(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトに互いに絶縁状態で交差した第１中心電極及び第２中心電極を配置し、
第１中心電極の一端は、第１整合容量を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第１ポート及び平衡第１ポートに接続され、
第１中心電極の他端はグランドに接続され、
第２中心電極の一端は、互いに並列に接続されている第２整合容量と終端抵抗を介してグランドに接続されるとともに、平衡第２ポートに接続され、
第２中心電極の他端はグランドに接続され、
さらに、グランドに接続された不平衡第２ポートを備えていること、
を特徴とするアイソレータ。
【請求項２】
さらに、前記フェライトを搭載する回路基板を備えていること、を特徴とする請求項１に記載のアイソレータ。
【請求項３】
前記回路基板の一辺側に平衡第１及び第２ポートとして機能する端子電極を設け、該一辺と対向する他辺側に不平衡第１及び第２ポートとして機能する端子電極を設けたこと、を特徴とする請求項２に記載のアイソレータ。
【請求項４】
第１中心電極を前記フェライト上に前記一辺及び他辺と略平行に配置したこと、を特徴とする請求項３に記載のアイソレータ。
【請求項５】
第１及び第２整合容量を前記回路基板の内部電極にて形成したこと、を特徴とする請求項２に記載のアイソレータ。
【請求項６】
前記終端抵抗をチップタイプとして前記回路基板上に実装したこと、を特徴とする請求項２に記載のアイソレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータ、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、アイソレータは、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。【０００３】
この種のアイソレータとして、特許文献１には、不平衡−不平衡型の２ポート型アイソレータが記載されている。特許文献２には、不平衡−平衡型の２ポート型アイソレータが記載されている。特許文献２に記載のアイソレータは、不平衡−平衡型とするために、特許文献１に記載のアイソレータに１／２波長線路や複数の整合回路素子を追加したものである。しかし、追加部品が多くなると、アイソレータ自体のサイズが大きくなり、コストアップにもなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２８４９０７号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、部品の追加を抑制して簡単な構成で不平衡−平衡型とすることのできるアイソレータを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態であるアイソレータは、
永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトに互いに絶縁状態で交差した第１中心電極及び第２中心電極を配置し、
第１中心電極の一端は、第１整合容量を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第１ポート及び平衡第１ポートに接続され、
第１中心電極の他端はグランドに接続され、
第２中心電極の一端は、互いに並列に接続されている第２整合容量と終端抵抗を介してグランドに接続されるとともに、平衡第２ポートに接続され、
第２中心電極の他端はグランドに接続され、
さらに、グランドに接続された不平衡第２ポートを備えていること、
を特徴とする。【０００７】
前記アイソレータにおいては、不平衡入出力に高周波信号が入力されると、第１中心電極に大きな高周波電流が流れ、第２中心電極にはほとんど高周波電流が流れず、平衡入出力に高周波信号が伝送される。一方、平衡入出力に高周波信号が入力されると、第２中心電極に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極にはほとんど高周波電流が流れず、終端抵抗によって減衰される。なお、永久磁石による印加磁界を反転させることで入出力が変換される。本アイソレータでは、従来から備わっている整合容量や終端抵抗に他の部品を追加することなく、不平衡−平衡型とすることができ、サイズの大型化やコストアップを招来することがない。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、部品の追加を抑制して簡単な構成で不平衡−平衡型とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施例であるアイソレータの等価回路図である。
