(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電部（５６、６７、６８、６９）と電気的に接続する第１脚部（２７１）と、
第２導電部（５７、６１、６２、６３）と電気的に接続する第２脚部（２７２）と、
第３導電部（３０３、３０６、３０９、３１２）と電気的に接続する第３脚部（２７３）と、
前記第１脚部と前記第２脚部とを連結する第１連結部（２７６）と、
前記第２脚部と前記第３脚部とを連結する第２連結部（２７７）と、
を備え、
前記第１脚部、前記第２脚部、前記第３脚部、前記第１連結部、および、前記第２連結部は、一体に形成され、
前記第１脚部は、接続面上側から見て、前記第２脚部および前記第３脚部が配置される直線上からずれて配置され、
前記第１脚部、前記第２脚部、および、前記第３脚部は、非直線上に配置されることを特徴とする配線部材（２６〜２９）。
【請求項２】
前記第１脚部と前記第１導電部との接続部、前記第２脚部と前記第２導電部との接続部、および、前記第３脚部と前記第３導電部との接続部のうちの少なくとも１つは、他と異なる高さ位置であることを特徴とする請求項１に記載の配線部材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線部材と、半導体素子と、前記半導体素子が搭載されるリードフレーム（３０）と、を備える半導体モジュールであって、
前記第１導電部、および、前記第２導電部は、前記半導体素子であって、
前記第３導電部は、前記リードフレームであることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項４】
前記半導体素子は、ブリッジ回路の上アームまたは下アームを構成するスイッチング素子（６１〜６６）、または、前記上アームと前記下アームとの接続点と負荷（８０）との間に設けられる負荷リレー（６７、６８、６９）を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第１導電部は、前記負荷リレーであり、
前記第２導電部は、前記上アームを構成する前記スイッチング素子（６１、６２、６３）であり、
前記第３導電部は、前記下アームを構成する前記スイッチング素子（６４、６５、６６）のドレインと接続する前記リードフレーム（３０６、３０９、３１２）であることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記半導体素子は、ブリッジ回路と電力供給源（５０）との間に設けられる電源リレー（５６、５７）を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記電源リレーは２つ設けられ、
前記第１導電部は、一方の前記電源リレー（５６）であり、
前記第２導電部は、他方の前記電源リレー（５７）であり、
前記第３導電部は、制御端子（４５）と一体に形成される前記リードフレームのランド（３０３）であることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線部材、および、これを用いた半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体モジュールでは、半導体素子とリードフレーム等をワイヤやクリップ等を用いて電気的に接続している。例えば、特許文献１では、半導体素子とリードフレームとを銅クリップを用いて接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２０４８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の銅クリップを用い、３箇所を電気的に接続する場合、銅クリップが２本必要であり、部品点数が増大する。また、はんだ等の導電性接着剤を用いて接続する接続部位は、４箇所となり、接続に要する面積が増大する。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品点数を低減し、実装密度を高めることが可能な配線部材、および、これを用いた半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線部材は、第１脚部と、第２脚部と、第３脚部と、第１連結部と、第２連結部と、を備える。
第１脚部は、第１導電部と電気的に接続される。第２脚部は、第２導電部と電気的に接続される。第３脚部は、第３導電部と電気的に接続される、第１連結部は、第１脚部と第２脚部とを連結する。第２連結部は、第２脚部と第３脚部とを連結する。第１脚部、第２脚部、第３脚部、第１連結部、および、第２連結部は、一体に形成される。
