(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）と、上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）を囲むノズル（２６）とを備えているトーチヘッド（１２）を自動的に補修する方法であって、
上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）と上記ノズル（２６）とが組み付けられている状態で、上記トーチヘッド（１２）を非接触で清掃するステップと、
上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）及び上記ノズル（２６）の表面の少なくとも一部にトーチヘッド処理剤（４２）を塗布するステップとを有し、
上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）及び上記ノズル（２６）に対して、上記トーチヘッド処理剤（４２）を実質的に水平方向に噴霧する噴霧操作を行うようになっていて、
上記噴霧操作を行っているときに上記トーチヘッド（１２）を、上記噴霧操作を行っているときに水平方向に伸びる上記トーチヘッド（１２）の軸（Ａ）のまわりに回転させることを特徴とする方法。
【請求項２】
上記トーチヘッド（１２）を非接触で清掃するために、磁気清掃装置（３６）と圧縮空気清掃装置と超音波清掃装置のうちの少なくとも１つを用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記トーチヘッド処理剤（４２）を塗布する前に、溶接を行うために上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）の通路（２２）を通して前進させられる溶接ワイヤ（２４）を、上記通路（２２）内に後退させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記トーチヘッド処理剤（４２）が、圧縮空気により霧化される液体分散系であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
上記トーチヘッド処理剤（４２）が、５ないし５０重量パーセントの窒化ホウ素を含んでいることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記噴霧操作が、上記トーチヘッド処理剤（４２）を上記トーチヘッド（１２）に塗布する少なくとも１つの第１の時間過程（Ｔ１）と、上記トーチヘッドに塗布された上記トーチヘッド処理剤（４２）を乾燥させる少なくとも１つの第２の時間過程（Ｔ２）とを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
上記噴霧操作において、上記第１及び第２の時間過程（Ｔ１、Ｔ２）を複数回繰り返すことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記噴霧操作の実施時に、上記トーチヘッド（１２）の上記ノズル（２６）と上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）とだけを噴霧にさらす一方、上記トーチヘッド（１２）の残部を、上記噴霧にさらされないように覆い（４８）で保護することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
上記トーチヘッド（１２）を移動させるためにロボット装置（１８）を用いることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
それぞれ非接触の清掃とトーチヘッド処理剤（４２）の塗布とを含む、２つの連続する自動化された補修操作の合間に、上記トーチヘッド（１２）を少なくとも１回非接触で清掃することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法を用いることにより、少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）と、上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）を囲むノズル（２６）とを備えているトーチヘッド（１２）を自動的に補修する装置（１０）であって、
上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）と上記ノズル（２６）とが組み付けられている状態で、上記トーチヘッド（１２）を非接触で清掃する第１の補修装置（３２）と、
