(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、
半導体素子を膜に接着・固定する工程と、
前記半導体素子の少なくとも一方の面にはんだ材を塗布する工程と、
前記膜に熱硬化性の接着剤を塗布する工程と、
前記はんだ材及び前記接着剤の塗布位置を加熱することによって、前記接着剤を硬化させて前記膜に金属電極を接着・固定するとともに前記はんだ材を溶融させて前記半導体素子の前記少なくとも一方の面に前記金属電極を実装する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子を前記膜に接着・固定する工程が、
前記半導体素子に対応する開口を有するフィルム状膜を用意する工程と、
前記開口内に前記半導体素子を配置する工程と、
前記フィルム状膜と前記半導体素子との間に絶縁材を充填する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子を前記膜に接着・固定する工程が、
前記半導体素子を含み前記半導体素子よりも広い範囲に樹脂を塗布する工程と、
前記樹脂を塗布する前に前記半導体素子の前記一方の面をマスクする前工程、又は、
前記樹脂を塗布した後に前記半導体素子の前記一方の面上に塗布された前記樹脂を除去する後工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記膜が、セラミックス板又は金属板である、若しくは、内部にセラミックス板又は金属板を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記膜に配線パターンを形成する工程と、
前記半導体素子と前記配線パターンとをワイヤにより接続し、前記ワイヤを前記金属電極の上面よりも前記膜側に配置する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体装置の製造方法であって、
第１半導体素子及び第２半導体素子を用意する工程と、
請求項１から５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法によって、前記第１半導体素子の上面が前記第２半導体素子の下面と同じ側となるように前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子を前記膜に固定し、前記第１半導体素子の上面に第１金属電極を実装し、前記第２半導体素子の下面に第２金属電極を実装する工程と、
前記第１半導体素子の下面と前記第２半導体素子の上面とに第３金属電極を実装する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インバータ等に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基盤の上にはんだ材を塗布し、これに半導体素子を載置し、はんだ付け実装することによって、半導体素子と基盤とを接合する技術を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２５２３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示される方法によって基盤に接合された半導体素子の上面に、小型化、抜熱性能向上を目的として、さらに電極を接合する場合がある。この場合、上記手順と同様の手順で半導体素子の上面に電極をはんだ付け実装が行われる。
【０００５】
しかしながら、このような実装方法において、電極が固定されていないと、電極が動いて半導体素子に捻り応力が作用し、半導体素子が損傷する可能性がある。
【０００６】
本発明は、このような技術的課題に鑑みてなされたもので、半導体素子に電極を接合するにあたって、半導体素子に捻り応力が作用するのを抑え、半導体素子の損傷を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のある態様によれば、半導体装置の製造方法が、半導体素子を膜に接着・固定する工程と、前記半導体素子の少なくとも一方の面にはんだ材を塗布する工程と、前記膜に熱硬化性の接着剤を塗布する工程と、前記はんだ材及び前記接着剤の塗布位置を加熱することによって、前記接着剤を硬化させて前記膜に金属電極を接着・固定するとともに前記はんだ材を溶融させて前記半導体素子の前記少なくとも一方の面に前記金属電極を実装する工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００９】
