(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、
前記第１樹脂フィルムに積層された、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムと、
を有し、
前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品に接合して用いられ、
前記第１樹脂フィルムの２３０℃におけるゲルタイムが、１００秒以上６００秒以下であり、
以下の測定条件で測定される酸の量から式１により算出される前記第１樹脂フィルムの還元性維持率が１５％以上であることを特徴とする可撓性基板。
［測定条件］
１００℃、３０分の熱処理を加えた前記第１樹脂フィルム及び未処理の前記第１樹脂フィルムをそれぞれ、０．１ｇ〜０．２ｇ精秤し、１００ｍｌのアセトンに溶解させ、電位差測定法により、水酸化ナトリウム水溶液で滴定を行い単位重量あたりの酸のモル量（ｍｏｌ／ｇ）を算出する。
［式１］還元性維持率（％）＝｛（１００℃、３０分熱処理後の前記第１樹脂フィルムの酸の量）／（未処理の前記第１樹脂フィルムの酸の量）｝×１００
【請求項２】
前記第１樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている請求項１に記載の可撓性基板。
【請求項３】
前記第１樹脂フィルムがフェノールフタリンを含む、請求項１または２に記載の可撓性基板。
【請求項４】
前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、０．１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである請求項１ないし３のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項５】
前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである請求項１ないし４のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項６】
前記第２樹脂フィルムは、貫通孔を有しており、前記貫通孔には導体部材が充填されているものである請求項１ないし５のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項７】
前記第２樹脂フィルムの一方の面側には導体層が形成されており、他方側の面には導体部材を覆うように突起電極が形成されているものである請求項１ないし６のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項８】
前記第２樹脂フィルムは、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂および液晶ポリマーの中の少なくとも１種の樹脂で構成されているものである請求項１ないし７のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項９】
室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２樹脂フィルムの線膨張係数が、１５ｐｐｍ以下である請求項１ないし８のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項１０】
室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２の樹脂フィルムの線膨張係数が３ｐｐｍ以上８ｐｐｍ以下である請求項１ないし９のいずれかに記載の可撓性基板。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の可撓性基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムとを積層してなる可撓性基板の前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品と前記可撓性基板とを接合する工程と、
接合する前記工程の後に前記複数の電子部品を前記可撓性基板とともに個片化する工程と、
を含み、
前記可撓性基板が請求項１ないし１０のいずれかに記載の可撓性基板である、電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性基板および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの軽薄短小化の技術革新は目覚しいものがあり、種々の構造を有する半導体パッケージ製品が製品化されている。このような半導体パッケージ製品の中でも、従来のリードフレーム接合に代わり、直接垂直接続できるフリップチップ型実装方式は特に重要視されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
最近では、携帯電話やモバイル型電子機器の普及から、特に半導体パッケージの小型化および薄型化が進んでいるが、情報通信量や保存情報量はむしろ増えている。そのため、このような半導体パッケージにおける電子情報のやり取りを行う配線は微細化の一途を歩んでいる。通常、フリップチップ型のパッケージには、半田等で形成されたバンプと、配線加工を施した有機または無機のリジット基板とを接続させて半導体装置を構成させている。しかし、極端に薄型化や配線の微細化を要求されるようなターゲットをクリアさせるためには、技術面、コスト面からも限界があった。【０００４】
そこで、リジット基板に換えてフレキシブル基板を用いる技術が知られている。この技術では、樹脂フィルムを用いて半導体部品とフレキシブル基板とを接合させることが知られている。この場合、個片化した半導体部品をフレキシブル基板に接合させることが一般的であった（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２４６３２６号公報
