(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
置換型炭素を含み且つ非置換型炭素が０．３原子％未満であり、５．３８Å以下の格子間隔を有する単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項２】
前記格子間隔が５．３４Å以下である、請求項１に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項３】
リンおよびヒ素からなる群から選択されるドーパントをさらに含む、請求項１から２のいずれか一項に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項４】
０．７ｍΩ・ｃｍ以下の抵抗率を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項５】
Ｘ線回折法によって決定された、２．４原子％以上の置換型炭素を含み、且つ非置換型炭素が０．３原子％未満である単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項６】
３．０原子％以上の置換型炭素を含む、請求項５に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項７】
１．０ＧＰａ以上の引張応力を有する、請求項５又は６に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項８】
２．０ＧＰａ以上の引張応力を有する、請求項５から７のいずれか一項に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項９】
膜が、５．４３Åの格子間隔を有する単結晶シリコン基板のすぐ上にある、請求項５に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【請求項１０】
チャンバ内に配置された基板を提供すること、
化学気相成長条件下で、該チャンバに毎分５ｍｇ〜２０００ｍｇの流量のトリシランと、炭素源とを導入すること、および
Ｘ線回折法によって決定される、２．４原子％以上の置換型炭素ドーパントを含む堆積されたままの単結晶Ｓｉ：Ｃ膜を、少なくとも毎分５ｎｍの堆積速度で該基板上に堆積させること
を含む５．３８Å以下の格子間隔を有する単結晶Ｓｉ：Ｃ膜を堆積させる方法。
【請求項１１】
単結晶Ｓｉ：Ｃ膜が、２．４原子％以上の置換型炭素を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
単結晶Ｓｉ：Ｃ膜を、少なくとも毎分２０ｎｍの堆積速度で基板上に堆積させることを含む、請求項１０から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
単結晶Ｓｉ：Ｃ膜が、０．１５原子％未満の非置換型炭素を含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
単結晶Ｓｉ：Ｃ膜が、堆積された場合に電気的に活性なドーパントを含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
化学気相成長条件が、４５０℃〜６００℃の範囲の温度を含む、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
化学気相成長条件が、２０Ｔｏｒｒ〜２００Ｔｏｒｒの範囲のチャンバ圧力を含む、請求項１０から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
炭素源が、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタンおよびテトラシリルメタン、モノメチルシラン、ジメチルシランおよび１，３−ジシラブタンからなる群から選択される、請求項１０から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
炭素源が、式（ＳｉＨ３−ＺＣｌｚ）ｘＣＨ４−ｘ−ｙＣｌｙ（式中、ｘは１〜４の範囲の整数であり、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、０または１〜３の範囲の整数であり、但し、ｘ＋ｙ≦４であり、ｙおよびｚの少なくとも１つは０でない）のクロロシリルメタンを含む、請求項１０から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
炭素源が、式ＸａＳｉＨｂ（ＣｎＨ２ｎ＋１）４−ａ−ｂ（式中、Ｘはハロゲンであり；ｎは、１または２であり；ａは、１または２であり；ｂは、０、１または２であり；ａとｂの合計は４未満である）のアルキルハロシランを含む、請求項１０から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
単結晶Ｓｉ：Ｃ膜が引張りひずみを受ける、請求項１０から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
基板が、ソース領域とドレイン領域の間に配置されるチャネル領域を含む、請求項１０〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域を含む集積回路であって、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の少なくとも一方が、置換型炭素を含み、第１の単結晶Ｓｉ含有領域と第２の単結晶Ｓｉ含有領域の間に配置される第３の引張歪み単結晶Ｓｉ含有領域に隣接し、前記第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の少なくとも一方が５．３８Å以下の格子間隔を有し、且つ非置換型炭素が０．３原子％未満である集積回路。
【請求項２３】
第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の両方が、置換型炭素を含み、第３の引張歪み単結晶Ｓｉ含有領域に隣接する、請求項２２に記載の集積回路。
【請求項２４】
０．２５原子％未満の非置換型炭素を含む、請求項５に記載の単結晶Ｓｉ：Ｃ膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００５年２月４日に出願した米国仮出願第６０／６４９９９０号；２００５年３月１８日に出願した米国仮出願第６０／６６３４３４号；および２００５年４月４日に出願した米国仮出願第６０／６６８４２０号の優先権を主張するものである。
【０００２】
発明の背景
発明の分野
本出願は、一般に、半導体処理におけるシリコン含有材料の堆積に関する。より詳細には、本出願は、トリシランおよびドーパント源を用いた化学気相成長法による置換的にドーピングされたシリコン含有膜の堆積に関する。
【背景技術】
【０００３】
シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびこれらの合金（ＳｉＧｅ）などの半導体の電気特性は、この材料をひずませる程度によって影響を受ける。例えば、シリコンは、引張りひずみの下で電子移動度の増大を示し、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）は、圧縮ひずみの下で正孔移動度の増大を示す。半導体の性能を向上させる方法は、かなり注目すべきものであり、種々の半導体処理用途において潜在的な応用分野を有する。よく知られているように、半導体処理は、最も一般的には、特に厳しい品質の要求を伴う集積回路の製造のために使用されるが、このような処理は、種々の他の分野でも使用される。例えば、半導体処理技術は、各種の技術を用いるフラットパネル表示装置の製造、および微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の製造に使用されることが多い。
【０００４】
ＳｉおよびＧｅ含有材料中にひずみを誘導するためのいくつかのアプローチは、種々の結晶性材料の間の格子定数の差、例えば、Ｇｅ（５．６５Å）、Ｓｉ（５．４３１Å）および炭素（ダイヤモンドに対して３．５６７Å）を活用することに焦点を合わせている。１つのアプローチでは、特定の結晶性材料の薄層を異なる結晶性材料の上に、堆積された層が下にある単結晶材料の格子定数を取り入れるように堆積させる。例えば、ひずみＳｉＧｅ層を、ヘテロエピタキシャル堆積によって単結晶Ｓｉ基板上に形成することが可能である。Ｇｅ原子は、Ｓｉ原子よりわずかに大きいので、堆積されたヘテロエピタキシャルＳｉＧｅは、その下のＳｉのより小さな格子定数に追従し、これによって、Ｇｅ含有量の関数として変化する程度で圧縮的にひずみを受ける。典型的には、バンドギャップは、ＳｉＧｅ中のＧｅ含有量が増加するにつれて、純粋なＳｉに対する１．１２ｅＶから純粋なＧｅに対する０．６７ｅＶに単調に低下する。別のアプローチでは、ひずみ緩和ＳｉＧｅ層上にシリコン層をヘテロエピタキシャルに堆積させることによって、単結晶シリコン薄層中に引張りひずみが導入される。この例では、ヘテロエピタキシャルに堆積されたシリコンは、その格子定数は下にある緩和ＳｉＧｅのより大きな格子定数に追従するのでひずみを受ける。引張りひずみを受けたヘテロエピタキシャルに堆積されたシリコンは、典型的には電子移動度の増大を示す。これらのアプローチでは、デバイス（例えば、トランジスタ）が製造される前に、基板の段階でひずみが生み出される。
【０００５】
置換型ドーピング（例えば、この場合ドーパントが格子構造中のＳｉに置き換わる）によって、単結晶Ｓｉ含有材料中にひずみを導入することが可能である。例えば、単結晶シリコンの格子構造中のシリコン原子の一部をゲルマニウム原子で置換すると、ゲルマニウム原子は、これらが置き換わるシリコン原子より大きいので、得られる置換的にドーピングされた単結晶シリコン材料中に圧縮ひずみを生み出す。炭素による置換型ドーピングによって、単結晶シリコン中に引張りひずみを導入することが可能である。なぜなら、炭素原子は、これらが置き換わるシリコン原子より小さいからである。例えば、Ｊｕｄｙ  Ｌ．Ｈｏｙｔ、”Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  Ｃａｒｂｏｎ  Ａｌｌｏｙ”、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ、ＮＹ、５９〜８９頁、２００２年の第３章”Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉ１−ｙＣｙ／Ｓｉ  ａｎｄ  Ｓｉ１−ｘ−ｙＧｅｘＣｙ／Ｓｉ  Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓ”参照、この開示を参照により本明細書に援用する。
【０００６】
ｉｎ  ｓｉｔｕドーピングは、ドーパントを格子構造中に取り込むために、続いてアニーリングにより行われるｅｘ  ｓｉｔｕドーピングより好ましいことが多い。なぜなら、このアニーリングは熱的経費を消費して望ましくないからである。しかし実際には、ｉｎ  ｓｉｔｕ置換型炭素ドーピングは、ドーパントが、格子構造中のシリコン原子を置き換えることによってではなく、堆積中に非置換的に、例えば、シリコン中のドメインまたはクラスターの格子間に取り込まれる傾向により複雑である。例えば、前記のＨｏｙｔによる論文参照。非置換型ドーピングは、他の材料系、例えば、ＳｉＧｅの炭素ドーピング、電気的に活性なドーパントによるＳｉおよびＳｉＧｅのドーピング等を用いた置換型ドーピングも複雑にする。Ｈｏｙｔによる前記の論文の７３頁の図３．１０に図示されたように、従来の堆積方法は、２．３原子％までのｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングされた置換型炭素含有量を有する（これは５．４Åを超える格子間隔および１．０ＧＰａ未満の引張応力に対応している）結晶性シリコンを作製するために使用されてきた。しかし、従来の堆積方法は、２．３原子％超のｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングされた置換型炭素含有量を有する単結晶シリコンを堆積させることに成功したということは知られていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、Ｓｉ含有材料のｉｎ  ｓｉｔｕ置換型ドーピングを達成する、改良された方法の必要性がある。望ましくは、このような改良された方法は、堆積速度、選択性、および／または堆積された材料の品質（例えば、結晶品質）を必要以上に犠牲にすることなく、商業的に有効なレベルの置換型ドーピングを実現することができるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
