(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面及び基板裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる構造を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の主面側接続端子が前記基板主面上に配設された多層配線基板であって、
同じ材料を用いて形成された前記樹脂絶縁層の積層数を基準に、中心に位置する樹脂絶縁層を中心層とし、前記複数の導体層のうち、前記中心層を基準として、前記基板裏面側に設けられる裏面側導体層の面積割合の平均が前記基板主面側に設けられる主面側導体層の面積割合の平均よりも高くなるように形成され、
同じ材料を用いて形成された前記樹脂絶縁層の積層数を基準に、中心に位置する導体層を中心導体とし、
同じ材料を主体とする樹脂絶縁層のうち、前記中心導体を基準として、前記基板裏面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層は、厚さ平均が前記基板主面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層の厚さ平均よりも厚くなるように形成され、
前記中心導体を基準として前記基板裏面側には、面積割合が８０％以上であってグランド層として機能する前記導体層が形成されるとともに、
前記基板裏面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層において、前記グランド層として機能する前記導体層の両面に接する樹脂絶縁層は、前記基板主面側に設けられる樹脂絶縁層よりも厚くなるように形成されている
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記基板裏面側に設けられる導体層について、グランド層として機能する少なくとも１つの導体層が、前記基板主面側に設けられる導体層よりも厚い導体層であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
ところで近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さない基板とすることが提案されている。この多層配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【０００５】
しかし、コア基板を省略することにより基板強度が不足するため、基板が反りやすくなる。この対策として、複数の樹脂絶縁層のうちの一部の絶縁層を補強材入り絶縁層とした多層配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、特許文献１に記載の多層配線基板では、積層中心に補強材入り絶縁層を設けたり、上下両面に補強材入り絶縁層を設けたりする構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−９６２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ＩＣチップを搭載する多層配線基板では、ＩＣチップの搭載面側ほど、配線パターンが微細化されており、パターン間のスペースを確保する必要があるため、樹脂絶縁層の面積に対する導体層の面積割合（残銅率）は低くなる傾向がある。樹脂絶縁層と導体層とでは熱膨張係数が異なるため、多層配線基板の製造時において、ＩＣチップの搭載面側とマザーボードの接続面側とで収縮率の差が生じ、それに伴い反りが発生してしまう。因みに、特許文献１の多層配線基板では、積層中心を考慮してバランスが取れる位置に補強材入り絶縁層が設けられている。この構成では、導体層の面積割合に応じた収縮率の差を十分に解消することはできない。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、チップ部品を搭載する基板主面側とその反対側の基板裏面側とにおける収縮率の差を緩和して配線基板の反りを抑えることができる多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び基板裏面を有し、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる構造を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の主面側接続端子が前記基板主面上に配設された多層配線基板であって、同じ材料を用いて形成された前記樹脂絶縁層の積層数を基準に、中心に位置する樹脂絶縁層を中心層とし、前記複数の導体層のうち、前記中心層を基準として、前記基板裏面側に設けられる裏面側導体層の面積割合の平均が前記基板主面側に設けられる主面側導体層の面積割合の平均よりも高くなるように形成され、同じ材料を用いて形成された前記樹脂絶縁層の積層数を基準に、中心に位置する導体層を中心導体とし、同じ材料を主