(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向の一方の端面から他方の端面まで形成されたセルを複数個有する多孔質のモノリス基材の前記セルの内壁面に成膜された分離膜の欠陥検出方法であって、前記セルの一方に真空ポンプ、他方に真空計を接続して前記セルを１つ１つ真空引きし、１つ１つの前記セル内の到達真空度を測定する分離膜の欠陥検出方法。
【請求項２】
前記モノリス基材の一方の前記端面と他方の前記端面の前記セルに円錐状の栓を挿入して前記真空引きを行う請求項１に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項３】
前記分離膜は、ゼオライト膜である請求項１または２に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項４】
前記ゼオライト膜がＤＤＲゼオライト膜である請求項３に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項５】
前記ゼオライト膜が、構造規定剤除去後のものである請求項３または４に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項６】
前記モノリス基材は、外径２８ｍｍ以上、かつ全長が１００ｍｍ以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項７】
前記モノリス基材は、前記セルを前記端面の単位面積中に１ヶ／ｃｍ２以上で複数個有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【請求項８】
前記モノリス基材は、前記セルの、長手方向に垂直なセル断面の形状における最も長い径の長さが１０ｍｍ以下である請求項１〜７のいずれか１項に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分離膜の欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ゼオライトは、触媒、触媒担体、吸着材等として利用されており、また、金属やセラミックスからなる多孔質基体の表面に成膜されたゼオライト膜配設体は、ゼオライトの分子篩作用を利用し、ガス分離膜や浸透気化膜として用いられるようになってきている。
【０００３】
ゼオライトには、ＬＴＡ、ＭＦＩ、ＭＯＲ、ＦＥＲ、ＦＡＵ、ＤＤＲといった結晶構造が異なる数多くの種類（型）が存在する。例えば、ＤＤＲ（Ｄｅｃａ−Ｄｏｄｅｃａｓｉｌ  ３Ｒ）型ゼオライトは、主たる成分がシリカであって、細孔径４．４×３．６オングストロームの酸素８員環からなる細孔を含む多面体によって形成されていることが知られている。ＤＤＲ型ゼオライトは、その細孔径が小さいことから、二酸化炭素（ＣＯ２）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）のような低分子ガスの分子篩膜としての用途が期待されている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、１−アダマンタンアミン、シリカ及び水を含有する原料溶液に多孔質基体を浸漬し、ＤＤＲ型ゼオライト種結晶の存在下、ＤＤＲ型ゼオライトを水熱合成してＤＤＲ型ゼオライト膜を形成するＤＤＲ型ゼオライト膜の製造方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ＤＤＲ型ゼオライト粉末を含有する原料溶液を用いたＤＤＲ型ゼオライト膜複合体の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００７／１０５４０７号
【特許文献２】特許第４２０４２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
構造規定剤を含むゼオライト膜は成膜後に構造規定剤を除去する必要がある。構造規定剤（ＳＤＡ：Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ−Ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ  Ａｇｅｎｔ）はゼオライト特有の細孔構造を形成するための型剤として使用される有機分子であり、鋳型剤またはテンプレートとも呼ばれる。構造規定剤の除去は、通常、大気雰囲気で焼成することにより行われるが、膜厚の厚い箇所では構造規定剤が分解されずに残留して熱膨張するため、膜に欠陥（割れ）を発生させる原因となっている。
【０００８】
ディスク状の膜やチューブ形状の小型膜は全体として比較的均質な膜が形成でき、これまでにも性能の良い膜が得られている。一方、実用化には膜面積の大きなモノリス形状の大型基材へ成膜する必要があるが、モノリスなどの複雑形状の基材に膜を成膜した場合には箇所によって膜厚に差が生じることが多く、膜厚の厚い箇所では構造規定剤除去の際に膜に欠陥が発生する。このため、大型膜で全体として欠陥量が少なく、分離性能の高い膜を提供することができなかった。
