(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化シリコンショットキーダイオードであって、
炭化シリコンドリフト領域と、
前記炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、
前記ダイオードの前記炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域と
を含み、前記接合障壁領域は、
前記ダイオードの前記ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、
前記ドリフト領域内にあって、前記第１の炭化シリコン領域と前記ショットキーダイオードの前記ショットキーコンタクトとの間に配置され、前記第１の炭化シリコン領域および前記ショットキーコンタクトと電気的に接触し、前記第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、前記ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を形成する第２の炭化シリコン領域と
を含むことを特徴とする炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項２】
前記ドリフト領域はｎ型炭化シリコンを含み、前記第１および第２の領域はｐ型炭化シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項３】
前記第２の炭化シリコン領域は、前記ドリフト領域内に約０．０１から０．５μｍ延び、前記第１の炭化シリコン領域は、前記ドリフト領域内に０．１から１μｍ延びることを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項４】
前記第２の炭化シリコン領域は、１×１０１５ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３の表面ドーピング濃度を有することを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項５】
前記ドリフト領域は、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項２に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項６】
前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するｎ型炭化シリコン基板をさらに含み、前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は前記ｎ型炭化シリコン基板上に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項７】
前記第１の炭化シリコンエピタキシャル層と前記ｎ型炭化シリコン基板の間に配置された第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層をさらに含み、前記第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は、前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層よりも高いキャリア濃度を有することを特徴とする請求項６に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項８】
前記第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層とは反対側の前記炭化シリコン基板上にオーミックコンタクトをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【請求項９】
前記炭化シリコン接合障壁領域を取り囲む複数のフローティングフィールドリングをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の炭化シリコンショットキーダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、半導体デバイスに関し、より詳細には、ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、約６００Ｖから約２．５ｋＶの電圧を取り扱うことができる高電圧炭化シリコン（ＳｉＣ）ショットキーダイオード（Schottky diode）は、それらの作用面積に応じ、約１００アンペア以上もの電流を取り扱うことができる。高電圧ショットキーダイオードは、特に電力調節、配電および電力制御の分野において、いくつかの重要な用途を有する。
【０００３】
そのような用途において重要なＳｉＣショットキーダイオードの特性は、そのスイッチング速度である。シリコンベースのＰＩＮデバイスは、一般に比較的低いスイッチング速度を示す。シリコンＰＩＮダイオードは、その定格電圧に応じて、約２０ｋＨｚの最大スイッチング速度を有することができる。対照的に、炭化シリコンベースのショットキーデバイスは理論的に、はるかに高いスイッチング速度、例えばシリコンの約１００倍以上のスイッチング速度が可能である。さらに、炭化シリコンデバイスは、シリコンデバイスよりも高い電流密度を取り扱うことが可能であることがある。
【０００４】
４Ｈ−ＳｉＣのショットキー障壁ダイオードは、非常に低い比オン抵抗および非常に速いターンオフ特性を有することができる。デバイス性能を向上させるために、ショットキーダイオードにｐ＋ｎ接合格子を組み込んで、接合障壁ショットキー（Junction-Barrier Schottky：ＪＢＳ）構造を形成することが試みられた。順方向バイアスがかけられると、ダイオードのショットキー領域は導通する。かけられた順方向バイアスが、ｐ＋ｎ接合のビルトイン（built-in）接合電位よりも低い限り、多数キャリア電流だけが流れ、少数キャリアはドリフト（drift）層に注入されず、その結果、蓄積された少数キャリアの電荷のため、逆方向回復時間はごくわずかとなる。逆方向バイアスがかけられると、ｐ＋領域の空乏領域がショットキー領域を遮蔽し、その結果、ショットキー金属−ＳｉＣ界面の電場が弱くなる。この効果は、ダイオードのショットキー領域からの逆方向バイアス漏れ電流を低減または最小化し、高電圧、低漏れ電流の高温ダイオードの製造を可能にすることができる。このデバイスのオン状態電圧降下は、金属−ＳｉＣ障壁の高さ、ドリフト領域の抵抗、およびショットキー領域とｐ＋注入領域の相対面積によって決定される。
【０００５】
４Ｈ−ＳｉＣでは２．６Ｖであるｐ＋ｎ接合のビルトイン電位よりも大きな順方向バイアスが加えられると、ビルトインｐｎ接合はオンになる。ｐ＋注入領域から正孔が注入され、ｎ＋領域から電子が注入される。図１に、従来のＪＢＳダイオードの可能なＩ−Ｖ特性を示す例示的なＩ−Ｖ曲線を示す。例えば、Ｔｉショットキー金属を有する４Ｈ−ＳｉＣ  ＪＢＳダイオードは、約１Ｖにおいて多数キャリアの伝導を示す。したがって、図１のショットキーターンオン点は、約１Ｖの順方向バイアスのところにある。接合障壁格子との接触が十分にオーム接触である場合、順方向バイアスとともに多数キャリア電流が増大すると、ｐｎ接合は約２．６Ｖでオンになることができる。この点から、少数キャリア電流が、ダイオードの順方向伝導を支配する。ダイオードのドリフト層はキャリアでいっぱいになるため、このデバイスは、かなりの逆方向回復電荷および逆方向回復時間を示す可能性がある。したがって、このようなデバイスは、順方向バイアス（導通）状態から逆方向バイアス（阻止（blocking））状態に切り換えられると、望ましくないことに、注入された全ての少数キャリアが再結合するまで、電流を伝導し続けるであろう。さらに、キャリアの再結合は、積層欠陥の伝搬を引き起こすことができ、これによってＩ−Ｖ特性がひどく劣化する可能性がある。