発明の要約
今回、シリコン源および炭素源を利用して、炭素でドーピングされたＳｉ含有膜を堆積させる堆積方法を開発してきた。このような堆積方法は、従来の方法を用いて達成されたものより有意に高い濃度を含む、種々の濃度に炭素で置換的にドーピングされた種々のＳｉ含有単結晶膜を製造することが可能である。例えば、シリコン源としてトリシランを用いる好ましい堆積方法は、２．３原子％超の濃度を含む、ある範囲の置換型炭素濃度を有する炭素でドーピングされた種々の単結晶Ｓｉ膜を堆積させるために使用することができる。他の炭素でドーピングされた単結晶膜、例えば、リンおよびヒ素でドーピングされたＳｉ：Ｃも本明細書に記載の方法によって堆積させることが可能である。
【０００９】
一実施形態では、置換型炭素を含み、５．３８Å以下の格子間隔を有するドーピングされた単結晶シリコン膜が提供される。
【００１０】
他の実施形態では、Ｘ線回折法およびベガードの法則によって決定して、２．４原子％以上の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜が提供される。好ましい実施形態では、単結晶シリコン膜は、約０．２５原子％未満の非置換型炭素、より好ましくは約０．１５原子％未満の非置換型炭素を含む。
【００１１】
他の実施形態では、
チャンバ内に配置された基板を提供すること、
化学気相成長条件下で、チャンバにトリシランおよび炭素源を導入すること、および
Ｘ線回折法およびベガードの法則によって決定して、少なくとも１．０原子％の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜を少なくとも毎分約５ナノメートル（ｎｍ）の堆積速度で基板上に堆積させること
を含む単結晶シリコン膜を堆積させる方法が提供される。
【００１２】
他の実施形態では、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域を含む集積回路であって、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の少なくとも一方が、第１の単結晶Ｓｉ含有領域と第２の単結晶Ｓｉ含有領域の間に配置される第３の単結晶Ｓｉ含有領域に引張応力を及ぼすのに有効な置換型炭素の量を含み、第３の単結晶Ｓｉ含有領域が、応力を受けていない相当する領域に比較して少なくとも約１０％のキャリア移動度の増加を示す集積回路が提供される。
【００１３】
上記およびその他の実施形態を以下に詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
好ましい実施形態の詳細な説明
ここに、種々の置換的にドーピングされた単結晶Ｓｉ含有材料を作製するのに有用な堆積方法が開発された。例えば、結晶性Ｓｉは、シリコン源としてトリシランおよび炭素源として炭素含有ガスを用いて、比較的高速度で堆積を実施することによってｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングされて、比較的高濃度の置換型炭素を含むことが可能であることを見出した。好ましい実施形態では、得られる炭素でドーピングされたＳｉ含有材料は、有意の程度に置換的にドーピングされる。例えば、置換型炭素ドーピングの程度は、シリコン中の炭素ドーパント（置換型および非置換型）の総量に対する置換型炭素ドーパントの重量パーセントで表して、約７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは約９０％以上であり得る。この局面による炭素でドーピングされた層の堆積は、以下により詳しく説明するように、エッチャントガスの存在下または非存在下で、選択的にまたは非選択的に実施することができる。
【００１５】
「Ｓｉ含有材料」という用語および類似の用語は、これらに限定することなく、Ｓｉ（結晶性シリコンを含む）、Ｓｉ：Ｃ（例えば、炭素でドーピングされた結晶性Ｓｉ）、ＳｉＧｅおよびＳｉＧｅＣ（例えば、炭素でドーピングされた結晶性ＳｉＧｅ）を含む幅広い種類のシリコン含有材料を指すために本明細書で使用される。本明細書では、「炭素でドーピングされたＳｉ」、「Ｓｉ：Ｃ」、「ＳｉＧｅ」、「炭素でドーピングされたＳｉＧｅ」、「ＳｉＧｅ：Ｃ」および類似の用語は、種々の比率の示された化学元素および場合により少量の他の元素を含む材料を指す。例えば、「ＳｉＧｅ」は、シリコン、ゲルマニウムおよび、場合により他の元素、例えば、炭素などのドーパントおよび電気的に活性なドーパントを含む材料である。したがって、炭素でドーピングされたＳｉは、本明細書ではＳｉ：Ｃと称してよく、逆の場合も同様である。「Ｓｉ：Ｃ」、「ＳｉＧｅ」、および「ＳｉＧｅ：Ｃ」などの用語は、それ自体が化学量論的な化学式ではなく、したがって、特定の比率の示された元素を含む材料に限定されない。Ｓｉを含む膜中のドーパント（例えば、炭素、ゲルマニウムまたは電気的に活性なドーパント）のパーセントは、別段の指示がなければ、本明細書では全体の膜に対する原子パーセントで表される。
【００１６】
Ｓｉ含有材料中に置換的にドーピングされた炭素の量は、当業者には知られている方法で、ドーピングされたＳｉ含有材料の垂直な格子間隔をＸ線回折法によって測定し、次いでベガードの法則（単結晶Ｓｉと単結晶炭素の間の直線補間）を適用することによって決定することが可能である。例えば、Ｓｉ中に置換的にドーピングされた炭素の量は、ドーピングされたＳｉの垂直な格子間隔をＸ線回折法によって測定し、次いでベガードの法則を適用することによって決定され得る。当業者であればベガードの法則および置換型炭素濃度、格子間隔とひずみの間の関係を承知している。例えば、Ｊｕｄｙ  Ｌ．Ｈｏｙｔ、”Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  Ｃａｒｂｏｎ  Ａｌｌｏｙ”、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ、ＮＹ、５９〜８９頁、２００２年の第３章”Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ａｎｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉ１−ｙＣｙ／Ｓｉ  ａｎｄ  Ｓｉ１−ｘ−ｙＧｅｘＣｙ／Ｓｉ  Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｓ”参照。Ｈｏｙｔによる前記の論文の７３頁の図３．１０に図示されたように、ドーピングされたシリコン中の総炭素含有量はＳＩＭＳによって測定することができ、非置換型炭素含有量は、総炭素含有量から置換型炭素含有量を減算することによって決定することができる。他のＳｉ含有材料中に置換的にドーピングされた他の元素の量は、同様の方法で決定することができる。
【００１７】
種々の実施形態により、トリシランを含むシリコン源、炭素源および、必要に応じて電気的に活性なドーパント（複数可）などの他の元素源（複数可）を用いて、炭素でドーピングされたＳｉ含有材料（例えば、炭素でドーピングされた単結晶Ｓｉ）を堆積させる方法が提供される。本明細書に教示されるＣＶＤ条件下で、トリシランおよび炭素源を基板の表面に供給すると、好ましくは、基板の表面上にエピタキシャルな、炭素でドーピングされたＳｉ含有膜の形成がされる。以下により詳細に説明される特定の選択的堆積の実施形態では、塩素ガス（Ｃｌ２）などのエッチャントガスが、トリシランおよび炭素源と共にこの基板に供給され、Ｓｉ含有膜が、単結晶基板または混合基板の単結晶領域上に選択的に堆積される。比較的速い堆積速度を使用する方法が好ましく、好ましい実施形態では、このような方法は、比較的高濃度の置換型炭素を含むｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングされた結晶性Ｓｉ含有材料を堆積させる結果となることが判明した。
【００１８】
「基板」という用語は本明細書で使用されるときは、堆積がその上に望まれるワークピース、あるいは堆積ガス（複数可）に暴露される表面を指す。例えば、基板は、単結晶シリコンウェハであってよく、またはＳＯＩ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であってよく、またはエピタキシャルＳｉ、ＳｉＧｅもしくはこのようなウェハ上に堆積されたＩＩＩ〜Ｖ材料であってよい。ワークピースはウェハに限定されず、ガラス、プラスチック、または半導体処理に使用される任意の他の基板も含まれる。「混合基板」という用語は、当業者には知られており、”Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｏｖｅｒ  Ｍｉｘｅｄ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”という名称の米国特許第６９００１１５号（２００５年５月３１日発行）参照（特に混合基板を説明する目的で、この全体を参照により本明細書に援用する）。米国特許第６９００１１５号で論じられたように、混合基板は、２つ以上の異なる種類の表面を有する基板である。例えば、混合基板は、第１の表面モルホロジーを有する第１の表面および第２の表面モルホロジーを有する第２の表面を含んでよい。ある特定の実施形態では、炭素でドーピングされたＳｉ含有層は、単結晶半導体材料上に選択的に形成され、一方、隣接する誘電体上での堆積は最小限に抑えられるか、より好ましくそれが回避される。誘電体材料の例としては、二酸化ケイ素（炭素でドーピングされたおよびフッ素でドーピングされたケイ素の酸化物などの低誘電率の形態を含む）、窒化ケイ素、金属酸化物および金属ケイ酸塩が挙げられる。「エピタキシャル」、「エピタキシャルに」、「ヘテロエピタキシャル」、「ヘテロエピタキシャルに」という用語および類似の用語は、結晶性Ｓｉ含有材料を結晶性基板上に、堆積層が基板の格子定数を取り入れるかまたは追従するように堆積させることを指す。エピタキシャル堆積は、堆積層の組成が基板の組成と異なる場合はヘテロエピタキシャルであってもよい。
【００１９】
この材料がたとえ同じ元素から作られていても、その表面のモルホロジー（結晶性）が異なれば、その表面は異なり得る。本明細書に記載の方法は、Ｓｉ含有膜を種々の基板上に堆積させるのに有用であるが、混合された表面モルホロジーを有する混合基板に対して特に有用である。このような混合基板は、第１の表面モルホロジーを有する第１の表面および第２の表面モルホロジーを有する第２の表面を含む。これに関連して、「表面モルホロジー」とは、基板表面の結晶構造を指す。アモルファスおよび結晶性は異なるモルホロジーの例である。多結晶モルホロジーは、規則的な結晶の不規則な配列からなる結晶構造であり、したがって中度の規則性を有する。多結晶材料中の原子は、それぞれの結晶内では配列されているが、結晶それ自体は、互いに長い距離の規則性に欠けている。単結晶モルホロジーは、長距離の高い規則性を有する結晶構造である。エピタキシャル膜は、それがその上に成長される基板と同じ結晶構造および配向、典型的には単結晶によって特徴付けられる。これらの材料中の原子は、比較的長い距離（原子的尺度で）にわたり持続する格子様構造中に配列される。アモルファスモルホロジーは、原子が明確な周期的な配列に欠けているので、低い規則性を有する非結晶構造である。他のモルホロジーには、微結晶材料およびアモルファスと結晶性材料の混合物が含まれる。本明細書では、「単結晶」または「エピタキシャル」とは、トランジスタ製造のために一般に使用される、許容される数の欠陥を中に有してよい、大部分が大きな結晶構造を説明するために使用される。当業者であれば、層の結晶性は、一般に、アモルファスから多結晶に、そして単結晶に連続的であることを理解するであろう。当業者であれば、結晶構造が、低い密度の欠陥はあるが、単結晶またはエピタキシャルとみなし得る場合を容易に決定することができる。混合基板の具体例としては、限定することなく、単結晶／多結晶、単結晶／アモルファス、エピタキシャル／多結晶、エピタキシャル／アモルファス、単結晶／誘電体、エピタキシャル／誘電体、導体／誘電体、および半導体／誘電体がある。「混合基板」という用語には、２種を超える異なる種類の表面を有する基板が含まれ、したがって、当業者であれば、２種類の表面を有する混合基板上にＳｉ含有膜を堆積させる本明細書に記載の方法は、３種以上の異なる種類の表面を有する混合基板に適用することも可能であると理解するであろう。
