(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッチ式の基板処理装置において、
基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、
前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備え、
前記乾燥処理部は、
その中で基板の乾燥が行われる乾燥チャンバーと、
前記乾燥チャンバー内で基板を保持する基板保持具と、
前記乾燥チャンバー内に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための加熱用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する加熱用気体供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する冷却用気体供給手段とを有する温調気体供給手段と、
前記乾燥チャンバー内の温度を測定する温度センサと、
前記温調気体供給手段の動作を制御する制御部と、を有しており、
前記制御部は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、次に行われるバッチ処理のために基板が前記乾燥チャンバー内に搬入される前に、前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度となるように前記温調気体供給手段を制御し、このとき、前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度より高い場合には前記冷却用気体供給手段により冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給し、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度より低い場合には前記加熱用気体供給手段により加熱用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する、基板処理装置。
【請求項２】
基板に付着した前記乾燥ガスを除去するための不活性ガスを前記乾燥チャンバー内に供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記乾燥ガス供給手段および前記不活性ガス供給手段の少なくとも一方が、前記温調気体供給手段の少なくとも一部を構成している、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の実際温度と、設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度との差に基づいて、温調に必要な時間を算出し、それに基づいて温調の開始時点を決定するように構成されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板のバッチ処理方法において、
基板にリンス処理を施す工程と、
乾燥チャンバー内に温調気体を供給して、乾燥チャンバー内の温度を調整する工程と、
温度が調整された前記乾燥チャンバー内にリンス処理後の基板を搬入する工程と、
前記基板に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給して、前記基板に付着しているリンス液を前記乾燥ガスで置換する工程と、
前記基板に不活性ガスを供給して、前記基板に付着している乾燥ガスを除去する工程と、
を備え、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに応じて設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度に、前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程であり、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程は、前記乾燥チャンバー内の温度を測定する工程と、測定された前記乾燥チャンバー内の温度が設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度よりも高い場合には前記乾燥チャンバー内に冷却用気体を供給し、測定された前記乾燥チャンバー内の温度が設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度よりも低い場合には前記乾燥チャンバー内に加熱用気体を供給する工程とを有している、基板のバッチ処理方法。
【請求項５】
前記乾燥ガスおよび前記不活性ガスの少なくとも一方を、温調気体としても利用する、請求項４に記載の基板のバッチ処理方法。
【請求項６】
基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備えたバッチ式の基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記憶媒体であって、前記プログラムを実行することによって前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板のバッチ処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板のバッチ処理方法が、請求項４または５に記載の基板のバッチ処理方法である記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚の基板を洗浄した後に乾燥させるためのバッチ式の基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）等の基板の洗浄処理等の処理を行う基板処理システムとして、２５枚または５０枚のウエハを１バッチとして処理を行うバッチ式の基板処理システムが知られている。このような基板処理システムにおいては、１つまたは２つのウエハ収納容器から取り出されたウエハにより１バッチが構成され、この１バッチのウエハが、一括して、基板処理システムの処理部に設けられた各種基板処理装置に搬送されて一連の処理を施されて、その後、ウエハ収納容器に戻されるようになっている。処理部における一連の処理の最終工程としてリンス処理および乾燥処理が行われる。
【０００３】
