(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上の硬化剤、及び（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする多層プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を含み、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の質量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）が１：０．１〜２の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材が、無機充填材１００質量％に対して該液状エポキシ樹脂０．０５〜３質量％により表面処理されていることを特徴とする請求項１又は２記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材は、該液状エポキシ樹脂で表面処理する際の平均温度が２０〜１００℃であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材は、該液状エポキシ樹脂で表面処理する際の最高到達温度が５０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材において、該液状エポキシ樹脂の２５℃での粘度が０．０１〜５０Ｐａ・ｓであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項７】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材の該液状エポキシ樹脂が、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリセロール型エポキシ樹脂及びｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材が、さらにシランカップリング剤、アルコキシシラン、アルコキシオリゴマー、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤及びジルコニウム系カップリング剤からなる群より選択される１種以上で表面処理されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材の該無機充填材がシリカであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ｃ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材の該無機充填材の平均粒径が０．０１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
更に（Ｄ）硬化促進剤を含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
更に（Ｅ）熱可塑性樹脂を含有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
更に（Ｆ）ゴム粒子を含有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１４】
更に（Ｇ）難燃剤を含有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１５】
樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理した後の算術平均粗さが１０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、二乗平均平方根粗さが１０〜４８０ｎｍであり、かつ、粗化処理後の該絶縁層表面にメッキして得られる導体層と絶縁層とのピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ〜１．０ｋｇｆ／ｃｍであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項記載の樹脂組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の樹脂組成物が支持体上に樹脂組成物層として形成された接着フィルム。
【請求項１７】
樹脂組成物層の最低溶融粘度が５００〜１４０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする請求項１６記載の接着フィルム。
【請求項１８】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の樹脂組成物がシート状補強基材に含浸されたプリプレグ。
【請求項１９】
請求項１〜１５のいずれか１項記載の樹脂組成物の硬化物により絶縁層が形成された多層プリント配線板。
【請求項２０】
請求項１９記載の多層プリント配線板を用いることを特徴とする、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の樹脂組成物に関する。さらに当該樹脂組成物を含有する、接着フィルム、プリプレグ、多層プリント配線板、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化が進み、多層プリント配線板においては、ビルドアップ層が複層化され、配線の微細化及び高密度化が求められていた。【０００３】
これに対して様々な取組みがなされていた。例えば、特許文献１には、有機−無機ハイブリッド化物を含む樹脂組成物が開示されており、これらの組成物によりガラス転移点が向上することが記載されている。また、特許文献２〜４では一般的な配合検討もされている。しかし、その性能は必ずしも満足いくものではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−９５９０１号公報
【特許文献２】特許第４６７４７３０号
【特許文献３】特許第４６８６７５０号
【特許文献４】特許第４７８２８７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、湿式粗化工程後の絶縁層表面が低い算術平均粗さ（Ｒａ値）のみならず、低い二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）であっても、メッキ導体層が十分に高いピール強度を呈する、新規樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討した結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有する樹脂組成物によって、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００７】
すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
［１］（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする樹脂組成物。
［２］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材が、無機充填材１００質量％に対して該エポキシ樹脂０．０５〜３質量％により表面処理されていることを特徴とする上記［１］記載の樹脂組成物。
［３］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材は、該エポキシ樹脂で表面処理する際の平均温度が２０〜１００℃であることを特徴とする上記［１］又は［２］記載の樹脂組成物。
［４］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材は、該エポキシ樹脂で表面処理する際の最高到達温度が５０〜１５０℃であることを特徴とする上記［１］又は［２］記載の樹脂組成物。
［５］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材の該エポキシ樹脂が液状エポキシ樹脂であることを特徴とする上記［１］〜［４］のいずれか記載の樹脂組成物。
［６］該液状エポキシ樹脂の２５℃での粘度が０．０１〜５０Ｐａ・ｓであることを特徴とする上記［５］記載の樹脂組成物。
［７］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材の該エポキシ樹脂が、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリセロール型エポキシ樹脂及びｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択される１種以上であることを特徴とする上記［１］〜［６］のいずれか記載の樹脂組成物。
［８］（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材が、さらにシランカップリング剤、アルコキシシラン、アルコキシオリゴマー、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤及びジルコニウム系カップリング剤からなる群より選択される１種以上で表面処理されていることを特徴とする上記［１］〜［７］のいずれか記載の樹脂組成物。
［９］更に（Ｄ）硬化促進剤を含有することを特徴とする上記［１］〜［８］のいずれか記載の樹脂組成物。
［１０］更に（Ｅ）熱可塑性樹脂を含有することを特徴とする上記［１］〜［９］のいずれか記載の樹脂組成物。
［１１］更に（Ｆ）ゴム粒子を含有することを特徴とする上記［１］〜［１０］のいずれか記載の樹脂組成物。
［１２］更に（Ｇ）難燃剤を含有することを特徴とする上記［１］〜［１１］のいずれか記載の樹脂組成物。
［１３］樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理した後の算術平均粗さが１０ｎｍ〜３３０ｎｍであり、二乗平均平方根粗さが１０〜４８０ｎｍであり、かつ、粗化処理後の該絶縁層表面にメッキして得られる導体層と絶縁層とのピール強度が０．４ｋｇｆ／ｃｍ〜１．０ｋｇｆ／ｃｍであることを特徴とする上記［１］〜［１２］のいずれか記載の樹脂組成物。
［１４］上記［１］〜［１３］のいずれか記載の樹脂組成物が支持体上に樹脂組成物層として形成された接着フィルム。
［１５］樹脂組成物層の最低溶融粘度が５００〜１４０００ｐｏｉｓｅであることを特徴とする上記［１４］記載の接着フィルム。
［１６］上記［１］〜［１３］のいずれか記載の樹脂組成物がシート状補強基材に含浸されたプリプレグ。
［１７］上記［１］〜［１３］のいずれか記載の樹脂組成物の硬化物により絶縁層が形成された多層プリント配線板。
［１８］上記［１７］記載の多層プリント配線板を用いることを特徴とする、半導体装置。
【発明の効果】
【０００８】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする樹脂組成物を用いることにより、湿式粗化工程後の絶縁層表面が低い算術平均粗さ（Ｒａ値）のみならず、低い二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）であっても、メッキ導体層が十分に高いピール強度を呈する、新規樹脂組成物を提供できるようになった。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有することを特徴とする樹脂組成物である。
