(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド部位及び前記ボンド部位と電気的に接続される集積回路を有する基板と、
電気連結器を受け止めるように構成された外部接点部位、
伝達長さを有し、前記外部接点部位及び前記ボンド部位に電気的に接続される導電配線、
前記導電配線の前記伝達長さの少なくとも一部に沿って、前記導電配線を取り囲む導電性シールドであって、前記ボンド部位と整列された開口を有する金属層を含む導電性シールド、及び、
前記導電配線と前記導電性シールドとの間の分離層であって、前記導電性シールド及び前記分離層は、前記導電配線の前記伝達長さの少なくとも一部に沿って、実質的に同軸上に伸びる、という分離層
を有する、前記基板と接続される再分配構造と、
を含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記導電性シールドは、電気的に接地される
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記分離層は、前記導電配線を、前記導電性シールドから電気的に絶縁する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項４】
請求項１に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記分離層は、前記導電配線を、前記導電性シールドから電気的に絶縁し、前記導電性
シールドは、接地される
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項５】
請求項１に記載のマイクロフィーチャダイを組み込むシステムであって、
プロセッサと、
メモリと、
入力デバイスと、
出力デバイスと、を含む
ことを特徴とするシステム。
【請求項６】
ボンド部位及び前記ボンド部位と電気的に接続される集積回路を有する基板と、
電気連結器を受け止めるように構成された外部接点部位、
伝達長さを有し、前記外部接点部位を前記ボンド部位に電気的に接続する導電配線、
第１の金属層及び前記第１の金属層に電気的に接続された第２の金属層であって、前記第１の金属層が前記ボンド部位と整列された開口を有し、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の少なくとも一部が前記導電配線の前記伝達長さの少なくとも一部に沿って前記導電配線を取り囲む、という第１の金属層及び第２の金属層、及び、
前記導電配線と前記第１の金属層と前記第２の金属層との間の分離層であって、前記第１の金属層、前記第２の金属層及び前記分離層は、前記導電配線の前記伝達長さの少なくとも一部に沿って、実質的に同軸上に伸びる、という分離層
を有する、前記基板と接続される再分配構造と、
を含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。 
【請求項７】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記第１の金属層及び／又は前記第２の金属層は、接地に電気的に接続される
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項８】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記再分配構造は、さらに、前記分離層内に形成される開口を含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項９】
請求項８に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記導電配線は、前記分離層の前記開口から伸びる第１の部位と、前記分離層の前記開口内の第２の部位と、を含み、
前記分離層の一部は、前記第１の金属層を、前記導電配線の前記第２の部位から電気的に絶縁する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１０】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記再分配構造は、さらに、第１の誘電体層を含み、前記分離層は、前記第１の金属層の一部を露出する少なくとも一つの接続開口を有する第２の誘電体層を、含み、
前記第２の金属層は、前記接続開口にまで及んで、前記第１の金属層と電気的に接続する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１１】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記第１の金属層及び前記第２の金属層は、前記第１の金属層及び前記第２の金属層の一部が前記分離層を取り囲むように、構成される
