(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物。
【化１】
0005617398.tif 000061
（式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、または置換シリルであり、該置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、
ｍおよびｎはそれぞれ独立して１〜５の整数であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、
ただし、最大２０のＲ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはパラ置換の前記置換シリルであり、また、式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【請求項２】
下記一般式（１’）で表される、請求項１に記載するベンゾフルオレン化合物。
【化２】
0005617398.tif 000062
（式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、または置換シリルであり、該置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、
ｎはそれぞれ独立して１〜５の整数であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、
ただし、最大１２のＲ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはパラ置換の前記置換シリルであり、また、式（１’）で表されるベンゾフルオレン化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【請求項３】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜６のアルキル、または置換シリルであり、
ｎは、それぞれ独立して１〜５の整数であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、
前記置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、そして、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
請求項２に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項４】
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換シリルであり、該置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、
ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
請求項２に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項５】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、該置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、
Ｒ２はそれぞれ独立して炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎは１または２であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
請求項２に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項６】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、該置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルであり、
Ｒ２は水素であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
請求項２に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項７】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、
Ｒ２はそれぞれ独立してパラ置換の置換シリルであり、ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
前記置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルである、
請求項４に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項８】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、
Ｒ２はそれぞれ独立してメタ置換の置換シリルであり、ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
前記置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルである、
請求項４に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項９】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、
Ｒ２はそれぞれ独立してパラ置換またはメタ置換の炭素数１〜６のアルキルであり、ｎは１または２であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
前記置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルである、
請求項５に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１０】
Ｒ１はそれぞれ独立して置換シリルであり、
Ｒ２は水素であり、該水素の少なくとも１つが重水素で置換されていてもよく、
Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル、または炭素数６〜１２のアリールであり、そして、
前記置換シリルにおける置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、またはｔ−ブチルである、
請求項６に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１１】
Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、パラ置換の、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、ｎは１であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
請求項４に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１２】
Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、メタ置換の、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、ｎは１であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
請求項４に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１３】
Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、パラ置換またはメタ置換の、メチル、エチル、ｉ−プロピルまたはｔ−ブチルであり、ｎは１または２であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
請求項５に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１４】
Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は水素であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
請求項６に記載するベンゾフルオレン化合物。
【請求項１５】
発光素子の発光層用材料であって、請求項１ないし１４のいずれかに記載するベンゾフルオレン化合物を含有する発光層用材料。
【請求項１６】
陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置され、請求項１５に記載する発光層用材料を含有する発光層とを有する、有機電界発光素子。
【請求項１７】
さらに、前記陰極と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１６に記載する有機電界発光素子。
【請求項１８】
前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、請求項１７に記載の有機電界発光素子。
【請求項１９】
請求項１６ないし１８のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
【請求項２０】
請求項１６ないし１８のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、自己発光型の発光素子であり、表示用または照明用の発光素子として期待されている。従来、電界発光する発光素子を用いた表示装置は、省電力化や薄型化が可能なことから、種々研究され、さらに、有機材料からなる有機電界発光素子は、軽量化や大型化が容易なことから活発に検討されてきた。特に、光の三原色の一つである青色をはじめとする発光特性を有する有機材料の開発、および正孔、電子などの電荷輸送能（半導体や超電導体となる可能性を有する）を備えた有機材料の開発については、高分子化合物、低分子化合物を問わずこれまで活発に研究されてきた。
【０００３】
有機電界発光素子は、陽極および陰極からなる一対の電極と、当該一対の電極間に配置され、有機化合物を含む一層または複数の層とからなる構造を有する。有機化合物を含む層には、発光層や、正孔、電子などの電荷を輸送または注入する電荷輸送／注入層があるが、当該有機化合物としては種々の有機材料が開発されている（例えば、国際公開第2004/061047号パンフレット、国際公開第2004/061048号パンフレット（特表2006-512395号公報）、国際公開第2005/056633号パンフレット：特許文献１、２および３を参照）。しかし、これらの特許文献の実施例には、ベンゾフルオレンの高分子化合物しか開示されてない。また、例えば、国際公開第2003/051092号パンフレット（特表2005-513713号公報）には、アリール置換アミノを有するジベンゾフルオレン化合物が示されている（特許文献４を参照）。しかしながら、当該文献にはその構造式のみが開示されていて、その具体的な特性は報告されていない。また、国際公開第2007/108666号パンフレットには、ジフェニルアミノ基を有するピレンやクリセンなどのアリールの誘導体においてフェニルにトリメチルシリル基が置換した化合物が示されている（特許文献５を参照）。しかしながら、当該文献にはトリメチルシリル基を導入した具体的な実施例や効果については報告されていない。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第2004/061047号パンフレット
【特許文献２】国際公開第2004/061048号パンフレット（特表2006-512395号公報）
【特許文献３】国際公開第2005/056633号パンフレット
【特許文献４】国際公開第2003/051092号パンフレット（特表2005-513713号公報）
【特許文献５】国際公開第2007/108666号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述する有機材料を用いても素子寿命などに関して十分な性能を有する有機電界発光素子は、未だ得られていない。このような状況下、素子寿命などにおいて、さらに性能のよい有機電界発光素子、すなわち、該素子を得ることができる化合物の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、下記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物を見出し、その製造に成功した。また、このベンゾフルオレン化合物を含有する層を一対の電極間に配置して有機電界発光素子を構成することにより、素子寿命などにおいて改善された有機電界発光素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち本発明は、以下のようなベンゾフルオレン化合物を提供する。
【０００８】
［１］  下記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物。
【化３】
0005617398.tif 000002
（式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキル、置換シリル、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいシクロアルキル、またはフッ素であり、
ｍおよびｎは、それぞれ独立して１〜５の整数であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリールまたは置換されていてもよいヘテロアリールであり、２つのＲ３が結合して環を形成していてもよく、
ただし、最大２０のＲ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはパラ置換の置換シリルであり、また、式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【０００９】
［２］  下記一般式（１’）で表される、上記［１］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【化４】
0005617398.tif 000003
（式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキルまたは置換シリルであり、
ｎは、それぞれ独立して１〜５の整数であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリールまたは置換されていてもよいヘテロアリールであり、
ただし、最大１２のＲ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはパラ置換の置換シリルであり、また、式（１’）で表されるベンゾフルオレン化合物における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい。）
【００１０】
［３］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキルまたは置換シリルであり、
ｎは、それぞれ独立して１〜５の整数であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよいアルキルまたは置換されていてもよいアリールであり、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
上記［２］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１１】
［４］  Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜２４のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜３０のアリールであり、そして、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜１６のアリールであり、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
上記［２］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１２】
［５］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、置換されていてもよい炭素数１〜２４のアルキルであり、
ｎは１または２であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜２４のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜３０のアリールであり、
Ｒ１における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜１６のアリールであり、
Ｒ２における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキル、炭素数６〜１６のアリールまたはフッ素であり、そして、
Ｒ３における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜１６のアリールであり、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
上記［２］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１３】
［６］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は水素であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜２４のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜３０のアリールであり、
Ｒ１における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜１６のアリールであり、そして、
Ｒ３における置換基は、それぞれ独立して、炭素数１〜２４のアルキル、炭素数３〜１２のシクロアルキルまたは炭素数６〜１６のアリールであり、
ベンゾフルオレン化合物の２つの窒素に結合する４つのフェニル基における少なくとも１つの水素が重水素で置換されていてもよい、
上記［２］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１４】
［７］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、パラ置換の置換シリルであり、ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜１６のアリールであり、そして、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［４］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１５】
［８］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、メタ置換の置換シリルであり、ｎは１であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜１６のアリールであり、そして、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［４］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１６】
