(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法であって、
前記処理液供給部に接続された供給管には、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタが設けられ、
前記供給管内を流通し、前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を前記フィルタに少なくとも１回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給することを特徴とする、処理液供給方法。
【請求項２】
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の処理液供給方法。
【請求項３】
前記供給管には、当該供給管内で処理液を流通させるためのポンプが設けられ、
前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御することを特徴とする、請求項１又は２に記載の処理液供給方法。
【請求項４】
前記供給管には、処理液の流通を遮断可能な遮断機構がさらに設けられ、
前記フィルタは前記ポンプと前記遮断機構の間に配置され、
前記処理液は、前記ポンプと前記遮断機構の間で往復することにより、前記フィルタを往復通過することを特徴とする、請求項３に記載の処理液供給方法。
【請求項５】
前記フィルタは複数段に設けられ、
処理液は前記複数段のフィルタを往復通過することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の処理液供給方法。
【請求項６】
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の処理液供給方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項９】
基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給装置であって、
内部に処理液を貯留する処理液供給源と、
前記処理液供給源から前記処理液供給部に処理液を供給するための供給管と、
前記供給管に設けられ、処理液を流通させるためのポンプと、
前記供給管に設けられ、処理液の流通を遮断可能な遮断機構と、
前記供給管の前記ポンプと前記遮断機構の間に設けられ、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタと、
前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも１回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給するように前記ポンプを制御する制御部と、を有することを特徴とする、処理液供給装置。
【請求項１０】
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていることを特徴とする、請求項９に記載の処理液供給装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御することを特徴とする、請求項９又は１０に記載の処理液供給装置。
【請求項１２】
前記フィルタは複数段に設けられていることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の処理液供給装置。
【請求項１３】
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集することを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載の処理液供給装置。
【請求項１４】
前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集することを特徴とする、請求項９〜１２のいずれかに記載の処理液供給装置。
【請求項１５】
前記フィルタは、前記ポンプの上流側に設けられていることを特徴とする、請求項９〜１４のいずれかに記載の処理液供給装置。
【請求項１６】
前記フィルタは、前記ポンプの下流側に設けられ、
前記フィルタの下流側の供給管には、前記遮断機構が設けられていることを特徴とする、請求項９〜１４のいずれかに記載の処理液供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、及び前記処理液供給方法を実行するための処理液供給装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。
【０００３】
上述したレジスト塗布処理では、例えば塗布ノズルからウェハ上にレジスト液を吐出すると共に、ウェハを回転させて、レジスト液をウェハ表面に拡散させる方法、いわゆるスピンコーティング法が広く用いられている。また、塗布ノズルには、内部にレジスト液を貯留したレジスト液供給源から供給管を介してレジスト液が供給される。
【０００４】
