(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、前記ハウジング内に提供され、基板を支持する支持部材と、超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニットと、前記超臨界流体供給ユニットと前記ハウジングを連結し、前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングへ供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管と、前記供給管から分岐され、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出させるベント管と、を含み、前記ベント管には前記ベント管を開閉する開閉バルブが提供される、基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
前記基板を前記ハウジングへ搬入する段階と、
前記超臨界流体を前記ハウジングへ供給し前記基板を乾燥させる段階と、
前記ハウジングの内部にある前記超臨界流体を排出する段階と、
前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出する間に、前記ハウジングから前記基板の搬出又は前記ハウジングへ新しい基板を搬入する段階と、
前記ハウジングへ前記超臨界流体を供給する段階と、を有する基板処理方法。
【請求項２】
ハウジングと、前記ハウジング内に提供され、基板を支持する支持部材と、超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニットと、前記超臨界流体供給ユニットと前記ハウジングを連結し、前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングへ供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管と、前記供給管から分岐され、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出させるベント管と、を含み、前記ベント管には前記ベント管を開閉する開閉バルブが提供される、基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
前記基板を前記ハウジングへ搬入する段階と、
前記超臨界流体を前記ハウジングへ供給し前記基板を乾燥させる段階と、
前記ハウジングの内部にある前記超臨界流体を排出しながら、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出する段階と、を有する基板処理方法。
【請求項３】
前記ベント管には、前記ベント管を流動する前記超臨界流体の流量を調節する流量調節部材が提供される、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記流量調節部材は、メータリングバルブ又はオリフィスを含む、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記流量調節部材は、前記開閉バルブを基準に前記ベント管が前記供給管と連結される所の他側に提供される、請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記供給管は、
一端が前記超臨界流体供給ユニットに連結されるメイン配管と、
前記メイン配管の他端に位置される分岐部で分岐され、前記ハウジングの上部に連結される上部供給管と、
前記分岐部で分岐され、前記ハウジングの下部に連結される下部供給管を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記ベント管は、前記メイン配管、前記上部供給管又は前記下部供給管の中で一地点で分岐される、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記供給バルブは、前記メイン配管、前記上部供給管、及び前記下部供給管に各々位置されるメインバルブ、上部バルブ、及び下部バルブを含む、請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記ベント管は、前記メインバルブ、前記上部バルブ、又は前記下部バルブと前記分岐部との間で分岐される、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記メイン配管には、前記メインバルブと前記分岐部との間にフィルターが提供される、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記供給バルブは、前記超臨界流体供給ユニットに隣接する前方バルブ及び前記ハウジングに隣接する後方バルブを含み、
前記ベント管は、前記前方バルブ及び前記後方バルブの間で分岐される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記供給バルブと前記開閉バルブを制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、前記供給バルブを遮断した状態で前記開閉バルブを開放して前記供給管に残留する超臨界流体を前記ベント管を通じて排出させる、請求項８又は請求項１１に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法に関し、より詳細には超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、シリコンウエハー等の基板上に回路パタ−ンを形成するフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を含む多様な工程を経て製造される。半導体素子の製造過程の中には、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機汚染物、金属不純物等の多様な異物質が発生するようになる。このような異物質は、基板に欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）を引き起こして半導体素子の性能及び収率に直接的な悪影響を及ぼす要因として作用しうる。したがって、半導体素子の製造工程には、このような異物を除去するための洗浄工程が必須的に伴う。
【０００３】
洗浄工程は、ケミカル（薬品）で基板上の異物質を除去するケミカル工程、ケミカルを純水で洗浄する洗浄工程、基板を乾燥させる乾燥工程を経て遂行される。一般的な乾燥工程は、基板上の純水を比較的表面張力が小さいイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）等の有機溶剤で置換した後、これを蒸発させる方式で行われてきた。
