(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、前記第１主面の反対側に位置する第２主面及び前記第１主面と前記第２主面との間に位置する側面を有するとともに、内部電極及びセラミック誘電体層を積層して多層化した構造を有する板状のコンデンサ本体を備え、前記コンデンサ本体の前記側面には、前記セラミック誘電体層を構成するセラミックが露出するとともに、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくとも一方の側から前記コンデンサ本体の厚さ方向に延びる凹部が複数形成された配線基板内蔵用コンデンサを製造する方法であって、
前記凹部が形成された前記側面を露出させるようにして前記コンデンサ本体をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置した状態で固定することで、前記側面に対して遊離砥粒が作用する一方で前記第１主面及び前記第２主面に対して遊離砥粒が作用しない条件を設定した後、前記コンデンサ本体の前記側面に対して湿式砥粒加工を行う表面処理工程を含む
ことを特徴とした配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【請求項２】
後に前記内部電極となるべき未焼成導体部及び後に前記セラミック誘電体層となるべき未焼成セラミック部を積層して多層化した構造を有する未焼成セラミック積層体を作製する積層体作製工程と、
前記未焼成セラミック積層体に、後に前記凹部の一部となるべき複数の穴をミシン目状に配置してなるブレイク溝を形成するブレイク溝形成工程と、
前記未焼成セラミック積層体を焼結させて、前記内部電極及び前記セラミック誘電体層を有するコンデンサ本体集合体を得る焼成工程と、
前記コンデンサ本体集合体を前記ブレイク溝に沿って分割することにより、複数のコンデンサ本体を得るとともに、ブレイク破面として出現した前記側面にて前記凹部が形成された状態とする分割工程と
を順次行った後に前記表面処理工程を行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記表面処理工程では、前記凹部の最大幅よりも小さい平均粒径を有する遊離砥粒を用いて湿式砥粒加工を行うことを特徴とした請求項１または２に記載の配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記湿式砥粒加工はウエットブラスト加工であり、ブラスト時の空気圧は０．０５ＭＰａ以上０．６ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記表面処理工程では、少なくとも１つの前記側面を露出させた状態で、ロウを用いて固定板上に複数の前記コンデンサ本体を固定することを特徴とした請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に内蔵される配線基板内蔵用コンデンサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、樹脂コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（例えば特許文献１，２参照）や、樹脂コア基板の表面や裏面に形成されたビルドアップ層内にコンデンサを埋め込んだ配線基板が従来提案されている。
【０００３】
特許文献１や特許文献２の配線基板では、コア基板に形成された開口部にコンデンサが収納され、コア基板の表面及び裏面に樹脂層間絶縁層と導体層とを積層してなるビルドアップ層が形成されている。特許文献１の配線基板に内蔵されるコンデンサは、セラミック表面や電極部の表面に粗面が形成されており、コンデンサの周囲に設けられる樹脂材との密着性が高められている。また、特許文献２の配線基板に内蔵されるコンデンサは、その側面に凹部が形成されており、コンデンサ周囲に設けられる樹脂材との密着性が高められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３２４３７号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１のコンデンサにおいて、セラミック表面と電極部とに粗面を形成する場合、２種類以上の材質に対して異なる処理を施して粗面を形成する必要がある。具体的には、電極部の表面には、めっき処理、酸化還元処理、エッチング処理等を施すことで粗面が形成され、セラミック表面には、エンボス加工を施すことで粗面が形成されている。このため、コンデンサの製造工程が煩雑となってしまう。
【０００６】
また、特許文献２のコンデンサは、レーザー加工によってミシン目状のブレイク溝が形成された多数個取り用セラミック焼結体をそのブレイク溝に沿って分割（ブレイク加工）することで形成される。そして、ブレイク破面として出現したコンデンサの側面に凹部が形成される。つまり、ブレイク溝の部分が凹部としてコンデンサの側面に形成される。このコンデンサでは、レーザー加工によるブレイク溝部（凹部）の表面とブレイク破面とでは表面粗さが異なる。具体的には、凹部の表面はレーザー加工によってある程度粗化されているが、ブレイク破面は粗度が小さく樹脂材との密着性を十分に確保することができない。また、このコンデンサでは、ブレイク破面として出現した側面４００において凹部未形成部４０２と凹部４０１との境界部分４０３が角張った形状となる（図３０参照）。この場合、凹部未形成部４０２と凹部４０１との境界部分４０３に応力が集中して樹脂材４０４側にクラック４０５が発生するといった問題が生じてしまう。
【０００７】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線基板との密着性を十分に確保することができる配線基板内蔵用コンデンサの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、第１主面、前記第１主面の反対側に位置する第２主面及び前記第１主面と前記第２主面との間に位置する側面を有するとともに、内部電極及びセラミック誘電体層を積層して多層化した構造を有する板状のコンデンサ本体を備え、前記コンデンサ本体の前記側面には、前記セラミック誘電体層を構成するセラミックが露出するとともに、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくとも一方の側から前記コンデンサ本体の厚さ方向に延びる凹部が複数形成された配線基板内蔵用コンデンサを製造する方法であって、前記凹部が形成された前記側面を露出させるようにして前記コンデンサ本体をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置した状態で固定することで、前記側面に対して遊離砥粒が作用する一方で前記第１主面及び前記第２主面に対して遊離砥粒が作用しない条件を設定した後、前記コンデンサ本体の前記側面に対して湿式砥粒加工を行う表面処理工程を含むことを特徴とした配線基板内蔵用コンデンサの製造方法がある。
【０００９】
従って、手段１に記載の発明によると、表面処理工程において、コンデンサ本体の側面に対して湿式砥粒加工を行うことにより、その側面の表面が適度に粗化される。この配線基板内蔵用コンデンサを配線基板に内蔵すると、樹脂材との接触面積が大きくなるため、配線基板との密着性を向上させることができる。
【００１０】
前記配線基板内蔵用コンデンサの製造方法は、後に前記内部電極となるべき未焼成導体部及び後に前記セラミック誘電体層となるべき未焼成セラミック部を積層して多層化した構造を有する未焼成セラミック積層体を作製する積層体作製工程と、前記未焼成セラミック積層体に、後に前記凹部の一部となるべき複数の穴をミシン目状に配置してなるブレイク溝を形成するブレイク溝形成工程と、前記未焼成セラミック積層体を焼結させて、前記内部電極及び前記セラミック誘電体層を有するコンデンサ本体集合体を得る焼成工程と、前記コンデンサ本体集合体を前記ブレイク溝に沿って分割することにより、複数のコンデンサ本体を得るとともに、ブレイク破面として出現した前記側面にて前記凹部が形成された状態とする分割工程とを含む。そして、前記積層体作製工程、ブレイク溝形成工程、焼成工程、及び分割工程の各工程が順次行われた後に前記表面処理工程が行われる。このようにコンデンサを製造すると、ブレイク破面となるコンデンサ本体の側面において、凹部未形成部と凹部との境界部分は角張った形状となる。そして、表面処理工程で湿式砥粒加工を行うことで、コンデンサ本体の側面における凹部未形成部と凹部との境界部分が削られてその境界部分が丸みを帯びた形状となる。従って、コンデンサを配線基板に内蔵したときに、凹部未形成部と凹部との境界部分に加わる応力が分散され、樹脂材側にクラックが発生するといった問題を回避することができる。また、ブレイク破面として出現した側面を粗化することができるため、樹脂材との接触面積が大きくなり、配線基板との密着性を向上させることができる。
【００１１】
前記ブレイク溝形成工程では、レーザー加工によってミシン目状のブレイク溝を形成することが好ましい。この場合、前記凹部の表面は、レーザー加工が施された加工面となり、レーザー加工によってある程度粗化された状態となっている。従って、前記表面処理工程前において前記側面における凹部未形成部の表面粗さは前記凹部の内壁面の表面粗さよりも小さくなっている。そして、前記表面処理工程を経ると前記凹部未形成部が粗化されて前記２つの部位の表面粗さの差が減少することとなる。このように、表面処理工程において凹部未形成部の粗度を大きくすることにより、樹脂材との密着性をより確実に高めることができる。
