(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供することと、
前記溶液を加熱して、前記シリカと前記過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得ることと、
前記溶液中に金属イオン源を加えて、前記金属イオン源から金属イオンを解離させ、前記過硫酸塩で修飾されたシリカに前記金属イオンを吸着させて、前記金属イオンを吸着したシリカを得ることと
を含む金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項２】
前記シリカが、ナノメートルシリカを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項３】
前記シリカの材料が、コロイドシリカ（colloidal silica）、フュームシリカ（fumed silica）、高分子シリカコアシェル粒子（polymer-silica core-shell particle）、シリカを含む複合コロイド（composite colloid）、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項４】
前記シリカが、陽イオン交換樹脂で純化した後のシリカを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項５】
前記過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項６】
前記金属イオン源が、金属硫酸塩、金属硝酸塩、金属ハロゲン塩、金属有機酸塩、金属イオン錯体化合物、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項７】
前記金属イオンが、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項８】
前記シリカの重量％濃度が、０．０５％〜５０％であり、
前記過硫酸塩の用量が、１０ｐｐｍ〜１０００００ｐｐｍであり、
前記金属イオン源の用量が、０．１ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍである、請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項９】
前記過硫酸塩で修飾されたシリカが、９９％〜１００％の前記金属イオンを吸着する請求項８に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１０】
加熱後の前記溶液の温度が、５０℃〜９０℃である請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１１】
前記溶液の加熱期間が、１時間〜３時間である請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１２】
前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、前記溶液のｐＨ値の範囲が、４以上、且つ７より小さい請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１３】
使用したｐＨ値調整剤が、水酸化カリウムを含む請求項１２に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１４】
前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、さらに、前記溶液に対して撹拌を行うことを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１５】
前記過硫酸塩で修飾されたシリカを得た後、さらに、前記溶液を冷却することを含む請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１６】
前記過硫酸塩で修飾されたシリカが前記金属イオンを吸着した時、前記溶液の温度が、室温である請求項１に記載の金属イオンを吸着したシリカの製造方法。
【請求項１７】
過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである金属イオンを吸着したシリカ。
【請求項１８】
前記過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカが、Ｓｉ-Ｏ-ＳＯ3Ｍを含み、Ｍが、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上を組み合わせた金属イオンである請求項１７に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
【請求項１９】
前記過硫酸塩が、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１７に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
【請求項２０】
前記シリカの材料が、コロイドシリカ、フュームシリカ、高分子シリカコアシェル粒子、シリカを含む複合コロイド、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせを含む請求項１７に記載の金属イオンを吸着したシリカ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリカおよびその製造方法に関するものであり、特に、金属イオンを吸着したシリカおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
