【事件の表示】
　特願２０１３−　１９８８４「固体撮像装置およびカメラ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月２５日出願公開、特開２０１４−１５４５６３、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年２月４日を出願日とする出願であって、平成２８年１月１３日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年９月２１日付で拒絶理由通知が通知され、同年１１月１６日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされたが、同年１２月２日付で拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされたものである。
　これに対して、平成２９年３月６日付で審判請求がなされ、当審において同年８月３日付で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１０月４日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正（以下、「本手続補正」という。）がなされたものである。
第２　原査定の概要
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２８年９月２１日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書並びに手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（進歩性）について
・請求項　　　１−１０
・引用文献等　１−６
　出願人は、平成２８年１１月１６日付けの手続補正書において、請求項１について「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」点を補正し、
　平成２８年１１月１６日付けの意見書において、「つまり、引用文献２に記載された発明において、遮光膜３９の開口の形状は、フォトダイオードＰＤの受光面の形状に従っており、受光面の形状が四角形であれば開口の形状も四角形になり、受光面の形状が多角形であれば開口の形状も多角形になり、受光面の形状が円形であれば開口の形状も円形になります。　一方、主引例である引用文献１では、隆起部１１２は、平面格子形状を有し（段落００８５）、隆起部１１２の開口は、図９に示されるように四角形の形状を有します。また、光電変換部１０２も、図９に示されるように四角形の形状を有します。つまり、引用文献１に記載された発明において、隆起部１１２の開口の形状は、光電変換部１０２の形状である四角形と同様に、四角形です。　したがって、引用文献１における、四角形の光電変換部１０２と、四角形の開口を有する隆起部１１２とを備える構成に対して引用文献２に記載された発明を適用して、隆起部１１２の開口を円形に変更するような改良は、当業者が引用文献１、２の記載から容易に想到し得るようなものではありません。」（主張１）、
　『一方、引用文献３に記載された発明は、隆起部１１２の側面を覆っている部分における平坦な第１屈折率層４２と平坦な第２屈折率層４３との屈折率差によって光の波面５１を湾曲させレンズ作用を起こさせるものです（図５、段落００４７）。よって、引用文献２に記載された発明において、絶縁膜３４（半導体基板２２）の表面に平行な部分における第１屈折率層４２の膜厚ｔ１は、レンズ作用とは全く関係がありませんし、そもそも、第１屈折率層４２と第２屈折率層４３との界面は、凸レンズ面や凹レンズ面のようなレンズ面を構成するものではありません。　よって、仮に、引用文献３に、絶縁膜３４（半導体基板２２）の表面に平行な部分における第１屈折率層４２の膜厚ｔ１を遮光膜３９の膜厚ｔ２より小さくしようとする思想が開示されていると解釈することが可能であるとしても（段落００３６、００６１）、それは、レンズ作用あるいはレンズパワーを変更することとは全く関係がありません。　したがって、引用文献３に記載された事項に基づいて引用文献１における凹レンズの形状を変更するようなことは、当業者にとって容易に想到し得ることではありません。　また、仮に、引用文献３の記載に基づいて引用文献１における２層構造の膜のうち下側の膜である絶縁膜１１３ａの厚さを薄くするという思考が働いたとしても、そのような思考の下では、絶縁膜１１３ａの上面は、引用文献３の第１屈折率層４２の上面のように平坦になる筈です。この場合、もはや絶縁膜１１３ａ（の上面）は、凹レンズとしては機能しなくなります。そして、引用文献３の記載に基づいて引用文献１における２層構造の膜のうち下側の膜である絶縁膜１１３ａの厚さを単純に薄くした場合、それによって平坦になった第１屈折率層４２の上面は、本願の補正後の請求項１、８、９における「凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」ことに対応する構造を有しなくなります。
　つまり、特徴（ｂ）は、引用文献１、３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものではありません。』（主張２）旨、主張している。
　出願人の主張１について検討すると、引用文献２に記載された発明において、遮光膜３９の開口の形状は、段落［００７４］に記載されているように「集光状態に応じて遮光膜３９の開口形状を適宜選択することができる」ものであり、フォトダイオードＰＤの形状に従うものではない。そうすると、引用文献１に記載された発明において、引用文献１に記載されたフォトダイオードＰＤがどのような形状であったとしても、引用文献２に記載された発明を適用して集光状態に応じて遮光膜３９の開口形状を適宜選択し、「複数の円形開口」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　出願人の主張２について検討すると、引用文献１に記載された発明において、引用文献１の段落［００８６］に記載されているように、絶縁膜１１３ａは「シリコン基板１１２の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう絶縁膜１１３ａを形成する」ものであり、絶縁膜１１３ａを凹レンズの形状とすること（すなわち、平坦化膜１１３ｂを凸レンズの形状とすること）は、引用文献１に記載された発明において必須の事項である。よって引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して絶縁膜１１３ａの厚さを薄くする場合、上記凹レンズ／凸レンズとして機能する形状を維持することは、当業者が当然考慮する事項である。そうすると、引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して、「凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　したがって、出願人の主張は、採用できない。
　また、請求項８、９についても、上記と同様である。請求項２−７、１０については、平成２８年９月２１日付けの拒絶理由通知と同様である。
　よって、請求項１−１０に係る発明は、引用文献１−６に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、依然として、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−８４８１５号公報
２．特開２０１１−１３５１００号公報
３．特開２０１２−１２４３７７号公報
４．特開２００５−１１７００８号公報
５．特開２０１２−１５２８３号公報
６．特開２０１１−２３８６８８号公報」
２　原査定の拒絶理由通知の概要
　平成２８年９月２１日付拒絶理由通知書の概要は、次のとおりである。
「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項　　　１
・引用文献等　１、２
・備考
　引用文献１の段落［００７３］−［００７６］、及び図１、図９を参照すると、引用文献１には、「複数の画素が、半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、半導体基板１０１の表面側には、信号処理回路を構成する素子に接続される配線１０４が、層間絶縁膜１０６を介して多層に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２を有する、被写体からの光が裏面側から入射される裏面照射型の固体撮像装置１００であり、該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され、該半導体基板の表面上には絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成され、この絶縁膜上１１３ａには、平坦化膜１１３ｂが形成されており、該平坦化膜の屈折率は、該絶縁膜の屈折率より大きくなっている」発明が記載されている。
　本願の請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比する。
　引用文献１に記載された発明の「表面側」、「裏面側」、「光反射性部材からなる隆起部１１２」は、それぞれ本願の請求項１に係る発明の「第１面」、「第２面」、「遮光体」に相当する。引用文献１に記載された発明の「複数の画素が、半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、半導体基板１０１の表面側には、信号処理回路を構成する素子に接続される配線１０４が、層間絶縁膜１０６を介して多層に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２を有する、被写体からの光が裏面側から入射される裏面照射型の固体撮像装置１００」は、本願の請求項１に係る発明の「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置」に相当する。また、引用文献１に記載された発明の「該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され」は、図９から明らかなように、本願の請求項１に係る発明の「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と」に相当する。更に、引用文献１に記載された発明の「該半導体基板の表面上には絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成され」は、本願の請求項１に係る発明の「前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と」に相当する。加えて、引用文献１に記載された発明の「この絶縁膜上１１３ａには、平坦化膜１１３ｂが形成されており、該平坦化膜の屈折率は、該絶縁膜の屈折率より大きくなっている」は、本願の請求項１に係る発明の「前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え」に相当する。そして、引用文献１に記載された発明の「該半導体基板の表面上には絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成され、この絶縁膜上１１３ａには、平坦化膜１１３ｂが形成されており」は、図１から明らかなように、絶縁膜１１３ａの凹レンズ形状を反映して平坦化膜１１３ｂが裏面側に向かって凸の形状となるから、本願の請求項１に係る発明の「前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有する」に相当する。
　したがって、両者は「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え、前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有することを特徴とする固体撮像装置。」で一致し、本願の請求項１に係る発明が「複数の円形開口」であるのに対して、引用文献１に記載された発明では、「円形」の特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献２の段落［００３６］−［００３７］、［００７６］、及び図１１Ｃを参照すると、引用文献２には、「フォトダイオードＰＤの受光面３４となる基板裏面２２Ｂ上には、絶縁層が形成される。この絶縁層は、本例では反射防止膜３６で形成される。この反射防止膜３６上の画素境界に、すなわち画素境界に対応する部分に遮光膜３９が形成される。図１１Ｃに示す遮光膜３９は、開口形状として円形の開口３９ｃを有して構成される。」と記載されている。
　引用文献１、２に記載された発明は、裏面照射型の固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、隣接画素間の光学混色を抑制する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、「複数の円形開口」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　２
・引用文献等　１−３
・備考
