(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析法であって、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第１のイオン移動度データを収集すること、
前記第１のイオン移動度データに初期校正関数を適用すること、
前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性を求めること、
前記推定される特性を前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の特性と比較すること、
修正された校正関数を生成するために前記初期校正関数を変化させること、
を含み、
前記初期校正関数を変化させる前記ステップが、前記修正された校正関数を生成するために前記初期校正関数の１つ又は複数の定数及び／又は１つ又は複数の係数及び／又は１つ又は複数の項を変更することを含み、
前記初期校正関数を変化させる前記ステップが実験収集中にリアルタイムで行われ、
前記初期校正関数を変化させる前記ステップが、（ａ）前記初期校正関数における一次係数及び／又は一次項を変更すること、及び／又は、（ｂ）前記初期校正関数における第２の又はより高次の係数及び／又は第２の又はより高次の項を変更すること、のいずれかを含む、質量分析法。
【請求項２】
多点外部校正法を用いて前記初期校正関数を求めることをさらに含む、請求項１に記載の質量分析法。
【請求項３】
多点内部校正法を用いて前記初期校正関数を求めることをさらに含む、請求項１に記載の質量分析法。
【請求項４】
前記初期校正関数が、イオンの実験的に求められるイオン移動度ドリフト時間を前記イオンの物理化学的特性と関係づけるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の質量分析法。
【請求項５】
前記物理化学的特性が前記イオンのコンフォメーション特性を含む、請求項４に記載の質量分析法。
【請求項６】
前記コンフォメーション特性が前記イオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）を含む、請求項５に記載の質量分析法。
【請求項７】
前記推定される特性及び／又は前記既知の特性が前記イオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の質量分析法。
【請求項８】
前記修正された校正関数を用いて求められる場合の前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性が、前記初期校正関数を用いて求められる場合の前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性よりも、前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの前記既知の特性とより密接に一致する、請求項１に記載の質量分析法。
【請求項９】
第２の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第２のイオン移動度データを収集すること、
前記第２のイオン移動度データに前記修正された校正関数を適用すること、及び
前記第２の複数のイオンの前記推定される特性を求めること、
をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の質量分析法。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンが１つ又は複数の親イオン又は前駆イオンを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の質量分析法。
【請求項１１】
前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンが、１つ又は複数のフラグメントイオン、娘イオン、又はプロダクトイオンを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の質量分析法。
【請求項１２】
質量分析計であって、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離するように配置され及び適合されたイオン移動度分光計又は分離器と、
制御システムと、
を備え、前記制御システムが、
（ｉ）第１のイオン移動度データを収集し、
（ｉｉ）前記第１のイオン移動度データに初期校正関数を適用し、
（ｉｉｉ）前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性を求め、
（ｉｖ）前記推定される特性を前記１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の特性と比較し、
（ｖ）修正された校正関数を生成するために前記初期校正関数を変化させる、
ように配置され及び適合され、
前記変化させるステップが、前記修正された校正関数を生成するために前記初期校正関数の１つ又は複数の定数及び／又は１つ又は複数の係数及び／又は１つ又は複数の項を変更することを含み、且つ実験収集中にリアルタイムで行われ、
前記初期校正関数を変化させる前記ステップが、（ａ）前記初期校正関数における一次係数及び／又は一次項を変更すること、及び／又は、（ｂ）前記初期校正関数における第２の又はより高次の係数及び／又は第２の又はより高次の項を変更すること、のいずれかを含む、質量分析計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、質量分析法及び質量分析計に関する。好ましい実施形態は、イオン移動度質量分析を用いる電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＥＴＤ」）フラグメントイオン構造の詳細な研究が行われることを可能にする、イオン移動度ドリフト時間を校正する改善された方法に関する。
【０００２】
関連出願の相互参照
本願は、２０１１年６月１５日に出願された米国特許仮出願第６１／４９７，３０７号及び２０１１年６月３日に出願された英国特許出願第１１０９４１６．６号に基づく優先権及び利益を主張するものである。これらの出願のすべての内容が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
