(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッキ処理により金属を析出させる種とはならないフィラーを含有する樹脂により形成された絶縁基材の表面に、導電体からなる回路層が埋設されて形成された回路基板であって、絶縁基材の露出表面は前記フィラーが破壊されずに形成され、回路層の絶縁基材との接触面は、前記フィラーの当該接触面への突出形状に追従して凹凸形状に形成され、前記回路層は、前記絶縁基材における、金属パラジウム、白金、銀、及びその前駆体から選ばれる１種以上が被着された部分に形成された導電体で構成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
回路層の絶縁基材との接触面は、当該接触面に突出する少なくとも一部の前記フィラーと接触していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
絶縁基材の露出表面は前記フィラーが露出していないことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
絶縁基材の回路層との接触面は、レーザー加工により、前記フィラーを突出させた凹凸形状に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項５】
回路層が、導電体のメッキにより形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項６】
回路層の露出表面が、平坦に形成されると共に絶縁基材との境界に段差がなく形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電体からなる回路層が埋設されて形成された回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電体からなる回路層が埋設された回路基板は、ＣＭＰ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ法）によって形成されている（例えば特許文献１）。
【０００３】
図６にＣＭＰ法の一例を示す。ＣＭＰ法は、まず、図６（ａ）に示すように、絶縁基材１の表面にレーザ加工により回路溝３（トレンチ部）を形成する。次に、（ｂ）に示すように、この回路溝３を含む絶縁基材１の表面全体に無電解めっき膜６を形成する。そして、（ｃ）に示すように、この無電解電気めっき膜６に電圧をかけて電解めっき膜２１を絶縁基材１の表面全体に形成する。その後、（ｄ）に示すように、研磨器２２を用いて電解めっき膜２１及び無電解めっき膜６の絶縁基材１よりも表面に存在する部位を研磨して除去し、絶縁基材１の表面を露出させる。
【０００４】
以上のような工程で、回路層１３が埋設されて形成された回路基板１０を得ることができる。この回路基板１０にあっては、回路層１３間の距離を、例えば２５μｍ〜３０μｍ程度のように設定して幅狭に形成することができ、高精度の回路基板１０を得ることができるものである。
【０００５】
しかしながら、上記のように形成された回路基板１０は、図７（ａ）から（ｂ）で示すように、回路溝３を含む絶縁基板１の表面をめっき処理し、余分なめっき膜を研磨して除去して形成するため、回路基板１０の表面は研磨によって粗くなる。そして、図７（ｃ）に示すように、研磨器２２が絶縁基材１とめっき膜とに及ぼす研磨力が異なるために、めっき膜が除去されて形成された回路層１３の表面と絶縁基材１の表面に段差ができて回路基板１０の表面が平滑にならなくなり、電気特性が低下するといった問題が生じるおそれがある。さらに、（ｂ）で示すように、絶縁基材１がフィラー１１を含有するものである場合、絶縁基材１の表面にはフィラー１１がむき出しになり、また、むき出したフィラー１１は研磨によって破壊されるので、表面のフィラー１１は元の形状を維持することができなくなる。そして、むき出しのフィラー１１は粉落ち頻度が高くなり、その後の工程においてフィラー１１による汚染を引き起こすおそれがある。また、絶縁基材１の表面を研磨しているために、表面にむき出したフィラー１１を起点としてマイクロクラックが生じるおそれがある。また、表面に露出するフィラー１１は破壊されているので熱膨張性や強度といった基材特性が低下するおそれがある。
【０００６】
また、導電体からなる回路層が埋設された回路基板を製造する別の方法として、転写法が知られている。転写法は、表面に回路層を形成した剥離材を、回路層の面を対向させて絶縁基材の表面に貼り合わせ、剥離材を絶縁基材から剥離し、回路層を転写して絶縁基材に埋め込んで回路基板を形成するものである。
【０００７】
しかしながら、転写法によると回路層を絶縁基材の表面から押圧して埋設させているため、回路層は絶縁基材の外表面の樹脂被膜と接して形成されることになり、回路層の絶縁基材への密着性が低いという問題がある。密着性を高める方法としてＣＺ処理が知られているが、ＣＺ処理は剥離材に設けられた金属箔の表面（回路層の底面）を処理するものであり、回路層の底面での密着性は高まるものの、側面での密着性は高められないため、幅狭の回路層を形成したときには十分な密着性を得ることができない。また、転写法では一般的に回路層の深さは均一なものとなり、深さの異なる回路層を簡単に形成することができない。また、転写法による回路層の形成では回路層間の距離を短くすることには限界があり、回路層間の距離の短い高精度の回路配線を得ることができない。
【０００８】
また転写法の場合、回路層を絶縁基材に転写する前に、剥離材に回路を形成する必要があり、その回路形成は、従来からの一般的な回路形成方法、例えばサブトラクティブ法、アディテイブ法等で形成するため、微細な配線幅３０μｍ以下に形成することが難しい。さらに微細な配線を形成できたとしても、剥離材と回路層の密着が強すぎると、絶縁基材に転写できずに、回路の転写残りが発生してしまう。また剥離材と回路層の密着が弱すぎると、剥離材に回路形成工程中もしくは取り扱い中に、回路層が剥がれてしまう。このため剥離材と回路層との密着を制御するのが非常に難しい。更に微細配線になればなるほど、剥離材と回路層の密着面積は小さくなるため、さらに密着の制御は難しくなり、微細配線の回路層を、絶縁基材に転写できないという問題がある。
【０００９】
また、絶縁基材を多層化する場合に、転写法の場合、絶縁基材に回路形成するのでは、なく、剥離材にあらかじめ回路形成したものを、絶縁基板の両面に転写して形成するため、層間での回路パターンの位置合わせが難しく、高精度で位置あわせすることが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−４９１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、フィラーが破壊されて表面にむき出しになって基材特性が低下することがなく、回路層の密着性が高い高精度の回路基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に係る回路基板は、メッキ処理により金属を析出させる種とはならないフィラー１１を含有する樹脂により形成された絶縁基材１の表面に、導電体からなる回路層１３が埋設されて形成された回路基板１０であって、絶縁基材１の露出表面は前記フィラー１１が破壊されずに形成され、回路層１３の絶縁基材１との接触面は、前記フィラー１１の当該接触面への突出形状に追従して凹凸形状に形成され、前記回路層１３は、前記絶縁基材１における、金属パラジウム、白金、銀、及びその前駆体から選ばれる１種以上が被着された部分に形成された導電体で構成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項２に係る回路基板は、上記の回路基板１０において、回路層１３の絶縁基材１との接触面は、当該接触面に突出する少なくとも一部のフィラー１１と接触していることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項３に係る回路基板は、上記の回路基板１０において、絶縁基材１の露出表面はフィラー１１が露出していないことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項４に係る回路基板は、上記の回路基板１０において、絶縁基材１の回路層１３との接触面は、レーザー加工により、フィラー１１を突出させた凹凸形状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
請求項５に係る回路基板は、上記の回路基板１０において、回路層１３が、導電体のメッキにより形成されていることを特徴とするものである。
【００１７】
請求項６に係る回路基板は、上記の回路基板１０において、回路層１３の露出表面が、平坦に形成されると共に絶縁基材１との境界に段差がなく形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発明によれば、絶縁基材の露出表面はフィラーが破壊されずに形成されていることにより、表面まで形状を維持してフィラーが絶縁基材に充填されているので、フィラーが破壊されて熱膨張性や強度などの基材特性が低下することを防止することができるものである。また、回路層の絶縁基材との接触面がフィラーの突出形状に追従した凹凸形状に形成されていることにより、回路層と絶縁基材とが凹凸状に入り組んで接触しているので回路層と絶縁基材との密着性を高めることができるものである。
【００１９】
請求項２の発明によれば、回路層が絶縁基材との接触面においてフィラーと接触していることにより、回路層が樹脂層を介さずに直接絶縁基材の内部と接しているので、回路層の密着性をさらに高くすることができるものである。また、回路層は、埋設された表面である底面と側面とにおいてフィラーと接触するように形成されているので、幅狭に形成したときも脱落することのない密着性の高い回路配線を形成することができ、高精度の回路基板を得ることができるものである。
【００２０】
請求項３の発明によれば、絶縁基材の露出表面はフィラーが露出していないことにより、フィラーがむき出しになることがないので、フィラーが粉落ちしたり、フィラーを起点とするマイクロクラックが発生したりすることを防止することができるものである。
【００２１】
請求項４の発明によれば、絶縁基材の回路層との接触面がレーザー加工により形成されることにより、この接触面をフィラーを突出させて形成することができ、接触面を凹凸形状にして密着性を高めることができるものである。また、レーザー加工により回路層の深さを回路層ごとに容易に設定することができ、異なる深さの回路層を有する回路基板を簡単に得ることができるものである。
【００２２】
