(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサに向けて単色平行光を投光する光源と、前記ラインセンサの出力を解析して前記単色平行光の光路に位置付けられた物体のエッジを検出する演算部とを備え、前記演算部は、透明または半透明の物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンをその一端部から他端部に向けてサーチした際の光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置を前記物体の第１の検出位置として求める第１の位置検出手段と、検出した第１の検出位置から更に光量が低下した後に、前記自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した位置を前記物体の第２の検出位置として求める第２の位置検出手段とを具備したエッジセンサと、
このエッジセンサにおける前記ラインセンサを前記透明または半透明の物体のエッジに沿って移動させる走査手段と、
このラインセンサの走査に伴って前記エッジセンサにおける前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ求められた第１および第２の検出位置の変化を監視し、第１または第２の検出位置の変化量が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段と
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】
複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサに向けて単色平行光を投光する光源と、前記ラインセンサの出力を解析して前記単色平行光の光路に位置付けられた物体のエッジを検出する演算部とを備え、前記演算部は、透明または半透明の物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンをその一端部から他端部に向けてサーチした際の光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置を前記物体の第１の検出位置として求める第１の位置検出手段と、検出した第１の検出位置から更に光量が低下した後に、前記自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した位置を前記物体の第２の検出位置として求める第２の位置検出手段とを具備したエッジセンサと、
このエッジセンサにおける前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ検出される第１および第２の検出位置の差を遮光幅として求める遮光幅検出手段と、
前記エッジセンサにおける前記ラインセンサを前記透明または半透明の物体のエッジに沿って移動させる走査手段と、
前記ラインセンサの走査に伴って前記遮光幅検出手段により求められた遮光幅を監視し、該遮光幅が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段と
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項３】
複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサに向けて単色平行光を投光する光源と、前記ラインセンサの出力を解析して前記単色平行光の光路に位置付けられた物体のエッジを検出する演算部とを備え、前記演算部は、透明または半透明の物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンをその一端部から他端部に向けてサーチした際の光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置を前記物体の第１の検出位置として求める第１の位置検出手段と、検出した第１の検出位置から更に光量が低下した後に、前記自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した位置を前記物体の第２の検出位置として求める第２の位置検出手段とを具備したエッジセンサと、
前記透明または半透明の物体を前記エッジセンサにおけるラインセンサと交差する方向に移動させる走査手段と、
前記物体の走査に伴って前記エッジセンサにおける前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ求められる第１および第２の検出位置の変化を監視し、第１または第２の検出位置の変化量が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段と
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項４】
