(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなり、比抵抗が０．００１Ωｃｍ〜１Ωｃｍである光メディア用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光メディア用スパッタリングターゲット、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより反射層を基板上に形成し、この反射層上に光記録層や、読取や書込み時に光が透過する透明カバー層等をさらに形成することにより製造される光ディスク（例えば、ＢＤ（ブルーレイ・ディスク）−ＲＯＭ、ＢＤ−Ｒ、ＢＤ−ＲＥ等）、光カード等の光メディアが知られている。このような光メディアでは、光記録層の上側及び／又は下側に、記録の前後における光記録層の光学特性（例えば、反射率の差）の差を拡大する役割を果たす干渉層を設ける場合がある。
【０００３】
そして、このような干渉層としては主として無機材料が用いられ、また、このような干渉層はスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により行われることが多い。例えば、特許文献１、２、３には、ＺｎＯを主成分とする干渉層（保護層）及びスパッタリングターゲットが開示されている。また、特許文献４に開示されているように、干渉層材料としては多くの材料が提案されており、屈折率の高い材料の採用（特許文献５）や、硫黄を含まない材料（特許文献６）などが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１９５１０１号公報
【特許文献２】特許３８４１３８８号公報
【特許文献３】特許３５３３３３３号公報
【特許文献４】特開２００３−０９１８７２号公報
【特許文献５】特開２００１−１８４７２２号公報
【特許文献６】特開２００４−１７１６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、最近では、光メディアに対して光記録層の多層化による高密度記録化が求められるようになっている。したがって、干渉層を薄型化するために高い屈折率を有する干渉層を使用することがある。しかしながら、従来の高屈折率の干渉層では、光メディアの保存性が十分でなかった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る、光メディアは、光記録層と、この光記録層の上、及び／又は、下に配置された干渉層と、を備える。そして、この干渉層は、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなる。
【０００８】
本発明によれば、干渉層の屈折率が２．３以上となるので、干渉層を薄くしても光記録の前後における光記録層の光学特性の差を拡大することができる。しかも、高屈折率の干渉層であっても、光メディアの保存性に優れる。この理由は明らかでは無いが、本発明者等は以下のように考えている。すなわち、本発明の干渉層は、従来の高屈折率な干渉層に比してその膜応力が小さく柔軟性に優れるためか、保存試験を経過しても光メディアにおける干渉層にクラックや剥離が発生しにくくなっており、これにより、保存性が優れるものと考えられる。
【０００９】
ここで、光記録層は、少なくとも２つの反応層を有し、一の反応層の構成元素及び他の反応層の構成元素は、書込用のレーザビームの照射により互いに混合しうるものであることが好ましい。
【００１０】
また、光記録層は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｂ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｚｒ、Ａｇ、ＢｉおよびＰｔからなる群より選ばれた一つの材料を主成分とする反応層と、上記群より選ばれた他の材料を主成分とする反応層とを有する、ことが好ましい。
【００１１】
これらのような光記録層を有すると、特に、干渉層によって光記録の前後における光記録層の光学特性の差を拡大しやすい。
【００１２】
また、干渉層の厚みが１０〜１００ｎｍであることが好ましい。この場合、従来よりも干渉層が薄いので、成膜時間を低減できる。
【００１３】
また、光記録層及び干渉層の組合せを複数備えることが好ましい。これにより、十分な高密度記録が可能となる。
【００１４】
本発明に係る光メディア用スパッタリングターゲットは、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなる。
【００１５】
本発明によれば、上述の光メディアの干渉層をスパッタリング法により容易に成膜できる。特に、この組成のスパッタリングターゲットは、比抵抗を１Ωｃｍ以下とすることが出来るので、ＤＣスパッタリングも可能であり生産性がよい。
【００１６】
また本発明にかかる光メディアの製造方法は、光記録層と、光記録層の上、及び／又は、下に配置された干渉層と、を備える光メディアの製造方法であって、上述の光メディア用スパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより前記干渉層を成膜する工程を備える。
【００１７】
これにより、上述の光メディアを好適に製造できる。
【００１８】
