(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を収容する現像容器と、
該現像容器に設けられ、像担持体に対向する領域に前記現像剤を担持搬送する現像剤担持体と、
入力された波形に基づいて生成した交流成分を含むバイアスを、前記現像剤担持体に印加するバイアス印加部と、
矩形部を備えた基準波形を出力する基準波形出力部と、
前記バイアス印加部が、入力された前記基準波形に基づいて生成したバイアスを前記現像剤担持体に印加した際に、前記現像剤担持体に生じる第１出力波形バイアスを検知する電位検知部と、
前記基準波形を入力した際に、該電位検知部にて検知される検知波形と、前記基準波形との差分に基づいて得られる波形情報を前記基準波形に加算した情報に基づいて、現像バイアス波形を制御するモードを実行可能なコントローラと、を有することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
前記モードは、非現像動作時における前記電位検知部の検知結果に基づいて行われることを特徴とする請求項１に記載の現像装置。
【請求項３】
前記モードは、現像動作時における前記電位検知部の検知結果に基づいて行われることを特徴とする請求項１に記載の現像装置
【請求項４】
前記モードは、所定の画像形成枚数毎に行われることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの項に記載の現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真方式を用いた複写機、レーザービームプリンタ、ファクシミリなどの画像形成装置において、感光ドラムなどの像担持体上に形成した静電像を可視化する現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真プロセス方式を利用した画像形成装置においては、感光ドラムなどの像担持体の上に形成した静電像を、現像剤を備えた現像装置によりトナー像として可視化する。
【０００３】
現像装置としては、現像剤を担持搬送する現像スリーブを感光ドラムに対して所定の間隙（Ｓ−Ｄ（Ｓｌｅｅｖｅ−Ｄｒｕｍ）ギャップ）を有して配置し、この現像スリーブに現像バイアスを印加することで現像動作が行われる。現像バイアスとしては、直流電圧に交流電圧を重畳したバイアスが用いられる。そして、現像スリーブの両端部に設けた当接部材（当接コロ）を感光ドラムに当接することで、前記所定の間隙を保持することができる。
【０００４】
このような構成においては、長期の使用より当接コロにトナーが付着したり、磨耗により磨り減るなどして、Ｓ−Ｄギャップが所定の距離を保証できなくなることがある。
【０００５】
ここで、現像バイアス波形の一例を図４に示している。図４の波形は、トナーを現像スリーブから感光ドラムへ向かう方向に付勢する電界を形成する第１のピーク値Ｖｍａｘが印加される時間Ｔ１を持っている。そして、反対にトナーを感光ドラムから現像スリーブに向かう方向に付勢する電界を形成する第２のピーク値Ｖｍｉｎが印加される時間Ｔ２を持っている。このような波形を有するバイアスは、デューティバイアスと呼ばれている。このような現像バイアスは、事前に決められた基本波形を増幅回路で増幅することで生成することができる。そして、高画質な可視像を現像するためには、立ち上がりの素早い、矩形部分を備えた波形がすぐれている。
【０００６】
ところで、Ｓ−Ｄギャップに現像バイアスを印加した際には、Ｓ−Ｄギャップ間の静電容量に対する過渡応答のため、スリーブにおいて生じる電位変化に伴う波形の形状は、入力波形に対して変化する。
【０００７】
