(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を備え、少なくとも一方の基板と該液晶層との間に配向膜及び配向維持層を備える液晶表示装置であって、
該配向膜は、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドが有するカルボキシル基とエポキシ系化合物とを反応させて形成した膜であり、
該配向維持層は、該配向膜よりも液晶層の側に位置し、光重合によって形成されたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向膜は、下記一般式（１）で表される構造単位を有することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【化１】
0005432274.tif 000060
【請求項３】
前記エポキシ系化合物の導入量は、ポリアミド酸モノマーユニットに対して３ｍｏｌ％以上であり、５０ｍｏｌ％より小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ポリアミド酸又は前記ポリイミドは、液晶を水平配向させる水平配向材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記ポリアミド酸又は前記ポリイミドは、液晶を垂直配向させる垂直配向材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ポリアミド酸又は前記ポリイミドは、光反応性官能基を有することを特徴とする請求項４又は５記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記光反応性官能基は、シンナメート基、カルコン基、トラン基、クマリン基、及び、アゾベンゼン基からなる群より選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記エポキシ系化合物は、単官能型、二官能型、又は、三官能型のエポキシ系化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記配向維持層は、１種又は複数種のモノマーが重合した重合体にて形成され、該モノマーの少なくとも１種は多官能モノマーであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記配向維持層は、１種又は複数種のモノマーが重合した光重合体にて形成され、該モノマーの少なくとも１種は下記化学式（２）で表され、該化学式（２）において、Ｐ１及びＰ２はそれぞれ独立にメタクリレート基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、ビニル基、ビニロキシ基、又は、エポキシ基であり、Ａ１、Ａ２は、それぞれ独立に１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、フェナントレン−２，６−ジイル基であり、更に水素基がハロゲン基又はメチル基に置換されている構造も含み、Ｚ１は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−、又は、単結合であり、Ｓ１、Ｓ２は、それぞれ独立に−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−、又は、単結合であり、ｍは１以上６以下であって、ｎは０、１又は２であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【化２】
0005432274.tif 000061
【請求項１１】
前記配向維持層は、１種又は複数種のモノマーが重合した光重合体にて形成され、該モノマーの少なくとも１種は下記化学式（２）で表され、該化学式（２）において、Ｐ１及びＰ２はメタクリレート基であり、Ｚ１は単結合であり、ｎは０又は１であり、Ａ１及びＡ２は、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，６−ジイル基が用いられ、Ｓ１及びＳ２は、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−、又は、単結合であり、ｍは１以上６以下であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【化３】
0005432274.tif 000062
【請求項１２】
前記配向膜は、電圧無印加時に、前記液晶層を構成する液晶分子が該配向膜の主面の法線方向から傾いて配向するように該液晶分子を規制することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記液晶表示装置は複数の画素を有し、各画素は、液晶の配向方向が異なる領域を２以上有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記領域は、４つであることを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法であって、
少なくとも一方の基板の主面上に配向膜材料を塗布する塗布工程と、
該配向膜材料を反応させて配向膜を形成する膜形成工程とを含み、
該配向膜材料は、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを含み、
該膜形成工程は、該ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを反応させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記膜形成工程の後に、前記配向膜の上に重合体を形成する配向維持層形成工程を含み、
該配向維持層形成工程は、モノマーを分散させた液晶に電圧を印加しながら光を照射することにより該モノマーを光重合させて該配向膜の表面に重合体を形成することを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記膜形成工程の後に、前記配向膜の上に重合体を形成する配向維持層形成工程を含み、該配向維持層形成工程は、モノマーを分散させた液晶に電圧無印加状態で光を照射することにより該モノマーを光重合させて該配向膜の表面に重合体を形成することを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。より詳しくは、液晶分子の配向を規制する配向膜を備えた液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型で軽量、かつ低消費電力といった特長を活かして様々な分野で用いられている。液晶表示装置の表示モードとしては、ツイステッド・ネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＴＮ）モード、スーパー・ツイステッド・ネマチック（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ＳＴＮ）モード、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：ＶＡ）モード、面内スイッチング（Ｉｎ−ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モード等が知られている。なかでもＶＡモードは、ＴＮモードやＳＴＮモードでは不可能な、高いコントラスト比が得られ、表示特性に優れている。【０００３】
液晶表示装置は、上記のように各種特性に優れているものの、電圧保持率が低下しやすく、表示画面に焼き付きが生じやすい傾向がある。焼き付きが生じる理由の一つとしては、液晶表示装置を構成する液晶セル（液晶表示パネル）の製造過程で生じる残留ＤＣ電圧によるものが考えられる。【０００４】
液晶セルは、一対の基板間に液晶層が挟持され、基板と液晶層との界面に、液晶の配向を制御するための配向膜が形成された構成を有する。液晶セルの作製に際しては、基板面に配向膜材料を塗布し、一定の時間、放置した後に両基板を貼り合わせて、液晶を注入して液晶層を形成している。ＴＮモードやＶＡモードの液晶表示装置においては、配向膜材料として、ポリアミド酸系の配向膜を用いることがあるが、上記のように配向膜材料を塗布した基板を放置しているときに、配向膜中にカルボキシル基が多く存在し、後述のように、このカルボキシル基に起因して残留ＤＣ電圧が発生する。【０００５】
残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）による焼き付きを解消するための手法として、特許文献１には、イミド構造を有する重合体、エポキシ系化合物、及び、エポキシ系化合物の硬化剤を含むポリアミド酸を用いた液晶配向剤が、特許文献２では、イミド結合の割合と表面張力の極性項を制御した配向膜が提案されている。これらの手法では、配向膜材料の段階で重合体（ポリマー）をイミド化させるとともに、エポキシ系化合物とポリアミド酸とを反応させているため、配向膜中の残存カルボキシル基を低減して、残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）による焼き付きを低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３３８８８０号公報
