(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で、前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記モールドと前記基板を更に近づけた後、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開する工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルと、再開された前記位置合わせの制御に用いる駆動プロファイルとは異なることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記駆動プロファイルは、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させるためのプロファイルであり、
前記駆動プロファイルは、前記モールド保持部と前記基板保持部の少なくとも一方の加速度、速度、駆動電圧、駆動電流の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記位置合わせの制御において、停止する前の前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータと、再開された前記位置合わせの制御に用いる制御パラメータとは異なることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記制御パラメータは、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動するための制御に用いるパラメータであり、
前記制御パラメータは、ＰＩＤパラメータ、フィードフォワードパラメータ、フィルターパラメータの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記位置合わせの制御を停止する工程において、前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出し、該検出結果に基づいて前記位置合わせの制御を停止することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とするインプリント方法。
【請求項８】
モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止し、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記モールドと前記基板が更に近づけた後で、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出するための接触検出部を備え、前記制御部は、前記接触検出部により前記モールドと前記パターン形成層との接触を検出した後に、前記位置合わせの制御を停止することを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
請求項１から７のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて前記基板上のパターン形成層に、前記モールドに形成された前記パターンを転写する工程と、
前記工程で前記パターンが転写された前記パターン形成層をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法及びインプリント装置、インプリント方法を用いた部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、モールド上の微細な構造を樹脂や金属等の被加工部材に転写する微細加工技術が開発され、注目を集めている（例えば、非特許文献１参照）。
この技術は、ナノインプリントあるいはナノエンボッシングなどと呼ばれ、数ｎｍオーダーの加工分解能を持つ。このため、ステッパ、スキャナ等の光露光機に代わる次世代の半導体製造技術としての応用が期待されている。
また、立体構造をウエハレベルで一括加工可能なため、フォトニッククリスタル等の光学素子やμ−ＴＡＳ等のバイオチップの製造技術として等々、幅広い分野への応用が期待されている。
【０００３】
このようなナノインプリントによるパターン転写技術では、例えば、半導体製造技術等に用いるに際し、次のようにしてモールド表面の微細構造をワークに転写する。
まず、ワークを構成する被加工部材である基板（例えば半導体ウエハ）上に光硬化型の樹脂層を形成する。
次に、所望の凹凸パターンによる微細構造が形成されたモールドをワークに合わせて、モールドと基板の間に紫外線硬化樹脂を充填した後、紫外線を照射することで樹脂を硬化させる。
これにより樹脂層に上記モールドの微細構造が転写される。
この樹脂層をマスクとしてエッチング等を行うことにより、上記基板へ上記モールドの微細構造が形成される。
【０００４】
このような半導体の製造においては、モールドと基板の位置合わせが必要である。
例えば、半導体のプロセスルールが１００ｎｍ以下になるような昨今の状況において、装置に起因する位置合わせ誤差の許容範囲は数ｎｍ〜数十ｎｍと言われている。
この位置合わせ方法として、特許文献１には、２つの波長の光、すなわち、第１と第２の異なる波長の光では焦点距離が違うことを用いる技術が記載されている。
モールドと基板が特定のギャップの時に、第１の波長でモールド表面のマークを撮像素子に結像させ、第２の波長で基板表面のマークを同じ撮像素子に結像させる。
モールド表面のマークと基板表面のマークを観察することでモールドと基板の面内位置合わせを行う。
【非特許文献１】Ｓｔｅｐｈａｎ  Ｙ．Ｃｈｏｕ  ｅｔ．ａｌ．，  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ，Ｖｏｌ．６７，Ｉｓｓｕｅ  ２１，ｐｐ．  ３１１４−３１１６（１９９５）．
【特許文献１】米国特許第６６９６２２０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、昨今の高精細な微細加工に対する要求が高まる中、上記ナノインプリントによる転写精度の向上と転写速度の向上が求められている。
しかしながら、上記特許文献１等に開示されている位置合わせ方法では、このような要求に対して必ずしも満足の得られるものではない。
すなわち、上記特許文献１の方法では、モールドのマークと、基板のマークを用いた面内位置合わせにおいて次のような問題が生じる。
【０００６】
ナノインプリントによるパターン転写では、従来の光露光機を用いた転写（露光）方法と異なり、前述したようにモールド上の微細構造をワーク（被加工部材）に接触させて転写することが必要となる。
このような転写を行うプロセスにおいては、モールドとワークの光硬化樹脂が接触する際の過渡期において、モールドと樹脂との接触界面が不安定な状態になる場合がある。
または、モールドとワーク上の光硬化樹脂とが接触する前後において、位置合わせのための計測や駆動に関する様々な物理条件が変化する場合がある。
そして、本発明者らは、インプリントの際にアライメントに関する制御条件に関して、モールドと樹脂とが非接触の状態から接触状態を経て、当該樹脂を硬化させる過程に至るまでの間、当該制御条件が不変であると不都合が生じる可能性があるとの認識に至った。
例えば、モールド表面のマークと基板表面のマークとを観察して、モールドと基板の面内位置合わせを行う場合を考える。
観察して得られる計測結果にエラーが生じているにもかかわらず、当該エラーが無い場合の制御条件で位置合わせフィードバック制御を行うと、結果として誤動作につながる可能性がある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑み、インプリントプロセスにおけるアライメントに関する制御条件を工夫し、より好適なアライメント制御が可能となるインプリント方法及びインプリント装置、インプリント方法を用いた部材の製造方法の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインプリント方法は、モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で、前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記位置合わせの制御を停止した状態で前記モールドと前記基板を更に近づけた後、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開する工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のインプリント方法は、モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント方法であって、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールドと前記基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させる工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止する工程と、
前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づける工程と、
前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させる工程と、
前記パターン形成層が硬化した後に、前記モールドと前記基板の間隔を広げる工程と、を有し、
