(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第１の電圧源と、
前記第１の電圧源に応答してチャージを蓄積するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラと、ここで、前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている、
を備えた装置。
【請求項２】
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項１の装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づくリファレンス電圧に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
請求項１の装置。
【請求項４】
前記リファレンス電圧を発生するように適応された第２の電圧源をさらに備えた
請求項３の装置。
【請求項５】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生するように適応された第２の電圧源をさらに備えた
請求項１の装置。
【請求項６】
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
請求項５の装置。
【請求項７】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧源を前記アクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項１の装置。
【請求項８】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントをさらに備えた
請求項１の装置。
【請求項９】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する方法であって、
第１の電圧を発生することと、
前記第１の電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを蓄積することと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることと、ここで、前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく、
を備えた方法。
【請求項１０】
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項９の方法。
【請求項１１】
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づくリファレンス電圧に基づく
請求項９の方法。
【請求項１２】
前記リファレンス電圧を発生することをさらに備えた
請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生することをさらに備えた
請求項９の方法。
【請求項１４】
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性の関数である
請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧を前記アクティブデバイスに印加することをさらに備えた
請求項９の方法。
【請求項１６】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスにグラウンド又は他の電位を印加することをさらに備えた
請求項９の方法。
【請求項１７】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第１の電圧を発生する手段と、
前記第１の電圧に応答してチャージを蓄積する手段と、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給する手段と、
前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールする手段と、ここで、前記コントロールする手段は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている、
を備えた装置。
【請求項１８】
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
請求項１７の装置。
【請求項１９】
前記コントロールする手段は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づくリファレンス電圧に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
請求項１７の装置。
【請求項２０】
前記リファレンス電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項１９の装置。
【請求項２１】
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生する手段をさらに備えた
請求項１７の装置。
【請求項２２】
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
請求項２１の装置。
【請求項２３】
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧を発生する手段を前記アクティブデバイスに結合させる手段をさらに備えた
請求項１７の装置。
【請求項２４】
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に結合させる手段をさらに備えた
請求項１７の装置。
【請求項２５】
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置によって実行可能なインストラクションを備えたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記インストラクションは、
電圧を発生することと、
前記電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを蓄積することと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることと、ここで、前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく、
を前記装置が実行可能なインストラクションを具備するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項２６】
オーディオデータを発生するように適応されたトランスデューサと、
前記オーディオデータを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを蓄積するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラと、ここで、前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている、
を備えたヘッドセット。
【請求項２７】
データを受信するように適応された受信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを蓄積するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記受信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラと、ここで、前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている、
を備えたユーザーデバイス。
【請求項２８】
データを取得するように適応されたセンサと、
前記データを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを蓄積するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記キャパシティブエレメントを前記アクティブデバイスに結合させることにより前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラと、ここで、前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている、
