記のような効果を有する反射型マスクを得ることができた。【００６０】
［実施例２］
以下、実施例２として、実施例１における、半透過層８を、ＴａＮ膜に替えてＴａを主成分としてＢとＮを含む膜（ＴａＢＮ膜）とし、反射防止層９を、ＴａＯ膜に替えてＴａを主成分としてＢとＯを含む膜（ＴａＢＯ膜）とし、吸収体層１０として、ＴａＮ膜に替えてＴａを主成分としてＢとＮを含む膜（ＴａＢＮ膜）とした場合を示す。その他の構成は実施例１と同様とする。【００６１】
半透過膜８を構成するＴａＢＮ膜は、バッファ膜５の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜した。膜厚は、ＥＵＶ露光光を半透過できる厚さとして、３０ｎｍとした。成膜されたＴａＢＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｎは６０：１０：３０であった。【００６２】
反射防止層９を構成するＴａＢＯ膜は、半透過膜８の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含有するターゲットを用い、Ａｒに酸素２５％を添加した混合ガスを用いて膜厚１４ｎｍになるように成膜した。成膜されたＴａＢＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｏは３０：１０：６０であった。【００６３】
吸収体層１０を構成するＴａＢＮ膜は、反射防止層９の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒに窒素を４０％添加したガスを用いて成膜した。膜厚は、ＥＵＶ露光光を十分に吸収できる厚さとして、４０ｎｍとした。成膜されたＴａＢＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｎは６０：１０：３０であった。【００６４】
上記以外の構成は、実施例１と同じ構成とすることで、図２Ａと同様の構成であって、ガラス基板からなる基板１の上に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる多層反射膜４、窒化クロムからなるバッファ膜５、ＴａＢＮ膜からなる半透過層８、ＴａＢＯ膜からなる反射防止層９、ＴａＢＮ膜からなる吸収体層１０が順次積層された反射型マスクブランクを得ることができた。【００６５】
上記反射型マスクブランクを、実施例１と同様の方法で、加工することにより、図３Ｂに示す反射型マスクを得ることができた。なお本実施例で半透過膜８及び吸収体層１０に用いられているＴａＢＮ膜は、実施例１で同じ層に用いられているＴａＮ膜と同様の方法でエッチングした。本実施例で反射防止層９に用いられているＴａＢＯ膜は、実施例１で同じ層に用いられているＴａＯ膜と同様の方法でエッチングした。【００６６】
この反射型マスクにおいても、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。また、反射型マスクブランクを、位相シフト層７の上に吸収体層１０を積層した構成としたので、上記のような効果を有する反射型マスクを得ることができた。【００６７】
［実施例３］
以下、実施例３として、実施例１における、半透過層８を、ＴａＮ膜に替えてＴａを主成分としてＢを含む膜（ＴａＢ膜）とし、反射防止層９を、ＴａＯ膜に替えてＴａを主成分としてＢとＯを含む膜（ＴａＢＯ膜）とし、吸収体層１０として、ＴａＮ膜に替えてＴａを主成分としてＢを含む膜（ＴａＢ膜）とした場合を示す。その他の構成は実施例１と同様とする。【００６８】
半透過膜８を構成するＴａＢ膜は、バッファ膜５の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒガスを用いて成膜した。膜厚は、ＥＵＶ露光光を半透過できる厚さとして、２８ｎｍとした。成膜されたＴａＢＮ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂは８０：２０であった。【００６９】
反射防止層９を構成するＴａＢＯ膜は、半透過膜８の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含有するターゲットを用い、Ａｒに酸素２５％を添加した混合ガスを用いて膜厚１４ｎｍになるように成膜した。成膜されたＴａＢＯ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂ：Ｏは３０：１０：６０であった。【００７０】
吸収体層１０を構成するＴａＢ膜は、反射防止層９の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、タンタルとホウ素を含む焼結体ターゲットを用い、Ａｒガスを用いて成膜した。膜厚は、ＥＵＶ露光光を十分に吸収できる厚さとして、４０ｎｍとした。成膜されたＴａＢ膜の組成比は、Ｔａ：Ｂは８０：２０であった。【００７１】
上記以外の構成は、実施例１と同じ構成とすることで、図２Ａと同様の構成であって、ガラス基板からなる基板１の上に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる多層反射膜４、窒化クロムからなるバッファ膜５、ＴａＢ膜からなる半透過層８、ＴａＢＯ膜からなる反射防止層９、ＴａＢ膜からなる吸収体層１０が順次積層された反射型マスクブランクを得ることができた。【００７２】