体とする樹脂絶縁層のうち、前記中心導体を基準として、前記基板裏面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層は、厚さ平均が前記基板主面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層の厚さ平均よりも厚くなるように形成され、前記中心導体を基準として前記基板裏面側には、面積割合が８０％以上であってグランド層として機能する前記導体層が形成されるとともに、前記基板裏面側に設けられる前記複数の樹脂絶縁層において、前記グランド層として機能する前記導体層の両面に接する樹脂絶縁層は、前記基板主面側に設けられる樹脂絶縁層よりも厚くなるように形成されていることを特徴とする多層配線基板がある。
【００１０】
従って、手段１に記載の発明によると、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる多層配線基板において、同じ材料を用いて形成された樹脂絶縁層の積層数を基準に、中心に位置する樹脂絶縁層を中心層とした場合、チップ部品を面接続する基板主面側ほど、導体層の配線パターンは微細化されるため、配線間のスペースも多くなる。このため、基板裏面側に設けられる裏面側導体層の面積割合の平均が基板主面側に設けられる主面側導体層の面積割合の平均よりも高くなる。なお、導体層の面積割合とは、導体層を積層方向に投影してなる投影面積Ｓ１を、基板主面を積層方向に投影してなる投影面積Ｓ２にて除算することで算出される面積割合（＝Ｓ１／Ｓ２）のことを言う。この多層配線基板において、各樹脂絶縁層の厚さを全て同一とする場合、裏面側導体層の面積割合が高くなるため、基板裏面側よりも基板主面側の方が樹脂絶縁層の割合が高くなる。樹脂絶縁層は導体層と比べて収縮しやすいため、中心層を基準としてそれらの割合が異なると、収縮率の違いによって反りが発生してしまう。これに対して、本発明のように、同じ材料を主体とする樹脂絶縁層のうち、中心層を基準として基板裏面側に設けられる複数の樹脂絶縁層の厚さ平均が基板主面側に設けられる複数の樹脂絶縁層の厚さ平均よりも厚くなるように各樹脂絶縁層を形成すると、基板主面側と基板裏面側との収縮率の違いを緩和することができる。この結果、収縮率の違いによって発生する多層配線基板の反りを抑制することができる。
【００１１】
なお、本発明の多層配線基板において、複数の樹脂絶縁層のうちの一部だけガラスクロスを含んだ低熱膨張の絶縁層を用いて構成した場合、そのガラスクロスを含んだ絶縁層は、同じ材料を用いて形成された樹脂絶縁層の積層数としてはカウントしない。また、樹脂絶縁層の積層数が偶数である多層配線基板においては、積層方向の中心に配置される２つの樹脂絶縁層を中心層とする。
【００１２】
基板裏面側に設けられる複数の樹脂絶縁層において、グランド層として機能する導体層に接する少なくとも１つの樹脂絶縁層が、基板主面側に設けられる樹脂絶縁層よりも厚い絶縁層であり、多層配線基板における基板裏面側には、導体層の面積割合が大きくグランド層として機能する導体層が形成されている。このグランド層の両面に接する樹脂絶縁層を基板主面側の樹脂絶縁層よりも厚く形成することによって、多層配線基板の反りを確実に抑制することができる。なお、このグランド層に接する樹脂絶縁層は、基板主面側の樹脂絶縁層よりも３割以上厚く形成することが好ましい。このようにすると、多層配線基板の反りをより確実に抑制することができる。
【００１３】
基板裏面側に設けられる導体層について、グランド層として機能する少なくとも１つの導体層が、基板主面側に設けられる導体層よりも厚い導体層であることが好ましい。このように、基板裏面側のグランド層を基板主面側の導体層よりも厚く形成することによって、配線基板の強度が増してその反りを抑制することができる。特に、中心層寄りの位置に設けられたグランド層を厚く形成することによって、配線基板の反りを確実に抑制することができる。なお、このグランド層は、基板主面側の導体層よりも３割以上厚く形成されることが好ましい。このようにすると、多層配線基板の反りをより確実に抑制することができる。また、グランド層の面積割合は８０％以上である。このようにすると、電気的特性が良好である多層配線基板を実現することができる。
【００１４】
多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。各樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態における多層配線基板を示す概略断面図。
【図２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】多層配線基板の反り量を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を多層配線基板に具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は、本実施の形態の多層配線基板の概略構成を示す断面図である。
