(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジアルキルスルフィドを金属アルコラート、及び、任意に、少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる工程を含むジアルキルスルフィドの精製方法。
【請求項２】
ジアルキルスルフィドは、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、メチルエチルスルフィド、メチルイソプロピルスルフィド、又はチオキサンである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の金属アルコラート及び少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ジアルキルスルフィドを、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド及びナトリウム−カリウム合金と接触させる請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の金属アルコラート及び少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と単一の工程中で同時に接触させる請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
ａ）ジアルキルスルフィドを金属アルコラート、及び、任意に、少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させ、及び
ｂ）工程ａ）の生成物をハロゲン化アルキル又はハロゲン化ベンジルと反応させる工程、及び
ｃ）ジアルキルスルフィドを留去する工程
を含むジアルキルスルフィドの精製方法。
【請求項７】
ａ）ジアルキルスルフィドを、金属アルコラート、及び、任意に、少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させ, 及び
ｂ）工程ａ）の生成物をハロゲン化アルキル又はハロゲン化ベンジルと反応させる工程、及び
ｃ）ジアルキルスルフィドを留去する工程、及び
ｄ）工程ａ）〜工程ｃ）により精製したジアルキルスルフィドをジボランと反応させる工程
を含むジアルキルスルフィドボラン錯体の製造方法。
【請求項８】
ジアルキルスルフィドは、ジメチルスルフィドである請求項７の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジアルキルスルフィドの新しい精製方法、この新しい方法により得られる精製されたジアルキルスルフィド、及びこの精製されたジアルキルスルフィドの使用方法に関する。更に、本発明は、高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体の製造方法、この方法により得られるジアルキルスルフィドボラン錯体、及び還元剤としてこの高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体を用いてエナンチオ選択的還元を行う方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ジアルキルスルフィドは、有機合成のために使い道の多い試薬である。更に、より下級のジアルキルスルフィドが、しばしば貴重な溶剤として用いられる。低分子量の大部分の有機スルフィドは、強度の不快臭を有し、その不快臭は多くの場合、硫黄を含有する不純物の存在を通して更に悪化する（Ｋ．-Ｍ．Ｒｏｙ，“Ｔｈｉｏｌｓ ａｎｄ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｕｌｆｉｄｅｓ”，Ｕｌｌｍａｎｎ’ｓ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ， 第７版、１〜２８頁、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ．ＫＧａＡ ２００８）。例えば、市販のジメチルスルフィド（ＤＭＳ）は二硫化炭素、硫化カルボニル、メチルチオール、ジメチルジスルフィド、硫化水素、及び他の亜硫酸化合物等の悪臭のある不純物を低レベルで多く含む。これらの不純物の濃度は１％未満であり、そして、いくつかの化合物は２００ｐｐｍ未満の濃度であるが、その不純物の臭気はＤＭＳに腐った卵、キャベツ、及びスカンクの下品な悪臭をもたらす。ニンニク又は玉ねぎ臭を有するいくつかの亜硫酸化合物もまたその臭気に寄与する。高純度のＤＭＳはトウモロコシ又は草深い草地のにおいを有する（Ｄ．Ｊ．Ｒｏｗｅ，Ｐｅｒｆｕｍｅｒ ＆ Ｆｌａｖｏｒｉｓｔ １９９８年、第２３巻、９〜１４頁）。