【００１２】
前記表面処理工程では、前記凹部の最大幅よりも小さい平均粒径を有する遊離砥粒を用いて湿式砥粒加工を行うことが好ましい。このようにすると、前記凹部の内壁面に遊離砥粒が確実に当たるため、凹部の内壁面を確実に粗化することができる、また、レーザー加工時において凹部の内壁面に付着したスミアなどの異物を確実に除去することができる。このため、凹部の内壁面と樹脂材との密着性を高めることができる。
【００１３】
具体的には、前記遊離砥粒の平均粒径は、８μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。ここで、遊離砥粒の平均粒径が８μｍ未満であると、研磨効率が低下してしまう。また、遊離砥粒の平均粒径が２００μｍよりも大きくなると、過研磨状態となって外部電極の剥がれなどが生じることがある。従って、平均粒径が８μｍ以上２００μｍ以下である適度な大きさの遊離砥粒を用いることにより、側面の表面を効率よく確実に研磨することができる。
【００１４】
前記湿式砥粒加工はウエットブラスト加工であり、ブラスト時の空気圧は０．０５ＭＰａ以上０．６ＭＰａ以下であることが好ましい。この理由は、ブラスト時の空気圧が０．０５ＭＰａ未満であると研磨効率が低下するからであり、また、ブラスト時の空気圧が０．６ＭＰａよりも高いと過研磨状態となるからである。
【００１５】
前記遊離砥粒の形成材料は、アルミナ、炭化ケイ素、ガラスなどを挙げることができる。また、ウエットブラスト加工では、前記遊離砥粒と水とを均一に攪拌してなる泥水状のスラリーを用いるが、そのスラリーに含まれる遊離砥粒の含有率（体積濃度）は５ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下の範囲内であることが好ましい。この理由は、遊離砥粒の含有率が５ｖｏｌ％未満であると研磨効率が低下するからであり、また、遊離砥粒の含有率が４０ｖｏｌ％よりも多くなると、スラリー中の遊離砥粒が沈殿して作業効率が低下するからである。
【００１６】
前記ウエットブラスト加工で用いる噴射ノズルのノズル径は１５ｍｍ以下が好ましい。このようなノズル径の噴射ノズルを用いると、コンデンサ本体における比較的幅の狭い側面を効率よく均一に研磨することができる。
【００１７】
前記表面処理工程では、前記側面に対して遊離砥粒が作用する一方で前記第１主面及び前記第２主面に対して遊離砥粒が作用しない条件を設定して選択的に前記湿式砥粒加工を行っているため、第１主面及び第２主面に設けられた外部電極が剥がれることなく、コンデンサ本体の側面を確実に粗化することができる。
【００１８】
前記コンデンサ本体は板状であり、前記表面処理工程では、前記凹部が形成された前記側面を露出させるようにして前記コンデンサ本体をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置した状態で固定した後、前記コンデンサ本体の前記側面に対して前記湿式砥粒加工を行っているため、複数のコンデンサ本体に対して湿式砥粒加工を同時に行うことができ、側面の研磨を効率よく確実に行うことができる。
【００１９】
前記表面処理工程では、少なくとも１つの前記側面を露出させた状態で、ロウを用いて固定板上に複数の前記コンデンサ本体を固定することが好ましい。ロウは比較的低い温度で融けて常温（例えば、５０℃程度の温度）で固まるため、固定板上に複数のコンデンサ本体を容易に固定することができる。また、固まったロウは、コンデンサ本体よりも柔らかいため、湿式砥粒加工によるダメージが少なく、その加工時にコンデンサ本体を確実に固定することができる。さらに、ロウは有機溶剤によって容易に溶解するため、湿式砥粒加工後において、コンデンサ本体に付着しているロウを有機溶剤で洗浄することで容易に除去することができる。
【００２０】
前記配線基板内蔵用コンデンサは、外形寸法が３ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることが好ましい。ここで、外形寸法が３ｍｍ未満となると、コンデンサ本体の固定や側面に対する湿式砥粒加工を確実に行うことが困難となり、作業効率が悪化してしまう。また、外形寸法が４０ｍｍよりも大きくなると、コンデンサ本体の反りが大きくなるため、コンデンサ本体をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置した状態で固定すると、コンデンサ本体間に隙間が生じる。この状態で湿式砥粒加工を行うと、コンデンサ本体間の隙間に遊離砥粒が入り込んでしまうため、第１主面及び第２主面に対して遊離砥粒が作用して、外部電極等にダメージを与えてしまうおそれがある。従って、配線基板内蔵用コンデンサの外形寸法が３ｍｍ以上４０ｍｍ以下であれば、側面に対する湿式砥粒加工を効率よく確実に行うことができる。
【００２１】
前記コンデンサ本体は、前記セラミック誘電体層間において前記内部電極よりも外側に配置され、前記内部電極と電気的に独立したダミー内部電極を有するとともに、前記ダミー内部電極の一部が、前記凹部未形成部及び前記境界部分にて露出していてもよい。そして、前記表面処理工程を経ると、凹部未形成部及び前記境界部分にて露出している前記ダミー内部電極の外周端が押しつぶされ、前記凹部未形成部及び前記境界部分が部分的に被覆される。このように、ダミー内部電極の一部によって凹部未形成部及び境界部分が部分的に被覆されることにより、その部分の強度を高めることができる。従って、配線基板へのコンデンサの内蔵時において、凹部未形成部と凹部との境界部分に応力が集中したとしても、その部分のセラミックが欠けるといった問題を回避することができ、樹脂材との密着性を十分に確保することができる。
【００２２】
前記コンデンサは、前記内部電極及び外部電極の両方に対して電気的に接続された複数のコンデンサ内ビア導体を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化を図ることができ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。
【００２３】
前記セラミック誘電体層は、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウム等の誘電体セラミックから構成されている。その他、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックからも構成することができ、要求特性に応じてアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックからも構成することができる。
【００２４】
前記内部電極、前記ダミー内部電極及び前記コンデンサ内ビア導体としては特に限定されないが、メタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１の実施の形態における配線基板の概略構成を示す断面図。
【図２】第１の実施の形態における配線基板内蔵用コンデンサの概略構成を示す平面図。
【図３】第１の実施の形態における配線基板内蔵用コンデンサの概略構成を示す平面図。
【図４】第１の実施の形態における配線基板内蔵用コンデンサの概略構成を示す側面図。
【図５】第１の実施の形態における配線基板内蔵用コンデンサの概略構成を示す側面図。
【図６】図２における配線基板内蔵用コンデンサのＡ−Ａ線での断面図。
【図７】図２における配線基板内蔵用コンデンサのＢ−Ｂ線での断面図。
【図８】コンデンサ本体における側面の凹部を示す拡大断面図。
【図９】内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの模式的な平面図。
【図１０】内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの模式的な平面図。
【図１１】未焼成セラミック積層体の模式的な縦断面図。
【図１２】未焼成セラミック積層体の模式的な縦断面図。
【図１３】未焼成セラミック積層体の模式的な平面図。
【図１４】未焼成セラミック積層体の模式的な平面図。
【図１５】未焼成セラミック積層体の模式的な縦断面図。
【図１６】未焼成セラミック積層体の模式的な平面図。
【図１７】未焼成セラミック積層体の模式的な縦断面図。
【図１８】未焼成セラミック積層体の模式的な平面図。
【図１９】セラミック焼結体の模式的な縦断面図。
【図２０】分割後の複数のコンデンサ本体を示す模式的な平面図。
【図２１】分割工程後の凹部を示す拡大断面図。
【図２２】ステンレス板上に固定された複数のコンデンサ本体を示す平面図。
【図２３】ステンレス板上に固定された複数のコンデンサ本体を示す側面図。
【図２４】第２の実施の形態のセラミックコンデンサの模式的な側面図。
【図２５】第２の実施の形態のセラミックコンデンサの模式的な側面図。
【図２６】第２の実施の形態のセラミックコンデンサを示す模式的な縦断面図。
【図２７】コンデンサ本体における側面の凹部を示す拡大平面図。
【図２８】別の実施の形態のセラミックコンデンサを示す模式的な側面図。
【図２９】別の実施の形態のセラミックコンデンサを示す模式的な平面図。
