(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、
前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第１の導電層と、
前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に、ライン状に形成された層間絶縁膜と、
前記第１の導電層上に、ドット状に形成された層間絶縁膜と、
前記ライン状に形成された層間絶縁膜と前記ドット状に形成された層間絶縁膜に囲まれた領域の前記第１の導電層上に形成される第２の導電層と、
を有し、前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続されることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、
前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第１の導電層と、
前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上及び、前記第１の導電層上に所定の間隔で形成される層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上には形成されることなく、前記第１の導電層上に形成される第２の導電層と、
を有し、前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続されることを特徴とする回路基板。
【請求項３】
前記第１の導電層はライン状に形成されるものであって、
前記第１の導電層上に形成される第２の導電層のパターンは、隣接する前記第１の導電層上において、相互に異なるパターンが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記層間絶縁膜は、絶縁性フィラーと樹脂材料とを有するバインダを主成分とすることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第２の導電層は、導電性材料からなる微粒子と樹脂材料とを有するバインダを主成分とすることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回路基板。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の回路基板と、
表示素子と、を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
前記表示素子に形成される画素電極と、前記第２の導電層とは、同一の材料により形成されていることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記回路基板の前記第１の導電層上にも層間絶縁膜が形成される場合において、前記層間絶縁膜が形成されていない領域となる第１の開口部と、
前記表示素子における前記画素電極と前記画素電極を駆動するための電子回路とを接続するための第２の開口部とは、略同じ大きさであることを特徴とする請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、
前記濡れ性変化層にエネルギーを付与し、複数の前記エネルギーの付与された領域を高表面エネルギー領域とするエネルギー付与工程と、
複数の前記高表面エネルギー領域上に複数の領域からなる第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、
前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記層間絶縁膜上には形成されることなく、前記第１の導電層上の前記層間絶縁膜の形成されていない領域に第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、
前記濡れ性変化層にエネルギーを付与し、複数の前記エネルギーの付与された領域を高表面エネルギー領域とするエネルギー付与工程と、
複数の前記高表面エネルギー領域上に複数の領域からなる第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、
前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上にライン状に層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、
前記第１の導電層上に所定の間隔でドット状に層間絶縁膜を形成する第２の層間絶縁膜形成工程と、
前記第１の導電層上の前記層間絶縁膜の形成されていない領域に第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記層間絶縁膜は、スクリーン印刷法により形成されるものであることを特徴とする請求項９または１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の導電層は、スクリーン印刷法により形成されるものであることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板における接続電極と接続されるものであって、前記第２の導電層を介して、前記第１の導電層の直上に前記接続電極が接続されるものであることを特徴とする請求項９から１２のいずれかに回路基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項９から１３のいずれかに記載の回路基板の製造方法を含むものであって、
前記基板上には、表示素子を駆動するための電子回路が形成されており、
前記表示素子を駆動するための画素電極は、前記第２の導電層形成工程において、前記第２の導電層とともに形成されるものであることを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、画像表示装置、回路基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や電子回路等に用いられている回路基板を製造する際には、フォトリソグラフィ法が用いられているが、フォトリソグラフィ法では、露光装置等高価な装置を必要とし、また、製造工程が複雑なものとなり、コストを上昇させる原因となっている。
【０００３】
よって、回路基板を製造する際の製造コストを低減させるため、電極、半導体及び絶縁体を印刷法により形成する技術としてプリンタブルエレクトロニクスとして注目されている。このプリンタブルエレクトロニクスは、印刷装置を用いることにより、成膜とパターンニングを同時に行うことができ、従来の半導体プロセス技術であるフォトリソグラフィ法と比較すると、工程数が少なく、製造設備も簡素なものであり設備コストも低く、更に、必要な部分のみに電極や絶縁膜を印刷するため材料使用効率が高く、回路基板を低コストで製造することができる。
【０００４】
一方、印刷技術は、電極、半導体、絶縁体をインク化またはペースト化し塗布する必要があり、インク及びペースト等の液体の表面張力及び基板との濡れ性等により解像度を高めることが困難であり、微細化が最大の課題となっている。
【０００５】
このため、特許文献１では、エネルギーの付与によって、臨界表面張力が変化する濡れ性変化材料を用い、インクジェット印刷法によりナノ銀インクを滴下して形成する方法が開示されている。この方法は、簡単な設備により容易に微細パターンを形成することが可能であり、更には、数μｍ程度の微細配線形成が可能であり、フォトリソグラフィにより形成されるものに近い微細加工を行うことができる。
【０００６】
このように形成された回路基板において、電気泳動素子や液晶、有機ＥＬ等の表示素子を駆動するための薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を形成し、電気泳動素子や液晶、有機ＥＬ等の表示素子を組み合わせることにより画像表示装置を形成することができる。
【０００７】
ＴＦＴアレイの形成されている回路基板には、ＴＦＴへ電気信号を入力し駆動するために、ＴＦＴにおける電極を引出した配線端部に接続領域を設け、外部ドライバＩＣを有する外部回路基板を接続する必要がある。このような接続部の形態は、ＴＦＴの配線端部を複数本ずつまとめてブロック単位に分けて、各々のブロックに対してＦＰＣ(Flexible Printed Circuit)等の接続配線の接続端子と接続する構成となっている。
