(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコイル導体からなる螺旋状のコイルを内蔵している積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、
前記積層体を形成する工程は、
第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、第１のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する第２の絶縁体層を設ける過程とでもって、第１の単位層を形成する工程と、
前記第１の単位層を積層する工程と、を備え、
前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、
前記積層体を焼成する工程の後には、
前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第２の単位層を形成する工程を更に含み、
前記第１の単位層と前記第２の単位層とを積層する工程と、
を備えること特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第２の絶縁体層および前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第３の単位層を形成する工程を更に含み、
前記第１の単位層と前記第３の単位層とを積層する工程と、
を備えること特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層および前記第３の絶縁体層の厚みよりも薄いこと、
を特徴とする請求項２または請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁体層の厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下であること、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
前記積層体を焼成する工程の後には、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁体層は、Ｎｉ含有率が零の非磁性体層であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第２の絶縁体層と、からなる第１の単位層を備えた電子部品であって、
前記複数の第１の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、
前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項９】
シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第３の絶縁体層と、からなる第２の単位層を更に備えた電子部品であって、
前記第１の単位層及び前記第２の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている前記第２の絶縁体層および第３の絶縁体層と、からなる第３の単位層を更に備えた電子部品であって、
前記第１の単位層及び前記第３の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、
前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、
前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品が知られている。図９は、特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品５００の断面構造図である。【０００３】
開磁路型積層コイル部品５００は、図９に示すように、積層体５０２及びコイルＬを備えている。積層体５０２は、複数の磁性体層が積層されることにより構成されている。コイルＬは、螺旋状をなし、複数のコイル導体５０６が接続されることにより構成されている。更に、開磁路型積層コイル部品５００は、非磁性体層５０４を備えている。非磁性体層５０４は、コイルＬを横切るように積層体５０２に設けられている。【０００４】
以上のような開磁路型積層コイル部品５００では、複数のコイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１０が、非磁性体層５０４を通過するようになる。その結果、積層体５０２内において磁束が集中しすぎて磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。その結果、開磁路型積層コイル部品５００は、優れた直流重畳特性を有するようになる。【０００５】
ところで、開磁路型積層コイル部品５００では、複数のコイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１０の他に、各コイル導体５０６の周囲を周回する磁束φ５１２も存在する。このような磁束φ５１２も、開磁路型積層コイル部品５００において磁気飽和を発生させる原因となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５９７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記問題点を解決するために本発明に係る電子部品の製造方法は、複数のコイル導体からなる螺旋状のコイルを内蔵している積層体を形成する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を備えた電子部品の製造方法であって、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、第１のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する第２の絶縁体層を設ける過程とでもって、第１の単位層を形成する工程と、前記第１の単位層を積層する工程と、を備え、前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、前記積層体を焼成する工程の後には、前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。
【０００９】
更に、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第２の単位層を形成する工程を更に含み、前記第１の単位層と前記第２の単位層とを積層する工程と、を備えることを特徴とする。【００１０】
あるいは、前記積層体を形成する工程は、第１のＮｉ含有率を有する第１の絶縁体層を用意する過程と、前記第１の絶縁体層上に前記螺旋状のコイルを構成するコイル導体を設ける過程と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に、前記第２の絶縁体層および前記第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し前記第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層を設ける過程とでもって、第３の単位層を形成する工程を更に含み、前記第１の単位層と前記第３の単位層とを積層する工程と、を備えることを特徴とする。【００１１】
また、前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層および前記第３の絶縁体層の厚みよりも薄いこと、を特徴とし、前記第１の絶縁体層の厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下であることが好ましい。【００１２】