請求項５の発明によれば、回路層が導電体のメッキによって形成されることにより、フィラーが突出した絶縁基材の形状に合わせて凹凸形状を容易に形成して回路層を得ることができ、密着性が高く高精度の回路基板を簡単に得ることができるものである。
【００２３】
請求項６の発明によれば、回路層の露出表面を平坦にすることにより、電気特性を向上させることができると共に、回路層と絶縁基材との境界に段差がないことにより、回路基板を平坦なものとすることができ、薄型で平滑な回路基板を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の回路基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の回路基板を製造する方法における各工程を説明するための模式断面図である。
【図３】樹脂被膜に蛍光性物質を含有させて、蛍光性物質からの発光を用いて被膜除去不良を検査するための検査工程を説明するための説明図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、回路パターン形成工程において、樹脂被膜の厚み分を超えて、絶縁基材を掘り込むような回路パターン部（回路溝）を形成したときに形成される無電解めっき膜を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の回路基板（立体回路基板）を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、従来方法により回路基板を製造する様子の一例を示す断面図である。
【図７】従来の回路基板の一例を示す断面図であり、（ａ）はＣＭＰ法で研磨する前の状態、（ｂ）、（ｃ）は研磨後の状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１は、本発明の回路基板１０の実施の形態の一例を示す断面図である。回路基板１０は、フィラー１１を含有する樹脂により形成された絶縁基材１の表面に、導電体からなる回路層１３が埋設されて形成されている。フィラー１１としては、適宜の形状のものを用いることができるが、図示の形態では、球状のフィラー１１を用いている。
【００２６】
回路層１３の表面（露出表面）は平坦な面となっている。すなわち、回路層１３の高さＴ（深さ）は回路層の幅Ｗ方向に亘ってほぼ等しくなっている。回路層１３の高さＴがほぼ等しくなることにより、電気特性を高めることができる。そして、図示の形態にあっては、回路層１３の表面と絶縁基材１の表面とには段差がない。それにより回路基板１０の表面全体が平坦になっており、薄型で平滑な回路基板１０を得ることができる。
【００２７】
絶縁基材１の露出表面は、ＣＭＰ法で形成された場合とは異なり、フィラー１１が破壊されずに形成されている。つまり、ＣＭＰ法で形成された場合は、図７のようにフィラー１１が破壊され露出して絶縁基材１が形成されるものであるが、図示の回路基板１０では、絶縁基材１の露出表面近傍に存在するフィラー１１は破壊されずにその形状を維持したまま存在している。そして、絶縁基材１の露出表面は、フィラー１１が露出しておらず、具体的には、フィラー１１を含有しない表面樹脂層１２が絶縁基材１の露出表面に形成されている。表面樹脂層１２は、フィラー１１を含有せず樹脂成分のみからなり、絶縁基材１の表面全体を覆うように薄膜となって形成されている。ここで、樹脂成分とは、絶縁基材１を形成するフィラー１１以外の成分のことであり、後述のように、樹脂の他、硬化剤や分散剤などの成分を含むものである。図示では、表面樹脂層はイ−イ’よりも表面側（外側）の層である。この表面樹脂層１２でフィラー１１を覆うことによって、フィラー１１が表面にむき出しになってフィラー落ちが発生したりマイクロクラックが発生したりすることを防止することができる。
【００２８】
また、回路層１３の絶縁基材１に埋設された表面（絶縁基材１との接触面）は、フィラー１１のこの接触面への突出形状に追従した凹凸形状に形成されている。つまり、絶縁基材１の回路層１３との接触面は、フィラー１１を突出させた凹凸形状に形成されており、この絶縁基材１の凹凸形状に追従して回路層１３の凹凸形状が形成されている。このように凹凸形状が形成されて回路層１３と絶縁基材１とが接触することにより、回路層１３と絶縁基材１との密着性が高まり、高精度の回路を形成することができるものである。
【００２９】
回路層１３の絶縁基材１との接触面は、フィラー１１を含まない絶縁基材１の樹脂層と接してもよいが、図示の形態にあっては、回路層１３は、この回路層１３の接触面に向かって突出するフィラー１１と接触している。すなわち、この回路層１３と当接する絶縁基材１の表面（後述の回路溝３の露出面）は、表面樹脂層１２が設けられておらず、フィラー１１が露出しており、この露出したフィラー１１と接触して回路層１３が形成されている。このように、回路層１３が表面樹脂層１２を介さずに直接絶縁基材１の内部と接しているので、回路層１３の密着性をさらに高くすることができる。
【００３０】
回路層１３と接触するフィラー１１は、図示のように、フィラー１１が破壊されずにその形状を維持したまま接触していることが好ましい。フィラー１１が球状の場合は破壊されずに突出した半球状の球面で回路層１３と接触するものである。このように、フィラー１１を他の層を介さずに直接的に回路層１３と接触するようにすると、樹脂基材１１の内部に接して回路層１３の底面及び側面が形成されることになり、密着性をより高めることができる。このように、密着性をより高めるために、フィラー１１の一部が回路溝３の露出面から突出し露出して形成されていることがさらに好ましいものである。
【００３１】
また、回路層１３は、埋設された表面である底面と側面とにおいてフィラー１１と接触するように形成されている。すなわち、底面での密着性に加え、側面での密着性が高まっている。したがって、回路層１３を幅狭に形成したときも、回路層１３が側面で密着しているので、脱落することのない密着性の高い回路層１３を形成することができ、回路層１３の幅Ｗが狭い高精度の回路基板１０を得ることができる。また、回路層１３間の幅も狭くすることができる。
【００３２】
本発明の回路基板１０では、上記のように密着性が高まっているので、回路層１３を幅狭に形成することができ、具体的には、回路層１３の幅（Ｗ）と高さ（Ｔ）との比（Ｗ／Ｔ）を０．１以上３０以下にするのが好ましい。すなわち、Ｗ／Ｔがこの範囲となる回路層１３を有する回路基板１０であることが好ましいものである。それにより、回路層１３の幅を狭くすることができ、高精度の回路基板１０を得ることができる。Ｗ／Ｔがこの範囲よりも小さいと実用的でなくなるおそれがある。逆にＷ／Ｔがこの範囲よりも大きいと高精度化（回路の高密度化）できなくなるおそれがある。なお、回路層１３をベタ状の電極等に形成することもでき、その場合、（Ｗ／Ｔ）の上限を設定しなくてもよい。
【００３３】
本発明の回路基板１０では、回路層１３の高さＴに関わらず、高い密着性を得ることができるので、回路層１３の高さＴ（深さ）を回路層１３ごとに容易に設定することができる。したがって、異なる深さの回路層１３を有する回路基板１０を簡単に得ることができるものである。
【００３４】
なお、回路基板１０として平板状のものを図示したが、後述のように、回路基板１０を立体回路基板６０にすることもできる。すなわち、本発明は、平面の絶縁基材１上に回路層１３が形成された回路基板１０に限定されない。具体的には、絶縁基材１として、段差状の立体面を有するような三次元形状の絶縁基材１を用いれば、図５で示すような、正確な配線の回路層１３を備える回路基板１０（立体回路基板６０）を得ることができる。
【００３５】
［回路基板の製造方法］
本発明の回路基板１０を製造する方法について説明する。
【００３６】
本発明の回路基板１０は、絶縁基材１表面に樹脂被膜２を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜２の外表面を基準として前記樹脂被膜２の厚み分よりも深い深さの凹部を形成して回路パターン部を形成する回路パターン形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる触媒被着工程と、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去する被膜除去工程と、前記樹脂被膜２を除去した後の前記めっき触媒又はその前駆体５が残留する部位にのみ無電解めっき膜６を形成するめっき処理工程とを備える方法によって得ることができるものである。製造方法としては、この方法に限定されるものではないが、上記のような回路基板１０を形成するにはこの方法によることが好ましいものである。
【００３７】
このような製造方法によれば、容易に、めっき膜を形成したい部分にのみめっき触媒又はその前駆体５を残し、その他の部分からは、めっき触媒又はその前駆体５を除去することができる。よって、無電解めっき膜６を形成するめっき処理工程を施すことによって、前記めっき触媒又はその前駆体５が残留する部位である、めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜６を容易に形成することができる。
【００３８】
したがって、高精度な回路層１３を絶縁基材１表面に容易に形成することができる。すなわち、形成される回路の輪郭を高精度に維持することができる。その結果、例えば、一定の間隔をあけて複数の回路を形成する場合においても、回路間に無電解めっき膜の断片等が残留することを抑制し、よって、短絡やマイグレーション等の発生を抑制できる。また、所望の深さの回路を形成することができる。
【００３９】
図２は、上記のような回路基板の製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。
【００４０】
はじめに、図２（ａ）に示すように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２の外表面を基準として前記樹脂被膜２の厚み分よりも深い深さの凹部を形成し、フィラー１１を表面に露出させて回路パターン部を形成する。凹部が樹脂被膜２の厚み分よりも深いことによってフィラー１１を露出させるのである。前記回路パターン部としては、前記絶縁基材１を掘り込んだ回路溝３であってもよく、また、必要に応じて、前記絶縁基材１に、前記回路溝３の一部として、貫通孔４を形成するための穴あけを行ってもよい。また、前記回路溝３によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、回路層１３が形成される部分が規定される。なお、この工程は、回路パターン形成工程に相当する。また、以下、回路パターン部として、回路溝３を中心に説明する。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示すように、前記回路溝３の表面及び前記回路溝３が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