図３に、一般的なＲＣ回路とその過渡特性を示す。スイッチＳを閉じると、コンデンサ両端に電荷の充電が開始される。一定電圧を印加した場合にはコンデンサ両端電圧の立ち上がり時間は回路中の抵抗Ｒとコンデンサ容量Ｃの値に応じて決まる。また、電源電圧Ｖ０が大きい場合には電荷の充電も進み、素早く立ち上がる。画像形成装置における静電容量は、Ｓ−Ｄギャップ間の距離や、現像剤の材料的状態、磁気穂の形状等により決まる。例えば、Ｓ−Ｄギャップが小さい時には静電容量が大きく、電荷を蓄積する時間がかかるために、立ち上がり時の波形がなまる（図４破線）。この時は、現像性が低下し画像濃度の低下がおこる。
【０００８】
現像性の低下について、更に詳しく説明する。図７に現像バイアスを印加した時の磁気穂とトナー飛翔の模式図を示す。磁気穂の先端部分は感光ドラムとの距離が近く、電界が集中しやすい。またトナー同士は同極性の電荷を持ち斥力が常に働いている。このことから、トナーの飛翔は磁気穂先端に近い領域から、順次に起きる。現像バイアスの立ち上がりがなまった場合には、磁気穂の先端部分の電界の立ち上がりも遅くなる。したがって、トナーの飛翔は全体的に遅れて開始することになる。交流バイアスにおいて片方の電界がかかる時間は有限であるため、トナーの飛翔が遅れて開始するということは、飛翔するトナー量は全体的に低下し、結果、現像性（濃度）の低下につながる。
【０００９】
一方、Ｓ−Ｄギャップが大きい時には静電容量が小さく、瞬時に立ち上がる代わりにオーバーシュートが発生し、所定のＶｍａｘを瞬間的に超える場合がある。図５はオーバーシュートの様子を表した図である。実線が基本波形であり、破線が静電容量が小さい時のオーバーシュートする波形を表している。このオーバーシュートが続くと、導電性の異物が現像剤に混入した際に、Ｓ−Ｄギャップでの異常放電を誘発する確率が大きくなる。ドラム表面近傍が起こると、その部位のドラム表面電位ポテンシャルが低下するため、リング状の不良画像（リングマーク）が発生する。
【００１０】
従って、所望の波形を有した現像バイアスを印加する事は、安定した現像性能を得るためには重要であると言える。
【００１１】
そこで、初期状態では、所定の設定を行うことで、図５の実線のような立ち上がりのはっきりした波形を保つことができる。現像器個々の初期のばらつきによる波形の変形を調整する方法としては、現像器に直列に波形整形用抵抗を接続する（例えば、特許文献１）等の方法が提案されている。
【特許文献１】特開２０００−２１４６６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、Ｓ−Ｄギャップ間の距離や現像剤の材料的状態、磁気穂の形状等の変化に起因するＳ−Ｄ間の静電容量Ｃの変化は、時間の経過への依存度が高い現象である。よって、前述の特許文献１のように、本体電源側や現像器側各々で調節して所定の値になるようにしていても、長期間の装置の使用に伴って静電容量が変化しておくため、波形が異なってしまい、画像に大きな影響を与えていた。
【００１３】
そこで本発明の目的とするところは、長期間に渡り安定した現像性能を得られる現像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的は、以下の現像装置によって達成できる。
【００１５】
現像剤を収容する現像容器と、
該現像容器に設けられ、像担持体に対向する領域に前記現像剤を担持搬送する現像剤担持体と、
入力された波形に基づいて生成した交流成分を含むバイアスを、前記現像剤担持体に印加するバイアス印加部と、
矩形部を備えた基準波形を出力する基準波形出力部と、
前記バイアス印加部が、入力された前記基準波形に基づいて生成したバイアスを前記現像剤担持体に印加した際に、前記現像剤担持体に生じる第１出力波形バイアスを検知する電位検知部と、
前記基準波形を入力した際に、該電位検知部にて検知される検知波形と、前記基準波形との差分に基づいて得られる波形情報を前記基準波形に加算した情報に基づいて、現像バイアス波形を制御するモードを実行可能なコントローラと、を有することを特徴とする現像装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、長期間に渡り安定した現像性能を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る画像形成装置を、図面に則して更に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その配置関係などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１８】