【０００９】
本発明の課題は、大型膜においても欠陥量が少なく、分離性能の高い分離膜を有するものを得るための分離膜の欠陥検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、以下の分離膜の欠陥検出方法が提供される。
【００１１】
［１］  長手方向の一方の端面から他方の端面まで形成されたセルを複数個有する多孔質のモノリス基材の前記セルの内壁面に成膜された分離膜の欠陥検出方法であって、前記セルの一方に真空ポンプ、他方に真空計を接続して前記セルを１つ１つ真空引きし、１つ１つの前記セル内の到達真空度を測定する分離膜の欠陥検出方法。
【００１２】
［２］  前記モノリス基材の一方の前記端面と他方の前記端面の前記セルに円錐状の栓を挿入して前記真空引きを行う前記［１］に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１３】
［３］  前記分離膜は、ゼオライト膜である前記［１］または［２］に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１４】
［４］  前記ゼオライト膜がＤＤＲゼオライト膜である前記［３］に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１５】
［５］  前記ゼオライト膜が、構造規定剤除去後のものである前記［３］または［４］に記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１６】
［６］  前記モノリス基材は、外径２８ｍｍ以上、かつ全長が１００ｍｍ以上である前記［１］〜［５］のいずれかに記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１７】
［７］  前記モノリス基材は、前記セルを前記端面の単位面積中に１ヶ／ｃｍ２以上で複数個有する前記［１］〜［６］のいずれかに記載の分離膜の欠陥検出方法。
【００１８】
［８］  前記モノリス基材は、前記セルの、長手方向に垂直なセル断面の形状における最も長い径の長さが１０ｍｍ以下である前記［１］〜［７］のいずれかに記載の分離膜の欠陥検出方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の分離膜の欠陥検出方法では、真空度を測定することで、欠陥のある分離膜を有するセルを検出できる。本発明のゼオライト膜の製造方法では、構造規定剤除去工程において、酸素濃度を大気雰囲気よりも増加させることにより、酸素による構造規定剤の分解を促進し、構造規定剤除去時に発生する欠陥を少なくすることができる。このため膜厚に差が生じやすい大型の膜であっても、膜厚の厚い箇所で発生する割れを抑制することができ、膜性能が均質で、分離性能の高い膜を提供することが可能になる。大気雰囲気中での構造規定剤の除去ではガス分離性能を発揮しなかった膜も、本発明の構造規定剤除去工程により、ガス分離性能を発現するようになり、歩留まりは向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ゼオライト膜を配設したゼオライト膜配設体を示す模式図である。
【図２Ａ】ガス透過量の測定を説明するための図である。
【図２Ｂ】モノリス基材のセル番号を示す図である。
【図３】流下法による種付けを説明するための模式図である。
【図４】水熱合成を説明するための模式図である。
【図５】真空度の測定を説明するための図である。
【図６】真空度の測定結果を示すグラフである。
【図７】ガス透過量の測定結果を示すグラフである。
【図８Ａ】長手方向に垂直な断面が楕円形であるセルの実施形態を示す模式図である。
【図８Ｂ】長手方向に垂直な断面が四角形であるセルの実施形態を示す模式図である。
【図８Ｃ】長手方向に垂直な断面が三角形であるセルの実施形態を示す模式図である。
【図８Ｄ】長手方向に垂直な断面が五角形であるセルの実施形態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、変更、修正、改良を加え得るものである。
【００２２】
図１に本発明のゼオライト膜１１が配設されたゼオライト膜配設体１００を示す。本発明のゼオライト膜１１は、モノリス基材１のセル２の内壁面２ｓに成膜されたゼオライト膜１１である。ゼオライトの細孔径よりも分子径が大きいガスを用いて測定した、構造規定剤除去後のモノリス基材１の各セル２のガス透過量の標準偏差が６［Ｌ／ｍ２・ｓ・ＭＰａ］以下である。なお、標準偏差Ｓは、各セルのガス透過量をｘ、ガス透過量を測定したセル数をｎとした場合、下記式によって求められるものである。
【００２３】
【数１】
0005632434.tif 000002
【００２４】