前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記硬化させる工程までに、前記位置合わせの制御を再開する工程を有し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のインプリント装置は、モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した後に前記位置合わせの制御を停止し、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記位置合わせの制御を停止した状態で前記モールドと前記基板が更に近づけた後で、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のインプリント装置は、モールドと基板の位置合わせの制御を行って、前記基板上のパターン形成層に前記モールドに形成されたパターンを転写するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するためのモールド保持部と、
前記基板を保持するための基板保持部と、
前記位置合わせの制御を開始した後、前記位置合わせの制御を行いながら前記モールド保持部に保持されるモールドと前記基板保持部に保持される基板を近づけることにより、前記モールドと前記パターン形成層を接触させ、前記パターン形成層とが接触する前に前記位置合わせの制御を停止し、前記パターン形成層に接触した前記モールドと前記基板を更に近づけ、前記モールドと前記基板が更に近づいた状態で前記パターン形成層を硬化させるように制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記モールドと前記パターン形成層とが接触した状態で、前記モールドと前記基板との位置合わせが要求する精度を満たさない場合に、前記パターン形成層を硬化させるまでに、前記位置合わせの制御を再開し、
前記位置合わせの制御は、前記基板の面内方向において、前記モールドを保持するためのモールド保持部と前記基板を保持するための基板保持部との少なくとも一方を目標位置へ駆動させる制御であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、インプリントプロセスにおける、より好適なアライメント制御を行なうことができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、本実施形態に係るインプリント方法に関して説明する。
ここでいうインプリント方法とは、基板上のパターン形成層に、モールドが有するインプリントパターンをインプリントする方法である。
具体的には、下記の第１から第４のステップを有する。
第１のステップ：位置合わせ制御を行いながら前記基板と前記モールドの位置合わせを行う。
第２のステップ：前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる。
第３のステップ：前記パターン形成層を硬化させる。
第４のステップ：前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする。
ここで、第２のステップにおけるモールドとパターン形成層との接触とは、モールドとパターン形成層とが直接接触する場合、両者が離型層を介して間接的に接触する場合の両方を含む概念である。斯かる意味では、離型層をも含めてモールドと解釈することもできる。
第３のステップによるパターン形成層の硬化には、紫外線などの光を用いて硬化させる場合や、熱を用いて硬化させる場合が含まれる。
第４のステップは、いわゆる離型動作のことである。
本発明においては、前記モールドと前記樹脂との接触時に発生する前記位置合わせ制御の誤動作を防止するために、下記のステップを更に有する。
具体的には、前記第１のステップと第２のステップとの間、あるいは前記第２のステップと第３のステップとの間の少なくとも一方において、下記（ア）、あるいは（イ）のステップを有する。
（ア）前記位置合わせ制御を停止させるステップ。
（イ）前記位置合わせ制御を行なうための前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、あるいは制御パラメータの少なくとも一つを変更するステップ。
以下、上記（ア）あるいは（イ）のステップを特徴事項として有する実施形態について、それぞれ第１の実施形態、第２の実施形態として説明する。
【００１５】
［第１の実施形態］
つぎに、上記第１の本発明に係る第１の実施形態におけるフィードバック制御停止の概念を含むインプリントプロセスとインプリント装置について説明する。本実施形態に係るインプリント方法は、基板上のパターン形成層に、モールドが有するインプリントパターンをインプリントするインプリント方法に関するものである。
具体的には、図１に示すように、以下の第１から第４のステップを含み構成される。
（ａ）第１のステップ：  フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドの位置合わせを行う（Ｓ１）。
（ｂ）第２のステップ：  前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる（Ｓ２）。
（ｃ）第３のステップ：  前記パターン形成層を硬化させる（Ｓ３）。
（ｄ）第４のステップ：  前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする（Ｓ４）。
【００１６】
そして、前記第１のステップと第２のステップとの間、あるいは前記第２のステップと第３のステップとの間の少なくとも一方において、前記フィードバック制御を停止させるステップを有することが特徴である。
前記第１のステップと第２のステップとの間において、フィードバック制御を停止させる場合には、フィードバック制御停止後に、前記モールドと前記パターン形成層とが接触することになる。
従って、両者の接触に伴い位置計測情報にエラーが生じた場合、当該エラー情報に基づき制御をかけることが無いので、アライメント制御動作に関する誤動作を防止することができる。
なお、フィードバック制御や上記インプリントプロセスを行うインプリント装置に関しては、それぞれ図３と図２を用いて後述している。
ここで、前記第１のステップで位置合わせを行った後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記第２のステップを行い、その後、フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことができる（詳細は図８を用いて後述する）。
【００１７】
また、前記第１のステップで位置合わせを行った後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記第２のステップを行う。
その後、前記第１のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに基づくフィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことも可能である（詳細は図１２を用いて後述する）。
なお、フィードバック制御などの位置制御を一旦停止した後、前記第１のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに代えて、前記第１のステップにおけるフィードバック制御と異なる計測パラメータに基づく制御を行なうことも可能である。
ここで、計測パラメータには、距離算出に用いる屈折率や、位置検出のための階調値の閾値などがあてはまる。
【００１８】
また、前記第２のステップと第３のステップとの間において、フィードバック制御を停止させる場合は、つぎのようにすることで、誤動作を防止することができる。
例えば、前記モールドと前記パターンン形成層との接触を検知した直後に、フィードバック制御を停止するようにしておけば、上記同様に誤動作を防止することができる。
ここで、前記第２のステップで、前記モールドと前記パターン形成層とを接触させた後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記基板と前記モールドとのギャップを小さくする。その後、フィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うことができる（詳細は、図４を用いて後述する。）
また、前記第２のステップで、前記モールドと前記パターン形成層とを接触させた後、前記フィードバック制御を停止した状態で、前記基板と前記モールドとのギャップを小さくする。その後、前記第１のステップにおけるフィードバック制御と異なる制御パラメータに基づくフィードバック制御をかけながら前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うこともできる（詳細は、図９を用いて後述する）。
【００１９】
ここでいうフィードバック制御とは、モールドと基板との相対的な位置関係を定めるための、所謂アライメントに関する制御のことである。
そして、ここでいうアライメントとは、モールドと基板との面内方向の位置関係に関する位置合わせ、あるいは両者間のギャップに関する位置合わせを意味する。
勿論、それら両方のアライメントに関して、前記フィードバック制御を行うことも可能である。
なお、本実施形態におけるフィードバック制御に代えて、フィードフォワードなど他の位置合わせ制御を採用することもできる。
前記第２のステップにおける前記モールドと前記パターン形成層との接触を検知することも適宜可能である。
【００２０】
ここでの基板とは、例えば石英やガラスやシリコンウエハなどであるが、特に限定されるものではない。
パターン形成層は、例えば光硬化性の樹脂である。本発明は、いわゆる光インプリントに好適なプロセスであるが、熱可塑性樹脂を用いた熱インプリントにも適用できる。
モールドは、インプリントパターンが凹凸構造により形成されている。モールドは例えば石英から構成される。
なお、モールドの表面には離型剤と呼ばれるフッ素系の樹脂層を塗布する場合がある。
本実施形態においては、このような離型剤が用いられている場合には、この離型剤も含めてモールドであると捉える。
従って、第２のステップには、モールドとパターン形成層とが直接接触する場合のみならず、両者が離型剤を介して接触する場合も当然に含む。
【００２１】
第３のステップにおけるパターン形成層の硬化は、例えば紫外線を照射等することにより行う。
なお、パターン形成層を硬化させている間も、モールドと基板との位置制御（この場合はフィードバック制御に限らない。また、面内方向の位置制御とギャップ制御の両方あるいは一方の制御でも良い。）を行なうのがよい。