特許文献1は、本件特許出願と同一出願人による特許出願に係るものであり、ここには、リンス処理および乾燥処理を連続的に行うバッチ式の基板処理装置が記載されている。この基板処理装置は、複数のウエハが浸漬されて純水リンス処理が行われる洗浄槽と、この洗浄槽の上方に設けられたウエハを乾燥させる乾燥チャンバーとを有している。洗浄槽内の純水から引き上げられたウエハに対して、ウエハが乾燥チャンバーに向かって移動する際あるいは乾燥チャンバー内に入った後に、まず乾燥ガスとしてＩＰＡ蒸気が吹き付けられ、これによってウエハ表面に付着した純水がＩＰＡで置換され、その後、ウエハに不活性ガスとしてＮ２ガスが吹き付けられ、これによってウエハ表面で凝縮またはウエハ表面に吸着されたＩＰＡがＮ２ガスにより除去され、ウエハ表面が均一に乾燥する。また、特許文献１には、ウエハを洗浄槽から乾燥チャンバーに搬入する前に、乾燥チャンバーの壁体を高温のＮ２ガスで加熱した後、乾燥チャンバー内に低温のＮ２ガスを供給して当該内部空間を冷却することが記載されている。このような手順を踏むことにより、乾燥チャンバーの壁体内表面へのＩＰＡ蒸気の凝縮を防止しつつウエハ表面にのみＩＰＡが凝縮するようにして、ＩＰＡがウエハの乾燥に効率良く寄与するようにし、パーティクルレベルを低減している。しかし、特許文献１に記載されている形式の装置においても、パーティクルレベルが許容範囲内とはいえ、高くなるという現象が時おり認められる。今後、更なるウエハの清浄度向上の要求が生じることが予想され、パーティクルレベルを安定して低く抑制することができる技術の確立が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５３０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、パーティクルレベルを安定して低く抑えることができる乾燥技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、研究の結果、パーティクルレベルの変動が乾燥処理時、特にその開始時（すなわち基板の乾燥チャンバーへの搬入時）の乾燥チャンバー内の温度に依存していることを見いだした。また、バッチ式の乾燥処理を行う場合、バッチサイズ（一回の処理枚数）は常にフルサイズ（例えば５０枚／１回の処理）なわけではなく、処理スケジュールに依存して変動し、例えば２０枚／１処理、時には１枚／１処理ということもあり得る。本発明者は、乾燥チャンバー内の温度と異なる温度（具体的には例えば乾燥チャンバー内の雰囲気温度より低い温度である常温）の基板が乾燥チャンバー内に搬入された時に、バッチサイズに応じて基板の温度変化の挙動が異なり、これに応じて乾燥ガスの基板表面上への凝縮挙動が変化し、その結果として乾燥ガスの乾燥挙動が変化し、パーティクルレベルの変動をもたらしていることを突き止めた。そして、基板の乾燥チャンバーへの搬入時の乾燥チャンバー内の温度をバッチサイズに応じた最適な温度（温度範囲）に調整しておくことにより、パーティクルレベルを安定して低くすることができることを見いだした。
【０００７】
本発明は、上記の新規な知見に基づいてなされたものである。
すなわち、本発明は、バッチ式の基板処理装置において、基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備え、前記乾燥処理部は、その中で基板の乾燥が行われる乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバー内で基板を保持する基板保持具と、前記乾燥チャンバー内に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための加熱用気体または冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する温調気体供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を測定する温度センサと、前記温調気体供給手段の動作を制御する制御部と、を有しており、前記制御部は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、次に行われるバッチ処理のために基板が前記乾燥チャンバー内に搬入される前に、前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度となるように前記温調気体供給手段を制御するように構成されている、基板処理装置を提供する。
【０００８】
また、本発明は、基板のバッチ処理方法において、基板にリンス処理を施す工程と、乾燥チャンバー内に温調気体を供給して、乾燥チャンバー内の温度を調整する工程と、温度が調整された前記乾燥チャンバー内にリンス処理後の基板を搬入する工程と、前記基板に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給して、前記基板に付着しているリンス液を前記乾燥ガスで置換する工程と、前記基板に不活性ガスを供給して、前記基板に付着している乾燥ガスを除去する工程と、を備え、前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに応じて設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度に、前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程である、基板のバッチ処理方法を提供する。
【０００９】
さらに、本発明は、基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備えたバッチ式の基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記憶媒体であって、前記プログラムを実行することによって前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板のバッチ処理方法を実行させるものにおいて、このバッチ処理方法が、上述した基板のバッチ処理方法である記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、乾燥チャンバー内の温度を、バッチサイズに応じた乾燥処理に適した温度に調整した後に基板を乾燥チャンバー内に搬入することにより、揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを効率的かつ均一に凝縮させることができるので、基板の乾燥効率および乾燥均一性が向上し、パーティクルの発生をバッチサイズにかかわらず安定して低いレベルに抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】基板処理装置としての洗浄乾燥装置を含む基板処理システムの構成の概略を示す概略平面図である。
