(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆うように支持体を配置し、前記支持体の周囲で前記支持体を包むよう前記フレキシブル配線基板を折り曲げ、前記ＬＳＩチップを挟んだ前記フレキシブル配線基板の上面及び下面に外部端子を配置する半導体装置であって、
前記支持体は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面高さを均一にし、且つ、内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から成り、
前記支持体の裏面には、前記フレキシブル配線基板の末端部を位置決めするための位置決め部材が設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記支持体は、凹部を有するキャップ構造である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持体は、樹脂により成型される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆うように支持体を設ける段階と、
前記支持体の周囲で前記支持体を包むよう前記フレキシブル配線基板を折り曲げた後、接着により前記フレキシブル配線基板を固定する段階と、
前記ＬＳＩチップを挟んだ前記フレキシブル配線基板の上面及び下面に外部端子を配置する段階と
を有し、
前記支持体は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面高さを均一にし、且つ、内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から成り、
前記支持体の裏面には、前記フレキシブル配線基板の末端部を位置決めするための位置決め部材が設けられる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持体は、凹部を有するキャップ構造である
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持体は、樹脂により成型される
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記支持体を設ける段階においては、予め所定の形状に加工した支持体を実装する
ことを特徴とする請求項４から６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持体を設ける段階においては、ＬＳＩチップを実装したフレキシブル配線基板に金型に配置して、樹脂を流し込むモールド樹脂成型により形成される
ことを特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩを実装したフレキシブル配線基板を曲げることで小型化することができる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の小型、薄型などの高密度実装技術の発展に伴い、３次元実装を可能とする半導体装置の開発が進められている。
特に、ＬＳＩを実装したフレキシブル配線基板を曲げ、折りたたむことで裏面に電極を形成する半導体装置は、ベアチップを使用した３次元実装を除き、ＬＳＩチップを保護することができ、最も小型化ができる構造である。
そして、小型化が進むとフレキシブル配線基板を折り曲げた位置により面積が決定し、小型化はＬＳＩチップサイズとほぼ等しくなるが、外部端子数は面積の大きさに対応することから、端子ピッチを小さくすることができなければ端子数を増やすことはできない。
【０００３】
このような半導体装置の一例として、例えば図１０に示される構造のものが知られている。この半導体装置は、ＬＳＩチップＣが実装されたフレキシブル配線基板１を、該ＬＳＩチップＣを覆うように折り曲げた構造であって、折り曲げたフレキシブル配線基板１と、ＬＳＩチップＣとの間には、これらを接着する接着層２が設けられている。そして、これらフレキシブル配線基板１とＬＳＩチップＣとを接着層２で接着することにより、半導体装置は全体として正面視、四角形状を形成する。
また、半導体装置を最も小型にするためにはＬＳＩチップＣはフリップチップ実装されており、信頼性を確保するために、ＬＳＩチップＣの下面とフレキシブル配線基板１との間にはアンダーフィル樹脂３が充填されている。また、フレキシブル配線基板１の外側上面及び下面には、外部に接続するための外部端子４が設けられている。
【０００４】
そして、上記半導体装置に関連する技術として、以下のような特許文献１〜７が提供されている。
例えば、特許文献１の特開平８−３３５６６３号公報に示される半導体装置では、ＬＳＩチップの側方に配置されたシリコンゴムを中心として、導体パターンを有するフィルムを折り曲げる構成となっている。
【０００５】
そして、このような構成の半導体装置では、全体形状がＬＳＩチップの外形形状に依存することになり、これを解決するために、特許文献２に示される特開２００７−２５１２２５号公報が提供されている。
