(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、
前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用し、
前記位相修正は、レジストの閾値を超えないように前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減する、方法。
【請求項２】
投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、
前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止し、前記位相修正が前記パターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少なく、
前記位相修正は、レジストの閾値を超えないように前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減する、方法。
【請求項３】
前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記基板上の前記レジスト内に露光される前記機能フィーチャ像に及ぼす影響がごく僅かである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記位相修正は、特定の回折次数の放射に対して施され、１つ以上の別の回折次数の放射に対しては顕著には施されない、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記特定の回折次数は、３次回折次数である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記光路長の短縮は前記進相領域内で変化し、前記光路長の延長は前記遅相領域内で変化する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
進相領域と遅相領域とが対で備えられる、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
進相領域及び前記遅相領域は、点対称分布又は点非対称分布で備えられる、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法を行う光位相調整装置を備える、リソグラフィ装置。
【請求項１１】
リソグラフィ装置であって、
断面にパターンを有する放射ビームを与える役割を果たすパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの瞳面に又はそれに隣接して配置される光位相調整装置と、
前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に対して位相修正を施す光位相調整装置を動作させるコントローラであって、前記位相修正が前記基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか、又は前記基板上のレジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、コントローラと、
を備え、
前記位相修正は、レジストの閾値を超えないように前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減させる、装置。
【請求項１２】
前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、特定の回折次数の放射に前記位相修正を施し、１つ以上の別の回折次数の放射には前記位相修正を顕著には施さないように前記光位相調整装置を動作させる、請求項１１又は１２に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンに対応する放射ビームの断面にパターンを与えることができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0003]  パターンをパターニングデバイスから基板上に投影するとき、パターンの一部又は複数部分が不必要に変更されることがある。例えば、コーナーなどの機能フィーチャが不必要に丸みを帯びることがある。１つ以上のいわゆる「アシストフィーチャ」をパターン内に備えて、基板上に備えられる（例えば、基板上のレジスト内で露光される）パターンの品質を高めてもよい。アシストフィーチャは、機能フィーチャに隣接して位置するフィーチャであってもよい。アシストフィーチャは、パターンの望ましくない変更を少なくして、基板上に向上したパターンが付与されるように機能する。アシストフィーチャ自体は基板上に付与（例えば露光）されない。
【０００４】
[0004]  場合によっては、アシストフィーチャにより基板上のレジストが露光されず（ポジ型レジストの場合）、したがって基板上に可視化されるようにアシストフィーチャが投影されることがある。アシストフィーチャが基板上にパターンの一部を形成することは意図しないので、これは望ましくない。
【０００５】
[0005]  例えば、本明細書又はその他で特定されている１つ以上の問題点、又は本明細書で特定されているか、又はその他で特定されているかに関わらず、この分野全般の１つ以上の問題点を解消するか、又は軽減する方法及び装置を提供することが望ましい。例えば、アシストフィーチャが基板上のレジスト内で露光される範囲を縮小するために使用できる方法及び装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、投影システム内の光位相調整装置を使用して、パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、アシストフィーチャ像によるパターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する方法が提供される。
【０００７】
[0007]  位相修正は、アシストフィーチャから回折した放射の基板でのコントラストを低減してもよい。
【０００８】
[0008]  光位相調整装置によって施される位相修正は、パターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響をより少なくしてもよい。
【０００９】
[0009]  光位相調整装置によって施される位相修正は、基板上のレジスト内で露光される機能フィーチャの像に及ぼす影響を無視できるものにしてもよい。
【００１０】
[0010]  位相修正は、特定の回折次数の放射に施し、別の回折次数の放射には顕著には施さないようにしてもよい。
【００１１】
[0011]  位相修正は、複数の特定の回折次数の放射に施し、別の回折次数の放射には顕著には施さないようにしてもよい。
【００１２】
[0012]  特定の回折次数は、３次回折次数であってもよい。
【００１３】
