(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であって、
上記基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら基板表面の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成する工程と、
上記基板を回転させながら、上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって吐出位置を移動させつつガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する第１乾燥工程と、
上記基板を回転させながら、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を、上記基板の径方向に移動して上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去する第２乾燥工程と、を具備することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記第１乾燥工程のガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板洗浄方法において、
上記第１乾燥工程は、上記回路パターンを形成する一回の露光領域における上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべくガス吐出位置の移動速度を一定以上にする、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置における線速度が一定値以下となるように、上記洗浄液の供給位置が上記基板の周縁に近づくにつれて、上記基板の回転数が低くなる、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第１乾燥工程の終了後から上記第２乾燥工程の開始までの間における上記基板の地点では、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力と回転時間の積が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力が制御される、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第１乾燥工程が終了する前に上記第２乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第１乾燥工程が終了した後に上記第２乾燥工程を開始する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１０】
請求項１ないし６又は８のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置と、上記第１乾燥工程におけるガスの吐出位置とを所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置と上記ガスの吐出位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記洗浄液の供給位置、上記第１乾燥工程におけるガスの吐出位置及び上記第２乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とをそれぞれ所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置、上記ガスの吐出位置及び上記第２乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、気流制御部により上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、気流制御部により上記ガスを上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を吸引して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、加熱により上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１８】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、加熱により上記回路パターン間に残存する液を除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の基板洗浄方法において、
上記第２乾燥工程は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出して、上記回路パターン間に残存する液を有機溶剤に置換して除去する、ことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２０】
回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、
上記基板の中心部とその回転中心軸とが一致するように上記基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、
上記基板保持部に保持された基板表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
上記基板保持部に保持された基板表面にガスを吐出する第１乾燥用のガスノズルと、
上記基板保持部に保持された基板の表面に形成された乾燥領域内の上記回路パターン間に残存する液を除去する第２乾燥用の残存液除去機構と、
上記洗浄液ノズル、上記ガスノズル及び残存液除去機構をそれぞれ移動させるための移動機構と、
上記回転機構、上記洗浄液ノズルの供給部、上記ガスノズルの供給部、上記残存液除去機構の駆動部及び上記移動機構を制御する制御手段と、を具備する、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記ガスノズルのガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２２】
請求項２０又は２１に記載の基板洗浄装置において、
上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板を回転させながら、基板の表面の中心部から基板の周縁に向かって上記洗浄液ノズルから洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成し、その後、上記ガスノズルを上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって移動させながらガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更にその後、上記残存液除去機構を基板の径方向に移動して、上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去させるように制御する、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２３】
請求項２０ないし２２のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２４】
請求項２０ないし２２のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２５】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２６】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２７】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記ガスノズルから吐出されたガスを上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部とを具備する、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２８】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記回路パターン間に残存する液を吸引する吸引ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２９】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に輻射熱を照射して、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体にて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３０】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載の基板洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体と、を具備することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３１】
請求項２０ないし２４のいずれかに記載洗浄装置において、
上記残存液除去機構は、上記基板の表面に有機溶剤を吐出する有機溶剤吐出ノズルにて形成される、ことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３２】
回路パターンが形成された基板表面を洗浄する基板洗浄装置に用いられ、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
上記制御プログラムは、請求項１ないし１９のいずれか一つの基板洗浄方法を実行するように工程が組まれていることを特徴とする基板洗浄用記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路パターンが形成された基板に洗浄液を供給して洗浄を行う基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、現像処理することにより回路パターンを形成する。これを、フォトリソグラフィ工程という。フォトリソグラフィ工程には、通常、塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムが用いられる。