【特許文献２】特開２００１−２２８４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１、２に記載の方法は、液晶を水平配向させる水平配向膜に関するものであるため、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＩＰＳモード等の液晶表示装置には適用できるものの、ＶＡモード等のように液晶を垂直配向させる垂直配向膜を備えた液晶表示装置には適用できない。【０００８】
具体的には、特許文献１、２に記載の方法は、水平配向膜を形成する配向膜材料に含まれる重合体をイミド化させるとともに、多価カルボン酸化合物と硬化剤とを反応させて配向膜中の残存カルボキシル基を低減するものである。すなわち、重合体の側鎖部を利用して液晶の配向（チルト角）を規制することはしていない。【０００９】
これに対し、垂直配向膜を形成する配向膜材料は、側鎖部に垂直配向性官能基を有する重合体を含んでおり、この側鎖部によって液晶の配向（チルト角）を規制しているため、上記したイミド化は、垂直配向性官能基の低減等に繋がり、導入できないことがある。また、垂直配向膜を有する液晶表示装置においては、イミド化率を低くすることによって、ポリマーの柔軟性を高め、液晶の垂直配向性を維持してもいる。【００１０】
ＶＡモードの液晶表示装置は、表示特性に優れることから、上記した表示画面の焼き付きを解消できることが求められている。特に、ＶＡモードの一種である、１画素内における液晶分子の配向方向を４方向に規制する４ＤＲＴＮ（４Ｄｏｍｅｉｎ  Ｒｅｖｅｒｓｅ  Ｔｗｉｓｕｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置は、応答速度が速く、光の透過率が高く、しかも高いコントラスト比が得られることから、その要望が高まっている。【００１１】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、各種の表示モードの液晶表示装置において、残留ＤＣ電圧による表示画面の焼き付きを防止できる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、液晶表示装置において生じる焼き付きについて種々検討したところ、表示画面の焼き付きは残留ＤＣ電圧によって生じており、この残留ＤＣ電圧は、貼り合わせ前の基板に形成された配向膜に含まれるカルボキシル基によって生じていることをまず見いだした。そして、配向膜材料として、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを含む配向膜材料を用い、配向膜材料の段階、すなわち、配向膜材料が塗布された基板を貼り合わせる前の段階では、積極的に配向膜材料のイミド化を行わないようにすることで、配向膜材料に、液晶の配向を規制する官能基を側鎖部に有する重合体が含まれていてもこの配向特性を損なうことがなく、また、エポキシ系化合物を導入することで配向膜中のカルボキシル基濃度を低下させて残留ＤＣ電圧を低減することができ、これにより、表示画面における焼き付きの発生を低減できることを見いだしたものである。【００１３】
すなわち、本発明は、一対の基板間に液晶層を備え、少なくとも一方の基板と上記液晶層との間に配向膜を備える液晶表示装置であって、上記配向膜は、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドが有するカルボキシル基とエポキシ系化合物とを反応させて形成した膜である液晶表示装置である。【００１４】
本発明の液晶表示装置は、液晶層に印加する電圧を変化させることにより、液晶層のリタデーションを変化させることで表示を行うものである。表示モードは、特に限定されるものではなく、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等、各種モードに適用でき、４ＤＲＴＮモードのように液晶の配向方向を複数に分ける配向処理を行って、画素内を複数のドメインに分割する液晶表示装置にも適用できる。【００１５】
本発明において、ポリアミド酸としては、具体的には、下記化学式（３−１）、（３−２）で示すもの等が挙げられる。【００１６】
【化１】
0005432274.tif 000002
【００１７】
【化２】
0005432274.tif 000003
【００１８】
イミド化率が１００％より小さいポリイミドのイミド化率は、配向膜を形成する前、すなわち基板を貼り合わせる前の配向膜におけるものである。【００１９】
エポキシ系化合物は、残留ＤＣ電圧に由来する表示画面の焼き付きを抑制するために用いるものである。上記エポキシ系化合物としては、単官能型、二官能型、又は、三官能型のエポキシ系化合物が好適に使用できる。【００２０】
単官能型のエポキシ系化合物としては、下記化学式（４−１）〜（４−１５）で表されるように、（３−グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン、１，２−エポキシ−３−フェノキシプロパン、グリシジル１，１，２，２−テトラフルオロエチルエーテル、グリシジル２，２，３，３−テトラフルオロプロピルエーテル、グリシジルヘキサデシルエーテル、グリシジル４−ノニルフェニルエーテル、グリシジル４−メトキシフェニルエーテル、グリシジルメタクリレート、グリシジルイソプロピルエーテル、グリシジルイソブチルエーテル、フルフリルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリシジル２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチルエーテル、フェニルグリシジルエーテル等が挙げられる。【００２１】
【化３】
0005432274.tif 000004
【００２２】
二官能型のエポキシ系化合物としては、下記化学式（５−１）〜（５−１１）で表されるように、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジグリシジル１，２−シクロヘキサンジカルボキシレート、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、グリセロールジグリシジルエーテル、ビス［４−（グリシジルオキシ）フェニル］メタン、ビスフェノールＡプロポキシレートジグリシジルエーテル等が挙げられる。【００２３】
【化４】
0005432274.tif 000005
【００２４】
三官能型のエポキシ系化合物としては、下記化学式（６−１）〜（６−４）で表されるように、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−４−グリシジルオキシアニリン、トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタントリグリシジルエーテル２，６−トリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。【００２５】
【化５】
0005432274.tif 000006
【００２６】
ここで、液晶表示装置における残留ＤＣ電圧の発生について説明する。下記化学式（７）は、ポリアミド酸系の配向膜材料の一例を示す。【００２７】
【化６】
0005432274.tif 000007
【００２８】
液晶セルを作製する際に、上記構造を有するポリアミド酸系の配向膜材料が塗布された基板を放置すると、配向膜が大気中の水分や焼成により気化したＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等の極性溶媒を吸湿する。下記化学式（８）は、ＮＭＰの構成を示す。【００２９】
【化７】
0005432274.tif 000008
【００３０】
上記水分やＮＭＰは、配向膜中の残存カルボキシル基に選択的に吸着して、下記化学式（９）、（１０）に示すように水素結合を形成する。カルボキシル基がＮＭＰに含まれる酸素と結合するときの水素結合のエネルギーはおよそ２１ｋＪ／ｍｏｌであり、窒素と結合するときの水素結合のエネルギーはおよそ２９ｋＪ／ｍｏｌである。また、カルボキシル基が水分と結合するときの水素結合のエネルギーはおよそ２１ｋＪ／ｍｏｌである。【００３１】
【化８】
0005432274.tif 000009
【００３２】
【化９】
0005432274.tif 000010
【００３３】
そして、基板を貼り合わせた後に液晶層が形成されると、液晶層内に存在するイオン性不純物が、カルボキシル基に選択吸着された極性溶媒によってイオン状態で安定に存在するようになり、その結果、残留ＤＣ電圧が発生する。また、基板の片方のみが長時間引き置かれると、片方の基板のみに選択的にイオン性不純物が吸着して、液晶セルの外部から直流オフセットを含まない矩形波電圧を印加しても、残留ＤＣ電圧が発生することがある。【００３４】
上記のように、配向膜中にカルボキシル基が多く残存することで、液晶層との界面における配向膜に含まれるカルボキシル基に液晶中のイオン性不純物が結合しやすくなる。配向膜の界面に結合したイオン性不純物による残留ＤＣ電圧は、下記（１）式より求められる。下記（１）式は、残留ＤＣ電圧の発生が液晶層中のイオン性不純物の界面への吸着速度定数（Ａｎ）と、界面からの離脱速度定数（Ｂ）とにより定まることを示す。【００３５】
【数１】
0005432274.tif 000011
【００３６】
また、アレニウスの法則を適用することにより、下記（２）式より、イオン性不純物の離脱の活性化エネルギーが、下記（３）式より、イオン性不純物の吸着の活性化エネルギーが、それぞれ求められる。【００３７】
【数２】
0005432274.tif 000012
【００３８】
【数３】
0005432274.tif 000013
【００３９】
