(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面にセルロースアセテートアルキレートで受容層が形成され、前記受容層の表面に導電性ペーストが所定パターン形状に印刷されて導体パターンが形成されていることを特徴とする導体パターン形成基材。
【請求項２】
前記導体パターンの導体厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の導体パターン形成基材。
【請求項３】
前記導体パターンの導体厚さの１０％以上が前記受容層にめり込んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の導体パターン形成基材。
【請求項４】
前記セルロースアセテートアルキレートとして、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネートブチレートから選ばれる１種以上のものが用いられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の導体パターン形成基材。
【請求項５】
前記所定パターン形状に印刷された導電性ペーストが水蒸気により加熱処理されて導体パターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導体パターン形成基材。
【請求項６】
前記所定パターン形状に印刷された導電性ペーストが加圧されて導体パターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導体パターン形成基材。
【請求項７】
前記導電性ペーストが所定パターン形状に印刷された後、これが加熱された状態でロールによりプレスされて導体パターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の導体パターン形成基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の回路パターンや、太陽電池、タッチパネル、有機ＥＬ等の電極パターンや、テレビ、ＧＰＳ等のアンテナパターンや、電磁波シールド材の電磁波シールドパターン等の導体パターンが基材に形成された導体パターン形成基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等に用いられる電磁波シールド材において、電磁波シールドパターン等の導体パターンを形成するにあたっては、グラビア印刷等の凹版印刷等が使用されている（例えば、特許文献１−８参照）。その一例として、特許文献１に記載の電磁波遮蔽膜付き透明基材は、透明基材の上面全体に下地層を形成し、この下地層の上にグラビア印刷法により触媒インク層を所定のパターンに形成した後、触媒インク層の上にメッキ法により触媒インク層と同一パターン形状の金属層を形成することによって製造されている。
【０００３】
ここで、下地層は、酸化物微粒子及び有機高分子等を含む塗料を用いて形成されるが、酸化物微粒子が含まれているので多孔質構造を形成するものと考えられる。他方、触媒インク層は、貴金属微粒子が担持された酸化物微粒子、有機高分子、有機溶剤等を含む触媒インクを用いて形成される。そして、グラビア印刷法により下地層の上に触媒インク層を形成する場合には、図１３に示すように、まず版胴２１のパターン溝２２に充填された触媒インク２３中の有機溶剤が多孔質状の下地層２４中に吸収され、これにより触媒インク２３の粘度が高くなり、適度に硬くなった触媒インク２３が多孔質状の下地層２４に食い込んでアンカー効果により触媒インク２３と下地層２４との密着力が向上し、触媒インク２３が版胴２１のパターン溝２２から引き抜かれるものと考えられる。なお、図１３において、１２は余分な触媒インク２３を削ぎ落とすためのドクター、２５は透明基材、矢印は有機溶剤が流れる向きを示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８１２９０号公報
【特許文献２】特開２００８−２１１０１０号公報
【特許文献３】特開２００８−３００７２４号公報
【特許文献４】特開２００９−００４６１７号公報
【特許文献５】特開２００９−０７６８２７号公報
【特許文献６】特開平１１−１７０４２０号公報
【特許文献７】特開２００９−１７７１０８号公報
【特許文献８】特開２００８−２８３００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来の導体パターンの形成方法にあっては、触媒インク２３と下地層２４との接触時間が長すぎると、触媒インク２３中の有機溶剤が下地層２４中に吸収されすぎて触媒インク２３が過度に硬くなり、版胴２１のパターン溝２２から触媒インク２３の全部を引き抜くことが難しくなる。そうすると、パターン溝２２の浅い部分の触媒インク２３のみが下地層２４に転写されて導体パターン６が形成されることになるが、このような導体パターン６は、パターン溝２２に充填されている触媒インク２３の全部が転写されて形成された導体パターン６に比べて、表面抵抗が高く、導電性が低いという問題がある。
【０００６】
また、従来の導体パターンの形成方法にあっては、触媒インク層のみでは十分な導電性が得られないので、触媒インク層の上にさらに金属層を形成する必要があるので、生産性が低くなるという問題もある。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、従来よりも表面抵抗が低く、導電性が高い導体パターンが生産性高く基材に形成された導体パターン形成基材を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る導体パターン形成基材は、基材の表面にセルロースアセテートアルキレートで受容層が形成され、前記受容層の表面に導電性ペーストが所定パターン形状に印刷されて導体パターンが形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
前記導体パターン形成基材において、前記導体パターンの導体厚さが０．５μｍ以上であることが好ましい。
【００１０】
前記導体パターン形成基材において、前記導体パターンの導体厚さの１０％以上が前記受容層にめり込んでいることが好ましい。
【００１１】
前記導体パターン形成基材において、前記セルロースアセテートアルキレートとして、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネートブチレートから選ばれる１種以上のものが用いられていることが好ましい。
【００１２】
前記導体パターン形成基材において、前記所定パターン形状に印刷された導電性ペーストが水蒸気により加熱処理されて導体パターンが形成されていることが好ましい。
【００１３】
前記導体パターン形成基材において、前記所定パターン形状に印刷された導電性ペーストが加圧されて導体パターンが形成されていることが好ましい。
【００１４】
前記導体パターン形成基材において、前記導電性ペーストが所定パターン形状に印刷された後、これが加熱された状態でロールによりプレスされて導体パターンが形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る導体パターン形成基材によれば、受容層であるセルロースアセテートアルキレートが導電性ペースト中の溶媒で膨潤してタック性（粘着性）を発現するものであり、このタック性によって受容層が例えば印刷用凹版の凹部から導電性ペーストを引き抜くことによって、従来よりも導体厚さを厚くすることができ、表面抵抗が低く、導電性が高い導体パターンを生産性高く形成することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】グラビア印刷機の一例を示す概略断面図である。
【図２】グラビア印刷機の他の一例を示す概略断面図である。
【図３】グラビア印刷機の他の一例を示す概略断面図である。
【図４】導体パターンの形成方法の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は一部を拡大した概略断面図である。
【図５】導体パターンの形成方法の他の一例を示す概略断面図である。
【図６】導体パターンの形成方法の他の一例を示す概略断面図である。