超大規模集積回路（Very Large Scale Integration, VLSI）の製造過程において、化学機械研磨（chemical mechanical polishing，CMP）プロセスは、ウエハの全面的平坦化（global planarization）を提供することができるため、特に、半導体プロセスがサブミクロン（sub-micron）領域に入った後において、化学機械研磨法は不可欠な製造過程技術である。
【０００３】
現行のタングステン基板の化学機械研磨は、フェントン反応（Fenton’s reaction）（すなわち、Ｆｅ3+とＨ2Ｏ2の組み合わせ）を基礎として行われるが、この方法で化学機械研磨を行った場合、Ｆｅ3+が容易に残留し、且つ過酸化水素の消耗速度が極めて速いという欠点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、溶液中の金属イオンの残留量を大幅に減らすことのできる金属イオンを吸着したシリカの製造方法を提供する。
【０００５】
本発明は、タングステン基板の研磨に使用した時に、過酸化水素の消耗速度を効果的に下げることのできる金属イオンを吸着したシリカの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下のステップを含む金属イオンを吸着したシリカの製造方法を提供する。まず、シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供する。続いて、溶液を加熱して、シリカと過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得る。それから、溶液中に金属イオン源を加えて、金属イオン源から金属イオンを解離させ、過硫酸塩で修飾されたシリカに金属イオンを吸着させて、金属イオンを吸着したシリカを得る。
【０００７】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、シリカは、例えば、ナノメートルシリカである。
【０００８】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、シリカの材料は、例えば、コロイドシリカ（colloidal silica）、フュームシリカ（fumed silica）、高分子シリカコアシェル粒子（polymer-silica core-shell particle）、シリカを含む複合コロイド（composite colloid）、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【０００９】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、シリカは、例えば、陽イオン交換樹脂で純化した後のシリカである。
【００１０】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩は、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００１１】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、金属イオン源は、例えば、金属硫酸塩、金属硝酸塩、金属ハロゲン塩、金属有機酸塩、金属イオン錯体化合物、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００１２】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、金属イオンは、例えば、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００１３】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、シリカの重量％濃度は、例えば、０．０５％〜５０％であり、過硫酸塩の用量は、例えば、１０ｐｐｍ〜１０００００ｐｐｍであり、金属イオン源の用量は、例えば、０．１ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍである。
【００１４】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカは、９９％〜１００％の金属イオンを吸着することができる。
【００１５】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、加熱後の溶液の温度は、例えば、５０℃〜９０℃である。
【００１６】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、溶液の加熱期間は、例えば、１時間〜３時間である。
【００１７】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカが金属イオンを吸着した時、溶液のｐＨ値の範囲は、例えば、４以上、且つ７より小さい。
【００１８】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、使用したｐＨ値調整剤は、例えば、水酸化カリウムである。
