(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を用いて、レジストを使用しないでハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、
前駆体が反応して基板上にハードマスク層を形成させる被着チャンバ内に、遠隔的に生成された原子状酸素前駆体ガスとケイ素前駆体ガスとを導入することを含む、熱化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスとプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスとの少なくも一方を用いて酸化ケイ素のハードマスク層を基板上に被着させることと、その後に、
ハードマスク層を、高温で一定の時間に亘ってアニールすることと、その後に、
紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光部分のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を、直接、紫外線で露光することと、
基板上のハードマスク層の露光部分を残し、ハードマスク層の未露光部分を除去するウェットエッチングを用いて、ハードマスク層をパターニングすることと、
を含む方法。
【請求項２】
アニールが、スチームアニール、熱アニール、誘導結合プラズマアニール、容量結合プラズマアニール、紫外線アニール、電子ビームアニール、酸性蒸気触媒アニール、塩基性蒸気触媒アニール、及びマイクロ波アニールからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ハードマスク層をパターニングした後で、ハードマスク層の残っている部分をアニールすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アニールが、不活性ガスを含む雰囲気中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アニールが、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏからなる群から選択されるガスを含む雰囲気中で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パターニング後にハードマスク薄膜にプラズマ処理を施すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プラズマが、容量結合プラズマ及び誘導結合プラズマからなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プラズマ処理が、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏからなる群から選択されるガスを含む雰囲気で行われる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
紫外線が３４８ｎｍ以下の波長を有する光を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ウェットエッチングが、ＨＦ及びＮＨ４ＯＨからなる群から選択されるエッチング液を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板が、シリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコン／ゲルマニウム基板、シリコンオンインシュレータ基板、ディスプレイ基板、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ基板、エレクトロルミネッセンスランプ基板、及び発光ダイオード基板からなる群から選択される基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ハードマスク層が、炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ハードマスク層が、窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
紫外線を用いて、レジストを使用しないでハードマスク薄膜をパターニングする方法であって、
前駆体が反応して基板上にハードマスク層を形成させる被着チャンバ内に、遠隔的に生成された原子状酸素前駆体ガスとケイ素前駆体ガスとを導入することを含む、熱化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスとプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスとの少なくも一方を用いて酸化ケイ素のハードマスク層を基板上に被着させることと、その後に、
ハードマスク層を、高温で一定の時間に亘って第一アニールプロセスに曝すことと、その後に、
紫外線で露光されたハードマスクの部分が、ハードマスク層上に露光部分のパターンを形成する、ハードマスク層の一部を、直接、紫外線で露光することと、
基板上のハードマスク層の露光部分を残し、ハードマスク層の未露光部分を除去するウェットエッチングを用いて、ハードマスク層をパターニングすることと、
基板上に残っているハードマスク層の露光部分を第２アニールプロセスに曝すことと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は一般にフォトリソグラフィーに関し、限定するものではないが、とりわけレジストを使用しないパターニング（ｒｅｓｉｓｔ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ；ＲＦＰ）によるフォトリソグラフィーに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に言えば、フォトリソグラフィーは薄膜の一部を選択的に除去するための微細加工において使用されるプロセスである。典型的には、光を使用して幾何学的パターンをフォトマスク又はレチクルから基板上の感光性化学フォトレジストへ転写する。次いで一連の化学処理により、露光パターンがフォトレジストの下の材料に刻まれる。複合集積回路（例えば現代のＣＭＯＳ）において、ウエハは５０回までのフォトリソグラフィーサイクルを経ることができる。
【０００３】
従来のフォトリソグラフィープロセスは以下のステップ：調製、フォトレジスト塗布、露光、現像、エッチング、及び除去を含んでいてもよい。ウエハ表面に存在し得るいかなる水分をも追い出すのに十分な温度にウエハを加熱することにより、ウエハを調製してもよい。保管されていたウエハは、汚染を除去するために化学的に洗浄しなければならない。液体又は気体の接着促進剤、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などを塗布してフォトレジストがウエハに接着するのを促進してもよい。