ところで、上記レジスト液供給源に貯留されるレジスト液には、元々異物が混入している場合がある。また、レジスト液供給源内にレジスト液を貯留していると、レジスト液のポリマー系化合物が経時的に凝集してゲル状の不溶解物が発生する場合がある。このような異物がレジスト液と共にウェハ上に供給されると、その後形成されるレジスト膜に異物が残存して、レジストパターンを適切に形成することができず、ウェハの欠陥となってしまう。このため、従来、レジスト液供給源と塗布ノズルを接続する供給管にフィルタを設け、レジスト液をこのフィルタを通過させることによって、レジスト液中の異物を除去している。
【０００５】
しかしながら、上述の方法では、レジスト液はフィルタを１回通過しただけで塗布ノズルに供給されるため、レジスト液中の異物を十分に除去できない場合があった。特に近年の半導体デバイスのさらなる高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が求められており、異物による欠陥の問題は顕在化している。
【０００６】
そこで、レジスト液を塗布ノズルに供給する前に、循環路にレジスト液を循環させて、当該レジスト液を循環路に設けられたフィルタに複数回通過させ、レジスト液中の異物を除去することが提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３０５９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載された方法を用いてレジスト液中の異物を除去する場合、レジスト液を循環させる循環路を設ける必要があるため、レジスト液を供給する装置が大型化してしまう。
【０００９】
また、例えば循環路にレジスト液が循環中に、新たなレジスト液が供給されると、循環中のレジスト液と新たに供給されたレジスト液が混合してしまい、レジスト液がフィルタを通過する回数を制御できなくなる。その結果、レジスト液中の異物を十分に除去できない場合があり、異物による欠陥が生じてしまう。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な処理液供給装置を用いて処理液中の異物を低減し、基板の欠陥を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給方法であって、前記処理液供給部に接続された供給管には、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタが設けられ、前記供給管内を流通し、前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を前記フィルタに少なくとも１回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給することを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、供給管内を流通する処理液をフィルタに少なくとも１回往復通過させており、すなわち処理液をフィルタに複数回通過させることができるので、処理液中の異物を十分に除去することができる。この際、フィルタは捕集した異物を離脱させないので、処理液を往復させても当該処理液中に異物が再混入されることはない。また、例えば供給管内で処理液を往復移動させるためのポンプの駆動を制御することによって、処理液がフィルタを通過する回数を容易に制御することができる。そうすると、処理液中の異物をより確実に除去することができる。そして、このように異物が除去された処理液が処理液供給部を介して基板に供給されるので、基板の欠陥を低減することができる。しかも、処理液をフィルタに往復通過させているので、従来のように別途循環路を設ける必要がない。このため、簡易な構成の処理液供給装置を用いて、処理液中の異物を除去することができる。したがって、装置の製造コストを低廉化することができ、また装置の占有面積も小さくすることができる。
【００１３】
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていてもよい。なお、フィルタの上流側と下流側とは、それぞれ処理液供給部へレジスト液が流れる方向に対する上流側と下流側をいう。また、処理液の流路には、処理液の供給管、供給管に設けられたトラップやタンク、ポンプ等を含む。したがって、処理液の流路において所定の供給量の処理液を貯留可能にするため、供給管が所定の供給量の処理液を貯留可能な長さを有していてもよいし、供給管に設けられたトラップ、タンク又はポンプが所定の供給量の処理液を貯留可能であってもよい。さらに、所定の供給量とは、処理液供給部から基板に供給される１回の処理液の供給量をいう。
【００１４】
前記供給管には、当該供給管内で処理液を流通させるためのポンプが設けられ、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御してもよい。前記供給管には、処理液の流通を遮断可能な遮断機構がさらに設けられ、前記フィルタは前記ポンプと前記遮断機構の間に配置され、前記処理液は、前記ポンプと前記遮断機構の間で往復することにより、前記フィルタを往復通過してもよい。