また、本発明に係る光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法は、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。
【００１９】
本発明によれば、上述のスパッタリングターゲットを容易に製造できる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、干渉層の薄型化が可能でありかつ十分な光メディアの保存性を確保できるので、記録密度のさらなる向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、実施形態に係る光ディスク２００の断面図である。
【図２】図２は、追記型の場合の光記録層の一例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２３】
（光ディスク２００）
図１を参照して、本実施形態に係る光ディスク（光メディア）２００について説明する。
【００２４】
光ディスク２００は、例えば、ＢＤ−ＲやＢＤ−ＲＥといわれる書き込みが可能なディスクである。具体的なサイズとしては、例えば、外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍである円盤状をなすことができる。この光ディスク２００は、支持基板（基板）１０、反射層２０Ａ、干渉層２２、光記録層２４、干渉層２２、中間層３０、反射層２０Ｂ、干渉層２２、光記録層２４、干渉層２２、透明カバー層４０、及び、トップコート層５０、を備えて構成されているものである。すなわち、この光ディスク２００は、干渉層２２／光記録層２４／干渉層２２という積層体を２層有する。本実施態様にかかる光ディスク２００は、波長λが３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍであるレーザビームＬＢを支持基板１０とは反対側のトップコート層５０側から入射することによってデータの記録や、必要に応じて読み取りを行うことが可能な光ディスクである。
【００２５】
支持基板１０は、光ディスク２００に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、レーザビームＬＢをガイドしたり記録用の凹凸の下地となるためのグルーブＧ及びランドＬが螺旋状に形成されている。支持基板１０の材料としては種々の材料を用いることが可能である。例えば、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂を用いることができる。これらのうち、成形の容易性の観点から樹脂が好ましい。このような樹脂としてはポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。中でも、加工性などの点からポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が特に好ましい。
【００２６】
反射層２０Ａは、トップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから入射されるレーザビームＬＢを反射し、再びトップコート層５０の表面である光入射面ＳＳから出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬＢによる熱を速やかに放熱する役割を果たす。これにより、レーザビームＬＢに対する光反射率が高められるため再生特性を向上させることができる。反射層２０Ａの組成は、特に限定されないが、例えば、銀合金とすることができる。
【００２７】
反射層２０Ａの厚さは特に限定されないが、例えば、５〜３００ｎｍに設定することができる。
【００２８】
干渉層２２、２２は、記録の前後における光記録層２４の光学特性（例えば、反射率）の差を拡大する役割を果たすものである。本実施形態において、干渉層２２の組成は、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯと、からなる。ＴｉＯ２は通常ルチル型である。なお、干渉層２２は、不可避的不純物を含むことができる。不可避不純物としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられ、それぞれ、１０００ｍａｓｓ  ｐｐｍ程度まで許容することができる。
【００２９】
干渉層の厚みは特に限定されないが、記録層を２層以上に多層化する観点からは、好ましくは３〜２００ｎｍ程度の薄型のものが好ましく、より好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００３０】
上述のような薄型の干渉層を実現する場合、記録の前後における光記録層２４の光学特性（例えば、反射率）の差を拡大するためには、使用されるレーザビームＬＢの波長領域、すなわち、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍにおいて干渉層２２の屈折率が２．３以上である必要があるが、上記組成を有することによりそれを満たすことができる。
【００３１】
また、記録層を２層以上に多層化した場合に、干渉層２２によってレーザビームが過度に減衰しないように、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍ、特に約４０５ｎｍにおいて干渉層２２は０．００５以下の吸収係数を有することが好ましいが、上述の組成を有することにより、これを満たすことができる。
