(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された少なくとも１つの半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置であって、
前記少なくとも１つの半導体チップはその中心が前記バンプ配列のピッチの１ピッチ以上半導体装置叉は前記配線基板の中心からシフトして搭載され、
前記バンプ配列は前記少なくとも１つの半導体チップのシフト方向で前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造を有し、前記バンプ配列の中心がバンプ配列のピッチの１ピッチ以上前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から前記少なくとも１つの半導体チップのシフト方向にシフトされていることを特徴とするボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列はダミーバンプ列からなること特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列のバンプは前記配線基板の凹凸形状を有するランドに固定されていることを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列を構成するバンプは他の位置のバンプ列のバンプよりサイズの大きいバンプで形成されていることを特徴とする請求項１記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項５】
配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された複数の半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置であって、
前記複数の半導体チップの少なくとも1つは前記バンプ配列のピッチの１ピッチ以上半導体装置叉は前記配線基板の中心からチップの中心がシフトして搭載され、
前記バンプ配列は前記半導体チップのシフト方向で前記半導体装置叉は前記配線基板の中心からから最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造を有し、前記バンプ配列の中心がバンプ配列のピッチの１ピッチ以上前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から前記半導体チップのシフト方向にシフトされており、
前記複数の半導体チップは前記複数の半導体チップの各々が前記配線基板から積層方向に離れるほど前記半導体装置叉は前記配線基板の中心からシフトした積層構造を有することを特徴とするボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列はダミーバンプ列からなること特徴とする請求項５記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列が前記配線基板の凹凸形状を有するランドに固定されていることを特徴とする請求項５記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置叉は前記配線基板の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列を構成するバンプは他の位置のバンプ列のバンプよりサイズの大きいバンプで形成されていることを特徴とする請求項５記載のボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置。
【請求項９】
配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置の製造方法であって、
所定の間隔で配置された複数の配線基板領域を有する配線母基板を用意する工程と、
前記配線母基板の前記配線基板領域のそれぞれ一方の面に前記半導体装置叉は前記配線基板領域の中心となる位置に対して１方向にシフトさせて配置された半導体チップが形成されたチップ搭載配線母基板を形成する工程と、
前記チップ搭載配線母基板の前記各配線基板領域の前記半導体チップに対し前記１方向にシフトさせて別の半導体チップを積層させマルチチップ配線母基板を形成する工程と、
前記マルチチップ配線母基板の半導体チップを覆って封止配線母基板を形成する工程と、