【００１７】
図１に示されるように、本実施の形態の多層配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板であり、ＩＣチップ搭載面となる基板主面１１（図１では上面）とその反対側の基板裏面１２（図１では下面）とを有している。具体的には、多層配線基板１０は、コア基板を含まずに形成されたコアレス配線基板であって、同じ樹脂絶縁材料を主体とした樹脂絶縁層２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７と銅からなる導体層３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８とを交互に積層して多層化した配線積層部４０を有している。なお、多層配線基板１０は、厚さ約０．４ｍｍ、縦横約４０ｍｍの略正方形の板状に形成されている。また、各樹脂絶縁層２１〜２７は、光硬化性を付与していない樹脂絶縁材料、具体的には熱硬化性エポキシ樹脂の硬化物を主体としたビルドアップ材を用いて形成されている。
【００１８】
多層配線基板１０において、基板主面１１上には、チップ部品であるＩＣチップの端子を面接続するための複数のＩＣチップ接続端子４１（主面側接続端子）がアレイ状に配設されている。一方、基板裏面１２上には、マザーボード（母基板）を接続するための複数の母基板接続端子４２がアレイ状に配置されている。これら母基板接続端子４２は、基板主面１１側のＩＣチップ接続端子４１よりも面積の大きな接続端子である。なお、ＩＣチップ接続端子４１は、基板主面１１側の導体層３１の一部を構成しており、母基板接続端子４２は、基板裏面１２側の導体層３８の一部を構成している。
【００１９】
多層配線基板１０の基板主面１１側において、最外層の樹脂絶縁層２１の表面はソルダーレジスト４３によってほぼ全体的に覆われており、そのソルダーレジスト４３にはＩＣチップ接続端子４１を露出させる開口部４４が形成されている。開口部４４はＩＣチップ接続端子４１よりも小さく、ＩＣチップ接続端子４１の表面側外周部がソルダーレジスト４３内に埋まっている。ＩＣチップ接続端子４１は銅層を主体として構成されている。さらに、ＩＣチップ接続端子４１は、主体をなす銅層の上面のみを銅以外のめっき層４６（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。
【００２０】
多層配線基板１０の基板裏面１２側において、最外層の樹脂絶縁層２７の表面はソルダーレジスト４７によってほぼ全体的に覆われており、そのソルダーレジスト４７には母基板接続端子４２を露出させる開口部４８が形成されている。開口部４８は母基板接続端子４２よりも小さく、母基板接続端子４２の表面側外周部がソルダーレジスト４７内に埋まっている。母基板接続端子４２は銅層を主体として構成されている。さらに、母基板接続端子４２は、主体をなす銅層の下面のみを銅以外のめっき層４９（具体的には、ニッケル−金めっき層）で覆った構造を有している。
【００２１】
樹脂絶縁層２１〜２７には、それぞれビア穴２９及びフィルドビア導体３０が設けられている。各ビア導体３０は、いずれも同一方向に（図１では下面側から上面側に向かうに従って）拡径した形状を有し、各導体層３１〜３８、ＩＣチップ接続端子４１、及び母基板接続端子４２を相互に電気的に接続している。
【００２２】
本実施の形態の多層配線基板１０において、第１導体層３１〜第８導体層３８の残銅率は、表１に示されるような割合となるよう各導体層３１〜３８が形成されている。ここで、導体層３１〜３８の残銅率とは、導体層３１〜３８を積層方向に投影してなる投影面積Ｓ１を、基板主面１１を積層方向に投影してなる投影面積Ｓ２にて除算することで算出される面積割合（＝Ｓ１／Ｓ２×１００％）である。また、第１樹脂絶縁層２１〜第７樹脂絶縁層２７、第１導体層３１〜第８導体層３８、及び各ソルダーレジスト４３，４７は、表２のような厚さとなるよう形成されている。なお、各樹脂絶縁層２１〜２７の厚さとは、各導体層３１〜３８間に介在される絶縁層の厚さである。
【表１】
0005587139.tif 000002
【表２】
0005587139.tif 000003
【００２３】
本実施の形態の多層配線基板１０では、同じ樹脂絶縁材料で形成された各樹脂絶縁層２１〜２７の積層数を基準に、中心に位置する第４樹脂絶縁層２４が中心層となる。また、各樹脂絶縁層２１〜２７の積層数を基準に、中心に位置する導体層３４，３５が中心導体となる。表１に示されるように、多層配線基板１０において、中心層の第４樹脂絶縁層２４を基準として、基板主面１１側に設けられた各導体層３１，３２，３３，３４（主面側導体層）の残銅率が低く、基板裏面１２側に設けられた各導体層３５，３６，３７，３８（裏面側導体層）の残銅率が高くなっている。従って、基板裏面１２側に設けられる複数の導体層３５〜３８は、残銅率の平均が基板主面１１側に設けられる複数の導体層３１〜３４の残銅率の平均よりも高くなるように形成されている。なお、本実施の形態では、残銅率が８０％以上となる導体層３５，３６，３８は、グランド層となっている。
