(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された配線層から成る配線パターンと、
前記配線パターンに接続された複数個の発光素子と、
前記基板上にて前記複数個の発光素子を取り囲むように形成された封止枠と、
前記封止枠の内側に充填されて前記発光素子を封止する透明な封止体と、
前記封止枠の内側部分にて前記封止体が充填されている封止領域に形成された発光部と、
前記基板上にて前記封止枠の外側に形成されている前記配線層から成る外部電極と、
前記基板上にて前記封止枠と前記外部電極との間に形成された壁部と、
前記壁部と前記封止枠との間に形成されたスリットと、
前記配線層上に絶縁層を介して形成された反射層と
を備え、
前記反射層は、前記発光部にて前記発光素子が配置されている部分を除く略全面を覆うと共に、前記壁部に含まれる発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光素子はフリップチップボンディングによって前記配線パターンに接続されている発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置において、
前記発光部にて前記反射層および前記絶縁層には、前記配線パターンを通して前記発光素子に流れるべき電流が前記反射層を介してリークするのを防止するため、前記配線パターンに合致した間隙が形成されている発光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置において、
前記外部電極は第１電極と第２電極とを備え、
前記第１電極と前記第２電極との間には、前記基板の外縁側が広い三角形状の間隙が形成されており、
前記間隙からは前記基板の表面が露出している発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置において、
前記反射層は銀から成り、
前記反射層上に形成されて前記反射層を保護する保護膜を備えた発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置において、
前記基板は矩形状であり、
前記封止枠は略矩形枠状であり、
前記基板上にて前記基板の外周縁に対して前記封止枠の外周縁が傾斜して配置されている発光装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置において、
前記基板は矩形状であり、前記封止枠は円形枠状である発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発光ダイオードの正方形のフリップチップと、正方形のサブマウントとを、中心を一致させて重ね合わせると共に、フリップチップをサブマウントに対して４５゜回転させて配置し、サブマウントの三角形状の上面露出領域に、フリップチップに対する２つの取り出し電極を形成した発光装置が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、絶縁基板上に、直線状の配線パターンが平行に配置されて複数形成され、その配線パターン間に複数個の発光素子が配線パターンに電気的に接続された状態で搭載されて封止体で封止された発光部を備える発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２９６６４４号公報
【特許文献２】特開２００８−２２７４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の発明によれば、正方形のサブマウント（基板）において、取り出し電極（外部電極）の面積を広くしつつ、フリップチップの面積を広くして発光領域をも広くすることが可能になり、小型で高輝度の発光ダイオードが得られる。
しかし、特許文献１には、１個のフリップチップを用いる構成しか開示されていない。
そして、特許文献１には、複数個のフリップチップを全体として正方形に配置させてサブマウントに搭載する構成について、一切開示されておらず示唆すらもされていない。
そのため、特許文献１に基づいて、複数個のフリップチップを配置した構成を想到することは当業者といえども困難である。
【０００６】
特許文献２の発明では、略矩形状の発光部を絶縁基板に対して４５゜回転させて配置した構成が開示されている（図１参照）。
しかし、特許文献２には、発光素子を配線パターンにワイヤボンディングを用いて接続した構成しか開示されていない。
そして、特許文献２には、発光素子を配線パターンにフリップチップボンディングして搭載した構成について、一切開示されておらず示唆すらもされていない。
