(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスノズルから原料ガスを放出して前記原料ガスをフォトマスク上に吸着し、
前記原料ガスを吸着させた部分に、イオンビーム又は電子ビームを照射して前記フォトマスク上に擬似異物となるデポジション膜を形成するフォトマスク上の疑似異物の形成方法において、
前記フォトマスクは光を反射する反射多層膜と、前記反射多層膜上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上にパターン状に形成された吸収膜とを含む反射型マスクであり、
前記原料ガスを放出する流量又は前記イオンビーム若しくは前記電子ビームの照射量の調節を行うことにより、形成される疑似異物の炭素含有量を変えることで反射率を制御することを特徴とする擬似異物の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造などに用いられるフォトマスク或いはレチクルの欠陥検査装置のアルゴリズム開発や性能確認や性能管理などに使用される異物欠陥検査用マスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造において半導体ウェハに微細パターンを転写する際に使用されるレチクル或いはフォトマスクは、デバイスパターンの微細化が進むにつれ、微細化、高精度化の要求が益々強くなっている。レチクル或いはフォトマスクは半導体ウェハ上に回路パターンを焼付け転写する前に検査されるが、該回路パターン間にたとえばミクロンオーダーの微小異物、欠陥が存在する場合、該異物、欠陥により前記回路パターンが正常に転写されないで、半導体デバイスの全数が不良になる問題がある。この問題は、最近の半導体デバイスの高集積化に伴い一層顕在化し、より微小のサブミクロンオーダーの異物や欠陥の存在も許容されなくなってきている。
【０００３】
半導体集積回路の微細化に伴い、フォトマスク上の異物管理・保証サイズ等についても厳しい精度が要求される。フォトマスク上の異物保証、検査機の異物検出力の管理、保証については実異物を用いて評価、管理する事が望ましいが、異物の種類、サイズは様々であり、様々な種類・サイズの異物を所望の位置に散布することは困難である。現在では、ＰＳＬ（ポリスチレンラテックス）と呼ばれる粒子を異物の代替として用いて評価および装置管理を実施するのが一般的である。
【０００４】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことである。この、ＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、特開平８−２１３３０３号公報や特開平７−３３３８２９号公報に記載された露光用反射型マスクが提案されている。
このような反射型マスクは、基板上に光を反射する反射多層膜が形成され、反射多層膜上にバッファー層が形成され、さらにバッファー層上に光を吸収する吸収膜がパターン状に形成されたものである。露光機において反射型マスクに入射した光は、吸収膜のある部分では吸収され、吸収膜のない部分では反射多層膜により反射された像が反射光学系を通してウェハ上に転写される。ここで、バッファー層は、マスクの製造工程において、ドライエッチングなどを用いて吸収膜のパターンを形成する際に、反射多層膜を保護するために形成されるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２８９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記で示したように、異物保証、検査機の異物検出力の管理、保証についてはＰＳＬ（ポリスチレンラテックス）と呼ばれる粒子を実異物の代替、擬似異物として用いて評価および装置管理を実施している。しかし、微細化に伴ってレーザー光の短波長化が進み、このＰＳＬ粒子に照射されるエネルギー量は増加している。このため、ＰＳＬ粒子のサイズが経時的に変化し、最終的には消滅してしまうという課題がある。
【０００７】
また、ＰＳＬ粒子をフォトマスク上に散布する方法は多々考えられるが、何れの方法においても、所望の位置に精度よく散布することができないという課題がある。
【０００８】
異物には多種類のものがあり、それぞれ反射率が異なる。しかし、反射率の異なった擬似異物を形成することができない為、異物保証における検査性評価を行うことが困難である。
【０００９】
またＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型マスクにおいて、マスク面のパターン近傍に凹凸が存在すると、反射光にはその凹凸に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特に、ＥＵＶ光のような短波長の光を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなり、小さな凹凸に由来する位相の変化が無視できない。例えば、１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を露光光として用いる場合には、２ｎｍ程度の凹凸でさえ欠陥となりうる。