この特許文献２に示される半導体パッケージでは、支持体となる挿入基板をフレキシブル配線基板上に貼付け、該フレキシブル配線基板を、前記挿入基板の周囲で折り曲げることでＬＳＩチップの面積より大きな面積に外部端子を配置することが可能となり、端子数を増加することができる構成とされている。
【０００６】
特許文献２の半導体装置（半導体パッケージ）に関する図１１を参照して説明する。該半導体装置が、図１０のものと構成を異にするのは、フレキシブル配線基板１におけるＬＳＩチップＣの実装位置の側部に、支持体となる挿入基板５を設けた点である。
この挿入基板５は、折り曲げられたフレキシブル配線基板１の内部空間に、ＬＳＩチップＣとともに設けられるものであって、折り曲げられたフレキシブル配線基板１の上面及び下面の面積を増大させ、外部端子４の設置数を増大させる役割がある。
なお、図１２は図１１の変形例であって、折り曲げたフレキシブル配線基板１の末端部を位置決めするために、ＬＳＩチップＣの裏面中央部に突起６を設けた例である。
【０００７】
また、特許文献２以外にも、特許文献３〜７にも同様の技術が示されている。特許文献３に示される電子デバイスパッケージでは、インターポーザ基板上の半導体デバイスを覆うように支持体となる挿入基板を配置し、該インターポーザ基板を、前記挿入基板の周囲で折り曲げるように構成されている。
また、特許文献４に示される半導体装置では、配線パターン上に支持体となる平板を配置し、該配線パターンを前記平板の周囲で折り曲げるように構成されている。
【０００８】
また、特許文献５に示される半導体パッケージでは、可撓性基板上の半導体デバイスを覆うように支持体となる挿入基板を配置し、該可撓性基板を、前記挿入基板の周囲で折り曲げるように構成されている。
また、特許文献６に示される半導体パッケージでは、ＦＰＣ上の半導体チップを覆うように支持体となる封止樹脂形成体を配置し、ＦＰＣを、前記封止樹脂形成体の周囲で折り曲げるように構成されている。
また、特許文献７に示される半導体集積回路パッケージでは、フレキシブル配線基板上のＩＣチップを覆うように支持体となるステフナを配置し、前記フレキシブル配線基板を、前記ステフナの周囲で折り曲げるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−３３５６６３号公報
【特許文献２】特開２００７−２５１２２５号公報
【特許文献３】国際公開第２００７／１０２３５８号
【特許文献４】特開２００４−１４６７５１号公報
【特許文献５】特開２００４−１７２３２２号公報
【特許文献６】特開２００４−３６３５５６号公報
【特許文献７】特開２００７−３１１６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上述した特許文献１〜７に開示された半導体装置には、いくつかの問題がある。
第１の問題点は、外部端子の特性で最も重要視されるのがコプラナリティ（平坦性）であり、ＬＳＩチップの搭載高さと金属支持体の高さが不均一であると、その部分で段差が生じ、フレキシブル配線基板を折り曲げて接着した時に段差が発生することがあり、このため、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面の高さを均一にしなければならない。
上述した特許文献１〜７の中で、特に特許文献３及び６には、フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆う支持体が配置される構成が示されているが、この支持体は、主にＬＳＩチップを保護又は補強するために設けられるものであり、ねじれなどによるコプラナリティの悪化といった問題には対応していなかった。特に、金属による支持体の場合、プレス加工、放電加工、切削加工などあるが薄板を加工するため、内部応力により、平坦性を確保することが困難であり、また、樹脂などの材料を用いた場合も同様に成型や切削加工などで製作するが、加工時の内部応力により反り、ねじれなどが発生する。
【００１１】
第２の問題点は、内部応力により反り、ねじれなどが発生した場合に、裏面に位置する外部端子の電極に位置ずれが生じ、実装するパッケージ、基板から位置ズレを起こす可能性があることである。大きく位置がずれてオープン不良になる場合もあるが、ずれ量が小さい場合においても接続部の形状が正規の形状と異なることや、接続面積が減少するために信頼性が低下する。
折り曲げ時に電極を相対的に正しい位置にするための画像認識はフレキシブル配線基板を折り曲げて接着するので回転軸を必要とし、通常の上下に配置したカメラによる認識機能を持った搭載装置で位置を決めることができない。従って電極の位置精度は折り曲げ位置の精度によることになるが、支持体の搭載精度、支持体の外形精度を含むことになり高精度化が困難である。高精度にするためには、精度の高い搭載装置、位置ズレのない確実な接着プロセス、支持体の外形公差の向上など図る必要があり、コストが高くなる。