（実施例１）
図１に示す静電像形成部は、例えば有機半導体からなる感光層を塗布された感光ドラム（像担持体）１１を備えている。この感光ドラム１１は、図中矢印方向に所定の速度で回転し、その周囲に配置された１次帯電器（帯電装置）１２により負電位に一様に帯電され、潜像形成の前準備としている。負電位として、例えば−６５０Ｖ前後に設定される。一次帯電器１２には、直流バイアスの他に交流バイアスも一緒に重畳された帯電バイアスが、電源１３によって印加されている。
【００１９】
この静電潜像過程を図２に模式的に示している。図中のステップ１が一次帯電区間を示している。
【００２０】
ここで再び図１に戻って次の工程を説明する。
【００２１】
感光ドラム１１には、半導体レーザーやＬＥＤなどの発光素子を含む光ビーム出射部（露光装置）１４により照射されミラー１５により反射された光ビーム１６により、画像情報に基づいた露光が行われる。そして、露光した部分の電位が−１００Ｖ程度に変化して、感光ドラム１１上に静電像が形成される。露光した部分の表面電位をＶｌとする。
【００２２】
図２のステップ２が露光区間を示している。露光されなかった感光ドラム１１の表面の暗部は、一次帯電で供給された負電荷がそのまま残る。露光された感光ドラム１１の表面の明部は、負電荷が除去される。このような負電荷分布による感光ドラム１１の表面上の画像は、一般に静電像と呼ばれている。
【００２３】
再び図１に戻って次の工程を説明する。感光ドラム１１の表面に形成された静電像は、感光ドラム１に隣接して配置された現像装置により、現像剤を付着することにより現像される。
【００２４】
この現像工程について、次に詳細に説明する。
【００２５】
非磁性トナーと磁性キャリアからなる現像剤を収容する現像容器２０内に、現像スリーブ（現像剤担持体）２１、マグネットローラ２２、ドクターブレード２３、スクリュー２４、トナーカートリッジ２５が設けられている。トナーカートリッジ２５から補給された非磁性トナーは、スクリュー２４によって攪拌され、現像スリーブ２１の近傍まで搬送される。現像スリーブ２１は、感光ドラム１１と対向した開口部内に矢印方向に回転自在に配置される。現像スリーブ２１に内蔵されたマグネットローラ２２による磁力により、現像剤は現像スリーブ２１に引きつけられ、付着する。
【００２６】
ドクターブレード２３は、矢印方向に回転する現像スリーブ２１に付着してくる現像容器２０内の現像剤の層厚を規制する。層厚が規制された現像剤はマグネットローラ２２による磁力により、キャリア同士が磁気穂を形成していることが分かる。ドクターブレード２３に規制されることにより、現像スリーブ２１上に長さの揃った磁気穂が配置される。現像スリーブ２１は磁気穂を担持したまま、感光ドラム１１に対向する領域に担持搬送する。
【００２７】
以上ような工程により撹拌されて現像スリーブ２１上に担持された現像剤中の非磁性トナーは、−６．０μＣ／ｇ〜−３０．０μＣ／ｇの帯電電荷が付与される。感光ドラム１１と現像スリーブ２１とは、現像部において、５０μｍから５００μｍの間隔、通常は３００μｍ程度離した間隙（以後Ｓ−Ｄギャップと呼ぶ）を設けて配置されている。感光ドラムとスリーブは、例えばスリーブの両端部に設けられた当接部材を感光ドラムに突き当てることで、Ｓ−Ｄギャップを所定の距離にすることができる。
【００２８】
