(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射デバイスであって、
ａ）基板表面を有する基板と、
ｂ）前記基板表面に接着されるチップレットであって、１つ又は複数の接続パッドを有する、チップレットと、
ｃ）前記基板表面上に形成されるボトム電極、該ボトム電極上に形成される１つ又は複数の有機又は無機発光層、及び該１つ又は複数の有機又は無機発光層上に形成されるトップ電極と、
ｄ）前記チップレットの一部のみ及び前記基板表面の一部のみの上に形成される遷移層を含む電気導体であって、該遷移層は少なくとも１つの接続パッドを露出し、該電気導体は該露出した接続パッド及び前記ボトム電極と電気的に接触して形成される、電気導体と、
を備え、
前記ボトム電極、前記光放射層、及び前記トップ電極は、前記チップレットから離間した、有機又は無機発光ダイオードを形成する、放射デバイス。
【請求項２】
前記基板の少なくとも一部の上に形成される接着層をさらに備える、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項３】
前記基板上に形成される１つ又は複数のバスをさらに備える、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項４】
前記１つ又は複数のバスは前記ボトム電極と共通して形成されるか、又は前記１つ又は複数のバスは前記電気導体と共通して形成される、請求項３に記載の放射デバイス。
【請求項５】
前記ボトム電極は前記１つ又は複数のバス上に延在し、前記放射デバイスは、前記１つ又は複数のバスと前記ボトム電極との間に形成されるバス絶縁層をさらに備える、請求項３に記載の放射デバイス。
【請求項６】
前記バス絶縁層は前記遷移層と共通して形成される、請求項５に記載の放射デバイス。
【請求項７】
前記チップレット及び前記１つ又は複数の接続パッド上で、かつ前記１つ若しくは複数の有機若しくは無機発光層又は前記トップ電極下に配置されるチップレット絶縁層をさらに備え、前記バス絶縁層は前記チップレット絶縁層と共通して形成される、請求項５に記載の放射デバイス。
【請求項８】
前記１つ又は複数のバスは接続パッドに接続されるか、前記１つ又は複数のバスは前記トップ電極に接続されるか、又は前記トップ電極は接続パッドに接続される、請求項３に記載の放射デバイス。
【請求項９】
前記チップレット及び前記１つ又は複数の接続パッド上で、かつ前記１つ若しくは複数の有機若しくは無機発光層下に、又は前記トップ電極下に配置されるチップレット絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の有機又は無機発光層及び前記トップ電極は前記ボトム電極に対して対応してパターニングされない、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項１１】
前記ボトム電極と前記基板との間に、又は前記トップ電極の上方に配置されるカラーフィルターをさらに備える、請求項１０に記載の放射デバイス。
【請求項１２】
前記カラーフィルターは前記基板表面の一部を形成する、請求項１１に記載の放射デバイス。
【請求項１３】
前記１つ又は複数の有機又は無機発光層は前記ボトム電極に対して対応してパターニングされる、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項１４】
前記ボトム電極は前記電気導体と共通して形成される、請求項１に記載の放射デバイス。
【請求項１５】
前記基板に接着される複数のチップレット、及び複数の発光素子を画定する複数のボトム電極をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記放射デバイスはディスプレイである、請求項１に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス基板上に分散配置される別々の基板を有する独立した制御素子を用いる発光ディスプレイデバイスに関し、より詳細には、チップレットによって制御される発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイデバイスは、コンピューティングデバイスと共に、そしてポータブルデバイスにおいて、さらにはテレビのような娯楽デバイス用に広く用いられている。そのようなディスプレイは通常、基板上に分散配置される複数のピクセルを用いて画像を表示する。各ピクセルは、各画素を表すために、通常赤色光、緑色光、及び青色光を放射する、一般的にサブピクセルと呼ばれるいくつかの異なる色の発光素子を組み込んでいる。種々のフラットパネルディスプレイ技術、たとえば、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、及び発光ダイオードディスプレイが知られている。
【０００３】
