(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するテンプレートの検査方法において、
前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させる近接工程と、
前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートに平面波の検査光を照射する工程と、
前記平面波とは異なる成分光を検出する検出工程と、
を備えることを特徴とするテンプレートの検査方法。
【請求項２】
前記近接工程は、前記凹凸パターンの深さと同等以下に前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させることを特徴とする請求項１に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項３】
前記近接工程は、前記マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとの間に液体が満たされていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項４】
前記液体の屈折率は前記マスターテンプレートの屈折率又は前記レプリカテンプレートの屈折率とは異なることを特徴とする請求項３に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項５】
前記検査光は、可視光より短い短波長の光である第１短波長とこの第１短波長と異なる第２短波長の光であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項６】
前記検出工程は、前記平面波を遮光することで前記平面波とは異なる成分光を検出することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項７】
前記平面波とは異なる成分光は、球面波成分を含むことを特徴とする請求項６に記載のテンプレートの検査方法。
【請求項８】
凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するテンプレートの検査装置において、
平面波の検査光を照射する検査光源部と、
前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
前記マスターテンプレートとテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
を備えることを特徴とするテンプレートの検査装置。
【請求項９】
前記ステージは前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの距離を可変することを特徴とする請求項８に記載のレプリカテンプレートの検査装置。
【請求項１０】
前記ステージは前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとの間に液体を満たしていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１１】
前記前記液体の屈折率は前記マスターテンプレートの屈折率又は前記レプリカテンプレートの屈折率とは異なることを特徴とする請求項１０に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１２】
前記検出部と前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートとの間であって前記検査光の照射方向に配置された光学系と、
前記光学系の瞳位置に配置され前記平面波を遮光する遮光部材と、
を備えることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１３】
前記検出部と前記マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートとの間であって前記検査光の照射方向と異なる方向に配置された光学系を備えることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１４】
前記検査光は、可視光より短い波長の第１短波長とこの第１短波長と異なる第２短波長の光であることを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１５】
前記検出部は、前記平面波とは異なる成分光を検出することを特徴とする請求項８から請求項１４のいずれか一項に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１６】
前記平面波とは異なる成分光は、球面波成分を含むことを特徴とする請求項１５に記載のテンプレートの検査装置。
【請求項１７】
凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、
前記マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、
平面波の検査光を照射する検査光源部と、
前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
前記検査部によって前記レプリカテンプレートに欠陥がない場合に、前記レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、
前記搬送部から前記レプリカテンプレートを受け取るとともに保持する保持部と、
前記保持部に保持されたレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する基板載置台と、
前記凹凸パターンに前記樹脂が型打ちされるように前記レプリカテンプレート又は前記基板の少なくとも一方を押圧する押圧部と、
を備えることを特徴とするナノインプリント装置。
【請求項１８】
凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、
前記マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、
平面波の検査光を照射する検査光源部と、
前記検査光が照射されるとともに、前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、
前記マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、前記平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、
前記検査部によって前記レプリカテンプレートに欠陥がない場合に、前記レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、
前記搬送部から前記レプリカテンプレートを受け取るとともに保持する２つの保持部と、
前記２つの保持部に保持された２つのレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する２つの基板載置台と、
前記凹凸パターンに前記樹脂が型打ちされるように前記レプリカテンプレート又は前記基板の少なくとも一方を押圧する２つの押圧部と、
を備えることを特徴とするナノインプリントシステム。
【請求項１９】
デバイスの製造方法であって、
請求項８から請求項１５のうちいずれか１項に記載のレプリカテンプレートの検査装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、
前記レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、
型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、
を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２０】
デバイスの製造方法であって、
請求項１７に記載のナノインプリント装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、
前記レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、
型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、
を備えることを特徴とするデバイス
の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はナノインプリントに使用されるテンプレートの製造方法に関する。ナノインプリントに使用されるテンプレートの検査方法及び装置、ナノインプリント装置、ナノインプリントシステム並びにデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路は微細化，集積化が進んでおり、その微細加工を実現するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ装置の高精度化が進められてきた。さらなる微細化・高精度化を進めるために、フォトリソグラフィ技術に代わる技術が提案されている。例えば特許文献１は、基板上に形成したいパターンに対して反転した凹凸パターンを有するテンプレートを、基板の表面に形成された硬化性樹脂に対して型押しすることで所定のパターンを転写するナノインプリント技術を開示している。【０００３】
このようなナノインプリント技術では、生産性を上げるために、元となるマスターのテンプレート（以下、マスターテンプレートという）を用いて、複製のテンプレート（以下、レプリカテンプレートという）を複数作成して、各レプリカテンプレートを異なるナノインプリント装置に装着して使用することが有効である。例えば特許文献２では、マスターテンプレートからレプリカテンプレートを製造する製造方法を開示している。
【特許文献１】米国特許５,７７２,９０５号公報
【特許文献２】特開２００７−１３０８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように複数のレプリカテンプレートおよびナノインプリント装置を用いて生産を行う場合、高精度なレプリカテンプレートの製作にあたって量産性を向上させることが要望される。【０００５】
