(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有し、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、
前記複数の内部電極に電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極と
を備えるセラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体が、複数の前記セラミック誘電体層と前記複数の内部電極とを交互に積層してなる第１積層部と、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうち少なくともいずれか一方にて露出するように配置された第２積層部とを含んで構成され、
前記第２積層部は、前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面との境界部分となる角部を有し、
前記コンデンサ本体の外表面上に、前記コンデンサ側面における前記コンデンサ主面側の端部を覆う側面被覆部を有することで少なくとも前記角部を覆う金属層を備え、
前記複数の内部電極の端面の少なくとも一部が前記コンデンサ側面に露出しており、前記コンデンサ本体の厚さ方向における前記側面被覆部の長さが、前記第２積層部の厚さと等しい
ことを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記金属層は、前記複数の表層電極の少なくとも一部を避けて配置されつつ、前記コンデンサ主面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記コンデンサ本体は、前記複数の内部電極とは電気的に絶縁されたダミー電極を備え、
前記ダミー電極の端面の少なくとも一部が前記コンデンサ側面に露出している
ことを特徴とする請求項１または２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
少なくとも一方の前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面との境界部分に、前記金属層によって覆われる面取り部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記面取り部は、平面状の面取り部であり、
前記コンデンサ主面を基準とした前記面取り部の面取り深さは、前記コンデンサ本体の厚さの２分の１未満であることを特徴とする請求項４に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記角部を覆う前記金属層の外表面は曲面状をなしていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記金属層は、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で用いられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記第２積層部における前記角部は、前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面とが垂直に交わる境界部分に存在していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記金属層下に位置する前記面取り部の表面粗さは、前記金属層下に位置する前記コンデンサ主面の表面粗さ以上に設定されていることを特徴とする請求項４に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
基板主面を有し、その基板主面上に請求項１乃至９のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサをフリップチップ方式にて表面実装したことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に内蔵または表面実装されるセラミックコンデンサ及びそのセラミックコンデンサを内蔵または表面実装した配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板に設けられた収容穴部内にセラミックコンデンサを収容するとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【０００３】
図１４は、従来のセラミックコンデンサ２０１の一例を示している。このセラミックコンデンサ２０１は、コンデンサ形成層部２０２とカバー層部２０３とを備える。コンデンサ形成層部２０２は、セラミック誘電体層２０５を介して第１内部電極２０６と第２内部電極２０７とを交互に積層配置した構造を有している。セラミック誘電体層２０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、第１内部電極２０６及び第２内部電極２０７間の誘電体（絶縁体）として機能する。
【０００４】
カバー層部２０３は、複数のセラミック誘電体層２０９を積層してなり、コンデンサ形成層部２０２を覆うようにセラミックコンデンサ２０１の表層部に設けられている。このカバー層部２０３を設けることによって、セラミックコンデンサ２０１の絶縁性、耐熱性、耐湿性等が確保される。
【０００５】
また、セラミックコンデンサ２０１には多数のビア穴２１０が形成されている。これらのビア穴２１０は、セラミックコンデンサ２０１の一対のコンデンサ主面２１３間を貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。そして、各ビア穴２１０内には複数のビア導体２１１，２１２が形成されている。各第１ビア導体２１１は、各第１内部電極２０６を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各第２ビア導体２１２は、各第２内部電極２０７を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。
【０００６】
さらに、それぞれのコンデンサ主面２１３上には、第１表層電極２１５と第２表層電極２１６とが突設されている。第１表層電極２１５は、複数の第１ビア導体２１１の端面に対して直接接続されており、第２表層電極２１６は、複数の第２ビア導体２１２の端面に対して直接接続されている。なお、第２表層電極２１６は、コンデンサ主面２１３の略全体を覆うプレーン状導体であり、第１表層電極２１５を避けるための孔を複数有している。各第１表層電極２１５は、コンデンサ主面２１３に配置された円形状の導体である。
【０００７】
ところで、図１４に示す従来のセラミックコンデンサ２０１を特許文献１のように配線基板に内蔵した場合、セラミックコンデンサ２０１の表面には樹脂の硬化収縮や熱履歴（熱膨張差）に伴う外部応力が加わるようになる。具体的に言うと、コンデンサ主面２１３とコンデンサ側面２１４との境界部分となる角部２００に外部応力が集中する場合が多く、角部２００付近に脆いセラミック（セラミック誘電体層２０５，２０９）が露出している構造の場合、セラミックコンデンサ２０１の角部２００付近からクラック２２１（図１５参照）が発生し、図１５に示す矢印Ｆ１方向に進展しやすくなる。このため、配線基板の信頼性が低下するおそれがある。
【０００８】
そこで図１６に示されるように、各セラミック誘電体層２０９間にダミー電極２１７を積層してカバー層部２０３の靭性を向上させることにより、上記のクラック２２１の発生及び進展を防止する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３９２４３号公報（図４など）
【特許文献２】特開２００７−９６２６２号公報（図１など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記のダミー電極２１７は、カバー層部２０３の水平方向に形成されているため、コンデンサ形成層部２０２へのクラック２２１の進展を抑制することができるが、ダミー電極２１７のみでは、クラック２２１の発生を完全に防止することが困難である。ゆえに、この場合も、配線基板の信頼性が低下してしまう。
【００１１】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、配線基板に内蔵する際などに生じるクラックを防止することができるセラミックコンデンサを提供することにある。また、第２の目的は、上記セラミックコンデンサを内蔵または表面実装した好適な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有し、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有するコンデンサ本体と、前記複数の内部電極に電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記複数のコンデンサ内ビア導体における前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるセラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体が、複数の前記セラミック誘電体層と前記複数の内部電極とを交互に積層してなる第１積層部と、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうち少なくともいずれか一方にて露出するように配置された第２積層部とを含んで構成され、前記第２積層部は、前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面との境界部分となる角部を有し、前記コンデンサ本体の外表面上に、前記コンデンサ側面における前記コンデンサ主面側の端部を覆う側面被覆部を有することで少なくとも前記角部を覆う金属層を備え、前記複数の内部電極の端面の少なくとも一部が前記コンデンサ側面に露出しており、前記コンデンサ本体の厚さ方向における前記側面被覆部の長さが、前記第２積層部の厚さと等しいことを特徴とするセラミックコンデンサがある。
