(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有するシリコン基板の少なくとも一側面側に回路素子が載置される配線基板を形成する配線基板形成方法において、
前記シリコン基板に形成された第１のビアの内側に、前記シリコン基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第１のビア絶縁部、及び当該第１のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第１のビア導電部を形成するビア形成工程と、
前記シリコン基板の他側面側において、少なくとも前記第１のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第１のビア絶縁部の筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて誘電部を形成する誘電部形成工程と、
前記誘電部の表面に積層されると共に前記第１のビア導電部に接続される第１の配線部を形成する配線形成工程とを含み、
前記第１の配線部が電源と接続され、前記シリコン基板がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記シリコン基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板形成方法において、
前記ビア形成工程が、前記シリコン基板に形成された第２のビアの内側に、前記シリコン基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第２のビア絶縁部、及び当該第２のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第２のビア導電部を形成し、
前記シリコン基板の他側面側において、少なくとも前記第２のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第２のビア絶縁部の筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて絶縁部を形成する絶縁部形成工程を含み、
前記配線形成工程が、前記絶縁部の表面に積層されると共に前記第２のビア導電部及び前記シリコン基板に接続されて形成される第２の配線部を形成し、
前記第２の配線部がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記シリコン基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板形成方法において、
前記誘電部形成工程、及び前記絶縁部形成工程が、前記絶縁材の液滴をインクジェット法により吐出して断面凹溝状を形成し、
前記絶縁材の断面凹溝状の溝内に前記インクジェット法により、無電解めっきの触媒となる液滴を吐出する触媒形成工程を含み、
前記配線形成工程が、前記触媒の表面に無電解めっきにより前記第１の配線部、及び第２の配線部を形成することを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板形成方法において、
前記絶縁材の液滴が、前記ビア内に形成される第１の導電部、及び第２の導電部と撥液性となる液滴であることを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板形成方法において、
前記誘電部形成工程、及び前記絶縁部形成工程の後に、前記第１の導電部、及び第２の導電部の表面に塗布された前記絶縁材の液滴を洗浄する洗浄工程を含むことを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項６】
請求項２ないし５のいずれかに記載の配線基板形成方法において、
前記誘電部形成工程で吐出される絶縁性の液滴が誘電体であり、前記絶縁部形成工程で吐出される絶縁性の液滴が絶縁体であり、
前記誘電体と前記絶縁体とが、異なる吐出口から一の工程で吐出されることを特徴とする配線基板形成方法。
【請求項７】
基板の少なくとも一側面側に回路素子が載置される配線基板において、
前記基板の少なくとも他側面側の表面が導電性を有するものであり、
前記基板に形成された第１のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆して筒状に形成される第１のビア絶縁部と、
前記第１のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入して形成される第１のビア導電部と、
前記基板の他側面側において、少なくとも前記第１のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第１のビア絶縁部の筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて形成される誘電部と、
前記誘電部の表面に積層されると共に前記第１のビア導電部に接続されて形成される第１の配線部とを備え、
前記基板がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板において、