図１は、液晶表示装置におけるＤＣオフセット印加時間（分）と残留ＤＣ電圧（Ｖ）との関係を示すグラフである。図１に示す測定結果を上記（１）式に基づき解析することにより、界面への吸着速度定数（Ａｎ）及び界面からの離脱速度定数（Ｂ）が求められる。図２は、吸着速度定数（Ａｎ）又は離脱速度定数（Ｂ）の対数［ｌｎ（Ｒａｔｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ）］と絶対温度の逆数［１０００／Ｔ］との関係を示すグラフである。図２に示すアレニウス式に基づくプロット、及び、上記（２）式、並びに、１ｅｖが１．６２×１０−１９Ｊであることから、イオン性不純物の離脱の活性化エネルギーは、下記（４）式で示すように０．２０８ｅｖとなる。同様に、イオン性不純物の吸着の活性化エネルギーは、０．３４０ｅｖとなる。
｛（１．３８×１０−２３）／（１．６２×１０−１９）｝×２４４３．２＝０．２０８ｅｖ    （４）【００４０】
上記結果より、配向膜の界面とイオン性不純物（又はイオンを取り込む溶媒）とは、ファンデルワールス力や水素結合等の物理吸着であり、静電引力による結合ではないことがわかる。【００４１】
上記化学式（７）で示す構造を有する配向膜において、ファンデルワールス力、水素結合等の分子間力が起こり得るサイトは、主にカルボキシル基、フッ素基末端、エステル結合の３箇所である。フッ素基末端及びエステル結合は、相手側、すなわち液晶層内の不純物や引き置きで付着した不純物にプロトン（Ｈ）がないと分子間力は発生しないが、カルボキシル基は、相手側にＯ、Ｎがあると分子間力が発生する。ここで、これまでの垂直配向膜においてエステル結合を介して側鎖を導入していることから、本発明においては、配向膜中に含まれるカルボキシル基を低減することで、イオン性不純物との結合を低減でき、これにより残留ＤＣ電圧を解消できる。本発明においては、残留ＤＣ電圧はできるだけ低いことが好ましく、２Ｖの直流電圧印加に対して５０ｍＶ以下であることがより好ましい。このように残留ＤＣ電圧が５０ｍＶ以下であることで、表示画面の焼き付きを良好に改善できる。【００４２】
本発明の液晶表示装置の構成としては、このような構成要素を必須として形成されるものである限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。【００４３】
本発明に係る液晶表示装置において、上記配向膜は、下記一般式（１）で表される構造単位を有することが好ましい。【００４４】
【化１０】
0005432274.tif 000014
【００４５】
上記一般式（１）で表される結合は、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドが有するカルボキシル基とエポキシ系化合物とが反応して生じた結合である。このような結合が生じることで、配向膜中における残存カルボキシル基を低減でき、これにより残留ＤＣ電圧を低減して表示画面の焼き付きを解消できる。なお、配向膜材料が垂直配向膜用の配向膜材料であって、高分子材料の側鎖部に垂直配向性官能基を有するものであっても、ポリイミドとエポキシ系化合物との反応によっては、高分子主鎖の剛直性に変化を与えることはなく、垂直配向性を安定した状態で維持できる。【００４６】
上記のように、エポキシ系化合物を導入することで残留ＤＣ電圧の低減は図れるが、エポキシ系化合物の導入量が多くなりすぎると、ポリアミド酸又はポリイミドによる液晶の配向制御が充分に行えなくなり、液晶の配向特性が悪くなることがある。したがって、本発明に係る液晶表示装置において、上記エポキシ系化合物の導入量は、ポリアミド酸モノマーユニットに対して３ｍｏｌ％以上であり、５０ｍｏｌ％より小さいことが好ましい。より好ましい上限値は、４０ｍｏｌ％以下である。エポキシ系化合物の導入量が３ｍｏｌ％未満であると、充分な残存カルボキシル基の低減効果が得られにくく、５０ｍｏｌ％以上であると、液晶の配向特性が悪くなって、表示不良が生じることがある。【００４７】
上記ポリアミド酸又は上記ポリイミドは、液晶を水平配向させる水平配向材料であってもよい。また、上記ポリアミド酸又は上記ポリイミドは、液晶を垂直配向させる垂直配向材料であってもよい。本明細書中、水平配向とは、本発明の効果を発揮する限りにおいて、実質的に水平配向する形態を含む。また、垂直配向とは、本発明の効果を発揮する限りにおいて、実質的に垂直配向する形態を含む。【００４８】
本発明において、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミド（以下、ポリアミド酸溶液とも称す。）は、貼り合わせ前の基板に塗布したときからイミド化させると、ポリアミド酸モノマーユニットの剛直性が高まって、液晶層側に存在できる側鎖密度が低くなり、これに伴って液晶分子の初期チルト角が低くなる。例えば、イミド化率が５０％以上の配向膜溶液を用いると、得られた液晶セルにおいては、液晶分子は水平配向化する。【００４９】
本発明に係る液晶表示装置は、各種の表示モードに対応できるものであるが、ＶＡモードの液晶表示装置を得るためには、配向膜溶液のイミド化率をできるだけ低くする必要があり、イミド化率が０％であるときに最も垂直配向は安定している。したがって、本発明に係る液晶表示装置がＶＡモードの液晶表示装置であるときには、イミド化率が０％の垂直配向膜を用いて垂直配向性を安定化させ、かつ、液晶に含まれるイオン性不純物が配向膜中のカルボキシル基へ吸着しにくくなるようにすることが好ましい。【００５０】
なお、ＶＡモードとは、負の誘電率異方性を持つネガ型液晶を用いて、閾値電圧未満（例えば、電圧の無印加状態）のときに、液晶分子を基板面に対して実質的に垂直方向に配向させ、閾値以上の電圧を印加したときに、液晶分子を基板面に対して実質的に水平方向に倒す表示モードである。負の誘電率異方性を有する液晶分子とは、長軸方向よりも短軸方向の誘電率が大きい液晶分子をいう。【００５１】
上記ポリアミド酸又は上記ポリイミドは、光反応性官能基を有するものであってもよい。上記光反応性官能基は、シンナメート基、カルコン基、トラン基、クマリン基、及び、アゾベンゼン基からなる群より選択される少なくとも一つであることが好ましい。このような光反応性官能基を有することで、分割配向を容易に行うことができ、４ＤＲＴＮモードの表示装置の作製が可能となる。また、４ＤＲＴＮモードでは、通電によりプレチルト角が変化し、焼き付きが発生する。このチルト角の変化に由来する焼き付きは、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術を用いた、後述する配向維持層の形成により解決できる。【００５２】
ＰＳＡ技術とは、液晶中に単量体（モノマー）を分散させ、液晶に電圧を印加しながら光を照射することにより液晶中に分散させたモノマーを光重合させて、配向膜の表面に重合体を形成し、この重合体により配向膜の表面における液晶の初期傾斜（プレチルト）を固定化する技術である。【００５３】
また本発明に係る液晶表示装置の一形態としては、少なくとも一方の上記基板は、上記配向膜と、上記配向膜よりも液晶層の側であって、光重合によって形成された配向維持層を更に有するものが挙げられる。このような構成であると、液晶の配向状態を維持したまま、配向膜と液晶との接触面積を小さくできるため、液晶層中に含まれるイオン性不純物が配向膜中のカルボキシル基に吸着されにくくなり、これにより高い電圧保持率を維持できる。【００５４】
上記配向維持層は、１種又は複数種のモノマーが重合した重合体（好ましくは、光重合体）にて形成され、上記モノマーの少なくとも１種は多官能モノマーであるものが挙げられる。【００５５】
上記配向維持層は、１種又は複数種のモノマーが重合した光重合体にて形成され、上記モノマーの少なくとも１種は下記化学式（２）で表されるものが挙げられる。【００５６】
【化１１】
0005432274.tif 000015
【００５７】
ここで、上記化学式（２）において、Ｐ１、Ｐ２は、それぞれ独立にアクリレート基、メタクリレート基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、ビニル基、ビニロキシ基、又は、エポキシ基である。Ａ１、Ａ２は、それぞれ独立に１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、フェナントレン−２，６−ジイル基であり、更に水素基がハロゲン基又はメチル基に置換されている構造も含む。Ｚ１は、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−、又は、単結合である。Ｓ１、Ｓ２は、それぞれ独立に−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−、又は、単結合であり、ｍは１以上６以下である。更に、ｎは０、１又は２である。【００５８】
本発明において、好ましい一形態としては、上記化学式（２）において、Ｐ１及びＰ２はメタクリレート基であり、Ｚ１は単結合であり、ｎは０又は１であり、Ａ１及びＡ２は、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，６−ジイル基であり、Ｓ１及びＳ２は、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）ｍ−、又は、単結合であり、ｍは１以上６以下であるものが挙げられる。【００５９】
本発明において上記配向膜は、電圧無印加時に、上記液晶層を構成する液晶分子が上記配向膜の主面の法線方向から傾いて配向するように上記液晶分子を規制するものであってもよい。【００６０】
