【事件の表示】
　特願２０１６−５１２９３０「外部の磁気の影響に対する耐性を有する磁場センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月１３日国際公開、ＷＯ２０１４／１８２４７６、平成２８年　６月３０日国内公表、特表２０１６−５１９３１０、請求項の数（２７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２６年４月２８日（パリ条約による優先権主張　２０１３年５月１０日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２９年１月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２９年４月１８日付けで手続補正がなされたが、平成２９年９月１４日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ（謄本送達日　平成２９年９月２８日）、これに対し、平成３０年１月１９日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次の通りである。
１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１−３３
・引用文献等　１−６
●理由２（特許法第３６条第６項第２号）について
・請求項　１−３３
　復調器に関し、復調の結果として第３の周波数バンドから第１の周波数バンドにシフトするとの作用効果のみを記載しているが、復調器をどのように構成することで前記シフトすることができるのか明確ではない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開平３−３５１８２号公報
２．特開昭５７−７１５０４号公報
３．特開昭６０−１８２５０３号公報
４．特表２００３−５１５７４３号公報
５．特開２００６−２８４４６６号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
６．米国特許第７８１６７７２号明細書（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１−２７に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明２７」という。）は、平成３０年１月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−２７に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、２１は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　磁場センサであって、
　ＡＣバイアスコイルに対するターゲットパターンを有する強磁性ターゲットの移動によって変調されるＡＣバイアス磁場を発生させるためのＡＣバイアスコイルと、
　前記変調されたＡＣバイアス磁場を感知することにより、前記強磁性ターゲットの移動を示す磁場信号を生成するための少なくとも１つの感知素子を備える磁場信号発生器であって、前記磁場信号は、前記感知した変調されたＡＣバイアス磁場に基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分および外部磁気干渉を感知することに基づく第２の周波数バンドにおける望ましくない信号部分を有する、磁場信号発生器と、
　前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることによって前記磁場信号の復調を実行するための復調器を含む回路と
　を備え、
　前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え、
　前記復調の結果として、前記変調信号部分が、前記第１の周波数バンドから第３の周波数バンドにシフトされ、前記望ましくない信号部分が、前記第２の周波数バンドから前記第１の周波数バンドにシフトされる、磁場センサ。」
「【請求項２１】
　磁場センサにおいて使用される方法であって、
　ＡＣバイアスコイルにより、前記ＡＣバイアスコイルに対するターゲットプロファイルパターンを有する強磁性ターゲットの移動によって変調されるＡＣバイアス磁場を発生させるステップと、
　磁場信号発生器が、前記変調されたＡＣバイアス磁場を感知することにより、前記ターゲットプロファイルパターンを有する強磁性ターゲットの移動を示す磁場信号を生成するステップであって、前記磁場信号は、前記変調されたＡＣバイアス磁場を感知することに基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分、および外部磁気干渉を感知することに基づく第２の周波数バンドにおける望ましくない信号部分を含む、ステップと、
　前記変調信号部分を前記第１の周波数バンドから第３の周波数バンドにシフトし、前記望ましくない信号部分を前記第２の周波数バンドから前記第１の周波数バンドにシフトするために、回路によって、前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることにより前記磁場信号の復調を実行するステップと
　を含み、前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備える、方法。」
　本願発明２−２０は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明２２−２７は、本願発明２１を減縮した発明である。
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（特開平３−３５１８２号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
ａ　「２．特許請求の範囲
１．弱結合粒界を有する超電導体からなる磁気抵抗素子を用いた磁界測定装置において、前記磁気抵抗素子に交流バイアス磁界を印加する手段を設け、該
磁気抵抗素子からの
交流バイアス磁界印加により発生した出力信号により外部磁界の測定を行なう
