(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）レーザビームを空間的に複数のレーザ光に分割し、分割された該レーザ光を重ね合わせ、該レーザ光を重ね合わせた位置におけるレーザビームの光強度分布を検出する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）において検出されたレーザビームの光強度分布に基いて、レーザ光源を出射するレーザビームの光軸を調整する工程と
を有し、
前記工程（ａ）において、光強度が最も大きい主ビームの両側に分離形成される第１及び第２の副ビームの光強度を検出し、
前記工程（ｂ）において、前記第１及び第２の副ビームの光強度の差が小さくなるように、レーザ光源を出射するレーザビームの光軸を調整する光軸調整方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ）において、前記第１及び第２の副ビームの光強度が等しくなるように、レーザ光源を出射するレーザビームの光軸を調整する請求項１に記載の光軸調整方法。
【請求項３】
レーザビームを出射するレーザ光源と、
加工対象物を保持するステージと、
前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物に伝搬する伝搬光学系と、
前記伝搬光学系に含まれるまたは含まれない分割重ね合わせ光学系であって、前記レーザ光源を出射したレーザビームの少なくとも一部を、空間的に複数のレーザ光に分割し、分割された該レーザ光を、重ね合わせ位置において重ね合わせる分割重ね合わせ光学系と、
前記重ね合わせ位置におけるレーザビームの光強度分布を検出する光強度検出器であって、光強度が最も大きい主ビームの両側に分離形成される第１及び第２の副ビームの光強度を検出する光強度検出器と、
前記光強度検出器によって検出された前記第１及び第２の副ビームの光強度の差が小さくなるように、前記レーザ光源を出射するレーザビームの光軸調整を行う制御装置と
を有するレーザ加工装置。
【請求項４】
前記制御装置は、前記第１及び第２の副ビームの光強度が等しくなるように、前記レーザ光源を出射するレーザビームの光軸調整を行う請求項３に記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記伝搬光学系は、前記分割重ね合わせ光学系を含み、
前記ステージは、前記重ね合わせ位置が加工位置となるように、加工対象物を保持する請求項３または４に記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記レーザ光源は、レーザビームを出射するレーザ発振器、前記レーザ発振器から出射されたレーザビームを反射する第１の反射鏡、及び前記第１の反射鏡で反射されたレーザビームを反射する第２の反射鏡を含み、
前記制御装置は、前記第１及び第２の反射鏡の反射面の向きを変化させることで、前記レーザ光源を出射するレーザビームの光軸調整を行う請求項３〜５のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記重ね合わせ位置におけるレーザビームの光強度分布と、前記第１及び第２の反射鏡の反射面の向きの変化量との対応関係を記憶する記憶装置を含み、該記憶装置の記憶内容を参照して、前記第１及び第２の副ビームの光強度の差が小さくなるように、前記第１及び第２の反射鏡の反射面の向きを変化させる請求項６に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光源から出射されるレーザビームの光軸を調整する方法、及び、レーザ光源から出射されるレーザビームの光軸を調整する機能を備えるレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザビームを分割し重ね合わせる転写成形型光学系を備えるレーザ加工装置では、光軸調整が不完全な場合、転写成形型光学系でビームが所定の光路を進行せず、加工面において、ビームの主成分のエネルギ変動が大きくなるという問題がある。
【０００３】
レーザビームの光軸の位置を監視する光軸位置検出器を備え、光軸のずれを補正することのできるレーザ加工装置の発明が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載のレーザ加工装置においては、光軸位置検出器の受光素子で受光されたレーザビームの光強度に基き、ファジイ推論を利用して反射ミラーの反射面の向きが調整される。