(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造を形成するステップであって、
ａ）ドナー基板（１）上に第１のエッチング停止層（２）を形成するステップと、
ｂ）前記第１のエッチング停止層（２）上に第２のエッチング停止層（３）を形成するステップであって、前記第２のエッチング停止層（３）の物質は前記第１のエッチング停止層（２）の物質とは異なり、前記第２のエッチング停止層（３）は、第２のエッチング停止層内の緩和欠陥の生成を回避できる程度に薄い厚さに形成される、形成するステップと、
ｃ）前記第２のエッチング停止層（３）上にシリコン薄膜（４）を形成するステップと
によって構造を形成するステップと、
前記構造をターゲット基板（６）に接着するステップと、
前記ドナー基板（１）を前記第１のエッチング停止層（２）において開始される分割によって剥離するステップと
を備え、前記第１のエッチング停止層（２）および前記第２のエッチング停止層（３）の両方はシリコンに対するエッチング選択性を示し、前記第１のエッチング停止層（２）はボロンがドープされたシリコンを含むか、またはボロンがドープされたシリコンによって構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ドナー基板（１）の剥離後、前記第２のエッチング停止層（３）から前記第１のエッチング停止層（２）の残っている物質を除去するステップと、
続いて前記第２のエッチング停止層（３）を除去するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のエッチング停止層（３）はＳｉＧｅ層を含むか、またはＳｉＧｅ層によって構成されることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳｉＧｅ層は少なくとも１５％のＧｅを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
脆弱な領域（１１）を形成するために前記第１のエッチング停止層（２）中にイオンを埋め込むステップをさらに備え、分割するステップは熱処理によって前記脆弱な領域（１１）において分割するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のエッチング停止層（３）の厚さは前記第１のエッチング停止層（２）の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記接着するステップの以前に、前記シリコン薄膜（４）上に埋め込み層（５）を形成するステップおよび／または前記接着するステップの以前に、前記ターゲット基板（６）上に埋め込み層（７）を形成するステップをさらに備え、前記接着するステップは、前記シリコン薄膜（４）上の前記埋め込み層（５）および／または前記ターゲット基板（６）上の前記埋め込み層（７）によってなされることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記接着するステップの以前に、前記シリコン薄膜（４）上に第１の埋め込み酸化層（５）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記第１の埋め込み酸化層（５）上にボロンドーパントを含むシリコンを含む層（１２）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記シリコンを含む層（１２）上に第２の埋め込み酸化層（１３）を形成するステップと、
前記第２の埋め込み酸化層（１３）を前記ターゲット基板（６）に接着するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記接着するステップの以前に、前記シリコン薄膜（４）上に第１の埋め込み酸化層（５）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記第１の埋め込み酸化層（５）上にボロンドーパントを含むシリコンを含む層（１２）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記シリコンを含む層（１２）上に第２の埋め込み酸化層（１３）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記ターゲット基板（６）上に第３の埋め込み酸化層（７）を形成するステップと、