発光素子を形成する発光材料の薄膜を組み込んだ発光ダイオード（ＬＥＤ）は、フラットパネルディスプレイデバイスにおいて数多くの利点を有し、光学システムにおいて有用である。Tang他に対して２００２年５月７日に発行された特許文献１は、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）発光素子のアレイを含む有機ＬＥＤカラーディスプレイを示している。代替的には、無機材料を用いることができ、無機材料は多結晶半導体マトリックス内に燐光性結晶又は量子ドットを含むことができる。有機材料又は無機材料の他の薄膜を用いて、発光薄膜材料への電荷注入、電荷輸送、又は電荷遮断を制御することもでき、そのような薄膜が当該技術分野において知られている。それらの材料は基板上において電極間に配置され、封入カバー層又はプレートを備える。発光材料に電流が通電するときに、サブピクセルから光が放射される。放射される光の周波数は、用いられる材料の特性に依存する。そのようなディスプレイでは、基板を通じて（ボトムエミッター）、又は封入カバーを通じて（トップエミッター）、又はその両方を通じて光を放射することができる。
【０００４】
ＬＥＤデバイスは、パターニングされた発光層を備えることができ、材料に電流が通電するときに異なる色の光を放射させるために、そのパターンにおいて異なる材料が用いられる。代替的には、「STACKED OLED DISPLAY HAVING IMPROVED EFFICIENCY」と題するCokによる特許文献２において教示されるように、フルカラーディスプレイを形成するために、カラーフィルターと共に単一の発光層、たとえば、白色エミッターを用いることができる。たとえば、「COLOR OLED DISPLAY WITH IMPROVED POWER EFFICIENCY」と題するCok他による特許文献３において教示されるように、カラーフィルターを含まない白色サブピクセルを用いることも知られている。デバイスの効率を改善するために、赤色、緑色、及び青色のカラーフィルター及びサブピクセルと、フィルターを備えない白色サブピクセルとを含む４色ピクセルと共に、パターニングされない白色エミッターを用いる設計が提案されている（Miller他に対して２００７年６月１２日に発行された特許文献４を参照されたい）。
【０００５】
フラットパネルディスプレイデバイス内のピクセルを制御するための２つの異なる方法、すなわち、アクティブマトリックス制御及びパッシブマトリックス制御が一般的に知られている。アクティブマトリックスデバイスでは、制御素子がフラットパネル基板上に分散配置される。通常、各サブピクセルは１つの制御素子によって制御され、各制御素子は少なくとも１つのトランジスタを含む。たとえば、簡単な従来技術のアクティブマトリックス有機発光（ＯＬＥＤ）ディスプレイでは、各制御素子は２つのトランジスタ（選択トランジスタ及びパワートランジスタ）と、サブピクセルの明度を指定する電荷を蓄えるための１つのキャパシタとを含む。各発光素子は通常、独立した制御電極及び共通電極を用いる。
【０００６】
アクティブマトリックス制御素子を形成する１つの一般的な従来技術の方法は通常、シリコン等の半導体材料の薄膜をガラス基板上に堆積させ、次いでフォトリソグラフィ工程を通じて半導体材料をトランジスタ及びキャパシタに形成する。薄膜シリコンは、アモルファス又は多結晶のいずれかとすることができる。アモルファスシリコン又は多結晶シリコンから作製される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、結晶シリコンウェハーにおいて作製される従来のトランジスタと比較して相対的に大きく、かつ性能が低い。さらに、そのような薄膜デバイスは通常、ガラス基板全体にわたって局所的な又は広域の不均一性を示し、結果として、そのような材料を用いるディスプレイの電気性能及び外観に不均一性が生じる。
【０００７】
Matsumura他は、特許文献５において、ＬＣＤディスプレイの駆動に用いられる結晶シリコン基板を記述している。その出願は、第１の半導体基板から作製されるピクセル制御デバイスを第２の平坦なディスプレイ基板上に選択的に移送し、固定するための方法を記述している。ピクセル制御デバイス内の配線相互接続、並びにバス及び制御電極からピクセル制御デバイスへの接続が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，３８４，５２９号
【特許文献２】米国特許第６，９８７，３５５号
【特許文献３】米国特許第６，９１９，６８１号
【特許文献４】米国特許第７，２３０，５９４号
【特許文献５】米国特許出願公開第２００６／００５５８６４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
それゆえ、チップレットの組込みを用いる改善された放射デバイスが必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、放射デバイスが、