上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）及び上記ノズル（２６）の表面の少なくとも一部に対して、トーチヘッド処理剤（４２）を実質的に水平方向に供給して塗布する第２の補修装置（３４）と、
上記トーチヘッド（１２）が、上記第１の補修装置（３２）又は上記第２の補修装置（３４）に対応する補修位置に移動させられた後に、それぞれ上記第１の補修装置（３２）又は上記第２の補修装置（３４）の操作を開始させるコントロールユニット（５０）とを備えていて、
上記第２の補修装置（３４）は、噴霧操作時に水平方向に伸びる上記トーチヘッド（１２）の軸（Ａ）のまわりに上記トーチヘッド（１２）が回転するときに、上記少なくとも１つのコンタクトチップ（２０）及び上記ノズル（２６）の表面の上記少なくとも一部に対して、上記トーチヘッド処理剤（４２）を実質的に水平方向に供給して塗布するように構成されていることを特徴とする装置（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には例えばＭＩＧ／ＭＡＧ溶接（メタルイナートガス溶接／メタルアクティブガス溶接）などのガスメタルアーク溶接の技術分野に関するものであり、とくには、この技術分野で用いられる溶接トーチのトーチヘッドを自動的に補修するための方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ガスメタルアーク溶接用の溶接トーチは、その遠位端に、少なくとも１つのコンタクトチップと上記少なくとも１つのコンタクトチップを囲むノズルとを備えたトーチヘッドを有している。そして、溶接ワイヤが、各コンタクトチップの中央通路を通して供給され、この溶接ワイヤはノズルの開口部を経由してトーチヘッドから外に出る。また、ガスが、上記少なくとも１つのコンタクトチップとノズルの間の空間部を通して供給され、このガスはノズルの開口部を通って外に出る。コンタクトチップと溶接ワイヤとに高電圧が印加される。溶接すべきワークピース、例えば溶接により接合されるワークピースの２つの部分に溶接ワイヤが接近したときに、溶接ワイヤとワークピースとの間に形成されるアーク（電弧）により電気回路が形成される。アークは電流を生じさせ、この電流は溶接ワイヤとワークピースの一部とを溶融させ、ワークピースの２つの部分を溶接により結合させる。このように、溶接時には溶接ワイヤが消費されるので、溶接作業を進めるときには、溶接ワイヤを、コンタクトチップの通路を通して前進させなければならない。
【０００３】
溶接ワイヤと金属のワークピースとが、それぞれの融点を超える温度まで、非常に急速に加熱されるので、溶融した溶接ワイヤ又はワークピースの溶融した部分は飛散し、ノズル又はトーチヘッドの上記少なくとも１つのコンタクトチップに付着する。飛散物は、溶接の性質、とくに溶接継ぎ目の性質にいくつかの不利な効果を生じさせる。飛散物は、一方では、コンタクトチップと金属のワークピースとの間のアークの電場に影響を及ぼし、他方では、ノズルを通るガスの流量を低下させる。それゆえ、時々、トーチヘッドを補修することが必要であり、とくにトーチヘッドに付着している飛散物を清掃することが必要である。かつて、このような補修作業は、補修作業者によって手作業で行われていた。
【０００４】
近年、特許文献１は、溶接トーチの補修を自動的に行う方法及び装置を提案している。この特許文献１に開示された自動的な補修手法では、トーチヘッドを解体し、とくにノズルを取り外し、トーチヘッドの部品を例えばフライス削りなどにより機械的に補修するようにしている。その結果、この既知の従来の自動補修操作では、解体工程及び再組み付け工程を必要とするので、補修に時間がかかる。さらに、機械的な清掃により、トーチヘッドの部品の形状を変えるおそれがあり、この場合トーチヘッドのアーク生成特性に悪影響を及ぼすおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際特許出願公開第２００５／０９２５５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
それゆえ、本発明の目的は、溶接トーチ（welding torch）のトーチヘッドの補修（servicing）の自動化を促進して、補修に要する時間を短縮するとともに、複数回の補修操作の後においても、アーク特性（arc characteristics）の再現性ないしは再生性（reproduceability）を高めることができる手段を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達するためになされた本発明の１つの態様に係る方法は、少なくとも１つのコンタクトチップ（contact tip）と、該少なくとも１つのコンタクトチップを囲むノズルとを備えているトーチヘッド（torch head）を自動的に補修する（service）方法であり、上記少なくとも１つのコンタクトチップとノズルとが組み付けられている状態でトーチヘッドを非接触（contact-freely）で掃除ないしは清掃する（clean）ステップと、上記少なくとも１つのコンタクトチップ及びノズルの表面の少なくとも一部にトーチヘッド処理剤（torch head treatment agent）を付着させ、ないしは塗布する（apply）ステップとを有している。
