(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で基準堆積厚さｄｒまで１つの層を堆積させるための方法であって、
ａ）陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから第１のパラメータＡおよび第２のパラメータＢを選択するステップであって、前記第１のパラメータＡおよび第２のパラメータＢが異なる動作パラメータであるように選択するステップと、
ｂ）前記第１のパラメータＡに対する前記層の堆積速度ｒの第１の依存関係ｒ（Ａ）を
0005538683.tif 000034
のかたちで提供するステップと、ここで、ｋは基準定数およびｘは非ゼロ依存指数であり、ステップ（ｂ）に先だって、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から前記基準定数ｋおよび前記依存指数ｘを決定するものであり、
ｃ）前記層の堆積を開始するステップと、
ｄ）前記層を堆積させている間、前記第２のパラメータＢを前記第２のパラメータの基準値Ｂｒで一定に保持する一方、時間ｔに対する第１のパラメータＡの変動が許容されるステップと、
ｅ）前記層を堆積させている間、時間ｔに対する前記第１のパラメータＡの第２の依存関係Ａ（ｔ）を測定するステップと、
ｆ）前記非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第２の依存関係Ａ（ｔ）の時間ｔに対する積分を
0005538683.tif 000035
のかたちで計算することにより、前記層を堆積させている間、前記第１依存関係ｒ（Ａ）および前記第２の依存関係Ａ（ｔ）に基づいて、前記層が前記基準堆積厚さｄｒを有する前記層の堆積時間ｔｄを動的に決定するステップと、
ｇ）前記堆積時間ｔｄで前記層の堆積を停止するステップと
の順序付きステップを含む方法。
【請求項２】
前記基準定数ｋが、
0005538683.tif 000036
のかたちであり、ここでｒｒは基準堆積速度、Ａｒは前記第１のパラメータの対応する基準値、およびｘは前記非ゼロ依存指数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｆ）が、前記基準堆積速度ｒｒおよび前記基準堆積厚さｄｒに基づいて前記層の基準堆積時間ｔｒを計算するステップ、および前記積分
0005538683.tif 000037
と、前記基準堆積時間ｔｒおよび前記非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第１のパラメータの前記基準値Ａｒの
0005538683.tif 000038
のかたちの積とを比較するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｂ）に先だって、
0005538683.tif 000039
のかたちの、前記基準堆積速度ｒｒと前記１回または複数回にわたる先行する堆積における前記層の平均堆積速度ｒａとの差Δｒに基づいて、１回または複数回にわたる先行する層の堆積の前記第１のパラメータの前記基準値Ａｒおよび第２のパラメータの前記基準値Ｂｒを更新することにより、前記第１のパラメータの前記基準値Ａｒおよび第２のパラメータの前記基準値Ｂｒを決定するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｆ）において、前記積分
0005538683.tif 000040
が、前記非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第２の依存関係Ａ（ｔ）の時間ｔに対する合計を
0005538683.tif 000041
のかたちで実行することにより計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で基準堆積厚さｄｒまで１つの層を堆積させるための方法であって、
ａ）陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから第１のパラメータＡ、第２のパラメータＢ、および第３のパラメータＣを選択するステップであって、前記第１のパラメータＡ、第２のパラメータＢ、および第３のパラメータＣが異なる動作パラメータであるように選択するステップと、
ｂ）前記第１のパラメータＡおよび第３のパラメータＣに対する前記層の堆積速度ｒの第１の依存関係ｒ（Ａ，Ｃ）を
0005538683.tif 000042
のかたちで提供するステップと、ここで、ｋは基準定数、ｘは第１の非ゼロ依存指数、およびｙは第２の非ゼロ依存指数であり、ステップ（ｂ）に先だって、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から前記基準定数ｋ、前記第１の非ゼロ依存指数ｘ、および前記第２の非ゼロ依存指数ｙを決定するものであり、
ｃ）前記層の堆積を開始するステップと、
ｄ）前記層を堆積させている間、前記第２のパラメータＢを前記第２のパラメータの基準値Ｂｒで一定に保持する一方、時間ｔに対する第１のパラメータＡおよび第３のパラメータＣの変動が許容されるステップと、
ｅ）前記層を堆積させている間、時間ｔに対する前記第１のパラメータＡの第２の依存関係Ａ（ｔ）、および時間ｔに対する前記第３のパラメータＣの第３の依存関係Ｃ（ｔ）を測定するステップと、
ｆ）前記第１の非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第２の依存関係Ａ（ｔ）および前記第２の非ゼロ依存指数ｙのベキに対する前記第３の依存関係Ｃ（ｔ）の時間ｔに対する積分を
0005538683.tif 000043
のかたちで計算することにより、前記層を堆積させている間、前記第１依存関係ｒ（Ａ，Ｃ）、前記第２の依存関係Ａ（ｔ）、および前記第３の依存関係Ｃ（ｔ）に基づいて、前記層が前記基準堆積厚さｄｒを有する前記層の堆積時間ｔｄを動的に決定するステップと、
ｇ）前記堆積時間ｔｄで前記層の堆積を停止するステップと
の順序付きステップを含む方法。
【請求項７】
前記基準定数ｋが、
0005538683.tif 000044
のかたちであり、ここでｒｒは基準堆積速度、Ａｒは前記第１のパラメータの対応する基準値、Ｃｒは前記第３のパラメータの対応する基準値、ｘは前記第１の非ゼロ依存指数、およびｙは前記第２の非ゼロ依存指数である、、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ステップ（ｆ）が、前記基準堆積速度ｒｒおよび前記基準堆積厚さｄｒに基づいて前記層の基準堆積時間ｔｒを計算するステップ、および前記積分
0005538683.tif 000045
と、前記基準堆積時間ｔｒ、前記第１の非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第１のパラメータの前記基準値Ａｒおよび前記第２の非ゼロ依存指数ｙのベキに対する前記第３のパラメータの前記基準値Ｃｒの
