(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板側から順に、透明導電膜と、前記透明導電膜と接続する配線膜とを備えたタッチパネルセンサーに用いられるＣｕ配線膜において、
前記配線膜は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で０．１〜４０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物であり、
前記Ｃｕ配線膜の表面には、前記合金元素が拡散濃縮した濃化層を有しており、前記濃化層は、前記Ｃｕ配線膜を成膜した後、２００℃未満の温度で３０秒以上加熱することによって得られることを特徴とする耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜。
【請求項２】
基板側から順に、透明導電膜と、前記透明導電膜と接続する配線膜とを備えたタッチパネルセンサーに用いられるＣｕ配線膜において、
前記配線膜は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で０．１〜４０原子％含むＣｕ合金（第１層）と、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第１層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有し、
前記第２層は、前記透明導電膜と接続されており、且つ、
前記第１層を構成する前記Ｃｕ合金の表面には、前記合金元素が拡散濃縮した濃化層を有しており、前記濃化層は、前記Ｃｕ合金を成膜した後、２００℃未満の温度で３０秒以上加熱することによって得られることを特徴とする耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜。
【請求項３】
前記第１層の膜厚は、５〜１００ｎｍである請求項２に記載のタッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のＣｕ合金配線膜を備えたタッチパネルセンサー。
【請求項５】
前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されている請求項４に記載のタッチパネルセンサー。
【請求項６】
請求項１に記載のＣｕ合金配線膜の製造方法であって、前記成分組成を有するＣｕ合金膜を成膜した後、２００℃未満の温度で３０秒以上加熱することを特徴とするＣｕ合金配線膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用のＣｕ合金配線膜、及びその製造方法、並びに該Ｃｕ合金配線膜を用いたタッチパネルセンサー、及び該Ｃｕ合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像表示装置の前面に配置された、画像表示装置と一体型の入力スイッチとして用いられるタッチパネルセンサーは、その使い勝手のよさから、銀行のＡＴＭや券売機、カーナビ、ＰＤＡ、コピー機の操作画面などに加え、近年では携帯電話やタブレットＰＣに至るまで幅広く使用されている。その入力ポイントの検出方式には、抵抗膜方式、静電容量方式、光学式、超音波表面弾性波方式、圧電式等が挙げられる。これらのうち、携帯電話やタブレットＰＣには、静電容量方式が、応答性が良くコストがかからず構造が単純である等の理由から用いられている。
【０００３】
静電容量方式のタッチパネルセンサーは、ガラス基板、フィルム基板、有機膜、ＳｉＯ２膜などを介して２種の透明導電膜が直交する構造となっている。この様な構成のタッチパネルセンサー表面を、保護ガラスなどを介して指等でタッチすると、透明導電膜間の静電容量が変化することで、タッチされた箇所が感知される。
【０００４】
上記タッチパネルセンサーを製造するプロセスにおいて、透明導電膜と制御回路を接続するための引き回し配線や透明導電膜間を接続する金属配線などの配線は、一般に、銀ペーストなどの導電性ペーストや導電性インクを、インクジェットやその他の印刷方法で印刷することにより形成されてきた。しかし、静電容量式など微細な配線寸法を要求する近年のタッチパネルでは、これらの手法では対応できず、スパッタリング成膜およびリソグラフィーによるパターン形成が主流となっている。配線材料には、Ａｇ合金のほか、Ａｌ合金やＣｕが検討されている。しかし、Ａｇ合金は材料コストが高く、Ａｌ合金は薬液耐性やＩＴＯなどの透明導電膜との接触抵抗の問題からＭｏなどとの積層構造が必要となる。また、膜応力が強くフィルムがカールするといった問題も指摘されている。