【図２】洗浄乾燥装置の構成を示す縦断面図である。
【図３】コントローラの、搬入時温度の設定に関する部分の構成を示す図である。
【図４】洗浄乾燥装置において実施される一連の工程の一例を説明するフローチャートである。
【図５】洗浄乾燥装置において実施される一連の工程の他の例を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、基板処理システムの全体構成について図１を用いて説明する。図１に示すような基板処理システムは、例えば半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という）等の基板の洗浄をバッチ方式で（すなわち、複数枚（例えば５０枚）のウエハＷの洗浄を同時に）行うようになっている。
【００１３】
図１に示すように、基板処理システム１は、複数、具体的には例えば２５枚のウエハＷが水平姿勢で上下方向に隙間を空けて並ぶよう収納される収納容器Ｃを搬入出し、また保管等する容器搬入出ブロック２と、ウエハＷに対して所定の処理液（薬液、リンス液等）を用いた洗浄処理および洗浄処理後の乾燥処理を行う洗浄処理ブロック４と、容器搬入出ブロック２と洗浄処理ブロック４との間でウエハＷの受け渡しを行うインターフェースブロック３とから構成されている。
【００１４】
容器搬入出ブロック２は、収納容器Ｃを載置するための収納容器搬入出ステージ５と、収納容器Ｃを保管する収納容器ストック部６と、収納容器Ｃを搬送する収納容器搬送装置１２とを有している。収納容器ストック部６には、収納容器Ｃを保持する複数の収納容器保持部材１３が設けられている。収納容器Ｃとしては、具体的にはＦＯＵＰを用いることができる。当該技術分野において周知の通り、ＦＯＵＰの内壁面には、各々が１枚のウエハＷを収納する複数の（例えば２５個の）スロットが設けられており、また、ＦＯＵＰの前面は、蓋体により開閉可能なウエハＷの搬入出口となっている。
【００１５】
収納容器搬入出ステージ５と収納容器ストック部６との間にはシャッター１４が設けられており、収納容器搬入出ステージ５に対する収納容器Ｃの搬入出操作の時にシャッター１４が開き、それ以外の時には閉じた状態とされる。
【００１６】
収納容器ストック部６とインターフェースブロック３との間は仕切壁１６により仕切られており、この仕切壁１６には開口１６ａ、１６ｂが上下２段に形成されている（図１は平面図であるため１つしか見えない）。開口１６ａ、１６ｂの収納容器ストック部６側には、収納容器Ｃの蓋体が開口１６ａ、１６ｂに対向するように収納容器Ｃを載置するウエハ出し入れステージ１５が上下２段に設けられている。上下２段の開口１６ａ、１６ｂのうち、下方の開口１６ａは、収納容器ＣからウエハＷを搬出するためのウエハ搬出用であり、上方の開口１６ｂは、収納容器ＣにウエハＷを搬入するためのウエハ搬入用である。
【００１７】
ウエハ出し入れステージ１５には、そこに載置された収納容器Ｃの蓋体の開閉を行うための蓋体開閉機構１７が設けられており、この蓋体開閉機構１７により、収納容器Ｃと仕切壁１６とが密着した状態で蓋体を開けて、収納容器Ｃ内のウエハＷをインターフェースブロック３側へ搬出すること、並びに、インターフェースブロック３側から空の収納容器Ｃ内へウエハＷを搬入することが可能となっている。
【００１８】
収納容器保持部材１３は、壁部１６の近傍において上下二段に設けられている。収納容器ストック部６は、洗浄処理前のウエハＷが収納された収納容器Ｃを一時的に保管し、また、ウエハＷが取り出されて内部が空となった収納容器Ｃを保管する機能を有している。
【００１９】
収納容器搬送装置１２は、多関節構造を有しており、その先端の支持アーム１２ａにより収納容器Ｃを支持して収納容器Ｃの搬送を行う。収納容器搬送装置１２は、図２のＡ方向および高さ方向にも移動可能となっており、収納容器搬入出ステージ５、収納容器保持部材１３およびウエハ出し入れステージ１５の間で収納容器Ｃを搬送することができる。
【００２０】
インターフェースブロック３の下側の開口１６ａの近傍には、収納容器Ｃ内の処理前のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０が設けられている。また、インターフェースブロック３の上側の開口１６ｂの近傍には、収納容器Ｃ内の処理後のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０が設けられている。これらの第１の検出部４０および第２の検出部５０はいずれも、複数対の発光素子および受光素子により収納容器Ｃ内のウエハＷの収納枚数、収納状態（各スロット内のウエハの有無、ウエハの倒れ等）を光学的に検出することができるように構成されている。第１の検出部４０および第２の検出部５０の構成については公知であり、その詳細構成については、本件出願人と同一の出願人による特許出願に係る特許公開公報、特開２０１０−２７２７９６号を参照されたい。なお、このような収納容器内におけるウエハ収納状態の検出動作は、「ウエハマッピング」などとも呼ばれ、その具体的構成および方法としてさまざまなものが公知であり、ここでも任意のものを採択することができる。
【００２１】
インターフェースブロック３には、ウエハＷの移載を行うためのウエハ移載装置１９と、ウエハ搬入出部２０とがそれぞれ設けられている。
【００２２】
ウエハ移載装置１９は、ウエハ出し入れステージ１５に位置する収納容器Ｃに対するウエハＷの移載、および配列部２１に対するウエハＷの移載を行うためのものである。ウエハ移載装置１９は多軸アーム構造を有しており、その先端に、収納容器Ｃ内に収容可能なウエハＷの数と同じ数のウエハＷを保持することができるウエハ保持アーム１９ａを有している。ウエハ保持アーム１９ａにはウエハＷを把持可能な把持爪（図示せず）が設けられており、この把持爪によりウエハＷを把持した状態で、多軸アーム機構によりウエハ保持アーム１９ａが３次元空間で任意の位置および姿勢をとることができるようになっている。
【００２３】
ウエハ搬入出部２０はロード位置２０ａおよびアンロード位置２０ｂを有しており、また、ウエハ配列装置２１およびウエハ搬送装置２２を有している。
【００２４】
ウエハ配列装置２１は、ウエハ移載装置１９から供給される２つの収納容器分、例えば５０枚の未処理のウエハＷを収納容器Ｃ内における配列ピッチの半分のピッチ（ハーフピッチ）に配列する第１配列機構２１ａと、ハーフピッチで配列された処理済みのウエハＷを収納容器Ｃ内での配列ピッチ（ノーマルピッチ）に戻す第２配列機構２１ｂとを有している。ウエハ配列装置２１は、「ピッチチェンジャー」などとも呼ばれ、当該技術分野において良く知られたものであるので、詳細な説明は省略する。