　本願の請求項２に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、本願の請求項２に係る発明が「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層が有する厚さが前記遮光体が有する厚さよりも小さい」のに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献３の段落［００３６］、［００６１］、及び図１、図２を参照すると、引用文献３には、「遮光膜３９の膜厚ｔ２は、出来るだけ薄い状態で遮光効果が得られるように、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度が好ましい。マイクロレンズ３７とフォトダイオードＰＤ間の距離を短くして感度特性をより向上させるためには、第１屈折率層４２の膜厚を１００ｎｍ以下にすることが好ましい。従って、上記したシリコン酸化（ＳｉＯ）膜の第１屈折率層４２の場合、膜厚ｔ１＝ｔ３は、７５ｎｍ〜８２ｎｍ程度とするのが好ましい。」と記載されている。
　引用文献１、３に記載された発明は、裏面照射型の固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、光学混色を低減する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して、「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層が有する厚さが前記遮光体が有する厚さよりも小さい」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項２に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　３
・引用文献等　１−３
・備考
　引用文献１の段落［００７８］を参照すると、引用文献１には、「絶縁膜１１３ａを構成する透光性の無機材料は、例えば、１．２〜１．６の範囲の屈折率を有する、例えばシリコン酸化膜であり、平坦化膜１１３ｂを構成する透光性の有機材料は１．５〜２．０の範囲の屈折率を有する、例えば透明樹脂膜である。」と記載されている。
　本願の請求項３に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「前記第１層は、無機材料で構成されている」点で一致し、本願の請求項３に係る発明が「前記第２層は、無機材料で構成されている」のに対して、引用文献１に記載された発明では、「前記第２層は、有機材料で構成されている」点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献３の段落［００３０］を参照すると、引用文献３には、「第２屈折率層４３の材料としては、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜などが用いられる。」と記載されている。
　引用文献１、３に記載された発明は、裏面照射型の固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、光学混色を低減する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して、「前記第２層は、無機材料で構成されている」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項３に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　４
・引用文献等　１−３
・備考
　引用文献１の段落［００７８］を参照すると、引用文献１には、「絶縁膜１１３ａを構成する透光性の無機材料は、例えば、１．２〜１．６の範囲の屈折率を有する、例えばシリコン酸化膜であり、平坦化膜１１３ｂを構成する透光性の有機材料は１．５〜２．０の範囲の屈折率を有する、例えば透明樹脂膜である。」と記載されている。
　本願の請求項４に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「前記第１層は、酸化シリコンで構成され、前記第２層は、前記第１層よりも高い屈折率を有する材料で構成されている」点で一致し、本願の請求項４に係る発明が「前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料」であるのに対して、引用文献１に記載された発明では、「前記第２層は、例えば透明樹脂膜である」点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献３の段落［００３０］を参照すると、引用文献３には、「第２屈折率層４３の材料としては、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜などが用いられる。つまり、屈折率の大小関係は、第１屈折率層４２＜第２屈折率層４３である。」と記載されている。
　引用文献１、３に記載された発明は、裏面照射型の固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、光学混色を低減する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して、「前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコンからなるグループから選択される材料」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。また、第１層の屈折率＜第２層の屈折率を満たす他の周知の材料とすることも、当業者が適宜なし得る事項である。
　よって、本願の請求項４に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　５
・引用文献等　１−４
・備考
　引用文献１の段落［００７９］を参照すると、引用文献１には、「上記平坦化膜１１３ｂ上には、複数の画素の各々に対応するカラーフィルター１１４およびマイクロレンズ１１５が積層されている。」と記載されている。
　本願の請求項５に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「前記第２層の上に配置されたカラーフィルタ層を更に備え」ている点で一致し、本願の請求項５に係る発明が「前記複数の円形開口のそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」のに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献４の段落［００７４］、［０１１５］、及び図１１（Ｂ）を参照すると、引用文献４には、「遮光膜の開口部の大きさを画素上方のカラーフィルタの色ごとに調整することで、固体撮像素子の分光感度を制御することができる。図１１（Ｂ）に、開口形状を円形にした場合を示す。図に示すように、開口部１０８はそれぞれ円形もしくは実質的に円形となるように形成されており、開口部１０８Ｒ、１０８Ｇ、１０８Ｒの開口面積（１０８ＲＬ、１０８ＧＬ、１０８ＢＬ）を１０８ＲＬ＞１０８ＧＬ＞１０８ＢＬの関係になるように設定されている。」と記載されている。
　引用文献１、４に記載された発明は、固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、色再現性を向上する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献４に記載された発明を適用して、「前記複数の円形開口のそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項５に係る発明は、引用文献１−４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　６
・引用文献等　１−５
・備考
　引用文献１の段落［００７９］を参照すると、引用文献１には、「上記平坦化膜１１３ｂ上には、複数の画素の各々に対応するカラーフィルター１１４およびマイクロレンズ１１５が積層されている。」と記載されている。
　本願の請求項６に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「前記カラーフィルタ層の上に配置された複数のマイクロレンズを更に備え」ている点で一致し、本願の請求項６に係る発明が「前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」のに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献５の段落［００５５］−［００５８］、及び図１６を参照すると、引用文献５には、「図１６に示すように、青色カラーフィルタ層１３上および赤色カラーフィルタ層１４上に形成された第１のマイクロレンズ５１の平面形状は、円形のものである。緑色カラーフィルタ層１５上に形成された第２のマイクロレンズ５２の平面形状も同様に、円形のものである。このように形成された第１、第２のマイクロレンズ５１、５２は、互いに大きさが異なるものである。すなわち、第１のマイクロレンズ５１の平面形状の面積は、第２のマイクロレンズ５２の平面形状の面積よりも大きくなるように形成されている。」と記載されている。
　引用文献１、５に記載された発明は、固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、色再現性を向上する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献５に記載された発明を適用して、「前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項６に係る発明は、引用文献１−５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　７
・引用文献等　１−５
・備考
　本願の請求項７に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、本願の請求項７に係る発明が「前記複数の光電変換部が配置された領域は、有効画素領域およびオプティカルブラック画素領域を含み、前記遮光体は、前記オプティカルブラック画素領域に配置された光電変換部を遮光するように配置されている」のに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献２の段落［００７９］、及び図１２を参照すると、引用文献２には、「画素領域２３に対応する絶縁膜５２上に画素境界における格子状の遮光膜３９が形成されると共に、周辺回路部５７及び画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応する絶縁膜５２上に連続した遮光膜３９が形成される。光学的黒レベル領域２３Ｂは、有効画素領域２３Ａの外周に形成される。これら画素境界の遮光膜３９と、周辺回路５７及び光学的黒レベル領域２３Ｂにわたる連続した遮光膜３９は、同材料膜で同時に形成される。」と記載されている。
　引用文献１、２に記載された発明は、裏面照射型の固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、隣接画素間の光学混色を抑制する機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、「前記複数の光電変換部が配置された領域は、有効画素領域およびオプティカルブラック画素領域を含み、前記遮光体は、前記オプティカルブラック画素領域に配置された光電変換部を遮光するように配置されている」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項７に係る発明は、引用文献１−５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　８
・引用文献等　１−６
・備考
　本願の請求項８に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、本願の請求項８に係る発明が「前記第２層の上面は、前記第２層によって複数の両凸レンズが構成されるように複数の凸面領域を有する」のに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献６の段落［００２６］−［００２７］、及び図２を参照すると、引用文献６には、「下凸層内レンズ３３上には、例えばＳｉＮからなる上凸形状の層内レンズ（以下、上凸層内レンズという）３４が形成されている。マイクロレンズ３７に入射した入射光は、上凸層内レンズ３４によって集光されて遮光膜開口部３０ａに導かれ、さらに下凸層内レンズ３３によって集光されることで、効率よく受光素子１２によって受光される。」と記載されている。
　引用文献１、６に記載された発明は、固体撮像装置である点で同一の技術分野に属するものであり、集光効率を高める機能ないし作用の点で共通するから、引用文献１に記載された発明において、引用文献６に記載された発明を適用して、「前記第２層の上面は、前記第２層によって複数の両凸レンズが構成されるように複数の凸面領域を有する」構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項８に係る発明は、引用文献１−６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　９
・引用文献等　１−３
