(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と光学系とを所定の走査方向に沿って相対移動させつつ前記基板に対して前記光学系を用いてパターンを露光する露光方法であって、
前記走査方向に沿って配置された干渉式光学系及び可変成形光学系を前記光学系として準備すること、
前記基板と前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系とを所定の走査方向に沿って相対
移動させること、
前記相対移動中に、前記干渉式光学系を用いて前記走査方向に平行なパターンを前記基
板上に露光する干渉露光と、前記可変成形光学系を用いる可変成形露光とを行なうことを備え、
前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系の前記走査方向に沿った間隔は、前記基板の前記走査方向に沿った長さ以下である露光方法。
【請求項２】
前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系の前記走査方向に沿った間隔は、前記基板の前記走査方向に沿った長さの１／４以下であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
１方向への相対移動中に前記干渉露光される前記基板上の領域と、前記１方向への相対移動中に前記可変成形露光される前記基板上の領域とは、互いに重畳されることを特徴とする請求項１または２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記干渉式光学系は、回折格子を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記回折格子は、露光光の進行方向に沿って配置される２つの回折格子のうちの一つで
ある、請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記２つの回折格子は、前記露光光の上流側に配置された第１の回折格子と、前記第１
の回折格子と前記基板との間に配置された第２の回折格子とからなり、前記第１の回折格
子と前記第２の回折格子とは第１距離だけ離間し、前記第２の回折格子と前記基板とは前
記第１距離と実質的に等しい第２距離だけ離間し、
前記第１の回折格子は、前記第２の回折格子の周期の２倍の周期を有している、請求項
５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記干渉式光学系は、前記基板に対する露光光の照射または非照射を時分割に切換える
ように構成されている、請求項１から６のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項８】
前記可変成形光学系は、露光光を複数のビームスポットで前記基板に照射するように構
成されている、請求項１から７のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記可変成形光学系は、前記複数のビームスポットを形成するためのマスクを含む、請
求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記マスクは、可変成形マスクである、請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記可変成形光学系による前記複数のビームスポットの位置または形状は変更可能であることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記可変成形光学系は、前記基板に対する露光光の照射または非照射を時分割に切換え
るように構成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記可変成形光学系は複数の可変成形光学系のうちの一つであり、前記干渉式光学系と
複数の前記可変成形光学系とが前記走査方向に沿って配置されている、請求項１から１２のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記干渉式光学系は、前記走査方向と直交する座標系上の異なる位置にそれぞれ配置さ
れた複数の前記干渉式光学系のうちの一つである、請求項１から１３のいずれか１項に記
載の露光方法。
【請求項１５】
前記可変成形光学系は、前記走査方向と直交する座標系上の異なる位置にそれぞれ配置
された複数の前記可変成形光学系のうちの一つである、請求項１から１４のいずれか１項
に記載の露光方法。
【請求項１６】
前記相対移動中に前記基板上の基板パターンの位置情報を検出すること、
前記位置情報に基づいて、前記光学系と前記基板との間の位置関係の制御を行なうこと
を備える請求項１から１５のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１７】
前記干渉露光により複数の暗線部と複数の明線部とからなる露光パターンが前記基板上
に形成され、前記可変成形露光は、前記露光パターンのうち所定本の間隔で配列された特
定暗線部を残存させ、残りの暗線部を明部にする、請求項１から１６のいずれか１項に記
載の露光方法。
【請求項１８】
前記干渉露光により複数の暗線部と複数の明線部とからなる露光パターンが前記基板上
に形成され、前記可変成形露光は、前記露光パターンのうち所定本の間隔で配列された特
定暗線部の各々の一部であって、前記走査方向の所定の位置に配置される特定暗線部の各
々の一部を暗部として残存させる、請求項１から１６のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項１９】
前記干渉露光により複数の暗線部と複数の明線部とからなる露光パターンが前記基板上
に形成され、前記可変成形露光は、前記露光パターンのうち隣接して配列された少なくと
も２本の特定暗線部の各々の一部であって、前記走査方向の所定の位置に配置される２本
の特定暗線部の各々の一部を暗部として残存させる、請求項１から１６のいずれか１項に
記載の露光方法。
【請求項２０】
フラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
請求項１から１９のいずれか１項に記載の露光方法を用いて基板上にパターンを形成す
る少なくとも一つの工程を含む露光工程を備える、フラットパネルディスプレイ用基板の
製造方法。
【請求項２１】
フラットパネルディスプレイ用基板の製造方法であって、
請求項１９に記載の露光方法を用いて薄膜トランジスターのソース電極及びドレイン電
極を形成するためのパターンを形成すること、
前記形成されたパターンを用いて前記薄膜トランジスターのソース電極及びドレイン電
極を形成することを備えるフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法。
【請求項２２】
基板にパターンを露光するための露光装置であって、
前記基板に対して同時に露光可能に配置された干渉式光学系及び可変成形光学系と、
前記基板と前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系とを基板の面内において所定の走
査方向に沿って相対移動可能とする可動部とを備え、
前記干渉式光学系と前記可変成形光学系とは前記基板上の前記走査方向において異なる位置に同時に露光を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項２３】
前記干渉式光学系は、前記走査方向に平行なパターンを前記基板上に露光する干渉露光を行うことを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記可変成形光学系は、露光光を複数のビームスポットで前記基板に照射するように構成されている、請求項２２または２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記可変成形光学系による前記複数のビームスポットのビームスポットの位置または形状は変更可能であることを特徴とする請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記干渉式光学系によって前記基板上に露光される領域と、前記可変成形光学系によって前記基板上に露光される領域とは、前記可動部による１方向への前記基板と前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系との相対移動動作によって、互いに重畳することを特徴とする請求項２２から２５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記干渉式光学系は、露光光の光路内に配置された回折格子を含む、請求項２２から２６のいずれか１項に記載
の露光装置。
【請求項２８】
前記干渉式光学系は、前記露光光の進行方向に沿って配置された２つの回折格子を含む
、請求項２７に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記２つの回折格子は、前記露光光の上流側に配置された第１の回折格子と、前記第１
の回折格子と前記基板との間に配置された第２の回折格子とからなり、前記第１の回折格
子と前記第２の回折格子とは第１距離だけ離間し、前記第２の回折格子と前記基板とは前
記第１距離と実質的に等しい第２距離だけ離間し、