【０００６】
図２に、注入された接合障壁格子を有する従来のＳｉＣショットキーダイオードを示す。この従来のデバイスでは、フローティングフィールドリング（floating field ring）が接合障壁格子を取り囲んでいる。図２ではその下に、一定の尺度では描かれていない簡略化された従来のデバイスの断面構造が示されている。図２では、分かりやすくするために、接合障壁領域内の注入領域の数が減らされている。さらに、分かりやすくするため、領域の相対寸法も変更されている。
【０００７】
図２に示されているように、この従来のデバイスは、ｎ＋ＳｉＣ基板１０上に比較的に薄い（約０．５μｍ）ｎ＋ＳｉＣエピタキシャル層１２を含む。ｎ＋ＳｉＣエピタキシャル層１２上には、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層１４がある。ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層１４の厚さは、６００Ｖ製品では約５μｍ、１２００Ｖ製品では約１３μｍである。ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層１４内にはｐ型ＳｉＣの注入領域１６が形成されており、これらの領域は約０．５μｍの深さまで延びている。ｐ型注入領域１６は、接合障壁格子およびフローティングフィールドリングを形成する。フローティングフィールドリング上および接合障壁格子の外側部分上に、第１の熱酸化層１８と第２の付着酸化層２０とを含む酸化層が形成されている。接合障壁格子上にショットキーコンタクト（Schottky contact）２２が形成され、これは酸化層上まで延びる。ＳｉＣ基板１０にオーミックコンタクト２４が形成されている。
【０００８】
従来のデバイスのｐ型注入領域（接合障壁格子およびフィールドリング）は全て、活性化後のキャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３よりも大きくなるように同じドーズ（dose）を用いて注入される。接合障壁格子は、約４μｍ間隔で配置された幅約１．５μｍのｐ型注入領域の格子を含む。接合障壁格子のこの部分は、均一なサイズおよび間隔の注入領域を含み、これらの均一なサイズの注入領域を互いに接続する幅約１５μｍの周縁ｐ型注入領域によって取り囲まれている。ショットキーコンタクトが格子の全周にわたって格子と接触することを保証するために製造時の変動を考慮して、接合障壁格子のこの周縁領域は、他の部分よりも幅広く作られる。ｐ型注入フローティングフィールドリングの幅は約２．７５μｍ、間隔は約１．７５μｍである。
【０００９】
この従来のデバイスの製造においては、ｎ＋ＳｉＣ基板１０が提供される。図２を参照して先に説明したとおり、基板１０上に、２つのｎ型ＳｉＣエピタキシャル層（ｎ＋ＳｉＣエピタキシャル層１２およびｎ−ＳｉＣエピタキシャル層１４）を形成する。ＳｉＣ基板およびエピタキシャル層上に二酸化シリコンの犠牲層を形成するために、ＳｉＣエピタキシャル層およびＳｉＣ基板を熱酸化する。これらの二酸化シリコンの犠牲層をそれぞれエッチングによって除去する。フローティングガードリング（floating guard ring）および接合障壁格子を図２に示されているように提供するために、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層にｐ型ドーパント（Ａｌ）を４×１０１４のｃｍ−２のドーズで注入する。次いで、高温アニール（すなわち１６００℃）を利用して、注入されたｐ型ドーパントを活性化させる。この高温アニールは、ＳｉＣの結晶構造内にドーパントを取り込み、注入プロセスに起因する結晶欠陥の全部ではないにせよ大部分（例えば≧９０％）を除去する。
【００１０】
次いで、注入されたこれらの領域を含むｎ−ＳｉＣエピタキシャル層上に、犠牲酸化物を熱成長させ、エッチングによって除去する。次いで、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層上に熱酸化物を成長させ、この熱酸化物上に付着酸化物を形成し、高密度化する。次いで、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層上の酸化物をパターン形成して、ショットキーコンタクトのためのｎ−ＳｉＣエピタキシャル層に達する開口を形成し、開口の中にショットキーコンタクトを形成して、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層および注入された接合障壁格子と接触させる。このショットキーコンタクトは、図２に示されているように酸化層上へも延びる。
【００１１】
ＳｉＣショットキーダイオードの従来の追加のターミネーション（termination）が非特許文献１に記載されている。ＳｉＣショットキー障壁ダイオードのｐ型エピタキシガードリングターミネーションは、非特許文献２に記載されている。さらに、他のターミネーション技法が、特許文献１に記載されている。
【００１２】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ９７／０８７５４号パンフレット
【特許文献２】米国特許第６５７３１２８号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００４／０１３５１５３Ａ１号明細書
【非特許文献１】"Planar Terminations in 4H-SiC Schottky Diodes With Low Leakage And High Yields" by Singh et at., ISPSD '97, pp. 157-160
【非特許文献２】"The Guard-Ring Termination for High-Voltage SiC Schottky Barrier Diodes" by Ueno et a1., IEEE Electron Device Letters, Vol. 16, No. 7, July, 1995, pp. 331-332
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、従来のデバイスは、順方向バイアス（導通）状態から逆方向バイアス（阻止（blocking））状態に切り換えられると、望ましくないことに、注入された全ての少数キャリアが再結合するまで、電流を伝導し続けるであろう。さらに、キャリアの再結合は、積層欠陥の伝搬を引き起こすことができ、これによってＩ−Ｖ特性がひどく劣化する可能性がある。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のいくつかの実施形態は、ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法を提供する。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。第２の領域は、第１の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。第２の炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、ショットキーコンタクトとのショットキー整流接合を形成する。
【００１６】