【０００８】
また、特許文献２には、フィルム基板上に有機ＴＦＴの電極配線をＴＦＴアレイの外部に引出し、周期的に配列された電極配線群の端部に、スルーホールの形成された層間絶縁膜を設け、このスルーホールを介して、導電性ペーストにより形成された接続用電極配線と有機ＴＦＴの配線とを接続し、外部回路基板の接続端子と導通させる方法が開示されている。
【０００９】
また、特許文献３には、高精度なビアホールを有する層間絶縁膜の形成方法にスクリーン印刷を用いる技術が開示されている。絶縁インクを用いて、異なる２種類以上のパターンを重ねて印刷することにより、微細なビアホールを有する層間絶縁膜をスクリーン印刷法により形成することができる。また、同様にスクリーン印刷法により、スルーホールに導電性材料を埋込み、さらに画素駆動用電極を形成することも可能である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１に開示されている方法では、非常に微細化された配線により接続領域を形成した場合、膜厚が薄くなってしまい、ＦＰＣ等により直接接続する場合、重ね合わせずれにより隣接する配線のショートや、実装ダメージにより信頼性を確保するための抵抗が得られない可能性がある。
【００１１】
また、特許文献２に開示されている方法では、印刷形成されたスルーホール部においては、その断面形状はすり鉢状となる特有の形状を有しており、導電性ペーストが局所的に充填されやすく、接続用電極幅が太くなるため、隣接する配線がショートしやすくなる可能性がある。
【００１２】
以上のように、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する濡れ性変化材料と、ナノ銀インクを用いて、微細電極パターンをＴＦＴアレイの引出し配線に用いた場合、高精細な電極配線の形成には極めて有効であるものの、この上に形成される層間絶縁膜の引き出し配線部においては導電性ペースト等により形成された配線がショートしやすく、外部回路基板の接続端子と接続するための接続用電極配線の形成が困難となる可能性がある。
【００１３】
特許文献１及び特許文献２の場合において、印刷法としてスクリーン印刷を用いた場合について説明しているが、ここで、図１に基づきオフコンタクト方式のスクリーン印刷法について説明する。オフコンタクト方式のスクリーン印刷法では、ステージ１００上に設置された印刷される基板１０１とスクリーン版１０２との間にクリアランス（空隙）を設けている。スクリーン版１０２は、スクリーン固定枠（外枠）１０４にスクリーン（メッシュ）１０５が形成されたものであり、スクリーン１０５の上に、ペースト１０６を載せて、ゴム製のスキージ１０７により、下方向に圧力をかけつつ走査することにより印刷を行う。尚、スキージ１０７に印加される下方向の圧力（スキージ圧）は、スクリーン１０５と基板１０１とが適切に接触するように設定されている。スクリーン１０５には、メッシュによって支持された乳剤によりマスキングがされており、乳剤の形成されていない開口領域（マスクの開口領域）からペーストが基板１０１上に供給される。スキージ１０７により、ペーストと開口部は、スクリーン１０５における開口領域において接触しているが、スキージ１０７が通過することにより、スキージ１０７により加えられていた下方向の圧力は解放されるため、乳剤の形成されていない開口領域に対応する領域の基板１０１上にペースト１０８を残した状態でスクリーン１０５は上方向に移動する。
【００１４】
このような印刷法では、開口領域の面積により基板１０１上に残るペースト１０８の体積が異なってくる。即ち、面積が小さい開口領域は、面積が大きい開口領域に比べて、基板１０１上に残るペースト１０８の膜厚は薄くなる傾向にある。さらに、スクリーン版１０２と基板１０１との間に空間があると、ペースト１０８は流動性を有していることから、スクリーン１０５において乳剤の形成されていない開口領域のパターンとは異なるペースト１０８によるパターンが形成されてしまう場合があり、場合によっては、形成されたペースト１０８同士がつながってしまう場合がある。また、ペーストの表面張力と弾性により、ペースト１０８の断面形状は、上に凸の滑らかな曲面となる。更に、基板１０１における濡れ性によりパターンが濡れ広がったり収縮したりする場合がある。
【００１５】
本発明は、上記従来の技術に鑑みてなされたものであり、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する濡れ性変化材料と、ナノ銀インクを用いて、微細電極パターンをＴＦＴアレイの引出し配線に用いた場合においても、配線部において導電性ペースト等により形成された配線がショートすることなく、信頼性の高い回路基板、画像表示装置、回路基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第１の導電層と、前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に、ライン状に形成された層間絶縁膜と、前記第１の導電層上に、ドット状に形成された層間絶縁膜と、前記ライン状に形成された層間絶縁膜と前記ドット状に形成された層間絶縁膜に囲まれた領域の前記第１の導電層上に形成される第２の導電層と、を有し、前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続されることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層における高表面エネルギー状態の領域上に形成される複数の領域からなる第１の導電層と、前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上及び、前記第１の導電層上に所定の間隔で形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上には形成されることなく、前記第１の導電層上に形成される第２の導電層と、を有し、前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板の接続電極と接続されることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記第１の導電層はライン状に形成されるものであって、前記第１の導電層上に形成される第２の導電層のパターンは、隣接する前記第１の導電層上において、相互に異なるパターンが形成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、前記層間絶縁膜は、絶縁性フィラーと樹脂材料とを有するバインダを主成分とすることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、前記第２の導電層は、導電性材料からなる微粒子と樹脂材料とを有するバインダを主成分とすることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、前記記載の回路基板と、表示素子と、を有することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、前記表示素子に形成される画素電極と、前記第２の導電層とは、同一の材料により形成されていることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、前記回路基板の前記第１の導電層上にも層間絶縁膜が形成される場合において、前記層間絶縁膜が形成されていない領域となる第１の開口部と、前記表示素子における前記画素電極と前記画素電極を駆動するための電子回路とを接続するための第２の開口部とは、略同じ大きさであることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、前記濡れ性変化層にエネルギーを付与し、複数の前記エネルギーの付与された領域を高表面エネルギー領域とするエネルギー付与工程と、複数の前記高表面エネルギー領域上に複数の領域からなる第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記層間絶縁膜上には形成されることなく、前記第１の導電層上の前記層間絶縁膜の形成されていない領域に第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明は、基板上に、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、前記濡れ性変化層にエネルギーを付与し、複数の前記エネルギーの付与された領域を高表面エネルギー領域とするエネルギー付与工程と、複数の前記高表面エネルギー領域上に複数の領域からなる第１の導電層を形成する第１の導電層形成工程と、前記第１の導電層の複数の領域間における前記濡れ性変化層上にライン状に層間絶縁膜を形成する第１の層間絶縁膜形成工程と、前記第１の導電層上に所定の間隔でドット状に層間絶縁膜を形成する第２の層間絶縁膜形成工程と、前記第１の導電層上の前記層間絶縁膜の形成されていない領域に第２の導電層を形成する第２の導電層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２６】
