【事件の表示】
　特願２０１３−５１１５６５「有機電子装置を調製するための配合物および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月　１日国際公開、ＷＯ２０１１／１４７５２３、平成２５年　８月２２日国内公表、特表２０１３−５３３６０６、請求項の数（３９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２３年（２０１１年）４月２８日（パリ条約による優先権主張　欧州特許庁受理　２０１０年５月２７日）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　４月２５日　審査請求
平成２７年　８月２８日　拒絶理由通知
平成２８年　２月２３日　意見書・手続補正
平成２８年　７月１９日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１１月２４日　審判請求・手続補正
平成２９年　９月１２日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２９年１２月１８日　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。）
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３９に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３９」という。）は，それぞれ当審補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３９に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
　【請求項２】
　有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であり，前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択されることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。
　【請求項３】
　前記配合物は，溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
　【請求項４】
　前記配合物は，２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項５】
　前記有機溶媒は，１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ，０．２〜１２．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜２０．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項６】
　前記有機溶媒は，１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ，０．２〜１０．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜５．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
　【請求項７】
　前記有機溶媒は，１種類以上の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記有機溶媒は，１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
　【請求項９】
　前記芳香族炭化水素化合物は，シクロアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
　【請求項１０】
　前記芳香族炭化水素化合物は，１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
　【請求項１１】
　前記有機溶媒または溶媒ブレンドは，炭化水素芳香族化合物の混合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１２】
　前記有機溶媒は，少なくとも１３０℃の沸点を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１３】
　前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は，最高の沸点を有する化合物の沸点より少なくとも１０℃低いことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１４】
　前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり，最低の沸点を有する化合物の沸点は，最高の沸点を有する化合物の沸点より最大で１００℃低いことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記配合物は，少なくとも８０重量％の前記有機溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１６】
　前記溶媒は，少なくとも１．５の分配率ｌｏｇＰを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１７】
　前記配合物は，少なくとも１種類の不活性バインダーを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項１８】
　前記不活性バインダーは，スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含むポリマーであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
　【請求項１９】
　前記不活性バインダーは，スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％含むポリマーであることを特徴とする請求項１７または１８に記載の方法。
　【請求項２０】
　前記不活性バインダーは，少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーであることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２１】
　有機半導体化合物は，有機発光材料および／または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２２】
　有機半導体化合物は，５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２３】
　有機半導体化合物は，以下の式から選択される化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　【化１】
　
（式中，
　ｎは１より大きい整数であり，
　Ｒは，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，直鎖状，分岐状または環状で１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基（ただし，１個以上のＣ原子は，Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして，Ｏ，Ｓ，Ｏ−ＣＯ，ＣＯ−Ｏ，Ｏ−ＣＯ−Ｏ，ＣＲ０＝ＣＲ０またはＣ≡Ｃで置き換えられていてもよく，ただし，１個以上のＨ原子は，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか，または，４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか，１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し，ただし，また，１個以上の基Ｒは，互いと共に，および／または，基Ｒが連結されている環と共に，単環状または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく，