第１脚部は、接続面上側から見て、第２脚部および第３脚部が配置される直線上からずれて配置され、第１脚部、第２脚部、第３脚部は、非直線上に配置される。
【０００６】
本発明では、第１導電部、第２導電部、および、第３導電部を、１つの配線部材を用いて電気的に接続しているので、配線に要する部品点数を低減することができる。また、接続箇所が少なくすむので、例えば、配線部材を半導体モジュールに用いた場合、半導体モジュールの実装密度を高めることができる。
特に本発明では、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部が非直線上に配置されるので、第１脚部と第１導電部との接続部、第２脚部と第２導電部との接続部、および、第３脚部と第３導電部との接続部が三角形を形成する。これにより、製造公差等により配線部材自体や導電部の高さが設定とずれたとしても、接続部で形成される三角形の重心側に配線部材が傾くことにより、１つの配線部材で３つの導電部を確実に接続することができる。また、３点で接続することにより、配線部材が倒れる不良が発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態による半導体モジュールの回路構成を説明する回路図である。
【図２】本発明の一実施形態による半導体モジュールの内部構成を説明する平面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるクリップの平面図である。
【図４】図３のＩＶ方向矢視図である。
【図５】本発明の一実施形態によるクリップが対応する回路構成を説明する説明図である。
【図６】本発明の一実施形態によるクリップにおいて製造公差が生じた場合を説明する図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が側面図、（ｃ）が斜視図である。
【図７】比較例によるクリップにおいて製造公差が生じた場合を説明する図であって、（ａ）が平面図、（ｂ）が側面図である。
【図８】本発明の他の実施形態によるクリップを説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の実施形態による配線部材、および、これを用いた半導体モジュールを図面に基づいて説明する。なお、以下の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（一実施形態）
本発明の一実施形態による配線部材、および、配線部材を用いた半導体モジュールを図１〜図６を参照して説明する。本実施形態の半導体モジュールは、例えばモータ駆動装置に適用される。まず、本実施形態の半導体モジュールが適用されるモータ駆動装置の回路構成について、図１に基づいて説明する。
モータ駆動装置１は、半導体モジュール１０と、コンデンサ５３と、制御部９０と、を備え、電力供給源としてのバッテリ５０の直流電力を三相交流電力に変換し、負荷としてのモータ８０を駆動する。本実施形態では、モータ８０は、三相ブラシレスモータである。
【０００９】
半導体モジュール１０は、電源リレー部５５、および、インバータ部６０を備える。
電源リレー部５５は、直列に接続される２つの電源リレー５６、５７を有する。本実施形態の電源リレー５６、５７は、電界効果トランジスタの一種であるＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。電源リレー５６、５７は、ゲート電位によってソース−ドレイン間がオンまたはオフされる。これにより、電源リレー部５５は、バッテリ５０とインバータ部６０とを電気的に接続し、または、遮断する。
【００１０】
電源リレー５６は、断線故障やショート故障等が生じた場合にモータ８０側へ電流が流れるのを遮断するために設けられる。また、電源リレー５７は、付随する寄生ダイオードが電源リレー５６に付随する寄生ダイオードと逆向きになるように接続される。これにより、バッテリ５０やコンデンサ５３等が誤って逆向きに接続された場合にインバータ部６０側からバッテリ５０側へ逆向きの電流が流れるのを防止する。
【００１１】
インバータ部６０は、ブリッジ回路を構成する６つのスイッチング素子６１〜６６を有する。スイッチング素子６１〜６６は、電源リレー５６、５７と同様、電界効果トランジスタの一種であるＭＯＳＦＥＴであり、ゲート電位によりソース−ドレイン間がオンまたはオフされる。以下、スイッチング素子６１〜６６をＭＯＳ６１〜６６という。