【０００５】
一方、Ｃｕについてはこれらの課題は問題とならないが、Ｃｕは容易に酸化されてＣｕ酸化膜を形成し、製造工程におけるＣｕ表面の酸化による変色や抵抗上昇、膜の喪失が問題となっている。特にタッチパネルセンサーにおいては配線膜自体の酸化が進行して酸化膜の膜厚が厚くなると、これに起因して透明導電膜と配線膜との接続抵抗が高まり、信号遅延等の不良が生じる原因となっていた。
【０００６】
特許文献１および２には、液晶ディスプレイなどの表示装置分野において、耐酸化性に優れたＣｕ合金が開示されているが、同分野では基板上にＴＦＴや酸化シリコンや窒化シリコンを形成するために少なくとも２００℃以上となる熱履歴を利用して、Ｃｕ合金膜中の添加元素を析出させて合金元素の酸化物層を形成することで耐酸化性の向上を図っている。しかしながらタッチパネルの製造過程においては、２００℃以上となるプロセスを必要としないため、特許文献１や２で開示されているような高温熱処理を行うことは生産性や樹脂系基板保護の観点から望ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４０６５９５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１７９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記のような事情に着目してなされたものであって、その目的は、耐酸化性に優れたタッチパネルセンサー用配線膜、及び該配線膜の製造方法、並びにこれを用いたタッチパネルセンサー、及び同配線膜形成に好適なスパッタリングターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成し得た本発明は、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で０．１〜４０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物であることに要旨を有するＣｕ合金配線膜である。
【００１０】
また本発明の他の構成としては、透明導電膜、および前記透明導電膜と接続するタッチパネルセンサー用の配線膜において、前記配線膜は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される合金元素の少なくとも一種を合計量で０．１〜４０原子％含むＣｕ合金（第１層）と、純ＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第１層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第２層と、を含む積層構造を有し、前記第２層は、前記透明導電膜と接続されていることに要旨を有するＣｕ合金配線膜。
上記積層構造とする場合の第１層の膜厚は、５〜１００ｎｍであることが望ましい。
【００１１】
本発明には、上記Ｃｕ合金配線膜を備えたタッチパネルセンサーが含まれ、また前記透明導電膜が、フィルム基板上に形成されているタッチパネルセンサーも好ましい実施態様である。
【００１２】
また本発明には、タッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットも含まれ、スパッタリングターゲットはＮｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される合金元素を少なくとも一種を、合計で０．１〜４０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物で構成されていることに要旨を有する。
【００１３】
更に本発明は上記Ｃｕ合金配線膜の製造方法も提供するものであり、その製造方法は前記成分組成を有するＣｕ合金膜を成膜した後、２００℃未満の温度で３０秒以上加熱することを特徴とすることに要旨を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、タッチパネルセンサー用配線膜として、耐酸化性向上元素を所定量含むＣｕ合金を用いているため、Ｃｕ合金配線膜は耐酸化性に優れた効果を発揮する。更に耐酸化性に優れたＣｕ合金膜（第１層）と、第１層よりも電気抵抗率の低い第２層との積層構造を有するＣｕ合金（第１層＋第２層）は、より優れた耐酸化性と低い電気抵抗率を発揮することができる。
【００１５】