【図２】前記アイソレータを示す分解斜視図である。
【図３】前記アイソレータを構成する回路基板の分解平面図である。
【図４】前記アイソレータの入力リターンロスを示すグラフである。
【図５】前記アイソレータのアイソレーションを示すグラフである。
【図６】前記アイソレータの挿入損失を示すグラフである。
【図７】前記アイソレータの出力リターンロスを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係るアイソレータの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、同じ部材、部分については共通する符号を付し、重複する説明は省略する。また、図２及び図３において斜線を付した部分は導体部分である。
【００１１】
アイソレータ１は、図１及び図２に示すように、集中定数型として構成され、永久磁石５よって直流磁界が印加されるフェライト１０の表面には、互いに絶縁状態で交差した第１中心電極１１及び第２中心電極１２が配置されている。
【００１２】
図１に示すように、第１中心電極１１の一端１１ａは、第１整合容量Ｃ１を介してグランドに接続されるとともに、不平衡第１ポートＰ２ａ及び平衡第１ポートＰ１ａに接続され、第１中心電極１１の他端１１ｂはグランドに接続されている。第２中心電極１２の一端１２ａは、互いに並列に接続されている第２整合容量Ｃ２と終端抵抗Ｒを介してグランドに接続されるとともに、平衡第２ポートＰ１ｂに接続され、第２中心電極１２の他端１２ｂはグランドに接続されている。本アイソレータ１は、さらに、グランドに接続された不平衡第２ポートＰ２ｂを備えている。ポートＰ１ａ，Ｐ１ｂで平衡入出力部が構成され、ポートＰ２ａ，Ｐ２ｂで不平衡入出力部が構成されている。
【００１３】
部品構成としては、図２に示すように、ケース２０、回路基板３０、電極１１，１２を備えたフェライト１０、終端抵抗Ｒ、永久磁石５及びキャップ４０にて構成されている。回路基板３０上にフェライト１０と終端抵抗Ｒを実装し、フェライト１０上に永久磁石５を貼着し、この組立体をケース２０に収容してキャップ４０で閉止することにより組み立てられる。
【００１４】
回路基板３０は、多層基板であり、容量Ｃ１，Ｃ２を形成する電極やグランド電極などが内蔵されている。詳しくは、図３に示すように、誘電体シート３１ａ，３１ｂ，３１ｃを積層したものである。なお、１層目及び２層目のシート３１ａ，３１ｂには表面に各種電極が形成され、３層目のシート３１ｃには裏面に各種電極が形成されている。
【００１５】
シート３１ａにはグランド電極３２ａ、中継電極３４ａ，３４ｂとビアホール導体３６ａ，３６ｂ，３６ｃが形成されている。シート３１ｂにはコンデンサ電極３５ａ，３５ｂとビアホール導体３７ａ，３７ｂ，３７ｃ，３７ｄが形成されている。シート３１ｃにはグランド電極３２ｂ、端子電極４１，４２，４３とビアホール導体３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄが形成されている。
【００１６】
前記シート３１ａ，３１ｂ，３１ｃを積層し、かつ、前記フェライト１０及び終端抵抗Ｒを搭載することにより、図１に示した等価回路を有するアイソレータ１が形成される。即ち、第１中心電極１１の一端１１ａはフェライト１０の裏面に回り込んだ部分が中継電極３４ａに接続され、該中継電極３４ａはビアホール導体３６ｂを介してコンデンサ電極３５ａに接続される。コンデンサ電極３５ａはグランド電極３２ａ，３２ｂとの間で第１整合容量Ｃ１を形成する。また、コンデンサ電極３５ａは、ビアホール導体３７ａ，３８ａを介して端子電極４３（不平衡第１ポートＰ２ａ）に接続されるとともに、ビアホール導体３７ｂ，３８ｂを介して端子電極４１（平衡第１ポートＰ１ａ）に接続される。第１中心電極１１の他端１１ｂはフェライト１０の裏面に回り込んだ部分がグランド電極３２ａに接続され、該グランド電極３２ａはビアホール導体３６ａ，３７ｄ，３８ｄを介してグランド導体３２ｂに接続される。このグランド導体３２ｂの一隅部が端子電極４４（不平衡第２ポートＰ２ｂ）として機能する。
