(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドから延在された複数の吊りリードとを含むリードフレームと、
前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記吊りリードを封止する樹脂と、
を有し、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドから延在された複数の吊りリードとを含むリードフレームと、
前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記吊りリードを封止する樹脂と、
を有し、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、直線状の傾斜面が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子と、
前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドから延在された複数の吊りリードとを含むリードフレームと、
前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記吊りリードを封止する樹脂と、
を有し、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、前記吊りリードの内側に凹んだ円弧状の傾斜面が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記吊りリードは、前記ダイパッドから延在する方向に沿って、その幅が狭くなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記吊りリードは、前記半導体素子の４隅部に対応して、前記ダイパッドから４方向に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、
前記ダイパッドより延在された複数の吊りリードと、
を含み、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項７】
半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、
前記ダイパッドより延在された複数の吊りリードと、
を含み、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、直線状の傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、
前記ダイパッドより延在された複数の吊りリードと、
を含み、
前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、
前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、前記吊りリードの内側に凹んだ円弧状の傾斜面が設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項９】
前記吊りリードは、前記ダイパッドから延在する方向に沿って、その幅が狭くなっていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止構造を有する半導体装置ならびに当該半導体装置に適用されるリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、リードフレームのダイパッド（ダイステージ）に、ダイス付け材（ダイボンド材）を用いて半導体素子（半導体チップ）が搭載・固着され、当該半導体素子の電極端子とリードフレームのインナーリードとの間がボンディングワイヤにより接続され、更に半導体素子、ボンディングワイヤ、ダイパッドならびにインナーリードなどが封止用樹脂により被覆されてなる所謂樹脂封止型半導体装置が知られている。
【０００３】
当該樹脂封止型半導体装置に於いては、半導体素子の種類、外形寸法、ならびにリードフレームの外部接続用端子部（アウターリード）の導出構造・配置構成などに応じて、種々の形態のリードフレームが適用される。
【０００４】
かかるリードフレームの構成として、一つに、搭載される半導体素子の平面外形寸法よりも大きい平面寸法を有するダイパッド、所謂標準ダイパッド構造を有するリードフレームが知られている。
【０００５】
一方、搭載される半導体素子の平面外形寸法よりも小さな平面寸法を有するダイパッドを、吊りリードによって支持する、所謂小ダイパッド構造のリードフレームも周知である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−１３４８５３号公報
【特許文献２】特開平７−７１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記標準ダイパッド構造のリードフレームを用いた半導体装置にあっては、その試験時或いは基板実装時の加熱条件によっては、当該半導体装置内に於いて、ダイパッド部とダイス付け材との間、或いはダイパッド部と封止用樹脂との間に、剥離を生ずる場合がある。
【０００８】
当該剥離は、ダイパッド、ダイス付け材、ならびに封止用樹脂の材質の相違、或いは当該ダイパッドとダイス付け材との接触面積、ダイパッド部と封止用樹脂との接触面積などに基づく、各部材間の密着性の低下により発生するとされている。
【０００９】
これに対し、小面積のダイパッドを具備する構造（以下小ダイパッド構造）のリードフレームを用いた場合には、当該ダイパッドを設けることにより、ダイパッドとダイス付け材との接触面積、ならびにダイパッドと封止用樹脂との接触面積を低減することができ、比較的密着性が良いとされる封止用樹脂と半導体素子との接触面積を増加させることができる。
【００１０】
従って、前述の如き標準ダイパッド構造のリードフレームを用いた場合などに生ずる剥離の防止に対して効果が得られる。
しかしながら、当該小ダイパッド構造を適用した場合であっても、小ダイパッドのサイズや小ダイパッド下面の樹脂厚によっては、当該半導体装置内の封止用樹脂に於けるクラックの発生を招来してしまう。
【００１１】
かかる小ダイパッド構造を採用した樹脂封止型半導体装置の一例を、半導体装置５００として、図１０及び図１１に示す。
図１０は、当該半導体装置５００を、ダイパッド（ダイステージ）側から透視的に示すものであり、且つ封止用樹脂の一部を除いた状態を示している。また、図１１（Ａ）は、図１０に於ける線Ｘ５−Ｘ５に於ける断面を示し、図１１（Ｂ）は、図１０に於ける線Ｙ５−Ｙ５に於ける断面を示している。更に、図１１（Ｃ）は、図１０に於ける線Ｚ５−Ｚ５に於ける断面を示している。
