(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜抵抗（１）とこの膜抵抗（１）に電気接続するリード導体用膜電極（２）とが一方の片面に配設されていると共に、前記膜抵抗（１）に電気接続するヒューズエレメント用膜電極（３）が前記一方の片面からこの一方の片面と反対の他方の片面にわたって配設されている絶縁基板（４）と、前記リード導体用膜電極（２）に電気接続されたリード導体（５）と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）の両側方に配設された一対のリード導体（６）と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とに跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極（３）と一対のリード導体（６）とを電気接続するヒューズエレメント（７）とを備えた抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって、
前記絶縁基板（４）の一方の片面を支持基板（８）上に固着するとともに、この絶縁基板（４）と並置して前記一対のリード導体（６）を前記支持基板（８）上に固着する工程と、
前記支持基板（８）上に固着された前記絶縁基板（４）の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とに跨って前記ヒューズエレメント（７）を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とを電気接続する工程と、
前記支持基板（８）上の前記絶縁基板（４）及び前記支持基板（８）上の前記一対のリード導体（６）の部分を絶縁封止物（９）で封止する工程と
を含むことを特徴とする抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
【請求項２】
前記支持基板（８）上に一対の膜電極（１３）が設けられ、
前記膜電極（１３）に、前記ヒューズエレメント用膜電極（３）に電気接続される前記リード導体（６）を半田付けで固着することを特徴とする請求項１に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
【請求項３】
前記支持基板（８）上に、前記ヒューズエレメント用膜電極（３）に電気接続される前記リード導体（６）を接着剤で固着することを特徴とする請求項１に記載の抵抗付き温度ヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子機器の保護素子である抵抗付き温度ヒューズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の抵抗付き温度ヒューズとして、膜抵抗と、この膜抵抗の両側に電気接続した状態でリード導体用膜電極及びヒューズエレメント用膜電極とを配したセラミックス基板を使用したものがある。リード導体用膜電極にはリード導体が電気接続した状態で固着され、ヒューズエレメント用膜電極の両側方には一対のリード導体がそれぞれ配置されている。一対のリード導体及びヒューズエレメント用膜電極にはヒューズエレメントが跨った状態で設けられてこれら一対のリード導体及びヒューズエレメント用膜電極を電気接続している。このヒューズエレメントを含めてそのセラミックス基板全体が樹脂で塗布されて封止されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８７７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の抵抗付き温度ヒューズはその製造工程において、先ずセラミックス基板のヒューズエレメント用膜電極の両側方に一対のリード導体を配設する。次に、この一対のリード導体に跨った状態でヒューズエレメントを配設することで、ヒューズエレメントを上記一対のリード導体間およびヒューズエレメント用膜電極に接続する。その後、セラミックス基板は次の工程に搬送される。
この搬送のとき速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。この振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷されるため、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
また、この抵抗付き温度ヒューズの製造工程においては、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止する工程がある。この工程では、上記一対のリード導体を持ち上げることで、セラミックス基板も持ち上げる。そして、この持ち上げた状態で、セラミックス基板全体を樹脂で塗布して封止することになる。しかしながら、上記持ち上げにおいても速度を上げれば上げるほど上記リード導体は強く振動する。したがって、この場合においても、振動が、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に集中的に負荷され、上記接続した箇所あるいヒューズエレメント自体にクラックが生じるおそれがある。
このクラックが生じると、ヒューズエレメントの抵抗値が変わって抵抗付き温度ヒューズの動作温度が設定温度と相違してくることになる。
【０００５】
