(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクにスリットパターンを形成するための初期リブを形成する段階と、
前記初期リブの上面の両側端部を除去して、前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットパターンを定義する最終リブを形成する段階と、
を有し、
前記初期リブを形成する段階は、
マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有する第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記初期リブの側面を形成する段階と、を有し、
前記最終リブを形成する段階は、
前記第２フォトレジストパターンと前記初期リブの前記側面の一部を覆う下部フォトレジストパターンとを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンと前記下部フォトレジストパターンとを保護膜として、前記初期リブの両側端部を蝕刻する段階と、を有し、
前記下部フォトレジストパターンの前記初期リブの前記上面への投影幅が前記最終リブの前記上面の幅に対応する、マスク製造方法。
【請求項２】
前記初期リブを形成する段階と、前記最終リブを形成する段階とは、フォトリソグラフィー工程によって実施される、請求項１に記載のマスク製造方法。
【請求項３】
前記第１フォトレジストパターンの間隔は前記スリットパターンの幅より小さい、請求項１または２に記載のマスク製造方法。
【請求項４】
マスクにスリットパターンを形成するための初期リブを形成する段階と、
前記初期リブの上面の両側端部を除去して、前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットパターンを定義する最終リブを形成する段階と、
を有し、
前記初期リブを形成する段階は、
マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有する第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記初期リブの側面を形成する段階と、を有し、
前記最終リブを形成する段階は、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記初期リブの下面と前記側面とを覆う下部フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記初期リブの上面に、前記最終リブの前記上面の幅に対応する幅を有し、前記下部フォトレジストパターンに対向する上部フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記上部フォトレジストパターン及び前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの両側端部を蝕刻する段階と、を有する、マスク製造方法。
【請求項５】
前記第１蝕刻部の形成、前記第２蝕刻部の形成、および前記貫通蝕刻は、湿式蝕刻による等方性蝕刻により行う、請求項１に記載のマスク製造方法。
【請求項６】
前記マスクは、蒸着工程に使用される蒸着マスク又はフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトマスクである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のマスク製造方法。
【請求項７】
前記スリットパターンを定義する前記最終リブの各々は、上面の幅が下面の幅より大きく、左右対称である台形形状の断面を有し、
前記断面の側面は、前記上面の末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面と、前記直線型側面の終端から前記下面の末端へ延長された上へ凹んだ曲線型側面を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマスク製造方法。
【請求項８】
フォトリソグラフィー工程により、マスクにスリットを形成するための初期リブを形成する段階と、
フォトリソグラフィー工程により、前記初期リブの上面の両側端部を除去して前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットを定義する最終リブを形成する段階と、を有し、
前記最終リブは上面の幅が下面の幅より大きく、左右対称である台形形状の断面を有し、前記断面の側面は、前記上面の末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面と、前記直線型側面の終端から前記下面の末端へ延長された上へ凹んだ曲線型側面を有し、
前記初期リブを形成する段階は、
マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有し、前記スリットの幅より小さい間隔に配列された第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記直線型側面の長さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記曲線型側面の高さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンとを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記最終リブの前記曲線型側面より大きい長さを有する延長された曲線型側面を形成する段階と、を有し、
