(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）０．１〜５０質量％、
ｂ）アミノテトラゾール、イミダゾールおよびピラゾールからなる群より選択される少なくとも１つ以上のアゾール系化合物０．０１〜５質量％、
ｃ）フッ酸、フッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウム、フッ化カリウムおよびフッ化ナトリウムからなる群より選択される少なくとも１つ以上のフッ化物系化合物０．０１〜１０質量％、
ｄ）０質量％を超え１０質量％以下の硝酸または硝酸塩を含む第１化合物；
０質量％を超え１０質量％以下の硫酸または硫酸塩を含む第２化合物；
０質量％を超え１０質量％以下の燐酸または燐酸塩を含む第３化合物；および
０質量％を超え１０質量％以下の酢酸または酢酸塩を含む第４化合物からなる群より選択される化合物を少なくとも１つ、および
ｅ）残量の水
を含むことを特徴とする銅エッチング液組成物。
【請求項２】
前記第１化合物が、硝酸、硝酸鉄（III）（Ｆｅ（ＮＯ3）3）、硝酸カリウム、硝酸アンモニウムおよび硝酸リチウムからなる群より選択される少なくとも１つ以上の物質を含む請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項３】
前記第２化合物が、硫酸、硫酸水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＳＯ4）、硫酸水素カリウム（ＫＨＳＯ4）および硫酸カリウム（Ｋ2ＳＯ4）からなる群より選択される少なくとも１つ以上の物質を含む請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項４】
前記第３化合物が、燐酸、燐酸アンモニウム（（ＮＨ4）3ＰＯ4）、燐酸一水素アンモニウム（（ＮＨ4）2ＨＰＯ4）、燐酸二水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）、燐酸カリウム（Ｋ3ＰＯ4）、燐酸一水素カリウム（Ｋ2ＨＰＯ4）、燐酸二水素カリウム（ＫＨ2ＰＯ4）、燐酸ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）、燐酸一水素ナトリウム（Ｎａ2ＨＰＯ4）および燐酸二水素ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ4）からなる群より選択される少なくとも１つ以上の物質を含む請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項５】
前記第４化合物が、酢酸、酢酸アンモニウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウムおよびイミノ２酢酸（ＨＮ（ＣＨ2ＣＯＯＨ）2、ＩＤＡ）からなる群より選択される少なくとも１つ以上の物質を含む請求項１に記載のエッチング液組成物。
【請求項６】
スルホン酸を含むスルホン酸系化合物をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載のエッチング液組成物。
【請求項７】
前記スルホン酸系化合物を0.001〜１０質量％含む請求項６に記載のエッチング液組成物。
【請求項８】
前記スルホン酸系化合物が、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸化合物、アミドスルホン酸からなる群より選択される少なくとも１つ以上の物質を含む請求項６または７に記載のエッチング液組成物。
【請求項９】
キレート剤をさらに含む請求項６に記載のエッチング液組成物。
【請求項１０】
前記キレート剤を0.0001〜５質量％含む請求項９に記載のエッチング液組成物。
【請求項１１】
前記キレート剤が、ホスホン系（Phosphonic series）、スルホン系（Sulfonic series）およびアセテート系（Acetate series）からなる群より選択される化合物を少なくとも１つ以上含む請求項９または１０に記載のエッチング液組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物に関するものであって、より詳しくは、薄膜トランジスタ液晶表示装置（thin film transistor-liquid crystal display device；TFT-LCD device）の製造工程に利用されるエッチング液組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（liquid crystal display device；ＬＣＤ device）は優れた解像度による鮮明な映像を提供し、電気の消耗が少なく、ディスプレイ画面を薄くすることができるようにするという特性のため、平板ディスプレイ装置のうちで最も脚光を浴びているものである。最近このような液晶表示装置を駆動する電子回路として代表的なものは薄膜トランジスタ（thin film transistor；ＴＦＴ）回路である。ＴＦＴ−ＬＣＤの製造時、先ず、ガラス基板上にゲートとソース／ドレイン電極用配線材料として金属層を積層し、これら金属層を腐食性を有する気体や溶液で食刻して所望の電気回路の線路を実現するエッチング過程がその後に従う。