を備えたセンシングデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に電力供給システムに関し、より具体的には、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高いダイナミック負荷のバースティ（bursty）な性質は、短い期間（例えば、ウルトラワイドバンド（ＵＷＢ）アプリケーションの場合には３ナノ秒（ｎｓ）のオーダー）の間に、例えば数マイクロＡｍｐ（μＡ）から数十ミリＡｍｐ（ｍＡ）に向かうために、電力レギュレータに対する電流要求を引き起こしている。さらに、電力レギュレータは、非常に短い期間（例えば、パルスポジションＵＷＢシステムに対しては１０〜２０ｎｓ）の間に、初期のバースト（burst）から回復し、次のバーストに対して準備をしなければならない。この素早い負荷要求の変化に加えて、典型的には数十ミリボルト（ｍＶ）よりも低い値の負荷を横切る最大電圧リップルに制限される負荷レギュレーション仕様が存在している。
【０００３】
ダイナミックな要求は典型的には、その本来のフィードバックレギュレーションスキーム及び相対的に低い帯域幅に起因して、典型的には負荷プロファイルの素早い変化に十分速く反応することができないスイッチモードパワーサプライ（ＳＭＰＳ）或いはロウドロップアウト（ＬＤＯ）のような、コンベンショナルな電圧レギュレーションスキームの使用を一般的に排除するバースティ負荷オペレーションに関連している。その結果、レギュレーションの視点の１つ、大きくなってきているリップル電圧、レギュレーション能力、或いはレギュレーションキャパシタンスサイズは、常に妥協することはない。
【０００４】
このタイプの要求に取り組む現在の解決策は、問題を解決する際に一般的に効果的ではない。例えば、そのようなバースティな電源のレギュレーションに対するＬＤＯレギュレータの使用は、非常に短い時間（例えば、１２．５ｎｓ）の間に電源をレギュレートするためにループは十分に速くはないという理由のために、困難であろう。さらに、我慢できる最大ドループ（droop）に対する厳重な要求は、非常に大きなバイパスキャパシタを一般的に要求する。さらに、ＬＤＯのループ帯域幅は、安定性要求によって制限され、数ｎｓ応答を伴うＬＤＯは、実現することが難しい。
【発明の概要】
【０００５】
本開示の一視点は、アクティブ回路に対するバイアス電圧を発生する装置に関する。本装置は、第１の電圧源と、第１の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられるチャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントと、を備える。他の視点において、本装置は、キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラを備える。さらに他の視点において、コントローラは、アクティブデバイスの１以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。さらに他の視点において、アクティブデバイスの１以上の特性は、アクティブデバイスのゲインを備える。
【０００６】
本開示の他の視点において、コントローラは、リファレンス電圧に基づいてキャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている。他の視点において、リファレンス電圧は、アクティブデバイスの１以上の特性に基づく。さらに他の視点において、本装置は、リファレンス電圧を発生するように適応された第２の電圧源を備える。
【０００７】
本開示の他の視点において、本装置は、バイアス電圧を形成するために用いられる第２の電圧を発生するように適応された第２の電圧源をさらに備える。他の視点において、第２の電圧源は、アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて第２の電圧を生成するように適応されている。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをイネーブルにするために第１の電圧源をアクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントを備える。さらに他の視点において、本装置は、アクティブデバイスをディセーブルにするためにアクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントを備える。
【０００８】
本開示の他の視点、効果及び新規な特徴は、添付の図面に関連させて考慮されるとき、本開示の以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な装置のブロック図である。
【図２】図２は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図３】図３は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図４】図４は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な装置のブロック図である。
【図５】図５は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュールのブロック図である。
【図６】図６は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置をキャリブレートする例示的な方法のフロー図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する他の例示的な方法に関連するタイミング図である。
【図８】図８は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信システムのブロック図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、本開示の他の視点にしたがった、パルス変調技術のタイミング図である。
【図１０】図１０は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々の通信デバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の種々の視点が、以下に説明される。ここでの教示は、広範な種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示される任意の特定の構成、機能或いは両者が単なる代表的なものであることは、明白である。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が他の視点から独立してインプリメントされるかもしれず、２以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを、認識すべきである。例えば、ここで明らかにされる任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされる１以上の視点に加えての或いは１以上の視点以外の他の構成、機能、或いは構成及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。
【００１１】
図１は、本開示の一視点にしたがった、アクティブデバイス１５０に対するバイアス電圧ＶB を発生する例示的な装置１００のブロック図を示している。本装置１００は、電圧ＶS を発生する手段としての電圧源（voltage source）モジュール１０２、電圧ＶS に応答してチャージを発生する手段としてのキャパシティブエレメントモジュール１０４、アクティブデバイス１５０に対するバイアス電圧ＶB を発生するために用いられるチャージを供給する（deliver）手段としてのスイッチングエレメントモジュール１０６を備えている。
【００１２】