本発明の他の実施形態では、ドリフト領域がｎ型炭化シリコンを含み、第１および第２の領域がｐ型炭化シリコンを含む。本発明の特定の実施形態では、第２の炭化シリコン領域が、ドリフト領域内に約０．０１から約０．５μｍ延び、第１の炭化シリコン領域が、ドリフト領域内に約０．１から約１μｍ延びる。第２の炭化シリコン領域は、約１×１０１５ｃｍ−３から約５×１０１８ｃｍ−３の表面ドーピング濃度を有することができる。
【００１７】
本発明の追加の実施形態では、ドリフト領域がｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を含む。第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するｎ型炭化シリコン基板をさらに提供することができ、このｎ型炭化シリコン基板上に、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を配置することができる。第１の炭化シリコンエピタキシャル層とｎ型炭化シリコン基板の間に、第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を配置することができる。第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層よりも高いキャリア濃度を有することができる。第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層とは反対側の炭化シリコン基板上に、オーミックコンタクトを形成することができる。さらに、炭化シリコン接合障壁領域を取り囲む複数のフローティングフィールドリングを形成することができる。
【００１８】
本発明のいくつかの実施形態は、炭化シリコンドリフト領域内に配置され、ビルトインｐｎ接合を提供する炭化シリコン接合障壁領域と、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止するダイオードと一体の手段とを含む炭化シリコン接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）ダイオード、およびこの炭化シリコンＪＢＳダイオードを製造する方法を提供する。
【００１９】
本発明の特定の実施形態では、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止するダイオードと一体の前記手段が、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に直列に接続されたショットキーダイオードによって提供される。ビルトインｐｎ接合に順方向バイアスがかけられたときに、ショットキーダイオードには逆方向バイアスがかかる。
【００２０】
本発明の他の実施形態では、ショットキーダイオードが、ショットキーコンタクトと接合障壁領域との間のショットキー接合によって提供される。ショットキー接合は、ＪＢＳダイオードに順方向バイアスがかけられたときに、ビルトインｐｎ接合を流れる電流を阻止する十分な整流を提供するように構成される。
【００２１】
本発明の特定の実施形態では、接合障壁領域が、ｎ型炭化シリコンドリフト領域内のｐ型炭化シリコン領域を含む。ｐ型炭化シリコン領域は、約１×１０１５ｃｍ−３から約５×１０１８ｃｍ−３の表面ドーピング濃度を有することができる。ｐ型炭化シリコン領域は、ｐ型炭化シリコン領域の表面からある深さのところのほうが、ｐ型炭化シリコン領域の表面よりも高いドーピング濃度を有することができる。
【００２２】
本発明のいくつかの実施形態では、ｐ型炭化シリコン領域が、ダイオードのｎ型ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１のｐ型炭化シリコン領域と、ｎ型ドリフト領域内にあって、第１のｐ型炭化シリコン領域とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２のｐ型炭化シリコン領域とを含む。第２のｐ型炭化シリコン領域は、第１のｐ型炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触している。第２のｐ型炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、ショットキーコンタクトとショットキー整流接合を形成する。
【００２３】
本発明の他の実施形態では、炭化シリコンＪＢＳダイオードがさらに、炭化シリコンドリフト領域上にショットキーコンタクトを含み、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止するダイオードと一体の前記手段が、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に直列抵抗を含む。この直列抵抗は、ダイオードのｎ型ドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１のｐ型炭化シリコン領域と、ｐ型ドリフト領域内にあって、第１のｐ型炭化シリコン領域とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置され、第１のｐ型炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと電気的に接触した第２のｐ型炭化シリコン領域とによって提供される。第２のｐ型炭化シリコンの領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有し、ショットキーコンタクトと抵抗性コンタクトを形成する。
【００２４】
本発明の追加の実施形態では、炭化シリコンＪＢＳダイオードがさらに、炭化シリコンドリフト領域上にショットキーコンタクトを含み、接合障壁領域のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止するダイオードと一体の前記手段が、接合障壁領域とＪＢＳダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された絶縁層を含む。
【００２５】
本発明のいくつかの実施形態は、炭化シリコンドリフト領域と、炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、ダイオードの炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域とを含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法を提供する。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のピークキャリア濃度を有する第１の注入された炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置され、第１の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと電気的に接触した第２の注入された炭化シリコン領域とを含む。この第２の炭化シリコン領域は、第１のピークキャリア濃度よりも低い第２のピークキャリア濃度を有する。
【００２６】
いくつかの実施形態では、第２の炭化シリコン領域が、ショットキーコンタクトとの抵抗性接合を提供することができる。他の実施形態では、第２の炭化シリコン領域が、ショットキーコンタクトとのショットキー接合を提供することができる。
【００２７】
