(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を少なくとも処理できる可撓性携帯用電子デバイス（１４）を大量生産する方法であって、
前記携帯用電子デバイス（１４）は、情報を処理するための電子アセンブリ（８）を含み、
前記方法は、第１の不浸透性可塑性ストリップ（４）にオーバー成形ステーション（１６）を通過させることからなるステップを含み、前記ステーション（１６）で、完成する前記可撓性携帯用電子デバイス（１４）に厚さ及び機械的耐性を付与する可撓性可塑性材料を用いて、前記第１の不浸透性可塑性ストリップ（４）をオーバー成形し、
前記方法は、第２の不浸透性可塑性ストリップ（３４）に、底面（３６）を上に向けた状態で、
−前記第２の不浸透性可塑性ストリップ（３４）の前記底面（３６）が少なくとも装飾用のインクを受ける印刷ステーション（４０）；及び
−前記第２の不浸透性可塑性ストリップ（３４）の前記底面（３６）が、前記情報を処理するための電子アセンブリ（８）を複数の位置に受承する、組み立てステーション（４８）
を連続して通過させることからなるステップを更に含み、
前記方法は、前記第１のオーバー成形した不浸透性可塑性ストリップ（４）を、前記第２の装飾済み不浸透性可塑性ストリップ（３４）に連結及び溶接すること、並びに続いて前記可撓性携帯用電子デバイス（１４）を切り出して取り外すことからなるステップを更に含む、方法。
【請求項２】
前記第１の不浸透性可塑性ストリップ（４）をオーバー成形する前記初期ステップの前に、前記第１の不浸透性可塑性ストリップ（４）に熱成形ステーション（２）を通過させて、それぞれが前記可撓性携帯用電子デバイスの少なくとも１つの内部構成部品を後に受承することになる複数のハウジング（６）を前記第１の不浸透性可塑性ストリップ（４）の複数の位置に配設することを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性携帯用電子デバイスを製造する方法に関する。より詳細には、本発明はこのタイプの可撓性携帯用電子デバイスをストリップとして製造する方法に関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
本発明の目的は、情報を少なくとも生成又は処理できる可撓性携帯用電子デバイスを製造することであり、上記携帯用電子デバイスは、ユーザの身体の一部分に固定できるよう配設される可撓性本体、及び情報を処理するための電子アセンブリを含む。携帯用電子デバイスの本体は、エラストマなどの可塑性材料の層で形成され、これは携帯用電子デバイスに厚さと機械的耐性を付与する。この可塑性材料の層は第１の不浸透性可塑性フィルムでコーティングされ、第２の不浸透性可塑性フィルムは第１の不浸透性可塑性フィルムの外周に固定される。情報を生成するための電子アセンブリは、第１の不浸透性可塑性フィルムと第２の不浸透性可塑性フィルムとの間に配設される。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
このタイプの可撓性携帯用電子デバイスを作製するために、段階的な製造方法は以下の作業を実行することからなる：
−携帯用電子デバイスの本体を形成する可撓性可塑性材料の層を、第１の不浸透性可塑性フィルムの外面上にオーバー成形すること；
−第１の不浸透性の可塑性フィルムの内面側に、情報を処理するための電子アセンブリを設置すること；及び
−第１の不浸透性可塑性フィルム上に第２の不浸透性可塑性フィルムを固定して、第１の不浸透性可塑性フィルムと第２の不浸透性可塑性フィルムとの間に、情報を処理するための電子アセンブリを格納する不浸透性カプセル又はキャビティを画定すること。
【０００４】
必要に応じて、本方法は、第１の不浸透性可塑性フィルムをオーバー成形するステップの前に、第１の不浸透性可塑性フィルムを熱成形して、第１の不浸透性可塑性フィルムに所望の外形を付与することからなる追加のステップを含んでよい。
【０００５】
このタイプの段階的な製造方法は、典型的には設計を確認するためのプロトタイプを製造するための、小規模の製造に適している。しかしながら、このタイプの段階的な製造方法は、大規模の製造を想定することはできないことは明らかであろう。
【０００６】
本発明の目的は、可撓性携帯用電子デバイスを大量生産する方法を提供することによってこれらの要件に応えることであり、上記製造方法は、特に、携帯用電子デバイスの形状、厚さ及び装飾の選択に関して高い自由度を有する。
【０００７】
従って本方法は、情報を少なくとも処理できる可撓性携帯用電子デバイスを大量生産する方法に関し、携帯用電子デバイスは情報を処理するための電子アセンブリを含み、本方法は
第１の不浸透性可塑性ストリップにオーバー成形ステーションを通過させることからなるステップを含み、このステーションで、完成する可撓性携帯用電子デバイスに厚さ及び機械的耐性を付与する可撓性可塑性材料を用いて、第１の不浸透性可塑性ストリップをオーバー成形し、