イオン移動度は、ペプチドフラグメントから大きいタンパク質複合体に至るまでのイオンに関する構造情報を得るのに有力な技術である。螺旋のような或る二次構造は、予測値よりも大きい衝突断面積（ｃｏｌｌｉｓｉｏｎ  ｃｒｏｓｓ  ｓｅｃｔｉｏｎ：「ＣＣＳ」）を有することが知られている。主鎖アミド基による塩橋又は電荷溶媒和（ｃｈａｒｇｅ  ｓｏｌｖａｔｉｏｎ）のような分子内相互作用がコンフォメーションの収縮を引き起こすことがあり、これは予測よりも小さい実験衝突断面積をもたらす。Ｎ末端アセチル化及び塩基性Ｃ末端残基（Ｈｉｓ、Ａｒｇ、Ｌｙｓ）は、二次構造を安定化させる可能性がある。
【０００４】
イオン移動度質量分析を用いる電子移動解離（「ＥＴＤ」）フラグメントイオン構造の研究は、電荷を輸送する（ｃｈａｒｇｅ−ｃａｒｒｙｉｎｇ）アミノ酸残基が溶媒フリーペプチドカチオンの構造及びラジカルカチオンの構造にどのように影響を及ぼすかを判定するのに用いることができる。ＥＴＤはまた、分子内相互作用をする傾向があるアミノ酸側鎖を含むペプチドの構造にＮ末端アセチル化の影響を及ぼすのに用いられる場合がある。
【０００５】
ＥＴＤフラグメントイオン構造の詳細な研究を行うには、ＥＴＤフラグメントイオンのイオン移動度ドリフト時間の正確な測定を行うこと、及び測定されたイオン移動度ドリフト時間をイオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）と関連付けることが必要である。
【０００６】
実験的に判定されたイオン移動度ドリフト時間を衝突断面積（「ＣＣＳ」）と関係づけるものである校正関数を求めるために、多点外部校正法又は多点内部校正法のいずれかを用いることが知られている。
【０００７】
公知の技術は、その後のイオン移動度試験中に用いられる校正関数を求める。
【０００８】
しかしながら、イオン移動度試験の過程で、１つ又は複数の機器パラメータ（例えば、温度、圧力など）に僅かな変化がある場合があり、これらはイオン移動度試験中に測定されるイオン移動度ドリフト時間に影響することがある。
【０００９】
結果として、現在の技術は、例えば、僅かに異なるシーケンスをもつペプチドの構造の非常に精密な又は小さいコンフォメーション変化を理解しようとする、非常に詳細なイオン移動度試験が行われることを可能にしない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
改善された質量分析計及び質量分析法を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様によれば、質量分析法であって、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第１のイオン移動度データを収集すること、
第１のイオン移動度データに初期校正関数を適用すること、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性を求めること、
推定される特性を１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の特性と比較すること、及び
修正された校正関数を生成するために初期校正関数を変化させること、
を含む、質量分析法が提供される。
【００１２】
方法は、好ましくは、多点外部校正法を用いて初期校正関数を求めることをさらに含む。
【００１３】
方法は、多点内部校正法を用いて初期校正関数を求めることをさらに含んでいてもよい。
【００１４】
初期校正関数は、好ましくは、イオンの実験的に求められるイオン移動度ドリフト時間をイオンの物理化学的特性と関係づけるものである。
【００１５】
物理化学的特性は、好ましくは、イオンのコンフォメーション特性を含む。
【００１６】
コンフォメーション特性は、好ましくは、イオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）を含む。
【００１７】
推定される特性及び／又は既知の特性は、好ましくは、イオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）を含む。
【００１８】
初期校正関数を変化させるステップは、好ましくは、初期校正関数における１つ又は複数の定数を変更することを含む。
【００１９】
初期校正関数を変化させるステップは、好ましくは、初期校正関数における一次係数及び／又は一次項を変更することを含む。
【００２０】
初期校正関数を変化させるステップは、初期校正関数における第２の又はより高次の係数及び／又は第２の又はより高次の項を変更することを含んでいてもよい。
【００２１】
初期校正関数を変化させるステップは、好ましくは、修正された校正関数を生成するために初期校正関数の１つ又は複数の定数及び／又は１つ又は複数の係数及び／又は１つ又は複数の項を変更することを含む。
【００２２】
一実施形態によれば、修正された校正関数を用いて求められる場合の１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性は、初期校正関数を用いて求められる場合の１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性よりも、１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の特性とより密接に一致する。
【００２３】
初期校正関数を変化させるステップは、好ましくは、実験収集中にリアルタイムで行われる。
【００２４】
方法は、好ましくは、
第２の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第２のイオン移動度データを収集すること、
第２のイオン移動度データに修正された校正関数を適用すること、及び
第２の複数のイオンの推定される特性を求めること、
をさらに含む。
【００２５】
次善の好ましい実施形態によれば、初期校正関数を変化させるステップは、後処理ステップとして実験収集後に行われてもよい。
【００２６】
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンは、好ましくは、１つ又は複数の親イオン又は前駆イオンを含む。
【００２７】
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンは、好ましくは、１つ又は複数のフラグメントイオン、娘イオン、又はプロダクトイオンを含む。
【００２８】