ＭＯＳ６１、６２、６３は、ブリッジ回路の高電位側に配置されて上アームを構成し、ＭＯＳ６４、６５、６６は、ブリッジ回路の低電位側に配置されて下アームを構成する。
【００１２】
インバータ部６０は、各相のＭＯＳ６１、６２、６３とＭＯＳ６４、６５、６６との接続点と、モータ８０の各相巻線との間に設けられる負荷リレーとしてのモータリレー６７、６８、６９を有する。モータリレー６７、６８、６９は、断線故障やショート故障等が生じた場合に電流が流れるのを相毎に遮断するために設けられる。モータリレー６７、６８、６９は、電源リレー５６、５７、ＭＯＳ６１〜６６と同様、電界効果トランジスタの一種であるＭＯＳＦＥＴであり、ゲート電位によりソース−ドレイン間がオンまたはオフされる。
【００１３】
Ｕ相回路６０１について言及すると、ＭＯＳ６１は、ドレインがバッテリ５０の高電位電極側に繋がる高電位ラインに接続され、ソースがＭＯＳ６４のドレインに接続される。ＭＯＳ６４のソースは、シャント抵抗２１を介して接地される。ＭＯＳ６１とＭＯＳ６４との接続点は、モータリレー６７を介してモータ８０のＵ相巻線に接続される。
【００１４】
Ｖ相回路６０２について言及すると、ＭＯＳ６２は、ドレインがバッテリ５０の高電位電極側に繋がる高電位ラインに接続され、ソースがＭＯＳ６５のドレインに接続される。ＭＯＳ６５のソースは、シャント抵抗２２を介して接地される。ＭＯＳ６２とＭＯＳ６５との接続点は、モータリレー６８を介してモータ８０のＶ相巻線に接続される。
【００１５】
Ｗ相回路６０３について言及すると、ＭＯＳ６３は、ドレインがバッテリ５０の高電位電極側に繋がる高電位ラインに接続され、ソースがＭＯＳ６６のドレインに接続される。ＭＯＳ６６のソースは、シャント抵抗２３を介して接地される。ＭＯＳ６３とＭＯＳ６６との接続点は、モータリレー６９を介してモータ８０のＷ相巻線に接続される。
【００１６】
シャント抵抗２１〜２３は、モータ８０の各相に通電される電流を検出する。具体的には、シャント抵抗２１がＵ相巻線に通電される電流を検出し、シャント抵抗２２がＶ相巻線に通電される電流を検出し、シャント抵抗２３がＷ相巻線に通電される電流を検出する。
【００１７】
コンデンサ５３は、バッテリ５０の高電位電極とインバータ部６０との間に設けられる。コンデンサ５３は、バッテリ５０を共有する他の装置から伝わるノイズを低減する。また、コンデンサ５３は、モータ駆動装置１からバッテリ５０を共有する他の装置へ伝わるノイズを低減する。本実施形態のコンデンサ５３は、アルミ電解コンデンサである。
【００１８】
制御部９０は、プリドライバ９１、カスタムＩＣ９２、および、マイコン９４等を有する。カスタムＩＣ９２は、機能ブロックとして検出電圧増幅部９７等を含む。検出電圧増幅部９７は、シャント抵抗２１〜２３の両端電圧を検出し、当該両端電圧を増幅してマイコン９４へ出力する。
マイコン９４は、検出電圧増幅部９７から入力されるシャント抵抗２１〜２３の両端電圧に基づき、モータ８０に通電される電流を検出する。また、マイコン９４は、モータ８０の回転角度信号等の各種信号が入力され、これらの入力信号に基づき、プリドライバ９１を介してインバータ部６０を制御する。具体的には、ＭＯＳ６１〜６６のゲートがプリドライバ９１の６つの出力端子に接続されており、プリドライバ９１によりゲート電圧を変化させることにより、ＭＯＳ６１〜６６のオン／オフを切り替える。同様に、マイコン９４は、電源リレー５６、５７、および、モータリレー６７、６８、６９のゲート電圧を変化させることにより、これらのオン／オフを切り替える。
【００１９】
本実施形態では、電源リレー部５５、および、インバータ部６０が、１つの半導体モジュール１０としてモジュール化されている。
ここで半導体モジュール１０について、図２を参照して説明する。
半導体モジュール１０は、銅板で形成されるリードフレーム３０と、リードフレーム３０をモールドするモールド部１６と、を備え、全体として平板状に形成される。モールド部１６には、孔１７、１８が形成される。半導体モジュール１０は、孔１７、１８に挿通される図示しないねじ等により、図示しないヒートシンク等に固定される。
【００２０】
リードフレーム３０は、一方の長辺に形成されるパワー端子３１〜４１、他方の長辺に形成される制御端子４５、および、ランド３０１〜３１５を有する。比較的幅広のパワー端子３１〜４１は、モールド部１６の一方の長辺に突設され、モータ８０の各巻線やバッテリ５０等と電気的に接続する。比較的幅狭の制御端子４５は、モールド部１６の他方の長辺に突設され、図示しない制御基板と接続する。