【００４３】
次に、図２（ｄ）に示すように、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去させる。そうすることによって、前記絶縁基材１の、前記回路溝３が形成された部分の表面にのみめっき触媒又はその前駆体５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。なお、この工程は、被膜除去工程に相当する。
【００４４】
次に、前記樹脂被膜２が除去された絶縁基材１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記めっき触媒又はその前駆体５が残存する部分にのみ無電解めっき膜６が形成される。すなわち、図２（ｅ）に示すように、前記回路溝３が形成された部分に、回路層１３となる無電解めっき膜６が形成される。そして、回路層１３は、この無電解めっき膜６からなるものであってもよいし、前記無電解めっき膜６にさらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、さらに厚膜化させたものであってもよい。具体的には、例えば、図２（ｅ）に示すように、前記回路溝３や前記貫通孔４全体を埋めるように無電解めっき膜６からなる回路層１３を形成させ、前記絶縁基材１と前記回路層１３との段差をなくすようにしてもよい。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【００４５】
上記各工程によって、図２（ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。このように形成された回路基板１０は、前記絶縁基材１上に高精度に回路層１３が形成されたものである。
【００４６】
以下、各工程について、説明する。
【００４７】
＜被膜形成工程＞
被膜形成工程は、上述したように、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２を形成させる工程である。
【００４８】
（絶縁基材）
絶縁基材１は、フィラー１１を含有する樹脂により形成されたもの（樹脂基材）であれば、特に限定されない。
【００４９】
また、前記樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成する樹脂であれば、特に限定なく用いることができる。具体的には、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が挙げられる。
【００５０】
前記エポキシ樹脂としては、回路基板の製造に用いられうる各種有機基板を構成するエポキシ樹脂であれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。さらに、難燃性を付与するために、臭素化又はリン変性した、上記エポキシ樹脂、窒素含有樹脂、シリコーン含有樹脂等も挙げられる。また、前記エポキシ樹脂及び樹脂としては、上記各エポキシ樹脂および樹脂を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
また、上記各樹脂で基材を構成するには、一般的に、硬化させるために、硬化剤を含有させる。前記硬化剤としては、硬化剤として用いることができるものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、ジシアンジアミド、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミノトリアジンノボラック系硬化剤、シアネート樹脂等が挙げられる。前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
前記フェノール系硬化剤としては、例えば、ノボラック型、アラルキル型、テルペン型等が挙げられる。更に難燃性を付与するためリン変性したフェノール樹脂または、リン変性したシアネート樹脂等もあげられる。また、前記硬化剤としては、上記各硬化剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
また特に限定されないが、レーザー加工により回路パターンを形成することから、１００ｎｍ〜４００ｎｍ波長領域でのレーザー光の吸収率が良い樹脂等を用いることが好ましい。例えば、具体的には、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００５４】
そして、前記絶縁基材１には、フィラー１１が含有される。前記フィラー１１としては、無機微粒子であっても、有機微粒子であってもよく、特に限定されない。フィラー１１を含有することで、レーザー加工部にフィラー１１を破壊されない状態で露出させ、フィラー１１の突出による凹凸面を形成してメッキと樹脂との密着性を向上することが可能になる。
【００５５】
前記無機微粒子を構成する材料としては、具体的には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリカ（ＳｉＯ２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の高誘電率充填材；ハードフェライト等の磁性充填材；水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）２）、三酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、五酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ５）、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブテン化合物、スズ酸亜鉛等の無機系難燃剤；タルク（Ｍｇ３（Ｓｉ４Ｏ１０）（ＯＨ）２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、雲母等が挙げられる。前記無機微粒子としては、上記無機微粒子を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの無機微粒子は、熱伝導性、比誘電率、難燃性、粒度分布、色調の自由度等が高いことから、所望の機能を選択的に発揮させる場合には、適宜配合及び粒度設計を行って、容易に高充填化を行うことができる。
【００５６】
また、前記無機微粒子は、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤で表面処理してもよい。また、前記絶縁基材は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、シランカップリング剤を含有してもよい。前記シランカップリング剤としては、具体的には、例えば、エポキシシラン系、メルカプトシラン系、アミノシラン系、ビニルシラン系、スチリルシラン系、メタクリロキシシラン系、アクリロキシシラン系、チタネート系等のシランカップリング剤等が挙げられる。前記シランカップリング剤としては、上記シランカップリング剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
また、前記絶縁基材１は、前記無機微粒子の、前記絶縁基材中での分散性を高めるために、分散剤を含有してもよい。前記分散剤としては、具体的には、例えば、アルキルエーテル系、ソルビタンエステル系、アルキルポリエーテルアミン系、高分子系等の分散剤等が挙げられる。前記分散剤としては、上記分散剤を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５８】
また、前記有機微粒子としては、具体的には、例えば、ゴム微粒子等が挙げられる。
【００５９】
フィラー１１の粒径としては、絶縁基材１の厚み以下の平均粒径であることが好ましく、具体的には、平均粒径が０．０１〜１０μｍであることが好ましく、平均粒径が０．０５〜５μｍであることがさらに好ましい。フィラー１１の粒径がこの範囲になることによって、絶縁基材１の表面にフィラー１１を含有しない表面樹脂層１２を形成することが容易にできるものであり、また、フィラー１１が露出する回路溝３での回路層１３の密着性が高まるものである。フィラー１１の平均粒径が上記の範囲より小さいと、フィラー１１が突出した凹凸形状による密着の効果が小さくなるおそれがあり、逆にフィラー１１の平均粒径が上記の範囲より大きいと、微細な回路溝３を形成できなくなるおそれがある。平均粒径は、レーザー回折粒度分布計を用いた光散乱法により測定することができ、球相当径（個数平均径）として得られる。
【００６０】
フィラー１１の形状は特に限定されるものではないが、球状のものを用いることができる。その他、破砕状の形状等のフィラー１１を用いてもよい。このうち、球状フィラーを用いるのが好ましい。
【００６１】
フィラー１１の含有量としては、硬化後の樹脂基材１全量に対して１０〜９５質量％であることが好ましく、３０〜９０質量％であることがより好ましく、５０〜８５質量％であることがさらに好ましい
フィラー１１の含有量がこの範囲に入り、更にはフィラー１１の含有量を上げていくことで、樹脂基材１の熱膨張を、形成される導体回路の熱膨張に近づけることができ、熱時の基板信頼性を上げることができる。フィラー１１の含有量がこの範囲より低いと、回路層１３と絶縁基材１との密着が悪くなり、また、熱膨張が大きくなり、熱時の基板信頼性が低下するおそれがある。逆にフィラー１１の含有量がこの範囲より高いと、フィラー１１が絶縁基材１の表面から露出したり、絶縁基材１を他の基材と積層して成形する際に、流動性が悪くなりカスレが発生したりするおそれがある。
【００６２】
絶縁基材１は、上記のような成分を含んだ樹脂組成物を適宜、成形等して形成されるものである。樹脂組成物には溶剤を加えてもよい。その際、絶縁基材１が流動性のある状態で形状を整えた後、硬化することによって、絶縁基材１の表面にフィラー１１を含有していない表面樹脂層１２を形成することができる。すなわち、樹脂組成物は流動性を有しているために、硬化前にはフィラー１１は表面に直接露出することはなく内部に埋め込まれているので、樹脂成分（フィラー１１以外の成分）の層が未硬化の絶縁基材１の表面に形成されている。そして、この状態を維持したまま硬化して絶縁基材１が形成されるので、表面樹脂層１２を形成することができ、フィラー１１を絶縁基材１の表面に露出しないようにすることができるのである。