【０００３】
フォトリソグラフィ工程では、基板上に現像液を液盛りし、レジストの可溶性部位を溶解させて回路パターンが形成される。その後、一般に、レジストの溶解生成物を現像液と共に基板表面から除去するために洗浄処理が行われる。
【０００４】
従来、この洗浄処理の手法として、図２８（ａ）に示すように、基板（以下にウエハＷという）の中心部に洗浄液Ｌを供給し、ウエハＷを鉛直軸回りに回転させてその遠心力により液膜を広げ、その液流にのせて上記溶解生成物及び現像液を基板上から除去するスピン洗浄方法が知られている。
【０００５】
また、別の洗浄手法として、図２９（ａ）に示すように、基板（以下にウエハＷという）を水平に保持しながら鉛直軸回りに回転させ、ウエハ中心部に洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを吐出して遠心力によりウエハ全体に広げ、その後、ウエハＷの中心部にガスノズル７０からガスＧを吐出して乾燥領域を形成し、洗浄液ノズル６０を外側に移動させて乾燥領域を周縁部に広げることによりウエハＷを洗浄する基板洗浄方法及び装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２５２８５５号公報（特許請求の範囲）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のスピン洗浄方法では、溶解生成物の除去効果が低く、スピン洗浄を長時間行っているのが現状である。更に、近年、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰを形成するウエハＷにおいては、従来のスピン洗浄を長時間行っても、回路パターン間の溶解生成物を十分に取り除くことができなくなっている。すなわち、高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷの場合、現像後の洗浄において、洗浄液Ｌの液膜は、ウエハＷの回転による遠心力によって瞬時にウエハ上をウエハＷの周縁部に向かって移動する。よって、回路パターン間の溶解生成物は、洗浄液Ｌに伴って十分に除去されることはなく、洗浄液Ｌの供給を停止すると、図２８（ｂ）に示すように、特に遠心力の高いウエハＷの周縁部において洗浄液Ｌの液ちぎれが生じ、回路パターン間に溶解生成物と洗浄液Ｌが残存したままになってしまう。
【０００８】
また、洗浄液Ｌの液ちぎれを生じないようにしても、図２８（ｃ）に示すように、回路パターン間に溶解生成物を含む洗浄液Ｌが残存したままになってしまう。そして、これが現像欠陥として現れる。
【０００９】
図２８（ｃ）に示すように、回路パターン間の洗浄液Ｌの表面張力が支配的な状態になると、回路パターン間の応力のバランスの影響でパターン倒れが生じる。また、ウエハＷの回転数が高くなりすぎると、回転による応力にパターンが耐えられなくなり、パターン倒れが生じる。そして、これが現像欠陥として現れる。
【００１０】
一方、特許文献１は、ウエハＷの中心部に洗浄液Ｌを供給し、次にウエハＷの中心部にガスＧの吐出により乾燥領域を形成した後に、液ちぎれの発生を防止するため、乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で洗浄液ノズル６０を移動させることが記載されている。この基板洗浄方法によれば、洗浄液ノズル６０とガスノズル７０がウエハＷの表面中心部からウエハＷの周縁に移動ことで、洗浄液Ｌの液膜をガスノズル７０から吐出されるガスＧによって除去することができ、液ちぎれを防止することができる。しかしながら、特許文献１の技術を用いたとしても、高アスペクト比の回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去することは難しい。
【００１１】
特許文献１の技術を用いて、ガスノズル７０の移動速度を遅くすることにより、回路パターン間の洗浄液Ｌの残存量を低減することができる。しかし、ノズルガス７０の通過後の回路パターンＰは回路パターン間に洗浄液を残した状態で長時間遠心力を受けることにより、これが起因してパターン倒れが生じる虞がある（図２９（ｂ）参照）。
【００１２】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、微細かつ高アスペクト比の回路パターンが形成される基板の現像処理後の洗浄処理において、基板表面の液ちぎれの防止と回路パターンのパターン倒れの防止を図れるようにした基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、この発明の基板洗浄方法は、回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄方法であって、  上記基板を水平に保持し、上記基板の中心軸回りに回転させながら基板表面の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成する工程と、  上記基板を回転させながら、上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって吐出位置を移動させつつガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成する第１乾燥工程と、  上記基板を回転させながら、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を、上記基板の径方向に移動して上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去する第２乾燥工程と、を具備することを特徴とする（請求項１）。
【００１４】
この発明において、上記第２乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記第１乾燥工程のガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている方が好ましい（請求項２）。ここで、一回の露光領域とは、露光装置により一回の露光（ショット）で照射される領域を意味する。また、一回の露光領域以上離れているとは、基板の回転と一回の露光（ショット）で照射される矩形状の領域とを加味した距離であり、露光装置の最大露光面積が例えば２６ｍｍ×３３ｍｍであれば、これに基づいて定義すれば、一回の露光領域以上の距離とは、露光領域の対角線の長さ４２．０１１ｍｍ以上離れていることを意味する。
【００１５】
また、この発明において、上記第１乾燥工程は、上記回路パターンを形成する一回の露光領域における上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべくガス吐出位置の移動速度を一定以上にすることが好ましい（請求項３）。第１乾燥工程におけるガス吐出位置の移動速度を一定以上としたのは、ガス吐出位置の移動速度を遅くすると、移動後方側の回路パターン間に残存する洗浄液が移動前方側の回路パターン間に残存する洗浄液の量より少なくなって各回路パターン間に残存する洗浄液が極端に不均一になり、パターン間の応力が影響してパターン倒れが生じるからである。
【００１６】
また、この発明において、上記洗浄液の供給位置における線速度が一定値以下となるように、上記洗浄液の供給位置が上記基板の周縁に近づくにつれて、上記基板の回転数が低くなるようにする方が好ましい（請求項４）。このように、洗浄液の供給位置における線速度を一定値以下にすることにより、回転する基板に対して洗浄液の供給を行う際の液跳ねを防止することができる。
【００１７】
また、この発明において、上記第１乾燥工程の終了後から上記第２乾燥工程の開始までの間における上記基板の地点では、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力と回転時間の積が制御される方が好ましい（請求項５）。このように構成することにより、第１乾燥工程後から第２乾燥工程が開始するまでの間に回路パターン間に洗浄液が残存した状態で、基板の回転により生じた一定の応力が一定時間かかり続けることによるパターン倒れを防止することができる。
【００１８】
また、この発明において、上記第２乾燥工程の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターンの倒れを防止すべく上記基板の遠心力が制御される方が好ましい（請求項６）。このように構成することにより、第２乾燥工程の処理において回路パターン間に洗浄液が残存した状態で、基板の回転により生じた一定の応力が一定時間かかり続けることによるパターン倒れを防止することができる。
【００１９】
また、この発明において、上記第１乾燥工程が終了する前に上記第２乾燥工程を開始してもよく（請求項７）、あるいは、上記第１乾燥工程が終了した後に上記第２乾燥工程を開始してもよい（請求項８）。第１乾燥工程が終了する前、又は終了後に上記第２乾燥工程を開始する場合は、上記第２乾燥工程は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去してもよい（請求項９）。また、上記第１乾燥工程が終了した後に上記第２乾燥工程を開始する場合は、上記回路パターン間に残存する液を除去する位置を上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去してもよい（請求項１０）。
【００２０】
また、この発明において、上記洗浄液の供給位置と、上記第１乾燥工程におけるガスの吐出位置とを所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置と上記ガスの吐出位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動する方が好ましい（請求項１１）。
【００２１】
また、この発明において、上記洗浄液の供給位置、上記第１乾燥工程におけるガスの吐出位置及び上記第２乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とをそれぞれ所定の間隔離間させた状態で、上記洗浄液の供給位置、上記ガスの吐出位置及び上記第２乾燥工程における上記回路パターン間に残存する液を除去する位置とを上記基板の周縁に向かって一体的に移動するようにしてもよい（請求項１２）。