【０００８】
本発明によれば、溶接トーチヘッドの上記少なくとも１つのコンタクトチップ及びノズルは、これらが互いに組み付けられた状態で清掃され、時間を要する解体ステップ及び再組み付けステップを回避することができる。さらに、溶接トーチヘッドが非接触で清掃されるので、トーチヘッドのアーク形成特性（arc-forming characteristics）に悪影響を及ぼすトーチヘッドの部品の不利な形状変化を回避することができる。
【０００９】
トーチヘッドの非接触の清掃ステップでは、磁気清掃装置と圧縮空気清掃装置と超音波清掃装置のうちの少なくとも１つのものを用いることができる。例えば、飛散物（splatter material）は、圧縮空気清掃装置及び／又は超音波清掃装置によりトーチヘッドから離脱させ（loosen）、磁気清掃装置により除去することができる。これに代えて、飛散物を、磁気清掃装置のみを用いて、トーチヘッドから離脱させて除去してもよい。磁気清掃装置は、清掃時にのみ磁気力（magnetic force）が生成されるような態様の少なくとも１つの電磁ユニット（electromagnetic unit）を備えていてもよい。さらに、少なくとも１つの電磁ユニット及び／又は超音波清掃装置に供給される電流の強さを変えることにより、及び／又は、圧縮空気清掃装置によって放出される空気の噴流（air jet）の強さを変えることにより、飛散物を振動させ、トーチヘッドの部品からの飛散物の離脱を促進するようにしてもよい。
【００１０】
溶接ワイヤ（welding tire）は、溶接を行うために上記少なくとも１つのコンタクトチップの通路を通って前進させられるが、溶接継ぎ目（welding seem）の性質に悪影響を及ぼす溶接ワイヤへのトーチヘッド処理剤の堆積を回避するため、トーチヘッド処理剤を塗布する（apply）前に、溶接ワイヤを通路内に後退させてもよい。
【００１１】
トーチヘッドの部品（torch head components）へのトーチヘッド処理剤の堆積を実質的に均一にするため、トーチヘッド処理剤を、上記少なくとも１つのコンタクトチップとノズルとに噴霧（spray）してもよい。
【００１２】
ノズルのガス入口開口部、及び／又は、ノズルの開口部のまわりでのトーチヘッド処理剤の蓄積を防止するために、上記少なくとも１つのコンタクトチップとノズルとに対して、実質的に水平な方向にトーチヘッド処理剤を噴霧してもよい。
【００１３】
トーチヘッドの部品へのトーチヘッド処理剤の堆積（accumulation）の均一化を促進するために、噴霧操作（spraying operation）時に、トーチヘッドを回転させてもよい。
【００１４】
噴霧操作を促進するために、圧縮空気によって霧化された（atomized）液体分散系（liquid dispersion）をトーチヘッド処理剤として用いることができる。一般に、液体分散系は、溶剤性分散系（solvent-based dispersion）又は水性分散系（water-based dispersion）である。溶剤性のトーチヘッド処理剤は、例えば燃焼又は気化により、作業者の身体ないしは健康に対して害を及ぼすおそれがある。そこで、トーチヘッド処理剤は、水性分散系であるのが好ましい。トーチヘッド処理剤は、例えば、約５重量パーセントないし約５０重量パーセントの窒化ホウ素を含んでいてもよいが、約１５重量パーセントないし約２００重量パーセントの窒化ホウ素を含んでいるのが好ましい。窒化ホウ素粒子の寸法（size）は、約０．５μｍないし約１０μｍの範囲であればよく、平均の寸法は約４μｍであればよい。
【００１５】
かつては、溶剤性のトーチヘッド処理剤が好んで用いられていた。これは、トーチヘッドの温度が通常は約３０ないし４０℃にすぎないので、水性のトーチヘッド処理剤を用いると、水を十分迅速に気化させることができないからであった。それにもかかわらず、トーチヘッドの部品の表面にトーチヘッド処理剤の層を確実に形成するために、上記噴霧操作を、トーチヘッド処理剤をトーチヘッドに塗布する少なくとも１つの第１の時間過程（first time interval）と、好ましくは加熱圧縮空気等の圧縮空気を用いて、塗布されたトーチヘッド処理剤を乾燥させる少なくとも１つの第２の時間過程（second time interval）とを有するように設定することを提案する。第１の時間過程は約１秒であってもよく、また第２の時間過程は約３０秒であってもよい。さらに、トーチヘッドの部品の上に、段階的に（step by step）すなわち副層ごとに（sublayer by sublayer）、トーチヘッド処理剤の層を形成することが可能である。このため、噴霧操作は、第１及び第２の時間過程が交代する複数のサイクル、例えば３〜５回のサイクルを繰り返してもよい。