　ＲＳは，それぞれの出現において同一または異なって，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，Ｓｎ（Ｒ００）３，Ｓｉ（Ｒ００）３またはＢ（Ｒ００）２，直鎖状，分岐状または環状で１〜２５個のＣ原子を有するアルキル基（ただし，１個以上のＣ原子は，Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして，Ｏ，Ｓ，Ｏ−ＣＯ，ＣＯ−Ｏ，Ｏ−ＣＯ−Ｏ，ＣＲ０＝ＣＲ０，Ｃ≡Ｃで置き換えられていてもよく，ただし，１個以上のＨ原子は，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか，または，ＲＳは，４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか，１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し，ただし，また，１個以上の基ＲＳは，互いと共に，および／または，Ｒと共に，環系を形成していてもよく，
　Ｒ０は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，ＣＮ，１〜１２個のＣ原子を有するアルキル，または，４〜１０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリールを表し，
　Ｒ００は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｈ，１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族または芳香族炭化水素基を表し，ただし，また，２個の基Ｒ００は，それらが連結されているヘテロ原子（Ｓｎ，ＳｉまたはＢ）と共に環を形成していてもよく，
　ｒは，０，１，２，３または４であり，
　ｓは，０，１，２，３，４または５である。）
　【請求項２４】
　ｎは，１０〜１，０００の整数であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
　【請求項２５】
　有機半導体化合物は，以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　【化２】
　
（式中，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１５，Ｒ１６，Ｒ１７は，それぞれ独立に，同一または異なって，それぞれ独立に，Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ，式中，Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ，Ｂｒ，Ｆ）；置換されていてもよいシリル基を表し；および，Ａは，ケイ素またはゲルマニウムを表し，および，
　式中，組Ｒ１およびＲ２，Ｒ２およびＲ３，Ｒ３およびＲ４，Ｒ７およびＲ８，Ｒ８およびＲ９，Ｒ９およびＲ１０，Ｒ１５およびＲ１６，および，Ｒ１６およびＲ１７は，それぞれ，独立に，互いに架橋されてＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく，その飽和または不飽和環には，酸素原子，硫黄原子，または，式−Ｎ（Ｒａ）−（式中，Ｒａは，水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく，また置換されていてもよく，および
　式中，ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよい。）
　【請求項２６】
　有機半導体化合物は，以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　【化３】
　
（式中，
　Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し，他方は−Ｘ−を表し，
　Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し，他方は−Ｘ−を表し，
　Ｘは，−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり，
　Ｒ’は，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ（該基は，１〜２０個のＣ原子を有し，フッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい。），６〜３０個のＣ原子を有するフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール，または，ＣＯ２Ｒ””（式中，Ｒ””は，Ｈ，１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル，または，２〜３０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールである。）であり，
　Ｒ”は，複数出現する場合は互いに独立に，１〜２０個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ，または，２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり，それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく，
　Ｒ’’’は，Ｈ，または，１〜１０個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルであり，
　ｍは，０または１であり，
　ｏは，０または１である。）
　【請求項２７】
　Ｒ”は，複数出現する場合は互いに独立に，１〜８個のＣ原子を有する環状，直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ，または，２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり，それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいことを特徴とする請求項２６に記載の方法。
　【請求項２８】
　有機半導体化合物は，光を発し，加えて，３８より大きい原子番号を有する少なくとも１個の原子を含有する有機リン光性化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項２９】
　リン光性化合物は，式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
　【化４】
　
（式中，
　ＤＣｙは，それぞれの出現において同一または異なって，少なくとも１個のドナー原子，カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり，これらを介して該環状基は金属に結合されており，これらは１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは，共有結合を介して互いに連結されており；
　ＣＣｙは，それぞれの出現において同一または異なって，炭素原子を含有する環状基であり，該炭素原子を介して該環状基は金属に結合されており，該炭素原子は順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；
　Ａは，それぞれの出現において同一または異なって，モノアニオン性の二座キレート配位子であり；