【０００３】
ＴＦＴ基板上には多くの薄膜、薄層が置かれるので、これらの間で願わない電気的短絡が起こるのを防止するためにはエッチングした基板の切断側面、つまり、エッチングプロファイルが均等に傾斜しながら下方が上方よりさらに広い、緩慢なテーパ形状であるのが好ましい。エッチングプロファイルが緩慢なテーパ形状になれば、形成された複数の薄膜層の間の段差が減るためである。ゲート金属のエッチングパターンが均一且つ精密でない場合、ＴＦＴ−ＬＣＤ映像の解像度が低下し色が正確でない問題がある。エッチング方法には気体を利用した乾式エッチングとエッチング液を利用した湿式エッチングがあるが、湿式エッチングが有する短所にもかかわらず、工程のための設備投資費用が低くエッチング環境を高真空状態に維持する必要がなくマスクと基板に対して共にエッチング選択性が優れるという長所のため、湿式エッチング液に対する需要は継続的に存在してきた。
【０００４】
回路の小型化、集積化は電子業界の一貫した流れであり、ＴＦＴにおいても例外でないが、回路が小型化・集積化するほど回線が細くなって、電気抵抗の相対的増加が大きな問題点になる。抵抗はＲＣ信号遅延を誘発する主な因子であるためである。特にＴＦＴの場合、業界の傾向がパネルの大きさをますます増加させ解像度を高める方向に行っているが、抵抗を低い値に維持することができるかということはパネルの大きさの増加と高解像度の実現のカギになる。したがって、ＴＦＴ−ＬＣＤの大型化に必須的に要求されるＲＣ信号遅延の減少を実現するためには、低い抵抗を有する物質を開発することが必須であるが、過去に回線材料として主に使用されたクロム、モリブデン、アルミニウムおよびこれらの合金はその抵抗値が比較的大きくて、未来の大型ＴＦＴ−ＬＣＤ電極配線として使用するには不適切である。
【０００５】
一方、銅は電気伝導度が卓越し賦存量が豊富な金属であって、銅膜をＴＦＴ配線に使用する場合、その抵抗がアルミニウム膜やクロム膜より顕著に低く環境的にもさらに親和的であるという長所がある。しかし、銅は酸化剤に対する抵抗性がアルミニウムやクロムよりさらに高いので、より苛酷な酸化剤を含むエッチング液を使用しなければならなかった。このような酸化剤として幅広く使用されたものが過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）と第２鉄Ｆｅ（III）等である。
【０００６】
具体的に過酸化水素の場合、下記特許文献１が銅膜に対するエッチング溶液として過酸化水素と無機酸または中性塩の混合物を開示しており、下記特許文献２は過酸化水素、銅反応抑制剤、過水安定化剤、フッ化イオンの組成物を開示しており、下記特許文献３は過酸化水素にフッ素化合物、有機分子などを含む５種類の添加剤を付加した構成を開示している。
【０００７】
第２鉄酸化剤の場合、下記特許文献４が塩化鉄（III）６水和物とフッ化水素酸の混合物を開示している。一方、銅が含まれている多層膜のエッチング溶液として燐酸、硝酸、酢酸の汎用エッチング液を使用する構成の下記特許文献５もある。
【０００８】
しかし、これらエッチング液には銅膜と他の金属層とを積層した半導体基板のエッチング速度が速すぎたり、エッチングされた金属膜のテーパプロファイルが９０度を超えるなどの不良なエッチングが起こるという問題点がある。特に最も幅広く使用される過酸化水素の場合、特に銅と鉄イオンの存在下で不均化反応を起こして水と酸素に分解されるため（下記特許文献６参照）発熱と急激な組成変化が発生することがあるので、工程マージンと安定性に問題が多かった。過酸化水素のこのような問題点を解決するために過水安定化剤を付加する方法を使用したが、高い値段のため費用上昇の原因になっていた。
【０００９】
【特許文献１】大韓民国公開特許第２０００−０７９３５５号公報
【特許文献２】大韓民国公開特許第２００５−０００６８２号公報
【特許文献３】大韓民国公開特許第２００６−０６４８８１号公報
【特許文献４】大韓民国公開特許第２０００−０３２９９９号公報
【特許文献５】大韓民国公開特許第１９９９−０１７８３６号公報
【特許文献６】米国特許第４１４０７７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供することにその目的がある。本発明は過酸化水素を使用しないエッチング液を提供することによって、工程マージンと安定性、過水安定化剤付加のような問題点を解決し、選択的に付加される無機塩類酸化調節剤によって優れたエッチングプロファイルを確保する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によるエッチング液組成物は、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）とアゾール系化合物を含む。
前記過硫酸アンモニウムはエッチング液の質量対比0.1〜５０％を含む。前記アゾール系化合物はエッチング液の質量対比0.01〜５％を含む。
前記エッチング液組成物はフッ化物系化合物をさらに含むことができる。
前記エッチング液組成物は、硝酸または硝酸塩を含む第１化合物、硫酸または硫酸塩を含む第２化合物、燐酸または燐酸塩を含む第３化合物、および酢酸または酢酸塩を含む第４化合物からなる群より選択される化合物を一つさらに含むことができる。
前記エッチング液組成物はスルホン酸系化合物をさらに含むことができる。
