(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィプロセスを介して基板上に結像されるように構成された設計レイアウトからターゲットパターンの部分集合を選択する方法において、
前記設計レイアウトから、ターゲットパターンの集合から選択された複数のターゲットパターンについて、それぞれの回折マップを生成する工程と、
ターゲットパターンの前記集合からの前記複数のターゲットパターンの様々な回折マップから回折シグネチャを識別する工程と、
ターゲットパターンの前記集合からの前記複数のターゲットパターンを回折シグネチャグループにグループ化する工程であって、特定の回折シグネチャグループ内の前記ターゲットパターンが同様の回折シグネチャを有する、工程と、
ターゲットパターンの代表集合がリソグラフィプロセスのための設計レイアウトの少なくとも一部を表すように、予め定義された数の回折シグネチャグループをカバーするようにターゲットパターンの代表集合である前記部分集合を選択する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記複数のターゲットパターンをグループ化する工程が、回折シグネチャの類似性に基づいて、予め定義された規則によって決まる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記予め定義された規則が、回折シグネチャグループにおけるピークの特性に基づいて回折シグネチャグループ間の関係を決定するための規則を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される照明源を最適化する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記照明源を最適化する工程が、マスクに入射する放射ビームの偏光分布を調整する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される投影光学系システムを最適化する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記投影光学系システムを最適化する工程が、放射ビームがマスクを通過した後、瞳面内で前記放射ビームの波面を操作する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
回折シグネチャを識別する工程が、
前記回折マップのそれぞれの中のピークを識別する工程と、
前記回折マップのそれぞれの中の識別されたピークの、１つまたは複数の特性パラメータを記憶する工程と、
前記回折マップのそれぞれについて、それぞれの回折シグネチャグループを作成するために、前記識別されたピークの前記記憶された特性パラメータを解析する工程と、
をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
各回折シグネチャグループが、１つまたは複数のそれぞれの基底ベクトルを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
１次元基底ベクトルが共線のピークを表し、２次元基底ベクトルが、前記回折マップ内で識別された１対の非共線のピークを表す、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記識別されたピークについて記憶される前記特性パラメータが、前記ピークの位置、前記ピークの幅、前記ピークの振幅、前記ピークの調波インデックス、および１つまたは複数の隣接するピークからの前記ピークの距離のうちの１つまたは複数を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記それぞれの回折マップを生成する工程が、
ターゲットパターンの前記集合のそれぞれの中の前記ターゲットパターンに対応するそれぞれの回折次数プロットを生成する工程と、
前記回折次数プロットのそれぞれから０次のピークを除去する工程と
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記識別されたピークの前記記憶された特性パラメータを解析する工程が、
前記回折次数プロット内の最も強いピークを識別する工程と、
前記回折次数プロット内の最も強いピークを含む各共線のピークについてそれぞれの１次元基底ベクトルを構築する工程と、
前記回折次数プロット内の非共線のピークの各対についてそれぞれの２次元基底ベクトルを構築する工程と、
前記回折次数プロット内に存在する高調波すべてを無視する工程と、
非反復の１次元基底ベクトルおよび２次元基底ベクトルを選択することによって回折シグネチャグループのリストをポピュレートする工程と、を含む、
請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記予め定義された規則が、
ピーク「ｖ」と別のピーク「ｕ」との間の距離がピークの平均幅に予め定義された許容度を加えたものより短い場合、「ｖ」は「ｕ」と重なり合うとみなされる、
１次元回折シグネチャグループ「ｖ１」が「ｎ＊ｕ１」と重なり合うような整数「ｎ」が存在する場合だけ、「ｖ１」は別の１次元回折シグネチャグループ「ｕ１」によってカバーされるとみなされる、
２次元回折シグネチャグループ（ｖ１，ｖ２）は、「ｖ１」が「ｎ１＊ｕ１＋ｎ２＊ｕ２」と重なり合うような１対の整数（ｎ１，ｎ２）が存在し、同様に「ｖ２」が「ｍ１＊ｕ１＋ｍ２＊ｕ２」と重なり合うような１対の整数（ｍ１，ｍ２）が存在する場合だけ、別の２次元回折シグネチャグループ（ｕ１，ｕ２）によってカバーされるとみなされる、
１次元回折シグネチャグループは、２次元回折シグネチャグループをカバーすることができない、
離散的なピークは、連続的なピークをカバーすることができる、
より低次のピークはより高次のピークをカバーする、
のうちの１つまたは複数を含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータに、請求項１から１４までのいずれか一項に記載のターゲットパターンの前記代表集合を選択する方法を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、一般に、回折シグネチャ解析に基づいて最適なパターンを選択することに関し、より詳細には、その最適なパターンを使用し、リソグラフィイメージングのためのマスク最適化を行うことに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（IC）の製造時に使用することができる。そのような場合、マスクがＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含むことができ、このパターンを、放射感応性材料（レジスト）の層でコートされた基板（シリコンウェーハ）上の（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分上に結像させることができる。一般に、単一の基板は、投影システムを介して１つずつ連続して照射される、網状の隣り合うターゲット部分全体を含むことになる。あるタイプのリソグラフィ投影装置では、マスクパターン全体を一度にターゲット部分上に露光することによって各ターゲット部分が照射され、そのような装置は、一般にウェーハステッパと呼ばれる。一般にステップアンドスキャン装置と呼ばれる代替の装置では、マスクパターンを投影ビームの下で、所与の基準方向（「スキャン」方向）で漸次スキャンし、一方、この方向に対して平行または逆平行で基板テーブルを同期スキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ（概して１未満）を有することになるため、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖは、マスクテーブルがスキャンされる速さの係数Ｍ倍となる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、放射感応性材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板上にマスクパターンが結像される。この結像工程の前には、基板を、下塗り（priming）、レジストコーティング、ソフトベークなど、様々な手順にかけることができる。露光後には、基板を、露光後ベーク（PEB）、現像、ハードベーク、および結像されたフィーチャの測定／検査など、他の手順にかけることができる。この一連の手順を基礎として使用し、デバイス、たとえばＩＣの個々の層をパターニングする。次いで、そのようなパターニングされた層を、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的機械的研磨など、どれも個々の層を仕上げることが意図された様々なプロセスにかけることができる。いくつかの層が必要とされる場合には、手順全体、または手順の変形形態を新しい各層について繰り返さなければならないことになる。最終的には、一連のデバイスが基板（ウェーハ）上に存在することになる。次いで、これらのデバイスは、ダイシングまたはソーイングなどの技法によって互いに分離され、そこから、個々のデバイスを、キャリア上に取り付ける、ピンに接続する、などすることができる。
【０００４】
[0004]  話を簡単にするために、以下、投影システムを「レンズ」と称することがあるが、この用語は、たとえば屈折光学系、反射光学系、反射屈折システムを含めて、様々なタイプの投影システムを包含するものと広く解釈すべきである。放射システムは、投影放射ビームを誘導する、形作る、または制御するために、これらの設計タイプのいずれかに従って動作するコンポーネントをも含むことができ、そのようなコンポーネントをも、下記で集合的に、または単数で「レンズ」と称することがある。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」デバイスでは、追加のテーブルを同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数の他のテーブルが露光用に使用されている間に、１つまたは複数のテーブル上で準備工程を実施することができる。
【０００５】
