(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置し、
炭化水素を含むプラズマを形成するための有機部材を前記真空チャンバ内に配置し、
エッチングガスを前記真空チャンバ内に導入し、
前記真空チャンバ内に、前記炭化水素を含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする
基板エッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板エッチング方法であって、
前記エッチングガスは、塩素系ガスを含む
基板エッチング方法。
【請求項３】
有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置し、
炭化水素と、塩素またはフッ素とを含むプラズマを形成するため、炭化水素ガスと、塩素またはフッ素とを含むガスを前記真空チャンバ内に導入し、
前記真空チャンバ内に、前記炭化水素と、塩素またはフッ素とを含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする
基板エッチング方法。
【請求項４】
有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置し、
フルオロカーボン系またはフルオロハイドロカーボン系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスを前記真空チャンバ内に導入し、
前記真空チャンバ内に、前記混合ガスのプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする
基板エッチング方法。
【請求項５】
請求項１、３および４のいずれか１項に記載の基板エッチング方法であって、
前記基板は、酸化アルミニウム基板または窒化アルミニウム基板である
基板エッチング方法。
【請求項６】
有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置し、
炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源を前記真空チャンバ内に導入または配置し、
塩素又はフッ素を含むガスを前記真空チャンバ内に導入し、
前記真空チャンバ内に、前記炭化水素と、塩素またはフッ素とを含むプラズマを形成することで、前記有機レジストをマスクとして前記基板の表面をエッチングする
サファイア基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機レジストをマスクとしてサファイア基板をエッチング加工する基板エッチング方法およびサファイア基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ等の発光素子の製造分野においては、ＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させるための基板として、サファイア基板が広く用いられている。そして、半導体結晶の成長制御および光取り出し効率の向上などを目的として、サファイア基板の表面に微細な凹凸形状を形成することが知られている。下記特許文献１には、塩素系ガスを用いたドライエッチングによって、有機材料からなるレジスト層（エッチングマスク）が形成されたサファイア基板の表面をエッチングする方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、エッチングガスとして塩素系ガスを用いるドライエッチングにおいては、レジスト層に対するサファイア基板のエッチングレートの比（エッチング選択比）が低く、エッチング加工量の倍以上の厚みのレジスト層を基板上に形成する必要があった。また、レジスト層の厚みが増大することで、レジスト層の露光精度が低下し、微細なレジストパターンを精度よく形成することが困難であった。【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、有機レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができる基板エッチング方法およびサファイア基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。
上記真空チャンバ内に、炭化水素を含むプラズマを形成するための有機部材が配置される。
上記真空チャンバ内に、エッチングガスが導入される。
上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。【０００７】
本発明の他の形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。
上記真空チャンバ内に、炭化水素を含むプラズマを形成するためのガスが導入される。
前記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。【０００８】
また、上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るサファイア基板の製造方法は、有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。
上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。