【図３０】従来技術における凹部及びクラックを示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を具体化した第１の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図１に示されるように、本実施の形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、ガラスエポキシからなる樹脂コア基板１１と、樹脂コア基板１１のコア主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１（配線積層部）と、樹脂コア基板１１のコア裏面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２（配線積層部）とからなる。
【００２８】
樹脂コア基板１１における複数個所には厚さ方向に貫通するスルーホール用孔１５が形成されており、スルーホール用孔１５内にはスルーホール導体１６が形成されている。スルーホール導体１６は、樹脂コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続している。また、樹脂コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。
【００２９】
樹脂コア基板１１のコア主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５が形成される領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。また、第１層の樹脂層間絶縁層３３内には複数のビア導体４３が形成され、第２層の樹脂層間絶縁層３５内にも複数のビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３は、導体層４１，４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００３０】
樹脂コア基板１１のコア裏面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８がアレイ状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３１】
樹脂コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視略矩形板状であり、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。なお、収容穴部９０は、四隅に面取り寸法０．１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の面取り部を有している。そして、収容穴部９０内には、セラミックコンデンサ１０１（配線基板内蔵用コンデンサ）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３をコア裏面１３と同じ側に向けた状態で収容されている。
【００３２】
本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．９ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、樹脂コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２内に位置している。
【００３３】
図１に示されるように、収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、高分子材料（本実施の形態ではエポキシ等の熱硬化性樹脂）からなる樹脂充填材９２によって埋められている。この樹脂充填材９２は、セラミックコンデンサ１０１を樹脂コア基板１１に固定する機能を有している。また、樹脂充填材９２は、セラミックコンデンサ１０１との熱膨張差を緩和するために、シリカ等のセラミック粉が添加されていても良い。また、放熱性を向上させるために、Ｃｕ等の金属粉が添加されても良い。
【００３４】
以下、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の構成について詳述する。図２はコンデンサ主面１０２側から見たセラミックコンデンサ１０１の模式的な平面図であり、図３はコンデンサ裏面１０３側から見たセラミックコンデンサ１０１の模式的な平面図である。図４及び図５はセラミックコンデンサ１０１の模式的な側面図である。図６は図２におけるＡ−Ａ線で切断したときのセラミックコンデンサ１０１の模式的な縦断面図であり、図７は図２におけるＢ−Ｂ線で切断したときのセラミックコンデンサ１０１の模式的な縦断面図である。図８はセラミックコンデンサ１０１の外周付近の模式的な拡大図である。
【００３５】
図２〜図７に示されるセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ１０１の中核を成すコンデンサ本体１０４を備えている。コンデンサ本体１０４は、電源用内部電極層１４１（内部電極）、グランド用内部電極層１４２（内部電極）、及びセラミック誘電体層１０５を積層して多層化した構造を有している。セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。つまり、電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とは、セラミック誘電体層１０５を介して電気的に絶縁されている。また、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、セラミック誘電体層１０５の積層方向においてセラミック誘電体層１０５を介して交互に配置されている。なお、内部電極層１４１，１４２の総数は約１００層程度となっている。
【００３６】
本実施の形態では、複数のセラミック誘電体層１０５と複数の内部電極層１４１，１４２とを交互に積層した構造を有するキャパシタ形成層部１４４がコンデンサ本体１０４における上側と下側との２つの領域に分割して設けられている。上側のキャパシタ形成層部１４４と下側のキャパシタ形成層部１４４との間には、複数のセラミック誘電体層１０５からなる中間層部１４５が設けられている。さらに、コンデンサ主面１０２側の表層部には、複数のセラミック誘電体層１０５からなるカバー層部１４６が上側のキャパシタ形成層部１４４の上面を覆うように設けられている。また、コンデンサ裏面１０３側の表層部にも、複数のセラミック誘電体層１０５からなるカバー層部１４６が下側のキャパシタ形成層部１４４の下面を覆うように設けられている。なお、中間層部１４５及びカバー層部１４６には、キャパシタ形成層部１４４のような内部電極層１４１，１４２は設けられていない。
【００３７】
内部電極層１４１，１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成されており、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミック材料（チタン酸バリウム）と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ内部電極層１４１，１４２に含ませることにより、セラミック誘電体層１０５と内部電極層１４１，１４２との密着性を高めることができる。なお、内部電極層１４１，１４２にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。また、内部電極層１４１，１４２の厚さは例えば２μｍ以下となっている。
【００３８】
コンデンサ本体１０４の外観は、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に位置するコンデンサ主面１０２（第１主面）、コンデンサ主面１０２の反対側に位置するコンデンサ裏面１０３（第２主面）、及びコンデンサ主面１０２とコンデンサ裏面１０３との間に位置する側面１０６から構成されている。側面１０６は、主に第１の側面１０６ａ、側面１０６ａの反対側に位置する（対向する）第２の側面１０６ｂ、側面１０６ａ及び側面１０６ｂと隣り合った第３の側面１０６ｃ、及び側面１０６ｃの反対側に位置し（対向し）、かつ側面１０６ａ及び側面１０６ｂと隣り合った第４の側面１０６ｄから構成されている。本実施の形態の各側面１０６ａ〜１０６ｄはセラミック誘電体層１０５のみから構成されており、セラミックが露出している。
【００３９】
図２〜図５に示されるように、側面１０６ａ〜１０６ｃには、それぞれ、コンデンサ本体１０４の厚さ方向に延びた凹部１０７と、コンデンサ本体１０４の外周方向に延びた切欠部１０８が形成されている。具体的には、図４に示されるように、側面１０６ａにおいて、凹部１０７はコンデンサ主面１０２側（コンデンサ主面１０２から厚さ方向に延在して）に形成されており、切欠部１０８はコンデンサ裏面１０３側に形成されている。また、側面１０６ｂにおいて、側面１０６ａと同様に凹部１０７及び切欠部１０８が形成されている。さらに、図５に示されるように、側面１０６ｃにおいては、凹部１０７はコンデンサ裏面１０３側（コンデンサ裏面１０３から厚さ方向に延在して）に形成されており、切欠部１０８はコンデンサ主面１０２側に形成されている。
【００４０】