また、上記液晶表示装置は複数の画素を有し、各画素は、液晶の配向方向が異なる領域を２以上有するものであってもよい。特に、上記領域が、４つである液晶表示装置は、画素内において液晶が均一に配向するため、応答速度が速く、光の透過率が高く、高いコントラストを実現できることから好ましい。【００６１】
また、本発明は、上記のように構成された液晶表示装置の製造方法にも向けられている。すなわち、少なくとも一方の基板の主面上に配向膜材料を塗布する塗布工程と、上記配向膜材料を反応させて配向膜を形成する膜形成工程とを含み、上記配向膜材料は、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを含み、上記膜形成工程は、上記ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを反応させる液晶表示装置の製造方法である。【００６２】
本発明においては、塗布工程では、配向膜材料を反応させない、すなわち、積極的に配向膜材料のイミド化を行わないようにすることで、配向膜材料に、液晶の配向を規制する官能基を側鎖部に有する重合体が含まれていてもこの特性を損なうことがなくなる。なお、積極的なイミド化とは、ベーク処理等により生じる若干のイミド化を含まないことをいう。【００６３】
膜形成工程では、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドとエポキシ系化合物とを反応させることで、配向膜中に含まれる残存カルボキシル基が低減され、これにより残存ＤＣ電圧を低減できる。【００６４】
本発明においては、上記膜形成工程の後に、上記配向膜の上に重合体を形成する配向維持層形成工程を含み、上記配向維持層形成工程は、モノマーを分散させた液晶に電圧を印加しながら光を照射することにより上記モノマーを光重合させて上記配向膜の表面に重合体を形成するものであってもよい。また、上記膜形成工程の後に、上記配向膜の上に重合体を形成する配向維持層形成工程を含み、上記配向維持層形成工程は、モノマーを分散させた液晶に電圧無印加状態で光を照射することにより上記モノマーを光重合させて上記配向膜の表面に重合体を形成するものであってもよい。【００６５】
なお、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法において、配向膜材料及び配向膜の組成は、核磁気共鳴（ＮＭＲ；Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を用いた測定、質量分析等の化学分析法により、特定できる。【００６６】
上述した各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【発明の効果】
【００６７】
本発明によれば、ポリアミド酸又はイミド化率が１００％より小さいポリイミドを配向膜材料として用い、配向膜材料の段階では、積極的に配向膜材料のイミド化を行わないようにすることで、ＶＡモード等の各種の表示モードへ対応でき、また、配向膜材料がエポキシ系化合物を含むことで、表示画面における焼き付きの発生が低減された液晶表示装置を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】液晶表示装置におけるＤＣオフセット印加時間と残留ＤＣ電圧との関係を示すグラフである。
【図２】吸着速度定数又は離脱速度定数の対数と絶対温度の逆数との関係を示すグラフである。
【図３】実施形態１に係る液晶表示装置の構成を示す断面模式図である。
【図４】実施形態３に係る液晶表示装置の構成を示す断面模式図である。
【図５】実施形態５に係る液晶表示装置の画素電極の構成を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００６９】
以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
【００７０】
実施形態１
本実施形態では、液晶を水平配向させる水平配向材料にて形成された配向膜を有する液晶表示装置を例に挙げて説明する。図３は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面模式図である。
【００７１】
図３において、液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と、これに対向するように設けられた対向基板１３０と、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１３０との間に狭持されるように設けられた液晶層１２０とを備える。
【００７２】
ＴＦＴアレイ基板１１０は、支持基板１１１であるガラス基板の液晶層１２０側の主面上に、ここでは図示されていないが、互いに平行に伸びる複数のゲート信号線、ゲート信号線に直交しかつ相互に平行に伸びる複数のソース信号線、ゲート信号線とソース信号線との各交差部に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する。
【００７３】
ゲート信号線及びソース信号線は、ゲート絶縁膜にて覆われており、ゲート絶縁膜上にはドレイン電極が形成されている。これらは層間絶縁膜にて覆われており、層間絶縁膜の上には、各画素に対応するように画素電極が形成されている。画素電極とドレイン電極とは、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続される。ＴＦＴは、ゲート信号線に接続されたゲート電極と、ソース信号線に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。
【００７４】
液晶層１２０は正の誘電率異方性を示すネマチック液晶にて形成されている。
【００７５】
対向基板１３０は、例えば、カラーフィルタ基板であり、ここでは、支持基板１３１であるガラス基板の主面上にカラーフィルタ層が設けられ、絶縁層を介して対向電極が配置されている。対向電極は、ＩＴＯ等にて形成される。
【００７６】
上記のように構成されたＴＦＴアレイ基板１１０及び対向基板１３０の最も液晶層１２０側の面には、配向膜１１２、１３２がそれぞれ形成されている。
【００７７】
ここで、本実施形態においては、配向膜１１２、１３２は、下記化学式（１１）で表されるポリアミド酸及び下記化学式（１２）で表されるエポキシ系化合物とを含む配向膜材料を反応させて形成した膜である。また、溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。
【００７８】
【化１２】
0005432274.tif 000016
【００７９】
【化１３】
0005432274.tif 000017
【００８０】
上記のように構成された液晶表示装置１００は、例えば、以下のようにして製造される。まず、ＴＦＴアレイ基板１１０の製造方法について説明する。
【００８１】
ＴＦＴアレイ基板１１０は、洗浄したガラス基板の主面上にベースコート膜を形成して、ゲート信号線等の各種配線、ＴＦＴ等を形成し、ゲート絶縁膜で覆った後、ドレイン電極を形成する。そして、基板の主面上を層間絶縁膜で覆い、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。
【００８２】
上記構成を有する基板の主面を覆うようにスパッタリング等の方法により導電膜を形成する。導電膜は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛等のように光の透過率の高い導電性材料にて形成する。
【００８３】
一方、対向基板１３０は、ガラス基板１３１の主面上にカラーフィルタ層（図示せず）を形成し、絶縁層（図示せず）で覆ったのち、ＩＴＯからなる対向電極（図示せず）を形成することにより得られる。
【００８４】
上記のように作製されたＴＦＴアレイ基板１１０及び対向基板１３０の液晶層１２０側となる主面上に、ラビング処理による配向処理を施した。次いで、上記配向膜材料を塗布して配向膜１１２、１３２を形成した。引き続き、いずれか一方の基板にシール材（封止材）を塗布して、対向基板にビーズを散布した後、ラビング方向が９０°になるように両基板の貼り合せを行った。シール材は、特に限定されるものではなく、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を用いることができる。そして、両基板間に正の誘電率異方性を示す、カイラル剤入りの液晶を注入した。更に、支持基板１１１、１３１の液晶層１２０とは反対側の面に偏光板を設けることによってＴＮモードの液晶表示装置１００が得られた。
【００８５】
以下に、本実施形態を実施例及び比較例に基づきより詳細に説明する。
【００８６】
実施例１〜５
配向剤へのエポキシ系化合物の導入量（添加剤導入量）を変化させた液晶表示装置を上記と同様に作製した。具体的には、実施例１は、エポキシ系化合物の導入量をポリアミド酸モノマーユニットに対して１０ｍｏｌ％とし、実施例２は２０ｍｏｌ％とし、実施例３は３０ｍｏｌ％とし、実施例４は４０ｍｏｌ％とし、実施例５は５０ｍｏｌ％とした。そして、それぞれの液晶表示装置について、電圧保持率（ＶＨＲ）及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は１Ｖ（７０℃）で行い、残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）測定の際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧をフリッカ消去法により測定した。なお、測定時の液晶セルの温度は４０℃である。
得られた測定結果を下記表１に示す。
