(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路が形成された基板と、
前記基板に配設された第１の配線部材と、
前記第１の配線部材に立設された垂直配線部材と、
前記垂直配線部材に接続され前記第１の配線部材と平行に架設された第２の配線部材と、前記垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、
前記垂直配線部材をはさんで前記第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、前記第１の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、前記第１の素子配線の中点が入力される第１の増幅回路とを備えている半導体装置。
【請求項２】
前記第１の磁電変換素子の外側に配設された第３の磁電変換素子と、
前記垂直配線部材をはさんで前記第３の磁電変換素子と対向し、前記第２の磁電変換素子よりも前記垂直配線部材の外側に配設された第４の磁電変換素子と、
前記第３の磁電変換素子と前記第４の磁電変換素子を直列に接続する第２の素子配線と、前記第２の素子配線の中点が入力される第２の増幅回路とを備えている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の磁電変換素子の固定層の磁化方向と、前記第２の磁電変換素子の固定層の磁化方向は、同じ方向を向いていて、かつ前記第１の配線部材の長手方向を向いていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の磁電変換素子の固定層の磁化方向と、前記第４の磁電変換素子の固定層の磁化方向は、同じ方向を向いていて、かつ前記第１の配線部材の長手方向を向いていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の磁電変換素子から前記第４の磁電変換素子のそれぞれに、磁束ガイドが配設されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の増幅回路の出力と前記第２の増幅回路の出力から、択一した出力を選択する選択スイッチを備えていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体回路が形成された基板と、
前記基板に配設された第１の配線部材と、
前記第１の配線部材に立設された第１の垂直配線部材と、
前記第１の垂直配線部材に接続され前記第１の配線部と平行に架設された第２の配線部材と、
前記第１の垂直配線部材から間隔をあけて前記第１の配線部材に立設された第２の垂直配線部材と、
前記第２の垂直配線部材に接続され前記第１の配線部材と平行に架設された第３の配線部材と、
前記第１の垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、
前記第１の垂直配線部材をはさんで前記第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、
前記第２の垂直配線部材に対向配置された第３の磁電変換素子と、
前記第２の垂直配線部材をはさんで前記第３の磁電変換素子と対向する第４の磁電変換素子と、
前記第１の磁電変換素子と前記第４の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、前記第３の磁電変換素子と前記第２の磁電変換素子を直列に接続する第２の素子配線と、前記第１の素子配線の中点と前記第２の素子配線の中点が入力される増幅回路と、を備えている半導体装置。
【請求項８】
前記第１の磁電変換素子から前記第４の磁電変換素子の固定層の磁化方向は、同じ方向を向いていて、かつ前記第１の配線部材の長手方向を向いていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関するものであり、特に磁気抵抗効果素子を用いて電流を検知するセンサを備えた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
