(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードの製造方法において、
仮基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層、及びｐ型窒化物半導体層を形成するステップ；
前記ｐ型窒化物半導体層上にｐ型電極を形成するステップ；
前記ｐ型電極上に導電性基板を形成するステップ；
前記仮基板を除去して、前記ｎ型窒化物半導体層を露出させるステップ；
前記ｎ型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ；
ナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップであって、該ナノインプリントモールドが、半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップ；前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップ；前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップ；及び、前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップを含む製造方法により製造されたものである、半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ；
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ；及び、
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、ｎ型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
さらに、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記ｎ型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第１の屈折率調節層と第２の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする、請求項２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記第１の屈折率調節層は、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、前記第１の屈折率調節層の屈折率は、前記ｎ型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、
前記第２の屈折率調節層は、前記第１の屈折率調節層上に形成され、前記第２の屈折率調節層の屈折率は、前記第１の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記第１の屈折率調節層は、ＺｎＯ、Ａｌ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｇａ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３
、ＣｕＯＸ及びＩＴＯからなる群より選択された１種以上を含むことを特徴とする、請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記第２の屈折率調節層は、ＭｇＯ系酸化物であることを特徴とする、請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記第２の屈折率調節層を構成するＭｇＯ系酸化物は、ＭｇＯに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする、請求項６に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記ｎ型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記ｎ型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする、請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
【請求項１０】
発光ダイオードの製造方法において、
入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層、及びｐ型窒化物半導体層を形成するステップ；
前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記ｎ型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記ｎ型窒化物半導体層の一部を露出させるステップ；
前記ｐ型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップ；
前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップ；
ナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップであって、該ナノインプリントモールドが、半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップ；前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップ；前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップ；及び、前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップを含む製造方法により製造されたものである、半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップ；
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップ；及び、
前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてｐ型電極を形成し、前記ｎ型窒化物半導体層上にｎ型電極を形成するステップを含む、発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記透明電極が、ＩＴＯであることを特徴とする、請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