上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態において説明されるエッチング装置の概略構成図である。
【図２】上記エッチング装置の変形例を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るエッチング方法の作用を説明する一実験結果である。
【図４】本発明の第２の実施形態において説明されるエッチング装置の概略構成図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るエッチング方法の作用を説明する一実験結果である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るエッチング方法の作用を説明する一実験結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る基板エッチング方法は、有機レジストが表面に形成されたアルミニウム化合物基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。
上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。
上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。
【００１１】
上記基板エッチング方法は、炭化水素を含むプラズマの形成により、アルミニウム化合物基板のエッチングを進行させる。その一方で、上記基板エッチング方法は、プラズマによって生成された、炭化水素源に由来する上記炭化水素系の反応物をレジスト上に堆積させることで、プラズマによるレジストのエッチングの進行を抑制する。したがって、上記基板エッチング方法によれば、レジストのエッチングレートを低下させることができるので、レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができ、レジストを厚く形成せずとも、基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することができる。
【００１２】
上記基板の構成材料であるアルミニウム化合物には、サファイア等のアルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物などが含まれる。
【００１３】
上記炭化水素を含むプラズマは、上記真空チャンバの内部に導入、配置または形成された炭化水素源の存在下で形成されたエッチングガスのプラズマである。
真空チャンバの内部に導入される炭化水素源には、気体の有機物質が含まれる。真空チャンバの内部に配置された炭化水素源には、バルク状（固体）の有機物質と、真空チャンバの内壁面や各種構成部品（防着板、ステージなど）に形成された有機膜が含まれる。これにより、基板のエッチング時、エッチングガスのプラズマにより、上記有機物質から炭化水素系の反応物を生成することができる。
【００１４】
上記エッチングガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３などの塩素系ガスを用いることができる。プラズマにより形成された塩素系ラジカルは基板表面と反応し、ＡｌＣｌ等の揮発性物質を生成させる。一方、炭化水素系の反応物（ＣｘＨｙ（ｘ、ｙは自然数））は、揮発せずに基板上に堆積しつつ、プラズマ中のイオンによるスパッタ作用で基板表面から除去される。以上の過程が継続されることで、レジストをエッチングから保護しつつ、基板のエッチングを進行させることができる。
【００１５】
上記炭化水素を含むプラズマは、塩素系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスのプラズマで形成されてもよい。あるいは、上記炭化水素を含むプラズマは、フルオロカーボン系またはフルオロハイドロカーボン系のエッチングガスと水素または炭化水素系ガスとの混合ガスのプラズマで形成されてもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態に係るサファイア基板の製造方法は、有機レジストが表面に形成されたサファイア基板を真空チャンバ内に配置する工程を含む。
上記真空チャンバの内部に、炭化水素を含むプラズマを形成するための炭化水素源が導入または配置される。
上記真空チャンバ内に、上記炭化水素を含むプラズマを形成することで、上記有機レジストをマスクとして上記基板の表面がエッチングされる。
【００１７】
上記サファイア基板の製造方法によれば、レジストのエッチングレートを低下させることができるので、レジストに対する基板のエッチング選択性を高めることができる。これにより、レジストの厚みを低減できるとともに、表面に微細な凹凸パターンが形成されたサファイア基板を製造することができる。
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係るエッチング装置の構成構成図である。本実施形態のエッチング装置１は、真空チャンバ１０を有する。真空チャンバ１０は、真空ポンプ１５に接続されており、内部が所定の圧力に減圧されることが可能である。
【００２０】