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１２】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記分離層は、前記導電配線を、前記第１の金属層及び前記第２の金属層から電気的に絶縁する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１３】
請求項６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記再分配構造は、さらに、前記第２の金属層上、及び、前記分離層の少なくとも一部の上に、誘電体層を含み、
前記誘電体層は、前記第２の金属層を、前記外部接点部位から電気的に絶縁する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記再分配構造は、さらに、前記誘電体層内に、開口を含み、
前記再分配構造は、さらに、前記開口内に導電性材料を含んで、前記外部接点部位を形成する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１５】
請求項１３に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記再分配構造は、さらに、前記誘電体層内に、開口を含み、
前記再分配構造は、さらに、前記開口内に導電性材料を含んで、前記外部接点部位を形成し、
前記誘電体層は、前記第２の金属層を、前記外部接点部位から電気的に絶縁する
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１６】
ボンド部位と、前記ボンド部位と電気的に接続される集積回路と、電気連結器を受け止めるように構成された外部接点部位と、を有する基板と、
前記外部接点部位を前記ボンド部位に電気的に接続する導電配線と、
前記導電配線の少なくとも一部を囲むシールドであって、前記シールドが前記ボンド部位と整列された開口を有する金属層を含む、というシールドと、
前記導電配線と前記シールドとの間の分離層であって、前記シールド及び前記分離層は、前記導電配線の前記伝達長さの少なくとも一部に沿って、実質的に同軸上に伸び、前記シールドは、電気的に導電性のあり、接地されるという、分離層を含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１７】
請求項１６に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記導電配線は、伝達長さを有し、
前記シールドは、前記伝達長さの少なくとも一部に沿って取り囲み且つ伸びる、縦方向エンクロージャを含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記分離層は、前記シールドの前記縦方向エンクロージャ内に、誘電体ライナーを含む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【請求項１９】
請求項１８に記載のマイクロフィーチャダイにおいて、
前記誘電体ライナーは、前記導電配線を少なくとも部分的に囲む
ことを特徴とするマイクロフィーチャダイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、マイクロフィーチャ加工対象物（microfeature workpieces）のための配線干渉を削減または除去する再分配構造（redistribution structures）、当該再分配構造と関連したシステム、及び、再分配構造の製造方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電子デバイスは、一般に、非常に小さなボンド部位の配列を備えたダイを有し、そのボンド部位は、ダイ内に形成された集積回路に電気的に接続されている。ボンド部位は、電力、入力／出力信号、接地、及び／又は、集積回路とやりとりする他の電気信号を伝送するための外部電気接点を備えている。異なる種類のダイは、異なるボンド部位の配置を有してもよいが、異なるダイは、それにもかかわらず同様の外部デバイスと互換性を有すべきである。従来のパッケージング技術は、ダイ上に再分配構造（RDS）を形成することを含んでいる。RDSは、ダイのボンド部位を、外部デバイスと接続するように配置されたRDSのボンド部位と接続する、配線、及び／又は、ビアを含んでもよい。
【０００３】