また、レプリカテンプレートは、マスターテンプレートに対応して正確に製造されている必要がある。従来、レプリカテンプレートの検査に際しては電子顕微鏡又は電子ビームを照射して得られる散乱光などでレプリカテンプレートの凹凸パターンの一つ一つを検査することが行われており、多大な検査時間が必要とされていた。【０００６】
本発明の態様は、レプリカテンプレートの量産性を向上させることができるテンプレートの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、テンプレートを短時間で検査することができるテンプレートの検査方法及び検査装置を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、これらを用いたナノインプリントシステムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に係るテンプレートの製造方法は、大型基板の上に樹脂膜を形成する工程と、レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、大型基板にステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、大型基板全体にマスターテンプレートのパターンを形成した後、樹脂膜を介して大型基板をエッチングするエッチング工程と、エッチング後の大型基板に保護層を形成する工程と、大型基板を複数のレプリカテンプレートにダイシングするダイシング工程と、レプリカテンプレートから保護層を取り除く工程と、を備えている。【０００８】
本発明の第２の様態に係るテンプレートの製造方法は、大型基板を複数の小型基板にダイシングするダイシング工程と、ダイシング工程後に複数の小型基板を洗浄する工程と、洗浄した複数の小型基板を型枠内に配置する工程と、型枠内に配置された複数の小型基板に樹脂膜を形成する工程と、レジスト上に小型のマスターテンプレートを利用して、小型基板ごとにステップアンドリピート方式でインプリントするインプリント工程と、複数の小型基板にマスターテンプレートのパターンを形成した後、樹脂膜を介して小型基板をエッチングするエッチング工程と、型枠から複数の小型基板を取り外す工程と、を備えている。【０００９】
本発明の第３の態様にかかるテンプレートの検査方法は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査するである。この方法は、マスターテンプレートと前記レプリカテンプレートとを近接させる近接工程と、マスターテンプレート及び前記レプリカテンプレートに平面波の検査光を照射する工程と、平面波とは異なる成分光を検出する検出工程と、を備える。【００１０】
本発明の第４の態様にかかるテンプレートの検査装置は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートを検査する。この装置は、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともにマスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、を備える。【００１１】
本発明の第５の態様にかかるナノインプリント装置は、凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともに、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、検査部によってレプリカテンプレートに欠陥がない場合に、レプリカテンプレートを搬送する搬送部と、搬送部からレプリカテンプレートを受け取るとともに保持する保持部と、保持部に保持されたレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する基板載置台と、凹凸パターンに樹脂が型打ちされるようにレプリカテンプレート又は基板の少なくとも一方を押圧する押圧部と、を備える。【００１２】
本発明の第６の態様にかかるナノインプリントシステムは、凹凸パターンを有するマスターテンプレートと、マスターテンプレートからインプリント方法により製造されたレプリカテンプレートと、平面波の検査光を照射する検査光源部と、検査光が照射されるとともに、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを近接して配置するステージと、マスターテンプレートとレプリカテンプレートとを透過し、平面波とは異なる成分光を検出する検出部と、検査部によってレプリカテンプレートに欠陥がない場合にレプリカテンプレートを搬送する搬送部と、搬送部からレプリカテンプレートを受け取るとともに保持する２つの保持部と、２つの保持部に保持された２つのレプリカテンプレートと対向して配置され、液状の樹脂が塗布された基板を載置する２つの基板載置台と、凹凸パターンに樹脂が型打ちされるようにレプリカテンプレート又は基板の少なくとも一方を押圧する２つの押圧部と、を備える。【００１３】
本発明の第７の態様にかかるデバイスの製造方法は、第４の態様のレプリカテンプレートの検査装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして基板をエッチングする工程と、を備える。【００１４】
本発明の第８の態様にかかるデバイスの製造方法は、第５の態様のナノインプリント装置を使用して、製造されたレプリカテンプレートの凹凸パターンを検査する工程と、レプリカテンプレートの凹凸パターンを樹脂が塗布された基板に型押しする工程と、型押しされた樹脂の凹凸パターンをマスクとして基板をエッチングする工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の様態によれば、レプリカテンプレートの量産性を向上させることができる。また、本発明の態様によれば、短時間でレプリカテンプレートを検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１ナノインプリント装置２００を示した概念図である。
【図２】マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰとの関係を示した図である。
【図３】マスターテンプレートＭＴＰの製作のフローチャートである。
【図４】レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図５】レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図６】レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図７】レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図８】レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図９】レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法を説明したフローチャート及び概念図である。
【図１０】レプリカテンプレートＲＴＰの製作方法のフローチャートである。
【図１１】第１レプリカテンプレート検査装置１００の構成概略図である。
【図１２】第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構成概略図である。
【図１３】第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構成概略図である。
【図１４】第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構成概略図である。
【図１５】第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構成概略図である。
【図１６】第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構成概略図である。
【図１７】テンプレートの欠陥の大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。
【図１８】レーザー光の波長と散乱光の強度との関係を示したグラフである。
【図１９】ゴミの大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。
【図２０】ゴミの大きさと散乱光の強度との関係を示したグラフである。
【図２１】マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０の拡大断面図である。
【図２２】マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０の拡大断面図で、特にレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥ＤＦがある場合を示している。
【図２３】第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰのステージ４０’の拡大断面図である。
【図２４】第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵した第２ナノインプリント装置２１０を示した概念図である。
【図２５】ナノインプリントシステム３００を示した概念図である。
【図２６】半導体素子の製造方法を示したフローチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜第１ナノインプリント装置２００＞
図１は、第１ナノインプリント装置２００を示した概念図である。第１ナノインプリント装置２００は、マスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンを石英ガラスＱＧに転写することができ、図１に示すようにチャンバー７１内で転写が行われる。【００１８】
