(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層上に形成された第１導体層と、
前記第１導体層上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなる中間絶縁層と、
前記中間絶縁層上に、前記第１導体層と平面視上少なくとも一部が重複するように形成された第２導体層と、
前記第２導体層上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含む導体部を有するものであり、
前記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みの前記透明性ポリイミド樹脂の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記透明性ポリイミド樹脂が、ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂を用いてなるものであり、
前記透明性ポリイミド樹脂に含まれる感光剤の残渣の含有量が、１５質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記感光剤がクマル酸アミド系光塩基発生剤であることを特徴とする請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚さが、２４μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板の検査方法であって、
前記サスペンション用基板のカバー絶縁層側から少なくとも波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の入射光を照射し、反射光を検出することにより、前記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出することを特徴とするサスペンション用基板の検査方法。
【請求項６】
前記入射光が、長波長域の光を含み、前記ズレ幅の検出と同時に異物の検出を行うことを特徴とする請求項５に記載のサスペンション用基板の検査方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を製造するサスペンション用基板の製造方法であって、
前記金属支持基板を形成可能な金属支持基板形成用層、前記金属支持基板形成用層の表面上に形成され、前記ベース絶縁層を形成可能なベース絶縁層形成用層、および前記ベース絶縁層形成用層上に形成され、前記第１導体層を形成可能な第１導体層形成用層が積層された積層体を準備し、これをエッチングすることにより、前記金属支持基板形成用層から、前記金属支持基板を、前記ベース絶縁層形成用層から、ベース絶縁層を、前記第１導体層形成用層から前記第１導体層を形成する工程と、
前記第１導体層上に前記中間絶縁層を形成する工程と、
前記中間絶縁層上に前記第２導体層を形成する工程と、
前記第２導体層上にカバー絶縁層を形成する工程と、
を有するサスペンション用基板形成工程を行い、
前記サスペンジョン用基板形成工程で得た前記サスペンション用基板に対し、請求項５または請求項６に記載のサスペンション用基板の検査方法により検査する検査工程を行うことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項９】
請求項８に記載のサスペンションと、前記サスペンションのスライダ実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１０】
請求項９に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタック構造の第１導体層および第２導体層の平面視上のズレ検出が容易なサスペンション用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そのため、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）にも高機能化が求められている。
【０００３】
サスペンション用基板に形成されるリード配線およびライト配線としては、一般的には、それぞれ絶縁層上に一対の配線からなるものが用いられ、差動伝送により電気信号の伝送が行われる。
ここで、このような一対の配線間（第１導体層および第２導体層）には、差動伝送路の特性インピーダンスが存在する。そして、このような特性インピーダンスについては、それぞれ、リード配線およびライト配線が接続される読み取り用（再生用）および書き込み用（記録用）のヘッドのインピーダンスにマッチングするように調整される。
【０００４】
一対の配線（第１導体層および第２導体層）の配置としては、従来、絶縁層の同一表面上に形成されていた。これに対して、配線の高密度化やインピーダンスの低下を目的として、一対の配線における一方の配線（第１導体層）と他方の配線（第２導体層）とを、絶縁層を介して積層したスタック構造のサスペンション用基板が知られている（特許文献１の図９）。スタック構造のサスペンション用基板では、特性インピーダンスの調整のために、上記第１導体層および第２導体層どうしが平面視上所定の幅で重なるように配置される必要がある。
【０００５】
しかしながら、近年の低消費電力化に伴い、電圧を下げる必要が生じている。一方、磁化反転のために必要な電流値は決まっていることから、従来と同一の電流が必要になる。このため、電圧が下がった場合であってもそれまでと同一の電流をえるために、低インピーダンス化が必要となる。
また、インピーダンス・マッチングをとるために要求される特性インピーダンスの精度は、目的のインピーダンス値の±数％であり、特性インピーダンスが低くなると、それに伴い要求される精度の絶対値が小さくなる。
このため、スタック構造の場合には、上記導体層どうしの平面視上の重なりの程度、すなわち、上記第１導体層および第２導体層の位置精度をより高精度でコントロールする必要が生じている。
しかしながら、スタック構造の導体層が位置精度良く形成されているかを精度良く検出するには、最終的に製造されたサスペンション用基板を切断し、その断面を測定する等の方法しかなく、全数検査が困難であるといった問題や、時間や手間がかかり非効率的であるといった問題があった。
また、その結果、上記サスペンション用基板をＨＤＤに組み込んだ後に特性インピーダンスの調整が不十分である等の不具合が発見され、歩留まりが低下し、コスト上昇の要因となるといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、スタック構造の第１導体層および第２導体層の平面視上のズレ検出が容易なサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された第１導体層と、上記第１導体層上に形成されたポリイミド樹脂からなる中間絶縁層と、上記中間絶縁層上に、上記第１導体層と平面視上少なくとも一部が重複するように形成された第２導体層と、上記第２導体層上に形成されたポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含む導体部を有するものであり、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みの上記透明性ポリイミド樹脂の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００９】
本発明によれば、上記透明性ポリイミド樹脂の厚みを上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合に、上記透明性ポリイミド樹脂の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることにより、上記第１導体層および第２導体層がスタック構造を有するものである場合であっても、上記カバー絶縁層表面から４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の光により、上記第１導体層および第２導体層の平面視上のズレ検出の容易なものとすることができる。
また、上記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含むものであることにより、上記波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の光を用いたズレ検出の容易なものとすることができる。
【００１０】
本発明においては、上記透明性ポリイミド樹脂が、ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂を用いてなるものであり、上記透明性ポリイミド樹脂に含まれる感光剤の残渣の含有量が１５質量％以下であることが好ましい。上記透明性ポリイミド樹脂が感光性ポリイミド樹脂を用いてなるものであることにより絶縁層の形成を容易なものとすることができ、また、上記感光剤の添加により容易に感光性を付与することができるからである。
また、上記感光剤の残渣の含有量が上記範囲内であることにより、上記波長の光の透過率の高いものとすることができるからである。
【００１１】
本発明においては、上記感光剤が、クマル酸アミド系光塩基発生剤であることが好ましい。上記感光剤残渣の含有量を少ないものとすることが容易だからである。
【００１２】
本発明においては、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚さが、２４μｍ以上であることが好ましい。上記導体層や絶縁層の厚み等について設計の自由度の高いものもとすることができるからである。
【００１３】
本発明は、上述のサスペンション用基板の検査方法であって、上記サスペンション用基板のカバー絶縁層側から少なくとも波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の入射光を照射し、反射光を検出することにより、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出することを特徴とするサスペンション用基板の検査方法を提供する。
【００１４】
本発明によれば、上述のサスペンション用基板であることにより、上記光を用いて、上記ズレ幅を容易に検出することができる。
【００１５】
本発明においては、上記入射光が、長波長域の光を含み、上記ズレ幅の検出と同時に異物の検出を行うことが好ましい。歩留まりを向上させることができるからである。
【００１６】
本発明は、上述のサスペンション用基板を形成するサスペンション用基板形成工程と、上記サスペンション用基板を上述のサスペンション用基板の検査方法により検査する検査工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１７】
本発明によれば、上記検査工程を有することにより、スタック構造の第１導体層および第２導体層の平面視上のズレを容易に検出することができる。このため、上記ズレの少ないサスペンション用基板を安定的に得ることができる。
【００１８】
本発明は、上述のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続安定性に優れたサスペンションとすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子（例えば、スライダ）と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２１】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、接続安定性に優れた素子付サスペンションとすることができる。
【００２２】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２３】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、安定性に優れたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明は、スタック構造の第１導体層および第２導体層の平面視上のズレ検出が容易なサスペンション用基板を提供できるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板の検査方法の一例を示す説明図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板の他の例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のサスペンション用基板の形成方法の一例を示す工程図である。
【図５】本発明のサスペンション用基板の検査方法の一例を示す説明図である。
【図６】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。
【図７】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図８】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図９】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１０】実施例において作製した塗膜の入射光に対する反射光の強度の測定結果である。
【図１１】実施例において作製した塗膜の入射光に対する反射光の強度の計算結果（１μｍ換算）である。
【図１２】実施例において作製した塗膜の入射光に対する反射光の強度の計算結果（２７μｍ換算）である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、サスペンション用基板、それを用いたサスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブ、ならびにその検査方法および製造方法に関するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション用基板の検査方法、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２７】
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成されたベース絶縁層と、上記ベース絶縁層上に形成された第１導体層と、上記第１導体層上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなる中間絶縁層と、上記中間絶縁層上に、上記第１導体層と平面視上少なくとも一部が重複するように形成された第２導体層と、上記第２導体層上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含む導体部を有するものであり、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みの上記透明性ポリイミド樹脂の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることを特徴とするものである。