図８に、本発明による現像バイアス発生回路の一例を示す。基準波形出力部１は、矩形部を有する基準波形をメモリ内に記憶しており、この基準波形は変更されない。一方、現像動作波形出力部２は、コントローラ（ＣＰＵ）３で新たに生成された波形を一時的に記憶し、コントローラ３からの指示により電圧波形として出力する。バイアス印加部５は、基準波形出力部１または現像動作波形出力部２から出力された波形が入力される。そして、バイアス印加部５は、入力された波形に基づいて生成したバイアスを、現像スリーブ２３に印加する。バイアス印加部５において、入力された波形を増幅する等して生成されたバイアスは、交流成分を含むバイアスとなっている。スイッチＳは、基準波形出力部１からの出力または現像動作波形出力部２からの出力のいずれかを選択するように切換えて、バイアス印加部５に入力するものである。コントローラ３では、ディジタル波形の演算の他、波形データの転送制御、各記憶部からの波形出力制御、スイッチＳの制御等を担うこともある。電位検知部６は、スリーブにおいて生じる電位変化を検知し、内蔵するＡ／Ｄコンバータを経て、コントローラ３に転送する。電位検知部６としては、例えば、スリーブ２３の表面電位を検知する表面電位検知装置を用いることができる。あるいは、バイアス印加部５からの出力電圧を直接検知する電圧検知装置を用いても良い。
【００２９】
この現像バイアス発生回路の動作を、図９に示すフローチャート、および図１０に示すタイミングチャートを元に説明する。Ｆ１に示すジョブスタートと共に、現像スリーブおよび感光ドラムの回転が開始する。Ｆ２ではスイッチＳはＡの位置に置かれる。Ｆ３で、ほぼ同時であるが、基準波形出力部１からバイアス印加部５を経たバイアスが出力される。Ｆ４では電位検知部６では、スリーブにおける電位波形計測が開始する。電位検知部６にて計測された波形はＡ／Ｄ変換され、ディジタルデータとしてコントローラ３に転送される。計測された波形と基準波形出力部１で用いられる基準波形とから、新たな波形が生成される（Ｆ５：波形生成）。生成された新しい波形は現像動作波形出力部２にて一旦記憶される。ここまでの一連の動作をバイアス調整動作と呼ぶ。ここまでの間は、実際に紙上で画像とならない、非紙上領域（非画像形成動作中の領域）での動作となる。
【００３０】
ここで、上記バイアス調整動作を、図１１に示す回路構成例と共に説明しておく。本実施の形態では、電位検知部で計測した波形から、基準波形を差引き、次にその値を所定の係数（−ｋ倍（０．１＜ｋ＜０．８程度））する。図１２の実線は、差引き後の結果に、係数（ｋ＝０．５）を乗じた波形を表している。
【００３１】
次に、上記差引き後の結果に係数ｋを乗じた波形波形に対して、基準波形を加算する。これが現像動作波形出力部に記憶される。図１３には、現像動作波形出力部に記憶される波形の一例を示す。図１３は、図１２破線（電位検知部の検知結果）の結果に対して新たに生成した波形であり、立ち上がりが遅い波形に対しては、立ち上がりで高い電圧をもつ波形が生成される。立ち上がりで高い電圧を印加しておくことで、Ｓ−Ｄ間静電容量を早く充電し、所定のスリーブ上の電圧を得る事ができる。この現像動作波形によって、静電像の現像動作を行なう。
【００３２】
ところで、実際に電位検知部で計測した波形と、記憶された波形を演算するには、演算時では波形それぞれの位相が揃っている必要がある。位相を揃える手段としては、例えば、基準波形出力部１から発生する波形１周期ごとに、時間情報をもたせる方法が考えられる。例えば、図４の基本波形において、１波形の前後で前タイミング（ｔ１）と後タイミング（ｔ１）を指定しておく。そして、基本波形に基づいたバイアス印加部５からの出力を電位検知部６が検知した際、前記前タイミング（ｔ１）と後タイミング（ｔ１）の情報も合わせて検知結果を取得する。これにより、基本波形と検知結果の波形とを比較して演算する場合、両波形が有する前タイミング（ｔ１）と後タイミング（ｔ１）の情報をもとに、両データの位相合わせを行えば良い。
【００３３】
現像動作波形出力部に記憶される波形は、いくつかの数の波形を繰り返し計測し演算して平均をとった波形であってもよい。図１４に概略図を示す。計測された波形は電気的ノイズや突発的な外乱によって、時々刻々と変動する。変動による誤差を最小限にするために、波形の平均をとるのが望ましい。計測された波形は、同時に記録された時刻のため、位相が揃った状態である。図１４では波形２つ分ごとに、Ｗｎ（ｎ＝１，２，…，ｎ）というラベルをつけている。波形の平均は、Ｗ１からＷｎの各位相における波形の平均をとることで算出することができる。
