(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ及びＰｔ、Ｃｏ及びＣｒ又はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔからなる金属マトリックス相と少なくともＣｒ２Ｏ３を含む酸化物相とからなり、前記Ｃｒ２Ｏ３を１〜１６ｍｏｌ％含有するスパッタリングターゲットであって、不純物であるアルカリ金属及びアルカリ土類金属の総量が、それぞれ３０ｗｔｐｐｍ以下であり、Ｎａが４ｗｔｐｐｍ以下、Ｋが２ｗｔｐｐｍ以下、Ｃａが３ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
酸化物相がＣｒ２Ｏ３とＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎから選択した１種以上の元素の酸化物とからなることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
金属マトリック相にＢ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗから選択した１種以上の元素を添加することを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に、垂直磁気記録方式を採用したＨＤＤ（ハードディスクドライブ）における磁気記録媒体の磁気記録層を形成するための強磁性材スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。これらの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。【０００３】
このような強磁性材スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるので一概には言えない。近年、磁気記録方式が平面方向から垂直方向へと変わり、記録層形成に使用されるスパッタリングターゲットは、溶解品から金属粉末と酸化物粉末との混合粉末を焼結した焼結品へとシフトしてきた。【０００４】
粉末冶金法で作製した強磁性材スパッタリングターゲットに関して、種々の技術が知られている。例えば、特許文献１には、ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末、Ｃｏ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末を混合し、次いでこの粉末を成形型に入れて焼結し、得られた焼結体を切削加工することにより、スパッタリングターゲットを製造する方法が開示されている。その他、特許文献２、特許文献３、などを挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１５６１７号公報
【特許文献２】特開２００７−３１８０８号公報
【特許文献３】特許第４８３７８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
強磁性材スパッタリングターゲットの原料となる酸化物粉末の中には、共沈法で製造されるＣｒ２Ｏ３粉末のように、不純物としてアルカリ金属やアルカリ土類金属を比較的多く含むものがある。工業的に使用されているＣｒ２Ｏ３粉末は通常、数百ｗｔｐｐｍのアルカリ金属やアルカリ土類金属を含んでいるため、そのまま原料として使用した場合、スパッタリングターゲット中に残留することがある。【０００７】
スパッタリングターゲット中にアルカリ金属などが不純物として多く含まれていると、スパッタ成膜中又は成膜後にこれらの不純物が酸化してスポットを形成し、情報記録面において情報の読み込み・書き込みを正常に行うことができないことがあった。また、スパッタ成膜後に、これらの不純物が酸化して磁性材薄膜が剥離することがあった。そして、これらのことが原因となって、磁気記録媒体の磁気記録層の耐久性を低下させることがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、Ｃｒ２Ｏ３粉末中のアルカリ金属、アルカリ土類金属の不純物を低減させることにより、磁気記録媒体の磁気記録層の耐久性を向上させることができることを見出した。【０００９】
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｃｏ及びＰｔ、Ｃｏ及びＣｒ又はＣｏ、Ｃｒ及びＰｔからなる金属マトリックス相と、少なくともＣｒ２Ｏ３を含む酸化物相とからなり、前記Ｃｒ２Ｏ３を１〜１６ｍｏｌ％含有するスパッタリングターゲットであって、不純物であるアルカリ金属の総量が３０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。【００１０】
また、本発明は、
２）不純物であるＮａが１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット。【００１１】
さらに、本発明は、
３）不純物であるＫが１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット。【００１２】
さらに、本発明は、
４）不純物であるアルカリ土類金属の総量が３０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。【００１３】
さらに、本発明は、
５）不純物であるＣａが１０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。【００１４】
さらに、本発明は、
６）酸化物相がＣｒ２Ｏ３とＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎから選択した１種以上の元素の酸化物とからなることを特徴とする上記１）〜５）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。【００１５】
さらに、本発明は、
７）金属マトリック相にＢ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗから選択した１種以上の元素を添加することを特徴とする上記１）〜６）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【００１６】
不純物としてのアルカリ金属やアルカリ土類金属の含有量を低減した強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ成膜時又は成膜後にこれらの不純物を起点とするスポットの形成や磁性薄膜の剥離を抑制することができるので、耐久性の優れた磁気記録媒体の磁性薄膜を製造できるというメリットがある。また、スパッタ成膜した磁気記録膜の不良品が少なくなり歩留まりを改善できるとともに、コスト削減が可能となるというメリットがある。    
