【事件の表示】
　特願２０１７−　３０２６４「ウェハ分割システム及びウェハ分割方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　５月２５日出願公開，特開２０１７−　９２５０３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日に出願した特願２０１０−２５６２１７号の一部を平成２８年４月２６日に新たな特許出願とした特願２０１６−８７８６６号の一部を平成２８年１１月１４日に新たな特許出願とした特願２０１６−２２１８４１号の一部を平成２９年２月２１日に新たな特許出願としたものであって，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成２９年　３月　９日：拒絶理由通知（起案日）
　平成２９年　５月１１日：意見書 
　平成２９年　５月１１日：手続補正書 
　平成２９年　６月２３日：拒絶査定 
　平成２９年　９月２１日：審判請求 
第２　本件発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　レーザ光で改質された部分をもつウェハを分割するウェハ分割システムにおいて，
　前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態で前記ウェハの裏面を研削することにより，前記レーザ光で改質された部分を取り除く研削手段と，
　前記研削後，前記ウェハを分割する分割手段と，
　を備えるウェハ分割システム。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１，２，４ないし６，８に係る発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない，また，この出願の請求項１，２，４ないし６，８に係る発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　引用文献１．特開２００９−２９０１４８号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　引用文献１には，以下の事項が記載されている。（下線は当審で付与した。） 
「【請求項１】
　
基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって
　
該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程
　
該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程
　
ウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程
　
該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程
　
環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む
　ことを特徴とする
ウエーハの分割方法
「【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイス製造工程においては，略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイスを形成する。そして，ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
　上述したウエーハのストリートに沿って分割する方法として，ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い，分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は，ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し，ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し，
この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより，ウエーハを破断して分割する
　＜途中省略＞
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　而して，ストリートの表面に金属膜，フッ化シリケートグラス膜，シリコン酸化膜系パシベーション膜(SiO2,SiON)，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜，フッ素系高分子化合物膜，フッ素化アモルファスカーボン系化合物膜が被覆されているウエーハにおいては，内部に集光点を合わせてウエーハ基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し，ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成することにより，ウエーハ基板を分割することはできるが，ストリートの表面に被覆された膜は分割できないという問題がある。
【０００５】
　本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり，その主たる技術的課題は，ストリートの表面に膜が被覆されたウエーハを，膜を残すことなく分割することができるウエーハの分割方法を提供することである。」
「【発明の効果】
【０００７】
　
本発明におけるウエーハの分割方法によれば
後に
ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断する
「【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
　以下，本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。図１および図２に示す
ウエーハ２は，例えば厚さが６００μmのシリコン基板
このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている
【００１０】
　上述したウエーハ２を個々のデバイス２３に分割するウエーハの分割方法の第１の実施形態について説明する。
　第１の実施形態においては，先ず
ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程は，図３に示すレーザー加工装置３を用いて実施する
　＜途中省略＞
【００１５】
　以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば，図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し，所定のストリート２２の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして，集光器３２２からシリコン基板２１に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして，図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の照射位置がストリート２２の他端（図４の（b）において右端）の位置に達したら，パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この
変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付ける
この結果，ウエーハ２の基板２１には，図４の（b）および図５に示すようにストリート２２に沿って厚さ方向中間部に変質層２１０が形成される
このようにウエーハ２の基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されると，基板２１には図５に示すように変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてストリート２２に沿ってクラック２１１が発生する
【００１６】
　
上記変質層形成工程における加工条件は，例えば次のように設定されている
　
光源　　　　　　　　：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
　
波長　　　　　　　　：１０６４ｎｍのパルスレーザー
　
平均出力　　　　　　：１Ｗ
　
パルス幅　　　　　　：４０ns
　
繰り返し周波数　　　：１００ｋＨｚ
　
集光スポット径　　　：φ１μｍ
　
加工送り速度　　　　：１００ｍｍ／秒
【００１７】
　
以上のようにして，ウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２２に沿って上述した変質層形成工程を実行したならば，チャックテーブル３１を９０度回動せしめて，上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２２に沿って上述した変質層形成工程を実行する
【００１８】
　以上のようにして変質層形成工程を実施したならば，上記
ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
この膜分断工程は，図６に示すように上記図３に示すレーザー加工装置３と同様のレーザー加工装置３を用いて実施する
レーザー光線照射手段３２は，高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長（例えば，３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段を備えている
　＜途中省略＞
【００２２】
　
上述した膜分断工程を実施することにより，図８に示すように高分子化合物膜２４にはストリート２２に沿って基板２１に達するレーザー加工溝２４０が形成される
この膜分断工程においては，高分子化合物膜２４はレーザー加工するが直ちに昇華され，シリコンからなる基板２１は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される
　＜途中省略＞
【００２５】
　
次に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面を研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
この裏面研削工程を実施するに際し，図示の実施形態においてはウエーハ２の表面に形成されたデバイス２３を保護するために，図９の(a)および(b)に示すようにウエーハ２の表面２１ａに塩化ビニール等からなる保護テープ４を貼着する（保護テープ貼着工程）
【００２６】
　
裏面研削工程は，図１０の(a)に示す研削装置５を用いて実施する
研削装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している
チャックテーブル５１上にウエーハ２の保護テープ４側を載置し，図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する
チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ，研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削することにより，図１０の（ｂ）に示すように所定の厚さ（例えば１００μm）に形成する
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから例えば１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される
従って，ウエーハ２の基板２１には，図１０の（ｂ）に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００２７】
　
上述した裏面研削工程を実施したならば，ウエーハ２の裏面２１bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する
そして，ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ４を剥離する（保護テープ剥離工程）