前記封止配線母基板の前記各配線基板領域の前記半導体チップの配置された面と反対の面に前記シフト方向において前記半導体装置叉は前記配線基板領域の中心となる位置から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造を有するバンプ配列であって、前記バンプ配列の中心がバンプ配列のピッチの１ピッチ以上前記半導体装置叉は前記配線基板領域の中心から前記半導体チップのシフト方向にシフトされた前記バンプ配列を形成するバンプ搭載配線母基板を形成する工程と、
前記バンプ搭載配線母基板から前記各配線基板領域を切り出すダイシングする工程と、
を含むボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に係り、特に、半導体装置の外部端子となるバンプのうち特に熱応力によるストレスが加わるバンプ列の強度の改良を図った半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、配線基板の一面に半導体チップが搭載され、他面にバンプが配列された構造が広く知られている。このような構造の半導体装置を実装基板に配置して使用すると、配線基板と実装基板の熱膨張係数の違いによって、熱応力がバンプに加わり、破断を起こすなど接続不良を生ずる場合がある。
【０００３】
特に、ワイヤーボンドのスペースを確保するために、半導体チップが配線基板の中央部からシフトされて搭載された半導体装置では、その構造の非対称性から、中央部からシフト方向に遠い位置のバンプ列により大きな熱応力が加わる。これを、図１０及び図１１に示すチップを複数搭載したBGA半導体装置について説明する。
【０００４】
半導体装置の実装温度サイクル評価では、半導体装置を構成する配線基板２とチップ６の熱膨張係数（α）の差や、半導体装置と図示しない実装基板のαの差によって発生する応力の影響ではんだボールなどのバンプ破断が発生する。この破断は、主に、半導体装置の略格子状バンプ配列の中で最も大きく応力を受ける四隅コーナーに配置されるバンプ５やチップコーナー下のバンプ５−１で発生することが多い。
【０００５】
この様子をさらに説明すると、チップのシフト方向（図１０のA側）には、例えば、シリコン等の低αのチップ６が集中し、エポキシ樹脂等のシリコンより大きなαである配線基板２や封止体１０とのα差が大きくなる。そのため、チップのシフト方向（図１０のA側）の下に配置されているバンプ５は他の場所に配置されているバンプ５に比べてαの差によって発生する応力を大きく受ける。特にチップのシフト方向の中心から最も遠い所に位置するバンプ列５−１は著しく大きな応力を受ける。その結果、この部分でのバンプ破断が起こり易くなり、バンプの寿命が低下して半導体装置そのものの寿命を低下させることになる。
【０００６】
図１２に示すように、特開２００１−２１０７４９号公報（特許文献１）は、バンプの接続強度を高めるため配線基板の四隅コーナー部のバンプのサイズを大とする配線基板を開示している。
【０００７】
また、図１３に示すように、特開平０９−１６２５３１号公報（特許文献２）は、バンプの外周縁の配置の輪郭を基板中央に対して同心円状に配置し特定のバンプに応力が集中して破断するのを防止するバンプ配列構造を開示している。
【０００８】
これら従来技術は、略格子状バンプ配列の四隅コーナー部のバンプ破断に対して一定の効果はあるものと考えるが、その効果は十分なものではない。それは、応力が集中してバンプ破断が起こりやすいのは、必ずしも半導体装置の四隅コーナーだけではないからである。
【０００９】
特開２００５−１８３９３４号公報（特許文献３）は、上下チップ間がバンプ接続され、上チップをシフトして配置しているマルチチップ半導体装置において、上チップの重心を上下チップ間の接続バンプ領域内にする事により、上下チップの接続性の向上を図っている。しかし、半導体装置内の上下チップ間のバンプ接続性が向上できても、半導体装置と実装基板間のバンプ接続性向上に対する対策を開示するものではない。
【００１０】
バンプ接続を補強する他の公知例として、特開２０００−１３８４４７号公報（特許文献４）は、実装基板側のランドを凸凹型にする構造を開示している。また、特開２００４−０７９５５９号公報（特許文献５）は、バンプ配列を半ピッチずつずらすことでバンプ間隔を狭くし高密度配置する技術を開示している。
【００１１】
特開平１０−０１２６２０号公報（特許文献６）は、バンプ配列の外周部に補助バンプとして大径バンプやダミーバンプを設置する構造を開示している。
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−２１０７４９号公報
【特許文献２】特開平０９−１６２５３１号公報
【特許文献３】特開２００５−１８３９３４号公報
【特許文献４】特開２０００−１３８４４７号公報