ａ）基板表面を有する基板と、
ｂ）前記基板表面に接着されるチップレットであって、１つ又は複数の接続パッドを有する、チップレットと、
ｃ）前記基板表面上に形成されるボトム電極、該ボトム電極上に形成される１つ又は複数の有機又は無機発光層、及び該１つ又は複数の有機又は無機発光層上に形成されるトップ電極と、
ｄ）前記チップレットの一部のみ及び前記基板表面の一部のみの上に形成される遷移層を含む電気導体であって、該遷移層は少なくとも１つの接続パッドを露出し、該電気導体は該露出した接続パッド及び前記ボトム電極と電気的に接触して形成される、電気導体と、
を備え、
前記ボトム電極、前記光放射層、及び前記トップ電極は、前記チップレットから離間した、有機又は無機発光ダイオードを形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、チップレットを利用する発光ダイオードデバイスを制御するための簡略化された構造を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態によるデバイスの部分断面図である。
【図２】本発明の代替の実施形態によるデバイスの部分断面図である。
【図３】本発明の別の実施形態による、カラーフィルターを備えるデバイスの部分断面図である。
【図４】本発明の別の実施形態による、カバーを備えるデバイスの部分断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による、デバイスの形成を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１を参照すると、本発明の一実施形態において、放射デバイスは基板表面１１を有する基板１０を備えており、基板表面１１にチップレット２０が接着され、チップレット２０は、チップレット２０上に形成された１つ又は複数の接続パッド２４を有する。チップレット２０の一部のみ及び基板表面１１の一部のみの上に遷移層３０が配置され、少なくとも１つの接続パッド２４が露出される。基板表面１１上にボトム電極１２が形成され、ボトム電極１２上に１つ又は複数の有機又は無機発光層１４が形成され、１つ又は複数の有機又は無機発光層１４上にトップ電極１６が形成される。電気導体４０が、露出した接続パッド２４及びボトム電極１２との電気的な接触部を形成する。１つ又は複数の有機又は無機発光層１４及びトップ電極１６は、ボトム電極１２よりも大きな範囲にわたって形成することができる。一般的に、１つ又は複数の有機又は無機発光層１４及びトップ電極１６はパターニングされないこともあり得るが、発光素子のためのアクティブマトリックス制御部を形成するために、ボトム電極１２はパターニングされる。チップレット２０は、ボトム電極１２を制御するための回路部を提供し、たとえば、ポリシリコン又はアモルファスシリコンを含む、従来の薄膜トランジスタの代わりに用いることができる。
【００１４】
同じ譲受人に譲渡され、同時係属のWinters他による「OLED DEVICE WITH EMBEDDED CHIP DRIVING」と題する米国特許出願第１２／１９１，４７８号は、大きなガラス基板と共に、複数の小さな結晶性シリコンピース（「チップレット」）を用いて、ディスプレイデバイス内のアクティブマトリックス制御を提供することを記述しており、その特許出願は参照によりその全体が本明細書に援用される。チップレットは、トランジスタのような駆動素子を含み、最初に半導体ウェハー上に形成される。その後、小さなチップレットデバイスは、シリコンウェハー基板から切り離され、ガラスディスプレイ基板上に実装される。一連の平坦化層を用いて、チップレットを接着し、埋設する。本発明は遷移層を用いて、チップレットを用いる電気光学ディスプレイのコストを削減し、かつ光学的性能を改善する。
【００１５】
本発明はトップエミッター構成及びボトムエミッター構成の両方において用いることができる。ボトムエミッター構成では、ボトム電極１２は透明であり、たとえば、ＩＴＯから構成され、トップ電極１６は反射性とすることができ、たとえば、アルミニウム、銀若しくはマグネシウム、又は金属合金から構成される。ボトムエミッター構成では、基板１０も透明でなければならないが、トップエミッター構成ではそのような制約はない。トップエミッター構成では、ボトム電極１２は反射性とすることができるが、トップ電極１６は透明でなければならない。図１は、上面発光又は底面発光のいずれかとすることができる本発明の一実施形態を示している。図３はボトムエミッター構造を示す。図２及び図４はトップエミッター構造である。
【００１６】