第１ナノインプリント装置２００はマスターテンプレートＭＴＰを保持する保持部５０を有している。マスターテンプレートＭＴＰは石英ガラスで作られておりその大きさは例えば２５ｍｍ×２５ｍｍの大きさである。このマスターテンプレートＭＴＰは押圧エレベータＥＶで支えられている。この押圧エレベータＥＶは第１ナノインプリント装置２００のチャンバー７１の天井に備え付けられている。押圧エレベータＥＶは、Ｚ方向（上下方向）にマスターテンプレートＭＴＰを移動させることができる。押圧エレベータＥＶは、マスターテンプレートＭＴＰと石英（ｑｕａｒｔｚ）ガラスＱＧとを近接させ、石英ガラスＱＧに形成された硬化性樹脂に凹凸パターンを転写することができる。【００１９】
一方、石英ガラスＱＧは吸着テーブル１６で真空吸着されて固定されている。この石英ガラスＱＧは例えば一辺１５０ｍｍ程度の矩形又は直径２００ｍｍ程度の円形である。この吸着テーブル１６はＸＹステージ１４に支えられている。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸及びＹ軸方向に例えば最大ストロークは２００ｍｍ程度で移動可能であり、石英ガラスＱＧの一端から他端まで凹凸パターンを転写することができる。ＸＹステージ１４は、その一部にＸ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭ（不図示）及びＹ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭが固定されている。ＸＹステージ１４にはリニアモータ１８が設けられており、リニアモータ１８はＸＹステージ１４をＸ軸及びＹ軸方向に駆動する。ＸＹステージ１４は、外部の振動の影響を受けないように、防振台１２の上に載置されている。【００２０】
レーザー干渉計（不図示）は、Ｘ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＸ軸用のレーザー干渉計及びＹ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＹ軸用のレーザー干渉計より構成されており、ＸＹステージ１４のＸ座標及びＹ座標が計測される。レーザー干渉計により計測されたＸ座標、及びＹ座標の情報が主制御部９０に供給され、主制御部９０は、供給された座標をモニターしつつリニアモータ１８を介して、ＸＹステージ１４の位置決め動作を制御する。【００２１】
なお、図１では、マスターテンプレートＭＴＰが押圧エレベータＥＶで上下し、石英ガラスＱＧがＸＹステージ１４に載置されてＸ軸及びＹ軸方向に移動する構成であるが、マスターテンプレートＭＴＰがＸ軸及びＹ軸方向に移動し、石英ガラスＱＧが押圧エレベータで上下するような構成でもよい。第１ナノインプリント装置２００のチャンバー７１は、ゲート７９を有しており、石英ガラスＱＧを第１ナノインプリント装置２００内へ搬入したり、第１ナノインプリント装置２００外へ搬出したりすることができる。【００２２】
第１ナノインプリント装置２００によって凹凸パターンが転写された石英ガラスＱＧをレーザーソー又はダイシングソーなどによって切断することでレプリカテンプレートが形成される。【００２３】
図２は、マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとの関係を示した図である。図２では説明の便宜上、「Ｆ」字状の凹凸の回路パターンが示されている。実際のパターンは、線幅で数十ナノメートル程度の大きさである。石英ガラスＱＧに９つのレプリカテンプレートＲＴＰを描いているが実際には例えば６４個のレプリカテンプレートＲＴＰが製造される。また点線はレーザーソー又はダイシングソーなどで切断されるスクライブラインである。【００２４】
図２に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンは凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとから形成されている。マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ上の硬化性樹脂に型押しされると、石英ガラスＱＧには、鏡反転した「Ｆ」字状の凹凸パターンが形成され、また凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとが逆になる。【００２５】
＜マスターテンプレートＭＴＰの製作＞
図３は、マスターテンプレートＭＴＰの製作手順を示すフローチャートである。【００２６】
ステップＰ１１において、マスターテンプレートＭＴＰ用に、例えば２５ｍｍ×２５ｍｍで６．３５ｍｍ厚の石英ガラスを用意する。そしてＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学蒸着法)又はスパッタリングなどを使って石英ガラスにＡｌ（アルミ）などの金属膜を成膜する。【００２７】
ステップＰ１２において、石英ガラスの金属膜に電子ビーム用のレジスト膜を形成する。
ステップＰ１３において、不図示の電子ビームで数十ナノメートルの線幅の回路パターンを石英ガラスのレジスト膜に描画する。【００２８】
ステップＰ１４において、Ａｌなどの金属膜をＣｌ２ガス（塩素ガス）によりドライエッチングする。なお、ウェットエッチングによってパターンを形成することも可能であるが、その場合等方性エッチングの断面になるためマスターテンプレートＭＴＰ用には適さない。一方、Ｃｌ２ガス（塩素ガス）によりドライエッチングでは、壁面をほぼ垂直に加工することが可能であり、電子ビームによる回路パターン描画が反映される。【００２９】
ステップＰ１５において、Ａｌなどの金属膜をマスクとして石英ガラスのドライエッチングを行う。ドライエッチング剤としてＣＨＦ３ガス（フッ化メチルガス）、ＣＦ４ガス（四フッ化炭素ガス）などが用いられる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０〜５０ナノメートルの深さである。
ステップＰ１６では、残ったレジスト及び金属膜が除去されて、マスターテンプレートＭＴＰが形成される。【００３０】
＜レプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法＞
図４から図６は、図１で示された第１ナノインプリント装置２００によるレプリカテンプレートＲＴＰの第１製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ステップの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。【００３１】
図４のステップＰ３１において、マスターテンプレートＭＴＰが準備される。また、例えば１５０ｍｍ×１５０ｍｍの石英ガラスＱＧにハードマスク層ＨＭが真空蒸着又はスパッタリングで形成される。ハードマスク層ＨＭは代表例としてＣｒ（クロム）層またはアルミニウム（Ａｌ）層が用いられる。ハードマスク層ＨＭは石英ガラスＱＧをエッチングする際にエッチング薬品の耐食性を向上するために設けられている。ハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。この樹脂ＰＭとして、例えばアクリル樹脂、脂肪族アリルウレタン、不揮発性材料、芳香族酸メタクリレート、芳香族アクリル酸エステル、アクリル化ポリエステルオリゴマー、アクリレートモノマー、ポリエチレングリコールジメタクリレート、脂肪族ジアクリレート、三官能性酸エステル、又はエポキシ樹脂が用いられる。このステップＰ３１の右図では樹脂ＰＭが全面に形成されているが、粘度が低い液体の樹脂ＰＭをマスターテンプレートＭＴＰの面積に相当する領域にのみ塗布してもよい。【００３２】
ステップＰ３２において、押圧エレベータＥＶ（図１を参照）により、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを加圧するように圧力をかける。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、押圧エレベータＥＶ内に設けられた紫外光源ＵＶＳが発する紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。【００３３】
ステップＰ３３において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップＰ３３の右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上において硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰを容易に剥がせるように、予め樹脂ＰＭ上に剥離層を設けることが好ましい。【００３４】
ステップＰ３４において、ＸＹステージ１４（図１を参照）がＸ軸方向又はＹ軸方向に移動するとともに押圧エレベータＥＶがマスターテンプレートＭＴＰを樹脂ＰＭに型押しする工程を繰り返す。【００３５】
図５のステップＰ３５において、その右図に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ全体の樹脂ＰＭに型押しする。
ステップＰ３６において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。【００３６】
ステップＰ３７において、ハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０〜１００ナノメートルの深さである。
この状態で、隣り合うレプリカテンプレートのパターンを相互に比較することにより、レプリカテンプレートＲＴＰ作成時の欠陥を検査することができる。レプリカテンプレートＲＴＰの比較で検査を行う場合には、光学的な検査機を用いることが可能になる。それは、光学的な解像度がパターン寸法に及ばない場合でも、画像センサーの各ピクセルの信号強度を比較することで、各ピクセルよりも小さい寸法欠陥を検出できるからである。光学的な検査機は、電子ビームを用いる検査機よりも欠陥検出の感度は低いが、検査時間が短いという利点がある。【００３７】
図６のステップＰ３８において、石英ガラスＱＧに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去される。