[0013]  位相修正は、光位相調整装置の進相領域を通過する放射の光路長を短縮するステップと、光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の光路長を延長するステップと、を含んでもよい。
【００１４】
[0014]  進相領域によって施される光路長の短縮は、遅相領域によって施される光路長の延長と等しくてもよい。
【００１５】
[0015]  光路長の短縮は進相領域内で変化してもよく、光路長の延長は遅相領域内で変化してもよい。
【００１６】
[0016]  進相領域と遅相領域とを点対称分布又は点非対称分布で備えてもよい。
【００１７】
[0017]  進相領域と遅相領域とを対で備えてもよい。
【００１８】
[0018]  光位相調整装置のすべての修正領域によって施される位相修正の総計はゼロであってもよい。
【００１９】
[0019]  本発明の一態様によれば、投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、投影システム内の光位相調整装置を使用して、パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像の印刷を防止し、位相修正がパターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない方法が提供される。
【００２０】
[0020]  この方法は、従来の方法のいずれかの任意選択としてのフィーチャを含んでもよい。
【００２１】
[0021]  本発明の一態様によれは、本明細書に記載の方法を行うように構成された光位相調整装置を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００２２】
[0022]  本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置であって、断面にパターンを有する放射ビームを与える役割を果たすパターニングデバイスを支持する支持構造と、基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、投影システムの瞳面に又はそれに隣接して配置される光位相調整装置と、パターンのアシストフィーチャから回折した放射に対して位相修正を施す光位相調整装置を動作するように構成されたコントローラであって、位相修正が基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、アシストフィーチャ像によるパターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用するコントローラと、を備える装置が提供される。
【００２３】
[0023]  位相修正は、アシストフィーチャから回折した放射の基板でのコントラストを低下させるように構成されてもよい。
【００２４】
[0024]  光位相調整装置によって施される位相修正は、パターニングデバイスの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響をより少なくしてもよい。
【００２５】
[0025]  コントローラは、特定の回折次数の放射に位相修正を施し、別の回折次数の放射には位相修正を顕著には施さないように光位相調整装置を動作させるように構成されてもよい。
【００２６】
[0026]  特定の回折次数は、３次回折次数であってもよい。
【００２７】
[0027]  位相修正は、光位相調整装置の進相領域を通過する放射の光路長を短縮するステップと、光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の光路長を延長するステップと、を含んでもよい。
【００２８】
[0028]  進相領域によって施される光路長の延長は、遅相領域によって施される光路長の短縮と等しくてもよい。
【００２９】
[0029]  進相領域と遅相領域とを、点対称分布又は点非対称分布で備えてもよく、又は点対称分布と点非対称分布との組合せからなる分布で備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
[0030]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0031]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0032]リソグラフィ装置によりパターニングデバイスから基板上に投射されてもよいパターンを概略的に示す。
【図３】[0033]パターニングされた放射が基板上に備えられたレジストに及ぼす影響を概略的に示す。
【図４】[0034]本発明のある実施形態による光位相調整装置によって放射に対して施される位相修正を概略的に示す。
【図５】[0035]本発明のある実施形態が使用される場合の機能フィーチャ及びアシストフィーチャが放射空間強度に及ぼす影響を概略的に示す。
【図６】[0036]本発明のある実施形態による光位相調整装置によって放射に対して施される別の位相修正を概略的に示す。
【図７】[0037]本発明のある実施形態による光位相調整装置によって放射に対して施される別の位相修正を概略的に示す。
【図８】[0038]本発明のある実施形態による光位相調整装置によって放射に対して施される別の位相修正を概略的に示す。
【図９】[0039]本発明のある実施形態による光位相調整装置によって放射に対して施される別の位相修正を概略的に示す。
【図１０】[0040]本発明のある実施形態による光位相調整装置を概略的に示す。
【図１１】[0041]これも本発明のある実施形態による光位相調整装置を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
[0042]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００３２】
[0043]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ又はその組合せを指すことができる。
【００３３】
[0044]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの波長を有する）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００３４】
[0045]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００３５】
[0046]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、小型ミラーの行列構成を使用し、ミラーの各々は、入射する放射ビームを様々な方向に反射するように個別に傾けることができる。このようにして、反射ビームがパターニングされる。
【００３６】
