(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂からなる基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の裏面に第１金属層を設ける工程と、
前記貫通孔の内部に半田塊を配置する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の表面に第２金属層を設ける工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記半田塊と前記第１金属層及び前記半田塊と前記第２金属層とをそれぞれ電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記熱圧着工程の前に、
前記熱圧着工程で前記半田塊と前記第１金属層及び前記第２金属層とがそれぞれ電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂を配置する工程を含み、
前記液状のフラックス活性樹脂を配置する前記工程において、前記液状のフラックス活性樹脂は、前記貫通孔の内部に充填され、
前記熱圧着工程において、前記液状のフラックス活性樹脂が前記半田塊の周囲及び前記貫通孔の隙間を埋めるように広がる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液状のフラックス活性樹脂は、前記第１金属層及び／または前記第２金属層の表面に設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊は、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有し、
前記熱圧着工程において、前記樹脂層が溶融することにより前記半田層が露出し、該半田層と前記第１金属層、該半田層と前記第２金属層とがそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊の前記コアは、銅を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至６いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通孔の内部に複数の前記半田塊が積み上げられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化を目的として、半導体装置における配線構造、電極パッド構造などの微細化に関する開発が行われている。そのため、プリント基板もより小型化かつ高密度化されている。通常、プリント基板はその表裏に配線が形成され、基板を貫通する貫通孔を介して両面の配線を電気的に接続している。この両面の配線を電気的に接続する貫通電極の形成方法として、特許文献１及び２には以下のことが記載されている。
【０００３】
特許文献１には、スルホン酸系の硬化剤、バインダー、銅粉又は銅合金粉の一部を露出して表面が大略銀で被覆された導電粉及び有機溶剤を含有してなるスルーホール導体形成用導電ペーストを、電気回路をエッチングアウトした基材の全スルーホールに、塗布又は充填する技術が記載されている。
【０００４】
特許文献２には、導電ペーストに含まれる金属材料がイオン化したときにその金属イオンを金属に還元可能な還元剤をスルーホール内壁にコーティングし、導電ペーストをスルーホールに充填硬化させてスルーホール接続を形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−９３３３０公報
【特許文献２】特開平１１−２８９１５８公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献記載の技術では、貫通孔に充填された導電材料が酸化され、貫通電極の導電性が低下しやすかった。また、貫通孔の微細化により導電性材料の充填が十分でなく、貫通孔内にすき間が発生する場合があった。そのため良好な電気的接続がえられないという問題が生じた。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、特にプリント基板に設けられる貫通電極に関し、基板の貫通孔の良好な電気的導通を得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、
基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の裏面に第１金属層を設ける工程と、
前記貫通孔の内部に半田塊を配置する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の表面に第２金属層を設ける工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記半田塊と前記第１金属層及び前記半田塊と前記第２金属層とをそれぞれ電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記熱圧着工程の前に、