0005538683.tif 000046
のかたちの積とを比較するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ｆ）において、前記積分
0005538683.tif 000047
が、前記第１の非ゼロ依存指数ｘのベキに対する前記第２の依存関係Ａ（ｔ）および前記第２の非ゼロ依存指数ｙのベキに対する前記第３の依存関係Ｃ（ｔ）の時間ｔに対する合計を
0005538683.tif 000048
のかたちで実行することにより計算される、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜堆積に関し、詳細には基準堆積厚さに対する層のスパッタ堆積に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ堆積は、薄膜を堆積させるために広く使用されており、広範囲にわたるデバイスおよびコンポーネントの製造を可能にしている。スパッタ堆積は、光アプリケーションのための薄膜デバイスの製造にとりわけ有用である。このような薄膜デバイスは、単一の層または２つから数千に及ぶ数の複数の層を備えることができる。このような薄膜デバイスのスペクトル性能は、このような層が備えている層の厚さによって決まる。したがって、基準堆積厚さに層を堆積させる能力は、光学的に重要な能力である。
【０００３】
典型的なスパッタ堆積システムは、ターゲット陰極、陽極、基板、プラズマおよび電源を備えている。ターゲット陰極、陽極および基板は、ガスが導入される真空チャンバ内に配置されている。真空チャンバの外部に配置された電源を使用して、ターゲット陰極と陽極の間に、以下、陰極電圧として参照される電圧が印加される。陰極電圧によって真空チャンバ内のガスの一部がイオン化し、プラズマが生成される。このプラズマには正に帯電したイオンが含まれており、これらのイオンが負に帯電したターゲット陰極に引き付けられ、ターゲット陰極に向かって加速する。イオンがターゲット陰極に衝突すると、ターゲット材料がターゲット陰極からスパッタされる。スパッタされたターゲット材料が層として基板ならびにスパッタ堆積システムの他の表面に堆積する。典型的なターゲット材料には、とりわけ、タンタル、ニオブおよびアルミニウムなどの金属元素、ケイ素およびゲルマニウムなどの半導体元素、および（Ｉｎ２Ｏ３）１−ｘ（ＳｎＯ２）ｘ（インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ））、Ｔａ２Ｏ５−ｘおよびＴｉＯ２−ｘなどの導電性酸化物がある。
【０００４】
スパッタ堆積の多くの変形態様が開発されている。マグネトロン・スパッタ堆積の場合、マグネトロンがスパッタ堆積システムに含まれており、ターゲット陰極の近傍に磁界が生成される。この磁界によって電子が拘束され、それにより、より密なプラズマが生成され、スパッタ率が高くなる。反応性スパッタ堆積の場合、不活性ガスと反応性ガスのガス混合物がスパッタ堆積システムの真空チャンバに導入され、ターゲット材料と反応性ガスの間の化学反応によって層が形成される。パルス直流（ＤＣ）スパッタ堆積の場合、電荷の蓄積およびアークの発生を最小化するために、ターゲット陰極と陽極の間の電圧が微小逆電圧に周期的に反転される。交流（ＡＣ）スパッタ堆積の場合、アークの発生を最小化するために陰極と陽極の間で交番するＡＣ電圧が２つのターゲット電極の間に印加される。無線周波数（ＲＦ）スパッタ堆積の場合、電荷の蓄積を最小化するためにターゲット電極と第２の電極の間にＲＦ電圧が印加され、それにより非導電性材料をスパッタさせることができる。高電力パルス・マグネトロン・スパッタ堆積の場合、短い高電力パルスがマグネトロン・スパッタ堆積システム内のターゲット陰極に供給され、それにより非常に密なプラズマが生成され、したがってスパッタされたターゲット材料の大部分がイオン化し、密で、かつ、粘着性に富んだ層の堆積が得られる。
【０００５】
いかなるスパッタ堆積技術においても、ターゲット陰極からのターゲット材料のスパッタ率、およびそれに関連する基板への層の堆積速度は、極めて多くの動作パラメータによって影響され、とりわけ、プラズマを生成し、かつ、維持するために印加される、以下、陰極電力として参照される電力、ターゲット陰極によって引き出される、以下、陰極電流として参照される電流、ターゲット陰極と陽極の間の、以下、陰極インピーダンスとして参照されるプラズマのインピーダンス、および陰極電圧によって影響される。
【０００６】
層の堆積速度が分かると、層が基準堆積厚さを有する堆積時間を決定することができる。時間に対する層の堆積厚さの依存関係ｄ（Ｔ）は、
【０００７】
【数１】
0005538683.tif 000002
に従って、時間に対する堆積速度の依存関係ｒ（ｔ）を時間で積分した値に等しい。通常、スパッタ堆積システムの電源は、一定の陰極電力を提供するように構成されており、また、堆積速度は、一定の基準堆積速度ｒｒであることが仮定されており、したがって、
【０００８】
【数２】
0005538683.tif 000003
である。いくつかの実施例では、層の堆積開始または堆積停止に起因し、あるいはコンピュータ・コマンドとデバイス応答の間の遅延に起因する、時間に対する堆積速度のあらゆる過渡変化を修正するために、定数オフセット項ｂを式（２）に含めることができ、たとえば、
【０００９】
【数３】
0005538683.tif 000004
で与えられる。簡潔にするために、このような定数オフセット項は、以下では明確には考慮されていない。
【００１０】
従来、層が基準堆積厚さｄｒを有する基準堆積時間ｔｒは、
【００１１】
【数４】
0005538683.tif 000005
に従って、基準堆積速度ｒｒに基づいて決定されている。しかしながら、この手法は、陰極電力が基準値で一定に保持されると堆積速度は一定である、という仮定に依存しているが、これは事実に反することがしばしばである。
【００１２】
たとえば、一定の陰極電力で層を堆積させている間に、スパッタされたターゲット材料がスパッタ堆積システムの表面に蓄積すると、陰極インピーダンスが変化することになる。電源は、一定の陰極電力を維持するために、陰極電圧および陰極電流を自動的に調整して陰極インピーダンスの変化を補償している。時間に対する陰極電圧および陰極電流の変化は、堆積速度が時間に対して基準堆積速度から逸脱する原因になり、延いては層の堆積厚さに誤差が生じる原因になる可能性がある。
【００１３】