[0047]  支持構造はパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。この支持体は、機械式クランプ、真空、又は他のクランプ技術、例えば真空条件下での静電クランプを使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルであってよく、必要に応じて固定式又は可動式であってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００３７】
[0048]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸流体の使用又は真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折光学システムを含む様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
【００３８】
[0049]  また、照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントを含んでもよく、そのようなコンポーネントも以下においては集合的に又は単独で「レンズ」と呼ばれることもある。
【００３９】
[0050]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、又は１つ以上の他のテーブルを露光に使用している間に１つ以上のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００４０】
[0051]  また、リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように例えば水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板が浸漬されるタイプであってもよい。投影システムの開口数を増加させる液浸技術は当技術分野で周知である。
【００４１】
[0052]  図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
−  放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−  パターニングデバイス（例えば、マスク）を支持し、部品ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えば、支持構造）ＭＴと、
−  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持し、部品ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に結像するように構成された投影システム（例えば、屈折型投影レンズ）ＰＬと、
−  投影システムＰＬの瞳面ＰＰ内又はそれに隣接して位置し、放射ビームの電界の少なくとも一部の位相を調整するように配置された位相変調素子ＰＭＥと、
を備える。
【００４２】
[0053]  本明細書で示すように、本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、本装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）。
【００４３】
[0054]  イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源及びリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の場合では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００４４】
[0055]  イルミネータＩＬは、（例えば放射ビーム内に所望の照明モードを提供するために）ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＭを備えてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを用いてビームＰＢを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００４５】
[0056]  放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＰＢは、投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。投影システムＰＬを通過する際に、ビームＰＢは、また、位相変調素子ＰＭＥを横断する。第２の位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＰＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、オブジェクトテーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決めデバイスＰＭとＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせしてもよい。
【００４６】
[0057]  図示のリソグラフィ装置は以下の好適なモードで使用することができる。
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、ビームＰＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、ビームＰＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（すなわち単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、ビームＰＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００４７】
[0058]  上記の使用モードの組合せ及び／又は変形形態、又は完全に異なる使用モードを使用してもよい。
【００４８】
[0059]  図２は、リソグラフィ装置（図１を参照）で使用されるパターニングデバイスＭＡ上にパターンの一部を形成し得る機能フィーチャ１０の上面図を概略的に示す。機能フィーチャ１２は、１つ以上の近接するパターンラインからラインの幅よりもかなり広い間隔で離隔されたいわゆる孤立ラインであってよい。１つ以上のアシストフィーチャ１２（この場合は少なくとも２つのフィーチャ１２）が機能フィーチャ１０に隣接して（この場合は両側に）備えられる。アシストフィーチャは、機能フィーチャがリソグラフィ装置によって基板Ｗ上に投影される際の機能フィーチャ１０の不必要な変更を低減する役割を果たす。アシストフィーチャ１２は、例えば機能フィーチャ１０の像の幅が確実に所望の幅（例えば、リソグラフィ装置の縮小係数を考慮に入れて、機能フィーチャの幅の１／４）になるように補助する。
【００４９】