本発明の追加の実施形態では、ドリフト領域がｎ型炭化シリコンを含み、第１および第２の領域がｐ型炭化シリコンを含む。第２の炭化シリコン領域は、ドリフト領域内に約０．０１から約０．５μｍ延びることができ、第１の炭化シリコン領域は、ドリフト領域内に約０．１から約１μｍ延びることができる。本発明の特定の実施形態では、第２の炭化シリコン領域が、約１×１０１５ｃｍ−３から約５×１０１８ｃｍ−３の表面ドーピング濃度を有する。
【００２８】
本発明の他の実施形態では、ドリフト領域が、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を含む。さらに、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有するｎ型炭化シリコン基板を提供することができる。ｎ型炭化シリコン基板上に、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層を配置することができる。
【００２９】
本発明の他の実施形態では、第１の炭化シリコンエピタキシャル層とｎ型炭化シリコン基板との間に、第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層が提供される。第２のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層は、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層よりも高いキャリア濃度を有する。
【００３０】
本発明の追加の実施形態では、第１のｎ型炭化シリコンエピタキシャル層とは反対側の炭化シリコン基板上に、オーミックコンタクトが提供される。さらに、炭化シリコン接合障壁領域を取り囲む複数のフローティングフィールドリングを形成することができる。
【００３１】
本発明のいくつかの実施形態は、炭化シリコンドリフト領域と、炭化シリコンドリフト領域上のショットキーコンタクトと、ダイオードの炭化シリコンドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域と、炭化シリコン接合障壁領域とショットキーコンタクトとの間に配置された絶縁層とを含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
次に、本発明の実施形態が示された添付図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。しかし、本発明が、本明細書に記載された実施形態に限定されると解釈してはならない。これらの実施形態は、この開示が網羅的かつ完全なものとなり、本発明の範囲が当業者に完全に伝わるように提供される。分かりやすくするために、図面では、層および領域の厚さが誇張されている。全体を通じて同様の符号は同様の要素を指す。本明細書で使用されるとき、用語「および／または」は、記載された関連項目のうちの１つまたは複数の項目の任意の全ての組合せを含む。
【００３３】
本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明することだけを目的としており、本発明を限定することを意図したものではない。本明細書で使用される場合、単数形「a」、「an」および「the」は、文脈がそうではないと明確に指示していない限り、複数形も含むことが意図される。また、本明細書で使用される場合、用語「含む（comprises）」および／または「含む（comprising）」は、明示された特徴、完全体、ステップ、動作、要素および／または構成要素の存在を示すが、１つまたは複数の他の特徴、完全体、ステップ、動作、要素、構成要素および／またはこれらのグループの存在または追加を妨げないことを理解されたい。
【００３４】
層、領域、基板などの要素が、別の要素上にあり、または別の要素上に延びると記載された場合、その要素は、その別の要素上に直接にあり、またはその別の要素上に直接に延びることができ、あるいは介在要素が存在してもよいことを理解されたい。対照的に、ある要素が、別の要素上に「直接に」あり、または別の要素上に「直接に」延びると記載された場合、介在要素は存在しない。また、ある要素が、別の要素に「接続」または「結合」されていると記載された場合、その要素は、その別の要素に直接に接続または結合されており、あるいは介在要素が存在してもよいことを理解されたい。対照的に、ある要素が、別の要素に「直接に接続され」、または「直接に結合され」ていると記載された場合、介在要素は存在しない。本明細書の全体を通じて同様の符号は同様の要素を指す。
【００３５】
本明細書では、さまざまな要素、構成要素、領域、層および／またはセクションを記述するために、第１、第２などの用語が使用されることがあるが、これらの要素、構成要素、領域、層および／またはセクションはこれらの用語によって限定されないことを理解されたい。これらの用語は、１つの要素、構成要素、領域、層またはセクションを他の領域、層またはセクションから区別するためだけに使用される。したがって、以下で論じられる第１の要素、構成要素、領域、層またはセクションは、本発明の教示から逸脱することなく、第２の要素、構成要素、領域、層またはセクションと呼ぶことができる。
【００３６】
さらに、本明細書では、図に示された１つ要素の別の要素に対する関係を記述するために、「下側」または「下部」、「上側」または「上部」などの相対語が使用されることがある。これらの相対語は、図に示された方向だけでなく、デバイスのさまざまな方向を包含することが意図されることを理解されたい。例えば、図のデバイスをひっくり返した場合、別の要素の「下」側にあると記載された要素は、その別の要素の「上」側にくるであろう。したがって例示的な用語「下側」は、図の方向に応じて「下側」と「上側」の両方の方向を包含することができる。同様に、１つの図のデバイスがひっくり返された場合、別の要素の「下方」または「下」にあると記述された要素は、これらの別の要素の「上方に」にくるであろう。したがって例示的な用語「下方」または「下」は、上と下の両方の方向を包含することができる。さらに、用語「外側」は、基板から最も離れた表面および／または層を指すために使用することができる。
【００３７】
本明細書では、本発明の理想化された実施形態の概略図である断面図を参照して本発明の実施形態が説明される。そのため、例えば製造技法および／または許容範囲の結果として、図の形状からの変異が予想される。したがって、本発明の実施形態を、本明細書に示された領域の特定の形状に限定されると解釈してはならず、本発明の実施形態は、例えば製造に起因する形状の偏差を含む。例えば、長方形として示されたエッチングされた領域は一般に、次第に細くなる、丸まったまたは曲がった特徴を有するであろう。したがって、図に示された領域は事実上、概略的なものであり、それらの形状は、デバイスの領域の正確な形状を示すようには意図されておらず、また、本発明の範囲を限定するようにも意図されていない。
【００３８】
そうでないと定義されない限り、本明細書で使用される全ての用語（技術用語および科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野の技術者によって共通に理解される同じ意味を有する。さらに、一般的に使用されている辞書に定義された用語などの用語は、関連技術および本開示のの文脈におけるそれらの意味と一致した意味を有するものと解釈されなければならず、本明細書においてそのように明示されない限り、理想化された意味またはあまりに形式的な意味に解釈されないことを理解されたい。
【００３９】
さらに、ある構造または特徴が他の特徴に「隣接して」配置されていると記載されている場合、その構造または特徴は、その隣接する特徴の上または下にある部分を有することができることを当業者は理解されたい。
【００４０】