【００３２】
なお、本実施形態では、光記録層２４の両側に干渉層２２がそれぞれ配置されているが、干渉層２２が光記録層２４のいずれか一方側のみに配置されていても実施は可能である。
【００３３】
また、干渉層２２は、光記録層２４を物理的及び／又は化学的に保護する役割をも果たす場合もある。この場合、光記録層２４はこれら干渉層２２間に覆われることによって、光記録後、長期間にわたって記録情報の劣化が効果的に防止されることができる。
【００３４】
尚、光記録層２４を挟む一対の干渉層２２、２２は、互いに同じ組成で構成されてもよいが、異なる組成で構成されてもよい。また、一対の干渉層２２、２２の少なくとも一方が、さらに他の干渉層を有する多層構造であっても構わない。
【００３５】
光記録層２４は記録マークが形成されうる層であり、無機系、有機系等種々のものが採用できる。例えば、無機系では、金属又は合金層の単層膜、複数の金属又は合金層を積層した積層膜（例えば、Ｓｉ層と、銅合金層との積層構造）が挙げられ、有機系では、アゾ色素等の有機色素層等が挙げられる。
【００３６】
記録用のレーザビームＬＢの焦点が光記録層２４にフォーカスされると、熱により、アブレーション、相変化、溶融、混合、拡散、分解等をおこすことにより、記録マークが形成できる。このとき、光記録層において記録マーク部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とでは再生用のレーザビームＬＢに対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。
【００３７】
特に、本発明では、光ディスク２００が、光記録層２４に不可逆的に記録マークが形成される、いわゆる、追記型の光ディスク２００（例えば、ＢＤ−Ｒ等）であると特に好適である。この場合、光記録層２４は、図２に示すように、少なくとも２以上の反応層２４ａ、２４ｂ等を有する積層構造を備えている。光記録層２４のうち未記録状態である領域は、複数の反応層２４ａ，２４ｂ等が積層された状態になっているが、所定以上のパワーを持つ書込用レーザビームが照射されると、その熱によって、それぞれの反応層を構成する元素同士が部分的または全体的に混合されて記録マークとなる。このとき、記録マークが形成された部分とそれ以外の部分（ブランク領域）とでは、レーザビームに対する反射率が大きく異なるため、これを利用してデータの記録・再生を行うことができる。すなわち、書込用のレーザビームの照射により、一の反応層の構成元素は、他の反応層の構成元素と互いに混合しうるものである。
【００３８】
このような反応層に用いる材料としては、合金や金属等の無機材料が挙げられ、特にアルミニウム（Ａｌ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）および白金（Ｐｔ）からなる群より選ばれた一つの材料を主成分とするものが挙げられ、この場合、もう一方の反応層の材料としては上記群より選ばれた他の材料を主成分とすることが好ましい。特に、再生信号のノイズレベルをより低く抑えるために、一方の反応層の主成分がＣｕ，Ａｌ，Ｚｎ及びＡｇから選択される一つであり、他方の反応層の主成分がＳｉ，Ｇｅ及びＳｎから選択される１つであることが好ましい。なお、反応層の積層順は特に限定されない。ここで、主成分とは、最大モル比の成分である。
【００３９】
また、これらの反応層２４ａ，２４ｂ等は、互いに接触していることが好ましい。また、反応層は３層以上でもよい。
【００４０】
このような光記録層２４の膜厚は、特に限定されないが、厚くなればなるほどレーザビームのビームスポットが照射される表面の平坦性が悪化し、これに伴って再生信号のノイズレベルが高くなると共に、記録感度も低下する。また薄くしすぎると、記録前後のおける反射率の差が小さくなり、再生時に高いレベルの再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが出来なくなる。この点を考慮すれば、光記録層２４の膜厚は、上述と同様に、２〜４０ｎｍに設定する事が好ましく、２〜２０ｎｍであることがより好ましく、２〜１５ｎｍであることがさらに好ましい。
【００４１】
また、反応層のそれぞれの膜厚は特に限定されないが、それぞれの膜厚比（反応層２４ａ／反応層２４ｂ）は、１．０付近が好ましい。
【００４２】
中間層３０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。中間層の材料も特に限定されないが、例えば、樹脂材料が挙げられ、特に、ＵＶ硬化樹脂が挙げられる。中間層３０の厚みは、平均２０〜３０μｍ程度であることが好ましい。中間層３０の表面にも、支持基板１０と同様に、グルーブＧとランドＬとが形成されている。
【００４３】
反射層２０Ｂも反射層２０Ａと同様の膜である。反射層２０Ｂは、レーザビームＬＢの一部を透過させる必要があるので、反射層２０Ａよりも薄いことが好ましい。
【００４４】
透明カバー層４０は、レーザビームＬＢに対して透明な層である。透明カバー層４０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等の樹脂材料が挙げられる。厚みは、例えば、５０〜１００μｍ程度である。