一視点において、バイアス電圧ＶB を発生することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない：（１）規定された時間間隔で電圧源モジュール１０２をキャパシティブエレメントモジュール１０４に結合し、規定された量のチャージＱを発生する；（２）規定された量のチャージＱが発生すると、電圧源モジュール１０２をキャパシティブエレメントモジュール１０４から非結合にし；（３）キャパシティブエレメントモジュール１０４をアクティブデバイス１５０に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール１０６をアクティベートし、アクティブデバイスに対するバイアス電圧ＶB を発生させるためにチャージＱが供給される。このプロセスは、アクティブデバイス１５０をバイアスすることに関連するリーク電流が相対的に小さい或いは無視可能である場合により適切であり、アクティブデバイスの動作中にバイアス電圧ＶB は実質的にコンスタント（例えば、規定されたコンスタントレベル）であることを維持する。
【００１３】
他の視点において、バイアス電圧ＶB を形成することのプロセスは、以下の動作を含んでいるかもしれない：（１）規定された時間間隔で電圧源モジュール１０２をキャパシティブエレメントモジュール１０４に結合し、規定された量のチャージＱを発生する；（２）電圧源モジュール１０２及びキャパシティブエレメントモジュール１０４の両者をアクティブデバイス１５０に結合させるために、スイッチングエレメントモジュール１０６をアクティベートし、チャージＱ及び電源電圧ＶS の両者がアクティブデバイスに対するバイアス電圧ＶB を発生することに貢献するようにする。このプロセスは、アクティブデバイス１５０をバイアスすることに関連するリーク電流が重要である場合により適切であり、それはバイアス電圧ＶB の重要なドロップに帰結するかもしれない。それ故、アクティブデバイス１５０の動作中にバイアス電圧ＶB を実質的にコンスタント（例えば、規定されたコンスタントレベル）に維持するために、電圧源モジュール１０２はアクティブデバイスに結合されることが維持される。
【００１４】
図２は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイス２５０に対するバイアス電圧ＶB を発生する他の例示的な装置２００のブロック図を示している。要約すると、本装置は、アクティブデバイス２５０に対するバイアス電圧ＶB を発生するために用いられるチャージＱの電源（source）を含んでいる。さらに、本装置２００は、キャパシティブエレメントモジュールをキャリブレートするためのリファレンス電圧を発生するように適応された電圧源を含んでいる。そのような電圧は、アクティブデバイス２５０をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置２００は、アクティブデバイス２５０に対するバイアス電圧ＶB を発生するために、チャージＱ及び／又は補足の電圧を供給するスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置は、アクティブデバイス２５０の１以上の特性（例えば、信号ゲイン、バイアス電圧ＶB 等）を検出し、検出された１以上の特性にしたがってリファレンス電圧を調整するコントローラを含んでいる。
【００１５】
特に、本装置は、第１の電圧源モジュール２０２、キャパシティブエレメントモジュール２０４、第１のスイッチングエレメントモジュール２０６、第２の電圧源モジュール２０８、第２のスイッチングエレメントモジュール２１０、及びコントローラ２１２を備えている。第１の電圧源モジュール２０２及びキャパシティブエレメントモジュール２０４の両者は、コントローラ２１２のコントロール下において、規定されて量のチャージＱを発生するように構成されている。より具体的には、第１の電圧源モジュール２０２は、第１の電圧Ｖ1 を発生するように適応されている。キャパシティブエレメントモジュール２０４は、第１の電圧Ｖ1 に基づいて及び／又は応答してチャージＱを発生するように適応されている。コントローラ２１２は、アクティブデバイス２５０の１以上の特性を検出するかもしれず、検出された１以上の特性に基づいてチャージＱをコントロールするかもしれない。
【００１６】
第２の電圧源モジュール２０８及び第２のスイッチングエレメントモジュール２１０は、キャパシティブエレメントモジュール２０４をキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧Ｖ2 を発生するように適応されている。さらに、電圧Ｖ2 は、補足の電圧（supplemental voltage）として用いられるかもしれず、それは、キャパシティブエレメントモジュール２０４によって発生されたチャージＱに関連して、アクティブデバイス２５０に対するバイアス電圧ＶB を発生する。例えば、補足の電圧Ｖ2 は、アクティブデバイス２５０をバイアスすることに関連する著しいリーク電流があるときに用いられるかもしれない。そのような場合、補足の電圧Ｖ2 の使用がないと、バイアス電圧ＶB はアクティブデバイス２５０の動作中に著しくドロップするかもしれない。一方、補足の電圧Ｖ2 があると、バイアス電圧ＶB は規定された電圧範囲に維持されるかもしれない。より具体的には、第２の電圧源２０８は、コントローラ２１２のコントロール下において、電圧Ｖ2 を発生するように適応されている。コントローラ２１２は、アクティブデバイス２５０の１以上の特性を検出するかもしれず、検出された１以上の特性に基づいて補足の電圧Ｖ2 をコントロールするかもしれない。
【００１７】
さらに、コントローラ２１２は、キャパシティブエレメントモジュール２０４のキャパシタンスをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧を発生するために、第２の電圧源モジュール２０８を構成するかもしれない。例えば、コントローラ２１２は、アクティブデバイス２５０の１以上の特性に基づいてリファレンス電圧Ｖ2 を調整するかもしれない。リファレンス電圧が設定されると、コントローラ２１２は、第１の電圧源モジュール２０２及びキャパシティブエレメントモジュール２０４をアクティベートしてチャージＱを形成し、キャパシティブエレメントモジュール２０４の出力に電圧を発現させる。そして、コントローラ２１２は、キャパシティブエレメントモジュール２０４のキャパシタンスを調整して、リファレンス電圧Ｖ2 に基づいてその出力で電圧を調整するかもしれない。最後に、コントローラ２１２は、アクティブデバイス２５０に対するバイアス電圧ＶB を発生するために、チャージＱ及び／又は補足の電圧Ｖ2 を供給するための第１及び／又は第２のスイッチングエレメントモジュール２０６及び２１０を選択的にアクティベートするかもしれない。
【００１８】
図３は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生する他の例示的な装置３００のブロック図を示している。本装置３００は、すでに議論された装置１００及び２００のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。要約すると、本装置３００は、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生するために用いられるチャージＱの電源（source）を含んでいるかもしれない。さらに、本装置３００は、チャージ形成エレメントをキャリブレートするために用いられるリファレンス電圧Ｖ2 を発生するように適応された電圧源を含んでいる。さらに、電圧Ｖ2 は、アクティブデバイスＭA をバイアスすることに関連するリーク電流を補償するために、補足の電圧としても用いられるかもしれない。さらに、本装置３００は、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を形成するために、チャージＱ及び／又は電圧Ｖ2 を供給するためのスイッチングエレメントを含んでいる。さらに、本装置３００は、アクティブデバイスＭA の１以上の特性（例えば、信号ゲイン、バイアス電圧ＶB 等）を検出するためのコントローラを含み、検出された１以上の特性にしたがってリファレンス電圧Ｖ2 を調整する。
【００１９】