ステップＰ３９において、ダイシングの際に生じる切削くず（パーティクル）ＰＴからレプリカテンプレートＲＴＰを保護するため、石英ガラスＱＧに保護膜ＰＡが形成される。保護膜ＰＡとして高分子材料例えばゼリー状のポリイミド系樹脂等が用いられる。また、保護膜ＰＡとして熱硬化性樹脂材料又は紫外線硬化性樹脂材料を用いても良い。スクリーン印刷法により又はスプレーからの樹脂の塗布によるスプレー法で保護膜ＰＡが塗布される。また、樹脂を塗布するのではなく保護テープを貼り付けるようにしてもよい。【００３８】
ステップＰ４０において、ダイシングソーＤＳ又はレーザーソーなどで石英ガラスＱＧを切断することでレプリカテンプレートＲＴＰが作成される。この際に切削くず（パーティクル）ＰＴが発生しても、保護膜ＰＡでレプリカテンプレートＲＴＰが保護されているため、レプリカテンプレートＲＴＰのパターンに欠陥が生じることがない。
最後にステップＰ４１において、保護膜ＰＡがレプリカテンプレートＲＴＰから除去されて複数のレプリカテンプレートＲＴＰが完成する。以上のようにしてレプリカテンプレートＲＴＰが製作することで、レプリカテンプレートＲＴＰの量産性を向上させることができ、ひいては半導体素子の製造を向上させることができる。【００３９】
＜レプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法＞
図７から図９は、図１で示された第１ナノインプリント装置２００によるレプリカテンプレートＲＴＰの第２製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ステップの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。【００４０】
図７のステップＰ５１において、例えば１５０ｍｍ×１５０ｍｍの石英ガラスＱＧにハードマスク層ＨＭが真空蒸着又はスパッタリングで形成される。【００４１】
ステップＰ５２において、ダイシングソーＤＳ又はレーザーソーなどで石英ガラスＱＧを２５ｍｍ×２５ｍｍなどの大きさに切断する。この切断された各石英ガラスＱＧは洗浄され、ダイシングの際に生じた切削くず（パーティクル）が除去される。これにより複数の石英ガラスＱＧが用意される。なお、最初から２５ｍｍ×２５ｍｍの石英ガラスを準備していれば、ステップＰ５２は必要ない。【００４２】
ステップＰ５３において、洗浄された複数の石英ガラスＱＧが型枠ＦＲに並べて配置される。以降、型枠ＦＲ内に入った複数の石英ガラスＱＧを一つの石英ガラスＱＧと同等に扱うことができる。【００４３】
ステップＰ５４において、マスターテンプレートＭＴＰが準備される。また、ハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。このステップＰ５４の右図では樹脂ＰＭが全面に形成されているが、粘度が低い液体の樹脂ＰＭをマスターテンプレートＭＴＰの面積に相当する領域にのみ塗布してもよい。【００４４】
図８のステップＰ５５において、押圧エレベータＥＶ（図１を参照）により、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを加圧するように圧力をかける。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、紫外光源ＵＶＳが発する紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。【００４５】
ステップＰ５６において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップＰ５６の右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上において硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰを容易に剥がせるように、予め樹脂ＰＭ上に剥離層を設けることが好ましい。【００４６】
ステップＰ５７において、ＸＹステージ１４（図１を参照）がＸ軸方向又はＹ軸方向に移動するとともに押圧エレベータＥＶがマスターテンプレートＭＴＰを樹脂ＰＭに型押しする工程を繰り返す。【００４７】
図９のステップＰ５８において、その右図に示されるように、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧ全体の樹脂ＰＭに型押しする。
ステップＰ５９において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。【００４８】
ステップＰ６０において、ハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされる。ドライエッチングにより石英ガラスに形成される凹凸パターンは、１０〜１００ナノメートルの深さである。
この状態で、隣り合うレプリカテンプレートのパターンを相互に比較することにより、レプリカテンプレートＲＴＰ作成時の欠陥を検査することができる。【００４９】
ステップＰ６１において、レプリカテンプレートＲＴＰに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去される。
最後にステップＰ６２において、型枠ＦＲからレプリカテンプレートＲＴＰを取り出す。以上のようにしてレプリカテンプレートＲＴＰを製作することで、レプリカテンプレートＲＴＰの量産性を向上させることができ、ひいては半導体素子の生産性を向上させることができる。【００５０】
また、上記実施例では硬化性樹脂として紫外光硬化の樹脂を使って説明したが、熱硬化性樹脂を使用しても良い。また、レプリカテンプレートＲＴＰ用の母材として石英ガラスを使用したが、他のガラスであってもよい。なお、樹脂として紫外線硬化性の樹脂を用いる場合には、紫外線が透過可能な母材とするとよい。【００５１】
＜レプリカテンプレートＲＴＰの製作方法＞
図１０は、１度に複数のレプリカテンプレートＲＴＰを作るのではなく、１つ１つのレプリカテンプレートＲＴＰの製作方法のフローチャートである。また、フローチャートの各ブロックの右側にはそのステップにおける概念断面図を示している。【００５２】
ステップＰ７１において、電子ビームなどで１つ１つ設計データに基づいて製造されたマスターのテンプレート（以下、マスターテンプレートという）ＭＴＰが準備される。マスターテンプレートＭＴＰは凹凸パターンが形成され凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとを有している。このマスターテンプレートＭＴＰは電子ビーム検査装置又は電子顕微鏡などを用いて検査されている。また、真空蒸着又はスパッタリングで形成されたハードマスク層ＨＭを有する石英ガラスＱＧが準備される。このハードマスク層ＨＭ上に紫外光硬化性の樹脂ＰＭが形成される。この樹脂ＰＭは粘度が低い液体である。【００５３】
ステップＰ７２において、マスターテンプレートＭＴＰが石英ガラスＱＧに対し、紫外光硬化性の樹脂ＰＭを型押しする。すると、マスターテンプレートＭＴＰと石英ガラスＱＧとの間隙における樹脂ＰＭがマスターテンプレートＭＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、紫外光ＵＶを樹脂ＰＭに照射させて、樹脂ＰＭを硬化させる。なお、樹脂ＰＭとして、例えばアクリル樹脂が用いられる。【００５４】
ステップＰ７３において、硬化した樹脂ＰＭからマスターテンプレートＭＴＰが剥がされる。このステップの右側に示されるように、石英ガラスＱＧのハードマスク層ＨＭ上に硬化した樹脂ＰＭに凹凸パターンが形成される。なお、樹脂ＰＭは、紫外線硬化性の樹脂に限定されず、熱硬化性の樹脂を用いるようにしてもよい。【００５５】
ステップＰ７４において、ハードマスク層ＨＭのドライエッチングが行われる。すると石英ガラスＱＧの表面が現れる。さらにハードマスク層ＨＭをマスクとして石英ガラスＱＧがドライエッチングされ、レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンが形成される。【００５６】
ステップＰ７５において、レプリカテンプレートＲＴＰに残っている樹脂ＰＭ及びハードマスク層ＨＭが除去され、レプリカテンプレートＲＴＰが完成する。レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンも凸領域ＲＡと凹領域ＩＮとを有している。なお、図１０では凹凸パターンが誇張して描かれているが、ラインアンドスペースが例えば１０ｎｍ（ナノメートル）から５０ｎｍであり、その凹凸の高さは例えば１０ｎｍから１００ｎｍである。【００５７】
＜第１レプリカテンプレート検査装置１００の構造＞
図１１は第１レプリカテンプレート検査装置１００の構成概略図である。
図１１に示されるように、第１レプリカテンプレート検査装置１００は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、遮光ブロックＢＬ、結像レンズ３５、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。【００５８】
検査光源部２０は、例えば１９３ｎｍの波長のレーザー光を射出する固体レーザー２１とコンデンサーレンズ２３とを有している。例えば固体レーザー２１はφ３ミリメートル程の平行光を射出し、コンデンサーレンズ２３はレーザー光を収斂させて点光源とする。コンデンサーレンズ２３から射出されたレーザー光はコリメータレンズ３１に進む。【００５９】
コリメータレンズ３１は、レーザー光を平行光束とする。この平行光束はその波面が平面波ＰＷとなっている。この平面波中には、図４から図１０で説明したマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰがステージ４０に配置される。ステージ４０はマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターン面とレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターン面とが互いに向かい合うように（一方の凹部と他方の凸部とが向かい合うように）配置する。またマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの面は、平面波ＰＷの波面と平行に、別言すれば、光軸ＯＡと垂直になるように配置される。なお、図１１のように検査光源部２０側にマスターテンプレートＭＴＰが配置される代わりに、検査光源部２０側にレプリカテンプレートＲＴＰが配置されてもよい。【００６０】
マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを通過した光束は、集光レンズ３３及び結像レンズ３５に進む。光軸ＯＡ上で、且つ集光レンズ３３と結像レンズ３５とからなる光学系の瞳位置（集光レンズ３３の後側焦点面（フーリエ変換面））の近傍には、所定の直径を有する遮光ブロックＢＬが配置されている。【００６１】
レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じる（図２２参照）。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと平面波の変調が発生せず平面波のままである。レプリカテンプレートＲＴＰを透過した平面波ＰＷは遮光ブロックＢＬで遮光されるが、散乱光ＳＬは遮光ブロックＢＬで遮光されず、二次元フォトセンサＳＥに到達する。つまりレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥箇所があると、その欠陥箇所の散乱光が二次元フォトセンサＳＥで検出される。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥がまったく存在しないと二次元フォトセンサＳＥは光の出力がない。つまり欠陥のない部分は暗く、欠陥が点光源として光って検出される。【００６２】
二次元フォトセンサＳＥは例えば二次元ＣＣＤであり、二次元フォトセンサＳＥからの出力はコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰは光学系の倍率及び二次元フォトセンサＳＥからの出力に基づいてレプリカテンプレートＲＴＰの欠陥箇所を表示する。【００６３】
なお、第１レプリカテンプレート検査装置１００はレプリカテンプレートＲＴＰに欠陥を検査するだけでなく、埃などのゴミの存在を検査する際にも有効である。マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰと間にゴミが存在する場合には、散乱光ＳＬが発生する。このため、コンピュータＣＰは光学系の倍率及び二次元フォトセンサＳＥからの出力に基づいてゴミの箇所及びゴミの大きさを表示することができる。【００６４】
＜第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構造＞
図１２は第２レプリカテンプレート検査装置１１０の構成概略図である。
第１レプリカテンプレート検査装置１００では、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの全面にレーザー光が照射された。第２レプリカテンプレート検査装置１１０では、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの一部の面にレーザー光が照射される。第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ構成には、同じ符号が付されている。【００６５】
図１２に示されるように、第２レプリカテンプレート検査装置１１０は、検査光源部２０Ｎ、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、遮光ブロックＢＬ、結像レンズ３５、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。【００６６】
検査光源部２０Ｎは、例えば１９３ｎｍの波長のレーザー光を射出する固体レーザー２１Ｎと第２コンデンサーレンズ２３Ｎとを有している。固体レーザー２１Ｎはφ２ミリメートル程の平行光を射出し、第２コンデンサーレンズ２３Ｎはレーザー光を収斂させて点光源となる。第２コンデンサーレンズ２３から射出されたレーザー光は直径が数ミリ程度の光束となる。そして直径が数ミリ程度のレーザー光がコリメータレンズ３１に進む。【００６７】
マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰが配置されたステージ４０は、移動テーブル５５に搭載されている。移動テーブル５５は長いストローク、例えばＸ軸方向に約２５ｍｍ、Ｙ軸方向に約２５ｍｍの移動距離を有している。【００６８】
動作について簡単に説明する。第２レプリカテンプレート検査装置１１０は、検査光源部２０Ｎの照射範囲が狭い。このため、移動テーブル５５がステージ４０を大きくＸ軸方向又はＹ軸方向に移動させることによって、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの全面にレーザー光が照射される。【００６９】
また、移動テーブル５５はステージ４０に配置されたが、検査光源部２０Ｎに配置されてもよい。すなわち、検査光とテンプレートとを相対的にスキャンできればよい。なお、ステージ４０が例えばナノメートル単位で移動できるとともに、Ｘ軸方向に約２５ｍｍ、Ｙ軸方向に約２５ｍｍの移動ができるのであれば、移動テーブル５５を必ずしも用意する必要はない。【００７０】
＜第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構造＞
図１３は第３レプリカテンプレート検査装置１２０の構成概略図である。
第１レプリカテンプレート検査装置１００では、結像レンズ３５で結像された散乱光ＳＬを二次元フォトセンサＳＥで観察した。第３レプリカテンプレート検査装置１２０は、瞳位置（集光レンズ３３の後側焦点面（フーリエ変換面））で光強度分布を観察する。第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ構成には、同じ符号が付されている。【００７１】
図１３に示されるように、第３レプリカテンプレート検査装置１２０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、及び二次元フォトセンサＳＥを有している。第１レプリカテンプレート検査装置１００は遮光ブロックＢＬ及び結像レンズ３５を有していたが、第３レプリカテンプレート検査装置１２０はそれらを有していない。【００７２】
二次元フォトセンサＳＥは、レーザー光の光強度分布を受光して、実質的な遠視野パターン（Far Field Pattern）を観察する。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと平面波の変調が発生せず平面波のままである。まず、この平面波の光強度分布は二次元フォトセンサＳＥから出力されコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰはその光強度分布を記憶する。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じ、平面波と散乱光ＳＬとの両方の光強度分布は二次元フォトセンサＳＥから出力されコンピュータＣＰに送られる。コンピュータＣＰはその光強度分布を記憶する。コンピュータＣＰは、平面波だけの光強度分布と平面波及び散乱光ＳＬの両方の光強度分布とを比較し、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥箇所を検出する。【００７３】
図１２で説明された第２レプリカテンプレート検査装置１１０のように、レプリカテンプレートＲＴＰに対してレーザー光の照射範囲が狭い場合には、第３レプリカテンプレート検査装置１２０に移動テーブル５５を適用してもよい。第３レプリカテンプレート検査装置１２０は特にゴミの検出に適している。【００７４】
＜第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構造＞
図１４は第４レプリカテンプレート検査装置１３０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
図１４に示されるように、第４レプリカテンプレート検査装置１３０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８、及び第２二次元フォトセンサＳＥ２を有している。【００７５】
図１４に示される第４レプリカテンプレート検査装置１３０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と異なり、第２集光レンズ３７及び第２結像レンズ３８が光軸ＯＡ上に配置されておらず光軸ＯＡに対して傾いて配置されている。また遮光ブロックＢＬが配置されていない。さらに、第２二次元フォトセンサＳＥ２は光軸ＯＡ上に配置されていない。また第２二次元フォトセンサＳＥ２は、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに対して第２集光レンズ３７及び第２結像レンズ３８によるあおりの結像関係を満足するように、光軸ＯＡに対して傾いて配置されている。【００７６】
レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると平面波の変調が発生し球面波などの散乱光ＳＬが生じる。平面波は検査光源部２０とコリメータレンズ３１とを結ぶ光軸ＯＡ方向に進むが、散乱光ＳＬは光軸ＯＡ方向以外にも進む。このため、散乱光ＳＬの一部が第２集光レンズ３７と第２結像レンズ３８とからなる光学系に進み第２二次元フォトセンサＳＥ２上に集光され、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の像が結像される。この光学系には平面波の光が入射しないため、図１１に示された遮光ブロックＢＬが存在しなくてもよい。このように、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥があると、その欠陥によって生じた散乱光ＳＬが第２二次元フォトセンサＳＥ２で検出される。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在しないと、第２二次元フォトセンサＳＥ２は光を検出せず、受光信号が出力されない。【００７７】