［９］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、パラ置換またはメタ置換の、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキルであり、ｎは１または２であり、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜１６のアリールであり、
Ｒ１における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルであり、
Ｒ２における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリル、ナフチルまたはフッ素であり、そして、
Ｒ３における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［５］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１７】
［１０］  Ｒ１は、それぞれ独立して、置換シリルであり、
Ｒ２は水素であり、該水素の少なくとも１つが重水素で置換されていてもよく、
Ｒ３は、それぞれ独立して、水素、置換されていてもよい炭素数１〜１２のアルキルまたは置換されていてもよい炭素数６〜１６のアリールであり、
Ｒ１における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルであり、そして、
Ｒ３における置換基は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［６］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１８】
［１１］  Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、パラ置換の、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、ｎは１であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［４］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００１９】
［１２］  Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、それぞれ独立して、メタ置換の、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、ｎは１であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［４］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００２０】
［１３］  Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は、パラ置換またはメタ置換の、メチル、エチル、ｉ−プロピルまたはｔ−ブチルであり、ｎは１または２であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［５］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００２１】
［１４］  Ｒ１は、それぞれ独立して、トリメチルシリル、トリエチルシリルまたはジメチルモノｔ−ブチルシリルであり、
Ｒ２は水素であり、そして、
Ｒ３は、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルである、
上記［６］に記載するベンゾフルオレン化合物。
【００２２】
［１５］  発光素子の発光層用材料であって、上記［１］ないし［１４］のいずれかに記載するベンゾフルオレン化合物を含有する発光層用材料。
【００２３】
［１６］  陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に配置され、上記［１５］に記載する発光層用材料を含有する発光層とを有する、有機電界発光素子。
【００２４】
［１７］  さらに、前記陰極と該発光層との間に配置される電子輸送層および／または電子注入層を有し、該電子輸送層および電子注入層の少なくとも１つは、キノリノール系金属錯体、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、上記［１６］に記載する有機電界発光素子。
【００２５】
［１８］  前記電子輸送層および／または電子注入層が、さらに、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを含有する、上記［１７］に記載の有機電界発光素子。
【００２６】
［１９］  上記［１６］ないし［１８］のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた表示装置。
【００２７】
［２０］  上記［１６］ないし［１８］のいずれかに記載する有機電界発光素子を備えた照明装置。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の好ましい態様によれば、例えば、発光層用材料として優れた特性を有するベンゾフルオレン化合物を提供することができる。また、素子寿命などの特性について改善された有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明のベンゾフルオレン化合物について詳細に説明する。本発明に係るベンゾフルオレン化合物は、上記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物である。
【００３０】
１．一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物
まず、上記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物について説明する。
【００３１】
一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３における「置換されていてもよいアルキル」の「アルキル」としては、直鎖および分枝鎖のいずれでもよく、例えば、炭素数１〜２４の直鎖アルキルまたは炭素数３〜２４の分枝鎖アルキルがあげられる。好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１８のアルキル（炭素数３〜１８の分枝鎖アルキル）である。より好ましい「アルキル」は、炭素数１〜１２のアルキル（炭素数３〜１２の分枝鎖アルキル）である。さらに好ましい「アルキル」は、炭素数１〜６のアルキル（炭素数３〜６の分枝鎖アルキル）である。特に好ましい「アルキル」は、炭素数１〜４のアルキル（炭素数３〜４の分枝鎖アルキル）である。
【００３２】
具体的な「アルキル」としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、４−メチル−２−ペンチル、３，３−ジメチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−エチルヘキシル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、２，２−ジメチルヘプチル、２，６−ジメチル−４−ヘプチル、３，５，５−トリメチルヘキシル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、１−メチルデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、１−ヘキシルヘプチル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシルなどがあげられる。
【００３３】
一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３における「置換されていてもよいアリール」の「アリール」としては、例えば、炭素数６〜３０のアリールがあげられる。好ましい「アリール」は炭素数６〜１６のアリールであり、より好ましくは炭素数６〜１２のアリールである。
【００３４】
具体的な「アリール」としては、単環系アリールであるフェニル、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）トリル、（２，３−，２，４−，２，５−，２，６−，３，４−，３，５−）キシリル、メシチル、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）クメニル、二環系アリールである（２−，３−，４−）ビフェニリル、縮合二環系アリールである（１−，２−）ナフチル、三環系アリールであるテルフェニリル（ｍ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−４’−イル、ｍ−テルフェニル−５’−イル、ｏ−テルフェニル−３’−イル、ｏ−テルフェニル−４’−イル、ｐ−テルフェニル−２’−イル、ｍ−テルフェニル−２−イル、ｍ−テルフェニル−３−イル、ｍ−テルフェニル−４−イル、ｏ−テルフェニル−２−イル、ｏ−テルフェニル−３−イル、ｏ−テルフェニル−４−イル、ｐ−テルフェニル−２−イル、ｐ−テルフェニル−３−イル、ｐ−テルフェニル−４−イル）、縮合三環系アリールである、アセナフチレン−（１−，３−，４−，５−）イル、フルオレン−（１−，２−，３−，４−，９−）イル、フェナレン−（１−，２−）イル、（１−，２−，３−，４−，９−）フェナントリル、四環系アリールであるクアテルフェニリル（５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−２−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−３−イル、５’−フェニル−ｍ−テルフェニル−４−イル、ｍ−クアテルフェニル）、縮合四環系アリールであるトリフェニレン−（１−，２−）イル、ピレン−（１−，２−，４−）イル、ナフタセン−（１−，２−，５−）イル、縮合五環系アリールであるペリレン−（１−，２−，３−）イル、ペンタセン−（１−，２−，５−，６−）イルなどがあげられる。
【００３５】
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における、特に好ましい「アリール」は、フェニル、ビフェニリル、テルフェニリル、クアテルフェニリル、ナフチルおよびフェナントリルであり、これらの中でも、フェニル、４−ビフェニリル、１−ナフチル、２−ナフチルが好ましい。
【００３６】
一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３における「置換されていてもよいヘテロアリール」の「ヘテロアリール」としては、例えば、炭素数２〜３０のヘテロアリールがあげられる。好ましい「ヘテロアリール」は、炭素数２〜２５のヘテロアリールであり、より好ましくは炭素数２〜２０のヘテロアリールであり、さらに好ましくは炭素数２〜１５のヘテロアリールであり、特に好ましくは炭素数２〜１０のヘテロアリールである。
また、「ヘテロアリール」としては、例えば環構成原子として炭素以外に酸素、硫黄および窒素から選ばれるヘテロ原子を１ないし５個含有する複素環基などがあげられ、例えば、芳香族複素環基などがあげられる。
【００３７】
「複素環基」としては、例えば、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、オキサジアゾリル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、インドリジニルなどがあげられ、イミダゾリル、ピリジル、カルバゾリルなどが好ましい。
【００３８】
「芳香族複素環基」としては、例えば、フリル、チエニル、ピロリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサジアゾリル、フラザニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、ピリジル、ピリミジニル、ピリダジニル、ピラジニル、トリアジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾ［ｂ］チエニル、インドリル、イソインドリル、１Ｈ−インダゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、１Ｈ−ベンゾトリアゾリル、キノリル、イソキノリル、シンノリル、キナゾリル、キノキサリニル、フタラジニル、ナフチリジニル、プリニル、プテリジニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、フェノキサチイニル、チアントレニル、インドリジニルなどがあげられ、チエニル、イミダゾリル、ピリジル、カルバゾリルなどが好ましい。
【００３９】
一般式（１）のＲ１およびＲ２における「置換されていてもよいシクロアルキル」の「シクロアルキル」としては、例えば、炭素数３〜１２のシクロアルキルがあげられる。好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜１０のシクロアルキルである。より好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜８のシクロアルキルである。さらに好ましい「シクロアルキル」は、炭素数３〜６のシクロアルキルである。
【００４０】
具体的な「シクロアルキル」としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロペンチル、シクロヘプチル、メチルシクロヘキシル、シクロオクチルまたはジメチルシクロヘキシルなどがあげられる。
【００４１】
一般式（１）のＲ１およびＲ２における「置換シリル」としては、シリル基における３つの水素が、それぞれ独立して、メチル、エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、ビフェニリルまたはナフチルなどで置換されているものが挙げられる。
【００４２】
具体的な「置換シリル」としては、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、トリｉ−プロピルシリル、トリブチルシリル、トリｓｅｃ−ブチルシリル、トリｔ−ブチルシリル、エチルジメチルシリル、プロピルジメチルシリル、ｉ−プロピルジメチルシリル、ブチルジメチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジエチルシリル、プロピルジエチルシリル、ｉ−プロピルジエチルシリル、ブチルジエチルシリル、ｓｅｃ−ブチルジエチルシリル、ｔ−ブチルジエチルシリル、メチルジプロピルシリル、エチルジプロピルシリル、ブチルジプロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジプロピルシリル、ｔ−ブチルジプロピルシリル、メチルジｉ−プロピルシリル、エチルジｉ−プロピルシリル、ブチルジｉ−プロピルシリル、ｓｅｃ−ブチルジｉ−プロピルシリル、ｔ−ブチルジｉ−プロピルシリルなどのトリアルキルシリルが挙げられる。また、フェニルジメチルシリル、フェニルジエチルシリル、フェニルジｔ−ブチルシリル、メチルジフェニルシリル、エチルジフェニルシリル、プロピルジフェニルシリル、ｉ−プロピルジフェニルシリル、ブチルジフェニルシリル、ｓｅｃ−ブチルジフェニルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。
【００４３】
一般式（１）のＲ１、Ｒ２およびＲ３における「置換されていてもよい〜」の置換基としては、アルキル、シクロアルキル、アリール、フッ素があげられるが、これらの好ましいものとしては、それぞれ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における「アルキル」の欄で説明したもの、Ｒ１およびＲ２における「シクロアルキル」の欄で説明したもの、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における「アリール」の欄で説明したものがあげられる。
【００４４】
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３には「置換基」がないのが好ましいが、置換基を有する場合には、具体的には、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｔ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ペンタデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−ヘプタデシル、ｎ−オクタデシルなどのアルキル；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチルなどのシクロアルキル；フェニル、ビフェニリル、ナフチル、テルフェニリル、フェナントリルなどのアリール；メチルフェニル、エチルフェニル、ｓ−ブチルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、１−メチルナフチル、２−メチルナフチル、１，６−ジメチルナフチル、２，６−ジメチルナフチル、４−ｔ−ブチルナフチルなどのアルキルアリール；フッ素などがあげられる。置換基の数は、例えば、最大置換可能な数であり、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個、さらに好ましくは１個である。
【００４５】
また、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３における水素原子は、全てまたは一部が重水素であってもよい。
【００４６】
なお、Ｒ１およびＲ２は同じであっても異なっていてもよいが、Ｒ１およびＲ２は同じであることが好ましい。また、２つのＲ３は同じであっても異なっていてもよいが、２つのＲ３は同じであることが好ましい。また、２つのＲ３は結合して環を形成していてもよく、この結果、フルオレン骨格の５員環には、シクロブタン、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、フルオレンまたはインデンなどがスピロ縮合していてもよい。
【００４７】
本発明において重要なことは、一般式（１）における最大２０個のＲ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはパラ置換の置換シリル基が選択されることである。パラ置換とは、一般式（１）中のジフェニルアミノ基のフェニル基において窒素結合位置を基準としたパラ位に置換することである。またメタ置換とは同様にフェニル基において窒素結合位置を基準としたメタ位に置換することである。
【００４８】
好ましくは、ベンゾフルオレン化合物中の２つのジフェニルアミノ基のそれぞれに置換シリル基が２つずつパラ置換することである（化合物中に合計４つのパラ置換のシリル基）。また、好ましくは、ベンゾフルオレン化合物中の２つのジフェニルアミノ基のそれぞれに置換シリル基が１つずつパラ置換することである（化合物中に合計２つのパラ置換のシリル基）。なお、ベンゾフルオレン化合物中の２つのジフェニルアミノ基のそれぞれに置換シリル基が１つずつパラ置換した場合、この置換シリル基が結合していない残りの２つのフェニル基には、例えば、それぞれアルキル基が置換する場合や、それぞれ無置換の場合や、それぞれ置換シリル基がメタ置換する場合などがありえる。
【００４９】
また、一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物を構成する、ベンゾフルオレン骨格における水素原子やジフェニルアミノ基のフェニル基における水素原子の、全てまたは一部が重水素であってもよい。重水素化されている場合、ジフェニルアミノ基のフェニル基における水素原子が重水素化されていることが好ましく、ジフェニルアミノ基のフェニル基のうちＲ１またはＲ２が全て水素であるフェニル基（すなわち無置換のフェニル基）における水素原子が重水素化されていることがさらに好ましい。
