(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物であって、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくともひとつが、式（２）で示される基である高分子化合物。
【化４９】
0005587172.tif 000060
（式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、式（２）で示される基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、又は、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の芳香族複素環基である。
式（２）中、Ｌ１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換のフルオレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の芳香族複素環基であり、
Ｘは、置換もしくは無置換のヘテロ原子であり、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
式（１）が２以上の式（２）で示される基を有する場合、式（２）で示される基は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよい。
ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数である。
ここで、式（１）で示される２つの結合手はそれぞれ、式（２）で示される基以外の基に存在する。）
【請求項２】
式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の１つ以上２つ以下が、式（２）で示される基である請求項１記載の高分子化合物。
【請求項３】
前記Ｘが、下記式（３）で示される基、Ｏ及びＳから選択される基である請求項１又は２に記載の高分子化合物。
＝ＮＲ３      （３）
（Ｒ３は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。）
【請求項４】
前記式（２）の基が、下記式（４）〜（８）から選択される基である請求項１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
【化５０】
0005587172.tif 000061
（式中、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ａ及びｂは、それぞれ前記式（１）〜（３）と同様である。）
【請求項５】
下記式（９）〜（１３）から選択される繰り返し単位を、少なくとも１つ含む請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
【化５１】
0005587172.tif 000062
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｒ１〜Ｒ３、ａ及びｂは、それぞれ式（１）〜（３）と同様である。）
【請求項６】
前記式（１）が、下記式（１’）で示される繰り返し単位である請求項１記載の高分子化合物。
【化５２】
0005587172.tif 000063
（式中、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ２は及びＲ３は、それぞれ前記式（１）〜（３）と同様である。）
【請求項７】
前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３が、それぞれ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びフェナントレン環からなる群から選択される環である、請求項１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項８】
前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも１つが置換基を有し、前記置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選択される基である、請求項１〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項９】
Ｌ１が、それぞれ、置換又は無置換の、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基及びフルオレニレン基からなる群から選択される基である、請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１０】
前記Ｒ３が、置換又は無置換の核炭素数６〜６０のアリール基である請求項３〜９のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１１】
前記Ｒ１及びＲ２が、置換又は無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ１及びＲ２が結合しているカルバゾール環における結合位置が３位又は６位である請求項１〜１０のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項１２】
下記式（１４）又は（１５）で示される構造を含む請求項１〜１１のいずれかに記載の高分子化合物。
【化５３】
0005587172.tif 000064
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ式（１）と同様である。）
【請求項１３】
下記式（１６）〜（１９）で示される繰り返し単位を、少なくとも１つ含む請求項１〜１２のいずれかに記載の高分子化合物。
【化５４】
0005587172.tif 000065
（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６及びＡｒ７は、それぞれアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体を有する２価の基であり、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ−ＣＲ４＝ＣＲ５−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ６）−、−（ＳｉＲ７Ｒ８）ｍ−、又は−Ｃ（Ｒ９Ｒ１０）−であり、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基であり、Ｒ６〜Ｒ１０は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基又は置換アミノ基を含む基である。ｌは１又は２の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。Ｒ４〜Ｒ１０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１５】
正孔輸送層又正孔注入層用である請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項１６】
陽極と陰極と、
前記陽極と陰極の間に、発光層を含む一層以上の有機薄膜層を有し、
前記有機薄膜層の少なくとも一層が請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記陽極と発光層の間に、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１つを有し、
前記正孔輸送層及び正孔注入層が、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として好適な高分子化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。【０００３】
有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層として、物理的又は熱的な耐久性の向上が期待できることから、高分子化合物の使用が検討されている。
例えば、特許文献１には高分子として正孔注入能を持つポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）を用いた有機ＥＬ素子が報告されている。ＰＶＣｚのガラス転移点（Ｔｇ）は非常に高いため、薄膜にした際の膜の安定性に優れ、耐久性に富む有機ＥＬ素子が作製できる。しかしながら、この素子は駆動電圧が非常に高かった。また、発光効率、寿命が不十分という問題があった。【０００４】
また、特許文献２には、ビニルアントラセン誘導体とビニルカルバゾール誘導体を共重合してなる高分子を用いた有機ＥＬ素子が記載されている。
しかしながら、発光効率、寿命が不十分という問題があった。【０００５】
高分子エレクトロルミネッセンス材料はその溶液を塗布、印刷する方法によって成膜することができる利点があり、種々検討されている（特許文献３〜７）。しかしながら、上記の高分子化合物を用いた有機ＥＬ素子は、寿命（半減寿命）、発光効率等の素子特性が必ずしも十分でないという問題があった。
【特許文献１】特開平２−２２３１８８号公報
【特許文献２】特開平８−４８７２６号公報
【特許文献３】特開２００５−２７２８３４号公報
【特許文献４】特開２００７−１１９７６３号公報
【特許文献５】特開２００７−１６２００９号公報
【特許文献６】特開２００７−１７７２２５号公報
【特許文献７】国際公開ＷＯ２００５／０４９５４６
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、発光効率が高く、長寿命な有機ＥＬ素子及びそれを実現する化合物を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００７】
本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、連結基を介してトリアリールアミノ基に結合したカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格等の特定の骨格を有する芳香族アミン誘導体を高分子化したものが、有機ＥＬ素子の高発光効率化及び長寿命化に有効であることを見出し、更に、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格等の特定の骨格により、隣接層との膜密着性が上がり、発光効率、及び寿命が向上することを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
本発明によれば、以下の高分子化合物等が提供される。
１．下記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物であって、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくともひとつが、式（２）で示される基である高分子化合物。
【化１】
0005587172.tif 000002
（式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、式（２）で示される基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、又は、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の芳香族複素環基である。
式（２）中、Ｌ１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換のフルオレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の芳香族複素環基であり、
Ｘは、置換もしくは無置換のヘテロ原子であり、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
式（１）が２以上の式（２）で示される基を有する場合、式（２）で示される基は、それぞれ、同一でも、異なっていてもよい。
ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数である。
ここで、式（１）で示される２つの結合手はそれぞれ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ１上のいずれかに存在する。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ１のうちのひとつに存在してもよい。）
２．式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の１つ以上２つ以下が、式（２）で示される基である１記載の高分子化合物。
３．前記２つの結合手のうち、少なくとも１つが、式（２）で示される基以外に存在する１又は２に記載の高分子化合物。
４．前記Ｘが、下記式（３）で示される基、Ｏ及びＳから選択される基である１〜３のいずれかに記載の高分子化合物。
＝ＮＲ３      （３）
（Ｒ３は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。）
５．前記式（２）の基が、下記式（４）〜（８）から選択される基である１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
【化２】
0005587172.tif 000003
（式中、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ａ及びｂは、それぞれ前記式（１）〜（３）と同様である。）
６．下記式（９）〜（１３）から選択される繰り返し単位を、少なくとも１つ含む１〜５のいずれかに記載の高分子化合物。
