(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ素子がアレイ状に並べられて成る半導体レーザアレイを搭載するレーザ光源モジュールにおいて、
ステムと、
前記ステムに立設された複数の給電用リードピンと、
前記ステム上に実装されたヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に実装されたサブマウント基板と、
前記サブマウント基板上に実装され、前記半導体レーザアレイを実装するとともに、該半導体レーザアレイの給電路を構成し、前記給電用リードピンと電気的に接合された第１リードフレームと、
前記サブマウント基板上に前記第１リードフレームと並べて配設され、前記半導体レーザアレイの給電路を構成し、他の前記給電用リードピンと電気的に接合された第２リードフレームと、
前記半導体レーザアレイと前記第２リードフレームとを電気的に接合するワイヤと
を備え、
前記サブマウント基板は、ＡｌＮまたはＳｉＣで作製され、前記半導体レーザアレイは、ＧａＡｓで作製され、第１リードフレームは、ＣｕＷで作製され、前記第２リードフレームは、Ｃｕで作製されることを特徴とするレーザ光源モジュール。
【請求項２】
前記第１リードフレームの板厚ａ、前記第２リードフレームの板厚ｂ、及び前記半導体レーザアレイの板厚ｃとの関係が、
ａ＜ｂ＜ａ＋ｃ
であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ光源モジュール。 
【請求項３】
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとが、前記給電用リードピンに直接接合されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ光源モジュール。 
【請求項４】
前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとが、リボン或いはワイヤを介して前記給電用リードピンに接合されている
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ光源モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の半導体レーザ素子がアレイ状に並べられて成る半導体レーザアレイを搭載するレーザ光源モジュールに関するものであり、特にモジュールの消費電力の低減、及びレーザ素子に負荷される応力の低減に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上述のレーザ光源モジュールは、レーザビームの光軸と直交する方向に複数配列された半導体レーザアレイ、絶縁性材料にて作製され給電回路パターンが形成されたサブマウント基板、銅などの熱伝導率の高い材料にて作製されたヒートシンク、及び複数の給電用リードピンが並んで立設されたステムにより構成される。なお、半導体レーザアレイはサブマウント基板上に実装され、サブマウント基板はヒートシンク上に実装され、ヒートシンクはステム上に実装されている。そして、リードピンとサブマウント基板、サブマウント基板とアレイ半導体レーザ素子とをそれぞれ、ワイヤボンドもしくは半田接合などの方法により電気的に接合し、リードピンに電流を印加することで、半導体レーザアレイが駆動してレーザ光を出力することができる。【０００３】
レーザ素子には、実装されているサブマウント基板との線膨張係数の違いにより、駆動して温度上昇すると応力が負荷される。アレイ半導体レーザ素子の場合、レーザ素子が一つであるものと比較して素子寸法が大きく、各レーザ素子に作用する応力も相対的に大きくなる。また、レーザ素子は温度により発振波長が変化すること、高温となると信頼性が低下することから、半導体レーザアレイ内の温度を適正温度にて可能な限り均一にすることが望ましい。【０００４】
上記のような理由から、従来、半導体レーザアレイもしくはサブマウント基板を実装するヒートシンク部材の材料として、銅タングステン（以降、ＣｕＷ）をはじめとする、熱伝導性が高く、かつ、半導体レーザアレイと線膨張係数が近い材料を用いることが提案されている。例えば、特許文献１および特許文献２には、半導体レーザアレイと水冷却構造との間にＣｕＷの板部材を介在させる構造が提案されている。【０００５】