【００２８】
このような本発明のサスペンション用基板について図を参照して説明する。図１は本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図１に例示するように、本発明のサスペンション用基板１０は、上記金属支持基板１と、上記金属支持基板１上に形成されたベース絶縁層２と、上記ベース絶縁層２上に形成された銅を含む導体部３およびめっき層４を有する第１導体５と、上記第１導体層５上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなる中間絶縁層６と、上記中間絶縁層６上に形成された銅を含む導体部３およびめっき層４を有する第２導体層７と、上記第２導体層７上に形成された透明性ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層８と、を有するものであって、上記中間絶縁層６およびカバー絶縁層８の合計の厚みの上記透明性ポリイミド樹脂の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であること、すなわち、上記カバー絶縁層８表面から４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光を照射した場合の、上記ベース絶縁層２表面からの反射光の強度が２５％以上のものである。
【００２９】
波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の光は、銅による反射率が十分に高い。このため、銅を含む上記導体層を安定的に検出することができる。また、上記波長の光は、より波長の長い赤色等の光と比較して散乱率が高く、上記導体層を高精度で検出することができる。また、上記波長より短い紫外光等の短波長光と比較してカメラ感度が高く、上記導体層のズレ幅を高精度で検出することができ、また光の照射時に上記サスペンション用基板を構成する材料が焼ける等の不具合の少ないものとすることができる。
また、上記入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることにより、上記カバー絶縁層側からみてより深い位置に形成される第１導体層を、上記中間絶縁層やカバー絶縁層と十分に区別して判別することができる。
このように上記絶縁層が上記波長の光を十分に透過できることにより、各構成に劣化を生じることなく、上記銅を含む導体層のズレ幅を高精度で検出することができる。
【００３０】
本発明によれば、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みの上記透明性ポリイミド樹脂の、すなわち、上記透明性ポリイミド樹脂を、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることにより、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層に、上記カバー絶縁層表面から４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光を照射することで、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層に覆われる第１導体層および第２導体層の平面視形状を精度良く検出することを可能とし、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりの幅の、設計上の上記重なりの幅からのズレであるズレ幅を安定的に検出することができる。
したがって、上記第１導体層および第２導体層がスタック構造を有するものである場合であっても、上記カバー絶縁層表面から４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の光により、上記第１導体層および第２導体層の平面視上のズレ検出の容易なものとすることができる。
また、上記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含むものであることにより、上記波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の光を用いたズレ検出の容易なものとすることができる。
【００３１】
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、ベース絶縁層、第１導体層、中間絶縁層、第２導体層およびカバー絶縁層を少なくとも有するものである。
以下、本発明のサスペンション用基板の各構成について詳細に説明する。
【００３２】
１．中間絶縁層およびカバー絶縁層
本発明に用いられる中間絶縁層およびカバー絶縁層は透明性ポリイミド樹脂からなるものである。
【００３３】
（１）透明性ポリイミド樹脂
本発明に用いられる透明性ポリイミド樹脂は、その厚みを上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合の４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上のものである。
また、本発明において、入射光に対する反射光の強度とは、図２に示すように、対象物の表面側から照射した入射光の強度（入射光強度）に対する、対象物の裏面で反射した光を表面側で検出した反射光の強度(反射光強度)の割合、すなわち、対象物の厚みをＨとすると、２Ｈの厚みの対象物を透過した場合の透過率を示すものである。
したがって、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合の入射光に対する反射光の強度とは、上記合計の厚みの２倍の厚みとした場合の透過率をいうものである。
また、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であるとは、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長のいずれの波長においても上記入射光強度に対する反射光強度の割合が２５％以上となることをいうものである。
本発明においては、上記透明性ポリイミド樹脂の上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合の、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度、すなわち、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層全体の上記波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上であるが、上記強度については高ければ高い程検出が容易になるので、上限については特に限定されるものではない。
【００３４】
このような透明性ポリイミド樹脂の透過率としては、上述の入射光に対する反射光の強度を達成することができるものであれば特に限定されるものではなく、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚み等により異なるものであるが、例えば、厚みが１μｍの場合において、上記４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の光の透過率が８０％以上であることが好ましく、なかでも、８０％〜９９％の範囲内であることが好ましく、特に８５％〜９５％の範囲内であることが好ましい。上記透過率が上述の範囲内であることにより、上記絶縁層の上記波長の光の透過率を上記範囲とすることが容易だからである。
【００３５】
本発明に用いられる透明性ポリイミド樹脂は、主成分としてポリイミド樹脂を含むものである。
ここで、主成分として含むとは、上記ポリイミド樹脂の含有量が、上記透明性ポリイミド樹脂中に５０質量％以上であることをいうものであり、なかでも本発明においては、６５質量％以上であることが好ましく、特に、７０質量％以上であることが好ましく、中でも特に８０質量％以上であることが好ましい。上記ポリイミド樹脂の含有量が上述の範囲内であることにより、絶縁性に優れたものとすることができるからである。
なお、上記透明性ポリイミド樹脂に含まれるポリイミド樹脂の含有量は高ければ高いほど良いため、上限については特に限定されるものではない。
【００３６】
本発明に用いられる透明性ポリイミド樹脂は、主成分として上記ポリイミド樹脂を含み、上述の光学的特性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられるものを使用することができる。具体的には、ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂からなるものや、上記ポリイミド成分を含み上記感光剤を実施的に含まない非感光性ポリイミド樹脂からなるものを用いることができる。
上記透明性ポリイミド樹脂が感光性ポリイミド樹脂からなるものであることにより、上記絶縁層の形成を容易なものとすることができるからである。また、上記非感光性ポリイミド樹脂からなるものであることにより、反り等の少ないものとすることができるからである。
【００３７】
本発明においては、上記透明性ポリイミド樹脂が、上記ポリイミド成分および感光剤を含む感光性ポリイミド樹脂からなるものである場合には、上記透明性ポリイミド樹脂に含まれる感光剤の残渣の含有量が、１０質量％以下であることが好ましく、なかでも５質量％以下であることが好ましく、特に、３質量％以下であることが好ましく、なかでも特に、実質的に感光剤の残渣を含まないことが好ましい。上記感光剤の残渣の含有量が上述の範囲であることにより、上記波長の光の透過率の高いものとすることができるからである。
なお、上記感光剤の残渣の含有量の測定方法としては、上記感光剤の残渣の含有量を精度良く測定できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、感光剤を含まない非感光性ポリイミド樹脂を用いて形成された透明性ポリイミド樹脂の熱重量減少温度を比較することで判断することができる。より具体的には、上記非感光性ポリイミド樹脂を上記感光性ポリイミド樹脂と同条件の熱処理でイミド化してなるものの熱重量減少温度を比較することで、判断することができる。
また、熱処理条件としては、上記中間絶縁層およびカバー層の形成時の条件と同様とすることができる。
【００３８】
（ａ）感光性ポリイミド樹脂
本発明に用いられる感光性ポリイミド樹脂は、上記ポリイミド成分および感光剤を含むものである。
【００３９】
（ｉ）ポリイミド成分
本発明に用いられるポリイミド成分としては、ポリイミドの状態で溶媒に可溶であるものを用いても良いし、加熱処理等のイミド化により上記ポリイミド樹脂となるポリイミド前駆体を用いたものでもよい。保存安定性の観点からは前者が好ましく、線膨張係数との諸特性との両立という観点からは、後者が好ましい。本発明においては、後者の前駆体を用いたものが、各種特性、特に線膨張係数の制御の観点から好ましく用いられる。また上記ポリイミド成分は、上記感光剤を含むことで感光性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。具体的には、下記式（１）で表される構造を有するポリイミド、および下記式（２）、（３）で表される構造を有するポリイミド前駆体を用いることができる。
【００４０】
【化１】
0005614258.tif 000002
【００４１】
【化２】
0005614258.tif 000003
【００４２】
【化３】
0005614258.tif 000004
【００４３】
（式（１）から（３）中、Ｒ1は４価の有機基、Ｒ２は２価の有機基であり、Ｒ３は水素原子もしくは１価の有機基繰り返されるＲ1同士およびＲ２同士、Ｒ３同士はそれぞれ同じであってもよく異なっていてもよい。ｎは１以上の自然数である。）
【００４４】
本発明におけるポリイミド成分としては、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーのみ用いても、上記式（１）、式（２）および式（３）のそれぞれの構造のみを有するポリマーを混ぜて使っても、１つのポリマー分子鎖中に上記式（１）、式（２）および式（３）の構造が混ざったものを用いることもできる。
本発明においては、上記ポリイミド成分が上記式（２）または（３）の構造のポリイミド前駆体を少なくとも含むものであることが好ましい。溶媒への溶解性に優れるからである。
本発明においては、なかでも、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル化物などの誘導体）が全体の５０％以上あることが望ましく、７５％以上であることがさらに好ましく、全て、下記式（２）で示されるポリアミック酸およびその誘導体であることが好ましい。
ポリアミック酸は、酸二無水物とジアミンを溶液中で混合するのみで得られるので、１段階の反応で合成することができ、合成が容易で低コストで入手できるからである。
【００４５】
また、副次的な効果として、用いるポリイミド成分が、上記式（２）で示されるようなポリアミック酸である場合、感光剤として用いられる塩基性物質の触媒効果によりイミド化に要する温度が低くても十分な為、最終キュア温度を３００℃未満、更に好ましくは２５０℃以下まで下げることが可能である。従来のポリアミック酸はイミド化するために最終キュア温度を３００℃以上とする必要があった為、用途が制限されていたが、最終キュア温度を下げることが可能になったことによって、より広範囲の用途に適用が可能である。
【００４６】
また、式（２）からなるポリアミック酸（およびその誘導体）については、合成の容易さおよびアルカリ現像液に対する溶解性の高さから、Ｒ３が全て水素原子であるポリアミック酸であることが特に好ましい。しかし、現像速度が速すぎて、パターン残存部の溶解性が高すぎる場合には、イミド化が進行したものを用いるもしくは、上記（２）および（３）におけるＲ３に１価の有機基を導入して溶解速度を下げることができる。
【００４７】
なお、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）の含有率は、１００％−イミド化率（％）で求めることができる。したがって、酸無水物由来のカルボキシル基（もしくはそのエステル）が全体の５０％である場合には、イミド化率が５０％であることを示す。
また、イミド化率は、例えば、赤外線吸収スペクトルを用いて確認することができる。具体的には、上記ポリイミド樹脂に含まれるイミド結合由来のＣ＝Ｏ二重結合のピーク面積から定量することにより求めることができる。
【００４８】
また、式（３）については、左右非対称であるが、１つのポリマー分子鎖中に左右の向きが異なるものが含まれていてもよい。
【００４９】
なお、Ｒ1の４価は酸と結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。同様に、Ｒ２の２価はアミンと結合するための価数のみを示しているが、他に更なる置換基を有していても良い。
【００５０】
上記式（１）から（３）において、一般に、Ｒ１は酸二無水物由来の構造であり、Ｒ２はジアミン由来の構造である。
【００５１】
