(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプを備える複数の検出素子を有する基板を準備すること、
前記バンプの各々の間にポリマー層を形成すること、
前記バンプの各々の上部及び前記ポリマー層に酸化物層を堆積させること、
前記酸化物層において隣接するバンプの間に複数のビアを形成すること、
残存する酸化物層が前記バンプの各々の前記上部を取り囲むフローティング酸化物層を形成するように前記ポリマー層を除去すること、
複数の対応バンプと該複数の対応バンプの近く及び該複数の対応バンプの間にある酸化物層とを備える集積チップを準備すること、
前記集積チップの前記対応バンプを前記検出素子の前記バンプと接触させること、及び、
前記フローティング酸化物層と前記集積チップの前記酸化物層との間に酸化物−酸化物結合を形成することを含み、
前記フローティング酸化物層と前記集積チップの前記酸化物層との間の前記酸化物−酸化物結合は、前記検出素子と前記集積チップとの間の構造結合を提供する、
酸化物結合に適した検出器の作製方法。
【請求項２】
前記バンプの各々の間に前記ポリマー層を形成する前に、前記バンプの各々にバリア層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バリア層は、複数の層を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記バリア層が窒化金属層を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記バリア層は、前記バンプ間で拡散バリアとして機能する第１層と、前記第１層の上部に形成された第２層とを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記バンプの各々の間にポリマー層を形成することは、
前記バンプの各々の上及び間に第１のポリマー層を形成すること、及び、
前記バンプの各々の上部が露出すると共に第２のポリマー層が前記バンプの各々の間に形成されるように、前記第１のポリマー層の少なくとも一部分を薄くすることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ポリマー層は、溶解性ポリマー層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記薄くすることは、脱イオン水及びイソプロピルアルコールの一方又は両方を用いる処理によって行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化物層を堆積することは、スパッタリング又は化学蒸着のいずれかによって酸化物層を堆積することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸化物層の前記堆積は、前記ポリマー層の融点より低い温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化物層において隣接するバンプの間に複数のビアを形成することは、
前記酸化物層にフォトレジスト層を塗布すること、
前記隣接するバンプ間に前記複数のビアを形成するために前記フォトレジスト層をパターニングすること、
前記酸化物層をエッチングして前記酸化物層の前記隣接するバンプ間に前記複数のビアを形成すること、及び、
前記フォトレジスト層を除去して前記複数のビアを露出させることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリマー層を除去することは、脱イオン洗浄を行うことによって前記ポリマー層を除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記集積チップの対応バンプを検出素子の前記バンプと整列させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記整列させることは、ピックアンドプレース処理を用いることによって実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化物−酸化物結合を形成することは、
(a)前記集積チップの前記対応バンプと前記検出素子の前記バンプとを互いに密接に接触させ、且つ、
(b)前記集積チップの前記対応バンプ及び前記検出素子の前記バンプに対する機械的応力及びこれらのバンプ間の機械的応力を本質的に全て除去する、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１６】
前記密接に接触する前記集積チップのバンプと前記検出素子のバンプとの間に非酸化物結合を形成することを更に含み、前記非酸化物結合によって、検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間が電気的に接触させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１７】
非酸化物結合を形成することは、前記集積チップの前記対応バンプと前記検出素子の前記バンプとの間に金属結合を形成することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項１８】
非酸化物結合を形成することは、前記集積チップの前記対応バンプのバリア層と前記検出素子の前記バンプのバリア層との間に結合を形成することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数のビアを形成する前に、前記酸化物層の上面が前記バンプの各々の上面と整列するように、前記酸化物層を平坦化することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記集積チップの前記対応バンプ及び前記検出素子の前記バンプは、インジウム製バンプを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