基板１０の少なくとも一部の上に接着層３６を形成することができ、その接着層を用いて、チップレット２０を基板１０に接着することができる。接着層３６は、チップレット２０と基板１０との間にのみ形成することができるか（図１に示される）、又は接着層３６は、基板１０全体にわたって延在し、基板表面１１を形成することができる（図示せず）。１つ又は複数のバス１８を基板１０上に形成することができ、そのバスを用いて、チップレット２０上の接続パッド２４に電源、グランドを接続するか、又は制御信号を伝達することができる。バス絶縁層３２がバス１８を発光層１４から絶縁することができる。図１に示されるように、バス絶縁層３２内に形成されるビア１９を通して、バス１８Ａをトップ電極１６に電気的に接続することができる。同様に、チップレット絶縁層３４が、チップレット２０及び接続パッド２４を、発光層１４又はトップ電極１６から絶縁し、保護することができる。
【００１７】
トップエミッター構成又はボトムエミッター攻勢のいずれにおいても、オプションのカラーフィルターを用いて、発光層１４によって放射される光をフィルタリングすることができる。図３を参照すると、基板１０の少なくとも一部とボトム電極１２との間にカラーフィルター５０を形成することができる。カラーフィルター５０は、基板１０の一部の上に直に、又は基板１０上に形成される他の層の部分の上に形成することができる。トップエミッターの実施形態では、カラーフィルター５０は、カバー６０上に（図４）、又はトップ電極１６上に直に（図示せず）配置することができる。ディスプレイデバイスにおいて、複数のチップレット及び独立して制御される複数のボトム電極と共に、複数のカラーフィルターを用いて、異なる色のサブピクセルを有する複数のピクセル素子を形成することができる。カラーフィルターは、発光材料が基板上でパターニングされない場合に特に有用である。代替的には、ボトム電極に合わせて、それぞれ異なる色の光を放射する異なる発光材料を基板上でパターニングし、多色ディスプレイを形成することができる。
【００１８】
本発明によれば、基板１０上を概ね覆うが、チップレット２０又はボトム電極１２上、又はその上方を覆わない任意の層が基板表面１１を形成することができる。チップレット２０が基板表面１１に接着されるように、チップレット２０と基板表面１１との間にのみパターニングされた任意の層（たとえば、接着層３６）は、そのようなパターニングされた層が存在する場合であっても、チップレット２０の一部と見なすことができる。同様に、ボトム電極１２が基板表面１１上に形成されるように、ボトム電極１２と基板表面１１との間にのみパターニングされた任意の層（たとえば、カラーフィルター）は、そのようなパターニングされた層が存在する場合であっても、ボトム電極１２又は基板表面１１のいずれかの一部と見なされる。代替的には、基板１０の一部を覆うが、チップレット２０又はボトム電極１２上、又はその上方には延在せず、遷移層３０とは異なる材料を含むか、又は異なるステップにおいて堆積される層は、基板表面１１の一部を形成すると見なすことができる。この代替的な理解によれば、基板１０とボトム電極１２との間にカラーフィルター５０が用いられる場合には、カラーフィルター５０の表面が基板表面１１としての役割を果たすことができる（図３）。それゆえ、発光層１４、トップ電極１６及びチップレット絶縁層３４は、基板表面１１を形成すると見なすことはできないが、カラーフィルター層５０、バス絶縁層３２（図２のみ）又は接着層３６は基板表面１１を形成すると見なすことができる。
【００１９】
図１の設計は、トップエミッター構成及びボトムエミッター構成の両方において用いることができるが、そのような設計は、デバイスの発光面積を制限する。図２を参照すると、ボトム電極１２は、１つ又は複数のバス１８及びバス絶縁層３２上に延在し、それにより、発光層１４を通してトップ電極１６及びボトム電極１２から電流を通電し、トップエミッター構造を形成することによって光を放射することができる面積を増加させる。
【００２０】
遷移層３０によって覆われる基板面積が最小限に抑えられ、バス絶縁層３２が、必要とされる基板面積にのみに制限されるので、本発明の種々の実施形態は、最小限の材料しか必要としないという利点を有する。同様に、チップレット絶縁材料３４、及びチップレット接着層３６も最小限に抑えられる。
【００２１】
今日、ＬＣＤ産業用の「カラーフィルターガラス」を製造及び販売する大量生産基盤が存在する。これらの製品は、ガラス上にパターニングされるカラーフィルターを含み、それがパターニングされた透明導体で覆われ、その導体は一般的にはＩＴＯである。本発明の低コストの実施形態は、放射デバイスのための基板及び下側電極として、このカラーフィルターガラスを用いて開始する。
【００２２】