第４のステップでは、基板とモールドとの間隙を大きくすることで、硬化しているパターン形成層とモールドとを互いに離す。
なお、第４のステップは、基板側を動かすか、モールド側を動かすか、あるいはその両方を動かすかは適宜定めることができる。
また、大判の基板上に当該基板よりも小さなモールドを用いて、複数回のインプリントプロセスを行い、該基板上全体にインプリントパターンを形成する手法（ステップアンドリピート法）にも本発明は適用できる。
【００２２】
また、本実施形態に係るインプリント装置は、上述したプロセスを実行する手段として、以下の特徴を有する。
すなわち、モールドを保持するためのモールド保持部と、
基板を保持するための基板保持部と、
フィードバック制御をかけながら、前記モールド保持部に保持されるモールドと、前記基板保持部に保持される基板との位置関係を制御する位置制御部と、
基板上のパターン形成層とモールドとの接触を検知するための接触検出部とを有する。
そして、前記位置制御部によるフィードバック制御を停止した後に、前記パターン形成層と前記モールドとが接触するように前記モールド保持部と前記基板保持部とを相対的に動かすか、あるいは、
前記パターン形成層と前記モールドとの接触を前記接触検出部により検出した後に、前記フィードバック制御を停止することが特徴である。
【００２３】
なお、上記したインプリント方法を用いて、部材を製造することができる。
具体的には、インプリントプロセスを経た前記基板を用意し、且つ前記インプリントパターンが転写された前記パターン形成層をマスクとして、該基板をエッチングするのである。
こうして、前記基板を加工して、所望のパターン形状を備えた部材を得ることができる。ここでいう部材とは、微細な流路を備えたバイオチップや半導体チップである。
なお、本実施形態に係る発明においては、前述の接触部検出部を設けずに、接触しているか否かの情報を、装置の動作時間により把握することもできる。
例えば、モールドと基板との間隔、樹脂（パターン形成層）の厚さ、及びモールドと基板との間隙に関する情報を動作開始時に把握しておく。
そして、間隙を狭めていく際の速度が分かれば、ある時点において、モールドが樹脂に接触しているか否かは把握できる。
【００２４】
従って、下記のようにインプリント装置を構成することもできる。
具体的には、
モールド保持部と、基板保持部と、位置制御部とを備え、
前記位置制御部によるフィードバック制御を停止した後に、前記パターン形成層と前記モールドとが接触するように前記モールド保持部と前記基板保持部とを相対的に動かすか、あるいは
前記パターン形成層と前記モールドとが接触した後に、前記位置制御を停止するようにインプリント装置を構成する。
【００２５】
［第２の実施形態］
つぎに、上記した第１の本発明に係る第２の実施形態におけるインプリント方法に関して説明する。
まず、モールドと基板の位置合わせに際して生じる課題について説明する。
図１６はインプリントの状況を説明する。
図１６（ａ）は制御ブロック図である。図１６（ａ）に示されるように、プロファイラからの信号は制御機構に入力され、制御機構の出力はステージなどの制御対象に入力される。
図１６（ｂ）はタイムチャートを示す図であり、ここには基板をモールドに近づけ、樹脂がモールドに接触し、ＵＶ硬化し、離型するインプリント時におけるｚ位置のプロファイルが示されている。なお、ｚ＝０の所がモールドと基板が完全に接触する位置である。
樹脂があるため、例えば１００ｎｍの距離で止めるようなプロファイルになる。（１）はモールドと基板上の樹脂が接触していない領域。
（２）から（５）はモールドと液体の樹脂が接触している領域。
（６）はＵＶ光により樹脂を硬化する領域、（７）はモールドを樹脂から離型する領域、（８）はモールドを退避させる領域である。
【００２６】
ここでは、参考のため従来のインプリント時にモールドにかかる荷重を荷重１として示す。
樹脂の粘性が高く、樹脂に接触したところ（２）からｚの位置に応じて斥力が加わる。なお、ステージの制御パラメータは比例成分Ｋｐで一定である。
ところが、昨今の半導体製造では、プロセスルールが小さくなり、モールドと基板の間隔も数十ナノメートルと小さくなっている。
そのため、低粘度の樹脂を利用し、加圧力も小さくするような試みがなされている。
【００２７】
このような状況で荷重を詳しく測定すると、荷重２のような現象が発現することが分かってきた。
すなわち、モールドが樹脂に接触している状態の荷重を測定すると、
（１）モールドと樹脂が接触しても荷重にあまり変化のない場合、
（２）モールドと基板の間で斥力の働く場合、
（３）モールドと基板の間で引力が働く場合、が生じる。
【００２８】
以上において、荷重はモールドと基板の間隔の変化にともなう時はもちろんのこと、間隔を一定に制御して定常状態になるまで経時変化する。
この荷重は樹脂の成分、粘性、厚さ、密度、接触面積等によって変化するだけでなく、モールドの表面状態、パターン形状などによって変わる。
そのため、同じ制御パラメータでモールドおよび基板を制御した場合、位置誤差の増大、制定時間の増大が起こる。
さらに、制御が不安定になる場合があり、時にはモールドまたは基板のパターンを破壊することがある。
このような課題に鑑み、上記した第２の本発明ではモールドと基板の位置合わせ精度を向上させるようにしたものである。その具体的構成について、以下に第３の実施形態で説明する。
【００２９】
［第３の実施形態］
本実施形態は、上記課題に鑑み、パターン転写におけるモールドと基板との間隔の変化に伴うモールドと樹脂の状態に応じて、モールドと基板に関する制御条件の少なくとも一つを変更し、
モールドと基板の位置合わせ精度を向上させるようにした上記した第２の本発明に係るものである。
具体的には、モールドと基板間に介在する樹脂の状態により、ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータなどの制御条件の、少なくとも一つを変更することで、両者の間に加わる荷重の変化にともなう弊害を避けるようにしたものである。
そのため、本実施形態においては、具体的にはインプリント装置をつぎのように構成することができる。
本実施形態に係るインプリント方法は、
モールドが有するインプリントパターンを、該モールドと基板との間に介在するパターン形成層に転写するインプリント方法であって、以下の特徴を有する。
すなわち、前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板との間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、前記ステージのトルク、前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、
前記インプリントパターンを転写する際の前記モールドと前記パターン形成層の状態を検出する工程と、
前記検出する工程において検出された検出値に基づいて、前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータの少なくとも一つを変更する工程と、を有する。
【００３０】
ここで、上記工程に更に以下の工程を加えることもできる。
具体的には、
前記モールドと前記基板の位置合わせ制御を行う位置制御工程と、
前記モールドと前記パターン形成層とを接触させる接触工程と、
前記パターン形成層を硬化させる硬化工程と、
前記基板と前記モールドとの間隙を大きくする工程と、
前記位置制御工程と接触工程との間、あるいは接触工程と硬化工程との間の少なくとも一方において、
前記位置制御工程における前記位置合わせ制御を停止させる工程を付加することもできる。
上記インプリント方法を実施するためのインプリント装置は、
モールドのパターンを、該モールドと基板との間に介在する樹脂に転写するインプリント装置であって、以下の特徴を有する。
すなわち、前記モールドまたは前記基板の一方を他方に対して位置決めするステージと、
前記ステージを制御する制御部と、
前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板との間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、前記ステージのトルク、及び前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、前記モールドと前記樹脂との状態を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された検出値に基づいて、前記ステージの制御方法、駆動プロファイル、あるいは制御パラメータの少なくとも一つを変更する手段と、を有する。
ここで、制御方法として、フィードバック制御、フィードフォワード制御のいずれか、または両方を用いることができる。
そして、以上の構成により、前記モールドと前記樹脂の状態に応じて、特にモールドと基板との間に働く荷重による斥力から引力への変化に起因する前記樹脂の状態に応じて、上記制御条件の、少なくとも一つを変更して、上記した弊害を避けるようにする。
【００３１】
また、本実施形態においては、具体的にはインプリント方法をつぎのように構成することができる。
すなわち、その方法として、前記モールドまたは前記基板に対する荷重、前記モールドと前記基板の間隔、前記モールドまたは前記基板の変位、ステージのトルク、前記モールドまたは前記基板からの反射光量の少なくとも一つによって、前記パターンの転写における前記モールドと前記樹脂の状態を検出するようにする。
その際、前記モールドと前記基板との間隔の変化に伴う前記モールドと前記樹脂の状態、または前記モールドと前記基板との間隔を一定に制御して定常状態になるまでの変化に伴う前記モールドと前記樹脂の状態、を検出するように構成することができる。
また、前記検出する工程における検出値に基づいて、ステージの制御方法、駆動プロファイル、制御パラメータの少なくとも一つを変更するようにする。
【００３２】
