(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記炭化珪素基板の主面のうち前記ｐ型領域の表面のみを荒らす粗面化工程と、
前記炭化珪素基板の主面を洗浄液により洗浄する洗浄工程と、
一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層を、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触させるように、前記主面に形成する接続工程とを備え、
前記粗面化工程が、
前記主面のうち前記ｐ型領域の表面のみに粗面化用金属を堆積する堆積工程と、
前記ｐ型領域と前記粗面化用金属との界面にシリサイド層が形成されるように前記炭化珪素基板及び粗面化用金属を加熱する加熱工程と、
前記粗面化用金属を前記主面から除去する除去工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記粗面化用金属が、前記主面側からＮｉ層，Ｔｉ層及びＡｌ層を順番に積層して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に前記電極用金属層を形成して構成され、
前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、広いバンドギャップ及び高い最大電界強度を有しているため、従来より、大電力、高耐圧の電力用デバイスへの応用が展開されている。このような電力用デバイスとしては、例えば特許文献１に記載されているように、逆電圧印加時に漏れ電流を少なくするジャンクションバリアショットキーダイオード（以下ＪＢＳと呼ぶ。）や、例えば順サージ耐量を向上させるマージドピンショットダイオード（以下ＭＰＳと呼ぶ。）等のショットキーバリアダイオード（以下ＳＢＤと呼ぶ。）の半導体装置がある。
この種の半導体装置では、炭化珪素基板の主面が、ｎ型領域（ｎ型ＳｉＣ層）中に複数のｐ型領域（ｐ型ＳｉＣ層）を点在させることで形成されており、炭化珪素基板の主面には、これらｎ型領域及びｐ型領域の両方の表面に接触する金属製のショットキー電極が形成されている。
【０００３】
上記構成の半導体装置をＳＢＤとして機能させるためには、ショットキー電極をｎ型領域に対してショットキー接触で接続し、かつ、ｐ型領域に対してオーミック接触で接続する必要がある。そこで、従来では、ショットキー電極を互いに異なる二種類の金属により形成している。すなわち、ｐ型領域の表面には、炭化珪素基板に対してオーミック接触で接続可能なＡｌ（アルミニウム）等の第一金属が形成され、ｎ型領域の表面には、炭化珪素基板に対してショットキー接触で接続可能なＭｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の第二金属が形成されている。
このショットキー電極を炭化珪素基板の主面に形成する際には、はじめに、第一金属からなる金属層を炭化珪素基板の主面に形成した後、この金属層をパターニングによりｎ型領域の表面から除去することで、炭化珪素基板の主面のうちｐ型領域の表面にのみ第一金属が形成される。そして、ｎ型領域及び第一金属の両方を覆うように、第二金属からなる金属層を炭化珪素基板の主面上に形成することで、第一金属及び第二金属からなるショットキー電極が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３２４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ｎ型領域と第一金属とを良好な状態でショットキー接触させて、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得るためには、ｎ型領域の表面に第一金属を形成する前にｎ型領域の表面を十分に洗浄する必要があり、酸系の洗浄液（例えばＨＣｌ（塩酸）とＨ２Ｏ２（過酸化水素）との混合液や、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）とＨ２Ｏ２との混合液等）によって洗浄することが好ましい。
しかしながら、上述した従来のショットキー電極の形成方法では、第二金属を形成する前の状態において、炭化珪素基板の主面をなすｐ型領域の表面には第一金属が既に形成されているため、第一金属を溶解してしまう酸系の洗浄液によりｎ型領域を洗浄することができない。なお、第一金属を溶解しないｎ型領域表面の洗浄手法としては、洗浄液として有機溶剤を用いることが考えられるが、有機溶剤ではｎ型領域表面の洗浄が不十分となる虞がある。
以上のことから、ＪＢＳやＭＰＳ等の半導体装置では、ショットキー特性が劣ってしまう、という問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることが可能な半導体装置、及び、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、少なくとも主面側がｎ型領域とされると共に、当該主面にｐ型領域を形成してなる炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法であって、前記炭化珪素基板の主面のうち前記ｐ型領域の表面のみを荒らす粗面化工程と、前記炭化珪素基板の主面を洗浄液により洗浄する洗浄工程と、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層を、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触させるように、前記主面に形成する接続工程とを備え、前記粗面化工程が、前記主面のうち前記ｐ型領域の表面のみに粗面化用金属を堆積する堆積工程と、前記ｐ型領域と前記粗面化用金属との界面にシリサイド層が形成されるように前記炭化珪素基板及び粗面化用金属を加熱する加熱工程と、前記粗面化用金属を前記主面から除去する除去工程とを備えることを特徴とする。