本発明の実施形態は、ＪＥＳ構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する一体構造（integral structure）を提供する。本明細書で使用される場合、一体構造は、ショットキーダイオードを提供する半導体材料内および／または半導体材料上に形成された構造である。本発明のいくつかの実施形態では、この構造が、ＰｉＮダイオードと直列に、ＰｉＮダイオードとは逆向きのショットキーダイオードを組み込むことによって達成される。
【００４１】
図３に、本発明のいくつかの実施形態に基づく例示的なデバイスを概略的に示す。しかし、本発明の実施形態を、本明細書に記載された例示的な特定の実施形態に限定されると解釈してはならない。本発明の実施形態は、本明細書に記載された特性を有するダイオードを提供する適当な任意の構造を含むことができる。
【００４２】
図３を参照すると、本発明のいくつかの実施形態に基づくショットキーダイオード３００は、炭化シリコン（ＳｉＣ）基板３１０を含む。基板３１０はｎ＋ＳｉＣ基板とすることができる。適当な基板は、本件特許出願人（米ノースカロライナ州、Ｄｕｒｈａｍ在）から入手可能である。本発明の特定の実施形態では、基板３１０が４Ｈ  ＳｉＣ基板であるが、他のポリタイプを利用することもできる。本発明のいくつかの実施形態では、基板３１０のドーピング濃度を少なくとも約１×１０１８ｃｍ−３とすることができる。
【００４３】
任意選択で、基板３１０とデバイスのドリフト領域を形成する第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４との間の基板３１０上に、第１の炭化シリコンエピタキシャル層３１２を配置することができる。本発明のいくつかの実施形態では、第１の炭化シリコンエピタキシャル層３１２を、比較的に薄い（約０．５μｍ）ｎ＋ＳｉＣエピタキシャル層とすることができる。本発明のいくつかの実施形態では、第１の炭化シリコンエピタキシャル層３１２のドーピング濃度を少なくとも約１×１０１８ｃｍ−３とすることができる。エピタキシャル炭化シリコン層を形成する技法は当業者に知られており、本明細書でさらに説明する必要はない。
【００４４】
第１の炭化シリコンエピタキシャル層３１２上に、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４が形成される。本発明のいくつかの実施形態では、第２の炭化シリコンエピタキシャル層が、ダイオード３００のドリフト領域を形成するｎ−ＳｉＣエピタキシャル層である。本発明のいくつかの実施形態では、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４が、約１×１０１５ｃｍ−３から約１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有するｎ型炭化シリコンを含み、約２μｍから約２０μｍの厚さを有する。本発明の特定の実施形態では、ｎ−ＳｉＣエピタキシャル層３１４の厚さが、６００Ｖ製品では約５μｍ、１２００Ｖ製品では約１３μｍである。
【００４５】
接合障壁領域を提供するために、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４内に、ドリフト領域とは反対の導電型の第１および第２の炭化シリコン領域３１６および３１７が形成される。本発明のいくつかの実施形態では、この接合障壁領域が接合障壁格子として提供される。本発明の例示的な実施形態は、接合障壁格子に関して説明されるが、接合障壁領域を、格子構造に限定されると解釈してはならない。本発明の特定の実施形態では、炭化シリコン領域３１６および３１７がｐ型炭化シリコンである。フローティングフィールドリングを提供するため、任意選択で、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４内に、ｐ型炭化シリコン領域３１８を形成してもよい。第１の炭化シリコン領域３１６は、表面から約０．１ないし約１μｍの深さまで延ばすことができ、いくつかの実施形態では、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４内に約０．５μｍの深さまで延ばすことができる。第２の炭化シリコン領域３１７は、表面から約０．０１ないし約０．５μｍの深さまで延ばすことができ、いくつかの実施形態では、第２の炭化シリコンエピタキシャル層３１４内に約０．２μｍの深さまで延ばすことができる。第２の炭化シリコン領域３１７に対する高品質ショットキーコンタクトの形成を可能にするために、第２の炭化シリコン領域３１７の深さは十分に深くなければならないが、ダイオード３００に逆方向バイアスがかけられたときに第１の炭化シリコン領域３１６の周囲の空乏領域によって提供される阻止能力を実質的に低減させるほどに深くてはならない。
【００４６】
第１および第２の炭化シリコン領域３１６および３１７は接合障壁格子を構成する。フローティングフィールドリング領域３１８を提供するために、第３の炭化シリコン領域を形成してもよい。図３に示されているように、フローティングフィールドリング領域３１８上および接合障壁格子の外側部分上に、第１の熱酸化層３１９および第２の付着酸化層３２１を含むことができる酸化層３２０を形成することができる。接合障壁格子上にショットキーコンタクト３２２が形成され、これは酸化層３２０上まで延ばすことができる。ＳｉＣ基板３１０上にオーミックコンタクト３２４が形成される。
【００４７】
第１の炭化シリコン領域３１６は、約１×１０１９から約１×１０２１ｃｍ−３のドーピング濃度で注入することができ、活性化後に１×１０１８ｃｍ−３超のキャリア濃度を提供する。第２の炭化シリコン領域３１７は、第１の炭化シリコン領域３１６よりも低いドーピング濃度、例えば約１×１０１５から約５×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度で注入され、活性化後に約１×１０１７ｃｍ−３以下のキャリア濃度を提供する。ダイオード３００に逆方向バイアスがかけられたときに第１および第２の領域３１６および３１７が完全に空乏化しないように、第１および第２の領域３１６および３１７中のｐ型注入の総ドーズは十分に大きくなければならない。
【００４８】
本発明のいくつかの実施形態は、異なる注入ドーズを有する少なくとも２つの注入領域を提供する。注入ドーズは注入領域のピーク濃度を指す。このような領域は、おそらくは埋込み炭化シリコン領域への注入に起因するドーパント濃度の変化から互いに区別することができる。したがって、本明細書で使用されるとき、異なる注入ドーズを有する注入領域は、異なる注入エネルギーおよび異なる注入ドーズを用いて少なくとも２つの注入ステップによって形成された領域を指し、ドーズは、異なる注入エネルギーを補償する差異よりも多く異なる。
【００４９】
フローティングフィールドリング領域３１８は、約１×１０１９から約１×１０２１ｃｍ−３のドーピング濃度で注入することができ、活性化後に１×１０１８ｃｍ−３超のキャリア濃度を提供する。フローティングフィールドリング領域３１８は、ドーピング濃度が実質的に均一な単一の領域として例示されるが、この領域は、ドーピング濃度が異なる複数の領域、例えば接合障壁格子と同時に形成することができ、したがって、第１および第２の領域３１６および３１７と同じドーピングプロファイルを有する複数の領域とすることもできる。
【００５０】