前記第２の埋め込み酸化層（１３）を前記ターゲット基板（６）上に形成された前記第３の埋め込み酸化層（７）に接着するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着するステップの以前に、前記シリコン薄膜（４）上に第１の埋め込み酸化層（５）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記ターゲット基板（６）上に第２の埋め込み酸化層（１３）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記第２の埋め込み酸化層（１３）上にボロンドーパントを含むシリコンを含む層（１２）を形成するステップと、
前記接着するステップの以前に、前記シリコンを含む層（１２）上に第３の埋め込み酸化層（７）を形成するステップと、
前記第１の埋め込み酸化層（５）を前記第３の埋め込み酸化層（７）に接着するステップと
をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の埋め込み酸化層（５）上および／または前記シリコンを含む層（１２）上にボロン拡散バリア層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコンを含む層（１２）がアモルファスまたは多結晶のシリコン層、またはアモルファスまたは多結晶のＳｉＧｅ層であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の埋め込み酸化層（１３）上および／または前記シリコンを含む層（１２）上にボロン拡散バリア層を形成するステップをさらに備えたことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン薄膜（４）が最大１０ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄いＳＯＩデバイスの製造に関し、特に改良されたエッチング停止技術によるダブルＢＯＸ構造の製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
完全に空乏化されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）デバイスは、将来のＣＭＯＳ技術において、ランダムチャネルドーピングおよびショートチャネル効果に起因する閾値電圧の変動の問題の解決のための有望な候補である。これら問題は、将来のダウンスケーリング（ｄｏｗｎ−ｓｃａｌｉｎｇ）に対する深刻な障害となる。他の方法としては、ＦｉｎＦＥＴデバイスおよびＥＴＳＯＩ（Ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ  Ｔｈｉｎ  ＳＯＩ、極めて薄いＳＯＩ）デバイスがある。本発明は、後者の製造の改良に関する。
【０００３】
現在、ＥＴＳＯＩウエハの大多数はＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）工程を用いて製造される。これらウエハは、完全に空乏化された状態において作動するトランジスタを用いてチップを作製するために使用される。シリコン薄膜の均一性は、結果として得られたＥＴＳＯＩデバイスの性能に対して極めて重要である。シリコン薄膜の満足のいく均一性を得るために、ドナーウエハ上にエッチング停止層を堆積させ、シリコン薄膜をエッチング停止層の上で成長させる。ウエハ転写工程の間、ドナーウエハは、たとえば埋め込み層、特に埋め込み酸化層（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ  Ｌａｙｅｒ、ＢＯＸ）によってターゲットウエハに接着される。剥離は、ドナーウエハのシリコン基板から開始される分割、またはエッチング停止層から開始される分割によって実現される。前者の場合、エッチング停止層上に残っているシリコンは取り除かれることになり、続いてエッチング停止層も取り除かれることになる。エッチング停止層で分割が行われた場合は、ドナーウエハから残っているシリコンを取り除くステップは回避される。
【０００４】
