(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上面上に設けられたインタデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられ、前記ＩＤＴ電極に接続された配線電極と、
前記圧電基板の前記上面上に設けられて、前記ＩＤＴ電極と前記配線電極を封止する第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の上面上に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層の上面上に設けられたインダクタ電極と、
前記インダクタ電極と電気的に接続された端子電極と、
前記配線電極と前記インダクタ電極とを電気的に接続する接続電極と、
を備え、
前記第１の絶縁体は、第１の樹脂と、前記第１の樹脂に分散する第１のフィラーとを有し、
前記第１の樹脂層でのフィラーの密度は、前記第１の絶縁体の前記第１のフィラーの平均密度より小さい、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１の樹脂層は実質的にフィラーを含有しない、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁体の中に設けられて前記ＩＤＴ電極の上方を覆う天板電極をさらに備え、
前記天板電極の上面から前記インダクタ電極の下面までの距離が１５μｍ以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記端子電極の下面から前記インダクタ電極の上面までの距離は１０μｍ以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１の樹脂層の厚みは前記第１の絶縁体の前記第１のフィラーの平均粒径より大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１の樹脂層の前記上面上に設けられて、前記インダクタ電極を覆う第２の絶縁体を設けた、請求項１に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器等において使用される弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の弾性波装置１の断面模式図である。弾性波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２の上に配置されたインタデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極３と、圧電基板２の上に配置されてＩＤＴ電極３に接続された配線電極４と、圧電基板２の上に配置されてＩＤＴ電極３の周囲を囲む側壁５と、ＩＤＴ電極３の上の空間６を覆うように側壁５の上に設けられた天板７と、側壁５と天板７とを覆う絶縁体８と、絶縁体８の上に配置されたインダクタ電極９と、絶縁体８の上面とインダクタ電極９とを覆う絶縁体１０と、絶縁体１０の上に配置される端子電極１１と、絶縁体８、１０を貫通するように設けられて配線電極４とインダクタ電極９と端子電極１１とを電気的に接続する接続電極１２とを備える。【０００３】
なお、弾性波装置１に類似の従来の弾性波装置が特許文献１に記載されている。【０００４】
絶縁体８の上面を研削することによって上面の高さを一定化すると共に、接続電極１２の断面を露出させ、その上にインダクタ電極９を形成することによって接続電極１２とインダクタ電極９の電気的接続を確保する。【０００５】
従来の弾性波装置１では、インダクタ電極９のＱ値が低下するとともにそのインダクタンスがばらつく場合がある。【０００６】
図９は、他の従来の弾性波装置１０１の断面模式図である。弾性波装置１０１は、圧電基板１０２と、圧電基板１０２の上に配置されたＩＤＴ電極１０３と、圧電基板１０２の上に配置されてＩＤＴ電極１０３に接続された配線電極１０４と、圧電基板１０２の上に配置されてＩＤＴ電極１０３の周囲を囲む側壁１０５と、ＩＤＴ電極１０３の上の励振空間１０６を覆うように側壁１０５の上に設けられた天板１０７と、側壁１０５と天板１０７とを覆う絶縁体１０８と、絶縁体１０８の上に配置される端子電極１０９と、絶縁体１０８を貫通するように設けられて配線電極１０４と端子電極１０９とを電気的に接続する接続電極１１０とを備える。【０００７】
弾性波装置１０１において、挿入損失、帯域外減衰量、アイソレーションなどの特性向上のために、一定レベルの大きさのインダクタンス値と一定レベルのＱ値を有するインダクタを付加する必要がある場合がある。このような特性のインダクタを、圧電基板１０２の上に導体パターンとして形成することは困難である。したがって、電子機器を構成する際には、弾性波装置１０１の外部に別個のインダクタを必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１０１２１号公報
【発明の概要】
【０００９】
弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に設けられてＩＤＴ電極に接続された配線電極と、圧電基板上に設けられてＩＤＴ電極と配線電極を封止する第１の絶縁体と、第１の絶縁体上に設けられた樹脂層と、樹脂層上に設けられたインダクタ電極と、樹脂層上に設けられてインダクタ電極を覆う第２の絶縁体と、第２の絶縁体上に設けられた端子電極と、第１の絶縁体と第２の絶縁体と樹脂層とを貫通し配線電極と端子電極とインダクタ電極とを電気的に接続する接続電極とを備える。第１の絶縁体は、樹脂と、樹脂に分散するフィラーとを有する。樹脂層でのフィラーの密度は、第１の絶縁体のフィラーの平均密度より小さい。
【００１０】
この弾性波装置は、インダクタの電気特性を確保するとともにそのばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性波装置の断面模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａに示す弾性波装置の要部平面図である。
【図２Ａ】図２Ａは実施の形態１における弾性波装置のインダクタ電極のインダクタンスの変化率を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは実施の形態１における弾性波装置のインダクタ電極のインダクタンスの変化率を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは本発明の実施の形態２における弾性波装置の断面模式図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは図３Ａに示す弾性波装置の要部平面図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態３における弾性波装置の回路図である。