【００５０】
上記一般式（１）で表される化合物の具体例としては、上記一般式（１’）で表される化合物があげられ、さらなる具体例としては、例えば、下記式（１−１）〜（１−９６）で表される化合物があげられる。下記化合物の中でも、特に、下記式（１−１）、式（１−３）、式（１−５）、式（１−６）、式（１−２０）、式（１−２５）、式（１−２６）、式（１−２９）、式（１−３０）、式（１−３２）、式（１−４０）、式（１−６０）、式（１−６２）、式（１−８０）、式（１−８８）、式（１−９１）、式（１−９４）、式（１−１００）、式（１−１０１）、式（１−１０２）、式（１−１０３）、式（１−１１０）で表される化合物が好ましい。
【００５１】
【化５】
0005617398.tif 000004
【００５２】
【化６】
0005617398.tif 000005
【００５３】
【化７】
0005617398.tif 000006
【００５４】
【化８】
0005617398.tif 000007
【００５５】
【化９】
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【００５６】
【化１０】
0005617398.tif 000009
【００５７】
【化１１】
0005617398.tif 000010
【００５８】
【化１２】
0005617398.tif 000011
【００５９】
【化１３】
0005617398.tif 000012
【００６０】
２．ベンゾフルオレン化合物の製造方法
一般式（１）で表されるように、ベンゾフロオレン骨格に２つのジフェニルアミノ基が結合した化合物は、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応またはＵｌｌｍａｎｎ反応などの既存の反応を利用して製造することができる。
【００６１】
Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応は、塩基の存在下、パラジウム触媒または銅触媒を用いて、芳香族ハライドと、一級芳香族アミンもしくは二級芳香族アミンとをカップリングする方法である。この方法により一般式（１）で表される化合物を得る反応経路の具体例は下記の通りである（スキーム１〜３）。なお、スキーム１で説明する芳香族ハライドの合成方法に関しては、例えば国際公開第2005/056633号パンフレットが参考になる。また、スキーム１の第一段目に示した反応は鈴木カップリングであり、反応させる２つの化合物におけるＸ基とＹ基とを交互に入れ替えても反応させることができる。さらに、この第一段目の反応において、鈴木カップリングではなく根岸カップリングを用いることもでき、この場合には、Ｙ基を有する化合物としてボロン酸やボロン酸エステルの代わりに塩化亜鉛錯体を用いる。また、この根岸カップリングの場合も上記と同様に、Ｘ基とＹ基とを交互に入れ替えても（すなわち、ナフタレンの塩化亜鉛錯体を用いる）反応させることができる。さらには、スキーム１ではカップリング反応の後に五員環を形成するために、ベンゼン環のカップリングさせる炭素の隣に予め−ＣＯＯＲを置換させた原料を用いているが、ナフタレン環の２位（カップリングさせる炭素の隣）に−ＣＯＯＲを置換させた原料を用いることもできる。各スキーム中のＲ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ一般式（１）中で用いられるものに対応する。
【００６２】
【化１４】
0005617398.tif 000013
【００６３】
【化１５】
0005617398.tif 000014
【００６４】
【化１６】
0005617398.tif 000015
【００６５】
この反応で用いられるパラジウム触媒の具体例は、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド：ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２、酢酸パラジウム（ＩＩ）：Ｐｄ（ＯＡｃ）２、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）：Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリス（ジベンジリデンアセトン）二パラジウム（０）クロロホルム錯体：Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）：Ｐｄ（ｄｂａ）２などである。
【００６６】
反応を促進させるため、場合によりこれらのパラジウム化合物にホスフィン化合物を加えてもよい。そのホスフィン化合物の具体例は、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１−（Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１−（メトキシメチル）−２−（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン、２，２’−ビス（ジｔ−ブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−メトキシ−２’−（ジｔ−ブチルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチル、４−ジメチルアミノフェニルジｔ−ブチルホスフィン、フェニルジｔ−ブチルホスフィンなどである。
【００６７】
この反応で用いられる塩基の具体例は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、ナトリウムエトキシド、ナトリウムｔ−ブトキシド、酢酸ナトリウム、リン酸三カリウム、フッ化カリウムなどである。
【００６８】
さらに、この反応で用いられる溶媒の具体例は、ベンゼン、トルエン、キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジエチルエ−テル、ｔ−ブチルメチルエ−テル、１，４−ジオキサン、メタノ−ル、エタノール、イソプロピルアルコ−ルなどである。これらの溶媒は、反応させる芳香族ハライド、トリフラート、芳香族ボロン酸エステルおよび芳香族ボロン酸の構造に応じて適宜選択できる。溶媒は単独で用いてもよく、混合溶媒として用いてもよい。
【００６９】
またＵｌｌｍａｎ反応は、塩基の存在下、銅触媒を用いて、芳香族ハライドと一級芳香族アミンもしくは二級芳香族アミンとをカップリングする方法である。Ｕｌｌｍａｎ反応で用いられる銅触媒の具体例は、銅粉、塩化銅、臭化銅またはヨウ化銅などである。また、この反応で用いられる塩基の具体例は、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応と同じものから選択することができる。さらに、Ｕｌｌｍａｎ反応で用いられる溶媒の具体例は、ニトロベンゼン、ジクロロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどである。
【００７０】
また、一般式（１）で表されるように、ベンゾフロオレン骨格に２つのジフェニルアミノ基が結合した化合物は、以下の反応を利用しても製造することができる（スキーム４、５）。なお、スキーム４及びスキーム５の第一段目に示した反応は鈴木カップリングであり、反応させる２つの化合物におけるＸ基とＹ基とを交互に入れ替えても反応させることができる。さらに、この第一段目の反応において、鈴木カップリングではなく根岸カップリングを用いることもでき、この場合には、Ｙ基を有する化合物としてボロン酸やボロン酸エステルの代わりに塩化亜鉛錯体を用いる。また、この根岸カップリングの場合も上記と同様に、Ｘ基とＹ基とを交互に入れ替えても（すなわち、ジフェニルアミノ置換ナフタレンの塩化亜鉛錯体を用いる）反応させることができる。なお、各スキーム中のＲ１、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ一般式（１）中で用いられるものに対応する。
【００７１】
【化１７】
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【００７２】
【化１８】
0005617398.tif 000017
【００７３】
また、本発明に係るベンゾフルオレン化合物には、少なくとも一部の水素が重水素で置換されているものも含まれるが、このような化合物は所望の箇所が重水素化された原料を用いることで、上記と同様に合成することができる。
【００７４】
３．有機電界発光素子
本発明に係るベンゾフルオレン化合物は、例えば、有機電界発光素子の材料として用いることができる。
この実施形態に係る有機電界発光素子について図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略断面図である。
【００７５】
＜有機電界発光素子の構造＞
図１に示された有機電界発光素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陽極１０２と、陽極１０２の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた陰極１０８とを有する。
【００７６】
なお、有機電界発光素子１００は、作製順序を逆にして、例えば、基板１０１と、基板１０１上に設けられた陰極１０８と、陰極１０８の上に設けられた電子注入層１０７と、電子注入層１０７の上に設けられた電子輸送層１０６と、電子輸送層１０６の上に設けられた発光層１０５と、発光層１０５の上に設けられた正孔輸送層１０４と、正孔輸送層１０４の上に設けられた正孔注入層１０３と、正孔注入層１０３の上に設けられた陽極１０２とを有する構成としてもよい。
【００７７】
上記各層すべてがなくてはならないわけではなく、最小構成単位を陽極１０２と発光層１０５と陰極１０８とからなる構成として、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４、電子輸送層１０６および電子注入層１０７は任意に設けられる層である。また、上記各層は、それぞれ単一層からなってもよいし、複数層からなってもよい。
【００７８】
有機電界発光素子を構成する層の態様としては、上述する「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」の構成態様の他に、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極」、「基板／陽極／正孔注入層／発光層／陰極」、「基板／陽極／正孔輸送層／発光層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極」、「基板／陽極／発光層／電子注入層／陰極」、「基板／陽極／発光層／陰極」の構成態様であってもよい。
【００７９】
＜有機電界発光素子における基板＞
基板１０１は、有機電界発光素子１００の支持体となるものであり、通常、石英、ガラス、金属、プラスチックなどが用いられる。基板１０１は、目的に応じて板状、フィルム状またはシート状に形成され、例えば、ガラス板、金属板、金属箔、プラスチックフィルムまたはプラスチックシートなどが用いられる。なかでも、ガラス板、およびポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂製の板が好ましい。ガラス基板であれば、ソーダライムガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、また、厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、例えば、０．２ｍｍ以上あればよい。厚さの上限値としては、例えば、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ２などのバリアコートを施したソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用することができる。また、基板１０１には、ガスバリア性を高めるために、少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などのガスバリア膜を設けてもよく、特にガスバリア性が低い合成樹脂製の板、フィルムまたはシートを基板１０１として用いる場合にはガスバリア膜を設けるのが好ましい。
【００８０】
＜有機電界発光素子における陽極＞
陽極１０２は、発光層１０５へ正孔を注入する役割を果たすものである。なお、陽極１０２と発光層１０５との間に正孔注入層１０３および／または正孔輸送層１０４が設けられている場合には、これらを介して発光層１０５へ正孔を注入することになる。
【００８１】
陽極１０２を形成する材料としては、無機化合物および有機化合物があげられる。無機化合物としては、例えば、金属（アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、クロムなど）、金属酸化物（インジウムの酸化物、スズの酸化物、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）など）、ハロゲン化金属（ヨウ化銅など）、硫化銅、カーボンブラック、ＩＴＯガラスやネサガラスなどがあげられる。有機化合物としては、例えば、ポリ（３−メチルチオフェン）などのポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマーなどがあげられる。その他、有機電界発光素子の陽極として用いられている物質の中から適宜選択して用いることができる。
【００８２】
透明電極の抵抗は、発光素子の発光に十分な電流が供給できさえすれば特に限定されないが、発光素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、例えば１００〜５Ω／□、好ましくは５０〜５Ω／□の低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。
【００８３】
＜有機電界発光素子における正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１０３は、陽極１０２から移動してくる正孔を、効率よく発光層１０５内または正孔輸送層１０４内に注入する役割を果たすものである。正孔輸送層１０４は、陽極１０２から注入された正孔または陽極１０２から正孔注入層１０３を介して注入された正孔を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４は、それぞれ、正孔注入・輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか、正孔注入・輸送材料と高分子結着剤の混合物により形成される。また、正孔注入・輸送材料に塩化鉄（III）のような無機塩を添加して層を形成してもよい。
【００８４】
正孔注入・輸送性物質としては電界を与えられた電極間において正極からの正孔を効率よく注入・輸送することが必要で、正孔注入効率が高く、注入された正孔を効率よく輸送することが望ましい。そのためにはイオン化ポテンシャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。
【００８５】
正孔注入層１０３および正孔輸送層１０４を形成する材料としては、光導電材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されている化合物、ｐ型半導体、有機電界発光素子の正孔注入層および正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。それらの具体例は、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）などのビスカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体（芳香族第３級アミノを主鎖あるいは側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニル（以下、ＮＰＤと略記する。）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）トリフェニルアミンなどのトリフェニルアミン誘導体、スターバーストアミン誘導体など、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ピラゾリン誘導体、ヒドラゾン系化合物、ベンゾフラン誘導体やチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポルフィリン誘導体などの複素環化合物、ポリシランなどである。ポリマー系では上記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾールおよびポリシランなどが好ましいが、発光素子の作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。
【００８６】
また、有機半導体の導電性は、そのドーピングにより、強い影響を受けることも知られている。このような有機半導体マトリックス物質は、電子供与性の良好な化合物、または電子受容性の良好な化合物から構成されている。電子供与物質のドーピングのために、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）または２，３，５，６−テトラフルオロテトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの強い電子受容体が知られている（例えば、文献「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202-3204(1998)」および文献「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,Appl.Phys.Lett.,73（6）,729-731（1998）」を参照）。これらは、電子供与型ベース物質（正孔輸送物質）における電子移動プロセスによって、いわゆる正孔を生成する。正孔の数および移動度によって、ベース物質の伝導性が、かなり大きく変化する。正孔輸送特性を有するマトリックス物質としては、例えばベンジジン誘導体（ＴＰＤなど）またはスターバーストアミン誘導体（ＴＤＡＴＡなど）、あるいは、特定の金属フタロシアニン（特に、亜鉛フタロシアニンＺｎＰｃなど）が知られている（特開２００５−１６７１７５号公報）。
【００８７】
＜有機電界発光素子における発光層＞
発光層１０５は、電界を与えられた電極間において、陽極１０２から注入された正孔と、陰極１０８から注入された電子とを再結合させることにより発光するものである。発光層１０５を形成する材料としては、正孔と電子との再結合によって励起されて発光する化合物（発光性化合物）であればよく、安定な薄膜形状を形成することができ、かつ、固体状態で強い発光（蛍光および／または燐光）効率を示す化合物であるのが好ましい。
【００８８】
発光層は単一層でも複数層からなってもどちらでもよく、それぞれ発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。すなわち、発光層の各層において、ホスト材料もしくはドーパント材料のみが発光してもよいし、ホスト材料とドーパント材料がともに発光してもよい。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパントの使用量はドーパントによって異なり、そのドーパントの特性に合わせて決めれば良い。ドーパントの使用量の目安は、好ましくは発光材料全体の０．００１〜５０重量％であり、より好ましくは０．１〜１０重量％であり、さらに好ましくは１〜５重量％である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。