【００１３】
従って、手段１のセラミックコンデンサによると、少なくとも角部にある脆いセラミック誘電体層が金属層に覆われることによって、コンデンサ本体の靭性が向上する。このため、配線基板への内蔵時などに角部に外部応力が集中したとしても、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックの発生を抑制することができる。
【００１４】
なお、セラミックコンデンサの長手方向の外形寸法が例えば５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であれば、上記手段１を適用する意義が大きくなるために好ましい。即ち、セラミックコンデンサの長手方向の外形寸法が５ｍｍ以上であれば、コンデンサ表面に加わる外部応力が大きくなって、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックが発生しやすくなるため、本発明の課題が生じやすくなる。なお、セラミックコンデンサの長手方向の外形寸法が５ｍｍ未満である場合、十分なコンデンサ容量を確保できなくなってしまう。一方、セラミックコンデンサの長手方向の外形寸法が４０ｍｍよりも大きい場合、セラミックコンデンサを内蔵する配線基板の大型化につながってしまう。また、金属層を、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で用いるようにすれば、上記手段１を適用する意義が大きくなるために好ましい。即ち、金属層の外表面に樹脂絶縁材料が接している場合に、角部に外部応力が集中するようになるため、本発明の課題が生じやすくなる。
【００１５】
上記手段１のセラミックコンデンサは、複数の内部電極に電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、複数のコンデンサ内ビア導体におけるコンデンサ主面側の端部に電気的に接続された複数の表層電極とを備えるものであるため、配線基板における導体との接続を確実に行うことができる。なお、セラミックコンデンサは、複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、セラミックコンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。
【００１６】
セラミック誘電体層としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することが好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなセラミックコンデンサを実現しやすくなる。また、用途に応じて、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体も好適に使用される。
【００１７】
なお、第２積層部を構成するセラミック誘電体層の厚さは、第１積層部を構成するセラミック誘電体層の厚さよりも厚いことが好ましい。このようにすれば、第２積層部の強度を十分に確保することができる。また、第２積層部を構成するセラミック誘電体層の厚さは、第１積層部を構成するセラミック誘電体層の厚さと等しくてもよい。この場合、同じ厚さのシート材を使用してそれぞれのセラミック誘電体層を形成することができるため、製造コストを低減することができる。
【００１８】
内部電極、コンデンサ内ビア導体及び表層電極としては特に限定されないが、同時焼成法によってこれらの導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層が高誘電率セラミック（例えばチタン酸バリウム等）からなる場合には、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等やそれらの合金が選択可能である。また、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。なお、内部電極や表層電極は、金属粉末を含む導体ペーストを用い、従来周知の手法、例えば印刷法等により塗布された後、焼成することで形成される。また、コンデンサ内ビア導体は、圧入法等により形成された後、焼成することで形成される。また、表層電極の一部に焼き付け導体を用いてもよい。具体的に言うと、焼成後のコンデンサ本体上（場合によっては表層電極上）に銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）を含む導体ペーストを塗布し、所定の雰囲気下で焼き付けることにより、表層電極を形成してもよい。
【００１９】
また、金属層は、コンデンサ本体の外表面上において、少なくとも角部を覆っている。なお、金属層は、角部だけでなく、コンデンサ主面やコンデンサ側面も覆っていることが好ましい。このようにすれば、コンデンサ本体の靭性がよりいっそう向上するため、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２０】
ここで、金属層がコンデンサ主面を覆う場合、金属層は、複数の表層電極の少なくとも一部を避けて配置されつつ、コンデンサ主面を覆っていることが好ましい。このようにすれば、それぞれの表層電極が電気的に接続されることに起因する不具合（短絡など）を防止しつつ、コンデンサ本体の靭性を向上させることができる。
【００２１】
上記手段１のセラミックコンデンサでは、金属層が、コンデンサ側面におけるコンデンサ主面側の端部を覆う側面被覆部を有しているので、セラミック誘電体層のみにて形成される可能性があるために比較的に靭性が低い第２積層部を、側面被覆部によって確実に補強することができる。その結果、コンデンサ本体の靭性がよりいっそう向上するため、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックの発生をより確実に抑制することができる。
【００２２】
上記手段１のセラミックコンデンサでは、複数の内部電極の端面の少なくとも一部がコンデンサ側面に露出しており、コンデンサ本体の厚さ方向における側面被覆部の長さが、第２積層部の厚さと等しいため、それぞれの内部電極が側面被覆部を介して電気的に接続されることに起因する不具合（短絡など）を防止しつつ、コンデンサ本体の靭性を向上させることができる。なお、コンデンサ本体が複数の内部電極とは電気的に絶縁されたダミー電極を備え、ダミー電極の端面の少なくとも一部がコンデンサ側面に露出している場合、厚さ方向における側面被覆部の長さに特に制約はない。
【００２３】
また、金属層の一部または全部の層を構成する金属材料としては、例えば銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、配線基板内蔵用のセラミックコンデンサである場合、金属層の最表面を構成する金属材料としては、できれば銅や銀などの良導体を用いることが好ましい。
【００２４】
ここで、金属層の一部は、複数の内部電極や複数の表層電極と同じ金属材料を用いて形成されていることが好ましい。このようにすれば、内部電極や表層電極と同じ金属材料を用いて、表層電極と同時に金属層を形成する場合に、その金属層の専用の金属材料を別途用意する必要がなく、同じ条件（温度、時間）で同時焼成を行うことができるため、製造コストを抑えることができる。なお、金属層の最表面に銅めっきや金めっきを適宜施してもよい。
【００２５】
金属層の厚さは特に限定されないが、複数の内部電極の厚さ以上であることが好ましく、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。即ち、金属層の厚さが５μｍ未満であると、金属層によってコンデンサ本体全面を覆うことができず、強度を十分に確保できない場合があり、コンデンサ本体で発生するクラックを確実に防止できなくなる。一方、金属層の厚さが５０μｍよりも大きいと、金属層の一部分がコンデンサ本体、特にコンデンサ側面から剥れやすくなるため、角部付近にセラミックが露出してしまい、クラックが発生してしまう場合がある。
【００２６】
また、角部を覆う金属層の外表面は曲面状をなしていることが好ましい。このようにすれば、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態でセラミックコンデンサを配線基板に内蔵した場合に、樹脂絶縁材料に熱応力が加わったとしても、金属層への応力集中が、曲面状の外表面によって緩和される。しかも、金属層の外表面に「角」が存在しなくなるので、応力集中をより確実に緩和することができる。これにより、樹脂絶縁材料へのクラックの発生を確実に防止することができる。
