(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電材料で構成されており且つ測定対象の電極に接触可能である接触部と、
プローブ本体とを備えており、
前記プローブ本体は、前記接触部の端面に設けられた触媒層と、
前記触媒層に束状に林立する複数のカーボンナノ材料とからなり、
前記カーボンナノ材料は、前記接触部および前記触媒層から離れる方向に延びていることを特徴とするプローブ。
【請求項２】
請求項１記載のプローブの製造方法において、
基板に形成された前記接触部の端面上に触媒層を形成し、
前記接触部および前記触媒層から離れる方向に延びるように、前記触媒層に所定の高さのカーボンナノ材料を成長させ、前記触媒層および前記カーボンナノ材料からなるプローブ本体を作成した後、
前記基板を除去することを特徴とするプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノ材料を用いたプローブ及びプローブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプローブカードには、プローブとしてニッケル、パラジウム、コバルト又はこれらを含む合金（二元合金や三元合金）で構成された電鋳針を用いているものがある（特許文献１参照）。このプローブは、ピッチ間隔約１００μｍで配列されており、該プローブの厚みが約６０μｍとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１６４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記プローブは、半導体デバイスの高集積化に伴うピッチ間隔の狭ピッチ化に応じて、前記プローブの厚みを低減することが求められている。例えば、プローブ間のピッチ間隔を６０〜８０μｍとする場合、プローブの厚みは３０〜４０μｍとなる。この要求に応じて前記プローブの厚みを低減すると、前記プローブの機械強度が低下し、その結果、前記プローブを半導体デバイスの電極に接触させる際に針折れが発生し易くなったり、前記プローブを半導体デバイスの電極に繰り返し摺動接触させることにより該プローブが金属疲労を起こし易くなったりする。
【０００５】
また、前記プローブの厚み寸法が小さくなると、前記プローブに流れる電流密度が増大し、そのジュール熱により該プローブを構成する合金の再結晶が発生し易くなり、その結果として、前記プローブが脆くなる。この針焼けは、グランドとして使用されるプローブに多発している。更に、前記プローブを電鋳により作成する際に、前記プローブに水素ガスが混入することがある。前記プローブに水素ガスが混入すると、前記プローブを半導体デバイスの電極に摺動接触させる際に、該プローブを構成する結晶粒界から前記水素ガスが逸出し、該プローブにクリープ変位が起こる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、その目的とするところは、狭ピッチ間隔の配置下においても、耐電流値の高いプローブ及びプローブの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のプローブは、導電材料で構成されており且つ測定対象の電極に接触可能である接触部と、プローブ本体とを備えている。前記プローブ本体は、前記接触部の端面に設けられた触媒層と、前記触媒層に束状に林立する複数のカーボンナノ材料とからなる。前記カーボンナノ材料は、前記接触部および前記触媒層から離れる方向に延びている。
【０００８】
このようなプローブによる場合、前記接触部の端面上の前記触媒層に前記カーボンナノ材料が束状に林立している。このカーボンナノ材料は、機械強度が高く、高弾性（超塑性）を有しているので、本プローブを狭ピッチ間隔で配置するために本プローブの厚みや外径等の寸法を小さくしてもプローブとしての機械強度を十分充足することができる。また、前記カーボンナノ材料は電気伝導率及び熱伝導率が高いため、本プローブに針焼けが発生する可能性を低減することができ、耐電流値の高いプローブとすることができる。また、本プローブの一構成部材として高弾性のカーボンナノ材料を用いているため、本プローブにクリープ変位が発生する可能性を低減することができる。更に、本プローブが配設されるプローブカードの基板の反りにより、本プローブの先端の高さ位置にバラツキが生じている場合であっても、前記カーボンナノ材料の弾性変形により前記バラツキを吸収することができる。