前記最終リブを形成する段階は、
前記第２フォトレジストパターンと前記初期リブの前記側面の一部を覆う下部フォトレジストパターンとを形成する段階と、
前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの前記延長された曲線型側面の露出部を蝕刻して、前記最終リブの前記直線型側面及び前記曲線型側面を形成する段階と、を含み、
前記下部フォトレジストパターンの前記初期リブの前記上面への投影幅が前記最終リブの前記上面の幅に対応する、マスク製造方法。
【請求項９】
フォトリソグラフィー工程により、マスクにスリットを形成するための初期リブを形成する段階と、
フォトリソグラフィー工程により、前記初期リブの上面の両側端部を除去して前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットを定義する最終リブを形成する段階と、を有し、
前記最終リブは上面の幅が下面の幅より大きく、左右対称である台形形状の断面を有し、前記断面の側面は、前記上面の末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面と、前記直線型側面の終端から前記下面の末端へ延長された上へ凹んだ曲線型側面を有し、
前記初期リブを形成する段階は、
マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有し、前記スリットの幅より小さい間隔に配列された第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記直線型側面の長さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記曲線型側面の高さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンとを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記最終リブの前記曲線型側面より大きい長さを有する延長された曲線型側面を形成する段階と、を有し、
前記最終リブを形成する段階は、
前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記初期リブの下面と前記延長された曲線型側面とを覆う下部フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記初期リブの上面に、前記最終リブの前記上面の幅に対応する幅を有し、前記下部フォトレジストパターンの中心軸を中心に整列された上部フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記上部フォトレジストパターン及び前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの前記上面の露出部を蝕刻して前記最終リブの前記直線型側面及び前記曲線型側面を形成する段階と、を有する、マスク製造方法。
【請求項１０】
前記マスクは、平板ディスプレイおよび半導体デバイスの少なくともいずれかの蒸着工程に使用される蒸着マスク又は平板ディスプレイおよび半導体デバイスの少なくともいずれかのフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトマスクである、請求項８または請求項９に記載のマスク製造方法。
【請求項１１】
前記第１蝕刻部の形成、前記第２蝕刻部の形成、前記貫通蝕刻、および前記露出部の蝕刻は、湿式蝕刻による等方性蝕刻により行う、請求項１０に記載のマスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマスク製造方法に関し、より詳細には蒸着工程に使用される蒸着マスク又は露光工程に使用されるフォトマスク等を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板ディスプレイや半導体デバイスは基板の上に様々な物質を薄膜形態に蒸着して製造される。薄膜のパターンは、蒸着マスクを利用して基板の上に直接形成されるか、あるいは、基板の上の蒸着薄膜にフォトマスクのパターンを転写して形成され得る。
【０００３】
しかし、近年、半導体デバイスの高集積化及び平板ディスプレイの高解像度化に対応して、基板の上により高密度にパターンを蒸着または転写可能な蒸着マスク又はフォトマスクが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許２０１１−００１３２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は高精度に微細パターンを形成することができるマスクの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００７】
（１）マスクにスリットパターンを形成するための初期リブを形成する段階と、前記初期リブの上面の両側端部を除去して、前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットパターンを定義する最終リブを形成する段階と、を有するマスク製造方法。