しかしながら特許文献１においては、転写成形型光学系については触れられていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８９４４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、高品質のレーザ加工を可能にするレーザビームの光軸調整方法、及び、レーザ加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、（ａ）レーザビームを空間的に複数のレーザ光に分割し、分割された該レーザ光を重ね合わせ、該レーザ光を重ね合わせた位置におけるレーザビームの光強度分布を検出する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）において検出されたレーザビームの光強度分布に基いて、レーザ光源を出射するレーザビームの光軸を調整する工程とを有し、前記工程（ａ）において、光強度が最も大きい主ビームの両側に分離形成される第１及び第２の副ビームの光強度を検出し、前記工程（ｂ）において、前記第１及び第２の副ビームの光強度の差が小さくなるように、レーザ光源を出射するレーザビームの光軸を調整する光軸調整方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、レーザビームを出射するレーザ光源と、加工対象物を保持するステージと、前記レーザ光源を出射したレーザビームを、前記ステージに保持された加工対象物に伝搬する伝搬光学系と、前記伝搬光学系に含まれるまたは含まれない分割重ね合わせ光学系であって、前記レーザ光源を出射したレーザビームの少なくとも一部を、空間的に複数のレーザ光に分割し、分割された該レーザ光を、重ね合わせ位置において重ね合わせる分割重ね合わせ光学系と、前記重ね合わせ位置におけるレーザビームの光強度分布を検出する光強度検出器であって、光強度が最も大きい主ビームの両側に分離形成される第１及び第２の副ビームの光強度を検出する光強度検出器と、前記光強度検出器によって検出された前記第１及び第２の副ビームの光強度の差が小さくなるように、前記レーザ光源を出射するレーザビームの光軸調整を行う制御装置とを有するレーザ加工装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高品質のレーザ加工を可能にするレーザビームの光軸調整方法、及び、レーザ加工装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例によるレーザ加工装置であるレーザアニール装置を示す概略図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）は、シリンドリカルレンズアレイ群４７におけるレーザ光を示す概略図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、分割されたレーザ光の重ね合わせ面に配置されるＣＣＤカメラ５１で検出されるレーザビーム７０の光強度分布を示す概略図である。
【図４】（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例による光軸調整方法について説明するための図である。
【図５】変形例によるレーザ加工装置であるレーザアニール装置を示す概略図である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、比較例によるレーザビーム光軸調整方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図６（Ａ）及び（Ｂ）を参照して、比較例によるレーザビーム光軸調整方法を説明する。図６（Ａ）は、レーザ発振器、及びレーザ発振器を出射したレーザビームの光軸が調整される部分を示す概略図である。
【００１１】
たとえばエキシマレーザ発振器であるレーザ発振器１０からレーザビーム２０が出射する。レーザビーム２０は、全反射ミラーである第１ミラー１１、第２ミラー１２、及び第３ミラー１３でそれぞれ９０°ずつ折り返される。第２ミラー１２の裏面には、ＣＣＤカメラ１４、第３ミラー１３の裏面には、ＣＣＤカメラ１５が配置される。
【００１２】
比較例による光軸調整方法においては、まず第２ミラー１２の裏面に配置されたＣＣＤカメラ１４に映るレーザビーム２０の透過光の像をモニタしながら、第１ミラー１１を揺動させて反射面の向きを調整し、レーザビーム２０の光軸の位置合わせを行う。
【００１３】
図６（Ｂ）は、ＣＣＤカメラ１４に映るレーザビーム２０の透過光の像を示す写真である。写真の白い部分はレーザビーム２０の透過光を示す。レーザビーム２０の透過光は、中央に丸穴の開いた十字形部分を備えるターゲットを介してＣＣＤカメラ１４に入射する。レーザビーム２０の光軸の調整は、たとえばターゲットの十字形部分で区画されるレーザビーム２０の透過光の４つの領域の長さと幅とが相互に等しくなるように、第１ミラー１１の反射面の向きを調整することで行われる。
【００１４】
次に、第３ミラー１３の裏面に配置されたＣＣＤカメラ１５に映るレーザビーム２０の透過光の像をモニタしながら、第２ミラー１２を揺動させ、同様の作業を行って、レーザビーム２０の光軸の位置合わせを行う。こうして、第２ミラー１２を出射するレーザビーム２０の光軸を一定化させる。
【００１５】