なお、一体の電極用金属層とは、ｎ型領域の表面及びｐ型領域の表面に接触する電極金属層が、別個に形成されるのではなく、一体に形成されていることを意味している。
【０００８】
この製造方法では、炭化珪素基板に対してショットキー接触が可能な金属材料（例えばＭｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等）からなる電極金属層を、粗面化工程において荒らされていないｎ型領域の表面に形成することで、ｎ型領域と電極用金属層とをショットキー接触で接続することができる。一方、ｐ型領域の表面は粗面化工程において荒らされるため、ｐ型領域の表面に凹凸形状が形成されてｐ型領域の表面面積が実質的に増加することになる。その結果、電極用金属層が炭化珪素基板に対してショットキー接触が可能な金属材料であっても、ｐ型領域と電極用金属層とをオーミック接触で接続することができる。すなわち、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層により、ＳＢＤを形成することが可能となる。
そして、上記製造方法では、電極用金属層を炭化珪素基板の主面に形成する前の洗浄工程において、酸性の洗浄液によって炭化珪素基板の主面（特にｎ型領域の表面）を洗浄することが可能となるため、半導体装置においてＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。
【００１０】
さらに、上記製造方法によれば、加熱工程においてｐ型領域と粗面化用金属との界面に、ｐ型領域及び粗面化用金属が相互に拡散するシリサイド層を形成しておくことで、粗面化用金属との界面をなすｐ型領域の表面を確実に荒らすことができる。
なお、除去工程後の状態においてｐ型領域の表面に粗面化用金属の一部が付着・残存していても、除去工程後の洗浄工程において酸性の洗浄液により炭化珪素基板の主面を洗浄することで、粗面化用金属によるｐ型領域の表面の汚染を防ぐことができる。
【００１１】
そして、前記製造方法では、前記粗面化用金属が、前記主面側からＮｉ層，Ｔｉ層及びＡｌ層を順番に積層して構成されていることが好ましい。
【００１２】
この製造方法では、炭化珪素基板のｐ型領域にＮｉ層が直接接触するため、加熱工程において良好なシリサイド層を効率よく形成することができるため、粗面化工程によるｐ型領域の表面面積の実質的な増加をより高めることができる。したがって、ｐ型領域と電極用金属層とのオーミック接触がさらに良好となる。
また、加熱工程においてはｐ型領域に含まれる炭素が粗面化用金属との界面に析出しやすいが、Ｔｉ層が形成されていることで、この炭素はＴｉ層と結合して導電性カーバイトとなる。このため、ｐ型領域中の炭素が前記界面に析出することを防止することができる。すなわち、ｐ型領域の表面がｐ型領域中の炭素によって汚染されることを防ぐことができる。
また、Ａｌ層が形成されていることで、加熱工程においてｐ型領域中に含まれるＡｌイオン（ｐ型不純物）が粗面化用金属に拡散することを防止できるため、ｐ型領域の不純物濃度の低下を防ぐことができる。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、前記製造方法によって製造されるものであって、前記ｎ型領域の表面及び前記ｐ型領域の表面の両方に接触するように前記炭化珪素基板の主面に前記電極用金属層を形成して構成され、前記ｐ型領域の表面が前記ｎ型領域の表面よりも荒れていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、電極用金属層を形成する炭化珪素基板の主面のうちｐ型領域の表面のみを荒らしておくことで、電極金属層をｎ型領域に対してショットキー接触させると共に、ｐ型領域に対してオーミック接触させることができるため、一種類の金属材料からなる一体の電極用金属層によりＳＢＤを形成することが可能となる。
そして、半導体装置を製造する際には、電極用金属層を炭化珪素基板の主面に形成する前に、炭化珪素基板の主面を酸性の洗浄液によって洗浄できるため、半導体装置においては、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す概略断面図である。
【図２】図１の半導体装置の要部拡大断面図である。
【図３】図１の半導体装置の製造工程を示す要部拡大断面図である。
【図４】図１の半導体装置の製造工程を示す要部拡大断面図である。
【図５】図４に示す半導体装置の製造工程において使用する粗面化金属の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図１〜５を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１，２に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、炭化珪素基板２と、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに形成されたショットキー電極（電極用金属層）３及び絶縁物４と、他方の主面２ｂに形成されたオーミック電極５とを備えて大略構成されている。
炭化珪素基板２は、高濃度の不純物を含んだｎ＋型ＳｉＣ層（ｎ型領域）１１上に、低濃度の不純物を含んだｎ−型ＳｉＣ層（ｎ型領域）１２を積層して大略構成されている。ここでは、ｎ＋型ＳｉＣ層１１が炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなし、ｎ−型ＳｉＣ層１２が炭化珪素基板２の一方の主面２ａをなしている。
【００１９】
