(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１樹脂を未硬化状態のシート状に形成する工程と、
前記第１樹脂上に電子部品を搭載する工程と、
前記第１樹脂を加熱する工程と、
第２樹脂に前記電子部品を埋没させる工程と、
を含み、
前記第１樹脂は、未硬化の状態で、示差走査熱量測定により測定した発熱量が温度に対して発熱ピークを含み、
前記電子部品を搭載する工程は、常温より高い温度かつ前記発熱ピークの温度以下の範囲で、前記発熱ピークの発熱量の１／１０以下の発熱量となる温度に前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載することを特徴とする電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記第１樹脂を加熱する工程は、前記発熱ピークの発熱量に対して、８／１０以上となる発熱量の温度まで前記第１樹脂を昇温し、前記第１樹脂の硬さを硬くする請求項１に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記電子部品を搭載する工程は、４０℃以上９０℃以下の範囲で前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載する請求項１又は２に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記電子部品を搭載する工程は、５０℃以上８０℃以下の範囲で前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載する請求項１又は２に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第１樹脂を加熱する工程は、温度を１４０℃以上１６０℃以下とし、前記第１樹脂の硬化を進行させ、前記第１樹脂の硬さを硬くする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記電子部品は複数であり、前記電子部品を搭載する工程は、前記第１樹脂上に複数の電子部品を搭載する請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路基板は、高密度化が進んでいる。配線を高密度で配置できる基板として、電子部品を内蔵する電子部品実装が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板上に第１の未硬化樹脂層を形成する工程と、前記第１の未硬化樹脂層上に電子部品を配置する工程と、前記電子部品を被覆する第２の未硬化樹脂層を形成する工程と、熱処理することにより、前記第１及び第２の未硬化樹脂層を硬化させて、前記電子部品が埋設された絶縁層を得る工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３２２７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、第１の未硬化樹脂層上に電子部品を配置する工程では、熱に対する粘度安定性が悪い場合、同一ボード上に複数の電子部品を搭載する場合、搭載時間が長くなるに従い、未硬化樹脂層の硬化が進行し電子部品との密着が低下するおそれがあり、搭載時間毎に搭載条件を変更しなければならない場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電子部品が安定して内蔵される電子部品内蔵モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決し、目的を達成するために電子部品内蔵モジュールの製造方法は、第１樹脂を未硬化状態のシート状に形成する工程と、前記第１樹脂上に電子部品を搭載する工程と、前記第１樹脂を加熱する工程と、第２樹脂に前記電子部品を埋没させる工程と、を含み、前記第１樹脂は、未硬化の状態で、示差走査熱量測定により測定した発熱量が温度に対して発熱ピークを含み、前記電子部品を搭載する工程は、常温より高い温度かつ前記発熱ピークの温度以下の範囲で、前記発熱ピークの発熱量の１／１０以下の発熱量となる温度に前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載することを特徴とする。
【００１５】
これにより、搭載条件として昇温する温度が発熱ピークの発熱量の１／１０以下の発熱量が続く領域までであれば、電子部品が搭載される間に未硬化の第１樹脂の粘度が変化（増加）することが低減される。このため、同一ボード上に複数の電子部品を搭載する場合、同一搭載条件で搭載しても、第１樹脂と電子部品との密着不良を抑制できる。
【００１６】
本発明の望ましい態様として、前記第１樹脂を加熱する工程は、前記発熱ピークの発熱量に対して、８/１０以上となる発熱量の温度まで前記第１樹脂を昇温し、前記第１樹脂の硬さを硬くすることが好ましい。これにより、未硬化の第１樹脂は短時間で樹脂硬化が進行し、樹脂が硬くなることで電子部品を固定できる。その結果、後の工程で、電子部品の沈み込みや横ズレの発生を低減できる。また、硬化時に過剰な温度をかけることがないため、電子部品内蔵モジュールの反りを低減できる。その結果、搬送不具合による歩留まり低下を抑制し、配線を形成する精度が向上し、電子部品内蔵モジュールの配線をより高密度にできる。
【００１７】
本発明の望ましい態様として、前記電子部品を搭載する工程は、４０℃以上９０℃以下の範囲で前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載することが好ましく、５０℃以上８０℃以下の範囲で前記第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載することがより好ましい。これにより、未硬化の第１樹脂にタック性が発現する。その結果、安定して電子部品を第１樹脂に搭載できる。
【００１８】
本発明の望ましい態様として、未硬化の前記第１樹脂を加熱する工程は、温度を１４０℃以上１６０℃以下とし、前記第１樹脂の硬化を進行させ、硬さを硬くすることが好ましい。これにより、第１樹脂が硬くなり電子部品が固定でき、後の工程で、電子部品の沈み込みや横ズレを低減できる。また、樹脂の収縮に伴う電子部品内蔵モジュールの反りを低減できる。その結果、搬送不具合による歩留まり低下を抑制し、配線を形成する精度が向上し、電子部品内蔵モジュールの配線をより高密度にできる。
【００１９】