【０００９】
本発明のプローブの製造方法は上記プローブの製造方法である。この方法は、基板に形成された接触部の端面上に触媒層を形成し、前記接触部および前記触媒層から離れる方向に延びるように、前記触媒層に所定の高さのカーボンナノ材料を成長させ、前記触媒層および前記カーボンナノ材料からなるプローブ本体を作成した後、前記基板を除去するようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態に係るプローブカードの概略図であって、（ａ）が断面図、（ｂ）が底面図である。
【図２】前記プローブカードのプローブの概略的斜視図である。
【図３】前記プローブカードのプローブの製造過程を平面図及び断面図を上下に並べて示す説明図であって、（ａ）がＳｉ基板上にＳｉＯ２膜を形成する工程を示す図、（ｂ）がＳｉ基板のＳｉＯ２膜上にレジストを塗布し、該レジストに開口を形成する工程を示す図、（ｃ）が前記ＳｉＯ２膜の前記開口から露出する部分をエッチングする工程を示す図、（ｄ）が前記Ｓｉ基板の前記開口から露出する部分に穴部を形成する工程を示す図、（ｅ）が前記レジストを除去する工程を示す図、（ｆ）が前記Ｓｉ基板に新にレジストを形成し、該レジストに開口を形成する工程を示す図である。
【図４】前記プローブカードの図３の続きのプローブの製造過程を平面図及び断面図を上下に並べて示す説明図であって、（ａ）が前記Ｓｉ基板の穴部及びレジストの開口に硬質な導電金属の層を形成する工程を示す図、（ｂ）が前記硬質な導電金属の層内に導電材料を充填し、接触部の本体部を作成する工程を示す図、（ｃ）が前記レジスト上に更にレジストを塗布し、該レジストに前記接触部の本体部を露出させる開口を形成する工程を示す図、（ｄ）が前記接触部の本体部上に触媒粒子層を形成する工程を示す図、（ｅ）が前記レジストを除去する工程を示す図、（ｆ）が前記触媒粒子層にカーボンナノチューブを形成する工程を示す図である。
【図５】（ａ）は前記プローブのカーボンナノチューブを配線基板の電極に接続する工程を示す概略的断面図、（ｂ）は前記Ｓｉ基板を除去する工程を示す概略的断面図である。
【図６】前記プローブカードの配線基板をメイン基板に接続する過程を示す概略的断面図である。
【図７】前記プローブカードの使用状態を示す概略的断面図であって、（ａ）は前記プローブが半導体デバイスの電極に接触する前の状態を示す図、（ｂ）はプローブが半導体デバイスの電極に接触した状態を示す図である。
【図８】前記プローブのカーボンナノチューブを配線基板の電極に接続する別の方法を示す概略図であって、（ａ）は前記プローブのカーボンナノチューブを配線基板の電極に接続する工程を示す断面図、（ｂ）は前記Ｓｉ基板を除去する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態に係るプローブカードについて図１及び図２を参照しつつ説明する。図１に示すプローブカードは、メイン基板１００と、配線基板２００と、複数のスプリングピン３００（中継部材）と、複数のプローブ４００とを備えている。以下、前記プローブカードの各部の動作について説明する。なお、図示の便宜上、図１では、プローブ４００が四本となっており、且つ配線基板２００の電極２２０及びプローブ４００の大きさが誇張して図示されている。
【００１４】
メイン基板１００としては周知のプリント基板を用いている。このメイン基板１００の上面の外縁部には複数の外部電極１１０が、メイン基板１００の下面には複数の接続用電極１２０が設けられている。外部電極１１０と接続用電極１２０とはメイン基板１００の内部に設けられた導電ライン１３０により各々接続されている。このメイン基板１００の下側に配線基板２００がネジ等の取付手段により間隔を空けて取り付けられている。
【００１５】