【０００４】
しかし、このような乾燥方式は、有機溶剤を利用しても線幅３０ｎｍ以下の微細な回路パタ−ンを有する半導体素子に対しては相変わらず、崩壊現象（ｐａｔｔｅｒｎ  ｃｏｌｌａｐｓｅ）を誘発するので、最近このような問題点を克服できる超臨界乾燥工程（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｒｙｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）が既存の乾燥工程を代替して行く趨勢である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３６６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、超臨界流体による乾燥工程を効率的に遂行できる基板処理方法を提供することである。
【０００７】
また、本発明の目的は、超臨界流体ではない流体がハウジングへ供給されることを防止する基板処理方法を提供するためのことである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、ハウジングと、前記ハウジング内に提供され、基板を支持する支持部材と、超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニットと、前記超臨界流体供給ユニットと前記ハウジングを連結し、前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングに供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管と、前記供給管から分岐され、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出させるベント管を含み、前記ベント管には前記ベント管を開閉する開閉バルブが提供される基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、前記基板を前記ハウジングへ搬入する段階と、前記超臨界流体を前記ハウジングへ供給し前記基板を乾燥させる段階と、前記ハウジングの内部にある前記超臨界流体を排出する段階と、前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出する間に、前記ハウジングから前記基板の搬出又は前記ハウジングへ新しい基板を搬入する段階と、前記ハウジングへ前記超臨界流体を供給する段階と、を有する。
また、本発明の一側面によれば、ハウジングと、前記ハウジング内に提供され、基板を支持する支持部材と、超臨界状態の流体が貯蔵される超臨界流体供給ユニットと、前記超臨界流体供給ユニットと前記ハウジングを連結し、前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングへ供給される超臨界流体の量を調節する供給バルブが提供される供給管と、前記供給管から分岐され、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出させるベント管と、を含み、前記ベント管には前記ベント管を開閉する開閉バルブが提供される、基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、前記基板を前記ハウジングへ搬入する段階と、前記超臨界流体を前記ハウジングへ供給し前記基板を乾燥させる段階と、前記ハウジングの内部にある前記超臨界流体を排出しながら、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出する段階と、を有する基板処理方法。
【０００９】
また、前記ベント管には、前記ベント管を流動する前記超臨界流体の流量を調節する流量調節部材が提供され得る。
【００１０】
また、前記流量調節部材は、メータリングバルブ又はオリフィスを包含することができる。
【００１１】
また、前記流量調節部材は、前記開閉バルブを基準に前記ベント管が前記供給管と連結される所の他側に提供され得る。
【００１２】
また、前記供給管は、一端が前記超臨界流体供給ユニットに連結されるメイン配管と、前記メイン配管の他端に位置される分岐部で分岐され、前記ハウジングの上部に連結される上部供給管と、前記分岐部で分岐され、前記ハウジングの下部に連結される下部供給管と、を包含することができる。
【００１３】
また、前記ベント管は、前記メイン配管、前記上部供給管又は前記下部供給管の中で一地点で分岐され得る。
【００１４】
また、前記供給バルブは、前記メイン配管、前記上部供給管、及び前記下部供給管に各々位置されるメインバルブ、上部バルブ、及び下部バルブを包含することができる。
【００１５】
また、前記ベント管は、前記メインバルブ、前記上部バルブ、又は前記下部バルブと前記分岐部との間で分岐され得る。
【００１６】
また、前記メイン配管には前記メインバルブと前記分岐部との間にフィルターが提供され得る。
【００１７】
また、前記供給バルブは前記超臨界流体供給ユニットに隣接する前方バルブ及び前記ハウジングに隣接する後方バルブを含み、前記ベント管は前記前方バルブ及び前記後方バルブの間で分岐され得る。
【００１８】
また、前記供給バルブと前記開閉バルブを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は前記供給バルブを遮断した状態で前記開閉バルブを開放して前記供給管に残留する超臨界流体を前記ベント管を通じて排出させ得る。
【００１９】
本発明の他の側面によれば、前記基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、前記供給バルブを閉めた状態で前記開閉バルブを開放して前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出した後、前記開閉バルブを閉め、前記供給バルブを開放して前記ハウジングへ前記超臨界流体を供給する基板処理方法が提供され得る。
【００２０】
また、前記超臨界流体を前記ベント管へ排出する間、前記ハウジングから前記基板の搬出又は前記ハウジングへ前記基板の搬入が行われ得る。
【００２１】
本発明のその他の側面によれば、前記基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、前記基板の乾燥が完了されれば、前記超臨界流体供給ユニットで前記供給管へ前記超臨界流体が流れ込むことを遮断した状態で、前記ハウジング内部にある前記超臨界流体を排出しながら、前記供給管に残留する前記超臨界流体を排出する基板処理方法が提供され得る。
【００２２】