そのため、特許文献２に基づいて、フリップチップボンディングを用いる構成を想到することは当業者といえども困難である。
【０００７】
発光装置を小型化するには、基板の面積を狭くする必要がある。
また、発光領域を広くするには、複数個の発光素子を封止体で封止した封止領域を広くする必要がある。
そのため、封止領域の外周縁と外部電極とが近い箇所に配置されることになり、外部電極にハンダ付けをする際に、ハンダやハンダフラックスが封止領域を侵食して汚染するおそれがあり、封止領域が汚染されると輝度が低下したり発光ムラが生じて発光品位が低下するという問題がある。
【０００８】
また、封止領域の外周縁に封止枠を形成し、その封止枠の内側に封止体を注入する製造方法では、封止枠が変形して外側方向にダレ易いため、封止枠が機能せずに正常な封止ができなくなったり、封止領域が変形して発光品位が低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、高輝度で発光品位が高く小型な発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
【００１１】
＜第１の局面＞
第１の局面は、
基板と、
前記基板上に形成された配線層から成る配線パターンと、
前記配線パターンに接続された複数個の発光素子と、
前記基板上にて前記複数個の発光素子を取り囲むように形成された封止枠と、
前記封止枠の内側に充填されて前記発光素子を封止する透明な封止体と、
前記封止枠の内側部分にて前記封止体が充填されている封止領域に形成された発光部と、
前記基板上にて前記封止枠の外側に形成されている前記配線層から成る外部電極と、
前記基板上にて前記封止枠と前記外部電極との間に形成された壁部と、
前記壁部と前記封止枠との間に形成されたスリットと、
前記発光部にて前記配線層上に絶縁層を介して形成され、前記発光部にて前記発光素子が配置されている部分を除く略全面を覆う反射層とを備えた発光装置である。
【００１２】
従って、第１の局面によれば、基板上にて封止枠と外部電極との間に形成された壁部を備えるため、外部電極にハンダ付けをする際に、ハンダやハンダフラックスが壁部を乗り越えるおそれが無く、ハンダやハンダフラックスが発光部（封止領域）を侵食して汚染するのを防止可能であることから、発光部の汚染による輝度の低下や発光ムラが生じて発光品位が低下することも防止できる。
また、壁部と封止枠との間に形成されたスリットを備えるため、封止枠の内側に封止体を注入して充填する際に、封止枠が変形して外側方向にダレるのをスリットによって抑止可能であることから、封止枠が機能せずに正常な封止ができなくなったり、封止領域が変形して発光品位が低下するのを防止できる。
また、発光部にて発光素子が配置されている部分を除く略全面を覆う反射層を備えるため、発光部の反射率を高めて高輝度化を図ることができる。加えて、発光素子から発生する熱が反射層を通して放熱されるため、発光装置の過熱を防止して信頼性を向上できる。
その結果、第１の局面によれば、高輝度で発光品位が高く小型な発光装置を提供できる。
【００１３】
＜第２の局面＞
第２の局面は、第１の局面において、前記壁部は前記反射層から成る発光装置である。
従って、第２の局面によれば、壁部を反射層と共用できるため、壁部のみを別部材で形成する場合に比べて、発光装置の製造コストを削減できる。
【００１４】
＜第３の局面＞
第３の局面は、第１または第２の局面において、前記発光素子はフリップチップボンディングによって前記配線パターンに接続されている発光装置である。
発光素子をワイヤボンディングによって配線パターンに接続する場合には、ボンディングワイヤとボンディングパッドとが発光部に配置されるため、それらの分だけ発光部にて反射層で覆われている部分の面積が狭くなる。
それに対して、第２の局面によれば、発光素子をワイヤボンディングによって配線パターンに接続する場合に比べて、発光部にて反射層で覆われている部分の面積を広くすることが可能になり、発光部の反射率を高めることができる。
【００１５】
＜第４の局面＞
第４の局面は、第１〜３の局面において、前記発光部にて前記反射層および前記絶縁層には、前記配線パターンに合致した間隙が形成されている発光装置である。
発光部にて反射層および絶縁層に配線パターンに合致した間隙が形成されていない場合には、反射層に導電材料を用いると、配線パターンを通して発光素子に流れるべき電流が反射層を介してリークするおそれがあり、配線パターンの耐電圧が低下するという問題がある。
それに対して、第４の局面によれば、配線パターンを通して発光素子に流れるべき電流が反射層を介してリークするのを防止して、配線パターンの耐電圧を高めることが可能になるため、発光装置の信頼性を向上できる。
【００１６】
＜第５の局面＞