本発明の望ましい態様として、前記電子部品は複数であり、前記電子部品を搭載する工程は、前記第１樹脂上に複数の電子部品を搭載することが好ましい。例えば、搭載される電子部品が多いほど、電子部品の搭載時間が長くなるが、この場合でも電子部品の搭載不良が低減されているので電子部品を多く搭載する電子部品内蔵モジュールを製造できる。製造の途中工程に形成され、電子部品内蔵モジュールの集合体である基板全体に搭載する電子部品を高密度とする場合、例えば、同一基板上に１００個以上の電子部品を載置する場合、電子部品同士の間隔が例えば１ｍｍ以下であっても、電子部品の位置精度が向上しているので干渉（搭載部品同士の接触）することがない。また、搭載条件を変えることなく製造しても、電子部品が搭載される間に第１樹脂の粘度が増加するおそれが低減されているので、電子部品との密着不良を少なくできる。その結果、電子部品内蔵モジュールが含む電子部品を高密度にできる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の電子部品内蔵モジュールの製造方法によれば、内蔵する電子部品の位置精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの断面図である。
【図２】図２は、図１に示す電子部品内蔵モジュールのＩＩ−ＩＩ線断面斜視図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールを構成する第１樹脂の特性を示す説明図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールにおいて、第１配線層を第１樹脂が覆う構造を示す拡大図である。
【図５】図５は、電子部品内蔵モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図６−１】図６−１は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの製造方法の説明図である。
【図６−２】図６−２は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの製造方法の説明図である。
【図６−３】図６−３は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの製造方法の説明図である。
【図６−４】図６−４は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの製造方法の説明図である。
【図７】図７は、示差走査熱量測定の説明図である。
【図８】図８は、示差走査熱量測定装置での評価結果を示す説明図である。
【図９】図９は、部品位置ずれ量の評価における電子部品内蔵モジュールの評価位置を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００２８】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの断面図である。また、図２は、図１に示す電子部品内蔵モジュールのＩＩ−ＩＩ線断面斜視図である。図１に示すように、電子部品内蔵モジュール１０は、第１配線層３２と、第２配線層３３と、第３配線層３１と、電子部品５０と、第１樹脂２２と、第２樹脂２３と、基材２１と、を有する。なお、電子部品内蔵モジュール１０は、第１配線層３２と、第２配線層３３との間に、電子部品接続部材３４と、層間接続部材３６と、電子部品５０と、第１樹脂２２と、第２樹脂２３とが配置されている。また、電子部品５０は、第２配線層３３側に電極５１を含んでいる。電極５１は、電子部品接続部材３４を介して第２配線層３３と接続している。
【００２９】
第１配線層３２と、第２配線層３３と、第３配線層３１と、電子部品接続部材３４と、層間接続部材３６とは、種々の導電体（例えば、金属）で形成することができる。導電体の材料は、特に制限されず、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ材）等の金属導電材料が挙げられる。また、これらの中では、導電率やコストの観点から銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。第１配線層３２と、第２配線層３３と、第３配線層３１とは、回路に合わせて配線パターンとなっている。電子部品接続部材３４と、層間接続部材３６とは、回路に合わせて、電子部品５０、第１配線層３２、第２配線層３３のいずれか同士を電気的に導通できる配線である。
【００３０】
第１配線層３２は、基材２１の第２配線層３３側の面に形成されている。基材２１は、薄い板状の部材である。第３配線層３１は、第１配線層３２が配線されている基材２１の面とは反対側の面に配置されている配線パターンである。第１配線層３２は、第３配線層と基材２１を貫通した内部層間接続部材（不図示）の配線パターンで接続されていてもよい。また、第２配線層３３上に、他の基材を積層し、他の基材を介して反対面に他の配線層が配置してもよい。配線層と基材とは相互に積み上げられることにより多層配線を形成し、本実施形態では、上下に配線層が何層あってもよい。
【００３１】
電子部品５０は、ＩＣ、コンデンサ、ダイオード等の電子部品であり、第１配線層３２と第２配線層３３との間に配置されている。電子部品５０は、第１樹脂２２と、第２樹脂２３とで電子部品５０の外周が囲われている。また、電子部品５０は、第２配線層３３側には、電極５１が設けられている。電極５１は、電子部品５０と第２配線層３３とを導通させる。
【００３２】
第１樹脂２２は、第１配線層３２又は基材２１と対向する面と、第２樹脂２３と対向する面の２つの面に配置されている。第１樹脂２２は、第１配線層３２に対して密着している。第１樹脂２２は、詳細に後述する。
【００３３】
第２樹脂２３は、第１樹脂２２と第２配線層３３との間の他の部材が配置されていない領域に配置されている。つまり、第２樹脂２３は、第１樹脂２２と第２配線層３３との間の空間に隙間なく存在している。ここで、第２樹脂２３は、シート状又はフィルム状に成型可能なものであれば特に制限されず使用可能である。第２樹脂２３は、第１樹脂２２と同じ樹脂としてもよく、異なる樹脂としてもよい。
【００３４】
電子部品内蔵モジュール１０は、層間接続部材３６が電子部品５０の配置されていない領域に形成されている。電子部品内蔵モジュール１０は、層間接続部材３６の位置を組み合わせて配置することで、電子部品５０と、第１配線層３２と、第２配線層３３とを任意の組み合わせで導通させることができる。本実施例の電子部品内蔵モジュール１０は、基本的に以上のような構成である。
【００３５】