【００６３】
表面樹脂層１２が形成されていることは絶縁基材１の表面を観察し、フィラー１１が露出していないことにより確認される。なお、ＣＭＰ法のように、絶縁基材１の表面を研磨する方法によれば、表面樹脂層１２が研磨により除去され、さらに表層に近いフィラー１１も研磨されるので、フィラー１１が研磨されて露出した様子が表面観察で観察される。
【００６４】
また、前記絶縁基材１の形態としては、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグ、及び三次元形状の成形体等が挙げられる。前記絶縁基材１の厚みは、特に限定されない。具体的には、シート、フィルム、プリプレグの場合には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍ程度であることがより好ましい。また、前記絶縁基材１としては、シリカ粒子等の無機微粒子を含有してもよい。
【００６５】
（樹脂被膜）
前記樹脂被膜２は、前記被膜除去工程で除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。また、前記膨潤性樹脂被膜としては、例えば、前記液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。このような膨潤度の樹脂被膜を用いることによって、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を容易に剥離させることができる。よって、高精度な回路層１３を絶縁基材１の表面により容易に形成することができる。なお、前記樹脂被膜２は、前記液体に対する膨潤度が大きく、前記液体に対して溶解するものも含まれる。
【００６６】
なお、前記膨潤性樹脂被膜には、前記液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、前記液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、前記液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により前記絶縁基材１表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。
【００６７】
前記樹脂被膜２の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００６８】
前記樹脂被膜２の厚みとしては、微細な回路を高精度に形成することができる点から、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、前記樹脂被膜２の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。前記樹脂被膜２の厚みが厚すぎる場合には、前記回路パターン形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝３や貫通孔４等の回路パターン部の精度が低下する傾向がある。また、前記樹脂被膜２の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜２を形成しにくくなる傾向がある。
【００６９】
次に、前記樹脂被膜２として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
【００７０】
前記膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜がより好ましい。なお、前記膨潤度が低すぎる場合には、前記被膜除去工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。
【００７１】
前記膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜２の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、前記絶縁基材１の表面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に前記液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜を絶縁基材１の表面に転写する方法等が挙げられる。
【００７２】
前記膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。前記エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜２を容易に形成することができる。
【００７３】
このように、前記樹脂被膜２が、前記絶縁基材１表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜２であることが好ましい。このような樹脂被膜２を用いれば、絶縁基材１表面に樹脂被膜を容易に形成することができる。よって、高精度な回路層１３を絶縁基材１表面により容易に形成することができる。
【００７４】
また、前記樹脂被膜２が、支持基板上に形成された樹脂被膜２を前記絶縁基材１表面に転写することにより形成される樹脂被膜２であることが好ましい。また、この転写に用いる樹脂被膜としては、支持基板表面にエラストマーのサスペンジョン又はエマルジョンを塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜２であることがより好ましい。このような樹脂被膜２を用いれば、予め多数の樹脂被膜２を準備できるために量産性に優れる点から好ましい。
【００７５】
前記エラストマーとしては、カルボキシル基を有する、ジエン系エラストマー，アクリル系エラストマー，及びポリエステル系エラストマーからなる群から選ばれるものであることが好ましい。また、前記ジエン系エラストマーとしては、スチレン−ブタジエン系共重合体であることがより好ましい。このようなエラストマーによれば、架橋度又はゲル化度を調整することにより所望の膨潤度の樹脂被膜を容易に形成することができる。また、前記被膜除去工程において用いる前記液体に対する膨潤度をより大きくでき、前記液体に対して溶解する樹脂被膜も容易に形成することができる。
【００７６】
また、前記樹脂被膜としては、酸当量１００〜８００のカルボキシル基を有するアクリル系樹脂からなる樹脂を主成分とする被膜も好ましく用いられる。
【００７７】
また、前記膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、前記触媒被着工程における液性条件と、前記被膜除去工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜は絶縁基材に対する高い密着力を維持し、被膜除去工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。
【００７８】
さらに具体的には、例えば、前記触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、前記膨潤性樹脂被膜は、前記酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が６０％以下、さらには４０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００７９】
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【００８０】
カルボキシル基を有するエラストマーの具体例としては、カルボキシル基を有するモノマー単位を共重合成分として含有することにより、分子中にカルボキシル基を有する、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー；アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー；及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマーの、酸当量，架橋度またはゲル化度等を調整することにより所望のアルカリ膨潤度を有する膨潤性樹脂被膜を形成することができる。エラストマー中のカルボキシル基はアルカリ水溶液に対して膨潤性樹脂被膜を膨潤させて、絶縁基材表面から膨潤性樹脂被膜を剥離する作用をする。また、酸当量とは、１当量のカルボキシル基当たりのポリマー重量である。
【００８１】
カルボキシル基を有するモノマー単位の具体例としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、及びマレイン酸無水物等が挙げられる。
【００８２】
このようなカルボキシル基を有するエラストマー中のカルボキシル基の含有割合としては、酸当量で１００〜２０００、さらには１００〜８００であることが好ましい。酸当量が小さすぎる場合には、溶媒または他の組成物との相溶性が低下することにより、めっき前処理液に対する耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が大きすぎる場合には、アルカリ水溶液に対する剥離性が低下する傾向がある。
【００８３】
また、エラストマーの分子量としては、１万〜１００万、さらには、２万〜６万であることが好ましい。エラストマーの分子量が大きすぎる場合には剥離性が低下する傾向があり、小さすぎる場合には粘度が低下するために膨潤性樹脂被膜の厚みを均一に維持することが困難になるとともに、めっき前処理液に対する耐性も悪化する傾向がある。
【００８４】
また、前記樹脂被膜としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物からなるものが挙げられる。このような樹脂被膜を用いれば、絶縁基材１の表面に樹脂被膜を容易に形成することができる。よって、高精度な回路を絶縁基材１の表面により容易に形成することができる。また、このような樹脂被膜は、前記被膜除去工程で用いる液体で溶解させることができるものが多く、剥離除去だけでなく、溶解除去も有効に用いることができる。
【００８５】
前記樹脂組成物としては、メイン樹脂として前記重合体樹脂を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。
【００８６】