【０００４】
次いでウエハは、例えばスピンコーティング、化学蒸着、原子層堆積、物理気相成長、及びそれらの変形法などの様々な被着技術により、フォトレジストで被覆してもよい。次いで、フォトレジストで被覆したウエハをソフトベーク又はプリベークして過剰溶媒を追い出してもよい。プリベーキング後、フォトレジストを強い光のパターンで露光してもよい。露光に応答して、ポジ型フォトレジストは化学的堅牢性が低くなり、一方ネガ型フォトレジストは堅牢性が高くなる。この化学変化は、フォトレジストの一部を現像液によって除去することを可能にする。典型的には入射光の相殺的干渉パターン及び建設的干渉パターンにより引き起こされる定常波現象の低減を支援するために、露光後のベークを現像前に行うことが多い。
【０００５】
次いでウエハをハードベークしてもよい。場合によっては、ハードベークは１２０℃〜１８０℃において２０〜３０分間行われる。ハードベークは、その後のイオン注入、ウェット化学エッチング、又はプラズマエッチングにおいてより耐久性のある保護層を作るために、残留しているフォトレジストを固める。ハードベークに続いて、フォトレジストによって保護されていない領域における基板の最上層を除去する、例えば液体（「ウェット」）又はプラズマの化学薬品を用いて、ウエハをエッチングする。
【０００６】
エッチングに続いて、フォトレジストを基板から除去できる。レジストが基材に付着しなくなるようにレジストを化学的に変化させるために、液体のレジスト剥離剤を用いてもよい。あるいは、フォトレジストを酸素プラズマで酸化させるアッシングにより、フォトレジストを除去してもよい。様々な他の手法及び／又は改変手法をフォトリソグラフィーシステムにおいて実施してもよい。
【０００７】
これらの従来のフォトリソグラフィープロセスは、時間集約的及びプロセス集約的である。本発明の実施形態では、フォトリソグラフィーシステムが要求するプロセス及び時間を減らすことに取り組む。
【発明の概要】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、紫外線を用いてハードマスク薄膜をパターニングする方法及びシステムが開示される。本発明の実施形態は、ハードマスクパターンを作るためのフォトレジストの被着及びエッチングの加工上の問題を軽減する。最初に、酸化ケイ素などのハードマスク層を被着チャンバ内で基板上に被着させる。場合により、被着に続いてハードマスク層をベーク又はアニールする。その後、ハードマスク層の一部を３４８ｎｍ未満の光などの紫外線で露光する。紫外線はハードマスク材料の露光部分及び未露光部分のパターンを作る。露光に続いて、ハードマスクの未露光部分を除去する、例えばＨＦ、ＮＨ４ＯＨ、ＳＣｌ、及びＲＣＡを含むウェットエッチングなどのエッチングプロセスが行われてもよい。エッチングに続いて、ハードマスクをアニールするか、ベークするか、又はプラズマ処理に供してもよい。
【０００９】
アニーリングのプロセスとしては、スチームアニール、熱アニール、誘導結合プラズマアニール、容量結合プラズマアニール、紫外線アニール、電子ビームアニール、酸性蒸気触媒アニール、塩基性蒸気触媒アニール、及びマイクロ波アニールを挙げることができる。アニールは、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏを含む雰囲気の不活性ガスの存在下で行われてもよい。さらに、プラズマ処理としては、容量結合プラズマ及び誘導結合プラズマを挙げることができる。プラズマ処理は、Ｎ２、Ａｒ、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏの存在下で行われてもよい。
【００１０】
基板としては、シリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコン／ゲルマニウム基板、エピ基板、シリコンオンインシュレータ基板、ディスプレイ基板、液晶ディスプレイ基板、プラズマディスプレイ基板、エレクトロルミネッセンスランプ基板、及び発光ダイオード基板を挙げることができる。さらに、１つ又は複数のプロセス及び／又はステップが、例えばスピンコーティング、化学蒸着、原子層堆積、及び物理気相成長などのプロセスを用いて被着チャンバ内で行われてもよい。
【００１１】
本開示を適用できるさらなる分野は、下記に示す詳細な説明から明らかとなるであろう。詳細な説明及び具体例は、様々な実施形態を示すが、例示の目的のみを意図するものであり、本開示の範囲を必ずしも限定することを意図しないことが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】典型的なハードマスクパターニングプロセスにおける様々なステップの結果の図である。
【図２】本発明の一実施形態によるハードマスクパターニングプロセスにおける様々なステップの結果の図である。
【図３】本発明の一実施形態によるハードマスクのパターニングの方法を表すフローチャートの図である。
【図４】本発明の一実施形態による、基板上に酸化物層を形成する例示的な方法におけるステップを含むプロセスのフローチャートの図である。
【図５Ａ】例示的な薄膜被着システムの縦断面図の図である。
【図５Ｂ】薄膜被着システムの例示的なシステムモニタ／コントローラの部材の簡略化図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
添付の図において、類似の部材及び／又は特徴は同一の参照ラベルを有することがある。さらに、同じ種類の様々な部材は、参照ラベルにダッシュ及び同様の部材どうしを区別する第２のラベルを続けることによって区別することがある。明細書において第１の参照ラベルのみが使用される場合、説明は第２の参照ラベルに関係なく同じ第１の参照ラベルを有する類似の部材のうち任意の１つに適用できる。
【００１４】
下記の説明は好ましい例示的な実施形態（１つ又は複数）のみを与え、本開示の範囲、適用可能性、又は形態を限定することを意図しない。むしろ、好ましい例示的な実施形態（１つ又は複数）の下記の説明は、好ましい例示的な実施形態の実施を可能にする説明を当業者に提供するであろう。添付の特許請求の範囲に記載の精神及び範囲から逸脱せずに、構成要素の機能及び配置に様々な変更を加えてもよいことが理解される。
【００１５】
