(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（ａ）と、該（ａ）１００質量部に対し下記（ｂ）１５〜３０質量部と、（ｃ）３０〜１００質量部と、（ｄ）０．０５〜０．２０質量部とを含み、
硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下であり、凹凸のある有機基板の該凹凸を１２０℃／０．１ＭＰａ／１ｓの圧着条件で埋め込む接着シート。
（ａ）下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂と、軟化点が７０℃以下で水酸基当量が１６０以上である下記式（II）又は（III）で表される化合物と、を含む熱硬化性樹脂であって、該熱硬化性樹脂１００質量部中、前記エポキシ樹脂が２５質量部以上であり、前記化合物が３５〜５５質量部である熱硬化性樹脂、
（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂、
（ｃ）平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラー、
（ｄ）硬化促進剤
【化１】
0005532575.tif 000018
（式（Ｉａ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
0005532575.tif 000019
（式（Ｉｂ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示す。）
【化３】
0005532575.tif 000020
（式（II）中、Ｒ５は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ただし、末端は０〜４の整数を示す。繰り返し単位の数を示すｐは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【化４】
0005532575.tif 000021
（式（III）中、繰り返し単位の数を示すｑは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【請求項２】
下記（ａ）と、該（ａ）１００質量部に対し下記（ｂ）１５〜３０質量部と、（ｃ）３０〜１００質量部と、（ｄ）０．０５〜０．２０質量部とを含む、硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、有機基板への接着力が２ＭＰａ以上である半導体用接着シートであって、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下である接着シート。
（ａ）下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂と、軟化点が７０℃以下で水酸基当量が１６０以上である下記式（II）又は（III）で表される化合物とを含む熱硬化性樹脂であって、該熱硬化性樹脂１００質量部中、前記エポキシ樹脂が２５質量部以上であり、前記化合物が３５〜５５質量部である熱硬化性樹脂、
（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂、
（ｃ）平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラー、
（ｄ）硬化促進剤
【化５】
0005532575.tif 000022
（式（Ｉａ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示す。）
【化６】
0005532575.tif 000023
（式（Ｉｂ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示す。）
【化７】
0005532575.tif 000024
（式（II）中、Ｒ５は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ただし、末端は０〜４の整数を示す。繰り返し単位の数を示すｐは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【化８】
0005532575.tif 000025
（式（III）中、繰り返し単位の数を示すｑは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【請求項３】
ガラス−エポキシ基板との２６５℃における接着力が２ＭＰａ以上である請求項１又は２に記載の接着シート。
【請求項４】
前記無機フィラーは、平均粒径が０．５μｍ以上であり、０．１〜４．０μｍに９９質量％分布するものである請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着シート。
【請求項５】
前記（ａ）熱硬化性樹脂中のエポキシ樹脂のエポキシ当量と式（II）又は（III）で示される化合物の水酸基当量との当量比が、０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０である請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用される接着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、チップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オ−ディオ機器用のメモリパッケージとして搭載されているが、携帯電話等の多機能化に伴い、パッケージの高密度化・高集積化が推し進められている。これに伴い、チップの多段化とパッケージの薄型化が求められており、これらの要求を満足できるパッケージ形態としてワイヤ埋込型のパッケージが注目を集めている。
【０００３】
スタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性が挙げられるが、接着面に空隙を発生させること無くチップを実装できるかどうかが、接続信頼性を左右するひとつの要素として挙げられる。特に、配線に起因する凹凸を有する基板上にチップを積層する場合、これらの凹凸の埋込性が重要となる。このようなプロセスに適合し、圧着時に配線に起因する凹凸を埋め込むことができる接着シートが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、近年、半導体装置の小型化、薄型化を達成するため、基板及びウェハの薄型化が進んでいる。薄型化において、素子と電子部品を実装する基板との熱膨張係数の差に由来する素子の反りが問題となっている。特に基板上へ実装する１段目のチップで発生する反りは、その上に実装するチップの圧着状態に影響を及ぼし、圧着時のトラップボイドの誘発等の不具合が発生しうる。半導体素子と基板の熱膨張係数の差が大きい場合に使用可能な、耐熱性、耐湿性、耐リフロクラック性のある接着剤組成物、接着部材が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】国際公第開０５／１０３１８０号パンフレット