【特許文献５】特開２００４−０７９５５９号公報
【特許文献６】特開平１０−０１２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述の関連技術は、何れも、チップが配線基板上の一方にシフト配置されることによって生ずるバンプへの偏った応力集中に伴う特定のバンプ破壊に対する対策とはいえない。
【００１４】
したがって、本発明は、半導体チップが配線基板の中央部からシフトされて搭載された半導体装置における配線基板のバンプ構造を改良した半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置であって、前記半導体チップはその中心が前記バンプ配列のピッチの１ピッチ以上半導体装置の中心からシフトして搭載され、前記バンプ配列は前記半導体チップのシフト方向で前記半導体装置の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造とを有することを特徴とするボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置が得られる。
【００１６】
望ましくは、補強構造は、前記半導体チップのシフト方向にある前記最も半導体装置中心から遠い場所に位置するバンプ列の外側にダミーバンプを形成した構造とする。
【００１７】
補強構造は、バンプ配列のピッチの１ピッチ以上半導体装置の中心から前記半導体チップのシフト方向に前記バンプ配列がシフトされ構造でもよい。
【００１８】
また、補強構造は、前記半導体チップのシフト方向に前記最も半導体装置中心から遠い場所に位置するバンプ列が固定される前記配線基板のランドが凹凸形状を有するようにしてもよい。
【００１９】
補強構造は、前記半導体チップのシフト方向にある前記最も半導体装置中心から遠い場所に位置するバンプ列を構成するバンプは他の位置のバンプ列のバンプよりサイズの大きいバンプで形成されようにしてもよい。
【００２０】
本発明の第２の視点によれば、配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置であって、前記バンプ配列のピッチの１ピッチ以上半導体装置の中心から中心がシフトして搭載された複数の半導体チップと、前記バンプ配列は前記半導体チップのシフト方向で前記半導体装置の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造とを有し、前記複数の半導体チップは前記配線基板から離れるほど前記半導体装置の中心からシフトした積層構造を有することを特徴とするボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置が得られる。
【００２１】
また、本発明の他の視点によれば、配線基板と、前記配線基板の一面側に配置された半導体チップと、前記配線基板の前記一面側と対向する面側に配置された外部端子となるバンプ配列とを有するボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置の製造方法であって、所定の間隔で配置された複数の配線基板領域を有する配線母基板を用意する工程と、前記配線母基板の前記配線基板領域のそれぞれ一方の面に半導体装置の中心となる位置に対して１方向にシフトさせて配置された半導体チップが形成されたチップ搭載配線母基板を形成する工程と、前記チップ搭載配線母基板の前記各配線基板領域の半導体チップに対し前記１方向にシフトさせて別の半導体チップを積層させマルチチップ配線母基板を形成する工程と、前記マルチチップ配線母基板の半導体チップを覆って封止配線母基板を形成する工程と、前記封止配線母基板の前記各配線基板領域の前記半導体チップの配置された面と反対の面に前記シフト方向において前記半導体装置の中心となる位置から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造を有するバンプ配列を形成するバンプ搭載配線母基板を形成する工程と、前記バンプ搭載配線母基板から前記各配線基板領域を切り出すダイシングする工程とを含むボールグリッドアレイ（BGA）型半導体装置の製造方法が得られる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、チップが大きく片側にシフトした構造の半導体装置において、バンプ配列は半導体チップのシフト方向で半導体装置の中心から最も遠い場所に位置するバンプ列に対する補強構造を有するので、特定のバンプへのダメージ集中を緩和、もしくはダメージ部分の強化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明の実施例１の半導体装置の断面図である。図２は、図１の半導体装置を端子面側から見た平面図である。