本発明の実施形態は、フォトレジストの被着及びエッチングを必要としない、パターン化ハードマスク層を提供するプロセス、方法、及び装置を含む。本発明の実施形態では、ハードマスク層（例えば酸化ケイ素を含むハードマスク層）を基板上に被着させる。いくつかの実施形態において、ハードマスクは露光前にアニール又はベークのプロセスを経てもよい。次いでハードマスク層の一部を紫外線で露光してハードマスク層に露光パターンを作る。露光に続いて、ウェットエッチング液を施用してハードマスク層の未露光部分を除去し、露光されたハードマスク層の部分を残してもよい。ウェットエッチング液としては例えばＨＦを挙げることができる。ウェットエッチングに続いて、いくつかの実施形態では、その後のプロセスのためにハードマスク層の特性をさらに改変するプラズマ処理又はアニール処理を、ハードマスクパターンに加えてもよい。この例示的なプロセスの様々な修正形態及び変形形態が含まれてもよい。
【００１６】
そのようなハードマスクのパターニングを、例えば、半導体製造、微小電子機械システム製造、太陽電池製造、及び他のデバイス製造において使用してもよい。
【００１７】
図１は典型的なハードマスクエッチングプロセスにおける様々なステップの結果を示す。基板１１０をステップ１００で提供する。ハードマスク層１１５が基板１１０の上に被着され、その結果が１０１に示される。その後、フォトレジスト１２０がハードマスク層１１５の上に被着され、その結果が１０２に示される。今度は１０３を見てみると、紫外線１３０が特定のパターンでフォトレジスト１２０を露光する。紫外線１３０は、ステッパー又は他のフォトリソグラフィーシステムからのものであってもよい。フォトレジスト１２０の紫外線１３０で露光された部分は、次いでフォトレジスト現像ステップを用いて除去してもよく、その結果が１０４に示される。次いでハードマスクにドライエッチング又はウェットエッチングを行ってもよく、その結果が１０５に示される。フォトレジストのエッチングに続いて、アッシングプロセスを用いてフォトレジストを除去してもよく、その結果が１０６に示されており、ウェットエッチングステップ１０７がその後に続く。これらの図及び説明が示すように、典型的なハードマスクのエッチングはプロセス集約的である。最も注目すべきは、このプロセスが、被着及びエッチングのステップを必要とするフォトレジストを使用する必要があることである。上記のハードマスクエッチングプロセスにはバリエーションがあるが、ハードマスクエッチングプロセスは典型的にはこれらの時間がかかるフォトレジストの被着及びエッチングのステップを含む。
【００１８】
その一方で、本発明の実施形態は、フォトレジストの被着及びエッチングのステップを必要としないハードマスクエッチングプロセスを含む。図２は、フォトレジストを使用しない、本発明の一実施形態によるハードマスクエッチングプロセスの結果を示す。２０１に示すように基板１１０が提供され、これは図１における１００と同様である。基板１１０は、例えばシリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコン／ゲルマニウム基板、エピ基板、シリコンオンインシュレータ基板、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ランプディスプレイなどのディスプレイ基板、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）基板であってもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は少なくとも１つの構造、例えば、トレンチ構造、ウェル、接合、ダイオード、トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、層間絶縁（ＩＬＤ）構造、金属間絶縁（ＩＭＤ）構造、回路、他の半導体構造、又はそれらの様々な組み合わせなどを含んでいてもよい。基板１１０は半導体ウエハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウエハ）であってもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は少なくとも１つのトレンチを有していてもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は半導体ウエハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウエハ）であってもよく、前のプロセスで形成された構造、デバイス部材を含んでいてもよい。例えば、基板は高さ対幅のアスペクト比が高いトレンチ（例えば、５：１以上、６：１以上、７：１以上、８：１以上、９：１以上、１０：１以上、１１：１以上、１２：１以上などのアスペクト比）を含んでいてもよい。
【００１９】
基板１１０の表面上に被着されたハードマスク層１１５を２０２に示す。ハードマスク層１１５は酸化ケイ素層であってもよい。ハードマスク層１１５は以下の被着技術：スピンコーティング、化学蒸着、原子層堆積、及び／又は物理気相成長のうち任意のものを用いて被着させてもよい。
【００２０】
本発明の一実施形態によるハードマスク層は、酸化ケイ素を含んでいてもよい。例えば、ハードマスク被着の化学的構造は、ベーク条件下で調節可能な炭素を含む調節可能なＳｉＯＣ、ベーク条件及び／又は前駆体化学的構造を含むＳｉＯ、及び／又は窒素源としてＮＨ３を含む前駆体化学的構造を伴うＳｉＯＮを含んでいてもよい。様々な他の被着技術を用いてハードマスク層を被着させてもよい。例示的な技術は本開示において後に記載される。
【００２１】
被着後、ハードマスク層１１５は任意選択でアニールを経てもよい。Ｅを増加させることによって、アニールプロセスを使用して薄膜を強化してもよい。アニールは、例えばハードマスク薄膜のｎ及びｋ値を変化させることにより、ハードマスク薄膜の光学的性質を改善することもできる。アニールとしては、一段階又は多段階アニールを挙げることができる。アニールはウェットアニール又はドライアニールであってもよい。
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、一段階アニールを使用してもよい。一実施形態によればアニールは、３０℃〜７５０℃の温度で、Ｎ２、Ａｒ、及び／又は他の不活性ガスを含む環境中で行われてもよい。さらに、ベークの環境はＯ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、及び／又はＮ２Ｏを含んでいてもよい。本発明の別の実施形態において、アニールは被着層を実質的な乾燥雰囲気中（例えば乾燥窒素、ヘリウム、アルゴンなど）で約３００℃〜約１０００℃（例えば約６００℃〜約９００℃）に加熱することにより行ってもよい。アニールによって、被着層から水分を除去することができ、Ｓｉ−ＯＨ基が酸化ケイ素へ転換され得る。アニールした酸化ケイ素層は改善された薄膜の性質（例えば、約６〜約３、又はそれ未満のＷＥＲＲ）及び改善された誘電体としての性質（例えば純粋な二酸化ケイ素に近い又はそれに匹敵するｋ値）を有し得る。いくつかの実施形態において、アニールのステップは約９００℃にて窒素環境中で約１時間行ってもよい。
【００２３】