前記熱圧着工程で前記半田塊と前記第１金属層及び前記第２金属層とがそれぞれ電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂を配置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明は、熱圧着工程で半田塊と第１金属層及び第２金属層とがそれぞれ電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂を配置する工程を含んでいる。またこのフラックス活性樹脂は、半田塊に形成される酸化膜を還元し、半田の表面張力を低下させ、半田の濡れを良くする作用を有するものである。そこで、本発明では、半田塊を液状のフラックス活性樹脂を介して第１金属層及び第２金属層に加熱圧着させることができるため、フラックス活性樹脂の作用により、第１金属層及び第２金属層と半田塊とのリフロー接続を良好にすることができる。したがって、基板の貫通孔の良好な電気的導通を得ることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の貫通孔の良好な電気的導通を得られる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【図４】本発明による半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図５】本発明による半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図６】本発明による半導体装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１及び図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【００１４】
半導体装置１００は、配線板１５ａ、コア基板１１、及び配線板１５ｂがこの順に積層した構造を有している（図２（ｃ）参照）。より詳細には、金属層１４ａ（第１導体回路層）、プリプレグ１３ａ（第１絶縁層）、コア基板１１、プリプレグ１３ｂ（第２絶縁層）、及び金属層１４ｂ（第２導体回路層）がこの順に積層している。また、コア基板１１を貫通する貫通孔３１には、半田塊２５および液状のフラックス活性樹脂１６が埋め込まれている。
【００１５】
配線板１５ａ、ｂは、プリプレグ１３ａ、ｂの一方の面に金属層１４ａ、ｂがそれぞれ形成された構成を備えている。配線板１５ａ、ｂ上であって、後述する貫通孔３１と対向する領域には、プリプレグ１３ａ、ｂは形成されておらず、金属層１４ａ、ｂがそれぞれ露出している。これにより、金属層１４ａ、ｂと貫通孔３１内部の半田塊２５とが電気的に接続できる。すなわち、配線板１５ａ、ｂは、コア基板１１の貫通孔３１内に配置された半田塊２５を介して電気的に接続できる。
【００１６】
本実施形態において、プリプレグ１３ａ、ｂは、コア基板１１と金属層１４ａ、ｂとを接着する接着層として用いられる。また、プリプレグ１３ａ、ｂは、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、液晶ポリマーなどの樹脂を硬化させた絶縁材を用いて形成される。これにより、コア基板１１と金属層１４ａ、ｂとが絶縁できる。
【００１７】
金属層１４ａ、ｂとしては、鉄、ニッケル、アルミ、ステンレス、銅などが用いられ、これらの中で、銅を用いることがより好ましい。
【００１８】
本実施形態において、半田塊２５の形状は球状である。これにより、上下左右の区別なく貫通孔３１に埋設することができる。半田塊２５の大きさは、貫通孔３１の深さまたはコア基板１１の厚み、貫通孔３１の開口部の径等により適宜調整できる。
【００１９】
半田塊２５は、コア２１と、コア２１を被覆する半田層２２を有している。コア２１は、熱変形しにくいものが好ましく、半田層２２よりも融点が高くなっていればよい。例えば、コア２１は、半田層２２よりも融点が高い樹脂組成物を用いて形成されてもよい。これにより、半田リフロー時に溶融変形されないため、良好な接続を実現できる。またコア２１は、導電性材料を含んでいてもよい。導電性材料としては、銅などが挙げられる。コア２１に銅が含まれることにより、導電率を向上でき電気抵抗を下げることができる。
【００２０】
半田層２２は、接続端子として機能する。半田層２２の形成方法としては、例えば電解めっきを用いる方法等が挙げられる。半田層２２の厚さ、組成などは適宜選択して用いることができる。
【００２１】
ここで、「被覆」とは、コア２１の外表面の全面を覆うものに限定されず、未被覆の領域を有していてもよい。被覆の程度や度合いは適宜調整できる。
【００２２】
液状のフラックス活性樹脂１６は、常温で液体である。また、液状のフラックス活性樹脂１６の常温での粘度は、０．１〜１，０００Ｐａ・ｓであることが好ましく、０．５〜５００Ｐａ・ｓであることが特に好ましい。液状のフラックス活性樹脂１６の常温での粘度を前記範囲とすることで、貫通孔に液状のフラックス活性樹脂１６を確実に充填することと、半田塊表面の酸化膜を確実に除去することを両立することができる。
【００２３】