前記基板に形成された第２のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第２のビア絶縁部と、
前記第２のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第２のビア導電部と、
前記基板の他側面側において、少なくとも前記第２のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第２のビア絶縁部の筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて形成される絶縁部と、
前記絶縁部の表面に積層されると共に前記第２のビア導電部及び前記基板に接続されて形成される第２の配線部とを備え、
前記第２のビア導電部がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性を有する基板の表面に配線パターンを形成する配線基板形成方法に関し、特に配線パターンを形成する際にデカップリングキャパシタを同時に形成する配線基板形成方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源電圧の変動に伴い生じる回路の誤動作をなくすために、基板付近にデカップリングキャパシタを接続することでノイズを抑制する技術が一般的に知られている。デカップリングキャパシタは、基板に近接させて配設する必要があり、配設するための領域を確保する必要があるため、半導体の小型化を阻害する要因となっていた。
【０００３】
上記要因に関連して、デカップリングキャパシタを内蔵する配線基板が開示されている（例えば、特許文献１、２を参照）。特許文献１に示す技術は、入力側電極層と出力側電極層との間に層間絶縁層を介しデカップリングキャパシタを形成するとともに、このデカップリングキャパシタを、接地層および電源層の間に誘電体層を設けることにより形成し、半導体素子への電源供給に用いる複数の電源供給端子を出力側電極層をパターニングすることにより形成するとともに、これらの電源供給端子をキャパシタ用ビアによって電源層と接続するものである。
【０００４】
特許文献２に示す技術は、表面と裏面との間を貫通して形成された電源ビア、グランド・ビア、信号ビア等の複数のスルー・ビアと、前記スルー・ビアのピッチ間に形成され高誘電率材、電源電極面、グランド電極面が前記表面と略直交する方向に延在するキャパシタとをもつセラミックからなるインターポーザである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１０８１４号公報
【特許文献２】特開２００１−３２６２９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記各特許文献に示す技術は、デカップリングキャパシタを内蔵するため、製造工程が複雑になり、手間とコストが増大してしまうという課題を有する。
そこで、本発明は配線パターンを形成する際に、同時にデカップリングキャパシタを形成することで、配線基板の製造の手間とコストを大幅に削減することができる配線基板形成方法、及び配線基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本願に開示する配線基板形成方法は、導電性を有する基板の少なくとも一側面側に回路素子が載置される配線基板を形成する配線基板形成方法において、前記基板に形成された第１のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第１のビア絶縁部、及び当該第１のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第１のビア導電部を形成するビア形成工程と、前記基板の他側面側において、少なくとも前記第１のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第１のビア絶縁部の筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて誘電部を形成する誘電部形成工程と、前記誘電部の表面に積層されると共に前記第１のビア導電部に接続される第１の配線部を形成する配線形成工程とを含み、前記第１の配線部が電源と接続され、前記基板がグランドと接続され、前
記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とするものである。
【０００８】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、グランドに接続する基板と、第１のビア導電部に接続されると共に電源に接続される第１の配線部との間で、第１のビア絶縁部の筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて形成される誘電部を挟んでキャパシタが形成されるため、配線部を形成するのと同時にデカップリングキャパシタを形成することができ、当該デカップリングキャパシタを形成するための特別な処理が不要となり、製造の手間とコストを大幅に削減することができるという効果を奏する。
【０００９】