【００２５】
実施例１の半導体装置１は、略四角形の配線基板２を有している。配線基板は例えば０．２５ｍｍ厚のガラスエポキシ基板であり、所定の配線が形成されている。配線基板の一面には、複数の接続パッド３が形成されている。また配線基板の他面には、複数のランド４が形成されている。そして接続パッド３とこれに対応するランド４とは配線基板２の配線により電気的に接続されている。また複数のランド４には、それぞれ外部端子となる例えば半田ボール等のバンプ５がそれぞれ搭載されている。
【００２６】
図１では、表示の複雑さを避けるために、配線基板２の端子面側のランド及びバンプの数を実際の場合より大幅に少なくして簡略表示している。しかし、実際には、外部端子５は図２に示すように所定の間隔（ピッチ）で略格子状に配置され、その数は、この例では、バンプの補強構造も含めると上下方向に８個ずつ、左右方向に９個ずつ配置されている。
【００２７】
また前記配線基板２の一面には、半導体チップ６が絶縁性接着剤となる例えばDAF７(ダイアタッチフィルム)を介して複数固定されているが、チップ６と配線基板２を結ぶワイヤ９のスペースを確保するために、半導体装置１の中心から片方（図１、２のA側）に大きく（バンプ配列の１ピッチ以上）シフトして配置されているチップ６も存在する。半導体チップ６は、一面に例えば論理回路や記憶回路等が形成されている。また半導体チップ６の周辺近傍位置には複数の電極パッド８が形成されている。
【００２８】
半導体チップ６の電極パッド８は、それぞれ対応する配線基板２の接続パッド３と導電性のワイヤ９により結線されることで、電気的に接続されている。ワイヤ９は例えばAu、Cu等からなる。
【００２９】
そして配線基板２の一面には、半導体チップ６及びワイヤ９を覆うように封止体１０で覆われている。封止体１０は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。
【００３０】
次に封止部の形成された前記配線基板２は、もう片方の一面に形成されたランド４の上に半田ボール等のバンプ５が搭載されている。バンプは、外部端子として図２に示すように所定の間隔で略格子状に配置されている。
【００３１】
本実施例では図１、図２に記載の通り、半導体チップ６のシフト方向（図１、２のA側）にあって、最も応力が集中する部分に配置されている中心から最も遠い最外のバンプ列５−１について、さらにシフト方向側にダミーバンプ列５−２を追加配置することでバンプ列５−１に集中する応力を緩和し、バンプ列５−１の寿命を長くできる構造にしている。これにより半導体装置としての寿命を向上させることが可能となる。なお、ダミーバンプ列は、補強のためのもので、半導体チップとの電気的接続のためのものではない。したがってダミーチップは半導体チップとは電気的に接続される必要はない。
【００３２】
この実施例の配線基板と半導体チップとバンプ配列の関係をさらに説明すると、格子状のバンプ配列は、矩形状の格子点にバンプが配列されており、第１の配列方向が略４角形の配線基板の第１の辺とほぼ平行で、第１の配列方向と直交する第２の配列方向は、配線基板の第１の辺と直行する第２の辺とほぼ平行な位置関係にある。また、半導体チップは、ほぼ矩形で、その互いに直交する辺はそれぞれ、配線基板の第１の辺と第２の辺にそれぞれ平行に配置される。
【００３３】
図３により、実施例１の半導体装置の製造方法を説明する。
【００３４】
実施例１の半導体装置の製造に用いる配線母基板は、ガラスエポキシ基材からなる基板であり、複数の製品形成領域を有している。製品形成領域はマトリックス配置されており、それぞれの製品形成領域間にはダイシングラインが形成されており、ダイシングラインで切断することにより、半導体装置の配線基板２となる部位である。製品形成領域は、前述した半導体装置の配線基板２と同様の構造であり、一面の半導体チップ６の搭載される部位の周囲には複数の接続パッド３が形成されており、他面側には格子状に配置された複数のランド４が形成されている。前記接続パッド３とそれと対応するランド４とは配線等を介して電気的に接続されている。また、ランド４は、基板作成時に所定の場所に例えば半田ボールからなるバンプが形成できるように配置されている。すなわち、接続パッド、ランドが形成された製品形成領域が多数形成された配線母基板が準備される。
【００３５】
配線母基板はダイボンディング工程に移行され、次に図３（ａ）−１に示すように、それぞれの製品形成領域の中央領域に半導体チップ６が搭載される。半導体チップ６は図示しないダイボンディング装置により、例えば絶縁性の接着剤DAF７(ダイアタッチフィルム)を介して製品形成領域に固着される。