【００２７】
なお、少なくとも一方のコンデンサ主面とコンデンサ側面との境界部分には、金属層によって覆われる面取り部が形成されることが好ましい。このようにすれば、セラミックコンデンサを配線基板に内蔵した場合に、セラミックコンデンサの外表面に密着している樹脂絶縁材料に熱応力が加わったとしても、コンデンサ主面とコンデンサ側面との境界部分への応力集中が、面取り部を設けることによって緩和される。これにより、樹脂絶縁材料へのクラックの発生を確実に防止することができる。
【００２８】
また、隣接する２つのコンデンサ側面の境界部分には、側部面取り部が形成されることがより好ましい。このようにすれば、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態でセラミックコンデンサを配線基板に内蔵した場合に、樹脂絶縁材料に熱応力が加わったとしても、隣接する２つのコンデンサ側面の境界部分への応力集中が、側部面取り部を設けることによって緩和される。これにより、樹脂絶縁材料へのクラックの発生をより確実に防止することができる。
【００２９】
面取り部及び側部面取り部は、平面状の面取り部であってもよいが、応力緩和の観点から曲面状の面取り部であることが好ましい。しかし、平面状の面取り部である場合、曲面状の面取り部を形成する場合よりも、面取り部を高精度にかつ容易に形成することができる。
【００３０】
なお、コンデンサ主面を基準とした面取り部の面取り深さは、コンデンサ本体の厚さの２分の１未満であることが好ましい。仮に、面取り部の面取り深さがコンデンサ本体の厚さの２分の１以上であると、一方のコンデンサ主面の外周部分に形成された面取り部と他方のコンデンサ主面の外周部分に形成された面取り部とがつながってしまい、２つの面取り部がなす角度が鋭角になる可能性がある。この場合、隣接する２つの面取り部の境界部分に応力が集中し、外表面に接する樹脂絶縁材料にクラックが発生するおそれがある。
また、面取り部を形成する場合において、金属層下に位置する面取り部の表面粗さ（Ｒａ）は、金属層下に位置するコンデンサ主面の表面粗さ（Ｒａ）以上に設定されていることが好ましい。この構成によると、微細な凹凸によるアンカー効果が得られることから、セラミック誘電体における面取り部に対する金属層の密着性を向上することができる。よって、クラックの発生を効果的に防止することが可能となる。例えば、金属層下に位置する面取り部の表面粗さ（Ｒａ）は０．５μｍ以上３．０μｍ以下に設定されることが好ましく、金属層下に位置するコンデンサ主面の表面粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ以上０．３μｍ以下に設定されることが好ましい。未焼結のセラミック誘電体に対するレーザー加工により面取り部を形成したような場合には、比較的容易にコンデンサ主面に比べて表面粗さを大きくすることが可能である。
【００３１】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載のセラミックコンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板がある。
【００３２】
従って、上記手段２の配線基板によれば、少なくとも角部にある脆いセラミック誘電体層が金属層に覆われることによって、コンデンサ本体の靭性が向上する。このため、セラミックコンデンサの内蔵工程において角部に外部応力が集中したとしても、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックの発生を抑制することができる。その結果、配線基板の信頼性が向上する。
【００３３】
配線基板は、手段１のセラミックコンデンサを収容するための収容穴部を有するコア基板と、そのコア基板のコア主面及びコア裏面上に形成される配線積層部とを備えることが好ましい。このコア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
【００３４】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、基板主面を有し、その基板主面上に上記手段１に記載のセラミックコンデンサをフリップチップ方式にて表面実装したことを特徴とする配線基板がある。
【００３５】
従って、上記手段３の配線基板によれば、少なくとも角部にある脆いセラミック誘電体層が金属層に覆われることによって、コンデンサ本体の靭性が向上する。このため、セラミックコンデンサの表面実装工程において角部に外部応力が集中したとしても、セラミックコンデンサの角部付近を起点とするクラックの発生を抑制することができる。その結果、配線基板の信頼性が向上する。
【００３６】
なお、配線基板において、基板主面とセラミックコンデンサとの隙間を樹脂材にて封止してもよい。この樹脂材の封止工程において、熱硬化収縮による引っ張り応力がセラミックコンデンサに作用した場合でも、セラミックコンデンサの外周部でクラックが発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】同じく、セラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】同じく、セラミックコンデンサの第１コンデンサ主面側を示す概略平面図。
【図４】同じく、セラミックコンデンサの第２コンデンサ主面側を示す概略平面図。
【図５】同じく、コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。
【図６】同じく、コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。
【図７】同じく、カバー層部を示す概略説明図。
【図８】第２実施形態におけるセラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図９】他の実施形態のセラミックコンデンサを示す要部断面図。
【図１０】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１１】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１２】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１３】他の実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図１４】従来のセラミックコンデンサの一例を示す概略断面図。
【図１５】従来のセラミックコンデンサにおけるカバー層部のクラックを示す拡大断面図。
【図１６】従来のセラミックコンデンサの一例を示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
［第１実施形態］
【００３９】
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００４０】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２上に形成される主面側ビルドアップ層３１（配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。
【００４１】
本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。このコア基板１１における複数箇所にはスルーホール導体１６が形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。
【００４２】
図１に示されるように、前記主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面に設定されている。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００４３】
図１に示されるように、前記裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有しており、樹脂層間絶縁層３４，３６の熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。第２層の樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８がアレイ状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００４４】
図１に示されるように、前記コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９１を有している。即ち、収容穴部９１は貫通穴である。収容穴部９１内には、セラミックコンデンサ１０１が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、第１コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向けた状態で収容され、裏面側ビルドアップ層３２に接するように配置されている。また、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状である。