また、前記ハウジングへ前記基板が搬入されれば、前記供給管に残留する前記超臨界流体を前記ベント管へ排出した後、前記供給管を通じて前記超臨界流体供給ユニットから前記ハウジングへ前記超臨界流体の供給を開始することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一実施形態によれば、供給管に超臨界流体が残留することが防止される。
【００２４】
また、本発明の一実施形態によれば、供給管に残留する超臨界流体が気体又は液体状態に変化されることが防止される。
【００２５】
また、本発明の一実施形態によれば、ハウジングの内部に超臨界状態ではない流体が供給されることが防止される。
【００２６】
また、本発明の一実施形態によれば、ハウジングに気体又は液体が供給されて基板の破損が発生されることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の第１工程チャンバーの断面図である。
【図３】二酸化炭素の相変化に関する図面である。
【図４】図１の第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【図５】図４のベント調節部材を示す図面である。
【図６】制御器の連結関係を示す図面である。
【図７】他の実施形態によるベント調節部材を示す図面である。
【図８】他の実施形態によるベント調節部材を示す図面である。
【図９】他の実施形態によるベント調節部材を示す図面である。
【図１０】他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【図１１】他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【図１２】他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【図１３】その他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、添付された図面を参照して本発明の実施形態をさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は、様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。
【００２９】
図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置の平面図である。
【００３０】
図１を参照すれば、基板処理装置１００はインデックスモジュール１０００，及び工程モジュール２０００を含む。
【００３１】
インデックスモジュール１０００は、設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ  ｍｏｄｕｌｅ）として、ロードポート１１００と移送フレーム１２００とを含む。インデックスモジュール１０００は、外部から基板Ｓが搬送されて工程モジュール２０００へ基板Ｓを提供する。
【００３２】
ロードポート１１００、移送フレーム１２００、及び工程モジュール２０００は順次的に一列に配置され得る。ここで、ロードポート１１００、移送フレーム１２００、及び工程モジュール２０００が配列された方向を第１方向（Ｘ）と称し、上部から見る時、第１方向（Ｘ）と垂直である方向を第２方向（Ｙ）と称し、第１方向（Ｘ）と第２方向（Ｙ）と垂直である方向を第３方向（Ｚ）と称する。
【００３３】
インデックスモジュール１０００には、１つ又は複数のロードポート１１００が提供され得る。ロードポート１１００は、移送フレーム１２００の一側に配置される。ロードポート１１００が複数である場合には、ロードポート１１００は第２方向（Ｙ）に沿って一列に配置され得る。ロードポート１１００の数と配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置１００のフットプリント、工程効率、他の基板処理装置１００との配置等にしたがって変更できる。ロードポート１１００には、基板Ｓが収容されるキャリヤーＣが置かれる。キャリヤーＣは、外部から搬送されてロードポート１１００へローディングされるか、又はロードポート１１００からアンローディングされて外部へ搬送される。例えば、キャリヤーＣはオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ  ｈｏｉｓｔ  ｔｒａｎｓｆｅｒ）等の搬送装置によって、複数の基板処理装置１００の間に搬送され得る。ここで、基板Ｓの搬送は、オーバーヘッドトランスファーの代わりに自動案内車輌（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅ）、レール案内車輌（ｒａｉｌ  ｇｕｉｄｅｄ  ｖｅｈｉｃｌｅ）等の他の搬送装置又は作業者によって、遂行できる。
【００３４】
キャリヤーＣには基板Ｓが収容される。キャリヤーＣとしては前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ  ｏｐｅｎｉｎｇ  ｕｎｉｆｉｅｄ  ｐｏｄ）が使用され得る。キャリヤーＣの内部には基板Ｓの縁を支持するスロットが１つ以上形成される。スロットが複数である場合には、第３方向（Ｚ）に沿って互に離隔されて形成され得る。これによって、キャリヤーＣの内部に基板Ｓが載せられる。例えば、キャリヤーＣは２５枚の基板Ｓを収納することができる。キャリヤーＣの内部は開閉できるドアによって、外部と隔離されて密閉され得る。これによって、キャリヤーＣの内部に収容された基板Ｓが汚染されることが防止される。
【００３５】
移送フレーム１２００は、インデックスロボット１２１０とインデックスレール１２２０とを含む。移送フレーム１２００は、ロードポート１１００に安着されたキャリヤーＣと工程モジュール２０００との間に基板Ｓを搬送する。
【００３６】
インデックスレール１２２０は、インデックスロボット１２１０が移動する経路を提供する。インデックスレール１２２０は、その長さ方向が第２方向（Ｙ）と平行に提供され得る。インデックスロボット１２１０は、基板Ｓを搬送する。
【００３７】
インデックスロボット１２１０は、ベース１２１１、ボディー１２１２、及びアーム１２１３を有することができる。ベース１２１１は、インデックスレール１２２０の上に設置され、インデックスレール１２２０に沿って移動することができる。ボディー１２１２は、ベース１２１１に結合され、ベース１２１１上で第３方向（Ｚ）に沿って移動するか、又は第３方向（Ｚ）を軸に回転することができる。アーム１２１３は、ボディー１２１２に設置され、前進及び後進して移動することができる。アーム１２１３の一端には、ハンドが具備されて基板Ｓを握るか、或いは置くことができる。インデックスロボット１２１０には、１つ又は複数のアーム１２１３が提供され、複数のアーム１２１３が提供される場合には互いに第３方向（Ｚ）に沿ってボディー１２１２に積層されて配置され、各々のアーム１２１３は個別的に駆動され得る。これによって、インデックスロボット１２１０はインデックスレール１２２０上でベース１２１１が第２方向（Ｙ）に沿って移動し、ボディー１２１２とアーム１２１３の動作によって、キャリヤーＣから基板Ｓを引き出してこれを工程モジュール２０００へ搬入するか、又は工程モジュール２０００から基板Ｓを引き出してキャリヤーＣに収納することができる。