また、ＤＦＲとしては、所定量のカルボキシル基を含有する、アクリル系樹脂；エポキシ系樹脂；スチレン系樹脂；フェノール系樹脂；ウレタン系樹脂等を樹脂成分とし、光重合開始剤を含有する光硬化性樹脂組成物のシートが用いられうる。このようなＤＦＲの具体例としては、特開２０００−２３１１９０号公報、特開２００１−２０１８５１号公報、特開平１１−２１２２６２号公報に開示されたような光重合性樹脂組成物のドライフィルムを全面硬化させて得られるシートや、アルカリ現像型のＤＦＲとして市販されている、例えば、旭化成株式会社製のＵＦＧシリーズ等が挙げられる。
【００８７】
さらに、その他の膨潤性樹脂被膜の例としては、カルボキシル基を含有する、ロジンを主成分とする樹脂（例えば、吉川化工株式会社製の「ＮＡＺＤＡＲ２２９」）やフェノールを主成分とする樹脂（例えば、ＬＥＫＴＲＡＣＨＥＭ社製「１０４Ｆ」）等が挙げられる。
【００８８】
膨潤性樹脂被膜は、絶縁基材表面に樹脂のサスペンジョン又はエマルジョンを従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等の塗布手段を用いて塗布した後、乾燥する方法や、支持基板に形成されたＤＦＲを真空ラミネータ等を用いて絶縁基材表面に貼りあわせた後、全面硬化することにより容易に形成することができる。
【００８９】
また、前記樹脂被膜としては、上記のものに加えて、以下のようなものが挙げられる。例えば、前記樹脂被膜を構成するレジスト材料としては、以下のようなものが挙げられる。
【００９０】
前記樹脂被膜を構成するレジスト材料に必要な特性としては、例えば、（１）後述の触媒被着工程で、樹脂被膜が形成された絶縁基材を浸漬させる液体（めっき核付け薬液）に対する耐性が高いこと、（２）後述の被膜除去工程、例えば、樹脂被膜が形成された絶縁基材をアルカリに浸漬させる工程によって、樹脂被膜（レジスト）が容易に除去できること、（３）成膜性が高いこと、（４）ドライフィルム（ＤＦＲ）化が容易なこと、（５）保存性が高いこと等が挙げられる。
【００９１】
めっき核付け薬液としては、後述するが、例えば、酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリストシステムの場合、全て酸性（ｐＨ１〜２）水溶液である。また、アルカリ性Ｐｄイオンキャタリストシステムの場合は、触媒付与アクチベーターが弱アルカリ（ｐＨ８〜１２）であり、それ以外は酸性である。以上のことから、めっき核付け薬液に対する耐性としては、ｐＨ１〜１１、好ましくはｐＨ１〜１２に耐えることが必要である。なお、耐えうるとは、レジストを成膜したサンプルを薬液に浸漬した際、レジストの膨潤や溶解が充分に抑制され、レジストとしての役割を果たすことである。また、浸漬温度は、室温〜６０℃、浸漬時間は、１〜１０分間、レジスト膜厚は、１〜１０μｍ程度が一般的であるが、これらに限定されない。
【００９２】
被膜除去工程に用いるアルカリ剥離の薬液としては、後述するが、例えば、ＮａＯＨ水溶液や炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。そのｐＨは、１１〜１４であり、好ましくはｐＨ１２から１４でレジスト膜が簡単に除去できることが望ましい。ＮａＯＨ水溶液濃度は、１〜１０%程度、処理温度は、室温〜５０℃、処理時間は、１〜１０分間で、浸漬やスプレイ処理をすることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００９３】
絶縁材料上にレジストを形成するため、成膜性も重要となる。はじき等がない均一性な膜形成が必要である。また、製造工程の簡素化や材料ロスの低減等のためにドライフィルム化されるが、ハンドリング性を確保するためにフィルムの屈曲性が必要である。また絶縁材料上にドライフィルム化されたレジストをラミネーター（ロール、真空）で貼り付ける。貼り付けの温度は、室温〜１６０℃、圧力や時間は任意である。このように、貼り付け時に粘着性が求められる。そのために、ドライフィルム化されたレジストはゴミの付着防止も兼ねて、キャリアフィルム、カバーフィルムでサンドイッチされた３層構造にされることが一般的であるが、これらに限定されない。
【００９４】
保存性は、室温での保存できることがもっとも良いが、冷蔵、冷凍での保存ができることも必要である。このように低温時にドライフィルムの組成が分離したり、屈曲性が低下して割れたりしないようにすることが必要である。
【００９５】
レジスト材料の樹脂組成は、メイン樹脂（バインダー樹脂）を必須成分とし、オリゴマー、モノマー、フィラーやその他添加剤の少なくとも１種類を添加してもよい。
【００９６】
メイン樹脂は熱可塑的性質を持ったリニア型のポリマーが良い。流動性、結晶性などをコントロールするためにグラフトさせて枝分かれさせることもある。その分子量としては、数平均分子量で１０００〜５０００００程度であり、５０００〜５００００が好ましい。分子量が小さすぎると、膜の屈曲性やめっき核付け薬液耐性（耐酸性）が低下する傾向がある。また、分子量が大きすぎると、アルカリ剥離性やドライフィルムにした場合の貼り付け性が悪くなる傾向がある。さらに、めっき核付け薬液耐性向上やレーザー加工時の熱変形抑制、流動制御のために架橋点を導入してもよい。
【００９７】
メイン樹脂の組成としては、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸または酸無水物の単量体と（ｂ）（ａ）単量体と重合しうる単量体を重合させることで得られる。公知技術としては、例えば、特開平７−２８１４３７号公報、特開２０００−２３１１９０号公報、及び特開２００１−２０１８５１号公報に記載のもの等が挙げられる。（ａ）の一例として、例えば、（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸半エステル、アクリル酸ブチル等が挙げられ、単独、もしくは２種類以上を組み合わせても良い。（ｂ）の例としては、非酸性で分子中に重合性不飽和基を（一個）有するものが一般的であり、その限りではない。めっき工程での耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するように選ばれる。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等が挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらには、３次元架橋できるように、重合体に用いる単量体に複数の不飽和基を持つ単量体を選定する、分子骨格にエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、ビニル基などの反応性官能基を導入することができる。樹脂中にカルボキシル基が含まれる場合、樹脂中に含まれるカルボキシル基の量は、酸当量で１００〜２０００が良く、１００〜８００が好ましい。ここで酸当量とはその中に１当量のカルボキシル基を有するポリマーの重量をいう。その酸当量が低すぎる場合、溶媒または他の組成物との相溶性の低下やめっき前処理液耐性が低下する傾向がある。また、酸当量が高すぎる場合、剥離性が低下する傾向がある。また、（ａ）単量体の組成比率は、５〜７０重量％である。
【００９８】
モノマーやオリゴマーとしては、めっき核付け薬液への耐性やアルカリで容易に除去できるようなものであれば何でも良い。またドライフィルム（DFR）の貼り付け性を向上させるために粘着性付与材として可塑剤的に用いることが考えられる。さらに各種耐性をあげるために架橋剤を添加する。具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ．−ブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシルプロピル（メタ）アクリレート類等が挙げられる。また、酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類や（メタ）アクリロニトリル、スチレンまたは重合可能なスチレン誘導体等も挙げられる。また、上記の重合性不飽和基を分子中に一個有するカルボン酸または酸無水物のみの重合によっても得ることが出来る。さらに、多官能性不飽和化合物を含んでも良い。上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。上記のモノマー以外に他の光重合性モノマーを二種類以上含むことも可能である。このモノマーの例としては、例えば、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、またポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等のポリオキシアルキレングリコールジ（メタ）アクリレート、２−ジ（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパンジ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルトリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−メタクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、ウレタン基を含有する多官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、上記のモノマーもしくはモノマーを反応させたオリゴマーのいずれでも良い。
【００９９】
さらに、フィラーを含有してもよい。フィラーは特に限定されないが、具体的には、例えば、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、クレー、カオリン、酸化チタン、硫酸バリウム、アルミナ、酸化亜鉛、タルク、マイカ、ガラス、チタン酸カリウム、ワラストナイト、硫酸マグネシウム、ホウ酸アルミニウム、有機フィラー等が挙げられる。またレジストの厚みは、一般的に１〜１０μｍと薄いため、フィラーサイズも小さいものが好ましい。平均粒径が小さく、粗粒をカットしたものを用いることが良いが、分散時に砕いたり、ろ過で粗粒を除去することもできる。
【０１００】
その他の添加剤としては、例えば、光重合性樹脂（光重合開始剤）、重合禁止剤、着色剤（染料、顔料、発色系顔料）、熱重合開始剤、エポキシやウレタンなどの架橋剤等が挙げられる。
【０１０１】