【図５】図５は実施の形態３における弾性波装置の模式断面図である。
【図６】図６は実施の形態３における弾性波装置の平面図である。
【図７Ａ】図７Ａは実施の形態３における弾性波装置の要部平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは実施の形態３における弾性波装置の要部平面図である。
【図８】図８は従来の弾性波装置の断面模式図である。
【図９】図９は他の従来の弾性波装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（実施の形態１）
図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性波装置２１の断面模式図である。弾性波装置２１は、圧電基板２２と、圧電基板２２の上面２２Ｕ上に配置されたインタデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極２３と、圧電基板２２の上面２２Ｕ上に配置された配線電極２４と、圧電基板２２の上面２２Ｕ上に配置された側壁２５と、側壁２５の上面２５Ｕ上に設けられた天板電極２７と、側壁２５と天板電極２７とを覆う絶縁体２８と、絶縁体２８の上面２８Ｕ上に配置された樹脂層３３と、樹脂層３３の上面３３Ｕ上に設けられたインダクタ電極２９と、樹脂層３３の上面３３Ｕとインダクタ電極２９とを覆う絶縁体３０と、絶縁体３０の上面３０Ｕ上に配置された端子電極３１と、絶縁体２８、３０と樹脂層３３を貫通する接続電極３２とを備える。配線電極２４はＩＤＴ電極２３に接続されている。側壁２５はＩＤＴ電極２３の周囲を囲む。天板電極２７はＩＤＴ電極２３上の空間２６を覆う。接続電極３２は配線電極２４とインダクタ電極２９と端子電極３１とを電気的に接続する。樹脂層３３は絶縁体２８とインダクタ電極２９との間に設けられている。樹脂層３３は絶縁体２８よりもフィラーの密度が小さい。
【００１３】
圧電基板２２はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体単結晶からなる基板である。
【００１４】
圧電基板２２の上面２２Ｕにチタンよりなる密着層を形成し、密着層にアルミニウムを主成分とする金属膜をスパッタリングにより形成する。その金属層をフォトリソグラフ法によりドライエッチングでパターニングすることによりＩＤＴ電極２３および配線電極２４が形成される。ＩＤＴ電極２３は互いに対向する櫛形電極を有し、圧電基板２２の上面２２Ｕに弾性波を励振する。配線電極２４はＩＤＴ電極２３から引き出された配線であって、弾性波装置２１の回路を構成する。
【００１５】
図１Ｂは弾性波装置２１の要部平面図であり、インダクタ電極２９の平面図である。インダクタ電極２９は、樹脂層３３の上面３３Ｕ上に設けられた渦巻状に延びる金属等の導電材料よりなる導体帯よりなる。その導体帯は端部２９Ｓから端部２９Ｔまで延びている。端部２９Ｓは渦巻形状の外周側に位置し、端部２９Ｔは渦巻形状の中心側に位置する。端部２９Ｓは配線電極２４に接続され、端部２９Ｔは端子電極３１に接続されている。実施の形態１においては、インダクタ電極２９は渦巻形状であるが、メアンダ形状等、他の形状であってもよい。
【００１６】
側壁２５は感光性のポリイミド系樹脂をフォトリソグラフによりパターニングして形成され、ＩＤＴ電極２３が励振する空間２６を側面から封止する。
【００１７】
樹脂製の接着層を介して銅箔等の導体箔を側壁２５の上面２５Ｕに接着し、導体箔の上面から金属メッキすることにより天板電極２７を形成する。天板電極２７はＩＤＴ電極２３が励振する空間２６を上面から封止する。このように、天板電極２７と側壁２５はＩＤＴ電極２３を覆う。
【００１８】
絶縁体２８は、側壁２５と天板電極２７とを覆うように熱硬化性のエポキシ系樹脂を塗布し硬化した後にその上面を研削して形状を整えて得られる。この研削により同時に、接続電極３２の断面を絶縁体２８の上面２８Ｕから露出させて、インダクタ電極２９と接続電極３２との接続を可能にしている。絶縁体２８は、エポキシ系樹脂等の絶縁樹脂２８Ｃと、絶縁樹脂に分散する２０重量％以上のフィラー２８Ｄとを含有する。この材料によって、ＩＤＴ電極２３が励振する空間２６を保持するための機械的強度と、水分の空間２６内への浸入を抑制できる。絶縁体２８に含有させるフィラーとしては、シリカ、マイカ、アルミナなどの粒を用いることができる。
【００１９】
樹脂層３３を形成するために、まず、絶縁体２８の上面２８Ｕ上にフィラーを含有しない感光性のエポキシ系樹脂等の絶縁樹脂をスピンコートにより塗布する。塗布した絶縁樹脂を、接続電極３２が貫通する箇所を除いて、すなわち接続電極３２を露出させるようにフォトリソグラフにより感光・硬化させて樹脂層３３を形成する。樹脂層３３は絶縁体２８の上面２８Ｕの凹凸をカバーし、インダクタ電極２９が形成される樹脂層３３の上面３３Ｕは平坦である。樹脂層３３の平坦な上面３３Ｕ上に形成されるインダクタ電極２９の下面を平滑にすることができ、インダクタ電極２９の高周波における表皮電流の抵抗を低減することができる。これにより電気エネルギーの損失を低減することができるので、インダクタ電極２９のインダクタとしての特性を良好にすることができる。したがって、樹脂層３３は、少なくともインダクタ電極２９が形成される下地に設ければよいので、絶縁体２８の上面２８Ｕの凹凸を平坦にする程度の厚みを有するように薄くすることができる。樹脂層３３はフィラーを含有しないので、インダクタ電極２９の高周波における電気特性を向上させる。一般にフィラーの比誘電率は樹脂の比誘電率よりも高いので、フィラーを含有させると樹脂の比誘電率が上昇して高周波における誘電損失を増加させる。樹脂層３３はフィラーを含有しないので、インダクタ電極２９の周囲の絶縁体の比誘電率を低くすることができるため、誘電損失を低減することができ、インダクタ電極２９の電気特性を向上することができる。
【００２０】
インダクタ電極２９は、樹脂層３３の上面３３Ｕ上にフォトリソグラフにより形成された銅などの金属からなる電極であり、インダクタンスを形成するインダクタとして機能する。
【００２１】