いくつかの実施形態において、多段階アニールには２段階アニールが含まれてもよく、この２段階アニールでは、最初にハードマスク層１１５が、例えば、水蒸気の存在下で例えば約６５０℃まで層を加熱するなどのウェットアニールの段階を経ることができる。この後に、実質的に水分を含まない雰囲気（例えば乾燥Ｎ２）中でより高温（例えば約９００℃）まで層を加熱することができる、ドライアニールの段階が続いてもよい。
【００２４】
ウェット及びドライの熱アニールに加えて、他のアニール技術（単独又は組み合わせで）を使用してハードマスク層１１５をアニールしてもよい。これらとしてはとりわけ、スチームアニール、熱アニール、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）アニール、紫外線アニール、電子ビームアニール、酸性蒸気触媒アニール、塩基性蒸気触媒アニール、及び／又はマイクロ波アニールが挙げられる。
【００２５】
次いで２０３に示すようにハードマスク層１１５を紫外線１３０で露光してもよい。図はハードマスク層１１５の表面上に入射する紫外線１３０の光線のパターンを示す。紫外線１３０としては例えば、約の波長を有する光を挙げることができる。紫外線１３０の露光は、ステッパー又は他のフォトリソグラフィー装置において行われてもよい。ステッパーは、ハードマスク層１１５上に紫外線１３０のパターンを作るレチクル又はフォトマスクに紫外線１３０を通すことができる。ハードマスク上に紫外線１３０によってパターンを作るために、様々な画像パターニング技術、装置、及び／又はプロセスを用いてもよい。
【００２６】
ハードマスク層１１５を紫外線パターンで露光した後、ハードマスク薄膜の紫外線１３０で露光されなかった部分を除去するために、ウェットエッチングが行われてもよく、その結果が２０４に示される。ウェットエッチングは、ＨＦを含有するエッチング液を含んでいてもよい。さらなる成分、例えば、ＨＦ、ＮＨ４ＯＨ、ＳＣｌ、及び／又はＲＣＡなどもエッチング液中に含まれていてもよい。ウェットエッチングには、ハードマスクの露光部分と未露光部分との間のエッチング選択性を改善する成分及び／又は濃度が含まれてもよい。
【００２７】
ウェットエッチングに続いて、その後の加工のためにハードマスクの特性を調節するため、プラズマ処理及び／又はアニールを施してもよい。アニールは、ウェットアニール、ドライアニール、スチームアニール、紫外線アニール、電子ビームアニール、酸性蒸気触媒アニール、塩基性蒸気触媒アニール、及びマイクロ波アニール、単一プロセスアニール、及び／又は多重プロセスアニールであってもよい。アニールは、例えばＡｒ、Ｎｅ、Ｎ２などの不活性ガス内、又は例えばＯ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｎ２／Ｈ２、及びＮ２Ｏなどの反応性の環境で行われてもよい。プラズマ処理には、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ、及び／又は任意の不活性ガス中の容量結合プラズマ及び／又は誘導結合プラズマが含まれてもよい。
【００２８】
図３は、本発明の一実施形態による、紫外線ハードマスクパターニングプロセスの様々なステップを表すフローチャートを示す。ハードマスク薄膜はブロック３０５で基板上に被着される。ハードマスク薄膜は、例えば酸化ケイ素を含んでいてもよい。被着としては、スピンコーティング、化学蒸着、原子層堆積、及び物理気相成長を挙げることができる。被着に続いて、場合によっては、ハードマスクをブロック３１０でベーク又はアニールしてもよい。任意のアニール技術を使用してもよい。次いでハードマスクを、ブロック３１５において紫外線のパターンで露光してもよい。露光の持続時間は、ハードマスクの化学的構造、アニールの持続時間（もしあれば）、雰囲気、及び／又はハードマスクの要件に依存し得る。紫外線露光後、ブロック３２０でハードマスクを、例えばウェットエッチングを用いてエッチングしてもよい。エッチング後、ブロック３２５で、任意選択のプラズマ処理及び／又はアニールをハードマスク特性の調節に用いてもよい。
【００２９】
図４は、基板の上に酸化物層を形成する例示的方法４００におけるステップを含むフローチャートを示す。方法４００は、ステップ４０２において基板１１０の被着チャンバへの供給を含み得る。基板１１０は、例えば、シリコン基板、ＩＩＩ−Ｖ化合物基板、シリコン／ゲルマニウム基板、エピ基板、シリコンオンインシュレータ基板、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ランプディスプレイなどのディスプレイ基板、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）基板などであってもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は少なくとも１つの構造、例えば、トレンチ構造、ウェル、接合、ダイオード、トランジスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、層間絶縁（ＩＬＤ）構造、金属間絶縁（ＩＭＤ）構造、回路、他の半導体構造、又はそれらの様々な組み合わせなどを含んでいてもよい。基板１１０は半導体ウエハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウエハ）であってもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は少なくとも１つのトレンチ、例えば、図２の２００に示すように基板中に形成されたトレンチを有していてもよい。いくつかの実施形態において、基板１１０は半導体ウエハ（例えば、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍなどのシリコンウエハ）であってもよく、前のプロセスで形成された構造、デバイス部材などを含んでいてもよい。例えば、基板は高さ対幅のアスペクト比が高いトレンチ（例えば、５：１以上、６：１以上、７：１以上、８：１以上、９：１以上、１０：１以上、１１：１以上、１２：１以上などのアスペクト比）を含んでいてもよい。
【００３０】
いくつかの実施形態において、方法４００は、ステップ４０４において被着チャンバの外側の場所で原子状酸素前駆体を遠隔的に生成させることを含んでもよい。原子状酸素前駆体は、酸素含有前駆体、例えば、酸素分子（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、窒素−酸素化合物（例えばＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏなど）、水素−酸素化合物（例えば、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２など）、炭素−酸素化合物（例えば、ＣＯ、ＣＯ２など）、並びに他の酸素含有前駆体、及び前駆体の組み合わせなどを解離させることにより生成させてもよい。