加工プロセスでは、例えば、レーザ加工が用いられる場合があるが、レーザ加工の場合、レジスト材料にレーザによるアブレーション性を付与することが必要である。レーザ加工機は、例えば、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどが選定される。これらのレーザ加工機は、種々の固有の波長を持っており、この波長に対して吸収率の高い材料にすることで、生産性を向上させることができる。そのなかでもＵＶ−ＹＡＧレーザは微細加工に適しており、レーザ波長は３倍高調波３５５ｎｍ、４倍高調波２６６ｎｍであるため、これらの波長に対して、吸収率が高いことが望ましい。一方、吸収率がある程度低い材料のほうが好ましい場合もある。具体的には、例えば、ＵＶ吸収率の低いレジストを用いると、ＵＶ光がレジストを透過するので、下地の絶縁層加工にエネルギを集中させることができる。すなわち、レーザ光の吸収率によって、利点が異なるので、状況に応じて、レジストのレーザ光の吸収率を調整したレジストを用いることが好ましい。
【０１０２】
＜回路パターン形成工程＞
回路パターン形成工程は、絶縁基材１に回路溝３等の回路パターン部を形成する工程である。回路パターン部としては、上述したように、回路溝３だけではなく、貫通孔４であってもよい。
【０１０３】
前記回路パターン部を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、前記樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に、前記樹脂被膜２の外表面側から、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等を施すことにより、所望の形状及び深さの回路溝３を形成させる方法等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。すなわち、前記回路パターン形成工程が、レーザ加工により回路パターン部を形成する工程である場合には、より微細な回路を高精度に形成することができる点から好ましい。また、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を容易に調整することができ、よって、形成される回路溝３等の深さを容易に調整することができる点からも好ましい。また、レーザ加工を用いることにより、層間接続に用いられる貫通孔を形成したり、絶縁基材１内にキャパシタを埋め込むことができる。
【０１０４】
また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。このように、前記回路パターン形成工程が、型押法を用いて回路パターン部を形成する工程である場合には、型のスタンピングにより容易に回路パターン部を形成することができる点から好ましい。
【０１０５】
また、前記回路溝３の一部として、ビアホール等を形成するための貫通孔４を形成してもよい。この製造方法によれば、回路パターン部の形成の際にビアホールやインナービアホールに用いられうる貫通孔を形成することができる。そして、形成された貫通孔に無電解めっきすることにより、ビアホールやインナービアホールが形成される。
【０１０６】
この工程により、前記回路溝３の形状及び深さや前記貫通孔４の径及び位置等の回路パターン部の形状が規定される。また、前記回路パターン形成工程は、前記樹脂被膜２の厚み分よりも深く掘り込めばよく、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて掘り込んでもよいし、絶縁基材１を貫通してもよい。
【０１０７】
また、この工程により、回路溝３の露出面にフィラー１１を露出させることができる。そして、レーザ加工のような方法により回路溝３を形成すれば、フィラー１１を破壊せずにその形状を維持したまま回路溝３の露出面から一部を突出させて溝を形成することができる。すなわち、この回路溝３の露出面は絶縁基材１の内部層がレーザ加工されて形成された面であり、フィラー１１が分散している内部層が外部に露出する。そして、硬化された絶縁基材１の外表面ではなく、この外部に露出された絶縁基材１の内部層に、触媒を被着した後、無電解めっきを施すため、絶縁基材１の内部と回路層１３とが直接接触することとなり、密着性を高めることができるのである。なお、フィラー１１の露出は表面観察により観測することができる。
【０１０８】
前記回路パターン形成工程で形成される回路溝３等の回路パターン部の幅は特に限定されない。なお、レーザ加工を用いた場合には、線幅２０μｍ以下のような微細な回路も容易に形成できる。したがって、前記回路パターン部の幅が、２０μｍ以下の部分を有することが、微細な加工が要求されるアンテナ回路等の形成ができる点から好ましい。また、回路溝３の深さは、フィルアップめっきにより、回路層１３と絶縁基材１とに段差をなくした場合には回路層１３の深さとなる。
【０１０９】
＜触媒被着工程＞
触媒被着工程は、前記回路溝３等の回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体を被着させる工程である。このとき、貫通孔４が形成されている場合、貫通孔４内壁表面にもめっき触媒又はその前駆体を被着される。
【０１１０】
前記めっき触媒又はその前駆体５は、前記めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【０１１１】
めっき触媒又はその前駆体５を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【０１１２】
はじめに、回路溝３及び貫通孔４が形成された絶縁基材１の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して絶縁基材１表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【０１１３】
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【０１１４】
また、前記触媒被着工程が、酸性触媒金属コロイド溶液中で処理する工程を備え、前記被膜除去工程における所定の液体が、アルカリ性溶液であり、前記樹脂被膜が、前記酸性触媒金属コロイド溶液に対する膨潤度は６０％以下であり、前記アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。
【０１１５】
このような製造方法によれば、前記樹脂被膜は酸性条件で処理される触媒被着工程では剥離されにくく、前記触媒被着工程の後のアルカリ性溶液で処理される被膜除去工程では剥離されやすい。よって、前記樹脂被膜は、前記被膜除去工程において選択的に剥離される。したがって、触媒被着工程においては無電解めっき膜を形成させない部分を正確に保護し、めっき触媒又はその前駆体の被着後の被膜除去工程においては樹脂被膜を容易に剥離させることができる。このため、より正確な回路形成が可能になる。
【０１１６】
このような触媒被着処理によって、前記回路溝３の表面、前記貫通孔４の内壁表面、及び前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させることができる。
【０１１７】
＜被膜除去工程＞
被膜除去工程は、前記触媒被着工程を施した絶縁基材１から前記樹脂被膜２を除去する工程である。
【０１１８】
前記樹脂被膜２を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で前記樹脂被膜２を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、前記樹脂被膜２を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、前記樹脂被膜２で被覆された前記絶縁基材１を前記膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１１９】
この被膜除去工程は、所定の液体で前記樹脂被膜２を膨潤させた後、又は所定の液体で前記樹脂被膜２の一部を溶解させた後に、前記絶縁基材１から前記樹脂被膜２を剥離する工程であることが好ましい。このような製造方法によれば、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を容易に剥離させることができる。よって、高精度な回路を絶縁基材上により容易に形成することができる。
【０１２０】
また、前記被膜除去工程が、所定の液体で前記樹脂被膜を溶解させて除去する工程であることも好ましい。このような製造方法によれば、前記絶縁基材から前記樹脂被膜を容易に除去させることができる。よって、高精度な回路を絶縁基材上により容易に形成することができる。
【０１２１】
また、前記樹脂被膜２として、前記膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
【０１２２】
前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる液体（膨潤液）としては、前記絶縁基材１、及び前記めっき触媒又はその前駆体５を実質的に分解又は溶解させることなく、前記膨潤性樹脂被膜２を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、前記膨潤性樹脂被膜２を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜２の種類や厚みにより適宜選択されうる。具体的には、例えば、膨潤性樹脂被膜がジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマーや、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されている場合には、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液が好ましく用いられうる。
【０１２３】
なお、触媒被着工程において上述したような酸性条件で処理するめっきプロセスを用いた場合には、膨潤性樹脂被膜２が、酸性条件下においては膨潤度が６０％以下、好ましくは４０％以下であり、アルカリ性条件下では膨潤度が５０％以上であるような、例えば、ジエン系エラストマー、アクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマーのようなエラストマー、（ａ）分子中に重合性不飽和基を少なくとも１個有するカルボン酸又は酸無水物の少なくとも１種類以上の単量体と（ｂ）前記（ａ）単量体と重合しうる少なくとも１種類以上の単量体を重合させることで得られる重合体樹脂又は前記重合体樹脂を含む樹脂組成物、カルボキシル基含有アクリル系樹脂から形成されていることが好ましい。このような膨潤性樹脂被膜は、ｐＨ１２〜１４であるようなアルカリ水溶液、例えば、１〜１０％程度の濃度の水酸化ナトリウム水溶液等により容易に膨潤し、剥離する。なお、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射してもよい。また、必要に応じて軽い力で引き剥がすことにより剥離してもよい。