【０００３】
ＤＭＳは、石油の水蒸気分解の固化防止剤として、及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）溶媒製造のための原材料として用いられる。また、ＤＭＳは、溶媒として、及び金属化合物又は他のルイス酸、例えば、ボラン化合物への配位のために使用される。ジメチルスルフィドボラン（ＤＭＳＢ）は、カルボニル化合物、イミンの還元反応のために、及びアルケン若しくはアルキン中の二重結合のヒドロホウ素化反応のために、製薬産業で利用されるボラン（ＢＨ3）の安定した濃縮（１０Ｍ）形状である。混ざり物のあるＤＭＳから生じるＤＭＳＢの不快臭は、製造作業時に非常に低いレベルでも気づくことができ、風で人々が住んでいる地区へ押し流される。責任を負うべき企業は、ＤＭＳ又はＤＭＳＢを用いることでその臭いを従業員や近隣住民にさらしたがらない。
【０００４】
ＤＭＳの精製は、水蒸気蒸留工程及びジアルキルスルフィドからの水の分離によりＪＰ４９００６２８７に取り扱われている。この方法は、ＤＭＳ中に水が残留するためにＤＭＳＢのためには不適当である。
【０００５】
米国特許６，７３６，８７９には、ジメチルスルフィドから二硫化炭素を除去するための吸収方法が開示されている。吸収媒体は、アルカリ金属及びアルカリ土類化合物で処理された活性アルミナであり、再生可能である。しかしながら、ジアルキルスルフィド中の不純物の吸収はいくつかの汚染物質を除去するかもしれないが、吸収工程の可逆性のためにさまざまの不純物を完全には除去しないだろう。
【０００６】
ジメチルスルフィド及びジメチルジスルフィドのある製造業者はその混合物により快適な匂いをもたらす臭いマスキング化合物を使用した（ＵＳ５，５５９，２７１、ＵＳ６，６３９，１１０）。使用されるその化合物はボランと反応する官能基を有し、それゆえ、ＤＭＳＢ製造に適用することができない。
【０００７】
ガス流及び炭化水素混合物からの硫化水素、二硫化炭素、及びチオール（集合的に、酸性ガスと呼ばれる）の除去は、そのガスの充填床か焼器（ＵＳ６，１３６，１４４）若しくは水及び臭素（ＵＳ５，４３３，８２８）への通過、又は複素環を含む窒素（ＤＥ１９８２８９７７、ＵＳ５，４８０，８６０）若しくは可逆性の吸収剤（ＵＳ４，１７３，６１９、ＵＳ２００５／０２０５４７０）での吸収等、数多くの方法で試みられている。重合反応より先に亜硫酸化合物及びホスフィン化合物を除去するための炭化水素の精製は、アルカリ金属を担体（ＵＳ５，３０２，７７１、ＵＳ６，１２４，４１０）上に、又はイオン交換したゼオライト（４，３５８，２９７）を用いた。他の例では、アミンを固体の担体（ＵＳ４，９９９，１７５）に、遷移金属酸化物（ＵＳ５，１５７，２０１）に、又はグループ１Ｂ金属ハロゲン化物アミンとの反応（ＵＳ５，３８２，４１７）に用いている。
【０００８】
酸化による工場排水中のアルキルスルフィド及びチオールの除去が取り扱われている（ＵＳ６，０１５，５３６、ＵＳ６，２７７，３４４、ＵＳ５，４３９，６４１）。しかし、ＤＭＳもまた酸化されるので、酸化はＤＭＳの精製には適用できない。
【０００９】
高純度のＤＭＳは、その高純度のＤＭＳから製造されるＤＭＳＯ又はＤＭＳＢ等の低臭気化合物と同様に着香料又は溶剤として好適な所望の市販の製品である。所望のジメチルスルフィドを残しておく一方、望ましくない化合物の選択的な除去は、現在の文献には十分な取り扱いがない。更に、酸化方法はその混合物の全ての成分に対して破壊的である。ＤＭＳを変化しないままにしておく一方で、ＤＭＳから悪臭のある不純物を除去することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】ＪＰ４９００６２８７
【特許文献２】米国特許６，７３６，８７９
【特許文献３】ＵＳ５，５５９，２７１
【特許文献４】ＵＳ６，６３９，１１０
【特許文献５】ＵＳ６，１３６，１４４
【特許文献６】ＵＳ５，４３３，８２８
【特許文献７】ＤＥ１９８２８９７７
【特許文献８】ＵＳ５，４８０，８６０
【特許文献９】ＵＳ４，１７３，６１９
【特許文献１０】ＵＳ２００５／０２０５４７０
【特許文献１１】ＵＳ５，３０２，７７１
【特許文献１２】ＵＳ６，１２４，４１０
【特許文献１３】４，３５８，２９７
【特許文献１４】ＵＳ４，９９９，１７５
【特許文献１５】ＵＳ５，１５７，２０１
【特許文献１６】ＵＳ５，３８２，４１７
【特許文献１７】ＵＳ６，０１５，５３６
【特許文献１８】ＵＳ６，２７７，３４４