また、本発明は、前記層間絶縁膜は、スクリーン印刷法により形成されるものであることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明は、前記第２の導電層は、スクリーン印刷法により形成されるものであることを特徴とする。
【００２８】
また、本発明は、前記第２の導電層において、信号入出力のためのフレキシブル基板における接続電極と接続されるものであって、前記第２の導電層を介して、前記第１の導電層の直上に前記接続電極が接続されるものであることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明は、前記記載の回路基板の製造方法を含むものであって、前記基板上には、表示素子を駆動するための電子回路が形成されており、前記表示素子を駆動するための画素電極は、前記第２の導電層形成工程において、前記第２の導電層とともに形成されるものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する濡れ性変化材料と、ナノ銀インクを用いて、微細電極パターンをＴＦＴアレイの引出し配線に用いた場合においても、配線部において導電性ペースト等により形成された配線がショートすることなく、信頼性の高い回路基板、画像表示装置、回路基板の製造方法及び画像表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】スクリーン印刷法の説明図
【図２】第１の実施の形態における回路基板の上面図
【図３】第１の実施の形態における回路基板の断面図
【図４】第１の実施の形態における回路基板の製造方法の工程図（１）
【図５】第１の実施の形態における回路基板の製造方法の工程図（２）
【図６】第１の実施の形態における別の回路基板の上面図（１）
【図７】第１の実施の形態における別の回路基板の上面図（２）
【図８】第１の実施の形態における別の回路基板の上面図（３）
【図９】第２の実施の形態における回路基板の上面図
【図１０】第２の実施の形態における回路基板の断面図
【図１１】第２の実施の形態における回路基板の製造方法の工程図
【図１２】比較例１における回路基板の製造方法の工程図
【図１３】比較例１における回路基板の製造方法の説明図
【図１４】比較例１における回路基板の上面図
【図１５】実施例３における有機ＴＦＴ回路基板の製造方法の工程図（１）
【図１６】実施例３における有機ＴＦＴ回路基板の製造方法の工程図（２）
【図１７】実施例３における有機ＴＦＴ回路基板の上面図
【図１８】実施例４における画像表示装置の構造図（１）
【図１９】実施例４における画像表示装置の構造図（２）
【発明を実施するための形態】
【００３２】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００３３】
〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態について説明する。図２及び図３に基づき、本実施の形態における回路基板について説明する。図３は、図２における破線３Ａ−３Ｂにおいて切断した断面図である。本実施の形態における回路基板は、基板１１の表面にエネルギーを付与することにより、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層１２が形成されており、濡れ性変化層１２において高表面エネルギー状態となった領域上に形成された第１の導電層１３、第１の導電層１３上にスルーホールの形成された層間絶縁膜１４、層間絶縁膜１４のスルーホールに形成された第２の導電層１５を有するものである。尚、本実施の形態における回路基板では、第２の導電層１５は、第１の導電層１３上に離散的に形成されている。
【００３４】
次に、図４及び図５に基づき本実施の形態における回路基板の製造方法について説明する。
【００３５】
最初に、図４（ａ）に示すように、基板１１上に濡れ性変化層１２を形成する。
【００３６】
基板１１に用いられる基板としては、ガラス基板、ＳＵＳ基板、Ｓｉウエハ等の半導体基板、無機材料からなる無機基板、有機材料等により形成されるフィルム基板等が挙げられ、配線、電子素子、電子素子アレイ、表示素子等を形成することができるものであれば特に限定されるものではない。フィルム基板は、軽量・ロバスト性の観点から好ましく、具体的には、ポリイミド（ＰＩ）基板、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板、ポリカーボネート（ＰＣ）基板、アクリル樹脂基板、ポリオレフィン基板等を用いることができる。尚、基板１１となる基板を選定する際には、使用するインク材料による耐薬品性や、熱処理による変形・変質等の耐熱性を考慮して選択する必要がある。
【００３７】
濡れ性変化層１２は、エネルギーを付与することにより低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有している。即ち、濡れ性変化層１２は、熱、紫外線、電子線、プラズマ等のエネルギーを付与することにより、臨界表面張力（表面自由エネルギーともいう）が変化する材料を含有している。
【００３８】
この濡れ性変化層１２において、第１の導電層１３が形成される領域が高表面エネルギー状態となるようにエネルギーを付与する。付与されるエネルギーとしては、特に、紫外線や電子線は、微細なパターンを形成するといった観点からは好ましい。また、電子線の場合には、濡れ性変化層１２が有機材料の場合には、ダメージを与え絶縁性が低下する可能性があり、また、真空装置を必要とし、スループットを低下させる傾向にあるが、紫外線の場合には、濡れ性変化層１２が有機材料の場合においても、ダメージを与えることがないため絶縁性が低下する可能性は少なく、また、大気中において露光することが可能であり、スループットも高いことから、特に好ましい。
【００３９】
紫外線の照射によりエネルギーを付与する場合、濡れ性変化層１２は、低コストでデバイスを作製する印刷法に対しては、高分子材料が好ましく、更には、側鎖に光感光性があり、疎水性基を有する高分子材料であることが好ましい。側鎖に、疎水性基を有することにより、紫外線が照射されていない状態では、表面自由エネルギーの低い膜を形成することができ、光感光性があるため紫外線照射後は、疎水性側鎖が分解し、高表面自由エネルギー領域が形成されるため、親液・撥液のコントラストを大きくすることが可能だからである。尚、本願においては、親液とは、濡れ性変化層上に塗布される液体が濡れ広がりやすいことをいい、撥液とは、濡れ性変化層上に形成される液体をはじきやすいことをいう。従って、濡れ性変化層に塗布される液体が水の場合では、親液とは親水の意味であり、撥液とは撥水の意味である。
【００４０】
本実施の形態では、臨界表面張力が変化する材料としては、紫外線により、ある程度切断されても、剛直な構造であるため、充填性が良好なポリイミドを主鎖に用いることにより、吸湿がそれ程高くなく、また絶縁性が良好であるため、より信頼性の高い配線を形成することができる。ポリイミドとしては、ポリアミック酸を加熱することによる脱水縮合反応で生じる熱硬化型ポリイミドと、溶媒に可溶な可溶性ポリイミドがある。可溶性ポリイミドは、溶媒に溶解させた塗布液を塗布した後、２００℃未満の低温で溶媒を揮発させることにより、濡れ性変化層１２を形成することができる。一方、熱硬化型ポリイミドは、脱水縮合反応が生じる程度まで加熱しないと、反応が生じないため、一般に、２００℃以上の高温にする必要がある。用途やプロセスに応じて、熱硬化型ポリイミド及び可溶性ポリイミドのいずれも使用することが可能である。ポリイミドは、２％程度の吸湿性を有しているが、絶縁性が高く安定しており、高い信頼性で濡れ性制御を行うことが可能である。