【００４５】
トップコート層５０は、光ディスク２００の表面の保護を行うものである。トップコート層５０の材料としては、例えば、紫外線硬化型アクリル樹脂等を利用できる。
【００４６】
次に、このような追記型の光ディスク２００に対するデータの記録原理について図１を参照して説明する。このような光ディスク２００に対してデータを記録する場合、光ディスク２００に対して強度変調されたレーザビームＬＢをトップコート層５０等の光透過層側から入射し光記録層２４に照射する。
【００４７】
このとき、レーザビームＬＢを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）は、通常、０．７以上、レーザビームＬＢの波長λは３８０ｎｍ〜４５０ｎｍに設定され、好ましくは、対物レンズの開口数（ＮＡ）は０．８５程度、レーザビームＬＢの波長λは４０５ｎｍ程度に設定される。通常、このようにして、（λ／ＮＡ）＜６４０ｎｍに設定される。
【００４８】
このようなレーザビームＬＢが光記録層２４に照射されると、光記録層２４が加熱され、光記録層２４の材料のアブレーション、分解、相変化等が起こったり、複数の反応層２４ａ，２４ｂを構成する元素が互いに混合、拡散されたりして、光記録層に、物理的な変化や、化学的な変化が起こる。かかる変化部分は記録マークとなり、その反射率はそれ以外の部分（ブランク領域）の反射率と異なった値となることから、これを利用してデータの記録・再生を行うことが可能となる。
【００４９】
このような光ディスク２００は、上述の干渉層２２を有していることから、干渉層２２の屈折率が高くなり、例え、干渉層２２が薄くても記録の前後における光記録層２４の光学特性（例えば、反射率）の差を十分拡大でき、記録マークを読み取りやすくなる。さらに、従来の高屈折率の干渉層では高温高湿保存試験後のジッターが劣化する傾向が強いが、本実施形態の干渉層では高温高湿保存試験後のジッターの劣化も少ない。その理由は明らかではないが、本実施形態の干渉層は、その膜応力が小さく柔軟性に優れるためか、保存試験後も干渉層にクラックや剥離が発生しにくいことがひとつの要因として考えられる。さらに、干渉層２２の吸収係数も低いことから、光記録層２４を多層にした場合でも下層側の光記録層２４の読み取り等が困難になりにくい。
【００５０】
なお、上記の光ディスク２００は、光記録層２４及びこれを挟む一対の干渉層２２を有する積層体を２組有する、いわゆる２層記録型のものであるが、この組合せを１つのみ有する１層記録型のものや、３つ以上有する多層記録型のものでも実施は可能である。
【００５１】
これらの光ディスクは、例えば、後述するスパッタリングターゲットを用いて干渉層２２を形成することにより製造できる。また、スパッタリング方法も特に限定されない。好適なスパッタリング方式は、ＤＣスパッタリング法である。
【００５２】
（光メディア用スパッタリングターゲット）
続いて、本実施形態に係る光メディア用スパッタリングターゲットについて説明する。本実施形態に係る光メディア用スパッタリングターゲットの組成は、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、残部のＺｎＯからなる。なお、この光メディア用スパッタリングターゲットは、不可避的不純物を含むことができる。不可避不純物としては、例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等が挙げられ、それぞれ、１０００ｍａｓｓ  ｐｐｍ程度まで許容することができる。
【００５３】
ターゲットの形状や大きさ等は特に限定されず、例えば、直径１２７〜３００ｍｍ程度の円板とすることができる。
【００５４】
ターゲット中における組織の形態は特に限定されないが、例えば、ＺｎＯの海構造中にＴｉＯ２が島となっている構造をとることができる。
【００５５】
本実施形態によれば、上述の光メディアの干渉層をスパッタリング法により容易に成膜できる。特に、この組成のスパッタリングターゲットは、比抵抗を１Ωｃｍ以下とすることが出来るので（好ましくは、０．００１Ωｃｍ以上）、ＤＣスパッタリングも可能であり生産性がよい。
【００５６】
（光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法について）
続いて、上述の光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法の一例について説明する。
【００５７】
上述の元素組成を満たす原料粉体を用意する。例えば、ＴｉＯ２粉、Ｔｉ粉、ＺｎＯ粉、Ｚｎ粉等を上述のモル組成を満たすように混合した混合物を原料粉体として用いることができる。好ましくは、酸化物を原料とすることが好ましい。ＴｉＯ２粉としては、ルチル型、アナターゼ型のいずれを使用してもよい。アナターゼ型のＴｉＯ２を使用した場合でも、焼成において概ね９１５℃以上になると、ルチル型となる。
【００５８】
原料粉体の粒度は特に限定されないが、５μｍ以下であることが好ましく、平均粒子径は０．５μｍ程度であることが好ましい。平均粒子径は、レーザー干渉型粒度測定装置によりより得られた体積基準の粒度分布におけるｄ５０として測定することができる。純度は９９．９ｗｔ％以上であることが好ましい。
【００５９】
原料粉体の混合には、乾式混合または湿式混合のどちらも用いることができる。