【特許文献１９】ＵＳ５，４３９，６４１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
それゆえ、市販されているジアルキルスルフィドと比較してほとんど気付かれない臭気を有する等の低臭気のジアルキルスルフィドを提供するために、ジアルキルスルフィドの精製方法を開発することが本発明の目的であった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
従って、ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の塩基及び／又は少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる工程を含むジアルキルスルフィドの新しい精製方法が開発された。
【００１３】
そのうえ、悪臭のある不純物のない低臭気のジアルキルスルフィドが開発され、低臭気の製品を製造するための、又は低臭気の溶媒としてのこれらの低臭気のジアルキルスルフィドの使用方法が開発された。
【００１４】
更に、高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体が、その錯体の製造方法と共に開発され、還元剤として高純度のこれらのジアルキルスルフィドボラン錯体を用いるエナンチオ選択的還元反応のための改良方法が発見された。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の一実施の形態は、ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の塩基及び／又は少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる工程を含むジアルキルスルフィドの精製方法であって、その塩基は、金属アルコラート、金属酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム水酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム炭酸塩、金属エノラート、金属アミド、又は金属水酸化物であり、その金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びＩＩＩａ〜ＶＩＩＩａ、Ｉｂ及びＩＩｂ族の金属からなる群から選択されることを特徴とする方法である。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態は、ジアルキルスルフィドを少なくとも一種の塩基及び少なくとも一種のアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属と接触させる工程を含むジアルキルスルフィドの精製方法である。
本発明によると、ジアルキルスルフィドは以下の化学式
【００１７】
【化１】
0005587310.tif 000002
【００１８】
［式中、Ｒ及びＲ’は、Ｃ1−Ｃ18アルキル、Ｃ3−Ｃ14シクロアルキル、置換されたＣ1−Ｃ18アルキル、又は置換されたＣ3−Ｃ14シクロアルキルであってお互いに独立であるか、又はＲ及びＲ’は、更なる硫黄、酸素、若しくは窒素原子を内部に含む二価の炭化水素部分として接続され、硫黄原子と共に環状ジアルキルスルフィド構造を形成する。］で表わされる化合物である。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態では、ジアルキルスルフィドは、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、メチルエチルスルフィド、メチルイソプロピルスルフィド、又はチオキサンである。
【００２０】
本発明に関して、“Ｃ1−Ｃ18アルキル”という用語は、分岐しているか、又は未分岐の１〜１８の間の炭素原子を有する飽和炭化水素基を意味するものとして用いられる。