ボロンがドープされたエッチング停止層が用いられた場合、エッチング停止層から開始される分割の正確な制御を可能にするのに十分な厚さのエッチング停止層が容易に実現される。しかし、シリコン薄膜の、ボロンがドープされたエッチング停止層への直接の接触は、ボロンドーパントのシリコン薄膜への拡散を生じさせ、従ってＥＴＳＯＩ構造の質を低下させる。一方、ＳｉＧｅ層をエッチング停止層として使用した場合、緩和欠陥（ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  ｄｅｆｅｃｔ）は、ＳｉＧｅエッチング停止層において開始される分割を可能にするであろうＳｉＧｅ層の厚さに対する深刻な問題を引き起こす。これは、比較的高いＧｅ濃度が、十分高いエッチング選択性を提供するために必要とされる事実に起因する。よって、この場合、分割はドナーウエハのバルク基板において行われなければならず、剥離の後、エッチング停止層の表面上に残っているシリコン材料の除去の上記のステップを回避することはできない。さらには、残っているシリコンのエッチングは、ターゲット基盤に転写されるエッチング停止層の縁および下で、必ずいくらかのシリコン薄膜のアンダーエッチングに終わる。
【０００５】
上記を考慮して、本発明の目的は、エッチング問題が軽減される薄いＳＯＩデバイスの製造方法を提供することである。
【発明の概要】
【０００６】
上記の目的は、シリコン薄膜を使用したＳＯＩデバイス（ストラクチャ、ウエハ）の製造の、本明細書で開示する方法によって取り組まれる。特許請求の範囲の請求項１により方法が提供され、方法は、
段階を踏んでストラクチャ（構造）を形成するステップであって、
ａ）ドナー基板上に第１のエッチング停止層を形成するステップと；
ｂ）第１のエッチング停止層上に第２のエッチング停止層を形成するステップであって、第２のエッチング停止層の材料は第１のエッチング停止層の材料と異なる、ステップと、
ｃ）第２のエッチング停止層上にシリコン薄膜を形成するステップと
を備えるステップと、
ストラクチャ（構造）をターゲット基板に接着させるステップと、
第１のエッチング停止層において開始される分割によって（すなわち、第１のエッチング停止層は２つの部位に分割され、分割された部位のうちの一方は第２のエッチング停止層に付着し続け、一方、分割された部位のうちの他方はドナー基板に付着し続ける）ドナー基板を剥離するステップと
を備える。
【０００７】
本発明に関する技術に反して、２つの異なるエッチング停止層が提供され、シリコン膜は、薄いシリコン層に関してのエッチング選択性を提供するこれらエッチング停止層のうちの１つの上部で成長する。したがって、エッチング停止層のうちの１つ（シリコン薄膜に対して下層側）は、ドナー基板と、エッチング停止層と、シリコン薄膜とを含む積層をターゲット基板（ウエハ）に接着したあと分割のために使用される。分割に使用されるこの（第１の）エッチング停止層は、有利にボロンを含み、正確な制御が可能な分割ができる厚さまで容易に形成（成長／堆積）されることができる。シリコン膜は、最大で２０ｎｍ、特に、最大で１５ｎｍ、さらに特別には、最大で１０ｎｍの厚さを有することによる、薄いという特徴を示す。ストラクチャ（構造）をターゲット基板に接着させるステップは、従来の方法で行うことができ、技術的に知られたいくつかの熱処理を含むことができる。
【０００８】
第１のエッチング停止層はボロンがドープされたシリコン層であることができる。他の（第２の）エッチング停止層は、有利に、薄いシリコン層が受け入れることができるいかなるドーパントをも使用できる。第２のエッチング停止層は、たとえば、Ｇｅを少なくとも１５％、望ましくは、少なくとも２０％または２５％含むＳｉＧｅ層であることができる。特に、第１のエッチング停止層にボロンドーパントが含まれている場合、ボロンに対する拡散バリア層としての役割を果たす第２のエッチング停止層は、第１のエッチング停止層よりも小さな厚さで形成されることができる。第１のエッチング停止層がボロンがドープされたシリコン層である場合、ＨＦ：ＨＮＯ3を含むエッチング液によるエッチングによって、ウエハ転写後にこれは取り除かれることができる（この層の残っている物質は取り除かれることができる）ことに注意されたい。第２のエッチング停止層がＳｉＧｅ層である場合、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2（ＨＦ：Ｈ2Ｏ2：ＣＨ3ＣＯＯＨ）を含むエッチング液によるエッチングによって、ウエハ転写後にこれは取り除かれることができる。
【０００９】