【００１５】
前記フィルタは複数段に設けられ、処理液は前記複数段のフィルタを往復通過してもよい。
【００１６】
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集してもよい。
【００１８】
別な観点による本発明によれば、前記処理液供給方法を処理液供給装置によって実行させるために、当該処理液供給装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１９】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２０】
さらに別な観点による本発明は、基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する処理液供給装置であって、内部に処理液を貯留する処理液供給源と、前記処理液供給源から前記処理液供給部に処理液を供給するための供給管と、前記供給管に設けられ、処理液を流通させるためのポンプと、前記供給管に設けられ、処理液の流通を遮断可能な遮断機構と、前記供給管の前記ポンプと前記遮断機構の間に設けられ、処理液中の異物を捕集して離脱させないフィルタと、前記供給管内を流通する処理液を前記フィルタに少なくとも１回往復通過させて、当該処理液を前記処理液供給部に供給するように前記ポンプを制御する制御部と、を有することを特徴としている。
【００２１】
前記フィルタの上流側における処理液の流路と下流側における処理液の流路は、それぞれ前記処理液供給部から基板に供給される所定の供給量の処理液を一時的に貯留可能に構成されていてもよい。
【００２２】
前記制御部は、前記ポンプの駆動に基づいて、処理液が前記フィルタを往復通過する回数を制御してもよい。
【００２３】
前記フィルタは複数段に設けられていてもよい。
【００２４】
前記フィルタは、当該フィルタの表層に処理液中の異物を吸着して捕集してもよい。
【００２５】
前記フィルタは、当該フィルタの内部に形成された複数の孔によって処理液中の異物を物理的に捕集してもよい。
【００２６】
前記フィルタは、前記ポンプの上流側に設けられていてもよい。
【００２７】
前記フィルタは、前記ポンプの下流側に設けられ、前記フィルタの下流側の供給管には、前記遮断機構が設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、簡易な処理液供給装置を用いて処理液中の異物を低減し、基板の欠陥を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３】本実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
【図４】他の実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
【図５】他の実施の形態にかかるレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、基板としてのウェハに処理液としてのレジスト液を供給する形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる処理液供給装置としてのレジスト液供給装置からレジスト液が供給されるレジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【００３１】
レジスト塗布装置１は、図１に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１０を有している。処理容器１０のウェハＷの搬送アーム（図示せず）の搬入領域に臨む側面には、図２に示すようにウェハＷの搬入出口１１が形成され、搬入出口１１には開閉シャッタ１２が設けられている。
【００３２】
処理容器１０内の中央部には、図１に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０が設けられている。スピンチャック２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック２０上に吸着保持できる。
【００３３】
スピンチャック２０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構２１を有し、そのチャック駆動機構２１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構２１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック２０は上下動可能である。
【００３４】
スピンチャック２０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ２２が設けられている。カップ２２の下面には、回収した液体を排出する排出管２３と、カップ２２内の雰囲気を排気する排気管２４が接続されている。
【００３５】
