(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線源から放射された前記荷電粒子線を集束するレンズと、
前記レンズにより集束された荷電粒子線を通過させる複数の開口を有する開口部材と、
前記荷電粒子線の照射により前記開口部材から生じた放射を検出する検出部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記検出部の出力に基づいて、前記レンズによる荷電粒子線の集束状態が変化するように前記レンズを制御する制御部を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子線源と前記レンズとの間に配置され、前記荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を偏向する偏向器と、
前記検出部の出力に基づいて、前記偏向器による偏向状態が変化するように前記偏向器を制御する制御部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項４】
前記放射は、赤外光である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記開口部材は、赤外光の放射率が互いに異なる複数の領域を含む、ことを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
【請求項６】
前記開口部材は、前記放射が指向性を有するような表面構造を有し、
前記検出部は、前記指向性に合わせて配置されている、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記開口部材は、蛍光体を含み、
前記放射は、前記蛍光体から生じた蛍光である、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記開口部材は、前記放射を透過する透過部材を備えた真空容器の内部に配置され、
前記検出部は、前記真空容器の外部に配置され、前記透過部材を介して前記放射を検出する、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記開口部は、真空容器の内部に配置され、
前記検出部は、前記放射を透過する透過部材を備えた密閉容器の内部に収容されて前記真空容器の内部に配置され、前記透過部材を介して前記放射を検出する、ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。この描画装置の一例として、複数の開口を有する開口部材（アパーチャアレイ）を荷電粒子線で照明し、それぞれの開口を通過してさらに形成される複数の荷電粒子線を個別に制御することで、基板上に所望のパターンを描画するマルチビーム方式の描画装置がある。このマルチ式描画装置は、１度に描画し得る面積すなわち描画面積が広いため、スループットの点で有利である。しかしながら、マルチ式描画装置では、大きな描画面積に対応して一括照射するため、荷電粒子線源から大電流を照射する必要がある。したがって、この電流照射の際に熱の影響を受けて荷電粒子線源内の電極が蒸発して変化していき、荷電粒子線の照射位置や照射面積が変化してしまう可能性がある。そこで、特許文献１は、複数の荷電粒子線に分割する開口部材の下流に配置されている絞りの下流側または基板面上でビーム電流を検出することにより、照射位置や照射面積の調整を効率良く実施し得る荷電粒子ビーム露光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３８００３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示す描画装置では、ビーム電流の検出のたびに検出位置に検出器を出し入れする必要があるため、描画中、リアルタイムにビーム電流の検出を実施することができない。さらに、この描画装置は、荷電粒子線源から直接的に照射される照射位置または照射面積を検出することができない。したがって、検出器が検出した値による変化が、荷電粒子線源の照射位置ずれに起因したものなのか、または絞りなどの構成要素の影響を受けたものなのかを判別することが難しい。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、開口部材を照射する荷電粒子線の調整に有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、荷電粒子線源と、荷電粒子線源から放射された荷電粒子線を集束するレンズと、レンズにより集束された荷電粒子線を通過させる複数の開口を有する開口部材と、荷電粒子線の照射により開口部材から生じた放射を検出する検出部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、開口部材を照射する荷電粒子線の調整に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係るアパーチャアレイの構成を示す上面図である。