【００２２】
上記第２乾燥工程により回路パターン間の残存液を除去するには、上記基板の表面にガスを吐出して、上記回路パターン間に残存する液を除去する（請求項１３）、気流制御部により上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する（請求項１４）、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、気流制御部により上記ガスを上記乾燥領域に誘導拡散して、上記回路パターン間に残存する液を除去する（請求項１５）、上記回路パターン間に残存する液を吸引して除去する（請求項１６）、加熱により上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する（請求項１７）、上記基板の表面にガスを吐出すると共に、加熱により上記回路パターン間に残存する液を除去する（請求項１８）、あるいは、上記基板の表面に有機溶剤を吐出して、上記回路パターン間に残存する液を有機溶剤に置換して除去する（請求項１９）などの方法を採用することができる。
【００２３】
この発明の基板洗浄装置は、回路パターンが形成された基板の表面を洗浄する基板洗浄装置であって、  上記基板の中心部とその回転中心軸とが一致するように上記基板を水平に保持する基板保持部と、  上記基板保持部を回転中心軸回りに回転させる回転機構と、  上記基板保持部に保持された基板表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、  上記基板保持部に保持された基板表面にガスを吐出する第１乾燥用のガスノズルと、  上記基板保持部に保持された基板の表面に形成された乾燥領域内の上記回路パターン間に残存する液を除去する第２乾燥用の残存液除去機構と、  上記洗浄液ノズル、上記ガスノズル及び残存液除去機構をそれぞれ移動させるための移動機構と、  上記回転機構、上記洗浄液ノズルの供給部、上記ガスノズルの供給部、上記残存液除去機構の駆動部及び上記移動機構を制御する制御手段と、を具備する、ことを特徴とする（請求項２０）。
【００２４】
この発明の基板洗浄装置において、上記残存液除去機構の上記回路パターン間に残存する液を除去する位置は、上記回路パターン間の残存液のばらつきを抑制すべく上記ガスノズルのガス吐出位置より上記回路パターンを形成する一回の露光領域以上離れている方が好ましい（請求項２１）。
請求項２０又は２１に記載の基板洗浄装置において、上記制御手段からの制御信号に基づいて、基板を回転させながら、基板の表面の中心部から基板の周縁に向かって上記洗浄液ノズルから洗浄液を供給して上記基板の表面全体に液膜を形成し、その後、上記ガスノズルを上記基板の表面中心部から基板の周縁に向かって移動させながらガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更にその後、上記残存液除去機構を基板の径方向に移動して、上記乾燥領域の上記回路パターン間に残存する液を除去させるように制御するのが好ましい（請求項２２）。
【００２６】
また、この発明の基板洗浄装置において、上記残存液除去機構は、上記基板の表面中心部から基板の周縁に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される（請求項２３）か、上記基板の周縁から基板の表面中心部に移動して、上記回路パターン間に残存する液を除去するように制御される（請求項２４）。
【００２７】
この場合、上記残存液除去機構は、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルにて形成される（請求項２５）、上記基板の回転により生じる気流を上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部にて形成される（請求項２６）、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記ガスノズルから吐出されたガスを上記乾燥領域に誘導拡散する気流制御部とを具備する（請求項２７）、上記回路パターン間に残存する液を吸引する吸引ノズルにて形成される（請求項２８）、上記基板の表面に輻射熱を照射して、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体にて形成される（請求項２９）、上記基板の表面にガスを吐出するガスノズルと、上記回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体と、を具備する（請求項３０）、あるいは、上記基板の表面に有機溶剤を吐出する有機溶剤吐出ノズルにて形成される（請求項３１）。
【００２８】
請求項３２記載の発明は、回路パターンが形成された基板表面を洗浄する基板洗浄装置に用いられ、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、上記制御プログラムは、請求項１ないし１９のいずれか一つの基板洗浄方法を実行するように工程が組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、基板の中心部から基板の周縁に洗浄液を供給して基板の表面全体に液膜を形成し、基板の中心部から基板の周縁に向かって吐出位置を移動させつつガスを吐出して基板の表面の洗浄液を除去して乾燥領域を形成し、更に、基板の径方向に移動して乾燥領域の回路パターン間に残存する液を除去することにより、微細かつ高アスペクト比の回路パターンが形成される基板の現像処理後の洗浄処理において、基板表面の液ちぎれの防止と回路パターンのパターン倒れの防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明に係る基板洗浄装置を適用した塗布・現像処理装置に露光装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。
【図２】上記処理システムの概略斜視図である。
【図３】この発明の第１実施形態に係る基板洗浄装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。
【図４】上記第１実施形態に係る基板洗浄装置を示す平面図である。
【図５】この発明における回路パターンを示す概略平面図（ａ）及び上記回路パターンを形成する一回の露光領域を拡大して示す概略平面図（ｂ）である。
【図６】この発明に係る第１実施形態における液膜形成工程と第１乾燥工程を示す概略断面図（ａ）及び第２乾燥工程を示す概略断面図（ｂ）である。
【図７】上記第１実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図８】この発明における洗浄液の供給位置の線速度を一定に制御する回転数を示すグラフである。
【図９】この発明における第１乾燥工程後から第２乾燥工程開始前にパターン倒れが生じない基板の回転数の閾値を示すグラフである。
【図１０】この発明における第２乾燥工程の残液除去位置のパターン倒れが生じない基板の回転数の閾値を示すグラフである。
【図１１】この発明の第２実施形態に係る基板洗浄装置を適用した現像処理装置の概略縦断面図である。
【図１２】上記第２実施形態に係る基板洗浄装置を示す平面図である。
【図１３】上記第２実施形態における液膜形成工程と第１乾燥工程を示す概略断面図（ａ）及び第２乾燥工程を示す概略断面図（ｂ）である。
【図１４】上記第２実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図１５】この発明に係る第３実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図１６】上記第３実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図１７】この発明に係る第４実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図１８】上記第４実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図１９】この発明に係る第５実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図２０】上記第５実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図２１】この発明に係る第６実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図２２】この発明に係る第７実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図２３】上記第７実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図２４】この発明に係る第８実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図２５】上記第８実施形態における第２乾燥工程を示す概略断面図である。
【図２６】この発明に係る第９実施形態における洗浄液ノズル、第１ガスノズル及び第２ガスノズルを示す概略平面図である。
【図２７】上記第９実施形態における液膜形成工程、第１乾燥工程及び第２乾燥工程を示す概略平面図である。
【図２８】基板洗浄における回路パターン上の液膜形成状態を示す概略断面図（ａ）、液膜形成後の回路パターン上に液滴が残った状態を示す概略断面図（ｂ）及び液膜形成後の乾燥状態を示す概略断面図（ｃ）である。
【図２９】従来の基板洗浄における液膜形成工程と乾燥工程を示す概略断面図（ａ）及び乾燥工程後に回路パターン間に残存する液によるパターン倒れを示す拡大概略断面図（ｂ）である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る基板洗浄装置を塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムに適用した場合について説明する。
【００３２】
上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚を密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
【００３３】
キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００３４】