バンプを備える複数の検出素子を有する検出アレイと、
対応バンプ及び前記対応バンプの間にある酸化物層を有する集積チップと、
前記集積チップの前記対応バンプと前記検出素子の前記バンプとの間の相互接続インタフェースとを含み、
前記バンプの各々は、前記バンプの上部で前記バンプの各々を取り囲むフローティング酸化物層を有し、
前記相互接続インタフェースは、
前記フローティング酸化物層と前記集積チップの前記酸化物層との間の酸化物−酸化物結合と、
前記集積チップの前記対応バンプの各々と前記検出素子の前記バンプの各々との間の電気的接触とを含み、
前記酸化物−酸化物結合は、前記検出素子と前記集積チップとの間の構造結合を提供すると共に、前記集積チップの前記対応バンプ及び前記検出素子の前記バンプに対する機械的応力及びこれらのバンプ間の機械的応力を本質的に全て除去する、
超小型電子装置。
【請求項２２】
前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の少なくとも１つのバリア層を更に含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記電気的接触は、非酸化物結合を含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記集積チップは、読み出し集積チップを含む、請求項２１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、集積チップとの酸化物結合用バンプを有する検出器の作製方法、及び、酸化物結合バンプを利用する装置に関する。
【０００２】
HgCdTe検出器等の検出器を読み出し集積チップに結合する際には、従来、インジウム−インジウム冷間圧接処理が用いられている。このインジウム−インジウム冷間圧接処理においては、結合を形成するために高い外部圧力を作用させなければならない。インジウムは、脆弱な材料であり、かかる外部圧力によって破壊されるおそれがある。また、インジウム−インジウム冷間圧接処理においては、高い外部圧力が作用することによって、検出器に機械的損傷が発生するおそれがある。
【０００３】
従来技術には、少なくともこれらの欠点及びこれら以外の欠点が存在する。
【発明の概要】
【０００４】
本開示は、従来の手法におけるこれらの欠点及びこれら以外の欠点に対処するもので、集積チップとの酸化物結合に適したバンプを備える検出器の作製方法に関する。
【０００５】
一実施形態における方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備し、前記バンプの各々の間にポリマー層を形成し、前記バンプの各々の上部及び前記ポリマー層に酸化物層を堆積し、酸化物層において隣接するバンプの間に複数のビアを形成し、残存酸化物層が前記バンプの各々の前記上部を取り囲むフローティング酸化物層を形成するように、前記ポリマー層を除去する。
【０００６】
一実施形態においては、超小型電子デバイスが作製される。この超小型電子デバイスは、バンプを有する複数の検出素子を備える検出アレイと、前記バンプの各々の上部を取り囲むフローティング酸化物層と、対応バンプ及び前記対応バンプの間の酸化物層を備える集積チップと、前記集積チップの前記対応バンプと前記検出素子の前記バンプとの間の相互接続インタフェースと、を備え、前記相互接続インタフェースは、前記フローティング酸化物層と前記集積チップの前記酸化物層との間の酸化物−酸化物結合と、前記集積チップの前記対応バンプの各々と前記検出素子の前記バンプの各々との間の電気的接触と、を含み、前記酸化物−酸化物結合が、前記検出素子と前記集積チップとの間の構造結合を提供するとともに、前記集積チップの前記対応バンプ及び前記検出素子の前記バンプに対する機械的応力及び前記集積チップの前記対応バンプと前記検出素子の前記バンプとの間の機械的応力を本質的に全て除去する。
【０００７】
本開示のこれら以外の様々な特徴及び態様について、実施形態の詳細な説明及び添付図面によって明確にされる。上記の概略的な説明及び以下の詳細な説明は例示に過ぎず、本発明概念の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】酸化物結合に適した検出器の作製方法の一実施形態における例示
【０００９】
【図２】バンプを備えた複数の検出素子を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１０】
【図３】各バンプ上に堆積されたバリア層を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１１】
【図４Ａ】各バンプ間に形成されたポリマー層を有し、各バンプの少なくとも上部が露出している検出器の一実施形態における模式図
【００１２】
【図４Ｂ】各バンプの上及び各バンプの間に形成されたポリマー層を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１３】
【図５】各バンプの上部に形成された酸化物層及び各バンプ間に形成されたポリマー層を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１４】
【図６Ａ】酸化物層において隣接するバンプの間に形成された複数のビアを有する検出器の一実施形態における模式図
【００１５】
【図６Ｂ】酸化物層に塗布されたフォトレジスト層を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１６】
【図６Ｃ】フォトレジスト層を貫通するようにエッチングされた酸化物層を有し、酸化物層において隣接するバンプの間にビアが形成されている検出器の一実施形態における模式図
【００１７】