【００２８】
　
次に
上記膜分断工程および変質層形成工程が実施されているウエーハ２，即ち高分子化合物膜２４がストリート２２に沿って分断されるとともに２１基板の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されたウエーハ２に外力を付与し
ウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
このウエーハ破断工程は，図示の実施形態においては図１２に示すテープ拡張装置６を用いて実施する
【００２９】
　テープ拡張手段６２は，上記環状のフレーム保持部材６１１の内側に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は，環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着されるウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また，拡張ドラム６２１は，下端に支持フランジ６２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は，上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向に進退可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は，上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており，そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は，環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と，拡張ドラム６２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って，複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は，拡張ドラム６２１とフレーム保持部材６１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００３０】
　以上のように構成された
テープ拡張装置６を用いて実施するウエーハ破断工程について図１３を参照して説明する
ウエーハ２（ストリート２２に沿って基板２１にクラック２１１が形成されているとともに高分子化合物膜２４にレーザー加工溝２４０が形成されている）の裏面２１ｂが貼着されているダイシングテープTが装着された環状のフレームFを，図１３の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し，クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する
テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して，環状のフレーム保持部材６１１を図１３の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って，フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレームFも下降するため，図１３の（ｂ）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６２１の上端縁に接して拡張せしめられる
この結果
ダイシングテープTに貼着されているウエーハ２には放射状に引張力が作用するため，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３１】
　上述した実施形態においては，上記
裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており
ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される
従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する
　図５は，引用文献１に記載された発明における，変質層形成工程が実施されたウエーハの要部を拡大して示す断面図であって，以下のとおりである。
　図１０は，引用文献１に記載された発明における，分割方法における裏面研削工程を示す説明図であって，以下のとおりである。
２　引用発明
　上記１から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「変質層形成工程と，膜分断工程と，裏面研削工程と，ウエーハ破断工程とをこの順で実施して，ストリートおよびデバイスを含む表面にポリイミド(PI)系高分子化合物膜が被覆されている厚さが６００μｍのシリコン基板を含むウエーハを分割するための，
　ウエーハの基板に対して透過性を有する波長（１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段を備えている変質層形成用レーザー加工装置と，
　高分子化合物膜に対して吸収性を有する波長（３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段を備えている高分子化合物膜分断用レーザー加工装置と，
　研削装置と，
　テープ拡張装置とを含むシステムにおいて，
（ａ）前記変質層形成用レーザー加工装置は，ウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する前記変質層形成工程を実施するものであって，ウエーハの基板の内部にストリートに沿って変質層が形成されると，基板には変質層から表面および裏面に向けてストリートに沿ってクラックが発生するように，加工条件が，次のように設定されている装置であり，
　光源　　　　　　　　：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
　波長　　　　　　　　：１０６４ｎｍのパルスレーザー
　平均出力　　　　　　：１Ｗ