本実施形態における液状のフラックス活性樹脂１６は、フラックス活性化合物を含有する。フラックス活性化合物とは、半田塊２５の酸化膜を還元し、半田の表面張力を低下させ、半田の濡れを良くする作用を有するものをいう。また、液状のフラックス活性樹脂１６は、主剤として、更に熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。
【００２４】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等公知の熱硬化性樹脂を適用することができるが、より好ましくはエポキシ樹脂である。貫通孔のすき間を埋めるため不純物、特にイオン性不純物が少ないものが好ましい。
【００２５】
エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の種類として特に限定されず、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂等を用いることができるが、常温で液状のものが好ましい。常温で液状ではないものに関しては、既存の液状エポキシ樹脂にあらかじめ溶解させて使用するか、予め溶剤に溶かして使用することもできる。
【００２６】
上記エポキシ樹脂の硬化剤としては、公知のものを用いることができ、例えば、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、フェノール樹脂系硬化剤等を用いることができる。エポキシ樹脂の硬化促進剤としては、公知のものを用いることができ、例えば、イミダゾール類、ＤＢＵ、リン系触媒、金属アセチルアセトナートや金属ナフテン酸等の金属錯体等を用いることができる。また、特性を向上させるためにフィラーを添加することができる。その例としては、シリカ、炭酸カルシウム、アルミナ、窒化アルミ等が挙げられる。
【００２７】
また、上記フラックス活性化合物としては、例えば有機カルボン酸類（ポリマー、モノマー含む）、ハイドロキノン、ナフトキノンのような還元作用を示す物質または該構造を有する化合物のことを示す。これらは主剤となる液状の熱硬化性樹脂１００重量部に対し、１０〜５０重量部であることが好ましい。１０重量部未満であると十分なフラックス活性が得られず、半田塊２５の接合性が低下するという不具合が生じる可能性があり、５０重量部を越えるとマイグレーションや耐湿劣化などにつながる可能性がある。
【００２８】
また、フラックス活性化合物は、例えば、エポキシ樹脂の硬化剤としての作用とフラックス作用の両方を有する物質であってもよい。より具体的には、１分子あたり少なくとも２個以上のフェノール性水酸基と１分子あたり少なくとも１個以上の芳香族カルボン酸を有する化合物であり、この様な化合物の例としては、例えば、ジヒドロキシ安息香酸、フェノールフタリン、ジヒドロキシナフトエ酸、無水メチルナジック酸等がある。
【００２９】
さらに、液状のフラックス活性樹脂１６は、フラックス活性化合物とは別の硬化剤をさらに含んでもよい。硬化剤としては、特に限定されるものではなく、フェノール類、アミン類、チオール類が挙げられる。特にエポキシ樹脂との反応性や硬化後の物性を考えた場合、フェノール類が好適に用いられる。
【００３０】
これらの原材料の他に必要に応じて、低応力剤、顔料、難燃剤、粘度調整剤、密着助剤等を添加することができる。
【００３１】
液状のフラックス活性樹脂１６に用いられる樹脂組成物の製造方法は、例えば、これらの原材料について所定の配合量を秤量し、３本ロールや混練機等を用いて、混合し、脱泡して製造できる。
【００３２】
次に図１及び図２を用いて、本実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
【００３３】
本実施形態における半導体装置１００の製造方法は、
コア基板１１を貫通する貫通孔３１を形成する工程と、
貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１１の裏面に金属層１４ａ（第１金属層）を設ける工程と、
貫通孔３１の内部に、半田塊２５を配置する工程と、
液状のフラックス活性樹脂１６を貫通孔３１の内部に充填して、半田塊２５と金属層１４ａ及び金属層１４ｂとがそれぞれ電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂１６を配置する工程と、
貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１１の表面に金属層１４ｂ（第２金属層）を設ける工程と、
半田塊２５を溶融させることにより、半田塊２５と金属層１４ａ、半田塊２５と金属層１４ｂとをそれぞれ電気的に接続する熱圧着工程と、
を含む。
以下、詳細に説明する。
【００３４】
まず、図１（ａ）に示すように、コア基板１１を準備する。
【００３５】
次に、図１（ｂ）に示すように、例えば、エッチング、ドリル加工、レーザー加工などの方法により、コア基板１１を貫通する貫通孔３１を形成する。
【００３６】
続けて、貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１１の裏面に配線板１５ａを設ける。より詳細には、図１（ｃ）に示すように、プリプレグ１３ａを上側、金属層１４ａ（第１金属層）を下側にして設置する。このとき、配線板１５ａと貫通孔３１とが対向する領域には、プリプレグ１３ａは形成されておらず、金属層１４ａが露出している。これにより、後に説明する半田リフロー工程で、金属層１４ａと半田層２２とが接続できる。