【図７】導体パターンの形成方法の他の一例を示す概略断面図である。
【図８】導体パターンの形成方法の他の一例を示す概略断面図である。
【図９】導体パターン形成基材の一部を拡大して示す平面図である。
【図１０】印刷用凹版の一例を示すものであり、（ａ）は表面、（ｂ）は凹部断面の電子顕微鏡写真である。
【図１１】（ａ）は実施例１の導体パターンの断面、（ｂ）は実施例４−２の導体パターンの断面、（ｃ）は実施例１８の導体パターンの断面をそれぞれデジタルマイクロスコープ（株式会社ハイロックスジャパン製「ＫＨ−７７００」）で撮影した写真である。
【図１２】印刷用凹版の凹部形成面と基材の受容層形成面との接触時間と、形成される導体パターンの導体厚さとの関係を示すグラフである。
【図１３】従来の導体パターンの形成方法の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は一部を拡大した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
本発明において基材４としては、絶縁性のあるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）のほか、ポリメタクリル酸メチルに代表されるアクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ＪＳＲ株式会社製の商品名「アートン」に代表されるノルボルネン系樹脂、東ソー株式会社製の品番「ＴＩ−１６０」に代表されるオレフィンマレイミド樹脂等にて形成される有機樹脂基体や、ガラスにて形成されるガラス基体、特開平０８−１４８８２９号公報に記載されているエポキシ樹脂基材等のような、シート状あるいは板状のもの等を用いることができる。また基材４としては、短尺のものを用いてもよいが、後述の図７や図８のように導電性ペースト３が印刷された基材４はロール３０により連続してプレスすることができるので、長尺のものを用いるのが好ましい。また、基材４の厚さは、１μｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、１０μｍ〜１ｍｍであることがより好ましく、２５μｍ〜２００μｍであることが最も好ましい。
【００１９】
そして、上記のような基材４の表面にセルロースアセテートアルキレートで受容層５（アンダーコート層）を形成する。セルロースアセテートアルキレートで形成された受容層５は、後述する導電性ペースト３中の溶媒を吸収して膨潤し、これによりタック性（粘着性）を発現することができるものであるが、特にセルロースアセテートアルキレートとしては、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートプロピオネートブチレートから選ばれる１種以上のものを用いるのが好ましい。このようなセルロースアセテートアルキレートを用いる場合には、その他のセルロースアセテートアルキレートを用いる場合に比べて、受容層５に容易に強力なタック性を発現させることができるものである。またセルロースアセテートアルキレートの数平均分子量は１０００〜２０００００であることが好ましく、５０００〜１０００００であることがより好ましい。セルロースアセテートアルキレートの数平均分子量が１０００未満であると、タック性が弱くなって、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）の高い導体パターンを形成することができないおそれがある。逆にセルロースアセテートアルキレートの数平均分子量が２０００００を超えると、溶解度が低下するため、タック性を発現しにくくなるおそれがある。そして、基材４の表面に受容層５を形成するにあたっては、まずセルロースアセテートアルキレートをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等の溶媒に溶解して受容層形成用溶液を調製する。このときセルロースアセテートアルキレートの含有量は、数平均分子量の大小にもよるが、受容層形成用溶液全量に対して０．１〜５０質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましい。次にマイクログラビアコーター等を用いて受容層形成用溶液を基材４の表面に塗布した後、これを６０〜２００℃で１秒間〜３０分間加熱乾燥して溶媒を除去すると共に高分子量化させることによって、基材４の表面に受容層５を形成することができる。このとき受容層５の厚さは０．０１〜５０μｍであることが好ましい。受容層５の厚さが０．０１μｍ未満であると、後述する印刷用凹版１の凹部２から導電性ペースト３を引き抜くための十分なタック性が得られないおそれがある。また厚さが５０μｍを超える受容層５は、塗布による形成が困難であると共に、表面の平滑性が低下するおそれがある。
【００２０】
なお、前述した特許文献１等に記載されているような従来の導体パターンの形成方法では、下地層に酸化物微粒子が含まれているため、触媒インクと下地層との接触面積が減少することにより、タック性が発現しにくくなるものと考えられる。よって、本発明ではタック性の発現に影響を及ぼさない範囲内であれば、受容層５に酸化物微粒子が含まれていてもよい。具体的には、酸化物微粒子の含有量は１０質量％未満であることが好ましく、３質量％未満であることがより好ましいが、極力、酸化物微粒子は含まれていないことが最も好ましい。
【００２１】
また導電性ペースト３としては、金属粉、アンチモン−錫酸化物やインジウム−錫酸化物等の金属酸化物粉末、金属ナノワイヤ、グラファイト、カーボンブラック、熱可塑性樹脂、添加剤、溶媒等を配合して調製されたものを用いることができる。金属粉としては、銀粉、銅粉、ニッケル粉、アルミニウム粉、鉄粉、マグネシウム粉及びこれらの合金粉もしくはこれらの粉末に異種金属を１層以上コーティングしたものから選ばれるものを用いることができ、また金属ナノワイヤとしては、金、銀、銅、白金等のナノワイヤを用いることができる。これらの配合量は導電性ペースト３全量に対して０〜９９質量％であることが好ましく、使い易さと導電性の観点から、５０〜９９質量％であることがより好ましい。またカーボンブラック、グラファイトの配合量は０〜９９質量％であることが好ましく、使い易さと黒色度合いの観点から、０．０１〜２０質量％であることがより好ましい。なお、少なくとも金属粉、金属ナノワイヤ、カーボンブラック、グラファイトのいずれかを用いる。また熱可塑性樹脂としては、ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などや、−ＣＯＣ−骨格、−ＣＯＯ−骨格などを含むこれらの樹脂の誘導体、カルボキシメチルセルロース、アセチルセルロース、セルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体等を用いることができ、この配合量は０．１〜２０質量％であることが好ましい。また添加剤としては、ビックケミー・ジャパン株式会社製「ＢＹＫ３３３（シリコンオイル）」等の消泡剤・レベリング剤を用いることができ、この配合量は０〜１０質量％であることが好ましい。また溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、キシレン、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１−（２−メトキシ−２−メチルエトキシ）−２−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−フェノキシエタノール及び水等をそれぞれ単独で用いたり、任意の割合で混合した混合溶媒として用いたりすることができるものであり、この配合量は０．１〜５０質量％であることが好ましい。
【００２２】