超電導磁界測定装置
ｂ　「第２図に示した超電導磁気抵抗素子１４は本実施例で使用した素子１４を詳細に説明するものである。第２図は、
非磁性の基板１上に、
超電導膜２を形成し、膜２を機械的加工でミアンダ状にした上、チタン（Ｔｉ）を蒸着法で、電流電極３ａ，３ｂと電圧電極４ａ，４ｂを形成し、超電導磁気抵抗素子１４を形成している。
ｃ　「以上のようにして、第２図のような構成にした
超電導磁気抵抗素子１４は、
バイアス磁界を印加する
コイル
１５の中央部にセットし、
　
コイル１５には交流電源に接続し、
交流磁界
を素子１４に印加
してある。
ｄ　「以上の
出力信号と交流磁界発生信号とをロックインアンプに入力し、
　上記のロックインアンプの概要を、第８図のブロック図で示した。
素子１４の
からの出力は差動増幅器で２０倍に増幅され、ロックインアンプに入力される。
参照入力として、
正弦波発生器の１ＫＨｚ信号が用いられる。
　
ロックインアンプの原理は次のようになっている。入力信号Ｖｓ，参照信号Ｖｒを次のように表わす。
　Ｖｒ＝Ａｃｏｓ（ωｒｔ＋θ）・・・（１）
　Ｖｓ＝ｃｏｓ（ωｓｔ）・・・（２）
　ここでＡ：定数，ωｒ：参照信号の角速度，θ：位相角，ωｓ：入力信号の角速度である，上の２つの信号を
位相比較器
で乗算すると、次の信号Ｖｐｓｄになる。
　Ｖｐｓｄ＝Ａｃｏｓ（ωｒｔ＋θ）・ｃｏｓ（ωｓｔ）
　＝１／２・Ａｃｏｓ〔（ωｒ＋ωｓ）ｔ＋θ〕＋１／２・Ａｃｏｓ（ωｒ−ωｓ）ｔ＋θ〕・・・（３）
　ここでωｒとωｓが等しいから（３）式の第２項が直流成分になる。又、ローパスフィルターで（３）式の第１項の交流成分を除くので、ローパスフィルターからの出力ＶＬＰは次のようになる。
　ＶＬＰ＝１／２・Ａ・ｃｏｓθ
　こゝでＶＬＰを最大にするには、参照信号と入力信号の位相差を零にするようロックインアンプを調整すればよいことになる。以上のようにして
交流印加磁界による周波数成分のみを直流電圧として取出すことができる。
ｅ　「又、素子やコイルの小型化が可能であり微小磁界の空間的分布も測定可能であり
医療や非破壊検査など
の分野に利用することができる。
第２図
第８図
　上記記載より、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所を示す。以下同様）。
「非磁性の基板１上に、超電導膜２を形成し、膜２を機械的加工でミアンダ状にした上、チタン（Ｔｉ）を蒸着法で、電流電極３ａ，３ｂと電圧電極４ａ，４ｂを形成した、超電導磁気抵抗素子１４を備え（上記ｂ）、
　超電導磁気抵抗素子１４は、バイアス磁界を印加するコイル１５の中央部にセットされ、
　コイル１５は交流電源に接続し、交流磁界を素子１４に印加でき（上記ｃ）、
　素子１４からの出力は差動増幅器で２０倍に増幅しロックインアンプに入力され、参照入力として、交流磁界発生信号である正弦波発生器の１ＫＨｚ信号が用いられ、
　ロックインアンプの原理は次のようになっており、
　入力信号Ｖｓ，参照信号Ｖｒを次のように表わし、
　Ｖｒ＝Ａｃｏｓ（ωｒｔ＋θ）・・・（１）
　Ｖｓ＝ｃｏｓ（ωｓｔ）・・・（２）
　ここでＡ：定数，ωｒ：参照信号の角速度，θ：位相角，ωｓ：入力信号の角速度である，上の２つの信号を位相比較器で乗算すると、次の信号Ｖｐｓｄになり、
　Ｖｐｓｄ＝Ａｃｏｓ（ωｒｔ＋θ）・ｃｏｓ（ωｓｔ）
　＝１／２・Ａｃｏｓ〔（ωｒ＋ωｓ）ｔ＋θ〕＋１／２・Ａｃｏｓ（ωｒ−ωｓ）ｔ＋θ〕・・・（３）
　ここでωｒとωｓが等しいから（３）式の第２項が直流成分になり、又、ローパスフィルターで（３）式の第１項の交流成分を除くので、ローパスフィルターからの出力ＶＬＰは次のようになり、
　ＶＬＰ＝１／２・Ａ・ｃｏｓθ
　交流印加磁界による周波数成分のみを直流電圧として取出すことができる（上記ｄ）、
　磁気抵抗素子からの交流バイアス磁界印加により発生した出力信号により外部磁界の測定を行なう、超電導磁界測定装置（上記ａ）。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２（特開昭５７−７１５０４号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「２．特許請求の範囲
　
磁気抵抗素子を用いて記録媒体の磁気記録情報を読出す方式において、前記磁気抵抗素子に交流磁場を印加することにより前記磁気抵抗素子から読出される磁気記録情報を変調するとともに、該磁気記録情報を復調する際に該交流磁場信号を参照して同期検波することにより復調するようにしたことを特徴とする磁気抵抗素子の読出し方式。
ｂ　「従来、磁気ディスクまたは磁気テープ等の記録媒体から磁気記録情報を読出すための
ヘッド素子として磁気抵抗素子
が用いられる。
磁気ヘッド
第２図
　上記記載より、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「磁気ヘッドのヘッド素子として磁気抵抗素子を用いて（上記ｂ）、記録媒体の磁気記録情報を読出す方式において、
　前記磁気抵抗素子に交流磁場を印加することにより前記磁気抵抗素子から読出される磁気記録情報を変調するとともに、該磁気記録情報を復調する際に該交流磁場信号を参照して同期検波することにより復調するようにしたことを特徴とする磁気抵抗素子の読出し方式（上記ａ）。」　
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３（特開昭６０−１８２５０３号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ａ　「磁気抵抗効果（以下
ＭＲ
型磁気ヘッド装置のヘッド部ｈは、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
より成る磁性基板（１）上に、
ＭＲ感磁部に対してバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導体（３）上に、
Ｎｉ−Ｆｅ系合金
のＭＲ磁性薄膜によるＭＲ感磁部（５）が配される。
基板（１）上には、非磁性の性保護層（９）を介して、保護基板（１０）が接合され
ｂ　「第７図は他の本発明によるＭＲ型磁気ヘッド装置の構成図で、第７図において第４図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。この場合、