【特許文献２】特開２００５−１１６６２４号公報
【発明の概要】
【０００６】
しかしながら、上記従来技術よりも歩留まりを向上させることが求められている。
【０００７】
本発明の目的は、配線の微細化に対応可能な電子機器を歩留まりよく提供することを可能とする可撓性基板を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、配線の微細化に対応可能な電子機器を歩留まりよく提供することにある。
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（１３）に記載の本発明により達成される。
（１）  フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、前記第１樹脂フィルムに積層された、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムと、を有し、前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品に接合して用いられ、前記第１樹脂フィルムの２３０℃におけるゲルタイムが、１００秒以上６００秒以下であることを特徴とする可撓性基板。
（２）  以下の測定条件で測定される酸の量から式１により算出される前記第１樹脂フィルムの還元性維持率が１５％以上であることを特徴とする（１）の可撓性基板。
［測定条件］
１００℃、３０分の熱処理を加えた前記第１樹脂フィルム及び未処理の前記第１樹脂フィルムをそれぞれ、０．１ｇ〜０．２ｇ精秤し、１００ｍｌのアセトンに溶解させ、電位差測定法により、水酸化ナトリウム水溶液で滴定を行い単位重量あたりの酸のモル量（ｍｏｌ／ｇ）を算出する。
［式１］還元性維持率（％）＝｛（１００℃、３０分熱処理後の前記第１樹脂フィルムの酸の量）／（未処理の前記第１樹脂フィルムの酸の量）｝×１００
（３）  前記第１樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている（１）又は（２）の可撓性基板。
（４）  前記第１樹脂フィルムがフェノールフタリンを含む、（１）〜（３）のいずれかの可撓性基板。
（５）  前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、０．１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである（１）〜（４）のいずれかの可撓性基板。
（６）  前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである（１）〜（５）のいずれかの可撓性基板。
（７）  前記第２樹脂フィルムは、貫通孔を有しており、前記貫通孔には導体部材が充填されているものである（１）〜（６）のいずれかの可撓性基板。
（８）  前記第２樹脂フィルムの一方の面側には導体層が形成されており、他方側の面には導体部材を覆うように突起電極が形成されているものである（１）〜（７）のいずれかの可撓性基板。
（９）  前記第２樹脂フィルムは、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂および液晶ポリマーの中の少なくとも１種の樹脂で構成されているものである（１）〜（８）のいずれかに記載の可撓性基板。
（１０）  室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２樹脂フィルムの線膨張係数が、１５ｐｐｍ以下である（１）〜（９）のいずれかの可撓性基板。
（１１）  室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２の樹脂フィルムの線膨張係数が３ｐｐｍ以上８ｐｐｍ以下である（１）〜（１０）のいずれかの可撓性基板。
（１２）  （１）〜（１１）のいずれかの可撓性基板を有することを特徴とする電子機器。
（１３）  フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムとを積層してなる可撓性基板の前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品と前記可撓性基板とを接合する工程と、接合する前記工程の後に前記複数の電子部品を前記可撓性基板とともに個片化する工程と、を含み、前記可撓性基板が（１）〜（１１）のいずれかの可撓性基板である、電子機器の製造方法。
【０００９】
本発明によれば、配線の微細化に対応可能な電子機器を歩留まりよく提供することを可能とする可撓性基板を得ることができる。
また、本発明によれば配線が微細化された電子機器を歩留まりよく得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【図１】可撓性基板の一例を示す断面図である。
【図２】半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の可撓性基板および電子機器について説明する。
本発明の可撓性基板は、フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムとを積層してなる可撓性基板であって、
前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品と前記可撓性基板とを接合して用いることを特徴とする。
第１樹脂フィルムの２３０℃におけるゲルタイムが、１００秒以上６００秒以下である。
また、本発明の電子機器は、上記に記載の可撓性基板を有することを特徴とする。
【００１２】
まず、可撓性基板について、好適な図面に基づいて説明する。
図１は、可撓性基板の一例を示す断面図である。