配線基板２００はセラミック等で構成された板体であって、その上面（第１面）がメイン基板１００に平行に対向している。この配線基板２００の上面には複数の接続用電極２１０が、配線基板２００の下面（第２面）には複数の電極２２０が設けられている。接続用電極２１０と電極２２０とは配線基板２００の内部に設けられた導電ライン２３０により各々接続されている。接続用電極２１０は、メイン基板１００の接続用電極１２０と同ピッチ間隔で配置され、該メイン基板１００の接続用電極１２０に対向している。この接続用電極２１０と接続用電極１２０との間をスプリングピン３００で各々接続している。
【００１６】
各スプリングピン３００は、円筒状のバレルと、一対のコンタクトピンと、スプリングとを備えた周知のものである。前記一対のコンタクトピンは、基端部が前記バレルに摺動移動自在に収容され、先端部が該バレルから上方向、下方向に各々突出している。前記スプリングは前記バレル内に収容され、前記一対のコンタクトピンの基端部を該コンタクトピンの突出方向に各々付勢している。前記スプリングの付勢力により、上側の前記コンタクトピンの先端部がメイン基板１００の接続用電極１２０に、下側の前記コンタクトピンの先端部が配線基板２００の接続用電極２１０に弾性的に接触している。前記一対のコンタクトピン及び前記バレルを通じて続用電極２１０と接続用電極１２０を電気的に接続している。
【００１７】
また、配線基板２００の電極２２０は、数μｍ〜十数μｍのピッチ間隔で配置されている。この電極２２０にプローブ４００の束状のカーボンナノチューブ４３０が接着樹脂５００により各々接続されている。すなわち、プローブ４００は、半導体ウエハ１０（図７参照）の電極１１の位置に応じて、配線基板２００の下面に数μｍ〜十数μｍのピッチ間隔で配列されている。接着樹脂５００は、熱硬化樹脂又は光硬化性樹脂であって、直径約０．１〜１.０μｍ位の金属微粒子又は金属メッキされた高分子（プラスチック、フッ素系）微粒子が混入されている。接着樹脂５００内の前記金属微粒子又は高分子微粒子により電極２２０とプローブ４００の束状のカーボンナノチューブ４３０とが電気的に接続されている。
【００１８】
各プローブ４００は、図１及び図２に示すように、接触部４１０と、触媒粒子層４２０（プローブ本体）と、複数のカーボンナノチューブ４３０（プローブ本体）とを有している。接触部４１０は、本体部４１１と、外殻部４１２とを有している。本体部４１１はニッケル合金等の導電材料で構成された略円柱体であって、その先端面に四角錐状の突起が設けられている。外殻部４１２は、本体部４１１の先端面（角錐状の突起も含む。）及び外周面を覆う本体部４１１よりも硬質な導電金属材料（例えば、ロジウム（Ｒｈ）やイリジウム（Ｉｒ））の層であって、有底の略円筒状のカップ状をなしている。すなわち、外殻部４１２により本体部４１１の先端面及び外周面がコーティングされている。本体部４１１の平坦な後端面には触媒粒子層４２０が形成されている。触媒粒子層４２０は、厚さ数十ｎｍの金属粒子（例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）やニオブ（Ｎｂ）等）を単一の層又は前記金属微粒子を複合させた層である。この触媒粒子層４２０に複数の六円環網状のカーボンナノチューブ４３０が束状に林立している。触媒粒子層４２０と本体部４１１の後端面との境界には密着性増強層が設けられていることが好ましい。この密着性増強層としては、例えば、本体部４１１のＮｉと、該本体部４１１の後端面上の触媒粒子層４２０のＦｅとが加熱拡散されることにより、触媒粒子層４２０の下層部分がＦｅＮｉ合金層となったもの等がある。前記ＦｅＮｉ合金層は、加熱温度と加熱時間を制御することにより、その厚みが数ｎｍにコントロールされている。このＦｅＮｉ合金層により本体部４１１と触媒粒子層４２０の上層部分との密着性が増強される。触媒粒子層４２０の上層部分は、Ｆｅ粒子が残っており、触媒粒子層４２０本来の機能を発揮することができるようになっている。なお、密着性増強層は、ＦｅＮｉ合金層だけに限定されるものではなく、本体部４１１の材質と触媒粒子層４２０の材質とが加熱拡散により合金化し易いものであれば、どのような組み合わせを用いても良い。また、本体部４１１の材質と触媒粒子層４２０の材質とが加熱拡散により合金化し難い場合であっても、本体部４１１に金属イオン注入法等によって、本体部４１１の後端面に触媒粒子層４２０の材質と合金化し易い金属を打ち込むことで、密着性増強層を形成することができる。