真空チャンバ１０の内部には、基板Ｓを支持するステージ１１と、ステージ１１と対向するように真空チャンバ１０の上壁に配置された対向電極１２とが設置されている。さらに、真空チャンバ１０の内部へエッチングガス（エッチャント）を導入するためのガス導入管１３が、真空チャンバ１０に接続されている。エッチングガスには例えば塩素系ガスが用いられ、本実施形態では、ＢＣｌ２がメインガスとして用いられる。
【００２１】
ステージ１１は接地電位に接続されており、対向電極１２は、ブロッキングコンデンサ２１を介して高周波電源２２に接続されている。対向電極１２は、高周波電源２２から所定周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）の高周波電力が印加されることでステージ１１と容量結合し、エッチングガスのプラズマＰを形成する。
【００２２】
なお、プラズマＰは、上述の容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitive Coupled Plasma）に限られず、例えば対向電極１２の代わりに高周波コイル（アンテナ）を設置した、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）であってもよい。
【００２３】
基板Ｓは、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物等のアルミニウム化合物で形成され、本実施形態では、基板Ｓには、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）基板としてサファイア基板が用いられる。基板Ｓの表面には、所定形状にパターニングされた、有機材料からなるレジストＲが形成されている。レジストＲは、基板Ｓの表面にドット状、ストライプ状等の所定の凹凸パターンを形成するためのエッチングマスクとして機能する。
【００２４】
また、真空チャンバ１０の内部には、防着板１４が配置されている。防着板１４は、ステージ１１と対向電極１２との間のプラズマ形成空間の周囲を囲むように設置され、真空チャンバ１０の内壁面へのエッチング反応物の付着を防止する。
【００２５】
そして、本実施形態のエッチング装置１は、プラズマＰの形成空間に面する位置に配置された有機部材３１を有する。図１に示す例では、有機部材３１は、ステージ１１の上面に配置され、基板Ｓの周囲を囲む環状に形成されている。なお、有機部材３１は、環状に形成される場合に限られず、基板Ｓの周囲の複数箇所に分割して配置されてもよい。
【００２６】
有機部材３１の構成材料としては、種々の樹脂材料を用いることができ、例えば、ポリイミド（ＰＩ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリ尿素などが用いられる。また、レジストＲと同種の有機物質で形成されたバルクあるいは成形体が、有機部材３１として用いられてもよい。有機部材３１は、後述するように、炭化水素を含むプラズマＰを形成するための炭化水素源として用いられる。
【００２７】
次に、上記エッチング装置１を用いた基板Ｓのエッチング方法について説明する。
【００２８】
所定形状にパターニングされたレジストＲを表面に有する基板Ｓがステージ１１の上面に設置された後、真空チャンバ１０は、真空ポンプ１５の駆動により所定の圧力（例えば５．０×１０Ｅ−３Ｐａ〜５×１０Ｅ−４Ｐａ）に減圧される。そして、ガス導入管１３を介して真空チャンバ１０の内部にエッチングガス（ＢＣｌ３）が導入される。一方、高周波電源２２により対向電極１２へ高周波電力が印加されることで、真空チャンバ１０の内部にエッチングガスのプラズマＰが形成される。
【００２９】
プラズマにより形成されたエッチングガスのラジカルは、レジストＲによって被覆されていない基板Ｓの表面と反応し、ＡｌＣｌ、ＢＯ等の揮発性物質を生成させる。反応式は以下のとおりである。
ＢＣｌ３＋Ａｌ２Ｏ３  →  ＡｌＣｌ↑＋ＢＯ↑  …（１）
これにより、レジストＲをエッチングマスクとする基板Ｓのエッチングが進行する。
【００３０】
一方、プラズマＰに含まれるイオンは、ステージ１１に向かってバイアスされ、基板Ｓの表面をスパッタする。このとき、レジストＲもまたイオンによりスパッタされることでエッチングされる。
【００３１】
本実施形態のエッチング装置１においては、ステージ１１の上面に有機部材３１が配置されている。有機部材３１は、プラズマＰの形成空間に臨むように配置されることで、基板Ｓと同様にプラズマＰによるアタックを受けてスパッタされ、そのスパッタ粒子がプラズマＰによって分解される。したがって、プラズマＰには、有機部材３１の分解生成物である炭化水素系の反応物（ＣｘＨｙ（ｘ、ｙは自然数））が含まれることになる。炭化水素系の反応物は、揮発せずに基板Ｓの表面に堆積しつつ、プラズマ中のイオンによるスパッタ作用で基板Ｓの表面から除去される。
【００３２】
一方、上記炭化水素系の反応物は、レジストＲの表面にも堆積するため、レジストＲのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能する。これにより、レジストＲのエッチングレートを低下させることができるので、レジストＲに対する基板Ｓのエッチング選択性を高めることができ、レジストＲを厚く形成せずとも、表面に微細な凹凸パターンが形成されたサファイア基板を製造することができる。
【００３３】