図１に示すように、可撓性基板１０は、フラックス活性を有する第１樹脂フィルム１と、第１樹脂フィルム１と異なる第２樹脂フィルム２との積層体となっている。
第２樹脂フィルム２には、貫通孔（不図示）が形成されており、この貫通孔には導体部材２１が充填されている。
また、第２樹脂フィルム２の一方の面側（図１中の下側の面）には、導体層２２が形成されている。
また、第２樹脂フィルム２の他方側の面（図１中の上側の面）には、導体部材２１を覆うように突起電極２３が形成されている。
第１樹脂フィルム１は、突起電極２３を覆うように第２樹脂フィルム２に積層されている。
【００１３】
（第１樹脂フィルム）
このような第１樹脂フィルムは、例えば熱可塑性樹脂とフラックス活性を有する樹脂とを含む樹脂組成物、熱硬化性樹脂と、フラックス活性を有する化合物と、成膜性樹脂とを含む樹脂組成物等で構成されている。これらの中でも熱硬化性樹脂と、フラックス活性を有する化合物と、成膜性樹脂とを含む樹脂組成物で構成されることが好ましい。これにより、半田リフロー等熱処理に対しての耐熱性に優れる。
前記熱硬化性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられ、これらの中でも、エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。エポキシ樹脂は、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等に優れることから、熱硬化性樹脂として好適に用いられる。  
【００１４】
前記熱硬化性樹脂の含有量は、前記樹脂組成物全体の２０重量％〜８０重量％が好ましく、特に３０重量％〜７０重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、良好な硬化性が得られると共に、良好な溶融挙動の設計が可能となる。
【００１５】
前記フラックス活性を有する化合物は、前記樹脂組成物の溶融時に、半田バンプ表面の酸化膜を還元して、半田バンプを構成する半田成分の濡れ性を高め、半導体チップの対向する内部電極間の接続抵抗値を低下させることができる。
前記フラックス活性化合物としては、例えばフェノール性水酸基、カルボキシル基を含む化合物などが挙げられる。
前記フェノール性水酸基含有化合物としては、例えばフェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等が挙げられる。
【００１６】
また、前記カルボキシル基含有化合物としては、例えば脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸、フェノール類等が挙げられる。
ここで、脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００１７】
脂肪族カルボン酸としては、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられる。中でも、ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ（ｎは０〜２０の整数である）で表される脂肪族カルボン酸が好適であり、例えば、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸が好ましい。
【００１８】
芳香族カルボン酸としては、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−２−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；ジフェノール酸等が挙げられる。
【００１９】
これらのフラックス活性化合物の中でも、前記熱硬化性樹脂の硬化剤として作用しうる化合物（フラックス活性を有する硬化剤）が好ましい。すなわち、前記フラックス活性化合物は、半田バンプ表面の酸化膜を、導体部材と電気的に接合できる程度に還元する作用を示し、且つ、樹脂成分と結合する官能基を有する化合物（フラックス活性を有する硬化剤）であることが好ましい。例えば樹脂成分がエポキシ樹脂を含む場合、フラックス活性を有する硬化剤は、カルボキシル基と、エポキシ基と反応する基（例えば、カルボキシル基、水酸基、アミノ基等）とを有していてもよい。
このようにフラックス活性を有する硬化剤は、半田接続する際は半田バンプ表面の酸化膜を、導体部材と電気的に接合できる程度に還元する作用を示し、その後の硬化反応に樹脂骨格中に取り込まれることになる。したがって、フラックス洗浄の工程を省略することができる。
【００２０】
前記成膜性樹脂としては、例えば（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００２１】
前記成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、より好ましくは１５万〜１００万、更に好ましくは２５万〜９０万である。重量平均分子量が前記範囲であると、成膜性をより向上させることができる。
【００２２】
前記成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記樹脂組成物全体の１０重量％〜５０重量％が好ましく、１５重量％〜４０重量％がより好ましく、特に２０重量％〜３５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルム溶融前の樹脂成分の流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
【００２３】
