(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する画像表示領域を備えた基板と、
前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分に設けられた、第１導電性材料を含む第１電極と、
前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分に設けられ、前記第１導電性材料とは異なる材料である第２導電性材料を含む第２電極と、
前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分、かつ、前記第１電極と同一の層に設けられ、前記第１電極と同一の材料を含む第３電極と、
前記第１電極と前記第３電極とを電気的に接続する第１配線と、
前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する第２配線と、を有し、
前記第２配線の電気抵抗は、前記第１配線の電気抵抗よりも高いことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置用基板において、
前記第１配線は、前記第２配線とは異なる層に設けられていることを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置用基板において、
前記第１配線は、前記基板に垂直な方向から見た平面視において、前記第１配線の最も狭い幅である第１幅を有し、
前記第２配線は、前記基板に垂直な方向から見た平面視において、前記第２配線の最も狭い幅である第２幅を有し、
前記第２幅は、前記第１幅よりも小さいことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
前記基板の一辺と前記画像表示領域との間の部分、かつ、前記第２電極と同一の層に設けられ、前記第２電極に最も近接した位置にある第４電極を有し、
前記第４電極は、前記第２電極と同一の材料を含み、
前記第２配線の長さは、前記第２電極と前記第４電極との間の距離よりも長いことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置用基板において、
前記第１配線は、第３導電性材料を含み、
前記第２配線は、第４導電性材料を含み、
前記第４導電性材料の電気抵抗率は、前記第３導電性材料の電気抵抗率よりも高いことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置、及び該電気光学装置を備える、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、電極の電蝕を防止することが図られる。例えば特許文献１には、第１の基板と第２の基板との間にシール材によって液晶層を封入した、本発明に係る電気光学装置の一例としての、液晶パネルであって、画素部を形成する電極に電気信号を印加するための引出電極のうちシール部材の外側に配設された引出電極を覆う薄膜絶縁層を設けた液晶パネルが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３４６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１によれば、製造された液晶パネルが実際に使用されている際に、水分によって生じる引出電極の電蝕を防止することに主眼を置いている。このため、特許文献１に記載の技術では、電気光学装置の製造工程において生じる電極の電蝕を抑制することが極めて困難であるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、電気光学装置の製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置用基板は、上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、前記複数の画素部が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１導電性材料を含んでなる複数の第１電極と、前記周辺領域に設けられ、前記第１導電性材料とは異なる第２導電性材料を含んでなる複数の第２電極と、前記周辺領域に形成され、前記第１導電性材料を含んでなり、前記複数の第１電極のうち相隣接する第１電極同士を電気的に接続する複数の第１配線と、前記周辺領域に形成され、前記複数の第１電極のうち少なくとも一つの第１電極及び前記複数の第２電極のうち少なくとも一つの第２電極間を電気的に接続する第２配線とを備え、前記第２配線の電気抵抗は、前記複数の第１配線の電気抵抗よりも高い。
【０００７】
本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば石英基板等の基板上に、複数の画素部が、例えばマトリックス状に配列されている。基板上の複数の画素部が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域には、複数の第１電極、複数の第２電極、複数の第１配線及び第２配線が設けられている。
【０００８】
複数の第１電極は、例えばアルミニウム等の第１導電性材料を含んでなる。他方、複数の第２電極は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の、第１導電性材料とは異なる第２導電性材料を含んでなる。
【０００９】
複数の第１配線の各々は、第１導電性材料を含んでなり、複数の第１電極のうち相隣接する第１電極同士を電気的に接続する。第２配線は、複数の第１電極のうち少なくとも一つの第１電極と、複数の第２電極のうち少なくとも一つの第２電極との間を電気的に接続する。
【００１０】
本発明では特に、第２配線は、その電気抵抗が、複数の第１配線の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。ここで、第２配線の電気抵抗を第１配線の電気抵抗より高くする方法としては、例えば、（ｉ）第２配線の幅を第１配線の幅よりも狭くする、（ｉｉ）第２配線の長さを第１配線の長さよりも長くする、（ｉｉｉ）第２配線を、第１配線を構成する第１金属の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料で構成する、等が挙げられる。
【００１１】
本発明の発明者の研究によれば以下の事項が判明している。即ち、製造工程において、互いに異なる導電性材料で構成された二種類の電極が相互に電気的に接続されており、且つ該二種類の電極が基板表面に露出されている状態で、例えば基板洗浄のために洗浄液が基板上に供給されると、二種類の電極の各々を構成する導電性材料相互間のイオン化傾向の違いに起因して、電蝕現象が生じるおそれがある。この結果、電気光学装置用基板の歩留まりが低下したり、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置の信頼性が低下したりするおそれがある。
【００１２】
しかるに本発明では、上述の如く、第２配線が、その電気抵抗が、複数の第１配線の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。このため、仮に、製造工程において、第１電極及び第２電極が相互に電気的に接続され、且つ第１電極及び第２電極が基板表面に露出されている状態で、洗浄液が基板上に供給されたとしても、第１電極及び第２電極間における電荷の移動が抑制されるため、電蝕現象の発生が抑制される。
【００１３】