　Ｒ１８は，それぞれの出現において同一または異なって，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＮＯ２，ＣＮ，１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状，分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ただし，１個以上の隣接していないＣＨ２基は，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ１９−，−ＣＯＮＲ１９−，−ＣＯ−Ｏ−，−Ｃ＝Ｏ−，−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく，ただし，１個以上の水素原子は，Ｆで置き換えられていてもよい。），または，４〜１４個の炭素原子を有し，１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり，複数の置換基Ｒ１８は，同一の環上または２個の異なる環上のいずれかにおいて，共に順次に単環または多環の脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく；および
　Ｒ１９は，それぞれの出現において同一または異なって，１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状，分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで，１個以上の隣接していないＣＨ２基は，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−Ｏ−，−Ｃ＝Ｏ−，−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく，ただし，１個以上の水素原子は，Ｆで置き換えられていてもよい。），または，４〜１４個の炭素原子を有し，１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である。）
　【請求項３０】
　・ドナー原子は，窒素であり，
　・二座キレート配位子は，ジケトナート配位子である
ことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
　【請求項３１】
　配合物は，ホスト材料を含むことを特徴とする請求項１〜３０のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３２】
　配合物は，０．１〜５重量％の有機半導体化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３１のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３３】
　前記不活性バインダーに対する前記半導体化合物の重量比は，５：１〜１：１の範囲内であることを特徴とする請求項１７〜３２のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３４】
　配合物は，少なくとも１種類の湿潤剤を含むことを特徴とする請求項１〜３３のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３５】
　前記湿潤剤は揮発性であり，前記半導体化合物とは化学的に反応できないことを特徴とする請求項３４に記載の方法。
　【請求項３６】
　印刷装置のセルエッチングは，４ｃｍ３／ｍ２〜１８ｃｍ３／ｍ２の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３５のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３７】
　印刷速度は，１００ｍ／分以下であることを特徴とする請求項１〜３６のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３８】
　配合物が塗工される表面は，２５〜１３０ｍＮｍ−１の範囲内の表面エネルギーを含むことを特徴とする請求項１〜３７のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項３９】
　溶媒の蒸発は，溶媒の沸点未満で達成されることを特徴とする請求項１〜３８のいずれか１項に記載の方法。」
　
第３　原査定の理由の概要
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項１−４，８−１３，１６，１７，２２，２６−２８，３３，３５，４０
・引用文献１
　引用文献１（３１−３３ページの表１参照。）には，
　有機半導体化合物と有機溶媒とを含む配合物において，
　有機溶媒として，２５℃において０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，かつ沸点が４００℃未満である有機溶媒である，ｏ−キシレン，テトラリン又はデカリンを適用することが記載されている。
　また，引用文献１（１４ページ１１−１６行）には，配合物をフレキソ印刷，グラビア印刷に使用することが記載されている。
　請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると，前者は後者に比して「配合物は２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度」である特定する点で相違する。
　しかしながら，配合物の粘度は印刷方式に応じて適宜調節されるべきものであるところ，引用文献１に記載された発明は，有機溶媒として，２５℃において０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有するｏ−キシレン，テトラリン又はデカリンを用いるから，配合物をフレキソ印刷，グラビア印刷により塗布するにあたり，配合物の粘度を上記範囲とすることは当業者が容易になし得たことである。
　また，引用文献１（２６ページ１８行−２７ページ２行参照。）には，バインダ，湿潤剤等を配合することが記載されている。
　また，引用文献１（１９，２１ページ参照。）には，請求項２６−２８に記載の有機半導体化合物が記載されている。
・請求項５−７，１４，１５，１８−２１，２３，３４，３６−３９
・引用文献１
　引用文献１に記載された発明において，配合物の特性，配合物に含有する各種材料等は，当業者が適宜選択できたものである。
・請求項２４，２５
・引用文献１−３
　引用文献２（［００２３］参照。），引用文献３（請求項２，６参照。）には，請求項２４，２５に記載の有機半導体化合物が記載されており，引用文献１に記載された発明において，これら化合物を適用することは，当業者が容易になし得たことである。
・請求項２９−３２
・引用文献１，４
　引用文献４（請求項１１参照。）には，請求項２９−３１に記載の発光材料が記載されており，有機半導体材料と当該発光材料を混合させることは，当業者が容易になし得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第２００９／１０９２７３号
２.特開２００７−２５８７２４号公報
３.特表２００９−５３６９８１号公報
４.特表２００６−５２３７４０号公報
　
第４　当審拒絶理由の概要
（当審注。当審補正により削除された請求項に係る部分は省略した。）
１　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 ・請求項１−４０について 
　本願の発明の詳細な説明（段落０２１６−０３２９）には，フレキソ印刷においては，粘度が最低で１．６ｃＰの配合物を用い，グラビア印刷においては，粘度が最低で２．２３ｃＰの配合物を用いて，ＯＦＥＴ装置を調製することしか記載されていない。 
　したがって，請求項１及び２に記載された方法のうち，１．６ｍＰａ秒未満の粘度を有しフレキソ印刷による方法，２．２３ｍＰａ秒未満の粘度を有しグラビア印刷による方法，又は，０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，ドクターブレードコーティング，ローラー印刷，リバースローラー印刷，若しくはウェブ印刷による方法は，いずれも発明の詳細な説明に記載されていない。 
