(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた感光層をエッチングマスクとして被覆導電層をエッチングして前記被覆導電層をパターニングすることによって取出導電体を形成する工程と、
前記パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層の流動によりすくなくとも前記取出導電体の部位を被覆する流動被覆工程と、を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程は、前記取出導電体の部位と、その周辺の前記透明導電層の部位と、その周辺の前記基材フィルムの部位のすべてを前記軟化した感光層の流動により被覆する工程であることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記第１現像工程でパターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記第２現像工程でパターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記第２エッチング工程の後工程かつ前記流動被覆工程の前工程として、
前記感光層に対し第３フォトマスクを介して露光する第３露光工程と、
前記感光層を第３現像して前記感光層における端子の部位が除かれるようにパターニングする第３現像工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記第１現像工程でパターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を現像して、前記感光層における取出導電体の部位が残され端子の部位が半ば残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記第２現像工程でパターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
前記感光層を第３現像して、前記感光層における取出導電体の部位を残し端子の部位を
除くようにパターニングする第３現像工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対しアクティブエリアの部位がハーフ露光となる第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記第１現像工程でパターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層を現像して前記アクティブエリアの感光層を除去する第１現像工程と、
前記アクティブエリアの感光層が除去された感光層を第２エッチングマスクとして前記被覆導電層をエッチングして除去する第２エッチング工程と、
前記感光層に対し端子の部位に露光する第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第３現像して、前記感光層における取出導電体の部位を残し端子の部位を除くようにパターニングする第３現像工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記第１現像工程でパターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位と端子の部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位と前記端子の部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項８】
請求項１または２に記載のタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対しアクティブエリアの部位と端子の部位がハーフ露光となる第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記第１現像工程でパターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位と端子の部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記第２現像工程でパターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位と前記端子の部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えることを特徴とするタッチパネルセンサの製造方法。
【請求項９】
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層とを有するタッチパネルセンサであって、
前記透明導電層は取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、
前記被覆導電層は取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされており、
すくなくとも前記取出導電体の部位は感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層の流動により被覆されており、
前記感光層は前記被覆導電層のパターニングにおいてエッチングマスクとして使用された感光層であることを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項１０】
請求項９に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記透明導電層は端子の部位と取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、
前記被覆導電層は端子の部位と取出導電体の部位が残り、アクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされている、
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【請求項１１】
請求項９に記載のタッチパネルセンサにおいて、
前記透明導電層は端子の部位と取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、
前記被覆導電層は取出導電体の部位が残り、端子の部位とアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされている、
ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はタッチパネルセンサの技術分野に属する。特に、タッチパネルセンサにおける透明導電層の上に形成される被覆導電層をパターニングした取出導電体の部分を腐食、漏電、等から保護する保護層を形成する工程を改善するタッチパネルセンサ製造方法とその方法を適用したタッチパネルセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
入力装置（タッチパネル）と表示装置（ディスプレイ）とが一体化した入出力装置としてタッチパネルディスプレイが知られている。タッチパネルの接触入力面（タッチセンサの部位、アクティブエリアとも呼ぶ）はディスプレイの表示画面の外側に面平行となるように近接（または密着）して形成される。利用者はタッチパネルの特定の場所を指先またはペン（スタイラス）によって接触（タッチ）（または近接）することにより入力が行なわれる。そのとき、利用者が所望の入力を行なうためにディスプレイは接触する場所と入力する内容との関係が判るような表示画面を生成する。すなわち、利用者はタッチパネルの接触入力面を通してディスプレの表示画面を視認する必要性がある。その視認が可能なように、すくなくともディスプレの表示画面に形成されたタッチパネルの部位は透明な材料によって形成される。このようなタッチパネルディスプレイは携帯電話、券売機、ＡＴＭ装置、ゲーム機、コンピュータ、等の電子機器において入力と表示を行なう装置として多用されている。
【０００３】
タッチパネル装置（タッチパネルがその全体構成を意味するときにはタッチパネル装置と呼ぶ）は、上述の接触（または近接）により入力が行なわれる入力部（その接触入力面の背後にタッチパネルセンサを含む）だけではなく、入力部への接触を電気信号に変換する変換回路、その電気信号から接触位置を演算する演算回路、それらの回路の動作を制御する制御回路、等からなる回路部（センサ回路、センサ増幅器とも呼ぶ）を含んでいる。
タッチパネル装置は、入力部の接触入力面への接触または接近（以降「接触（または近接）」を単に「接触」と呼ぶ）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。最近では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が主流となっている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、指先またはペン（スタイラス）がタッチセンサに接触することにより、その接触部位における静電容量が変化し、その変化から接触位置を演算するようになっている（たとえば、特許文献１）。
【０００４】
容量結合方式のタッチパネル装置はそのタッチパネルセンサの接触入力面の特定の位置での接触の数が１つのときに正常な接触位置の検出が可能な一点検出のタッチパネル装置が一般的である。この一点検出のタッチパネル装置におけるタッチパネルセンサの構造としては、たとえば、ＸＹ配列した複数の容量結合において、Ｙ方向の配列ごとに容量結合の一方の面の端子への取出導電体をＹ方向に連結してＸ方向の辺部分に取出し、Ｘ方向の配列ごとに容量結合の他方の面の端子への取出導電体をＸ方向に連結してＹ方向の辺部分に取出す構造を有している。
一方、容量結合方式のタッチパネル装置において、そのタッチパネルセンサの接触入力面の別々の位置で同時に生じる複数の接触を検出し、それらの接触の各々の位置を表す信号を生成するように構成したタッチパネル装置、すなわちマルチタッチ検出（多点検出）のタッチパネル装置の提案がある。たとえば、特許文献２の「マルチポイント・タッチスクリーン」はそのような装置の発明である。多点検出のタッチパネル装置は、多点同時入力に対応し多様な形態の指示入力が可能であることから注目されている。この特許文献２に開示された装置におけるタッチパネルセンサの構造においては、ＸＹ配列した複数の容量結合において、１つ１つの容量結合の一方の面の端子への取出導電体を１つ１つＸ方向の辺部分に取出し、１つ１つの容量結合の他方の面の端子への取出導電体を１つ１つＹ方向の辺部分に取出す構造を有している。そのため、同一の位置分解能を得るためには、一点検出のものと比較して多点検出のものは端子の数が多くなり、タッチパネル装置の構成（タッチパネルセンサ、センサ回路、データ処理）が複雑化する。このような理由で、一点検出は小型から大型のタッチパネル装置に適合し、多点検出のは小型タッチパネル装置に適合するものが多い。
【０００５】
このような容量結合方式のタッチパネルセンサは、一般的に、第１センサ電極が形成された第１の基材フィルムと、第２センサ電極が形成された第２の基材フィルムと、を接着層により接合することによって、作製されている（たとえば、特許文献３）。作製されたタッチパネルセンサにおいて、第１センサ電極および第２センサ電極は、基材フィルムのアクティブエリア（接触入力面）外の領域に形成された取出配線（取出導電体）を介して、外部のセンサ回路に接続される。タッチパネル装置が表示装置とともに用いられる場合、第１センサ電極および第２センサ電極は、導電率（電気伝導率）の低い透明導電材料から形成される。その一方で、アクティブエリア外に配置される取出導電体は、透明である必要はなく、一般的に、高い導電率を有した金属材料をスクリーン印刷で基材フィルム上に印刷することにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１７５７８４号公報
【特許文献２】特表２００７−５３３０４４号公報
【特許文献３】特開平４−２６４６１３号公報
【特許文献４】特開２００７−３０８７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、タッチパネル装置のタッチパネルセンサにおける取出導電体の部分は、上述したように一般的に金属材料が使用される。たとえば、アルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属材料が使用される。これらの金属材料は腐食し易く、金属材料の表面から内部へと腐食が進行するに連れて導電性が低下し、ついには必要とする導電性を失うことになる。そして、タッチパネル装置はその機能を停止し使用不可能な状態となる。すなわち、取出導電体の部分が腐食することによってタッチパネル装置の耐久性が著しく損なわれるという問題がある。
また、導電性を有する金属材料の取出導電体の部分が露出しているということは漏電の危険性を内在することになる。特に、水（雨、水道水）や水分を含む液体（飲料、汗）が降りかかる環境、湿度が高く水滴ができ易い環境、等においては、電気絶縁性が低下し漏電が発生し易い。取出導電体の部分は、一般的なタッチパネルセンサにおいて、多数の線状の取出導電体が平行し接近する配線パターンとなっている。したがって、隣接する取出導電体の間では僅かな絶縁性の低下により電流が流れ易く漏電が発生し誤動作または動作不能の状態となる。すなわち、取出導電体の部分が露出していることによってタッチパネル装置の信頼性が著しく損なわれるという問題がある。
【０００８】
この問題を解決するために、取出導電体の部分の表面に保護層を形成することが行なわれている。勿論、保護層の材料は電気的な絶縁性を有する材料であり、従来においては、絶縁性の塗料を取出導電体の部分とその周辺部（基材、等）に塗工することにより保護層の形成が行なわれている（特許文献４）。
しかしながら、従来においては保護層を形成するための工程をその他の工程に対して単純に付加しているため、全工程が増大化するという問題がある。一般的に、工程を新たに付加するときにはその工程の付加が他の工程に与える影響、製品の品質に与える影響、等を考慮する必要性がある。すなわち製造条件を適正化する、使用材料を厳選する、等の対応を必要とする。また、その工程に対してはメンテナンス、品質管理、等の作業が発生し製造負荷が増加する。したがって、工程が１つ増えるということは製造上、品質上の多くの課題を解決しなければならないという問題がある。逆に、工程が１つ減るということは製造上、品質上の多くの問題を解消し、工程設計、製品設計の自由度を大幅に増大させる効果がある。
【０００９】
本発明は、上記のような問題を解決するために成されたもので、導電性を有する金属材料の取出導電体の部分を保護する保護層の形成を、その形成のための専用の工程を設けることなく、従来の工程を大幅に変更することなく可能とするタッチパネルセンサ製造方法とその方法を適用したタッチパネルセンサの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に係るタッチパネルセンサの製造方法は、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層の流動によりすくなくとも前記取出導電体の部位を被覆する流動被覆工程を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項２に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程は、前記取出導電体の部位と、その周辺の前記透明導電層の部位と、その周辺の前記基材フィルムの部位のすべてを前記軟化した感光層の流動により被覆する工程であるようにしたものである。