このため、短波長領域のリソグラフィにおいては、マスクに付着した異物の転写パターンへの影響の調査、及び、マスクやマスクブランクス製造における異物の定量的な検査が必須となる。
【００１０】
上述した反射型マスクにおいて、このような異物の評価や検査を行おうとすると、所定の位置に、予め所定の大きさの異物が形成された擬似異物を有するマスク或いは擬似異物を有するマスクブランクスを用意する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためにイオンビーム（ＦＩＢ、Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）又は電子ビーム（ＥＢ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）を利用した修正装置又は類似の装置で白欠陥修正の機能を使用しマスクに炭素膜を付着させるが、ビーム照射量、ガス流量を調節することによって、その炭素膜の炭素含有量を変えることで反射率の異なった擬似異物を形成することで、上記課題を解決する事を目的としている。
【００１２】
本発明の請求項１に係る発明は、ガスノズルから原料ガスを放出して前記原料ガスをフォトマスク上に吸着し、前記原料ガスを吸着させた部分に、イオンビーム又は電子ビームを照射して前記フォトマスク上に擬似異物となるデポジション膜を形成するフォトマスク上の疑似異物の形成方法において、前記フォトマスクは光を反射する反射多層膜と、前記反射多層膜上に形成されたバッファー層と、前記バッファー層上にパターン状に形成された吸収膜とを含む反射型マスクであり、前記原料ガスを放出する流量又は前記イオンビーム若しくは前記電子ビームの照射量の調節を行うことにより、形成される疑似異物の炭素含有量を変えることで反射率を制御することを特徴とする擬似異物の形成方法としたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、レーザー光の照射を行っても形状変化することのない擬似異物を形成する事ができ、安定した異物欠陥評価用フォトマスクを提供することができる。また、所望の位置に異物欠陥を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る擬似異物の形成方法の簡略図である。
【図２】デポジション膜（擬似異物）の形成例を図示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
反射型マスクは、基板上に光を反射する反射多層膜が形成され、反射多層膜上にバッファー層が形成され、さらにバッファー層上に光を吸収する吸収膜がパターン状に形成されたものである。反射型マスクにおいては、光の反射率が重要となるが、マスク上に形成される異物には多種類のものがあり、それぞれ反射率が異なるため、反射率の異なった異物について異物保証における検査性評価を行う必要がある。本発明の一実施形態によれば、反射率の異なった擬似異物を形成することができ、それにより、異物保証における検査性評価を行うことができる。
【００２０】
本発明の擬似異物形成方法は、イオンビーム又は電子ビームを利用した修正装置又は類似の装置を用いて、その前記装置の白欠陥修正機能のＣＶＤ方式を利用し、デポジション膜を形成することにより擬似異物を形成する方法である。
【００２１】
デポジション膜をフォトマスク上に形成するために、図１のように、ガスノズル１から原料ガス２を放出させ、擬似異物を形成したい部分に原料ガス２を吸着させる。前記の原料ガス２を吸着させた部分に、ビーム３を照射させることによってデポジション膜４をフォトマスク５に形成する。例えば、本発明におけるデポジション膜は、図２のように形成される。
【００２２】
前記のように、異物を形成したい部分に原料ガス２を吸着させ、ビーム３を照射させることによって擬似異物であるデポジション膜４をフォトマスク５に形成するが、このデポジション膜を形成する際に、原料ガス２の流量の調節とビーム３の照射量の調節を行う。そのことにより、付着させたデポジション膜の成分含有量を変更し、反射率の異なる擬似異物が形成できる。
【００２３】
本発明において、所望の位置に擬似異物を形成するため、擬似異物の形成用に用意したフォトマスクのデータ等から、擬似異物を形成する位置の座標出しを行う。イオンビーム又は電子ビームを利用した修正装置又は類似の装置を用いる為、イオンビーム又は電子ビームをフォトマスク上の所望の位置に照射し、所望の座標位置に擬似異物を形成する事ができる。
【００２４】
こうして形成した擬似異物を利用して検査装置用欠陥フォトマスクを作製することができ、かかる検査装置用欠陥フォトマスクを利用して、検査機の異物検出力の管理をすることができる。
【符号の説明】
【００２５】
１…ガスノズル
２…原料ガス
３…ビーム（イオンビーム又は電子ビーム）
４…デポジション膜（擬似異物）
５…フォトマスク
６…遮光膜
【図１】
0005454052.tif 000002
【図２】
0005454052.tif 000003