(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート酸化物と、
前記ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が前記ゲート酸化物から外れて露出された複数のゲルマニウム・ナノロッドと、
前記複数のゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート酸化物上で前記ソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極と、を具備し、
前記複数のゲルマニウム・ナノロッドは、それぞれ前記基板に対して互いに垂直に離隔して設けられた
ことを特徴とするゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記複数のゲルマニウム・ナノロッドは、２個ないし５個のゲルマニウム・ナノロッドを備え、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、それぞれ前記複数のゲルマニウム・ナノロッドの一端を覆い包むように形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲルマニウム・ナノロッドは、１〜２０ｎｍの径を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
チャンネル領域の前記ゲルマニウム・ナノロッドは、円形または楕円形の断面を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記ゲルマニウム・ナノロッドとショットキー障壁接合を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｖ、Ｙｂ、Ｅｒからなるグループのうち選択された金属によって形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記ゲート酸化物は、シリコン酸化物より高い誘電率を有している誘電層である
ことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記ゲート酸化物は、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯｘＮｙ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮからなるグループのうち選択された少なくとも１つの物質によって形成された
ことを特徴とする請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート電極は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮのうち選択されたいずれか一つからなる第１金属層と、
前記第１金属層上でポリシリコンによって形成された第２金属層と、を具備する
ことを特徴とする請求項８に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１０】
シリコン基板上に、絶縁層及び第１シリコン層を形成する第１段階と、
前記第１シリコン層上に、ＳｉＧｅ層及び第２シリコン層を順次に形成し、複数のＳｉＧｅ層を含む第２段階と、
前記基板をアニーリングし、前記シリコン層と前記ＳｉＧｅ層のＳｉとを酸化させてシリコン酸化物を形成し、前記複数のＳｉＧｅ層から前記基板に対して互いに垂直に離隔して形成された複数のゲルマニウム・ナノロッドを形成する第３段階と、
前記ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ接触するドレイン電極とソース電極とを形成する第４段階と、
前記ドレイン電極及びソース電極間のチャンネル形成領域に、前記ゲルマニウム・ナノロッドを覆い被せるゲート酸化物を形成する第５段階と、
前記ゲート酸化物上にゲート電極を形成する第６段階と、を含む
ことを特徴とするゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第２段階は、
前記第１シリコン層上に、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２シリコン層を順次に２回ないし５回反復して形成する段階であり、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極を形成する段階は、前記ドレイン電極及び前記ソース電極をそれぞれ前記複数のゲルマニウム・ナノロッドの一端を覆い包むように形成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記第３段階で形成されたシリコン酸化物とエッチング率の異なる物質によって形成された
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
チャンネル形成領域に第１感光剤を形成する段階と、
前記電極形成領域の前記シリコン酸化物を除去し、前記ゲルマニウム・ナノロッドの両端を露出させる段階と、
前記電極形成領域に、ゲルマニウムより仕事関数の大きい金属を蒸着する段階と、を含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記第５段階は、
前記チャンネル形成領域のシリコン酸化物を除去し、ゲルマニウム・ナノロッドを露出させる段階と、
前記ナノロッドを覆い包む誘電体からなるゲート酸化物を形成する段階と、を含む
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート酸化物を形成する前に、前記基板をＨ２またはＤ２の雰囲気でアニーリングし、前記チャンネル領域のナノロッドの断面を円形または楕円形にする段階をさらに含む