複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサに向けて単色平行光を投光する光源と、前記ラインセンサの出力を解析して前記単色平行光の光路に位置付けられた物体のエッジを検出する演算部とを備え、前記演算部は、透明または半透明の物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンをその一端部から他端部に向けてサーチした際の光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置を前記物体の第１の検出位置として求める第１の位置検出手段と、検出した第１の検出位置から更に光量が低下した後に、前記自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した位置を前記物体の第２の検出位置として求める第２の位置検出手段とを具備したエッジセンサと、
このエッジセンサにおける前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ検出される第１および第２の検出位置の差を遮光幅として求める遮光幅検出手段と、
前記透明または半透明の物体を前記エッジセンサにおけるラインセンサと交差する方向に移動させる走査手段と、
前記物体の走査に伴って前記遮光幅検出手段により求められた遮光幅を監視し、該遮光幅が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段と
を具備したことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項５】
前記透明または半透明の物体はガラス板であって、前記欠陥検出手段は上記ガラス板のエッジにおける欠けまたはひび割れを検出するものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶ガラスのエッジにおける欠けやひび割れを検出するに適したエッジセンサおよびこのエッジセンサを用いた欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
物体のエッジ位置を高精度に検出する手法として、本発明者は先に物体のエッジにおける単色平行光のフレネル回折に着目し、複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサを用いて検出される光量分布パターンを解析することで上記ラインセンサにおける受光セルの配列ピッチ以上の精度で上記物体のエッジ位置を検出することを提唱した（例えば特許文献１を参照）。
【０００３】
また液晶ガラス等の透明体や半透明体についても、上述したフレネル回折に着目することでそのエッジ位置を高精度に検出する手法を提唱した（例えば特許文献２を参照）。
【特許文献１】特許第３８５８９９４号公報
【特許文献２】特開２００７-６４７３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながらガラス体のエッジに欠けやひび割れが存在すると、ガラス体の内部における上記欠けやひび割れに起因する欠陥部位で反射した光の影響を受けるので、前述したフレネル回折による光量分布パターンからそのエッジを正確に検出することが困難となる。しかもエッジに欠けやひび割れがあるガラス体のエッジ位置を、そのエッジに沿ってラインセンサを移動させながら検出しても、エッジ位置の変化を明確に検出することが困難である。この為、ガラス体における欠けやひび割れが生じた欠陥部位を特定することも困難である。
【０００５】
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、その目的は、物体のエッジにおけるフレネル回折により生じた光量分布パターンから上記物体のエッジ位置を検出するエッジセンサであって、例えば液晶ガラスのような透明または半透明の物体に生じた欠けやひび割れ等の欠陥を確実に検出することのできるエッジセンサを提供することにある。
また同時に本発明は上記エッジセンサを用いて、例えば液晶ガラスのような透明または半透明の物体に生じた欠けやひび割れ等の欠陥部位を精度良く検出することのできる欠陥検査装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した目的を達成するべく本発明に係るエッジセンサは、複数の受光セルを所定のピッチで配列したラインセンサと、このラインセンサに向けて単色平行光を投光する光源と、前記ラインセンサの出力を解析して前記単色平行光の光路に位置付けられた物体の特定位置（エッジ位置）を検出する演算部とを備えたものであって、
前記演算部は、例えば前記ラインセンサの出力を自由空間側からサーチして前記ラインセンサ上での光量分布パターンを解析するように構成され、特に