したがって本発明によれば、従来から問題となっていた配線膜の低い耐酸化性を向上できると共に、更に電気抵抗率も低く維持したタッチパネルセンサー用Ｃｕ合金配線膜、及び該配線膜を用いたタッチパネルセンサーを提供できる。
また本発明は、このような効果を有する上記Ｃｕ合金配線膜の製造方法、及び該配線膜の形成に好適なスパッタリングターゲットも提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第二の実施形態の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明者らは、タッチパネルセンサー用配線に要求される電気抵抗を有しつつ耐酸化性に優れた配線膜、およびこれを用いたタッチパネルセンサーを提供すべく鋭意研究を行った。
【００１８】
その結果、透明導電膜に接続する配線膜を、合金元素（耐酸化性向上元素）としてＮｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種を含むＣｕ合金とすればよいことがわかった。具体的にはＣｕ合金に含まれている合金元素（Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ）がＣｕ合金配線膜表面で濃化層を形成し、この濃化層が耐酸化性を高める効果を有することを見出した。
【００１９】
この濃化層は、熱処理などによりＣｕ合金中の固溶限を超える合金元素（例えばＮｉ）がＣｕ合金配線膜表面に拡散濃縮して形成されると考えられる。またＺｎ、ＭｎについてもＮｉと同様に濃化層を形成することがわかった。
【００２０】
本発明において濃化層とは、Ｃｕ合金配線膜全体の合金含有率（平均合金濃度）よりも高い合金含有率を有する濃化層領域がＣｕ合金配線膜表面に形成されていることをいい、合金元素は少なくともＮｉ、Ｚｎ、Ｍｎよりなる群から選択される少なくとも一種である。
【００２１】
以下、耐酸化性に優れた本発明の実施形態について詳しく説明する。なお、本発明においてＣｕ合金膜とは、スパッタリング等により成膜した状態をいい、Ｃｕ合金配線とは、Ｃｕ合金膜をエッチング加工等により配線形状にしたものをいうが、本発明では両者をあわせてＣｕ合金配線膜で代表させることがある。
まず、本発明の第一の実施形態について説明する。
【００２２】
［Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種を所定量含むＣｕ合金：単層］
本発明ではＣｕに耐酸化性向上元素として所定量のＮｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種を含有させて耐酸化性を向上させている。
【００２３】
これらの元素は、Ｃｕ合金には固溶するがＣｕ酸化膜には固溶しない元素より選択したものであり、これらの合金元素が固溶しているＣｕ合金が酸化されると、これらの合金元素はＣｕ酸化膜に固溶しないため、これらの合金元素は酸化により生成したＣｕ酸化膜の界面下に掃き出されて濃化層を形成することがわかった。そしてこのような合金元素の濃化層により、Ｃｕ酸化膜の成長が最小限に抑えられるため、Ｃｕ合金配線膜の電気抵抗率の上昇を抑えることができる。本発明者らが検討した結果、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｎ以外の元素では、耐酸化性向上に寄与する十分な濃化層が形成できないことが分かった。例えばＭｇもＮｉ等と同様、Ｃｕ合金に固溶し、Ｃｕ酸化膜には固溶しない元素であるが、２００℃未満の熱履歴しか加えられない場合、濃化層が十分に形成されないためＣｕ酸化膜の成長を抑えることができず、Ｃｕ合金配線膜の電気抵抗率の上昇を抑えることができない。
【００２４】
上述した耐酸化性向上元素のうち好ましいのはＮｉ、Ｚｎであり、より好ましくはＮｉである。Ｎｉは、上述した界面での濃化現象が非常に強く発現され、形成される酸化被膜も薄く、高い耐酸化性向上効果が得られる元素だからである。
【００２５】
Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素が界面に濃化した濃化層は、好ましくは、スパッタリング法（詳細は後述する。）によるＣｕ合金成膜後、２００℃未満で３０秒以上の加熱処理を行なうことによって得られる。このよう加熱処理によりＣｕ合金配線膜表面に合金元素が拡散して濃化し易くなるからである。加熱処理条件は、所望とする濃化層が得られれば特に限定されず、基板の耐熱性やプロセスの効率などによって適宜調整することができる。
【００２６】