なお、電子部品内蔵モジュール１０は、最終製品に組み込まれて、回路として使用される場合は、例えば、第２配線層３３及び第３配線層３１が他の電子部品と接続し、電流（電気信号）が流されることで使用される。また、電子部品内蔵モジュール１０は、複数の基板が連結された状態で、最終製品に組み込まれる前に、切断されて、個別の基板として使用される場合もある。
【００３６】
なお、電子部品内蔵モジュール１０は、第１樹脂２２の厚みと第２樹脂２３との厚みの合計が、電子部品５０の厚みよりも厚くなる。また、図２に示すように、電子部品内蔵モジュール１０は、基板面内の複数箇所に電子部品５０を内蔵できる。これにより、電子部品５０の搭載箇所を増やすことができる。このため、電子部品５０の電子部品内蔵モジュール１０あたりの密度を増やすことができる。その結果、回路が高密度となり、回路全体が省スペースで、低背となる。
【００３７】
ここで、電子部品内蔵モジュール１０は、第１樹脂２２の厚みｔ１が一定であることが好ましい。これにより、電子部品５０の第２配線層３３迄の距離（搭載部品上の厚み）ｔ２が安定する。その結果、電子部品５０と第２配線層３３との間の導通距離が一定となり、抵抗ばらつきが低減される。また、電子部品５０と第２配線層３３との間の導通不良のおそれも低減する。
【００３８】
図３は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールを構成する第１樹脂の特性を示す説明図である。電子部品内蔵モジュール１０は、第１樹脂２２の厚みｔ１を一定とするために、未硬化の第１樹脂２２は、常温で固形の樹脂シート状に加工されて、使用されることが好ましい。また、常温でシート状であることにより、不用意な変形を伴うおそれを低減できるため、取りまわしも容易となる。常温においてシート状であるとは、第１樹脂２２がタック性（粘着性）を発現していない状態をいう。タック性とは、第１樹脂２２の層間絶縁シート上で粘着し、層間絶縁シート上に搭載する物を固定する力がある状態をいう。
【００３９】
図３に示すように、未硬化状態の第１樹脂２２は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Differential Scanning Calorimetry）により測定した発熱量が温度に対して発熱ピークＭを含んでいる。また、ＤＳＣにより測定した発熱量が常温（２５℃）より高い温度かつ発熱ピークＭの発現する温度以下の範囲で、発熱ピークＭの発熱量の１／１０以下の発熱量となる温度範囲Ｌの上限の温度が１００℃以上となっている。
【００４０】
第１樹脂２２に電子部品５０を搭載する温度（部品搭載温度）は、発熱ピークＭの発熱量の１／１０以下の発熱量となる、温度範囲Ｌの上限温度よりも３０℃以上低い温度で選定されることが好ましい。常温でシート状の第１樹脂２２が、搭載に必要なタック性を有するために、部品搭載温は、４０℃以上好ましくは５０℃以上であることが好ましい。また、搭載した電子部品が横ズレや沈み込みを起こさないために、９０℃以下、より好ましくは８０℃以下であることが好ましい。このため、温度範囲Ｌが５０℃以上１１０℃以下を含んでいることがより好ましい。
【００４１】
発熱ピークＭは、１４０℃以上１６０℃以下の範囲で発現することが好ましい。発熱ピークＭが１６０℃以下であれば、第１樹脂上に電子部品５０を搭載後、所定の熱処理を加えてやることで、未硬化の第１樹脂２２が容易に硬化し、電子部品５０を固定できる。その結果、後述する第２樹脂２３で電子部品５０を埋め込む工程又は第２樹脂２３を硬化させる工程で、電子部品５０の沈み込みや横ズレを低減することができる。また、高い温度・長時間で加熱処理を行う必要がないので、樹脂の収縮に伴う電子部品内蔵モジュール１０の反りを低減できる。その結果、配線を形成する精度が向上し、配線をより高密度にできる。また、熱処理に対応できる安価な設備が利用でき、製造コストを低減できる。発熱ピークＭが１４０℃以上であれば、発熱ピークＭの発熱量の１／１０以下の発熱量の温度の上限が１００℃以上となりやすくなり、同一ボード上に複数の電子部品５０を搭載する場合、同一搭載条件で搭載しても、電子部品５０の密着不良を低減できる。
【００４２】
また、後述する未硬化の第１樹脂２２を加熱する工程において、加熱温度領域での発熱量は、発熱ピークＭの温度での発熱量の８/１０以上の発熱量であることが好ましい。これは、発熱ピークＭの発熱量の８/１０以上の発熱量を有すれば、第１樹脂２２が加熱温度領域で十分な硬化速度を有することを意味しており、加熱温度領域で第１樹脂が硬くなることで電子部品を固定でき、電子部品の沈み込みや横ズレを低減することができる。その結果、電子部品の位置精度を向上できる。
【００４３】
第１の加熱工程での加熱温度は、１４０℃以上１６０℃以下とすることが好ましい。これにより、第１樹脂が硬くなり電子部品を固定でき、後の工程で、電子部品の沈み込みや横ズレを低減することができる。
【００４４】
また、高い温度・長時間で加熱処理を行う必要がないので、樹脂の収縮に伴う電子部品内蔵モジュールの反りを低減できる。その結果、搬送不具合による歩留まり低下を抑制し、配線を形成する精度が向上し、電子部品内蔵モジュールの配線をより高密度にできる。また、１６０℃程度の加熱手段は、市販のオートクレーブ（加熱加圧装置）又は乾燥装置等を利用することができるので、熱処理に対応できる安価な設備が利用でき、製造コストを低減できる。
【００４５】
第１樹脂２２は、エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、フィラーを含むことができる。例えば、エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、シリコン変形エポキシ樹脂等の材料が挙げられ、これらは、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
【００４６】
エポキシ樹脂は、シート加工後のハンドリングを良くするため、上述した材料の中で固形と液状の２種類以上を組み合わせて、形成することが好ましい。エポキシ樹脂は、例えば、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。また、他の例として、エポキシ樹脂は、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。また、他の例として、エポキシ樹脂は、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のナフタレン型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。
【００４７】