【００１０】
＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
本発明に使用するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００１１】
これらの中でも、耐熱性向上、絶縁信頼性向上、金属箔との密着性向上の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「エピコート８２８ＥＬ」、「ＹＬ９８０」）、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ｊＥＲ８０６Ｈ」、「ＹＬ９８３Ｕ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」、「ＨＰ４７１０」）、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」、「エポリードＰＢ」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」、「ＹＬ６１２１」）、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１６５８」）、ビフェニルジメタノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＴＸ−０９３４」）、ベンゼンジメタノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＴＸ−０９２９」）、プロピレングリコール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＰＧ−２０７」）、脂環式エポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「セロキサイド２０２１Ｐ」、「セロキサイド２０８１」、「セロキサイド３０００」、「セロキサイド２０００」、「ＥＨＰＥ３１５０」、「エポリードＧＴ４００」、「セルビナース」）、脂環式エポキシ基を有するメタクリレート（ダイセル化学工業（株）製「ＣＹＣＬＯＭＥＲ  Ｍ１００」）、メチルグリシジル基を有するメタクリレート（ダイセル化学工業（株）製「Ｍ−ＧＭＡ」）、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ８８００」）、グリセロール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１５４２」）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」）などが挙げられる。
【００１２】
エポキシ樹脂は２種以上を併用してもよいが、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含有するのが好ましい。また、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状の芳香族系エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂、および１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状の芳香族系エポキシ樹脂を併用する態様がより好ましい。なお、本発明でいう芳香族系エポキシ樹脂とは、その分子内に芳香環構造を有するエポキシ樹脂を意味する。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂を併用する場合、樹脂組成物を接着フィルム形態で使用する場合に適度な可撓性を有する点や樹脂組成物の硬化物が適度な破断強度を有する点から、その配合割合（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は質量比で１：０．１〜２の範囲が好ましく、１：０．３〜１．８の範囲がより好ましく、１：０．６〜１．５の範囲が更に好ましい。
【００１３】
本発明の樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の機械強度や耐水性を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、エポキシ樹脂の含有量は３〜４０質量％であるのが好ましく、５〜３５質量％であるのがより好ましく、１０〜３０質量％であるのが更に好ましい。
【００１４】
＜（Ｂ）硬化剤＞
本発明に使用する硬化剤としては、特に限定されないが、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられ、なかでもフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤又はシアネートエステル系硬化剤が好ましい。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００１５】
フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤としては、特に制限はないが、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤やノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が挙げられ、フェノールノボラック樹脂、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂、トリアジン骨格含有ナフトール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂が好ましい。市販品としては、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂として、「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」（明和化成（株）製）、「ＧＰＨ」（日本化薬（株）製）、ナフトールノボラック樹脂として、「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」（日本化薬（株）製）、ナフトールアラルキル型樹脂として、「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３９５」、「ＳＮ３７５」（東都化成（株）製）、フェノールノボラック樹脂として「ＴＤ２０９０」（ＤＩＣ（株）製）、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂「ＬＡ３０１８」、「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ１３５６」（ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を併用してもよい。
【００１６】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が更に好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。活性エステル系硬化剤は１種又は２種以上を使用することができる。活性エステル系硬化剤としては、特開２００４−２７７４６０号公報に開示されている活性エステル系硬化剤を用いてもよく、また市販のものを用いることもできる。市販されている活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むもの、フェノールノボラックのアセチル化物、フェノールノボラックのベンゾイル化物等が好ましく、なかでもジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものがより好ましい。具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含むものとしてＥＸＢ９４５１、ＥＸＢ９４６０、ＥＸＢ９４６０Ｓ−６５Ｔ、ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ（ＤＩＣ（株）製、活性基当量約２２３）、フェノールノボラックのアセチル化物としてＤＣ８０８（三菱化学（株）製、活性基当量約１４９）、フェノールノボラックのベンゾイル化物としてＹＬＨ１０２６（三菱化学（株）製、活性基当量約２００）、ＹＬＨ１０３０（三菱化学（株）製、活性基当量約２０１）、ＹＬＨ１０４８（三菱化学（株）製、活性基当量約２４５）、等が挙げられ、中でもＨＰＣ−８０００−６５Ｔがワニスの保存安定性、硬化物の熱膨張率の観点から好ましい。
【００１７】
ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル系硬化剤として、より具体的には下式（１）のものが挙げられる。
【００１８】
【化１】
0005413522.tif 000002
（式中、Ｒはフェニル基、ナフチル基であり、ｋは０又は１を表し、ｎは繰り返し単位の平均で０．０５〜２．５である。）
【００１９】
誘電正接を低下させ、耐熱性を向上させるという観点から、Ｒはナフチル基が好ましく、一方、ｋは０が好ましく、また、ｎは０．２５〜１．５が好ましい。
【００２０】
ベンゾオキサジン系硬化剤としては、特に制限はないが、具体例としては、Ｆ−ａ、Ｐ−ｄ（四国化成（株）製）、ＨＦＢ２００６Ｍ（昭和高分子（株）製）などが挙げられる。
【００２１】
シアネートエステル系硬化剤としては、特に制限はないが、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、５００〜４５００が好ましく、６００〜３０００がより好ましい。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。市販されているシアネートエステル樹脂としては、下式（２）で表されるフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＰＴ３０、シアネート当量１２４）、下式（３）で表されるビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製、ＢＡ２３０、シアネート当量２３２）、下式（４）で表されるジシクロペンタジエン構造含有シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製、ＤＴ−４０００、ＤＴ−７０００）等が挙げられる。
【００２２】
【化２】
0005413522.tif 000003
［式中、ｎは平均値として任意の数（好ましくは０〜２０）を示す。］
【００２３】
【化３】
0005413522.tif 000004
【００２４】
【化４】
0005413522.tif 000005
（式中、ｎは平均値として０〜５の数を表す。）
【００２５】
酸無水物系硬化剤としては、特に限定されるものではないが、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸が共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
【００２６】