しかしながら、従来のRDS構成は、マイクロ電子デバイスの性能を制限しうる、配線、及び／又は、ビアを有している。例えば、配線、及び／又は、ビアを介して、高周波で伝送される信号は、リークし、歪められ、又は、電気的及び／又は磁気的干渉による他の影響を受けうるので、マイクロ電子デバイスは、高クロック速度で動作できかもしれない。従って、従来のRDS構成は、高性能マイクロ電子デバイスでは、十分に機能しないかもしれない。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１Ａ】図１Ａは、本開示の実施形態に係る複数のマイクロフィーチャダイを含む、半導体加工対象物の部分概略上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに示される加工対象物から単品化されたマイクロフィーチャダイの概略斜視図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本開示の一実施形態に係る再分配構造を備えたダイの一部の部分概略上面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本開示の一実施形態に係る図２Ａに示されるダイの一部の部分概略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本開示の一実施形態に係る図２Ａに示されるダイの一部の部分概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｇ】図３Ｇは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｈ】図３Ｈは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｉ】図３Ｉは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｊ】図３Ｊは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図３Ｋ】図３Ｋは、本開示の一実施形態に係る図２Ａから図２Ｃに示される再分配構造を形成するプロセスを描写している。
【図４】図４は、本開示の実施形態に係る一つ以上のマイクロフィーチャダイを含みうるシステムの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
図１Ａは、基板１０２と、基板１０２上及び／又は基板１０２内に配置された複数のマイクロフィーチャダイ１０４と、を有する半導体加工対象物１００である。以下に記載されるいくつかのプロセスは、ウェハレベルで半導体加工対象物１００に実施されてもよく、及び／又は、ダイ１０４がより大きなウェハ１０２から単品化された後に、半導体加工対象物１００の個々のマイクロフィーチャダイ１０４上で実施されてもよい。従って、特に断りのない限り、“マイクロフィーチャ加工対象物”との関連で以下に記載される構造及び方法は、ウェハ１０２及び／又はウェハ１０２から形成されたダイ１０４に適用できる。
【０００６】
いくつかの実施形態は、半導体加工対象物またはウェハに関連して記載されるが、他の実施形態は、他種の加工対象物を有してもよい。そのようなものとして、用語“マイクロフォーチャ加工対象物”及び“加工対象物”は、マイクロ電子デバイスが内部またはその上に一体的に形成される基板を指す。典型的なマイクロ電子デバイスとしては、マイクロ電子回路またはコンポーネント、薄膜記録ヘッド、データストレージ素子、マイクロ流体デバイス、及び、他の製品が挙げられる。マイクロマシン及びマイクロ機械デバイスは、集積回路の製作に使用される多くの同じ技術を使用して製造されるので、この定義内に含まれる。基板は、半導体ピース（例えば、ドープされたシリコンウェハまたはガリウムヒ素ウェハ）、非電導性ピース（例えば、さまざまなセラミック基板）、または、導電性ピースであってもよい。ある場合には、加工対象物は、概して円形であり、または、他の場合には、加工対象物は、直線形状を含む他の形状を有する。
【０００７】
図１Ｂは、図１Ａに示されるウェハ１０２から単品化された後の、個々のダイ１０４の概略斜視図である。ダイ１０４は、操作可能なマイクロ電子構造、例えば、集積回路を含んでもよく、ダイ１０４は、保護カプセル材料内に随意に閉じ込められてもよい。ダイ１０４はまた、ピン、ボンド部位、半田ボール、及び／又は、ダイ１０４内の構造をダイの外部に配置された構造／デバイスと電気的に接続するための他の導電構造を有しても良い。
【０００８】
図２Ａから図２Ｃは、干渉を削減または除去し得る再分配構造（RDS）有するダイ１０４のいくつかの実施形態を描写している。特定の実施形態では、RDSは、少なくとも部分的に外部の電気的及び／又は磁気的干渉から遮断された、配線及び／又はビアを含んでもよい。しかしながら、本開示は追加の実施形態を有してもよく、また、本開示は図２から図４を参照して以下で記載される実施形態の詳細のいくつかを有さずに実施されてもよいことを、当業者は理解するであろう。
【０００９】
図２Ａは、本開示の一実施形態に係る基板１０２の一部及びダイ１０４の一つの部分概略上面図である。図２Ａに示されるように、ダイ１０４は、基板１０２内の集積回路と電気的に接続された複数のボンド部位１２４と、基板１２０上に配置された再分配構造１２２とを含んでもよい。再分配構造１２２は、複数の外部接点部位１２６と、複数の導電配線１２８とを含んでもよい。外部接点部位１２６は、ダイ１０４を外部デバイス（図示せず）に接続するための電気連結器１３０（例えば、明確にするために想像線で示されている半田ボール）を受け止めるように構成されてもよい。導電配線１２８は、ボンド部位１２４の一つを外部接点部位１２６の一つに個々に接続する金属配線であってもよい。導電配線１２８は、概して、互いに極めて近接している。