[0005]  上述のフォトリソグラフィマスクは、シリコンウェーハ上に集積すべき回路コンポーネントに対応する幾何学的パターンを備える。そのようなマスクを作成するために使用されるパターンは、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）を使用して生成され、このプロセスは、しばしばＥＤＡ（Electronic Design Automation）と呼ばれる。大抵のＣＡＤプログラムは、機能的なマスクを作成するために、１組の所定の設計規則に従う。これらの規則は、処理および設計の限界によって設定される。たとえば、設計規則は、回路デバイス間（ゲート、キャパシタなど）または相互接続ライン間の空間許容度を規定し、それにより、回路デバイスまたはラインが、望ましくない形で互いに相互作用しないようにする。設計規則の限界は、一般に「クリティカルディメンション（CD）」と呼ばれる。回路のクリティカルディメンションは、ラインまたはホールの最小幅、あるいは２本のラインまたは２つのホール間の最小空間として定義することができる。したがって、ＣＤは、設計されている回路の全体的なサイズおよび密度を決定する。当然ながら、集積回路作製時の目標の１つは、元の回路設計を（マスクを介して）ウェーハ上に忠実に再現することである。
【０００６】
[0006]  わかるように、マイクロリソグラフィは、半導体集積回路の製造における中心的な工程であり、半導体ウェーハ基板上に形成されるパターンが、マイクロプロセッサ、メモリチップなど、半導体デバイスの機能素子を画定する。同様のリソグラフィ技法が、フラットパネルディスプレイ、微小電気機械システム（MEMS）、および他のデバイスを形成する際にも使用される。
【０００７】
[0007]  半導体製造プロセスが引き続き進歩するにつれて、回路素子の寸法は、絶えず縮小されており、一方、デバイスあたりのトランジスタなど機能素子の量は、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って、数十年にわたって一定に増大してきた。現況技術では、最先端デバイスの重要な層は、遠紫外レーザ光源からの照明を使用してマスク像を基板上に投影し、１００ｎｍを優に下回る、すなわち投影光の半波長未満の寸法を有する個々の回路フィーチャを作成する、スキャナとして知られる光学リソグラフィ投影システムを使用して製造される。
【０００８】
[0008]  光学投影システムの従来の解像限界より小さい寸法を有するフィーチャがプリントされるこのプロセスは、解像度公式ＣＤ＝ｋ１×λ／ＮＡに従って一般に低ｋ１リソグラフィとして知られており、この式で、λは、使用される放射の波長（現在、大抵の場合において２４８ｎｍまたは１９３ｎｍ）であり、ＮＡは、投影光学系の開口数であり、ＣＤはクリティカルディメンション−一般に、プリントされる最小のフィーチャサイズ−であり、ｋ１は、実験による解像度係数である。一般に、ｋ１が小さくなるほど、特定の電気的な機能および性能を達成するために回路設計者によって計画された形状および寸法に似ているウェーハ上のパターンを生成することが困難になる。これらの難点を克服するために、洗練された微調整工程が、投影システムならびにマスク設計に適用される。たとえば、これらの工程は、それだけには限らないが、ＮＡおよび光コヒーレンスの最適化、特別条件の照明方式、位相シフトマスクの使用、マスクレイアウトにおける光近接補正、または一般に「解像度向上技術（RET）」として定義される他の方法を含む。
【０００９】
[0009]  １つの重要な例として、光近接補正（OPC、「光学およびプロセス補正（optical and process correction）」とも呼ばれることがある）は、ウェーハ上のプリント後フィーチャの最終的なサイズおよび配置が、単純にマスク上の対応するフィーチャのサイズおよび配置の関数にならないことに対処する。「マスク」および「レチクル」という用語は、本明細書では交換可能に使用されることに留意されたい。典型的な回路設計に存在する小さなフィーチャサイズおよび高いフィーチャ密度の場合、所与のフィーチャの特定のエッジの位置は、他の隣接するフィーチャの有無によってある程度影響を受けることになる。これらの近接効果は、微量の光が、あるフィーチャから別のフィーチャに結合することから生じる。同様に、近接効果は、一般にリソグラフィ露光に続く露光後ベーク（PEB）、レジスト現像、およびエッチング中に、拡散および他の化学効果から生じる可能性がある。
【００１０】
[0010]  フィーチャが所与のターゲット回路設計の要件に従って半導体基板上で確実に生成されるようにするためには、洗練された数値モデルを使用して近接効果を予測する必要があり、また補正またはプリディストーションをマスクの設計に適用する必要があり、その後で高性能デバイスを成功裏に製造することが可能になる。典型的な高性能設計では、ターゲット設計に十分に近いプリント後パターンを達成するために、ほとんどあらゆるフィーチャエッジが何らかの修正を必要とする。これらの修正は、エッジ位置またはライン幅をシフトまたは偏倚させること、ならびにそれら自体をプリントすることは意図されていないが関連主要フィーチャの特性に影響を及ぼすことになる「アシスト」フィーチャを加えることを含むことができる。
【００１１】
[0011]  低ｋ１フォトリソグラフィの場合、重要なパターンをプリントするための実行可能なプロセスウィンドウを確保するために、光源とマスクを共に最適化すること（すなわち、光源およびマスク最適化またはＳＭＯ）が必要とされる。マスクの設計レイアウトが最適化された場合、ＳＭＯの総実行時間の短縮を達成することができる。重要なマスクフィーチャすべてがＳＭＯプロセス内で適切に表されるように、代表的なパターンをマスク設計レイアウトからインテリジェントに選択することによってマスクを最適化することが求められている。
【発明の概要】
【００１２】
[0012]  本発明は、回折シグネチャ解析に基づくインテリジェントパターン選択に関し、より詳細には、リソグラフィ装置およびプロセスにおけるインテリジェントパターン選択の応用に関する。ターゲットパターンの、インテリジェントに選択された代表集合を任意選択で使用し、リソグラフィプロセスで使用される照明源および／または投影光学系を最適化することができる。しかし、本発明の範囲は、リソグラフィプロセスの最適化に制限されない。本発明の実施形態は、ターゲットパターンの重要なフィーチャすべてがターゲットパターンの部分集合によって適切に表されるように、設計レイアウトから生成されたターゲットパターンのより大きな集合からターゲットパターンの部分集合を選択することが必要とされる任意の状況に適用可能である。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様では、設計レイアウトからターゲットパターンの部分集合を選択する方法が開示され、この方法は、設計レイアウトから、ターゲットパターンの最初のより大きな集合からの複数のターゲットパターンについて、それぞれの回折マップを生成する工程と、ターゲットパターンの最初のより大きな集合からの複数のターゲットパターンの様々な回折マップから回折シグネチャを識別する工程と、ターゲットパターンの最初のより大きな集合からの複数のターゲットパターンを回折シグネチャグループにグループ化する工程であって、特定の回折シグネチャグループ内のターゲットパターンが同様の回折シグネチャを有する、工程と、ターゲットパターンの部分集合がリソグラフィプロセスのための設計レイアウトの少なくとも一部を表すように、予め定義された数の回折シグネチャグループをカバーするようにターゲットパターンの部分集合を選択する工程とを含む。本発明の一実施形態では、予め定義された数の回折シグネチャグループが、可能な回折シグネチャグループすべてを含む。複数のターゲットパターンのグループ化は、回折シグネチャの類似性に基づいて、予め定義された規則によって決めることができる。予め定義された規則は、様々な回折シグネチャグループ間に存在する適用範囲関係を含む。
【００１４】
[0014]  本発明の他の態様では、設計レイアウト内のターゲットパターンの代表集合を選択する方法が開示され、この方法は、設計レイアウト内のターゲットパターンの最初のより大きな集合のそれぞれについて、それぞれの回折マップを生成する工程と、回折マップのそれぞれの中のピークを識別する工程と、回折マップのそれぞれの中の識別されたピークの、１つまたは複数の特性パラメータを記憶する工程と、回折シグネチャグループのリストを作成するために、識別されたピークの記憶された特性パラメータを解析する工程であって、各回折シグネチャグループが１つまたは複数のそれぞれの基底ベクトルを有する、工程と、ターゲットパターンの最初のより大きな集合の様々な回折マップからの様々な回折シグネチャグループ間に存在する適用範囲関係を検査する工程であって、適用範囲関係が、予め定義された規則によって決まる、工程と、その回折シグネチャグループがすべての回折マップからの可能な回折シグネチャグループすべてを適切にカバーする、ターゲットパターンの最終部分集合を識別する工程と、ターゲットパターンの最終部分集合がリソグラフィプロセスのための設計レイアウトの少なくとも一部を表すように、ターゲットパターンの最終部分集合を、ターゲットパターンの代表集合に含まれるように選択する工程とを含む。
【００１５】
[0015]  本発明の他の態様では、実行されたときコンピュータに上述のパターン選択方法を実行させる命令が記録されたコンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラム製品が開示される。
【００１６】
[0016]  本発明のこれらの、また他の特徴、実施形態、および利点は、以下の例示および詳細な説明に鑑みて当業者には明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  次に、本発明の実施形態について、対応する符号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照して、例としてのみ述べる。
【００１８】
【図１Ａ】[0018]典型的なリソグラフィ投影システムを示す例示的なブロック図である。
【図１Ｂ】[0019]リソグラフィシミュレーションモデルの機能モジュールを示す例示的なブロック図である。
【図２】[0020]本発明の実施形態による様々な例示的な方法の図である。
【図３】本発明の実施形態による様々な例示的な方法の図である。
【図４】本発明の実施形態による様々な例示的な方法の図である。
【図５Ａ】[0021]本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図５Ｂ】[0021]本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの図である。
【図９Ａ】[0022]例示的な実施形態を使用するパターン選択の原理全体の図である。
【図９Ｂ】例示的な実施形態を使用するパターン選択の原理全体の図である。
【図１０】[0023]本発明の例示的な実施形態による１Ｄパターンのための回折シグネチャをベースとするグループ化の図である。
【図１１】本発明の例示的な実施形態による２Ｄパターンのための回折シグネチャをベースとするグループ化の図である。