前記ｐ型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする、請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により製造されたことを特徴とする、発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントモールドの製造方法、この方法により製造されたナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及びこの方法により製造された発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
白色光源窒化ガリウム系発光ダイオードは、エネルギー変換効率が高く、寿命が長く、光の指向性が高く、低電圧駆動が可能であって、予熱時間と複雑な駆動回路が不要であり、また、衝撃や振動に強いことから、多様な形態の高品格照明システムの具現が可能であるため、近いうちに、白熱燈、蛍光燈、水銀燈のような既存の光源を代替する固体照明（ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ ｌｉｇｈｔｉｎｇ）光源として期待されている。窒化ガリウム系発光ダイオードが、従来の水銀燈や蛍光燈に代わって白色光源として用いられるためには、熱的安全性に優れていなければならず、さらには、低消費電力でも高出力の光を発しなければならない。現在、白色光源に広く用いられている水平構造の窒化ガリウム系発光ダイオードは、相対的に製造単価が小さく、作製工程が簡単であるという長所はあるが、印加電流が高く、面積が大きい高出力の光源として用いるには不適切であるという短所がある。このような水平構造の発光ダイオードの短所を克服して、大面積の高出力発光ダイオードの適用が容易な素子が、垂直構造の発光ダイオードである。このような垂直構造の発光ダイオードは、従来の水平構造素子と比べて様々な長所を有している。垂直構造の発光ダイオードでは、電流拡散抵抗が小さく、非常に均一な電流拡散を得ることができるため、より低い作動電圧及び大きい光出力を得ることができ、熱伝導性の良い金属または半導体基板を介して円滑な熱放出が可能であるため、より長い素子寿命及び遥かに向上した高出力作動が可能である。このような垂直構造の発光ダイオードでは、最大の印加電流が、水平構造の発光ダイオードに比べて３倍乃至４倍以上増加するため、照明用の白色光源に広く利用されることが確実視され、現在、日本のＮｉｃｈｉａ ｃｈｅｍｉｃａｌ社、米国のＰｈｉｌｉｐｓ Ｌｕｍｉｌｅｄｓ社、ドイツのＯｓｒａｍ社等のような外国の発光ダイオード先頭企業と、ソウル半導体、三星電機、ＬＧイノテックのような韓国内企業とが、窒化ガリウム系垂直発光ダイオードの商用化及び性能向上のために活発な研究開発を進めており、Ｏｓｒａｍのような一部企業では、既に関連製品の販売を行っている現状である。
【０００３】
窒化ガリウム系垂直発光ダイオードの製造において、素子の光出力を大きく向上することができる部分が、素子上部のｎ型半導体層である。ｎ型半導体層が滑らかな平面である場合、ｎ型半導体層と大気との大きな屈折率差によって（ｎ型半導体層の屈折率は２.４以下で、大気の屈折率は１である。）、大気とｎ型半導体層との界面で全反射が発生し、活性層、すなわち、発光層で発生した光の相当な部分が外部に抜け出ることができなくなるため、高い光出力を期待することができない。したがって、ｎ型半導体層の表面を人為的に変形して全反射が生じることを防止し、最小限の損失で光が外部に抜け出るようにすることが必要である。
【０００４】
このために、従来は、半導体層の表面に半球状のナノ構造物を形成しようとして、Ｓｉｌｉｃａ（ＳｉＯ２）ｎａｎｏｓｐｈｅｒｅまたはｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ ｎａｎｏｓｐｈｅｒｅなどのナノ構造体を半導体層に直接コーティングした後、乾式エッチングを用いて半球状の構造物を半導体層に形成させることにより、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させようとしていた。しかし、このような従来の方法は、ナノ構造体をコーティング及びエッチングするとき、再現性に乏しく、さらにナノ構造体の値段が高くて、大面積への適用に難しい短所があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードを提供することを技術的課題とする。
また、本発明は、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードを提供することを技術的課題とする。
さらに、本発明は、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法を提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような課題を解決すべく、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法は、半導体基板上にナノ構造体をコーティングするステップと、前記ナノ構造体をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、前記半導体基板に半球状のナノパターンを形成するステップと、前記半導体基板に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールドに転写するステップと、前記半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールドを前記半導体基板から分離するステップと、を含んで構成される。
本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさと前記乾式エッチング時間のうちの少なくとも１つを調節して、前記半球状のナノパターンの大きさを調節することを特徴とする。
【０００７】
本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【０００８】
本発明によるナノインプリントモールドの製造方法において、前記半導体基板上にコーティングされるナノ構造体の大きさは、互いに異なることを特徴とする。