【特許文献２】特開２００２−２２０５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パッケージ薄型化を達成するため基板及びウェハの薄型化が進んでおり、最終製品としてだけではなく、その製造工程内での素子の反りが問題となっている。上記特許文献２に記載された接着部材では圧着実装のみで配線に起因する凹凸を埋め込むことは難しい。一方、上記特許文献１に記載された接着シートでは、圧着実装のみで配線に起因する凹凸を埋め込むことができる。しかし、実装後の接着面積は高くなり、素子の製造工程内での反りが大きくなる傾向にある。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、圧着実装のみで配線に起因する凹凸を埋め込むことができ、且つ高耐熱性と高耐湿性を有し、半導体素子製造工程内での素子の反りを低減できる接着シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、硬化前の溶融粘度と１２０℃で１時間加熱した後のずり貯蔵弾性率が、凹凸の埋め込み性と製造工程における素子の反りに関係することを見出した。すなわち、接着シートを構成する成分を特定することで、硬化前の８０℃での溶融粘度を５００〜２８０００Ｐａ・ｓとし、１２０℃で１時間加熱した後のずり貯蔵弾性率を１Ｍｐａ以下とした接着シートは、凹凸の埋め込み性に優れ、製造工程における素子の反りを低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下の通りである。
【０００９】
（１）硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下であり、凹凸のある有機基板の該凹凸を１２０℃／０．１ＭＰａ／１ｓの圧着条件で埋め込む接着シート。
【００１０】
（２）下記（ａ）と、該（ａ）１００質量部に対し下記（ｂ）１５〜３０質量部と、（ｃ）３０〜１００質量部と、（ｄ）０．０５〜０．２０質量部を含む、硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、有機基板への接着力が２ＭＰａ以上である半導体用接着シートであって、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下である接着シート。
（ａ）下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂と、下記式（II）又は（III）で表される化合物とを含む熱硬化性樹脂、
（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂、
（ｃ）平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラー、
（ｄ）硬化促進剤
【化１】
0005532575.tif 000002
（式（Ｉａ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示す。）
【化２】
0005532575.tif 000003
（式（Ｉｂ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数をす。）
【化３】
0005532575.tif 000004
（式（II）中、Ｒ５は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ただし、末端は０〜４の整数を示す。繰り返し単位の数を示すｐは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【化４】
0005532575.tif 000005
（式（III）中、繰り返し単位の数を示すｑは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【００１１】
（３）前記式（II）又は（III）で表される化合物の軟化点が７０℃以下である上記（１）又は（２）に記載の接着シート。
【００１２】
（４）ガラス−エポキシ基板との２６５℃における接着力が２ＭＰａ以上である上記（１）〜（３）のいずれか一つに記載の接着シート。
（５）前記無機フィラーは、平均粒径が０．５μｍ以上であり、０．１〜４．０μｍに９９質量％分布するものである上記（１）〜（４）のいずれか一つに記載の接着シート。
【００１３】
（６）前記（ａ）熱硬化性樹脂中のエポキシ樹脂のエポキシ当量と式（II）又は（III）で表される化合物の水酸基当量との当量比が、０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０である上記（１）〜（５）のいずれか一つに記載の接着シート。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、圧着実装のみで有機基板上の凹凸を完全に埋め込むことができ、製造工程における半導体素子の反りを低減させることが可能な接着シートを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の接着シートは、硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下であり、凹凸のある有機基板の該凹凸を１２０℃／０．１ＭＰａ／１ｓの圧着条件で埋め込むことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の接着シートは、以下のような構成でもよい。
下記（ａ）と、該（ａ）１００質量部に対し下記（ｂ）１５〜３０質量部と、（ｃ）３０〜１００質量部と、（ｄ）０．０５〜０．２０質量部を含む、硬化前の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・ｓであり、有機基板への接着力が２ＭＰａ以上である半導体用接着シートであって、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下である接着シートとする。