【００６０】
続いて、Ｎ２ガス、Ａｒガス等の不活性雰囲気中または真空中で高温高圧をかけて原料粉体を焼成する。焼成条件としては、例えば、圧力は、１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２、温度は、４００〜１２００℃である。
【００６１】
続いて、得られた焼結体を所定の大きさに切断等の加工をして、スパッタリングターゲットが完成する。
【００６２】
なお、本発明のスパッタリングターゲットの焼結法はHP（ホットプレス）焼成方法を用いなくて、室温にて成形後、大気圧中常圧焼成により製造することもできる。
【００６３】
本発明は上記実施形態に限られずさまざまな変形態様が可能である。例えば、上記実施形態では光メディアとしてＢＤを例示しているが、ＢＤ以外の光ディスクでもよい。また、上記実施形態では光メディアとして円板形状の光ディスクを例示しているが、光メディアの平面形状は特に限定されず、例えば、矩形形状をした光カードでもよい。
【実施例】
【００６４】
（実施例１〜６、比較例１〜６）
平均粒子径が０．５μｍであり、かつ、純度９９．９質量％の、ＴｉＯ２粉、ＺｎＯ２粉、ＺｎＳ粉、Ａｌ２Ｏ３粉、ＳｉＯ２粉、Ｃｒ２Ｏ３粉を用い、各粉を表１に示す組成となるように秤量し、乾式で混合し、各実施例及び比較例について混合粉体をそれぞれ得た。
なお、実施例６では、アナターゼ型のＴｉＯ２粉を使用し、それ以外の実施例１−５及び比較例３−５ではルチル型のＴｉＯ２粉を使用した。そして、各混合粉体を、真空中で焼成した。焼成圧力は、圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ２とした。温度プロファイルは、５００℃まで１２０分間で昇温、その後５００℃に３０分間維持、その後１１００℃まで１５０分間で昇温、その後１１００℃に６０分間維持し、その後室温まで徐冷とした。
そして、得られた焼結体を、円筒研磨機および平面研磨機により２００ｍｍφ、厚さ６ｍｍに成形してそれぞれスパッタリング用ターゲットを得た。
【００６５】
続いて、厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍであって、グルーブＧ及びランドＬが螺旋状に形成されたポリカーボネート製の支持基板１０をスパッタリング装置にセットし、この支持基板１０上に、銀（Ａｇ）を主成分としこれに０．５ａｔ％のニオブ（Ｎｂ）および０．５ａｔ％のアルミニウム（Ａｌ）が添加された材料からなる反射層２０Ａ（層厚：８０ｎｍ）、干渉層２２（層厚：３０ｎｍ）、銅（Ｃｕ）を主成分としこれにアルミニウム（Ａｌ）が２３ａｔ％添加された反応層２４ｂ（層厚：６ｎｍ）、シリコン（Ｓｉ）からなる反応層２４ａ（層厚：５ｎｍ）、干渉層２２（層厚：２０ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。ここで、干渉層は、それぞれ各実施例で用意したターゲットを用いてスパッタリングにより成膜した。
続いて、干渉層２２上に、表面に螺旋状グルーブＧ及びランドＬを有する中間層３０をアクリル系紫外線硬化性樹脂により形成し、さらに、上述と同様の組成の、反射層２０Ｂ（層厚：３０ｎｍ），干渉層２２（層厚：２５ｎｍ）、反応層２４ｂ（層厚：６ｎｍ）、反応層２４ａ（層厚：５ｎｍ）、干渉層２２（層厚：１５ｎｍ）を順次スパッタ法により形成した。
【００６６】
次に、干渉層２２上に、アクリル系紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によりコーティングし、これに紫外線を照射して透明カバー層４０（層厚：１００μｍ）を形成し、実施例１〜６、比較例１〜６のＢＤ−Ｒ型の光メディアを作製した。
【００６７】
（実施例７、８）
実施例７では、干渉層の厚みを１０ｎｍとする以外は実施例１と同様にした。実施例８では、干渉層の厚みを１００ｎｍとする以外は実施例１と同様にした。
【００６８】
［屈折率の測定］
各実施例、比較例の干渉層の屈折率は、干渉計により測定した。
［電気抵抗値の測定］
各実施例、比較例のスパッタリングターゲットの電気抵抗値（比抵抗）は、接触抵抗計により測定した。
［吸収係数の測定］
各実施例、比較例の干渉層の吸収係数は、干渉計により測定した。
［保存試験後のジッター］
各実施例、比較例の光メディアの下側、すなわち、支持基板１０に近い側の記録層２４に対して信号を記録した後、８０℃８０％Ｒｈの条件とされた高温高湿槽に１００時間保持し、その後、下側の記録層に記録された信号を読み取ってジッターを調べた。信号の記録及び読取には、パルステック社製のODU-1000を用い、具体的には、線速3.9ｍ／ｓで適切な記録パワーで信号を記録して、その信号を同じ線速で再生し、ジッター特性を測定した。
【００６９】
これらの結果を表１に示す。実施例１〜６の光メディアでは、記録層のジッターの劣化は見られなかったが、比較例１〜６では、記録層のジッターが１０％を超え、データを正常に再生出来ない状況となった。
【００７０】
【表１】
0005532068.tif 000002
【符号の説明】
【００７１】
１０…支持基板、２０Ａ，２０Ｂ…反射層、２２…干渉層、２４…光記録層、２４ａ，２４ｂ…反応層、２００…光ディスク。
【図１】
0005532068.tif 000003
【図２】
0005532068.tif 000004