本発明の一態様によれば、質量分析計であって、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離するように配置され及び適合されたイオン移動度分光計又は分離器と、
制御システムと、
を備え、前記制御システムが、
（ｉ）第１のイオン移動度データを収集し、
（ｉｉ）第１のイオン移動度データに初期校正関数を適用し、
（ｉｉｉ）１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの推定される特性を求め、
（ｉｖ）推定される特性を１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の特性と比較し、
（ｖ）修正された校正関数を生成するために初期校正関数を変化させる、
ように配置され及び適合される、質量分析計が提供される。
【００２９】
本発明の一態様によれば、質量分析法であって、
イオンの実験的に求められるイオン移動度ドリフト時間をイオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）と関連付ける初期校正関数を求めること、
１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第１のイオン移動度ドリフト時間データを収集すること、
第１のイオン移動度ドリフト時間データに初期校正関数を適用すること、
初期校正関数を用いて１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの第１の衝突断面積を求めること、
初期校正関数を用いて求められる場合の第１の衝突断面積を１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の衝突断面積と比較すること、
修正された校正関数を用いて求められる１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの衝突断面積を第１の衝突断面積よりも既知の衝突断面積とより密接に関連付ける、修正された校正関数を生成するために、初期校正関数を変化させること、
第２の複数のイオンをそれらのイオン移動度に従って分離し、第２のイオン移動度ドリフト時間データを収集すること、
第２のイオン移動度ドリフト時間データに修正された校正関数を適用すること、及び
修正された校正関数を用いて第２のイオンの衝突断面積を求めること、
を含む、質量分析法が提供される。
【００３０】
本発明の一態様によれば、質量分析計であって、
イオンをそれらのイオン移動度に従って分離するように配置され及び適合されたイオン移動度分光計又は分離器と、
制御システムと、
を備え、制御システムが、
（ｉ）イオンの実験的に求められるイオン移動度ドリフト時間をイオンの衝突断面積（「ＣＣＳ」）と関連付ける初期校正関数を求め、
（ｉｉ）１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンを含む第１の複数のイオンをイオン移動度分光計又は分離器の中でそれらのイオン移動度に従って分離させ、第１のイオン移動度ドリフト時間データを収集し、
（ｉｉｉ）第１のイオン移動度ドリフト時間データに初期校正関数を適用し、
（ｉｖ）初期校正関数を用いて１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの第１の衝突断面積を求め、
（ｖ）初期校正関数を用いて求められる場合の第１の衝突断面積を１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの既知の衝突断面積と比較し、
（ｖｉ）修正された校正関数を用いて求められる１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの衝突断面積を第１の衝突断面積よりも既知の衝突断面積とより密接に関連付ける、修正された校正関数を生成するために、初期校正関数を変化させ、
（ｖｉｉ）第２の複数のイオンをイオン移動度分光計又は分離器の中でそれらのイオン移動度に従って分離させ、第２のイオン移動度ドリフト時間データを収集し、
（ｖｉｉｉ）第２のイオン移動度ドリフト時間データに修正された校正関数を適用し、
（ｉｘ）修正された校正関数を用いて第２のイオンの衝突断面積を求める、
ように配置され及び適合される、質量分析計が提供される。
【００３１】
一実施形態によれば、質量分析計はさらに、
（ａ）（ｉ）エレクトロスプレーイオン化（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ  ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＥＳＩ」）イオン源、（ｉｉ）大気圧光イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｐｈｏｔｏ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＡＰＰＩ」）イオン源、（ｉｉｉ）大気圧化学イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＡＰＣＩ」）イオン源、（ｉｖ）マトリックス支援レーザ脱離イオン化（Ｍａｔｒｉｘ  Ａｓｓｉｓｔｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＭＡＬＤＩ」）イオン源、（ｖ）レーザ脱離イオン化（Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＬＤＩ」）イオン源、（ｖｉ）大気圧イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＡＰＩ」）イオン源、（ｖｉｉ）シリコン上脱離イオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ：「ＤＩＯＳ」）イオン源、（ｖｉｉｉ）電子衝撃（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｍｐａｃｔ：「ＥＩ」）イオン源、（ｉｘ）化学イオン化（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＣＩ」）イオン源、（ｘ）電界イオン化（Ｆｉｅｌｄ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＦＩ」）イオン源、（ｘｉ）電界脱離（Ｆｉｅｌｄ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ：「ＦＤ」）イオン源、（ｘｉｉ）誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：「ＩＣＰ」）イオン源、（ｘｉｉｉ）高速原子衝突（Ｆａｓｔ  