絶縁体３０は樹脂層３３の上面３３Ｕとインダクタ電極２９とを上から覆い、フィラーを含まない感光性のエポキシ系樹脂よりなる。その樹脂を樹脂層３３の上面３３Ｕとインダクタ電極２９上にスピンコートにより塗布した後、フォトリソグラフにより接続電極３２が貫通する箇所を除いて感光・硬化させることで絶縁体３０を形成する。絶縁体３０は、樹脂３０Ｃと、樹脂３０Ｃに分散するフィラー３０Ｄとを含有しても良い。フィラー３０Ｄは絶縁体３０の機械的強度を確保する。特に、弾性波装置２１をトランスファーモールドのように高い圧力で樹脂モールドして使用する場合には、モールド圧により絶縁体３０が変形しインダクタ電極２９の特性が変化するのを防止するために、絶縁体３０の機械的強度を高める必要があり、その場合には２０重量％以上のフィラー３０Ｄを絶縁体３０に含有させると良い。しかし、絶縁体３０におけるインダクタ電極２９の近傍には、実質的にフィラー３０Ｄを含有しない、またはフィラー３０Ｄの密度が絶縁体３０より低い樹脂層３４を設けるとよい。樹脂層３４はインダクタ電極２９を覆う。このように、樹脂層３４は実質的にフィラー３０Ｄを含有しない、または絶縁体３０よりフィラー３０Ｄの密度の低い樹脂層とすることによって、インダクタ電極２９の表面にフィラー３０Ｄの粒が押し付けられて跡ができるのを抑制することができる。これにより、インダクタ電極２９の表面の平滑性を確保することができるので、インダクタ電極２９の高周波における電気特性を良好に維持することができる。また、樹脂層３４にフィラー３０Ｄを含有させないことによって、インダクタ電極２９の周囲の絶縁体の比誘電率を低くすることができる。したがって、誘電損失を低減することができ、インダクタ電極２９の電気特性を向上することができる。樹脂層３４がフィラー３０Ｄを含有するがフィラー３０Ｄの密度を低くする場合には、樹脂層３４のフィラー３０Ｄの密度を絶縁体２８と絶縁体３０の少なくとも一方のフィラー２８Ｄ、３０Ｄの密度よりも低くする。樹脂層３４に低密度のフィラー３０Ｄを含有させる場合には、樹脂層３４に含有させるフィラーの平均粒径は、インダクタ電極２９の最小配線間隔の１／３とする。これにより、インダクタ電極２９に対するフィラーの影響を少なくすることができ、インダクタの特性を良好に保つことができる。
【００２２】
端子電極３１は、絶縁体３０の表面に形成された金属製の電極であり、弾性波装置２１の入出力端子およびグランド端子として機能する。
【００２３】
接続電極３２は、絶縁体２８、３０と樹脂層３３を貫通する金属製の電極であり、銅などのめっきにより形成し、配線電極２４とインダクタ電極２９と端子電極３１とを電気的に接続する。接続電極３２における絶縁体２８を貫通する部分は、天板電極２７をめっきにより形成する際に同時に形成することにより、製造工程を簡略化できる。
【００２４】
以上のように、実施の形態１における弾性波装置２１では、絶縁体２８とインダクタ電極２９との間に、実質的にフィラーを含有しない樹脂層３３が設けられている。これにより、絶縁体２８の上面２８Ｕの凹凸を、フィラーを含有しない樹脂層３３で埋めて平滑にすることができ、インダクタ電極２９を平滑性の高い上面３３Ｕ上に形成することができる。したがって、インダクタ電極２９の表面を平滑にすることができ、その高周波特性を良好に確保することができるとともにそのばらつきを低減することができる。
【００２５】
図８に示す従来の弾性波装置１では、絶縁体８の上面が研削により粗面化しているので、絶縁体８の上面に形成されたインダクタ電極９は、その研削面の影響を受けてＱ値が低下するとともにそのインダクタンスがばらつく場合がある。
【００２６】
なお、絶縁体２８はフィラー２８Ｄを含有するので、上面２８Ｕにはフィラー２８Ｄの粒子が突出する。粒子間の隙間を、フィラーを含有しない樹脂層３３で埋めた場合に、樹脂層３３は絶縁体２８と接触する部分において絶縁体２８のフィラー２８Ｄの一部を共有する。したがって、樹脂層３３は、絶縁体２８のフィラーの平均密度よりも小さい密度でフィラーを含有する絶縁体とみなすこともできる。すなわち、絶縁体２８とインダクタ電極２９との間に、絶縁体２８よりもフィラーの密度の小さい樹脂層３３を設けたことにより、インダクタ電極２９を平滑性の高い樹脂層３３の上面３３Ｕ上に形成することができる。これにより、インダクタ電極２９の表面を平滑にすることができるので、インダクタとしての高周波特性を良好に確保することができる。ここで、樹脂層３３の厚みを、絶縁体２８のフィラー２８Ｄの粒の平均粒径よりも大きくすることにより、絶縁体２８から突出したフィラー２８Ｄを樹脂層３３により確実に覆うことができ、インダクタの高周波特性を良好にすることができる。
【００２７】
また、実施の形態１における弾性波装置２１では、絶縁体３０におけるインダクタ電極２９の近傍にインダクタ電極２９に接してインダクタ電極２９を覆うように樹脂層３４を設けてもよい。樹脂層３４は、実質的にフィラーを含有しない、または絶縁体２８または絶縁体３０のフィラー２８Ｄ、３０Ｄの密度よりも小さい密度のフィラーを含有する。これにより、インダクタ電極２９の表面の平滑性を維持することができ、その高周波特性を良好に確保することができるとともにそのばらつきを低減することができる。
【００２８】
また、実施の形態１における弾性波装置２１では、樹脂層３３はフィラーを含有しない感光性エポキシ樹脂よりなる。樹脂層３３は低い密度でフィラーを含有してもインダクタ電極２９の表面を平滑化することができる。また、樹脂層３３に含有されたフィラーの最大粒径を小さくすることでもインダクタ電極２９の表面を平滑化することができる。しかし、インダクタ電極２９の表面を平滑化する観点からは、樹脂層３３はフィラーを含有しないことが好ましい。
【００２９】
また、実施の形態１における弾性波装置２１においては、絶縁体２８はフィラー２８Ｄを含有する樹脂よりなる。絶縁体２８は樹脂以外の絶縁体よりなっていても良い。絶縁体２８の上面２８Ｕ上にインダクタ電極２９を直接形成すると、インダクタ電極２９の表面の平滑性が絶縁体２８の表面粗さによって影響を受ける。実施の形態１における弾性波装置２１においては、絶縁体２８とインダクタ電極２９との間に、フィラーを含有しない樹脂からなる樹脂層３３を設けることによってインダクタ電極２９との表面の平滑性を確保することができ、インダクタ電極２９の高周波特性を良好に保つことができる。
【００３０】
また、絶縁体２８、３０の両方にフィラー２８Ｄ、３０Ｄを含有させた樹脂を用いた場合には、絶縁体２８、３０間の面の全体にフィラーの密度の小さいまたはフィラーを実質的に含有しない樹脂層３３または樹脂層３４を設けることにより、絶縁体２８、３０間の密着力を確保することができる。
【００３１】
また、実施の形態１における弾性波装置２１は、内部にＩＤＴ電極２３が励振するための空間２６を有する弾性表面波フィルタであるが、内部に空間２６を有さない弾性境界波フィルタであっても同様の効果を有する。しかし、内部にＩＤＴ電極２３が励振するための空間２６を有する弾性波装置２１では、空間２６の形状を保持するための機械的強度および空間２６への水分の浸入を抑制することが必要なので、絶縁体２８を構成する樹脂２８Ｃにフィラー２８Ｄを含有させる必要性が高い。この場合に、絶縁体２８の上面２８Ｕ上にインダクタ電極２９を直接形成すると、インダクタ電極２９との表面の平滑性が損なわれてしまう。したがって、フィラーを含有しない樹脂層３３を絶縁体２８の上面２８Ｕとインダクタ電極２９との間に設けることで、インダクタ電極２９の高周波特性を確保することができる。