また印刷用凹版１としては、表面に凹部２が所定パターン形状に形成された銅板等を用いることができる。ここで、凹部２の深さは０．５μｍ以上（上限は１ｍｍ）であり、凹部２の幅は１ｍｍ以下（下限は０．５μｍ）であることが好ましい。これにより、導体厚さが０．５μｍ以上（上限は１ｍｍ）であり、導体幅が１ｍｍ以下（下限は０．５μｍ）である微細な導体パターン６を容易に形成することができるものであり、このような導体パターン６は、従来よりもアスペクト比（導体厚さ／導体幅）が高くなるため、より狭い導体幅（細線）となり、表面抵抗が低く、導電性が高いものである。特にこのような導体パターン６は、後述する加圧（プレス）、水蒸気加熱、水蒸気加熱加圧の各処理で、表面抵抗がさらに低くなり、導電性がさらに高くなるものである。また所定パターン形状としては、特に限定されるものではないが、例えば、プリント配線板の回路パターンや、太陽電池、タッチパネル、有機ＥＬ等の電極パターンや、テレビ、ＧＰＳ等のアンテナパターン等を形成する場合には、任意のパターン形状を挙げることができるが、プラズマディスプレイ等に利用される電磁波シールド材を製造する場合には、図９のような格子状又は網目状（メッシュ状）等の電磁波シールドパターンを挙げることができる。
【００２３】
そして印刷は、例えば、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷等を採用して行うことができるが、中でも生産性の高いグラビア印刷等の凹版印刷を採用して行うことが好ましい。すなわち、図１や図２はグラビア印刷機８の一例を示すものであり、これは円筒状の版胴９、圧胴１０及び支持ロール１１を設けて形成されており、印刷用凹版１は凹部形成面を外側にして版胴９の周囲に巻き付けてセットされる。そして、版胴９を回転させながらその外表面の凹部２に導電性ペースト３を供給して充填すると共に、余分な導電性ペースト３をドクター１２で削ぎ落とす（図４（ａ）参照）。基材４は、受容層形成面が版胴９の外表面に接触するように、版胴９と逆向きに回転する圧胴１０によって版胴９と圧胴１０の間を通し、そのまま版胴９に約半周（図１参照）〜約３／４周（図２参照）巻き付けて、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面とを０．５秒以上（上限は６０秒）接触させることによって（図４（ｂ）参照）、導電性ペースト３を基材４の受容層形成面に所定パターン形状に印刷するものである（図４（ｃ）参照）。このように、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面とを０．５秒以上接触させると、受容層５であるセルロースアセテートアルキレートが導電性ペースト３中の溶媒で十分に膨潤してタック性（粘着性）を発現するものであり、このタック性によって受容層５が印刷用凹版１の凹部２から導電性ペースト３を効率よく引き抜くことができるものである。このとき、より厚い導体厚さを得るという観点からは、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面との接触時間は１秒以上であることが好ましく、２秒以上であることがより好ましい。そして引き抜かれた導電性ペースト３は、受容層５と共に乾燥され溶媒が除去されて、導体パターン６を形成することになるが、この導体パターン６の導体厚さは印刷用凹版１の凹部２の深さの５０％以上（上限は１００％）となるのが好ましい。よって、特にアスペクト比（深さ／幅）の高い凹部２が表面に形成された印刷用凹版１を用いるようにすれば、従来よりも導体厚さを厚くして、導体幅を狭くすることができ、これによりアスペクト比（導体厚さ／導体幅）が高まり、表面抵抗が低く、導電性が高い導体パターン６を生産性高く形成することができるものである。なお、図４において、矢印は溶媒が流れる向きを示す。
【００２４】
しかし、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面との接触時間が０．５秒未満であると、受容層５であるセルロースアセテートアルキレートが十分なタック性を発現することができないおそれがある。そのため、印刷用凹版１の凹部２から導電性ペースト３を引き抜くことができなかったり、仮に引き抜くことができても、形成された導体パターン６の導体厚さが印刷用凹版１の凹部２の深さの５０％未満となってアスペクト比が低くなったりするおそれがあるものである。
【００２５】
その後、導電性ペースト３が印刷された基材４は、その印刷面を外側にして、版胴９と逆向きに回転する支持ロール１１の周囲に巻き付けられた後、導電性ペースト３及び受容層５中の溶媒を除去するために乾燥工程（図示省略）に搬送される。そして、乾燥工程が終了すると、導体パターン６が基材４に形成された導体パターン形成基材（例えば、プリント配線板や電磁波シールド材など）を得ることができるものである。なお、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面との接触時間は、基材４の搬送速度を変更したり、図１や図２のように支持ロール１１の位置を調節して基材４の版胴９への巻き付けの程度を変更したりして調整することができる。
【００２６】
また、基材４の受容層５の表面に所定パターン形状に印刷された導電性ペースト３は、５０〜１５０℃、０．１〜１８０分の条件で加熱して乾燥させ、これを図５のように加熱加圧装置１３を用いて加圧することによって導体パターン６を形成するのが好ましい。加熱加圧装置１３としては、近接・離間し、対向面が平坦に形成された一対の熱盤１４，１５を備えたものを用いることができる。上記のようにして形成された導体パターン６は、加圧で圧縮されることによって金属粉等の導電性微粒子間の接触面積が増加するので、従来の導体パターンに比べて、表面抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。ここで、加圧は５０〜１５０℃、０．０１〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．９８ｋＰａ〜１９．６ＭＰａ）、０．１〜１８０分の条件で行うのが好ましく、８０〜１５０℃、１〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２（９８ｋＰａ〜４．９ＭＰａ）、０．１〜６０分の条件で行うのがより好ましい。また、加熱加圧終了後に、圧力を保ったまま水冷等で急速冷却、例えば１１０℃から４０℃まで３０分で冷却することも導電性ペースト３の圧縮状態を保つ上で有効である。なお、加圧する場合には、図５のように導電性ペースト３が印刷された基材４と熱盤１４，１５との間に離型シート１６を介在させるようにしてもよい。この離型シート１６としては、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムにシリコーン樹脂等の剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたもの、公知の偏光板等を用いることができる。
【００２７】
また、基材４の受容層５の表面に所定パターン形状に印刷された導電性ペースト３は、５０〜１５０℃、０．１〜１８０分の条件で加熱して乾燥させ、これを図６のように水蒸気加熱装置１７を用いて水蒸気７により加熱処理することによって導体パターン６を形成するのも好ましい。ここで、水蒸気加熱装置１７は、処理室１８内に高温の水蒸気７を噴出する蒸気噴出部１９を設けて形成されている。そして、導電性ペースト３を乾燥させた後の基材４を処理室１８内に入れて、蒸気噴出部１９から水蒸気７を噴出させることによって、水蒸気７による加熱処理（水蒸気加熱処理）を行うことができる。このようにして形成された導体パターン６は、水蒸気７により加熱処理されることによって、熱可塑性樹脂等のバインダー樹脂成分が金属粉等の導電性微粒子間から流れ出して排除され、導電性微粒子間の接触面積が増加するので、従来の導体パターンに比べて、表面抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。ここで、水蒸気加熱処理は４０〜２００℃、湿度５０〜１００％、０．０００１〜１００時間の条件で行うのが好ましく、７０〜１５０℃、湿度７０〜９９％、０．０１〜１００時間の条件で行うのがより好ましい。
【００２８】