【００３８】
また、移送フレーム１２００には、インデックスレール１２２０が省略され、インデックスロボット１２１０が移送フレーム１２００に固定されて設置されることもあり得る。この場合にインデックスロボット１２１０が移送フレーム１２００の中央部に配置され得る。
【００３９】
工程モジュール２０００は、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、第１工程チャンバー２３００、及び第２工程チャンバー２５００を含む。工程モジュール２０００は、インデックスモジュール１０００から基板Ｓが搬送されて基板Ｓに対して洗浄工程を遂行する。バッファチャンバー２１００と移送チャンバー２２００とは、第１方向（Ｘ）に沿って配置され、移送チャンバー２２００はその長さ方向が第１方向（Ｘ）と平行になるように配置される。工程チャンバー２３００、２５００は、移送チャンバー２２００の第１方向（Ｘ）の側面に配置され得る。ここで、第１工程チャンバー２３００は移送チャンバー２２００の第１方向（Ｘ）の一側に配置され、第２工程チャンバー２５００は第１工程チャンバー２３００が配置された反対方向の他側に配置され得る。第１工程チャンバー２３００は、１つ又は複数であり得り、複数である第１工程チャンバー２３００は移送チャンバー２２００の一側に第１方向（Ｘ）に沿って配置されるか、或いは第３方向（Ｚ）に沿って積層されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。第２工程チャンバー２５００も１つ又は複数であり、複数の第２工程チャンバー２５００は移送チャンバー２２００の他側に第１方向（Ｘ）に沿って配置されるか、或いは第３方向（Ｚ）に沿って積層されるか、或いはこれらの組合によって配置され得る。
【００４０】
但し、工程モジュール２０００で各チャンバー２１００、２２００、２３００、２５００の配置が上述した例に限定されることではなく、工程効率を考慮して適切に変形され得る。例えば、第１工程チャンバー２３００と第２工程チャンバー２５００が移送モジュールのような側面に第１方向（Ｘ）に沿って配置されるか、又は互いに積層されて配置され得る。
【００４１】
バッファチャンバー２１００は、移送フレーム１２００と移送チャンバー２２００との間に配置される。バッファチャンバー２１００は、インデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが臨時的に留まるバッファ空間を提供する。バッファチャンバー２１００の内部には、基板Ｓが置かれるバッファスロットが１つ又は複数個提供される。バッファスロットが複数である場合には、第３方向（Ｚ）に沿って互に離隔され得る。バッファスロットには、インデックスロボット１２１０によって、キャリヤーＣから引き出された基板Ｓが安着されるか、又は移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０によって、工程チャンバー２３００、２５００から搬出された基板Ｓが安着され得る。また、インデックスロボット１２１０や移送ロボット２２１０は、バッファスロットから基板Ｓを搬出してキャリヤーＣに収容するか、或いは工程チャンバー２３００、２５００へ搬送することができる。
【００４２】
移送チャンバー２２００は、その周囲に配置されるチャンバー２１００、２３００、２５００との間に基板Ｓを搬送する。移送チャンバー２２００の第１方向（Ｘ）の一側にはバッファチャンバー２１００が配置され、移送チャンバー２２００の第２方向（Ｙ）の一側又は両側には工程チャンバー２３００、２５００が配置できる。これによって、移送チャンバー２２００はバッファチャンバー２１００、第１工程チャンバー２３００、及び第２工程チャンバー２５００の間の基板Ｓの搬送を遂行することになる。移送チャンバー２２００は移送レール２２２０及び移送ロボット２２１０を含む。
【００４３】
移送レール２２２０は、移送ロボット２２１０が移動する経路を提供する。移送レール２２２０は、第１方向（Ｘ）と平行に提供され得る。移送ロボット２２１０は、基板Ｓを搬送する。移送ロボット２２１０は、ベース２２１１、ボディー２２１２、及びアーム２２１３を含む。移送ロボット２２１０の各構成要素は、インデックスロボット１２１０の構成要素と類似であるので、これに対する詳細な説明は省略する。移送ロボット２２１０は、ベース２２１１が移送レール２２２０に沿って移動しながら、ボディー２２１２及びアーム２２１３の作動によってバッファチャンバー２１００、第１工程チャンバー２３００、及び第２工程チャンバー２５００の間に基板Ｓを搬送する。
【００４４】
第１工程チャンバー２３００と第２工程チャンバー２５００とは、各々基板Ｓに対して異なる工程を遂行する。ここで、第１工程チャンバー２３００で遂行される第１工程と第２工程チャンバー２５００で遂行される第２工程とは、互に順次的に遂行される工程であり得る。例えば、第１工程チャンバー２３００では、ケミカル工程、洗浄工程、及び第１乾燥工程が遂行され、第２工程チャンバー２５００では第１工程の後続工程として第２乾燥工程が遂行できる。ここで、第１乾燥工程は有機溶剤を利用して遂行される湿式乾燥工程であり、第２乾燥工程は超臨界流体を利用して遂行される超臨界乾燥工程であり得る。第１乾燥工程と第２乾燥工程とは場合によって、選択的にいずれか１つの乾燥工程のみが遂行されることもできる。
【００４５】
図２は、図１の第１工程チャンバーの断面図である。
【００４６】
図１及び図２を参照すれば、第１工程チャンバー２３００はハウジング２３１０及び工程ユニット２４００を含む。第１工程チャンバー２３００では第１工程が遂行される。ここで、第１工程はケミカル工程、洗浄工程、及び第１乾燥工程の中で少なくとも１つを包含できる。上述したように、この中で第１乾燥工程は省略されることもあり得る。
【００４７】
ハウジング２３１０は第１工程チャンバー２３００の外壁を形成し、工程ユニット２４００はハウジング２３１０の内部に位置して第１工程を遂行する。工程ユニット２４００はスピンヘッド２４１０、流体供給部材２４２０、回収筒２４３０、及び昇降部材２４４０を包含できる。
【００４８】
スピンヘッド２４１０には基板Ｓが安着され、工程が進行されている最中に基板Ｓを回転させる。スピンヘッド２４１０は、支持プレート２４１１、支持ピン２４１２、チャッキングピン２４１３、回転軸２４１４、及びモーター２４１５を包含できる。
【００４９】