【図１２Ａ】[0024]本発明の一実施形態によるやや分離されたターゲットパターンの回折シグネチャの一例の図である。
【図１２Ｂ】本発明の一実施形態によるやや分離されたターゲットパターンの回折シグネチャの一例の図である。
【図１２Ｃ】本発明の一実施形態によるやや分離されたターゲットパターンの回折シグネチャの一例の図である。
【図１３Ａ】[0025]本発明の実施形態による、離散的なピークおよび連続的なピークに関する適用範囲関係の例の図である。
【図１３Ｂ】本発明の実施形態による、離散的なピークおよび連続的なピークに関する適用範囲関係の例の図である。
【図１３Ｃ】本発明の実施形態による、離散的なピークおよび連続的なピークに関する適用範囲関係の例の図である。
【図１４】本発明の実施形態による、離散的なピークおよび連続的なピークに関する適用範囲関係の例の図である。
【図１５】[0026]本発明の一実施形態による、ＳＭＯメトロロジープロセスフローの一部として実装されたパターンセレクタモジュールの一実施形態の図である。
【図１６Ａ】[0027]図１５のパターンセレクタモジュールからのユーザインターフェースのスクリーンショットである。
【図１６Ｂ】図１５のパターンセレクタモジュールからのユーザインターフェースのスクリーンショットである。
【図１７】[0028]本発明のパターン選択アルゴリズムに由来するＳＭＯ実行時間および全体的なリソグラフィ性能における改善の図である。
【図１８】[0029]本発明のシミュレーション方法を実施するのを助けることができるコンピュータシステムを示すブロック図である。
【図１９】[0030]本発明の方法と共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0031]  次に、本発明の例示的な例として当業者が本発明を実施することができるように提供されている図面を参照して、本発明について詳細に述べる。特に、以下の図および例は、本発明の範囲を単一の実施形態に限定するものではなく、記載されている、または示されている要素の一部またはすべてを交換することによって、他の実施形態が可能である。さらに、本発明のある要素を、既知のコンポーネントを使用して部分的に、または完全に実施することができる場合、本発明を理解するために必要な既知のコンポーネントのそれらの部分についてのみ述べ、そのような既知のコンポーネントの他の部分の詳細な説明は、本発明を不明瞭にしないように省略する。ソフトウェアで実装されるものとして述べられている実施形態は、それに限定すべきではなく、当業者には明らかとなるように、本明細書に特段の指定がない限り、ハードウェア、またはソフトウェアとハードウェアの組合せで実施される実施形態を含むことができ、逆も同様である。本明細書では、単数のコンポーネントを示す実施形態は、限定するものと考えるべきではなく、本明細書に特段明示的に述べられていない限り、本発明は、複数の同じコンポーネントを含む他の実施形態を包含するものとし、逆も同様である。さらに、そのようなものとして明示的に述べられていない限り、出願人らは、本明細書または特許請求の範囲内のどの用語も、普通でない、または特別な意味をもつとみなされることを意図していない。さらに、本発明は、本明細書で例示のために参照されている既知のコンポーネントに対する現在および将来の既知の均等物を包含する。
【００２０】
[0032]  本文中では、ＩＣの製造における本発明の使用を特に参照することがあるが、本発明には、多数の他の可能な応用分野があることを理解されたい。たとえば、本発明は、本明細書に記載されているリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイドおよび検出パターン、液晶ディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用することができる。そのような代替の応用分野の文脈において、本文中で「レチクル」「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用することがあればそれは、それぞれより一般的な用語である「マスク」「基板」および「ターゲット部分」によって置き換えられるとみなすべきであることを、当業者なら理解するであろう。
【００２１】
[0033]  本書では、「放射」および「ビーム」という用語を使用し、（たとえば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外放射、およびＥＵＶ（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する極端紫外放射）を含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００２２】
[0034]  本文中で使用されるマスクという用語は、基板のターゲット部分内に生み出そうとするパターンに対応するパターン付き断面を入来放射ビームに与えるために使用することができる一般のパターニング手段を指すものと広く解釈することができ、「ライトバルブ」という用語もまたこの文脈で使用することができる。従来のマスク（透過型または反射型、バイナリ、位相シフト、ハイブリッドなど）に加えて、そのような他のパターニング手段の例には以下が含まれる。すなわち、
・プログラマブルミラーアレイ。そのようなデバイスの例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリクスアドレス可能な表面である。そのような装置の裏にある基本原理は、（たとえば）アドレスされた反射表面の領域が入射光を回折光として反射し、一方、アドレスされなかった領域は、入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用して、前記非回折光を反射ビームから除去し、後に回折光だけを残すことができ、このようにして、このビームは、マトリクスアドレス可能な表面のアドレッシングパターンに従ってパターン付けされたものになる。必要とされるマトリクスアドレッシングは、好適な電子手段を使用して実施することができる。そのようなミラーアレイに関するより多くの情報は、たとえば、参照により本明細書に組み込む米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号から収集することができる。
【００２３】
[0035]  ・プログラマブルＬＣＤアレイ
（本発明の例示的な実施形態を実施するためのリソグラフィシステムにおける一般的な環境）
【００２４】
[0036]  本発明について論じる前に、全体的な設計およびイメージングプロセスに関して簡単に論じる。図１Ａは、例示的なリソグラフィ投影システム１０を示す。主要コンポーネントは、遠紫外エキシマレーザ源とすることができる光源１２と、部分コヒーレンス（シグマとして示される）を規定し、光源成形光学系１４、１６ａ、１６ｂを含むことができる照明光学系と、マスクまたはレチクル１８と、レチクルパターンの像をウェーハ平面２２上に生成する投影光学系１６ｃとである。瞳面にある調整可能なフィルタまたはアパーチャ２０は、ウェーハ平面２２に入射するビーム角度の範囲を制限することができ、最大可能な角度が投影光学系の開口数ＮＡ＝ｓｉｎ（Θｍａｘ）を規定する。
【００２５】
[0037]  リソグラフィシミュレーションシステムでは、これらの主要システムコンポーネントについて、たとえば図１Ｂに示されているように、別個の機能モジュールによって述べることができる。図１Ｂを参照すると、これらの機能モジュールは、ターゲット設計を定義する設計レイアウトモジュール２６と、結像プロセスで使用すべきマスクを定義するマスクレイアウトモジュール２８と、シミュレーションプロセス中に使用すべきマスクレイアウトのモデルを定義するマスクモデルモジュール３０と、リソグラフィシステムの光学コンポーネントの性能を定義する光学モデルモジュール３２と、所与のプロセス内で使用されるレジストの性能を定義するレジストモデルモジュール３４とを含む。知られているように、シミュレーションプロセスの結果により、たとえば、結果モジュール３６内に、予測された輪郭およびＣＤが生成される。
【００２６】
[0038]  より具体的には、照明および投影光学系の特性は、それだけには限らないがＮＡ−シグマ（σ）設定ならびに任意の特定の照明源形状（たとえば、環状、４極（quadrupole）、２極（dipole）など軸外し光源）を含む光学モデル３２内で収集されることに留意されたい。基板上にコートされたフォトレジスト層の光学特性−すなわち、屈折率、膜厚、伝搬（propagation）および偏光効果−をも、光学モデル３２の一部として収集することができる。マスクモデル３０は、レチクルの設計フィーチャを収集し、また、マスクの詳細な物理特性を表すものを含むことができる。最後に、レジストモデル３４は、たとえば基板ウェーハ上に形成されるレジストフィーチャの輪郭を予測するために、レジスト露光、ＰＥＢ、および現像中に発生する化学プロセスの効果について説明する。シミュレーションの目的は、たとえばエッジ配置およびＣＤを正確に予測することであり、次いでそれをターゲット設計に照らして比較することができる。ターゲット設計は、一般にＯＰＣ前マスクレイアウトとして定義され、ＧＤＳＩＩまたはＯＡＳＩＳなど、標準化されたデジタルファイルフォーマットで提供されることになる。
【００２７】
（本発明の例示的な方法）
[0039]  典型的な高性能設計では、ターゲット設計に十分に近いプリント後パターンを達成するために、ほとんどあらゆるフィーチャエッジが何らかの修正を必要とする。これらの修正は、エッジ位置またはライン幅をシフトまたは偏倚させること、ならびにそれら自体をプリントすることは意図されていないが関連主要フィーチャの特性に影響を及ぼすことになる「アシスト」フィーチャを加えることを含むことができる。さらに、照明源に適用される最適化技法は、異なるエッジおよびフィーチャに対して異なる効果を有する可能性がある。照明源の最適化は、光源照明を光の選択されたパターンに制限するための瞳の使用を含むことができる。本発明は、光源構成およびマスク構成に共に適用することができる最適化方法を提供する。
【００２８】
[0040]  光源−マスク最適化（SMO）は、マスク設計レイアウトと照明源が、基板上に高忠実度像を生成するように共に最適化されるプロセスである。一般に、ＳＭＯ法は、ＳＭＯで使用しようとするクリップの完全な集合から重要な設計パターンの小さな集合をインテリジェントに選択することによって、計算コストを低減しながら、フルチップパターンをカバーすることを目指す。ＳＭＯは、最適化された光源を得るために、これらの選択されたパターンに対してのみ実施される。次いで、最適化された光源を使用し、（たとえばＯＰＣおよびＬＭＣを使用して）フルチップに合わせてマスクを最適化し、結果が比較される。結果が従来のフルチップＳＭＯに匹敵する場合、プロセスが終了し、そうでない場合には、繰り返して好結果に収束するように、様々な方法が提供されている。