また、本発明の請求項３に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１または２に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項４に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項３に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記第２エッチング工程の後工程かつ前記流動被覆工程の前工程として、
前記感光層に対し第３フォトマスクを介して露光する第３露光工程と、
前記感光層を第３現像して前記感光層における端子の部位が除かれるようにパターニングする第３現像工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項５に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１または２に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を現像して、前記感光層における取出導電体の部位が残され端子の部位が半ば残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
前記感光層を第３現像して、前記感光層における取出導電体の部位を残し端子の部位を除くようにパターニングする第３現像工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項６に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１または２に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対しアクティブエリアの部位がハーフ露光となる第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層を現像して前記アクティブエリアの感光層を除去する第１現像工程と、
前記アクティブエリアの感光層が除去された感光層を第２エッチングマスクとして前記被覆導電層をエッチングして除去する第２エッチング工程と、
前記感光層に対し端子の部位に露光する第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第３現像して、前記感光層における取出導電体の部位を残し端子の部位を除くようにパターニングする第３現像工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項７に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１または２に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対し第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層に対し第２フォトマスクを介して露光する第２露光工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位と端子の部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位と前記端子の部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項８に係るタッチパネルセンサの製造方法は、請求項１または２に係るタッチパネルセンサの製造方法において、前記流動被覆工程の前工程として、
透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層と、を有する積層体の前記被覆導電層側の面上に感光性エッチングレジストの感光層を形成する感光層形成工程と、
前記感光層に対しアクティブエリアの部位と端子の部位がハーフ露光となる第１フォトマスクを介して露光する第１露光工程と、
前記感光層を現像して前記感光層をパターニングする第１現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第１エッチングマスクとして前記被覆導電層と前記透明導電層をエッチングして前記被覆導電層と前記透明導電層をパターニングする第１エッチング工程と、
前記感光層を第２現像して前記感光層における取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位と端子の部位が除かれるようにパターニングする第２現像工程と、
前記パターニングされた感光層を第２エッチングマスクとして前記アクティブエリアの部位と前記端子の部位の被覆導電層をエッチングして除く第２エッチング工程と、
を備えるようにしたものである。
また、本発明の請求項９に係るタッチパネルセンサは、透明な基材フィルムと、前記基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層の面上に設けられた被覆導電層とを有するタッチパネルセンサであって、
前記透明導電層は取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、
前記被覆導電層は取出導電体の部位が残されアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされており、
すくなくとも前記取出導電体の部位は感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層の流動により被覆されている、ようにしたものである。
また、本発明の請求項１０に係るタッチパネルセンサは、請求項９に係るタッチパネルセンサにおいて、前記感光層は前記パターニングにおいてエッチングマスクとして使用された感光層であるようにしたものである。
また、本発明の請求項１１に係るタッチパネルセンサは、請求項９〜１０に係るタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層は端子の部位と取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、  前記被覆導電層は端子の部位と取出導電体の部位が残り、アクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされている、ようにしたものである。
また、本発明の請求項１２に係るタッチパネルセンサは、請求項９〜１０に係るタッチパネルセンサにおいて、前記透明導電層は端子の部位と取出導電体の部位とアクティブエリアの部位が残るようにパターニングされており、  前記被覆導電層は取出導電体の部位が残り、端子の部位とアクティブエリアの部位が除かれるようにパターニングされている、ようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
導電性を有する金属材料の取出導電体の部分を保護する保護層の形成を、その形成のための専用の工程を設けることなく、従来の工程を大幅に変更することなく可能とするタッチパネルセンサ製造方法とその方法を適用したタッチパネルセンサが提供される。このように、保護層を形成する専用の工程を無くすことにより、製造上、品質上の多くの問題を解消し、工程設計、製品設計の自由度を大幅に増大させるという顕著な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のタッチパネルセンサの製造過程をフロー図として示す図である。
【図２】感光層形成工程の前後における積層体の構成を断面図として示す図である。
【図３】第１露光工程の一例を示す説明図である。
【図４】第１透明導電体２０のパターンの一例を示す図である。
【図５】第２透明導電体３０のパターンの一例を示す図である。
【図６】第１透明導電体２０のパターンと第２透明導電体３０のパターンを重ね合わせたパターンを示す図である。
【図７】図７は図４において一点鎖線で示すＡａ，Ｂａの位置におけるフォトマスクで挟持した感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図８】図８は図４において一点鎖線で示すＣａ，Ｄａの位置におけるフォトマスクで挟持した感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図９】図９は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ位置におけるフォトマスクで挟持した感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図１０】図１０は図５において一点鎖線で示すＣｂ，Ｄｂの位置におけるフォトマスクで挟持した感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図１１】図１１は、第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１現像工程）として示す図である。
【図１２】図１２は、第１エッチング工程においてパターニングされた第１エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１エッチング工程）である。
【図１３】図１３は第１被覆導電層のパターン（第１取出導電体４３と第１端子導電体４４）の一例を示す図である。
【図１４】図１４は第２被覆導電層のパターン（第２取出導電体５３と第２端子導電体５４）の一例を示す図である。
【図１５】図１５は第１被覆導電層のパターンと第２被覆導電層のパターンを重ね合わせたパターンを示す図である。
【図１６】図１６は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９１を載せた第１エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）である。
【図１７】図１７は、第２現像工程においてパターニングされた第２現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２現像工程）である。
【図１８】図１８は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング）である。
【図１９】図１９は、流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）である。
【図２０】図２０は加熱された流動感光層７０の流動の状態についての説明図である。
【図２１】図２１はタッチパネルセンサの製造工程の別の一例をフロー図として示す図である。
【図２２】図２２は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９１を載せた第１エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）である。
【図２３】図２３は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における第２現像済積層体の断面図（第２現像工程）である。
【図２４】図２４は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における第２エッチング済積層体の断面図（第２エッチング）である。
【図２５】図２５は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における第３現像済積層体の断面図（第３現像工程）である。
【図２６】図２６は流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆工程）である。
【図２７】図２７は本発明のタッチパネルセンサを適用したタッチパネルディスプレイの一例を示す図である。
【図２８】基材フィルム１０の構成の一例を示す図である。
【図２９】図２９はタッチパネルセンサの製造工程の別の一例（第３例）をフロー図として示す図である。
【図３０】図３０は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第１フォトマスク９０を載せた感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図３１】図３１は、第１エッチング工程においてパターニングされた第１エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１エッチング工程）である。
【図３２】図３２は、第２エッチング工程においてパターニングされた第２エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング工程）である。
【図３３】図３３は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９１を載せた第２エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）である。
【図３４】図３４は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における第３現像済積層体の断面図（第３現像工程）である。
【図３５】図３５はタッチパネルセンサの製造工程の別の一例（第４例）をフロー図として示す図である。
【図３６】図３６は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９１を載せた第１エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）である。
【図３７】図３７は、第２エッチング工程においてパターニングされた第２エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング工程）である。
【図３８】図３８は流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆工程）である。
【図３９】図３９はタッチパネルセンサの製造工程の別の一例（第５例）をフロー図として示す図である。
【図４０】図４０は図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第１フォトマスク９０を載せた感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）である。
【図４１】図４１は、第１エッチング工程においてパターニングされた第１エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１エッチング工程）である。