[0060]  アシストフィーチャ１２の目的は、それ自体が像を形成せずに機能フィーチャ１０の像を適正に形成することを補助することである。したがって、例えば、基板Ｗ（図１を参照）にターゲット部分Ｃ上のレジスト内で露光されるパターンはアシストフィーチャ１２を含んではならない。しかし、状況によっては、アシストフィーチャ１２がレジスト内で露光されることがあり、これは望ましくない結果である。アシストフィーチャ１２が基板Ｗ上のレジスト内で露光される可能性を防止又は低減するため、アシストフィーチャ１２から回折した放射に位相修正を施してもよい。
【００５０】
[0061]  図２の配置の例では、機能フィーチャ１０の幅は６４ｎｍであり、アシストフィーチャ１２の幅は３０ｎｍである。機能フィーチャとアシストフィーチャとの間には６９ｎｍのギャップがある。パターニングデバイスのパターンは、図２に示すフィーチャの複数の反復を備えてもよい。隣接する反復の間隔は、（機能フィーチャ１０の中心から隣接する機能フィーチャの中心までを測定して）３５０ｎｍであってもよい。ここに述べた寸法は単なる例であり、別の寸法を用いてもよい。
【００５１】
[0062]  ある実施形態では、パターニングデバイスＭＡを照明するために環状照明モードを使用してもよい。環状照明モードの特性は、リソグラフィ装置の照明システムＩＬによって決定されてもよい。環状照明モードのσ-innerは０．６６、σ-outerは０．８６でよい。環状照明モードはパターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上への特定のタイプのフィーチャの結像を向上させるので、環状照明モードを使用してもよい。別の照明モードを使用してもよく、照明モードの選択は少なくとも部分的にパターニングデバイスＭＡのパターンの特性によって決定される。
【００５２】
[0063]  図３は、図２の機能フィーチャ１０とアシストフィーチャ１２の配置を有するパターンを備えたパターニングデバイスＭＡを照明するために環状照明モードが使用される場合、及びその結果としてのパターニングされた放射がリソグラフィ装置によって基板Ｗ上に投影される場合に露光されるレジストを概略的に示す。露光されるレジストは白い領域として示され、露光されないレジストは斜線領域として示されている。図３の垂直軸はレジストが備えられる基板に対するレジストの高さを示し、図３の水平軸はｘ方向でのレジストの位置を示す。水平軸は、基板上のｘ方向の位置を示す。
【００５３】
[0064]  図３から分かるように、機能フィーチャの像はレジスト内で露光され、機能フィーチャは−２５ｎｍから＋２５ｎｍまで延在する（露光される機能フィーチャの中心は、ｘ方向でのゼロ点であると見なされる）。機能フィーチャの像は、以下では機能フィーチャ像１１０と呼ぶ。しかし、さらに、アシストフィーチャもレジスト内で露光され、アシストフィーチャ像は約−１１５ｎｍ〜＋１１５ｎｍの位置にある。アシストフィーチャ像は、以下ではアシストフィーチャ像１１２と呼ぶ。先にさらに記載したように、アシストフィーチャ像１１２の形成は望ましくない。何故なら、アシストフィーチャが基板Ｗ上で露光されるパターンの一部を形成することを意図しないからである。
【００５４】
[0065]  本発明のある実施形態は、アシストフィーチャ像の印刷を防止又は低減する。位相修正は、基板でアシストフィーチャから受ける放射のコントラストを低減して放射がレジストの閾値以下になるようにすることで、アシストフィーチャ像の印刷を防止又は低減する役割を果たす。本発明のある実施形態は、基板で受ける放射のコントラストを低減することで印刷されるアシストフィーチャのサイズを縮小する。「コントラスト」という用語は、レジストに供給される最高放射線量と最低放射線量との差を、レジストに供給される最高放射線量と最低放射線量との和で除算した値を意味するものと解釈される。これは、（ＤｏｓｅＭａｘ−ＤｏｓｅＭｉｎ）／（Ｄｏｓｅｍａｘ＋Ｄｏｓｅｍｉｎ）で表すことができ、ここで、ＤｏｓｅＭａｘはレジストに供給される最高放射線量であり、ＤｏｓｅＭｉｎは、レジストに供給される最低放射線量である。
【００５５】
[0066]  アシストフィーチャ像の印刷は防止され（又はアシストフィーチャ像のサイズが縮小され）るものの、アシストフィーチャ像を形成する放射は依然として存在し、したがって機能フィーチャ像の像強化を行う（例えば機能フィーチャ像が確実に所望の幅を有するように補助する）。アシストフィーチャ像を形成する放射が完全に除去されてしまうと、アシストフィーチャは、機能フィーチャ像の像強化を行わなくなるであろう。したがって、位相修正はアシストフィーチャ像を形成する放射のコントラストを低減し、コントラストを完全に消すことはない。コントラストを低減することで、アシストフィーチャ像の印刷を防止するか、又は印刷されたアシストフィーチャ像のサイズを縮小するのに十分であろう。
【００５６】
[0067]  図４は、リソグラフィ装置の投影システムＰＬ内で光位相調整装置ＰＭＥ（図１を参照）によって放射に対して施される位相調整を概略的に示す。光位相調整装置ＰＭＥはリソグラフィ装置の瞳面ＰＰに、又はそれに隣接して位置する。図４では、光位相調整装置ＰＭＥは、光位相調整装置の大部分が放射に対して位相修正を施さないように構成されている。位相修正を施さない光位相調整装置ＰＭＥの領域は図４には陰影がない部分３０で示されている。放射の光路長を約１０ｎｍ短縮する光位相調整装置ＰＭＥの４つの領域３２がある。これは、これらの領域３２を（以下にさらに説明するように）位相修正を施さない領域３０よりも加熱してこれらの領域の屈折率を変更することによって達成される。放射の光路長を短縮する領域３２を以下では進相領域３２と呼ぶ。位相修正を施さない領域３０を以下ではニュートラル領域と呼ぶ。進相領域３２を通過する放射は、ニュートラル領域３０を通過する放射よりも約１０ｎｍ進められた相を有する。
【００５７】
[0068]  光位相調整装置ＰＭＥは、（ニュートラル領域３０を通過する放射の光路長と比較して）約１０ｎｍだけ放射の光路長を延長するように構成された４つの領域３４を有している。これは、これらの領域３４をニュートラル領域３０よりも冷却することによって達成される。放射の光路長を約１０ｎｍだけ延長する領域３４は以下では遅相領域３４と呼ぶ。遅相領域３４を通過する放射は、ニュートラル領域３０を通過する放射よりも約１０ｎｍ遅延する位相を有する。
【００５８】