【００４５】
そして、収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、樹脂絶縁材料（本実施形態では熱硬化性樹脂）からなる充填剤９２によって埋められている。この充填剤９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０１及びコア基板１１の面方向や厚さ方向への変形を自身の弾性変形により吸収する機能を有している。即ち、セラミックコンデンサ１０１は、外表面に充填剤９２が接した状態で配線基板１０に内蔵されている。なお本実施形態において、充填剤９２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２０ｐｐｍ／℃程度となっている。ここで、充填剤９２の完全硬化状態での熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００４６】
図１に示されるように、セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１の第１コンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１の第１コンデンサ主面１０２内に位置している。
【００４７】
図１，図２に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（コンデンサ本体）は、１つの第１コンデンサ主面１０２（図１では上面）、１つの第２コンデンサ主面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６を有する略矩形板状をなしている。第１コンデンサ主面１０２及び第２コンデンサ主面１０３は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向において互いに反対側に位置している。本実施形態において、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃未満、具体的には１２〜１３ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、３０℃〜２５０℃間の測定値の平均値をいう。
【００４８】
セラミック焼結体１０４は、コンデンサ形成層部１０７（第１積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の上面を覆う上側のカバー層部１０８（第２積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の下面を覆う下側のカバー層部１０９（第２積層部）とを備える。コンデンサ形成層部１０７は、複数のセラミック誘電体層１０５と、複数の内部電極１４１，１４２とを交互に積層した構造を有している。コンデンサ形成層部１０７に形成されている内部電極は電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２であり、セラミック誘電体層１０５を介してそれら電源用内部電極１４１とグランド用内部電極１４２とが交互に積層配置されている。セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された導体である。なお本実施形態では、内部電極１４１，１４２の厚さが２μｍに設定されている。
【００４９】
図５〜図７に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビア穴１３０が形成されている。これらのビア穴１３０は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向に沿って延びてセラミック焼結体１０４を貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、ビア穴１３０を４列×４列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。各ビア穴１３０内には、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２及び第２コンデンサ主面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図２，図５参照）。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図２，図６参照）。
【００５０】
図１，図２に示されるように、前記カバー層部１０８，１０９は、セラミック焼結体１０４の表層部にて露出するよう配置されている。詳述すると、上側のカバー層部１０８は、前記第１コンデンサ主面１０２にて露出するように配置され、下側のカバー層部１０９は、前記第２コンデンサ主面１０３にて露出するように配置されている。各カバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３を積層した構造を有する。セラミック誘電体層１５３は、コンデンサ形成層部１０７におけるセラミック誘電体層１０５と同じ材料（具体的にはチタン酸バリウム）によって形成されるとともに、セラミック誘電体層１０５よりも厚く形成されている。これにより、セラミックコンデンサ１０１の絶縁性、耐湿性等を十分に確保することができる。
【００５１】
図３〜図７に示されるように、セラミック焼結体１０４は、四隅（隣接する２つのコンデンサ側面１０６の境界部分）に平面状の側部面取り部１６１を有している。なお、隣接する２つのコンデンサ側面１０６のうち一方のコンデンサ側面１０６を基準とした側部面取り部１６１の面取り深さＣ１（図５参照）は、０．５５ｍｍ以上（本実施形態では０．６ｍｍ）となっている。また、コンデンサ側面１０６を基準とした側部面取り部１６１の面取り角度θ１（図５参照）は４５°である。従って、隣接するコンデンサ側面１０６と側部面取り部１６１とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ１＝１３５°）である。
【００５２】
図２に示されるように、前記カバー層部１０８は、前記第１コンデンサ主面１０２とコンデンサ側面１０６との境界部分、及び、第１コンデンサ主面１０２と側部面取り部１６１との境界部分となる角部１５４を有し、角部１５４には平面状の面取り部１６２が形成されている。また、前記カバー層部１０９は、前記第２コンデンサ主面１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分、及び、第２コンデンサ主面１０３と側部面取り部１６１との境界部分となる角部１５５を有し、角部１５５には平面状の面取り部１６３が形成されている。
【００５３】
なお、第１コンデンサ主面１０２を基準とした面取り部１６２の面取り深さＣ２（図２参照）は、０．１ｍｍとなっている。また、第２コンデンサ主面１０３を基準とした面取り部１６３の面取り深さＣ３（図２参照）も、面取り深さＣ２と同様に０．１ｍｍとなっている。即ち、面取り深さＣ２，Ｃ３は、セラミック焼結体１０４の厚さ（本実施形態では０．８ｍｍ）の２分の１未満である。また、面取り深さＣ２，Ｃ３は、面取り深さＣ１（０．６ｍｍ）の６分の１である。
【００５４】
図２に示されるように、第１コンデンサ主面１０２を基準とした面取り部１６２の面取り角度θ２、及び、第２コンデンサ主面１０３を基準とした面取り部１６３の面取り角度θ３は、それぞれ４５°である。従って、隣接する第１コンデンサ主面１０２と面取り部１６２とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ２＝１３５°）であり、隣接する第２コンデンサ主面１０３と面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−θ３＝１３５°）である。また、コンデンサ側面１０６を基準とした面取り部１６２の面取り角度θ４、及び、コンデンサ側面１０６を基準とした面取り部１６３の面取り角度θ５も、それぞれ４５°である。従って、隣接するコンデンサ側面１０６と面取り部１６２とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ４＝１３５°）であり、隣接するコンデンサ側面１０６と面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−θ５＝１３５°）である。さらに、側部面取り部１６１を基準とした面取り部１６２の面取り角度（図示略）、及び、側部面取り部１６１を基準とした面取り部１６３の面取り角度（図示略）も、それぞれ４５°である。従って、隣接する側部面取り部１６１と面取り部１６２とがなす角度も、隣接する側部面取り部１６１と面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−４５°＝１３５°）である。なお本実施形態では、隣接する面取り部１６２同士がなす角度や、隣接する面取り部１６３同士がなす角度も、鈍角であるため、セラミック焼結体１０４において隣接する２つの面がなす角度は全て鈍角となっている。
【００５５】