【０００８】
（２）前記初期リブを形成する段階と、前記最終リブを形成する段階とは、フォトリソグラフィー工程によって実施される、上記（１）に記載のマスク製造方法。
【０００９】
（３）前記初期リブを形成する段階は、マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有する第１フォトレジストパターンを形成する段階と、前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターン及び第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記初期リブの側面を形成する段階と、を有する、上記（１）または（２）に記載のマスク製造方法。
【００１０】
（４）前記第１フォトレジストパターンの間隔は前記スリットパターンの幅より小さい、上記（３）に記載のマスク製造方法。
【００１１】
（５）前記最終リブを形成する段階は、前記第２フォトレジストパターンと前記初期リブの前記側面の一部を覆う下部フォトレジストパターンとを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンと前記下部フォトレジストパターンとを保護膜として、前記初期リブの両側端部を蝕刻する段階と、を有し、前記下部フォトレジストパターンの前記初期リブの前記上面への投影幅が前記最終リブの前記上面の幅に対応する、上記（３）または（４）に記載のマスク製造方法。
【００１２】
（６）前記最終リブを形成する段階は、前記第１ォトレジストパターン、前記第２ォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを除去する段階と、前記初期リブの下面と前記側面とを覆う下部フォトレジストパターンを形成する段階と、前記初期リブの上面に、前記最終リブの前記上面の幅に対応する幅を有し、前記下部フォトレジストパターンに対向する上部フォトレジストパターンを形成する段階と、前記上部フォトレジストパターン及び前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの両側端部を蝕刻する段階と、を有する、上記（３）に記載のマスク製造方法。
【００１３】
（７）前記蝕刻は、湿式蝕刻による等方性蝕刻である、上記（３）に記載のマスク製造方法。
【００１４】
（８）前記マスクは、蒸着工程に使用される蒸着マスク又はフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトマスクである、上記（１）〜（７）のいずれか一項に記載のマスク製造方法。
【００１５】
（９）前記スリットパターンを定義する前記最終リブの各々は、上面の幅が下面の幅より大きく、左右対称である台形形状の断面を有し、前記断面の側面は、前記上面の末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面と、前記直線型側面の終端から前記下面の末端へ延長された上へ凹んだ曲線型側面を有する、上記（１）〜（８）のいずれか一項に記載のマスク製造方法。
【００１６】
（１０）フォトリソグラフィー工程により、マスクにスリットを形成するための初期リブを形成する段階と、フォトリソグラフィー工程により、前記初期リブの上面の両側端部を除去して前記初期リブの上面幅より小さい上面幅を有し、前記スリットを定義する最終リブを形成する段階と、を有し、前記最終リブは上面の幅が下面の幅より大きく、左右対称である台形形状の断面を有し、前記断面の側面は、前記上面の末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面と、前記線型側面の終端から前記下面の末端へ延長された上へ凹んだ曲線型側面を有する、マスク製造方法。
【００１７】
（１１）前記初期リブを形成する段階は、マスク基板の上面に、前記最終リブの前記上面幅より大きい幅を有し、前記スリットの幅より小さい間隔に配列された第１フォトレジストパターンを形成する段階と、前記マスク基板の下面に、前記最終リブの下面の幅に対応する幅を有し、前記第１フォトレジストパターンに対向する第２フォトレジストパターンを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記直線型側面の長さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記上面に第１蝕刻部を形成し、前記第２フォトレジストパターンを保護膜として、前記最終リブの前記曲線型側面の高さより小さい蝕刻深さに前記マスク基板の前記下面に第２蝕刻部を形成する段階と、前記第１フォトレジストパターンと前記第１蝕刻部とを覆うように第３フォトレジストパターンとを形成する段階と、前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを保護膜として、前記第１蝕刻部と前記第２蝕刻部との間の前記マスク基板の領域を貫通蝕刻して前記最終リブの前記曲線型側面より大きい長さを有する延長された曲線型側面を形成する段階と、を有する、上記（１０）に記載のマスク製造方法。
【００１８】