上記反射型マスクブランクを、実施例１と同様の方法で、加工することにより、図３Ｂに示す反射型マスクを得ることができた。なお本実施例で半透過膜８及び吸収体層１０に用いられているＴａＢ膜は、実施例１で同じ層に用いられているＴａＮ膜と同様の方法でエッチングした。本実施例で反射防止層９に用いられているＴａＢＯ膜は、実施例１で同じ層に用いられているＴａＯ膜と同様の方法でエッチングした。【００７３】
この反射型マスクにおいても、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。また、反射型マスクブランクを、位相シフト層７の上に吸収体層１０を積層した構成としたので、上記のような効果を有する反射型マスクを得ることができた。【００７４】
［実施例４］
実施例４として、実施例１における反射型マスクの構成に加えて、反射防止層９と吸収体層１０の間に、エッチングストッパー膜１４を形成した場合を示す。エッチングストッパー膜１４は、実施例１において図２Ｂを用いて説明した、転写パターンエリア２における吸収体層１０を転写パターンの形状にエッチングする工程において、下層の反射防止層９にダメージを与えないように保護するために設けるものであり、吸収体層１０をエッチングするエッチングガスに耐性を有する材料である必要がある。例えば、実施例１においては、吸収体層１０はＴａＮ膜から構成されており、ＴａＮ膜の加工は塩素を用いたドライエッチングにより行っているので、エッチングストッパー膜１４としては、塩素によるエッチングに耐性のある窒化クロム（ＣｒＮ）等のクロムを主成分とする材料が好適である。【００７５】
以下、実施例１の構成にエッチングストッパー膜１４としてＣｒＮ膜を挿入した場合の例を説明する。まず反射型マスクブランクは、実施例１で説明した方法で、ガラス基板１上に多層反射膜４から反射防止膜９を形成した後に、反射防止膜９の上にＣｒＮ膜をＤＣマグネトロンスパッタリング装置により、膜厚５ｎｍ成膜した。続いてエッチングストッパー膜１４の上に、実施例１を同じ方法で吸収体層１０を形成した。【００７６】
その結果、図４Ａにその断面図を示すように、ガラス基板からなる基板１の上に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる多層反射膜４、窒化クロムからなるバッファ膜５、ＴａＮ膜からなる半透過層８、ＴａＯ膜からなる反射防止層９、ＣｒＮ膜からなるエッチングストッパー膜１４、ＴａＮ膜からなる吸収体層１０が順次積層された反射型マスクブランクを得た。【００７７】
次に、実施例１と同様の方法で、転写パターンエリア２の吸収体層１１を転写パターンの形状に加工した。その際に、エッチングストッパー膜１４があるので、吸収体層１１のエッチングガスによる反射防止膜９へのダメージを防止することができた。【００７８】
続いて、当該吸収体層１０をマスクとして、ＣｒＮ膜であるエッチングストッパー膜１４を、塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。【００７９】
その後は、実施例１と同様の方法で各層を加工することにより、図４Ｂに示す反射型マスクを得ることができた。【００８０】
この反射型マスクにおいても、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。【００８１】
さらには、反射防止層９と吸収体層１０の間に、エッチングストッパー膜１４を形成したので、吸収体層１０のエッチング液による反射防止膜９へのダメージを防止することができた。【００８２】
また、反射型マスクブランクを、位相シフト層７の上に吸収体層１０を積層した構成としたので、上記のような効果を有する反射型マスクを得ることができた。【００８３】
［実施例５］
実施例５として、実施例４における反射型マスクの構成に加えて、吸収体層１０の上に低反射層１１を形成した場合を示す。以下、実施例４の構成の吸収体層１０の上にＴａＯ膜からなる低反射層１１を形成した場合の例を説明する。まず反射型マスクブランクは、実施例４で説明した方法で、ガラス基板１上に多層反射膜４からエッチングストッパー膜１４を形成した後に、エッチングストッパー膜１４の上に、吸収体層１０としてＴａＮ膜をＤＣマグネトロンスパッタリング装置により、膜厚２８ｎｍ成膜した。続いて、吸収体層１０の上に、低反射層１１としてＴａＯ膜をＤＣマグネトロンスパッタリング装置により、膜厚１４ｎｍ成膜した。【００８４】
その結果、図５Ａにその断面図を示すように、ガラス基板からなる基板１の上に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる多層反射膜４、窒化クロムからなるバッファ膜５、ＴａＮ膜からなる半透過層８、ＴａＯ膜からなる反射防止層９、ＣｒＮ膜からなるエッチングストッパー膜１４、ＴａＮ膜からなる吸収体層１０、ＴａＯ膜からなる低反射膜１１が順次積層された反射型マスクブランクを得た。【００８５】
次に、転写パターンエリア２において、低反射層１１であるＴａＯ膜を転写パターンに加工した。転写パターンは、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした。【００８６】
まず、上記反射型マスクブランクの低反射層１１上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターンを形成した。次に、このレジストパターンをマスクとして、低反射層１１であるＴａＯ膜を、フッ素系ガス（ＣＦ４）を用いてドライエッチングし、低反射層１１を所定のパターンに加工した。次に、低反射層１１をマスクとして、吸収体層１０であるＴａＯ膜を、塩素素系ガス（Ｃｌ２）を用いてドライエッチングし、吸収体層１０を所定のパターンに加工した。【００８７】