【００８９】
ホスト材料としては、特に限定されるものではないが、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムをはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ピロロピロール誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体が好適に用いられる。
【００９０】
その他、ホスト材料としては、化学工業２００４年６月号１３頁、および、それにあげられた参考文献などに記載された化合物などの中から適宜選択して用いることができる。
【００９１】
ホスト材料の使用量は、好ましくは発光材料全体の５０〜９９．９９９重量％であり、より好ましくは８０〜９９．９５重量％であり、さらに好ましくは９０〜９９．９重量％である。
【００９２】
また、ドーパント材料としては、上記一般式（１）のベンゾフルオレン化合物を用いることができ、特に、下記式（１−１）、式（１−３）、式（１−５）、式（１−６）、式（１−２０）、式（１−２５）、式（１−２６）、式（１−２９）、式（１−３０）、式（１−３２）、式（１−４０）、式（１−６０）、式（１−６２）、式（１−８０）、式（１−８８）、式（１−９１）、式（１−９４）、式（１−１００）、式（１−１０１）、式（１−１０２）、式（１−１０３）、式（１−１１０）で表される化合物を用いることが好ましい。上記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物のドーパント材料としての使用量は、好ましくは発光材料全体の０．００１〜５０重量％であり、より好ましくは０．０５〜２０重量％であり、さらに好ましくは０．１〜１０重量％である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着してもよい。
【００９３】
また、その他のドーパント材料も同時に使用できる。その他のドーパント材料としては、特に限定されるものではなく、既知の化合物を用いることができ、所望の発光色に応じて様々な材料の中から選択することができる。具体的には、例えば、フェナンスレン、アントラセン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、ペリレン、ナフトピレン、ジベンゾピレンおよびルブレンなどの縮合環誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体（特開平１−２４５０８７号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、ジアザインダセン誘導体、フラン誘導体、ベンゾフラン誘導体、フェニルイソベンゾフラン、ジメシチルイソベンゾフラン、ジ（２−メチルフェニル）イソベンゾフラン、ジ（２−トリフルオロメチルフェニル）イソベンゾフラン、フェニルイソベンゾフランなどのイソベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、７−ジアルキルアミノクマリン誘導体、７−ピペリジノクマリン誘導体、７−ヒドロキシクマリン誘導体、７−メトキシクマリン誘導体、７−アセトキシクマリン誘導体、３−ベンゾチアゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾイミダゾリルクマリン誘導体、３−ベンゾオキサゾリルクマリン誘導体などのクマリン誘導体、ジシアノメチレンピラン誘導体、ジシアノメチレンチオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、シアニン誘導体、オキソベンゾアンスラセン誘導体、キサンテン誘導体、ローダミン誘導体、フルオレセイン誘導体、ピリリウム誘導体、カルボスチリル誘導体、アクリジン誘導体、オキサジン誘導体、フェニレンオキサイド誘導体、キナクリドン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、フロピリジン誘導体、１，２，５−チアジアゾロピレン誘導体、ピロメテン誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、アクリドン誘導体およびデアザフラビン誘導体などがあげられる。
【００９４】
発色光ごとに例示すると、青〜青緑色ドーパント材料としては、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン、ピレン、トリフェニレン、ペリレン、フルオレン、インデンなどの芳香族炭化水素化合物やその誘導体、フラン、ピロール、チオフェン、シロール、９−シラフルオレン、９，９’−スピロビシラフルオレン、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、インドール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、イミダゾピリジン、フェナントロリン、ピラジン、ナフチリジン、キノキサリン、ピロロピリジン、チオキサンテンなどの芳香族複素環化合物やその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、クマリン誘導体、イミダゾール、チアゾール、チアジアゾール、カルバゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾールなどのアゾール誘導体およびその金属錯体およびＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンに代表される芳香族アミン誘導体などがあげられる。
【００９５】
また、緑〜黄色ドーパント材料としては、クマリン誘導体、フタルイミド誘導体、ナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、ピロロピロール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体およびルブレンなどのナフタセン誘導体などがあげられ、さらに上記青〜青緑色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール、ヘテロアリール、アリールビニル、アミノ、シアノなど長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。
【００９６】
さらに、橙〜赤色ドーパント材料としては、ビス（ジイソプロピルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナントロリンなどを配位子とするＥｕ錯体などの希土類錯体、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランやその類縁体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、フェノキサジン誘導体、オキサジン誘導体、キナゾリン誘導体、ピロロピリジン誘導体、スクアリリウム誘導体、ビオラントロン誘導体、フェナジン誘導体、フェノキサゾン誘導体およびチアジアゾロピレン誘導体などあげられ、さらに上記青〜青緑色および緑〜黄色ドーパント材料として例示した化合物に、アリール、ヘテロアリール、アリールビニル、アミノ、シアノなど長波長化を可能とする置換基を導入した化合物も好適な例としてあげられる。さらに、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（III）に代表されるイリジウムや白金を中心金属とした燐光性金属錯体も好適な例としてあげられる。
【００９７】
本発明の発光層用材料に適したドーパント材料としては、上述するドーパント材料の中でも、上記一般式（１）で表されるベンゾフルオレン化合物が最適であり、同時に使用できるドーパント材料としては、ペリレン誘導体、ボラン誘導体、アミン含有スチリル誘導体、芳香族アミン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、イリジウム錯体または白金錯体が好ましい。
【００９８】
ペリレン誘導体としては、例えば、３，１０−ビス（２，６−ジメチルフェニル）ペリレン、３，１０−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）ペリレン、３，１０−ジフェニルペリレン、３，４−ジフェニルペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、３，４，９，１０−テトラフェニルペリレン、３−（１’−ピレニル）−８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレン、３−（９’−アントリル）−８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレン、３，３’−ビス（８，１１−ジ（ｔ−ブチル）ペリレニル）などがあげられる。
また、特開平11-97178号公報、特開2000-133457号公報、特開2000-26324号公報、特開2001-267079号公報、特開2001-267078号公報、特開2001-267076号公報、特開2000-34234号公報、特開2001-267075号公報、および特開2001-217077号公報などに記載されたペリレン誘導体を用いてもよい。
【００９９】
ボラン誘導体としては、例えば、１，８−ジフェニル−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−フェニル−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、４−（９’−アントリル）ジメシチルボリルナフタレン、４−（１０’−フェニル−９’−アントリル）ジメシチルボリルナフタレン、９−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−（４’−ビフェニリル）−１０−（ジメシチルボリル）アントラセン、９−（４’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル）−１０−（ジメシチルボリル）アントラセンなどがあげられる。
また、国際公開第2000/40586号パンフレットなどに記載されたボラン誘導体を用いてもよい。
【０１００】
アミン含有スチリル誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニリル）−４、４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（１−ナフチル）−４、４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフチル）−４、４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４、４’−ジアミノスチルベン、Ｎ，Ｎ’−ジ（９−フェナントリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４、４’−ジアミノスチルベン、４，４’−ビス［４”−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−ビフェニル、１，４−ビス［４’−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−ベンゼン、２，７−ビス［４’−ビス（ジフェニルアミノ）スチリル］−９，９−ジメチルフルオレン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−ビフェニル、４，４’−ビス（９−フェニル−３−カルバゾビニレン）−ビフェニルなどがあげられる。  また、特開2003-347056号公報、および特開2001-307884号公報などに記載されたアミン含有スチリル誘導体を用いてもよい。
【０１０１】
芳香族アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラフェニルアントラセン−９，１０−ジアミン、９，１０−ビス（４−ジフェニルアミノ−フェニル）アントラセン、９，１０−ビス（４−ジ（１−ナフチルアミノ）フェニル）アントラセン、９，１０−ビス（４−ジ（２−ナフチルアミノ）フェニル）アントラセン、１０−ジ−ｐ−トリルアミノ−９−（４−ジ−ｐ−トリルアミノ−１−ナフチル）アントラセン、１０−ジフェニルアミノ−９−（４−ジフェニルアミノ−１−ナフチル）アントラセン、１０−ジフェニルアミノ−９−（６−ジフェニルアミノ−２−ナフチル）アントラセン、［４−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）ナフタレン−１−イル］−ジフェニルアミン、［４−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）ナフタレン−１−イル］−ジフェニルアミン、［６−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）ナフタレン−２−イル］−ジフェニルアミン、４，４’−ビス［４−ジフェニルアミノナフタレン−１−イル］ビフェニル、４，４’−ビス［６−ジフェニルアミノナフタレン−２−イル］ビフェニル、４，４”−ビス［４−ジフェニルアミノナフタレン−１−イル］−ｐ−テルフェニル、４，４”−ビス［６−ジフェニルアミノナフタレン−２−イル］−ｐ−テルフェニルなどがあげられる。
また、特開2006-156888号公報などに記載された芳香族アミン誘導体を用いてもよい。
【０１０２】
クマリン誘導体としては、クマリン−６、クマリン−３３４などがあげられる。
また、特開2004-43646号公報、特開2001-76876号公報、および特開平6-298758号公報などに記載されたクマリン誘導体を用いてもよい。
【０１０３】
ピラン誘導体としては、下記のＤＣＭ、ＤＣＪＴＢなどがあげられる。
【化１９】
0005617398.tif 000018
また、特開2005-126399号公報、特開2005-097283号公報、特開2002-234892号公報、特開2001-220577号公報、特開2001-081090号公報、および特開2001-052869号公報などに記載されたピラン誘導体を用いてもよい。
【０１０４】
イリジウム錯体としては、下記のＩｒ（ｐｐｙ）３などがあげられる。
【化２０】
0005617398.tif 000019
また、特開2006-089398号公報、特開2006-080419号公報、特開2005-298483号公報、特開2005-097263号公報、および特開2004-111379号公報などに記載されたイリジウム錯体を用いてもよい。
【０１０５】
白金錯体としては、下記のＰｔＯＥＰなどがあげられる。
【化２１】
0005617398.tif 000020
また、特開2006-190718号公報、特開2006-128634号公報、特開2006-093542号公報、特開2004-335122号公報、および特開2004-331508号公報などに記載された白金錯体を用いてもよい。
【０１０６】
その他、ドーパントとしては、化学工業２００４年６月号１３頁、および、それにあげられた参考文献などに記載された化合物などの中から適宜選択して用いることができる。
【０１０７】
＜有機電界発光素子における電子注入層、電子輸送層＞
電子注入層１０７は、陰極１０８から移動してくる電子を、効率よく発光層１０５内または電子輸送層１０６内に注入する役割を果たすものである。電子輸送層１０６は、陰極１０８から注入された電子または陰極１０８から電子注入層１０７を介して注入された電子を、効率よく発光層１０５に輸送する役割を果たすものである。電子輸送層１０６および電子注入層１０７は、それぞれ、電子輸送・注入材料の一種または二種以上を積層、混合するか、電子輸送・注入材料と高分子結着剤の混合物により形成される。
【０１０８】
電子注入・輸送層とは、陰極から電子が注入され、さらに電子を輸送することを司る層であり、電子注入効率が高く、注入された電子を効率よく輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが好ましい。しかしながら、正孔と電子の輸送バランスを考えた場合に、陽極からの正孔が再結合せずに陰極側へ流れるのを効率よく阻止できる役割を主に果たす場合には、電子輸送能力がそれ程高くなくても、発光効率を向上させる効果は電子輸送能力が高い材料と同等に有する。したがって、本実施形態における電子注入・輸送層は、正孔の移動を効率よく阻止できる層の機能も含まれてもよい。
【０１０９】
電子輸送層および電子注入層に用いられる材料としては、光導電材料において電子伝達化合物として従来から慣用されている化合物、有機電界発光素子の電子注入層および電子輸送層に使用されている公知の化合物の中から任意に選択して用いることができる。
【０１１０】
具体的には、ピリジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントロリン誘導体、ペリノン誘導体、クマリン誘導体、ナフタルイミド誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導体、チオフェン誘導体、チアジアゾール誘導体、キノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体のポリマー、ベンザゾール類化合物、ピラゾール誘導体、パーフルオロ化フェニレン誘導体、トリアジン誘導体、ピラジン誘導体、イミダゾピリジン誘導体、ボラン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、アルダジン誘導体、カルバゾール誘導体、インドール誘導体、リンオキサイド誘導体、ビススチリル誘導体などがあげられる。また、オキサジアゾール誘導体（１，３−ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）１，３，４−オキサジアゾリル］フェニレンなど）、トリアゾール誘導体（Ｎ−ナフチル−２，５−ジフェニル−１，３，４−トリアゾールなど）、ベンゾキノリン誘導体（２，２’−ビス（ベンゾ［ｈ］キノリン−２−イル）−９，９’−スピロビフルオレンなど）、ベンゾイミダゾール誘導体（トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼンなど）、ビピリジン誘導体、テルピリジン誘導体（１，３−ビス（４’−（２，２’：６’２”−テルピリジニル））ベンゼンなど）、ナフチリジン誘導体（ビス（１−ナフチル）−４−（１，８−ナフチリジン−２−イル）フェニルホスフィンオキサイドなど）などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。
【０１１１】
また、電子受容性窒素を有する金属錯体を用いることもでき、例えば、キノリノール系金属錯体やヒドロキシフェニルオキサゾール錯体などのヒドロキシアゾール錯体、アゾメチン錯体、トロポロン金属錯体、フラボノール金属錯体およびベンゾキノリン金属錯体などがあげられる。これらの材料は単独でも用いられるが、異なる材料と混合して使用しても構わない。
【０１１２】
上述した材料の中でも、キノリノール系金属錯体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ボラン誘導体またはベンゾイミダゾール誘導体が好ましい。
【０１１３】
キノリノール系金属錯体は、下記一般式(E-1)で表される化合物である。
【化２２】
0005617398.tif 000021
式中、Ｒ１〜Ｒ６は水素または置換基であり、ＭはＡｌ、Ｇａ、ＢｅまたはＺｎであり、ｎは２または３の整数である。
【０１１４】
キノリノール系金属錯体の具体例としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン）ベリリウムなどがあげられる。
【０１１５】
ビピリジン誘導体は、下記一般式(E-2)で表される化合物である。