炭素でドーピングされたＳｉ含有膜および方法
ある実施形態では、ＣＶＤ反応器中に配置された基板を提供すること；化学気相成長条件下で、トリシランおよび炭素源を反応器に導入すること；および、単結晶シリコン膜を基板上に堆積させることを含む単結晶シリコン膜を堆積させる方法を提供する。この堆積は、好ましくは少なくとも毎分約５ｎｍ、より好ましくは少なくとも毎分約１０ｎｍ、さらにより好ましくは少なくとも毎分約２０ｎｍの堆積速度で実施される。好ましくは、得られる単結晶シリコン膜は、Ｘ線回折法およびベガードの法則で決定して、少なくとも約１．０原子％の置換型炭素、より好ましくは約１．５原子％以上の置換型炭素、さらにより好ましくは２．４原子％以上の置換型炭素を含む。
【００２０】
堆積は、当業者には知られている種々のＣＶＤ法に従って適切に実施することが可能であるが、堆積を本明細書に教示されているＣＶＤ法に従って実施する場合最大の利益が得られた。開示されている方法は、トリシラン蒸気および炭素源を利用して、プラズマエンハンスト化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）または熱ＣＶＤを含むＣＶＤを使用することによって適切に実施して、ＣＶＤチャンバ中で基板上に単結晶Ｓｉ含有膜を堆積することが可能である。いくつかの実施形態では、このＳｉ含有膜は、炭素でドーピングされたエピタキシャルＳｉ膜である。いくつかの実施形態では、気体の塩素含有エッチャント（例えば、ＨＣｌまたは、より好ましくは塩素）をトリシランおよび炭素源と共にチャンバに導入して、単結晶Ｓｉ含有膜を選択的に堆積させる。下記の説明では、ＳｉまたはＳｉ含有膜を堆積させるために、トリシランおよび炭素源の使用を参照することができる。これらの説明はまた、別段の指示がなければ、一般に、他のＳｉ含有膜、例えば、ＳｉＧｅ：Ｃ膜（例えば、ゲルマニウム源の使用を含む）の堆積、電気的にドーピングされたＳｉ：ＣおよびＳｉＧｅ：Ｃ膜（例えば、電気的ドーパントのためのドーパント前駆体の使用を含む）の堆積および選択的堆積（例えば、エッチャント源の使用を含む）に適用可能であることが認められよう。熱ＣＶＤは、プラズマ処理に伴う基板および装置への損傷のリスクなしで堆積を達成することができるので好ましい。
【００２１】
トリシランおよび炭素源（および、ある特定の実施形態では、必要に応じて、エッチャントガスおよび／または電気的ドーパント前駆体）は、好ましくは、個別のガスの形でまたは供給ガスを形成するために混合することによってチャンバに導入される。供給ガスを形成するための混合は、チャンバ中でまたはチャンバへの供給ガスの導入に先立って実施してよい。ＣＶＤチャンバ中の総圧力は、好ましくは約０．００１Ｔｏｒｒ〜約１０００Ｔｏｒｒの範囲、より好ましくは約０．１Ｔｏｒｒ〜約３５０Ｔｏｒｒの範囲、最も好ましくは約０．２５Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒの範囲である。実験は０．２５Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲の圧力で実施した。いくつかの実施形態では、この化学気相成長条件は、少なくとも約２０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力、好ましくは約２０Ｔｏｒｒ〜約２００Ｔｏｒｒの範囲のチャンバ圧力を含む。下記のように、実験を実施した枚葉式、単一通路、層状水平フロー反応器中では、少なくとも約５００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力が適していた。チャンバ圧力は、本明細書では堆積圧と呼んでよい。トリシランの分圧は、好ましくは総圧力の約０．０００１％〜約１００％の範囲、より好ましくは総圧力の約０．００１％〜約５０％である。供給ガスは、トリシランおよび炭素源以外のガス（単数または複数）、例えば、他のシリコン源、エッチャント源、ドーパント前駆体（複数可）および／または不活性キャリアガスを含んでもよいが、トリシランが唯一のシリコン源であることが好ましい。「ドーパント前駆体（複数可）」という用語は、通常、得られる堆積された膜中に比較的少量で中に取り込まれ得る種々の元素（例えば、炭素、ゲルマニウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ヒ素、リン、および／またはアンチモン）への前駆体である種々の材料を指すために本明細書で使用される。シリコン源はまた、比較的少量のシリコンを含むＳｉＧｅ膜を堆積させるためのドーパント前駆体とみなし得ると認識される。本明細書に記載の方法のための適したキャリアガスの例には、Ｈｅ、Ａｒ、Ｈ２、およびＮ２が含まれる。ある特定の実施形態では、下記により詳細に説明されるように、キャリアガスは、Ｈｅ、Ａｒおよび／またはＮ２などの非水素キャリアである。好ましくは、トリシランは、トリシラン蒸気を同伴するためのキャリアガスと共に使用されるバブラーなどの気化器を経由して、より好ましくは、バブラーおよびバブラーから流れるキャリアガス中のトリシランの量を測定するガス濃度センサを備える供給システムを経由してチャンバに導入される。このようなセンサは、例えば、米国、ニューヨーク州、ＰｏｕｇｈｋｅｅｐｓｉｅのＬｏｒｅｘ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製Ｐｉｅｚｏｃｏｎ（登録商標）ガス濃度センサが市販されている。
【００２２】
供給ガス中に含まれ得る適した炭素源の例には、限定することなく、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタンおよびテトラシリルメタンなどのシリルアルカン、および／またはモノメチルシラン（ＭＭＳ）、およびジメチルシランなどのアルキルシランが含まれる。いくつかの実施形態では、炭素源は、Ｈ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−ＣＨ３（１，３−ジシラブタン）を含む。この供給ガスはまた、所望時は、Ｓｉ含有膜をドーピングするかまたは合金化するのに有用であると当業者には既知の他の材料、例えば、補充のシリコン源、ゲルマニウム源、ホウ素源、ガリウム源、インジウム源、ヒ素源、リン源、および／またはアンチモン源を含んでよい。このような供給源の具体例としては、補充のシリコン源として、シラン、ジシランおよびテトラシラン；ゲルマニウム供給源として、ゲルマン、ジゲルマンおよびトリゲルマン；炭素およびシリコン両方の供給源として、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、テトラシリルメタン、モノメチルシラン（ＭＭＳ）、およびジメチルシラン；電気的ドーパント（ｎ型およびｐ型の両方）、例えば、アンチモン、ヒ素、ホウ素、ガリウム、インジウムおよびリンの供給源として種々のドーパント前駆体がある。一般式（ＳｉＨ３−ＺＣｌｚ）ｘＣＨ４−ｘ−ｙＣｌｙ（式中、ｘは１〜４の範囲の整数であり、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、０または１〜３の範囲の整数であり、但し、ｘ＋ｙ≦４であり、ｙおよびｚの少なくとも１つは０でない）のクロロシリルメタンは、炭素、シリコンおよび塩素の供給源として特に有用であることが分かっている。一般式ＸａＳｉＨｂ（ＣｎＨ２ｎ＋１）４−ａ−ｂ（式中、Ｘはハロゲン（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ）であり；ｎは、１または２であり；ａは、１または２であり；ｂは、０、１または２であり；ａとｂの合計は４未満である）のアルキルハロシランも、炭素、シリコンおよび塩素の供給源として特に有用である。メチルジクロロシラン（Ｃｌ２ＳｉＨ（ＣＨ３））は、式ＸａＳｉＨｂ（ＣｎＨ２ｎ＋１）４−ａ−ｂのアルキルハロシランの一例である。
【００２３】
トリシランを用いたＣＶＤによるＳｉ含有膜中への電気的に活性なドーパントの取込みは、好ましくは、ドーパント供給源またはドーパント前駆体を用いてｉｎ  ｓｉｔｕドーピングで実施される。電気的ドーパントのための好ましい前駆体は、ジボラン、重水素化ジボランなどのｐ型ドーパント前駆体およびホスフィン、ヒ素蒸気、およびアルシンなどのｎ型ドーパント前駆体を含む、ドーパント水素化物である。シリルホスフィン、例えば（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＰＲｘ、およびシリルアルシン、例えば（Ｈ３Ｓｉ）３−ｘＡｓＲｘ（式中、ｘ＝０〜２であり、Ｒｘ＝Ｈおよび／または重水素（Ｄ）である）は、リンおよびヒ素ドーパントのための代替の前駆体である。ＳｂＨ３およびトリメチルインジウムは、それぞれ、アンチモンおよびインジウムの代替の供給源である。このようなドーパント前駆体は、下記に説明されるような好ましい膜、好ましくは、ホウ素、リン、アンチモン、インジウム、およびヒ素でドーピングされたシリコン、Ｓｉ：Ｃ、ＳｉＧｅおよびＳｉＧｅＣ膜および合金の製造に有用である。
【００２４】
供給ガス（複数可）をＣＶＤチャンバに供給するのに、適当なマニフォールドを使用することができる。このＣＶＤチャンバは、例示される実施形態に記載される、好ましくは枚葉式反応器、例えば、枚葉式水平ガスフローＣＶＤチャンバである。最も好ましくは、このＣＶＤチャンバは、好ましくは放射状に加熱される、枚葉式、単一通路、層状水平ガス流反応器である。この型の適した反応器は市販されており、好ましいモデルには、アリゾナ州、ＰｈｏｅｎｉｘのＡＳＭ  Ａｍｅｒｉｃａ、Ｉｎｃ．から市販されているＥｐｓｉｌｏｎ（商標）系列の枚葉式反応器が含まれる。本明細書に記載の方法は、例えばシャワーヘッド配置などの代替の反応器中で使用することも可能であるが、向上された均一性および堆積速度の利益は、回転する基板を使用して、特に短いプロセスガス滞留時間で、Ｅｐｓｉｌｏｎ（商標）チャンバの水平な単一通路層状ガス流配置で特に効果的であることが分かっている。ＣＶＤは、プラズマ生成物（ｉｎ  ｓｉｔｕでまたはリモートプラズマ発生器の下流で）をチャンバに導入することによって実施してよいが、上記のように熱ＣＶＤが好ましい。
【００２５】
供給ガス中のドーパント前駆体の量は、Ｓｉ含有膜中のドーパントの所望の濃度をもたらすために調整することが可能である。供給ガス中のドーパント前駆体の好ましい濃度は、反応ガス（不活性キャリアおよび希釈ガスを除いて）の総重量に対して重量で約十億分の１（ｐｐｂ）〜約２０重量％の範囲である。電気的ドーパントでは、供給ガス中のドーパント前駆体（例えば、純粋なホスフィンまたは当量の希釈ホスフィン、アルシンまたはジボラン）の好ましい濃度は、好ましくは、約０．１標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）〜約５ｓｃｃｍの間であるが、得られる膜の所望の特性を達成するために、より多いまたはより少ない量が好ましいこともある。好ましいＥｐｓｉｌｏｎ（商標）系列の枚葉式反応器では、キャリアガス中のドーパント前駆体の希釈混合物は、所望のドーパント濃度およびドーパントガス濃度に応じて、約１０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの範囲の設定値を有する質量流量制御器を介して反応器に供給することができる。ドーパントガスの希釈は、当量の純粋なドーパント流量に達するように１０−７〜１０−２倍になり得る。典型的には、市販されているドーパント供給源は、Ｈ２中に希釈されたドーパント水素化物、例えば、Ｈ２中の１％アルシンまたは１％ホスフィンである。しかし、図１５〜１６に関して下記に説明するように、いくつかの実施形態では、ドーパント前駆体は、非水素の不活性ガス中に希釈される。この希釈混合物は、好ましくは、トリシラン、エッチャント（選択的堆積実施形態に対して）、任意の適当なキャリアガス、および置換型ドーピングに対する所望のひずみに影響を及ぼす前駆体（例えば、置換型炭素ドーピングに対する、ＭＭＳなどの炭素源）と混合することによってさらに希釈される。この好ましいＥｐｓｉｌｏｎ（商標）系列反応器での堆積のための典型的な総流量は、約２０標準リットル毎分（ｓｌｍ）〜約１８０ｓｌｍの範囲であることが多いので、このような方法に使用されるドーパント前駆体の濃度は、総流量に対して一般に低い。