【００１６】
スプレー装置の適切な操作を確実化するために、時々、例えば少なくとも１日に１回、例えば夕方にシステムを停止させる前にスプレーノズルを清掃してもよい。スプレーノズルの清掃は、例えば、トーチヘッド処理剤の噴霧スプレー（spraying）から水の噴霧（spraying）に切り替えることにより実施してもよい。さらに、分散系（dispersion）の分離及び窒化ホウ素の沈殿を防止するために、トーチヘッド処理剤を、時々、攪拌してもよい。この攪拌は、例えば、トーチヘッド処理剤の容器から出て該容器に至る循環配管（circulation line）に、例えば２時間ごとに約５分間ずつトーチヘッド処理剤をポンプで送ることにより実施してもよい。
【００１７】
トーチヘッド処理剤の過剰な噴霧（overspray）に起因する溶接装置の汚れ（pollution）を回避するために、噴霧操作時に、トーチヘッドのノズルと上記少なくとも１つのコンタクトチップとだけを、トーチヘッド処理剤の噴霧にさらす（expose）一方、トーチヘッドの残りの部分を覆い（shroud）で保護して過剰な噴霧を防止するようにしてもよい。
【００１８】
トーチヘッドを移動させるためにロボット装置を用いる場合は、前記の清掃操作（cleaning operation）をロボット装置の移動制御（movement control）に組み入れてもよい。
【００１９】
トーチヘッドの毎回の清掃操作の後に、トーチヘッド処理剤を塗布する必要はない。むしろ、トーチヘッド処理剤の塗布と非接触の清掃を含む自動化された補修（automated servicing）との連続する２つの操作の間に、トーチヘッドを少なくとも１回非接触で清掃することが可能である。
【００２０】
本発明のさらなる態様によれば、本発明は、好ましくは前記のいずれか１つの方法を用いることにより、少なくとも１つのコンタクトチップと、上記少なくとも１つのコンタクトチップを囲むノズルとを備えているトーチヘッドを自動的に補修する装置を提供する。この装置は、上記少なくとも１つのコンタクトチップとノズルとが組み付けられている状態でトーチヘッドを非接触で清掃する第１の補修装置（first servicing device）と、上記少なくとも１つのコンタクトチップ及びノズルの表面の少なくとも一部に対してトーチヘッド処理剤を塗布する第２の補修装置（second servicing device）と、トーチヘッドが第１の補修装置又は第２の補修装置に対応する補修位置に移動させられた後に、それぞれ第１の補修装置又は第２の補修装置の操作を開始させるコントロールユニット（control unit）とを備えている。
【００２１】
本発明のさらなる態様によれば、本発明は、溶接トーチヘッドの補修のためのトーチヘッド処理剤として、約５重量パーセントないし約５０重量パーセントの窒化ホウ素、好ましくは約１５重量パーセントないし約２０重量パーセントの窒化ホウ素を含む液体分散系、好ましくは水性分散系の使用方法にも関連する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係るトーチヘッドの自動補修のための装置の模式的な側面立面図である。
【図２】トーチヘッド処理剤塗布装置の側面断面図である。
【図３】スプレー装置の運転時の時間制御を示すグラフである。
【図４】磁気清掃装置の模式的な側面立面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施形態をより詳しく説明する。
【００２４】
図１は、溶接トーチ１４のトーチヘッド１２を自動的に補修する（service）ための装置１０の模式的な側面立面図を示している。溶接トーチ１４は、ロボット１８のアーム１６の自由端に配置されている。ロボット１８は、図１中の複数の矢印で示すように、複数の移動の自由度を有している。このため、溶接トーチ１４は、ロボット１８により、溶接位置（図示せず）から複数の補修位置へ移動させられることができる。
【００２５】