外部から印加された磁界を検出する磁電変換素子として、ホール素子のほかに磁気抵抗効果素子が知られている。磁気抵抗効果素子には、金属の磁気抵抗効果を利用したＡＭＲ（Anisotropic Magneto-Resistance）素子、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ（Giant Magneto-Resistance）素子、トンネル磁気抵抗効果を利用したＴＭＲ（Tunnel Magneto-Resistance）素子などがある。特に、他に比べて大きなＭＲ比が得られるＧＭＲ素子およびＴＭＲ素子が注目されている。
【０００３】
特許文献１は、スピンバルブ構造を有したＧＭＲ素子およびＴＭＲ素子について開示する。スピンバルブ構造の磁気抵抗効果素子は、非磁性の薄膜層によって仕切られた強磁性体の第１の薄膜層（自由層）および第２の薄膜層（固定層）を有する。強磁性体の第１の薄膜層の磁化方向は、印加磁界がゼロの場合に、第２の薄膜層の固定された磁化方向に対して直交するように設定される。強磁性体の第２の薄膜層の磁化方向を固定させるために、反強磁性体の薄膜層が、第２の薄膜層に直接、接触して付着されている。代替構造として、反強磁性体の薄膜層を、高飽和保磁力を有する強磁性の層にすることもできる。
【０００４】
ＴＭＲ素子は、自由層と固定層を仕切る非磁性層に、ＡｌＯｘやＭｇＯなどの絶縁性材料を用いて、膜の面に対して垂直方向に流れる電流の変化を検出する。ＧＭＲ素子は非磁性層にＣｕやＲｕのような導電性材料を用いて膜の面に対して平行方向に流れる電流の変化を検出する。ＣＰＰ(Current-Perpendicular-to-Plane)−ＧＭＲ素子は非磁性層にＣｕやＲｕのような導電性材料を用いて膜の面に対して垂直方向に流れる電流の変化を検出する。
【０００５】
外部磁界が印加されていないときの自由層と固定層の磁化の方向を実質的に垂直にすることで、外部磁界に対して線形の出力が得られるＴＭＲ素子、ＧＭＲ素子を構成できる。ＴＭＲ素子をはじめとした磁電変換素子をＩＣ（Integrated Circuit）の中に組み込むことで、ＩＣに流れる電流を検出することができる。例えば特許文献２には、ＩＣ上に作製されたＴＭＲ素子を用いて、ＩＣ内に流れる電流を検知する電流センサが開示されている。
【０００６】
ＩＣ内を流れる電流を正確に検出することで、素子の異常動作や故障の検出をすることが可能となる。異常な電流信号の流入を検知するばかりでなく、回路における消費電力を抑制するように制御することで、ＩＣの消費電力は低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特公平８−２１１６６号公報
【特許文献２】特表２００７−５２００５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
電流が発生する磁界は、電線からの距離に対して反比例して弱くなる。このため、同じ磁電変換素子をもちいて、より微弱な電流を検出するためには、磁電変換素子を電線に近接させることが好ましいが、電線からの距離の変化に対する磁界強度の変化率も増大するため、電線と磁電変換素子のばらつきに対して検出感度が敏感になる。また電線の近くに磁電変換素子を配置すると、電線で発生するジュール熱の影響で磁電変換素子の温度変化が起こりやすくなる。このため、微弱な電流を精度良く検出することは困難であった。
【０００９】
この発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、簡単な構成により、検出精度の高い電流検出器を提供することを目的にする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に関わる半導体装置は、半導体回路が形成された基板と、基板に配設された第１の配線部材と、第１の配線部材に立設された垂直配線部材と、垂直配線部材に接続され第１の配線部材と平行に架設された第２の配線部材と、垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、垂直配線部材をはさんで第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、第１の磁電変換素子と第２の