【化３】
0005587172.tif 000004
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｒ１〜Ｒ３、ａ及びｂは、それぞれ式（１）〜（３）と同様である。）
７．前記式（１）が、下記式（１’）で示される繰り返し単位である１記載の高分子化合物。
【化４】
0005587172.tif 000005
（式中、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ２は及びＲ３は、それぞれ前記式（１）〜（３）と同様である。）
８．前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３が、それぞれ、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びフェナントレン環からなる群から選択される環である、１〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
９．前記Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも１つが置換基を有し、前記置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選択される基である、１〜８のいずれかに記載の高分子化合物。
１０．Ｌ１が、それぞれ、置換又は無置換の、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基及びフルオレニレン基からなる群から選択される基である、１〜９のいずれかに記載の高分子化合物。
１１．前記Ｒ３が、置換又は無置換の核炭素数６〜６０のアリール基である１〜１０のいずれかに記載の高分子化合物。
１２．前記Ｒ１及びＲ２が、置換又は無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であり、Ｒ１及びＲ２が結合しているカルバゾール環における結合位置が３位又は６位である１〜１１のいずれかに記載の高分子化合物。
１３．下記式（１４）又は（１５）で示される構造を含む１〜１２のいずれかに記載の高分子化合物。
【化５】
0005587172.tif 000006
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ式（１）と同様である。）
１４．下記式（１６）〜（１９）で示される繰り返し単位を、少なくとも１つ含む１〜１３のいずれかに記載の高分子化合物。
【化６】
0005587172.tif 000007
（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６及びＡｒ７は、それぞれアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体を有する２価の基であり、Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ−ＣＲ４＝ＣＲ５−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ６）−、−（ＳｉＲ７Ｒ８）ｍ−、又は−Ｃ（Ｒ９Ｒ１０）−であり、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基であり、Ｒ６〜Ｒ１０は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基又は置換アミノ基を含む基である。ｌは１又は２の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。Ｒ４〜Ｒ１０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。）
１５．上記１〜１４のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
１６．正孔輸送層又正孔注入層用である１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
１７．陽極と陰極と、
前記陽極と陰極の間に、発光層を含む一層以上の有機薄膜層を有し、
前記有機薄膜層の少なくとも一層が１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．前記陽極と発光層の間に、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１つを有し、
前記正孔輸送層及び正孔注入層が、１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００９】
本発明の高分子化合物を有機ＥＬ素子用材料として用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、寿命が長い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態である有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の高分子化合物は、下記式（１）で示される繰り返し単位を含む高分子化合物であって、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくともひとつが、式（２）で示される基であることを特徴とする。
【化７】
0005587172.tif 000008
【００１２】
式（１）で表される繰り返し単位において、重合時の２つの結合手はそれぞれ、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ１上のいずれかに存在する。また、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ１上のうちのひとつに存在してもよい。即ち、隣接する式（１）で表される繰り返し単位においては、それぞれの結合は、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ１のいずれの基によるものであってもよい。
【００１３】
式（１）において、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ、式（２）で示される基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）の芳香族炭化水素基、又は、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０（好ましくは核原子数５〜２０）の芳香族複素環基である。これらの基は、重合時の結合手の位置により、１〜３価の基となる。以下、主に１価の例を示すが、２価及び３価も、価数が異なる他は同様な基が例示できる。
【００１４】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。
【００１５】
上記のうちでも、ベンゼン環単独又は複数個のベンゼン環が縮合したものが好ましい。例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。
【００１６】
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の芳香族複素環基としては、例えば、チオフェニリル基、１−フェニルチオフェニリル基、１、４−ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１、８−ジフェニルベンゾチオフェニリル基、フリル基、１−フェニルジベンゾチオフェニリル基、１、８−ジフェニルチオフェニリル基、フリル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、１、８ジフェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であり、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニリル基、１−フェニルチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基等が挙げられる。
【００１７】
芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が置換基を有する場合、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、置換基が、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基から選ばれるものであることが好ましい。
【００１８】
上記のアルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１９】
アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００２０】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００２１】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が例示される。
【００２２】
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。
【００２３】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００２４】
Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシ等が例示される。
【００２５】
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。
【００２６】
アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００２７】
アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好ましい。
【００２８】
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が好ましい。
【００２９】
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基が好ましい。
【００３０】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル基が好ましい。
【００３１】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基等が例示され、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル基が好ましい。
【００３２】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１又は２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルアミノ基等が例示される。
【００３３】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度、好ましくは炭素数３〜４８である。尚、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が例示される。
【００３４】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００３５】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が例示される。
【００３６】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が例示される。
【００３７】
イミン残基は、炭素数２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、以下の構造式で示される基が例示される。
【化８】
0005587172.tif 000009
【００３８】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基が例示される。
【００３９】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基等が例示される。
【００４０】
【化９】
0005587172.tif 000010
【００４１】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度、好ましくは４〜２０である。尚、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が例示され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好ましい。
【００４２】
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基があげられ、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。尚、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００４３】
上記式（２）において、Ｌ１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換のフルオレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜６０（好ましくは核原子数５〜２０）の芳香族複素環基である。これらの基は、重合時の結合手の位置により、２〜４価の基となる（単結合以外の場合）。以下、主に２価の例を示すが、３価及び４価も、価数が異なる他は同様な基が例示できる。