本発明に用いられるポリイミド成分を製造する方法としては、従来公知の手法を適用することができる。例えば、上記（２）で表される構造を有するポリイミド前駆体の形成方法としては、（ｉ）酸二無水物とジアミンからポリアミック酸を合成する手法や、（ｉｉ）酸二無水物に１価のアルコールやアミノ化合物、エポキシ化合物等を反応させ合成したエステル酸やアミド酸モノマーのカルボン酸に、ジアミノ化合物やその誘導体を反応させて形成する手法などが挙げられるがこれに限定されない。
また、上記(３)で表される構造を有するポリイミド前駆体または上記(１)で表されるポリイミドの形成方法としては、上記（２）で表されるポリイミド前駆体を加熱によりイミド化する方法が挙げられる。
【００５２】
また、上記式（１）〜（３）で表される構造を有するポリイミド成分は、酸二無水物とジアミンの反応により得られるが、最終的に得られるポリイミド樹脂に優れた耐熱性及び寸法安定性を付与する点から、前記化学式（１）〜（３）において、Ｒ1又はＲ２が芳香族化合物であることが好ましく、Ｒ1及びＲ２が芳香族化合物であることがより好ましい。
本発明においては、最終的に得られるポリイミド樹脂に耐熱性及び寸法安定性を求める場合には、芳香族酸成分及び／又は芳香族アミン成分の共重合割合ができるだけ大きいことが好ましい。具体的には、イミド構造の繰り返し単位を構成する酸成分に占める芳香族酸成分の割合が５０モル％以上、特に７０モル％以上であることが好ましく、イミド構造の繰り返し単位を構成するアミン成分に占める芳香族アミン成分の割合が４０モル％以上、特に６０モル％以上であることが好ましく、全芳香族ポリイミドであることが特に好ましい。
またこのとき、前記化学式（１）〜（３）のＲ1において、当該Ｒ1に結合している４つの基（（−ＣＯ−）４）は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。同様に、前記化学式（１）〜（３）のＲ２において、当該Ｒ２に結合している２つの基（（−ＮＨ−）２）は同一の芳香環に結合していても良く、異なる芳香環に結合していても良い。
【００５３】
また、前記化学式（１）〜（３）で表されるポリイミド成分は、単一の繰り返し単位からなるものでも、２種以上の繰り返し単位から成るものでもよい。
【００５４】
本発明において、上記ポリイミド成分を得るための反応に適用可能な酸二無水物としては、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、メチルシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族テトラカルボン酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３’，３，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、１，４−ビス〔（３，４−ジカルボキシ）ベンゾイル〕ベンゼン二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、
【００５５】
２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝プロパン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、４，４’−ビス〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、４，４’−ビス〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕ビフェニル二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝ケトン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルホン二無水物、ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝スルフィド二無水物、２，２−ビス｛４−〔４−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス｛４−〔３−（１，２−ジカルボキシ）フェノキシ〕フェニル｝−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（２，３−又は３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ぺリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、ピリジンテトラカルボン酸二無水物、スルホニルジフタル酸無水物、ｍ−ターフェニル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、ｐ−ターフェニル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらは単独あるいは２種以上混合して用いられる。そして、特に好ましく用いられるテトラカルボン酸二無水物としてピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，６，６’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物が挙げられる。
【００５６】
併用する酸二無水物としてフッ素が導入された酸二無水物や、脂環骨格を有する酸二無水物を用いると、透明性をそれほど損なわずに溶解性や熱膨張率等の物性を調整することが可能である。また、ピロメリット酸無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの剛直な酸二無水物を用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の線熱膨張係数が小さくなるが、透明性の向上を阻害する傾向があるので、共重合割合に注意しながら併用してもよい。
【００５７】
一方、ジアミン成分も、１種類のジアミン単独で、または２種類以上のジアミンを併用して用いることができる。用いられるジアミン成分は限定されず、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ジ（３−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ジ（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，１−ジ（３−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ジ（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１−（３−アミノフェニル）−１−（４−アミノフェニル）−１−フェニルエタン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−α，α−ジトリフルオロメチルベンジル）ベンゼン、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゾニトリル、２，６−ビス（３−アミノフェノキシ）ピリジン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、
【００５８】
ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、４，４’−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ］ジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、６，６’−ビス（３−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン、６，６’−ビス（４−アミノフェノキシ）−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン等の芳香族アミン；
【００５９】
１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミノブチル）テトラメチルジシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、α，ω−ビス（３−アミノブチル）ポリジメチルシロキサン、ビス（アミノメチル）エーテル、ビス（２−アミノエチル）エーテル、ビス（３−アミノプロピル）エーテル、ビス（２−アミノメトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（２−アミノエトキシ）エチル］エーテル、ビス［２−（３−アミノプロトキシ）エチル］エーテル、１，２−ビス（アミノメトキシ）エタン、１，２−ビス（２−アミノエトキシ）エタン、１，２−ビス［２−（アミノメトキシ）エトキシ］エタン、１，２−ビス［２−（２−アミノエトキシ）エトキシ］エタン、エチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、ジエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−アミノプロピル）エーテル、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン等の脂肪族アミン；
【００６０】
１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ジアミノシクロヘキサン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、１，２−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，３−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、１，４−ジ（２−アミノエチル）シクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロへキシル）メタン、２，６−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン、２，５−ビス（アミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン等の脂環式ジアミンが挙げられる。グアナミン類としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミンなどを挙げることができ、また、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てをフルオロ基、メチル基、メトキシ基、トリフルオロメチル基、又はトリフルオロメトキシ基から選ばれた置換基で置換したジアミンも使用することができる。
【００６１】
さらに目的に応じ、架橋点となるエチニル基、ベンゾシクロブテン−４’−イル基、ビニル基、アリル基、シアノ基、イソシアネート基、及びイソプロペニル基のいずれか１種又は２種以上を、上記ジアミンの芳香環上水素原子の一部若しくは全てに置換基として導入しても使用することができる。
【００６２】
ジアミンは、目的の物性によって選択することができ、ｐ−フェニレンジアミンなどの剛直なジアミンを用いれば、最終的に得られるポリイミド樹脂は低膨張率となる。剛直なジアミンとしては、同一の芳香環に２つアミノ基が結合しているジアミンとして、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、１，４−ジアミノナフタレン、１，５−ジアミノナフタレン、２、６−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノナフタレン、１，４―ジアミノアントラセンなどが挙げられる。
【００６３】
さらに、２つ以上の芳香族環が単結合により結合し、２つ以上のアミノ基がそれぞれ別々の芳香族環上に直接又は置換基の一部として結合しているジアミンが挙げられ、例えば、下記式（４）により表されるものがある。具体例としては、ベンジジン等が挙げられる。
【００６４】
【化４】
0005614258.tif 000005
【００６５】
（化学式（４）中、ａは１以上の自然数、アミノ基はベンゼン環同士の結合に対して、メタ位または、パラ位に結合する。）
【００６６】
さらに、上記式（４）において、他のベンゼン環との結合に関与せず、ベンゼン環上のアミノ基が置換していない位置に置換基を有するジアミンも用いることができる。これら置換基は、１価の有機基であるがそれらは互いに結合していてもよい。
具体例としては、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジトリフルオロメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジクロロ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル等が挙げられる。
【００６７】
一方、ジアミンとして、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサンなどのシロキサン骨格を有するジアミンを用いると、最終的に得られるポリイミド樹脂の弾性率が低下し、ガラス転移温度を低下させることができる。
ここで、選択されるジアミンは耐熱性の観点より芳香族ジアミンが好ましいが、目的の物性に応じてジアミンの全体の６０モル％、好ましくは４０モル％を超えない範囲で、脂肪族ジアミンやシロキサン系ジアミン等の芳香族以外のジアミンを用いても良い。
【００６８】
本発明に用いられる式（２）で表されるポリイミド成分を合成するには、例えば、アミン成分として４，４’−ジアミノジフェニルエーテルをＮ−メチルピロリドンなどの有機極性溶媒に溶解させた溶液を冷却しながら、そこへ等モルの３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を徐々に加え撹拌することにより得ることができる。
【００６９】
本発明に用いられるポリイミド成分は、感光性ポリイミド樹脂とした際の感度を高め、マスクパターンを正確に再現するパターン形状を得るために、１μｍの膜厚のときに、露光波長に対して少なくとも５％以上の透過率を示すことが好ましく、１５％以上の透過率を示すことが更に好ましい。
露光波長に対してポリイミド成分の透過率が高いということは、それだけ、電磁波のロスが少ないということであり、高感度の感光性ポリイミド樹脂を得ることができる。
【００７０】
また、一般的な露光光源である高圧水銀灯を用いて露光を行う場合には、少なくとも４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍの波長の電磁波のうち１つの波長の電磁波に対する透過率が、厚み１μｍのフィルムに成膜した時で好ましくは５％以上、更に好ましくは１５％、特に好ましくは５０％以上である。
【００７１】