Ａｔｏｍ  Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ：「ＦＡＢ」）イオン源、（ｘｉｖ）液体二次イオン質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：「ＬＳＩＭＳ」）イオン源、（ｘｖ）脱離エレクトロスプレーイオン化（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｓｐｒａｙ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＤＥＳＩ」）イオン源、（ｘｖｉ）ニッケル６３放射性イオン源、（ｘｖｉｉ）大気圧マトリックス支援レーザ脱離イオン化イオン源、（ｘｖｉｉｉ）サーモスプレーイオン源、（ｘｉｘ）大気サンプリンググロー放電イオン化（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ  Ｇｌｏｗ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｉｏｎｉｓａｔｉｏｎ：「ＡＳＧＤＩ」）イオン源、及び（ｘｘ）グロー放電（Ｇｌｏｗ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：「ＧＤ」）イオン源からなる群から選択されたイオン源、及び／又は、
（ｂ）１つ又は複数の連続又はパルス化イオン源、及び／又は、
（ｃ）１つ又は複数のイオンガイド、及び／又は、
（ｄ）１つ又は複数のイオン移動度分離装置及び／又は、１つ又は複数の電場非対称（Ｆｉｅｌｄ  Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ）イオン移動度分光計装置、及び／又は、
（ｅ）１つ又は複数のイオントラップ又は１つ又は複数のイオントラップ領域、及び／又は、
（ｆ）（ｉ）衝突誘起解離（Ｃｏｌｌｉｓｉｏｎａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＣＩＤ」）フラグメンテーション装置、（ｉｉ）表面誘起解離（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＳＩＤ」）フラグメンテーション装置、（ｉｉｉ）電子移動解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＥＴＤ」）フラグメンテーション装置、（ｉｖ）電子捕獲解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃａｐｔｕｒｅ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＥＣＤ」）フラグメンテーション装置、（ｖ）電子衝突又は衝撃解離フラグメンテーション装置、（ｖｉ）光誘起解離（Ｐｈｏｔｏ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「ＰＩＤ」）フラグメンテーション装置、（ｖｉｉ）レーザ誘起解離フラグメンテーション装置、（ｖｉｉｉ）赤外線誘起解離装置、（ｉｘ）紫外線誘起解離装置、（ｘ）ノズル・スキマー・インターフェース・フラグメンテーション装置、（ｘｉ）インソース・フラグメンテーション装置、（ｘｉｉ）インソース衝突誘起解離フラグメンテーション装置、（ｘｉｉｉ）熱源又は温度源フラグメンテーション装置、（ｘｉｖ）電場誘起フラグメンテーション装置、（ｘｖ）磁場誘起フラグメンテーション装置、（ｘｖｉ）酵素消化又は酵素分解フラグメンテーション装置、（ｘｖｉｉ）イオン−イオン反応フラグメンテーション装置、（ｘｖｉｉｉ）イオン−分子反応フラグメンテーション装置、（ｘｉｘ）イオン−原子反応フラグメンテーション装置、（ｘｘ）イオン−準安定イオン反応フラグメンテーション装置、（ｘｘｉ）イオン−準安定分子反応フラグメンテーション装置、（ｘｘｉｉ）イオン−準安定原子反応フラグメンテーション装置、（ｘｘｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン−イオン反応装置、（ｘｘｉｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン分子反応装置、（ｘｘｖ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン−原子反応装置、（ｘｘｖｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン−準安定イオン反応装置、（ｘｘｖｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン−準安定分子反応装置、（ｘｘｖｉｉｉ）イオンの反応により付加イオン又はプロダクトイオンを生成するイオン−準安定原子反応装置、及び（ｘｘｉｘ）電子イオン化解離（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ：「  ＥＩＤ」）フラグメンテーション装置からなる群から選択された１つ又は複数の衝突セル、フラグメンテーションセル、又は反応セル、及び／又は、
（ｇ）（ｉ）四重極質量分析計、（ｉｉ）２Ｄ又はリニア四重極質量分析計、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）又は３Ｄ四重極質量分析計、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）トラップ型質量分析計、（ｖ）イオントラップ型質量分析計、（ｖｉ）磁場型質量分析計、（ｖｉｉ）イオンサイクロトロン共鳴（Ｉｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：「ＩＣＲ」）質量分析計、（ｖｉｉｉ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：「ＦＴＩＣＲ」）質量分析計、（ｉｘ）静電又はオービトラップ型質量分析計、（ｘ）フーリエ変換静電又はオービトラップ型質量分析計、（ｘｉ）フーリエ変換質量分析計、（ｘｉｉ）飛行時間型質量分析計、（ｘｉｉｉ）直交加速飛行時間型質量分析計、及び（ｘｉｖ）線形加速飛行時間型質量分析計からなる群から選択された質量分析計、及び／又は、