<Ａ>  透明または半透明の物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンをその一端部から他端部に向けてサーチした際の光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置を前記物体の第１の検出位置として求める第１の位置検出手段と、
<Ｂ>  検出した第１の検出位置から更に光量が低下した後に、前記自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した位置を前記物体の第２の検出位置として求める第２の位置検出手段と
を備えることを特徴としている。尚、前記第１および第２の光量閾値については、個々に設定しても良いが、同じ値として与えることも可能である。
【０００７】
また本発明に係る欠陥検査装置は、上述した構成のエッジセンサを備えて構成されるものであって、
<ａ>  前記エッジセンサにおける前記ラインセンサを前記透明または半透明の物体のエッジに沿って移動させる、または透明または半透明の物体を前記エッジセンサにおけるラインセンサと交差する方向に移動させる走査手段と、
<ｂ>  前記ラインセンサまたは前記物体の走査に伴って前記エッジセンサの前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ検出される第１および第２の検出位置の変化を監視し、第１または第２の検出位置の変化量が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段とを具備したことを特徴としている。
【０００８】
また本発明に係る別の欠陥検査装置は、上述した構成のエッジセンサを備えて構成されるものであって、
<ｃ>  前記エッジセンサの前記第１および第２の位置検出手段にてそれぞれ検出される第１および第２の検出位置の差を遮光幅として求める遮光幅検出手段と、
<ａ>  前記エッジセンサにおける前記ラインセンサを前記透明または半透明の物体のエッジに沿って移動させる、または透明または半透明の物体を前記エッジセンサにおけるラインセンサと交差する方向に移動させる走査手段と、
<ｄ>  前記ラインセンサまたは前記物体の走査に伴って前記遮光幅検出手段により求められた遮光幅を監視し、該遮光幅が予め設定した閾値を超えるときにイベントを発する欠陥検出手段とを具備したことを特徴としている。
【０００９】
ちなみに前記透明または半透明の物体はガラス板であって、前記欠陥検出手段は上記ガラス板のエッジにおける欠けまたはひび割れ、更には凹み（エッジラインを変形させる大きな欠け）を検出して欠陥の存在を示すイベントを発するように構成される。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成のエッジセンサによれば、物体のエッジにおいて生じた光量分布パターンからその光量が、自由空間での光量を基準として定められる第１の光量閾値まで低下した位置（光量の大きな変化部位）を前記物体の第１の検出位置（例えばエッジ位置）として検出すると共に、前記物体が透明または半透明であるが故に上記の如く検出した第１の検出位置よりも物体側に生じる光量の大きな変化部位を、前記第１の検出位置から更に光量が低下した後に、自由空間での光量を基準として定められる第２の光量閾値まで増加した第２の検出位置として検出するので、これらの２つの検出位置の関係から前記物体のエッジにおける欠陥の有無を判定することが可能となる。
【００１１】
即ち、物体のエッジに欠けやひび割れ等の欠陥が存在する場合、これらの欠陥に起因して透明または半透明の物体の内部における光の透過作用が変化し、欠陥のない正常なエッジにおいて生じた光量分布パターンとは異なる光量分布パターンとなるので、この光量分布パターンの変化を上述した２つの検出位置から容易に判定することが可能となる。この結果、前記２つの検出位置の関係から物体のエッジにおける欠陥の有無を容易に判定することが可能となる。
【００１２】
また本発明に係る欠陥検査装置によれば、エッジセンサにおける前記ラインセンサを前記透明または半透明の物体のエッジに沿って移動させながら、または透明または半透明の物体を前記エッジセンサにおけるラインセンサと交差する方向に移動させながら前記第１および第２の検出位置をそれぞれ求め、これらの検出した検出位置のトレンドを求めるので、前述した２つの検出位置の変化から欠けやひび割れの欠陥を検出し得ると共に、欠陥が検出されたときの上記検出位置検出部位の情報（走査位置情報）から、その欠陥の存在位置を容易に特定することが可能となる。
【００１３】
従って透明または半透明の物体のエッジでの光量分布パターンの変化に着目しながら、上記物体のエッジにおける欠けやひび割れ等の欠陥の存在を簡易に、しかも効果的に検出することができるので、その実用的利点が多大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係るエッジセンサと、このエッジセンサを用いた欠陥検査装置について説明する。
