(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部回路と、
該内部回路よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド及び接地端子パッドと接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線と、
前記内部回路と前記外周電源配線との間に設けられ、前記外周電源配線から前記内部回路に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線を有する半導体装置であって、
前記内部回路電源電位供給用配線と前記内部回路接地電位供給用配線は、配線間容量が発生するように近接して配置され、
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、前記外周電源配線よりも線幅が細く、長さが長い配線であり、
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線の配線抵抗と、前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線の前記配線間容量とでＲＣフィルタを構成し、
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、前記内部回路との接続点及び前記外周電源配線との接続点が各々１箇所のみであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、前記内部回路との接続点及び前記外周電源配線との接続点との間で、各々が並列回路を構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
内部回路と、
該内部回路よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド及び接地端子パッドと接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線と、
前記内部回路と前記外周電源配線との間に設けられ、前記外周電源配線から前記内部回路に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線を有する半導体装置であって、
前記内部回路電源電位供給用配線と前記内部回路接地電位供給用配線は、配線間容量が発生するように近接して配置され、前記内部回路との接続点及び前記外周電源配線との接続点が各々１箇所のみであり、
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、前記内部回路との接続点と前記外周電源配線との接続点との間で、各々がＲＣ分布定数回路を構成し、
前記ＲＣ分布定数回路は、前記内部回路の周囲を螺旋状に周回するように配置されて構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
内部回路と、
該内部回路よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド及び接地端子パッドと接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線と、
前記内部回路と前記外周電源配線との間に設けられ、前記外周電源配線から前記内部回路に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線を有する半導体装置であって、
前記内部回路電源電位供給用配線と前記内部回路接地電位供給用配線は、配線間容量が発生するように近接して配置され、前記内部回路との接続点及び前記外周電源配線との接続点が各々１箇所のみであり、
前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、前記内部回路との接続点と前記外周電源配線との接続点との間で、各々がＲＣ分布定数回路を構成し、
前記内部回路が前記外周電源配線に隣接して配置され、前記ＲＣ分布定数回路は、前記内部回路との接続点と前記外周電源配線との接続点との間で、ジグザグに配置されて構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記内部回路を複数有し、
前記内部回路同士で前記電源電位及び前記接地電位を供給するための接続がなされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
供給する前記電源電位が異なる前記内部回路を複数有し、
前記電源端子パッド及び前記接地端子パッド、前記外周電源配線、前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線は、複数の前記内部回路に対応して各々独立して設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
互いに最も近接して配置されている前記電源端子パッド及び前記接地端子パッドの付近に、前記内部回路電源電位供給用配線及び前記内部回路接地電位供給用配線と前記外周電源配線との接続点が設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置を有し、
該半導体装置がパッケージングされたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体集積回路装置に関し、特に、内部回路と外周電源配線を有する半導体装置及び半導体集積回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、誘電体層上に形成され、最上位配線である電源配線と、電源配線と離間して形成された最上位配線層である接地配線との間に設けられた配線間容量と、電源配線及び接地配線から構成される配線抵抗とからなるＲＣフィルタと、回路及び素子が最上位配線よりも下層の配線を用いて接続され、電源配線がビアを介して高電位電源に電気的に接続され、接地配線がビアを介して低電位側電源に電気的に接続された回路ブロックとを具備した半導体装置であって、寄生の抵抗及び容量によるＲＣフィルタにより、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）ノイズを低減しつつ、チップ面積の増大を抑制した半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１９６８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、平面的に、ＲＣフィルタの途中に回路ブロックが接続されているため、ＲＣフィルタを機能させていない部分があり、十分なＥＭＩノイズの低減が得られない回路ブロックがあるという問題があった。
【０００４】
また、特許文献１に記載の構成では、同一のＲＣフィルタに複数の回路ブロックが接続されているため、個々の回路ブロック各々に対して最大の効果を上げるＲＣフィルタを個々に形成することはできなかった。よって、最上位配線に電源配線及び接地配線を敷き詰めてＲＣフィルタを構成し、回路ブロック上のビアを介してＲＣフィルタの接続可能な位置に接続するしか無く、個々の回路ブロックに対して、十分なＥＭＩノイズの低減が困難であった。
【０００５】
そこで、本発明は、ＥＭＩノイズの低減の効果を最大限に発揮させる配線パターンを有する半導体装置及び半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）は、内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と、