（ａ）下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂と、下記式（II）又は（III）で表される化合物とを含む熱硬化性樹脂、
（ｂ）架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であるアクリル系樹脂、
（ｃ）平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラー、
（ｄ）硬化促進剤。
【００１７】
【化５】
0005532575.tif 000006
（式（Ｉａ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示す。）
【００１８】
【化６】
0005532575.tif 000007
（式（Ｉｂ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数をす。）
【００１９】
【化７】
0005532575.tif 000008
（式（II）中、Ｒ５は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ただし、末端は０〜４の整数を示す。繰り返し単位の数を示すｐは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【００２０】
【化８】
0005532575.tif 000009
（式（III）中、繰り返し単位の数を示すｑは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【００２１】
＜接着シートの材料＞
以下、本発明に用いられる材料を説明する。
【００２２】
（ａ）熱硬化性樹脂
本発明の接着シートに使用する（ａ）熱硬化性樹脂に用いられる熱硬化性成分としては、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有するエポキシ樹脂及び上記式（II）又は式（III）で表される化合物との混合物が好ましい。
本発明における（ａ）熱硬化性樹脂を構成するエポキシ樹脂としては、好ましくは下記（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂であるが、硬化して接着作用を呈するエポキシ硬化樹脂となるものであれば特に制限はない。
【００２３】
【化９】
0005532575.tif 000010
（式（Ｉａ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数を示し、Ｒ３、Ｒ４は水素原子、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示す。）
【００２４】
【化１０】
0005532575.tif 000011
（式（Ｉｂ）中、Ｒ１、Ｒ２は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｋ、ｍは０〜４の整数をす。）
【００２５】
具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。
本発明において好ましく用いられるエポキシ樹脂として、例えば、東都化成株式会社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスキシレノール型エポキシ樹脂）、ＹＤＦ−８１７０Ｃ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【００２６】
本発明におけるエポキシ樹脂は、上記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるエポキシ樹脂を使用することが好ましいが、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限されない。半導体素子製造工程内での素子の反りを低減する観点から、多官能でないエポキシ樹脂であることが好ましく、圧着時の埋め込み性の観点からは２官能エポキシ樹脂がより好ましい。具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂等を使用することもできる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００２７】
Ｂステージ状態での接着シートの可撓性が高い点で、エポキシ樹脂の重量平均分子量が１０００以下であることが好ましく、さらに好ましくは５００以下である。可撓性に優れる重量平均分子量５００以下のエポキシ樹脂としては、２官能エポキシ樹脂が等が挙げられる。
なお、ここで「Ｂステージ状態」とは、シート状とした直後で硬化前の状態のことである。詳細は後述するが、溶融粘度の測定についても、Ｂステージ状態のフィルムを対象とする。
【００２８】
本発明における（ａ）熱硬化性樹脂を構成する化合物としては、下記（II）又は（III）で表される化合物（本発明においては、以下、まとめて「フェノール樹脂」ともいう）が好ましく挙げられる。これは、硬化して接着作用を呈する硬化性樹脂となるものである。
【００２９】
【化１１】
0005532575.tif 000012
（式（II）中、Ｒ５は直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、アリール基又はハロゲン原子を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ただし、末端は０〜４の整数を示す。繰り返し単位の数を示すｐは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【００３０】
上記式（II）中、nが０であり、ｐが２〜５であるフェノール樹脂が好ましく用いられる。
【００３１】
【化１２】
0005532575.tif 000013
（式（III）中、繰り返し単位の数を示すｑは０〜５０の範囲の整数を示す。）
【００３２】
上記式（III）中、ｑが２〜５であるフェノール樹脂が好ましく用いられる。
【００３３】
本発明に使用される上記一般式（II）、（III）で表されるフェノール樹脂は、熱履歴後のずり貯蔵弾性率を考慮すると、軟化点が７０℃以下で、水酸基当量が１６０以上であることが好ましい。また、耐熱性、耐湿性の観点から、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ、雰囲気：窒素）が５質量％未満のものをより好ましく使用することができる。