しかしながらエキシマレーザ発振器のような高出力レーザから出射されたレーザビームは、ビームサイズが大きく、またビームの断面形状が必ずしも対称形とはならない。このためミラーの背後に配置されたカメラに映し出される像に基いて行う光軸調整においては、ビーム断面の中心の見極めが難しく、微調整が困難となる場合がある。
【００１６】
本願発明者は、比較例による光軸調整方法より高い精度でレーザビームの光軸を調整する方法を鋭意研究した。
【００１７】
図１は、実施例によるレーザ加工装置であるレーザアニール装置を示す概略図である。レーザアニール装置は、レーザ発振器４０、第１ミラー４１、第２ミラー４２、第３ミラー４３、ＣＣＤカメラ４４、４５、シリンドリカルレンズアレイ群４７、折り返しミラー４８、シリンドリカルレンズ４９、ステージ５０、ＣＣＤカメラ５１、及び制御装置５２を含んで構成される。制御装置５２は、記憶装置５３を含む。レーザ発振器４０、第１ミラー４１、及び第２ミラー４２が、レーザ光源３０を構成する。また、シリンドリカルレンズアレイ群４７、折り返しミラー４８、及びシリンドリカルレンズ４９が、転写成形型光学系（分割重ね合わせ光学系）４６を構成する。本図に示すレーザアニール装置を用いて、たとえば半導体基板６０のレーザアニールを行う。
【００１８】
たとえばエキシマレーザ発振器であるレーザ発振器４０からパルスレーザビーム７０が出射する。レーザビーム７０は、全反射ミラーである第１ミラー４１、第２ミラー４２、及び第３ミラー４３でそれぞれ９０°ずつ折り返される。第２ミラー４２の裏面には、ＣＣＤカメラ４４、第３ミラー４３の裏面には、ＣＣＤカメラ４５が配置される。
【００１９】
第１ミラー４１及び第２ミラー４２は、たとえばモータである駆動装置により揺動され、反射面の向きを変化させることができる。ＣＣＤカメラ４４、４５は、それぞれ第２ミラー４２、第３ミラー４３を透過するレーザビーム７０を撮像する。
【００２０】
たとえばレーザアニール加工に先立って、ＣＣＤカメラ４４に映るレーザビーム７０の透過光の像をモニタしながら、第１ミラー４１を揺動させて反射面の向きを調整し、レーザビーム７０の光軸の位置合わせを行うことができる。またこれに続けて、同様に、ＣＣＤカメラ４５に映るレーザビーム７０の透過光の像をモニタしながら、第２ミラー４２を揺動させ、レーザビーム７０の光軸の位置合わせを行うことができる。第１ミラー４１及び第２ミラー４２を動作させることで、レーザ光源３０（第２ミラー４２）を出射するレーザビーム７０の光軸を一定化させることが可能である。
【００２１】
第３ミラー４３で折り返されたレーザビーム７０は、転写成形型光学系４６を経由して、ステージ５０上に保持された加工対象物（アニール対象物）である半導体基板６０、たとえばシリコンウエハに入射する。ステージ５０は、たとえばＸＹステージであり、半導体基板６０を２次元方向に移動させることができる。ステージ５０の動作により、レーザビーム７０は半導体基板６０上を走査され、半導体基板６０のレーザアニール加工が行われる。
【００２２】
転写成形型光学系４６は、シリンドリカルレンズアレイ群４７の分割面（分割位置）で、レーザビーム７０を空間的に複数のレーザ光に分割し、分割されたレーザ光を重ね合わせ面（重ね合わせ位置）において重ね合わせる。これにより、レーザビーム７０の断面形状を重ね合わせ面において、たとえば矩形状に成形するとともに、ビーム断面内の光強度を均一化することができる。なお、転写成形型光学系４６のシリンドリカルレンズ４９は、集光用のレンズである。ステージ５０は、半導体基板６０表面が重ね合わせ面に配置されるように、半導体基板６０を保持する。すなわち加工面が重ね合わせ面に一致する。
【００２３】
ステージ５０には、ＣＣＤカメラ５１が、２次元方向に移動可能に設置されている。ＣＣＤカメラ５１は、入射光の光強度を検出することができる光強度検出器である。加工に先立ち、または加工の途中で、ステージ５０の動作によりＣＣＤカメラ５１の受光面を、分割されたレーザ光の重ね合わせ面に配置することができる。
【００２４】
ＣＣＤカメラ５１により、重ね合わせ面におけるレーザビーム７０の光強度分布が検出される。検出結果は制御装置５２に送信される。制御装置５２は、検出された光強度分布に基いて、第１ミラー４１及び第２ミラー４２を揺動し、反射面の向きを変化させる信号を、レーザ光源３０（第１ミラー４１及び第２ミラー４２を駆動する駆動装置）に送信する。
【００２５】
重ね合わせ面における光強度分布と、ミラー４１、４２それぞれの揺動量（反射面の向きの変化量）との対応関係は、制御装置５２に含まれる記憶装置５３、たとえばメモリに記憶されている。制御装置５２は、記憶装置５３の記憶内容を参照して、検出された光強度分布に基き、ミラー４１、４２の揺動量を決定する。
【００２６】
制御装置５２から送信された制御信号にしたがって、第１ミラー４１及び第２ミラー４２の反射面の向きが変化され、レーザ光源３０（第２ミラー４２）を出射するレーザビーム７０の出射方向（光軸）が調整される。