また、水蒸気加熱処理は、図６のように加圧しながら行うのが好ましい。この場合、水蒸気加熱加圧装置２０を用いることができるものであり、この水蒸気加熱加圧装置２０は、耐圧容器で形成された処理室１８内に高温の水蒸気７を噴出する蒸気噴出部１９及び処理室１８内を加圧する加圧手段（図示省略）を設けて形成されている。そして、導電性ペースト３を乾燥させた後の基材４を処理室１８内に入れて、蒸気噴出部１９から水蒸気７を噴出させると共に加圧手段によって処理室１８内を加圧することによって、水蒸気加熱処理を加圧しながら行うことができる。このようにして形成された導体パターン６は、水蒸気加熱処理によって得られる効果に加えて、加圧することによって、熱可塑性樹脂等のバインダー樹脂成分が金属粉等の導電性微粒子間から流れ出して排除されるのが促進され、導体パターン６を短時間で効率よく形成することができると共に、導電性ペースト３中の金属粉等の導電性微粒子同士を凝集させ、表面抵抗をさらに低くすることができるものである。ここで、加圧を伴う水蒸気７による加熱処理（水蒸気加熱加圧処理）は３０〜２００℃、湿度５０〜１００％、０．０１〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．９８ｋＰａ〜１９．６ＭＰａ）、０．０００１〜５０時間の条件で行うのが好ましく、７０〜１５０℃、湿度７０〜９９％、１〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２（９８ｋＰａ〜４．９ＭＰａ）、０．０１〜５０時間の条件で行うのがより好ましい。
【００２９】
また、図７（ａ）のように基材４の受容層５の表面に所定パターン形状に印刷された導電性ペースト３は、５０〜１５０℃、０．１〜１８０分の条件で加熱して乾燥させ、これを熱風や遠赤外線（ＩＲ）等により１２０〜１５０℃の温度で加熱して基材４、受容層５及び導電性ペースト３を温めた状態で図７（ｂ）のようにロールプレス装置３１を用いてロール３０によりプレスすることによって、図７（ｃ）のような導体パターン６を形成するのも好ましい。このように、ロール３０によるプレスの前に基材４、受容層５及び導電性ペースト３を加熱しておくことで、受容層５が柔らかくなって、ロール３０によるプレス時に印刷された導電性ペースト３が広がらず、導体幅の狭い導体パターン６を得ることができ、低抵抗化を図ることができるものである。なお、乾燥のための加熱とその後の加熱は連続して行ってもよいし、乾燥のための加熱を行って放冷した後、再度加熱するようにしてもよい。ここで、ロールプレス装置３１としては、例えば、回転可能な２本のロール３０を平行に対向配置して形成されたものを用いることができる。各ロール３０は、その寸法は特に限定されるものではないが、ゴムロールやスチールロール等で形成された加熱ロールであることが好ましい。そして、ロール３０によるプレスは、導電性ペースト３が印刷された長尺の基材４を２本のロール３０の間に通して連続して搬送することによって行うことができる。ロール３０によるプレスする直前において、導電性ペースト３が印刷された基材４は、６０〜４００℃（より好ましくは７０〜２００℃）、０．５秒〜１時間（より好ましくは５秒〜３０分間）の条件で加熱し温めておくのが好ましい。また、ロール３０による加熱の温度は６０〜４００℃（より好ましくは７０〜２００℃）、加圧の圧力は０．１〜４００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０１〜３９．２ＭＰａ）（より好ましくは０．５〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０５〜１９．６ＭＰａ））、基材４を２本のロール３０の間に通す速度は０．５〜３０ｍ／分に設定するのが好ましい。ロール３０による加熱の温度が６０℃未満であると、導電性ペースト３が十分に硬化しないおそれがあり、逆に上記温度が４００℃を超えると、基材４が熱的損傷を受けるおそれがある。またロール３０による加圧の圧力が０．５ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０５ＭＰａ）未満であると、導体パターン６の表面抵抗を十分に低くすることができないおそれがあり、逆に上記圧力が４００ｋｇｆ／ｃｍ２（３９．２ＭＰａ）を超えると、導体パターン６の導体幅が広がりすぎて、絶縁を確保しなければならない場合に隣り合う導体パターン６同士が接触してしまうおそれがある。また、基材４を２本のロール３０の間に通す速度が０．５ｍ／分未満であると、導体パターン６を迅速に形成することができないおそれがあり、逆に上記速度が３０ｍ／分を超えると、加圧の時間が短くなりすぎて、導体パターン６の表面抵抗を十分に低くすることができないおそれがある。なお、２本のロール３０のクリアランスは、上記圧力で加圧することができるように適宜調整すればよい。
【００３０】
そして、上記のようにして形成された導体パターン６は、ロール３０によるプレスで圧縮されることによって金属粉等の導電性微粒子間の接触面積が増加するので、従来の導体パターンに比べて、表面抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。しかもこの場合のプレスは、バッチ式のプレス装置（近接・離間する一対の加圧板を設けて形成されたもの）により断続的に行うのではなく、連続式のロールプレス装置３１により間断なく行うようにしているので、導体パターン６を迅速に形成することができ、その結果、プリント配線板や電磁波シールド材等の製造速度を高めることができるものである。なお、ロール３０によりプレスする場合には、導電性ペースト３が印刷された基材４とロール３０との間に離型シート（図示省略）を介在させるようにしてもよい。この離型シートとしては、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムにシリコーン樹脂等の剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたもの、公知の偏光板等を用いることができる。
【００３１】
図８は本発明の実施の形態の他の一例を示すものであり、このものでは、図７に示すロールプレス装置の代わりに多段式ロールプレス装置３２を用いてロール３０によるプレスを複数回行うようにしている。ここで、多段式ロールプレス装置３２としては、例えば、回転可能な第１ロール３０ａ、第２ロール３０ｂ及び第３ロール３０ｃからなる３本のロール３０を用い、第１ロール３０ａと第２ロール３０ｂとを平行に対向配置し、第２ロール３０ｂと第３ロール３０ｃとを平行に対向配置して形成されたものを用いることができる。各ロール３０の寸法・材質は特に限定されるものではないが、各ロール３０が加熱ロールであることが好ましい。そして、ロール３０によるプレスは、まず導電性ペースト３が印刷された長尺の基材４を第１ロール３０ａに半周程度巻き付け、そのまま第１ロール３０ａと第２ロール３０ｂの間に通し、引き続き第２ロール３０ｂに半周程度巻き付け、そのまま第２ロール３０ｂと第３ロール３０ｃの間に通し、引き続き第３ロール３０ｃに半周程度巻き付けて連続して搬送することによって行うことができる。また図８に示すものでは、基材４の第１ロール３０ａへの巻き付けは、導電性ペースト３が印刷された面と反対側の面が第１ロール３０ａの外周面に接触するように行っているので、基材４の第２ロール３０ｂへの巻き付けは、導電性ペースト３が印刷された面が第２ロール３０ｂの外周面に接触するように行われ、基材４の第３ロール３０ｃへの巻き付けは、第１ロール３０ａへの巻き付けと同様に、導電性ペースト３が印刷された面と反対側の面が接触するように行われることになる。これにより温度を一定に保ちながらプレスすることができる。温度が一定に保たれないと、印刷後の導電性ペースト３をプレスしても潰れるだけで低抵抗化を図ることができない。各ロール３０による加熱の温度は６０〜４００℃（好ましくは７０〜２００℃）、加圧の圧力は０．１〜４００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０１〜３９．２ＭＰａ）（０．５〜２００ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０５〜１９．６ＭＰａ））、基材４を２本のロール３０の間に通す速度は０．５〜３０ｍ／分に設定するのが好ましい。各ロール３０による加熱の温度が６０℃未満であると、導電性ペースト３が十分に硬化しないおそれがあり、逆に上記温度が４００℃を超えると、基材４が熱的損傷を受けるおそれがある。また各ロール３０による加圧の圧力が０．１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０１ＭＰａ）未満であると、導体パターン６の表面抵抗を十分に低くすることができないおそれがあり、逆に上記圧力が４００ｋｇｆ／ｃｍ２（３９．２ＭＰａ）を超えると、導体パターン６の導体幅が広がりすぎて、絶縁を確保しなければならない場合に隣り合う導体パターン６同士が接触してしまうおそれがある。また、基材４を２本のロール３０の間に通す速度が０．５ｍ／分未満であると、導体パターン６を迅速に形成することができないおそれがあり、逆に上記速度が３０ｍ／分を超えると、加圧の時間が短くなりすぎて、導体パターン６の表面抵抗を十分に低くすることができないおそれがある。なお、２本のロール３０のクリアランスは、上記圧力で加圧することができるように適宜調整すればよい。なお、多段式ロールプレス装置３２において、ロール３０の本数は３本に限定されるものではなく４本以上であってもよい。