前記第２の炭化シリコン領域３１７を提供することによって、注入された接合障壁格子の表面濃度を、第２の炭化シリコンに対するショットキー接合が提供されるように低減させることができる。エピタキシャル層３１４に対するショットキーコンタクト金属３２２を、第２の炭化シリコン領域３１７に対するショットキーコンタクト金属として使用することができる。対照的に、図１を参照して先に説明したものなどのＳｉＣの従来のＪＢＳダイオードでは、接合障壁格子に実質的に均一なドーピングが実施されたときに、接合障壁格子とショットキーコンタクトの間に低品質オーミックコンタクトが形成される。この低品質オーミックコンタクトは、高品質オーミックコンタクトなら示すであろう直線的なＩ−Ｖ曲線を示さず、ショットキーダイオードの逆方向バイアス阻止に関連したＩ−Ｖ曲線の鋭い折れ曲がりも提供しない。したがって、図１を参照して先に説明した従来のＪＢＳダイオードのコンタクトは、接合障壁格子に対する理想的なオーミックコンタクトを提供することができず、一般に提供されるコンタクトは、ビルトインＰｉＮダイオードを流れる電流を阻止する十分な阻止特性を提供しない。ショットキーコンタクトが接合障壁格子と接触する表面のドーピング濃度を低減させることによって、ビルトインＰｉＮダイオードを流れる電流を阻止する所望の阻止特性を提供する接合障壁格子に対するショットキーコンタクトの形成を、図４Ｃを参照して後述するように提供することができる。ビルトインＰｉＮダイオードを流れる電流を阻止することによって、少数キャリアの注入を抑制することができ、それによって逆方向回復電荷を低減させ、それによってダイオードの逆方向回復時間を短縮することができる。
【００５１】
いくつかの実施形態では、接合障壁格子の領域３１６および３１７が、約２から約１０μｍの間隔で配置された幅約０．５から約５μｍのｐ型注入領域の格子を含む。特定の実施形態では、ｐ型注入領域の格子の幅が約１．５μｍ、間隔が約４μｍである。ｐ型注入領域は、均一なまたは不均一な間隔で配置することができ、均一なまたは不均一なサイズとすることができ、あるいは、均一なまたは不均一な間隔と均一なまたは不均一なサイズの組合せとすることができる。
【００５２】
さらに、図３に示されているように、接合障壁格子を、接合障壁格子の中心部分とは異なるサイズの周縁領域３１５によって取り囲むことができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、接合障壁格子が、周縁ｐ型注入領域によって取り囲まれた均一なサイズおよび間隔の注入領域を含むことができ、周縁ｐ型注入領域は、これらの均一なサイズの注入領域を互いに接続する。いくつかの実施形態では、周縁注入領域の幅を約２から約３０μｍとすることができ、特定の実施形態では、周縁注入領域の幅が約１５μｍである。ショットキーコンタクトが格子の全周にわたって格子と接触することを保証するために製造時の変動を考慮して、接合障壁格子のこの周縁領域は、他の部分よりも幅広く作ることができる。
【００５３】
接合障壁格子内の領域の数は、デバイスの活性領域のサイズ、ならびに接合障壁格子の領域３１６および３１７のサイズおよび間隔に基づいて変化させることができる。したがって、接合障壁領域のサイズおよび間隔は、デバイスのサイズ、ドーピング、注入深さなどに応じてデバイスごとに異なるため、本発明の実施形態は、接合障壁領域の特定のサイズおよび間隔に限定されない。しかし一般に、領域３１６および３１７のサイズおよび間隔は、デバイスの活性領域全体を占めることができ、低いオン状態抵抗および高い逆方向バイアス阻止電圧を提供するように選択することができる。接合障壁格子のこれらの領域のサイズおよび間隔を選択する際の考慮事項は当業者に知られており、したがって本明細書でさらに説明する必要はない。
【００５４】
注入されたフローティングフィールドリング３１８は、均一なまたは不均一なサイズとし、かつ／あるいは均一なまたは不均一な間隔で配置することができる。本発明のいくつかの実施形態では、フローティングフィールドリング３１８の幅が約１．０μｍから約５．０μｍであり、間隔が約０．１μｍから約５μｍである。特定の実施形態では、フローティングフィールドリング３１８の幅が約２．７５μｍであり、間隔が約１．７５μｍである。約１から約８０個のフローティングフィールドリング３１８を配置することができ、いくつかの実施形態では、４つのフローティングフィールドリング３１８が配置される。
【００５５】
デバイスのエッジターミネーション（edge termination）を提供するフローティングフィールドリングに関して本発明の実施形態を説明したが、他のエッジターミネーション技法を提供することもできる。したがって、本発明の他の実施形態では、ダイオード３００のエッジターミネーションを、あたかも全体が記載されているかのようにそれらの開示が本明細書に組み込まれる特許文献２および／または特許文献３に記載されている方法で提供することができる。
【００５６】
本発明の実施形態を、領域３１７とショットキー接合を形成するショットキーコンタクト金属３２２との間の接合に関して説明したが、本発明のいくつかの実施形態では、領域３１７とショットキーコンタクト３２２との間に高抵抗オーミックコンタクトを形成することができる。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、ｐ型領域３１７および３１８を通る経路の抵抗を増大させて、ｐｎ接合がオンにならないように、またはビルトインｐｎ接合ダイオードを通る経路が支配的な電流伝導経路とならないようにすることによって、少数キャリアの注入を抑制することができる。
【００５７】
図４Ａから４Ｅは、従来のＪＢＳダイオード（図４Ａ）および図３のＪＢＳダイオード３００、図７のＪＢＳダイオード７００などの本発明の実施形態に基づくＪＢＳダイオード（図４Ｂから４Ｅ）の等価回路の概略図である。図４Ａに示されているように、従来のＪＢＳダイオードは、ＰｉＮダイオードＤ２と並列に接続されたショットキーダイオードＤ１として見ることができる。先に論じたとおり、４Ｈ−ＳｉＣでは、順方向バイアスがかけられたとき、ショットキーダイオードＤ１は約１．１Ｖでオンになり、ＰｉＮダイオードＤ２は約２．６Ｖでオンになることができ、そのデバイスの支配的な電流源となることができる。
【００５８】
図４Ｂの等価回路に示されているように、本発明の実施形態は、ＰｉＮダイオードＤ４と直列に接続された一体の電流阻止構造４００を提供することができ、この直列結合は、ｎ型ドリフト領域に対するショットキーコンタクトによって提供されたショットキーダイオードＤ３と並列である。ダイオードＤ３に順方向バイアスがかけられると、阻止構造４００は、ＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する。この構造に逆方向バイアスがかけられると、ダイオードＤ３およびＤ４には逆方向バイアスがかかる。ダイオードＤ４に逆方向バイアスがかけられているため、ダイオードＤ３およびＤ４に電流は流れず、ダイオードＤ３とＤ４のアノードは互いに非常に近く維持される。したがって、従来のＪＢＳダイオードの場合と同様に、ダイオードＤ４からの空乏領域は、ダイオードＤ３を遮蔽する。
【００５９】
図４Ｃの等価回路に示されているように、本発明のいくつかの実施形態は、ＰｉＮダイオードＤ４と直列に接続された電流阻止構造４００として、ショットキーダイオードＤ５を提供することができ、この直列結合は、ｎ型ドリフト領域に対するショットキーコンタクトによって提供されたショットキーダイオードＤ３と並列である。ダイオードＤ３に順方向バイアスがかけられると、ダイオードＤ５に逆方向バイアスがかかかり、ダイオードＤ５はＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する。ダイオードＤ４に電流が流れることができるのは、ダイオードＤ５が絶縁破壊し、雪崩降伏を起こした場合だけである。そのためには非常に大きな順方向バイアスが必要である。しかし、そのような順方向バイアスでは、ダイオードＤ３を流れる電流密度が非常に高くなり、電力の散逸が、パッケージの能力をはるかに凌ぐ可能性があり、これによってデバイスが破壊する可能性がある。したがって、ダイオードＤ５の絶縁破壊は、デバイス故障における制限因子とはなりえず、ビルトインＰｉＮ接合ダイオードＤ４はオンにならない。