図２に示すようにカップ２２のＸ方向負方向（図２の下方向）側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って延伸するレール３０が形成されている。レール３０は、例えばカップ２２のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで形成されている。レール３０には、アーム３１が取り付けられている。
【００３６】
アーム３１には、図１及び図２に示すようにレジスト液を吐出する処理液供給部としての塗布ノズル３２が支持されている。アーム３１は、図２に示すノズル駆動部３３により、レール３０上を移動自在である。これにより、塗布ノズル３２は、カップ２２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３４からカップ２２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム３１は、ノズル駆動部３３によって昇降自在であり、塗布ノズル３２の高さを調節できる。塗布ノズル３２は、図１に示すようにレジスト液を供給するレジスト液供給装置１００に接続されている。
【００３７】
次に、レジスト塗布装置１内の塗布ノズル３２に対してレジスト液を供給するレジスト液供給装置１００の構成について説明する。図３は、レジスト液供給装置１００の構成の概略を示す説明図である。
【００３８】
レジスト液供給装置１００は、内部にレジスト液を貯留する処理液供給源としてのレジスト液供給源１０１を有している。レジスト液供給源１０１の上部には、塗布ノズル３２にレジスト液を供給するための供給管１０２が設けられている。すなわち、供給管１０２は、レジスト液供給源１０１と塗布ノズル３２を接続して設けられている。
【００３９】
レジスト液供給源１０１の下流側の供給管１０２には、レジスト液を一旦貯留させておくリキッドエンドタンク１０３が設けられている。リキッドエンドタンク１０３は、バッファタンクとしての役割を果たしており、レジスト液供給源１０１から供給されるレジスト液が無くなった場合でも、リキッドエンドタンク１０３内に貯留されているレジスト液を塗布ノズル３２に供給することができる。なお、リキッドエンドタンク１０３の上部には、リキッドエンドタンク１０３内の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が設けられている。
【００４０】
リキッドエンドタンク１０３の下流側の供給管１０２には、ポンプ１０４が設けられている。ポンプ１０４は、レジスト液供給源１０１から塗布ノズル３２にレジスト液を送液する。また、ポンプ１０４は、後述するようにレジスト液をフィルタ１０５に少なくとも１回往復通過させるように当該レジスト液を送液する。なお、ポンプ１０４の駆動動作は、例えば後述する制御部２００によって制御されている。
【００４１】
ポンプ１０４の下流側の供給管１０２には、レジスト液中の異物を捕集して離脱させないフィルタ１０５が設けられている。フィルタ１０５には、異物を捕集して離脱させなければ、種々の種類のフィルタが用いられる。例えばフィルタ１０５には、その表層にレジスト液中の異物を吸着して捕集するフィルタ（以下、「表層フィルタ」という。）、例えばナイロンのフィルタを用いてもよい。また、例えばフィルタ１０５には、内部に形成された複数の孔によってレジスト液中の異物を物理的に捕集するフィルタ（以下、「深層フィルタ」という。）、すなわちフィルタ１０５には、例えばメンブレンタイプのフィルタを用いてもよい。フィルタ１０５に表層フィルタ又は深層フィルタのいずれを用いた場合でも、レジスト液中の異物はフィルタ１０５に捕集されて離脱することはない。なお、フィルタ１０５の上部には、フィルタ１０５で発生する気体（気泡）を排気する排気管（図示せず）が設けられている。
【００４２】
フィルタ１０５の下流側の供給管１０２には、レジスト液の流通を遮断する遮断機構としてのトラップ１０６が設けられている。トラップ１０６は、その容積を可変に構成されている。
【００４３】
なお、フィルタ１０５の上流側におけるレジスト液の流路、すなわちポンプ１０４とフィルタ１０５の間の供給管１０２は、レジスト塗布装置１において塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される所定の供給量のレジスト液、つまり１回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。また、フィルタ１０５の下流側におけるレジスト液の流路、すなわちフィルタ１０５とトラップ１０６の間の供給管１０２も、１回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。
【００４４】
トラップ１０６の下流側の供給管１０２には、バルブ１０７が設けられている。バルブ１０７は、例えばエアオペレーションバルブが用いられる。なお、バルブ１０７の開閉動作は、後述する制御部２００の制御によって制御され、ポンプ１０４から塗布ノズル３２のレジスト液の供給を開始又は停止させることができる。
【００４５】