【００３２】
そして、上記の場合にはロール３０によるプレスは、第１ロール３０ａと第２ロール３０ｂの間で１回、第２ロール３０ｂと第３ロール３０ｃの間で１回、合計２回行っていることになる。このようにして形成された導体パターン６は、ロール３０によるプレスで複数回圧縮されることによって金属粉等の導電性微粒子間の接触面積がさらに増加するので、ロール３０によるプレスで１回圧縮されることによって形成された導体パターン６に比べて、さらに表面抵抗が低くなり、導電性が高くなるものである。しかもこの場合のプレスも、バッチ式のプレス装置（近接・離間する一対の加圧板を設けて形成されたもの）により断続的に行うのではなく、連続式の多段式ロールプレス装置３２により間断なく行うようにしているので、導体パターン６を迅速に形成することができ、その結果、プリント配線板や電磁波シールド材等の製造速度を高めることができるものである。なお、この場合にも、導電性ペースト３が印刷された基材４とロール３０との間に離型シート（図示省略）を介在させるようにしてもよい。この離型シートとしては、ポリエステルフィルム、ポリエステルフィルムにシリコーン樹脂等の剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたもの、公知の偏光板等を用いることができる。
【００３３】
また、上述のいずれの方法を使用して製造された導体パターン形成基材においても、導体パターン６の導体厚さの１０％以上（上限は１００％）が受容層５にめり込んでいることが好ましい。このように、導体パターン６が受容層５にめり込んでいることによって、導体パターン６の受容層５に対する密着性を高く得ることができるものである。また、導体パターン６を受容層５にめり込ませることによって、導体パターン形成基材の表面が平滑に近づき、導体パターン６と受容層５との段差が小さくなるので、導体パターン形成基材の表面に蒸着、スパッタ、塗工等により成膜する場合に容易に成膜層を形成することができる。同様の理由により、導体パターン形成基材の表面に感圧型粘着剤や熱溶着接着剤等を用いて他の基材４を貼り合わせる場合に、導体パターン形成基材と他の基材４との間に気泡が入る等の不具合が生じにくくなる。
【００３４】
以上のように本発明では、従来の導体パターンの形成方法に比べて、歩留まりを高めることができるものである。また本発明では導体パターン６は印刷工程・プレス工程のみを経て形成されるので、従来の導体パターンの形成方法に比べて、工程数を減らして手間を省くことができるものである。しかもこのように少ない工程数で表面抵抗の低い導体パターン６を容易かつ迅速に形成することができるものである。
【００３５】
なお、図示省略しているが、基材４の導体パターン６が形成された面をカバーシートで被覆するようにしてもよい。このカバーシートとしては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、非晶性ＰＥＴ（ＰＥＴ−Ｇ）、透明粘着剤層付きＰＥＴ等で形成されたものを用いることができる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００３７】
（基材（Ｎｏ．１））
基材４として、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の品番「Ａ４３００」）を用いた。
【００３８】
またセルロースアセテートアルキレートとして、数平均分子量が７００００であるセルロースアセテートブチレート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＢ３８１−２０」）を用い、これをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に溶解することによって、８質量％の受容層形成用溶液を調製した。
【００３９】
次にマイクログラビアコーターを用いて、グラビア版＃７０、回転数１１５ｒｐｍ、基材４の搬送速度１．５ｍ／分の条件で受容層形成用溶液を基材４の表面に塗布した後、これを１２０℃、長さ１２ｍの温風乾燥炉に通過させて加熱乾燥させることによって、受容層５が表面に形成された基材４（Ｎｏ．１）を得た。この基材４（Ｎｏ．１）の受容層５の厚さは、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープで断面計測したところ、４．３μｍであった。
【００４０】
（基材（Ｎｏ．２））
セルロースアセテートアルキレートとして、数平均分子量が１６０００であるセルロースアセテートブチレート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＢ５５１−０．０１」）を用い、これをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に溶解することによって、２０質量％の受容層形成用溶液を調製するようにした以外は、基材４（Ｎｏ．１）の場合と同様にして、受容層５が表面に形成された基材４（Ｎｏ．２）を得た。この基材４（Ｎｏ．２）の受容層５の厚さは、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープで断面計測したところ、１．８μｍであった。
【００４１】
（基材（Ｎｏ．３））
セルロースアセテートアルキレートとして、数平均分子量が３００００であるセルロースアセテートブチレート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＢ５５１−０．２」）を用い、これをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に溶解することによって、１８．５質量％の受容層形成用溶液を調製するようにした以外は、基材４（Ｎｏ．１）の場合と同様にして、受容層５が表面に形成された基材４（Ｎｏ．３）を得た。この基材４（Ｎｏ．３）の受容層５の厚さは、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープで断面計測したところ、２．２μｍであった。
【００４２】
（基材（Ｎｏ．４））
セルロースアセテートアルキレートとして、数平均分子量が１５０００であるセルロースアセテートプロピオネート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＰ５０４−０．２」）を用い、これをメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に溶解することによって、１８．５質量％の受容層形成用溶液を調製するようにした以外は、基材４（Ｎｏ．１）の場合と同様にして、受容層が表面に形成された基材４（Ｎｏ．４）を得た。この基材４（Ｎｏ．４）の受容層５の厚さは、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープで断面計測したところ、３．８μｍであった。
【００４３】
（基材（Ｎｏ．５））
基材４として、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の品番「Ａ４３００」）を用いた。
【００４４】
また、特開２００８−２８３００８号公報の実施例１に記載された塗工液を調製した。なお、この塗工液にはセルロースアセテートアルキレートは含有されていない。
【００４５】
次に上記の塗工液を基材４の表面に塗布した後、これを１２０℃で１．５分加熱乾燥させることによって、受容層５が表面に形成された基材４（Ｎｏ．５）を得た。この基材４（Ｎｏ．５）の受容層５の厚さは、株式会社キーエンス製デジタルマイクロスコープで断面計測したところ、３．６μｍであった。