更に、前記第１の絶縁体層は、Ｎｉ含有率が零の非磁性体層であることが好ましい。【００１４】
また、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記積層体を焼成する工程の後には、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていることが好ましい。【００１５】
本発明に係る電子部品は、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第２の絶縁体層と、からなる第１の単位層を備えた電子部品であって、前記複数の第１の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記コイル導体に積層方向の両側から挟まれている部分を第１の部分とし、前記第２の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第２の部分とした場合、前記第１の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第２の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。【００１６】
更に、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている第３の絶縁体層と、からなる第２の単位層を更に備えた電子部品であって、前記第１の単位層及び前記第２の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。【００１７】
あるいは、シート状の第１の絶縁体層と、前記第１の絶縁体層上に設けられているコイル導体と、前記第１の絶縁体層上の前記コイル導体以外の部分に設けられている前記第２の絶縁体層および第３の絶縁体層と、からなる第３の単位層を更に備えた電子部品であって、前記第１の単位層及び前記第３の単位層が積層され複数の前記コイル導体が接続されることにより、螺旋状のコイルが構成されており、前記第１の絶縁体層における前記第３の絶縁体層に積層方向の両側から挟まれている部分を第３の部分とした場合、前記第３の部分でのＮｉ含有率は、前記第２の部分でのＮｉ含有率よりも低くなっており、前記第３の絶縁体層でのＮｉ含有率よりも低くなっていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の電子部品によれば、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制でき、電流通電時のインダクタンス値の低下を抑えることができる。【００１９】
また、本発明の電子部品の製造方法によれば、コイル導体に積層方向の両側から挟まれている非磁性体層を精度よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係わる電子部品の実施形態の外観を示す斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａにおける電子部品の断面構造図である。
【図４】第１のモデルと第２のモデルにおけるシミュレーション結果を示したグラフである。
【図５】第１の変形例に係る電子部品の断面構造図である。
【図６】第３のモデルと第４のモデルにおけるシミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】第２の変形例に係る電子部品の断面構造図である。
【図８】第３の変形例に係る電子部品の断面構造図である。
【図９】特許文献１に記載の開磁路型積層コイル部品の断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
（電子部品の構成）
以下に、本発明に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る電子部品１０ａ〜１０ｄの外観を示す斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０ａの積層体１２ａの分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける電子部品１０ａの断面構造図である。図２に示す積層体１２ａは、焼成前の状態を示している。一方、図３に示す電子部品１０ａは、焼成後の状態を示している。以下、電子部品１０ａの積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０ａの長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０ａの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００２２】
電子部品１０ａは、図１に示すように、積層体１２ａ及び外部電極１４ａ，１４ｂを備えている。積層体１２ａは、直方体状をなしており、コイルＬを内蔵している。
【００２３】
外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、コイルＬに電気的に接続されており、互いに対向している積層体１２ａの側面に設けられている。本実施形態では、外部電極１４ａ，１４ｂは、ｘ軸方向の両端に位置する２つの側面を覆うように設けられている。
【００２４】
積層体１２ａは、図２に示すように、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｅ，第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆ、コイル導体１８ａ〜１８ｆ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５により構成されている。
【００２５】
外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｅはそれぞれ、長方形状をなしており、後述の第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆと同じ、第１のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。すなわち、Ｂｉを含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる１枚のシート状の磁性体層である。外装用絶縁体層１５ｃ、１５ｂ、１５ａは、コイル導体１８ａ〜１８ｆが設けられている領域よりもｚ軸方向の正方向側においてこの順に積層され、外層を構成している。また、外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅは、コイル導体１８ａ〜１８ｆが設けられている領域よりもｚ軸方向の負方向側にこの順に積層され、外層を構成している。
【００２６】
第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆは、図２に示すように、長方形状をなしており、第１のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。本実施形態では、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆは、Ｎｉ含有率が零のＣｕ−Ｚｎ系フェライトからなる非磁性体層である。ただし、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆは、焼成前には非磁性体層であるが、焼成後には部分的に磁性体層となっている。この点については、後述する。
【００２７】