【０００９】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法は、仮基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層、及びｐ型窒化物半導体層を形成するステップと、前記ｐ型窒化物半導体層上にｐ型電極を形成するステップと、前記ｐ型電極上に導電性基板を形成するステップと、前記仮基板を除去して、前記ｎ型窒化物半導体層を露出させるステップと、前記ｎ型窒化物半導体層上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングし、ｎ型電極を形成するステップと、を含んで構成される。
【００１０】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、さらに、前記ｎ型窒化物半導体層と前記ナノインプリントレジスト層との間に、前記ｎ型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層を形成するステップを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記屈折率調節層は、前記発光層からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第１の屈折率調節層と第２の屈折率調節層とを順次に積層して形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第１の屈折率調節層は、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成され、前記第１の屈折率調節層の屈折率は、前記ｎ型窒化物半導体層の屈折率よりも小さく、前記第２の屈折率調節層は、前記第１の屈折率調節層上に形成され、前記第２の屈折率調節層の屈折率は、前記第１の屈折率調節層の屈折率よりも小さく、且つ前記ナノインプリントレジスト層の屈折率よりも大きいことを特徴とする。
【００１３】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第１の屈折率調節層は、ＺｎＯ、Ａｌ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｇａ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯＸ及びＩＴＯからなる群より選択された１種以上を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第２の屈折率調節層は、ＭｇＯ系酸化物であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記第２の屈折率調節層を構成するＭｇＯ系酸化物は、ＭｇＯに他の元素を添加して形成された多元化合物であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法において、前記ｎ型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記ｎ型窒化物半導体層が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明の一側面による発光ダイオードは、本発明の一側面による発光ダイオードの製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【００１８】
本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法は、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板上に、ｎ型窒化物半導体層、発光層、及びｐ型窒化物半導体層を形成するステップと、前記ｐ型窒化物半導体層、前記発光層、及び前記ｎ型窒化物半導体層の一部をメサエッチングし、前記ｎ型窒化物半導体層の一部を露出させるステップと、前記ｐ型窒化物半導体層上に透明電極を形成するステップと、前記透明電極上にナノインプリントレジスト層を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールドを前記ナノインプリントレジスト層に加圧し、前記ナノインプリントモールドに形成されている半球状のナノパターンを前記ナノインプリントレジスト層に転写するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層から前記ナノインプリントモールドを分離するステップと、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部をエッチングしてｐ型電極を形成し、前記ｎ型窒化物半導体層上にｎ型電極を形成するステップと、を含んで構成される。
【００１９】
本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法において、前記透明電極がＩＴＯであることを特徴とする。
【００２０】
本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法において、前記ｐ型電極は、前記半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層の一部を、前記透明電極が露出されるようにエッチングした後、前記エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成されることを特徴とする。
【００２１】
本発明の他の側面による発光ダイオードは、本発明の他の側面による発光ダイオードの製造方法により製造されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。
【００２３】
また、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードが提供される効果がある。
【００２４】
さらに、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法が提供される効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来の発光ダイオードにおいて、窒化物半導体層と大気との屈折率差のために、界面で発生する内部全反射により光取り出し効率が低下する現象を説明するための図である。