【図４２】図４２は、第２エッチング工程においてパターニングされた第２エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング工程）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。本明細書に添付する図面においては、図示の便宜、理解の容易、等のため、各部分の寸法比、縦横の寸法比、縮尺、等は、変更または誇張されており実物のそれらとは普通は一致しない。また、本明細書において使用する「導電体」「導電層」「電極」の語群、および「感光層」「流動感光層」の語群、は各々の語群において同一の意味を有しており、互いに区別されるものではない。また、本明細書において使用する「フィルム」は「シート」「板」の意味を含んでおり、互いに区別されるものではない。
本発明のタッチパネルセンサを適用したタッチパネルディスプレイの一例を図２７に示す。タッチパネルディスプレイはタッチパネル装置と表示装置（たとえば液晶表示装置）とを一体化した入出力装置である。本発明においては、タッチパネルがその全体構成を意味するときにはタッチパネル装置と呼び、タッチパネルがその入力部の主要な部分を意味するときにはタッチパネルセンサ（詳細を後述する）と呼ぶ。図２７（Ａ）はタッチパネルディスプレイの構成図、図２７（Ｂ）はタッチパネルディスプレイの断面図である。
図２７（Ａ）に示す一例において、タッチパネルディスプレイ１１０はタッチパネル装置１２０と表示装置１３０とから構成される。また、タッチパネル装置１２０は入力部１２１と回路部１２２とから構成され、表示装置１３０は表示部１３１と表示制御部１３２から構成される。
【００１４】
タッチパネル装置の入力部１２１の接触入力面における接触位置と入力内容との関係が利用者に判るように、液晶表示装置１３０はその表示部１３１において表示を行なう。利用者は特定の入力内容の入力を行なうために、その表示を見て判断し、指先またはスタイラスペンを接触入力面における特定の位置に接触する。入力部１２１と回路部１２２とは複数の配線により接続されている。入力部１２１は接触入力面における接触位置の違いに対応した電気信号を発生する。その電気信号はその複数の配線を通して回路部１２２に伝達される。回路部１２２はその伝達された電気信号から接触位置を演算し、演算した接触位置を示す電気信号を表示制御部１３２に伝達する。表示制御部１３２はその伝達された電気信号が示す接触位置に対応した表示制御を行なう。
なお、タッチパネルディスプレイは電子機器の入出力部として利用されるものである。その電子機器の本体部分は、表示制御部１３２に含まれるものであってもよい（図２７（Ａ）はその一例）。また、電子機器の本体部と表示制御部１３２とは別々であって、図２７（Ａ）には示してないが、表示制御部１３２はその電子機器の本体部と電気的な接続配線を有するものであってもよい。いずれにせよ、回路部１２２が演算した接触位置を示す電気信号は電子機器の本体部に伝達され、その本体部はその伝達された電気信号が示す接触位置に対応したデータ処理を行うとともに、表示制御部１３２に対して表示部１３１の表示を操作する電気信号を出力する。
【００１５】
タッチパネル装置１２０の入力部１２１は、図２７（Ｂ）に断面図として示すように、さらに詳細な構成として、保護カバー１２３、接着層１２４、タッチパネルセンサ１２５を有している。保護カバー１２３はタッチパネルセンサ１２５を衝撃力、外気（湿気）、等から保護するためにタッチパネルセンサ１２５の利用者側（表面）に設けられた保護フィルム（またはシート、板）である。保護カバー１２３は可視光を透光する誘電体材料でできている。保護カバー１２３は接着層１２４を介してタッチパネルセンサ１２５に接着している。この保護カバー１２３はタッチパネル装置１２０の入力部１２１における接触入力面（タッチ面、入力面）となっている。また、保護カバー１２３は、入出力装置１１０の最観察者側面をなしており、入出力装置１１０において、タッチパネル装置１２０および表示装置１３０を外部から保護するカバーでもある。
一方、タッチパネルセンサ１２５における表示面側（裏面）に、すなわち保護カバー１２３の反対側には、図２７（Ｂ）に示すように、液晶表示装置１３０における表示部１３１の表示面上に接着層１２６を介して接着されている。
なお、上述した接着層１２４，１２６としては、種々の周知の接着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、本明細書において、「接着（層）」は粘着（層）をも含む概念として用いる。
【００１６】
タッチパネルセンサ１２５は、図２７（Ｂ）に示すように、基材フィルム１０と、基材フィルム１０の一方の側（利用者側）の面１０ａ上に所定のパターンで設けられた第１透明導電体２０と、基材フィルム１０の他方の側（表示装置側）の面１０ｂ上に所定のパターンで設けられた第２透明導電体３０と、を有している。
第１透明導電体２０のパターンの一例を図４に示す。また、第２透明導電体３０のパターンの一例を図５に示す。また、それら第１透明導電体２０のパターンと第２透明導電体３０のパターンを重ね合わせたパターンを図６に示す。図２７（Ｂ）には断面図を示したが、図４〜図６は平面図である。
図４〜図６に示すように、タッチパネルセンサ１２５においては、その平面を特徴的な領域に区分することができる。すなわち、タッチ位置が検出され得る領域に対応するアクティブエリＡ、アクティブエリアＡに隣接する非アクティブエリアＢに区分することができる。
【００１７】
アクティブエリアＡは、表示装置１３０の表示領域に対面する領域を占めている。したがって、タッチパネルセンサ１２５は、すくなくともアクティブエリアＡにおいては、可視光を透過するような材料を使用する。アクティブエリアＡの層構成の一例を図２６（Ｄ）に示す（この図においては基材フィルム１０の一方の面の構成だけを示す）。タッチパネルセンサ１２５におけるアクティブエリアＡの層構成は、図２６（Ｄ）に示すように、基材フィルムの上に透明導電層（第２透明導層３０）が存在する構成となっている。
アクティブエリアＡには、図４〜図６に示すように、外部導体（指またはスタイラスペン）との間で容量結合を形成することができる膨出部である第１膨出電極２１と第２膨出電極３１が設けられている。第１膨出電極２１と第２膨出電極３１は、図４〜図６に示す一例においては４５度傾けた矩形（ほぼ四角形）状のパターンとなっており、アクティブエリアＡにおいてその複数個が行列配置している。複数個が行列配置する膨出部の各々は、基材フィルム１０の面に垂直な方向から見たときには、すなわち図６に示すように、互いに重ならない配列となっている。
複数個が行列配置する第１膨出電極２１の各々は隣接する行方向（Ｙ方向）の第１膨出電極２１と互いに連結している。その連結を行なう連結部が第１連結電極２２である。同様に、複数個が行列配置する第２膨出電極３１の各々は隣接する列方向（Ｘ方向）の第２膨出電極３１と互いに連結している。その連結を行なう連結部が第２連結電極３２である。連結部も膨出部と同様に複数個が行列配置するが、その連結部の各々は、基材フィルム１０の面に垂直な方向から見たときには、すなわち図６に示すように、互いに交差する配列となっている。
このように、アクティブエリアＡにおいて、第１透明導電体２０のパターンは膨出部（第１膨出電極２１）と連結部（第１連結電極２２）が行方向（Ｙ方向）に延びる複数の連続パターンにより形成され、その複数の連続パターンの各々は、非アクティブエリアＢにおいて、後述する第１透明取出導電体２３と第１透明端子導電体２４の各々に連結する連続パターンとなっている。同様に、第２透明導電体３０のパターンは膨出部（第２膨出電極３１）と連結部（第２連結電極３２）が行方向（Ｙ方向）に延びる複数の連続パターンにより形成され、その複数の連続パターンの各々は非アクティブエリアＢにおいて後述する第２透明取出導電体３３と第２透明端子導電体３４の各々に連結する連続パターンとなっている。
【００１８】
一方、非アクティブエリアＢは、矩形状のアクティブエリアＡを四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアＢは、表示装置１３０の非表示領域に対面する領域に形成されている。
非アクティブエリアＢは、さらに取出エリアＣと端子エリアＤに区分することができる。図４〜図６に示すように、取出エリアＣには第１透明導電体２０の取出エリアＣの部分である第１透明取出導電体２３が、端子エリアＤには第１透明導電体２０の端子エリアＤの部分である第１透明端子導電体２４が存在する。また、取出エリアＣには第２透明導電体３０の取出エリアＣの部分である第２透明取出導電体３３が、端子エリアＤには第２透明導電体３０の端子エリアＤの部分である第２透明端子導電体３４が存在する。
第１透明取出導電体２３は、図４〜図６に示すように、その一端において第１膨出電極２１に接続され、また、その他端において第１透明端子導電体２４に接続している。さらに、第１透明端子導電体２４は、図２７（Ａ）に示すように、外部導体（指またはスタイラスペン）の入力部１２１の接触入力面への接触位置を検出するように構成された回路部１２２に対して配線によって電気的に接続されている。同様に、第２透明取出導電体３３は、図４〜図６に示すように、その一端において第２膨出電極３１に接続され、また、その他端において第２透明端子導電体３４に接続している。さらに、第２透明端子導電体３４は、図２７（Ａ）に示すように、外部導体（指またはスタイラスペン）の入力部１２１の接触入力面への接触位置を検出するように構成された回路部１２２に対して配線によって電気的に接続されている。
【００１９】
この非アクティブエリアＢの取出エリアＣにおける第１透明取出導電体２３と第２透明取出導電体３３の上には被覆導電層と流動感光層（電極保護層）が形成される。
取出エリアＣにおける層構成の一例を図２６（Ｂ）に示す（この図においては基材フィルム１０の一方の面の構成だけを示す）。タッチパネルセンサ１２５における取出エリアＣの層構成は、図２６（Ｂ）に示すように、基材フィルム１０の上に第２透明取出導電体３３が存在し、第２透明取出導電体３３の上には被覆導電層である第２取出導電体５３が存在し、第２取出導電体５３の上には流動感光層（電極保護層）７３が存在する構成である。
また、この非アクティブエリアＢの端子エリアＤにおける第１透明端子導電体２４と第２透明端子導電体３４の上には被覆導電層が形成される。取出エリアＤにおける層構成の一例を図２６（Ａ）に示す（この図においては基材フィルム１０の一方の面の構成だけを示す）。タッチパネルセンサ１２５における取出エリアＤの層構成は、図２６（Ａ）に示すように、基材フィルム１０の上に第２透明端子導電体３４が存在し、第２透明端子導電体３４の上には被覆導電層である第２端子導電体５４が存在する構成である。
【００２０】
第１被覆導電層のパターン（第１取出導電体４３と第１端子導電体４４）の一例を図１３に示す。また、第２被覆導電層のパターン（第２取出導電体５３と第２端子導電体５４）の一例を図１４に示す。また、それら第１被覆導電層のパターンと第２被覆導電層のパターンを重ね合わせたパターンを図１５に示す。図１３〜図１５において、第１被覆導電層のパターンと第２被覆導電層のパターンの部分は実線で示し、第１透明導電体２０と第２透明導電体３０の部分は点線で示す。これら図１３〜図１５は平面図である。
第１透明導電体２０のパターンは、図１３、図１５に点線で示すように、膨出部（第１膨出電極２１）と連結部（第１連結電極２２）が行方向（Ｙ方向）に延びる複数の連続パターンにより形成され、複数の第１取出導電体４３の各々はその複数の連続パターンの各々と第１端子導電体４４の各々とを連結する。第１取出導電体４３は前述した第１透明取出導電体２３の上に設けられ、第１端子導電体４４は前述した第１透明端子導電体２４の上に設けられている。第１取出導電体４３と第１透明取出子導電体２３とを、また第１端子導電体４４と第１透明端子導電体２４とを２層に重ねた構成により、その部分における導電性を良くする（電気抵抗を小さくする）ことができる。同様に、第２透明導電体３０のパターンは、図１４、図１５に点線で示すように、膨出部（第２膨出電極３１）と連結部（第２連結電極３２）が列方向（Ｘ方向）に延びる複数の連続パターンにより形成され、複数の第２取出導電体５３の各々はその複数の連続パターンの各々と第２端子導電体５４の各々とを連結する。第２取出導電体５３は前述した第２透明取出導電体３３の上に設けられ、第２端子導電体５４は前述した第２透明端子導電体３４の上に設けられている。第２取出導電体５３と第２透明取出子導電体３３とを、また第２端子導電体５４第２透明端子導電体３４とを２層に重ねた構成により、その部分における導電性を良くする（電気抵抗を小さくする）ことができる。
この被覆導電層に対して、流動感光層（電極保護層）は取出導電体（第１取出導電体４３、第２取出導電体５３）の上にだけ設けられ、端子導電体（第１端子導電体４４、第２端子導電体５４）の上には設けられない。流動感光層（電極保護層）は取出導電体の部分を腐食、漏電、等から保護する。
【００２１】
次に、タッチパネルセンサ１２５を構成する各部分について、特にその材料について説明する。
基材フィルム１０は可視光を透過する誘電体材料、たとえば、ＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）等の樹脂フィルムからなるフィルム本体１１と、フィルム本体１１の一方または両方の面上に形成されたインデックスマッチング膜１２とを有している。基材フィルム１０の構成の一例を図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）に示す。図２８（Ａ）に示すように、インデックスマッチング膜１２は、交互に配置された複数の高屈折率膜１２ａおよび低屈折率膜１２ｂを含んでいる。このインデックスマッチング膜１２を設けることにより、基材フィルム１０のフィルム本体１１と透明導電体２０，３０との屈折率が大きく異なっていたとしても、基材フィルム１０上の透明導電体２０，３０が設けられている領域と、設けられていない領域と、で反射率が大きく変化してしまうことを防止することができる。
また、図２８（Ｂ）に示すように、基材フィルム３２は、樹脂フィルムからなるフィルム本体１１と、フィルム本体１１の一方または両方の面上に形成された低屈折率膜１３と、を有している。この低屈折率膜１３によれば、基材フィルム１０のフィルム本体１１と透明導電体２０，３０との屈折率が大きく異なっていたとしても、基材フィルム１０上の透明導電体２０，３０が設けられている領域と、設けられていない領域と、で透過率のスペクトル特性が大きく変化してしまうことを防止し、各波長域で均一な透過率を実現することが可能となる。
【００２２】
第１透明導電体２０および第２透明導電体３０は、可視光に対して透明であって導電性を有した材料（たとえば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ））によって形成される。ＩＴＯは透明導電材料の内では導電性が良いから好適であるが、その他の透明導電材料を使用することも可能である。たとえば、酸化亜鉛系（ＡＺＯ：アルミニウム添加酸化亜鉛、ＧＺＯ：ガリウム添加酸化亜鉛）、酸化スズ系（Ｓｎ０２）、酸化チタン系（ＴｉＯ２）、水酸化マグネシウム系（Ｍｇ（ＯＨ）２）、有機導電性ポリマー（ポリチオフェン系導電性ポリマー）、等が知られている。
第１取出導電体４３、第２取出導電体５３、第１端子導電体４４、第２端子導電体５４（すなわち被覆導電層）は、非アクティブエリアＢに配置されていることから、透光性を有した材料から形成される必要はなく、ＩＴＯ等の透明導電材料よりも格段に高い導電性を有する材料を使用できる。たとえば、ＩＴＯ等の透明導電体よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属材料を好適に試用することができる。これらの金属材料は遮光性を有する。その遮光性は、タッチパネルセンサ１２５の製造過程においてパターニング等のため露光を行なうときに、不適正な部位への露光が行なわれないようにする遮光体としての機能を有する（詳細を後述する）。