【００２６】
種々の供給ガス成分の相対量は、得られるＳｉ含有膜に対して所望の組成および使用される堆積条件（例えば、温度、圧力、堆積速度等）に応じて広い範囲で変化してよく、本明細書に提供されるガイダンスに照らしてルーチンの実験によって決定することができる。この供給ガス成分は、混合し、次いでチャンバまたは基板に供給してよく、またはこの供給ガスは、基板においてまたはその近傍で成分を混合することによって、例えば供給ガス成分をＣＶＤチャンバに別々に供給することによって形成してよい。
【００２７】
熱ＣＶＤは、好ましくは、結晶性Ｓｉ含有膜を基板上に堆積させるのに有効な基板温度で実施される。熱ＣＶＤは、好ましくは約３５０℃〜約９００℃、より好ましくは約５００℃〜約８００℃の範囲の温度で実施される。ある実施形態では、化学気相成長条件は、トリシランに対して、実質的に物質移動で制御される堆積条件と実質的に反応速度論で制御される堆積条件の間の転移温度付近である温度を含む。このようなトリシラン堆積条件は、米国特許第６８２１８２５号に記載されており、これを特にトリシラン堆積条件を説明する目的で、参照により本明細書に援用する。ＰＥＣＶＤは、好ましくは、約３００℃〜約７００℃の範囲の温度で実施される。当業者であれば、実際の製造の実態、例えば、熱的経費の維持、堆積速度、枚葉式およびバッチ式反応器を含むチャンバの異なるサイズ、好ましい総圧および分圧等を考慮に入れてこれらの温度範囲を調整することができる。一般に、所定の所望の結果に対して、それが堆積速度、層の品質または両者の組合せであるかどうかにかかわらず、分圧がより高いとより低い温度となる。この基板は、当技術分野で既知の種々の方法、例えば、抵抗的加熱およびランプ加熱によって加熱することができる。
【００２８】
以下を含む、種々の堆積パラメータがＳｉ含有膜中への置換型炭素の取込みに影響を及ぼすことが判明した：他のシリコン源に対するトリシランの比率；トリシラン流量に対する炭素源流量の比率；キャリアガス流量；堆積圧；堆積温度；および堆積速度。驚くべきことには、これらのパラメータのある特定の組合せは、Ｓｉ含有膜中への比較的高濃度の置換型炭素の取込みを達成するのに特に有利であることが分かっている。特に以下の組合せが好ましい：
・以下の少なくとも１つと組み合わせた、比較的高いトリシラン流量（例えば、約１００ｍｇ／分〜約５００ｍｇ／分）：補充のシリコン源についての比較的低い流量（例えば、シラン流量に対する比較的高いトリシラン流量の比率）；比較的低いキャリアガス流量（例えば、水素キャリアガス流量に対する比較的高いトリシラン流量の比率）；比較的速い堆積速度（例えば、好ましくは少なくとも毎分約５ｎｍ）；比較的高い堆積圧（例えば、好ましくは少なくとも約１Ｔｏｒｒ、より好ましくは少なくとも約２０Ｔｏｒｒ）；比較的低い堆積温度（例えば、好ましくは、約４５０℃〜約６５０℃の範囲）；およびトリシラン流量に対する比較的高い炭素源流量の比率（例えば、好ましくは少なくとも約０．５ｓｃｃ／ｍｇのトリシランに対するＭＭＳの流量の比率）。
・以下の少なくとも１つと組み合わせた、比較的高い堆積圧（例えば、約２０Ｔｏｒｒ〜約２００Ｔｏｒｒ）：比較的低いキャリアガス流量（例えば、約１ｓｌｍ〜約５０ｓｌｍ）；比較的高いトリシラン流量（例えば、約１００ｍｇ／分〜約５００ｍｇ／分）；比較的高い堆積速度（例えば、約５ｎｍ／分超）；および比較的低い堆積温度（例えば、好ましくは約４５０℃〜約６５０℃の範囲）。
【００２９】
図１〜６は、堆積パラメータの種々の組合せの影響を例示する。図１〜６に示すデータは、単結晶シリコン基板上に一連の炭素でドーピングされたシリコン膜を堆積させるために、トリシランおよび炭素源としてモノメチルシラン（ＭＭＳ）を用いて、Ｅｐｓｉｌｏｎ（商標）枚葉式反応器（アリゾナ州、ＰｈｏｅｎｉｘのＡＳＭ  Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．から市販されている）中で実施された熱化学気相成長法に対して得られた。
【００３０】
図１Ａおよび１Ｂは、２００ｍｇ／分のトリシラン流量、１８０ｓｃｃｍのＭＭＳ流量、および５５０℃の堆積温度を用いて、堆積圧および水素キャリアガス流量（１０、２０および４０ｓｌｍ）の置換型炭素含有量（図１Ａ）および成長速度（図１Ｂ）に及ぼす影響を例示するプロットである。図１Ａは、堆積圧を増加させると、この一連の実験に使用された３種のすべての水素キャリアガス流量でより高い濃度の置換型炭素含有量がもたらされたことを示す。図１Ａはまた、約１５Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒの範囲にわたる種々の堆積圧において、水素キャリアガス流量を低下させると、より高い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。
【００３１】
図１Ａは、比較的高い堆積圧および比較的低い水素キャリアガス流量の組合せは、２．３原子％を超える置換型炭素を含む多数のＳｉ：Ｃ膜を生成するのに特に有効であることを示す。上記のように、Ｈｏｙｔによる前記の論文の７３頁の図３．１０の従来の堆積方法は、２．３原子％までの置換型炭素含有量を有する結晶性シリコン（これは、５．４Åを超える格子間隔および１．０ＧＰａ未満の引張応力に対応する）を作製するために使用されてきたことを示す。図１Ａは、本明細書に記載の方法は、２．４原子％を超える置換型炭素含有量、５．３８Å以下の格子間隔および約１．０ＧＰａ以上の引張応力を有する、ｉｎ  ｓｉｔｕで炭素ドーピングされた結晶性シリコンを作製するために使用することができることを示す。したがって、ある実施形態では、置換型炭素を含み、５．３８Å以下、より好ましくは約５．３６Å以下、さらにより好ましくは約５．３４Å以下の格子間隔を有するドーピングされた単結晶シリコン膜が提供される。他の実施形態では、Ｘ線回折法およびベガードの法則によって決定した、２．４原子％以上の置換型炭素、好ましくは２．７原子％以上の置換型炭素、さらにより好ましくは３．０原子％以上の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜が提供される。他の実施形態では、約１．０ＧＰａ以上、好ましくは約１．５ＧＰａ以上、より好ましくは約１．７ＧＰａ以上、さらにより好ましくは約１．８５ＧＰａ以上、最も好ましくは約２．０ＧＰａ以上の引張応力を有する炭素でドーピングされた単結晶シリコン膜が提供される。
【００３２】
ある実施形態では、それぞれの前記の炭素でドーピングされた単結晶シリコン膜は、堆積された場合に電気的に活性である（置換的に取り込まれている）、電気的に活性なドーパント、例えば、リンおよびヒ素からなる群から選択されるドーパントをさらに含む。種々の実施形態では、この膜は、抵抗率を低下させる、例えば、約１．０ｍΩ・ｃｍ以下、好ましくは、約０．７ｍΩ・ｃｍ以下の抵抗率を有するＳｉ：Ｃ膜を提供するのに有効な電気的に活性なドーパントの量を含む。他の実施形態では、それぞれの前記の単結晶シリコン膜は、約０．３原子％未満の非置換型炭素、好ましくは約０．２５原子％未満の非置換型炭素、より好ましくは約０．２０原子％未満の非置換型炭素、さらにより好ましくは約０．１５原子％未満の非置換型炭素を含む。
【００３３】
図１Ｂは、水素キャリアガス流量を低下させると、より高い成長速度がもたらされることを示す。図１Ｂはまた、堆積圧を約１５Ｔｏｒｒから約１００Ｔｏｒｒに増加させると、この一連の実験に使用した３種のすべての水素キャリアガス流量で、より高い成長速度がほぼもたらされることを示す。好ましいキャリアガス流量は、約１ｓｌｍ〜約５０ｓｌｍ、より好ましくは約１０ｓｌｍ〜約４０ｓｌｍの範囲である。
【００３４】
図２Ａおよび２Ｂは、１８０ｓｃｃｍの一定のＭＭＳ流量、５５０℃の堆積温度、１５Ｔｏｒｒの堆積圧、および２０ｓｌｍの水素キャリアガス流量における、トリシラン流量（図２Ａ）および成長速度（図２Ｂ）の置換型炭素含有量に及ぼす影響を例示するプロットである。図２Ａは、トリシラン流量を増加させると（一定のＭＭＳ流量で）、より低い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。図２Ｂに示すデータは、同じ一連の実験からであり、一定のＭＭＳ流量で（図２Ａに示すようにトリシラン流量を増加させることによって）成長速度を増加させると、より低い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。
【００３５】
図３Ａは、トリシランに対するＭＭＳのある一定の流量比について、種々の堆積圧における成長速度の置換型炭素含有量に及ぼす影響を例示するプロットである。図２と同様に、図３Ａにプロットされたデータも、５５０℃の堆積温度で、および２０ｓｌｍの水素キャリアガス流量で得られた。図３Ａは、トリシランに対するＭＭＳの所与の流量比において、成長速度を増加させると、より高い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。図３Ａはまた、トリシランに対するＭＭＳの所与の流量比において、堆積圧を増加させると、より高い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。比較的高い堆積圧と比較的高い成長速度の組合せは、２．３原子％を超える置換型炭素を含む多数のＳｉ：Ｃ膜を生成して特に有効である。
【００３６】
図２Ｂは、他の堆積パラメータとは切り離して考えて、炭素源フローを増加させることなく成長速度を増加させると、低濃度の置換型炭素含有量がもたらされるように見えることを示すのに対して、図３Ａは、成長速度を増加させると、高い濃度の置換型炭素含有量がもたらされることを示す。しかし、これらの結果は矛盾しない。なぜなら、図２Ｂに示すデータは、一定のＭＭＳ流量でトリシラン流量を増加させることによって、したがってトリシランに対するＭＭＳの低下する流量比で得られたのに対して、図３Ａに示すデータは、トリシランに対するＭＭＳの種々の一定の流量比で得られたことが認識されるからである。したがって、図２Ｂ中に例示された置換型炭素含有量の減少は、増加する堆積速度それ自体からでなく、トリシラン流量が増加するにつれて、供給ガス中のＭＭＳの相対的により少ない量から生じている。トリシランに対するＭＭＳの種々の一定の流量比では、トリシラン流量の増加は、図３Ｂに例示されるように成長速度の増加がもたらされた（データは、５５０℃の堆積温度および２０ｓｌｍの水素キャリアガス流量で得られた）。これらの増加した成長速度は、図３Ａに例示したより高濃度の置換型炭素含有量を生じた。
【００３７】
したがって、図３Ａは、両方のガスの流量を同時に増加させることによって成長速度を増加させながら、炭素源に対するトリシランの比率を一定に維持することの影響を例示する。図３Ａは、炭素前駆体に対するトリシランの所与の比率について、より速い成長速度において置換型炭素のより高い濃度を達成することが可能であることを実証する。図３Ｂは、成長速度は、トリシラン流量の強い正の関数であり、チャンバ圧力は成長速度に比較的小さな影響を有することを示す。したがって、図１〜３はまとめて、単結晶シリコン中の高濃度の置換型炭素を達成するために、比較的高い堆積速度を使用し得る種々の条件を例示する。
【００３８】