　パルス幅　　　　　　：４０ns
　繰り返し周波数　　　：１００ｋＨｚ
　集光スポット径　　　：φ１μｍ
　加工送り速度　　　　：１００ｍｍ／秒
（ｂ）前記高分子化合物膜分断用レーザー加工装置は，ウエーハを構成する基板の表面に被覆された高分子化合物膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリートに沿って高分子化合物膜に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜をストリートに沿って分断する前記膜分断工程を実施するものであって，この膜分断工程においては，高分子化合物膜はレーザー加工されるが直ちに昇華され，シリコンからなる基板は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される装置であり，
（ｃ）前記研削装置は，チャックテーブル上に，ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するため，ウエーハの表面に塩化ビニール等からなる保護テープを貼着したウエーハの保護テープ側を載置し，吸引手段を作動することによりウエーハをチャックテーブル上に保持し，チャックテーブルを回転しつつ，また，研削手段の研削砥石を回転しつつ半導体ウエーハの裏面に接触せしめて研削することにより，所定の厚さ（１００μｍ）に形成する前記裏面研削工程を実施するものであって，上記変質層形成工程において形成される変質層をウエーハの表面から１００μｍの位置より裏面に形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層が形成された位置まで研削され，変質層は除去されて，ウエーハの基板にはストリートに沿って形成されたクラックが残される装置であり，
（ｄ）前記テープ拡張装置は，上記膜分断工程および変質層形成工程が実施されているウエーハ，即ち高分子化合物膜がストリートに沿って分断されるとともに基板の内部にストリートに沿って変質層が形成されたウエーハに外力を付与し，ウエーハをストリートに沿って破断する前記ウエーハ破断工程を実施するものであって，ウエーハ（ストリートに沿って基板にクラックが形成されているとともに高分子化合物膜にレーザー加工溝が形成されている）の裏面が貼着されているダイシングテープが装着された環状のフレームをフレーム保持手段を構成するフレーム保持部材の載置面上に載置し，クランプによってフレーム保持部材に固定し，テープ拡張手段を構成する支持手段としての複数のエアシリンダを作動させて，環状のフレーム保持部材を拡張位置に下降せしめ，フレーム保持部材の載置面上に固定されている環状のフレームを下降させて環状のフレームに装着されたダイシングテープを拡張ドラムの上端縁に接して拡張せしめ，ダイシングテープに貼着されているウエーハに放射状に引張力を作用させて，ウエーハの基板をクラックが形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って破断して個々のデバイスに分割する装置である，
　裏面研削工程でウエーハの基板の裏面を研削して変質層が除去されており，ウエーハは基板に形成されたクラックに沿って破断されることから，個々の分割されたデバイスの破断面には変質層が残存しないため，デバイスの抗折強度が向上するシステム。」
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「シリコン基板を含むウエーハ」，「『ウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し』て形成した『変質層』」及び「『変質層から表面および裏面に向けてストリートに沿って』発生する『クラック』」は，それぞれ，本願発明の「ウェハ」，「レーザ光で改質された部分」及び「レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂」に相当する。
２　引用発明の「研削装置」及び「テープ拡張装置」は，本願発明の「研削手段」及び「ウェハを分割する分割手段」に相当する。
３　引用発明の「『ウエーハを分割するための』『システム』」は，以下の相違点１を除いて本願発明の「ウェハ分割システム」に相当する。
４　したがって，本願発明と引用発明は，以下の構成において一致する。 
「レーザ光で改質された部分をもつウェハを分割するウェハ分割システムにおいて，
　前記ウェハの裏面を研削することにより，前記レーザ光で改質された部分を取り除く研削手段と，
　前記研削後，前記ウェハを分割する分割手段と，
　を備えるウェハ分割システム。」
　
５　本願発明と引用発明は，以下の点で相違する。
・相違点１ 
　本願発明では，「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態」でウェハの裏面を研削するのに対して，引用発明では，この点が明記されていな点。 
第６　判断 
１　相違点１について 
（１）本願発明の「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態」という発明特定事項は，平成２９年５月１１日に提出された手続補正書により補正前の請求項１に追加されたものであり，同日付けの意見書は，その補正の根拠として，「請求項１，５における補正は，本願明細書の段落［００２６］〜［００２７］，［０１３０］〜［０１４４］，［０１５２］〜［０１５４］，図１２〜１６の記載に基づくものであり，新規事項の追加に該当するものではありません。」と説明する。
　そして，本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【００２６】
　こうして，研削工程によってウェハを削りながら除去するとともに，微小空孔をウェハの厚み方向に進展させ改質領域を除去する。次に，研削により形成された加工変質層と，進展した微小空孔とを，際立たせるために，ウェハ全面に対して化学機械研磨を施して（後に詳細記載），加工変質層を完全に除去する。その結果，微小空孔のみが表面に残り，その残りの領域は加工歪も残らない完全な鏡面となる。
【００２７】
　