また、熱可塑性樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成される場合の熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、アクリロニトリル／スチレン樹脂（ＡＳ樹脂）、アクリロニトリル／ブタジエン樹脂（ＡＢ樹脂）、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、ポリブタジエン、メタクリル樹脂、塩化ビニル等の汎用樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、超高分子量ポリエチレン、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、メチルペンテン、ポリベンズオキサゾール、ポリエチレンフタレート、ポリエステル、ポリカーボネート等の汎用エンジニアリングプラスチック、ポリイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ナイロン樹脂などの高耐熱であるスーパーエンジニアリング樹脂が挙げられる。
また、フラックス活性を有する化合物としては上述したものと同様のものを用いることができる。
【００２４】
前記樹脂組成物は、上述した熱硬化性樹脂、成膜性樹脂、フラックス活性化合物以外に、カップリング剤、硬化促進剤、フィラー、界面活性剤等の添加剤を含んでも良い。
【００２５】
第１樹脂フィルムは、例えば上述のような樹脂組成物を基材等に塗布し、乾燥することにより得ることができる。
【００２６】
このような第１樹脂フィルム１の厚さは、特に限定されないが、１μｍ〜８０μｍであることが好ましく、特に５μｍ〜５０μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、ギャップ充填性（半導体部材の電極で形成される被接続体との間の空隙を、隙間やエアトラップなく存在させる）と半導体部品上への這い上がり性（接続時に、樹脂フィルムの流動によって半導体部品上まで過剰に流れてしまい、接続用設備を汚染させてしまう）の両立に優れる。
【００２７】
第１樹脂フィルム１の１２０℃での溶融粘度は、０．１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓであることがより好ましく、特に１Ｐａ・ｓ〜１００Ｐａ・ｓであることが好ましい。溶融粘度が前記範囲内であると、特に半導体部材の電極の接続性（半田接続性）に優れる。
なお、前記溶融粘度は、例えばレオメーター（Ｈａａｋｅ社製）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎで評価することができる。
【００２８】
第１樹脂フィルム１の２３０℃におけるゲルタイムは、下限は、１００秒以上であることが好ましく、特に１２０秒以上であることが好ましい。また、上限は、６００秒以下であることが好ましく、特に５００秒以下であることが好ましい。したがって、１２０秒〜５００秒であることが最も好ましい。
【００２９】
以下、第１樹脂フィルム１のゲルタイムを上記範囲に規定する技術的意義について説明する。半導体部品を個々に可撓性基板に接合させる場合、生産性を向上させるため、ゲルタイムを短くする必要がある。しかしながら、複数の半導体部品を可撓性基板に接合させる場合、一の半導体部品の仮接続のために付される熱が、隣接する仮接続ずみの他の半導体部品の接合部位にも熱伝導してしまう。そのため、第１樹脂フィルムのゲルタイムが短いと、仮接続時に第１樹脂フィルムの硬化が進行してしまい、接合時に第１樹脂フィルム１の流動性が低下し、電極接続不良が発生するという問題がある。一方、ゲルタイムが前記範囲内であると、仮接続時に第１樹脂フィルムの硬化が進行しないため、電極接続不良が発生し難く、接続信頼性に優れる半導体装置を得ることができる。
【００３０】
なお、前記ゲルタイムは、例えば１８０℃に設定した熱板を用いて、タックがなくなるまでの時間を測定することで評価することができる。具体的には、ＪＩＳ  Ｃ２１６１  ７．５．２に準拠して測定することができる。
【００３１】
第１樹脂フィルム１の還元性維持率は、１５％以上とすると好ましく、３０％以上であるとより好ましく、５０％以上であれば特に好ましい。上限は特にないが、実用的には、９８％以下とする。還元性維持率は、以下の測定条件で測定される酸の量から式１により算出することができる。
【００３２】
［測定条件］
１００℃、３０分の熱処理を加えた前記第１樹脂フィルム及び未処理の前記第１樹脂フィルムをそれぞれ、０．１ｇ〜０．２ｇ精秤し、１００ｍｌのアセトンに溶解させ、電位差測定法により、水酸化ナトリウム水溶液で滴定を行い単位重量あたりの酸のモル量（ｍｏｌ／ｇ）を算出する。
【００３３】
［式１］還元性維持率（％）＝｛（１００℃、３０分熱処理後の前記第１樹脂フィルムの酸の量）／（未処理の前記第１樹脂フィルムの酸の量）｝×１００
【００３４】
還元性維持率は、例えば、電位差自動測定装置（京都電子工業（株）製、型番：ＡＴ−５００Ｎ）を用いた、０．０５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液による滴定にて単位重量あたりの酸（Ｈ＋）のモル量として算出し、これを上記式１に導入することで算出される。
【００３５】
還元性維持率を向上させるためには、フラックス活性化合物のカルボキシル基又はフェノール性水酸基由来のプロトンが解離しにくい化合物を選択することが好ましく、具体的には、２，４−ジヒドロキシカルボン酸よりもｐＫａ値の高い化合物を選択することが好ましい。フラックス活性を有する化合物として、例えば、フェノールフタリン、２，５−ジヒドロキシ安息香酸を選択することができる。
【００３６】
以下、還元性維持率を上記範囲に規定する技術的意義について説明する。従来の可撓性基板に複数の半導体部品を接合させる場合、半田接続工程において、接合不良が起こることが問題となった。その理由は明らかではないが、上述のように、一の半導体部品の仮接続のために付される熱が、隣接する仮接続ずみの他の半導体部品の接合部にも熱伝導することで、フラックス活性を有する化合物が第１樹脂フィルム中の樹脂と反応してしまいフラックス活性が低下してしまうためと推察された。