（ｈ）１つ又は複数のエネルギー分析計又は静電エネルギー分析計、及び／又は、
（ｉ）１つ又は複数のイオン検出器、及び／又は、
（ｊ）（ｉ）四重極マスフィルタ、（ｉｉ）２Ｄ又はリニア四重極イオントラップ、（ｉｉｉ）ポール（Ｐａｕｌ）又は３Ｄ四重極イオントラップ、（ｉｖ）ペニング（Ｐｅｎｎｉｎｇ）イオントラップ、（ｖ）イオントラップ、（ｖｉ）磁場型マスフィルタ、（ｖｉｉ）飛行時間型マスフィルタ、及び（ｖｉｉｉ）ウィーン（Ｗｅｉｎ）フィルタからなる群から選択された１つ又は複数のマスフィルタ、及び／又は、
（ｋ）イオンをパルス化する装置又はイオンゲート、及び／又は、
（ｌ）実質的に連続的なイオンビームをパルスイオンビームに変換する装置、
を備えていてもよい。
【００３２】
質量分析計はさらに、
（ｉ）Ｃトラップと、外側バレル状電極及び同軸内側スピンドル状電極を備えるｏｒｂｉｔｒａｐ（ＲＴＭ）質量分析計であり、第１の作動モードにおいて、イオンがＣトラップに伝送され、次いで、ｏｒｂｉｔｒａｐ（ＲＴＭ）質量分析計に注入され、第２の作動モードにおいて、イオンがＣトラップに伝送され、次いで、衝突セル又は電子移動解離装置に伝送され、この場合、少なくともいくつかのイオンがフラグメントイオンに断片化され、フラグメントイオンが、次いで、ｏｒｂｉｔｒａｐ（ＲＴＭ）質量分析計に注入される前にＣトラップに伝送される、ｏｒｂｉｔｒａｐ（ＲＴＭ）質量分析計、及び／又は、
（ｉｉ）使用時にそれを通してイオンが伝送される孔をそれぞれが備える複数の電極を備えるスタック型リングイオンガイドであり、イオン経路の長さに沿って電極の間隔が増加し、イオンガイドの上流区域における電極の孔が第１の直径を有し、イオンガイドの下流区域における電極の孔が第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、使用時に連続する電極に逆位相のＡＣ電圧又はＲＦ電圧が印加される、スタック型リングイオンガイド、のいずれかを備えていてもよい。
【００３３】
好ましい実施形態は、１つ又は複数の機器パラメータ（例えば、温度又は圧力）における小さな変化を補正するためにイオン移動度試験の過程でＣＣＳ校正関数を補正するステップが、分析対象イオンの衝突断面積の非常に精密な測定値が求められることを可能にするという点で特に有利である。結果として、例えば、以前は可能ではなかったペプチドのコンフォメーション特性の詳細な研究を行うことができる。
【００３４】
したがって、本発明が、ペプチド及び他の分子のコンフォメーション特性に関する新しい詳細な研究が行われることを可能にするという点で当該技術分野での著しい進歩を呈することは明らかであろう。
【００３５】
ここで、添付の図面を参照して本発明の種々の実施形態を単なる例として詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＴＤフラグメンテーション装置を組み込んでいる質量分析計を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＥＴＤによって分析対象イオンが試薬イオンと相互作用するように分析対象カチオン及び試薬アニオンをイオントラップに注入することに関するスキャン順序を示す図である。
【図３】アセチル化及び非アセチル化ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲペプチドに関する計算された衝突断面積（「ＣＣＳ」）値を示す図である。
【図４Ａ】イオン移動度試験に基づく非アセチル化ＲＩＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンの提案される分子イオンコンフォメーションを示す図である。
【図４Ｂ】イオン移動度試験に基づく非アセチル化ＲＬＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンの提案される分子イオンコンフォメーションを示す図である。
【図５Ａ】イオン移動度試験に基づくアセチル化ＲＩＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンの提案される分子イオン・コンフォメーショを示す図である。
【図５Ｂ】イオン移動度試験に基づくアセチル化ＲＬＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンの提案される分子イオンコンフォメーションを示す図である。
【図６】衝突断面積に対するアセチル化の影響を示し、特に、ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲペプチドに関するアセチル化及び非アセチル化ｃ−イオン間の測定されたＣＣＳ値の差異を示す図である。
【図７】アセチル化及び非アセチル化ＨＩＳＥＬＲ及びＨＬＳＥＬＲペプチドに関する導出されたＣＣＳ値を示す図である。
【図８Ａ】ＨＩＳＥＬＲペプチドに関するフラグメントイオンサイズの増加に伴ってＣＣＳ値がどれくらい増加するかを例証する図である。
【図８Ｂ】ＨＬＳＥＬＲペプチドに関するフラグメントイオンサイズの増加に伴ってＣＣＳ値がどれくらい増加するかを例証する図である。
【図９】アセチル化及び非アセチル化ＫＩＳＥＬＲ及びＫＬＳＥＬＲペプチドに関する計算された衝突断面積（「ＣＣＳ」）値を示す図である。
【図１０】Ｎ末端Ａｃ基のラジカルによるロスを示す図である。
【図１１】アセチル化及び非アセチル化ＲＩＳＤＬＲ、ＲＬＳＤＬＲ、ＫＩＳＤＬＲ、及びＫＬＳＤＬＲペプチドに関する導出されたＣＣＳ値を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
ここで本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００３８】
図１に示すように、アニオンを発生させるためのグロー放電源を装備した試作版ＳｙｎａｐｔＧ２（ＲＴＭ）機器（Ｗａｔｅｒｓ  Ｃｏｒｐ．、英国マンチェスター）で実験を行った。質量分析計は、第１の真空チャンバ２に通じるサンプリングコーン１を備えるものであった。作動モードにおいて、試薬ガス供給装置３からの試薬ガス（例えば、１，３−ジシアノベンゼン）が、放電ピンを備えるグロー放電イオン源４の近隣に供給された。放電ピンは、試薬ガスをイオン化するために５００Ｖに維持された。試薬ガスは、グロー放電イオン源４によってイオン化されて試薬イオンを生成し、これは次に、質量分析計の第４の真空チャンバ９内のイオントラップ１０に移送された。