例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｓｅｃ−アミル、１，２−ジメチルプロピル、１，１−ジメチルプロピル、ヘキシル、４−メチルペンチル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、１，１−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、１，２，２−トリメチルプロピル、１，１，２−トリメチルプロピル、ヘプチル、５−メチルヘキシル、１−メチルヘキシル、２，２−ジメチルペンチル、３，３−ジメチルペンチル、４，４−ジメチルペンチル、１，２−ジメチルペンチル、１，３−ジメチルペンチル、１，４−ジメチルペンチル、１，２，３−トリメチルブチル、１，１，２−トリメチルブチル、１，１，３−トリメチルブチル、オクチル、６−メチルヘプチル、１−メチルヘプチル、１，１，３，３−テトラメチルブチル、ノニル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，若しくは７−メチルオクチル、１−，２−，３−，４−，若しくは５−エチルヘプチル、１−，２−，若しくは３−プロピルヘキシル、デシル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，７−，及び８−メチルノニル、１−，２−，３−，４−，５−，若しくは６−エチルオクチル、１−，２−，３−，若しくは４−プロピルヘプチル、ウンデシル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，７−，８−，若しくは９−メチルデシル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，若しくは７−エチルノニル、１−，２−，３−，４−，若しくは５−プロピルオクチル、１，２，若しくは３−ブチルヘプチル、１−ペンチルヘキシル、ドデシル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，７−，８−，９−，若しくは１０−メチルウンデシル、１−，２−，３−，４−，５−，６−，７−，若しくは８−エチルデシル、１−，２−，３−，４−，５−，若しくは６−プロピルノニル、１−，２−，３−，若しくは４−ブチルオクチル、及び１−２−ペンチルヘプチルが挙げられる。好ましくは、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｓｅｃ−アミル、１，２−ジメチルプロピル、１，１−ジメチルプロピル、ヘキシル、及びオクチル等のアルキル基である。
【００２１】
“Ｃ3−Ｃ14シクロアルキル”という用語は、モノ−若しくはポリ環状構造部分を含む３〜１４の間の炭素原子を含む飽和炭化水素基を意味する。例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、又はシクロデシルが挙げられる。好ましくは、シクロプロピル、シクロペンチル、及びシクロヘキシル等のシクロアルキル基である。
【００２２】
“置換されたＣ1−Ｃ18アルキル”又は“置換されたＣ3−Ｃ14シクロアルキル”という用語は、上の方で定義されたアルキル基又はシクロアルキル基であって、それらの基の中の少なくとも一つの水素原子がフッ素原子により置換されたものを意味している。
【００２３】
環状ジアルキルスルフィドは、例えば、チエタン、チオラン、チオキサン、１，３−ジチアン、１，４−ジチアン、及び２−メチル−１，３−ジチアンを含む。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態では、出発物質として使用されるジアルキルスルフィドは、少なくとも９５質量％の純度、好ましくは、少なくとも９９質量％の純度を有するべきである。
【００２５】
本発明の他の実施の形態では、ジアルキルスルフィド及び少なくとも一種の塩基又は少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属を、約１秒〜２４時間の範囲で、最も好ましくは、１分〜３時間の間で接触させる。
【００２６】
本発明の一実施の形態では、ジアルキルスルフィドを、金属アルコラート、金属酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム水酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム炭酸塩、金属エノラート、金属アミド、又は金属水酸化物の少なくとも一種の塩基と接触させる。その金属は、そのアルカリ金属、そのアルカリ土類金属、及びＩＩＩａ〜ＶＩＩＩａ、Ｉｂ及びＩＩｂ族の金属からなる群から選択することができる。好ましくは、アルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、バリウム、スカンジウム、チタニウム、バナジウム、クロミウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、及び亜鉛である。
【００２７】