この結果、本発明の電気光学装置用基板によれば、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。加えて、電気光学装置用基板の歩留まりの低下を抑制したり、該電気光学装置用基板を備える電気光学装置の信頼性の低下を抑制したりすることができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記基板は、複数の導電層を含んでなる積層構造を有しており、前記複数の第１電極、前記複数の第２電極及び前記複数の第１配線は、前記複数の導電層のうち一の導電層の少なくとも一部を構成しており、前記第２配線は、前記複数の導電層のうち他の導電層の少なくとも一部を構成している。
【００１５】
この態様によれば、基板が複数の導電層を含んでなる積層構造を有しているので、当該電気光学装置用基板の高性能化及び小型化を図ることができ、実用上非常に有利である。
【００１６】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記基板上で平面的に見て、前記第２配線の幅は、前記複数の第１配線の幅よりも狭い。
【００１７】
この態様によれば、比較的容易にして、第２配線の電気抵抗を第１配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
【００１８】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第２配線の長さは、前記複数の第２電極のうち相隣接する第２電極間の距離よりも長い。
【００１９】
この態様によれば、比較的容易にして、第２配線の電気抵抗を第１配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
【００２０】
本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第２配線は、前記第１導電性材料の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料を含んでなる。
【００２１】
この態様によれば、比較的容易にして、第２配線の電気抵抗を第１配線の電気抵抗より高くすることができ、実用上非常に有利である。
【００２２】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２３】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えてなるので、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。この結果、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備える。
【００２５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、製造工程における電極の電蝕の発生を抑制することができる。この結果、高品位の画像を表示可能な投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板を平面的に見た平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ´線断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】本発明の実施形態の第１変形例に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図７】本発明の実施形態の第２変形例に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の各実施形態を、図面に基づいて説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材毎に縮尺を異ならしめている。
【００２９】
＜電気光学装置＞
本発明に係る電気光学装置の実施形態を、図１乃至図５を参照して説明する。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３０】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００３３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側にサンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスタや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３７】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３８】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３９】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４０】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４１】
次に、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板について、図３及び図４を参照して説明を加える。図３は、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板を平面的に見た平面図であり、図４は、図３のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図３及び図４では、説明の便宜上、直接関係のある部材のみ図示しており、他の部材については図示を省略している。
【００４２】
図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、例えばアルミニウム及び銅の合金（以降、適宜“Ａｌ／Ｃｕ”と称する）等を含んでなる複数の上下導通端子１０６と、該複数の上下導通端子１０６のうち相隣接する上下導通端子１０６同士を電気的に接続する電位線２２０と、例えばＩＴＯ等を含んでなる複数の抑制パターン２１０と、が形成されている。複数の抑制パターン２１０は、複数の上下導通パターン１０６及び電位線２２０の内側であり、画素領域１０ａの外側の領域に形成される。
【００４３】
尚、電位線２２０は、外部回路接続端子１０２のうち、例えば共通電極電位（例えば７Ｖ）を供給する端子に電気的に接続されている。
【００４４】
図４に示すように、層間絶縁膜４３を介して、上下導通端子１０６等の下層には、電位線２３０が形成されている。該電位線２３０により、上下導通端子１０６と抑制パターン２１０の少なくとも一部とが電気的に接続されている。尚、図４に示すように、電位線２３０の一部を構成し、上下導通端子１０６と抑制パターン２１０との間を電気的に接続する電位線接続部２３１は、その長さが、抑制パターン２１０のうち相隣接する抑制パターン２１０同士間の距離よりも長くなるように構成されている。
【００４５】
層間絶縁膜４２を介して、電位線２３０の下層には、電位線２４０が形成されている。該電位線２４０は、外部回路接続端子１０２のうち、例えば高電位（例えば１５Ｖ）を供給する端子に電気的に接続されている。
【００４６】
尚、層間絶縁膜４１を介して、電位線２４０の下層には、例えば走査線（図示せず）等が形成されている。各層間絶縁膜４１、４２及び４３は、各要素間が短絡することを防止している。
【００４７】
本実施形態では特に、電位線２３０の一部を構成する電位線接続部２３１の電気抵抗が、電位線２２０の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。具体的には、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、電位線接続部２３１の幅が、電位線２２０の幅よりも狭くなるように構成されることによって、電位線接続部２３１の電気抵抗が、電位線２２０の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。