前記第１の回折格子は、前記第２の回折格子の周期の２倍の周期を有している、請求項
２８に記載の露光装置。
【請求項３０】
前記回折格子は、交換可能に保持される、請求項２７から２９のいずれか１項に記載の
露光装置。
【請求項３１】
前記可変成形光学系は、露光光の光路内に設けられ、前記基板に照射される露光光を複
数のビームスポットで形成する光束分割機構を含む、請求項２２から３０のいずれか１項
に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記光束分割機構は、マスクを含む、請求項３１に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記マスクは、交換可能に保持される、請求項３２に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記マスクは、可変成形マスクである、請求項３２に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記可変成形光学系は、露光光の光路内に設けられ、前記基板に対する露光光の照射ま
たは非照射を時分割に切換え可能に構成された切換機構を含む、請求項２２から３４のい
ずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３６】
前記可変成形光学系は複数の可変成形光学系のうちの一つであり、前記干渉式光学系と
複数の前記可変成形光学系が、前記走査方向に沿って配置されている、請求項２２から３５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３７】
前記干渉式光学系は、前記走査方向と直交する座標系上の異なる位置にそれぞれ配置さ
れた複数の前記干渉式光学系のうちの一つである、請求項２２から３６のいずれか１項に
記載の露光装置。
【請求項３８】
前記可変成形光学系は、前記走査方向と直交する座標系上の異なる位置にそれぞれ配置
された複数の前記可変成形光学系のうちの一つである、請求項２２から３７のいずれか１
項に記載の露光装置。
【請求項３９】
前記相対移動中に前記基板上の基板パターンの位置情報を検出する位置検出系と、
前記位置検出系により検出された位置情報に基づいて、前記光学系と前記基板との位置
関係の制御を行なう制御系とを備える請求項２２から３８のいずれか１項に記載の露光装
置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレイの画面表示部を構成する基板の製造工程における微細パターンの形成工程で使用される露光方法および該露光方法を用いるフラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法、ならびに当該方法に用いて好適な露光方法及び露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイに用いられる基板の製造工程においては、基板への微細パターンの形成に際し、一般的にフォトリソグラフィ技術が使用される。これは、基板の表面に感光膜（フォトレジスト）を形成し、形成すべきパターンの形状の応じた光量分布を有する露光光を露光する露光工程、現像工程及びエッチング工程等により、基板上に所望のパターン形状を形成するものである。
【０００３】
従来は、フラットパネルディスプレイ用の基板の製造工程中の上記露光工程においては、露光方法として、主にマスクを用いる露光方法が使用されてきた。
これは、基板上に形成すべきパターンをマスク上に形成しておき、これに照明光を照射し、マスクからの透過光量分布を基板上に露光し転写するものである。
【０００４】
その際に用いる露光装置としては、マスクを基板に近接させてマスク上のパターンの影絵を基板に露光するプロキシミティ露光装置、またはマスクと基板の間に結像光学系を配置し、マスク上のパターンの像を基板に露光する投影露光装置が主に使用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フラットパネルディスプレイの大型化に伴い、フラットパネルディスプレイの画面表示部を構成する基板、及びその基板を製造するためのマスクも大型化する必要に迫られている。
【０００６】
しかしながら、マスクの大型化は、マスク自体の高価格化とマスクの搬送装置、保管装置、洗浄装置等の大型化、高価格化を招き、ひいてはフラットパネルディスプレイの生産コストの増大を招くことになる。
【０００７】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、フラットパネルディスプレイの表示部に用いられる基板に対する微細パターンの形成を、安価に可能とする露光方法を提供すること第１の目的とする。
【０００８】
また、本発明は、上記露光方法を用いたフラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法を提供するとともに、上記製造方法に使用して好適な露光方法及び露光装置を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の露光方法は、感光材料が形成されたフラットパネルディスプレイ用の基板に対して光学系を用いてパターンを露光する露光方法であって、前記光学系としての干渉式光学系及び可変成形光学系を準備すること、前記基板と前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系とを所定の走査方向に沿って相対走査すること、前記相対走査中に、前記干渉式光学系を用いて前記走査方向に平行なパターンを前記基板上に露光する干渉露光と、前記可変成形光学系を用いる可変成形露光と行なうことを特徴とするものである。
【００１０】
本発明のフラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法は、パターン露光工程を含むフラットパネルディスプレイ用の基板の製造方法であって、本発明の露光方法を用いて基板上にパターンを形成する少なくとも一つの工程を含む露光工程を備えることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の露光装置は、感光材料が形成されたフラットパネルディスプレイ用の基板に対して光学系を用いてパターンを露光するための露光装置であって、前記基板に対して同時に露光可能に配置された干渉式光学系及び可変成形光学系と、前記基板と前記干渉式光学系及び前記可変成形光学系とを基板の面内において所定の走査方向に沿って相対走査可能に構成された可動機構とを備えることを特徴とするものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について説明する。
なお、以下において、パターンとは、露光光により形成される明暗分布の形状を表わすものである。
【００１３】
また、マスクパターンとは、マスク上に形成された透光部と遮光部の一方またはその両方の分布形状を表わすものである。
そして、露光パターンとは、基板上に形成されたフォトレジスト等の感光材料に露光される露光量分布の形状を表わすものである。
【００１４】
さらに、基板パターンとは、基板上に形成された導電部材、絶縁部材または半導体部材の少なくとも一部分を表わすものである。
図１は、本発明の露光装置の第１の実施例を表わす図である。
【００１５】
基板ステージＰＳは、フラットパネルディスプレイの画面表示部を形成するためのガラス基板等の基板ＧＰを保持する。
基板ステージＰＳの上方（図中の＋Ｚ方向）には、基板ステージＰＳ上の基板ＧＰに対しパターンを露光するための光学系（以下、露光光学系という）を複数含む第１露光光学系群ＯＧ１及び第２露光光学系群ＯＧ２が、不図示の筐体部により保持される。
【００１６】
基板ステージＰＳは、定盤ＢＰ上をガイド溝ＧＬ，ＧＲに沿って、基板ＧＰの面内方向の一つである図中のＹ方向に移動可能である。すなわち、基板ステージＰＳは、第１露光光学系群ＯＧ１及び第２露光光学系群ＯＧ２光学系と基板ＧＰとを相対走査可能とする可動機構の一例である。基板ステージＰＳのＹ方向への移動及び位置制御とＸ方向への微動及び位置制御は、基板ステージＰＳに設けられた可動子ＬＭ１，ＬＭ２と定盤ＢＰに設けられた固定子ＬＧ１，ＬＧ２からなるリニアモーターシステムと不図示の位置制御システムによりなされる。
【００１７】
上述の露光光学系による露光中に基板ＧＰを上記のリニアモーターシステムによりＹ方向に移動することにより、露光中に第１露光光学系群ＯＧ１及び第２露光光学系群ＯＧ２と基板ＧＰとを基板ＧＰの面内方向であるＹ方向に相対走査することができ、即ち、いわゆる走査露光をすることができる。
【００１８】
この走査露光により、露光視野の小さな露光光学系を使用しても、基板ＧＰのＹ方向のほぼ全面にパターンを露光することが可能になる。
なお、上記相対走査は、露光光学系を備える筐体部をＹ方向に移動することにより行なう構成としても良いことは勿論である。
【００１９】
ところで、上記説明で使用した図１中のＸＹＺ座標の座標軸は、説明の都合上便宜的に定めた方向を示す座標軸であって、露光装置における座標軸等の選択は、任意であって構わないことは言うまでもない。
【００２０】
ただし、以降の各図における本例の露光装置に対するＸＹＺ座標軸の方向は、図１に示すＸＹＺ座標系と同一にしてある。