【００６０】
この構造に逆方向バイアスがかけられると、ダイオードＤ３およびＤ４に逆方向バイアスがかかり、ダイオードＤ５に順方向バイアスがかかる。ダイオードＤ４に逆方向バイアスがかけられているため、ダイオードＤ３およびＤ４に電流は流れず、ダイオードＤ３とＤ４のアノードは互いに非常に近く維持される。したがって、従来のＪＢＳダイオードの場合と同様に、ダイオードＤ４からの空乏領域は、ダイオードＤ３を遮蔽する。
【００６１】
したがって、本発明の実施形態は、ＪＢＳ構造のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する構造を提供することができる。例えば、接合障壁格子の注入領域に対するショットキーコンタクトを形成することによって提供することができるショットキーダイオードＤ５は、接合障壁格子のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止する、ダイオードと一体の手段を提供することができる。
【００６２】
図４Ｄの等価回路に示されているように、本発明のいくつかの実施形態は、ＰｉＮダイオードＤ４と直列に接続された電流阻止構造４００として直列抵抗Ｒ１を提供することができ、この直列結合は、ｎ型ドリフト領域に対するショットキーコンタクトによって提供されたショットキーダイオードＤ３と並列である。ダイオードＤ３に順方向バイアスがかけられると、直列抵抗ＲＩは、ダイオードＤ４を通る電流伝導経路の抵抗を増大させ、ＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する。この構造に逆方向バイアスがかけられると、ダイオードＤ３およびＤ４に逆方向バイアスがかかり、ダイオードＤ５に順方向バイアスがかかる。ダイオードＤ４に逆方向バイアスがかけられているため、ダイオードＤ３およびＤ４に電流は流れず、ダイオードＤ３とＤ４のアノードは互いに非常に近く維持される。したがって、従来のＪＢＳダイオードの場合と同様に、ダイオードＤ４からの空乏領域は、ダイオードＤ３を遮蔽する。
【００６３】
したがって、本発明の実施形態は、ＪＢＳ構造のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する構造を提供することができる。例えば、接合障壁格子の注入領域に対する高抵抗コンタクトを形成することによって提供することができる直列抵抗Ｒ１は、接合障壁格子のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止する、ダイオードと一体の手段を提供することができる。
【００６４】
図４Ｅの等価回路に示されているように、本発明のいくつかの実施形態は、ＰｉＮダイオードＤ４と直列に接続された電流阻止構造４００として直列容量Ｃ１を提供することができ、この直列結合は、ｎ型ドリフト領域に対するショットキーコンタクトによって提供されたショットキーダイオードＤ３と並列である。定常状態においてダイオードＤ３に順方向バイアスがかけられると、直列容量Ｃ１は、ダイオードＤ４を通る電流伝導経路の開路のように見え、ＰｉＮダイオードＤ４を流れる電流を阻止する。この構造に逆方向バイアスがかけられると、ダイオードＤ３およびＤ４に逆方向バイアスがかかり、ダイオードＤ５に順方向バイアスがかかる。ダイオードＤ４に逆方向バイアスがかけられているため、ダイオードＤ３およびＤ４に電流は流れず、ダイオードＤ３とＤ４のアノードは互いに非常に近く維持される。したがって、従来のＪＢＳダイオードの場合と同様に、ダイオードＤ４からの空乏領域は、ダイオードＤ３を遮蔽する。
【００６５】
したがって、本発明の実施形態は、ＪＢＳ構造のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する構造を提供することができる。例えば、接合障壁格子の注入領域とショットキーコンタクトの間に絶縁層を形成することによって提供することができる直列容量Ｃ１は、接合障壁格子のビルトインｐｎ接合の電流伝導を阻止する、ダイオードと一体の手段を提供することができる。
【００６６】
次に、図５Ａから５Ｅを参照して、図３に示されたダイオードなどのダイオードの製造を説明する。図５Ａから５Ｅは、接合障壁格子の形成を示すが、当業者には理解されるとおり、エッジターミネーションの形成においても同様の操作を実行することができる。図５Ａに示されているように、ｎ＋  ４Ｈ−ＳｉＣ基板３１０上にｎ−エピタキシャル層３１４を成長させる。ｎ−エピタキシャル層３１４の厚さおよびドーピング濃度は、図３を参照して先に説明したとおりとすることができる。さらに、基板３１０とｎ−エピタキシャル層３１４の間に、任意選択のｎ＋エピタキシャル層３１２を形成することができる。炭化シリコンエピタキシャル層を形成する技法は当業者に知られており、したがって本明細書でさらに説明する必要はない。
【００６７】
図５Ｂは、接合障壁格子の位置に対応する位置に開口を有する注入マスク５００の形成およびパターニングを示す。第１の注入エネルギーを用いて第１の注入を実行して、第１の炭化シリコン領域３１６を形成し、第１の注入エネルギーよりも低い第２の注入エネルギーを用いて第２の注入を実行して、第２の炭化シリコン領域３１７を形成する。あるいは、その注入のプロファイルによって、ｎ−エピタキシャル層３１４内に配置されたｐ＋領域と、ｎ−エピタキシャル層３１４の表面まで延びるｐまたはｐ−領域とが形成される、単一の注入を実行してもよい。３回以上の注入を使用することもできる。
【００６８】
第１および第２の領域３１６および３１７を提供するｐ型注入では、アルミニウム、ホウ素などのｐ型種を選択的に注入することができる。イオン注入温度は０℃から約１３００℃とすることができ、このタイプの注入マスクは、フォトレジストおよび／またはＰＥＣＶＤ酸化物を含むことができる。注入の総ドーズ（＝∫ＮＡ（ｘ）ｄｘ）は、阻止状態における突抜け現象を防ぐために、少なくとも１×１０１３ｃｍ−２でなければならず、注入領域の表面濃度は、１×１０１５ｃｍ−３から５×１０１８ｃｍ−３でなければならない。これよりも低い濃度は、ｐ型ショットキーダイオードに対する阻止電圧をより高くする。このｐ型注入を使用して、前述のフローティングガードリング構造などのエッジターミネーション構造を形成することもできる。例えば、アルミニウムイオンは以下のスケジュールで注入することができる：３０ｋｅＶで６ｅ１２ｃｍ−２、８０ｋｅＶで１．６ｅ１３ｃｍ−２、１８０ｋｅＶで３．２ｅ１４ｃｍ−２。
【００６９】
注入後、ウェーハを約１３００℃から約１８００℃の温度でアニールして、注入領域およびアニール欠陥を活性化させる。アニール環境は、表面の粗面化を回避することができるように制御しなければならない。例えば、この活性化アニール環境は、ＡｒとＳｉＨ４の混合物とすることができる。あるいはまたはこれに加えて、アニール中の表面保護を提供するために、黒鉛またはＡｌＮのブランケット付着によってウェーハの表面を覆うことができる。
【００７０】