この態様によれば、半導体素子と金属電極との位置関係が膜によって規定され、かつ、金属電極が膜に固定される。これにより、金属電極が半導体素子に対して動くことによって金属電極から半導体素子に捻り応力が作用するのが抑制され、半導体素子の損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１Ｂ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１Ｃ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１Ｄ】第１実施形態に係る半導体装置の回路図である。
【図２Ａ】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２Ｂ】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２Ｃ】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２Ｄ】第２実施形態に係る半導体装置の回路図である。
【図３】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００１２】
第１実施形態
図１Ａ〜図１Ｃは第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示している。半導体装置は、半導体素子としてＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）１１とダイオード１２とを含み、図１Ａ〜図１Ｃに示される工程（ａ）〜（ｅ）を経て製造される。各図の左側の図は半導体装置を上面側から見た図、右側の図は対応する左側の図のＸ−Ｘ断面を示した図である。これらを参照しながら、以下、各工程について説明する。
【００１３】
まず、工程（ａ）では、フィルム状膜２０が用意される。フィルム状膜２０は、セラミックス板又は金属板、若しくは、膜内部にセラミックス板又は金属板を含んだ膜である。フィルム状膜２０には、ＩＧＢＴ１１、ダイオード１２よりも僅かに大きな矩形の開口３１、３２が形成される。また、フィルム状膜２０の上面には、配線パターンが配置される配線パターン領域４０が形成される。
【００１４】
開口３１内にはＩＧＢＴ１１が配置され、開口３２内にはダイオード１２が配置される。ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の上面にはそれぞれ、主電極及び制御端子電極を含む金属薄膜電極が形成される。フィルム状膜２０の厚さは、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の金属薄膜電極を含んだ厚さと略同じである。
【００１５】
工程（ｂ）では、フィルム状膜２０とＩＧＢＴ１１との間の隙間、及び、フィルム状膜２０とダイオード１２との間の隙間に、それぞれ絶縁材５０が充填される。これにより、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２がフィルム状膜２０に接着・固定される。
【００１６】
工程（ｃ）では、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の上面にはんだ材７１が塗布され、フィルム状膜２０の上面に熱硬化性の接着剤７２が塗布される。そして、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の上面に上側金属電極８１が載置される。上側金属電極８１は一部に切欠き８１ｃを有しており、切欠き８１ｃからは、配線パターン領域４０とＩＧＢＴ１１の一部とが露出する。
【００１７】
この状態ではんだ材７１及び接着剤７２の塗布位置を加熱すると、接着剤７２が硬化して上側金属電極８１がフィルム状膜２０に接着・固定されると同時に、はんだ材７１が溶融して上側金属電極８１がＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に実装される。このとき、上側金属電極８１はフィルム状膜２０の上に載置されているので、上側金属電極８１の自重によってはんだ材７１が潰れることはない。
【００１８】
同様にして、フィルム状膜２０への下側金属電極８２の接着・固定、及び、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への下側金属電極８２の実装が行われる。
【００１９】
工程（ｄ）では、ＩＧＢＴ１１の上面に配置される制御端子電極がワイヤ６０（信号線）によって配線パターン領域４０内の配線パターンと電気的に接続される。ワイヤ６０は上側金属電極８１の上面よりもフィルム状膜２０側、かつ、切欠き８１ｃ内（上側金属電極８１の側方空間内）に配置される。