金属アルコラートは、分岐であるか又は未分岐のどのような脂肪族アルコールにも由来しうる少なくとも一種のアルコキシ基を含む。本発明で使用することができる好適な金属アルコラートの例は、メタノール、エタノール若しくはｔ−ブタノールに由来する、カリウムアルコラート、ナトリウムアルコラート、リチウムアルコラート、マグネシウムアルコラート、亜鉛アルコラート、及びチタンアルコラートを含む。
【００２８】
本発明の他の実施の形態では、ジアルキルスルフィドを少なくとも一種のアルカリ金属又はアルカリ土類金属と接触させる。これらの金属は、お互いの混合物（合金等）又は水銀との混合物（アマルガム等）として用いることができる。アルミナ、シリカ、珪藻土、黒鉛、又は他の一般的な無機化合物等の担持手段上の金属のみならず、金属の分散物が好ましい。アルカリ金属の使用が最も好ましく、特に、ナトリウム−カリウム合金が好ましい。
【００２９】
使用する金属が不純物とだけでなく精製されるべきジアルキルスルフィドとも反応しないような状況では、その金属の大過剰は避けるべきである。さもないと、全体の収率が減少する。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態では、ジアルキルスルフィドを金属アルコラートと、及び、任意に、少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる。
【００３１】
本発明の一実施の形態では、ジアルキルスルフィドを少なくとも一種の塩基及び少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と、連続的に別の工程で反応させる。本発明の好ましい実施の形態では、ジアルキルスルフィドを少なくとも一種の塩基及び少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と、同時に単一の工程で反応させる。
【００３２】
本発明の他の実施の形態では、ジアルキルスルフィドをカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド及びナトリウム−カリウム合金と接触させる。
【００３３】
そのうえ、本発明の方法は、液体中で又は気相中で実施することができる。ジアルキルスルフィドから悪臭成分を不可逆的に除去するための、商業用の方法のために処理能力を高くするための選択の方法は、十分な接触時間を可能にするために気体状のジアルキルスルフィドを坦持手段上で金属と塩基を含む固定床の影響下に置くことである。
【００３４】
粗製のジアルキルスルフィドへのこの発明に開示された方法の適用によって、基本的に全ての悪臭のある不純物が不揮発性且つおそらく不溶性の誘導体に変換される。これらの誘導体は、従来公知のどのような分離方法によってもジアルキルスルフィドから除去することができる。例えば、不溶性誘導体の沈殿物を濾過することができる。ジアルキルスルフィド中へのかなりの溶解性を有する反応生成物は蒸留法又は抽出法により除去することができる。
【００３５】
しかしながら、ジアルキルスルフィドの蒸留は、二硫化炭素（ＣＳ2）を除去すべき場合には問題が発生する。ＣＳ2は、例えば、ジメチルスルフィド（ＤＭＳ）等とアゼオトロープを形成し、それゆえ、蒸留法はこの不純物を満足に除去できない。二硫化炭素と金属アルコラートの反応により、キサントゲン酸塩が発生するが（Ｄｕｎｎ，Ａ．Ｄ．；Ｒｕｄｏｒｆ，Ｗ．Ｃａｒｂｏｎ Ｄｉｓｕｌｐｈｉｄｅ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；Ｅｌｌｉｓ Ｈｏｒｗｏｏｄ：Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ １９８９年、３１６頁）、この反応は蒸留条件下では可逆的である。求電子剤とキサントゲン酸塩の更なる反応がその塩を、安定で蒸留により容易にジアルキルスルフィドから分離可能なキサントゲン酸エステルへと転化させる。また、いかなるチオアート塩も、その対応する（望ましくない）ジアルキルスルフィドをもたらすべく求電子剤と反応するので、求電子剤はその生成物が不揮発性であるか、又は高沸点であるように選択されるべきである。
【００３６】
それゆえ、本発明の他の実施の形態は
ａ）ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の塩基及び／又は少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させ、その塩基は、金属アルコラート、金属酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム水酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム炭酸塩、金属エノラート、金属アミド、又は金属水素化物であり、その金属は、そのアルカリ金属、そのアルカリ土類金属、及びそのＩＩＩａ〜ＶＩＩＩａ、Ｉｂ及びＩＩｂ族の金属からなる群から選択される工程、及び