本発明に用いられるポリイミド成分の重量平均分子量は、その用途にもよるが、３，０００〜１，０００，０００の範囲であることが好ましく、５，０００〜５００，０００の範囲であることがさらに好ましく、１０，０００〜５００，０００の範囲であることがさらに好ましい。重量平均分子量が３，０００未満であると、塗膜又はフィルムとした場合に十分な強度が得られにくい。また、加熱処理等を施しポリイミド樹脂などの高分子とした際の膜の強度も低くなる。一方、重量平均分子量が１，０００，０００を超えると粘度が上昇し、溶解性も落ちてくるため、表面が平滑で膜厚が均一な塗膜又はフィルムが得られにくい。
ここで用いている分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の値のことをいい、ポリイミド前駆体そのものの分子量でも良いし、無水酢酸等で化学的イミド化処理を行った後のものでも良い。
【００７２】
本発明に用いられるポリイミド成分の含有量としては、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の点から、上記感光性ポリイミド樹脂の固形分全体に対し、５０質量％以上であることが好ましく、なかでも、７０質量％以上であることが好ましい。
なお、感光性ポリイミド樹脂の固形分とは溶媒以外の全成分であり、液状のモノマー成分も固形分に含まれる。
【００７３】
（ｉｉ）感光剤
本発明に用いられる感光剤としては、上記ポリイミド成分に感光性を付与できるものであれば特に限定されるものではなく、感光性ポリイミド樹脂に一般的に用いられるものを使用することができ、例えば、電磁波の照射と加熱により、塩基を発生する塩基発生剤等を用いることができる。より具体的には、下記一般式（ａ）で表されるようなクマル酸アミド系塩基発生剤、カーバメート型塩基発生剤およびニフェジピン等の塩基発生剤、またはこれらの混合物を挙げることができる。
本発明においては、なかでも、上記クマル酸アミド系塩基発生剤を好ましく用いることができる。上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、上記ポリイミド成分をイミド化する加熱処理等により、分解または揮発し易いものである。このため、上記透明性ポリイミドを上記感光剤の残渣の少ないものとすることができ、透過率に優れた絶縁層とすることができるからである。したがって、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みが厚い場合であっても、十分な透過率を示すものとすることができ、上記導体層のズレ幅を容易に検出可能なものとすることができるからである。
【００７４】
【化５】
0005614258.tif 000006
【００７５】
（式（ａ）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、水素又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ２１及びＲ２２は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。但し、Ｒ２１及びＲ２２の少なくとも１つは１価の有機基である。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、メルカプト基、スルフィド基、シリル基、シラノール基、ニトロ基、ニトロソ基、スルフィノ基、スルホ基、スルホナト基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスホノ基、ホスホナト基、アミノ基、アンモニオ基又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。）
【００７６】
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、上記のような特定の構造を有するため、紫外線などの光線が照射されることにより、上記式（ａ）中の（−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）部分がシス体へと異性化し、さらに加熱によって環化し、塩基（ＮＨＲ２１Ｒ２２）を生成する。すなわち、上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、その構造に応じて、塩基として、第１級アミン、第２級アミン、アミジン系化合物を生成しうる。
また、アミンの触媒作用によって、上記ポリイミド成分が最終生成物となる際の反応が開始される温度を下げたり、上記ポリイミド成分が最終生成物となる硬化反応を開始することができる。
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、電磁波が照射されるだけでも塩基を発生するが、適宜加熱をすることにより、塩基の発生が促進される。
【００７７】
【化６】
0005614258.tif 000007
【００７８】
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、環化することで、フェノール性水酸基を消失し、溶解性が変化し、塩基性水溶液等の場合には溶解性が低下する。これにより、上記ポリイミド成分の最終生成物への反応による溶解性の低下を更に補助する機能を有し、露光部と未露光部の溶解性コントラストを大きくすることが可能となる。
【００７９】
Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ、独立に水素原子又は１価の有機基であるが、Ｒ２１及びＲ２２のうち少なくとも１つは１価の有機基である。また、ＮＨＲ２１Ｒ２２は、塩基（塩基性物質）であるが、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ、アミノ基を含まない有機基であることが好ましい。Ｒ２１及びＲ２２に、アミノ基が含まれてしまうと、塩基発生剤自体が塩基性物質となり、上記ポリイミド成分の反応を促進してしまい、露光部と未露光部での溶解性コントラストの差が小さくなってしまう恐れがある。但し、例えば、Ｒ２１及びＲ２２の有機基中に存在する芳香環にアミノ基が結合している場合のように、電磁波の照射と加熱後に発生する塩基との塩基性と差が生じる場合には、Ｒ２１及びＲ２２の有機基にアミノ基を含まれていても用いることができる場合もある。
１価の有機基としては、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。
【００８０】
また、Ｒ２１及びＲ２２は、それらが結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる２種以上が組み合されてなる構造であっても良い。
【００８１】
上記Ｒ２１及びＲ２２の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、イミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：ここでＲは水素原子又は１価の有機基）、カーボネート結合、スルホニル結合等が挙げられる。
【００８２】
前記Ｒ２１及びＲ２２の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR'：ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。これらの基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
上記Ｒ２１及びＲ２２の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
【００８３】
生成する塩基性物質はＮＨＲ２１Ｒ２２であるため、１級アミン、２級アミン、又は複素環式化合物が挙げられる。またアミンには、それぞれ、脂肪族アミン及び芳香族アミンがある。なお、ここでの複素環式化合物は、ＮＨＲ２１Ｒ２２が環状構造を有し且つ芳香族性を有しているものをいう。芳香族複素環式化合物ではない、非芳香族複素環式化合物は、ここでは脂環式アミンとして脂肪族アミンに含まれる。
【００８４】
更に、生成するＮＨＲ２１Ｒ２２は、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つだけ有するモノアミン等の塩基性物質だけでなく、ジアミン、トリアミン、テトラアミン等のアミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する塩基性物質であってもよい。生成するＮＨＲ２１Ｒ２２がＮＨ基を２つ以上有する塩基性物質の場合、上記式（ａ）のＲ２１及び／又はＲ２２の１つ以上の末端に、アミド結合を形成可能なＮＨ基を有する塩基を電磁波の照射と加熱により発生するような光潜在性部位が更に結合している構造が挙げられる。上記光潜在性部位としては、上記式（ａ）のＲ２１及び／又はＲ２２の１つ以上の末端に、式（ａ）のＲ２１及び／又はＲ２２を除いた残基が更に結合している構造が挙げられる。
【００８５】
生成するＮＨＲ２１Ｒ２２のうち、脂肪族１級アミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、イソアミルアミン、ｔｅｒｔ−ペンチルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘプタンアミン、オクチルアミン、２−オクタンアミン、２，４，４−トリメチルペンタン−２−アミン、シクロオクチルアミン等が挙げられる。
【００８６】
芳香族１級アミンとしては、アニリン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、及び４−アミノフェノール等が挙げられる。
【００８７】
脂肪族２級アミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、エチルメチルアミン、アジリジン、アゼチジン、ピロリジン、ピペリジン、アゼパン、アゾカン、メチルアジリジン、ジメチルアジリジン、メチルアゼチジン、ジメチルアゼチジン、トリメチルアゼチジン、メチルピロリジン、ジメチルピロリジン、トリメチルピロリジン、テトラメチルピロリジン、メチルピペリジン、ジメチルピペリジン、トリメチルピペリジン、テトラメチルピペリジン、ペンタメチルピペリジン等が挙げられ、中でも脂環式アミンが好ましい。
【００８８】
芳香族２級アミンとしては、メチルアニリン、ジフェニルアミン、及びＮ−フェニル−１−ナフチルアミンが挙げられる。また、アミド結合を形成可能なＮＨ基を有する芳香族複素環式化合物としては、塩基性の点から分子内にイミノ結合（−Ｎ＝Ｃ（−Ｒ）−、−Ｃ（＝ＮＲ）−：ここでＲは水素原子又は１価の有機基）を有することが好ましく、イミダゾール、プリン、トリアゾール、及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００８９】
アミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する塩基としてはエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、1，4−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、１，７−ヘプタンジアミン、１，８−オクタンジアミン、１，９−ノナンジアミン、１，１０−デカンジアミン等の直鎖状脂肪族アルキレンジアミン；１−ブチル−１，２−エタンジアミン、１，１−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１−エチル−１，４−ブタンジアミン、１，２−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，３−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，４−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、２，３−ジメチル−１，４−ブタンジアミン等の分岐状脂肪族アルキレンジアミン；シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジメチルアミン、トリシクロデカンジメチルアミン、メンセンジアミン等の脂環式ジアミン；ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン等の芳香族ジアミン；ベンゼントリアミン、メラミン、２，４，６−トリアミノピリミジン等のトリアミン；２，４，５，６−テトラアミノピリミジン等のテトラアミンを挙げることができる。
【００９０】
Ｒ２１及びＲ２２の位置に導入される置換基によって、生成する塩基性物質の熱物性や塩基性度が異なる。
上記ポリイミド成分から最終生成物への反応に対する反応開始温度を低下させる等の触媒作用は、塩基性の大きい塩基性物質の方が触媒としての効果が大きく、より少量の添加で、より低い温度での最終生成物への反応が可能となる。一般に１級アミンよりは２級アミンの方が塩基性は高く、その触媒効果が大きい。
また、芳香族アミンよりも脂肪族アミンの方が塩基性が強いため好ましい。
【００９１】
また、本発明で発生する塩基が、２級アミン及び／又は複素環式化合物である場合には、塩基発生剤としての感度が高くなる点から好ましい。これは、２級アミンや複素環式化合物を用いることで、アミド結合部位の活性水素がなくなり、このことにより、電子密度が変化し、異性化の感度が向上するからではないかと推定される。
【００９２】
また、脱離する塩基の熱物性、及び塩基性度の点から、Ｒ２１及びＲ２２の有機基は、それぞれ独立に炭素数１〜２０が好ましく、更に炭素数１〜１２が好ましく、特に炭素数１〜８であることが好ましい。
【００９３】
また、上記クマル酸アミド系塩基発生剤から生ずる塩基は、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つ有するものであることが好ましい。発生する塩基がアミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有する場合には、塩基発生剤において、電磁波の照射と加熱により切断されるアミド結合を２つ以上有することになり、例えば桂皮酸誘導体残基のような吸光団が１分子に２つ以上存在することになる。このような場合には、通常分子量が大きくなるため、溶媒溶解性が悪くなるという問題がある。また、吸光団を１分子内に２つ以上有する場合、吸光団と塩基が結合しているアミド結合が１つ切断されれば塩基になるが、吸光団を未だ含むような塩基は分子量が大きいため、拡散性が悪くなり、塩基発生剤として用いる場合の感度が悪くなってしまう。更に、塩基発生剤を合成する際、吸光団が１つの場合には、相対的に安価な塩基を過剰量加えて合成するが、吸光団が２つ以上の場合には、相対的に高価な吸光団部分の原料を過剰量加える必要がある。また、アミド結合を形成可能なＮＨ基を２つ以上有するような塩基の場合、合成後の精製が困難であるという問題もある。中でも特に、ポリイミド前駆体と組み合わせる場合には、アミド結合を形成可能なＮＨ基を１つ有するものであることが好ましい。
【００９４】
発生する２級アミン及び／又は複素環式化合物の構造としては、中でも、下記式（ｂ）で表されることが好ましい。