これら凹部１０７及び切欠部１０８の表面もセラミック誘電体層１０５のみから構成されており、セラミックが露出している。凹部１０７は、断面が略半円状の溝であって、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３から厚さ方向に行くに従って幅が徐々に狭くなっている。なお側面１０６ｄにも凹部１０７及び切欠部１０８が形成されていてもよい。また、切欠部１０８は、側面１０６ａ〜１０６ｃのそれぞれの一方の端縁から他方の端縁まで形成されている。
【００４１】
凹部１０７は、コンデンサ本体１０４の外周に沿って所定の間隔をおいて複数形成されている。側面１０６ａ，１０６ｂにおける凹部１０７は、コンデンサ主面１０２からコンデンサ本体１０４の厚さの２０％以上７０％以下の位置まで形成されていることが望ましく、側面１０６ｃにおける凹部１０７は、コンデンサ裏面１０３からコンデンサ本体１０４の厚さの２０％以上７０％以下の位置まで形成されていることが望ましい。このような範囲が望ましい理由は、２０％以上とすれば、樹脂充填材９２との密着性を充分に向上させることができるからであり、７０％以下とすれば、コンデンサ１０１の搬送等において、凹部１０７での割れ、或いは欠けを低減することができるからである。
【００４２】
図８に示されるように、本実施の形態では、側面１０６ａ〜１０６ｃにおける凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０が丸みを帯びた形状を呈している。凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０の曲率半径は、０．００５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下となることが好ましく、本実施の形態では例えば０．０５ｍｍ程度である。なお、コンデンサ本体１０４における各側面１０６ａ〜１０６ｄの表面は、表面粗化処理が施された粗面となっている。
【００４３】
また、コンデンサ本体１０４をコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３に対して平行に切断したときに現れる切断面において、凹部１０７の幅をＸ、凹部未形成部１０９を基準とした凹部１０７の深さをＹと定義した場合、Ｘ＞Ｙの関係が成り立っている。なお、主面１０２及び裏面１０３における凹部１０７の幅Ｘは、６０〜１５０μｍが好ましい。この範囲が好ましい理由は、６０μｍ未満であると、樹脂充填材９２が上手く入り込まず、密着性不足となったり、空隙ができているとその部分の影響で信頼性の低い製品となってしまうからであり、また１５０μｍを超えると、内部電極層１４１，１４２の面積が小さくなってしまい容量低下の一因となるからである。なお、本実施の形態では、凹部１０７の幅Ｘは１００μｍ程度であり、凹部１０７の深さＹは３５μｍ程度である。また、隣り合う凹部１０７の間隔Ｚは７５μｍ程度である。
【００４４】
図２及び図３に示されるように、コンデンサ本体１０４の４箇所の角部には、面取り寸法が０．６ｍｍ以上の面取り部１０４ａが形成されている。なお、面取り部１０４ａの代わりに或いは面取り部１０４ａとともに、曲率半径が０．６ｍｍ以上の丸み部がコンデンサ本体１０４の少なくとも１箇所の角部に形成されていてもよい。このように、面取り部１０４ａや丸み部を形成することにより、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填材９２の変形時において、セラミックコンデンサ１０１の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填材９２のクラックの発生を防止できる。
【００４５】
コンデンサ本体１０４内には、多数のビアホール１３０が形成されている。これらのビアホール１３０は、コンデンサ本体１０４をその厚さ方向に貫通するとともに、コンデンサ本体１０４の全面にわたってアレイ状に配置されている。各ビアホール１３０内には、コンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が形成されている。なお本実施の形態において、ビアホール１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００４６】
図６に示されるように内部電極層１４２にはビア導体１３１が貫通する領域にクリアランスホール１３３（孔部）が形成されており、内部電極層１４２とビア導体１３１とは電気的に絶縁されている。また、同様に図７に示されるように内部電極層１４１にはビア導体１３２が貫通する領域にクリアランスホール１３４（孔部）が形成されており、内部電極層１４１とビア導体１３２とは電気的に絶縁されている。なお、クリアランスホール１３３，１３４内における内部電極層１４１，１４２とビア導体１３１，１３２との間には、セラミック誘電体層１０５が介在している。
【００４７】
ビア導体１３１，１３２は、ニッケルを主材料として形成されており、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれビア導体１３１，１３２に含ませることにより、セラミック誘電体層１０５とビア導体１３１，１３２との密着性を高めることができる。なお、ビア導体１３１，１３２にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。
【００４８】
コンデンサ主面１０２上には、例えば電源供給用外部端子及びグランド接続用外部端子として使用される主面側電源用外部電極１１１及び主面側グランド用外部電極１１２がそれぞれ形成されている。コンデンサ裏面１０３上には、例えば電源供給用外部端子及びグランド接続用外部端子として使用される裏面側電源用外部電極１２１及び裏面側グランド用外部電極１２２がそれぞれ形成されている。なお、外部電極１１１，１１２,１２１，１２２は、必ずしもコンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の両方に形成されている必要はなく、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３のいずれか一方に形成されていてもよい。
【００４９】
図２に示されるように、コンデンサ主面１０２上において、略円形状の複数の電源用外部電極１１１がアレイ状に形成されており、グランド用外部電極１１２は各電源用外部電極１１１を取り囲むように形成されている。図３に示されるように、コンデンサ裏面１０３上において、略円形状の複数のグランド用外部電極１２２がアレイ状に形成されており、電源用外部電極１２１は各グランド用外部電極１２２を取り囲むように形成されている。
【００５０】
主面側電源用外部電極１１１は、電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用外部電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。また、裏面側電源用外部電極１２１は、複数の電電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用外部電極１２２は、グランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用外部電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用外部電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００５１】
コンデンサ主面１０２側及びコンデンサ裏面１０３側のいずれにおいても、電源用外部電極１１１，１２１とグランド用外部電極１１２，１２２とは離間しており、互いに電気的に絶縁されている。電源用外部電極１１１，１２１とグランド用外部電極１１２，１２２との間の距離（クリアランス）は、絶縁性が確保されていれば狭いほどよく、例えば１５０μｍ程度である。
【００５２】
コンデンサ主面１０２側において、外部電極１１１，１１２の合計の表面積は、コンデンサ主面１０２の面積の４５％以上９０％以下となっており、コンデンサ裏面１０３側において、外部電極１２１，１２２の合計の表面積は、コンデンサ裏面１０３の面積の４５％以上９０％以下となっている。コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の面積に対し外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の合計の表面積をこのような範囲とすることにより、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３におけるセラミック誘電体層１０５の露出面積を低減させることができる。このように、セラミック誘電体層１０５の露出面積を低減させることにより、コンデンサ１０１と樹脂層間絶縁層３３，３４との密着性を向上させることができる。
【００５３】
コンデンサ主面１０２において、グランド用外部電極１１２は側面１０６ａ側の端から側面１０６ｂ側の端まで形成されるとともに側面１０６ｃ側の端から側面１０６ｄ側の端まで形成されている。このグランド用外部電極１１２には、側面１０６ａ，１０６ｂに対応する端部に凹部１０７が形成されている。また、コンデンサ裏面１０３において、電源用外部電極１２１は側面１０６ａ側の端から側面１０６ｂ側の端まで形成されるとともに側面１０６ｃ側の端から側面１０６ｄ側の端まで形成されている。この電源用外部電極１２１にも、側面１０６ｃに対応する端部に凹部１０７が形成されている。