【００２９】
[0041]  本発明は、ターゲットパターンのより大きな集合からターゲットパターンのより小さな代表集合を選択するための技法を提供するものであり、ターゲットパターンのこの代表集合は、完全な設計レイアウトの重要なフィーチャすべてを適切に表すことが好ましい。ターゲットパターンのより大きな集合は、マスクの設計レイアウト全体、または設計レイアウトの実質的に大きな部分を含むことができる。本発明の実施形態はＳＭＯに特に適しているが、これらのパターン選択アルゴリズムは、設計レイアウトからの、インテリジェントに選択されたターゲットパターンのより小さな集合によって、より大きな設計レイアウトを適切に表すことが必要とされるどんな状況にも全般的に適用可能であることを、当業者なら理解するであろう。実際、本明細書に記載されている回折次数をベースとするパターン選択方法のいくつかの利点は、開始条件が必要とされず（たとえば、開始照明源は、調整済みの偏光分布を有する最適化された照明源ではなく、均一照明であってよい）、レジストモデルが必要とされず、ＯＰＣモデルもサブ解像度アシストフィーチャ（SRAF）も必要とされないことである。ターゲットパターンを必要とするだけであり、その結果、プロセスに依存しない。
【００３０】
[0042]  ターゲットパターンの代表集合は、手動で拾い上げられたユーザ選択のクリップと、自動的に拾い上げられた、パターン選択アルゴリズムによって選択されたクリップとを含むことができる。たとえば、通常、既知の最高密度のライン／スペースフィーチャを有するクリップであるアンカークリップは、ユーザが手動で選択し、常に代表集合の一部とすることができる。
【００３１】
[0043]  ターゲットパターンの代表集合を使用し、リソグラフィプロセスで使用される照明源を最適化することができる。照明源を最適化することは、マスクに入射する放射ビームの偏光分布を調整することを含むことができる。また、ターゲットパターンの代表集合を使用し、リソグラフィプロセスで使用される投影光学系システムを最適化することができる。投影光学系システムを最適化することは、放射ビームがマスクを通過した後、瞳面内で放射ビームの波面を操作することを含むことができる。この点に関して、最適化された投影光学系は、最適化された投影光学系システムに収差がない、またはこの特定の投影光学系システムにとって可能である最低可能なレベルの収差がないことを必ずしも必要としないことを述べておくのは重要である。むしろ、投影光学系の最適化は、これらの投影光学系を使用して結像しようとするターゲットパターンにとっての最良の結像設定を投影光学系が表すように投影光学系が調整または最適化されることを意味する。したがって、最適化された投影光学系は、残留収差を含んでいてもよく、さらにはそのような最適化された投影光学系がターゲットパターンを結像するのに有利であるとき、最低可能な収差状態から離れるように調整されてもよい。投影光学系が特定のターゲットパターンにとって最適であるかどうか判定するために、ターゲットパターンを結像するためのリソグラフィ性能パラメータを使用することができる。そのようなリソグラフィ性能パラメータは、それだけには限らないが焦点深度、プロセスウィンドウの大きさ（dimension）、マスク誤差増大係数（MEEF）、クリティカリティディメンション均一性、エッジ配置誤差、（規格化）空間像対数傾斜（NILS）を含むことができる。
【００３２】
[0044]  リソグラフィプロセスを最適化しようとするターゲット設計レイアウト（一般に、ＯＡＳＩＳ、ＧＤＳＩＩなど標準的なデジタルフォーマットのレイアウトを含む）は、メモリ、テストパターン、およびロジックを含むことができる。この設計レイアウトから、ターゲットパターン（クリップ）の最初のより大きな集合が識別される。本発明の特定の実施形態では、設計レイアウト内の複雑なパターンすべてを表すクリップの完全な集合が抽出される（典型的には約５０〜１０００個のクリップであるが、任意の数のクリップを使用することができる）。当業者には理解されるように、これらのパターンまたはクリップは、設計の小さな部分（すなわち、回路、セル、またはパターン）を表し、特にクリップは、特定の注意および／または検証が必要とされる小さな部分を表す。
【００３３】
[0045]  クリップの最初のより大きな集合は、特定の像最適化を必要とする設計レイアウト内の既知の重要なフィーチャ領域に基づいて、事前に顧客が用意することができる。あるいは、本発明の他の実施形態では、クリップの最初のより大きな集合は、重要なフィーチャ領域を定義する何らかの種類の（マシンビジョンなど）自動または手動アルゴリズムを使用することによって、設計レイアウト全体から抽出することができる。
【００３４】
[0046]  パターンのより大きな集合は、たとえば、ゲートまたはロジックパターンなど様々なパターンタイプを含むことも、たとえば特定の向きを有するパターンを含むこともできる。また、パターンのより大きな集合は、あるレベルの複雑さを備えるパターン、またはリソグラフィ処理中に特定の注意および／または検証を必要とするパターン、たとえば、１Ｄスルーピッチ、千鳥配置スルーピッチのような設計規則に準拠する特定のテスト構造、一般に使用される設計構成物またはプリミティブ（たとえば、エルボ、Ｔ字形、Ｈ字形）、メモリセルのような繰り返し使用されるレイアウト構造（たとえば、ブリック壁（brick wall））、メモリ周辺構造（たとえば、メモリセルに対するフック）、以前生成したときからの既知の結像問題を有するパターンなどを含むことができる。さらに、パターンのより大きな集合は、たとえば、予め定義されたプロセスウィンドウ性能を有するパターンを含むことも、たとえば、パターンのプロセスパラメータ変動に対する感受性を備えるパターンを含むこともできる。
【００３５】
[0047]  パターンまたはクリップの小さな部分集合（たとえば約１５〜５０個のクリップであるが、任意の数を使用することができる）が、クリップの最初のより大きな集合から選択される。下記でより詳細に述べるように、パターンまたはクリップの部分集合の選択は、選択されたパターンのプロセスウィンドウが重要なパターンのより大きな集合のためのプロセスウィンドウにできる限り密接に合致するように実施されることが好ましい。また、選択の有効性は、組み合わされたパターン選択と後続のＳＭＯプロセスにおける総合的なターンアラウンド時間または実行時間の削減によって測定される。
【００３６】
[0048]  図２の流れ図２００は、本発明の一実施形態による回折をベースとするパターン選択の方法の、いくつかの主要な工程を示す例示的な流れ図である。
【００３７】
[0049]  工程２０２では、複数のターゲットパターンのそれぞれから、それぞれの回折マップが生成される。複数のターゲットパターンのそれぞれは、対応するクリップ内に含めることができる。これらのクリップは、前述のように、ターゲットパターンの最初のより大きな集合を構成する。これらのクリップは、顧客によって用意されても、パターン選択方法の事前工程として設計レイアウトから抽出されてもよい。
【００３８】
[0050]  工程２０４では、ターゲットパターンの特性回折シグネチャが、様々な回折マップから識別される。
【００３９】
[0051]  工程２０６では、複数のターゲットパターンが、様々な回折シグネチャグループにグループ化され、特定の回折シグネチャグループ内のターゲットパターンは、同様の回折シグネチャを有する。回折シグネチャグループ化は、周波数領域内で行われても、空間領域内で行われてもよい。
【００４０】
[0052]  工程２０８では、設計レイアウトの少なくとも一部（または設計レイアウト全体）が、それだけには限らないがリソグラフィ像転写プロセスフローで使用されるＳＭＯプロセスを含めた設計最適化プロセスにおいて適切に表されるように、可能な回折シグネチャグループすべてをカバーするターゲットパターンまたはクリップの部分集合が選択される。
【００４１】
[0053]  図３の流れ図３００は、本発明の一実施形態による回折をベースとするパターン選択の方法の工程を示す別の例示的な流れ図である。
【００４２】
[0054]  工程３０２では、ターゲットパターンの最初のより大きな集合が得られる（顧客によって供給される、または設計レイアウトから抽出される）。
【００４３】
[0055]  工程３０４では、ターゲットパターンのそれぞれについて回折マップが生成される。
【００４４】
[0056]  工程３０６では、回折マップのそれぞれにおいてすべてのピークが識別される。通常、０次のピークは回折マップから除去される。場合によっては、振幅がある予め定義された閾値範囲に満たないピークは、像最適化における貢献がごくわずかである可能性が高いので、パターン選択アルゴリズムを単純化するために破棄される。
【００４５】
[0057]  工程３０８では、回折シグネチャグループのリストが作成される。回折シグネチャグループは、空間領域または周波数領域での回折次数マッピングに基づくものとすることができる。各回折シグネチャグループは、後述するように、１つまたは複数の基底ベクトルを有する。回折シグネチャグループ化は、工程３０６で識別されたピークの特性パラメータを解析することによって行われる。ピークの特性パラメータの例は、それだけには限らないが、各ピークの位置、各ピークの幅、各ピークの振幅、各ピークの調波インデックス、１つまたは複数の隣接するピークからの各ピークの距離などを含む。また、追加の特性パラメータを記憶することができ、追加の特性パラメータは、たとえば、識別されたピークをたとえば瞳面で生成する光の位相、または相異なるピーク間の位相差を含むことができる。この位相情報は、たとえば、放射ビームがマスクを通過した後、瞳面内で放射ビームの波面を最適化または改善するための代表とすることができるターゲットパターンの代表集合を選択するために使用することができる。
【００４６】
[0058]  工程３１０では、様々な回折マップからの様々な回折シグネチャグループ間に存在する適用範囲関係が検査される。これらの適用範囲関係は、後述する予め定義された１組の規則によって決まる。
【００４７】
[0059]  工程３１２では、その回折シグネチャグループが、様々なターゲットパターンから、すなわち（i.r.）クリップの最初のより大きな集合から生成された様々な回折マップからの可能な回折シグネチャグループすべてをカバーするターゲットパターン（またはクリップ）の部分集合が識別される。
【００４８】
[0060]  工程３１４では、ターゲットパターンの部分集合が、設計レイアウト全体、または設計レイアウトの少なくとも一部を適切に表すターゲットパターンの代表集合に含められる。ターゲットパターンの代表集合は、ユーザによって選択されたターゲットパターンをも含むことができる。たとえば、特定のクリップ（またはクリップの特定の集合）が（高密度のライン／スペースパターンを有するアンカークリップなど）ＳＭＯ最適化に使用すべきであるターゲットパターンを有することにユーザがすでに気付いているときには、そのクリップは常に代表集合に含まれる。