図５において説明され、図示されるような本発明の方法によれば、基板表面を有する基板を設けること（１００）によって、放射デバイスを作製することができる。チップレットが設けられ（１０５）、基板表面に接着され（１１０）、チップレットは１つ又は複数の接続パッドを有する。チップレットの一部のみ及び基板表面の一部のみにわたって遷移層が形成され（１１５）、遷移層は少なくとも１つの接続パッドを露出させる。基板表面上にボトム電極が形成される（１２０）。一実施形態では、ボトム電極は、チップレットが基板に接着される前に形成することができる。代替的には、ボトム電極は、チップレットが基板に接着された後に形成することができる。電気導体が、露出した接続パッド及びボトム電極と電気的に接触して形成される（１２５）。１つ又は複数の有機又は無機発光層がボトム電極上に形成され（１３０）、１つ又は複数の有機又は無機発光層上にトップ電極が形成される（１３５）。一般的に、発光層が形成され（１３０）、トップ電極が形成される（１３５）前に、電気導体が形成される（１２５）。
【００２３】
本発明の種々の実施形態において、ボトム電極は電気導体と共通のステップにおいて形成することができ、それにより製造コストを削減することができる。１つ又は複数のバスを基板上に形成することができ、バスは、ボトム電極と共通のステップにおいて形成することができるか、又はバスは、電気導体と共通のステップにおいて形成することができる（たとえば、図１）。１つ又は複数のバスとボトム電極との間にバス絶縁層を形成することができる。バス絶縁層は、遷移層と共通のステップにおいて形成することができる（たとえば、図２及び図４）。チップレット及び接続パッドの上で、かつ１つ又は複数の発光層又はトップ電極の下のチップレット絶縁層を形成することができる。バス絶縁層は、チップレット絶縁層と共通のステップにおいて形成することができる（たとえば、図１及び図３）。本発明の要素を共通のステップにおいて形成することによって、処理ステップ及びコストが削減される。チップレット上の接続パッドとボトム電極との間に形成される電気導体はボトム電極の前に、ボトム電極の後、又は最も望ましくは、処理ステップ及びコストを削減するためにボトム電極と同じステップにおいて形成することができる（たとえば、図１）。
【００２４】
基板とボトム電極との間に、又はトップ電極の上方、たとえば、カバー上に１つ又は複数のカラーフィルターを形成することができる。
【００２５】
本発明は、用いられる材料の量を削減するという利点を有する。これは、デバイスのコストを削減するだけでなく、光が材料の中を通り抜けていた場合には、本発明はデバイスの光出力効率を高める。バス絶縁層、チップレット絶縁層、遷移層、又は接着層に用いられる材料、たとえば、樹脂を、当該技術分野において知られているインクジェット又はマイクロディスペンシング技術を用いて、パターンを成すように堆積することができる。代替的には、当該技術分野において知られているフォトリソグラフィ法を用いることができる。マスクを使った蒸着法を用いて、又は従来のフォトリソグラフィ法を用いて、金属層を形成することができる。パターンニングされた堆積又はレーザアブレーションによってビアを形成することができる。
【００２６】
本発明のさらに別の利点は、インクジェット又はマイクロディスペンシング法を用いて、種々の絶縁層を形成することができ、それにより従来のフォトリソグラフィ工程の場合のように、用いられる材料が必ずしも光活性である必要がないことである。それゆえ、それらの材料を安価にすることができる。さらに、光活性材料が用いられる場合には、露光される際に、チップレット２０そのものを用いて、接着材料をチップレット２０の下で（上から）マスクすることができ、それにより、高額のマスク、及びチップレット２０を基板１０に接着する際の位置合わせ手順を不要することができる。同様に、下から（基板１０を通して）露光される際にチップレット２０で光硬化可能樹脂をマスクすることによって、チップレット絶縁層３４を形成し、パターニングすることができる。
【００２７】
デバイス基板１０はガラスを含むことができる。バス１８、トップ電極１６若しくはボトム電極１２、又は導体４０は、蒸着又はスパッタリングされる金属、たとえば、アルミニウム若しくは銀、又は金属合金から作製することができる。チップレット２０は、集積回路業界において十分に確立されている従来の技法を用いて形成することができ、先に引用された、同じ譲受人に譲渡され、同時係属の米国特許出願第１２／１９１，４７８号において記述される方法を用いて、基板１０上に配置することができる。絶縁層３０、３２、３４は樹脂から作製することができる。市販されている材料（たとえば、ベンゾシクロブテン）を用いて、チップレットを効果的に接着し、種々の絶縁層３０、３２、及び３４を形成することができる。
【００２８】