支持プレート２４１１は、上部が大体において基板Ｓと類似な形状、即ち円形を有するように提供される。支持プレート２４１１の上部には、基板Ｓが置かれる複数の支持ピン２４１２及び基板Ｓを固定する複数のチャッキングピン２４１３が形成される。支持プレート２４１１の下面にはモーター２４１５によって、回転される回転軸２４１４が固定されて結合される。モーター２４１５は外部電源を利用して回転力を発生させて回転軸２４１４を通じて支持プレート２４１１を回転させる。これによって、スピンヘッド２４１０に基板Ｓが安着され、第１工程が進行されている最中に支持プレート２４１１が回転して基板Ｓを回転させ得る。
【００５０】
支持ピン２４１２は、支持プレート２４１１の上面に第３方向（Ｚ）へ突出され、複数の支持ピン２４１２は互に予め定まれた間隔に離隔されて配置される。上部から見る時、全体的な支持ピン２４１２の配置は環形のリング形状を成し得る。支持ピン２４１２には基板Ｓの後面が載せられる。これによって、基板Ｓは支持ピン２４１２によって、支持プレート２４１１の上面から支持ピン２４１２が突出された距離に離隔されて安着される。
チャッキングピン２４１３は、支持プレート２４１１の上面に第３方向（Ｚ）へ支持ピン２４１２より長く突出され、支持プレート２４１１の中心から支持ピン２４１２より遠く離れた位置に配置される。チャッキングピン２４１３は、支持プレート２４１１の半径方向に沿って固定位置とピックアップ位置との間に移動することができる。ここで、固定位置は支持プレート２４１１の中心から基板Ｓの半径に対応される距離くらい離れた位置であり、ピックアップ位置は固定位置より支持プレート２４１１の中心から遠く離れた位置である。チャッキングピン２４１３は、移送ロボット２２１０によってスピンヘッド２４１０へ基板Ｓがローディングされる時にはピックアップ位置に位置し、基板Ｓがローディングされて工程が進行されれば、固定位置へ移動して基板Ｓの側面に接触して基板Ｓを正位置に固定させ、工程が終了されて移送ロボット２２１０が基板Ｓをピックアップして基板Ｓがアンローディングされる時には再びピックアップ位置へ移動することができる。これによって、チャッキングピン２４１３はスピンヘッド２４１０が回転する時の回転力によって基板Ｓが正位置から離脱することを防止することができる。
【００５１】
流体供給部材２４２０は、ノズル２４２１、支持台２４２２、支持軸２４２３、及び駆動器２４２４を包含できる。流体供給部材２４２０は、基板Ｓへ流体を供給する。
【００５２】
支持軸２４２３は、その長さ方向が第３方向（Ｚ）に沿って提供され、支持軸２４２３の下端には駆動器２４２４が結合される。駆動器２４２４は、支持軸２４２３を回転させるか、或いは第３方向（Ｚ）に沿って上下へ移動させる。支持軸２４２３の上部には支持台２４２２が垂直に結合される。ノズル２４２１は支持台２４２２の一端の底面に設置される。ノズル２４２１は駆動器２４２４による支持軸２４２３の回転及び昇降によって、工程位置と待機位置との間で移動することができる。ここで、工程位置はノズル２４２１が支持プレート２４１１の垂直上部に配置された位置であり、待機位置はノズル２４２１が支持プレート２４１１の垂直上部で外れた位置である。
【００５３】
工程ユニット２４００には１つ又は複数の流体供給部材２４２０が提供され得る。流体供給部材２４２０が複数である場合には、各流体供給部材２４２０は互いに異なる流体を供給する。例えば、複数の流体供給部材２４２０は、各々洗浄剤、リンス剤、又は有機溶剤を供給することができる。ここで、洗浄剤は過酸化水素Ｈ２Ｏ２溶液や過酸化水素溶液にアンモニアＮＨ４ＯＨ、塩酸ＨＣｌ又は硫酸Ｈ２ＳＯ４を混合した溶液又はブッ酸ＨＦ溶液等がある使用され、リンス剤としては主に純水が使用され、有機溶剤としてはイソプロパノールアルコールが使用され得る。選択的に有機溶剤はエチルグリコール（ｅｔｈｙｌ  ｇｌｙｃｏｌ）、１−プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラハイドロリックフラン（ｔｅｔｒａ  ｈｙｄｒａｕｌｉｃ  ｆｒａｎｃ）、４−ヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌ）、４−メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、２−ペンタノン（ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１−ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２−ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ−プロピルアルコール（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエチル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）等がある使用され得る。例えば、第１流体供給部材２４２０ａはアンモニア過酸化水素溶液を噴射し、第２流体供給部材２４２０ｂは純水を噴射し、第３流体供給部材２４２０ｃはイソプロパノールアルコール溶液を噴射することができる。
【００５４】
流体供給部材２４２０は、スピンヘッド２４１０に基板Ｓが安着されれば、待機位置から工程位置に移動して基板Ｓの上部に上述した流体を供給することができる。例えば、流体供給部が洗浄剤、リンス剤、有機溶剤を供給するにしたがって、各々ケミカル工程、洗浄工程、第１乾燥工程が遂行できる。このように工程が遂行される間にスピンヘッド２４１０はモーター２４１５によって、回転して基板Ｓの上面へ流体がもれなく提供されるようにすることができる。
【００５５】
回収筒２４３０は、第１工程が遂行される空間を提供し、この過程で使用される流体を回収する。回収筒２４３０は、上部から見る時、スピンヘッド２４１０を囲むように配置され、上部が開放される。工程ユニット２４００には、１つ又は複数の回収筒２４３０が提供され得る。以下では、第１回収筒２４３０ａ、第２回収筒２４３０ｂ、第３回収筒２４３０ｃの３つの回収筒２４３０を有する工程ユニット２４００を例として説明する。但し、回収筒２４３０の数は使用される流体の数及び第１工程の条件にしたがって、これと異なり選択されることもあり得る。
【００５６】
第１回収筒２４３０ａ、第２回収筒２４３０ｂ、及び第３回収筒２４３０ｃは、各々スピンヘッド２４１０を囲む環形のリング形状に提供される。第１回収筒２４３０ａ、第２回収筒２４３０ｂ、第３回収筒２４３０ｃの順にスピンヘッド２４１０の中心から遠くなりながら、配置される。第１回収筒２４３０ａはスピンヘッド２４１０を囲み、第２回収筒２４３０ｂは第１回収筒２４３０ａを囲み、第３回収筒２４３０ｃは第２回収筒２４３０ｂを囲むように提供される。第１回収筒２４３０ａには、第１回収筒２４３０ａの内側空間によって、第１流入口２４３１ａが提供される。第２回収筒２４３０ｂには、第１回収筒２４３０ａと第２回収筒２４３０ｂとの間の空間によって、第２流入口２４３１ｂが提供される。第３回収筒２４３０ｃには、第２回収筒２４３０ｂと第３回収筒２４３０ｃとの間の空間によって、第３流入口２４３１ｃが提供される。各々の回収筒２４３０ａ、２４３０ｂ、２４３０ｃの底面には、第３方向（Ｚ）に沿って下に延長される回収ライン２４３２が連結される。各回収ライン２４３２ａ、２４３２ｂ、２４３２ｃは、各々の回収筒２４３０ａ、２４３０ｂ、２４３０ｃへ回収された流体を排出して外部の流体再生システム（図示せず）へ供給する。流体再生システム（図示せず）は、回収された流体を再使用できるように再生する。