工程（ｅ）では、上側金属電極８１及び下側金属電極８２にそれぞれ絶縁材７３を介してヒートシンク９０が取り付けられる。
【００２０】
図１Ｄは、以上の工程（ａ）〜（ｅ）を経て製造される半導体装置の回路図である。半導体装置においては、ＩＧＢＴ１１とダイオード１２が逆並列接続され、電動機の制御に用いられるインバータ回路のスイッチの一つを構成する。
【００２１】
続いて、第１実施形態の作用効果について説明する。
【００２２】
上記製造方法によれば、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２と金属電極８１、８２との位置関係がフィルム状膜２０によって規定され、かつ、金属電極８１、８２がフィルム状膜２０に固定される。これにより、金属電極８１、８２がＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に対して動くことによってＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に捻り応力が作用するのが抑制され、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の損傷を防止することができる。
【００２３】
仮に、金属電極８１、８２からＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に捻り応力が作用したとしても、フィルム状膜２０が撓み変形するので、かかる捻り応力は吸収され、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の損傷に至ることはない。
【００２４】
さらに、金属電極８１、８２に両者を近接するような力が作用しても、フィルム状膜２０が間に配置されており、かつ、金属電極８１、８２がフィルム状膜２０に固定されているので、金属電極８１、８２が接触して短絡することもない。
【００２５】
また、開口３１、３２を利用してＩＧＢＴ１１及びダイオード１２を配置することにより、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２が面方向に位置決めされるので、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への金属電極８１、８２の実装が容易になる。
【００２６】
上記製造方法は、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２を並列接続する場合に限らず、電気的な容量を増やすために半導体素子の並列数を増やす場合、インバータ回路において多相化する場合等、複数の半導体素子に電極を実装する必要がある場合に有効である。
【００２７】
ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の一方の高さが他方よりも低い場合は、低い方の上面にスペーサを載置して高さを揃える必要がある。上記製造方法によれば、フィルム状膜２０によってこのようなスペーサの移動も制限されるので、スペーサの位置ずれも防止することができる。なお、スペーサを用いることにより、フィルム状膜２０への金属電極８１、８２の接着位置とＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への金属電極８１、８２の実装位置とで高さに差がなくなり、接着と実装を同時に行うのが容易になる。スペーサは載置される半導体素子に絶縁性の接着剤で固定するようにしてもよい。
【００２８】
また、金属電極８１、８２の間にフィルム状膜２０を介在させ、かつ、フィルム状膜２０とＩＧＢＴ１１及びダイオード１２との間の隙間に絶縁材５０を充填しているので、仮に実装時にはんだ材７１が流れ落ちたとしても、はんだ材７１が原因となって短絡が起きることはない。
【００２９】
なお、半導体装置の薄型化を図る場合であっても、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２とフィルム状膜２０との間の隙間への絶縁材５０の充填は、当該部位を露出させた状態で行われるので簡単に行うことができる。
【００３０】
また、フィルム状膜２０として、セラミックス板又は金属板、若しくは、膜内部にセラミックス板又は金属板を含んだ膜を用いたことにより、フィルム状膜２０の熱伝導率が高くなり、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の放熱性を向上させることができる。
【００３１】