コイル導体１８ａ〜１８ｆは、図２に示すように、Ａｇからなる導電性材料からなり、７／８ターンの長さを有しており、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５と共にコイルＬを構成している。コイル導体１８ａ〜１８ｆはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆ上に設けられている。また、コイル導体１８ａの一端は、第１の絶縁体層１９ａ上においてｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されており、引き出し導体を構成している。コイル導体１８ａの一端は、図１の外部電極１４ａに接続されている。コイル導体１８ｆの一端は、第１の絶縁体層１９ｆ上においてｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されており、引き出し導体を構成している。コイル導体１８ｆの一端は、図１の外部電極１４ｂに接続されている。また、コイル導体１８ａ〜１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って一つの長方形状の環を形成している。
【００２８】
ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｅをｚ軸方向に貫通しており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体１８ａ〜１８ｆを接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、コイル導体１８ａの他端とコイル導体１８ｂの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、コイル導体１８ｂの他端とコイル導体１８ｃの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、コイル導体１８ｃの他端とコイル導体１８ｄの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、コイル導体１８ｄの他端とコイル導体１８ｅの一端とを接続している。ビアホール導体ｂ５は、コイル導体１８ｅの他端とコイル導体１８ｆの他端（なお、前記の通りコイル導体１８ｆの一端は引き出し導体）とを接続している。以上のように、コイル導体１８ａ〜１８ｆ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有する螺旋状のコイルＬを構成している。
【００２９】
第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆはそれぞれ、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆ上においてコイル導体１８ａ〜１８ｆ以外の部分に設けられている。よって、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの主面は、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆ及びコイル導体１８ａ〜１８ｆにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆ及びコイル導体１８ａ〜１８ｆの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆは、第１のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第２のＮｉ含有率を有する絶縁体層である。すなわち、本実施形態では、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆは、Ｂｉを含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性体層である。
【００３０】
ここで、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚みは、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆの厚みよりも薄い。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚みは、５μｍ以上３５μｍ以下である。
【００３１】
以上のように構成された第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆ及びコイル導体１８ａ〜１８ｆはそれぞれ、第１の単位層１７ａ〜１７ｆを構成している。そして、第１の単位層１７ａ〜１７ｆは、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃと外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとの間においてこの順に連続して積層されている。これにより、積層体１２ａが構成されている。
【００３２】
以上のような積層体１２ａが焼成され、外部電極１４ａ，１４ｂが形成されると、電子部品１０ａは、図３に示す断面構造を有するようになる。具体的には、積層体１２ａの焼成時に、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの一部におけるＮｉ含有率が、第１のＮｉ含有率よりも高くなる。すなわち、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの一部が、非磁性体層から磁性体層へと変化する。
【００３３】
より詳細には、図３に示すように、電子部品１０ａでは、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆは、第１の部分２０ａ〜２０ｅ及び第２の部分２２ａ〜２２ｆを含んでいる。第１の部分２０ａ〜２０ｅは、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｅにおいて、コイル導体１８ａ〜１８ｆにｚ軸方向の両側から挟まれている部分である。具体的には、第１の部分２０ａは、第１の絶縁体層１９ａにおいて、コイル導体１８ａとコイル導体１８ｂとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｂは、第１の絶縁体層１９ｂにおいて、コイル導体１８ｂとコイル導体１８ｃとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｃは、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、コイル導体１８ｃとコイル導体１８ｄとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｄは、第１の絶縁体層１９ｄにおいて、コイル導体１８ｄとコイル導体１８ｅとに挟まれた部分である。第１の部分２０ｅは、第１の絶縁体層１９ｅにおいて、コイル導体１８ｅとコイル導体１８ｆとに挟まれた部分である。
【００３４】
また、第２の部分２２ａ〜２２ｆは、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆにおいて、第１の部分２０ａ〜２０ｅ以外の部分である。ただし、第１の絶縁体層１９ｆには、第１の部分２０ｆは存在せず、第２の部分２２ｆのみ存在する。これは、第１の絶縁体層１９ｆは、ｚ軸方向の最も負方向側に位置するコイル導体１８ｆよりもｚ軸方向の負方向側に位置しているためである。
【００３５】