【００３６】
次に、ワイヤボンディング工程に移行され、図３（ｂ）−１に示すように半導体チップ６上の電極パッド８とそれに対応する配線基板２の接続パッド３とを、例えばAu等からなる導電性のワイヤ９により結線する。ワイヤボンディングは、図示しないワイヤボンディング装置により、溶融され先端にボールが形成されたワイヤを電極パッド８に超音波熱圧着し、その後、所定のループ形状を描きながら後端を配線基板の接続パッド３上に超音波熱圧着により接続することで行われる。全ての電極パッド８と接続パッド３とをワイヤ９にて結線する。
【００３７】
マルチチップ構造については、ダイボンディング工程とワイヤボンディング工程を複数回行い、チップ６を所定の枚数、所定の位置に搭載を行い、所定のチップ上の電極バッドと所定のチップ上の電極パッド、もしくは配線母基板上の接続パッド３のワイヤ接続を行う。チップ３枚を積層する例では、図３（ａ）−１と図３（ｂ）−１の後、図３（ａ）−２、図３（ｂ）−２、図３（ａ）−３、図３（ｂ）−３の順番でダイボンディングとワイヤボンディングを繰り返す。
【００３８】
他の製法として、前記ダイボンディング工程を所定のチップ枚数分だけ先に実施しダイボンディング工程を全て完了させた後、前記ワイヤボンディング工程をまとめて行ってもよい。この製法の場合は、ワイヤボンディング実施済みのワイヤを２枚目以降のダイボンディング作業で破損する製造不良の発生を抑えられ、また、ダイボンディング及びワイヤボンディング作業をそれぞれ連続実施することで装置設定時間の短縮をはかることができる。
【００３９】
次に、ダイボンディングとワイヤボンディングの完了した配線母基板は、モールド工程に移行される。モールド工程では、図示しないトランスファモールド装置の上型と下型により配線母基板を型閉めした状態で、溶融された封止樹脂、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等を充填させ、充填させた状態でキュアすることで、封止樹脂が熱硬化し、図３（ｃ）に示すように複数の製品形成領域を一括的に覆う封止部が形成される。一括モールドを用いたことにより、効率よく封止体１０を形成することができる。
【００４０】
次に、封止部の形成された配線母基板は、ボールマウント工程に移行される。ボールマウント工程では、図１３（ｄ）に示すように配線母基板の他面のランド４上に半田ボール５を搭載されることで、外部端子が形成される。ボールマウント工程は、例えばボールマウンターのマウントツール２１により半田ボール５を真空吸着し、フラックスを介して半田ボール５を配線基板のランド４上に搭載する。その後、配線母基板をリフローすることで、半田ボール５がランド４上に接続されバンプ５が形成される。
【００４１】
次に、前記半田ボールの搭載された配線母基板は、基板ダイシング工程に移行される。基板ダイシング工程では、図３（ｅ）に示すように封止部をダイシングテープ２３に貼着固定し、高速回転のダイシングブレード２２により、配線母基板のダイシングラインを回転研削することで、個々の製品形成領域毎に切断・分離する。その後、ダイシングテープ２３からピックアップすることで、図１、２に示すような半導体装置が得られる。
【実施例２】
【００４２】
図４は、実施例２を示す断面図、第５図は、図４の半導体装置を下方から見た平面図である。図４では、表示の複雑さを避けるために、配線基板２の端子面側のランド及びバンプの数を実際の場合より大幅に少なくして簡略表示しているが、実際には、図５に示すように上下方向に８個ずつ、左右方向に８個ずつマトリックス状にバンプが配置されている。
【００４３】
図４、及び図５を参照すると、この実施例では、半導体チップ６のシフト方向（バンプ配列の１ピッチ以上）にあって、最も応力が集中する部分に配置されている中心から最も遠いバンプ列５−１についての応力を緩和するために、バンプの配列全体を半導体装置１の中心からチップのシフト方向と同一方向にバンプ配列の１ピッチ以上シフトして設計している。チップシフトによる応力の偏り部分に接続バンプ数が増えることにより応力を分散、緩和する事ができ、最外バンプ列５−１の寿命の向上と、半導体装置としての寿命を向上することが可能になる。
【実施例３】
【００４４】
図６は、実施例３を示す断面図、第７図は、図６の半導体装置を下方から見た平面図である。
【００４５】
図６では、表示の複雑さを避けるために、配線基板２の端子面側のランド及びバンプの数を実際の場合より大幅に少なくして簡略表示しているが、実際には、図７に示すように上下方向に8個ずつ、左右方向に８個ずつマトリックス状にバンプが配置されている。