[0069]  遅相領域３４及び進相領域３２は、実質的に３次回折放射のみに影響を及ぼすように（すなわち、０次、１次及び２次回折放射には無視できる影響しか及ぼさないように）位置決めされる。これらの遅相領域及び進相領域３４、３２の位置は、リソグラフィ装置が使用する照明モードの環状の性質、及びパターン及び（１つ以上の）アシストフィーチャ１０、１２の性質により生じる。遅相及び進相領域３４、３２は、３次回折放射を受けるすべての領域を考慮に入れ、次にこの領域から０次、１次又は２次回折放射を受ける領域を差し引くことによって生成される。この場合は、３次回折放射を受ける領域は、２つの垂直向きの円弧を有している。０次放射は、円弧と交差するリングを有している。０次放射の位相を修正することは望ましくないので、リングは３次回折放射を受ける領域から差し引かれる。さらに、曲線を二等分するラインも付与されることで、各曲線の中心から小部分が除外される。これが行われるのは、（この実施形態の場合のように）ｘ軸を中心に非対称のパターンでは位相修正がゼロであるべきだからである。結果として生じる位相修正領域は、各々が４つの切片に分離される２つの円弧を備えている。各円弧の一方の半分は遅相領域３４を備え、他の半分は進相領域３２を備えている。
【００５９】
[0070]  図４に示す光位相調整装置ＰＭＥは、幾つかの３次回折放射の位相を約１０ｎｍだけ進ませ、幾つかの３次回折放射の位相を約１０ｎｍだけ遅らせる。その結果、光位相調整装置の異なる領域を通過する３次回折放射の間に約２０ｎｍの位相差が確立される。再び図２を参照すると、機能フィーチャ１０の幅がアシストフィーチャ１２よりもかなり広いことが分かる。幅の差は、機能フィーチャ１０から回折した放射がごく僅かな３次回折成分しか有さず、一方、アシストフィーチャ１２から回折した放射の大部分が３次回折放射であるような差である。その結果、光位相調整装置ＰＭＥによって施される位相修正は、機能フィーチャ１０から回折した放射に及ぼす影響は（アシストフィーチャ１２から回折した放射への影響と比較して）より少なくなる。光位相調整装置ＰＭＥによって施される位相修正が機能フィーチャ１０から回折した放射に及ぼす影響はごく僅かで済む。光位相調整装置によって施される位相修正が基板上のレジスト内で露光される機能フィーチャ像１０に及ぼす影響はごく僅かで済む。
【００６０】
[0071]  光位相調整装置ＰＭＥによって施される位相修正は、基板Ｗでの３次回折放射の変調深さを低減する。概念的に理解し易くするため、これは進相領域３２を通過する３次回折放射の成分の左への移動、及び遅相領域３４を通過する３次回折放射の右への移動として視覚化されてもよい。これらの移動の効果は、３次回折放射の成分が互いに加算されると変調深さが低減することにある。３次回折放射の変調は、ある程度はウォッシュアウトされる。
【００６１】
[0072]  基板で３次回折放射と０次回折放射とが相互作用して、高空間周波数の放射成分を生成する。３次回折放射の変調深さが低減されているので、３次回折放射と０次回折放射との相互作用から生じる高周波放射成分のコントラストは低減される。コントラストが低減されると、アシストフィーチャ像のサイズが縮小される。コントラストの低減が、レジストの閾値が交差しないような低減である場合は、アシストフィーチャ像はレジスト内に形成されない。光位相調整装置ＰＭＥが機能フィーチャから回折する放射に及ぼす影響は（先にさらに説明したように）ごく僅かであるため、機能フィーチャ像は所望の通り基板上に形成される。幾つかの３次回折放射の変調は保持される（位相変調は３次回折放射変調を完全には解除しない）ので、３次回折放射は機能フィーチャ像の像強化を行う。言い換えると、（放射線量を低減するが）アシストフィーチャ像は依然として存在し、機能フィーチャ像の像強化を行う。
【００６２】
[0073]  図５は、３次回折放射に位相差を導入することにより低減したコントラストを示すモデリングを使用して作成したグラフである。図５の上部には、機能フィーチャ１０とアシストフィーチャ１２とが示されている。その下には、機能フィーチャ１０とアシストフィーチャ１２とによってパターニングされた後に基板への放射入射の空間強度が示されている。図から分かるように、基板での放射強度は、機能フィーチャ１０に対応する基板位置で極めて低い値（約０．１）に低下する。基板上のレジストの閾値Ｔは、図５に点線で示されている。この例では、基板上のレジストはポジ型レジストである。放射強度は、機能フィーチャ１０に対応する位置で閾値Ｔと交差し、したがって機能フィーチャ像がレジスト内に形成される。
【００６３】
[0074]  レジストの閾値Ｔは、アシストフィーチャ１２に対応する位置に示される最低空間強度と同様である。位相差を導入する効果が分かるように、空間強度データの一部が（閾値Ｔと同様に）図５の底部に拡大して示されている。菱形は、投影システムＰＬの基板Ｗの側の幅が３０ｎｍである（すなわち、投影システムのパターニングデバイスＭＡ側の幅が１２０ｎｍである）アシストフィーチャ用に作成されたデータポイントを表している。これらのデータポイントは、３次回折放射に位相差を導入せずに作成されたものである。図５から分かるように、放射の空間強度は閾値Ｔと交差し、その結果、アシストフィーチャ像がレジスト内に形成される。
【００６４】
[0075]  円は、同じアシストフィーチャについて作成されたが、２０ｎｍの位相差が３次回折放射に導入されたデータポイントを表している。図５から分かるように、放射の空間強度は閾値Ｔと交差しない（放射のコントラストが低減されている）。その結果、アシストフィーチャ像はレジスト内に印刷されない。アシストフィーチャはレジスト内に印刷されないが、それにも関わらずアシストフィーチャ像は機能フィーチャ像の露光中にレジスト内に存在し、したがって機能フィーチャ像の像強化を行う。
【００６５】
[0076]  閾値Ｔがより高い値であるとすると、アシストフィーチャ像がレジスト内に印刷される。しかし、アシストフィーチャ像は、位相差が付与されない場合よりも小さくなるであろう。
【００６６】
[0077]  十字は、投影システムＰＬの基板側の幅が２９．５ｎｍであるアシストフィーチャについて作成されたデータポイントを表している。図５から分かるように、放射の空間強度は閾値Ｔと交差せず、その結果、アシストフィーチャ像はレジスト内に印刷されない。より小さいアシストフィーチャに見られる空間強度は、位相差が３次回折放射に導入された場合に見られる空間強度と極めて密接に対応している。これは、位相差を導入する効果がアシストフィーチャのサイズを縮小するのと同様であることを示している。
【００６７】
[0078]  図５はポジ型レジストに関連して使用される本発明の実施形態を示しているが、本発明の実施形態はネガ型レジストに関連して使用してもよい。
【００６８】
[0079]  図４に示す位相修正領域は特定の分布を有するが、別の分布を有する位相修正領域を使用してもよい。例えば、図４に示す位相修正領域を半分に細分化し、その各々が例えば進相領域と遅相領域とを有するようにしてもよい。例えば、任意の適切な位相修正分布を図４に示す領域内に付与してもよい。例えば、点対称の別の分布又は点非対称の分布を使用してもよい。さらに、点対称の位相修正領域分布と点非対称の位相修正領域分布との組合せである分布を使用してもよい。
【００６９】
[0080]  使用できる別の点対称分布の例が図６に概略的に示されている。説明し易くするため、光位相調整装置ＰＭＥは図６では４つの象限Ｑ１〜Ｑ４に分離されている。各象限Ｑ１〜Ｑ４は、遅相領域１３４と進相領域１３２とを含んでいる。図４に示す分布と同様に、遅相領域及び進相領域は、主として３次回折放射に影響し、別の次数の回折放射にはごく僅かな影響しか及ぼさないように配置される。