・備考
　本願の請求項９に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を備え、前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。」である点で一致し、本願の請求項９に係る発明が「複数の円形開口」、及び「前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料」であることに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　しかしながら、上記「・請求項　　　１」の「・備考」と同様の理由により、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、「複数の円形開口」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　また、上記「・請求項　　　４」の「・備考」と同様の理由により、引用文献１に記載された発明において、引用文献３に記載された発明を適用して、「前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコンからなるグループから選択される材料」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項９に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　１０
・引用文献等　１、２
・備考
　本願の請求項１０に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を備え、前記第１層と前記第２層との境界面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出していることを特徴とする固体撮像装置。」である点で一致し、本願の請求項１０に係る発明が「複数の円形開口」である、及び「前記複数の光電変換部のそれぞれ光を集光させる」ことに対して、引用文献１に記載された発明では、そのような特定がされていない点で相違している。
　上記相違点について検討する。
　引用文献１の段落［００８８］−［００８９］を参照すると、引用文献１には、「このような構成の裏面照射型の固体撮像装置１００では、撮像領域上に各画素の光電変換部を囲むように格子状金属膜（隆起部）１１２を設け、さらに撮像領域上に、この格子状金属膜１１２による段差を反映して、絶縁膜１１３ａを凹レンズが形成されるよう形成しているので、固体撮像装置１００の裏面側から入射する被写体からの光が、絶縁膜１１３ａが形成する凹レンズにより、効果的に該光電変換部１０２に集光されることとなる。つまり、マイクロレンズで集光された入射光が凹レンズ（層内レンズ）を介して光電変換部のフォトダイオード中心に入射するとともに、隣接画素へ散乱した光は金属膜で全反射して所望のフォトダイオードにのみ入射するので、混色（クロストーク）の発生を抑制することができる。」と記載されている。引用文献１に記載された発明は、層内レンズと光電変換部がそれぞれ１対１に対応しているので、本願の請求項１０に係る発明の「前記複数の光電変換部のそれぞれ光を集光させる」に相当する。
　また、上記「・請求項　　　１」の「・備考」と同様の理由により、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明を適用して、「複数の円形開口」とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって、本願の請求項１０に係る発明は、引用文献１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
・請求項　　　１１
・引用文献等　１−６
・備考
　引用文献１の段落［００９３］−［００９４］、及び図１１を参照すると、引用文献１には、「上記実施形態１の固体撮像装置を撮像部に用いた、例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの、画像入力デバイスを有した電子情報機器について以下簡単に説明する。図１１に示す本発明の実施形態２による電子情報機器９０は、本発明の上記実施形態１の固体撮像装置を、被写体の撮影を行う撮像部９１として備えたものであり、このような撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部９２と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示部９３と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信部９４と、この画像データを印刷（印字）して出力（プリントアウト）する画像出力部９５とのうちの少なくともいずれかを有している。」と記載されている。
　本願の請求項１１に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、両者は「固体撮像装置と、前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備えることを特徴とするカメラ。」である点で一致する。
　よって、本願の請求項１１に係る発明は、引用文献１−６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−８４８１５号公報
２．特開２０１１−１３５１００号公報
３．特開２０１２−１２４３７７号公報
４．特開２００５−１１７００８号公報
５．特開２０１２−１５２８３号公報
６．特開２０１１−２３８６８８号公報」
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「Ａ．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
  
 １．請求項９に記載された発明の「前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれ光を集光させる」が、如何なる構成かわからない。 
 　つまり、上記記載の「光電変換部のそれぞれ光」とは、如何なる光であるのかわからない。 
  
 Ｂ．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　 
  
 ＜引用文献等一覧＞　 
 引用例１：特開２０１２−８４８１５号公報 
 引用例２：特開２００７−３１１４７７号公報 
 引用例３：特開２０１２−１２４３７７号公報 
 引用例４：特開２００８−１９２９５１号公報 
 引用例５：特開２００７−５６２９号公報 
 引用例６：特開２００６−８６３５６号公報 
 引用例７：特開２０１１−１３５１００号公報 
 引用例８：特開２０１１−２３８６８８号公報 
  
 請求項１ 
 引用例：１，２ 
 備考： 
 　引用例１に記載された発明と請求項１に記載された発明は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。 
 ［相違点１］ 
 　請求項１に記載された発明の「遮光体」は「円形開口を有」しているのに対して、引用例１に記載された発明の対応する構成である「隆起部１１２」はそのようになっていない点。 
 ［相違点２］ 
 　請求項１に記載された発明の「レンズ面」は、「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」のに対して、引用例１に記載された発明の対応する構成であるレンズ面の厚さと「隆起部１１２」の厚さの大小について、発明の詳細な説明に明記されていない点。 
  
　以下上記各相違点について検討する。 
［相違点１］について 
　引用例２に、 
 「【００１９】 
　遮光層７３の、フォトダイオード３０の上方に位置するように開口部７３ａが形成され、開口部７３ａに層内レンズ７５が形成されている。層内レンズ７５は、マイクロレンズ６０側から入射した光を下方のフォトダイオード３０に集光させるように機能する。本実施形態では、層内レンズ７５は、上面及び下面に凸面を有する、いわゆる両凸型のレンズ形状としたが特にこれに限定されない。例えば、下面にのみ凸面を有する、いわゆる下凸型のレンズ形状としてもよい。」 
「【００２６】 
　なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良などが可能である。 
　図７（ａ）から（ｃ）に示すように、開口部７３ａの形状は特に限定されず、画素部の構成によって適宜変更することができる。例えば、図７（ａ）に示すように、開口部７３ａの形状を正方形状としてもよく、または、図７（ｂ）に示すように、六角形などの多角形状としてもよい。さらに、図７（ｃ）に示すように、正円形状とすることで、光の入射方向にかかわらず、フォトダイオード３０に均一な光量を受光させることができる。」 
と記載されているように、層内レンズを構成する際に、「光の入射方向にかかわらず、フォトダイオード３０に均一な光量を受光させる」ために、請求項１に記載された発明の「遮光体」に対応する構成である「遮光層７３」の「開口部７３ａ」を正円形状とすることは、公知の技術である。 
　引用例１に記載された発明の「遮光体」について、引用例２記載の公知技術を適用し、光の入射方向にかかわらず、フォトダイオードに均一な光量を受光させるために、開口部の形状を「円形開口」とすることは、当業者が容易に想到する事項である。 
［相違点２］について 
　引用例１の発明の詳細な説明には記載はないものの、引用例１に記載された発明の図１に記載されているように、請求項１に記載された発明の「前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さ」および「前記遮光体の厚さ」に対応する構成である、「絶縁膜１１３ａ」の「反射防止膜１１１」に向かって最も突出した部分の厚さ、および、「隆起部１１２」の厚さは、請求項１に記載された発明と同様の関係を有しているから、［相違点２］は実質的相違点であるとは認められない。 
　加えて、層内レンズにおいてどこに焦点位置を設けるかは、設計時に適宜考慮する事項であり、また、その考慮した焦点位置になるように層内レンズのパワーを調整することも、当業者が設計時に適宜考慮することであるから、その際に、層内レンズのパワー（層内レンズの形状）を決めるために、請求項１に記載された発明の「前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さ」と「前記遮光体の厚さ」をどのような関係、即ち、「レンズ面」の「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さ」くすることは、当業者が適宜為し得たことである。 
 
請求項２ 
引用例：１−３ 
備考： 
［相違点３］ 
　請求項２に記載された発明は、「前記第２層は、無機材料で構成されている」のに対して、引用例１に記載された発明はそうでない点。 
［相違点３］について 
　引用例３【００２９】【００３０】に記載されているように、「シリコン酸化膜」と屈折率の異なる材料として、「シリコン窒化膜」などの無機材料を採用することは、公知の技術である。 
　そして、引用例１に記載された発明において「透明樹脂膜」に換えて、上記公知技術である「シリコン窒化膜」などの無機材料を採用することは、当業者が適宜為し得たものである。 
 
請求項３ 
引用例：１−４ 
備考： 
　引用例１および３や、引用例４【００５２】に記載されているように、層内レンズを構成する材料として、酸化シリコン，酸窒化シリコン，窒化シリコン、酸化ハフニウムまたは酸化チタンを採用することは、公知の技術である。 
　引用例１に記載された発明において、層内レンズを構成する際に、その屈折率の大小に基づいて、上記公知技術で示された材料を採用することは、当業者が容易に想到することである。 
 
請求項４，５ 
引用例：１−６ 
備考： 
「相違点４」 
　請求項４に記載された発明は、「開口のそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」のに対して、引用例１に記載された発明はそのようになっていない点。 
［相違点５］ 
　請求項５に記載された発明は、「前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する」のに対して、引用例１に記載された発明はそのようになっていない点。 
［相違点４］および［相違点５］について 
　引用例５「（実施の形態２）」として記載されているように、カラーフィルタを有する固体撮像装置において光の波長（即ち、「カラー」）に応じて、遮光膜およびマイクロレンズの大きさを異なるものとすることは、公知の技術である。 
　また、引用例６【００１４】に記載されているように、マイクロレンズの直径を色に応じて異なるものとすることは、公知の技術である。 
　引用例１に記載された発明において、上記各公知技術を採用し、請求項４および５に記載された発明と同様の発明とすることは、当業者が容易に為し得たことである。 
  
請求項６ 
引用例：１−７ 
備考： 
　オプティカルブラック画素領域は、引用例３図１や引用例７図１２に記載されているように、周知の構成であるから、引用例１に記載された発明において、該周知技術を採用し、請求項６に記載された発明と同様の発明とすることに、格別の困難性は認められない。
 