【図７】酸化物層を平坦化した検出器の一実施形態における模式図
【００１８】
【図８】各バンプの上部を取り囲むように形成されたフローティング酸化物層を有する検出器の一実施形態における模式図
【００１９】
【図９】検出器及び結合される集積チップの一実施形態における模式図
【００２０】
【図１０】検出素子と集積チップとを結合して作製された超小型電子デバイスの一実施形態における模式図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、酸化物結合用バンプを備える検出素子を作製するために実行される工程を示すフローチャートの一例である。工程110においては、バンプを有する複数の検出素子を備えた基板が準備される。一実施形態においては、方法の一態様を示す図２〜１０に図示されているとおり、検出装置200は基板210を含み、この基板210は、バンプ230a、230b、230c・・・230nを備える複数の検出素子220a、220b、220c・・・220nを有する。一実施形態において、検出装置200は、赤外線画像分野で用いられる赤外線検出装置であってもよい。一実施形態において、検出素子220a・・・220nは、赤外線の放射又はそれ以外の波長帯の放射を検出するフォトダイオード又は光伝導体であってもよい。一実施形態において、検出素子220a・・・220nは、検出アレイ、例えば、焦点面アレイ又は他の種類の検出アレイ、を構成する。一実施形態において、検出素子220a・・・220nは、HgCdTeやInSbの半導体材料から作製されてもよい。HgCdTeやInSbの半導体材料は、赤外線波長等の様々な波長の放射を検出できる。該検出素子を作製するために、他の種類の半導体材料を用いることもできる。一実施形態において、バンプ230a・・・230nは、インジウム製バンプであってもよい。
【００２２】
再び図１を参照する。工程120においては、各バンプにバリア層を形成してもよいが、このバリア層は必須のものではない。図３に示すとおり、一実施形態におけるバリア層310は、各バンプ230a、230b・・・230nの上に形成されてもよい。一実施形態において、バリア層310は、複数の層、例えば、第１層320、第２層330、及び／又はこれら以外の層を含むことができる。一実施形態における第１層320は、バンプ230a、230b・・・230nと第２層330との間で拡散バリアとして機能する拡散バリア層である。一実施形態における第１層320は、窒化金属層であってもよい。一実施形態において、第２層330は、Ziptronix（登録商標）金属を含む金属コンタクト層であってもよい。一実施形態においては、第１層320によって、第２層330のZiptronix（登録商標）金属がインジウム製バンプ230a、230b・・・230nに拡散することを防止することができる。一実施形態において、バリア層310は、まず第１層320をバンプ230a、230b・・・230nに堆積し、次に第２層330を第１層320に堆積することによって形成できる。一実施形態において、第２層の第１層320への堆積は100°C以下の温度で行われる。この処理が高温で行われると、検出素子作製用の半導体材料に少なくとも部分的に起因して、繊細な部分に損傷が起きる可能性がある。例えば、170°Cに加熱しても短時間であれば問題無いであろうが、長時間にわたって100°C以上の温度にすると、使用する半導体材料によっては問題となる。
【００２３】
再び図１を参照する。工程130において、各バンプ230a、230b・・・230nの間にポリマー層が形成される。図４Ａに示されるように、一実施形態におけるポリマー層410は、バンプ230a、230b・・・230nの間に、各バンプの少なくとも上部420が露出するように形成される。一実施形態において、ポリマー層410は、以下の処理によって形成される。まず、バンプ230a、230b・・・230nの上及びバンプ230a、230b・・・230nの間にポリマー層430を形成する（図４Ｂに一例を示す）。次に、ポリマー層410がバンプ230a、230b・・・230nの間に形成されるとともに各バンプ230a、230b・・・230nの少なくとも上部420が露出するように、ポリマー層430を薄くする。一実施形態においては、脱イオン水を用いた処理によってポリマー層430を薄くすることができる。一実施形態においては、脱イオン水及びイソプロピルアルコールの混合液を用いたエッチング処理によりポリマー層430を薄くできる。一実施形態において、ポリマー層410、430は、溶解性ポリマー層であってもよい。他の実施形態において、ポリマー層410、430は、水溶性ポリマー層であってもよい。一実施形態において、ポリマー層410、430は、PEG-10000等のポリエチレングリコールであってもよい。一実施形態におけるポリマー層430は、60〜100°Cに加熱して流動特性を向上させたポリマーを、フォトレジストの分野で従来用いられているスピナーデバイスに供給することにより形成される。一実施形態において、ポリマー層430は、ポリマーに溶媒を付加して流動特性を向上させた後、焼成処理をして溶媒を除去することによっても形成できる。
【００２４】
再び図１を参照する。工程140においては、バンプ及びポリマー層のそれぞれの上部に酸化物層が堆積される。図５に示すように、一実施形態における酸化物層510は、各バンプ230a、230b・・・230n及びポリマー層410の上部420に堆積される。一実施形態において、酸化物層510は、スパッタリング処理により堆積される。一実施形態において、酸化物層510は、化学蒸着処理によって堆積されてもよい。一実施形態において、酸化物層510は、望ましくない不均一性が発生しないようにするため、使用されるポリマーの融点以下の温度で堆積される。
【００２５】