そして、図１〜図４に示されるように、前記セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２上には、複数の第１電源用電極１１１（表層電極）と、第１グランド用電極１１２（表層電極）とが突設されている。第１電源用電極１１１は、前記各電源用コンデンサ内ビア導体１３１における第１コンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、第１グランド用電極１１２は、前記各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２における第１コンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。また、セラミック焼結体１０４の第２コンデンサ主面１０３上には、複数の第２電源用電極１２１（表層電極）と、第２グランド用電極１２２（表層電極）とが突設されている。第２電源用電極１２１は、各電源用コンデンサ内ビア導体１３１における第２コンデンサ主面１０３側の端面に対して直接接続されており、第２グランド用電極１２２は、各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２における第２コンデンサ主面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び前記電源用内部電極１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及び前記グランド用内部電極１４２に導通している。
【００５６】
図１に示されるように、第１コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、第２コンデンサ主面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。
【００５７】
図１〜図４に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、銅を主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極１１１，１１２，１２１，１２２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２，１２１，１２２の厚さが２０μｍ以上４０μｍ以下に設定されている。
【００５８】
例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極１４１−グランド用内部電極１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００５９】
図２，図３に示されるように、セラミック焼結体１０４の外表面上には、第１金属層１７１が設けられている。第１金属層１７１は、前記角部１５４（前記面取り部１６２）の全体と、前記第１コンデンサ主面１０２の略全体とを覆っている。即ち、第１金属層１７１は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における長さが、前記カバー層部１０８の厚さと等しくなっている。また、第１金属層１７１は、第１コンデンサ主面１０２側にある前記電極１１１，１１２のうち第１電源用電極１１１を避けて配置される一方、第１グランド用電極１１２に一体化されている。よって、第１金属層１７１は、グランド用導体層としても機能するようになっている。詳述すると、第１金属層１７１（及び第１グランド用電極１１２）は、第１コンデンサ主面１０２の略全体を覆うプレーン状導体であり、第１電源用電極１１１を避けるためのクリアランス１１３（円形の抜きパターン）を複数有している。なお、各第１電源用電極１１１は、第１コンデンサ主面１０２に配置された円形状の導体であり、直径が約５００μｍに設定されている。
【００６０】
また、図２，図４に示されるように、セラミック焼結体１０４の外表面上には、第２金属層１７２が設けられている。第２金属層１７２は、前記角部１５５（前記面取り部１６３）の全体と、前記第２コンデンサ主面１０３の略全体とを覆っている。即ち、第２金属層１７２は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における長さが、前記カバー層部１０９の厚さと等しくなっている。また、第２金属層１７２は、第２コンデンサ主面１０３側にある前記電極１２１，１２２のうち第２グランド用電極１２２を避けて配置される一方、第２電源用電極１２１に一体化されている。よって、第２金属層１７２は、電源用導体層としても機能するようになっている。詳述すると、第２金属層１７２（及び第２電源用電極１２１）は、第２コンデンサ主面１０３の略全体を覆うプレーン状導体であり、第２グランド用電極１２２を避けるためのクリアランス１１４（円形の抜きパターン）を有している。なお、各第２グランド用電極１２２は、第２コンデンサ主面１０３に配置された円形状の導体であり、直径が約５００μｍに設定されている。
【００６１】
図２に示されるように、角部１５４，１５５を覆う金属層１７１，１７２の外表面は曲面状をなしている。詳述すると、角部１５４（前記面取り部１６２）を覆う第１金属層１７１の外表面と前記第１コンデンサ主面１０２を覆う第１金属層１７１の外表面との接続部分１７３は、曲面状（半径０．０５ｍｍ程度）をなしている。同様に、角部１５５（面取り部１６３）を覆う第２金属層１７２の外表面と第２コンデンサ主面１０３を覆う第２金属層１７２の外表面との接続部分１７４も、曲面状（半径０．０５ｍｍ程度）をなしている。これにより、温度変化に伴う前記充填剤９２の変形時において、金属層１７１，１７２への応力集中を緩和できるため、充填剤９２でのクラックの発生を防止する効果が期待できる。
【００６２】
なお、金属層１７１，１７２は、前記電極１１１，１１２，１２１，１２２と同じ銅を主成分として形成された層であり、表面が図示しない銅めっき層によって被覆されている。また、金属層１７１，１７２の厚さは、５μｍ以上４０μｍ以下（本実施形態では２０μｍ以上４０μｍ以下）であり、前記内部電極１４１，１４２の厚さよりも厚く、電極１１１，１１２，１２１，１２２の厚さと等しくなっている。なお、本実施形態の金属層１７１，１７２の厚さは均一になっていない。具体的に言うと、金属層１７１，１７２において曲面状をなす部分の厚さは、金属層１７１，１７２において曲面状をなさない部分の厚さよりも薄くなっている。また、面取り部１６２，１６３を覆う金属層１７１，１７２の厚さは、コンデンサ主面１０２，１０３を覆う金属層１７１，１７２の厚さと等しくなっている。なお、面取り部１６２，１６３を覆う金属層１７１，１７２は、コンデンサ主面１０２，１０３を覆う金属層１７１，１７２よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。また、金属層１７１，１７２の厚さは均一であってもよい。
【００６３】
本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、以下のように作製される。即ち、厚さが７μｍ程度であるセラミックの第１グリーンシートを形成するとともに、厚さが３０μｍ程度であるセラミックの第２グリーンシートを形成する。そして、第１グリーンシートに内部電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。
【００６４】
次に、支持体（図示略）の上に第２グリーンシートを積層し、後に上側のカバー層部１０８となる部位を形成する。次に、第２グリーンシートの第１面側（即ちカバー層部１０８となる部位の下面）に、電源用内部電極部が形成された第１グリーンシートとグランド用内部電極部が形成された第１グリーンシートとを交互に積層し、後にコンデンサ形成層部１０７となる部位を形成する。さらに、第１グリーンシートの第２面側（即ちコンデンサ形成層部１０７となる部位の下面）に第２グリーンシートを積層し、後に下側のカバー層部１０９となる部位を形成する。これにより、各グリーンシートが一体化され、正方形状の製品領域（セラミックコンデンサ１０１となるべき部分）が平面方向に沿って縦横に複数配列された構造のグリーンシート積層体が形成される（積層工程）。
【００６５】
次に、レーザー加工機を用いてレーザー加工を行うことにより、グリーンシート積層体にビア穴１３０を多数個貫通形成する（穴開け工程）。次に、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、各ビア穴１３０内にビア導体用ニッケルペースト（ビア導体形成用材料）を充填する。
【００６６】
この後、前記積層工程よりもさらに高い温度、圧力でシート積層方向に押圧力を付与することにより、グリーンシート積層体をより確実に一体化させる。次に、前記製品領域の外形線に沿ってレーザー加工を行うことにより、後の焼成工程後に製品領域同士を分割するためのブレーク溝を形成する。それと同時に、製品領域の外形線同士が交差する部分（即ち製品領域の角部）に対してレーザー加工を行うことにより、セラミックコンデンサ１０１において隣接する２つのコンデンサ側面１０６の境界部分に側部面取り部１６１を形成するための貫通孔を形成する。
【００６７】