【００３７】
次に、図２（ａ）に示すように、貫通孔３１の内部に、半田塊２５を配置し、液状のフラックス活性樹脂１６を充填する。液状のフラックス活性樹脂１６の量は、半田塊２５を液状のフラックス活性樹脂１６と共に貫通孔３１内に充填する際に液状のフラックス活性樹脂１６が溢れ出さない量であることが好ましい。ただし、半田塊２５と金属層１４ａとの間に必ず液状のフラックス活性樹脂１６が介在する必要がある。これにより、半田塊２５と金属層１４ａが電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂１６が配置される。なお、液状のフラックス活性樹脂１６及び半田塊２５を充填する順番は、特に限定されない。
【００３８】
次に、貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１１の表面に配線板１５ｂを設ける。より詳細には、図２（ｂ）に示すように、コア基板１１上に、金属層１４ｂ（第２金属層）を上側、プリプレグ１３ｂを下側にして設置する。このとき、配線板１５ｂと貫通孔３１とが対向する領域には、プリプレグ１３ｂは形成されておらず、金属層１４ｂが露出している。これにより、後に説明する半田リフロー工程で、金属層１４ｂと半田層２２とが接続できる。また、半田塊２５と金属層１４ｂとの間に必ず液状のフラックス活性樹脂１６が介在するように、配線板１５ｂを設置する前に、さらに貫通孔３１へ液状のフラックス活性樹脂１６を充填してもよい。これにより、半田塊２５と金属層１４ｂが電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂１６が配置される。
【００３９】
続けて、リフロー炉にて加熱及び加圧することにより、半田塊２５の半田層２２と、配線板１５ａの金属層１４ａと配線板１５ｂの金属層１４ｂとを電気的に接続する。液状のフラックス活性樹脂１６は、半田塊２５の周囲及び貫通孔３１内のすき間を埋め込むように広がる（図２（ｃ）参照）。さらに、プリプレグ１３ａ、ｂが溶融して貫通孔３１の内部のすき間を埋めるように広がってもよい。また、コア２１は、半田層２２よりも溶融温度が高く半田リフロー時でも溶融されないため、半田塊２５の熱変形を低減できる。
【００４０】
本実施形態の効果を説明する。
本発明は、熱圧着工程前に、コア基板１１を貫通する貫通孔３１の内部に、液状のフラックス活性樹脂１６及び半田塊２５を充填している。液状のフラックス活性樹脂１６は、半田の酸化膜を還元し、半田の表面張力を低下させ、半田の濡れを良くする作用を有する。そのため、半田塊２５を液状のフラックス活性樹脂１６を介して金属層１４ａ及び金属層１４ｂに加熱圧着させることができるため、液状のフラックス活性樹脂１６の作用により、金属層１４ａ及び金属層１４ｂと半田塊２５とのリフロー接続を良好にすることができる。したがって、基板の貫通孔の良好な電気的導通を得ることができる。
【００４１】
また、本発明において液状のフラックス活性樹脂１６を用いることにより、貫通孔３１内に液状のフラックス活性樹脂１６を簡便にすき間なく充填できる。したがって、簡便な方法でコア基板１１の貫通孔３１の電気的導通を得ることができる。
【００４２】
また、従来は貫通孔内に電解めっきを用いて導電性材料を埋め込むためにめっきシードとなる導体回路層が厚くなりバラツキが増大するといった問題があったが、本発明は電解めっき工程を必要としないため、薄く厚さの一定な銅箔（導体回路層）を使用できる。そのため、薄く厚さバラツキの小さい金属層１４ａ、ｂを形成することが可能であり、精度の高い微細な回路パターニングが得られる。また、穴埋めされた絶縁材料の端面を塞ぐように形成される蓋めっきも不要となる為、薄型化と厚みバラツキの低減効果は一層顕著になる。
【００４３】
本実施形態における半田塊２５は、半田よりも融点が高いコア２１を有するため、半田塊２５の熱変形を抑制し、接続位置を固定することができる。これにより信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００４４】
また、本実施形態において、プリプレグ１３ａ、ｂとして絶縁材を用いてコア基板１１と金属層１４ａ、ｂとを絶縁することにより、コア基板１１をメタルコア基板とすることができる。
【００４５】
なお、上記第１実施形態では、熱圧着工程前に、液状のフラックス活性樹脂１６を貫通孔３１の内部に充填する例について説明したが、熱圧着工程前に、例えば、金属層１４ａ、ｂの少なくとも一方の表面に液状のフラックス活性樹脂１６を設けてもよい。例えば、金属層１４ａ、ｂの表面であって、半田塊２５と金属層１４ａ、ｂとがそれぞれ電気的に接続する領域に、液状のフラックス活性樹脂１６を塗布する。これにより、半田塊２５は、液状のフラックス活性樹脂１６を介して、金属層１４ａ、ｂに加熱圧着されるため、良好な電気的接続が得られる。
【００４６】