【００７０】
[0081]  使用できる点対称分布のその他の例が図７に概略的に示されている。この分布では、進相領域２３２は光位相調整装置ＰＭＥの外側部分に位置し、遅相領域２３４は光位相調整装置の外側部分から離れた位置にある。図４に示す分布と同様に、遅相領域及び進相領域は、主として３次回折放射に影響し、別の次数の回折放射にはごく僅かな影響しか及ぼさないように配置される。
【００７１】
[0082]  光位相調整装置ＰＭＥに付与できる点非対称の分布の例が図８に概略的に示されている。図８の分布では、進相領域３３２は光位相調整装置ＰＭＥの一方の半部に備えられ、遅相領域３３４は光位相調整装置の別の半部に備えられる。図４に示す分布と同様に、遅相領域及び進相領域は、主として３次回折放射に影響し、別の次数の回折放射にはごく僅かな影響しか及ぼさないように配置される。
【００７２】
[0083]  適用できる点非対称分布の別の例が図９に概略的に示されている。説明し易くするため、光位相調整装置ＰＭＥは図９では４つの象限Ｑ１〜Ｑ４に分離されている。各象限Ｑ１〜Ｑ４は、遅相領域４３４と、進相領域４３２とを含んでいる。図４に示す分布と同様に、遅相領域及び進相領域は、主として３次回折放射に影響し、別の次数の回折放射にはごく僅かな影響しか及ぼさないように配置される。
【００７３】
[0084]  光位相調整装置ＰＭＥは、光位相調整装置の動作を制御するように構成されたコントローラ（図１から図９には図示せず）を含んでもよい。コントローラは、光位相調整装置ＰＭＥが遅相領域及び進相領域の分布を付与する動作をするように構成されてもよい。遅相領域及び進相領域の分布は、図４、図６〜図９に示したものであってもよく、又は任意のその他の適切な分布であってもよい。
【００７４】
[0085]  図示した実施形態では、各遅相領域によって同じ位相遅延が施されてもよく、位相遅延は各遅相領域にわたって実質的に一定である。同様に、各進相領域によって同じ位相前進が施されてもよく、位相前進は各進相領域にわたって実質的に一定である。しかし、１つ以上の遅相領域は、１つ以上の別の遅相領域とは異なる位相遅延を付与してもよい。さらに、位相遅延は遅相領域にわたって変化してもよい。同様に、１つ以上の進相領域は、１つ以上の別の進相領域とは異なる位相前進を付与してもよい。さらに、位相前進は進相領域にわたって変化してもよい。
【００７５】
[0086]  各遅相領域を関連する進相領域と対にしてもよい。遅相領域と進相領域との対は、点対称の分布の一部を形成してもよく、又は点非対称の分布の一部を形成してもよい。進相領域は、遅相領域によって付与される位相遅延と（符号は逆であるが）等しい位相前進を付与するように構成されてもよい。したがって、例えば進相領域が５〜１０ｎｍに漸次変化する位相前進を付与すると、関連する遅相領域は、−５〜−１０ｎｍに漸次変化する位相遅延を付与することになる。対の遅相領域と進相領域の有用な分布は、半径方向に対称の対、又はｘ軸又はｙ軸を中心に対称の対を形成する。しかし、必ずしも遅相領域と進相領域とを対にする必要はない。
【００７６】
[0087]  位相修正領域の分布は、投影されるパターン像のｘ方向又はｙ方向（又はこれらの組合せ）への大幅なシフトを生じないような分布であってよい。光位相調整装置ＰＭＥの修正領域のすべてによって施される位相修正の総計がゼロである場合にこのことが達成される。場合によっては、シフトがアシストフィーチャ像にのみ生じる（パターンのフィーチャ像には大きな影響を及ぼさない）場合は、幾つかの実施形態ではアシストフィーチャ像はレジスト内に印刷されないため、シフトは許容される。
【００７７】
[0088]  上記の記述は３次回折放射への位相修正の付与に関するものであるが、位相修正は別の回折次数の放射に対して行ってもよい。位相修正は、例えばアシストフィーチャが印刷されるのを防ぐか、又は印刷されるアシストフィーチャのサイズを縮小するために、（３次に加えて、又は３次の代わりに）異なる回折次数に対して行ってもよい。
【００７８】
[0089]  位相修正を施す回折次数の選択は、アシストフィーチャを照明し、次に、投影システムによって投影される放射の異なる回折次数の振幅を測定することによって（又は同じ情報を得るためにモデリングを使用して）決定してもよい。上記実施形態では、アシストフィーチャから回折する３次放射の振幅は、アシストフィーチャから回折する１次、２次又は４次放射の振幅よりも大幅に大きい。さらに、３次放射の振幅は、照明されるアシストフィーチャの幅が狭くなるほど低減する。このことは、３次放射の変調深さが低減すると、アシストフィーチャ像の幅が効果的に狭くなる（さらには、アシストフィーチャ像の印刷を防止する）ことを示している。これは図５に示すシミュレーションによって確認される。
【００７９】
[0090]  ある実施形態では、（例えばある別の回折次数の振幅よりも大きいなど）振幅が比較的大きい回折次数を位相修正が施される回折次数として選択してもよい。位相修正が施される回折次数として、（ゼロ次を含まない）最大振幅を有する回折次数を選択してもよい。
【００８０】
[0091]  機能フィーチャが照明された場合に投影システムによって投影される放射の異なる回折次数の振幅を測定してもよい。上記実施形態では、機能フィーチャから回折する３次放射の振幅はごく僅かである。したがって、上記実施形態では、３次回折次数を修正するとアシストフィーチャ像にはかなりの影響を及ぼすが、機能フィーチャ像に及ぼす影響はごく僅かである。したがって、位相修正には３次回折次数が選択される。他の実施形態では、１つ以上の別の回折次数が位相修正に適する候補であってよい。例えば、別の回折次数がアシストフィーチャ像にかなりの影響を及ぼし、機能フィーチャ像に及ぼす影響はそれよりも少ない。アシストフィーチャ像にかなりの影響を及ぼし、機能フィーチャ像に及ぼす影響はそれよりも少ない回折次数を特定してもよい。アシストフィーチャ像にかなりの影響を及ぼし、機能フィーチャ像への影響はごく僅かである回折次数を特定してもよい。
【００８１】
[0092]  光位相調整装置ＰＭＥは、特定の回折次数の放射に位相修正が施され、１つ以上の別の回折次数の放射のかなりの部分には施されないように構成されてもよい。この文脈で、「１つ以上の別の回折次数の放射のかなりの部分には施されない」という用語は、１つ以上の別の回折次数の放射が位相修正によって受ける影響がごく僅かであることを意味するものと解釈してよい。その結果、このような（１つ又は複数の）回折次数を使用して形成される結像フィーチャは大幅な影響を受けない（例えば、結像フィーチャは所望の機能性を付与し、及び／又は所定の許容差以内の寸法を有することができる）。
【００８２】
[0093]  本発明の上記実施形態は環状照明モードに関するものであるが、本発明の実施形態は任意の適切な照明モードを有する放射に適用することもできる。
【００８３】