本願発明は、次の工程への搬送や封止工程のときにリード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体にクラックが生じるのを防止することができる抵抗付き温度ヒューズの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、膜抵抗（１）とこの膜抵抗（１）に電気接続するリード導体用膜電極（２）とが一方の片面に配設されると共に、前記膜抵抗（１）に電気接続する前記ヒューズエレメント用膜電極（３）が前記一方の片面から他方の片面にわたって配設されている絶縁基板（４）と、前記リード導体用膜電極（２）に電気接続されたリード導体（５）と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）の両側方に配設された一対のリード導体（６）と、前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とに跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極（３）と一対のリード導体（６）とを電気接続するヒューズエレメント（７）とを備えた抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって、
前記絶縁基板（４）の一方の片面を支持基板（８）上に固着するとともに、この絶縁基板（４）と並置して前記一対のリード導体（６）を前記支持基板（８）上に固着する工程と、
前記支持基板（８）上に固着された前記絶縁基板（４）の前記他方の片面に存在するヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とに跨って前記ヒューズエレメント（７）を配設して前記ヒューズエレメント用膜電極（３）と前記一対のリード導体（６）とを電気接続する工程と、
前記支持基板（８）上の前記絶縁基板（４）及び前記支持基板（８）上の前記一対のリード導体（６）の部分を絶縁封止物（９）で封止する工程と
を含むことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、前記支持基板（８）上に一対の膜電極（１３）が設けられ、
前記各膜電極（１３）に、前記ヒューズエレメント用膜電極（３）に電気接続される前記リード導体（６）を半田付けで固着することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、前記支持基板（８）上に、前記ヒューズエレメント用膜電極（３）に電気接続される前記リード導体（６）を接着剤で固着することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願請求項１に記載の発明によれば、ヒューズエレメントと接続するリード導体を支持基板上に固着させることにより、次の工程への搬送や封止工程においてリード導体が振動する場合に、そのリード導体の振動をリード導体と支持基板との固着部分で抑えることができる。このためリード導体からの振動により、リード導体とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極とヒューズエレメントを接続した箇所あるいはヒューズエレメント自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
【００１０】
本願請求項２に記載の発明によれば、リード導体を支持基板の膜電極に半田付けで固着させているため、スポット溶接などでリード導体を支持基板の膜電極に溶接する場合のように支持基板が変形するおそれがない。
【００１１】
本願請求項３に記載の発明によれば、リード導体を接着剤で支持基板に固着させているため、半田付け又は溶接で固着させる場合のように支持基板に熱的ストレスを与えることがない。 
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法により製造された抵抗付き温度ヒューズの一例を示す一部切り欠きの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズの側面断面図である。
【図２】（ａ）は図１に示された抵抗付き温度ヒューズの絶縁基板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）の絶縁基板の裏側平面図である。
【図３】図１に示された抵抗付き温度ヒューズの支持基板の平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第１実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であってヒューズエレメントを設ける前の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図であり、（ｃ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを模式的に示した断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第１実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であってヒューズエレメントを設けた後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図である。
【図６】（ａ）は本発明の第１実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって図５のヒューズエレメントの外面にフラックス塗布した後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側から示した図である。