【００１２】
当該半導体装置５００にあっては、ダイパッド（ダイステージ）１１上に、ダイス付け材（ダイボンド材）２１を用いて半導体素子（半導体チップ）３１が搭載・固着されており、当該半導体素子３１に於ける複数の電極端子３２は、ボンディングワイヤ４１を介してリード端子１３のインナーリード１３ａに接続されている。前記ダイパッド１１からは、４本の吊りリード１２が延在している。
【００１３】
そして、当該ダイパッド１１、半導体素子３１、ボンディングワイヤ４１、リード端子１３のインナーリード１３ａ、ならびに吊りリード１２などが、封止用樹脂５１により被覆されている。
【００１４】
リード端子１３のアウターリード１３ｂは、当該半導体装置５００の外部接続用端子を構成する。
当該半導体装置５００に於いては、ダイパッド１１から延在された前記４本の吊りリード１２は、それぞれ比較的広い幅（幅Ｗ７）を有し、当該ダイパッド１１から互いに９０°異なる方向に延在して配設されている。
【００１５】
また、当該半導体装置５００にあっては、ダイパッド１１上に、半導体素子３１が平行に、即ち平坦に搭載されない場合、或いは樹脂封止処理の際にダイパッド１１に変形（浮き沈み）が生じた場合などには、吊りリード１２が半導体素子３１に接触する状態が生じてしまう。かかる状態を図１１（Ｂ）に示す。
【００１６】
円６１により囲繞された部分が、半導体素子３１と吊りリード１２とが接触した部位を示している。
この様な接触を生ずると、吊りリード１２が幅広であることから、当該吊りリード１２と半導体素子３１との接触面積も比較的大きく、また当該接触部位の近傍に於いては、封止用樹脂５１が充填されない空間が生じてしまう。
【００１７】
この様な空間に於いては、封止用樹脂５１中に含まれる水分が集合する一方、当該封止用樹脂５１を介しての半導体素子３１と吊りリード１２と間の密着力も低下する。
この為、当該半導体装置５００を、電子機器に於ける配線基板（マザーボード）上に実装する際などに、はんだ材の再溶融（リフロー）処理の為の高温状態に晒すと、前記接触部位の近傍に於いて、半導体素子３１と吊りリード１２との間に剥離を生じてしまう。
【００１８】
即ち、高温状態に晒されることにより、前記水分が膨張して、密着力が低下している半導体素子３１と吊りリード１２との間を更に押し広げ、広範囲にわたる剥離を生じてしまう。図１０に於いて、部位６１が、当該剥離部を示す。
【００１９】
当該半導体装置５００を、配線基板（マザーボード）上に実装する際に適用されるはんだ材が所謂鉛（Ｐｂ）フリーはんだである場合には、その再溶融（リフロー）処理温度がより高いことから、水分の膨張に伴う半導体素子３１と吊りリード１２との間の押し広げ、これによる剥離はより容易に、且つ広範囲に及んでしまう。
【００２０】
一方、かかる小ダイパッド構造を採用した半導体装置にあって、より幅の狭い吊りリードを備えたリードフレームを適用した樹脂封止型半導体装置を、半導体装置６００として、図１２及び図１３に示す。
【００２１】
図１２は、当該半導体装置６００を、ダイパッド（ダイステージ）側から透視的に示すものであり、且つ封止用樹脂の一部を除いた状態を示している。また、図１３（Ａ）は、図１２の線Ｘ６−Ｘ６に於ける断面を示し、図１３（Ｂ）は、図１２の線Ｙ６−Ｙ６に於ける断面を示す。更に、図１３（Ｃ）は、図１２の線に於けるＺ６−Ｚ６断面を示している。
【００２２】
当該半導体装置６００にあっても、リードフレームのダイパッド１１上に、ダイス付け材（ダイボンド材）２１を用いて半導体素子（半導体チップ）３１が搭載・固着されており、当該半導体素子３１の複数の電極端子３２は、リード端子１３のインナーリード１３ａに対してボンディングワイヤ４１により接続されている。そして、ダイパッド１１からは、４本の吊りリード１２が延在している。
【００２３】
そして、当該ダイパッド１１、半導体素子３１、ボンディングワイヤ４１、リード端子１３のインナーリード１３ａ、ならびに吊りリード１２などが、封止用樹脂５１により被覆されている。
【００２４】
リード端子１３のアウターリード１３ｂは、当該半導体装置６００の外部接続用端子を構成する。
当該半導体装置６００に於いては、ダイパッド１１から延在された４本の吊りリード１２は、前述の半導体装置５００に於ける吊りリード１２よりも狭い幅（幅Ｗ８）を有し、当該ダイパッド１１から互いに９０°異なる方向に延在して配設されている。
【００２５】
当該吊りリード１２の幅が狭いことから、かかる吊りリード１２と半導体素子３１との接触面積は小さく、またその接触部位近傍に於いて、封止用樹脂５１が充填されない空間が生じたとしても、その容積は極めて小さい（図示せず）。
【００２６】
この為、封止用樹脂５１の中に含まれる水分の膨張を生じたとしても、吊りリード端子１３と半導体素子３１との間を押し広げる力は、前記半導体装置５００の場合に比べ小さい。
【００２７】
従って、当該接触界面周辺の半導体素子３１と封止用樹脂５１との密着は維持され、広範囲にわたる剥離の発生は防止される。
しかしながら、かかる構成にあっては、温度サイクル試験後に於いて、前記ダイパッド１１の周縁部に於ける封止用樹脂５１にクラック（割れ）を生じてしまう場合がある。
【００２８】
かかる状態を図１３（Ａ）に示す。部位７１が、封止用樹脂５１に於いて生じたクラックである。
即ち、封止用樹脂５１に於けるクラックは、半導体装置６００に対する加熱或いは冷却の際に、当該封止用樹脂５１も熱膨張・収縮するが、この時生ずる応力が半導体装置の中央部に集中し易いことにより生ずる。
【００２９】
当該応力が、封止用樹脂５１の剪断応力程に大きくなると、半導体装置６００の中央部に位置するダイパッド１１の近傍に於いて、当該封止用樹脂５１に、其処を起点とするクラック７１が生じてしまう。
【００３０】
当該応力は、吊りリード１２の幅が広い場合には分散され易いが、当該吊りリード１２の幅が狭い場合にはその分散が効果的に行われず、当該応力の集中を抑制・防止することが困難である。
【００３１】
この為、前述の如く、封止用樹脂５１中に、クラック７１を生じ易い。
前述の如く、小ダイパッド構造を採用した樹脂封止型半導体装置にあっては、標準ダイパッド構造に於いて生じ易い封止用樹脂と吊りリードとの間の剥離を防止・抑制することができる。
【００３２】
しかしながら、温度サイクルが印可された場合に生ずる応力を吸収することができず、ダイパッドの周囲近傍に於いて、封止用樹脂にクラックを生じてしまう。
