(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に電極パッドが形成されている基板を用意する第１工程と、
前記電極パッド上に、はんだよりも融点の高い樹脂コアが内部に設けられたはんだボールをフラックスにより仮固定する第２工程と、
前記基板に対して前記はんだボールが下側となるように前記基板を上下反転させて、前記はんだボールが仮固定された前記基板に熱処理を施して、バンプを形成する第３工程とを備え、
前記第３工程にて、前記バンプの内部において、前記電極パッドの面と前記樹脂コアの表面との最短距離のはんだ膜厚より、前記樹脂コアの表面と前記バンプの頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように、前記樹脂コアが配置されることにより、前記バンプが形成された電子部品を得る、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程において、前記基板として集合基板を用い、
前記第３工程の後に、前記集合基板を分割する第４工程をさらに備える、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッド上に形成され、はんだよりも融点の高い樹脂コアおよびはんだを含むバンプとを備え、
前記電極パッド上に形成された状態にて、前記バンプの内部において、前記電極パッドの面と前記樹脂コアの表面との最短距離のはんだ膜厚より、前記樹脂コアの表面と前記バンプの頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように、前記樹脂コアが配置されている、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップや回路モジュール等の、部品底面にバンプを有する電子部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップや回路モジュール等の電子部品は、小型化や高性能化が求められている。近年の電子部品には、部品底面にはんだボールによる電極（以下、バンプ）が取り付けられているものがある。従来では、このような電子部品を基板に接合する際に、基板と電子部品との間に樹脂封止剤（以下、アンダーフィル剤）を塗布し、基板と電子部品との応力を緩和させて接続信頼性を確保していた。しかし、アンダーフィル剤を用いると、電子部品のリワーク性が損なわれ、実装コストがトータルとして増大してしまう。そこで、近年ではこのようなバンプ接合の際に、アンダーフィルの代わりに樹脂コアが内部に設けられたはんだボールが用いられている。樹脂コア入りはんだボールは、従来のはんだボールに比べて衝撃吸収性が高く、実装後のバンプの高さの確保ができるので、接続信頼性が高い。
【０００３】
このような樹脂コア入りはんだボールを用いた電子部品及びその製造方法は、例えば特許文献１に開示されている。この特許文献１に開示されているのは、半導体チップの製造方法である。この半導体チップ１は、図８に示すような構造を有し、次のようにして製造されるものである。なお、図８は半導体チップ１の要部断面図を示している。まず、素子基板１０２の主面に、素子基板１０２内の所定の部分と導通された電極パッド１０３を形成する。次に、素子基板１０２上にパッシベーション膜１０４を形成する。このとき、電極パッド１０３上に開口部１０４ａを形成する。続けて、開口部１０４ａ内の電極パッド１０３上にはんだボール１１０を配置する。はんだボール１１０は、コア部１１１と、コア部１１１の表面を皮膜したはんだ部１１２から構成されており、コア部１１１は例えば樹脂から構成されている。次に、はんだボール１１０をリフローにより熱処理し、前記電極パッド１０３と接合してバンプを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２９６８０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電子部品は、一般的にマザーボードに実装されることを前提としている。従来の電子部品の製造方法においては、基板に対してはんだボールが上側になる状態で熱処理を行う。このとき、はんだボールの内部にはんだよりも融点の高い樹脂コアが設けられているために、はんだより比重の軽い樹脂からなるコア部が、浮力により重力方向と逆の方向に移動する。このような製造方法で製造された電子部品では、コア部がバンプ頂点部側に偏って配置されるので、基板をマザーボードに実装する際に、マザーボードの実装電極側に十分なはんだ量が供給されない。このため、バンプとマザーボードの実装電極間において接合不良が発生するおそれがある。
【０００６】
そこで本発明は、前記問題点を解決する電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の製造方法は、主面に電極パッドが形成されている基板を用意する第１工程と、前記電極パッド上に、はんだよりも融点の高い樹脂コアが内部に設けられたはんだボールをフラックスにより仮固定する第２工程と、前記基板を上下反転させて、前記はんだボールが仮固定された基板に熱処理を施して、バンプを形成する第３工程からなることを特徴とする。
【０００８】
この場合は、基板を熱処理する際に、はんだボールを搭載した基板を上下反転させているため、はんだよりも融点が高く比重の軽い樹脂コアが、浮力により重力方向と逆の方向に移動する。このため、電極パッド面と樹脂コアの表面との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コアの表面とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように樹脂コアが配置される。これにより、マザーボードの実装電極側に、実装をするのに十分なはんだ量を確保することができるので、基板をマザーボードに実装する際の接合不良を低減することができる。
【０００９】