【００３４】
本発明におけるフェノール樹脂の軟化点が７０℃を超えると、凹凸の埋込性が悪くなる傾向がある。
【００３５】
本発明におけるフェノール樹脂は、水酸基当量がより好ましくは１６５〜４００である。水酸基当量が１６５以下であると、反りが大きくなる傾向があり、４００を超えると半導体素子製造工程での硬化が遅く、発泡などの不具合を引き起こす可能性がある。
【００３６】
軟化点７０℃以下、水酸基当量が１６５〜４００であるフェノール樹脂として、上記一般式（II）で表されるフェノール樹脂として代表的なものに、三井化学株式会社製  ミレックスＸＬＣ−シリーズとＸＬシリーズ等がある。上記一般式（III）で表されるフェノール樹脂として代表的なものに、東都化成株式会社製  ＳＮ１００シリーズとＳＮ４００等がある。
【００３７】
（ａ）熱硬化性樹脂中のエポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比で０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０となるのが好ましく、０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５となるのがより好ましく、０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０となるのがさらに好ましく、０．６０／０．４０〜０．５０／０．５０となるのが特に好ましい。配合比が上記範囲を超えると、作製した接着シートが硬化性に劣る、又はＢステージ状態のシートの粘度が高く、流動性に劣る可能性がある。
また、（ａ）熱硬化性樹脂１００質量部中、エポキシ樹脂は２５質量部以上であり、フェノール樹脂は３５〜５５質量部であることが好ましい。この配合量とすることにより、圧着時の凹凸の埋め込み性と反りの低減とを両立とすることができる。
【００３８】
（ｂ）高分子量成分
本発明における（ｂ）アクリル系樹脂は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万〜８０万で、Ｔｇが−５０〜５０℃であれば特に制限はない。
本発明における架橋性官能基としては、カルボン酸基、アミノ基、水酸基又はエポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００３９】
本発明におけるアクリル系樹脂は、Ｔｇ（ガラス転移温度）が−５０℃〜５０℃で架橋性官能基を有する重量平均分子量が１０万〜８０万であり、例えば、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレート等の架橋性官能性含有モノマーを重合して得たエポキシ基含有（メタ）アクリル系樹脂等が好ましい。エポキシ基含有（メタ）アクリル系樹脂としては、たとえば、エポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴム等を使用することができ、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。
【００４０】
アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体等からなるゴムである。
本発明におけるアクリル系樹脂を得るための重合方法は特に制限が無く、パール重合、溶液重合等を使用することができる。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００４１】
アクリル系樹脂のＴｇが５０℃を超えると、シートの柔軟性が低くなる場合があり、Ｔｇが−５０℃未満であると、シートの柔軟性が高すぎるため、ウェハダイシング時にシートが切断し難く、バリの発生によりダイシング性が悪化する場合がある。
【００４２】
また、アクリル系樹脂の重量平均分子量は、１０万未満であるとフィルム成膜性の悪化やシートの接着力と耐熱性の低下を引き起こす場合があり、分子量が８０万を超えるとＢステージ状態のシートの流動性が低下する場合がある。より好ましくは２０万〜８０万である。
【００４３】
ウェハダイシング時に接着シートを切断しやすく樹脂くずが発生し難い点、接着力と耐熱性が高い点、また未硬化シートの高い流動性という点で、Ｔｇが−２０℃〜４０℃で重量平均分子量が１０万〜８０万の高分子量成分が好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃で分子量が２０万〜８０万の高分子量成分が最も好ましい。
【００４４】
Ｔｇが−５０℃〜５０℃で架橋性官能基を有する重量平均分子量が１０万〜８０万であるアクリル系樹脂としては、例えば、帝国化学産業株式会社製  ＨＴＲ−８６０Ｐ、８６０−２３０ｋ等を用いることができる。
【００４５】
本発明における（ｂ）アクリル系樹脂の接着シート組成物中の配合量は、前記（ａ）熱硬化性樹脂１００質量部に対して１５〜３０質量部とされる。この配合量が１５質量部未満だと、半導体素子製造工程での硬化が遅く、発泡などの不具合を引き起こす傾向があり、３０質量部を超えると、圧着時の凹凸埋込性が悪化する傾向がある。
【００４６】
（ｃ）無機フィラー
本発明の接着シートには、Ｂステージ状態における接着シートのダイシング性の向上、接着シートの取り扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性の付与、接着力の向上等を目的として無機フィラーを配合することが好ましい。
本発明における（ｃ）無機フィラーとしては、特に制限はないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を使用することができ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が含有されていることが好ましい。溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が含有されていることが好ましい。
【００４７】
本発明においては、接着シート組成物中、（ｃ）無機フィラーを上記（ａ）熱硬化性樹脂１００質量部に対して、３０〜１００質量部含むことが、Ｂステージ状態のシートの高い流動性と硬化プロセス中の溶融性の発現には好ましい。
【００４８】
過剰量の無機フィラーを含有した場合、Ｂステージ状態のシートの流動性の低下を引き起こすことがある。無機フィラーは異なる平均粒径のものを混合して使用することができるが、その９０％以上の割合を占める主たる成分としては、平均粒径が０．５μｍ以上で０．１〜４．０μｍにその９９％が分布する無機フィラーが好ましく、平均粒径が０．５μｍ以上で０．１〜１．０μｍにその９９％が分布する無機フィラーを用いることがより好ましい。このような無機フィラーを用いることで硬化前の流動性を制御し、良好な凹凸埋込性を発現させることができる。