第１の部分２０ａ〜２０ｅでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ〜２２ｆでのＮｉ含有率よりも低くなっている。本実施形態では、第１の部分２０ａ〜２０ｅには、Ｎｉが含まれていない。よって、第１の部分２０ａ〜２０ｅは、非磁性体層である。一方、第２の部分２２ａ〜２２ｆには、Ｎｉが含まれている。よって、第２の部分２２ａ〜２２ｆは磁性体層である。また、第２の部分２２ａ〜２２ｆでのＮｉ含有率は、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、複数の電子部品１０ａを同時に作成する際の電子部品１０ａの製造方法について説明する。
【００３６】
まず、図２の第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００３７】
このフェライトセラミック粉末に対して水系バインダー（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と有機バンダー（ポリビニルブチラールなど）、分散剤、消泡材を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行い、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００３８】
次に、図２の外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００３９】
このフェライトセラミック粉末に対して水系バインダー（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と有機バンダー（ポリビニルブチラールなど）、分散剤、消泡材を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行い、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーの酸化ビスマスの割合は、原料比で１．５重量％となるようにした。このセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００４０】
次に、図２の第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００４１】
このフェライトセラミック粉末に対して、バンダー（エチルセルロース、ＰＶＢ，メチルセルロースやアクリル樹脂等）とテルピネオールと分散剤、可塑剤を混合したものを配合して混練し、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを得た。ここで、このセラミックペーストの酸化ビスマスの割合は、原料比で１．５重量％となるようにした。
【００４２】
次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｅとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５を形成する。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｅとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００４３】
次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ａ〜１８ｆを形成する。具体的には、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｆを形成する。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｆを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００４４】
次に、図２に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ａ〜１８ｆ以外の部分に第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆとなるセラミックペースト層を形成する。具体的には、このセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆとなるべきセラミックペースト層を形成する。以上の工程により、図２に示す第１の単位層１７ａ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
【００４５】
次に、図２に示すように、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着した後、未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。
【００４６】
なお、積層の際、第１の単位層１７ａ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層をｚ軸方向に連続して積層することにより、コイルＬを形成している。これにより、未焼成のマザー積層体では、図２に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｆと第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆが、ｚ軸方向に交互に並ぶようになる。
【００４７】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２ａにカットする。これにより未焼成の積層体１２ａが得られる。この未焼成の積層体１２ａには、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行われる。焼成は、例えば、８７０℃〜９００℃で２．５時間の条件で行われる。
【００４８】
焼成の際に、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆから第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆへとＮｉの拡散が発生する。より詳細には、図３に示すように、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの第２の部分２２ａ〜２２ｆが、Ｎｉを含有する外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆと接触しているので、第２の部分２２ａ〜２２ｆには、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆからＮｉが拡散してくる。そのため、第２の部分２２ａ〜２２ｆは磁性体層となる。ただし、第２の部分２２ａ〜２２ｆでのＮｉ含有率は、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆでの第２のＮｉ含有率よりも低くなっている。
【００４９】
ここで、Ｎｉの拡散に関しては、外装用絶縁体層１５ｄと第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆに含まれるＢｉの役割が非常に重要となる。
【００５０】
外装用絶縁体層１５ｄおよび第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆに含まれるＮｉが第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆへ拡散する際、Ｂｉの量が多いほど、Ｎｉ拡散が促進される。つまり、外装用絶縁体層１５ｄと第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆに含有されているＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。したがって、本発明においては、外装用絶縁体層１５ｄおよび第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆには必ずＢｉが含有されている必要がある。