ｂ）反応ａ）の生成物を求電子剤と反応させる工程、及び
ｃ）ジアルキルスルフィドを留去する工程
を含むジアルキルスルフィドの精製方法である。
【００３７】
本発明の好ましい実施の形態では、ジアルキルスルフィドを工程ａ）で金属アルコラート、及び、任意に、少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させる。
【００３８】
求電子剤としては、いかなる有機ハロゲン化物、メタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホネート（trifluormethanesulfonate）、及びｐ−トルエンスルホネート等を用いることができる。上述の理由のために、求電子剤の有機残基は高沸点生成物を生成するために大きな分子量を有するべきである。低沸点のジアルキルスルフィドを精製するための好適な求電子剤の例としては、臭化オクチル、臭化ベンジル、及び塩化ベンジルが挙げられる。
【００３９】
この発明に開示された新しい方法は、低臭気ジアルキルスルフィドの容易な利用法を提供する。その低臭気ジアルキルスルフィドは、その低臭気ジアルキルスルフィドから作られる低臭気化合物、例えば、ジメチルスルフィドからのジメチルスルホキシド又はジメチルスルフィドボラン錯体等の生成のために大きな価値を有する。
【００４０】
本発明の他の実施の形態は、上述のそれらの方法の何れかにより得られるジアルキルスルフィドである。
【００４１】
本発明によるジアルキルスルフィド中には、二硫化炭素、メタンチオール、及びジメチルジスルフィドの各不純物の含量は、それぞれ０．０１質量％未満である。
【００４２】
本発明の更に別の実施の形態は、低臭気生成物を製造するための、又は低臭気溶媒としてのこれらの低臭気ジアルキルスルフィドの使用方法である。
【００４３】
本発明の好ましい実施の形態は、高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体を生成するための精製されたジアルキルスルフィドの使用方法である。本発明の更に好ましい実施の形態は、高純度のジメチルスルフィドボラン（ＤＭＳＢ）を生成するための精製されたジメチルスルフィドの使用方法である。
【００４４】
本発明のさらなる実施の形態は、
ａ）ジアルキルスルフィドを、少なくとも一種の塩基及び／又は少なくとも一種のアルカリ若しくはアルカリ土類金属と接触させ、その塩基は、金属アルコラート、金属酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム水酸化物、金属若しくはアルキルアンモニウム炭酸塩、金属エノラート、金属アミド、又は金属水素化物であり、その金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び元素の周期表のＩＩＩａ〜ＶＩＩＩａ、Ｉｂ及びＩＩｂ族の金属からなる群から選択される工程、及び
ｂ）任意に、工程ａ）の生成物を求電子剤と反応させ、ジアルキルスルフィドを留去する工程、及び
ｃ）工程ａ）、及び、任意に、工程ｂ）により精製されたジアルキルスルフィドをジボランと反応させる工程
を含む高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体の生成方法である。
【００４５】
本発明の好ましい実施の形態は、ジアルキルスルフィドとしてジメチルスルフィドが用いられる上述の方法による高純度のジメチルスルフィドボラン（ＤＭＳＢ）の製造方法である。
【００４６】
上述の方法の工程ｃ）による、精製されたジアルキルスルフィドとジボランの反応は、通常、−１０℃と５０℃の間の温度で実施され、好ましくは周囲の温度で実施される。ジボランは、好ましくは気体状で用いられ、その反応は、好ましくは加圧容器中で実施される。
【００４７】
本発明の他の実施の形態は、上述の方法により得られる高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体である。
【００４８】
本発明によるジアルキルスルフィドボラン錯体中には、二硫化炭素、メタンチオール、及びジメチルジスルフィドの各含量は、それぞれ０．０１質量％未満である。
【００４９】