【００３４】
ここで図９および図１０において、画像形成領域の現像時の動作について説明する。Ｆ７からは画像形成領域の現像であり、スイッチＳはＢの位置とし、現像動作波形出力部２とバイアス印加部５を接続する。次にＦ８では、先に生成しておいた現像動作波形出力部２の現像動作用の波形を、バイアス印加部５を経てバイアス出力する。この時、波形計測、新たな波形生成、及び現像動作波形出力部の記憶波形の更新等は行わず、先に生成した波形を継続して出力する。Ｆ１２では現像動作を継続するかの判断の後、継続の場合にはＦ８の動作を繰り返す。現像が終了するとＦ１３で終了となる。
【００３５】
バイアス調整動作は、所定の画像形成枚数毎に行われる。そして、図１０のように、現像動作を行っていない非現像動作時に行う。これにより、画像形成装置のその時の状態に合わせた最適な現像バイアス波形を生成することができる。そして、現像スリーブ上バイアス波形を常に基準波形に近づけ、良好な画像を長期にわたって維持することができる。
【００３６】
このバイアス生成回路をもつ複写機を用いて検討を行った。交流電圧の振幅が１．２ｋＶｐｐ、周波数が６ｋＨｚ、直流電圧Ｖｄｃが−３５０Ｖの矩形波を現像バイアスとして用いて耐久試験を行った。バイアス調整動作は１００００枚の通紙ごとに行った。ドラム径φ３０ｍｍ、ドラム周速度は３００ｍｍ／ｓである。
【００３７】
なお、現像性の指標としては、トナーが現像された後の電位Ｖｆから算出した充電効率Ｖｒａｔｅという指標を用いた。以下に、充電効率について説明する。
【００３８】
現像が行なわれる際の、感光体上の電位ポテンシャルの状態を図６に示す。帯電されたドラム上の電位はＶｄであり、露光された部分の電位はＶｌである。そして、トナー層上の表面電位をＶｆとする。トナーの飛翔による静電潜像の可視像化は、現像バイアスのＤＣ成分Ｖｄｃと、トナー層上の表面電位Ｖｆが一致するところまで進むはずである。ところが、実際には様々な要因によりＶｄｃとＶｆが一致しないことがある。このように、本来現像すべき量に対してどの程度の割合で現像が行なわれたかという現像性能の指標が、充電効率Ｖｒａｔｅである。充電効率Ｖｒａｔｅは、トナー層上の表面電位がＶｆ、Ｖｄｃにどれくらい近づいているかを百分率で表す。すなわち、トナー層表面電位Ｖｆ、現像バイアス積分平均値Ｖｄｃ、感光ドラム明部電位Ｖｌを用いて、充電効率Ｖｒａｔｅ＝（Ｖｆ−Ｖｌ）／（Ｖｄｃ−Ｖｌ）×１００と算出される。
【００３９】
充電効率Ｖｒａｔｅを測定した結果を図１５に示す。従来技術と本実施形態の結果を比較すると、耐久初期においては同程度に充電効率が低下した。しかしながら１００００枚通紙した時点でバイアス調整動作を行うと、充電効率が向上することが確認できた。従来技術と比べて、耐久試験全般において高い充電効率を維持した。
【００４０】
２００００枚の通紙時のスリーブ上電位波形を図１６に示す。図１６における上図が現像バイアスの実測波形であり、下図が入力波形である。２００００枚の通紙により、現像剤規制コロや感光ドラムが摩耗することで、Ｓ−Ｄギャップが小さくなっている。このような状態においては、Ｓ−Ｄギャップでの静電容量が大きくなる為、従来の装置においては現像波形が、図１６の実線のように、なまった波形となってしまう。
【００４１】
これに対し、本発明のバイアス調整動作を行い、図１６下図の破線（本実施形態）のような入力波形にすることで、図１６上図のようななまりを抑えた出力波形とすることができる。スリーブ上電位の立ち上がりは、従来技術においては２５μｓかかっていたのに対し、本実施形態ではわずか７μｓで立ち上がっており、素早い立ち上がりを実現していることがわかる。
【００４２】