【００５１】
一方、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｅの第１の部分２０ａ〜２０ｅは、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆと接触していないので、第１の部分２０ａ〜２０ｅには、外装用絶縁体層１５ｄ、第２の絶縁体層１６ａ〜１６ｆからＮｉが拡散してこない。そのため、第１の部分２０ａ〜２０ｅは、Ｎｉを含有しない非磁性体層のままである。なお、第１の部分２０ａ〜２０ｅは、原則としてＮｉを含有していないものとしているが、第２の部分２２ａ〜２２ｅを介して拡散してきたＮｉを含有しうる。よって、第１の部分２０ａ〜２０ｅは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有していてもよい。この場合でも、第１の部分２０ａ〜２０ｅにＮｉ含有率は、第２の部分のＮｉ含有率よりは低くなっている。
【００５２】
以上の工程により、焼成された積層体１２ａが得られる。積層体１２ａにバレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２ａの表面に、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂとなるべき銀電極を形成する。銀電極の焼き付けは、８００℃で６０分間行われる。
【００５３】
最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ａが完成する。
（効果）
電子部品１０ａ及びその製造方法では、以下に説明するように、各コイル導体１８ａ〜１８ｆの周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる。より詳細には、電子部品１０ａのコイルＬに電流が流れると、図３に示すようなコイル導体１８ａ〜１８ｆの全体の周囲を周回する相対的に長い磁路を有する磁束φ１が発生すると共に、各コイル導体１８ａ〜１８ｆの周囲を周回する相対的に短い磁束を有する磁束φ２（図３では、コイル導体１８ｄの周囲に発生する磁束φ２のみ記載）が発生する。そして、磁束φ２は、磁束φ１と同様に、電子部品１０ａにおいて磁気飽和を発生させる原因となりうる。
【００５４】
そこで、上記製造方法により作製された電子部品１０ａでは、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆにおいて、コイル導体１８ａ〜１８ｆによりｚ軸方向の両側から挟まれている第１の部分２０ａ〜２０ｅは、非磁性体層となっている。そのため、各コイル導体１８ａ〜１８ｆの周囲を周回する磁束φ２は、非磁性体層である第１の部分２０ａ〜２０ｅを通過するようになる。よって、磁束φ２の磁束密度が高くなりすぎて電子部品１０ａにおいて磁気飽和が発生することが抑制される。その結果、電子部品１０ａの直流重畳特性が向上する。
【００５５】
本願発明者は、電子部品１０ａ及びその製造方法が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、電子部品１０ａに相当する第１のモデルを作製すると共に、電子部品１０ａの第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆを磁性体層とした第２のモデルを作製した。シミュレーション条件は、以下の通りである。
コイルＬのターン数：８．５ターン
電子部品のサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚み：１０μｍ
図４は、シミュレーション結果を示したグラフである。横軸はそれぞれのモデルに与える電流値を示している。縦軸は電流値がほぼゼロ（０．００１Ａ）の時のインダクタンス値を基準とした場合のインダクタンス変化率を示す。
【００５６】
図４によれば、第１のモデルは、第２のモデルに比べて、電流値が大きくなっても、インダクタンス変化率が少ない。すなわち、第１のモデルは、第２のモデルに比べて優れた直流重畳特性を有していることが分かる。これは、第２のモデルでは、第１のモデルよりも、各コイル導体を周回する磁束によって磁気飽和が発生し易くなっていることを意味している。以上より、電子部品１０ａ及びその製造方法では、各コイル導体１８ａ〜１８ｆの周囲を周回する磁束φ２による磁気飽和の発生を抑制できていることが分かる。
【００５７】
更に、電子部品１０ａ及びその製造方法では、非磁性体層である第１の部分２０ａ〜２０ｅを精度よく形成することができる。より詳細には、一般的な電子部品において、コイル導体に挟まれている部分に非磁性体層を形成する方法としては、例えば、コイル導体に挟まれる部分に非磁性体のペーストを印刷することが考えられる。
【００５８】
しかしながら、非磁性体のペーストを印刷する方法の場合には、印刷ずれや積層ずれによって、非磁性体層がコイル導体に挟まれている部分からはみ出してしまうおそれがある。このように、非磁性体層がコイル導体に挟まれている部分からはみ出すと、コイル導体全体を周回する長い磁路を有する磁束を妨げてしまうおそれがある。すなわち、所望の磁束以外の磁束も非磁性体層を通過するようになってしまう。
【００５９】
一方、上記電子部品１０ａ及びその製造方法では、積層体１２ａが作製された後、焼成時に非磁性体層である第１の部分２０ａ〜２０ｅが形成される。よって、印刷ずれや積層ずれによって、第１の部分２０ａ〜２０ｅが、コイル導体１８ａ〜１８ｆにより挟まれた部分からはみ出すことがない。その結果、電子部品１０ａ及びその製造方法では、非磁性体層である第１の部分２０ａ〜２０ｅを精度よく形成することができる。その結果、所望の磁束φ２以外の磁束φ１が非磁性体層を通過することが抑制される。
【００６０】
また、電子部品１０ａでは、第１の単位層１７ａ〜１７ｆは、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃと外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとの間においてこの順に連続して積層されている。これにより、非磁性体層は、コイル導体１８ａ〜１８ｆに挟まれている第１の部分２０ａ〜２０ｅにのみ設けられるようになる。そして、コイルＬを横切るような非磁性体層は存在しなくなる。
【００６１】
また、電子部品１０ａ及びその製造方法では、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚さは５μｍ以上３５μｍ以下であることが望ましい。
【００６２】
第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚さが５μｍより小さい場合には、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆとなるべきセラミックグリーンシートの作製が困難となる。一方、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚さが３５μｍより大きい場合には、Ｎｉが十分に拡散せず、第２の部分２２ａ〜２２ｆを磁性体層とすることが困難となる。
【００６３】
なお、電子部品１０ａでは、コイルＬを横切るような非磁性体層は存在しない。しかしながら、電子部品１０ａにおいて第１の部分２０ａ〜２０ｅ以外の部分にも非磁性体層が存在していていもよい。これによって、電子部品の直流重畳特性を調整したり、インダクタンス値を調整したりできるからである。以下に、第１の部分２０ａ〜２０ｅ以外の部分に非磁性体層が設けられた変形例に係る電子部品について説明を行う。