【００２５】
ウエハ搬送装置２２は、ハーフピッチでウエハ保持溝が形成された３本のチャック（図示せず）を有しており、２つの収納容器分の５０枚のウエハＷをハーフピッチで保持可能となっている。ウエハ搬送装置２２は、インターフェースブロック３から洗浄処理ブロック４へ延びるガイドレール２３を図１における矢印Ｂで示す方向に沿って移動可能である。ウエハ搬送装置２２は、ウエハ配列装置２１の第１配列機構２１ａからハーフピッチで配列された処理前のウエハＷをウエハ搬入出部２０のロード位置２０ａで受け取り、ガイドレール２３に沿って洗浄処理ブロック４へ移動してウエハＷを洗浄処理ブロック４へ搬入する。また、ウエハ搬送装置２２は、一連の処理が終了したウエハＷを洗浄処理ブロック４から搬出して、ウエハ搬入出部２０のアンロード位置２０ｂまで移動し、そこでウエハ配列装置２１の第２配列機構２１ｂにウエハＷを渡す。
【００２６】
洗浄処理ブロック４は、洗浄エリア７と、乾燥エリア８と、パーキングエリア９とを有する。ウエハ搬送装置２２は、これらエリア間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００２７】
パーキングエリア９は、次に処理が施されるウエハＷを待機させる場所である。エリア（７、８、９）内およびエリア間でのウエハ搬送が行われない時間帯に、次に処理が施されるウエハＷが、ウエハ搬送装置２２により第１配列機構２１ａからパーキングエリア９に搬送される。
【００２８】
洗浄エリア７には、図１に示すように、パーキングエリア９側から、第１の薬液槽３１、第１の水洗槽３２、第２の薬液槽３３、第２の水洗槽３４、第３の薬液槽３５、第３の水洗槽３６が順に配置されている。
【００２９】
第１の薬液槽３１には、例えば、有機性汚れ除去や表面金属不純物除去を行うために、１３０℃前後に加熱されたＳＰＭ液（濃硫酸と過酸化水素水の混合溶液）が貯留されている。第２の薬液槽３３には、パーティクル等の付着物を除去するための薬液、具体的には例えばＳＣ−１液（アンモニアと過酸化水素と水の混合溶液）が貯留されている。第３の薬液槽３５には、ウエハＷの表面に形成された酸化膜をエッチングするためのエッチング液、具体的には例えば希フッ素が貯留されている。エッチング液としては、希フッ酸の他に、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物（バッファドフッ酸（ＢＨＦ））を用いることもできる。
【００３０】
第１〜第３の水洗槽３２、３４、３６では、それぞれ第１〜第３の薬液槽３１、３３、３５による薬液処理によってウエハＷに付着した薬液および残渣の除去が行われ、オーバーフローリンス、クイックダンプリンス等の各種の水洗方法が用いられる。
【００３１】
第１の薬液槽３１、第１の水洗槽３２、第２の薬液槽３３、第２の水洗槽３４、第３の薬液槽３５、第３の水洗槽３６にはそれぞれ、槽の内部の位置（処理位置）と槽の上方の位置（ウエハ搬送装置２２との間でウエハの受け渡しを行う位置）との間で移動可能な搬送装置３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａが設けられている。
【００３２】
乾燥エリア８には、洗浄乾燥装置６０と、ウエハ搬送装置２２のチャックを洗浄するチャック洗浄機構５５とが設けられている。
【００３３】
図２に示すように、洗浄乾燥装置６０は、ウエハＷの洗浄処理を行う洗浄処理部６２と、洗浄処理部６２の上方に設けられ、洗浄処理部６２での洗浄処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部６１とを備えている。例示された実施形態においては、洗浄処理部６２は、ウエハＷに対して純水（ＤＩＷ）によるリンス処理のみを行うためのものである。また、洗浄乾燥装置６０は、ウエハ搬送装置２２のウエハ可搬枚数に相当する枚数のウエハ（ここでは５０枚）のウエハＷを保持することができるウエハガイド（ウエハ保持部）６４を備えている。ウエハガイド６４は、昇降機構６４ａにより、洗浄処理部６２と乾燥処理部６１との間で移動（昇降）自在となっている。洗浄乾燥装置６０の上方にはファンフィルターユニット（ＦＦＵ、図示せず）が配設されており、このファンフィルターユニットにより洗浄乾燥装置６０に清浄な空気がダウンフローとして供給されるようになっている。
【００３４】
洗浄処理部６２は純水を貯留する洗浄槽６９を有している。この洗浄槽６９に貯留された純水（ＤＩＷ）にウエハＷを浸漬することによりウエハＷの純水リンス処理（洗浄処理）が行われる。
【００３５】
乾燥処理部６１には、ウエハＷを収容するための乾燥チャンバー６５および乾燥チャンバー６５を内部に形成するチャンバー壁６７が設けられている。
【００３６】
洗浄処理部６２の洗浄槽６９の雰囲気（洗浄槽６９内および洗浄槽６９近傍の上方の雰囲気）と、乾燥処理部６１の乾燥チャンバー６５内の雰囲気とは、洗浄槽６９と乾燥チャンバー６５との間に水平方向にスライド自在に配置されたシャッター６３によって隔離し、または連通させることができるようになっている。シャッター６３は、洗浄処理部６２の洗浄槽６９において洗浄処理を行うときと、洗浄槽６９と乾燥チャンバー６５との間でウエハＷをウエハガイド６４により移動させるときには、シャッターボックス６６に収容され、洗浄槽６９の雰囲気と乾燥チャンバー６５の雰囲気とが連通状態となる。一方、シャッター６３を乾燥チャンバー６５の真下に配置した状態では、シャッター６３の上面に設けられたシールリング６３ａがチャンバー壁６７の下端に当接することにより、乾燥チャンバー６５の下面開口が気密に閉塞される。なお、シャッター６３は、後述のように洗浄槽６９内で純水リンス処理だけでなく薬液処理も行う場合のように、洗浄槽６９内の雰囲気が乾燥チャンバー６５内に移行すると不具合が生じる可能性がある場合には設けた方が好ましいが、洗浄槽６９内で純水リンス処理のみが行われる場合には、省略することも可能である。
【００３７】