なお、リキッドエンドタンク１０３とポンプ１０４との間、すなわちポンプ１０４の吸い込み側にはバルブ１０８が設けられている。このバルブ１０８の開閉動作も、後述する制御部２００によって制御される。
【００４６】
上述したポンプ１０４の駆動動作やバルブ１０７、１０８の開閉動作等は、制御部２００により制御されている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、レジスト液供給装置１００によるレジスト液の供給やレジスト塗布装置１におけるレジスト塗布処理を実現できる。なお、レジスト液供給装置１００によるレジスト液の供給やレジスト塗布装置１におけるレジスト塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体（図示せず）に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものが用いられている。
【００４７】
次に、以上のように構成されたレジスト液供給装置１００で行われる塗布ノズル３２へのレジスト液の供給及びレジスト塗布装置１で行われる塗布処理プロセスについて説明する。
【００４８】
先ず、制御部２００によってバルブ１０７を開き、バルブ１０８を閉じると共にポンプ１０４を駆動させる。そして、レジスト塗布装置１内に搬入されたウェハＷに対して、ポンプ１０４と塗布ノズル３２の間に貯留されていたレジスト液を所定量供給する。
【００４９】
その後、バルブ１０７を閉じ、バルブ１０８を開くと共に、ポンプ１０４を駆動させる。そうすると、レジスト液供給源１０１からリキッドエンドタンク１０３にレジスト液が送液される。レジスト液は一旦リキッドエンドタンク１０３に貯留される。リキッドエンドタンク１０３内に所定量のレジスト液が貯留されると、その後レジスト液供給源１０１からリキッドエンドタンク１０３に流入するレジスト液によって、レジスト液がリキッドエンドタンク１０３から塗布ノズル３２側に流出する。
【００５０】
リキッドエンドタンク１０３から塗布ノズル３２側には、レジスト塗布装置１において塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される所定の供給量のレジスト液が流出する。すなわち、ポンプ１０４を駆動させることによって、塗布ノズル３２からウェハＷに供給される１回分の供給量のレジスト液が供給される。このレジスト液は、ポンプ１０４に補充される。
【００５１】
その後、バルブ１０７とバルブ１０８をそれぞれ閉じた状態で、ポンプ１０４を駆動させる。そうすると、ポンプ１０４からフィルタ１０５を介してトラップ１０６に、所定量のレジスト液が送液される。この際、レジスト液は、フィルタ１０５を通過して、異物が捕集されて除去される。この異物には、例えばレジスト液のポリマー系化合物が経時的に凝集したゲル状の不溶解物、いわゆるレジストゲル等が含まれる。フィルタ１０５を通過したレジスト液は、フィルタ１０５の下流側の供給管１０２を介してトラップ１０６に流入する。なおこのとき、バルブ１０７が閉じられているので、レジスト液が塗布ノズル３２から吐出されることはない。
【００５２】
その後、バルブ１０７とバルブ１０８をそれぞれ閉じた状態で、ポンプ１０４を駆動させて吸液動作が行われる。そうすると、トラップ１０６のレジスト液が、フィルタ１０５を介してポンプ１０４に送液されて、当該ポンプ１０４内にレジスト液が補充される。この際、フィルタ１０５は捕集した異物を離脱させないので、レジスト液をフィルタ１０５に再び通過させてもフィルタ１０５に補足された異物は再飛散することがなく、レジスト液中に異物が再び混入されることはない。
【００５３】
このようにリキッドエンドタンク１０３から流出したレジスト液は、ポンプ１０４とトラップ１０６の間において、フィルタ１０５を往復通過する。その結果、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。なお、レジスト液をフィルタ１０５に１回往復通過させてもよいし、複数回通過させてもよい。レジスト液をフィルタ１０５に複数回通過させる場合には、ポンプ１０４とトラップ１０６の間における供給管１０２内でレジスト液を往復移動させるためのポンプ１０４の駆動を制御することによって、レジスト液がフィルタ１０５を通過する回数を制御することができる。
【００５４】
その後、バルブ１０７を開くと共に、ポンプ１０４を駆動させる。そして、異物が十分に除去されたレジスト液は、塗布ノズル３２に供給される。なおこのとき、レジスト塗布装置１内にはウェハＷが搬入される。
【００５５】
塗布ノズル３２にレジスト液が供給されると、レジスト塗布装置１において、スピンチャック２０に吸着されたウェハＷをチャック駆動機構２１によって回転させると共に、塗布ノズル３２からウェハＷの中心部にレジスト液を滴下する。ウェハＷに塗布されたレジスト液は、ウェハＷの回転により生じる遠心力によってウェハＷの表面の全体に拡散し、ウェハＷの表面にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷの回転が停止されて、スピンチャック２０上からウェハＷが搬出されて、一連のレジスト塗布処理が終了する。
【００５６】