該内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド（Ｐｄｖ、Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２）及び接地端子パッド（Ｐｄｇ、Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２）と接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）と、
前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との間に設けられ、前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）から前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）を有する半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）であって、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）と前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）は、配線間容量（Ｃ、Ｃａ〜Ｃｅ）が発生するように近接して配置され、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）は、前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）よりも線幅が細く、長さが長い配線であり、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）の配線抵抗（Ｒｖ、Ｒｖａ〜Ｒｖｅ、Ｒｇ、Ｒｇａ〜Ｒｇｅ）と、前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅの前記線間容量（Ｃ、Ｃａ〜Ｃｅ）とでＲＣフィルタを構成し、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）は、前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）との接続点（Ｙｖ、Ｙｖ１、Ｙｖ２、Ｙｇ、Ｙｇ１、Ｙｇ２）及び前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）が各々１箇所のみであることを特徴とする。
【０００７】
これにより、内部回路に接続される電源配線にＥＭＩノイズを低減させる役割を担わせるとともに、内部回路に供給される電流の経路を固定し、確実にＥＭＩノイズを低減させることができる。また、内部回路と外周電源配線の間にＲＣフィルタを設けるとともに、これを確実に内部回路に流れる電流に通過させることができ、ＲＣフィルタの効果を最大限に果たさせることができる。
【０００９】
これにより、内部回路と外周電源配線の間にＲＣフィルタを設けるとともに、これを確実に内部回路に流れる電流に通過させることができ、ＲＣフィルタの効果を最大限に果たさせることができる。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）において、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２）は、前記内部回路（１０）との接続点（Ｙｖ、Ｙｇ）及び前記外周電源配線（２０）との接続点（Ｘｖ、Ｘｇ）との間で、各々が並列回路を構成していることを特徴とする。
【００１１】
これにより、供給する電源電圧をあまり低下させることなく、ＥＭＩノイズの低減を図ることができる。
【００１２】
第３の発明に係る半導体装置は、内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と、
該内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド（Ｐｄｖ、Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２）及び接地端子パッド（Ｐｄｇ、Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２）と接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）と、
前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との間に設けられ、前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）から前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）を有する半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）であって、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）と前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）は、配線間容量（Ｃ、Ｃａ〜Ｃｅ）が発生するように近接して配置され、前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）との接続点（Ｙｖ、Ｙｖ１、Ｙｖ２、Ｙｇ、Ｙｇ１、Ｙｇ２）及び前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）が各々１箇所のみであり、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２ａ〜３２ｅ）は、前記内部回路（１０、１５〜１８）との接続点（Ｙｖ、Ｙｇ）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）との間で、各々がＲＣ分布定数回路を構成し、
前記ＲＣ分布定数回路は、前記内部回路（１０）の周囲を螺旋状に周回するように配置されて構成されていることを特徴とする。
【００１３】
これにより、内部回路に供給される電力は、総てＥＭＩノイズ対策用の回路を経た上で内部回路に供給されることになり、ＥＭＩノイズ対策用回路を十分に機能させることができる。また、ＲＣ分布定数回路の経路を長く取ることができ、省スペースでありながら、ＥＭＩノイズ低減対策を十分に機能させることができる。
【００１６】
第４の発明に係る半導体装置は、内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と、
該内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）よりも外側に配置され、外部接続用の電源端子パッド（Ｐｄｖ、Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２）及び接地端子パッド（Ｐｄｇ、Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２）と接続されて電源電位及び接地電位が供給される外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）と、
前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との間に設けられ、前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）から前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）に前記電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）を有する半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）であって、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）と前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）は、配線間容量（Ｃ、Ｃａ〜Ｃｅ）が発生するように近接して配置され、前記内部回路（１０、１０ｃ、１５〜１８）との接続点（Ｙｖ、Ｙｖ１、Ｙｖ２、Ｙｇ、Ｙｇ１、Ｙｇ２）及び前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）が各々１箇所のみであり、