【化２３】
0005617398.tif 000022
式中、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、ピリジン−ピリジンまたはピリジン−Ｇの結合に用いられない炭素原子は置換されていてもよい。
【０１１６】
一般式(E-2)のＧとしては、例えば、以下の構造式のものがあげられる。なお、下記構造式中のＲは、それぞれ独立して、水素、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニリルまたはテルフェニリルである。
【化２４】
0005617398.tif 000023
【０１１７】
ピリジン誘導体の具体例としては、２，５−ビス（２，２’−ビピリジル−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ビピリジル−６−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール、２，５−ビス（２，２’−ビピリジル−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール、２，５−ビス（２，２’−ビピリジル−５−イル）−１，１−ジメチル−３，４−ジメシチルシロール９，１０−ジ（２，２’−ビピリジル−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ビピリジル−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ビピリジル−６−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ビピリジル−５−イル）アントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ビピリジル−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，３’−ビピリジル−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ビピリジル−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，２’−ビピリジル−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ビピリジル−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（２，４’−ビピリジル−５−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ビピリジル−６−イル）−２−フェニルアントラセン、９，１０−ジ（３，４’−ビピリジル−５−イル）−２−フェニルアントラセン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，２’−ビピリジル−６−イル）チオフェン、３，４−ジフェニル−２，５−ジ（２，３’−ビピリジル−５−イル）チオフェン、６’６”−ジ（２−ピリジル）２，２’：４’，４”：２”，２”’−クアテルピリジンなどがあげられる。
【０１１８】
フェナントロリン誘導体は、下記一般式(E-3-1)または(E-3-2)で表される化合物である。
【化２５】
0005617398.tif 000024
式中、Ｒ１〜Ｒ８は水素または置換基であり、隣接する基は互いに結合して縮合環を形成してもよく、Ｇは単なる結合手またはｎ価の連結基を表し、ｎは２〜８の整数である。また、一般式(E-3-2)のＧとしては、例えば、ビピリジン誘導体の欄で説明したものと同じものがあげられる。
【０１１９】
フェナントロリン誘導体の具体例としては、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、９，１０−ジ（１，１０−フェナントロリン−２−イル）アントラセン、２，６−ジ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ピリジン、１，３，５−トリ（１，１０−フェナントロリン−５−イル）ベンゼン、９，９’−ジフルオル−ビス（１，１０−フェナントロリン−５−イル）、バソクプロインや１，３−ビス（２−フェニル−１，１０−フェナントロリン−９−イル）ベンゼンなどがあげられる。
【０１２０】
特に、フェナントロリン誘導体を電子輸送層、電子注入層に用いた場合について説明する。長時間にわたって安定な発光を得るには、熱的安定性や薄膜形成性に優れた材料が望まれ、フェナントロリン誘導体の中でも、置換基自身が三次元的立体構造を有するか、フェナントロリン骨格とのあるいは隣接置換基との立体反発により三次元的立体構造を有するもの、あるいは複数のフェナントロリン骨格を連結したものが好ましい。さらに、複数のフェナントロリン骨格を連結する場合、連結ユニット中に共役結合、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素、置換もしくは無置換の芳香複素環を含んでいる化合物がより好ましい。
【０１２１】
ボラン誘導体は、下記一般式(E-4)で表される化合物であり、詳細には特開2007-27587号公報に開示されている。
【化２６】
0005617398.tif 000025
式中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換シリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘは、置換されていてもよいアリーレンであり、Ｙは、置換されていてもよい炭素数１６以下のアリール、置換ボリル、または置換されていてもよいカルバゾールであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。
【０１２２】
上記一般式(E-4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E-4-1)で表される化合物、さらに下記一般式(E-4-1-1)〜(E-4-1-4)で表される化合物が好ましい。具体例としては、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）フェニル］カルバゾール、９−［４−（４−ジメシチルボリルナフタレン−１−イル）ナフタレン−１−イル］カルバゾールなどがあげられる。
【化２７】
0005617398.tif 000026
式中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換シリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ独立して、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換シリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数であり、そして、ｍはそれぞれ独立して０〜４の整数である。
【０１２３】
【化２８】
0005617398.tif 000027
各式中、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
【０１２４】
上記一般式(E-4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E-4-2)で表される化合物、さらに下記一般式(E-4-2-1)で表される化合物が好ましい。
【化２９】
0005617398.tif 000028
式中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換シリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数２０以下のアリーレンであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。
【０１２５】
【化３０】
0005617398.tif 000029
式中、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
【０１２６】
上記一般式(E-4)で表される化合物の中でも、下記一般式(E-4-3)で表される化合物、さらに下記一般式(E-4-3-1)または(E-4-3-2)で表される化合物が好ましい。
【化３１】
0005617398.tif 000030
式中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立して、水素、アルキル、置換されていてもよいアリール、置換シリル、置換されていてもよい窒素含有複素環、またはシアノの少なくとも一つであり、Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立して、置換されていてもよいアルキル、または置換されていてもよいアリールであり、Ｘ１は、置換されていてもよい炭素数１０以下のアリーレンであり、Ｙ１は、置換されていてもよい炭素数１４以下のアリールであり、そして、ｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。
【０１２７】
【化３２】
0005617398.tif 000031
各式中、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ独立して、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかであり、そして、Ｒ35およびＲ36は、それぞれ独立して、水素、メチル、イソプロピルまたはフェニルのいずれかである。
【０１２８】
ベンゾイミダゾール誘導体は、下記一般式(E-5)で表される化合物である。
【化３３】
0005617398.tif 000032
式中、Ａｒ１〜Ａｒ３はそれぞれ独立に水素または置換されてもよい炭素数６〜３０のアリールである。特に、Ａｒ１が置換されてもよいアントリルであるベンゾイミダゾール誘導体が好ましい。
【０１２９】
炭素数６〜３０のアリールの具体例は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、アセナフチレン−１−イル、アセナフチレン−３−イル、アセナフチレン−４−イル、アセナフチレン−５−イル、フルオレン−１−イル、フルオレン−２−イル、フルオレン−３−イル、フルオレン−４−イル、フルオレン−９−イル、フェナレン−１−イル、フェナレン−２−イル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル，９−フェナントリル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、フルオランテン−１−イル、フルオランテン−２−イル、フルオランテン−３−イル、フルオランテン−７−イル、フルオランテン−８−イル、トリフェニレン−１−イル、トリフェニレン−２−イル、ピレン−１−イル、ピレン−２−イル、ピレン−４−イル、クリセン−１−イル、クリセン−２−イル、クリセン−３−イル、クリセン−４−イル、クリセン−５−イル、クリセン−６−イル、ナフタセン−１−イル、ナフタセン−２−イル、ナフタセン−５−イル、ペリレン−１−イル、ペリレン−２−イル、ペリレン−３−イル、ペンタセン−１−イル、ペンタセン−２−イル、ペンタセン−５−イル、ペンタセン−６−イルである。
【０１３０】
ベンゾイミダゾール誘導体の具体例は、１−フェニル−２−（４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル）−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（３−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、２−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、１−（４−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）フェニル）−２−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール、５−（９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン−２−イル）−１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾールである。
【０１３１】
電子輸送層または電子注入層には、さらに、電子輸送層または電子注入層を形成する材料を還元できる物質を含んでいてもよい。この還元性物質は、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体および希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも１つを好適に使用することができる。
【０１３２】
好ましい還元性物質としては、Ｎａ（仕事関数２．３６ｅＶ）、Ｋ（同２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（同２．１６ｅＶ）またはＣｓ（同１．９５ｅＶ）などのアルカリ金属や、Ｃａ（同２．９ｅＶ）、Ｓｒ（同２．０〜２．５ｅＶ）またはＢａ（同２．５２ｅＶ）などのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性物質は、Ｋ、ＲｂまたはＣｓのアルカリ金属であり、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましいのはＣｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性物質として、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ、またはＣｓとＮａとＫとの組み合わせが好ましい。Ｃｓを含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子輸送層または電子注入層を形成する材料への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０１３３】
＜有機電界発光素子における陰極＞
陰極１０８は、電子注入層１０７および電子輸送層１０６を介して、発光層１０５に電子を注入する役割を果たすものである。
【０１３４】
陰極１０８を形成する材料としては、電子を有機層に効率よく注入できる物質であれば特に限定されないが、陽極１０２を形成する材料と同様のものを用いることができる。なかでも、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金、鉄、亜鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムおよびマグネシウムなどの金属またはそれらの合金（マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、フッ化リチウム／アルミニウムなどのアルミニウム−リチウム合金など）などが好ましい。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかしながら、これらの低仕事関数金属は一般に大気中で不安定であることが多い。この点を改善するために、例えば、有機層に微量のリチウム、セシウムやマグネシウムをドーピングして、安定性の高い電極を使用する方法が知られている。その他のドーパントとしては、フッ化リチウム、フッ化セシウム、酸化リチウムおよび酸化セシウムのような無機塩も使用することができる。ただし、これらに限定されるものではない。
【０１３５】
さらに、電極保護のために白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウムおよびインジウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニアおよび窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子化合物などを積層することが、好ましい例としてあげられる。これらの電極の作製法も、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティングおよびコーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。
【０１３６】
＜各層で用いてもよい結着剤＞
以上の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層に用いられる材料は単独で各層を形成することができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。
【０１３７】
＜有機電界発光素子の作製方法＞
有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、印刷法、スピンコート法またはキャスト法、コーティング法などの方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に限定はなく、材料の性質に応じて適宜設定することができるが、通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲である。膜厚は通常、水晶発振式膜厚測定装置などで測定できる。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、材料の種類、膜の目的とする結晶構造および会合構造などにより異なる。蒸着条件は一般的に、ボート加熱温度＋５０〜＋４００℃、真空度１０−６〜１０−３Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚２ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜設定することが好ましい。
【０１３８】
次に、有機電界発光素子を作製する方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／ホスト材料とドーパント材料からなる発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機電界発光素子の作製法について説明する。適当な基板上に、陽極材料の薄膜を蒸着法などにより形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔注入層および正孔輸送層の薄膜を形成させる。この上にホスト材料とドーパント材料を共蒸着し薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に電子輸送層、電子注入層を形成させ、さらに陰極用物質からなる薄膜を蒸着法などにより形成させて陰極とすることにより、目的の有機電界発光素子が得られる。なお、上述の有機電界発光素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【０１３９】
このようにして得られた有機電界発光素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明または半透明の電極側（陽極または陰極、および両方）より発光が観測できる。また、この有機電界発光素子は、パルス電流や交流電流を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１４０】
＜有機電界発光素子の応用例＞
また、本発明は、有機電界発光素子を備えた表示装置または有機電界発光素子を備えた照明装置などにも応用することができる。
有機電界発光素子を備えた表示装置または照明装置は、本実施形態にかかる有機電界発光素子と公知の駆動装置とを接続するなど公知の方法によって製造することができ、直流駆動、パルス駆動、交流駆動など公知の駆動方法を適宜用いて駆動することができる。