チップレットは、ディスプレイ基板とは別に製造され、その後、ディスプレイ基板に取り付けられる。チップレットは、半導体デバイスを製造するための既知の工程を用いて、シリコンウェハー又はシリコン・オン・インシュレーター（ＳＯＩ）ウェハーを用いて製造されることが好ましい。各チップレットは、その後、ディスプレイ基板に取り付けられる前に分離される。それゆえ、各チップレットの結晶性支持体は、チップレットの回路部がその上に配置されるデバイス基板とは別の基板と見なすことができる。詳細には、独立した基板は、その上にピクセルが形成される基板１０とは別であり、マルチプレットデバイス用の独立したチップレット基板の面積は、合わせても、デバイス基板１０より小さい。チップレットは、たとえば、薄膜アモルファス又は多結晶シリコンデバイスにおいて見られる能動構成要素よりも、高い性能の能動構成要素を提供する結晶基板を有することができる。チップレットは１００μｍ以下の厚みを有することができることが好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、チップレットの一部の上に遷移層３０を形成することが容易になる。
【００２９】
チップレット２０は半導体基板内に形成されるので、チップレットの回路部は、最新のリソグラフィツールを用いて形成することができる。そのようなツールによれば、０．５ミクロン以下の機構サイズが容易に利用可能である。たとえば、最新の半導体製造ラインは、９０ｎｍ又は４５ｎｍの線幅を達成することができ、本発明のチップレットを作製する際に用いることができる。それゆえ、各ピクセルにつき２つのトランジスタのような、ピクセルを駆動するチップレットの回路部を小さく作製することができる。しかしながら、チップレットは、ディスプレイ基板上に組み付けられると、チップレット上に設けられる配線層への電気的接続を作製するための接続パッドも必要とする。接続パッドのサイズは、ディスプレイ基板上で用いられるリソグラフィツールの機構サイズ（たとえば、５μｍ）、及び配線層に対するチップレットの位置合わせ（たとえば、±５μｍ）に基づかなければならない。それゆえ、接続パッドは、たとえば、１５μｍ幅にすることができ、パッド間に５μｍの間隔をあけることができる。これは、パッドが一般的には、チップレット内に形成されるトランジスタ回路部よりも著しく大きいことを意味する。
【００３０】
接続パッド２４は一般的に、トランジスタを覆う、チップレット上のメタライゼーション層内に形成することができる。製造コストを下げることができるように、できる限り小さな表面積を有するチップレットを作製することが望ましい。それゆえ、一般的には、トランジスタではなく、接続パッドのサイズ及び数が、チップレットのサイズを制限することになる。
【００３１】
本発明はマルチピクセルインフラストラクチャ又はマルチチップレットインフラストラクチャを有するデバイスにおいて用いることができ、チップレットが、各ピクセルをアクティブマトリックス素子として制御する回路部を有するアクティブマトリックス構成で、又はパッシブマトリックスコントローラーとして用いることができる。本発明は、コスト削減及び性能改善が重要であるときに利点を提供する。特に、本発明は、有機又は無機いずれかのアクティブマトリックスＬＥＤデバイスで実施することができ、情報表示デバイスにおいて特に有用である。好ましい実施形態では、本発明は、限定はしないが、Tang他に対して１９８８年９月６日に発行された米国特許第４，７６９，２９２号及びVan Slyke他に対して１９９１年１０月２９日に発行された米国特許第５，０６１，５６９号において開示されるような小分子又はポリマーＯＬＥＤから構成されるフラットパネルＯＬＥＤデバイスにおいて用いられる。たとえば、多結晶半導体マトリックス内に形成される量子ドットを用いる無機デバイス（たとえば、Kahenによる米国特許出願公開第２００７／００５７２６３号において教示される）、及び有機若しくは無機電荷制御層を用いるデバイス、又はハイブリッド有機／無機デバイスを用いることができる。有機又は無機発光ディスプレイの数多くの組み合わせ及び変形を用いて、トップエミッターアーキテクチャ又はボトムエミッターアーキテクチャのいずれかを有するアクティブマトリックスディスプレイを含む、そのようなデバイスを製造することができる。
【００３２】
本発明は、特定の好ましい実施形態を特に参照しながら詳細に説明されてきたが、本発明の精神及び範囲内で変形及び変更を実施できることが理解されるべきである。
【符号の説明】
【００３３】
１０  デバイス基板
１１  基板表面
１２  ボトム電極
１４  発光層
１６  トップ電極
１８、１８Ａ  バス
１９  ビア
２０  チップレット
２４  接続パッド
３０  遷移層
３２  バス絶縁層
３４  チップレット絶縁材料
３６  接着層
４０  電気導体
５０  カラーフィルター
６０  カバー
１００  基板を設けるステップ
１０５  チップレットを設けるステップ
１１０  チップレットを接着するステップ
１１５  遷移層を形成するステップ
１２０  ボトム電極を形成するステップ
１２５  導体を形成するステップ
１３０  発光層を形成するステップ
１３５  トップ電極を形成するステップ
【図１】
0005475796.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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