本発明は、半導体素子が搭載・固着されるダイパッドに連続するところの吊りリードの幅方向に於ける断面構成を検討し、半導体素子と吊りリードとの接触、封止用樹脂とリードフレームとの間の剥離、ならびに当該封止用樹脂に於けるクラックの発生を防止・低減することができる半導体装置を得ようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明の一観点によれば、半導体素子と、前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドから延在された複数の吊りリードとを含むリードフレームと、前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記吊りリードを封止する樹脂と、を有し、前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差、直線状の傾斜面、又は、前記吊りリードの内側に凹んだ円弧状の傾斜面が設けられている半導体装置が提供される。
【００３４】
また、本発明の他の観点によれば、半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドより延在された複数の吊りリードと、を含み、前記ダイパッドの前記半導体素子が搭載される面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭く、前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差、直線状の傾斜面、又は、前記吊りリードの内側に凹んだ円弧状の傾斜面が設けられているリードフレームが提供される。
【発明の効果】
【００３５】
開示の半導体装置によれば、樹脂封止部内に於ける部材間の剥離、及びクラックの発生を抑え、半導体装置の品質及び信頼性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームの構成を示す平面模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るリードフレームに於ける吊りリードの構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面模式図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の別例の構成を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームの構成を示す平面模式図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームに於ける吊りリードの構成を示す断面模式図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面模式図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面模式図である。
【図１０】従来の半導体装置（その１）の構成を示す平面模式図である。
【図１１】従来の半導体装置（その１）の構成を示す断面模式図である。
【図１２】従来の半導体装置（その２）の構成を示す平面模式図である。
【図１３】従来の半導体装置（その２）の構成を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明による半導体装置について、実施の形態をもって説明する。
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に於けるリードフレーム８０を、図１に示す。
【００３８】
当該図１には、銅（Ｃｕ）板からなる金属板に対するプレス加工などにより形成された、一つのリードフレーム８０が示されている。
図１は、当該リードフレーム８０に於ける、半導体素子が搭載・固着される主面側を表している。
【００３９】
図示される一つのリードフレーム８０は、一個の樹脂封止型半導体装置の形成に適用される。
そして、当該リードフレーム８０には枠部１１１が存在し、他の半導体装置形成用リードフレームが形成されている（図示せず）。
【００４０】
当該リードフレーム８０は、ダイパッド（ダイステージ）１１２、当該ダイパッド１１２から互いに異なる方向に延在する４本の吊りリード１１３を具備している。
そして、当該吊りリード１１３の間に配置され、ダムバー（タイバー）１１４をもって相互に接続され、且つ略同一平面に配置された、複数本のリード端子１１５を具備している。
【００４１】
ここで、当該ダイパッド１１２は、平面形状が円形であって、同図に破線をもって示される矩形状の半導体素子１２１の外形寸法よりも小さな平面外形寸法を有している。
また、４本の吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の主面と平行な平面に於いて、互いに９０°異なる方向に、そして前記半導体素子１２１の四隅にほぼ対応して延在している。
【００４２】
当該吊りリード１１３は、その長さ方向に沿って、前記ダイパッド１１２の上面、即ち半導体素子１２１の搭載・固着面と同一の平面を有し、且つある幅Ｗ１を有する第１の部位と、当該ダイパッド１１２の下面（裏面）と同一の平面を有し、且つ前記第１の部位よりも大なる幅Ｗ２を有する第２の部位を具備している。
【００４３】
即ち、前記第１の部位が、半導体素子１２１の裏面に対向して、近接することとなる。
一方、前記リード端子１１５のそれぞれは、ダムバー（タイバー）１１４を境として、内側（ダイパッド１１２側）がインナーリード１１５ａと称され、外側（枠部１１１側）がアウターリード１１５ｂと称される。
【００４４】
当該ダムバー１１４は、それぞれ前記吊りリード１１３の延長部にまで到達して配設され、一体化されている。
そして、当該リードフレーム８０を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程にあっては、先ず前記ダイパッド１１２上に、銀（Ａｇ）ペーストなどのダイス付け材（ダイボンド材、図示せず）を介して半導体素子１２１が搭載・固着される。
【００４５】
当該半導体素子１２１は、ダイパッド１１２よりも大きな平面外形寸法を有する。
当該ダイパッド１１２上に固着された半導体素子１２１の電極端子（図示せず）は、金（Ａｕ）線などのボンディングワイヤ（図示せず）を介して、対応する前記インナーリード１１５ａに接続される。
【００４６】
次いで、当該半導体素子１２１、ボンディングワイヤ、インナーリード１１５ａ、ならびにダイパッド１１２及び吊りリード１１３は、エポキシ系樹脂からなる封止用樹脂（図示せず）により封止される。樹脂封止方法としては、所謂トランスファモールド法が適用される。
【００４７】
この時、溶融状態にある封止用樹脂は、前記ダムバー１１４によって、アウターリード１１５ｂ側への流動が阻止される。