図１は、例えば液晶ガラス等の透明または半透明の物体Ａの特定位置（例えばエッジ位置）を検出するエッジセンサ１０と、このエッジセンサ１０による前記物体Ａの位置検出対象部位を走査しながら前記エッジセンサ１０の出力を監視して前記物体Ａにおける欠陥の有無を検査する欠陥検査装置の概略構成図である。
【００１５】
このエッジセンサ１０は、複数の受光セルを所定ピッチで直線上に配列したラインセンサ１１と、このラインセンサ１１に向けて単色平行光を投光する光源１２とを所定の距離を隔てて対向配置した光学ヘッド１３、および上記ラインセンサ１１の出力を解析して前記単色平行光の光路中におかれた物体Ａの特定位置（例えばエッジ位置）を検出する演算器１４とを備えて構成される。
【００１６】
尚、光学ヘッド１３の基本的な構造（構成）については前述した特許文献１,２等に記載されるように良く知られている通りである。また前記エッジセンサ１０による前記物体Ａの位置検出対象部位の走査は、前記エッジセンサ１０における前記ラインセンサ１１（光学ヘッド１３）を前記透明または半透明の物体Ａのエッジに沿って移動させることによって行われる。或いは逆に前記透明または半透明の物体Ａを前記エッジセンサ１０におけるラインセンサ１１と交差する方向、具体的には複数の受光セルの配列方向と交差する方向に移動させることによって、その走査が行われる。
【００１７】
また前記演算器１４は、例えばＣＰＵによって実現されるものであって、前述した物体Ａのエッジにおいて生じる前記ラインセンサ１１上での光量分布パターンを該ラインセンサ１１の出力から解析して前記物体Ａの特定位置（例えばエッジ位置を含む後述する第１および第２の検出位置）を算出する機能を備える。ここで、前記光量分布パターンは一般的に前記単色平行光に生じるフレネル回折によるパターンとなる。
【００１８】
ちなみに前記演算器１４は、基本的には前記物体Ａによって遮られることのない自由空間での前記ラインセンサ１１による受光量を［１］に正規化したとき、前記光量分布パターンの立ち上がり部分においてその受光量が［０.２５］となる位置を前記物体Ａの検出位置（エッジ位置）として検出するように構成される。換言すれば前記演算器１４は、前記フレネル回折による光量分布パターン上において、その光量が自由空間での光量［１］を基準として定められる所定の光量閾値［０.２５］となる位置を物体Ａの特定位置（エッジ位置）として検出するように構成される。
【００１９】
さて本発明は、検出対象とする物体Ａが透明または半透明であるが故に前記ラインセンサ１１の出力が、例えば図２に示すように物体Ａが位置付けられていない自由空間での受光量が多いことのみならず、上記物体Ａが位置付けられた部分においても該物体Ａを透過した単色平行光がラインセンサ１１に到達するのでその受光量が多いこと、そして物体が遮光体である場合には、エッジ部分において受光量がさほど大きく低下することはないが、物体Ａのエッジ部分においてのみフレネル回折の影響によってその受光量が或る程度低くなることに着目している。これに加えて前記物体Ａのエッジに欠けやひび割れ等の欠陥が存在する場合、その欠陥部分における前記単色平行光のランダムな回折や屈折、更には乱反射等の影響を受けて、直線状のエッジ（ナイフエッジ）にてフレネル回折が生じた場合に比較して、上述した受光量が低下する（落ち込む）部位の幅が広くなることに着目している。
【００２０】
即ち、光学ヘッド１３を用いて透明な物体である液晶ガラスの検出位置を検出したときのラインセンサ１１の出力を図３(ａ)〜(ｄ)にそれぞれ示すように、上記液晶ガラスのエッジに欠陥があるか否かによってその受光量の分布パターンに違いが生じる。尚、図３(ａ)は欠陥の存在しないエッジ部分における受光分布パターンであり、図３(ｂ)はエッジ部分に微小な欠けが存在するときの受光分布パターン、図３(ｃ)はエッジ部分にひび割れが存在するときの分布パターン、そして図３(ｄ)はエッジ部分に欠けに起因する凹みが存在するときの分布パターンをそれぞれ示している。
【００２１】
図３(ａ)〜(ｄ)にそれぞれ示す受光量の分布パターンに見られるように、物体Ａのエッジに欠陥が存在しない場合に比較して欠けやひび割れ等の欠陥が存在した場合、エッジ部分での光量の落ち込みが大きくなる共に、光量の落ち込みの幅が広くなる。しかし自由空間側において検出される光量の落ち込み位置は、欠陥の有無に拘わらず殆ど変化しない。また物体側において検出される光量の落ち込み位置は、欠陥の種類やその程度によって大きく変化し、またその落ち込み方（光量変化のパターン）も種々変化する。また検出位置に欠陥が存在する場合、本来的には略一様に光が透過する筈の物体Ａ側の受光量に大きなバラツキが生じる。
【００２２】
そこで本発明に係るエッジセンサ１０においては、前記ラインセンサ１１の出力を前記物体Ａが位置付けられることのない自由空間側からサーチして前記物体Ａのエッジにおいて生じたフレネル回折によって光量が急激に低下する部分から前記物体Ａの第１の検出位置αを求める第１の位置検出手段１５を備えると共に、この第１の位置検出手段１５により求められた第１の検出位置αから更に受光量が低下した後、再び受光量が増加した位置を前記物体Ａの第２の検出位置βとして求める第２の位置検出手段１６を備えて構成される。