請求項７ 
引用例：１−８ 
　層内レンズを両凸レンズとすることは、引用例２図２や引用例８図２に記載されているように、周知の構成であるから、引用例１に記載された発明において、該周知技術を採用し、請求項７に記載された発明と同様の発明とすることに、格別の困難性は認められない。 
 
請求項８ 
引用例：１−４ 
備考： 
　請求項１ないし３に係る上記備考を参照されたい。 
 
請求項９ 
引用例：１−３ 
　引用例１に記載された発明のレンズ面も、複数の光電変換部のそれぞれに光を集光させていると認められる。 
　その他の点については、請求項１に係る上記備考を参照されたい。 
 
請求項１０ 
引用例：１−８ 
備考： 
　引用例１「（実施の形態２）」に記載されているように、引用例１に記載された固体撮像装置をカメラに備えるようにすることは、適宜行われている。 
　なお、引用例１「（実施の形態２）」には、請求項１０に記載された発明の「処理部」に対応する構成の明記はないが、【００９４】に「撮像部による撮影により得られた高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後に」と記載されているように、引用例１に記載された発明においても、請求項１０に記載された発明の「処理部」に相当する構成を当然備えていると認められる。 」
第４　本願発明
　本願請求項１−１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１１」という。）は、本手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−１１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい、
ことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項２】
前記第１層および前記第２層は、無機材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
　　【請求項３】
前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成され、
前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料のうち前記第１層よりも高い屈折率を有する材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
　　【請求項４】
前記第２層の上に配置されたカラーフィルタ層を更に備え、
前記複数の円形開口のそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
　　【請求項５】
前記カラーフィルタ層の上に配置された複数のマイクロレンズを更に備え、
前記複数のマイクロレンズのそれぞれは、それに対応するカラーに応じた大きさを有する、
ことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
　　【請求項６】
前記複数の光電変換部が配置された領域は、有効画素領域およびオプティカルブラック画素領域を含み、
前記遮光体は、前記オプティカルブラック画素領域に配置された光電変換部を遮光するように配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
　　【請求項７】
前記第２層の上面は、前記第２層によって複数の両凸レンズが構成されるように複数の凸面領域を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
　　【請求項８】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さく、
前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成され、
前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料で構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項９】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体と、
前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
前記第１層を覆う第２層と、を備え、
前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さく、
前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれに光を集光させる
ことを特徴とする固体撮像装置。
　　【請求項１０】
前記レンズ面の形状は、前記複数の円形開口のそれぞれにおいて連続回転対称性を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
　　【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。」
第５　引用例、引用発明等
１　引用例１（当審拒絶理由において引用例１として引用された文献）について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１２−８４８１５号公報(以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００７２】
　（実施形態１）
　図１は本発明の実施形態１による固体撮像装置を説明する図である。
【００７３】
　
本発明の実施形態１による固体撮像装置１００は、被写体からの光が裏面側から入射される裏面照射型の固体撮像装置であり、
【００７４】
　つまり、この実施形態１の固体撮像装置１００は、複数の画素を配列してなり、画素毎に撮像信号を生成する撮像領域と、該画素を構成する回路素子を駆動する駆動回路とを備えている。
【００７５】
　
ここで、画素は、シリコン基板などの半導体基板１０１の裏面側領域に形成され、入射光を光電変換する光電変換部１０２と、該半導体基板の表面側に形成され、該入射光の光電変換により得られた光電変換信号を該光電変換部から該撮像信号として読み出す信号処理回路とを有している。ここでは、半導体基板１０１の表面側には、信号処理回路を構成する素子に接続される配線１０４が、層間絶縁膜１０６を介して多層に形成されている。
【００７６】
　
該半導体基板の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光反射性部材からなる隆起部１１２が選択的に形成され、該半導体基板の表面上には絶縁膜１１３ａが、該隆起部による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部に集光する凹レンズが形成されるよう形成されている。この絶縁膜上１１３ａには、平坦化膜１１３ｂが形成されており、該平坦化膜の屈折率は、該絶縁膜の屈折率より大きくなっている。
【００７７】
　ここで、上記隆起部は金属材料により構成されており、金属材料としては例えばタングステンを用いることができる。また、この隆起部を構成する金属材料としては、タングステン以外に、アルミニウム、チタン、窒化チタンあるいは銅を用いることができる。
【００７８】
　また、
絶縁膜１１３ａを構成する透光性の無機材料は、例えば、１．２〜１．６の範囲の屈折率を有する、例えばシリコン酸化膜であり、平坦化膜１１３ｂを構成する透光性の有機材料は１．５〜２．０の範囲の屈折率を有する、例えば透明樹脂膜である。
【００７９】
　さらに、
上記平坦化膜１１３ｂ上には、複数の画素の各々に対応するカラーフィルター１１４およびマイクロレンズ１１５が積層されている。
【００８０】
　ここで、前記複数の画素は行列状に配列されて画素アレイを構成しており、
上記隆起部は、該複数の画素の各々の光電変換部を囲むよう平面形状を格子形状とした格子状金属膜である。
（２）「【００８１】
　次に製造方法について説明する。
【００８２】
　まず、シリコン基板（具体的にはシリコンウエハ）１０１の表面にイオン注入により光電変換部を形成するためのＮ型拡散領域１０２を形成し、さらに、このｎ型拡散領域１０２が、各画素の光電変換部に分離されるよう、平面格子状のｐ型拡散領域１０３を素子分離領域として形成する（図２）。
【００８３】
　続いて、該シリコン基板１０１の表面部に、例えば、通常のＬＳＩ製造プロセスを用いて、読み出しトランジスタ、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ、及び選択トランジスタ（図示せず）等の能動素子を構成するｐ型及びｎ型拡散層等を形成し、続いて、シリコン基板４０４の表面側に、上記形成した能動素子を接続する配線１０４を、層間絶縁間１０５を介して形成する（図３）。
【００８４】
　次に、上記シリコン基板１０１の表面側に他のシリコン基板（具体的にはシリコンウエハ）２０１を貼り付け（図４）、その後、該シリコン基板１０１と他のシリコン基板２０１とを、シリコン基板１０１の裏面が上を向くよう反転させ、
７００μｍ程度の厚さのシリコン基板１０１の裏面側を、その厚さが３μｍ程度となり、拡散領域１０２及び１０３の底面が露出する程度まで、ＣＭＰ（化学機械研磨）などのエッチング処理によりエッチングする（図５）。
【００８５】
　その後、
シリコン窒化膜などの反射防止膜（厚さ５０ｎｍ）１１１を、該シリコン基板のエッチングした面上に形成し（図６）、例えばタングステンのスパッタリングなどの成膜処理により金属膜１１２ａを形成し（図７）、該金属膜１１２ａを、各画素に対応する光電変換部１０２を分離する素子分離領域１０３上にのみ残るよう選択的にエッチングして、平面格子形状を有する隆起部１１２を形成する（図８）。
【００８６】
　その後、
シリコン基板１１２の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう絶縁膜１１３ａを形成する。
【００８７】
　続いて、
この絶縁膜１１３ａ上に平坦化膜１１３ｂを形成し、該平坦化膜１３ｂ上に、複数の画素の各々に対応するカラーフィルター１１４およびマイクロレンズ１１５を積層する（図１０）。
【００８８】
　このような構成の裏面照射型の固体撮像装置１００では、撮像領域上に各画素の光電変換部を囲むように格子状金属膜（隆起部）１１２を設け、さらに撮像領域上に、この格子状金属膜１１２による段差を反映して、絶縁膜１１３ａを凹レンズが形成されるよう形成しているので、
固体撮像装置１００の裏面側から入射する被写体からの光が、絶縁膜１１３ａが形成する凹レンズにより、効果的に該光電変換部１０２に集光されることとなる。
【００８９】
　つまり、マイクロレンズで集光された入射光が凹レンズ（層内レンズ）を介して光電変換部のフォトダイオード中心に入射するとともに、隣接画素へ散乱した光は金属膜で全反射して所望のフォトダイオードにのみ入射するので、混色（クロストーク）の発生を抑制することができる。
【００９０】
　これにより裏面側からの入射光による隣接画素間の混色（クロストーク）を抑制することができる。」
（３）したがって、上記引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板１０１の裏面側領域に形成された、入射光を光電変換する光電変換部１０２と、
　該半導体基板１０１の表面側に層間絶縁膜１０６を介して多層に形成された、配線１０４とを有し、
　被写体からの光が裏面側から入射される裏面照射型の固体撮像装置であって、
　該半導体基板１０１の裏面側に反射防止膜１１１を形成し、
　該半導体基板１０１の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光電変換部１０２を分離する素子分離領域１０３上にのみ残るよう平面格子形状を有する光反射性部材からなる隆起部１１２を形成し、
　該半導体基板１０１の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるようシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａを形成し、
　絶縁膜１１３ａ上に、該絶縁膜１１３ａの屈折率より大きい透明樹脂膜からなる平坦化膜１１３ｂを形成し、
　該平坦化膜１１３ｂ上に、複数の画素の各々に対応するカラーフィルター１１４およびマイクロレンズ１１５を積層する、
　ことを特徴とする固体撮像装置。」　
２　引用例２（当審拒絶理由において引用例７として引用された文献）について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１１−１３５１００号公報(以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００７４】
　上述の実施の形態の固体撮像装置２１、５１においては、
集光状態に応じて遮光膜３９の開口形状を適宜選択することができる。
図１１Ａに示す遮光膜３９は、開口形状として四角形の開口３９ａを有して構成される。したがって、フォトダイオードＰＤの受光面の形状は四角形になる。
【００７５】
　
図１１Ｂに示す遮光膜３９は、開口形状として多角形、本例では八角形の開口３９ｂを有して構成される。したがって、フォトダイオードＰＤの受光面の形状は八角形になる。
【００７６】
　