そして、以上の構成により、前記モールドと前記樹脂の状態に応じて、特にモールドと基板との間に働く荷重による斥力から引力への変化に起因する前記樹脂の状態に応じて、上記制御条件の、少なくとも一つを変更して、上記した弊害を避けるようにする。
また、その方法として、モールドと基板との間に樹脂を介在させた状態で、該モールドと該基板とのギャップを狭くする工程と、
前記工程後、該樹脂を硬化させて、該モールドが有するパターンを前記樹脂に転写する工程と、を備えた構成とする。
また、前記ギャップを狭くしていく工程において、前記モールドと基板間に加わる圧力を含む荷重を時間軸上で検出しながら、ギャップが狭くなるにつれて荷重が大きくなる状態と荷重が小さくなる状態とで、
前記モールドと基板とが対向する面に垂直な方向への移動に関する制御条件を変える構成とする。
そして、以上の構成により、モールドと基板とのギャップが狭くなるにつれて、それらの間に働く荷重が斥力から引力に変化した瞬間に、モールドと基板とが接触して破損等をしてしまうことを避けるようにする。
【実施例】
【００３３】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、上記した第１の本発明を適用したインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
図２に、本実施例におけるインプリント装置の構成例を説明する図を示す。
図２において、１０１は筐体、１０２はステージ、１０３は基板保持部、１０４は基板、１０５は光硬化樹脂、１０６は加工面にパターンを有するモールド、１０７はモールド保持部、１０８はロードセルである。
１０９と１１０はスコープ、１１１はＵＶ光源、１１２はディスペンサである。１１３はプロセス制御回路（プロセス制御手段）、１１４は塗布制御回路、１１５は位置検出回路（位置検出手段）、１１６は露光量制御回路、１１７は圧力検出回路、１１８は位置制御回路（位置制御手段）である。
【００３４】
図２に示すように、本実施例におけるインプリント装置は、モールド１０６と基板１０４が対向して配置された構成を備えている。
モールド１０６は基板１０４側表面に所望の凹凸パターンを有する透明体で、モールド保持部１０７、ロードセル１０８、部材を介して筐体１０１に接続される。
材質としては石英、サファイア、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等、透明な材料から適宜選択可能であり、基板１０４側表面にフッ素系シランカップリング剤等を用いた離型処理を施す事が一般的である。
スコープ１０９は光源とレンズ系と撮像素子から構成されており、モールド１０６と基板１０４両者の間の情報を画像として取得する。
スコープ１１０は光源とレンズ系と分光器から構成されており、モールド１０６と基板１０４との対向面間の間隔（以下、ギャップと記す）から得られる干渉スペクトルを取得する。
筐体１０１のモールド１０６の裏面側にあたる部分にはＵＶ光源１１１が設けられる。基板１０４は基板保持部１０３を介してステージ１０２に取り付けられる。
ステージ１０２は６軸（ｘ、ｙ、ｚ、θ、α、β）の可動方向を持ち、筐体１０１に取り付けられる。
ディスペンサ１１２は基板１０４上の任意の位置に光硬化樹脂１０５を塗布できるように取り付けられる。
【００３５】
プロセス制御回路（プロセス制御手段）１１３は、塗布制御回路１１４、位置検出回路（位置検出手段）１１５、露光量制御回路１１６、圧力検出回路１１７、位置制御回路（位置制御手段）１１８、に指示を出しプロセスを進める。またそれと共に、これらからの出力データを受け取り、プロセス全体の制御を司る。塗布制御回路１１４はディスペンサ１１２を制御して基板１０４上に光硬化樹脂１０５を塗布する。
位置検出回路１１５はスコープ１０９の取得画像の画像処理とスコープ１１０の取得波形を解析し、モールド１０６と基板１０４の転写面水平方向（ＸＹ方向）の面内位置関係および上記ギャップを算出する。
露光量制御回路１１６はＵＶ光源１１１を制御して露光を行う。
圧力検出回路１１７はロードセル１０８の検出信号と被加工部の面積からモールド１０６と基板１０４との間にかかる圧力を算出する。
位置制御回路１１８はモールド１０６と基板１０４とが所望の位置関係になるようにステージ１０２を制御する。
なお、各機構の配置、方式は本実施例に限るものでなく、例えば、基板１０４の代わりにモールド１０６を動かすなど他の構成も適用可能である事はいうまでもない。
【００３６】
次に、本実施例におけるインプリントによるパターン転写工程を説明する。
まず、ディスペンサ１１２を用いて基板１０４上に、パターン形成層としての光硬化樹脂１０５を塗布する。
次に、光硬化樹脂１０５が塗布された基板１０４をモールド１０６と相対させ、スコープ１０９とスコープ１１０を用いて両者の位置関係を調整しながら、モールド１０６と基板１０４を合わせて両者の間に樹脂を充填する。
このとき、圧力検出回路１１７によってモールド１０６と基板１０４との間にかかる圧力を検出する。
次に、ＵＶ光源１１１よりＵＶ光を照射して基板１０４とモールド１０６との間の樹脂を硬化させる。
最後に、基板１０４とモールド１０６とを遠ざけて硬化した樹脂をモールドから剥離する。
以上の工程により、基板１０４上の樹脂層にモールド１０６表面の凹凸パターンであるインプリントパターンが転写される。
【００３７】
ここで、モールド１０６と基板１０４の位置合わせ工程およびパターン転写工程について詳細に説明する。
モールド１０６と基板１０４の面内方向の位置合わせは、モールド１０６上のマークと基板１０４上のマークをスコープ１０９で観察して行う。
位置検出回路１１５ではスコープ１０９で取得した画像の階調値に閾値を設けてマークの位置を検出する画像処理を行いモールド１０６と基板１０４の面内方向の位置関係を検出する。
モールド１０６と基板１０４のギャップ計測は、スコープ１１０から出たブロードバンド（広帯域）光のモールド１０６と基板１０４の間における干渉を観測することで行う。ブロードバンド光として、ハロゲン光源、キセノン光源等がある。位置検出回路１１５では、スコープ１１０で得られた干渉波を用いて、モールド１０６と基板１０４間の空間の屈折率等からギャップを算出する。ここで、モールド１０６と基板１０４のギャップ計測法はこれだけに限らず、ブロードバンド光源の代わりにレーザ、ＬＥＤ等のナローバンド（狭帯域）光源を用いてもよい。
【００３８】
図３に、位置合わせ工程のフィードバック制御動作シーケンスを説明する図を示す。
Ｓ１−１にて位置合わせフィードバック制御を開始する。
Ｓ１−２にてモールド１０６と基板１０４の位置関係を計測する。
次にＳ１−３にて計測値と目標値の差が基準以内であるかどうかを判断する。
基準以内でなければＳ１−４の基板位置制御を実行する。
その後再びＳ１−２の計測を行う。
基準以内であれば、Ｓ１−５にて位置合わせフィードバック制御を終了する。
なお、このフィードバック制御はモールドと基板との面内方向の位置合わせ、あるいはモールドと基板とのギャップに関する位置合わせ、あるいはその両方に適用が可能である。
【００３９】
図４に、基板上に塗布された樹脂に、モールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
Ｓ２−１にてパターン転写工程を開始する。
この時、基板１０４上に光硬化樹脂１０５が塗布されていて、モールド１０６は光硬化樹脂１０５に接触（接液）していない状態である。
Ｓ２−２で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、Ｓ２−３にてモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）するのを検出すると、Ｓ２−４で位置合わせフィードバック制御を停止する。
制御停止後、Ｓ２−５でステージ１０２を駆動してモールド１０６と基板１０４を一定距離だけ近づけ、モールド１０６と基板１０４との対向面間の間隔調整を行う。
モールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触して光硬化樹脂１０５が流動している状態（接触過渡状態）を終えた後、Ｓ２−６にて位置合わせフィードバック制御を再開する。位置合わせフィードバック制御が終了した後、Ｓ２−７にてＵＶ光源１１１を照射して光硬化樹脂１０５を硬化する。
Ｓ２−８でモールド１０６を硬化した光硬化樹脂１０５から離型し、Ｓ２−９でパターン転写工程を終了する。
これにより、モールドと樹脂との接触時に発生するフィードバック制御の誤動作を低減可能に、該フィードバック制御を動作させ、インプリントすることができる。
なお、モールド１０６が光硬化樹脂１０５との接触による位置ずれが要求する精度を満たすときは、位置合わせフィードバック制御を接触後に行わずに光硬化樹脂１０５を硬化するという工程も可能である。
また、位置合わせフィードバック制御は、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触後のみ行うという工程も可能である。
基板１０４とモールド１０６の間の物質が入れ替わることで屈折率が変わり、接触前後両方での正確なギャップ計測ができなく、正確なフィードバック制御が難しくなることがあるが、接触後のみギャップの位置合わせフィードバック制御を行うことで回避できる。
【００４０】
図５は、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出する方法の例を説明するための図である。
図５（ａ）は位置検出回路１１５においてスコープ１０９で取得した画像上のある一定領域における階調値を表した図である。
この点における階調値をＧ１とする。
図５（ｂ）はこの点における階調値の時間的変化を表した図である。
モールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）すると反射率が変化するので、図５（ｂ）のように階調値がＧ１からＧ２へと不連続的に変化する。
よって、階調値が不連続的に変化した時間Ｔ１でモールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触していると判断する。
このように階調値の時間的変化を用いて接触検出手段を構成することができる。