また、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に実装される金属電極８１、８２がＩＧＢＴ１１及びダイオード１２の熱を逃がすヒートスプレッダとしても機能する。したがって、金属電極８１、８２に絶縁材７３を介してヒートシンク９０を取り付けることによって、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２からの放熱をより一層促進することができる。
【００３２】
また、ワイヤ６０を金属電極８１、８２の上面よりもフィルム状膜２０側、かつ、切欠き８１ｃ内に配置したことにより、ヒートシンク９０との干渉が避けられ、また、ワイヤ６０を配置するための空間をわざわざ設ける必要がなくなるので、半導体装置を小型化することができる。
【００３３】
なお、変形例として、上記製造方法では、上側金属電極８１をＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に実装した後に、下側金属電極８２をＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に実装しているが、金属電極８１、８２を一括して実装するようにしてもよい。これにより、工程数を削減することができる。
【００３４】
また、フィルム状膜２０への上側金属電極８１の接着・固定とＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への上側金属電極８１の実装を同時に行っているが、フィルム状膜２０への上側金属電極８１の接着・固定をＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への上側金属電極８１の実装よりも先に行うようにしてもよい。
【００３５】
また、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への金属電極８１、８２の実装にはんだ材を用いているが、他の導電性材料、例えば、銀ペーストを用いるようにしてもよい。
【００３６】
また、ＩＧＢＴ１１及びダイオード１２への金属電極８１、８２の実装を、超音波接合又は摩擦攪拌接合によって行ってもよい。この場合、金属電極８１、８２をフィルム状膜に予め接着・固定しておき、この状態で超音波又は摩擦を金属電極８１、８２に印可する。金属電極８１、８２のＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に接触する部分がＩＧＢＴ１１及びダイオード１２に対して僅かに変位する必要があるが、かかる変位はフィルム状膜２０が撓むことで実現することができる。
【００３７】
第２実施形態
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。
【００３８】
図２Ａ〜図２Ｃは第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示している。半導体装置は、半導体素子としてＩＧＢＴ１１ａ、１１ｂとダイオード１２ａ、１２ｂとを含み、図２Ａ〜図２Ｃに示される工程（ａ）〜（ｅ）を経て製造される。各図の左側の図は半導体装置を上面側から見た図、右側の図は対応する左側の図のＸ−Ｘ断面及びＹ−Ｙ断面を示した図である。これらを参照しながら、以下、各工程について第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００３９】
工程（ａ）では、フィルム状膜２０が用意される。フィルム状膜２０には、半導体素子１１ａ〜１２ｂよりも僅かに大きな矩形の開口３１〜３４が形成される。なお、以下の説明では、適宜、ＩＧＢＴ１１ａ及びダイオード１２ａの全体を「半導体素子群１０ａ」、ＩＧＢＴ１１ｂ及びダイオード１２ｂの全体を「半導体素子群１０ｂ」と称する。また、フィルム状膜２０の上面には配線パターン領域４０ａが形成され、下面には配線パターン領域４０ｂが形成される。
【００４０】
開口３１、３２にはそれぞれ、ＩＧＢＴ１１ａ、ダイオード１２ａが配置され、開口３３、３４にはそれぞれ、ＩＧＢＴ１１ｂ、ダイオード１２ｂが配置される。ＩＧＢＴ１１ａ、ダイオード１２ａは上面がフィルム状膜２０の上面側に露出するように、逆に、ＩＧＢＴ１１ｂ、ダイオード１２ｂは上面がフィルム状膜２０の下面側に露出するようにそれぞれ配置される。
【００４１】
工程（ｂ）では、フィルム状膜２０と半導体素子１１ａ〜１２ｂとの間の隙間に絶縁材５０が充填される。これにより、半導体素子１１ａ〜１２ｂがフィルム状膜２０に接着・固定される。
【００４２】
工程（ｃ）では、半導体素子群１０ａの上面、半導体素子群１０ｂの下面にはんだ材７１が塗布され、フィルム状膜２０の上面に熱硬化性の接着剤７２が塗布される。そして、半導体素子群１０ａの上面に低電位電極１０１が載置され、半導体素子群１０ｂの下面に高電位電極１０２が載置される。電極１０１、１０２は、それぞれ一部に切欠き１０１ｃ、１０２ｃを有しており、切欠き１０１ｃ、１０２ｃからは、配線パターン領域４０ａ、４０ｂとＩＧＢＴ１１ａ、１１ｂの一部とが露出する。