【図３】第１実施形態に係るアパーチャアレイの複数の構成例を示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係る調整シーケンスの流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の第２実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る荷電粒子線描画装置（以下「描画装置」という）について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向（走査）させ、かつ、電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定の描画データを被処理基板の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、本実施形態のような電子線に限定されず、イオン線（イオンビーム）などの他の荷電粒子線であってもよい。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。なお、以下の各図では、被処理基板に対する電子ビームのノミナルの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。また、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。描画装置１は、電子源２と、クロスオーバー３から発散した電子ビーム４を複数の電子ビームに分割、偏向および結像させる光学系５と、被処理基板６を保持する基板ステージ７と、光検出器８と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部９とを備える。なお、被処理基板６は、例えば、単結晶シリコンからなるウエハであり、表面上には感光性のレジストが塗布されている。
【００１２】
ここで、電子ビームは、大気圧雰囲気ではすぐに減衰し、また、高電圧による放電を防止する意味もかねて、電子源２や光学系５などの各構成要素は、真空排気系により内部圧力が調整された真空容器の内部に設置される。例えば、描画装置１は、まず、電子源２が収容される第１チャンバー２０と、光学系５のうちアパーチャアレイ３１やブランキング偏向器アレイ３３などを収容する第２チャンバー２１と、偏向器アレイ３５などを収容する第３チャンバー２２とを有する。同様に、描画装置１は、基板ステージ７を収容する第４チャンバー２３も有する。特に、第１チャンバー２０の内部は、その外部に設置されたイオンポンプ２４と他の真空ポンプ２５とに接続されて高い真空度に保たれており、具体的な真空度は、電子ビーム４を照射しない状態で、５．０×１０-７〜３．０×１０‐６Ｐａ程度である。また、第２〜第４チャンバー２１〜２３の内部も、真空ポンプ２６〜２８にそれぞれ接続され、第１チャンバー２０の内部よりも低い真空度ではあるが、１０-５Ｐａ台程度に保たれる。
【００１３】
電子源（荷電粒子線源）２は、ディスペンサーカソード型（カソード材は、例えば、タングステン、含浸材酸化バリウム、酸化カルシウムまたは酸化
アルミニウム）のカソード電極１０などを電子放出部に含む、いわゆる熱電子型の電子源である。この電子源２は、カソード電極１０を、外部に設置された電子源制御電源１１から電流を供給することで１２５０〜１４５０Ｋ程度に加熱させ、熱電子を放出させる。放出された熱電子は、ウェーネルト電極１２でビーム電流量が制御され、アノード電極１３により数ｋＶの電圧が印加されて加速し、クロスオーバー３から電子ビーム（電子線束）４として発散する。なお、図１では、クロスオーバー３から放射された電子ビーム４の軌道を点線で示している。また、電子源２は、このようなディスペンサーカソード型に限らず、例えばＬａＢ６型のような単結晶のものでもよい。また、描画装置１は、第１チャンバー２０内の電子源２の下流側に、放射された電子ビーム４を偏向可能とし、電子ビーム４の方向付けを実施するアライナー（偏向器）１４を備える。このアライナー１４は、第１チャンバー２０の外部に設置された第１電圧源４０から所望の電圧が印加されることで制御される。
【００１４】