各セル２のガス透過量の標準偏差とは、モノリス基材１のセル２のガス透過量を、ゼオライトの細孔径よりも分子径が大きいガスを用いてすべてのセル２を個別に測定した場合の各セル２のガス透過量の標準偏差のことをいう。より具体的には、以下のようにして求める。図２Ａに示すように、測定したいセル２の片端をシリコーン栓等の栓２１で封じ、セル２の他方を石鹸膜流量計等の流量計２２に接続する。そして、モノリス基材１の外表面からＣＦ４等のゼオライトの細孔径よりも分子径の大きいガス（評価ガス）をガスボンベ２３から供給（例えば、０．２ＭＰａ）し、セル２から評価ガスが一定量（例えば０．５ｃｃ）漏れるまでの時間を計測して評価ガスの透過量を算出する。セル全数に対して前記測定を実施し、各セル２の評価ガスの透過量データから、評価ガスのガス透過量の標準偏差を算出する。本発明のゼオライト膜１１は、モノリス基材１上に成膜されたゼオライト膜であって、ガス透過量の標準偏差は６［Ｌ／ｍ２・ｓ・ＭＰａ］以下である。なお、モノリス基材１は、多孔質基材であるため、ガス透過量の標準偏差が小さいということは、ゼオライト膜１１がどの箇所においても均質的な膜性能を持つことを意味する。
【００２５】
本発明のゼオライト膜１１は、例えば、ＤＤＲ型ゼオライト膜１１である。すなわち、ゼオライト膜１１を構成するゼオライトの種類がＤＤＲ型ゼオライトである。また、ＭＦＩ、ＭＯＲ型ゼオライト膜１１であってもよい。
【００２６】
図１に示すように、本発明のゼオライト膜１１は、多孔質のモノリス基材１のセル２の内壁面２ｓに形成されている。本発明における「モノリス基材」とは、長手方向の一方の端面から他方の端面まで複数のセルが形成された形状あるいはハニカム状の基材を言う。モノリス基材１の材質としては、強度や化学的安定性の観点から、アルミナ、シリカ、コージェライト、ムライト、チタニア、ジルコニア、炭化珪素等のセラミックス材料からなるものが好ましい。モノリス基材１の気孔率は、当該基材の強度と透過性の観点から１０〜６０％程度とすることが好ましい。また、多孔質基材の平均細孔径は、０．００５〜５μｍ程度とすることが好ましい。
【００２７】
モノリス基材１は長手方向の両端側に貫通し、長手方向と平行なセル２を、３７〜２５００個有している。セル２の内壁面２ｓにゼオライト膜１１が形成されている。
【００２８】
本発明のゼオライト膜１１を成膜するモノリス基材１の大きさは、限定されるものではないが、外径２８ｍｍ以上、かつ全長が１００ｍｍ以上であるモノリス基材１に成膜されたゼオライト膜１１は、従来のゼオライト膜１１に比較して均質な膜性能を有するゼオライト膜１１である。セル２の、モノリス基材１の長手方向に垂直なセル断面の形状は、特に限定されないが、円形、楕円形、三角形、四角形、五角形、六角形、七角形等を採用することができる。また、セル２の、モノリス基材１の長手方向に垂直なセル断面の形状における、最も長い径（最長径２ｎ）の長さが１０ｍｍ以下であることが好ましい。図８Ａ〜図８Ｄにセル２の形状の実施形態とその最長径２ｎを示す。図８Ａは、楕円形、図８Ｂは、四角形、図８Ｃは、三角形、図８Ｄは、五角形の実施形態である。長手方向に垂直なセル断面の形状における最も長い径（最長径２ｎ）の長さが１０ｍｍ以下であるセル２を、モノリス基材１の端面４の単位面積中に１ヶ／ｃｍ２以上で複数個有することが好ましい。このようなセル２の内壁面２ｓにゼオライト膜１１を形成することにより、分離膜として実用上十分な処理量を得るための膜面積を確保することができ、機能を果たすことができる。
【００２９】
モノリス基材１の両端面４，４には、シール部１２が配設されていることが好ましい。シール部１２は、モノリス基材１の両端面４，４全体にセル２を塞がないようにして配設する。また、側面３の端面４の近傍にもシール部１２が配設されていることが好ましい。このようにシール部１２が配設されていると、混合物の一部が分離膜１１を通過することなくモノリス基材１の端面４からモノリス基材１の内部に直接流入し、分離膜１１を通過したガス等と混ざって側面３から排出されることを防止することができる。
【００３０】
シール部１２としては、例えば、ガラスシールや金属シールを挙げることができ、これらの中でも、モノリス基材１との熱膨張係数を合わせやすい点で、ガラスシールが好ましい。ガラスシールに用いるガラスの物性としては、特に限定されないが、モノリス基材１の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有することが好ましい。
【００３１】
本発明のゼオライト膜の製造方法は、水熱合成により基材に成膜された、構造規定剤を含むゼオライト膜を、Ｏ２濃度が２２．０ｖｏｌ％以上の雰囲気にて加熱し、前記構造規定剤の除去を行う方法である。より具体的には、種となるゼオライト粒子を基材１に付着させる粒子付着工程と、ゼオライト粒子を付着させた基材１を、構造規定剤を含むゾル中に浸漬して水熱合成し、基材１上にゼオライト膜１１を形成する膜形成工程と、Ｏ２濃度（酸素濃度）が２２．０ｖｏｌ％以上の雰囲気にて構造規定剤の除去を行う構造規定剤除去工程を含む。構造規定剤除去工程におけるＯ２濃度は、３５ｖｏｌ％以上がより好ましく、４５ｖｏｌ％以上がさらに好ましい。Ｏ２濃度をこの範囲とすることにより、大型膜においても欠陥量が少なく、分解性能の高いゼオライト膜を得ることができる。
【００３２】
基材としては、モノリス基材を利用することができる。また、大きな平板や長いチューブなど、全体の中に膜厚に分布があるようなものであれば、Ｏ２濃度が２２．０ｖｏｌ％以上の雰囲気にて加熱して構造規定剤を除去することによる効果が得られる。
