(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極材料の粉末を圧縮成形した圧粉体を電極として、加工液中あるいは気中において電極と基材の間にパルス状の放電を発生させ、そのエネルギにより、基材表面に電極材料あるいは電極材料が放電エネルギにより反応した物質からなる皮膜を形成する放電表面処理に使用する放電表面処理用電極おいて、
電極材料の粉末として、硬質材料の粉末に、１０〜７５体積％のＳｉ粉末を混合した混合粉を用いることを特徴とする放電表面処理用電極。
【請求項２】
電極材料の粉末を圧縮成形した圧粉体を電極として、加工液中あるいは気中において電極と基材の間にパルス状の放電を発生させ、そのエネルギにより、基材表面に電極材料あるいは電極材料が放電エネルギにより反応した物質からなる皮膜を形成する放電表面処理に使用する放電表面処理用電極おいて、
電極材料の粉末として、硬質材料成分及び１０〜７５体積％のＳｉ成分を含有する粉末を用いることを特徴とする放電表面処理用電極。
【請求項３】
電極材料の粉末を圧縮成形した圧粉体を電極として、加工液中あるいは気中において電極と基材の間にパルス状の放電を発生させ、そのエネルギにより、基材表面に電極材料あるいは電極材料が放電エネルギにより反応した物質からなる皮膜を形成する放電表面処理被膜であって、鉄基基材において、Ｓｉを１〜１１重量％含み、その中にＴｉＣが１０〜７５重量％分散していることを特徴とする放電表面処理皮膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硬質材料の粉末を圧縮成形した圧粉体を電極として、電極と基材との間にパルス状の放電を発生させ、そのエネルギにより、基材表面に電極材料或いは電極材料が放電エネルギにより反応した物質からなる皮膜を形成する放電表面処理に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
国際公開番号ＷＯ０１／００５５４５には、実用的な放電表面処理用電極及びその製造方法が開示されている。
この技術は、金属炭化物の粉末であるＴiＣ粉末と金属水素化物の粉末であるＴiＨ２粉末とを混合し、圧縮成形後に加熱処理を行い、前記ＴiＨ２粉末中の水素を放出させて、Ｔi粉末とし、適度な強度及び崩れやすさ並びに安全性を持った実用的な放電表面処理用電極を製造する方法である。【０００３】
特開２００５−２１３５５号公報には、高温環境下での強度と潤滑性が必要とされる、緻密で比較的厚膜（100μｍのオーダー以上）の表面処理方法が開示されている。
この技術は、電極中に1.5〜5.0重量％のＳｉ、或いは1.0〜4.5重量％のＢを混入することで、皮膜中の酸素原子をＳｉやＢが奪い、皮膜中の不要な酸素原子がなくなり、粉末材料同士の密着がよくなることで、緻密で強固な皮膜を形成する方法である。【０００４】
以上のような放電表面処理用電極を用いた放電表面処理を実施した結果、プレス金型、タレットパンチ、切削工具などでは長寿命化が達成されている。
一方、放電表面処理面の硬さは1700〜2500ＨＶ程度で非常に硬質であるが、面粗さは6〜12μｍＲｚとやや大きく、良好な面粗さが必要とされる用途では、より平滑な硬質皮膜の形成が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ０１／００５５４５
【特許文献２】特開２００５−２１３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたもので、平滑かつ高硬度な皮膜を形成することができる放電表面処理方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る放電表面処理用電極は、電極材料の粉末を圧縮成形した圧粉体を電極として、加工液中あるいは気中において電極と基材の間にパルス状の放電を発生させ、そのエネルギにより、基材表面に電極材料あるいは電極材料が放電エネルギにより反応した物質からなる皮膜を形成する放電表面処理に使用する放電表面処理用電極おいて、電極材料の粉末として、硬質材料の粉末に、１０〜７５体積％のＳｉ粉末を混合した混合粉を用いるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、平滑かつ高硬度な皮膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】電極へのＳｉ混合比と皮膜面粗さの関係を示す特性図である。
【図２】電極へのＳｉ混合比と皮膜硬さの関係を示す特性図である。
【図３】電極へのＳｉ混合比と皮膜Ｓｉ濃度の関係を示す特性図である。