特に、本装置３００は、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 、キャパシタＣA 及びＣB 、スイッチＳ1 〜Ｓ6 、コンパレータ３０２、及びキャリブレーションコントローラ３０４を備えている。電源電圧Ｖdd、抵抗Ｒ1 及びＲ2 、及びスイッチＳ1 は、上述した第２の電源モジュールとして構成され、リファレンス又は補足の電圧Ｖ2 を発生するかもしれない。電源電圧Ｖdd、キャパシタＣA 及びＣB 、及びスイッチＳ4A、Ｓ4B、／Ｓ4A、及び／Ｓ4B、は、上述したキャパシティブエレメントモジュールとして構成され、電源電圧Ｖdd（例えば、上述したようなＶ1 ）に基づいて又は応答してチャージＱを発生するかもしれない。抵抗Ｒ3 及びスイッチＳ2 は、上述した第１のスイッチエレメントモジュールとして構成され、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生するためにチャージＱ及び／又は補足の電圧Ｖ2 を選択的に供給するかもしれない。入力ＲＦ信号が存在する間、スイッチＳ2 はターンオフし、抵抗Ｒ3 は、入力ＲＦ信号がキャパシタＣA 及びＣB の方向に向かってリークすることを実質的に防止するかもしれない。
【００２０】
スイッチＳ5 は、上述した第２のスイッチングエレメントモジュールとして構成されるかもしれず、補足の電圧Ｖ2 を選択的に第１のスイッチングエレメントモジュール（例えば、Ｓ2 及びＲ3 ）の入力に印加するかもしれない。リファレンスとして、電圧Ｖ2 は、キャパシティブエレメントモジュール（例えば、ＣA 及びＣB ）をキャリブレートする目的のために、キャパシタ３０２の入力に印加される。キャパシタ３０２は、リファレンス電圧Ｖ2 とチャージＱに関連する電圧との差のファンクションである出力を発生する。コントロールモジュール３０４は、アクティブデバイスＭA の１以上の特性（例えば、信号ゲイン、バイアス電圧ＶB 等）に基づいて、キャパシタＣA 及びＣB のキャパシタンス及び／又は抵抗Ｒ1 及びＲ2 を調整するように適応されている。これらのパラメータのキャリブレーションに関連するプロセス及びバイアス電圧ＶB の形成は、フロー及びタイミング図を参照して以下でさらに議論される。
【００２１】
この例において、アクティブデバイスＭA は、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）として構成されるかもしれない。アクティブデバイスＭA は、ＣP の実効的な入力キャパシタンスを有するかもしれず、それは、デバイスＭA のゲート−ソースキャパシタンス、抵抗Ｒ4 に関連するキャパシタンス、及び他の寄生キャパシタンスを含むかもしれない。スイッチＳ6 は、キャパシタＣP を選択的に放電するように構成されるかもしれない。アクティブデバイスＭA は、例えば、デバイスのバイアシング、速いイネーブリング／ディセーブリング、及び周波数チューニングに対する他のデバイスに関連するかもしれない。例えば、上述したように、抵抗Ｒ4 は、デバイスＭA に対する規定されたソース電圧或いはゲート−ソース電圧を発生するように構成されるかもしれない。スイッチＳ3 及び／Ｓ3 及びＭＯＳＦＥＴ  ＭB は、アクティブデバイスＭA を素早くイネーブル及びディセーブルするように構成されるかもしれない。例えば、Ｓ3 がオン（オープン）で、／Ｓ3 がオフ（クローズ）のときに、ＭＯＳＦＥＴ  ＭB はターンオンし、電源電圧Ｖddが、負荷に関連するインダクタンスＬL を介してデバイスＭA に印加される。Ｓ3 がオフで、／Ｓ3 がオンのときに、ＭＯＳＦＥＴ  ＭB はターンオフし、電源電圧ＶddがデバイスＭA に印加されることを阻止する。
【００２２】
さらに、この例において、アクティブデバイスＭA は、無線周波数（ＲＦ）増幅器（例えば、ロウノイズ増幅器（ＬＮＡ）のような）として構成されるかもしれず、デバイスＭA のゲートは入力ＲＦ信号を受けるように適応され、デバイスＭA のドレインは出力ＲＦ信号を生成するように適応される。負荷インダクタンスＬL は、増幅器ＭA に対する規定された中心周波数及び帯域幅を設定するように構成されるかもしれない。そのような増幅器は単なる一例であり、他の変更及び／又はタイプが、ここで説明されるバイアス技術に用いられるかもしれないことを理解すべきである。例えば、増幅器は、ディジェネレーション抵抗Ｒ4 なしのコモンソース増幅器であり得る。相対的に短い期間で設定するためのバイアス電圧を必要とするかもしれない他のタイプの増幅器或いはデバイスが、ここで説明される技術を利用するかもしれない。
【００２３】
図４は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生する他の例示的な装置４００のブロック図を示している。本装置４００は、すでに説明した装置３００と類似しており、同様の参照シンボルで示された同一のエレメントを含み、数字“３”の代わりに“４”であることを除いて、同様の参照番号である。装置３００及び４００の違いは、装置３００における抵抗Ｒ1 が電流源４０６に置き換わっていることであり、それは実質的に固定された或いは可変の電流を発生するように構成されることができる。第２の電圧源モジュールに対する他の構成及び装置３００及び４００の他のモジュールがインプリメントされるかもしれない。
【００２４】
図５は、本開示の他の視点にしたがった、例示的なキャパシティブエレメントモジュール５００のブロック図を示している。キャパシティブエレメントモジュール５００は、すでに説明されたキャパシティブエレメントモジュールの詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。この例において、キャパシティブエレメントモジュール５００は、対応するスイッチＳ4A1 からＳ4An を伴った直列に結合されたキャパシタＣA1からＣAnを含む第１のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。キャパシティブエレメントモジュール５００は、対応するスイッチＳ4B1 からＳ4Bn を伴った直列に結合されたキャパシタＣB1からＣBnを含む第２のバイナリウエイテッドキャパシタバンクを備えている。装置３００及び４００を参照すると、第１のバイナリウエイテッドキャパシタバンクＣA1からＣAnは、可変キャパシタＣA のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチＳ4A1 からＳ4An は、スイッチＳ4Aのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。第２のバイナリウエイテッドキャパシタバンクＣB1からＣBnは、可変キャパシタＣB のより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。対応するスイッチＳ4B1 からＳ4Bn は、スイッチＳ4Bのより詳細なインプリメンテーションであるかもしれない。
【００２５】
図６は、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を形成する装置をキャリブレートする例示的な方法６００のフロー図を示している。要約すると、方法６００によれば、アクティブデバイスＭA の１以上の検出された特性に基づいて、リファレンス電圧Ｖ2 が最初にキャリブレートされる（ブロック６０２から６１４）。そして、キャパシティブエレメントモジュールが、キャリブレートされたリファレンス電圧Ｖ2 に基づいて調整される（ブロック６１６から６３０）。
【００２６】
さらに図３を参照すると（本方法６００は、図４にも適用可能である）、コントローラ３０４は、抵抗Ｒ1 及びＲ2 をデフォルト値に設定し、イニシャルリファレンス電圧Ｖ2 （例えば、Ｖddの１／２）を発生する（ブロック６０２）。コントローラ３０４は、スイッチＳ2 、Ｓ4A、Ｓ4B及びＳ6 をターンオフする（ブロック６０４）。スイッチＳ2 がオフにされ、Ｒ3 がＲＦリークを阻止するように動作し；Ｓ4A及びＳ4Bがオフにされ、キャパシタＣA 及びＣB をアクティブデバイスＭA から非結合にさせ；スイッチＳ6 がオフにされ、バイアス電圧ＶB がキャパシタＣP をまたいで発現できるようにする。コントローラ３０４は、スイッチＳ1 及びＳ5 をターンオンし、電圧Ｖ2 をアクティブデバイスＭA のゲートに印加し、スイッチＳ2 及びＳ3 をターンオンさせ、スイッチ／Ｓ3 をターンオフさせることによって、アクティブデバイスＭA をバイアスする（ブロック６０６）。アクティブデバイスＭA は、連続的に動作する。コントローラ３０４は、アクティブデバイスＭA の１以上の特性（例えば、信号ゲイン、バイアス電圧ＶB 等）を検出する（ブロック６０８）。