【００３３】
本発明のゼオライト膜１１の製造方法は、構造規定剤除去工程を有する、ＭＦＩ、ＭＯＲ、ＤＤＲ等の結晶構造のゼオライトの製造法として適用できるが、特に、ＤＤＲ型ゼオライトの製造方法として適用できる。
【００３４】
構造規定剤除去工程における構造規定剤除去温度は、３００℃以上で行うことが好ましく、より好ましくは、４００〜７００℃、さらに好ましくは４００〜６００℃である。
【００３５】
以下、ＤＤＲ型ゼオライトの場合を例として、ゼオライト膜１１の製造方法を、図３〜図４を参照しつつ具体的に説明する。
【００３６】
［１］種付け用スラリー液の作製・種付け（粒子付着工程）
ＤＤＲ型ゼオライト結晶粉末を製造し、これを必要に応じて粉砕して種結晶として使用する。ＤＤＲ型ゼオライト粉末（これが種結晶となる）を溶媒に添加して分散させ、スラリー３４（種付け用スラリー液）とする。種付け用スラリー液は、これに含まれる固形分濃度が１質量％以下になるように溶媒で希釈することが好ましい。希釈用の溶媒は、水またはエタノール、もしくはエタノール水溶液が好ましい。希釈に使用する溶媒には、水やエタノール以外にも、アセトン、ＩＰＡ等の有機溶剤、または有機溶剤水溶液を使用することもできる。揮発性の高い有機溶剤を使用することで、乾燥時間を短縮することができ、同時に種付け用のスラリーの染込み量も少なくすることができるため、より薄いゼオライト膜を形成することが可能になる。スラリー３４にＤＤＲ型ゼオライト粉末を分散させる方法としては、一般的な攪拌方法を採用すればよいが、超音波処理等の方法を採用してもよい。
【００３７】
次に、種となるゼオライト粒子を基材１に付着させる粒子付着工程を行う。支持体となる基材１は、無孔質のものでも、多孔質のものでも使用することができる。支持体としては、アルミナ、ジルコニア、ムライト等をはじめとするセラミック、或いはガラス、ゼオライト、粘土、金属、炭素等の材質からなる無孔質、或いは多孔質の材料を好適に用いることができる。
【００３８】
粒子付着工程は、分散させたスラリー３４を自重により流下させる流下法を用いることが好ましい。粒子付着工程における流下とは、スラリー３４を基材１上にて自重によって自由落下させることにより、スラリー３４が基板表面上を流れることをいう。流下法では、例えば、円筒状に孔の開いた基材１のその孔の中にスラリー３４を流し込むことにより、面に対して平行に多量の液を流す。このようにすると流下されたスラリー３４は自重によって基材表面を流れる。このため基材１の中への染込みが少ない。また、事前に基材１の側面３をシールテープでマスキングしてからスラリー３４を流下することで、基材１の中へのスラリーの染込みをより減らすことができる。
【００３９】
図３に、流下法による種付け（粒子付着工程）の一実施形態を示す。基材１として、多孔質のモノリス形状（長手方向の一方の端面４から他方の端面４まで複数の孔（セル２）の開いたもの）を用いる場合は、図３に示すように、広口ロート３２の下端に基材１を固定し、コック３３を開けることにより基材１の上部から種付け用のスラリー３４を流し込み、セル内を通過させることにより、種付けをすることができる。
【００４０】
種付け（粒子付着工程）のスラリー３４中の固形分濃度は、０．００００１〜１質量％の範囲であることが好ましい。濃度範囲の下限値よりも濃度が薄い場合は工程数が増えて高コストの原因となる。また、１質量％を超えると、基材表面に厚いゼオライト粒子層が形成し、厚膜になることから低フラックスとなる。
【００４１】
粒子付着工程において、種となるゼオライト粒子を含むスラリー３４を流下させる工程（図３）を複数回行うことが好ましい。複数回とは、２〜１０回程度である。それを超える回数では、作業量が多くコストがかかる。好ましくは、８回程度まで、より好ましくは、２〜６回程度である。複数回行うことにより、基材１の表面に、ゼオライト粒子をむらなく全面に付着させることができる。
【００４２】
本発明のゼオライト膜１１の製造方法は、種となるゼオライト粒子を含むスラリー３４を流下させた後、基材１を上下反転してさらにゼオライト粒子を含むスラリー３４を流下させる工程を含むことが好ましい。このようにすることにより、基材１の表面に、ゼオライト粒子をむらなく、均一に付着させることができる。
【００４３】
本発明のゼオライト膜１１の製造方法は、種となるゼオライト粒子を含むスラリー３４を流下させた後、通風乾燥工程を含むことが好ましい。通風乾燥とは、ゼオライト粒子を含むスラリー３４の付着した基材１の表面に通風することにより、スラリー３４を乾燥させることである。通風乾燥を行うことにより、乾燥速度が上がり、液体が蒸発するときの液体の動きと共にゼオライト粒子が移動し表面に集まりやすくすることができる。
【００４４】
なお、粒子付着工程は、流下法に限定されず、他の方法で行っても良いが、基材１への染込みを少なくするという点からは、流下法が好ましい。
【００４５】
［２］原料溶液（ゾル）の調製
次に、エチレンジアミンに溶解させた１−アダマンタンアミンを含む、所定の組成を有する原料溶液を調製する。