【００３９】
質量分析計は、イオンガイド６を収容する第２の真空チャンバ５を備えるものであった。イオンをイオンガイド６に沿って及びこれを通して付勢するために複数のアキシャルＤＣポテンシャル井戸がイオンガイド６の長さに沿って平行移動するようにイオンガイド６の電極に１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧ポテンシャル又は電圧を印加した。イオンは、次いで、四重極ロッドセット８を収容した第３の真空チャンバ７に移動した。四重極ロッドセット８は、マスフィルタ又はイオンガイド（非質量選択作動モードでは）のいずれかとして動作してもよい。
【００４０】
四重極８によって前方に伝送されたイオンは、次いで、第４の真空チャンバ９に移動した。第４の真空チャンバ９は、イオントラップ１０、イオン移動度分光計又は分離器１１、及び移送Ｔ波装置１３を収容するものであった。イオン移動度分光計又は分離器１１は、入口段として随意的なヘリウムセル１２を備えるものであった。ヘリウムセル１２は、イオンが断片化するリスクなしに、イオンを比較的高圧のイオン移動度分光計又は分離器１１の中に駆動できるようにするものであった。
【００４１】
一実施形態によれば、エレクトロスプレーイオン源（図示せず）が、およそ１秒持続する第１の作動モードの間オンに切り換えられた。第１の作動モードの間、エレクトロスプレーイオン源によって分析対象イオンが発生し、イオントラップ１０内に伝送され及び捕捉された。
【００４２】
エレクトロスプレーイオン源は、次いで、およそ０．１秒持続する第２の作動モード（又はインタースキャン期間）の間オフに切り換えられた。エレクトロスプレーイオン源が第２の作動モードの間オフに切り換えられたときに、グロー放電イオン源４がオンに切り換えられた。グロー放電イオン源４によって試薬イオンが発生し、イオントラップ１０内に伝送され及び捕捉された。第２の作動モードの終了時に、グロー放電イオン源がオフに切り換えられ、エレクトロスプレーイオン源がオンに切り換えられ、サイクルが複数回繰り返された。
【００４３】
好ましい実施形態によれば、正に帯電した分析対象イオンと負に帯電した試薬イオンが異なる時点で発生し、イオントラップ１０内に一緒に捕捉され、電子移動解離（「ＥＴＤ」）を介して相互作用した。結果として、分析対象イオンが、試薬イオンと電荷を交換してＥＴＤプロダクトイオン又はフラグメントイオンを生成することによって断片化された。
【００４４】
イオントラップ１０の中で生成されたＥＴＤプロダクトイオン又はフラグメントイオンは、次いで、イオン移動度分光計又は分離器１１に伝送された。イオン移動度分光計又は分離器内のイオンは、それらがイオン移動度分光計又は分離器１１を通過する際に一時的に分離され、それらのイオン移動度に従って分離された。
【００４５】
イオン移動度分光計又は分離器１２から出てくるＥＴＤプロダクトイオン又はフラグメントイオンは、随意的に、イオンを移送Ｔ波装置１３の中に加速することによる衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）によって断片化されてもよい。
【００４６】
移送Ｔ波装置１３から出てくるイオンは、次いで、レンズ構成を収容する短い第５の真空チャンバ１４を通過し、次いで、飛行時間型質量分析計を収容する第６の真空チャンバ１５の中に移動した。飛行時間型質量分析計は、高電場プッシャ１６、デュアルステージ型リフレクトロン１７、イオンミラー１８、及びイオン検出器システム１９を備えるものであった。
【００４７】
図２は、本発明の一実施形態に係る図１に示されるイオントラップ１０への分析対象カチオン及び試薬アニオンの注入に関係するスキャン順序を示す。質量分析計は、分析対象カチオンを発生させるためのＥＳＩイオン源と、試薬アニオンを発生させるためのグロー放電源４とを備える。分析対象カチオンと試薬アニオンは、それぞれ、イオントラップ１０の中で電子移動解離（「ＥＴＤ」）を介して相互作用する前に、Ｔ波イオンガイド（Ｔ−ｗａｖｅ  ｉｏｎ  ｇｕｉｄｅ）（「ソースＴＷＩＧ」）６及び四重極ロッドセット８を通して伝送される。
【００４８】
Ｔ波イオンガイド６は、好ましくは、それを通してイオンが伝送される孔をそれぞれが有する複数の電極を含む。進行性（Ｔｒａｖｅｌｌｉｎｇ）又は過渡ＤＣ電圧又はポテンシャルが電極に印加される。イオンがイオンガイド６の長さに沿って付勢されるように、１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧又はポテンシャル、若しくは１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧又はポテンシャル波形がイオンガイド６の電極に累進的に印加される。同様の様態で、１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧又はポテンシャルがイオントラップ１０にも印加される。
【００４９】
試薬アニオン及び分析対象カチオンがイオントラップ１０の中で相互作用した後で、結果的に生じるＥＴＤプロダクトイオン又はフラグメントイオンが、次いで、下流のＩＭＳ装置１１によってそれらのイオン移動度に従って分離される。イオンは、次いで、移送Ｔ波装置１３を介して飛行時間型（「ＴＯＦ」）質量分析計に移送される。移送Ｔ波装置１３の中で、プロダクトイオンは、随意的に衝突誘起解離（「ＣＩＤ」）又はフラグメンテーションを受けてもよい。
【００５０】
イオンがイオン移動度分光計又は分離器１１及び移送Ｔ波装置１３の長さに沿って付勢されるように、１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧又はポテンシャル、若しくは１つ又は複数の過渡ＤＣ電圧又はポテンシャル波形が、イオン移動度分光計又は分離器１１及び移送Ｔ波装置１３の電極に累進的に印加される。
【００５１】
１位にＲ、Ｈ、又はＫをもち、４位にＥ又はＤをもつＮ末端アセチル化及び非アセチル化モデルペプチドは、ＮＥＯ  Ｇｒｏｕｐ（マサチューセッツ州ケンブリッジ）から得られた。２＋電荷状態を有するペプチドが、四重極マスフィルタ８を用いて選択された。
【００５２】