【００２７】
なお、制御装置５２は、重ね合わせ面における光強度分布に基いて、レーザ光源３０を出射するレーザビーム７０の出射方向の制御（光軸の調整）を行うほか、ステージ５０によるＣＣＤカメラ５１及び半導体基板６０の移動を制御する。また、レーザ発振器４０に制御信号を送信し、レーザ発振器４０によるレーザビーム７０の出射を制御する。
【００２８】
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、シリンドリカルレンズアレイ群４７におけるレーザ光を示す概略図である。シリンドリカルレンズアレイ群４７は、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａ、第２のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂ、及び、第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｃを含んで構成される。
【００２９】
第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａは、レーザビーム７０が入射する側に凸面が配置されるレンズアレイであり、入射するレーザ光を空間的に分割、集光する。第２及び第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂ、４７ｃは、その構成によって、重ね合わせ面におけるビームサイズを決定することができる。
【００３０】
レーザビーム７０は、分割位置に配置された第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａの各シリンドリカルレンズで空間的に複数のレーザ光に分割される。分割された複数のレーザ光は、第２のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂの対応する各シリンドリカルレンズを経由し、第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｃの対応する各シリンドリカルレンズに入射する。
【００３１】
図２（Ａ）に示すように、レーザビーム７０が、光軸調整が不十分であって、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａに斜め方向から入射した場合、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａの各シリンドリカルレンズで分割された複数のレーザ光は、第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｃの対応するシリンドリカルレンズにおさまりきれず、その一部が隣接するシリンドリカルレンズに入射する。
【００３２】
図２（Ｂ）に示すように、レーザビーム７０が、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａに、たとえば垂直方向から入射した場合、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａの各シリンドリカルレンズで分割された複数のレーザ光は、第２及び第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂ、４７ｃの対応するシリンドリカルレンズに入射する。
【００３３】
図２（Ｃ）は、レーザビーム７０が、不十分な光軸調整により、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａに、図２（Ａ）に示す場合とは反対の斜め方向から入射した場合を表す。第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａの各シリンドリカルレンズで分割された複数のレーザ光は、第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｃの対応するシリンドリカルレンズにおさまりきれず、その一部が図２（Ａ）に示す場合とは反対側の隣接するシリンドリカルレンズに入射する。
【００３４】
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、分割されたレーザ光の重ね合わせ面に配置されるＣＣＤカメラ５１で検出されるレーザビーム７０の光強度分布を示す概略図である。図３（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ順に、レーザビーム７０が、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａに、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す入射態様で入射した場合の光強度分布を示す。