【００９５】
【化７】
0005614258.tif 000008
【００９６】
（式（ｂ）中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立に、１価の有機基であり、置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換基を有してもよい炭素数４〜２２のシクロアルキル基である。Ｒ２１及びＲ２２は、同一であっても異なっていても良い。Ｒ２１及びＲ２２は、それらが結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。）
【００９７】
式（ｂ）のＲ２１及びＲ２２において、アルキル基は直鎖でも分岐でも良い。アルキル基としては更に炭素数１〜８であることが好ましく、シクロアルキル基としては更に炭素数４〜１０であることが好ましい。また、Ｒ２１及びＲ２２が結合して置換基を有しても良い炭素数４〜１２の環状構造となっている脂環式アミンも好ましい。また、Ｒ２１及びＲ２２が結合して置換基を有しても良い炭素数２〜１２の環状構造となっている複素環式化合物も好ましい。
【００９８】
Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６、は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シリル基、シラノール基又は１価の有機基であり、同一であっても異なっていても良い。Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６、は、それらの２つ以上が結合して環状構造を形成していても良く、ヘテロ原子の結合を含んでいても良い。
ハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素などが挙げられる。
１価の有機基としては、特に制限がなく、飽和又は不飽和アルキル基、飽和又は不飽和シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び飽和又は不飽和ハロゲン化アルキル基、シアノ基等が挙げられる。これらの有機基は、当該有機基中にヘテロ原子等の炭化水素基以外の結合や置換基を含んでよく、これらは、直鎖状でも分岐状でも良い。
【００９９】
上記Ｒ２３〜Ｒ２６の有機基中の炭化水素基以外の結合としては、特に限定されず、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル結合、チオカルボニル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、カーボネート結合、スルホニル結合等が挙げられる。
【０１００】
上記Ｒ２３〜Ｒ２６の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、特に限定されず、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アシル基、アシルオキシ基、スルフィノ基、スルホ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基、アミノ基(−NH2, −NHR, −NRR'：ここで、R及びR’はそれぞれ独立に炭化水素基)等が挙げられる。これらの基は、直鎖、分岐、及び環状のいずれでも良い。
中でも、Ｒ２３〜Ｒ２６の有機基中の炭化水素基以外の置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、メルカプト基、シアノ基、シリル基、シラノール基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、飽和又は不飽和アルキルエーテル基、飽和又は不飽和アルキルチオエーテル基、アリールエーテル基、及びアリールチオエーテル基が好ましい。
【０１０１】
また、Ｒ２３〜Ｒ２６は、それらのうち２つ以上が結合して環状構造になっていても良い。
環状構造は、飽和又は不飽和の脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環、並びに当該脂環式炭化水素、複素環、及び縮合環よりなる群から選ばれる２種以上が組み合されてなる構造であっても良い。例えば、Ｒ２３〜Ｒ２６は、それらの２つ以上が結合して、Ｒ２３〜Ｒ２６が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成していても良い。
【０１０２】
本発明においては本発明の置換基Ｒ２３〜Ｒ２６に、置換基を１つ以上導入することが好ましい。すなわち、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６の少なくとも１つが、ハロゲン、水酸基、ニトロ基、ニトロソ基、メルカプト基、シリル基、シラノール基又は１価の有機基であることが好ましい。置換基Ｒ２３〜Ｒ２６に、上記のような置換基を少なくとも１つ導入することにより、吸収する光の波長を調整することが可能であり、置換基を導入することで所望の波長を吸収させるようにすることもできる。芳香族環の共役鎖を伸ばすような置換基を導入することにより、吸収波長を長波長にシフトすることができる。また、溶解性や組み合わせる高分子前駆体との相溶性が向上するようにすることもできる。これにより、組み合わせる高分子前駆体の吸収波長も考慮しながら、感光性樹脂組成物の感度を向上させることが可能である。
【０１０３】
所望の波長に対して吸収波長をシフトさせる為に、どのような置換基を導入したら良いかという指針として、Ｉｎｔｅｒｐｒｅｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｓｐｅｃｔｒａ  ｏｆ  Ｎａｔｕｒａｌ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（Ａ．Ｉ．Ｓｃｏｔｔ  １９６４）や、有機化合物のスペクトルによる同定法第５版（Ｒ．Ｍ．Ｓｉｌｖｅｒｓｔｅｉｎ  １９９３）に記載の表を参考にすることができる。
【０１０４】
Ｒ２３〜Ｒ２６としては、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルキル基、炭素数４〜１３のシクロアルケニル基、炭素数７〜１６のアリールオキシアルキル基（−ＲＯＡｒ基）、炭素数７〜２０のアラルキル基、シアノ基をもつ炭素数２〜１１のアルキル基、水酸基をもつ炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１１のアミド基、炭素数１〜１０のアルキルチオ基（−ＳＲ基）、炭素数１〜１０のアシル基、炭素数２〜１１のエステル基、炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換した炭素数６〜２０のアリール基、電子供与性基及び／又は電子吸引性基が置換したベンジル基、シアノ基、及びメチルチオ基（−ＳＣＨ３）等が好ましい。また、上記のアルキル部分は直鎖でも分岐状でも環状でも良い。
また、Ｒ２３〜Ｒ２６としては、それらの２つ以上が結合して、Ｒ２３〜Ｒ２６が結合しているベンゼン環の原子を共有してナフタレン、アントラセン、フェナントレン、インデン等の縮合環を形成している場合も、吸収波長が長波長化する点から好ましい。
【０１０５】
また、本発明において、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６の少なくとも１つが水酸基である場合、Ｒ２３、Ｒ２４、Ｒ２５及びＲ２６に水酸基を含まない化合物と比べ、塩基性水溶液等に対する溶解性の向上、および吸収波長の長波長化が可能な点から好ましい。また、特にＲ２６がフェノール性水酸基である場合、シス体に異性化した化合物が環化する際の反応サイトが増えるため、環化しやすくなる点から好ましい。
【０１０６】
化学式（ａ）で表される構造は、トランス体及び／又はシス体であり、トランス体のみを用いても良いし、トランス体とシス体の混合物を用いても良いが、溶解性コントラストを高められる点から、トランス体の割合が９０〜１００％であることが好ましく、トランス体のみを用いることがより好ましい。
【０１０７】
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は、加熱して初期の重量から５％重量が減少したときの温度（５％重量減少温度）が１００℃以上であることが好ましい。感光性ポリイミド樹脂の場合、塗膜を形成する際にＮ−メチル−２−ピロリドンなどの高沸点溶媒を用いる必要があるが、このように５％重量減少温度が高い場合には残留溶媒の影響が少なくなるような乾燥条件で塗膜を形成することができる。これにより、残留溶媒の影響による露光部と未露光部での溶解性コントラストの減少を抑制することができる。
【０１０８】
また、本発明に用いられる透明性ポリイミド樹脂中に上記感光剤に由来する不純物が残存しないことが好ましいため、本発明に用いられるクマル酸アミド系塩基発生剤は、現像後に行う加熱のプロセス（例えば、イミド化のプロセス）で分解、又は揮発してしまうことが好ましい。具体的には、初期の重量から５０％重量が減少したときの温度（５０％重量減少温度）が４００℃以下であることが好ましく、更に３５０℃以下であることが好ましい。また、発生する塩基の沸点が２５℃以上であることが、室温での取り扱い性が良好になることから好ましい。発生する塩基の沸点が２５℃以上でない場合には、塗膜とした際に、特に乾燥時に生成したアミンが蒸発しやすくなってしまうため作業が困難となる恐れがある。
【０１０９】
上記クマル酸アミド系塩基発生剤を用いる際の、塩基を発生させるための加熱温度としては、組み合わせる高分子前駆体や目的により適宜選択され、特に限定されない。塩基発生剤が置かれた環境の温度（例えば、室温）による加熱であっても良く、その場合、徐々に塩基が発生する。また、電磁波の照射時に副生される熱によっても塩基が発生するため、電磁波の照射時に副生される熱により実質的に加熱も同時に行われても良い。反応速度を高くし、効率よく塩基を発生させる点から、塩基を発生させるための加熱温度としては、３０℃以上であることが好ましく、更に好ましくは６０℃以上、より更に好ましくは１００℃以上、特に好ましくは１２０℃以上である。しかしながら、組み合わせて用いられる高分子前駆体によっては、例えば６０℃以上の加熱で未露光部についても硬化するものもあるので、好適な加熱温度は、上記に限定されない。
また、上記クマル酸アミド系塩基発生剤の塩基発生以外の分解を防ぐために、３００℃以下で加熱することが好ましい。
【０１１０】
上記クマル酸アミド系塩基発生剤は電磁波の照射のみでも塩基を発生するが、適宜加熱することにより塩基の発生が促進される。従って、効率的に塩基を発生させるために、上記クマル酸アミド系塩基発生剤を用いる際には、露光後又は露光と同時に加熱を行うことにより塩基を発生する。露光と加熱を交互に行ってもよい。最も効率が良い方法は、露光と同時に加熱する方法である。
【０１１１】
本発明におけるクマル酸アミド系塩基発生剤の合成方法を、２−ヒドロキシ桂皮酸アミドを例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明における塩基発生剤は、複数の従来公知の合成ルートで合成することができる。
【０１１２】
２−ヒドロキシ桂皮酸アミドは、例えば、２−ヒドロキシ桂皮酸とシクロヘキシルアミンを反応させることにより合成できる。１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩等の縮合剤存在下、２−ヒドロキシ桂皮酸とシクロヘキシルアミンをテトラヒドロフランに溶解し、撹拌することで目的物を得ることができる。
各置換基を導入した桂皮酸の合成は、対応する置換基を有するヒドロキシベンズアルデヒドにwittig反応または、Knoevenagel反応、又はPerkin反応を行うことで合成できる。中でも、ｗｉｔｔｉｇ反応はトランス体が選択的に得られやすい点から好ましい。尚、例えば、上記対応する置換基を有するアルデヒドの合成は、対応する置換基を有するフェノール等にＤｕｆｆ反応やＶｉｌｓｍｅｉｅｒ−Ｈａａｃｋ反応を行うことで合成できる。
【０１１３】
本発明における塩基発生剤は、ポリイミド成分が最終生成物となるための塩基発生の機能を十分に発揮させるために、露光波長の少なくとも一部に対して吸収を有する必要がある。一般的な露光光源である高圧水銀灯の波長としては、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍがある。このため、本発明におけるクマル酸アミド系塩基発生剤は、少なくとも３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍの波長の電磁波のうち少なくとも１つの波長の電磁波に対して吸収を有することが好ましい。このような場合、適用可能なポリイミド成分の種類がさらに増える点から好ましい。
【０１１４】
上記感光剤は、そのモル吸光係数が、電磁波の波長３６５ｎｍにおいて１００以上、又は４０５ｎｍにおいて１以上であることが、適用可能なポリイミド成分の種類がさらに増える点から好ましい。
【０１１５】
なお、本発明における感光剤が上記波長領域に吸収を有することは、当該波長領域に吸収をもたない溶媒（例えば、アセトニトリル）に、上記感光剤を１×１０−４ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度（通常、１×１０−４ｍｏｌ／Ｌ〜１×１０−５ｍｏｌ／Ｌ程度。適度な吸収強度となるように、適宜、調節してもよい。）で溶解し、紫外可視分光光度計（例えば、ＵＶ−２５５０（株）島津製作所製））により吸光度を測定することにより明らかにすることができる。
【０１１６】
本発明に用いられる感光剤の含有量としては、所望のパターンの感光性ポリイミド絶縁層を形成できるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な含有量とすることができる。
一般的にポリイミド樹脂は高耐熱性の樹脂として知られており、高い耐熱性を有することから、ポリイミド成分よりも、感光剤の方が耐熱性が低い傾向にあるので、ポリイミド成分に対する感光剤の割合を減らした方が、低アウトガス性となる。
このようなことから上記感光剤の含有量は少ない方が好ましく、本発明においては、上記感光剤が、上記ポリイミド成分１００重量部に対して、０．１重量部以上３０重量部未満の範囲内であることが好ましく、なかでも、０．５重量部〜２０重量部の範囲内であることが好ましく、特に、０．５重量部〜１５重量部の範囲内であることが好ましい。
なお、本発明における感光剤が、上記クマル酸アミド系塩基発生剤である場合には、
その含有量としては、上述の範囲より多いものとすることができる。上記クマル酸アミド系塩基発生剤は加熱等により分解または揮発により残存しにくいため、含有量が多い場合であっても、上記透明性ポリイミド樹脂中への残存量が少ないものとすることができるからである。具体的には、上記ポリイミド成分１００重量部に対して、０．５重量部〜３０重量部の範囲内であることが好ましく、なかでも、１重量部〜２５重量部の範囲内であることが好ましく、特に、３重量部〜２０重量部の範囲内であることが好ましい。十分な感光性を付与することができ、かつ、その場合であっても上記透明性ポリイミド樹脂への残存が少ないからである。したがって、露光・現像によるパターニングが容易で、かつ、透明性に優れた絶縁層を形成することができるからである。