また、特許文献３には、サブマウント材料をＣｕＷとして、このサブマウント上に、絶縁基板および給電路となる銅（以降、Ｃｕ）にて作製された板部材、及び半導体レーザアレイを実装し、半導体レーザアレイの電極と給電路とをワイヤボンドで電気的に接合する構造が提案されている。このような構造のレーザ光源モジュールにおいては、電気抵抗の小さいＣｕＷサブマウントならびにＣｕ板部材を給電路として用いることにより、大電流を流した場合でも給電路の消費電力および発熱量を小さくすることができる。【０００６】
【特許文献１】特許第３８１６１９４号明細書
【特許文献２】特開２００７−２２１１０９号公報
【特許文献３】特開２００６−１２８２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１や特許文献２に提案されているものように、絶縁性材料のサブマウント上に、蒸着やめっきなどの方法で形成した回路パターンにて給電路を構成して、サブマウントの下にＣｕＷなどのヒートシンクを配置した場合、半導体レーザアレイに負荷される応力は軽減されるが、給電路における発生熱量が大きくなる。そのため、モジュールの冷却能力を大きくするような措置が必要であった。また、給電路における消費電力が大きくなることから、モジュールの消費電力が大きくなるという問題点もあった。【０００８】
一方、特許文献３のものように、サブマウント材料をＣｕＷをとして、サブマウント上に絶縁板とＣｕ板とを積み上げて実装し、また、それらに並設して半導体レーザアレイを実装した場合、一般的に、半導体レーザアレイの厚さは０．１ｍｍ程度であり、また、窒化アルミニウム（以降、ＡｌＮ）、炭化ケイ素（以降、ＳｉＣ）などの絶縁板材の板厚は０．１〜１.０ｍｍ程度であることから、ＣｕＷの板材料上にそれらを実装した場合、半導体レーザアレイの上面高さより絶縁板上面高さは高がなり、ダイボンダの汎用ヘッドで実装する場合、ヘッド干渉により半導体レーザアレイの実装順番を最後とすることができず、結果、絶縁板ならびにＣｕ板を実装する際の加熱により半導体レーザアレイを接合している半田が溶融して半導体レーザアレイの実装位置がずれるという問題点もあった。【０００９】
また、実装面積が小さく、高精度、高出力用途に向くＣＡＮパッケージに搭載されるレーザ光源モジュールにおいては、バタフライパッケージなどに搭載されるものに比べてさらなる省スペース化が要求されていた。【００１０】
この発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、半導体レーザアレイに負荷される応力の低減ならびに発熱量の低減を省スペースで実現でき、例えばＣＡＮパッケージへの搭載に適したレーザ光源モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明に係るレーザ光源モジュールは、複数の半導体レーザ素子がアレイ状に並べられて成る半導体レーザアレイを搭載するレーザ光源モジュールにおいて、ステムと、前記ステムに立設された複数の給電用リードピンと、熱伝導性に優れた材料で作製され、前記ステム上に実装されたヒートシンクと、絶縁性に優れた材料で作製され、前記ヒートシンク上に実装されたサブマウント基板と、電気伝導性及び熱伝導性に優れ且つ前記半導体レーザアレイと同程度の線膨張係数の材料で作製され、前記サブマウント基板上に実装され、前記半導体レーザアレイを実装するとともに、該半導体レーザアレイの給電路を構成し、前記給電用リードピンと電気的に接合された第１リードフレームと、電気伝導性及び熱伝導性に優れた材料で作製され、前記サブマウント基板上に前記第１リードフレームと並べて配設され、前記半導体レーザアレイの給電路を構成し、他の前記給電用リードピンと電気的に接合された第２リードフレームと、前記半導体レーザアレイと前記第２リードフレームとを電気的に接合するワイヤとを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るレーザ光源モジュールによれば、絶縁性に優れた材料のサブマウント基板上に、電気伝導性、熱伝導性に優れ、かつ半導体レーザアレイと同程度の線膨張係数を有する材料で構成された第１リードフレームならびに電気伝導性に優れた材料で構成された第２リードフレームを並べて実装し、さらに第１リードフレーム上に半導体レーザアレイを実装して、第１リードフレームおよび第２リードフレームを給電路として使用する構成とすることで、モジュール温度上昇に伴う半導体レーザアレイとサブマウント基板との線膨張係数差による半導体レーザアレイに負荷される応力を低減する効果、サブマウント基板上に蒸着した回路パターンの場合と比較して給電路で発生する消費電力を低減する効果、ならびに半導体レーザアレイ７で発生する熱量を均一化する効果を同時に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明に係るレーザ光源モジュールの実施の形態１の斜視図である。
【図２】図２は、実施の形態１のレーザ光源モジュールの要部の正面図である。
【図３】図３は、実施の形態１のレーザ光源モジュールのボンディングの様子を示す側面方向から見た一部を断面とする側面図である。
【図４】図４は、実施の形態１のレーザ光源モジュールの各部材間の厚さの関係を説明する要部の断面図である。
【図５】図５は、本発明に係るレーザ光源モジュールの実施の形態２の斜視図である。
【符号の説明】
【００１４】
１  ステム
２Ａ，２Ｂ  給電用リードピン
３  ヒートシンク
４  サブマウント基板
５，５Ｂ  第１リードフレーム
６，６Ｂ  第２リードフレーム
７  半導体レーザアレイ
８  ワイヤ
９  リボン
１１  ダイボンダヘッド
１００，１０１  レーザ光源モジュール
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係るレーザ光源モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。【００１６】
実施の形態１．
図１は本発明に係るレーザ光源モジュールの実施の形態１の斜視図である。図１において、本実施の形態のレーザ光源モジュール１００は、ステム１と、ステム１に立設された２対の給電用リードピン２Ａ，２Ａ，２Ｂ，２Ｂと、熱伝導性に優れた材料で作製されステム１上に実装されたヒートシンク３と、絶縁性に優れた材料で作製されヒートシンク３上に実装されたサブマウント基板４とを有する。【００１７】
さらに、レーザ光源モジュール１００は、サブマウント基板４上に実装され、上面に半導体レーザアレイ７を実装して、半導体レーザアレイ７の正負いずれか一方の電極が接続される第１リードフレーム５と、サブマウント基板４上に第１リードフレーム５と並べて配設され、半導体レーザアレイ７の他方の電極が接続される第２リードフレーム６と、半導体レーザアレイ７と第２リードフレーム６とを電気的に接合するワイヤ８とをさらに有する。第１リードフレーム５は、電気伝導性及び熱伝導性に優れ且つ半導体レーザアレイ７と同程度の線膨張係数の材料で作製され、半導体レーザアレイ７を実装するとともに、この半導体レーザアレイ７の給電路を構成する。第２リードフレーム６は、電気伝導性及び熱伝導性に優れた材料で作製され、半導体レーザアレイ７の給電路を構成する。【００１８】
ステム１は、金属材料より構成される板状部材であり、半導体レーザアレイ７への給電線となる給電用リードピン２Ａ，２Ａ，２Ｂ，２Ｂが、ガラス封止により固定されている。また、ヒートシンク３は、ステム１に半田付け等の方法により実装固定されている。ヒートシンク３上面にはＡｌＮ、ＳｉＣなどの絶縁性に優れた材料により作製され、上面に電気回路パターンが形成されたサブマウント基板４が、半田付け等の方法により実装固定されている。【００１９】
サブマウント基板４に形成された回路パターン上に第１リードフレーム５と第２リードフレーム６とが実装されている。第１リードフレーム５は、半導体レーザアレイ７の材料であるガリウム砒素（以降、ＧａＡｓ）と線膨張係数が近く、熱伝導性が高く、かつ、電気抵抗が小さいＣｕＷなどの材料で作製されている。第１リードフレーム５は、平板をコの字状に折り曲げた形状を成し、主面をサブマウント基板４に固定された平板状の主部５ａと、主部５ａの両端から直角に折れ曲がって立設する折り曲げ部５ｂ，５ｃから構成されている。第１リードフレーム５は、折り曲げ部５ｂ，５ｃを給電用リードピン２Ａ，２Ａに半田付け等の方法により電気的、機械的に接合されている。【００２０】