第１露光光学系群ＯＧ１は、複数の干渉式光学系ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４と可変成形光学系ＶＯ１，ＶＯ２，ＶＯ３，ＶＯ４を含む。そして、第２露光光学系群ＯＧ２光学系群は、複数の干渉式光学系ＩＯ５，ＩＯ６，ＩＯ７と可変成形光学系ＶＯ５，ＶＯ６，ＶＯ７を含む。また、第１露光光学系群ＯＧ１と第２露光光学系群ＯＧ２の間には、基板ＧＰ上に既存の基板パターンの位置情報を検出するための位置検出光学系ＡＬＬ，ＡＬＲが配置される。
【００２１】
これらの各光学系のＸＹ方向の配置関係の詳細を、図２（Ａ）を用いて説明する。
干渉式光学系ＩＯ１と可変成形光学系ＶＯ１は、Ｙ方向に間隔Ｄ１をもって配置され光学系組ＯＰ１を構成する。同様に、他の干渉式光学系ＩＯ２〜７と可変成形光学系ＶＯ２〜７もＹ方向に間隔Ｄ１をもって配置され光学系組ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４，ＯＰ５，ＯＰ６を構成する。
【００２２】
４つの光学系組ＯＰ１〜４は、同一のＹ座標上でＸ方向に間隔Ｐ１をもって配置され第１露光光学系群ＯＧ１を構成する。残る３つの光学系組ＯＰ５〜７は、第１露光光学系群ＯＧ１とはＹ方向に間隔Ｌ１だけ離れた位置で、Ｘ方向に間隔Ｐ１をもって配置され第２露光光学系群ＯＧ２を構成する。このとき、光学系組ＯＰ１と光学系組ＯＰ５のＸ座標は、上記間隔Ｐ１の半分である間隔Ｐ２だけ、ずれている。
【００２３】
なお、第１露光光学系群ＯＧ１及び第２露光光学系群ＯＧ２中の、各光学系組ＯＰ１〜７内の干渉式光学系ＩＯ１〜７と可変成形光学系ＶＯ１〜７は、露光装置の処理能力の向上のために、上記走査露光において同一の基板ＧＰに対して同時に露光が可能である位置に配置されることが望ましい。これ以外の位置に配置されると、干渉式光学系ＩＯ１〜７での露光と可変成形光学系ＶＯ１〜７での露光を、常に別々の時間に行なう必要が生じ、露光装置の処理能力が大幅に低下するためである。
【００２４】
従って、各光学系組ＯＰ１〜７内の干渉式光学系ＩＯ１〜７と可変成形光学系ＶＯ１〜７の、走査方向であるＹ方向への間隔Ｄ１及び間隔Ｄ２は、基板ＧＰのＹ方向長さ以下であること、すなわち、基板ステージＰＳのＹ方向の長さ以下であることが望ましい。
【００２５】
そして、露光装置の処理能力の一層の向上のためには、その間隔Ｄ１及び間隔Ｄ２は、基板ＧＰのＹ方向長さの１／４以下であることが望ましい。
ところで、第１露光光学系群ＯＧ１と第２露光光学系群ＯＧ２とは、各露光光学系の大きさ、特にＹ方向の大きさにより生じる機械的な干渉を避けるために、それらのＹ方向位置を所定の間隔Ｌ１だけ異ならせて配置してある。
【００２６】
しかしながら、露光装置の処理能力の向上のために、不要な走査動作及び走査時間を短縮するためには、第１露光光学系群ＯＧ１と第２露光光学系群ＯＧ２とは、機械的な干渉を回避しうる限りにおいて可能な限りＹ方向、すなわち走査方向に近接して配置されることが望ましい。
【００２７】
なお、光学系組ＯＰ１〜７及び干渉式光学系ＩＯ１〜７、可変成形光学系ＶＯ１〜７の数は、上記の例の７個に限られるものではなく、１個を含む任意の数であっても構わない。
【００２８】
次に、各光学系組ＯＰ１〜７と、それぞれが基板ＧＰ上に露光する露光領域との関係について説明する。
上述の通り、本例の露光装置では、複数のＸ座標上にそれぞれ配置された光学系組ＯＰ１〜７と基板ＧＰとをＹ方向に相対走査しながら、基板ＧＰ上への露光を行なう。
【００２９】
従って、当該走査露光により、基板ＧＰ上には、各光学系組ＯＰ１〜７のそれぞれで露光された、Ｘ方向に所定の幅を有しＹ方向に伸びる複数の部分領域が形成される。図２中の部分領域Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５，Ｅ６，Ｅ７は、それぞれ光学系組ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４，ＯＰ５，ＯＰ６，ＯＰ７で露光された領域である。
【００３０】
また、各部分領域Ｅ１〜７の間には、重複領域Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６が存在してもよい。この場合、一例として重複領域Ｖ１は、それに隣接する部分領域Ｅ１及びＥ５に対応する２つの光学系組ＯＰ１及びＯＰ５によって重複して露光される領域であり、他の重複領域Ｖ２〜６も同様に光学系組ＯＰ２〜７のうちのＸ方向に隣接するいずれかの２つによって重複して露光される領域である。なお、重複領域Ｖ１〜６の詳細については、後述する。
【００３１】
次に、光学系組ＯＰ１による、部分領域Ｅ１内の任意の位置への露光について説明する。
始めに、基板ＧＰが第１露光光学系群ＯＧ１及び第２露光光学系群ＯＧ２に対して相対的に＋Ｙ方向に走査しつつ露光される場合を想定する。この場合、光学系組ＯＰ１内の干渉式光学系ＩＯ１と可変成形光学系ＶＯ１との配置関係により、その露光対象位置にはまず可変成形光学系ＶＯ１によるパターンの露光がなされる。そして、基板ＧＰの移動に伴いその露光対象位置が干渉式光学系ＩＯ１の下に移動した後に、干渉式光学系ＩＯ１によるパターンの露光がなされる。
【００３２】
すなわち、干渉式光学系ＩＯ１と可変成形光学系ＶＯ１を走査方向であるＹ方向に沿って配列し、基板ＧＰをＹ方向に走査することにより、部分領域Ｅ１には、可変成形光学系ＶＯ１と干渉式光学系ＩＯ１とによる合成露光（２重露光）がなされることになる。
【００３３】
なお、基板ＧＰをーＹ方向に走査しつつ露光する場合についても、干渉式光学系ＩＯ１と可変成形光学系ＶＯ１とによる露光の順序が入れ替わるだけで、合成露光（２重露光）がなされることに変りはない。
【００３４】
また、部分領域Ｅ１についてのみでなく他の部分領域Ｅ２〜７についても、干渉式光学系ＩＯ２〜７と可変成形光学系ＶＯ２〜７とにより合成露光がなされることは、上記と同様である。
【００３５】
次に、本実施例における干渉式光学系ＩＯ１〜７の構成について説明する。
図３（Ａ）は、干渉式光学系ＩＯ１の構成を表わす断面図である。そして、他の干渉式光学系ＩＯ２〜７についても、その構成は同様である。
【００３６】
発光コントローラーＬＣ１により発光・停止が制御される半導体レーザ等のレーザまたは発光ダイオード等からなる光源ＬＳ１から発せられた露光光ＩＬ０は、集光レンズＬ０１，Ｌ０２により成形され露光光ＩＬ１となる。
【００３７】
集光レンズＬ０２の下方には、露光光ＩＬ１の光路内に、その進行方向に沿って上流側から順に、第１の回折格子Ｇ１を備えた第１透光板ＧＰ１と、第２の回折格子Ｇ２を備えた第２透光板ＧＰ２が配置される。
【００３８】
第１の回折格子Ｇ１は、一例として、第１透光板ＧＰ１上にＹ方向に伸びる透光性の誘電体部材がＸ方向に周期Ｐ０１をもって配置された位相格子である。同様に、第１の回折格子Ｇ１も、一例として、第２透光板ＧＰ２上にＹ方向に伸びる透光性の誘電体部材がＸ方向に周期Ｐ０２をもって配置された位相格子である。
【００３９】
そして、第１の回折格子Ｇ１及び第２の回折格子Ｇ２を構成する上記の誘電体部材の厚さは、その誘電体部材を透過した照明光と誘電体部材の付加されていない部分を透過した露光光との間に概ねπ［ｒａｄ］の位相差を与えるように設定されている。
【００４０】
また、第１の回折格子Ｇ１と第２の回折格子Ｇ２との間隔は第１距離ｄ０１であり、露光に際して基板ＧＰは、第２の回折格子Ｇ２との間隔が第２距離ｄ０２となる所定の面Ｓ上に配置される。
【００４１】
図３（Ｂ）は、第１透光板ＧＰ１の上面図（＋Ｚ方向から見た図）を示す図である。
第１透光板ＧＰ１上の長方形領域をなす中心部には、第１の回折格子Ｇ１が形成され、周辺部にはクロム等による遮光部材ＳＨ１が形成される。
【００４２】
露光光ＩＬ１が第１の回折格子Ｇ１に照射されると、第１の回折格子Ｇ１からは、＋１次回折光ＩＬ２Ｐとー１次回折光ＩＬ２Ｍの２つを中心とする回折光が発生する。そして、＋１次回折光ＩＬ２Ｐ及びー１次回折光ＩＬ２Ｍは第２の回折格子Ｇ２に入射し、これにより回折されてそれぞれ第１の回折光ＩＬ３Ｐ及び第２の回折光ＩＬ３Ｍを発生させる。
【００４３】
これらの２つの回折光ＩＬ３Ｐ，ＩＬ３Ｍは、第２の回折格子Ｇ２から第２距離ｄ０２だけ離れた面Ｓ上に干渉縞ＩＦ１を形成する。そして、干渉縞ＩＦ１の強度分布の周期Ｐ０３は、
（式１）
Ｐ０３＝Ｐ０１×Ｐ０２／｛２×（Ｐ０１−Ｐ０２）｝
となる。
【００４４】
よって、面Ｓ上に配置された基板ＧＰには、干渉式光学系ＩＯ１によってＸ方向に周期Ｐ０３を有する干渉縞ＩＦ１による露光パターンが露光される。干渉縞ＩＦ１の周期方向はＸ方向であるから、その干渉縞の明暗パターン分布は、Ｘ方向に直交するＹ方向、すなわち上述の走査方向に平行である。
【００４５】
また、面Ｓ上において干渉縞ＩＦ１の形成される範囲（ＸＹ面内方向の大きさ）は、第１透光板ＧＰ１上に形成した第１の回折格子Ｇ１の範囲に概ね一致する。
なお、本例の露光装置は、干渉式光学系ＩＯ１に対して基板ＧＰをＹ方向に相対的に走査しつつ露光するものであるから、干渉式光学系ＩＯ１により基板ＧＰに露光される露光パターンは、上記干渉縞ＩＦ１の明暗分布がＹ方向に拡大されたものと等しくなる。このとき、干渉縞ＩＦ１の周期方向はＸ方向であるから、それと直交するＹ方向への走査露光によって干渉縞ＩＦ１のコントラストが低下することはない。
【００４６】
ところで、光源ＬＳ１の発光部がＸ方向に幅を有する場合には、この幅に起因して干渉縞ＩＦ１のコントラストが低下する。よって、光源ＬＳ１としては、特に発光部のＸ方向の幅が小さな光源を使用することが望ましい。