樹脂封止の後、当該リードフレーム８０は、図１に於ける点線Ｌ１に沿って、即ちリード端子１１５のアウターリード１１５ｂの外端部と枠部１１１との間に於いて切断され、形成された半導体装置は、枠部１１１から分離される。
【００４８】
この時、リード端子１１５の相互間、ならびに当該リード端子１１５と吊りリード１１３との間に在るダムバー１１４も同時に切断除去されて、各リード端子１１５は独立したものとされる。
【００４９】
そして、必要であれば、当該リード端子１１５の曲げ加工も同時に行われ、その形状が整えられる。
これにより、樹脂封止部の平面形状が矩形状を有する樹脂封止型半導体装置が形成される。
【００５０】
かかる半導体装置に於いて、前記ダイパッド１１３は、樹脂封止型半導体装置のほぼ中央部に位置している。
尚、前記リードフレーム８０の材料としては、前記銅（Ｃｕ）の他、当該銅（Ｃｕ）を含む合金、或いは鉄（Ｆｅ）及びニッケル（Ｎｉ）を含む合金（所謂４２アロイ）などの金属材料を適用することができる。
【００５１】
また、当該リードフレーム８０の形成法としては、前記プレス加工の他、エッチング加工を適用することもできる。
何れの方法にあっても、通常は、１枚の短冊状の板材に、複数個の半導体装置形成部を配置する。
【００５２】
そして、各半導体装置形成部に於けるダイパッド（ダイステージ）に半導体素子が搭載・固着されて、樹脂封止型半導体装置の製造が行われる。
本実施の形態にあっては、この様なリードフレーム８０に於ける吊りリード１１３の構成、特に当該吊りリード１１３の断面構造について、特徴的構成を有する。
【００５３】
本実施の形態に於けるリードフレーム８０の、吊りリード１１３の断面構造を、図２（Ａ）に示す。
当該断面は、図１に於ける線Ｚ１−Ｚ１に於ける断面である。
【００５４】
尚、長方形ＳＣは、当該リードフレーム８０上に搭載・固着される半導体素子１２１を模式的に示している。
図１ならびに図２（Ａ）に示される如く、当該吊りリード１１３は、前記ダイパッド（ダイステージ）１１２の上面、即ち半導体素子１２１の搭載・固着面と同一の平面に於いて、幅Ｗ１を有する第１の部位１７１と、当該ダイパッド１１２の下面（裏面）と同一の平面に於いて前記第１の部位１７１よりも大なる幅Ｗ２を有する第２の部位１７２を具備している。
【００５５】
即ち、吊りリード１１３に於ける、ダイパッド１１２の半導体素子搭載側の主面（上面）に連続する主面の幅Ｗ１は、当該ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）の幅Ｗ２よりも小とされている。
【００５６】
当該第１の部位１７１は、当該吊りリード１１３の幅方向のほぼ中央に位置している。
そして、前記第２の部位１７２の幅Ｗ２が当該第１の部位１７１の幅Ｗ１よりも大であることから、当該吊りリード１１３の延在する方向に沿って、第１の部位１７１の両側には幅Ｗ１０、深さ（高さ）ｄ１を有する段差部１７３が存在する。
【００５７】
当該段差部１７３は、前記第１の部位１７１が略垂直に立ち上がる形状を有している。
従って、当該段差部１７３を除いて吊りリード１１３のほぼ中央部に於ける第１の部位１７１は、リードフレーム８０と等しい厚さを有する。
【００５８】
かかる吊りリード１１３に於ける、前記第１の部位１７１の設定、即ち段差部１７３の形成は、前述の如く、プレス加工或いはエッチング加工により形成されたリードフレーム８０に対し、再度プレス加工を施すことにより行うことができる。
【００５９】
即ち、プレス加工或いはエッチング加工により幅Ｗ２をもって形成された吊りリード１１３に対し、その半導体素子の搭載・固着面側の面に再度プレス加工を施すことにより、段差部１７３ならびに幅Ｗ１を有する第１の部位１７１を形成する。
【００６０】
尚、該吊りリード１１３に於いて、ダイパッド１１２の半導体素子搭載側の主面（上面）に連続する主面の幅Ｗ１を、当該ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）の幅Ｗ２よりも小とするための手段としては、プレス加工の他、面取り加工或いはエッチング処理を適用することもできる。
【００６１】
即ち、金属板材に対するプレス加工により、所定の幅（例えば、幅Ｗ２）をもって断面矩形状の吊りリード１１３を形成した後、その一方の主面（上面）側の角部に対して、面取り加工を行うことにより、直線状傾斜部１７４を形成する。
【００６２】
面取り加工法によれば、吊りリード内に生じる加工歪みを抑制することができる。
当該面取り加工により整形された吊りリード１１３の断面を、図２（Ｂ）に示す。
尚、此処に於いても、当該ダイパッド１１２に搭載・固着される半導体素子１２１を、長方形ＳＣをもって模式的に示している。
【００６３】
即ち、当該吊りリード１１３は、その側面から一方の主面（上面）に対して、直線状に連続する傾斜部１７４を有している。当該傾斜部１７４は、当該吊りリード１１３の両側面に配設される。
【００６４】
この為、当該一方の主面（上面）１７１は、他方の主面（下面）１７２の幅Ｗ２よりも小である幅Ｗ１を有する。
そして、当該一方の主面（上面）１７１から、深さｄ１をもって、直線状傾斜部１７４が形成されている。
【００６５】
一方、エッチング加工を適用する場合には、金属板材に対するプレス加工により、所定の幅（例えば、幅Ｗ２）をもって断面矩形状の吊りリード１１３を形成した後、当該吊りリード１１３の両主面に幅の異なるエッチングマスク層を配設する。
【００６６】
当該吊りリード１１３の一方の主面（上面、ダイパッド１１２の半導体素子搭載側の主面に連続する面）に配設されるエッチングマスク層の幅は、他方の主面（下面）に配設されるエッチングマスク層の幅よりも小とされる。
【００６７】
そして、当該吊りリード１１３の両面から、等方性エッチングを施すことにより、その側面部に円弧状の傾斜部１７５ａ，１７５ｂを形成する。
当該エッチング加工により整形された吊りリード１１３の断面を、図２（Ｃ）に示す。
【００６８】
尚、此処に於いても、当該ダイパッド１１２に搭載・固着される半導体素子１２１を、長方形ＳＣをもって模式的に示している。
即ち、当該吊りリード１１３は、その側面から一方の主面（上面）に対して円弧状に連続する第１の傾斜部１７５ａ、ならびに側面から他方の主面（下面）に対して円弧状に連続する第２の傾斜部１７５ｂを有している。当該傾斜部１７５ａならびに１７５ｂは、当該吊りリード１１３の両側面に配設される。
【００６９】
第１の傾斜部１７５ａは、第２の傾斜部１７５ｂよりも、当該吊りリード１１３の厚さ方向に深く、深さｄ１をもって形成されており、当該吊りリード１１３の一方の主面（上面）は、他方の主面（下面）の幅Ｗ２よりも小である幅Ｗ１を有する。
【００７０】