【００５４】
外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主成分として形成されており、セラミック誘電体層１０５を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に含ませることにより、セラミック誘電体層１０５と外部電極１１１，１１２，１２１，１２２との密着性を高めることができる。なお、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。
【００５５】
外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面上には、樹脂層間絶縁層３３，３４やビア導体４３等との密着性を向上させるための第１のめっき膜（図示せず）が形成されている。第１のめっき膜は、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の酸化防止という機能をも有している。第１のめっき膜は電解めっきにより形成されたものである。なお、第１のめっき膜は、無電解めっきにより形成されていてもよい。第１のめっき膜は例えばＡｕ、或いはＣｕ等の導電性材料から構成されていることが好ましいが、更に好ましくは樹脂層間絶縁層３３，３４との密着性を向上させるために、最表面はＣｕで構成されていることが好ましい。
【００５６】
外部電極１１１，１１２，１２１，１２２と第１のめっき膜との間には、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２と第１のめっき膜との密着性の低下を抑制するための第２のめっき膜（図示せず）が形成されている。詳述すると、上記のように外部電極１１１，１１２，１２１，１２２にセラミック材料を含有させると、セラミック材料が外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面に露出してしまい、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２と第１のめっき膜との密着性が低下するおそれがある。このようなことを抑制するために第２のめっき膜が形成されている。第２のめっき膜は電解めっきにより形成されたものである。なお、第２のめっき膜は、めっき法により形成されていれば、無電解めっきにより形成されていてもよい。
【００５７】
第２のめっき膜は、例えば、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の主成分である導電性材料と同一の導電性材料から構成されていることが好ましい。なお、セラミック材料を添加した外部電極１１１，１１２，１２１，１２２に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、第２のめっき膜を形成させなくてもよい。
【００５８】
図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある外部電極１１１，１１２は、ビア導体４３、導体層４２、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある外部電極１２１，１２２は、ビア導体４３、導体層４２、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。
【００５９】
例えば、マザーボード側から外部電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００６０】
本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、例えば、以下の手順により作製される。図９及び図１０は、本実施の形態に係る内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの模式的な平面図であり、図１１、図１２、図１５、図１７は、本実施の形態に係る未焼成セラミック積層体の模式的な縦断面図である。図１３、図１４、図１６、図１８は、本実施の形態に係る未焼成セラミック積層体の模式的な平面図である。図１９は、本実施の形態に係るセラミック焼結体の模式的な縦断面図であり、図２０は、分割された複数のコンデンサ本体を示す模式的な平面図である。
【００６１】
まず、内部電極パターン１５１が形成されたセラミックグリーンシート１５２（図９参照）と、内部電極パターン１５３が形成されたセラミックグリーンシート１５４（図１０参照）とを複数枚用意する。なお、内部電極パターン１５１，１５３は、後に内部電極層１４１，１４２となるべき未焼成導体部である。また、セラミックグリーンシート１５２，１５４は、後にセラミック誘電体層１０５となるべき未焼成セラミック部である。
【００６２】
内部電極パターン１５１，１５３は、それぞれコンデンサ形成領域Ｒ内に形成されている。コンデンサ形成領域Ｒとは、コンデンサ１０１を形成するための領域であり、セラミックグリーンシート１５２，１５４に複数存在している。なお、図面においては、コンデンサ形成領域Ｒの境界は二点鎖線で示されている。内部電極パターン１５１，１５３は例えばニッケルペーストから構成されている。
【００６３】
内部電極パターン１５１，１５３は、例えばスクリーン印刷によりコンデンサ形成領域Ｒ内に形成される。また、内部電極パターン１５１は、焼成後クリアランスホール１３４となるクリアランスホール１５１ａ（孔部）を有しており、内部電極パターン１５３は、焼成後クリアランスホール１３３となるクリアランスホール１５３ａ（孔部）を有している。また、コンデンサ形成領域Ｒ外にニッケルペーストが塗布されていてもよい。
【００６４】
また、図１１に示される２つのカバー層１５５及び中間層１５６を用意する。カバー層１５５及び中間層１５６は、内部電極パターン１５１，１５３等が形成されていない所定枚のセラミックグリーンシートを積層して、作製される。
【００６５】
セラミックグリーンシート１５２，１５４とカバー層１５５と中間層１５６とを用意した後、カバー層１５５上にセラミックグリーンシート１５２とセラミックグリーンシート１５４とを交互に積層し、その上に中間層１５６を積層する。さらに中間層１５６上にセラミックグリーンシート１５２とセラミックグリーンシート１５４とを交互に積層し、その上にカバー層１５５を積層する。その後、これらを加圧して、未焼成セラミック積層体１５９を形成する（図１１参照）。
【００６６】
未焼成セラミック積層体１５９を形成した後、未焼成セラミック積層体１５９の主面１５９ａから裏面１５９ｂにかけて貫通するビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを圧入して、ビア導体ペースト１５７を形成する（図１２及び図１３参照）。さらに、ビア導体ペースト１５７を形成した未焼成セラミック積層体１５９を高圧プレスにより加圧する。なお、ビア導体ペースト１５７は、後にビア導体１３１，１３２となるべき導体部である。
【００６７】
その後、未焼成セラミック積層体１５９の主面１５９ａ及び主面１５９ａと反対側の裏面１５９ｂに、例えばスクリーン印刷等により、コンデンサ形成領域Ｒ内においてビア導体ペースト１５７に接続された外部電極パターン１６０，１６１を形成する（図１４及び図１５参照）。なお、外部電極パターン１６０，１６１は、後に外部電極１１１，１１２，１２１，１２２となるべき導体部である。また、主面１５９ａ側における外部電極パターン１６１は、複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成され、裏面１５９ｂ側における外部電極パターン１６０は、複数のコンデンサ形成領域Ｒに跨るように形成される。
【００６８】
未焼成セラミック積層体１５９において、主面１５９ａ及び裏面１５９ｂに外部電極パターン１６０，１６１を形成した後、例えばレーザー等により、コンデンサ形成領域Ｒの境界に沿って、外部電極パターン１６１を貫通する複数の穴からなるミシン目状のブレイク溝１６３及び連続線状のブレイク溝１６４（図１６及び図１７参照）をそれぞれ形成する（ブレイク溝形成工程）。
【００６９】
主面１５９ａ側においては、ブレイク溝１６３はコンデンサ形成領域Ｒにおける主面１５９ａの短手方向に沿った境界に形成され、ブレイク溝１６４はコンデンサ形成領域Ｒにおける主面１５９ａの長手方向に沿った境界に形成される。裏面１５９ｂ側においては、ブレイク溝１６３はコンデンサ形成領域Ｒにおける裏面１５９ｂの長手方向に沿った境界に形成され、ブレイク溝１６４はコンデンサ形成領域Ｒにおける裏面１５９ｂの短手方向に沿った境界に形成される。
【００７０】
図１７に示すように、ミシン目状のブレイク溝１６３の製品厚みに対する深さａは製品全体の厚さの２０〜７０％とすることが好ましい。また、連続線状のブレイク溝１６４の深さｂは、ａ／ｂ＝０．２５〜３５とすることが好ましい。なお、本実施の形態では、ブレイク溝１６３の深さａは製品全体の厚さの５０％程度であり、連続線状のブレイク溝１６４の深さｂは、製品全体の厚さの２０％程度である。
【００７１】