【００４９】
[0061]  本発明はリソグラフィ最適化プロセスに限定されないが、パターン選択アルゴリズムの結果は、任意選択の最終工程３１６に示されているように、しばしばＳＭＯなどリソグラフィプロセスを最適化するために使用される。
【００５０】
[0062]  図４の流れ図４００は、流れ図３００の工程３０８に記載されている回折シグネチャをベースとするグループ化の工程を示す例示的な流れ図を示す。流れ図４００は、ここでは回折次数プロットと称する回折マップが作成され、０次のピークが除去され、他のピークが識別された後の工程を示す。「ｐｅａｋ＿ｌｉｓｔ」と称するリストを作成し、各ピークの位置（ｘ，ｙ）、ｘ方向およびｙ方向の幅（ｓｘ，ｓｙ）、ならびに振幅（ｈ）を記録することができる。
【００５１】
[0063]  工程４０２では、回折次数プロットの最も強いピークｖ＝（ｘ，ｙ，ｓｘ，ｓｙ，ｈ）が識別される。
【００５２】
[0064]  工程４０４では、それぞれの１Ｄ基底ベクトルが、１Ｄパターンに対応する各共線のピークについて構築される。
【００５３】
[0065]  工程４０６では、それぞれの２Ｄ基底ベクトルが、２Ｄパターンによって生成される各一対の非共線のピークについて構築される。たとえば、ピーク対（ｖ１，ｖ２）については、２つの基底ベクトルが構築される。
【００５４】
[0066]  工程４０８では、ｐｅａｋ＿ｌｉｓｔからの最も強いピーク「ｖ」の高調波すべてが除去される。たとえば、共線のピークについて、すべての整数「ｎ」に対して（ｎｘ，ｎｙ）にあるピークが除去される。同様に、非共線のピーク対（ｖ１，ｖ２）に関するすべての整数対（ｎ１，ｎ２）について、「ｎ１ｖ１＋ｎ２ｖ２」の形態のピークが除去される。
【００５５】
[0067]これらの工程は、ｐｅａｋ＿ｌｉｓｔが空になるまで繰り返すことができ、１Ｄ基底ベクトルおよび２Ｄ基底ベクトルすべてが、「基底リスト」と称することができるリストにシフトされる。
【００５６】
[0068]  工程４１０では、回折シグネチャグループのリストが、基底リストに含まれる非反復の１Ｄ基底ベクトルおよび２Ｄ基底ベクトルによってポピュレートされる。いま、回折シグネチャグループは、いつでも後続の適用範囲関係の検査ができる状態にある。
【００５７】
[0069]  図２〜４に示されている方法が例示的な工程を示しているにすぎないことを、当業者なら理解するであろう。すべての工程があらゆる実施形態に含まれていることを必要とするわけではなく、適宜、追加の中間／最終工程をこれらの方法に含めることができる。工程の順序は、変えることができる。
【００５８】
[0070]  図５〜８は、本発明の実施形態による様々なターゲットパターンおよび対応する回折マップの例を示す。図５Ａは、千鳥配置の矩形フィーチャの２Ｄアレイを含むターゲットパターンまたはクリップ５０２を示す。クリップ５０２の回折マップ５０４が図５Ｂに示されている。回折マップ５０４の（中心点の周りにエネルギーの分布を有する）ピークは、明るい局所的な矩形領域として示されている。典型的には、振幅がある閾値より大きいピークだけが、パターン選択アルゴリズム用に考慮される。また、中央にある０次のピークは、パターン選択アルゴリズムを単純化するために除去される。
【００５９】
[0071]  図６Ａは、規則的な矩形フィーチャの２Ｄアレイを含むターゲットパターンまたはクリップ６０２を示す。クリップ６０２の回折マップ６０４が図６Ｂに示されている。
【００６０】
[0072]  図６Ａは、規則的な矩形フィーチャの２Ｄアレイを含むターゲットパターンまたはクリップ６０２を示す。クリップ６０２の回折マップ６０４が図６Ｂに示されている。
【００６１】
[0073]  図７Ａは、矩形フィーチャの１Ｄアレイを含むターゲットパターンまたはクリップ７０２を示す。クリップ７０２の回折マップ７０４が図７Ｂに示されている。回折マップ７０４内のピークは、ｙ軸に対して平行な対応する線に沿って互いに重なり合っていることに留意されたい。
【００６２】
[0074]  図８Ａは、有限長のラインの１Ｄアレイを含むターゲットパターンまたはクリップ８０２を示す。クリップ８０２の回折マップ８０４が図８Ｂに示されている。
【００６３】
[0075]  図９Ａ〜９Ｂは、例示的な実施形態を使用するパターン選択の原理全体を示す。９０２および９０４は、２つのクリップ、すなわちクリップ１およびクリップ２から得られたそれぞれの回折マップである。クリップ１は、２４０ｎｍピッチを有するフィーチャの１Ｄアレイである。クリップ２は、８０ｎｍを有するフィーチャの１Ｄアレイである。これらの特定の寸法は、非限定の例示のためのものにすぎない。クリップ２がクリップ１の回折シグネチャを適切にカバーしており、その結果、クリップ１とクリップ２の両方を選択する必要がないことが実証されることになる。クリップ２を選択すれば、ＳＭＯおよび他の目的にとって十分である。回折マップ９０２と回折マップ９０４は対称であり、それにより、回折次数グループ化の２分の１だけが回折シグネチャグループ化プロット９２０（クリップ１に対応）および９３０（クリップ２に対応）に示されている。０次のピークは、各回折マップ９０２、９０４の中央から除去される。
【００６４】
[0076]  プロット９２０内の線９０８、９１０、９１２は、クリップ１に関する１次、２次、３次の回折次数ピークの振幅および位置を指す。プロット９３０内の線９１４は、クリップ２に関する１次の回折次数ピークの振幅および位置を指す。これらのプロットは、周波数領域内にある。その結果、クリップ２の１次ピーク９１４は、クリップ２内のより密度の高いピッチにより、クリップ１の１次ピーク９０８より高い周波数（ｘ軸に沿ってより遠い）を有する。３つの識別されたピーク９０８、９１０、９１２は、共にグループＡとしてグループ化される。一意の基底ベクトル９１８が、グループＡ内の３つのピーク９０８、９１０、９１２すべてを表す。グループＢは、クリップ２からの唯一の識別されたピーク９１４を含む。一意の基底ベクトル９２２がグループＢ内のピーク９１４を表す。
【００６５】
[0077]  図９Ｂには、クリップ１からのピーク９１２とクリップ２からのピーク９１４との重なり合いにより、グループＡとグループＢの間に適用範囲関係が存在することが示されている。ピーク９１２、９１４を包含する破線は、重なり合いの存在を示す。この重なり合いのため、（より高い基底周波数を有する）グループＢが（より低い基底周波数を有する）グループＡをカバーする。その結果、クリップ２だけを選択することによって、クリップ１とクリップ２両方のターゲットパターンフィーチャの特性が表される。
【００６６】
[0078]  図１０および図１１は、それぞれ、本発明の例示的な実施形態による１Ｄパターンおよび２Ｄパターンのための回折シグネチャをベースとするグループ化を示す。図９Ａ〜９Ｂの例は、それぞれのクリップ全体を表す単一の回折シグネチャグループを示していたが、単一のクリップ内でさえ複数の回折シグネチャグループが存在し得ることに留意されたい。たとえば、図１０には、図のように２つの異なるピッチＰ１、Ｐ２を有する１Ｄターゲットパターン１０００が示されている。回折マップがパターン１０００から生成され、回折ピークが周波数領域内でプロットされると、プロット１００２が得られる。中心線１００４に関して対称に配置されたピーク１００６、１０１２が、最高の振幅を有する。中心線１００４に関して対称に配置されたピーク１００８、１０１４が、次に高い振幅を有する。中心線１００４に関して対称に配置されたピーク１０１０、１０１６が、最も低い振幅を有する。図１０に示されているように、グループＢは、より密度の高いピッチＰ１に対応し、基底ベクトル１０２０を有し、グループＡは、比較的疎なピッチＰ２に対応し、１０２２の基底ベクトルを有する。ピーク１００６（および１０１２）は、その位置において（すなわち、その周波数値において）グループＢの１次ピークとグループＡの２次ピークが重畳されるため、最高の振幅を有する。
【００６７】
[0079]  図１１には、図のようにｘ方向とｙ方向で共に同一のピッチＰを有する２Ｄターゲットパターン１１００が示されている。本発明の範囲は、どの特定の種類のターゲットパターンにも制限されないので、両方向における様々なピッチ、さらには１つの方向における複数のピッチにも対処することができる。回折マップがパターン１１００から生成され、回折ピークが周波数領域内でプロットされると、２Ｄプロット１１２０が得られる。１１０２、１１０４、１１０６、１１０８は、最高の振幅のピークの位置である。１１１０、１１１２、１１１４、１１１６は、次に高い振幅のピークの位置である。回折シグネチャグループ化は、破線で囲まれた図１１の左下のプロットに示されているように、４つのグループ、すなわちグループ１、グループ２、グループ３、グループ４にグループ化された最高の振幅のピークから始まる。隣接するより低い振幅のピーク（次に高い振幅のピークを除く）が、最も近い最高の振幅のピークを含むそれぞれのグループに含まれる。図１１の右下のプロットに示されているように、次に高い振幅のピークの基底ベクトルは、２つの隣接する最高振幅グループ基底ベクトルの、基底ベクトルのベクトル和である。点線の円（グループ５）内のピークすべてが、次に高い振幅のピークを含めて、ｖ＝ｎｘｖ１＋ｎｙｖ２によって表すことができる基底ベクトルを有し、この式でｎｘおよびｎｙは整数である。点線の円内のピークの次数は（ｎｘ＋ｎｙ）で表され、その結果、これらは、１次ピークではなく、より高次の高調波とみなされる。これらのピークは、共にグループ化される。
【００６８】
[0080]  図１２Ａ〜Ｃは、本発明の一実施形態によるやや分離されたターゲットパターンの回折シグネチャの一例を示す。図１２Ａに示されているように、ターゲットパターン１２００は、やや分離されたフィーチャ１２０２を含む。カットライン１２０６が、ターゲットパターン１２００の密に離隔された部分１２０４ならびにやや分離された部分１２０２をカバーするように配置される。回折プロット１２５０が、回折マップピークの周波数領域プロットから得られる。ここで注目すべき特徴は、先の例で示されていたように、離散的なピークではなく連続的なピークの存在である。換言すれば、各連続的なピークが、有限の幅、すなわち中心点の周りのあるエネルギー分布を有する。ｘ軸およびｙ軸は、任意の単位の、回折次数ピークの正規化された周波数および振幅である。小さなピーク１２２０は、有限のセルウィンドウサイズのアーチファクトであり、別個の回折ピークとみなさない。包絡線１２１０は、０次の連続的なピークを示しており、破棄される。包絡線１２１２、１２１４、１２１６、１２１８は、より高次の（０より高い）連続的なピークを示す。同様の連続的なピークが、対称線１２０８の他方の側にも存在するが、図１２Ｂには特に示されていない。図１２Ｃは、プロット１２５０から得られた最終的なグループ化の結果１２６０を示し、線分は、やや分離されたターゲットパターン１２００によって生成される連続的なピークを示す。