【００３７】
そこで、上記のように第１樹脂フィルムが還元性維持率を有するようにすることで、仮接続工程におけるフラックス活性の低下を減少することができ、良好に半田接続することができる。
【００３８】
（第２樹脂フィルム）
第２樹脂フィルム２の一方の面側（図１中の下側の面）には、導体層２２が形成されている。
第２樹脂フィルム２には、レーザー等により貫通孔が形成され、その貫通孔にはめっき、導電性ペースト等で導体部材２１が充填されている。これにより、第２樹脂フィルム２の一方の面側と、他方の面側とを導体部材２１を介して電気的に接続することができる。
また、第２樹脂フィルムの他方側の面（図１中の上側の面）には、導体部材２１を覆うように半田等で形成された突起電極２３が形成されている。
【００３９】
第２樹脂フィルム２は、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、液晶ポリマー等の樹脂で構成されている。これらの中でもポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂および液晶ポリマーの中の少なくとも１種の樹脂で構成されているものであることが好ましい。特に好ましいのはポリイミド系樹脂である。これにより、耐熱性を向上することができる。このような、いわゆるフレキシブル回路基板を構成するような樹脂に加え、第１樹脂フィルム１との積層により可撓性が発揮されるのであればキャリア付き樹脂フィルム等のいわゆるビルドアップ材等を第２樹脂フィルム２として用いても良い。
【００４０】
第２樹脂フィルム２のフィルム面内方向の線膨張係数は、特に限定されないが、室温（２３℃）以上第２樹脂フィルム２のガラス転移温度以下の範囲で１５ｐｐｍ以下であることが好ましく１０ｐｐｍ以下であることがより好ましく、３ｐｐｍ以上８ｐｐｍ以下であることが最も好ましい。線膨張係数が前記範囲内であると、電子部品と第２樹脂フィルム２との間の線膨張係数の差を小さくすることができるため、得られる半導体装置の反りを低減することができる。
なお、線膨張係数は、熱機械分析装置（ＴＭＡ；セイコーインスツルメンツ（株）社製、ＳＳ６１００）を用いて引っ張り法、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で評価することができる。
【００４１】
第２樹脂フィルム２の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ〜２００μｍであることが好ましく、特に２０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、可撓性や加工性に優れる。
【００４２】
このような第１樹脂フィルム１と、第２樹脂フィルム２とをラミネートして積層することにより可撓性基板１０を得ることができる。
可撓性基板１０の厚さも特に限定されないが、３０μｍ〜３００μｍであることが好ましく、特に４０μｍ〜１００μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、パッケージの薄型化に優れる。
【００４３】
また、可撓性基板１０における第１樹脂フィルム１の厚さｔ１と、第２樹脂フィルム２の厚さｔ２との厚さの比（ｔ２／ｔ１）は、特に限定されないが、０．１〜１０が好ましく、特に０．５〜１が好ましい。厚さの比が前記範囲内であると、特にラミネート後の反り特性に優れる。
【００４４】
可撓性基板１０の比誘電率（測定周波数、１ＧＨｚ）は、特に限定されないが、２〜５が好ましく、特に２．５〜４．５が好ましい。比誘電率が前記範囲内であると、特に電気信号の伝達効率が向上するなどの電気特性に優れる。
【００４５】
（電子部品（半導体装置）の製造方法）
次に、電子部品の一例として半導体装置の製造方法について、図２、３に基づく好適な実施形態に基づいて説明する。なお、以下の説明および図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
まず、第２樹脂フィルム２の一方の面（図２中の下側の面）に導体層２２と、導体層２２を覆うようにソルダーレジスト２４が形成されている（図２（ａ））。
なお、導体層２２の一部は、ソルダーレジスト２４が除去されており、その部分にはパッド２５が設けられている（図２（ａ））。
第２樹脂フィルム２には、貫通孔が形成され、その貫通孔には導電性ペーストが充填されてなる導体部材２１が充填されている（図２（ａ））。
また、第２樹脂フィルム２の他方の面（図２中の上側の面）には、導体部材２１を覆うように半田で形成された突起電極２３が形成されている（図２（ａ））。
この第２樹脂フィルム２の突起電極２３が形成されている側に、第１樹脂フィルム１をラミネートして可撓性基板（積層体）１０を得る（図２（ｂ））。
なお、本実施形態では、貫通孔を有する第２樹脂フィルム２を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば電気配線が片面のみに形成されているような片面配線基板に用いても良い。
【００４６】
次に、この積層体１０の第１樹脂フィルム１の表面に、フリップチップボンダー５を用いて突起電極３１を有する半導体部品３を位置合わせしながら搭載する（図２（ｃ））。これにより、第２樹脂フィルム２に形成されている突起電極２３と、半導体部品３の突起電極３１とを当接して仮接続する。図２で示す半導体装置の製造方法では、二つの半導体部品３が仮接続されることになる。
ここで、仮接続する条件は、特に限定されないが、圧力０．００１ＭＰａ〜３ＭＰａ、２０℃〜２００℃×０．１秒間〜１２０秒間が好ましく、特に圧力０．０２ＭＰａ〜１ＭＰａ、５０℃〜１００℃×０．３秒間〜６０秒間が好ましい。これにより、第１樹脂フィルム１の硬化を抑制しつつ、半導体部品３にもダメージを与えずにしっかりと仮接着することができる。