【００４１】
つぎに、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出する接触検出手段の別の構成例について説明する。
図６はモールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触する前後のモールド１０６と基板１０４のギャップ計測結果の時間変化を示したものである。
図５の時間Ｔ２において、上記ギャップの値が非連続に変化している。
これは、モールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触したことにより、計測に用いる光の光路中の屈折率が空気の屈折率から光硬化樹脂１０５の屈折率に変わったためである。
実際の屈折率が変化したにも関わらずギャップ算出に用いる屈折率は変えていないため、モールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触すると、ギャップ計測値が不連続に変化する。よってギャップ値が不連続に変化したＴ２でモールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触していると判断する。
【００４２】
さらに別の、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出する接触検出手段の別の構成例について説明する。
図７は、圧力検出回路１１７で計算されたモールド１０６と基板１０４との間にかかる圧力の時間変化を示している。
時間Ｔ３でそれまで一定だった圧力に変化が生じている。これはモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触したためであり、よって圧力に変化が起きたＴ３でモールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触していると判断する。
以上３種類の接触を検出する構成例以外でも、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出可能な手段、あるいは方法を適用することが可能である。
【００４３】
本実施例の方式では、モールド１０６と基板１０４の位置合わせにおいて、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出すると同時に位置合わせのためのフィードバック制御を停止する。
このようにすることにより、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触時の過渡期における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
なお、モールド１０６と基板１０４の位置合わせに関わる装置構成は本実施例に限るものでなく、モールド１０６と基板１０４を位置合わせ可能な他の方法も適用可能である。
【００４４】
［実施例２］
つぎに、上記した第１の本発明を適用した実施例２におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例１との差異は、パターン転写工程の動作シーケンスであるためその部分についてのみ説明する。
図８に、モールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
Ｓ３−１にてパターン転写工程を開始する。この時、基板１０４上に光硬化樹脂１０５が塗布されていて、モールド１０６は光硬化樹脂１０５に接触（接液）していない状態である。
次に、Ｓ３−２で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、Ｓ３−３において、モールド１０６と基板１０４に塗布された光硬化樹脂１０５との接触位置（接液位置）より手前の予め設定された位置状態となった際に、フィードバック制御を停止する。
制御停止後、Ｓ３−４でステージ１０２を駆動してモールド１０６と基板１０４を近づけ、モールド１０６と基板１０４との対向面間の間隔調整（間隔制御）を行う。
すなわち、後のＳ３−６のステップでので位置合わせフィードバック制御の再開前に、上記間隔調整（間隔制御）を行う。
次に、Ｓ３−５でモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）するのを検出すると、Ｓ３−６で位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、Ｓ３−７にてＵＶ光源１１１を照射して光硬化樹脂１０５を硬化する。
次に、Ｓ３−８でモールド１０６を硬化した光硬化樹脂１０５から離型し、Ｓ３−９でパターン転写工程を終了する。
【００４５】
本実施例の方式では、モールド１０６と基板１０４の位置合わせにおいて、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触（接液）時に位置合わせのためのフィードバック制御をあらかじめ停止する。
そして、接触（接液）を検出後に再開する。このようにすることにより、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触（接液）時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
【００４６】
［実施例３］
つぎに、上記した第１の本発明を適用した実施例３におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例１との差異はパターン転写工程の動作シーケンスに関する構成だけであるため、その部分についてのみ説明する。
【００４７】
図９にモールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
Ｓ４−１にてパターン転写工程を開始する。この時、基板１０４上に光硬化樹脂１０５が塗布されていて、モールド１０６は光硬化樹脂１０５に接触（接液）していない状態である。
Ｓ４−２で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、Ｓ４−３にてモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）するのを検出したら、Ｓ４−４で位置合わせフィードバック制御を停止する。
制御停止後、Ｓ５−４でステージ１０２を駆動してモールド１０６と基板１０４を一定距離だけ近づけ、モールド１０６と基板１０４との対向面間の間隔の調整を行う。
モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触過渡状態を終えた後、Ｓ４−６で位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから、Ｓ４−７にて位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、Ｓ４−８にてＵＶ光源１１１を照射して光硬化樹脂１０５を硬化する。
Ｓ４−９でモールド１０６を硬化した光硬化樹脂１０５から離型し、Ｓ４−１０でパターン転写工程を終了する。
なお、モールド１０６が光硬化樹脂１０５の接触による位置ずれが要求する精度を満たす場合は、接触後に計測のみ行いフィードバックを行わないという工程も可能である。
【００４８】
つぎに、図５を用いて、計測・制御パラメータを変更する一例として、面内位置合わせの位置計測パラメータの変更について説明する。
前述したように、図５（ａ）は位置検出回路１１５においてスコープ１０９で取得した観察画像上のある一定領域における階調値を表した図であり、図５（ｂ）はこの領域における階調値の時間的変化を表した図である。
モールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）すると図５（ｂ）のようにこの領域における階調値がＧ１からＧ２に変化する。
このようにモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）することで全体的に階調値が変化して、マークの検出が難しくなることがある。
このためマーク検出のための階調値の閾値を、接触（接液）後の状態でマークの検出が可能となるように修正する。
【００４９】
図１０は、モールド１０６と基板１０４との間の距離合わせをするための距離計測パラメータであるギャップの計測パラメータの変更について説明するための図である。
モールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触（接液）することにより、図１０のようにスコープ１１０の下のモールド１０６と基板１０４間の物質が、空気から光硬化樹脂１０５に入れ替わる。物質が入れ替わったことによりギャップ計測のための光路中の屈折率が変化して、ギャップ計測結果（距離計測結果）が誤った値となることがある。このため、ギャップの算出に用いる屈折率を空気の屈折率から光硬化樹脂１０５の屈折率に変更する。
【００５０】
図１１は、計測・制御パラメータを変更する他の例として、モールドと基板との位置合わせ動作をするための駆動制御パラメータであるステージ駆動制御パラメータの変更について説明するための図である。
モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触により図１１（ａ）のようにモールド１０６と基板１０４との間にかかる圧力は変化する場合がある。
ここでＴ４はモールド１０６と光硬化樹脂１０５が接触した時間である。このようにモールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触前後ではモールド１０６と基板１０４の間にかかる圧力が０からＰ１に変わる。
この圧力変化に伴ってステージにかかる圧力も変わるので、高精度にステージを駆動するために、ステージ駆動のためにゲイン等のパラメータを修正する。
また、パターン転写時の圧力変化の様子はこれだけに限らず、図１１（ｂ）のように０からＰ２となり互いに引き寄せられるようにかかることもある。
