(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含む封着ガラスと、低膨張充填材と、レーザ吸収材とを含有することを特徴とするレーザ封着用ガラス材料。
【請求項２】
さらに、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５およびＳｎＯｘ（ｘは１または２である）から選ばれる少なくとも１種を１０質量％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ封着用ガラス材料。
【請求項３】
封止領域を有し、ソーダライムガラスからなるガラス基板と、
前記ガラス基板の前記封止領域上に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする封着材料層付きガラス部材。
【請求項４】
封止領域を有し、無アルカリガラスからなるガラス基板と、
前記ガラス基板の前記封止領域上に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする封着材料層付きガラス部材。
【請求項５】
前記低膨張充填材はシリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、コージェライト、リン酸ジルコニウム系化合物、ソーダライムガラスおよび硼珪酸ガラスから選ばれる少なくとも１種からなり、かつ前記封着用ガラス材料は前記低膨張充填材を１〜５０体積％の範囲で含有することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の封着材料層付きガラス部材。
【請求項６】
前記レーザ吸収材はＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種の金属または前記金属を含む化合物からなり、かつ前記封着用ガラス材料は前記レーザ吸収材を０．１〜１０体積％の範囲で含有することを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれかに記載の封着材料層付きガラス部材。
【請求項７】
前記封着ガラスは、さらにＡｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５およびＳｎＯｘ（ｘは１または２である）から選ばれる少なくとも１種を１０質量％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項３〜請求項６のいずれかに記載の封着材料層付きガラス部材。
【請求項８】
前記封着材料層は厚さと幅の積で表される断面積が１５０００μｍ２以下であることを特徴とする請求項３〜請求項７のいずれかに記載の封着材料層付きガラス部材。
【請求項９】
電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、ソーダライムガラスからなる第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域を有し、ソーダライムガラスからなる第２のガラス基板と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域と前記第２のガラス基板の前記第２の封止領域との間を、前記素子形成領域上に間隙を設けつつ封止するように形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、無アルカリガラスからなる第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域を有し、無アルカリガラスからなる第２のガラス基板と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域と前記第２のガラス基板の前記第２の封止領域との間を、前記素子形成領域上に間隙を設けつつ封止するように形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記封着ガラスは、さらにＡｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５およびＳｎＯｘ（ｘは１または２である）から選ばれる少なくとも１種を１０質量％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記電子素子は有機ＥＬ素子または太陽電池素子であることを特徴とする請求項９〜請求項１１のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項１３】
電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、ソーダライムガラスからなる第１のガラス基板を用意する工程と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域上に形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを有し、ソーダライムガラスからなる第２のガラス基板を用意する工程と、
前記素子形成領域上に間隙を形成しつつ、前記封着材料層を介して前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを積層する工程と、
前記第２のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融させて前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板との間を封止する封着層を形成する工程とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、無アルカリガラスからなる第１のガラス基板を用意する工程と、
前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域上に形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを有し、無アルカリガラスからなる第２のガラス基板を用意する工程と、
前記素子形成領域上に間隙を形成しつつ、前記封着材料層を介して前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを積層する工程と、
前記第２のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融させて前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板との間を封止する封着層を形成する工程とを具備し、