このように、式（１）に式（２）で示される基を導入することにより、得られた重合体層は、隣接層との膜密着性が上がり、発光効率、及び寿命が向上する。
【００４４】
Ｌ１の芳香族炭化水素基として好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、クォーターフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントリレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基等が挙げられる。好ましくは、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フルオレニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基であり、さらに好ましくはフェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基又はフルオレニレン基である。
【００４５】
芳香族複素環基として好ましくは、チオフェニリル基、１−フェニルチオフェニリル基、１、４−ジフェニルチオフェニリル基、ベンゾチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１、８−ジフェニルベンゾチオフェニリル基、フリル基、１−フェニルジベンゾチオフェニリル基、１、８−ジフェニルチオフェニリル基、フリル基、ジベンゾフラニル基、１−フェニルジベンゾフラニル基、１、８ジフェニルジベンゾフラニル基、ベンゾチアゾリル基であり、さらに好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニリル基、１−フェニルチオフェニリル基、１−フェニルベンゾチオフェニリル基、１−フェニルジベンゾフラニル基又はベンゾチアゾリル基である（これらの１価の基から水素等を１つ以上除いた２価以上の基である。）。
【００４６】
式（２）のＲ１及びＲ２は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜３０）のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数１〜５０（好ましくは核炭素数１〜２０）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜２０）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは核炭素数６〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは核原子数６〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０（好ましくは炭素数２〜２０）のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０のアリール基（好ましくは核炭素数６〜２０）で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
式（２）において、例えば、Ｒ１及びＲ２がカルバゾール骨格の３位又は６位に結合した置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基であると好ましい。
【００４７】
Ｒ１及びＲ２のアリール基として、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、フルオレニル基等が挙げられる。好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−トリル基、フルオレニル基である。
【００４８】
Ｒ１及びＲ２のアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
Ｒ１及びＲ２のアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基である。
Ｒ１及びＲ２のアリールオキシ基として、例えば、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−ビフェニルイルオキシ基、ｐ−ターフェニル−４−イルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基等が挙げられる。好ましくは、フェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基である。
Ｒ１及びＲ２のアリールチオ基として、例えば、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルオチオ基、４−ビフェニルイルチオ基、ｐ−ターフェニル−４−イルチオ基、ｐ−トリルチオ基等が挙げられる。好ましくは、フェニルチオ基、２−ナフチルチオ基である。
【００４９】
Ｒ１及びＲ２のアルコキシカルボニル基は、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｉｓｏ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が挙げられる。好ましくは、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。
Ｒ１及びＲ２のアリール基で置換されたアミノ基は、前記Ｒ１及びＲ２のアリール基で置換されたアミノ基等が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２のアミノ基として、例えば、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基である。
Ｒ１及びＲ２のハロゲン原子は、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
また、Ｒ１及びＲ２は、水素原子、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アリールアミノ基であると好ましい。
これらの各基はさらに置換されても良く、基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。
【００５０】
式（２）のＸは、置換又は無置換のヘテロ原子である。ヘテロ原子とは、水素、炭素以外の原子を表すが、好ましくは、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｏ、Ｓｉ、Ｂである。より好ましくは、Ｎ、Ｏ、Ｓである。ヘテロ原子の置換基は、前述したＡｒ１等の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有する置換基の例と同様である。
Ｘが窒素原子の場合、下記式（３）の基が好ましい。
＝ＮＲ３      （３）
【００５１】
式（３）のＲ３は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは核炭素数６〜１８）のアリール基、又は、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは炭素数１〜６）のアルキル基である。置換もしくは無置換のアリール基であると好ましい。
Ｒ３のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基等が挙げられる。好ましくはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基であり、さらに好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、α―ナフチル基、β―ナフチル基、フェナントリル基である。
【００５２】
Ｒ３のアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基、プロパルギル基、３−ペンチニル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
【００５３】
Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の示す各基の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基はさらに置換されても良い。また置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。
【００５４】
式（２）のａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数である。
【００５５】
本発明の高分子化合物において、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３のうち全てが式（２）で示される基であってもよいが、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３のうち１つ以上２つ以下が式（２）で示される基であることが好ましく、さらに、式（１）のＡｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の１つのみが、式（２）で示される基であることがより好ましい。
このように、式（２）で示される基を２つ、さらに１つのみ導入する方が、重合体の合成が行いやすくなるとともに、重合体の有機溶媒への溶解性が向上し、塗布性が向上して、ばらつきのない素子特性（面内均一性が高まる）が得られる。
また、式（１）の少なくとも１つの結合手は、式（２）で示される基以外に存在することが好ましく、２つの結合手が、式（２）で示される基以外に存在することがより、好ましい。例えば、下記式（１−ａ）のように、２つの結合手が、Ａｒ１、Ａｒ２に存在し、Ａｒ３が式（２）となる（ここで、Ａｒ１、Ａｒ２は、式（２）で示される基以外の基、すなわち、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基、又は、置換もしくは無置換の核原子数５〜６０の芳香族複素環基である。）。
【化１０】
0005587172.tif 000011
【００５６】
このようにすることにより、さらに、重合体の合成が行いやすくなるとともに、重合体の有機溶媒への溶解性が向上し、ばらつきのない素子特性（面内均一性が高まる）が得られる。
【００５７】
また、式（２）のＸが、Ｎ、Ｏ及びＳのいずれかである場合、Ｌ１と式（２）の結合位置は下記式（４）〜（８）のいずれかであることが好ましい。このようにして、得られた重合体層は、隣接層との膜密着性が上がり、発光効率、及び寿命が一層向上する
【００５８】
【化１１】
0005587172.tif 000012
（式中、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、それぞれ式（２）と同様である。ａは、０〜３の整数、ｂは、０〜４の整数である。）
【００５９】
本発明の高分子化合物では、以下の繰り返し単位（９）〜（１５）を有することが好ましい。
【化１２】
0005587172.tif 000013
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｌ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、それぞれ式（１）〜（３）と同様である。ａは、０〜３の整数、ｂは、０〜４の整数である。）
【００６０】
また、下記式（１’）で示される繰り返し単位を有することも好ましい。
【化１３】
0005587172.tif 000014
（式中、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ２は及びＲ３は、それぞれ上記式（１）〜（３）と同様である。）
【００６１】
式（１’）の繰り返し単位は下記式（１’−１）で示されるものが好ましく、特に、下記式（１’−２）で示されるものが好ましい。
【化１４】
0005587172.tif 000015
（式中、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ式（１’）と同様である。）
【化１５】
0005587172.tif 000016
（式中、Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ式（１’）と同様である。但し、２つの結合手はそれぞれ、Ａｒ１及びＡｒ２上に存在する。）
【００６２】
式（１−ａ）及び（１’−２）において、Ａｒ１及びＡｒ２が異なる基である場合、本発明の高分子化合物は、下記式（１４）又は（１５）で示される構造のいずれかを含んでいてもよい。
【化１６】
0005587172.tif 000017
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ式（１）と同様である。）
【００６３】
具体例を以下に示す。
【化１７】
0005587172.tif 000018
（式中、Ａｒ１〜Ａｒ３、Ｌ１、Ｒ１〜Ｒ３、ａ及びｂは、それぞれ式（１）〜（３）と同様である。）
【００６４】
本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、本発明の高分子化合物が有する式（１）の構造に加え、それ以外の構造単位を１種類以上含ませてもよい。例えば、下記式（１６）〜（１９）で示される構造が好ましい。
【００６５】
【化１８】
0005587172.tif 000019
【００６６】