【００８７】
比較例１
エポキシ系化合物を配向剤に添加しなかった。そしてそれ以外は、上記各実施例と同様にしてＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表１に示す。
【００８８】
【表１】
0005432274.tif 000018
【００８９】
上記表１に示すように、エポキシ系化合物の導入量が０ｍｏｌ％である比較例１では、残留ＤＣ電圧が大きい値となった。これに対し、エポキシ系化合物を導入した実施例１〜４では、添加剤の導入濃度が増加するにつれて残留ＤＣ電圧は小さくなった。ただし、実施例５では、添加剤の導入濃度が高くなりすぎて液晶の配向不良が生じ、残留ＤＣ電圧の評価は行えなかった。このようにエポキシ系化合物の導入によって残留ＤＣ電圧が改善されたのは、ポリアミド酸のカルボキシル基濃度が低下して、液晶層中の不純物イオンを吸着できる配向膜の界面における吸着サイトが減ったためと考えられる。一方で、ＶＨＲは、エポキシ系化合物の導入によって、若干改善された程度である。
【００９０】
実施形態２
本実施形態では、エポキシ系化合物として二官能型エポキシ系化合物と三官能型エポキシ系化合物とを用いた。そしてそれ以外は実施形態１と同様にしてＴＮモードの液晶表示装置を作製し、実施例６〜１３を行った。
【００９１】
実施例６〜１３
配向膜材料としては、下記化学式（１１）に示すポリアミド酸を用いた。また、エポキシ系化合物としては、実施例６〜９では下記化学式（１３）で示す二官能型エポキシ系化合物を、実施例１０〜１３では下記化学式（１４）に示す三官能型エポキシ系化合物を用いた。更に、配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を、それぞれポリアミド酸モノマーユニットに対して下記表２の「添加剤導入量（ｍｏｌ％）」に示すようにした。そして、上記実施形態１と同様にしてＴＮモードの液晶セルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。測定条件は実施例１と同じである。
得られた測定結果を下記表２に示す。
【００９２】
【化１４】
0005432274.tif 000019
【００９３】
【化１５】
0005432274.tif 000020
【００９４】
【化１６】
0005432274.tif 000021
【００９５】
【表２】
0005432274.tif 000022
【００９６】
上記表２に示す測定結果より、二官能型エポキシ系化合物又は三官能型エポキシ系化合物を用いることにより、実施例６〜８、１０〜１２では、残留ＤＣ電圧を充分に抑えたり、完全に０（ｍＶ）に抑えたりすることができた。これは、カルボキシル基の消費効率が上昇したこと（イミド化していない部分のカルボキシル基とエポキシ系化合物との反応が効率よく起こったこと）、及び、架橋構造の形成によりポリイミドの安定性が更に増したことによると考えられる。ただし、実施例９、１３では、添加剤の導入濃度が高くなりすぎて液晶の配向乱れが生じ、残留ＤＣ電圧の評価は行えなかった。
【００９７】
実施形態３
本実施形態では、液晶を垂直配向させる垂直配向材料にて形成された垂直配向膜を有する液晶表示装置を例に挙げて説明する。図４は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面模式図である。
【００９８】
図４において、液晶表示装置２００は、ＴＦＴアレイ基板２１０と、これに対向するように設けられた対向基板２３０と、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２３０との間に狭持されるように設けられた液晶層２２０とを備える。
【００９９】
ＴＦＴアレイ基板２１０は、支持基板２１１であるガラス基板の液晶層２２０側の主面上に、上記実施形態１に係るＴＦＴアレイ基板１１０と同様にＴＦＴや各種配線等を有する。
【０１００】
画素電極２１３は、各画素に対応するように形成されており、液晶分子の配向状態を規制するための複数のスリット２１４が複数形成されている。スリット２１４は、基板面を法線方向から見たときにＶ字状に形成されており、等間隔に配置されている。ＴＦＴアレイ基板２１０の最も液晶層２２０側の面には、配向膜２１２が形成されている。
【０１０１】
液晶層２２０は、ＶＡモードの液晶表示装置に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶を使用することができる。
【０１０２】
対向基板２３０は、支持基板２３１であるガラス基板の液晶層２２０側の主面上に複数のリブ状の突起２３４を有し、上記画素電極２１３と対向して配置された対向電極２３３を備える。複数の突起２３４は、液晶分子の配向状態を規制するためのものであり、基板面を法線方向から見たときにＶ字状に配置される帯状の構造物であって、等間隔に配置されている。
【０１０３】
対向基板２３０は、例えば、カラーフィルタ基板であり、ここでは、支持基板２３１の主面上にカラーフィルタ層が設けられ、絶縁層を介して対向電極２３３が配置されている。対向電極２３３は、ＩＴＯ等にて形成される。そして、最も液晶層２２０側の面には、配向膜２３２が形成されている。
【０１０４】
スリット２１４と突起２３４とは、基板面を法線方向から見たときに、両者は等間隔で、かつ、交互に配置される。このような配置とすることで、各画素内において、液晶分子は、ほぼ均等に配向し、広い視野角において均一な表示を得ることができる。
【０１０５】
ここで、本実施形態における配向膜２１２、２３２は、主鎖に下記化学式（１５）で示す構造を有し、側鎖に下記化学式（１６）で示す構造を有する垂直配向用ポリアミド酸、及び、下記化学式（１２）で示すエポキシ系化合物を含む配向膜材料を反応させて形成した膜である。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。
【０１０６】
【化１７】
0005432274.tif 000023
【０１０７】
【化１８】
0005432274.tif 000024
【０１０８】
【化１９】
0005432274.tif 000025
【０１０９】
上記のように構成された液晶表示装置２００は、例えば、以下のようにして製造される。まず、ＴＦＴアレイ基板２１０の製造方法について説明する。
【０１１０】
ＴＦＴアレイ基板２１０は、上記ＴＦＴアレイ基板１１０と同様にゲート信号線等の各種配線、ＴＦＴ等を形成し、ゲート絶縁膜で覆った後、ドレイン電極を形成する。そして、基板の主面上を層間絶縁膜で覆い、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。
【０１１１】
上記構成を有する基板の主面を覆うようにスパッタリング等の方法により導電膜を形成する。導電膜は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛等のように光の透過率の高い導電性材料にて形成する。次いで、得られた導電膜を覆うようにレジスト膜を形成し、露光・現像処理を行って、所望の形状のレジストパターンを形成する。
【０１１２】
得られたレジストパターンを介して導電膜をエッチング処理し、上記したＶ字状のスリット２１４を有する画素電極２１３を形成する。エッチング処理は、ドライエッチング処理又はウェットエッチング処理のいずれであってもよい。
【０１１３】
一方、対向基板２３０は、支持基板２３１の主面上にカラーフィルタ層（図示せず）を形成し、絶縁層（図示せず）で覆ったのち、感光性樹脂を塗布して露光・現像処理を行うことにより突起２３４を形成する。そして、突起２３４を覆うようにスパッタ法等によりＩＴＯからなる対向電極２３３を形成することにより得られる。
【０１１４】
上記のように作製されたＴＦＴアレイ基板２１０及び対向基板２３０の液晶層２２０側となる主面上に、上記配向膜材料を塗布して配向膜２１２、２３２を形成した。引き続き、いずれか一方の基板にシール材（封止材）を塗布して、対向基板２３０にビーズを散布した後、両基板の貼り合せを行った。シール材は、特に限定されるものではなく、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等を用いることができる。そして、両基板間に負の誘電率異方性を示す液晶を注入し、１３０℃の条件で加熱を行い、液晶の配向方向が均一になるよう処理した。そして、支持基板２１１、２３１の液晶層２２０とは反対側の面に偏光板を設けることによってＶＡモードの液晶表示装置２００が得られた。
以下に、本実施形態を実施例及び比較例に基づきより詳細に説明する。
【０１１５】
実施例１４〜１８
配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を変化させた液晶表示装置を上記と同様に作製した。具体的には、実施例１４は、配向剤へのエポキシ系化合物の導入量をポリアミド酸モノマーユニットに対して１０ｍｏｌ％とし、実施例１５は２０ｍｏｌ％とし、実施例１６は３０ｍｏｌ％とし、実施例１７は４０ｍｏｌ％とし、実施例１８は５０ｍｏｌ％とした。そして、それぞれの液晶表示装置について、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は１Ｖ（７０℃）で行い、残留ＤＣ電圧を測定する際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧をフリッカ消去法により測定した。なお、測定時のセル温度は４０℃である。
得られた測定結果を下記表３に示す。
【０１１６】
比較例２