なお、上記の加熱処理は、濃化層の形成を目的に行うものであってもよいし、Ｃｕ合金膜形成後の熱履歴（例えば、レジストをベークする工程）が、前記温度・時間を満たすものであってもよい。
【００２７】
上記元素の含有量は合計量（単独の場合は単独の含有量）で０．１原子％以上とする。上記元素の含有量が０．１原子％未満では、濃化層の形成が不十分で満足な耐酸化性が得られない。上記元素の含有量は多いほど耐酸化性の向上に有効であるが、一方、上記元素の合計含有量が４０原子％を超えると、配線形状にエッチングする際のアンダーカット量の増大や、残渣の発生により、微細加工が難しくなるほか、Ｃｕ合金配線膜自体の電気抵抗率が高くなり、信号遅延や電力損失が大きくなる。耐酸化性向上の観点から、上記元素の合計含有量の好ましい下限値は０．３原子％、より好ましくは０．７原子％、更に好ましくは１．０原子％である。また、電気抵抗率等の観点から合計含有量の好ましい上限値は、１５原子％、より好ましくは１０原子％、さらに好ましくは５原子％である。
【００２８】
本発明に用いられるＣｕ合金配線膜は、上記元素を含み、残部：Ｃｕおよび不可避的不純物である。
上記Ｃｕ合金配線膜における各合金元素の含有量は、例えばＩＣＰ発光分析法によって求めることができる。
【００２９】
本発明では、配線材料として、上記Ｃｕ合金配線膜を単独で用いてもよいし、或いは上記元素を含むＣｕ合金配線膜（以下、第１層ということがある）と、透明導電膜と接続され電気抵抗率が第１層よりも低いＣｕ合金配線膜（以下、第２層ということがある）との積層構造としてもよい（第二の実施形態）。
以下、本発明の第二の実施形態について説明する。
【００３０】
［Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種を上記所定量（０．１〜４０原子％）含むＣｕ合金（第１層）と、第１層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第２層と、を含むＣｕ合金配線膜：積層構造］
上記のようにＣｕ合金膜に含まれる耐酸化性向上に寄与する合金元素の添加量を増加させると、電気抵抗率も高くなる。そこで、このような耐酸化性に優れたＣｕ合金配線膜（第１層）よりも電気抵抗率が低いＣｕ合金配線膜（第２層）を透明導電膜と第１層の間に介在させることによって、Ｃｕ合金配線膜全体の電気抵抗率の低減を図ることができる（図１参照）。すなわち、Ｃｕ合金配線膜を第１層と第２層の積層構造とすることにより、電気抵抗率が低いというＣｕ本来の特性を有効に最大限発揮させつつ、Ｃｕの欠点であった耐酸化性をより一層向上させることができる。
本発明において、第１層を構成するＣｕ合金は、上記第一の実施形態のＣｕ合金と同様である。
【００３１】
本発明において、第２層を構成する「第１層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金」は、耐酸化性向上元素を含むＣｕ合金で構成されている第１層に比べて電気抵抗率が低くなるように、合金元素の種類および／または含有量を適切に制御すれば良く、純Ｃｕも含まれる。電気抵抗率が低い元素（好ましくは、純Ｃｕ並みに低い元素）は、文献に記載の数値などを参照し、公知の元素から容易に選択することができる。ただし、電気抵抗率が高い元素であっても、含有量を少なくすれば（おおむね、０．０５〜１原子％程度）電気抵抗率を低減できるため、第２層に適用可能な上記合金元素は、電気抵抗率が低い元素に必ずしも限定されない。具体的には、タッチパネルにおける配線抵抗による信号遅延や電力損失を押さえる観点から、第２層の電気抵抗率を例えば１０μΩｃｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは５μΩｃｍ以下、更に好ましくは３．５μΩｃｍ以下である。
【００３２】
このような第２層としては、例えば、純ＣｕやＣｕ−Ｃａ、Ｃｕ−Ｍｇなどが好ましく用いられる。例えば第２層を構成する耐酸化性向上元素のＮｉ、Ｚｎ、およびＭｎも合計量がおおむね１．５原子％以下であれば、電気抵抗を低く抑えることができるので、当該元素の少なくとも一種を用いることもできる。
【００３３】
また、第２層に適用可能な上記合金元素は、酸素ガスや窒素ガスのガス成分を含んでいても良く、例えば、Ｃｕ−ＯやＣｕ−Ｎなどを用いることができる。なお、第１層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金は、上述した適用可能な元素を含み、実質的に残部がＣｕおよび不可避的不純物である。