なお、プラズマＰによって生成される炭化水素反応物は、有機部材３１に由来する炭化水素成分のみならずレジストＲに由来する炭化水素成分も含まれる。本実施形態では、炭化水素源である有機部材３１をレジストＲとは別に設けることで、炭化水素反応物の生成量を増加させて、レジストＲの保護機能を得るようにしている。
【００３４】
図３は、基板Ｓのエッチングレート及びレジストＲに対するエッチング選択比（基板のエッチングレート／レジストのエッチングレート）との関係を示す一実験結果であり、（Ａ）は有機部材３１があるときの実験結果、（Ｂ）は有機部材３１がないときの実験結果をそれぞれ示す。このときの実験条件としては、ＢＣｌ３の流量が３０ｓｃｃｍ、プロセス圧力が０．５Ｐａ、アンテナパワーが６００Ｗ、バイアスパワーが６０Ｗである。
【００３５】
エッチングレート及び選択比は、有機部材３１が無いときに比べて、有機部材３１が有るときの方がいずれも高い。エッチングレートが向上する理由は、ＢＣｌ３のＢによる還元作用によりＡｌ２Ｏ３のＯが抜かれるが、同様にＣでも同じ効果が得られることによる。エッチング選択比の向上率の理由は、有機部材３１を由来とする炭化水素系の反応物によって、レジストＲのエッチングレートが低下したことによる。
【００３６】
以上のように、本実施形態によれば、レジストＲの厚みを大きくすることなく、基板Ｓの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストＲの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストＲを基板Ｓの表面に形成できるため、基板Ｓの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。
【００３７】
炭化水素源としての有機部材３１は、独立した部材で構成される場合に限られず、真空チャンバ１０内の構成部品の表面に形成された有機膜などであってもよい。図２に、プラズマＰの形成空間に対向する防着板１４の内面に、炭化水素源としての有機膜３２を形成したエッチング装置２の構成例を示す。この構成例によっても図１を参照して説明した実施形態と同様な作用効果を得ることができる。
【００３８】
＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態に係るエッチング装置３の概略構成図である。図において、上述の第１の実施形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
本実施形態のエッチング装置３においては、エッチングガスとして、塩素系ガスと炭化水素系ガスとの混合ガスが用いられる。特に本実施形態では、塩素系ガスとしてＢＣｌ３が用いられ、炭化水素系ガスとしてメタン（ＣＨ４）が用いられる。炭化水素系ガスは、炭化水素を含むプラズマＰを形成するための炭化水素源として用いられる。
【００４０】
塩素系ガス及び炭化水素系ガスは、各々所定の流量に制御されてガス導入管１３を介して真空チャンバ１０内へ導入される。エッチング装置３は、対向電極１２に高周波電力を印加することで、導入されたエッチングガスのプラズマを形成する。これにより、ステージ１１上に配置された基板Ｓが、レジストＲをマスクとしてエッチングされる。
【００４１】
上記エッチングガス（ＢＣｌ３＋ＣＨ４）と基板Ｓとの間の反応は、典型的には以下のとおりである。
Ａｌ２Ｏ３＋ＢＣｌ３＋ＣＨ４→ＡｌＣｌ↑＋ＢＯ↑＋ＣＯ↑＋ＣｘＨｙ↓  …（２）
（２）式の反応生成物において、ＡｌＣｌ、ＢＯ及びＣＯは揮発し、ＣｘＨｙは揮発せずに基板Ｓ上に堆積する。基板Ｓ上の炭化水素系反応物ＣｘＨｙは、レジストＲのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能し、レジストＲのエッチングレートを低下させる。これにより、レジストＲに対する基板Ｓのエッチング選択性を高めることができる。
【００４２】
図５は、エッチングガス（ＢＣｌ３＋ＣＨ４）に対するＣＨ４の割合（％）とエッチングレート及びエッチング選択比との関係を示す一実験結果である。このときの実験条件としては、ガスの総流量が３０ｓｃｃｍ、プロセス圧力が０．５Ｐａ、アンテナパワーが２００Ｗ、バイアスパワーが４０Ｗである。図５に示すように、エッチングガス中のＣＨ４の割合が増加するにつれて、レジストＲに対する基板Ｓのエッチング選択比は向上する一方、エッチングレートは低下することが確認された。これは、炭化水素系反応物ＣｘＨｙの生成量の増加により、レジストＲの保護効果が高まる反面、基板Ｓ上の反応物ＣｘＨｙのスパッタによる除去効率が低下するためであると考えられる。図５の結果から、レジストＲの保護の実効性と生産性を考慮したとき、エッチングガス（ＢＣｌ３＋ＣＨ４）に対するＣＨ４の割合は、１０％以上５０％以下とすることができる。
【００４３】
本実施形態においても、上述の第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。すなわち本実施形態によれば、レジストＲの厚みを大きくすることなく、基板Ｓの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストＲの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストＲを基板Ｓの表面に形成できるため、基板Ｓの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。
【００４４】