【００４１】
本実施の形態では、濡れ性変化層１２は、厚さが３０ｎｍ〜３μｍであることが好ましく、５０ｎｍ〜１μｍであることがさらに好ましい。厚さが３０ｎｍよりも薄い場合には、濡れ性変化層１２としての機能上の特性を十分に得られない場合があり、３μｍより厚い場合には、表面の形状が悪化し、平坦性等で問題を有する場合があるからである。
【００４２】
濡れ性変化層１２の形成方法は、スピンコートやスプレー塗布、フレキソ印刷、インクジェット印刷、ダイコート等の印刷法により印刷焼成することにより表面エネルギーの小さな濡れ性変化層を形成することが可能である。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の導電層１３が形成される領域に開口を有するフォトマスク２１を用いて紫外線を照射する。これにより紫外線の照射された領域の濡れ性変化層１２は高表面エネルギー状態に変化する。このようにして、濡れ性変化層１２の表面に低表面エネルギー領域１２ａと高表面エネルギー領域１２ｂを形成する。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、濡れ性変化層１２の高表面エネルギー領域１２ｂに親水性の導電性インクを塗布し、その後、焼成することにより、濡れ性変化層１２の高表面エネルギー領域１２ｂ上に、第１の導電層１３が形成される。
【００４５】
第１の導電層１３を構成する材料としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｄ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のいずれか、若しくは、これらの材料からなる合金、または、ハロゲン化銀の微粒子が分散された親水性の導電性インク、これらの錯体からなる親水性の導電性インクを用いることができる。この他、カーボンナノチューブを分散させた親水性の導電性インク、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリアニリン等の親水性の有機導電性インク等も用いることが可能である。特に、銀、銅は低抵抗であることから好ましい。
【００４６】
導電性インク等の導電材料を含有する液体を塗れ性変化層１２の表面に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット法等が挙げられる。特に、インクジェット法は、小さな液滴を供給することができ、濡れ性変化層１２における表面エネルギーの影響を受けやすくすることができるため好ましい。更に、インクジェット法では、材料の利用効率も極めて高いことから、低コストで回路基板を製造することができる。
【００４７】
図５（ａ）は、このようにして濡れ性変化層１２の高表面エネルギー領域１２ｂ上に第１の導電層１３が形成されたものの上面図を示す。
【００４８】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の導電層１３間にライン状の層間絶縁膜１４ａを印刷法により形成する。
【００４９】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１の導電層１３上及び周辺部にドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃを形成する。尚、層間絶縁膜１４は、ライン状の層間絶縁膜１４ａとドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃにより構成されるものであり、ライン状の層間絶縁膜１４ａとドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃにより、開口部を有する層間絶縁膜１４が形成される。この開口部は、後述するように、第１の導電層１３と第２の導電層１５とを電気的に接続するためのものである。尚、濡れ性変化層１２に形成される大きな領域のドット状の層間絶縁膜１４ｃは、周辺部において膜厚が薄くなる傾向にあるため、ドット状の層間絶縁膜１４ｂを重ねて形成することが好ましい。
【００５０】
次に、図５（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１４の開口部において、第１の導電層１３が露出している領域に第２の導電層１５を形成する。第２の導電層１５は、コストの観点より、印刷法を用いることが好ましく、特に、厚い膜を形成することができ、スループットが高いという観点より、スクリーン印刷法が好ましい。よって、導電性ペーストを用いて、不図示の表示部における画素電極とともに、第２の導電層１５を形成する。
【００５１】
次に、図５（ｅ）に示すように、ＦＰＣ基板１６を不図示のＡＦＣ（Anisotropic Conductive Film：異方導電フィルム）を用いて接続する。
【００５２】
本実施の形態における回路基板では、図３に示されるように、層間絶縁膜１４に乗り上げた状態で第２の導電層１５が形成されるため、スクリーン印刷版と層間絶縁膜１４との空間部分に第２の導電層１５を形成するための導電性ペーストが入り込むことはないため、電極間でショートとなるパターンを形成することはない。また、ＦＰＣ基板１６との十分な接続を確保するため、比較的大きな開口を必要とするが、層間絶縁膜に形成される開口部は、内部に形成される表示部におけるスルーホールの開口部の大きさと大きく異なり、また、第２の導電層１５における面積は、表示部における画素電極の面積と大きく異なるため、スクリーン印刷により形成する場合、双方を同時に形成する印刷条件を設定することが困難である。
【００５３】
しかしながら、本実施の形態では、層間絶縁膜１４の開口部に離散的に第２の導電層１５を形成することにより、スクリーン印刷において、ペーストの吐出量を均一にすることができ、印刷条件を設定しやすくなる。また、本実施の形態では、ＦＰＣ基板１６は、第２の導電層１５を介した第１の導電層１３上において接続されるため、ＡＣＦを用いた接続においても、確実に接続することができる。
【００５４】
尚、スクリーン印刷においては、ペーストの粘度、パターンサイズ、印刷条件等により形成されるパターンは、矩形形状や円形形状等に形成される場合があるが、本実施の形態における回路基板のように、第２の導電層１５が離散的に形成されていれば、パターン形状がどのような形状であっても、形状に依存することなく同様の効果を得ることができる。
【００５５】
また、図６に示されるように、第２の導電層１５を隣接する第１の導電層１３ごとに交互に異なるパターンで配置することにより、第２の導電層１５の相互の距離を離して形成することができるため、より電気的な絶縁性が取りやすく、また、スクリーン印刷における印刷条件のマージンも広く確保することが可能となる。
【００５６】
また、図７及び図８に示されるように、第２の導電層１５の形成される領域が、略正方形や略円形の場合に限られず、略長方形や略長円形になるような構成であってもよい。この場合、スクリーン印刷の条件を考慮すると、縦横比の倍率は４倍以下であることが好ましい。
【００５７】
尚、層間絶縁膜を形成する絶縁ペーストは、無機物フィラー若しくは、有機物フィラーと樹脂バインダとを適切な溶媒で溶解・分散したものが用いられる。無機物フィラーは、粒径や形状の制御がしやすく、耐熱性や耐久性に優れるため、特に好ましい。無機物フィラーは、絶縁体であることが必要であり、一般的な、酸化物、窒化物等を用いることが好ましい。フィラー径（粒子径）は、所望の膜厚や解像性によって最適なものを用いるが、１μｍ以下であることが好ましく、微細なパターンを形成する場合には、サブミクロン（５００ｎｍ以下）であることが好ましい。また、粒子径の異なるフィラーを混合することにより、絶縁ペーストにチキソトロピック性を持たせ、パターンや使用するスクリーンメッシュの使用に最適化することができる。
【００５８】