なお、液状のフラックス活性樹脂１６が配置される領域は、半田塊２５と金属層１４ａ、ｂとがそれぞれ電気的に接続する領域であればよく、配置の方法は特に限定されず適宜選択できる。またこれらの方法を適宜組合せてもよい。また、液状のフラックス活性樹脂１６を配置する工程は、熱圧着工程の前であればよく、また複数であってもよい。
【００４７】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
【００４８】
上記第１実施形態では、コア基板１１の上下にプリプレグ１３ａ、ｂを介して金属層１４ａ、ｂが形成された例について説明したが、第２実施形態では、コア基板１２は接着性を有しておりプリプレグ１３ａ、ｂを有していない例である。その他の構成は、上記第１実施形態と同様であるため、説明は省略する。
【００４９】
本実施形態において、コア基板１２は、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を用いて形成される。コア基板１２として熱可塑性樹脂を用いた場合、溶融した樹脂が基板の凹凸に入り込み密着力が得られる。また、コア基板１２として熱硬化性樹脂を用いた場合は、上記理由と共に金属との化学的結合力が付加されて密着力が得られる。これにより、接着層を設けることなく、コア基板１２と金属層１４ａ、ｂとを接着できる。
【００５０】
より具体的には、熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が挙げられる。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ、ポリイミド（ＰＩ）が挙げられる。
【００５１】
半導体装置３００は、上記半導体装置１００と同様の製造方法で製造できるため図３を用いて、以下簡単に説明する。
【００５２】
上記図１（ａ）、（ｂ）を用いて説明したのと同様にして、コア基板１２に貫通孔３１を形成する。
【００５３】
続けて、図３（ａ）に示すようにして、貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１２の裏面に金属層１４ａを設ける。
【００５４】
続けて、図２（ａ）を用いて説明したのと同様にして、貫通孔３１の内部に、液状のフラックス活性樹脂１６及び半田塊２５を充填する。続けて、貫通孔３１の開口部を覆うように、コア基板１２の表面に金属層１４ｂを設ける（図３（ｂ））。
【００５５】
次に、図３（ｃ）に示すように、リフロー炉にて加熱及び加圧することにより、半田塊２５と金属層１４ａ、半田塊２５と金属層１４ｂとを電気的に接続する。
【００５６】
本実施形態において、粘着性を有するコア基板１２を用いているため、プリプレグ１３ａ、ｂを形成する工程が省略できる。その他の効果は、上記実施形態と同様である。
【００５７】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【００５８】
コア基板１１、１２が導電性を有する場合は、半田塊２５とコア基板１１、１２との間が絶縁されてなければならない。たとえば、本実施形態において、半田塊２５は、コア２１と、コア２１を被覆する半田層２２を有している例について説明したが、半田層２２の周囲にさらに樹脂層が形成されていてもよい。これにより、半田塊２５とコア基板１１、１２との間の絶縁が保たれる。
【００５９】
なお、この場合、半田層２２の周囲の樹脂層には、フラックス活性化合物が含まれていなければならない。これにより、樹脂層が半田リフロー時に溶融して広がり、半田層２２が露出して導通可能となるとともに、溶融した樹脂層により貫通孔３１と半田塊２５とのすき間を埋めることができる。また、露出した半田層２２は、上記実施形態で説明したのと同様にして、金属層１４ａ、ｂとリフロー接続できる。これにより、ボイドの発生をさらに抑制し、接続を良好にできる。
【００６０】
またこのような樹脂層としては、例えば、熱硬化性樹脂が好ましく、更には常温で液状のものが好ましい。より具体的には、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等公知の熱硬化性樹脂を適用することができるが、より好ましくはエポキシ樹脂である。貫通孔３１のすき間を埋めるため不純物、特にイオン性不純物が少ないものが好ましい。
【００６１】
なお、このような樹脂層を形成する方法としては、例えば、基材上に半田層２２付きコア２１を載置し、これを転がしながら、溶剤に樹脂を溶解させたワニスをスプレーガンなどにより吹き付けることにより、半田層２２の外表面に樹脂層を形成する方法が挙げられる。また、別の方法としては、例えば、基材上に、溶剤に樹脂を溶解させたワニスを塗布して、薄膜を形成し、この薄膜上に半田層２２付きコア２１を載置して転がすことにより、半田層２２の外表面に付着させる方法がある。
【００６２】
また、コア基板１１、１２が導電性を有する場合、従来はメタルコア基板にスルーホール（貫通電極）よりも径大な貫通孔を設け、貫通孔に絶縁樹脂を充填し、絶縁樹脂に更に貫通孔を設けて導電性金属を充填することにより、メタルコア基板の貫通電極を形成していた。これに対し、本発明では、コア基板１１、１２に形成した貫通孔３１に半田塊２５を埋設するという簡便な方法で貫通孔の導通ができるため、貫通孔３１同士の間隔を小さくできる。これにより、回路パターンのファイン化が可能となる。