【００１９】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカが金属イオンを吸着した時、さらに、溶液に対して撹拌を行うことを含む。
【００２０】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカを得た後、さらに、溶液を冷却することを含む。
【００２１】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカの製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカが金属イオンを吸着した時、溶液の温度は、例えば、室温である。
【００２２】
本発明は、金属イオンを吸着したシリカを提出する。このシリカは、過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである。
【００２３】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカにおいて、過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカは、例えば、Ｓｉ-Ｏ-ＳＯ3Ｍであり、Ｍは、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上を組み合わせた金属イオンである。
【００２４】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカにおいて、過硫酸塩は、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００２５】
本発明のある実施形態中、上述した金属イオンを吸着したシリカにおいて、シリカの材料は、例えば、コロイドシリカ、フュームシリカ、高分子シリカコアシェル粒子、シリカを含む複合コロイド、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【発明の効果】
【００２６】
以上に基づき、本発明が提出する金属イオンを吸着したシリカの製造方法は、溶液中の金属イオンの残留量を減らすことができる。
【００２７】
また、本発明が提出する金属イオンを吸着したシリカの製造方法は、複雑な操作を何度も行わなくても完成させることができる。
【００２８】
また、本発明が提出する金属イオンを吸着したシリカを使用してタングステン基板に対して研磨を行った時、過酸化水素の消耗速度を効果的に下げることができる。
【００２９】
本発明の上記及び他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のある実施形態に係る金属イオンを吸着したシリカの製造フローチャートである。
【図２】実験例１の走査型電子顕微鏡‐エネルギー分散型Ｘ線分析装置（SEM-EDX）がスペクトルスキャンした写真図である。
【図３】実験１のＮａＳＣＮ測定法の折れ線グラフである。
【図４】実験２のＮａＳＣＮ測定法の折れ線グラフである。
【図５】実験３のＮａＳＣＮ測定法の折れ線グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図１は、本発明のある実施形態に係る金属イオンを吸着したシリカの製造フローチャートである。
【００３２】
図１を参照すると、まず、ステップＳ１００を行い、シリカおよび過硫酸塩を含む溶液を提供する。シリカの重量％濃度は、例えば、０．０５％〜５０％である。シリカは、例えば、ナノメートルシリカである。シリカの材料は、例えば、コロイドシリカ、フュームシリカ、高分子シリカコアシェル粒子、シリカを含む複合コロイド、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。シリカは、例えば、陽イオン交換樹脂で純化した後のシリカである。過硫酸塩の用量は、例えば、１０ｐｐｍ〜１０００００ｐｐｍである。過硫酸塩は、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００３３】
続いて、ステップＳ１０２を行い、容器を加熱して、シリカと過硫酸塩を反応させ、過硫酸塩で修飾されたシリカを得る。加熱後の溶液の温度は、例えば、５０℃〜９０℃である。溶液の加熱期間は、例えば、１時間〜３時間である。
【００３４】
また、ステップＳ１０４を選択的に行い、溶液を冷却してもよい。例を挙げて説明すると、溶液は、室温まで冷却してもよい。
【００３５】
それから、ステップＳ１０６を行い、溶液中に金属イオン源を加えて、金属イオン源から金属イオンを解離させ、過硫酸塩で修飾されたシリカに金属イオンを吸着させて、金属イオンを吸着したシリカを得る。過硫酸塩で修飾されたシリカが金属イオンを吸着した時、さらに、選択的に溶液に対して撹拌を行ってもよく、過硫酸塩で修飾されたシリカの金属イオンに対する吸着効率を促進することができる。この時の溶液のｐＨ値の範囲は、例えば、４以上、且つ７より小さく、溶液の温度は、例えば、室温である。使用したｐＨ値調整剤は、例えば、水酸化カリウムである。金属イオン源の用量は、例えば、０．１ｐｐｍ〜１５００ｐｐｍである。金属イオン源は、例えば、金属硫酸塩、金属硝酸塩、金属ハロゲン塩、金属有機酸塩、金属イオン錯体化合物、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。金属イオンは、例えば、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００３６】