第５の局面は、第１〜４の局面において、前記配線パターンにて前記外部電極の間には、前記基板の外縁側（前記封止枠の外側）が広い三角形状の間隙が形成されている発光装置である。
配線パターンにて外部電極の間に間隙が形成されていない場合には、外部電極にハンダ付けをする際に、外部電極の間にハンダブリッジが生じて短絡を起こすおそれがある。
それに対して、第５の局面によれば、外部電極の間にハンダブリッジが生じて短絡を起こすのを防止可能になるため、発光装置の信頼性を向上できる。
【００１７】
＜第６の局面＞
第６の局面は、第１〜５の局面において、前記反射層は銀から成り、前記反射層上に形成されて前記反射層を保護する保護膜を備えた発光装置である。
従って、第６の局面によれば、反射率が高い銀を反射層に用いることで反射層の反射率を向上させつつ、銀の劣化を保護膜によって防止できる。
【００１８】
＜第７の局面＞
第７の局面は、第１〜６の局面において、前記基板は矩形状であり、前記封止枠は略矩形枠状であり、前記基板上にて前記基板の外周縁に対して前記封止枠の外周縁が傾斜して配置されている発光装置である。
従って、第７の局面によれば、外部電極の面積を広くしつつ、発光部の面積を広くして発光部の領域（発光領域）をも広くすることが可能になり、小型で高輝度の発光装置が得られる。
【００１９】
＜第８の局面＞
第８の局面は、第１〜６のいずれか１項の局面において、前記基板は矩形状であり、前記封止枠は円形枠状である発光装置である。
従って、第８の局面によれば、外部電極の面積を確保しつつ、発光部が円形になるため見栄えを良くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明を具体化した第１実施形態の発光装置１０の斜視図。図１（Ｂ）は、発光装置１０の平面図。
【図２】図２（Ａ）は、発光装置１０の配線層１５、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８を示す平面図。図２（Ｂ）は、発光装置１０の接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５を示す平面図。
【図３】第１実施形態の発光装置１０および本発明を具体化した第２実施形態の発光装置１００の模式的な概略縦断面図。
【図４】発光装置１０，１００を構成するＬＥＤチップ２４の接続状態を示す回路図。
【図５】図５（Ａ）は、第２実施形態の発光装置１００の斜視図。図５（Ｂ）は、発光装置１００の平面図。
【図６】図６（Ａ）は、発光装置１００の配線層１５、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８を示す平面図。図６（Ｂ）は、発光装置１００の接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５を示す平面図。
【図７】本発明を具体化した第３実施形態の発光装置２００の模式的な概略縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
【００２２】
＜第１実施形態＞
図１〜図４に示すように、第１実施形態の発光装置１０は、基板１１、接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５（配線領域１５ａ〜１５ｇ）、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８、封止枠１９、スリット２０、壁部２１、外部電極２２ａ，２２ｂ、ハンダ２３、ＬＥＤチップ２４、バンプ２５、電極パッド２６、封止体２７、封止領域２８、発光部２９、配線パターン３０、絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の開口部Ｈ、配線パターン３０の間隙Ｓａ，Ｓｂなどから構成されている。
尚、図３では、説明を分かり易くするために、発光装置１０を構成する各部材の寸法形状を誇張して模式的に図示してあり、各部材の寸法形状が実物とは異なっている。
【００２３】
図３に示すように、基板１１の表面全面に、接着層１２、放熱層１３、接着層１４がこの順番で積層形成されている。
接着層１４上には、配線層１５、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８がこの順番で積層形成されている。
封止枠１９は、保護膜１８上に形成されると共に、保護膜１８の外縁に沿って形成されている。
積層された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８において、封止枠１９の外側には配線層１５の表面に達するスリット２０が穿設されている。