本方法は、第２の不浸透性可塑性ストリップに、底面を上に向けた状態で、
−第２の不浸透性可塑性ストリップの底面が少なくとも装飾用のインクを受ける印刷ステーション；及び
−第２の不浸透性可塑性ストリップの底面が、情報を処理するための電子アセンブリを複数の位置に受承する、組み立てステーション
を連続して通過させることからなるステップを更に含む。
【０００８】
最後に、本方法は、第１のオーバー成形した不浸透性可塑性ストリップを第２の装飾済み不浸透性可塑性ストリップに連結及び固定すること、続いて可撓性携帯用電子デバイスを切り出して取り外すことからなるステップを含む。
【０００９】
これらの特徴により、本発明は可撓性携帯用電子デバイスをストリップとして製造する方法を提供し、この方法では、同一かつ単一の製造ラインを用いて、様々な形状、厚さ、可撓性本体材料及び装飾を有する携帯用電子デバイスを製造できる。携帯用電子デバイスのモデルを資材係の判断でリアルタイム又はオンラインで適合させることも想定できる。
【００１０】
本発明の補足的な特徴によると、この製造方法は、第１の不浸透性可塑性ストリップをオーバー成形する初期ステップの前に、第１の不浸透性可塑性ストリップに熱成形ステーションを通過するよう移動させて、それぞれが可撓性携帯用電子デバイスの少なくとも１つの内部構成部品を後に受承することになる複数のハウジングを第１の不浸透性可塑性ストリップの複数の位置に配設することからなるステップを含む。
【００１１】
本発明の他の特徴及び利点は、本発明による製造方法の実装に関する以下の詳細な説明からより明らかになるであろう。この例は、添付の図面を参照して単なる非限定的な例として挙げたものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１Ａは、本発明の方法を実装するための製造プラントの左部分の図である。図１Ｂは、本発明の方法を実装するための製造プラントの右部分の図であり、この図は図１Ａを完全なものにする。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、可撓性携帯用電子デバイスを製造する方法を提供することからなる一般的発明概念に由来し、この方法では、組み立て作業の第１の部分は第１の可撓性不浸透性ストリップに対して行われ、組み立て作業の第２の部分は第２の可撓性不浸透性ストリップに対して行われ、第１及び第２の不浸透性ストリップは最後のステップで組み立てられ、その後別個の携帯用電子デバイスを切り出して取り外す。
【００１４】
図１Ａは、本発明の方法を実装するための製造プラントの左部分の図であり、図１Ｂは、本発明の方法を実装するための製造プラントの右部分の図であり、図１Ａと１Ｂとの組合せは、製造プラント全体を図示する。図１Ａに示す製造プラントの左部分は、図１Ｂの矢印Ａで表す領域において、図１Ｂに示す製造プラントの右部分に接続されることに留意されたい。
【００１５】
全体を通して一般参照符号１で示す、本発明の製造方法を実装するための製造プラントの左部分は、熱成形ステーション２を含み、第１の不浸透性可塑性ストリップ４に熱成形ステーション２を図中で左から右へと通過させて、それぞれが情報を生成又は処理するための電子アセンブリ８等の可撓性携帯用電子デバイス８の少なくとも１つの内部構成部品を後に受承することになる複数のハウジング６を第１の不浸透性可塑性ストリップ４の所定の位置に配設する。この技術は、不浸透性可塑性ストリップ４に付与する必要がある外形に適合する相補的な形状を有する、２つのパターンキャビティ１２、１４を備える第１の鋳型１０内で、第１の不浸透性可塑性ストリップ４をホットプレス成形することからなる。この作業は任意のものであり、その出来ばえは複製されることになる物品の形状の鮮明さのみに左右されることに留意されたい。必要な場合、この作業を上述の成形作業と同時に実施してよい。
【００１６】
熱成形及びその直後に続く冷却の後、第１の不浸透性可塑性ストリップ４を、例えばエラストマである可撓性可塑性材料でオーバー成形し、完成する携帯用電子デバイス８に、上記電子デバイス８を快適に装着できるような厚さ及び体積を付与する。この技術は一般に、フィルム挿入成形として知られる。この目的のために、第１の不浸透性可塑性ストリップ４にオーバー成形ステーション１６を通過させる。このオーバー成形ステーション１６は、第１の鋳型１０のパターンキャビティ１２と同一である上部２０と、底部２２とを有する第２の鋳型１８を含む。第１の不浸透性可塑性ストリップ４がそれに対して押圧される第２の鋳型１８の上部２０は、第１の不浸透性可塑性ストリップ４の外形に適合する外形を有し、底部２２は、携帯用電子デバイス１４の本体２６を作製するために使用される可塑性材料を射出成形する排他領域２４を有する。
【００１７】
上述の製造ステップの終わりに、第１の不浸透性可塑性ストリップ４に複数の可塑性本体２６が形成され、これら複数の可塑性本体２６は、不浸透性可塑性ストリップ４と単一の部品を形成し、かつ実質的にバンド又はブレスレットの形状を有する。本製造方法は、磁石等のブレスレット締結要素２８を挿入するステップを含んでよい。