層の一定の基準堆積速度を維持するために、層を堆積させている間、スパッタ堆積システムの１つまたは複数の動作パラメータを調整することができる。堆積速度は、たとえば、Ｔｕｒｎｅｒに対する米国特許第４，１６６，７８３号、Ｈｕｒｗｉｔｔ等に対する米国特許第５，１７４，８７５号およびＳｕｚｕｋｉ等に対する米国特許第５，９１１，８５６号に記載されているように、陰極電力を調整することによって調整することができ、もしくはＢｏｙｓ等に対する米国特許第４，５００，４０８号に記載されているように、マグネトロン・スパッタ堆積の間、磁界を調整することによって調整することができ、またはＳｕｚｕｋｉ等に対する米国特許第５，９１１，８５６号、Ｔｏｙａｍａに対する米国特許第６，４７５，３５４号およびＧｉｂｓｏｎ等に対する国際特許出願ＷＯ２００６／０３２９２５号に記載されているように、反応性スパッタ堆積の間、反応性ガスの流量を調整することによって調整することができ、あるいはＫｅａｒｎｅｙ等に対する米国特許第６，５５４，９６８号に記載されているように、プラズマの密度を調整することによって調整することができる。
【００１４】
詳細には、Ｂａｒｂｅｒ等に対する米国特許第６，７４６，５７７号に、反応性スパッタ堆積の間、ガス混合物の組成を調整することによって層の堆積速度を調整する方法が開示されている。層を堆積させている間、陰極電流または陰極電圧が基準値で一定に保持され、陰極インピーダンスを基準値に維持するためにガス混合物の組成が調整される。したがって、ほぼ一定の基準堆積速度が維持される。堆積速度の時間に対するあらゆる瞬時変化を補償するために、ターゲット陰極に引き渡される、以下、陰極エネルギーとして参照されるエネルギーが、層を堆積させている間、常に合計される。基準陰極エネルギーが供給されると、自動的に層の堆積が停止する。
【００１５】
層の基準堆積速度を一定に維持するための戦略の一環として、層を堆積させている間、層の堆積速度を確認するために、層の成長またはターゲット陰極の浸食を直接モニタすることができる。基準堆積速度からの堆積速度の逸脱が検出されると、たとえば、Ｎｕｌｍａｎに対する米国特許第５，７５４，２９７号、Ｉｔｕｒｒａｌｄｅに対する米国特許第５，９５５，１３９号およびＳｏｎｄｅｒｍａｎ等に対する米国特許第７，３２４，８５６号に記載されているように、その逸脱に応じて動作パラメータを調整することができる。同様に、たとえばＬｅｅ等に対する米国特許出願第２００６／０１４４３３５号に記載されているように、層の成長またはターゲット陰極の浸食を直接モニタすることによって確認された層の堆積速度を使用して、層が基準堆積厚さを有する堆積時間を決定することができる。
【００１６】
また、Ｈｕｒｗｉｔｔ等に対する米国特許第４，９５７，６０５号に開示されているように、階段状ウェーハなどの特定の基板上への層の堆積厚さの一様性を改善するために、あるいはＢｕｒｔｏｎ等に対する米国特許第６，４４０，２８０号に開示されているように、レンズ・エレメントへの層の堆積厚さの一様性を改善するために、このような戦略の変形態様が開発されている。
【特許文献１】米国特許第４，１６６，７８３号
【特許文献２】米国特許第５，１７４，８７５号
【特許文献３】米国特許第５，９１１，８５６号
【特許文献４】米国特許第４，５００，４０８号
【特許文献５】米国特許第６，４７５，３５４号
【特許文献６】国際特許出願ＷＯ２００６／０３２９２５号
【特許文献７】米国特許第６，５５４，９６８号
【特許文献８】米国特許第６，７４６，５７７号
【特許文献９】米国特許第５，７５４，２９７号
【特許文献１０】米国特許第５，９５５，１３９号
【特許文献１１】米国特許第７，３２４，８５６号
【特許文献１２】米国特許出願第２００６／０１４４３３５号
【特許文献１３】米国特許第４，９５７，６０５号
【特許文献１４】米国特許第６，４４０，２８０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための単純な方法および制御システムを提供することによって従来技術の欠点を克服することである。層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。層を堆積させている間、動作パラメータを調整することによって堆積速度を安定させる代わりに、時間に対する動作パラメータの変動が許容される。同じく陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される異なる動作パラメータが実質的に一定に保持されている間、時間に対する動作パラメータの第２の依存関係が測定される。層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて、層の成長またはターゲット陰極の浸食を直接モニタすることなく、層の堆積時間が動的に決定される。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
したがって本発明は、ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法であって、ａ）陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから第１および第２のパラメータを選択するステップであって、第１および第２のパラメータが異なる動作パラメータであるように選択するステップと、ｂ）第１のパラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係を提供するステップと、ｃ）層の堆積を開始するステップと、ｄ）層を堆積させている間、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持するステップと、ｅ）層を堆積させている間、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定するステップと、ｆ）層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて層の堆積時間を決定するステップと、ｇ）該堆積時間で層の堆積を停止するステップの順序付きステップを含む方法に関している。
【００１９】
本発明の他の態様は、ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための制御システムであって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから、第１および第２のパラメータが異なる動作パラメータであるように第１および第２のパラメータを選択し、かつ、第１のパラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係を提供するためのインタフェースと、層の堆積を開始するように電源を制御し、層を堆積させている間、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持するように電源を制御し、層を堆積させている間、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定するために電源をモニタし、層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて層の堆積時間を決定し、かつ、該堆積時間で層の堆積を停止するべく電源を制御するように構成されたコントローラとを備えた制御システムに関している。