【００４７】
次に、複数の半導体部品３が仮接続された可撓性基板１０を加熱して、第２樹脂フィルム２に形成されている突起電極２３と、半導体部品３の突起電極３１とを、一括で電気的に接続（半田接続）する（図２（ｄ））。これにより、複数の半導体部品３と第２樹脂フィルム２とが一括に電気的に接続される。
この加熱条件は、半田接続できる条件であれば特に限定されないが、使用される半田の種類にもよるが、実温で半田融点よりも１℃〜５０℃高い温度で１秒間〜１２０秒間が好ましく、特に半田融点よりも５℃〜１５℃高い温度で５秒間〜６０秒間が好ましい。
【００４８】
そして、半田接続後に、前記第１樹脂フィルム１を熱硬化させる（ポストキュア）。これにより、半導体部品３と可撓性基板１０との接着性を向上させることができ、それによって信頼性を向上させることができる。また、熱硬化後は、第１樹脂フィルム１が半田接続部間の封止材としての機能を果たすことが可能となり、信頼性をより向上させることができる。
熱硬化させる条件は、特に限定されないが、１００℃〜２００℃×１０〜１８０分間が好ましく、特に１２０℃〜１８５℃×３０分間〜９０分間が好ましい。
【００４９】
続いて、ダイシングブレード６を用いて、半導体部品３同士の間を切断し、部品を個片化して半導体装置１００を得る（図３（ａ）、（ｂ））。
なお、本実施形態では、複数の半導体部品３を一括で積層したが、本発明はこれに限定されず、主要な半導体部品３を一括で積層した後に、他の部品を搭載しても良い。
【００５０】
このように、レーザー等による貫通孔形成性に優れる可撓性基板１０を用いて半導体装置を得ることができるので、配線の微細化に対応可能な電子機器を獲ることができる。
また、可撓性基板１０は、フラックス活性を有する熱硬化性樹脂の第１樹脂フィルムで構成されているため、優れた半田接続性と、接着性との両方に優れている。
また、複数の半導体部品を積層して一括で接合できるので生産性に優れる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００５２】
（実施例１）
１．可撓性基板の製造
第１樹脂フィルムとして、エポキシ樹脂であるＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）４５重量％、フェノキシ樹脂であるＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）２４．９重量％、フラックス活性を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５重量％、フェノールノボラック樹脂であるＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１５重量％、硬化促進剤である２Ｐ４ＭＺ（２−フェニル−４−メチルイミダゾール、四国化成社製）０．１重量％をあらかじめ混合させ、ポリエチレンテレフタレート基材に塗布して得られたものと、１２μｍ厚銅箔を第２樹脂フィルムであるポリイミド基材（宇部興産社製、ユピセルＮ、品番ＳＥ１３１０、厚さ２５μｍ、線膨張係数１１ｐｐｍ）に熱融着させた２層構成の銅張りポリイミドフィルムとを真空ラミネーターを用いて、１２０℃、圧力２ｋｇ／ｃｍ２、ラミネーション速度０．３ｍ／分の条件でラミネートして可撓性基板（厚さ７０μｍ）を得た。なお、第１樹脂フィルムの２３０℃でのゲルタイムは１４０秒、１２０℃での溶融粘度は５０Ｐａ・ｓであり、還元性維持率は９０％であった。【００５３】
２．４個一括接合半導体装置の製造
得られた可撓性基板の第１樹脂フィルムの表面に、高さが２５μｍ、ピッチが７０μｍの半田バンプを有する半導体部品（サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２ｍｍ）を１個ずつ計４個、１２０℃×１０秒、０．１ＭＰａの条件で搭載して仮接続した。次に、半導体部品を２３０℃で３０秒間加熱して、半田接続を行った。そして、これをオーブンに投入し１８０℃で６０分間加熱して、第１樹脂フィルムを熱硬化した。最後に、４個の半導体部品の間で切断して、４個の半導体装置を得た。【００５４】
３．個片接合半導体装置の製造
得られた第１樹脂フィルム付き可撓性基板を４個に切断（個片化）し、次いで、第１樹脂フィルムの表面に、高さが２５μｍ、ピッチが７０μｍの半田バンプを有する半導体部品（サイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２ｍｍ）を、それぞれ１２０℃×１０秒、０．１ＭＰａの条件で搭載して仮接続した。次に、第１樹脂フィルムの表面に半導体部品が仮接続された可撓性基板を、それぞれ２３０℃で３０秒間加熱して、半田接続を行った。そして、半導体部品が半田接続された可撓性基板を１８０℃で６０分間加熱して、第１樹脂フィルムを熱硬化し、４個の半導体装置を得た。【００５５】
（実施例２）
第１樹脂フィルムとして、エポキシ樹脂であるＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）４５重量％、フェノキシ樹脂であるＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）２４．９７重量％、フラックス活性を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１５重量％、フェノールノボラック樹脂であるＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１５重量％、硬化促進剤である２Ｐ４ＭＺ（四国化成社製）０．０３重量％をあらかじめ混合させ、第１樹脂フィルムの２３０℃でのゲルタイムが１００秒とした以外は、実施例１と同様に作成した。また、第１樹脂フィルムの１２０℃における溶融粘度は５Ｐａ・ｓであり、還元性維持率は５０％であった。【００５６】