図１１Ｃに示す遮光膜３９は、開口形状として円形の開口３９ｃを有して構成される。したがて、フォトダイオードＰＤの受光面の形状は円形になる。
【００７７】
　そして、図１１Ａ〜１１Ｃのいずれの構成においても、上下左右対称の形状で、かつ半導体基板２２中に形成されたフォトダイオードＰＤの中心Ｏと遮光膜開口中心Ｏとが一致するように、画素境界の遮光膜３９が形成される。フォトダイオードＰＤの中心と遮光膜開口中心を一致させることにより、入射角度依存の対称性を保つことができ、画面全体で等方的な感度特性が得られる。
【００７８】
　＜４．第３実施の形態＞
　［固体撮像装置の構成例］
　
図１２に、本発明に係る固体撮像装置の第３実施の形態を示す。本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置である。
【００７９】
　そして、
本実施の形態においては、画素領域２３に対応する絶縁膜５２上に画素境界における格子状の遮光膜３９が形成されると共に、周辺回路部５７及び画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応する絶縁膜５２上に連続した遮光膜３９が形成される。
【００８０】
　本実施の形態では、さらに遮光膜３９，３９を含む絶縁膜５２上に平坦化膜４１が形成され、平坦化膜４１の画素領域２３に対応する領域上にオンチップカラーフィルタ４２及びオンチップマイクロレンズ４３が形成される。周辺回路部５７においても、基板表面側に層間絶縁膜を介して複数層の配線を配置した多層配線層が形成される。
　その他の構成は、第２実施の形態で説明したと同様であるので、図８と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００８１】
　第３実施の形態に係る固体撮像装置５６によれば、周辺回路部５７から光学的黒レベル領域２３Ｂに連続する遮光膜３９と、
画素境界における格子状の遮光膜３９を同時に形成され
【００８２】
　その他、
オンチップマイクロレンズ４３で集光しきれない光による隣接画素への光学混色を低減し、回折光の有効画素への入射を抑制してＭｇフレアの発生を低減するなど、第２実施の形態で説明したと同様の効果を奏する。
（２）したがって、上記引用例２には実質的に次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置において、
　画素領域２３に対応する絶縁膜５２上に、フォトダイオードＰＤの受光面の形状と同じ開口形状を有する遮光膜３９が形成され、フォトダイオードのＰＤの受光面が四角形の場合は開口形状を四角形とし、また、フォトダイオードのＰＤの受光面が円形の場合は開口形状を円形とすると共に、
　周辺回路部５７及び画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応する絶縁膜５２上に連続した遮光膜３９が形成され、
　画素境界に遮光膜３９を形成することにより、オンチップマイクロレンズ４３で集光しきれない光による隣接画素への光学混色を低減し、回折光の有効画素への入射を抑制してＭｇフレアの発生を低減すること。」
３　引用例３（当審拒絶理由において引用例３として引用された文献）について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１２−１２４３７７号公報(以下、「引用例３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２４】
　＜１．第１実施の形態＞
　［固体撮像装置の構成例］
　図１に、本発明に係る固体撮像装置の第１実施の形態を示す。
本実施の形態の固体撮像装置は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置に適用した場合である。
【００２５】
　画素２６は、フォトダイオードＰＤと複数の画素トランジスタとによる単位画素として構成することができる。また、画素２６は、共有画素構造とすることができる。共有画素構造は、複数のフォトダイオードＰＤと、複数の転送トランジスタと、共有する１つのフローティングディフュージョンと、共有する１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。複数の画素トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）は、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタ追加して４つのトランジスタで構成することもできる。図１では、複数の画素トランジスタを、転送ゲート電極２７を有する転送トランジスタＴｒ１で代表して示している。
【００２６】
　フォトダイオードＰＤは、半導体基板２２の表面側から裏面側にわたって形成される。画素トランジスタは、半導体基板２２の表面側に形成される。半導体基板２２の表面側の上部に層間絶縁膜２９を介して複数層の配線３０を配置してなる多層配線層３１が形成され、この多層配線層３１に例えばシリコン基板等による支持基板３２が接合される。多層配線層３１と支持基板３２との接合は、例えば接着剤層２８を介して接合することができる。
【００２７】
　半導体基板２２の光入射側となる裏面上に単層膜あるいは複数層膜ならなる絶縁膜３４が形成される。この絶縁膜３４の上部にオンチップカラーフィルタ（以下、カラーフィルタという）３５、平坦化膜３６及びオンチップマイクロレンズ（以下、マイクロレンズという）３７が形成される。絶縁膜３４としては、例えばシリコン酸化膜やハフニウム酸化膜などから成る反射防止膜として構成することもできる。
【００２８】
　そして、本実施の形態では、画素領域２３の有効画素領域２４及びオプティカルブラック領域２５の前記絶縁膜３４上に遮光膜３９が形成される。有効画素領域２４では、遮光膜３９が各画素のフォトダイオードＰＤを囲んで形成され、オプティカルブラック領域２５では、有効画素領域２４の遮光膜３９から延長して同じ膜による遮光膜３９が全面に形成される。有効画素領域２４では、各フォトダイオードＰＤ上に対応する領域に、遮光膜３９で囲まれた凹状部４１が形成される。  遮光膜３９は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗなどの単独膜や、その合金膜等の金属膜が用いられる。
【００２９】
　
有効画素領域２４からオプティカルブラック領域２５にかけて、遮光膜３９及び凹状部４１の表面に相対的に屈折率が低い第１屈折率層４２が形成される。第１屈折率層４２の材料としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸化炭化膜、フッ化マグネシウム膜、フッ化カルシウム膜等が用いられる。
【００３０】
　
有効画素領域２３では、第１屈折率層４２上に凹状部４１内を埋め込むように、第１屈折率層４２より相対的に屈折率が高い第２屈折率層４３が形成される。本例では、遮光膜３９が第２屈折率層４３内に埋め込まれるように形成され、第２屈折率層４３の表面が平坦化される。第２屈折率層４３の材料としては、例えば、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜などが用いられる。つまり、屈折率の大小関係は、第１屈折率層４２＜第２屈折率層４３である。
（２）「【００４７】
　図５は、レンズ機能の説明図である。
第１屈折率層４２と第２屈折率層４３の屈折率関係が、第１屈折率層４２＜第２屈折率層４３、であるとき、入射する光Ｌの波面（破線図示）５１は、図５に示すようになる。すなわち、入射光Ｌが内部集光体に入るまでは光の波面５１は平行である。入射光Ｌが内部集光体に入った後は、入射光の進行速度が第２屈折率層４３中より第１屈折率層４２の方が速くなることで、光の波面５１は湾曲する。このように、屈折率差に基づく光の位相差で光の波面５１が湾曲し、レンズ作用が生じる。入射した光は、このレンズ効果によりフォトダイオードＰＤへ集光される。
（３）したがって、上記引用例３には実質的に次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、
　有効画素領域２４からオプティカルブラック領域２５にかけて、遮光膜３９及び凹状部４１の表面に相対的に屈折率が低い、シリコン酸化膜、シリコン酸化炭化膜、フッ化マグネシウム膜、フッ化カルシウム膜等からなる、第１屈折率層４２を形成し、
　有効画素領域２３では、第１屈折率層４２上に凹状部４１内を埋め込むように、第１屈折率層４２より相対的に屈折率が高い、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜等からなる、第２屈折率層４３を形成し、
　第２屈折率層４３の表面を平坦化し、
　第１屈折率層４２と第２屈折率層４３の屈折率差に基づく光の位相差で光の波面５１が湾曲し、レンズ作用が生じ、入射した光は、フォトダイオードＰＤへ集光されること。」
４　引用例４について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−１１７００８号公報(以下、「引用例４」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２７】
　受光部においては、２つの垂直転送電極３，４の上方が、
開口部８を有する遮光膜９で覆われている。遮光膜９は、受光部において、画素３０以外の領域に光が入射することを防止する。遮光膜９の開口部８は、各画素３０の（直）上方に形成され、
（２）「【００７３】
　第１の実施例においては、低感度フォトダイオード遮光膜９ｂの遮光部分の大きさを変化させ、遮光膜９の開口部８のうち低感度フォトダイオード５上方の開口部分の大きさを調整することで、低感度フォトダイオード５に入射する赤色光の量を増加させ、または青色光の量を減少させて、固体撮像素子の分光感度を制御した。高感度フォトダイオード遮光膜９ａの遮光部分の大きさを変化させ、遮光膜９の開口部８のうち高感度フォトダイオード６上方の開口部分の大きさを調整することで、分光感度の制御を行うこともできる。例えば赤色光が入射する画素においては、高感度フォトダイオード遮光膜９ａの遮光部分を小さくし、遮光膜９の開口部８Ｒのうち高感度フォトダイオード６上方の開口部分の大きさを大きくして、高感度フォトダイオード６に入射する赤色光の量を増加させる。青色光が入射する画素においては、その逆の調整を行う。
【００７４】
　
遮光膜の開口部の大きさを画素上方のカラーフィルタの色ごとに調整することで、固体撮像素子の分光感度を制御することができる。
（３）「【０１１５】
　図１１（Ｂ）に、開口形状を円形にした場合を示す。図に示すように、開口部１０８はそれぞれ円形もしくは実質的に円形となるように形成されており、開口部１０８Ｒ、１０８Ｇ、１０８Ｒの開口面積（１０８ＲＬ、１０８ＧＬ、１０８ＢＬ）を１０８ＲＬ＞１０８ＧＬ＞１０８ＢＬの関係になるように設定されている。このように、
開口形状を円形もしくは実質的に円形（等方性の形状）にすることで、図１１（Ａ）に示す正方形の場合と同様に、長方形の開口形状を採用した場合に比べて、さらに画素サイズを小さくしても、集光効率の減衰を抑制することができる。
（４）したがって、上記引用例４には実質的に次の事項（以下、「引用例４記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「固体撮像素子であって、
　受光部において、画素３０以外の領域に光が入射することを防止し、各画素３０の（直）上方に形成され、開口部８を有する遮光膜９は、
　遮光膜の開口部の大きさを画素上方のカラーフィルタの色ごとに調整することで、固体撮像素子の分光感度を制御し、
　開口形状を円形もしくは実質的に円形（等方性の形状）にすることで、画素サイズを小さくしても、集光効率の減衰を抑制すること。」
５　引用例５について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１２−１５２８３号公報(以下、「引用例５」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００５５】
　
図１６乃至図１８に示される固体撮像装置は、図１乃至図３に示される固体撮像装置と比較して、第１のマイクロレンズ５１および第２のマイクロレンズ５２の形状および大きさが異なっている。すなわち、図１６に示すように、青色カラーフィルタ層１３上および赤色カラーフィルタ層１４上に形成された第１のマイクロレンズ５１
【００５６】
　
緑色カラーフィルタ層１５上に形成された第２のマイクロレンズ５２
【００５７】
　さらに複数の第２のマイクロレンズ５２は、各色のカラーフィルタ層１３、１４、１５の格子配列における斜め方向においては、これらのカラーフィルタ層１３、１４、１５の角部上において互いに離間するとともに、垂直・水平方向においても、カラーフィルタ層１６上において互いに離間するように市松状に配列形成されている。そして、垂直・水平方向においては、カラーフィルタ層１６上において、第２のマイクロレンズ５２の円周が、隣接する第１のマイクロレンズ５１の円周と接するように形成されている。
【００５８】
　このように形成された第１、第２のマイクロレンズ５１、５２は、互いに大きさが異なるものである。すなわち、第１のマイクロレンズ５１の平面形状の面積は、第２のマイクロレンズ５２の平面形状の面積よりも大きくなるように形成されている。さらに、図１７および図１８に示される第１のマイクロレンズ５１の高さＨｈは、図１８に示される第２のマイクロレンズ１２の高さＨｌよりも高くなるように形成されている。」