【００１９】
カーボンナノチューブ４３０としては、単層ナノチューブ、二層ナノチューブ及び多層ナノチューブのいずれを用いることが可能であるが、本実施の形態では多層ナノチューブを用いている。このカーボンナノチューブ４３０は、直径が数ｎｍ〜数百ｎｍ、高さ寸法が０.５〜２ｍｍとなっており、本体部４１１の後端面に対する直角方向に延伸している。また、カーボンナノチューブ４３０の束の直径は数μｍ〜３０μｍとなっている。カーボンナノチューブ４３０の密度は１００００〜３００００本／μｍ２となっている。カーボンナノチューブ４３０は、鋼鉄の機械強度（１５００〜２０００ＭＰａ）の１０倍〜数十倍の機械強度及び高弾性（超塑性）を有している。このため、接触部４１０に負荷が加わると、カーボンナノチューブ４３０が接触部４１０の本体部４１１の後端面に対する直角方向に座屈しつつ弾性変形するようになっている（図７（ｂ）参照）。換言すると、カーボンナノチューブ４３０は、圧縮側にうねり構造をとりながら変形するため、極めて破断し難くい特性を有している。また、カーボンナノチューブ４３０は、高い熱伝導率（約６０００Ｗ／ｍｋ）及び電気伝導率（109A/cm2の電流を流すことができる。）を有しているため、プローブ４００の一構成部材として非常に適している。
【００２０】
以下、上述したプローブ４００の製造工程について図３及び図４を参照しつつ説明する。なお、図３及び図４においては、図示の便宜上、２つのプローブ４００が製造される工程が図示されている。まず、図３（ａ）に示すように、面上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）６１０が形成されたＳｉ基板６００を用意する。このＳｉ基板６００の結晶面は｛１００｝の配向を有する。その後、図３（ｂ）に示すように、Ｓｉ基板６００のシリコン酸化膜６１０上にレジストＲ１（第３レジスト）を塗布し、このレジストＲ１にマスクを用いて露光・現像を行い、該レジストＲ１に矩形状の開口Ｒ１１（第３開口）を形成する。その後、図３（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜６１０の開口Ｒ１１から露出する部分に同方性エッチングを行い、除去する。その後、図３（ｄ）に示すように、Ｓｉ基板６００の開口Ｒ１１から露出する部分に異方性エッチングを行い、四角錐状の穴部６２０を形成する。その後、図３（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板６００の面上からレジストＲ１を除去する。その後、図３（ｆ）に示すように、Ｓｉ基板６００の面上にレジストＲ２（第１レジスト）を塗布し、このレジストＲ２にマスクを用いて露光・現像を行い、該レジストＲ２に穴部６２０及びその周縁部を露出させる円形の開口Ｒ２１（第１開口）を形成する。
【００２１】
その後、図４（ａ）に示すように、スパッタ法により、Ｓｉ基板６００の穴部６２０、Ｓｉ基板６００の前記周縁部及びレジストＲ２の開口Ｒ２１の内面にプローブ４００の本体部４１１よりも硬質な導電金属材料の層（すなわち、プローブ４００の外殻部４１２）を形成する。その後、図４（ｂ）に示すように、外殻部４１２内に電解めっきによりニッケル合金等の導電材料を各々充填して本体部４１１を作成する。その後、レジストＲ２、本体部４１１及び外殻部４１２の図示上面を研磨し平坦化する。その後、図４（ｃ）に示すように、レジストＲ２、本体部４１１及び外殻部４１２上にレジストＲ３（第２レジスト）を塗布し、このレジストＲ３にマスクを用いて露光・現像を行い、該レジストＲ３に本体部４１１の図示上面（すなわち、本体部４１１の後端面）を露出させる円形の開口Ｒ３１（第２開口）を形成する。その後、図４（ｄ）に示すように、本体部４１１の後端面に触媒粒子層４２０を下記の周知の形成方法を用いて均一に形成する。