ｎ−型ＳｉＣ層１２からなる炭化珪素基板２の一方の主面２ａには、平面視リング状とされたｐ型リサーフ領域１４と、ｐ型リサーフ領域１４よりも内側に配された複数のｐ型領域１５とが形成されている。これらｐ型リサーフ領域１４及びｐ型領域１５は、例えばＡｌ（アルミニウム）イオンを不純物として用いた構成である。そして、複数のｐ型領域１５は、ｐ型リサーフ領域１４に対して間隔をあけて配され、さらに、互いに間隔をあけて配されている。すなわち、この炭化珪素基板２においては、その一方の主面２ａが、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａ、及び、複数のｐ型領域１５の表面１５ａによって画成されている。
そして、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａは、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａよりも荒れている。なお、ｐ型領域１５の表面１５ａの表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は、例えば１０〜３０ｎｍの範囲で設定されている。
【００２０】
絶縁物４は、シリコン酸化膜等によってリング状に形成されており、リング状とされたｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの外縁部分を覆うように配されている。すなわち、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの内縁部分は、絶縁物４によって覆われていない。
【００２１】
ショットキー電極３は、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の一種類の金属材料からなり、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうち絶縁物４によって囲まれた領域全体に形成されている。すなわち、ショットキー電極３は、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ、複数のｐ型領域１５の表面１５ａ、及び、ｐ型リサーフ領域１４の表面１４ａの内縁部分に接触するように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに対して一体に形成されている。ここで、前述したように、ｐ型領域１５の表面１５ａはｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａよりも荒れているため、ショットキー電極３がｎ−型ＳｉＣ層１２に対してショットキー接触で接続され、かつ、ｐ型領域１５に対してオーミック接触で接続されている。
オーミック電極５は、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属材料からなり、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなすｎ＋型ＳｉＣ層１１に対してオーミック接触で接続されている。なお、オーミック電極５とｎ＋型ＳｉＣ層１１とのオーミック接触は、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにおける不純物濃度を高めたり、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂを荒らすことで図られている。
【００２２】
次に、上記構成の半導体装置１を製造する方法について説明する。
半導体装置１の製造に際しては、はじめに、エピタキシャル法等によりｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成して炭化珪素基板２を大略構成し、次いで、図３に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５を形成する（ｐ型領域形成工程）。
このｐ型領域形成工程においては、はじめに、ｐ型領域１５形成用のマスクとして炭化珪素基板２の一方の主面２ａにＳｉＯ２等からなるシリコン酸化膜２１及び別個のレジスト膜２２を順次積層し、次いで、シリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２に所定パターンの開口２３を形成することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の形成予定領域を露出させる。そして、炭化珪素基板２の一方の主面２ａの露出部分にＡｌ等のｐ型不純物をイオン注入することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５が形成される。
【００２３】
ｐ型領域形成工程後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らす粗面化工程を実施する。
この工程においては、はじめに図４（ａ）、（ｂ）に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみに粗面化用金属３０を堆積する（堆積工程）。堆積工程では、図４（ａ）に示すように、蒸着や化学気相成長法（ＣＶＤ）、塗布・コーティング法、電解メッキ法等により、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ上に粗面化用金属３０を形成する。この際、ｐ型領域１５を除く炭化珪素基板２の一方の主面２ａは、前述したシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２によって覆われているため、この粗面化用金属３０は、炭化珪素基板２の一方の主面２ａをなすｐ型領域１５の表面１５ａ及びレジスト膜２２上に形成され、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａには堆積されない。最後に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜２２上の粗面化用金属３０をレジスト膜２２と共に除去することで、堆積工程が終了する。