式中、Ａｒ４〜Ａｒ７は、それぞれアリーレン基、２価の複素環基又は金属錯体を有する２価の基である。Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は、それぞれ−ＣＲ４＝ＣＲ５−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ６）−、−（ＳｉＲ７Ｒ８）ｍ−、又は−Ｃ（Ｒ９Ｒ１０）−である。ここで、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基であり、Ｒ６〜Ｒ１０は、それぞれ水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基又は置換アミノ基を含む基である。ｌは１又は２の整数であり、ｍは１〜１２の整数である。
Ｒ４〜Ｒ１０がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
尚、Ｒ４〜Ｒ１０が示すアルキル基、アリール基、１価の複素環基、置換カルボキシル基、アリールアルキル基又は置換アミノ基の具体例は、上述した式（１）のＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の置換基と同様である。
【００６７】
Ａｒ４〜Ａｒ７が示すアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。置換基の例は、上述した式（１）のＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の置換基と同様である。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
【００６８】
アリーレン基としては、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセン−ジイル基、ビフェニル−ジイル基、フルオレン−ジイル基、ターフェニル−ジイル基、縮合環化合物基、スチルベン−ジイル，ジスチルベン−ジイル等が例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００６９】
Ａｒ４〜Ａｒ７における２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。置換基の例は、上述した式（１）のＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の置換基と同様である。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【００７０】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
（１）ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基（ピリジン−ジイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基等）
（２）ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又はセレン等を含みフルオレン構造を有する基
（３）ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄又はセレン等を含む５員環複素環基
（４）ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素又はセレン等を含む５員環縮合複素環基
（５）ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄又はセレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基
（６）ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄又はセレン等を含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基
（７）ヘテロ原子として酸素、窒素又は硫黄等を含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基
【００７１】
Ａｒ４〜Ａｒ７における金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、その例としては、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾール及びその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾール及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体等が挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウム等が挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体等が挙げられる。
【００７２】
式（１６）〜式（１９）で示される構造単位の具体例は、特開２００６−１６９２６５号公報を参照すればよい。
【００７３】
尚、本発明の高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式（１）、式（１６）〜式（１９）で示される構造単位以外の構造を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。
【００７４】
本発明の高分子化合物の具体例を以下に示す。尚、本発明はこれら例示化合物に限定されるものではない。
【化１９】
0005587172.tif 000020
0005587172.tif 000021
0005587172.tif 000022
0005587172.tif 000023
0005587172.tif 000024
0005587172.tif 000025
【００７５】
本発明の高分子化合物は、式（１）の構造単位をＡ、式（１６）〜式（１９）の構造単位をＢとしたとき、ランダム共重合体（―ＡＢＢＡＢＢＢＡＡＡＢＡ―）、交互共重合体（―ＡＢＡＢＡＢＡＢＡＢＡＢ―）、ブロック共重合体（―ＡＡＡＡＡＡＢＢＢＢＢＢ―）、グラフト共重合体（単位Ａと単位Ｂのどちらが主鎖であってもよいし、どちらが側鎖であってもよい）のいずれであってもよい。
【００７６】
本発明の高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０３〜１０８、より好ましくは１０３〜１０５である。
また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０３〜１０８、より好ましくは１０４〜１０６である。尚、両分子量は、サイズ排除クロマトグラフィー（ＳＥＣ）を用い、標準ポリスチレンで検量して求めた値である。
【００７７】
本発明の高分子化合物において、構造単位Ａと構造単位Ｂのモル比は、０．１：９９．９〜１００：０が好ましく、１０：９０〜１００：０がより好ましく、３０：７０〜１００：０が特に好ましい。
【００７８】
本発明の高分子化合物は、有機ＥＬ素子用材料として好ましく使用できる。特に、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料（正孔輸送層、正孔注入層の材料）として好適である。
【００７９】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層以上の有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子であり、有機薄膜層の少なくとも１層が、本発明の高分子化合物を単独もしくは混合物の成分として含有する。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有し、本発明の高分子化合物がこれらに含有されていると好ましい。特に、本発明の高分子化合物が主成分として正孔輸送層又は正孔注入層に含有されていることが好ましい。
【００８０】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
（１）有機ＥＬ素子の構成
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、下記（１）〜（１３）等の構造を挙げることができる。
（１）  陽極／発光層／陰極
（２）  陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）  陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）  陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）  陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）  陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）  陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）  陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）  陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００８１】
図１に（８）の構成を示す。この有機ＥＬ素子は、陽極１０及び陰極２０と、その間に挟持されている、正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６からなる。正孔注入層３０、正孔輸送層３２、発光層３４、電子注入層３６が、複数の有機薄膜層に相当する。これら有機薄膜層３０，３２，３４，３６の少なくとも一層が、本発明の化合物を含有する。
【００８２】
本発明の高分子化合物は、有機ＥＬ素子のどの有機薄膜層に用いてもよいが、発光帯域又は正孔輸送帯域に用いることができ、好ましくは正孔輸送帯域、特に好ましくは正孔注入・輸送層に用いることにより、分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上する。
本発明の高分子化合物を、有機薄膜層に含有させる量としては、３０〜１００モル％が好ましい。
【００８３】
（２）基板
本発明の発光素子は基板上に作製する。ここでいう基板は発光素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で、平滑な基板が好ましい。
【００８４】
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。
尚、光取り出し方向の反対側に支持基板が位置する場合には透光性は不要である。
【００８５】
（３）陽極
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【００８６】
（４）発光層
有機ＥＬ素子の発光層は以下（１）〜（３）の機能を併せ持つものである。
（１）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（２）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（３）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し発光させる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により発光層に本発明の高分子化合物からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の高分子化合物からなる発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。
【００８７】
本発明においては、以下に例示する発光材料の中から一種類の材料を用いてもよく、また目的が損なわれない範囲で複数種を混合して用いたり、他の公知の発光材料を含有させてもよく、また複数種の発光層を積層して用いても良い。
【００８８】
発光層に使用できる発光材料（ホスト及びドーパント）としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８９】
発光層に使用できるホスト材料の具体例としては、下記（ｉ）〜（ｉｘ）で表される化合物が挙げられる。
下記式（ｉ）で表される非対称アントラセン。
【００９０】
【化２０】
0005587172.tif 000026
【００９１】
（式中、Ａｒ００１は置換もしくは無置換の核炭素数１０〜５０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０）の縮合芳香族基である。
Ａｒ００２は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族基である。
Ｘ００１〜Ｘ００３は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。
ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０〜４の整数である。
ｎは１〜３の整数である。また、ｎが２以上の場合は、［  ］内は、同じでも異なっていてもよい。）
尚、上記Ａｒ００１等の基が置換基を有する場合、置換基としては、上記式（１）（２）のＡｒ１やＬ１等に示した例と同様な基が挙げられる。本明細書において、後述する各式に示した基が置換基を有する場合の置換基についても同様である。
【００９２】
下記式（ｉｉ）で表される非対称モノアントラセン誘導体。
【００９３】
【化２１】
0005587172.tif 000027
【００９４】
（式中、Ａｒ００３及びＡｒ００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族環基であり、
ｍ及びｎは、それぞれ１〜４の整数である。
ただし、ｍ＝ｎ＝１でかつＡｒ００３とＡｒ００４のベンゼン環への結合位置が左右対称型の場合には、Ａｒ００３とＡｒ００４は同一ではなく、ｍ又はｎが２〜４の整数の場合にはｍとｎは異なる整数である。