【００６９】
[0081]  図１３Ａ〜Ｃおよび図１４は、本発明の実施形態による、離散的なピークおよび連続的なピークに関する適用範囲関係の例を示す。前述のように、規則セットを使用し、離散的なピークと連続的なピークとの間の、既存の適用範囲関係を検査する。各ピークについて、位置、（連続的なピークについて）ピークの幅、ピークの振幅など、特性パラメータが記憶される。規則セットが、記憶されたピークデータに適用される。予め定義された許容度値が規則セットに含まれている。閾振幅値範囲外のピークは破棄される。光源瞳面内の閾半径範囲外のピークは、考慮されない。規則セットに含まれる規則のいくつかは、以下の通りである。すなわち、
−  ピーク「ｖ」と別のピーク「ｕ」との間の距離がピークの平均幅に予め定義された許容度を加えたものより短い場合、「ｖ」は「ｕ」と重なり合うとみなされる（たとえば、距離１３０６が許容度値未満であるため、グループ１からのピーク１３０２とグループ２からのピーク１３０４が適用範囲関係を有する図１３Ａを参照）。
−  １次元回折シグネチャグループ「ｖ１」が「ｎ＊ｕ１」と重なり合うような整数「ｎ」が存在する場合だけ、「ｖ１」は別の１次元回折シグネチャグループ「ｕ１」によってカバーされるとみなされる。
−  ２次元回折シグネチャグループ（ｖ１，ｖ２）は、「ｖ１」が「ｎ１＊ｕ１＋ｎ２＊ｕ２」と重なり合うような１対の整数（ｎ１，ｎ２）が存在し、同様に「ｖ２」が「ｍ１＊ｕ１＋ｍ２＊ｕ２」と重なり合うような１対の整数（ｍ１，ｍ２）が存在する場合だけ、別の２次元回折シグネチャグループ（ｕ１，ｕ２）によってカバーされるとみなされる。
−  １次元回折シグネチャグループは、２次元回折シグネチャグループをカバーすることができない。
−  離散的なピークは、連続的なピークをカバーすることができる。（たとえば、グループ２からの幅１３１２を有する連続的なピーク１３１０は、（分離＜幅／２＋許容度）である場合、間に分離距離１３１４を置いてグループ１からの離散的なピーク１３０８によってカバーされる図１３Ｂを参照されたい。
−  より低次のピークはより高次のピークをカバーするが、逆は同様でない。換言すれば、より高い基底周波数を有するグループは、より低い基底周波数を有するグループをカバーする。
【００７０】
[0082]  図１３Ｃは、２つの異なるグループに属する２つの連続的なピーク１３１８、１３２０を有する別の例を示す。連続的なピーク１３１８のピーク幅１３２２は幅１、連続的なピーク１３２０のピーク幅１３２４は幅２である。ピークの中心線間の分離は１３２６である。２つのピークは、分離＜［（幅１＋幅２）／２＋許容度］の場合、重なり合うと言われる。２つの重なり合うピークは、適用範囲関係を有すると言われる。
【００７１】
[0083]  図１４は、離散的なピークと連続的なピークが共に回折マップに存在する場合の適用範囲関係の規則ベースの探索の一例を示す。ここでは、すべての連続的なピークが１次ピークであると仮定する。図１４に示されているように、グループＡは、グループＤと同じ次数のものである。その結果、グループＤはグループＡによってカバーされ、グループＡを有するクリップだけが選択される。グループＥは、どの他のグループとも重なり合わない。その結果、グループＥは、どの他のクリップからのどの他のグループによってもカバーされない。その結果、グループＥ（およびグループＥを含むクリップ）は、選択される必要がある。グループＢはグループＣと重なり合う。グループＣは１次のものである。グループＣは、グループＢの３次と重なり合う。その結果、グループＢはグループＣによってカバーすることができない。しかし、グループＢはグループＡによってカバーされる。グループＣは分離されており、どのグループによってもカバーされない。その結果、グループＣ（およびグループＣを含むクリップ）は、選択される必要がある。最終結果は、グループＡ、Ｃ、Ｅ（および対応するクリップ）が選択されることである。
【００７２】
[0084]  原則として、異なる選択肢間で縮退があるとき、パターン選択アルゴリズムは、重なり合う回折次数間の差に基づいて最良のカバーをもたらす選択肢を見出すことになる。距離が同じ、たとえば２つのパターンが同じピッチを有するがＣＤが異なるとき、より小さいクリップインデックスを有するクリップが選択されることになる。
【００７３】
[0085]  上述のパターン選択アルゴリズムは、リソグラフィ作業におけるＳＭＯプロセスフローの一部とすることができるパターンセレクタモジュール内に実装することができる。図１５は、本発明の一実施形態による、ＳＭＯメトロロジープロセスフローのステージとして実装されたパターンセレクタモジュールの実施形態１５００を示す。ブロック１５０２では、パターンの最初のより大きな集合（候補集合）が選択される。アンカークリップは常に選択される。ブロック１５０４では、ユーザは、より多くのクリップを最初の集合に手動で入力する選択肢を有する。次いで、パターン選択アルゴリズムがブロック１５０６で実行される。アルゴリズムの出力がブロック１５０８で得られる。パターンの部分集合が最初のより大きな集合から選択される。ブロック１５１０では、選択されたパターンの部分集合を使用してＳＭＯが実施される。ブロック１５１２では、任意選択で、ＳＭＯの出力からのすべての、または選択されたクリップに対してマスク最適化アルゴリズムが実行される。
【００７４】
[0086]  図１６Ａ〜１６Ｂは、図１５のパターンセレクタモジュールからのユーザインターフェースのスクリーンショットを示す。図１６Ａは、パターン選択アルゴリズムが実行される前のジョブセットアップインターフェースを示し（ブロック１５０２および１５０４、図１６Ｂは、パターン選択アルゴリズムが実行された後のパターンレビューインターフェースを示す（ブロック１５０８）。選択されたクリップは、後続の、ブロック１５１０用のＳＭＯメトロロジーウィンドウ内でチェックされる。
【００７５】
[0087]  図１７は、本発明のパターン選択アルゴリズムに由来するＳＭＯ実行時間および全体的なリソグラフィ性能における改善を示す。
【００７６】
[0088]  図１７は、上述のパターン選択方法に関する性能（５０個のクリップのより大きな集合からパターンセレクタモジュールによって自動的に選択された１２個の選択されたパターンを使用）を、従来のフルチップＳＭＯ法（５０個のクリップすべてを使用）およびレコードのベースラインプロセス（２個の既知のクリップを使用）に対して比較したものを示す。わかるように、パターン選択方法は、５％の固定の露光ラチチュード（EL）での焦点深度（DOF）のグラフ１７００によって示されているように、フルチップＳＭＯ法の元のリソグラフィ性能（すなわち、プロセスウィンドウを損なうことがない）を再現している。
【００７７】
[0089]  図１７はまた、上述のパターン選択方法に関する処理実行時間性能を、従来のフルチップＳＭＯ法およびレコードのベースラインプロセスに対して比較するチャートを示す。わかるように、パターン選択方法は、ＳＭＯ実行時間を著しく短縮する。
（本発明の実施形態を実施するためのコンピュータシステムの詳細）
【００７８】
[0090]  図１８は、本明細書で開示されている最適化方法およびフローを実施するのを助けることができるコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報を通信するためのバス１０２または他の通信機構と、情報を処理するためにバス１０２と結合されたプロセッサ１０４とを含む。また、コンピュータシステム１００は、情報およびプロセッサ１０４によって実行しようとする命令を記憶するための、バス１０２に結合された、ランダムアクセスメモリ（RAM）または他の動的記憶デバイスなどメインメモリ１０６を含む。メインメモリ１０６はまた、プロセッサ１０４によって実行しようとする命令の実行中に、一時的な変数または他の中間情報を記憶するために使用することができる。コンピュータシステム１００は、静的情報およびプロセッサ１０４用の命令を記憶するための、バス１０２に結合された読取り専用メモリ（ROM）１０８または他の静的記憶デバイスをさらに含む。磁気ディスクまたは光ディスクなど記憶デバイス１１０が、情報および命令を記憶するために設けられ、バス１０２に結合される。
【００７９】
[0091]  コンピュータシステム１００は、情報をコンピュータユーザに対して表示するために、バス１０２を介して、陰極線管（CRT）ディスプレイまたはフラットパネルディスプレイまたはタッチパネルディスプレイなどディスプレイ１１２に結合されてもよい。英数字および他のキーを含む入力デバイス１１４が、情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４に伝えるために、バス１０２に結合される。他のタイプのユーザ入力デバイスは、方向情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４に伝えるための、またディスプレイ１１２上のカーソル移動を制御するための、マウス、トラックボール、またはカーソル方向キーなどカーソルコントロール１１６である。この入力デバイスは、典型的には、２つの軸、すなわち第１の軸（たとえばｘ）および第２の軸（たとえばｙ）で２自由度を有し、それによりそのデバイスが平面内の位置を指定することが可能になる。タッチパネル（スクリーン）ディスプレイもまた入力デバイスとして使用することができる。
【００８０】
[0092]  本発明の一実施形態によれば、プロセッサ１０４がメインメモリ１０６内に含まれる１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスを実行したことに応答して、最適化プロセスの一部分をコンピュータシステム１００によって実施することができる。そのような命令は、記憶デバイス１１０など別のコンピュータ可読媒体からメインメモリ１０６に読み込むことができる。メインメモリ１０６内に含まれる命令のシーケンスを実行することにより、プロセッサ１０４が本明細書に記載されているプロセス工程を実施する。多重処理構成にある１つまたは複数のプロセッサをも、メインメモリ１０６内に含まれる命令のシーケンスを実行するために使用することができる。代替の実施形態では、ソフトウェア命令の代わりに、またはソフトウェア命令と組み合わせてハードワイヤード回路を使用し、本発明を実施することができる。したがって、本発明の実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアのどの特定の組合せにも限定されない。
【００８１】