【００４６】
１−アダマンタンアミンは、ＤＤＲ型ゼオライトの合成におけるＳＤＡ（構造規定剤）、即ち、ＤＤＲ型ゼオライトの結晶構造を形成させるための鋳型となる物質（構造規定剤）であるため、ＤＤＲ型ゼオライトの原料であるＳｉＯ２（シリカ）とのモル比が重要である。１−アダマンタンアミン／ＳｉＯ２モル比は０．００２〜０．５の範囲内であることが必要であり、０．００２〜０．４の範囲内であることが好ましく、０．００２〜０．３の範囲内であることが更に好ましい。１−アダマンタンアミン／ＳｉＯ２モル比がこの範囲未満であると、ＳＤＡの１−アダマンタンアミンが不足してＤＤＲ型ゼオライトを形成することが困難である。一方、この範囲を超えると高価な１−アダマンタンアミンを必要以上に添加することになり、製造コストの面から好ましくない。
【００４７】
１−アダマンタンアミンは、水熱合成の溶媒である水に対して難溶性であるため、エチレンジアミンに溶解させた後、原料溶液の調製に供する。１−アダマンタンアミンをエチレンジアミンに完全に溶解させ、均一な状態の原料溶液を調製することにより、均一な結晶サイズを有するＤＤＲ型ゼオライトを形成させることが可能となる。エチレンジアミン／１−アダマンタンアミンモル比は４〜３５の範囲内であることが必要であり、８〜２４の範囲内であることが好ましく、１０〜２０の範囲内であることが更に好ましい。エチレンジアミン／１−アダマンタンアミンモル比がこの範囲未満であると、１−アダマンタンアミンを完全に溶解させるための量としては不充分である一方、この範囲を超えると、エチレンジアミンを必要以上に使用することになり、製造コストの面から好ましくない。
【００４８】
本発明の製造方法においては、シリカ源として、例えば、コロイダルシリカを用いることができる。コロイダルシリカは市販のコロイダルシリカを好適に用いることができるが、微粉末状シリカを水に溶解し、或いは、アルコキシドを加水分解することにより調製することもできる。
【００４９】
原料溶液中に含まれる水とＳｉＯ２（シリカ）とのモル比（水／ＳｉＯ２モル比）は１０〜５００の範囲内であることが必要であり、１４〜２５０の範囲内であることが好ましく、１４〜１１２の範囲内であることが更に好ましい。水／ＳｉＯ２モル比がこの範囲未満であると、原料溶液のＳｉＯ２濃度が高すぎるために、結晶化しない未反応のＳｉＯ２が多量に残存する点において好ましくない。一方、この範囲を超えると、原料溶液のＳｉＯ２濃度が低すぎるためにＤＤＲ型ゼオライトを形成することができなくなる点において好ましくない。
【００５０】
本発明の製造方法によれば、オールシリカ型のＤＤＲ型ゼオライトの他、その骨格にアルミニウムと金属カチオンを含むＤＤＲ型ゼオライト（以下、「ローシリカ型のＤＤＲ型ゼオライト」と記す）を製造することもできる。このローシリカ型のＤＤＲ型ゼオライトは、細孔にカチオンを有するために、吸着性能や触媒性能がオールシリカ型のＤＤＲ型ゼオライトとは異なる。ローシリカ型のＤＤＲ型ゼオライトを製造する場合には、溶媒である水とシリカ源であるコロイダルシリカの他、アルミニウム源、カチオン源を添加して原料溶液を調製する。
【００５１】
アルミニウム源としては、硫酸アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、金属アルミニウム等を用いることができる。アルミニウムを酸化物として換算した場合におけるＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比は５０〜１０００の範囲内であることが必要であり、７０〜３００の範囲内であることが好ましく、９０〜２００の範囲内であることが更に好ましい。ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比がこの範囲未満であると、ＤＤＲ型ゼオライト以外のアモルファスＳｉＯ２の比率が多くなってしまう点において好ましくない。一方、この範囲を超えると、ＤＤＲ型ゼオライトは製造することができるものの、アルミニウム及びカチオン量が著しく少なくなることに起因して、ローシリカ型のＤＤＲ型ゼオライトとしての特性を発揮することができず、オールシリカ型のゼオライトと何ら違いがなくなってしまう点において好ましくない。
【００５２】
カチオンとしては、アルカリ金属、即ち、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｒｂ、Ｃｓの何れかのカチオンが挙げられ、カチオン源としては、Ｎａの例で説明すると、水酸化ナトリウム、アルミン酸ナトリウム等を挙げることができる。アルカリ金属を酸化物として換算した場合におけるＸ２Ｏ／Ａｌ２Ｏ３モル比は１〜２５の範囲内であることが必要であり、３〜２０の範囲内であることが好ましく、６〜１５の範囲内であることが更に好ましい。Ｘ２Ｏ／Ａｌ２Ｏ３モル比がこの範囲未満であると、目的とするＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比のＤＤＲ型ゼオライトが得難くなる点において好ましくない。一方、この範囲を超えると、生成物にアモルファスＳｉＯ２が混入してしまう点において好ましくない。