【図４】実施の形態１の比較例として示したＴｉＣ皮膜表面のＳＥＭ写真である。
【図５】Ｓｉ混入ＴｉＣ皮膜表面のＳＥＭ写真である。
【図６】Ｓｉ混入ＴｉＣ皮膜表面のＳＥＭ写真である。
【図７】Ｓｉ混入ＴｉＣ皮膜表面のＳＥＭ写真である。
【図８】実施の形態１の比較例として示したＳｉ皮膜表面のＳＥＭ写真である。
【図９】Ｓｉ混入ＴｉＣ皮膜表面方向からのＸ線回折パターン測定結果である。
【図１０】電極へのＳｉ混合比と皮膜Ｔｉ濃度の関係を示す特性図である。
【図１１】皮膜の形成メカニズムを示す図である。
【図１２】電極へのＳｉ混合比と耐エロージョン性の関係を示す特性図である。
【図１３】ウォータージェット噴射後の皮膜の表面状態の観察結果である。
【図１４】電極へのＳｉ混合比と耐食性の関係を示す特性図である。
【図１５】王水へ１ｈｒ浸漬後の皮膜の表面状態の観察結果である。
【図１６】電極中のＳｉ混合比（重量比）と各皮膜特性の関係を表した図である。
【図１７】電極へのＳｉ混合比と皮膜の各成分濃度の関係を表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
実施の形態１．
【００１１】
本実施の形態では硬質材料の粉末として、ＴｉＣ粉を用いて説明する。
ＴｉＣ粉とＳｉ粉とを割合を少しずつ変化させて混合したＴｉＣ＋Ｓｉ混合粉を用いて放電表面処理用電極を作成し、電極と被処理材（基材）との間に電圧を印加して放電を発生させ、基材に皮膜を形成する。
なお、本実施の形態では、平均粒径5μｍ或いは平均粒径1.3μｍのＴｉＣ粉、平均粒径５μｍのＳｉ粉を用いた。
【００１２】
図１は、電極へのＳｉ混合比（重量％）と皮膜の面粗さの関係を示したものである。
ＴｉＣ粉に混合するＳｉ粉の割合を変化させて作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で炭素鋼Ｓ４５Ｃに処理した皮膜の面粗さを測定した結果、電極へのＳｉ混合比が大きくなるほど、皮膜の面粗さは小さくなっている。
なお、本実施の形態では、皮膜の面粗さは2〜6μｍＲｚの範囲で変化している。
【００１３】
図２は、電極へのＳｉ混合比（重量％）と皮膜の硬さの関係を示したものである。
ＴｉＣ粉に混合するＳｉ粉の割合を変化させて作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で炭素鋼Ｓ４５Ｃに処理した皮膜の硬さを測定した結果、Ｓｉ混合比が60重量％以下では、電極へのＳｉ混合比が大きくなるほど、皮膜の硬さは小さくなっている。
また、Ｓｉ混合比が60重量％以上では皮膜の硬さはほとんど変わっていない。
なお、本実施の形態では、皮膜の硬さは800〜1700ＨＶの範囲で変化している。
【００１４】
また、図１のように電極にＳｉをより混入しておくほど、皮膜の面粗さは徐々に小さくなっていくため、電極中のＳｉ重量比を任意に変化させた電極を用いることで、皮膜の面粗さを2〜6μｍＲｚの間で任意にコントロールできる。
また、図２のように電極にＳｉをより混入しておくほど、皮膜硬さは徐々に小さくなっていくため、電極中のＳｉ重量比を任意に変化させることで、皮膜の硬さを800〜1700ＨＶの間で任意にコントロールできる。
【００１５】
ここで、本実施の形態で用いた表面粗さの測定方法は次の通りである。
測定装置はTaylor Hobson製フォームタリサーフを用い、スタンダードのスタイラスで、測定長さを4.8ｍｍ、高域カットオプ長0.8ｍｍ、バンド幅比100：1、フィルタタイプをガウシアンとして測定した。測定した値はＪＩＳのB0601：2001に準拠した。
【００１６】
また、皮膜硬さの測定は皮膜表面方向から行い、測定荷重は10ｇｆとした。
測定装置は島津製作所製微小硬度計である。
【００１７】
なお、ＴｉＣ粉とＳｉ粉との割合を変化させて混合して作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で炭素鋼Ｓ４５Ｃに処理した皮膜のＳｉ濃度を測定したところ、電極内のＳｉ重量比と皮膜のＳｉ濃度の関係は図３の通りとなった。
電極内のＳｉ重量比が大きくなると、皮膜のＳｉ濃度も大きくなっている。
なお、ここで言うＳｉ量は、エネルギー分散型Ｘ線分光分析法（ＥＤＸ）により、皮膜表面方向から測定した値であり、測定条件は、加速電圧15.0ｋＶ，照射電流1.0ｎＡである。
【００１８】
このように、電極のＳｉ混合比が多くなるほど、皮膜に含まれるＳｉ濃度は大きくなり、その結果、皮膜の面粗さは小さくなっていると考えられるが、そのメカニズムを調査するため、皮膜の表面をＳＥＭで観察を行った。
その結果、Ｓｉ濃度が大きくなるにつれて、皮膜にクラックなどの欠陥が少なくなり、また放電痕一つ一つの盛り上がりが小さくなっていることが観察された。