【００４８】
尚、図５は、本実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
【００４９】
本発明の発明者の研究によれば、以下の事項が判明している。即ち、液晶装置１００の駆動時において、電位線２４０の電位は、例えば１５Ｖであり、対向電極２１（図２参照）の電位は、例えば７Ｖであるため、仮に抑制パターン２１０が形成されていないとすると、電位線２４０と対向電極２１との間に生じる電界に起因して、液晶分子の配列の固定（所謂、焼き付き）が発生する可能性がある。電位線２４０の上層側に、抑制パターン２１０を形成すると共に、該抑制パターン２１０の電位を対向電極２１の電位と同じにすることにより、焼き付きの発生を抑制することができる。
【００５０】
抑制パターン２１０の電位を、対向電極２１の電位と同じにするために、液晶装置１００の製造工程において、抑制パターン２１０と上下導通端子１０６とが互いに電気的に接続される。ここで、例えばＩＴＯを含んでなる抑制パターン２１０と、例えばＡｌ／Ｃｕを含んでなる上下導通端子１０６とが互いに電気的に接続されており、且つ抑制パターン２１０及び上下導通端子１０６が基板表面に露出されている状態で、例えば基板洗浄のために洗浄液が基板上に供給されると、抑制パターン２１０及び上下導通端子１０６の各々を構成する導電性材料相互間のイオン化傾向の違いに起因して、本実施形態の場合には、主にイオン化傾向の高いＩＴＯで形成された抑制パターン２１０側に電蝕現象が生じる可能性がある。
【００５１】
しかるに本実施形態では、上述の如く、電位線接続部２３１の電気抵抗が、電位線２２０の電気抵抗よりも高くなるように構成されている。このため、仮に、液晶装置１００の製造工程において、抑制パターン２１０及び上下導通端子１０６が互いに電気的に接続されており、且つ抑制パターン２１０及び上下導通端子１０６が基板表面に露出されている状態で、洗浄液が基板上に供給されたとしても、抑制パターン２１０及び上下導通端子１０６間における電荷の移動が抑制されるため、電蝕現象の発生を抑制することができる。
【００５２】
尚、図５に示したように、電位線接続部２３１の幅を電位線２２０の幅よりも狭くすることによって、電位線接続部２３１の電気抵抗を電位線２２０の電気抵抗よりも高くすることに代えて又は加えて、電位線接続部２３１を、電位線２２０を構成する、例えばＡｌ／Ｃｕの電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する導電性材料で構成することによって、電位線接続部２３１の電気抵抗を電位線２２０の電気抵抗よりも高くしてもよい。さらに、電位線接続部２３１の幅は電位線２３０と同等として、電位線２３０の幅方向の中ほどに開口を設けることによって電位線接続部２３１の電気抵抗を高くしてもよい。また、電位線接続部２３１以外の電位線２３０、即ち抑制パターン２１０同士を電気的に接続する部分は、電気抵抗を高くする必要は無い。このことにより、抑制パターン２１０同士における電位を均一に近づけることができ、画素領域１０ａの外側の周辺領域であっても液晶の配向状態のムラを抑制することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、全ての抑制パターン２１０を電位線２３０で電気的に接続する必要はなく、図４に示したように、例えば、上下導通端子１０６と近い位置に配置される抑制パターン２１０は電気的に接続されていない。このようにすることによっても、上下導通端子１０６と電気的に接続される抑制パターン２１０との距離を確保して、電気抵抗を高くすることが可能となる。導電接続されない抑制パターン２１０であっても、画素領域１０ａと周辺領域との段差を無くすことができ、上層に形成される絶縁膜などの平坦化が容易になる。
【００５４】
尚、本実施形態に係る「ＴＦＴアレイ基板１０」、「画像表示領域１０ａ」、「上下導通端子１０６」、「抑制パターン２１０」、「電位線２２０」、「電位線接続部２３１」、「ＡＬ／Ｃｕ」及び「ＩＴＯ」は、夫々、本発明に係る「基板」、「画素領域」、「第１電極」、「第２電極」、「第１配線」、「第２配線」、「第１導電性材料」及び「第２導電性材料」の一例である。また、図４において、ＴＦＴアレイ基板１０から、上下導通端子１０６及び抑制パターン２１０等までの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。
【００５５】
＜第１変形例＞
次に、本実施形態に係る液晶装置の第１変形例について、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態の第１変形例に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大平面図である。
【００５６】
本変形例では、図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、電位線接続部２３１が蛇行するように形成されている。このため、電位線接続部２３１の電気抵抗を電位線２２０の電気抵抗よりも高くすることができる。この結果、液晶装置１００の製造工程における電蝕現象の発生を抑制することができる。
【００５７】
＜第２変形例＞
次に、本実施形態に係る液晶装置の第２変形例について、図７を参照して説明する。図７は、本実施形態の第２変形例に係るＴＦＴアレイ基板の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００５８】
本変形例では、図７に示すように、複数の導電層の各々に形成された複数の導電パターンがコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることによって、電位線接続部２３１が構成されている。このため、電位線接続部２３１の電気抵抗を電位線２２０の電気抵抗よりも高くすることができる。この結果、液晶装置１００の製造工程における電蝕現象の発生を抑制することができる。
【００５９】
＜電子機器＞
次に、図８を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００６０】
図８に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【００６１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置１００と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００６２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００６３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００６４】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピューターや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００６５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６６】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、２１０…抑制パターン、２２０、２３０、２４０…電位線、２３１…電位線接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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