【００４９】
平均粒径が０．１μｍ以下である無機フィラーを主たる無機フィラー成分として使用した場合、比表面積の増加と含有粒子数の増加により未硬化シートの流動性が低下する場合があり、平均粒径が１．０μｍ以上の無機フィラーを主たる無機フィラー成分として使用した場合、含有粒子の減少による接着力の低下、フィルム成膜性の悪化を引き起こす場合がある。
【００５０】
主たる無機フィラーに添加するための異なる平均粒径の無機フィラーとしては、作製する接着シートの膜厚を超えないものであれば特に制限は無いが、素子の反り低減のための低弾性率化、接着強度の向上という観点から平均粒径が０．１μｍ以下である無機フィラーが好ましい。
【００５１】
（ｄ）硬化促進剤
本発明の接着シートには、硬化促進剤が含まれる。反応性の高い硬化促進剤は半導体素子製造工程中での接着シートの過剰な硬化を引き起こし、結果として過剰な反りを誘発しうる。一方、反応性の低い促進剤を採用した場合には、半導体素子製造工程内の熱履歴では接着シートが完全には硬化することなく、未硬化のまま製品内に搭載されることとなり、その後の半導体素子不具合を誘発する危険性がある。
以上のことから、硬化促進剤としては、イミダゾール系の化合物が好ましく挙げられる。具体的には、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。
【００５２】
本発明においては、接着シート組成物中、（ｄ）硬化促進剤を上記（ａ）熱硬化性樹脂１００質量部に対して、０．０５〜０．２０質量部含むことが、Ｂステージ状態のシートの高い流動性と硬化プロセス中の溶融性の発現には好ましい。
【００５３】
（ｅ）接着シートのその他の成分
本発明の接着シートは、上記成分の他に、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。
添加剤としては、吸湿時の絶縁信頼性をよくするためのイオン捕捉剤が挙げられる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等を使用することができ、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。
異種材料間の界面結合を良くするためのカップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。これらは一般的に知られるものが使用可能である。
【００５４】
＜接着シートの製造方法＞
本発明の接着シートは、前記（ａ）熱硬化性樹脂、（ｂ）アクリル系樹脂、（ｃ）無機フィラー、（ｄ）硬化促進剤及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスで接着層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００５５】
上記基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等がある。
【００５６】
本発明の接着シートの製造における上記ワニスの調整に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。
【００５７】
本発明の接着シートの膜厚は、基板の配線回路等の凹凸を充てん可能とするため、好ましくは５〜２５０μｍとする。５μｍより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。なお、接着性が高く、また、半導体装置を薄型化できる点で２０〜１００μｍがより好ましく、さらに好ましくは２０〜６０μｍである。
【００５８】
＜接着シートの物性＞
本発明の接着シート（接着層）は、硬化前（Ｂステージ状態）の８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・Ｓである。溶融粘度が５００Ｐａ・Ｓより小さいと、半導体素子製造工程での接着シートの発泡が顕著となる傾向があり、一方、２８０００Ｐａ・Ｓより大きいと圧着時の凹凸性が悪化する傾向がある。より好ましい溶融粘度は、１０００〜１００００Ｐａ・Ｓである。
【００５９】
また、接着シート（接着層）の硬化前の８０℃での溶融粘度は、溶融粘度を平行板プラストメーター法により測定できる。具体的には、以下のようにして測定サンプル（Ｂステージ状態のシート）を作製する。まず、接着シート用ワニスを支持フィルム等に塗布し、膜厚４０μｍのＢステージ状態のシートを３枚作製する。これらから、支持フィルムを剥離除去した後、３枚の接着層を６０℃で貼り合わせて厚み１２０μｍのシートを得る。次いで、そのシートを、厚み方向に打ち抜き、直径６ｍｍ、厚み１２０μｍの円板状の溶融粘度用測定サンプルを得る。円板状の溶融粘度用測定サンプルを厚さ１５０μｍのスライドガラスで、その厚み方向に挟み、圧着圧縮）時に８０℃となるように設定した圧着（圧縮）機を使用して、３ｋｇｆで３秒間厚み方向に圧着（圧縮）する。そのときの溶融粘度用測定サンプルとスライドガラスとの間の接触面積の変化から、溶融粘度を算出する。
【００６０】
なお、「Ｂステージ状態」とは、シート状とした直後の状態であるが、本発明の接着シートの溶融粘度は、シート形成直後（Ｂステージ状態）〜硬化する直前まで、硬化前であればどの工程を経ても特性の変化はほとんどないものと考えられる。
８０℃での溶融粘度が５００〜２８０００Ｐａ・Ｓとするには、上述の接着シートの材料を適宜用い、Ｂステージ状態のシート（測定サンプル）とする際の乾燥条件を適宜調製する等で制御可能である。
【００６１】
本発明の接着シート（接着層）は、１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下である。ずり貯蔵弾性率が１ＭＰａより大きいと、半導体素子の反りが大きくなる傾向がある。より好ましくは、０．８ＭＰａ以下である。ずり貯蔵弾性率の調整は、接着シート成分である（ａ）熱硬化性樹脂の前記フェノール樹脂の選択により実現できる。具体的には、低架橋密度とすればよい。
【００６２】
ずり貯蔵弾性率は、以下のように測定サンプルを作製して測定すればよい。