【００２３】
流動感光層（電極保護層）は取出導電体の部分を腐食、漏電、等から保護する特性を有する材料によって形成することができる。本発明においては、その材料として感光性材料を好適に使用することができる。たとえば、ノボラック系のポジ型レジストを好適に使用することができる。ノボラック系のポジ型レジストの具体的な製品名としては、ローム・アンド・ハース電子材料社の製品である「ＳＣ５００」、同社製品である「ＦＲ１０００」、ＡＺ・エレクトロニック・マテリアルズ社の製品である「ＡＺ  ８１１２」、同社製品である「ＡＺ  ＲＦＰ−２３０Ｋ２」、等を好適に使用することができる。
尚、以降の製造工程第１例〜第５例において、感光性材料としてポジ型レジストを用いる場合について説明する。一方、ネガ型レジストの場合は、フォトマスクの透過部、遮光部の関係を逆にし、ハーフトーン露光部（半透過部）の透過率を調整することにより、使用することが出来る。
【００２４】
次に、以上の構成を有するタッチパネルセンサ１２５の製造方法について説明する。本発明のタッチパネルセンサの製造過程（第１例）をフロー図として図１に示す。
まず、ステップＳ１（感光層形成）において、透明な基材フィルム１０と、その基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層２０と、その透明導電層２０の面上に設けられた被覆導電層４０とを有する積層体の被覆導電層４０の側の面上に感光性エッチングレジストの感光層６０を形成する。積層体が基材フィルム１０の両面に層構成を有するときには、すなわち、上記に加えて、その基材フィルムの他方の側の面上に設けられた透明導電層３０と、その透明導電層３０の面上に設けられた被覆導電層５０とを有する積層体であるときには、その積層体の被覆導電層５０の側の面上に感光性エッチングレジストの感光層７０を形成する。
この感光層６０，７０の形成は、スピンコート、ダイコート、等の塗工方法により積層体に対して感光材料の塗工液を塗工し、その後、温風乾燥、等の乾燥方法により塗工された塗工液の揮発成分（水分、等）を飛散させ乾燥することによって行うことができる。
【００２５】
この感光層形成工程の前後における積層体の構成を断面図として図２に示す。片面だけに層構成を有する積層体の層構成は、図２（Ａ）に示すように、基材フィルム１０、その一方の側の面上に透明電極２０、その上に被覆導電層４０がその順番に積層した層構成となっている。この積層体を原材料として、その積層体の被覆導電層４０の側の面上に感光層６０を形成した感光層形成済積層体は、図２（Ｂ）に示すように、基材フィルム１０、その一方の側の面上に透明電極２０、その上に被覆導電層４０、その上に感光層６０がその順番に積層した層構成となっている。
両面に層構成を有する積層体の層構成は、図２（Ｃ）に示すように、基材フィルム１０、その一方の側の面上に透明電極２０、その上に被覆導電層４０が、またその基材フィルム１０の他方の側の面上に透明電極３０、その上に被覆導電層５０が、その順番に積層した層構成となっている。この積層体を原材料として、その積層体の被覆導電層４０の側の面上に感光層６０を形成し、その積層体の被覆導電層５０の側の面上に感光層７０を形成した感光層形成済積層体は、図２（Ｄ）に示すように、基材フィルム１０、その一方の側の面上に透明電極２０、その上に被覆導電層４０、その上に感光層６０が、またその基材フィルム１０の他方の側の面上に透明電極３０、その上に被覆導電層５０が、その上に感光層７０が、その順番に積層した層構成となっている。
【００２６】
次に、ステップＳ２（第１露光）において、感光層６０，７０に対し第１フォトマスクを介して露光する。この第１露光工程の一例を説明図として図３に示す。この第１露光工程においては、図３に示すように、感光層形成済積層体を第１フォトマスク８０と第１フォトマスク９０とによって挟持した状態で両面から露光を行なう。露光の光源としては、一般的には紫外線等の光（電磁放射線）が使用されるが、第１感光層６０，７０の材料によっては電子線を使用する。
第１フォトマスク８０の全面に対する外側からの露光による光は、第１フォトマスク８０を通過することによって所定のパターンの光となって感光層６０に到達し感光層６０を露光する。その光の一部はさらに感光層６０を通過して被覆導電層４０に到達する。被覆導電層４０は金属材料等の電気の良導体を材料とする層であって光を遮蔽する。したがって、基材フィルム１０の反対側に到達することは無い。
同様に、第１フォトマスク９０の全面に対する外側からの露光による光は、第１フォトマスク９０を通過することによって所定のパターンの光となって感光層７０に到達し感光層７０を所定のパターンで露光する。その光の一部はさらに感光層７０を通過して被覆導電層５０に到達する。被覆導電層５０は金属材料等の電気の良導体を材料とする層であって光を遮蔽する。したがって、基材フィルム１０の反対側に到達することは無い。
このように被覆導電層４０と被覆導電層５０とが光を遮蔽する機能を有することから、第１露光工程においては基材フィルム１０の一方の面と他方の面とで相違するパターンを互いに影響されること無く完全に独立して適用することができる。この点は後述する第２例〜第５例の第１露光工程にても同様の効果があり、また、後述するハーフ露光を行う場合も同様である。従って、基材フィルムの両面を同時に露光することにより、別々に露光する場合に対して工程を簡便化することが出来る。
【００２７】
第１フォトマスク８０のパターンは第１透明導電体２０のパターン、すなわち図４に示す第１透明導電体２０のパターンの一例と基本的に同一である。その第１透明導電体２０のパターン以外のパターンとして、第１フォトマスク８０のパターンには、たとえば、後工程での位置合わせのための見当マーク、製品を特定する製品名、製造を特定する製品番号、その他のパターンを含めることができる。また、露光、エッチング等の工程を経て最終的に所望の第１透明導電体のパターンが得られるように、パターンの線幅等の寸法が微妙に調整されたパターンとなっている。
同様に、第１フォトマスク９０のパターンは第２透明導電体３０のパターン、すなわち図５に示す第２透明導電体３０のパターンの一例と基本的に同一である。その第２透明導電体３０のパターン以外のパターンとして、第１フォトマスク９０のパターンには、たとえば、位置合わせ用の見当マーク、製品を特定する製品名、製造を特定する製品番号、その他のパターンを含めることができる。また、露光、エッチング等の工程を経て最終的に所望の第２透明導電体３０のパターンが得られるように、パターンの線幅等の寸法が微妙に調整されたパターンとなっている。
第１フォトマスク８０と第１フォトマスク９０は各々の平面上の対応する位置が適正となるように相対的な位置合わせが行われ、その状態で図３に示すように感光層形成済積層体を挟持する。第１フォトマスク８０と第１フォトマスク９０の位置合わせは、第１透明導電体のパターンと第２透明導電体３０のパターンとが図６に示すような配置となるように相対的な位置合わせが行われる。
【００２８】
図４において一点鎖線で示すＡａ，Ｂａ，Ｃａ，Ｄａの位置、および図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における感光層形成済積層体の断面図（第１露光工程）を図７〜図１０に示す。これらの断面図は製造工程の進行とともに変化する。その変化する断面図を比較することによって製造工程の理解を容易にする。
なお、図７〜図１０において、第１フォトマスク８０、第１フォトマスク９０ともに、黒色で示す部分が露光の光を遮蔽する部分となっており、白色で示す部分が露光の光を透過する部分となっている。
図７（Ａ）は図４において一点鎖線で示すＡａの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第１透明端子導電体２４、第１端子導電体４４が形成される部分である。
図７（Ｂ）は図４において一点鎖線で示すＢａの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第１透明取出導電体２３、第１取出導電体４３、流動感光層（電極保護層）６３が形成される部分である。
図８（Ａ）は図４において一点鎖線で示すＣａの位置すなわち取出エリアＣの近くのアクティブエリアＡの断面図である。この部分は第１透明取出導電体２３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第１膨出電極２１）に接続する部分である。
図８（Ｂ）は図４において一点鎖線で示すＤａの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第１膨出電極２１）が形成される部分である。
図９（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分である。
図９（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。
図１０（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。
図１０（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００２９】
次に、ステップＳ３（第１現像）において、第１露光済積層体の感光層６０，７０を現像してその感光層６０，７０をパターニングする。すなわち、感光層６０，７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層６０，７０を現像する。これにより、第１露光工程において光を露光された部位の感光層が除去される。すなわち、感光層６０，７０は第１フォトマスク８０，９０と基本的に同一のパターンを有することになる。
第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１現像工程）として図１１に示す。これまでの図においては、基材フィルム１０の両面について説明したが、工程の進行における両面の層構成の変化は同様であって、一方から他方の層構成を予測可能である。したがって、ここからは主として図５に示す側についてだけ説明する。図１１においては、それまでの層構成の図に対して上下を逆転させて示している。
図１１（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分である。第１現像工程の後においては、感光層としては、図９（Ａ）における黒色で示す部分すなわち露光の光が遮蔽された部分に対応する感光層７０の部分すなわちパターニングされた感光層７４だけが残されている。
図１１（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。第１現像工程の後においては、感光層としては、図９（Ｂ）における黒色で示す部分すなわち露光の光が遮蔽された部分に対応する感光層７０すなわちパターニングされた感光層７３の部分だけが残されている。
図１１（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。第１現像工程の後においては、感光層としては、図１０（Ａ）における黒色で示す部分すなわち露光の光が遮蔽された部分に対応する感光層７０の部分すなわちパターニングされた感光層７３だけが残されている。
図１１（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。第１現像工程の後においては、感光層としては、図１０（Ａ）における黒色で示す部分すなわち露光の光が遮蔽された部分に対応する感光層７０の部分すなわちパターニングされた感光層７１だけが残されている。
【００３０】
次に、ステップＳ４（第１エッチング）において、第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の感光層７０を第１エッチングマスクとして被覆導電層５０と透明導電層３０をエッチングして被覆導電層５０と透明導電層３０をパターニングする。
この第１エッチング工程は１回目エッチング工程と２回目エッチング工程の２回のエッチング工程によって構成される。１回目エッチング工程において被覆導電層５０をパターニングし、２回目エッチング工程において透明導電層３０をパターニングする。
１回目エッチング工程においては、たとえば、被覆導電層５０がアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、被覆導電層５０が銀からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を４：１：４：４の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。さらに、被覆導電層５０がクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を１７：４：７０の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。
また、２回目エッチング工程においては、たとえば、透明導電層３０がＩＴＯからなる場合には、塩化第二鉄をエッチング液として用いることができる。
この様にして、エッチング液を複数種類用いることにより、異なる材質よりなる被覆導電層と透明導電層をエッチングすることが出来る。
【００３１】
第１エッチング工程においてパターニングされた第１エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第１エッチング工程）として図１２に示す。
図１２（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図（第１エッチング工程）である。第１エッチング工程の後においては、被覆導電層と透明導電層としては、図１１（Ａ）における感光層７０の部分すなわち第１露光と第１現像によってパターニングした感光層７４の部分に対応する被覆導電層５０（第１端子導電体５４）、透明導電層３０（第２透明端子導電体３４）の部分だけが残されている。
図１２（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。第１エッチング工程の後においては、被覆導電層と透明導電層としては、図１１（Ｂ）における感光層７０の部分すなわちパターニングした感光層７３の部分に対応する被覆導電層５０（第２取出導電体５３）、透明導電層３０の部分（第２透明取出導電体３３）だけが残されている。
図１２（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。第１エッチング工程の後においては、被覆導電層と透明導電層としては、図１１（Ｃ）における感光層７０の部分すなわちパターニングした感光層７３の部分に対応する被覆導電層５０（第２取出導電体５３）、透明導電層３０の部分（第２透明取出導電体３３）だけが残されている。
図１２（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。第１エッチング工程の後においては、被覆導電層と透明導電層としては、図１１（Ｄ）における感光層７０の部分すなわちパターニングした感光層７１の部分に対応する被覆導電層５０（第２膨出導電体５１）、透明導電層３０（第２膨出電極３１）の部分だけが残されている。