ブレイク溝１６４は、主面１５９ａ及び裏面１５９ｂにおいて、ブレイク溝１６３に対して直交するように形成される。ここで、裏面１５９ｂ側に形成されるブレイク溝１６３は主面１５９ａ側に形成されるブレイク溝１６４と対応する位置にかつ主面１５９ａ側に形成されるブレイク溝１６４に沿って形成される。また、裏面１５９ｂ側に形成されるブレイク溝１６４は、主面１５９ａ側に形成されるブレイク溝１６３と対応する位置にかつ主面１５９ａ側に形成されるブレイク溝１６３に沿って形成される。
【００７２】
未焼成セラミック積層体１５９にブレイク溝１６３，１６４を形成した後、例えばレーザー等により、コンデンサ形成領域Ｒの角部に、未焼成セラミック積層体１５９を厚さ方向に貫通する孔部１６５及び厚さ方向に沿って延びる溝１６６を形成する（図１８参照）。これら孔部１６５及び溝１６６は、後に面取り部１０４ａとなる部分である。
【００７３】
未焼成セラミック積層体１５９に孔部１６５及び溝１６６を形成した後、未焼成セラミック積層体１５９を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成する（焼成工程）。この結果、未焼成セラミック積層体１５９が焼結してセラミック焼結体１６８（コンデンサ本体集合体）が得られる（図１９参照）。具体的には、未焼成セラミック積層体１５９における内部電極パターン１５１，１５３、セラミックグリーンシート１５２，１５４、ビア導体ペースト１５７、外部電極パターン１６０，１６１が焼結して、内部電極層１４１，１４２、セラミック誘電体層１０５、ビア導体１３１，１３２、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２が形成される。
【００７４】
その後、焼成により外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の表面に形成された酸化膜を研磨して取り除いた後、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２上に無電解めっきまたは電解めっきにより第１及び第２のめっき膜を形成する。
【００７５】
そして、ブレイク溝１６３，１６４に沿って、コンデンサ形成領域Ｒ毎にセラミック焼結体１６８を分割して、複数のコンデンサ本体１０４（図２０参照）を得る（分割工程）。ここで、セラミック焼結体１６８の厚さ方向には、ブレイク溝１６３と対応する位置にブレイク溝１６４が形成されているが、セラミック焼結体１６８は、ブレイク溝１６３付近の部分がブレイク溝１６４付近の部分よりも先に切り離されるように分割されることが望ましい。これは、ブレイク溝１６３間には外部電極１１２，１２２が存在しているため、ブレイク溝１６４付近の部分がブレイク溝１６３付近の部分よりも先に切り離されると、ブレイク溝１６３付近の外部電極１１２，１２２がブレイク溝１６３に沿って切断されないおそれがあるからである。
【００７６】
セラミック焼結体１６８の分割工程後において、ミシン目状のブレイク溝１６３の一部が凹部１０７となり、連続線状のブレイク溝１６４の一部が切欠部１０８となる。つまり、分割工程を経ると、コンデンサ本体１０４において、ブレイク破面として出現した側面１０６ａ〜１０６ｃにて凹部１０７及び切欠部１０８が形成された状態となる。それら側面１０６ａ〜１０６ｃにおいて、凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０は角張った形状となっている（図２１参照）。また、凹部未形成部１０９の表面粗さは、凹部１０７の内壁面の表面粗さよりも小さくなっている。
【００７７】
このため、本実施の形態では、セラミック焼結体１６８の分割工程後、得られたコンデンサ本体１０４の側面１０６に対してウエット状態で遊離砥粒をぶつけるウエットブラスト加工を行う（表面処理工程）。ここでは、コンデンサ本体１０４の側面１０６に対して遊離砥粒が作用する一方でコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３に対しては遊離砥粒が作用しない条件を設定して選択的にウエットブラスト加工を行う。
【００７８】
具体的には、図２２及び図２３に示されるように、固定板としてのステンレス板１８０（ＳＵＳ板）上において、凹部１０７が形成された側面１０６が露出するよう複数のコンデンサ本体１０４をその厚さ方向に重ねて配置した状態でロウ１８１を用いて固定する。またここでは、各コンデンサ本体１０４の両サイドにダミーサンプルのコンデンサ１８２を配置して、端部に位置するコンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３をダミーサンプルのコンデンサ１８２で覆い隠すようにする。そして、ステンレス板１８０に固定した各コンデンサ本体１０４の側面１０６に対してウエットブラスト加工を行う。
【００７９】
このウエットブラスト加工では、遊離砥粒１８３と水１８４とを均一に攪拌してなる泥水状のスラリーを用い、そのスラリーを専用の噴射ノズル１８６から圧縮空気の力を使って噴射する（図２３参照）。本実施の形態において、ブラスト時の空気圧は、０．１５ＭＰａである。また、遊離砥粒１８３としては、＃４００（平均粒径が約４０μｍ）のアルミナ砥粒を用いている。さらに、スラリーにおける遊離砥粒１８３の含有率（体積濃度）は、２０ｖｏｌ％程度である。また、噴射ノズル１８６は、タングステンカーバイトのノズル材を用いて形成されたノズルであり、ノズル径が１５ｍｍ以下のものを使用している。
【００８０】
本実施の形態では、コンデンサ本体１０４の１つの側面１０６に対する処理時間は６０秒程度であり、６０秒のブラスト加工後、各コンデンサ本体１０４をステンレス板１８０から一旦取り外して、未処理の側面１０６が上方を向くように各コンデンサ本体１０４をステンレス板１８０に再度固定する。そして、未処理の側面１０６に対してウエットブラスト加工を行う。
【００８１】
このように、各側面１０６に対してウエットブラスト加工を行うことで、凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０の角張った部分が研磨されて境界部分１１０が丸みを帯びた形状となる（図８参照）。また、側面１０６ａ〜１０６ｃにおいて、切欠部１０８の未形成部と切欠部１０８との境界部分も丸みを帯びた形状となる。
【００８２】
さらに、ウエットブラスト加工を行うことで、凹部未形成部１０９の表面が粗化され、その表面粗さが大きくなる。凹部未形成部１０９はブレイク破面であるため、貝殻状の割れ目が残る場合がある。この割れ目の部分は、強度が比較的弱いためエットブラスト加工時に遊離砥粒１８３がぶつかることで除去される。また、凹部１０７の内壁面にはレーザー加工時に発生したスミアなどの異物が付着しているが、ウエットブラスト加工時に遊離砥粒１８３がその内壁面にぶつかることでそれら異物が除去される。このため、ウエットブラスト加工後においては、その加工前の状態よりも凹部未形成部１０９と凹部１０７との表面粗さが減少する。
【００８３】
そして、ウエットブラスト加工が完了した後、各コンデンサ本体１０４をステンレス板１８０から取り外して洗浄処理を行う。この洗浄処理では、各コンデンサ本体１０４を洗浄トレイに並べ、有機溶剤（アセトン、イソプロピルアルコールなど）を用いて超音波洗浄を行う。このとき、コンデンサ本体１０４に付着しているロウ１８１が有機溶剤で溶け、さらにブラスト加工時に付着した加工屑がコンデンサ本体１０４の表面から除去される。以上の製造工程を経てセラミックコンデンサ１０１が製造される。
【００８４】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００８５】
（１）本実施の形態では、表面処理工程において、コンデンサ本体１０４の側面１０６に対してウエットブラスト加工を行うことにより、その側面１０６ａ〜１０６ｄの表面が適度に粗化される。このセラミックコンデンサ１０１を用いれば、樹脂充填材９２との接触面積が大きくなり、配線基板１０との密着性を向上させることができる。また、ウエットブラスト加工では、コンデンサ本体１０４の側面１０６ａ〜１０６ｃにおける凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０が削られてその境界部分１１０が丸みを帯びた形状となる。従って、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵すると、凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０に加わる応力が分散され、樹脂充填材９２側にクラックが発生するといった問題を回避することができる。
【００８６】
（２）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１において、側面１０６ａ〜１０６ｃにおける凹部１０７の表面は、レーザー加工が施された加工面であるため、レーザー加工によって粗化された状態となっている。従って、表面処理工程前において側面１０６における凹部未形成部１０９の表面粗さは凹部１０７の内壁面の表面粗さよりも小さくなっている。そして、表面処理工程を経ると凹部未形成部１０９の表面が粗化されて２つの部位１０７，１０９の表面粗さの差が減少することとなる。このように、凹部未形成部１０９の表面を粗化することにより、樹脂充填材９２との密着性を十分に確保することができる。
【００８７】