本発明の樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の機械強度や耐水性を向上させるという観点から、（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、（Ｂ）硬化剤の反応基の合計数との比が、１：０．２〜２が好ましく、１：０．３〜１．５がより好ましく、１：０．４〜１が更に好ましい。なお樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。
【００２７】
本発明の樹脂組成物において、樹脂組成物の硬化物の機械強度や耐水性を向上させるという観点から、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、硬化剤の含有量は３〜３０質量％であるのが好ましく、５〜２５質量％であるのがより好ましく、７〜２０質量％であるのが更に好ましい。
【００２８】
＜（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材＞
本発明に使用する無機充填材としては、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどが挙げられる。なかでも、シリカが好ましい。また、無定形シリカ、粉砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。また、シリカとしては球状のものが好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。
【００２９】
無機充填材の平均粒径は、特に限定されるものではないが、絶縁層上へ微細配線形成を行うという観点から、５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましく、１μｍ以下が更に好ましく、０．７μｍ以下が更に一層好ましく、０．５μｍ以下が殊更好ましく、０．４μｍ以下が特に好ましく、０．３μｍ以下がとりわけ好ましい。一方、エポキシ樹脂組成物を樹脂ワニスとした場合に、ワニスの粘度が上昇し、取り扱い性が低下するのを防止するという観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０３μｍ以上がより好ましく、０．０５μｍ以上が更に好ましく、０．０７μｍ以上が殊更好ましく、０．１μｍ以上が特に好ましい。上記無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製  ＬＡ−５００、７５０、９５０等を使用することができる。
【００３０】
無機充填材を表面処理するためのエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、均一な表面処理を可能にするという観点から、液状エポキシ樹脂が好ましい。液状エポキシ樹脂としては、２５℃での粘度が０．０１〜５０Ｐａ・ｓであることが好ましく、０．０５〜３５Ｐａ・ｓであることがより好ましい。粘度の測定は、Ｅ型粘度計（東機産業（株）社製  ＲＥ−８０）を用いて、２５℃に調整した装置内に、シリンジを用いて該液状エポキシ樹脂を約０．２ｍｌ計りとり、５〜２０ｒｐｍに設定した回転数にて測定できる。また、無機充填材と高い反応率を得るという観点から、多官能エポキシ樹脂が好ましく、エポキシ当量が５０〜３００である多官能エポキシ樹脂がより好ましい。ここでいう「多官能エポキシ樹脂」とは、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂である。また、エポキシ当量（ｇ／ｅｑ）とは、平均分子量を１分子あたりのエポキシ基数で割った値のことである。該エポキシ樹脂として、具体的には、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリセロール型エポキシ樹脂、ｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルメタクリレート樹脂、グリシジルアクリレート樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ビフェニルジメタノール型エポキシ樹脂、ベンゼンジメタノール型エポキシ樹脂、プロピレングリコール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂環式エポキシ基を有するメタクリレート、メチルグリシジル基を有するメタクリレート等が挙げられる。なかでも、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリセロール型エポキシ樹脂及びｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂からなる群より選択される１種以上が好ましい。
【００３１】
無機充填材をエポキシ樹脂で表面処理する方法としては、無機充填材を攪拌機に投入し、エポキシ樹脂を噴霧しながら、無機充填材を５〜３０分間攪拌する方法が挙げられる。その際、エポキシ樹脂を噴霧しやすいように、有機溶剤に溶解して粘度を調整しても良い。また、表面処理を効率的に行うという点から、該エポキシ樹脂で表面処理する際の平均温度が２０℃以上が好ましく、２５℃以上がより好ましく、３０℃以上が更に好ましく、３５℃以上が更に一層好ましく、４０℃以上が殊更好ましく、４５℃以上が特に好ましい。一方、該エポキシ樹脂が劣化してしまうのを防止する点から、該エポキシ樹脂で表面処理する際の平均温度が１００℃以下が好ましく、９５℃以下がより好ましく、９０℃以下が更に好ましい。また、表面処理を十分に進行させるという観点から、表面処理時の最高到達温度が５０℃以上が好ましく、５５℃以上がより好ましく、６０℃以上が更に好ましく、６５度以上が更に一層好ましく、７０℃以上が殊更好ましい。一方、該エポキシ樹脂が劣化してしまうのを防止する点から、該エポキシ樹脂で表面処理する際の最高到達温度が１５０℃以下が好ましく、１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下が更に好ましく、１２０℃以下が更に一層好ましく、１１０℃以下が殊更好ましく、１０５℃以下が特に好ましい。攪拌機としては、回転ミキサー、ドラムミキサー、ロッキングミキサー、振動流動層、粉体乾燥機などが挙げられ、簡便に行えるという点で回転ミキサーが好ましい。回転ミキサーとしてはヘンシェル型混粉機が挙げられる。
【００３２】
該エポキシ樹脂の含有量は、樹脂ワニスの分散性向上、無機充填材の被覆率向上という観点から、無機充填材１００質量％に対して０．０５質量％以上で表面処理されていることが好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．１５質量％以上が更に好ましく、０．２質量％以上が更に一層好ましく、０．２５質量％以上が殊更好ましく、０．３質量％以上が特に好ましい。また、粘度の上昇を抑制して効率よく表面処理するという観点から、３質量％以下で表面処理されていることが好ましく、２．８質量％以下がより好ましく、２．６質量％以下が更に好ましく、２．４質量％以下が更に一層好ましく、２．２質量％以下が殊更好ましく、２質量％以下が特に好ましい。
【００３３】
（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を配合する場合の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、硬化物の熱膨張率を低下させるという観点から、２０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が更に好ましく、５０質量％以上が更に一層好ましい。また、硬化物の機械特性向上という観点から、８５質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましく、７５質量％以下が更に好ましく、７０質量％以下が更に一層好ましい。
【００３４】
無機充填材は、樹脂ワニスの分散性向上、算術平均粗さの低減、二乗平均平方根粗さの低減の観点から、予めシラザン化合物で表面処理した無機充填材を用いることが好ましい。シラザン化合物で表面処理した後に、エポキシ樹脂で表面処理することで、分散性向上、導体層との親和性向上という点で有利となる。シラザン化合物としては、ヘキサメチルジシラザン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、オクタメチルトリシラザン、ヘキサ（ｔ−ブチル）ジシラザン、ヘキサブチルジシラザン、ヘキサオクチルジシラザン、１，３−ジエチルテトラメチルジシラザン、１，３−ジ−ｎ−オクチルテトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、１，３−ジメチルテトラフェニルジシラザン、１，３−ジエチルテトラメチルジシラザン、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジメチルジシラザン、１，３−ジプロピルテトラメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、ジメチルアミノトリメチルシラザン、トリシラザン、シクロトリシラザン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン等を挙げることができ、特にヘキサメチルジシラザンが好ましい。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。ヘキサメチルジシラザンで表面処理した球状溶融シリカとしては、（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」が挙げられる。
【００３５】
シラザン化合物の処理量は、分散性向上という観点から、無機充填材１００質量％に対して０．００１〜０．３質量％により表面処理されていることが好ましく、０．００５〜０．２質量％がより好ましく、０．０１〜０．１質量％が更に好ましく、０．０２〜０．０４質量％が更に一層好ましい。
【００３６】
（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を、疎水性向上、未反応のシラノール基と反応させることによる分散性のさらなる向上という観点から、シランカップリング剤、アルコキシシラン、アルコキシオリゴマー、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤及びジルコニウム系カップリング剤からなる群より選択される１種以上で表面処理することが好ましい。この表面処理は、（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材に対して直接表面処理しても良いし、樹脂ワニスのなかに添加することでもよい。
【００３７】
シランカップリング剤としては、エポキシシラン系カップリング剤、アミノシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤等を用いることができる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。具体的には、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、グリシジルブチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン系カップリング剤、アミノプロピルメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン系カップリング剤、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリエトキシシラン等のメルカプトシラン系カップリング剤が挙げられる。