【０１１７】
（ｉｉｉ）溶媒
本発明における感光性ポリイミド樹脂としては、必要に応じて溶媒を含むものであっても良い。
このような溶媒としては、上記ポリイミド成分を均一に分散または溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノエーテル類（いわゆるセロソルブ類）；メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、前記グリコールモノエーテル類の酢酸エステル（例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート）、メトキシプロピルアセテート、エトキシプロピルアセテート、蓚酸ジメチル、乳酸メチル、乳酸エチル等のエステル類；エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン等のアルコール類；塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１−クロロプロパン、１−クロロブタン、１−クロロペンタン、クロロベンゼン、ブロムベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチルピロリドンなどのピロリドン類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、その他の有機極性溶媒類等が挙げられ、更には、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、及び、その他の有機非極性溶媒類等も挙げられる。これらの溶媒は単独若しくは組み合わせて用いられる。
中でも、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホアミド、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、ピリジン、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラクトン等の極性溶媒が好適なものとして挙げられる。
【０１１８】
また、ポリイミド成分としてポリイミド前駆体であるポリアミック酸を用いる場合には、ポリアミック酸の合成反応により得られた溶液をそのまま溶媒として用い、そこに必要に応じて他の成分を混合しても良い。
【０１１９】
（ｉｖ）増感剤
本発明においては、上記光塩基発生剤の吸収波長がポリイミド成分の吸収波長と重なる部分があり、十分な感度が得られない場合において、感度向上の手段として、増感剤の添加が効果を発揮する場合がある。また、ポリイミド成分を透過する電磁波の波長帯に上記光塩基発生剤が吸収波長を有する場合においても、感度向上の手段として、増感剤を添加することができる。ただし、増感剤の添加によるポリイミド成分の含有率の減少に伴う、得られるパターンの膜物性、特に膜強度や耐熱性の低下に関して考慮に入れる必要がある。
【０１２０】
増感剤と呼ばれる化合物の具体例としては、チオキサントン及び、ジエチルチオキサントンなどのその誘導体、シアニン及び、その誘導体、メロシアニン及び、その誘導体、クマリン系及び、その誘導体、ケトクマリン及び、その誘導体、ケトビスクマリン、及びその誘導体、シクロペンタノン及び、その誘導体、シクロヘキサノン及び、その誘導体、チオピリリウム塩及び、その誘導体、キノリン系及び、その誘導体、スチリルキノリン系及び、その誘導体、チオキサンテン系、キサンテン系及び、その誘導体、オキソノール系及び、その誘導体、ローダミン系及び、その誘導体、ピリリウム塩及び、その誘導体等が挙げられる。
【０１２１】
シアニン、メロシアニン及び、その誘導体の具体例としては、３，３’−ジカルボキシエチル−２，２’チオシアニンブロミド、１−カルボキシメチル−１’−カルボキシエチル−２，２’−キノシアニンブロミド、１，３’−ジエチル−２，２’−キノチアシアニンヨ−ジド、３−エチル−５−［（３−エチル−２（３Ｈ）−ベンゾチアゾリデン）エチリデン］−２−チオキソ−４−オキサゾリジン等が挙げられる。
クマリン、ケトクマリン及び、その誘導体の具体例としては、３−（２’−ベンゾイミダゾール）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３，３’−カルボニルビスクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジメトキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−アセトキシクマリン）等が挙げられる。
チオキサントン及び、その誘導体の具体例としては、ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。
【０１２２】
さらに他にはベンゾフェノン、アセトフェノン、アントロン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリーブチルアントラキノン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ｐ，ｐ’−テトラエチルジアミノベンゾフェノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、２，５−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−シクロペンタン、２，６−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−シクロヘキサノン、２，６−ビス−（４’−ジメチルアミノベンザル）−４−メチル−シクロヘキサノン、２，６−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−４−メチル−シクロヘキサノン、４，４’−ビス−（ジメチルアミノ）−カルコン、４，４’−ビス−（ジエチルアミノ）−カルコン、ｐ−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、１，３−ビス−（４’−ジメチルアミノベンザル）−アセトン、１，３−ビス−（４’−ジエチルアミノベンザル）−アセトン、Ｎ−フェニル−ジエタノールアミン、Ｎ−ｐ−トリル−ジエチルアミン、などが挙げられる。
本発明ではこれらの増感剤を１種または２種以上使用することができる。
【０１２３】
（ｖ）その他
本発明における感光性ポリイミド樹脂は、少なくとも上記ポリイミド成分、感光剤、および溶媒を含むものであるが、必要に応じて他の成分を含むものであっても良い。
このような他の成分としては、熱硬化性成分、ポリイミド前駆体以外のバインダー樹脂、その他の添加剤を配合して、感光性ポリイミド樹脂を調製してもよい。
【０１２４】
本発明においては、上記感光性ポリイミド樹脂に加工特性や各種機能性を付与するために、その他に様々な有機又は無機の低分子又は高分子化合物を配合してもよい。例えば、染料、界面活性剤、レベリング剤、可塑剤、微粒子等を用いることができる。微粒子には、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン等の有機微粒子、コロイダルシリカ、カーボン、層状珪酸塩等の無機微粒子等が含まれ、それらは多孔質や中空構造であってもよい。また、その機能又は形態としては顔料、フィラー、繊維等がある。
【０１２５】
また、本発明における他の任意成分の配合割合は、上記感光性ポリイミド樹脂の固形分全体に対し、０．１質量％〜２０質量％の範囲が好ましい。０．１質量％未満だと、添加物を添加した効果が発揮されにくく、２０質量％を超えると、最終的に得られる樹脂硬化物の特性が最終生成物に反映されにくいからである。
【０１２６】
（ｂ）非感光性ポリイミド樹脂
本発明に用いられる非感光性ポリイミド樹脂としては、実質的に感光性を有さないものであれば特に限定されるものではなく、例えば、上記ポリイミド成分を含み、上記感光剤を実質的に含まないものを挙げることができる。
なお、実質的に含まないとは、一般的な感光性ポリイミド樹脂での露光・現像条件でパターニングできない程度の含有量以下の含有量であることをいうものであり、通常、全く含まれないものである。
【０１２７】
本発明に用いられる非感光性ポリイミド樹脂は、必要に応じて溶媒やその他の成分を含むことができる。このような溶媒およびその他の成分としては、上記「（ａ）感光性ポリイミド樹脂」の項に記載のものと同様のものを用いることができる。
【０１２８】
（２）中間絶縁層およびカバー絶縁層
本発明に用いられる中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚み、すなわち、上記第１導体層が形成される上記ベース絶縁層表面から上記カバー絶縁層表面までの距離としては、上記導体層や絶縁層を安定的に形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、２０μｍ〜３５μｍの範囲内とすることができる。
本発明において、上記絶縁層を高い透過率を有するものとする観点からは、上記絶縁層の厚みはできるだけ薄い方が好ましいが、上記透明性ポリイミド樹脂が、上記中間絶縁層およびカバー絶縁層の合計の厚みとした場合に、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光に対する反射光の強度が２５％以上となる範囲内で厚みが厚い方が好ましい。具体的には、２５μｍ〜３５μｍの範囲内であることが好ましく、特に、３０μｍ〜３５μｍの範囲内であることが好ましい。上記導体層や絶縁層の厚み等について設計の自由度の高いものもとすることができるからである。また、入射光に対する反射光の強度が２５％以上であることにより、十分にズレ幅を検出することができるからである。
【０１２９】
本発明における中間絶縁層の厚み、すなわち、上記第１導体層を含む、上記ベース絶縁層表面から上記中間絶縁層の表面までの距離としては、上記第１導体層を安定的に覆うことができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、１０μｍ〜２５μｍの範囲内とすることができる。また、上記カバー絶縁層の厚み、すなわち、上記第２導体層を含む、上記中間絶縁層表面から上記カバー絶縁層の表面までの距離としては、上記第２導体層を安定的に覆うことができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、１０μｍ〜２０μｍの範囲内とすることができる。
【０１３０】
本発明において用いられる中間絶縁層およびベース絶縁層の形成方法としては、所望のパターンの中間絶縁層およびベース絶縁層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、上記材料を含む液状の絶縁層形成用塗工液を塗布またはドライフィルム状の材料を貼り合わせ、その後、露光・現像またはフォトリソ法によりパターニングする方法を用いることができる。
【０１３１】
２．第１導体層および第２導体層
本発明に用いられる第１導体層および第２導体層は、それぞれ、上記ベース絶縁層および中間絶縁層上に形成され、上記第１導体層および第２導体層が平面視上少なくとも一部が重複するように形成されるものである。
また、上記第１導体層および第２導体層が少なくとも銅を含む導体部を有するものである。
【０１３２】
本発明における導体部としては、少なくとも銅を含むものである。このような導体部を構成する材料に含まれる銅の含有量としては、上記導体層が所望の導電性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、通常、銅のみからなるものである。
【０１３３】
本発明に用いられる導体部の厚みとしては、上記導体層を精度良く形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内とすることができ、なかでも９μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１３４】
本発明に用いられる導体部の幅としては、所望の導電性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本発明のサスペンション用基板の低剛性化を図ることができるからである。
【０１３５】
本発明に用いられる導体部の形成方法としては、上記導体部を精度良く形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられる方法を使用することができる。例えば、上記導体部の材料からなる導体部形成用層を電界めっき法等により形成した後、レジストを用いたエッチングによりパターニングし、上記導体部を形成する方法を挙げることができる。
【０１３６】
本発明に用いられる第１導体層および第２導体層は、平面視上少なくとも一部が重複するように形成されるものである。
ここで、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重複の程度については、上記各導体層の幅や要求される特性インピーダンス等に応じて適宜設定されるものである。
【０１３７】
本発明に用いられる第１導体層および第２導体層は、上記導体部がめっき層により被覆されるものであっても良い。特に、はんだパッドのように、表面が露出する箇所はめっき層により被覆されることが好ましい。めっき層の一例としては、金めっき層を挙げることができる。また、金めっき層の下地としてニッケルめっき層が形成されていても良い。めっき層の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内とすることができる。
本発明において、上記めっき層を形成する方法としては、例えば、電解めっき法を挙げることができる。
【０１３８】
３．金属支持基板
本発明に用いられる金属支持基板は、上記ベース絶縁層、導体層（第１導体層および第２導体層）、および絶縁層（中間絶縁層およびカバー絶縁層）を支持するものである。
このような金属支持基板の材料としては、特に限定されるものではないが、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的には、ＳＵＳ等を挙げることができる。
また、本発明に用いられる金属支持基板の厚さとしては、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内とすることができる。
【０１３９】
本発明に用いられる金属支持基板の形成箇所としては、本発明のサスペンション用基板が所望の機械強度を有するものとすることができるものであれば良いが、なかでも、図３に例示するように、上記第１導体層および第２導体層が形成される位置に開口部が形成されるものであることが好ましい。ノイズの少ないものとすることができるからである。
【０１４０】