（２）したがって、上記引用例５には実質的に次の事項（以下、「引用例５記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「固体撮像装置のマイクロレンズであって、
　青色カラーフィルタ層１３上および赤色カラーフィルタ層１４に形成された第１のマイクロレンズ５１と緑色カラーフィルタ層１５上に形成された第２のマイクロレンズ５２の大きさを異なるものとすること。」
６　引用例６（当審拒絶理由において引用例８として引用された文献）について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１１−２３８６８８号公報(以下、「引用例６」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２３】
　反射防止膜２９上には、各垂直転送電極１９ａ，１９ｂ上を覆うようにタングステンなどの遮光性をもつ材料からなる遮光膜３０が形成されている。遮光膜３０は、受光素子１２の直上位置に開口部（以下、遮光膜開口部という）３０ａを有し、それ以外の領域を遮光している。
【００２４】
　
遮光膜３０及びその遮光膜開口部３０ａから露呈した反射防止膜２９上には、光透過性及び加熱流動性をもつＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）からなるＢＰＳＧ膜（透明膜）３２が形成されている
【００２５】
　
ＢＰＳＧ凹部３２ａの内面には、ＢＰＳＧよりも屈折率が高い例えばＳｉＮ（レンズ材料）が充填されており、受光素子１２に向けて突出した下凸形状の層内レンズ（以下、下凸層内レンズという）３３が形成されている。
【００２６】
　
下凸層内レンズ３３上には、例えばＳｉＮからなる上凸形状の層内レンズ（以下、上凸層内レンズという）３４が形成されている。
【００２７】
　マイクロレンズ３７に入射した入射光は、上凸層内レンズ３４によって集光されて遮光膜開口部３０ａに導かれ、さらに下凸層内レンズ３３によって集光されることで、効率よく受光素子１２によって受光される。」
（２）したがって、上記引用例６には実質的に次の事項（以下、「引用例６記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「受光素子１２の直上位置に開口部（以下、遮光膜開口部という）３０ａを有し、それ以外の領域を遮光している、遮光膜３０を備え、
　遮光膜３０及びその遮光膜開口部３０ａには、光透過性及び加熱流動性をもつＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）からなるＢＰＳＧ膜（透明膜）３２が形成され、
　ＢＰＳＧ凹部３２ａの内面には、ＢＰＳＧよりも屈折率が高い例えばＳｉＮ（レンズ材料）が充填され、受光素子１２に向けて突出した下凸形状の層内レンズ（以下、下凸層内レンズという）３３が形成され、
　下凸層内レンズ３３上には、ＳｉＮからなる上凸形状の層内レンズ３４が形成されること。」
７　引用例７（当審拒絶理由において引用例２として引用された文献）について
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２００７−３１１４７７号公報(以下、「引用例７」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００１９】 
　
遮光層７３の、フォトダイオード３０の上方に位置するように開口部７３ａが形成され、開口部７３ａに層内レンズ７５が形成されている。
【００２０】
　本実施形態の固体撮像素子１０では、層内レンズ７５の形成された層をすべて遮光層で覆う構成としたが、層内レンズ７５の少なくとも周縁に遮光性材料からなる遮光層７３が形成されていればよい。
【００２１】
　固体撮像素子１０は、
層内レンズ７５の周縁に遮光層７３が形成されているため、層内レンズ７５に入射した光がフォトダイオード３０へ集光されずに層内レンズ７５の外側へ漏れることを遮光層７３によって防止することができる。
」 
（２）「【００２６】 
　なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良などが可能である。 
　図７（ａ）から（ｃ）に示すように、
開口部７３ａの形状は特に限定されず、画素部の構成によって適宜変更することができる。
さらに、図７（ｃ）に示すように、正円形状とすることで、光の入射方向にかかわらず、フォトダイオード３０に均一な光量を受光させることができる。
（３）したがって、上記引用例７には実質的に次の事項（以下、「引用例７記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「フォトダイオード３０の上方に位置するように開口部７３ａが形成され、開口部７３ａに層内レンズ７５が形成されている遮光層７３であって、
　層内レンズ７５の周縁に遮光層７３が形成されているため、層内レンズ７５に入射した光がフォトダイオード３０へ集光されずに層内レンズ７５の外側へ漏れることを遮光層７３によって防止し、
　開口部７３ａの形状を、正円形状とすることで、光の入射方向にかかわらず、フォトダイオード３０に均一な光量を受光させることができること。」
８　引用例８（当審拒絶理由において引用例４として引用された文献）について
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２００８−１９２９５１号公報(以下、「引用例８」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
　
本発明は、光電変換素子を備えた固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。
（２）「【００１４】
　本発明の固体撮像装置の製造方法は、
半導体基板の撮像用領域に２次元状に配置された光電変換素子を形成する工程（ａ）と、前記光電変換素子の上方に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた配線と、前記層間絶縁膜および前記配線の上に形成され、前記配線の材料が拡散するのを防止する拡散防止膜を有する配線層を複数層形成する工程（ｂ）と、前記複数の配線層のうち前記光電変換素子と平面的に見て重なる部分を除去して開口部を形成する工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）で形成した開口部内に透明部材を埋め込むことにより、前記光電変換素子の上方に光導波路を形成する工程（ｄ）と、前記光導波路の上方に第１のマイクロレンズを形成する工程（ｅ）とを備えている。
【００１５】
  この方法により、配線が多層になる場合でも光電変換素子に効率良く光を入射させることが可能となる」
（３）「【００５２】
　
層内レンズ１６３は、例えば窒化シリコンの他に、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウムなどで構成され
（４）「【００５６】
　図２（ｂ）に示すように、本実施形態の固体撮像装置の画素アレイにおいては多数の光電変換素子１１２と、光電変換素子１１２の上方に形成され、
光電変換素子１１２に光を取り込ませるための開口部２１０とが共に行列状に等間隔で配置されている。なお、この開口部２１０は、金属膜により形成されており、配線と遮光膜の両方の役割を果たす。
（５）「【００６８】
　次に、第３の拡散防止膜１４１上にＣＶＤ法などにより、例えば酸化シリコンからなる第４の層間絶縁膜１４２を形成した後、リソグラフィ法によってパターニングされたマスク１９２を用いてエッチングを行い、層間絶縁膜１１４、三層の配線層、第４の層間絶縁膜１４２のうち光電変換素子１１２の直上方に位置する部分を除去し、エッチングストッパー膜１１３に達する開口部を形成する。この際に、エッチングストッパー膜１１３があることで、光電変換素子１１２がドライエッチングによってダメージを受けるのを防いでいる。なお、開口部の直径はフォトダイオードの幅とほぼ同じとし、例えば１μｍ程度とする。
開口部の平面形状は略円形である
（６）したがって、上記引用例８には実質的に次の事項（以下、「引用例８記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「光電変換素子を備えた固体撮像装置の製造方法において、
　半導体基板の撮像用領域に２次元状に配置された光電変換素子を形成する工程（ａ）と、
　前記光電変換素子の上方に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた配線と、前記層間絶縁膜および前記配線の上に形成され、前記配線の材料が拡散するのを防止する拡散防止膜を有する配線層を複数層形成する工程（ｂ）と、
　前記複数の配線層のうち前記光電変換素子と平面的に見て重なる部分を除去して開口部を形成し、配線と遮光膜の両方の役割を果たさせる工程（ｃ）と、
　前記工程（ｃ）で形成した開口部内に透明部材を埋め込むことにより、前記光電変換素子の上方に光導波路を形成する工程（ｄ）と、
　前記光導波路の上方に第１のマイクロレンズを形成する工程（ｅ）とを備え、
　層内レンズ１６３を、窒化シリコンの他に、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化ハフニウムなどで構成し、
　開口部の平面形状を略円形とすること。」
９　引用例９（当審拒絶理由において引用例５として引用された文献）について
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２００７−５６２９号公報(以下、「引用例９」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００１３】
　本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
　図１は、固体撮像装置の概略断面図である。
　ここでは、２画素のみを表している。
固体撮像装置は、半導体基板１、遮光膜３、層間絶縁膜４、カラーフィルタ５及びマイクロレンズ６を備える。
遮光膜３は、半導体基板１を覆い、各受光領域の対応位置に開口３ａを有する。開口３ａには、入射光のうち、カラーフィルタ５を透過した成分が入射される。
（２）「【００１７】
　一方、仮に、開口１３ａのサイズが他の開口のサイズと均一である場合を想定すれば、Ｒ成分の光の減衰量は、曲線２２に従うので、他の成分の光の減衰量よりも大きくなることがわかる。したがって、Ｒ成分のみが他の成分よりも感度が低くなる。
　実施の形態１では、Ｒ画素の開口を他の画素の開口よりも広くすることで、上記のようなＲ成分の感度低下を抑制している。その結果、画質低下が軽減される。
（実施の形態２）
　
実施の形態２は、光の波長域が長くなるほど遮光膜の開口が広くなる。それ以外の構成については実施の形態１と同様なので説明を省略する。
【００１８】
  図５は、実施の形態２に係る固体撮像装置の遮光膜部分を表した平面図である。
　遮光膜３１は、画素（３２乃至３５）毎に、開口（３２ａ乃至３５ａ）を有する。実施の形態２では、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の順に開口サイズを大、中、小とすることを特徴とする。図５（ａ）の例では、開口３３ａ、開口３２ａ及び３５ａ、開口３４ａの順に広い。また、開口３２ａ及び３５ａは、それぞれ同じ広さである。
【００１９】
　図５（ａ）では、全画素にわたり画素サイズが均一である例であるが、図５（ｂ）のように、画素毎に画素サイズが異なっていてもよい。ただし、図５（ｂ）の例でも、Ｒ画素の開口１８ａ、Ｇ画素の開口１７ａ及び２０ａ、Ｂ画素の開口１９の順に広いことには変わりはない。
　図６は、開口での光の減衰量の波長依存性を示す図である。
【００２０】
　曲線４１は、図５（ａ）における開口３３ａの光の減衰量を示している。曲線４２は、図５（ａ）における開口３２ａ及び３５ａの光の減衰量を示している。曲線４３は、図５（ａ）における開口３４ａの光の減衰量を示している。これによれば、開口３３ａでのＲ成分の光の減衰量、開口３２ａ及び３５ａでのＧ成分の光の減衰量、開口３４ａでのＢ成分の光の減衰量がいずれも同程度である。
【００２１】
　実施の形態２では、実施の形態１と同様に、Ｒ画素の開口を他の画素の開口よりも広くすることで、Ｒ成分の感度低下を抑制し、画質低下を軽減することができる。さらに、実施の形態２では、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の順に開口サイズを大、中、小とすることで、全ての波長域にわたり感度をそろえつつ、短い波長域については開口サイズを小さくすることができる。したがって、撮像装置全体の小型化を図ることができる。
【００２２】
　図７は、実施の形態２に係る固体撮像装置の遮光膜部分とマイクロレンズとをあわせて表した平面図である。
　
撮像装置は、画素（５２乃至５５）毎に、マイクロレンズ（５２ｂ乃至５５ｂ）を有する。図７に示すように、各マイクロレンズは、対応する開口が広いほど集光面積が広い。したがって、マイクロレンズの集光面積が全画素にわたり均一である場合に比べて、光の波長域が長いほど光の入射量を増やすことができる。したがって、Ｒ成分の光の感度低下を、さらに抑制することができる。
（実施の形態３）