【００１９】
以降、各混合比（重量比）の電極を、例えばＴｉＣ粉末：Ｓｉ粉末＝８：２であればＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ粉末：Ｓｉ粉末＝５：５であればＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極のように表記する。
【００２０】
図４〜図８に、ＴｉＣ電極で処理した表面、ＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極で処理した表面、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極で処理した表面、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で処理した表面、Ｓｉ電極で処理した表面のＳＥＭ観察結果を示す。
図４で示されるＴｉＣ電極での処理面では、クラック（図における黒い線）などの欠陥が非常に多く、放電痕一つ一つの盛り上がりが大きい点が観察される。
一方、図５〜７に示されるＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極の順に、処理面にクラックなどの欠陥は少なくなり、放電痕一つ一つの盛り上がりが小さくなる点が観察される。
なお、比較として図８に示されるＳｉ電極での処理面では、クラックなどの欠陥は全く見られず、放電痕一つ一つの盛り上がりが非常に小さいことが観察できる。
【００２１】
ここで、皮膜に含まれるＳｉ濃度は大きくなることで、放電痕一つ一つの盛り上がりが小さくなるメカニズムは次のように考えている。
すなわち、Ｓｉは粘性率が他の金属に比べて小さい（0.94ｍＮ・ｓ／ｍ２）ため、Ｓｉが混入されることで、放電により溶融した電極材質が基材に移行して凝固する際に、溶融部分のＳｉ濃度が大きくなることで、溶融部分の粘性率が小さくなり、より扁平に拡がりながら凝固するため、盛り上がりが小さくなると考えられる。
【００２２】
ＴｉＣ粉とＳｉ粉との割合を変化させて混合して作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で処理した皮膜に対して、Ｘ線回折測定を行ったところ、ＴｉＣの回折ピークが確認され、電極材料時のＴｉＣは、放電表面処理後もＴｉＣとして皮膜に存在していることが分かった。
なお、Ｔｉ単体の回折ピークは確認されない。
例として、図９にＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で成膜した皮膜のＸＲＤ回折測定結果を示す。
【００２３】
一方、電極のＳｉ混合比が大きくなる、すなわち電極のＴｉＣ混合比が小さくなると、皮膜のＴｉＣのいずれの回折ピークの積分強度も小さくなっている。
また、図１０は、電極へのＳｉ混合比と皮膜のＴｉ濃度の関係を示している。
電極のＳｉ混合比が大きくなる、すなわち電極のＴｉＣ混合比が小さくなると、皮膜のＴｉ濃度は小さくなる。
ＸＲＤ回折測定結果より、Ｔｉ単体のピークは見られないため、電極時のＴｉＣは一部放電表面処理時に分解している可能性はあるが、大部分はそのままＴｉＣの状態で皮膜内に存在していると考えられる。
以上より、電極のＳｉ混合比が大きくなる、すなわち電極のＴｉＣ混合比が小さくなると、皮膜のＴｉＣ濃度も相対的に小さくなっていると推察される。
【００２４】
以上より、電極へのＳｉ混合比が大きくなると、皮膜において、硬質のＴｉＣ濃度が小さくなり、その結果皮膜硬さが小さくなると考えられる。
【００２５】
一方、処理表面には前述の定量分析の通り、Ｓｉ元素が数〜十数重量％程度存在しているにもかかわらず、Ｘ線回折測定の結果、いずれの皮膜もＳｉの結晶の回折ピークは確認できなかった。このことから、Ｓｉ単体は基材成分と合金を形成している、もしくは非晶質状態になっていると考えられる。
【００２６】
電極にＳｉを混合することで皮膜のＳｉ濃度を大きくすることの効果をまとめると、図１１のようになる。
すなわち、電極へのＳｉ混合比が小さいとき、放電表面処理による溶融部（皮膜）にクラックなどの欠陥が非常に多く、放電痕一つ一つの盛り上がりが大きい。
一方、Ｓｉ混合比が大きくなるにつれて、クラックなどの欠陥は少なくなり、放電痕一つ一つの盛り上がりは小さくなる。
また、皮膜は、Ｓｉ単体と基材成分が合金を形成している、もしくは非晶質状態になっていると推察され、そこにＴｉＣが分散している皮膜形態になっていると推察している。
なお、皮膜は一部基材高さよりも低い位置まで拡散している。
皮膜は拡散部分まで合わせて、5〜20μｍ程度である。