【００４６】
図６、及び図７を参照すると、この実施例では、半導体チップ６のシフト方向（バンプ配列の１ピッチ以上）にあって、最も応力が集中する部分に配置されている中心から最も遠いバンプ列５−１に対応するランド４−１に凹凸を形成している。これにより、ランド４−１とバンプ５−１の接合強度を高めることが可能となり、最外バンプ列５−１の寿命の向上と、半導体装置としての寿命を向上することが可能になる。
【実施例４】
【００４７】
図８は、実施例４を示す断面図、第９図は、図８の半導体装置を下方から見た平面図である。
【００４８】
図８では、表示の複雑さを避けるために、配線基板２の端子面側のランド及びバンプの数を実際の場合より大幅に少なくして簡略表示しているが、実際には、図９に示すように上下方向に８個ずつ、左右方向に８個ずつマトリックス状にバンプが配置されている。
【００４９】
図８、及び図９を参照すると、この実施例では、半導体チップ６のシフト方向（バンプ配列の１ピッチ以上）にあって、最も応力が集中する部分に配置されている中心から最も遠いバンプ列５−１について、ランド４−３とバンプ５−３を大他のランドとバンプより大きく形成している。ランド４−３とバンプ５−３の接合強度と、バンプと実装基板側の接合強度を高めることが可能となり、前記最外バンプ列５−１の寿命の向上と、半導体装置としての寿命を向上することが可能になる。
【００５０】
上述のようにいくつかの実施例について説明してきたが、本発明は、はんだ印刷によるプリコート、ハーフバンプや、フリップチップのバンプなどのあらゆる接合部に適応することができる。
【００５１】
また、半導体チップは半導体装置の中心に対してシフトを行っていれば枚数は問わない。
【００５２】
また、上記実施例ではシフト方向の最外バンプ列に対してしか補強を実施してないが、最外列から２列目、３列目のバンプ列にまで適応してもよく、より半導体装置の寿命向上効果が望める。
【００５３】
本発明は、特に、MCP（マルチチップパッケージ）のように、チップが大きく片側にシフトした構造の半導体装置において、偏ったバンプへのダメージ集中を緩和、もしくはダメージ部分の強化による半導体装置自体の信頼性向上が見込める。
【００５４】
また、本発明は、ダメージ集中部への補強構造であるため、配線基板のバンプ搭載面における必要な面積が従来製品のままでよく、部分改良だけで対応できる。その為、サイズが異なる様な大幅な変更を伴う新規PKG開発を必要とせず、開発費などの費用を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１の半導体装置の断面図である。
【図２】図１の半導体装置をその下側から見た平面図である。
【図３】第１の実施例の半導体装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施例２の半導体装置の断面図である。
【図５】図４の半導体装置をその下側から見た平面図である。
【図６】本発明の実施例３の半導体装置の断面図である。
【図７】図６の半導体装置をその下側から見た平面図である。
【図８】本発明の実施例４の半導体装置の断面図である。
【図９】図８の半導体装置をその下側から見た平面図である。
【図１０】関連技術を示す半導体装置の断面図である。
【図１１】図１０の下側から見た半導体装置の平面図である。
【図１２】従来技術を示す配線基板のバンプ配列を示す平面図である。
【図１３】別の従来技術を示す配線基板のバンプ配列を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  半導体装置
２  配線基板
３  接続パッド
４  ランド
５  バンプ、半田ボール
５−１  最外のバンプ列
５−２  ダミーバンプ列
６  チップ
７  ダイアタッチフィルム
８  電極パッド
９  ワイヤ
１０  封止体
【図１】
0005538682.tif 000002
【図２】
0005538682.tif 000003
【図３】
0005538682.tif 000004
【図４】
0005538682.tif 000005
【図５】
0005538682.tif 000006
【図６】
0005538682.tif 000007
【図７】
0005538682.tif 000008
【図８】
0005538682.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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