【００５７】
昇降部材２４４０は、ブラケット２４４１、昇降軸２４４２、及び昇降器２４４３を含む。昇降部材２４４０は、回収筒２４３０を第３方向（Ｚ）へ移動させる。いずれか１つの回収筒２４３０の流入口２４３１が、スピンヘッド２４１０に安着された基板Ｓの水平面上に位置するように回収筒２４３０のスピンヘッド２４１０に対する相対高さが変更される。ブラケット２４４１は回収筒２４３０に固定されて設置され、ブラケット２４４１の一端には昇降器２４４３によって、第３方向（Ｚ）へ移動される昇降軸２４４２が固定されて結合される。回収筒２４３０が複数である場合には、ブラケット２４４１は最外殻の回収筒２４３０に結合され得る。昇降部材２４４０は、基板Ｓがスピンヘッド２４１０へローディングされるか、或いはスピンヘッド２４１０からアンローディングされる時、回収筒２４３０が基板Ｓを搬送する移送ロボット２２１０の経路を干渉されないように回収筒２４３０を下へ移動させ得る。
【００５８】
また、昇降部材２４４０は、流体供給部によって、流体が供給され、スピンヘッド２４１０が回転して第１工程が進行される間に、基板Ｓの回転による遠心力によって、基板Ｓから弾き出される流体が回収されるように回収筒２４３０を第３方向（Ｚ）へ移動させて回収筒２４３０の流入口２４３１が基板Ｓと同一な水平面上に位置するように調節することができる。例えば、第１工程が洗浄剤によるケミカル工程が遂行され、リンス剤による洗浄工程が遂行された後、有機溶剤による第１乾燥工程の手順に移行される場合、洗浄剤供給の時には第１流入口２４３１ａを、リンス剤供給の時には第２流入口２４３１ｂを、有機溶剤供給の時には第３流入口２４３１ｃを基板Ｓの水平面に移動させて、第１回収筒２４３０ａ、第２回収筒２４３０ｂ、第３回収筒２４３０ｃが各々の流体を回収するようにする。このように、使用した流体を回収すれば、環境汚染が予防され、また高価の流体を再活用できるので、半導体製造費用が節減される長所がある。
【００５９】
一方、昇降部材２４４０は回収筒２４３０を移動させる代わりにスピンヘッド２４１０を第３方向（Ｚ）へ移動させる構成を有することもあり得る。
【００６０】
図３は、二酸化炭素の相変化に関する図面である。図３を参照して、超臨界流体に対して説明する。
【００６１】
超臨界流体とは、物質が臨界温度と臨界圧力を超過した状態、即ち臨界状態に到達して液体と気体を区分できない状態の流体を意味する。超臨界流体は、分子密度は液体に近いが、粘性度は気体に近い性質を有する。このような超臨界流体は、拡散力、浸透性、溶解力が非常に高いので、化学反応に有利であり、表面張力が非常に低いので、微細構造に界面張力を加えないことによって、半導体素子の乾燥工程の時、乾燥効率が優れ、崩壊現像を回避できて有用に使用され得る。
【００６２】
以下では、基板Ｓの乾燥に主に使用される二酸化炭素ＣＯ２の超臨界流体を基準として説明する。但し、超臨界流体の成分及び種類がこれに限定されることはない。
【００６３】
二酸化炭素は、温度が３１．１℃以上、圧力が７．３８Ｍｐａ以上になれば、超臨界状態になる。二酸化炭素は、毒性が無く、不燃性であり、非活性である特徴を有し、超臨界二酸化炭素は、他の流体に比べて臨界温度と臨界圧力とが低いので、温度と圧力とを調節してその溶解力を制御するのが容易であり、水やその他の有機溶剤と比較して１０〜１００倍くらい拡散係数が低く、表面張力が極めて小さい等乾燥工程に利用するのに有利な物性を有する。また、二酸化炭素は、多様な化学反応の部産物として生成されたことを再活用して使用できるのみでなく、乾燥工程に使用された超臨界二酸化炭素を循環して再利用できるので、環境に悪影響を及ばなく、使用することができる。
【００６４】
図４は、図１の第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【００６５】
図４を参照すれば、第２工程チャンバー２５００は、ハウジング２５１０、加熱部材２５２０、支持部材２５３０を含む。第２工程チャンバー２５００では、第２工程が遂行される。ここで、第２工程は、超臨界流体を利用して基板Ｓを乾燥させる第２乾燥工程であり得る。
【００６６】
ハウジング２５１０の内部は、外部から密閉され、基板Ｓを乾燥する空間を提供する。ハウジング２５１０は、高圧に十分に耐えられる材質で提供される。ハウジング２５１０の内壁と外壁との間には、ハウジング２５１０の内部を加熱する加熱部材２５２０が設置され得る。勿論、加熱部材２５２０の位置は、これに限定されることはなく、これと異なる位置に設置され得る。支持部材２５３０は、基板Ｓを支持する。支持部材２５３０は、ハウジング２５１０の内部に固定されて設置され得る。又は、支持部材２５３０は、固定される代わりに回転が可能である構造に提供されて、支持部材２５３０に安着された基板Ｓを回転させ得る。
【００６７】
超臨界流体供給ユニット３０００は、超臨界流体を生成する。例えば、超臨界流体供給ユニット３０００は、二酸化炭素に臨界温度以上の温度及び臨界圧力以上の圧力を加えて、二酸化炭素の超臨界流体を作る。超臨界流体供給ユニット３０００で生成された超臨界流体は、供給管３００１を通じてハウジング２５１０へ供給される。
【００６８】
供給管３００１は、メイン配管３００２、上部供給管３００３、及び下部供給管３００４を含む。メイン配管３００２の一端は、超臨界流体供給ユニット３０００に連結される。メイン配管３００２の他端には、上部供給管３００３及び下部供給管３００４が分岐される分岐部３００５が形成される。上部供給管３００３の一端は分岐部３００５に連結され、上部供給管３００３の他端はハウジング２５１０の上部に連結される。下部供給管３００４の一端は分岐部３００５に連結され、下部供給管３００４の他端はハウジング２５１０の下部に連結される。供給管３００１には、供給バルブ３０１１、３０１２、３０１３が提供される。メインバルブ３０１１は、メイン配管３００２に位置される。メインバルブ３０１１は、メイン配管３００２の開閉及びメイン配管３００２を流動する超臨界流体の流量を調節することができる。上部バルブ３０１２及び下部バルブ３０１３は、各々上部供給管３００３及び下部供給管３００４に位置される。上部バルブ３０１２及び下部バルブ３０１３は、各々上部供給管３００３及び下部供給管３００４の開閉及び超臨界流体の流量を調節することができる。分岐部３００５とメインバルブ３０１１との間にはフィルター３０１４が提供される。フィルター３０１４は、供給管３００１を流動する超臨界流体にある異物質を取り除く。