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、第１の素子配線の中点が入力される第１の増幅回路とを備えているものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、磁電変換素子と検出電流線の間に生じる、重ね合わせずれによる電流検出誤差を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明に関わる半導体装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１に関わる電流検出器を表す平面図で、磁電変換素子の固定層と検出電流の関係を表している。
【図３】実施の形態１に関わる電流検出器を表す上面図（ａ）と側面図（ｂ）で、磁電変換素子と磁気ガイドの関係を表している。
【図４】この発明の実施の形態２に関わる電流検出器の構成を示す斜視図である。
【図５】実施の形態２に関わる電流検出器を表す平面図で、磁電変換素子の固定層と検出電流の関係を表している。
【図６】実施の形態２に関わる電流検出器における磁電変換素子の配線構造を示す斜視図である。
【図７】この発明の実施の形態３に関わる電流検出器の構成を示す斜視図である。
【図８】実施の形態３に関わる電流検出器を表す平面図で、磁電変換素子の固定層と検出電流の関係を表している。
【図９】この発明の実施の形態４に関わる電流検出器の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
一般に素子の抵抗の変化から信号を検出する場合、素子に接続された電源ラインに電流ノイズが印加されると、検出したい信号が変化していなくても、素子の両端の電圧が変化する。信号の誤検出を防ぐためには、所謂ハーフブリッジ構造が好ましいことが知られている。ハーフブリッジ構造では、２つの実質的に等しい素子を直列接続して等しい電流を流し、その中点電位を検出する。
【００１４】
この構造をＩＣの配線に流れる電流を検出する場合に適用することを考えてみる。ＩＣ内に実質的に等しい素子を２つ設けるためには、素子の特性を等しくするのみならず、検出したい電流から発生した磁界の影響を等しくすることが必要である。例えば、ＭＲ素子、ホール素子の場合には、素子の形状と配置を適切にすることで実現される。スピンバルブ型のＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子においては、さらに固定層の磁化の方向を適切に配向させる必要がある。
【００１５】
電線の内部を流れる電流が形成する磁場は、電流の実質的な流れの中心軸を中心として円を描くように形成される。ＴＭＲ素子の抵抗変化は、固定層に対して垂直方向に磁界を印加するように配置したときに最も大きくなる。このため、電流の流れる方向に垂直な面と、ＴＭＲ素子形成面が平行でない場合は、電流の流れる方向に垂直な面と、ＴＭＲ素子形成面が交差してなる線に平行な線であって、電流の実質的な流れの中心軸と交わる直線上であって、電流線からの距離が等しい２点にＴＭＲ素子を設け、かつ、電流の流れる方向に垂直な面と、ＴＭＲ素子形成面が交差してなる線に平行乃至は反平行方向にＴＭＲ素子の固定層の磁化方向を固定させることが好ましい。
【００１６】
ＴＭＲ素子の固定層の磁化方向は、素子に磁場を印加しながら熱処理を施すことによって固定される。同じチップ内のＴＭＲ素子は、固定層の磁化方向が同一でかつ、ハーフブリッジ出力が得られるように配置されていることが好ましい。しかし、上記のように配置した２個のＴＭＲ素子から異なる出力を得るためには、例えば電線を屈曲させて、電流の流れの方向が異なる部分を少なくとも２つ形成し、それぞれの部分に近接するようにＴＭＲ素子を形成する必要がある。
【００１７】
このとき、それぞれの電流の流れの方向が異なる部分が、遠い方のＴＭＲ素子に及ぼす影響を小さくなるようする。ＴＭＲ素子は充分な間隔をあけて配設されなければならないので、電流の検出線を形成するためにＩＣ上に広い面積が必要になる。これは、ＩＣの小型化に対して制約が増えるばかりでなく、ＴＭＲ素子特性の面内分布の影響も受けやすくなるため、好ましくない。
【００１８】