乾燥チャンバー６５の内部には、乾燥用の揮発性有機溶剤例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気（乾燥ガス）を不活性ガス例えばＮ２ガス（窒素ガス）と混合してまたは単独で乾燥チャンバー６５内に供給するための流体ノズル７０が配置されている。流体ノズル７０には配管８０が接続されており、配管８０は途中で配管８０ａ、８０ｂに分岐し、それぞれＮ２ガス供給源９１およびＩＰＡ供給源９２に接続されている。配管８０ａに設けられた開閉バルブ８２を開放するとともに流量制御バルブ８５を操作することにより、Ｎ２ガス供給源９１から所定流量のＮ２ガスが加熱器８７に送られて、加熱器８７でＮ２ガスが加熱されてホットＮ２ガスが生成される。また、配管８０ｂに設けられた開閉バルブ８３を開放するとともに流量制御バルブ８６を操作することにより、ＩＰＡ供給源９２から所定流量のＩＰＡの液体が蒸気発生器８８に送られて、この蒸気発生器８８でＩＰＡの液体が加熱されることによりＩＰＡ蒸気が生成される。ホットＮ２ガスおよびＩＰＡ蒸気は単独で、または配管８０において両者が混合された後に、流体ノズル７０から乾燥チャンバー６５内に噴射される。流体ノズル７０および配管８０（配管８０ａ、８０ｂ）に設けられた各種機器は、ウエハＷの乾燥処理時に用いられる「揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段」および「基板に付着した乾燥ガスを除去するために不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段」であると同時に、乾燥チャンバー６５の温調のために「温調気体としての加熱用気体を供給する温調気体供給手段」でもある。
【００３８】
また、乾燥チャンバー６５の内部には、コールドＮ２ガス（常温の窒素ガス）を乾燥チャンバー６５内に噴射するためのＮ２ガスノズル７１が設けられている。配管８１に設けられた開閉バルブ８４を開放するとともに流量制御バルブ８８を操作することにより、Ｎ２ガス供給源９３から所定流量の常温のＮ２ガスが、コールドＮ２ガスノズルから乾燥チャンバー６５内に噴射される。Ｎ２ガスノズル７１および配管８１に設けられた各種機器は、乾燥チャンバー６５の温調のために「温調気体としての冷却用気体を供給する温調気体供給手段」である。
なお、図示された実施形態においては、温調気体としての冷却用気体を供給するために、Ｎ２ガスノズル７１および配管８１に設けられた各種機器を、流体ノズル７０および配管８０（配管８０ａ、８０ｂ）に設けられた各種機器とは別個に設けたが、これに限定されるものではなく、流体ノズル７０および配管８０に設けられた各種機器を、温調気体としての冷却用気体を供給する手段としても用いることができる。すなわち、蒸気発生器８８からの有機溶剤蒸気の発生を停止するとともに、配管８０ａに設けられた加熱器８７を停止させることにより、流体ノズル７０からコールドＮ２ガスを乾燥チャンバー６５内に噴射することができる。この場合、流体ノズル７０および配管８０に設けられた各種機器は、「揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段」、「基板に付着した乾燥ガスを除去するために不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段」および「温調気体としての加熱用気体を供給する温調気体供給手段」であることに加えて、「温調気体としての冷却用気体を供給する温調気体供給手段」でもあるということになる。
【００３９】
また、乾燥チャンバー６５の内部には、乾燥チャンバー６５内の雰囲気を排出するための排気ノズル７２が設けられている。この排気ノズル７２には、乾燥チャンバー６５内からの自然排気を行うための自然排気ラインと、乾燥チャンバー６５内からの強制排気を行うための強制排気ラインとが設けられている。
【００４０】
また、乾燥チャンバー６５の内部には、乾燥チャンバー６５内の温度を検出するための温度センサ９４例えば熱電対が設けられている。温度センサ９４の検出信号は、変換器９５により温度信号に変換される。なお、温度センサ９４が直接測定する「乾燥チャンバー６５内の温度」とは、典型的には、乾燥チャンバー６５の壁体温度（好ましくは壁体の内表面温度）である。しかしながら、温度センサ９４が乾燥チャンバー６５内の雰囲気温度を測定してもよく、この場合でも、乾燥チャンバー６５内の雰囲気温度と乾燥チャンバー６５の壁体温度との関係を実験により予め把握しておくことにより、乾燥チャンバー６５内の雰囲気温度に基づいて乾燥チャンバー６５の壁体温度を把握することができる。
【００４１】
洗浄乾燥装置６０は、この洗浄乾燥装置６０の制御コンピュータであるコントローラ（制御部）１００が発生する制御信号に基づいて動作する。コントローラ１００は、基板処理システム１の全ての機能要素（例えば、アーム１２、１９、ウエハ配列装置２１、ウエハ搬送装置２２、各液処理装置３２、３４、３６、洗浄乾燥装置６０の各種構成部品、例えば乾燥チャンバー６５の開閉機構、ウエハガイド６４の昇降機構、各種ガスの供給機構の開閉弁８２−８４、流量制御弁８５、８６、８９、加熱装置８７、蒸気発生器８８等）の動作を制御する。コントローラ１００は、ハードウエアとして例えば汎用コンピュータと、ソフトウエアとして当該コンピュータを動作させるためのプログラム（装置制御プログラム及び処理レシピ等）とにより実現することができる。ソフトウエアは、コンピュータに固定的に設けられたハードディスクドライブ等の記憶媒体に格納されるか、或いはＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の着脱可能にコンピュータにセットされる記憶媒体に格納される。このような記憶媒体が参照符号１０１で示されている。プロセッサ（演算部）１０２は必要に応じて図示しないユーザーインターフェースからの指示等に基づいて所定の処理レシピを記憶媒体１０１から呼び出して実行させ、これによってコントローラ１００の制御の下で基板処理システム１の各機能要素が動作して所定の処理が行われる。
【００４２】
コントローラ１００の構成のうちの、洗浄乾燥装置６０の動作に関連する部分について図３を参照して以下に説明する。コントローラ１００は、バッチサイズ取得部１０４を有している。バッチサイズ取得部１０３は、基板処理システム１が設置された半導体製造工場のホストコンピュータから、処理スケジュールに関連するデータを受け取り、このデータから、これから洗浄乾燥装置６０により行われる乾燥処理のバッチサイズ（１バッチ処理当たりのウエハ処理枚数）を取得する。バッチサイズ取得部１０３は、前述した第１の検出部４０の過去のウエハ枚数の検出結果を照合することにより、ホストコンピュータから得られたウエハ枚数のデータが正しいか否かを確認することもできる。なお、バッチサイズ取得部１０３は、第１の検出部４０の過去のウエハ枚数の検出結果に基づいて、これから洗浄乾燥装置６０により行われる乾燥処理のバッチサイズを取得するように構成されていてもよい。
【００４３】