光学系５は、電子源２から放射された電子ビーム４を被処理基板６上に投影する投影系である。この光学系５は、電子源２側から順に、コリメーターレンズ３０、アパーチャアレイ３１、第１静電レンズアレイ３２、ブランキング偏向器アレイ３３、ブランキング絞り３４、偏向器アレイ３５、および第２静電レンズ３６を含む。さらに、光学系５は、ブランキング偏向器アレイ３３とブランキング絞り３４との間に設置される第３静電レンズ３７と、ブランキング絞り３４と偏向器アレイ３５との間に隣設される第４静電レンズ３８と第５静電レンズ３９とを含む。まず、コリメーターレンズ３０は、クロスオーバー３で発散した電子ビーム４を平行化して（集束させて）、所望の大きさを持った面積ビームとする電磁レンズである。このコリメーターレンズ３０は、第２チャンバー２１の外部に設置された第２電圧源４１から所望の電圧が印加されることで制御される。なお、コリメーターレンズ３０は、静電レンズであってもよい。アパーチャアレイ３１は、マトリクス状に配列した複数の円形状の開口（開口列）を有する開口部材であり、コリメーターレンズ３０からほぼ垂直に入射した電子ビーム４を複数の電子ビームに分割する。なお、このアパーチャアレイ３１の構成などについては、以下で詳説する。第１静電レンズアレイ３２は、円形状の開口を有する３枚の電極板（図中では３枚の電極板を一体で示している）から構成されるレンズであり、ブランキング偏向器アレイ３３上に電子ビーム４を結像（収束）させる。ブランキング偏向器アレイ３３は、マトリクス状に配置されたブランキング偏向器からなり、各電子ビーム４の照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。ブランキング絞り３４は、ブランキング偏向器アレイ３３を通過して第３静電レンズ３７により集束された電子ビーム４のうち偏向された所望の電子ビーム４を遮蔽する。偏向器アレイ３５は、第４および第５静電レンズ３８、３９を通過した電子ビーム４を、基板ステージ７に載置された被処理基板６の表面上でＸ軸方向に偏向（走査）させる。さらに、第２静電レンズ３６は、偏向器アレイ３５を通過した電子ビーム４を被処理基板６上に結像（収束）させる。
【００１５】
基板ステージ７は、被処理基板６を、例えば静電吸着により保持しつつ、少なくともＸＹの２軸方向に可動とする基板保持部である。この基板ステージ７の移動位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。
【００１６】
光検出器（検出部）８は、電子ビーム４がアパーチャアレイ３１に照射されたとき、電子ビーム４の照射位置（または照射面積）により強度が変化するような特定の波長の光を検出可能とする２次元放射光検出器である。例えば、アパーチャアレイ３１のある特定の領域に電子ビーム４が照射されると熱が発生するため、本実施形態の光検出器８は、この熱に起因して放射される赤外光を検出するものとすることが望ましい。また、第１チャンバー２０は、電子源２が設置される上流側のフランジに、アパーチャアレイ３１からの赤外光を透過可能とする透過窓４２を設置している。そして、光検出器８は、この透過窓４２を介して赤外光を受光するように、透過窓４２の大気側に設置される。ここで、第１チャンバー２０内には、アパーチャアレイ３１とは別に、赤外光の放射源となり得るカソード電極１０が存在する。そこで、本実施形態では、光検出器８によるカソード電極１０からの赤外光の検出を妨げるように、電子源２の外周部は、電子ビーム照射口以外、遮蔽板（遮蔽部）４３で覆われている。さらに、光検出器８は、検出結果を画像処理部４４に送信（入力）する。この画像処理部４４は、電子ビーム照射の中心位置（Ｘ、Ｙ）と照射サイズ（照射面積）Ｓとを算出する。
【００１７】
上記のとおり、光検出器８は、アパーチャアレイ３１から放射される赤外光を検出するが、この検出を効率良く実施するために、アパーチャアレイ３１は、以下のような構成とすることが望ましい。図２は、アパーチャアレイ３１を示す概略上面図である。また、図３は、アパーチャアレイ３１の複数の構成例を示す概略断面図である。まず、アパーチャアレイ３１は、図２に示すように、電子ビーム４が照射される領域（ＸＹ平面に平行な領域）３１ａに電子ビーム４の通過領域となる３×３で配列された９つの開口（アパーチャ）３１ｂを有するものと想定する。この場合、アパーチャアレイ３１は、コリメーターレンズ３０から入射した電子ビーム４を９つに分割する。なお、アパーチャアレイ３１は、実際にはその開口数を数千から十万本として適用され得る。次に、第１の構成例として、まず、図３（ａ）に示すアパーチャアレイ３１は、例えばモリブデンのように放射率が高く（赤外放射率０．８程度）、かつ耐熱性のある金属を材料として構成したものである。次に、第２の構成例として、図３（ｂ）、（ｃ）に示すアパーチャアレイ３１は、電子ビーム４が照射される所望（設計値）の領域と照射されない領域とで、それぞれ異なる放射率を有する少なくとも２種類の材料の組み合わせで構成したものである。これは、電子ビーム４がアパーチャアレイ３１の所望の領域に照射されているときに、光検出器８が赤外光の検出を容易にするためであり、例えば、放射率の高い材料で形成される第１部材と、放射率が低い材料で形成される第２部材とを組み合わせることが望ましい。特に、図３（ｂ）に示すアパーチャアレイ３１では、所望の領域にある第１部材５０を放射率の高い金属材料（例えばモリブデン）で形成する。一方、第１部材５０の周囲にある第２部材５１を放射率の低い金属材料（例えばタングステン、赤外放射率０．１程度）で形成する。これに対して、図３（ｃ）に示すアパーチャアレイ３１における第１部材５０と第２部材５１とでは、図３（ｂ）に示す材料を逆としている。さらに、第３の構成例として、図３（ｄ）に示すアパーチャアレイ３１は、異なる２種類の材料を用いることなく、材料の表面粗さ（形状）を変えることで、領域によって放射率を変化させる構成としたものである。この例では、特定の方向（光検出器８に向かう方向）に赤外光を放射させるため、第１部材（この場合、アパーチャアレイ３１の上面全体）５２の表面構造を、一定の指向性（角度）を有する多数の突起部で構成している。