第２リードフレーム６は、熱伝導性が高く、かつ、電気抵抗が小さいＣｕなどの材料で構成され、第１リードフレーム５と同じように、平板をコの字状に折り曲げた形状を成し、主面をサブマウント基板４に固定された平板状の主部６ａと、主部６ａの両端から直角に折れ曲がって立設する折り曲げ部６ｂ，６ｃから構成されている。第２リードフレーム６は、折り曲げ部６ｂ，６ｃを給電用リードピン２Ｂ，２Ｂに半田付け等の方法により電気的、機械的に接合されている。【００２１】
半導体レーザアレイ７は、複数の半導体レーザ素子が並列配置された構造を成し、上下面に電極を有している。半導体レーザアレイ７の下面電極は、発光方向がステム１と反対方向となるように第１リードフレーム５に半田付け等の方法により電気的、機械的に接続されている。一方、半導体レーザアレイ７の上面電極は、第２リードフレーム６と、金（以降、Ａｕ）などの材料で作製されたワイヤ８を用いて、ワイヤボンディングなどの方法で電気的に接続されている。【００２２】
なお、第１リードフレーム５及び第２リードフレーム６の板厚はそれぞれ下記の式を満たすように選定されている。【００２３】
ａ＜ｂ＜ａ＋ｃ
ａ：第１リードフレーム５の板厚
ｂ：第２リードフレーム６の板厚
ｃ：半導体レーザアレイ７の板厚【００２４】
次に動作について説明する。半導体レーザアレイ７が、ジャンクション（アノード(陽極))ダウンで実装されている例について説明する。なお、実装方向がジャンクションアップの場合でも給電経路が逆になるだけで構成および効果が変わるものではない。【００２５】
半導体レーザアレイ７がジャンクションダウンで実装されていた場合、リードピン２Ａ→第１リードフレーム５→半導体レーザアレイ７→ワイヤ８→第２リードフレーム６→リードピン２Ｂという給電経路により電流を流すことにより、半導体レーザアレイ７に電流が流れ、レーザ光が発振、放射される。【００２６】
図２は本実施の形態のレーザ光源モジュール１００の要部の正面図である。図２において、第２リードフレーム６やリードピン２Ｂは省略している。レーザ光源モジュール１００に電流が負荷されて駆動すると、レーザ光として外部に放出するエネルギ以外は熱として消費され、半導体レーザアレイ７は発熱する。また、前記の給電経路に含まれる半導体レーザアレイ７以外の構成要素についても、各々の電気抵抗値および電流値に応じて発熱する。結果、特に給電経路となっている部品については給電前と比較して温度上昇する。【００２７】
ここで、半導体レーザアレイ７はＧａＡｓ、第１リードフレーム５はＣｕＷ、サブマウント基板４はＡｌＮ、ヒートシンク３はＣｕをそれぞれ主成分として作製されている。それぞれの材料の線膨張係数は、ＧａＡｓがα＝６．６３×１０−６［ｍｍ／ｍｍ］、ＣｕＷがβ＝６．５×１０−６［ｍｍ／ｍｍ］、およびＡｌＮがρ＝４．８×１０−６［ｍｍ／ｍｍ］とそれぞれ異なっている。結果、温度変動により前記半導体レーザアレイ７、第１リードフレーム５、及びサブマウント基板４は膨張もしくは収縮しようとする。【００２８】
本実施の形態においては、半導体レーザアレイ７は、第１リードフレーム５上に接合されていることから、両者の接合部に着目した場合、半導体レーザアレイ７および第１リードフレーム５は接合部の長さＬに対してそれぞれ下記の量だけ相対的に移動（膨張）しようとする。【００２９】
半導体レーザアレイ７の膨張量△Ｘ＝α×△Ｔ×Ｌ
第１リードフレーム５の膨張量△Ｙ＝β×△Ｔ×Ｌ【００３０】
このとき、半導体レーザアレイ７および第１リードフレーム５の膨張量には材料の線膨張係数に応じた差異△Ｙ−△Ｘがあることから、材料接合部にはせん断応力が生じ、材料そのものにも引張りもしくは圧縮応力が負荷される。半導体レーザに高い応力が負荷されると、動作時に半導体レーザ基板に転移が発生、成長して活性層に達することで出力が減じる現象（ＤＬＤ：Ｄａｒｋ  Ｌｉｎｅ  Ｄｉｆｅｃｔ）が生じたり、クラック等の進展により半導体レーザ基板が破断したりする現象が生じる。【００３１】