【００２０】
本発明の他の態様は、ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための制御システムであって、ａ）陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから、第１および第２のパラメータが異なる動作パラメータであるように第１および第２のパラメータを選択するための手段と、ｂ）第１のパラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係を提供するための手段と、ｃ）層の堆積を開始するための手段と、ｄ）層を堆積させている間、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持するための手段と、ｅ）層を堆積させている間、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定するための手段と、ｆ）層を堆積させている間、第１および第２の依存関係に基づいて層の堆積時間を決定するための手段と、ｇ）該堆積時間で層の堆積を停止するための手段とを備えた制御システムに関している。
【００２１】
以下、本発明について、本発明の好ましい例示的実施形態を示す添付の図面を参照してより詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１を参照すると、本発明により、ターゲット陰極１５１を有するスパッタ堆積システム１５０内で層を堆積させるための方法および制御システム１００が提供される。制御システム１００は、インタフェース１０１およびコントローラ１０２を備えている。スパッタ堆積システム１５０は、ターゲット陰極１５１の他に、陽極１５２、基板１５３およびプラズマ１５４を真空チャンバ１５５内に備えており、また、真空チャンバ１５５の外側に電源１５６を備えている。他の実施形態では、スパッタ堆積システム１５０は、代替構造の特定のコンポーネントを有することができ、あるいは、とりわけ上で言及したスパッタ堆積の変形態様のうちの任意の変形態様に適した追加コンポーネントを備えることができる。
【００２３】
電源１５６は、ターゲット陰極１５１および陽極１５２に接続されており、陰極電力、陰極電圧および陰極電流からなる動作パラメータのグループから選択される１つの動作パラメータを基準値で実質的に一定に保持するように制御することができる。電源１５６は、動作パラメータのグループの任意の動作パラメータを実質的に一定に保持するように制御することができることが好ましい。いくつかの実施例では、電源１５６は、動作パラメータの基準値に対してランプさせることができる。
【００２４】
また、電源１５６は、制御システム１００のコントローラ１０２にも接続されている。コントローラ１０２は、プログラム可能論理制御装置（ＰＬＣ）であることが好ましい。コントローラ１０２は、電源１５６を制御し、かつ、モニタするように構成されている。コントローラ１０２は、実質的に一定に保持すべき動作パラメータの基準値を電源１５６に伝達し、かつ、電源１５６をターン・オンおよびターン・オフしている。また、コントローラ１０２は、実質的に一定に保持すべき動作パラメータならびに任意のランプ・パラメータを電源１５６に伝達することが好ましい。コントローラ１０２は、さらに、電源をモニタすることにより、同じく動作パラメータのグループから選択される少なくとも１つの他の動作パラメータの時間に対する少なくとも１つの依存関係を測定している。コントローラ１０２は、さらに、層の堆積時間を決定するためのプログラムを備えている。
【００２５】
コントローラ１０２は、情報をコントローラ１０２に伝達するように構成されたインタフェース１０１に接続されている。インタフェース１０１は、コントローラ１０２延いては電源１５６を制御し、かつ、モニタするためのプログラムを備えた、パーソナル・コンピュータなどのヒューマン−マシン・インタフェース（ＨＭＩ）であることが好ましい。たとえば、インタフェース１０１のプログラムは、パラメータを選択することによって、また、データを提供することによってユーザによるコントローラ１０２のプログラムの修正を許容している。インタフェース１０１のプログラムは、入力データに対する計算を実行することができ、あるいはコントローラ１０２を介して電源１５６から受け取るデータに対する計算を実行することができる。また、インタフェース１０１のプログラムは、ユーザによる直接的なコントローラ１０２の管理を許容し、それによりユーザによる電源１５６のターン・オンおよびターン・オフを許容することが好ましい。
【００２６】
他の実施形態では、制御システム１００は、代替アーキテクチャを有することができる。いくつかの実施例では、コントローラ１０２は、たとえばパーソナル・コンピュータにロードされたコントローラ・プログラムとしてインタフェース１０１と統合することができる。任意の数のインタフェース１０１、コントローラ１０２および測定デバイスを組み合わせて、パラメータを選択する機能、データを提供する機能、電源１５６を制御し、かつ、モニタする機能、および層の堆積時間を決定する機能を実行することができる。
【００２７】
次に、図２を参照して、本発明によって提供される、ターゲット陰極１５１を有するスパッタ堆積システム１５０内で層を堆積させるための方法の第１の実施形態について詳細に説明する。第１の実施形態は、単一の層を堆積させるコンテキストの中で説明されているが、この第１の実施形態は、複数の層の堆積にも適用することができる。第１のステップ２０１で、陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから、第１および第２のパラメータが異なる動作パラメータであるように第１および第２のパラメータが選択される。この選択によれば、層を堆積させている間、時間に対する第１のパラメータの変動が許容され、第２のパラメータが基準値で実質的に一定に保持される。第１および第２のパラメータの選択は、インタフェース１０１を使用して、第１および第２のパラメータをインタフェース１０１のプログラムに入力することによって、あるいはプログラムのメニューから第１および第２のパラメータを選択することによって実行されることが好ましい。
【００２８】
第２のステップ２０２で、第１のパラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。たとえば、第１のパラメータとして陰極電圧Ｖが選択されると、陰極電圧に対する堆積速度の第１の依存関係ｒ（Ｖ）は、
【００２９】
【数５】
0005538683.tif 000006
に従って、基準定数ｋおよび非ゼロ依存指数ｘすなわちｘ≠０を含むベキ関数として表されることが好ましい。依存指数は、−３以上であり、かつ、３以下であること、つまり−３≦ｘ≦３であることが好ましい。
【００３０】