その後，まだ割れていないウェハに対して，ウェハを割断する機構に載せて，ウェハに曲げ応力を加えてウェハを割断して，その後，エキスパンドフィルムを引っ張ってチップ同士を離間する
「【０１３０】
　（２）研削除去工程（ステップＳ１２）
　レーザー改質工程（ステップＳ１０）により切断ラインＬに沿って改質領域が形成されたら，搬送装置（図示せず）によりウェハＷをレーザーダイシング装置１から研削装置２へ搬送する。以下の処理は研削装置２で行われ，制御部１００により制御される。
【０１３１】
　搬送されたウェハＷの裏面を上側，すなわちウェハＷの表面に貼付されたＢＧテープＢを下側にしてチャック１３２（例示，チャック１３６，１４８，１４０でも可）に載置させ，ウェハＷの略全面をチャック１３２に真空吸着させる。
【０１３２】
　インデックステーブル１３４を回転軸１３５を中心に回転させてチャック１３２を粗研削ステージ１１８に搬入し，ウェハＷを粗研削する。
【０１３３】
　粗研削は，チャック１３２を回転させるとともにカップ型砥石１４６を回転させることにより行う。本実施の形態では，カップ型砥石１４６として例えば，東京精密製ビトリファイド♯３２５を用い，カップ型砥石１４６の回転数は略３０００ｒｐｍである。
【０１３４】
　粗研削後，インデックステーブル１３４を回転軸１３５を中心に回転させてチャック１３２を精研削ステージ１２０に搬入し，チャック１３２を回転させるとともにカップ型砥石１５４を回転させてウェハＷを精研削する。本実施の形態では，カップ型砥石１５４として例えば，東京精密製レジン♯２０００を用い，カップ型砥石１５４の回転数は略２４００ｒｐｍである。
【０１３５】
　本実施の形態では，図１２に示すように，粗研削と精研削とをあわせて目標面まで，すなわちウェハＷの表面から略５０μｍの深さまで研削を行う。本実施の形態では，粗研削で略７００μｍの研削を行い，精研削で略３０〜４０μｍの研削を行うが，厳密に決まっているわけではなく，粗研削と精研削との時間が略同一となるように研削量を決定してもよい。
【０１３６】
　したがって，図１２に示すように，改質層は研削工程で除去され，最終的な製品であるチップＴ断面にはレーザー光による改質領域Ｐは残らない。そのため，チップ断面から改質層が破砕し，破砕した部分からチップＴが割れたり，また破砕した部分から発塵したりということをなくすことができる。
【０１３７】
　また，本実施の形態においては，この研削除去工程において，改質層内のクラックをウェハＷの厚み方向に進展させる亀裂進展工程が含まれる。図１３は，クラックが進展する仕組みを説明する図であり，（ａ）は研削時の概略図，（ｂ）はウェハＷ裏面の様子，（ｃ）はウェハＷ表面の様子，（ｄ）は研削時のウェハＷの断面図である。
【０１３８】
　研削によって，図１３（ａ）に示す研削面，すなわちウェハＷ裏面は，図１３（ｂ）に示すように研削熱によって膨張する。それに対し，研削面の反対側の面，すなわちウェハＷ表面は，図１３（ｃ）に示すように真空チャックにより略全面が減圧吸着されており，熱膨張による位置ずれが生じないように横方向への変位に対して物理的に拘束されている。
【０１３９】
　すなわち，図１３（ｄ）に示すように，ウェハＷの裏面（研削面）は熱膨張によって円盤状の場合外周方向に広がろうとする（熱膨張による変位）のに対し，ウェハＷの表面（吸着面）はその広がろうとするウェハ面内の各点各点を物理的に位置ずれしないように拘束されている。そのため，ウェハ内部に歪が生じ，この内部歪によりクラックがウェハＷの厚み方向に進展する。この内部歪は，熱膨張により膨張する部分と，物理拘束されるウェハ面内各点との間に均等に働く。内部歪による亀裂進展は，最も研削量が大きく，摩擦力も大きくなる，すなわち摩擦熱も大きくできる研削初期，すなわち粗研削時が最も効率良い。
【０１４０】
　レーザ改質領域は，チップの厚みに近い比較的深い位置に形成される。したがって，研削初期では研削表面からレーザ改質層までの距離は比較的遠くなるが，改質層から目標面は，亀裂進展させる程度に比較的近い位置にある。そのため，亀裂進展のためには，粗研削の初期に研削熱によってウェハＷの熱膨張を促すとよい。
【０１４１】
　ウェハＷを熱膨張させる条件，すなわち摩擦熱をよい多く発生させるための条件(例えば，研削液を少なくする等)で研削を行ったとしても，研削のせん断応力がすぐに改質層におよぼされるものでもない。本実施の形態では，研削によるせん断応力によって亀裂が進展するのではなく，研削熱による熱膨張が亀裂進展の支配的要素である。
【０１４２】
　内部歪によりクラックを進展させる場合には，ウェハＷ面内の剛性ばらつきなどに起因することなく，どのようなウェハＷであってもウェハＷ面内各点一様にクラックを進展させることができる。したがって，人為的な応力を付与する場合のように，ウェハＷ面内の欠陥の存在などに起因する剛性の弱い部分に応力が集中する事を防ぐことができる。
【０１４３】
　また，人為的に外力を与えた場合においては，材料の弱い部分に応力が集中するため，クラックを一様に緩やかに進展させるという制御は困難であり，完全にウェハが割断される。それに対し，本実施の形態における内部歪によるクラックの進展の場合，熱膨張の度合いよる内部歪であることから，クラックを微妙に進展させることが可能となる。すなわち，目標面とウェハＷの表面との間にまでクラックを進展させることができる。したがって，後に説明する分割・離間工程（ステップＳ１８）で効率よく分割することが可能となる。
【０１４４】
　なお，ウェハＷの熱膨張による内部歪は，温度差に起因するいわゆる熱応力とは区別される。熱応力は温度勾配に比例して発生するが，本実施の形態では発生した熱はチャック１３２，１３６，１３８，１４０へ逃げていくため，熱応力は発生しない。」
「【０１５２】
　（５）分割・離間工程（ステップＳ１８）
　エキスパンドテープ貼付工程（ステップＳ１６）でエキスパンドテープＦが裏面に貼付されたウェハＷを，図１５に示すように分割装置にウェハＷの表面を上に載置する。研削除去工程（ステップＳ１２）においてクラックが目標面より表面側へ進展しているため，図１５に示すように，ウェハＷのエキスパンドテープＦが貼付されている側には進展したクラックが形成されている。
【０１５３】