エポキシ系化合物を配向剤に添加しなかった。そしてそれ以外は、上記各実施例と同様にしてＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表３に示す。
【０１１７】
【表３】
0005432274.tif 000026
【０１１８】
上記表３に示すように、エポキシ系化合物の導入量が０である比較例２では、ＶＨＲが低く、残留ＤＣ電圧が大きい値となった。これに対し、エポキシ系化合物を導入した実施例１４〜１７では、添加剤の導入濃度が増加するにつれてＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧が改善した。このようにエポキシ系化合物の導入によってＶＨＲ、残留ＤＣ電圧が改善されたのは、ポリアミド酸のカルボキシル基濃度が低下して、液晶層中に含まれる不純物イオンの界面での吸着サイトが減ったためと考えられる。一方で、ＶＨＲは、エポキシ系化合物の導入によって、若干改善された程度である。なお、実施例１８は、ＶＨＲは良いものの、液晶の配向不良が生じて残留ＤＣ電圧の評価は行えなかった。
【０１１９】
実施形態４
本実施形態では、エポキシ系化合物として二官能型エポキシ系化合物と三官能型エポキシ系化合物とを用いた。そしてそれ以外は実施形態３と同様にしてＶＡモードの液晶表示装置を作製し、下記実施例１９〜２６を行った。
【０１２０】
実施例１９〜２６
配向膜材料としては、主鎖が下記化学式（１５）で示され、側鎖が下記化学式（１６）で示されるポリアミド酸を用いた。また、エポキシ系化合物としては、実施例１９〜２２では、下記化学式（１３）で示す二官能型エポキシ系化合物を用い、実施例２３〜２６では、下記化学式（１４）に示す三官能型エポキシ系化合物を用いた。更に、配向剤へのエポキシ系化合物の導入量は、それぞれポリアミド酸モノマーユニットに対して下記表４の「添加剤導入量（ｍｏｌ％）」に示すようにした。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。そして、上記実施形態１と同様にしてＶＡモードの液晶セルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。測定条件は実施例３と同じである。
得られた測定結果を下記表４に示す。
【０１２１】
【化２０】
0005432274.tif 000027
【０１２２】
【化２１】
0005432274.tif 000028
【０１２３】
【化２２】
0005432274.tif 000029
【０１２４】
【化２３】
0005432274.tif 000030
【０１２５】
【表４】
0005432274.tif 000031
【０１２６】
上記表４に示す測定結果より、二官能型エポキシ系化合物又は三官能型エポキシ系化合物を用いることにより、実施例１９〜２１、２３〜２５では残留ＤＣ電圧を充分に抑えたり、完全に０（ｍＶ）に抑えたりすることができた。これは、カルボキシル基の消費効率が上昇したこと（イミド化していない部分のカルボキシル基とエポキシ系化合物との反応が効率よく起こったこと）、架橋構造の形成によりポリイミドの安定性が更に増したことによると考えられる。ただし、実施例２２、２６では、添加剤の導入濃度が高くなりすぎて液晶の配向乱れが生じ、残留ＤＣ電圧の評価は行えなかった。
【０１２７】
なお、上記実施形態では、画素電極２１３にＶ字状のスリット２１４が形成され、帯状の突起２３４がＶ字状に配置された例を挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、スリットの形状は、画素面に対して縦方向でも横方向であってもよく、また、突起の形状も同様に画素面に対して縦方向でも横方向であってもよい。
【０１２８】
更に、上記説明では、画素電極２１３にスリット２１４を形成した例を挙げて説明したが、本発明においては、対向電極２３３にスリットを形成することも可能であり、このような構成によっても上記と同様の効果が得られる。
【０１２９】
実施形態５
本実施形態では、垂直配向膜をＰＳＡモードに適用した液晶表示装置を例に挙げて説明する。本実施形態において配向膜２１２、２３２は、主鎖に下記化学式（１５）で示す構造を有し、側鎖に下記化学式（１６）で示す構造を有する垂直配向用ポリアミド酸、及び、下記化学式（１２）で示すエポキシ系化合物を含む配向膜材料を反応させて形成した膜である。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。
【０１３０】
【化２４】
0005432274.tif 000032
【０１３１】
【化２５】
0005432274.tif 000033
【０１３２】
【化２６】
0005432274.tif 000034
【０１３３】
本実施形態に係る液晶表示装置は、上記実施形態３に係る液晶表示装置２００とほぼ同様の構成を有するが、画素電極は、櫛歯形状となっている。図５は、本実施形態に係る液晶表示装置の画素電極の構成を示す平面模式図である。図５において、画素電極２５０は、幹部２５０ａと、この幹部２５０ａから角度をもって複数配置された枝部２５０ｂとからなる櫛歯形状に形成されている。
【０１３４】
また、液晶材料中には、下記化学式（１７）に示す二官能型モノマーが０．３ｗｔ％含有されている。
【０１３５】
【化２７】
0005432274.tif 000035
【０１３６】
以下に、本実施形態を実施例及び比較例に基づきより詳細に説明する。
【０１３７】
実施例２７〜３１
配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を変化させた液晶表示装置を上記と同様に作製した。具体的には、実施例２７は、エポキシ系化合物の導入量をポリアミド酸モノマーユニットに対して１０ｍｏｌ％とし、実施例２８は２０ｍｏｌ％とし、実施例２９は３０ｍｏｌ％とし、実施例３０は４０ｍｏｌ％とし、実施例３１は５０ｍｏｌ％とした。そして、上記実施形態３と同様に液晶セルを形成した後、１３０℃で加熱急冷を行い、引き続き電圧を印加しながら３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光照射を２時間行ってモノマーを重合した。これにより配向膜上にポリマー層が形成され、液晶にチルトを付与することができるＰＳＡモードの液晶表示装置が得られた。
【０１３８】
得られたそれぞれの液晶表示装置について、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は１Ｖ（７０℃）で行い、残留ＤＣ電圧を測定する際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧をフリッカ消去法により測定した。なお、測定時のセル温度は４０℃である。
得られた測定結果を下記表５に示す。
【０１３９】
比較例３
エポキシ系化合物を配向剤に添加しなかった。そしてそれ以外は、実施例２７〜３１と同様にしてＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表５に示す。
【０１４０】
【表５】
0005432274.tif 000036
【０１４１】
上記表５に示すように、ＰＳＡモードでは、エポキシ基含有量の増加とともにＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧が若干改善される。また、比較例３は、ＴＮモードでのエポキシ含有量０の場合（比較例１）に比べて残留ＤＣ電圧が低下しており、ＭＶＡモードでのエポキシ含有量０の場合（比較例２）に比べて、ＶＨＲ、残留ＤＣ電圧ともに良い値を示している。これは、ＰＳＡ技術による配向維持層の形成により、配向膜の表面に存在するわずかな残存カルボン酸をも液晶層に露出しなくなった、すなわち、カルボキシル基の表面露出度が、配向維持層の形成により低下したためと考えられる。したがって、本実施形態では、エポキシ系化合物を添加した効果よりもむしろ、ＰＳＡ技術による配向維持層の形成によりＶＨＲ、残留ＤＣ電圧の改善が確認されたと考えられる。
【０１４２】
また、ＶＨＲが全般的に９８％台と低い理由は、ＰＳＡ技術によって配向維持層を形成する際の紫外光露光により、液晶材料の一部が分解したためと考えられる。
【０１４３】
実施形態６
本実施形態では、エポキシ系化合物として二官能型エポキシ系化合物と三官能型エポキシ系化合物とを用いた。そしてそれ以外は上記実施形態５と同様にしてＰＳＡモードの液晶表示装置を作製し、実施例３２〜３９を行った。
【０１４４】
実施例３２〜３９
配向膜２１２、２３２を形成する配向膜材料としては、上記実施形態５と同様に主鎖に下記化学式（１５）で示す構造を有し、側鎖に下記化学式（１６）を有するポリアミド酸を用いた。添加するエポキシ系化合物としては、実施例３２〜３５では下記化学式（１３）で示す二官能型エポキシ系化合物を用い、実施例３６〜３９では下記化学式（１４）に示す三官能型エポキシ系化合物を用いた。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。
【０１４５】
【化２８】
0005432274.tif 000037
【０１４６】
【化２９】
0005432274.tif 000038
【０１４７】
【化３０】
0005432274.tif 000039
【０１４８】
【化３１】
0005432274.tif 000040
【０１４９】
配向剤へのエポキシ系化合物の導入量は、それぞれポリアミド酸モノマーユニットに対して下記表６の「添加剤導入量（ｍｏｌ％）」に示すようにした。
【０１５０】