＜第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構造＞
図１５は第５レプリカテンプレート検査装置１４０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
図１５に示されるように、第５レプリカテンプレート検査装置１４０は、検査光源部２０、コリメータレンズ３１、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８、及び第２二次元フォトセンサＳＥ２を有している。【００７８】
図１５に示される第５レプリカテンプレート検査装置１４０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と異なり、ステージ４０、第２集光レンズ３７、第２結像レンズ３８及び第２二次元フォトセンサＳＥ２が光軸ＯＡ上に配置されていない。そしてそれらは光軸ＯＡに対して同じ角度で傾いて配置されている。また遮光ブロックＢＬが配置されていない。【００７９】
平面波は、傾いたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射しても、そのまま平面波としてマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰから出射する。【００８０】
レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥が存在すると散乱光ＳＬが生じる。平面波は検査光源部２０とコリメータレンズ３１とを結ぶ光軸ＯＡ方向に進むが、散乱光ＳＬは光軸ＯＡ方向以外にも進む。このため、散乱光ＳＬの一部が第２集光レンズ３７と第２結像レンズ３８とからなる光学系に進み第２二次元フォトセンサＳＥ２上に集光され、レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の像が結像される。この光学系には平面波の光が入射しないため、図１１に示された遮光ブロックＢＬが存在しなくてもよい。【００８１】
＜第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構造＞
図１６は第６レプリカテンプレート検査装置１５０の構成概略図である。図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００と同じ部材には同じ記号を付けている。
図１６に示されるように、第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、検査光源部２９、コリメータレンズ３１、集光レンズ３３、結像レンズ３５、及び時間遅延積分型センサＴＤＩを有している。【００８２】
図１６に示される第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、図１１に示された第１レプリカテンプレート検査装置１００に対して検査光源部２９及び時間遅延積分型センサＴＤＩを使っている点で異なっている。【００８３】
検査光源部２９は、例えば１５０ｎｍから４００ｎｍまでの広域スペクトルの光を射出する短波長ランプ２５と、コンデンサーレンズ２６と、波長選択フィルター２７と、ピンホール板２８とを有している。短波長ランプ２５からの広域スペクトルの光は、コンデンサーレンズ２６で収斂されピンホール板２８の開口部で焦点を一点に収斂する。ピンホール板２８は例えば光学ガラスに開口部を除いてクロムを蒸着させた板である。【００８４】
コンデンサーレンズ２６とピンホール板２８との間に配置された波長選択フィルター２７は、特定の波長（例えば１９３ｎｍ，３６５ｎｍ等）を中心とする狭帯域の光を選択することができる波長フィルターである。波長選択フィルター２７は、１つの波長帯域だけでなく、複数の波長帯域を選択することも可能である。ピンホール板２８で点光源となった光はコリメータレンズ３１に進む。ピンホール板２８を通過した点光源は、コリメータレンズ３１により必要な口径を有する平行光となり、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。【００８５】
つまり、第６レプリカテンプレート検査装置１５０は例えば１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とで検査することも可能となる。波長が異なると欠陥の形状や欠陥サイズの関係で、欠陥からの散乱光ＳＬの発生の様子が異なる。このように多波長の検査で欠陥の形状や材質（異物質混入の場合）などの性質がコンピュータＣＰで判断することが可能となる。なお、１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とを同時に観察することも可能であり、１９３ｎｍの波長と３６５ｎｍの波長とを異なる時間に観察してもよい。【００８６】
さらに、波長選択フィルター２７は１９３ｎｍから４００ｎｍ程度の広帯域スペクトルの光から、所望の帯域を切り出したスペクトル幅、例えば２５０ｎｍから３５０ｎｍの波長、の光を選択することも可能である。図１１で使用した固体レーザー２１ではスペックルと呼ばれるレーザー特有の散乱雑音が生じる場合がある。所望の帯域を切り出したスペクトル幅の光をマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射することは、スペックルを除去することも可能となる。【００８７】
なお、１９３ｎｍ光などの短波長光を照射して、より長波長の「蛍光」を観察することもできる。欠陥として１９３ｎｍ光を吸収する異物（たとえば、有機物質）が付着している場合には、蛍光が発生することが多いからである。【００８８】
また第６レプリカテンプレート検査装置１５０は、ＣＣＤのような二次元フォトセンサＳＥに代えて二次元ラインセンサである時間遅延積分型センサＴＤＩ（Time
Delay & Integration）を使用している。時間遅延積分型センサＴＤＩは、試料の走行方向に積分段数だけ電荷を積分することにより、ラインセンサの段数に比例する感度向上及びノイズの軽減を実現する。欠陥からの散乱光ＳＬはそれほど大きな光量として検出されないので、特に散乱光ＳＬの光量が小さいときには、時間遅延積分型センサＴＤＩを使用することは有効である。なお、時間遅延積分型センサＴＤＩでは、テーブル５１の移動速度が一定である必要がある。また、テーブル５１の移動速度と画像取り込みタイミングを同期させる必要がある。【００８９】
＜その他のレプリカテンプレート検査装置の構造＞
特に図示しないが、落射照明顕微鏡のように、観察光学系の方からビームスプリッターを介して短波長光を入射する方式でもよい。この場合、観察光学系の対物レンズを通して、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに、例えば１９３ｎｍ以下の波長の平面波を入射させるとよい。この際、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥のない場合には、入射光はマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを通過するのみである。レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥があると、その部分で発生した散乱光が、入射方向に散乱角９０°以上で反射的に発生して、観察光学系で観察することができる。【００９０】
なお、レプリカテンプレートＲＴＰ用の母材は、石英ガラスに限定されず、紫外光と検査光とに対して透明な母材であれば他のガラスであってもよい。【００９１】
＜欠陥又はゴミの大きさと散乱光の強度との関係＞
図１７は、テンプレートの欠陥の大きさと散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。【００９２】
図１７の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸は欠陥の高さｈである。欠陥は、長さを１０００ｎｍで固定にして幅ｗと高さｈとをいろいろ変化させた四角柱とした。欠陥の体積が大きくなればなるほど散乱光ＳＬの強度が大きくなっていることが理解される。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、その電場の向きと欠陥の長手方向とが平行にされている。そのレーザー光は、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。【００９３】
図１８は、検査光源部２０Ｎからのレーザー光の波長と散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。【００９４】
図１８の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸は欠陥の高さｈである。レプリカテンプレートＲＴＰの欠陥の大きさは、長さが１０００ｎｍ及び幅ｗが２０ｎｍであり、高さｈを変化させた四角柱とした。検査光源部２０Ｎからのレーザー光の波長ｗｌが５３２ｎｍであると散乱光ＳＬの強度は弱く、レーザー光の波長ｗｌが２６６ｎｍであると散乱光ＳＬの強度は強くなる。レーザー光の波長が半分になると、散乱光ＳＬの強度は４倍以上になっていることが図１８から理解される。レーザー光の波長ｗｌが１９３ｎｍであると散乱光ＳＬの強度はさらに強くなることがわかる。このため、検査光源部からのレーザー光はできるだけ短波長であることが好ましい。なお、検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、電場の向きと欠陥の長手方向とが平行にされた直線偏光であり、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。【００９５】
図１９は、ゴミの大きさと散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。【００９６】