【００２４】
また、表２に示されるように、中心導体としての導体層３４，３５を基準として基板主面１１側に設けられた各樹脂絶縁層２１，２２，２３と中心層である第４樹脂絶縁層２４との厚さは２５μｍであり、基板裏面１２側に設けられた各樹脂絶縁層２５，２６，２７の厚さは３３μｍである。つまり、本実施の形態では、基板裏面１２側においてグランド層として機能する導体層３５，３６，３８に接する各樹脂絶縁層２５，２６，２７が、基板主面１１側の各樹脂絶縁層２１，２２，２３よりも厚い絶縁層となっている。このように、本実施の形態の多層配線基板１０では、基板裏面１２側に設けられる複数の樹脂絶縁層２５〜２７は、厚さ平均が基板主面１１側に設けられる複数の樹脂絶縁層２１〜２３の厚さ平均よりも厚くなるように形成されている。
【００２５】
さらに、各導体層３１〜３８の厚さについては、中心寄りの位置（具体的には、中心層である第４樹脂絶縁層２４の基板裏面１２側）に設けられた第５導体層３５の厚さが２０μｍであり、他の導体層３１〜３４，３６〜３８の厚さが１５μｍである。また、ソルダーレジストの厚さは２１μｍである。
【００２６】
上記構成の多層配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。
【００２７】
先ず、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層３１〜３８をビルドアップして配線積層部４０を形成する。
【００２８】
詳述すると、図２に示されるように、支持基板５０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を貼り付けて下地樹脂絶縁層５１を形成することにより、支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１からなる基材５２を得る。そして、基材５２の下地樹脂絶縁層５１の上面に、積層金属シート体５４を配置する。ここで、下地樹脂絶縁層５１上に積層金属シート体５４を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体５４が下地樹脂絶縁層５１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体５４は、２枚の銅箔５５，５６（一対の金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき、ニッケルめっき、チタンめっき、またはこれらの複合めっき）を介して銅箔５５、銅箔５６が配置された積層金属シート体５４が形成されている。
【００２９】
その後、図３に示されるように、積層金属シート体５４を包むようにシート状の樹脂絶縁層２７を配置し、樹脂絶縁層２７を貼り付ける。ここで、樹脂絶縁層２７は、積層金属シート体５４と密着するとともに、その積層金属シート体５４の周囲領域において下地樹脂絶縁層５１と密着することで、積層金属シート体５４を封止する。
【００３０】
そして、例えばエキシマレーザーやＵＶレーザーやＣＯ２レーザーなどを用いてレーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層２７の所定の位置にビア穴２９を形成する。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴２９内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００３１】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴２９内にビア導体３０を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層２７上に導体層３７をパターン形成する。
【００３２】
また、他の樹脂絶縁層２１〜２６及び導体層３１〜３６についても、上述した樹脂絶縁層２７及び導体層３７と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層２７上に積層していく。以上の工程によって、基材５２上に積層金属シート体５４、樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層３１〜３７を積層した配線積層体６０を形成する（図４参照）。なお、配線積層体６０において積層金属シート体５４上に位置する領域が、多層配線基板１０の配線積層部４０となる部分である。
【００３３】