また、過硫酸塩で修飾されたシリカは、９９％〜１００％の金属イオンを吸着することができる。つまり、溶液中に遊離する金属イオンの残留量は、１％を超えず、さらには、０．２ｐｐｍを超えてはならない。
【００３７】
以下、本発明の実施形態が提出する金属イオンを吸着したシリカについて説明する。このシリカは、過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカである。上述した金属イオンを吸着したシリカは、図１に開示した製造方法の実施形態により製造することができるが、本発明はこれに限定されない。上述した過硫酸塩で修飾された金属イオンを吸着したシリカは、例えば、Ｓｉ-Ｏ-ＳＯ3Ｍであり、Ｍは、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｃｕ2+、Ａｇ+、または上記のうちいずれか２つ以上を組み合わせた金属イオンである。過硫酸塩は、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。シリカの材料は、例えば、コロイドシリカ、フュームシリカ、高分子シリカコアシェル粒子、シリカを含む複合コロイド、または上記のうちいずれか２つ以上の組み合わせである。
【００３８】
上述した実施形態からわかるように、上記の実施形態が提出する製造方法において、過硫酸塩で修飾されたシリカは、金属イオンに対して、高い選択的吸着能力を有し、溶液中の金属イオンの残留量を下げることができる。また、上記の実施形態が提出する製造方法により製造された金属イオンを吸着したシリカは、市販のシリカを加熱して簡単に得ることができるため、操作が非常に簡単であり、複雑なプロセスを何度も行わなくても完成させることができる。また、上記の実施形態が提出する金属イオンを吸着したシリカを使用して、タングステン基板に対して研磨を行った時、過酸化水素の反応速度をより遅くし、さらには、過酸化水素の消耗速度を効果的に下げることができる。
【００３９】
以下、実際に行った実験例を用いて説明する。図２は、実験例１の走査型電子顕微鏡‐エネルギー分散型Ｘ線分析装置（scanning electron microscope -energy dispersive X-ray, SEM-EDX）がスペクトルスキャンした写真図である。図３〜図５は、それぞれ実験例１〜実験例３のＮａＳＣＮ測定法の折れ線グラフである。
［実験例１］
【００４０】
１．製造方法：
【００４１】
市販のナノメートルシリカコロイド（粒径１２５ナノメートル）を陽イオン交換樹脂で純化した後、１％のナノメートルシリカコロイド水溶液を作成し、且つ３００ｐｐｍの過硫酸アンモニウム（ammonium persulfate，APS）を加えた。続いて、上記の溶液を６０℃で３時間加熱し、ナノメートルシリカコロイドと過硫酸アンモニウムを反応させ、過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドを得た。それから、上記の溶液を室温まで冷却した。その後、２０ｐｐｍの硝酸鉄を上記の溶液中に添加し、且つ１％の水酸化カリウム水溶液でｐＨ値を５に調整した。そして、室温で１時間撹拌し、鉄イオンを過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドに吸着させた後、鉄イオンを吸着したナノメートルシリカコロイドを得た。
【００４２】
２．測定方法および結果
【００４３】
（１）ＳＥＭ−ＥＤＸスペクトルスキャン法
【００４４】
図２を参照すると、鉄イオンを吸着したナノメートルシリカコロイドにＳＥＭ−ＥＤＸスペクトルスキャンを行うと、Ｆｅの信号をはっきりと見ることができる。
【００４５】
（２）ＮａＳＣＮ測定法
【００４６】
ａ．吸着が完了したナノメートルシリカコロイド溶液を浮遊物質がなくなるまで遠心した。
【００４７】
ｂ．遠心後の上層上澄み液を取出し、４０％のＮａＳＣＮ水溶液を加えた。
【００４８】
ｃ．上澄み液中にＦｅ3+があった場合、ＮａＳＣＮを添加した後の溶液は赤色になった。
【００４９】
ｄ．上澄み液とＮａＳＣＮの混合液のＵＶスペクトルを測定し、上澄み液中にＦｅ3+があった場合、４８０ｎｍの所に吸着信号があった。
【００５０】
測定結果：図３を参照すると、ＵＶスペクトル表示により、ＡＰＳで修飾されたナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対して良好な吸着性を有するため、４８０ｎｍの所に吸着信号がほとんどなく、且つ溶液は透明無色であった。また、ＡＰＳで修飾されていないナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対する吸着性が悪く、４８０ｎｍの所にはっきりとした吸着信号があり、且つ溶液は赤色になった。
【００５１】
（３）誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−Ｍａｓｓ）測定法
【００５２】
ＩＣＰ−Ｍａｓｓにより実際に測定された上澄み液中のＦｅ3+イオン濃度は、０．１０ｐｐｍであった。
［実験例２］
【００５３】
１．製造方法：
【００５４】