（２）本願に開示する配線基板形成方法は、前記ビア形成工程が、前記基板に形成された第２のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第２のビア絶縁部、及び当該第２のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第２のビア導電部を形成し、前記基板の他側面側において、少なくとも前記第２のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第２のビア絶縁部の筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて絶縁部を形成する絶縁部形成工程を含み、前記配線形成工程が、前記絶縁部の表面に積層されると共に前記第２のビア導電部及び前記基板に接続されて形成される第２の配線部を形成し、前記第２の配線部がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とするものである。
【００１０】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、第２のビア絶縁部、及び第２のビア導電部を形成し、第２のビア絶縁部の筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて絶縁部を形成し、絶縁部の表面に積層されると共に第２のビア導電部及び基板に接続されて形成される第２の配線部を形成し、第２の配線部がグランドと接続され、第１の配線部と基板とで誘電部を挟むキャパシタが形成されるため、配線部を形成するのと同時に、電源電極となる第１の配線部とグランド電極となる第２の配線部とを利用してデカップリングキャパシタを形成することができ、当該デカップリングキャパシタを形成するための特別な処理が不要となり、製造の手間とコストを大幅に削減することができるという効果を奏する。
【００１１】
（３）本願に開示する配線基板形成方法は、前記誘電部形成工程、及び前記絶縁部形成工程が、前記絶縁材の液滴をインクジェット法により吐出して断面凹溝状を形成し、前記絶縁材の断面凹溝状の溝内に前記インクジェット法により、無電解めっきの触媒となる液滴を吐出する触媒形成工程を含み、前記配線形成工程が、前記触媒の表面に無電解めっきにより前記第１の配線部、及び第２の配線部を形成することを特徴とするものである。
【００１２】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、誘電部及び絶縁部を形成する際の絶縁材の液滴をインクジェット法により吐出して断面凹溝状を形成し、その溝内に無電解めっきの触媒となる液滴を吐出するため、無電解めっきの触媒を絶縁材からはみ出すことなく確実に吐出し、断面凹溝状の範囲内で配線部が形成されるのと同時にデカップリングキャパシタを簡単に形成することができ、作業の手間を省くことができるという効果を奏する。また、インクジェット法により、基板の内部ではなく表面にデカップリングキャパシタを形成することができ、製造の手間とコストを大幅に削減することができるという効果を奏する。
【００１３】
（４）本願に開示する配線基板形成方法は、前記絶縁材の液滴が、前記ビア内に形成される第１の導電部、及び第２の導電部と撥液性となる液滴であることを特徴とするものである。
【００１４】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、絶縁材の液滴が、ビア内に形成される第１の導電部、及び第２の導電部と撥液性となる液滴であるため、第１の導電部、及び第２の導電部の表面に絶縁材が残ることで、導電性が悪くなってしまうようなことがなく、導電性を確保することができるという効果を奏する。
【００１５】
（５）本願に開示する配線基板形成方法は、前記誘電部形成工程、及び前記絶縁部形成工程の後に、前記第１の導電部、及び第２の導電部の表面に塗布された前記絶縁材の液滴を洗浄する洗浄工程を含むことを特徴とするものである。
【００１６】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、誘電部形成、及び絶縁部形成後に、第１の導電部、及び第２の導電部の表面に塗布された絶縁材の液滴を洗浄するため、第１の導電部、及び第２の導電部の表面に絶縁材が残ることを防止して、導電性を確保することができるという効果を奏する。
【００１７】
（６）本願に開示する配線基板形成方法は、前記誘電部形成工程で吐出される絶縁性の液滴が誘電体であり、前記絶縁部形成工程で吐出される絶縁性の液滴が絶縁体であり、前記誘電体と前記絶縁体とが、異なる吐出口から一の工程で吐出されることを特徴とするものである。
【００１８】
このように、本願に開示する配線基板形成方法においては、誘電部形成工程で吐出される絶縁性の液滴と、絶縁部形成工程で吐出される絶縁性の液滴とが異なる液滴であっても、異なる吐出口から一の工程で吐出するため、それぞれを別の工程で行うことなく、製造工程を簡略化して作業効率を上げることができるという効果を奏する。
【００１９】