　なお，本願の発明の詳細な説明（段落００２０）には，配合物は０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有することが好ましい旨記載されているが，この範囲がいかなる印刷方法において好ましいのか不明であり，またこの範囲の全域において有機電子装置を調製することができるのかどうかも不明である。 
　請求項１及び２を引用して記載した他の請求項についても同様である。 
２　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 ・請求項１−４０について 
　請求項１及び２に記載された「ローラー印刷」及び「リバースローラ印刷」は，確立された用語ではなく，その内容が不明である。 
　請求項１及び２を引用して記載した他の請求項についても同様である。 
　
第５　引用文献
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，当該国際出願に対応する特表２０１１−５１５８３５号公報による。）（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「Field of the Invention
　
 The invention relates to a process for preparing a formulation comprising an organic semiconductor (OSC) and one or more organic solvents, to novel formulations obtained by this process, to
 their use as coating or printing inks for the preparation of organic electronic (OE) devices, especially organic field effect transistors (OFET) and organic photovoltaic (OPV) cells, to a process for preparing OE devices using the novel formulations
（訳：技術分野
　本発明は，有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）および１種類以上の有機溶媒を含む配合物の調製方法と，この方法によって得られる新規な配合物と，
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバイス，特に，有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）および有機光起電力（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セルを製造するためのコーティングまたは印刷インキとしての該配合物の使用と，該新規な配合物を使用するＯＥデバイスの製造方法
　イ　「Background and Prior Art
　
When preparing OE devices, like OFETs or OPV cells, or organic light- emitting devices, like organic light-emitting diodes (OLED), in particular flexible devices, usually coating or printing techniques are used to apply the layer of the OSC material. 
Printing formulations that have hitherto been used in prior art for the preparation of OE devices are usually solution based, comprise aromatic or aliphatic organic solvents and tend to have low viscosities. While this approach serves well for spin coating and ink jet printing (IJP) fabrication methods, 
　
Many printing processes use formulations having a medium viscosity (typically from 10 to 1000 cP), including inks for flexographic and gravure printing, but also for hot jetting IJP, electrostatic IJP, soft lithography and variants thereof, or micro-stamping.
（中略）
A low viscosity (10 cP) is often required e.g for spin coating and standard IJP techniques, whereas a high viscosity (1000 cP) is usually required for example for screen printing, offset lithographic printing etc.
（訳：背景技術
　ＯＦＥＴまたはＯＰＶセルなどのＯＥデバイス，または，有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）などの有機発光デバイス，特に，フレキシブルデバイスを製造する際，ＯＳＣ材料の層を塗工するために，通常，コーティングまたは印刷技術を使用する。
ＯＥデバイスの製造のために先行技術においてこれまで使用されてきた印刷配合物は，通常，溶液系であり，芳香族または脂肪族有機溶媒を含み，低粘度を有する傾向がある。この手法はスピンコートおよびインクジェット印刷（ＩＪＰ：ｉｎｋ　ｊｅｔ　ｐｒｉｎｔｉｎｇ）製造方法に対しては良好に機能する
　
多くの印刷方法が，フレキソ印刷およびグラビア印刷用のインクのみならず，ホットジェットＩＪＰ，静電ＩＪＰ，ソフトリソグラフィーおよびそれらの変法，またはマイクロスタンプ用のインクを含む，中程度の粘度（典型的には，１０〜１０００ｃＰ）を有する配合物を使用する。
（中略）
　例えば，
スピンコートおよび標準的なＩＪＰ技術のためには，多くの場合，低粘度（１０ｃＰ未満）が必要とされ，一方，例えば，スクリーン印刷，オフセットリソグラフ印刷などのためには，通常，高粘度（１０００ｃＰより高い）が必要とされる。
　ウ　「Summary of the Invention
 
The invention relates to a method of 
preparing an OSC formulation, comprising the step of dissolving an organic semiconducting (OSC) compound in a solvent or in a solvent blend comprising two or more solvents, wherein the solvents are selected such that they fulfil the following conditions:
the viscosity of the solvent or the solvent blend, without any additives, is  10 cP at 25℃, and the boiling temperature of the solvent, or in case of a solvent blend the boiling temperature of the highest boiling solvent of the solvent blend, without any additives, is  400℃at a pressure of 1 Torr.