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−ＣｒまたはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔからなる金属マトリックス相と、非磁性粒子である酸化物相が金属マトリックス相中に微細に分散した組織を有する。強磁性材スパッタリングターゲットの金属マトリックス相は、磁気記録媒体用磁性体薄膜としての特性が得られるものであれば、特にその組成に制限はない。
例えば、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残部ＣｏであるＣｏ−Ｐｔ金属マトリックス相、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏであるＣｏ−Ｃｒ
金属マトリックス相、Ｃｒが０ｍｏｌ％超２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏであるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ金属マトリックスが挙げられる。
【００１８】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、非磁性粒子である酸化物相は、Ｃｒ２Ｏ３を１〜１６ｍｏｌ％含有することが多い。共沈法によって作製された工業的に使用されるＣｒ２Ｏ３粉末は、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物を比較的多く含有するため、このＣｒ２Ｏ３を適切に処理することによって、本発明のスパッタリングターゲットにおけるアルカリ金属やアルカリ土類金属の不純物の含有量を制御することが可能となる。
【００１９】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、不純物であるアルカリ金属の総量が３０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする。アルカリ金属は酸化し易いため、これらの含有量が３０ｗｔｐｐｍ超であると、情報記録面の磁性体薄膜にスポットを形成することが多くなるため、情報の書き込み・読み出しが正常に行われないことがある。また、スパッタ成膜後にアルカリ金属が酸化してスパッタ膜の剥離の原因となることがある。
【００２０】
上記アルカリ金属の中でも、特にナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）が不純物として問題となる。したがって、ナトリウム含有量は１０ｗｔｐｐｍ以下とし、より好ましくは、１ｗｔｐｐｍ以下とする。また、カリウム含有量は１０ｗｔｐｐｍ以下とし、より好ましくは、１ｗｔｐｐｍ以下とする。
【００２１】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、不純物であるアルカリ土類金属の総量が３０ｗｔｐｐｍ以下であることを特徴とする。アルカリ土類金属も、アルカリ金属と同様に酸化し易いため、これらの含有量が３０ｗｔｐｐｍ超であると、情報記録面の磁性体薄膜にスポットを形成することがあり、情報の書き込み・読み出しが正常に行われないことがある。また、スパッタ成膜後にアルカリ土類金属が酸化してスパッタ膜の剥離の原因となることがある。
【００２２】
上記アルカリ土類金属の中でも、特にカルシウム（Ｃａ）が不純物として問題となる。したがって、カルシウム含有量は１０ｗｔｐｐｍ以下とし、より好ましくは、１ｗｔｐｐｍ以下とする。
【００２３】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、酸化物相として、Ｃｒ２Ｏ３のほかにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｍｎから選択した１種以上の元素の酸化物を含有する。強磁性材スパッタリングターゲットの非磁性の酸化物相は、磁気記録媒体用磁性体薄膜としての特性が得られるものであれば、特にその組成に制限はない。
【００２４】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、金属マトリック相にさらにＢ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｗから選択した１種以上の元素を添加することができる。添加量については、磁気記録媒体用磁性体薄膜としての特性が得られるように適宜調整することができる。
【００２５】
このようにアルカリ金属やアルカリ土類金属を低減した強磁性材スパッタリングターゲットは、スパッタ成膜中又は成膜後にこれらの不純物を起点としたスポットの形成や酸化による磁性材薄膜の剥離を抑制することができるため、耐久性の優れた磁気記録媒体の磁性薄膜を製造できるというメリットがある。また、スパッタ成膜した磁気記録膜の不良品が少なくなり歩留まりを改善できるとともに、コスト削減が可能となるというメリットがある。
【００２６】
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、例えば、次の方法によって作製することができる。
【００２７】
まず、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末を用意し、この原料粉末を純水で攪拌洗浄する。このとき、純水の温度は温度４０℃以上とする。温度４０℃未満であると、十分な洗浄効果を得られないためである。
またこのとき、純水の量は、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末中のアルカリ金属、およびアルカリ土類金属不純物の総量が１０００ｗｔｐｐｍ程度の場合は、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末を１ｋｇに対して、５０Ｌ以上とする。５０Ｌ未満であると、十分な洗浄効果を得られないためである。
その後、洗浄した溶液をろ過、乾燥させることにより、アルカリ金属、アルカリ土類金属不純物を著しく低減したＣｒ２Ｏ３粉末を得ることができる。
【００２８】
次に、金属粉として、Ｃｏ原料粉末、Ｃｒ原料粉末、Ｐｔ原料粉末、を用意し、酸化物粉として、ＴｉＯ２原料粉末、ＳｉＯ２原料粉末、前記の方法で作製したＣｒ２Ｏ３粉末を所定のターゲット組成となるように秤量する。このとき、各種原料粉末は平均粒径を調整しておくことが好ましい。