なお、ここで形成される粗面化用金属３０は、図５に示すように、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ側からＮｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３を順番に積層して構成されている。
【００２４】
次に、図４（ｃ）に示すように、ｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０が形成されるように炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０を加熱する（加熱工程）。この加熱工程では、炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０を、例えばＡｒ（アルゴン）等の不活性ガス雰囲気中において、例えば８００℃以上１０００℃以下の加熱処理を所定時間（例えば２分〜５分程度）実施すればよい。これにより、ｐ型領域１５及び粗面化用金属３０が相互に拡散するシリサイド層４０を形成することができる。
【００２５】
最後に、図４（ｄ）に示すように、粗面化用金属３０を炭化珪素基板２の一方の主面２ａから除去し（除去工程）、さらにシリコン酸化膜２１をｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａから除去することで、粗面化工程が完了する。なお、除去工程においては、例えばＨＣｌ（塩酸）とＨ２Ｏ２（過酸化水素）とからなる酸性の混合液や、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）とＨ２Ｏ２とからなる酸性の混合液、ＮＨ４ＯＨ（水酸化アンモニウム）とＨ２Ｏ２とＨ２Ｏ（水）とからなるアルカリ性の混合液などを洗浄液として用いることで、粗面化用金属３０を除去することができる。
【００２６】
この粗面化工程後の状態においては、ｐ型領域１５の表面１５ａが荒れており、その表面粗さＲａは例えば１０〜３０ｎｍとなっている。なお、上記粗面化工程では、ｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａがシリコン酸化膜２１によって覆われているため、荒らされてない。
なお、上述した粗面化工程の前あるいは後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａに複数のｐ型領域１５を囲むリング状のｐ型リサーフ領域１４（図１参照）を形成する工程も実施する。
【００２７】
粗面化工程後には、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ全体を酸性の洗浄液により洗浄する（洗浄工程）。酸性の洗浄液としては、例えばＨＣｌとＨ２Ｏ２とからなる混合液や、Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とからなる混合液が挙げられる。
この洗浄工程では、前述した除去工程後の状態においてｐ型領域１５の表面１５ａやｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａに、粗面化用金属３０やシリコン酸化膜２１の一部が付着・残存していても、これらを酸性の洗浄液により確実に除去することができる。したがって、粗面化用金属３０やシリコン酸化膜２１によるｐ型領域１５の表面１５ａやｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａの汚染を確実に防止することができる。
【００２８】
最後に、炭化珪素基板２の一方の主面２ａにリング状の絶縁物４を形成した上で、図１，２に示すように、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）等の一種類の金属材料からなるショットキー電極３を、絶縁物４によって囲まれた炭化珪素基板２の一方の主面２ａ領域全体に形成する（接続工程）ことで、半導体装置１の製造が完了する。
この接続工程では、ショットキー電極３を粗面化工程において荒らされていないｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａに形成することで、ｎ−型ＳｉＣ層１２とショットキー電極３とをショットキー接触で接続することができる。一方、ｐ型領域１５の表面１５ａは粗面化工程において荒らされていることでその表面面積が実質的に増加しているため、ｐ型領域１５とショットキー電極３とをオーミック接触で接続することができる。
【００２９】
なお、上述した製造方法においては、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成する工程も実施するが、この工程は、ｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成した後から上述した全ての工程の後までの間で実施すればよい。ただし、洗浄工程において酸性の洗浄液を使用することを考慮すると、洗浄工程後に実施することがより好ましい。