前記内部回路電源電位供給用配線（３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２ａ〜３２ｅ）は、前記内部回路（１０、１５〜１８）との接続点（Ｙｖ、Ｙｇ）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）との間で、各々がＲＣ分布定数回路を構成し、
前記内部回路（１０ｂ、１０ｃ、１５、１６）が前記外周電源配線（２０）に隣接して配置され、前記ＲＣ分布定数回路は、前記内部回路（１０ｂ、１０ｃ、１５、１６）との接続点（Ｙｖ、Ｙｇ）と前記外周電源配線（２０）との接続点（Ｘｖ、Ｘｇ）との間で、ジグザグに配置されて構成されていることを特徴とする。
【００１７】
これにより、内部回路が半導体装置の片側に寄って配置されている場合でも、電源配線の経路を長く取ることができ、ＥＭＩノイズの低減を十分に行うことができる。
【００１８】
第５の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）において、
前記内部回路（１５、１６）を複数有し、
前記内部回路（１５、１６）同士で前記電源電位及び前記接地電位を供給するための接続がなされていることを特徴とする。
【００１９】
これにより、内部回路が複数存在する場合でも、電源配線の経路を固定し、ＥＭＩノイズ対策を十分に行うことができる。
【００２０】
第６の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）において、
供給する前記電源電位が異なる前記内部回路（１７、１８）を複数有し、
前記電源端子パッド（Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２）及び前記接地端子パッド（Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２）、前記外周電源配線（２０ｄ、２０ｅ）、前記内部回路電源電位供給用配線（３１ｄ、３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２ｄ、３２ｅ）は、複数の前記内部回路（１７、１８）に対応して各々独立して設けられていることを特徴とする。
【００２１】
これにより、複数の内部回路が設けられており、独立した電源の供給が必要な場合には、各々に対してＥＭＩノイズ対策を行うことにより、設けたＥＭＩノイズ対策用の回路を各々十分に機能させることができ、効果的にＥＭＩノイズを抑制することができる。
【００２２】
第７の発明は、第１〜５のいずれかの発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）において、
互いに最も近接して配置されている前記電源端子パッド（Ｐｄｖ、Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２）及び前記接地端子パッド（Ｐｄｇ、Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２）の付近に、前記内部回路電源電位供給用配線（３１、３１ａ〜３１ｅ）及び前記内部回路接地電位供給用配線（３２、３２ａ〜３２ｅ）と前記外周電源配線（２０、２０ｄ、２０ｅ）との接続点（Ｘｖ、Ｘｖ１、Ｘｖ２、Ｘｇ、Ｘｇ１、Ｘｇ２）が設けられることを特徴とする。
【００２３】
これにより、入出力回路を簡素に構成することができ、ＥＭＩノイズ対策用の電源配線の配置も容易になる。
【００２４】
第８の発明に係る半導体集積回路装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）は、第１〜７のいずれかの発明に係る半導体装置（１００、１００ａ〜１００ｄ）を有し、
該半導体装置がパッケージングされたことを特徴とする。
【００２５】
これにより、ＥＭＩノイズが低減された半導体集積回路装置をユーザに提供することができ、ユーザ側でＥＭＩノイズの低減対策が不要となり、部品点数の削減及び半導体集積回路装置を部品として用いた他製品の開発期間を短縮することができる。
【００２６】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、電源配線によるＥＭＩノイズの低減効果を十分に発揮させ、ＥＭＩノイズを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【実施例１】
【００２９】
図１は、本発明を適用した実施例１に係る半導体装置１００の全体構成図の一例である。実施例１に係る半導体装置１００は、半導体ウエハ４０上に、内部回路１０と、電源端子パッドＰｄｖと、接地端子パッドＰｄｇと、外周電源配線２０と、内部回路供給用電源配線３０とを有する。外周電源配線２０は、電源電位用外周電源配線２１と、接地電位用外周電源配線２２とを有する。また、内部回路供給用電源配線３０は、内部回路電源電位供給用配線３１と、内部回路接地電位供給用配線３２とを有する。
【００３０】
内部回路１０は、半導体装置１００の所定の処理機能を有する回路である。内部回路１０は、半導体ウエハ４０上に備えられ、所定の機能を実行する。内部回路１０は、電源電位を供給すべき内部回路電源配線１１と、接地電位を供給すべき内部回路接地配線１２とを有する。内部回路１０は、内部回路電源配線１１及び内部回路接地配線１２に電力が供給されることにより動作し、所定の機能を実行する。
【００３１】
電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇは、半導体装置１００の外部電源との電気的接続が行われるための外部接続用の端子である。半導体装置１００は、外部電源から電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇに電力が供給されることにより、半導体装置１００内の電力供給が行われる。電源端子パッドＰｄｖには、電源電位、つまり高電位側の電位が供給される。一方、接地端子パッドＰｄｇには、接地電位の０〔Ｖ〕、つまり低電位側の電位が供給される。
【００３２】
電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇは、半導体装置１００内に複数備えられていてよい。半導体装置１００内の位置による不均衡を生じさせず、半導体装置１００に均一に電力を供給するため、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇは、なるべく半導体装置１００の外周に沿って等間隔に対称的に配置することが好ましい。よって、電源端子パッドＰｖｄ及び接地端子パッドＰｄｇは、均一な電力供給を行うべく、複数備えられていてよい。
【００３３】
電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇは、内部回路１０より外側であれば、どこに配置してもよいが、外部電源との接続を容易にするため、半導体装置１００の外周縁付近に設けられることが好ましい。これにより、外部電源と半導体装置１００の接続配線を短くすることができ、また半導体装置１００を広く使用することができる。
【００３４】