【００３５】
図３（Ａ）を参照する。重ね合わせ面においては、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａで分割された各レーザ光の成分のうち、第２及び第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂ、４７ｃの対応するシリンドリカルレンズを透過した成分が中心となって重畳され形成される主ビーム、及び主ビームとは離れた位置に形成される副ビームの光強度が検出される。レーザアニール加工は主ビームを用いて行われる。副ビームは、たとえば第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａで分割された各レーザ光の成分のうち、第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｃの対応するシリンドリカルレンズを透過しなかった成分により形成される。
【００３６】
図３（Ｂ）を参照する。第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａの各シリンドリカルレンズで分割された複数のレーザ光が、第２及び第３のシリンドリカルレンズアレイ４７ｂ、４７ｃの対応する各シリンドリカルレンズに入射する場合であっても、光軸からはずれたレーザ光の成分により副ビームが形成される場合がある。副ビームは、たとえば主ビームの両側に、主ビームから分離されて形成される。
【００３７】
図３（Ｃ）を参照する。レーザビーム７０が、第１のシリンドリカルレンズアレイ４７ａに、図２（Ａ）に示す場合とは反対の斜め方向から入射する図２（Ｃ）の入射態様においては、副ビームが図３（Ａ）に示す例とは反対側に形成される。
【００３８】
図３（Ａ）及び（Ｃ）に示す、たとえば光軸からはずれたレーザビームの成分で形成される副ビームの光強度は大きい。このため、正確性の高くない光軸調整方法で光軸調整を行うと、たとえばレーザパルスごとの、主ビームの光強度の変動が大きくなり、加工品質に悪影響を及ぼす。
【００３９】
図３（Ｂ）に示す例のように、たとえば光軸からはずれたレーザ光の成分により主ビームの両側に、等しい光強度の副ビームが形成される場合、副ビームの光強度は最小となる。主ビームの光強度の変動も小さい。このため、照射ムラの低減されたレーザ加工が可能となる。重ね合わせ面におけるレーザビーム７０の光強度分布は、主ビームの両側に形成される副ビームの光強度が等しくなることが望ましい。
【００４０】
図４（Ａ）及び（Ｂ）を参照し、実施例による光軸調整方法について説明する。
【００４１】
実施例による光軸調整方法においては、まずＣＣＤカメラ４４に映るレーザビーム７０の透過光の像をモニタして、第１ミラー４１を揺動させて反射面の向きを調整し、レーザビーム７０の光軸の位置合わせを行う。続いて、ＣＣＤカメラ４５に映るレーザビーム７０の透過光の像をモニタして、第２ミラー４２を揺動させて反射面の向きを調整し、レーザビーム７０の光軸の位置合わせを行う。
【００４２】
更に、ＣＣＤカメラ５１を重ね合わせ面に配置してレーザビーム７０の光強度分布を検出する。図４（Ａ）に、ＣＣＤカメラ５１で検出される重ね合わせ面の一般的な光強度分布を示す。重ね合わせ面においては、光強度が最も大きい主ビーム、及び、主ビームをまたいでその両側に、主ビームとは離れた位置に副ビームが形成される。図４（Ａ）においては、２つの副ビームを、副ビームＡ、副ビームＢと表記した。主ビーム、副ビームＡ、及び副ビームＢの光強度は、第１ミラー４１、第２ミラー４２を揺動し、反射面の向きを変えることで、変化させることができる。
【００４３】
図４（Ｂ）を参照する。制御装置５２は、ＣＣＤカメラ５１で検出された光強度分布に基いて、副ビームＡと副ビームＢの光強度の差が小さくなるように、望ましくは両副ビームの光強度が等しくなるように、第１ミラー４１及び第２ミラー４２を揺動し、反射面の向きを変化させる信号を、レーザ光源３０（第１ミラー４１及び第２ミラー４２を駆動する駆動装置）に送信する。
【００４４】
制御装置５２から送信された制御信号にしたがって、第１ミラー４１及び第２ミラー４２の反射面の向きが変化され、レーザ光源３０（第２ミラー４２）を出射するレーザビーム７０の出射方向（光軸）が調整される。
【００４５】
転写成形型光学系４６を通したレーザビーム７０を重ね合わせ面でモニタすると、光軸からはずれたレーザビームの成分は、主ビームの両脇に分離され副ビームとして成形されるため、その定量化が可能となる。
【００４６】
主ビームの両側に形成される２つの副ビームの光強度の差が小さくなるように、望ましくは両副ビームの光強度が等しくなるように、第１ミラー４１と第２ミラー４２の反射面の向きを変化させることによって、レーザ光源３０を出射するレーザビーム７０の光軸調整の正確性を高めることができる。このため、より高品質のレーザ加工を行うことが可能となる。
【００４７】