また本発明の製造方法は、前記第１工程において、前記基板として集合基板を用い、前記第３工程の後に、前記集合基板を分割する第４工程を備えることが望ましい。この場合は、集合基板においても、子基板と同様の効果を得ることができる。
【００１０】
また本発明に係る電子部品は、基板と、前記基板上に形成された電極パッドと、前記電極パッド上に、樹脂コアが内蔵されたはんだボールにより形成されるバンプを備え、前記樹脂コアは、前記バンプ内において、前記電極パッド面と前記樹脂コアの表面との最短距離のはんだ膜厚よりも、前記樹脂コアの表面とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように配置されていることを特徴とする。この場合は、バンプ頂点部側に、マザーボードと確実に実装ができる程度十分なはんだ量が確保されているため、実装不良を低減することができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、基板を熱処理する際に、はんだボールを搭載した基板を上下反転させているため、はんだよりも融点が高く比重の軽い樹脂コアが、浮力により重力方向と逆の方向に移動する。このため、電極パッド面と樹脂コアの表面との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コアの表面とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように樹脂コアが配置される。これにより、マザーボードの実装電極側に、実装をするのに十分なはんだ量を確保することができ、基板をマザーボードに実装する際の接合不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１による電子部品の断面概略図である。
【図２】本発明の実施形態１の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】図２に続く工程断面図である。
【図４】本発明の実施形態２の電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図５】図４に続く工程断面図である。
【図６】本発明の実施形態３によるＣＳＰ構造の電子部品の断面概略図である。
【図７】本発明の実施形態４によるモジュール構造の電子部品の断面概略図である。
【図８】先行技術の電子部品の要部断面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１４】
（実施形態１）
図１は本実施形態１に係る電子部品１の断面概略図である。本実施形態１の電子部品１は、基板２と、基板２の主面に形成された電極パッド３と、電極パッド３上に、樹脂コア部１１が内蔵されたはんだボールにより形成されるバンプ部２０から構成される。
【００１５】
バンプ部２０内の樹脂コア部１１は、電極パッド３の面と樹脂コア部１１の表面との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コア部１１の表面とバンプ２０頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように配置されている。バンプ２０頂点部は、バンプ２０の表面のうち、電極パッド３の面からの垂直距離が最も長い点のことである。すなわち、図１の距離Ｂよりも、距離Ａのほうが長くなるように樹脂コア部１１が配置されている。
【００１６】
本実施形態のバンプ２０は、バンプ２０内部に設けられており、はんだよりも融点が高く、比重が軽い樹脂コア部１１と、樹脂コア部１１の外周に皮膜された導電金属層（図示せず）と、最外層にめっきされたはんだ部１２からなる。樹脂コア部１１は、例えばジビニルベンゼン架橋重合体から構成されている。導電金属層は、例えばＣｕから構成されている。はんだ部１２は、例えばＳｎ−Ａｇはんだから構成されている。
【００１７】
本実施形態では、樹脂コア部１１の材料にジビニルベンゼン架橋重合体を用いているが、これに限るものではない。はんだより比重が軽く、融点の高い樹脂で、熱変形の小さいものであれば、どのような樹脂を用いてもよい。
【００１８】
以下に、電子部品１の製造方法について説明する。
【００１９】
図２、３は本発明の実施形態１の電子部品１の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００２０】
まず、第１工程を行う。
【００２１】
すなわち、図２（Ａ）に示すように、主面に電極パッド３が形成されている基板２を用意する。
【００２２】
次に、第２工程を行う。
【００２３】
すなわち、図２（Ｂ）に示すように、この電極パッド３の形状に開口部が設けられているマスク５を介して、電極パッド３上に粘性の高いフラックス４をスクリーン印刷等により塗布する。このようにすることで、図２（Ｃ）に示すような基板２を得る。さらに、図２（Ｄ）に示すように、はんだボール１０が通過する程度の開口部が設けられているはんだボール取り付け冶具６を基板２上に設置し、フラックス４上にはんだボール１０を配置する。はんだボール１０は、フラックス４により電極パッド３に仮固定される。
【００２４】
次に、第３工程を行う。
【００２５】
図３（Ｅ）に示すように、フラックス４により電極パッド３にはんだボール１０を仮固定された状態で基板２を上下反転させる。さらに、図３（Ｆ）に示すように、基板２に対してはんだボール１０が下側となるような状態で基板２を支持し、リフロー炉２１で熱処理を行う。ここで、本実施形態のリフロー炉２１のピーク温度は２５０度とする。
【００２６】
熱処理を行うと、フラックス４が飛散するとともに、はんだ部１２が溶解し電極パッド３と接合される。はんだボール１０の内部に設けられている樹脂コア部１１は、はんだよりも融点が高いため、溶解されたはんだ部１２中でその形状が維持される。また、樹脂コア部１１ははんだよりも比重が軽いので、溶解されたはんだ部１２中を重力方向と逆の方向に移動する。基板２を上下反転させているので、樹脂コア部１１は電極パッド３の面側へと移動する。
【００２７】