（実施例３）
第２樹脂フィルムとしてＰＩＢＯ（ポリイミドベンズオキサゾール、東洋紡社製、線膨張係数２．５ｐｐｍ、厚さ２５μｍ）を用い、ＰＩＢＯ上に９μｍ厚の銅層を形成した２層構成の銅張りポリイミドフィルムを用いた以外は、実施例１と同様にした。【００５７】
（実施例４）
第１樹脂フィルムとして、エポキシ樹脂であるＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）４９．９重量％、フェノキシ樹脂であるＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）２０重量％、フラックス活性を有する化合物であるフェノールフタリン（東京化成工業社製）１４重量％、フェノールノボラック樹脂であるＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１６重量％、硬化促進剤である２Ｐ４ＭＺ（四国化成社製）０．１重量％をあらかじめ混合させ、第１樹脂フィルムの２３０℃でのゲルタイムが１５０秒とした以外は、実施例１と同様に作製した。また、第１樹脂フィルム１の１２０℃における溶融粘度は０．５Ｐａ・ｓであり、還元性維持率は８５％であった。【００５８】
（比較例１）
第２樹脂フィルムとしてリジットな基板であるＢＴ基板（三菱ガス化学社製、品番ＨＬ８３２ＨＳ−ＴｙｐｅＨＳ、線膨張係数１５ｐｐｍ、厚さ５０μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしたが、上述するような半田バンプに対応する微細な配線を有する半導体装置ができなかった。【００５９】
（比較例２）
フラックス活性を有さない第１樹脂フィルムとして以下のものを用いた以外は、実施例１と同様にした。
第１樹脂フィルムがフェノールフタリンを含まず、ＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）５５重量％、ＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）３０重量％、ＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１４．９重量％、２Ｐ４ＭＺ（四国化成社製）０．１重量％をあらかじめ混合して用いた。第１樹脂フィルムの２３０℃のゲルタイムは１４０秒、１２０℃における溶融粘度は３０Ｐａ・ｓであった。【００６０】
（比較例３）
第２樹脂フィルムのみと、半導体部品とを、アンダーフィル（住友ベークライト社製、品番ＣＲＰ−４１６０Ｅ）を用いて接続した以外は、実施例１と同様にした。ただ、半導体部品と可撓性基板との間のギャップが狭いためアンダーフィルの注入が不十分であった。【００６１】
（比較例４）
第１樹脂フィルムとして、エポキシ樹脂  ＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）４５重量％、フェノキシ樹脂  ＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）２４．９重量％、フラックス活性を有する化合物  フェノールフタリン（東京化成工業社製）１５重量％、フェノールノボラック樹脂ＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１５重量％、イミダゾール化合物２ＭＺ（四国化成社製）０．１重量％をあらかじめ混合させ、第１樹脂フィルムの２３０℃でのゲルタイムが６０秒とした以外は、実施例１と同様に作製した。また、第１樹脂フィルムの１２０℃における溶融粘度は５Ｐａ・ｓであり、還元性維持率は８０％であった。【００６２】
（比較例５）
第１樹脂フィルムとして、エポキシ樹脂  ＥＰＩＣＬＯＮ  ８４０−Ｓ（大日本インキ社製）５４．９重量％、フェノキシ樹脂  ＹＸ６９５４（ジャパンエポキシレジン社製）２４重量％、フラックス活性を有する化合物  ２，４−ジヒドロキシ安息香酸（東京化成工業社製）５重量％、フェノールノボラック樹脂  ＰＲ−５３６４７（住友ベークライト社製）１６重量％、イミダゾール化合物  ２Ｐ４ＭＺ（四国化成社製）０．１重量％をあらかじめ混合させ、第１樹脂フィルムの２３０℃のゲルタイムが１２０秒とした以外は、実施例１と同様に作製した。また、第１樹脂フィルムの１２０℃における溶融粘度は５Ｐａ・ｓであり、還元性維持率は１０％であった。【００６３】
各実施例および比較例で得られた第１樹脂フィルム及び半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。なお、表１中、「フレキ」はフレキシブル基板をいい、「リジット」はリジット基板をいう。【００６４】
１．接続性
接続性は、接続させたパッケージを断面研磨で評価し、一つでも接続不良が発生しているバンプを有するものはＮＧ判定とした。４個のパッケージを評価して接続不良が発生していない数で評価した。【００６５】
２．耐リフロー性
耐リフロー性は、３０℃、６０％、９６時間吸湿させたあと最大温度２６０℃のリフローに３回通過させた後の剥離の有無を超音波探傷探査装置で評価した。４個のパッケージを評価して剥離が発生していない数で評価した。【００６６】
３．耐温度サイクル性
耐温度サイクル性は、−４０℃，１２５℃（３０分ホールド）の条件で、温度サイクル試験を５００サイクルした後の接続抵抗をモニターし、初期抵抗値より１５％上昇したものを抵抗以上として評価した。４個のパッケージを評価して初期抵抗値が１５％上昇していない数で評価した。【００６７】
４．生産性
各部材準備からパッケージ作製までにかかるプロセスステップおよび時間を概算して生産性を評価した。各符号は、以下の通りである。
○：生産性が良好であった。
×：生産性が低かった。【００６８】
５．第１樹脂フィルムの１２０℃における溶融粘度