次に、低反射層１１や吸収体層１０をマスクとして、ＣｒＮ膜であるエッチングストッパー膜１４を、塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングした。続いて、エッチングストッパー膜１４等をマスクとして、反射防止層９と半透過層８を順次エッチングした。ＴａＯ膜である反射防止層９のエッチングはフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いたドライエッチングで行い、ＴａＮ膜である半透過層８のエッチングは塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いたドライエッチングで行った。【００８８】
次に、上記低反射層１１等の加工に用いたレジストパターンを除去した後に、再度ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像によりブラインドエリア３の低反射層１１の上のみにレジスト膜を形成した。このレジスト膜をマスクとして、転写パターンエリア２における低反射層１１および吸収体層１０をエッチングした。ＴａＯ膜である低反射層１１とＴａＮ膜である吸収体層１０のエッチングはともにフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いたドライエッチングで行った。その際、エッチングストッパー膜１４があるので、フッ素系ガス（ＣＦ４）によるＴａＯ膜である反射防止層９へのダメージを防止することができた。【００８９】
次に、転写パターンエリア２における反射防止層９や半透過層８をマスクとして、ＣｒＮ膜であるバッファ膜５を、塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングし、パターン部分の多少反射膜４の表面を露出させた。このとき、同時に同じＣｒＮ膜であるエッチングストッパー膜１４もドライエッチングされ、反射防止層９の表面を露出させた。これらのエッチング後、レジスト膜を除去して、図５Ｂに示す本実施例に係る反射型マスクを製造した。【００９０】
この反射型マスクにおいても、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。【００９１】
さらには、反射防止層９と吸収体層１０の間に、エッチングストッパー膜１４を形成したので、吸収体層１０のフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いたドライエッチング時に反射防止膜９がダメージを受けることを防止することができた。【００９２】
また、反射型マスクブランクを、位相シフト層７の上に吸収体層１０および低反射膜１１を積層した構成としたので、パターン検査機の検査光における多層反射膜４と低反射層との間の光学コントラストを十分に得ることができ、より精度の高いパターン検査が可能となる。【００９３】
［実施例６］
以下、実施例６として、実施例１における、バッファ膜５をＣｒＮ膜に替えてＲｕＮｂ膜とし、吸収体層１０を、ＴａＮに替えてＣｒＮ膜とした場合を示す。その他の構成は実施例１と同様とする。【００９４】
バッファ８を構成するＲｕＮｂ膜は、多層反射膜４の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、ルテニウムとニオブを含む焼結体ターゲットを用い、膜厚は２．５ｎｍとした。【００９５】
吸収体層１０を構成するＣｒＮ膜は、反射防止層９の上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｃｒターゲットを用い、Ａｒに窒素を添加したガスを用いて成膜した。膜厚は、ＥＵＶ露光光を十分に吸収できる厚さとして、５２ｎｍとした。成膜されたＣｒＮ膜の組成比は、Ｃｒ：Ｎは９０：１０であった。【００９６】
上記以外の構成は、実施例１と同じ構成とすることで、図２Ａと同様の構成であって、ガラス基板からなる基板１の上に、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜からなる多層反射膜４、ＲｕＮｂからなるバッファ膜５、ＴａＢＮ膜からなる半透過層８、ＴａＢＯ膜からなる反射防止層９、ＣｒＮ膜からなる吸収体層１０が順次積層された反射型マスクブランクを得ることができた。【００９７】
次に、図２Ｂに示すように、転写パターンエリア２において、吸収体層１０であるＴａＮ膜を転写パターンに加工した。転写パターンは、実施例１と同様、デザインルールがハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍのＤＲＡＭ用のパターンとした。【００９８】
まず、上記反射型マスクブランクの吸収体層１０上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像により所定のレジストパターンを形成した（図示せず）。次に、このレジストパターンをマスクとして、吸収体層１０であるＣｒＮ膜を、塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いてドライエッチングし、吸収体層１０を所定のパターンに加工した。【００９９】
次に、図２Ｃに示すように、上記レジストパターンをマスクとして、吸収体層１０と同様に反射防止層９と半透過層８を順次エッチングした。ＴａＯ膜である反射防止層９のエッチングはフッ素系ガス（ＣＦ４）を用いたドライエッチングで行い、ＴａＮ膜である半透過層８のエッチングは塩素系ガス（Ｃｌ２）を用いたドライエッチングで行った。【０１００】