堆積圧は、成長速度に対して比較的小さな影響を有するが、堆積されたＳｉ：Ｃ膜の結晶品質に実質的に影響を及ぼすことが分かっている。例えば、Ｅｐｓｉｌｏｎ（商標）枚葉式反応器中で、トリシランおよびＭＭＳを用いて、１５Ｔｏｒｒの堆積圧および５５０℃の堆積温度における一連の実験で、一連のエピタキシャルＳｉ：Ｃ膜が堆積された。７０ｓｃｃｍのＭＭＳ流量、２０ｓｌｍの水素キャリアガス流量、および１５分の堆積時間において、１．９２原子％の置換型炭素含有量および４１０Åの厚さを有するエピタキシャルＳｉ：Ｃ膜が堆積された。この膜のエピタキシャル品質は高く、Ｘ線回折法で示されるように、実質的にすべての炭素は置換型であった。しかし、膜厚および／または炭素含有量を増加させると、得られるＳｉ：Ｃ膜に対して低いエピタキシャル品質がもたらされることが判明した。例えば、実質的に同じ堆積条件下（２０分の堆積時間を除く）で実施された第２の堆積により、わずかにより高い炭素含有量（１．９６原子％）を有するより厚いＳｉ：Ｃ膜が生じたがＸ線回折法は低い結晶性を示しており、第２の膜のエピタキシャル品質は第１の膜より劣っていた。したがって、これらの条件下では（堆積圧１５Ｔｏｒｒを含む）、Ｓｉ：Ｃ膜の厚さおよび炭素含有量を増加させると、エピタキシャル膜品質の低下が生じる。しかし、より高い堆積圧を用いることによって、高いエピタキシャル膜品質を維持しながら、膜の厚さおよび／または炭素含有量を増加させることが可能であることが判明した。例えば、堆積圧がより高く（４０Ｔｏｒｒ）、ＭＭＳ流量がより低い（４６ｓｃｃｍ）以外は、第１の膜と実質的に同じ条件下で第３のＳｉ：Ｃ膜を堆積した。得られた膜は、１．９９原子％の置換型炭素含有量および６３０Åの厚さを有していた。より低いＭＭＳ流量にもかかわらず、第３の膜の置換型炭素含有量は、第１の膜よりわずかに高く、この成長速度はより高かった（約２７ｎｍ／分から約３２ｎｍ／分に増加した）。さらに、厚さおよび炭素濃度の両方の増加にもかかわらず、Ｘ線回折法によって測定すると、第３の膜のエピタキシャル品質は、第１の膜に匹敵していた。他の例として、堆積圧がより高く（９０Ｔｏｒｒ）、ＭＭＳ流量がより低い（３６ｓｃｃｍ）以外は、第１および第３の膜と実質的に同じ条件下で、第４のＳｉ：Ｃ膜を堆積した。得られた膜は、２．２７原子％の置換型炭素含有量および３８５Åの厚さを有していた。より低いＭＭＳ流量にもかかわらず、第３の膜の置換型炭素含有量は、第１および第３の両方の膜より有意に高かった。さらに、Ｘ線回折法によって測定すると、第４の膜のエピタキシャル品質は、第１および第３の膜の両方に匹敵していた。
【００３９】
枚葉式反応器、例えば、好ましいＥｐｓｉｌｏｎ（商標）系列反応器中で実施されるトリシランの堆積に関しては、トリシラン流量は、適切には約５ｍｇ／分（ミリグラム毎分）〜約２０００ｍｇ／分、好ましくは約５０ｍｇ／分〜約５００ｍｇ／分の範囲、より好ましくは約１００ｍｇ／分〜約３００ｍｇ／分の範囲であり；炭素源（例えば、ＭＭＳ）流量は、好ましくは約８０ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍの範囲であり；トリシラン流量に対する炭素源流量の比率は、好ましくは約０．５標準立方センチメートルの炭素源／ミリグラムトリシラン（ｓｃｃ／ｍｇ）〜約８．０ｓｃｃ／ｍｇ、より好ましくは約０．９〜約３．０ｓｃｃ／ｍｇの範囲であり、キャリアガス流量は、好ましくは約１ｓｌｍ〜約５０ｓｌｍ、より好ましくは約１０ｓｌｍ〜約４０ｓｌｍの範囲であり；堆積速度は、好ましくは少なくとも毎分約５ｎｍ、より好ましくは少なくとも毎分約１０ｎｍであり；堆積圧は、好ましくは約１Ｔｏｒｒ〜約２００Ｔｏｒｒ、より好ましくは約１０Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒ、さらにより好ましくは約２０Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒの範囲であり；堆積温度は、約４５０℃〜約６００℃の範囲、より好ましくは約５００℃〜約５７５℃の範囲である。当業者であれば、本明細書に提供されるガイダンスおよびルーチンの実験を用いて、これらの条件を種々の装置および堆積形態に適合させることができる。例えば、当業者であれば、これらの条件をＧｅでドーピングされたＳｉおよび炭素でドーピングされたＳｉＧｅに容易に適合させることができる。
【００４０】
上記のように、前記の炭素でドーピングされた単結晶Ｓｉ含有膜は、電気的に活性なドーパント、例えば、リンおよびヒ素からなる群から選択されるドーパントをさらに含んでよい。一般に、置換型炭素が存在すると、置換型炭素を含んでいない、その他の点では同様の電気的にドーピングされた単結晶Ｓｉ含有膜に比較して、抵抗率を増加させる傾向のある散乱を生じる。しかし、本明細書に記載のトリシランを用いて堆積させる場合は、このような電気的にドーピングされた単結晶Ｓｉ含有膜は、炭素が存在するにもかかわらず、依然として驚くべき低さの抵抗率を有することが判明した。例えば、電気的ドーパントでドーピングされた（好ましくは置換的にドーピングされた）場合は、置換型炭素を含む単結晶Ｓｉ含有膜は約１．０ｍΩ・ｃｍ以下、好ましくは約０．７ｍΩ・ｃｍ以下の抵抗率を有することが可能である。実験において、トリシラン、アルシンおよびＭＭＳから堆積されたヒ素でドーピングされたＳｉ：Ｃに対して、現在、約５．３２３Åの格子間隔（Ｘ線回折法測定される）が達成されている。この５．３２３Åの格子間隔は、約３．２５％の置換型炭素濃度に対応する。
【００４１】
例えば、図４Ａは、炭素およびヒ素の両方で置換的にドーピングされたシリコン膜についての、成長速度（ｎｍ／分）の関数としての炭素置換率を示すグラフである。図４Ａは、これらの膜の抵抗率（Ｒｅｓ、単位ｍΩ・ｃｍ、これも左軸で）も示す。図４Ａは、種々の濃度の置換型炭素（例えば、例示された実施形態では約１．７原子％〜約３．２５原子％）を含み、且つ種々の量の電気的に活性なドーパント（例示された実施形態ではヒ素）を含むＳｉ含有膜を堆積することができることを実証する。電気的に活性なドーパントと置換型炭素の組合せは、望ましく低い抵抗値（例えば、例示された実施形態では、約０．７ｍΩ・ｃｍ〜約１．４５ｍΩ・ｃｍ）を有する膜を生じる。
【００４２】
本明細書に記載の比較的高濃度の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜（例えば、２．４％以上の置換型炭素を含む膜）は、種々のレベルの引張応力を示す。なぜなら、置換型炭素原子は、結晶性シリコン格子構造中でこれらが置き換わるシリコン原子より小さいからである。ある実施形態では、２．４％以上の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜は、約１．０ＧＰａ以上、例えば、約１．５ＧＰａ以上、好ましくは約１．７ＧＰａ以上、より好ましくは約１．８５ＧＰａ以上、さらにより好ましくは約２．０ＧＰａ以上の引張応力を有する。この応力は、膜中の任意の特定の方向で測定することが可能である。例えば、下にある結晶性シリコン基板上に堆積される、置換型炭素を含む、上にあるシリコン膜では、上にあるシリコン膜は、平行応力（即ち、膜／基板界面に対して平行に測定した応力）とは異なる、垂直な応力（即ち、膜／基板界面に対して垂直に測定した応力）を示し得る。例えば、Ｈｏｙｔによる前述の論文の６２頁の図３．１参照。
【００４３】
応力は、適当な基板上へのＳｉ：Ｃ膜のヘテロエピタキシャル堆積によって導入し得る。例えば、約３．２５原子％（５．３２３Åの格子間隔）の置換型炭素濃度を有するヒ素でドーピングされたＳｉ：Ｃ膜を単結晶シリコン基板上に堆積させることができる。このようなテンプレート（約５．４３Åの格子間隔を有する）に拘束される場合は、このようなＳｉ：Ｃ膜中の引張応力は、２．０６ＧＰａに達する。この応力は、基板の適切な選択およびＳｉ：Ｃ膜中の置換型炭素の量によって変化させることが可能である。種々の実施形態では、ヘテロエピタキシャルに堆積されるＳｉ：Ｃ膜中に生じる応力は、好ましくは、１ＧＰａと３ＧＰａの間である。このＳｉ：Ｃがその材料の臨界厚さ未満に堆積される場合は、堆積された層は引張応力を受けたままである。ある実施形態では、電気的にドーピングされたＳｉ：Ｃ膜は、隣接する層にひずみを及ぼすように構成される。例えば、電気的にドーピングされた緩和Ｓｉ：Ｃ層上に堆積されたシリコン膜に、圧縮ひずみを受け得る。ある実施形態では、陥凹ソース／ドレイン領域に形成された電気的にドーピングされたＳｉ：Ｃ膜は、下記により詳細に説明されるように、ソースとドレインの間に形成されるシリコンチャネルに引張りひずみを及ぼす。このような構成は、種々の用途、例えば、ＮＭＯＳデバイスに対する電子移動度を改良するために使用することができる。
【００４４】
図４Ｂは、トリシラン流量（ｍｇ／分）の関数としての電気的にドーピングされたＳｉ：Ｃ膜の成長速度を示す。図４Ａおよび４Ｂに示すプロットは、トリシランを用いて、比較的速い堆積（成長）速度、例えば、少なくとも約５ｎｍ／分で堆積を実施することによって、高濃度の置換型炭素および低い抵抗率を達成することが可能であることを実証する。図４Ｂに例示するように、例えば、トリシラン流量および堆積温度を制御することによって、成長速度を制御して、種々の濃度の炭素、例えば、２．５％以上の置換型炭素、好ましくは２．６％以上の置換型炭素、より好ましくは２．７％以上の置換型炭素を含む単結晶膜を作製することが可能である。いくつかの実施形態では、この単結晶膜は、図４Ａに示されるように、さらにより高濃度の炭素、例えば、２．８％以上の置換型炭素、好ましくは２．９％以上の置換型炭素、より好ましくは３．０％以上の置換型炭素を含むことが可能である。
【００４５】
図５は、一定のトリシラン流量（２００ｍｇ／分）および一定のアルシン流量（１００ｓｃｃｍ）における、ＭＭＳ流量の関数としてのヒ素でドーピングされたＳｉ：Ｃ膜中の置換型炭素含有量のグラフを示す。図５は、これらの条件下で、より高いＭＭＳ流量でより高い置換型炭素濃度が得られることを示す。トリシラン流量は一定であり、炭素源（ＭＭＳ）流量が変化されることから、図５は、トリシランに対する炭素源の流量比の変化の置換型炭素含有量への影響を例示する。トリシランに対するＭＭＳの流量比が増加するにつれて、得られた膜中の置換型炭素の量は、図１〜３に関して上記に論じた結果に合致して比較的直線的に増加した。図５はまた、Ｓｉ：Ｃ膜の堆積に対して本明細書に教示された一般的な原理は、本明細書に提供されるガイダンスを考慮に入れたルーチンの実験を用いて適切に適合させることにより、電気的にドーピングされたＳｉ：Ｃ膜（例えば、図５に例示されるように、ヒ素でドーピングされた）の堆積に適用可能であることを例示している。
【００４６】
図６Ａは、アルシンに対するトリシランの一定の流量比において堆積された一連の膜について、成長速度の関数としてのヒ素でドーピングされたＳｉ膜の抵抗率のグラフである。図６Ｂは、トリシラン流量の関数としての膜堆積速度のプロットである。図６は、データが、置換型ドーパント前駆体（図３ではＭＭＳ、図６ではＡｓＨ３）に対するトリシランの一定の流量比で得られたという意味で図３と類似している。図６は、トリシランを用いて、比較的高速度、例えば、少なくとも毎分約５ｎｍ、より好ましくは少なくとも毎分約１０ｎｍで堆積を実施することによって、約１．０ｍΩ・ｃｍ以下のシリコン膜抵抗値を達成し得ることを実証する。図６Ｂに例示するように、ドーピングされたシリコン膜の成長速度は、トリシランの流量の実質的に一次関数である。図３および図６は、トリシランを使用すると、比較的高速度の堆積を可能にし、これが驚くべき高濃度の置換型ドーピングを可能にすることを実証する。図３および図６の類似性は、炭素とヒ素の既知の差にもかかわらず、本明細書に教示されるトリシランを用いる堆積方法は、ドーパントまたはドーパント前駆体の性質に比較的敏感でないことを実証する。したがって、本明細書に記載のトリシランを用いる比較的高速度の堆積方法は、各種のドーパント（例えば、炭素、ゲルマニウムおよび電気的に活性なドーパント）に、およびこれらのドーパントを各種のＳｉ含有材料（例えば、Ｓｉ、Ｓｉ：Ｃ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ等）への取込みに適用可能である。適した速い堆積速度の例には、約５ｎｍ／分以上、好ましくは約１０ｎｍ／分以上の堆積速度が含まれる。さらに速い堆積速度、例えば、約２０ｎｍ／分以上、好ましくは約５０ｎｍ／分以上、さらにより好ましくは約１００ｎｍ／分以上を使用してもよい。特定のＳｉ含有材料に適用可能な高速度の堆積条件を選択するためにルーチンの実験を使用することができる。
【００４７】