前記封着ガラスは、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記封着ガラスは、さらにＡｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５およびＳｎＯｘ（ｘは１または２である）から選ばれる少なくとも１種を１０質量％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記封着材料層は厚さと幅の積で表される断面積が１５０００μｍ２以下であることを特徴とする請求項１３〜請求項１５のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記電子素子は有機ＥＬ素子または太陽電池素子であることを特徴とする請求項１３〜請求項１６のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ封着用ガラス材料、それを用いた封着材料層付きガラス部材および電子デバイスとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＯＥＬＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）等の平板型ディスプレイ装置（ＦＰＤ）は、発光素子を形成した素子用ガラス基板と封止用ガラス基板とを対向配置し、これら２枚のガラス基板を封着したガラスパッケージで発光素子を封止した構造を有している（特許文献１参照）。さらに、色素増感型太陽電池のような太陽電池においても、２枚のガラス基板で太陽電池素子（光電変換素子）を封止したガラスパッケージを適用することが検討されている（特許文献２参照）。【０００３】
２枚のガラス基板間を封止する封着材料としては、封着樹脂や封着ガラスが用いられている。有機ＥＬ（ＯＥＬ）素子等は水分により劣化しやすいことから、耐湿性等に優れる封着ガラスの適用が進められている。封着ガラスによる封着温度は４００〜６００℃程度であるため、通常の焼成炉を用いて加熱処理した場合にはＯＥＬ素子等の電子素子部の特性が劣化してしまう。そこで、２枚のガラス基板の周辺部に設けられた封止領域間にレーザ吸収材を含む封着用ガラス材料層を配置し、これにレーザ光を照射して封着用ガラス材料層を加熱、溶融させて封着することが試みられている（特許文献１，２参照）。【０００４】
レーザ照射による封着（レーザ封着）は電子素子部への熱的影響を抑制できる反面、従来の封着ガラス（ガラスフリット）では封着層とガラス基板との接着強度を十分に高めることが難しく、これがＦＰＤや太陽電池等の電子デバイスの信頼性を低下させる要因となっている。レーザ封着用の封着ガラス（ガラスフリット）としては、ＰｂＯ系ガラス粉末、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラス粉末（特許文献３参照）、またＶ２Ｏ５系ガラス粉末（特許文献１参照）の使用が検討されている。これらのうち、Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス粉末は軟化点が低く、また環境や人体に対する影響が少ないことから、レーザ封着用のガラスフリットに好適な材料である。【０００５】
しかしながら、従来の焼成炉による加熱用のＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスフリットを単にレーザ封着用のガラスフリットに適用しただけでは、封着層とガラス基板との接着強度を十分に高めることができない。例えば、特許文献４，５には焼成炉での加熱に適用するＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラスフリットが記載されている。そのようなＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス組成では、レーザ加熱処理でガラス基板に対する接着強度を十分に高めることが難しい。これは焼成炉による加熱とレーザ加熱とによるガラスフリットの溶融条件等の違いに基づくものと考えられる。特に、ガラス基板に熱膨張係数が大きいソーダライムガラスを適用した場合、レーザ封着による封着層とガラス基板との接着強度が低下しやすい。【０００６】
ガラス基板に熱膨張係数が小さい無アルカリガラスを適用した場合でも、ソーダライムガラスと同様に接着強度が低下しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００６−５２４４１９号公報
【特許文献２】特開２００８−１１５０５７号公報
【特許文献３】特開２００８−０５９８０２号公報
【特許文献４】特開２００３−１２８４３０号公報
【特許文献５】特開２００６−１３７６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、レーザ封着時にソーダライムガラスや無アルカリガラスからなるガラス基板との接着強度を再現性よく高めることを可能にしたレーザ封着用ガラス材料とそれを用いた封着材料層付きガラス部材、さらに封着層とガラス基板との接着強度を高めることによって、封着信頼性や機械的信頼性等を高めることを可能にした電子デバイスとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様に係るレーザ封着用ガラス材料は、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含む封着ガラスを含むことを特徴としている。そして、同レーザ封着用ガラス材料は、前記封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する。なお、本発明において封着ガラスの組成割合は、各成分記載の酸化物基準の質量％、またはｐｐｍで表示する。【００１０】
本発明の態様に係る封着材料層付きガラス部材は、封止領域を有し、ソーダライムガラスまたは無アルカリガラスからなるガラス基板と、前記ガラス基板の前記封止領域上に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを具備し、前記封着ガラスは質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴としている。【００１１】
本発明の他の態様に係る電子デバイスは、電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、ソーダライムガラスまたは無アルカリガラスからなる第１のガラス基板と、前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域を有し、ソーダライムガラスからなる第２のガラス基板と、前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域と前記第２のガラス基板の前記第２の封止領域との間を、前記素子形成領域上に間隙を設けつつ封止するように形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、前記封着ガラスは質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴としている。【００１２】
本発明の他の態様に係る電子デバイスの製造方法は、電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周側に設けられた第１の封止領域とを有し、ソーダライムガラスまたは無アルカリガラスからなる第１のガラス基板を用意する工程と、前記第１のガラス基板の前記第１の封止領域に対応する第２の封止領域と、前記第２の封止領域上に形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを有し、ソーダライムガラスからなる第２のガラス基板を用意する工程と、前記素子形成領域上に間隙を形成しつつ、前記封着材料層を介して前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを積層する工程と、前記第２のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融させて前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板との間を封止する封着層を形成する工程とを具備し、前記封着ガラスは質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るレーザ封着用ガラス材料とそれを用いた封着材料層付きガラス部材によれば、レーザ封着時にソーダライムガラス基板と封着層の接着強度を再現性よく高めることができる。また、レーザ封着時に無アルカリガラス基板と封着層の接着強度を再現性よく高めることができる。従って、本発明の態様に係る電子デバイスとその製造方法によれば、電子デバイスの封着信頼性や機械的信頼性を高めることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態による電子デバイスの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態による電子デバイスの製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に示す電子デバイスの製造工程で使用する第１のガラス基板を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図５】図２に示す電子デバイスの製造工程で使用する第２のガラス基板を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態による電子デバイスの構成を示す図、図２は電子デバイスの製造工程を示す図、図３ないし図６はそれに用いるガラス基板の構成を示す図である。図１に示す電子デバイス１は、ＯＥＬＤ、ＰＤＰ、ＬＣＤ等のＦＰＤ、ＯＥＬ素子等の発光素子を使用した照明装置、あるいは色素増感型太陽電池のような太陽電池等を構成するものである。
【００１６】
電子デバイス１は、電子素子を備える素子形成領域２ａを有する第１のガラス基板（素子用ガラス基板）２と、第２のガラス基板（封止用ガラス基板）３とを具備している。第１および第２のガラス基板２、３はソーダライムガラスからなるものである。ソーダライムガラス系の各種公知の組成を適用することができる。ソーダライムガラスは一般的に８５〜９０×１０−７／℃程度の熱膨張係数を有している。例えば、ソーダライムガラスとしては、市販されているＡＳ（旭硝子社製）、ＰＤ２００（旭硝子社製）、などが使用できる。またこれらを化学強化したガラスなども使用できる。
【００１７】
第１のガラス基板２の素子形成領域２ａには、電子デバイス１に応じた電子素子、例えばＯＥＬＤやＯＥＬ照明であればＯＥＬ素子、ＰＤＰであればプラズマ発光素子、ＬＣＤであれば液晶表示素子、太陽電池であれば色素増感型光電変換部等が形成されている。ＯＥＬ素子のような発光素子や色素増感型光電変換部のような太陽電池素子等の電子素子は各種公知の構造を備えており、これら素子構造に限定されるものではない。
【００１８】
第１のガラス基板２は図３および図４に示すように素子形成領域２ａの外周側に設けられた第１の封止領域２ｂを有している。第１の封止領域２ｂは素子形成領域２ａを囲うように設定されている。第２のガラス基板３は図５および図６に示すように第２の封止領域３ａを有している。第２の封止領域３ａは第１の封止領域２ｂに対応するものである。すなわち、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とを対向配置した際に、第１の封止領域２ｂと第２の封止領域３ａとは対面するように設定されており、後述するように封着層４の形成領域（第２のガラス基板３については封着材料層５の形成領域）となる。
【００１９】
第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とは、素子形成領域２ａ上に間隙を形成するように対向配置されている。第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間の空間は封着層４で封止されている。すなわち、封着層４は第１のガラス基板２の封止領域２ｂと第２のガラス基板３の封止領域３ａとの間を、素子形成領域２ａ上に間隙を設けつつ封止するように形成されている。素子形成領域２ａに形成された電子素子は、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３と封着層４とで構成されたガラスパネルで気密封止されている。
【００２０】
封着層４は第２のガラス基板３の封止領域３ａ上に形成された封着材料層５をレーザ光６で溶融させて第１のガラス基板２の封止領域２ｂに固着させた溶融固着層からなるものである。すなわち、電子デバイス１の作製に用いられる第２のガラス基板３の封止領域３ａには、図５および図６に示すように枠状の封着材料層５が形成されている。第２のガラス基板３の封止領域３ａに形成された封着材料層５を、レーザ光６の熱で第１のガラス基板２の封止領域２ｂに溶融固着させることによって、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間の空間（素子配置空間）を封止する封着層４が形成される。