【００４７】
あるいは、このコントラスト低下を最小にするためには、第１の回折格子Ｇ１の周期Ｐ０１を、第２の回折格子Ｇ２の周期Ｐ０２の２倍とし、第１距離ｄ０１と第２距離ｄ０２を等しく設定することが有効である。この場合、干渉縞ＩＦ１の強度分布の周期Ｐ０３は、式１より第２の回折格子Ｇ２の周期と等しくなり、また第１の回折格子Ｇ１の周期の半分となる。
【００４８】
ところで、基板ＧＰ上に露光すべき干渉縞ＩＦ１の周期は、基板ＧＰの種類によって変更可能であることが望ましい。よって、干渉式光学系ＩＯ１〜７は、第１透光板ＧＰ１及び第２透光板ＧＰ２を交換可能とする交換機構を有することが望ましい。
【００４９】
交換機構は、例えば、第１透光板ＧＰ１及び第２透光板ＧＰ２を保持する不図示の保持機構と、その保持機構に対して第１透光板ＧＰ１及び第２透光板ＧＰ２を搬送する機構からなるものを採用することができる。その場合、その保持機構には第１透光板ＧＰ１及び第２透光板ＧＰ２を位置決めするための基準ピンや位置センサーを設けることがより好ましい。
【００５０】
次に、本実施例における可変成形光学系ＶＯ１〜７の構成について説明する。
図４（Ａ）は、可変成形光学系ＶＯ１の構成を表わす断面図である。そして、他の可変成形光学系ＶＯ２〜７についても、その構成は同様である。
【００５１】
発光コントローラーＬＣ２により発光・停止が制御される半導体レーザ等のレーザまたは発光ダイオード等からなる光源ＬＳ２から発する露光光ＩＬ４は、集光レンズＬ１１，Ｌ１２により成形され露光光ＩＬ５となり、マスクパターンＭＰ１の形成されたマスクＭＧ１に照射される。
【００５２】
本例においては、光源ＬＳ２が、露光光の光路内に配置され、基板ＧＰに対する露光光の照射または非照射を時分割に切換え可能とする切換機構を構成すると見ることができる。
【００５３】
図４（Ｂ）は、基板ＧＰに照射する露光光を複数のビームスポットよりなる光とする光束分割機構の一例であるマスクＭＧ１の上面図（＋Ｚ方向から見た図）を示す図である。
ガラス等の透光性の基板からなるマスクＭＧ１の下面には、複数の透光部Ｍ０１がＸ方向に並んで配置され、その周囲はクロム等の遮光膜からなる遮光部ＭＰ１が形成されている。
【００５４】
露光光ＩＬ５がマスクＭＧ１に照射されると、マスクＭＧ１のうち透光部Ｍ０１に相当する部分からは露光光が透過し、他の部分（遮光部ＭＰ１が形成された部分）からは露光光は透過しない。
【００５５】
よって、マスクＭＧ１の近傍の面Ｓ上には、透光部Ｍ０１の形状に対応して露光光の光量分布ＶＩ１が形成される。従って、面Ｓに合致させて基板ＧＰを配置することにより、基板ＧＰ上に露光光のビームスポットを複数形成することができる。このビームスポットの数は、マスクＭＧ１上に形成する透光部Ｍ０１の数によって可変であり、透光部Ｍ０１を１つとしビームスポットの数を１つとする構成としても構わない。
【００５６】
ところで、本例の露光装置は可変成形光学系ＶＯ１に対して基板ＧＰをＹ方向に相対的に走査しつつ露光するものであるから、可変成形光学系ＶＯ１により基板ＧＰに露光される露光パターンは、透光部Ｍ０１が形成するビームスポットの形状がＹ方向に拡大されたものとなる。
【００５７】
なお、基板ＧＰ上に露光すべきビームスポットの位置及び形状は、基板ＧＰの種類によって変更可能であることが望ましい。よって、可変成形光学系ＶＯ１〜７は、異なるマスクパターンを有する複数のマスクを交換可能に装填可能とする交換機構を有することが望ましい。
【００５８】
交換機構は、例えば、マスクＭＧ１を保持する不図示の保持機構と、その保持機構に対してマスクＭＧ１を搬送する機構からなるものを採用することができる。その場合、その保持機構にはマスクＭＧ１を位置決めするための基準ピンや位置センサーを設けることが好ましい。
【００５９】
また、基板ＧＰのＹ方向への走査中に、可変成形光学系ＶＯ１と基板ＧＰとの相対位置に応じて可変成形光学系ＶＯ１の光源ＬＳ２の発光・停止を制御することで、基板ＧＰに露光されるパターンのＹ方向の形状についても可変とすることもできる。
【００６０】
そして、基板ＧＰに対する露光光の照射または非照射を時分割に切換え可能とする切り替え機構は、上記の如き光源ＬＳ２の発光または停止の制御によるものだけではなく、
光源ＬＳ２と基板ＧＰ（面Ｓ）の間の光路内に、機械的なシャッターや、電気光学効果を利用したいわゆる電気光学素子を利用したシャッターを設けるものであっても良い。
【００６１】
上記の如く、可変成形光学系には、マスクパターンＭＰ１の交換や走査露光中の光源の発光・停止の制御により、露光光の基板ＧＰ（面Ｓ）上への照射または非照射の切り替えを、時分割に、かつ一括して行なうことにより、Ｘ方向及びＹ方向の２次元について各種形状のパターンを露光可能であるという利点がある。
【００６２】
そして、前述の干渉式光学系には、安価な光学系であっても、微細な周期パターンを高精度に露光可能であるという利点がある。さらに、基板ＧＰが上記所定の面ＳからＺ方向に多少ずれた位置に配置された場合であっても、十分に高いコントラストの明暗パターンを露光可能であるという利点もある。
【００６３】
本例の露光装置は、前述の如く、基板ＧＰ上に干渉式光学系ＩＯ１〜７と可変成形光学系ＶＯ１〜７の双方による合成露光を行ない、高精度な露光パターンの露光を可能とするものである。そこで、以下、本例の露光装置を用いて最終的に基板ＧＰ上に露光パターン（合成パターン）を露光する露光方法の第１の実施例について、図５を用いて説明する。
【００６４】
先ず、本例において、可変成形光学系ＶＯ１によって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図５（Ａ）は、本例において、可変成形光学系ＶＯ１中に装填されるマスクＭＧ２上に形成された、透過部ＭＯ２と遮光部ＭＰ２１及び遮光部ＭＰ２２からなるマスクパターンの一部分を示す図である。
【００６５】
マスクＭＧ２上には、一例として長方形の透過部ＭＯ２がＸ方向に複数個配列される。そして、透過部ＭＯ２のＹ方向の両側に隣接して遮光部ＭＰ２１が配置される。一方、透過部ＭＯ２のＸ方向の両側に隣接して遮光部ＭＰ２２が配置される。この遮光部ＭＰ２２は図５（Ａ）中でＹ方向の全面に渡る遮光部であり、Ｘ方向に幅Ｗ２２を有する。また、複数の遮光部ＭＰ２２のＸ方向の中心間の間隔（以下、中心間隔という）はＰ２２である。また、複数の透過部ＭＯ２のＸ方向の中心間隔はＰ２２である。
【００６６】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示したマスクＭＧ２を有する可変成形光学系ＶＯ１により基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＶ２の一部分を表わす図である。図中、斜線部は露光量がレジストを感光させるのに必要な露光量（以下、基準露光量という）より少ない部分（以下、暗部という）を表わし、斜線のない部分は露光量が基準露光量より多い部分（以下、明部という）を表わす。
【００６７】
基板ＧＰは可変成形光学系ＶＯ１に対してＹ方向に走査しつつ露光される。このため、
基板ＧＰ上であって、そのＸ座標が各透過部ＭＯ２のＸ座標と一致する部分は、走査露光により露光光が照射され、明部ＢＳ２２となる。一方、そのＸ座標が遮光部ＭＰ２２と一致する部分には走査露光によって露光光が照射されないため、暗部ＤＬ２２となる。
【００６８】
このとき、暗部ＤＬ２２のＸ方向の幅Ｗ２３は、マスクＭＧ２上の遮光部ＭＰ２２のＸ方向の幅Ｗ２２と概ね等しくなる。また、複数の暗部ＤＬ２２のＸ方向の中心間隔は、遮光部ＭＰ２２のＸ方向の中心間隔Ｐ２２と一致する。
【００６９】
次に、本例において、干渉式光学系ＩＯ１によって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図５（Ｃ）は、本例の干渉式光学系ＩＯ１により基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＩ２の一部分を表わす図である。上述の如く、干渉式光学系ＩＯ１により形成される露光パターンＰＩ２は、線状の明部である明線部ＢＳ２１と線状の暗部である暗線部ＤＬ２１がＸ方向に中心間隔Ｐ２１で繰り返して並ぶ周期パターンである。なお、暗線部ＤＬ２１のＸ方向の幅は幅Ｗ２１である。この幅Ｗ２１は、干渉式光学系ＩＯ１による基板ＧＰ上への露光量の大小によって変化させることができる。ただし、その値は概ね中心間隔Ｐ２１の半分程度である。
【００７０】
ここで、中心間隔Ｐ２１は、図５（Ｂ）中の暗部ＤＬ２２のＸ方向の中心間隔Ｐ２２の整数分の１、一例として４分の１となるように設定する。このような設定は、干渉式光学系ＩＯ１中に設ける回折格子の周期の設定や、可変成形光学系ＶＯ１中に設けるマスクＭＧ２上の遮光パターンＭＰ２２の中心間隔Ｐ２２の中心間隔の調整により行なうことができる。
【００７１】
次に、干渉式光学系ＩＯ１による露光パターンＰＩ２と可変成形光学系ＶＯ１による露光パターンＰＶ２との合成パターンである露光パターンＰＳ２について、図５（Ｄ）を用いて説明する。
【００７２】
干渉式光学系ＩＯ１または可変成形光学系ＶＯ１のいずれかの光学系により露光された露光パターンで明部となる部分は、露光パターンＰＳ２においても明部ＢＳ２３となる。従って、露光パターンＰＳ２中の暗部は、露光パターンＰＩ２と露光パターンＰＶ２中で共に暗部となるＸ方向の幅が幅Ｗ２１である暗線部ＤＬ２３に限られる。
【００７３】