市販のナノメートルシリカコロイド（粒径８０ナノメートル）を陽イオン交換樹脂で純化した後、３％のナノメートルシリカコロイド水溶液を作成し、且つ５００ｐｐｍの過硫酸アンモニウムを加えた。続いて、上記の溶液を６０℃で３時間加熱し、ナノメートルシリカコロイドと過硫酸アンモニウムを反応させ、過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドを得た。それから、上記の溶液を室温に冷却した。その後、５０ｐｐｍの硝酸鉄を上記の溶液中に添加し、且つ１％の水酸化カリウム水溶液でｐＨ値を６に調整した。そして、室温で１時間撹拌し、鉄イオンを過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドに吸着させた後、鉄イオンを吸着したナノメートルシリカコロイドを得た。
【００５５】
２．測定方法および結果
【００５６】
（１）ＮａＳＣＮ測定法
【００５７】
図４を参照すると、ＵＶスペクトル表示により、ＡＰＳで修飾されたナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対して良好な吸着性を有するため、４８０ｎｍの所に吸着信号がほとんどなく、且つ溶液は透明無色であった。また、ＡＰＳで修飾されていないナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対する吸着性が悪く、４８０ｎｍの所にはっきりとした吸着信号があり、且つ溶液は赤色になった。
【００５８】
（２）誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−Ｍａｓｓ）測定法
【００５９】
ＩＣＰ−Ｍａｓｓにより実際に測定された上澄み液中のＦｅ3+イオン濃度は、０．０８５ｐｐｍであった。
［実験例３］
【００６０】
１．製造方法：
【００６１】
市販のナノメートルシリカコロイド（粒径１００ナノメートル）を陽イオン交換樹脂で純化した後、１０％のナノメートルシリカコロイド水溶液を作成し、且つ９００ｐｐｍの過硫酸アンモニウムを加えた。続いて、上記の溶液を６０℃で３時間加熱し、ナノメートルシリカコロイドと過硫酸アンモニウムを反応させ、過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドを得た。それから、上記の溶液を室温に冷却した。その後、２００ｐｐｍの硝酸鉄を上記の溶液中に添加し、且つ１％の水酸化カリウム水溶液でｐＨ値を５に調整した。そして、室温で１時間撹拌し、鉄イオンを過硫酸アンモニウムで修飾されたナノメートルシリカコロイドに吸着させた後、鉄イオンを吸着したナノメートルシリカコロイドを得た。
【００６２】
２．測定方法および結果
【００６３】
（１）ＮａＳＣＮ測定法
【００６４】
図５を参照すると、ＵＶスペクトル表示により、ＡＰＳで修飾されたナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対して良好な吸着性を有するため、４８０ｎｍの所に吸着信号がほとんどなく、且つ溶液は透明無色であった。また、ＡＰＳで修飾されていないナノメートルシリカコロイドは、Ｆｅ3+に対する吸着性が悪く、４８０ｎｍの所にはっきりとした吸着信号があり、且つ溶液は赤色になった。
【００６５】
（２）誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−Ｍａｓｓ）測定法
【００６６】
ＩＣＰ−Ｍａｓｓにより実際に測定された上澄み液中のＦｅ3+イオン濃度は、０．０７５ｐｐｍであった。
【００６７】
研磨測定および結果
【００６８】
鉄イオンを吸着したナノメートルシリカコロイドは、研磨レシピーに応用することができる。例を挙げて説明すると、実験例２は基礎的な研磨レシピーであり、アプライドマテリアルズ社（Applied Materials）製のＭｉｒｒａ３４００研磨装置においてタングステンおよびテトラエトキシシラン（tetraethyl orthosilicate, TEOS）試験片の研磨実験を行ったものである。そのうち、研磨液が提供する速度は、毎分２００ミリリットルであり、研磨パッドは、ＣＵＰ４４１０（製品番号、ダウケミカル社製）であり、コンディショナは、Ｓ−ＰＤＡ３２Ｐ−３ＦＮ（製品番号、中国砂輪社製）であり、コンディショナ圧力は５ｌｂｆであった。研磨条件は、研磨ヘッド圧力が４ｐｓｉの下で５０秒研磨し、研磨パッドと研磨ヘッドの相対回転速度は１００ｒｐｍ対９４ｒｐｍであり、コンディショニング方法は、即時（in-situ）である。
【００６９】
研磨結果：タングステン試験片の研磨速度は、毎分２６７４オングストローム、ＴＥＯＳ試験片の研磨速度は、毎分３５８オングストロームであり、選択比は７．４７であった。
【００７０】
以上のことから、上述した実施形態は少なくとも以下の利点を有する。
【００７１】
１．上記の実施形態が提出する金属イオンを吸着したシリカの製造方法は、溶液中の金属イオンの残留量を減らすことができる。
【００７２】
２．上記の実施形態が提出する金属イオンを吸着したシリカの製造方法は、操作が極めて簡単であり、複雑なプロセスを何度も行わなくても完成させることができる。
【００７３】
３．上記の実施形態が提出する金属イオンを吸着したシリカを使用して、タングステン基板に対して研磨を行った時、過酸化水素の消耗速度を効果的に下げることができる。
【００７４】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００７５】
Ｓ１００、Ｓ１０２、Ｓ１０４、Ｓ１０６    ステップ
【図１】
0005632428.tif 000002
【図２】
0005632428.tif 000003
【図３】
0005632428.tif 000004
【図４】
0005632428.tif 000005
【図５】
0005632428.tif 000006