バイアス導体（３）には、
交流バイアス電流ｉＡ
を印加する。
信号磁界ＨＳに重畳して交流バイアス磁界ＨＡが与えられる。
信号磁界の大きさ
に対応して交流バイアス磁界に応じたＭＲ感磁部（５）の抵抗変化が得られる。
ｃ　「この場合ＭＲ動作特性曲線は２次曲線で、このＭＲ感磁部の抵抗値Ｒｍｒは、次のように表される。
　Ｒｍｒ＝Ｒｍａｘ−ΔＲｍａｘ・Ｈ２／Ｈｏ・・・（４）
　ここに、ΔＲｍａｘ＝Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎである。ここで
ＭＲ感磁部（５）に、
与えられる。
磁界Ｈはバイアス磁界ＨＡ（ｔ）と、信号磁界ＨＳ（ｔ）との和で表される。
　
Ｈ（ｔ）＝ＨＡ（ｔ）＋ＨＳ（ｔ）・・（５）
ここに
ＨＡ（ｔ）は、
　
Ｈ（ｔ）＝ＨＡ・ｓｉｎ（ωｃｔ）・・・（６）
（当審注：ＨＡ（ｔ）＝ＨＡｏ・ｓｉｎ（ωｃｔ）の誤記）
に設定される。ここに
　ωｃ＝２πｆｃ・・・（７）
ＭＲ感磁部（５）の出力Ｖ（ｔ）は、ＭＲ検出電流をＩとすると、
　Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍｒ・・・（８）
であり、上記（４）、（５）、（６）式から次のように表される。
Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍａｘ−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ
２
×｛ＨＡｏ
２
・ｓｉｎ
２
ωｔ＋２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）＋（ＨＳ（ｔ））
２
｝・・・（９）
次に、
このＶ（ｔ）と、交流バイアス磁界ＨＡと同相同周波数の信号、例えばｓｉｎ（ωｔ）を乗算器（２０）によって乗算する。その出力Ｖｚ（ｔ）は、
Ｖｚ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍａｘ・ｓｉｎ（ωｔ）−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ
２
×｛ＨＡｏ
２
・ｓｉｎ
２
ωｔ＋２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）＋（ＨＳ（ｔ））
２
｝・ｓｉｎ（ωｔ）・・（１０）
そして、
これを低域通過フィルタ（２１）に通ずると、式（１０）においてω成分を有する項は、排除される。
Ｉ・Ｒｍａｘ・ｓｉｎ（ωｔ）→０・・・（１１）
ＨＡｏ２・ｓｉｎ２（ωｔ）＝ＨＡｏ／２・｛ｓｉｎ（ωｔ）−ｃｏｓ（２ωｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）｝→０・・・（１２）
（当審注：ＨＡｏ２・ｓｉｎ３（ωｔ）＝ＨＡｏ／２・｛ｓｉｎ（ωｔ）−ｃｏｓ（２ωｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）｝の誤記）
２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・ｓｉｎ
２
（ωｔ）＝ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・｛１−ｃｏｓ（２ωｔ）｝→ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・・・（１３）
｛ＨＳ（ｔ）｝２・ｓｉｎ（ωｔ）→０・・・（１４）
したがって、端子（１５）で得られる
出力電圧Ｖｏ（ｔ）は、
Ｖｏ（ｔ）＝−Ｉ・ΔＲｍａｘ×ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）／Ｈｏ
２
　・・・（１５）
となり、信号磁界ＨＳ（ｔ）に比例する電圧が得られる。
第１図
第７図
　上記記載より、引用文献３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。
「ＭＲ型磁気ヘッド装置であって、
　ヘッド部ｈは、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトより成る磁性基板（１）上に、ＭＲ感磁部に対してバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導体（３）上にＮｉ−Ｆｅ系合金のＭＲ磁性薄膜によるＭＲ感磁部（５）が配され、基板（１）上には、非磁性の性保護層（９）を介して、保護基板（１０）が接合され（上記ａ）、
　バイアス導体（３）には、直交流バイアス電流ｉＡを印加し、
　信号磁界ＨＳに重畳して交流バイアス磁界ＨＡが与えられ、信号磁界の大きさに対応して交流バイアス磁界に応じたＭＲ感磁部（５）の抵抗変化が得られ（上記ｂ）、
　バイアス磁界ＨＡ（ｔ）は、
　ＨＡ（ｔ）＝ＨＡｏ・ｓｉｎ（ωｃｔ）・・・（６）、
　ＭＲ感磁部（５）に与えられる磁界Ｈはバイアス磁界ＨＡ（ｔ）と、信号磁界ＨＳ（ｔ）との和で表され、
　Ｈ（ｔ）＝ＨＡ（ｔ）＋ＨＳ（ｔ）・・（５）
　であり、
　ＭＲ感磁部（５）の出力Ｖ（ｔ）は、ＭＲ検出電流をＩとすると、
　Ｖ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍａｘ−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛ＨＡｏ２・ｓｉｎ２ωｔ＋２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）＋（ＨＳ（ｔ））２｝・・・（９）であり、
　このＶ（ｔ）と、交流バイアス磁界ＨＡと同相同周波数の信号、ｓｉｎ（ωｔ）を乗算器（２０）によって乗算すると、その出力Ｖｚ（ｔ）は、
　Ｖｚ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍａｘ・ｓｉｎ（ωｔ）−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛ＨＡｏ２・ｓｉｎ２ωｔ＋２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）＋（ＨＳ（ｔ））２｝・ｓｉｎ（ωｔ）・・（１０）