【００３２】
また、実施の形態１における弾性波装置２１においては、絶縁体２８および樹脂層３３は、液状の樹脂を塗布および硬化することによって形成するが、シート状の未硬化樹脂をラミネートして形成してもよい。この場合、絶縁体２８となるシート状樹脂と、樹脂層３３となるシート状樹脂を貼り合わせた構成のシート状の樹脂を用いて一括してラミネートして絶縁体２８と樹脂層３３とを形成しても良い。さらに、フィラーを含有する単一の樹脂シートを用いて、インダクタ電極２９に接する面のフィラーの密度を低くすることにより、絶縁体２８と樹脂層３３を構成しても良い。
【００３３】
図２Ａと図２Ｂは、実施の形態１における弾性波装置２１のインダクタ電極２９のインダクタンスの変化率を示す。天板電極２７の上面２７Ｕからインダクタ電極２９の下面２９Ｌまで距離Ｄ１だけ離れており、端子電極３１の下面３１Ｌからインダクタ電極２９の上面２９Ｕまでの距離Ｄ２だけ離れている弾性波装置２１のサンプルを準備する。そのサンプルにトランスファーモールドのモールド圧力に相当する７０ｂａｒの圧力を加える。図２Ａと図２Ｂは、その圧力を加える前のインダクタ電極２９のインダクタンスに対する、圧力を加えた後のインダクタンスの変化率を示す。
【００３４】
図２Ａは、距離Ｄ２を一定とし、距離Ｄ１を１０μｍから１２０μｍまで変化させたときのインダクタ電極２９のインダクタンスの変化率を示す。距離Ｄ１を１５μｍ以上にすることによりインダクタ電極２９のインダクタンスの変化率を１０％以下に抑制することができる。距離Ｄ１を５０μｍ以上にすることによりインダクタ電極２９のインダクタンスの変動を１％以下に抑制することができる。
【００３５】
図２Ｂは、距離Ｄ１を一定とし、距離Ｄ２を５μｍから９０μｍまで変化させたときのインダクタ電極２９のインダクタンスの変化率を示す、距離Ｄ２を１０μｍ以上にすることによりインダクタ電極２９のインダクタンスの変動を１０％以下に抑制することができる。さらに距離Ｄ２を３０μｍ以上にすることによりインダクタ電極２９のインダクタンスの変動を１％以下に抑制することができる。
【００３６】
弾性波装置２１に内蔵するインダクタ電極２９であるインダクタを、デュプレクサのグランド回路に接続するインダクタとして使用する場合、インダクタンスの変化率を１０％以下にする必要がある。このような用途では、天板電極２７の上面２７Ｕからインダクタ電極２９の下面２９Ｌまでの距離Ｄ１を１５μｍ以上にするとともに、端子電極３１の下面３１Ｌからインダクタ電極２９の上面２９Ｕまでの距離Ｄ２を１０μｍ以上にする。これにより、弾性波装置２１をトランスファーモールドのように高い圧力で樹脂モールドして使用する場合であってもインダクタ電極２９のインダクタンスの変動を抑えることができ、必要とする特性を得ることができる。
【００３７】
また、距離Ｄ１を５０μｍ以上にするとともに、距離Ｄ２を３０μｍ以上にすることにより、インダクタンスの変動を１％以下に抑制することができ、より精度の高いインダクタンス特性が得られる。
【００３８】
（実施の形態２）
図３Ａは本発明の実施の形態２における弾性波装置１１１の断面模式図である。弾性波装置１１１は、圧電基板１１２と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された複数のインタデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極１１３と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された配線電極１１４と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された側壁１１５と、側壁１１５の上面１１５Ｕ上に設けられた接着層１１７と、接着層１１７の上面１１７Ｕ上に設けられた天板電極１１８と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に設けられた絶縁体１１９と、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に配置されたインダクタ電極１２０と、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に設けられた絶縁体１２１と、絶縁体１２１の上面１２１Ｕ上に配置された端子電極１２２と、絶縁体１１９を貫通する接続電極１２３と、絶縁体１２１を貫通する接続電極１２４と、絶縁体１１９を貫通する接続電極１２５とを備える。配線電極１１４はＩＤＴ電極１１３に接続されている。側壁１１５はＩＤＴ電極１１３の周囲を囲む。接着層１１７はＩＤＴ電極１１３の上に形成された励振空間１１６を覆う。天板電極１１８は金属製である。絶縁体１１９は側壁１１５と接着層１１７と天板電極１１８とを覆う。絶縁体１２１は絶縁体１１９とインダクタ電極１２０とを覆う。接続電極１２３は配線電極１１４とインダクタ電極１２０とを電気的に接続する。接続電極１２４はインダクタ電極１２０と端子電極１２２とを電気的に接続する。接続電極１２５はインダクタ電極１２０と天板電極１１８とを電気的に接続する。側壁１１５と接着層１１７と絶縁体１１９、１２１とは、励振空間１１６を封止する絶縁体１２６を構成する。
【００３９】
図３Ｂは弾性波装置１１１の要部平面図であり、インダクタ電極１２０の平面図である。インダクタ電極１２０は、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に設けられた渦巻状に延びる金属等の導電材料よりなる導体帯よりなる。その導体帯は端部１２７から端部１２８まで延びている。端部１２７は渦巻形状の外周側に位置し、端部１２８は渦巻形状の中心側に位置する。
【００４０】
インダクタ電極１２０の端部１２７は接続電極１２３を介して配線電極１１４に接続されている。インダクタ電極１２０の端部１２８は接続電極１２４を介して端子電極１２２に接続され、かつ接続電極１２５を介して天板電極１１８に接続されている。
【００４１】
圧電基板１１２はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体単結晶からなる基板である。
【００４２】
圧電基板１１２の上面１１２Ｕにチタンの密着層を介してアルミニウムを主成分とする金属膜をスパッタリングにより形成し、その金属膜をフォトリソグラフ法によりドライエッチングしてパターニングすることによりＩＤＴ電極１１３および配線電極１１４を形成することができる。ＩＤＴ電極１１３は、互いに対向する櫛形電極を有し、圧電基板１１２の上面１１２Ｕに弾性波を励振するように配置されている。配線電極１１４は、ＩＤＴ電極１１３から引き出されて、弾性波装置１１１の回路を構成する。