前記形成方法としては、ＰＶＤ又はスパッタ法により金属触媒粒子を本体部４１１の後端面の面上に累積させ、触媒粒子層４２０を形成する方法がある。この場合、触媒粒子層４２０は、前記金属触媒粒子間に繋がりがなく、該金属触媒粒子による膜が形成される前の状態とすることが好ましい。別の形成方法としては、酸化鉄（Ｆｅ２０３）等の金属化合物が混入された溶液（例えば、蛋白質フェリチン）を本体部４１１の後端面に滴下した後、加熱処理することにより本体部４１１の後端面に触媒粒子層４２０を残存させる方法がある。このように本体部４１１の後端面に触媒粒子層４２０を形成した後、図４（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板６００の面上からレジストＲ２及びＲ３を除去する。
【００２２】
その後、図４（ｆ）に示すように、Ｓｉ基板６００、本体部４１１、外殻部４１２及び触媒粒子層４２０をＣＶＤ真空装置内の台に設置する。そして、化学気相成長（ＣＶＤ）法を用いて触媒粒子層４２０にカーボンナノチューブ４３０を成長させる。具体的には、ＣＶＤ真空装置を真空状態（１０〜０.００１Ｐａ）とする。その後、ガス供給手段により水分を含む炭素ガス類（メタン、アルコール、エチレンやアセチレン等）及び不活性雰囲気ガス（ヘリウムやアルゴン等）をＣＶＤ真空装置内に流通させつつ、ＣＶＤ真空装置の近傍に配置されたヒーターによりＳｉ基板６００、本体部４１１、外殻部４１２及び触媒粒子層４２０を約５００〜１３００℃で約１０分間加熱する。すると、前記炭素ガスが熱分解され、炭素と水素にとなる。この炭素が触媒粒子層４２０の作用により再構築され、カーボンナノチューブ４３０となる。このようにして触媒粒子層４２０にカーボンナノチューブ４３０が本体部４１１の後端面に対する直角方向に約１０Ｓｅｃ〜６０Ｓｅｃで成長する。このとき、カーボンナノチューブ４３０の均一性を確保するために、Ｓｉ基板６００、本体部４１１、外殻部４１２及び触媒粒子層４２０を周方向に回転させることが好ましい。また、前記炭素ガスの流量は１０〜５０Ｓｃｃｍ、前記不活性雰囲気ガスの流量は１０〜５０Ｓｃｃｍであり、前記炭素ガスと前記不活性雰囲気ガスの流量比は１：１〜１：５である。なお、前記不活性雰囲気ガスは、成長したカーボンナノチューブ４３０の高純度を保持するために導入されている。
【００２３】
その後、図５（ａ）に示すように、配線基板２００の下面に全電極２２０を覆うように接着樹脂５００を塗布する。その後、Ｓｉ基板６００と配線基板２００とを相対的に接近させ、プローブ４００のカーボンナノチューブ４３０を配線基板２００の電極２２０に各々一度に接触させる。その後、接着樹脂５００を加熱又は紫外線等の光を照射することによって該接着樹脂５００を硬化させ、プローブ４００のカーボンナノチューブ４３０を配線基板２００の電極２２０に各々接続させる。その後、図５（ｂ）に示すように、同方性エッチングによりＳｉ基板６００を除去する。
【００２４】
このように下面にプローブ４００が配設された配線基板２００を、図６に示すように、ネジ等の取付手段によってメイン基板１００に取り付ける。このとき、配線基板２００の接続用電極２１０と、メイン基板１００の接続用電極１２０との間にスプリングピン３００を各々介在させ、両者を電気接続させる。
【００２５】
上述したプローブカードは、テスターのプローバに取り付けられ、半導体ウエハの電気的諸特性を測定するのに使用される。以下、その測定過程における前記プローブカードのプローブの動作について図７を参照しつつ説明する。まず、図７（ａ）に示すように、本プローブカードは前記プローバに取り付けられ、半導体ウエハ１０に対向配置される。その後、前記プローバを動作させ、前記プローブカードと半導体ウエハ１０とを相対的に接近させる。すると、前記プローブカードのプローブ４００の接触部４１０が半導体ウエハ１０の電極１１に各々接触する。その後、図７（ｂ）に示すように、前記プローブカードと半導体ウエハ１０とを更に相対的に接近させると、前記プローブカードのプローブ４００の接触部４１０が半導体ウエハ１０の電極１１に各々圧接し、該プローブ４００のカーボンナノチューブ４３０が接触部４１０の本体部４１１の後端面に対する直角方向に座屈しつつ弾性変形する（すなわち、圧縮側にうねり構造をとりながら変形する）。この状態で、半導体ウエハ１０の電気的諸特性が前記テスターにより各々測定される。このときのオーバードライブ量（プローブ４００の接触部４１０が半導体ウエハ１０の電極１１に各々接触した状態から前記プローブカードと半導体ウエハ１０とを更に相対的に接近させる距離）は約１００μｍであり、カーボンナノチューブ４３０の座屈量が５〜１０％となる。