よって、本発明によると、接着工程の後に分割に使用される第１のエッチング停止層に含まれるドーパント、たとえば、ボロンドーパントによる薄いシリコン層の汚染は回避されることができる。第２のエッチング停止層は分割工程に使用されないので、いくつかの熱処理の後の緩和欠陥が回避されることができる程度に薄い厚さに形成されることができる。
【００１０】
加えて、第１および第２のエッチング停止層の両方は、有利に、このシリコン膜のシリコンに対する著しいエッチング選択性を示す。よって、分割後に第１のエッチング停止層上に残っている第２のエッチング停止層の物質の除去と、均一に露出したシリコン薄膜を提供するために実行された分割工程後の、物質層の成長などを含むかもしれない薄いＳＯＩデバイス（ＥＴＳＯＩデバイス）の追加的な製造に適切である第１のエッチング停止層の除去とのどちらの期間中にもシリコン薄膜のアンダーエッチングは引き起こされない。よって、ＥＴＳＯＩウエハの薄いシリコン層の厚さ均一性は、この層をドナー基板上で成長させる場合のエピタキシの厚さ均一性の性能によってのみ決定される。
【００１１】
一例によると、本発明の方法は、脆弱な（ｗｅａｋｅｎｅｄ）領域を形成させるための分割工程に使用される第１のエッチング停止層へのイオンの埋め込みを含む。この場合、分割のステップは熱処理による脆弱な領域での分割を含む。よって、ドナー基板の剥離は確実に制御されることができる。特に、分割工程はＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）工程の範囲内で実行されることができる。
【００１２】
接着ステップは、接着ステップ以前のシリコン薄膜上での埋め込み層、特に、埋め込み酸化層の形成、および／または接着ステップ以前のターゲット基板上での埋め込み層、特に、埋め込み酸化層の形成によってなされる。（１または複数の）埋め込み（酸化）層の形成後、ドナー基板（さらに、エッチング停止層および薄いシリコン層）はターゲット基板に接着される。
【００１３】
詳しくは、特別な例によると、本発明の方法は、
接着ステップ以前に、シリコン薄膜上で第１の埋め込み酸化層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、第１の埋め込み酸化層上で、ボロンドーパントを含む、シリコンを含む層（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を形成するステップと、
接着ステップ以前に、シリコンを含む層上で、第２の埋め込み酸化層を形成するステップと、
第２の埋め込み酸化層をターゲット基板に接着するステップと
を含む。
【００１４】
代わりに、このような構造の接着は、
接着ステップ以前に、シリコン薄膜上で第１の埋め込み酸化層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、第１の埋め込み酸化層上で、ボロンドーパントを含む、シリコンを含む層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、シリコンを含む層上で、第２の埋め込み酸化層を形成するステップと、
第３の埋め込み酸化層をターゲット基板に形成するステップと
によって達成されることができる。
【００１５】
続いて、第２の埋め込み酸化層はターゲット基板上に形成されている第３の埋め込み酸化層に接着される。
【００１６】
さらなる代替手段によると、本発明の方法は、
接着ステップ以前に、シリコン薄膜上で第１の埋め込み酸化層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、ターゲット基板上に第２の埋め込み酸化層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、第２の埋め込み酸化層上で、ボロンドーパントを含む、シリコンを含む層を形成するステップと、
接着ステップ以前に、シリコンを含む層上で、第３の埋め込み酸化層を形成するステップと、
第１の埋め込み酸化層を第３の埋め込み酸化層に接着するステップと
を含む。
【００１７】
剥離と、第１のエッチング停止層の残っている物質の除去と、第２のエッチング停止層の除去との後、露出したシリコン薄膜を含むダブルＢＯＸ構造が結果として残る。
【００１８】
上記のシリコンを含む層は、この表面に形成される酸化物層への支えを提供し、有利に、シリコンに似た動作機能を有する。シリコンを含む層の適切な選択肢としては、たとえばアモルファスまたは多結晶シリコン、または、アモルファスまたは多結晶ＳｉＧｅが挙げられる。
【００１９】