【０１２４】
膨潤性樹脂被膜２を膨潤させる方法としては、膨潤液に、膨潤性樹脂被膜２で被覆された絶縁基材１を所定の時間浸漬する方法が挙げる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【０１２５】
＜めっき処理工程＞
めっき処理工程は、前記樹脂被膜２を除去した後の前記絶縁基材１に無電解めっき処理を施す工程である。
【０１２６】
前記無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体５が被着された絶縁基材１を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体５が被着された部分のみに無電解めっき膜（めっき層）を析出させるような方法等が用いられうる。
【０１２７】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【０１２８】
無電解めっき膜６の膜厚は、特に限定されない。具体的には、例えば、０．１〜１０μｍ、さらには１〜５μｍ程度であることが好ましい。特に、前記回路溝３の深さを深くすることにより、膜厚の厚いめっきであって、断面積が大きい金属配線を容易に形成することができる。この場合には、金属配線の強度を向上させることができる点から好ましい。
【０１２９】
めっき処理工程により、絶縁基材１表面のめっき触媒又はその前駆体５が残留する部分のみに無電解めっき膜６が析出する。そのために、回路パターン部を形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路パターン部を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１３０】
この無電解めっき膜６が形成された部分が回路層１３となる。すなわち、回路層１３は、めっき触媒又はその前駆体５と無電解めっき膜６とにより構成された導電体の層である。そして、上記のような工程で回路層１３を形成するので、回路層１３の埋設された底面や側面がフィラー１１と他の層を介さずに接触して回路層１３を形成するため、高い密着性が得られるのである。なお、図示の形態では、回路層１３と絶縁基材１との表面には段差がないが、回路層１３を絶縁基材１よりも突出させて形成し、回路層１３の一部を絶縁基材１に埋設するようにしてもよい。
【０１３１】
＜検査工程＞
回路基板１０の製造方法において、前記樹脂被膜２が蛍光性物質を含有するものであり、前記被膜除去工程の後、前記蛍光性物質からの発光を用いて被膜除去不良を検査するための検査工程をさらに備えていてもよい。すなわち、前記樹脂被膜２に蛍光性物質を含有させることにより、被膜除去工程の後、検査対象面に紫外光や近紫外光を照射することによる蛍光性物質からの発光を用いて、被膜除去不良の有無や被膜除去不良の箇所を検査することができる。回路基板の製造方法においては、線幅及び線間隔が極端に狭い回路層１３を形成することができる。
【０１３２】
上記のような製造方法においては、線幅及び線間隔が極端に狭くなった場合には、隣り合う回路パターン部と回路パターン部との間に、本来除去すべきであった樹脂被膜が完全に除去しきれず、わずかに残留することも懸念される。また、回路パターン部の形成の際に除去された樹脂被膜の断片が、形成された回路パターン部に入り込み残留することも懸念される。回路パターン部間に樹脂被膜２が残留した場合には、その部分に無電解めっき膜６が形成されてしまい、マイグレーションや短絡等の原因になりうる。また、形成された回路パターン部に樹脂被膜２の断片が残留した場合には、回路層１３の耐熱性不良や伝搬損失の原因にもなる。このような場合において、上記のように樹脂被膜に蛍光性物質を含有させ、被膜除去工程の後、被膜を除去した面に所定の発光源を照射して樹脂被膜が残留している部分のみを蛍光性物質により発光させることにより、被膜除去不良の有無や被膜除去不良の箇所を検査することができる。
【０１３３】
具体的には、例えば、図３に示すように、線幅及び線間隔が極端に狭い回路層１３を形成するような場合、絶縁基材１表面に形成された、隣り合う回路配線８の間に、樹脂被膜が完全に除去されずに残留することが懸念される。このような場合には、その部分に無電解めっき膜６が形成されてしまい、マイグレーションや短絡等の原因になりうる。このような場合であっても、上記検査工程を備えていれば、被膜除去不良の有無や被膜除去不良の箇所を検査することができる。
【０１３４】
なお、図３は、樹脂被膜に蛍光性物質を含有させて、蛍光性物質からの発光を用いて被膜除去不良を検査するための検査工程を説明するための説明図である。
【０１３５】
前記検査工程に用いられる、樹脂被膜２に含有させうる蛍光性物質は、所定の光源により光を照射することにより発光特性を示すものであれば、特に限定されない。その具体例としては、例えば、Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｉｎｅ、Ｅｏｓｉｎｅ、Ｐｙｒｏｎｉｎｅ  Ｇ等が挙げられる。
【０１３６】
本検査工程により蛍光性物質からの発光が検出された部分は、樹脂被膜２の残渣２ａが残留する部分である。従って、発光が検出された部分を除去することにより、その部分に無電解めっき膜が形成されることを抑制できる。これにより、マイグレーションや短絡等の発生を未然に抑制することができる。
【０１３７】
＜デスミア処理工程＞
また、回路基板１０の製造方法において、前記めっき処理工程を施した後、具体的には、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施すデスミア処理工程をさらに備えていてもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた回路基板を備える多層回路基板を想定した場合、前記絶縁基材の、無電解めっき膜が形成されていない部分の表面を粗し、前記回路基板の上層等との密着性を向上させることができる。さらに、ビア底にデスミア処理を施してもよい。そうすることによって、ビア底に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、前記デスミア処理としては、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。具体的には、例えば、過マンガン酸溶液等に浸漬する処理等が挙げられる。
【０１３８】
上記のような工程を経て、図２（ｅ）に示すような回路基板１０が形成される。
【０１３９】
なお、前記回路パターン形成工程において、前記樹脂被膜２の厚み分を超えて掘り込んでいるので、図４に示すように絶縁基材１の深い部分に無電解めっき膜６からなる回路層１３を形成することができる。
【０１４０】
具体的には、図４（ａ）に示すように、複数の導電層間で互いに深さの異なる位置（図中の無電解めっき膜６ａ〜６ｄ）に回路を形成したりすることができる。この場合、めっき処理を回路溝３の途中で止めることになり、無電解めっき膜６は同じ厚みになる。なお、無電解めっき膜６は回路溝３の底面と側面とに形成される。
【０１４１】
また、図４（ｂ）に示すように、絶縁基材１において所定の深さを有する回路溝３を形成した後に、無電解めっき処理により回路溝３を埋設するように回路層１３を形成することができる（図中の無電解めっき膜６ｅ〜６ｈ）。このように、めっきを回路溝３にフル充填する場合は、めっきが表面に達するとそれ以上積みあがらずにストップするようにする。この処理は、そのような処理に適するめっき薬液を選択することにより実施できる。この形態は、断面積が大きい回路を容易に形成することができるために、回路の電気容量を増加させることができる点から好ましい。
【０１４２】
このように、回路溝３の深さを回路層１３ごとに設定することができるので、深さ（高さＴ）の異なる回路層１３を簡単に得ることができるものである。
【０１４３】
［立体回路基板の製造方法］
図５は、立体回路基板６０を製造する各工程を説明するための模式断面図である。
【０１４４】
立体回路基板６０では、絶縁基材１が段差状に形成された段差面を有し、前記絶縁基材１表面が前記段差面となっている。すなわち、絶縁基材１が段差状に形成された段差面を有し、前記段差面に、前記被膜形成工程、前記回路パターン形成工程、前記触媒被着工程、前記被膜除去工程、及び前記めっき処理工程を施すことにより立体回路基板６０を製造することも好ましい。このような製造方法によれば、段差を乗り越えるような回路層１３が容易に形成できる。
【０１４５】
はじめに、図５（ａ）に示すように、段差部分を有する立体絶縁基材５１の表面に樹脂被膜２を形成させる。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
【０１４６】
前記立体絶縁基材５１としては、従来から知られた立体回路基板の製造に用いられうるような各種樹脂成形体が特に限定なく用いられうる。このような成形体は射出成形により得ることが、生産効率の点から好ましい。樹脂成形体を得るための樹脂材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、各種ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂等が挙げられる。そして、本発明にあっては樹脂成形体にフィラー１１が含まれる。なお、図５ではフィラー１１を省略して記載している。
【０１４７】
前記樹脂被膜２の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、平面状の回路基板１０の場合と同様の形成方法等が挙げられる。
【０１４８】
次に、図５（ｂ）に示すように、前記樹脂被膜２の外表面を基準として前記樹脂被膜２の厚み分よりも深い深さの回路溝３等の回路パターン部を形成させる。回路パターン部の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路基板１０の場合と同様の形成方法等が挙げられる。前記回路溝３等の回路パターン部によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、回路層１３が形成される部分が規定される。なお、この工程は、回路パターン形成工程に相当する。
【０１４９】