（中略）
The invention further relates to 
a process of preparing an organic electronic (OE) device, comprising the steps of 
a) depositing a formulation as described above and below onto a substrate,
b) removing the solvent(s), for example by evaporation.
（訳：発明の概要
　本発明は，
ＯＳＣ配合物を調製する方法であって，有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ）化合物を溶媒，または２種類以上の溶媒を含む溶媒混合物に溶解する工程を含み，該溶媒が以下の条件：
および添加剤を全く含まない該溶媒または該溶媒混合物の粘度が２５℃において１０ｃＰより高いこと，および添加剤を全く含まない該溶媒の沸点，または，溶媒混合物の場合は該溶媒混合物中で最も沸点が高い溶媒の沸点が１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと，を満たすように溶媒を選択すること
（中略）
　本発明は，更に，
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）デバイスを製造する方法であって，
　　ａ）基板上に，上および下で記載される通りの配合物を堆積する工程と，
　　ｂ）例えば，蒸発によって，溶媒を除去する工程と
を含む方法
　エ　「The formulation or ink according to the present invention can be used to 
apply functional materials like OSC compounds to a substrate or onto a device by
printing methods
Most preferably the inks are used in flexographic, gravure
（訳：本発明による配合物またはインクを使用して，フレキソ印刷，グラビア印刷，インクジェット印刷，マイクロ密着印刷，ソフトリソグラフィー，スタンプなどのコーティングまたは
印刷方法によって，基板またはデバイスに，ＯＳＣ化合物などの機能性材料を塗工することができる。最も好ましくは，フレキソ印刷，グラビア印刷
において本発明のインクを使用する。
　オ　「Example 1
 
Formulations of the organic semiconducting compound A are prepared in the solvents and solvent blends according to the present invention as shown in Table 1.
（中略）
Table 1
　
（中略）
（中略）
（中略）
1)  at 25°C, unless stated otherwise
2)  for single sovents
3)  for solvent blends」（３０頁３１行−３３頁４行）
（訳： ＜例１＞
　
有機半導体化合物Ａの配合物を，表１に示される通りの本発明による溶媒および溶媒混合物中で調製する。
（中略）
表１
（中略）
（中略）
（中略）
1)　他に明言しない限り２５℃において
2)　単一溶媒の場合
3)　ブレンドの場合）
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「有機電子デバイスを製造する方法であって，
ａ）基板上に，有機半導体化合物を溶媒に溶解して調整した配合物で溶媒の粘度が２５℃において１０ｃＰより高いこと，及び溶媒の沸点が１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと，を少なくとも満たす配合物を堆積する工程と，
ｂ）例えば，蒸発によって，溶媒を除去する工程と
を含む方法であって，
フレキソ印刷，グラビア印刷によって，塗工することができ，
溶媒はｏ−キシレン，テトラリン又はデカリンを用いること。」
２　引用文献２の記載
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１５】
　有機半導性配合体に関する本発明の好ましい態様は，
−　
配合体は均質な溶液で，つまり分相していない，例えば分散，エマルジョン，ミニエマルジョン，マイクロエマルジョンまたはミセル溶液でない。
−　界面活性剤が単量または小分子化合物である。
−　界面活性剤が電子受容基を含まない。
−　界面活性剤が，クロロシラン，シラザンなど活性基質との共有結合または安定吸着(stable adsorption)成果物を形成できる頭部基を含み，およびさらにアルキル，フッ化アルキルまたはシロキサン基から選択した尾基を含む疎水性界面活性剤から選択される。
−　界面活性剤がシラン類またはシラザン類から選択される。
−　界面活性剤の濃度が１０−５から５％までである。
−　