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ｂ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図５は、第１の変形例に係る電子部品１０ｂの断面構造図である。図５では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
【００６４】
電子部品１０ａと電子部品１０ｂとの相違点は、電子部品１０ｂでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ、１６ｄの代わりに第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄを用いている点である。
【００６５】
ここで、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。よって、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄの厚みよりも薄くなっている。
【００６６】
第１の変形例に係る電子部品１０ｂは、焼成の際に、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
【００６７】
より詳細には、図６に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分２４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、コイル導体１８ｃとコイル導体１８ｄとに挟まれた部分である第１の部分２０ｃ以外の部分）が、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄと接触しているので、第３の部分２４ｃには、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄからＮｉが拡散してくる。
【００６８】
しかしながら、第２の絶縁体層１６ａ,１６ｂ,１６ｅ,１６ｆおよび外装用絶縁体層１５ｄから第１の絶縁体層１９ａ，１９ｂ，１９ｄ，１９ｅへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
【００６９】
これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１６ｅ，１６ｆのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分２４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
【００７０】
したがって、第３の部分２４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
【００７１】
ここで、第３の部分２４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
【００７２】
この結果、電子部品１０ｂでは、コイルＬの内側および外側に非磁性体層である第３の部分２４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分２４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｂにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
【００７３】
なお、電子部品１０ｂの製造方法としては、まず、第３の絶縁体層２６ｃ,２６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストは以下のように準備した。
【００７４】
具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００７５】
このフェライトセラミック粉末に対して、バンダー（エチルセルロース、ＰＶＢ，メチルセルロースやアクリル樹脂等）とテルピネオールと分散剤、可塑剤を混合したものを配合して混練し、第３の絶縁体層２６ｃ、２６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを得た。ここで、このセラミックペーストの酸化ビスマスの割合は、原料比で０．２重量％となるようにした。
【００７６】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【００７７】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【００７８】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄ以外の部分に第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
【００７９】
具体的には、このセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
【００８０】
以上の工程により、第２の単位層２７ｃ，２７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
【００８１】
次に、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ〜１７ｂ，第２の単位層２７ｃ，２７ｄ、第１の単位層１７ｅ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｂの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ａの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
【００８２】
電子部品１０ｂ及びその製造方法が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。具体的には、電子部品１０ｂに相当する第３のモデルを作製すると共に、電子部品１０ｂの第１の絶縁体層１９ａ、１９ｂ、１９ｄ、１９ｅ、１９ｆを磁性体層とし、第１の絶縁体層１９ｃを非磁性体層とした第４のモデルを作製した。シミュレーション条件は、以下の通りである。
コイルＬのターン数：８．５ターン
電子部品のサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．０ｍｍ
第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの厚み：１０μｍ
図６は、シミュレーション結果を示したグラフである。横軸はそれぞれのモデルに与える電流値を示している。縦軸は電流値がほぼゼロ（０．００１Ａ）の時のインダクタンス値を基準とした場合のインダクタンス変化率を示す。
【００８３】
図６によれば、第３のモデルは、第４のモデルに比べて、電流値が大きくなっても、インダクタンス変化率が少ない。すなわち、第３のモデルは、第４のモデルに比べて優れた直流重畳特性を有していることが分かる。これは、第４のモデルでは、第３のモデルよりも、各コイル導体を周回する磁束によって磁気飽和が発生し易くなっていることを意味している。以上より、電子部品１０ｂ及びその製造方法では、各コイル導体１８ａ〜１８ｆの周囲を周回する磁束φ２による磁気飽和の発生を抑制できていることが分かる。
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る電子部品１０ｃ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図７は、第２の変形例に係る電子部品１０ｃの断面構造図である。図７では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