【図２】本発明において、光の進行経路上に半球状のナノパターンを形成することにより、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させる原理を説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図４】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図５】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図６】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図７】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図８】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【図９】本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法において、半導体基板上にコーティングされているナノ構造体を、電子顕微鏡で撮影した写真である。
【図１０】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１１】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１２】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１３】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１４】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１５】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１６】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１７】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１８】本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図１９】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２０】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２１】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２２】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２３】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２４】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【図２５】本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
先ず、図１と図２を参照し、本発明による光取り出し効率の向上効果を、従来の場合と対比して説明する。
【００２７】
図１は、従来の発光ダイオードにおいて、窒化物半導体層と大気との屈折率差のために、界面で発生する内部全反射によって光取り出し効率が低下する現象を説明するための図である。
【００２８】
図１を参照すると、従来の場合のように滑らかな表面の半導体基板である場合、窒化ガリウム半導体基板の屈折率が約２.５であり、大気の屈折率が１であるため、両層の間の屈折率差が大きく、境界面での全反射に対する臨界角が２３.５度に過ぎない。したがって、半導体内部で発生した光が外部に抜け出ることができずに、内部で消滅してしまい、光取り出し効率が低くなる問題点がある。
【００２９】
図２は、本発明において、光の進行経路上に半球状のナノパターンを形成することにより、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させる原理を説明するための図である。
【００３０】
図２を参照すると、半導体層表面に半球状のナノ構造物を形成する場合、光のいずれの放出方向に対しても臨界角が存在しないため、内部で発生した光が大気中に放出される確率が急激に増加し、発光ダイオードの光取り出し効率を画期的に向上させることができる。
【００３１】
以下においては、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施例を詳しく説明する。
【００３２】
図３乃至図８は、本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法を示した図である。
【００３３】
図３乃至図８を参照すると、本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法は、 半導体基板４０上にナノ構造体５０をコーティングするステップと、このナノ構造体５０をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、半導体基板４０に半球状のナノパターンを形成するステップと、半導体基板４０に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールド６０に転写するステップと、半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールド６０を半導体基板４０から分離するステップと、を含んで構成される。
【００３４】
先ず、図３を参照すると、半導体基板４０上にナノ構造体５０をコーティングする。半導体基板４０は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＳｉＸＧｅ１−Ｘ、窒化ガリウム系半導体からなる群より選択された１種以上を含んでいてもよく、ナノ構造体５０は、ＳｉＯ２またはポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）粉末であってもよい。
【００３５】
次いで、図４乃至図６を参照すると、半導体基板４０上にコーティングされているナノ構造体５０をマスクとして用いた乾式エッチングを通じて、半導体基板４０に半球状のナノパターンを形成する。図６は、露光及び現像工程を経った後、半導体基板４０に半球状のナノパターンが形成された状態を示している。後述するが、このように半球状のナノパターンが形成された半導体基板４０をマスターテンプレートとして用い、ナノインプリンティングのための高分子モールド、すなわち、ナノインプリントモールド６０を作製する。
【００３６】
次いで、図７を参照すると、半導体基板４０に形成されている半球状のナノパターンを、ナノインプリンティング方式でナノインプリントモールド６０に転写する。
【００３７】
次いで、図８を参照すると、半球状のナノパターンが転写されているナノインプリントモールド６０を半導体基板４０から分離する。
【００３８】