図１９の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸はゴミの高さｈである。ゴミは、長さを１０００ｎｍで固定にして幅ｗと高さｈとをいろいろ変化させた四角柱とした。ゴミの体積が大きくなればなるほど散乱光ＳＬの強度が大きくなっていることが理解される。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、その電場の向きとゴミの長手方向とが平行にされている。そのレーザー光は、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。【００９７】
図２０は、検査光源部２０Ｎからのレーザー光の偏光方向と散乱光ＳＬの強度との関係を示したシミュレーション結果である。このシミュレーション結果は、図１２の第２レプリカテンプレート検査装置１１０を用いて散乱光ＳＬを検出した結果に相当する。【００９８】
図２０の縦軸は散乱光の強度（Ｗ：ワット）であり、横軸はゴミの高さｈである。ゴミは、長さを１０００ｎｍ、幅ｗを５０ｎｍで固定にして、高さｈを変化させた四角柱とした。検査光源部２０Ｎからのレーザー光は、波長１９３ｎｍの直線偏光であり、レプリカテンプレートＲＴＰに１ｍｍ角の面積で照射され、その照射強度が１Ｗとされている。このレーザー光の偏光方向（電場の方向）が、ゴミの長手方向と平行な場合をＴＥとして示し、ゴミの長手方向と直交する場合をＴＭとして示してある。この結果より、偏光方向がゴミの長手方向と平行な直線偏光の場合に散乱光ＳＬの強度が大きくなるため、互いに直交する２本の直線偏光のレーザー光を使うことで、ゴミの大きさ及びゴミの向きが特定できることがわかる。【００９９】
＜ステージ４０の構造＞
図２１は、第１レプリカテンプレート検査装置１００から第６レプリカテンプレート検査装置１５０に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２１では検査光源部２０（図１１を参照）からのレーザー光（平面波ＰＷ）が矢印ＡＲ方向からマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。【０１００】
マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰはステージ４０に保持されている。マスターテンプレートＭＴＰはＺ軸移動クランプ４５に保持されており、レプリカテンプレートＲＴＰはＸＹ軸移動クランプ４３に保持されている。ＸＹ軸移動クランプ４３にはＸＹ軸伸縮部４４が配置され、Ｚ軸移動クランプ４５にはＺ軸伸縮部４１が配置されている。Ｚ軸伸縮部４１及びＸＹ軸伸縮部４４はピエゾ素子などのナノメートル単位で駆動できる駆動部で構成されている。【０１０１】
Ｚ軸伸縮部４１は矢印ＤＺに示される方向に伸縮することで、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡとの距離Ｄ１を調整することができる。ＸＹ軸伸縮部４４は矢印ＤＹに示される方向に伸縮することで、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凹領域ＩＮとの距離Ｄ２を調整することができる。図２１ではＹ軸方向しか示していないが、Ｘ軸方向にも移動することができ、また、複数のＸＹ軸伸縮部４４がそれぞれの伸縮を変えることによりレプリカテンプレートＲＴＰをＸＹ平面内で回転させることも可能である。すなわちＸＹ軸伸縮部４４は、マスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとをＸＹ面内で位置調整し、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンとレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンとが相対する状態（一方の凹部と他方の凸部とが向かい合う状態）に調整することができる。【０１０２】
距離Ｄ１は、ラインアンドスペースのパターンとレーザー光の波長（例えば１９３ｎｍ）とに対して十分に小さければよい。例えば距離Ｄ１は、凹凸パターンの深さと同等以下であればよい。具体的には２０ｎｍから１０ｎｍ以下であることが好ましい。しかし、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凹領域ＩＮとが勘合するまで距離Ｄ１を短くする必要はない。またマスターテンプレートＭＴＰとレプリカテンプレートＲＴＰとの間には空気などの気体が存在している。【０１０３】
マスターテンプレートＭＴＰを通過した平面波ＰＷは、マスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンで変調される。この変調成分が残ったままレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンに入射する。図４から図１０で示されたように、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとが逆である。レプリカテンプレートＲＴＰではこの変調成分が再び打ち消され、レプリカテンプレートＲＴＰを通過すると再び平面波ＰＷとして射出される。【０１０４】
図２２は、第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及び欠陥ＤＦのあるレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２２でも検査光源部２０（図１１を参照）からのレーザー光（平面波ＰＷ）が矢印ＡＲ方向からマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰに入射する。【０１０５】
マスターテンプレートＭＴＰを通過したレーザー光は、平面波ＰＷがマスターテンプレートＭＴＰの凹凸パターンで変調される。この変調成分が残ったままレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンに入射する。マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮとが正確に逆の箇所では平面波となるが、正確に凸領域ＲＡ及び凹領域ＩＮが逆になっていない欠陥ＤＦではこの変調成分が打ち消されず散乱光ＳＬが射出される。欠陥がない場合にはテンプレートからの散乱光の発生はない。欠陥がある場合には、第１レプリカテンプレート検査装置１００は欠陥位置を点光源として検出する。この検査方法により、電子ビームによってレプリカテンプレートＲＴＰ全面のパターンを検査する場合などに比べて、レプリカテンプレートＲＴＰの検査が大幅に短時間で終了する。【０１０６】
図２１及び図２２で示されたように、マスターテンプレートＭＴＰを通過した波面はその変調された成分と平面波の成分に分解できるが、変調された成分が散逸する割合は波長が長いほうが短く、短波長のほうがこの変調の成分が長く保存される。このため、できるだけ短波長、例えば図１８で示されたように、１９３ｎｍの波長のレーザー光を使用した方が良い。【０１０７】
＜ステージ４０’の構造＞
図２３は、第１レプリカテンプレート検査装置１００に配置されたマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの周辺の拡大断面図である。図２１で示されたステージ４０と図２３で示されたステージ４０’との構造が異なる。【０１０８】
図２３で示されたステージ４０’では、マスターテンプレートＭＴＰはＺ軸移動クランプ４５に保持されており、レプリカテンプレートＲＴＰはＸＹ軸移動クランプ４３に保持されている。ＸＹ軸移動クランプ４３とＺ軸移動クランプ４５との間にアコーディオン部４６が配置されている。マスターテンプレートＭＴＰ、レプリカテンプレートＲＴＰ及びアコーディオン部４６で囲まれた領域は液体ＬＱで満たされている。アコーディオン部４６の一部にはパイプ４７が設けられ、パイプにはポンプ４８が接続されている。ポンプ４８が液体ＬＱの量を調整することにより、マスターテンプレートＭＴＰの凸領域ＲＡとレプリカテンプレートＲＴＰの凸領域ＲＡとの距離Ｄ１を２０ｎｍから１０ｎｍ以下、例えば１ｎｍに調整することができる。【０１０９】
レプリカテンプレートＲＴＰが図２３中の点線で示されるように反っていたりした場合、ポンプ４８が液体ＬＱの量を減らし減圧させることで、距離Ｄ１を調整するばかりでなくレプリカテンプレートＲＴＰの反りも調整することができる。【０１１０】
なお、液体はその屈折率がマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰの材料である石英ガラスの屈折率と異なる液体を選ぶ。内部に残る液体の屈折率が、マスターテンプレートＭＴＰ又はレプリカテンプレートＲＴＰと同じ屈折率だとすると、マスターテンプレートＭＴＰを通過したあとの波面の変調がなくなってしまうからである。【０１１１】
＜第２ナノインプリント装置２１０＞
図２４は、第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵する第２ナノインプリント装置２１０を示した図である。第２ナノインプリント装置２１０は、レプリカテンプレートＲＴＰの凸凹パターンをシリコンウエハＳＷに転写する。図２４に示すように埃などを防ぐため転写工程はチャンバー７１内で行われる。第１レプリカテンプレート検査装置１００はすでに説明したので説明を割愛する。【０１１２】
第２ナノインプリント装置２１０はレプリカテンプレートＲＴＰを保持する保持部５０を有している。保持部５０は押圧エレベータＥＶで支えられ、この押圧エレベータＥＶは第２ナノインプリント装置２１０のチャンバー７１の天井に備え付けられている。押圧エレベータＥＶは、Ｚ方向（上下方向）にレプリカテンプレートＲＴＰを移動させることができる。【０１１３】
一方、シリコンウエハＳＷは吸着テーブル１６で真空吸着されて固定されている。このシリコンウエハＳＷは直径が例えば３００ｍｍ程度である。この吸着テーブル１６はＸＹステージ１４に支えられている。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に移動することができる。ＸＹステージ１４は、Ｘ軸及びＹ軸方向に例えば最大ストロークは４００ｍｍ程度で移動可能であり、シリコンウエハＳＷの一端から他端まで凹凸パターンを転写することができる。ＸＹステージ１４は、その一部にＸ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭ（不図示）及びＹ軸方向に伸びる参照ミラーＲＭが固定されている。ＸＹステージ１４にはリニアモータ１８が設けられており、リニアモータ１８はＸＹステージ１４をＸ軸及びＹ軸方向に駆動する。【０１１４】