【００４６】
（導電性ペースト（Ｎｏ．１））
セルロースアセテートブチレート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＢ５５１−０．０１」）を３質量％、カーボンブラック（三菱化学株式会社製の品番「＃２３５０」）を１質量％、銀粉（ＤＯＷＡハイテック株式会社製の品番「ＡＧ−ＳＭＤＫ−１０１」）を９０質量％、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を５質量％、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを１質量％配合して調製されたものを導電性ペースト３（Ｎｏ．１）として用いた。
【００４７】
（導電性ペースト（Ｎｏ．２））
太陽インキ製造株式会社製の品番「ＡＦ５２００Ｅ」を導電性ペースト３（Ｎｏ．２）として用いた。
【００４８】
（導電性ペースト（Ｎｏ．３））
セルロースアセテートブチレート（イーストマンケミカルジャパン株式会社製の品番「ＣＡＢ５５１−０．２」）を５質量％、カーボンブラック（三菱化学株式会社製の品番「＃２３５０」）を３質量％、銀粉（ＤＯＷＡハイテック株式会社製の品番「ＡＧ−ＳＭＤＫ−１０１」）を８０質量％、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）を１０質量％、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを２質量％配合して調製されたものを導電性ペースト３（Ｎｏ．３）として用いた。
【００４９】
（印刷用凹版）
印刷用凹版１としては、図１０に示すように表面に格子状の凹部２（幅Ｌ／ピッチＰ／深さＤ＝２３／２５０／１３（μｍ））が形成された銅板を用いた。凹部２は、銅板にエッチング及び電解銅めっきを行うことによって形成した。そして、上記印刷用凹版１を凹部形成面が外側になるようにして図１〜図３に示すグラビア印刷機８の版胴９の周囲に巻き付けてセットした。なお、図３に示すグラビア印刷機８においては、支持ロール１１が設けられておらず、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４の受容層形成面とを略線接触させるようにしたものである。
【００５０】
（実施例１）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．１）の組合せで図１に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。この導体パターン６の断面をデジタルマイクロスコープ（株式会社ハイロックスジャパン製「ＫＨ−７７００」）で撮影した写真を図１１（ａ）に示す。
【００５１】
（実施例２）
基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００５２】
（実施例３）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．１）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００５３】
（実施例４）
基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように変更した以外は、実施例３と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００５４】
（実施例４−２）
実施例４の導体パターン６を図５に示す加熱加圧装置１３を用いて１１５℃、２．５４ｋｇｆ／ｃｍ２（２４９ｋＰａ）、５０分の条件で加熱加圧した。この導体パターン６の断面をデジタルマイクロスコープ（株式会社ハイロックスジャパン製「ＫＨ−７７００」）で撮影した写真を図１１（ｂ）に示す。
【００５５】
（実施例４−３）
実施例４の導体パターン６を図６に示す水蒸気加熱装置１７を用いて８５℃、湿度９０％、１２時間の条件で水蒸気７により水蒸気加熱処理した。
【００５６】
（実施例４−４）
実施例４の導体パターン６を図６に示す水蒸気加熱加圧装置２０を用いて１１５℃、湿度９０％、２．５４ｋｇｆ／ｃｍ２（２４９ｋＰａ）、５０分の条件で加圧しながら水蒸気７により加熱処理した。
【００５７】
（実施例５）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．１）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００５８】
（実施例６）
基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように変更した以外は、実施例５と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００５９】
（比較例１）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．５）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．５）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面との接触時間を下記［表１］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００６０】
実施例１〜６及び比較例１の導体パターン６の導体幅の平均値、ピッチの平均値、導体厚さの平均値、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）、受容層５にめり込んでいる導体厚さの割合（％）、表面抵抗を下記［表１］に示す。
【００６１】
【表１】
0005452443.tif 000002
【００６２】
実施例１〜４−４の導体パターン６は、実施例５、６の導体パターン６に比べて、表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。また、実施例１と実施例２との対比や実施例３と実施例４との対比から、基材４（Ｎｏ．１）の搬送速度を速くしても、導体パターン６の表面抵抗はあまり高くならないため、生産性の向上が期待できることも確認された。なお、加圧処理を行った実施例４−２及び４−４では、導体パターン６が潰れ、さらに受容層５にめり込んだため、アスペクト比は小さくなったが、加圧処理によりさらに表面抵抗が小さくなり、導電性が高くなることが確認された。
【００６３】
（実施例７）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．２）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．２）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．２）の受容層形成面との接触時間を下記［表２］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．２）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００６４】
（実施例８）
基材４（Ｎｏ．２）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．２）の受容層形成面との接触時間を下記［表２］に示すように変更した以外は、実施例７と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００６５】
（実施例９）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．２）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．２）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．２）の受容層形成面との接触時間を下記［表２］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．２）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００６６】