【００４３】
この状態ではんだ材７１及び接着剤７２の塗布位置を加熱すると、接着剤７２が硬化して電極１０１、１０２がフィルム状膜２０に接着・固定される。これと同時に、はんだ材７１が溶融して低電位電極１０１がＩＧＢＴ１１ａ及びダイオード１２ａに実装されるとともに、高電位電極１０２がＩＧＢＴ１１ｂ及びダイオード１２ｂに実装される。このとき、電極１０１、１０２はフィルム状膜２０の上に載置されているので、電極１０１、１０２の自重によりはんだ材７１が潰れることはない。
【００４４】
同様にして、フィルム状膜２０と交流電極１０３との接着、及び、半導体素子１１ａ〜１２ｂへの交流電極１０３の実装が行われる。交流電極１０３は、半導体素子群１０ａの下面から半導体素子群１０ｂの上面まで延びる平板部位を有する電極である。
【００４５】
工程（ｄ）では、ＩＧＢＴ１１ａの上面に配置される制御端子電極がワイヤ６０（信号線）によって配線パターン領域４０ａ内の配線パターンと電気的に接続される。同様に、ＩＧＢＴ１１ｂの上面に配置される制御端子電極がワイヤ６０（信号線）によって配線パターン領域４０ｂ内の配線パターンと電気的に接続される。
【００４６】
ワイヤ６０は低電位電極１０１の上面、高電位電極１０２の上面よりもフィルム状膜２０側、かつ、切欠き１０１ｃ、１０２ｃ内（電極１０１、１０２の側方空間内）に配置される。
【００４７】
工程（ｅ）では、電極１０１、１０２に絶縁材７３を介してヒートシンク９０ａが取り付けられ、交流電極１０３に絶縁材７３を介してヒートシンク９０ｂが取り付けられる。
【００４８】
図２Ｄは、以上の工程（ａ）〜（ｅ）を経て製造される半導体装置の回路図である。半導体装置においては、ＩＧＢＴ１１ａとダイオード１２ａが逆並列接続されて半導体素子群１０ａを構成し、ＩＧＢＴ１１ｂ及びダイオード１２ｂが逆並列接続されて半導体素子群１０ｂを構成する。さらに、半導体素子群１０ａ、１０ｂは、直列に接続され、インバータ回路の電気的１相分の回路を構成する。
【００４９】
続いて、第２実施形態の作用効果について説明する。
【００５０】
通常、複数の半導体素子は上下同じ向きで配置され、これらを直列に接続する場合、屈曲した電極を用いて接続する必要が生じる。例えば、ある２つの半導体素子を直列接続する場合、一方の下面と他方の上面とを接続するクランク形状の電極が必要である。
【００５１】
しかしながら、屈曲した電極の使用は、配置スペースの増大、製造コストの増大の原因となり、また、半導体素子の周囲に絶縁材を充填する場合、この屈曲した電極が障害となって絶縁材が十分に充填しきれないという問題が生じる可能性がある。
【００５２】
これに対し、上記製造方法によれば、半導体素子群１０ａ、１０ｂを上下逆に配置、固定することができ、これによって、単純に横方向に延びる交流電極１０３を用いて両半導体素子群１０ａ、１０ｂを接続することができる。これにより、交流電極１０３を配置するスペースが縮小されるので、半導体装置の設置スペースが低減され、ひいては当該装置が搭載されるインバータを小型化することができる。また、上記屈曲した電極に起因する絶縁材の充填不良の問題も生じることがない。
【００５３】
その他の作用効果は、第１実施形態の効果と同様である。
【００５４】
第３実施形態
続いて、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は第２実施形態の一部変形例である。
【００５５】
第３実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第２実施形態と同じ工程（ａ）〜（ｅ）を経て、上下逆に配置された半導体素子群１０ａ、１０ｂに電極１０１、１０２及び交流電極１０３ａ、１０３ｂが実装される。
【００５６】
第２実施形態との相違点は、半導体素子群１０ａ、１０ｂそれぞれに独立した交流電極１０３ａ、１０３ｂが実装されている点と、実装後、半導体素子群１０ａと半導体素子群１０ｂとの間の部位（フィルム状膜２０又は絶縁材の一部）で装置が直角に折り曲げられている点である。また、独立した交流電極１０３ａ、１０３ｂは、実装後、中間電極１０３ｃによって互いに接続される。回路図は図２Ｄに示したものと同じである。
【００５７】
続いて、第３実施形態の作用効果について説明する。
【００５８】
第３実施形態によれば、半導体素子群１０ａが半導体素子群１０ｂに対して直角な方向に配置されるので、半導体素子群１０ａと半導体素子群１０ｂとを、これらが収容される筐体の隅部壁面（例えば、底面と側面）に配置することができる。これにより、半導体装置の設置スペースを低減し、ひいては当該装置が搭載されるインバータを小型化することができる。