第１のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係は、ターゲット材料および層を堆積させている間の動作条件で決まるため、基準定数および依存指数は、同じターゲット材料を使用した、同様の動作条件下での１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定されることが好ましい。いくつかの実施例では、第１の依存関係は、所定の値の基準定数および依存指数をインタフェース１０１のプログラムに入力することによって提供される。他の実施例では、基準定数および依存指数は、インタフェース１０１のプログラムによって計算される。
【００３１】
第１の依存関係に含まれている基準定数には、基準堆積速度および第１のパラメータの対応する基準値が含まれていることが好ましい。たとえば第１のパラメータが陰極電圧である場合、基準定数ｋは、
【００３２】
【数６】
0005538683.tif 000007
で表される。上式でｒｒは基準堆積速度であり、Ｖｒは陰極電圧の基準値である。式（６）を式（５）に代入すると、陰極電圧に対する堆積速度の第１の依存関係ｒ（Ｖ）は、
【００３３】
【数７】
0005538683.tif 000008
になる。この式は、必要に応じて、
【００３４】
【数８】
0005538683.tif 000009
に従って線形化することができる。
【００３５】
したがって、いくつかの実施例では、第１の依存関係は、所定の値の基準堆積速度、第１のパラメータの基準値および依存指数をインタフェース１０１のプログラムに入力することによって提供される。他の実施例では、基準堆積速度、第１のパラメータの基準値および依存指数は、入力データまたはコントローラ１０２を介して電源１５６から受け取るデータに基づいて、インタフェース１０１のプログラムによって計算される。
【００３６】
基準堆積速度および第１のパラメータの基準値は、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定されることが好ましい。たとえば、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定している間に、また、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持している間に、ある材料の層の１回または複数回にわたる堆積を実行することができる。ある層の１回のこのような堆積が実行されると、式（４）の再配列を使用して、
【００３７】
【数９】
0005538683.tif 000010
に基づいて、測定された堆積厚さｄｍおよび測定された堆積時間ｔｍから計算されるその層の平均堆積速度ｒａが、第２のパラメータのその基準値におけるその材料の層の将来の堆積に対する基準堆積速度ｒｒとして使用される。その層の平均堆積速度が、層の次の堆積の基準堆積速度として使用されることが好ましい。
【００３８】
同じターゲット材料を使用して、同様の動作条件下で、層の複数回にわたるこのような堆積が実行されると、式（９）に従って層毎に平均堆積速度が計算される。複数の層の平均堆積速度の平均を計算し、基準堆積速度として使用することができる。このような計算を実施する場合、複数の層の複数の平均堆積速度を重要性に応じて重み付けすることができる。別法としては、複数の層の複数の平均堆積速度の時間に対する回帰分析を使用して、層の次の堆積に対する基準堆積速度を決定することも可能である。
【００３９】
堆積する１つまたは複数の層が、光アプリケーションのための薄膜デバイスの中に含まれる場合、その１つまたは複数の層の測定堆積厚さは、その薄膜デバイスのスペクトル性能を測定することによって決定することができる。次に、異なる堆積厚さに対して計算された理論スペクトル性能が、その薄膜デバイスの測定スペクトル性能に突き合わせされる。いくつかの実施例では、複数の層の測定堆積厚さの決定は、それらの層が共通の平均堆積速度を有するように強制することができる。
【００４０】
同様に、第１のパラメータの基準値は、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定される。たとえば、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定している間に、また、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持している間に、ある材料の層の１回または複数回にわたる堆積を実行することができる。ある層の１回のこのような堆積が実行されると、第１のパラメータの平均値が第１のパラメータの基準値として使用される。たとえば、第１のパラメータが陰極電圧である場合、陰極電圧の平均値Ｖａが、第２のパラメータのその基準値におけるその材料の層の将来の堆積に対する陰極電圧の基準値Ｖｒとして使用される。つまり、
【００４１】
【数１０】
0005538683.tif 000011
である。陰極電圧の平均値が、層の次の堆積に対する陰極電圧の基準値として使用されることが好ましい。
【００４２】
同じターゲット材料を使用して、同様の動作条件下で、層の複数回にわたるこのような堆積が実行されると、陰極電圧の平均値が層の堆積毎に測定される。陰極電圧の複数の平均値の平均を計算し、陰極電圧の基準値として使用することができる。このような計算を実施する場合、陰極電圧の複数の平均値を重要性に応じて重み付けすることができる。別法としては、陰極電圧の複数の平均値の時間に対する回帰分析を使用して、層の次の堆積に対する陰極電圧の基準値を決定することも可能である。ＳｉＯ２の層を反応性スパッタ堆積させる場合、陰極電圧、陰極電流および陰極電力の典型的な基準値は、それぞれ４５０Ｖ、１１Ａおよび５ｋＷである。
【００４３】
また、依存指数は、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定されることが好ましい。たとえば、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定している間に、また、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持している間に、ある材料の層の１回または複数回にわたる堆積を実行することができる。個々の層の測定堆積厚さと、異なる依存指数に対して計算された予測堆積厚さが比較される。たとえば、第１のパラメータが陰極電圧である場合、層毎の予測堆積厚さｄｐが、陰極電圧の平均値Ｖａ、測定堆積時間ｔｍ、基準堆積速度ｒｒおよび異なる依存指数に対する陰極電圧の基準値Ｖｒから、
【００４４】
【数１１】
0005538683.tif 000012
に従って計算される。層の予測堆積厚さと測定堆積厚さが最も良好に一致する依存指数が選択される。ＳｉＯ２の層を反応性スパッタ堆積させる場合、第１のパラメータが陰極電圧で、第２のパラメータが陰極電力である場合、依存指数は実質的に１に等しく、つまり陰極電圧に対する堆積速度の第１の依存関係は線形である。