　となり、
　これを低域通過フィルタ（２１）に通ずると、式（１０）においてω成分を有する項は、排除され、
　２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・ｓｉｎ２（ωｔ）＝ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・｛１−ｃｏｓ（２ωｔ）｝→ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・・・（１３）
　だけが残り、出力電圧Ｖｏ（ｔ）は、
　Ｖｏ（ｔ）＝−Ｉ・ΔＲｍａｘ×ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）／Ｈｏ２　・・・（１５）
となり、信号磁界ＨＳ（ｔ）に比例する電圧が得られる（上記ｃ）、
　ＭＲ型磁気ヘッド装置。」
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４（特表２００３−５１５７４３号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【請求項１】  
検体粒子及び磁気感応性粒子の組み合わせを含むサブナノグラム試料の定量的磁気測定が可能で、規定のパターンに配置され、複数の試料を含みうる試料ホルダに試料が配置されている装置であって：
　該試料に交流磁場をかける磁場源、該磁場源は試料ホルダを配置することができる間隙を規定しており；
　試料からの誘導された磁気モーメントを検出するための実質的に平坦な磁場センサ、該センサに対する磁場源の関与を実質的に排除できるように形成され、かつ配置されており、該磁場センサは出力シグナルを伝達する出力口を有し、該磁場センサは磁場源の間隙中に実質的に配置されており；及び
磁場センサからの出力シグナルを処理し、該パターンにおいてサンプルの量のシグナル表示を提供する電子シグナル処理装置を有する前記装置。
「【請求項２４】  
該シグナルプロセッサが下記の構成を含み、該センサの該出力口と結合した増幅器；該出力シグナルを条件化する該増幅器と結合した位相敏感検出器；該出力シグナルをデジタル型に変換するデジタルコンバータのアナログ装置；及び該デジタルシグナルを受け、かつ該装置にコントロールシグナルを提供するコンピュータを含む、
「【０００２】
【従来の技術】
  （従来の技術の考察）
  より大きな混合物又は溶液における微小粒子の存在、及び可能ならばその濃度レベルを測定する技術に多くの注意が払われてきた。特定の環境において、非常に濃度の低いある種の有機化合物を測定することが望ましい。例えば、
医療分野において、通常溶液中にある特定の種類の分子の濃度を測定することは非常に有用であり、
図１
  上記記載より、引用文献４には、次の発明（以下、「引用発明４」という。）が記載されている。
「検体粒子及び磁気感応性粒子の組み合わせを含むサブナノグラム試料の定量的磁気測定が可能で、規定のパターンに配置され、複数の試料を含みうる試料ホルダに試料が配置されている装置であって：
　該試料に交流磁場をかける磁場源、該磁場源は試料ホルダを配置することができる間隙を規定しており；
　試料からの誘導された磁気モーメントを検出するための実質的に平坦な磁場センサ、該センサに対する磁場源の関与を実質的に排除できるように形成され、かつ配置されており、該磁場センサは出力シグナルを伝達する出力口を有し、該磁場センサは磁場源の間隙中に実質的に配置されており；及び
磁場センサからの出力シグナルを処理し、該パターンにおいてサンプルの量のシグナル表示を提供する電子シグナル処理装置を有し（【請求項１】）、
　電子シグナル処理装置が下記の構成を含み、該センサの該出力口と結合した増幅器；該出力シグナルを条件化する該増幅器と結合した位相敏感検出器；該出力シグナルをデジタル型に変換するデジタルコンバータのアナログ装置；及び該デジタルシグナルを受け、かつ該装置にコントロールシグナルを提供するコンピュータを含む（【請求項２４】）、前記装置。」
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献５（特開２００６−２８４４６６号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００３】
  図３は、磁気印刷パターンを読み取る半導体磁気抵抗素子を用いた磁気センサ３０の従来例１の断面図である。単結晶インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）製の磁気抵抗素子３１がケース３５中に設置され、図３のケース上面３９で磁気パターンの読み取りを行う。磁気抵抗素子３１の背面に永久磁石３２が設置され磁気抵抗素子３１にバイアス磁界を印加している。磁気センサ３０においては、磁気抵抗素子３１の感磁パターンの幅は約０．５ｍｍであるため、印刷された０．５ｍｍ以下の磁気パターンを読み取る場合には感磁パターンの幅が相対的に大きく、印刷された磁気パターン通りに素子の出力を得ることは困難であり、磁気パターンの平均化された信号が得られる。」
６　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献６（米国特許第７８１６７７２号明細書）には、図面とともに、次の事項が記載されている（訳文は、日本語ファミリー文献である特表２０１０−５２２９９４号公報に拠った。）。
「FIG. 1  shows an exemplary integrated circuit (IC)  100  provided as a sensor fabricated with a multi-step molding process in accordance with exemplary embodiments of the invention. In the illustrative embodiment, 
the sensor  100  is a gear tooth sensor (GTS) to detect motion of teeth  10  on a gear  12 .