【００１８】
制御部９は、例えばコンピュータなどで構成され、描画装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部９は、少なくとも、後述の電子ビーム４の照射位置または照射面積の調整シーケンスを実行する。なお、制御部９は、描画装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、描画装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００１９】
次に、光検出器８を用いた電子ビーム４の照射位置および照射面積の調整について説明する。描画装置１のようなマルチ式描画装置では、大きな描画面積に対応して一括照射するために、電子源から大電流を照射する。このような描画処理が、ある一定の期間（任意の期間）行われることで、電子源内の電極は、電流照射の際の熱の影響を受けて蒸発して変化していく。これは、描画装置（特に電子源）の使用期間により、電子ビームの照射位置や照射面積が変化してしまう可能性があることを意味する。そこで、本実施形態の描画装置１は、装置の使用開始から任意の期間が経過した後に、以下のような電子ビーム４の照射位置および照射面積の調整を実施する。
【００２０】
図４は、本実施形態における電子ビーム４の照射位置および照射面積の調整を行う調整シーケンスの流れを示すフローチャートである。まず、制御部９は、調整シーケンスを開始すると、電子源２により所望の電子ビーム４を照射させる（ステップＳ１００）。このとき、アパーチャアレイ３１は、電子ビーム４の照射により熱を生じ、赤外光を放射する。次に、制御部９は、光検出器８により、アパーチャアレイ３１から放射された赤外光を検出させる（ステップＳ１０１）。そして、ステップＳ１０１での検出結果（２次元温度プロファイル）は、画像処理部４４に送信される。次に、制御部９は、画像処理部４４に対して、受信した検出結果から予め設定されている温度以上のものを抽出させ、抽出された検出結果に基づいて、電子ビーム照射の中心位置（Ｘ１、Ｙ１）と照射サイズＳ１とを算出させる（ステップＳ１０２）。次に、制御部９は、ステップＳ１０２にて得られた電子ビーム照射の中心位置（Ｘ１、Ｙ１）と、予め設定されている設計上の電子ビーム照射の中心位置（Ｘ０、Ｙ０）との差分を算出する（ステップＳ１０３）。次に、制御部９は、ステップＳ１０３にて算出された差分が、許容し得る所望の値以下に収まっているかどうかを判断する（ステップＳ１０４）。このとき、制御部９は、差分が所望の値以下であると判定した場合には（ＹＥＳ）、以下のステップＳ１０５に移行する。一方、制御部９は、差分が所望の値以下に収まらない、すなわち誤差が大きいと判定した場合には（ＮＯ）、アライナー調整工程であるステップＳ１０７に移行する。このステップＳ１０７では、制御部９は、差分が小さくなるように第１電圧源４０に設定する出力電圧値を決定し、第１電圧源４０によりアライナー１４へ印加させることで偏向状態を変更し、電子ビーム４の照射位置を補正する。ステップＳ１０７の完了後、制御部９は、再度ステップＳ１０１に移行し、中心位置の差分が所望の値以下に収まっているか確認する。次に、ステップＳ１０５では、制御部９は、ステップＳ１０２にて得られた電子ビーム照射の照射サイズＳ１と、予め設定されている設計上の電子ビーム照射の照射サイズＳ０との差分を算出する。次に、制御部９は、ステップＳ１０５にて算出された差分が、許容し得る所望の値以下に収まっているかどうかを判断する（ステップＳ１０６）。このとき、制御部９は、差分が所望の値以下であると判定した場合には（ＹＥＳ）、調整シーケンスを終了する。一方、制御部９は、差分が所望の値以下に収まらない、すなわち大きいと判定した場合には（ＮＯ）、コリメーターレンズ調整工程であるステップＳ１０８に移行する。このステップＳ１０８では、制御部９は、差分が小さくなるように第２電圧源４１に設定する出力電圧値を決定し、第２電圧源４１によりコリメーターレンズ３０へ印加させることで集束状態を変更し、電子ビーム４の照射面積を補正する。ステップＳ１０８の完了後、制御部９は、再度ステップＳ１０１に移行し、照射サイズの差分が所望の値以下に収まっているか確認する。
【００２１】