【００１０】
図２Ｂは、本開示の一実施形態に係る、図２Ａに示される導電配線１２８の伝達長さ（transmission length）１２９に沿ったダイ１０４の一部の部分概略断面図である。図２Ｂに示されるように、基板１０２は、ボンド部位１２４と電気的に接続された集積回路１２３（概略的に図示）を含んでもよい。図示された実施形態では、ボンド部位１２４は、概して基板１２０の表面１２５と重なっている。他の実施形態では、ボンド部位１２４は、少なくとも部分的に表面１２５に埋め込まれてもよく、または、表面１２５から突き出てもよい。
【００１１】
再分配構造１２２は、基板１２０の表面１２５上に配置された第１の誘電体層１３２と、第１の誘電体層１３２上に配置された第１の金属層１３６と、第１の金属層１３６上に配置された第２の誘電体層１３８と、を含んでもよい。第１の金属層１３６は、ボンド部位１２４と概ね整列された開口１３７を有し、第２の誘電体層１３８の一部は、開口１３７内にある。第１の金属層１３６内の開口１３７と概ね整列されていて、且つ、ボンド部位１２４にまで及んでいる開口１３４を、第１の誘電体層１３２及び第２の誘電体層１３８は有している。開口１３７内の第２の誘電体層１３８の一部は、第１の金属層１３６を開口１３４から電気的に絶縁している。
【００１２】
この実施形態では、導電配線１２８は、第２の誘電体層１３８に沿って伸びた第１の部位１２８ａと、第１の開口１３４内にある第２の部位１２８ｂとを含んでいる。導電配線１２８の第２の部位１２８ｂは、導電配線１２８の第１の部位１２８ａをダイ１０４のボンド部位１２４に電気的に接続している。
【００１３】
再分配構造１２２は、導電配線１２８及び第２の誘電体層１３８上に配置された第３の誘電体層１４０と、第３の誘電体層１４０上に配置された第２の金属層１４２と、第２の金属層１４２及び第３の誘電体層１４０上に配置された第４の誘電体層１４４と、をさらに含んでもよい。第３の誘電体層１４０及び第４の誘電体層１４４は、導電配線１２８の第１の部位１２８ａの一部と概ね整列された開口１４７を有している。開口１４７は、電気連結器１３０を受け止めるための外部接点部位１２６を形成するために、導電性材料で満たされてもよい。第４の誘電体層１４４は、第２の金属層１４２を、外部接点部位１２６から電気的に絶縁している。第１の金属層１３６及び第２の金属層１４２は、図２Ｃを参照してより詳細に以下に記載されるように、接地１４６に電気的に接続されうる。
【００１４】
再分配構造１２２のさまざまな実施形態では、個々の誘電体層１３２、誘電体層１３８、誘電体層１４０、及び、誘電体層１４４は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、高分子誘電体材料、及び／又は、他の適切な誘電体材料を含んでもよい。個々の金属層１３６、金属層１４２、外部接点部位１２６、及び／又は、導電配線１２８は、銅、アルミニウム、金、白金、及び／又は、他の適切な導電性材料を含んでもよい。
【００１５】
図２Ｃは、図２Ａに示される導電配線１２８の伝達長さ１２９に概して垂直な平面に沿ったマイクロフィーチャダイ１０４の一部の別の部分概略断面図である。図２Ｃに示されるように、第２の誘電体層１３８はまた、第２の誘電体層１３８を、第１の部分１３８ａ、第２の部分１３８ｂ、第３の部分１３８ｃに分ける、一つ以上の接続開口１３９を含んでもよい。第２の部分１３８ｂは、導電配線１２８を支え、第３の誘電体層１４０と連携して、導電配線１２８の外周に沿って導電配線１２８を実質的に取り囲む分離層１５１を形成する。
【００１６】
第２の金属層１４２は、第３の誘電体層１４０、及び、第２の部分１３８ｂの少なくとも一部を取り囲んでもよい。第２の金属層１４２はまた、接続開口１３９内にまで及んで、第１の金属層１３６に接続してもよい。結果として、第１の金属層１３６及び第２の金属層１４２は、電気的に接続されて、伝達長さ１２９の少なくとも一部に沿って導電配線１２８の周りに導電性シールド１５０を形成してもよい。導電性シールド１５０は、接続ビア、配線、及び／又は、他の適切な接続の仕組みを介して、接地１４６に接続されてもよい。導電性シールド１５０及び分離層１５１は、導電配線１２８の伝達長さ１２９の少なくとも一部に沿って、概して同軸上に伸びてもよい。
【００１７】
動作中、導電性シールド１５０は、導電配線１２８で運ばれる信号から放出された電磁気の、電気の、及び／又は、磁気のエネルギーを減らすことができる。従来技術では、マイクロ電子デバイス内の電気信号は、典型的には、誘電体材料で互いに分離された非シールド導電配線を介して、伝送される。そのような非シールド導電配線は、導電的に結合され、容量結合され、誘導結合され、及び／又は、その他に電磁気的に相互作用し得る。従って、信号が配線の一つを介して伝送されたとき、電気的な結合は、伝送された信号、及び／又は、隣接した配線で運ばれる他の信号に対して、エコー、減衰、及び／又は、他の干渉を生じさせうる。さらに、例えば、すぐ近くの動作中の機械からの、外部の電気的磁気的な干渉（EFI）はまた、導電配線上の伝送された信号に影響を及ぼしうる。