【００４３】
側壁１１５は、感光性のポリイミド系樹脂を用いてフォトリソグラフにより形成され、ＩＤＴ電極１１３が励振する励振空間１１６を側面から封止する。
【００４４】
接着層１１７は、天板電極１１８を側壁１１５の上面１１５Ｕに接着し、ＩＤＴ電極１１３が励振する励振空間１１６を上方から封止する。
【００４５】
天板電極１１８は、側壁１１５の上面１１５Ｕ上に接着層１１７を介して銅箔を接着し、その銅箔に電気銅メッキすることによって形成する。天板電極１１８は、励振空間１１６を上方から封止する接着層１１７の機械強度を補強する。
【００４６】
接続電極１２３は、天板電極１１８を電気銅メッキすることにより形成する際に同時に配線電極１１４の上に電気銅メッキすることによって形成した柱状の電極であり、配線電極１１４とインダクタ電極１２０とを電気的に接続する。
【００４７】
接続電極１２５は、天板電極１１８の上面１１８Ｕ上に電気銅メッキにより形成した柱状の電極であり、天板電極１１８とインダクタ電極１２０とを電気的に接続する。
【００４８】
圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に形成した側壁１１５と天板電極１１８と接続電極１２３とを覆うように、シート状の熱硬化性のエポキシ系樹脂を軟化させてラミネートした後に、ラミネートしたエポキシ系樹脂を硬化する。その後に硬化したエポキシ系樹脂の上面を研削して形状を整えて、絶縁体１１９が得られる。この研削により同時に、接続電極１２３の上端面と接続電極１２５の上端面とを絶縁体１１９の上面１１９Ｕから露出させて、インダクタ電極１２０と接続電極１２３、１２５との接続を可能にする。絶縁体１１９は、ＩＤＴ電極１１３が励振する励振空間１１６を保持するための機械的強度と、水分の励振空間１１６内への浸入を抑制するために、エポキシ系樹脂等の樹脂１１９Ｃと、樹脂１１９Ｃに分散するにシリカ、マイカ、アルミナなどの絶縁体粒子であるフィラー１１９Ｄよりなる。絶縁体１１９は、液状のエポキシ系樹脂を塗布して硬化させ、上面を研削して形成することも可能である。
【００４９】
インダクタ電極１２０は、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上にフォトリソグラフにより形成された銅などの金属からなる電極であり、インダクタンスを形成するインダクタとして機能する。
【００５０】
絶縁体１２１は、絶縁体１１９とインダクタ電極１２０とを上から覆う感光性のエポキシ系樹脂よりなり、フィラーを含まない。液状の感光性のエポキシ系樹脂をスピンコートにより塗布した後、フォトリソグラフにより接続電極１２４が貫通する箇所を除いて感光・硬化させて絶縁体１２１を形成する。
【００５１】
接続電極１２４は、絶縁体１２１を貫通する金属製の柱状の電極であり、銅などのめっきにより形成し、インダクタ電極１２０と端子電極１２２とを電気的に接続する。
【００５２】
端子電極１２２は、絶縁体１２１の上面１２１Ｕに形成された金属製の電極であり、弾性波装置１１１の入出力端子およびグランド端子として機能する。
【００５３】
一般に弾性波装置１１１において、圧電基板１１２上のＩＤＴ電極１１３の配置により配線電極１１４に接続される接続電極１２３の位置は制限され、接続電極１２３は圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上の外周部に配置されることが多い。端子電極１２２は、その面積を大きくすることにより、端子電極１２２に接続される接続電極１２４の位置の制約を低減することができる。
【００５４】
実施の形態２における弾性波装置１１１では、インダクタ電極１２０の端部１２７が接続電極１２３を介して配線電極１１４に接続され、インダクタ電極１２０の端部１２８が接続電極１２４を介して端子電極１２２に接続される。これにより、インダクタ電極１２０を接続するための配線経路を最短化することができる。この構造により、追加の引き回し配線を必要とせず、小型でかつ抵抗損の低い弾性波装置１１１が得られる。
【００５５】
以上のように、実施の形態２における弾性波装置１１１は、圧電基板１１２と、圧電基板１１２上に設けられたＩＤＴ電極１１３と、圧電基板１１２上に設けられてＩＤＴ電極１１３に接続された配線電極１１４と、圧電基板１１２上においてＩＤＴ電極１１３と配線電極１１４とを封止する絶縁体１１９、１２１と、絶縁体１２６の中に設けられたインダクタ電極１２０と、絶縁体１２６の上に設けられた端子電極１２２とを備える。インダクタ電極１２０の端部１２７は接続電極１２３を介して配線電極１１４に接続される。インダクタ電極１２０の端部１２８は接続電極１２４を介して端子電極１２２に接続される。
【００５６】
この構成により、インダクタ電極１２０を接続するための配線経路を最短化することができ、小型の弾性波装置１１１を実現できる。また、インダクタ電極１２０に接続するための追加の引き回し配線を必要としないので抵抗損を低くすることができ、インダクタ電極１２０の良好なインダクタンス特性を得ることができる。
【００５７】
特に、インダクタ電極１２０の端部１２８を端子電極１２２の直下に配置することにより、インダクタ電極１２０の端部１２８と端子電極１２２を接続する接続電極１２４の配線長を最小化することができ、接続電極１２４に起因する抵抗損を最小化することができる。
【００５８】
また、インダクタ電極１２０の端部１２７を配線電極１１４の直上に配置することにより、インダクタ電極１２０の端部１２７と圧電基板１１２上の配線電極１１４を接続する接続電極１２３の配線長を最小化することができ、接続電極１２３に起因する抵抗損を最小化することができる。
【００５９】
また、実施の形態２における弾性波装置１１１は、圧電基板１１２と、圧電基板１１２上に設けられたＩＤＴ電極１１３と、圧電基板１１２上に設けられてかつＩＤＴ電極１１３に接続された配線電極１１４と、圧電基板１１２上においてＩＤＴ電極１１３と配線電極１１４とを封止する絶縁体１２６と、絶縁体１２６の中に設けられたインダクタ電極１２０と、絶縁体１２６の上に設けられた端子電極１２２と、絶縁体１２６の中に設けられてかつ配線電極１１４とインダクタ電極１２０とを接続する接続電極１２３と、インダクタ電極１２０と端子電極１２２とを接続する接続電極１２４とを備える。上から見てインダクタ電極１２０は、端子電極１２２の直下において、端子電極１２２の外縁の範囲内に収まる。
【００６０】
この構成により、インダクタ電極１２０は端子電極１２２によってカバーされるので、外力によるインダクタ電極１２０の変形を抑制することができ、インダクタ特性の変化を抑制することができる。弾性波装置１１１に外力が加わった場合に、ＩＤＴ電極１１３が励振するための励振空間１１６を覆う絶縁体１２６が励振空間１１６に向けて変形すると、絶縁体１２６の内部のインダクタ電極１２０が変形することによりインダクタ特性に変化が生じる。