このように、光検出器８を設置する構成によれば、描画装置１の通常動作中（描画中）においても、電子ビーム４の照射情報を精度良く取得することができる。そして、この光検出器８を用いた調整シーケンスによれば、得られた照射情報から電子ビーム４の照射位置または照射面積を早急に調整（補正）することが可能となるため、例えば、描画装置１の生産性を向上させる点で有利となる。
【００２２】
以上のように、本実施形態によれば、アパーチャアレイ３１を照射する電子ビーム４の調整に有利な描画装置を提供することができる。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の描画装置の特徴は、第１実施形態で示した光検出器８の設置位置を変更する点にある。図５は、図１に示す第１実施形態に係る描画装置１の第１チャンバー２０と第２チャンバー２１との構成部分に特化した本実施形態の描画装置６０の構成を示す概略図である。なお、この図５において、図１に示す描画装置１の構成と同一の構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。この描画装置６０は、図５に示すように、まず、アパーチャアレイ３１の上面（電子ビーム４の照射領域）を観察可能とするように、第２チャンバー２１の側面に透過窓６１を備える。さらに、描画装置６０は、透過窓６１の大気側に、第１実施形態の光検出器８に対応した光検出器６２を備える。この構成によれば、光検出器に対するカソード電極１０からの赤外光の影響をさらに抑えることができる。さらに、ここで物質の放射率は、正面０°から５０°までは、ほぼ一定であるが、５０°を超えると低下し始め、６０°から急速に低下することが知られている。そこで、図３（ｄ）に示すような部材表面に一定の角度を有する多数の突起部が形成されたアパーチャアレイ３１と併用し、指向性を調整することで光検出器６２へ向かう赤外光を多くし、光検出器６２による赤外光の検出をさらに効率良く実施することができる。
【００２４】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態の描画装置の特徴も、第１実施形態で示した光検出器８の設置位置を変更する点にある。図６は、図１に示す第１実施形態に係る描画装置１の第１チャンバー２０と第２チャンバー２１との構成部分に特化した本実施形態の描画装置７０の構成を示す概略図である。なお、この図５において、図１に示す描画装置１の構成と同一の構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。上記各実施形態では、光検出器８（６２）は、大気側に設置されている。これに対して、この描画装置７０では、光検出器７１は、図６に示すように、第１チャンバー２０の内部で、かつ第２チャンバー２１内のアパーチャアレイ３１に向かうように設置されている。ここで、第１チャンバー２０の内部は、上記のとおり１０−６Ｐａ以下の真空度が必要とされる。したがって、第１チャンバー２０内にそのまま光検出器７１を設置したのでは、光検出器７１に含まれる不純物が気化し、第１チャンバー２０内に放出される可能性がある。そこで、光検出器７１は、不図示の透過窓（透過部材）を有する専用の密閉容器７２に収容されつつ設置されることが望ましい。この構成によれば、光検出器７１をアパーチャアレイ３１の比較的近傍に設置することができるので、光検出器による赤外光の検出をさらに効率良く実施することができる。
【００２５】
なお、上記各実施形態では、光検出器は、アパーチャアレイ３１で発生する熱に起因した赤外光を受光するものとして説明したが、本発明は、これに限定するものではない。例えば、図３（ｂ）、（ｃ）でいう第１部材５１を蛍光体としたアパーチャアレイ３１を採用し、電子ビーム４の照射により蛍光の波長光を放射させるものとする。そして、光検出器をこの蛍光を検出するものとすれば、カソード電極１０からの赤外光の影響を考慮せずともよい。また、図４に示す調整シーケンスでは、電子ビーム４の照射位置および照射面積の２つを連続して調整するものとして説明したが、この調整シーケンスは、どちらか一方のみの調整を行うものも含み得る。さらに、上記各実施形態では、アライナー１４とコリメーターレンズ３０との制御を、一例として電圧を変動させて電場を変更するものとして説明したが、例えば、電流を変動させて磁場を変更するものであってもよい。
【００２６】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２８】
１    描画装置
２    電子源
４    電子ビーム
６    被処理基板
８    光検出器
３０  コリメーターレンズ
３１  アパーチャアレイ
【図１】
0005430703.tif 000002
【図２】
0005430703.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005430703.tif 000007