また、コントローラ１００は、様々なバッチサイズにそれぞれ対応する最適な乾燥チャンバー６５内の搬入時温度を定めた搬入時温度データベース１０４を有している。バッチサイズと搬入時温度の関係は、バッチサイズ毎にパーティクル量が最も少なくなるような搬入時温度を実験により予め求めて、それを表形式あるいは数式形式（搬入時温度Ｔ＝ｆ（Ｎ）、但しＮはバッチサイズ）の適当な関数として表現したものである。図３には、表形式で記載された搬入時温度データベース１０４が示されている。図３では、バッチサイズ１枚、５枚、２５枚、５０枚にそれぞれ対応する搬入時温度（図３中のブロック１０４内の表の右欄に「チャンバー内温度」と表示）が示されているが、実際には、１枚〜５０枚の各バッチサイズに対応してそれぞれ搬入時温度が定められている。一般的には搬入時温度はバッチサイズの増大に応じて単調増加し、「バッチサイズがＮの時の搬入時温度」<「バッチサイズがＮ＋１の時の搬入時温度」の関係が通常は成立する。なお、バッチサイズと搬入時温度との間に上記のような関係が成立する理由は完全に解明はされてはいないが、発明者は以下のように考えている。すなわち、搬入時温度が最適値よりも低くなると、冷たい（常温の）ウエハＷが搬入された際にウエハに熱を奪われたチャンバー壁内面の温度が低くなり、その結果、チャンバー壁内面上に凝縮するＩＰＡ（乾燥ガス）の量が増えて、ウエハＷ上に十分な量のＩＰＡが凝縮せず、このためにパーティクルが生じやすくなるものと考えられる。一方で、搬入時温度が最適値よりも高くなると、ウエハＷ上にＩＰＡが十分に凝縮する前にウエハ面内の水分が乾燥してしまい、その結果ウオーターマークが発生し、パーティクルが生じやすくなるものと考えられる。なお、バッチサイズ毎の搬入時温度の最適値は、乾燥チャンバー６５の容積、チャンバー壁６７の熱容量等に応じて変化する。
【００４４】
コントローラ１００はさらに搬入時温度設定部１０５を有しており、この搬入時温度設定部１０５は、バッチサイズ取得部１０３により認識したバッチサイズに適した乾燥チャンバー６５内の搬入時温度を、搬入時温度データベース１０４を参照して決定し、その決定された温度を目標値として設定する。なお、バッチサイズ取得部１０３、搬入時温度データベース１０４および搬入時温度設定部１０５は、記憶媒体１０１により記憶されたプログラムおよびプロセッサ１０２、メモリ（図示せず）等からなるコンピュータハードウエアにより実現することができる。なお、図３中に示された温調時間算出部１０６については後述する。
【００４５】
次に、基板処理システム１の動作について説明する。
【００４６】
まず、所定枚数（ここでは２５枚とする）のウエハＷが収納された収納容器Ｃを、収納容器搬入出ステージ５に載せる。そして、収納容器搬入出ステージ５上の収納容器Ｃを収納容器搬送装置１２により搬入用のウエハ出し入れステージ１５へ搬送する。なお、複数の収納容器Ｃを繰り返し搬送する場合には、必要に応じて収納容器ストック部６の収納容器保持部材１３に一旦保管した後に搬送を行ってもよい。次に、ウエハ出し入れステージ１５に載置された収納容器Ｃについて、蓋体開閉機構１７によりロックを外して蓋体を開け、次に第１の検出部４０により壁部１６の開口１６ａを介して収納容器Ｃ内のウエハＷの検出を行う。
【００４７】
第１の検出部４０が収納容器Ｃ内のウエハＷの検出を行った後、ウエハ移載装置１９のウエハ保持アーム１９ａを、開口１６ａを介してウエハ出し入れステージ１５上の収納容器Ｃ内に挿入してウエハＷを取り出し、配列部２１の第１配列機構２１ａに受け渡す。この動作と同時に、蓋体開閉機構１７により、ウエハ出し入れステージ１５上のウエハＷを取り出した後の収納容器Ｃに蓋体を装着し、引き続きその収納容器Ｃを、収納容器搬送装置１２によりいずれかの収納容器保持部材１３へ搬送する。また、この動作の間に、下側扉７０は開口１６ａを塞ぐ位置に戻る。
【００４８】
その後、収納容器搬入出ステージ５上の次の収納容器Ｃ（ここにも２５枚のウエハＷが収納されているものとする）を収納容器搬送装置１２により搬入用のウエハ出し入れステージ１５へ搬送する。次に、ウエハ出し入れステージ１５に載置された収納容器Ｃについて、蓋体開閉機構１７によりロックを外して蓋体を開け、次に第１の検出部４０により壁部１６の開口１６ａを介して収納容器Ｃ内のウエハＷの検出を行う。そして、ウエハ移載装置１９のウエハ保持アーム１９ａにより、その収納容器Ｃ内のウエハＷを取り出して、第１配列機構２１ａへ受け渡す。このときに、第１配列機構２１ａでは、ハーフピッチで５０枚のウエハＷが保持された状態となり、これをウエハ搬送装置２２に受け渡す。
【００４９】
次に、このようにしてウエハ搬送装置２２に受け渡された２つの収納容器分のウエハＷをまとめて洗浄処理ブロック４へ搬送し、一連の洗浄処理を行う。
【００５０】
このとき、ウエハＷは、まず、ウエハ搬送装置２２により第１の薬液槽３１の上方の位置に運ばれ、そこで搬送装置３１ａに受け渡され、第１の薬液槽３１内で薬液処理を受ける。その後、ウエハＷは、搬送装置３１ａにより第１の薬液槽３１の上方の位置に引き上げられ、そこでウエハ搬送装置２２に受け渡される。次いで、ウエハＷは、ウエハ搬送装置２２により第１の水洗槽３２の上方の位置に運ばれ、そこで搬送装置３２ａに受け渡され、第１の水洗槽３２内でリンス処理を受ける。同様にして、ウエハＷは順次、第２の薬液槽３３、第２の水洗槽３４、第３の薬液槽３５、第３の水洗槽３６において所定の液処理を受ける。
【００５１】
洗浄エリア７での洗浄処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送装置２２に渡された後、乾燥エリア８の洗浄乾燥装置６０に搬入され、リンス処理（洗浄処理）および乾燥処理が順次施される。
【００５２】
以下に、洗浄乾燥装置６０において実行される一連の作用について、図４のフローチャートも併せて参照して説明する。
【００５３】
最初に、ウエハガイド６４を乾燥処理部６１の乾燥チャンバー６５内に位置させた状態で乾燥処理部６１の乾燥チャンバー６５を開状態とし、ウエハ搬送装置２２からウエハガイド６４に５０枚のウエハＷを渡す。続いてウエハガイド６４を降下させて、保持したウエハＷを洗浄槽６９に貯留された純水に浸漬させ、その後シャッター６３を閉じる。洗浄槽６９に純水を供給して洗浄槽６９から純水オーバーフローさせながらウエハＷの純水リンス洗浄処理を行う（以上、ステップ１）。
【００５４】