ことを特徴とする請求項１４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記誘電体は、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯｘＮｙ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮからなるグループのうち選択された少なくとも１つの物質によって形成された
ことを特徴とする請求項１４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記第６段階は、
Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮのうちいずれか１つの物質からなる第１金属層と、前記第１金属層上にポリシリコン層からなる第２金属層とを形成する
ことを特徴とする請求項１６に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
前記ＳｉＧｅ層は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（０．１＜ｘ＜０．５）の組成によって形成された
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｖ、Ｙｂ、Ｅｒからなるグループのうち選択された金属によって形成された
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２０】
前記ゲート酸化物は、シリコン酸化物によって形成され、
前記第６段階は、ポリシリコン層を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項２１】
前記ゲルマニウム・ナノロッドは、１〜２０ｎｍの径を有している
ことを特徴とする請求項１１に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタ及びその製造方法に係り、さらに詳細には、チャンネルとしてゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電界効果トランジスタは、シリコン基板で、ソース領域とドレイン領域との間のチャンネル領域をキャリアの移動通路として具備する。このようなシリコンチャンネル領域をターンオンさせるためには、所定のゲート電圧を印加し、それによってチャンネル領域でのメインキャリア、例えば正孔または電子の移動度によってデバイスの速度が決定される。
【０００３】
トランジスタを採用したデバイスの速度は、チャンネル領域でのメインキャリアの移動度により、この移動度向上のための研究が多く進められている。移動度向上のために、シリコンより移動度の高いゲルマニウムを使用できる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記のような点を勘案して案出され、本発明の目的は、高速動作用トランジスタに適するように移動度の向上したゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタを提供することである。
【０００５】
本発明の他の目的は、前記ゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタを製造する方法を提供することである。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、前記ゲルマニウム・ナノロッドを製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための本発明によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタは、基板上に形成されたゲート酸化物と、前記ゲート酸化物に埋め込まれ、その両端が露出された少なくとも１つのゲルマニウム・ナノロッドと、前記ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ連結されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート酸化物上で前記ソース電極及びドレイン電極間に形成されたゲート電極とを具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、前記ゲルマニウム・ナノロッドは、互いに離隔された２個ないし５個で設けられうる。
【０００９】
本発明によれば、前記ゲルマニウム・ナノロッドは、１〜２０ｎｍの径を有することができる。
【００１０】
本発明によれば、前記チャンネル領域の前記ゲルマニウム・ナノロッドは、円形または楕円形の断面を有することができる。
【００１１】
本発明によれば、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記ゲルマニウム・ナノロッドとショットキー障壁接合を形成し、望ましくは、前記ソース電極及びドレイン電極は、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｖ、Ｙｂ、Ｅｒからなるグループのうち選択された金属によって形成されうる。
【００１２】
前記ゲート酸化物は、シリコン酸化物より高い誘電率を有しているＳｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯｘＮｙ、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮからなるグループのうち選択された少なくとも１つの物質によって形成されうる。