前記リードフレーム８０を適用して形成された半導体装置１００を、図３に示す。尚、吊りリード１１３は、前記図２（Ａ）に示す断面形状を有する。
図３（Ａ）は、当該半導体装置１００を、半導体素子１２１側から透視的に見た状態を示し、図３（Ｂ）は、当該半導体装置１００を、ダイパッド側１１２から透視的に見た状態を示す。
【００７１】
尚、当該図３（Ａ），図３（Ｂ）では、封止用樹脂の一部を取り除いた状態を示している。
また、当該図３（Ｂ）に於ける線Ｘ２−Ｘ２に沿う断面を図４（Ａ）に、線Ｙ２−Ｙ２に沿う断面を図４（Ｂ）に、更に線Ｚ２−Ｚ２に沿う断面を図４（Ｃ）に示している。
【００７２】
即ち、被搭載半導体素子１２１の平面外形寸法よりも小さな平面寸法を有するダイパッド（ダイステージ）１１２上に、ダイス付け材（ダイボンド材）１３１を介して半導体素子１２１が搭載・固着されている。
【００７３】
当該半導体素子１２１の電極端子１２２は、ボンディングワイヤ１４１を介してインナーリード１１５ａに接続されている。
そして、当該半導体素子１２１、ボンディングワイヤ１４１、ダイパッド１１２、吊りリード１１３、ならびにインナーリード１１５ａは、封止用樹脂１５１より被覆されている。
【００７４】
当該封止用樹脂１５１の平面外形は矩形状を有し、その４辺から、それぞれ複数のアウターリード１１５ｂが導出され、外部接続用端子を構成している。
当該半導体装置１００にあっては、ダイパッド１１２上に配置されたダイス付け材１３１の存在により、ダイパッド１１２から延在された吊りリード１１３の上面と半導体素子１２１の裏面との間には、当該ダイス付け材１３１の厚さにほぼ相当する隙間部Ｄが形成されている。
【００７５】
吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の下面（裏面）と同一の平面に於いて幅広部Ｗ２を有することからその機械的強度は大きく、半導体素子１２１との間の隙間部Ｄは、当該吊りリード１１３の延在する方向に沿って維持される。
【００７６】
従って、半導体素子１２１と吊りリード１１３との対向部である当該隙間部Ｄには、封止用樹脂１５１が容易に充填され、当該隙間部Ｄに封止用樹脂１５１の未充填部は生じない。
【００７７】
この時、当該封止用樹脂１５１は、吊りリード１１３に於ける段差部１７３と半導体素子１２１の裏面との間にも充填される。
即ち、当該半導体素子１２１の裏面は、吊りリード１１３との間に於いて、当該吊りリード１１３に於ける段差部１７３に充填された封止用樹脂１５１とは、広い領域をもって接触することができる。
【００７８】
これにより、当該半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間は、強固に一体化される。
当該段差部１７３の寸法（幅Ｗ１０、深さｄ１）は、封止用樹脂１５１の材料、特性などに基づいて、設定される。
【００７９】
即ち、当該封止用樹脂１５１の粘性、当該封止用樹脂１５１中に含まれるフィラーのサイズ（粒径）などを考慮して、樹脂封止処理の際、封止用樹脂１５１の樹脂成分ならびにフィラーが、半導体素子１２１と段差部１７３との間に進入できる寸法を選択する。
【００８０】
例えば、フィラーの平均サイズ（平均粒径）が５０μｍ程度であれば、段差部１７３の深さ方向の寸法ｄ１は、５０μｍ〜８０μｍ程に設定される。
この様に、当該段差部１７３の深さｄ１を、所定粒径のフィラーが進入可能な寸法とすれば、封止用樹脂１５１の樹脂成分は、少なくとも当該フィラーの粒径と同等の厚さをもって半導体素子１２１の裏面に接することになる。
【００８１】
これにより、当該封止用樹脂１５１と半導体素子１２１との間は強固に接続され、吊りリード１１３と半導体素子１２１との間もより強固に固着される。
上述の如く、当該段差部１７３の深さｄ１を、平均サイズ（平均粒径）が５０μｍ程のフィラーが進入できる深さとすれば、かかる効果は発揮される。
【００８２】
尚、当該段差部１７３の深さ方向の寸法ｄ１は、吊りリード１１３の全厚さの１／２〜２／３程に設定することが好ましい。
かかる範囲を超えると、当該段差部１７３の幅Ｗ１０にも関連するが、吊りリード１１３の機械的強度が低下し、樹脂封止の際、ダイパッド１１２の平坦性の低下、ならびに吊りリード１１３と半導体素子１２１との接触を生じ易い。
【００８３】
一例として、段差部１７３を設けた吊りリード１１３は、当該吊りリード１１３の厚さを１２５μｍとした場合、表面側の幅Ｗ１を５００μｍ、裏面側の幅Ｗ２を１６００μｍ、段差部１７３の幅Ｗ１０を４５０μｍ、段差部１７３の深さｄ１を６０μｍとすることができる。
【００８４】
かかる段差部１７３の配設による効果は、前記図２（Ｂ）或いは図２（Ｃ）に示されるところの、傾斜部１７４或いは１７５ａ，１７５ｂを配設した吊りリード１１３に於いても同様に発揮される。
【００８５】
即ち、当該吊りリード１１３にあっても、幅広部がＷ２を有することからその機械的強度は大きく、半導体素子１２１との間の隙間部Ｄは、当該吊りリード１１３の延在する方向に維持される。
【００８６】
従って、半導体素子１２１と吊りリード１１３との対向部である隙間部Ｄには、封止用樹脂１５１が容易に充填され、当該隙間部Ｄに封止用樹脂１５１の未充填部は生じない。
この時、当該封止用樹脂１５１は、図５（Ａ）ならびに図５（Ｂ）に示される様に、吊りリード１１３に於ける傾斜部１７４或いは傾斜部１７５ａと半導体素子１２１の裏面との間にも充填される。
【００８７】
即ち、当該半導体素子１２１の裏面は、吊りリード１１３との間に於いて、当該吊りリード１１３に於ける傾斜部１７４或いは傾斜部１７５ａに充填された封止用樹脂１５１とは、広い領域をもって接触することができる。
【００８８】
これにより、当該半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間は強固に一体化される。
当該傾斜部１７４或いは傾斜部１７５ａ，１７５ｂの形態（傾斜角、曲率など）についても、封止用樹脂の材料、特性などに基づいて設定される。
【００８９】
但し、当該傾斜部１７４或いは傾斜部１７５ａ，１７５ｂを配設する際にも、その深さ方向の寸法ｄ１は、吊りリード１１３の全厚さの１／２〜２／３程に設定することが好ましい。
【００９０】
かかる範囲を超えると、当該傾斜部の幅Ｗ１０にも関連するが、吊りリードの機械的強度が低下してしまい、樹脂封止の際、ダイパッドの浮き沈み、ならびに吊りリードと半導体素子との接触を生じ易い。
【００９１】
直線状の傾斜部１７４を設けた吊りリード１１３は、当該吊りリード１１３の厚みを例えば１２５μｍとした場合、表面側の幅Ｗ１を６００μｍ、裏面側の幅Ｗ２を１３００μｍ、傾斜部１７４の幅Ｗ１０を３５０μｍ、深さｄ１を８０μｍとすることができる。
【００９２】