なお、本実施の形態によらない従来のレーザ光源モジュールでは、サブマウント基板上に直接半導体レーザアレイが接合されることから、サブマウント基板の膨張量を△Ｚとすると、サブマウント基板の構成材料であるＡｌＮの線膨張係数は、ＣｕＷと比較して半導体レーザアレイ７の構成材料であるＧａＡｓの線膨張係数との差異が大きくなる。結果、温度変動が生じた際の膨張量の差異△Ｚ−△Ｘも大きくなることから、本実施の形態のレーザ光源モジュール１００は、従来の半導体レーザアレイと比較して負荷される応力が小さくなり、ＤＬＤやクラック進展が生じにくくなって信頼性が向上する。【００３２】
図３は本実施の形態のレーザ光源モジュール１００のボンディングの様子を示す側面方向から見た一部を断面とする模式図である。半導体レーザアレイ７は、第１リードフレーム５上に半田等により電気・機械的に接合されている。また、第１リードフレーム５ならびに第２リードフレーム６はサブマウント基板４上に半田等により機械的に接合されている。ここで、これらデバイスの接合は、ダイボンダと呼ばれる装置により、ワークのハンドリングおよび加熱、ダイボンド材となる半田等の供給といった作業を行うのが一般的である。ワーク加熱・加圧用に汎用ヘッドを用いた場合、ボンディングヘッド１１の外形はチップサイズより大きいことから、周囲近傍に実装しようとするワーク高さと同じか、もしくはワーク高さより高い物体がある場合ヘッドが干渉する。【００３３】
本実施の形態においては、上述のように、第１リードフレーム５の板厚をａ、第２リードフレーム６の板厚をｂ、半導体レーザアレイ７の板厚をｃとしたとき、ａ＜ｂ＜ａ＋ｃを満たす厚さとしたことから、第１リードフレーム５、第２リードフレーム６、半導体レーザアレイ７の順番で実装することにより、汎用ヘッドを用いた場合でもボンディングヘッド１１とワークの干渉を生じることなく、第１リードフレーム５、第２リードフレーム６、および、半導体レーザアレイ７を実装することができる。また、半導体レーザアレイ７を最後に実装することができることから、実装時の加熱による半田溶融およびそれに伴う実装位置ズレを生じることがなく、半導体レーザアレイ７の実装精度を向上することができる。【００３４】
図４は本実施の形態のレーザ光源モジュール１００の各部材間の厚さの関係を説明する側面方向から見た要部の断面図である。本実施の形態においては、サブマウント基板４上に給電路としてそれぞれ第１リードフレーム５および第２リードフレーム６を実装し、第１リードフレーム５上に半導体レーザアレイ７を実装したことから、半導体レーザアレイ７上面（電極面)と第２リードフレーム６上面の高さ位置をほぼ等しい状態とすることができることから、ワイヤ８の長さを短くすることができ、結果、レーザ光源モジュール１００に電流を負荷した場合のワイヤ８部における消費電力を小さくすることができる。【００３５】
以上のように本実施の形態のレーザ光源モジュール１００によれば、絶縁性に優れた材料のサブマウント基板４上にＣｕＷなど電気伝導性、熱伝導性に優れ、かつ半導体レーザアレイ７と同程度の線膨張係数を有する材料で構成された第１リードフレーム５ならびにＣｕなど電気伝導性に優れた材料で構成された第２リードフレーム６を並べて実装し、さらに第１リードフレーム５上に半導体レーザアレイ７を実装して、第１リードフレーム５および第２リードフレーム６を給電路として使用する構成とすることで、モジュール温度上昇に伴う半導体レーザアレイ７とサブマウント基板４との線膨張係数差による半導体レーザアレイ７に負荷される応力を低減する効果、サブマウント基板４上に蒸着した回路パターンの場合と比較して給電路で発生する消費電力を低減する効果、ならびに半導体レーザアレイ７で発生する熱量を均一化する効果を同時に実現する。【００３６】