樹脂バインダは、フィラーを支持する機能を担い、必要な特性やインク化するための溶剤の可溶性から適切な樹脂を選定することができる。樹脂バインダの例としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、エチルセルロース樹脂、メチルセルロース樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。フィラー、バインダ、溶剤の混合比率は、印刷条件や形成される膜厚に応じて最適化することができる。また、絶縁ペーストの粘度は形成されるパターンの形状等に応じて最適化することが可能であるが、５０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓであることが好ましい。粘度が低すぎる場合には、スクリーン印刷の際における印刷不良や印刷後のペーストの流動によりパターンニング不良となり、粘度が高すぎる場合には、スクリーンと基板との剥離不良が発生する。
【００５９】
第２の導電層１５に用いられる導電性ペーストは、導電体フィラーと樹脂バインダを溶剤に熔解・分散したものを用いることが好ましい。導電体フィラーは、金属、合金、半金属、導電性化合物の微粒子が用いられる。この微粒子の粒子径は、絶縁ペーストと同様に印刷性能やパターン形状に合わせて最適化することができるが、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。樹脂バインダについては、絶縁ペーストと同様に、各種の樹脂材料を用いることができるが、溶剤の乾燥後にフィラー同士の接触により導電性を有する材料であることが要件となる。また、導電性ペーストは、乾燥だけでなく熱処理を行うことにより、バインダを収縮させることも可能であるため、例えば、熱硬化樹脂等の高温で収縮する材料を用いることができる。また、導電性ペーストの粘度は、形成される第２の導電層１５の形状に応じて最適化することが可能であるが、５０Ｐａ・ｓ〜３００Ｐａ・ｓであることが好ましい。粘度が低すぎる場合には、スクリーン印刷の際における印刷不良や印刷後のペーストの流動によりパターンニング不良となり、粘度が高すぎる場合には、スクリーンと基板との剥離不良が発生する。形成される第２の導電層１５の膜厚は、電気的特性より最適化する必要があるが、１μｍから２０μｍの範囲であることが好ましい。
【００６０】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態と異なり、第１の導電層１３上にドット状の層間絶縁膜１４ｂを形成することなく、ライン状の層間絶縁膜１４ａ及びドット状の層間絶縁膜１４ｃを形成した後、第１の導電層１３上に第２の導電層１５をライン状又はドット状に形成したものである。
【００６１】
本実施の形態では、図９及び図１０に示すように、形成された第１の導電層１３の直上に第２の導電層１５を形成する構成であってもよい。この場合、第１の導電層１３上にはドット状の層間絶縁膜１４ｂを形成する必要がない。尚、図１０は、図９における破線１０Ａ−１０Ｂにおいて切断した断面図である。
【００６２】
次に、本実施の形態における回路基板の形成方法について説明する。
【００６３】
図１１（ａ）には、濡れ性変化層１２の高表面エネルギー領域１２ｂ上に第１の導電層１３が形成されたものの上面図を示す。
【００６４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１の導電層１３間にライン状の層間絶縁膜１４ａを印刷法により形成する。
【００６５】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第１の導電層１３上及び周辺部にドット状の層間絶縁膜１４ｃを形成する。尚、層間絶縁膜１４は、ライン状の層間絶縁膜１４ａとドット状の層間絶縁膜１４ｃにより構成されるものであり、第１の導電層１３上にはライン状の開口部を有する層間絶縁膜１４が形成される。この開口部は、後述するように、第１の導電層１３と第２の導電層１５とを電気的に接続するためのものである。
【００６６】
次に、図１１（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１４の開口部において、第１の導電層１３が露出している領域に第２の導電層１５を形成する。第２の導電層１５は、コストの観点より、印刷法を用いることが好ましく、特に、厚い膜を形成することができ、スループットが高いという観点より、スクリーン印刷法が好ましい。よって、導電性ペーストを用いて、不図示の表示部における画素電極とともに、第２の導電層１５を形成する。
【００６７】
次に、図１１（ｅ）に示すように、ＦＰＣ基板１６を不図示のＡＦＣ（Anisotropic Conductive Film：異方導電フィルム）を用いて接続する。
【００６８】
尚、上述した記載以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【実施例】
【００６９】
次に、本発明の実施の形態における実施例について説明する。
【００７０】
（実施例１）
実施例１について説明する。実施例１は第１の実施の形態に基づくものである。
【００７１】
図４（ａ）に示すように、ウエット洗浄を行った基板１１となるガラス基板上に、濡れ性変化層１２を形成する。具体的には、側鎖に疎水性基を有する熱硬化型ポリイミドのＮＭＰ溶液を１５００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、窒素雰囲気中で１００℃のオーブンによりプリベークした後、同じく窒素中において２００℃のオーブンで１時間のポストベークを行い、約１００ｎｍの膜厚の濡れ性変化層１２を形成する。このとき、濡れ性変化層１２の表面には、疎水性の側鎖を有するポリイミドにより、低表面エネルギー状態となっている。
【００７２】
次に、図４（ｂ）に示すように、配線パターンに相当する部分が開口しているフォトマスクを用いて、濡れ性変化層１２に、波長が３００ｎｍ以下の紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射し、同一膜面上に、紫外線を照射した領域と、照射されていない領域を形成する。濡れ性変化層１２には、紫外線が照射された高表面エネルギー領域１２ｂと、紫外線が照射されていない低表面エネルギー領域１２ａとが形成される。照射される紫外線照射量は、８Ｊ／ｃｍ２とした。尚、本実施例では、露光には、液晶用の露光装置を用い、コンタクト方式またはプロキシミティ方式により露光を行った。コンタクト方式の露光では、パターンの解像度は高くなるものの、濡れ性変化層１２とフォトマスクとを密着させる必要があり、フォトマスクの表面が汚れてしまい、一定回数露光を行う度に、フォトマスクを洗浄する必要がある。一方、プロキシミティ方式では、濡れ性変化層１２とフォトマスクとは接触しないため、解像度は多少低下する可能性があるものの、量産には適している。本実施例では、フォトマスクとして、第１の導電層１３の配線ピッチが１００μｍ、線幅が６０μｍ、配線間隔（スペース）が４０μｍ、１００本の配線が１ブロックとなるフォトマスクを用いた。
【００７３】
次に、図４（ｃ）に示すように、インクジェット方式により、粒径約３０ｎｍ程度のＡｇ粒子を水系溶媒に分散した金属微粒子分散液（ナノメタルインク）を吐出し、高表面エネルギー領域上に選択的に付与した。インクジェット方式の場合では、比較的高価なＡｇ微粒子からなる金属微粒子分散液を第１の導電層１３が形成される領域に選択的に供給することができるため、他のプロセスに比べて、材料の利用効率も高く、プロセス工程数を削減することができる。よって、低コストで、回路基板を形成することができる。尚、ナノメタルインクとしては、水系の金属微粒子分散液を用いているため、高表面エネルギー領域の全体にわたり広がり、インクジェット方式により供給される液滴の大きさに依存することなく、微細なパターンを形成することができる。この後、大気中において１００℃のオーブンでプリベークを行い、更に、同様に大気中で２００℃のオーブンで１時間のポストベークを行い、配線ピッチが１００μｍ、線幅が６０μｍ、配線間隔（スペース）が４０μｍ、厚さが１５０ｎｍ、１００本の配線が１ブロックとなる第１の導電層１３を形成した。
【００７４】
次に、層間絶縁膜１４を形成する。最初に、絶縁ペーストを作製する。具体的には、フェノール樹脂をエチレングリコールに溶解した樹脂中にシリカ微粒子を均一分散させることにより作製した。シリカ微粒子の直径は約２００ｎｍであり、分散には３本ロールミルを用いて混練することにより行った。この後、エチレングリコールを添加することにより、粘度が８０Ｐａ・ｓに調整して、絶縁ペーストを作製した。作製された絶縁ペーストにおいて、樹脂バインダ、シリカ微粒子、溶媒の質量比率を分析したとこと、樹脂バインダ、：シリカ微粒子：溶媒＝３０：４０：３０であった。