前記エッチング液組成物はキレート剤をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１２】
このようなエッチング液組成物によれば、過酸化水素を使用しないので発熱現象やエッチング液の安定性低下、高価の安定化剤添加のような問題点が無しに銅を良好な速度でテーパエッチングすることができるという長所がある。本発明のエッチング液組成物で銅配線を形成する場合、エッチング液の安定性を確保してエッチング液の性能をさらに長く維持することができ、エッチング工程上マージンを十分に保障して費用を低くすることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4）2Ｓ2Ｏ8）と、アゾール系化合物と、残部に該当する水とからなるエッチング液を提供する。
本発明において水は、明示的な言及がなくても、エッチング液１００質量％に対する水を除いたその他の成分の質量％の合計の残部を占める。本発明のエッチング液に使用される水としては半導体用等級の水または超純水を使用するのが好ましい。
【００１４】
［エッチング液組成物］
本発明の過硫酸アンモニウムは酸化剤であって、銅を含む金属層をエッチングする主成分である。過硫酸アンモニウムは、好ましくは、半導体工程用の純度を有するものを使用することができる。本発明のエッチング液において過硫酸アンモニウムはエッチング液の質量対比0.1〜５０％を占める。
【００１５】
本発明でアゾール系化合物とは、窒素を元素として含有し少なくとも１つ以上の非炭素原子を環の中に備えている５員ヘテロ環を称する。特に限定されるものではないが、本発明のアゾール系化合物の例としてはベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、イミダゾール、ピラゾールなどが挙げられる。本発明のエッチング液においてアゾール系化合物は全体エッチング液で質量比として0.01〜５％を占める。アゾール系化合物は前記銅を含む金属層で銅のエッチングを抑制して、前記銅を含む金属層の上部および／または下部に銅と他の金属層が形成された多層膜で前記銅と他の金属の間のエッチング速度を調節する役割を果たす。前記銅と他の金属層は例えば、チタニウムを含むことができる。前記アゾール系化合物は、金属配線のカットディメンション損失（cut dimension loss；CD loss）を減らすことによって金属配線をゲートおよびデータ配線として使用するようにする。アゾール系化合物が本発明のエッチング溶液に添加されない場合、銅に対するエッチング速度を調節することができないだけでなく、ＣＤ損失が大きくなり、配線の直進性も低下して、量産工程適用時に深刻な問題を引き起こすことができる。
【００１６】
前記エッチング液はフッ素を含むフッ化物系化合物をさらに含むことができる。本発明のエッチング液において前記フッ化物系化合物は全体エッチング液で質量比として0.01〜１０％を占める。前記フッ化物系化合物は前記エッチング液の酸化補助剤として、前記銅を含む金属層のエッチング速度を向上させることができる。また、前記フッ化物系化合物は前記チタニウムを含む金属層をエッチングすることができる。前記フッ化物系化合物は例えば、フッ酸、フッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム等を含むことができる。
【００１７】
本発明は、さらに前記過硫酸アンモニウムとアゾール系化合物に４種類類型の酸化調節剤をさらに含むことができる。これら４種類類型の酸化調節剤は全く使用されなかったり、全て使用される場合を含む全ての可能な組み合わせで使用することができる。これら４種類類型の酸化調節剤はそれぞれ硝酸または硝酸塩を含む第１化合物、硫酸または硫酸塩を含む第２化合物、燐酸または燐酸塩を含む第３化合物、そして酢酸または酢酸塩を含む第４化合物である。
【００１８】
本発明で前記第１化合物は、エッチング液内で硝酸イオン（ＮＯ3-）を放出する物質である。本発明のエッチング液において選択的構成成分である前記第１化合物は質量比として０〜１０％を占める。前記第１化合物は例えば、硝酸、硝酸鉄（III）（Ｆｅ（ＮＯ3）3）、硝酸カリウム、硝酸アンモニウム、硝酸リチウムなどを含むことができる。
本発明で前記第２化合物は、エッチング液内で硫酸イオン（ＳＯ42-）または硫酸水素イオン（ＨＳＯ4-）を放出する化合物である。本発明の選択的構成成分である前記第２化合物は全体エッチング液で質量比として０〜１０％を占める。本発明による金属配線エッチング溶液で、前記第２化合物は銅を含む金属層のエッチング中、適切なテーパ角（３０〜６０°）を形成させて、後工程時膜の被覆（step coverage）を良好にして収率向上に寄与する一方、銅のエッチング速度を高めて、エッチング工程の生産性向上に寄与する。本発明によるエッチング溶液で、前記第２化合物が排除された場合でも銅をエッチングできるが、前記第２化合物を使用すればテーパ角を適切な水準に維持して後続膜の被覆性が低下する現象を防止し不良発生を予防する。前記第２化合物は例えば、硫酸、硫酸水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＳＯ4）、硫酸水素カリウム（ＫＨＳＯ4）、硫酸カリウム（Ｋ2ＳＯ4）等を含むことができる。
【００１９】