次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに還元雰囲気下にて所定時間で所定時間焼成を行う（焼成工程）。このときの焼成温度は、チタン酸バリウムが焼結しうる温度である１３００℃程度に設定される。その結果、第１グリーンシート中及び第２グリーンシート中のチタン酸バリウムが焼結してセラミック焼結体１０４となる。それと同時に、電源用内部電極部中及びグランド用内部電極中のニッケルが焼結して内部電極１４１，１４２となる。また、ビア導体用ニッケルペースト中のニッケルが焼結してコンデンサ内ビア導体１３１，１３２となる。
【００６８】
次に、サンドペーパーを取り付けた研磨機により、第１コンデンサ主面１０２と、コンデンサ側面１０６及び側部面取り部１６１との境界部分に面取り部１６２（角部１５４）を形成するとともに、第２コンデンサ主面１０３と、コンデンサ側面１０６及び側部面取り部１６１との境界部分に面取り部１６３（角部１５５）を形成する。なお、焼成後の研磨処理により側部面取り部１６１及び面取り部１６２，１６３を形成する代わりに、グリーンシート積層体にＶ字刃やＵ字刃を押し当てたり、レーザー加工を行ったりすることによって、側部面取り部１６１及び面取り部１６２，１６３を形成するようにしてもよい。
【００６９】
次に、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２上に銅ペーストを印刷し、各電源用コンデンサ内ビア導体１３１の上端面を覆うように表層電極部を形成する。これと同時に、第１コンデンサ主面１０２上及び面取り部１６２（角部１５４）上に銅ペーストを印刷し、各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２の上端面及び角部１５４を覆うように表層電極部（金属層部）を形成する。また、セラミック焼結体１０４の第２コンデンサ主面１０３上及び面取り部１６３（角部１５５）上に銅ペーストを印刷し、各電源用コンデンサ内ビア導体１３１の下端面及び角部１５５を覆うように表層電極部（金属層部）を形成する。これと同時に、第２コンデンサ主面１０３上に銅ペーストを印刷し、各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２の下端面を覆うように表層電極部を形成する。この後、各表層電極部を乾燥してある程度固化させる。次に、各表層電極部を脱脂し、さらに酸化雰囲気下にて所定時間焼成を行う。このときの焼成温度は、８００〜１０００℃に設定される。その結果、表層電極部中の銅が焼結して電極１１１，１１２，１２１，１２２（金属層１７１，１７２）となる。
【００７０】
次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２（金属層１７１，１７２）に対して無電解銅めっき（厚さ２０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２（金属層１７１，１７２）の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が平面方向に沿って縦横に複数配列された構造の板状パネルが完成する。そして、板状パネルをブレーク溝に沿って切断することにより、製品領域どうしが分割され、複数ピースのセラミックコンデンサ１０１となる。
【００７１】
このセラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵する際には、まず、収容穴部９１を有するコア基板１１を従来周知の手法により作製して準備する。そして、そのコア基板１１の収容穴部９１内にセラミックコンデンサ１０１を収容し、その収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、熱硬化性樹脂製の充填剤９２を充填する。その後、加熱処理を行うと、充填剤９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９１内に固定される。
【００７２】
さらに、従来周知の手法に基づいてコア基板１１のコア主面１２及びセラミックコンデンサ１０１の第１コンデンサ主面１０２の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア基板１１のコア裏面１３及びセラミックコンデンサ１０１の第２コンデンサ主面１０３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。その結果、コア基板１１及びビルドアップ層３１，３２からなる配線基板１０が完成する。
【００７３】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００７４】
（１）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１の内蔵工程において、例えば、コア基板１１の収容穴部９１内に充填剤９２でセラミックコンデンサ１０１を固定する際に、加熱処理により充填剤９２が硬化して収縮する。さらに、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３にビルドアップ層３１，３２を積層する際には、加圧加熱処理を施すことによって、樹脂層間絶縁層３３〜３６となるフィルム状絶縁樹脂材料が硬化して収縮する。これらの場合、セラミックコンデンサ１０１の表面に外部応力が加わるようになる。特に、セラミックコンデンサ１０１のサイズが大きくなると、コンデンサ主面１０２，１０３における樹脂層間絶縁層３３，３４との接触面積が大きくなる。この場合、コンデンサ主面１０２，１０３に加わる外部応力が増大し、セラミックコンデンサ１０１の角部１５４，１５５付近にその大きな応力が集中してしまう。
【００７５】
そこで本実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、角部１５４，１５５にある脆いセラミック誘電体層１５３が金属層１７１，１７２に覆われることによって、セラミック焼結体１０４の靭性が向上する。このため、配線基板１０への内蔵後の熱履歴により角部１５４，１５５に外部応力が集中したとしても、セラミックコンデンサ１０１の角部１５４，１５５付近を起点とするクラック２２１（図１３参照）の発生を抑制することができる。
【００７６】
（２）本実施形態では、第１金属層１７１が面取り部１６２（角部１５４）だけでなく第１コンデンサ主面１０２も覆っているため、第１コンデンサ主面１０２に凹凸が生じにくくなる。同様に、第２金属層１７２が面取り部１６３（角部１５５）だけでなく第２コンデンサ主面１０３も覆っているため、第２コンデンサ主面１０３に凹凸が生じにくくなる。その結果、セラミックコンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３，３４との密着強度が向上する。また、ビルドアップ層３１，３２の表面の平坦性がよくなり、ＩＣチップ２１を搭載しやすくなる。以上のことから、熱膨張などに起因したビルドアップ層３１，３２の浮きやデラミネーションの発生を防止できるため、高い信頼性を付与することができる。
【００７７】
（３）本実施形態の第１金属層１７１は、セラミック焼結体１０４の外表面にある第１グランド用電極１１２に一体化され、グランド用導体層としても機能するようになっている。また、本実施形態の第２金属層１７２は、セラミック焼結体１０４の外表面にある第２電源用電極１２１に一体化され、電源用導体層としても機能するようになっている。その結果、金属層１７１，１７２を電極１２１，１２２と同時に形成できる。換言すると、金属層１７１，１７２を電極１２１，１２２と別々に形成しなくても済むため、セラミックコンデンサ１０１を容易に形成できる。また、グランド用導体層や電源用導体層の面積が大きくなるため、低抵抗化を図ることができる。
【００７８】
（４）本実施形態のセラミック焼結体１０４では、隣接する２つの面がなす角度が全て鈍角となっている。このため、セラミック焼結体１０４の外表面に応力が集中しやすい部分が存在しなくなる。これにより、充填剤９２へ進展するクラックの発生が抑制されるため、配線基板１０の信頼性が向上する。
【００７９】
（５）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００８０】
（６）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、主面側ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、発熱量が大きいために熱応力の影響が大きい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
［第２実施形態］
【００８１】
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、第１実施形態と共通している構成については、同一の部材番号を付す代わりに、その詳細な説明を省略する。
【００８２】
図８に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ３０１では、カバー層部１０８，１０９が有する角部が、面取り部１６２，１６３（図２参照）を有しない角部３０２，３０３である点が、前記第１実施形態と異なっている。また、角部３０２，３０３を覆う金属層が、形状が異なる金属層３０４，３０５である点も、前記第１実施形態と異なっている。
【００８３】