　In an exemplary embodiment, 
the sensor  100  includes a Hall IC  102  having first and second Hall elements  104 ,  106  disposed on a leadframe  108 .
overmolding the assembly having
magnet  112 .
（特表２０１０−５２２９９４号公報の記載：
【００１１】
  図１は、本発明の例示の実施形態による多段成形プロセスで製作されたセンサとして提供された例示の集積回路（ＩＣ）１００を示す。図示の実施形態において
、センサ１００は、歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）
【００１２】
  例示の一実施形態において、
センサ１００は、リードフレーム１０８上に配置された第１および第２のホール素子１０４、１０６を有するホールＩＣ１０２を含む。
磁石１１２とを有する組立体が被覆成形される。
図１
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）引用発明３を主たる引用発明とした場合
ア　対比
　本願発明１と引用発明３を対比すると、次のことがいえる。
（ア）引用発明３の「ＭＲ型磁気ヘッド装置」、「ＭＲ感磁部（５）」は、それぞれ、本願発明１の「磁場センサ」、「感知素子」に相当する。
（イ）引用発明３は「ＭＲ型磁気ヘッド装置」であるから、「ヘッド部ｈ」に対し、磁気ディスクが移動しているといえ、また、磁気ディスクは、ターゲットパターンを有する強磁性ターゲットであるといえる。
　そして、引用発明３の「バイアス導体（３）」は、「ヘッド部ｈ」に「被着され」るので、「バイアス導体（３）」に対し、ターゲットパターンを有する強磁性ターゲットが移動しているといえる。
　また、引用発明３は「信号磁界ＨＳに重畳して交流バイアス磁界ＨＡが与えられ」、「バイアス磁界ＨＡ（ｔ）と、信号磁界ＨＳ（ｔ）との和で表され」た「Ｈ（ｔ）＝ＨＡ（ｔ）＋ＨＳ（ｔ）」となる「磁界Ｈ」を生成しているので、「交流バイアス磁界ＨＡ」に、「信号磁界ＨＳ」が加算されている。
　そして、引用発明３は「ＭＲ型磁気ヘッド装置」であるから、「信号磁界ＨＳ」は、磁気ディスクの移動によって発生するものであるから、引用発明３は、強磁性ターゲットである磁気ディスクの移動による「信号磁界ＨＳ」が、「交流バイアス磁界ＨＡ」に加算されている。ここで、本願発明１の「ＡＣバイアス磁場」の変調は「強磁性ターゲットの移動」によるものであることを鑑みると、引用発明３についても、強磁性ターゲットである磁気ディスクの移動によって「交流バイアス磁界ＨＡ」が、変調されているといえる。
　したがって、引用発明３の「ヘッド部ｈ」の「ＭＲ感磁部に対してバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）」と、本願発明１の「ＡＣバイアスコイルに対するターゲットパターンを有する強磁性ターゲットの移動によって変調されるＡＣバイアス磁場を発生させるためのＡＣバイアスコイル」とは、「ＡＣバイアス導体に対するターゲットパターンを有する強磁性ターゲットの移動によって変調されるＡＣバイアス磁場を発生させるためのＡＣバイアス導体」である点で共通する。
（ウ）上記（イ）を踏まえると、引用発明３の「信号磁界ＨＳ」は、磁気ディスクの移動によって発生するものであり、引用発明３の「信号磁界ＨＳに重畳して交流バイアス磁界ＨＡが与えられ、信号磁界の大きさに対応して交流バイアス磁界に応じた」「抵抗変化が得られ」「出力Ｖ（ｔ）」を生成する「ＭＲ感磁部（５）」は、本願発明１の「前記変調されたＡＣバイアス磁場を感知することにより、前記強磁性ターゲットの移動を示す磁場信号を生成するための少なくとも１つの感知素子を備える磁場信号発生器」に相当する。
（エ）引用発明３の「バイアス磁界ＨＡ（ｔ）は、ＨＡ（ｔ）＝ＨＡｏ・ｓｉｎ（ωｃｔ）」であるので、引用発明３の「出力Ｖ（ｔ）」の「−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）｝」の部分は、本願発明１の「前記感知した変調されたＡＣバイアス磁場に基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分」に相当する。
　そうすると、引用発明３の「ＭＲ感磁部（５）の出力Ｖ（ｔ）」と、本願発明１の「前記磁場信号は、前記感知した変調されたＡＣバイアス磁場に基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分および外部磁気干渉を感知することに基づく第２の周波数バンドにおける望ましくない信号部分を有する」こととは、「前記磁場信号は、前記感知した変調されたＡＣバイアス磁場に基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分を有する」点で共通する。
（オ）引用文献３の「このＶ（ｔ）と、交流バイアス磁界ＨＡと同相同周波数の信号、ｓｉｎ（ωｔ）を」「乗算」する「乗算器（２０）」及び「低域通過フィルタ（２１）」は、本願発明１の「前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることによって前記磁場信号の復調を実行するための復調器を含む回路」に相当する。