Ｒ００１〜Ｒ０１０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基である。）
【００９５】
下記式（ｉｉｉ）で表される非対称ピレン誘導体。
【００９６】
【化２２】
0005587172.tif 000028
【００９７】
［式中、Ａｒ００５及びＡｒ００６は、それぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族基である。
Ｌ００１及びＬ００２は、それぞれ置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のナフタレニレン基、置換もしくは無置換のフルオレニレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾシロリレン基である。
ｍは０〜２の整数、ｎは１〜４の整数、ｓは０〜２の整数、ｔは０〜４の整数である。
また、Ｌ００１又はＡｒ００５は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ００２又はＡｒ００６は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。ただし、ｎ＋ｔが偶数の時、Ａｒ００５，Ａｒ００６，Ｌ００１，Ｌ００２は下記（１）又は（２）を満たす。
（１）  Ａｒ００５≠Ａｒ００６及び／又はＬ００１≠Ｌ００２（ここで≠は、異なる構造の基であることを示す。）
（２）  Ａｒ００５＝Ａｒ００６かつＬ００１＝Ｌ００２の時
（２−１）  ｍ≠ｓ及び／又はｎ≠ｔ、又は
（２−２）  ｍ＝ｓかつｎ＝ｔの時、
（２−２−１）  Ｌ００１及びＬ００２、又はピレンが、それぞれＡｒ００５及びＡｒ００６上の異なる結合位置に結合しているか、（２−２−２）  Ｌ００１及びＬ００２、又はピレンが、Ａｒ００５及びＡｒ００６上の同じ結合位置で結合している場合、Ｌ００１及びＬ００２又はＡｒ００５及びＡｒ００６のピレンにおける置換位置が１位と６位、又は２位と７位である場合はない。］
【００９８】
下記式（ｉｖ）で表される非対称アントラセン誘導体。
【００９９】
【化２３】
0005587172.tif 000029
【０１００】
（式中、Ａ００１及びＡ００２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜２０の縮合芳香族環基である。
Ａｒ００７及びＡｒ００８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族環基である。
Ｒ０１１〜Ｒ０２０は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の芳香族環基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜５０（好ましくは５〜２０）のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８）のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシ基である。
Ａｒ００７、Ａｒ００７、Ｒ０１９及びＲ０２０は、それぞれ複数であってもよく、隣接するもの同士で飽和もしくは不飽和の環状構造を形成していてもよい。
ただし、式（iv）において、中心のアントラセンの９位及び１０位に、該アントラセン上に示すＸ−Ｙ軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。）
【０１０１】
下記式（ｖ）で表されるアントラセン誘導体。
【０１０２】
【化２４】
0005587172.tif 000030
【０１０３】
（式中、Ｒ０２１〜Ｒ０３０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，置換してもよいアリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アルケニル基，アリールアミノ基又は置換してもよい複素環式基を示し、
ａ及びｂは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ０２１同士又はＲ０２２同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、また、Ｒ０２１同士又はＲ０２２同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ０２３とＲ０２４，Ｒ０２５とＲ０２６，Ｒ０２７とＲ０２８，Ｒ０２９とＲ０３０がたがいに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ００３は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）
【０１０４】
下記式（ｖｉ）で表されるアントラセン誘導体。
【０１０５】
【化２５】
0005587172.tif 000031
【０１０６】
（式中、Ｒ０３１〜Ｒ０４０は、それぞれ独立に水素原子，アルキル基，シクロアルキル基，アリール基，アルコキシル基，アリーロキシ基，アルキルアミノ基，アリールアミノ基又は置換してもよい複数環式基を示し、
ｃ，ｄ，ｅ及びｆは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ０３１同士，Ｒ０３２同士，Ｒ０３６同士又はＲ０３７同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよく、またＲ０３１同士，Ｒ０３２同士，Ｒ０３３同士又はＲ０３７同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ０３３とＲ０３４，Ｒ０３９とＲ０４０がたがいに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ００４は単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換してもよいアリール基である）、アルキレン基又はアリーレン基を示す。）
【０１０７】
下記式（ｖｉｉ）で表されるスピロフルオレン誘導体。
【０１０８】
【化２６】
0005587172.tif 000032
【０１０９】
（式中、Ａ００５〜Ａ００８は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基又は置換もしくは無置換のナフチル基である。）
【０１１０】
下記式（ｖｉｉｉ）で表される縮合環含有化合物。
【０１１１】
【化２７】
0005587172.tif 000033
【０１１２】
（式中、Ａ０１１〜Ａ０１３はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリーレン基である。
Ａ０１４〜Ａ０１６はそれぞれ独立に、水素原子、又は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリール基である。
Ｒ０４１〜Ｒ０４３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数５〜１６のアリールアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数１〜６のエステル基又はハロゲン原子を示し、Ａ０１１〜Ａ０１６のうち少なくとも１つは３環以上の縮合芳香族環を有する基である。）
【０１１３】
下記式（ｉｘ）で表されるフルオレン化合物。
【０１１４】
【化２８】
0005587172.tif 000034
【０１１５】
（式中、Ｒ０５１及びＲ０５２は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ０５１同士、Ｒ０５２同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５１及びＲ０５２は、同じであっても異なっていてもよい。Ｒ０５３及びＲ０５４は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基又は置換あるいは無置換の複素環基を表わし、異なるフルオレン基に結合するＲ０５３同士、Ｒ０５４同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ０５３及びＲ０５４は、同じであっても異なっていてもよい。Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基又はベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わし、Ａｒ０１１及びＡｒ０１２は、同じであっても異なっていてもよい。ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
【０１１６】
以上の材料の中でも、好ましくはアントラセン誘導体、さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセンである。
【０１１７】
燐光性ドーパントを使用する際のホスト化合物の具体例としては、カルバゾール環を含む化合物が好ましい。カルバゾール環を含む化合物からなるりん光発光に好適なホストは、その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。ホスト化合物としては励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環等を有していても良い。
【０１１８】
このようなホスト化合物の具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。ホスト化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
具体例としては、以下のような化合物が挙げられる。
【０１１９】
【化２９】
0005587172.tif 000035
【０１２０】
りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。
りん光発光性のドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０重量％であり、１〜３０重量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１重量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０重量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。
【０１２１】
また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有しても良い。
【０１２２】
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇するおそれがある。
【０１２３】
（５）正孔注入層・正孔輸送層（正孔注入・輸送層：正孔輸送帯域）
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の高分子化合物を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の高分子化合物単独で正孔注入・輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明においては、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により正孔輸送層若しくは正孔注入層に、前記高分子化合物以外の有機化合物を含有させてもよく、また、本発明の高分子化合物を含む正孔輸送層若しくは正孔注入層に、公知の有機化合物を含む他の正孔輸送層若しくは正孔注入層を積層してもよい。
本発明の高分子化合物と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。
【０１２４】
具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。
【０１２５】
正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ＮＰＤ）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等を挙げることができる。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。
【０１２６】
正孔注入・輸送層は本発明の高分子化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の高分子化合物を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。
【０１２７】
（６）電子注入層及び電子輸送層（電子注入・輸送層）
電子注入・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい。また、付着改善層は、電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
電子注入・輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【０１２８】
電子注入・輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを挙げることができる。
【０１２９】
オキサジアゾール誘導体としては、以下の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【０１３０】
【化３０】
0005587172.tif 000036