【００２９】
これらの粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共にボールミルポットに封入して、粉砕・混合する。混合装置としては、ボールミル、ミキサー、乳鉢などを使用することができるが、効率的に均一微細化するにはボールミルなどの強力な混合方法を用いることが望ましい。また、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。
【００３０】
このようにして得られた混合粉末をカーボン製の型に充填し、真空ホットプレス装置を用いて、焼結体を得ることができる。成型・焼結はホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合８００〜１２００°Ｃの温度範囲にある。焼結温度を低めに抑えることによって、焼結体の結晶成長を抑制することができるからである。また、焼結時の圧力は２０〜４０ＭＰａであることが好ましい。
【００３１】
このようにして得られた焼結体を所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットが作製することができる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００３３】
（実施例１）
純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を１ｋｇ準備し、これを温度５０℃にした純水５０Ｌで１時間攪拌洗浄し、その後、濾過し、乾燥させた。純水洗浄処理する前と後での不純物の分析値を表１に示す。純水洗浄した後の原料粉末の不純物量を示すと、Ｎａ：１５ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１ｗｔｐｐｍであった。
次に、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、表１の方法で得られたナトリウム等の不純物を除去した平均粒径３μｍのＣｒ２Ｏ３粉末を用意した。
そして、これらの粉末をターゲット組成が５８Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−４ＴｉＯ２−４ＳｉＯ２−４Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末：４１．２２ｗｔ％、Ｃｒ粉末：９．４１ｗｔ％、Ｐｔ粉末：３５．２９ｗｔ％、ＴｉＯ２粉末：３．８５ｗｔ％、ＳｉＯ２粉末：２．９０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３粉末：７．３３ｗｔ％の重量比率でそれぞれ秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末とＣｒ２Ｏ３粉末とを粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。その後、この混合粉とカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１０５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件で、ホットプレスして焼結体を得た。これをさらに旋盤加工で直径が１８０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円盤状ターゲットに加工した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの代表的な不純物は、Ｎａ：１ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１ｗｔｐｐｍであった。このように純水洗浄処理した後のＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲、すなわち、Ｎａ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｋ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｃａ：１０ｗｔｐｐｍ以下の範囲に含まれるものであった。なお、他のアルカリ金属、アルカリ土類金属は、分析が困難である程度に少量であった。【００３４】
【表１】
0005646757.tif 000002
【００３５】
【表２】
0005646757.tif 000003
【００３６】
（比較例１）
実施例１と同じ純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を準備した。その不純物の分析値を表１に示す。この原料粉末の主な不純物量を示すと、Ｎａ：３００ｗｔｐｐｍ、Ｋ：１１０ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１５０ｗｔｐｐｍであった。
比較例１では、純水洗浄処理せずに、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末をそのまま使用してスパッタリングターゲットを製造した。Ｃｒ２Ｏ３粉末以外は、実施例１と同様の方法を用いて、実施例１と同組成のスパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの主な不純物は、Ｎａ：２２ｗｔｐｐｍ、Ｋ：１５ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１７ｗｔｐｐｍであった。以上に示す通り、純水洗浄処理をしなかったＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲外であった。【００３７】
（比較例２）
実施例１と同じ純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を準備し、比較例２では、これを温度２０℃にした純水５０Ｌで１時間攪拌洗浄し、その後、濾過し、乾燥させた。純水洗浄処理する前と後での不純物の分析値を表１に示す。純水洗浄した後の原料粉末の不純物量を示すと、Ｎａ：１８０ｗｔｐｐｍ、Ｋ：８０ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１２０ｗｔｐｐｍであった。