（３）本実施の形態の表面処理工程では、凹部１０７の最大幅（具体的には、１００μｍ）よりも小さい平均粒径（具体的には、４０μｍ）を有する遊離砥粒１８３を用いてウエットブラスト加工が行われている。このようにすると、凹部１０７の内壁面に遊離砥粒１８３が確実に当たるため、凹部１０７の内壁面を確実に粗化することができる、また、レーザー加工時において凹部１０７の内壁面に付着したスミアなどの異物を確実に除去することができる。このため、凹部１０７の内壁面と樹脂充填材９２との密着性を十分に高めることができる。
【００８８】
（４）本実施の形態では、ブラスト時の空気圧が０．１５Ｍｐａであり、適度な空気圧でウエットブラスト加工が行われるため、側面１０６を効率よく迅速に粗化することができる。
【００８９】
（５）本実施の形態では、ステンレス板１８０上において、凹部１０７が形成された側面１０６ａ〜１０６ｃを露出させるようにしてコンデンサ本体１０４をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置した状態で固定した後、コンデンサ本体１０４の側面１０６に対してウエットブラスト加工を行っている。このようにすると、複数のコンデンサ本体１０４に対してウエットブラスト加工を同時に行うことができ、各側面１０６の粗化を効率よく確実に行うことができる。また、固定板として用いたステンレス板１８０は硬質の金属板であるので、ウエットブラスト加工時に遊離砥粒１８３がぶつかってもステンレス板１８０が損傷することがない。また、ロウ１８１で固定する際に加熱されたとしても、ステンレス板１８０は変形することなくコンデンサ本体１０４を確実に固定することができる。
【００９０】
（６）本実施の形態では、ステンレス板１８０上にロウ１８１を用いてコンデンサ本体１０４を固定している。ロウ１８１は比較的低い温度で融けて常温で固まるため、ステンレス板１８０上に複数のコンデンサ本体１０４を容易に固定することができる。また、固まったロウ１８１は、コンデンサ本体１０４よりも柔らかいため、ウエットブラスト加工によるダメージが少なく、その加工時にコンデンサ本体１０４を確実に固定することができる。さらに、ロウ１８１は有機溶剤によって容易に溶解するため、ウエットブラスト加工後において、コンデンサ本体１０４に付着しているロウ１８１を有機溶剤で洗浄することで容易に除去することができる。
［第２の実施の形態］
【００９１】
次に、本実施の形態を具体化した第２の実施の形態を図面に基づき説明する。本実施の形態のセラミックコンデンサは、内部電極と電気的に独立したダミー内部電極がコンデンサ本体に形成されている点が上記第１の実施の形態と異なる。図２４及び図２５は本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１Ａの模式的な側面図であり、図２６はセラミックコンデンサ１０１Ａの模式的な縦断面図である。なお、本実施の形態において、第１の実施の形態と同様の構成については同一の符号が付してある。以下、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００９２】
図２４〜図２６に示されるように、コンデンサ本体１０４内には、電極としては機能しないダミー電極層１７１，１７２（ダミー内部電極）が配置されている。具体的には、ダミー電極層１７１，１７２は、セラミック誘電体層１０５間にかつ内部電極層１４１，１４２よりセラミック誘電体層１０５の外周側（つまり側面１０６より）に、内部電極層１４１，１４２と所定の間隔をおいて配置されている。
【００９３】
ダミー電極層１７１は内部電極層１４１と同一平面に配置されており、ダミー電極層１７２は内部電極層１４２と同一平面に形成されている。つまり、ダミー電極層１７１は内部電極層１４１が配置されたセラミック誘電体層１０５間と同一の層間に配置されており、ダミー電極層１７２は内部電極層１４２が配置されたセラミック誘電体層１０５間と同一の層間に配置されている。なお、ダミー電極層１７１，１７２は、内部電極層１４１，１４２が配置されたセラミック誘電体層１０５間とは異なる層間に形成されていてもよい。
【００９４】
内部電極層１４１とダミー電極層１７１、及び内部電極層１４２とダミー電極層１７２は、それぞれ電気的に絶縁されている。なお、内部電極層１４１，１４２とダミー電極層１７１，１７２との間の隙間Ｓ１，Ｓ２にはそれぞれセラミック誘電体層１０５が入り込んでおり、内部電極層１４１，１４２とダミー電極層１７１，１７２とは電気的に絶縁されている。
【００９５】
内部電極層１４１とダミー電極層１７１との間の隙間Ｓ１と、内部電極層１４２とダミー電極層１７２との間の隙間Ｓ２とは、コンデンサ本体１０４の厚さ方向においてずれた位置関係にあり、重なり合っていない。なお、内部電極層１４１とダミー電極層１７１との間の隙間Ｓ１同士はそれぞれコンデンサ本体１０４の厚さ方向において揃っており、内部電極層１４２とダミー電極層１７２との間の隙間Ｓ２同士はそれぞれコンデンサ本体１０４の厚さ方向において揃っている。
【００９６】
ダミー電極層１７１，１７２は内部電極層１４１，１４２を取り囲むように形成されている。また、コンデンサ本体１０４の側面１０６ａ〜１０６ｄにおいて、ダミー電極層１７１，１７２の外周端はセラミック誘電体層１０５間から露出している。従って、側面１０６ａ〜１０６ｄはセラミック誘電体層１０５とダミー電極層１７１，１７２とから構成されている。なお、側面１０６ａ〜１０６ｃおける凹部１０７及び切欠部１０８の側面もセラミック誘電体層１０５とダミー電極層１７１，１７２とから構成されている。
【００９７】
また、セラミックコンデンサ１０１Ａの端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、ダミー電極層１７１，１７２における全ての外周端がセラミック誘電体層１０５間から露出していることが好ましいが、一部の外周端のみ露出していてもよい。
【００９８】
ダミー電極層１７１，１７２の総数は、セラミックコンデンサ１０１Ａの端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、内部電極層１４１，１４２の総数の半分（約５０層程度）以上であることが好ましく、内部電極層１４１，１４２の総数とほぼ同数（約１００層程度）であることがより好ましい。
【００９９】
ダミー電極層１７１，１７２は導電性材料から構成されているが、ダミー電極層１７１，１７２を構成する導電性材料は、セラミックグリーンシート１５２，１５４等の焼成時の影響や形成工程を考慮すると、内部電極層１４１，１４２を構成する導電性材料と同じ材料であることが好ましい。また、同様の理由からダミー電極層１７１，１７２の厚さは内部電極層１４１，１４２の厚さとほぼ同じ厚さ（例えば２μｍ以下）となっていることが好ましい。
【０１００】
本実施の形態においても、複数のコンデンサ形成領域Ｒを有するセラミック焼結体１６８を分割して、複数のコンデンサ本体１０４を製造している。本実施の形態では、ダミー電極層１７１，１７２が設けられているため、セラミック焼結体１６８の強度が強くなる。このため、ミシン目状のブレイク溝１６３の製品厚みに対する深さを製品全体の厚さの７０％とし、分割工程においてセラミック焼結体１６８確実に分割するようにしている。従って、本実施の形態、側面１０６ａ〜１０６ｃに形成されている凹部１０７の長さは、コンデンサ本体１０４の厚さの半分以上である。つまり、コンデンサ本体１０４の側面において、凹部１０７は、中間層部１４５を超えて延在するように形成されている。
【０１０１】
また、本実施の形態のコンデンサ本体１０４においても、第１の実施の形態と同様にウエットブラスト加工による表面処理工程が実施される。この結果、側面１０６ａ〜１０６ｃにおいて、凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０が丸みを帯びた形状となる。さらに、凹部未形成部１０９及び境界部分１１０にて露出しているダミー電極層１７１，１７２の外周端は、ウエットブラスト加工において押しつぶされ、凹部未形成部１０９及び境界部分１１０を被覆している。
【０１０２】
一方、凹部１０７においては、その内壁面よりもダミー電極層１７１，１７２が引き下がっている（図２７参照）。この凹部１０７の内壁面は、未焼成セラミック積層体１５９にてレーザー加工される部分であり、そのレーザー加工時にダミー電極層１７１，１７２の端部が引き下がった状態となる。また、ダミー電極層１７１，１７２を構成する導電性材料は、セラミックグリーンシート１５２，１５４よりも収縮率が大きいため、焼成時における収縮率の差に起因して、ダミー電極層１７１，１７２の外周端が凹部１０７の内壁面よりも内側に位置する形となる。従って、本実施の形態では、コンデンサ本体１０４の側面視において、凹部未形成部１０９及び境界部分１１０におけるダミー電極層１７１，１７２の被覆率のほうが、凹部１０７の内壁面におけるダミー電極層１７１，１７２の被覆率よりも大きくなる。
【０１０３】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【０１０４】