【０１４１】
表示装置としては、例えば、カラーフラットパネルディスプレイなどのパネルディスプレイ、フレキシブルカラー有機電界発光（ＥＬ）ディスプレイなどのフレキシブルディスプレイなどがあげられる（例えば、特開平１０−３３５０６６号公報、特開２００３−３２１５４６号公報、特開２００４−２８１０８６号公報など参照）。また、ディスプレイの表示方式としては、例えば、マトリクスおよび／またはセグメント方式などがあげられる。なお、マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。
【０１４２】
マトリクスとは、表示のための画素が格子状やモザイク状など二次元的に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状やサイズは用途によって決まる。例えば、パソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられ、また、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。
【０１４３】
セグメント方式（タイプ）では、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示および自動車のパネル表示などがあげられる。
【０１４４】
照明装置としては、例えば、室内照明などの照明装置、液晶表示装置のバックライトなどがあげられる（例えば、特開２００３−２５７６２１号公報、特開２００３−２７７７４１号公報、特開２００４−１１９２１１号公報など参照）。バックライトは、主に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表示装置、時計、オーディオ装置、自動車パネル、表示板および標識などに使用される。特に、液晶表示装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途のバックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているため薄型化が困難であることを考えると、本実施形態に係る発光素子を用いたバックライトは薄型で軽量が特徴になる。
【実施例】
【０１４５】
＜ベンゾフルオレン化合物の合成例＞
以下、式（１−２０）、式（１−２５）、式（１−２６）、式（１−６０）、式（１−６２）で表される化合物および比較例で用いた化合物（Ａ）、（Ｂ）の合成例について説明する。
【０１４６】
＜式（１−２０）で表される化合物の合成例＞
【化３４】
0005617398.tif 000033
【０１４７】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン２２．９ｇとｐ−トルイジン１０．７ｇを脱水トルエン１５０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム４５ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド１２．５ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン１．２ｇを加えて１００℃で８時間加熱した。反応後、水を添加し、分液ロートにて有機層と水層を分離し、有機層を濃縮した。その粗製品をシリカゲルショートカラムで精製（溶媒：トルエン）した後、加熱真空乾燥（９０℃、０．０１ｋＰａ）して以下の化合物を２０．７ｇ（収率８１％）得た。
【化３５】
0005617398.tif 000034
【０１４８】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン５．３ｇと上記で合成した化合物５．７ｇを脱水トルエン３０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム２２ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．４ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０６０ｇを加えて８０℃で１時間加熱した。反応後、シリカゲルショートカラムで精製（溶媒：トルエン）することにより触媒を除去した。その後、粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝７／３（容積比））を行った後、昇華精製をして、目的の式（１−２０）で表される化合物を５．０ｇ（収率５７％）得た。
【０１４９】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により式（１−２０）で表される化合物の構造を確認した。
ＡＰＣＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ  ８７６  ［Ｍ＋２Ｈ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１１（ｄ，１Ｈ）、７．９９（ｄ，１Ｈ）、７．５２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３３−６．８４（ｍ，３０Ｈ）、２．３１（ｓ，３Ｈ）、２．２４（ｓ，３Ｈ）、０.２４（ｓ，９Ｈ）、０．２０（ｓ，９Ｈ）．
【０１５０】
＜式（１−２５）で表される化合物の合成例＞
【化３６】
0005617398.tif 000035
【０１５１】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［ｃ］フルオレン４．７ｇと４−イソプロピルアニリン２．４ｇを脱水トルエン３０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム５２ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇ、およびトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０５５ｇを加えて５０℃で２時間加熱した。その後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン４．１ｇ、酢酸パラジウム１０ｍｇ、およびナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。
反応後、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容積比））を行った後、昇華精製して、目的の式（１−２５）で表される化合物を２．５ｇ（収率３０％）得た。
【０１５２】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により式（１−２５）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０３（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３７−６．８８（ｍ，３０Ｈ）、２．８７（ｍ，２Ｈ）、１．２２（ｄ，６Ｈ）、１．２３（ｄ，６Ｈ）０.２５（ｓ，９Ｈ）、０．２１（ｓ，９Ｈ）．
【０１５３】
＜式（１−２６）で表される化合物の合成例＞
【化３７】
0005617398.tif 000036
【０１５４】
窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン２２．９ｇとｐ−ｔ−ブチルアニリン１４．９ｇを脱水トルエン１５０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム６７ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド１２．５ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン１．８ｇを加えて１００℃で４時間過加熱した。反応後、水を添加し、分液ロートにて有機層と水層を分離した。有機層を集めて、シリカゲルショートカラムで精製（溶媒：トルエン）した後、加熱真空乾燥（１００℃、０．０１ｋＰａ）して以下の化合物を２３．４ｇ（収率７９％）得た。
【化３８】
0005617398.tif 000037
【０１５５】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン５．３ｇと上記で合成した化合物６．５ｇを脱水トルエン３０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム２２ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．４ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０６０ｇを加えて６０℃で４時間加熱した。室温冷却後、沈殿物をろ過し、メタノールと水で洗浄した。その後、粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝４／１（容積比））を行った後、昇華精製をして、目的の式（１−２６）で表される化合物を５．４ｇ（収率５６％）得た。
【０１５６】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により式（１−２６）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０２（ｄ，１Ｈ）、７．５０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３７−６．９０（ｍ，３０Ｈ）、１．３０（ｄ，６Ｈ）、１．２６（ｄ，６Ｈ）、０．２４（ｓ，９Ｈ）、０．２０（ｓ，９Ｈ）．
【０１５７】
＜式（１−６０）で表される化合物の合成例＞
【化３９】
0005617398.tif 000038
【０１５８】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［ｃ］フルオレン５．０ｇとアニリン１．７ｇを脱水トルエン３０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム５２ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０５５ｇを加えて５０℃で２時間加熱した。その後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン４．１ｇ、酢酸パラジウム１０ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。
反応後、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容積比））を行った後、昇華精製して、目的の式（１−６０）で表される化合物を２．５ｇ（収率３２％）得た。
【０１５９】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により式（１−６０）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１８（ｄ，１Ｈ）、８．０２（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３７−６．９２（ｍ，３１Ｈ）、０．２５（ｓ，９Ｈ）、０．２１（ｓ，９Ｈ）．
【０１６０】
＜式（１−６２）で表される化合物の合成例＞
【化４０】
0005617398.tif 000039
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン９．５ｇとアニリン４．５ｇを脱水トルエン８０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１４０ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド７．０ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．１５ｇを加えて５０℃で２時間加熱した。反応後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン１１ｇ、酢酸パラジウム２７ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド７．０ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。
水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容積比））を行った後、昇華精製して、目的の式（１−６２）で表される化合物を３．１ｇ（収率１８％）得た。
【０１６１】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により式（１−６２）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．６８（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０５（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４５−６．９４（ｍ，３２Ｈ）、１．４１（ｓ，６Ｈ）、０．２７（ｓ，９Ｈ）、０．２２（ｓ，９Ｈ）．
【０１６２】
＜比較例化合物（Ａ）の合成例＞
【化４１】
0005617398.tif 000040
【０１６３】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［ｃ］フルオレン２．５ｇとジフェニルアミン１．６ｇを脱水キシレン１００ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム１．５ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド０．９８ｇ、そしてトリ（ｔ−ブチル）ホスフィン１４ｍｇを加えて４時間還流した。
反応後、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて濃縮し、粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝３／１（容積比））を行った後、昇華精製して、目的の比較例化合物（Ａ）を４５０ｍｇ（収率：１３％）得た。
【０１６４】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により比較例化合物（Ａ）の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ＝８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ）、８．０２（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ）、７．３７〜７．３４（ｍ，２Ｈ）、７．５８〜６．８６（ｍ，３２Ｈ）．
【０１６５】
＜比較例化合物（Ｂ）の合成例＞
【化４２】
0005617398.tif 000041
【０１６６】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン５．０ｇとアニリン１．７ｇを脱水トルエン３０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム５２ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇ、およびトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０５５ｇを加えて５０℃で２時間加熱した。反応後、１−ブロモ−３−（トリメチルシリル）ベンゼン４．１ｇ、酢酸パラジウム１０ｍｇ、ナトリウム  ｔ−ブトキシド２．３ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。
反応後、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容積比））を行った後、昇華精製して、目的の比較例化合物（Ｂ）を０．３ｇ（収率４％）得た。
【０１６７】
ＭＳスペクトルおよびＮＭＲ測定により比較例化合物（Ｂ）の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７０（ｄ，１Ｈ）、８．１８（ｄ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、７．５７（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３８−６．８５（ｍ，３１Ｈ）、０．１７（ｓ，９Ｈ）、０．１０（ｓ，９Ｈ）．
【０１６８】
＜式（１−１００）で表される化合物の合成例＞
【化４３】
0005617398.tif 000042
【０１６９】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン８．０ｇとｐ−メチルアニリン塩酸塩５．７ｇを脱水トルエン２００ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１１５ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１５ｇ、そして４−（ジメチルアミノ）フェニル）ビスｔ−ブチルホスフィン０．１６０ｇを加えて８０℃で２時間加熱した。反応後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン１０ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。これに、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容量比））を行った後、昇華精製して、式（１−１００）で表される化合物６．９ｇ（収率４６％）を得た。
【０１７０】
ＮＭＲ測定により式（１−１００）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８）σ８．６７（ｄ，１Ｈ）、８．３０（ｄ，１Ｈ）、８．００（ｄ，１Ｈ）、７．５２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４２−６．８３（ｍ，２０Ｈ）、２．１３（ｓ，３Ｈ）、２．０６（ｓ，３Ｈ）、１．１６（ｓ，６Ｈ）、０．２４（ｓ，９Ｈ）、０．２０（ｓ，９Ｈ）．
【０１７１】
＜式（１−１０１）で表される化合物の合成例＞
【化４４】
0005617398.tif 000043
【０１７２】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン８．９ｇとｐ−ｔ−ブチルアニリン６．７ｇを脱水トルエン６０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１４０ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８．５ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．１５５ｇを加えて５０℃で２時間加熱した。反応後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン１０ｇ、酢酸パラジウム２７ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８．５ｇそしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．０７３ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。これに、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容量比））を行った後、昇華精製して、式（１−１０１）で表される化合物８．７ｇ（収率４４％）を得た。