本発明の前記第３化合物はエッチング液中で燐酸イオン（ＰＯ43-）、燐酸一水素イオン（ＨＰＯ42-）または燐酸二水素イオン（Ｈ2ＰＯ4-）を放出する化合物である。本発明の選択的構成成分である前記第３化合物は全体エッチング液で質量比として０％〜１０％を占める。前記第３化合物は例えば、燐酸、燐酸アンモニウム（（ＮＨ4）3ＰＯ4）、燐酸一水素アンモニウム（（ＮＨ4）2ＨＰＯ4）、燐酸二水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）、燐酸カリウム（Ｋ3ＰＯ4）、燐酸一水素カリウム（Ｋ2ＨＰＯ4）、燐酸二水素カリウム（ＫＨ2ＰＯ4）、燐酸ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）、燐酸一水素ナトリウム（Ｎａ2ＨＰＯ4）と燐酸二水素ナトリウム（ＮａＨ2ＰＯ4）等を含むことができる。適切な前記第３化合物を含むエッチング液は銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができるようにする。
【００２０】
本発明で前記第４化合物はエッチング液内で酢酸イオン（ＣＨ3ＣＯＯ-）を放出する物質である。本発明のエッチング液で選択的構成成分である前記第４化合物は質量比として０〜１０％を占める。前記第４化合物は例えば、酢酸、酢酸アンモニウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、イミノ２酢酸（ＨＮ（ＣＨ2ＣＯＯＨ）2、ＩＤＡ）等を含むことができる。前記第４化合物はエッチング液の安全性を高め、エッチング能力を維持するようにする。
【００２１】
前記エッチング液はスルホン酸を含むスルホン酸化合物をさらに含むことができる。本発明のエッチング液において、前記フッ化物系化合物はエッチング液全体に対する質量比で0.001〜１０％を占める。前記スルホン酸化合物は前記銅を含む金属層をエッチングする主成分の前記過硫酸アンモニウムの分解を抑制させることによって前記エッチング液の安定性を保障することができる。前記スルホン酸化合物は例えば、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸化合物、アミドスルホン酸等を含むことができる。
【００２２】
前記エッチング液はキレート剤をさらに含むことができる。本発明のエッチング液において前記キレート剤はエッチング液全体に対する質量比で0.0001〜５％を占める。前記キレート剤は前記エッチング液が前記銅を含む金属層をエッチングする間に発生する銅イオンと結合して、前記銅イオンが前記エッチング液のエッチング速度に影響を与えないようにする。前記キレート剤は例えば、ホスホン系（Phosphonic series）、スルホン系（Sulfonic series）、アセテート系（Acetate series）等の物質であり得る。
【００２３】
本発明で開示するエッチング液またはエッチング液組成物の範囲には、前記に示した質量比の範囲内であるエッチング液はもちろん、例え組成がその質量比の範囲外であったり、前記で例として示した成分の一部が置き換わっていても、その構成がこの分野における通常の知識を有する者にとって、前記エッチング液組成と実質的に同等であるのが明らかであればそのような構成も含まれる。
【実施例】
【００２４】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。以下の実施例に示す構成はあくまでも発明の理解を助けるためであり、いかなる場合にも本発明の技術的範囲を実施例で提示した実施態様で制限しようとするのではないことを明らかにしておく。
［エッチング液組成物の実施例］
【００２５】
本発明のエッチング液組成物による実施例１〜４のエッチング液を下記表１のように製造した。実施例１〜４の組成は表１に示し、全ての％値は質量比である。
【００２６】
【表１】
0005559956.tif 000002
【００２７】
表１を参照すれば、本発明の実施例１によるエッチング液は２質量％の過硫酸アンモニウム、0.7質量％のアゾール系化合物および１質量％の第１化合物を含む。
本発明の実施例２によるエッチング液は３質量％の過硫酸アンモニウム、0.1質量％のアゾール系化合物および0.5質量％の第２化合物を含む。
本発明の実施例３によるエッチング液は３質量％の過硫酸アンモニウム、0.1質量％のアゾール系化合物および0.5質量％の第３化合物を含む。
本発明の実施例４によるエッチング液は３質量％の過硫酸アンモニウムおよび0.5質量％の第４化合物を含む。
【００２８】
本発明のエッチング液組成物による実施例５〜１３のエッチング液を下記表２のように製造した。実施例５〜１３の組成は表２に示し、全ての％値は質量比である。
【００２９】
【表２】
0005559956.tif 000003
【００３０】
表２を参照すれば、本発明の実施例５によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３１】
本発明の実施例６によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.5質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３２】