そして、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂをなすｎ＋型ＳｉＣ層１１の表面１１ｂは、炭化珪素基板２の他方の主面２ｂとオーミック電極５とがオーミック接触できるように、例えばｎ＋型ＳｉＣ層１１上にｎ−型ＳｉＣ層１２を形成する前から炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成する前までの間に、前述と同様の粗面化工程を実施することで荒らされてもよいし、例えばｎ＋型ＳｉＣ層１１の不純物濃度を予め高く設定しておいてもよい。また、例えば炭化珪素基板２の他方の主面２ｂにオーミック電極５を形成した後に、前述と同様の加熱工程を実施して、オーミック電極５とｎ＋型ＳｉＣ層１１の表面との界面にシリサイド層を形成してもよい。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法及び半導体装置１によれば、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らしておくことで、ショットキー電極３が炭化珪素基板２に対してショットキー接触が可能な金属材料であっても、ショットキー電極３をｎ−型ＳｉＣ層１２に対してショットキー接触させると共に、ｐ型領域１５に対してオーミック接触させることができる。したがって、一種類の金属材料からなる一体のショットキー電極３により、ＳＢＤを形成することが可能となる。
また、半導体装置１の製造に際して、ショットキー電極３の形成前にｐ型領域１５の表面１５ａのみを予め荒らしておくことで、ショットキー電極３の形成前の洗浄工程において、炭化珪素基板２の一方の主面２ａ（特にｎ−型ＳｉＣ層１２の表面１２ａ）を酸性の洗浄液により洗浄できるため、製造後の半導体装置１においては、ＳＢＤとして良好なショットキー特性を得ることができる。
【００３１】
さらに、上記製造方法では、加熱工程においてｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０を形成しているため、ｐ型領域１５の表面１５ａを確実に荒らすことができる。
また、上記製造方法では、粗面化用金属３０をＮｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３の積層体とすることで、以下の三つの効果を奏する。
第一に、ｐ型領域１５にＮｉ層３１が直接接触することで、加熱工程において良好なシリサイド層４０を効率よく形成することができるため、ｐ型領域１５の表面１５ａの面積の実質的な増加をより高めることができる。したがって、ｐ型領域１５とショットキー電極３とのオーミック接触がさらに良好となる。
【００３２】
第二に、加熱工程においてはｐ型領域１５に含まれる炭素が粗面化用金属３０との界面に析出しやすいが、Ｔｉ層３２が形成されていることで、この炭素はＴｉ層３２と結合して導電性カーバイトとなる。このため、ｐ型領域１５中の炭素がｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面に析出することを防止することができる。すなわち、ｐ型領域１５の表面１５ａがｐ型領域１５中の炭素によって汚染されることを防ぐことができる。
第三に、Ａｌ層３３が形成されていることで、加熱工程においてｐ型領域１５中に含まれるＡｌイオンが粗面化用金属３０に拡散することを防止できるため、ｐ型領域１５の不純物濃度の低下を防ぐことができる。
【００３３】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、粗面化用金属３０は、Ｎｉ層３１，Ｔｉ層３２及びＡｌ層３３の積層体に限らず、少なくとも加熱工程においてｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０を形成するものであればよい。したがって、粗面化用金属３０は、例えばＮｉ，Ｔｉ，Ｃｏ（コバルト），Ｃｕ（銅），Ａｌ等の各種金属材料単体で構成されてもよいし、これら金属材料を適宜選択して２種類以上組み合わせた積層体あるいは合金によって構成されてもよい。
この場合、加熱工程における炭化珪素基板２及び粗面化用金属３０の周囲雰囲気や、加熱温度、加熱時間等の各種条件は、上記実施形態のものに限らず、ｐ型領域１５と粗面化用金属３０との界面にシリサイド層４０が形成されるように適宜設定されればよい。また、除去工程において粗面化用金属３０を除去するための洗浄液としては、上記実施形態に例示した各種混合液の他に、例えばＨＦ（フッ酸）とＨ２Ｏ（水）とからなる混合液（DHF；希フッ酸）などの混合液を適宜用いてもよい。
【００３４】
また、堆積工程では、ｐ型領域１５形成用のシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２を利用して粗面化用金属３０を堆積しているが、特にシリコン酸化膜２１及びレジスト膜２２を利用する必要は無く、少なくとも炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみに粗面化用金属３０が形成されればよい。
さらに、表面粗化工程は、上記実施形態のように粗面化用金属３０を利用したものに限らず、少なくとも炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らすことができれば、例えばドライエッチング法やサンドブラスト法によって実施されても構わない。この場合でも、上記実施形態と同様のシリコン酸化膜２１やレジスト膜２２等をマスクに使用することで、炭化珪素基板２の一方の主面２ａのうちｐ型領域１５の表面１５ａのみを荒らすことができる。
また、炭化珪素基板２は、上記実施形態の構成に限らず、少なくとも一方の主面２ａ側がｎ型ＳｉＣ層等によってｎ型領域とされると共に一方の主面２ａに一つ以上のｐ型領域１５を形成して構成されていればよい。
【符号の説明】
【００３５】
１  半導体装置
２  炭化珪素基板
２ａ  一方の主面
３  ショットキー電極（電極用金属層）
１１  ｎ＋型ＳｉＣ層（ｎ型領域）
１２  ｎ−型ＳｉＣ層（ｎ型領域）
１２ａ  表面
１５  ｐ型領域
１５ａ  表面
３０  粗面化用金属
３１  Ｎｉ層
３２  Ｔｉ層
３３  Ａｌ層
４０  シリサイド層
【図１】
0005557584.tif 000002
【図２】
0005557584.tif 000003
【図３】
0005557584.tif 000004
【図４】
0005557584.tif 000005
【図５】
0005557584.tif 000006