【００１３】
本発明によれば、前記ゲート電極は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮのうち選択されたいずれか一つからなる第１金属層と、前記第１金属層上でポリシリコンによって形成された第２金属層とを具備できる。
【００１４】
前記他の目的を達成するための本発明によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法は、基板上に形成されたゲート酸化物と、シリコン基板上に、絶縁層及び第１シリコン層を形成する第１段階と、前記第１シリコン層上に、ＳｉＧｅ層及び第２シリコン層を順次に形成する第２段階と、前記基板をアニーリングし、前記シリコン層と前記ＳｉＧｅ層のＳｉとを酸化させてシリコン酸化物を形成し、前記ＳｉＧｅ層からゲルマニウム・ナノロッドを形成する第３段階と、前記ゲルマニウム・ナノロッドの両端とそれぞれ接触するドレイン電極とソース電極とを形成する第４段階と、前記ドレイン電極及びソース電極間のチャンネル形成領域に、前記ゲルマニウム・ナノロッドを覆い被せるゲート酸化物を形成する第５段階と、前記ゲート酸化物上にゲート電極を形成する第６段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、前記第２段階は、前記第１シリコン層上に、前記ＳｉＧｅ層及び前記第２シリコン層を順次に２回ないし５回反復して形成する。
【００１６】
また、前記絶縁層は、前記第３段階で形成されたシリコン酸化物とエッチング率の異なる物質によって形成されうる。
【００１７】
本発明によれば、前記第４段階は、チャンネル形成領域に第１感光剤を形成する段階と、前記電極形成領域の前記シリコン酸化物を除去し、前記ゲルマニウム・ナノロッドの両端を露出させる段階と、前記電極形成領域に、ゲルマニウムより仕事関数の大きい金属を蒸着する段階とを含む。
【００１８】
本発明によれば、前記第５段階は、前記チャンネル形成領域のシリコン酸化物を除去し、ゲルマニウム・ナノロッドを露出させる段階と、前記ナノロッドを覆い包む高誘電体からなるゲート酸化物を形成する段階とを含むことができる。
【００１９】
本発明によれば、前記ゲート酸化物を形成する前に、前記基板をＨ２またはＤ２の雰囲気でアニーリングし、前記チャンネル領域のナノロッドの断面を円形または楕円形にする段階をさらに含むことができる。
【００２０】
本発明によれば、前記第６段階は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮのうちいずれか１つの物質からなる第１金属層と、前記第１金属層上にポリシリコン層からなる第２金属層とを形成する段階でありうる。
【００２１】
本発明によれば、前記ＳｉＧｅ層は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ（０．１＜ｘ＜０．５）の組成によって形成される。
【００２２】
本発明の他の局面によれば、前記ゲート酸化物は、シリコン酸化物によって形成され、前記第６段階は、ポリシリコン層を形成する段階である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による電界効果トランジスタは、シリコンより移動度がさらに高いゲルマニウム・ナノロッドをチャンネルとして具備するので、駆動速度が速く、駆動電圧も低くなる。
【００２４】
また、電極物質によってＰ型トランジスタまたはＮ型トランジスタを形成できる。
【００２５】
このように、本発明によるゲルマニウム・ナノロッドをチャンネルとして使用することによって、高速用及び低消費電力用のトランジスタを開発できる。
【００２６】
本発明の電界効果トランジスタの製造方法によれば、酸化工程とエッチング工程とで、容易にチャンネル領域のゲルマニウム・ナノロッドを形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタと、その製造方法とについて詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ１００の断面図である。
【００２９】
図１を参照すれば、シリコン基板１１０上に、絶縁層１２０が形成されている。前記絶縁層１２０上には、ゲート酸化物１３０である高誘電率誘電層が形成されている。前記ゲート酸化物１３０は、望ましくはＳｉＯ２またはそれ以上に誘電率の高い物質であって、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯｘＮｙ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮなどが使われうる。
【００３０】
前記絶縁層１２０は、酸化過程で生成されるシリコン酸化物とエッチング率の異なる物質によって形成され、酸素イオン注入によるシリコン酸化物またはシリコン窒化物によって形成されうる。
【００３１】
前記ゲート酸化物１３０には、水平方向に互いに離隔された２つのゲルマニウム・ナノロッド１４０が埋め込まれている。前記ナノロッド１４０は、チャンネル領域で１ｎｍ〜２０ｎｍの径の円形または楕円形の断面を有することができる。前記ナノロッド１４０の形状が円形になれば、その内部に電場が均一に入っていくことができ、電流漏れが減少しうる。
【００３２】
前記ナノロッド１４０は、図１には、２個が図示されているが、必ずしもそれらに限定されるものではなく、望ましくは２〜５個が互いに並んで形成されることが望ましい。前記ナノロッド１４０が一つで形成されるのは、切れる故障（failure）が起きることがあり、６個以上で形成するには、製造工程が複雑になりすぎてしまう。前記ナノロッド１４０は、一般的なトランジスタ１００のチャンネル、すなわちメインキャリア、例えば正孔の移動通路となる。このようなゲルマニウム・ナノロッド１４０は、従来構造の電界効果トランジスタ１００でのチャンネル領域でのキャリア移動度より速い移動度を提供できる。