なお、位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータの変更はこれだけに限らず、フィードバック制御に関わるモールドと樹脂の接触により生じる物理的変化に対応した変更を行う。
【００５１】
本実施例の方式では、モールド１０６と基板１０４の位置合わせにおいて、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触を検出すると同時に位置合わせのためのフィードバック制御を停止する。
そして、フィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから制御を再開する。
このようにすることにより、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
なお、フィードバック制御の計測・制御パラメータの変更の工程は本実施例に限るものではなく、例えば、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触に際して、段階的にパラメータを変更するという工程も可能である。
【００５２】
［実施例４］
つぎに、上記した第１の本発明を適用した実施例４におけるインプリント方法およびインプリント装置について説明する。
実施例３との差異は、パターン転写工程の動作シーケンスに関する構成だけであるため、その部分についてのみ説明する。
図１２にモールドの有するパターンをインプリントするパターン転写工程におけるフィードバック制御を動作させる工程を説明する図を示す。
まず、Ｓ５−１にてパターン転写工程を開始する。
この時、基板１０４上に光硬化樹脂１０５が塗布されていて、モールド１０６は光硬化樹脂１０５に接触（接液）していない状態である。
次に、Ｓ５−２で位置合わせフィードバック制御を開始する。
次に、Ｓ５−３において、モールド１０６と基板１０４に塗布された光硬化樹脂１０５との接触位置（接液位置）より手前の予め設定された位置状態となった際に、フィードバック制御を停止する。
制御停止後、Ｓ５−４でステージ１０２を駆動してモールド１０６と基板１０４を近づけ、モールド１０６と基板１０４との対向面間の間隔調整（間隔制御）を行う。
すなわち、後のＳ５−７のステップでので位置合わせフィードバック制御の再開前（制御パラメータの変更前）に、上記間隔調整（間隔制御）を行う。
次に、Ｓ５−５でモールド１０６が光硬化樹脂１０５に接触（接液）するのを検出すると、Ｓ５−６で位置合わせフィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから、Ｓ５−７で位置合わせフィードバック制御を再開する。
位置合わせフィードバック制御が終了した後、Ｓ５−８にてＵＶ光源１１１を照射して光硬化樹脂１０４を硬化する。Ｓ５−９でモールド１０６を硬化した光硬化樹脂１０５から離型し、Ｓ５−１０でパターン転写工程を終了する。
【００５３】
本実施例の方式では、モールド１０６と基板１０４の面内方向の位置合わせにおいて、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触（接液）時に位置合わせのためのフィードバック制御をあらかじめ停止する。
そして、接触（接液）を検出後、フィードバック制御の計測・制御パラメータを変更してから制御を再開する。
このようにすることにより、モールド１０６と光硬化樹脂１０５の接触（接液）時における位置合わせ動作の誤動作の発生を低減することが可能である。
これによって、より高速でかつモールドおよび基板の破壊を減少させる加工が可能となる。
【００５４】
また、位置合わせに際して、別の位置合わせ方法として以下のような方法を構成することができる。
まず、第１の部材と、流体材料と接触している第２の部材とを対向して配置する。
ここで、第１の部材とは、前述のモールドや液浸露光装置において用いられるレンズが該当する。流体材料とは、前述の光硬化性の樹脂や、水などの液体、ゲル状材料を含む概念である。
第２の部材は、例えば、石英や半導体などからなるウエハである。いわゆるＳｉウエハなど平板状の材料であることが望ましい。
そして、既述のように第１の部材と、前記流体材料と接触している第２の部材とを対向して配置した状態で、フィードバック制御をかけながら該第１の部材と第２の部材との位置合わせを行う。
ここでいう、位置合わせには、平板状部材の面内方向の位置合わせあるいはギャップに関する位置合わせの少なくとも一方を含む概念である。
次に、フィードバック制御をかけながら、両部材のギャップを小さいくしていき、前記第１の部材と前記流体材料との接触に関する情報を利用して、前記フィードバック制御を停止するか、あるいは前記フィードバック制御における制御条件を変更する。
ここで、接触に関する情報とは、前記第１の部材と前記流体材料とが接触したことを示す情報であったり、接触後所定の時間経過していることを示す情報であったり、あるいは、接触後所定の状態になったことを示す情報のことである。
このように、フィードバック制御を停止、あるいは変更することにより、第１の部材と流体材料（当初は互いに接触せず、アライメント中に接触するものとする。）とが接触することにより生じる、フィードバック制御の誤動作を防止することができる。
これにより、第１の部材と、流体材料と接触している第２の部材とを対向して配置し、フィードバック制御をかけながら該第１の部材と第２の部材との位置合わせを行い、且つ、
前記第１の部材と前記流体材料との接触に関する情報を利用して、前記フィードバック制御を停止するか、あるいは前記フィードバック制御における制御条件を変更することが可能となる位置合わせ方法を実現することができる。
本発明に係る位置合わせ方法は、既述のインプリント装置のみならず、液浸露光装置などにも適用できる。
【００５５】
なお、図２から図１２において、１０１は筐体、１０２はステージ、１０３は基板保持部、１０４は基板、１０５は光硬化樹脂、１０６はモールドである。
１０７はモールド保持部、１０８はロードセル、１０９はスコープ、１１０はスコープ、１１１はＵＶ光源、１１２はディスペンサである。
１１３はプロセス制御回路（プロセス制御手段）、１１４は塗布制御回路、１１５は位置検出回路（位置検出手段）、１１６は露光量制御回路、１１７は圧力検出回路、１１８は位置制御回路（位置制御手段）である。
【００５６】
［実施例５］
つぎに、上記した第２の本発明を適用した実施例５の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について詳細な説明を行う。
当然適用される装置の構成や各種条件によって適宜修正または変更される。
なお、本実施例では固定されているモールドに樹脂の塗布された基板をステージの移動によって接触させ、インプリントを行うものとする。
また、本実施例では、モールドと基板の位置合わせは、最初に基板の数点を計測しておき、この計測した結果からチップごとに目標位置を設定するグローバル方式で行われる。
図１３に、本実施例の一つのチップに対してインプリントを行う工程を説明するためのフローチャートを示す。
ここでは、モールドと基板とが対向する面に垂直な方向（ｚ）に、予め設定されたプロファイルに基づいて近づける。
また、モールドおよび基板の面内方向（ｘｙおよびθ）は、常に同じ値を保持するようなプロファイルである。
【００５７】
まず、Ｓ６−１の工程において、モールドと樹脂の塗布された基板を対向させ、インプリント可能な状態にする。
次に、Ｓ６−２の工程において、状態の確認を行う。
この時の状態の確認とは、
・  モールドまたは基板に加わる荷重、ステージのトルクを計測すること、
・  モールドと基板の距離、ステージの位置を計測すること、
（３）モールドと樹脂の接触の有無を判定すること、
等である。
次に、Ｓ６−３の工程では、Ｓ６−２で得た情報が条件を満たしているか否かを判定することによって、次の工程を決定する。
このときの条件は、目標位置と現在位置の偏差、位置振動が設定値より小さい場合のことである。
【００５８】
上記条件を満たしている場合にはＳ６−５に進む。
条件を満たしていない場合にはＳ６−４の工程によって制御の変更を行う。
この時の制御の変更とは、制御機構の制御パラメータ、駆動プロファイル、等の変更である。当然、ここにはフィードバックのオン−オフを切り替える制御の方法の変更も含まれる。
この制御の変更を行った後、Ｓ６−５に進む。Ｓ６−５の工程では、Ｓ６−２は終了条件であるかどうかを判定する。このときの終了条件とは、ステージが目標値にあること等である。
この終了条件を満たす場合には、Ｓ６−７の工程に進む。また、終了条件を満たさない場合は、Ｓ６−６の工程にてステージの姿勢を制御する。
このときの制御は、ｚ方向には変更された後の駆動プロファイルに基づいて行われる。当然、樹脂を固めるためのＵＶ照射の開始時間、継続時間もプロファイルに応じて変更される。
【００５９】
つぎに、本実施例におけるステージの制御について説明する。
図１４に本実施例のステージの制御を説明するための図を示す。
図１４（ａ）は制御ブロック図、図１４（ｂ）はＰＩ制御機構を説明する図、図１４（ｃ）はタイムチャートを示す図である。
図１４（ａ）においてプロファイラは、予め設定されたステージの駆動プロファイルに基づいて、ステージの目標値を設定する。
制御機構１にはプロファイラから出た参照信号（ｒｅｆ）と位置計測結果の間の偏差（ｅｒｒ）が入力される。
この制御機構１は、例えば比例と積分からなるＰＩ制御である。また、フィードバックのスイッチをオンオフできるスイッチ（ＳＷ）がある。
【００６０】
図１４（ｂ）に、そのＰＩ制御の構成が示されている。Ｋｐは比例ゲイン、Ｔｉは積分時間である。ｓはラプラス演算子である。またｚは添え字でｚ軸に関するパラメータであることを示している。
スイッチにより積分制御を加えないことも可能である。更に制御機構１には、ローパスフィルター、バンドパスフィルター、ノッチフィルターなどのフィルターがあり、フィルターの次数、周波数などフィルターパラメータの設定を行うことが可能である。
制御機構１から出た信号は、制御対象に入力される。ここで、制御対象はステージの各軸である。
実際の信号はステージを動かすモーターに加えられる。判定機構には位置計測のみならずモールドまたは基板に加わる荷重など検出機構で計測されたデータが入力される。