【００４５】
上で言及したように、堆積する１つまたは複数の層が、光アプリケーションのための薄膜デバイスの中に含まれる場合、その１つまたは複数の層の測定堆積厚さは、その薄膜デバイスのスペクトル性能を測定し、かつ、異なる堆積厚さに対して計算された理論スペクトル性能と測定スペクトル性能とを突き合わせることによって決定することができる。
【００４６】
いくつかの実施例では、スパッタ堆積システムの動作条件の変動のため、ある一定の時間期間が経過すると、層の堆積速度を基準堆積速度近辺に維持するために第１および第２のパラメータの基準値を調整しなければならないことがある。基準堆積速度と１回または複数回にわたる先行する堆積における層の堆積速度との間の差に基づいて、１回または複数回にわたる先行する層の堆積の第１および第２のパラメータの基準値が更新されることが好ましい。
【００４７】
たとえば、第１のパラメータが陰極電圧であり、第２のパラメータが陰極電力である場合、上で説明したように計算される層の基準堆積速度ｒｒと平均堆積速度ｒａの間の堆積速度の差Δｒは、
【００４８】
【数１２】
0005538683.tif 000013
である。
【００４９】
基準堆積速度に等しい平均堆積速度を達成するためには、
【００５０】
【数１３】
0005538683.tif 000014
に従って、堆積速度の差Δｒから計算される電力修正項ΔＰによって陰極電力の基準値を調整しなければならない。上式でｋｐは、実験によって決定される電力基準定数である。電力基準定数は、基準値が異なる陰極電力で複数回にわたる層の堆積を実行し、平均堆積速度を測定することによって決定されることが好ましい。電力基準定数は、これらのデータに対する直線当てはめの勾配である。陰極電力の基準値Ｐｒ１に電力修正項を適用することにより、
【００５１】
【数１４】
0005538683.tif 000015
に従って、陰極電力の更新基準値Ｐｒ２が与えられる。
【００５２】
対応する電圧修正項ΔＶは、
【００５３】
【数１５】
0005538683.tif 000016
に従って、電力修正項ΔＰから計算される。上式でｋｖは、実験によって決定される電圧基準定数である。電圧基準定数は、基準値が異なる陰極電力で複数回にわたる堆積を実行し、陰極電圧の平均値を測定することによって決定されることが好ましい。電圧基準定数は、これらのデータに対する直線当てはめの勾配である。層を堆積させている間に測定される陰極電圧の平均値Ｖａに電圧修正項を適用することにより、
【００５４】
【数１６】
0005538683.tif 000017
に従って、陰極電圧の更新基準値Ｖｒが与えられる。
【００５５】
基準堆積速度の更新および第１および第２のパラメータの基準値の更新は、入力データまたはコントローラ１０２を介して電源１５６から受け取るデータに基づいて、インタフェース１０１のプログラムによって実行されることが好ましい。基準堆積速度の更新および第１および第２のパラメータの基準値の更新は、定期的に実施されることが好ましい。基準堆積速度の更新および第１および第２のパラメータの基準値の更新は、上で説明したように、層の平均堆積速度がその層の測定堆積厚さおよび測定堆積時間から決定されると、いつでも実施することができる。層毎に平均堆積速度が決定され、また、層の堆積が実行されると、その都度、基準堆積速度が更新され、かつ、第１および第２のパラメータの基準値が更新されることが最も好ましい。
【００５６】
第１および第２のパラメータが選択され、かつ、第１のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係が提供されると、インタフェース１０１のプログラムは、この情報をコントローラ１０２に伝達する。第３のステップ２０３で層の堆積が開始される。コマンドをコントローラ１０２に引き渡すインタフェース１０１を介してユーザが層の堆積を開始することが好ましい。コントローラ１０２は、次に、電源１５６を制御して層の堆積を開始させる。電源は、第２のパラメータの基準値に単純にターン・オンさせることも、あるいは第２のパラメータの基準値がランプするようにプログラムすることもできる。いくつかの実施例では、電源は、基板がシャッタで遮蔽されている間に第２のパラメータの基準値にターン・オンさせることができる。電源がターン・オンすると、シャッタが開いて層の堆積が開始される。上で言及したように、関連する式に定数オフセット項を含めることにより、第２のパラメータの基準値に到達するまでの短い遅延を考慮することができる。
【００５７】
層が堆積している間、コントローラ１０２は、第４のステップ２０４で、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持するように電源１５６を制御し、また、第５のステップ２０５で、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を測定するために電源１５６をモニタする。第６のステップ２０６で、第１のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係および時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係に基づいて、コントローラ１０２のプログラムによって層の堆積時間が決定される。
【００５８】
第１のパラメータは、層が堆積している間、時間に対する変動が許容されるため、層の堆積速度も時間に対して変動する。時間に対する堆積速度の依存関係には、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係が含まれている。たとえば、第１のパラメータが陰極電圧である場合、時間に対する堆積速度の依存関係ｒ（ｔ）は、
【００５９】
【数１７】
0005538683.tif 000018
に従って、時間に対する陰極電圧の第２の依存関係Ｖ（ｔ）を式（７）に含めることによって引き出される。式（１）を考慮すると、時間に対する堆積厚さの依存関係ｄ（Ｔ）は、
【００６０】
【数１８】
0005538683.tif 000019
である。基準堆積厚さｄｒまで層を堆積させるためには、
【００６１】
【数１９】
0005538683.tif 000020
に従って、堆積時間ｔｄで層の堆積を停止しなければならない。
【００６２】
基準堆積時間ｔｒを含む、層の堆積を停止させるための条件は、式（４）を式（１９）に代入し、かつ、
【００６３】
【数２０】
0005538683.tif 000021
に再配列することによって引き出されることが好ましい。いくつかの実施例では、基準堆積時間は、式（４）に従って、基準堆積速度および基準堆積厚さから計算される。このような実施例では、基準堆積厚さは、基準堆積時間を計算するインタフェース１０１のプログラムに所定の値を入力することによって提供されることが好ましい。他の実施例では、第１のパラメータの基準値に対応する基準堆積時間は、インタフェース１０１のプログラムに所定の値を入力することによって提供されることが好ましい。