外周電源配線２０は、点在して設けられた電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇに供給された電力を、半導体装置１００の内部全体に供給可能とするための電源供給用配線である。よって、外周電源配線２０は、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇに接続される。外周電源配線２０は、電源電位を供給する電源電位用外周電源配線３１と、接地電位を供給する接地電位用外周電源配線３２とを備える。電源電位用外周電源配線３１は、電源端子パッドＰｄｖに接続され、接地電位用外周配線３２は、接地端子パッドＰｄｇに接続される。
【００３５】
外周電源配線２０は、内部回路１０に電力を供給するための配線であるので、内部回路１０よりも外側に配置され、好ましくは、図１に示すように、半導体装置１００の外周に沿って配置される。外周電源配線２０は、半導体装置１００の表面に点在するように配置して設けられた電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇから供給された電源を、半導体装置１００内の電源供給配線として利用し易い配置にする役割を果たす。よって、外周電源配線２０は、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇの近くで、かつ内部回路１０への電源供給を行い易い位置に配置されることが好ましい。そのような点を考慮し、外周電源配線２０は、例えば図１に示すように、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇと内部回路１０の間で、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇに近接したなるべく外側の外周位置に配置してもよい。
【００３６】
外周電源配線２０は、半導体装置１００内の電源供給ラインとして機能するため、可能な限り抵抗が小さい方が好ましい。よって、外周電源配線２０には、ある程度線幅の大きい配線パターンが適用されてよい。具体的な線幅は、半導体装置１００の用途等に応じて個別具体的に設定されてよいが、電力供給のロスが少ない配線が適用されることが好ましい。
【００３７】
また、外周電源配線２０は、半導体装置１００の表面に点在するように配置して設けられた出力端子パッド（図示せず）に接続された出力バッファ回路（図示せず）に、電源を供給するための配線としても用いられる。
【００３８】
内部回路供給用電源配線３０は、外周電源配線２０から、内部回路１０に電力を供給するための電源配線である。よって、内部回路供給用電源配線３０は、外周電源配線２０と、内部回路１０とを電気的に接続する。内部回路供給用電源配線３０は、内部回路１０に電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線３１と、内部回路１０に接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線３２とを有する。内部回路電源電位供給用配線３１は、外周電源配線２０の電源電位用外周電源配線２１に接続される。一方、内部回路接地電位供給用配線３２は、外周電源配線２０の接地電位用外周電源配線２２に接続される。
【００３９】
同様に、内部回路電源電位供給用配線３１は、内部回路１０の内部回路電源配線１１に接続され、内部回路接地電位供給用配線３２は、内部回路１０の内部回路接地配線１２に接続される。このように、内部回路供給用電源配線３０は、内部回路１０と外周電源配線２０との間の電力供給のための電気的接続を行う。
【００４０】
内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、半導体装置１００内のＥＭＩノイズ（Electronic Magnetic Interference、電磁輻射ノイズ）を低減するＲＣフィルタとして機能するため、以下のような構成を有する。
【００４１】
内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、ＲＣフィルタを構成するのに必要な抵抗成分を有する。図１に示すように、内部回路電源電位供給用配線３１は、抵抗Ｒｖの寄生抵抗を有する。また、内部回路接地電位供給用配線３２は、抵抗Ｒｇの寄生抵抗を有する。抵抗Ｒｖ及び抵抗Ｒｇは、個別の抵抗体を特に設けることなく、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２が、各々自分自身で持つ配線抵抗である。よって、内部回路供給用配線３０は、個別の抵抗体を設けることなく、ＲＣフィルタのＲ成分を備えることができる。
【００４２】
内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、通常の配線パターンを用いて形成し、適切な抵抗Ｒｖ、Ｒｇが得られた場合には、それをそのまま適用してよいが、抵抗Ｒｖ、Ｒｇの値が小さく、適切なＲＣフィルタを構成するのに不足している場合には、以下のように構成してもよい。
【００４３】
内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、抵抗Ｒｖ、Ｒｇを適切な抵抗値とするため、外周電源配線２０より小さな線幅の配線で構成してもよい。これにより、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２の抵抗値を増加させることができ、ＲＣフィルタを構成するのに必要な抵抗成分を得ることが可能となる。また、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給配線３２は、抵抗Ｒｖ、Ｒｇの抵抗値を増加させるためと、ＲＣフィルタを十分な長さで設けるため、外周電源配線２０と内分回路１０との間を、引き回すような配線構成としてよい。この場合、内部回路供給用電源配線３０は、少なくとも外周電源配線２０よりは長く構成され、好ましくは外周電源配線２０の１．５倍以上、更に好ましくは２倍以上に構成されてよい。内部回路供給用電源配線３０の長さの上限は、半導体装置１００の内部回路１０と外周電源２０との間のスペースの大きさ等により定められるが、例えば、外周電源配線２０の長さの１０倍以下に構成される。
【００４４】
このように、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２を、電源電位用外周電源配線２１及び接地電位用外周電源配線２２よりも長く、かつ細く構成することにより、配線自身が持つ寄生の配線抵抗Ｒｖ、Ｒｇを増加させることができ、良好な寄生のＲＣフィルタを設けることができる。
【００４５】
なお、内部回路電源電位供給用配線３１が有する抵抗Ｒｖと、内部回路接地電位供給用配線３２が有する抵抗Ｒｇとは、略同一の値となる。内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、同一の配線パターンとして形成されるので、その配線抵抗Ｒｖ、Ｒｇも略同一となる。
【００４６】
内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２は、両配線間で配線間容量Ｃを発生するように、近接して配置される。これにより、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２とで寄生のＲＣフィルタを発生させることができ、ＥＭＩノイズの低減を図ることができる。配線間容量Ｃは、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２との距離を調整することにより、その容量値を調整することができる。例えば、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２との離間距離を小さくすれば、配線間容量Ｃの容量値を大きくすることができ、逆に離間距離を大きくすれば、配線間容量Ｃの容量値は小さくなる。
【００４７】