いくつかの実施形態では、本明細書に記載の炭素などの置換型ドーパントのひずみを改変する量を含む単結晶シリコン膜の厚さは、好ましくは臨界膜厚未満である。当業者であれば、臨界膜厚は、ある特定のセットの条件の下でひずませた膜が緩和する膜厚であることを理解しよう。置換型ドーパントの濃度が増加すると、臨界厚さは一般に減少する。臨界厚さ未満の厚さを有する膜は、典型的には、これらの条件下でひずんだままである。例えば、約１．８原子％の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜は、５５０℃で２００ｎｍの臨界厚さを有し得、一方、３．５原子％の置換型炭素を含む他の点では同様の膜は、同じ温度で約２５〜３０ｎｍの臨界厚さを有し得る。その膜に対する臨界厚未満である厚さを有する膜は、十分乱され（例えば、緩和を引き起こすのに十分な熱に暴露する）なければまたは乱されるまではひずんだままである傾向にある。
【００４８】
図７は、１．８原子％炭素で置換的にドーピングされた結晶性シリコン膜（２００ｎｍ厚さ）に対するＦＴＩＲスペクトルの一部を示す。波数約６０５における強い吸収は、シリコン膜中の置換型炭素の存在を証明する。波数約４５０〜５００における広い吸収帯の欠如は、このシリコン膜は、非置換型炭素を（もし、あれば）ほとんど含んでいないことを証明する。即ち、ある実施形態では、２．４原子％以上の置換型炭素、好ましくは約２．７原子％以上の置換型炭素、より好ましくは約３．０原子％置換型炭素を含む単結晶Ｓｉ含有膜であって、約０．３原子％未満の非置換型炭素、好ましくは約０．２５原子％未満の非置換型炭素、より好ましくは約０．２０原子％未満の非置換型炭素、さらにより好ましくは約０．１５原子％未満の非置換型炭素を含む膜が提供される。
【００４９】
当技術分野で知られているように、単結晶シリコンに対する格子定数は、約５．４３１Åであり、一方、単結晶ゲルマニウムは、ゲルマニウム原子のより大きなサイズのために５．６５７の格子定数を有する。置換型ゲルマニウムの取込みから生じるシリコンの生来の格子定数からの偏差は、半導体中の電気的キャリア移動度を有利に改良して、デバイス効率を改良するひずみを導入する。ＳｉＧｅが、その材料の臨界厚さ未満に堆積される場合、堆積された層は圧縮的にひずみを受けたままであり、正孔移動度がＰＭＯＳデバイスに対して改良される。このような場合、堆積されるＳｉＧｅ層は、選択的に、例えば全アクティブエリア上に形成することができ、且つチャネルを規定することができ、または、これは、圧縮的にひずみを受ける層をその上に形成するための緩和テンプレートとしての機能を果たし、次いで、それ自体がチャネル領域としての機能を果たすことができる。
【００５０】
しかし、図８〜１３の実施形態（以下に記載される）では、Ｓｉ：Ｃ層は、陥凹ソース／ドレイン領域２０中に選択的に形成され、好ましくは、応力を維持する条件下（厚さ、温度）で堆積される。Ｓ／Ｄ陥凹を充填するＳｉ：Ｃ材料のより小さな格子定数は、これらの間のチャネル領域２２に引張りひずみを及ぼす。好ましくは、トリシラン、エッチャントおよび炭素源に加えてドーパント水素化物をプロセスフローに添加する。好ましくは、ｎ型ドーパント、より好ましくはホスフィンまたはアルシンを使用する。置換型炭素を含むＳｉ：Ｃ膜を、図１４Ａ〜１４Ｃに図示されたのと同様の方法で、ブランケット堆積およびエッチングのシーケンスによってソース／ドレイン領域に形成することも可能である。陥凹ソース／ドレイン領域２０におけるＳｉ：Ｃの選択的堆積に関する下記の方法は、種々のＳｉ含有材料を選択的に堆積させるために、当業者によって本明細書に提供されたガイダンスに照らしてルーチンの実験を用いて適合させることができる。
【００５１】
本明細書に記載の方法は、Ｓｉ含有膜を種々の基板上に堆積させるために有用であるが、特に、Ｓｉ含有膜を混合された表面モルホロジーを有する混合基板上に堆積させるのに有用である。上記のように、「混合基板」という用語は、当業者には知られており、米国特許第６９００１１５号を参照。
【００５２】
ある実施形態では、混合基板の単結晶領域（複数可）上に炭素でドーピングされた単結晶Ｓｉ含有膜を選択的に堆積させる方法が提供される。例えば、米国特許第６８２１８２５号に開示されているように、トリシランの使用によって得られた均一性および高品質の膜に加えて、エッチャント、例えば、ＨＣｌ、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）または塩素ガス（Ｃｌ２）などの塩素含有エッチャントと組み合わせてトリシランを使用することによって優れた選択性が得られることが判明している。実験により、選択性は１００％であり得る（即ち、酸化ケイ素および窒化ケイ素などの周囲の絶縁体上には０堆積で）ことが示されている。ＨＣｌを選択的シリコン系堆積方法のためのエッチャントとして供給することが可能であり、ここで、アモルファス（典型的には、絶縁性）表面上の遅い核形成性堆積へのエッチング作用は、露出した半導体表面へのエッチング作用より大きい。ＨＣｌは、周知のように精製することが困難であり、典型的なＨＣｌの市販の供給源は、堆積プロセス中に過剰な水分を導入するので、塩素が好ましい。このような水分は、堆積された膜の導電率を低下させ、且つエピタキシャル堆積中に許容できないレベルの欠陥を生じさせることがある。したがって、トリシラン、炭素源および塩素を含む供給ガスを使用すると、有利には、追加のエッチャント、特にＨＣｌなしに、高レベルの選択性を達成する。
【００５３】
好ましくは、この供給ガスは、唯一のシリコン前駆体としてシランの標準的な使用に比較して、比較的高いトリシラン流量および比較的低い水素流量を用いて、水素キャリアガスと共にチャンバに導入される。炭素源の流量は、図１〜５に関して、置換型炭素の取込みについて上記に詳細に論じたように、置換型炭素の取込みの望ましい濃度を達成するように選択される。例えば、好ましい実施形態では、約５ｍｇ／分〜２０００ｍｇ／分、より好ましくは約１０ｍｇ／分と２００ｍｇ／分の間のトリシラン流量、および約４ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの炭素源流量を用いてＥｐｓｉｌｏｎ  Ｅ２５００（商標）、Ｅ３０００（商標）またはＥ３２００（商標）反応器システム（アリゾナ州、ＰｈｏｅｎｉｘのＡＳＭ  Ａｍｅｒｉｃａ、Ｉｎｃ．から市販されている）中で熱ＣＶＤを実施する。トリシラン流量に対する炭素源流量の比率は、好ましくは約０．５ｓｃｃ／ｍｇ〜約８．０ｓｃｃ／ｍｇ、より好ましくは約０．９ｓｃｃ／ｍｇ〜約３．０ｓｃｃ／ｍｇの範囲である。この水素流量は、約４０標準リットル毎分（ｓｌｍ）以下、好ましくは約１０ｓｌｍ以下、より好ましくは約５ｓｌｍ以下であってよく、この堆積温度は、約４５０℃〜約７００℃、より好ましくは約５００℃〜約６５０℃の範囲であってよい。水素ガス流量は、トリシランおよび塩素含有エッチャントとの堆積中は、好ましくは最小限に抑えられる。エッチャント流量は、好ましくは約２０ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍである。実験は、２５〜４００ｍｇ／分のトリシラン流、０〜４ｓｌｍのＨ２キャリア流量、および２５〜２００ｓｃｃｍの塩素流量で実施した。ドーパント前駆体（例えば、炭素源および／または電気的ドーパント前駆体）の流量は、ドーパント源の性質および他の成分の相対流量に応じて、典型的には約５ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの範囲である。例えば、リンドーピングでは、ドーパント水素化物（前駆体）流量は、好ましくは１０〜２００ｓｃｃｍのホスフィン（Ｈ２中の１％ＰＨ３）である。
【００５４】
図８は、例示された実施形態における、シリコンウェハを含む基板１０を示す概略的横断面図である。基板１０は、ウェハまたはＳＯＩ基板上に形成されたエピタキシャル層を含むことができる。フィールドアイソレーション領域１２は、従来の浅溝素子分離（ＳＴＩ）技術によって形成されており、ＳＴＩ素子の中のウインドウ中にアクティブエリア１４を規定している。あるいは、フィールド絶縁材料を規定するために、シリコンの局所的酸化（ＬＯＣＯＳ）およびいくつかのＬＯＣＯＳまたはＳＴＩの変形を含む任意の適当な方法を使用することができる。いくつかのアクティブエリアが、典型的には、基板１０を横断してＳＴＩによって同時に規定されること、およびＳＴＩは、トランジスタアクティブエリア１４を互いに分離するウェブを形成することが多いと理解される。この基板は、好ましくは、チャネル形成に適した濃度にバックグラウンドドーピングされている。
【００５５】
図９は、アクティブエリア１４上にゲート電極１６の形成後の基板１０を図示する。絶縁スペーサーおよびキャップ層によって囲まれており、ゲート誘電体層１８によって下にある基板１０から分離されている、伝統的なシリコン電極として例示されているが、このトランジスタゲートスタックは、任意の種々の構成を持ち得るものと理解される。一部のプロセスフローでは、例えば、このスペーサーを省略してよい。例示された実施形態では、ゲート電極１６の規定は、アクティブエリア１４内のトランジスタゲート電極１６のいずれかの側にソースおよびドレイン領域２０を規定する。このゲート電極１６はまた、ゲート電極１６の下で、ソースおよびドレイン領域２０の間にチャネル領域２２を規定する。
【００５６】
図１０は、露出されたシリコンを選択的に除去するエッチングステップの結果を例示する。好ましくは、垂直の側壁境界の明確さおよび露出された酸化物および窒化物材料への最小の損傷を保証するために反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が使用される。好ましくは、この陥凹の深さは、陥凹中に堆積される層の臨界厚さ未満であるが、チャネルに対するひずみも臨界厚さを超える堆積によって得ることができる。露出されたシリコンは、本質的にアクティブエリア１４のソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ）領域２０であるので、このエッチングは、ソース／ドレイン陥凹と称される。いくつかのアレンジメントでは、ソース／ドレイン領域上の薄い誘電体を除去する第１のステップを使用してよいと理解される。
【００５７】
図１１は、陥凹Ｓ／Ｄ領域２０を選択的堆積方法で再充填した結果を示す。特に、露出した半導体表面は、例えば、ＨＦ蒸気またはＨＦラストディップで除去されて、その上でのエピタキシーのための新鮮な表面を残す。上記のように、トリシランおよび塩素を置換型ドーパント源と共に導入する。図８〜１３の例示された実施形態では、下記により詳細に説明されるように、チャネル領域にひずみを生じさせる、置換的にドーピングされた膜をもたすために、置換型ドーパントは炭素源を含む。好ましくは、ドーパント水素化物が、プロセス蒸気混合物中に含まれる。シリコン含有エピタキシャル層が、Ｓ／Ｄ領域２０に選択的に成長する。有利には、選択的に堆積されたヘテロエピタキシャル膜３０（例えば、置換的にドーピングされたＳｉ：Ｃを含む）は、Ｓ／Ｄ領域２０を充填し、チャネル領域２２にひずみを及ぼす。例示された実施形態では、ヘテロエピタキシャル膜３０は、チャネル領域２２の表面とほぼ揃っている。図示されたように、選択的堆積は、アモルファス領域上、例えば、フィールドアイソレーション領域１２（一般に酸化ケイ素の形態）およびゲート電極１６上のスペーサーキャップ（典型的には、窒化ケイ素）を含む絶縁体上への堆積を最小限に抑えるかまたは回避する。
【００５８】
図１２は、拡張されたヘテロエピタキシャル膜３２を有する上昇したＳ／Ｄ領域２０を形成するための、必要に応じた選択的堆積の拡張を例示する。チャネル領域２２の表面より下に拡張された膜３２の部分は、チャネル領域２２に横方向の応力を及ぼすので、基板の表面より上の部分は、生来のシリコン格子定数からの格子偏差をそれほどあるいはまったく含む必要がない。したがって、炭素源ガスは、チャネル領域２２の表面より上への選択的堆積の部分に対して、漸減するかまたは停止してよく、トリシランおよび塩素フローを継続する。電気的ドーパント源ガス、特に、アルシンまたはホスフィンなどのドーパント水素化物は、好ましくは継続される。
【００５９】