【００２６】
以上のようなプローブカードによる場合、プローブ４００は、接触部４１０の本体部４１１の後端面上の触媒粒子層４２０にカーボンナノチューブ４３０が束状に林立した構成となっている。カーボンナノチューブ４３０は、機械強度が高く、高弾性（超塑性）を有しているので、プローブ４００を数μｍ〜十数μｍの狭ピッチ間隔で配置するために、カーボンナノチューブ４３０の束の直径は数μｍ〜３０μｍと小さくしても、プローブ４００としての機械強度を十分充足することができる。また、カーボンナノチューブ４３０は電気伝導率及び熱伝導率が高いため、本プローブ４００に針焼けが発生する可能性を低減することができ、耐電流値の高いプローブとすることができる。更に、プローブ４００の一構成部材として高弾性のカーボンナノチューブ４３０を用いているため、プローブ４００にクリープ変位が発生する可能性を低減することができる。また、配線基板２００やメイン基板１００の反りによって、プローブ４００の先端の高さ位置にバラツキが生じた場合であっても、カーボンナノチューブ４３０の弾性変形により前記バラツキを吸収することができる。
【００２７】
なお、上記プローブカードのプローブは、特許請求の範囲の記載の範囲において任意に設計変更することが可能である。以下、詳しく述べる。
【００２８】
上記実施の形態では、プローブ４００の接触部４１０は、本体部４１１と外殻部４１２を有する構成であるとしたが、これに限定されるものではない。例えば、本体部４１１自体が外殻部４１２と同等の硬度を有する導電金属材料で構成されている場合、外殻部４１２を省略することができる。上記実施の形態では、外殻部４１２は、本体部４１１の先端面と外周面を覆うとしたが、少なくとも本体部４１１の先端面を覆うようになっていれば良い。また、上述したプローブの接触部の形状は、半導体ウエハ１０等の測定対象の電極に接触し得る限り任意に設計変更することが可能である。
【００２９】
上記実施の形態におけるカーボンナノチューブ４３０の高さ寸法、直径や密度等は、その一例を挙げたものであって、これに限定されるものではない。触媒粒子層４２０の金属粒子の径や密度を可変することにより、カーボンナノチューブ４３０の高さ寸法、直径や密度等を適宜変更すること可能である。同様に、カーボンナノチューブ４３０の束の直径についても、上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。このようにカーボンナノチューブ４３０の高さ寸法、直径や密度等を調整することにより、プローブが半導体ウエハ１０等の測定対象の電極に接触する際の該電極に対する荷重を調節することができる。例えば、電極表面に酸化膜がこびりついている場合、前記酸化膜を突き破るためにプローブの電極に対する荷重を高くする必要がある。この場合、カーボンナノチューブ４３０の密度を大きくすることで、前記酸化膜を突き破るためのプローブに対する高荷重の要求を満たすことができる。また、プローブが測定対象の電極に接触する際の該電極のダメージを低くする必要がある場合、プローブの電極に対する荷重を低くする必要がある。この場合、カーボンナノチューブ４３０の密度を小さくすることで、プローブに対する低荷重の要求を満たすことができる。
【００３０】
上記実施の形態では、カーボンナノ材料として、カーボンナノチューブ４３０を用いるとしたが、カーボンナノホーン、カーボンナノファイバやグラファイトナノファイバ等のその他のカーボンナノ材料を用いることが可能である。また、上記実施の形態では、ＣＶＤ製造法を用いてカーボンナノチューブ４３０を得るとしたが、プラズマＣＶＤ法や、ウエット式の電気泳動法等の方法によっても、カーボンナノチューブ４３０を得ることが可能である。前記プラズマＣＶＤ法による場合、低温（６００℃）でカーボンナノチューブ４３０を成長させることが可能であり、且つ外部から印加される電界やプラズマによりカーボンナノチューブ４３０の成長方向を容易に揃えることができる。