（７）本願に開示する配線基板は、基板の少なくとも一側面側に回路素子が載置される配線基板において、前記基板の少なくとも他側面側の表面が導電性を有するものであり、前記基板に形成された第１のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆して筒状に形成される第１のビア絶縁部と、前記第１のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入して形成される第１のビア導電部と、前記基板の他側面側において、少なくとも前記第１のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第１のビア絶縁部の筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて形成される誘電部と、前記誘電部の表面に積層されると共に前記第１のビア導電部に接続されて形成される第１の配線部とを備え、前記基板がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とするものである。
【００２０】
（８）本願に開示する配線基板は、前記基板に形成された第２のビアの内側に、前記基板の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状の第２のビア絶縁部と、前記第２のビア絶縁部内に導電性を有する導電材を封入した第２のビア導電部と、前記基板の他側面側において、少なくとも前記第２のビア導電部の周囲領域に積層され、前記第２のビア絶縁部の筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて形成される絶縁部と、前記絶縁部の表面に積層されると共に前記第２のビア導電部及び前記基板に接続されて形成される第２の配線部とを備え、前記第２のビア導電部がグランドと接続され、前記第１の配線部と前記基板とで前記誘電部を挟むキャパシタが形成されることを特徴とするものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板の断面図及び等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線基板形成方法に用いる装置の機能ブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線基板形成方法に用いるインクジェット法の工程を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線基板形成方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態に係る配線基板形成方法の各工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を説明する。本発明は多くの異なる形態で実施可能である。また、本実施形態の全体を通して同じ要素には同じ符号を付けている。
【００２３】
（本発明の実施形態）
本実施形態に係る配線基板、及び配線基板形成方法について、図１ないし図５を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る配線基板の断面図及び等価回路図、図２は、本実施形態に係る配線基板形成方法に用いる装置の機能ブロック図、図３は、本実施形態に係る配線基板形成方法に用いるインクジェット法の工程を示す図、図４は、本実施形態に係る配線基板形成方法を示すフローチャート、図５は、本実施形態に係る配線基板形成方法の各工程を示す図である。
【００２４】
図１（Ａ）において、配線基板１は、導電性を有するシリコン基板２と、シリコン基板２に形成されるビア７ａ，７ｂと、ビア７ａ，７ｂの内側にシリコン基板２の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状のビア絶縁部３ａ，３ｂと、ビア絶縁部３ａ，３ｂ内に導電性を有する導電材を封入したビア導電部４ａ，４ｂと、シリコン基板２の下面側において、少なくともビア導電部４ａの周囲領域に積層され、ビア絶縁部３ａの筒状端部の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて形成された誘電部５ａと、シリコン基板２の下面側において、少なくともビア導電部４ｂの周囲領域に積層され、ビア絶縁部３ｂの筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて形成された絶縁部５ｂと、誘電部５ａ又は絶縁部５ｂの表面に積層されると共にビア導電部４ａ，４ｂに接続される配線部６ａ，６ｂとを備える。
【００２５】
配線部６ａは電源に接続されて電源電極として機能し、配線部６ｂはグランド（ＧＮＤとする）に接続されてＧＮＤ電極として機能する。つまり、配線部６ｂはシリコン基板２と接触しているため、シリコン基板２がＧＮＤとなり、配線部６ａとシリコン基板２とで誘電部５ａを挟むデカップリングキャパシタが形成される。図１（Ｂ）は、この構成を等価回路にして示したものであり、電源とＧＮＤの間でキャパシタが構成されている。
【００２６】
なお、図１においては、絶縁部５ｂをビア絶縁部３ｂの筒状端部に少なくとも一部が接触しないように絶縁材を延在させて形成することで、シリコン基板２をＧＮＤに接続されるようにしているが、必ずしもこのような構成にしなくても、図１（Ｃ）に示すように、シリコン基板２をＧＮＤに接続する構成であればよい。
【００２７】