【００７５】
層間絶縁膜１４は、ライン状の層間絶縁膜１４ａと、ドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃを積層することにより形成した。このため、層間絶縁膜１４を形成するためのスクリーン版として、ライン状の層間絶縁膜１４ａに対応するものと、ドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃに対応するものとの２種類のものを用いた。スクリーン版は、外寸５５０ｍｍ四方のアルミダイキャスト製の版枠（内寸４５０ｍｍ）にポリエステルメッシュを張り合わせて、その後、ステンレス製のメッシュを４００ｍｍで四方張り合わせた後、ステンレスメッシュ上のポリエステルメッシュを取り除くことによりスクリーン印刷用の版を作製した。
【００７６】
ポリエステルメッシュは印加される応力の範囲内で弾性変形することが必要であると同時に、高い張力に耐える仕様であることが好ましい。更に、伸縮性を有し、繰り返しの伸縮による塑性変形が生じない材質（印加される応力の範囲内で弾性変形する材質）であることが必要とされる。一般的には、スクリーン印刷用として３６０メッシュ（１インチあたり３６０本）のものを用いることができる。
【００７７】
作製されたポリエステルメッシュ上にステンレスメッシュを張り付ける。ステンレスメッシュは張力による弾性変形が極めて少ないため、ポリエステルメッシュとことなり張力によるパターンの伸縮がなく、安定した寸法精度を得ることができるというメリットを有している。この反面、限界以上の応力が加わると、塑性変形してしまい、パターン形状を著しく悪化させることになるため、高張力に対応した材質及び太さのステンレス線材を用いることが必要となる。本実施例では、アサダメッシュ製ステンレスメッシュを用いて版を作製した。線径は１９μｍであり、メッシュ密度は５００本／インチのものを用いた。この際、メッシュの縦糸方向を版枠に対して３０°傾けて張り合わせをした。これは、印刷するパターンの周期とメッシュ周期により生じるモアレを防止して、より均一なパターンを得るためである。
【００７８】
上記スクリーンメッシュ上に感光性乳剤を塗布し、遮蔽部分を紫外線露光した後に、露光されていない部分を洗い流すことにより、スクリーンマスクを得ることができる。
【００７９】
図５（ｃ）に示すように、上述した方法により作製したスクリーンと、絶縁ペーストを用いて、層間絶縁膜１４を形成した。スクリーン印刷を行うための印刷装置は、マイクロテック製スクリーン印刷機ＭＴ−５５０を用いた。スキージは、ウレタンゴム製の平型スキージを用い、スクリーン面とスキージの角度を７０°に設定した。また、基板１１とスクリーンの下面との距離（クリアランス）は、１．５ｍｍに設定し、スキージの走査速度は４０ｍｍ／ｓに設定して印刷を行った。最初に図５（ｂ）に示すように、ライン状の層間絶縁膜１４ａを印刷し、その後、１００℃の熱処理を行い、溶媒成分を揮発させた後、図５（ｃ）に示すように、ドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃを印刷する。この後、１００℃にて１２０分間の熱処理を行うことにより、開口部であるスルーホールの形成された層間絶縁膜を形成した。形成されるスルーホールの形状は略矩形であり、約４０×４０μｍの大きさの開口部を１００μｍピッチで形成した。
【００８０】
次に、図５（ｄ）に示すように、形成された層間絶縁膜上に画素電極及び第２導電層１５を形成した。スクリーンは、層間絶縁膜１４の場合と同様の手法により作製する。作製されたスクリーンは、画素電極及び第２導電層１５を形成するためのものであり、第２の導電層１５を形成するための領域においては、約５０×５０μｍの大きさの開口部が１００μｍピッチで形成されている。
【００８１】
第２の導電層１５を形成するために用いられる導電性ペーストは、熱硬化型の銀ペースを用いた。印刷方法は、層間絶縁膜１４を形成する場合と略同様の方法で行い、導電性ペーストを印刷した後、１００℃で６０分の熱処理を行い、作製した第２の導電層１５は、略矩形の形状で形成され、約６０×６０μｍのものが１００μｍピッチで、７００μｍの接続エリア長において、７個の第２導電層１５を形成した。
【００８２】
この後、図５（ｅ）に示すように、ＦＰＣ基板１６と接続される。
【００８３】
第２の導電層１５を光学顕微鏡により観察したところ、各々の電極は均一に形成されていると同時に、抜けや隣接電極との接触がないことも確認された。また、第１の導電層１３と第２の導電層１５との間において、プローブを接触させたところ、導通が確認された。更に、１ブロック１００本からなるパターンにおいて、隣接間の第１の導電層１３間に４０Ｖの電圧を印加し、電流値を測定したところ、１０ｐＡ以下の電流量であり、隣接する電極間リーク電流は極めて小さく、ほぼ完全に絶縁されていることが確認された。
【００８４】
以上の本実施例により、本実施の形態における基板上にエネルギーを付与することにより、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態に変化する材料を含有する濡れ性変化層と、高表面エネルギー状態となった領域（高表面エネルギー領域）に、形成された第１の導電層１３と、第１の導電層１３を分離する層間絶縁膜１４、層間絶縁膜１４上に離散的に第２の導電層１５を形成した場合、良好なパターンニングが可能であり、また、電気的に絶縁されることを確認することができた。
【００８５】
（比較例１）
次に、図１２、図１３に基づき比較例１について説明する。
【００８６】
最初に、図１２（ａ）に示すように、基板上に濡れ性変化層が形成されているものに、エネルギーを付与し、高表面エネルギー領域を形成し、形成された高表面エネルギー領域上に第１の導電層１１３を形成する。尚、基板は図１３において基板１１１として示されるものであり、濡れ性変化層は図１３において濡れ性変化層１１２として示されるものである。形成される第１の導電層１１２は、配線ピッチが１００μｍ、線幅が６０μｍ、配線間隔（スペース）が４０μｍ、膜厚が１５０μｍ、配線の１００本が１ブロックとなっているものである。
【００８７】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１の導電層１１３の間に、ライン状の層間絶縁膜１１４ａを形成する。このライン状の層間絶縁膜１１４ａは印刷法により形成されるが、ライン状の層間絶縁膜１１４ａの形成される領域の濡れ性変化層は低表面エネルギー状態となっており（低表面エネルギー領域となっており）、印刷された絶縁ペーストをはじきやすくなっている。
【００８８】
次に、図１２（ｃ）に示すように、大きなドット状の層間絶縁膜１１４ｂを形成することにより、第２の導電層１１５が形成される領域に開口部を形成する。尚、ライン状の層間絶縁膜１１４ａ及び大きなドット状の層間絶縁膜１１４ｂを形成する際には、絶縁ペーストとして、フェノール樹脂をエチレングリコールに溶解した樹脂溶液中にシリカ微粒子を均一に分散したものを用いた。スクリーン印刷では、基板１１１とスクリーン下面との距離（クリアランス）は１．５ｍｍであり、スキージ走査速度４０ｍｍ／ｓで行った。この後、１００℃にて１２０分間熱処理を行うことにより、溶媒成分を揮発させた。このようにして形成されたスルーホールの形状は、７００μｍ×４０μｍの大きさのものである。
【００８９】
次に、図１２（ｄ）に示すように、第２の導電層１１５をスクリーン印刷法により形成する。この際、表示部の画素電極も同時に形成する。具体的には、熱硬化型の銀ペーストを用いて、スクリーン印刷法により、パターンを形成した。スクリーン印刷の方法は上述した層間絶縁膜の場合とほぼ同様である。熱処理条件は、１００℃で６０分間熱処理を行った。これにより、第２の導電層１１５の電極間ピッチは１００μｍ、大きさが１０００μｍ×６０μｍ、ＦＰＣ基板１１６と接続される領域の長さが２６０μｍの第２の導電層１１５が形成される。
【００９０】
この後、図１２（ｅ）に示すように、ＦＰＣ基板１１６と接続する。
【００９１】