[0094]  上記の例では、約２０ｎｍの位相差が３次放射に導入された。この位相差が選択されたのは、（レジストの閾値を超えないように放射のコントラストを低減することによって）アシストフィーチャ像の印刷を防止するのに十分であったからである。この場合、放射の波長は１９３ｎｍであり、パターン及びアシストフィーチャの寸法は上記のとおりであり、照明モードは環状照明モードであった。投影システムＰＬの開口数は１．２であり、放射は直線偏光され、その際、２つの反対側の象限ではｘ方向に偏光し、２つの反対側の象限ではｙ方向に偏光した。別のパラメータで動作する場合（例えば幅が異なるアシストフィーチャを使用する場合）は、別の位相差を付与してもよい。アシストフィーチャから回折し、基板のターゲット部分上で受光される放射線量を低減する位相差を選択してもよい。位相差は、アシストフィーチャが印刷されないような位相差であってもよい。
【００８４】
[0095]  光位相調整装置ＰＭＥの上から見た例が図１０に概略的に示されている。光位相調整装置ＰＭＥは、投影システムによって投影される放射に対して実質的に透過性の材料の光学要素３１０を備えてもよい。光位相調整装置ＰＭＥはさらに、コントローラ３４０を備えてもよい。素子３１０を横切る放射の光路長は、コントローラ３４０によって供給される信号に応じて調整可能である。光学要素３１０は、例えば投影システムＰＬの瞳面ＰＰなどの実質的にフーリエ変換面内に配置してもよく、又は配置可能である（図１を参照）。
【００８５】
[0096]  図１１は、投影システムの光軸（便宜上、ｚ軸として示す）に沿って上から見た光位相調整装置ＰＭＥをより詳細に示している。光位相調整装置ＰＭＥは、透過性光学要素３１０を備えている。光学要素３１０を横切る放射の位相調整は、例えば光学要素３１０の一部３２０を加熱するか、又はそこから熱を除去することにより、調整材料の屈折率に対する光学要素材料の屈折率を局所的に変更することによって得られてもよい。加熱は例えば、素子の部分３２０に接触して、又はそれに隣接して、及びワイヤ３３０に電流を供給するように配置されたコントローラ３４０に接触して配置されたオーム抵抗を有するワイヤ３３０を通して電流を伝送することによって実現される。
【００８６】
[0097]  光学要素の複数の隣接部分には、他の任意の部分とは別個に任意の部分を加熱する対応する複数のワイヤが備えられる。例えば、図１１に概略的に示すように、隣接部分３２０−１から３２０−４４までが隣接する列に配置され、左から右へ、又、上から下に番号付けされている。（図１１は単に明解にするために部分３２０−４と３２０−３７だけを示しているが）部分３２０−１から３２０−４４の各部分３２０には対応する番号が付された加熱ワイヤ３３０−１から３３０−４４が備えられている。コントローラ３４０は、各ワイヤを別個に電流で起動する。これによって、光学要素３１０を横切る放射に所望の空間位置での所望の位相修正が可能になる。位相修正（１つ以上）の大きさ及びその空間分布は、部分３２０−１から３２０−４４の温度によって決まる。
【００８７】
[0098]  追加的に又は代替的に、光学要素３１０は、冷却流体又は加熱流体を収容するように配置されたチャネルを含んでもよい。光位相調整装置ＰＭＥは、チャネルに接続され、チャネルを通して制御された温度で冷却流体又は加熱流体を循環させるように配置された冷却流体又は加熱流体供給及び回収システムを含んでもよい。ワイヤ３３０と同様に、チャネルを各部分３２０に関連付けしてもよい。例えば、素子３１０の部分３２０の加熱と組み合わせて素子３１０を冷却することで、定格温度以下及び／又は以上の両方に広がる温度範囲内で部分３２０の温度を調整可能にしてもよい。定格温度は、例えばリソグラフィ装置の、又は投影システムＰＬの光学要素の材料の所望の特定の動作温度でよい。光学要素３１０のニュートラル領域３０（図４を参照）は定格温度であってもよい。
【００８８】
[0099]  コントローラ３４０は、例えば、プロセッサを備えてもよく、又はその他の適切な装置であってもよい。コントローラは、位相修正の特定の空間構成を得るために異なる加熱ワイヤに供給される電流、及び／又は、位相修正の特定の空間構成を得るために加熱流体又は冷却流体に適用される温度、を記憶するメモリを有してもよい。コントローラは、必要に応じてこのメモリを参照するように構成されてもよい。位相修正を達成するためにオーム加熱以外の（又はオーム加熱に加えた）機構が使用される場合は、位相修正の特定の空間構成を得るためにこの機構をどのように適用すべきかを示す情報がメモリ内に記憶されてもよい。
【００８９】
[00100]  光学要素３１０は１対の光学要素の一方でよく、各々の光学要素には、熱を加え又は除去する部分が設けられる。第１の光学要素の部分は、第２の光学要素の部分と互い違いに配置されてもよい。１対の光学要素の間にギャップがあってもよい。所望の温度（例えば定格温度）のガスがギャップを通過するようにしてもよい。
【００９０】
[00101]  光位相調整装置ＰＭＥの実施形態は、参照により本明細書に組み込むものとする米国特許第７，５２５，６４０号から得られる。部分３２０の総数は４４に限定されない。そうではなく、任意の数の部分を使用してもよい。部分の数は一般に、温度分布の所望の空間解像度に依存する。これは、光位相調整装置ＰＭＥによって付与されるべきパターンの空間解像度に依存してもよい。例えば、１００に及ぶ部分又は１０００又はそれ以上に及ぶ部分を設けてもよい。光位相調整装置ＰＭＥの空間解像度に対応する空間解像度を有するように、光位相調整装置ＰＭＥによって付与されるパターンを設計してもよい。
【００９１】
[00102]  光位相調整装置ＰＭＥは限定された幅を有している。その結果、光位相調整装置ＰＭＥを完全に瞳面ＰＰに配置することは不可能であろう。光位相調整装置ＰＭＥの一部を瞳面ＰＰ内に配置し、光位相調整装置の一部を瞳面に隣接して配置してもよい。ある実施形態では、光位相調整装置ＰＭＥの全体を瞳面に隣接して配置してもよい。この文脈で、「瞳面に隣接して」という用語を、光位相調整装置によって施される位相調整と、光位相調整装置が瞳面内にあった場合に施される位相調整と、にはごく僅かな差異しかないほど十分に瞳面の近傍にあることを意味するものと見なしてもよい。
【００９２】
[00103]  本発明の上記実施形態は、透過性の光学要素３１０を記載してきた。しかし、ある実施形態では、光位相調整装置が反射性光学要素を備えてもよい。
【００９３】
[00104]  上記の記述は、機能フィーチャから回折した放射にごく僅かな影響しか及ぼさない光位相調整装置ＰＭＥに言及している。この文脈で、「ごく僅かな影響」という用語は、機能フィーチャがレジスト内に適正に露光される（例えばＩＣ又はその他のデバイスで適正に機能するか、又は許容差内の寸法を有する）のに十分に僅かな影響しか及ぼさないことを意味するものと見なしてもよい。基板上のレジスト内に露光される機能フィーチャ像にごく僅かな影響しか及ぼさない光位相調整装置によって施される位相修正も同様に解釈してもよい。