【００２７】
コントローラ３０４は、アクティブデバイスＭA の１以上の検出された特性が仕様（specification）内であるか否かを決定する（ブロック６１２）。アクティブデバイスＭA の１以上の特性が仕様内でなければ、コントローラ３０４は、１以上の特性に基づいて抵抗Ｒ1 及び／又はＲ2 を調整することによって電圧Ｖ2 を変化させる（ブロック６１４）。一例として、アクティブデバイスＭA のゲインが仕様よりも低ければ、コントローラ３０４は、抵抗Ｒ1 及び／又はＲ2 を調整して、アクティブデバイスＭA のゲインが増加するように電圧Ｖ2 を増加させるかもしれない。一方、アクティブデバイスＭA のゲインが仕様よりも高ければ、コントローラ３０４は、抵抗Ｒ1 及び／又はＲ2 を調整して、アクティブデバイスＭA のゲインが減少するように電圧Ｖ2 を減少させるかもしれない。コントローラ３０４は、アクティブデバイスＭA の１以上の特性が仕様内になるまで、ブロック６０４から６１４の動作のいくつか又は全てを繰り返す。
【００２８】
ブロック６１２において、コントローラ３０４は、アクティブデバイスＭA の１以上の特性が仕様内であることを決定し、コントローラは、スイッチＳ2 及びＳ5 をターンオフし、デバイスをバイアスする（ブロック６１６）。コントローラ３０４は、各キャパシタバンク内のバイナリウエイテッドキャパシタの数として、反復回数（iteration count）ｉからｎを設定するかもしれない（ブロック６１８）。コントローラ３０４は、キャパシタバンクのスイッチＳ4Ai 及びＳ4Bi をターンオンする（バンク内の残りのキャパシタはターンオフされる）（ブロック６２０）。コントローラ３０４は、キャパシティブエレメントモジュールの出力での電圧をキャリブレートされた電圧Ｖ2 と比較する（ブロック６２２）。コントローラ３０４は、比較に基づいてスイッチＳ4Ai 及びＳ4Bi いずれか一方をターンオフする（ブロック６２４）。コントローラ３０４は、反復回数ｉを１だけデクリメントし（ブロック６２６）、反復回数ｉがゼロに等しいか否かを判断する（ブロック６２８）。反復回数ｉがゼロに等しくなければ、コントローラ３０４はブロック６２０から６２８で規定された動作を繰り返す。そうでなければ、コントローラ３０４は、キャリブレーション手続を終了する（ブロック６３０）。
【００２９】
図７Ａは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスＭA は、複数のパルスを備えた入力ＲＦ信号を増幅するように構成されている。入力ＲＦ信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力ＲＦ信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧ＶB を形成すること及びアクティブデバイスＭA をアクティベートすることは、バイアス電圧ＶB を形成するためにスイッチＳ2 、Ｓ3 、Ｓ4A及びＳ4Bを実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチＳ1 、Ｓ5 及びＳ6 は、バイアス電圧ＶB を形成する間、オフを維持するかもしれない。スイッチＳ2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチＳ3 、Ｓ4A及びＳ4Bのオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力ＲＦ信号のパルスは、スイッチＳ3 、Ｓ4A及びＳ4Bだけがオンであるときに時間間隔（time interval）に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチＳ3 、Ｓ4A及びＳ4Bがターンオフしてパルスインターバル１が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力ＲＦ信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【００３０】
図７Ｂは、本開示の他の視点にしたがった、アクティブデバイスＭA に対するバイアス電圧ＶB を発生する例示的な方法に関するタイミング図である。この例において、アクティブデバイスＭA は、複数のパルスを備えた入力ＲＦ信号を増幅するように構成されている。入力ＲＦ信号は、パルスを有する信号に限定される必要がないことが理解されるであろう。タイミング図によれば、入力ＲＦ信号に関連する各パルスインターバルに対して、バイアス電圧ＶB を形成すること及びアクティブデバイスＭA をアクティベートすることは、バイアス電圧ＶB を形成するためにスイッチＳ2 、Ｓ3 、Ｓ4A、Ｓ4B及びＳ5 を実質的に同時にターンオンすることを必要とする。スイッチＳ1 は、アクティブデバイスをバイアスすることに関連して任意のリーク電流を補償するためにアクティブデバイスＭA に電圧Ｖ2 を印加することができるようにするため、パルス処理プロセスの間、ターンオンされるかもしれない。スイッチＳ6 は、バイアス電圧ＶB が発現できるように、パルスインターバルの少し前からパルスインターバルの少し後まで、オフに維持されるかもしれない。任意のパルスインターバルの前及びパルスインターバルの間に、スイッチＳ6 がターンオンしてキャパシタＣＰを放電し、バイアス電圧ＶB が既知の電位（例えば、グラウンド電位）から発現されるかもしれない。スイッチＳ2 は、バイアス電圧が規定された安定性に達するまでオンに維持されるかもしれず、それはスイッチＳ3 、Ｓ4A、Ｓ4B及びＳ5 のオン時間よりも短い期間であるかもしれない。タイミング的に、入力ＲＦ信号のパルスは、スイッチＳ3 、Ｓ4A,Ｓ4B及びＳ5 だけがオンであるときに時間間隔（time interval）に到達する。そして、パルスの処理の後に、スイッチＳ3 、Ｓ4A、Ｓ4B及びＳ5 がターンオフしてパルスインターバル１が完了するかもしれない。この同一のプロセスが、示されたように、入力ＲＦ信号の残りのパルスインターバルに対して繰り返されるかもしれない。
【００３１】
図８は、本開示の他の視点にしたがった、例示的な通信デバイス８００のブロック図を示している。通信デバイス８００は、電圧レギュレータとしてすでに議論された任意の装置を使用する通信デバイスの一例示的インプリメンテーションであるかもしれない。特に、通信デバイス８００は、アンテナ８０２、ロウノイズ増幅器（ＬＮＡ）８０４、パルス復調器８０６、第１の電圧レギュレータ８０８、受信機ベースバンドプロセッシングモジュール８１０、フェイズロックループ（ＰＬＬ）及び／又は電圧制御発振器（ＶＣＯ）８１２、リファレンス発振器８１４、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール８１６、パルス変調器８１８，第２の電圧レギュレータ８２０、及び電力増幅器（ＰＡ）８２２を備えている。
【００３２】
ソース通信デバイスとして、目的地通信デバイスに送信されるデータは、送信機ベースバンドプロセッシングモジュール８１６に送られる。送信機ベースバンドプロセッシングモジュール８１６は、送信データを処理して出力ベースバンド信号を発生する。パルス変調器８１８は、出力ベースバンド信号に基づいて、パルス（例えば、ウルトラワイドバンド（ＵＷＢ）パルス）を発生する。第２の電圧レギュレータ８２０は、パルスを発生させるために、適切な時間にパルス変調器８１８にチャージを供給する。ＰＡ８２２は、ＵＷＢパルス信号を増幅し、無線媒体への送信のために、それをＴｘ／Ｒｘアイソレーションデバイス８０４を介してアンテナ８０２に供給する。第２の電圧レギュレータ８２０は、パルスを増幅するために、適切な時間にチャージをＰＡ８２２に供給する。送信データは、センサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、ＲＩＳＣプロセッサ、キーボード、マウス或いはトラックボールのようなポインティングデバイス、マイクロフォンのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、データを発生するロボティック或いはメカニカルデバイス、タッチセンシティブディスプレイのようなユーザーインターフェース、等によって発生するかもしれない。
【００３３】