【００１２】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、パッケージの両面に電極（外部端子）を有する半導体装置において、特にフレキシブル配線基板を折り曲げることで裏面電極（外部電極）を形成する半導体装置のコプラナリティ（平坦性）を高くして、電極の相対的位置精度を向上させることができる、接続信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によると、フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆うように支持体を配置し、支持体の周囲で支持体を包むようフレキシブル配線基板を折り曲げ、ＬＳＩチップを挟んだフレキシブル配線基板の上面及び下面に外部端子を配置する半導体装置であって、支持体は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面高さを均一にし、且つ、内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から成り、支持体の裏面には、フレキシブル配線基板の末端部を位置決めするための位置決め部材が設けられている。
【００１４】
本発明の第２の形態によると、半導体装置の製造方法であって、フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆うように支持体を設ける段階と、支持体の周囲で支持体を包むようフレキシブル配線基板を折り曲げた後、接着によりフレキシブル配線基板を固定する段階と、ＬＳＩチップを挟んだフレキシブル配線基板の上面及び下面に外部端子を配置する段階とを有し、支持体は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面高さを均一にし、且つ、内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から成り、支持体の裏面には、フレキシブル配線基板の末端部を位置決めするための位置決め部材が設けられる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、フレキシブル配線基板上のＬＳＩチップを覆うように支持体を配置し、該支持体の周囲で該支持体を包むよう前記フレキシブル配線基板を折り曲げた半導体装置において、前記支持体は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から形成するようにした。
これにより、第１の効果は、支持体により搭載したＬＳＩチップの裏面全体を覆い、該支持体に反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させず、裏面全体の高さを均一にすることができ、これにより外部端子のコプラナリティを確保する半導体装置を提供することができる。
第２の効果は、金型を用いたモールド成型により支持体を形成することで該支持体の加工コストを低減するとともに、金型を介した支持体取り付けを行うことで、該支持体の位置決めに係る搭載精度を向上させることができ、信頼性向上を実現した半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の半導体装置の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第２実施形態を示す断面図である。
【図３】第１及び第２実施形態の変形例１を示す断面図である。
【図４】第２実施形態の変形例２を示す断面図である。
【図５】第１及び第２実施形態の変形例３（１）を示す断面図である。
【図６】第１及び第２実施形態の変形例３（２）を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態となる半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】本発明の第４実施形態となる半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図９】第４実施形態の変形例を示す工程図である。
【図１０】従来の半導体装置（１）を示す断面図である。
【図１１】従来の半導体装置（２）を示す断面図である。
【図１２】従来の半導体装置（３）を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の第１実施形態について、図１を参照して説明する。
図１は本発明の第１実施形態として示した半導体装置の断面図である。
この半導体装置は、ＬＳＩチップＣが実装されたフレキシブル配線基板１０を、該ＬＳＩチップＣを覆うように折り曲げた構造であって、折り曲げたフレキシブル配線基板１０内でありかつその上面には、ＬＳＩチップＣと、支持体２０（後述する）が配置されている。
また、フレキシブル配線基板１０の端部と、支持体２０の裏面２０Ａとの間には、これらを接着する接着層１１が設けられている。そして、フレキシブル配線基板１０の端部と、支持体２０の裏面２０Ａとが接着層１１で接着されることにより、半導体装置は全体として正面視、四角形状を形成している。