【００８４】
電子部品１０ａと電子部品１０ｃとの相違点は、電子部品１０ｃでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄの代わりに、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄを用いている点である。
【００８５】
ここで、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。
【００８６】
具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄが設けられ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄが設けられている。
【００８７】
また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄの厚みよりも薄くなっている。
【００８８】
第２の変形例に係る電子部品１０ｃは、焼成の際に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
【００８９】
より詳細には、図７に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分３４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、第３の絶縁体層４６ｃと第３の絶縁体層４６ｄとに挟まれた部分）が、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄと接触しているので、第３の部分３４ｃには、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄからＮｉが拡散してくる。
【００９０】
しかしながら、第２の絶縁体層３６ｃ,３６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
【００９１】
これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分３４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
【００９２】
したがって、第３の部分３４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
【００９３】
ここで、第３の部分３４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅ,２２ｆ,３２ｃのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
【００９４】
この結果、電子部品１０ｃでは、コイルＬの外側に非磁性体層である第３の部分３４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分３４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｃにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
【００９５】
なお、電子部品１０ｃの製造方法としては、まず、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄおよび第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、それぞれ第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄおよび第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのセラミックペーストと製造方法と同じであるため省略する。
【００９６】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【００９７】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【００９８】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄ以外の部分に第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄとなるセラミックペースト層と第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
【００９９】
具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄを形成し、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄを形成する。
【０１００】
そして、これらのセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層３６ｃ，３６ｄと第３の絶縁体層４６ｃ，４６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
【０１０１】
以上の工程により、第３の単位層３７ｃ，３７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
【０１０２】
次に、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ〜１７ｂ，第３の単位層３７ｃ，３７ｄ、第１の単位層１７ｅ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｃの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ａの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る電子部品１０ｄ及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。図８は、第３の変形例に係る電子部品１０ｄの断面構造図である。図８では、図面が煩雑になることを避けるために、図３と同じ構成の参照符号については一部省略してある。
【０１０３】
電子部品１０ａと電子部品１０ｄとの相違点は、電子部品１０ｄでは、磁性体層である第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄの代わりに、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第１のＢｉ含有率よりも低い第２のＢｉ含有率を有し第１のＮｉ含有率よりも高い第３のＮｉ含有率を有する第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄを用いている点である。
【０１０４】
ここで、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄはそれぞれ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄ上においてコイル導体１８ｃ,１８ｄ以外の部分に設けられている。
【０１０５】
具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄが設けられ、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄが設けられている。
【０１０６】