また、第１リードフレーム５および第２リードフレーム６を給電路として用いるので、給電路が、通常の蒸着やめっき等の方法により形成した回路パターンで成るものと比較して断面積が大きい。すなわち電気抵抗が小さい給電路となることから、大電流を供給する場合でも給電路における消費電力および発熱量を小さくすることができる。また、半導体レーザアレイ７が実装される第１リードフレーム５は、ＣｕＷ等の線膨張係数が半導体レーザアレイ７と同等の材料で構成されていることから半導体レーザアレイ７に負荷される応力値を低減できる。同時に第１リードフレーム５は熱伝導率が高い材料でもあることから、半導体レーザアレイ７より発生する熱を拡散し温度分布を均一にでき、半導体レーザアレイ７の各エミッタにおいて発振波長ならびに発振効率のばらつきをなくした安定した出力を得ることができる。【００３７】
第１リードフレーム５の板厚ａ、第２リードフレーム６の板厚ｂ、半導体レーザアレイ７の基板厚ｃとの関係をａ＜ｂ＜ａ＋ｃとなるように選定したことから、汎用のボンダを使用して、第１リードフレーム５、第２リードフレーム６、半導体レーザアレイ７の順番に実装した場合に、ボンダのピックアップツールが前に実装した他の部材に干渉することがなく、各部材の実装が容易となる。また、半導体レーザアレイ７を最後に実装できることにより、半導体レーザアレイ７の実装後の加熱により半導体レーザアレイ７の実装位置がずれることがなく、かつ、加熱回数が１回のみで済むことから、半導体レーザアレイ７の信頼性が向上する。【００３８】
また、第２リードフレーム６を設けられたことにより、半導体レーザアレイ７上面電極と第２リードフレーム６上面の高さ位置の差異を、それぞれの板厚の関係をｂ≒ａ＋ｃとすることにより、第２リードフレーム６がない場合と比較して小さくできる。これにより、半導体レーザアレイ７上面電極と第２リードフレーム６上面とをワイヤボンドで電気的に接続する際、高さ位置の差異が小さい分ワイヤの長さを短くすることができ、電気抵抗値を小さくでき、結果、消費電力を小さくすることができる。【００３９】
なお、本実施の形態においては、リードピン２の位置を半導体レーザアレイ７上方としたことから、第１リードフレーム５ならびに第２リードフレーム６をコの字形状としたが、リードピン位置を半導体レーザアレイ７側面方向として、リードフレームをコの字の形状以外に加工する、もしくは加工することなく板形状として使用しても良い。【００４０】
実施の形態２．
図５は本発明に係るレーザ光源モジュールの実施の形態２の斜視図である。図５において、本実施の形態のレーザ光源モジュール１０１においえは、第１リードフレーム５Ｂならびに第２リードフレーム６Ｂは、コの字形状ではなく板状を成している。また、第１リードフレーム５Ｂならびに第２リードフレーム６Ｂとリードピン２とは、リボン９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄにより電気的に接合されている。その他の構成は実施の形態１と同一であり、同一番号を付した構成の説明は省略する。【００４１】
次に動作について説明する。ただし、実施の形態１と異なる動作のみを説明し、同様の動作については説明を省略する。半導体レーザアレイ７がジャンクションダウンで実装されていた場合、リードピン２Ａ→リボン９ａ，９ｂ→第１リードフレーム５Ｂ→半導体レーザアレイ７→ワイヤ８→第２リードフレーム６Ｂ→リボン９→リードピン２Ｂという給電経路により電流を流すことにより、半導体レーザアレイ７に電流が流れ、レーザ光が発振、放射される。【００４２】
本実施の形態においては、リボン９などにより第１リードフレーム５Ｂならびに第２リードフレーム６Ｂとリードピン２を接合する場合、第１リードフレーム５Ｂならびに第２リードフレーム６Ｂの実装精度によらず両者を電気的に接合することができる。これにより、生産性が向上する。【００４３】
なお、実施の形態１で示した構成と実施の形態２で示した構成を２つの給電路において組み合わせて適用しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上のように、本発明にかかるレーザ光源モジュールは、省スペース化が要求されるレーザ光源モジュールに適用されて有用なものであり、特にＣＡＮパッケージへ搭載されるレーザ光源モジュールに適用されて好適なものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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