【００１８】
また、半導体装置を最も小型にするためにはＬＳＩチップＣはフリップチップ実装されており、信頼性を確保するために、ＬＳＩチップＣの下面とフレキシブル配線基板１０との間にはアンダーフィル樹脂１２が充填されている。また、フレキシブル配線基板１０の外側上面及び下面の両面には、外部に接続するための外部端子１３が設けられている。
【００１９】
また、前記支持体２０は、折り曲げられたフレキシブル配線基板１０の内部空間に、ＬＳＩチップＣを覆うように設けられるものであって、折り曲げられたフレキシブル配線基板１０の端部を支持して該フレキシブル配線基板１０の上面及び下面の面積を増大させ、ファンアウト構造の電極とする構造にしている。
【００２０】
また、この支持体２０は、金属板により構成されており、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体からなる。
また、この支持体２０は、その下部に凹部２０Ｂを有し、この凹部２０Ｂ内にＬＳＩチップＣを収容するともに、該ＬＳＩチップＣの裏面を覆うように、フレキシブル配線基板１０上に配置されている。
さらに、前記支持体２０の裏面は平坦に形成されているが、該支持体２０の外形、裏面の平坦性は必要に応じ精密に加工されている。そして、このような支持体２０の裏面の高い平坦性により外部端子１３の高い平坦性を維持することができる。また、前記支持体２０を取り付ける工程は、ＬＳＩチップＣを実装する場合と同じく、フレキシブル配線基板１０の位置決めマークを認識する認識機能を用いて、精密に実装される。
【００２１】
以上詳細に説明したように本発明の第１実施形態によれば、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣを覆うように支持体２０を配置し、該支持体２０の周囲で該支持体２０を包むよう該フレキシブル配線基板１０を折り曲げた半導体装置において、前記支持体２０は、フレキシブル配線基板１０上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体から形成するようにした。
そして、このような支持体２０により、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣの裏面全体を覆うとともに、該支持体２０に反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させず、裏面全体の高さを均一にすることができ、外部端子１３のコプラナリティを確保した半導体装置を提供することができる。
【００２２】
なお、ＬＳＩチップＣはさらに小型化を図るためにベアチップをフリップチップ実装した構造でも良く、コストを重視する場合は、フェイスアップの実装を行ない、ワイヤボンディングによる接続を用いても良い。
また、支持体２０は凹形状に加工した金属板を用いるが、切削加工により製作すると精密に加工が可能であるがコストが増加するため、単純なプレス加工や薄板を切り抜いた枠形状の部品と平板をスポット溶接などにより接合することで製作しても良い。
【００２３】
本発明の第２実施形態について、図２を参照して説明する。
この第２実施形態に示される半導体装置が、第１実施形態と異なるのは、前記支持体２０がモールド樹脂Ｒにより形成されている点である。なお、第２実施形態は、第１実施形態と構成を共通にする箇所に同一符号を付して、重複した説明を省略する。
【００２４】
このモールド樹脂Ｒからなる支持体２０は、ＬＳＩチップＣが配置されてなるフレキシブル配線基板１０を折り曲げる前に、該ＬＳＩチップＣを跨ぐようにモールド成型の金型を配置し、この金型のキャビティ内に樹脂を注入することにより形成される（製造工程は第３実施形態にて後述する）。
そして、このようなモールド樹脂Ｒからなる支持体２０では、フレキシブル配線基板１０上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にするとともに、ＬＳＩチップＣがモールド成型の金型内に収まるのであれば、該ＬＳＩチップＣがどのような形状であっても、一定高さの支持体２０を形成することができ、同じ形状の半導体装置を形成することができる利点がある。また、この支持体２０を形成するモールド樹脂Ｒは、内部応力による反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させない剛性を有するものが使用される。
【００２５】
以上詳細に説明したように本発明の第２実施形態によれば、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣを覆うように支持体２０を配置し、該支持体２０の周囲で該支持体２０を包むよう該フレキシブル配線基板１０を折り曲げた半導体装置において、前記支持体２０はモールド樹脂Ｒを注入することにより形成することで、フレキシブル配線基板１０上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体にした。