全ての言及した選択肢によると、確実な接着がなされることができ、第１のエッチング停止層で分割するステップが後に続く。さらに、ボロン拡散バリア層は、シリコンを含む層の上部および／または下部の表面上、すなわちシリコンを含む層とそれぞれの埋め込み酸化層との間に直接形成されることができる。
【００２０】
上述した方法によって、ＥＴＳＯＩデバイスの製造のためのシリコン薄膜は、たとえば最大２０ｎｍ、特に１０ｎｍ、さらに特別には最大５ｎｍといった、シリコン膜の厚さの前例のない均一性を有した状態で提供される。
【００２１】
本発明のさらなる特徴および有利な点を、図を参照しながら説明する。説明において、本発明の望ましい実施形態を説明することを意図した添付の図への参照がなされる。このような実施形態は本発明の全ての範囲を示すものではないことが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】２つのエッチング停止層の形成と、エッチング停止層のうちの１つにおける分割を含むウエハ転写とを含む本発明の方法の１例を説明する図である。
【図２】エッチング停止層のうちの１つにおける分割を含むウエハ転写の後に得られるシリコン薄膜を含むダブルＢＯＸ構造が得られる、本発明の方法の他の例を説明する図である。
【図３】エッチング停止層のうちの１つにおける分割を含むウエハ転写の後に得られるシリコン薄膜を含むダブルＢＯＸ構造が得られる、本発明の方法の他の例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、与えられた２つのエッチング停止層のうちの１つにおいて開始される分割工程の仲介によってウエハ転写がなされる本明細書で開示されている方法の例を示している。図１に示すように、第１のエッチング停止層２はドナー基板１上で成長させられる。第２のエッチング停止層３は第１のエッチング停止層２上で成長させられる。ドナー基板１は一般的なシリコン基板であってよい。本例によると、第１のエッチング停止層２はＳｉＧｅ、特にＧｅの含有量が２０％以上のＳｉＧｅで構成される、または含む。第２のエッチング停止層３は、緩和欠陥を実質回避するために十分な薄さを有する。
【００２４】
非常に薄いシリコン膜４は第２のエッチング停止層３の上部（ｆｒｅｅ、空いている）表面上に形成される。この層が可能な限り均一に成長させられていることがきわめて重要である。シリコン薄膜４の厚さは数ｎｍから２０ｎｍの間、特に５ｎｍから１５ｎｍの間をとることができる。
【００２５】
ウエハ転写を容易にするため、埋め込み酸化層５がシリコン薄膜４上に形成される。結果として得られた構造は、他の埋め込み酸化層７によって覆われたターゲット基板６へのウエハ転写工程を施される。ターゲット基板６はドナー基板１と同じ材料で作られていてよい。剥離は、結果として埋め込み酸化層８が生じる、第１の埋め込み酸化層５と第２の埋め込み酸化層７との接着工程が完了した後、第１のエッチング停止層２において開始される分割によってなされる。
【００２６】
分割は、たとえば適切な熱処理を含む、いかなる知られた従来の方法によって開始されても良い。たとえば、ＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）工程が実行されて良い（以下の記述も参照）。分割が第１のエッチング停止層２において開始されるため、剥離の後、第１のエッチング停止層２の物質がいくらか第２のエッチング停止層３上に残る。
【００２７】
半導体デバイスの製造の次のステップのために提供されるシリコン薄膜４の空いている（ｆｒｅｅ）表面を得るために、第１のエッチング停止層２の残っている物質は第１のエッチングプロセス９においてエッチングされる。この第１のエッチングプロセス９は、損傷を回避するために、シリコン薄膜４に対して、有利に、高選択的（ｈｉｇｈｌｙ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ）である。除去はＨＦ：ＨＮＯ3を含むエッチング液によってなされることができる。第１のエッチング停止層２の残っている物質が完全に除去された後、シリコン薄膜４の表面から第２のエッチング停止層３を除去するために、第２のエッチングプロセス１０が実行される。第２のエッチングプロセス１０はシリコン薄膜４に対して、高選択的である。このため、第２のエッチング停止層としてＳｉＧｅが使用された場合比較的高いＧｅの含有量が提供される（上記参照）。第２のエッチング停止層３の除去は、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2（ＨＦ：Ｈ2Ｏ2：ＣＨ3ＣＯＯＨ）を含むエッチング液によって達成されることができる。第１のエッチング停止層２の除去後、ターゲット基板６と、第１の埋め込み酸化層５と第２の埋め込み酸化層７との接着によって得られた埋め込み酸化層８と、シリコン薄膜４とを含む所望のＥＴＳＯＩ構造が、図１に示されているように、得られる。