（１２）前記最終リブを形成する段階は、前記第２フォトレジストパターンと前記初期リブの前記側面の一部を覆う下部フォトレジストパターンとを形成する段階と、前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの前記延長された曲線型側面の露出部を蝕刻して、前記最終リブの前記直線型側面及び前記曲線型側面を形成する段階と、を含み、前記下部フォトレジストパターンの前記初期リブの前記上面への投影幅が前記最終リブの前記上面の幅に対応する、上記（１１）に記載のマスク製造方法。
【００１９】
（１３）前記最終リブを形成する段階は、前記第１フォトレジストパターン、前記第２フォトレジストパターン、および前記第３フォトレジストパターンを除去する段階と、前記初期リブの下面と前記延長された曲線型側面とを覆う下部フォトレジストパターンを形成する段階と、前記初期リブの上面に、前記最終リブの前記上面の幅に対応する幅を有し、前記下部フォトレジストパターンの中心軸を中心に整列された上部フォトレジストパターンを形成する段階と、前記上部フォトレジストパターン及び前記下部フォトレジストパターンを保護膜として、前記初期リブの前記上面の露出部を蝕刻して前記最終リブの前記直線型側面及び前記曲線型側面を形成する段階と、を有する、上記（１１）に記載のマスク製造方法。
【００２０】
（１４）前記マスクは、平板ディスプレイおよび半導体デバイスの少なくともいずれかの蒸着工程に使用される蒸着マスク又は平板ディスプレイおよび半導体デバイスの少なくともいずれかのフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトマスクである、上記（１２）または（１３）に記載のマスク製造方法。
【００２１】
（１５）前記蝕刻は、湿式蝕刻による等方性蝕刻である、上記（１４）に記載のマスク製造方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、高精度に微細パターンが形成されたマスクを提供できる。
【００２３】
また、本発明によれば、マスクの微細パターンの変形を最小化できる。
【００２４】
また、本発明によれば、半導体デバイスで要求される高集積化又は平板ディスプレイで要求される高解像度化に対応して、高密度にパターンを転写または蒸着可能なマスクを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】平板ディスプレイ蒸着装置の断面図である。
【図２】図１のマスクアセンブリーの拡大斜視図である。
【図３】図３は図２のパターン部の一部を拡大した断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図４Ｈ】本発明の一実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ａ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｂ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｃ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｄ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｅ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｆ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｇ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｈ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【図５Ｉ】本発明の他の実施形態によるマスク製造方法を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、以下詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定しようとするものでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等、および代替に係る実施形態を含むこととして理解しなければならない。
【００２７】
各図面においては、類似な構成要素に対しては同一または類似な参照符号を使用した。図面においては、構成要素の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示している場合がある。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、当該構成要素はこのような用語により限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別するためにのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない範囲で、第１構成要素は第２構成要素と称され得る。同様に、第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈上明確に異なる意図がない限り、複数の表現をも含む。
【００２８】
本出願で、「包含する」又は「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合したものが存在することを示すものであるが、１つ又はその以上の異なる特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合したものの存在又は付加可能性を予め排除するものではない。反対に層、膜、領域、板等が他の部分の「上に」あると記載されている場合、これは他の部分の「直上に」にある場合だけでなく、その間に他の部分が存在する場合も含む。同様に層、膜、領域、板等が他の部分の「下に」あるとする場合、これは他の部分の「直下に」にある場合だけでなく、その間にその他の部分がある場合も含む。