図５Ｃは、背面オーミックコンタクトの形成を示す。注入活性化後、ウェーハをクリーニングし、背面に薄い金属層を付着させて、背面オーミックコンタクト３２４を形成する。この金属層の厚さは約１００Åから３０００Åとすることができる。この金属はＮｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ａｌおよび／またはＴｉを含むことができる。本発明の特定の実施形態では、背面金属としてＮｉが使用される。金属付着後、ウェーハを、不活性環境（Ａｒ、窒素および／またはフォーミングガス）中でコンタクトアニール（contact anneal）にかける。コンタクトアニール温度は約６００℃から約１２００℃とすることができる。
【００７１】
図５Ｄに、ショットキーコンタクト３２２の形成を示す。前面ショットキーコンタクト３２２を付着させ、パターニングする。図３を参照して先に論じたとおり、このような付着およびパターニングは、エピタキシャル層３１４上での熱酸化物の形成およびこの熱酸化物上への酸化物の付着を含むことができる。この酸化物構造内に、ショットキーコンタクト３２２のための開口を形成して、注入領域３１６および３１７を含むエピタキシャル層３１４のそのための領域を露出させることができる。酸化物上およびエピタキシャル層３１４の露出部分上にショットキー金属を付着させ、次いでパターニングして、ショットキーコンタクト３２２を形成する。
【００７２】
本発明のいくつかの実施形態では、コンタクト金属としてＴｉおよび／またはＮｉを使用することができる。ショットキーコンタクト３２２の厚さは約５００Åから５０００Åとすることができ、ショットキーコンタクトを約２００℃から約８００℃の温度でアニールすることができる。ショットキーコンタクト３２２と領域３１６および３１７の間に整流性接触が提供される本発明の実施形態では、ｎ−領域とｐ注入領域の両方に整流性接触が形成されるように注意を払わなければならない。例えば、非整流性接触を与える可能性がある金属スパイキング（spiking）を防ぐために、温度は指定された範囲を超えてはならない。
【００７３】
図５Ｅは、任意選択の金属オーバーレイヤ（overlayer）５２０および５３０の形成を示す。ショットキーコンタクト３２２の形成後、ウェーハの両面に、適当な金属層を付着させることができる。ウェーハの背面は、はんだ付けに適したＴｉ／Ｎｉ／ＡｇまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属オーバーレイヤ５３０を含むことができる。ウェーハの前面は、ワイヤボンディングに適したＡｌまたはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属オーバーレイヤ５２０を含むことができる。
【００７４】
図６は、本発明のいくつかの実施形態に基づくＪＢＳダイオードのＩ−Ｖ曲線である。このＪＢＳダイオードは０．０４５ｃｍ２の作用面積を有する。ｐ＋格子の幅は約１．５μｍ、格子間の間隔は約４μｍである。デバイスは約３８３本の格子縞を有する。エピタキシャル層３１４は、約５×１０１５ｃｍ−３のドーピング濃度および５．５μｍの厚さを有する。第１の注入領域３１６は、約４×１０１９ｃｍ−３のドーピング濃度を有し、エピタキシャル層３１４中に０．２μｍから０．４μｍ延び、第２の注入領域３１７は、約２×１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有し、エピタキシャル層３１４の表面から層中に０．２μｍ延びる。１０Ｖの順方向バイアスで、６０Ａ（＝１．３ｋＡ／ｃｍ２）の順方向電流が提供される。このＩ−Ｖ特性はｐｎ接合のターンオンの徴候を示さない。５Ｖを超えるバイアスに対する順方向電流は、キャリア速度の飽和によって制限される。
【００７５】
図７は、本発明の他の実施形態に基づく接合障壁ショットキーダイオード７００の断面図である。図７に示されているように、接合障壁領域７１６は、従来通りに注入されたｐ型領域によって、または前述の注入領域３１６および３１７によって提供することができ、接合障壁領域７１６とショットキーコンタクト金属３２２の間には絶縁領域７２０が提供される。絶縁領域７２０は例えば、酸化層３２０にマスクをし、エッチングすることによって、または第２の付着酸化層３２１の付着の前に第１の熱酸化層３１９にマスクをし、エッチングすることによって、形成することができる。絶縁領域７２０は例えば、絶縁領域７２０を貫く複数のトレンチ７２５を形成するために酸化層３２０にマスクをし、エッチングすることによって、または第２の付着酸化層３２１の付着の前に第１の熱酸化層３１９にマスクをし、エッチングすることによって、絶縁領域７２０の部分が接合障壁領域７１６の上にくるように形成することができる。あるいは、例えば、ブランケット付着、マスキングおよびエッチング、選択付着および／または成長、リフトオフ技法、あるいは当業者に知られている他の技法によって、接合障壁領域７１６上に別個の絶縁材料を形成することもできる。絶縁領域７２０は、例えばＴｎＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、酸窒化物など、適当な任意の絶縁材料とすることができる。ショットキーコンタクト金属３２２は、絶縁領域７２０上に付着させることができ、トレンチ７２５の中を延びて、エピタキシャル層３１４と接触することができる。絶縁領域７２０は、接合障壁領域７１６とショットキーコンタクト金属３２２との間の電流伝導を阻止するために、注入された接合障壁領域７１６上に配置することができる。
【００７６】
図面および明細書には、本発明の一般的な実施形態が開示されている。特定の用語を使用したが、それらは、一般的かつ記述的な意味においてのみ使用されており、限定目的では使用されていない。本発明の範囲は添付の特許請求の範囲に記載されている。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】従来のＪＢＳダイオードの例示的なＩ−Ｖ曲線を示す図である。
【図２】従来のＳｉＣ接合障壁ショットキーダイオードの断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるＳｉＣ接合障壁ショットキーダイオードの断面図である。
【図４Ａ】従来のＪＢＳダイオードの等価回路図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの等価回路図である。
【図４Ｃ】阻止ショットキー接合を提供する本発明の実施形態によるＪＢＳダイオードの等価回路図である。
【図４Ｄ】高抵抗性接合を提供する本発明の実施形態によるＪＢＳダイオードの等価回路図である。
【図４Ｅ】阻止絶縁体を提供する本発明の実施形態によるＪＢＳダイオードの等価回路図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの製造を示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの製造を示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの製造を示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの製造を示す断面図である。
【図５Ｅ】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードの製造を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態によるＪＢＳダイオードのＩ−Ｖ曲線を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態によるＳｉＣ接合障壁ショットキーダイオードの断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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