【００３２】
次に、ステップＳ５（第２露光）において、第１エッチング済積層体のすでにパターニングされた感光層７０に対し、さらに第２フォトマスクを介して露光する。第２フォトマスクのパターンはアクティブエリアＡの感光層７０に対して露光の光を透過し、非アクティブエリアＢの感光層７０に対して露光の光を遮蔽するパターンとなっている。
第１エッチング済積層体においては、パターニングした感光層７０は、基材フィルム１０の一方の側の面においては図４に示す第１透明導電体２０のパターンとなっており、他方の側の面においては図５に示す第２透明導電体３０のパターンとなっており、それら第１透明導電体２０のパターンと第２透明導電体３０のパターンを重ね合わせたパターンが図６に示されている。
これら図４〜図６に対応させて図１３〜図１５が描かれている（後述する第２エッチング済積層体の説明図）。基材フィルム１０の一方の側の面に適用する第２フォトマスクはすくなくとも図１３における実線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を遮蔽し、すくなくとも破線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を透過する。基材フィルム１０の他方の側の面に適用する第２フォトマスクはすくなくとも図１４における実線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を遮蔽し、すくなくとも破線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を透過する。図１５には重ね合わせたパターンが示されている。
このような露光を行なう第１フォトマスク、第２フォトマスクとしては、アクティブエリアＡの感光層７０に対して露光の光を透過し、非アクティブエリアＢの感光層７０に対して露光の光を遮蔽する単純なパターンを有するフォトマスクを適用することができる。
なお、この様なフォトマスクで第２露光工程を行う際、図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）で示す様に、第２フォトマスク９１にて遮光部分となる部位には、被覆導電層５０が存在し、図７〜１０で示す様に基材フィルム裏面（感光層６０の側）よりの露光の光は遮光され、感光層７０は裏面からの露光の光に感光しない。従って、第２露光工程においても基材フィルム１０の一方の面と他方の面とで相違するパターンを互いに影響されること無く完全に独立して適用することができる。この点は後述する第２例〜第５例の第２露光工程にても同様の効果があり、また、後述するハーフ露光を行う場合も同様である。従って基材フィルムの両面を同時に露光することにより、別々に露光する場合に対して工程を簡便化することが出来る。
【００３３】
図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９１を載せた第１エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）を図１６に示す。
なお、図１６において、第２フォトマスク９１は黒色で示す部分すなわち非アクティブエリアＢが露光の光を遮蔽する部分となっており、白色で示す部分すなわちアクティブエリアＡが露光の光を透過する部分となっている。
図１６（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分である。
図１６（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。
図１６（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。
図１６（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００３４】
次に、ステップＳ６（第２現像）において、パターニングした感光層７０を現像してそのパターニングした感光層７０をさらにパターニングする。すなわち、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７０を現像する。これにより、第２露光工程において光を露光された部位の感光層が除去される。第２現像工程を終えた感光層７０は図１３〜図１５（図５に対応するのは図１４）に実線で示した部分のパターンと基本的に同一のパターンを有することになる。
第２現像工程においてパターニングされた第２現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２現像工程）として図１７に示す。
図１７（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ａ）と基本的に相違がない。
図１７（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｂ）と基本的に相違がない。
図１７（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められる。非アクティブエリアＢ，Ｃにおいてはパターニングした感光層７０が残されているが、アクティブエリアＡにおいてはパターニングした感光層７０が除去されている。
図１７（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められ、パターニングした感光層７０が除去されている。
【００３５】
次に、ステップＳ７（第２エッチング）において、このパターニングされた感光層を第２エッチングマスクとしてタッチセンサの部位すなわちアクティブエリアＡの被覆導電層をエッチングして除く。この第２エッチング工程においては、たとえば、被覆導電層５０がアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、被覆導電層５０が銀からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を４：１：４：４の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。さらに、被覆導電層５０がクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を１７：４：７０の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。
この第２エッチング工程においてアクティブエリアＡのパターンから被覆導電層が除かれアクティブエリアＡが可視光を透過するようになる。また、非アクティブエリアＢのパターンには被覆導電層が残され良好な導電性が付与されたままとなる。
第１被覆導電層のパターン（第１取出導電体４３と第１端子導電体４４）の一例を図１３に、第２被覆導電層のパターン（第２取出導電体５３と第２端子導電体５４）の一例を図１４に、それら第１被覆導電層のパターンと第２被覆導電層のパターンを重ね合わせたパターンを図１５に示す。
【００３６】
第２エッチング工程においてパターニングされた第２エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング）として図１８に示す。
図１８（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図１７（Ａ）と基本的に相違がない。
図１８（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図１７（Ｂ）と基本的に相違がない。
図１８（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における層構成は、非アクティブエリアＢ，Ｃにおいては、第２現像工程の断面図である図１７（Ｃ）と基本的に相違がない。一方、アクティブエリアＡにおいては第２取出導電体５３が除去され第２透明取出導電体３３だけが残されている。
図１８（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図１７（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められる。すなわち、パターニングした被覆導電層５０（第２膨出電極３１上の被覆導電層５１）が除去され第２膨出電極３１だけが残されている。
【００３７】
次に、ステップＳ８（流動被覆）において、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層（流動感光層７３）の流動によりすくなくとも取出導電体（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３）の部位を被覆する。流動感光層７０は加熱することにより軟化し流動する材料でできている。加熱された流動感光層７０の流動の状態について説明図を図２０に示す。図２０（Ａ）、図２０（Ｂ）の各々における左側の図は、図２０（Ａ）、図２０（Ｂ）における右側の図において破線で囲った部分すなわち基材フィルム１０の上にパターニングした透明導電層３０、被覆導電層５０、流動感光層（電極保護層）７０のエッジ部分を拡大して示した図である。図２０（Ａ）は加熱流動の前の状態を示す図であり、図２０（Ｂ）は加熱流動の後の状態を示す図である。
加熱流動の前は、図２０（Ａ）に示すように、パターニングした透明導電層３０と被覆導電層５０のエッジ部分はパターニングした流動感光層（電極保護層）７０のエッジ部分よりもパターンの内側に存在する。言い換えると、パターニングした流動感光層（電極保護層）７０のエッジ部分はパターニングした透明導電層３０と被覆導電層５０のエッジ部分よりもパターンの外側に競り出た状態となっている。勿論、これはエッチング工程においてサイドエッチングが進行することによるものである。このように、ステップＳ７の第２エッチング工程が終了した状態においては、パターニングした透明導電層３０と被覆導電層５０のエッジ部分は外部に対して露出した状態となっている。
加熱流動の後は、図２０（Ｂ）に示すように、パターニングした流動感光層（電極保護層）７０が軟化し流動することによって、パターニングした透明導電層３０と被覆導電層５０は外部に対して露出した状態のエッジ部分を含めて完全に被覆されることになる。この被覆は主として主として流動感光層（電極保護層）７０のエッジ部分により行なわれ、エッジ部分以外の透明導電層３０と被覆導電層５０の部分は加熱流動の後においても流動感光層（電極保護層）７０によって被覆されたままとなっている。このように、ステップＳ８の流動被覆工程が終了した状態においては、パターニングした透明導電層３０と被覆導電層５０のすべての部分が外部に対して完全に遮蔽された状態となる。
【００３８】
次に、この流動被覆工程における流動感光層（電極保護層）７０の加熱方法について説明する。
上述の説明から明らかなように、加熱され流動性を有するようになった流動感光層（電極保護層）７０が流動する方向は基材フィルム１０の側である。この方向に流動するためには、その方向に力学的な力が作用する必要性がある。その作用する大きな力としては、流動化した流動感光層７０とそれが接触する部位（たとえば基材１０）との間で作用する液個界面張力（液体と固体との間の界面張力（＝表面張力））に基づく力、および、流動感光層７０の質量に応じて作用する重力に基づく力の２つである。この２つの力がどのように作用するかは流動感光層７０とそれが形成される部位の材料によって相違する。基材フィルム１０等の流動感光層７０を形成する部位の材料に対して、流動感光層７０は濡れの親和力が大きい材料が、塗工適性、被膜密着強度、等の良い材料として一般的に使用される。
重力に対して液個界面張力の作用が支配的であって、重力の作用を無視することができるときには、基材フィルム１０がどの方向を向いているかについて考慮する必要性がない。したがって、基材フィルム１０の下側の面に流動感光層７０が存在していても、上側の面に存在していても関係なく流動被覆を行うことができる。基材フィルム１０の両側の面に流動感光層７０が存在するときには、両側の面を同時に加熱し流動させ流動被覆を行うことができる。
また、液個界面張力の作用が支配的ではあるが、重力の作用を全く無視することはできないときには、基材フィルム１０の移送径路の方向が垂直方向となるようにし、垂直方向の基材フィルム１０の両側に存在する流動感光層７０を同時に加熱し流動させ流動被覆を行うことができる。
一方、液個界面張力に対して重力の作用が支配的であるときには、重力の作用により基材フィルム１０の側に流動することになる。すなわち、基材フィルム１０の表面に向かって流動感光層（電極保護層）７０に重力が作用するような状態で加熱する必要性がある。したがって、ほぼ基材フィルム１０の表面が水平であって、その上側に流動感光層（電極保護層）７０が存在するような姿勢（加熱姿勢）として第２エッチング済積層体の加熱を行なう。
図２（Ｂ）に示す積層体のように基材フィルム１０の片側の表面にだけ流動感光層（電極保護層）７０が存在する場合には、容易に、上述の加熱姿勢において加熱を行なうことができる。しかし、図２（Ｄ）に示す積層体のように基材フィルム１０の両側の表面（表裏面）に共に流動感光層（電極保護層）６０，７０が存在する場合には、流動感光層（電極保護層）６０，７０を同時に上側にすることは明らかに不可能である。その場合には、基材フィルム１０の上側に存在する流動感光層（電極保護層）６０に対して加熱を行い、下側に存在する流動感光層（電極保護層）７０に対しては冷却を行なうようにする。その工程を第２エッチング済積層体の加熱姿勢を表裏逆転させて２回行なうことにより基材フィルム１０の表裏面の流動感光層（電極保護層）６０，７０に対して加熱を行うことができる。
【００３９】
上側に存在する流動感光層（電極保護層）に対する加熱は熱風加熱、赤外線加熱（遠赤外線加熱を含む）、等の周知の方法の１つまたは組合せを適用することができる。熱風加熱は温度の制御が容易であり広い面積に対し均一に加熱できる点で優れている。赤外線加熱は、赤外線の波長によって赤外線を吸収する程度が材料によって相違することから、加熱対象を選択的に加熱することが可能である点で優れている。流動感光層（電極保護層）が赤外線を吸収するピーク波長と赤外線加熱による赤外線のピーク波長とを一致させることにより効率よく加熱することができる。流動感光層（電極保護層）の赤外線の吸収はその材料に赤外線吸収材料（ＳｉＣ、ＡｌＮ、等）を添加することによってある程度の調整が可能である。
下側に存在する流動感光層（電極保護層）に対する冷却は冷却板、冷却ローラ、冷風、等の冷却手段を使用する冷却方法の内で基材フィルム１０の形態に適合する方法を適用することができる。たとえば、基材フィルム１０が枚葉シートフィルムのときには、真空吸着機構を有する冷却板を使用し第２エッチング済積層体を冷却板に真空吸着により密着させ冷却した状態で、その第２エッチング済積層体の上側の面を加熱する。また、基材フィルム１０が長尺のウェブ状のフィルムのときには、フィルムにテンションを与えて冷却板または冷却ローラに密着させ冷却した状態で、その第２エッチング済積層体の上側の面を加熱する。なお、冷却板、冷却ローラは、たとえば、金属等の熱伝導性の良い材料からなる板、ローラの内部に冷却水を循環させ、それら板、ローラの表面が冷却されるように構成した冷却手段である。
【００４０】