【００２９】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る実施形態を詳細に説明する。
【００３０】
本実施形態においては、平板ディスプレイの蒸着装置に使用される蒸着マスクを例として説明する。しかし、本発明に係るマスク製造方法は半導体デバイス（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）の蒸着工程に使用される蒸着マスク、又は平板ディスプレイや半導体デバイスのフォトリソグラフィー工程に使用されるフォトマスク等多様な種類のマスクの製造に適用され得る。
【００３１】
蒸着マスクは、例えば、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ装置の電極（陽極／陰極）と有機発光層の蒸着工程に使用されるマスクであり、または、熱蒸着／ｅ−ビーム蒸着方法で半導体ウエハーにパターンを形成する蒸着工程に使用されるマスクであり得る。
【００３２】
フォトマスクは、例えば、液晶ディスプレイ装置の薄膜トランジスターや画素電極を形成する工程において露光工程のパターン転写に使用されるマスクであり、または、半導体デバイスの製造工程の露光工程でのパターン転写に使用されるマスクであり得る。
【００３３】
図１は平板ディスプレイ蒸着装置１０の断面図である。図１を参照すれば、平板ディスプレイ蒸着装置１０はチャンバー１００、蒸着ソース２００、マスクアセンブリー３００、及び固定部材４００を含む。
【００３４】
チャンバー１００は蒸着工程を進行するための空間を提供する。例えば、蒸着工程は基板Ｓの蒸着面に有機物質を供給して有機発光層を蒸着する工程である。チャンバー１００には工程進行時に、チャンバー１００内部が真空状態を維持するように真空ポンプ（図示せず）が連結されている。
【００３５】
蒸着ソース２００はチャンバー１００の内側下部に配置され、チャンバー１００の内側上部に提供される基板Ｓの蒸着面に向かって有機物質を供給する。マスクアセンブリー３００はマスクフレーム３２０とマスク３４０とを有し、蒸着ソース２００と対向するようにチャンバー１００の内側上部に配置される。基板Ｓはマスクアセンブリー３００の上部に提供される。基板Ｓはマスクアセンブリー３００の上端から上方向に、あらかじめ定められた距離をもって離隔配置され、マスクフレーム３２０の開口部３２２における開口面積全体に重畳されるように配置される。蒸着ソース２００が供給する有機物質はマスクフレーム３２０の開口部３２２とマスク３４０のスリットパターン（図示せず）とを通じて基板Ｓの蒸着面、すなわち、下面に蒸着される。基板Ｓに蒸着された有機物質の膜はマスク３４０のスリットパターン（図示せず）に対応するパターンを有する。固定部材４００は蒸着ソース２００から基板Ｓへ供給される有機物質の移動経路の外側に配置され、マスクアセンブリー３００の縁部を支持する。
【００３６】
図２は図１のマスクアセンブリー３００の拡大斜視図である。図２を参照すれば、マスクアセンブリー３００はマスクフレーム３２０と複数個のマスク３４０とを含む。
【００３７】
マスクフレーム３２０は内側に開口部３２２が形成された長方形形状のプレートであり得る。マスクフレーム３２０には複数個のマスク３４０が溶接によって固定され、マスクフレーム３２０は外力による変形が小さい物質、すなわち、剛性が大きい金属材質で提供され得る。開口部３２２は蒸着対象物である基板Ｓのディスプレイ領域をカバーできる充分な大きさの開口面積を有し、例えば長方形形状に形成され得る。
【００３８】
ここで、マスクフレーム３２０の長辺方向を第１方向（Ｉ）、マスクフレーム３２０の短辺方向を第２方向（II）、そしてマスクフレーム３２０の厚さ方向を第３方向（III）と定義する。
【００３９】
マスク３４０の各々は第２方向（II）へ長辺が向けられた長方形形状のプレートであり得る。マスク３４０は金属薄膜に形成された微細金属マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）であり、ステンレススチール（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ；ＳＵＳ）、インバー（商標）（Ｉｎｖａｒ（商標））、ニッケル、コバルト又はこれらの組合による合金のうちのいずれか１つの材質で提供され得る。マスク３４０の横方向、すなわち第２方向（II）を基準として、各マスク３４０の中心領域にはパターン部３５０が形成され、中心領域両側の周辺領域には溶接部３４２、３４４が形成される。複数個のマスク３４０は、マスクフレーム３２０の上に、第１方向（Ｉ）に沿って互いに隣接するように一列に配置され、マスクフレーム３２０の開口部３２２の上端を覆う。複数個のマスク３４０の溶接部３４２、３４４はマスクフレーム３２０の長辺の縁領域に溶接され得る。
【００４０】