【００２７】
次に、ＴｉＣ粉とＳｉ粉を少しずつ割合を変化させて混合して作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で処理した皮膜について、耐エロージョン性について各皮膜の評価を行った。
ここでは、基材はＳＵＳ６３０（Ｈ１０７５）とした。
また、耐エロージョン性はウォータージェットを皮膜に当てることにより評価した。
なお、耐エロージョン性は、一般的には硬さと相関が強いと言われている。一方、硬さだけでは説明がつかない点も多く、硬さ以外の要素としては、表面の性状が影響しており、粗い面より平滑な面の方が、耐エロージョン性が上がることが分かってきている。
Ｓｉ電極で処理した皮膜では高い耐エロージョン性が得られることが分かっていたが、今回評価した結果、ＴｉＣ電極にＳｉを5重量％以上混入した電極で処理した皮膜で耐エロージョン性の向上が現れ始めた。
なお、５重量％程度では表面に欠陥が多少存在していることから評価にバラツキが見られたことから、そこで、さらに混入比を大きくすると、10重量％以上で十分な効果を付与することができ、より望ましくは20重量％以上混入した方がよいことが判明した。
図１２は、電極へのＳｉ混合比と耐エロージョン性の関係を示した図であり、20重量％以上混入した場合、評価にばらつきもなく、高い耐エロージョン性を有している状態を示している。
【００２８】
なお、このように、高い耐エロージョン性を有しているのは、以下の点が複合的に効果を及ぼしていると考えている。
・皮膜が非晶質になっていることから、粒界からの破壊が起こりにくい。
・ＴｉＣが分散していることで、高硬度になっている。
・Ｓｉが混入されることで、平滑になっている。
【００２９】
例として、ＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で処理した皮膜に対して、80ＭＰａのウォータージェットを１ｈｒ噴射した後の表面状態を観察した結果を図１３に示す。
比較として、基材のみ、ＴｉＣ電極での皮膜、Ｓｉ電極での皮膜での結果も示している。基材のみでは大きく損傷が発生し、ＴｉＣ電極での処理面でも損傷が発生している。
一方、ＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で処理したいずれの皮膜において損傷は発生していない。
【００３０】
次に、耐食性について各皮膜の評価を行った。ここでは、基材はＳＵＳ３１６とした。
Ｓｉ電極で処理した皮膜では高い耐食性が得られることが知られているが、ＴｉＣ電極にＳｉを5重量％以上混入した電極で処理した皮膜において高い耐食性を有していた。
なお、5重量％程度では表面に欠陥が多少存在していることから評価にバラツキが見られた。そこで、さらに混入比を大きくすると、10重量％以上で十分な効果を付与することができ、より望ましくは20重量％以上混入した方がよい。
２０重量％以上混入した場合、評価にばらつきもなく、高い耐食性を有していた。図１４は、電極へのＳｉ混合比と耐食性の関係を模式的に示した図である。
【００３１】
なお、このように、高い耐食性を有しているのは、以下の点が複合的に効果を及ぼしていると考えている。
・皮膜が非晶質になっていることから、粒界からの腐食が起こりにくい。
・Ｓｉが混入されることで、クラックなどの欠陥が少なくなっている。
【００３２】
例として、ＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で処理した皮膜に対して、腐食液：王水に1時間浸漬した後の表面状態を観察した結果を図１５に示す。
比較として、基材のみ、ＴｉＣ電極での皮膜、Ｓｉ電極での皮膜での結果も示している。
基材のみでは大きく腐食し、ＴｉＣ電極での処理面でも腐食されている。
一方、ＴｉＣ＋Ｓｉ（８：２）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（７：３）電極、ＴｉＣ＋Ｓｉ（５：５）電極で処理したいずれの皮膜において腐食は発生していない。
【００３３】
これまでで得られた結果より、横軸に放電表面処理用電極中のＳｉ混合比（重量比）をとり、縦軸にその電極で処理して得られた皮膜特性（面粗さ、硬さ、耐エロージョン性、耐食性）をとると、図１６の通りである。
すなわち、Ｓｉ混合比が5〜60重量％のとき、皮膜は平滑かつ高硬度であり、さらに高い耐エロージョン性、耐食性を有した皮膜を形成することができる。
Ｓｉ混合比が５重量％以下のとき、面粗さはＴｉＣ電極での皮膜と同程度であり、また十分な耐エロージョン性、耐食性が得られない。また、Ｓｉ重量比が60重量％以上のとき、硬さはＳｉ電極での皮膜と同程度であり、他の特性はＳｉ電極での皮膜と同程度もしくは、特に面粗さに関しては劣っている。