【００３１】
いくつかの実施形態において、原子状酸素前駆体は、オゾン含有前駆体の解離により生成させてもよい。オゾン含有前駆体は、酸素及びオゾンの混合ガスであってもよい。例えば、酸素をオゾン発生器中に供給することができる。オゾン発生器内で、少なくとも一部の酸素はオゾンとしてオゾン化され得る。いくつかの実施形態において、酸素の流速は約３標準リットル毎分（ｓｌｍ）〜約２０ｓｌｍの間であってもよい。オゾン化の後、酸素中のオゾンは約６％〜約２０％の間の重量パーセントを有し得る。
【００３２】
いくつかの実施形態において、原子状酸素を生成させるための酸素含有前駆体の解離は、数ある方法の中でもとりわけ、熱解離、紫外線解離、及び／又はプラズマ解離によって行ってもよい。プラズマ解離は、遠隔のプラズマ発生チャンバ中でヘリウム、アルゴンなどからプラズマを生じさせること、及び酸素前駆体をプラズマに導入して原子状酸素前駆体を生成させることを伴う。
【００３３】
原子状酸素前駆体をステップ４０６で被着チャンバに導入することができ、被着チャンバでは原子状酸素前駆体が、ステップ４０８でチャンバに導入され得るケイ素前駆体と初めて混合し得る。原子状酸素前駆体はケイ素前駆体（及び反応チャンバ中に存在してもよい他の被着前駆体）と、約−１０℃〜約２００℃の温度及び約１０Ｔｏｒｒ〜約７６０Ｔｏｒｒの全チャンバ圧力で反応して、ステップ４１０で酸化ケイ素のハードマスク層１１５（図２に示す）を形成することができる。酸化ケイ素薄膜１１０はトレンチのそれに対するトレンチのアスペクト比を減少させることができる。
【００３４】
ケイ素前駆体のＣ：Ｓｉの原子比は約８又はそれ未満（例えば７、６、５、４、３、２、１、又はそれ未満のＣ：Ｓｉ比）であってもよい。このことは、存在するケイ素原子１個につきケイ素前駆体分子中の炭素原子が８個未満であることを意味する。
【００３５】
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体はシロキサン化合物、例えば数あるシロキサン化合物の中でもとりわけ、トリエトキシシロキサン（ＴＲＩＥＳ）、テトラメトキシシロキサン（ＴＭＯＳ）、トリメトキシシロキサン（ＴＲＩＭＯＳ）、ヘキサメトキシジシロキサン（ＨＭＯＤＳ）、オクタメトキシトリシロキサン（ＯＭＯＴＳ）、及び／又はオクタメトキシドデカシロキサン（ＯＭＯＤＤＳ）など：
0005559065.tif 000002
であってもよい。
【００３６】
他の実施形態において、ケイ素前駆体はまた、１つ又は複数の窒素基を含むシラゾキサン化合物であってもよい。シラゾキサン化合物としては、数あるシラゾキサン化合物の中でもとりわけ、ヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−Ｈ）、メチルヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−ＣＨ３）、クロロヘキサメトキシジシラゾキサン（ＨＭＤＳ−Ｃｌ）、ヘキサエトキシジシラゾキサン（ＨＥＤＳ−Ｈ）、ノナメトキシトリシラゾキサン（ＮＭＴＳ）、及びオクタメトキシ環状シラゾキサン（ＯＭＣＳ）：
0005559065.tif 000003
を挙げることができる。
【００３７】
さらに他の実施形態において、ケイ素前駆体は、１つ又は複数のハロゲン基（例えばフッ化物基、塩化物基、臭化物基、又はヨウ化物基）を含むハロゲン化シロキサン化合物であってもよい。例えばハロゲン化シロキサンは、塩素化シロキサン化合物、例えば数ある塩素化シロキサン化合物の中でもとりわけ、テトラクロロシラン（ＴＥＣＳ）、ジクロロジエトキシシロキサン（ＤＣＤＥＳ）、クロロトリエトキシシロキサン（ＣＴＥＳ）、ヘキサクロロジシロキサン（ＨＣＤＳ）、及び／又はオクタクロロトリシロキサン（ＯＣＴＳ）など：
0005559065.tif 000004
であってもよい。
【００３８】
ケイ素前駆体は、約０、０．５、１、２、３、４、５、６など、又はそれを超えるＯ：Ｓｉ比を有していてもよい。例えば、ＴＭＯＳのＯ：Ｓｉ原子比は約４である。他のケイ素前駆体、例えばＴＲＩＥＳ及びＴＲＩＭＯＳなどのＯ：Ｓｉ比は約３である。さらに他のもの、例えばＨＣＤＳなどのＯ：Ｓｉ比は０．５であり、ＴＥＣＳのＯ：Ｓｉ比は０である。
【００３９】
ケイ素前駆体は、数ある有機ケイ素化合物の中でもとりわけ、ＨＭＯＤＳ、ＯＭＯＴＳ、ＯＭＯＤＤＳ、ＨＣＤＳ、及びＯＣＴＳに見られるように、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含んでいてもよい。ケイ素前駆体中のこの結合は、炭素及びヒドロキシル基に由来の汚染物質が低減されたＳｉＯｘ薄膜の形成を促進し得る。
【００４０】
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体としては、数ある化合物の中でもとりわけ、アミノシラン、例えばトリシリルアミン（ＴＳＡ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、シラトラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、ビス−ｔｅｒｔ−ブチルアミノシラン；ビスジメチルアミノシラン（ＢＤＭＡＳ）、トリス（ジメチルアミノ）クロロシラン、及びメチルシラトランなど：
0005559065.tif 000005
を挙げることができる。
【００４１】
他の実施形態において、ケイ素前駆体としては、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、及びアルコキシ−アセトキシジシランを含めたジシランを挙げることができる。アルコキシジシランとしては、
0005559065.tif 000006
（式中、Ｒ１〜６は独立にＣ１〜３アルキルオキシ基であってもよい）
を挙げることができる。例えば、アルコキシジシランとしては、数あるアルコキシジシランの中でもとりわけ、ヘキサメトキシジシラン及びヘキサエトキシジシランを挙げることができる。
【００４２】
アルコキシジシランとしては、Ｓｉ部分にアルコキシ基が結合した環状ジシラン化合物を挙げることができる。例えば、アルコキシシクロシランとしては、中でもとりわけオクタエトキシシクロブタシラン、デカブタオキシシクロペンタシラン、及びドデカメトキシシクロヘキサシランを挙げることができる。アルコキシジシランのいくつかの例を以下に示す：
0005559065.tif 000007
【００４３】
アルコキシ−アルキルジシランとしては、
0005559065.tif 000008