積層された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８において、スリット２０の外側に配置形成された部分が壁部２１となる。
配線層１５において、壁部２１の外側にて基板１１の表面から露出した領域が外部電極２２ａ，２２ｂとなる。
外部電極２２ａ，２２ｂにはハンダ２３がハンダ付けされており、外部機器の接続端子（図示略）がハンダ２３を介して外部電極２２ａ，２２ｂに接続されている。
【００２４】
ＬＥＤチップ２４は、絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８とに穿設された開口部Ｈを介し、配線層１５に対してバンプ２５を用いてフリップチップボンディングされて接続されることにより、基板１１に実装・搭載されている。
すなわち、ＬＥＤチップ２４の下面側には、ＬＥＤチップ２４の半導体領域（図示略）に接続された電極パッド２６が形成されている。そして、電極パッド２６と配線層１５とがバンプ２５によって接続されている。
ＬＥＤチップ２４は、封止枠１９の内側に配置されている。
封止枠１９の内側には透明な封止体２７が注入・充填されており、ＬＥＤチップ２４とバンプ２５と電極パッド２６とは封止体２７で埋設されることにより封止されている。
【００２５】
ここで、基板１１は、窒化アルミニウムから成る絶縁基板である。
接着層１２，１４はニッケルから成り、放熱層１３は銅から成り、配線層１５は金から成る。
接着層１２は基板１１と放熱層１３とを接着するために設けられ、接着層１４は放熱層１３と配線層１５とを接着するために設けられている。
絶縁層１６はニッケル系酸化物から成り、反射層１７は銀から成り、保護膜１８は酸化シリコンから成る。
絶縁層１６は、配線層１５と反射層１７とを絶縁するために設けられている。
保護膜１８は、反射層１７の表面を保護するために設けられている。
封止枠１９は熱硬化性の合成樹脂（例えば、エポキシ系樹脂、シリコン系樹脂など）から成り、封止体２７は蛍光体を含有した透明なシリコン樹脂から成る。
【００２６】
図１に示すように、封止枠１９は四隅にアールが形成された略正方形枠状（額縁状）であり、封止枠１９に囲まれた内側部分にて封止体２７が充填された領域が封止領域２８となり、封止領域２８には発光部２９が形成されている。換言すれば、封止領域２８および発光部２９の外周縁には封止枠１９が配置形成されている。
【００２７】
基板１１は正方形の板状であり、発光部２９は四隅にアールが設けられた略正方形の扁平状であり、基板１１と発光部２９とはそれぞれの中心軸Ｏを一致させて重ね合わされると共に、中心軸Ｏを中心とし、発光部２９を基板１１に対して略４５゜回転させて配置した状態で、基板１１上に発光部２９が設置されている。
そして、基板１１上にて封止枠１９の外側に形成された配線層１５が外部電極２２ａ，２２ｂとなる。つまり、外部電極２２ａ，２２ｂは、基板１１上における四隅の三角形状の領域に形成されている。
尚、図１では、外部電極２２ａ，２２ｂにハンダ付けされたハンダ２３（図３参照）の図示を省略してある。
【００２８】
発光部２９において、ＬＥＤチップ２４は間隙を空けて縦横方向に７個×８個ずつ碁盤目状に並べられ、合計５６個のＬＥＤチップ２４から成るＬＥＤチップ群の各辺は発光部２９の外周縁の各辺と平行に配置されている。
発光部２９の外周縁の各辺に沿って、封止枠１９の外側にはスリット２０が配置形成されている。
尚、発光部２９の角部分は基板１１の外周縁に配置されており、発光部２９の角部分における封止枠１９は基板１１の外周縁に接しているため、発光部２９の角部分における封止枠１９の外側にはスリット２０が形成されていない。
スリット２０の外側には、直線状の壁部２１が配置形成されている。
換言すれば、基板１１上にて封止枠１９と外部電極２２ａ，２２ｂとの間には壁部２１が形成され、壁部２１と封止枠１９との間にはスリット２０が形成されている。
【００２９】
図２（Ａ）に示すように、発光装置１０から封止枠１９とハンダ２３とＬＥＤチップ２４とバンプ２５と電極パッド２６と封止体２７とを取り除いた状態において、基板１１の表面には、スリット２０と、スリット２０の底面から露出する配線層１５と、外部電極２２ａ，２２ｂとなる配線層１５と、壁部２１と、保護膜１８とが形成されている。
尚、図２（Ａ）では、スリット２０の底面から露出する配線層１５（図３参照）の図示を省略してある。
ちなみに、図２（Ａ）は、基板１１上に接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８、スリット２０、壁部２１までを順次形成した時点の平面図であるともいえる。
【００３０】