（式中、Ａｒ３０１、Ａｒ３０２、Ａｒ３０３、Ａｒ３０５、Ａｒ３０６、及びＡｒ３０９はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示す。またＡｒ３０４、Ａｒ３０７、Ａｒ３０８はそれぞれ置換又は無置換のアリーレン基を示す。）
【０１３１】
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレ基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。
【０１３２】
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【化３１】
0005587172.tif 000037
（Ｍｅはメチル基、ｔＢｕはｔブチル基を示す。）
【０１３３】
さらに、電子注入・輸送層に用いられる材料として、下記式（Ａ）〜（Ｆ）で表されるものも用いることができる。
【化３２】
0005587172.tif 000038
【０１３４】
（式（Ａ）及び（Ｂ）中、Ａ３１１〜Ａ３１３は、それぞれ窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ３１１は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のヘテロアリール基であり、Ａｒ３１１’は、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリーレン基又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のヘテロアリーレン基であり、Ａｒ３１２は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜８）のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜８）のアルコキシ基である。ただし、Ａｒ３１１及びＡｒ３１２のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０（好ましくは１０〜３０、より好ましくは１０〜２０）の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ３１１、Ｌ３１２及びＬ３１３は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒ及びＲ３１１は、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜８）のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０（好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜８）のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接するＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。
【０１３５】
ＨＡｒ−Ｌ３１４−Ａｒ３２１−Ａｒ３２２    （Ｃ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０（好ましくは３〜３０、より好ましくは３〜２４）の含窒素複素環であり、Ｌ３１４は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ３２１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ３２２は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１４）のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０（好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１４）のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。
【０１３６】
【化３３】
0005587172.tif 000039
【０１３７】
（式中、Ｘ３０１及びＹ３０１は、それぞれ炭素数１〜６の飽和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ３０１〜Ｒ３０４は、それぞれ、水素、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基又はシアノ基である。これらの基は置換されていてもよい。また、隣接した基が置換もしくは無置換の縮合環を形成してもよい。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。
【０１３８】
【化３４】
0005587172.tif 000040
【０１３９】
（式中、Ｒ３２１〜Ｒ３２８及びＺ３２２は、それぞれ、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ３０２、Ｙ３０２及びＺ３２１は、それぞれ、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ３２１とＺ３２２は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎ又は（３−ｎ）が２以上の場合、Ｒ３２１〜Ｒ３２８、Ｘ３０２、Ｙ３０２、Ｚ３２２及びＺ３２１は同一でも異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ３２２がメチル基でＲ３２８が水素原子又は置換ボリル基の化合物、及びｎが３でＺ３２１がメチル基の化合物を含まない。）で表されるボラン誘導体。
【０１４０】
【化３５】
0005587172.tif 000041
【０１４１】
［式中、Ｑ３０１及びＱ３０２は、それぞれ、下記式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌ３１５は、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ（Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ３０３（Ｑ３０４）（Ｑ３０３及びＱ３０４は、Ｑ３０１及びＱ３０２と同じ）で示される配位子を表す。］で表されるガリウム錯体。
【０１４２】
【化３６】
0005587172.tif 000042
［式中、環Ａ３０１及びＡ３０２は、それぞれ置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］
【０１４３】
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きい。
式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ３０１及びＡ３０２の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビス（アセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等の置換もしくは無置換のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成してもよい。
【０１４４】
有機ＥＬ素子の好ましい形態では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、希土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
【０１４５】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましいのは、Ｃｓである。
【０１４６】
これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組み合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。
Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
【０１４７】
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよい。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。
【０１４８】
具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ，ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
【０１４９】
また、電子注入・輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、電子注入・輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。
尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
【０１５０】
（７）陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【０１５１】
（８）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
【０１５２】
（９）有機ＥＬ素子の製造方法
有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により、陽極から、必要な層を順次形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
【０１５３】
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましく、大面積化及び、低コスト化という観点からは、スピンコート法等の塗布法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０−７〜１０−３Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃で適宜選択することが好ましい。
【０１５４】
次に、正孔注入層上に発光層を設ける。発光層の形成も、真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましく、大面積化及び、低コスト化という観点からは、スピンコート法などの塗布法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。
【０１５５】
次に、発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましく、大面積化及び、低コスト化という観点からは、スピンコート法等の塗布法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は蒸着法、スパッタリングにより形成できる。下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
【０１５６】
有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。本発明の化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは本発明の化合物を溶媒に解かした溶液を使用した塗布法等、公知の方法で形成することができる。
前記塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセソト印刷法、インクジェソトプリント法等が挙げられる。パターン形成が容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセソト印刷法、インクジェット印刷法が好ましい。これらの方法による成膜は当業者に周知の条件により行うことができ、その詳細は省略する。
【０１５７】
成膜用溶液は、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物を含有していればよく、また該高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、溶媒、安定剤等の添加剤を含んでいてもよい。該成膜用溶液中の該高分子化合物の含有量は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して１〜１００重量％が好ましく、５０〜１００重量％がより好ましい。溶媒の割合は、成膜用溶液の０．１〜２０重量％が好ましく、０．５〜１０重量％がより好ましい。
【０１５８】
成膜用溶液は、粘度及び／又は表面張力を調節するための添加剤、例えば、増粘剤（高分子量化合物、本発明の高分子化合物の貧溶媒など）、粘度降下剤（低分子量化合物など）、界面活性剤などを含有していてもよい。また、保存安定性を改善するために、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤など、有機ＥＬ素子の性能に影響しない酸化防止剤を含有していてもよい。
【０１５９】