比較例１では、第２の導電層１５を光学顕微鏡により観察したところ、第２の導電層１１５の端部においてパターン形成不良が発生しており、隣接する電極間の接触は、１ブロック１００本当たり８本確認された。
【００９２】
また、第１の導電層１１３と第２の導電層１１５との間にプローブを接触させたところ、導通が確認された。また、隣接間の第１の導電層１１３間に４０Ｖの電圧を印加し、電流値を測定したところ、一部の隣接電極間において、１μＡ以上の電流値が測定された。３ブロックについて測定を行ったところ、それぞれ、１２本、８本、１６本の電極が接触しショートしており、電気的に不良なものであった。
【００９３】
比較例１において、このように不良となった原因について説明する。図１３は、図１２（ｄ）の工程における断面図であり、具体的には、図１２（ｄ）において、破線１３Ａ−１３Ｂにおいて切断した断面図を図１３（ａ）に、破線１３Ｃ−１３Ｄにおいて切断した断面図を図１３（ｂ）に、破線１３Ｅ−１３Ｆにおいて切断した断面図を図１３（ｃ）に示す。
【００９４】
図１３（ｃ）に示される外部の駆動回路と接続するためのＦＰＣ基板１１６との接続領域では、層間絶縁膜１１４上に、第２の導電層１１５が形成されている。このように、層間絶縁膜１１４上に、第２の導電層１１５が形成されている場合では、第２の導電層１１５の凹凸は顕著なものとなり、ＦＰＣ基板１１６との接続の際に、ＡＦＣを用いる場合には適したものとなる。しかしながら、図１３（ａ）に示されるように、第２の導電層１１５は、第１の導電層１１３上に形成された領域と、層間絶縁膜１１４上に形成された領域により構成されるため、第１の導電層１１３と層間絶縁膜１１４との境界部分において、スクリーン版との間に空間が形成されてしまう。
【００９５】
具体的には、図１４に示されるように、破線で囲まれた領域１２１及び１２２において隣接する第２の導電層１１５が接触し、ショートが生じ不良となってしまう。可能性がある。このことは、比較例１における特有の問題であり、導電性ペーストの粘度やスキージ走査速度等を高速化する等の印刷条件の最適化により回避することも可能ではあるが、製造マージンが極めて狭くなり、歩留まりを低下させてしまう。
【００９６】
よって、比較例１では、電極同士が接触し不良となったものと考えられる。
【００９７】
（実施例２）
次に、実施例２について説明する。実施例２は第１の実施の形態に基づくものである。本実施例は、実施例１と同様の方法により、図５（ａ）に示すように、第１の導電層１３を形成した。形成された第１の導電層１３は、第１の導電層１３の配線ピッチが１００μｍ、線幅が６０μｍ、電極間隔（スペース）が４０μｍ、膜厚が１５０μｍ、１００本の電極が１ブロックとなっているものである。
【００９８】
次に、図８に示すように、隣接する第１の導電層１３間のピッチは１００μｍのままで、隣接する第２の導電層１５のピッチが２００μｍとなるように、層間絶縁膜１４及び第２の導電層１５を形成する。
【００９９】
この際、層間絶縁膜１４に形成されるスルーホールの形状は、８０μｍ×４０μｍ（ピッチ２００μｍ側が８０μｍ）となるように、絶縁ペーストとして、フェノール樹脂をエチレングリコールに溶解した樹脂溶液中にシリカ微粒子を均一に分散したものを用いて、ライン状の層間絶縁膜１４ａとドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃを形成することにより、開口部を有する層間絶縁膜１４を形成した。尚、スクリーン印刷を行う際には、基板とスクリーン下面との距離（クリアランス）が１．５ｍｍ、スキージ走査速度が４０ｍｍ／ｓで形成した。熱処理条件は、ライン状の層間絶縁膜１４ａを印刷した後に、１００℃で熱処理を行い、その後、ドット状の層間絶縁膜１４ｂ及び１４ｃを印刷した後に、１００℃にて１２０分間熱処理を行うことにより、溶媒成分を揮発させた。
【０１００】
次に、熱硬化型の銀ペーストを用いて、スクリーン印刷法により、第２の導電層１５を形成した。スクリーン印刷の条件は、層間絶縁膜１４の場合と同様であり、熱処理条件は、１００℃で６０分行った。隣接する第２の導電層１５のピッチは１００μｍであり、同一パターンとなる第２の導電層１５のピッチは２００μｍであり、第２の導電層１５の大きさは約１００μｍ×６０μｍ、ＦＰＣ基板１６との接続エリア長を８００μｍとした。
【０１０１】
第２の導電層１５を光学顕微鏡により観察したところ、各々の電極は均一に形成されていると同時に、抜けや隣接電極との接触がないことも確認された。また、第１の導電層１３と第２の導電層１５との間において、プローブを接触させたところ、導通が確認された。更に、１ブロック１００本からなるパターンにおいて、隣接間の第１の導電層１３間に４０Ｖの電圧を印加し、電流値を測定したところ、１０ｐＡ以下の電流量であり、隣接する電極間リーク電流は極めて小さく、ほぼ完全に絶縁されていることが確認された。
【０１０２】
（実施例３）
実施例３は、ボトムゲート構造の有機ＴＦＴ回路基板である。図１５及び図１６に基づきボトムゲート構造の有機ＴＦＴ回路基板の製造方法について説明する。図１５は断面図であり、図１６は上面図である。尚、ＴＦＴのピッチは、１２７μｍ、ＦＰＣとの接続部のピッチは、１００μｍである。
【０１０３】
図１５（ａ）及び図１６（ａ）に示すように、実施例１と同様に、ガラス基板５０上に疎水性基を側鎖に持つポリイミドのＮＭＰ溶液をスピンコートにより塗布し、膜厚５０ｎｍの濡れ性変化層５１を形成した。次に、不図示のフォトマスクを用いて、波長が３００ｎ以下の紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射量が８Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、濡れ性変化層５１上に高表面エネルギー領域を形成した。さらに、インクジェット法により、高表面エネルギー領域にＡｇ微粒子からなる金属微粒子分散液を吐出し、１８０℃で焼成して、電極幅４０μｍ、膜厚１００ｎｍのゲート電極５２及び選択線５２ａを形成する。この際、図１７に示すように、表示素子の形成さる領域７０の周囲に形成される選択線接続ブロック７１において、不図示の第１の導電層を１２７μｍのピッチで、線幅が６０μｍで形成する。
【０１０４】
この上に、ポリイミド溶液と疎水性基を側鎖に持つポリイミドのＮＭＰ混合溶液をスピンコートにより塗布し、１８０℃にて焼成し、ゲート電極５２を覆うように厚さ５００ｎｍの濡れ性変化層５３を形成した。次に、不図示のフォトマスクをもちいて、波長が３００ｎ以下の紫外線（超高圧水銀ランプ）を照射量が１０Ｊ／ｃｍ２となるように照射し、濡れ性変化層５３上に、高表面エネルギー領域を形成し、更に、インクジェット法により、形成された高表面エネルギー領域にＡｇ微粒子からなる金属微粒子分散液を吐出し、１８０℃で焼成して、ソース電極５４、ドレイン電極５５及び新合成５４ａを形成した。この際、図１７に示すように、表示素子の形成さる領域７０の周囲に形成される信号線接続ブロック７２において、不図示の第１の導電層を１２７μｍのピッチで、線幅が６０μｍで形成する。
【０１０５】
次に、化１に示す式で表される有機半導体材料であるトリアリールアミンをキシレン／メシチレン混合溶媒に溶解させた塗布液をソース電極５４とドレイン電極５５との間にチャネルが形成れるように、インクジェット法により滴下し、１２０℃で乾燥させ、膜厚３０ｎｍの有機半導体層５６を形成し、有機トランジスタを形成した。尚、本実施例では、濡れ性変化層５２は、ゲート絶縁膜としての機能を有するものである。
【０１０６】
【化１】
0005434510.tif 000002
形成された有機トランジスタの特性を評価したところ、１２７μｍピッチの電極のパターン特性は良好であり、オンオフ比は５桁以上あり、４×１０−３ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度を有する有機トランジスタを得ることができる。また、ゲート電極５２、ソース電極５４及びドレイン電極５５の密着性は良好であり、スクリーン印刷により、低コストで微細配線が可能な電子デバイスを作製することができる。
【０１０７】