【００５９】
交流電極１０３ａ、１０３ｂへの中間電極１０３ｃの接続は、装置を筐体内に配置した後に行ってもよい。中間電極１０３ｃを接続する前は搭載場所の形状に合わせて装置全体を自由に屈曲させることができるので、装置のレイアウト自由度が向上する。なお、装置を筐体内に配置した後に中間電極１０３ｃを接続することに格別な困難性はない。
【００６０】
その他の作用効果は、第１及び第２実施形態の効果と同様である。
【００６１】
第４実施形態
続いて第４実施形態について説明する。第４実施形態は、第１〜第３実施形態の一部変形例であり、半導体素子を膜に固定する方法が第１〜第３実施形態と異なる。
【００６２】
ここでは、第２実施形態と同様に、半導体素子群１０ａ、１０ｂを膜に固定する場合を例に挙げて説明する。
【００６３】
第４実施形態では、まず、半導体素子群１０ａ、１０ｂが平板上に載置され、熱可塑性樹脂が塗布される。塗布範囲は、半導体素子群１０ａ、１０ｂを含み、半導体素子群１０ａ、１０ｂよりも広い範囲（フィルム状膜２０及び絶縁材５０に対応する範囲）である。熱可塑性樹脂の塗布には印刷技術が利用される。その後、半導体素子群１０ａ、１０ｂの表面（上面及び下面）に付着している不要な樹脂材がエッチングにより除去される。
【００６４】
これにより、図４に示すように、フィルム状膜２０、及び、フィルム状膜２０と半導体素子との間に充填される絶縁材に対応する樹脂膜２１が形成され、樹脂膜２１に半導体素子群１０ａ、１０ｂが接着・固定される。
【００６５】
なお、ここではエッチングにより不要な樹脂材を除去しているが、これに代えて、熱可塑性樹脂を塗布する前に半導体素子群１０ａ、１０ｂの表面をマスクし、これらの部位に樹脂材が塗布されないようにしてもよい。
【００６６】
その後の電極の実装工程は第１〜第３実施形態と同じである。
【００６７】
続いて、第４実施形態の作用効果について説明する。
【００６８】
第４実施形態によれば、第１〜第３実施形態と比較して、半導体素子を容易に樹脂膜２１に接着・固定することができ、製造コストを低減することができる。また、半導体素子の主電極及び制御端子電極の周辺部のように、電気特性確保のために電極やはんだ材７１などを接触させたくない部分を樹脂材で被覆することもできる。
【００６９】
また、開口３１〜３４を有するフィルム状膜２０を予め用意する必要がないので、材料費、製造コストともに低減することができる。
【００７０】
また、電極１０１〜１０３を実装する時の熱により樹脂膜２１が潰れ変形するので、半導体素子１１ａ〜１２ｂの厚さが不均一な場合や電極１０１〜１０３に若干の反りがある場合に、これらを吸収することができる。これにより、実装前に厚さの不均一をスペーサで調整することや、電極１０１〜１０３の反りを修正することが不要になり、製造コストを低減することができる。
【００７１】
その他の作用効果は、第１〜第３実施形態の効果と同様である。
【００７２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の適用例を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００７３】
例えば、上記実施形態はいずれも半導体素子の表面に金属電極単体を実装しているが、実装される金属電極は基盤上に配置されている金属電極であってもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１１、１１ａ、１１ｂ  ＩＧＢＴ（半導体素子）
１２、１２ａ、１２ｂ  ダイオード（半導体素子）
２０  フィルム状膜（膜）
２１  樹脂膜（膜）
４０、４０ａ、４０ｂ  配線パターン領域
５０  絶縁材
８１  上側金属電極（金属電極）
８２  下側金属電極（金属電極）
１０１  低電位電極（第１金属電極）
１０２  高電位電極（第２金属電極）
１０３、１０３ａ、１０３ｂ  交流電極（第３金属電極）
【図１Ｄ】
0005482536.tif 000002
【図２Ｄ】
0005482536.tif 000003
【図１Ａ】
0005482536.tif 000004
【図１Ｂ】
0005482536.tif 000005
【図１Ｃ】
0005482536.tif 000006
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
0005482536.tif 000008
【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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