【００３４】
上記のような第２層を第１層と積層させてＣｕ合金配線膜を構成した場合、第２層によって電気抵抗率を低減できるため望ましい。すなわち、電気抵抗が低い第２層のみでは従来のＣｕ配線膜と同様、酸化されやすい状態にあるが、第２層に第１層を積層させているため、上記第１層の効果により、第２層の酸化を防止することができる。
【００３５】
なお、第２層と透明導電膜の間に任意の第３層を設けてもよい。例えば第２層と透明導電膜の間の密着性を向上させるために、密着性向上に寄与する層を設けてもよい。
【００３６】
以上のように、本発明のＣｕ合金配線膜は、耐酸化性向上元素を含むＣｕ合金単層（第一の実施形態）で構成されているか、あるいは電気抵抗をより一層向上させる観点から第１層と第２層の積層構造（第二の実施形態）で構成されているが、各膜厚については特に限定されず、要求される電気抵抗率に応じて適宜調整すればよい。
【００３７】
例えば上記Ｃｕ合金膜を単独（単層）で用いるときの好ましい厚さは、膜厚が厚すぎると配線形状や残渣が問題になることがあるため、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは４５０ｎｍ以下、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。また優れた耐酸化性向上効果を得るには、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１５０ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００３８】
Ｃｕ合金配線膜を上記第１層と第２層の積層構造として用いるときの、好ましい合計厚さは、おおむね１００ｎｍ以上、より好ましくは１５０ｎｍ以上であり、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下である。また積層構造としたときの第１層の膜厚は、低い電気抵抗率を確保する観点からは、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下とすることが望ましく、耐酸化性向上を考慮すると、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００３９】
上述したように、耐酸化性に優れた効果を発揮するＣｕ合金配線膜は、成膜後に熱処理を施すことによって、格段に優れた耐酸化性向上効果が得られる。これは、成膜後の熱処理により、合金元素の透明導電膜界面への濃化が促進されるためであると考えられる。
【００４０】
熱処理温度は、合金元素をＣｕ合金膜表面に拡散濃縮させて濃化層を形成するためには好ましくは５０℃以上、より好ましくは１００℃以上とする必要がある。一方、熱処理温度が高くなりすぎると、Ｃｕの酸化が促進されてしまい、Ｃｕ酸化膜が厚く形成されて電気抵抗が高くなると共に、樹脂基板の耐熱温度を超えてしまうことから、好ましくは２００℃未満、より好ましくは１７０℃以下である。
【００４１】
また上記温度域における熱処理時間は、濃化層を形成すると共に、過度なＣｕ酸化膜の形成を抑制する観点からは、おおむね、保持時間：３０秒〜３０分間の範囲内とすることが好ましい。
【００４２】
本発明では透明導電膜と接続するＣｕ合金配線膜（第一の実施形態）、あるいは第１層と第２層の積層からなるＣｕ合金配線膜（第二の実施形態）に特徴があり、それ以外の構成は特に限定されず、タッチパネルセンサーの分野で通常用いられる公知の構成を採用することができる。
【００４３】
例えば、抵抗膜方式のタッチパネルセンサーは、次の様にして製造することができる。即ち、基板上に透明導電膜を形成してから、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを順次行った後、Ｃｕ合金膜を形成して、レジスト塗布、露光、現像、エッチングを実施して配線を形成し、次いで、該配線を被覆する絶縁膜等を形成して、上部電極とすることができる。また、基板上に透明導電膜を形成してから、上部電極と同様にフォトリソグラフィを行い、次いで、上部電極の場合と同様に、Ｃｕ合金膜（単独構造の場合）から配線を形成し、次いで該配線を被覆する絶縁膜を形成し、マイクロ・ドット・スペーサ等を形成して下部電極とすることができる。そして、上記の上部電極、下部電極、および別途形成したテール部分を張り合わせて、タッチパネルセンサーを製造することができる。
【００４４】