すなわち、本露光方法の第１の実施例においては、干渉式光学系ＩＯ１による露光パターンＰＩ２中の複数の暗線部ＤＬ２１のうちの４本おき等の所定本おきの特定暗線部を、露光パターンＰＳ２中の暗線部ＤＬ２３として残存させることができる。
【００７４】
以上の如く、本露光方法の第１の実施例においては、干渉式光学系ＩＯ１により微細な周期パターンを高精度に露光すると共に、可変成形光学系ＶＯ１によりその周期パターン中の所望のパターンを選択的に残存させることができる。これにより、微細な線幅を有し、かつその中心間隔が比較的大きなパターンを、簡便な装置で高精度に露光することが可能となる。
【００７５】
次に、本例の露光装置を用いて最終的に基板ＧＰ上に露光パターン（合成パターン）を露光する露光方法の第２の実施例について、図６及び図７を用いて説明する。
本例においては、図１及び図２中の光学系組ＯＰ１〜７として、図６に示す如く、１本の干渉式光学系ＩＯ１と２本またはそれ以上の可変成形光学系ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂが、Ｙ方向に配列された光学系組ＯＰＡを用いる。従って、基板ＧＰ上への露光は、これらの３本の光学系による合成露光となる。
【００７６】
なお、それぞれの可変成形光学系ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂ及び干渉式光学系ＩＯ１の構成は、上述の図３及び図４に示した各光学系と同様のものを使用する。
また、図６中では、Ｙ方向に、可変成形光学系ＶＯ１Ａ、干渉式光学系ＩＯ１、可変成形光学系ＶＯ１Ｂの順で配置されるものとしたが、この配列順は任意でよい。
【００７７】
先ず、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ａによって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図７（Ａ）は、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ａ中に装填されるマスクＭＧ３Ａ上に形成された、透過部ＭＯ３１と遮光部ＭＰ３１及び遮光部ＭＰ３２からなるマスクパターンの一部分を示す図である。
【００７８】
マスクＭＧ３Ａ上には、一例として長方形の透過部ＭＯ３１がＸ方向に複数個配列される。そして、透過部ＭＯ３１のＹ方向の両側に隣接して遮光部ＭＰ３１が配置される。一方、透過部ＭＯ３１のＸ方向の両側に隣接して遮光部ＭＰ３２が配置される。この遮光部ＭＰ３２は図７（Ａ）中でＹ方向の全面に渡る遮光部であり、Ｘ方向に幅Ｗ３２を有する。また、複数の遮光部ＭＰ３２及び透過部ＭＯ３１のＸ方向の中心間隔はＰ３２である。
【００７９】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示したマスクＭＧ３Ａを有する可変成形光学系ＶＯ１Ａにより基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＶ３Ａの一部分を表わす図である。
マスクＭＧ３Ａ上のマスクパターンの形状の概要は、図５（Ａ）に示した露光方法の第１の実施例におけるマスクＭＧ２上のマスクパターンと概ね同様である。よって、露光パターンＰＶ３Ａの概要も図５（Ｂ）に示した露光方法の第１の実施例における露光パターンＰＶ２と概ね同様になる。
【００８０】
すなわち、基板ＧＰ上であって、そのＸ座標が各透過部ＭＯ３１のＸ座標と一致する部分は、走査露光により露光光が照射され明部ＢＳ３２となる。一方、そのＸ座標が遮光部ＭＰ３２と一致する部分には走査露光によって露光光が照射されないため、暗部ＤＬ３２となる。
【００８１】
そして、暗部ＤＬ３２のＸ方向の幅Ｗ３３は、マスクＭＧ３Ａ上の遮光部ＭＰ３２のＸ方向の幅Ｗ３２と概ね等しくなる。また、複数の暗部ＤＬ３２のＸ方向の中心間隔は、遮光部ＭＰ３２のＸ方向の中心間隔Ｐ３２と一致する。
【００８２】
次に、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図７（Ｃ）は、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ｂ中に装填されるマスクＭＧ３Ｂ上に形成された、透過部ＭＯ３２と遮光部ＭＰ３３及び遮光部ＭＰ３４からなるマスクパターンの一部分を示す図である。そして、マスクＭＧ３Ｂ上のパターンは、各部分の幅が異なるものの、基本的な配置は図７（Ａ）に示したマスクＭＧ３Ａ上のパターンと同様である。
【００８３】
そして、複数の透過部ＭＯ３２及び遮光部ＭＰ３４のＸ方向に配列の中心間隔は、図７（Ａ）に示したマスクＭＧ３Ａ上の遮光部ＭＰ３２の中心間隔Ｐ３２と同一に設定する。
また、透過部ＭＯ３２のＸ方向の幅Ｗ３４は図７（Ａ）のマスクＭＧ３Ａ上の遮光部ＭＰ３２の幅Ｗ３３の１．５倍から２．５倍程度の範囲内に設定する。
【００８４】
そして、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによる基板ＧＰの露光に際しては、可変成形光学系ＶＯ１Ｂと基板ＧＰとの相対走査に連動して、可変成形光学系ＶＯ１Ｂの光源（図４中の光源ＬＳ２）の発光及び停止を時分割に繰り返す。
【００８５】
すなわち、可変成形光学系ＶＯ１Ｂと基板ＧＰとの走査露光中に、不図示の制御機構より、図４中の発光コントローラーＬＣ２に指令を発し、図４中の光源ＬＳ２の発光及び停止動作を、所定時間毎に、あるいは所定距離走査する毎に繰り返す。これにより、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによる基板ＧＰの露光光の照射または非照射が時分割に繰り返される。
【００８６】
このような露光により、可変成形光学系ＶＯ１Ｂにより基板ＧＰ上に露光された露光パターンＰＶ３Ｂの例を図７（Ｄ）に示す。基板ＧＰ上であって、光源ＬＳ２が発光している際に透過部ＭＯ３２の直下に配置されていた部分である離散的な複数の長方形領域のみが明部ＢＳ３３となり、それ以外の部分は暗部ＤＬ３３となる。
【００８７】
このとき、明部ＢＳ３３のＸ方向の幅Ｗ３５は、透過部ＭＯ３２のＸ方向の幅Ｗ３４と概ね等しい。そして、明部ＢＳ３３のＹ方向の中心間隔Ｐ３３は、発光コントローラーＬＣ２により光源ＬＳ２が発光停止を繰り返す時間間隔と、基板ステージＰＳによる基板ＧＰの走査速度により決まる。
【００８８】
従って、光源ＬＳ２の発光停止の間隔と基板ステージＰＳの走査速度を制御することにより、中心間隔Ｐ３３を制御することができる。また、さらに光源ＬＳ２の発光時間及び停止時間のデューティー比をも制御することにより、明部ＢＳ３３のＹ方向の間に形成される暗部のＹ方向幅Ｗ３７を制御することもできる。
【００８９】
なお、マスクＭＧ３Ｂ上の透過部ＭＯ３２のＹ方向の幅Ｗ３６は、上記の露光パターンＰＶ３Ｂ上における明部ＢＳ３３のＹ方向幅、すなわち明部ＢＳ３３の中心間隔Ｐ３３から、その間に形成される暗部のＹ方向幅Ｗ３７を引いた値、よりも小さく設定しておくことが望ましい。透過部ＭＯ３２のＹ方向の幅Ｗ３６がこれより大きいと、明部ＢＳ３３を所望のＹ方向幅で形成することが難しくなるからである。
【００９０】
次に、本例において、干渉式光学系ＩＯ１によって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。ただし、その概要は、露光方法の第１の実施例で示したものと同様である。
【００９１】
図７（Ｅ）は、本例の干渉式光学系ＩＯ１により基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＩ３の一部分を表わす図であり、線状の明部である明線部ＢＳ３１と線状の暗部である暗線部ＤＬ３１がＸ方向に中心間隔Ｐ３１で繰り返して並ぶ周期パターンである。暗線部ＤＬ３１のＸ方向の幅はＷ３１である。
【００９２】
そして、中心間隔Ｐ３１は、図７（Ｂ）中の暗部ＤＬ３２のＸ方向の中心間隔Ｐ３２、及び図７（Ｄ）中の明部ＢＳ３３のＸ方向の中心間隔Ｐ３２の、整数分の１、一例として４分の１となるように設定する。このような設定は、干渉式光学系ＩＯ１中に設ける回折格子の周期の設定や、可変成形光学系ＶＯ１Ａ中に設けるマスクＭＧ３Ａ及び可変成形光学系ＶＯ１Ｂ中に設けるマスクＭＧ３Ｂ上の遮光パターンの中心間隔の調整により行なうことができる。
【００９３】
次に３本の光学系ＩＯ１，ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂにより合成露光された合成パターンである露光パターンＰＳ３について、図７（Ｆ）を用いて説明する。
本例に於いても、干渉式光学系ＩＯ１または可変成形光学系ＶＯ１Ａ、ＶＯ１Ｂのいずれかの光学系により露光された露光パターンで明部となる部分は、露光パターンＰＳ３においても明部ＢＳ３４となる。従って、露光パターンＰＳ３中の暗部は、露光パターンＰＩ３、露光パターンＰＶ３Ａ、露光パターンＰＶ３Ｂのいずれにおいても暗部であるＸ方向の幅が幅Ｗ３１である暗線部ＤＬ３４に限られる。
【００９４】
すなわち、本露光方法の第２の実施例においては、最終的に基板ＧＰ上に形成される暗部として、干渉式光学系ＩＯ１による露光パターンＰＩ３中の複数の暗線部ＤＬ３１のうちの４本おき等の所定本おきの特定暗線部を選択するとともに、その中のＹ方向の特定領域のみを暗線部ＤＬ３４とすることができる。
【００９５】