また、誘電部５ａ及び絶縁部５ｂは、いずれも絶縁性を有している必要があるため、同一の絶縁材で形成するようにしてもよいが、デカップリングキャパシタの性能向上（デカップリングキャパシタの容量を大きくする）のためには、誘電部５ａを誘電体（例えば、チタン酸バリウム等）で形成することが望ましい。
【００２８】
本実施形態においては、誘電部５ａ、絶縁部５ｂ、及び配線部６ａ，６ｂを形成する際にインクジェット法を用いる。誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂについては、インクジェット法により液滴を吐出することで形成し、配線部６ａ，６ｂについては、インクジェット法により誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂの表面に無電解めっきの触媒となる液滴を吐出した後に、無電解めっきにより配線部６ａ，６ｂを形成するものである。
【００２９】
ここで、本実施形態に用いるインクジェット法について詳細に説明する。図２に、イン
クジェット法を実現する装置の構成を示す。インクジェット装置１００は、描画情報７０に記憶される配線パターン情報に基づいて液滴を吐出する吐出口を移動制御し、吐出口から吐出される液滴により配線パターンを描画するインクジェット１０と、配線パターンを形成するシリコン基板２と、無電解めっきを行うことで導電性の配線が形成された配線基板１を形成するめっき部３０と、インクジェット１０の吐出口の移動を制御する移動制御部５０と、当該移動制御部５０の制御に基づいて吐出口の移動を行う駆動部６０とを備える。
【００３０】
さらに、インクジェット１０は、絶縁体の液滴を断面凹溝状に吐出して絶縁部５ｂを形成する絶縁体吐出部１１と、誘電体の液滴を断面凹溝状に吐出して誘電部５ａを形成する誘電体吐出部１４と、絶縁体吐出部１１や誘電体吐出部１４が形成した断面凹溝状の溝内に無電解めっきの触媒となる液滴を吐出して触媒部を形成する触媒吐出部１２と、各吐出部の吐出動作を制御する吐出制御部１３とを備える。
【００３１】
絶縁性を有する誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂを形成するための液滴を供するインクジェットインキ（以下、インキとする）としては、液滴乾燥後に絶縁性を有し、インクジェットヘッド（以下、ヘッドとする）から安定的に連続して吐出できる液滴にする必要がある。絶縁性インキの構成については、公知の材料を構成成分として選定し、後述する適正な物性に調整することで生成することができる。
【００３２】
一般的に圧電素子のヘッドにおいて安定的に液滴が形成されるインキの物性は、ヘッドの構成によって異なるが、ヘッド内部における温度において、粘度が３ｍＰａ・ｓｅｃないし１５０ｍＰａ・ｓｅｃ、好ましくは４ｍＰａ・ｓｅｃないし３０ｍＰａ・ｓｅｃである。これよりも値が大きくなると液滴を吐出ができなくなり、値が小さくなると液滴の吐出量が安定しない。
【００３３】
表面張力は、ヘッド内部における温度において、２０ｍＮ／ｍないし４０ｍＮ／ｍである。これより値が大きくなると液滴が吐出ができなくなり、値が小さくなると連続吐出時の液滴量が安定しない。
【００３４】
ヘッド内部の温度は、材料安定性依存するが、室温２０℃から４５℃で用いられる。インキ中の固形分を多くして膜厚を向上させるために４０℃程度の温度が用いられる事がある。
【００３５】
インクジェットによる誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂの描画は、液滴を連続的に着弾させる必要があり、着弾後の個々の液滴が合体する必要がある。そのために、着弾時の液滴拡がり直径Ｄに対して液滴着弾間のピッチｐ1が、Ｄ＞ｐ1となるように設定する。この着弾時の液滴拡がり径Ｄは、ヘッドから飛翔してきた液滴の直径ｄよりも常に大きい。また、着弾直後はその運動エネルギーが消費された後に接触基板と静的な安定状態に至る。したがって、着弾直後の拡がり径は測定することは困難であるから、１滴が基板に着弾した後に安定して観察される拡がり径Ｄ1を用いて、Ｄ1＞ｐ1とする。
【００３６】
一方、発明者らは、液滴が合体した後に良好な形状になるには、その静的接触角度が重要であることを見出した。接触角度が３０°を超えた場合、ラインが流動性を持っていると、形状を形成後、一部にバルジが形成され、更には液滴に分裂し、良好な形状を保つことができない。
【００３７】
形成後に絶縁性を有するためのインキの構成成分として、後続処理である触媒部を形成するための触媒インキの塗布において形状を安定させるために、絶縁性を示す樹脂組成物が用いられ、前述した粘度、表面張力の調整に用いられる溶媒に可溶、又はナノ分散可能
であり、溶媒蒸発後に流動性を示さないように調製される必要がある。
【００３８】
特に、断面凹溝状を優位に形成するインキ組成物として、溶媒蒸発途中に流動性を示さないように調製されることが好ましい。また、基板との接触角を３０°未満に設定すると、溶剤蒸発過程において優位に断面凹溝状を形成することができる。
【００３９】