そして、このような支持体２０により、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣの裏面全体を覆うとともに、該支持体２０に反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させず、裏面全体の高さを均一にすることができ、外部端子１３のコプラナリティを確保した半導体装置を提供することができる。
また、前記支持体２０を、金型によるモールド成型で形成することで該支持体２０の加工コストを低減するとともに、金型を介した支持体２０の取り付けを行うことで、該支持体２０の位置決めに係る搭載精度を向上させることができ、信頼性向上を実現した半導体装置を提供することができる。
【００２６】
（変形例１）
上記第１及び第２実施形態では、支持体２０の裏面２０Ａを平面状に形成したが、これに限定されず、図３に示すように、該支持体２０の中心部に突起２１を設け、フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際に該フレキシブル配線基板１０の末端部を位置させる基準として、これにより該フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際の該レキシブル配線基板１０の末端部の位置決めを容易にしても良い。
なお、上記突起２１は凸状に形成したが、位置決め手段として円柱形状のピンなどで成型しても良い。また、前記支持体２０に突起２１ではなく、孔を成型しても良い。この場合はフレキシブル配線基板１０に位置決め用の孔を設け、ガイドピンを挿入することで、これらフレキシブル配線基板１０と支持体２０とを互いに連結しても良い。このような突起２１は、第１実施形態に示される予め加工された支持体２０を実装する場合、及び第２実施形態に示されるモールド樹脂Ｒで形成された支持体２０を実装する場合のいずれにも適用可能である。
【００２７】
（変形例２）
第２実施形態では、ＬＳＩチップＣの接合部の保護を、該ＬＳＩチップＣの下面とフレキシブル配線基板１０との間にアンダーフィル樹脂１２を充填することで行ったが、これに限定されず、図４に示すように、支持体２０の形成と同時に、ＬＳＩチップＣの接合部の保護をモールド樹脂Ｒにより行ない、これにより製造工程、材料コストを低減させても良い。
【００２８】
（変形例３）
上記第１及び第２実施形態では、フレキシブル配線基板１０上に１つのＬＳＩチップＣを固定したが、これに限定されず、図５及び図６に示すように、複数のＬＳＩチップＣを実装しても良い。なお、ここで図５は、フレキシブル配線基板１０上へのＬＳＩチップＣの固定を、アンダーフィル樹脂１２を充填することで行った場合の例、図６はフレキシブル配線基板１０上へのＬＳＩチップＣの固定を、支持体２０を形成する際に注入したモールド樹脂Ｒで行った場合の例を示している。
【００２９】
本発明の第３実施形態について、図７を参照して半導体パッケージの製造方法について説明する。なお、この半導体パッケージの製造方法は、前述した第１実施形態に示されるように、ＬＳＩチップＣ上に予め加工された支持体２０を実装する場合の例に対応している。
【００３０】
（第１段階）
まず、図７（ａ）に示すように、フレキシブル配線基板１０上にＬＳＩチップＣを実装し、該ＬＳＩチップＣの下面とフレキシブル配線基板１０との間にアンダーフィル樹脂１２を充填することで、該ＬＳＩチップＣの接合部を保護する。
次に、図７（ｂ）に示すように、支持体２０をフレキシブル配線基板１０の所定位置に実装し、ＬＳＩチップＣの外形より大きな領域の平坦性を確保するように裏面を覆う。このとき、ＬＳＩチップＣの裏面と支持体２０の凹部２０Ｂの内面は接着剤又は導電性材料（図示略）で接続することにより放熱性を高める効果を有する。なお、ここで使用する支持体２０は、金属板により構成されており、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体からなる。
【００３１】
（第２段階）
次に、図７（ｃ）〜図７（ｄ）に示すように、支持体２０の裏面２０Ａに接着層１１を設け、支持体２０の外形に沿うようにフレキシブル配線基板１０を折り曲げ、フレキシブル配線基板１０の外部端子１３を形成する電極の位置精度を合わせて、該フレキシブル配線基板１０の端部を、支持体２０の裏面２０Ａに接着する。
【００３２】
（第３段階）
最後に、図７（ｅ）に示すように、全体として四角形状に形成されたフレキシブル配線基板１０の上面及び下面に外部端子１３を形成する。ここで外部端子１３はフレキシブル配線基板１０の上下面に図示しているが、これら上下面のどちらか一方又は両方が電極のままであり、又はこれら上下面に、搭載する基板又はパッケージに接続用のハンダバンプなどが形成されていても良い。
【００３３】