以上の如く、本露光方法の第２の実施例においては、干渉式光学系ＩＯ１により微細な周期パターンを高精度に露光すると共に、可変成形光学系ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂによりその周期パターン中の所望のパターンを特定暗線部として選択したうえでＹ方向についても所望の幅を有する特定領域に限定することができる。これにより、微細な線幅を有し、かつその中心間隔が比較的大きな２次元の形状を有するパターンを、簡便な装置で高精度に露光することが可能となる。
【００９６】
次に、本例の露光装置を用いて最終的に基板ＧＰ上に露光パターン（合成パターン）を露光する露光方法の第３の実施例について、図８を用いて説明する。
本露光方法の第３の実施例は、上述の露光方法の第２の実施例と同様な点が多いため、以下、特に露光方法の第２の実施例との相違点についてのみ説明する。
【００９７】
なお、本例も、上記の露光方法の第２の実施例と同様に、図６に示す如く、１本の干渉式光学系ＩＯ１と２本またはそれ以上の可変成形光学系ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂが、Ｙ方向に配列された光学系組ＯＰＡを用いるものである。
【００９８】
先ず、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ａによって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図８（Ａ）は、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ａ中に装填されるマスクＭＧ４Ａ上に形成された、透過部ＭＯ４１と遮光部ＭＰ４１及び遮光部ＭＰ４２からなるマスクパターンの一部分を示す図である。このマスクパターンの概要は、図７（Ａ）に示したマスクＭＧ３Ａ上のパターンと概ね同様である。
【００９９】
すなわち、遮光部ＭＰ４２は図８（Ａ）中でＹ方向の全面に渡る遮光部であり、Ｘ方向に幅Ｗ４２を有する。また、複数の遮光部ＭＰ４２及び透過部ＭＯ４１のＸ方向の中心間隔はＰ４２である。
【０１００】
図８（Ｂ）は、図８（Ａ）に示したマスクＭＧ４Ａを有する可変成形光学系ＶＯ１Ａにより基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＶ４Ａの一部分を表わす図である。
基板ＧＰ上であって、そのＸ座標が各透過部ＭＯ４１のＸ座標と一致する部分は、走査露光により露光光が照射され明部ＢＳ４２となる。一方、そのＸ座標が遮光部ＭＰ４２と一致する部分には走査露光によって露光光が照射されないため、暗部ＤＬ４２となる。
【０１０１】
そして、暗部ＤＬ４２のＸ方向の幅Ｗ４３は、マスクＭＧ４Ａ上の遮光部ＭＰ４２のＸ方向の幅Ｗ４２と概ね等しくなる。また、複数の暗部ＤＬ４２のＸ方向の中心間隔は、遮光部ＭＰ４２のＸ方向の中心間隔Ｐ４２と一致する。
【０１０２】
次に、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。
図８（Ｃ）は、本例において、可変成形光学系ＶＯ１Ｂ中に装填されるマスクＭＧ４Ｂ上に形成された、透過部ＭＯ４２と遮光部ＭＰ４３及び遮光部ＭＰ４４からなるマスクパターンの一部分を示す図である。なお、マスクＭＧ４Ｂ上のパターンは、基本的には図７（Ｃ）に示したマスクＭＧ３Ｂ上のパターンと同様である。
【０１０３】
ただし、複数の透過部ＭＯ４２及び遮光部ＭＰ４４のＸ方向に配列の中心間隔は、図８（Ａ）に示したマスクＭＧ４Ａ上の遮光部ＭＰ４２の中心間隔Ｐ４２と同一に設定する。
また、透過部ＭＯ４２のＸ方向の幅Ｗ４４は、図８（Ａ）のマスクＭＧ４Ａ上の遮光部ＭＰ４２の幅Ｗ４２の１．１倍程度以上に設定する。透過部ＭＯ４２のＸ方向の幅Ｗ４４はさらに大きくても良く、複数の透過部ＭＯ４２がＸ方向に連続して形成され、１つの透過部が形成されるような構成としても良い。
【０１０４】
そして、露光方法の第２の実施例と同様に、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによる基板ＧＰの露光に際しては、可変成形光学系ＶＯ１Ｂと基板ＧＰとの相対走査に連動して、可変成形光学系ＶＯ１Ｂの光源（図４中の光源ＬＳ２）の発光及び停止を、時分割に繰り返す。これにより、可変成形光学系ＶＯ１Ｂによる基板ＧＰの露光光の照射または非照射が時分割に繰り返される。
【０１０５】
このような露光により、可変成形光学系ＶＯ１Ｂにより基板ＧＰ上に露光された露光パターンＰＶ４Ｂの例を図８（Ｄ）に示す。基板ＧＰ上であって、図４中の光源ＬＳ２が発光している際に透過部ＭＯ４２の直下に配置されていた部分である離散的な複数の長方形領域のみが明部ＢＳ４３となり、それ以外の部分は暗部ＤＬ４３となる。
【０１０６】
このとき、露光方法の第２の実施例と同様に、光源ＬＳ２の発光停止の間隔と基板ステージＰＳの走査速度を制御することにより、中心間隔Ｐ４３を制御することができる。そして、光源ＬＳ２の発光時間及び停止時間のデューティー比をも制御することにより、明部ＢＳ４３のＹ方向の間に形成される暗部のＹ方向幅Ｗ４７を制御することもできる。
【０１０７】
次に、本例において、干渉式光学系ＩＯ１によって基板ＧＰ上に露光される露光パターンについて説明する。ただし、その概要は、露光方法の第２の実施例で示したものと同様である。
【０１０８】
図８（Ｅ）は、本例の干渉式光学系ＩＯ１により基板ＧＰ上に露光される露光パターンＰＩ４の一部分を表わす図であり、線状の明部である明線部ＢＳ４１と線状の暗部である暗線部ＤＬ４１がＸ方向に中心間隔Ｐ４１で繰り返して並ぶ周期パターンである。暗線部ＤＬ４１のＸ方向の幅はＷ４１である。
【０１０９】
そして、中心間隔Ｐ４１は、図８（Ｂ）中の暗部ＤＬ４２のＸ方向の中心間隔Ｐ４２、及び図８（Ｄ）中の明部ＢＳ４３のＸ方向の中心間隔Ｐ４２の、整数分の１、一例として４分の１となるように設定する。
【０１１０】
さらに、本露光方法の第３の実施例においては、可変成形光学系ＶＯ１Ａに設けたマスクＭＧ４Ａ上の遮光部ＭＰ４２のＸ方向の幅Ｗ４２を、一例として、暗線部ＤＬ４１のＸ方向の中心間隔Ｐ４１の１．５倍以上、２．５倍以下程度に設定する。これにより、後述する如く、可変成形光学系ＶＯ１Ａと干渉式光学系ＩＯ１とで合成露光された露光パターン上において、暗線部ＤＬ４１のうちＸ方向に隣接して並ぶ２本の特定暗線部については、遮光部ＭＰ４２により遮光して、暗部のまま残存させることができる。
【０１１１】
このような設定は、干渉式光学系ＩＯ１中に設ける回折格子の周期の設定や、可変成形光学系ＶＯ１Ａ中に設けるマスクＭＧ４Ａ及び可変成形光学系ＶＯ１Ｂ中に設けるマスクＭＧ４Ｂ上の遮光パターンの中心間隔の調整により行なうことができる。
【０１１２】
次に３本の光学系ＩＯ１，ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂにより合成露光された合成パターンである露光パターンＰＳ４について、図８（Ｆ）を用いて説明する。
本例に於いても、干渉式光学系ＩＯ１または可変成形光学系ＶＯ１Ａ、ＶＯ１Ｂのいずれかの光学系により露光された露光パターンで明部となる部分は、露光パターンＰＳ４においても明部ＢＳ４４となる。従って、露光パターンＰＳ４中の暗部は、露光パターンＰＩ４、露光パターンＰＶ４Ａ、露光パターンＰＶ４Ｂのいずれにおいても暗線部である暗部ＤＬ４４に限られる。
【０１１３】
すなわち、本露光方法の第３の実施例においては、最終的に基板ＧＰ上に形成される暗部として、干渉式光学系ＩＯ１による露光パターンＰＩ４中の複数の暗線部ＤＬ４１のうちの４本おき等の所定本おきに隣接する２本の特定暗線部を選択するとともに、その中のＹ方向の特定領域のみを暗線部ＤＬ４４とすることができる。
【０１１４】
なお、可変成形光学系ＶＯ１Ａに設けるマスクＭＧ４Ａ上の遮光部ＭＰ４２のＸ方向の幅Ｗ４２をさらに太くすることにより、隣接する３本以上の暗部ＤＬ４１を遮光し、すなわち、これを特定暗線部として選択することが可能であることは言うまでも無い。
【０１１５】
以上の如く、本露光方法の第３の実施例においては、干渉式光学系ＩＯ１により微細な周期パターンを高精度に露光すると共に、可変成形光学系ＶＯ１Ａ，ＶＯ１Ｂによりその周期パターン中の所望の隣接する複数本のパターンを選択的したうえでＹ方向についても所望の幅の特定領域として成形することができる。これにより、微細な線幅を有し、かつその中心間隔が比較的大きな２次元の形状を有するパターンを、簡便な装置で高精度に露光することが可能となる。
【０１１６】
なお、上記の各例において、各図に示したマスクパターン及び露光パターンは、マスクＭＧ２等または部分領域Ｅ１等の中の極一部分のパターンを示したものである。従って、実際には、上記各例の露光方法によって、部分領域Ｅ１等の全面に渡って多数の露光パターンを形成可能であることは言うまでも無い。また、複数の光学系組ＯＰ１〜７により基板ＧＰ上のほぼ全面に渡って、多数個の露光パターンを形成可能であることも言うまでも無い。
【０１１７】
ところで、上記各例においては、干渉式光学系ＩＯ１〜７の光源ＬＳ１は、走査露光に際して常時発光するものとしたが、基板ＧＰ上に露光すべき露光パターンの形状によっては、可変成形光学系ＶＯ１〜７の光源ＬＳ２と同様に走査露光中に、発光及び停止を繰り返しても構わないことは言うまでもない。
【０１１８】
また、上記の各例の露光方法は、ポジレジストまたはネガレジストのいずれのタイプのフォトレジストとも組み合わせて使用することができることは言うまでも無い。