【図７】（ａ）は本発明の第１実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法であって図６の抵抗付き温度ヒューズに絶縁封止物を設けた後の抵抗付き温度ヒューズの平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズの裏側平面図であり、（ｃ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体側からを示した図であり、（ｄ）は（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズの側面図であり、（ｅ）は（ｄ）に示された抵抗付き温度ヒューズの部分断面図である。
【図８】本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法において別例を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る抵抗付き温度ヒューズの製造方法の好適な実施形態を図面に基づき説明する。
【００１４】
本発明の第１実施形態である抵抗付き温度ヒューズの製造方法により製造される抵抗付き温度ヒューズは、図１（ａ）（ｂ）及び図２（ａ）（ｂ）に示すように、膜抵抗１とこの膜抵抗１の一方の片側と電気接続するリード導体用膜電極が一方の片面（裏面）に配設されると共に、膜抵抗１の他方の片側に電気接続するヒューズエレメント用膜電極３がその裏面から他方の片面（表面）に配設された絶縁基板４とを備える。絶縁基板４のリード導体用膜電極２には膜電極１０を介してリード導体５が電気接続され、絶縁基板４の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極３の両側方には一対のリード導体６がそれぞれ配設されている。絶縁基板４の裏面は支持基板８上に固着され、この絶縁基板４と並置して、リード導体用膜電極２に電気接続されたリード導体５と、ヒューズエレメント用膜電極３に電気接続された一対のリード導体６とが支持基板８の一方の片面（表面）上に固着されている。絶縁基板４の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極３と一対のリード導体６とにはヒューズエレメント７が跨って配設されてこれらヒューズエレメント用膜電極３と一対のリード導体６とを電気接続している。ヒューズエレメント７にはフラックス１１が塗布されている。さらに、支持基板８上において、絶縁基板４、リード導体５，６、ヒューズエレメント７及びヒューズエレメント７に塗布したフラックス１１は絶縁封止物９に被覆されて封止されている。
【００１５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）の抵抗付き温度ヒューズの動作メカニズムは、リード導体６及びヒューズエレメント７を介して電子・電気機器に給電するようにし、この電子・電気機器に異常が発生したときリード導体５を介して膜抵抗１に電流を流して膜抵抗１を通電発熱させ、この発生熱でヒューズエレメント７を溶断して上記給電を遮断するものである。この抵抗付きヒューズは種々の分野で使用でき、例えば、リチウムイオン二次電池の電池パックにその異常を検知したときリード導体５に電流を流すためのＩＣ制御回路と共に組み込まれ、二次電池の過充電や過放電時での充電や放電の停止に使用できる。
【００１６】
図１（ａ）及び図１（ｂ）の抵抗付き温度ヒューズはヒューズエレメント７と一対のリード導体６とを直接に接続する構成にしているので、その電極分だけ絶縁基板４の平面寸法を縮小でき、絶縁基板４の熱容量を小さくできる。従って、膜抵抗１の通電発熱速度を速めてヒューズエレメント７の溶断を迅速化でき、動作速度を速めることができる。
【００１７】
なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す絶縁基板４はこの厚みが０．３〜０．４ｍｍの良熱伝導性のセラミックス基板である。絶縁基板４の一方の片面（裏面）上には膜抵抗１及びリード導体用膜電極２が配設されると共に、この裏面から他方の片面（表面）にわたってヒューズエレメント用膜電極３が配設されている。膜抵抗１は絶縁基板４の中間部に配設され、リード導体用膜電極２は絶縁基板４の一端側（図２（ｂ）の上側）に配設され、ヒューズエレメント用膜電極３は絶縁基板４の他端側（図２（ｂ）の下側）に配設されている。膜抵抗１は、この一端側がリード導体用膜電極２に重畳接合した状態で電気接続され、この他端側がヒューズエレメント用膜電極３に重畳接合した状態で電気接続されている。この膜抵抗１は、抵抗ペースト、例えば酸化ルテニウムペーストの印刷・焼付けにより設けられる。リード導体用膜電極２及びヒューズエレメント用膜電極３は、導電ペースト、例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより設けられている。ヒューズエレメント用膜電極３は、絶縁基板４の表面においてヒューズエレメント７の中間部７ａに溶接等で接合されるヒューズエレメント接続部３ａと、絶縁基板４の裏面において膜抵抗１と重畳接合される膜抵抗接続部３ｂとを備える。ヒューズエレメント接続部３ａは、膜抵抗１と逆向きに膜抵抗接続部３ｂから突出形成されている。このヒューズエレメント接続部３ａは、その通電発熱速度を速めるため膜抵抗１及び膜抵抗接続部３ｂより幅狭に形成されている。膜抵抗１上にはこの膜抵抗１を保護するための保護膜１２（例えばガラス焼付け膜）が設けられている。
【００１８】
リード導体用膜電極２に膜電極１０を介して電気接続されたリード導体５は扁平状であり、例えば、銅、銅より熱抵抗の高い鉄、鉄合金等の鉄系又はニッケル等にＳｎメッキしたものが使用されている。ヒューズエレメント用膜電極３にヒューズエレメント７を介して電気接続された一対のリード導体６は扁平状であり、例えば銅等にＳｎメッキしたものが使用されている。上記リード導体５として熱抵抗の高い鉄、鉄合金等の鉄系又はニッケル等にＳｎメッキしたものを使用した場合、膜抵抗１のヒューズエレメント７を溶融させるべき発生熱がそのリード導体５を伝って漏洩することを防止するので、ヒューズエレメント７を迅速に溶断させることができる。