配合体がポリマー類から選択される１つまたは２つ以上の有機半導性化合物を含む。
−　半導性化合物がｐ型有機半導体である。
【００１６】
−　半導性化合物が，任意に置換されたチオフェン，任意に置換されたセレノフェン，３−アルキルチオフェン，任意に置換された［３，２−ｂ］−チエノチオフェン，任意に置換された［２，３−ｂ］−チエノチオフェンおよび任意に置換されたジチエノチオフェンから選択した１つまたは２つ以上のユニットを含むポリマーまたはコポリマーから選択される。
−　有機半導性化合物の濃度は，０．１から１０％である。
−　
有機溶媒が，好ましくは６Ｍｐａ
１／２
より小さいハンセン(Hansen)溶解度への極性寄与を有する
−　有機溶媒が，非アルコール溶媒から選択される。
−　有機溶媒が脂肪族および芳香族炭化水素類，ハロゲン化脂肪族および芳香族炭化水素類から選択される。
ことを特徴とする有機半導性配合体に関する。
（中略）
【００１９】
　限定なしで，ポリアルキルチオフェン類，ポリチフェン類，ポリフルオレン類，ポリフェニルアミン類および該共重合体類，オリゴマー類およびペンタセンまたは他のポリアセン類などの小分子類，または他の縮合環化合物類を含む全ての既知の半導性材料は，原則として本発明による配合体での使用に適する。
【００２０】
　特に適合し好ましい材料は電荷運搬特性を有する，特に好ましくは共役πシステムを有するポリマー類である。例えばポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ），ポリアリレンビニレン（ＰＡＶ），ポリパラフェニレン（ＰＰＰ），ポリピリジン（ＰＰｙ），ポリピリジンビニレン（ＰＰｙＶ），ポリチオフェン（ＰＴ），ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ），ポリフルオレン（ＰＦ），ポリスピロビフルオレン（ＰＳＦ），ポリピロール，ポリビニルカルバゾール，ポリトリアリールアミン，ポリアセチレン，硫化ポリフェニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリイソチアナフテン，ポリアズレン，ポリフラン，ポリアニリン，ポリセレノフェン，ポリインデノフルオレン，，それらの置換または非置換の全て，または上記の混合物，ブレンド，統計上のまたは定義された共重合体，またはブロック共重合体である。
（中略）
【００２２】
　特に好ましいのは，任意に置換されたチオフェン，任意に置換されたセレノフェン，３−アルキルチオフェン，任意に置換された［３，２−ｂ］−チエノ−チオフェン，任意に置換された［２，３−ｂ］−チエノチオフェンおよび任意に置換されたジチエノチオフェンから選択された１つまたは２つ以上のユニットを含むポリマーおよび共重合体であり，例えば，WO 2005/014691 A2，WO 2005/111045 A1，EP 1 279 689 A2，EP 1 279 691 A1，EP 1 284 276 A1，EP 1 398 336 A1，EP 1 411 563 A2，EP　1 439 590 A2，EP 1 477 504 A1およびEP 1 510 535 A1で開示されている。非常に好ましくは，以下の化学式のポリマーである。」
３　引用文献３の記載
　引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
（１）「【技術分野】
【０００１】
　発明の分野
　本発明は，
インデノフルオレン単位若しくはその誘導体を含むポリマー，それらを含む有機半導体（ＯＳＣ）材料
（２）「【０１０２】
　
インクジェト印刷による本発明によるポリマーを堆積するための好ましい溶媒
各溶媒は，好ましくは，＞１００℃，より好ましくは，＞１４０℃の沸点を有する。
【０１０３】
　
（溶媒，結合剤及び半導体化合物の混合物である）インクジェット流体は，好ましくは，２０℃で１〜１００ｍPa・sの，より好ましくは，１〜５０ｍPa・sの，最も好ましくは，１〜３０ｍPa・sの粘度を有する。
４　引用文献４の記載
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
「【００８０】
　実施例
　１．マトリックス材料Ａの合成：
　以下の合成は，別段に述べた場合を除き，保護ガス雰囲気下，乾燥溶媒中で行った。反応物[シアン化銅（Ｉ），塩化アセチル，Ｎ-メチルピロリジノン（ＮＭＰ）]をALDRICHから購入した。２-ブロモ-９,９’-スピロビフルオレン，２,７-ジブロモ-９,９’-スピロビフルオレン（J. Peiら，J. Org. Chem. 2002, 67(14), 4924-4936）および９,９’-スピロビフルオレン-２,２’-ジカルボニル塩化物（V.A. Monteroら，Tetrahedron Lett. 1991, 32(39), 5309-5312)を文献の方法で調製した。」
　
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明の「有機電子デバイスを製造する方法」は，本願発明１の「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法」に相当する。