【００２１】
封着材料層５は封着ガラス（ガラスフリット）とレーザ吸収材と低膨張充填材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層である。封着用ガラス材料は主成分としての封着ガラスにレーザ吸収材と低膨張充填材とを配合したものである。封着用ガラス材料はこれら以外の添加材を必要に応じて含有していてもよい。封着用ガラス材料の主成分としての封着ガラス（レーザ封着用ガラス材料）には、質量割合で７０〜９０％のＢｉ２Ｏ３、１〜２０％のＺｎＯ、２〜１２％のＢ２Ｏ３および１０〜３８０ｐｐｍのＮａ２Ｏの組成を有するビスマス系ガラス（Ｂｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系ガラス）が用いられる。
【００２２】
レーザ封着用の封着ガラス（ガラスフリット）には、ガラスの溶融温度を制御するためにガラス自体がレーザを吸収しない（透明なガラスである）ことが好ましい。封着ガラスに添加するレーザ吸収材の種類や量等で溶融温度を制御することによって、レーザ封着工程を信頼性よく実施することが可能となる。また、封着ガラス（ガラスフリット）はガラス基板２、３に対する熱衝撃を抑えるために溶融温度がより低温であることが好ましい。さらに、環境や人体に対する影響を考慮して、鉛やバナジウム等を含まないことが好ましい。ビスマス系ガラスフリットはこのような要求に適合するものである。
【００２３】
この実施形態で用いられる封着ガラス（ガラスフリット）において、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯおよびＢ２Ｏ３の３成分で形成されるガラスは、透明でガラス転移点が低い等の特性を有することから、低温加熱用の封着材料として適したものである。ただし、上記した３成分による封着ガラスをレーザ封着に適用しただけでは、ガラス基板２、３と封着層４との接着強度を十分に高めることができない。これは焼成炉による加熱とレーザ加熱とによるガラスフリットの溶融条件等の違いに基づくものと考えられる。
【００２４】
ガラス基板とガラスフリットとの接着強度は、それらの熱膨張差による残留歪みとガラス基板とガラスフリットとの界面反応に基づくものである。一般的な焼成炉による加熱を適用した場合には、ガラス基板やガラスフリットの種類に関係なく、ガラス基板とガラスフリット（封着層）との界面に反応層が形成され、化学的結合により接着強度を高めることができる。言い換えると、焼成炉による加熱を適用した封着工程は接着界面に反応層が形成されるだけの時間があるため、十分な接着強度を得ることが可能となる。
【００２５】
一方、レーザ加熱を適用した封着工程は、枠状の封着材料層５に沿ってレーザ光６を走査しながら照射することにより実施される。封着材料層５はレーザ光６が照射された部分から順に溶融し、レーザ光６の照射終了と共に急冷固化される。このように、レーザ封着工程では反応層の形成時間を十分に得ることができない。このため、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯおよびＢ２Ｏ３の３成分で形成されるガラスフリットでは、レーザ封着時にガラス基板２、３と封着層４との接着強度を十分に高めることができない。
【００２６】
レーザ加熱を適用した封着工程において、接着界面に反応層を形成するためにはガラスフリット中に拡散しやすい元素、具体的には１価の軽金属を含有させることが効果的である。特に、ガラス基板組成（ソーダライムガラス組成）にも含まれているＮａ２Ｏを、ビスマス系ガラスフリットに含有させることが効果的である。このような４成分系のビスマス系ガラスフリットを使用することによって、レーザ封着時におけるガラス基板２、３とビスマス系ガラスフリット（封着層４）との接着強度を高めることが可能となる。
【００２７】
すなわち、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯおよびＢ２Ｏ３の３成分で形成されるビスマス系ガラスフリットに適量のＮａ２Ｏを含有させることで、局所的なガラスフリットの溶融固化が短時間で行われるレーザ封着においても、ソーダライムガラスからなるガラス基板２、３とビスマス系ガラスフリットとの反応性が向上する。すなわち、レーザ封着工程においても接着界面に反応層を形成することができる。従って、レーザ封着時におけるガラス基板２、３とビスマス系ガラスフリット（封着層４）との接着強度を高めることが可能となる。
【００２８】
この実施形態で用いる封着ガラス（ビスマス系ガラスフリット）において、Ｂｉ２Ｏ３はガラスの網目を形成する成分であり、封着ガラス中に７０〜９０質量％の範囲で含有させる。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が７０質量％未満であるとガラスフリットの軟化温度が高くなり、低温での封着が困難になる。さらに、ガラスフリットを軟化させるためにはレーザ光６の出力を高くする必要が生じ、その結果としてガラス基板２、３にクラック等が発生しやすくなる。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が９０質量％を超えるとガラス化しにくくなり、ガラスの製造が困難になると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。
【００２９】
ＺｎＯは熱膨張係数や軟化温度を下げる成分であり、封着ガラス中に１〜２０質量％の範囲で含有させる。ＺｎＯの含有量が１質量％未満であるとガラス化が困難になる。ＺｎＯの含有量が２０質量％を超えると低融点ガラス成形時の安定性が低下し、失透が発生しやすくなって、封着ガラスが得られないおそれがある。ガラス製造の安定性等を考慮して、ＺｎＯの含有量は７〜１２質量％の範囲とすることがより好ましい。
【００３０】
Ｂ２Ｏ３はガラス骨格を形成してガラス化が可能になる範囲を広げる成分であり、封着ガラス中に２〜１２質量％の範囲で含有させる。Ｂ２Ｏ３の含有量が２質量％未満であるとガラス化が困難になる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１２質量％を超えると軟化点が高くなり、レーザ光６の出力を高くする必要が生じて、ガラス基板２、３にクラック等が発生しやすくなる。ガラスの安定性やレーザ出力等を考慮して、Ｂ２Ｏ３の含有量は５〜１０質量％の範囲とすることがより好ましい。
【００３１】