[0093]  本明細書では、「コンピュータ可読媒体」という用語は、実行するために命令をプロセッサ１０４に提供することに関与する任意の媒体を指す。そのような媒体は、それだけには限らないが不揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体を含めて、多数の形態をとることができる。不揮発性媒体は、たとえば記憶デバイス１１０など光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６など動的メモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を含むワイヤを含めて、同軸ケーブル、導線、および光ファイバを含む。また、伝送媒体は、無線周波数（RF）データ通信および赤外線（IR）データ通信中に生成されるものなど、音波または光波の形態をとることができる。コンピュータ可読媒体の共通形態は、たとえば、フロッピディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、任意の他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、任意の他の光媒体、パンチカード、紙テープ、穴のパターンを有する任意の他の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、任意の他のメモリチップもしくはカートリッジ、以下で述べる搬送波、またはコンピュータが読み取ることができる任意の他の媒体を含む。
【００８２】
[0094]  様々な形態のコンピュータ可読媒体が、実行するために１つまたは複数の命令の１つまたは複数のシーケンスをプロセッサ１０４に搬送することに関与することができる。たとえば、命令は、最初に遠隔コンピュータの磁気ディスク上に担持されていてもよい。遠隔コンピュータは、命令をその動的メモリにロードし、モデムを使用して、電話回線を介して命令を送ることができる。コンピュータシステム１００のローカルのモデムが、電話回線上のデータを受信し、赤外線送信機を使用し、データを赤外線信号に変換することができる。バス１０２に結合された赤外線検出器が、赤外線信号内に担持されたデータを受信し、バス１０２上にデータを置くことができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６に搬送し、そこからプロセッサ１０４が命令を取り出し、実行する。メインメモリ１０６によって受信された命令は、任意選択で、プロセッサ１０４による実行の前または後に記憶デバイス１１０上で記憶することができる。
【００８３】
[0095]  また、コンピュータシステム１００は、バス１０２に結合された通信インターフェース１１８を含むことが好ましい。通信インターフェース１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されているネットワークリンク１２０に結合する双方向通信を提供する。たとえば、通信インターフェース１１８を総合サービスデジタルネットワーク（ISDN）カードまたはモデムとし、対応するタイプの電話回線に対するデータ通信接続を提供することができる。別の例として、通信インターフェース１１８をローカルエリアネットワーク（LAN）カードとし、互換のＬＡＮに対するデータ通信接続を提供することができる。無線リンクもまた、実装することができる。そのようなどの実装においても、通信インターフェース１１８は、様々なタイプの情報を表すデジタルデータストリームを担持する電気信号、電磁信号、または光信号を送受信する。
【００８４】
[0096]  ネットワークリンク１２０は、一般に、１つまたは複数のネットワークを通じて他のデータデバイスに対するデータ通信を提供する。たとえば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２を通じて、ホストコンピュータ１２４に、またはインターネットサービスプロバイダ（ISP）１２６によって運営されるデータ機器に接続することができる。次いでＩＳＰ１２６は、現在、一般に「インターネット」１２８と呼ばれるワールドワイドパケットデータ通信ネットワークを通じてデータ通信サービスを提供する。ローカルネットワーク１２２およびインターネット１２８は、共にデジタルデータストリームを担持する電気信号、電磁信号、または光信号を使用する。デジタルデータをコンピュータシステム１００に、またコンピュータシステム１００から搬送する、様々なネットワークを通る信号、およびネットワークリンク１２０上の、また通信インターフェース１１８を通る信号は、情報を輸送する搬送波の例示的な形態である。
【００８５】
[0097]  コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、および通信インターフェース１１８を通じて、メッセージを送り、プログラムコードを含めて、データを受信することができる。インターネットの例では、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、および通信インターフェース１１８を通じて、アプリケーションプログラムを求める要求コードを送信することができる。本発明によれば、たとえば１つのそのようなダウンロード型アプリケーションが、実施形態の照明最適化を可能にする。受信されたコードは、受信されたときプロセッサ１０４によって実行することができ、かつ／または後で実行するために、記憶デバイス１１０または他の不揮発性記憶装置内で記憶することができる。このようにして、コンピュータシステム１００は、搬送波の形態でアプリケーションコードを得ることができる。
【００８６】
（例示的なリソグラフィツール）
[0098]  図１９は、本発明のプロセスを使用しその照明源を最適化することができる例示的なリソグラフィ投影装置を概略的に示す。この装置は、以下を備える。すなわち、
−  放射の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬ。この特定の場合には、放射システムは、放射源ＬＡをも備える。
−  マスクＭＡ（たとえば、レチクル）を保持するためのマスクホルダを備え、物品ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続された第１のオブジェクトテーブル（たとえば、マスクテーブル）ＭＴ。
−  基板Ｗ（たとえば、レジストコートされたシリコンウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続された第２のオブジェクトテーブル（たとえば、基板テーブル）ＷＴ。
−  マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの（たとえば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上に結像するための投影システム（レンズ）ＰＬ（たとえば、屈折光学系、反射光学系、または反射屈折光学系）。
【００８７】
[0099]  本明細書では、この装置は透過型である（すなわち、透過型マスクを有する）。しかし、一般に、たとえば（反射型マスクを有する）反射型のものとすることもできる。あるいは、この装置は、マスクを使用する代わりに別の種類のパターニング手段を使用することができ、例には、プログラマブルミラーアレイまたはＬＣＤマトリクスが含まれる。
【００８８】
[00100]  放射源ＬＡ（たとえば、水銀ランプまたはエキシマレーザ）は、放射のビームを生成する。このビームは、照明システム（イルミネータ）ＩＬに、直接、またはたとえばビームエキスパンダＥｘなど調節手段を横断した後で供給される。イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを備えることになる。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面において所望の均一性および強度分布を有する。
【００８９】
[00101]  図１９に関して、放射源ＬＡは、（たとえば、放射源ＬＡが水銀ランプである場合にしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジング内にあってよいこと、しかしリソグラフィ投影装置から離れており、生成する放射ビームが（たとえば、好適な誘導ミラーを用いて）装置内に導かれてもよいことを理解されたい。この後者のシナリオは、しばしば、放射源ＬＡが（たとえば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、またはＦ２レージングに基づく）エキシマレーザである場合である。本発明は、これらのシナリオの少なくとも両方を包含する。
【００９０】
[00102]  その後で、ビームＰＢは、マスクテーブルＭＴ上で保持されているマスクＭＡを横切る。ビームＰＢは、マスクＭＡを横切って、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは、ビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）を用いて、たとえば、様々なターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。同様に、たとえばマスクＭＡをマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、第１の位置決め手段を使用し、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１９には明示的に示されていないロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現されることになる。しかし、（ステップアンドスキャンツールではなく）ウェーハステッパの場合には、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータに接続するだけであっても、固定としてもよい。
【００９１】
[00103]  図の装置は、２つの異なるモードで使用することができる。すなわち、
−  ステップモードでは、マスクテーブルＭＴが本質的に静止したままであり、マスク像全体が一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の「フラッシュ」）。次いで、基板テーブルＷＴがｘ方向および／またはｙ方向でシフトされ、その結果、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢによって照射することができる。