また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２にはキャリアステーション１から見て左手手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を配置し、右手に液処理ユニットＵ４，Ｕ５を配置する。棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３の間に、各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に置かれている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
【００３５】
インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。
【００３６】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＨＰ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ）等が含まれる。また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３、塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。この発明に係る基板洗浄装置は現像ユニット（ＤＥＶ）２５に設けられている。
【００３７】
次に、上記の処理システムにおけるウエハＷの流れについて簡単に説明する。先ず外部からウエハＷの収納されたキャリア１０が載置台１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニットを介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、棚ユニットＵ１〜Ｕ３内の一つの棚にて、塗布処理の前処理として、反射防止膜の形成や冷却ユニットによる基板の温度調整などが行われる。
【００３８】
その後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２４内に搬入され、ウエハＷの表面にレジスト膜が成膜される。レジスト膜が成膜されたウエハＷは主搬送手段Ａ２により外部に搬出され、加熱ユニットに搬入されて所定の温度でベーク処理がなされる。ベーク処理を終えたウエハＷは、冷却ユニットにて冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入され、このインターフェース部３を介して露光部４内に搬入される。なお、液浸露光用の保護膜をレジスト膜の上に塗布する場合には、上記冷却ユニットにて冷却された後、処理部２における図示しないユニットにて保護膜用の薬液の塗布が行われる。その後、ウエハＷは露光部４に搬入されて液浸露光が行われる。このとき、液浸露光の前にインターフェース部３に設けられた図示しないこの発明の基板洗浄装置にて洗浄するようにしてもよい。
【００３９】
液浸露光を終えたウエハＷは第２のウエハ搬送部３０Ｂにより露光部４から取り出され、棚ユニットＵ６の一段をなす加熱ユニット（ＰＥＢ）に搬入される。その後、ウエハＷは第１のウエハ搬送部３０Ａによって加熱ユニット（ＰＥＢ）から搬出され、主搬送手段Ａ３に受け渡される。そしてこの主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５内に搬入される。現像ユニット２５では、現像処理に兼用するこの発明に係る基板洗浄装置により基板の現像が行われ、更に洗浄が行われる。その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット２５から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置台１１上の元のキャリア１０へと戻される。
【００４０】
＜第１実施形態＞
この発明の基板洗浄装置を現像処理装置に組み合わせた実施の形態について図３及び図４を参照して説明する。
【００４１】
図３及び図４に示すように、上記基板洗浄装置１００は、ケーシング２６内に、ウエハＷの裏面中央部を吸引吸着して水平姿勢に保持する基板保持部であるスピンチャック３０を具備している。スピンチャック３０は軸部３１を介して、例えばサーボモータ等の回転機構３２と連結されており、この回転機構３２によりウエハＷを保持した状態で回転可能なように構成されている。なお、回転機構３２は、制御手段である制御コンピュータ９０の制御部９０ａに電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいてスピンチャック３０の回転数が制御される。また、ケーシング２６には、ウエハＷの搬入出口２７が設けられ、この搬入出口２７にはシャッタ２８が開閉可能に配設されている。
【００４２】
上記スピンチャック３０上のウエハＷの側方を囲むようにして上方側が開口するカップ体４０が設けられている。このカップ体４０は、円筒状の外カップ４１と、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ４２とからなり、外カップ４１の下端部に接続された例えばシリンダ等の昇降機構４３により外カップ４１が昇降し、更に内カップ４２は外カップ４１の下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。なお、昇降機構４３は、制御コンピュータ９０に電気的に接続されており、制御コンピュータ９０からの制御信号に基づいて外カップ４１が昇降するように構成されている。
【００４３】
また、スピンチャック３０の下方側には円形板４４が設けられており、この円形板４４の外側には断面が凹部状に形成された液受け部４５が全周に亘って設けられている。液受け部４５の底面にはドレイン排出口４６が形成されており、ウエハＷからこぼれ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部４５に貯留された現像液や洗浄液は、このドレイン排出口４６を介して装置の外部に排出される。また円形板４４の外側には断面山形のリング部材４７が設けられている。なお、円形板４４を貫通する例えば３本の基板支持ピンである昇降ピン（図示せず）が設けられており、この昇降ピンと基板搬送手段（図示せず）との協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡しされるように構成されている。
【００４４】
一方、スピンチャック３０に保持されたウエハＷの上方側には、現像液ノズル５０と、ウエハ表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズル６０と、洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給により形成された液膜にガスを吐出して乾燥領域Ｄを形成する第１ガスノズル７０及び乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する溶解生成物を含む洗浄液を除去する残存液除去機構である第２ガスノズル８０が昇降可能及び水平移動可能に設けられている。
【００４５】
現像液ノズル５０は、例えば、スピンチャック３０に保持されたウエハＷに、帯状に現像液を供給するスリット状の吐出口５０Ａを備えている。この吐出口５０Ａは、長手方向がウエハＷの直径方向に沿うように配置されている。現像液ノズル５０は、流量調整器５２を介設した現像液供給管５１を介して現像液供給源５３に接続されている。現像液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器５２で調整される。
【００４６】
また、現像液ノズル５０は支持部材であるノズルアーム５５の一端側に支持されており、このノズルアーム５５の他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５６と接続されている。更に、移動基台５６は、例えばケーシング２６の底面にてＸ方向に伸びるガイド部材５７に沿って、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構２００により横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の一方の外側には、現像液ノズル５０の待機部５８が設けられ、この待機部５８ではノズル先端部の洗浄などが行われる。
【００４７】
また、スピンチャック３０の上方には、洗浄液ノズル６０が設けられ、流量調整器６２を介設した洗浄液供給管６１を介して洗浄液供給源６３に接続されている。洗浄液の流量及び供給時間は、例えば流量調整バルブ等の流量調整器６２で調整される。
【００４８】
洗浄液供給源６３には、例えばヒータなどの加熱機器を搭載した温度調整器（図示せず）が接続され、洗浄液を所定の温度に調整する。また、洗浄液供給管６１は、流量調整器６２を含めて、断熱部材などから構成される温度維持部材（図示せず）で囲まれており、洗浄液ノズル６０からウエハＷ上に洗浄液を供給する時まで、洗浄液は所定の温度に維持されている。
【００４９】
また、洗浄液ノズル６０は、図４に示すように、ノズル保持部６５を介してノズルアーム６６に固定されており、このノズルアーム６６は昇降機構を備えた移動基台６７と接続されている。この移動基台６７は、例えば、ボールねじ機構やタイミングベルト機構等からなるノズル移動機構３００により、例えば上記ガイド部材５７に沿って現像液ノズル５０と干渉しないで横方向に移動可能なように構成されている。また、カップ４０の現像液ノズル５０の待機部５８の他方の外側には、洗浄液ノズル６０の待機部６８が設けられている。
【００５０】
第１ガスノズル７０は、ガス流量調整器７２を介設したガス供給管７１を介してガス供給源７３に接続されている。なお、この実施形態においては、第１ガスノズル７０から吐出されるガスとしてＮ2（窒素）などの不活性ガスが使用される。また第１ガスノズル７０は、例えば洗浄液ノズル６０と共通のノズル保持部６５に固定されており、ノズルアーム６６により洗浄液ノズル６０と一体的に移動するように構成されている。
【００５１】