【００６４】
したがって、第１のパラメータが陰極電圧である場合、式（２０）の条件に合致すると、層が基準堆積厚さを有する堆積時間に到達する。図３に示す、第１の実施形態に基づく仮想の層堆積に対するＶ（ｔ）ｘ対時間のプロットは、この条件を示したものである。コントローラ１０２のプログラムは、
【００６５】
【数２１】
0005538683.tif 000022
に従って、対応する合計を実行することによって式（２０）の積分を計算する。上式で、堆積時間間隔Δｔは、コントローラ１０２の走査速度によって制限され、１０〜４０ｍｓ程度である。この制限を考慮すると、層の堆積を停止させるための好ましい条件は、
【００６６】
【数２２】
0005538683.tif 000023
になる。
【００６７】
コントローラ１０２の走査速度が極めて遅い場合、式（２２）は、統計的性能を改善するために、
【００６８】
【数２３】
0005538683.tif 000024
に従って、走査ｔｓ毎に時間の半分を基準堆積時間ｔｒから控除することによって調整することができる。別法としては、上で説明したように、定数オフセット項を関連する式に含めることにより、より遅い走査速度を考慮することも可能である。
【００６９】
この実施例によって立証されているように、層が基準堆積厚さに等しいか、あるいはそれより分厚い堆積厚さを有する堆積時間は、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を含む時間に対する積分を計算することによって決定される。いくつかの実施例では、堆積時間は、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係を含む時間に対する合計を計算することによって決定される。
【００７０】
堆積時間の決定には、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係と第１のパラメータの基準値との比較、および比較の結果に応じた基準堆積時間からの堆積時間の調整が含まれていることが好ましい。層の堆積時間は、依存指数のベキに対する第２の依存関係の時間に対する積分を計算し、かつ、計算した積分と、基準堆積時間および依存指数のベキに対する第１のパラメータの基準値の積とを比較することによって決定されることが最も好ましい。当然、上で示した式を再配列し、かつ、結合することにより、層の堆積を停止させるための他の多くの等価条件を引き出すことができる。
【００７１】
積分の計算および計算した積分と積との比較は、コントローラ１０２のプログラムによって実行されることが好ましい。積分の値が積に等しいか、あるいは積より大きい場合、コントローラ１０２は、第７のステップ２０７で、層の堆積を停止するように電源１５６を制御する。
【００７２】
次に、図４を参照して、本発明によって提供される、ターゲット陰極１５１を有するスパッタ堆積システム１５０内で層を基準堆積厚さまで堆積させるための方法の第２の実施形態について簡単に説明する。第２の実施形態は、単一の層を堆積させるコンテキストの中で説明されているが、この第２の実施形態は、複数の層の堆積にも適用することができる。第１のステップ４０１で、陰極電圧、陰極電流および陰極電力からなる動作パラメータのグループから、第１、第２および第３のパラメータが異なる動作パラメータであるように、第１、第２および第３のパラメータが選択される。この選択によれば、層を堆積させている間、時間に対する第１および第３のパラメータの変動が許容され、第２のパラメータが基準値で実質的に一定に保持される。上で説明したように、第１、第２および第３のパラメータの選択は、インタフェース１０１を使用して実行されることが好ましい。
【００７３】
第２の実施形態は、コントローラ１０２が電源１５６を理想的に制御することができず、したがって第２のパラメータを基準値で完全に一定に保持することができない場合に有利であり、たとえば、プラズマの陰極インピーダンスが急激に変化する場合、アークが発生する場合、あるいは電源１５６によって陰極インピーダンスを整合させることができない場合に有利である。このような実施例の場合、電源１５６が理想的に制御されることを仮定するために、第１および第３のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係が考慮されることが好ましい。
【００７４】
第２のステップ４０２で、第１および第３のパラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。たとえば、第１および第３のパラメータとしてそれぞれ陰極電圧Ｖおよび陰極電流Ｉが選択されると、陰極電圧および陰極電流に対する堆積速度の第１の依存関係ｒ（Ｖ，Ｉ）は、
【００７５】
【数２４】
0005538683.tif 000025
に従って、基準定数ｋ、第１の非ゼロ依存指数ｘすなわちｘ≠０および第２の非ゼロ依存指数ｙすなわちｙ≠０を含むベキ関数として表されることが好ましい。第１および第２の依存指数は、それぞれ−３以上であり、かつ、３以下であること、つまり−３≦ｘ≦３および−３≦ｙ≦３であることが好ましい。
【００７６】
上で説明したように、基準定数ならびに第１および第２の依存指数は、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定されることが好ましい。いくつかの実施例では、第１の依存関係は、所定の値の基準定数ならびに第１および第２の依存指数をインタフェース１０１のプログラムに入力することによって提供される。他の実施例では、基準定数ならびに第１および第２の依存指数は、インタフェース１０１のプログラムによって計算される。
【００７７】
第１の依存関係に含まれている基準定数には、基準堆積速度ならびに第１および第３のパラメータの対応する基準値が含まれていることが好ましい。たとえば第１のパラメータが陰極電圧であり、第３のパラメータが陰極電流である場合、基準定数ｋは、
【００７８】
【数２５】
0005538683.tif 000026
で表される。上式でｒｒは基準堆積速度であり、Ｖｒは陰極電圧の基準値、Ｉｒは陰極電流の基準値である。式（２５）を式（２４）に代入すると、陰極電圧および陰極電流に対する堆積速度の第１の依存関係ｒ（Ｖ，Ｉ）は、
【００７９】
【数２６】
0005538683.tif 000027
になる。
【００８０】
上で説明したように、基準堆積速度ならびに第１および第３のパラメータの基準値は、１回または複数回にわたる先行する層の堆積から決定されることが好ましい。いくつかの実施例では、第１の依存関係は、所定の値の基準堆積速度、第１および第３のパラメータの基準値ならびに第１および第２の依存指数をインタフェース１０１のプログラムに入力することによって提供される。他の実施例では、基準堆積速度、第１および第３のパラメータの基準値ならびに第１および第２の依存指数は、インタフェース１０１のプログラムによって計算される。第１、第２および第３のパラメータの基準値は、上で説明したように、インタフェース１０１のプログラムによって更新されることが好ましい。