一方、電流の流れる方向に垂直な面と、ＴＭＲ素子形成面が平行な場合、電流の実質的な流れの中心軸と交わる任意の直線上であって、電線からの距離が等しい２点にＴＭＲ素子を設け、かつ、２個のＴＭＲ素子を結んだ直線に対して平行乃至は反平行方向にＴＭＲ素子の固定層の磁化方向を固定させることが好ましい。
【００１９】
このように形成すると、素子形成面に対して垂直な電線の一部分に対して等距離にＴＭＲ素子を配置するので、例えばコンタクトの両端のような小さい部分に電流センサを設けることが可能である。このため、ＩＣの小型化に寄与するばかりでなく、ＴＭＲ素子特性の面内分布の影響も受けにくくなる。このＴＭＲ素子の固定層の素子形成面に垂直な方向から見た形状は、自由層の磁区構造が、磁界の変化に追随して滑らかに変化するように、角の無い構造、例えば円形や楕円形が好ましい。以下では、本発明に関わる半導体装置の実施の形態を具体的に説明する。
【００２０】
実施の形態１．
先ずこの発明に関わる半導体装置を図１に基づいて説明する。図１は、半導体装置と電流検出器の関係を模式的に示す斜視図である。左側には、基板３に回路１ａが形成された半導体装置１が表示されている。右側の図は、半導体装置１の一部を拡大表示したもので、実施の形態１に関わる電流検出器２の構成が表示されている。電流検出器２は基板３に形成された回路に流れる電流を検出する。電流検出器２は、磁電変換素子１０、１１と、検出電流線１５と、電圧源２１と、差動増幅回路２２と素子配線２３を備えている。
【００２１】
検出電流線１５は、基板３に対して概略垂直に設けられた第１の部分（垂直配線部材）１６と、基板３に対して概略平行な平行部１９、２０を備えている。平行部（第１の配線部材）１９は第１の部分１６に一端が接続され、平行部（第２の配線部材）２０と平行に架設されている。磁電変換素子１０と磁電変換素子１１は素子配線２３によって直列に接続されていて、ハーフブリッジを形成している。素子配線２３の一端には電圧源２１が接続され、別端はグランドに落とされている。磁電変換素子１０と磁電変換素子１１の中点２３ａは差動増幅回路２２に入力されている。
【００２２】
図２は、磁電変換素子の固定層と検出電流の関係を表している。検出電流（被測定電流）は、平行部２０、第１の部分１６、平行部１９を経由して流れる。磁電変換素子１０、１１は、第１の部分１６の中心を基点にして概略等距離で、互いに正反対の位置に配置されている。磁電変換素子１０、１１の固定層の磁化の向きはどちらでも良いが、平行部１９、２０の影響が相殺されるように、固定層の形成されている面内方向であって磁電変換素子１０から第１の部分１６を望む方向に対して垂直である事が望ましい。すなわち、磁化方向は平行部１９、２０の長手方向を向いている。磁電変換素子１０、１１の固定層の磁化の向きは、実質的に等しい。
【００２３】
第１の部分１６の周囲に発生する磁界は、検出電流線１５に流れる電流に比例する。ハーフブリッジに電圧源２１を接続し、その中点電位と参照電圧の電位差を増幅することで、検出電流線１５を流れる電流に応じた出力を得ることができる。参照電圧は、適切な定電圧源に接続しても良いが、例えば、実質的に同一に形成された抵抗素子を直列に接続してハーフブリッジと同じ電圧源に接続し、その中点電位を参照電圧としても良い。実施の形態１の電流検出器２によれば、ＩＣ内に大きな電流路を形成することなく、配線に流れる電流を検出可能な電流検出器を形成することができる。また、温度特性の揃った磁電変換素子でハーフブリッジを構成しているので、温度による抵抗変化の影響を受けにくい。
【００２４】
図３は、電流検出器を表す上面図（ａ）と側面図（ｂ）である。平行部１９は、基板３に形成された絶縁膜２７の上に、配設されている。磁電変換素子１０、１１は、好ましくは、平行部１９と平行部２０の中間に形成される。磁電変換素子１０、１１には磁束ガイドを設けても良い。この図では、磁電変換素子１０、１１を囲むように、磁性体からなる磁束ガイド（ヨーク）２４を設けている。磁性体は、非磁性体に比べて、多くの磁束を通すことが可能で、磁性ガイド２４は磁束を集める(集磁する）ことができる。
【００２５】
実施の形態２．