＜第３の実施形態＞
続いて、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、第２の実施形態と同様に、図４に示したエッチング装置３が用いられる。本実施形態では、エッチングガスとして、フルオロハイドロカーボン系ガスと水素（Ｈ２）との混合ガスが用いられる。フルオロハイドロカーボン系ガスとしては、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆなどが挙げられ、本実施形態ではＣＨＦ３が用いられる。上記各ガスは、エッチングガスとしてだけでなく、炭化水素を含むプラズマＰを形成するための炭化水素源として用いられる。
【００４５】
フルオロハイドロカーボン系ガス及び水素は、各々所定の流量に制御されてガス導入管１３を介して真空チャンバ１０内へ導入される。エッチング装置３は、対向電極１２に高周波電力を印加することで、導入されたエッチングガスのプラズマを形成する。これにより、ステージ１１上に配置された基板Ｓが、レジストＲをマスクとしてエッチングされる。
【００４６】
上記エッチングガス（ＣＨＦ３＋Ｈ２）と基板Ｓとの間の反応は、典型的には以下のとおりである。
Ａｌ２Ｏ３＋ＣＨＦ３＋Ｈ２  →  ＡｌＦ↓＋ＣＯ↑＋ＣｘＨｙ↓  …（３）
（３）式の反応生成物において、ＣＯは揮発し、ＡｌＦ、ＣｘＨｙは揮発せずに基板Ｓ上に堆積する。プラズマ中のイオンは、基板Ｓ上のＡｌＦをスパッタ除去することで、基板Ｓのエッチングを進行させる。また、基板Ｓ上の炭化水素系反応物ＣｘＨｙは、レジストＲのエッチングの進行を抑制する保護膜として機能し、レジストＲのエッチングレートを低下させる。これにより、レジストＲに対する基板Ｓのエッチング選択性を高めることができる。
【００４７】
図６は、エッチングガス（ＣＨＦ３＋Ｈ２）のＨ２の流量（ｓｃｃｍ）とエッチングレート及びエッチング選択比との関係を示す一実験結果である。このときの実験条件としては、ＣＨＦ３の流量が５０ｓｃｃｍ、プロセス圧力が０．３Ｐａ、アンテナパワーが３５０Ｗ、バイアスパワーが２５０Ｗである。図６に示すように、エッチングガス中のＨ２の割合が増加するにつれて、レジストＲに対する基板Ｓのエッチング選択比は向上する一方、エッチングレートは低下することが確認された。これは、炭化水素系反応物ＣｘＨｙの生成量の増加により、レジストＲの保護効果が高まる反面、基板Ｓ上の反応物ＣｘＨｙのスパッタによる除去効率が低下するためであると考えられる。図６の結果から、レジストＲの保護の実効性と生産性を考慮したとき、Ｈ２の流量は、２０ｓｃｃｍ以上４０ｓｃｃｍ以下とすることができる。また、エッチングガス（ＣＨＦ３＋Ｈ２）に対するＨ２の割合は、１０％以上５０％以下とすることができる。
【００４８】
本実施形態においても、上述の第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。すなわち本実施形態によれば、レジストＲの厚みを大きくすることなく、基板Ｓの表面に所望の凹凸パターンを形成することができる。これにより、レジスト塗布工程を簡素化できるとともに、レジスト材の材料コストを削減することができる。また、レジストＲの厚みを低減できることで、露光条件の調整が容易になり、これにより露光精度の向上が図れるようになる。さらに、パターン精度の優れたレジストＲを基板Ｓの表面に形成できるため、基板Ｓの表面に微細な凹凸パターンを高精度に形成することができる。これにより、デバイスの性能を向上させることができる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５０】
例えば以上の第１の実施形態では、炭化水素源としての有機部材３１、３２をステージ１１の上面あるいは防着板１４の内面にそれぞれ形成したが、有機部材の配置例は上記の例に限定されない。例えば、プラズマ形成空間に露出する真空チャンバの内面、対向電極を固定する固定部周辺、さらには、基板Ｓをトレイに載せてステージ上に載置する場合には当該トレイの表面に、上記有機部材が配置あるいは形成されてもよい。
【００５１】
また、以上の第２の実施形態では、エッチングガスとして塩素系ガスと炭化水素系ガスとの混合ガスを用いたが、塩素系ガスと水素との混合ガスでエッチングガスを構成してもよい。同様に、以上の第３の実施形態では、エッチングガスとしてフルオロハイドロカーボン系ガスと水素との混合ガスを用いたが、フルオロハイドロカーボン系ガスに代えてフルオロカーボン系ガス（ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８など）を、水素に代えて炭化水素系ガス（ＣＨ４など）を用いてもよい。これらのエッチングガスによっても、上述と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
１、２、３…エッチング装置
１０…真空チャンバ
１１…ステージ
１２…対向電極
１３…ガス導入管
１４…防着板
１５…真空ポンプ
３１、３２…有機部材
Ｐ…プラズマ
Ｒ…レジスト
Ｓ…基板
【図１】
0005550196.tif 000002
【図２】
0005550196.tif 000003
【図３】
0005550196.tif 000004
【図４】
0005550196.tif 000005
【図５】
0005550196.tif 000006
【図６】
0005550196.tif 000007