（式中、Ｒ７〜１２は独立にＣ１〜３アルキル基又はＣ１〜３アルキルオキシ基であってもよく、また式中、Ｒ７〜１２のうち少なくとも１つはアルキル基であり、Ｒ７〜１２のうち少なくとも１つはアルキルオキシ基である）を挙げることができる。アルコキシアルキルジシランとしては、アルキル及びアルコキシ部分を有する環状ジシラン、例えばブタシラン、ペンタシラン、ヘキサシラン、ヘプタシラン、オクタシランなどで少なくとも１つのアルキル及びアルコキシ基がそれに結合したものもまた挙げることができる。例としては、数あるアルコキシ−アルキルシクロシランの中でもとりわけ、オクタメチル−１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン；１，４−ジオキサ−２，３，５，６−テトラシラシクロヘキサン；及び１，２，３，４，５，６−ヘキサメトキシ−１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロヘキサシランを挙げることができる。アルコキシ−アルキルジシランのいくつかの例を以下に示す：
0005559065.tif 000009
【００４４】
アルコキシ−アセトキシジシランとしては、
0005559065.tif 000010
（式中、Ｒ１３〜１７は独立にＣ１〜３アルキル基、Ｃ１〜３アルコキシ基、又はアセトキシ基であってもよく、また式中、Ｒ１３〜１７のうち少なくとも１つはアルコキシ基であり、Ｒ１３〜１７のうち少なくとも１つはアセトキシ基である）を挙げることができる。
【００４５】
さらに他の実施形態において、ケイ素前駆体としては、例えばシクロブタシラン、シクロペンタシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン、シクロオクタシランなどの有機シクロシランを挙げることができる。
【００４６】
いくつかの実施形態において、ケイ素前駆体は被着チャンバに導入される前又は導入中にキャリアガスと混合してもよい。キャリアガスは、基板１１０上の酸化物薄膜１１５の形成を実質的に妨げない不活性ガスであってもよい。キャリアガスの例としては、数あるガスの中でもとりわけ、ヘリウム、ネオン、アルゴン、及び水素（Ｈ２）を挙げることができる。
【００４７】
方法４００の実施形態において、原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は、被着チャンバに導入される前に混合しなくてもよい。前駆体は、反応チャンバのまわりに分布した空間的に分離された前駆体注入口を通ってチャンバに入ってもよい。例えば、原子状酸素前駆体は、チャンバ上部にあり基板の真上に位置する注入口（１つ又は複数）から入ってもよい。注入口は、酸素前駆体の流れを基板の被着表面に対してほぼ垂直方向に向けてもよい。その間、ケイ素前駆体は被着チャンバの側面のまわりにある１つ又は複数の注入口から入ってもよい。注入口は、ケイ素前駆体の流れを被着表面に対しておおよそ平行な方向に向けてもよい。
【００４８】
いくつかの実施形態において、原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は、複数ポートのシャワーヘッドの別々のポートを通して送ることができる。例えば、基板の上に位置するシャワーヘッドは、前駆体が被着チャンバに入るための開口部のパターンを含んでいてもよい。開口部の１つのサブセットには原子状酸素前駆体が供給されてもよく、一方開口部の第２のサブセットにはケイ素前駆体が供給される。別の開口部のセットを通る前駆体は、被着チャンバ中に出るまで流体として互いに分離されていてもよい。前駆体を扱う装置の種類及びデザインについてのさらなる詳細は、２００６年５月３０日出願の同一出願人による「Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｆｏｒ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｇａｐｆｉｌｌ」という名称の米国仮特許出願第６０／８０３，４９９号に記載され、その全体の内容はあらゆる目的のために本明細書によって参照により組み込まれる。
【００４９】
原子状酸素前駆体及びケイ素前駆体は被着チャンバ中で反応できるため、それらはステップ４１０において基板の被着表面上に酸化ケイ素層１１５を形成することができる。初期の酸化物層は所望の流動性を有する場合があり、被着表面に存在する構造中の隙間、トレンチ、空隙、継ぎ目などに望ましく入り込むことができる。このことは、方法４００が、高さ対幅の高いアスペクト比（例えば、約５：１、６：１、６：１、８：１、９：１、１０：１、１１：１、及び１２：１、又はそれを超えるアスペクト比）を有する隙間、トレンチ、及び他の表面構造中に実質的に空隙及び継ぎ目がない酸化物フィル（Ｏｘｉｄｅ  ｆｉｌｌ）を提供することを可能にし得る。次いでブロック４１２において酸化ケイ素層を硬化させてもよい。
【００５０】
ここで図５Ａを参照すると、チャンバ壁１５ａ及びチャンバ蓋組立品１５ｂを含む真空又は加工チャンバ１５を有するＣＶＤシステム１０の縦断面図が示される。ＣＶＤシステム１０は、プロセスガスを基板（図示せず）にまき散らすためのガス分配多岐管１１を含み、基板はプロセスチャンバ１５内の中心に位置する加熱された台１２の上に置かれる。ガス分配多岐管１１は、容量プラズマを生成させるための電極として働くために、導電性材料から作られてもよい。加工中、基板（例えば半導体ウエハ）は台１２の平坦な（又はわずかに凸面の）表面１２ａの上に置かれる。台１２は、（図５Ａに示す）下側の装填位置／装填解除位置と、（図５Ａ中の破線１４により示される）多岐管１１に接近して隣接する上側の加工位置との間で制御可能に動かすことができる。センターボード（図示せず）はウエハの位置についての情報を提供するためのセンサを含む。
【００５１】
被着ガス及びキャリアガスは、従来型の平坦な円形のガス分配フェースプレート１３ａの貫通された穴を通してチャンバ１５中に導入される。より具体的には、被着プロセスガスが吸気多岐管１１を通り、従来型の貫通したブロッカープレートを通り、次いでガス分配フェースプレート１３ａの穴を通ってチャンバ中に流れ込む。
【００５２】
多岐管１１に到達する前に、被着ガス及びキャリアガスはガス源からガス供給ラインを通って混合システムへ供給され、混合システムにおいてそれらは混合され、次いで多岐管１１へ送られる。一般に各プロセスガス用の供給ラインは、（ｉ）プロセスガスのチャンバへの流れを自動的又は手動で遮断するために使用できるいくつかの安全遮断弁（図示せず）、及び（ｉｉ）供給ラインを通るガスの流量を測定する質量流量制御器（これも図示せず）を含む。毒性のガスがプロセスにおいて使用される場合、いくつかの安全遮断弁が各ガス供給ライン上に従来の配置で置かれる。
【００５３】