【００６１】
特に、弾性波装置１１１を他の電子部品と共に実装基板８１１に実装した後に、トランスファーモールドにより樹脂モールドする場合には、トランスファーモールドするための条件が温度１７０〜１８０℃、圧力５０〜１００気圧という非常に厳しい環境に弾性波装置１１１がさらされる。その環境下で絶縁体１２６が大きく変形し、絶縁体１２６の中に設けられたインダクタ電極１２０の形状も同様に変形してインダクタの特性が大きく変化する。また、絶縁体１２６に樹脂材料を使用した場合には、この変形の程度が特に大きい。
【００６２】
図３Ａに示すように、インダクタ電極１２０を励振空間１１６の真上に設ける場合は、樹脂のモールド圧の影響による絶縁体１２６の変形量がより大きくなる。したがって、励振空間１１６の真上を回避してインダクタ電極１２０を設ける必要があり、インダクタ電極１２０の配置できる領域が制約される。
【００６３】
弾性波装置１１１は外部の実装基板８１１に実装されるように構成されている。実装基板８１１は実装電極８１２を有する。端子電極１２２は実装電極８１２にハンダ等の導電性接着剤８１３で固着されるように構成されている。したがって、実装基板８１１と導電性接着剤８１３によって補強されることにより外力による端子電極１２２の変形が極めて小さく、実装後にトランスファーモールドする場合であってもモールド圧力の影響は小さい。
【００６４】
実施の形態２における弾性波装置１１１では、インダクタ電極１２０の直上においてインダクタ電極１２０をカバーするように端子電極１２２を設ける。この構成によって、実装後に樹脂モールドした場合であっても、インダクタ電極１２０への外力による影響を小さくすることができ、インダクタの特性変化を著しく減少させることができるので、弾性波装置１１１の電気特性を安定化することができる。
【００６５】
またこれにより、圧電基板１１２内で、インダクタ電極１２０を形成する領域の制約が少なくなり、インダクタ電極１２０を形成する層数を増やすことなく、より大きなインダクタンスが得られる。したがって、インダクタを内蔵しても厚みの増加が少ない小型で薄い弾性波装置１１１を得ることができる。
【００６６】
さらに、実施の形態２における弾性波装置１１１では、絶縁体１２６の中に励振空間１１６の上方を覆う天板電極１１８が設けられ、天板電極１１８とインダクタ電極１２０の端部１２８とを接続する接続電極１２５が設けられる。これにより、外力の影響によるインダクタ電極１２０の電気特性への影響を少なくすることができる。すなわち、励振空間１１６の上方を覆う天板電極１１８によりインダクタ電極１２０の下方の部分の機械的強度を確保することができる。同時に、天板電極１１８とインダクタ電極１２０の端部１２８とを接続する接続電極１２５により、インダクタ電極１２０の位置を機械的に補強する。これによって、弾性波装置１１１を樹脂モールドする場合のように、弾性波装置１１１に大きな外力が加わっても、インダクタ電極１２０の変形をさらに少なくすることができ、インダクタ電極１２０の電気的特性の変動を抑制することができる。
【００６７】
また、実施の形態２における弾性波装置１１１では、側壁１１５と接着層１１７は励振空間１１６を覆う蓋体１７０を構成し、絶縁体１１９、１２１は蓋体１７０を圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上において封止する封止体１７１を構成する。絶縁体１２６は、蓋体１７０と封止体１７１とから構成される。接続電極１２３を蓋体１７０の外部に設けたことにより、接続電極１２３を形成する際に、蓋体１７０を貫通して接続電極１２３を形成する必要が無いので、簡略な製造工程で弾性波装置１１１を製造することができる。また、この構造により、インダクタ電極１２０の端部１２７と接続電極１２３とを接続する配線の引き回しを短くすることができるので、不要な電磁相互作用を低減するとともに小型の弾性波装置１１１を実現できる。
【００６８】
また、上記構成により、インダクタ電極１２０を接続するための配線経路を最小化することができ、引き回しのための追加の配線を必要としないので、抵抗損を低くできる。したがって、占有面積が圧電基板１１２と同程度の小型の弾性波装置１１１において、インダクタ電極１２０の良好なインダクタンス特性を得ることができる。
【００６９】
なお、実施の形態２においては、インダクタ電極１２０は渦巻形状であるが、メアンダ形状等、他の形状であってもよい。励振空間１１６の真上に配置されたインダクタ電極１２０の直上においてインダクタ電極１２０をカバーするように、実装基板８１１とハンダ付けされる端子電極１２２を設けておくことにより、外力に対して特性変化の少ない弾性波装置１１１を実現できる。
【００７０】
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態３における弾性波装置１９１の回路図である。図５は弾性波装置１９１の断面模式図である。図４と図５等の実施の形態３における図面において、図３Ａに示す実施の形態２における弾性波装置１１１と同じ構成部品は同じ参照番号を付す。
【００７１】
図４に示すように、弾性波装置１９１は送信フィルタ１２９と受信フィルタ１３０とを備えたデュプレクサである。送信フィルタ１２９の入出力端子は、不平衡の送信側信号端１３５Ａと、送信側グランド端１３５Ｂと、アンテナ端１３５Ｃである。受信フィルタ１３０の入出力端子は、平衡の受信側信号端１３５Ｄと、受信側グランド端１３５Ｅと、アンテナ端１３５Ｃである。受信フィルタ１３０では、２個の縦結合共振子型弾性波フィルタ１３１と１個の一端子対弾性波共振器１３２とが信号線路に直列に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ１３１の接地線路は天板電極１１８を経由して受信側グランド端１３５Ｅに接続される。送信フィルタ１２９は、一端子対弾性波共振器である直列腕共振器１３３と、一端子対弾性波共振器である並列腕共振器１３４とを有する。送信フィルタ１２９は、信号線路に直列に接続された５個の直列腕共振器１３３と、信号線路と接地線路との間に接続した３個の並列腕共振器１３４とから構成した梯子型回路からなる。送信側信号端１３５Ａに最も近い直列腕共振器１３３と送信側信号端１３５Ａとの間にインダクタ１３６Ａが直列に接続される。３個の並列腕共振器１３４の接地側と送信側グランド端１３５Ｂとの間にインダクタ１３６Ｂが接続される。そして、送信側グランド端１３５Ｂは天板電極１１８に接続されている。
【００７２】