Ｎａ２Ｏはソーダライムガラスからなるガラス基板２、３と封着層４（封着ガラスとレーザ吸収材と低膨張充填材とを含有する封着材料層５の溶融固着層）との接着強度を向上させる成分であり、封着ガラス中に質量割合で１０〜３８０ｐｐｍの範囲で含有させる。Ｎａ２Ｏの含有量が１０ｐｐｍ未満であると接着強度の向上効果を十分に得ることができない。一方、Ｎａ２Ｏの含有量が３８０ｐｐｍを超えるとレーザ封着時に第１のガラス基板２に形成された配線等と反応しやすくなる。
【００３２】
すなわち、第１のガラス基板２の封止領域２ｂには、素子形成領域２ａに形成された電子素子の電極を外部に引き出す配線等が形成されている。過剰なＮａ２Ｏは第１のガラス基板２上の配線と反応し、配線に断線等を発生させるおそれがある。さらに、Ｎａ２Ｏの含有量が多すぎると封着ガラスの安定性が損なわれ、失透が発生しやすくなって、封着ガラスが得られなくなるおそれがある。ガラス基板２、３と封着層４との接着強度の向上効果、配線等への影響、封着ガラスの安定性等を考慮して、Ｎａ２Ｏの含有量は質量割合で１０〜１００ｐｐｍの範囲とすることがより好ましい。
【００３３】
上述したＮａ２Ｏと同様に、Ｌｉ２ＯやＫ２Ｏもガラス基板２、３と封着層４との接着界面に反応層を形成させる成分として機能する。ただし、これらアルカリ金属酸化物のうちでも、特にガラス基板組成（ソーダライムガラス組成）中に必須に含まれているＮａ２Ｏが効果的であることから、この実施形態の封着ガラスはＮａ２Ｏを必須成分として含んでいる。Ｎａ２Ｏの一部はＬｉ２ＯおよびＫ２Ｏから選ばれる少なくとも１種で置換してもよい。Ｌｉ２ＯやＫ２ＯによるＮａ２Ｏの置換量は、接着界面における反応層の形成性等を考慮して、Ｎａ２Ｏ量の５０質量％以下とすることが好ましい。Ｌｉ２ＯやＫ２ＯによってＮａ２Ｏを置換する場合には、Ｎａ２Ｏの含有量は質量割合で１０〜１９０ｐｐｍの範囲とすることが好ましい。
【００３４】
上述した４成分で形成される封着ガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｓ２Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｐ２Ｏ５、ＳｎＯｘ（ｘは１または２である）等の任意成分を含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎると封着ガラスが不安定となって失透が発生したり、ガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は１０質量％以下とすることが好ましい。任意成分の合計含有量の下限値は特に限定されるものではない。ビスマス系ガラス（ガスフリット）には、添加内容に基づいて有効量の任意成分を配合することができる。
【００３５】
上記した任意成分のうち、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等はガラスの安定化に寄与する成分であり、その含有量は０〜５質量％の範囲とすることが好ましい。Ｃｓ２Ｏはガラスの軟化温度を下げる効果を有し、ＣｅＯ２はガラスの流動性を安定化させる効果を有する。Ａｇ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、Ｎｂ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＳｎＯｘ等はガラスの粘性や熱膨張係数等を調整する成分として含有させることができる。これら各成分の含有量は任意成分の合計含有量が１０質量％を超えない範囲内で適宜に設定することができる。
【００３６】
封着用ガラス材料は低膨張充填材を含有している。低膨張充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、コージェライト、リン酸ジルコニウム系化合物、ソーダライムガラスおよび硼珪酸ガラスから選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。リン酸ジルコニウム系化合物としては、（ＺｒＯ）２Ｐ２Ｏ７、ＡＺｒ２（ＰＯ４）３（ＡはＮａ、ＫおよびＣａから選ばれる少なくとも１種）、ＮｂＺｒ２（ＰＯ４）３、Ｚｒ２（ＷＯ３）（ＰＯ４）２、これらの複合化合物が挙げられる。低膨張充填材とは封着用ガラス材料の主成分である封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。
【００３７】
低膨張充填材の含有量は、封着ガラスの熱膨張係数がガラス基板２、３の熱膨張係数に近づくように適宜に設定される。低膨張充填材は封着ガラスやガラス基板２、３の熱膨張係数にもよるが、封着用ガラス材料に対して１〜５０体積％の範囲で含有させることが好ましい。この実施形態ではガラス基板２、３をソーダライムガラス（熱膨張係数：８５〜９０×１０−７／℃）で形成しているため、低膨張充填材を封着用ガラス材料に対して１５〜４５体積％の範囲で添加することがより好ましい。
【００３８】
封着用ガラス材料はさらにレーザ吸収材を含有している。レーザ吸収材としてはＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる少なくとも１種の金属または前記金属を含む酸化物等の化合物が用いられる。レーザ吸収材の含有量は封着用ガラス材料に対して０．１〜１０体積％の範囲とすることが好ましい。レーザ吸収材の含有量が０．１体積％未満であると、レーザ照射時に封着材料層５を十分に溶融させることができない。レーザ吸収材の含有量が１０体積％を超えると、レーザ照射時に第２のガラス基板３との界面近傍で局所的に発熱して第２のガラス基板３に割れ等が生じたり、また封着用ガラス材料の溶融時の流動性が低下して第１のガラス基板２との接着性が低下するおそれがある。
【００３９】
封着材料層５の厚さＴ１は第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との要求間隙、すなわち封着層４の厚さＴ２に応じて設定される。この実施形態の電子デバイス１およびその製造工程は、特に封着材料層５の厚さＴ１を１０μｍ以上とする場合に有効である。このような厚さＴ１を有する封着材料層５にレーザ光６を照射して封着する場合においても、この実施形態によればガラス基板２、３と封着層４との接着強度、さらにガラスパネルの気密封止性等を向上させることが可能となる。
【００４０】
封着材料層５の厚さＴ１は、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との要求間隙Ｔ２に応じて設定されるものであるが、その場合においても封着材料層５の厚さＴ１と線幅Ｗとの積で表される断面積を１５０００μｍ２以下とすることが好ましい。封着材料層５の断面積が１５０００μｍ２を超えると、封着用ガラス材料を軟化流動させて接着するためのレーザ出力を高くする必要が生じ、その結果としてガラス基板２、３や封着層４にクラック等が生じやすくなる。レーザ出力に起因するクラック等の抑制効果を考慮すると、封着材料層５の断面積は１２０００μｍ２以下とすることがより好ましい。