　実施の形態３では、遮光膜及びマイクロレンズの構成が実施の形態１と異なる。それ以外の構成については実施の形態１と同様なので説明を省略する。」
（３）したがって、上記引用例９には実質的に次の事項（以下、「引用例９記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体基板１、遮光膜３、層間絶縁膜４、カラーフィルタ５及びマイクロレンズ６を備える、固体撮像装置において、
　遮光膜３は、半導体基板１を覆い、各受光領域の対応位置に開口３ａを有し、開口３ａには、入射光のうち、カラーフィルタ５を透過した成分が入射され、
　光の波長域が長くなるほど遮光膜３の開口が広くし、また、
　画素（５２乃至５５）毎に、マイクロレンズ（５２ｂ乃至５５ｂ）を有し、
　光の波長域が長いほど光の入射量を増やすよう、マイクロレンズ（５２ｂ乃至５５ｂ）の集光面積を変えること。」
１０　引用例１０（当審拒絶理由において引用例６として引用された文献）について
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２００６−８６３５６号公報(以下、「引用例１０」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００１４】
　
本発明による固体撮像素子の第１の態様は、入射光により光電変換を行い光量に応じた信号電荷を生成する受光部と、前記受光部に対応するようにオンチップ状に配置されるカラーフィルタと、前記受光部に入射光を導き、前記カラーフィルタに対応するようにオンチップ状に配置されるマイクロレンズと、を少なくとも有する画素がマトリクス状に複数配置され、前記カラーフィルタは、輝度信号の最大成分を生成する画素に配置される強輝度色層、及び、最大成分とはならない信号を生成する画素に配置される少なくとも一層以上の弱輝度色層を有しており、前記強輝度色層に対応して配置されるマイクロレンズの直径は、前記弱輝度色層に対応して配置されるマイクロレンズの直径より大なることを特徴とする
（２）したがって、上記引用例１０には実質的に次の事項（以下、「引用例１０記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
「固体撮像素子において、入射光により光電変換を行い光量に応じた信号電荷を生成する受光部と、前記受光部に対応するようにオンチップ状に配置されるカラーフィルタと、前記受光部に入射光を導き、前記カラーフィルタに対応するようにオンチップ状に配置されるマイクロレンズと、を少なくとも有する画素がマトリクス状に複数配置され、前記カラーフィルタは、輝度信号の最大成分を生成する画素に配置される強輝度色層、及び、最大成分とはならない信号を生成する画素に配置される少なくとも一層以上の弱輝度色層を有し、前記強輝度色層に対応して配置されるマイクロレンズの直径は、前記弱輝度色層に対応して配置されるマイクロレンズの直径より大なること。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用例１発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用例１発明の「表面側」，「裏面側」，「半導体基板１０１」，「層間絶縁膜１０６を介して多層に形成された、配線１０４」，「入射光を光電変換する光電変換部１０２」，および「裏面照射型の固体撮像装置」は、それぞれ本願発明１の「第１面」，「第２面」，「半導体層」，「配線構造」，「複数の光電変換部」および「前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置」に相当する。
イ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光電変換部１０２を分離する素子分離領域１０３上にのみ残るよう平面格子形状を有する光反射性部材からなる隆起部１１２」は、「裏面上」にあり、「光反射性部材からな」っており、また、「平面格子形状を有」していることから開口を備えていると言えるから、本願発明１の「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」と、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の」「開口を有する遮光体」である点で共通する。
ウ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成された「シリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａ」は、本願発明１の「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記複数の」「開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」である点で共通する。
エ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ上に」形成された、「該絶縁膜１１３ａの屈折率より大きい透明樹脂膜からなる平坦化膜１１３ｂ」は、本願発明１の「前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層」に相当する。
オ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ」は「該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成されており、また、「絶縁膜１１３ａ上に」形成された「平坦化膜１１３ｂ」は、「該絶縁膜１１３ａの屈折率より大きい」から、本願発明１の「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい、」ことと、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の」「開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し」ている点で、共通する。
カ　したがって、本願発明１と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
　前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、
　前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
　前記第１層よりも高い屈折率を有し、前記第１層を覆う第２層と、を備え、
　前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有する、
　ことを特徴とする固体撮像装置。
［相違点１］
　本願発明１の「遮光体」は、「前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有す」のに対して、引用例１発明はそうでない点。
［相違点２］
　本願発明１は「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」のに対して、引用例１発明の「隆起部１１２」と「絶縁膜１１３ａ」の厚さの大小について明記されていない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点１］について以下に検討する。
　引用例１発明の「隆起部１１２」は「平面格子形状」であり、また、この「平面格子形状」は「画素の境界」の形状を反映しており、引用例１には「隆起部１１２」の「平面格子形状」を「画素の境界」と異なる形状とすることについて記載されておらず、また、「画素の境界」の形状を「平面格子形状」と異なる形状とすることも記載されていないから、引用例１発明の「隆起部１１２」の形状を「円形開口を有す」ようにすることが容易であったとは言えない。
　また、引用例３，５，６，９および１０には、「円形開口を有する」「遮光体」の構成は記載されていないから、引用例１発明に引用例３，５，６，９および１０の記載を適用し、［相違点１］に係る構成を想起することはできない。
　引用例２，４，７および８には、引用例２に記載された「遮光膜３９」，引用例４に記載された「遮光膜９」，引用例７に記載された「遮光層７３」および引用例８に記載された「配線と遮光膜の両方の役割を果たさせる」「配線層」の、開口を円形とするとの記載はあるが、それぞれの遮光の機能を有する構成は、引用例１発明の「該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるようシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａを形成」するという「隆起部１１２」と同様の機能は有していないから、引用例１発明に、引用例２，４，７および８に記載された「遮光体」の開口を円形とするとの事項を採用し、［相違点１］に係る構成を採用することが容易であるとは言えない。
　そして、本願発明１は、［相違点１］に係る構成を有することにより、
「【００１７】
　遮光体１３３に円形開口ＯＰが存在することにより、半導体層１０１の第２面Ｆ２の露出部分および遮光体１３３によって連続回転対称性を有する凹凸形状が形成される。レンズ面Ｌもまた、当該凹凸形状に応じた形状、即ち、連続回転対称性を有する形状を有する。よって、集光効率は、レンズ面Ｌに入射する光線の方向（ここでの方向は、第２面Ｆ２に垂直な方向から固体撮像装置１００を観察した平面視における光線の方向である。）に依存しない。よって、有効画素領域（撮像領域）ＥＰＲ内における感度の不均一性および／または混色の低減効果の不均一性が低減されうる。」
という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］に係る構成は、引用例１ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
２　本願発明８について
（１）対比
　本願発明８と引用例１発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用例１発明の「表面側」，「裏面側」，「半導体基板１０１」，「層間絶縁膜１０６を介して多層に形成された、配線１０４」，「入射光を光電変換する光電変換部１０２」，および「裏面照射型の固体撮像装置」は、それぞれ本願発明８の「第１面」，「第２面」，「半導体層」，「配線構造」，「複数の光電変換部」および「前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置」に相当する。
イ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光電変換部１０２を分離する素子分離領域１０３上にのみ残るよう平面格子形状を有する光反射性部材からなる隆起部１１２」は、「裏面上」にあり、「光反射性部材からな」っており、また、「平面格子形状を有」していることから開口を備えていると言えるから、本願発明８の「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」と、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の」「開口を有する遮光体」である点で共通する。
ウ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成された「絶縁膜１１３ａ」は、本願発明８の「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記複数の」「開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」である点で共通する。
エ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ上に」形成された、「平坦化膜１１３ｂ」は、本願発明８の「前記第１層を覆う第２層」に相当する。
オ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ」は「該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成されており、また、「絶縁膜１１３ａ上に」形成された「平坦化膜１１３ｂ」は、「該絶縁膜１１３ａの屈折率より大きい」から、本願発明８の「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい、」ことと、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の」「開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し」ている点で、共通する。
カ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ」は「シリコン酸化膜から」なっているから、このことは、本願発明８の「前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成され」ることに相当する。
キ　したがって、本願発明８と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
　前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、