第２ガスノズル８０は、ガス流量調整器８２を介設したガス供給管８１を介してガス供給源８３に接続されている。なお、この実施形態においては、第２ガスノズル７０から吐出されるガスとして例えば、Ｎ2（窒素），Ａｒ（アルゴン）などの不活性ガスが使用される。また第２ガスノズル８０は、例えば洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０と共通のノズル保持部６５に固定されており、ノズルアーム６６により洗浄液ノズル６０と一体的に移動するように構成されている。
【００５２】
この場合、第２ガスノズル８０は第１ガスノズル７０に対して回路パターンＰ（図５参照）を形成する一回の露光領域Ｅ以上離れて設けられている。ここで、一回の露光領域Ｅとは、露光部４の露光装置により一回の露光（ショット）で照射される領域をいう。具体的には、ウエハＷの回転と一回の露光（ショット）で照射される矩形状の領域とを加味した距離であり、露光装置の最大露光面積が例えば短辺（Ｅ２）×長辺（Ｅ１）＝２６ｍｍ×３３ｍｍであれば、これに基づいて定義すれば、一回の露光領域以上の距離とは、露光領域Ｅの対角線の長さＭ＝４２．０１１ｍｍ以上離れていることを意味する。
【００５３】
このように、第２ガスノズル８０を第１ガスノズル７０に対して回路パターンＰを形成する一回の露光領域Ｅ（対角線の長さＭ）以上離して設けることにより、回路パターン間の残存液のばらつきを抑制することができ、回路パターン間の残存液のばらつきによる回路パターン間の応力のバランスの影響でパターン倒れが生じるのを防止することができる。
【００５４】
現像液ノズル５０を移動させるためのノズル移動機構２００、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０を移動させるためのノズル移動機構３００、スピンチャック３０を回転させる回転機構３２及びカップ４０の昇降機構４３、現像液、洗浄液、ガスの流量を調整する流量調整器５２，６２，７２，８２は、制御部９０ａにより制御される。
【００５５】
制御部９０ａは制御コンピュータ９０に内蔵されており、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａの他に、基板洗浄装置１００が行う後述の動作における各処理工程を実行するためのプログラムを格納する制御プログラム格納部９０ｂと、読取部９０ｃを内蔵している。また、制御コンピュータ９０は、制御部９０ａに接続された入力部９０ｅと、処理工程を作成するための処理工程画面を表示する表示部９０ｄと、読取部９０ｃに挿着されると共に、制御コンピュータ９０に制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、制御プログラムに基づいて上記各部に制御信号を出力するように構成されている。
【００５６】
また、制御プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体９０ｆに格納され、これら記憶媒体９０ｆから制御コンピュータ９０にインストールされて使用される。
【００５７】
次に、上記のように構成される基板洗浄装置１００の動作態様について説明する。最初に、ウエハＷが基板洗浄装置１００内に搬入されていない時には、外カップ４１、内カップ４２は下降位置にあり、現像液ノズル５０、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０は所定の待機位置にて夫々待機している。上記処理システムにおいて、液浸露光された後のウエハＷが、加熱処理された後、主搬送手段Ａ３（図１参照）により基板洗浄装置１００内に搬入されると、主搬送手段Ａ３と図示しない昇降ピンとの協働作用によりウエハＷはスピンチャック３０に受け渡される。なお、この実施形態では、微細かつ高アスペクト比｛例えば、アスペクト比４以上｝の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して、撥水性の高いレジスト材料が用いられており、基板洗浄装置１００に搬入されるウエハＷ表面の水の静的接触角は、例えば９０度である。
【００５８】
その後、外カップ４１及び内カップ４２が上昇位置に設定されると共に、現像液ノズル５０からウエハＷ上に現像液が供給され、公知の手法により現像液の供給が行われる。この実施形態では、現像液の供給開始の際には、現像液ノズル５０はウエハＷの周縁部上方、例えばウエハＷの表面から数ｍｍ上方に配置される。ウエハＷを例えば１０００〜１２００ｒｐｍの回転速度で回転させると共に、現像液ノズル５０から現像液を帯状に吐出しながら、現像液ノズル５０をウエハＷの周縁から中央部に向かって移動させる。現像液ノズル５０から帯状に吐出された現像液は、ウエハＷの外側から内側に向かって互いに隙間のないように並べられていき、これによりウエハＷの表面全体に螺旋状に現像液が供給される。そしてウエハＷの回転による遠心力によりウエハＷの表面に沿って現像液は外側に広がり、薄膜状の液膜が形成される。こうして、現像液にレジストの溶解性部位が溶解して、不溶解性の部位が残って回路パターンが形成される。
【００５９】
次に、この現像液ノズル５０と入れ替わるようにして洗浄液ノズル６０がウエハＷの中心部上方に配置され、現像液ノズル５０が現像液の供給を停止した直後に速やかに洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを吐出してウエハＷの表面の洗浄を行う。以下に、この洗浄工程について図６及び図７を参照して詳細に説明する。
【００６０】
この実施形態の洗浄工程は、以下のステップにより行われる。
【００６１】
（ステップ１）洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部の上方、例えばウエハＷの表面から１５ｍｍの高さの位置に配置する。スピンチャック３０を例えば１０００ｒｐｍの回転数で回転させながら、洗浄液ノズル６０からウエハＷの中心部に例えば純水などの洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で例えば５秒間吐出する。洗浄液Ｌは遠心力によりウエハＷの中心部から周縁部に向かって広がり、現像液が洗浄液Ｌにより置換される。こうして、ウエハＷの表面全体に洗浄液Ｌの液膜が形成される。
【００６２】
（ステップ２）次に、スピンチャック３０を１５００ｒｐｍ以上、例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転させながら、図７（ａ）に示すように、ノズルアーム６６（図４参照）を移動させることにより、洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁部に向かって一定の距離だけ移動させ、第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部の上方に配置する。このとき、洗浄液ノズル６０は、洗浄液Ｌを例えば３５０ｍＬ／分の流量で吐出しながら例えば２ｍｍ／秒の速度で移動する。ここで洗浄液ノズル６０をウエハＷの中心部から一定の距離だけ外側に移動させると、当該中心部には洗浄液Ｌが供給されなくなる。しかしながら、当該中心部は遠心力が小さいので、洗浄液Ｌの液膜は、薄い液膜の状態を保ったまま引き裂かれずに維持される。
【００６３】
第１ガスノズル７０がウエハＷの中心部の上方まで移動すると、ノズルアーム６６は一旦停止し、第１ガスノズル７０からウエハＷの中心部に、例えばＮ2ガスＧを吐出して吹き付ける。次いで、ノズルアーム６６を移動させることにより、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に向かって洗浄液ノズル６０から洗浄液Ｌを供給して洗浄液Ｌの液膜を形成すると共に、洗浄液Ｌの供給に追従して第１ガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて、液膜を薄くして除去し、乾燥領域Ｄを形成する（図６（ａ），図７（ａ）参照）。なお、乾燥領域Ｄとは、洗浄液Ｌが蒸発することによりウエハＷの表面が露出した領域をいい、ここではウエハＷの回路パターン間に洗浄液Ｌが残存している場合も含む。この乾燥領域Ｄのコアは、遠心力により中心部から洗浄液Ｌの供給位置まで広がっていく。
【００６４】
なお、良好な乾燥領域Ｄを形成するために、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０は適切な離間距離をもって配置する必要がある。この実施形態において、その距離は約９ｍｍ〜約１５ｍｍである。離間距離が９ｍｍより小さいと、洗浄液Ｌの液膜が十分に薄くなっていないため、乾燥領域Ｄがうまく形成されず、また離間距離が１５ｍｍより大きいと広い領域で瞬時に乾燥が起こり、欠陥数が多くなる。
【００６５】
なお、洗浄液ノズル６０からの洗浄液Ｌの供給をウエハＷの周縁に至るまで行うと、洗浄液ＬがウエハＷの周縁、特にノッチ部にあたって跳ね返り、ミストとなってウエハＷ表面に舞戻ってくるため、周縁に至る少し手前で洗浄液Ｌの供給を停止することが好ましい。
【００６６】
なお、この実施形態では、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０のウエハＷの中心部からウエハＷの周縁までの移動時において、洗浄液ノズル６０の洗浄液の供給位置における線速度（周速度）が一定値以下となるように、洗浄液ノズル６０の洗浄液の供給位置がウエハＷの周縁に近づくにつれて、ウエハＷの回転数が低くなるように制御する。なお、洗浄液の流速を５０ｍｍ／秒、回転方向に対する吐出角度６０度を表面接触角９０度のウエハ上で処理した場合、２０００ｍｍ／秒が周速度の上限となる。この場合、図８に示すグラフに基づいて洗浄液ノズル６０の洗浄液の供給位置におけるウエハＷの最適な回転数を制御する。このようにウエハＷの回転数を制御することにより、ウエハ表面上への洗浄液の液跳ねを防止することができる。
【００６７】
また、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０のウエハＷの中心部からウエハＷの周縁までの移動速度は、第１ガスノズル７０から吐出されるＮ2ガスＧによって回路パターン間の洗浄液Ｌのばらつきが生じるのを抑制する一定速度以上に制御される。この場合、Ｎ2ガスＧの流速５Ｌ／分、回転方向に対する吐出角度９０度にすると、２ｍｍ／秒以上に制御するのがよい。２ｍｍ／秒より遅くすると、第１ガスノズル７０の移動後方側の回路パターン間に残存する洗浄液Ｌが、第１ガスノズル７０の移動前方側の回路パターン間に残存する洗浄液Ｌの量より少なくなって各回路パターン間に残存する洗浄液Ｌが極端に不均一になり、パターン間の応力が影響してパターン倒れが生じるからである。