【００１８】
全体を通して一般参照符号３０で示す、本発明の製造方法を実装するためのプラントの右部分は、熱交換ステーション３２を含み、第２の不浸透性可塑性ストリップ３４がこの熱交換ステーション３２を図中で右から左へと通過し、この第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は、その底面３６上の所定の位置において、レーザ放射を吸収できる材料の層３８を受承する。
【００１９】
続いて、第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は印刷ステーション４０を通過し、ここで第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は少なくとも１つの装飾用のインクを底面３６に受ける。
【００２０】
次に、第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は積層ステーション４２も通過し、ここで接着フィルム４４及び液晶表示セル等の可撓性表示デバイス４６を第２の不浸透性可塑性ストリップ３４の底面３６上に連続して積層する。接着フィルム４４は、第２の不浸透性可塑性ストリップ３４の底面３６に可撓性表示デバイス４６を固定できる。
【００２１】
そして最後に、第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は組み立てステーション４８を通過し、ここで第２の不浸透性可塑性ストリップ３４は、その底面３６全体にわたって、情報を処理するための電子アセンブリ８を所定の位置に受承する。図示した実施例では、携帯用電子デバイス１４を配設して、特に時間に関係する情報を処理する。この目的のために、各電子アセンブリ８は、可撓性表示デバイス４６に加えて、可撓性表示デバイス４６の下側に、上記デバイスのバックライトとして機能させるために配設される光導体５０を含む。このアセンブリは、特にタイムベース等、携帯用電子デバイス１４の適切な動作に必要な様々な集積及び個別構成部品（図示せず）が設置された可撓性プリント回路５２によって完成される。電子アセンブリ８は可撓性バッテリ５４を用いて給電される。
【００２２】
最後に本方法は、第１のオーバー成形した不浸透性可塑性ストリップ４を、第２の装飾済み不浸透性可塑性ストリップ３４に連結及び固定すること、並びに続いて可撓性携帯用電子デバイス１４を切り出して取り外すことからなるステップを含む。
【００２３】
第２の不浸透性可塑性ストリップ３４を第１の不浸透性可塑性ストリップ４に固定すると、本発明による可撓性携帯用電子デバイス１４の製造は完了する。この目的のために、第１の不浸透性可塑性ストリップ４及び第２の不浸透性可塑性ストリップ３４はレーザ溶接ステーション５６で合流し、ここで第２の不浸透性可塑性ストリップ３４が第１の不浸透性可塑性ストリップ４の周囲に固定される。こうして連結された２つの不浸透性可塑性ストリップ４、３４は、最後にレーザ切断ステーション５８を通過し、ここで個々の可撓性携帯用電子デバイス１４を分離する。
【００２４】
本発明は上述の本発明の製造方法の実装に制限されるものではないこと、並びに添付の請求項で定義する本発明の範囲から逸脱しない限りにおいて、当業者は様々な単純な改変及び変形を想定できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００２５】
１          製造プラントの左部分
２          熱成形ステーション
４          第１の不浸透性可塑性ストリップ
６          ハウジング
８          可撓性携帯用電子デバイス
１０        第１の鋳型
１２、１４  パターンキャビティ
１６        オーバー成形ステーション
１８        第２の鋳型
２０        １６の上部
２２        １６の底部
２４        排他領域
２６        携帯用電子デバイスの本体
２８        ブレスレット締結要素
３０        製造プラントの右部分
３２        熱交換ステーション
３４        第２の不浸透性可塑性ストリップ
３６        ３４の底面
３８        レーザ放射を吸収できる材料の層
４０        印刷ステーション
４２        積層ステーション
４４        接着フィルム
４６        可撓性表示デバイス
４８        組み立てステーション
５０        光導体
５２        可撓性プリント回路
５４        可撓性バッテリ
５６        レーザ溶接ステーション
５８        レーザ切断ステーション
【図１】
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