ポリアラニンを用いて初期ＣＣＳ校正を行った。実験的に測定されたドリフト時間は、公知のＣｌｅｍｍｅｒデータベースにおけるＣＣＳ値と関連付けられた。この方法に伴う絶対誤差は、計算された断面積の２％以内となるように定期的に観測された。結果として、実験的に観測されたイオン移動度ドリフト時間を対応する衝突断面積（「ＣＣＳ」）値と関連付けることができるようにする初期校正関数が生成された。
【００５３】
好ましい実施形態によれば、サンプル間の正確な比較を保証し、且つ有意性のレベルを判定するために、内部標準としてｚ−シリーズイオンの実験的に導出されるＣＣＳ値を用いた。好ましい実施形態によれば、正確さを高めるために実験収集の過程で初期校正関数を補正又は調整した。
【００５４】
好ましい実施形態によれば、収集したデータに導入される又はより好ましくはその中に既に存在する１つ又は複数の既知のイオン移動度ピークが、例えば、実験収集又はその後の収集のタイムスケールで起こる可能性があるドリフトガス圧力又は温度の小さいが潜在的に重大な変化を補正するために校正関数を調整するのに用いられる。
【００５５】
（初期）校正関数を求めるのに多点外部及び内部校正技術を用いることが知られている。しかしながら、ガス圧力及び温度の動的変化を補正するために単一の内部参照に基づく実験収集の過程で校正関数を調整する又は洗練することは知られていない。
【００５６】
本発明の好ましい実施形態に係る一点内部ロック式移動度補正技術を説明する前に、（初期）校正関数を生成する２つの公知の方法を以下で最初に説明する。
【００５７】
多点外部校正
複数のイオン移動度ピークを含む既知の校正標準に関するイオン移動度データを収集することを含む多点外部校正が知られている。次いで、イオン移動度到達時間分布の頂点又はピーク中心、若しくは各ピーク（Ｔ）に関する中心ドリフト時間が求められる。次いで、数学的校正関数が生成される。
【００５８】
生成される数学的校正関数は、観測されたイオン移動度ドリフト時間、すなわち、ＣＣＳ（Ｔ）の関数として複数の既知の衝突断面積（「ＣＣＳ」）を含む。
【００５９】
公知の技術によれば、校正関数は、以下の形式、すなわち、
ＣＣＳ＝ａ＋ｂ．Ｔ＋ｃ．Ｔ２＋ｄ．Ｔ３      （１）
又は代替的に、以下の形式、すなわち、
ＣＣＳ＝Ａ＋Ｂ．ＴＣ                        （２）
で書かれてもよく、式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びＡ、Ｂ、Ｃは、収集した校正データから実験的に求められる定数である。
【００６０】
校正関数の項は、質量、電荷、並びにドリフトセル又はイオン移動度分光計又は分離器の温度、圧力、ドリフトガスの分極率、及び長さのような他の機器パラメータに関する項を含む。
【００６１】
公知の技術によれば、次に、未知のサンプルが収集され、次いで、未知のサンプルのイオン移動度ドリフト時間が求められる。次いで、未知のサンプルの衝突断面積を求めるために、未知のドリフト時間ピークに校正関数が適用される。
【００６２】
前述のように、公知の多点外部校正手法は、実験収集のタイムスケールで起こる可能性がある小さい圧力変化及び温度変化のような機器パラメータにおける動的変化を補正することができない。
【００６３】
多点内部校正
既知の校正標準物質を未知のサンプルに混合することを含む多点内部校正技術もまた知られている。次に、イオン移動度データが収集され、前述の公知の多点外部校正法と同様の様態でピークリストが生成される。
【００６４】
次いで、数学的校正関数（すなわち、イオン移動度ドリフト時間の関数としての既知の衝突断面積（「ＣＣＳ」））が生成される。数学的校正関数はＣＣＳ（Ｔ）として表わすことができる。
【００６５】
数学的校正関数は、次いで、その衝突断面積を求めるために未知のドリフト時間ピークに適用される。
【００６６】
一点内部ロック式移動度補正
本発明の好ましい実施形態によれば、一点内部ロック式移動度補正が適用され及び用いられることが好ましい。
【００６７】
好ましい実施形態によれば、多点校正関数が最初に求められてもよく、次いで、公知の多点外部校正に関連して前述したようにイオン移動度データに最初に適用されてもよい。
【００６８】
しかしながら、初期校正関数が生成されると、イオン移動度データに存在する１つ又は複数の既知の参照ピークが、現在の又はその後の実験収集中に初期校正関数を強化する又は補正するのに用いられることが好ましい。
【００６９】
好ましい実施形態は、実験収集のタイムスケールで起こる可能性がある実験又は機器パラメータの小さい変化を補正することができ、したがっていくつかの非常に詳細な研究が行われることを可能にするという点で、従来技術に比べて特に有利である。
【００７０】
一実施形態によれば、初期校正関数におけるより低次の校正定数及び／又は係数が、実験収集の過程で補正され又は変更されてもよい。例えば、式１に関連して前述したものに類似した校正関数における定数ａ及び／又は係数ｂが、実験収集の過程で変えられ又は他の方法で変更されてもよい。同様に、上記の式２に示されたものに類似した校正関数における定数Ａが変えられ又は他の方法で変更されてもよい。
【００７１】
１つ又は複数の既知のロック式移動度ドリフト時間ピークが正しい（又は少なくとも改善された）ＣＣＳ値を好適に与えるように、より低次の校正定数及び／又は係数が変えられ又は変更されることが好ましい。
【００７２】
好ましい方法は、有利には、初期多点外部校正が適用されたために生じた可能性がある圧力、温度、Ｔ波電圧などの小さい変化の一次補正を提供する。
【００７３】
好ましい実施形態によれば、低次の定数及び／又は係数の補正だけが必要とされる場合があり、より高次の校正係数は変えられないままであることが好ましい場合がある。しかしながら、これに加えて及び／又は代替的に、校正関数におけるより高次の係数が調整される場合がある次善の好ましい実施形態も考慮される。
【００７４】
校正関数への補正は、進行中に（すなわち、スペクトル毎にリアルタイムで）又は後処理技術の一部として行われてもよい。
【００７５】
校正関数を補正する又は修正するのに好適に用いられる既知の校正ピークは、ＭＳ／ＭＳ試験における１つ又は複数の親イオン又は前駆イオンを含んでいてもよい。これに加えて及び／又は代替的に、既知の校正ピークは、１つ又は複数の既知のフラグメントイオン又はプロダクトイオンを含んでいてもよい。
【００７６】
例えば、好ましい実施形態に係る方法の、公知の多点内部校正法を上回る利点は、一点のみの既知の校正点が必要とされるという点である。しかしながら、二点以上ロック式移動度ピークが考慮される、二次補正が用いられてもよい。