【００６８】
（ステップ３）洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０のウエハＷの中心部からある地点Ｒ1に達したとき、第２ガスノズル８０のガス吐出位置が地点Ｒ1に達し、第２ガスノズル８０から乾燥領域Ｄに向かってＮ2ガスＧを吐出して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する（図６（ｂ）、図７（ｂ）参照）。更に、第２ガスノズル８０はウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【００６９】
なお、この実施形態では、第１ガスノズル７０からＮ2ガスＧを吹き付けて乾燥領域Ｄを形成する工程（第１乾燥工程）後から第２ガスノズル８０からＮ2ガスＧを吐出して回路パターン間の洗浄液Ｌを除去する工程（第２乾燥工程）までの間において、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌによる応力のバランスの影響でパターン倒れが生じるのを防止している。すなわち、ウエハＷの遠心力と回転時間の積を制御することによって、パターン倒れを防止している。この場合、第１乾燥工程後から第２乾燥工程が開始するまでの時間を例えば２０秒以内と定義し、この時の各地点におけるウエハＷの回転数の上限を図９に示すグラフに基づいて制御することにより、第１乾燥工程後から第２乾燥工程が開始するまでの間に回路パターン間に洗浄液Ｌが残存した状態で、ウエハＷの回転により生じた一定の応力が一定時間かかり続けることによるパターン倒れを防止することができる。
【００７０】
また、ステップ３において、第２ガスノズル８０からＮ2ガスＧを吐出する位置では、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌによる応力のバランスの影響でパターン倒れが生じるのを防止している。すなわち、第２ガスノズル８０からＮ2ガスＧを吐出する位置は、ウエハＷの遠心力を制御することにより、第２乾燥工程の処理において回路パターン間に洗浄液Ｌが残存した状態で、ウエハＷの回転により生じた一定の応力が一定時間かかり続けることによるパターン倒れを防止することができる。
【００７１】
この場合、回路パターン間に洗浄液Ｌが残った状態では、ウエハＷの半径方向の各地点Ｒにおける遠心力を一定時間例えば６０秒かけると、回転の応力起因のパターン倒れが発生することが分かった。例えば、Ｒ＝１５０ｍｍの位置では２０００ｒｐｍ×６０秒以上で、回転の応力起因のパターン倒れが発生する。この遠心力の閾値を各地点ＲにおけるウエハＷの回転数に置き換えると、図１０に示すグラフのようになる。図１０は、回路パターン間に洗浄液Ｌが存在する場合に、一定時間（６０秒）回転を継続してもパターン倒れが生じない各地点Ｒにおける回転数の閾値を示すグラフである。なお、図１０における点線は、図８に示した洗浄液供給工程の洗浄液ノズル６０の洗浄液供給位置における線速度（周速度）を一定に制御する回転数の閾値を示すグラフと同じである。図１０から分かるように、半径９５ｍｍ以内の領域では洗浄液ノズル６０からの洗浄液の供給後の回路パターンＰには回路パターン間にまだ洗浄液Ｌを残した状態で長時間パターン倒れの閾値以上の遠心力を受けることとなる。そこで、第２ガスノズル８０からＮ2ガスＧを吐出する位置すなわち各地点ＲにおけるウエハＷの回転数を図１０に基づいて制御することで、パターン倒れを防止する。
【００７２】
なお、第１実施形態では、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に一体的に同一方向に移動しているが、第２ガスノズル８０は、第１ガスノズル７０に対して回路パターンＰを形成する一回の露光領域Ｅ（対角線の長さＭ）以上離して設けられていれば、洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０と別体に設けられていてもよい。また、図７に二点鎖線で示すように、洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０の移動方向と反対方向に移動して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間の洗浄液Ｌを除去するようにしてもよい。
【００７３】
（ステップ４）第２ガスノズル８０がウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０は待機位置に戻される。
【００７４】
以上の一連のステップ１〜４は、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【００７５】
第１実施形態によれば、微細かつ高アスペクト比の回路パターンＰが形成されたウエハＷに対して現像した後、ウエハＷの中心部に洗浄液Ｌを供給し、洗浄液Ｌの供給位置をウエハＷの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、ウエハＷの中心部に第１ガスノズル７０からガスを吐出して乾燥領域Ｄを発生させ、その後、ウエハＷを回転させたまま、ウエハＷの中心部に第２ガスノズル８０からガスを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）している。第１実施形態のこの構成により、高い洗浄効果を実現して、現像欠陥を皆無に近い状態まで低減することができる。更に、第１実施形態では、第２ガスノズル８０からガスを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）することによって、ウエハＷの乾燥を促進することができる。これにより、洗浄液ノズル６０の移動速度を上げることができる。こうして、効果的な洗浄をより短時間で行うことができる。
【００７６】
＜第２実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第２実施形態について、図１１ないし図１４を参照して説明する。第２実施形態は、第１実施形態で用いられる基板洗浄装置における第１ガスノズル７０と第２ガスノズル８０を兼用する兼用ガスノズル７０Ａを形成し、第２乾燥工程では兼用ガスノズル７０ＡをウエハＷの周縁からウエハＷの中心部に向かって移動させて、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）するようにした場合である。第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。以下、第２実施形態の洗浄工程について説明する。なお、第２実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７７】
（ステップ３ａ）図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と兼用ガスノズル７０ＡをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、兼用ガスノズル７０Ａから乾燥領域Ｄに向かってＮ2ガスＧを吐出して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する（図１３（ａ）、図１４（ａ）参照）。更に、兼用ガスノズル７０ＡはウエハＷの中心部まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【００７８】
なお、第２実施形態においても、兼用ガスノズル７０ＡからＮ2ガスＧを吹き付けて乾燥領域Ｄを形成する工程（第１乾燥工程）後から兼用ガスノズル７０ＡからＮ2ガスＧを吐出して回路パターン間の洗浄液Ｌを除去する工程（第２乾燥工程）までの間において、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌによる応力のバランスの影響でパターン倒れが生じるのを防止している。すなわち、ウエハＷの遠心力と回転時間の積を制御することによって、パターン倒れを防止している。
【００７９】
また、ステップ３ａにおいて、兼用ガスノズル７０ＡからＮ2ガスＧを吐出する位置では、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌによる応力のバランスの影響でパターン倒れが生じるのを防止している。すなわち、兼用ガスノズル７０ＡからＮ2ガスＧを吐出する位置は、ウエハＷの遠心力を制御することにより、第２乾燥工程の処理において回路パターン間に洗浄液Ｌが残存した状態で、ウエハＷの回転により生じた一定の応力が一定時間かかり続けることによるパターン倒れを防止することができる。
【００８０】
（ステップ４ａ）兼用ガスノズル７０ＡがウエハＷの中心部まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０及び兼用ガスノズル７０Ａは待機位置に戻される。
【００８１】
以上の一連のステップ１，２，３ａ，４ａは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【００８２】
＜第３実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第３実施形態について、図１５及び図１６を参照して説明する。図１６に示すように、第３実施形態では残存液除去機構は、ウエハＷの回転により生じる気流Ａを乾燥領域Ｄに誘導拡散気する気流制御部であるディフューザ８０Ｂにて形成されている。第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００８３】
このように構成される第３実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁にディフューザ８０Ｂを移動することで、ウエハＷの回転により生じる気流Ａを乾燥領域Ｄに誘導拡散気して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去することができる。
【００８４】
このように構成される第３実施形態に係る基板洗浄方法について、図１５及び図１６を参照して簡単に説明する。なお、第３実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００８５】