　その後，図１６に示すように，エキスパンドテープＦを外側へ拡張する（エキスパンド）と，進展したクラックをもとにウェハＷが破断される。すなわち，ウェハＷが切断ラインで破断され，複数のチップＴに分割される。その後，エキスパンドテープＦをさらに拡
張すると個々のチップＴが離間する。
【０１５４】
　本実施の形態では，研削除去工程（ステップＳ１２）において，クラックを目標面より下側に進展させることによって，この分割・離間工程においてエキスパンドテープＦを引っ張るだけで，効率よくウェハＷをチップＴに分割することが可能となる。
また，クラックを進展させるときに完全にウェハを割断しないため，作業効率がよい
（２）さらに，出願人は，審判請求書の請求の理由において，以下のように主張する。
「カ　これに対し，本願発明１は，レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂をウェハの表面側に露出させた状態（すなわち，微小亀裂によりウェハを完全に割断させた状態）でウェハの裏面を研削すると，ウェハの外周部のチップが飛散しやすく，飛散したチップによって研削面を傷つけやすく，安定した品質のチップを効率良く得ることが困難となるという，引用文献１には記載も示唆もされていない課題に着目し，その課題を解決するための手段として，相違点に係る本願発明１の構成である「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態で前記ウェハの裏面を研削する」構成を採用したことをその発明の特徴としたものである。そして，
本願発明１
ウェハの裏面の研削はウェハが完全に割断していない状態
すなわち
微小亀裂がウェハの表面に露出しない状態
（３）そうすると，上記（１）及び（２）に照らして，本願発明において，「微小亀裂をウェハの表面側に露出させない状態」とは，「ウェハが完全に割断していない状態」という技術的意味を有する特定であると理解される。
（４）一方，引用発明の「テープ拡張装置」は，「上記膜分断工程および変質層形成工程が実施されているウエーハ，即ち高分子化合物膜がストリートに沿って分断されるとともに基板の内部にストリートに沿って変質層が形成されたウエーハに外力を付与し，ウエーハをストリートに沿って破断するウエーハ破断工程を実施するもの」であって，「ダイシングテープに貼着されているウエーハに放射状に引張力を作用させて，ウエーハの基板をクラックが形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って破断して個々のデバイスに分割する装置」である。
　
（５）そして，引用発明における，前記「ウエーハに外力を付与し」，「ウエーハに放射状に引張力を作用させて」という特定は，ウエーハが，「テープ拡張装置」に供された時点において，「ウエーハ」に対して，「力」を付与（作用）させ得る状態，すなわち，「完全に割断していない状態」であることを特定しているものと認められる。
（６）すなわち，引用発明では，「クラックが形成」されているものの，該「クラック」だけでは「個々のデバイスに分割」されておらず，テープ拡張装置により，「ウエーハに放射状に引張力を作用させ」ることで，「クラックが形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って破断」されて「個々のデバイスに分割」されることが実現されるのである。
　そうすると，引用発明では，テープ拡張装置でのウエーハ破断工程前において，クラックによりウエーハが完全に破断していない状態にあるから，ウエーハ破断工程より前に実施される裏面研削工程においても，クラックによりウエーハが完全に破断していない状態であったものと認められる。
（７）これに対して，仮に，「テープ拡張装置」を用いた「ウエーハ破断工程」に先立つ，「裏面研削工程」において，既に，ウエーハが，「微小亀裂によりウェハを完全に割断させた状態」であったとすれば，「テープ拡張装置」に供されるのは，前記微小亀裂により個々に分割されたデバイスが貼着されたダイシングテープとなり，このような場合においては，当該「テープ拡張装置」によって行われるのは，「ダイシングテープに外力を付与し」，「ダイシングテープに放射状に引張力を作用させて」，前記個々に分割されたデバイスの相互の間隔を拡げるという工程となり，上記した引用発明の認定と整合しない。
　
（８）以上から，引用発明は，「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態」でウェハの裏面を研削するものと認められるから，相違点１は，実質的なものではない。
２　請求人の主張について 
（１）審判請求人は，審判請求書の請求の理由において，「引用文献１には，『基板の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されたウエーハ２に外力を付与し，ウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施』することが記載されているものの，その記載から直ちに，クラック２１１をウエーハ２の表面側に露出させない状態で裏面研削を行うことを直接的かつ具体的に当業者が十分に理解可能とは認められないものであり，むしろ，引用文献１の図５，図１０（ｂ）の記載を参照すれば，クラック２１１をウエーハ２の表面側に露出させた状態で裏面研削が行われていると解するのが自然である。」と主張する。
　しかしながら，上記１（４）ないし（６）で検討したように，引用発明は，「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態」でウェハの裏面を研削するものと，直接的かつ具体的に当業者が十分に理解可能であると認められるから，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
　なお，引用文献１の図５は，引用文献１に記載された発明における，変質層形成工程が実施されたウエーハの要部を拡大して示す断面図であり，また，図１０は，引用文献１に記載された発明における，分割方法における裏面研削工程を示す説明図であって，それぞれ，引用文献１に記載された発明を説明するものである。