【００５３】
以上に原料溶液の調製について説明したが、特に好ましい態様としては、１−アダマンタンアミンをエチレンジアミンに溶解した溶液、溶媒である水、コロイダルシリカ（ローシリカ型のＤＤＲを合成する場合にあっては、更に、アルミニウム源である硫酸アルミニウム、及びカチオン源である水酸化ナトリウム）を所定の比率で混合し、溶解することにより、原料溶液を調製する方法が挙げられる。
【００５４】
［３］膜化（膜形成工程）
原料溶液を入れた容器（例えば、広口瓶）をホモジナイザーにセットし攪拌し、水熱合成に用いるゾル３７とする。次に、図４に示すように、流下法により種付けを行った基材１を耐圧容器３５内に入れ、さらに調合したゾル３７を入れた後、これらを乾燥器３８に入れ、１１０〜２００℃にて１６〜８４時間、加熱処理（水熱合成）を行うことにより、ゼオライト膜１１を製造する。
【００５５】
加熱処理の温度（合成温度）は、１１０〜２００℃の範囲内とすることが好ましく、１２０〜１８０℃の範囲内とすることが更に好ましく、１２０〜１７０℃の範囲内とすることが特に好ましい。加熱処理の温度がこの範囲未満であると、ＤＤＲ型ゼオライトを形成することができない点において好ましくない。一方、この範囲を超えると、相転移により、目的物ではないＤＯＨ型ゼオライトが形成されてしまう点において好ましくない。
【００５６】
ＤＤＲ型ゼオライト粉末を流下法により基材１に添加した場合における加熱処理の時間（合成時間）は、数時間〜５日間という極めて短時間で足りる。本発明の製造方法においては、ＤＤＲ型ゼオライト粉末を流下法により基材１に付着させることにより、ＤＤＲ型ゼオライトの膜化が促進される。
【００５７】
［４］洗浄・構造規定剤除去
次に、ゼオライト膜１１が形成された基材１を、水洗または、８０〜１００℃にて洗浄し、それを取り出して、８０〜１００℃にて乾燥する。そして、基材１を電気炉に入れ、ゼオライト膜１１の細孔内の構造規定剤の１−アダマンタンアミンを燃焼除去する構造規定剤除去工程を行う。構造規定剤除去工程では、Ｏ２濃度が２２．０ｖｏｌ％以上の雰囲気にて、構造規定剤除去温度が３００℃以上、好ましくは４００〜７００℃で、１〜２００時間加熱する。以上により、従来よりも欠陥が少なく薄く均一な、膜厚１０μｍ以下のゼオライト膜１１を形成することができる。構造規定剤除去工程において、酸素濃度を大気雰囲気よりも増加させて燃焼除去させる方法は、大型のモノリス基材１に配設されたゼオライト膜１１を製造する場合に、特に有効である。本発明の製造方法が特に効果的である大型とは、従来の方法では、均質化しにくかった大きさのものをいい、例えば、直径（外径）が３０〜２００ｍｍ、あるいはそれ以上のモノリス基材１をいう。なお、直径が３０ｍｍ未満のモノリス基材１であっても従来の製造方法に比べ、欠陥が少なく性能がより均一な膜を得るという効果が得られる。
【実施例】
【００５８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１〜４）
以下の（１）〜（４）により、実施例１〜４の試料を作製した。
【００６０】
（１）種付け（粒子付着工程）
粒径０．５μｍ以下のＤＤＲ型ゼオライト粒子を含む種結晶分散液をイオン交換水またはエタノールで希釈し、種結晶濃度０．００１〜０．３６質量％になるように調整し、スターラーで３００ｒｐｍで攪拌し、種付け用スラリー液とした。広口ロート３２の下端に多孔質なモノリス基材１（直径φ２．５ｍｍの貫通孔（セル２）を５５ヶ有する外径φ３０ｍｍ−全長１６０ｍｍの多孔質基材（図１参照、両端ガラスシール）で、セル２は、端面４の単位面積中に７．８ヶ／ｃｍ２）を固定し、基材上部から１６０ｍｌの種付け用スラリー液を流し込みセル２内を通過させた（図３参照）。スラリーを流下させた基材１のセル２内を室温〜８０℃、風速３〜６ｍ／ｓの条件で３０分〜６０分間通風乾燥させた。スラリー流下、通風乾燥を２〜５回繰り返して試料を得た。乾燥した後、電子顕微鏡による微構造観察を行った。実施例の条件では、ＤＤＲ粒子が基材表面に付着していることを確認した。
【００６１】
（２）膜化（膜形成工程）
フッ素樹脂製の１００ｍｌ広口瓶に７．３５ｇのエチレンジアミン（和光純薬工業製）を入れた後、１．１５６ｇの１−アダマンタンアミン（アルドリッチ製）を加え、１−アダマンタンアミンの沈殿が残らないように溶解した。別の容器に９８．０ｇの３０質量％コロイダルシリカ（スノーテックスＳ，日産化学製）と１１６．５５ｇのイオン交換水を入れ軽く攪拌した後、これをエチレンジアミンと１−アダマンタンアミンを混ぜておいた広口瓶に加えて強く振り混ぜ、原料溶液を調製した。その後、原料溶液を入れた広口瓶をホモジナイザーにセットし、１時間攪拌した。内容積３００ｍｌのフッ素樹脂製内筒付きステンレス製耐圧容器３５内に（１）の粒子付着工程でＤＤＲ粒子を付着させた基材１を配置し、調合した原料溶液（ゾル３７）を入れ、１３５℃〜１５０℃にて１６〜４４時間、加熱処理（水熱合成）を行った。走査型電子顕微鏡で膜化させた基材１の断面を観察したところＤＤＲ膜の膜厚は１〜１０μｍであった。