図３は図２のパターン部３５０の一部を拡大した断面図である。図２及び図３を参照すれば、各マスク３４０のパターン部３５０は複数個のスリット３５２と、スリット３５２を定義する複数個の最終リブ３５４、３５４’とを含む。各スリット３５２の断面形状は左右両側の２つの最終リブ３５４、３５４’の形状によって定義される。各最終リブ３５４、３５４’の形状は同一であるので、以下ではいずれか１つの最終リブ３５４の形状を例として説明する。
【００４１】
最終リブ３５４は、上面３５４ａの幅が下面３５４ｂの幅より大きく、左右対称である台形（Ｔｒａｐｅｚｏｉｄ）形状の断面を有し得る。最終リブ３５４の両側面は、上面３５４ａの末端から下方向へ垂直に延長された直線型側面３５４ｃと、直線型側面３５４ｃの終端から下面３５４ｂの末端へ上に凹むように延長された曲線型側面３５４ｄとを有し得る。
【００４２】
スリット３５２は最終リブ３５４、３５４’の曲線型側面３５４ｄ、３５４’ｄによって定義される引込み部３５２ａと、最終リブ３５４、３５４’の直線型側面３５４ｃ、３５４’ｃによって定義される引出部３５２ｂとを含む。蒸着ソース２００が供給する有機物質はマスクフレーム３２０の開口部３２２を通過した後、スリット３５２の引込み部に３５２ａへ流入される。引込み部３５２ａに流入された有機物質は引出部３５２ｂを経由して基板Ｓの蒸着面に蒸着される。
【００４３】
高解像度の平板ディスプレイに対応するためには、高密度度にパターンを蒸着できる微細パターンのマスク３４０が要求される。マスクパターンの微細化の要求に対応するためには最終リブ３５４、３５４’のピッチ及び大きさを縮小する必要がある。しかし、最終リブ３５４、３５４’の大きさが縮小されると、マスク３４０の製造工程で、所望の大きさの線型側面３５４ｃ、３５４’ｃが形成されず、または直線型側面３５４ｃ、３５４’が全く形成されない等の困難性を伴い得る。直線型側面３５４ｃ、３５４’が正確に形成されなければ、最終リブ３５４、３５４’の強度が低下し、歪みによって最終リブ３５４、３５４’の変形が発生し、これによって蒸着薄膜のパターン不良が生じ得る。
【００４４】
本実施形態は、このような問題点を解決するために、所望の大きさ及び形状を有する最終リブ３５４、３５４’の直線型側面３５４、３５４’を形成できるマスクの製造方法を提供する。以下では本発明の実施形態に係るマスク製造方法について詳細に説明する。
【００４５】
図４Ａ〜図４Ｈは本発明の一実施形態に係るマスク製造方法を示す図である。
【００４６】
図３と、図４Ａ〜図４Ｈを参照すれば、本発明の一実施形態に係るマスク製造方法は、最終リブ３５４、３５４’の上面幅より大きい上面幅を有する初期リブを形成する段階（図４Ａ〜図４Ｅ）と、初期リブの上面の両側端部を除去して初期リブの上面幅より小さい上面幅を有する最終リブ３５４、３５４’を形成する段階（図４Ｆ〜図４Ｈ）とを有する。初期リブを形成する段階（図４Ａ〜図４Ｅ）と最終リブを形成する段階（図４Ｆ〜図４Ｈ）とはフォトリソグラフィー工程によって実施され得る。
【００４７】
まず、初期リブを形成するために、スリットパターンが形成されるマスク基板ＭＳが提供される。マスク基板ＭＳは、ステンレススチールＳＵＳ、インバー（Ｉｎｖａｒ）、ニッケル、コバルト又はこれらの組合による合金のうちのいずれか１つの材質の金属プレートであり得る（図４Ａ）。
【００４８】
マスク基板ＭＳの上面には、第１フォトレジストパターンＰＲ−１が形成される。第１フォトレジストパターンＰＲ−１は最終リブ３５４、３５４’の上面幅より大きい幅を有する。第１フォトレジストパターンＰＲ−１の間隔はスリット３５２の引出部３５２ｂの幅より小さくし得る。マスク基板ＭＳの下面には、第２フォトレジストパターンＰＲ−２が形成される。第２フォトレジストパターンＰＲ−２は最終リブ３５４、３５４’の下面の幅に対応する幅を有する。第２フォトレジストパターンＰＲ−２はマスク基板ＭＳを基準として、第１フォトレジストＰＲ−１と互いに対向するように形成され、第１フォトレジストＰＲ−１パターンの中心軸を中心として整列される（図４Ｂ）。
【００４９】
マスク基板ＭＳの上面には、第１フォトレジストパターンＰＲ−１を保護膜として、第１蝕刻部Ｅ１が形成される。第１蝕刻部Ｅ１の蝕刻深さは最終リブ３５４、３５４’の直線型側面３５４ｃの長さより小さい。マスク基板ＭＳの下面には、第２フォトレジストパターンＰＲ−２を保護膜として、第２蝕刻部Ｅ２が形成される。第２蝕刻部Ｅ２の蝕刻深さは最終リブ３５４、３５４’の曲線型側面３５４ｄの長さより小さい。第１蝕刻部Ｅ１と第２蝕刻部Ｅ２は湿式蝕刻を利用する等方性蝕刻によって形成され得る（図４Ｃ）。
【００５０】
第３フォトレジストパターンＰＲ−３がマスク基板ＭＳの上面の第１フォトレジストパターンＰＲ−１及び第１蝕刻部Ｅ１の上に形成される（図４Ｄ）。
【００５１】
第１、第２及び第３フォトレジストパターンＰＲ−１、ＰＲ−２、ＰＲ−３を保護膜として、第１蝕刻部Ｅ１と第２蝕刻部Ｅ２との間のマスク基板ＭＳの領域が貫通蝕刻される。このような貫通蝕刻によって、延長された曲線型側面３５４ｄ−１、３５４’ｄ−１を有する初期リブ３５４−１、３５４’−１が形成される。延長された曲線型側面３５４ｄ−１、３５４’ｄ−１は最終リブ３５４、３５４’の曲線型側面３５４’ｄ、３５４’ｄより大きい曲線長さを有する。前記貫通蝕刻は湿式蝕刻を利用する等方性蝕刻によって実施され得る（図４Ｅ）。
【００５２】
次に、初期リブ３５４−１、３５４’−１から最終リブ３５４、３５４’を形成する段階（図４Ｆ〜図４Ｈ）について説明する。
【００５３】