上記実施形態５と同様の工程で作製したＰＳＡモードの液晶セルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。測定条件は実施形態５と同じである。得られた測定結果を下記表６に示す。
【０１５１】
【表６】
0005432274.tif 000041
【０１５２】
上記表６に示すように、二官能型エポキシ系化合物又は三官能型エポキシ系化合物を用いることにより、実施例３２〜３４、３６〜３８では残留ＤＣ電圧を充分に抑えたり、完全に０ｍＶに抑えたりすることができた。これは、カルボキシル基の消費効率が上昇したこと（イミド化していない部分のカルボキシル基とエポキシ系化合物との反応が効率よく起こったこと）によると考えられる。ただし、実施例３５、３９では、添加剤の導入濃度が高くなりすぎて液晶の配向乱れが生じ、残留ＤＣ電圧の評価は行えなかった。
【０１５３】
また、ＰＳＡモードの場合においても、二官能型エポキシ系化合物又は三官能型エポキシ系化合物を用いることによって残留ＤＣ電圧が更に改善した。この結果より、配向維持層の形成によるカルボキシル基の露出度を軽減できる効果に加えて、エポキシ基の濃度が上昇することによるカルボキシル基の濃度自体の低下も重要であることが示された。
【０１５４】
実施形態７
本実施形態では、配向膜２１２、２３２を、下記化学式（１８）で示す構造を有するポリアミド酸及び下記化学式（１２）で示すエポキシ系化合物を含む配向膜材料を反応させて形成する。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。
【０１５５】
【化３２】
0005432274.tif 000042
【０１５６】
【化３３】
0005432274.tif 000043
【０１５７】
配向膜２１２、２３２の形成に際しては、基板に塗布した配向膜材料に斜め方向から直線偏光を照射して配向処理を施した。そして、いずれか一方の基板にシール材を塗布し、対向基板にビーズを散布した後、両基板を貼り合わせ、更に両基板の間に負の誘電率異方性を示す液晶を注入した。液晶中には下記化学式（１７）で示す二官能型モノマー０．３ｗｔ％導入した。液晶注入後、１３０℃で加熱急冷を行い、引き続きセルに３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で放射される光源を２時間照射することにより重合を行った。重合の際には液晶セルに電圧を印加していない。
【０１５８】
【化３４】
0005432274.tif 000044
【０１５９】
上記のように作製した液晶表示装置において、配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を変化させて実施例４０〜４２、比較例４を行った。
【０１６０】
実施例４０〜４２、比較例４
エポキシ系化合物の導入量は、これまでの実験結果より、３０ｍｏｌ％までとした。実施例４０では、エポキシ系化合物の導入量をポリアミド酸モノマーユニットに対して１０ｍｏｌ％、実施例４１では２０ｍｏｌ％、実施例４２では３０ｍｏｌ％とした。比較例４では、エポキシ系化合物を導入しなかった。
【０１６１】
上記の工程で作製したセルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は１Ｖ（７０℃）で行った。残留ＤＣ電圧を測定する際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧をフリッカ消去法により測定した。測定時のセル温度は４０℃である。得られた測定結果を下記表７に示す。
【０１６２】
【表７】
0005432274.tif 000045
【０１６３】
上記表７に示すように、実施例４０〜４２では、エポキシ系化合物（添加剤）の導入濃度の増加とともに残留ＤＣ電圧は小さくなった。残留ＤＣ電圧の改善は、ＰＳＡ技術による配向維持層の形成により、添加剤導入量が０ｍｏｌ％でもカルボキシル基の露出度が激減し、更にエポキシ系化合物を配向剤に加えることで、膜表面のカルボキシル基濃度がより低減されて液晶層中に含まれる不純物イオンの界面での吸着サイトが減ったためと考えられる。一方で、ＶＨＲは、若干改善された程度であった。これは、ＰＳＡ技術により配向維持層を形成するために紫外光を照射することから、液晶材料も一部分解するためと考えられる。
【０１６４】
比較例４は、エポキシ系化合物が導入されていなかったため、ＶＨＲは低く、残留ＤＣ電圧は大きくなった。
【０１６５】
上記実施例４０〜４２との比較のために、配向維持層を形成しない４ＤＲＴＮモードの液晶セルを作製し、同様に配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を変化させた実施例４３〜４５及び比較例５を行った。
【０１６６】
実施例４３〜４５、比較例５
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例４３では１０ｍｏｌ％、実施例４４では２０ｍｏｌ％、実施例４５では３０ｍｏｌ％とした。比較例５では、エポキシ系化合物を導入しなかった。
【０１６７】
上記の工程で作製したセルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は１Ｖ（７０℃）で行った。残留ＤＣ電圧を測定する際のＤＣオフセット電圧は２Ｖとし、２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧をフリッカ消去法により測定した。測定時のセル温度は４０℃である。得られた測定結果を下記表８に示す。
【０１６８】
【表８】
0005432274.tif 000046
【０１６９】
上記表８に示すように、実施例４３〜４５では高いＶＨＲが得られた。これは、ＰＳＡ技術により配向維持層を形成するための紫外光照射を行っていないため、液晶層中の不純物イオン濃度が低いためであると考えられる。一方で、残留ＤＣ電圧の低減効果は、実施例４０〜４２に比べて小さく、エポキシ系化合物（添加剤）の導入量が増えるにつれて残留ＤＣ電圧は低くなっているものの、目標とする５０ｍＶレベルには届かなかった。これは、わずかに液晶層に含まれる不純物イオンがカルボキシル基の表面に吸着して、安定に存在するためであると考えられる。
【０１７０】
比較例５は、エポキシ系化合物が導入されていなかったため、ＶＨＲは高いものの、残留ＤＣ電圧は大きくなった。
【０１７１】
実施形態８
本実施形態に係る液晶表示装置は、ＲＴＮモードの液晶表示装置であって、配向膜材料に含まれるポリアミド酸及びエポキシ系化合物として、下記化学式（１８）で示す構造を有するポリアミド酸と下記化学式（１３）で示す構造を有する二官能型エポキシ系化合物とを用いる。
【０１７２】
【化３５】
0005432274.tif 000047
【０１７３】
【化３６】
0005432274.tif 000048
【０１７４】
本実施形態に係る液晶表示装置の特性を以下に示す実施例、比較例に基づき説明する。実施例４６〜４８及び比較例６は、本実施形態に係る液晶表示装置に、ＰＳＡ技術により配向維持層を形成したものであり、実施例４９〜５１及び比較例７は、本実施形態に係る液晶表示装置に、ＰＳＡ技術による配向維持層を形成していないものである。ただし、比較例６、７には、エポキシ系化合物は添加されていない。
【０１７５】
実施例４６〜４８、比較例６
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例４６は１０ｍｏｌ％、実施例４７は２０ｍｏｌ％、実施例４８は３０ｍｏｌ％とした。比較例６は、エポキシ系化合物を添加しなかった。そして、それ以外は上記実施形態７と同様の条件でＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表９に示す。
【０１７６】
【表９】
0005432274.tif 000049
【０１７７】
実施例４９〜５１、比較例７
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例４９は１０ｍｏｌ％、実施例５０は２０ｍｏｌ％、実施例５１は３０ｍｏｌ％とした。比較例７は、エポキシ系化合物を添加しなかった。そして、配向維持層を形成していないこと以外は上記実施例４６〜４８と同様の条件でＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表１０に示す。
【０１７８】
【表１０】
0005432274.tif 000050
【０１７９】
上記表９より、エポキシ系化合物を単官能型のエポキシ系化合物から二官能型のエポキシ系化合物に変更することにより、単官能型のエポキシ系化合物に比べて大きな残留ＤＣ電圧の改善が見られた。これは、カルボキシル基の残存量が単官能型のエポキシ系化合物の場合に比べて少なくなったためと考えられる。
【０１８０】
上記表１０より、配向維持層が形成されていない場合には、二官能型のエポキシ系化合物を添加することにより、残留ＤＣ電圧の改善効果は単官能型のエポキシ系化合物を添加した場合に比べて更に大きくなった。これは、配向維持層が存在しないことによりカルボキシル基の表面露出が顕著になっており、それを二官能型エポキシ系化合物で効率よく消失できたためと考えられる。
【０１８１】
実施形態９
本実施形態に係る液晶表示装置は、ＲＴＮモードの液晶表示装置であって、配向膜材料に含まれるポリアミド酸及びエポキシ系化合物として、下記化学式（１８）で示す構造を有するポリアミド酸と下記化学式（１４）で示す構造を有する三官能型エポキシ系化合物とを用いる。
【０１８２】
【化３７】
0005432274.tif 000051
【０１８３】
【化３８】
0005432274.tif 000052