【００２３】
ちなみにこの実施形態においては、例えば受光量が自由空間側での正規化光量［１.０］から［０.８２５］まで低下した位置、つまり予め設定した第１および第２の光量閾値まで低下した位置を前記第１および第２の検出位置α,βとしてそれぞれ検出するものとなっている。尚、ここでは第１および第２の光量閾値については、同じ値［０.８２５］として設定しているが、互いに異なる値として設定することも可能である。またこの実施形態においては、特に前記ラインセンサ１１の出力を自由空間側からサーチすることで、欠陥に起因して物体Ａ側に生じる受光量の不規則な変化に拘わることなく、物体Ａの検出位置（エッジ位置）に対応する受光量の落ち込み部分を特定するに必要な第１および第２の検出位置α,βをそれぞれ確実に検出するものとなっている。しかし前記ラインセンサ１１の出力を物体Ａ側からサーチするように構成しても構わない。また受光量の正規化を行うに際して、予め物体Ａを設置しない状態で自由空間での光量を測定して記憶しておき、検出にあたってこれに基づく正規化を行っても良いし、検出結果から受光量の低下が小さい領域を自由空間として扱っても構わない。
【００２４】
さてこのようなエッジセンサ１０にて検出された物体Ａの検出位置（第１および第２の検出位置α,β）の情報を用いて前記物体Ａの欠陥検査を行う欠陥検査装置は、前記光学ヘッド１３による物体Ａの検出位置の検出対象部位を、該物体Ａのエッジに沿って移動させる走査手段（走査機構）２１を備える。この走査手段２１は、物体Ａをそのエッジに沿って平行移動させる機能を備えた物体支持機構（図示せず）であっても良く、逆に前述した光学ヘッド１３を前記物体Ａのエッジに沿って平行移動させるヘッド移動機構（図示せず）であっても良い。即ち、走査手段２１は、物体Ａをラインセンサ１１と交差する方向に平行移動させるものであっても良く、逆にラインセンサ１１を物体Ａのエッジに沿って平行移動させるものであっても良い。
【００２５】
このような走査手段２１に加えて前記欠陥検査装置は、上述した位置検出対象部位の走査に伴って前記演算器（ＣＰＵ）１４による前述した第１および第２の検出位置α,βの検出処理を逐次実行させ、その出力（第１および第２の検出位置α,β）の変化を監視することで物体Ａのエッジにおける欠けやひび割れ等の欠陥の有無を検出する欠陥検出手段（トレンド判定手段）２２とを備える。尚、この実施形態においては前記エッジセンサ１０により検出された第１および第２の検出位置α,βの情報を、一旦、メモリ２３に記憶した後、第１および第２の検出位置の変化パターン（トレンド）を前記欠陥検出手段２２に読み出して欠陥検査に供するものとなっている。
【００２６】
そして前記欠陥検出手段（トレンド判定手段）２２においては、例えば前述した第１の検出位置αまたは第２の検出位置βの変化幅が、予め設定した許容幅を超えるとき、これを「欠陥有り」として判定している。同時に「欠陥有り」と判定したときの前記物体Ａの欠陥検査部位（走査位置）を欠陥存在部位として検出している。尚、第１の検出位置αまたは第２の検出位置βの変化幅に対する許容幅は、物体Ａのエッジに要求される直線性の程度に応じて設定される。
【００２７】
また或いは前記欠陥検出手段（トレンド判定手段）２２は、例えば前記第１の検出位置αと前記第２の検出位置βとの差を前述した光量分布パターンにおける光量の落ち込み幅（遮光幅）として検出し、前記物体Ａのエッジを走査したときの上記検出位置α,βの差（光量の落ち込み幅）の変化を監視している。そして検出位置の差（光量の落ち込み幅）が予め設定した許容値を超えるとき、これを「欠陥有り」として判定している。この場合においても、「欠陥有り」と判定したときの前記物体Ａの欠陥検査部位（走査位置）を欠陥存在部位として検出する。尚、上記検出位置の差（光量の落ち込み幅）に対する許容値は、物体Ａのエッジに要求される直線性の程度に応じて設定される。
【００２８】
このように本欠陥検査装置においては、前述したエッジセンサ１０によって透明または半透明の物体Ａの検出位置を前述した第１および第２の検出位置α,βとしてそれぞれ検出すると共に、その位置検出対象部位を該エッジに沿って移動させながら前記第１および第２の検出位置α,βの変化の様子（トレンド）を監視するように構成されている。従って本装置によれば、予め設定された許容値を超える第１または第２の検出位置α,βの変化が検出されたとき、或いは第１の検出位置αと第２の検出位置βとの差が許容幅を超えるとき、これを物体Ａのエッジに欠けやひび割れ等の欠陥が存在するとして確実に検出することができる。また同時に本装置によれば、物体Ａのエッジのどの部位に欠けやひび割れ等の欠陥が存在するかを検出することが可能となる。
【００２９】