以上詳細に説明したように本発明の第３実施形態によれば、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣを覆うように支持体２０により、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣの裏面全体を覆うとともに、該支持体２０に反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させず、裏面全体の高さを均一にすることができ、外部端子１３のコプラナリティを確保した半導体装置を提供することができる。
【００３４】
本発明の第４実施形態について、図８を参照して半導体パッケージの製造方法について説明する。なお、この半導体パッケージの製造方法は、前述した第２実施形態に示されるように、ＬＳＩチップＣ上にモールド樹脂Ｒからなる支持体２０を実装する場合の例に対応している。
【００３５】
（第１段階）
まず、図８（ａ）〜図８（ｂ）に示すように、フレキシブル配線基板１０上にＬＳＩチップＣを実装した後、モールド成型の金型３０を配置する。次に、図８（ｂ）に示すように、次いで、モールド樹脂Ｒを金型３０のゲート３０Ａより充填して、ＬＳＩチップＣの接合部を含め全体を覆うように成型し、これによって支持体２０を形成する。
なお、ここではアンダーフィル樹脂１２を使用していないが、モールド樹脂Ｒの流動性が低い場合、接合の狭い間隙に充填することができない場合はアンダーフィル樹脂１２により接合部を保護しても良い。モールド樹脂Ｒにより形成される支持体２０は、フレキシブル配線基板上に搭載されたＬＳＩチップＣの裏面高さを均一にし、かつ内部応力による変形を発生させない剛性を有する構造体からなる。
【００３６】
（第２段階）
次に、図８（ｃ）〜図８（ｄ）に示すように、モールド樹脂Ｒからなる支持体２０が硬化したならば、該支持体２０の裏面２０Ａに接着層１１を形成し、支持体２０の外形に沿うように、フレキシブル配線基板１０の端部を折り曲げ、該フレキシブル配線基板１０により、ＬＳＩチップＣ及び支持体２０を包み込むようにする。
【００３７】
（第３段階）
最後に、図８（ｅ）に示すように、全体として四角形状に形成されたフレキシブル配線基板１０の上面及び下面に外部端子１３を形成する。ここで外部端子１３はフレキシブル配線基板１０の上下面に図示しているが、これら上下面のどちらか一方又は両方が電極のままであり、又はこれら上下面に、搭載する基板又はパッケージに接続用のハンダバンプなどが形成されていても良い。
【００３８】
以上詳細に説明したように本発明の第４実施形態によれば、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣを覆う支持体２０により、フレキシブル配線基板１０上のＬＳＩチップＣの裏面全体を覆うとともに、該支持体２０に反り、撓み、ねじれなどの変形を発生させず、裏面全体の高さを均一にすることができ、外部端子１３のコプラナリティを確保した半導体装置を提供することができる。
また、前記支持体２０を、金型３０によるモールド成型で形成することで該支持体２０の加工コストを低減するとともに、金型３０を介した支持体２０の取り付けを行うことで、該支持体２０の位置決めに係る搭載精度を向上させることができ、信頼性向上を実現した半導体装置を提供することができる。
【００３９】
（変形例）
上記第３及び第４実施形態では、支持体２０の裏面２０Ａを平面状に形成したが、これに限定されず、図９（ａ）〜図９（ｅ）に示すように、該支持体２０の中心部に突起２１を設け、フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際に該フレキシブル配線基板１０の末端部を位置させる基準として、これにより該フレキシブル配線基板１０を折り曲げた際の該レキシブル配線基板１０の末端部の位置決めを容易にしても良い。
なお、上記突起２１は凸状に形成したが、円柱形状のピンなどで成型しても良い。また、前記支持体２０に突起２１ではなく、孔を成型しても良い。この場合はフレキシブル配線基板１０に位置決め用の孔を設け、ガイドピンを挿入することで互いを連結しても良い。このような突起２１は、第１実施形態に示される予め加工された支持体２０を実装する場合、及び第２実施形態に示されるモールド樹脂Ｒで形成された支持体２０を実装する場合のいずれにも適用可能である。
【００４０】
以上のように本発明の半導体装置及びその製造方法について実施形態を示して説明したが、本願発明はこの実施形態に限定されるものではなく、その技術思想を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能であることは言うまでもない。
【００４１】
本発明は、携帯端末などの小型、高機能が求められる機器に対して３次元実装することで、実装密度を高くするために使用される半導体装置及びその製造方法に関する。
【符号の説明】
【００４２】
１０  フレキシブル配線基板
１１  接着層
１３  外部端子
２０  支持体
２０Ａ  裏面
２０Ｂ  凹部
２１  突起（位置決め手段）
Ｒ  モールド樹脂
Ｃ  ＬＳＩチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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