【００８１】
第１、第２および第３のパラメータが選択され、かつ、第１および第３のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係が提供されると、インタフェース１０１のプログラムは、この情報をコントローラ１０２に伝達する。第３のステップ４０３で層の堆積が開始される。コマンドをコントローラ１０２に引き渡すインタフェース１０１を介してユーザが層の堆積を開始することが好ましい。コントローラ１０２は、次に、上で説明したように、電源１５６を制御して層の堆積を開始させる。
【００８２】
層が堆積している間、コントローラ１０２は、第４のステップ４０４で、第２のパラメータを基準値で実質的に一定に保持するように電源１５６を制御し、また、第５のステップ４０５で、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係を測定するために電源１５６をモニタする。第６のステップ４０６で、第１および第３のパラメータに対する堆積速度の第１の依存関係、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係に基づいて、コントローラ１０２のプログラムによって層の堆積時間が決定される。
【００８３】
第１および第３のパラメータは、層が堆積している間、時間に対する変動が許容されるため、層の堆積速度も時間に対して変動する。時間に対する堆積速度の依存関係には、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係が含まれている。たとえば、第１および第３のパラメータが、それぞれ陰極電圧および陰極電流である場合、時間に対する堆積速度の依存関係ｒ（ｔ）は、
【００８４】
【数２７】
0005538683.tif 000028
に従って、時間に対する陰極電圧の第２の依存関係Ｖ（ｔ）および時間に対する陰極電流の第３の依存関係Ｉ（ｔ）を式（２６）に含めることによって引き出される。式（１）を考慮すると、時間に対する堆積厚さの依存関係ｄ（Ｔ）は、
【００８５】
【数２８】
0005538683.tif 000029
である。基準堆積厚さｄｒまで層を堆積させるためには、
【００８６】
【数２９】
0005538683.tif 000030
に従って、堆積時間ｔｄで層の堆積を停止しなければならない。
【００８７】
基準堆積時間ｔｒを含む、層の堆積を停止させるための条件は、式（４）を式（２９）に代入し、かつ、
【００８８】
【数３０】
0005538683.tif 000031
に再配列することによって引き出されることが好ましい。上で説明したように、基準堆積厚さは、インタフェース１０１のプログラムを介して提供することができることが好ましく、また、基準堆積時間は、式（４）に従って、好ましくはインタフェース１０１のプログラムによって、基準堆積速度および基準堆積厚さから計算することができる。別法としては、好ましくはインタフェース１０１のプログラムを介して、第１および第３のパラメータの基準値に対応する基準堆積時間を提供することも可能である。
【００８９】
したがって、第１のパラメータが陰極電圧であり、第３のパラメータが陰極電流である場合、式（２９）の条件に合致すると、層が基準堆積厚さを有する堆積時間に到達する。コントローラ１０２のプログラムは、
【００９０】
【数３１】
0005538683.tif 000032
に従って、対応する合計を実行することによって式（２９）の積分を計算する。上で説明したように、コントローラ１０２の走査速度の制限を考慮すると、層の堆積を停止させるための好ましい条件は、
【００９１】
【数３２】
0005538683.tif 000033
になる。
【００９２】
この実施例によって立証されているように、層が基準堆積厚さに等しいか、あるいはそれより分厚い堆積厚さを有する堆積時間は、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係を含む時間に対する積分を計算することによって決定される。いくつかの実施例では、堆積時間は、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係を含む時間に対する合計を計算することによって決定される。
【００９３】
堆積時間の決定には、時間に対する第１のパラメータの第２の依存関係と第１のパラメータの基準値との比較、および時間に対する第３のパラメータの第３の依存関係と第３のパラメータの基準値との比較、ならびに比較の結果に応じた基準堆積時間からの堆積時間の調整が含まれていることが好ましい。層の堆積時間は、第１の依存指数のベキに対する第２の依存関係の時間および第２の依存指数のベキに対する第３の依存関係の時間に対する積分を計算し、かつ、計算した積分と、基準堆積時間、第１の依存指数のベキに対する第１のパラメータの基準値、および第２の依存指数のベキに対する第３のパラメータの基準値の積とを比較することによって決定されることが最も好ましい。当然、上で示した式を再配列し、かつ、結合することにより、層の堆積を停止させるための他の多くの等価条件を引き出すことができる。
【００９４】
積分の計算および計算した積分と積との比較は、コントローラ１０２のプログラムによって実行されることが好ましい。積分の値が積に等しいか、あるいは積より大きい場合、コントローラ１０２は、第７のステップ４０７で、層の堆積を停止するように電源１５６を制御する。
【００９５】
当然、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、他の多くの実施形態を想定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための制御システムを示す略図である。
【図２】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法の第１の実施形態の流れ図である。
【図３】図２に示す第１の実施形態に基づく仮想の層堆積に対するＶ（ｔ）ｘ対時間を示すグラフである。
【図４】ターゲット陰極を有するスパッタ堆積システム内で層を堆積させるための方法の第２の実施形態の流れ図である。
【符号の説明】
【００９７】
１００  制御システム
１０１  インタフェース
１０２  コントローラ
１５０  スパッタ堆積システム
１５１  ターゲット陰極
１５２  陽極
１５３  基板
１５４  プラズマ
１５５  真空チャンバ
１５６  電源
【図１】
0005538683.tif 000049
【図２】
0005538683.tif 000050
【図３】
0005538683.tif 000051
【図４】
0005538683.tif 000052