また、上記の各例の露光方法においても、干渉式光学系ＩＯ１〜７が形成する露光パターンと可変成形光学系ＶＯ１〜７が形成する露光パターンとが、基板ＧＰ上で正確に位置合せされて合成されることが重要である。
【０１１９】
このために、干渉式光学系ＩＯ１〜７は、第１の回折格子Ｇ１または第２の回折格子Ｇ２の少なくとも一方のＸ方向位置を微調整可能な位置調整機構を有することが望ましい。そして、位置調整機構は、さらに第１の回折格子Ｇ１または第２の回折格子Ｇ２の少なくとも一方のＺ軸を中心とする回転も微調整可能とすることが望ましい。
【０１２０】
また、可変成形光学系ＶＯ１〜７も、マスクＭＧ１のＸ方向位置を微調整可能な位置調整機構を有することが望ましい。そして、さらにマスクＭＧ１のＹ方向位置を微調整可能な位置調整機構をも有することが望ましい。
【０１２１】
また、干渉式光学系ＩＯ１〜７または可変成形光学系ＶＯ１〜７のそれぞれをＸＹ方向に位置調整可能とする微調整機構を設けることにより、相互の露光パターンの位置合せを行なうこともできる。
【０１２２】
ところで、本例の露光装置においては、複数の光学系組ＯＰ１〜７を備え、基板ＧＰの全面を部分領域Ｅ１〜７に分割し、それぞれの部分領域Ｅ１〜７を、それに対応するそれぞれの光学系組ＯＰ１〜７が露光するものとしている。
【０１２３】
したがって、干渉式光学系ＩＯ１〜７及び可変成形光学系ＶＯ１〜７のそれぞれは、Ｘ方向に、それぞれが露光すべき部分領域Ｅ１〜７を包含する露光視野を有し、かつその露光視野の形状は、Ｘ方向及びＹ方向に平行な２組の辺により規定される長方形であることが望ましい。
【０１２４】
ただし、本例の露光装置では、基板ＧＰ上の各部分領域Ｅ１〜７の間に、重複領域Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６を設けることもできる。前述の通り、例えば図２中の重複領域Ｖ１は、それに隣接する２つの部分領域Ｅ１、Ｅ５に対応する２つの光学系組ＯＰ１及びＯＰ５によって重複して露光される領域である。このような重複領域Ｖ１〜Ｖ６を設ける場合には、干渉式光学系ＩＯ１〜７及び可変成形光学系ＶＯ１〜７のそれぞれの露光視野の形状は、Ｘ方向に平行な２辺を有する台形形状であることが望ましい。
【０１２５】
ところで、本例の露光装置による露光に際しては、基板ＧＰ上に既に以前の工程で何らかの基板パターンが形成されており、その基板パターンに対して所定の位置関係を保って、新規なパターンを露光する必要がある場合もある。
【０１２６】
そこで、本例の露光装置には、図１及び図２の示した如く、位置検出光学系ＡＬＬ，ＡＬＲが配置されている。
そして、上述の如き露光に先立って、基板ＧＰ上に既存の基板パターンの位置を位置検出光学系ＡＬＬ，ＡＬＲにより検出し、検出した位置情報に基づいて、既存の基板パターンと所定の位置関係を保って、新たな露光パターンを基板ＧＰ上に露光することが可能である。
【０１２７】
さらには、上述の如き走査露光を、基板ＧＰ上に形成された基板パターンの位置を検出しつつ行なうこともできる。この場合、位置検出光学系ＡＬＬ，ＡＬＲにより検出された基板パターンの位置情報は、不図示の位置制御システムに伝達される。そして位置制御システムは、この位置情報に基づいて基板ステージＰＳの目標制御位置を算出し、可動子ＬＭ１，ＬＭ２と定盤ＢＰに設けられた固定子ＬＧ１，ＬＧ２からなるリニアモーターシステムへ制御信号を伝達し、基板ステージＰＳの位置制御を行なう。
【０１２８】
また、位置検出光学系ＡＬＬ，ＡＬＲが検出した、基板ＧＰ上の基板パターンのＹ方向位置に基づいて、可変成形光学系ＶＯ１〜７等の発光コントローラーＬＣ２を制御し、光源ＬＳ２の発光を制御することもできる。すなわち、可変成形光学系ＶＯ１〜７と基板パターン中の所定のパターンが所定の関係になった際に可変成形光学系ＶＯ１〜７等の露光を行ない、それ以外の場合には可変成形光学系ＶＯ１〜７等による露光を停止させることもできる。
【０１２９】
ところで、上記の露光装置の実施例においては、干渉光学系ＩＯ１と可変成形光学系ＶＯ１（または可変成形光学系ＶＯ１Ａ及びＶＯ１Ｂ）は、Ｙ方向に沿って、すなわちほぼ同一のＸ座標上であってＹ座標が異なる位置に配置されるものとしたが、各光学系の配列はこれに限るものではない。すなわち、それぞれの干渉光学系ＩＯ１〜７と可変成形光学系ＶＯ１〜７等を、異なるＸ座標位置に配置しても構わない。重要なことは、基板ＧＰ上のほぼ全面について、必ず、いずれかの干渉光学系ＩＯ１〜７といずれかの可変成形光学系ＶＯ１〜７等との双方による露光が可能な様に、各光学系を配置することである。
【０１３０】
なお、可変成形光学系は、図４に示した構成に限らず、他の構成からなる光学系を採用することも可能であり、例えば、図９に示す如き光学系ＶＯＡを使用することもできる。
図４に示した可変成形光学系ＶＯ１と本例の可変成形光学系ＶＯＡの相違点は、マスクＭＧ１上のマスクパターンを、結像光学系Ｌ２３，Ｌ２４，Ｌ２５を介して面Ｓ上にパターンＶＩ２として結像投影することにある。すなわち、マスクＭＧ１上を透過した露光光ＩＬ６は結像光学系Ｌ２３，Ｌ２４，Ｌ２５に入射し、これにより集光され露光光ＩＬ７となって面Ｓ上にパターンＶＩ２を形成する。それ以外の構成は、図４に示した可変成形光学系ＶＯ１と同様である。
【０１３１】
また、可変成形光学系として、例えば、図１０に示す如き光学系ＶＯＢを使用することもできる。
図１０に示す可変成形光学系ＶＯＢは、マスクとして、マイクロミラーアレーＶＭを有する可変成形マスクＭＶ１を備えるものである。発光コントローラーＬＣ３により発光・停止が制御される半導体レーザ等のレーザまたは発光ダイオード等からなる光源ＬＳ３から発する露光光ＩＬ８は、集光レンズＬ３１，Ｌ３２により成形され露光光ＩＬ８となり、可変成形マスクＭＶ１に照射される。
【０１３２】
可変成形マスクＭＶ１上のマイクロミラーアレーＶＭは、これを構成するそれぞれのミラーの傾き角に応じて、露光光ＩＬ８を投影レンズＬ３２，Ｌ３３，Ｌ３４に向かって、あるいは、それ以外の方向に反射させる。従って、面Ｓ上には、露光光ＩＬ１０によりマイクロミラーアレーＶＭのそれぞれのミラーの傾き角に応じた明暗パターンＶＩ３が形成される。ここで、マイクロミラーアレーＶＭを構成するそれぞれのミラーの傾き角は、パターン制御系ＬＣ４より入力される信号に応じて変更可能である。
【０１３３】
従って、本例の可変成形光学系ＶＯＢは、基板ＧＰ上に露光される露光パターンの形状をより高い自由度で可変とすることができる利点がある。
一方、可変成形マスク以外のマスクを使用する前述の可変成形光学系は、発光コントローラーＬＣ２及び光源ＬＳ２等の切り替え機構により、基板ＧＰ上に露光される露光光の照射及び非照射の切り替えを、時分割に、かつ一括して行なう。よって、基板ＧＰ上に露光する露光パターンの形状を変更するために必要な信号の入力が、光源ＬＳ２等または発光コントローラーＬＣ２への発光または停止を指令する信号のみとすることができるので、高速な信号伝達が可能であり、より高速な走査露光への適用が容易になるという利点がある。
【０１３４】
次に、本例の露光装置及び露光方法を用いたフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法の一例について、図１１及び図１２を用いて説明する。
図１１は、フラットパネルディスプレイの一つである液晶ディスプレイを構成するガラス基板上に形成された、いわゆる表示画素部を表わす拡大図である。
【０１３５】
以下、図１１に示した複数の表示画素のうち、透明電極ＰＥ２とトランジスタを構成するアクティブエリアＴＲ２とソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２からなる表示画素に着目して説明する。なお、この表示画素には、表示信号を伝達するための信号線ＳＬ１とこの表示画素を選択するための選択線ＧＬ２が接続されている。
【０１３６】
本例による表示画素部の製造は、以下の各工程により成される。
始めに工程１として、ガラス基板上に、図１２（Ａ）に示す如く選択線ＧＬ１及びゲート電極ＴＧ２を形成する。
【０１３７】
選択線ＧＬ２は、図１１に示した如く、１方向に伸びる線状パターンが、それと直交するする方向に比較的大きな周期で複数配列された基板パターンＧＬ１，ＧＬ２，ＧＬ３の一部であるので、図５に示した上述の露光方法の第１の実施例による露光で形成することができる。
【０１３８】
すなわち、ガラス基板上に選択線ＧＬの材料となるアルミニウムやタンタル等の金属薄膜を形成し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布し、上述の第１の実施例による露光を行なう。そして、フォトレジストを現像し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして上記金属薄膜をエッチングすることにより、選択線ＧＬ１，ＧＬ２，ＧＬ３を形成する。
【０１３９】
ゲート電極ＴＧ２は、図１１に示した如く、選択線ＧＬとは直交する方向に所定の長さを有する線状パターンであり、各表示画素の配列周期に応じて、２次元に周期的に配列されたパターンの一部である。よって、ゲート電極ＴＧ２は、図７に示した上述の露光方法の第２の実施例による露光で形成することができる。
【０１４０】
すなわち、選択線ＧＬが形成されたガラス基板上にゲート電極ＴＧ２の材料となるアルミニウムやタンタル等の金属薄膜を形成し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布し、上述の第２の実施例による露光を行なう。ただし、露光に際しては、選択線ＧＬでの露光時に対し、ガラス基板を９０度回転して本例の露光装置に装填する必要がある。選択線ＧＬとゲート電極ＴＧ２とで基板パターンの長手方向が９０度異なるからである。