図４(ａ)は欠けのある液晶ガラスをサンプルとしてエッジ検出を行ったときの第１および第２の検出位置α,βの変化の様子を示している。このサンプル検査においては、第１の検出位置αについては殆ど変化が見られないが、第２の検出位置βについては欠けの部分に相当する幅に亘って大きな変化が見られる。また図４(ｂ)はひび割れのある液晶ガラスをサンプルとしてエッジ検出を行ったときの第１および第２の検出位置α,βの変化の様子を示している。そしてこのサンプル検査においても、第１の検出位置αについては殆ど変化が見られないが、第２の検出位置βについてはひび割れ部分に相当する幅に亘って大きな変化が見られる。
【００３０】
また図４(ｃ)は欠けに起因する凹みのある液晶ガラスをサンプルとしてエッジ検出を行ったときの第１および第２の検出位置α,βの変化の様子を示している。このサンプル検査においては、第１の検出位置αについては凹み部分において若干の変化が見られるが、むしろ第２の検出位置βについては凹み部分に相当する幅に亘って大きな変化が見られる。尚、図５(ａ）〜(ｃ）は図４(ａ）〜(ｃ）にそれぞれ対応するものであって、エッジセンサ１０または半透明体Ａの移動量を横軸にして第１および第２の検出位置α,βの変化の様子を表したものである。このようにしてエッジ検出結果を表しても上述した図４(ａ)〜(ｃ)に示した変化の様子と同様の傾向を見ることが可能である。
【００３１】
従って前述したように一般的なエッジセンサにおいて検出される第１の検出位置αに加えて、第２の検出位置βを検出するようにした本発明に係るエッジセンサ１０を用い、物体Ａのエッジを走査したときの前記第１および第２の検出位置α,βの変化の様子を監視するようにした本発明に係る欠陥検査装置によれば、液晶ガラス等の物体のエッジに生じた欠けやひび割れ等の微小な欠陥を確実に検出することができる。しかも上記欠陥の存在箇所についても検出することができるので、例えば液晶ガラスの品質を管理する上でその実用的利点が絶大である。
【００３２】
また欠陥を検出した場合、それに応じた所定のイベントを行うよう構成することが望まれる。イベントとしては、例えば警告や警報を発するよう動作指示を行う、或いは物体Ａを不良として工程から除去する除去装置を別途設け、これに対し当該除去処理を実行させる旨の指示を行うなどの手段を取るよう構成すれば良い。これにより、容易に欠陥が存在する製品への対応を行うことが可能となる。
【００３３】
ところで物体Ａのエッジに欠けやひび割れ等の欠陥が存在すると、図３(ａ)〜(ｄ)を参照して説明したように物体Ａ側においても受光量の変化が生じる。従って透明または半透明の物体Ａに汚れがなく、またその物体Ａ部分（物体内部）での光量が安定していることが保証されるような場合には、例えば正常な物体Ａの内部側の図３(ａ)に示すような光量分布を予め求めておき、検査対象とする物体Ａの内部側の光量分布を上記光量分布と比較して欠陥検査することも可能である。そして検査対象とする物体Ａの内部側の光量分布が図３(ｂ)〜(ｄ)にそれぞれ示すように求められ、図３(ａ)に示す正常な物体Ａの光量分布と異なるとき、これを欠けやひび割れ等の欠陥が存在するとして判定することも可能である。またこの手法を前述した第２の検出位置の変化を判定する手法と併用すれば、より一層、物体Ａのエッジにおける微小欠陥の検出を行うことが可能となる。
【００３４】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば第１および第２の検出位置α,βを検出する上での第１および第２の光量閾値については前述した［０.８２５］に特定されるものではなく、エッジに欠陥のない透明または半透明の物体Ａの検出位置を検出した際のエッジ部分における光量の落ち込み程度に応じて設定すれば良いものである。またラインセンサ１１による検出幅については、ラインセンサ１１と物体Ａとの距離（ワーキングディスタンス）等に応じて定めれば良い。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るエッジセンサおよび欠陥検出装置の概略構成を示す図。
【図２】ラインセンサによる光量分布パターンと前記エッジセンサにおいて検出する検出位置との関係を示す図。
【図３】エッジにおける欠陥の有無とその種類によって変化する光量分布パターンの変化を対比して示す図。
【図４】検査部位の走査に伴う第１および第２の検出位置の変化の様子を示す図。
【図５】エッジセンサまたは半透明体の移動量に対する第１および第２の検出位置の変化の様子を示す図。
【符号の説明】
【００３６】
１０  エッジセンサ
１１  ラインセンサ
１２  光源
１３  光学ヘッド
１４  演算器（ＣＰＵ）
１５  第１の位置検出手段
１６  第２の位置検出手段
２１  走査手段（走査機構）
２２  欠陥検出手段（トレンド判定手段）
２３  メモリ
【図１】
0005408915.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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