　そして，いずれの図も，当該説明において必要な事項を，説明に必要な範囲内で特定し，あるいは強調して図示し，説明に必要とされない事項については簡略化し，あるいは省略したものであり，引用文献１に記載された発明に係る事項の全てを正確に記載したものであるとは認めることはできない。
　他方，上記１（４）ないし（６）で検討したように，引用発明は，「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態」でウェハの裏面を研削するものと認められる。
　してみれば，引用文献１の図５，図１０（ｂ）に，クラックがウエーハの表面側に到達するように図示されていたとしても，当該図示は，クラックとウエーハの表面側との間に存在する空白（未クラック領域）を，説明に必要とされない事項として簡略化，あるいは省略した結果であると理解することが自然といえる。
　しかも，仮に，引用文献１の図５，図１０（ｂ）の，クラックがウエーハの表面側に到達するような図示が，引用文献１に記載された発明を正確に記載したものであるとしても，前記図５，図１０（ｂ）は，ウエーハの一断面に過ぎず，ウエーハの全ての領域において，前記図５，図１０（ｂ）と同様にクラックがウエーハの表面側に到達することを示すものではないから，これらの図から，「クラック２１１をウエーハ２の表面側に露出させた状態」，すなわち，微小亀裂によりウェハを完全に割断させた状態で裏面研削が行われていると認めることはできない。
　したがって，いずれにしろ，審判請求人の主張は採用することができない。
（２）さらに，審判請求人は，審判請求書の請求の理由において以下のように主張する。
「オ　また，引用発明（引用文献１に記載された発明）は，ストリートの表面に膜が被覆されたウェハを，膜を残すことなく分割することを課題とし，その課題を解決するための手段として，ウェハの表面を分断するレーザ加工溝を形成することを特徴とした技術である。すなわち，引用発明は，ウェハの内部にレーザ光で改質された部分を形成した後，ウェハの表面を分断するレーザ加工溝を形成することを発明の本質的部分としたものである。 
　そうすると，引用発明にとって，ウェハの表面を分断するレーザ加工溝を形成することは，課題解決のために不可欠な技術的事項であり，当該技術的事項を変更すること，つまり，ウェハの表面を分断するレーザ加工溝を形成することなく，レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂をウェハの表面側に露出させない状態で研削する構成に変更することについては，引用発明が本来奏する作用効果が失われるものであり，引用発明において，相違点に係る本願発明１の構成に変更する必要性があるものとは認められないものである。 
　そして，引用発明において，上記本質的部分を除外した構成（すなわち，相違点に係る本願発明１の構成）に変更することは，ストリートの表面に被覆された膜を分断する引用発明の目的に反する方向の変更となることから，本願発明１に対して『阻害要因』となり得るものが引用発明の中に存在していると認められるべきものである。 
カ　これに対し，本願発明１は，レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂をウェハの表面側に露出させた状態（すなわち，微小亀裂によりウェハを完全に割断させた状態）でウェハの裏面を研削すると，ウェハの外周部のチップが飛散しやすく，飛散したチップによって研削面を傷つけやすく，安定した品質のチップを効率良く得ることが困難となるという，引用文献１には記載も示唆もされていない課題に着目し，その課題を解決するための手段として，相違点に係る本願発明１の構成である『前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態で前記ウェハの裏面を研削する』構成を採用したことをその発明の特徴としたものである。そして，本願発明１によれば，当該構成を採用したことにより，ウェハの裏面の研削はウェハが完全に割断していない状態（すなわち，微小亀裂がウェハの表面に露出しない状態）で行われるため，ウェハの裏面を研削する際にウェハの外周部のチップが飛散することがなく，飛散したチップによって研削面を傷つけることがないので，安定した品質のチップを効率良く得ることができるという，当業者といえども予測することができない格別な効果を奏するものである。」
　しかしながら，本願発明は，「レーザ光で改質された部分をもつウェハを分割するウェハ分割システムにおいて，前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態で前記ウェハの裏面を研削することにより，前記レーザ光で改質された部分を取り除く研削手段と，前記研削後，前記ウェハを分割する分割手段と，を備えるウェハ分割システム。」というものである。
　すなわち，本願発明は，レーザ光で改質された部分をもつウェハを分割するウェハ分割システムにおいて，「前記レーザ光で改質された部分から延びる微小亀裂を前記ウェハの表面側に露出させない状態で前記ウェハの裏面を研削することにより，前記レーザ光で改質された部分を取り除く研削手段」と，「前記研削後，前記ウェハを分割する分割手段」とを備えることを発明特定事項として有する発明であり，これら各手段に加えて他の手段を付加することを妨げるものではない。
　そして，引用発明は，上記１で検討したように，前記「研削手段」及び「分割手段」に加えて，「ウエーハを構成する基板の表面に被覆された高分子化合物膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリートに沿って高分子化合物膜に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施するものであって，この膜分断工程においては，高分子化合物膜はレーザー加工されるが直ちに昇華され，シリコンからなる基板は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される装置」を付加した発明であるが，前記「装置」を付加したことと，本願発明は両立しないものではないから，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。