なお、配線間容量Ｃを発生させる内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２同士は隣接して配置されるが、例えば、全体的にも、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２が半導体ウエハ４０上に交互に配置されるような配線パターンとして構成してもよい。図１においては、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２とが交互に配置される平面形状で構成されている。
【００４８】
このようにして形成された寄生のＲＣフィルタは、低周波成分を通過させ、高周波成分を減衰させるローパスフィルタとして機能し、半導体装置１００に発生する高周波成分のＥＭＩノイズを低減することができる。図１において、内部回路１０がＥＭＩノイズの発生源であるので、内部回路１０から発生するＥＭＩノイズは、内部回路供給用電源配線３０を通過する間に、十分減衰されることになる。
【００４９】
次に、かかるＲＣフィルタに十分に機能を果たさせるための内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２の構成について説明する。
【００５０】
内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、上述のように、内部回路１０の内部回路電源配線１１及び内部回路接地配線１２と、外周電源配線２０の電源電位用外周配線２１及び接地電位用外周配線２２との間を接続しているが、内部回路１０との接続点及び外周電源配線２０との接続点は、ともに１箇所のみである。具体的には、内部回路電源電位供給用配線３１は、内部回路１０とは、内部回路電源配線１１と接続点Ｙｖでのみ接続されており、外周電源配線２０とは、電源電位用外周電源配線２１と接続点Ｘｖでのみ接続されている。同様に、内部回路接地電位供給用配線３２は、内部回路１０とは、内部回路接地配線１２と接続点Ｙｇでのみ接続されており、外周電源配線２０とは、接地電位供給用外周電源配線２２と接続点Ｘｇでのみ接続されている。
【００５１】
このように、外周電源配線２０と内部回路供給用電源配線３０との間の接続点Ｘｖ、Ｘｇを電源ラインと接地ラインで１箇所ずつのみとし、内部回路供給用電源配線３０と内部回路１０との接続点Ｙｖ、Ｙｇをやはり電源ラインと接地ラインで１箇所ずつのみとすることにより、外部電源配線２０と内部回路１０との間を流れる電流が、内部回路供給用電源配線３０の総てのラインを流れるようにすることができる。
【００５２】
例えば、図１において、電源端子パッドＰｄｖに供給された電源電位ＶＣＣによる電流は、電源電位用外周電源配線２１の接続点Ｘｖから供給され、内部回路電源電位供給用配線３１に流れ込む。内部回路電源電位供給用配線３１は、接続点Ｕｖから左右に分岐する配線経路を有し、これらの配線を流れた電流は、対角線反対側の接続点Ｗｖから内側の接続点Ｚｖに流れ込む。内部回路電源電位供給用配線３１は、接続点Ｚｖからも左右に分岐する配線経路を有し、これらの配線経路を流れた電流は、やはり対角線反対側の接続点Ｙｖに流れ込む。そして、接続点Ｙｖから、内部回路電源配線１１を経由して内部回路１０内の処理回路を電流は流れ、所定の回路機能が実現される。同様に、接地ラインにおいても、内部回路１０の内部回路接地配線１２から流出した電流は、内部回路接地電位供給用配線３２の接続点Ｙｇから、対角線反対側のＺｇに、左右の内側の配線経路を通過して流れ込む。そして、接続点Ｚｇから接続点Ｗｇへと電流は流れ、左右の外側の配線経路を経由して、対角線反対側の接続点Ｕｇへと電流は流れ、接続点Ｘｇを通過して接地端子パッドＰｄｇから電流が流出することになる。
【００５３】
このように、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２の外周電源配線２０との接続点Ｘｖ、Ｘｇと、内部回路１０との接続点Ｙｖ、Ｙｇとを、各々１箇所のみとすることにより、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２により構成されるＲＣフィルタを、内部回路１０に供給される電流が必ず総ての配線経路を通るようにすることができる。これにより、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２により構成されるＲＣフィルタの機能を最大限発揮させることができ、ＥＭＩノイズ低減に確実に寄与させることができる。
【００５４】
なお、図１の実施例１に係る半導体装置１００においては、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２は、外周電源配線２０と内部回路１０との間で、並列接続されたＲＣ回路が２段である形で設けられている。並列回路の部分を設けることにより、抵抗Ｒｖ、Ｒｇの値を小さくし、電力供給のロスを少なくすることができる。
【００５５】
また、実施例１に係る半導体装置１００において、内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２の外周電源配線２０との接続点Ｘｖ、Ｘｇは、電源端子パッドＰｄｖと接地端子パッドＰｄｇが互いに近接して配置された左下隅の位置が選択されている。内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２の外周電源配線２０との接続点Ｘｖ、Ｘｇは、任意の位置を選択することができるが、電力ロスを少なくする観点から、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇに近接した位置が好ましい。ここで、電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇは、図１において４箇所示されているが、電源端子パッドＰｄｖと接地端子パッドＰｄｇが最も近接した組み合わせの端子パッドに接近した位置とすることが好ましい。例えば、図１においては、右下隅の電源端子パッドＰｄｖｆ及び接地端子パッドＰｄｇｆの付近に接続点Ｘｖ、Ｘｇを配置するのではなく、それ以外の電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇの組を選択することが好ましい。電源端子パッドＰｄｖと接地端子パッドＰｄｇは、接近していた方が電力供給は安定するので、半導体装置１００に電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子バッドＰｄｇの組み合わせが複数ある場合には、互いが最も接近した組み合わせの電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇの付近を選択するようにしてよい。
【００５６】
次に、図２を用いて、実施例１に係る半導体装置１００の回路構成を実現するための半導体装置１００の平面構成及び断面構成の一例について説明する。図２は、実施例１に係る半導体装置１００の平面構成及び断面構成の一例を示した図である。図２（ａ）は、実施例１に係る半導体装置１００の平面構成の一例を示した図である。図２（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置１００の断面構成の一例を示した図であり、図２（ａ）におけるＡ−Ａ’断面を示した図である。
【００５７】
図２（ｂ）において、最下層にＬＯＣＯＳ５０が配置され、これより下の層との素子分離がなされている。ＬＯＣＯＳ５０は、例えば、シリコン基板に窒化膜などのマスクを形成し、熱酸化して素子分離用の酸化膜として形成されたものが適用されてよい。ＬＯＣＯＳ５０の上層には、第１のポリシリコン６１が形成されている。第１のポリシリコン６１は、導電性の膜であり、電源電位ＶＣＣが供給されている。絶縁膜７１を介して第１のポリシリコン６１よりも上層に形成された第２のポリシリコン６２も、第１のポリシリコンと同じ材料から形成され、導電性の膜である。第２のポリシリコン６２には、接地電位ＧＮＤが供給される。絶縁膜７１は、電源電位ＶＣＣが供給された第１のポリシリコン６１と接地電位が供給された第２のポリシリコン６２との間に介在して配置され、第１のポリシリコン６１と第２のポリシリコン６２が配線間容量Ｃを形成するための誘電体としての機能を有する。このように、配線間容量Ｃは、半導体装置１００の立体構造中に形成されていてもよい。この場合、第１のポリシリコン６１と第２のポリシリコン６２との間に、配線間容量Ｃが発生するように、絶縁膜７１は薄い膜として形成される。なお、絶縁膜７１は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる絶縁膜７１等の、通常の半導体装置１００で用いられる材料が適用されてよい。