湾曲状の傾斜部１７５ａ，１７５ｂを設けた吊りリード１１３の寸法は、当該吊りリード１１３の厚みを例えば１２５μｍとした場合、表面側の幅Ｗ１を６００μｍ、裏面側の幅Ｗ２を１０００μｍ、湾曲状の傾斜部１７５ａの幅Ｗ１０を２００μｍ、湾曲状の傾斜部１７５ａの深さｄ１を８０μｍとすることができる。
【００９３】
前述の如く、本実施の形態に於ける半導体装置１００にあっては、吊りリード１１３に於いて、ダイパッド（ダイステージ）１１２の半導体素子搭載側の主面（上面）に連続する主面の幅Ｗ１が、当該ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）の幅Ｗ２よりも小さく、狭い。
【００９４】
当該吊りリード１１３は、幅Ｗ１もって半導体素子１２１に対向することから、仮に当該半導体素子１２１と接触する状態を生じた場合であっても、その接触面積は極めて限られる。
【００９５】
この為、加熱された際に、封止用樹脂１５１中の水分が気化したとしても、吊りリード１１３と半導体素子１２１との接触界面を押し広げる力が抑えられ、半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間に於ける剥離の発生、拡大が抑制・防止される。
【００９６】
即ち、接触面積が小さくなることに加え、接触部以外での封止用樹脂１５１による被覆が強固なことにより、剥離現象は効果的に防止・抑制される。
一方、当該吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）が、大きな幅Ｗ２を有することから、加熱された際に封止用樹脂１５１に発生する応力を分散させることができる。
【００９７】
これより、ダイパッド１１２の縁部近傍への応力の集中を緩和することができ、当該縁部近傍の封止用樹脂１５１に於けるクラックの発生が抑制・防止される。
即ち、本実施の態様にあっては、半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間の剥離、ならびに当該封止用樹脂１５１に於けるクラックの発生が効果的に抑制・防止されて、高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００９８】
加えて、当該吊りリード１１３は、その幅方向の中央部に於いて、前記ダイパッド１１２と同じ厚さを有している。従って、その機械的強度は維持されている。
更に、当該吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の主面と平行な平面に於いて、互いに９０°異なる方向に、そして前記半導体素子１２１の四隅にほぼ対応して延在していることから、当該ダイパッド１１２、ならびに当該ダイパッド１１２に載置される半導体素子１２１に傾きを生ずることなく、これらを支持する。
【００９９】
尚、本実施の形態にあっては、前記図４に示される様に、半導体装置１００は、ダイパッド１１２上面、即ち半導体素子１２１の搭載面の高さが、インナーリード１１５ａの上面、即ちボンディングワイヤ１４１が接続される面の高さよりも低くされている。
【０１００】
この様な形態は、リードフレームに対して折り曲げ加工（ダウンセット加工）を施し、前記吊りリード１１３を湾曲させることにより形成される。
当該折り曲げ加工（ダウンセット加工）により、ダイパッド１１２に載置された半導体素子１２１の上面が、インナーリード１１５ａの上面と同等の高さに位置することが可能となる。
【０１０１】
従って、当該半導体素子１２１の電極端子１２２とインナーリード１１５ａとの間を、ボンディングワイヤ１４１により接続する際、その接続信頼性を高めることができる。
また、ダイパッド１１２の上面の高さが、インナーリード１１５ａの上面の高さよりも低くされていることにより、当該ダイパッド１１２に載置された半導体素子１２１は、樹脂封止用金型に於けるキャビティ空間の、高さ方向のほぼ中央部に位置することとなる。
【０１０２】
従って、当該キャビティ内に注入されて流動する封止用樹脂１５１は、半導体素子１２１の上面側ならびに下面側をほぼ等しい流速をもって流れ、当該封止用樹脂内に於けるボイドの発生、或いはダイパッドの撓みの発生などを防止・抑制することができる。
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に於けるリードフレーム８５を、図６に示す。
【０１０３】
当該図６には、銅（Ｃｕ）板からなる金属板に対するプレス加工などにより形成された、一つのリードフレーム８５が示されている。
図６は、当該リードフレーム８５に於ける、半導体素子が搭載・固着される主面側を表している。
【０１０４】
図示される一つのリードフレーム８５は、一個の樹脂封止型半導体装置の形成に適用される。
そして、当該リードフレーム８５には枠部１１１が存在し、他の半導体装置形成用リードフレームが形成されている（図示せず）。
【０１０５】
当該リードフレーム８５は、ダイパッド（ダイステージ）１１２、当該ダイパッドから互いに異なる方向に延在する４本の吊りリード１１３、ならびに当該吊りリード１１３間に、ダムバー（タイバー）１１４をもって相互に接続され、且つ略同一平面に配置された、複数本のリード端子１１５を具備している。
【０１０６】
ここで、ダイパッド１１２は、平面形状が円形であって、同図に破線をもって示される矩形状の半導体素子１２１の外形寸法よりも小さな平面外形寸法を有している。
また、４本の吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の主面と平行な平面に於いて、互いに９０°異なる方向に、そして前記半導体素子１２１の四隅にほぼ対応して延在している。
【０１０７】
当該図６に於ける線Ｚ３ａ−Ｚ３ａに沿う断面を図７（Ａ）に、また図６に於ける線Ｚ３ｂ−Ｚ３ｂに沿う断面を図７（Ｂ）に示す。尚、当該リードフレーム８５上に搭載・固着される半導体素子１２１を、長方形ＳＣをもって模式的に示している。
【０１０８】
図示される如く、本実施の態様に於ける吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２に連続する部位１１３Ａと、半導体素子１２１の隅部（コーナー部）近傍に位置する部位１１３Ｂとの幅が異なっている。
【０１０９】
即ち、吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２に連続する部位１１３Ａから、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位１１３Ｂに向かい、その最大幅が漸次減少している。
【０１１０】