（１）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１Ａにおいても、表面処理工程において、コンデンサ本体１０４の側面１０６に対してウエットブラスト加工を行うことにより、その側面１０６ａ〜１０６ｄの表面が適度に粗化される。従って、セラミックコンデンサ１０１Ａを用いれば、樹脂充填材９２との接触面積が大きくなり、配線基板１０との密着性を向上させることができる。また、本実施の形態では、ダミー電極層１７１，１７２の一部によって凹部未形成部１０９及び境界部分１１０が部分的に被覆されている。さらに、凹部未形成部１０９及び境界部分１１０におけるダミー電極層１７１，１７２の被覆率のほうが、凹部１０７の内壁面におけるダミー電極層１７１，１７２の被覆率よりも大きい。このように、ダミー電極層１７１，１７２により凹部未形成部１０９及び境界部分１１０が被覆されることで、その部分の強度を高めることができる。従って、セラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵するときや、温度変化に伴う樹脂充填材９２の変形時において、凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０に応力が集中したとしても、その部分のセラミックが欠けるといった問題を回避することができ、樹脂充填材９２との密着性を十分に確保することができる。
【０１０５】
（２）本実施の形態では、内部電極層１４１，１４２よりセラミック誘電体層１０５の外周側にダミー電極層１７１，１７２を形成しているので、コンデンサ本体１０４の端部の厚さを厚くすることができ、端部付近に形成される段差が緩和されたセラミックコンデンサ１０１Ａを提供することができる。このセラミックコンデンサ１０１Ａを配線基板１０に内蔵する場合、コア基板１１とコンデンサ１０１との隙間に樹脂充填材９２を充填するときに、樹脂充填材９２がコンデンサ１０１Ａの裏面１０３側へ潜り込み難くなる。その結果、ビルドアップ層３１，３２を形成するビルドアップ工程での不良を低減することが可能となる。
【０１０６】
（３）本実施の形態では、内部電極層１４１,１４２とダミー電極層１７１,１７２との間には隙間Ｓ１，Ｓ２が形成されている。ここで、内部電極層１４１とダミー電極層１７１との間の隙間Ｓ１と、内部電極層１４２とダミー電極層１７２との間の隙間ｓ２とがコンデンサ本体１０４の厚さ方向において重なり合っている場合には、コンデンサ本体１０４の厚さ方向において内部電極層１４１，１４２及びダミー電極層１７１，１７２の両方が存在しない部分が存在してしまう。このような部分は、内部電極層１４１，１４２及びダミー電極層１７１，１７２が存在しないので、他の部分より厚さが薄くなってしまい、局部的に凹んだ形状となる。この凹みがコンデンサ外周から比較的近い箇所に形成された場合には、樹脂充填材９２がコンデンサ裏面１０３側へ潜り込んでしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、内部電極層１４１とダミー電極層１７１との間の隙間Ｓ１と、内部電極層１４２とダミー電極層１７２との間の隙間Ｓ２とがセラミック誘電体層１０５の積層方向において重なり合っていないので、このような局所的な凹みが形成され難くなり、樹脂充填材９２の潜り込みを抑制することができる。
【０１０７】
なお、本発明の各実施の形態は以下のように変更してもよい。
【０１０８】
・上記各実施の形態では、表面処理工程において、複数のコンデンサ本体１０４をステンレス板１８０上にロウ１８１で固定してウエットブラスト加工を行うものであったが、これに限定されるものではない。例えば、コンデンサ本体１０４に形成される内部電極層１４１，１４２及びダミー電極層１７１，１７２は、磁性体であるニッケルを主体として形成されているため、磁石を用いてコンデンサ本体１０４を固定してウエットブラスト加工を行うように構成してもよい。
【０１０９】
・上記各実施の形態では、コンデンサ本体１０４の各側面１０６ａ〜１０６ｃにおいて、コンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の一方に凹部１０７が形成され、他方に切欠部１０８が形成されるものであったがこれに限定されるものではない。例えば、図２８に示すセラミックコンデンサ１０１Ｂのように、コンデンサ本体１０４の側面１０６において、コンデンサ主面１０２からコンデンサ裏面１０３まで延びた凹部１０７が形成されていてもよい。なお、本実施の形態においては、切欠部１０８は形成されていない。さらに、図２８のセラミックコンデンサ１０１Ｂでは、ダミー電極層１７１，１７２が配置されていないが、ダミー電極層１７１，１７２が配置されていてもよい。また、このセラミックコンデンサ１０１Ｂにおいても、側面１０６にウエットブラスト加工が施されることで、凹部未形成部１０９の表面と凹部１０７の内壁面とが粗化されている。さらに、側面１０６における凹部未形成部１０９と凹部１０７との境界部分１１０が丸みを帯びた形状となっている。このようにセラミックコンデンサ１０１Ｂを構成しても、配線基板１０との密着性を向上させることができる。また、境界部分１１０に加わる応力が分散されるため、樹脂充填材９２側にクラックが発生するといった問題を回避することができる。
【０１１０】
・上記各実施の形態のセラミックコンデンサ１０１，１０１Ａ,１０１Ｂにおいて、外部電極１１１，１２２は略円形状に形成され、外部電極１１２，１２１は外部電極１１１，１２２の周囲に円形の抜きパターンを有するベタパターンとなるよう形成されていたが、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の形状は適宜変更することができる。図２９には外部電極の変形例を示している。図２９に示されるセラミックコンデンサ１０１Ｃにおいて、電源用外部電極１１１は、平面視略矩形状をなす帯状パターンであり、コンデンサ主面１０２において、４本の電源用外部電極１１１が互いに平行に配置されている。グランド用外部電極１１２は、各電源用外部電極１１１を取り囲むように配置されている。
【０１１１】
電源用外部電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１の端面に対して直接接続されている。また、グランド用外部電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２の端面に対して直接接続されている。なお、図示しないがコンデンサ裏面１０３側において、グランド用コンデンサ内ビア導体１３２に接続されるグランド用外部電極１２２は、平面視略矩形状をなす帯状パターンである。また、コンデンサ裏面１０３側において、電源用コンデンサ内ビア導体１３１に接続される電源用外部電極１２１は、各電源用外部電極１１１を取り囲むようにプレーン状に形成された広面積パターンである。
【０１１２】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【０１１３】
（１）第１主面、前記第１主面の反対側に位置する第２主面及び前記第１主面と前記第２主面との間に位置する側面を有するとともに、内部電極及びセラミック誘電体層を積層して多層化した構造を有するコンデンサ本体を備え、前記コンデンサ本体の前記側面には、前記セラミック誘電体層を構成するセラミックが露出するとともに、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくとも一方の側から前記コンデンサ本体の厚さ方向に延びる凹部が複数形成された配線基板内蔵用コンデンサを製造する方法であって、前記凹部が形成された状態の前記コンデンサ本体の前記側面に対して湿式砥粒加工を行う表面処理工程を含み、前記表面処理工程前において前記側面における凹部未形成部の表面粗さは前記凹部の内壁面の表面粗さよりも小さく、前記表面処理工程を経ると前記凹部未形成部が粗化されて前記２つの部位の表面粗さの差が減少することを特徴とした配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【０１１４】
（２）技術的思想（１）において、前記湿式砥粒加工で用いる遊離砥粒の平均粒径は、８μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【０１１５】
（３）技術的思想（１）または(２)において、前記コンデンサ本体は板状であり、前記表面処理工程では、前記凹部が形成された前記側面を露出させるようにして前記コンデンサ本体をその厚さ方向に複数個重ね合わせて配置するとともに、各コンデンサ本体の端部に位置する前記各主面を覆い隠すようにダミーサンプルのコンデンサを配置して、各コンデンサ本体の側面を加工するようにしたことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサの製造方法。
【符号の説明】
【０１１６】
１０１,１０１Ａ〜１０１Ｃ…配線基板内蔵用コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…第１主面としてのコンデンサ主面
１０３…第２主面としてのコンデンサ裏面
１０４…コンデンサ本体
１０５…セラミック誘電体層
１０６，１０６ａ〜１０６ｄ…側面
１０７…凹部
１０９…凹部未形成部
１５１，１５３…未焼成導体部としての内部電極パターン
１５２，１５４…未焼成セラミック部としてのセラミックグリーンシート
１５９…未焼成セラミック積層体
１６３…ブレイク溝
１６８…コンデンサ本体集合体としてのセラミック焼結体
１８０…固定板としてのステンレス板
１８１…ロウ
１８３…遊離砥粒
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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