図５に示すように、弾性波装置１９１は、圧電基板１１２と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された複数のＩＤＴ電極１１３と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された配線電極１１４Ｂ、１１４Ｅと、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に配置された側壁１１５と、側壁１１５の上面１１５Ｕ上に設けられた接着層１１７と、接着層１１７の上面１１７Ｕ上に設けられた天板電極１１８と、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に設けられた絶縁体１１９と、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に配置されたインダクタ電極１２０Ｂと、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に設けられた絶縁体１２１と、絶縁体１２１の上面１２１Ｕ上に配置された端子電極１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｅとを備える。配線電極１１４Ｂ、１１４ＥはＩＤＴ電極１１３に接続されている。側壁１１５はＩＤＴ電極１１３の周囲を囲む。接着層１１７は、ＩＤＴ電極１１３の上に形成された励振空間１１６を覆う。天板電極１１８は金属製である。絶縁体１１９は側壁１１５と接着層１１７と天板電極１１８とを覆う。絶縁体１２１は絶縁体１１９とインダクタ電極１２０Ｂを覆う。接続電極１２３Ｂは絶縁体１１９を貫通し配線電極１１４Ｂとインダクタ電極１２０Ｂの端部１２７Ｂとを電気的に接続する。接続電極１２４Ｂは絶縁体１２１を貫通し、インダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂと端子電極１２２Ｂとを電気的に接続する。接続電極１２５Ｂは絶縁体１１９を貫通し、インダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂと天板電極１１８とを電気的に接続する。接続電極１２３Ｅは絶縁体１１９を貫通し、配線電極１１４Ｅと天板電極１１８とを接続する。接続電極１２４Ｅは絶縁体１２１を貫通し、天板電極１１８と端子電極１２２Ｅとを接続する。側壁１１５と接着層１１７と絶縁体１１９、１２１とは、励振空間１１６を封止する絶縁体１２６を構成している。
【００７３】
図６は弾性波装置１９１の圧電基板１１２の平面図である。弾性波装置１９１では、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上に送信フィルタ１２９と受信フィルタ１３０とが設けられている。受信フィルタ１３０は、直列に接続された２個の縦結合共振子型弾性波フィルタ１３１と１個の一端子対弾性波共振器１３２とを備える。送信フィルタ１２９は、信号線路に直列に接続された５個の一端子対弾性波共振器である直列腕共振器１３３と、信号線路と接地線路との間に接続された３個の一端子対弾性波共振器である並列腕共振器１３４とを有する梯子型回路からなる。配線電極１１４Ａは送信フィルタ１２９の入力側配線であり、接続電極１２３Ａが接続される。配線電極１１４Ｂは送信フィルタ１２９のグランド配線であり、接続電極１２３Ｂが接続される。配線電極１１４Ｃは送信フィルタ１２９と受信フィルタ１３０の共通配線であり、接続電極１２３Ｃが接続される。配線電極１１４Ｄは受信フィルタ１３０の出力側配線であり、接続電極１２３Ｄが接続される。配線電極１１４Ｅは受信フィルタ１３０の接地側配線であり、接続電極１２３Ｅに接続される。
【００７４】
図７Ａは弾性波装置１９１の要部平面図である。絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上にインダクタ電極１２０Ａ、１２０Ｂが設けられている。インダクタ電極１２０Ａは、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に設けられた渦巻形状に延びる金属等の導電材料よりなる導体帯よりなる。その導体帯は端部１２７Ａから端部１２８Ａまで延びている。端部１２７Ａは渦巻形状の外周側に位置し、端部１２８Ａは渦巻形状の中心側に位置する。インダクタ電極１２０Ｂは、絶縁体１１９の上面１１９Ｕ上に設けられた渦巻状に延びる金属等の導電材料よりなる導体帯よりなる。その導体帯は端部１２７Ｂから端部１２８Ｂまで延びている。端部１２７Ｂは渦巻形状の外周側に位置し、端部１２８Ｂは渦巻形状の中心側に位置する。インダクタ電極１２０Ａ、１２０Ｂはインダクタンスを形成するインダクタとして機能する。具体的には、インダクタ電極１２０Ａは、図４に示すインダクタ１３６Ａである。インダクタ電極１２０Ａの端部１２７Ａの下面には接続電極１２３Ａが接続される。インダクタ電極１２０Ａの端部１２８Ａの上面には接続電極１２４Ａが接続される。インダクタ電極１２０Ｂは、図４に示すインダクタ１３６Ｂである。インダクタ電極１２０Ｂの端部１２７Ｂの下面には接続電極１２３Ｂが接続される。インダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂの上面には接続電極１２４Ｂが接続される。インダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂの下面には接続電極１２５Ｂが接続される。
【００７５】
図７Ｂは弾性波装置１９１の要部平面図である。絶縁体１２１の上面１２１Ｕ上には端子電極１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、１２２Ｄ、１２２Ｅが設けられている。端子電極１２２Ａは図４に示す送信側信号端１３５Ａである。端子電極１２２Ｂは図４に示す送信側グランド端１３５Ｂである。端子電極１２２Ｃは図４に示すアンテナ端１３５Ｃである。端子電極１２２Ｄは図４に示す受信側信号端１３５Ｄである。端子電極１２２Ｅは図４に示す受信側グランド端１３５Ｅである。端子電極１２２Ａの下面には接続電極１２４Ａが接続され、インダクタ電極１２０Ａと接続電極１２３Ａを経由して、送信フィルタ１２９の入力側配線である配線電極１１４Ａに接続される。端子電極１２２Ｂの下面には接続電極１２４Ｂが接続され、端子電極１２２Ｂはインダクタ電極１２０Ｂと接続電極１２３Ｂを経由して、送信フィルタ１２９のグランド配線である配線電極１１４Ｂに接続される。また、端子電極１２２Ｂは、接続電極１２４Ｂとインダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂと接続電極１２５Ｂを経由して天板電極１１８にも接続される。端子電極１２２Ｃの下面は接続電極１２４Ｃが接続され、端子電極１２２Ｃは接続電極１２３Ｃを経由して、送信フィルタ１２９と受信フィルタ１３０の共通配線である配線電極１１４Ｃに接続される。端子電極１２２Ｄの下面は接続電極１２４Ｄが接続され、端子電極１２２Ｄは接続電極１２３Ｄを経由して、受信フィルタ１３０の出力側配線である配線電極１１４Ｄに接続される。端子電極１２２Ｅの下面は接続電極１２４Ｅが接続され、天板電極１１８と接続電極１２３Ｅを経由して、受信フィルタ１３０の接地側配線である配線電極１１４Ｅに接続される。