【００２１】
電源リレー部５５を構成する電源リレー５６は、バッテリ５０の高電位側と接続するパワー端子３１と一体に形成されるランド３０１に搭載される。電源リレー５６のソースは、ランド３０１と反対側の面である上面に形成される。電源リレー５６のドレインは、ランド３０１側の面に形成され、ランド３０１と接続する。なお、後述する電源リレー５７、ＭＯＳ６１〜６６、モータリレー６７、６８、６９のソース、ドレイン、および、搭載されるランドとの接続関係は、電源リレー５６と同様である。
電源リレー５７は、インバータ部６０側と接続するパワー端子３２と一体に形成されるランド３０２に搭載される。
電源リレー５６のソース、電源リレー５７のソース、および、制御端子４５と一体に形成されるランド３０３は、クリップ２６により接続される。なお、クリップ２６〜２９の詳細については後述する。
【００２２】
インバータ部６０のＵ相回路６０１を構成するＭＯＳ６１は、バッテリ５０の高電位側と接続するパワー端子３４と一体に形成されるランド３０５に搭載される。ＭＯＳ６４は、制御端子４５と一体に形成されるランド３０６に搭載される。モータリレー６７は、モータ８０のＵ相巻線と接続するパワー端子３３と一体に形成されるランド３０４に搭載される。モータリレー６７のソース、ＭＯＳ６１のソース、および、ＭＯＳ６４のドレインと接続するランド３０６は、クリップ２７により接続される。ＭＯＳ６４のソースは、シャント抵抗２１を介して、グランドと接続されるパワー端子３５と一体に形成されるランド３１３と接続される。
【００２３】
Ｖ相回路６０２を構成するＭＯＳ６２は、バッテリ５０の高電位側と接続するパワー端子３８と一体に形成されるランド３０８に搭載される。ＭＯＳ６５は、制御端子４５と一体に形成されるランド３０９に搭載される。モータリレー６８は、モータ８０のＶ相巻線と接続するパワー端子３７と一体に形成されるランド３０７に搭載される。モータリレー６８のソース、ＭＯＳ６２のソース、および、ＭＯＳ６５のドレインと接続されるランド３０９は、クリップ２８により接続される。ＭＯＳ６４のソースは、シャント抵抗２２を介して、グランドと接続されるパワー端子３６と一体に形成されるランド３１４と接続される。
【００２４】
Ｗ相回路６０３を構成するＭＯＳ６３は、バッテリ５０の高電位側と接続するパワー端子４０と一体に形成されるランド３１１に搭載される。ＭＯＳ６６は、制御端子４５と一体に形成されるランド３１２に搭載される。モータリレー６９は、モータ８０のＷ相巻線と接続するパワー端子３９と一体に形成されるランド３１０に搭載される。モータリレー６９のソース、ＭＯＳ６３のソース、および、ＭＯＳ６６のドレインと接続されるランド３１２は、クリップ２９により接続される。ＭＯＳ６５のソースは、シャント抵抗２３を介して、グランドと接続されるパワー端子４１と一体に形成されるランド３１５と接続される。
【００２５】
本実施形態では、半導体モジュール１０の内部における電気的接続に配線部材としてのクリップ２６〜２９を用いている。
クリップ２６〜２９は、銅などの導電材料で形成される。実装性や耐久性を向上すべく、めっきを施していてもよい。本実施形態では、クリップ２６〜２９は、平板状の銅板をプレス加工して形成される。断面積の大きい平板状のクリップ２６〜２９を用いて配線を行うことにより、ワイヤボンディングと比較して、配線抵抗を低減することができる。
【００２６】
本実施形態では、電源リレー５６、５７には、ＭＯＳ６１〜６６およびモータリレー６７、６８、６９よりもサイズが大きいＭＯＳＦＥＴを用いているので、配線抵抗をより低減すべく、クリップ２６は、接続するＭＯＳＦＥＴのサイズに合わせて、クリップ２７〜２９よりも太く形成される。
【００２７】
ここで、クリップ２６〜２９と回路構成との関係について言及しておくと、クリップ２７が図５中の破線Ｌ１で示す配線を構成し、クリップ２８が破線Ｌ２で示す配線を構成し、クリップ２９が破線Ｌ３で示す配線を構成する。また、クリップ２６が破線Ｌ４で示す配線を構成する。
【００２８】
クリップ２６〜２９は、実質的に同一の構成であるので、ここでは代表してクリップ２７について、図３および図４を参照して説明する。
図３および図４に示すように、クリップ２７は、第１脚部２７１と、第２脚部２７２と、第３脚部２７３と、第１連結部２７６と、第２連結部２７７と、を備える。本実施形態では、第１脚部２７１が長手方向の一方の端部に形成され、第３脚部２７３が他方の端部に形成され、第２脚部２７２が中間部に形成される。