判定機構により制御機構１の制御パラメータまたは駆動プロファイルの変更が指示される。
この制御パラメータには、ＰＩＤパラメータ、フィードフォワードパラメータ、フィルターパラメータのいずれかが含まれる。
また、駆動プロファイルは、ステージの位置だけでなく、ステージの加速度、速度、駆動電圧、駆動電流であってもよい。
【００６１】
図１４（ｃ）を用いてインプリントの制御をする様子を説明する。
基板をモールドに近づけ、樹脂がモールドに接触し、ＵＶ硬化し、離型するインプリント時のｚ位置のプロファイルを示す。
基板の法線方向（ｚ）に動かす時の駆動プロファイルのタイムチャート例を、図１４（ｃ）のｚ位置として示す。
基板の面内方向（ｘｙ）やその他（θαβ）の軸の駆動プロファイルも存在する。なお、ｘｙは同じ値を保持する駆動プロファイルである。
図において、（１）はモールドと基板上の樹脂が接触していない領域、（２）−（５）はモールドと液体の樹脂が接触している領域である。
（６）はＵＶ光により樹脂を硬化する領域、（７）はモールドを樹脂から離型する領域、（８）はモールドを退避させる領域である。
この例は、ｚの駆動プロファイルは変更しない場合である。このプロファイルによってｚの位置を移動したとき、モールドに対する荷重の経時変化が観察される。この荷重のデータに基づいてｚ方向の比例ゲインＫｐｚ、と積分時間Ｔｉｚを変更する。図１４（ｃ）にそれらの様子を合わせて示す。当然、各軸に対して比例ゲイン、積分時間を設定する。ただし、変化の様子、制御は同じであるためｚ軸だけを例に挙げる。
（１）の領域はモールドと樹脂が接触していないため荷重の変化はない。
（２）の領域はモールドと樹脂が接触している領域である。
ｚ方向の荷重は無視できる程度の変化しかないが粘性抵抗は大きくなる。この時偏差が発生しやすくなるので、比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
なお、接触した直後に挙動が安定しない場合には予め接触する直前にフィードバックをオフし、接触後にオンするプロファイルを設定しておいても良い。なお、ステージの速度が十分大きい時や粘性が大きいときにはｚ位置の変化にともない荷重が増加することもある。
（３）の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。
ここでは荷重に応じて比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
（４）の領域は基板の目標値が一定になった後、荷重が小さくなる領域である。ここでは荷重に応じて比例ゲインを小さく、積分時間を大きくする。なお、樹脂の塗布状況などによって荷重が小さくなる領域がない場合も存在する。
（５）の領域はほぼ定常状態になった領域である。荷重は引力を示すマイナスになることがある。
これはモールドと基板の間隔、樹脂の量、樹脂の接触面積によって変わる。例えば、モールドの外側にも十分樹脂がある場合、モールドの各辺付近まで樹脂がある場合、モールドの一部にしか樹脂がない場合などの違いである。
なお、樹脂が拡散することによって荷重が小さくなるという理由は、マイナスになることの説明になりにくい。荷重がマイナスになる状況は近年ナノインプリントで発現する特徴的な現象である。
その理由は、粘性の低い樹脂を使うようになったこと、数十ナノメートル程度のギャップであること、モールドと樹脂に強い圧力を加えていないことなどに起因していると考えられる。
したがって、マイナスになる理由は表面張力や毛細管現象の影響が大きく寄与していると考えられる。この荷重に応じて制御パラメータを設定する。
（６）はＵＶ照射を行う領域である。ＵＶ照射により粘性が大きくなり、いずれは固まってしまう。目標値からのずれが起きた場合に大きく動かさないと元に戻らない。そのため、比例ゲインを大きく、積分時間を小さくする。
なお、荷重が定常状態になるまでに時間を要する場合には荷重、偏差、時間によって定常状態になる前にＵＶ照射を行ってもよい。
（７）は離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。荷重に応じて制御パラメータを変更する。
（８）はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため制御パラメータは一定である。
【００６２】
なお、この変更の設定は予め条件を知るためのインプリントを行うことによって決める。
例えば、
（１）樹脂と接触している場合で荷重に変化のない場合は比例ゲインを一定にする。
（２）樹脂に接触している場合で荷重に変化のある場合はその変化に応じて比例ゲインを変化する。
（３）樹脂を硬化させる場合には比例ゲインを一定にする。
（４）離型をする場合には比例ゲインをその荷重に応じて変化させる。
等である。
条件を判断する値は、検出した値の変化に加え、微分係数の変化（符号変化を含む）、２階微分係数の変化（符号変化を含む）、等もその情報に含まれる。
当然、この駆動プロファイル、制御パラメータは一例であって、樹脂の成分、粘性、量などによって変更される。
【００６３】
つぎに、本実施例におけるインプリント装置について説明する。図１５にその構成例を示す。
図１５において、３０１は露光光源、３０２はモールド保持部、３０３は基板保持部、３０４は基板昇降機構、３０５は面内移動機構である。３０６はモールドと基板の相対位置を計測する光学系、３０９は相対位置の算出するための解析機構である。
本実施例におけるグローバル方式では、この計測結果を基にチップごとのステージの駆動プロファイルを設定する。
なお、この光学系はモールドと樹脂の接触の有無を計測することもできる。例えば樹脂が画面内に入ってきたことを観察する方法や、樹脂による入射光量の変化を観察する方法などがある。
３０７は荷重を計測するためのロードセル、３０８は変位を計測するための干渉計である。
この干渉計によっても樹脂の接触の有無を計測できる。例えば干渉計の振動成分やノイズの振幅を計測し、樹脂の接触により振動が小さくなることにより接触したと判断する方法などである。
また、他の計測手段として、ステージのモーターのトルクを測定することも可能である。トルクはモーターに加える電流を計測することによって計算することができる。３１１はモールド、３１２は基板、３１３は光硬化樹脂である。モールド保持部３０２は、真空チャック方式等によってモールド３１１のチャッキングを行う。基板は面内移動機構３０５により所望の位置に移動することができ、基板昇降機構３０４により基板の高さの調整および加圧を行うことができる。
基板の位置移動、加圧、露光等の制御はインプリント制御機構３１０によって行う。
このインプリント制御機構３１０の中には、図１４におけるプロファイラ、判断機構、制御機構が含まれている。
【００６４】
［実施例６］
つぎに、上記した第２の本発明を適用した実施例６の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について説明を行う。
ここでは、モールドのｘ方向とｙ方向で、制御条件の異なる場合について説明する。
図１７に、本実施例のパターンがラインアンドスペースのモールド１７００を示す。
ｘ方向がラインの向き、ｙ方向がラインに垂直な向きである。このような構造の場合、ｘ方向には樹脂が広がりやすく、ｙ方向には広がりにくい。
このようなときに、各軸で制御パラメータ、制御方法、駆動プロファイルなどの制御条件を変えることが特に有効である。ここでは、樹脂がｙ方向に広がりにくいため、モールドがｙ方向に圧力を受け、ｙ方向に偏差が発生しやすい場合を考える。ただし、この関係はモールドの表面処理および形状、樹脂の特性によって左右されるためｘ方向に偏差が発生しやすい場合もある。なお、実施例５と同様に、固定されているモールドに樹脂の塗布された基板をステージの移動によって接触させ、インプリントを行うものとする。ただし、モールドと基板の位置合わせはチップごとに行うダイバイダイ方式とする。ダイバイダイ方式の場合モールドと基板の面内方向の相対的位置変化をチップごとに計測しながら位置合わせを行う。
【００６５】
図１８に、本実施例の一つのチップに対してインプリントを行う工程を説明するためのフローチャートを示す。
ここでは、基板に垂直な方向（ｚ）に予め設定された駆動プロファイルに基づいて近づける。
また、モールドおよび基板の面内方向（ｘｙおよびθ）は常に同じ値を保持するような駆動プロファイルである。
まず、Ｓ８−１の工程において、モールドと樹脂の塗布された基板を対向させ、モールドと基板の相対的な位置を計測し、所望の位置となるように位置合わせを行い、インプリント可能な状態にする。
次に、ｚ制御の工程Ｓ８−２とｘｙ制御の工程Ｓ８−４に移る。ここはいわゆる並列制御である。
Ｓ８−４の工程では、ｘｙ状態の確認を行う。この時のｘｙ状態の確認とは、モールドまたは基板に加わる荷重、モールドと基板の相対的位置とする。
【００６６】
次に、Ｓ８−５の工程では、どの条件であるかを判定することによって、次の工程を決定する。
このときの条件として、（１）は目標位置と現在位置の偏差、位置振動が設定値より小さい場合のことである。また、（２）は設定値より大きい場合であり、（３）は終了条件である。
Ｓ８−５の工程からＳ８−６の工程に移った場合、Ｓ８−６の工程ではｘｙ方向は常に設定値以内に収まるように制御条件を変更する。
また、Ｓ８−５の工程からＳ８−３の工程に移った場合、Ｓ８−３の工程では条件４は終了条件か否かである。終了条件でない場合にはＳ８−２の工程でｚ制御を行い、終了条件である場合にはＳ８−７の工程に移り、終了する。
【００６７】
つぎに、本実施例におけるインプリントについて説明する。
図１９に、本実施例のインプリントの様子を説明するためのタイムチャートを示す。
ここでは、駆動プロファイルは変更しない。ｚの位置プロファイル、モールドに対する荷重の経時変化、この荷重のデータに基づくｘ方向の比例ゲインＫｐｘ、と比例ゲインＫｐｙの例を示す。
（１）の領域はモールドと樹脂が接触していない領域である。ここでは制御パラメータは同じである。
（２）の領域はモールドと樹脂が接触している領域であるがｚ方向の荷重は無視できる程度の変化しかない。