接着シート用ワニスを支持フィルム等に塗布し、膜厚４０μｍのＢステージ状態のシートを４枚作製する。次いで、４枚うち３枚のＢステージ状態のシートから支持フィルムを剥離して６０℃で４枚貼り合わせて厚み１６０μｍのシートを得る。そのシートを厚み方向に直径２５ｍｍの円形状に打ち抜いてずり貯蔵弾性率用測定サンプルを作製する。ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）に直径２５ｍｍの円形アルミプレート治具をセットし、打ち抜いたずり貯蔵弾性率用測定サンプルから支持フィルムを剥いでここへセットする。その後、１２０℃で１０％の歪みを与えながらずり貯蔵弾性率を８秒ごとに測定し、１時間経過した後の測定値を記録する。
１２０℃で１時間加熱した後の１２０℃でのずり貯蔵弾性率が１ＭＰａ以下とするには、上述の接着シートの材料を適宜用い、Ｂステージ状態のシート（測定サンプル）とする際の乾燥条件を適宜調製する等で制御可能である。
【００６３】
本発明の接着シートは、凹凸のある有機基板の該凹凸を１２０℃／０．１ＭＰａ／１ｓの圧着条件で埋め込むことが可能である。通常、圧着性能がよいと半導体製造工程における素子の反りが発生しやすくなるが、本発明の接着シートは、８０℃における溶融粘度及び１２０℃でのずり貯蔵弾性率を満たすことで、圧着性能に優れ、半導体製造構成における素子の反りも低減できる。
【００６４】
本発明において溶融粘度、ずり貯蔵弾性率は、上記のように作製された各測定サンプルが、それぞれ上記測定条件で測定したときの値とする。これら方法で作製、測定されたシートが溶融粘度５００〜２８０００Ｐａ・Ｓ、ずり貯蔵弾性率１ＭＰａ以下の範囲に入る場合に、全て本発明の範囲内とする。
【００６５】
本発明の接着（接着層）シートは、有機基板への接着力が２ＭＰａ以上である。接着力が２ＭＰａより小さいと、耐熱性・耐湿性が悪化する傾向がある。接着力の調製は、例えば、無機フィラーの配合量を多くする等などにより、大きくできる。
【００６６】
接着力（以下、「ダイシェア強度」ともいう）は、以下のように測定すればよい。まず、接着シート用ワニスを支持フィルム等に塗布し、膜厚４０μｍのＢステージ状態のシートを作製する。次いで、接着シートを支持フィルムから剥離し、接着層を厚み４００μｍの半導体ウェハに６０℃で貼り付ける。次に、それらを３．２ｍｍ角にダイシングしてチップを得る。個片化したチップの接着層側をレジスト（太陽インキ社製、商品名：ＡＵＳ３０８）を塗布したガラス−エポキシ基板（日立化成工業社製、商品名：Ｅ−６９７ＦＧ）表面上に、１００℃、１００ｇｆ／ｃｍ２、１秒間の条件で熱圧着して接着力用測定サンプルを得る。その後、得られた接着力用サンプルの接着層を１００℃で１時間、１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１７０℃で１時間の順のステップキュアにより硬化する。更に、接着層硬化後の測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間放置する。放置後即座に２６５℃、シェア速度５０μｍ／ｓでダイシェア強度を測定し、これを接着力とする。
【００６７】
本発明の接着シート（接着層）は、接着シート（接着層）の硬化前（Ｂステージ状態）２５℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が２００〜６０００ＭＰａであることが、ダイシング性が優れる点で好ましい。ダイシング性に優れ、かつウェハとの密着性が優れる点で２００〜２０００ＭＰａがより好ましい。また、接着シート（接着層）の硬化前（Ｂステージ状態）８０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以下であると８０℃でウェハにラミネート可能である。特にウェハへの密着性が高い点で、５ＭＰａ以下であることがより好ましい。
【００６８】
本発明において、接着シート（接着層）の硬化後（Ｃステージ状態）の１７０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために５〜１０００ＭＰａであることが好ましい。
なお、貯蔵弾性率の測定は、動的粘弾性測定装置（例えば、(株)レオロジー社製  ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着シート（接着層）に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎで−５０℃から３００℃まで測定する温度依存性測定モードで実施する。Ｂステージ状態の貯蔵弾性率は、上記の溶融粘度測定用と同じように測定サンプルを作製して測定する。Ｃステージ状態の接着シートは１２０℃で１時間、１７０℃で３時間加熱することで作製する。
【００６９】
＜接着シートの態様＞
本発明の接着シートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、本発明の接着シートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。
【００７０】
本発明の接着シートと共に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましく、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、一般的に行われているように粘着剤層用樹脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する粘着剤層用樹脂組成物を上述のプラスチックフィルムに塗布乾燥することで形成可能である。
【００７１】
本発明の接着シートをダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとして半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが必要である。たとえば、接着シートの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましい。その方法としては、接着シートの室温における溶融粘度を上昇させることにより、粘着強度及びタック強度も上昇し、溶融粘度を低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。
例えば、溶融粘度を上昇させる場合には、例えば、可塑剤を含有させる、粘着付与材を含有させる等の方法がある。逆に溶融粘度を低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００７２】
上述のダイシングテープ上に本発明の接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。