【００６９】
排出管４００１は、ハウジング２５１０の内部にある超臨界流体及びガスを外部へ排出する。排出管４００１の一端は、ハウジング２５１０に連結され、排出管４００１の他端は再生ユニット４０００に連結される。排出管４００１には排出バルブ４００２が提供される。排出バルブ４００２は、排出管４００１を開閉する。また、排出バルブ４００２は、排出管４００１を流動する超臨界流体の流量を調節することができる。ハウジング２５１０で排出された超臨界流体は再生ユニット４０００に収容される。再生ユニット４０００は、超臨界流体に含まれる不純物を除去する。一例として、超臨界流体は、不純物が除去された後、超臨界流体供給ユニット３０００へ供給されるか、或いは超臨界流体を貯蔵する容器へ移動され得る。
【００７０】
ベント管５００１は、メイン配管３００２で分岐される。ベント管５００１は、メインバルブ３０１１と分岐部３００５との間で分岐される。供給管３００１の超臨界流体は、ベント管５００１を通じて外部へ排出され得る。一例として、ベント管５００１は、タンク（図示せず）に連結され得る。ベント管５００１を流動した超臨界流体は、タンクに集まれた後、廃棄されることができる。ベント管には、配管を開閉又は超臨界流体の流量を調節するベント調節部材５０００が提供される。
【００７１】
図５は、図４のベント調節部材を示す図面である。
【００７２】
図５を参照すれば、ベント調節部材５０００は開閉バルブ５０１１、チェックバルブ５０１２、及び流量調節部材５０１３を含む。以下、ベント管５００１の供給管３００１に隣接する部分を「前方」と称し、外部へ排出される部分を「後方」と称する。
【００７３】
ベント管５００１は、供給管３００１より圧力が低く形成され得る。例えば、ベント管５００１にはポンプ（図示せず）が提供され得る。ポンプはベント管５００１にある超臨界流体又は気体を外部へ排出する。開閉バルブ５０１１は、ベント管５００１の一地点に提供される。開閉バルブ５０１１は、分岐部３００５に隣接するように位置され得る。開閉バルブ５０１１は、ベント管５００１を開閉する。開閉バルブ５０１１が開放されれば、供給管３００１の超臨界流体はベント管５００１を流動した後、外部へ排出される。また、開閉バルブ５０１１は、ベント管５００１の開放程度を調節して、ベント管５００１を流動する超臨界流体の量を調節することができる。
【００７４】
ベント管５００１の一地点には、チェックバルブ５０１２が提供される。開閉バルブ５０１１は、分岐部３００５とチェックバルブ５０１２との間に位置され得る。また、チェックバルブ５０１２は、開閉バルブ５０１１を基準に分岐部３００５の反対方向に位置され得る。チェックバルブ５０１２は、超臨界流体がベント管５００１で一方向のみに流動するようにする。チェックバルブ５０１２は超臨界流体がベント管５００１で供給管３００１方向に流動することを遮断する。
【００７５】
ベント管５００１には、流量調節部材５０１３が提供される。一例として、流量調節部材５０１３はメータリングバルブであり得る。メータリングバルブは、ベント管５００１の開放程度を調節して、ベント管５００１を流動する超臨界流体の量を調節する。また、流量調節部材５０１３はオリフィスであり得る。オリフィスの内径は、ベント管５００１の内径より小さく形成される。したがって、オリフィスは、ベント管５００１を流動する超臨界流体の量を別の制御無しで調節する。超臨界流体は、オリフィスを通りながら、抑圧される。抑圧された超臨界流体は蒸発しながら、周囲の熱を吸収する。ベント管５００１は、オリフィスを基準に後方が結氷されることができる。開閉バルブ５０１１又はチェックバルブ５０１２が位置されたベント管５００１が結氷されれば、開閉バルブ５０１１又はチェックバルブ５０１２の作動を妨害し得る。したがって、流量調節部材５０１３は開閉バルブ５０１１及びチェックバルブ５０１２の後方に位置されることが望ましい。
【００７６】
図６は、制御器の連結関係を示す図面である。
【００７７】
図６を参照して、制御器６０００がバルブ３０１１、３０１２、３０１３、４００２、５０１１、５０１３を開閉する過程を説明する。バルブ３０１１、３０１２、３０１３、４００２、５０１１、５０１３は、制御器６０００に連結されている。流量調節部材５０１３は、メートルリングバルブで提供される場合、制御器６０００に連結される。チェックバルブ５０１２は、制御器６０００に連結されない。制御器６０００は、バルブ３０１１、３０１２、３０１３、４００２、５０１１、５０１３を制御して、供給管３００１、排出管４００１又はベント管５００１を各々開放又は閉鎖する。
【００７８】
先ず、第２乾燥工程が遂行される過程を説明する。ハウジング２５１０へ搬入された基板Ｓは支持部材２５３０に位置される。ハウジング２５１０に提供されるドア（図示せず）はハウジング２５１０の内部を外部と遮蔽する。以後、ハウジング２５１０の内部へ超臨界流体が供給される。制御器６０００は、排出バルブ４００２及び開閉バルブ５０１１を閉め、メインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を開放する。上部バルブ３０１２及び下部バルブ３０１３はメインバルブ３０１１と同時に開放され得る。したがって、超臨界流体はハウジング２５１０の上部及び下部に同時に供給される。また、上部バルブ３０１２及び下部バルブ３０１３は１つが先ず開放された後、残る１つが開放され得る。したがって、超臨界流体はハウジング２５１０の上部又は下部で先に供給され得る。
【００７９】
ハウジング２５１０の内部に供給された超臨界流体は基板Ｓを乾燥させる。第２乾燥工程が遂行される間に加熱部材２５２０は内部空間を加熱する。加熱部材２５２０の温度は超臨界流体の臨界温度以上であり得る。したがって、第２乾燥工程が遂行される間に超臨界流体は臨界温度以下に下がることが防止され得る。第２乾燥工程が遂行される間に制御器６０００は、排出バルブ４００２を開放することができる。したがって、第２乾燥工程の間にハウジング２５１０の内部の超臨界流体の量は一定の範囲内で維持され得る。この時、超臨界流体の量は、ハウジング２５１０内部の圧力が超臨界流体の臨界圧力より高くなるように制御され得る。
【００８０】
第２乾燥工程が完了されれば、制御器６０００はメインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を閉め、超臨界流体の供給を遮断する。そして、制御器６０００は、排出バルブ４００２を開けてハウジング２５１０の内部の超臨界流体を外部へ排出する。第２乾燥工程が遂行された基板Ｓは、ハウジング２５１０から搬出され、第２乾燥工程が遂行される新しい基板Ｓがハウジング２５１０へ搬入される。制御器６０００は再びハウジング２５１０の内部へ超臨界流体を供給して第２乾燥工程を遂行する。この時、供給管３００１の内部に残留する超臨界流体がハウジング２５１０へ供給され得る。供給管３００１は、臨界温度以下の温度又は臨界圧力以下の圧力を有することができる。したがって、供給管３００１の内部に残留する流体は超臨界状態で気体又は液体状態に変化されることができる。気体又は液体状態の流体がハウジング２５１０へ供給されれば、基板Ｓと衝突して基板Ｓの破損又は基板Ｓの変形を発生させる。したがって、ベント管５００１は供給管３００１に残留する超臨界流体を排出させる。