次に、図５（ｃ）に示すように、前記回路溝３等の回路パターン部の表面及び前記回路パターン部が形成されなかった前記樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させる。めっき触媒又はその前駆体５を被着させる方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路基板１０の場合と同様の方法等が挙げられる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。このような触媒被着処理により、図５（ｃ）に示すように、回路溝３等の回路パターン部の表面、及び樹脂被膜２の表面にめっき触媒又はその前駆体５を被着させることができる。
【０１５０】
次に、図５（ｄ）に示すように、前記立体絶縁基材５１から前記樹脂被膜２を除去させる。そうすることによって、前記立体絶縁基材５１の前記回路溝３等の回路パターン部が形成された部分の表面にのみめっき触媒又はその前駆体５を残留させることができる。一方、前記樹脂被膜２の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体５は、前記樹脂被膜２に担持された状態で、前記樹脂被膜２とともに除去される。また、前記樹脂被膜２を除去する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路基板１０の場合と同様の方法等が挙げられる。なお、この工程は、被膜除去工程に相当する。
【０１５１】
次に、図５（ｅ）に示すように、前記樹脂被膜２が除去された立体絶縁基材５１に無電解めっきを施す。そうすることによって、前記めっき触媒又はその前駆体５が残存する部分にのみ無電解めっき膜６が形成される。すなわち、前記回路溝３や前記貫通孔４が形成された部分に、回路層１３となる無電解めっき膜６が形成される。無電解めっき膜６の形成方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、前記回路基板１０の場合と同様の形成方法等が挙げられる。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【０１５２】
上記各工程によって、図５（ｅ）に示すような、三次元形状の立体絶縁基材５１に回路層１３が形成された立体回路基板６０が回路基板１０として形成される。このように形成された立体回路基板６０は、絶縁基材１上に形成される回路層１３の線幅及び線間隔が狭くても、回路配線を高精度に形成できる。また、このように形成された立体回路基板６０は、基板の段差部を有する面にも、正確且つ容易に回路形成されている。
【実施例】
【０１５３】
以下、本実施形態の製造方法を実施例により、さらに具体的に説明する。なお、本発明の範囲は、以下の実施例により何ら限定されて解釈されるものではない。
【０１５４】
（実施例１）
まず、支持体基板上に絶縁基材１を形成した。
【０１５５】
絶縁基材１の材料としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製の「８５０Ｓ」）と、硬化剤としてのジシアンジアミド（日本カーバイド工業株式会社製の「ＤＩＣＹ」）と、硬化促進剤としての２−エチル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製の「２Ｅ４ＭＺ」）と、無機フィラーとしての球状の溶融シリカ（電気化学工業株式会社製の「ＦＢ１ＳＤＸ  」平均粒径１．７μｍ）と、シランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製の「Ａ−１８７」）と、溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）とを含む樹脂組成物を用いた。
【０１５６】
この樹脂組成物からなるシート状の絶縁基材１（厚み６０μｍ）を、支持体基板の回路形成面上に載置し、さらに、この樹脂組成物からなるシートの外表面にＰＥＴフィルム（東洋紡績株式会社製の「ＴＮ１００」）を載置し、この積層体を、０．４Ｐａ、１００℃で、１分間、加圧加熱成形し張り合わせた後、さらに、１７５℃で、９０分間、加熱硬化した後に、前記絶縁基材１を硬化させた。その後、ＰＥＴフィルムを剥離することにより、支持体基板の上に絶縁基材１を積層させた積層体を得た。この絶縁基材１は、硬化後の絶縁基材１に対してフィラーを７５ｗｔ％含むものである。
【０１５７】
また、絶縁基材１の表面および断面を光学顕微鏡によって観察したところ、フィラー１１が露出しておらず、表面樹脂層１２が形成されていることが確認された。
【０１５８】
そして、絶縁基材１の表面に２μｍ厚のスチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）の樹脂被膜２を形成した。なお、樹脂被膜２の形成は、前記エポキシ樹脂基材の主面に、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）を塗布し、８０℃で３０分間乾燥することにより行った。
【０１５９】
そして、樹脂被膜２が形成された絶縁基材１に対して、レーザー加工により幅２０μｍ、深さ３０μｍの略長方形断面の溝形成加工を行い、回路溝３を形成した。なお、レーザー加工にはＵＶ−ＹＡＧレーザーを備えたＥＳＩ社製のＭＯＤＥＬ５３３０を用いた。レーザー加工後の表面を光学顕微鏡で観察したところ、レーザー加工された絶縁基材１の表面（回路溝３の露出表面）にフィラー１１が露出する様子が確認された。
【０１６０】
次に、回路溝３が形成された絶縁基材１をクリーナーコンディショナー（界面活性剤溶液、ｐH＜１：ローム＆ハース電子材料（株）製Ｃ／Ｎ３３２０）中に浸漬し、その後、水洗した。そして、過硫酸ナトリウム−硫酸系のｐＨ＜１のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理した。そして、ＰＤ４０４（シプレイ・ファーイースト（株）製、ｐH＜１）を用いてプリディップ工程を行った。そして、塩化第一錫と塩化パラジウムを含むｐＨ１の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液（ＣＡＴ４４、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁基材１に吸着させた。これにより、めっき触媒又はその前駆体５が絶縁基材１の表面と樹脂被膜２の表面とに被着された。
【０１６１】
次に、ｐH＜１のアクセラレータ薬液（ＡＣＣ１９Ｅ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。このパラジウム核は、無電解めっきのめっき核となるものである。
【０１６２】
そして、絶縁基材１を、ｐH１４の５％水酸化ナトリウム水溶液中に超音波処理しながら１０分間浸漬した。これにより、表面の樹脂被膜２（ＳＢＲ被膜）は膨潤し、きれいに剥離された。このとき、絶縁基材１の表面に樹脂被膜２の断片等が残っていなかった。そして、絶縁基材１を無電解めっき液（ＣＭ３２８Ａ，ＣＭ３２８Ｌ、ＣＭ３２８Ｃ、シプレイ・ファーイースト（株）製）に浸漬させて無電解銅めっき処理を行った。
【０１６３】
無電解銅めっき処理により、厚み３〜５μｍの無電解銅めっき膜６が析出した。無電解銅めっき処理された絶縁基材１の表面をＳＥＭ（走査型顕微鏡）により観察したところ、切削加工された部分のみに、正確に無電解めっき膜６が形成されていた。この無電解めっき膜６が回路層１３となる。
【０１６４】
なお、膨潤性樹脂被膜の膨潤度は、以下のように求めた。
【０１６５】
離型紙上に膨潤性樹脂被膜を形成するために塗布したＳＢＲサスペンジョンを塗布し、８０℃で３０分間乾燥した。これにより２μｍ厚の樹脂被膜を形成した。そして、形成された被膜を強制的に剥離することにより、試料を得た。
【０１６６】
そして、得られた試料０．０２ｇ程度を秤量した。このときの試料重量を膨潤前重量ｍ（ｂ）とする。そして、秤量された試料を２０±２℃の水酸化ナトリウム５％水溶液１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。また、別の試料を同様にして、２０±２℃の塩酸５％水溶液（ｐＨ１）１０ｍｌ中に１５分間浸漬した。
【０１６７】
そして、遠心分離器を用いて１０００Gで約１０分間遠心分離処理を行い、試料に付着した水分等を除去した。そして、遠心分離後の膨潤した試料の重量を測定し、膨潤後重量ｍ（ａ）とした。得られた、膨潤前重量ｍ（ｂ）及び膨潤後重量ｍ（ａ）から、「膨潤度ＳＷ＝（ｍ（ａ）−ｍ（ｂ））／ｍ（ｂ）×１００（%）」の式から、膨潤度を算出した。なお、その他の条件は、ＪＩＳ  Ｌ１０１５  ８．２７（アルカリ膨潤度の測定方法）に準じて行った。
【０１６８】
このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は７５０％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３％であった。
【０１６９】
以上のような工程により、図１のような回路基板１０を得ることができた。
【０１７０】
（実施例２）
樹脂被膜２として、スチレン−ブタジエン共重合体（ＳＢＲ）のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）サスペンジョン（日本ゼオン（株）製、酸当量６００、粒子径２００ｎｍ、固形分１５％）の代わりに、カルボキシル基含有重合体（日本ゼオン（株）製、酸当量５００、重量平均分子量２５０００、固形分２０％）を用いた以外、実施例１と同様に行った。
【０１７１】
このとき、ｐＨ１４の水酸化ナトリウム５％水溶液に対する膨潤度は１０００％であった。一方、ｐＨ１の塩酸５％水溶液に対する膨潤度は３０％であった。
【０１７２】
これにより、図１のような回路基板１０を得ることができた。
【０１７３】
以上のような実施例の製造方法を用いれば、膨潤性樹脂被膜を剥離することにより、基材表面の回路形成したい部分のみにめっき触媒を被着させることができる。従って、めっき触媒を被着させた部分のみに正確に無電解めっき膜が形成される。また、膨潤性樹脂被膜は膨潤作用により容易に剥離させることができるために、被膜除去工程も容易かつ正確に行うことができる。
【符号の説明】
【０１７４】
１    絶縁基材
２    樹脂被膜
３    回路溝
４    貫通孔
５    めっき触媒又はその前駆体
６    無電解めっき膜
１０  回路基板
１１  フィラー
１２  表面樹脂層
１３  回路層
５１  立体絶縁基材
６０  立体回路基板
【図１】
0005432672.tif 000002
【図２】
0005432672.tif 000003
【図３】
0005432672.tif 000004
【図４】
0005432672.tif 000005
【図５】
0005432672.tif 000006
【図６】
0005432672.tif 000007
【図７】
0005432672.tif 000008