【０１７３】
ＮＭＲ測定により式（１−１０１）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．６７（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０７（ｄ，１Ｈ）、７．５４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４６−６．９６（ｍ，２０Ｈ）、１．４２（ｓ，６Ｈ）、１．３３（ｓ，９Ｈ）、１．２８（ｓ，９Ｈ）０．２６（ｓ，９Ｈ）、０．２１（ｓ，９Ｈ）．
【０１７４】
＜式（１−１０２）で表される化合物の合成例＞
【化４５】
0005617398.tif 000044
【０１７５】
窒素雰囲気下、５，９−ジブロモ−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン４．８ｇと２，５−ジメチルアニリン２．９ｇを脱水トルエン１００ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム１４０ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド４．６ｇ、そして４−（ジメチルアミノ）フェニル）ビスｔ−ブチルホスフィン０．１９０ｇを加えて６０℃で２時間加熱した。反応後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン５．５ｇ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム７０ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド２．３ｇ、そして４−（ジメチルアミノ）フェニル）ビスｔ−ブチルホスフィン０．１０ｇを添加して、８０℃で４時間加熱を行った。これに、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をシリカゲルでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝５／１（容量比））を行った後、昇華精製して、式（１−１０２）で表される化合物３．１ｇ（収率１８％）を得た。
【０１７６】
ＮＭＲ測定により式（１−１０２）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．６８（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０５（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４４−６．６０（ｍ，１８Ｈ）、２．２４（ｓ，３Ｈ）、２．１８（ｓ，３Ｈ）、１．４２（ｓ，６Ｈ）、０．２７（ｓ，９Ｈ）、０．２２（ｓ，９Ｈ）．
【０１７７】
＜式（１−５）で表される化合物の合成例＞
【化４６】
0005617398.tif 000045
【０１７８】
まず、窒素雰囲気下、１−ブロモ−４−（トリエチルシリル）ベンゼン２７．１ｇとベンジルアミン４．８ｇを脱水トルエン１５０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム１００ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１１．２ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン０．２７ｇを加えて９０℃で４時間加熱した。反応後、酢酸エチルと水を添加した。これを分液ロートにて有機層と水層を分離し、有機層を濃縮した。その粗製品をシリカゲルカラム（溶媒：へプタン／トルエン＝９／１（容量比））で精製し、下記構造を有する化合物１７．２ｇ（収率７８％）を得た。
【化４７】
0005617398.tif 000046
【０１７９】
次に、この化合物１６．９ｇを、ギ酸１．６ｇとトリエチルアミン３．４ｇを氷冷したエタノール中で混合したものに加えて、窒素置換した後、パラジウム炭素Ｐｄ／Ｃ（１０重量％）を加え、加熱還流した。反応溶液が塩基性にならないように少量ずつ、ギ酸のエタノール溶液を追加し、反応が進行しなくなったらＰｄ／Ｃ（１０重量％）を追加した。反応終了後、塩基性アルミナカラム（溶媒：トルエン／ヘプタン＝１：４から１：２へ容量比率を徐々に変化させた）で精製し、下記構造を有する化合物９．０ｇ（収率６９％）を得た。
【化４８】
0005617398.tif 000047
【０１８０】
最後に、窒素雰囲気下、この化合物０．９ｇと５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン０．５ｇとを脱水トルエン１０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム２ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド０．２５ｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン６ｍｇを加えて６０℃で１時間加熱した。トルエン１００ｍｌおよび水１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナカラム精製（溶媒：ヘプタン単独からへプタン／トルエン＝９／１（容量比）へ徐々に変化させた）を行った後、昇華精製して、式（１−５）で表される化合物０．７ｇ（収率７０％）を得た。
【０１８１】
ＮＭＲ測定により式（１−５）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．７１（ｄ，１Ｈ）、８．１９（ｄ，１Ｈ）、８．００（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．３７−６．９５（ｍ，３０Ｈ）、０．９７（ｔ，１８Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、０．９３（ｔ，１８Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、０．７７（ｑ，１２Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、０．７３（ｑ，１２Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）．
【０１８２】
＜式（１−６）で表される化合物の合成例＞
【化４９】
0005617398.tif 000048
【０１８３】
まず、窒素雰囲気下、４，４’−ジヨードジフェニルアミン１０ｇ、ｔ−ブチルジメチルシラン１０ｇ、エチルジイソプロピルアミン１８．４ｇ、酢酸パラジウム０．２６ｇ、および２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル０．７１ｇに、脱水Ｎ−メチルピロリドン５０ｍｌを加えて室温で４時間攪拌した。反応後、トルエンと水を添加した。これを分液ロートにて有機層と水層を分離し、有機層を濃縮した。その粗製品をアルミナカラム（溶媒：へプタン／トルエン＝９／１（容量比））で精製し、下記左の構造を有するジシリル体（ビス（４−（ｔ−ブチルジメチルシリル）フェニル）アミン）５．５ｇ（収率５８％）と、下記右の構造を有するモノシリル体（４−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−Ｎ−フェニルアニリン）２．８ｇ（収率４１％）とを得た。
【化５０】
0005617398.tif 000049
【０１８４】
次に、窒素雰囲気下、上記ジシリル体３．０ｇと５，９−ジブロモ−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン１．４ｇとを脱水トルエン２０ｍｌに溶解させ、酢酸パラジウム１１ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド８６０ｍｇ、そしてトリス（ｔ−ブチル）ホスフィン３０ｍｇを加えて６０℃で１時間加熱した。トルエン１００ｍｌおよび水１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナカラム精製（溶媒：ヘプタン単独からへプタン／トルエン＝９５／５（容量比）へ徐々に変化させた）を行った後、昇華精製して、式（１−６）で表される化合物２ｇ（収率５６％）を得た。
【０１８５】
ＮＭＲ測定により式（１−６）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．６９（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４７−７．０５（ｍ，２０Ｈ）、１．４１（ｓ，６Ｈ）、０．９０（ｓ，１８Ｈ）、０．８６（ｓ，１８Ｈ）、０．２６（ｓ，１２Ｈ）、０．２２（ｓ，１２Ｈ）．
【０１８６】
＜式（１−１０３）で表される化合物の合成例＞
【化５１】
0005617398.tif 000050
【０１８７】
まず、窒素雰囲気下、４，４’−ジヨードジフェニルアミン１０ｇ、ｔ−ブチルジメチルシラン１０ｇ、エチルジイソプロピルアミン１８．４ｇ、酢酸パラジウム０．２６ｇ、および２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル０．７１ｇに、脱水Ｎ−メチルピロリドン５０ｍｌを加えて室温で４時間攪拌した。反応後、トルエンと水を添加した。これを分液ロートにて有機層と水層を分離し、有機層を濃縮した。その粗製品をアルミナカラム（溶媒：へプタン／トルエン＝９／１（容量比））で精製し、下記左の構造を有するジシリル体５．５ｇ（収率５８％）と、下記右の構造を有するモノシリル体２．８ｇ（収率４１％）とを得た。
【化５２】
0005617398.tif 000051
【０１８８】
次に、窒素雰囲気下、上記モノシリル体２．８ｇと５，９−ジブロモ−７，７−ジフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン２．０ｇとを脱水トルエン２０ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム２５ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１．９ｇ、そして４−（ジメチルアミノ）フェニル）ビスｔ−ブチルホスフィン３５ｍｇを加えて８０℃で５時間加熱した。水を２０ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝４／１（容量比））を行った後、昇華精製して、式（１−１０３）で表される化合物１．７ｇ（収率４２％）を得た。
【０１８９】
ＮＭＲ測定により式（１−１０３）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）σ８．６９（ｄ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，１Ｈ）、８．０４（ｄ，１Ｈ）、７．５５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４４−６．７４（ｍ，２２Ｈ）、１．４０（ｓ，６Ｈ）、０．９０（ｓ，９Ｈ）、０．８６（ｓ，９Ｈ）、０．２６（ｓ，６Ｈ）、０．２１（ｓ，６Ｈ）．
【０１９０】
＜式（１−１１０）で表される化合物の合成例＞
【化５３】
0005617398.tif 000052
【０１９１】
窒素雰囲気下、５，９−ジヨード−７，７−ジメチル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン１２ｇとアニリン−２，３，４，５，６−ｄ５（５．０ｇ）を脱水トルエン２００ｍｌに溶解させ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム２９０ｍｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１５ｇ、そして４−（ジメチルアミノ）フェニル）ビスｔ−ブチルホスフィン３５０ｍｇを加えて６０℃で１時間加熱した。反応後、１−ブロモ−４−（トリメチルシリル）ベンゼン１２ｇを添加して、９０℃で２時間加熱を行った。これに、水を１００ｍｌ添加して、分液ロートを用いて、有機層を水洗した。水層を除去した後、有機層を集めて、ロータリーエバポレーターにて、濃縮を行い粗製品を得た。その粗製品をアルミナでカラム精製（溶媒：へプタン／トルエン＝４／１（容量比））を行った後、ヘプタンから再結晶し、これをさらに昇華精製して、式（１−１１０）で表される化合物８．１ｇ（収率４６％）を得た。
【０１９２】
ＮＭＲ測定により式（１−１１０）で表される化合物の構造を確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＨＣｌ３）σ８．８８（ｄ，１Ｈ）、８．１６（ｄ，１Ｈ）、８．０５（ｄ，１Ｈ）、７．５６（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、７．４５（ｓ，１Ｈ）、７．４１−７．０１（ｍ，１２Ｈ）、１．４１（ｓ，６Ｈ）、０．２７（ｓ，９Ｈ）、０．２２（ｓ，９Ｈ）．
【０１９３】
原料の化合物を適宜選択することにより、上記の合成例に準じた方法で、他のベンゾフルオレン化合物を合成することができる。
【０１９４】
＜電界発光素子に用いた場合の特性＞
実施例１〜４および比較例１、２と、実施例５および比較例３に係る電界発光素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性である電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、発光効率（ｌｍ／Ｗ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）の測定、ＥＬ発光波長（ｎｍ）、外部量子効率（％）を測定し、次に２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間（時間）を測定した。以下、実施例１〜４および比較例１、２と、実施例５および比較例３について詳細に説明する。
【０１９５】
作製した実施例１〜４および比較例１、２と、実施例５および比較例３に係る電界発光素子における、各層の材料構成を下記表１に示す。なお、すべてにおいて陰極をフッ化リチウム／アルミニウムで構成した。
【表１】
0005617398.tif 000053
【０１９６】
表１において、化合物（１−２０）、化合物（１−２５）、化合物（１−２６）、化合物（１−６２）または化合物（１−６０）は、それぞれ上記式（１−２０）、式（１−２５）、式（１−２６）、式（１−６２）または式（１−６０）で表される化合物である。また、表１において、「ＣｕＰｃ」は銅フタロシアニン、「ＮＰＤ」はＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、化合物（Ａ）はＮ５，Ｎ５，Ｎ９，Ｎ９，７，７−ヘキサフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン−５，９−ジアミン、化合物（Ｂ）はＮ５，Ｎ９−ビス（３−トリメチルシリルフェニル）−Ｎ５，Ｎ９，７，７−テトラフェニル−７Ｈ−ベンゾ［Ｃ］フルオレン−５，９−ジアミン、化合物（Ｃ）は９−フェニル−１０−〔６−（１，１’；３，１’’）テルフェニル−５’−イル〕ナフタレン−２−イル〕アントラセン、化合物（Ｄ）は５，５’−（２−フェニルアントラセン−９，１０−ジイル）ジ−２，２’−ビピリジンであり、それぞれ、下記化学構造を有する。
【０１９７】
【化５４】
0005617398.tif 000054
【０１９８】
＜実施例１＞
ＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着した２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダ−に固定し、ＣｕＰｃを入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（１−２０）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｄ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、フッ化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
【０１９９】
真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧し、ＣｕＰｃが入った蒸着用ボートを加熱して、膜厚７０ｎｍになるようにＣｕＰｃを蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、ＮＰＤ入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚３０ｎｍになるようにＮＰＤを蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボートおよび化合物（１−２０）を入れたモリブデン製蒸着用ボートを加熱して、膜厚３５ｎｍになるように両化合物を共蒸着して発光層を形成した。このとき、化合物（１−２０）のドープ濃度は約５重量％であった。次に化合物（Ｄ）を入れた蒸着用ボートを加熱して、膜厚１５ｎｍになるように化合物（Ｄ）を蒸着して電子輸送層を形成した。以上の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。
【０２００】
その後、フッ化リチウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚０．５ｎｍになるように０．００３〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でフッ化リチウムを蒸着し、次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１００ｎｍになるように０．０１〜１０ｎｍ／秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０２０１】
ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．３９Ｖ、電流密度１１ｍＡ／ｃｍ２、発光効率６．４５（ｌｍ／Ｗ）、電流効率９．０２ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．０２％（発光波長４６５ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は５５０時間であった。
【０２０２】
＜実施例２＞
実施例１で発光層のドーパントに用いた化合物（１−２０）を化合物（１−２５）に替えた以外は、実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．１５Ｖ、電流密度１１ｍＡ／ｃｍ２、発光効率７．１４（ｌｍ／Ｗ）、電流効率９．４４ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．２４％（発光波長４６５ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は５５０時間であった。
【０２０３】
＜実施例３＞
実施例１で発光層のドーパントに用いた化合物（１−２０）を化合物（１−２６）に替えた以外は、実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．２０Ｖ、電流密度１１ｍＡ／ｃｍ２、発光効率７．１０（ｌｍ／Ｗ）、電流効率９．５０ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．５８％（発光波長４６５ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は６５０時間であった。