詳述すると、第１金属層３０４は、コンデンサ側面１０６におけるコンデンサ主面１０２側の端部を覆う第１側面被覆部３０６を有し、第２金属層３０５は、コンデンサ側面１０６における第２コンデンサ主面１０３側の端部を覆う第２側面被覆部３０７を有している。また、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における第１側面被覆部３０６の長さは、カバー層部１０８の厚さよりも大きく、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における第２側面被覆部３０７の長さは、カバー層部１０９の厚さよりも大きくなっている。
【００８４】
なお本実施形態では、角部３０２，３０３を覆う金属層３０４，３０５の外表面は曲面状をなしている。詳述すると、角部３０２を覆う第１金属層３０４の外表面３０８は、半径０．０５ｍｍ程度のアールを有している。同様に、角部３０３を覆う第２金属層３０５の外表面３０９も、半径０．０５ｍｍ程度のアールを有している。これにより、温度変化に伴う前記充填剤９２の変形時において、金属層３０４，３０５への応力集中を緩和できるため、充填剤９２でのクラックの発生を防止する効果が期待できる。
【００８５】
従って、本実施形態では、金属層３０４，３０５が側面被覆部３０６，３０７を有し、側面被覆部３０６，３０７の長さがカバー層部１０８，１０９の厚さよりも大きくなっている。これにより、セラミック誘電体層１５３のみにて形成されるために比較的に靭性が低いカバー層部１０８，１０９を、側面被覆部３０６，３０７によって確実に補強することができる。その結果、セラミック焼結体１０４の靭性がよりいっそう向上するため、セラミックコンデンサ３０１の角部３０２，３０３付近を起点とするクラック２２１（図１３参照）の発生をより確実に抑制することができる。
【００８６】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００８７】
・上記各実施形態では、第１金属層１７１（または第１金属層３０４）が第１グランド用電極１１２に一体化され、第２金属層１７２（または第２金属層３０５）が第２電源用電極１２１に一体化されていた。しかし、第１金属層１７１（または第１金属層３０４）を第１グランド用電極１１２とは別体に形成するとともに、第２金属層１７２（または第２金属層３０５）を第２電源用電極１２１とは別体に形成してもよい。この場合、金属層１７１，１７２（または金属層３０４，３０５）は、角部１５４，１５５（または角部３０２，３０３）のみを覆っていてもよい。また、金属層１７１，１７２（または金属層３０４，３０５）は、角部１５４，１５５（または角部３０２，３０３）に加えて、電極１１１，１１２，１２１，１２２の全てを避けて配置しつつ、コンデンサ主面１０２，１０３を覆っていてもよい。
【００８８】
・上記第２実施形態のセラミックコンデンサ３０１では、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における側面被覆部３０６，３０７の長さが、カバー層部１０８，１０９の厚さよりも大きくなっていたが、これに限定されるものではない。例えば図９に示すセラミックコンデンサ３１１のように、セラミック焼結体１０４の厚さ方向における側面被覆部（第１側面被覆部３１４、第２側面被覆部３１５）の長さが、カバー層部１０８，１０９の厚さと等しくなっていてもよい。なお図９において、端面の一部がコンデンサ側面１０６に露出する内部電極（電源用内部電極３１２、グランド用内部電極３１３）がコンデンサ形成層部１０７に設けられていてもよい。このようにすれば、それぞれの内部電極３１２，３１３が側面被覆部３１４，３１５を介して電気的に接続されることに起因する不具合（短絡など）を防止しつつ、セラミック焼結体１０４の靭性を向上させることができる。また、内部電極３１２，３１３の露出部分を表面粗化して微小な凹凸３１６を形成すれば、配線基板１０に内蔵した場合に、セラミック焼結体１０４の外表面に接する充填剤９２が凹凸３１６に入り込みやすくなる。その結果、セラミックコンデンサ３１１と充填剤９２との接合強度が向上し、ひいては配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。また、内部電極３１２，３１３の端面の一部をコンデンサ側面１０６にて露出させることで、内部電極３１２，３１３の面積を大きくすることができるため、セラミックコンデンサ３１１の高容量化を図ることができる。また図示しないが、内部電極３１２，３１３が形成されるセラミック誘電体層１０５上に、内部電極３１２，３１３とは電気的に絶縁されたダミー電極を内部電極３１２，３１３の周囲を覆うように形成し、ダミー電極の端面をコンデンサ側面１０６に露出させてもよい。この場合、側面被覆部３１４，３１５の長さを、カバー層部１０８，１０９の厚さと等しくしてもよいし、それよりも長くしてもよい。
【００８９】
・上記各実施形態の配線基板１０では、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３にて開口する収容穴部９１にセラミックコンデンサ１０１が内蔵されていたが、これに限定されるものではない。例えば、収容穴部９１をコア基板１１のコア主面１２のみにて開口する有底の凹部（非貫通穴）とし、そこにセラミックコンデンサ１０１を内蔵してもよい。
【００９０】
・上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１，３０１はコア基板１１内に収容されていた。しかし、上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１，３０１などよりも薄いセラミックコンデンサ（例えば、厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサを例えば主面側ビルドアップ層３１内に収容してもよい。
【００９１】
この場合、コア基板１１のコア主面１２上に樹脂シート（未硬化状態の樹脂層間絶縁層３３）をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、セラミックコンデンサを樹脂シート上に配置する。このとき、加圧しながらセラミックコンデンサの一部（第２コンデンサ主面１０３側の電極１２１，１２２）を樹脂シート内に潜り込ませるようにする。これにより、セラミックコンデンサが位置決めされる。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層３３とする。さらに、樹脂層間絶縁層３５及び導体層４２を交互に形成すれば、主面側ビルドアップ層３１が完成する。
【００９２】
このようにすれば、セラミックコンデンサがコア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサによりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとの間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００９３】
・上記各実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２側にカバー層部１０８が設けられるとともに、セラミック焼結体１０４の第２コンデンサ主面１０３側にカバー層部１０９が設けられていた。しかし、カバー層部１０８，１０９は、第１コンデンサ主面１０２側にのみ設けられていてもよいし、第２コンデンサ主面１０３側にのみ設けられていてもよい。
【００９４】
・上記実施形態の面取り部１６２，１６３及び側部面取り部１６１は、平面状の面取り部であったが、曲面状の面取り部であってもよい。このようにすれば、面取り部に「角」が存在しなくなるので、応力集中をより確実に緩和することができる。しかし、平面状の面取り部であれば、曲面状の面取り部を形成する場合よりも面取り部を高精度にかつ容易に形成できるという利点がある。
【００９５】
・上記第１実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、第１コンデンサ主面１０２と、コンデンサ側面１０６及び側部面取り部１６１との境界部分に面取り部１６２が形成されるとともに、第２コンデンサ主面１０３と、コンデンサ側面１０６及び側部面取り部１６１との境界部分に面取り部１６３が形成されていた。しかし、面取り部１６２，１６３のいずれか一方を省略してもよいし、両方を省略してもよい。
【００９６】
・上記各実施形態のカバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３のみを積層した構造を有していた。しかし、カバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３と、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２に電気的に接続されていないダミー電極２１７（図１４参照）とを交互に積層した構造を有していてもよい。なお、ダミー電極２１７は、広面積の電極であることが好ましく、例えば、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の周囲にてクリアランスを隔てて配置されたプレーン状導体パターン（ベタパターン）としてもよい。このようにすれば、金属層１７１，１７２（または金属層３０４，３０５）とダミー電極２１７との両方によって、セラミック焼結体１０４のカバー層部１０８，１０９における靭性を向上させることができる。これにより、カバー層部１０８，１０９の外周部において、クラック２２１（図１３参照）の発生をより確実に抑制することができる。