【００２９】
クリップ２７は、第１脚部２７１の底部２８１、第２脚部２７２の底部２８２、および、第３脚部２７３の底部２８３側がリードフレーム３０側に配置され、はんだ２９０（図７参照）等により電気的に接続される。本実施形態では、底部２８１がモータリレー６７のソースと接続し、底部２８２がＭＯＳ６１のソースと接続し、底部２８３がランド３０６と接続する。すなわち、本実施形態では、クリップ２７は、３つの脚部２７１〜２７３が設けられているので、１つのクリップ２７で３箇所を電気的に接続可能である。
【００３０】
底部２８１、２８２は、底部２８３と比較して、モータリレー６７およびＭＯＳ６１の厚さＴ分、リードフレーム３０から離れる方向に形成される。換言すると、底部２８１、２８２は、底部２８３と異なる高さ位置に形成されている。
第１連結部２７６および第２連結部２７７は、脚部２７１〜２７３の底部２８１〜２８３の反対側に設けられる。すなわち、クリップ２７がリードフレーム３０上に配置されたとき、第１連結部２７６および第２連結部２７７は、リードフレーム３０に対して脚部２７１〜２７３よりも高い位置に形成される。
【００３１】
図３に示すように、本実施形態では、第２脚部２７２、第２連結部２７７、および、第３脚部２７３は、長手方向に沿った直線上に配置されている。また、第１脚部２７１は、第２脚部２７２および第３脚部２７３が配置される直線上からずれて配置される。換言すると、クリップ２７では、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３は、非直線上に配置されている。これにより、第１脚部２７１とモータリレー６７との接続点、第２脚部２７２とＭＯＳ６１との接続点、および、第３脚部２７３とランド３０６との接続点により、三角形が形成される。
【００３２】
ここで、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３が非直線上に配置されることにより奏する効果について、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７（ａ）においては、モータリレー６７、ＭＯＳ６１、および、ランド３０６が同じ高さとなっているが、実際には、モータリレー６７およびＭＯＳ６１は、ＭＯＳＦＥＴの厚さ分だけランド３０６よりも高い位置となっている。また、図６（ｂ）、（ｃ）においては、はんだを省略している。
【００３３】
本実施形態のクリップ２７は、プレス加工により形成される。そのため、プレス加工時の製造公差等の影響により、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３の高さが、設定とずれる虞がある。また、配線パターンを形成する際に、リードフレーム３０の各ランド３０１〜３１５の高さがずれる虞がある。
【００３４】
ここで、比較例によるクリップを図７に基づいて説明する。図７に示すように、比較例によるクリップ８００は、第１脚部８０１、第２脚部８０２、および、第３脚部８０３が直線上に配置されている。
ここで、図７（ｂ）に示すように、製造公差等により、第１脚部８０１がモータリレー６７から離れる方向に距離ｄ２分ずれ、ランド３０４が第１脚部８０１から離れる方向に距離ｄ３分ずれると、公差が積み上がることにより、第１脚部８０１とモータリレー６７との間には、ｄ２とｄ３との合算となる隙間ｄ１が形成される。このとき、比較例によるクリップ８００のように、第１脚部８０１、第２脚部８０２、および、第３脚部８０３が直線上に配置されている場合、第１脚部８０１とモータリレー６７とを接続することができない。
特に、第１脚部８０１、第２脚部８０２、および、第３脚部８０３の高さが異なる位置に設定されている場合、図７（ｂ）に示すような製造公差の積み上げが起こる虞がある。
【００３５】
そこで、本実施形態では、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３を非直線上に配置している。そのため、図６に示すように、第１脚部２７１とモータリレー６７との接続部、第２脚部２７２とＭＯＳ６１との接続部、および、第３脚部２７３とランド３０６との接続部で形成される三角形の重心方向にクリップ２７が傾くことにより、各接続部に隙間が形成されない。これにより、クリップ２７は、モータリレー６７、ＭＯＳ６１、および、ランド３０６を確実に接続することができる。
【００３６】