その結果、バンプ２０の内部では、図３（Ｇ）に示すように、電極パッド３の面と樹脂コア部１１の表面との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コア部１１の表面とバンプ２０頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように樹脂コア部１１が配置される。すなわち、図３（Ｇ）の距離Ｂよりも、距離Ａのほうが長くなるように樹脂コア部１１が配置される。このようにして、バンプ２０が形成された電子部品１を得る。
【００２８】
（実施形態２）
図４、５は本発明の実施形態２の電子部品４０の製造方法を説明するための工程断面図である。実施形態１と同一の部分については、図示を省略する。
【００２９】
まず、第１工程を行う。
【００３０】
すなわち、図４（Ａ）に示すように、主面に電極パッド４３が形成されている集合基板４２を用意する。
【００３１】
次に、第２工程を行う。
【００３２】
すなわち、図４（Ｂ）に示すように、電極パッド４３上に粘性の高いフラックス４４をスクリーン印刷等により塗布し、フラックス４４の上にはんだボール５０を配置する。はんだボール５０はフラックス４４により電極パッド４３に仮固定されている。
【００３３】
次に、第３工程を行う。
【００３４】
図４（Ｃ）に示すように、フラックス４４により電極パッド４３にはんだボール５０を仮固定された状態で集合基板４２を上下反転させる。さらに、集合基板４２に対してはんだボール５０が下側となるような状態で集合基板４２を支持し、リフロー炉５９で熱処理を行う。ここで、本実施形態のリフロー炉５９のピーク温度は２５０度とする。熱処理を行うと、バンプ５５が形成され、図４（Ｄ）に示すような集合電子部品４１を得る。
【００３５】
次に、第４工程を行う。
【００３６】
図５（Ｅ）に示すように、集合電子部品４１の集合基板４２を分割する。このようにして、図５（Ｆ）に示すような電子部品４０を得る。
【００３７】
バンプ部５５内の樹脂コア部５１は、電極パッド４３の面と樹脂コア部５１との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コア部５１とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように配置されている。すなわち、図５（Ｆ）の距離Ｂ２よりも、距離Ａ２のほうが長くなるように樹脂コア部５１が配置されている。
【００３８】
前記実施形態では、第１工程にて、電極パッド上に極めて薄くはんだを塗布して、はんだぬれ性をよくしてもよい。
【００３９】
前記実施形態１では、第２工程にて、はんだボールを電極パッドに搭載する際にはんだボール取り付け冶具を用いているが、これに限るものではない。例えば、ボール吸着治具等やボールマウンタ等を用いてもよい。
【００４０】
前記実施形態では、第３工程にて、リフロー炉のピーク温度を２５０度としているが、これに限るものではない。ピーク温度が、はんだ部の融点よりも高く、樹脂コア部の融点よりも低い温度であれば、何度に設定してもよい。
【００４１】
（実施形態３）
図６は本実施形態３に係るＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の電子部品６０の断面概略図である。実施形態１と同一の部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００４２】
本実施形態３のＣＳＰ構造の電子部品６０は、基板６２の一方主面に形成されている電極パッド３と、電極パッド３上に、樹脂コア部１１が内蔵されたはんだボールにより形成されるバンプ部２０から構成されている。
【００４３】
基板６２の他方主面にはＩＣチップ６３が設けられており、ＩＣチップ６３の周囲は樹脂等によって封止されている。ＩＣチップ６３と電極パッド３とは、基板６２内の配線（図示せず）によって電気的に接続されている。
【００４４】
バンプ部２０内の樹脂コア部１１は、電極パッド３の面と樹脂コア部１１との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コア部１１とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように配置されている。すなわち、図６の距離Ｂよりも、距離Ａのほうが長くなるように樹脂コア部１１が配置されている。
【００４５】
電子部品６０のバンプ部分２０は、実施形態１と同様にして製造される。
【００４６】
（実施形態４）
図７は本実施形態４に係るモジュール構造の電子部品７０の断面概略図である。実施形態１と同一の部分には、同一符号を付して重複説明を省略する。
【００４７】
本実施形態４のモジュール構造の電子部品７０は、基板７２の主面に形成されている電極パッド３と、電極パッド３上に、樹脂コア部１１が内蔵されたはんだボールにより形成されるバンプ部２０から構成されている。
【００４８】
基板７２の他方主面にはＩＣチップ７３、チップ部品７４等が設けられている。基板７２は、これらの部品と電極パッド３とは、基板７２内の配線（図示せず）によって電気的に接続されている。
【００４９】
バンプ部２０内の樹脂コア部１１は、電極パッド３の面と樹脂コア部１１との最短距離のはんだ膜厚よりも、樹脂コア部１１とバンプ頂点部との最短距離のはんだ膜厚が大きくなるように配置されている。すなわち、図７の距離Ｂよりも、距離Ａのほうが長くなるように樹脂コア部１１が配置されている。
【００５０】
電子部品７０のバンプ部分２０は、実施形態１と同様にして製造される。
【符号の説明】
【００５１】
１、４０、６０、７０、１００…電子部品
４１…集合電子部品
２…基板
３…電極パッド
４…フラックス
５…マスク
６…はんだボール取り付け冶具
１０…はんだボール
１１…樹脂コア部
１２…はんだ部
２０…バンプ
２１…リフロー炉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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