図２中により詳しく示すように、トーチヘッド１２は、コンタクトチップ２０を有している。コンタクトチップ２０内には、溶接ワイヤ供給部（図示せず）から供給される溶接ワイヤ２４を前進させるための中央通路２２（central passageway）が設けられている。コンタクトチップ２０は、ノズル開口部２６ａを有するノズル２６によって囲まれている。そして、ノズル２６には、ガス供給部（図示せず）から、コンタクトチップ２０とノズル２６の間に形成された環状空間部（annular space）を通して、ガス（不活性ガス又は活性ガス）が供給され、このガスはノズル開口部２６ａを経由して放出される。溶接トーチ１４による溶接操作時には、溶接ワイヤ２４もノズル開口部２６ａを経由して外部に出て、溶接されるワークピース（被加工物）と当接することができる。この当接により、電気回路が閉じられ、溶接ワイヤ２４とワークピースの間にアーク（電弧）が生成される。このアークが高温であることに起因して、溶接ワイヤ２４とワークピースの表面の一部とが溶融し、通路２２を通って溶接ワイヤ２４が連続的に前進するのに伴って、ワークピース上に溶接継ぎ目が形成され、例えば溶接継ぎ目によってワークピースの２つの部分が結合される。
【００２６】
溶接ワイヤ２４とワークピースとが、それぞれの融点を超える温度となるように急速に加熱されることに起因して、溶融物は飛散する（spatter）。このため、図４に示すように、溶融物は、ノズル２６、とくにノズル２６のノズル開口部２６ａのまわりに付着するとともに、トーチヘッド１２のコンタクトチップ２０に付着する。なお、図４中においては、飛散物には参照番号３０が付されている。ここで、飛散物３０が溶接継ぎ目の品質（quality）に否定的な効果（negative effect）を及ぼすということを強調する必要はない。なぜなら、飛散物３０は、コンタクトチップ２０とワークピースの間に形成されたアークの電場ないしは電界に影響を及ぼすからである。それゆえ、時々、トーチヘッド１２を清掃することが重要である。
【００２７】
このため、本発明に係る装置１０は、２つの補修ステーション（servicing station）、すなわち清掃ステーション３２（cleaning station）及びスプレーステーション３４（spraying station）を有している（図１参照）。
【００２８】
図４に示すように、清掃ステーション３２には、例えば、電磁コイル３８及びハウジング４０を備えている磁気清掃装置３６を設けてもよい。トーチヘッド１２は、ロボット１８によって、電磁コイル３８の開口部３８ａ内に導入され、電磁コイル３８に電流が供給され電場ないしは電界を生成する。この電場は、飛散物３０を引き付け（attract）、コンタクトチップ２０及びノズル２６から飛散物３０を離脱させる（loosen）。これにより、飛散物３０は、ハウジング４０の底部４０ａに落下する。なお、図４において、離脱した飛散物には参照番号３０’が付されている。
【００２９】
なお、磁気清掃装置３６は、清掃ステーション３２において用いることが可能な一例に過ぎないということが理解されるべきである。同様の清掃を行うことを目的として、その他の形態の清掃装置、例えば超音波清掃装置、圧縮空気清掃装置なども同様に用いることができる。
【００３０】
トーチヘッド１２が清掃ステーション３２で清掃された後、トーチヘッド１２は、ロボット１８により、スプレーステーション３４に移動させられる。スプレーステーション３４では、コンタクトチップ２０及びノズル２６にトーチヘッド処理剤４２が噴霧される。トーチヘッド処理剤４２は、コンタクトチップ２０及びノズル２６に飛散物３０が付着するのをより困難にするためのものである。本発明によれば、トーチヘッド処理剤４２として、約１５重量パーセントないし約２０重量パーセントの窒化ホウ素を含む水性分散系が用いられる。トーチヘッド処理剤４２は、２成分スプレーノズル４４（two-component spraying nozzle）、例えば独国特許公開第１９５１１２７２号明細書に開示されている２成分スプレーノズルにより、トーチヘッド１２に噴霧される。２成分スプレーノズル４４によれば、液体のトーチヘッド処理剤４２は、圧縮空気により霧化される。
【００３１】
トーチヘッド処理剤４２は、ノズル２６及びコンタクトチップ２０の上に保護膜４６を形成する。実質的に均一な保護膜４６を形成するために、スプレー操作時に、トーチヘッド１２は軸Ａのまわりに回転させられる。噴霧操作時には、トーチヘッド１２の軸Ａは、好ましく、水平方向に伸びている。上方に向いたノズル開口部２６ａを有するトーチヘッド１２にトーチヘッド処理剤４２を噴霧すれば、ノズル２６のガス供給開口部（図示せず）の目詰まり（clogging）に起因して問題が生じる。また、下方に向いたノズル開口部２６ａを有するトーチヘッド１２にトーチヘッド処理剤４２を噴霧すれば、ノズル開口部２６ａのまわりでの液滴ないしは小滴（droplet）の形成に起因する問題が生じる。
【００３２】