【００４１】
封着材料層５の線幅Ｗは厚さＴ１および断面積に基づいて適宜に設定されるものであるが、封着材料層５の線幅Ｗがあまり小さいと封着層４の気密封止性や接着信頼性等が低下するおそれがある。このため、封着材料層５の線幅Ｗは４００μｍ以上とすることが好ましい。また、封着材料層５の厚さＴ１に関しては、封着層４の形成性や接着信頼性等を考慮して３０μｍ以下とすることが好ましい。また、Ｔ１は、１μｍ以上とするのが好ましい。
【００４２】
上述したような封着用ガラス材料からなる封着材料層５は、例えば以下のようにして第２のガラス基板３の封止領域３ａ上に形成される。まず、封着ガラス（ビスマス系ガラスフリット）とレーザ吸収材と低膨張充填材とを含有する封着用ガラス材料をビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製する。
【００４３】
ビヒクルとしては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース等を、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤に溶解したもの、あるいはメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリテート、２−ヒドロオキシエチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂を、メチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤に溶解したものが用いられる。
【００４４】
封着材料ペーストの粘度は、ガラス基板３に塗布する装置に対応した粘度に合わせればよく、樹脂（バインダ成分）と溶剤の割合や封着用ガラス材料とビヒクルの割合により調整することができる。封着材料ペーストには、消泡剤や分散剤のようにガラスペーストで公知の添加物を加えてもよい。封着材料ペーストの調製には、攪拌翼を備えた回転式の混合機やロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。
【００４５】
第２のガラス基板３の封止領域３ａに封着材料ペーストを塗布し、これを乾燥させて封着材料ペーストの塗布層を形成する。封着材料ペーストは、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を適用して第２の封止領域３ａ上に塗布したり、あるいはディスペンサ等を用いて第２の封止領域３ａに沿って塗布する。封着材料ペーストの塗布層は、例えば１２０℃以上の温度で１０分以上乾燥させる。乾燥工程は塗布層内の溶剤を除去するために実施するものである。塗布層内に溶剤が残留していると、その後の焼成工程でバインダ成分を十分に除去できないおそれがある。
【００４６】
上記した封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層５を形成する。焼成工程は、まず塗布層を封着用ガラス材料の主成分である封着ガラス（ガラスフリット）のガラス転移点以下の温度に加熱し、塗布層内のバインダ成分を除去した後、封着ガラス（ガラスフリット）の軟化点以上の温度に加熱し、封着用ガラス材料を溶融してガラス基板３に焼き付ける。このようにして、封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層５を形成する。
【００４７】
次に、図２（ａ）示すように、封着材料層５を有する第２のガラス基板３と、それとは別に作製した電子素子を備える素子形成領域２ａを有する第１のガラス基板２とを用いて、ＯＥＬＤ、ＰＤＰ、ＬＣＤ等のＦＰＤ、ＯＥＬ素子を用いた照明装置、色素増感型太陽電池のような太陽電池等の電子デバイス１を作製する。すなわち、図２（ｂ）に示すように、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とを、素子形成領域２ａを有する面と封着材料層５を有する面とが対向するように積層する。第１のガラス基板２の素子形成領域２ａ上には、封着材料層５の厚さに基づいて間隙が形成される。
【００４８】
次いで、図２（ｃ）に示すように、第２のガラス基板３を通して封着材料層５にレーザ光６を照射する。レーザ光６は枠状の封着材料層５に沿って走査しながら照射される。レーザ光６は特に限定されるものではなく、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＨｅＮｅレーザ等からのレーザ光が使用される。レーザ光６の出力は封着材料層５の厚さ等に応じて適宜に設定されるものであるが、例えば２〜１５０Ｗの範囲とすることが好ましい。レーザ出力が２Ｗ未満であると封着材料層５を溶融できないおそれがあり、また１５０Ｗを超えるとガラス基板２、３にクラックや割れ等が生じやすくなる。レーザ光の出力は５〜１００Ｗの範囲であることがより好ましい。
【００４９】
封着材料層５はそれに沿って走査されるレーザ光６が照射された部分から順に溶融し、レーザ光６の照射終了と共に急冷固化されて第１のガラス基板２に固着する。そして、封着材料層５の全周にわたってレーザ光６を照射することによって、図２（ｄ）に示すように第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間を封止する封着層４を形成する。この際、封着ガラス（ビスマス系ガラスフリット）はソーダライムガラスからなるガラス基板２との反応性に優れるＮａ２Ｏを含んでいるため、レーザ光６の照射による短時間での溶融固化工程（封着工程）においても、ガラス基板２と封着ガラスとの接着性が向上する。従って、ガラス基板２、３と封着層４との接着強度を高めることができる。
【００５０】
このようにして、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３と封着層４とで構成したガラスパネルで、素子形成領域２ａに形成された電子素子を気密封止した電子デバイス１を作製する。電子デバイス１の信頼性は封着層４による気密封止性やガラス基板２、３と封着層４との接着強度等に依存する。この実施形態によれば気密封止性や接着強度を高めることができるため、信頼性に優れる電子デバイス１を得ることが可能となる。内部を気密封止したガラスパネルは電子デバイス１に限らず、電子部品の封止体（パッケージ）、あるいは真空ペアガラスのようなガラス部材（建材等）にも応用することが可能である。