【００１７】
第２中心電極１２の一端１２ａはフェライト１０の裏面に回り込んだ部分が中継電極３４ｂに接続され、該中継電極３４ｂはビアホール導体３６ｃを介してコンデンサ電極３５ｂに接続される。コンデンサ電極３５ｂはグランド電極３２ａ，３２ｂとの間で第２整合容量Ｃ２を形成する。また、コンデンサ電極３５ｂは、ビアホール導体３７ｃ，３８ｃを介して端子電極４２（平衡第２ポートＰ１ｂ）に接続される。第２中心電極１２の他端１２ｂはフェライト１０の裏面に回り込んだ部分がグランド電極３２ａに接続される。該グランド電極３２ａは前述のようにグランド導体３２ｂに接続されている。
【００１８】
図２に戻ると、ケース２０は金属製の筺体２５（斜線を付した部分）に樹脂材をインサートモールドしたものであり、平衡入出力端子２１，２２が回路基板３０の裏面に配置した端子電極４１，４２と接続され、不平衡入出力端子２３が端子電極４３と接続され、金属製筺体２５自体がグランド電極３２ｂと接続される。
【００１９】
以上の構成からなるアイソレータ１においては、不平衡入出力に高周波信号が入力されると、第１中心電極１１に大きな高周波電流が流れ、第２中心電極１２にはほとんど高周波電流が流れず、平衡入出力に高周波信号が伝送される。一方、平衡入出力に高周波信号が入力されると、第２中心電極１２に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極１１にはほとんど高周波電流が流れず、終端抵抗Ｒによって減衰される。なお、永久磁石５による印加磁界を反転させることで入出力が変換される。
【００２０】
本アイソレータ１では、従来から備わっている整合容量Ｃ１，Ｃ２や終端抵抗Ｒに他の部品を追加することなく、不平衡−平衡型とすることができ、サイズの大型化やコストアップを招来することがない。
【００２１】
また、図３の最下段に示されているように、回路基板３０の一辺３０ａ側に平衡第１及び第２ポートとして機能する端子電極４１，４２を設け、該一辺３０ａと対向する他辺３０ｂに不平衡第１及び第２ポートとして機能する端子電極４３，４４を設け、さらに、第１中心電極１１を一辺３０ａ及び他辺３０ｂと略平行に配置しているため、第１中心電極１１の配線が簡略化される。具体的には、図３の中段に示すコンデンサ電極３５ａをシンプルな形状として、端子電極４１，４３へ配線できる。
【００２２】
次に、前記アイソレータ１の諸特性を図４〜図７を参照して説明する。ここで使用したアイソレータ１は、以下の構成からなる。フェライト１０のサイズは、２×２ｍｍ角で厚みが０．２ｍｍである。第１及び第２中心電極１１，１２はともに０．５ｍｍ幅である。第１整合容量Ｃ１は３．４ｐＦ、第２整合容量Ｃ２は３．３ｐＦである。終端抵抗Ｒは１００Ωである。平衡入力は１００Ω、不平衡入力は５０Ωである。
【００２３】
以上の構成において、入力リターンロス（平衡）は図４に示すとおりである。アイソレーションは図５に示し、１９２０〜１９８０ＭＨｚで−２０．５ｄＢである。挿入損失は図６に示し、１９２０〜１９８０ＭＨｚで−０．６９ｄＢである。出力リターンロス（不平衡）は図７に示すとおりである。
【００２４】
なお、本発明に係るアイソレータは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
以上のように、本発明は、アイソレータに有用であり、特に、部品の追加を抑制して簡単な構成で不平衡−平衡型とすることができる点で優れている。
【符号の説明】
【００２６】
１…アイソレータ
５…永久磁石
１０…フェライト
１１…第１中心電極
１２…第２中心電極
３０…回路基板
３２ｂ…グランド電極
４１，４２，４３，４４…端子電極
Ｐ１ａ…平衡第１ポート
Ｐ１ｂ…平衡第２ポート
Ｐ２ａ…不平衡第１ポート
Ｐ２ｂ…不平衡第２ポート
Ｃ１…第１整合容量
Ｃ２…第２整合容量
Ｒ…終端抵抗
【図１】
0005413509.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0005413509.tif 000005
【図５】
0005413509.tif 000006
【図６】
0005413509.tif 000007
【図７】
0005413509.tif 000008