接着フィルムの溶融粘度は、粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製「ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ  ＲＳ１５０」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件で測定し、１２０℃における溶融粘度を測定値とした。【００６９】
６．第１樹脂フィルムの還元性維持率
１００℃、３０分の熱処理を加えた第１樹脂フィルム及び未処理の第１樹脂フィルムをそれぞれ、０．１〜０．２ｇ精秤し、次いで、１００ｍｌのアセトンに溶解させ測定試料を作製した。次いで、電位差自動測定装置（京都電子工業（株）製、型番：ＡＴ−５００Ｎ）を用い、室温（２３℃）雰囲気下で０．０５ｍｏｌ／ｌの水酸化ナトリウム水溶液で滴定を行い単位重量あたりの酸のモル量（還元性、単位：ｍｏｌ／ｇ）を算出した。
また、還元性維持率は、以下の式１により算出した。
（式１）還元性維持率（％）＝｛（１００℃、３０分熱処理後の第１樹脂フィルムの酸の量）／（未処理の第１樹脂フィルムの酸の量）｝×１００【００７０】
７．ゲルタイム
ＪＩＳ  Ｃ２１６１  ７．５．２に準拠して測定した。【００７１】
【表１】
0005482666.tif 000002
【００７２】
表１から明らかなように実施例１〜４は、微細配線を形成することができ、かつ接続性にも優れていた。
また、実施例１〜４は、耐リフロー性および耐温度サイクル性にも優れていた。
また、実施例１〜４は、生産性にも優れていた。
また、第１樹脂フィルムの２３０℃のゲルタイムが６０秒である比較例４は、個片接続性は良好であったが、４個一括接続性は悪かった。さらに第１樹脂フィルムの還元性維持率が１０％である比較例５も、個片接続性は良好であったが、４個一括接続性は悪かった。【００７３】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１．フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、
前記第１樹脂フィルムに積層された、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムと、
を有し、
前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品に接合して用いられ、
前記第１樹脂フィルムの２３０℃におけるゲルタイムが、１００秒以上６００秒以下であることを特徴とする可撓性基板。
２．以下の測定条件で測定される酸の量から式１により算出される前記第１樹脂フィルムの還元性維持率が１５％以上であることを特徴とする１に記載の可撓性基板。
［測定条件］
１００℃、３０分の熱処理を加えた前記第１樹脂フィルム及び未処理の前記第１樹脂フィルムをそれぞれ、０．１ｇ〜０．２ｇ精秤し、１００ｍｌのアセトンに溶解させ、電位差測定法により、水酸化ナトリウム水溶液で滴定を行い単位重量あたりの酸のモル量（ｍｏｌ／ｇ）を算出する。
［式１］還元性維持率（％）＝｛（１００℃、３０分熱処理後の前記第１樹脂フィルムの酸の量）／（未処理の前記第１樹脂フィルムの酸の量）｝×１００
３．前記第１樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂と、フラックス活性を有する化合物とを含む樹脂組成物で構成されている１又は２に記載の可撓性基板。
４．前記第１樹脂フィルムがフェノールフタリンを含む、１ないし３のいずれかに記載の可撓性基板。
５．前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、０．１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである１ないし４のいずれかに記載の可撓性基板。
６．前記第１樹脂フィルムの１２０℃での溶融粘度は、１Ｐａ・ｓ〜１０，０００Ｐａ・ｓである１ないし５のいずれかに記載の可撓性基板。
７．前記第２樹脂フィルムは、貫通孔を有しており、前記貫通孔には導体部材が充填されているものである１ないし６のいずれかに記載の可撓性基板。
８．前記第２樹脂フィルムの一方の面側には導体層が形成されており、他方側の面には導体部材を覆うように突起電極が形成されているものである１ないし７のいずれかに記載の可撓性基板。
９．前記第２樹脂フィルムは、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂および液晶ポリマーの中の少なくとも１種の樹脂で構成されているものである１ないし８のいずれかに記載の可撓性基板。
１０．室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２樹脂フィルムの線膨張係数が、１５ｐｐｍ以下である１ないし９のいずれかに記載の可撓性基板。
１１．室温（２３℃）以上前記第２樹脂フィルムのガラス転移温度以下における前記第２の樹脂フィルムの線膨張係数が３ｐｐｍ以上８ｐｐｍ以下である１ないし１０のいずれかに記載の可撓性基板。
１２．１ないし１１のいずれかに記載の可撓性基板を有することを特徴とする電子機器。
１３．フラックス活性を有する第１樹脂フィルムと、前記第１樹脂フィルムと異なる第２樹脂フィルムとを積層してなる可撓性基板の前記第１樹脂フィルムの表面に複数の電子部品を搭載した後、一括で前記各電子部品と前記可撓性基板とを接合する工程と、
接合する前記工程の後に前記複数の電子部品を前記可撓性基板とともに個片化する工程と、
を含み、
前記可撓性基板が１ないし１１のいずれかに記載の可撓性基板である、電子機器の製造方法。
【図１】
0005482666.tif 000003
【図２】
0005482666.tif 000004
【図３】
0005482666.tif 000005