第１樹脂２２は、流動性を抑制するフェノキシ樹脂又は熱可塑性樹脂を添加成分として含んでもよい。また、第１樹脂２２は、硬化剤としてシアノグアニジンを含んでもよい。シアノグアニジンは、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して０．４当量以上１．０当量以下、含んでいることが好ましい。
【００４８】
第１樹脂２２は、触媒としてトリフェニルフォスフィン、テトラフェニルフォスフィン等の有機リン化合物を選択できる。また、第１樹脂２２は、触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾ−ル、２−フェニル−４−メチルイミダゾ−ル、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾ−ル等のイミダゾール系触媒を選択できる。例えばこれら触媒の添加量を調整することにより、図３に示すＤＳＣにより測定した発熱量が部品搭載温度から部品搭載温度＋３０℃の温度範囲で発熱ピークの発熱量の１／１０以下となるように添加量を選定できる。
【００４９】
第１樹脂２２としては、エポキシ樹脂に、フィラーを加えてもよい。なお、フィラーとしては、特に制限されないが、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、硫酸バリウム、アルミナ、ガラスフレーク、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも１種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられ、樹脂母材料と同様、これらも、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、また、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。上述したフィラーは、充填性、機械特性（線膨張係数）等の観点から、シリカ又は溶融シリカがより好ましい。また、上述したフィラーの表面はシランカップリング剤等で表面処理されていることが好ましい。
【００５０】
第１樹脂２２としては、フィラーを含む樹脂全体の質量を１００としてフィラー添加量が３０質量％以上８０質量％以下であることが好ましい。また、第１樹脂２２としては、フィラーを含む樹脂全体の質量を１００としてフィラー添加量が７０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。フィラーの添加量を適切にすれば、埋め込まれる電子部品との線膨張の違いによる反り等を低減することができる。
【００５１】
ＤＳＣにより測定した発熱量が部品搭載温度＋３０℃の温度で発熱ピークの発熱量の１／１０以下である場合、電子部品搭載中に第１樹脂２２の粘度が上昇し電子部品５０の密着不良を低減できる。つまり、ＤＳＣにより測定した発熱量が部品搭載温度＋３０℃の温度で、発熱ピークの発熱量の１／１０以上である場合、搭載時間の経過に伴い第１樹脂２２の硬化が進み電子部品５０が接着できない（密着不良を起こす）おそれがある。
【００５２】
部品搭載温度は、４０℃以上９０℃以下が好ましい。部品搭載温度は、５０℃以上８０℃以下がより好ましい。第１樹脂２２が早くタック性を発現し、確実に電子部品５０を接着すると共に、第１樹脂２２の粘度が低下しすぎることによる電子部品５０の第１樹脂２２への沈み込みのおそれを低減できるからである。
【００５３】
図４は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールにおいて、第１配線層を第１樹脂が覆う構造を示す拡大図である。つまり、第１配線層３２は、第１樹脂２２に埋没される埋没配線パターンとなる。図４に示すように、第１配線層３２の厚みｍ１は、第１樹脂２２の厚みｔ１よりも小さく、第１樹脂２２が第１配線層３２を覆って埋没している。ここで、第１配線層３２の厚みｍ１は５０μｍ以下であることが好ましい。これにより、第１樹脂２２が第１配線層３２を確実に覆い、気泡等のボイドのおそれを低減できる。本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１０は、第１配線層３２と電子部品５０とを第１樹脂２２とを介して形成できる。これにより、回路設計は自由となり、電子部品内蔵モジュール１０は、高密度又は高機能とすることができる。
【００５４】
また、第１樹脂２２の厚みｔ１は、第１配線層３２の厚みｍ１よりも厚い。また、第１配線層３２を覆う第１樹脂２２の厚さ（第１樹脂２２と第１配線層３２の厚みの差）ｔ３は５０μｍ以下であることが好ましい。第１樹脂２２と第１配線層３２の厚みの差ｔ３が５０μｍ以下である場合、加熱処理工程による反りのおそれを低減できる。また、他の製造装置へ搬送する際に搬送不具合等による歩留まり低下を防ぐことができる。また、第２配線層３３をパターニングする際に、反りによる精度低下を防ぐことができる。また、第１樹脂２２と第１配線層３２の厚みの差ｔ３が薄いと厚み方向のクッション性が低下し、部品搭載時の粘度変化が搭載に与える影響がより顕著になる。本実施形態に係る電子部品内蔵モジュール１０は、部品搭載時の粘度変化を低減しているので、第１樹脂を薄くでき、電子部品内蔵モジュールの低背に寄与できる。
【００５５】
また、本実施形態では、反りに対してよりよい効果を得ることができるため、基材２１を一方の面側に配置したが、これに限定されず、両方の面に基材２１を配置してもよい。配線層を３つ設けた構成としたが、これに限定されず、少なくとも１つの配線層があればよい。
【００５６】
次に、電子部品内蔵モジュール１０の製造方法について説明する。ここで、図５は、電子部品内蔵モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。図６−１から図６−４は、本実施形態に係る電子部品内蔵モジュールの製造方法の説明図である。なお、電子部品内蔵モジュール１０は、マニピュレータ、樹脂硬化機能、半導体プロセス機能、レーザ照射処理、エッチング処理等、種々の機能を備える製造装置により製造することができる。なお、製造装置は、複数の装置に分離されていてもよい。また、各装置間の搬送や、部品の設置は、作業者が行ってもよい。
【００５７】
図５のフローチャートに沿って電子部品内蔵モジュール１０の製造方法について説明する。ここで、図１から図３及び図６−１から図６−４参照する。まず、製造装置は、準備工程を行う（手順Ｓ１）。ここで、準備工程として、製造装置は、製造装置は、図６−１に示すように、露光、現像、エッチング等の処理を施して第１配線層３２及び第３配線層３１の配線パターンを形成し、基材２１と共に第１配線層３２及び第３配線層３１を形成する。