【００９４】
[00105]  本発明の実施形態によって、アシストフィーチャ像の焦点ずれ又はコントラストの損失が生じることがある。使用し得る位相修正の分布には、回折次数全体に適合するボウル形の分布、半分がボウル形で半分が逆ボウル形の分布、又は瞳の一方の半部ではｘ方向に対して傾倒し、瞳の他方の半部ではｙ方向に傾倒する分布が含まれる。
【００９５】
[00106]  本文献で言及するｘ及びｙ方向（又は軸）は、リソグラフィ装置の光軸に垂直な方向（又は軸）を意味するものと理解してもよい。ｘ及びｙ軸は、光軸に対して適切な任意の方向を有してもよい。
【００９６】
[00107]  本明細書の記述は基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像に焦点を当ててきたが、アシストフィーチャ像はその他の表面又はその他の材料上に投影されてもよく、同様に位相調整されてもよい。
【００９７】
[00108]  本発明の特定の実施形態をこれまで記載してきたが、本発明は記載した以外の態様で実施してもよいことが理解されよう。例えば、本発明は上記の方法を記述する機械読み取り可能命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとってもよい。
【００９８】
[00109]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
１．投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、方法。
２．投影システムを使用してパターニングデバイスから基板上にパターンを投影する方法であって、前記投影システム内の光位相調整装置を使用して、前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に位相修正を施し、該位相修正が前記基板上のレジスト内に露光されるアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか又は前記基板上の前記レジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止し、前記位相修正が前記パターンの機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、方法。
３．前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減する、条項１又は条項２に記載の方法。
４．前記光位相調整装置によって施される前記位相修正が前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、条項１〜３のいずれかに記載の方法。
５．前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記基板上の前記レジスト内に露光される前記機能フィーチャ像に及ぼす影響がごく僅かである、条項１〜４のいずれかに記載の方法。
６．前記位相修正は、特定の回折次数の放射に対して施され、１つ以上の別の回折次数の放射に対しては顕著には施されない、条項１〜５のいずれかに記載の方法。
７．前記特定の回折次数は、３次回折次数である、条項６に記載の方法。
８．前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、条項１〜７のいずれかに記載の方法。
９．前記進相領域によって施される前記光路長の短縮は、前記遅相領域によって施される前記光路長と実質的に等しい、条項８に記載の方法。
１０．前記光路長の短縮は前記進相領域内で変化し、前記光路長の延長は前記遅相領域内で変化する、条項８に記載の方法。
１１．進相領域と遅相領域とが対で備えられる、条項８〜１０のいずれかに記載の方法。
１２．前記光位相調整装置の前記修正領域のすべてによって施される前記位相修正の総計は、実質的にゼロである、条項８〜１１のいずれかに記載の方法。
１３．進相領域及び前記遅相領域は、点対称分布、又は点非対称分布で備えられる、条項８〜１２のいずれかに記載の方法。
１４．条項１〜１３のいずれかに記載の方法を適用するように構成された光位相調整装置を備える、リソグラフィ装置。
１５．リソグラフィ装置であって、
断面にパターンを有する放射ビームを与える役割を果たすパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記投影システムの瞳面に又はそれに隣接して配置される光位相調整装置と、
前記パターンのアシストフィーチャから回折した放射に対して位相修正を施す光位相調整装置を動作するように構成されたコントローラであって、前記位相修正が前記基板上のレジスト内のアシストフィーチャ像のサイズを縮小するか、又は前記基板上のレジスト内の前記アシストフィーチャ像の印刷を防止する一方、前記アシストフィーチャ像による前記パターンの機能フィーチャの像強化への貢献を維持するように作用する、コントローラと、
を備える、装置。
１６．前記位相修正は、前記アシストフィーチャから回折した前記放射の前記基板でのコントラストを低減するように構成された、条項１５に記載の装置。
１７．前記光位相調整装置によって施される前記位相修正は、前記機能フィーチャから回折した放射に及ぼす影響がより少ない、条項１５又は条項１６に記載の装置。
１８．前記コントローラは、特定の回折次数の放射に前記位相修正を施し、１つ以上の別の回折次数の放射には前記位相修正を顕著には施さないように前記光位相調整装置を動作させるように構成された、条項１５〜１７のいずれかに記載の装置。
１９．前記特定の回折次数は、３次回折次数である、条項１８に記載の装置。
２０．前記位相修正は、前記光位相調整装置の進相領域を通過する放射の前記光路長を短縮するステップと、前記光位相調整装置の遅相領域を通過する放射の前記光路長を延長するステップと、を含む、条項１５〜１９のいずれかに記載の装置。
２１．前記進相領域によって施される前記光路長の短縮は、前記遅相領域によって施される光路長の延長と実質的に等しい、条項２０に記載の装置。
２２．進相領域及び遅相領域は、対で備えられる、条項２０又は条項２１に記載の装置。
２３．前記光位相調整装置の修正領域のすべてによって施される前記位相修正の総計は、実質的にゼロである、条項２０〜２２のいずれかに記載の装置。
２４．進相領域及び遅相領域は、点対称分布又は点非対称分布で備えられる、条項２０〜２３のいずれかに記載の装置。
【００９９】
[00110]  上記説明は、例示的であって限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく上記のように本発明を様々に修正できることは当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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