【００９７】
・上記各実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【００９８】
・上記各実施形態は、配線基板１０にセラミックコンデンサ１０１，３０１を内蔵するものであったが、配線基板１０の基板主面上にセラミックコンデンサ１０１，３０１を表面実装してもよい。図１０はその具体例を示している。図１０の配線基板３４１は、基板主面３４２上にセラミックコンデンサ３０１がフリップチップ方式にて表面実装されている。この配線基板３４１において、はんだを用いてセラミックコンデンサ３０１を表面実装する際には、配線基板３４１とセラミックコンデンサ３０１との熱膨張差により、セラミックコンデンサ３０１の表層付近に圧縮応力が加わる。セラミックコンデンサ３０１は、少なくとも角部３０２，３０３にある脆いセラミック誘電体層１５３が金属層３０４，３０５に覆われることによってその靭性が十分に確保されている。このため、セラミックコンデンサ３０１の表面実装工程において角部３０２，３０３に外部応力が集中したとしても、セラミックコンデンサ３０１の角部３０２，３０３付近を起点とするクラックの発生を抑制することができる。その結果、配線基板３４１の信頼性が向上する。
【００９９】
さらに、図１１の配線基板３４３のように、基板主面３４４とセラミックコンデンサ３０１との隙間をアンダーフィル材３４５（樹脂材）にて封止してもよい。この配線基板３４３において、アンダーフィル材３４５による封止工程では、アンダーフィル材３４５の熱硬化収縮による引っ張り応力がセラミックコンデンサ３０１に作用する。セラミックコンデンサ３０１は、少なくとも角部３０２，３０３にある脆いセラミック誘電体層１５３が金属層３０４，３０５に覆われることによってその靭性が十分に確保されている。このため、このアンダーフィル材３４５の封止工程において、熱硬化収縮による引っ張り応力がセラミックコンデンサ１０１に作用した場合でも、セラミックコンデンサ１０１の外周部でクラックが発生することを防止できる。
【０１００】
・上記第１実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、第１コンデンサ主面１０２とコンデンサ側面１０６との境界部分に面取り部１６２を形成し、かつ、第２コンデンサ主面１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分に面取り部１６３を形成した。これに対して、図１１に示す別の実施形態のセラミックコンデンサ３０１Ａでは、とりわけ面取り加工を施しているわけではなく、コンデンサ主面１０２，１０３の外周部にてテーパ状の段差部１６２ａ，１６３ａを有したものとなっている。かかるテーパ状の段差部１６２ａ，１６３ａは、内層における導体の有無などに起因して生じうるが、意図的に形成したものであってもよい。従って、このセラミックコンデンサ３０１Ａのカバー層部１０８，０１９における角部３０２，３０３自体は、コンデンサ主面１０２，１０３とコンデンサ側面１０６とが垂直に交わる境界部分に存在している。よって、セラミックコンデンサ３０１Ａの角部３０２，３０３と、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０１の角部１５４，１５５とを比較すると、存在位置が若干異なるばかりでなく、その角度も異なっている。即ち、角部１５４，１５５が鈍角であるのに対し、角部３０２，３０３が直角となっている。そして、セラミックコンデンサ３０１Ａでは、このような直角状の角部３０２，３０３を金属層３０４，３０５で覆っているため、その部分を起点としたクラックの発生を防止することができる。この場合、図１１に示す別の実施形態のセラミックコンデンサ３０１Ｂのように、角部３０２，３０３付近を覆う金属層３０４，３０５に面取り加工を施してもよい（図１１の面取り部４１１を参照）。この構成によれば、より確実にクラックの発生を防止することができる。なお、図１２及び図１３ではコンデンサ側面１０６の一部を金属層３０４，３０５で覆うようにしたが、コンデンサ側面１０６の全体を覆うようにしてもよい。
【０１０１】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した各実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【０１０２】
（１）厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有し、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有するコンデンサ本体を備えるセラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体は、隣接する２つの前記コンデンサ側面の境界部分に側部面取り部を有し、少なくとも一方の前記コンデンサ主面と、前記複数のコンデンサ側面及び前記側部面取り部との境界部分に、前記金属層によって覆われる面取り部が形成され、前記コンデンサ本体が、複数の前記セラミック誘電体層と前記複数の内部電極とを交互に積層してなる第１積層部と、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうち少なくともいずれか一方にて露出するように配置された第２積層部とを含んで構成され、前記第２積層部は、前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面との境界部分となる角部を有し、前記コンデンサ本体の外表面上に、少なくとも前記角部を覆う金属層を備えることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【０１０３】
（２）厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有し、セラミック誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有するコンデンサ本体を備えるセラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体が、複数の前記セラミック誘電体層と前記複数の内部電極とを交互に積層してなる第１積層部と、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうち少なくともいずれか一方にて露出するように配置された第２積層部とを含んで構成され、前記第２積層部は、前記コンデンサ主面と前記コンデンサ側面との境界部分となる角部を有し、前記コンデンサ本体の外表面上に、少なくとも前記角部を覆う金属層を備え、前記金属層の厚さは、前記複数の内部電極の厚さ以上であることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【０１０４】
（３）技術的思想（１）または（２）において、前記金属層の厚さは、５μｍ以上４０μｍ以下であることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【０１０５】
（４）技術的思想（１）乃至（３）のいずれか１つにおいて、前記金属層の一部は、前記複数の内部電極と同じ材料を用いて形成されていることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【符号の説明】
【０１０６】
１０，３４１，３４３…配線基板
１０１，３０１，３０１Ａ，３０１Ｂ，３１１…セラミックコンデンサ
１０２…コンデンサ主面としての第１コンデンサ主面
１０３…コンデンサ主面としての第２コンデンサ主面
１０４…コンデンサ本体としてのセラミック焼結体
１０５…セラミック誘電体層
１０６…コンデンサ側面
１０７…第１積層部としてのコンデンサ形成層部
１０８，１０９…第２積層部としてのカバー層部
１１１…表層電極としての第１電源用電極
１１２…表層電極としての第１グランド用電極
１２１…表層電極としての第２電源用電極
１２２…表層電極としての第２グランド用電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１，３１２…内部電極としての電源用内部電極
１４２，３１３…内部電極としてのグランド用内部電極
１５４，１５５，３０２，３０３…角部
１６２，１６３…面取り部
１７１，３０４…金属層としての第１金属層
１７２，３０５…金属層としての第２金属層
３０６，３１４…側面被覆部としての第１側面被覆部
３０７，３１５…側面被覆部としての第２側面被覆部
３０８，３０９…金属層の外表面
３４２，３４４…基板主面
Ｃ２，Ｃ３…面取り部の面取り深さ
【図１】
0005524715.tif 000002
【図２】
0005524715.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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