反射層１７下には絶縁層１６が形成され、反射層１７上には保護膜１８が形成されているため、絶縁層１６と保護膜１８および反射層１７の平面形状は同じである。
積層された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８とには、ＬＥＤチップ２４（図１および図３参照）をフリップチップボンディングするための開口部Ｈが形成されている。
発光部２９内に積層形成された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８とは、発光部２９にてＬＥＤチップ２４が配置されている部分を除く略全面を覆っている。
【００３１】
図２（Ｂ）に示すように、発光装置１０から封止枠１９とハンダ２３とＬＥＤチップ２４とバンプ２５と電極パッド２６と封止体２７と絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８とを取り除いた状態において、基板１１の表面には配線層１５が形成されている。
ちなみに、図２（Ｂ）は、基板１１上に接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５までを順次形成した時点の平面図であるともいえる。
【００３２】
積層された接着層１２と放熱層１３と接着層１４と配線層１５とには、複数個のＬＥＤチップ２４（図１および図３参照）を直並列接続するための中間点となる短冊状の配線領域１５ａ〜１５ｇが間隙を空けて並置形成されている。
そして、配線領域１５ａ〜１５ｇおよび外部電極２２ａ，２２ｂによって配線パターン３０が形成されており、ＬＥＤチップ２４は配線パターン３０に接続されている。つまり、配線パターン３０は、積層された接着層１２と放熱層１３と接着層１４と配線層１５とによって形成されている。
また、配線パターン３０において、外部電極２２ａ，２２ｂの間には、基板１１の表面に達する略三角形状の間隙Ｓａ，Ｓｂが配置形成されており、間隙Ｓａ，Ｓｂからは基板１１の表面が露出している。
【００３３】
図４に示すように、５６個のＬＥＤチップ２４は外部電極２２ａ，２２ｂ間にて配線領域１５ａ〜１５ｇを挟んでラダー状に直並列接続され、外部電極２２ａはＬＥＤチップ２４の直並列回路のアノード側電極を構成し、外部電極２２ｂはＬＥＤチップ２４の直並列回路のカソード側電極を構成する。
【００３４】
［第１実施形態の作用・効果］
第１実施形態の発光装置１０によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
【００３５】
［１］基板１１上にて封止枠１９と外部電極２２ａ，２２ｂとの間に形成された壁部２１を備えるため、外部電極２２ａ，２２ｂにハンダ２３をハンダ付けをする際に、図３の矢印αに示すように、ハンダ２３やハンダフラックス（図示略）が壁部２１を乗り越えるおそれが無い。
そのため、ハンダ２３やハンダフラックスが、発光部２９（封止領域２８）を侵食して汚染するのを防止可能であることから、発光部２９の汚染による輝度の低下や発光ムラが生じて発光品位が低下することも防止できる。
【００３６】
［２］壁部２１と封止枠１９との間に形成されたスリット２０を備えるため、封止枠１９の内側に封止体２７を注入して充填する際に、封止枠１９が変形して外側方向（図３に示す矢印β方向）にダレるのをスリット２０によって抑止可能であることから、封止枠１９が機能せずに正常な封止ができなくなったり、封止領域２８が変形して発光品位が低下するのを防止できる。
【００３７】
［３］発光部２９にてＬＥＤチップ２４が配置されている部分を除く略全面を覆う反射層１７を備えるため、発光部２９の反射率を高めて高輝度化を図ることができる。
加えて、ＬＥＤチップ２４から発生する熱が反射層１７を通して放熱されるため、発光装置１０の過熱を防止して信頼性を向上できる。
【００３８】
［４］壁部２１は、積層された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８とから形成されている。
そのため、壁部２１を前記積層材（絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８）と共用できるため、壁部２１のみを別部材で形成する場合に比べて、発光装置１０の製造コストを削減できる。
また、保護膜１８が壁部２１の表面に形成され、保護膜１８は絶縁性の無機材料である酸化シリコンから成るが、絶縁性の無機材料はハンダの濡れ性が低いため、ハンダ２３やハンダフラックスが壁部２１を乗り越えるのをより確実に防止可能であり、前記［１］の効果を更に高めることができる。
【００３９】
［５］ＬＥＤチップ２４は、フリップチップボンディングによって配線パターン３０に接続されている。