シャッター６３を閉じた後に直ちに、乾燥チャンバー６５の温調が開始される。温調にあたっては、まず、コントローラ１００が、バッチサイズ取得部１０３により、半導体製造工場のホストコンピュータあるいは第１の検出部４０の検出結果の記録から、洗浄槽６９に収容されたウエハＷの枚数（すなわちバッチサイズ）のデータを取得する（ステップ２）。次に、コントローラ１００が、搬入時温度設定部１０５により、乾燥チャンバー６５内の搬入時温度（基板搬入時乾燥チャンバー内温度）を搬入時温度データベース１０４に基づいて設定する（ステップ３）。バッチサイズが５０枚であるならば、図３に示すように、搬入時温度は５５℃に設定される。なお、上記のステップ２、３は、ステップ１よりも前に、あるいはステップ１と並行して行ってもよい。
【００５５】
次に、設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度に基づいて、乾燥チャンバー６５内の温調を行う（ステップＳ４）。この温調にあたっては、コントローラ１００が、温度センサ９４により検出された乾燥チャンバー６５内温度（以下、簡便のため「実際温度Ｔａ」とも呼ぶ）と搬入時温度設定部１０５により設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度（以下、簡便のため「設定温度Ｔｓ」とも呼ぶ）とを比較し、実際温度Ｔａが設定温度Ｔｓよりも低い場合には、流体ノズル７０から例えば６０〜７０℃に温度調整されたホットＮ２ガスを乾燥チャンバー６５内に噴射することにより、乾燥チャンバー６５内を加熱する。実際温度Ｔａが設定温度Ｔｓよりも大幅に低い場合には、ホットＮ２ガスに加えて例えば７０〜８０℃に温度調整されたＩＰＡ蒸気を乾燥チャンバー６５内に噴射してもよい。実際温度Ｔａが設定温度Ｔｓよりも高い場合には、Ｎ２ガスノズル７１から、コールドＮ２ガス（常温（クリーンルーム内温度とほぼ同じ温度）のＮ２ガス）を乾燥チャンバー６５内に噴射することにより、乾燥チャンバー６５内を冷却する。乾燥チャンバー６５内の温調は、一定温度、一定流量の温調気体を用いて、温調時間を変化させることにより行うことができる。但し、実際温度Ｔａの昇温速度は、温調流体（ホットＮ２ガス、ＩＰＡ蒸気）の温度、流量により変化するため、流量調整バルブ８５，８６の開度、加熱器８７および蒸気発生器８８の加熱温度、排気ノズル７２からの自然排気／強制排気の切換え等により調整することもできる。同様に、実際温度Ｔａの降温速度は、温調流体（コールドＮ２ガス）の流量（温度は常温で一定）により変化するため、流量調整バルブ８９の開度、排気ノズル７２からの自然排気／強制排気の切換え等により調整することもできる。
【００５６】
実際温度Ｔａが設定温度Ｔｓと同じになったら、或いは実際温度Ｔａと設定温度Ｔｓとの差が許容範囲内（例えば±１℃）となったら（ステップＳ５のＹｅｓ）、乾燥処理の開始準備が整ったことになる。この時点において、洗浄槽６９内での洗浄処理が終了しているなら、直ちに乾燥処理に移行する。洗浄槽６９内での洗浄処理が終了していない場合には、上記の温調操作を継続しながら、洗浄槽６９内での洗浄処理の終了を待ち、洗浄槽６９内での洗浄処理が終了し次第、直ちに乾燥処理に移行する。
【００５７】
乾燥処理への移行に際してはまず、乾燥チャンバー６５と洗浄槽６９との間を隔離しているシャッター６３を開き、また、乾燥チャンバー６５内に例えば７０〜８０℃に温度調整されたＩＰＡ蒸気の供給を開始して、乾燥チャンバー６５内および洗浄槽６９の上部にＩＰＡ蒸気雰囲気を形成する。この状態で、ウエハガイド６４を上昇させてウエハＷを乾燥チャンバー６５内に収容される位置まで上昇させる（ステップＳ６）。次いで、シャッター６３を閉じて洗浄槽６９と乾燥チャンバー６５とを隔離する。さらに引き続き所定時間チャンバー６５内へのＩＰＡ蒸気の供給を継続する。このことにより、ウエハＷの表面に付着している純水がＩＰＡに置換される。
【００５８】
所定時間、ＩＰＡ蒸気を供給することによりウエハＷの表面にＩＰＡの液膜が形成されたら、チャンバー６５内へのＩＰＡ蒸気の供給を停止し、続いてウエハＷ表面からＩＰＡ除去を行う。ＩＰＡの除去は、例えば４０〜５０℃に加熱されたＮ２ガスをチャンバー６５内に供給してウエハＷの表面からＩＰＡを揮発、蒸発させ、その後に常温のＮ２ガスをチャンバー６５内に供給してウエハＷを所定の温度に冷却するという手順により行うことができる。以上によりウエハの乾燥処理が終了する（ステップＳ７）。
【００５９】
乾燥処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送装置２２により、ハーフピッチで２つの収納容器分、例えば５０枚垂直姿勢で搭載された状態でインターフェースブロック３のアンロード位置２０ｂまで搬送される。
【００６０】
アンロード位置２０ｂまで搬送されたウエハＷは、そこから配列部２１の第２配列機構２１ｂに２つの収納容器分のウエハＷがハーフピッチのまま受け渡される。このときに、第２配列機構２１ｂでは、ノーマルピッチで具体的には例えば２５枚のウエハＷが２つの収納容器分だけ保持された状態とするよう動作が行われる。
【００６１】
その後、収納容器搬送装置１２により搬出用のウエハ出し入れステージ１５に空の収納容器Ｃを載置し、蓋体開閉機構１７によりその蓋体を開けておく。次いで、ウエハ移載装置１９の準備動作を行った後、ウエハ保持アーム１９ａを配列部２１の第２配列機構２１ｂ内に挿入し、垂直姿勢で保持されている状態のウエハＷを取り出す。その後、搬出用のウエハ出し入れステージ１５上の空の収納容器Ｃに、壁部１６の開口１６ｂを介して、ウエハＷを保持したウエハ保持アーム１９ａを挿入し、ウエハＷを水平姿勢で搬入する。その後、ウエハ保持アーム１９ａを収納容器Ｃから出して、次に第２の検出部５０により壁部１６の開口１６ｂを介して収納容器Ｃ内のウエハＷの検出を行う。
【００６２】
第２の検出部５０により収納容器Ｃ内のウエハＷの検出が行われた後、蓋体開閉機構１７により収納容器Ｃの蓋体を閉じる。その後、洗浄処理が行われた後の状態のウエハＷを収納した収納容器Ｃは、収納容器搬送装置１２により収納容器搬入出ステージ５に搬送される。以上により、基板処理システム１における一連の処理が終了する。
【００６３】
上記の実施形態によれば、乾燥チャンバー６５内にウエハＷが搬入される前に乾燥チャンバー６５内の温度をバッチサイズに応じた適当な温度に調整しておくことにより、乾燥ムラが防止され、ウエハＷ表面上へのパーティクルの付着を低減することができる。
【００６４】
上記の実施形態は、下記のように改変することができる。