【００１８】
図２Ａから図２Ｃに示されるダイ１０４の実施形態は、導電配線１２８の伝達長さ１２９の少なくとも一部に沿って接地された導電性シールド１５０を形成することによって、干渉を軽減または除去する。接地されたシールド１５０は、導電配線１２８を介して伝送された信号を、第１の金属層１３６と第２の金属層１４２の間の領域に閉じ込める。より具体的には、導電性シールド１５０は誘導電流を接地１４６へ導くことができるので、伝送された信号によって接地されたシールド１５０を超えた領域内に誘導される電流が、削減または除去されうる。結果として、導電配線１２８で運ばれた信号は、高周波で高性能に動作することができる。
【００１９】
導電性シールド１５０はまた、導電配線１２８を互いに近くに位置することを可能にする。二つの隣接する非シールド導電配線間の電磁気結合は、二つの導電配線間の距離が減少するにつれて、より深刻になり得る。結果として、そのような電磁気結合は、各対の導電配線の間の“ピッチ”を制限することがある。しかしながら、個々の導電配線１２８は、遮断されて、互いに干渉から保護されているので、図２Ａから図２Ｃに示される導電配線１２８の実施形態は、小さなピッチに位置されてもよい。
【００２０】
導電性シールド１５０はまた、設計者が導電配線１２８の所望のインピーダンスを選択することを可能にする。従来技術によれば、非シールド導電配線のインピーダンスは、典型的には、導電配線で運ばれる信号の周波数の、少なくとも一部分において、関数である。結果として、導電配線のインピーダンスを予測し調整することは困難となり得る。しかしながら、導電配線１２８のいくつかの実施形態においては、信号の周波数に依存しないインピーダンスを有することができる。その代わりに、導電配線１２８のインピーダンスは、少なくとも一部分において、第２の誘電体層１３８及び第３の誘電体層１４０の比誘電率と、導電配線１２８、第１の金属層１３６、及び／又は、第２の金属層１４２の形状との関数である。
【００２１】
導電性シールド１５０は、さらに、設計者が伝送ノイズを削減するために、導電配線１２８の所望のカットオフ周波数を適切に調整することを可能にする。カットオフ周波数とは、概して、導電配線１２８から出力される電力が通過帯域の電力の約２分の１である周波数を超えた周波数を指す。動作周波数がカットオフ周波数を下回るとき、導電配線１２８で運ばれた信号は、TEM(transverse electromagnetic)モードの波として進行する。カットオフ周波数を上回るとき、信号はまた、TE(transverse electric)モード及び／又はTM(transverse magnetic)モードで進行する。複数のモードは、干渉を引き起こす方法で、異なる位相速度を導電配線１２８に沿って伝播させうる。導電配線１２８が接地されたシールドで保護されているとき、カットオフ周波数は、導電配線１２８の形状に影響されうる。従って、設計者は、導電配線１２８の適切な形状を選択することで、所望のカットオフ周波数を適切に調整することができる。
【００２２】
図２Ｃでは、第２の誘電体層１３８は、二つの接続開口１３９を含んで示されていているが、特定の実施形態では、第２の誘電体層１３８は、一つまたは二つより多い接続開口１３９を含んでもよい。さらに、図２Ｃでは、導電配線１２８は、概して矩形断面を有して示されているが、他の実施形態では、導電配線１２８は、円形、楕円形、及び／又は、他の断面を有してもよい。
【００２３】
図３Ａから図３Ｋは、基板１２０上に再分配構造１２２を形成するプロセスの一実施形態の段階を描写している。図３Ａは、プロセスの初期段階を描写していて、その段階は、第１の誘電体層１３２を基板１２０上に堆積させ、第１の金属層１３６を第１の誘電体層１３２上に堆積させることを含んでいる。図３Ｂは、プロセスのその後の段階を描写していて、その段階は、第１の金属層１３６をエッチバックして、第１の誘電体層１３２の一部を露出することを含んでいる。第１の誘電体層１３２の露出された部分は、概して、ボンド部位１２４に対応する。
【００２４】
図３Ｃは、別の段階を描写していて、その段階は、第２の誘電体層１３８を第１の金属層１３６及び第１の誘電体層１３２の露出された部分の上に堆積させることを含んでいる。第２の誘電体層１３８はまた、研磨（例えば、化学機械研磨を使用して）、及び／又は、他の加工がなされて、概して平面的な上面１５４を有する。
【００２５】
図３Ｄに描写されるように、第１の誘電体層１３２及び第２の誘電体層１３８は、その後、エッチングされて（例えば、プラズマ強化エッチングを使用して）、第１の開口１３４を形成し、ボンド部位１２４を露出する。図３Ｅに示されるように、プロセスはまた、第２の誘電体層１３８をエッチングして、第２の誘電体層１３８を第１の部分１３８ａ、第２の部分１３８ｂ、第３の部分１３８ｃに分離する接続開口１３９を形成することを含んでもよい。ある実施形態では、第１の開口１３４及び接続開口１３９は、別個のエッチング段階で形成される。他の実施形態では、第１の開口１３４及び接続開口１３９は、単一のエッチング段階で形成されてもよい。