（比較例２）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．５）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．５）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面との接触時間を下記［表２］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００６７】
実施例７〜９及び比較例２の導体パターン６の導体幅の平均値、ピッチの平均値、導体厚さの平均値、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）、受容層５にめり込んでいる導体厚さの割合（％）、表面抵抗を下記［表２］に示す。
【００６８】
【表２】
0005452443.tif 000003
【００６９】
実施例７〜９の導体パターン６は、比較例２の導体パターン６に比べて、表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。特に実施例７、８の導体パターン６は、実施例９の導体パターン６に比べて、さらに表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。また、実施例７と実施例８との対比から、基材４（Ｎｏ．２）の搬送速度を速くしても、導体パターン６の表面抵抗はあまり高くならず、生産性の向上が期待できることも確認された。
【００７０】
（実施例１０）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．３）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表３］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００７１】
（実施例１１）
基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表３］に示すように変更した以外は、実施例１０と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００７２】
（実施例１２）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．３）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表３］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００７３】
（比較例３）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．５）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．５）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面との接触時間を下記［表３］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００７４】
実施例１０〜１２及び比較例３の導体パターン６の導体幅の平均値、ピッチの平均値、導体厚さの平均値、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）、受容層５にめり込んでいる導体厚さの割合（％）、表面抵抗を下記［表３］に示す。
【００７５】
【表３】
0005452443.tif 000004
【００７６】
実施例１０〜１２の導体パターン６は、比較例３の導体パターン６に比べて、表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。特に実施例１０、１１の導体パターン６は、実施例１２の導体パターン６に比べて、さらに表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。また、実施例１０と実施例１１との対比から、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度を速くしても、導体パターン６の表面抵抗はあまり高くならないため、生産性の向上が期待できることも確認された。
【００７７】
（実施例１３）
導電性ペースト３（Ｎｏ．２）及び基材４（Ｎｏ．３）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表４］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．２）を基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００７８】
（実施例１４）
基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表４］に示すように変更した以外は、実施例１３と同様にして、導体パターン６を形成した。
【００７９】
（実施例１５）
導電性ペースト３（Ｎｏ．２）及び基材４（Ｎｏ．３）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面との接触時間を下記［表４］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．２）を基材４（Ｎｏ．３）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００８０】
（比較例４）
導電性ペースト３（Ｎｏ．２）及び基材４（Ｎｏ．５）の組合せで図３に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．５）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面との接触時間を下記［表４］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．２）を基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００８１】
実施例１３〜１５及び比較例４の導体パターン６の導体幅の平均値、ピッチの平均値、導体厚さの平均値、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）、受容層５にめり込んでいる導体厚さの割合（％）、表面抵抗を下記［表４］に示す。
【００８２】
【表４】
0005452443.tif 000005
【００８３】
実施例１３〜１５の導体パターン６は、比較例４の導体パターン６に比べて、表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。特に実施例１３、１４の導体パターン６は、実施例１５の導体パターン６に比べて、さらに表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。また、実施例１３と実施例１４との対比から、基材４（Ｎｏ．３）の搬送速度を速くしても、導体パターン６の表面抵抗はあまり高くならないため、生産性の向上が期待できることも確認された。
【００８４】
（実施例１６）
導電性ペースト３（Ｎｏ．２）及び基材４（Ｎｏ．４）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．４）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．４）の受容層形成面との接触時間を下記［表５］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．２）を基材４（Ｎｏ．４）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００８５】
（比較例５）