このような過程を通じて、最終的に、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントモールド６０が製造され、このナノインプリントモールド６０は、後述する発光ダイオードの製造過程において、ナノパターンを形成するためのマスターテンプレートとして用いられる。
【００３９】
一方、半導体基板４０上にコーティングされるナノ構造体５０の大きさと乾式エッチング時間のうちの少なくとも１つを調節することにより、半球状のナノパターンの大きさを調節することが可能である。
【００４０】
図９は、半導体基板４０上にコーティングされているナノ構造体５０を電子顕微鏡で撮影した写真である。図９の（ａ）は、ナノ構造体の大きさが２５０ｎｍの場合であり、（ｂ）は、ナノ構造体の大きさが５００ｎｍの場合であり、（ｃ）は、ナノ構造体の大きさが１０００ｎｍの場合である。このように、半導体基板にコーティングされるナノ構造体の大きさを調節することにより、ナノインプリントモールドに転写される半球状のナノパターンの大きさを容易に且つ効率的に調節することが可能である。
【００４１】
また、ナノ構造体５０が乾式エッチング過程におけるマスクとして用いられるため、ナノ構造体５０の大きさが半球状のナノパターンの大きさに影響を与える点を考慮して、半導体基板４０上にコーティングされるナノ構造体５０の大きさは、１００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４２】
また、半導体基板４０上にコーティングされるナノ構造体５０の大きさを互いに異なるものとすることにより、半球状のナノパターンの大きさを不規則的にしていてもよい。
【００４３】
図１０乃至図１８は、本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【００４４】
図１０乃至図１８を参照すると、本発明の第１実施例による発光ダイオードの製造方法は、仮基板１００上に、ｎ型窒化物半導体層１１０、発光層１２０、及びｐ型窒化物半導体層１３０を形成するステップと、ｐ型窒化物半導体層１３０上にｐ型電極１４０を形成するステップと、ｐ型電極１４０上に導電性基板１５０を形成するステップと、仮基板１００を除去して、ｎ型窒化物半導体層１１０を露出させるステップと、ｎ型窒化物半導体層１１０上にナノインプリントレジスト層１６０を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド６０をナノインプリントレジスト層１６０に加圧し、半球状のナノパターンをナノインプリントレジスト層１６０に転写するステップと、 半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０からナノインプリントモールド６０を分離するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０の一部をエッチングし、ｎ型電極１７０を形成するステップと、を含んで構成される。
【００４５】
まず、図１０を参照すると、仮基板１００上に、ｎ型窒化物半導体層１１０、発光層１２０、及びｐ型窒化物半導体層１３０を順次に形成する。
【００４６】
次いで、図１１を参照すると、ｐ型窒化物半導体層１３０上にｐ型電極１４０を形成し、このｐ型電極１４０上に導電性基板１５０を形成する。ｐ型電極１４０は、発光層１２０からの光を反射させる機能を併せて遂行する。
【００４７】
次いで、図１２を参照すると、仮基板１００を除去し、ｎ型窒化物半導体層１１０を外部に露出させる。
【００４８】
次いで、図１３を参照すると、ｎ型窒化物半導体層１１０上にナノインプリントレジスト層１６０を、例えば、スピンコーティング（ｓｐｉｎ ｃｏａｔｉｎｇ）方式で形成する。
【００４９】
次いで、図１４及び図１５を参照すると、先に詳述した本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド６０をナノインプリントレジスト層１６０に加圧して、ナノパターンをナノインプリントレジスト層１６０に転写し、ＵＶ及び熱を加えて半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０を硬化させる。
【００５０】
次いで、図１６を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０からナノインプリントモールド６０を分離する。
【００５１】
次いで、図１７を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０の一部を、ｎ型窒化物半導体層１１０が露出されるようにエッチングした後、ｎ型電極１７０を形成する。例えば、このｎ型電極１７０は、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層１６０の一部をｎ型窒化物半導体層１１０が露出されるようにエッチングした後、エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することができる。
【００５２】
一方、本発明の第１実施例は、光取り出し効率をより一層上げるために、さらに屈折率調節層１８０を形成するステップを含むことができる。
【００５３】
すなわち、図１８を参照すると、ナノインプリントレジスト層１６０を形成する前に、ｎ型窒化物半導体層１１０とナノインプリントレジスト層１６０との間に、ｎ型窒化物半導体層１１０の屈折率よりも小さく、且つナノインプリントレジスト層１６０の屈折率よりも大きい屈折率を有する屈折率調節層１８０を形成する。
【００５４】
この屈折率調節層１８０は、発光層１２０からの光を互いに異なる屈折率で屈折させる、第１の屈折率調節層１８１と第２の屈折率調節層１８２とを順次に積層して形成することができる。
【００５５】
第１の屈折率調節層１８１は、ｎ型窒化物半導体層１１０上に形成され、第１の屈折率調節層１８１の屈折率は、ｎ型窒化物半導体層１１０の屈折率よりも小さく、第２の屈折率調節層１８２は、第１の屈折率調節層１８１上に形成され、第２の屈折率調節層１８２の屈折率は、第１の屈折率調節層１８１の屈折率よりも小さく、且つナノインプリントレジスト層１６０の屈折率よりも大きい。このように、ｎ型窒化物半導体層１１０とナノインプリントレジスト層１６０との間に、これらの層の屈折率の中間値に当たる屈折率を有する、第１の屈折率調節層１８１と第２の屈折率調節層１８２を介在させてバッファ層の機能を行わせることにより、光取り出し効率をより一層上げることができる。
【００５６】