【００６２】
（３）膜化後のＨｅ透過量測定
水熱合成後の膜１１の欠陥の有無を調べるために、膜化後、水洗、乾燥した後に、Ｈｅ透過量を測定した。実施例の条件ではＨｅ透過量が測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）となり、全面ＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。
【００６３】
（４）構造規定剤除去工程（脱テンプレート）
被覆できた膜１１を酸素を１００〜２００ｃｃ／ｍｉｎ流しながら４５０℃または５００℃で５０時間加熱し、構造規定剤である細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。なお、酸素を１００〜２００ｃｃ／ｍｉｎ流すことにより、炉内のＯ２濃度は、４５ｖｏｌ％以上であった。
【００６４】
（実施例５、６）
多孔質なモノリス基材１（直径φ２．５ｍｍの貫通孔（セル２）を２０５０ヶ有する外径φ１８０ｍｍ−全長１０００ｍｍの多孔質基材（図１参照、両端ガラスシール））を使用し、実施例１〜４と同様の製法にて実施例５、６を作製した。すなわち、上記（１）〜（３）と同様に、エタノールで希釈した種付け用スラリーを使用し、１３５℃にて５２または６２時間、加熱処理（水熱合成）を行うことによりゼオライト膜１１を合成した。水熱合成後の膜のＨｅ透過量は測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）であり、モノリス基材１のセル２がＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。（４）の構造規定剤除去工程では、酸素を３７Ｌ／ｍｉｎ流しながら４５０℃で５０時間加熱し、構造規定剤である細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。なお、酸素を３７Ｌ／ｍｉｎ流すことにより、炉内のＯ２濃度は、５０ｖｏｌ％以上であった。
【００６５】
（比較例１〜４）
実施例と同様に比較例１〜４の試料を作製した。すなわち、上記（１）〜（３）と同様に、イオン交換水またはエタノールで希釈した種付け用スラリーを使用し、実施例と同様の方法で水熱合成によりゼオライト膜１１を合成した。水熱合成後の膜のＨｅ透過量は測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）であり、モノリス基材１のセル２がＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。（４）の構造規定剤除去工程では、酸素を流すことなく、被覆できた膜１１を、電気炉で大気中（Ｏ２濃度２０．９ｖｏｌ％）で４５０℃または５００℃で５０時間加熱し、細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。
【００６６】
（比較例５、６）
実施例５、６と同様に多孔質なモノリス基材１（直径φ２．５ｍｍの貫通孔（セル２）を２０５０ヶ有する外径φ１８０ｍｍ−全長１０００ｍｍの多孔質基材（図１参照、両端ガラスシール））を使用し、比較例５、６の試料を作製した。すなわち、上記（１）〜（３）と同様に、エタノールで希釈した種付け用スラリーを使用し、１３５℃にて５２または６２時間、加熱処理（水熱合成）を行うことによりゼオライト膜１１を合成した。水熱合成後の膜のＨｅ透過量は測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）であり、モノリス基材１のセル２がＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。（４）の構造規定剤除去工程では、酸素を流すことなく、被覆できた膜１１を、電気炉で大気中（Ｏ２濃度２０．９ｖｏｌ％）で４５０℃で５０時間加熱し、細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。
【００６７】
（実施例７）
実施例１〜４と同様に実施例７を作製した。すなわち、上記（１）〜（３）と同様に、イオン交換水またはエタノールで希釈した種付け用スラリーを使用し、実施例１〜４と同様の方法で水熱合成によりゼオライト膜１１を合成した。水熱合成後の膜のＨｅ透過量は測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）であり、モノリス基材１のセル２がＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。（４）の構造規定剤除去工程では、酸素を流しながら４５０℃で５０時間加熱し、構造規定剤である細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。なお、酸素を流すことにより、炉内のＯ２濃度は、９０ｖｏｌ％以上であった。
【００６８】
（実施例８）