【００３８】
アルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メタクロキシプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン等を用いることができる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００３９】
アルコキシオリゴマーは、有機基とアルコキシシリル基を併せ持つ低分子樹脂のことを言い、メチル基含有アルコキシオリゴマー、フェニル基含有アルコキシオリゴマー、メチル／フェニル基含有アルコキシオリゴマー、エポキシ基含有アルコキシオリゴマー、メルカプト基含有アルコキシオリゴマー、アミノ基含有アルコキシオリゴマー、アクリル基含有アルコキシオリゴマー、メタクリル基含有アルコキシオリゴマー、ウレイド基含有アルコキシオリゴマー、イソシアネート基含有アルコキシオリゴマー、ビニル基含有アルコキシオリゴマー等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。具体的には、アルコキシオリゴマーは、下記一般式（５）の構造で表すことができる。
【００４０】
【化１】
0005413522.tif 000006
【００４１】
式（５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基であり、更に一層好ましくはメチル基、エチル基である。式（５）中、Ｘは低級アルキル基、グリシドキシアルキル基、アミノアルキル基、メルカプトアルキル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基、ウレイドアルキル基、イソシアネートアルキル基、ビニルアルキル基が挙げられ、グリシドキシプロピル基、アミノプロピル基、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル基、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピル基、メタクリロキシプロピル基、アクリロキシプロピル基、メルカプトプロピル基、ウレイドプロピル基、イソシアネートプロピル基が好ましく、グリシドキシプロピル基、アミノプロピル基、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル基、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピル基、メルカプトプロピル基がより好ましく、アミノプロピル基、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピル基、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピル基が更に好ましい。式（５）中、ｎは２〜１０の整数であり、好ましくは２〜８の整数であり、より好ましくは２〜６の整数であり、更に好ましくは３〜５の整数である。
【００４２】
アルミニウム系カップリング剤としては、アルミニウムイソプロピレート、モノｓｅｃ−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセトネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート、環状アルミニウムオキサイドイソプロピレート、環状アルミニウムオキサイドステアレート、環状アルミニウムオキサイドオクチレート、環状アルミニウムオキサイドステアレート等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００４３】
チタン系カップリング剤としては、ブチルチタネートダイマー、チタンオクチレングリコレート、ジイソプロポキシチタンビス（トリエタノールアミネート）、ジヒドロキシチタンビスラクテート、ジヒドロキシビス（アンモニウムラクテート）チタニウム、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００４４】
ジルコニウム系カップリング剤としては、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリスネオデカノラート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（ドデシルベンジルスルフォナート））、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（ジオクチル）ホスフェート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス２−メチル２−プロペノラート）、ジルコニウムＩＶ−ビス（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，ビスパラアミノベンゾエート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（ジイソオクチル）ピロホスフェート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス２−プロペノエート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（２−エチレンジアミノ）エチレート）、ジルコニウムＩＶ，ビス（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，ビス（３−メルカプトプロパノエート））、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（２−アミノ）フェニレート）、ジルコニウムＩＶ（２，２−ビス（２−プロペノラートメチル）ブタノラート，トリス（ジイソオクチル）ピロホスフェート），Ｎ−置換メタクリルアミド付加物、ジルコニウムＩＶ（２−エチル，２−プロペノラートメチル）−１，３−プロペンジオクレート，シクロジ２，２−（ビス−２−プロペノラートメチル）ブタノラート，ピロホスフェート）、ジルコニウムＩＶ（テトラキス−２，２−（ビス−２−プロペノラートメチル）ブタノラート，ジトリデシルハイドロゲンホスファイト２モル付加物、等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００４５】
本発明の樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成し、粗化処理後の該絶縁層表面にメッキして得られる導体層と絶縁層とのピール強度は、後述する＜メッキ導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定＞に記載の測定方法により把握することができる。
【００４６】
ピール強度は、０．８ｋｇｆ／ｃｍ以下が好ましく、０．９ｋｇｆ／ｃｍ以下がより好ましく、１．０ｋｇｆ／ｃｍ以下が更に好ましく、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下が更に一層好ましい。また、ピール強度は、０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上が好ましく、０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上がより好ましい。
【００４７】
本発明の樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層表面を粗化処理した後の算術平均粗さ（Ｒａ値）、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）は、後述する＜粗化後の算術平均粗さ（Ｒａ値）、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）の測定＞に記載の測定方法により把握することができる。
【００４８】
算術平均粗さ（Ｒａ値）は、電気信号の伝送ロスを軽減するために、３３０ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましく、２５０ｎｍ以下が更に好ましく、２２０ｎｍ以下が更に一層好ましく、２００ｎｍ以下が殊更好ましく、１８０ｎｍ以下が特に好ましい。一方、算術平均粗さ（Ｒａ値）は、ピール強度を向上させるという観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上が更に好ましく、４０ｎｍ以上が更に一層好ましく、５０ｎｍ以上が殊更好ましい。
【００４９】
二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）は絶縁層表面の局所的な状態が反映されるため、Ｒｑ値により緻密で平滑な絶縁層表面になっていることが確認できることを見出した。Ｒｑ値は、平滑な絶縁層表面とするために、４８０ｎｍ以下が好ましく、４６０ｎｍ以下がより好ましく、４４０ｎｍ以下が更に好ましく、４２０ｎｍ以下が更に一層好ましく、４００ｎｍ以下が殊更好ましく、３８０ｎｍ以下が特に好ましく、３６０ｎｍ以下がとりわけ好ましく、３４０ｎｍ以下がなおさら好ましい。一方、Ｒｑ値は、ピール強度を向上させるという観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が更に好ましく、７０ｎｍ以上が更に一層好ましく、９０ｎｍ以上が殊更好ましい。
【００５０】
本発明の樹脂組成物の硬化物の伸びは、後述する＜伸びの測定＞に記載の測定方法により把握することができる。伸びが向上することで硬化物の取り扱い性を向上させることができ、割れやひびを防止することができるという観点から、２．４％以上が好ましく、２．６％以上がより好ましく、２．８％以上が更に好ましく、３．０％以上が更に一層好ましい。一方、硬化物の熱膨張率を低下させるという観点から、５％以下が好ましく、４％以下がより好ましい。
【００５１】
本発明の接着フィルムの樹脂組成物層の最低溶融粘度は、後述する＜最低溶融粘度の測定＞に記載の測定方法により把握することができる。接着フィルムのラミネート性向上、埋め込み性向上、染み出し抑制という観点から、５００〜１４０００ｐｏｉｓｅが好ましく、１０００〜１３０００ｐｏｉｓｅがより好ましく、２０００〜１２０００ｐｏｉｓｅが更に好ましく、３０００〜１１０００ｐｏｉｓｅが更に一層好ましく、４０００〜１００００ｐｏｉｓｅが殊更好ましい。
【００５２】
＜（Ｄ）硬化促進剤＞
本発明の樹脂組成物は、更に（Ｄ）硬化促進剤を含有させることにより、エポキシ樹脂と硬化剤を効率的に硬化させることができる。硬化促進剤としては、特に限定されないが、アミン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホスホニウム系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５３】