図１２の上昇されたＳ／Ｄ構造３２は、有利には、基板１０の表面の上方にさらなるシリコン材料を提供する。当技術分野で知られているように、その後の処理により、絶縁層が堆積され、コンタクトが絶縁膜を通ってソースおよびドレイン領域２０まで作製される。このさらなるシリコン材料は、ケイ化物のコンタクトの形成を促進し、これはコンタクト抵抗を減少させる（オームコンタクトを形成する）。したがって、ニッケル、コバルトまたは他の金属がコンタクトホール中に堆積され、下にあるソース／ドレイン領域のための浅い接合の電気特性を害することなく過剰なシリコンを消費することを可能にする。
【００６０】
図１３は、図９の構造が、Ｓ／Ｄ陥凹ステップを介在することなく、トリシラン、炭素源および塩素を用いて選択的堆積を受ける、他の実施形態を示す。この場合は、この選択的堆積は、ソースおよびドレイン領域を上昇させることにのみ役割を果たし、過剰な炭素でドーピングされたシリコン３４が提供されて、浅い接合を破壊することなくコンタクトシリサイド化により消費されるのを可能にする。この堆積には、電気的ドーパント前駆体を場合により含めて、電気的に活性なドーパントでドーピングされたＳｉ：Ｃを堆積させることが可能である。しかし、すべての過剰なシリコン構造３４が、コンタクトケイ化物化によって消費される場合は、このような電気的ドーパントは不必要である。
【００６１】
有利には、トリシラン／塩素処理の選択性によって、フィールド領域上から過剰な堆積を除去するための、その後のパターンおよびエッチングステップが不要になる。不完全な選択性でさえ、高価なマスクステップを必要とせずに、有利には、絶縁表面上の不要な堆積を除去するために時限式ウエットエッチングの使用を可能にする。さらに、比較的速い堆積速度で優れた膜品質が得られ、スループットが改良される。例えば、ある特定のプロセス実施形態が、トリシラン、メチルシラン、Ｂ２Ｈ６、および塩素を用いて、ホウ素でドーピングされたＳｉＧｅＣを選択的に堆積させるために使用されて、例えば、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）の基本構造を形成することが可能である。
【００６２】
Ｓｉ：Ｃ層は、上で論じたように、陥凹ソース／ドレイン領域２０中に選択的に形成することが可能である。しかし、このＳｉ：Ｃ層はまた、Ｓｉ：Ｃ層のブランケット堆積を含み、続いて単結晶Ｓｉ：Ｃが、陥凹ソース／ドレイン領域２０中に残されるようにエッチングが行われる方法によって形成することが可能である。このような方法の実施形態は、図１４Ａ〜１４Ｃに示すシーケンスによって例示される。図１４Ａは、図１０に示す構造と同じであり、同じ方法で形成してよい。しかし、図１１に例示する選択的堆積方法とは対照的に、図１４Ｂは、ブランケット堆積方法の結果を示し、ここで、ヘテロエピタキシャルＳｉ：Ｃ膜３０がソース／ドレイン領域２０を充填し、多結晶性Ｓｉ：Ｃ膜３０ａが、フィールドアイソレーション領域１２およびゲート電極１６上に堆積される。置換型炭素を含む単結晶シリコン膜を堆積させるための上記の方法は、単結晶Ｓｉ：Ｃ膜３０および多結晶性Ｓｉ：Ｃ膜３０ａを堆積させるために使用することができる。単結晶Ｓｉ：Ｃ膜３０は、好ましくは、応力を維持する条件（厚さ、温度）下で堆積される。上に論じたように、ソース／ドレイン陥凹を充填するＳｉ：Ｃ材料のより小さな格子定数により、これらの間のチャネル領域２２に引張りひずみを及ぼす。好ましくは、トリシランおよび炭素源に加えて、プロセスフローにドーパント水素化物を添加する。好ましくはアルシンまたはホスフィンを使用する。
【００６３】
図１４Ｃは、描かれた構造が、単結晶材料より多結晶材料の除去に選択的なエッチング条件を用いて、多結晶性Ｓｉ：Ｃ膜３０ａを除去することから生じること以外は、上記図１１と類似している。このようなエッチング条件は当業者には知られている。
【００６４】
図１４Ａ〜１４Ｃに例示する方法は、単結晶Ｓｉ含有領域（例えば、チャネル領域２２）に引張応力を及ぼすこと、特に引張応力を受ける領域（チャネル領域２２などの、引張応力が加えられる領域）でキャリア移動度を増加することが望ましい種々の状況で使用することができる。好ましくは、このキャリア移動度（例えば、電子移動度）は、引張応力を受けないこと以外は引張応力を受ける領域と実質的に同じである類似の領域に比較して、少なくとも約１０％、より好ましくは少なくとも約２０％だけ増加される。
【００６５】
即ち、ある実施形態では、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域を含む集積回路であって、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の少なくとも一方（好ましくは両方）が、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の間に配置される第３の単結晶Ｓｉ含有領域に引張応力を及ぼすのに有効な量の置換型炭素を含み、第３の単結晶Ｓｉ含有領域が、応力を受けていない類似の領域に比較して、少なくとも約１０％、より好ましくは少なくとも約２０％のキャリア移動度の増加を示す集積回路が提供される。この集積回路は、第１の単結晶Ｓｉ含有領域がソースを含み、第２の単結晶Ｓｉ含有領域がドレインを含み、第３の単結晶Ｓｉ含有領域がチャネルを含む、１つまたは複数のトランジスタを含んでよい。このようなトランジスタの例が図１４Ｃに例示されており、ここで、第１および第２のＳｉ含有領域はソース／ドレイン３０を含み、第３の単結晶Ｓｉ含有領域はチャネル２２を含む。
【００６６】
本明細書に記載のように、トリシランを用いるＳｉ含有膜の堆積は、本明細書に記載のように実施される場合は、従来のシリコン源の使用より有意の利点を提供することができる。例えば、トリシランを用いるＳｉ含有膜の堆積は、好ましくは、トリシランの代わりにシランが使用される場合より、所与の堆積温度において有意により速い速度で進行する。好ましい実施形態では、トリシランが約５０〜２００ｍｇ／分の供給速度で基板表面に供給される高速度の堆積方法が提供される。熱ＣＶＤ条件下では、好ましくは、約５００℃〜約８００℃の範囲の堆積温度において、この実施形態の実施により、毎分約５０Å以上、好ましくは毎分約１００Å以上、より好ましくは毎分約２００Å以上の速度で、Ｓｉ含有材料の比較的速い堆積をしばしば生じさせる（他のシリコン源に比較して）。トリシランを用いる堆積は、さらにより速い堆積速度、例えば、毎分約４００Å以上、好ましくは毎分約８００Å以上、さらにより好ましくは毎分約１０００Å以上で実施することができる。好ましくは、表面品質を改良し、且つｉｎ  ｓｉｔｕドーピングを提供するために、トリシランおよび炭素源と共にドーパント水素化物源も表面に供給される。
【００６７】
好ましいＳｉ含有膜は、膜の表面に横断して非常に均一な厚さを有する。堆積が本明細書に記載のようにトリシランを用いて実施される場合、得られるＳｉ含有膜に対する厚さ不均一率（％）は、好ましくは約２％以下である。この膜の平均厚さに応じて、下記の表１に示すような厚さ不均一率（％）のさらなる値が好ましいことがある。表１に示す厚さ不均一性の％の各値は、用語「約」が前に付くものと理解される。
【００６８】
【表１】
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【００６９】
一般に、特定の一連のプロセス条件下で堆積された膜に対する膜厚均一性の測定は、約２００ｍｍ〜約３００ｍｍの範囲の直径を有する均一または混合基板上に膜を堆積させることによって実施することができる。膜厚均一性は、無作為に選択される直径に沿って多点厚さ測定を行うこと（ウェハ周辺部の３ｍｍ除外区域内では測定値を採用しないで）、種々の厚さ測定値を平均することによって平均厚さを決定すること、および２乗平均平方根（ｒｍｓ）変動を決定することによって決定される。膜厚測定のための好ましい機器は、Ｔｈｅｒｍａｗａｖｅ製Ｏｐｔｉｐｒｏｂｅ（商標）を使用し、好ましい測定値方法には、このような機器を用いて、無作為に選択されるウェハ直径に沿って４９点での膜厚を測定することが含まれる。実際には、厚さ変動は、このような測定に続いて、典型的には機器から直接得られ、したがって手動で計算する必要はない。比較を容易にするために、この結果は、ｒｍｓ厚さ変動を平均厚さで除算し、結果をパーセントとして表すために１００を乗ずることによって計算される不均一性パーセントとして表わすことができる。このような測定が利用不可能な表面を有する膜、例えば、その上に１つまたは複数の追加の層が適用されている膜、または集積回路内に含まれる膜の厚さ均一性を測定する場合は、この膜を横断面に切り電子顕微鏡で検査する。この膜厚を横断面に切った膜の最も薄い部分および最も厚い部分で測定し、これらの２つの点の間の厚さ測定値（例えば、±６Å）の範囲を２つの測定値の合計で除算する。この不均一性は、本明細書ではパーセントとして表される。
【００７０】
さらに、本明細書に記載の方法に従って作製された、他の元素（例えば、ドーピングされたシリコン、Ｓｉ含有Ｓｉ：ＣおよびＳｉＧｅ合金、およびドーピングされたＳｉ含有合金）を含む好ましい結晶性Ｓｉ含有膜の組成均一性は、トリシランを使用しないで作製された対応する膜に比較して著しく改良されている。本発明は、いかなる操作の理論にも拘束されないが、Ｓｉ含有膜は、従来の前駆体、例えば、シラン、ジクロロシラン（ＤＣＳ）またはトリクロロシラン（ＴＣＳ）を用いて堆積された対応するＳｉ含有膜より良好な、ある程度の組成均一性を有するものと考えられる。さらに、比較的高濃度の非シリコン元素（複数可）を含む結晶性（例えば、単結晶または多結晶性）Ｓｉ含有合金は、本明細書に記載の方法によって製造することが可能である。例えば、結晶性Ｓｉ：Ｃは、好ましくは、約１原子％と約３．５原子％の間の置換型炭素を含む。
【００７１】
本発明の他の態様によれば、選択的堆積の実施形態では、非水素キャリアガスが、上記のように、置換型ドーパント前駆体（例えば、炭素源）、エッチャントガスおよびトリシランガスと組み合わせて好ましくは使用される。水素ガス（Ｈ２）は、半導体処理のための蒸着、特にエピタキシャル堆積に使用される最も普及しているキャリアガスである。Ｈ２がよく使用されるいくつかの理由が存在する。Ｈ２は高純度で提供され得る。さらに、水素の熱的特性は、ウェハ上にさほど大きな熱的影響を有しないようなものである。さらに、水素は還元剤として作用する傾向を有するので、反応チャンバの決して完全でない密閉に起因する自然酸化膜の形成を抑制する。
【００７２】
しかし、本明細書に記載の置換型ドーパント前駆体／トリシラン／塩素堆積系における非水素キャリアガスを使用することから、特定の利点が今回見出された。好ましくは、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）または窒素ガス（Ｎ２）、またはこのような不活性ガスの組合せが、水素の代わりに使用される。例示された実施形態では、Ｈｅが使用され、これはＨ２のものに類似した熱的挙動を有するので、Ｈ２キャリアガスの使用からの修正のために反応器のより少ない調整しか必要としないためである。
【００７３】
上記のトリシラン／塩素／水素系において、以下を含む多数の可能な反応メカニズムが存在する。
【００７４】
（１）Ｓｉ（ｓ）＋Ｃｌ２（ｇ）→ＳｉＣｌ２（ｇ）  エッチング
（２）Ｓｉ３Ｈ８（ｇ）→Ｈ３ＳｉＳｉＨ：（ｇ）＋ＳｉＨ４（ｇ）  トリシランの解離
（３）Ｈ３ＳｉＳｉＨ：（ｇ）→Ｈ２Ｓｉ＝ＳｉＨ２（ｇ）
（４）ＳｉＨ２（ｇ）＋ＳｉＣｌ２（ｓ）→２Ｓｉ（ｓ）＋２ＨＣｌ（ｇ）  堆積
（５）Ｓｉ（ｓ）＋２ＨＣｌ⇔ＳｉＣｌ２（ｇ）＋Ｈ２（ｇ）  堆積およびエッチングの平衡
（６）２ＰＨ３（ｇ）→２Ｐ（ｓ）＋３Ｈ２（ｇ）  ドーピング
（７）ＰＨ３（ｇ）＋６Ｃｌ（ｓ）→ＰＣｌ３（ｇ）＋３ＨＣｌ（ｇ）＋フリー表面部位
（８）Ｃｌ２（ｇ）＋Ｈ２（ｇ）→２ＨＣｌ（ｇ）
比較：ＳｉＨ２Ｃｌ２（ｇ）→ＳｉＣｌ２（ｇ）＋Ｈ２（ｇ）  ＤＣＳの分解
式（１）は、この系におけるエッチング反応を表す。式（１）はまた、エッチング（これは、選択性を維持するために必要である）を提供することに加えて、シリコン堆積を生じさせる傾向にある式（５）の反応物を生じさせる。式（５）は、右への反応（エッチング）と左への反応（堆積）の間のバランスを表す。条件は、絶縁表面上ではエッチングが優位を占め、一方半導体ウインドウ上では堆積が優位を占めるようなものが好ましい。理論によって限定されることは望まないが、堆積を提供するＳｉＣｌ２を生み出しながら、選択性のためのエッチングを生じさせるのに十分な濃度の塩素ガスを提供することが望ましい。