ｘ方向には樹脂が拡散しやすいが、ｙ方向には拡散しにくいため、樹脂の流動によりｙ方向に偏差が発生しやすくなる。この時、ｘ方向に比べｙ方向の比例ゲインを大きくする。（３）の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。
ｙ方向には荷重に応じて比例ゲインを大きくする。ｘ方向には荷重に関係なく一定の比例ゲインを設定する。
（４）の領域は基板の目標値が一定になった後、荷重が小さくなる領域である。ｙ方向には荷重に応じて比例ゲインを小さくする。ｘ方向には荷重と関係なく一定の比例ゲインを設定する。
（５）の領域ではほぼ定常状態になった領域である。荷重は引力を示すマイナスになることがある。この荷重に応じてｘ、ｙ共に制御パラメータを設定する。
（６）ＵＶ照射を行う領域である。なお、定常状態になるまでに時間を要する場合には荷重、偏差、時間によって定常状態になる前にＵＶ照射を行ってもよい。ＵＶ光によって樹脂が収縮または膨張をする。
ｙ方向にはその影響により位置誤差を発生しやすくなるため比例ゲインを大きくする。当然、ＵＶ照射によって荷重の変化が起こることもある。樹脂の成分やモールドとの接触状態によって、荷重がマイナスのままの場合や、マイナスからプラスに変化する場合がある。これらは再現性があるので、変化の状態に合わせてフィードバックの切り替え（オンオフ）など制御方法の変更を行う。
（７）離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。樹脂が固まっているので、ｘｙ方向とも一定の比例ゲインとする。
（８）はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため比例ゲインは一定である。
【００６８】
［実施例７］
つぎに、上記した第２の本発明を適用した実施例７の構成例について説明する。
以下、図面を用いて、本実施例について説明を行う。
ここでは、特にフィードフォワード制御とフィードバック制御を組み合わせた制御条件について説明する。
インプリントでは、樹脂との接触、ＵＶ照射など外乱の原因となりうるものの一部が予め分かっており、そのような時に有効である。
特に、フィードバック制御のみである場合、外乱が起こってその影響が検出されるまで時間がかかる。この方法は応答の遅れをなくすために有効である。
【００６９】
図２０に本実施例のステージの制御を説明するための図を示す。図２０（ａ）は制御ブロック図、図２０（ｂ）はＰＩ制御機構を説明する図、図２０（ｃ）はタイムチャートを示す図である。
図２０（ａ）において、プロファイラは予め設定されたステージの駆動プロファイルに基づいて、ステージの目標値を設定する。
制御機構２にはプロファイラから出た参照信号（ｒｅｆ）と位置計測結果の間の偏差（ｅｒｒ）が入力される。この制御機構２は例えば比例と積分からなるＰＩＤ制御である。
【００７０】
図２０（ｂ）に、そのＰＩＤ制御の構成が示されている。Ｋｐは比例ゲイン、Ｔｉは積分時間、Ｔｄは微分時間である。ｓはラプラス演算子である。
更に制御機構２には、ローパスフィルター、バンドパスフィルター、ノッチフィルターなどのフィルターがあり、フィルターの次数、周波数等のフィルターパラメータの設定を行うことが可能である。
制御機構２から出た信号は制御対象に入力される。ここで、制御対象はステージの各軸である。実際の信号はステージを動かすモーターに加えられる。
判定機構には位置計測のみならずモールドまたは基板に加わる荷重など検出機構で計測されたデータが入力される。
また、制御機構３はプロファイラからｚ補正の信号が入力される。これは制御機構２と別の制御条件で信号を加えたい場合に有効である。
制御機構３の構成は比例ゲインとフィルターである。判定機構により制御機構２および制御機構３の制御パラメータまたは駆動プロファイルの変更が指示される。
【００７１】
図２０（ｃ）を用いてインプリントを制御する様子を説明する。
ここでは、ｚ位置のプロファイルは変更せず、制御パラメータおよびｚ補正プロファイルを変更する。
ｚ位置とｚ補正と共にモールドに対する荷重の経時変化、この荷重のデータに基づく微分時間Ｔｄの変更例を示す。
（１）の領域はモールドと樹脂が接触していない領域である。
（２）の領域はモールドと樹脂が接触している領域であるが荷重は無視できる程度の変化しかない。接触の前後で発生する外乱を抑えるため、（１）と（２）の境界で微分時間Ｔｄを大きくする。
（３）の領域は近づけるほどモールドの荷重が大きくなる領域である。荷重が定常的に変化するので（２）と（３）の境界から微分時間Ｔｄを設定する。
また、偏差も大きくなる場合には目標値を補正する。
（４）の領域は基板の目標値が一定になった後、樹脂が拡散する領域で荷重が小さくなる領域である。ここでも引き続き微分時間Ｔｄを設定する。
（５）の領域ではほぼ定常状態になった領域である。ここでも引き続き微分時間Ｔｄを設定する。
（６）ＵＶ照射を行う領域である。ＵＶ照射を行う前後においては外乱が発生するため（５）と（６）の境界で微分時間Ｔｄを設定する。
（７）離型を開始したがモールドと樹脂が離れていない領域である。定常的に荷重が変化するので微分時間Ｔｄを設定する。
（８）はモールドと基板が離れ、退避する領域。この領域では荷重の変動がないため一定である。
なお、（２）と（３）や（４）と（５）の境界は条件を決めるためのインプリントをすればおおよその制御パラメータ、駆動プロファイル、制御方法などの制御条件を知ることができる。
なお、図１３から２０において、３０１は露光光源、３０２はモールド保持部、３０３は基板保持部、３０４は基板昇降機構である。
３０５は面内移動機構、３０６は光学系、３０７はロードセル、３０８は干渉計、３０９は解析機構、３１０はインプリント制御機構、３１１はモールド、３１２は基板、３１３は光硬化樹脂である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】第１の本発明に係るインプリントプロセスを説明するための工程図である。
【図２】本発明の実施例１におけるインプリント装置の構成例を説明する図。
【図３】本発明の実施例１におけるフィードバック制御動作シーケンスを説明する図。
【図４】本発明の実施例１におけるインプリントによるパターン転写工程でのフィードバック制御を動作させる工程を説明する図。
【図５】本発明の実施例１におけるモールドと樹脂の接触（接液）を検出する例を説明する図。
【図６】本発明の実施例１におけるモールドと樹脂の接触（接液）を検出する例を説明する図。
【図７】本発明の実施例１におけるモールドと樹脂の接触（接液）を検出する例を説明する図。
【図８】本発明の実施例２におけるインプリントによるパターン転写工程でのフィードバック制御を動作させる工程を説明する図。
【図９】本発明の実施例３におけるインプリントによるパターン転写工程でのフィードバック制御を動作させる工程を説明する図。
【図１０】本発明の実施例３におけるモールドと樹脂の接触（接液）を検出する例を説明する図。
【図１１】本発明の実施例３における計測・駆動パラメータの変更を説明する図。
【図１２】本発明の実施例４におけるインプリントによるパターン転写工程でのフィードバック制御を動作させる工程を説明する図。
【図１３】本発明の実施例５における一つのチップに対してインプリントを行う工程を説明するためのフローチャート。
【図１４】本発明の実施例５におけるステージの制御を説明するための図。（ａ）は制御ブロック図、（ｂ）はＰＩ制御機構を説明する図、（ｃ）はタイムチャートを示す図。
【図１５】本発明の実施例５におけるインプリント装置の構成例を説明するための図。
【図１６】本発明における課題を説明するための図。（ａ）は制御ブロック図、（ｂ）はタイムチャートを示す図。
【図１７】本発明の実施例６におけるモールドを示す図。
【図１８】本発明の実施例６における一つのチップに対してインプリントを行う工程を説明するためのフローチャート。
【図１９】本発明の実施例６におけるインプリントの様子を説明するためのタイムチャートを示す図。
【図２０】本発明の実施例７におけるステージの制御を説明するための図。（ａ）は制御ブロック図、（ｂ）はＰＩ制御機構を説明する図、（ｃ）はタイムチャートを示す図。
【符号の説明】
【００７３】
１０１：筐体
１０２：ステージ
１０３：基板保持部
１０４：基板
１０５：光硬化樹脂
１０６：モールド
１０７：モールド保持部
１０８：ロードセル
１０９：スコープ
１１０：スコープ
１１１：ＵＶ光源
１１２：ディスペンサ
１１３：プロセス制御回路（プロセス制御手段）
１１４：塗布制御回路
１１５：位置検出回路（位置検出手段）
１１６：露光量制御回路
１１７：圧力検出回路
１１８：位置制御回路（位置制御手段）
３０１：露光光源
３０２：モールド保持部
３０３：基板保持部
３０４：基板昇降機構
３０５：面内移動機構
３０６：光学系
３０７：ロードセル
３０８：干渉計
３０９：解析機構
３１０：インプリント制御機構
３１１：モールド
３１２：基板
３１３：光硬化樹脂
【図１】
0005587363.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005587363.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005587363.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0005587363.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0005587363.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0005587363.tif 000014
【図１４】
0005587363.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
0005587363.tif 000017
【図１７】
0005587363.tif 000018
【図１８】
0005587363.tif 000019
【図１９】
0005587363.tif 000020
【図２０】
0005587363.tif 000021