更に、実施例による光軸調整方法においては、主ビームと副ビームの光強度を加工位置で測定する。レーザ光源３０から離れた加工位置においては、光軸からはずれたレーザビーム７０の成分のずれ量が顕在化する。このため光軸のより微細な調整を行うことができる。また、レーザビーム７０の加工位置での光強度に基いて光軸調整を行うため、他の位置で測定された結果に基く場合よりも、直接的な加工品質の向上が期待できる。
【００４８】
図５は、変形例によるレーザ加工装置であるレーザアニール装置を示す概略図である。変形例においては、レーザ光源３０を出射したレーザビーム７０の光路上に分岐光学系８０が配置されている。分岐光学系８０は、レーザビーム７０の一部をステージ５０（加工位置）に進行する光路から分岐する。
【００４９】
分岐されたレーザビーム７０の一部は、転写成形型光学系（分割重ね合わせ光学系）８１を経由してＣＣＤカメラ８５に入射する。転写成形型光学系８１は、シリンドリカルレンズアレイ群８２、折り返しミラー８３、及びシリンドリカルレンズ８４を含んで構成され、その機能は転写成形型光学系４６と等しい。すなわち転写成形型光学系８１においても、シリンドリカルレンズアレイ群８２の分割面（分割位置）で、レーザビーム７０の分岐された一部が空間的に複数のレーザ光に分割され、分割されたレーザ光が重ね合わせ面（重ね合わせ位置）において重ね合わせられる。分岐されたレーザビーム７０の一部は、重ね合わせ面において、断面形状を矩形状に成形されるとともに、ビーム断面内の光強度を均一化される。
【００５０】
ＣＣＤカメラ８５は、入射光の光強度を検出することができる光強度検出器であり、たとえばその受光面が重ね合わせ面に一致するように配置される。
【００５１】
実施例と同様に、ＣＣＤカメラ８５により、分岐されたレーザビーム７０の重ね合わせ面における光強度分布が検出される。検出結果は制御装置５２に送信され、制御装置５２は、検出された光強度分布に基いて、第１ミラー４１及び第２ミラー４２の揺動量（反射面の向きの変化量）を決定し、動作を制御する。両ミラー４１、４２の動作制御は、実施例と等しく、主ビームの両脇に分離形成される副ビームの光強度の差が小さくなるように、望ましくは両副ビームの光強度が等しくなるように行われる。
【００５２】
変形例によるレーザ加工装置においても、レーザ光源３０（第２ミラー４２）を出射するレーザビーム７０の出射方向（光軸）を高精度に調整し、加工品質を向上させることができる。
【００５３】
なお、分岐光学系８０は、レーザ光源３０と転写成形型光学系４６との間のレーザビーム７０の光路上の任意の位置に設置することができる。
【００５４】
また、図５には、レーザ光源３０を出射したレーザビーム７０をステージ５０上の半導体基板６０に伝搬する伝搬光学系にも転写成形型光学系４６が含まれる構成の変形例を図示したが、伝搬光学系が転写成形型光学系を含まない構成とすることも可能である。
【００５５】
以上実施例及び変形例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００５６】
たとえば、制御装置５２が行う光軸調整工程の全部または一部を装置の運転者が行うことが可能である。
【００５７】
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者には自明であろう。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
たとえば転写成形型光学系を使用して行うレーザ加工、一例としてレーザアニール加工に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１０  レーザ発振器
１１  第１ミラー
１２  第２ミラー
１３  第３ミラー
１４、１５  ＣＣＤカメラ
２０  レーザビーム
３０  レーザ光源
４０  レーザ発振器
４１  第１ミラー
４２  第２ミラー
４３  第３ミラー
４４、４５  ＣＣＤカメラ
４６  転写成形型光学系（分割重ね合わせ光学系）
４７  シリンドリカルレンズアレイ群
４７ａ  第１のシリンドリカルレンズアレイ
４７ｂ  第２のシリンドリカルレンズアレイ
４７ｃ  第３のシリンドリカルレンズアレイ
４８  折り返しミラー
４９  シリンドリカルレンズ
５０  ステージ
５１  ＣＣＤカメラ
５２  制御装置
５３  記憶装置
６０  半導体基板
７０  レーザビーム
８０  分岐光学系
８１  転写成形型光学系（分割重ね合わせ光学系）
８２  シリンドリカルレンズアレイ群
８３  折り返しミラー
８４  シリンドリカルレンズ
８５  ＣＣＤカメラ
【図１】
0005465120.tif 000002
【図２】
0005465120.tif 000003
【図３】
0005465120.tif 000004
【図４】
0005465120.tif 000005
【図５】
0005465120.tif 000006
【図６】
0005465120.tif 000007