図４は、この発明の実施の形態２による電流検出器の構成を模式的に示す斜視図である。電流検出器２は、磁電変換素子１０、１１、１２、１３と、検出電流線１５と、電圧源２１と、差動増幅回路２２を備えている。検出対象となる電流が流れる検出電流線１５は、基板３に対して概略垂直に設けられた第１の部分（第１の垂直配線部材）１６と第２の部分（第２の垂直配線部材）１７を備えている。また検出電流線１５は、基板に対して概略平行な平行部１８、１９、２０を備えている。平行部２０は第１の部分１６に一端が接続され、平行部１９と平行に架設されている。平行部（第３の配線部材）１８は第２の部分１７に一端が接続され、平行部１９と平行に架設されている。
【００２６】
検出電流（被測定電流）は、平行部２０、第１の部分１６、平行部１９、第２の部分１７、平行部１８を経由して流れる。磁電変換素子１０、１１は、第１の部分１６の中心を基点にして概略等距離で、互いに正反対の位置に配置されている。磁電変換素子１２、１３は、第２の部分１７の中心を基点にして概略等距離で、互いに正反対の位置に配置されている。磁電変換素子１０と磁電変換素子１３は素子配線２３Ａによって直列に接続されていて、ハーフブリッジを形成している。磁電変換素子１１と磁電変換素子１２は素子配線２３Ｂによって直列に接続されていて、ハーフブリッジを形成している。素子配線２３Ａ、２３Ｂの一端には電圧源２１が接続され、別端はグランドに落とされている。磁電変換素子１０と磁電変換素子１３の中点２３ａと、磁電変換素子１１と磁電変換素子１２の中点２３ｂは、差動増幅回路２２に入力されている。
【００２７】
図５は、実施の形態２による電流検出器２の構成を模式的に示す平面図である。磁電変換素子１０、１１の固定層の磁化の向きは、固定層の形成されている面内方向であって磁電変換素子１０から第１の部分１６を望む方向に対して垂直である。磁電変換素子１２、１３の固定層の磁化の向きは、固定層の形成されている面内方向であって磁電変換素子１２から第２の部分１７を望む方向に対して垂直である。磁電変換素子１０〜１３の固定層の磁化の向きは、すべて等しいことが好ましい。固定層の磁化方向は、平行部１８〜２０の長手方向に対して平行であればさらに好ましい。
【００２８】
第１の部分１６と第２の部分１７に流れる電流が発生する磁界は、図５における細矢印で記載される方向に発生する。電流が検出電流線１５に流れると、磁電変換素子１０、１２の抵抗は、固定層と自由層の磁化の向きが反平行に近づくために、電流が流れていないときの抵抗を基準として増加する。しかし検出電流線１５に電流が流れると、磁電変換素子１１、１３の抵抗は、固定層と自由層の磁化の向きが平行に近づくために、電流が流れていないときの抵抗を基準として減少する。
【００２９】
磁界に対して線形に抵抗が変化する特性を持つ磁電変換素子をもちいると、差動増幅回路２２から被測定電流量に比例した出力が生じる。磁電変換素子１０〜１３は、ＴＭＲ素子あるいはＣＰＰＧＭＲ素子のように、基板に対して垂直に電流を流す素子であると好ましい。磁界は被測定電流の流れる配線からの距離に依存して変化する。素子の大きさの影響を受けにくいように、磁電変換素子１０、１１の大きさは、第１の部分１６と磁電変換素子が形成されている面の交差する面積と比較して小さいことが望ましい。同様に、磁電変換素子１２、１３の大きさは、第２の部分１７と磁電変換素子が形成されている面の交差する面積と比較して小さいことが望ましい。
【００３０】
磁電変換素子の配線は、例えば図６のように構成することが好ましい。この例では、磁電変換素子を接続する素子配線（配線Ａ〜Ｆ）２３と、被測定電流が流れる検出電流線１５は、基板表面から同じ高さの位置に、同時に形成されている。配線Ａ、Ｂには差動増幅回路２２を接続する。配線Ｃ、Ｅには定圧源２１を接続する。配線Ｄ、Ｆは接地する。こうすることで、被測定電流量に比例した出力が得られる。
【００３１】
実施の形態２の電流検出器２によれば、磁電変換素子１０〜１３のパターニング用のマスクと、第１の部分１６、第２の部分１７のパターニング（コンタクトホール）用のマスクが、並進ずれを起こしても、その影響を互いに打ち消しあうので、出力への影響を小さくでき、電流検出精度を向上させることができる。
【００３２】
実施の形態３．