【００３３】
前記高誘電率誘電体によって形成されたゲート酸化物１３０は、Ｇｅナノロッド１４０の周囲を覆ってゲート漏れ電流を減少させる。
【００３４】
前記ナノロッド１４０の両側には、それぞれ前記ナノロッド１４０に電気的に連結されたソース電極１５１及びドレイン電極１５２が形成される。前記ソース電極１５１及びドレイン電極１５２は、前記ナノロッド１４０とショットキー障壁接合を形成する。このために、前記ソース電極１５１及びドレイン電極１５２は、ゲルマニウムより仕事関数の大きい金属によって形成される。前記ゲルマニウム・ナノロッド１４０と前記ソース電極１５１及びドレイン電極１５２は、接触面にゲルマナイド（germanide）を形成し、ｐ型電極を形成するためには、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）が使われ、ｎ型電極を形成するためには、イッテルビウム（Ｙｂ）またはエルビウム（Ｅｒ）が使われうる。
【００３５】
前記ゲート酸化物１３０上で、前記ソース電極１５１及びドレイン電極１５２間に、ゲート電極１６０が形成される。前記ゲート電極１６０は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮによって形成された第１金属層１６１と、ポリシリコンによって形成された第２金属層１６２とを具備できる。前記ゲート電極１６０は、前記ゲート酸化物１３０がＳｉＯ２によって形成された場合には、前記第２金属層１６２だけでなりうる。また、前記ゲート電極１６０は、前記ゲート酸化物１３０がＳｉＯ２より誘電率の高い物質、例えばＳｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮによって形成された場合、前記第１金属層１６１及び第２金属層１６２の積層構造によって形成されうる。前記第２金属層１６２は、チャンネル領域での空乏領域を減少させ、従ってチャンネルの形成を容易にする。
【００３６】
本発明による電界効果トランジスタ１００は、高誘電体のゲート酸化物１３０、ゲルマニウム・ナノロッド１４０の周囲に存在するので、ゲート電圧を印加するとき、チャンネルを開くのが容易であり、従って駆動電圧が低くなる。また、シリコンより移動度がさらに高いゲルマニウム・ナノロッド１４０を使用するので、本発明のトランジスタ１００を採用したデバイスの速度を速くできる。
【００３７】
以下では、本発明によるゲルマニウム・ナノロッド１４０を具備した電界効果トランジスタ１００を製造する方法について説明する。この過程で、ゲルマニウム・ナノロッド１４０を製造する方法を共に説明する。
【００３８】
図２ないし図１０は、本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法について段階別に説明する図面である。図１の構成要素と実質的に同じ構成要素には、同じ参照番号を使用して詳細な説明は省略する。
【００３９】
図２を参照すれば、シリコン基板１１０上に、シリコンの酸化過程で形成されるシリコン酸化物とエッチング率の異なる絶縁層１２０を形成し、前記絶縁層１２０上に、第１シリコン層１２１を形成する。前記絶縁層１２０としては、シリコン基板１１０に酸素を注入して形成したＳＯＩ基板１１０のシリコン酸化物層またはシリコン窒化物層でありうる。
【００４０】
次に、第１シリコン層１２１上に、ＳｉＧｅ層１２２，１２４と第２シリコン層１２３，１２５とを交互に蒸着する。図２には、例示的にＳｉＧｅ層と第２シリコン層とを２回交互に蒸着したところを示しており、望ましくは２〜５回交互に蒸着する。前記ＳｉＧｅ層１２２，１２４とＳｉ層１２１，１２３，１２５は、それぞれＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成可能である。
【００４１】
前記ＳｉＧｅ層１２２，１２４は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘ組成を有し、ここでｘは、望ましくは０．１〜０．５である。前記ＳｉＧｅ層１２２，１２４は、１〜２０ｎｍの厚さに形成されうる。また、前記Ｓｉ層１２１，１２３，１２５も、１〜２０ｎｍの厚さに形成されうる。次に、前記Ｓｉ層１２１，１２３，１２５と前記ＳｉＧｅ層１２２，１２４とをパターニングし、図２の結果物を得る。
【００４２】
図３を参照すれば、図２の結果物を酸素雰囲気の炉（furnace）で、８００〜９００℃で１〜５分間アニーリングする。前記Ｓｉ層１２１，１２３，１２５とＳｉＧｅ層１２２，１２４は、部分的に酸化される。前記酸化によって形成されたＳｉ層１２１’，１２３’，１２５’はその幅が狭まり、ＳｉＧｅ層１２２，１２４は、ＳｉがＧｅから分離されて酸化され、Ｇｅ層１２２’，１２４’のみロッド状に残る。結果的に、ＳｉＧｅ層１２２，１２４は、Ｓｉ層１２１，１２３，１２５より酸化がさらに速く進む。前記Ｇｅ層１２２’，１２４’は、チャンネルの役割を行うゲルマニウム・ナノロッドであり、図１のゲルマニウム・ナノロッド１４０に該当する。参照番号１２６は、前記Ｓｉ層１２１，１２３，１２５の酸化及びＳｉＧｅ層１２２，１２４のＳｉの酸化によって形成されたＳｉＯ２領域である。
【００４３】
図４を参照すれば、基板１１０上で、電極形成領域間の領域に、第１感光剤Ｐ１を形成した後、第１感光剤Ｐ１によって覆われていない電極形成領域のＳｉＯ２を湿式エッチングで除去する。
【００４４】