成膜用溶液の溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、四塩化炭素、テトラクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒；ベンゼン、ドデシルベンゼン、トルエン、クロロトルエン、キシレン等のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲンを有しても良い芳香族系溶媒；シクロへキサン、メチルシクロへキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、シクロへキサノン、シクロヘプタノン、シクロペンタノン、シクロオクタノン、べンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル、酢酸アミル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−へキサンジオール、等の多価アルコール及びその誘導体；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、ベンジルアルコール、イソプロパノール、シクロへキサノール、エチルセロソルブ等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、又は複数組み合わせて用いることができる。これらのうち、溶解性、成膜の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、５−ブチルベンゼン、ｎ−へキシルベンゼン、シクロへキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、テトラリン、アニソール、エトキシベンゼン、シクロへキサン、ビシクロへキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロへキサン、ｎ−へキシルシクロヘキサン、デカリン、安息香酸メチル、シクロへキサノン、２−プロピルシクロへキサノン、２−へプタノン、３−へプタノン、４−へプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロへキシルケトン、アセトフェノン、ベンゾフェノンがより好ましい。
【実施例】
【０１６０】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
下記の中間体１〜１７を合成し、後述する実施例１〜３において高分子化合物（Ａ）〜（Ｃ）を合成した。【０１６１】
【化３７】
0005587172.tif 000043
0005587172.tif 000044
【０１６２】
[中間体の合成]
中間体１
９−フェニルカルバゾール１７．７ｇ、ヨウ化カリウム６．０３ｇ、ヨウ素酸カリウム７．７８ｇ、硫酸５．９０ｍＬ及びエタノールを入れ、７５℃にて２時間反応した。
冷却後、上水、酢酸エチルを加えて分液、抽出した後、重曹水、上水を用いて有機層を洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体を減圧乾燥したところ、２１．８ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル）の分析により、中間体１と同定した。【０１６３】
中間体２
アルゴン気流下、中間体１を１３．１ｇに脱水トルエン、脱水エーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８Ｍ）を２５ｍＬ滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル２５ｍＬをゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、７．１０ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２と同定した。【０１６４】
中間体３
中間体１を２１．８ｇ、４−ブロモフェニルボロン酸１１．８ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４１．３８ｇ、炭酸ナトリウム２１．９ｇ、上水及びジメトキシエタンを入れ、還流下にて８時間反応した。
冷却後、反応溶液をろ過し、ろ過残渣をアセトンで、分液した水層をジクロロメタンで抽出し、集めたろ液を分液して、アセトン、ジクロロメタンを加えて分液し、ろ過残渣をアセトンで、分液した水層をジクロロメタンで抽出して、集めた有機層を上水で洗浄し、濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝９：１）で精製し、得られた固体をトルエン、メタノールで再結晶して、減圧乾燥したところ、４．１８ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３と同定した。【０１６５】
中間体４
アルゴン気流下、ジフェニルアミン３．７ｇ、中間体３を８．０ｇ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３２３１ｍｇ、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）３３２５ｍｇ、ターシャルブトキシナトリウム２．９ｇ、トルエンを入れて、８０℃にて４時間反応した。尚、「ｄｂａ」はジベンジリデンアセトンを意味する。
冷却後、トルエンを加えてセライトろ過をした後ろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝６：１）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄して減圧乾燥したところ、７．０ｇの黄白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４と同定した。【０１６６】
中間体５
アルゴン気流下、中間体４を７．０ｇ、脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに入れてアイスバスにより冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド５．３ｇを溶解した脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液を滴下した。滴下後、室温にて４時間反応した。
その後、析出した結晶をろ過して取り出し、メタノールで洗浄した。その後、減圧乾燥したところ、７．３ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。【０１６７】
中間体６
アルゴン気流下、中間体５を３．７ｇ、ビスピナコラートジボロン４．１ｇ、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）３９５ｍｇ、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン２７４ｍｇ、酢酸カリウム３．３ｇ、脱水ジオキサンを入れて、１００℃にて２８時間還流反応した。尚、「ｄｐｐｆ」はジフェニルホスフィノフェロセンを意味する。
冷却後、セライトろ過をして、得られたろ液を濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた固体をトルエン、エタノールで再結晶して、減圧乾燥したところ、２．９ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。【０１６８】
中間体７
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体２を用いて、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに２−ブロモ−７−ヨード−９、９−ジメチルフルオレンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体７と同定した。【０１６９】
中間体８
中間体４の合成において、中間体３の代わりに中間体７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。【０１７０】
中間体９
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。【０１７１】
中間体１０
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。【０１７２】
中間体１１
中間体４の合成において、ジフェニルアミンの代わりにオルトメチルアニリンを用いて、中間体３の代わりに４、４’−ジブロモビフェニルを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。【０１７３】
中間体１２
中間体３の合成において、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりにフェニルボロン酸を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１２と同定した。【０１７４】
中間体１３
中間体１の合成において、９−フェニルカルバゾールの代わりに中間体１２を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。【０１７５】
中間体１４
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体１３を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１４と同定した。【０１７６】
中間体１５
中間体４の合成において、ジフェニルアミンの代わりに中間体１１を用いて、中間体３の代わりに中間体１４を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１５と同定した。【０１７７】
中間体１６
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体１５を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１６と同定した。【０１７８】
中間体１７
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体１６を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１７と同定した。【０１７９】
[高分子化合物の合成]
実施例１
下記の高分子化合物（Ａ）を合成した。
【化３８】
0005587172.tif 000045
【０１８０】
アルゴン気流下、上記中間体５を２．７ｇ、中間体６を２．９ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ２３１ｍｇ、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（アルドリッチ製）０．５ｇ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２５ｍＬ、トルエン２５ｍＬ中、還流下に２８時間反応した。反応後、ブロモ基を末端封鎖さるため、フェニルホウ酸１００ｍｇを加えて還流下に４時間反応した。その後、ボロネート基を末端封鎖するためにブロモベンゼン１００ｍｇを加えて還流下に４時間反応した。
冷却後、反応溶液をメタノール中に注ぎ、析出したポリマーをメタノール、希塩酸水溶液で洗浄し、乾燥したところ化合物Ａを２．５ｇ得た。
得られた高分子化合物（Ａ）の分子量はＭｎ＝１１０００、Ｍｗ＝２３０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０１８１】
実施例２
下記の高分子化合物（Ｂ）を合成した。
【化３９】
0005587172.tif 000046
【０１８２】
化合物（Ａ）の合成において、中間体５の代わりに中間体９を用いて、中間体６の代わりに中間体１０を用いて同様の方法で合成した。
得られた高分子化合物（Ｂ）の分子量はＭｎ＝１９０００、Ｍｗ＝４００００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０１８３】
実施例３
下記の高分子化合物（Ｃ）を合成した。
【化４０】
0005587172.tif 000047
【０１８４】
化合物（Ａ）の合成において、中間体５の代わりに中間体１６を用いて、中間体６の代わりに中間体１７を用いて同様の方法で合成した。
得られた高分子化合物（Ｃ）の分子量はＭｎ＝５００００、Ｍｗ＝１０００００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０１８５】
[有機ＥＬ素子の作製]
実施例４
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、スピンコート法で正孔注入層に用いるポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）を６０ｎｍの膜厚で成膜した。次に、この膜の上に、上記化合物（Ａ）の１．０重量％トルエン溶液を用いて、スピンコートにより２０ｎｍの厚みで成膜した。均一な膜が得られた。この膜は正孔輸送層として機能する。これを減圧下１２０℃で１時間乾燥した後、さらに、膜厚４０ｎｍの下記化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚１０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を製造した。
得られた有機ＥＬ素子について、発光色を観察し、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２、室温、ＤＣ定電流駆動での発光効率、及び半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０１８６】
【化４１】
0005587172.tif 000048
【０１８７】
【表１】
0005587172.tif 000049
【０１８８】
実施例５，６
実施例４において、正孔輸送材料として化合物（Ａ）の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。【０１８９】
実施例７
実施例４において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１に示す。
【化４２】