【００１９】
ヒューズエレメント７は、図２（ａ）及び図５に示すように、その中間部７ａがヒューズエレメント用膜電極３のヒューズエレメント接続部３ａに溶接等により接合され、その両端部７ｂそれぞれが一対のリード導体６と溶接等により接合されている。ヒューズエレメント７には高い曲げ剛性の組成を有する可溶合金が望ましい。このヒューズエレメント７の外面に塗布される図６のフラックス１１はロジンを主成分とし、フラックス１１の融点がヒューズエレメント７の融点より低いものが使用される。フラックス１１の塗布にはフラックス１１を加熱溶融し、この溶融フラックスを塗布・凝固させる方法を使用できる。
【００２０】
図１・図３・図４・図５〜図７に示す支持基板８は、厚みが０．１ｍｍ前後で、かつセラミックス製の絶縁基板４より熱抵抗の高いガラスエポキシ基板である。支持基板８の熱抵抗を絶縁基板４の熱抵抗より高くすることにより、絶縁基板４の膜抵抗１のヒューズエレメント７を溶融させるべき発生熱がその支持基板８を伝って漏洩することを防止するので、ヒューズエレメント７を迅速に溶断させることができる。
【００２１】
支持基板８の表面は、一端側（図３の上側）に膜電極１０が銅箔のエッチングにより設けられ、他端側（図３の下側）に一対の膜電極１３が銅箔のエッチングにより設けられている。一対の膜電極１３は、これら膜電極１３間に絶縁基板４のヒューズエレメント用膜電極３を配置可能な所定間隔を空けた状態で設けられている。
【００２２】
絶縁封止物９は、図７に示すように、支持基板８上においてフラックス１１と接触して配される保護シート９ａ（例えばセラミックスシート、ガラスクロスシート）と、絶縁基板４を囲むように支持基板８上の周縁に配されて保護シート９ａと支持基板８との隙間を封止する硬化性樹脂（エポキシ樹脂）９ｂとを備えた構成にされている。硬化性樹脂９ｂはヒューズエレメント７の融点より低温で硬化する常温硬化性樹脂が用いられる。
【００２３】
次に、本発明の第１実施形態である図１に示された抵抗付き温度ヒューズの製造方法について図４，図５，図６及び図７を参照しながら説明する。
【００２４】
図４（ａ）は、支持基板８上に、絶縁基板４、リード導体５，６を並置した状態に固着する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示し、図４（ｂ）は図４（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体６側から示した図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面を模式的に示した断面図である。まず、絶縁基板４の裏面を支持基板８上に固着する。具体的には絶縁基板４の裏面に存在するリード導体用膜電極２を支持基板８上の膜電極１０に半田付け又は溶接で固着する。この絶縁基板４の固着と共に、支持基板８の一端側の膜電極１０に、リード導体用膜電極２に電気接続されるリード導体５の先端部を半田付け又は溶接で固着する。他方、支持基板８の他端側において絶縁基板４のヒューズエレメント用膜電極３の両側方に位置する膜電極１３それぞれに、一対のリード導体６の各先端部を半田付け又は溶接で固着する。ただ、支持基板８の膜電極１０，１３にリード導体５，６の先端部をスポット溶接などにより溶接すると、支持基板８の変形が懸念されるので、膜電極１０，１３とリード導体５，６との接合は半田付けにより行うことが好ましい。
【００２５】
図５（ａ）は、絶縁基板４の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極３と一対のリード導体６とに跨ってヒューズエレメント７を配設してヒューズエレメント用膜電極３と一対のリード導体６とを電気接続する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示す。図５（ｂ）は図５（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体６側から示した図である。具体的には、ヒューズエレメント７の中間部７ａを絶縁基板４の表面に存在するヒューズエレメント用膜電極３のヒューズエレメント接続部３ａに溶接等で接合する。この接合と共に、ヒューズエレメント７の両端部７ｂそれぞれをリード導体６の各先端部に溶接等で接合する。
【００２６】
図５（ａ）及び図５（ｂ）で示された抵抗付き温度ヒューズは、絶縁基板４、リード導体５，６が固着された支持基板８の表面を上向きにした状態で次の工程へと搬送される。この場合、ヒューズエレメント７と接続するリード導体６が支持基板８上に固着されているので、次の工程への搬送においてそのリード導体６が振動した場合に、リード導体６の振動をリード導体６と支持基板８との固着部分で抑えることができる。このためリード導体６から振動が伝わることにより、リード導体６とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極３とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント７自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
【００２７】
図６（ａ）は、ヒューズエレメント用膜電極３と一対のリード導体６とに跨って配設されたヒューズエレメント７にフラックス１１を塗布する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示し、図６（ｂ）に図６（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体６側から示した図である。フラックス１１は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すようにヒューズエレメント７を被覆し、かつ支持基板８上に及ばないように塗布される。