【００２６】
プロセスはまた、図３Ｆに描写されるように、第２の誘電体層１３８上、及び、第１の開口１３４内に、導電配線１２８を堆積させることを含んでもよい。図３Ｇに描写されるように、導電配線１２８は、第２の誘電体層１３８の全域を覆っていない。代わりに、導電配線１２８は、第２の誘電体層１３８の第２の部分１３８ｂ上に堆積してもよい。ある実施形態では、シード層（図示せず）を堆積させ、その後、導電性材料（例えば、銅、アルミニウム、及び金）をシード層上にめっきすることによって、導電配線１２８が形成されてもよい。他の実施形態では、導電配線１２８は、化学気相蒸着、原子層蒸着、及び／又は、他の適切な技術によって形成されてもよい。
【００２７】
図３Ｈは、プロセスの一段階を示していて、その段階は、第３の誘電体層１４０を導電配線１２８上に堆積させ、第２の金属層１４２を第３の誘電体層１４０上に堆積させることを含んでいる。第２の金属層１４２はその後、エッチバックされて、図３Ｉに描写されるように、第３の誘電体層１４０の一部を露出してもよい。
【００２８】
図３Ｊを参照すると、第２の誘電体層１３８及び第３の誘電体層１４０が導電配線１２８を第１の金属層１３６及び第２の金属層１４２から電気的に絶縁するように、第２の金属層１４２は堆積して、第３の誘電体層１４０及び第２の誘電体層１３８の第２の部分１３８ｂの少なくとも一部を実質的に取り囲んでもよい。第２の金属層１４２はまた、第２の金属層１４２の少なくとも一部が第１の金属層１３６と物理的及び電気的に接触するように、接続開口１３９内に堆積してもよい。
【００２９】
図３Ｋは、プロセスの一段階を描写していて、その段階は、第４の誘電体層１４４をダイ１０４上に堆積させること、及び、第３の誘電体層１４０及び第４の誘電体層１４４をエッチングして、第２の開口１４７を形成することを含んでいる。導電配線１２８の少なくとも一部は、第２の開口１４７内で露出される。第２の開口１４７は、その後、導電性材料で満たされて、外部接点部位１２６が形成されてもよい。
【００３０】
図３Ａから図３Ｋを参照して上述されたプロセスは、追加のまたは異なるプロセス段階を有してもよい。例えば、金属層の少なくとも一つを堆積させる前に、障壁層が堆積してもよい。任意の堆積した材料の一部を取り除くときに、エッチング停止層または研磨停止層が使用されてもよい。
【００３１】
個々のダイ１０４は、無数のより大きい及び／又はより複雑なシステム１１０のうちのいずかに組み込まれてもよく、その代表的な一つが図４に概略的に示されている。システム１１０は、プロセッサ１１１、メモリ１１２、入力／出力デバイス１１３、及び／又は、他のサブシステムまたはコンポーネント１１４を含んでもよい。マイクロフィーチャ加工対象物（例えば、マイクロフィーチャダイの形式、及び／又は、マイクロフィーチャダイの組み合わせの形式で）は、図４に示されるコンポーネントのいずれに含まれてもよい。その結果のシステム１１０は、多種多様な演算、処理、記憶、センサ、及び／または、他の機能のいずれをも実行しうる。従って、代表的なシステム１１０は、制限なしに、コンピュータ及び／又は他のデータプロセッサを含んでもよく、例えば、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、インターネット家電、及び、携帯用デバイス（例えば、パームトップコンピュータ、装着型コンピュータ、セルラーフォンまたは携帯電話、マルチプロセッサシステム、プロセッサベースのまたはプログラム可能な家庭用家電製品、ネットワークコンピュータ、小型コンピュータ）を含む。別の代表的なシステム１１０は、カメラ、光センサ、サーバ及び関連するサーバサブシステム、ディスプレイデバイス、及び／又は、メモリデバイスを含んでもよい。システム１１０のコンポーネントは、単一のユニット内に格納されてもよく、または、例えば、通信ネットワークを通じて、多数の相互接続されたユニットに分布してもよい。従って、コンポーネントは、ローカル及び／又はリモートのメモリストレージデバイス、及び、磁気的または光学的に可読なまたは取り外し可能なコンピュータディスクを含む多種多様なコンピュータ可読媒体のいずれかを含んでもよい。
【００３２】
以上から、本開示の特定の実施形態はここでは説明の目的で記載されているが、さまざまな変更が本開示から逸脱することなくなされうることは、理解されるであろう。例えば、ある実施形態の素子の多くは、他の実施形態の素子に加えてまたは代わりに、他の実施形態と結び付けられてもよい。従って、本開示は、添付の請求項による場合を除いて、制限されない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図４】
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