次に、図３Ａに示すように、上記吸収体層１０等の加工に用いたレジストパターンを除去した後に、再度ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画と現像によりブラインドエリア３の吸収体層１０の上のみにレジスト膜を形成した（図示せず）。このレジスト膜をマスクとして、転写パターンエリア２における吸収体層１０をエッチングした。ＣｒＮ膜である吸収体層１０のエッチングは塩素と酸素の混合ガス（混合比は体積比で４：１）を用いたドライエッチングで行った。エッチング後、レジスト膜を除去して本実施例に係る反射型マスクを製造した。この実施例６の場合は、バッファ膜５には、ＥＵＶ露光光に対する透過率が高いので、パターンを転写するドライエッチングは行わずにそのまま残存させた図３Ａの状態で反射型マスクとして用いる。【０１０１】
この反射型マスクにおいても、ブラインドエリア３に吸収体層１０を設け、転写パターンエリア２における位相シフト層７による反射率よりも、ブラインドエリア３における反射率を低くしたので、当該反射型マスクを用いて、レジスト膜が形成された１枚の被写体に対して、ブラインドエリア３の一部を重ねながら位置をずらして複数回露光した場合も、ブラインドエリア３におけるレジスト膜の感光を抑制することができる。また、反射型マスクブランクを、位相シフト層７の上に吸収体層１０を積層した構成としたので、上記のような効果を有する反射型マスクを得ることができた。【０１０２】
なお、この実施例６においては、低反射層１１を有さない実施例を示したが、吸収体層１０の上に、同じＣｒ系材料（ＣｒＯＮ，ＣｒＯ，ＣｒＯＣ，ＣｒＯＣＮ）の低反射層１１を設けると、ブラインドエリア内のアライメントマークの反射コントラストが高くなるため、光学式のアライメントを行う際に、好適である。また、同じＣｒターゲットで、吸収体層１０と低反射層１１を形成することができ、レジストパターンをマスクに同じエッチングガスで一度にエッチングすることが、生産効率および生産安定性上の観点から特に好ましい。【０１０３】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。例えば、上記実施の形態では、実施の形態５以外では、低反射層１１を有さない実施例を示したが、各実施例において、吸収体層１０の上に、低反射層１１を設けると、ブラインドエリア内のアライメントマークの反射コントラストが高くなるため、光学式のアライメントを行う際に、好適である。低反射層１１としては、例えば、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ）等のタンタル酸化物を主成分とする材料や、窒化酸化シリコン（ＳｉＯＮ）、２酸化シリコン（ＳｉＯ２）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）等から構成されていることが好ましい。【０１０４】
さらに、吸収体層１０の上層に低反射層１１を形成すると、レジストパターンがマスクとなってドライエッチングする対象が層の厚さの薄い低反射層１１であるため、高精度でレジストパターンを低反射層１１に転写することができる。そして、この低反射層１１をマスクに吸収体層１０等をエッチングしてパターンを転写できることから、より高精度なマスク製作ができ、好適である。【０１０５】
また、バッファ膜５の材料として、ＣｒＮ膜を用いた実施例を示したが、各実施例において、ＣｒＮの代わりにＲｕを用いても良い。その場合、ＲｕはＥＵＶ光において透明性が高いので、除去しなくても反射型マスクとして使用することができる。又、バッファ膜５は必要に応じて設ければよく、吸収体層へのパターン形成方法、条件によっては、反射層上に直接吸収体層を設けてもよい。さらに、反射型マスク作製後、多層反射膜４の表面を保護する層として残すためにＲｕ層を設ける場合、その上層の半透過層８をエッチングするときにＲｕ層の表面が荒らされないように、Ｒｕ層の上層にＣｒＮ層を設け、この２層でバッファ層５を構成してもよい。【０１０６】
また、実施例３において、実施例１の反射型マスクブランク及び反射型マスクにエッチングストッパー膜１４を付加する構成を示したが、エッチングストッパー膜１４は、実施例２の反射型マスクブランク及び反射型マスクに付加しても良い。エッチングストッパー膜１４の成膜方法及び加工方法は、実施例３で説明した方法と同じである。【０１０７】
また、上記実施の形態における材料、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
本発明は、半透過層について記述したが、通常の吸収層に対しても、ブラインドエリアの反射率を抑えるために実施することも可能である。
【図１】
0005524828.tif 000002
【図２Ａ】
0005524828.tif 000003
【図２Ｂ】
0005524828.tif 000004
【図２Ｃ】
0005524828.tif 000005
【図３Ａ】
0005524828.tif 000006
【図３Ｂ】
0005524828.tif 000007
【図４Ａ】
0005524828.tif 000008
【図４Ｂ】
0005524828.tif 000009
【図５Ａ】
0005524828.tif 000010
【図５Ｂ】
0005524828.tif 000011
【図６Ａ】
0005524828.tif 000012
【図６Ｂ】
0005524828.tif 000013