【００２８】
図６（ａ）及び図６（ｂ）で示された抵抗付き温度ヒューズはフラックス１１が塗布された後、絶縁基板４、リード導体５，６が固着された支持基板８の表面を上向きにした状態で次の工程に搬送される。この抵抗付き温度ヒューズは、ヒューズエレメント７と接続するリード導体６が支持基板８上に固着されているので、次の工程への搬送においてそのリード導体６が振動した場合に、リード導体６の振動をリード導体６と支持基板８との固着部分で抑えることができる。このためリード導体６から振動が伝わることにより、リード導体６とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極３とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント７自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
【００２９】
図７（ａ）は、ヒューズエレメント７にフラックス１１を塗布した後、支持基板８上の絶縁基板４及び支持基板８上の一対のリード導体６の部分を絶縁封止物９で封止する工程における抵抗付き温度ヒューズの平面図を示す。図７（ｂ）は図７（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズの裏側平面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズを一対のリード導体６側から示した図である。図７（ｄ）は図７（ａ）に示された抵抗付き温度ヒューズの側面図であり、図７（ｅ）は図７（ｄ）の部分透視図である。ここで絶縁封止物９は、保護シート９ａ（例えばセラミックスシート、ガラスクロスシート）と硬化性樹脂（エポキシ樹脂）９ｂとを備える。まず、硬化性樹脂９ｂを支持基板８の表面の周縁に滴下塗布してこの硬化性樹脂９ｂで支持基板８上の絶縁基板４及び支持基板８上のリード導体５，６の部分を囲むようにする。硬化性樹脂９ｂの滴下塗布はこの硬化性樹脂９ｂの厚み方向の長さが、支持基板８の表面からフラックス１１の表面までの距離より大きくなるまで続けられる。次いで、硬化性樹脂９ｂの上端面に保護シート９ａを載置し、保護シート９ａをこの裏面がフラックス１１の表面に接触するまで支持基板８に向けて押圧し、この保護シート９ａと支持基板８との隙間を硬化性樹脂９ｂで塞いで封止する。
この封止工程は支持基板８の一方の片面（絶縁基板４、リード導体５，６が固着された表面）のみを絶縁封止物９で封止するものであるから、従来のように基板を持ち上げてこの基板全体を樹脂で塗布して封止する封止工程と比して、リード導体６が強く振動することはない。また封止工程においてリード導体６が振動した場合でも、ヒューズエレメント７と接続するリード導体６が支持基板８上に固着されているので、そのリード導体６の振動をリード導体６と支持基板８との固着部分で抑えることができる。このためリード導体６とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント用膜電極３とヒューズエレメント７を接続した箇所あるいはヒューズエレメント７自体に負荷が集中してクラックが生じるのを防止することができる。
【００３０】
図８は、本発明の抵抗付き温度ヒューズの製造方法において、支持基板８上に、絶縁基板４、リード導体５，６を並置した状態に固着する工程で製造される抵抗付き温度ヒューズの別実施例の平面図を示す。図８の抵抗付き温度ヒューズは、図４（ａ）の抵抗付き温度ヒューズと比して、支持基板８上の絶縁基板４、リード導体５，６の配置構成が相違する。図８に示されるように、絶縁基板４をこのヒューズエレメント用膜電極３のヒューズエレメント接続部３ａが支持基板８の幅方向（図８の左右方向）の一方に向けられた状態で支持基板８上に固着する。この絶縁基板４の固着と共に、一対のリード導体６をそれぞれ支持基板８の一端側と他端側とに配設して固着し、支持基板８の他端側に配設されたリード導体６と並行してリード導体５をその支持基板８の他端側に配置して固着する。
【００３１】
なお、上述の実施形態の抵抗付き温度ヒューズの製造方法においては、一対のリード導体６を支持基板８の膜電極１３に半田付け又は溶接で固着するが、本発明はこれに限定されたものではなく、一対のリード導体６を支持基板８上に接着剤で直接固着してもよい。この場合、一対のリード導体６を半田付け又は溶接で固着させる場合のように支持基板８に熱的ストレスを与えることがない。
【００３２】
また、上述の実施形態の抵抗付き温度ヒューズの製造方法に使用される絶縁封止物９は保護シート９ａと硬化性樹脂（エポキシ樹脂）９ｂとを備えた構成であるが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の絶縁封止物は支持基板上の絶縁基板及び支持基板上のリード導体の部分を保護するものであればよく、例えば、これら絶縁基板及びリード導体の部分を被覆するように寸法設定された絶縁ケースを使用してもよい。
【符号の説明】
【００３３】
１ 膜抵抗
２ リード導体用膜電極
３ ヒューズエレメント用膜電極
４ 絶縁基板
５ リード導体
６ リード導体
７ ヒューズエレメント
８ 支持基板
９ 絶縁封止物
１３ 膜電極
【図１】
0005433455.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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