0005587172.tif 000050
【０１９０】
実施例８
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、上記化合物（Ａ）の１．０重量％トルエン溶液を用いて、スピンコートにより６０ｎｍの厚みで成膜した。均一な膜が得られた。この膜は正孔注入輸送層として機能する。これを減圧下１２０℃で１時間乾燥した後、さらに、膜厚４０ｎｍの化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚１０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を製造した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例４と同様に評価した。結果を表１に示す。【０１９１】
実施例９
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、上記化合物（Ａ）の１．０重量％トルエン溶液を用いて、スピンコートにより４０ｎｍの厚みで成膜した。均一な膜が得られた。この膜は正孔注入層として機能する。これを減圧下１２０℃で１時間乾燥した。その上に正孔輸送層として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジンを２０ｎｍの厚さに蒸着した。さらに、膜厚４０ｎｍの化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚１０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を製造した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例４と同様に評価した。結果を表１に示す。【０１９２】
比較例１
実施例４において、正孔輸送材料として化合物（Ａ）を成膜する代わりにポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＣｚ）の１．０重量％塩化メチレン溶液を用いて、スピンコートにより６０ｎｍの厚みで成膜した以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、実施例４と同様に評価した。結果を表１に示す。【０１９３】
下記の中間体１８〜４０を合成し、後述する実施例において高分子化合物（Ｄ）〜（Ｈ）を合成した。
【化４３】
0005587172.tif 000051
0005587172.tif 000052
0005587172.tif 000053
【０１９４】
［中間体の合成］
中間体１８
アルゴン気流下、ジベンゾフランを５．８ｇに脱水トルエン、脱水エーテルを加え、−４５℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５８Ｍ）を２６ｍＬ滴下して、攪拌しながら１時間かけて−５℃まで昇温した。再び−４５℃まで冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル２５ｍＬをゆっくり滴下してから２時間反応した。
室温に戻した後、１０％希塩酸溶液を加えて攪拌し、有機層を抽出した。飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ別後、濃縮した。得られた固体を、シリカゲルクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、得られた個体をｎ−ヘキサンで洗浄し、減圧乾燥したところ、５．３ｇの固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１８と同定した。【０１９５】
中間体１９
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体１８を用い、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに、１−ブロモ−４−ヨードフェニルを用いて、同様の方法で合成した。
ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１９と同定した。【０１９６】
中間体２０
中間体４の合成において、中間体３の代わりに中間体１９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２０と同定した。【０１９７】
中間体２１
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体２０を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２１と同定した。【０１９８】
中間体２２
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体２１を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２２と同定した。【０１９９】
中間体２３
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体１８を用いて、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに２−ブロモ−７−ヨード−９、９−ジメチルフルオレンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２３と同定した。【０２００】
中間体２４
中間体４の合成において、中間体３の代わりに中間体２３を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２４と同定した。【０２０１】
中間体２５
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体２４を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２５と同定した。【０２０２】
中間体２６
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体２５を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２６と同定した。【０２０３】
中間体２７
中間体１の合成において、９−フェニルカルバゾールの代わりにジベンゾフランを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２７と同定した。【０２０４】
中間体２８
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体２７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２８と同定した。【０２０５】
中間体２９
中間体４の合成において、ジフェニルアミンの代わりに中間体１１を用いて、中間体３の代わりに中間体２８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２９と同定した。【０２０６】
中間体３０
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体２９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３０と同定した。【０２０７】
中間体３１
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体３０を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３１と同定した。【０２０８】
中間体３２
中間体１８の合成において、ジベンゾフランの代わりにジベンゾチオフェン８を用いて、同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３２と同定した。【０２０９】
中間体３３
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体３２を用い、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに、１−ブロモ−４−ヨードフェニルを用いて、同様の方法で合成した。
ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３３と同定した。【０２１０】
中間体３４
中間体４の合成において、中間体３の代わりに中間体３３を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３４と同定した。【０２１１】
中間体３５
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体３４を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３５と同定した。【０２１２】
中間体３６
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体３５を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３６と同定した。【０２１３】
中間体３７
中間体３の合成において、中間体１の代わりに中間体３６を用いて、４−ブロモフェニルボロン酸の代わりに２−ブロモ−７−ヨード−９、９−ジメチルフルオレンを用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３７と同定した。【０２１４】
中間体３８
中間体４の合成において、中間体３の代わりに中間体３７を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３８と同定した。【０２１５】
中間体３９
中間体５の合成において、中間体４の代わりに中間体３８を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体３９と同定した。【０２１６】
中間体４０
中間体６の合成において、中間体５の代わりに中間体３９を用いて同様の方法で合成した。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４０と同定した。【０２１７】
［高分子化合物の合成］
実施例１０
下記の高分子化合物（Ｄ）を合成した。
【化４４】
0005587172.tif 000054
【０２１８】
実施例１において、中間体５を中間体２１に、中間体６を中間体２２に代えた以外は同様にして高分子化合物（Ｄ）を得た。
得られた高分子化合物（Ｄ）の分子量はＭｎ＝１２０００、Ｍｗ＝２１０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０２１９】
実施例１１
下記の高分子化合物（Ｅ）を合成した。
【化４５】
0005587172.tif 000055
【０２２０】
実施例１において、中間体５を中間体２５に、中間体６を中間体２６に代えた以外は同様にして高分子化合物（Ｅ）を得た。
得られた高分子化合物（Ｅ）の分子量はＭｎ＝１７０００、Ｍｗ＝３５０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０２２１】
実施例１２
下記の高分子化合物（Ｆ）を合成した。
【化４６】
0005587172.tif 000056
【０２２２】
実施例１において、中間体５を中間体３０に、中間体６を中間体３１に代えた以外は同様にして高分子化合物（Ｆ）を得た。
得られた高分子化合物（Ｆ）の分子量はＭｎ＝５２０００、Ｍｗ＝９８０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０２２３】
実施例１３
下記の高分子化合物（Ｇ）を合成した。
【化４７】
0005587172.tif 000057
【０２２４】
実施例１において、中間体５を中間体３５に、中間体６を中間体３６に代えた以外は同様にして高分子化合物（Ｇ）を得た。
得られた高分子化合物（Ｇ）の分子量はＭｎ＝１４０００、Ｍｗ＝２５０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０２２５】
実施例１４
下記の高分子化合物（Ｈ）を合成した。
【化４８】
0005587172.tif 000058
【０２２６】
実施例１において、中間体５を中間体３９に、中間体６を中間体４０に代えた以外は同様にして高分子化合物（Ｈ）を得た。
得られた高分子化合物（Ｈ）の分子量はＭｎ＝２００００、Ｍｗ＝４２０００（標準ポリスチレンで検量）であった。【０２２７】
実施例１５〜１９
実施例４において、正孔輸送材料として化合物（Ａ）の代わりに表２に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表２に示す。【０２２８】
実施例２０〜２５
実施例２０、２１、２２は化合物（Ｄ）を用いて、それぞれ、実施例７、８、９の有機ＥＬ素子の作成条件と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、実施例２３、２４、２５は化合物（Ｇ）を用いて、それぞれ、実施例７、８、９の有機ＥＬ素子の作製条件と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。【０２２９】
【表２】
0005587172.tif 000059
【産業上の利用可能性】
【０２３０】
本発明の高分子化合物を有機ＥＬ素子用材料として、特に、特に、正孔輸送材料又は正孔注入材料として用いた有機ＥＬ素子は高発光効率であり寿命も長い。このため、本発明の有機ＥＬ素子は、実用性が高く、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【図１】
0005587172.tif 000066