図１６の下図のように、従来技術では矩形状の立ち上がりを持つ波形を印加しているのに対し、本実施形態で生成された波形は、立ち上がりの電圧が大きく、徐々に一定値に近づいている波形である。初期立ち上がりの電圧を大きくとることでＳ−Ｄ間静電容量の充電を促進し、素早い立ち上がりを実現している。
【００４３】
従来技術および本実施形態における、充電効率はそれぞれ９１．８％、９８．０％である。これより、立ち上がりが早いほど、充電効率が高い。したがって本発明により、立ち上がりを早くすることで現像性が改善されていることがわかる。
【００４４】
なお、図１６の上図には、高圧増幅器のスルーレートを合わせて示す。これは高圧増幅器の立ち上がり早さの限界を示す。本発明では、波形の立ち上がり特性が高圧増幅器の立ち上がり特性を超えることはできないが、高圧増幅器の特性に近いところまでは特性を改善することができる。
【００４５】
以上の説明のとおり、本実施形態では、バイアス調整動作によって、現像スリーブにおけるバイアス波形を基準波形に近づけ、高い現像性を保つことができる。
【００４６】
（実施例２）
第２の実施の形態を、図１８に示すフローチャートおよび図１９に示すタイミングチャートを元に説明する。最初の動作は第１の実施の形態と同様、バイアス調整動作そのものを行う。Ｆ１のジョブスタートと共に、Ｆ２ではスイッチ４がＡの位置に置かれ、基準波形出力部１とバイアス印加部５が接続される。そして現像スリーブ２１および感光ドラムの回転が開始する。Ｆ３では基準波形出力部１からバイアス印加部５を経て現像バイアスが出力される。同時にＦ４の電位検知部６でスリーブにおける電位変化の検知が開始する。そして計測された波形と基準波形から、新たな波形を生成する（Ｆ５）。生成された新しい波形は現像動作波形出力部２に転送、記憶される（Ｆ６）。ここまでの間は、非紙上領域（非画像形成時）での動作となる。
【００４７】
次に本実施の形態の特徴である画像形成時の現像動作について説明する。Ｆ７でスイッチ４をＢに切り替え、そこから現像動作を行う。Ｆ８に示すように、現像動作波形出力部２に格納される波形をバイアス印加部５を経てスリーブに印加し、その時のスリーブ上の電位変化の計測を行う（Ｆ９）。その計測結果から波形を生成し（Ｆ１０）、現像動作波形出力部２の波形が更新される（Ｆ１１）。現像継続の場合にはＦ８に戻り、再び現像動作波形出力部２から波形が出力されるが、この時のバイアスはＦ１１で更新した新しい波形となる。次に再び、スリーブ上の電位波形を計測し（Ｆ９）、波形の生成（Ｆ１０）、現像動作波形出力部２の波形の更新（Ｆ１１）が行われる。時々刻々とバイアス波形の印加と更新（Ｆ８からＦ１２）を繰り返す。
【００４８】
すなわち、現像動作時に波形検知動作を随時実施して波形生成にフィードバックを行なう事で、バイアス波形がリアルタイムで更新されるのが本実施の形態の特徴となる。リアルタイムで波形更新を行うことでスリーブおよびドラムの回転に伴うＳ−Ｄギャップの変動による、バイアス立ち上がりの変動を減少させることができる。
【００４９】
印加波形の更新は複数波長周期ごとでも良い。ただし、スリーブおよびドラムの回転に伴うＳ−Ｄ間ギャップの変動に十分追従できる時間間隔であることが条件となる。また、現像動作波形出力部に記憶される波形は、いくつかの数の波形を繰り返し計測し演算して平均をとった波形であってもよい（図１４）。印加波形の更新タイミングおよび波形の平均の設定を適切に行うことで、突発的なノイズにより新たに生成されるバイアスが乱されるのを軽減することができる。
【００５０】
現像バイアスとしては、交流成分の振幅が１．２ｋＶｐｐ、繰り返し周波数が６ｋＨｚ、直流成分Ｖｄｃが−３５０Ｖの矩形波を用いて、装置耐久時における現像性の検討を行った。本実施形態においては、印加波形の更新を、現像バイアス波形５周期ごとに、１つの波形のサンプリングを行うことで実施した。図１５に結果を示す。１００００枚ごとに現像バイアスの調整を行う第１の実施の形態と比べて、常に高い充電効率を安定して保っていることがわかる。本実施形態においては、リアルタイムで印加波形を更新できることが大きな特徴となる。感光ドラム径、ドラム周速度およびバイアス周波数から、ドラムが一周する間にバイアス波形は約６００回繰り返すが、これは波形が追従するのに充分な回数である。本実施形態では、ドラムの偏芯に伴うＳ−Ｄギャップの変動に追従して印加バイアス波形を調整することが可能である。そのため、第１の実施の形態と比べてさらなる高現像性の維持ができた。