スプレーステーション３４の周囲の汚染を回避するため、開口部４８ａを有する覆い４８が設けられている。トーチヘッド１２にトーチヘッド処理剤４２を噴霧するために、この開口部４８ａを通して、トーチヘッド１２が導入される。覆い４８は、スプレーノズル４４及びトーチヘッド１２のまわりにハウジング（housing）を形成し、これらへの過剰な噴霧（overspray）を防止する。さらに、覆い４８は、該覆い４８に噴霧されたトーチヘッド処理剤４２を収集するのに用いられる。
【００３３】
この後の溶接操作における溶接継ぎ目の性質への不利な影響を回避するため、スプレー操作時には、溶接ワイヤ２４は通路２２内に後退させられる。これにより、溶接ワイヤ２４がトーチヘッド処理剤４２によって被覆されるのも防止される。
【００３４】
水性のトーチヘッド処理剤４２は、従来用いられていた溶剤性のトーチヘッド処理剤に比べて気化点（vaporisation point）が非常に低いので、またトーチヘッド１２の温度は約３０〜４０℃の範囲であるので、トーチヘッド処理剤４２はコンタクトチップ２０及びノズル２６の表面で十分迅速に乾燥しないといった問題がある。このため、コンタクトチップ２０及びノズル２６の表面に、トーチヘッド１２に飛散物３０が付着するのを有効に防止するのに十分な厚さを有する均一な保護膜４６を形成することをより困難にする。そこで、十分な厚さの保護膜４６を形成するため、本発明は、以下で説明するような噴霧方法を提案する。
【００３５】
図３に示すように、トーチヘッド１２には、複数のサイクル（cycle）でトーチヘッド処理剤４２が塗布される（applied）。各サイクルは、図３に示すグラフから明らかなとおり、第１の時間過程Ｔ１（first time interval）及び第２の時間過程Ｔ２（second time interval）を有している。持続期間（duration）がｔ１、例えば合計で約１秒間である（amount to about 1 sec）第１の時間過程Ｔ１では、トーチヘッド処理剤４２は、スプレーノズル４４により霧化され、トーチヘッド１２に噴霧される。これに続く、持続期間（duration）がｔ２、例えば合計で約３０秒間である（amount to about 30 sec）第２の時間過程Ｔ２では、スプレーノズル４４は、圧縮空気、例えば加熱された圧縮空気だけを噴射する。これは、第１の時間過程Ｔ１でトーチヘッド１２上に形成された保護膜４６を乾燥させるためのものである。噴霧を行う第１の時間過程Ｔ１と乾燥を行う第２の時間過程Ｔ２とを有するこのようなサイクルは、保護膜４６が十分な厚さとなるまで、複数回、例えば３〜５回繰り返される。
【００３６】
図１に示す実施形態では、清掃ステーション３２とスプレーステーション３４とが、互いに異なる補修位置に個別に配置されているが、これらを、単一の補修位置のみを有する単一の補修ステーションに統合してもよい、ということに注目すべきである。このようにする場合は、例えば、磁気清掃装置３６の電磁コイル３８を、スプレー装置の覆い４８の一部として用いることができる。また、電磁コイル３８により生成された磁気力によりコンタクトチップ２０及びノズル２６から離脱させられた飛散物３０’を引き付けて収集するために、２成分スプレーノズル４４のまわりに追加の磁石を設けてもよい。
【００３７】
清掃操作及びスプレー操作に関する前記の考察においてすでに説明したとおり、トーチヘッド１２の補修は、ロボットコントロールユニット５０の制御のもとで、ロボット１８の各移動（movements）により実施される。さらに、ロボットコントロールユニット５０は、第１の補修ステーション３２及び第２の補修ステーション３４にも動作的ないしは機能的に接続されている（operatively connected）。これは、これらの各補修ステーション３２、３４を始動させ、停止させるなどといった制御を行うためである。
【００３８】
最後に、特許請求の範囲の記載から逸脱することなく、前記の実施形態に対して多数の修正及び変形を行うことに注目すべきである。
【符号の説明】
【００３９】
１０  自動トーチヘッド補修装置、１２  トーチヘッド、１４  溶接トーチ、１６  アーム、１８  ロボット、２０  コンタクトチップ、２２  中央通路、２４  溶接ワイヤ、２６  ノズル、２８  環状空間部、３０  飛散物、３２  清掃ステーション、３４  スプレーステーション、３６  磁気清掃装置、３８  電磁コイル、４０  ハウジング、４２  トーチヘッド処理剤、４４  スプレーノズル、４６  トーチヘッド処理剤の膜、４８  覆い、５０  ロボットコントロールユニット。
【図１】
0005432993.tif 000002
【図２】
0005432993.tif 000003
【図３】
0005432993.tif 000004
【図４】
0005432993.tif 000005