加熱温度と冷却温度については流動感光層（電極保護層）の材料によって適正な温度とする。加熱温度が高いときには、基材フィルム１０がＰＥＴフィルムのような熱収縮性を有するフィルムであるとその熱収縮が問題となる。その場合においては、図２（Ｄ）に示す積層体のように基材フィルム１０の両側の表面（表裏面）に共に流動感光層（電極保護層）６０，７０が存在する場合だけでなく、図２（Ｂ）に示す積層体のように基材フィルム１０の片側の表面にだけ流動感光層（電極保護層）７０が存在する場合においても、上記の冷却方法を適用することが極めて効果的である。たとえば、冷却板の表面温度を５０℃に保持したときには加熱温度を２００℃以上にすることが可能である。
同様に、加熱時間と冷却時間についても流動感光層（電極保護層）の材料によって適正な時間とする。この時間の適正値は加熱温度と冷却温度によっても変化する。加熱温度が高いときには加熱時間が短時間で済む、逆に加熱温度が低いときには加熱時間が長時間となる。また冷却時間は加熱している時間帯において冷却が行なわれていればよく、冷却時間を長時間としても問題はない。
【００４１】
このステップＳ８の流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）を図１９に示す。
図１９（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図１８（Ａ）と比較すると第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４の部分は変わらない。一方、パターニングされた感光層７０（流動感光層（電極保護層）７４）は軟化し流動してその部分を被覆している。
これにより、この部分にタッチパネルセンサにおける端子部分（第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４、流動感光層（電極保護層）７４）が形成されたことになる。この端子部分は電極保護層で被覆されており、そのままでは端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができない。したがって、この端子部分については、別工程においてその端子部分の電極保護層を除去し端子電極として利用可能にする必要性がある。たとえば、端子部分にだけスポット露光を行なって現像する、機械的物理的に除去する、等の方法を適用することができる。なお、端子部分を露光して電極保護層を除去する方法は、具体的には以下の方法となる。ステップＳ７（第２エッチング）の工程の後に、端子部分を含む領域、具体的には、図５で示す非アクティブエリアＢの端子エリアＤの内、少なくとも第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４をカバーする領域に光透過部を有し、他の領域を遮光するフォトマスクを用いて露光を行い、その後、現像して、第２端子導電体上の感光層７４を除去することが出来る。同様に、第１端子導電体４４上の感光層６０の除去も可能である。この様な工程を追加した後、ステップＳ８（流動被覆工程）を行えば、端子部分の電極保護層を除去し、第１端子導電体４４および第２端子導電体５４が露出した構成のタッチパネルセンサが得られる。またスポット露光を行う場合も同様に、ステップＳ７（第２エッチング）の後に、端子導電体上の感光層に露光を行い、次いで現像し、さらにステップＳ８（流動被覆工程）を行えば良い。
図１９（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図１８（Ｂ）と比較すると第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３の部分は変わらない。一方、パターニングされた感光層７０（流動感光層（電極保護層）７３）は軟化し流動してその部分を被覆している。
これにより、この部分にタッチパネルセンサにおける取出導電体の部分（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３）が形成される。この取出導電体は電極保護層によって被覆されている。したがって、取出導電体の部分が腐食することによってタッチパネル装置の耐久性が著しく損なわれるという問題を回避することができる。
図１９（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における非アクティブエリアＢ，Ｃにおいては第２エッチング工程の断面図である図１８（Ｂ）と比較すると第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３の部分は変わらない。一方、パターニングされた感光層７０（流動感光層（電極保護層）７３）は軟化し流動してその部分を被覆している。また、アクティブエリアＡにおいては層構成は第２エッチング工程の断面図である図１８（Ｂ）と基本的に相違がない。
これにより、この部分に第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される。
図１９（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図１８（Ｂ）と基本的に相違がない。
これにより、この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される。
【００４２】
以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ１２５を得ることができる。このタッチパネルセンサ１２５を表示装置１３１に接着層１２６介して接合するとともに、保護カバー１２３をタッチパネルセンサ１２５に接着層１２４を介して接合することにより、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示した入出力装置１１０が得られる。
【００４３】
以上、図１に示したタッチパネルセンサの製造工程について説明した。次に、タッチパネルセンサの製造工程の別の一例（第２例）について説明する。タッチパネルセンサの製造工程の別の一例を図２１にフロー図として示す。図１に示したタッチパネルセンサの製造工程においては、端子部分は電極保護層で被覆されており、そのままでは端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができないものであったが、図２１に示したタッチパネルセンサの製造工程においては、端子部分は電極保護層で被覆されておらず、そのままで端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができる。
まず、ステップＳ１０１（感光層形成）において、透明な基材フィルム１０と、その基材フィルムの一方の側の面上に設けられた透明導電層２０と、その透明導電層２０の面上に設けられた被覆導電層４０とを有する積層体の被覆導電層４０の側の面上に感光性エッチングレジストの感光層６０を形成する。この工程は、前述したステップＳ１（感光層形成）と同様であるから詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ１０２（第１露光）において、感光層６０，７０に対し第１フォトマスクを介して露光する。この工程は、前述したステップＳ２（第１露光）と同様であるから詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ１０３（第１現像）において、第１露光済積層体の感光層６０，７０を現像してその感光層６０，７０をパターニングする。この工程は、前述したステップＳ３（第１現像）と同様であるから詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ１０４（第１エッチング）において、第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の感光層７０を第１エッチングマスクとして被覆導電層５０と透明導電層３０をエッチングして被覆導電層５０と透明導電層３０をパターニングする。この工程は、前述したステップＳ４（第１エッチング）と同様であるから詳細な説明を省略する。
【００４４】
次に、ステップＳ１０５（第２露光）において、第１エッチング済積層体のすでにパターニングされた感光層７０に対し、さらに第２フォトマスクを介して露光する。第２フォトマスクのパターンはアクティブエリアＡの感光層７０に対して露光の光を透過し、非アクティブエリアＢの取出エリアＣの感光層７０に対して露光の光を遮蔽し、非アクティブエリアＢの端子エリアＤの感光層７０に対して露光の光を半ば透過し半ば遮蔽するパターン（ハーフ露光パターン）となっている。尚、この様な半透過パターンを有するフォトマスクは、通常のクロムマスクに半透過性の薄膜（酸化クロムや窒化クロム薄膜）によるパターンを追加したマスクが利用でき、半透過部の透過率として１０〜７０％となる様に形成したもの使用できる。
第１エッチング済積層体においては、パターニングした感光層７０は、基材フィルム１０の一方の側の面においては図４に示す第１透明導電体２０のパターンとなっており、他方の側の面においては図５に示す第２透明導電体３０のパターンとなっており、それら第１透明導電体２０のパターンと第２透明導電体３０のパターンを重ね合わせたパターンが図６に示されている。
これら図４〜図６に対応させて図１３〜図１５が描かれている（第２エッチング済積層体の説明図、図１と図２１に示したタッチパネルセンサの製造工程に共通）。基材フィルム１０の一方の側の面に適用する第２フォトマスクはすくなくとも図１３における実線で示すパターンの部分の内であって取出導電体４３の部分において第２露光工程における露光の光を遮蔽し、すくなくとも図１３における実線で示すパターンの部分の内であって端子導電体４４の部分において第２露光工程における露光の光を半ば透過し半ば遮蔽し（ハーフ露光し）、すくなくとも破線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を透過する。基材フィルム１０の他方の側の面に適用する第２フォトマスクはすくなくとも図１４における実線で示すパターンの部分の内であって取出導電体５３の部分において第２露光工程における露光の光を遮蔽し、すくなくとも図１４における実線で示すパターンの部分の内であって端子導電体５４の部分において第２露光工程における露光の光を半ば透過し半ば遮蔽し（ハーフ露光し）、すくなくとも破線で示すパターンの部分において第２露光工程における露光の光を透過する。図１５には重ね合わせたパターンが示されている。
このような露光を行なう第１フォトマスク、第２フォトマスクとしては、アクティブエリアＡの感光層７０に対して露光の光を透過し、非アクティブエリアＢの取出エリアＣの部分の感光層７０に対して露光の光を遮蔽し、非アクティブエリアＢの端子エリアＤの部分の感光層７０に対して露光の光を半ば透過し半ば遮蔽する（ハーフ露光する）単純なパターンを有するフォトマスクを適用することができる。
【００４５】
図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における、第２フォトマスク９２を載せた第１エッチング済積層体の断面図（第２露光工程）を図２２に示す。
なお、図２２において、第２フォトマスク９１は白色で示す部分すなわちアクティブエリアＡが露光の光を透過する部分となっており、斜線で示す部分すなわち非アクティブエリアＢの端子エリアＤの部分が露光の光を半ば透過し半ば遮蔽する（ハーフ露光する）部分となっており、黒色で示す部分すなわち非アクティブエリアＢの取出エリアＣの部分が露光の光を遮蔽する部分となっている。
図２２（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分である。
図２２（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。
図２２（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。
図２２（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００４６】
次に、ステップＳ１０６（第２現像）において、パターニングした感光層７０を現像して、そのパターニングした感光層における取出導電体の部位が残され端子の部位が半ば残されアクティブエリアの部位が除かれるようにさらにパターニングする。すなわち、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７０を現像する。これにより、第２露光工程において光を露光された部位の感光層が除去され、第２露光工程において光を半ば露光された（ハーフ露光された）部位の感光層が半ば除去される。第２現像工程を終えた感光層７０は図１３〜図１５（図５に対応するのは図１４）に実線で示した部分のパターンと基本的に同一のパターンを有することになる。
第２現像工程においてパターニングされた第２現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２現像工程）として図２３に示す。
図２３（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ａ）と比較すると、感光層７０，７４の厚さが薄くなっている。この部分（端子エリアＤの部分）の感光層７４は露光の光を半ば透過し半ば遮蔽する（ハーフ露光する）第２フォトマスク９２によって制御され、半ば露光されているため、第２現像工程において感光層７０が半ば除去されたためである。半ば残され厚さが薄くなっているこの感光層７０はエッチングレジストとしての機能を備えている。
図２３（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｂ）と基本的に相違がない。
図２３（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められる。非アクティブエリアＢ，Ｃにおいてはパターニングした感光層７０が残されているが、アクティブエリアＡにおいてはパターニングした感光層７０が除去されている。
図２３（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第１エッチング工程の断面図である図１２（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められ、パターニングした感光層７０が除去されている。
【００４７】
次に、ステップＳ１０７（第２エッチング）において、このパターニングされた感光層を第２エッチングマスクとしてタッチセンサの部位すなわちアクティブエリアＡの被覆導電層をエッチングして除く。この第２エッチング工程においては、たとえば、被覆導電層５０がアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、被覆導電層５０が銀からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を４：１：４：４の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。さらに、被覆導電層５０がクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を１７：４：７０の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。
この第２エッチング工程においてアクティブエリアＡのパターンから被覆導電層が除かれアクティブエリアＡが可視光を透過するようになる。また、非アクティブエリアＢのパターンには被覆導電層が残され良好な導電性が付与されたままとなる。