本発明に用いられる金属支持基板の形成方法としては、所望のパターンの金属支持基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではなく、サスペンション用基板に一般的に用いられる方法を使用することができる。具体的には、レジストを用いたエッチングによりパターニングする方法等を用いることができる。
【０１４１】
４．ベース絶縁層
本発明に用いられるベース絶縁層は、上記金属支持基板上に形成されるものである。
【０１４２】
このようなベース絶縁層の材料としては、上記金属支持基板と上記第１導体層との短絡を防止することができるものであれば特に限定されるものではなく、通常ポリイミド樹脂（ＰＩ）等の絶縁性樹脂を挙げることができる。また、上記ベース絶縁層の材料は、感光性材料であっても良いが、非感光性材料であることが好ましい。材料選択の幅を広いものとすることができるからである。また、非感光性材料は吸湿膨張係数が低く、反り等の発生の少ないものとすることができるからである。
このような感光性材料および非感光性材料としては、具体的には、上記「１．中間絶縁層およびカバー絶縁層」の項に記載の感光性ポリイミド樹脂および非感光性ポリイミド樹脂を用いることができる。
【０１４３】
また、上記ベース絶縁層の厚さとしては、上記金属支持基板と上記第１導体層との短絡を防止することができるものであれば特に限定されるものではないが、具体的には、５μｍ〜１０μｍの範囲内とすることができる。
【０１４４】
本発明において用いられるベース絶縁層の形成方法としては、所望のパターンのベース絶縁層を形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、上記中間絶縁層およびベース絶縁層と同様とすることができる。
【０１４５】
５．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板の製造方法としては、上記各構成が精度良く形成される方法であれば良い。
このようなサスペンション用基板の各構成の形成方法としては、上記「１．中間絶縁層およびカバー絶縁層」、「２．第１導体層および第２導体層」、「３．金属支持基板」および「４．ベース絶縁層」の項に記載方法を用いることができる。
また、上記金属支持基板、ベース絶縁層および第１導体層については、上記金属支持基板上に、上記ベース絶縁層および第１導体層をこの順で形成するものであっても良く、上記金属支持基板を構成する材料からなる金属基板形成用層と、上記金属基板形成用層上に形成され、上記ベース絶縁層を形成可能な材料からなるベース絶縁層形成用層と、上記ベース絶縁層形成用層上に形成され、上記第１導体層を形成可能な材料からなる第１導体層形成用層とを有する積層体を形成した後に、上記第１導体層および金属支持基板、ベース絶縁層の順で形成するものであっても良い。
本発明においては、なかでも、上記積層体を用いる方法であることが好ましい。上記各構成を精度良く形成することができるからである。
【０１４６】
このようなサスペンション用基板の製造方法としては、具体的には、図４に例示するように、まず、金属支持基板を形成可能な金属支持基板形成用層１ｘを準備し、上記金属支持基板形成用層１ｘの表面上にベース絶縁層を形成可能なベース絶縁層形成用層２ｘ、上記ベース絶縁層形成用層２ｘ上にスパッタリング法を用いてシード層（図示せず）を形成し、その後、上記シード層上に、電解めっき法により銅からなり、上記第１導体層を形成可能な第１導体層形成用層５ｘを形成することにより積層体を形成する（図４（ａ））。
その後、図４（ｂ）に示すように、上記金属支持基板形成用層１ｘおよび上記導体層形成用層５ｘ上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いてレジストを形成し、ウェットエッチングすることにより、上記金属支持基板形成用層１ｘから金属支持基板１を、上記第1導体層形成用層５ｘから銅の導体部３からなる第１導体層５を形成し、その後、感光性ポリイミド樹脂を含む塗工液を塗布・乾燥した後、露光・現像し、さらに、加熱処理を行いイミド化することにより中間絶縁層６を形成する（図４（ｂ））。
その後、図４（ｃ）に示すように、パターン状のレジストを配置した状態で、電解めっきすることにより銅の導体部３からなる第２導体層７を形成する。さらに図４（ｄ）に示すように上記第２導体層７を覆うようにカバー絶縁層の材料を含む塗工液を塗布し、乾燥した後、露光・現像し、さらに、加熱処理によりイミド化することによりカバー絶縁層８を形成する方法を挙げることができる。
【０１４７】
本発明のサスペンション用基板の用途としては、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いられ、なかでも配線が高密度化された場合であっても、ノイズが少ないことを要求されるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンションに好適に用いられる。
【０１４８】
Ｂ．サスペンション用基板の検査方法
次に、サスペンション用基板の検査方法について説明する。
本発明のサスペンション用基板の検査方法は、上述のサスペンション用基板の検査方法であって、上記サスペンション用基板のカバー絶縁層側から少なくとも波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の入射光を照射し、反射光を検出することにより、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出することを特徴とするものである。
【０１４９】
このような本発明のサスペンション用基板の検査方法を図を参照して説明する。既に説明した図２に示すように、本発明のサスペンション用基板の検査方法は、上記サスペンション用基板のカバー絶縁層側から少なくとも４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光を照射し、反射光を検出することにより、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出するものである。
【０１５０】
本発明によれば、上述のサスペンション用基板であることにより、上記光を用いて、上記ズレ幅を容易に検出することができる。
【０１５１】
本発明において用いられる上記サスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１５２】
本発明において用いられる光は、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の波長の入射光を用いるものである。
本発明においては、上記４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内に含まれるいずれかの波長の光を用いるものであれば良いが、なかでも、４７０ｎｍ、５０５ｎｍおよび５２５ｎｍの波長の光を含むことが好ましく、特に、４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の全ての波長の光を用いて検出することが好ましい。より精度良く、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出することができるからである。
また、本発明においては、上記入射光が、長波長域の光を含み、上記ズレ幅の検出と同時に異物の検出を行うことが好ましい。歩留まりを向上させることができるからである。
本発明における長波長域の光としては、５２５ｎｍ以上の波長の光であれば特に限定されるものではなく、検出する異物等に応じて適宜設定されるものであるが、例えば、５２５ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲内の光であることが好ましく、なかでも、６６０ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲内の光であることが好ましい。上記光が上述の波長の光を含むことにより、異物等をより精度良く検出することができるからである。
【０１５３】
本発明において、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出する方法としては、上記サスペンション用基板のカバー絶縁層側から少なくとも波長４７０ｎｍから５２５ｎｍの範囲内の入射光を照射し、反射光を検出するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記第１および第２導体層それぞれについて、上記サスペンション用基板上の位置決めマークからの距離を測定し、設計上の距離とのズレ幅を検出する方法等を挙げることができるが、なかでも、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の全体の幅を、設計上の上記第１導体層および第２導体層の平面視上の全体幅と比較する方法、すなわち、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の全体の幅と、目標とする平面視上の全体幅とを比較する方法を好ましく用いることができる。例えば、図５に例示するように、上記第１導体層および第２導体層が同一幅であり、両者が、平面視上完全に重なるように設計した場合、上記第１導体層および第２導体層の全体幅を検出し、目標の全体幅と比較することで、ズレ幅を求めることができる。
【０１５４】
本発明において、上記入射光を照射する箇所としては、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を精度良く検出できる箇所であれば特に限定されるものではなく、例えば、上記サスペンション用基板の上記第１導体層および第２導体層が平面視上重複するスタック構造を形成している箇所の一部であっても良く、スタック構造を形成している全ての上記第１導体層および第２導体層を検査するものであっても良い。
【０１５５】
Ｃ．サスペンション用基板の製造方法
次に、サスペンション用基板の製造方法について説明する。
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述のサスペンション用基板を形成するサスペンション用基板形成工程と、上記サスペンション用基板を上述のサスペンション用基板の検査方法により検査する検査工程と、を有することを特徴とするものである。
【０１５６】
このような本発明のサスペンション用基板の製造方法について、図を参照して説明する。図６は本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す工程図である。図６に例示するように、まず、上記サスペンション用基板１０を形成し（図６（ａ））、次いで、図６（ｂ）に示すように、上記カバー絶縁層８側から上記波長の光を入射光として照射し、反射光を検出し、上記第１導体層および第２導体層の平面視上の重なりのズレ幅を検出するものである。
なお、図６（ａ）がサスペンション用基板形成工程であり、図６（ｂ）が検査工程である。また、図６中の符号については、図１のものと同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【０１５７】
本発明によれば、上記検査工程を有することにより、スタック構造の第１導体層および第２導体層の平面視上のズレを容易に検出することができる。このため、上記ズレの少ないサスペンション用基板を安定的に得ることができる。
【０１５８】
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、少なくとも上記サスペンション用基板形成工程および検査工程を有するものである。
以下、このような本発明のサスペンション用基板の製造方法の各工程について詳細に説明する。
【０１５９】
１．サスペンション用基板形成工程
本発明におけるサスペンション用基板形成工程は、上記サスペンション用基板を形成する工程である。
このようなサスペンション用基板の形成方法としては、上記各構成を精度良く形成できる方法であれば良く、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様とすることができる。
【０１６０】
２．検査工程
本発明における検査工程は、上記サスペンション用基板を上述のサスペンション用基板の検査方法により検査する工程である。
ここで、上記サスペンション用基板の検査方法については上記「Ｂ．サスペンション用基板の検査方法」の項に記載の内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１６１】
本工程においては、上記サスペンション用基板の検査方法で検査した後に、検査結果に基づいて、良・不良を判断する判断処理を行うものであることが好ましい。
【０１６２】
本工程における判断処理方法としては、上記検査結果に基づいて良・不良の判断を行うものであれば良いが、具体的には、設計上の重なり状態からのズレ幅のち、許容範囲内の特性インピーダンスとすることができる許容ズレ幅より大きいか小さいかにより行う方法を挙げることができる。より具体的には、上記第１導体層および第２導体層の全体幅を、設計上の上記全体幅と比較する場合には、検査により得られた上記全体幅と、設計上の全体幅とのズレ幅が、上記許容ズレ幅以上であるか否かで判断する方法を用いることができる。
本工程においては、上記許容ズレ幅としては、上記導体層や絶縁層のサイズ等により異なるものであり、許容範囲内の特性インピーダンスを達成できるものであれば特に限定されるものではないが、得られた第１導体層および第２導体層が有する特性インピーダンスを、目標の特性インピーダンスの±７％以内とすることができるものであることが好ましく、なかでも、±５％以内とすることができるものであることが好ましい。具体的には、上記許容ズレ幅が、±２０μｍ以内であることが好ましく、なかでも、±１０μｍ以内であることが好ましい。上記ズレ幅が上述の範囲であることにより、ノイズ等の少ないものとすることができるからである。
【０１６３】
Ｄ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
【０１６４】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、接続安定性に優れたサスペンションとすることができる。
【０１６５】
図７は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図７に示されるサスペンション３０は、上述したサスペンション用基板１０と、素子実装領域２０が形成されている表面とは反対側のサスペンション用基板１０の表面に備え付けられたロードビーム３１とを有するものである。
【０１６６】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。サスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【０１６７】
Ｅ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子（例えば、スライダ）と、を有することを特徴とするものである。