ＬＥＤチップ２４をワイヤボンディングによって配線パターン３０に接続する場合には、ボンディングワイヤとボンディングパッドとが発光部２９に配置されるため、それらの分だけ発光部２９にて反射層１７で覆われている部分の面積が狭くなる。
それに対して、発光装置１０によれば、ＬＥＤチップ２４をワイヤボンディングによって配線パターン３０に接続する場合に比べて、発光部２９にて反射層１７で覆われている部分の面積を広くすることが可能になり、発光部２９の反射率を高めることができる。
【００４０】
［６］配線パターン３０にて外部電極２２ａ，２２ｂの間には、基板１１の外縁側（封止枠１９の外側）が広い三角形状の間隙Ｓａ，Ｓｂが形成されている。
配線パターン３０にて外部電極２２ａ，２２ｂの間に間隙Ｓａ，Ｓｂが形成されていない場合には、外部電極２２ａ，２２ｂにハンダ付けをする際に、外部電極２２ａ，２２ｂ間にハンダブリッジが生じて短絡を起こすおそれがある。
それに対して、発光装置１０によれば、外部電極２２ａ，２２ｂ間にハンダブリッジが生じて短絡を起こすのを防止可能になるため、発光装置１０の信頼性を向上できる。
【００４１】
［７］反射層１７は銀から成り、反射層１７上に形成されて反射層１７を保護する保護膜１８を備えている。
従って、発光装置１０によれば、反射率の高い銀を反射層１７に用いることで反射層１７の反射率を向上させつつ、銀の劣化を保護膜１８によって防止できる。
【００４２】
［８］基板１１と発光部２９とはそれぞれの中心軸Ｏを一致させて重ね合わされると共に、中心軸Ｏを中心とし、発光部２９を基板１１に対して略４５゜回転させて配置した状態で、基板１１上に発光部２９が設置されている。
換言すれば、基板１１上にて基板１１の外周縁に対して封止枠１９の外周縁が傾斜して配置されている。
従って、外部電極２２ａ，２２ｂの面積を広くしつつ、発光部２９の面積を広くして発光部２９の領域（発光領域）をも広くすることが可能になり、小型で高輝度の発光装置１０が得られる。
【００４３】
［９］封止枠１９が保護膜１８の外縁に沿って形成されているため、封止枠１９の形が崩れ難くなる。
そして、封止枠１９が保護膜１８上に形成されているため、封止枠１９の内側に封止体２７を注入する工程（封止工程）で働く外側へ向けた力に対して、封止枠１９が強く抗することから、封止枠１９が変形して外側方向（図３に示す矢印β方向）にダレるのを確実に防止可能になり、前記［２］の効果を更に高めることができる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
図３〜図６に示すように、第２実施形態の発光装置１００は、基板１１、接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５（配線領域１５ａ〜１５ｇ）、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８、封止枠１９、スリット２０、壁部２１、外部電極２２ａ，２２ｂ、ハンダ２３、ＬＥＤチップ２４、バンプ２５、電極パッド２６、封止体２７、封止領域２８、発光部２９、配線パターン３０、絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の開口部Ｈ、配線パターン３０の間隙Ｓａ，Ｓｂ、絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の間隙（スリット）１０１などから構成されている。
【００４５】
第２実施形態において、第１実施形態と異なるのは以下の点だけである。
［ア］図５に示すように、発光部２９は円形の扁平状であり、基板１１と発光部２９とはそれぞれの中心軸Ｏを一致させて重ね合わされている。
尚、図５では、外部電極２２ａ，２２ｂにハンダ付けされたハンダ２３（図３参照）の図示を省略してある。
【００４６】
［イ］図５に示すように、発光部２９において、ＬＥＤチップ２４は、間隙を空けて縦横方向に７個×８個ずつ碁盤目状に並べられた状態から、四隅部分の合計４個のＬＥＤチップ２４を取り除き、その取り除いたＬＥＤチップ２４をＬＥＤチップ群の縦方向の両側にて横方向の中央部に２個ずつ並置した状態に並べられ、ＬＥＤチップ群は発光部２９の中央に配置されている。
【００４７】
［ウ］図５に示すように、発光部２９の外周縁に配置形成された封止枠１９は円形枠状（ドーナツ状）である。図５および図６（Ａ）に示すように、発光部２９の外周縁に沿って外側に配置形成されたスリット２０も円形枠状であり、スリット２０の外周縁に沿って外側に配置形成された壁部２１も円形枠状である。
従って、外部電極２２ａ，２２ｂの面積を確保しつつ、発光部２９が円形になるため見栄えを良くすることができる。
【００４８】