また、クリップ２７は、非直線上の３箇所で接続するので、接続部で三角形が形成され、バランスが安定する。そのため、例えばリフロー工程において、クリップ２７が倒れる不良が発生するのを抑制することができる。特に、クリップ２７の幅が細い場合、リフロー等で倒れやすくなるが、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３を非直線上に配置することにより、クリップ２７が倒れるのを抑制することができる。換言すると、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３を非直線上に配置することでバランスが安定するので、クリップ２７の幅を細くすることができ、実装面積を低減することができる、ともいえる。このような効果は、クリップ２６、２８、２９についても同様である。
【００３７】
以上、説明したように、クリップ２７は、第１脚部２７１と、第２脚部２７２と、第３脚部２７３と、第１連結部２７６と、第２連結部２７７と、を備える。第１脚部２７１は、モータリレー６７と電気的に接続する。第２脚部２７２は、ＭＯＳ６１と電気的に接続する。第３脚部２７３は、ランド３０６と電気的に接続する。第１連結部２７６は、第１脚部２７１と第２脚部２７２とを連結する。第２連結部２７７は、第２脚部２７２と第３脚部２７３とを連結する。本実施形態では、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３は、非直線上に配置されている。
【００３８】
本実施形態では、モータリレー６７、ＭＯＳ６１、および、ランド３０６を、１つのクリップ２７を用いて電気的に接続しているので、部品点数を低減することができる。また、２本のクリップを用いて３箇所を接続する場合と比較して接続箇所が少なくて済むので、半導体モジュール１０の実装密度を高めることができる。
また、第１脚部２７１、第２脚部２７２、および、第３脚部２７３が非直線上に配置されているので、第１脚部２７１とモータリレー６７との接続部、第２脚部２７２とＭＯＳ６１との接続部、および、第３脚部２７３とランド３０６との接続部が三角形を形成する。これにより、製造公差等によりクリップ２７やモータリレー６７、ＭＯＳ６１、および、ランド３０６の高さが設定とずれていたとしても、接続部で形成される三角形の重心側にクリップ２７が傾くことにより、１つのクリップ２７で３箇所を確実に接続することができる。また、３点で接続することにより、バランスが安定し、クリップ２７が倒れる不良が発生するのを抑制することができる。
【００３９】
また、半導体モジュール１０は、クリップ２６〜２９と、電源リレー５６、５７、ＭＯＳ６１〜６６、および、モータリレー６７、６８、６９と、を備える。電源リレー５６、５７、ＭＯＳ６１〜６６、および、モータリレー６７、６８、６９は、リードフレーム３０に搭載される。
本実施形態では、第１脚部２７１と接続される第１導電部は、ブリッジ回路の上アームと下アームとの接続点とモータ８０との間に設けられるモータリレー６７の上面に形成されるソースである。また、第２脚部２７２と接続される第２導電部は、ブリッジ回路の上アームを構成するＭＯＳ６１の上面に形成されるソースである。さらにまた、第３脚部２７３と接続される第３導電部は、ブリッジ回路の下アームを構成するＭＯＳ６４のドレインと接続するリードフレーム３０のランド３０６であって、第１導電部であるモータリレー６７および第２導電部であるＭＯＳ６１とは異なる高さ位置である。
【００４０】
同様に、クリップ２６の第１脚部と接続される第１導電部は、ブリッジ回路とバッテリ５０との間に設けられる電源リレー５６の上面に形成されるソースであり、第２脚部と接続される第２導電部は、ブリッジ回路とバッテリ５０との間に設けられる電源リレー５７の上面に形成されるソースである。また、第３脚部と接続される第３導電部は、リードフレーム３０のランド３０３であって、第１導電部および第２導電部である電源リレー５６、５７とは異なる高さ位置である。
【００４１】
このように、第１導電部、第２導電部、および、第３導電部が異なる高さ位置に配置される場合であって、製造公差等によりクリップ２６、２７や導電部の高さ位置が設定とずれていた場合であっても、１つのクリップ２６、２７により３箇所を確実に接続することができる。なお、このような効果は、クリップ２８、２９についても同様である。
【００４２】