以上の実施の形態によれば、ポンプ１０４とトラップ１０６の間において、供給管１０２内を流通するレジスト液をフィルタ１０５に往復通過させているので、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。この際、フィルタ１０５は捕集した異物を離脱させないので、レジスト液を往復させても当該レジスト液中に異物が再混入されることはない。そして、このように異物が除去されたレジスト液が塗布ノズル３２を介してウェハＷに供給されるので、ウェハＷのレジストパターンの欠陥を低減することができる。しかも、レジスト液をフィルタ１０５に往復通過させているので、従来のように別途循環路を設ける必要がない。このため、簡易な構成のレジスト液供給装置１００を用いて、レジスト液中の異物を除去することができる。したがって、装置の製造コストを低廉化することができ、また装置の占有面積も小さくすることができる。
【００５７】
また、フィルタ１０５の上流側の供給管１０２と下流側の供給管１０２は、それぞれ塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される１回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有しているので、レジスト液をフィルタ１０５に確実に往復通過させることができる。
【００５８】
また、フィルタ１０５の下流側の供給管１０２に設けられたトラップ１０６を設けているので、レジスト液の流通を遮断することができる。これによって、塗布ノズル３２にレジスト液を供給していない待機時間に、レジスト液をフィルタ１０５に往復通過させることができる。
【００５９】
また、供給管１０２内でレジスト液を往復移動させるためのポンプ１０４の駆動を制御することによって、レジスト液がフィルタ１０５を通過する回数を容易に制御することができる。したがって、レジスト液中の異物をより確実に除去することができる。
【００６０】
以上の実施の形態では、フィルタ１０５の上流側の供給管１０２と下流側の供給管１０２が、塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される１回分の供給量のレジスト液を貯留していたが、フィルタ１０５の上流側におけるレジスト液の流路と下流側におけるレジスト液の流路が、それぞれ１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていればよい。例えばフィルタ１０５の上流側のポンプ１０４が１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよく、フィルタ１０５の下流側のトラップ１０６が１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。いずれの場合でも、レジスト液をフィルタ１０５に確実に往復通過させることができる。
【００６１】
以上の実施の形態では、レジスト液をフィルタ１０５に往復通過させるために、フィルタ１０５の下流側の供給管１０２に設けられたトラップ１０６を遮断機構として用いたが、遮断機構には他の種々の機構を用いることができる。例えばトラップ１０６を省略してバルブ１０７を遮断機構として用いてもよい。また、例えばトラップ１０６に代えてタンク（図示せず）を設け、当該タンクを遮断機構として用いてもよい。或いは、例えばトラップ１０６を省略し、供給管１０２を鉛直上方に立ち上げることによって当該鉛直上方に立ち上げられた供給管１０２を遮断機構として用いてもよい。いずれの場合でも、フィルタ１０５の下流側の供給管１０２においてレジスト液の流通を遮断することができ、レジスト液をフィルタ１０５に往復通過させることができる。
【００６２】
以上の実施の形態のレジスト液供給装置１００には、図４に示すようにポンプ１０４とトラップ１０６の間の供給管１０２においてフィルタ１０５が複数段に設けられていてもよい。なお、図示の例においてはフィルタ１０５が２段に設けられているが、３段以上設けてもよい。
【００６３】
かかる場合、供給管１０２内にレジスト液を流通させるとフィルタ１０５を２回通過することになるので、レジスト液中の異物をより確実に除去することができる。特に本実施の形態のようにレジスト液をフィルタ１０５に往復通過させる際、レジスト液を流通させる度にフィルタ１０５を２回通過するので、異物を除去する効果はより大きくなる。
【００６４】
なお、図４に図示したレジスト液供給装置１００において、２段のフィルタ１０５、１０５間の供給管１０２が、塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される１回分の供給量のレジスト液を貯留するようにしてもよい。かかる場合、レジスト液をフィルタ１０５に確実に往復通過させることができる。
【００６５】