そして、当該吊りリード１１３に於けるダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する主面（下面）の、当該ダイパッド１１２に連続する部位の幅Ｗ４は、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位の幅Ｗ６よりも大きい。
【０１１１】
そして、当該吊りリード１１３の、ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２の上面に連続する部位１１３Ａの幅Ｗ３は、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位１１３Ｂの上面の幅Ｗ５よりも大きい。
【０１１２】
即ち、当該幅Ｗ３は幅Ｗ４よりも小であり、また幅Ｗ５は幅Ｗ６よりも小である。
そして、当該吊りリード１１３の、ダイパッド１１２の半導体素子搭載側の主面（上面）に連続する主面と他方の主面（下面）との間、即ち側面部には、深さｄ２を有する直線状の傾斜部１７４が形成されている。
【０１１３】
ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２の上面に連続する部位１１３Ａに於ける傾斜部１７４の幅Ｗ１１は、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位１１３Ｂに於ける傾斜部１７４の幅Ｗ１２よりも大きい。
【０１１４】
尚、当該傾斜部１７４の幅（Ｗ１１，Ｗ１２）、傾斜角、ならびに深さｄ２は、ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２に連続する部位１１３Ａと、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位１１３Ｂとに於いて、同一とすることも、異ならしめることもできる。
【０１１５】
かかるリードフレーム８５を適用して形成された半導体装置２００を、図８に示す。
図８（Ａ）は、当該半導体装置２００を、半導体素子１２１側から透視的に見た状態を示し、図８（Ｂ）は、当該半導体装置２００を、ダイパッド１１２側から透視的に見た状態を示す。
【０１１６】
尚、当該図８（Ａ）、図８（Ｂ）では、封止用樹脂１５１の一部を取り除いた状態を示している。
また、当該図８（Ｂ）に於ける線Ｘ４−Ｘ４に沿う断面を図９（Ａ）に、線Ｙ４−Ｙ４に沿う断面を図９（Ｂ）に、線Ｚ４ａ−Ｚ４ａに沿う断面を図９（Ｃ）に、更に線Ｚ４ｂ−Ｚ４ｂに沿う断面を図９（Ｄ）に示している。
【０１１７】
即ち、被搭載半導体素子の平面外形寸法よりも小さな平面寸法を有するダイパッド１１２上に、ダイス付け材（ダイボンド材）１３１を介して半導体素子１２１が搭載・固着されている。
【０１１８】
当該半導体素子１２１の電極端子１２２は、ボンディングワイヤ１４１を介してインナーリード１１５ａに接続されている。
そして、当該半導体素子１２１、ボンディングワイヤ１４１、ダイパッド１１２、吊りリード１１３、ならびにインナーリード１１５ａは、封止用樹脂１５１により被覆されている。
【０１１９】
当該封止用樹脂１５１の平面外形は矩形状を有し、その４辺から、それぞれ複数のアウターリード（外部接続用端子）１１５ｂが導出されている。
当該半導体装置２００にあっては、ダイパッド（ダイステージ）１１２上に配置されたダイス付け材１３１の存在により、ダイパッド１１２より延在する吊りリード１１３の上面と半導体素子１２１の裏面との間には、当該ダイス付け材１３１の厚さにほぼ相当する隙間部Ｄが形成されている。
【０１２０】
当該吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の下面（裏面）と同一の平面に於いて幅広部を有することからその機械的強度は大きく、半導体素子１２１との間の隙間部Ｄは、当該吊りリード１１３の延在する方向に沿って維持される。
【０１２１】
従って、半導体素子１２１と吊りリード１１３との対向部である当該隙間部Ｄには、封止用樹脂１５１が容易に充填され、当該隙間部Ｄに封止用樹脂１５１の未充填部は生じない。
【０１２２】
この時、当該封止用樹脂１５１は、当該吊りリード１１３に於ける傾斜部１７４と半導体素子１２１の裏面との間にも充填される。
即ち、当該半導体素子１２１の裏面は、吊りリード１１３との間に於いて、当該吊りリード１１３に於ける傾斜部１７４に充填された封止用樹脂１５１とは、広い領域をもって接触することができる。
【０１２３】
これにより、当該半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間は強固に一体化される。
当該傾斜部１７４の寸法（幅Ｗ１１，Ｗ１２、深さｄ２）は、封止用樹脂１５１の材料、特性などに基づいて、設定される。
【０１２４】
即ち、当該封止用樹脂１５１の粘性、当該封止用樹脂１５１中に含まれるフィラーのサイズ（粒径）などを考慮して、樹脂封止処理の際、封止用樹脂１５１の樹脂成分ならびにフィラーが、半導体素子１２１と吊りリード１１３に於ける傾斜部１７４との間に進入できる寸法を選択する。
【０１２５】
前述の如く、本実施の形態に於ける半導体装置２００にあっては、吊りリード１１３に於いて、ダイパッド１１２の半導体素子搭載側の主面（上面）に連続する主面の幅Ｗ３，Ｗ５が、当該ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）の幅Ｗ４，Ｗ６よりも小さく、狭い。
【０１２６】
しかも、吊りリード１１３は、ダイパッド１１２近傍から半導体素子１２１の隅部近傍に、その幅を漸次減じていることから、その半導体素子１２１の搭載側の主面（上面）が当該半導体素子１２１の隅部に対向する面積はより小さい。
【０１２７】
即ち、当該吊りリード１１３は、幅Ｗ５もって半導体素子１２１に対向することから、仮に当該半導体素子１２１と接触する状態を生じた場合であっても、その接触面積は極めて限られる。
【０１２８】
この為、加熱された際に、封止用樹脂１５１中の水分が気化したとしても、吊りリード１１３と半導体素子１２１との接触界面を押し広げる力が抑えられ、半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間に於ける剥離の発生、拡大が抑制・防止される。
【０１２９】
即ち、接触面積が小さくなることに加え、接触部以外での封止用樹脂１５１による被覆が強固なことにより、剥離現象は効果的に抑えられる。
一方、当該吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の半導体素子非搭載面に連続する他方の主面（裏面）が大きな幅を有することから、加熱された際に発生する応力を分散させることができる。