上記Ｃｕ合金膜は、スパッタリング法により成膜することが好ましい。スパッタリング法とは、真空中にＡｒ等の不活性ガスを導入し、基板とスパッタリングターゲット（以後、ターゲットという場合がある）との間でプラズマ放電を形成し、該プラズマ放電によりイオン化したＡｒを上記ターゲットに衝突させて、該ターゲットの原子をたたき出し基板上に堆積させて薄膜を作製する方法である。スパッタリング法を用いれば、スパッタリングターゲットとほぼ同じ組成のＣｕ合金膜を成膜できる。スパッタリング法としては、例えばＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等のいずれのスパッタリング法を採用してもよく、その形成条件は、適宜設定すればよい。
【００４５】
上記スパッタリング法で、例えば、上記Ｃｕ合金膜を形成するには、上記ターゲットとして、上記の耐酸化性向上元素（Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種）を所定量含有するＣｕ合金からなるものであって、所望のＣｕ合金膜と同一の組成のスパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレすることなく、所望の成分・組成のＣｕ合金膜を形成することができるのでよい。スパッタリングターゲットの組成は、異なる組成のＣｕ合金ターゲットを用いて調整しても良いし、あるいは、純Ｃｕターゲットに合金元素の金属をチップオンすることによって調整しても良い。
【００４６】
ターゲットの形状は、スパッタリング装置の形状や構造に応じて任意の形状（角型プレート状、円形プレート状、ドーナツプレート状など）に加工したものが含まれる。
上記ターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法、スプレイフォーミング法で、Ｃｕ基合金からなるインゴットを製造して得る方法や、Ｃｕ基合金からなるプリフォーム（最終的な緻密体を得る前の中間体）を製造した後、該プリフォームを緻密化手段により緻密化して得られる方法が挙げられる。
【００４７】
また上記第１層と第２層の積層構造を有するＣｕ合金膜を成膜する場合は、上記第２層を構成する材料をスパッタリング法により成膜して第２層を形成し、その上に、第１層をスパッタリング法により成膜して形成し、積層構成とすればよい。
【００４８】
上記透明導電膜は特に限定されず、代表例として、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなるものを使用することができる。また、上記基板（透明基板）は、一般的に使用されているものとして、例えばガラス、ポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系のものを使用することができる。２００℃未満のプロセスで熱安定性を示すとともに、材料コストが安くロールトゥロールにも対応するポリエチレンテレフタレート系、ポリカーボネート系、またはポリアミド系等のフィルムを用いることが好ましい。本発明では例えば、固定電極である下部電極の基板にガラスを用い、可撓性の必要な上部電極の基板にポリカーボネート系等のフィルムを用いることができる。フィルム基板に加える熱履歴は、フィルムの耐熱温度以下であれば問題ないが、密着性向上の観点からは１００℃以上の熱履歴に対する耐熱性を有するフィルムを用いることが好ましい。
【００４９】
また、本発明のタッチパネルセンサーは、上記抵抗膜方式以外に、静電容量方式や超音波表面弾性波方式等のタッチパネルセンサーとしても用いることができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００５１】
実施例１
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を基板とし、その表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で透明導電膜（ＩＴＯ：膜厚は約１００ｎｍ）を形成した。透明導電膜の成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒにしてから、透明導電膜と同一の成分組成の直径４インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。
【００５２】
（スパッタリング条件）
・Ａｒガス流量：８ｓｃｃｍ
・Ｏ２ガス流量：０．８ｓｃｃｍ
・スパッタパワー：２６０Ｗ
・基板温度：室温
【００５３】