再び図１を参照する。工程150においては、酸化物層において隣接するバンプの間に複数のビアが形成される。図６Ａに示すように、一実施形態において、ビア610は、酸化物層510の隣接するバンプ230a、230b・・・230n間に形成される。一実施形態において、ビア610は、以下の処理により形成される。まず、酸化物層510上にフォトレジスト層620を塗布する（図６Ｂに一例を示す）。次に、隣接するバンプ230a、230b・・・230n間にビアを形成するためにフォトレジスト層620をパターニングする（不図示）。次に、フォトレジスト層620を貫通するように酸化物層510をエッチングし、酸化物層510の隣接するバンプ230a、230b・・・230n間にビア610を形成する（例えば、図６Ｃに一例を示す）。次に、フォトレジスト層620を除去し、ビア610を露出させる（図６Ａに一例を示す）。一実施形態においては、酸化物層510にビアを形成する前に、該酸化物層の上面710がバンプ230a、230b・・・230nの各上面720と整列するように、該酸化物層が平坦化処理される（図７に一例を示す）。一実施形態において、従来の半導体処理装置を用いてスピニングウエハーにフォトレジストを供給することによりフォトレジスト層620が塗布される。一実施形態においては、フッ化水素酸を用いて酸化物層510がエッチングされる。一実施形態において、酸化物層510は、プラズマシステムにおいてドライエッチングされる。
【００２６】
再び図１を参照する。工程160において、残存酸化物層（例えば、ビア形成後に残存する酸化物層）が各バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層を形成するようにポリマー層が除去される。図８に示すように、一実施形態においては、残存酸化物層が各バンプ230a、230b・・・230nの上部420を取り囲むフローティング酸化物層810を構成するようにポリマー層410が除去される。フローティング酸化物層810は、検出素子220a、220b・・・220n上で浮遊しており、検出素子220a、220b・・・220nの表面又は基板210の表面には接触しない。一実施形態において、ポリマー層410は、脱イオン洗浄を行うことにより除去される。
【００２７】
一実施形態において、フローティング酸化物層810は、検出素子220a、220b・・・220nを読み出し集積チップ等の集積チップに酸化物結合するために用いられる。図９に示すように、読み出し集積チップ900は、複数の対応バンプ930a、930b・・・930n、及び、対応バンプ930a、930b・・・930nの間に存在する酸化物層910を備える。酸化物層910は、対応バンプ930a、930b・・・930nを取り囲むように示されているが、該酸化物層は該バンプ間の表面全体に形成されてもよい。
【００２８】
一実施形態においては、読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nが、各バンプ930a、930b・・・930n上に形成された対応バリア層（不図示）を備えてもよいが、対応バリア層の形成は必須ではない。該対応バリア層は、対応拡散バリア層及び対応金属コンタクト層を含む。
【００２９】
読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nは、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと整列している。一実施形態において、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230n及び読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nは、「ピックアンドプレース」処理によって位置合わせされる。
【００３０】
一端位置合わせがなされると、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとは互いに接触する（図１０に一例を示す）。該バンプが互いに接触しているときに、フローティング酸化物層810及び酸化物層910も互いに接触する。フローティング酸化物層810と酸化物層910とが接触すると実質的にすぐに、これらの層間に酸化物−酸化物結合が形成され始める。一実施形態において、該酸化物−酸化物結合は、共有結合等の化学結合であってもよい。一実施形態においては、酸化物−酸化物結合の形成が始まる前にフローティング酸化物層810及び酸化物層910の下面を活性化してもよい。一実施形態において、フローティング酸化物層810と酸化物層910との間における酸化物−酸化物結合の形成は、使用材料にとって問題が無い温度にまで温度を変化させることにより開始してもよい。一実施形態において、フローティング酸化物層810と酸化物層910との間における酸化物−酸化物結合の形成は、微少な限界圧力（threshold pressure）を加えることによって開始される。この限界圧力は、インジウム−インジウム冷間圧接（indium-to-indium cold welding）処理時に加えられる外部圧力よりも非常に小さい。酸化物−酸化物結合を形成する処理の一例が、米国特許第6,902,987号、米国特許第6,962,835号、及び米国特許出願公開公報2004/0235266号により詳細に記載されている。これらの特許及び特許出願はいずれもZiptronix, Incに譲渡されている。これらの特許及び特許出願は、参照により全体として本明細書に組み込まれる。したがって、該酸化物−酸化物結合処理の詳細についての説明は割愛する。
【００３１】