目的地通信デバイスとして、受信されたＲＦ信号（例えば、インバウンドＵＷＢパルス）は、アンテナ８０２によってピックアップされ、ＬＮＡ８０４に加えられ、それは受信されたＲＦ信号を増幅する。第１の電圧レギュレータ８０８は、受信された信号が増幅されるようにするため、適切な時間にチャージをＬＮＡ８０４に供給する。パルス復調器８０６は、受信されたＵＷＢ信号に基づいてインバウンドベースバンド信号を発生する。第１の電圧レギュレータ８０８はまた、パルスを適切に処理するために、適切な時間にチャージをパルス復調器８０６に供給する。受信機ベースバンドプロセッシング８１０は、入力するベースバンド信号を処理して、受信されたデータを発生する。データプロセッサ（図示せず）は、受信されたデータに基づいて、１以上の規定された動作を実行するかもしれない。例えば、データプロセッサは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、リデューストインストラクションセットコンピュータ（ＲＩＳＣ）プロセッサ、ディスプレイ、スピーカのようなトランスデューサを含むヘッドセットのようなオーディオデバイス、メディカルデバイス、シュー、ウオッチ、データに応答するロボティック或いはメカニカルデバイス、ディスプレイのようなユーザーインターフェース、１以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）、等を含むかもしれない。
【００３４】
図９Ａは、ここで説明される任意の通信システム、デバイス及び装置に採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったパルス繰り返し周波数（pulse repetition frequency）（ＰＲＦ）によって規定される異なったチャネル（チャネル１及び２）を示している。具体的には、チャネル１に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間９０２に対応するパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有している。逆に、チャネル２に対するパルスは、パルストゥパルス遅延期間９０４に対応するパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を有している。このテクニックは、２つのチャネル間のパルス衝突の相対的に低い可能性を有する擬似オーソゴナル（pseudo-orthogonal）チャネルを規定するために用いられるかもしれない。特に、パルス衝突の低い可能性は、パルスに対する低いデューティサイクルの使用によって達成されるかもしれない。例えば、パルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）の適切な選択により、与えられたチャネルに対する実質的に全てのパルスが、任意の他のチャネルに対するパルスとは異なった時間で送信されるかもしれない。
【００３５】
与えられたチャネルに対して規定されたパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）は、そのチャネルによってサポートされるデータレートに依存しているかもしれない。例えば、非常に低いデータレートをサポートするチャネル（例えば、１秒当たり数キロビット或いはＫｂｐｓのオーダー）は、対応する低いパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を採用するかもしれない。逆に、相対的に高いデータレートをサポートするチャネル（例えば、１秒当たり数メガビット或いはＭｂｐｓのオーダー）は、対応する高いパルス繰り返し周波数（ＰＲＦ）を採用するかもしれない。
【００３６】
図９Ｂは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない変調の例として、異なったパルス位置或いはオフセットによって規定される異なったチャネル（チャネル１及び２）を示している。チャネル１に対するパルスは、第１のパルスオフセットにしたがって（例えば、図示しないインタイムの与えられたポイントについて）、ライン９０６によって示されたインタイムのポイントで発生する。逆に、チャネル２に対するパルスは、第２のパルスオフセットにしたがって、ライン９０８によって示されるようなインタイムのポイントで発生する。パルス間のパルスオフセットの差（矢印９１０によって示されるような）が与えられると、このテクニックは２つのチャネル間のパルス衝突の可能性を減少させるために用いられるかもしれない。チャネルに対して規定された任意の他のシグナリングパラメータ（例えば、ここで議論されるような）、及びデバイス間のタイミングの正確性（例えば、相対的なクロックドリフト）に依存して、異なったパルスオフセットの使用は、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル（pseudo-orthogonal）チャネルを与えるために用いられるかもしれない。
【００３７】
図９Ｃは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれない、異なったタイミングホッピングシーケンス変調によって規定される異なったチャネル（チャネル１及び２）を示している。例えば、チャネル１に対するパルス９１２は、１つのタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれず、チャネル２に対するパルス９１４は、他のタイムホッピングシーケンスにしたがった時間で発生されるかもしれない。使用される特別のシーケンス及びデバイス間のタイミングの正確性に依存して、このテクニックは、オーソゴナル或いは擬似オーソゴナル（pseudo-orthogonal）チャネルを与えるために用いられるかもしれない。例えば、時間ホップパルスポジション（time hopped pulse position）は、隣のチャネルからの繰り返しパルス衝突の可能性を低減させるために周期的でないかもしれない。
【００３８】
図９Ｄは、ここで説明される任意の通信システムに採用されるかもしれないパルス変調の例として、異なったタイムスロットによって規定される異なったチャネルを示している。チャネルＬ１に対するパルスは、特定の時間に発生する。同様に、チャネルＬ２に対するパルスは、他の時間に発生する。同様にして、チャネルＬ３に対するパルスは、さらに他の時間に発生する。一般に、異なったチャネルに属する時間は、種々のチャネル間での干渉を減少させる或いは除去するために、一致しない或いはオーソゴナルであるかもしれない。
【００３９】
他のテクニックが、パルス変調スキームにしたがってチャネルを規定するために用いられるかもしれないことを認識すべきである。例えば、異なったスプレッディング擬似ランダム数シーケンス、或いは他の適切なパラメータに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。さらに、２以上のパラメータの組み合わせに基づいて、チャネルが規定されるかもしれない。
【００４０】
図１０は、本開示の他の視点にしたがった、種々のチャネルを介して互いに通信する種々のウルトラワイドバンド（ＵＷＢ）通信デバイスのブロック図を示している。例えば、ＵＷＢデバイス１  １００２は、２つのコンカレント（concurrent）ＵＷＢチャネル１及び２を介して、ＵＷＢデバイス２  １００４と通信する。ＵＷＢデバイス  １００２は、単一のチャネル３を介して、ＵＷＢデバイス３  １００６と通信する。そして、ＵＷＢデバイス３  １００６は、単一のチャネル４を介して、ＵＷＢデバイス４  １００８と通信する。他の構成も可能である。通信デバイスは、多くの異なったアプリケーションに利用されるかもしれず、例えば、ヘッドセット、マイクロフォン、バイオメトリックセンサ、ハートレートモニタ、ペドメータ、ＥＫＧデバイス、ウオッチ、シュー、リモートコントロール、スイッチ、タイヤプレッシャセンサ、或いは他の通信デバイスに用いられるかもしれない。メディカルデバイスは、スマートバンドエイド、センサ、バイタルサインモニタ、及びその他のものを含むかもしれない。ここで説明された通信デバイスは、自動車、アスレチック、生理学（メディカル）レスポンスをセンスするような、任意のタイプのセンシングアプリケーションに用いられるかもしれない。
【００４１】