その後、配線積層体６０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部４０の周囲領域を除去する（切断工程）。この際、図４に示すように、配線積層部４０とその配線積層部４０よりも外周側に位置する周囲部６１との境界（図４では矢印で示す境界）において、配線積層部４０の下方にある基材５２（支持基板５０及び下地樹脂絶縁層５１）ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層２７にて封止されていた積層金属シート体５４の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部６１の除去によって、下地樹脂絶縁層５１と樹脂絶縁層２７との密着部分が失われる。この結果、配線積層部４０と基材５２とは積層金属シート体５４のみを介して連結した状態となる。
【００３４】
ここで、図５に示されるように、積層金属シート体５４における一対の銅箔５５，５６の界面にて剥離することで、配線積層部４０から基材５２を除去して配線積層部４０（樹脂絶縁層２７）の下面上にある銅箔５５を露出させる。その後、配線積層部４０における銅箔５５をサブトラクティブ法でパターニングする。具体的には、配線積層部４０の上面及び下面上において、ドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。これにより、配線積層部４０の上面にその全面を覆うようにエッチングレジストを形成するとともに、配線積層部４０の下面に母基板接続端子４２に対応した所定のパターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、配線積層部４０の銅箔５５に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、樹脂絶縁層２７上に母基板接続端子４２を形成する。
【００３５】
次に、樹脂絶縁層２１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４３を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４３に開口部４４をパターニングする。同様に、樹脂絶縁層２７上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４７を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４７に開口部４８をパターニングする。
【００３６】
そして、開口部４４から露出しているＩＣチップ接続端子４１の表面（上面）、及び開口部４８から露出している母基板接続端子４２の表面（下面）に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、ニッケル−金めっき層４６，４９を形成する。以上の工程を経ることで図１の多層配線基板１０が製造される。
【００３７】
本発明者らは、上記のように製造される多層配線基板１０の反り量について、シミュレーション試験を行った。なおここでは、図６に示されるように、多層配線基板１０の１／４の領域（２０ｍｍ×２０ｍｍの領域）において、基板中心となる基準点Ｏ１に対して基板の角部となる測定点Ｐ１での反り量を確認した。その確認結果を表３に示している。
【００３８】
またここで、多層配線基板１０（実施例１）に対して、導体層３５の厚さを１５μｍに変更した多層配線基板（実施例２）の反り量についても、シミュレーション試験によって確認した。さらに、多層配線基板１０に対して、第５樹脂絶縁層２５〜第７樹脂絶縁層２７の厚さを２５μｍに変更するとともに、第５導体層３５の厚さを１５μｍに変更した多層配線基板（比較例１）や、第５樹脂絶縁層２５〜第７樹脂絶縁層２７の厚さを２５μｍに変更した多層配線基板（比較例２）の反り量についても、シミュレーション試験によって確認した。表３には、それら実施例１，２及び比較例１，２の多層配線基板１０の反り量の確認結果を示している。
【表３】
0005587139.tif 000004
【００３９】
表３に示されるように、全ての樹脂絶縁層２１〜２７を同じ厚さ（２５μｍ）で形成するとともに、全ての導体層３１〜３８を同じ厚さ（１５μｍ）で形成した比較例１の多層配線基板では、反り量が３０６μｍと大きくなった。また、全ての樹脂絶縁層２１〜２７を同じ厚さ（２５μｍ）で形成し、第５導体層３５のみを厚く（２０μｍ）形成した比較例２でも、反り量は２９７μｍと大きくなった。これに対して、基板裏面１２側の樹脂絶縁層２５〜２７の厚さを基板主面１１側の樹脂絶縁層２１〜２３の厚さよりも厚く形成した実施例１及び実施例２の多層配線基板１０では、反り量がそれぞれ２０６μｍ、２１９μｍとなり、比較例１，２の多層配線基板よりも反り量を抑えることができた。特に、導体層３５を他の導体層３１〜３４，３６〜３８よりも厚く形成した実施例１の多層配線基板１０では、反り量を低く抑えることができた。
【００４０】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４１】