無電解めっきの触媒となる成分を含む触媒インキの物性値についても、インクジェットにて安定的に吐出されるために、絶縁性インキの物性と同等にする。触媒成分として一般的にパラジウム塩が用いられ、さらにその錯体安定に必要な塩基を含んだ水溶液を用いる。これに、インクジェットに適した粘度にするために安定を損なわないエチレングリコール系の溶媒を添加すると共に、表面張力を調整するためにノニオン系界面活性剤を添加する。
【００４０】
また、無電解メッキに供される触媒インキも均一溶液に限定されること無く、ナノ金属触媒粒子、触媒金属コロイドを含有するもの（例えば、参考文献：林忠夫、松岡政夫、縄船秀美、「無電解めっき−基礎と応用」、（電気鍍金研究会）、日刊工業新聞社発行に記載のもの）であって、前記インキの物性値を有し、ヘッドの吐出安定性やヘッド材料の腐食などに影響を与えなければ適用可能である。
【００４１】
触媒インキの液滴着弾ピッチｐ2は、誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂに対する液滴拡がり径Ｄ2に対して、Ｄ2＞ｐ2に設定される。この時、誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂは断面凹溝状を有しているので、左右の土手から溢れない程度の液量を充填すれば良い。
【００４２】
図３は、インクジェット法の工程を示しており、まず、シリコン基板２の表面処理を行う（図３（Ａ））。この表面処理においては、Ｄｅｅｐ−ＵＶ照射装置３７を用いてシリコン基板２の表面にＤｅｅｐ−ＵＶを照射することで、シリコン基板２の表面に光化学反応を起こし、有機物等を酸化除去して洗浄する。
【００４３】
シリコン基板２の表面が洗浄されると、絶縁性配線３３を形成する（図３（Ｂ））。上述したような絶縁性インキの物性値でヘッド３２から絶縁性インキ３３ａを吐出する。このとき、配線パターン情報と同じパターンで絶縁性インキ３３ａを吐出する。絶縁性配線を描画後、シリコン基板２をホットプレート上で乾燥する。この工程により、図１に示す誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂが形成され、それぞれの絶縁性配線は、断面凹溝状を有するものとなる。
【００４４】
絶縁性配線３３が形成されると、触媒部（パラジウム塩）３４のラインを形成する（図３（Ｃ））。上述したような触媒インキの物性値でヘッド３２から触媒インキ３４ａを、前段の工程で形成された絶縁性配線３３の凹溝内に吐出する。触媒部３４のライン描画後、室温で乾燥を行う。絶縁性配線３３における凹溝内に触媒部３４が形成され、左右の土手により触媒インキ３４がはみ出すことがない。
【００４５】
触媒部３４のラインが形成されると、絶縁樹脂の光硬化を行う（図３（Ｄ））。ここでは、紫外線露光装置３８により紫外線を照射し、純水での洗浄後にエアブロー乾燥を行う。
【００４６】
絶縁樹脂の光硬化が行われると、アルカリ還元処理を行う（図３（Ｅ））。ここでは、ジメチルアミノボランＤＭＡＢ水溶液中に浸漬し、水洗、エアブロー乾燥を行う。
【００４７】
アルカリ還元処理が行われると、無電解めっき処理を行う（図３（Ｆ））。ここでは、めっき液中に浸漬し、無電解めっきを行い水洗する。絶縁性配線３３における凹溝内にめ
っき層３６が形成される。
【００４８】
なお、ここでは絶縁性配線の描画と触媒部の描画はそれぞれ個別に行っているが、それぞれの液滴を個々の隣接配設される、又は所定の距離だけ離隔して配設されるヘッドに充填し、絶縁性配線を形成する工程で吐出する絶縁性インキと、触媒部を形成する工程で吐出する触媒インキとが、隣接配設された、又は所定の距離だけ離隔して配設されたそれぞれ異なる吐出口から吐出され、少なくとも絶縁性配線を形成する工程を先行して、絶縁性インキと触媒インキとが１回の描画処理で順次吐出されるようにすることもできる。この場合、絶縁液滴の流動性を抑えるために基板を３０℃ないし１００℃程度まで加熱しておくと好ましい。
【００４９】
また、本実施形態においては、絶縁性配線の描画の際に誘電部５ａと絶縁部５ｂとを形成する。そのため、それぞれの液滴をさらに２つの隣接配設される、又は所定の距離だけ離隔して配設されるヘッドに充填し、誘電部５ａを形成する工程で吐出する絶縁性インキと、絶縁部５ｂを形成する工程で吐出する絶縁性インキとが、隣接配設された、又は所定の距離だけ離隔して配設されたそれぞれ異なる吐出口から吐出され、１回の描画処理で誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂを同時に描画するようにしてもよい。つまり、誘電部５ａを形成するインキを吐出するヘッド、絶縁部５ｂを形成するインキを吐出するヘッド、及び触媒部を形成するインキを吐出するヘッドをそれぞれ個別に用意して、１回の描画処理で絶縁性配線の描画と触媒部の描画を行うようにしてもよい。
【００５０】
さらに、本実施形態における配線パターン形成方法は、絶縁性の配線が硬化性樹脂組成物であり、触媒形成工程後に、触媒部の還元及び／もしくは無電解めっき時に施される触媒の固定化又はめっき層の安定形成を目的に、絶縁性配線に紫外線を照射、又は８０℃ないし１６０℃にて熱処理を行うことで、硬化性樹脂組成物を硬化し、触媒部を固定化する固定化工程を含むことで、還元液やめっき液がアルカリ性であっても触媒が溶出してしまうようなことがなく、確実に線状の触媒部を形成し、無電解めっきによる高精度な配線パターンを形成することができるようにしてもよい。