透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法で、下記に示すスパッタリング条件で表１に示す成分組成を有するＣｕ合金膜（膜厚は約２００ｎｍ）を形成した。成膜は、成膜前にチャンバー内の雰囲気を一旦、到達真空度：３×１０-6Ｔｏｒｒにしてから、各Ｃｕ合金膜と同一の成分組成の直径４インチの円盤型ターゲットを用いて行なった。なお、形成されたＣｕ合金膜の組成はＩＣＰ発光分析法で確認した。
【００５４】
（スパッタリング条件）
・Ａｒガス流量：３０ｓｃｃｍ
・Ａｒガス圧：２０ｍＴｏｒｒ
・スパッタパワー：２６０Ｗ
・基板温度：室温
Ｃｕ合金膜を形成して試料を得た。
【００５５】
（耐酸化性）
上記のようにして得られたＣｕ合金膜を用いて、下記条件の熱処理を行った後、酸化被膜の厚さを測定した。具体的には上記Ｃｕ合金膜の断面をＴＥＭ観察（倍率：１５０万倍）してＣｕ合金膜表面に形成された酸化被膜の膜厚（Ｃｕ合金膜表面から厚さ方向）を測定した（表中、「１５０℃熱処理後」）。本実施例では、酸化被膜の膜厚が３０ｎｍ未満を○、３０ｎｍ以上を×と評価した（表中、「合否」）。なお、参考のため熱処理前の酸化被膜膜厚についても測定した（表中、「１５０℃熱処理前」）。
【００５６】
湿度：６０％
温度：１５０℃
保持時間：１時間
雰囲気：大気条件
【００５７】
（Ｃｕ合金膜表面における濃化層の有無）
上記１５０℃熱処理後に、各試料に濃化層が形成されているかを確認した。詳細には、各試料をＴＥＭ画像と界面のＥＤＸライン分析により、濃化層がＣｕ合金膜表面にできているかを確認した。本実施例では、濃化層が確認できたものを○、確認できなかったものを×と判定した（表中、「濃化層」）。結果を表１に示す。
【００５８】
【表１】
0005632821.tif 000002
【００５９】
Ｎｏ．１〜２１は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される一種を含むＣｕ合金膜（残部：Ｃｕ及び不可避的不純物）の例である。またＮｏ．２２〜３３は、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも二種を含むＣｕ合金膜（残部：Ｃｕ及び不可避的不純物）の例である。
これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、耐酸化性に優れていた。
【００６０】
これに対し、Ｎｏ．３４〜３７は、合金元素を含まない純Ｃｕ（Ｎｏ．３４）、本発明で規定する合金元素以外の元素を含むＣｕ合金膜（Ｎｏ．３５〜３７）の例であり、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御したにもかかわらず、耐酸化性が悪かった。
【００６１】
実施例２
上記実施例１と同様にしてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を基板とし、その表面に、透明導電膜（ＩＴＯ：膜厚は約１００ｎｍ）を形成した。透明導電膜を形成した後、引き続き透明導電膜表面に、上記実施例１と同様にしてＤＣマグネトロンスパッタリング法で、表２に示す成分組成を有する第２層（純Ｃｕ、またはＣｕ合金：膜厚は約２００ｎｍ）を形成した。引き続き第２層表面に、上記実施例１と同様にしてＤＣマグネトロンスパッタリング法で、表２に示す成分組成を有する第１層を成膜して第１層と第２層の積層構造を有するＣｕ合金膜を形成した。
【００６２】
上記のようにして得られたＣｕ合金膜について、実施例１と同様にして耐酸化性、濃化層の有無を評価した。結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
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【００６４】
Ｎｏ．１〜１５は、第１層としてＮｉ、Ｚｎ、およびＭｎよりなる群から選択される一種を含むＣｕ合金膜（残部：Ｃｕ及び不可避的不純物）の例である。
これらはいずれも、本発明で規定する合金元素の含有量を有し、且つ、スパッタリング条件を本発明の好ましい範囲に制御して制作したため、耐酸化性に優れていた。
【００６５】
なお、実施例２では第１層よりも電気抵抗率が低い第２層（Ｃｕ及び不可避的不純物、または０．１原子％のＮｉ、Ｚｎ、Ｍｎのいずれかと残部Ｃｕ及び不可避的不純物）を形成していることから、いずれも１０μΩｃｍ以下の電気抵抗率であった。
【図１】
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