【０１４１】
そして、フォトレジストを現像し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして上記金属薄膜をエッチングすることにより、ゲート電極ＴＧ２を形成する。
そして、例えば溶液中での陽極酸化により、ゲート電極ＴＧ２上にゲート酸化膜を形成する。
【０１４２】
次に工程２として、図１２（Ｂ）に示す如く薄膜トランジスタを構成するアクティブエリアＴＲ２からなる基板パターンをゲート電極ＴＧ２に交差させて形成する。
アクティブエリアＴＲ２は、選択線ＧＬと平行であって、所定の長さを有する線状パターンであって、各表示画素の配列周期に応じて２次元に周期的に配列される基板パターンＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４，ＴＲ５，ＴＲ６の一部である。よって、アクティブエリアＴＲ２についても、図７に示した上述の露光方法の第２の実施例による露光で形成することができる。
【０１４３】
すなわち、ガラス基板上にアクティブエリアＴＲ２の材料となるアモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体薄膜を形成し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布し、上述の第２の実施例による露光を行なう。そして、フォトレジストを現像し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして上記半導体薄膜をエッチングすることにより、アクティブエリアＴＲ２を形成できる。
【０１４４】
次に工程３として、図１２（Ｃ）に示す如く薄膜トランジスタの電極であるソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２を、アクティブエリアＴＲ２の両端部に形成する。
ソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２は、ゲート電極ＴＧ２と平行な方向に所定の長さを有する隣接して配置された２本の線状パターンである。そして、この２本の線状パターンの対が、各表示画素の配列周期に応じて２次元に周期的に配列される基板パターンＴＳ１，ＴＤ１，ＴＳ２，ＴＤ２，ＴＳ３，ＴＤ３，ＴＳ４，ＴＤ４，ＴＳ５，ＴＤ５，ＴＳ６，ＴＤ６の一部である。
【０１４５】
従って、ソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２は、図８に示した上述の露光方法の第３の実施例による露光で形成することができる。
すなわち、ガラス基板上にソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２の材料となるアルミニウム等の金属薄膜またはアモルファスシリコン等の半導体薄膜を形成し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布し、上述の第３の実施例による露光を行なう。そして、フォトレジストを現像し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして上記薄膜をエッチングすることにより、ソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２が得られる。
【０１４６】
ただし、露光に際しては、選択線ＧＬでの露光時に対し、ガラス基板を９０度回転して本例の露光装置に装填する必要がある。選択線ＧＬとソース電極ＴＳ２とドレイン電極ＴＤ２とで、基板パターンの長手方向が９０度異なるからである。
【０１４７】
次に工程４として、図１２（Ｄ）に示す如く信号線ＳＬ１を、ソース電極に位置整合させて形成する。
信号線ＳＬ１は、選択線ＧＬ２と直交する方向にのびる線状パターンであり、各表示画素の配列周期に応じて１次元に周期的に配列される基板パターンＳＬ１，ＳＬ２の一部である。
【０１４８】
従って、信号線ＳＬ１は、図５に示した上述の露光方法の第１の実施例による露光で形成することができる。
すなわち、ガラス基板上に信号線ＳＬ１の材料となるアルミニウム等の金属薄膜またはアモルファスシリコン等の半導体薄膜を形成し、その上にポジ型のフォトレジストを塗布し、上述の第１の実施例による露光を行なう。そして、フォトレジストを現像し、得られたレジストパターンをエッチングマスクとして上記薄膜をエッチングすることにより、信号線ＳＬ１を形成することができる。
【０１４９】
ただし、露光に際しては、選択線ＧＬでの露光時に対し、ガラス基板を９０度回転して本例の露光装置に装填する必要がある。選択線ＧＬと信号線ＳＬ１とで、基板パターンの長手方向が９０度異なるからである。
【０１５０】
次に工程５として、透明電極ＰＥ１，ＰＥ２，ＰＥ３を、その一部がドレイン電極に位置整合するように形成する。ただし、透明電極ＰＥ１〜３の幅は、ソース電極、ドレイン電極等の他の要素に比べて微細ではない。よって、透明電極ＰＥ１〜３の形成に際しては、本発明の露光方法の各実施例による露光を用いずに、従来使用されてきたプロキシミティ露光や投影露光による方法を用いて形成すればよい。
【０１５１】
以上で、液晶ディスプレイに用いられる基板上の表示画素部の製造が完了する。
ところで、上記の第１から第５の工程における露光においても、形成すべき基板パターンがそれほど微細でない場合には、本例の露光方法を適用せずに、例えば従来のプロキシミティ露光や投影露光による方法を適用しても良いことは言うまでもない。
【０１５２】
なお、上記の表示画素部の製造方法の説明に際し、製造工程中の公知の技術内容については説明を省略したが、上記実施例に対し、各種の公知の技術を組み合わせることにより、フラットパネル用基板の製造を行なうことができることは言うまでも無い。
【０１５３】
なお、本発明によるフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法は、上記の実施例に限定されるものではなく、上記基板の製造工程の中の少なくとも一つの工程で、任意の露光パターンを本発明による露光方法を用いて形成するものであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明の露光方法は、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造において実施可能であり、産業上利用することができる。
【０１５５】
本発明の露光装置は、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等の電子デバイスの製造において実施可能であり、産業上利用することができる。
【０１５６】
また、本発明のフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法は、フラットパネルディスプレイ用基板の製造において実施可能であり、産業上利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】本発明の露光装置の実施例を表わす図である。
【図２】本発明の露光装置の実施例における光学系との配置等を表わす図である。（Ａ）は干渉式光学系ＩＯ１〜７と可変成形光学系ＶＯ１〜７の配置を表わす図、（Ｂ）は本例の露光装置により露光された基板ＧＰ上の部分領域Ｅ１〜７を表わす図である。
【図３】干渉式光学系ＩＯ１の実施例を表わす図である。（Ａ）は干渉式光学系ＩＯ１を表わす断面図であり、（Ｂ）は第１透光板ＧＰ１の概要を表わす上面である。
【図４】可変成形光学系ＶＯ１の実施例を表わす図である。（Ａ）は可変成形光学系ＶＯ１を表わす断面図であり、（Ｂ）はマスクＭＧ１の概要を表わす上面である。
【図５】本発明の露光方法の第１の実施例を表わす図である。
【図６】光学系組の変形例を表わす図である。
【図７】本発明の露光方法の第２の実施例を表わす図である。
【図８】本発明の露光方法の第３の実施例を表わす図である。
【図９】可変成形光学系の変形例を表わす図である。
【図１０】可変成形光学系の変形例を表わす図である。
【図１１】液晶ディスプレイ用基板の一部分を表わす図である。
【図１２】本発明のフラットパネルディスプレイ用基板の製造方法の実施例について説明する図である。
【符号の説明】
【０１５８】
ＧＰ…基板、ＰＳ…基板ステージ、ＯＰ１〜ＯＰ７…光学系組、ＩＯ１〜ＩＯ７…干渉式光学系、ＶＯ１〜ＶＯ７…可変成形光学系、ＬＭ１，ＬＭ２…リニアモーター可動子、ＬＧ１，ＬＧ２…リニアモーター固定子、ＢＰ…定盤
【図１】
0005396719.tif 000002
【図２】
0005396719.tif 000003
【図３】
0005396719.tif 000004
【図４】
0005396719.tif 000005
【図５】
0005396719.tif 000006
【図６】
0005396719.tif 000007
【図７】
0005396719.tif 000008
【図８】
0005396719.tif 000009
【図９】
0005396719.tif 000010
【図１０】
0005396719.tif 000011
【図１１】
0005396719.tif 000012
【図１２】
0005396719.tif 000013