【００５１】
その他の形態として、電子デバイス１のガラス基板２、３に３５〜４０×１０−７／℃程度の熱膨張係数を有した無アルカリガラスを適用した場合においても、上述のソーダライムガラスを用いた場合と同様のことが言える。ガラスフリット中のＮａ２Ｏの含有量の好ましい範囲も同様である。
無アルカリガラスとしては、例えば、市販されているＡＮ１００（旭硝子社製）、ＥＡＧＥＬ２０００（コーニング社製）、ＥＡＧＥＬ  ＧＸ（コーニング社製）ＪＡＤＥ（コーニング社製）、＃１７３７（コーニング社製）、ＯＡ−１０（日本電気硝子社製）、テンパックス（ショット社製）などが使用できる。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。なお、以下の説明は本発明を限定するものではく、本発明の趣旨に沿った形での改変が可能である。【００５３】
（実施例１）
質量割合でＢｉ２Ｏ３  ８２．０％、Ｂ２Ｏ３  ６．５％、ＺｎＯ  １１．０％、Ａｌ２Ｏ３  ０．５％の組成を有し、さらに質量割合で１８ｐｐｍのＮａ２Ｏを含むビスマス系ガラスフリット（軟化点：４２０℃）、低膨張充填材としてコージェライト粉末、質量割合でＦｅ２Ｏ３  ３５％、Ｃｒ２Ｏ３  ３５％、Ｃｏ２Ｏ３  ２０％、ＭｎＯ１０％の組成を有するレーザ吸収材を用意した。Ｎａ２Ｏの含有量はＩＣＰにより分析した。さらに、バインダ成分として４５ｃｐｓのエチルセルロース５質量％を、２，２，４−トリメチル−１，３ペンタンジオールモノイソブチレート９５質量％に溶解してビヒクルを作製した。【００５４】
ビスマス系ガラスフリット８５体積％とコージェライト粉末１０体積％とレーザ吸収材５体積％とを混合して封着用ガラス材料（熱膨張係数：７２×１０−７／℃）を作製した。この封着用ガラス材料８４質量％をビヒクル１６質量％と混合して封着材料ペーストを調製した。次いで、ソーダライムガラス（熱膨張係数：８７×１０−７／℃）からなる第２のガラス基板（寸法：１００×１００×０．５５ｍｍｔ）の外周領域に、封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布（線幅Ｗ：５００μｍ）した後、１２０℃×１０分の条件で乾燥した。この塗布層を４６０℃×１０分の条件で焼成することによって、膜厚Ｔ１が２０μｍの封着材料層を形成した。【００５５】
次に、封着材料層を有する第２のガラス基板と素子形成領域（ＯＥＬ素子を形成した領域）を有する第１のガラス基板（第２のガラス基板と同組成、同形状のソーダライムガラスからなる基板）とを積層した。次いで、第２のガラス基板を通して封着材料層に対して、波長９４０ｎｍ、出力６５Ｗのレーザ光（半導体レーザ）を５ｍｍ／ｓの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第１のガラス基板と第２のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。【００５６】
（実施例２〜６）
ビスマス系ガラスフリットの組成（Ｎａ２Ｏの含有量を含む）、低膨張充填材やレーザ吸収材の種類、およびこれらの配合比を表１に示す条件に変更する以外は、実施例１と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例１と同様にして、第２のガラス基板に対する封着材料層の形成および第１のガラス基板と第２のガラス基板とのレーザ封着を実施した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。【００５７】
（実施例７〜９）
ガラス基板を無アルカリガラス（熱膨張係数：３７×１０−７／℃）に変更し、ビスマス系ガラスフリットの組成（Ｎａ２Ｏの含有量を含む）、低膨張充填材やレーザ吸収材の種類、およびこれらの配合比を表１に示す条件に変更する以外は、実施例１と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例１と同様にして、第２のガラス基板に対する封着材料層の形成および第１のガラス基板と第２のガラス基板とのレーザ封着を実施した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。【００５８】
（比較例１）
質量割合でＢｉ２Ｏ３  ８２．０％、Ｂ２Ｏ３  ６．５％、ＺｎＯ  １１．０％、Ａｌ２Ｏ３  ０．５％の組成を有するものの、Ｎａ２Ｏを含有量が質量割合で５００ｐｐｍのビスマス系ガラスフリットを用いる以外は、実施例１と同様にして、封着用ガラス材料の作製、封着材料ペーストの調製、第２のガラス基板に対する封着材料層の形成および第１のガラス基板と第２のガラス基板とのレーザ封着を実施した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。【００５９】
（比較例２）
質量割合でＶ２Ｏ３  ４４．３％、Ｓｂ２Ｏ３  ３５．１％、Ｐ２Ｏ５  １９．７％、Ａｌ２Ｏ３  ０．５％、ＴｉＯ２  ０．４％の組成を有するバナジウム系ガラスフリット、低膨張充填材としてコージェライト粉末を用意した。さらに、バインダ成分としてニトロセルロース４質量％をブチルジグリコールアセテート９６質量％に溶解してビヒクルを作製した。【００６０】
バナジウム系ガラスフリット９０体積％とコージェライト粉末１０体積％とを混合して封着用ガラス材料（熱膨張係数：７４×１０−７／℃）を作製した。この封着用ガラス材料７３質量％をビヒクル２７質量％と混合して封着材料ペーストを調製した。次いで、実施例１と同様なソーダライムガラスからなる第２のガラス基板の外周領域に、封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布（線幅Ｗ：５００μｍ）した後、１２０℃×１０分の条件で乾燥した。この塗布層を４５０℃×１０分の条件で焼成することによって、膜厚Ｔ１が２０μｍの封着材料層を形成した。【００６１】
次に、封着材料層を有する第２のガラス基板と素子形成領域（ＯＥＬ素子を形成した領域）を有する第１のガラス基板（第２のガラス基板と同組成、同形状のソーダライムガラスからなる基板）とを積層した。次いで、第２のガラス基板を通して封着材料層に対して、波長９４０ｎｍ、出力４０Ｗのレーザ光（半導体レーザ）を５ｍｍ／ｓの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第１のガラス基板と第２のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。【００６２】