この純水洗浄処理後のＣｒ２Ｏ３粉末を使用してスパッタリングターゲットを製造した。Ｃｒ２Ｏ３粉末以外は、実施例１と同様の方法を用いて、実施例１と同組成のスパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの主な不純物は、Ｎａ：１３ｗｔｐｐｍ、Ｋ：１１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１２ｗｔｐｐｍであった。以上に示す通り、純水洗浄を低温で実施したＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲外であった。【００３８】
（実施例２）
純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を１ｋｇ準備し、これを温度６０℃にした純水５０Ｌで１時間攪拌洗浄し、その後、濾過し、乾燥させた。純水洗浄処理する前と後での不純物の分析値を表１に示す。純水洗浄した後の原料粉末の不純物量を示すと、Ｎａ：１２ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１ｗｔｐｐｍであった。
この純水洗浄処理後のＣｒ２Ｏ３原料粉末を用いて、組成が５９Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１Ｔａ５Ｏ２−６ＳｉＯ２−１Ｃｒ２Ｏ３−３ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、それぞれの粉末を秤量し、実施例１と同様の方法を用いて、スパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの代表的な不純物は、Ｎａ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：＜１ｗｔｐｐｍであった。このように純水洗浄処理した後のＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲、すなわち、Ｎａ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｋ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｃａ：１０ｗｔｐｐｍ以下の範囲に含まれるものであった。なお、他のアルカリ金属、アルカリ土類金属は、分析が困難である程度に少量であった。【００３９】
（比較例３）
実施例２と同じ純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を準備した。その不純物の分析値を表１に示す。この原料粉末の主な不純物量を示すと、Ｎａ：７００ｗｔｐｐｍ、Ｋ：６０ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：３０ｗｔｐｐｍであった。
比較例３では、純水洗浄処理せずに、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末をそのまま使用してスパッタリングターゲットを製造した。Ｃｒ２Ｏ３粉末以外は、実施例２と同様の方法を用いて、実施例２と同組成のスパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの主な不純物は、Ｎａ：１１ｗｔｐｐｍ、Ｋ：１０ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：１２ｗｔｐｐｍであった。以上に示す通り、純水洗浄処理をしなかったＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲外であった。【００４０】
（実施例３）
実施例１と同じ純水洗浄処理後のＣｒ２Ｏ３原料粉末を用いて、組成が４９Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｒｕ−１６Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、それぞれの粉末を秤量し、実施例１と同様の方法を用いて、スパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの代表的な不純物は、Ｎａ：４ｗｔｐｐｍ、Ｋ：２ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：３ｗｔｐｐｍであった。このように純水洗浄処理した後のＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉末として使用したターゲットの不純物量はいずれも、本発明の範囲、すなわち、Ｎａ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｋ：１０ｗｔｐｐｍ以下、Ｃａ：１０ｗｔｐｐｍ以下の範囲に含まれるものであった。なお、他のアルカリ金属、アルカリ土類金属は、分析が困難である程度に少量であった。【００４１】
（参考例４）
実施例１と同じ純度９９．９％のＣｒ２Ｏ３原料粉末を準備し、純水洗浄処理せずに、Ｃｒ２Ｏ３原料粉末をそのまま使用した。
参考例４では、組成が５８Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−４ＴｉＯ２−４ＳｉＯ２−０．５Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、それぞれの粉末を秤量し、実施例１と同様の方法を用いて、スパッタリングターゲットを製造した。
表２に示す通り、スパッタリングターゲットの主な不純物は、Ｎａ：４ｗｔｐｐｍ、Ｋ：＜１ｗｔｐｐｍ、Ｃａ：＜１ｗｔｐｐｍであった。以上に示す通り、Ｃｒ２Ｏ３含有量が少ない場合には、純水処理洗浄をしなくても、アルカリ金属やアルカリ土類金属の含有量が少ないターゲットが得られることが分かった。【００４２】
上記の例に示す通り、実施例１〜３のいずれにおいても、特に、ナトリウム、カリウム、カルシウムを低減したことが確認された。こうしたアルカリ金属やアルカリ土類金属を低減したターゲットは、垂直磁気記録媒体の耐久性を大きく高める効果を有する。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、強磁性材スパッタリングターゲットに不純物として含有するアルカリ金属やアルカリ土類金属を低減することができる。
したがって、本発明のターゲットを使用すれば、スパッタリングの際またはスパッタリング後に、これらの不純物の酸化を起因とするスポットの形成や磁性材薄膜の剥離を抑制することができるため、スパッタリングにより形成した膜の品質を著しく向上でき、低コストで磁性体薄膜を製造することが可能になる。本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。