【００３４】
ＥＤＸによる元素濃度測定結果およびＸ線回折結果より、ＴｉＣ粉に少しずつ割合を変化させてＳｉ粉を混合して作成したＴｉＣ＋Ｓｉ電極で炭素鋼Ｓ４５Ｃに処理した皮膜のＳｉ濃度、ＴｉＣ濃度、基材（Ｆｅ）濃度は図１７のようになる。
前述した通り、Ｓｉ混合比が5〜60重量％のとき、この電極を用いて炭素鋼Ｓ４５Ｃに形成した、平滑かつ高硬度であり、さらに高い耐エロージョン性、耐食性を有した皮膜の各成分濃度は、Ｓｉ濃度：1〜11重量％、ＴｉＣ濃度：10〜75重量％、基材成分（Ｆｅ）濃度：20〜90重量％の範囲であった。
【００３５】
本実施の形態では、ＴｉＣにＳｉを混合した場合について説明したが、前述したような理由で良好な特性が得られているので、ＴｉＣの代わりに硬質な他の材料、例えば金属であればＷ、Ｍｏなど、セラミックスであればＷＣ、ＶＣ、Ｃｒ３Ｃ２、ＭｏＣ、ＳｉＣ、ＴａＣなどの炭化物を用いても良い。また、ＴｉＮ、ＳｉＮなどの窒化物、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物を用いても良い。
なお、絶縁物を用いる場合は、Ｓｉを多めに入れて導電性を確保できるようにすることで同様の効果が得られる。
【００３６】
なお、他の材料とＳｉの混合比については、ＴｉＣとＳｉの場合と同様の体積比の範囲で混合した場合、同様の効果が得られた。本実施の形態においては、ＴｉＣとＳｉの混合比は重量比で規定しているが、ＴｉＣの密度は、4.93ｇ／ｃｍ３であり、Ｓｉの密度は2.3ｇ／ｃｍ３であることから、重量を密度で除して、体積比に換算すると、例えば、ＴｉＣ：Ｓｉ＝95重量％：5重量％＝90体積％：10体積％であり、ＴｉＣ：Ｓｉ＝40重量％：60重量％＝25体積％：75体積％である。
すなわち、硬質な他の材料に対して、Ｓｉを10〜75体積％で混合することで、平滑かつ高硬度であり、さらに高い耐エロージョン性、耐食性を有した皮膜を形成することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、混入する材料として、Ｓｉを用いたが、粘性率が小さい金属の粉末を混入しても同様の効果が得られる。粘性率が低い材料として、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｇｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐ、Ｂｉ、Ｓｎ、ＩｎなどをＳｉの代わりに用いても良い。
【００３８】
本実施の形態では、粉末の状態でＴｉＣとＳｉを一定の重量比で混合したが、あらかじめＴｉＣとＳｉが一定の割合で含有している粉末を用いて放電表面処理用電極を製造してもよい。その場合には、ＴｉＣとＳｉが均一に混ざることができ、より望ましい。
【００３９】
本実施の形態では、Ｆｅ基の材料を基材に用いたが、他の材料であっても同様の効果が得られる。
例えば、基材が耐熱合金のＮｉ基合金やＣｏ基合金でも同様の効果が得られる。
また、基材がＡｌ基やＣｕ基の場合は、ＴｉＣ電極での皮膜は、基材がＦｅ基の場合に比べて面粗さが大きくなる傾向があるが、ＴｉＣ＋Ｓｉ電極を用いると同様の効果が得られる。
【００４０】
電極材料にＳｉを加える発明として、特開昭５６−５１５４３号公報があるが、これは、通常の放電加工の電極に関する発明であり、加工速度を上げることを目的としており、硬質材料皮膜を形成し、その皮膜が平滑になるようにＳｉを混入して粘性率を小さくする本発明とは異なる分野の発明である。
【００４１】
特開２００５-２１３５５号公報には、高温環境下での強度と潤滑性を必要とされる、空孔が無く緻密で比較的厚膜（金属材料を100μｍのオーダー以上）の表面処理方法を確立することを目的として、電極材料として、酸素原子を奪うために1.0〜4.5重量％のＢ（硼素）、あるいは1.5〜5.0重量％のＳi（珪素）を含む放電表面処理用電極が開示されている。
しかし、本発明では平滑かつ高硬度な硬質材料の5〜20μｍ皮膜の表面処理方法を確立することを目的とし、Ｓｉの混入の重量比は5〜60重量％程度であり、上記公報とは異なる分野の発明である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明に係る放電表面処理用電極は、金型や蒸気タービンなどへの放電表面処理作業に用いられるのに適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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