【００４８】
第２エッチング工程においてパターニングされた第２エッチング済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第２エッチング）として図２４に示す。
図２４（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図２３（Ａ）と基本的に相違がない。
図２４（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図２３（Ｂ）と基本的に相違がない。
図２４（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における層構成は、非アクティブエリアＢ，Ｃにおいては、第２現像工程の断面図である図２３（Ｃ）と基本的に相違がない。一方、アクティブエリアＡにおいては第２取出導電体５３が除去され第２透明取出導電体３３だけが残されている。
図２４（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第２現像工程の断面図である図２３（Ｃ）と比較すると明らかな相違が認められる。すなわち、パターニングした被覆導電層５０（第２膨出電極３１上の被覆導電層５１）が除去され第２膨出電極３１だけが残されている。
【００４９】
次に、ステップＳ１０８（第３現像）において、第２現像においてパターニングされた感光層７０をさらに第３現像して、第２現像においてパターニングされた感光層７０における取出導電体の部位を残し端子の部位を除くようにパターニングする。すなわち、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７０を現像する。これにより、第２露光工程において露光の光を半ば透過し半ば遮蔽する（ハーフ露光する）第２フォトマスク９２によって制御され、半ば露光（ハーフ露光）されている感光層が完全に除去される。
第３現像工程においてパターニングされた第３現像済積層体の層構成を、図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における断面図（第３現像工程）として図２５に示す。
図２５（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図２４（Ａ）と比較すると第２透明端子導電体３４と第２端子導電体５４が残され、感光層７０，７４が除去されている。この部分（端子エリアＤの部分）の感光層７４は露光の光を半ば透過し半ば遮蔽する（ハーフ露光する）第２フォトマスク９２によって半ば露光（ハーフ露光）されているため、第２現像工程と第３現像工程の２回の現像工程において感光層７０が完全に除去されたためである。
図２５（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図２４（Ｂ）と基本的に相違がない。
図２５（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図２４（Ｃ）と基本的に相違がない。
図２５（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第２エッチング工程の断面図である図２４（Ｄ）と基本的に相違がない。
【００５０】
次に、ステップＳ１０９（流動被覆）において、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層（流動感光層７３）の流動によりすくなくとも取出導電体（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３）の部位を被覆する。この流動被覆工程における加熱方法、等については前述したステップＳ８（流動被覆）と同様であるから詳細な説明を省略する。
このステップＳ８の流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）を図２６に示す。
図２６（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部位における層構成は第３現像工程の断面図である図２５（Ｄ）と基本的に相違がない。
これにより、この部分にタッチパネルセンサにおける端子部分（第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４）が形成されたことになる。この端子部分は電極保護層で被覆されてなく、そのまま端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができる。
図２６（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部位における層構成は第３現像工程の断面図である図２５（Ｄ）と比較すると第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３の部分は変わらない。一方、パターニングされた感光層７０（流動感光層（電極保護層）７３）は軟化し流動してその部分を被覆している。
これにより、この部分にタッチパネルセンサにおける取出導電体の部分（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３）が形成される。この取出導電体は電極保護層によって被覆されている。したがって、取出導電体の部分が腐食することによってタッチパネル装置の耐久性が著しく損なわれるという問題を回避することができる。
図２６（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。この部位における非アクティブエリアＢ，Ｃにおいては第３現像工程の断面図である図２５（Ｄ）と比較すると第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３の部分は変わらない。一方、パターニングされた感光層７０（流動感光層（電極保護層）７３）は軟化し流動してその部分を被覆している。また、アクティブエリアＡにおいては層構成は第３現像工程の断面図である図２５（Ｄ）と基本的に相違がない。
これにより、この部分に第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される。
図２６（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部位における層構成は第３現像工程の断面図である図２５（Ｄ）と基本的に相違がない。
これにより、この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される。
【００５１】
以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ１２５を得ることができる。このタッチパネルセンサ１２５を表示装置１３１に接着層１２６介して接合するとともに、保護カバー１２３をタッチパネルセンサ１２５に接着層１２４を介して接合することにより、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示した入出力装置１１０が得られる。
【００５２】
次に、タッチパネルセンサの製造工程の別の一例（第３例）について説明する。タッチパネルセンサの製造工程の別の一例を図２９にフロー図として示す。図２９に示したタッチパネルセンサの製造工程においては、図２１に示したタッチパネルセンサの製造工程と同様に端子部分は電極保護層で被覆されておらず、そのままで端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができる。
まず、ステップＳ２０１（感光層形成）において、透明な基材フィルム１０と、その基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第２透明導電層３０と、その第２透明導電層３０の面上に設けられた第２被覆導電層５０とを有する積層体の第２被覆導電層５０の側の面上に感光性エッチングレジストの感光層７０を形成する。この工程は、前述したステップＳ１（感光層形成）と同様であるから詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ２０２（第１露光）において、感光層７０に対し第１フォトマスク９０を介して露光する。この工程は、前述したステップＳ２（第１露光）とは異なり、第１フォトマスク９０として、図３０にて黒色で示す部分（非アクティブエリアＢにおける第２端子導電体５４および第２取出導電体５３のパターンに対応する。この部分にはそれぞれ第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成され、また第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される。）が露光の光を遮蔽する部分となっており、白色で示す部分（第２被覆電層５０および第２透明導電層３０をエッチングする部位に対応）が露光の光を透過する部分となっており、斜線で示す部分（アクティブエリアＡの第２透明導電層３１のパターンに対応する。この部分にはアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される。）が露光の光を半ば透過し半ば遮断されハーフ露光される部分となっている。
次に、ステップＳ２０３（第１現像）において、第１露光済積層体の感光層７０を現像してその感光層７０をパターニングする。この工程は、前述したステップＳ３（第１現像）に対し、ハーフ露光された部分の感光層７１はエッチング後の図３１にて示される様に、半ば露光され厚さが薄くなっている点が異なる。露光の光を遮断した非アクティブエリアＢの部位と比較し、露光の光を半ば透過し半ば遮断したアクティブエリアＡの部位はパターニングした感光層の厚さが薄くなっているものの、エッチングレジストとして機能する。
次に、ステップＳ２０４（第１エッチング）において、第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の感光層７１、７３、７４を第１エッチングマスクとして第２被覆導電層５０と第２透明導電層３０をエッチングして第２被覆導電層５０と第２透明導電層３０をパターニングする。第１エッチングの後において上層から順に感光層、被覆導電層、透明導電層がパターニングされていることを示している(図３１)。この工程は、前述したステップＳ４（第１エッチング）と、ハーフ露光部の感光層膜厚を除き、他は同様であるから詳細な説明を省略する。
【００５３】
次に、ステップＳ２０５（第２現像）において、第１エッチング済積層体のすでにパターニングされた感光層７１、７３、７４に対し、さらに現像を行う。この現像によりステップＳ２０２にてハーフ露光された部位（アクティブエリアＡの第２透明導電層３１のパターンに対応する）の感光層７１は除去され、アクティブエリアＡの第２被覆導電層５１が露出する様にされる。一方、非アクティブエリアＢにおける第２取出導電体３３および第２端子導電体３４のパターンに対応する感光層７３、７４はそのまま残存する（図３３にエッチング後の図を示す）。
【００５４】
次に、ステップＳ２０６（第２エッチング）において、この残存する非アクティブエリアＢにおける第２取出導電体５３および第２端子導電体５４のパターンに対応する感光層７３、７４をエッチングマスクとしてタッチセンサの部位すなわちアクティブエリアＡの第２被覆導電層５１をエッチングして除く。この第２エッチング工程においては、ステップＳ１０７に対し、非アクティブエリアＢの端子部Ｄの感光層７４の膜厚が厚い以外は同様であるので詳細な説明は省略する。
この第２エッチング工程においてアクティブエリアＡのパターンから第２被覆導電層５１が除かれアクティブエリアＡが可視光を透過するようになる。また、非アクティブエリアＢのパターンには第２取出導電体５３、第２端子導電体５４が残され良好な導電性が付与されたままとなる（図３２）。
【００５５】
次に、ステップＳ２０７（第２露光）において、第２現像においてパターニングされた感光層７３、７４をさらに第３現像して、第２現像においてパターニングされた感光層７０における第２取出導電体５３の部位（感光層７３）を残し第２端子導電体５４の部位（感光層７４）を除くようにパターニングする。第２露光（端子部分露光）は、端子の部位（第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分）に対して露光の光を透過し、その他の部位に対して露光の光を遮断する露光を行なう工程である。この後、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７３、７４を現像する。これにより、第２露光工程において露光の光を第２フォトマスク９１によって制御され、露光されている第２端子導電体上５４の感光層７４が完全に除去される。第２露光、第３現像にて形成された第３現像済み積層体の図を図３４に示す。
【００５６】
次に、ステップＳ１０９（流動被覆）において、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層（流動感光層７３）の流動によりすくなくとも取出導電体（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３）の部位を被覆する。この流動被覆工程における加熱方法、等については前述したステップＳ８（流動被覆）と同様であるから詳細な説明を省略する。
このステップＳ８の流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）を図２６に示す。尚、図３０〜３４において、それぞれの工程後の断面図を示すが、これらも図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における積層体の断面図である。図３０〜３４（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４、第２端子導電体５４が形成される部分である。図３０〜３４（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。図３０〜３４（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。図３０〜３４（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００５７】
以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ１２５を得ることができる。このタッチパネルセンサ１２５を表示装置１３１に接着層１２６介して接合するとともに、保護カバー１２３をタッチパネルセンサ１２５に接着層１２４を介して接合することにより、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示した入出力装置１１０が得られる。
【００５８】