次に、実施例１〜６および比較例１〜２のガラスパネルの外観について、ガラス基板のクラックの有無と配線の断線の有無を評価した。外観は光学顕微鏡で観察して評価した。また、各ガラスパネルの気密性を測定した。気密性はヘリウムリークテストを適用して評価した。さらに、実施例１〜６および比較例１〜２で用いた封着用ガラス材料によるガラス基板の接着強度を以下のようにして測定した。これらの測定・評価結果を表１および表２に示す。表１および表２にはガラスパネルの製造条件を併せて示す。表１における封着ガラスの組成比は便宜的に主要成分の合計量を１００質量％として示しているが、微量成分であるＮａ２Ｏ量も封着ガラスの成分合計（１００質量％）に含まれるものである。【００６３】
封着用ガラス材料によるガラス基板の接着強度の測定方法は以下の通りである。まずガラス基板にソーダライムガラスを用いた場合から説明する。
「ガラス基板にソーダライムガラスを用いた場合の強度の測定方法：Ａ」幅３０ｍｍの第１のガラス基板の端部近傍に各例の封着材料ペーストを用いて、厚さ６０μｍ、線幅１ｍｍの封着材料層を形成する。ペースト塗布層はそれぞれに適した条件で焼成する。次いで、第２のガラス基板の端部を封着材料層上に配置する。第２のガラス基板は第１のガラス基板と互い違いの状態（封着材料層を中心として第１および第２のガラス基板が直線状に並んだ状態）となるように配置する。これらを１０ｋｇの荷重で加圧しながら封着材料層に波長９４０ｎｍのレーザ光を１０ｍｍ／ｓの走査速度で照射して封着する。レーザ光の出力は各材料に適した値とする。このようにして形成した接着強度測定用サンプルの一方のガラス基板を治具で固定し、他方のガラス基板の封着層から２０ｍｍの部分を１ｍｍ／ｍｉｎの速度で加圧し、封着層が壊れたときの荷重を接着強度とする。
「ガラス基板にソーダライムガラスを用いた場合の強度の測定方法：Ｂ」幅２５ｍｍの第１のガラス基板の端部近傍に各例の封着材料ペーストを用いて、厚さ１０μｍ、線幅１ｍｍの封着材料層を形成する。ペースト塗布層はそれぞれに適した条件で焼成する。次いで、第２のガラス基板の端部を封着材料層上に配置する。第２のガラス基板は第１のガラス基板と互い違いの状態（封着材料層を中心として第１および第２のガラス基板が直線状に並んだ状態）となるように配置する。これらを１０ｋｇの荷重で加圧しながら封着材料層に波長９４０ｎｍのレーザ光を１０ｍｍ／ｓの走査速度で照射して封着する。レーザ光の出力は各材料に適した値とする。このようにして形成した接着強度測定用サンプルをサンプルの大きさ以外ＪＩＳ  Ｋ６８５６の要領で３点曲げ接着強度試験を行い、封着層が壊れたときあるいはガラス基板が割れたときの荷重を接着強度とする。
続いて、ガラス基板に無アルカリガラスを用いた場合について説明する。幅２５ｍｍの第１のガラス基板の端部近傍に各例の封着材料ペーストを用いて、厚さ１０μｍ、線幅１ｍｍの封着材料層を形成する。ペースト塗布層はそれぞれに適した条件で焼成する。次いで、第２のガラス基板の端部を封着材料層上に配置する。第２のガラス基板は第１のガラス基板と互い違いの状態（封着材料層を中心として第１および第２のガラス基板が直線状に並んだ状態）となるように配置する。これらを１０ｋｇの荷重で加圧しながら封着材料層に波長９４０ｎｍのレーザ光を１０ｍｍ／ｓの走査速度で照射して封着する。レーザ光の出力は各材料に適した値とする。このようにして形成した接着強度測定用サンプルをサンプルの大きさ以外ＪＩＳ  Ｋ６８５６の要領で３点曲げ接着強度試験を行い、封着層が壊れたときあるいはガラス基板が割れたときの荷重を接着強度とする。【００６４】
【表１】
0005413373.tif 000002
【００６５】
【表２】
0005413373.tif 000003
【００６６】
表１および表２から明らかなように、実施例１〜６によるガラスパネルはいずれも外観や気密性に優れ、さらに良好な接着強度が得られていることが分かる。これに対して、Ｎａ２Ｏ量が３８０ｐｐｍを超えるビスマス系ガラスフリットを用いた比較例１のガラスパネルでは、接着強度は良好であるものの、配線に断線が生じていることが確認された。さらに、従来のバナジウム系ガラスフリットを用いた比較例２のガラスパネルは接着強度が低く、ガラスパネル（電子デバイス）の信頼性に劣るものであった。【００６７】
【表３】
0005413373.tif 000004
【００６８】
また表３から明らかなように、無アルカリガラスをガラス基板に使用した実施例７〜９によるガラスパネルは、いずれも外観や気密性に優れ、Ｎａ２Ｏ量が１０〜３８０ｐｐｍの間で増加するにつれ良好な接着強度が得られていることが分かる。【００６９】
（実施例１０〜１４、参考例１〜２）
封着材料層の形状（厚さＴ１、線幅Ｗ、これらに基づく断面積）を表４に示す条件に変更する以外は、実施例１と同様にしてガラスパネル（実施例１０）を作製した。同様に、表４に示す各実施例の封着材料層の形状を変更して、それぞれガラスパネル（実施例１０〜１４）を作製した。また、実施例１１は実施例２と同様にして、実施例１２〜１４は実施例３と同様にしてガラスパネルを作製したものである。参考例１、２は断面積が１５０００μｍ２を超える封着材料層を適用したものである。これらガラスパネルの外観について、ガラス基板のクラックの有無と封着層のクラックの有無を評価した。外観は光学顕微鏡で観察して評価した。さらに、実施例１と同様にして気密性を評価した。これらの測定・評価結果を表４に示す。【００７０】
【表４】
0005413373.tif 000005
【００７１】
表４から明らかなように、封着材料層はその断面積を１５０００μｍ２以下とすることによって、ガラス基板の封着性や気密性を再現性よく高めることができる。封着材料層の断面積が１５０００μｍ２を超える場合には、封着用ガラス材料を軟化流動させるためのレーザ出力を高くする必要が生じ、その結果として封着層にクラックが生じやすくなる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明のレーザ封着用ガラス材料は、レーザ封着時にソーダライムガラス基板と封着層、および無アルカリガラス材料の接着強度を再現性良く高めることができる。
なお、２００８年１２月１２日に出願された日本特許出願２００８−３１６６４４号、の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００７３】
１…電子デバイス、２…第１のガラス基板、２ａ…素子形成領域、２ｂ…第１の封止領域、３…第２のガラス基板、３ａ…第２の封止領域、４…封着層、５…封着材料層、６…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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