【００５８】
層間膜７０は、配線層の間を充填して絶縁するための絶縁膜である。層間膜７０は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁膜が用いられてもよい。
【００５９】
配線層３０は、半導体ウエハ４０上に、平面的に回路配線を形成するための導電層である。配線層３０は、アルミニウム又は銅等の配線用金属が適用される。本実施例に係る半導体装置１００においては、電源電位を供給する内部回路電源電位供給用配線３１と、接地電位を供給する内部回路接地電位供給用配線３２が、別配線として組みとなって形成されているので、図２においても、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２とが、別々に、かつ２本ずつ交互に形成されている。
【００６０】
コンタクトホール８０は、上下層の導電層間の電気的導通を図るための電気的接続手段である。本実施例に係る半導体装置１００においては、内部回路電源電位供給用配線３１には電源電位ＶＣＣ、内部回路接地電位供給用配線３２には接地電位ＧＮＤを供給する必要があるので、各々の電位供給が可能なようにコンタクトホール８０が形成されている。具体的には、内部回路電源電位供給用配線３１は、電源電位ＶＣＣが供給されている第１のポリシリコン６１と導通が図られ、内部回路接地電位供給用配線３２は、接地電位ＧＮＤが供給されている第２のポリシリコン６２と導通が図られている。
【００６１】
配線層３０は、配線層３０間同士においても、平面的に配線間容量Ｃを発生する。つまり、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２との間にも、配線間容量Ｃを発生させる。よって、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２との間隔は、水平方向にも、配線間容量Ｃが発生するように狭く配置されていることが好ましい。
【００６２】
図２（ａ）は、図２（ｂ）に対応する平面図であり、平面的には、層間膜７０の上に、同一方向に延在する内部回路電源電位供給用配線３１及び内部回路接地電位供給用配線３２が平行に２本ずつ交互に配置されていることが分かる。図２（ｂ）に対応する切断線Ａ−Ａ’の箇所に着目すると、中央部分と両端部で電源電位ＶＣＣが供給されている第１のポリシリコン６１と内部回路電源電位供給用配線３１との導通が行われている。そして、中央部と端部に挟まれた部分で、接地電位ＧＮＤが供給されている第２のポリシリコン６２と内部回路接地電位供給用配線３２との導通が行われている。図２（ａ）においては、理解の容易のため、中央部と両端部のコンタクトホール８０が存在する領域の層間膜７０を除去して、第１のポリシリコン６１を露出した状態で示している。また、内部回路接地電位供給用配線３２の下層には、層間膜７０を介して、接地電位ＧＮＤが供給されている第２のポリシリコン６２が存在しているので、コンタクトホール８０を介して接地電位が供給されることが図２（ｂ）との対応で分かる。
【００６３】
そうすると、図２（ａ）より、内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２とが対面している領域は、延在する配線間容量が形成されることが分かる。このように、本実施例に係る半導体装置１００においては、平面的及び立体構造的に配線間容量Ｃを発生させることができる。そして、図１で示したように、内部回路供給用電源３０と外周電源配線２０及び内部回路１０との接続点Ｘｖ、Ｘｇ、Ｙｖ、Ｙｇを各々１箇所ずつとすることにより、内部回路１０に供給される電流が配線間容量Ｃと抵抗Ｒｖ、ＲｇによるＲＣフィルタを総て通過させることができ、ＥＭＩノイズを効果的に低減させることができる。
【実施例２】
【００６４】
図３は、本発明を適用した実施例２に係る半導体装置１００ａの全体構成図の一例である。実施例２に係る半導体装置１００ａは、電源端子パッドＰｄｖ、接地端子パッドＰｄｇ、外周電源配線２０及び内部回路１０の配置構成は、実施例１に係る半導体装置１００と同様であるので、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００６５】
実施例２に係る半導体装置１００ａは、半導体ウエハ４０ａ上に形成されている内部回路供給用電源配線３０ａが、並列回路の部分を有せず、総てＲＣ分布定数回路から構成され、かつ平面構成が螺旋状となっている点で、実施例１に係る半導体装置１００と異なっている。
【００６６】
実施例２において、内部回路供給用電源配線３０ａは、内部回路電源電位供給用配線３１ａが、接続点Ｘｖで電源電位用外周電源配線２１と接続され、接続点Ｙｖで内部回路電源配線１１と接続されている。同様に、内部回路接地電位供給用配線３２ａが、接続点Ｘｇで接地電位用外周電源配線２２と接続され、接続点Ｙｇで内部回路接地配線１２と接続されている。接続点Ｘｖから接続点Ｙｖ及び接続点Ｘｇから接続点Ｙｇまで、内部回路電源電位供給用配線３１ａ及び内部回路接地電位供給用配線３２ａは、互いに平行に、螺旋状で１本のまま配置構成されている。そして、内部回路電源電位供給用配線３１ａは、配線抵抗として抵抗Ｒｖａを有し、内部回路接地電位供給用配線３２ａは、配線抵抗として抵抗Ｒｇａを有する。また、内部回路電源電位供給用配線３１ａと内部回路接地電位供給用配線３２ａは、十分に近接して配置され、配線間容量Ｃａを発生し、寄生のＲＣフィルタを形成している。
【００６７】
このような構成とすることにより、内部回路１０に電源端子パッドＰｄｖ及び接地端子パッドＰｄｇから供給される電流は、螺旋状の内部回路電源電位供給用配線３１ａ及び内部回路接地電位供給用配線３２ａから形成されたＲＣフィルタを総て通ることとなり、ＥＭＩノイズの低減が確実に行われる。また、内部回路電源電位供給用配線３１ａ及び内部回路接地電位供給用配線３２ａは、内部回路１０の周囲を螺旋状に囲む平面形状となっているので、実施例１と同様に、内部回路１０が中央に配置されている場合には、内部回路１０と外周電源配線２０との間のスペースに、スペース形状に沿った形で効果的にＲＣフィルタを配置できるので、空きスペースを最大限に利用したＲＣフィルタを設けることが可能となり、ＲＣフィルタの能力を高めることができる。
【００６８】
このように、実施例２に係る半導体装置１００ａによれば、内部回路電源電位供給用配線３１ａ及び内部回路接地電位供給用配線３２ａを直列的に螺旋状に配置することにより、ＲＣフィルタのノイズ低減能力自体を高めるとともに、設けたＲＣフィルタに確実にＥＭＩノイズ低減の機能を発揮させることができる。
【実施例３】
【００６９】
図４は、本発明を適用した実施例３に係る半導体装置１００ｂの全体構成図の一例である。図４において、実施例３に係る半導体装置１００ｂは、電源端子パッドＰｄｖ、接地端子パッドＰｄｇ及び外周電源配線２０の配置及び構成については、実施例１及び実施例２に係る半導体装置１００、１００ａと同様であるので、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００７０】
実施例３に係る半導体装置１００ｂは、内部回路１０ｂが、半導体ウエハ４０ｂの中央部ではなく、外周電源配線２０に隣接した片側に寄った配置となっている点で、実施例１及び実施例２に係る半導体装置１００、１００ａと異なっている。このように、内部回路１０ｂの配置位置が半導体ウエハ４０ｂの中央位置でない場合にも、本実施例に係る半導体装置１００ｂは好適に適用され得る。