また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの主面は、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄ及びコイル導体１８ｃ，１８ｄにより覆い隠されている。更に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄ及びコイル導体１８ｃ,１８ｄの主面はそれぞれ、一つの平面を構成しており、面一となっている。また、第１の絶縁体層１９ｃ,１９ｄの厚みは、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄの厚みよりも薄くなっている。
【０１０７】
第３の変形例に係る電子部品１０ｄは、焼成の際に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへとＮｉが拡散してくる。
【０１０８】
より詳細には、図８に示すように、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分４４ｃ（すなわち、第１の絶縁体層１９ｃにおいて、第３の絶縁体層６６ｃと第３の絶縁体層６６ｄとに挟まれた部分）が、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄと接触しているので、第３の部分４４ｃには、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄからＮｉが拡散してくる。
【０１０９】
しかしながら、第２の絶縁体層５６ｃ,５６ｄから第１の絶縁体層１９ｃへのＮｉの拡散と比較して拡散量が少なくなる。
【０１１０】
これは、前述したように、Ｎｉの拡散には、Ｂｉの役割が非常に重要であり、ＢｉがＮｉ拡散を助長する役割を果たす。一方で、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄのＢｉ含有率が第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄのＢｉ含有率よりも低い。このため、第１の絶縁体層１９ｃの第３の部分４４ｃへのＮｉの拡散量が少なくなる。
【０１１１】
したがって、第３の部分４４ｃは、磁性を帯びない程度の僅かな量のＮｉを含有する非磁性体層あるいは、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄと接触している極表層部分にのみＮｉを含有する非磁性体層となる。
【０１１２】
ここで、第３の部分４３４ｃでのＮｉ含有率は、第２の部分２２ａ，２２ｂ，２２ｄ，２２ｅ,２２ｆ,４２ｃのＮｉ含有率よりも低く、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄでのＮｉ含有率よりも低くなっている。
【０１１３】
この結果、電子部品１０ｄでは、コイルＬの内側に非磁性体層である第３の部分４４ｃが設けられる。これにより、磁束φ１が、非磁性体層である第３の部分４４ｃを通過するようになり、その結果、電子部品１０ｄにおいて、磁束φ１による磁気飽和の発生が抑制されるようになる。
【０１１４】
なお、電子部品１０ｄの製造方法としては、まず、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄおよび第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるべきセラミックペースト層のセラミックペーストを準備する。具体的には、それぞれ第２の絶縁体層１６ｃ，１６ｄおよび第３の絶縁体層２６ｃ，２６ｄのセラミックペーストと製造方法と同じであるため省略する。
【０１１５】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシートに、ビアホール導体ｂ３，ｂ４を形成する。ビアホール導体ｂ３，ｂ４の形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【０１１６】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上にコイル導体１８ｃ，１８ｄを形成する。コイル導体１８ｃ，１８ｄの形成方法については既に説明を行ったので省略する。
【０１１７】
次に、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１９ｄ以外の部分に第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄとなるセラミックペースト層と第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるセラミックペースト層を形成する。
【０１１８】
具体的には、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも内側の部分に、第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄを形成し、第１の絶縁体層１９ｃ，１９ｄとなるべきセラミックグリーンシート上のコイル導体１８ｃ，１８ｄよりも外側の部分に、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄを形成する。
【０１１９】
そして、これらのセラミックペーストをスクリーン印刷法などの方法で塗布することにより、第２の絶縁体層５６ｃ，５６ｄと第３の絶縁体層６６ｃ，６６ｄとなるべきセラミックペースト層を形成する。
【０１２０】
以上の工程により、第３の単位層４７ｃ，４７ｄとなるべきセラミックグリーン層が形成される。
【０１２１】
次に、外装用絶縁体層１５ａ〜１５ｃとなるべきセラミックグリーンシート、第１の単位層１７ａ〜１７ｂ，第３の単位層４７ｃ，４７ｄ，第１の単位層１７ｅ〜１７ｆとなるべきセラミックグリーン層及び外装用絶縁体層１５ｄ，１５ｅとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。電子部品１０ｄの製造方法におけるその他の工程は、電子部品１０ａの製造方法におけるその他の工程と同じであるので説明を省略する。
【０１２２】
なお、電子部品１０ａ〜１０ｄは、逐次圧着工法により作製されているが、例えば、印刷工法によって作製されてもよい。
【０１２３】
また、本発明の第１から第３の変形例は、第１の絶縁体層１９ｃの部分に非磁性体層が設けられた変形例を示したものであるが、同様の手段を用いて、第１の絶縁体層１９ｃ以外の第１の絶縁体層１９ａ，１９ｂ,１９ｄ,１９ｅ,１９ｆに設けてもよく、更に、第１から第３の変形例を組み合わせ、第１の絶縁体層１９ａ〜１９ｆの複数層に非磁性体層が設けられた電子部品であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１２５】
Ｌ・・・コイル
ｂ１〜ｂ５・・・ビアホール導体
１０ａ〜１０ｄ・・・電子部品
１２ａ〜１０ｄ、５０２・・・積層体
１４ａ，１４ｂ・・・外部電極
１５ａ〜１５ｅ・・・外装用絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ、５０６・・・コイル導体
１９ａ〜１９ｆ・・・第１の絶縁体層
１６ａ〜１６ｆ，３６ｃ，３６ｄ，５６ｃ，５６ｄ・・・第２の絶縁体層
２６ｃ，２６ｄ，４６ｃ，４６ｄ，６６ｃ，６６ｄ・・・第３の絶縁体層
１７ａ〜１７ｆ・・・第１の単位層
２７ｃ，２７ｄ・・・第２の単位層
３７ｃ，３７ｄ，４７ｃ，４７ｄ・・・第３の単位層
２０ａ〜２０ｅ・・・第１の部分
２２ａ〜２２ｆ，３２ｃ，４２ｃ・・・第２の部分
２４ｃ，３４ｃ，４４ｃ・・・第３の部分
５００・・・開磁路型積層コイル部品
５０４・・・非磁性体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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