【００５８】
次に、製造装置は、図６−２に示すように、未硬化の第１樹脂２２を含む層間絶縁シート２２Ａを準備する。上述したように、層間絶縁シート２２Ａは、常温（２５℃）においてシート状である。従来、液状の接着剤を使用して、その上に電子部品を搭載する製造方法がある。この従来の製造方法において、工程数が増加し製造に必要な時間が長くなると、液状の接着剤の粘度が低いため、搭載後の位置ずれにより、面方向の位置精度が悪くなるおそれがあった。また液状の接着剤の厚みが不定形であるため、厚み方向の精度も取り難く、電子部品と配線層の距離がバラバラになることにより、信頼性が低下してしまうおそれがあった。本実施形態の層間絶縁シート２２Ａは、厚みを定型とすることができ、電子部品の載置する位置精度を向上することができる。
【００５９】
また、図３に示すように、層間絶縁シート２２Ａは、ＤＳＣにより測定した発熱量が、温度に対して発熱ピークＭを含んでいる。また、ＤＳＣにより測定した発熱量が常温（２５℃）より高い温度かつ発熱ピークＭの発現する温度以下の範囲で、発熱ピークＭの発熱量の１／１０以下の発熱量の温度範囲Ｌの上限の温度が１００℃以上となる。これにより電子部品が搭載される間に第１樹脂の粘度が増加するおそれが低減される。このため、同一ボード（同一基板）上に複数の電子部品を搭載する場合、同一搭載条件で搭載しても、第１樹脂と電子部品との密着不良を低減できる。
【００６０】
第１樹脂２２は、エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、フィラーを含むことができる。例えば、エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、シリコン変形エポキシ樹脂等の材料が挙げられ、これらは、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。
【００６１】
エポキシ樹脂は、シート加工後のハンドリングを良くするため、上述した材料の中で固形と液状の２種類以上を組み合わせて、形成することが好ましい。エポキシ樹脂は、例えば、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。また、他の例として、エポキシ樹脂は、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。また、他の例として、エポキシ樹脂は、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、固形のナフタレン型エポキシ樹脂とを組み合わせて形成される。
【００６２】
第１樹脂２２は、流動性を抑制するフェノキシ樹脂又は熱可塑性樹脂を添加成分として含んでもよい。また、第１樹脂２２は、硬化剤としてシアノグアニジンを含んでもよい。シアノグアニジンは、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して０．４当量以上１．０当量以下、含んでいることが好ましい。
【００６３】
第１樹脂２２は、触媒としてトリフェニルフォスフィン、テトラフェニルフォスフィン等の有機リン化合物を選択できる。また、第１樹脂２２は、触媒として２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾ−ル、２−フェニル−４−メチルイミダゾ−ル、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾ−ル等のイミダゾール系触媒を選択できる。例えばこれら触媒の添加量を調整することにより、図３に示すＤＳＣにより測定した発熱量の挙動を調整できる。触媒の量の増減により、示差走査熱量測定により測定した発熱量が温度に対して発熱ピークの温度範囲を変化させることができるので、所望のＤＳＣ挙動に調整することができる。
【００６４】
第１樹脂２２としては、エポキシ樹脂に、添加剤として適宜のフィラーを加えてもよい。なお、フィラーとしては、特に制限されないが、例えば、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ホウ酸アルミウイスカ、チタン酸カリウム繊維、硫酸バリウム、アルミナ、ガラスフレーク、窒化タンタル、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、又は、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、錫、ネオジウム、サマリウム、アルミニウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルのうち少なくとも１種の金属を含む金属酸化物粉末等が挙げられ、樹脂母材料と同様、これらも、単独で又は複数組み合わせて使用することができ、また、電気特性、機械特性、吸水性、リフロー耐性等の観点から、適宜選択して用いることができる。第１樹脂２２としては、充填性、機械特性（線膨張係数）等の観点から、シリカ又は溶融シリカがより好ましい。また、上述したフィラーの表面はシランカップリング剤等で表面処理されていることが望ましい。
【００６５】
第１樹脂２２としては、フィラーを含む樹脂全体の質量を１００としてフィラー添加量を３０質量％以上８０質量％以下とすることが好ましい。また、第１樹脂２２としては、フィラーを含む樹脂全体の質量を１００としてフィラー添加量を７０質量％以上８０質量％以下とすることがより好ましい。フィラーの添加量を適切にすれば、充填によるボイドを低減し、又は線膨張の違いによる反り等を低減することができる。
【００６６】
次に、第１樹脂２２のシート形成方法について説明する。第１樹脂２２は、エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、フィラー等を分散しておくことが好ましい。分散は、エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、フィラー等含む組成物を例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１−メトキシ−２−プロパノール又は２−ブタノン等の溶媒に溶解させて行う。溶媒は、樹脂成分を溶解できれば特に限定されない。また、上述した溶媒の１種又は２種以上を溶媒としてもよい。２種以上の混合溶媒とすると、乾燥速度を調整することができる。また、フィラーが樹脂に分散するように、ボールミル又はディスパーミルにより、分散することが好ましい。
【００６７】