【００３１】
上記実施の形態では、触媒粒子層４２０は、接触部４１０の本体部４１１の後端面の全面に形成されているとしたが、これに限定されるものではない。例えば、接触部４１０の本体部の後端面の一部に触媒粒子層が設けられていても良いし、接触部の後端面上に金属粒子の径や密度が異なる複数種類の触媒粒子層が設けられていても良い（すなわち、触媒粒子層が複数種類の領域に分かれていても良い。）。後者の場合、各触媒粒子層（各領域）に直径や密度等が異なる複数種のカーボンナノチューブを林立させることができる。例えば、接触部の後端面の中心部に円形の第１触媒粒子層を形成し、前記後端面の前記中心部の周縁部に第１触媒粒子層と異なる金属粒子の層であるリング状の第２触媒粒子層を形成することができる。この場合、第１、第２触媒粒子層に直径や密度等が異なる第１、第２群のカーボンナノチューブを林立させることができる。
【００３２】
また、上記実施の形態では、Ｓｉ基板６００に穴部６２０を設けるとしたが、プローブの接触部の形状によっては孔部６２０を設ける工程を省略することができる。すなわち、プローブ４００の製造工程を、レジストＲ１をＳｉ基板６００上に塗布せず、レジストＲ２をＳｉ基板６００上に塗布する時点から開始すれば良い。また、接触部４１０が外殻部４１２を有していない構成である場合には、レジストＲ２の開口Ｒ２１に導電材料を充填して本体部４１１を作成すると良い。また、上記実施の形態では、カーボンナノチューブ４３０を成長させる前に、Ｓｉ基板６００の面上からレジストＲ２及びＲ３を除去するとしたが、カーボンナノチューブ４３０を成長させた後にＳｉ基板６００と共にレジストＲ２及びＲ３を除去することも可能である。更に、プローブ４００は、配線基板２００の電極２２０に接着樹脂５００で接着されるとしたが、これに限定されるものではない。例えば、図８に示すように、配線基板２００の電極２２０に各々導電ペースト７００を塗布し、プローブ４００のカーボンナノチューブ４３０を配線基板２００の電極２２０に各々接続させることも可能である。また、Ｓｉ基板６００を除去した後に、プローブ４００のカーボンナノチューブ４３０を配線基板２００の電極２２０に一つずつ接着樹脂５００や導電ペースト７００で接続させることも可能である。なお、Ｓｉ基板６００は、面上が平坦な板体により代替可能である。
【００３３】
上記実施の形態では、スプリングピン３００により、メイン基板１００と配線基板２００との間が電気的に接続されているとしたが、ＩＣピン等その他の周知の導電性を有する中継部材によりメイン基板１００と配線基板２００との間を電気的に接続することが可能である。
【００３４】
なお、上記実施の形態では、上記プローブカードの各部を構成する素材、形状、寸法及び配置等はその一例を説明したものであって、同様の機能を実現し得る限り任意に設計変更することが可能である。また、上記実施の形態では、本発明に係るプローブカードは、半導体ウエハ１０を一括測定するのに使用されるものであるとして説明したが、半導体ウエハをダイジングしたチップの電気的諸特性を測定するプローブカードとすることも当然可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１００・・・メイン基板
２００・・・配線基板
３００・・・スプリングピン（中継部材）
４００・・・プローブ
４１０・・接触部
４１１・本体部
４１２・外殻部
４２０・・触媒粒子層
４３０・・カーボンナノチューブ
５００・・・接着樹脂
６００・・・Ｓｉ基板
６２０・・穴部
Ｒ１・・・・レジスト（第３レジスト）
Ｒ１１・・開口（第３開口）
Ｒ２・・・・レジスト（第１レジスト）
Ｒ２１・・開口（第１開口）
Ｒ３・・・・レジスト（第２レジスト）
Ｒ３１・・開口（第２開口）
７００・・・導電ペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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