本開示の任意の上述した視点は、多くの異なったデバイスにインプリメントされるかもしれない。例えば、上述したメディカルアプリケーションに加えて、本開示の視点は、健康及びフィットネスアプリケーションに適用されるかもしれない。さらに、本開示の視点は、異なったタイプのアプリケーションに対するシューズにインプリメントされるかもしれない。ここで説明された本開示の任意の視点に組み入れられるかもしれない多くのアプリケーションが存在する。
【００４２】
本開示の種々の視点が上述されてきた。ここでの教示は、広い種々の形態で実施されるかもしれず、ここで開示された任意の特別な構造、機能或いはその両方は、代表的なものにすぎないことは明らかである。ここでの教示に基づき、当業者は、ここで開示された視点が任意の他の視点に依存せずにインプリメントされるかもしれず、２以上のこれらの視点が種々の方法で組み合わされるかもしれないことを認識すべきである。例えば、ここで明らかにされた任意の数の視点を用いて、装置がインプリメントされるかもしれず、方法が実行されるかもしれない。さらに、ここで明らかにされた１以上の視点に追加して或いは１以上の視点以外に、他の構造、機能、或いは構造及び機能を用いて、そのような装置がインプリメントされるかもしれず、そのような方法が実行されるかもしれない。上記コンセプトのいくつかの例として、いくつかの視点においてコンカレントチャネルがパルス繰り返し周波数に基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルスポジション或いはオフセットに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、タイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。いくつかの視点においてコンカレントチャネルが、パルス繰り返し周波数、パルスポジション或いはオフセット、及びタイムホッピングシーケンスに基づいて確立されるかもしれない。
【００４３】
当業者は、インフォメーション及び信号が、種々の任意の異なったテクノロジー及びテクニックを用いて表されるかもしれないことを理解するであろう。例えば、上述した説明を通して参照されるかもしれないデータ、インストラクション、コマンド、インフォメーション、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁気的フィールド又はパーティクル、光学的フィールド又はパーティクル、或いはそれらの組み合わせによって表現されるかもしれない。
【００４４】
当業者は、ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール、プロセッサ、手段、回路、及びアルゴリズムステップが、電子的ハードウェア（例えば、ソースコーディング又は他のテクニックを用いて設計されるかもしれないデジタルインプリメンテーション、アナログインプリメンテーション、又は２つの組み合わせ）、インストラクションを組み入れた種々の形態のプログラム又はデザインコード（それらは、便宜上、“ソフトウェア”或いは“ソフトウェアモジュール”として、ここでは言及されるかもしれない）、或いは両者の組み合わせとして、インプリメントされるかもしれないことを、さらに認識するであろう。ハードウェア及びソフトウェアのこの互換性を明確にするために、種々のコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、及びステップが、一般にそれらの機能の観点から上述されている。そのような機能が、ハードウェア又はソフトウェアとしてインプリメントされるか否かは、システム全体にインポーズされた特定のアプリケーション及びデザイン制約に依存する。当業者は、各特定のアプリケーションに対する方法を変える際に、説明された機能をインプリメントするかもしれないが、そのようなインプリメンテーションの決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じさせるものとして解釈されるべきではない。
【００４５】
ここで開示された視点に関連して説明された種々のロジックブロック、モジュール及び回路は、集積回路（“ＩＣ”）、アクセスターミナル、或いはアクセスポイント内にインプリメントされ、又は集積回路（“ＩＣ”）、アクセスターミナル、或いはアクセスポイントによって実行されるかもしれない。ＩＣは、ここで説明された機能を実行するように設計された汎用目的プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）又は他のプログラマブルロジックデバイス、ディスクリートゲート又はトランジスタロジック、ディスクリートハードウェアコンポーネント、電子コンポーネント、光学コンポーネント、磁気コンポーネント、或いはそれらの任意の組み合わせを備えるかもしれず、ＩＣ内、ＩＣの外側、或いはその両者に存在するコード又はインストラクションを実行するかもしれない。汎用目的プロセッサは、マイクロプロセッサであるかもしれないが、プロセッサは、任意のコンベンショナルなプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、或いはステートマシンであるかもしれない。プロセッサは、例えば、ＤＳＰ及びマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアに接続された１以上のマイクロプロセッサ、或いは任意の他のそのような構成といった、コンピューティングデバイスの組み合わせとしてもインプリメントされるかもしれない。
【００４６】
任意の開示されたプロセスにおけるステップの特別な順序或いは階層は、サンプルアプローチの一例である。設計の選択に基づき、プロセスにおけるステップの特別の順序又は階層が、本開示の範囲を維持しながら、再アレンジされるかもしれない。添付の方法クレームは、サンプルオーダーにおける種々のステップの要素を提示しており、提示された特別の順序或いは階層に限定されることを意味するものではない。
【００４７】
ここで開示された視点に関連して説明された方法又はアルゴリズムのステップは、直接ハードウェアで、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、或いは２つの組み合わせで実施されるかもしれない。ソフトウェアモジュール（例えば、実行可能なインストラクション及び関連するデータを含む）及び他のデータは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、或いは公知の任意の他の形態のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体のようなデータメモリ内に存在するかもしれない。サンプル記憶媒体は、例えば、プロセッサが記憶媒体からインフォメーション（例えば、コード）を読み出す或いはインフォメーションを書き込むようなコンピュータ／プロセッサ（ここでは、便宜上、“プロセッサ”と言及される）のようなマシンに結合されているかもしれない。サンプル記憶媒体は、プロセッサと一体であるかもしれない。プロセッサ及び記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在するかもしれない。ＡＳＩＣは、ユーザー装置内に存在するかもしれない。或いは、プロセッサ及び記憶媒体は、ユーザー装置内のディスクリートコンポーネントとして存在するかもしれない。さらに、いくつかの視点において、任意の適切なコンピュータプログラム製品は、本開示の１以上の視点に関連したコードを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えているかもしれない。いくつかの視点において、コンピュータプログラム製品は、パッケージング材料を備えているかもしてない。
【００４８】
本発明が種々の視点に関連して説明されてきたが、本発明はさらなる変更が可能であることが理解されるであろう。この出願は、本発明の以下のような、任意の変更、使用或いは適応をカバーすることが意図されており、一般に、発明の原理、発明が関連する分野内の公知及び慣用的な実施に含まれるような本開示からの発展をカバーする。
以下、本願出願時の発明を付記する。
（１）
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第１の電圧源と、
前記第１の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントと、
を備えた装置。
（２）