層間絶縁シート２２Ａは、第１樹脂２２が例えばポリエチレンテレフタレート等のベース上に所定の厚みになるように塗布される。塗布された第１樹脂は、熱風又は赤外線の乾燥炉により上述した溶媒が蒸発させられる。塗布は、ドクターブレード法、スリッド法、ダイコータ、リップコータなど所定のシート厚み及び精度となるように適宜選択された方法により行われる。
【００６８】
次に、製造装置は、図６−２に示すように、第１配線層３２上に上述した層間絶縁シート２２Ａを第１配線層３２に、常圧ラミネータ又は真空ラミネータを用いて一定時間、加圧することで、両者を密着させた状態とする層間絶縁シート貼り付け工程を行う（手順Ｓ２）。
【００６９】
次に、製造装置は、電子部品を搭載する電子部品搭載工程を行う（手順Ｓ３）。具体的には、製造装置は、図６−３に示すように第１樹脂２２に電子部品を搭載（載置）する。例えば、図２に示すように、電子部品５０は、第１樹脂２２上に多数配置される。また、電子部品５０は、第１樹脂２２の樹脂表面２２ａに搭載される。電子部品搭載工程では、製造装置がヒータを用いて加熱する。
【００７０】
電子部品を搭載する電子部品搭載工程では、第１樹脂２２に電子部品５０を搭載する温度（部品搭載温度）を４０℃以上８０℃以下とすることが好ましい。部品搭載温度が４０℃以上である場合、第１樹脂２２にタック性（粘着性）が発現し、第１樹脂２２は電子部品５０を密着不良なく搭載（接着）できる。また、部品搭載温度が８０℃以下である場合、第１樹脂２２の粘度が上昇しすぎることなく搭載時間が経過してもタック性が継続し、電子部品５０と第１樹脂２２との密着不良が低減され、電子部品５０が第１樹脂２２に搭載(接着)される。また、部品搭載温度が８０℃以下である場合、電子部品５０が搭載される第１樹脂２２の過度な粘度低下による、電子部品５０の第１樹脂２２への沈み込みが低減される。
【００７１】
ここで、図３を参照して説明すると、電子部品を搭載する工程は、常温より高い温度かつ発熱ピークＭの発熱量の１／１０以下の発熱量となる、温度範囲Ｌの上限温度よりも、３０℃以上低い温度まで第１樹脂を昇温し、電子部品を搭載することが好ましい。部品搭載温度が、上記範囲である場合、第１樹脂２２の粘度が上昇しすぎることなく搭載時間が経過してもタック性が継続し、電子部品５０と第１樹脂２２との密着不良が低減され、電子部品５０が第１樹脂２２に搭載できる。
【００７２】
製造装置は、電子部品を搭載した状態で第１の加熱工程を行う（手順Ｓ４）。第１の加熱工程では、第１樹脂２２が硬化又は半硬化し、電子部品５０が第１樹脂２２の表面に固着する。第１の加熱工程での加熱温度は、１４０℃以上１６０℃以下とすることが好ましい。これにより、第１樹脂が硬くなり電子部品を固定でき、後の工程で、電子部品の沈み込みや横ズレを低減することができる。また、高い温度・長時間で加熱処理を行う必要がないので、樹脂の収縮に伴う電子部品内蔵モジュールの反りを低減できる。その結果、搬送不具合による歩留まり低下を抑制し、配線を形成する精度が向上し、電子部品内蔵モジュールの配線をより高密度にできる。また、１６０℃程度の加熱手段は、市販のオートクレーブ（加熱加圧装置）又は乾燥装置等を利用することができるので、熱処理に対応できる安価な設備が利用でき、製造コストを低減できる。
【００７３】
ここで図３を参照して説明すると、第１の加熱工程は、発熱ピークＭの温度の発熱量に対して、８/１０以上の発熱量を有する温度領域まで加熱することが好ましい。発熱ピークＭ時の発熱量の８/１０以上の発熱量を有することは、十分な硬化速度を有していることを意味し、短時間で樹脂の硬化を進行させ、第１樹脂を硬くして電子部品を固定することができる。
【００７４】
次に、製造装置は、電子部品埋め込みシート貼り付け工程を行う（手順Ｓ５）。第２樹脂２３を含む電子部品埋め込みシートを用意する。そして、第２樹脂２３の電子部品埋め込みシートが真空ラミネータ又は常圧ラミネータにより電子部品５０に貼り付けられ、電子部品５０を埋没する。例えば、ホットプレスにより、１１０℃、０．５ＭＰａ程度で電子部品５０が埋まる高さまで、第２樹脂２３を押圧し、平坦としながら第２樹脂２３で電子部品を埋め込む工程を行ってもよい。
【００７５】
第２樹脂２３は、シート状又はフィルム状に成型可能な樹脂であれば特に制限されず使用可能である。また、第２樹脂２３は第１樹脂２２と同じ組成もしくは類似の組成の樹脂配合物とすれば、埋没される電子部品５０の上下層で物性差が生じることなく、剥離や反りの発生が低減される。
【００７６】
製造装置は、真空熱プレスにより第２樹脂２３を硬化する第２の加熱工程を行う（手順Ｓ６）。第２の加熱工程では、例えば、１６０℃以上１９０℃以下で、真空熱プレスにより第２樹脂２３を数ＭＰａの圧力で押圧し、平坦としながら第２樹脂２３を硬化させる。ここで第１樹脂２２は、第１の加熱工程にて、図３に示す発熱ピークＭと加熱温度を合致させることで、部品を固定できる程度まで硬化されているため、第２の加熱工程にて、さらに温度や圧力が加わっても、電子部品５０の第１樹脂２２への沈み込みや横ズレの発生を抑制することができる。なお、本実施形態では、図６−４に示すように第２樹脂２３上面に第２配線層３３を貼り付けた後、第２樹脂を加熱、加圧することで、硬化させる。これにより、製造装置は、図６−４に示すように、電子部品５０が第２樹脂２３によって埋まっており、かつ、第２配線層３３が配置された基板を形成することができる。
【００７７】
製造装置は、第２配線層３３に露光、現像、エッチング等により、配線パターンを形成する配線パターン工程を行う（手順Ｓ７）。製造装置は、所定位置にビアを形成する。ここで、ビアは、第１樹脂２２又は第２樹脂２３を貫通する穴、第２配線層３３から、電子部品５０の電極５１まで届く穴、又は第２配線層３３から、第１配線層３２の金属部分まで届く穴等である。また、ビアは、レーザ加工やブラスト加工により形成することができる。
【００７８】
製造装置は、ビアを形成したら、導電ペーストの埋め込み又はめっき処理を行い、形成したビアに金属を充填する。なお、めっき処理は、無電解めっきを行った後、電解めっきを行っても、無電解めっきのみを行ってもよい。これにより、図１に示すように、電子部品接続部材３４と、層間接続部材３６とが形成される。その後、製造装置は、配線層３３をパターニングすることで、図１に示すように、配線パターンを形成する。このように、金属の一部を除去することで、配線パターンとなる。なお、パターニングの方法は特に限定されず、例えば、配線形成プロセス（レジスト形成、露光、エッチング、マスク除去）により行っても、レーザ加工やブラスト加工により行ってもよい。
【００７９】
（評価例及び比較例の試料）