【０１８４】
本実施形態に係る液晶表示装置の特性を以下に示す実施例、比較例に基づき説明する。実施例５２〜５４及び比較例８は、本実施形態に係る液晶表示装置に配向維持層を形成したものであり、実施例５５〜５７及び比較例９は、本実施形態に係る液晶表示装置に配向維持層を形成していないものである。ただし、比較例８、９には、エポキシ系化合物は添加されていない。
【０１８５】
実施例５２〜５４、比較例８
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例５２は１０ｍｏｌ％、実施例５３は２０ｍｏｌ％、実施例５４は３０ｍｏｌ％とした。比較例８は、エポキシ系化合物を添加しなかった。そして、それ以外は上記実施形態７と同様の条件でＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表１１に示す。
【表１１】
0005432274.tif 000053
【０１８６】
実施例５５〜５７、比較例９
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例５５は１０ｍｏｌ％、実施例５６は２０ｍｏｌ％、実施例５７は３０ｍｏｌ％とした。比較例９は、エポキシ系化合物を添加しなかった。そして、配向維持層を形成していないこと以外は上記実施例５２〜５４と同様の条件でＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表１２に示す。
【０１８７】
【表１２】
0005432274.tif 000054
【０１８８】
上記表１１及び表１２に示すように、三官能型エポキシ系化合物を用いた実施例５２〜５７では、配向維持層を含む場合、含まない場合のいずれについても、フリッカ消去法による測定を行えなかった。そこで顕微鏡（走査型電子顕微鏡）を用いてそれぞれのセルを観察したところ、液晶分子が水平配向化していることが確認された。液晶分子が水平配向化した要因としては、ポリイミドが高度に架橋することにより、側鎖が膜表面に分布しにくくなったことが考えられる。
【０１８９】
この結果より、配向膜材料として上記化学式（１８）示す構造を有するポリアミド酸を用いた場合には、単官能型エポキシ系化合物及び二官能型エポキシ系化合物しか用いることができないことが明らかとなった。
【０１９０】
実施形態１０
本実施形態では、上記実施形態７と同様の構成を有する配向膜材料及び液晶材料を用いた液晶表示装置において、基板に配向膜材料を塗布した後の放置時間が与える影響について説明する。すなわち、配向膜２１２、２３２は、下記化学式（１８）で示す構造を有するポリアミド酸及び下記化学式（１２）で示すエポキシ系化合物を含む配向膜材料を反応させて形成する。溶媒は、γブチロラクトン又はＮＭＰ又はその混合溶媒を用いた溶液である。また、液晶中には、下記化学式（１７）で示す構造を有する二官能型モノマーが含まれる。
【０１９１】
【化３９】
0005432274.tif 000055
【０１９２】
【化４０】
0005432274.tif 000056
【０１９３】
【化４１】
0005432274.tif 000057
【０１９４】
まず、上記配向膜材料を一方の基板のみに塗布した。次に、基板に塗布した配向膜材料に斜め方向から直線偏光を照射して配向処理を施した。引き続き、この基板を室温空気中で１０時間放置した。次に、他方の基板も同様の方法で成膜し、直線偏光照射を行った。その後、すぐにいずれか一方の基板にシール材を塗布して、対向基板にビーズを散布して、両基板の貼り合せを行い、更に両基板間に負の誘電率異方性を示す液晶を注入した。液晶中には、上記実施形態７と同様に上記化学式（１７）に示す二官能型モノマー０．３ｗｔ％を導入した。
【０１９５】
液晶を注入した後、１３０℃で加熱急冷を行い、引き続きセルに３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で放射される光源を２時間照射することにより重合を行った。重合の際には液晶セルには電圧を印加していない。
【０１９６】
上記のように作製した液晶表示装置において、配向膜を成膜した後の放置時間に差を設けてその特性を調べた。実施例５８〜６０及び比較例１０は、本実施形態に係る液晶表示装置に配向維持層を形成したものであり、実施例６１〜６３及び比較例１１は、本実施形態に係る液晶表示装置に配向維持層を形成していないものである。ただし、比較例１０、１１には、エポキシ系化合物は添加されていない。
【０１９７】
実施例５８〜６０、比較例１０
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例５８は１０ｍｏｌ％、実施例５９は２０ｍｏｌ％、実施例６０は３０ｍｏｌ％とした。比較例１０は、エポキシ系化合物を添加しなかった。そして、上記工程で作製したセルを偏光板で挟み、ＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。ＶＨＲの測定は、１Ｖ（７０℃）の条件下で行った。残留ＤＣ電圧を測定する際には、矩形波電圧１０Ｖを印加し、そこに直流オフセット電圧を重畳させていない。この条件で２０時間通電した後の残留ＤＣ電圧を、フリッカ消去法により測定した。測定時のセル温度は、４０℃である。得られた測定結果を下記表１３に示す。
【０１９８】
【表１３】
0005432274.tif 000058
【０１９９】
上記表１３に示すように、実施例５８〜６０は、残留ＤＣ電圧を評価するための通電時に直流オフセット電圧を印加していないが、残留ＤＣ電圧が発生している。これは、液晶セルの作製時に、基板を放置する時間に差があり、その結果、液晶セルに非対称性が発生したためと考えられる。すなわち、液晶セルの外部から対称波形の矩形波電圧を印加しても、液晶層に印加される電圧は、正極性と負極性で非対称になってしまっていると考えられる。
【０２００】
また、比較例１０に示すように、エポキシ系化合物の導入量が０では、残留ＤＣ電圧が比較的大きく、ＶＨＲが小さいが、添加剤導入量の増加とともに残留ＤＣ電圧は小さくなった。一方、ＶＨＲは若干改善された程度である。残留ＤＣ電圧の改善は、上記と同様にポリアミド酸のカルボキシル基濃度が低下したため、液晶層中に含まれる不純物イオンの界面での吸着サイトが減ったためと考えられる。
【０２０１】
上記実施例５８〜６０、比較例１０との比較のために、ＰＳＡによる配向維持層を形成しない液晶セルを作製し、同様に配向剤へのエポキシ系化合物の導入量を変化させた実施例６１〜６３及び比較例１１を行った。
【０２０２】
実施例６１〜６３、比較例１１
ポリアミド酸モノマーユニットに対するエポキシ系化合物の導入量を、実施例６１では１０ｍｏｌ％、実施例６２では２０ｍｏｌ％、実施例６３では３０ｍｏｌ％とした。比較例１１では、エポキシ系化合物を導入しなかった。
【０２０３】
上記の工程で作製したセルを偏光板で挟み、実施例５８〜６０、比較例１０と同様の測定条件でＶＨＲ及び残留ＤＣ電圧の測定を行った。得られた測定結果を下記表１４に示す。
【０２０４】
【表１４】
0005432274.tif 000059
【０２０５】
上記表１４に示すように、実施例６１〜６３は、実施例５８〜６０と比べてＶＨＲが低下している。これは、実施例６１〜６３では配向維持層を形成していないために、配向膜を成膜した後に基板を放置したことにより、大気中の極性溶媒や不純物が配向膜の表面に付着して、これが液晶層中の不純物イオンを吸着させたため、ＶＨＲは低下したと考えられる。
【０２０６】
また、実施例６１〜６３において残留ＤＣ電圧は実施例５８〜６０と比べて一桁大きくなっているが、これは、液晶セルを作製する際に基板を放置しているため、配向膜中に大気中の極性溶媒を取り込むとともに、基板の貼り合わせ後に液晶中の不純物イオンも取り込んだ可能性があると考えられる。しかしながら、エポキシ系化合物の導入量が増えるにつれて残留ＤＣ電圧は大いに改善する傾向を示しているので、配向膜の表面におけるカルボキシル基濃度が低下したことによる効果と考えられる。また、ＰＳＡ技術によって配向維持層を形成することで、添加剤導入量が０ｍｏｌ％でもカルボキシル基の露出度は激減し、残留ＤＣ電圧は大いに改善される。更にエポキシ系化合物を配向剤に加えることで、配向膜中のカルボキシル基濃度をより低減でき、残留ＤＣ電圧を更に改善できる。すなわち、配向膜中にエポキシ基を導入し、更にＰＳＡ技術を用いたポリマー層（言い換えれば、配向維持層）を配向膜上に形成した形態とすることにより、イミド化率０％でも残留ＤＣ電圧悪化を防ぎ、焼き付き対策が可能となるという際立って優れた効果を発揮することができる。上記形態は、本発明における特に好適な形態である。
【０２０７】
上述した実施形態における各形態は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【０２０８】
なお、本願は、２００９年１０月９日に出願された日本国特許出願２００９−２３５７２７号を基礎として、パリ条約ないし移行する国における法規に基づく優先権を主張するものである。該出願の内容は、その全体が本願中に参照として組み込まれている。
【符号の説明】
【０２０９】
１１０  アレイ基板
１１１、１３１  支持基板
１１２  画素電極
１１４  スリット
１２０  液晶層
１３０  対向基板
１３２  突起
１３３  対向電極
１００、２００  液晶表示装置
【図１】
0005432274.tif 000063
【図２】
0005432274.tif 000064
【図３】
0005432274.tif 000065
【図４】
0005432274.tif 000066
【図５】
0005432274.tif 000067