レーザー干渉計（不図示）は、Ｘ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＸ軸用のレーザー干渉計及びＹ軸に沿って参照ミラーＲＭにレーザービームを照射するＹ軸用のレーザー干渉計より構成されており、ＸＹステージ１４のＸ座標及びＹ座標が計測される。レーザー干渉計により計測されたＸ座標、及びＹ座標の情報が主制御部９０に供給され、主制御部９０は、供給された座標をモニターしつつリニアモータ１８を介して、ＸＹステージ１４の位置決め動作を制御する。【０１１５】
第２ナノインプリント装置２１０では、押圧エレベータＥＶにより、レプリカテンプレートＲＴＰがウエハＳＷ上に設けられた紫外光硬化性の樹脂を加圧するように圧力をかける。これにより、レプリカテンプレートＲＴＰとウエハＳＷとの間隙における樹脂がレプリカテンプレートＲＴＰの凸凹パターンに倣う。この状態で、押圧エレベータＥＶ内に設けられた紫外光源ＵＶＳが発する紫外光を樹脂に照射させて、樹脂を硬化させる。その後、硬化した樹脂からレプリカテンプレートＲＴＰが剥がされることで、その硬化した樹脂に凹凸パターンが形成される。【０１１６】
また、第２ナノインプリント装置２１０は搬送ロボット７５を有しており、レプリカテンプレートＲＴＰ及びシリコンウエハＳＷを搬送することができる。第２ナノインプリント装置２１０のチャンバー７１は、マスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰ用のゲート７３とシリコンウエハＳＷ用のゲート７９とを有している。ゲート７３を介して、チャンバー７１内の第１レプリカテンプレート検査装置１００にマスターテンプレートＭＴＰ及びレプリカテンプレートＲＴＰを取り付けることができる。
第１レプリカテンプレート検査装置１００がレプリカテンプレートＲＴＰの検査を終えると、搬送ロボット７５は、レプリカテンプレートＲＴＰを第１レプリカテンプレート検査装置１００から保持部５０に搬送することができる。【０１１７】
第２ナノインプリント装置２１０は、第１レプリカテンプレート検査装置１００を内蔵しているため、半導体素子の生産の開始前、及び生産中の所定のウエハ生産枚数ごとに、レプリカテンプレートＲＴＰに生じる欠陥を高精度に且つ短時間で検査することが可能になる。また、チャンバー７１内に第１レプリカテンプレート検査装置１００が配置され、そのチャンバー７１内で、レプリカテンプレートＲＴＰが保持部５０に取り付けられるため、埃などのゴミなどがレプリカテンプレートＲＴＰに付着するおそれも少なくなる。【０１１８】
＜ナノインプリントシステム３００＞
図２５は、２台の第３ナノインプリント装置２２０と１台の第１レプリカテンプレート検査装置１００を含むナノインプリントシステム３００を示した概念図である。第３ナノインプリント装置２２０は、図２４で説明された第２ナノインプリント装置２１０から第１レプリカテンプレート検査装置１００を除いた構成であるので、詳細な説明は割愛する。また第１レプリカテンプレート検査装置１００はすでに説明したので、ここでの説明を割愛する。【０１１９】
また、第３ナノインプリント装置２２０は搬送ロボット７５を有しており、レプリカテンプレートＲＴＰ及びシリコンウエハＳＷを搬送することができる。第３ナノインプリント装置２２０のチャンバー７１は、レプリカテンプレートＲＴＰ用のゲート７４を有している。搬送ロボット７５は、ゲート７４を介してレプリカテンプレートＲＴＰを第１レプリカテンプレート検査装置１００から保持部５０に搬送する。また、搬送ロボット７５は、ゲート７９を介してシリコンウエハＳＷを第３ナノインプリント装置２２０内へ搬入したり、第３ナノインプリント装置２２０外へ搬出したりすることができる。【０１２０】
図２５に示されるように、第３ナノインプリント装置２２０が２台設けられており、それぞれがレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンをシリコンウエハＳＷに形成された硬化性樹脂に転写する。これにより、２つのレプリカテンプレートＲＴＰを使ってシリコンウエハＳＷに形成される半導体素子の生産量を２倍にすることができる。そして、２台の第３ナノインプリント装置２２０の保持部５０に取り付けられるレプリカテンプレートＲＴＰは、１台の第１レプリカテンプレート検査装置１００で短時間に欠陥がないことが確認されてから搬送ロボット７５で搬送される。したがって欠陥のない半導体素子の生産が２倍になることになる。図２５では２台の第３ナノインプリント装置２２０が配置されているが、３台以上の第３ナノインプリント装置２２０が配置してもよいことは言うまでもない。【０１２１】
＜半導体素子の製造方法＞
本実施形態に係る半導体素子（メモリ、ＬＳＩを含む半導体デバイス）の製造方法の実施の形態の例を説明する。図２６は、本発明の半導体素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。半導体素子の製造において、図２４に示された第２ナノインプリント装置２１０を使用する例で説明する。【０１２２】
ステップＰ８１において、シリコンインゴットからシリコンウエハＳＷを切り出し研磨することでシリコンウエハＳＷを製造する。【０１２３】
一方ステップＰ８２において、設計データに基づいて電子ビームなどでマスターテンプレートＭＴＰを製造する。そして設計データ通りに製造されたかが検査される。
ステップＰ８３において、図４から図１０で説明したような工程を経て、レプリカテンプレートＲＴＰが製造される。【０１２４】
ステップＰ８４において、図１１から図１６で説明した第１レプリカテンプレート検査装置１００から第６レプリカテンプレート検査装置１５０を使って、レプリカテンプレートＲＴＰに欠陥がないことを確認する。欠陥がなかったら第２ナノインプリント装置２１０に搬送される。【０１２５】
ステップＰ８５において、シリコンウエハＳＷには熱硬化性又は紫外線硬化性の樹脂、例えばアクリル樹脂が塗布される。
ステップＰ８６において、第２ナノインプリント装置２１０でレプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンがシリコンウエハＳＷ上の樹脂に型押しされる。すると、レプリカテンプレートＲＴＰの凹凸パターンと逆になった凹凸パターンが樹脂に形成される。
ステップＰ８７において、樹脂の凹凸パターンをマスクとしてシリコンウエハＳＷをドライエッチングする。また半導体素子の製造に必要な、絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤやスパッタリング）が行われたり、イオン注入が行われたりする。
ステップＰ８５からＰ８７を所定回数繰り返すことにより、複数の層を加工しシリコンウエハＳＷに半導体素子が形成される。【０１２６】
ステップＰ８８では、シリコンウエハＳＷ上に形成された半導体素子を１個ずつダイシングし、そのダイシングされた半導体素子が動作可能になるように組み立てられる。
ステップＰ８９では、組み立てられた半導体素子を検査する。
以上の工程を経て、半導体素子が製品化される。【０１２７】
以上の説明では、マスターテンプレートＭＴＰは、電子ビームなどで１つ１つ設計データに基づいて描画されたものを前提に説明されてきた。しかし、レプリカテンプレートＲＴＰに基づいてさらに孫のレプリカテンプレートを製作すると、孫のレプリカテンプレートはマスターテンプレートＭＴＰと同じ凹凸パターンを有する。このように孫のレプリカテンプレートもマスターテンプレートＭＴＰと同視して適用することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
１４  …  ＸＹステージ
１６  …  吸着テーブル
２１  …  固体レーザー
２０，２０Ｎ，２９  …  検査光源部
２３  …  コンデンサーレンズ
２５  …  短波長ランプ
２６  …  コンデンサーレンズ
２７  …  波長選択フィルター
２８  …  ピンホール板
３１  …  コリメータレンズ
３３  …  集光レンズ（３７  …  第２集光レンズ）
３５  …  結像レンズ（３８  …  第２結像レンズ）
４０，４０’  …  ステージ
４１  …  Ｚ軸伸縮部、４４  …  ＸＹ軸伸縮部
４３  …  ＸＹ軸移動クランプ
４５  …  Ｚ軸移動クランプ
４６  …  アコーディオン部、４８  …  ポンプ
５０  …  保持部
７１  …  チャンバー
７３，７９  …  ゲート
７５  …  搬送ロボット
９０  …  主制御部
１００  …  第１レプリカテンプレート検査装置
１１０  …  第２レプリカテンプレート検査装置
１２０  …  第３レプリカテンプレート検査装置
１３０  …  第４レプリカテンプレート検査装置
１４０  …  第５レプリカテンプレート検査装置
１５０  …  第６レプリカテンプレート検査装置
２００  …  第１ナノインプリント装置
２１０  …  第２ナノインプリント装置
２２０  …  第３ナノインプリント装置、
３００  …  ナノインプリントシステム
ＡＲ  …  レーザー光
ＢＬ  …  遮光ブロック
Ｄ１  …  距離
ＥＶ  …  押圧エレベータ
ＨＭ  …  ハードマスク層
ＩＮ  …  凹領域
ＩｒＳ  …  赤外光ランプ
ＬＺ  …  光学レンズ
ＭＴＰ  …  マスターテンプレート
ＯＡ  …  光軸
ＰＭ  …  樹脂
ＱＧ  …  石英ガラス
ＲＡ  …  凸領域
ＲＴＰ  …  レプリカテンプレート
ＳＥ  …  二次元フォトセンサ
ＳＬ  …  散乱光
ＳＷ  …  シリコンウエハ
ＴＤＩ  …  時間遅延積分型センサ
ＵＶＳ  …  紫外光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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