還元剤としてのジアルキルスルフィドボランとのエナンチオ選択的還元中に得られる鏡像体過剰率が、通常のジアルキルスルフィドボラン錯体と比較して本発明による高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体においてより高いことがわかった。この改善は、上述の精製方法により効果的に除去されるジメチルジスルフィド（ＤＭＤＳ）又はアルキルチオール（実施例３に参照される追加実験により示されるような）のような不純物が不足するためである。
【００５０】
医薬品のためには、少なくとも９９．５％の鏡像体過剰率が調節により必要とされるので（Ｃａｒｅｙ，Ｊ．Ｓ．；Ｌａｆｆａｎ，Ｄ．；Ｔｈｏｍｓｏｎ，Ｃ；Ｗｉｌｌｉａｍｓ，Ｍ．Ｔ．Ｏｒｇａｎｉｃ＆Ｂｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２００６年、４、２３３７）、本発明による高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体の適用は、精製工程を回避するのに役立つので非常に有利である。
【００５１】
それゆえ、本発明の他の実施の形態は、本発明による高純度のジアルキルスルフィドボラン錯体の還元剤としての使用を含むエナンチオ選択的な還元方法である。
【００５２】
還元剤としてのジアルキルスルフィドボランでのエナンチオ選択的な還元は、テトラヒドロ−１−メチル−３，３−ジフェニル−１Ｈ，３Ｈ−ピロロ［１，２−ｃ］［１，３，２］オキサザボロール（（Ｒ）−又は（Ｓ）−ＭｅＣＢＳオキサザボロリジン試薬として知られる、Ｃｏｒｅｙ，Ｅ．Ｊ．；Ｈａｌａｌ，Ｃ．Ｊ．Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９８、３７、１９８６参照）等のキラルなホウ素含有触媒、又は（Ｒ）−若しくは（Ｓ）−２−［（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イルオキシ）ジフェニルメチル］ピロリジン（Ｏｒｔｉｚ，Ｍ．Ｍ．；Ｓｔｅｐａｎｅｎｋｏ，Ｖ．；Ｃｏｒｒｅａ，Ｗ．；Ｊｅｓｕｓ，Ｍ．Ｄ．；Ｓａｎｄｒａｌｉｚ，Ｅ．；Ｏｒｔｉｚ，Ｌ．Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ ２００６年、１７，１２２参照）等のキラルなスピロホウ酸の存在下に通常実施される。
【００５３】
本発明の好ましい実施の形態では、エナンチオ選択的な還元はプロキラルケトン又はイミンの還元である。
【００５４】
以下の実施例は本発明をその実施例の同一のものに限定せずに説明する。
【実施例】
【００５５】
実施例１：
市販のジメチルスルフィドの臭気へのアルキル金属又は塩基との様々な処理の影響を確かめるために、一連の実験を成し遂げた。混ざり物のあるジメチルスルフィド（約９９．０％のＤＭＳ、Ｃｈｅｖｒｏｎ−Ｐｈｉｌｌｉｐｓ）を、周囲の温度で１時間の間、液相中で様々な試薬と撹拌した。４人の人間のボランティアによる臭気の検出に基づき、試薬との接触後の臭気を決定し、特定の既知の臭気に関連づけた。
【００５６】
表１：異なる処理後のジメチルスルフィドの臭気評価
【００５７】
【表１】
0005587310.tif 000003
【００５８】
ＤＭＳへの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ、項目２、１ｇ／１０ｍｌ ＤＭＳ）又はカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ＫＴＢ、項目３、１ｇ／１０ｍｌＤＭＳ）の添加により、主に塩基の溶解のためにその溶液の顕著な昇温が生じた。塩基で処理した試料の残臭は、ＤＭＳ中に残留するジメチルジスルフィドの不純物のために腐ったキャベツ臭であった。液状のナトリウム−カリウム合金（ＮａＫ、項目４、０．２ｇ／１０ｍｌ ＤＭＳ）の添加は、ガス発生（水素）による反応の目に見えるサインを示し、黄褐色固体がＮａＫのビーズ状に形成した。ＮａＫ処理後の臭気は、まだ強い二硫化炭素であった。ＫＴＢを、大きく臭気が改善した、ＮａＫ処理したＤＭＳに添加した（項目５、１ｇＫＴＢ＋０．２ｇＮａＫ／１０ｍｌ ＤＭＳ）。この濾過した試料の臭気は、ゆでたトウモロコシのにおいであった。
【００５９】
ＮａＫ及びＫＴＢ処理した試料を、固体及び残留する未反応のＮａＫから蒸留した。そのＤＭＳ蒸留物（項目６）は二硫化炭素のわずかな臭気を有した。ＤＭＳの蒸留は溶解した塩基化合物の問題を克服する。しかしながら、二硫化炭素と塩基の反応の可逆性のために、その蒸留したＤＭＳの臭気は、ＣＳ2臭のかすかな兆候を有した。二硫化炭素の痕跡量を十分に除去するために、求電子剤（ブロモオクタン、ベンジルブロミド、ベンジルクロリド）を、キサントゲン酸エステル及び臭化カリウムを形成させるためのアルカリ金属又は塩基の添加後に添加した。蒸留後、この方法により生成したＤＭＳは、また、トウモロコシのにおいを有した（項目７、９、及び１０、試薬の量は実施例２中に列挙する）。