（ステップ３ｂ）図１５（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、ディフューザ８０ＢをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、ディフューザ８０ＢによってウエハＷの回転により生じる気流Ａを乾燥領域Ｄに誘導拡散気して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する（図１５（ｂ）、図１６参照）。更に、ディフューザ８０ＢはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【００８６】
（ステップ４ｂ）ディフューザ８０ＢがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及びディフューザ８０Ｂは待機位置に戻される。
【００８７】
以上の一連のステップ１，２，３ｂ，４ｂは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【００８８】
＜第４実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第４実施形態について、図１７及び図１８を参照して説明する。図１８に示すように、第４実施形態では残存液除去機構８０Ｃは、ウエハＷの表面にガスを吐出するガスノズル８０ａと、上記ガスノズル８０ａから吐出されたガスを乾燥領域Ｄに誘導拡散する気流制御部である整流板８０ｂとを具備している。
【００８９】
第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００９０】
このように構成される第４実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁にガスノズル８０ａからガス例えばＮ2ガスＧを吐出すると共に、整流板８０ｂを移動することで、ガスノズル８０ａから吐出されるＮ2ガスＧを整流板８０ｂによって乾燥領域Ｄに誘導拡散して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去することができる。
【００９１】
このように構成される第４実施形態に係る基板洗浄方法について、図１７及び図１８を参照して簡単に説明する。なお、第４実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００９２】
（ステップ３ｃ）図１７（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、ガスノズル８０ａからガス例えばＮ2ガスＧを吐出すると共に、整流板８０ｂをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、ガスノズル８０ａから吐出されるＮ2ガスＧを整流板８０ｂによって乾燥領域Ｄに誘導拡散して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する（図１７（ｂ）、図１８参照）。更に、ガスノズル８０ａと整流板８０ｂはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【００９３】
（ステップ４ｃ）ガスノズル８０ａと整流板８０ｂがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及びガスノズル８０ａと整流板８０ｂは待機位置に戻される。
【００９４】
以上の一連のステップ１，２，３ｃ，４ｃは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【００９５】
＜第５実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第５実施形態について、図１９及び図２０を参照して説明する。図２０に示すように、第５実施形態では残存液除去機構は、乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを吸引する吸引ノズル８０Ｄにて形成されている。この場合、吸引ノズル８０Ｄは吸引管８０ｃを介して吸引ポンプ等の吸引装置８０ｄ及び流量調整器８０ｅに接続されている。第５実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００９６】
このように構成される第５実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に吸引ノズル８０Ｄを移動することで、吸引ノズル８０Ｄの吸引作用によって乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを吸引して除去することができる。
【００９７】
このように構成される第５実施形態に係る基板洗浄方法について、図１９及び図２０を参照して簡単に説明する。なお、第５実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００９８】
（ステップ３ｄ）図１９（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、吸引ノズル８０ＤをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、吸引ノズル８０Ｄの吸引作用によって乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを吸引して除去する（図１９（ｂ）、図２０参照）。更に、吸引ノズル８０ＤはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【００９９】
（ステップ４ｄ）吸引ノズル８０ＤがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び吸引ノズル８０Ｄは待機位置に戻される。
【０１００】
以上の一連のステップ１，２，３ｄ，４ｄは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【０１０１】
＜第６実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第６実施形態について、図２１を参照して説明する。図２１に示すように、第６実施形態では残存液除去機構８０Ｅは、ウエハＷの表面にガスを吐出するガスノズル８０ｆと、ガスノズル８０ｆのガス供給管８０ｇに介設されてガスノズル８０ｆに供給されるガス例えばＮ2ガスＧを例えば４０℃に加熱する加熱体である加熱器８０ｈと、を具備している。第６実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１０２】
このように構成される第６実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に加熱器８０ｈによって加熱されたＮ2ガスＧをガスノズル８０ｆからウエハ表面に吐出することで、乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを乾燥して除去することができる。
【０１０３】
なお、第６実施形態に係る基板洗浄方法は、加熱されたＮ2ガスＧをガスノズル８０ｆからウエハ表面にと吐出する以外は、第１実施形態に係る基板洗浄方法と同じであるので、説明は省略する。
【０１０４】
＜第７実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第７実施形態について、図２２及び図２３を参照して説明する。図２３に示すように、第７実施形態では残存液除去機構は、ウエハＷの表面に輻射熱を照射して、回路パターン間に残存する液を乾燥除去する加熱体、例えば輻射光照射体８０Ｆにて形成されている。この場合、輻射光照射体８０Ｆは、複数の発光ダイオード８０ｉ（以下にＬＥＤ８０ｉという）を具備している。なお、第７実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１０５】
このように構成される第７実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に輻射光照射体８０Ｆを移動することで、輻射光照射体８０ＦのＬＥＤ８０ｉから輻射光を照射して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを乾燥して除去することができる。
【０１０６】
このように構成される第７実施形態に係る基板洗浄方法について、図２２及び図２３を参照して簡単に説明する。なお、第７実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１０７】
（ステップ３ｅ）図２２（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、輻射光照射体８０ＦをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、輻射光照射体８０ＦのＬＥＤ８０ｉからの輻射光によって乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを乾燥除去する（図２２（ｂ）、図２３参照）。更に、吸引ノズル８０ＤはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【０１０８】
（ステップ４ｅ）輻射光照射体８０ＦがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び輻射光照射体８０Ｆは待機位置に戻される。
【０１０９】
以上の一連のステップ１，２，３ｅ，４ｅは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【０１１０】
＜第８実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第８実施形態について、図２４及び図２５を参照して説明する。図２５に示すように、第８実施形態では残存液除去機構は、ウエハＷの表面に高揮発性の有機溶剤例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を吐出する有機溶剤吐出ノズル８０Ｇ（以下に、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇという）にて形成されている。この場合、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは、流量調整器８０ｊを介設したＩＰＡ供給管８０ｋを介してＩＰＡ供給源８０ｌに接続されている。なお、第８実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１１１】