以下、評価例を用いて説明する。ここで、図１に示す電子部品内蔵モジュール１０の評価例及び比較例を下記表１の組成に示す材料を用いて作成した。
【００８０】
【表１】
0005413382.tif 000002
【００８１】
ここで、表１に示すエポキシ樹脂Ａは、下記化学式１に示すビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用した。エポキシ樹脂Ａは、平均分子量５９０、エポキシ当量２４５ｇ／ｅｑである。また、表１に示すエポキシ樹脂Ｂは、下記化学式１に示すビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を使用した。エポキシ樹脂Ｂは、平均分子量１６００、エポキシ当量８００ｇ／ｅｑである。
【００８２】
【化１】
0005413382.tif 000003
【００８３】
また、表１に示すフェノール樹脂Ａは、下記化学式２に示すフェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製ＴＤ２０９３）を使用した。
【００８４】
【化２】
0005413382.tif 000004
【００８５】
また、表１に示す硬化剤は、下記化学式３に示すシアノグアニジン（三菱化学社製ＤＩＣＹ７）を使用した。
【００８６】
【化３】
0005413382.tif 000005
【００８７】
また、表１に示す硬化触媒は、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾ−ル（四国化成製Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）を使用した。
【００８８】
また、フィラーは、評価例１、評価例２及び比較例１のいずれも電機化学工業製ＦＢ−１ＳＤＸを使用した。フィラーは、シート総質量の（フィラーを含む樹脂全体の質量を１００として）７５質量％としている。また、フィラーは、信越シリコン製シランカップリング剤ＫＭＢ５７３により表面処理されている。
【００８９】
また、表１に示す配合で、評価例１、評価例２及び比較例１の組成の材料を各々用意した。第１溶媒である関東化学製のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、及び第２溶媒である純正化学製の１−メトキシ−２−プロパノールを１：１で混合し、混合溶媒とした。評価例１、評価例２及び比較例１の組成の材料を各々用意した混合溶媒で溶解し、ボールミルで分散した。十分フィラーが分散した後、ドクターブレード法によって、ポリエチレンテレフタレート等のベース上に所定の厚みになるように、評価例１、評価例２及び比較例１の組成の材料を各々塗布し、乾燥炉により１２０℃で１０分間乾燥させた。
【００９０】
（評価例及び比較例の発熱量の測定）
図７は、示差走査熱量測定の説明図である。示差走査熱量測定装置１００は、電気炉１０１と、ヒートシンク１０２と、試料ホルダ１０５と、試料ホルダ１０６と、示差熱電対１１０と、示差走査熱量回路１１１とを含んでいる。試料ホルダ１０５は、基準物質Ｚを収容する。また、試料ホルダ１０６は、測定試料Ｑを収容する。示差熱電対１１０は、基準物質Ｚと、測定試料Ｑとに接続されている。示差走査熱量回路１１１が、所定のプログラムでヒートシンク内の温度を変化させ、基準物質Ｚと、測定試料Ｑとの温度差から吸熱又は発熱ピークを検出することができる。
【００９１】
評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂は、測定試料Ｑとして示差走査熱量測定装置１００で計測した。具体的には、示差走査熱量測定装置は、島津製作所製  島津熱流束示差走査熱量計ＤＳＣ−５０を使用した。また、昇温速度は、１℃／ｍｉｎ、測定温度は２５℃以上２８０℃以下である。
【００９２】
図８は、示差走査熱量測定装置での評価結果を示す説明図である。図８は、縦軸は熱量（Ｗ／ｇ）、横軸は温度（℃）であり、評価例１がグラフＧ１、評価例２がグラフＧ２、比較例１がグラフＧ３である。グラフＧ１の発熱ピーク温度は１５２℃、発熱ピークの発熱量は、０．０２９（Ｗ／ｇ）であった。グラフＧ２の発熱ピーク温度は、１６８℃、発熱ピークの発熱量は、０．０２３（Ｗ／ｇ）であった。グラフＧ３の発熱ピーク温度は１４５℃、発熱ピークの発熱量は、０．０２３（Ｗ／ｇ）であった。グラフＧ１の１００℃の発熱量は、０．０００７１（Ｗ／ｇ）であった。グラフＧ２の１００℃の発熱量は、０．０００９５（Ｗ／ｇ）であった。グラフＧ３の１００℃の発熱量は、０．００６２８（Ｗ／ｇ）であった。そこで、１００℃の発熱量と発熱ピークの発熱量との比を求めると、グラフＧ１における１００℃の発熱量／発熱ピークの発熱量が０．０２、グラフＧ２における１００℃の発熱量／発熱ピークの発熱量が０．０４、グラフＧ３における１００℃の発熱量／発熱ピークの発熱量が０．２７であった。
【００９３】
図８に示すように、温度領域Ａを４０℃以上１００℃以下とすると、温度領域Ａでは、グラフＧ１及びグラフＧ２がその後の発熱のピーク値の１／１０以内となっている。グラフＧ３は、温度領域Ａにおいて、例えば１００℃では発熱のピーク値の２７％となってしまう。また、温度領域Ｂを１２０℃以上１６０℃以下とすると、発熱ピークが温度領域Ｂの範囲に入るのは、グラフＧ１のみである。
【００９４】
図８に示すように、硬化触媒の添加量が異なる評価例１と評価例２とは、ＤＳＣにより測定した発熱量の変化が異なる。硬化触媒の添加する量を異ならせることにより、ＤＳＣにより測定した発熱量の温度に対する挙動を調整することができる。
【００９５】
（評価例及び比較例の電子部品搭載試験）
次に、評価例及び比較例の電子部品搭載試験を行った。部品搭載温度を７０℃とし、電子部品であるベアチップ状のＩＣをダイボンダ−装置で評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シート（厚さ４５μｍ）の上へ搭載圧力２Ｎ、印圧１０秒で搭載した。ベアチップ状ＩＣは、電極のついていない面が評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上へ接触するように搭載した。部品搭載性の評価として、電子部品搭載試験の開始直後、開始から３０分後、１時間後、５時間後にベアチップ状ＩＣを評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上へ搭載した。その後、オートクレーブにより１５０℃の熱処理を施し、評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上にベアチップ状ＩＣを固定した。評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートからベアチップ状ＩＣを剥離し、剥離箇所の評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂表面を観察し、表面にボイド発生痕跡のあるものを×、表面にボイド発生痕跡のなく、全面が密着していたものを○として評価した。評価結果を表１に示す。