アミン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記する。）等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５４】
グアニジン系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５５】
イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５６】
ホスホニウム系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。これらは１種または２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５７】
本発明の樹脂組成物において、硬化促進剤（金属系硬化促進剤を除く）の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、０．００５〜１質量％の範囲が好ましく、０．０１〜０．５質量％の範囲がより好ましい。０．００５質量％未満であると、硬化が遅くなり熱硬化時間が長く必要となる傾向にあり、１質量％を超えると樹脂組成物の保存安定性が低下する傾向となる。
【００５８】
金属系硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体などが挙げられる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛などが挙げられる。これらは１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。
【００５９】
本発明の樹脂組成物において、金属系硬化促進剤の添加量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、金属系硬化触媒に基づく金属の含有量が２５〜５００ｐｐｍの範囲が好ましく、４０〜２００ｐｐｍの範囲がより好ましい。２５ｐｐｍ未満であると、低算術平均粗さの絶縁層表面への密着性に優れる導体層の形成が困難となる傾向にあり、５００ｐｐｍを超えると、樹脂組成物の保存安定性、絶縁性が低下する傾向となる。
【００６０】
＜（Ｅ）熱可塑性樹脂＞
本発明の樹脂組成物には、更に（Ｅ）熱可塑性樹脂を含有させる事により硬化物の機械強度を向上させることができ、更に接着フィルムの形態で使用する場合のフィルム成型能を向上させることもできる。このような熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂を挙げることができる。これらの熱可塑性樹脂は１種又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。フィルム成型能や機械強度向上、樹脂ワニスの相溶性向上という点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は５０００〜２０００００の範囲であるのが好ましい。なお本発明における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定される。ＧＰＣ法による重量平均分子量は、具体的には、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）社製Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００６１】
本発明の樹脂組成物に、（Ｅ）熱可塑性樹脂を配合する場合には、樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物中の不揮発分１００質量％に対し、０．１〜１０質量％が好ましく、１〜５質量％がより好ましい。熱可塑性樹脂の含有量が少なすぎるとフィルム成型能や機械強度向上の効果が発揮されない傾向にあり、多すぎると溶融粘度の上昇と、湿式粗化工程後の絶縁層表面の算術平均粗さが増す傾向にある。
【００６２】
＜（Ｆ）ゴム粒子＞
本発明の樹脂組成物は、更に（Ｆ）ゴム粒子を含有させる事により、メッキピール強度を向上させることができ、ドリル加工性の向上、誘電正接の低下、応力緩和効果を得ることもできる。本発明において使用され得るゴム粒子は、例えば、当該樹脂組成物のワニスを調製する際に使用する有機溶剤にも溶解せず、必須成分であるシアネートエステル樹脂やエポキシ樹脂などとも相溶しないものである。従って、該ゴム粒子は、本発明の樹脂組成物のワニス中では分散状態で存在する。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。
【００６３】
本発明で使用され得るゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子は２種以上を組み合わせて使用してもよい。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ、ＩＭ−４０１改１、ＩＭ−４０１改７−１７  （商品名、ガンツ化成（株）製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン（株）製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒径０．５μｍ、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒径０．２μｍ）（三菱レイヨン（株）製）を挙げることができる。
【００６４】
ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２〜０．６μｍの範囲である。本発明で使用されるゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。
【００６５】
ゴム粒子の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分１００質量％に対し、好ましくは１〜１０質量％であり、より好ましくは２〜５質量％である。
【００６６】
＜（Ｇ）難燃剤＞
本発明の樹脂組成物は、更に（Ｇ）難燃剤を含有させる事により、難燃性を付与することができる。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。有機リン系難燃剤としては、二光（株）製のＨＣＡ、ＨＣＡ−ＨＱ、ＨＣＡ−ＮＱ等のフェナントレン型リン化合物、昭和高分子（株）製のＨＦＢ−２００６Ｍ等のリン含有ベンゾオキサジン化合物、味の素ファインテクノ（株）製のレオフォス３０、５０、６５、９０、１１０、ＴＰＰ、ＲＰＤ、ＢＡＰＰ、ＣＰＤ、ＴＣＰ、ＴＸＰ、ＴＢＰ、ＴＯＰ、ＫＰ１４０、ＴＩＢＰ、北興化学工業（株）製のＴＰＰＯ、ＰＰＱ、クラリアント（株）製のＯＰ９３０、大八化学（株）製のＰＸ２００等のリン酸エステル化合物、東都化成（株）製のＦＸ２８９、ＦＸ３０５、ＴＸ０７１２等のリン含有エポキシ樹脂、東都化成（株）製のＥＲＦ００１等のリン含有フェノキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン（株）製のＹＬ７６１３等のリン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。有機系窒素含有リン化合物としては、四国化成工業（株）製のＳＰ６７０、ＳＰ７０３等のリン酸エステルアミド化合物、大塚化学（株）社製のＳＰＢ１００、ＳＰＥ１００、（株）伏見製薬所製ＦＰ−ｓｅｒｉｅｓ等のホスファゼン化合物等が挙げられる。金属水酸化物としては、宇部マテリアルズ（株）製のＵＤ６５、ＵＤ６５０、ＵＤ６５３等の水酸化マグネシウム、巴工業（株）社製のＢ−３０、Ｂ−３２５、Ｂ−３１５、Ｂ−３０８、Ｂ−３０３、ＵＦＨ−２０等の水酸化アルミニウム等が挙げられる。
【００６７】
難燃剤の含有量は、樹脂組成物中の不揮発分を１００質量％とした場合、０．１〜１０質量％の範囲が好ましく、０．５〜８質量％の範囲がより好ましく、１〜６質量％の範囲が更に好ましい。
【００６８】
＜他の成分＞
本発明の樹脂組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲で、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、マレイミド化合物、ブロックイソシアネート化合物のような熱硬化性樹脂；シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤；オルベン、ベントン等の増粘剤；シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤；イミダゾール化合物、チアゾール化合物、トリアゾール化合物、シラン系カップリング剤、アルコキシオリゴマー等の密着性付与剤；フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。
【００６９】
本発明の樹脂組成物の調製方法は、特に限定されるものではなく、例えば、配合成分を、必要により溶媒等を添加し、回転ミキサーなどを用いて混合する方法などが挙げられる。
【００７０】
本発明の樹脂組成物の用途は、特に限定されないが、接着フィルム、プリプレグ等のシート状積層材料、回路基板（積層板、多層プリント配線板等）、ソルダーレジスト、アンダ−フィル材、ダイボンディング材、半導体封止材、穴埋め樹脂、部品埋め込み樹脂等、樹脂組成物が必要とされる用途の広範囲に使用できる。なかでも、多層プリント配線板用樹脂組成物の製造において、絶縁層を形成するための樹脂組成物として好適に使用することができ、メッキにより導体層を形成するための樹脂組成物としてより好適に使用することが出来る。本発明の樹脂組成物は、ワニス状態で回路基板に塗布して絶縁層を形成することもできるが、工業的には一般に、接着フィルム、プリプレグ等のシート状積層材料の形態で用いるのが好ましい。樹脂組成物の軟化点は、シート状積層材料のラミネート性の観点から４０〜１５０℃が好ましい。
【００７１】
＜接着フィルム＞
本発明の接着フィルムは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて、支持体に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させる。これにより樹脂組成物が支持体上に樹脂組成物層として形成された接着フィルムを製造することができる。
【００７２】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は２種以上を組みわせて用いてもよい。
【００７３】
乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層への有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。ワニス中の有機溶剤量、有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０〜６０質量％の有機溶剤を含むワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分程度乾燥させることにより、樹脂組成物が支持体上に層形成された接着フィルムを形成することができる。
【００７４】
接着フィルムにおいて形成される樹脂組成物層の厚さは、導体層の厚さ以上とするのが好ましい。回路基板が有する導体層の厚さは通常５〜７０μｍの範囲であるので、樹脂組成物層は１０〜１００μｍの厚さを有するのが好ましく、２０〜８０μｍの厚さを有するのがより好ましい。