例えば、第１の屈折率調節層１８１は、ＺｎＯ、Ａｌ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｉｎ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、Ｇａ−ｄｏｐｅｄ ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯＸ及びＩＴＯからなる群より選択された１種以上を含んでいてもよく、第２の屈折率調節層１８２は、ＭｇＯ系酸化物であってもよい。第２の屈折率調節層１８２を構成するＭｇＯ系酸化物は、ＭｇＯに他の元素を添加して形成された多元化合物であってもよい。第１の屈折率調節層１８１および第２の屈折率調節層１８２として選択されるこれらの物質の屈折率は、共通的に、ｎ型窒化物半導体層１１０の屈折率とナノインプリントレジスト層１６０の屈折率の中間値を有する。
【００５７】
以上で詳しく説明したように、本発明によれば、発光ダイオードの光取り出し効率を向上させるためのナノパターンを、効率的且つ経済的に形成することができるナノインプリントモールドの製造方法、このナノインプリントモールドを用いた発光ダイオードの製造方法、及び発光ダイオードが提供される効果がある。
【００５８】
また、別途の湿式エッチング、乾式エッチングを用いることなくても、光取り出し効率の向上のためのナノパターンを効率的且つ精巧に形成することができる発光ダイオードの製造方法、及びその方法により製造された発光ダイオードが提供される効果がある。
【００５９】
さらに、単純化した工程を通じて、少ない費用で、大面積でナノパターンを形成し、高い光取り出し効率を有する発光ダイオード及びその製造方法が提供される効果がある。
【００６０】
より具体的に、本発明の技術は、大面積工程が可能であるナノインプリント方法を用いて半球状のナノ構造物を形成する技術であって、発光ダイオードの製造工程に直ちに適用可能である。また、垂直構造だけではなく、水平構造の発光ダイオードにも適用することが可能であり、製造工程が簡単で、発光ダイオードの光出力を画期的に向上させ、白色光源窒化ガリウム系発光ダイオードを用いた固体照明時代の到来をさらに繰り上げることができる、省エネルギーで且つ環境にやさしい技術である。
【００６１】
図１９乃至図２５は、本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法を示した図である。
【００６２】
図１９乃至図２５を参照すると、本発明の第２実施例による発光ダイオードの製造方法は、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板２００上に、ｎ型窒化物半導体層２１０、発光層２２０、及びｐ型窒化物半導体層２３０を形成するステップと、ｐ型窒化物半導体層２３０、発光層２２０及びｎ型窒化物半導体層２１０の一部をメサエッチングし、ｎ型窒化物半導体層２１０の一部を露出させるステップと、ｐ型窒化物半導体層２３０上に透明電極２４０を形成するステップと、透明電極２４０上にナノインプリントレジスト層２５０を形成するステップと、本発明によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド６０をナノインプリントレジスト層２５０に加圧し、半球状のナノパターンをナノインプリントレジスト層２５０に転写するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０からナノインプリントモールド６０を分離するステップと、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０の一部をエッチングしてｐ型電極２６０を形成し、ｎ型窒化物半導体層２１０上にｎ型電極２７０を形成するステップと、を含んで構成される。
【００６３】
まず、図１９を参照すると、入射する光を散乱して反射させるためのパターンが形成されている基板２００上に、ｎ型窒化物半導体層２１０、発光層２２０、及びｐ型窒化物半導体層２３０を順次に形成する。基板２００は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板であってもよく、この基板２００に形成されたパターンは、発光層２２０からの光を散乱して反射させるための機能を遂行する。
【００６４】
次いで、図２０を参照すると、ｐ型窒化物半導体層２３０、発光層２２０、及びｎ型窒化物半導体層２１０の一部をメサエッチングし、ｎ型窒化物半導体層２１０の一部を外部に露出させる。
【００６５】
次いで、図２１を参照すると、メサエッチングされたｐ型窒化物半導体層２３０上に透明電極２４０を形成し、この透明電極２４０上にナノインプリントレジスト層２５０を、例えば、スピンコーティング方式で形成する。透明電極２４０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）であってもよい。
【００６６】
次いで、図２２及び図２３を参照すると、先に詳述した本発明の一実施例によるナノインプリントモールドの製造方法により製造されたナノインプリントモールド６０をナノインプリントレジスト層２５０に加圧して、ナノパターンをナノインプリントレジスト層２５０に転写し、ＵＶ及び熱を加えて半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０を硬化させる。
【００６７】
次いで、図２４を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０からナノインプリントモールド６０を分離する。
【００６８】
次いで、図２５を参照すると、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０の一部を、透明電極２４０が露出されるようにエッチングした後、ｐ型電極２６０を形成し、ｎ型窒化物半導体層２１０上にｎ型電極２７０を形成する。例えば、このｐ型電極２６０は、半球状のナノパターンが形成されたナノインプリントレジスト層２５０の一部を、透明電極２４０が露出されるようにエッチングした後、エッチングされた領域に導電性物質を蒸着して形成することができ、ｎ型電極２７０は、メサエッチングの後に残っているｎ型窒化物半導体層２１０上に形成することができる。
【００６９】
以上で本発明に関する技術思想を、添付の図面とともに詳述したが、これは、本発明の好ましい実施例を例示的に説明したものであって、本発明を限定するものではない。また、この技術分野における通常の知識を有する者であれば、誰でも、本発明の技術思想の範疇を離脱しない範囲内で多様な変形及び模倣が可能であることは言うまでもない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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