【０２０４】
＜実施例４＞
実施例１で発光層のドーパントに用いた化合物（１−２０）を化合物（１−６２）に替えた以外は、実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．３１Ｖ、電流密度１４ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．０８（ｌｍ／Ｗ）、電流効率６．９７ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．２５％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は２９０時間であった。
【０２０５】
＜比較例１＞
実施例１で発光層のドーパントに用いた化合物（１−２０）を化合物（Ａ）に替えた以外は、実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．４１Ｖ、電流密度１３ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．４３（ｌｍ／Ｗ）、電流効率７．６１ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．０３％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は２５０時間であった。
【０２０６】
＜比較例２＞
実施例１で発光層のドーパントに用いた化合物（１−２０）を化合物（Ｂ）に替えた以外は、実施例１に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．５５Ｖ、電流密度１４ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．０２（ｌｍ／Ｗ）、電流効率７．２７ｃｄ／Ａ、外部量子効率６．４８％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は２２０時間であった。
【０２０７】
＜実施例５＞
ＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着した２６ｍｍ×２８ｍｍ×０.７ｍｍのガラス基板を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダ−に固定し、ＣｕＰｃを入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（１−６０）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｄ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、フッ化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
【０２０８】
真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧し、ＣｕＰｃが入った蒸着用ボートを加熱して、膜厚１００ｎｍになるようにＣｕＰｃを蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、ＮＰＤ入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚３０ｎｍになるようにＮＰＤを蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボートおよび化合物（１−６０）を入れたモリブデン製蒸着用ボートを加熱して、膜厚３５ｎｍになるように両化合物を共蒸着して発光層を形成した。このとき、化合物（１−６０）のドープ濃度は約５重量％であった。次に化合物（Ｄ）を入れた蒸着用ボートを加熱して、膜厚１５ｎｍになるように化合物（Ｄ）を蒸着して電子輸送層を形成した。以上の蒸着速度は０.０１〜１ｎｍ／秒であった。
【０２０９】
その後、フッ化リチウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚０．５ｎｍになるように０．００３〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でフッ化リチウムを蒸着し、次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１００ｎｍになるように０．０１〜１０ｎｍ／秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０２１０】
ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．３４Ｖ、電流密度１２ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．９５（ｌｍ／Ｗ）、電流効率８．２２ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．２４％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は３５０時間であった。
【０２１１】
＜比較例３＞
実施例３で発光層のドーパントに用いた化合物（１−６０）を化合物（Ａ）に替えた以外は、実施例３に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．３５Ｖ、電流密度１３ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．５３ｍ／Ｗ、電流効率７．６６ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．２４％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は２３０時間であった。
【０２１２】
下記表２は、上述した実施例１〜４および比較例１、２と、実施例５および比較例３に係る電界発光素子の性能評価をまとめたものである。
【表２】
0005617398.tif 000055
【０２１３】
また、実施例６〜９に係る電界発光素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性である電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、発光効率（ｌｍ／Ｗ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）の測定、ＥＬ発光波長（ｎｍ）、外部量子効率（％）を測定し、次に２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間（時間）を測定した。以下、実施例６〜９について詳細に説明する。
【０２１４】
作製した実施例６〜９に係る電界発光素子における、各層の材料構成を下記表３に示す。なお、すべてにおいて陰極をフッ化リチウム／アルミニウムで構成した。
【表３】
0005617398.tif 000056
【０２１５】
表３において、化合物（１−１００）、化合物（１−１０１）、化合物（１−１０２）または化合物（１−５）は、それぞれ上記式（１−１００）、式（１−１０１）、式（１−１０２）または式（１−５）で表される化合物である。また、表３における「ＣｕＰｃ」、「ＮＰＤ」、化合物（Ｃ）および化合物（Ｄ）は、それぞれ表１に示したものと同じである。
【０２１６】
＜実施例６＞
ＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着した２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダ−に固定し、ＣｕＰｃを入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（１−１００）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｄ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、フッ化リチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびアルミニウムを入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
【０２１７】
真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧し、ＣｕＰｃが入った蒸着用ボートを加熱して、膜厚７０ｎｍになるようにＣｕＰｃを蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、ＮＰＤ入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚３０ｎｍになるようにＮＰＤを蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物（Ｃ）を入れたモリブデン製蒸着用ボートおよび化合物（１−１００）を入れたモリブデン製蒸着用ボートを加熱して、膜厚３５ｎｍになるように両化合物を共蒸着して発光層を形成した。このとき、化合物（１−１００）のドープ濃度は約５重量％であった。次に化合物（Ｄ）を入れた蒸着用ボートを加熱して、膜厚１５ｎｍになるように化合物（Ｄ）を蒸着して電子輸送層を形成した。以上の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。
【０２１８】
その後、フッ化リチウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１ｎｍになるように０．００３〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度でフッ化リチウムを蒸着し、次いで、アルミニウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１００ｎｍになるように０．０１〜１０ｎｍ／秒の蒸着速度でアルミニウムを蒸着することにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０２１９】
ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．４０Ｖ、電流密度１３ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．５０（ｌｍ／Ｗ）、電流効率７．７０ｃｄ／Ａ、外部量子効率６．８１％（発光波長４６３ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は３０５時間であった。
【０２２０】
＜実施例７＞
実施例６で発光層のドーパントに用いた化合物（１−１００）を化合物（１−１０１）に替えた以外は、実施例６に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．６２Ｖ、電流密度１３ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．２１（ｌｍ／Ｗ）、電流効率７．６５ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．３１％（発光波長４６２ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は５１０時間であった。
【０２２１】
＜実施例８＞
実施例６で発光層のドーパントに用いた化合物（１−１００）を化合物（１−１０２）に替えた以外は、実施例６に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．３１Ｖ、電流密度１２ｍＡ／ｃｍ２、発光効率５．９０（ｌｍ／Ｗ）、電流効率８．１０ｃｄ／Ａ、外部量子効率７．４５％（発光波長４６２ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は３１０時間であった。
【０２２２】
＜実施例９＞
実施例６で発光層のドーパントに用いた化合物（１−１００）を化合物（１−５）に替えた以外は、実施例６に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、フッ化リチウム／アルミニウム電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧４．２５Ｖ、電流密度１２ｍＡ／ｃｍ２、発光効率６．２２（ｌｍ／Ｗ）、電流効率８．４１ｃｄ／Ａ、外部量子効率８．１５％（発光波長４６３ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の５０％以上を維持する時間は２４０時間であった。
【０２２３】
下記表４は、上述した実施例６〜９に係る電界発光素子の性能評価をまとめたものである。
【表４】
0005617398.tif 000057
【０２２４】
また、実施例１０および比較例４に係る電界発光素子を作製し、それぞれ１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性である電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、発光効率（ｌｍ／Ｗ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）の測定、ＥＬ発光波長（ｎｍ）、外部量子効率（％）を測定し、次に２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の８０％以上を維持する時間（時間）を測定した。以下、実施例１０および比較例４について詳細に説明する。
【０２２５】
作製した実施例１０、１１および比較例４に係る電界発光素子における、各層の材料構成を下記表５に示す。なお、すべてにおいて陰極をキノリノラトリチウム／マグネシウム−銀合金で構成した。
【表５】
0005617398.tif 000058
【０２２６】
表５において、化合物（１−１１０）および化合物（１−６２）はそれぞれ上記式（１−１１０）、上記式（１−６２）で表される化合物である。また、表５における「ＮＰＤ」、化合物（Ａ）および化合物（Ｄ）は、それぞれ表１に示したものと同じである。また、表５における化合物（Ｅ）はＮ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミンであり、化合物（Ｆ）は９，１０−ジ（ナフタレン−１−イル）アントラセンであり、それぞれ、下記化学構造を有する。
【０２２７】
【化５５】
0005617398.tif 000059
【０２２８】
＜実施例１０＞
ＩＴＯを１５０ｎｍの厚さに蒸着した２６ｍｍ×２８ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板を透明支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置の基板ホルダ−に固定し、化合物（Ｅ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、ＮＰＤを入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｆ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（１−１１０）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、化合物（Ｄ）を入れたモリブデン製蒸着用ボート、８−キノリノラトリチウムを入れたモリブデン製蒸着用ボート、およびマグネシウム−銀合金を入れたタングステン製蒸着用ボートを装着した。
【０２２９】
真空槽を５×１０−４Ｐａまで減圧し、化合物（Ｅ）が入った蒸着用ボートを加熱して、膜厚４０ｎｍになるように化合物（Ｅ）を蒸着して正孔注入層を形成し、次いで、ＮＰＤ入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚３０ｎｍになるようにＮＰＤを蒸着して正孔輸送層を形成した。次に、化合物（Ｆ）を入れたモリブデン製蒸着用ボートおよび化合物（１−１１０）を入れたモリブデン製蒸着用ボートを加熱して、膜厚３５ｎｍになるように両化合物を共蒸着して発光層を形成した。このとき、化合物（１−１１０）のドープ濃度は約５重量％であった。次に化合物（Ｄ）を入れた蒸着用ボートを加熱して、膜厚１５ｎｍになるように化合物（Ｄ）を蒸着して電子輸送層を形成した。以上の蒸着速度は０．０１〜１ｎｍ／秒であった。
【０２３０】
その後、８−キノリノラトリチウム入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１ｎｍになるように０．００３〜０．１ｎｍ／秒の蒸着速度で８−キノリノラトリチウムを蒸着し、次いで、マグネシウム−銀合金入りの蒸着用ボートを加熱して、膜厚１００ｎｍになるように０．０１〜１０ｎｍ／秒の蒸着速度でＭｇＡｇ合金を蒸着することにより、有機ＥＬ素子を得た。
【０２３１】
ＩＴＯ電極を陽極、８−キノリノラトリチウム／マグネシウム−銀合金電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧５．１０Ｖ、電流密度１５ｍＡ／ｃｍ２、発光効率４．０６（ｌｍ／Ｗ）、電流効率６．５８ｃｄ／Ａ、外部量子効率６．８９％（発光波長４５８ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の８０％以上を維持する時間は２００時間であった。
【０２３２】
＜実施例１１＞
実施例１０で発光層のドーパントに用いた化合物（１−１１０）を化合物（１−６２）に替えた以外は、実施例１０に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、８−キノリノラトリチウム／マグネシウム−銀合金電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧５．０９Ｖ、電流密度１５ｍＡ／ｃｍ２、発光効率４．１９（ｌｍ／Ｗ）、電流効率６．４９ｃｄ／Ａ、外部量子効率６．６８％（発光波長４５８ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の８０％以上を維持する時間は１６０時間であった。
【０２３３】
＜比較例４＞
実施例１０で発光層のドーパントに用いた化合物（１−１１０）を化合物（Ａ）に替えた以外は、実施例１０に準じた方法で有機ＥＬ素子を得た。ＩＴＯ電極を陽極、８−キノリノラトリチウム／マグネシウム−銀合金電極を陰極として、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の特性を測定すると、電圧５．０５Ｖ、電流密度１４ｍＡ／ｃｍ２、発光効率４．４８（ｌｍ／Ｗ）、電流効率７．２０ｃｄ／Ａ、外部量子効率６．４４％（発光波長４６０ｎｍ）であり、２０００ｃｄ／ｍ２の輝度が得られる電流密度で定電流駆動した際に輝度が初期輝度の８０％以上を維持する時間は１３０時間であった。
【０２３４】
下記表６は、上述した実施例１０、１１および比較例４に係る電界発光素子の性能評価をまとめたものである。
【表６】
0005617398.tif 000060
【産業上の利用可能性】
【０２３５】
本発明の好ましい態様によれば、素子寿命が優れた有機電界発光素子、それを備えた表示装置およびそれを備えた照明装置などを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本実施形態に係る有機電界発光素子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０２３７】
１００    有機電界発光素子
１０１    基板
１０２    陽極
１０３    正孔注入層
１０４    正孔輸送層
１０５    発光層
１０６    電子輸送層
１０７    電子注入層
１０８    陰極
【図１】
0005617398.tif 000063