ＣＶＤシステム１０において実施される被着プロセスは、熱プロセス又はプラズマ援用プロセスのいずれかとすることができる。プラズマ援用プロセスでは、プロセスガス混合物を励起させてフェースプレート１３ａ及び台１２の間の円柱状領域内でプラズマを生成させるために、ＲＦ電源でガス分配フェースプレート１３ａ及び台１２の間に電力をかける。（この領域は本明細書において「反応領域」と呼ぶことにする）。プラズマの構成物質が反応して台１２上に支持される半導体ウエハの表面上に所望の薄膜を被着させる。ＲＦ電源は、典型的には１３．５６ＭＨｚの高ＲＦ周波数（ＲＦ１）及び３６０ＫＨｚの低ＲＦ周波数（ＲＦ２）で電力を供給して真空チャンバ１５に導入される反応性種の分解を増進する、混合周波数ＲＦ電源である。熱プロセスであればＲＦ電源は利用されないことになり、プロセスガス混合物は熱的に反応して台１２に支持される半導体ウエハの表面上に所望の薄膜を被着させ、台１２は抵抗加熱されて反応のための熱エネルギーを供給する。
【００５４】
プラズマ励起被着プロセスの間、プラズマは排出路２３及び遮断弁２４を取り囲むチャンバ本体１５ａの壁を含めたプロセスチャンバ１５の全体を加熱する。プラズマが作動されない場合、又は熱被着プロセスの間、高温の液体がプロセスチャンバ１５の壁１５ａを通って循環してチャンバを高温で維持する。チャンバ壁１５ａの残り部分の通路は図示されていない。チャンバ壁１５ａを加熱するのに使用される流体としては、一般的な流体のタイプ、すなわち、水性エチレングリコール又は油性熱伝導流体が挙げられる。この加熱（「熱交換」による加熱と呼ばれる）は、望ましくない反応生成物の濃縮を有益に低減又は解消し、プロセスガスの揮発性生成物及び他の汚染物質の排除を改善する。この汚染物質は、もしそれらが冷えた真空通路の壁で濃縮し、ガスの流れがない期間中に加工チャンバ中へ移動して戻ろうとすれば、プロセスを汚染する恐れがある。
【００５５】
層中に被着されなかったガス混合物の残りは、反応副生成物も含めて、真空ポンプ（図示せず）によってチャンバ１５から抜き取られる。具体的には、ガスは反応領域を取り囲む環状のスロット形開口部１６を通って環状の排出プレナム１７へ排出される。環状スロット１６及びプレナム１７は、チャンバの円柱状側壁１５ａの上部（壁上の上部の誘電性裏張り１９を含める）と円形のチャンバ蓋２０の底部との間の隙間によって規定される。スロット開口部１６及びプレナム１７の３６０°の円形対称性及び均一性は、ウエハ上に均一な薄膜を被着させるようにウエハ上にプロセスガスの均一な流れを実現するために重要である。
【００５６】
排出プレナム１７から、排出プレナム１７の横に延伸した部分２１の下をガスが流れ、のぞき窓（図示せず）を通過し、下方に延びるガス通路２３を通り、真空遮断バルブ２４（その本体は下部のチャンバ壁１５ａと一体化されている）を通過し、フォアライン（これも図示せず）を介して外部真空ポンプへ接続している排気口２５へ流れ込む。
【００５７】
台１２のウエハ支持盤（好ましくはアルミニウム、セラミック、又はそれらの組み合わせ）は、平行な同心円の形状で完全に二巻きするように配置された、埋め込まれた単ループ埋め込み加熱素子を使用して抵抗加熱される。加熱素子の外側部分は支持台の周囲に隣接して走っており、一方内側部分は小さい方の径を有する同心円の軌道上を走っている。加熱素子への配線は台１２の軸を通っている。
【００５８】
典型的には、任意の又はすべてのチャンバ裏張り、ガス吸気多岐管フェースプレート、及び様々な他の反応器の金物類は、例えばアルミニウム、陽極酸化処理アルミニウム、又はセラミックなどの材料から作られている。そのようなＣＶＤ装置の例は、同一出願人による「ＣＶＤ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｃｈａｍｂｅｒ」という名称の米国特許第５，５５８，７１７号に記載されており、本明細書によって参照によりその全体が組み込まれる。
【００５９】
ウエハが、チャンバ１０の側部にある挿入／取り出し開口部２６を通ってロボットブレード（図示せず）によりチャンバ１５の本体中へ及びチャンバ１５の本体から移される際に、リフト機構及びモータ３２（図５Ａ）は、加熱台組立品１２及びそのウエハリフトピン１２ｂを上下させる。モータ３２は、加工位置１４及び下側のウエハ装填位置の間で台１２を上下させる。モータ、供給ラインに接続されたバルブ又は流量コントローラ、ガス供給システム、絞り弁、ＲＦ電源、及びチャンバ及び基板加熱システムはすべて、制御ライン上のシステムコントローラによって制御され、その一部のみが図示される。制御装置は、例えばコントローラの制御下で適切なモータにより動かされる絞り弁及びサセプタなどの、可動機械組立品の位置を測定する光学センサからのフィードバックに依存する。
【００６０】
例示的な実施形態において、システムコントローラは、ハードディスクドライブ（メモリ）、フロッピーディスクドライブ、及びプロセッサを含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログ及びデジタル入力／出力ボード、インターフェースボード、及びステッピングモータコントローラボードを含む。ＣＶＤシステム１０の様々な部分は、ボード、カードケージ、及びコネクタの寸法及び種類を規定するＶｅｒｓａ  Ｍｏｄｕｌａｒ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ（ＶＭＥ）標準を満たす。ＶＭＥ標準はまた、バス構造を１６ビットデータバス及び２４ビットアドレスバスを有するものと規定している。
【００６１】
システムコントローラは、ＣＶＤ装置のすべての活動を制御する。システムコントローラは、例えばメモリなどのコンピュータ可読のメディアに保存されているコンピュータプログラムである、システム制御ソフトウェアを実行する。好ましくはメモリはハードディスクドライブであるが、メモリはまた他の種類のメモリであってもよい。コンピュータプログラムは、特定のプロセスのタイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置、及び他のパラメータを指示する命令集合を含む。他のメモリデバイス（例えばフロッピーディスク又は他の別の適切なドライブを含める）に保存される他のコンピュータプログラムはまた、コントローラを操作するのに使用してもよい。 
【００６２】
基板上に薄膜を被着させるプロセス又はチャンバ１５をクリーニングするプロセスは、コントローラによって実行させるコンピュータプログラム製品を用いて実施できる。コンピュータプログラムコードは、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語、例えば６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートラン、又は他の言語で書くことができる。適切なプログラムコードは、従来のテキストエディタを用いて、単一ファイル、又は複数ファイルへ入力され、コンピュータのメモリシステムなどの、コンピュータが使用可能なメディアに保存又は組み込まれる。入力されたコードテキストが高級言語である場合、コードはコンパイルされ、得られるコンパイラコードは次いでＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）のコンパイル済みライブラリルーティンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクしたコンパイル済みオブジェクトコードを実行するために、システム使用者はオブジェクトコードを呼び出し、これによってコンピュータシステムがメモリ中のコードをロードする。次いでＣＰＵはコードを読み取り及び実行してプログラム中で特定されるタスクを実行する。