【００６０】
もっとも良好な臭気の除去は、ＮａＫとＫＴＢの組み合わせをＤＭＳと接触させることによるものであった。
【００６１】
実施例２：
以下の実験手順を、ジメチルスルフィドの二つの異なる出所（Ｃｈｅｖｒｏｎ−Ｐｈｉｌｌｉｐｓ及びＧａｙｌｏｒｄ）からのＤＭＳに用いた。１００ｇのＤＭＳをオーブンで乾燥させた丸底フラスコに計量投入した。その試料にＮａＫを添加し、室温で１時間撹拌を開始した。その後、三つのアルキル化剤（１．９６ｇの塩化ベンジル、２．６５ｇの臭化ベンジル、又は２．９９ｇの１−ブロモオクタン）のうちの一つを添加した。それぞれの試料中に、いくつかの固体沈殿物が形成した。ジメチルスルフィドをその固体から３６−３７．５℃の沸点範囲で蒸留した。蒸留した試料は、それからＧＣ／ＭＳで純度を分析した。結果は表２参照のこと。
【００６２】
表２：異なる処理後のジメチルスルフィドの分析データ（ＧＣ／ＭＳ）。全ての数字は質量％である。ＤＭＳはジメチルスルフィドであり、ＣＳ2は二硫化炭素であり、ＤＭＤＳはジメチルジスルフィドであり、ＭｅＳＨはメタンチオールであり、ＥｔＳＭｅはエチルメチルスルフィドであり、ＯｃｔＢｒは１−ブロモオクタンであり、ＢｎＣｌは塩化ベンジルであり、ＢｎＢｒは臭化ベンジルである。アセトンの痕跡量は、試料間のシリンジの洗浄に由来する。
【００６３】
【表２】
0005587310.tif 000004
【００６４】
実施例３：
以下の実験手順を、キラル触媒の存在下における異なる純度のＤＭＳＢでのアセトフェノンのエナンチオ選択的還元のために用いた：
高純度のＤＭＳＢを、表２の項目４に開示した手順により精製したＤＭＳへの気体状のジボランの周囲の温度下での添加により１０Ｍ溶液として調整した。
【００６５】
トルエン中にそれぞれのスルフィド不純物を含むストック溶液３．３ｍｌ（アセトフェノンに対して０．０２当量の不純物）を高純度のＤＭＳＢ（６．２４ｍｍｏｌ、１０Ｍ ＤＭＳＢ溶液５９２μｌ、アセトフェノンに対して０．７５当量）と混合し、その混合物を周囲の温度下で６０分間攪拌し、その後、キラル触媒（（Ｒ）−ＭｅＣＢＳ（（Ｒ）テトラヒドロ−１−メチル−３，３−ジフェニル−１Ｈ，３Ｈ−ピロロ［１，２−ｃ］［１，３，２］オキサザボロール）：１６７μｌ、０．１６７ｍｍｏｌ、トルエン中の１Ｍ溶液、０．０２当量；又は（Ｒ）−ＤＰＰスピロ（（Ｒ）−２−［（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イルオキシ）ジフェニルメチル］ピロリジン）：５３．８１ｍｇ、０．１６７ｍｍｏｌ、０．０２当量）を添加した。トルエン中のアセトフェノン溶液（８３４．５ｍｇ、反応の間に、１Ｍのアセトフェノン溶液を結果としてもたらす３．２ｍｌのトルエン中に８．３２ｍｍｏｌ、１当量）をシリンジポンプを用いて添加する前の１０分以内に、その混合物を５分間かき混ぜた。その添加が終わった５分後に、０．３ｍｌの試料を採取し、２Ｍの塩化水素（２ｍｌ）中で加水分解した。最上層をトルエンで希釈し、ＧＣ分析により転換及びエナンチオ選択性を更に調査した。Ｃｈｅｖｒｏｎ−Ｐｈｉｌｌｉｐｓ又はＧａｙｌｏｒｄ等の従来の原料ソースからのＤＭＳで生成したＤＭＳＢを用いてその反応を繰り返し、エナンチオ選択性を比較した。
【００６６】
表３：キラル触媒の存在下で異なる純度のＤＭＳＢとのアセトフェノンのエナンチオ選択的還元の結果。ＤＭＳＢはジメチルスルフィドボランであり、ＤＭＤＳはジメチルジスルフィドであり、ＥｔＳＨはエタンチオールであり、（Ｒ）−ＭｅＣＢＳは（Ｒ）−テトラヒドロ−１−メチル−３，３−ジフェニル−１Ｈ，３Ｈ−ピロロ［１，２−ｃ］［１，３，２］オキサザボロールであり、（Ｒ）−ＤＰＰ Ｓｐｉｒｏは（Ｒ）−２−［（１，３，２−ジオキサザボラン−２−イルオキシ）ジフェニルメチル］ピロリジンである。
【００６７】
【表３】
0005587310.tif 000005
【００６８】
上述の全ての参照は、全ての有用な目的のためにその全体が参照により組み込まれている。
【００６９】
本発明を具体化するいくつかの特定の構造を記載し、示している一方で、さまざまな修正及び部分の再配置が本発明の概念の基礎となる精神と範囲から離れることなくなされても良いことは当業者にとって明らかであり、同様に、ここに示し、記載した特定の形状に限定されない。