（カ）引用発明３は、「交流バイアス磁界ＨＡと同相同周波数の信号、ｓｉｎ（ωｔ）を乗算器（２０）によって乗算すると」、「出力Ｖ（ｔ）」の「−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）｝」の部分は、「Ｖｚ（ｔ）」の「−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）｝・ｓｉｎ（ωｔ）」となり、「２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・ｓｉｎ２（ωｔ）＝ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・｛１−ｃｏｓ（２ωｔ）｝」となり、「低域通過フィルタ（２１）」により、「ω成分を有する項は、排除され」るので、「２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）」が「ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・｛１｝」へバンドシフトしている。
　したがって、引用発明３の「このＶ（ｔ）と、交流バイアス磁界ＨＡと同相同周波数の信号、ｓｉｎ（ωｔ）を乗算器（２０）によって乗算すると、その出力Ｖｚ（ｔ）は、Ｖｚ（ｔ）＝Ｉ・Ｒｍａｘ・ｓｉｎ（ωｔ）−Ｉ・ΔＲｍａｘ／Ｈｏ２×｛ＨＡｏ２・ｓｉｎ２ωｔ＋２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）×ｓｉｎ（ωｔ）＋（ＨＳ（ｔ））２｝・ｓｉｎ（ωｔ）・・（１０）となり、これを低域通過フィルタ（２１）に通ずると、式（１０）においてω成分を有する項は、排除され、２ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・ｓｉｎ２（ωｔ）＝ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・｛１−ｃｏｓ（２ωｔ）｝→ＨＡｏ・ＨＳ（ｔ）・・・（１３）だけが残」ることと、本願発明１の「前記復調の結果として、前記変調信号部分が、前記第１の周波数バンドから第３の周波数バンドにシフトされ、前記望ましくない信号部分が、前記第２の周波数バンドから前記第１の周波数バンドにシフトされる」こととは、「前記復調の結果として、前記変調信号部分が、前記第１の周波数バンドから第３の周波数バンドにシフトされる」点で共通する。
　すると、本願発明１と引用発明３とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「磁場センサであって、
　ＡＣバイアス導体に対するターゲットパターンを有する強磁性ターゲットの移動によって変調されるＡＣバイアス磁場を発生させるためのＡＣバイアス導体と、
　前記変調されたＡＣバイアス磁場を感知することにより、前記強磁性ターゲットの移動を示す磁場信号を生成するための少なくとも１つの感知素子を備える磁場信号発生器であって、前記磁場信号は、前記感知した変調されたＡＣバイアス磁場に基づく第１の周波数バンドにおける変調信号部分を有する、磁場信号発生器と、
　前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることによって前記磁場信号の復調を実行するための復調器を含む回路と
　を備え、
　前記復調の結果として、前記変調信号部分が、前記第１の周波数バンドから第３の周波数バンドにシフトされる、磁場センサ。」
（相違点１）
　ＡＣバイアス磁場を発生させるためのＡＣバイアス導体が、本願発明１は、「ＡＣバイアスコイル」であるのに対して、引用発明３は、「バイアス導体（３）」である点。
（相違点２）
　本願発明１は、「磁場信号」が、「外部磁気干渉を感知することに基づく第２の周波数バンドにおける望ましくない信号部分を有する」のに対して、引用発明３は、「信号磁界ＨＳ（ｔ）」が、外部磁気干渉を受けるような特定がなく、「ＭＲ感磁部（５）の出力Ｖ（ｔ）」に、そのような特定がない点。
（相違点３）
　本願発明１は、「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」るのに対し、引用発明３は、「基板（１）上には、非磁性の性保護層（９）を介して、保護基板（１０）が接合され」る点。
（相違点４）
　本願発明１は、「復調の結果として、」「前記望ましくない信号部分が、前記第２の周波数バンドから前記第１の周波数バンドにシフトされる」のに対して、引用発明３は、そもそも、「磁場信号」が、「外部磁気干渉を感知することに基づく第２の周波数バンドにおける望ましくない信号部分を有する」ことの特定がない点。
イ　判断
　事案に鑑み、上記相違点３について検討する。
　引用文献６には、歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）において、リードフレーム１０８上に配置された第１および第２のホール素子１０４、１０６を有するホールＩＣ１０２、磁石１１２とを有する組立体が被覆成形される技術が記載されている（上記「第４　６」）。
　しかしながら、引用発明３は、「ヘッド部ｈ」に、「Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトより成る磁性基板（１）上に、ＭＲ感磁部に対してバイアス磁界を与えるバイアス磁界発生用の電流通路となる帯状の導電膜より成るバイアス導体（３）が被着され、このバイアス導体（３）上にＮｉ−Ｆｅ系合金のＭＲ磁性薄膜によるＭＲ感磁部（５）が配され、基板（１）上には、非磁性の性保護層（９）を介して、保護基板（１０）が接合され」た「ＭＲ型磁気ヘッド装置」であって、前記バイアス磁界として「交流バイアス磁界」を与えるものである。
　そうすると、引用発明３の「ＭＲ型磁気ヘッド装置」と、引用文献６に記載された「歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）」とは、装置の構造が大きく異なり、かつ装置を使用する場所や環境、バイアス磁界の種類（交流、直流）も異なっているので、引用発明３の「ＭＲ型磁気ヘッド装置」の「ヘッド部ｈ」に、引用文献６に記載された「歯車センサ（ＧＴＳ）」における「被覆成形」に関する技術を適用することは、当業者であっても、容易に想到し得たことではない。