【００７５】
しかし、キャリアガスとして（即ち、大量に）遊離のＨ２が存在する場合は、反応（８）が起こり、ＨＣｌを生成する。この系中のＨＣｌの濃度を増加させると、堆積／エッチングの式（４）および（５）を共にエッチングの方向に押し進め、したがって任意の所与の「調整される」プロセスに対する堆積速度を低下させる。調整されるプロセスとは、選択的堆積を達成するために反応物濃度が調整されているものを表す。
【００７６】
式（７）は、Ｈ２キャリアガスの存在に起因するＨＣｌの生成によって抑制される、さらに別の望ましい反応を示す。式（７）は、ウェハ表面上に吸着された塩化物のゲッタリングを例示する。ドーパント水素化物、例えば、アルシン、ホスフィンおよびジボラン（ホスフィンが示されている）は、表面の塩素原子と反応する傾向にあるので、揮発性副生成物（複数可）を形成して、表面反応部位は堆積のために解放される。しかし、式（４）および（５）と同様に、ＨＣｌ濃度を上昇させると、式（７）の平衡を左に移すことによって、望ましいゲッタリング反応を抑制する傾向にある。
【００７７】
したがって、非水素キャリアガス（これは、一般に系中の優勢なガスである）の使用は、式（８）によるＣｌ２の消費を回避して、堆積反応（４）、（５）およびゲッタリング反応（７）を抑制することを回避する。Ｖｉｏｌｅｔｔｅら、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１４３巻（１９９６）、３２９０〜３２９６頁およびＯ’Ｎｅｉｌｌら、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、１４４巻（１９９７）、３３０９〜３３１５頁から再現した図１５に示すプロットは、Ｈ２キャリアガスの添加が、これらの研究のＳｉ／Ｃｌ系中の堆積反応物ＳｉＣｌ２の濃度をいかに抑制するかを例示する。この方法は、好ましくはＨ２を使用しないが、Ｈ２を最小限に抑えることによる効果は、すべてを除外することなく得ることができることに留意されたい。好ましくは、系中のガスの最大の供給源になる主なキャリアガスは非水素である。
【００７８】
図１６は、キャリアガス（例示された実施形態ではヘリウム）、炭素源（例示された実施形態ではＭＭＳ）、トリシランおよびエッチングガス（例示された実施形態ではＣｌ２）を使用する、好ましい反応器システム１００を例示する。示されるように、精製器１０２をキャリアガス源１０４の下流に配置する。不活性ガス流の一部をバブラー１０６の形態の気化器に分流し、ここからキャリアガスが気化されたトリシラン１０８を運ぶ。あるいは、トリシランを単純に加熱して、液体上の空間中のトリシランの蒸気圧を上昇させ、キャリアガスが、この空間中を通過するときにトリシランを拾い上げる。いずれにしても、液体反応物源容器１０６の下流は、この蒸気を介して音の速度を測定することによって流動ガスの反応物の濃度を決定する分析器１１０である。この測定値に基づいて、ソフトウエア制御された下流のマスフロー制御器（ＭＦＣ）１１２に対する設定値は、分析器１１０によって変えられる。このような分析器は市販されている。
【００７９】
このＭＦＣ１１２を通るフローは、堆積チャンバ１２２のための注入マニフォールド１２０の上流で、主要キャリアガスＭＦＣ１１４を通る主要キャリアガスおよび他の反応物（ガスパネルで）と合流する。エッチャントガス源１３０はまた必要に応じて、選択的堆積プロセスのために、好ましくはＣｌ２ガスを供給する。例示された実施形態では、炭素源１３２（ＭＭＳとして示されている）およびドーパント水素化物源１３４（ホスフィンが示されている）も供給される。
【００８０】
図示するように、反応器システム１００はまた、システム１００の種々の制御可能なコンポーネントに電気的に結合された中央制御器１５０を含む。この制御器は、反応チャンバ１２２内に収容された基板上に本明細書に記載の堆積方法を実施するためのガスフロー、温度、圧力等を提供するようにプログラムされる。当業者であれば分かるように、制御器１５０は、典型的には、メモリおよびマイクロプロセッサを備え、ソフトウエア、ハードワイヤード（ｈａｒｄｗｉｒｅｄ）またはこの２つの組合せによってプログラムされてよく、この制御器の機能は、異なる物理的な場所に配置されたプロセッサに分散してよい。したがって、制御器１５０は、システム１００中に分散された複数の制御器を表してもよい。
【００８１】
この結果、炭素源／トリシランの組合せは、シリコン含有材料、特にエピタキシャル層に対する向上した堆積速度をもたらす。一実施形態では、絶縁材料中の半導体ウインドウ上／中でのＳｉ：Ｃの選択的堆積を達成するために、このガスの流量は、圧力および温度と組み合わせて選択される。
【００８２】
例示された実施形態では、トリシランおよび塩素と組み合わせた炭素源１３２により、上記に開示されたように、高い置換型炭素含有量のＳｉ：Ｃの選択的堆積を達成することができる。他の実施形態では、ドーパント水素化物源１３４がまた、向上した導電率を有するｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングされた半導体層をもたらすために、好ましく供給される。好ましくは、Ｓｉ：Ｃエピタキシーのためのドーパント水素化物はアルシンまたはホスフィンであり、この層はｎ型ドーピングされる。より好ましくは、選択的堆積の実施形態では、ドーパント水素化物のための希釈不活性ガスはまた、非水素不活性ガスである。したがって、ホスフィンおよびＭＭＳは、好ましくは、例えばヘリウム中で、これらの供給源容器１３２、１３４で貯蔵される。典型的なドーパント水素化物濃度は、アルシンおよびホスフィンに対して、ヘリウム中０．１％〜５％、より典型的にはヘリウム中０．５％〜１．０％である。典型的な炭素源濃度は、ヘリウム中５％〜５０％、より典型的にはヘリウム中１０％〜３０％である。例えば、実験は、ヘリウム中２０％ＭＭＳで実施される。
【００８３】
炭素源、トリシランおよび塩素ガスと組み合わせた非水素不活性キャリアガスの利点についての前述の考察は、他の半導体化合物にも適用可能である。例えば、トリシラン、ゲルマン、塩素および非水素キャリアガスにより、ＳｉＧｅに対して同様の向上した選択的な堆積の利点が得られる。例えば、ｐ型ドーピングされた層は、ヘリウム中の１％ジボランの添加で得ることができる。
【実施例１】
【００８４】
８インチのパターン化されていないＳｉ＜１００＞ウェハ基板を、Ｅｐｓｉｌｏｎ  Ｅ２５００（商標）反応器システム中に装填した。次いで、この基板を９００℃、２０ｓｌｍの水素流量の反応器システム中に導入し、１分間安定化させた。次いで、基板の温度を５５０℃に低下させるにつれて、水素流を２ｓｌｍに減少させた。次いで、この基板を１０秒間安定化させ、この時間後、５０ｍｇ／分のトリシランおよび４０ｓｃｃｍのＭＭＳのフローを７．５分間導入した。１００ｓｃｃｍホスフィン（Ｈ２中１％）のフローを同時に供給して、約６４Ｔｏｒｒの堆積圧で堆積を実施した。約２１０ｎｍ（ＸＲＤ）の厚さを有する、連続的で均一なリンでドーピングされたＳｉ：Ｃ膜が、単結晶基板上に堆積された（約２８ｎｍ／分の堆積速度）。次いで基板を反応器から取り出してロードロックに戻した。シリコンウェハ上に堆積されたリンでドーピングされたこのＳｉ：Ｃ膜は、優れたエピタキシャル品質、０．８ｍΩ・ｃｍ（中心）の抵抗率を有し、約３．５原子％炭素を含んでいた。
【実施例２】
【００８５】
単結晶領域および絶縁体（酸化物）領域を有するパターン化した基板を使用したこと以外は、実施例１に記載の通りにリンでドーピングされたＳｉ：Ｃ膜を堆積した。リンでドーピングされたＳｉ：Ｃ膜は、単結晶および絶縁体領域の両方の上に生じ、両方の上で実質的に同じ厚さ（約２００ｎｍ）を有していた。
【００８６】
本明細書に言及されたすべての特許、特許出願および論文は、その全体を参照により本明細書に援用する。本発明の範囲から逸脱することなく、上記の方法に種々の省略、追加および修正を加えることができ、すべてのこのような修正および変更は、添付の特許請求の範囲に定義される本発明の範囲に含まれるものとすることを、当業者であれば理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１Ａ】３種の異なるキャリアガス（Ｈ２）流量についての、堆積圧の関数としてのシリコン膜中の置換型炭素含有量のプロットを示す。
【図１Ｂ】３種の異なるキャリアガス（Ｈ２）流量についての、堆積圧の関数としての成長速度のグラフを示す。
【図２Ａ】一定のモノメチルシラン（ＭＭＳ）流量での、トリシラン流量の関数としてのシリコン膜中の置換型炭素含有量のグラフを示す。
【図２Ｂ】一定のモノメチルシラン（ＭＭＳ）流量での、堆積速度（成長速度）の関数としてのシリコン膜中の置換型炭素含有量を示す。
【図３Ａ】ＭＭＳに対するトリシランの一定の流量比での、膜成長速度の関数としてのシリコン膜中の置換型炭素含有量のグラフを示す。
【図３Ｂ】トリシラン流量の関数としての成長速度のグラフを示す。
【図４Ａ】炭素およびヒ素の両方で置換的にドーピングされたシリコン膜についての、成長速度の関数としての置換型炭素含有量のグラフであって、このグラフは、これらの膜の抵抗率も示す（ｍΩ・ｃｍの単位、これも左軸）。
【図４Ｂ】トリシラン流量の関数としてのこれらの膜の成長速度を示すプロットである。
【図５】一定のトリシラン流量（２００ｍｇ／分）および一定のアルシン流量（１００ｓｃｃｍのＨ２中１％のＡｓＨ３）での、ＭＭＳ流量の関数としてのヒ素でドーピングされたＳｉ：Ｃ膜中の置換型炭素含有量のグラフを示す。
【図６Ａ】アルシンに対するトリシランの一定の流量比で堆積された一連の膜についての、成長速度の関数としてのヒ素でドーピングされたＳｉ膜抵抗率のグラフを示す。
【図６Ｂ】アルシンに対するトリシランの一定の流量比での、トリシラン流量の関数としての膜堆積（成長）速度のグラフを示す。
【図７】好ましい実施形態に従って炭素で置換的にドーピングされたシリコン膜についての、フーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）スペクトルの一部を示す。
【図８】露出された絶縁体および半導体表面を残している、フィールド酸化物規定後の半導体基板の概略的横断面図である。
【図９】アクティブエリアウインドウ内にトランジスタゲート電極を形成した後の、図８の構造を示す。
【図１０】ゲート電極のいずれかの側にソースおよびドレイン領域に陥凹を設けた後の、図９の構造を示す。
【図１１】好ましい実施形態により、陥凹領域内に半導体膜の選択的堆積後の、図１０の構造を示す。
【図１２】選択的堆積を場合により継続して、上昇されたソース／ドレイン構造を形成した後の、図１１の構造を示す。
【図１３】他の好ましい実施形態により、半導体ウインドウを露出させ、選択的堆積を実施して、上昇されたソース／ドレイン構造を形成した後の、図９の構造を示す。
【図１４Ａ】他の好ましい実施形態により、ブランケット堆積およびエッチングによってソース／ドレイン領域を形成する方法を示す、半導体基板の一連の概略的横断面図を示す。
【図１４Ｂ】他の好ましい実施形態により、ブランケット堆積およびエッチングによってソース／ドレイン領域を形成する方法を示す、半導体基板の一連の概略的横断面図を示す。
【図１４Ｃ】他の好ましい実施形態により、ブランケット堆積およびエッチングによってソース／ドレイン領域を形成する方法を示す、半導体基板の一連の概略的横断面図を示す。
【図１５】種々の塩素化シリコン化学種を含む系についての、水素キャリアガスの添加のありまたはなしによる、温度の関数としての種々の反応物の熱力学的平衡を示す２つのグラフを示す。
【図１６】好ましい実施形態によりシリコン含有膜を選択的に堆積させるための、トリシラン、炭素源、エッチャントガス、およびキャリアガスを使用する系に対して構成された反応器の概略図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５】
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【図１６】
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