　前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
　前記第１層を覆う第２層と、を備え、
　前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、
　前記第１層は、酸化シリコン又は酸窒化シリコンで構成されている、ことを特徴とする固体撮像装置。」
［相違点３］
　本願発明８の「遮光体」は、「前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有す」のに対して、引用例１発明はそうでない点。
［相違点４］
　本願発明８は「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」のに対して、引用例１発明の「隆起部１１２」と「絶縁膜１１３ａ」の厚さの大小について明記されていない点。
［相違点５］
　本願発明８は「前記第２層は、酸窒化シリコン、窒化シリコン、酸化ハフニウムおよび酸化チタンからなるグループから選択される材料で構成されている」のに対して、引用例１発明はそうでない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点３］について以下に検討する。
　［相違点３］は、上記「１（２）相違点についての判断」で検討した［相違点１］と同じ相違点であるから、上記「１（２）相違点についての判断」で検討したとおり、［相違点３］に係る構成は、引用例１ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
３　本願発明９について
（１）対比
　本願発明９と引用例１発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用例１発明の「表面側」，「裏面側」，「半導体基板１０１」，「層間絶縁膜１０６を介して多層に形成された、配線１０４」，「入射光を光電変換する光電変換部１０２」，および「裏面照射型の固体撮像装置」は、それぞれ本願発明９の「第１面」，「第２面」，「半導体層」，「配線構造」，「複数の光電変換部」および「前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置」に相当する。
イ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面上の隣接する画素の境界部分に、光電変換部１０２を分離する素子分離領域１０３上にのみ残るよう平面格子形状を有する光反射性部材からなる隆起部１１２」は、「裏面上」にあり、「光反射性部材からな」っており、また、「平面格子形状を有」していることから開口を備えていると言えるから、本願発明９の「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」と、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の」「開口を有する遮光体」である点で共通する。
ウ　引用例１発明の「該半導体基板１０１の裏面側の隆起部１１２及び反射防止膜１１１上に、該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成された「絶縁膜１１３ａ」は、本願発明９の「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記複数の」「開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」である点で共通する。
エ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ上に」形成された、「平坦化膜１１３ｂ」は、本願発明９の「前記第１層を覆う第２層」に相当する。
オ　引用例１発明の「絶縁膜１１３ａ」は「該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるよう」形成されており、また、「絶縁膜１１３ａ上に」形成された「平坦化膜１１３ｂ」は、「該絶縁膜１１３ａの屈折率より大きい」から、本願発明９の「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい、」ことと、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の」「開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し」ている点で、共通する。
カ　引用例１発明は「該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるようシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａを形成」しているから、このことは、本願発明９の「前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれに光を集光させる」ことに相当する。
キ　したがって、本願発明９と引用例１発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の上に配置された配線構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
　前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の開口を有する遮光体と、
　前記複数の開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層と、
　前記第１層を覆う第２層と、を備え、
　前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の開口において前記第２面に向かって突出する形状を有し、前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さく、
　前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれに光を集光させる
　ことを特徴とする固体撮像装置。」
［相違点６］
　本願発明９の「遮光体」は、「前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有す」のに対して、引用例１発明はそうでない点。
［相違点７］
　本願発明９は「前記形状のうち前記第２面に向かって最も突出した部分における前記第１層の厚さが前記遮光体の厚さよりも小さい」のに対して、引用例１発明の「隆起部１１２」と「絶縁膜１１３ａ」の厚さの大小について明記されていない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点６］について以下に検討する。
　［相違点６］は、上記「１（２）相違点についての判断」で検討した［相違点１］と同じ相違点であるから、上記「１（２）相違点についての判断」で検討したとおり、［相違点６］に係る構成は、引用例１ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
４　本願発明２ないし７および１０，１１について
　本願発明２ないし７は、本願発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　また、本願発明１０および１１は、本願発明１，８もしくは９の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１，８もしくは９が引用例１ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２ないし７および１０，１１も、引用例１ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　本願発明１ないし１１は、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」を備え、「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記第１層を覆う第２層と」を備え、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状」とするという技術的事項を有する「固体撮像装置」である。
　そして、前記「第６」で検討したとおり、本願発明１ないし１１の「遮光体」に対応する、原査定における引用例１発明の「隆起部１１２」は「平面格子形状」であり、該形状を「円形開口を有す」ようにすることが容易であったとは言えない。
　また、原査定における引用例３，５および６には、「円形開口を有する」「遮光体」の構成は記載されていないから、引用例１発明に原査定における引用例３，５および６の記載を適用し、引用例１発明の「隆起部１１２」の形状を「円形開口を有す」ように想起することはできない。
　原査定における引用例２および４には、遮光の機能を有する構成の開口を円形とするとの記載はあるが、それぞれの遮光の機能を有する構成は、引用例１発明の「該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるようシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａを形成」するという「隆起部１１２」と同様の機能は有していないから、引用例１発明に、原査定における引用例２および４に記載された「遮光体」の開口を円形とするとの事項を採用することが容易であるとは言えない。
　そうすると、本願発明１ないし１１の、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」を備え、「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記第１層を覆う第２層と」を備え、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状」とする構成は、原査定における引用例１ないし６には記載されておらず、本願出願日前における周知技術でもないので、本願発明１ないし１１は、当業者であっても、原査定における引用文献１および６に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号について
　当審拒絶理由で拒絶の理由を示した、補正前の請求項９の「前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれ光を集光させる」は、本手続補正により「前記レンズ面は、前記複数の光電変換部のそれぞれ
に
２　特許法第２９条第２項について
　本願発明１ないし１１は、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」を備え、「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記第１層を覆う第２層と」を備え、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状」とするという技術的事項を有する「固体撮像装置」である。
　そして、前記「第６」で検討したとおり、本願発明１ないし１１の「遮光体」に対応する、当審拒絶理由における引用例１発明の「隆起部１１２」の形状は「平面格子形状」であり、該形状を「円形開口を有す」ようにすることが容易であったとは言えない。
　また、当審拒絶理由における引用例３，６，９および１０には、「円形開口を有する」「遮光体」の構成は記載されていないから、引用例１発明に当審拒絶理由における引用例３，６，９および１０の記載を適用し、引用例１発明の「隆起部１１２」の形状を「円形開口を有す」ように想起することはできない。
　当審拒絶理由における引用例２，７および８には、遮光の機能を有する構成の開口を円形とするとの記載はあるが、それぞれの遮光の機能を有する構成は、引用例１発明の「該隆起部１１２による段差が反映されて、該入射光を該光電変換部１０２に集光する凹レンズが形成されるようシリコン酸化膜からなる絶縁膜１１３ａを形成」するという「隆起部１１２」と同様の機能は有していないから、引用例１発明に、当審拒絶理由における引用例２，７および８に記載された「遮光体」の開口を円形とするとの事項を採用することが容易であるとは言えない。
　そうすると、本願発明１ないし１１の、「前記第２面の上に配置され、前記複数の光電変換部に対応する複数の円形開口を有する遮光体」を備え、「前記複数の円形開口および前記遮光体を覆うように前記第２面の側に配された第１層」と、「前記第１層を覆う第２層と」を備え、「前記第１層と前記第２層との境界面は、凸レンズとして機能するレンズ面を含み、前記レンズ面は、前記複数の円形開口において前記第２面に向かって突出する形状」とする構成は、当審拒絶理由における引用文献１ないし３および６ないし１０には記載されておらず、本願出願日前における周知技術でもないので、本願発明１ないし１１は、当業者であっても、当審拒絶理由における引用文献１ないし３および６ないし１０に基づいて容易に発明できたものではない。
３　当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由によって、本願を拒絶することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり審決する。