【００７６】
以上のように、実施の形態３における弾性波装置１９１では、圧電基板１１２の上面１１２Ｕ上において梯子型弾性波フィルタが構成されている。インダクタ電極１２０Ｂが、梯子型弾性波フィルタの並列腕共振器１３４と送信側グランド端１３５Ｂとの間に接続されている。これにより、小型の弾性波装置１９１において、並列腕共振器１３４にインダクタ１３６Ｂが接続された梯子型フィルタ回路を実現できる。
【００７７】
この梯子型弾性波フィルタにおいて、並列腕共振器１３４と送信側グランド端１３５Ｂとの間に接続したインダクタ１３６Ｂのインダクタンスが変動すると低域側の減衰極が移動し、フィルタ特性に大きな影響を及ぼす。特に、インダクタ電極１２０Ａ、１２０Ｂは、直列腕共振器１３３や並列腕共振器１３４のＩＤＴ電極１１３の真上に位置している。したがって、絶縁体１１９、１２１が外力を受けた場合に励振空間１１６に向けて変形するので、インダクタ電極１２０Ａ、１２０Ｂに大きく影響する。そこで、図５と図７Ａと図７Ｂに示すように、ＩＤＴ電極１１３の真上に位置するインダクタ電極１２０Ｂは、送信側グランド端１３５Ｂの端子電極１２２Ｂの直下にあり、上から見て端子電極１２２Ｂの外縁内に収まる。
【００７８】
図５に示すように、弾性波装置１９１は、外部の実装基板９１１に実装されるように構成されている。実装基板９１１は実装電極９１２Ｂ、９１２Ｃ、９１２Ｅを有する。端子電極１２２Ｂは、実装電極９１２Ｂにハンダ等の導電性接着剤９１３Ｂで固着されるように構成されている。端子電極１２２Ｂは実装基板９１１と導電性接着剤９１３Ｂによって補強されることにより外部応力による変形は小さい。そのため、外力によるインダクタ電極１２０Ｂの変形を抑制することができ、インダクタンスを安定化することができ、梯子型弾性波フィルタのフィルタ特性を安定化することができる。同様に、端子電極１２２Ｃ、１２２Ｅは、実装電極９１２Ｃ、９１２Ｅにハンダ等の導電性接着剤９１３Ｃ、９１３Ｅでそれぞれ固着されるように構成されている。端子電極１２２Ｃ、１２２Ｅは実装基板９１１と導電性接着剤９１３Ｃ、９１３Ｅによって補強されることにより外部応力による変形は小さい。そのため、弾性波装置１９１の変形を抑制することができ、その特性を安定化することができる。
【００７９】
また、弾性波装置１９１は、圧電基板１１２の上において梯子型フィルタ回路を構成し、インダクタ電極１２０Ａが、梯子型フィルタ回路の直列腕共振器１３３と送信側信号端１３５Ａとの間に接続されている。これにより、小型の弾性波装置１９１において、直列腕共振器１３３に直列にインダクタ１３６Ａを接続した梯子型フィルタ回路を実現することができる。
【００８０】
また、実施の形態３における弾性波装置１９１は、受信フィルタ１３０と、梯子型回路を含む送信フィルタ１２９とを備える。受信フィルタ１３０のグランド側の配線電極１１４Ｅは、天板電極１１８を経由して受信側グランド端１３５Ｅの端子電極１２２Ｅに接続される。送信フィルタ１２９の並列腕共振器１３４のグランド側の配線電極１１４Ｂは、接続電極１２３Ｂを介してインダクタ電極１２０Ｂの端部１２７Ｂに接続される。インダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂは、接続電極１２４Ｂを介して送信側グランド端１３５Ｂの端子電極１２２Ｂに接続される。接続電極１２５Ｂは天板電極１１８とインダクタ電極１２０Ｂの端部１２８Ｂとを接続する。
【００８１】
このように、天板電極１１８を受信側の共通グランド電極として使用すると伴に、天板電極１１８と送信側のグランド端１３５Ｂとを接続電極１２５Ｂにより接続する。これにより、送信側と受信側のグランドを強化することができ、送信フィルタ１２９と受信フィルタ１３０のアイソレーションを向上することができ、特性の良好なデュプレクサを得ることができる。
【００８２】
実施の形態１〜３において、「上面」「下面」「真上」「真下」等の方向を示唆する用語は圧電基板やＩＤＴ電極等の弾性波装置の構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明に係る弾性波装置は、極めて小型ながら内蔵するインダクタの高周波電気特性を良好に確保するもので、主として移動体通信機器に使用される弾性波装置において有用となる。
【符号の説明】
【００８４】
２１    弾性波装置
２２    圧電基板
２３    ＩＤＴ電極
２４    配線電極
２５    側壁
２６    空間
２７    天板電極
２８    絶縁体（第１の絶縁体）
２８Ｃ    樹脂（第１の樹脂）
２８Ｄ    フィラー（第１のフィラー）
２９    インダクタ電極
３０    絶縁体（第２の絶縁体）
３０Ｃ    樹脂（第２の樹脂）
３０Ｄ    フィラー（第２のフィラー）
３１    端子電極
３２    接続電極
３３    樹脂層（第１の樹脂層）
３４    樹脂層（第２の樹脂層）
１１１，１９１    弾性波装置
１１２    圧電基板
１１３    ＩＤＴ電極（第１のＩＤＴ電極、第２のＩＤＴ電極）
１１４，１１４Ａ，１１４Ｂ，１１４Ｃ，１１４Ｄ，１１４Ｅ    配線電極
１１６    励振空間
１１８    天板電極
１１９    絶縁体（第１の絶縁体）
１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ    インダクタ電極
１２１    絶縁体（第２の絶縁体）
１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ，１２２Ｄ，１２２Ｅ    端子電極（第１の端子電極、第２の端子電極）
１２３，１２３Ａ，１２３Ｂ    接続電極（第１の接続電極）
１２４，１２４Ａ，１２４Ｂ    接続電極（第２の接続電極）
１２５，１２５Ｂ    接続電極（第３の接続電極）
１２６    絶縁体
１２７，１２７Ａ，１２７Ｂ    端部（第１の端部）
１２８，１２８Ａ，１２８Ｂ    端部（第２の端部）
１２９    送信フィルタ
１３０    受信フィルタ
１３４    並列腕共振器
１７０    蓋体
１７１    封止体
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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