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されたコントローラをさらに備えた
（１）の装置。
（３）
前記コントローラは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
（２）の装置。
（４）
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
（３）の装置。
（５）
前記コントローラは、リファレンス電圧に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールするように適応されている
（２）の装置。
（６）
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（５）の装置。
（７）
前記リファレンス電圧を発生するように適応された第２の電圧源をさらに備えた
（５）の装置。
（８）
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生するように適応された第２の電圧源をさらに備えた
（１）の装置。
（９）
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（８）の装置。
（１０）
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧源を前記アクティブデバイスに選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントをさらに備えた
（１）の装置。
（１１）
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に選択的に結合させるように適応された第２のスイッチングエレメントをさらに備えた
（１）の装置。
（１２）
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する方法であって、
第１の電圧を発生することと、
前記第１の電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を備えた方法。
（１３）
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることをさらに備えた
（１２）の方法。
（１４）
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（１３）の方法。
（１５）
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
（１４）の方法。
（１６）
前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールすることは、リファレンス電圧に基づく
（１３）の方法。
（１７）
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（１６）の方法。
（１８）
前記リファレンス電圧を発生することをさらに備えた
（１６）の方法。
（１９）
前記バイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生することをさらに備えた
（１２）の方法。
（２０）
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性の関数である
（１９）の方法。
（２１）
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧を前記アクティブデバイスに印加することをさらに備えた
（１２）の方法。
（２２）
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスにグラウンド又は他の電位を印加することをさらに備えた
（１２）の方法。
（２３）
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置であって、
第１の電圧を発生する手段と、
前記第１の電圧に応答してチャージを発生する手段と、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給する手段と、
を備えた装置。
（２４）
前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールする手段をさらに備えた
（２３）の装置。
（２５）
前記コントロールする手段は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
（２４）の装置。
（２６）
前記アクティブデバイスの前記１以上の特性は、前記アクティブデバイスのゲインを備える
（２５）の装置。
（２７）
前記コントロールする手段は、リファレンス電圧に基づいて前記チャージを発生する手段のチャージキャパシティをコントロールするように適応されている
（２４）の装置。
（２８）
前記リファレンス電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（２７）の装置。
（２９）
前記リファレンス電圧を発生する手段をさらに備えた
（２７）の装置。
（３０）
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる第２の電圧を発生する手段をさらに備えた
（２３）の装置。
（３１）
前記第２の電圧は、前記アクティブデバイスの１以上の特性に基づく
（３０）の装置。
（３２）
前記アクティブデバイスをイネーブルにするために前記第１の電圧を発生する手段を前記アクティブデバイスに結合させる手段をさらに備えた
（２３）の装置。
（３３）
前記アクティブデバイスをディセーブルにするために前記アクティブデバイスをグラウンド又は他の電位に結合させる手段をさらに備えた
（２３）の装置。
（３４）
アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置によって実行可能なインストラクションを備えたコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、
電圧を発生することと、
前記電圧に応答してキャパシティブエレメント上にチャージを発生することと、
前記アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給することと、
を前記装置が備えるコンピュータプログラム製品。
（３５）
オーディオデータを発生するように適応されたトランスデューサと、
前記オーディオデータを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたヘッドセット。
（３６）
データを受信するように適応された受信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記受信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたユーザーデバイス。
（３７）
データを取得するように適応されたセンサと、
前記データを送信するように適応された送信機と、
電圧源と、
前記電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、
前記送信機に対するバイアス電圧を発生するために用いられる前記チャージを供給するように適応されたスイッチングエレメントと、
を備えたセンシングデバイス。
【図１】
0005587427.tif 000002
【図２】
0005587427.tif 000003
【図３】
0005587427.tif 000004
【図４】
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【図５】
0005587427.tif 000006
【図６】
0005587427.tif 000007
【図７Ａ】
0005587427.tif 000008
【図７Ｂ】
0005587427.tif 000009
【図８】
0005587427.tif 000010
【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０】
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