【００５１】
さらにまた、無電解めっきにおいて使用される触媒、その還元法、めっき浴、及びめっき方法は上記の記載されるものに限定されることなく、公知の方法を使用できる（例えば参考文献を参照）。
【００５２】
さらにまた、本実施形態においては、絶縁性配線を形成した後に触媒部の形成と無電解めっきを行っているが、触媒部の形成と無電解めっきを行わずに、絶縁性配線を形成した後に導電性のペーストを絶縁性配線の上に塗布することで導電性の配線パターンを形成するようにしてもよい。
【００５３】
以上が、本実施形態で用いるインクジェット法に関する詳細な説明である。本実施形態においては、上記インクジェット法を用いて誘電部５ａ、絶縁部５ｂ、及び触媒部を描画し、配線部６ａ，６ｂを形成して、同時にデカップリングキャパシタを形成する。
【００５４】
次に、図４及び図５を用いて、本実施形態に係る配線基板形成方法の処理工程を説明する。まず、シリコン基板２にビア７ａ，７ｂを形成し（Ｓ２１）、ビア７ａ，７ｂの内側にシリコン基板２の一側面側から他側面側の全面を絶縁被覆する筒状のビア絶縁部３ａ，３ｂを形成し（Ｓ２２）、ビア絶縁部３ａ，３ｂ内に導電性を有する導電材を封入したビア導電部４ａ，４ｂを形成し（Ｓ２３）、シリコン基板２の裏面を研磨する（Ｓ２４）。ここまでの工程で形成された配線基板を図５（Ａ）に示す。
【００５５】
研磨されたシリコン基板２の裏面に誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂを描画し（Ｓ２５、Ｓ
２６）、ビア導電部４ａ，４ｂの表面を洗浄する（Ｓ２７）。ここでの描画は、上記で説明したインクジェット法を用いる。ここまでの工程で形成された配線基板を図５（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）に示すように、誘電部５ａは、少なくともビア導電部４ａの周囲領域に所定の幅ｄ1をもって積層され、ビア絶縁部３ａの筒状端部３ａ’の全周に亘って接続する絶縁材を延在させて形成され、絶縁部５ｂは、少なくともビア導電部４ｂの周囲領域に積層され、ビア絶縁部３ｂの筒状端部３ｂ’に少なくとも一部が接触しないように、筒状端部３ｂ’から幅ｄ2を確保して絶縁材を延在させて形成されている。
【００５６】
このように形成することで、電源に接続される配線部６ａは、シリコン基板２と完全に絶縁されると共に、ＧＮＤに接続される配線部６ｂの電極は、シリコン基板２と接続され、結果的にシリコン基板２がＧＮＤに接続される。
【００５７】
なお、誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂを描画する絶縁材の液滴が、ビア導電部４ａ，４ｂと撥液性となる液滴に調製することで、ビア導電部４ａ，４ｂの表面を簡単に洗浄することができ、導電性を確保することができる。また、誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂを描画する際に、ビア導電部４ａ，４ｂの表面に予め絶縁材と撥液性となる材料を塗布するようにしてもよい。また、この誘電部５ａの厚さは、配線部６ａの接続を考慮して１０μｍ以下であることが望ましい。
【００５８】
誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂが形成されると、上記で説明したインクジェット法により触媒部を形成する（Ｓ２８）。この工程で形成された配線基板を図５（Ｃ）に示す。誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂは、上記のインクジェット法により断面が凹溝状となっているため、触媒部が、ビア導電部４ａ，４ｂの方向とは逆の方向（誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂの外側方向）に溢れることがない。逆に、ビア導電部４ａ，４ｂの方向（誘電部５ａ、及び絶縁部５ｂの内側方向）は、配線部６ａ，６ｂを形成する必要があるため、描画の対象となる。
【００５９】
触媒部が形成されると、無電解めっきにより配線部６ａ，６ｂを形成する（Ｓ２９）。この工程で形成された配線基板を図５（Ｄ）に示す。触媒部が形成された箇所にめっきにより配線部６ａ，６ｂが形成され、それと同時に配線部６ａと基板２との間でデカップリングキャパシタが形成される。
【符号の説明】
【００６０】
１  配線基板
２  シリコン基板
３ａ，３ｂ  ビア絶縁部
４ａ，４ｂ  ビア導電部
５ａ  誘電部
５ｂ  絶縁部
６ａ，６ｂ  配線部
７ａ，７ｂ  ビア
１０  インクジェット
１１  絶縁体吐出部
１２  触媒吐出部
１３  吐出制御部
１４  誘電体吐出部
３０  めっき部
３２  ヘッド
３３  絶縁性配線
３３ａ  絶縁性インキ
３４  触媒部
３４ａ  触媒インキ
３５  触媒部（Ｐｄ0）
３６  めっき層
３７  Ｄｅｅｐ−ＵＶ装置
３８  紫外線露光装置
５０  移動制御部
６０  駆動部
７０  描画情報
１００  インクジェット装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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