なお、本実施形態では、クリップ２６〜２９が「配線部材」に対応し、電源リレー５６およびモータリレー６７、６８、６９が「第１導電部」に対応し、電源リレー５７およびＭＯＳ６１、６２、６３が「第２導電部」に対応し、ランド３０３、３０６、３０９、３１２が「第３導電部」に対応する。また、半導体モジュール１０が「半導体モジュール」に対応し、リードフレーム３０が「リードフレーム」に対応し、電源リレー５６、５７、ＭＯＳ６１〜６６、モータリレー６７、６８、６９が「半導体素子」に対応し、ＭＯＳ６１〜６６が「スイッチング素子」に対応し、モータリレー６７、６８、６９が「負荷リレー」に対応し、モータ８０が「負荷」に対応する。さらにまた、バッテリ５０が「電力供給源」に対応し、電源リレー５６、５７が「電源リレー」に対応する。
【００４３】
（他の実施形態）
（ア）上記実施形態では、配線部材の第１脚部、第１連結部、第２脚部が直線上に配置されていた。他の実施形態では、配線部材の第１脚部、第２脚部、第３脚部が非直線上に配置されていれば、どのようなレイアウトでもよく、例えば図８に示すように、第１連結部２７６および第２連結部２７７がいずれも斜めになるように配置されていてもよい。このようにしても、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００４４】
（イ）上記実施形態では、第１脚部および第２脚部が半導体素子と接続し、第３脚部がリードフレームのランドと接続していた。他の実施形態では、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部のいずれが半導体素子と接続するようにしてもよいし、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部の全てが半導体素子と接続するようにしてもよい。また同様に、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部のいずれがリードフレームと接続するようにしてもよいし、全てがリードフレームと接続するようにしてもよい。
また、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部が同じ高さに形成され、第１脚部と第１導電部との接続部、第２脚部と第２導電部との接続部、および、第３脚部と第３導電部との接続部が、同じ高さ位置にあってもよい。さらにまた、第１脚部、第２脚部、および、第３脚部が、それぞれ異なる高さとなるように形成してもよい。
【００４５】
（ウ）上記実施形態では、配線部材であるクリップは、半導体素子とリードフレームとを接続していた。他の実施形態では、例えばリードフレームに代えて基板等であってもよいし、半導体素子に代えて、他の電子部品であってもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子としてＭＯＳＦＥＴを用いたが、他の実施形態ではＭＯＳＦＥＴ以外の半導体素子としてもよい。例えば、ＭＯＳＦＥＴに代えて、ＩＧＢＴを用いた場合、第１導電部および第２導電部をＩＧＢＴのエミッタとし、第３導電部をコレクタと接続されるリードフレームにしてもよい。
（エ）上記実施形態では、クリップはプレス加工により形成されたが、他の方法で形成してもよい。
（オ）上記実施形態では、１つの半導体モジュールに４つのクリップが用いられていた。他の実施形態では、少なくとも１つの配線部材が用いられていれば、どのような半導体モジュールであってもよい。また、配線部材を半導体モジュール以外の配線に用いてもよい。
【００４６】
（カ）上記実施形態では、半導体モジュールがモータ駆動装置に用いられていたが、他の実施形態では、半導体モジュールをどのような装置に適用してもよい。
（キ）半導体モジュールにおけるインバータ部の各相回路、および、電源リレー部の配置順やリードフレームの形状等は、上記実施形態の形状やレイアウトに限らない。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・半導体モジュール
２６〜２９・・・クリップ（配線部材）
６１、６２、６３・・・ＭＯＳ（第２導電部、半導体素子、スイッチング素子）
６７、６８、６９・・・モータリレー（第１導電部、半導体素子、負荷リレー）
２７１・・・第１脚部
２７２・・・第２脚部
２７３・・・第３脚部
２７６・・・第１連結部
２７７・・・第２連結部
３０３、３０６、３０９、３１２・・・ランド（第３導電部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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