上記実施形態では、洗浄処理部６２の洗浄槽６９内では、純水リンス処理のみを行うようにしていたが、洗浄処理部６２に薬液（例えばＤＨＦ，ＡＰＦ、ＳＰＭ）を供給することを可能とする構成（薬液供給機構）を付加して、洗浄乾燥装置６０に前述した第１〜第３の薬液槽３１、３３、３５による薬液処理の一部を受け持たせてもよい。この場合、洗浄槽６９内に搬入されたウエハＷに少なくとも１種類の薬液処理が施された後、洗浄槽６９内の薬液が純水（ＤＩＷ）に置換されてウエハＷに純水リンス処理が施され、その後、ウエハＷが乾燥処理部６２の乾燥チャンバー６５内に移動されて、ウエハＷに乾燥処理が施される。この場合には、ウエハＷが洗浄槽６９内に搬入されてシャッター６３が閉じられてから、ウエハＷを洗浄槽６９から乾燥チャンバー６５に移すときに再びシャッター６３が開かれるまでの間の時間が長くなる。このことにより、時間的余裕をもって乾燥チャンバー６５内の温調を行うことができ、温調に関与する機構の負担を小さくでき、また、温調に付随して発生する費用を低く抑えることができる。例えば、ホットＮ２ガスの温度を低く抑えて電力消費を抑制することができ、ホットＮ２ガス（コールドＮ２ガス）の流量を小さくしてＮ２ガスの消費を抑制することができ、あるいは昇温のために高価なＩＰＡを用いる必要がなくなる。
【００６５】
上記実施形態では、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入してシャッター６３を閉じた後に乾燥チャンバー６５の温調を開始していたが、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入する前から乾燥チャンバー６５の温調を行ってもよい。この場合、ウエハＷの搬入時に乾燥チャンバー６５を開放すると、乾燥チャンバー６５内の雰囲気の多くは外部に逃げてしまうが、チャンバー壁６７はある程度の熱容量を有しているので、ある程度温調の効果は残る。このため、ウエハＷの搬入後に行われる温調に必要な時間を短縮することができる。上記の手順は、実際温度Ｔａと設定温度Ｔｓとの差が大きい場合に行うことが特に有益である。この場合には、図３のフローチャートは、ステップＳ２→Ｓ３→Ｓ４→Ｓ１→Ｓ４（二度目のＳ４以降は図３と同じ）に変更される。
【００６６】
上記実施形態においては、図４のステップＳ５では、設定温度Ｔｓと温度センサ９４により検出された実際温度Ｔａとのリアルタイムモードでの比較に基づいて温調完了を判断していたが、これには限定されない。設定温度Ｔｓと初期の実際温度Ｔａとの差がわかれば、温調気体の必要供給時間は、予め実験により求めた関係に基づいて演算によって求めることができるので、この演算に求めた必要供給時間だけ温調気体を供給したことをもって、温調完了の判断を行ってもよい。上記した温調気体の必要供給時間を演算する手段が、温調時間算出部１０６として図３に示されている。
【００６７】
なお、温調気体の必要供給時間が洗浄槽６９内での洗浄処理時間より長い場合には、上述したようにステップＳ１の前から乾燥チャンバー６５内の温調を開始した方が好ましいため、ステップＳ２およびステップＳ３は、あるバッチ処理が施されたウエハＷの乾燥チャンバー６５からの搬出が終了した後であって次のバッチ処理が施されるウエハＷが洗浄槽６９内に搬入される前に、開始した方が好ましい。この場合のフローが図５に示されており、図３のフローとの相違点について簡単に説明する。図５のフローチャートにおいて図３と同じステップ番号は同じ動作を意味しているので、以下において重複説明は省略する。ステップＳ９において必要温調時間（温調気体の必要供給時間）が算出されると、この必要温調時間と洗浄槽６９内での洗浄処理に必要な時間（具体的には例えば、洗浄槽６９にウエハＷを搬入しシャッター６５を閉じてから、洗浄槽６９から乾燥チャンバー６５へのウエハＷの移送のためにシャッター６５を開くまでの時間）を比較することにより、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入する前に乾燥チャンバー６５内の温調を行っておいた方が好ましいか否かがわかる（ステップＳ１０）。必要温調時間が洗浄処理に必要な時間より長いと、洗浄処理の終了後温調が完了するまでの時間、ウエハＷを洗浄槽６９内で待機させておかなければならない。ウエハＷを洗浄槽６９内で待機させることはスループットに悪影響を及ぼす可能性があるため、回避した方が好ましい。ステップＳ１０で「好ましい（必要である）」と判断された場合には（ステップＳ１０のＹｅｓ）、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入する前に乾燥チャンバー６５内の温調が行われる（ステップ１１）。ステップＳ１０で必要無いと判断された場合は（ステップＳ１０のＮｏ）、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入する前に乾燥チャンバー６５内の温調が行われず、洗浄槽６９内にウエハＷを搬入した後に温調が行われる（ステップＳ４）。
【００６８】
また、処理スケジュール次第では、バッチ処理とバッチ処理との間に比較的長い時間が空く場合がある。この場合、仮に乾燥チャンバー６５内の温度が常温付近まで低下すると、再度の昇温には比較的長時間を要することになるため、これを防止するために、乾燥チャンバー６５内の温度が所定温度以下に下がらないように、加熱用流体特にホットＮ２ガスを流しておくことも好ましい。
【００６９】
上記実施形態では、乾燥チャンバー６５内に収容されたウエハＷに向けてガスを供給するように設けられた流体ノズル７０およびＮ２ガスノズルを、乾燥チャンバー６５の温調にも用いているが、効率よくチャンバー壁６７を加熱、冷却するために、チャンバー壁６７に向けてガスを吹き付ける一つまたは複数のノズルを別に設けてもよい。このようなノズルにガスを供給する機構は、流体ノズル７０およびＮ２ガスノズル７２にガスを供給する機構と同じものであってもよいし、別のものであってもよい。
【００７０】
上記実施形態では、乾燥チャンバー６５内を冷却する場合には、Ｎ２ガスノズル７２から常温（クリーンルーム内温度とほぼ同じ温度）のＮ２ガスを乾燥チャンバー内に供給したが、別のＮ２ガス供給ノズルから冷却機構を介して冷却したＮ２ガスを乾燥チャンバー６５内に供給してもよい。
【符号の説明】
【００７１】
６１  乾燥処理部
６２  洗浄処理部
６５  乾燥チャンバー
６９  洗浄槽
７１  基板保持具（ウエハガイド）
７０，８０，８３，８６，９２  乾燥ガス供給手段、温調気体供給手段
７０，８０，８２，８５，８７，９１  温調気体供給手段
７１，８１，８４，８９，９３  不活性ガス供給手段、温調気体供給手段
９４  温度センサ
１００  制御部（コントローラ、制御コンピュータ）
１０１  記憶媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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