下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ１が初期リブ３５４−１、３５４’−１の下面の第２フォトレジストパターンＰＲ−２及び前記延長された曲線型側面３５４ｄ−１、３５４’ｄ−１の一部領域上に形成される。下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ１は初期リブ３５４−１、３５４’−１の上面への投影幅が最終リブ３５４、３５４’の上面の幅を定義するように形成される（図４Ｆ）。ここで、投影幅とは、マスク基板ＭＳ上に形成されたパターンの基板ＭＳ表面に対し水平方向の幅をいう。
【００５４】
第１、第２及び第３フォトレジストパターンＰＲ−１、ＰＲ−２、ＰＲ−３と、下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ１とを保護膜として、初期リブ３５４−１、３５４’−１の前記延長された曲線型側面３５４ｄ−１、３５４’ｄ−１の露出部が蝕刻される。このような蝕刻によって、最終リブ３５４、３５４’の直線型側面３５４ｃ、３５４’ｃ及び曲線型側面３５４ｄ、３５４’ｄが形成される。このような貫通蝕刻は湿式蝕刻を利用する等方性蝕刻によって実施され得る（図４Ｇ）。
【００５５】
第１、第２及び第３フォトレジストパターンＰＲ−１、ＰＲ−２、ＰＲ−３と、下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ１の除去によって、最終リブ３５４、３５４’が形成される。最終リブ３５４、３５４’によってスリット３５２が定義される（図４Ｈ）。
【００５６】
図５Ａ〜図５Ｉは本発明の他の実施形態に係るマスク製造方法を示す図である。
【００５７】
図３と、図５Ａ〜図５Ｉを参照すれば、本発明の他の実施形態に係るマスク製造方法は、最終リブ３５４、３５４’の上面幅より大きい上面幅を有する初期リブを形成する段階（図５Ａ〜図５Ｅ）と、初期リブの上面の両側端部を除去して初期リブの上面幅より小さい上面幅を有する最終リブ３５４、３５４’を形成する段階（図５Ｆ〜図５Ｈ）とを有する。初期リブを形成する段階（図５Ａ〜図５Ｅ）と最終リブを形成する段階（図５Ｆ〜図５Ｉ）とはフォトリソグラフィー工程によって実施され得る。
【００５８】
図５Ａ〜図５Ｅに図示された初期リブを形成する段階は図４Ａ〜図４Ｅに図示された初期リブを形成する段階と同一であるので、これに対する説明は省略する。以下では図５Ｆ〜図５Ｉを参照して、本発明の他の実施形態に係るマスク製造方法によって最終リブを形成する段階について説明する。
【００５９】
第１、第２及び第３フォトレジストパターンＰＲ−１、ＰＲ−２、ＰＲ−３が初期リブ３５４−１、３５４’−１から除去される（図５Ｆ）。
【００６０】
下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ２が初期リブ３５４−１、３５４’−１の下面３５４ｂ−１、３５４’ｂ−１及び前記延長された曲線型側面３５４ｄ−１、３５４’ｄ−１の全体領域の上に形成される。初期リブ３５４−１、３５４’−１の上面には、上部フォトレジストパターンＰＲ−Ｕ２が形成される。第２フォトレジストパターンＰＲ−Ｕ２は最終リブ３５４、３５４’の下面の幅に対応する幅を有する。上部フォトレジストパターンＰＲ−Ｕ２は初期リブ３５４−１、３５４’−１を基準として、下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ２と互いに対向するように形成され、下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｌ２の中心軸を中心として整列される（図５Ｇ）。
【００６１】
上部及び下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｕ２、ＰＲ−Ｌ２を保護膜として、初期リブ３５４−１、３５４’−１の上面の露出部が蝕刻される。このような蝕刻によって、最終リブ３５４、３５４’の直線型側面３５４ｃ、３５４’ｃ及び曲線型側面３５４ｄ、３５４’ｄが形成される。このような貫通蝕刻は湿式蝕刻を利用する等方性蝕刻によって実施され得る（図５Ｈ）。
【００６２】
上部及び下部フォトレジストパターンＰＲ−Ｕ２、ＰＲ−Ｌ２を除去することで、最終リブ３５４、３５４’が形成される。最終リブ３５４、３５４’によってスリット３５２が定義される（図５Ｉ）。
【００６３】
以上説明したように、本発明の実施形態に係るマスク製造方法は、最終リブの上面幅より大きい上面幅を有し、最終リブによって定義されるスリットの幅より狭い間隔に配列された初期リブを形成した以後に、初期リブの上面の両側端部を除去して初期リブの上面幅より小さい上面幅を有する最終リブを形成する。
【００６４】
このような本発明の実施形態に係るマスク製造方法によれば、マスクパターンの微細化に対応したリブのピッチ及び大きさの縮小の要求に対応し、所望の大きさ及び形状を有する微細パターンリブの直線型側面を形成できるとともに、リブの強度の低下によって起こり得るマスクの微細パターンの変形を防止できる。
【符号の説明】
【００６５】
３００    マスクアセンブリー、
３２０    マスクフレーム、
３４０    マスク、
３５０    パターン部、
３５２    パターンスリット、
３５４    リブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図５Ｉ】
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