【００７５】
支持体としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィンのフィルム、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルのフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。また離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを使用してもよい。支持体及び後述する保護フィルムには、マッド処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。また、シリコーン樹脂系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤、フッ素樹脂系離型剤等の離型剤で離型処理が施してあってもよい。
【００７６】
支持体の厚さは特に限定されないが、１０〜１５０μｍが好ましく、２５〜５０μｍがより好ましい。
【００７７】
樹脂組成物層の支持体が密着していない面には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、１〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。接着フィルムは、ロール状に巻きとって貯蔵することもできる。
【００７８】
＜接着フィルムを用いた多層プリント配線板＞
次に、上記のようにして製造した接着フィルムを用いて多層プリント配線板を製造する方法の一例を説明する。
【００７９】
まず、接着フィルムを、真空ラミネーターを用いて回路基板の片面又は両面にラミネートする。回路基板に用いられる基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。なお、ここで回路基板とは、上記のような基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成されたものをいう。また導体層と絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、該多層プリント配線板の最外層の片面又は両面がパターン加工された導体層（回路）となっているものも、ここでいう回路基板に含まれる。なお導体層表面には、黒化処理、銅エッチング等により予め粗化処理が施されていてもよい。
【００８０】
上記ラミネートにおいて、接着フィルムが保護フィルムを有している場合には該保護フィルムを除去した後、必要に応じて接着フィルム及び回路基板をプレヒートし、接着フィルムを加圧及び加熱しながら回路基板に圧着する。本発明の接着フィルムにおいては、真空ラミネート法により減圧下で回路基板にラミネートする方法が好適に用いられる。ラミネートの条件は、特に限定されるものではないが、例えば、圧着温度（ラミネート温度）を好ましくは７０〜１４０℃、圧着圧力を好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）とし、空気圧２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下でラミネートするのが好ましい。また、ラミネートの方法は、バッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。真空ラミネートは、市販の真空ラミネーターを使用して行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、ニチゴー・モートン（株）製バキュームアップリケーター、（株）名機製作所製真空加圧式ラミネーター、（株）日立インダストリイズ製ロール式ドライコータ、日立エーアイーシー（株）製真空ラミネーター等を挙げることができる。
【００８１】
また、減圧下、加熱及び加圧を行う積層工程は、一般の真空ホットプレス機を用いて行うことも可能である。例えば、加熱されたＳＵＳ板等の金属板を支持体層側からプレスすることにより行うことができる。プレス条件は、減圧度を通常１×１０−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０−３ＭＰａ以下の減圧下とする。加熱及び加圧は、１段階で行うことも出来るが、樹脂のしみだしを制御する観点から２段階以上に条件を分けて行うのが好ましい。例えば、１段階目のプレスを、温度が７０〜１５０℃、圧力が１〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲、２段階目のプレスを、温度が１５０〜２００℃、圧力が１〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲で行うのが好ましい。各段階の時間は３０〜１２０分で行うのが好ましい。市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００（株）名機製作所製）、ＶＨ１−１６０３（北川精機（株）製）等が挙げられる。
【００８２】
接着フィルムを回路基板にラミネートした後、室温付近に冷却してから、支持体を剥離する場合は剥離し、熱硬化することにより回路基板に絶縁層を形成することができる。熱硬化の条件は、樹脂組成物中の樹脂成分の種類、含有量などに応じて適宜選択すればよいが、好ましくは１５０℃〜２２０℃で２０分〜１８０分、より好ましくは１６０℃〜２１０℃で３０〜１２０分の範囲で選択される。
【００８３】
絶縁層を形成した後、硬化前に支持体を剥離しなかった場合は、ここで剥離する。次いで必要により、回路基板上に形成された絶縁層に穴開けを行ってビアホール、スルーホールを形成する。穴あけは、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができるが、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザーによる穴あけが最も一般的な方法である。
【００８４】
次いで、乾式メッキ又は湿式メッキにより絶縁層上に導体層を形成する。乾式メッキとしては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知の方法を使用することができる。湿式メッキの場合は、絶縁層表面を、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行うことによって凸凹のアンカーを形成する。膨潤液による膨潤処理は、絶縁層を５０〜８０℃で５〜２０分間膨潤液に浸漬させることで行われ、好ましくは５５〜６５℃で５〜１０分間である。膨潤液としてはアルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液であり、該アルカリ溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液等が挙げられる。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ）、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ＳＢＵ）等を挙げることができる。酸化剤による粗化処理は、絶縁層を６０℃〜８０℃で１０分〜３０分間酸化剤溶液に浸漬させることで行われ、好ましくは７０〜８０℃で１０〜２０分間である。酸化剤としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液、重クロム酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、硝酸等を挙げることができる。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は５〜１０重量％とするのが好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン（株）製のコンセントレート・コンパクトＣＰ、ドージングソリューション  セキュリガンスＰ等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。中和液による中和処理は、３０〜５０℃で３〜１０分間中和液に浸漬させることで行われ、好ましくは３５〜４５℃で３〜８分間である。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、アトテックジャパン（株）製のリダクションソリューシン・セキュリガントＰが挙げられる。
【００８５】
次いで、無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて導体層を形成する。また導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで導体層を形成することもできる。その後のパターン形成の方法として、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。
【００８６】
＜プリプレグ＞
本発明のプリプレグは、本発明の樹脂組成物をシート状補強基材にホットメルト法又はソルベント法により含浸させ、加熱して半硬化させることにより製造することができる。すなわち、本発明の樹脂組成物がシート状補強基材に含浸されたプリプレグとすることができる。シート状補強基材としては、例えば、ガラスクロスやアラミド繊維等のプリプレグ用繊維として常用されている繊維からなるものを用いることができる。
【００８７】
ホットメルト法は、樹脂を、有機溶剤に溶解することなく、該樹脂との剥離性の良い塗工紙に一旦コーティングし、それをシート状補強基材にラミネートする、あるいは樹脂を、有機溶剤に溶解することなく、ダイコーターによりシート状補強基材に直接塗工するなどして、プリプレグを製造する方法である。またソルベント法は、接着フィルムと同様にして樹脂を有機溶剤に溶解して樹脂ワニスを調製し、このワニスにシート状補強基材を浸漬し、樹脂ワニスをシート状補強基材に含浸させ、その後乾燥させる方法である。
【００８８】
＜プリプレグを用いた多層プリント配線板＞
次に、上記のようにして製造したプリプレグを用いて多層プリント配線板を製造する方法の一例を説明する。回路基板に本発明のプリプレグを１枚あるいは必要により数枚重ね、離型フィルムを介して金属プレートで挟み、加圧・加熱条件下で真空プレス積層する。加圧・加熱条件は、好ましくは、圧力が５〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２（４９×１０４〜３９２×１０４Ｎ／ｍ２）、温度が１２０〜２００℃で２０〜１００分である。また接着フィルムと同様に、プリプレグを真空ラミネート法により回路基板にラミネートした後、加熱硬化することも可能である。その後、上記で記載した方法と同様にして、硬化したプリプレグ表面を粗化した後、導体層をメッキにより形成して多層プリント配線板を製造することができる。
【００８９】
＜半導体装置＞
本発明の多層プリント配線板を用いることで半導体装置を製造することができる。本発明の多層プリント配線板の導通箇所に、半導体チップを実装することにより半導体装置を製造することができる。「導通箇所」とは、「多層プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは半導体を材料とする電気回路素子であれば特に限定されない。