【０１３０】
これより、ダイパッド１１２の縁部近傍への応力の集中を緩和することができ、当該縁部近傍に位置する封止用樹脂１５１に於けるクラックの発生を防止・抑制することができる。
【０１３１】
即ち、本実施の態様にあっても、半導体素子１２１と封止用樹脂１５１との間の剥離、ならびに封止用樹脂１５１に於けるクラックの発生が効果的に防止・抑制されて、高い信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【０１３２】
加えて、当該吊りリード１１３は、その幅方向の中央部に於いて、前記ダイパッド１１２と同じ厚さを有している。従って、その機械的強度は維持されている。
更に、当該吊りリード１１３は、ダイパッド１１２の主面と平行な平面に於いて、互いに９０°異なる方向に、そして前記半導体素子１２１の四隅にほぼ対応して延在していることから、当該ダイパッド１１２、ならびに当該ダイパッド１１２に載置される半導体素子１２１に傾きを生ずることなく、これらを支持することができる。
【０１３３】
尚、当該吊りリード１１３に形成される直線状の傾斜部１７４は、他の形態に置き換えることができる。
即ち、前記第１の実施形態に於いて示した、段差部、或いは両面円弧状傾斜部とすることができる。
【０１３４】
また、前記ダイパッド１１２の近傍に位置して当該ダイパッド１１２に連続する部位から、半導体素子１２１の隅部近傍に位置する部位に向かいその幅を、段階的に（ステップ状に）減少させることも可能である。
【０１３５】
尚、本発明に於いて、前記吊りリード１１３は、その数を４本に限定されるものではない。必要とされる半導体装置の構造に対応して、当該吊りリード１１３の数は選択される。
【０１３６】
また、当該吊りリード１１３に配設される段差部は、フィラーの流動を可能とする範囲に於いて、当該吊りリード１１３の幅方向に沿って、階段状とするか、或いは複数の列状としてもよい。
【０１３７】
更に、当該吊りリード１１３に配設される段差部又は傾斜部は、当該吊りリードが半導体素子と対向する領域の全長にわたり配設することを要しない。
半導体装置内部に於ける剥離及び／或いはクラックの発生の防止・抑制に効果を得ることができるのであれば、該吊りリードが半導体素子と対向する領域に対し、選択的に段差部又は傾斜部を配設することとしてもよい。
【０１３８】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  半導体素子と、
前記半導体素子が搭載され、前記半導体素子の平面寸法より小さい平面サイズを有するダイパッドと、前記ダイパッドから延在された複数の吊りリードとを含むリードフレームと、
前記半導体素子、前記ダイパッド及び前記吊りリードを封止する樹脂と、
を有し、
前記ダイパッドの前記半導体素子と接する面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭いことを特徴とする半導体装置。
【０１３９】
（付記２）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差が設けられていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、直線状の傾斜面が設けられていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１４０】
（付記４）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、円弧状の傾斜面が設けられていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記５）  前記吊りリードは、前記ダイパッドから延在する方向に沿って、その幅が狭くなっていることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０１４１】
（付記６）  前記吊りリードは、前記半導体素子の４隅部に対応して、前記ダイパッドから４方向に位置することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記７）  前記半導体素子は、前記ダイパッドに、接合部材を介して搭載されていることを特徴とする付記１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【０１４２】
（付記８）  前記リードフレームは、アウターリードとインナーリードからなる複数のリードを有し、
前記半導体素子の電極パッドと、前記インナーリードとは、ワイヤにより電気的に接続されていることを特徴とする付記１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【０１４３】
（付記９）  半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドより延在された複数の吊りリードと、
を含み、
前記ダイパッドの前記半導体素子と接する面に連続する前記吊りリードの第１面の幅は、前記第１面の裏面の第２面の幅より狭いことを特徴とするリードフレーム。
【０１４４】
（付記１０）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、段差が設けられていることを特徴とする付記９記載のリードフレーム。
（付記１１）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、直線状の傾斜面が設けられていることを特徴とする付記９記載のリードフレーム。
【０１４５】
（付記１２）  前記吊りリードの前記第１面と前記第２面との間に於ける側面には、円弧状の傾斜面が設けられていることを特徴とする付記９記載のリードフレーム。
（付記１３）  前記吊りリードは、前記ダイパッドから延在する方向に沿って、その幅が狭くなっていることを特徴とする付記９記載のリードフレーム。
【符号の説明】
【０１４６】
８０，８５  リードフレーム
１１１  枠部
１１２，１１  ダイパッド
１１３，１２  吊りリード
１１４  ダムバー（タイバー）
１１５，１３  リード端子
１２１，３１  半導体素子
１２２，３２  電極端子
１４１，４１  ボンディングワイヤ
１５１，５１  封止用樹脂
１７３  段差部
１７４，１７５ａ，１７５ｂ  傾斜部
１００，２００, ５００，６００  半導体装置
６１  剥離部
７１  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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