実施の形態３を図７、８に基づいて説明する。本発明に関わる電流検出器２は、図７に示すように、基板に概略垂直に設けられた第１の部分１６の周りに、４個の磁電変換素子１０〜１３を、固定層の磁化方向と垂直方向に伸びる直線上であって、第１の部分１６の中心を通る直線上に配置する。磁電変換素子１０、１１は、第１の部分１６を挟んで反対側に配置されている。素子配線２３Ａは磁電変換素子１０、１１を直列に接続していて、第１のハーフブリッジを構成する。
【００３３】
磁電変換素子１２は、磁電変換素子１１の外側に配置されている。磁電変換素子１３は、磁電変換素子１０の外側に配置されている。素子配線２３Ｂは磁電変換素子１２、１３を直列に接続していて、第２のハーフブリッジを構成する。第１のハーフブリッジと第２のハーフブリッジは、第１の部分１６からの距離が異なる。第１のハーフブリッジの中点２３ａは作動増幅回路２２ａに接続されている。第２のハーフブリッジの中点２３ｂは作動増幅回路２２ｂに接続されている。
【００３４】
電流Ｉが流れる電線から距離ｒ離れた位置における磁界の強さ（Ｈ）は、アンペールの法則によりＨ＝Ｉ／２πｒであることが知られている。第１のハーフブリッジは検出電流線１５（第１の部分１６）からの距離がｒであるとすると、第１のハーフブリッジが検出する磁界Ｈ１は、Ｈ１＝Ｉ／２πｒと表せる。同様に、第２のハーフブリッジは検出電流線１５（第１の部分１６）からの距離がｒ＋δｒであるとすると、第２のハーフブリッジが検出する磁界Ｈ２は、Ｈ２＝Ｉ／２π（ｒ+δｒ）と表せる。この式を連立することで、ｒ＝Ｈ２／（Ｈ１−Ｈ２）＊δｒの形で、ｒが求められる。
【００３５】
ＩＣ内の電流は高速で変動するため、ＴＭＲ素子を用いて高速に電流検出を行う際には表皮効果による配線内の電流分布が無視できない。高周波電流を検出する際には、表皮効果によって、電流が配線表面付近に分布するため、電流線とＴＭＲ素子の距離が実効的に短くなり、電流量を実際よりも多く見積もることになる。本実施の形態では、電線からの距離が異なる２つのハーフブリッジの出力から、配線とＴＭＲ素子との実効的な距離が求められる。この値で補正することにより、電流量を正しく検出することができる。
【００３６】
ＴＭＲ素子は飽和磁界以上の磁界が印加されると、抵抗が一定となり磁界が検出できなくなる。実施の形態３では、電線からの距離が異なる位置に設けられた２個のＴＭＲ素子によるハーフブリッジを備えている。電流量が少ないときには第１の部分１６に近い第１のハーフブリッジの出力を参照して、高精度に電流を検出する。電流量が多く第１のハーフブリッジの出力が飽和するときには、第１の部分１６から遠い第２のハーフブリッジの出力を参照して、高電流を検出することができる。結果として、高精度かつ検出電流範囲の広い電流検出器を得ることができる。
【００３７】
第１のハーフブリッジ、第２のハーフブリッジの出力は、用途に応じて、そのままアナログ演算しても良いし、ＡＤコンバータでデジタル変換して所望の演算をしても良い。また、本実施例では、２個のハーフブリッジの例を示したが、３個以上のハーフブリッジを配置し、測定磁界範囲に適した距離に配置したＴＭＲ素子からの信号を使用することで、より広い電流レンジに対応して高精度で電流を検出できる。
【００３８】
実施の形態４．
実施の形態４を図９に基づいて説明する。図９に示す電流検出器は、図７に示す電流検出器と同様に、第１のハーフブリッジと第２のハーフブリッジを備えている。第１のハーフブリッジの中点２３ａは作動増幅回路２２ａに接続されている。第２のハーフブリッジの中点２３ｂは作動増幅回路２２ｂに接続されている。実施の形態４で示す電流検出器２は、出力選択回路２５を備えている。出力選択回路２５は、制御回路２６の指示により、差動増幅回路２２ａまたは差動増幅回路２２ｂの出力を、Ｖoutに出力する。
【符号の説明】
【００３９】
１  半導体装置、２  電流検出器、３  基板、１０〜１３  磁電変換素子、１５  検出電流線、１６  第１の部分、１７  第２の部分、１８〜２０  平行部、２１  電圧源、２２  差動増幅回路、２３  素子配線、２４  磁束ガイド、２５  出力選択回路、２６  制御回路、２７  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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