【００７１】
図４においては、内部回路１０ｂが右に寄って外周電源配線２０に近接して配置され、半導体ウエハ４０ｂの左側にスペースが生じている。よって、実施例３においては、半導体ウエハ４０ｂの左側のスペースを用いて、内部回路供給用電源配線３０ｂを形成する。図４において、外周電源配線２０内の左側から内部回路１０ｂの左側の間のスペースが、内部回路供給用電源配線３０ｂを形成できる領域であるから、この間の領域で最も内部回路供給用電源配線３０ｂを長くできる構成が、最もＲＣフィルタを効果的に形成できる構成である。
【００７２】
図４においては、内部回路供給用電源配線３０ｂを、左から右にジグザグに配置する構成としている。内部回路電源電位供給用配線３１ｂは、配線抵抗として抵抗Ｒｖｂを有し、内部回路接地電位供給用配線３２ｂは、配線抵抗として抵抗Ｒｇｂを有する。そして、内部回路電源電位供給用配線３１ｂと内部回路接地電位供給用配線３２ｂは、十分に近接して略平行に配置され、配線間容量Ｃｂを発生している。そして、内部回路電源電位供給用配線３１ｂは、外周電源配線２０とは接続点Ｘｖの１箇所のみで接続され、内部回路１０ｂとも接続点Ｙｖの１箇所のみで電気的に接続されている。同様に、内部回路接地電位供給用配線３２ｂは、外周電源配線２０とは接続点Ｘｇの１箇所のみで接続され、内部回路１０ｂとも接続点Ｙｇの１箇所のみで接続されている。
【００７３】
このような構成とすることにより、内部回路１０と外周電源配線２０との間に、ＲＣ分布定数回路のジグザグに長い形状を有するＲＣフィルタを形成することができる。このように、四角形のスペースが与えられた場合には、内部回路電源電位供給用配線３１ｂ及び内部回路接地電位供給用配線３２ｂをジグザグに配置して、ＲＣフィルタを長くとるように構成することにより、ＲＣフィルタの能力を高め、ＥＭＩノイズを低減させることができる。また、内部回路電源電位供給用配線３１ｂ及び内部回路接地電位供給用配線３２ｂの外周電源配線２０及び内部回路１０ｂとの接続点Ｘｖ、Ｘｇ、Ｙｖ、Ｙｇは、ともに１箇所ずつのみであるので、内部電流１０ｂを流れる電流は、総てＲＣフィルタを通過し、確実にＲＣフィルタの機能を発揮させることができる。
【００７４】
なお、実施例３においては、内部回路１０ｂが右側に寄って配置されている例を説明したが、内部回路１０ｂは、左側に寄って配置されてもよいし、奥側や手前側に配置されても同様に本実施例に係る半導体装置１００ｂを適用できることは言うまでもない。
【実施例４】
【００７５】
図５は、本発明を適用した実施例４に係る半導体装置１００ｃの全体構成図の一例である。図５において、実施例４に係る半導体装置１００ｃは、電源端子パッドＰｄｖ、接地端子パッドＰｄｇ及び外周電源配線２０の配置及び構成は、実施例３に係る半導体装置１００ｂと同様であるので、同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００７６】
図５において、実施例４に係る半導体装置１００ｃは、半導体ウエハ４０ｃ上に形成された内部回路１５、１６が複数であり、第１の内部回路１５及び第２の内部回路１６を備えている点で、実施例３に係る半導体装置１００ｂと異なっている。内部回路１５、１６は、半導体装置１００ｃの用途に応じて、１つの半導体装置１００ｃ内に、複数設けられる場合がある。そのような場合であっても、本発明に係る半導体装置を適用することができる。
【００７７】
図５において、複数の内部回１５、１６が、外周電源配線２０に隣接して片側に寄って配置されているが、第１の内部回路１５と第２の内部回路１６同士が、内部回路電源配線１１及び内部回路接地配線１２により接続されている。つまり、第１の内部回路１５と第２の内部回路１６の電源供給は、共通の内部回路電源配線１１及び内部回路接地配線１２を用いて行われており、同電位が供給されている。このような場合には、例えば、第１の内部回路１５への電源供給を行えば、第２の内部回路１６への電源供給も第１の内部回路１５を介して行われるので、第１の内部回路１５に電源を供給する構成とすればよい。そうすると、実施例４に係る半導体装置１００ｃは、第１の内部回路１５と第２の内部回路１６を合わせて１つの内部回路１０ｃと捉えることができ、実施例３と同様に考えることができる。
【００７８】
よって、実施例４においては、内部回路供給用電源配線３０の構成は、実施例３とほぼ同様となる。具体的には、内部回路電源電位供給用配線３１ｃが配線抵抗の抵抗Ｒｖｃを有し、内部回路接地電位供給用配線３２ｃが配線抵抗の抵抗Ｒｇｃを有する。内部回路電源電位供給用配線３１ｃと内部回路接地電位供給用配線３２ｃは、十分に近接して配置され、配線間容量Ｃｃを生ずる。そして、内部回路電源電位供給用配線３１ｃと内部回路接地電位供給用配線３２ｃとで、寄生のＲＣフィルタが形成される。内部回路電源供給用配線３１ｃは、外周電源配線２０とは、接続点Ｘｖの１箇所でのみ接続され、内部回路１５とは、接続点Ｙｖの１箇所でのみ接続されている。同様に、内部回路接地電源供給用配線３２ｃは、外周電源配線２０とは、接続点Ｘｇの１箇所でのみ接続され、内部回路１５とは、接続点Ｙｇの１箇所でのみ接続されている。第１の内部回路１５と第２の内部回路１６同士は接続されており、電力供給も一方から総ての供給が可能になっている。そして、内部回路電源電位供給用配線３１ｃ及び内部回路接地電位供給用配線３２ｃは、全体としては接続点Ｘｖ、Ｘｇと接続点Ｙｖ、Ｙｇとの間を、ジグザグ形状をなして配置され、接続点ＸｖとＹｖ、接続点ＸｇとＹｇ同士を接続している。これにより、ＲＣフィルタを、四角形のスペースの中で効率的に長く構成し、総てのＲＣフィルタを機能させる構成とすることができる。
【００７９】
このように、内部回路１５、１６が複数であっても、内部回路１５、１６に同じ電位を供給すればよい場合には、実施例１乃至３と同様の構成として電力供給を行うことができる。
【００８０】
また、実施例４においては、内部回路１５、１６が２つの場合について説明したが、同一電位を供給すれば動作する内部回路１５、１６が３つ以上備えられている場合であっても、実施例４を同様に適用することができる。
【実施例５】
【００８１】
図６は、本発明を適用した実施例５に係る半導体装置１００ｄの全体構成図の一例である。実施例５に係る半導体装置１００ｄは、第１の内部回路１７と、第２の内部回路１８と、第１の電源端子パッドＰｄｖ１と、第１の接地端子パッドＰｄｇ１と、第２の電源端子パッドＰｄ２と、第２の接地端子パッドＰｄｇ２と、第１の外周電源配線２０ｄと、第２の外周電源配線２０ｅと、第１の内部回路供給用電源配線３０ｄと、第２の内部回路供給用電源配線３０ｅとを有する。
【００８２】
第１の内部回路１７と、第２の内部回路１８とは、互いに機能的に独立した内部回路であり、異なる電位の電源供給を必要とする回路である。このように、供給電位の異なる複数の内部回路１７、１８を有する場合であっても、本発明に係る半導体装置を適用することができる。
【００８３】
第１の内部回路１７と、第２の内部回路１８とは、電源として供給する電位が異なるので、外部接続用の外部電源からは、異なる電位が供給される。よって、外部接続用の端子パッドも各内部回路１７、１８に対応して独立して設けられる。
【００８４】
第１の電源端子パッドＰｄｖ１及び第１の接地端子パッドＰｄｇ１は、第１の内部回路１７に供給する電力を受け取るための端子パッドである。また、第２の電源端子パッドＰｄｖ２及び第２の接地端子パッドＰｄｇ２は、第２の内部回路１８に供給する電力を受け取るための端子パッドである。
【００８５】
同様に、第１の外周電源配線２０ｄは、第１の内部回路１７に電力供給を行うための電源配線であり、第２の外周電源配線２０ｅは、第２の内部回路１８に電力供給を行うための電源配線である。第１の外周電源配線２０ｄと、第２の外周電源配線２０ｅが、実施例１〜４とは異なり、外周総てを囲ってはおらず、途中で切断されており、電気的に独立して形成されている。これにより、第１の内部回路１７と第２の内部回路１８に、異なる電位の電力を独立して供給することができる。