また、上流側のフィルタ１０５と下流側のフィルタ１０５で異なる種類のフィルタを用いてもよい。例えば上流側のフィルタ１０５には、複数の孔が形成されたふるい状のフィルタであって、当該複数の孔によってレジスト液中の異物が直接捕集されるフィルタを用いてもよい。また例えば下流側のフィルタ１０５には、表層フィルタ又は深層フィルタを用いてもよい。かかる場合、上流側のフィルタ１０５では捕集された異物が再飛散するおそれがあるが、下流側のフィルタ１０５では捕集された異物が再飛散しないので、レジスト液中の異物を適切に除去することができる。そして、例えば上流側のフィルタ１０５で大きい径を有する異物を捕集し、下流側のフィルタ１０５で小さい径を有する異物を捕集して、レジスト液中の異物を確実に除去することができる。
【００６６】
以上の実施の形態では、フィルタ１０５はポンプ１０４の下流側に設けられていたが、ポンプ１０４の上流側に設けられていてもよい。かかる場合、図５に示すようにリキッドエンドタンク１０３とポンプ１０４の間の供給管１０２には、フィルタ１０５が設けられる。フィルタ１０５の上流側であって、リキッドエンドタンク１０３とフィルタ１０５の間の供給管１０２には、レジスト液の流通を遮断するバルブ２１０が設けられる。バルブ２１０の開閉動作は、後述する制御部２００の制御によって制御される。また、フィルタ１０５の上流側であって、バルブ２１０とフィルタ１０５の間の供給管１０２には、レジスト液の流通を遮断するトラップ２１１が設けられる。トラップ２１１は、その容積を可変に構成されている。トラップ２１１とフィルタ１０５の間の供給管１０２は、塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される１回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。また、フィルタ１０５とポンプ１０４の間の供給管１０２も、１回分の供給量のレジスト液を貯留可能な長さを有している。
【００６７】
そして、制御部２００によってバルブ２１０を開くと共に、ポンプ１０４を駆動させる。そうすると、リキッドエンドタンク１０３から流出したレジスト液は、下流側の供給管１０２に流入する。ポンプ１０４にレジスト液が所定量補充されると、バルブ２１０を閉じる。そして、トラップ２１１とポンプ１０４の間において、ポンプ１０４の駆動によってレジスト液をフィルタ１０５に往復通過させる。その後、バルブ１０７を開くと共にポンプ１０４を駆動させることにより、フィルタ１０５を往復通過して異物が除去されたレジスト液は、塗布ノズル３２に供給される。
【００６８】
本実施の形態によっても、トラップ２１１とポンプ１０４の間において、供給管１０２内を流通するレジスト液をフィルタ１０５に往復通過させているので、レジスト液中の異物を十分に除去することができる。そして、このように異物が除去されたレジスト液が塗布ノズル３２を介してウェハＷに供給されるので、ウェハＷのレジストパターンの欠陥を低減することができる。
【００６９】
以上の実施の形態では、フィルタ１０５の上流側の供給管１０２と下流側の供給管１０２が、塗布ノズル３２から一のウェハＷに対して供給される１回分の供給量のレジスト液を貯留していたが、フィルタ１０５の上流側におけるレジスト液の流路と下流側におけるレジスト液の流路が、それぞれ１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていればよい。例えばフィルタ１０５の下流側にレジスト液を一時的に貯留するタンク（図示せず）を設け、当該タンクが１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。また、フィルタ１０５の上流側のトラップ２１１が１回分の供給量のレジスト液を貯留可能に構成されていてもよい。いずれの場合でも、レジスト液をフィルタ１０５に確実に往復通過させることができる。
【００７０】
以上の実施の形態では、塗布ノズル３２にレジスト液を供給する場合について説明したが、本発明は、レジスト液以外の処理液を供給する場合にも有効である。例えば処理液として、現像液、リンス液（レジスト液の溶剤）、純水、薬液等を供給する場合、すなわちフォトリソグラフィー処理においてウェハＷ上に各種処理液を供給する場合に有効である。そして、本発明の処理液供給方法（処理液供給装置）を用いて、レジスト液以外の上記他の処理液を供給すると、異物が十分に除去された処理液をウェハＷ上に供給することができる。したがって、ウェハＷの欠陥を低減することができる。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に処理液を供給する処理液供給部に、処理液を供給する際に有用である。
【符号の説明】
【００７３】
１    レジスト塗布装置
３２  塗布ノズル
１００  レジスト液供給装置
１０１  レジスト液供給源
１０２  供給管
１０３  リキッドエンドタンク
１０４  ポンプ
１０５  フィルタ
１０６  トラップ
１０７、１０８  バルブ
２００  制御部
２１０  バルブ
２１１  トラップ
Ｗ    ウェハ
【図１】
0005571056.tif 000002
【図２】
0005571056.tif 000003
【図３】
0005571056.tif 000004
【図４】
0005571056.tif 000005
【図５】
0005571056.tif 000006