ここで、半導体層５６を形成するための材料として、化１に示す高分子有機半導体材料を用いたが、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、Ｓｉ等の無機半導体材料、ペンタセン、アントラセン、テトラセン、フタロシアニン等の有機低分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体等のポリフェニレン系導電性高分子、ポリピロール及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリフラン及びその誘導体等の複素環系導電性高分子、ポリアニリン及びその誘導体等のイオン性導電性高分子等の有機半導体を用いることができる。特に、有機半導体は、印刷法により低コストで製造することができるため好ましい。
【０１０８】
次に、図１６（ｂ）に示すように、スルーホール５７を有する層間絶縁膜５８を形成する。層間絶縁膜５８は、前述したようにスクリーン印刷法等により形成する。スルーホール５７はドレイン電極５５上に形成される。
【０１０９】
次に、図１６（ｃ）に示すように、形成されたスルーホール５７を埋め込むように画素電極５９を形成する。これにより、ドレイン電極５５と画素電極５９とが接続される。
【０１１０】
図１５（ｂ）は、この状態の断面図である。尚、この際、図１７に示す選択線接続ブロック７１において、ＦＰＣ基板７３と接続するための接続部も同時に形成する。尚、選択線接続ブロック７１においては、隣接間の離散的な第２の導電層が交互に配置される構成とした。具体的には、実施例１及び２と同様に、ライン状の層間絶縁膜とドット状の層間絶縁膜によりスルーホールを有する層間絶縁膜を形成する。形成される表示素子の形成される領域７０におけるスルーホール５７の形状は２５μｍ×３５μｍ、ピッチ１２７μｍで形成した。尚、第２の導電層を形成するためのスルーホールの形状は、２５μｍ×３５μｍ、引き出し線に沿った方向のピッチが１００μｍであり、引き出し線に垂直な方向におけるピッチは１２７μｍである。
【０１１１】
絶縁ペーストとしては、フェノール樹脂をエチレングリコールに溶解した樹脂溶液中に、シリカ微粒子を均一に分散したものを用い、基板５０とスクリーン下面との距離（クリアランス）が１．５ｍｍ、スキージの走査速度が４０ｍｍ／ｓにより形成することにより、開口部を有する層間絶縁膜５８を印刷した。このように形成されたスルーホールの大きさと、表示素子の形成される領域７０におけるスルーホールの大きさは略等しく、形成されるスルーホールのピッチも略同じであるため、印刷されるパターンに大きな差はない。このため、良好にスルーホールの形成された層間絶縁膜を印刷することができた。印刷された層間絶縁膜の熱処理条件は、ライン状の層間絶縁膜を印刷した後に、１００℃で熱処理を行い、その後、ドット状の層間絶縁膜を印刷した後、１００℃にて１２０分間熱処理を行うことにより、溶媒成分を揮発させた。これにより、スルーホールを有する層間絶縁膜５８を形成した。
【０１１２】
次に、形成された層間絶縁膜５８上に熱硬化型の銀ペーストを用いて、表示素子の形成される領域７０における画素電極５９及び、選択線接続ブロック７１における第２の導電層を形成した。画素電極５９及び第２の導電層の形成方法は、銀ペーストを用いたスクリーン印刷によりパターンの形成を層間絶縁膜の場合と同様の方法で行い、その後、１００℃で６０分の熱処理を行うことにより形成した。表示素子の形成される領域７０における画素電極５９を形成するためのスクリーン版の開口部を６０μｍ×６０μｍ、ピッチ１２７μｍで形成し、第２の導電層を形成するための開口部の形状も６０μｍ×６０μｍ、ピッチ１２７μｍで形成した。尚、第２の導電層は、引き出し線に沿った方向におけるピッチが１００μｍであり、引き出し線に垂直な方向におけるピッチは１２７μｍである。形成される第２の導電層の大きさは約７５μｍ×７５μｍであり、引き出し方向におけるピッチは１２７μｍであることから良好に分離されている。尚、ＦＰＣ基板と接続される領域に幅である接続エリア長は約６３５μｍである。
【０１１３】
第２の導電層の形成状況を光学顕微鏡により観察したところ、各々の電極は均一に形成されていると同時に、抜けや隣接電極との接触がないことも確認された。また、選択線接続ブロック７１及び信号線接続ブロック７２における第１の導電層と第２の導電層との間において、プローブを接触させたところ、導通が確認された。更に、隣接間の第１の導電層間に４０Ｖの電圧を印加し、電流値を測定したところ、１０ｐＡ以下の電流量であり、隣接する電極間リーク電流は極めて小さく、ほぼ完全に絶縁されていることが確認された。
【０１１４】
尚、図１７に示されるように、選択線接続ブロック７１及び信号線接続ブロック７２には、各々ＦＰＣ基板７３及び７４が接続される。
【０１１５】
（実施例４）
実施例４は、実施例３における有機ＴＦＴ回路基板を用いて作製される画像表示装置である。
【０１１６】
具体的には、図１８に示すように、図１５（ｂ）に示す有機ＴＦＴ回路基板上に、電気泳動表示素子６１と、対向電極６２の形成された上部基板６３を積層したものである。電気泳動表示素子６１は、負帯電した酸化チタンからなる白粒子と正帯電したカーボンブラックからなる黒粒子とを分散液により分散させたものをマイクロカプセル中に封入したものである。この電気泳動表示素子６１をポリビニルアルコール（PVA）バインダに水溶液を混合した塗布液を上部基板６３の対向電極６２の形成されている面上に塗布し、マイクロカプセルとＰＶＡバインダからなる層を形成し電気泳動表示シート基板を形成する。尚、対向電極６２及び上部基板６３が、透明な材料により形成されており、このため対向電極６２は、透明で導電性を有するＩＴＯ等の透明電極により形成されている。このように形成された電気泳動表示シート基板を有機ＴＦＴ回路基板上に、上部基板６３側が最外面となるように接着させる。
【０１１７】
この後、図１９に示すように、ドライバＩＣが設けられたＦＰＣ基板７４の電極面７４ａと、有機ＴＦＴ回路基板における信号線接続ブロック７２における第２の導電層１５ａとをＡＦＣを用いて、熱圧着により接続した。同様に、ドライバＩＣが設けられたＦＰＣ基板７３の電極面と、有機ＴＦＴ回路基板における選択線接続ブロック７１における第２の導電層とをＡＦＣを用いて、熱圧着により接続した。熱圧着の条件は、２００℃の温度で、１．５ＭＰａの加重を印加して行った。ゲート電極５２と接続される選択線５２ａに走査信号用のドライバＩＣを、ソース電極５４と接続される信号線５４ａにデータ信号用のドライバＩＣを各々接続した。信号線５４ａにおける電圧Ｖｐｐ＝３０Ｖ、選択線電圧Ｖｐｐ＝３０Ｖにおいて、電気泳動表示装置における表示を行ったところ、十分なコントラスト及び解像度の画像を得ることができた。
【０１１８】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることが可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１１    基板
１２    濡れ性変化層
１３    第１の導電層
１４    層間絶縁膜
１４ａ  ライン状の層間絶縁膜
１４ｂ  ドット状の層間絶縁膜
１４ｃ  ドット状の層間絶縁膜
１５    第２の導電層
１６    ＦＰＣ基板
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１２０】
【特許文献１】特開２００５−３１０９６２号公報
【特許文献２】特開２００７−１２３６６５号公報
【特許文献３】特開２００７−９５７８３号公報
【図１】
0005434510.tif 000003
【図２】
0005434510.tif 000004
【図３】
0005434510.tif 000005
【図４】
0005434510.tif 000006
【図５】
0005434510.tif 000007
【図６】
0005434510.tif 000008
【図７】
0005434510.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005434510.tif 000012
【図１１】
0005434510.tif 000013
【図１２】
0005434510.tif 000014
【図１３】
0005434510.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0005434510.tif 000018
【図１７】
0005434510.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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