【００６３】
例えば、上記実施形態においては貫通孔３１に埋め込まれた半田塊２５が一つである場合について説明したが、半田塊２５は複数でもよい。積み上げ方は特に限定されないが、例えば、図４に示すように、隣接した半田塊２５の間に半田塊２５を載せるようにして積み上げてもよく、図５に示すように、ほぼ同軸上に半田塊２５を積み上げてもよい。
【００６４】
例えば、上記実施形態においては、貫通孔３１が円筒状である場合について説明したが、図６に示すように、貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有していてもよい。この場合、貫通孔に半田塊２５がより安定的に埋設される。
【００６５】
上記実施形態においては、コア基板が単層である場合について説明したが、複数の半導体基板を用いて積層した多層配線構造としてもよい。
以下、本発明の参考形態の例を付記する。
＜１＞
基板を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の裏面に第１金属層を設ける工程と、
前記貫通孔の内部に半田塊を配置する工程と、
前記貫通孔の開口部を覆うように、前記基板の表面に第２金属層を設ける工程と、
前記半田塊を溶融させることにより、前記半田塊と前記第１金属層及び前記半田塊と前記第２金属層とをそれぞれ電気的に接続する熱圧着工程と、
を含み、
前記熱圧着工程の前に、
前記熱圧着工程で前記半田塊と前記第１金属層及び前記第２金属層とがそれぞれ電気的に接続する領域に液状のフラックス活性樹脂を配置する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜２＞
＜１＞に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液状のフラックス活性樹脂は、前記貫通孔の内部に充填されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜３＞
＜１＞または＜２＞に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液状のフラックス活性樹脂は、前記第１金属層及び／または前記第２金属層の表面に設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜４＞
＜１＞乃至＜３＞いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊は、半田からなる半田層と、前記半田層の外側を被覆する樹脂層と、を有し、
前記熱圧着する工程において、前記樹脂層が溶融することにより前記半田層が露出し、該半田層と前記第１金属層、該半田層と前記第２金属層とがそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜５＞
＜１＞乃至＜４＞いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田層は内部に半田よりも融点が高いコアを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜６＞
＜５＞に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊の前記コアは、銅を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜７＞
＜１＞乃至＜４＞いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半田塊の形状は、球状または柱状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜８＞
＜１＞乃至＜７＞いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通孔は、下方に向かって幅が小さくなるテーパ形状を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
＜９＞
＜１＞乃至＜７＞いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通孔の内部に複数の前記半田塊が積み上げられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６６】
１１    コア基板
１２    コア基板
１３ａ    プリプレグ
１３ｂ    プリプレグ
１４ａ    金属層
１４ｂ    金属層
１５ａ    配線板
１５ｂ    配線板
１６    フラックス活性樹脂
２１    コア
２２    半田層
２５    半田塊
３１    貫通孔
１００    半導体装置
３００    半導体装置
【図１】
0005639356.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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