【００９０】
本発明の半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されないが、具体的には、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）による実装方法、非導電性フィルム（ＮＣＦ）による実装方法、などが挙げられる。
【００９１】
「バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法」とは、「半導体チップを多層プリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことであり、更に、以下のＢＢＵＬ方法１）、ＢＢＵＬ方法２）の実装方法に大別される。
ＢＢＵＬ方法１）アンダーフィル剤を用いて多層プリント配線板の凹部に半導体チップを実装する実装方法
ＢＢＵＬ方法２）接着フィルム又はプリプレグを用いて多層プリント配線板の凹部に半導体チップを実装する実装方法
【００９２】
ＢＢＵＬ方法１）は、具体的には以下の工程を含む。
工程１）多層プリント配線板の両面から導体層を除去したものを設け、レーザー、機械ドリルによって貫通孔を形成する。
工程２）多層プリント配線板の片面に粘着テープを貼り付けて、貫通孔の中に半導体チップの底面を粘着テープ上に固定するように配置する。このときの半導体チップは貫通孔の高さより低くすることが好ましい。
工程３）貫通孔と半導体チップの隙間にアンダーフィル剤を注入、充填することによって、半導体チップを貫通孔に固定する。
工程４）その後粘着テープを剥がして、半導体チップの底面を露出させる。
工程５）半導体チップの底面側に本発明の接着フィルム又はプリプレグをラミネートし、半導体チップを被覆する。
工程６）接着フィルム又はプリプレグを硬化後、レーザーによって穴あけし、半導体チップの底面にあるボンディングパットを露出させ、上記で示した粗化処理、無電解メッキ、電解メッキを行うことで、配線と接続する。必要に応じて更に接着フィルム又はプリプレグを積層してもよい。
【００９３】
ＢＢＵＬ方法２）は、具体的には以下の工程を含む。
工程１）多層プリント配線板の両面の導体層上に、フォトレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィー工法でフォトレジスト膜の片面のみに開口部を形成する。
工程２）開口部に露出した導体層をエッチング液により除去し、絶縁層を露出させ、その後両面のレジスト膜を除去する。
工程３）レーザーやドリルを用いて、露出した絶縁層を全て除去して穴あけを行い、凹部を形成する。レーザーのエネルギーは、銅のレーザー吸収率を低くし、絶縁層のレーザー吸収率を高くするようにエネルギーが調整できるレーザーが好ましく、炭酸ガスレーザーがより好ましい。このようなレーザーを用いることで、レーザーは導体層の開口部の対面の導体層を貫通することがなく、絶縁層のみを除去することが可能となる。
工程４）半導体チップの底面を開口部側に向けて凹部に配置し、本発明の接着フィルム又はプリプレグを開口部の側から、ラミネートし、半導体チップを被覆して、半導体チップと凹部の隙間を埋め込む。このときの半導体チップは凹部の高さより低くすることが好ましい。
工程５）接着フィルム又はプリプレグを硬化後、レーザーによって穴あけし、半導体チップの底面のボンディングパットを露出させる。
工程６）上記で示した粗化処理、無電解メッキ、電解メッキを行うことで、配線を接続し、必要に応じて更に接着フィルム又はプリプレグを積層する。
【００９４】
半導体チップの実装方法の中でも、半導体装置の小型化、伝送損失の軽減という観点や、半田を使用しないため半導体チップにその熱履歴が掛からず、さらに半田と樹脂とのひずみを将来的に生じ得ないという観点から、バンプなしビルドアップ層（ＢＢＵＬ）による実装方法が好ましく、ＢＢＵＬ方法１）、ＢＢＵＬ方法２）がより好ましく、ＢＢＵＬ方法２）が更に好ましい。
【実施例】
【００９５】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【００９６】
＜測定方法・評価方法＞
まずは各種測定方法・評価方法について説明する。【００９７】
＜ピール強度、算術平均粗さ（Ｒａ値）、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）測定用サンプルの調製＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、松下電工（株）製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をメック（株）製ＣＺ８１００にて１ｕｍエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。【００９８】
（２）接着フィルムのラミネート
実施例１〜７及び比較例１〜３で作成した接着フィルムを、バッチ式真空加圧ラミネーターＭＶＬＰ−５００（名機（株）製商品名）を用いて、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。【００９９】
（３）樹脂組成物の硬化
実施例１〜６及び比較例１〜３については、ラミネートされた接着フィルムからＰＥＴフィルムを剥離した後に、１００℃、３０分、さらに１８０℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物を硬化して絶縁層を形成した。実施例７については、同条件で熱硬化させた後にＰＥＴフィルムを剥離した。【０１００】
（４）粗化処理
実施例１〜６及び比較例１〜３については、絶縁層を形成した内層回路基板を、膨潤液である、アトテックジャパン（株）のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガントＰ（グリコールエーテル類、水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン（株）のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬し、最後に中和液として、アトテックジャパン（株）のリダクションショリューシン・セキュリガントＰ（グリオキザール、硫酸の水溶液）に４０℃で５分間浸漬した。実施例７については、膨潤液に６０℃１０分間浸漬し、粗化液に８０℃２０分間浸漬し、中和液に４０℃５分間浸漬した。その後、８０℃で３０分乾燥後、この粗化処理後の絶縁層表面について、算術平均粗さ（Ｒａ値）、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）の測定を行った。【０１０１】
（５）セミアディティブ工法によるメッキ
実施例１〜７及び比較例１〜３について、絶縁層表面に回路を形成するために、内層回路基板を、ＰｄＣｌ２を含む無電解銅メッキ液に４０℃で５分間浸漬し、次に無電解銅メッキ液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、３５±５μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を２００℃にて６０分間行った。この回路基板についてメッキ導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定を行った。【０１０２】
＜メッキ導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定＞
回路基板の導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具（株式会社ティー・エス・イー、オートコム型試験機  ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。【０１０３】
＜粗化後の算術平均粗さ（Ｒａ値）、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）の測定＞
非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる数値によりＲａ値、Ｒｑ値を求めた。そして、それぞれ無作為に１０点の平均値を求めることにより測定した。【０１０４】
＜伸びの測定＞
実施例１〜７及び比較例１〜３で作成した接着フィルムを１９０℃９０分間の硬化条件で熱硬化して硬化物を作成した。ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に従い、この硬化物からダンベル状に切り出された試験片を作成し、ＰＥＴフィルムを剥がして、オリエンテック社製引張試験機ＲＴＣ−１２５０Ａを用いて引っ張り試験を行い、破断点伸度を測定した。【０１０５】
＜最低溶融粘度の測定＞
実施例１〜７及び比較例１〜３で作成した接着フィルムにおける樹脂組成物層の溶融粘度を測定した。（株）ユー・ビー・エム社製型式Ｒｈｅｏｓｏｌ−Ｇ３０００を使用して、樹脂量は１ｇ、直径１８ｍｍのパラレルプレートを使用し、開始温度６０℃から２００℃まで、昇温速度５℃／分、測定温度間隔２．５℃、振動１Ｈｚ／ｄｅｇの測定条件にて溶融粘度を測定した。【０１０６】
＜製造例１＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をヘンシェル型混粉機に投入し、液状多官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、ナフタレン型エポキシ樹脂、２５℃の粘度が３２Ｐａ・ｓ、エポキシ当量１４４、不揮発分８０質量％のメチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と略称する）溶液）２．５質量部を噴霧しながら球状シリカを１０分間攪拌し、製造物１を作製した。表面処理時の最高到達温度は約８０℃であり、平均温度は約７０℃であった。【０１０７】
＜製造例２＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をヘンシェル型混粉機に投入し、液状多官能エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「６３０ＬＳＤ」、ｐ−アミノフェノール型エポキシ樹脂、２５℃の粘度が０．６Ｐａ・ｓ、エポキシ当量９５、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）２質量部を噴霧しながら球状シリカを１０分間攪拌し、製造物２を作製した。表面処理時の最高到達温度は約６５℃であり、平均温度は約６０℃であった。【０１０８】
＜製造例３＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をヘンシェル型混粉機に投入し、液状多官能エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、２５℃の粘度が２．３Ｐａ・ｓ、エポキシ当量１６５、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）２．７質量部を噴霧しながら球状シリカを１０分間攪拌し、製造物３を作製した。表面処理時の最高到達温度は約８０℃であり、平均温度は約６５℃であった。【０１０９】