【００９６】
表１に示すように、評価例１及び評価例２には、ボイド発生痕跡はなかった。比較例１は、開始直後の試料では、ボイド発生痕跡はなかった。比較例１の開始から３０分後以降の試料は、ボイドの痕跡がみられた。評価例１及び評価例２は、部品搭載工程で安定して部品を搭載できることが分かる。
【００９７】
（評価例及び比較例の沈み込み量測定方法）
次に、評価例及び比較例の電子部品搭載試験を行った。部品搭載温度を７０℃とし、電子部品であるベアチップ状のＩＣをダイボンダ−装置で評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シート（厚さ４５μｍ）の上へ搭載圧力２Ｎ、印圧１０秒で搭載した。ベアチップ状ＩＣは、電極のついていない面が評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上へ接触するように搭載した。その後、オートクレーブにより１５０℃の熱処理を施し、評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上にベアチップ状ＩＣを固定した。次に、上述した第２樹脂を含む電子部品埋め込みシートを用意した。ベアチップ状ＩＣを覆うように、電子部品埋め込みシートを評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートへ被せ、温度条件１１０℃にて、真空ラミネータを用いて部品を埋没させる様に貼り付け、さらに１７０℃３０分の第２の加熱工程を行った。電子部品が埋没された評価例１、評価例２及び比較例１の試料を樹脂埋め研磨やＦＩＢ等で断面が分かるように加工し、図１に示す第１樹脂２２の厚みと同じ搭載部品下の厚みｔ１を計測した。搭載部品下の厚みｔ１の狙い値は４５μｍである。また、図１に示す電子部品５０の第２配線層３３迄の距離と同じ搭載部品上の厚みｔ２を計測した。沈み込み量が１０μｍを超える試料を×として、表１に記載した。また、評価例１及び比較例１の実測値を下記に表２に示す。
【００９８】
【表２】
0005413382.tif 000006
【００９９】
表１に示すように、評価例１及び比較例１、沈み込み量は許容範囲であった。表２に示すように、評価例２の沈み込み量が１０．２μｍに対して、評価例１は、沈み込み量１．３μｍに低減できる。また、搭載部品上の厚みｔ２についても、評価例２の３４．３μｍに対して、評価例１は、搭載部品上の厚みｔ２を狙い値２３に近づけている。このため評価例１は、評価例２よりも搭載部品上の厚みｔ２を狙い値に近づけているので、電子部品と第２配線層との間の導通不良のおそれも低減することができる。
【０１００】
（評価例及び比較例の位置ずれ量測定試験）
次に、評価例及び比較例の電子部品の位置ずれ量測定試験を行った。電子部品内蔵モジュールの基板サイズを１５０ｍｍ×１５０ｍｍとし、電子部品内蔵モジュールの基板の基板中央よりに、１００ｍｍ×１００ｍｍの範囲でベアチップ状のＩＣを１２１個均等に搭載した。部品搭載温度を７０℃とし、電子部品であるベアチップ状のＩＣをダイボンダ−装置で評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シート（厚さ４５μｍ）の上へ搭載圧力２Ｎ、印圧１０秒で搭載した。ベアチップ状ＩＣは、電極のついていない面が評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上へ接触するように搭載した。その後、オートクレーブにより、１５０℃の熱処理を施し、評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートの上にベアチップ状ＩＣを固定した。次に、上述した第２樹脂を含む電子部品埋め込みシートを用意した。ベアチップ状ＩＣを覆うように、電子部品埋め込みシートを評価例１、評価例２及び比較例１の樹脂を含むシート状の層間絶縁シートへ被せ、真空ラミネータにより貼り付け、さらに、１７０℃３０分の第２の加熱工程を行った。図９は、部品位置ずれ量の評価における電子部品内蔵モジュールの評価位置を示す説明図である。図９の位置Ｐ１からＰ８の８カ所について、ベアチップ状ＩＣを表面から削り出し、ベアチップ状ＩＣの搭載予定位置からの位置ずれ量を測定した。位置ずれ量が５０μｍ以下の場合は、部品位置ずれ量の評価を○とした。位置ずれ量が５０μｍを超える場合は、部品位置ずれ量の評価を×とした。部品位置ずれ量の評価を表１に示す。また、図９の評価位置である位置Ｐ１からＰ８の８カ所の実装位置及び評価例１及び比較例１の実測値を下記に表３に示す。
【０１０１】
【表３】
0005413382.tif 000007
【０１０２】
表１に示すように、評価例１及び比較例１は、部品位置ずれ量は許容範囲であった。表３に示すように、図９の評価位置である位置Ｐ１からＰ８の８カ所いずれにおいても、評価例２に比べ、評価例１は位置ずれ量が小さい。評価例１は、沈み込み量を低減できるので、内蔵する電子部品の位置精度を向上することができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  電子部品内蔵モジュール
２１  基材
２２  第１樹脂
２２ａ  樹脂表面
２３  第２樹脂
３１  第３配線層
３２  第１配線層
３３  第２配線層
３４  電子部品接続部材
３６  層間接続部材
５０  電子部品
５１  電極
１００  示差走査熱量測定装置
【図１】
0005413382.tif 000008
【図２】
0005413382.tif 000009
【図３】
0005413382.tif 000010
【図４】
0005413382.tif 000011
【図５】
0005413382.tif 000012
【図６−１】
0005413382.tif 000013
【図６−２】
0005413382.tif 000014
【図６−３】
0005413382.tif 000015
【図６−４】
0005413382.tif 000016
【図７】
0005413382.tif 000017
【図８】
0005413382.tif 000018
【図９】
0005413382.tif 000019