【００２８】
本発明の方法の他の例を、図２を参照しながら説明する。図１に示されている例と類似して、第１のエッチング停止層２と第２のエッチング停止層３とがドナー基板１上に形成されている。第１のエッチング停止層２の内部に、脆弱な層１１が、イオン、たとえば水素イオンの埋め込みによって形成される。
【００２９】
シリコン薄膜４は第２のエッチング停止層３上で成長させられる。第１の埋め込み酸化層５はシリコン薄膜４上に形成される。図１に示された例とは異なり、第１の埋め込み酸化層５は、ターゲット基板６上で成長させられた第２の埋め込み酸化層７と接着するためには使用されない。続いて、ボロンが、たとえば、ボロン濃度が数１０18から数１０19ｃｍ-3でドープされた多結晶シリコン膜１２が第１の埋め込み酸化層５上に形成される。ボロンがドープされた多結晶シリコン膜１２上に、ターゲット基板６上に形成された第２の埋め込み酸化層７との接着を仲介するために、第３の埋め込み酸化層１３が形成される。接着は、接着された埋め込み酸化層７と１３とから成る一体化した埋め込み酸化層１４を結果として生じさせる。
【００３０】
剥離は第１のエッチング停止層２において開始される分割によって再び達成される。特に、分割は脆弱な層１１において生じる。
【００３１】
図２に示されているように、ドナー基板１の剥離、第１のエッチング停止層２の残っている物質の除去、および第２のエッチング停止層３の完全な除去の後、ターゲット基板６、一体化したＢＯＸ（埋め込み酸化）層１４、ボロンがドープされた多結晶シリコン膜１２、第１のＢＯＸ層５およびシリコン薄膜４をこの順番で含むダブルＢＯＸ構造が得られる。第１のＢＯＸ層５およびシリコン薄膜４は数１０ｎｍ、特に、５ｎｍから１５ｎｍの厚さを有することができる。
【００３２】
ダブルＢＯＸ構造は、代替として、図３において説明されているようにして得られることができる。この例では、図３の層１２および１３はドナーウエハ上に形成されていない。むしろ、多結晶シリコン膜１２および他の埋め込み酸化層１３は、ターゲット基板６上に形成された埋め込み酸化層７上に形成されている。埋め込み酸化層５と１３との接着、第１のエッチング停止層２において開始される分割による剥離、およびシリコン薄膜４からの第１のエッチング停止層２の残っている物質と第２のエッチング停止層３の除去の後、埋め込み酸化層７および埋め込み酸化層５と１３との接着の結果得られた埋め込み酸化層１４を有するダブルＢＯＸ構造が得られる。
【００３３】
さらに、図２に示される例において、埋め込み酸化層５と多結晶シリコン膜１２との間、および多結晶シリコン膜１２と埋め込み酸化層１３との間（図２）、または埋め込み酸化層７と多結晶シリコン膜１２との間、および多結晶シリコン膜１２と埋め込み酸化層１３との間（図３）のそれぞれにＳｉ3Ｎ4から成る薄い中間層を形成することが望ましいであろう。よって、ドープされた多結晶シリコン膜１２から埋め込み酸化層への小さなボロン原子の拡散を防ぐことができる。
【００３４】
図１、２および３に示されている、結果として得られる構造は、ＥＴＳＯＩに基づくマイクロチップ製造、特に、２２ｎｍ技術およびより小さい技術におけるトランジスタデバイスの製造に容易に使用されることができる。
【００３５】
すべてのこれまでに議論した実施形態は限定を意図するものではなく、本発明の特徴と利点を説明する例としての役割を果たす。上述した特徴のいくつかまたはすべては異なる方法で組み合わせることも可能であることを理解されたい。
【符号の説明】
【００３６】
１  ドナー基板
２  第１のエッチング停止層
３  第２のエッチング停止層
４  シリコン薄膜
５  第１の埋め込み酸化層
６  ターゲット基板
７  第２の埋め込み酸化層
８  埋め込み酸化層
１１  脆弱な層
１２  多結晶シリコン膜
１３  第３の埋め込み酸化層
１４  埋め込み酸化層
【図１】
0005524817.tif 000002
【図２】
0005524817.tif 000003
【図３】
0005524817.tif 000004