このように構成される第８実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁にＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇを移動することで、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧからＩＰＡを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換してより早く乾燥除去することができる。
【０１１２】
このように構成される第８実施形態に係る基板洗浄方法について、図２４及び図２５を参照して簡単に説明する。なお、第８実施形態においてステップ１とステップ２は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１１３】
（ステップ３ｆ）図２４（ａ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧをウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、ＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇから吐出されるＩＰＡによって乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液ＬをＩＰＡに置換して乾燥除去する（図２４（ｂ）、図２５参照）。更に、ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧはウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【０１１４】
（ステップ４ｆ）ＩＰＡ吐出ノズル８０ＧがウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及びＩＰＡ吐出ノズル８０Ｇは待機位置に戻される。
【０１１５】
以上の一連のステップ１，２，３ｆ，４ｆは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【０１１６】
＜第９実施形態＞
次に、この発明に係る基板洗浄装置及び方法の第９実施形態について、図２６及び図２７を参照して説明する。図２６に示すように、第９実施形態では残存液除去機構は、Ｘ軸方向に配設されるガイド部材５７に沿って横方向（Ｘ方向）に移動可能な移動基台６７に固定されるＹ方向に伸縮自在なノズルアーム６６Ａの先端部に連結されたノズル保持部６５Ａに洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０と共に設けられる第２ガスノズル８０にて形成されている。この場合、ノズル保持部６５Ａの伸縮方向（Ｙ方向）の先端側に洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０が配設され、基端側に第２ガスノズル８０が配設されている。また、ノズルアーム６６Ａは移動基台６７に固定されるシリンダ部６６ａとシリンダ部６６ａに対して伸縮自在なロッド部６６ｂとで構成されている。なお、第９実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１１７】
このように構成される第９実施形態によれば、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に第２ガスノズル８０を移動することで、第２ガスノズル８０からＮ2ガスＧを吐出して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去することができる。
【０１１８】
このように構成される第９実施形態に係る基板洗浄方法について、図２６及び図２７を参照して簡単に説明する。なお、第９実施形態においてステップ１とステップ２は洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をＹ方向に移動する以外は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【０１１９】
（ステップ３ｇ）図２７（ａ），（ｂ）に示すように、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０をＹ方向のウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、ウエハＷの表面全域に乾燥領域Ｄを形成した後、ウエハＷを回転したまま、第２ガスノズル８０をＸ方向のウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動し、第２ガスノズル８０から吐出されるＮ2ガスによって乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する（図２７（ｃ）参照）。更に、第２ガスノズル８０はウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを確実に除去（排出）する。
【０１２０】
（ステップ４ｇ）第２ガスノズル８０がウエハＷの周縁まで移動して、ウエハＷの回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去（排出）した後、ウエハＷの回転数を例えば２０００ｒｐｍに設定したまま、ウエハＷ上のミクロレベルの液滴を遠心力により振り切って乾燥を行う。同時に、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０は待機位置に戻される。
【０１２１】
以上の一連のステップ１，２，３ｇ，４ｇは、制御コンピュータ９０のメモリ内に格納されている制御プログラムを制御コンピュータ９０が読み出し、その読み出した命令に基づいて既述の各機構を動作するための制御信号を出力することにより実行される。
【０１２２】
＜その他の実施形態＞
以上、いくつかの実施形態を参照しながらこの発明を説明したが、この発明は上記の実施形態に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
【０１２３】
例えば、第３ないし第８実施形態では、残存液除去機構８０Ｂ〜８０Ｇを洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０と同方向のウエハＷの中心部からウエハＷの周縁に移動して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去する場合について説明したが、残存液除去機構８０Ｂ〜８０Ｇの移動方向は必ずしも洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０と同方向である必要はなく、第１実施形態において二点鎖線で示したように、洗浄液ノズル６０及び第１ガスノズル７０の移動方向と逆方向に移動して、回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを除去するようにしてもよい。
【０１２４】
また、上記実施形態において、洗浄液ノズル６０と第１ガスノズル７０は、共通のノズルアーム６６に一体的に固定されていたが、それぞれ個別のノズルアームに固定するようにしてもよい。この場合、第１ガスノズル７０は、Ｎ2ガスを吐出する時にだけウエハＷの表面上方に配置されるため、洗浄液Ｌのミスト等が第１ガスノズル７０に付着して結露が発生するのを防止することができる。
【０１２５】
また、上記実施形態において、洗浄液ノズル６０、第１ガスノズル７０及び第２ガスノズル８０は、共通のノズルアーム６６に一体的に固定されていたが、それぞれ個別のノズルアームに固定するようにしてもよい。この場合、第２ガスノズル８０は、第１ガスノズル７０に対して回路パターンＰ（図５参照）を形成する一回の露光領域Ｅ以上離れて設けられている必要がある。
【０１２６】
また、上記第７実施形態では、輻射光照射体８０ＦのＬＥＤ８０ｉから輻射光を照射して乾燥領域Ｄにおける回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを乾燥除去する場合について説明したが、図２３に二点鎖線で示すように、輻射光照射体８０Ｆに第２ガスノズル８０を併設して、輻射光照射体８０ＦのＬＥＤ８０ｉからの輻射光の照射と、第２ガスノズル８０から吐出されるＮ2ガスによって回路パターン間に残存する洗浄液Ｌを乾燥除去するようにしてもよい。これによれば、更に洗浄効率の向上が図れる。
【０１２７】
この発明は、シリコンウエハだけでなく、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板に対しても適用することができる。
【符号の説明】
【０１２８】
５０  現像液ノズル
６０  洗浄液ノズル
６３  洗浄液供給源
６５  ノズル保持部
６６  ノズルアーム
７０  第１ガスノズル
７０Ａ  兼用ガスノズル
７３  Ｎ2ガス供給源
８０  第２ガスノズル（残存液除去機構）
８０Ｂ  ディフューザ（気流制御部、残存液除去機構）
８０Ｃ  残存液除去機構
８０ａ  ガスノズル
８０ｂ  整流板
８０Ｄ  吸引ノズル（残存液除去機構）
８０Ｅ  残存液除去機構
８０ｆ  ガスノズル
８０ｈ  加熱器
８０Ｆ  輻射式加熱体（残存液除去機構）
８０ｉ  ＬＥＤ
８０ＧＩＰＡ吐出ノズル
９０  制御コンピュータ（制御手段）
１００  基板洗浄装置
２００  現像液ノズル移動機構
３００  洗浄液ノズル・ガスノズル移動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005632860.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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