【００８６】
第１の内部回路供給用電源配線３０ｄは、第１の内部回路電源電位供給用配線３１ｄと、第１の内部回路接地電位供給用配線３２ｄとを有する。第１の内部回路電源電位供給用配線３１ｄは、配線抵抗として抵抗Ｒｖｄを有し、第１の内部回路接地電位供給用配線３２ｄは、配線抵抗として抵抗Ｒｇｄを有する。そして、第１の内部回路電源電位供給用配線３１ｄと第１の内部回路接地電位供給用配線３２ｄは、配線間容量Ｃｄを発生するように近接して配置され、寄生のＲＣフィルタを形成する。
【００８７】
第１の内部回路電源電位供給用配線３１ｄは、第１の外周電源配線２０ｄとは、接続点Ｘｖ１のみの１箇所で接続され、第１の内部回路１７とは、接続点Ｙｖ１の１箇所のみで接続されている。同様に、第１の内部回路接地電位供給用配線３２ｄは、第１の外周電源配線２０ｄとは、接続点Ｘｇ１のみの１箇所で接続され、第１の内部回路１７とは、接続点Ｙｇ１の１箇所のみで接続されている。そして、第１の内部回路電源電位供給用配線３１ｄは、全体としては、ジグザグの平面構成を有し、半導体ウエハ４０ｄ上の左側のスペースを用いて、長いＲＣフィルタを構成するようにしている。かかる構成により、第１の内部回路１７に供給される電流は、必ずＲＣフィルタを総て経由し、ＲＣフィルタのＥＭＩノイズ低減の機能を、十分に発揮させることができる。
【００８８】
第２の内部回路１８についても同様で、第２の内部回路供給用電源配線３０ｅは、第２の内部回路電源電位供給用配線３１ｅと、第２の内部回路接地電位供給用配線３２ｅとを有する。第２の内部回路電源電位供給用配線３１ｅは、配線抵抗として抵抗Ｒｖｅを有し、第２の内部回路接地電位供給用配線３２ｅは、配線抵抗として抵抗Ｒｇｅを有する。そして、第２の内部回路電源電位供給用配線３１ｅと第２の内部回路接地電位供給用配線３２ｅは、配線間容量Ｃｅを発生するように近接して配置され、寄生のＲＣフィルタを形成する。
【００８９】
また、第２の内部回路電源電位供給用配線３１ｅは、第２の外周電源配線２０ｅとは、接続点Ｘｖ２のみの１箇所で接続され、第２の内部回路１８とは、接続点Ｙｖ２の１箇所のみで接続される。同様に、第２の内部回路接地電位供給用配線３２ｅは、第２の外周電源配線２０ｅとは、接続点Ｘｇ２のみの１箇所で接続され、第２の内部回路１８とは、接続点Ｙｇ２の１箇所のみで接続される。そして、第２の内部回路電源電位供給用配線３１ｅも、全体としては、ジグザグの平面構成を有し、半導体ウエハ４０ｄ上の右側のスペースを用いて、長いＲＣフィルタを構成している。かかる構成により、第２の内部回路１８に供給される電流は、必ずＲＣフィルタを総て経由し、ＲＣフィルタのＥＭＩノイズ低減の効果を、十分に発揮させることができる。
【００９０】
このように、内部回路１７、１８が複数存在し、内部回路１７、１８同士で供給すべき電源電圧が異なる場合であっても、実施例５に係る半導体装置１００ｄによれば、電源供給系統を独立させ、ＲＣフィルタも独立して設けることにより、内部回路１７、１８で発生するＥＭＩノイズを個別に低減することができ、結果として半導体装置１００ｄ全体としてのＥＭＩノイズを抑制することができる。
【００９１】
また、図６においては、内部回路１７、１８が２つの場合を例に挙げて説明したが、内部回路１７、１８が更に多く備えられている場合にも、電源電位の異なる数に対応して独立してＲＣフィルタ等を設けることにより、ＥＭＩノイズを同様に低減させることができる。
【００９２】
なお、実施例１〜５に係る半導体装置１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄは、パッケージングを行ってパッケージに収容することにより、半導体集積回路装置として製品化することができる。本実施例に係る半導体装置１００、１００ａ〜１００ｄを適用した半導体集積回路装置は、既にＥＭＩノイズ対策がなされているので、ユーザがＥＭＩノイズ対策を行う必要がない。よって、ユーザは、本発明が適用された半導体集積回路装置を用いる場合には、ＥＭＩノイズ対策に要する労力と部品点数を削減できるため、半導体集積回路装置を部品として用いた製品の開発期間を短縮することができる。
【００９３】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。特に、実施例１において説明した、内部回路供給用電源配線３０の線幅を、外周電源配線２０より小さくする構成と、電源端子パッドＰｄｖと接地端子パッドＰｄｇが最も接近している組み合わせの端子パッドを選択して、その付近に内部回路供給用電源配線３０と外周電源配線２０の接続点Ｘｖ、Ｘｇを配置するようにする構成は、実施例２〜５に組み合わせて適用することができる。また、実施例１の図２において説明した、配線間容量Ｃを発生させる際に、平面的な内部回路電源電位供給用配線３１と内部回路接地電位供給用配線３２との間に発生する配線間容量だけでなく、断面構成において電源電位ＶＣＣ供給用の第１のポリシリコン６１と接地電位ＧＮＤ供給用の第２のポリシリコン６２との間に発生する配線間容量Ｃも利用してよい内容も、実施例２〜５に同様に適用してよい。本発明は、平面構成等に矛盾が発生しない限り、実施例同士を組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】実施例１に係る半導体装置１００の全体構成図の一例である。
【図２】実施例１に係る半導体装置１００の平面構成及び断面構成の一例を示した図である。図２（ａ）は、実施例１に係る半導体装置１００の平面構成の一例を示した図である。図２（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置１００の断面構成の一例を示した図である。
【図３】実施例２に係る半導体装置１００ａの全体構成図の一例である。
【図４】実施例３に係る半導体装置１００ｂの全体構成図の一例である。
【図５】実施例４に係る半導体装置１００ｃの全体構成図の一例である。
【図６】実施例５に係る半導体装置１００ｄの全体構成図の一例である。
【符号の説明】
【００９５】
１０、１０ｃ、１５、１６、１７、１８    内部回路
１１    内部回路電源配線
１２    内部回路接地配線
２０、２０ｄ、２０ｅ    外周電源配線
２１、２１ｄ、２２ｅ    電源電位用外周電源配線
２２、２２ｄ、２２ｅ    接地電位用外周電源配線
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ    内部回路供給用電源配線
３１、３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ    内部回路電源電位供給用配線
３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ    内部回路接地電位供給用配線
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ    半導体ウエハ
５０    ＬＯＣＯＳ
６１、６２    ポリシリコン
７０    層間膜
７１    絶縁膜
８０    コンタクトホール
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ    半導体装置
Ｐｄｖ、Ｐｄｖｆ、Ｐｄｖ１、Ｐｄｖ２    電源端子パッド
Ｐｄｇ、Ｐｄｇｆ、Ｐｄｇ１、Ｐｄｇ２    接地端子パッド
Ｒｖ、Ｒｖａ、Ｒｖｂ、Ｒｖｃ、Ｒｖｄ、Ｒｖｅ、Ｒｇ、Ｒｇａ、Ｒｇｂ、Ｒｇｃ、Ｒｇｄ、Ｒｇｅ    配線抵抗
Ｃ、Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ、Ｃｄ、Ｃｅ    配線間容量
Ｘｖ、Ｘｇ、Ｙｖ、Ｙｇ、Ｕｖ、Ｕｇ、Ｗｖ、Ｗｇ、Ｚｖ、Ｚｇ    接続点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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