【００７３】
なお、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取り扱い性が良い点で、通常、６０〜１５０μｍ、好ましくは７０〜１３０μｍである。
【００７４】
本発明の接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、より好ましくはウェハ、接着シート（接着層）及びダイシングテープを０℃〜８０℃で貼り合わせた後、回転刃又はレーザーでウェハ、接着シート（接着層）及びダイシングテープを切断し、切断したチップをダイシングテープから剥離し、接着層付きチップを得た後、当該接着層付きチップを凹凸を有する基板、好ましくは有機基材に荷重０．００１〜１ＭＰａで接着し、凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。荷重は０．０１〜０．５ＭＰａであることが好ましく、０．０２〜０．３ＭＰａであることがより好ましい。荷重が０．００１ＭＰａ未満であると未充填部位が多く存在し、結果として耐熱性が低下する傾向がある。
【００７５】
一方、圧着荷重が１ＭＰａを超えるとチップが破損する傾向がある。また、接着層付きチップを凹凸を有する基板、好ましくは有機基材に接着する際には、被着体あるいは接着層付きチップ、又はその両方を加熱することが望ましく、加熱温度は、６０〜１８０℃であることが好ましいが、８０〜１６０℃であることがより好ましい。６０℃未満であると凹凸の埋込性が低下する傾向があり、１８０℃を超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板を加熱した熱板に接触させる、赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。
【００７６】
本発明において、ウェハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体等が使用される。
【００７７】
接着シートを単体で用いる場合には、ウェハに接着シート（接着層）を貼り合わせた後、次いで接着シート（接着層）面にダイシングテープを貼り合わせればよい。また、本発明の接着シート（接着層）とダイシングテープを備えるダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを用いることにより、半導体装置を製造することもできる。
【００７８】
接着シートをウェハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、０〜９０℃であり、好ましくは１５〜８０℃であり、さらに好ましくは４０〜８０℃である。９０℃を超えると接着シートの過度な溶融による厚みの変化が顕著となる場合がある。
【００７９】
ダイシングテープ又はダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ましい。
【実施例】
【００８０】
以下、本発明を実施例により用いて具体的に説明するが、本発明は何らこれらに限定されない。
（実施例１〜２及び比較例１〜３）
表１及び２に示す組成（配合単位；重量部）で、実施例１〜２及び比較例１〜３の接着剤組成物を形成するための接着シート用ワニスをそれぞれ調製した。
具体的には、表１と表２に示した種々のエポキシ樹脂、フェノール樹脂及び無機フィラーからなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、均一な組成物とした。これにアクリル系樹脂（アクリルゴム）を加えて攪拌し、続いてカップリング剤と硬化促進剤を加えて均一になるまで攪拌し、接着シート用ワニスとした。その後、５００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。このようにして作製した接着シート用ワニスを厚さ３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）上に塗布した。これを９０℃（５分間）と続く１４０℃（５分間）の２段階加熱乾燥により、膜厚が４０μｍのＢステージ状態の塗膜を形成し、キャリアフィルムを備えた接着フィルムをそれぞれ作製した。
【００８１】
【表１】
0005532575.tif 000014
【００８２】
【表２】
0005532575.tif 000015
【００８３】
表１及び表２における材料は、下記を示す。
ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスキシレノール型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製、エポキシ当量１９２、融点６７℃）
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製、エポキシ当量１５９、常温で液体）
ＹＤＣＮ−７００−１０（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、東都化成株式会社製、エポキシ当量２１０、軟化点７５〜８５℃、）
フェノライトＬＦ−４８７１（フェノール樹脂、大日本インキ株式会社製、水酸基当量１１８、軟化点１３０℃）
ミレックスＸＬＣ−ＬＬ（フェノール樹脂、三井化学株式会社製、水酸基当量１７５、軟化点７７℃）
ミレックスＸＬＣ−４Ｌ（フェノール樹脂、三井化学株式会社製、水酸基当量１６９、軟化点６１−６３℃）
ＳＮ―１７０Ｌ（フェノール樹脂、東都化成株式会社製、水酸基当量１８２、軟化点７０℃）
ＳＣ２０５０−ＨＬＧ（シリカフィラー分散液、アドマテックス株式会社製、平均粒径０．５００μｍ、粒度分布は最大粒径が１．０ｕｍ以下）
アエロジルＲ９７２（シリカ、日本アエロジル株式会社製、平均粒径０．０１６μｍ、粒度分布は最大粒径が１．０ｕｍ以下）
ＨＴＲ−８６０Ｐ（アクリルゴム、帝国化学産業株式会社製、重量平均分子量８０万、Ｔｇ−７℃）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−２３０ｋ（アクリルゴム、帝国化学産業株式会社製、重量平均分子量２３万、Ｔｇ−７℃）
ＮＵＣ  Ａ−１１６０（γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ＧＥ東芝株式会社製）
ＮＵＣ  Ａ−１８９（γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ＧＥ東芝株式会社製）
キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、四国化成株式会社製）
【００８４】
以下に、上記で得られた接着シートを用いて、溶融粘度、接着力、耐リフロー性、ずり貯蔵弾性率、Ｂステージ状態の貯蔵弾性率、Ｃステージ状態の貯蔵弾性率、反り量について評価した。
＜溶融粘度の測定＞
接着シート（接着層）の溶融粘度を平行板プラストメーター法により測定した。上記で得られた接着シートを３枚作製した。これらから、支持フィルムを剥離除去した後、３枚の接着層を６０℃で貼り合わせて厚み１２０μｍのシートを得た。次いで、そのシートを、厚み方向に打ち抜き、直径６ｍｍ、厚み１２０μｍの円板状の測定サンプルを得た。円板状の測定サンプルを厚さ１５０μｍのスライドガラスで、その厚み方向に挟み、圧着圧縮）時に８０℃となるように設定した圧着（圧縮）機を使用して、３ｋｇｆで３秒間厚み方向に圧着（圧縮）した。そのときの測定サンプルとスライドガラスとの間の接触面積の変化から、溶融粘度を算出した。結果を表３及び表４に示す。
【００８５】
＜接着力（ダイシェア強度）の測定＞
接着シート（接着層）のダイシェア強度を下記の方法により測定した。上記で得られた接着シートを支持フィルムから剥離し、接着層を厚み４００μｍの半導体ウェハに６０℃で貼り付けた。次に、それらを３．２ｍｍ角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着層側をレジスト（太陽インキ社製、商品名：ＡＵＳ３０８）を塗布した基板（日立化成工業社製、商品名：Ｅ−６９７ＦＧ）表面上に、１００℃、１００ｇｆ／ｃｍ２、１秒間の条件で熱圧着して測定サンプルを得た。その後、得られたサンプルの接着層を１００℃で１時間、１１０℃で１時間、１２０℃で１時間、１７０℃で１時間の順のステップキュアにより硬化した。更に、接着層硬化後の測定サンプルを８５℃、６０ＲＨ％条件の下、１６８時間放置した。放置後即座に２６５℃、シェア速度５０μｍ／ｓでダイシェア強度を測定し、これを接着力とした。結果を表３及び表４に示す。
【００８６】
＜耐リフロー性の評価＞
接着シート（接着層）の耐リフロー性を下記の方法により評価した。まず、上記で得られた接着シートの接着層を厚み７５μｍの半導体ウェハに６０℃で貼り付けた。次に、それらを７．５ｍｍ角にダイシングしてチップを得た。個片化したチップの接着層を、レジスト（太陽インキ社製、商品名：ＡＵＳ３０８）を塗布した基板表面上に１２０℃、０．０５ＭＰａ、１秒間の条件で圧着してサンプルを得た。次に、得られたサンプルを１２０℃で６０分間加熱し、更にホットプレートを用いて、ワイヤボンディングと同等の熱履歴（１６０℃、５分）をサンプルに与えた。次いで、モールド用封止材（日立化成工業社製、商品名：ＣＥＬ−９７００ＨＦ）を用いて、１７５℃、５時間の条件でサンプルを樹脂封止してパッケージを得た。
得られたパッケージを、ＪＥＤＥＣで定めた環境下（レベル２、８５℃、６０ＲＨ％、１６８時間）に曝して吸湿させた。続いて、ＩＲリフロー炉（２６０℃、最高温度２６５℃）に吸湿後のパッケージを３回通過させた。パッケージの破損や厚みの変化、界面の剥離等が１個も観察されない場合を「Ａ」、１個でも観察された場合を「Ｂ」と評価した。結果を表３及び表４に示す。
【００８７】
＜１２０℃／１時間熱処理後のずり貯蔵弾性率＞
接着シート（接着層）のずり貯蔵弾性率は下記の方法により評価した。上記で得られた接着シート４枚を用い、４枚うち３枚のＢステージ状態の接着シートから支持フィルムを剥離して６０℃で４枚貼り合わせて厚み１６０μｍのシートを得た。そのシートを厚み方向に直径２５ｍｍの円形状に打ち抜いて測定サンプルを作製した。ＡＲＥＳ（レオメトリック・サイエンティフィック社製）に直径２５ｍｍの円形アルミプレート治具をセットし、打ち抜いた測定サンプルから支持フィルムを剥いでここへセットした。その後、１２０℃で１０％の歪みを与えながらずり貯蔵弾性率を８秒ごとに測定し、１時間経過した後の測定値を記録した。結果を表３及び表４に示す。
なお、比較例２及び比較例３では硬化により弾性率が上昇し、１０％の歪みに耐え切れなくなり、１時間を経過する以前に測サンプル内部に亀裂が入り測定が不可能となった。このため、表４には測定中の最大値を記載している。
【００８８】
＜Ｃステージ状態の貯蔵弾性率＞
Ｃステージ状態の貯蔵弾性率の測定は、動的粘弾性測定装置（例えば、(株)レオロジー社製  ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、上記で得られた接着シート（接着層）を１２０℃で１時間、１７０℃で３時間加熱することで硬化させ、硬化したシートに引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度５〜１０℃／ｍｉｎで−５０℃から３００℃まで測定する温度依存性測定モードで実施する。結果を表３及び表４に示す。
【００８９】
＜反り量＞
接着層付きチップを基板へ実装した際の反り量は下記の方法により評価した。まず、上記で得られた接着シートの接着層を厚み７５μｍの半導体ウェハに６０℃で貼り付けた。次に、それらを１１．０ｍｍ角にダイシングしてチップを得た。これを１２０℃／０．０５ＭＰａ／１ｓで１００μｍ厚の基板（Ｅ−６７９ＦＧ）へ圧着・実装した。なお、表面粗さ計で図１のようにチップ対角線上を測定し、最大値から最小値を差し引いたものを反り量として取り扱うこととした。実装後の反り量を測定し（反り量Ａ）、１２０℃／１時間熱処理後、更に１６０℃／５分熱処理後のサンプルについても同様に反り量を測定した。接着層の硬化に起因する反り量は、各熱処理後の反り量から圧着・実装後の反り量Ａを差し引くことで算出した。結果を表３及び表４に示す。
【００９０】
0005532575.tif 000016
【００９１】
0005532575.tif 000017
【００９２】
表３及び表４に示した結果から明らかなように、本発明の接着シート（実施例１及び実施例２）は、比較例１〜３の接着シートと比較して、１２０℃／１時間後のずり貯蔵弾性率が低く、半導体素子の反り量も低減できていることが明らかとなった。
【００９３】
本発明の接着シートは、８０℃以上での圧着実装のみで基板上の凹凸を完全に埋め込むことができ、ワイヤボンド前熱処理１２０℃／１時間とワイヤボンド熱履歴１６０℃／５分の熱処理による接着シートの硬化に由来する素子の反りが７０ｕｍ以下となる接着シートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】反り量の測定方法を示す模式図である。
【図１】
0005532575.tif 000026