【００５１】
図１７には、耐久検討の２９００１枚目から３００００枚目の紙上に現れた、現像部における異常放電によるリングマークの個数を示す。本実施の形態は従来技術と比較して、リングマーク個数が約６分の１に減少していることがわかる。これは、リアルタイムで現像バイアスを補正した結果、偏芯によりＳ−Ｄギャップが広がった際のスリーブ上波形のオーバーシュートを軽減し、異常放電の発生確率を低減したことによる。
【００５２】
以上の説明の通り、本実施形態では、バイアス調整動作の頻度を高めることによって、現像スリーブにおけるバイアス波形を基準波形に近づけ、より高い現像性を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の現像装置の構成例を示す概略図である。
【図２】静電像形成部における静電潜像生成過程を説明するグラフである。
【図３】一般的なＲＣ回路における、コンデンサ両端電圧の過渡現象を説明する図である。
【図４】静電像形成部における、現像バイアス波形を示す波形図である。
【図５】静電像形成部における、現像バイアス波形を示す波形図である。
【図６】感光ドラム表面における電位ポテンシャル図である。
【図７】Ｓ−Ｄギャップにおける磁気穂と現像電界の概略図である。
【図８】本発明の現像バイアス生成回路を示すブロック図である。
【図９】本発明の第１実施例における、現像動作とバイアス出力回路の動作を説明したフローチャートである。
【図１０】本発明の第１実施例における、現像動作とバイアス出力回路の動作を示したタイミングチャートである。
【図１１】本発明にかかる演算部を示すブロック図である。
【図１２】本発明にかかる演算部の、基準波形と計測波形の差分を−ｋ倍（ｋ＝０．５）した波形図の一例である。
【図１３】現像動作波形出力部に記憶される波形の一例である。
【図１４】本発明にかかる現像動作波形出力部における、平均波形の出力を説明した図である。
【図１５】本発明の第１実施例、第２実施例および従来技術において、充電効率の変化を表したグラフである。
【図１６】本発明の第１実施例および従来技術における、スリーブにおける電位の立ち上がりと、現像動作用の波形を示したグラフである。
【図１７】本発明の第２実施例の形態と従来技術において、リングマークの発生の比較である。
【図１８】本発明の第２実施例における、現像動作とバイアス出力回路の動作を説明したフローチャートである。
【図１９】本発明の第２実施例における、現像動作とバイアス出力回路の動作を示したタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００５４】
１１  感光ドラム（像担持体）
１２  帯電器（帯電装置）
１３  帯電器駆動電源
１４  光ビーム出射部（露光装置）
１５  ミラー
１６  光ビーム
２０  現像容器
２１  現像スリーブ（現像剤担持体）
２２  マグネットローラ
２３  ドクターブレード（現像剤規制部材）
２４  スクリュー
２５  トナーカートリッジ（補給現像剤容器）
２６  現像バイアス印加部
【図１】
0005408859.tif 000002
【図２】
0005408859.tif 000003
【図３】
0005408859.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005408859.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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