実施例１〜４と同様に実施例８を作製した。すなわち、上記（１）〜（３）と同様に、イオン交換水またはエタノールで希釈した種付け用スラリーを使用し、実施例１〜４と同様の方法で水熱合成によりゼオライト膜１１を合成した。水熱合成後の膜のＨｅ透過量は測定限界以下（＜０．０１８Ｌ／ｍｉｎ・ｍ２・ｋＰａ）であり、モノリス基材１のセル２がＤＤＲ膜で被覆ができていることを確認した。（４）の構造規定剤除去工程では、酸素を流しながら４５０℃で５０時間加熱し、構造規定剤である細孔内の１−アダマンタンアミンを燃焼除去した。なお、酸素を流すことにより、炉内のＯ２濃度は、３５ｖｏｌ％以上であった。
【００６９】
（５）Ｘ線回折
得られた膜１１の結晶相をＸ線回折で調べることにより、結晶相の評価を行ったところ、ＤＤＲ型ゼオライトおよび基体であるアルミナの回折ピークのみが検出された。なお、Ｘ線回折における「ＤＤＲ型ゼオライトの回折ピーク」とは、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｅｎｔｅｒ  ｆｏｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｄａｔａ（ＩＣＤＤ）「Ｐｏｗｄｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｆｉｌｅ」に示されるＤｅｃａ−ｄｏｄｅｃａｓｉｌ  ３Ｒに対応するＮｏ．３８−６５１、又は４１−５７１に記載される回折ピークである。
【００７０】
（６）構造規定剤除去後の各セルの真空度測定
構造規定剤除去後の膜１１の欠陥量を調べるために、各セル２の真空度を測定した。セル２の一方を真空ポンプ（アルバック機工（株）製：直結型油回転真空ポンプ、型番：Ｇ−２０ＤＡ、排気速度２４Ｌ／ｍｉｎ、到達圧力１．３×１０−１Ｐａ、２段式）で吸引し、他方のセル２に真空計（ＧＥ  Ｓｅｎｓｉｎｇ社製：キャリブレーター、型番：ＤＰＩ８００）を接続してセル２内を真空引きし、セル２内の到達真空度を測定した（図５参照）。
【００７１】
図６に、実施例２と比較例２の１セル真空度を示す。セル番号（図２Ｂ参照）における真空度を示したものである。実施例２と比較例２の真空度の標準偏差は、それぞれ０．５１、１．１９ｋＰａであった。酸素雰囲気中で構造規定剤を燃焼除去した実施例２の方が、標準偏差が小さくなった。すなわち、均一的なゼオライト膜１１が形成されていると言える。なお、他の実施例においても、すべての膜１１で比較例（大気雰囲気）よりも１セル２の真空度の標準偏差が小さくなり、欠陥量が低下することが確認できた（表１参照）。
【００７２】
（７）構造規定剤除去後の各セルのガス透過量測定
構造規定剤除去後の膜１１の欠陥量を調べるために、各セル２のＣＦ４透過量を測定した。まずは測定したいセル２の片端をシリコーン栓で封じ、セル２の他方を石鹸膜流量計に接続した後、モノリス基材１の外表面からＣＦ４を０．２ＭＰａで供給し、セル２からＣＦ４が０．５ｃｃ漏れるまでの時間を計測してＣＦ４の透過量を算出した（図２Ａ参照）。各セル２のＣＦ４の透過量データから、ＣＦ４透過量の標準偏差を算出した結果、各セル２のＣＦ４透過量の標準偏差と真空度の標準偏差の傾向は一致した。実施例の条件では、すべての膜１１で比較例（大気雰囲気）よりもＣＦ４透過量の標準偏差が小さくなり、欠陥量が低下することを確認した。
【００７３】
図７に、実施例２と比較例２のＣＦ４透過量を示す。セル番号（図２Ｂ参照）におけるＣＦ４透過量を示したものである。実施例２と比較例２のＣＦ４透過量の標準偏差は、それぞれ０．７１、９．１４Ｌ／ｍ２・ｓ・ＭＰａであった。酸素雰囲気中で構造規定剤を燃焼除去した実施例２の方が、標準偏差が小さくなった。すなわち、均一的なゼオライト膜１１が形成されていると言える。以上の結果を表１にまとめて示す。
【００７４】
【表１】
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【００７５】
表１に示すように、構造規定剤除去工程において、Ｏ２雰囲気下で構造規定剤を除去させた実施例は、１セル真空度の標準偏差が、大気下で構造規定剤を除去させた比較例に比べ小さかった。すなわち、実施例では、各セルの真空度のばらつきが小さかった。また、１セルＣＦ４透過量の標準偏差も実施例の方が比較例に比べ小さかった。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、ガス分離膜、浸透気化膜等に使用されるゼオライト膜の製造方法として利用することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１：基材、２：セル、２ｎ：最長径、２ｓ：内壁面、３：側面、４：端面、１１：分離膜（ゼオライト膜）、１２：シール部、２１：栓、２２：流量計、２３：ガスボンベ、２５：真空ポンプ、２６：真空計、３２：ロート、３３：コック、３４：スラリー（種付け用スラリー液）、３５：耐圧容器、３７：ゾル、３８：乾燥器、１００：ゼオライト膜配設体。
【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図５】
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