【０１６８】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、接続安定性に優れた素子付サスペンションとすることができる。
【０１６９】
図８は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図８に示される素子付サスペンション４０は、上述したサスペンション３０と、サスペンション３０の素子実装領域２０に実装された素子（例えば、スライダ）４１とを有するものである。
【０１７０】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子（例えば、スライダ）を有するものである。上記サスペンションについては、上記「Ｄ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１７１】
Ｆ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【０１７２】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【０１７３】
図９は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図９に示されるハードディスクドライブ５０は、上述した素子付サスペンション４０と、素子付サスペンション４０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５１と、ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、素子付サスペンション４０の素子を移動させるアーム５３およびボイスコイルモータ５４と、上記の部材を密閉するケース５５とを有するものである。
【０１７４】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｅ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【０１７５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１７６】
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
【０１７７】
[実施例１]
(ポリイミド前駆体溶液の調製)
ＯＤＡ（４，４−ジアミノジフェニルエテル）２．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、パラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）８．６６ｇ（８０ｍｍｏｌ）とを５００ｍｌのセパラブルフラスコに投入し、１８１ｇの脱水されたＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に溶解させ、窒素気流下、オイルバスによって液温が５０℃になるように熱電対でモニターし加熱しながら攪拌した。完全に溶解したことを確認した後、少しずつ３０分かけてＢＰＤＡ（３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸無水物２９．１ｇ（９９ｍｍｏｌ）を添加し、添加終了後、５０℃で５時間攪拌した。その後、室温まで冷却し、ポリイミド前駆体溶液を得た。
【０１７８】
（光塩基発生剤の調製）
１００ｍｌフラスコ中、炭酸カリウム２．００ｇをメタノール１５ｍｌに加えた。５０ｍｌフラスコ中、エトキシカルボニルメチル（トリフェニル）ホスホニウムブロミド２．６７ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンズアルデヒド９４５ｍｇ（６．２ｍｍｏｌ）をメタノール１０ｍｌに溶解し、よく攪拌した炭酸カリウム溶液にゆっくり滴下下。
３時間攪拌した後、ＴＬＣにより反応の終了を確認した上でろ過を行い炭酸カリウムを除き、減圧濃縮した。濃縮後、１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を５０ｍｌ加え、１時間攪拌した。
反応終了後、ろ過により、トリフェニルホスフィンオキシドを除いた後、濃塩酸を滴下し、反応液を酸性にした。沈殿物をろ過により集め、少量のクロロホルムにより洗浄することで、２−ヒドロキシ−４−メトキシ桂皮酸を１．００ｇ得た。
続いて、１００ｍｌ三口フラスコ中、２−ヒドロキシ−４−メトキシ桂皮酸５００ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロキシフラン４０ｍｌに溶解し、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩０．５８６ｇ（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。
３０分後、ピペリジン０．３ｍｌ（３．０ｍｍｏｌ）を加えた。反応終了後、反応溶液を濃縮し、水に溶解した。ジエチルエーテルで抽出した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、１Ｎ塩酸、飽和食塩水で洗浄した。その後、シリカゲルカラムクマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール１００／１〜１０／１）により精製することにより、クマル酸アミド系光塩基発生剤を６４ｍｇ得た。
【０１７９】
（透明性ポリイミド樹脂用組成物の調製）
ポリイミド前駆体溶液に、得られた光塩基発生剤を添加し、光塩基発生剤がポリアミック酸固形分に対して１５ｗｔ％含まれる透明性ポリイミド樹脂用組成物を調整した。また、固形分濃度が２０ｗｔ％となるようにＮＭＰを添加した。
【０１８０】
[実施例２]
光塩基発生剤のポリアミック酸に対する濃度を１０ｗｔ％とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８１】
[実施例３]
光塩基発生剤のポリアミック酸に対する濃度を２０ｗｔ％とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８２】
[実施例４]
光塩基発生剤のポリアミック酸に対する濃度を２５ｗｔ％とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８３】
[実施例５]
光塩基発生剤のポリアミック酸に対する濃度を３０ｗｔ％とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８４】
[実施例６]
光塩基発生剤を含まない以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８５】
[実施例７]
光塩基発生剤を含まない以外は実施例２と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８６】
[実施例８]
光塩基発生剤を含まない以外は実施例３と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８７】
[実施例９]
光塩基発生剤を含まない以外は実施例４と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８８】
[実施例１０]
光塩基発生剤を含まない以外は実施例５と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１８９】
[比較例１]
光塩基発生剤をニフェジピンとした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９０】
[比較例２]
光塩基発生剤をニフェジピンとした以外は実施例２と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９１】
[比較例３]
光塩基発生剤をニフェジピンとした以外は実施例３と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９２】
[比較例４]
光塩基発生剤をニフェジピンとした以外は実施例４と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９３】
[比較例５]
光塩基発生剤をニフェジピンとした以外は実施例５と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９４】
[比較例６]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９５】
[比較例７]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例２と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９６】
[比較例８]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例３と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９７】
[比較例９]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例４と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９８】
[比較例１０]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例５と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０１９９】
[比較例６]
光塩基発生剤をカーバメート型光塩基発生剤ＤＮＣＤＰ（｛［（４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル｝−２，６−ジメチルピペリジン）とした以外は実施例１と同様にして透明性ポリイミド樹脂用組成物を得た。
【０２００】
[評価]
実施例および比較例で得られた透明性ポリイミド樹脂用組成物を用いて、スピンコート法を用いてガラス上に塗布し、１００℃に設定されたホットプレート上で１０分間加熱し、塗膜を形成し、その後、１０００ｍＪ／ｃｍ２にて露光し、１７０℃で１０分間ポストベークを行った。次いで、窒素雰囲気下のオーブンで３５０℃で１時間キュア（イミド化処理）を行い、透明性ポリイミド樹脂の塗膜を形成した。この塗膜を用いて（１）厚みによる透過性評価および（２）添加量による透過性評価を行った。
なお、実施例１、実施例６、比較例１および比較例６で調製した透明性ポリイミド樹脂用組成物を用いて、２．３μｍ〜２．７μｍの膜厚の塗膜を形成した際の条件および経緯を表１に示す。
【０２０１】
【表１】
0005614258.tif 000009
【０２０２】
（１）厚みによる透過性評価および
実施例１、実施例６、比較例１および比較例６について上記方法により得られたそれぞれの厚みの塗膜について、入射光に対する反射光の強度の割合を、分光測定装置（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製ＵＶ−２５５０（ＰＣ）Ｓ  ＧＬＰ）にて測定した。測定された結果を図１０に示す。
また、得られた結果に基づいて、Ｌａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則により厚みを１μｍ、４μｍ、１３μｍ、２４μｍ、および３２μｍとした場合の４７０ｎｍおよび５２５ｎｍの入射光に対する反射光の強度の割合を計算した。結果を下記表２に示す。
また、３００ｎｍ〜８００ｎｍの波長でスキャンした場合の１μｍおよび２７μｍとした場合の結果を計算により求めた。結果を図１１および図１２に示す。
なお、下記表３は、スタック構造でないサスペンション用基板（ケースＮＯ．１〜４）およびスタック構造のサスペンション用基板（ケースＮＯ．５〜１０）の各構成の厚みを示すものである。なお、この表においては中間絶縁層およびカバー絶縁層はそれぞれ第１導体層および第２導体層表面からの厚みを示すものである。表３に示すように、１３μｍの厚みは、スタック構造ではないサスペンション用基板を想定したものであり、２４μｍの厚みは、スタック構造のなかで比較的膜厚が薄い場合を想定したものであり、３２μｍの膜厚は、スタック構造の中で比較的膜厚が厚い場合を想定したものである。
【０２０３】
【表２】
0005614258.tif 000010
【０２０４】
【表３】
0005614258.tif 000011
【０２０５】
（２）添加量による透過性評価
実施例２〜５、比較例２〜５および比較例７〜１０についても実施例１、比較例１および比較例６と同様に、それぞれ塗膜を形成し、上記分光測定装置にて測定を行った。この測定結果およびＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則にお基づいて、厚みを１μｍとした場合の、４７０ｎｍおよび５２５ｎｍの波長の入射光に対する反射光の強度の割合を上記分光測定装置にて測定した。結果を表４に示す。
【０２０６】
【表４】
0005614258.tif 000012
【０２０７】
（３）まとめ
表２に示すように、実施例ではスタック構造とした場合であっても入射光に対する反射率を安定的に２５％以上とすることができることが確認できた。
また、表３に示すように、クマル酸アミド系光塩基発生剤は、透明性ポリイミド樹脂用組成物への添加量にかかわらず、入射光に対する反射光の強度を大きいものとできることが確認できた。これは、上記クマル酸アミド系光塩基発生剤が、キュア時に分解・揮発することにより除去され、上記透明性ポリイミド樹脂を感光剤の残存量の少ないものとすることができたためと考えられる。
【符号の説明】
【０２０８】
１  …  金属支持基板
２  …  ベース絶縁層
３  …  導体部
４  …  めっき層
５  …  第１導体層
６  …  中間絶縁層
７  …  第２導体層
８  …  カバー絶縁層
１０  …  サスペンション用基板
２０  …  スライダ実装領域
３０  …  サスペンション
３１  …  ロードビーム
４０  …  素子付サスペンション
４１  …  素子（スライダ）
５０  …  ハードディスクドライブ
５１  …  ディスク
５２  …  スピンドルモータ
５３  …  アーム
５４  …  ボイスコイルモータ
５５  …  ケース
【図１】
0005614258.tif 000013
【図２】
0005614258.tif 000014
【図３】
0005614258.tif 000015
【図４】
0005614258.tif 000016
【図５】
0005614258.tif 000017
【図６】
0005614258.tif 000018
【図７】
0005614258.tif 000019
【図８】
0005614258.tif 000020
【図９】
0005614258.tif 000021
【図１０】
0005614258.tif 000022
【図１１】
0005614258.tif 000023
【図１２】
0005614258.tif 000024