一実施形態において、フローティング酸化物層810と酸化物層910との間に形成される酸化物−酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nと読み出し集積チップ900との間の構造結合として機能する。フローティング酸化物層810と酸化物層910との結合で生じる圧力によって、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとは互いに密接に接触する。一実施形態において、フローティング酸化物層810と酸化物層910との結合で生じる圧力は、検出素子220a、220b・・・220nのバンプと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとを互いに密接に接触させるために十分であり、外部圧力を加える必要がない（従来のインジウム−インジウム冷間圧接では外部圧力が必要である）。一実施形態においては、酸化物−酸化物結合を形成することにより、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ及び読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nに対する機械的応力、及び、これらバンプ間の機械的応力を、本質的に全て除去することができる。
【００３２】
一実施形態において、密接に接触している検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとの間には、非酸化物結合（non-oxide bond）が形成される。一実施形態において、この非酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nと読み出し集積チップ900との間に電気的接触を提供する。一実施形態において、該非酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとの間に形成される金属結合である。一実施形態において、このバンプ間の金属結合は、（該バンプの）金属原子の溶解又は拡散によって形成される。
【００３３】
一実施形態において、該非酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nのバリア層310と読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nの対応バリア層との間に形成される結合である、このバリア層間の結合は必須ではない。一実施形態においては、該非酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nの金属コンタクト層330と読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nの対応金属コンタクト層との間に形成される金属結合であるが、この金属結合は必須ではない。一実施形態においては、バリア層間又は金属コンタクト層間の該非酸化物結合がアニール処理によって形成されるが、このアニール処理による非酸化物結合は必須ではない。このアニール処理は、例えば、170°C以下の温度で行われる。
【００３４】
上述したように、従来のインジウム−インジウム冷間圧接処理を用いて検出素子を読み出し集積チップに結合する場合には、高い外部圧力が加えられる。従来、検出素子と読み出し集積チップとの間に形成されるインジウム−インジウム結合は、検出素子と読み出し集積チップとの間の構造結合及び電気的接続として機能している。本明細書の様々な実施形態から理解されるように、フローティング酸化物層810と酸化物層910との間の酸化物−酸化物結合は、高い外部圧力を加えることなく形成され、検出素子220a、220b・・・220nと読み出し集積チップ900との間の構造結合として機能する。フローティング酸化物層810は、検出素子220a、220b・・・220nの表面にも基板210の表面にも接触しないので、酸化物−酸化物結合処理によって検出素子220a、220b・・・220nに損傷が発生することがなく、上述した従来の手法に実質的な改良を提供することができる。また、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとの間に形成された非酸化物結合（この非酸化物結合は、検出素子220a、220b・・・220nと読み出し集積チップ900との間の電気的接触として機能する）も、高い圧力や力を加えることなく形成される。インジウム−インジウム冷間圧接等の従来の結合処理において必要とされていた高い圧力によってインジウム製バンプが破損し、この破損に起因して歩留まりが低下することも回避できる。
【００３５】
再び図１０を参照する。超小型電子デバイス１０００は、検出素子220a、220b・・・220nを読み出し集積チップ900に結合することにより作製される。超小型電子デバイス１０００は、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとの間に相互接続インタフェース１０１０を有する。相互接続インタフェース１０１０は、フローティング酸化物層810と酸化物層910との間に形成される酸化物−酸化物結合、及び、検出素子220a、220b・・・220nのバンプ230a、230b・・・230nと読み出し集積チップ900の対応バンプ930a、930b・・・930nとの間に形成される非酸化物結合を有する。
【００３６】
本発明概念の他の実施形態、用途、及び効果は、上記の開示及び特許請求の範囲を考慮すれば当業者に明らかなものである。本明細書は、非限定的で例示的であり、本発明概念の範囲は、請求項の範囲によってのみ限定されることが意図されている。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本開示は、集積回路チップとの酸化物結合に適したバンプを備える検出器を作製生産プロセスにおいて産業上利用される。
【図１】
0005587899.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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