　また、引用文献１、２、４、５には、磁場信号発生器および復調器を含む回路を半導体ダイ上に設け、磁場センサは半導体ダイに結合され、半導体ダイとＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージを備え、半導体ダイ、リードフレームの少なくとも一部分、およびＡＣバイアスコイルを一緒に封入するパッケージ本体は記載されていない。
　したがって、引用発明３、引用文献１、２、４−６に記載された技術に基づいて、上記相違点３に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、上記相違点１、２、４について検討するまでもなく、引用発明３、引用文献１、２、４−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）引用発明１を主たる引用発明とした場合
ア　対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると、少なくとも、上記相違点３と同様な次の相違点を有する。
（相違点５）
　本願発明１は、「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」るのに対し、引用発明１は、「非磁性の基板１上に、超電導膜２を形成し、膜２を機械的加工でミアンダ状にした上、チタン（Ｔｉ）を蒸着法で、電流電極３ａ，３ｂと電圧電極４ａ，４ｂを形成した、超電導磁気抵抗素子１４」である点。
イ　判断
　上記相違点５について検討する。
　引用文献６には、歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）において、リードフレーム１０８上に配置された第１および第２のホール素子１０４、１０６を有するホールＩＣ１０２、磁石１１２とを有する組立体が被覆成形される技術が記載されている（上記「第４　６」）。
　しかしながら、引用発明１は、「非磁性の基板１上に、超電導膜２を形成し、膜２を機械的加工でミアンダ状にした上、チタン（Ｔｉ）を蒸着法で、電流電極３ａ，３ｂと電圧電極４ａ，４ｂを形成した、超電導磁気抵抗素子１４を備えた」「超電導磁界測定装置」であり、医療や非破壊検査などの分野に利用することができ（上記「第４　１　ｅ」）、また、バイアス磁界として、「交流磁界」を印加するものである。
　そうすると、引用発明１の「超電導磁界測定装置」と、引用文献６に記載された「歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）」は、装置の構造や、磁気感知素子（引用発明１における「超電導磁気抵抗素子１４」、引用文献６における「ホール素子」。）の原理、構造及び材料が大きく異なり、かつ使用する場所や環境、バイアス磁界の種類（交流、直流）も異なっているので、引用発明１の「超電導磁界測定装置」の「超電導磁気抵抗素子１４」に、引用文献６に記載された「歯車センサ（ＧＴＳ）」における「被覆成形」に関する技術を適用することは、当業者であっても、容易に想到し得たことではない。
　また、引用文献２−５には、磁場信号発生器および復調器を含む回路を半導体ダイ上に設け、磁場センサは半導体ダイに結合され、半導体ダイとＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージを備え、半導体ダイ、リードフレームの少なくとも一部分、およびＡＣバイアスコイルを一緒に封入するパッケージ本体は記載されていない。
　したがって、引用発明１、引用文献２−６に記載された技術に基づいて、上記相違点５に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、引用発明１、引用文献２−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）引用発明２を主たる引用発明とした場合
ア　対比
　本願発明１と引用発明２を対比すると、少なくとも、上記相違点３と同様な次の相違点を有する。
（相違点６）
　本願発明１は、「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」るのに対し、引用発明２は、「磁気ヘッドのヘッド素子として磁気抵抗素子を用いて」いる点。
イ　判断
　上記相違点６について検討する。
　引用文献６には、歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）において、リードフレーム１０８上に配置された第１および第２のホール素子１０４、１０６を有するホールＩＣ１０２、磁石１１２とを有する組立体が被覆成形される技術が記載されている（上記「第４　６」）。
　しかしながら、引用発明２において、「記録媒体の磁気記録情報」を読出すものは、「磁気抵抗素子を用い」た「磁気ヘッド」であり、また、バイアス磁界として、「交流磁場」を印加するものである。
　そうすると、引用発明２の「磁気ヘッド」と、引用文献６に記載された「歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）」は、装置の構造が大きく異なり、かつ装置を使用する場所や環境、バイアス磁界の種類（交流、直流）も異なっているので、引用発明２の「磁気ヘッド」に、引用文献６に記載された「歯車センサ（ＧＴＳ）」における「被覆成形」に関する技術を適用することは、当業者であっても、容易に想到し得たことではない。
　また、引用文献１、３−５には、磁場信号発生器および復調器を含む回路を半導体ダイ上に設け、磁場センサは半導体ダイに結合され、半導体ダイとＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージを備え、半導体ダイ、リードフレームの少なくとも一部分、およびＡＣバイアスコイルを一緒に封入するパッケージ本体は記載されていない。