【００６３】
使用者とコントローラとの間のインターフェースは、図５Ｂに示すＣＲＴモニタ５０ａ及びライトペン５０ｂを介する。図５Ｂは、１つ又は複数のチャンバを含んでいてもよい基板加工システムにおける、システムモニタ及びＣＶＤシステム１０の簡略図である。好ましい実施形態において、２つのモニタ５０ａが使用され、一方はオペレータのためにクリーンルームの壁に取り付けられ、他方はサービス技術者のために壁の後ろにある。モニタ５０ａは同時に同じ情報を表示するが、１つのライトペン５０ｂのみが有効である。ライトペン５０ｂの先端にある光センサは、ＣＲＴディスプレイから発する光を検出する。特定のスクリーン又は機能を選択するには、オペレータはディスプレイスクリーンの指定された領域に触れ、ペン５０ｂのボタンを押す。触れた領域はその強調された色が変わるか、又は新しいメニュー又はスクリーンが表示され、ライトペンとディスプレイスクリーンとの間の通信が確認される。キーボード、マウス、又は他のポインティングデバイス又は通信デバイスなどの他のデバイスは、ライトペン５０ｂの代わりに又はそれに加えて使用して使用者とコントローラとのやりとりを可能にすることができる。
【００６４】
図５Ａは、ガス分配フェースプレート１３ａ及びガス分配多岐管１１を含むプロセスチャンバ１５の蓋組立品１５ｂの上に取り付けられた、遠隔プラズマ発生器６０を示す。取り付けアダプタ６４によって、最も良いのは図５Ａに見られるように、遠隔プラズマ発生器６０が蓋組立品１５ｂの上に取り付けられる。アダプタ６４は典型的には金属でできている。混合デバイス７０は、ガス分配多岐管１１の上流側に連結されている（図５Ａ）。混合デバイス７０は、プロセスガスを混合するための混合ブロックのスロット内側に配置される、混合インサート７２を含む。セラミックアイソレータ６６は、取り付けアダプタ６４及び混合デバイス７０の間に置かれる（図５Ａ）。セラミックアイソレータ６６はＡｌ２Ｏ３（純度９９％）、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）、又は同様のものなどのセラミック材料でできていてもよい。混合デバイス７０及びセラミックアイソレータ６６は、設置されると、蓋組立品１５ｂの一部をなすことができる。アイソレータ６６は、以下により詳細に論じるように二次プラズマが蓋組立品１５ｂの中で生成する可能性を最小限にするために、金属アダプタ６４を混合デバイス７０及びガス分配多岐管１１から隔離する。三方弁は、プロセスガスがプロセスチャンバ１５へ直接流れるか又は遠隔プラズマ発生器６０を通って流れるかを制御する。
【００６５】
遠隔プラズマ発生器６０は、蓋組立品１５ｂ上に好都合に取り付けることができ、費用及び時間のかかる改良をせずに既存のチャンバの上に容易に取り付けることができる、小型の内蔵型ユニットであるのが望ましい。１つの好適なユニットは、Ｗｏｂｕｒｎ，ＭａｓｓのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．より入手可能なＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生器である。ＡＳＴＲＯＮ（登録商標）発生器は低電場トロイダルプラズマを利用してプロセスガスを解離させる。一例では、プラズマはＮＦ３などのフッ素含有ガス及びアルゴンなどのキャリアガスを含むプロセスガスを解離させて、チャンバ１５中の薄膜被着物をクリーニングするのに用いられる遊離フッ素を生成させる。
【００６６】
いくつかの実施形態を記載してきたが、当業者は、本発明の精神から逸脱することなく、様々な改良物、代替構造、及び等価物を使用してもよいことを理解するであろう。さらに、本発明を不必要にわかりにくくすることを避けるために、いくつかの周知のプロセス及び構成要素は説明されていない。したがって、上記の説明は本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではない。
【００６７】
値の範囲が与えられる場合、その範囲の上限及び下限の間にあるそれぞれの値もまた、文脈上で別途明確に指示されない限り下限の単位の１０分の１まで、明確に開示されることが理解される。指定範囲内の任意の指定値又は間にある値と、その指定範囲内の任意の他の指定値又は間にある値との間の、それぞれのより狭い範囲が包含される。これらのより狭い範囲の上限及び下限は、独立に範囲内に含まれるか又は含まれなくてもよく、より狭い範囲内に限界値のうちのいずれかが含まれるか、どちらも含まれないか、又は両方が含まれるようなそれぞれの範囲もまた、指定範囲に明確に含まれない任意の限界値の制約のもと、本発明に包含される。指定範囲が１つ又は両方の限界値を含む場合、それらの含まれる限界値のいずれか又は両方を含まない範囲もまた含まれる。
【００６８】
本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用する場合、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈において明確に別途指示されない限り、複数の指示対象を含む。このように例えば、「方法（ａ  ｍｅｔｈｏｄ）」に言及すると複数のそのような方法が含まれ、「前駆体（ｔｈｅ  ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）」への言及は、１つ又は複数の前駆体及び当業者に公知のその等価物などへの言及を含む。
【００６９】
また、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、及び「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という語は、本明細書及び下記の特許請求の範囲において使用する場合、記述される特徴、整数、部材、又はステップの存在を明記することを意図するが、それらの語は１つ又は複数の他の特徴、整数、部材、ステップ、行為、又は群の存在又は追加を除外するものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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