本発明の実施例７によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.7質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３３】
本発明の実施例８によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.01質量％のキレート剤を含む。
【００３４】
本発明の実施例９によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.5質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３５】
本発明の実施例１０によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第１化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３６】
本発明の実施例１１によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第２化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３７】
本発明の実施例１２によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第３化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
【００３８】
本発明の実施例１３によるエッチング液は５質量％の過硫酸アンモニウム、0.5質量％のアゾール系化合物、0.2質量％のフッ化物系化合物、１質量％の第４化合物、0.2質量％のスルホン酸系化合物および0.001質量％のキレート剤を含む。
［エッチング液組成物の実験例−エッチング液組成物のエッチング能力評価］
【００３９】
具体的に銅単一膜を時間基準に３０％超過してエッチングした過剰エッチング（overetching）実験を通じて、実施例１〜４のエッチング液のエッチング速度、CD Skewとテーパ角を評価した。また、顕微鏡写真でエッチングされた銅層の側断面を観察した。その結果を表３と図１〜４に示した。
【００４０】
【表３】
0005559956.tif 000004
【００４１】
エッチング終末点はエッチング液による銅単一膜のエッチングが完了して、ガラス基板のガラスが露出した状態を称する。エッチング終末点の値が小さいほど旺盛なエッチング能力を示す。CD skew（Cut dimension skew）はフォトレジスト末端と銅末端との間の距離を示し、段差がなく均一なテーパエッチングがあるためにはこの距離は適切な範囲になければならない。テーパ角はエッチングされた金属膜の側面から見た傾斜であって、４５〜６０°程度が適切な値である。表３を参照すれば、本発明のエッチング液組成物は優れたエッチング速度とCD skewを示し、テーパプロファイルを３０〜７０°に調節することができるようにするということが分かる。図１〜４で示すように、パターンの直進性に優れ安定性が良く、多くの数の銅金属膜をエッチングしても初期と同一の性能を維持することができるという長所がある。
【００４２】
銅膜および前記銅膜と接触して形成されたチタニウム膜を含む多層膜を時間基準に３０％超過してエッチングした過剰エッチング（overetching）実験を通じて、実施例５〜１３によるエッチング液のエッチング速度、CD Skewとテーパ角を評価した。その結果を表４に示した。
【００４３】
【表４】
0005559956.tif 000005
【００４４】
表４を参照すれば、本発明のエッチング液組成物は優れたエッチング速度とCD skewを示し、テーパプロファイルを３０〜７０°に調節することができるようにするということが分かる。
【００４５】
以上、実施例を参照して説明したが、該当技術分野の熟練した当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想および領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更させることができるのを理解するはずである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施例１のエッチング液組成物で銅単一膜をエッチングした３０％過剰エッチング実験でエッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。
【図２】本発明の実施例２のエッチング液組成物で銅単一膜をエッチングした３０％過剰エッチング実験でエッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。
【図３】本発明の実施例３のエッチング液組成物で銅単一膜をエッチングした３０％過剰エッチング実験でエッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。
【図４】本発明の実施例４のエッチング液組成物で銅単一膜をエッチングした３０％過剰エッチング実験でエッチングされた銅層の側面を示す顕微鏡写真である。
【図１】
0005559956.tif 000006
【図２】
0005559956.tif 000007
【図３】
0005559956.tif 000008
【図４】
0005559956.tif 000009