【００７７】
ここで、本発明の一実施形態に係る補正された衝突断面積を用いて得られる実験データのいくつかの例を提示する。実験結果は、好ましい実施形態がどのようにしてイオンのコンフォメーション特性へのいくつかの非常に詳細な研究が行われることを可能にするかを実証する。こうした詳細な研究は、他の方法では可能とならないであろう。
【００７８】
したがって、好ましい実施形態が、正確さの著しい改善が達成されることを可能にすることは明らかであろう。
【００７９】
図３は、好ましい実施形態の改善された校正補正方法を用いるアセチル化及び非アセチル化ＲＬＳＥＬＲ及びＲＩＳＥＬＲペプチドに関するＣＣＳ値のいくつかの実験的に導出される又は求められる結果を示す。
【００８０】
正確に求められたＣＣＳ値に基づいて、いくつかの詳細な分子イオンコンフォメーションを提案することができる。図４Ａ及び図４Ｂは、好ましい実施形態に従って行われるイオン移動度試験に基づく非アセチル化ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンに関する提案される分子イオンコンフォメーションを示す。
【００８１】
図５Ａ及び図５Ｂは、好ましい実施形態に従って行われるイオン移動度試験に基づくアセチル化ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲペプチドのラジカルカチオンに関する提案される分子イオンコンフォメーションを示す。
【００８２】
イソロイシン（Ｉ）のＣＣＳがロイシン（Ｌ）のＣＣＳよりも小さいことは既に判っている。しかしながら、図３から分かるように（ＲＩＳＥＬＲのｃ４及びｃ５イオンの斜線入ボックス参照）、ＲＩＳＥＬＲに関する実験的に求められるＣＣＳ値がＲＬＳＥＬＲに関する実験的に求められるＣＣＳ値よりも大きいので、ｃ４及びｃ５イオンの実験的に求められるＣＣＳ値は、期待されるＩ＜Ｌ傾向に従わない。
【００８３】
図３に示す場合のペプチドを含むＩ及びＬ間の［Ｍ＋２Ｈ］＋．及び［Ｍ＋Ｈ］＋ＣＣＳ値の類似性は、これらの残基の側鎖が構造内に埋まっていることを示唆する。
【００８４】
図３を再び参照すると、［Ｍ＋２Ｈ］＋．及び［Ｍ＋Ｈ］＋化学種間のＣＣＳ値の小さい変化は、Ｈ．のロスが、提案される構造におけるいかなる塩橋も分断させないことを示唆する。結果として、最小のコンフォメーション変化が観測される。
【００８５】
Ｎ末端のアセチル化がペプチド構造を著しく変化させること、及びＨ．のロスが［Ｍ＋２Ｈ］＋．及び［Ｍ＋Ｈ］＋間の重大なコンフォメーション変化を引き起こすことが見出されている。図３はまた、ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲの両方に関するアセチル化及び非アセチル化ｃ−イオンの実験的に求められるＣＣＳ値を示す。
【００８６】
図６は、ＲＩＳＥＬＲ及びＲＬＳＥＬＲの両方に関するアセチル化及び非アセチル化ｃ−イオン間の測定されたＣＣＳ値の差異を示す。図６に示す場合のアセチル化及び非アセチル化ペプチドに関するｃ−イオンのＣＣＳ傾向は、フラグメントに酸性アミノ酸が存在するときのコンフォメーションの収縮を示唆する。Ｉを含むフラグメントの相対的ＣＣＳは、Ｌをもつものよりも小さい。これらの残基の側鎖は、この場合、おそらくより露出されている。
【００８７】
アセチル化及び非アセチル化ＨＩＳＥＬＲ及びＨＬＳＥＬＲペプチドに関する実験的に導出されるＣＣＳ値が図７に示される。ｃ−シリーズは、期待通りにＩ及びＬのＣＣＳの差異を反映する。これらのペプチドに関する［Ｍ＋２Ｈ］＋．及び［Ｍ＋Ｈ］＋．の計算されたＣＣＳは、Ｈ．のロスが引き起こすコンフォメーション変化が小さいか又は変化がないことを示す。
【００８８】
図８Ａ及び図８Ｂは、ｃ−及びｚ−フラグメントイオンのＣＣＳがＨＩＳＥＬＲペプチド及びＨＬＳＥＬＲペプチドの両方のサイズに伴ってどれくらい直線的に増加するかを示す。
【００８９】
コンフォメーションの崩壊（ｃｏｌｌａｐｓｅ）がないのは、側鎖の相互作用の欠如に帰属する可能性がある。
【００９０】
アセチル化及び非アセチル化ＫＬＳＥＬＲ及びＫＩＳＥＬＲペプチドに関する実験的に導出されるＣＣＳ値が図９に示される。Ｋを含むペプチドのフラグメンテーションは、Ｈをもつ観測されたものと類似した傾向を示す。［Ｍ＋２Ｈ］＋．イオンからの比較的大きいＡｃロス（−５９Ｄａ）が、これらのペプチドに関して観測された。このロスは、図１０に示すようにＮ−Ｃ結合のラジカルによる切断に起因するものと推測される。このニュートラルロスは、ｃ−シリーズのフラグメントイオンの欠如の説明を動力学的に裏付ける可能性がある。
【００９１】
アセチル化及び非アセチル化ＲＬＳＥＬＲ、ＲＩＳＥＬＲ、ＫＩＳＤＬＲ、及びＫＬＳＤＬＲに関する実験的に導出されるＣＣＳ値が図１１に示される。Ｒを含むペプチドとＫを含むペプチドは、Ｄが存在するときに類似した挙動を示す。［Ｍ＋２Ｈ］＋．からのＨ．のロスは、結果的にすべての類似体に関するコンフォメーション変化をもたらし、これは塩基性側鎖と酸性側鎖との間の相互作用の存在を示唆する。
【００９２】
本発明の実施形態に従って行われる場合のＥＴＤフラグメントイオンのイオン移動度測定は、マススペクトルにおけるフラグメントイオンの存在又は欠如を説明するための詳細な洞察を提供することができる。例えば、電荷が減少したイオン及びＥＴＤイオン間のＣＣＳの差異は、ラジカルカチオンの構造に関する有用な指標となり得る。
【００９３】
本発明は、好ましい実施形態を参照して説明されているが、添付の請求項に記載の本発明の範囲から逸脱することなく形態及び詳細に種々の変化が加えられてもよいことが当業者には理解されるであろう。
【要約】
イオンをイオン移動度分光計１１に通すこと及び第１のイオン移動度ドリフト時間データを収集することを含む質量分析法が開示される。イオンの物理化学的特性（例えばＣＣＳ）を求めるために第１のイオン移動度ドリフト時間データに校正関数が適用される。次いで、第２のイオン移動度ドリフト時間データが収集され、１つ又は複数の既知のイオン又は参照イオンの物理化学的特性を求めるために第２のイオン移動度ドリフト時間データに校正関数が適用される。次いで、校正関数が調整される。
【選択図】図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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