　したがって、引用発明２、引用文献１、３−６に記載された技術に基づいて、上記相違点６に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、引用発明２、引用文献１、３−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（４）引用発明４を主たる引用発明とした場合
ア　対比
　本願発明１と引用発明４を対比すると、少なくとも、上記相違点３と同様な次の相違点を有する。
（相違点７）
　本願発明１は、「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」るのに対し、引用発明４は、磁場センサについての具体的な構成が示されていない点。
イ　判断
　上記相違点７について検討する。
　引用文献６には、歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）において、リードフレーム１０８上に配置された第１および第２のホール素子１０４、１０６を有するホールＩＣ１０２、磁石１１２とを有する組立体が被覆成形される技術が記載されている（上記「第４　６」）。
　しかしながら、引用発明４は、「検体粒子及び磁気感応性粒子の組み合わせを含むサブナノグラム試料の定量的磁気測定が可能」な「装置」に関するものであり、医療分野において、通常溶液中にある特定の種類の分子の濃度を測定することが想定されているものであり（上記「第４　４　【０００２】」）、また、バイアス磁界として、「交流磁場」を印加するものである。
　そうすると、引用発明４の「サブナノグラム試料の定量的磁気測定が可能」な「装置」と、引用文献６に記載された「歯車１２上の歯１０の運動を検出する歯車センサ（ＧＴＳ）」は、装置の構造が大きく異なり、かつ装置を使用する場所や環境、バイアス磁界の種類（交流、直流）も異なっているので、引用発明４の「装置」の「実質的に平坦な磁場センサ」に、引用文献６に記載された「歯車センサ（ＧＴＳ）」における「被覆成形」に関する技術を適用することは、当業者であっても、容易に想到し得たことではない。
　また、引用文献１−３、５には、磁場信号発生器および復調器を含む回路を半導体ダイ上に設け、磁場センサは半導体ダイに結合され、半導体ダイとＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージを備え、半導体ダイ、リードフレームの少なくとも一部分、およびＡＣバイアスコイルを一緒に封入するパッケージ本体は記載されていない。
　したがって、引用発明４、引用文献１−３、５、６に記載された技術に基づいて、上記相違点７に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、引用発明４、引用文献１−３、５、６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−２０について
　本願発明２−２０も、上記相違点３、５−７に係る本願発明１の「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明１−４、引用文献１−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明２１について
　本願発明２１は、本願発明１に対応する方法の発明であり、上記相違点３、５−７に係る本願発明１の「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用発明１−４、引用文献１−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明２２−２７について
　本願発明２２−２７は、本願発明２１を引用する発明であり、上記相違点３、５−７に係る本願発明１の「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用発明１−４、引用文献１−６に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第６　原査定について
１．理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−２７は「前記磁場信号発生器および前記回路は半導体ダイ上に設けられ、前記磁場センサは、前記半導体ダイに結合され前記半導体ダイと前記ＡＣバイアスコイルとの間に配置されたリードフレームを含むパッケージをさらに備え、前記半導体ダイ、前記リードフレームの少なくとも一部分、および前記ＡＣバイアスコイルを一緒に封入するためのパッケージ本体をさらに備え」という構成、又は対応する構成を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−６に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
２．理由２（特許法第３６条第６項第２号）について
　審判請求時の補正により、請求項１の「前記磁場信号の復調を実行するための復調器を含む回路」という記載は、「前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることによって前記磁場信号の復調を実行するための復調器を含む回路」に、請求項２７の「前記磁場信号の復調を実行するステップ」という記載は、請求項２１の「回路によって、前記磁場信号とローカルに導出された搬送信号との積をとることにより前記磁場信号の復調を実行するステップ」に補正されており、原査定の理由２は解消している。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。