次に、タッチパネルセンサの製造工程の第４例について説明する。第４例の製造工程は図１で示した製造工程の部分的変形例であり、ステップＳ５（第２露光）で用いるフォトマスクのパターンが異なる。図３５にその製造工程のフロー図を示す。第４例に示したタッチパネルセンサの製造工程においては、図２１に示したタッチパネルセンサの製造工程と同様に端子部分は電極保護層で被覆されておらず、そのままで端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができる。また、第４例に示した製造工程では、端子部は透明導電層のみで形成され、被覆導電層を有さない構造となる。その為、端子部の導電性は低下するが、端子部は図４等に示される様にその長さが短かいために、導電性の低下は問題とならない。
【００５９】
まず、ステップＳ３０１（感光層形成）、ステップＳ３０２（第１露光）、ステップＳ３０３（第１現像）、ステップＳ３０４（第１エッチング）において、第１例で示した製造工程のステップＳ１〜Ｓ４と同様に工程を行う。これらの工程は、前述した第１例の工程と同様であるから詳細な説明を省略する。
【００６０】
次に、ステップＳ３０５（第２露光）において、第１エッチング済積層体のすでにパターニングされた感光層７１、７３、７４に対し、さらに第２フォトマスク９１を介して露光する。第２フォトマスク９１のパターンはアクティブエリアＡの感光層７１および、非アクティブエリアＢの端子エリアＤの感光層７４に対して露光の光を透過し、非アクティブエリアＢの取出エリアＣの感光層７３に対して露光の光を遮蔽するパターンとなっている（図３６）。
【００６１】
次に、ステップＳ３０６（第２現像）において、パターニングした感光層７１、７３、７４をさらに現像してパターニングする。すなわち、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７１、７３、７４を現像する。これにより、第２露光工程において光を露光された部位の感光層７１、７４が除去される。第２現像工程を終えた感光層７０はアクティブエリアＡおよび、非アクティブエリアＢの端子エリアＤにおいて除去され、この領域では第２被覆導電層５０（第２取出導電層５１および第２端子導電層５４）が露出する。また、非アクティブエリアＢの取出エリアＣの感光層７３はそのまま残存する。即ち、図１７（Ａ）〜（Ｄ）において、図１７（Ａ）の感光層７４が除去された点が、第１例と異なる。
次に、ステップＳ３０７（第２エッチング）において、このパターニングされた感光層７３を第２エッチングマスクとしてタッチセンサの部位すなわちアクティブエリアＡの第２被覆導電層５０（第２取出導電体５１に対応）および非アクティブエリアＢの端子エリアＤの第２被覆導電層５０（第２端子導電体５４に対応）をエッチングして除く（図３７）。
【００６２】
次に、ステップＳ３０８（流動被覆）において、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層（流動感光層７３）の流動によりすくなくとも取出導電体（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３）の部位を被覆する。この流動被覆工程における加熱方法、等については前述したステップＳ８（流動被覆）と同様であるから詳細な説明を省略する。
このステップＳ３０８の流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）を図３８に示す。尚、図３６〜３８において、それぞれの工程後の断面図を示すが、これらも図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における積層体の断面図である。図３６〜３８（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４が形成される部分である。図３６〜３８（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。図３６〜３８（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。図３６〜３８（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００６３】
以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ１２５を得ることができる。このタッチパネルセンサ１２５を表示装置１３１に接着層１２６介して接合するとともに、保護カバー１２３をタッチパネルセンサ１２５に接着層１２４を介して接合することにより、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示した入出力装置１１０が得られる。
【００６４】
次に、タッチパネルセンサの製造工程の第５例について説明する。第５例の製造工程を図３９にフロー図として示す。図３９に示したタッチパネルセンサの製造工程においては、第４例に示したタッチパネルセンサの製造工程と同様に端子部分は電極保護層で被覆されておらず、そのままで端子電極として使用し電気信号の接続を行なうことができる。また、第５例に示した製造工程では、端子部は透明導電層のみで形成され、被覆導電層を有さない構造となる。その為、端子部の導電性は低下するが、端子部は図４等に示される様にその長さは短いために、導電性の低下は問題とならない。
【００６５】
まず、ステップＳ４０１（感光層形成）において、透明な基材フィルム１０と、その基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第２透明導電層３０と、その第２透明導電層３０の面上に設けられた第２被覆導電層５０とを有する積層体の第２被覆導電層５０の側の面上に感光性エッチングレジストの感光層７０を形成する。この工程は、前述したステップＳ１（感光層形成）と同様であるから詳細な説明を省略する。
次に、ステップＳ４０２（第１露光）において、感光層７０に対し第１フォトマスク９０を介して露光する。この工程は、前述したステップＳ２（第１露光）とは異なり、第１フォトマスクとして、図４０にて黒色で示す部分（非アクティブエリアＢにおける第２取出導電体５３に対応する）が露光の光を遮蔽する部分となっており、白色で示す部分（第２被覆電層５０および第２透明導電層３０をエッチングする部位に対応）が露光の光を透過する部分となっており、斜線で示す部分（アクティブエリアＡの第２透明導電層５１のパターンおよび非アクティブエリアＢの第２端子導電体５４のパターンに対応する）が露光の光を半ば透過し半ば遮断されハーフ露光される部分となっている。
【００６６】
次に、ステップＳ４０３（第１現像）において、第１露光済積層体の感光層７０を現像してその感光層７０をパターニングする。この工程は、前述したステップＳ３（第１現像）と異なり、ハーフ露光された部分の感光層７１、７４はエッチング後を示す図４１にて示される様に、半ば露光され厚さが薄くなっている。露光の光を遮断した部位と比較し、露光の光を半ば透過し半ば遮断した部位はパターニングした感光層の厚さが薄くなっているものの、エッチングレジストとして機能する。
次に、ステップＳ４０４（第１エッチング）において、第１現像工程においてパターニングされた第１現像済積層体の感光層７１、７３、７４を第１エッチングマスクとして第２被覆導電層５０と第２透明導電層３０をエッチングして第２被覆導電層５０と第２透明導電層３０をパターニングする。第１エッチングの後において上層から順に感光層、第２被覆導電層、第２透明導電層がパターニングされていることを示している(図４１)。この工程は、前述したステップＳ４（第１エッチング）に対し、ハーフ露光部の感光層７１、７４の膜厚が薄いことを除き、他は同様であるから詳細な説明を省略する。
【００６７】
次に、ステップＳ４０５（第２現像）において、パターニングした感光層７１、７３、７４を現像して、さらにパターニングする。すなわち、感光層７０の現像に適応する現像液を用意し、この現像液を用いて、感光層７１、７３、７４を現像する。これにより、第１露光工程においてハーフ露光された部位の感光層７１、７４が除去される。第２現像工程を終えた感光層７０はアクティブエリアＡおよび、非アクティブエリアＢの端子エリアＤにおいて除去され、この領域では第２被覆導電層５１、第２端子導電層５４が露出する。また、非アクティブエリアＢの取出エリアＣの感光層７３はそのまま残存する。即ち、図１７（Ａ）〜（Ｄ）において、図１７（Ａ）の感光層７１が除去された点が、第１例と異なる。
次に、ステップＳ４０６（第２エッチング）において、このパターニングされた感光層７３を第２エッチングマスクとしてタッチセンサの部位すなわちアクティブエリアＡおよび非アクティブエリアＢの端子エリアＤの第２被覆導電層５１、第２端子導電層５４をエッチングして除く（図４２）。
【００６８】
次に、ステップＳ４０７（流動被覆）において、パターニングされた感光層を加熱して軟化させ、その軟化した感光層（流動感光層７３）の流動によりすくなくとも取出導電体（第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３）の部位を被覆する。この流動被覆工程における加熱方法、等については前述したステップＳ８（流動被覆）と同様であるから詳細な説明を省略する。
このステップＳ４０７の流動被覆工程の後における断面図、すなわち図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における流動被覆済積層体の断面図（流動被覆）を図３８に示す。尚、図４０〜４２において、それぞれの工程後の断面図を示すが、これらも図５において一点鎖線で示すＡｂ，Ｂｂ，Ｃｂ，Ｄｂの位置における積層体の断面図である。図４０〜４２（Ａ）は図５において一点鎖線で示すＡｂの位置すなわち端子エリアＤの断面図である。この部分は第２透明端子導電体３４が形成される部分である。図４０〜４２（Ｂ）は図５において一点鎖線で示すＢｂの位置すなわち取出エリアＣの断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３、第２取出導電体５３、流動感光層（電極保護層）７３が形成される部分である。図４０〜４２（Ｃ）は図５において一点鎖線で示すＣｂの位置すなわち取出エリアＣとアクティブエリアＡの境界位置の断面図である。この部分は第２透明取出導電体３３がアクティブエリアＡに延長され、アクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）に接続する部分である。図４０〜４２（Ｄ）は図５において一点鎖線で示すＤｂの位置すなわちアクティブエリアＡの断面図である。この部分はアクティブエリアＡの膨出部（第２膨出電極３１）が形成される部分である。
【００６９】
以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ１２５を得ることができる。このタッチパネルセンサ１２５を表示装置１３１に接着層１２６介して接合するとともに、保護カバー１２３をタッチパネルセンサ１２５に接着層１２４を介して接合することにより、図２７（Ａ）、図２７（Ｂ）に示した入出力装置１１０が得られる。
【００７０】
以上説明したような本発明のタッチパネルセンサ製造方法およびタッチパネルセンサによれば、取出導電体の部分を腐食、漏電、等から保護する保護層を形成する工程を改善することができる。従来においては、絶縁性の塗料を取出導電体の部分とその周辺部（基材、等）に塗工することにより保護層の形成が行なわれているが、本発明によれば、感光層を保護層とするのでその工程を省略することができる。この保護層を設けることにより、取出導電体に使用される金属材料の表面から内部へと腐食が進行するに連れて導電性が低下し、ついには必要とする導電性を失い、タッチパネル装置がその機能を停止し使用不可能な状態となるという問題を解決することができる。また、取出導電体の部分は、一般的なタッチパネルセンサにおいて、多数の線状の取出導電体が平行し接近する配線パターンとなっているが、そこで電気絶縁性が低下し漏電が発生し誤動作または動作不能の状態となるという問題を解決することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１０  基材フィルム
２０  第１透明導電体、第１透明導電層
２１  第１膨出電極
２２  第１連結電極
２３  第１透明取出導電体
２４  第１透明端子導電体
３０  第２透明導電体、第２透明導電層
３１  第２膨出電極
３２  第２連結電極
３３  第２透明取出導電体
３４  第２透明端子導電体
４０  第１被覆導電体、第１被覆導電層
４３  第１取出導電体
４４  第１端子導電体
５０  第２被覆導電体、第２被覆導電層
５３  第２取出導電体
５４  第２端子導電体
６０  流動感光層、感光層
７０〜７４  流動感光層、感光層
８０、９０  第１フォトマスク
９１、９２  第２フォトマスク
１１０  タッチパネルディスプレイ（入出力装置）
１２０  タッチパネル装置
１２１  入力部
１２２  回路部
１２３  保護カバー
１２４  接着層
１２５  タッチパネルセンサ
１２６  接着層
１３０  液晶表示装置、表示装置
１３１  表示部
１３２  表示制御部
【図１】
0005413228.tif 000002
【図２】
0005413228.tif 000003
【図３】
0005413228.tif 000004
【図４】
0005413228.tif 000005
【図５】
0005413228.tif 000006
【図６】
0005413228.tif 000007
【図７】
0005413228.tif 000008
【図８】
0005413228.tif 000009
【図９】
0005413228.tif 000010
【図１０】
0005413228.tif 000011
【図１１】
0005413228.tif 000012
【図１２】
0005413228.tif 000013
【図１３】
0005413228.tif 000014
【図１４】
0005413228.tif 000015
【図１５】
0005413228.tif 000016
【図１６】
0005413228.tif 000017
【図１７】
0005413228.tif 000018
【図１８】
0005413228.tif 000019
【図１９】
0005413228.tif 000020
【図２０】
0005413228.tif 000021
【図２１】
0005413228.tif 000022
【図２２】
0005413228.tif 000023
【図２３】
0005413228.tif 000024
【図２４】
0005413228.tif 000025
【図２５】
0005413228.tif 000026
【図２６】
0005413228.tif 000027
【図２７】
0005413228.tif 000028
【図２８】
0005413228.tif 000029
【図２９】
0005413228.tif 000030
【図３０】
0005413228.tif 000031
【図３１】
0005413228.tif 000032
【図３２】
0005413228.tif 000033
【図３３】
0005413228.tif 000034
【図３４】
0005413228.tif 000035
【図３５】
0005413228.tif 000036
【図３６】
0005413228.tif 000037
【図３７】
0005413228.tif 000038
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
0005413228.tif 000041
【図４１】
0005413228.tif 000042
【図４２】
0005413228.tif 000043