（１）本実施の形態の多層配線基板１０では、同じ材料を主体とする各樹脂絶縁層２１〜２７のうち、基板裏面１２側に設けられる複数の樹脂絶縁層２５，２６，２７の厚さが基板主面１１側に設けられる複数の樹脂絶縁層２１〜２３の厚さよりも厚くなるように各樹脂絶縁層２１〜２７が形成されている。このようにすると、基板製造時において基板主面１１側と基板裏面１２側とで収縮率のバランスをとることができ、収縮率の違いによって発生する多層配線基板１０の反りを抑制することができる。
【００４２】
（２）本実施の形態の多層配線基板１０では、各導体層３１〜３８において、基板裏面１２側における中心層（樹脂絶縁層２４）寄りの位置に設けられた導体層３５（グランド層）が、他の導体層３１〜３４，３６〜３８よりも厚く形成されておいる。このように中心層寄りの位置に設けられた導体層３５を厚く形成することによって、多層配線基板１０の反りをより確実に抑制することができる。
【００４３】
（３）本実施の形態の多層配線基板１０において、基板裏面１２側の各樹脂絶縁層２５，２６，２７は、厚さが３３μｍであり、基板主面１１側の各樹脂絶縁層２１〜２３の厚さ（２５μｍ）よりも３割以上厚く形成されている。また、中心寄りの位置に設けられる第５導体層３５は、厚さが２０μｍであり、他の導体層３１〜３４，３６〜３８の厚さ（１５μｍ）よりも３割以上厚く形成されている。このように、各樹脂絶縁層２５，２６，２７と第５導体層３５とを厚く形成することにより、多層配線基板１０の反りを確実に抑制することができる。
【００４４】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００４５】
・上記実施の形態の多層配線基板１０では、第１樹脂絶縁層２１〜第７樹脂絶縁層２７の７層の絶縁層と、第１導体層３１〜第８導体層３８の８層の導体層とを積層した構成であったが、これに限定されるものではなく、これら樹脂絶縁層２１〜２７や導体層３１〜３８の積層数は適宜変更してもよい。また、多層配線基板１０において、基板裏面１２側の第５樹脂絶縁層２５〜第７樹脂絶縁層２７の厚さが他の樹脂絶縁層２１〜２４よりも厚くなるよう各樹脂絶縁層２１〜２７を形成していたが、これに限定されるものではない。本発明では、中心導体（導体層３４，３５）を基準として、基板裏面１２側に設けられる複数の樹脂絶縁層２５〜２７の厚さ平均が基板主面１１側に設けられる複数の樹脂絶縁層２１〜２３の厚さ平均よりも厚くなるように形成されていればよく、基板裏面１２側において厚く形成する樹脂絶縁層を適宜変更してもよい。
【００４６】
・上記実施の形態の多層配線基板１０において、基板裏面１２側における中心層（樹脂絶縁層２４）寄りの位置に設けられた導体層３５の厚さが他の導体層３１〜３４，３６〜３８よりも厚くなるよう各導体層３１〜３８を形成していたが、これに限定されるものではない。多層配線基板１０の基板裏面１２側において、例えば、グランド層として機能する導体層３６，３８について、他の導体層よりも厚くなるように形成してもよい。
【００４７】
・上記実施の形態では、母基板接続端子４２が形成される基板裏面１２側から樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層３１〜３８を積層して多層配線基板１０を製造したが、これに限定されるものではない。ＩＣチップ接続端子４１が形成される基板主面１１側から樹脂絶縁層２１〜２７及び導体層３１〜３８を積層して多層配線基板を製造してもよい。この場合、銅箔５５をパターニングすることによって、ＩＣチップ接続端子４１が形成される。また、複数の樹脂絶縁層２１〜２７に形成される複数の導体層３１〜３８は、基板主面１１側から基板裏面１２側に向かうに従って拡径したビア導体３０により互いに接続される。
【００４８】
次に、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００４９】
（１）手段２乃至４において、前記基板裏面側に設けられる前記グランド層に接する樹脂絶縁層が、前記基板主面側に設けられる樹脂絶縁層の３割以上厚い絶縁層であることを特徴とする多層配線基板。
【００５０】
（２）手段２乃至４において、前記基板裏面側に設けられる前記グランド層が、前記基板主面側に設けられる導体層の３割以上厚い導体層であることを特徴とする多層配線基板。
【００５１】
（３）手段１乃至４において、中心層寄りの位置に設けられた前記グランド層が、他の導体層よりも厚い導体層であることを特徴とする多層配線基板。
【００５２】
（４）手段１乃至４において、前記複数の樹脂絶縁層のうちの一番厚い絶縁層が前記基板裏面側に設けられることを特徴とする多層配線基板。
【符号の説明】
【００５３】
１０…多層配線基板
１１…基板主面
１２…基板裏面
２１〜２７…樹脂絶縁層
３１〜３８…導体層
４１…主面側接続端子としてのＩＣチップ接続端子
【図１】
0005587139.tif 000005
【図２】
0005587139.tif 000006
【図３】
0005587139.tif 000007
【図４】
0005587139.tif 000008
【図５】
0005587139.tif 000009
【図６】
0005587139.tif 000010