＜製造例４＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をヘンシェル型混粉機に投入し、液状多官能エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１５４２」、グリセロール型エポキシ樹脂、２５℃の粘度が０．０８Ｐａ・ｓ、エポキシ当量２４０、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）２質量部を噴霧しながら球状シリカを１０分間攪拌した後に、ポリ（メチルトリメトキシシラン）（多摩化学（株）製「ＭＴＭＳ−Ａ」）０．３質量部を噴霧しながら５分間攪拌し、製造物４を作製した。表面処理時の最高到達温度は約９０℃であり、平均温度は約７５℃であった。【０１１０】
＜製造例５＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をヘンシェル型混粉機に投入し、液状多官能エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、ナフタレン型エポキシ樹脂、２５℃の粘度が３２Ｐａ・ｓ、エポキシ当量１４４、不揮発分８０質量％のＭＥＫ溶液）２質量部を噴霧しながら球状シリカを１０分間攪拌した後に、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピル基含有アルコキシオリゴマー（信越化学工業（株）製、２５℃の粘度が１０００ｍｍ２／ｓ）０．６質量部を噴霧しながら５分間攪拌し、製造物５を作製した。表面処理時の最高到達温度は約９５℃であり、平均温度は約８５℃であった。【０１１１】
＜製造例６＞
球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部をへンシェル型混粉機に投入し、エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」）０．６質量部を噴霧しながら５分間攪拌し、製造物６を作製した。表面処理時の最高到達温度は約７０℃であり、平均温度は約６０℃であった。【０１１２】
＜実施例１＞
ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１４４、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４７００」）５質量部、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、三菱化学（株）製「ｊＥＲ８２８ＥＬ」）１４質量部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量２６９、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１４質量部をソルベントナフサ３０質量部に撹拌しながら加熱溶解させ、その後室温にまで冷却した。その混合溶液に、ゴム粒子（ガンツ化成（株）製、スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ）１．５質量部を、ソルベントナフサ６質量部に１２時間、２０℃で静置膨潤したもの、さらに製造物１を添加し、さらに難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）５質量部を添加し、３本ロールで混練し分散させた。そこへ、フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、フェノール性水酸基当量１２４の不揮発分６０質量％のメチルエチルケトン（以下「ＭＥＫ」と略称する）溶液）１０質量部、ナフタレン系フェノール樹脂（フェノール性水酸基当量２１５、新日鐵化学（株）製「ＳＮ４８５」、不揮発分６０質量％のＭＥＫ溶液）１０質量部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３５０００、三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３」不揮発分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）７質量部、硬化促進剤として４−ジメチルアミノピリジンの５質量％のＭＥＫ溶液２質量部、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）４質量部を混合し、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次に、かかる樹脂ワニスをアルキド系離型処理付きポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）の離型面上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１１０℃（平均９５℃）で５分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約２質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。【０１１３】
＜実施例２＞
実施例１の製造物１を、製造物２に変更した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１４】
＜実施例３＞
実施例１の製造物１を、製造物３に変更した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１５】
＜実施例４＞
実施例１の製造物１を、製造物４に変更した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１６】
＜実施例５＞
実施例１の製造物１を製造物５に変更した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１７】
＜実施例６＞
実施例１の樹脂ワニスにさらにＮ−フェニル−３−アミノプロピル基含有アルコキシオリゴマー（信越化学工業（株）製、２５℃の粘度が１０００ｍｍ２／ｓ）０．６質量部を後添加した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１８】
＜実施例７＞
ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１４４、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」）１５質量部と、ビキシレノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」）２質量部、変性ナフタレン型エポキシ樹脂（エポキシ当量約３３０、新日鐵化学（株）製「ＥＳＮ４７５Ｖ」）１８質量部をソルベントナフサ２５質量部に撹拌しながら加熱溶解させ、その後室温にまで冷却した。その混合溶液に、ゴム粒子（ガンツ化成（株）製、スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ）１．５質量部を、ソルベントナフサ６質量部に１２時間、２０℃で静置膨潤したもの、さらに製造物５を１６０質量部混合し、さらに難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）３質量部を添加し、３本ロールで混練、均一に分散させた。そこへ、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の不揮発分６５質量％のトルエン溶液）２０質量部、ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のＭＥＫ溶液）３０質量部、フェノキシ樹脂（重量平均分子量３５０００、三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３」不揮発分３０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１０質量部、硬化促進剤として４−ジメチルアミノピリジンの４質量％のＭＥＫ溶液１質量部、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成（株）製）の１質量％のＭＥＫ溶液４質量部を混合し、回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１１９】
＜比較例１＞
実施例１の製造物１を球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部に変更したこと以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１２０】
＜比較例２＞
実施例１の製造物１を球状シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＣ２０５０−ＳＱ」、平均粒径０．５μｍ）１００質量部に変更し、エポキシ樹脂（エポキシ当量１４４、ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」）２質量部を添加した以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１２１】
＜比較例３＞
実施例１の製造物１を製造物６に変更したこと以外は、全く同様にして樹脂ワニスを作製した。次にかかる樹脂ワニスを使用し、実施例１と全く同様にして接着フィルムを得た。【０１２２】
結果を表１に示す。【０１２３】
【表１】
0005413522.tif 000007
【０１２４】
表１の結果から、実施例１〜７の樹脂組成物は、低算術平均粗さ、低二乗平均平方根粗さでピール強度が十分な値が得られていることが分かる。また、伸びが向上し取り扱い性が向上していることが分かる。さらに溶融粘度が低下して接着フィルムの取り扱い性が向上していることも分かる。なお、Ｒｑ値は絶縁層表面の局所的な状態が反映されるため、Ｒｑ値の減少により緻密な粗面になっていることがわかる。一方、比較例１〜３では、算術平均粗さ、二乗平均平方根粗さが大きくなり、メッキが膨れてピール強度が著しく小さい値となった。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
湿式粗化工程後の絶縁層表面が低い算術平均粗さ（Ｒａ値）のみならず、低い二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）であっても、メッキ導体層が十分に高いピール強度を呈する、新規樹脂組成物を提供できるようになった。更にそれを用いた接着フィルム、プリプレグ、多層プリント配線板、半導体装置を提供できるようになった。更にこれらを搭載した、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ、テレビ、等の電気製品や、自動二輪車、自動車、電車、船舶、航空機、等の乗物も提供できるようになった。
【要約】
［課題］湿式粗化工程後の絶縁層表面が低い算術平均粗さ（Ｒａ値）のみならず、低い二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ値）であっても、メッキ導体層が十分に高いピール強度を呈する、新規樹脂組成物を提供することである。
［解決手段］
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）エポキシ樹脂で表面処理された無機充填材を含有する樹脂組成物によって、本発明を完成するに至った。