【００８１】
制御器６０００は、メインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を閉め、開閉バルブ５０１１を開けて供給管３００１に残留する超臨界流体を排出させる。供給管３００１の残留流体排出は、ハウジング２５１０の超臨界流体の排出と順次的に行われ得る。第２乾燥工程が完了されれば、制御器６０００はメインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を閉め、排出バルブ４００２を開けてハウジング２５１０の内部の超臨界流体を排出する。制御器６０００は、基板Ｓの搬出及び新しい基板Ｓが搬入される間に開閉バルブ５０１１を開けて供給管３００１の残留流体を排出する。基板Ｓの搬入が完了されれば、制御器６０００はメインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を開けてハウジング２５１０へ超臨界流体を供給する。供給管３００１の残留流体排出はハウジング２５１０の超臨界流体の排出と同時に遂行できる。制御器６０００は、メインバルブ３０１１、上部バルブ３０１２、及び下部バルブ３０１３を閉め、排出バルブ４００２及び開閉バルブ５０１１を開ける。ハウジング２５１０の内部の超臨界流体は、排出管４００１へ排出され、供給管３００１の残留流体はベント管５００１へ排出される。上部バルブ３０１２及び下部バルブ３０１３が閉じているので、超臨界流体が供給管３００１へ逆流されることが防止される。
【００８２】
本発明の実施形態によれば、供給管に残留する超臨界流体の排出と、超臨界流体供給ユニットからハウジングへの超臨界流体の供給は順次的に行われる。したがって、供給管に残留する超臨界流体がハウジングへ流れ込まれない。基板Ｓの破損が発生することが防止される。
【００８３】
図７乃至図９は他の実施形態によるベント調節部材を示す図面である。
【００８４】
図７乃至図９を参照すれば、図５のベント調節部材５０００でチェックバルブ５０１２又は流量調節部材５０１３は省略され得る。
【００８５】
図７のベント調節部材５１００は開閉バルブ５１０１及び流量調節部材５１０２を含み、図８のベント調節部材５２００は開閉バルブ５２０１及びチェックバルブ５２０２を含み、図９のベント調節部材５３００は開閉バルブ５３００として提供される。図７乃至図９の開閉バルブ５１０１、５２０１、５３００、チェックバルブ５２０２、及び流量調節部材５１０２の動作は図５の開閉バルブ５０１１、チェックバルブ５０１２、及び流量調節部材５０１３と同一である。
【００８６】
図１０乃至図１２は他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【００８７】
図１０を参照すれば、ベント管５４０１は上部供給管３１０３で分岐され得る。ベント管５４０１は分岐部３１０５と上部バルブ３１１１との間で分岐される。超臨界流体供給ユニット３１００、ハウジング２５４０、メイン配管３１０２、上部供給管３１０３、下部供給管３１０４、排出管４１０１、及びベント調節部材５４００の構成は図４乃至図９と同一である。
【００８８】
図１１を参照すれば、ベント管５５０１は下部供給管３２０４で分岐され得る。ベント管５５０１は分岐部３２０５及び下部バルブ３２１３の間で分岐される。超臨界流体供給ユニット３２００、ハウジング２５５０、メイン配管３２０２、上部供給管３２０３、下部供給管３２０４、排出管４２０１、及びベント調節部材５５００の構成は図４乃至図９と同一である。
【００８９】
図１２を参照すれば、ベント管５６０１、５６０２、５６０３は複数に提供され得る。ベント管５６０１、５６０２、５６０３はメイン配管３３０２、上部供給管３３０３、及び下部供給管３３０４で各々分岐されることができる。ベント管５６０１、５６０２、５６０３は、各々メインバルブ３３１１、上部バルブ３３１２及び下部バルブ３３１３と分岐部３３０５との間で各々分岐される。また、ベント管５６０１、５６０２、５６０３はメイン配管３３０２、上部供給管３３０３、及び下部供給管３３０４で２カ所へ選択的に提供され得る。超臨界流体供給ユニット３３００、ハウジング２５６０、メイン配管３３０２、上部供給管３３０３、下部供給管３３０４、排出管４３０１、及びベント調節部材５６００ａ、５６００ｂ、５６００ｃの構成は図４乃至図９と同一である。
【００９０】
図１３は、その他の実施形態による第２工程チャンバーの配管を示す図面である。
【００９１】
図１３を参照すれば、超臨界流体供給ユニット３４００は、供給管３４０１を介してハウジング２５７０に連結される。供給管３４０１には供給バルブ３４０２、３４０３が提供される。前方バルブ３４０２は、超臨界流体供給ユニット３４００に隣接するように位置され、後方バルブ３４０３はハウジング２５７０に隣接するように位置される。ベント管５７０１は前方バルブ３４０２及び後方バルブ３４０３の間で分岐される。また、供給管３４０１は複数に提供され得る。この時、ベント管５７０１は各々の供給管３４０１へ提供され得る。複数の供給管３４０１は、ハウジング２５７０の異なる部分に連結され得る。例えば、１つはハウジング２５７０の上部に連結され、その他の１つはハウジング２５７０の下部に連結され得る。超臨界流体供給ユニット３４００、ハウジング２５７０、ベント調節部材５７００、及び排出管４４０１の構成は図４乃至図９と同一である。
【００９２】
以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことであって解釈されなければならない。
【符号の説明】
【００９３】
１０００  インデックスモジュール、
２０００  工程モジュール、
２１００  バッファチャンバー、
２２００  移送チャンバー、
２３００  第１工程チャンバー、
２５００  第２工程チャンバー、
２５１０  ハウジング、
２５２０  加熱部材、
２５３０  支持部材、
３０００  超臨界流体供給ユニット、
３００１  供給管、
３００２  メイン配管、
４００１  排出管、
５００１  ベント管。
【図１】
0005639686.tif 000002
【図２】
0005639686.tif 000003
【図３】
0005639686.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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