図５を参照すれば、図４の結果物を酸素雰囲気の炉で、８００〜９００℃で１〜５分アニーリングする。電極形成領域のＳｉ層１２１’，１２３’，１２５’（図４）は酸化され、次のエッチング工程で、電極形成領域でのＳｉ層１２１’，１２３’，１２５’が除去される。電極形成領域には、ナノロッド１２２’，１２４’の両端が露出された状態になる。
【００４５】
図６を参照すれば、電極形成領域に金属を蒸着し、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２を形成する。このとき、このソース電極１５１及びドレイン電極１５２は、Ｇｅとショットキー障壁接合を形成するように、Ｇｅより仕事関数の大きい金属によって形成する。前記ゲルマニウム・ナノロッド１２２’，１２４’とソース電極１５１及びドレイン電極１５２は、接触領域でゲルマナイド（germanide）を形成する。ｐ型電極を形成するためには、白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）が使われ、ｎ型電極を形成するためには、イッテルビウム（Ｙｂ）またはエルビウム（Ｅｒ）が使われうる。
【００４６】
図７を参照すれば、第１感光剤Ｐ１（図６）を除去し、第１感光剤Ｐ１で塗布されていたチャンネル形成領域のＳｉＯ２１２６を湿式エッチングで除去する。
【００４７】
次に、基板１１０を熱処理し、チャンネル形成領域のＳｉ層１２１’，１２３’，１２５’を酸化させ、第１シリコン酸化物（図示せず）にする。そして、基板１１０上に、第２シリコン酸化物層（図示せず）を形成し、ゲート酸化物１３０（図１）を形成した後、その上にゲート電極１６０（図１）を形成できる。このゲート電極１６０は、ポリシリコンを使用して１層に形成できる。
【００４８】
一方、他の方法として、ゲート酸化物層として、前記第２シリコン酸化物層より誘電率が高い物質を使用でき、これについて図８を参照して説明を続ける。チャンネル形成領域のＳｉ層１２１’，１２３’，１２５’を酸化させて作ったシリコン酸化物（図示せず；前記第１シリコン酸化物に該当する）をエッチングして除去する。
【００４９】
図９を参照すれば、Ｈ２またはＤ２の２〜５％雰囲気で、基板１１０をアニーリングする。それによって、Ｇｅナノロッド１２２’，１２４’の断面が円形または楕円形に変わる。
【００５０】
次に、チャンネル形成領域に高誘電体物質、例えばＳｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ｚｒ２Ｏ５、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮのうちいずれか１つの物質を形成してゲート酸化物１３０を形成する。前記ゲート酸化物１３０は、Ｇｅナノロッド１２２’，１２４’を覆い被せるように形成される。
【００５１】
図１０を参照すれば、ゲート酸化物１３０上にゲート電極１６０を形成する。前記ゲート電極１６０は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＮのうちいずれか一つによって形成された第１金属層１６１と、前記第１金属層１６１上にポリシリコンによって形成された第２金属層１６２とからなりうる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明のゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタ及びその製造方法は、例えば、半導体素子関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図３】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図４】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図５】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図６】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図７】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図８】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図９】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【図１０】本発明の他の実施形態によるゲルマニウム・ナノロッドを具備した電界効果トランジスタの製造方法を段階別に説明する図面である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  電界効果トランジスタ
１１０  シリコン基板
１２０  絶縁層
１２１，１２１’，１２３，１２３’，１２５，１２５’  Ｓｉ層
１２２，１２４  ＳｉＧｅ層
１２２’，１２４’  Ｇｅ層
１２６  ＳｉＯ２層
１３０  ゲート酸化物
１４０  ナノロッド
１５１  ソース電極
１５２  ドレイン電極
１６０  ゲート電極
１６１  第１金属層
１６２  第２金属層
Ｐ１  第１感光剤
【図１】
0005408897.tif 000002
【図２】
0005408897.tif 000003
【図３】
0005408897.tif 000004
【図４】
0005408897.tif 000005
【図５】
0005408897.tif 000006
【図６】
0005408897.tif 000007
【図７】
0005408897.tif 000008
【図８】
0005408897.tif 000009
【図９】
0005408897.tif 000010
【図１０】
0005408897.tif 000011