［エ］図６に示すように、発光部２９内に積層形成された絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８には、配線パターン３０に合致した間隙１０１が形成されている。
【００４９】
間隙１０１が形成されていない場合には、配線パターン３０を通してＬＥＤチップ２４に流れるべき電流が反射層１７を介してリークするおそれがあり、配線パターン３０の耐電圧が低下するという問題がある。
それに対して、第２実施形態によれば、配線パターン３０を通してＬＥＤチップ２４に流れるべき電流が反射層１７を介してリークするのを防止して、配線パターン３０の耐電圧を高めることが可能になるため、発光装置１００の信頼性を向上できる。
【００５０】
＜第３実施形態＞
図７に示すように、第３実施形態の発光装置２００は、基板１１、接着層１２、放熱層１３、接着層１４、配線層１５、絶縁層１６、反射層１７、保護膜１８、封止枠１９、スリット２０、壁部２１、外部電極２２ａ，２２ｂ、ハンダ２３、ＬＥＤチップ２４、バンプ２５、電極パッド２６、封止体２７、封止領域２８、発光部２９、配線パターン３０、絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の開口部Ｈなどから構成されている。
【００５１】
第３実施形態において、第１実施形態と異なるのは、封止枠１９が、保護膜１８の外側部分の配線層１５上に形成されると共に、保護膜１８の外縁に沿って積層膜（絶縁膜１６、反射膜１７、保護膜１８）の外周面に当接するように形成されている点だけである。
そのため、第３実施形態においても、封止枠１９が保護膜１８の外縁に沿って形成されているため、封止枠１９の形が崩れ難くなる。
そして、第３実施形態によれば、封止枠１９が変形して内側方向（図７に示す矢印γ方向）にダレようとする際に、封止枠１９が前記積層膜の外周面によって係止されるため、封止枠１９が内側方向にダレるのを防止できる。
【００５２】
＜別の実施形態＞
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
【００５３】
［Ａ］第１実施形態において、基板１１と発光部２９とは、略４５゜に限らず、適宜な角度だけ回転させて配置してもよい。
また、基板１１と発光部２９とはそれぞれの中心軸Ｏを一致させずに重ね合わせてもよい。
【００５４】
［Ｂ］発光装置１０を構成する各部材は、前記具体例の材質に限らず、前記作用・効果が得られる材質であればどのようなものを用いてもよい。
【００５５】
［Ｃ］ＬＥＤチップ２４は、光半導体型発光素子のベアチップであれば、例えば、有機ＥＬ素子チップなどに置き換えてもよい。
【００５６】
［Ｄ］基板１１および第１実施形態の封止枠１９は、正方形に限らず、長方形を含む矩形状にしてもよい。
【００５７】
［Ｅ］バンプ２５を、ハンダ、導電性接着剤、異方性導電接着剤（異方導電性接着剤）などに置き換えてもよい。
【００５８】
［Ｆ］ワイヤボンディングを用いることにより、ＬＥＤチップ２４を配線層１５に接続してもよい。
【００５９】
［Ｇ］前記各実施形態を適宜組み合わせて実施してもよく、その場合には組み合わせた実施形態の作用・効果を合わせもたせたり、相乗効果を得ることができる。
【００６０】
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した論文、公開特許公報、特許公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
【符号の説明】
【００６１】
１０，１００，２００…発光装置
１１…基板
１２…接着層
１３…放熱層
１４…接着層
１５…配線層
１５ａ〜１５ｇ…配線領域
１６…絶縁層
１７…反射層
１８…保護膜
１９…封止枠
２０…スリット
２１…壁部
２２ａ…外部電極（第１電極）
２２ｂ…外部電極（第２電極）
２３…ハンダ
２４…ＬＥＤチップ
２５…バンプ
２６…電極パッド
２７…封止体
２８…封止領域
２９…発光部
３０…配線パターン
Ｈ…絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の開口部
Ｓａ，Ｓｂ…外部電極２２ａ，２２ｂの間の間隙
１０１…絶縁層１６と反射層１７と保護膜１８の間隙
【図１】
0005532021.tif 000002
【図２】
0005532021.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005532021.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005532021.tif 000007
【図７】
0005532021.tif 000008