−  スキャンモードでは、所与のターゲット部分Ｃが単一の「フラッシュ」で露光されないことを除いて、本質的に同じシナリオが当てはまる。その代わりに、マスクテーブルＭＴは、投影ビームＰＢをマスク像の上でスキャンさせるように速度ｖで所与の方向（いわゆる「スキャン方向」、たとえばｙ方向）に移動可能であり、同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時に移動され、この式で、ＭはレンズＰＬの倍率である（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、解像度について妥協する必要なしに、比較的大きなターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００９２】
[00104]  本明細書で開示されている概念は、サブ波長フィーチャを結像するための任意の一般的なイメージングシステムをシミュレートする、または数学的にモデル化することができ、サイズがますます短い波長を生成することができる新たなイメージング技術と共に特に有用となり得る。すでに使用されている新たな技術は、ＡｒＦレーザを使用して１９３ｎｍ波長を、さらにはフッ素レーザを使用して１５７ｎｍ波長を生成することができるＥＵＶ（極端紫外）リソグラフィを含む。さらに、ＥＵＶリソグラフィは、２０〜５ｎｍの範囲内の波長を、シンクロトロンを使用することによって、またはこの範囲内で光子を生成するために高エネルギー電子で材料（固体またはプラズマ）を叩くことによって生成することができる。大抵の材料がこの範囲内で吸収性であるため、モリブデンとシリコンの多積層を有する反射ミラーによって照明を生成することができる。この多積層ミラーは、４０層対のモリブデンとシリコンを有し、各層の厚さは、４分の１波長である。Ｘ線リソグラフィを用いてさらに短い波長を生成することができる。典型的には、シンクロトロンを使用し、Ｘ線波長を生成する。ｘ線波長では大抵の材料が吸収性であるため、吸収材料の細片がフィーチャをプリントするところ（ポジレジスト）、またはプリントしないところ（ネガレジスト）を画定する。
【００９３】
[00105]  本明細書で開示されている概念は、シリコンウェーハなど基板上での結像に使用することができるが、開示されている概念は、任意のタイプのリソグラフィイメージングシステム、たとえばシリコンウェーハ以外の基板上での結像に使用されるものと共に使用することができることを理解されたい。
【００９４】
[00106]  本発明について以下の条項に従ってさらに述べることができる。
１．リソグラフィプロセスを介して基板上に結像すべき設計レイアウト内のターゲットパターンの代表集合を選択する方法において、
前記設計レイアウト内のターゲットパターンの最初のより大きな集合のそれぞれについて、それぞれの回折マップを生成する工程と、
前記回折マップのそれぞれの中のピークを識別する工程と、
前記回折マップのそれぞれの中の識別されたピークの、１つまたは複数の特性パラメータを記憶する工程と、
回折シグネチャグループのリストを作成するために、前記識別されたピークの前記記憶された特性パラメータを解析する工程であって、各回折シグネチャグループが１つまたは複数のそれぞれの基底ベクトルを有する、工程と、
ターゲットパターンの前記最初のより大きな集合の様々な回折マップからの様々な回折シグネチャグループ間に存在する適用範囲関係を検査する工程であって、適用範囲関係が、予め定義された規則によって決まる、工程と、
その回折シグネチャグループがすべての前記回折マップからの可能な回折シグネチャグループすべてを適切にカバーする、ターゲットパターンの最終部分集合を識別する工程と、
ターゲットパターンの前記最終部分集合がリソグラフィプロセスのための前記設計レイアウトの少なくとも一部を表すように、ターゲットパターンの前記最終部分集合を、ターゲットパターンの前記代表集合に含まれるように選択する工程と
を含む方法。
２．ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される照明源を最適化する工程
をさらに含む、第１条項に記載の方法。
３．ターゲットパターンの前記代表集合によって表される前記設計レイアウトの一部を結像するために、前記最適化された照明源を使用する工程
をさらに含む、第２条項に記載の方法。
４．前記設計レイアウトの一部が、設計レイアウト全体、または設計レイアウト全体の実質的に大きな部分を含む、第３条項に記載の方法。
５．ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される投影光学系システムを最適化する工程
をさらに含む、第１条項に記載の方法。
６．ターゲットパターンの前記代表集合によって表される前記設計レイアウトの一部を結像するために、前記最適化された投影光学系を使用する工程
をさらに含む、第５条項に記載の方法。
７．前記設計レイアウトの一部が、設計レイアウト全体、または設計レイアウト全体の実質的に大きな部分を含む、第６条項に記載の方法。
８．ターゲットパターンの前記代表集合が、１つまたは複数の、ユーザによって選択されたクリップを含む、第１条項に記載の方法。
９．前記ユーザによって選択されたクリップの少なくとも１つが、それ以上マスク最適化が推奨されないアンカークリップである、第８条項に記載の方法。
１０．前記アンカークリップが、最も密度の高いライン／スペースターゲットパターンを含む、第９条項に記載の方法。
１１．リソグラフィプロセスを介して基板上に結像されるように構成された設計レイアウトからターゲットパターンの部分集合を選択する方法であって、
前記設計レイアウトから、ターゲットパターンの最初のより大きな集合からの複数のターゲットパターンについて、それぞれの回折マップを生成する工程と、
ターゲットパターンの前記最初のより大きな集合からの前記複数のターゲットパターンの様々な回折マップから回折シグネチャを識別する工程と、
ターゲットパターンの前記最初のより大きな集合からの前記複数のターゲットパターンを回折シグネチャグループにグループ化する工程であって、特定の回折シグネチャグループ内の前記ターゲットパターンが同様の回折シグネチャを有する、工程と、
ターゲットパターンの代表集合がリソグラフィプロセスのための設計レイアウトの少なくとも一部を表すように、予め定義された数の回折シグネチャグループをカバーするようにターゲットパターンの代表集合である前記部分集合を選択する工程と
を含む方法。
１２．ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される照明源を最適化する工程
をさらに含む、第１１条項に記載の方法。
１３．前記照明源を最適化する工程が、マスクに入射する放射ビームの偏光分布を調整する工程を含む、第１２条項に記載の方法。
１４．ターゲットパターンの前記代表集合によって表される前記設計レイアウトの一部を結像するために、前記最適化された照明源を使用する工程
をさらに含む、第１２条項に記載の方法。
１５．ターゲットパターンの前記代表集合を使用し、リソグラフィプロセス内で使用される投影光学系システムを最適化する工程
をさらに含む、第１１条項に記載の方法。
１６．前記投影光学系システムを最適化する工程が、放射ビームがマスクを通過した後、瞳面内で前記放射ビームの波面を操作する工程を含む、第１５条項に記載の方法。
１７．ターゲットパターンの前記代表集合によって表される前記設計レイアウトの一部を結像するために、前記最適化された投影光学系を使用する工程
をさらに含む、第１５条項に記載の方法。
１８．ターゲットパターンの前記最初のより大きな集合が、１つまたは複数の予め定義された像最適化基準に基づいて前記設計レイアウトから抽出され、またはターゲットパターンの前記最初のより大きな集合が、前記設計レイアウトのある既知の位置における１つまたは複数の予め定義された像最適化基準に基づいて提供される、第１１条項に記載の方法。
１９．前記１つまたは複数の予め定義された像最適化基準が、
前記ターゲットパターンのタイプ、
前記ターゲットパターンの複雑さ、
前記ターゲットパターンの位置、
前記ターゲットパターンのリソグラフィプロセスウィンドウ性能、
前記ターゲットパターンのリソグラフィプロセスパラメータ変動に対する既知の感受性、
前記ターゲットパターン内のフィーチャの寸法、
前記ターゲットパターン内のフィーチャのピッチ、
前記設計レイアウト内の前記ターゲットパターンのクリティカリティの度合いのうちの１つまたは複数に基づく、第１８条項に記載の方法。
２０．前記回折シグネチャグループが、空間領域または周波数領域にある、第１１条項に記載の方法。
２１．ターゲットパターンの前記代表集合が、１つまたは複数の、ユーザによって選択されたクリップを含む、第１１条項に記載の方法。
【００９５】
[00107]  上記の説明は例示的なものであり、限定するものではない。したがって、下記で述べる特許請求の範囲から逸脱することなしに、記載されている本発明に修正を加えることができることが、当業者には明らかであろう。
【図１Ａ】
0005433550.tif 000002
【図１Ｂ】
0005433550.tif 000003
【図２】
0005433550.tif 000004
【図３】
0005433550.tif 000005
【図４】
0005433550.tif 000006
【図５Ａ】
0005433550.tif 000007
【図５Ｂ】
0005433550.tif 000008
【図６Ａ】
0005433550.tif 000009
【図６Ｂ】
0005433550.tif 000010
【図７Ａ】
0005433550.tif 000011
【図７Ｂ】
0005433550.tif 000012
【図８Ａ】
0005433550.tif 000013
【図８Ｂ】
0005433550.tif 000014
【図９Ａ】
0005433550.tif 000015
【図９Ｂ】
0005433550.tif 000016
【図１０】
0005433550.tif 000017
【図１１】
0005433550.tif 000018
【図１２Ａ】
0005433550.tif 000019
【図１２Ｂ】
0005433550.tif 000020
【図１２Ｃ】
0005433550.tif 000021
【図１３Ａ】
0005433550.tif 000022
【図１３Ｂ】
0005433550.tif 000023
【図１３Ｃ】
0005433550.tif 000024
【図１４】
0005433550.tif 000025
【図１５】
0005433550.tif 000026
【図１６Ａ】
0005433550.tif 000027
【図１６Ｂ】
0005433550.tif 000028
【図１７】
0005433550.tif 000029
【図１８】
0005433550.tif 000030
【図１９】
0005433550.tif 000031