導電性ペースト３（Ｎｏ．２）及び基材４（Ｎｏ．５）の組合せで図２に示すグラビア印刷機８を用い、基材４（Ｎｏ．５）の搬送速度及び印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面との接触時間を下記［表５］に示すように調整して、導電性ペースト３（Ｎｏ．２）を基材４（Ｎｏ．５）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体パターン６を形成した。
【００８６】
実施例１６及び比較例５の導体パターン６の導体幅の平均値、ピッチの平均値、導体厚さの平均値、アスペクト比（導体厚さ／導体幅）、受容層５にめり込んでいる導体厚さの割合（％）、表面抵抗を下記［表５］に示す。
【００８７】
【表５】
0005452443.tif 000006
【００８８】
実施例１６の導体パターン６は、比較例５の導体パターン６に比べて、表面抵抗が小さく、導電性が高いことが確認された。
【００８９】
（印刷用凹版の凹部形成面と基材の受容層形成面との接触時間と、形成される導体パターンの導体厚さとの関係）
導電性ペースト３（Ｎｏ．１）及び基材４（Ｎｏ．１）の組合せで図１〜図３に示すグラビア印刷機８を用い、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を０〜１０秒の間で変化させて、導電性ペースト３（Ｎｏ．１）を基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面に印刷した後、１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させることによって、導体厚さの異なる複数の導体パターン６が形成された。なお、形成された導体パターン６の導体幅はいずれも略同一であった。そして、印刷用凹版１の凹部形成面と基材４（Ｎｏ．１）の受容層形成面との接触時間を横軸にとり、形成された導体パターン６の導体厚さを縦軸にとって、各データをプロットすると、図１２に示すようなグラフが得られた。
【００９０】
このグラフから、アスペクト比の高い凹部２（幅Ｌ／ピッチＰ／深さＤ＝２３／２５０／１３（μｍ））が表面に形成された印刷用凹版１を用いているにもかかわらず、上記接触時間が０．５秒未満であると、形成される導体パターン６の導体厚さは４μｍ以下となり、アスペクト比が低くなることが確認された。また図１２に示すグラフによれば、上記接触時間が０．５秒から約４秒までの間はアスペクト比が急激に高くなるが、その後は約１０秒経過するまで高いアスペクト比を維持していることが確認された。このことから、上記接触時間が少なくとも約１０秒経過するまでは受容層５はタック性を発現し続け、アスペクト比の高い凹部２であってもその凹部２から導電性ペースト３の全部を容易に引き抜くことができるものと考えられる。
【００９１】
（実施例１７）
まずスクリーン印刷を使用して基材４（Ｎｏ．１）の表面に導電性ペースト３（Ｎｏ．３）を図９のように格子状又は網目状に印刷した。このときライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）が２０μｍ／２５０μｍのスクリーン版を用いて印刷した。
【００９２】
その後、基材４（Ｎｏ．１）の表面に印刷された導電性ペースト３（Ｎｏ．３）を１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させた。これを実施例１７の電磁波シールド材とし、その導体パターン６の表面抵抗を測定したところ、０．８８Ω／□であった。また、導体パターン６のライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）は２０．２μｍ／２５０．０４μｍであった。また、受容層５にめり込んでいる導体パターン６の導体厚さの割合は０．１％であった。
【００９３】
（実施例１８）
実施例１７の電磁波シールド材を１３０℃の温度で１０分間加熱して温めた状態で図７に示すロールプレス装置３１を用いて１２０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２（２．０ＭＰａ）、３ｍ／分の条件でロール３０によりプレスすることによって、導体パターン６を形成した。これを実施例１８の電磁波シールド材とし、その導体パターン６の表面抵抗を測定したところ、０．５３Ω／□であった。また、導体パターン６のライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）は２１．１μｍ／２５０．１１μｍであった。また、導体パターン６のライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）は２０．２μｍ／２５０．０４μｍであった。また、受容層５にめり込んでいる導体パターン６の導体厚さの割合は６３．３％であった。この導体パターン６の断面をデジタルマイクロスコープ（株式会社ハイロックスジャパン製「ＫＨ−７７００」）で撮影した写真を図１１（ｃ）に示す。
【００９４】
（実施例１９）
実施例１７の電磁波シールド材を１３０℃の温度で１０分間加熱して温めた状態で図８に示す多段式ロールプレス装置３２を用いて１３０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２（２．０ＭＰａ）、３ｍ／分の条件でロール３０によりプレスすることによって、導体パターン６を形成した。これを実施例１９の電磁波シールド材とし、その導体パターン６の表面抵抗を測定したところ、０．４１Ωｃｍであった。また、受容層５にめり込んでいる導体パターン６の導体厚さの割合は６５．８％であった。
【００９５】
（実施例２０）
実施例１７の電磁波シールド材を室温（２５℃）に保ち、この温度以上に加熱して温めることなく、図７に示すロールプレス装置３１を用いて１２０℃、２０ｋｇｆ／ｃｍ２（２．０ＭＰａ）、３ｍ／分の条件でロール３０によりプレスすることによって、導体パターン６を形成した。これを実施例２０の電磁波シールド材とし、その導体パターン６の表面抵抗を測定したところ、０．７０Ω／□であった。また、導体パターン６のライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）は３８．９μｍ／２４１．３８μｍであった。また、受容層５にめり込んでいる導体パターン６の導体厚さの割合は５８．３％であった。
【００９６】
（比較例６）
まずスクリーン印刷を使用して基材４（Ｎｏ．５）の表面に導電性ペースト３（Ｎｏ．３）を図９のように格子状又は網目状に印刷した。このときライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）が２０μｍ／２５０μｍのスクリーン版を用いて印刷した。
【００９７】
その後、基材４（Ｎｏ．５）の表面に印刷された導電性ペースト３（Ｎｏ．３）を１２０℃、３０分の条件で加熱して乾燥させた。これを比較例６の電磁波シールド材とし、その導体パターン６の表面抵抗を測定したところ、９．５Ω／□であった。また、導体パターン６のライン（Ｌ）／ピッチ（Ｐ）は２４．３μｍ／２４８．３μｍであった。また、受容層５にめり込んでいる導体パターン６の導体厚さの割合は０．１％であった。
【００９８】
また、実施例４−２、４−４、１８〜２０は、導体パターン６の導体厚さの１０％以上が受容層５にめり込んでいるので、他の実施例及び各比較例に比べて、導体パターン６の受容層５に対する密着性が高いものであった。
【符号の説明】
【００９９】
３  導電性ペースト
４  基材
５  受容層
６  導体パターン
７  水蒸気
３０  ロール
【図１】
0005452443.tif 000007
【図２】
0005452443.tif 000008
【図３】
0005452443.tif 000009
【図４】
0005452443.tif 000010
【図５】
0005452443.tif 000011
【図６】
0005452443.tif 000012
【図７】
0005452443.tif 000013
【図８】
0005452443.tif 000014
【図９】
0005452443.tif 000015
【図１０】
0005452443.tif 000016
【図１１】
0005452443.tif 000017
【図１２】
0005452443.tif 000018
【図１３】
0005452443.tif 000019