　イ　引用発明の「ａ）基板上に，有機半導体化合物を溶媒に溶解して調整した配合物で溶媒の粘度が２５℃において１０ｃＰより高いこと，及び溶媒の沸点が１Ｔｏｒｒの圧力において４００℃より低いこと，を少なくとも満たす配合物を堆積する工程」と，本願発明１の「ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程」とは，引用発明において「フレキソ印刷，グラビア印刷によって，塗工する」から層が形成されるもので，「溶媒はｏ−キシレン，テトラリン又はデカリンを用いる」から有機溶媒を用いるものであることを考慮すると，両者は「ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程」という点で共通するが，下記相違点１で相違する。
　ウ　引用発明の「ｂ）例えば，蒸発によって，溶媒を除去する工程」は，本願発明１の「ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程」に相当する。
　エ　引用発明の「フレキソ印刷，グラビア印刷によって，塗工すること」は，本願発明１の「グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されること」に相当する。
　オ　すると，本願発明１と引用発明とは，下記カの点で一致するが，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。」
　キ　相違点
　本願発明１においては「前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有」するのに対し，引用発明においては配合物の粘度が規定されておらず「溶媒の粘度が２５℃において１０ｃＰより高い」ものである点。（「相違点１」という。）
（２）相違点についての判断
　相違点１に係る構成について，引用文献２ないし４には記載も示唆もない。なお，引用文献３には「インクジェット流体」の粘度について記載されているが，「グラビア印刷またはフレキソ印刷」を前提とする引用発明に採用する動機付けがない。
　引用発明は，スピンコートやインクジェット印刷には低粘度が必要とされ，一方スクリーン印刷，オフセットリソグラフ印刷などのためには，高粘度が必要とされる（前記第５の１（１）イ）という認識の下で，フレキソ印刷やグラビア印刷に好適なインクの溶媒の粘度として「２５℃において１０ｃＰより高い」とするものであるから，この教示に反してフレキソ印刷やグラビア印刷のインクの溶媒の粘度を変更し，さらにインクすなわち配合物自体の粘度を２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内とすることは，当業者にとって困難である。
　そして，本願発明１は，相違点１に係る構成を有することにより，「配合物は、低コストで容易な印刷プロセスを可能とする」（本願明細書段落【０００６】）という有利な効果を奏するものである。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２について
（１）本願発明２と引用発明との対比
　前記１（１）アないしエと同様であるから，本願発明２と引用発明は下記アの点で一致するが，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって，
　ａ）フィルムまたは層を形成するために，１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と，１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって，前記有機溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物を基板上に堆積する工程と，
　ｂ）前記有機溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法であって，
　グラビア印刷またはフレキソ印刷により，前記配合物が塗工されることを特徴とする方法。」
　イ　相違点
（ア）本願発明２においては「前記配合物は２５℃において２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有」するのに対し，引用発明においては配合物の粘度が規定されておらず，「溶媒の粘度が２５℃において１０ｃＰより高い」ものである点。（「相違点２」という。）
（イ）本願発明２においては「前記有機溶媒はシクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物および芳香族アルコキシ化合物より選択される」のに対し，引用発明においてはそうではない点。（「相違点３」という。）
（２）相違点についての判断
　相違点２に係る構成について，引用文献２ないし４には記載も示唆もない。なお，引用文献３には「インクジェット流体」の粘度について記載されているが，「グラビア印刷またはフレキソ印刷」を前提とする引用発明に採用する動機付けがない。
　引用発明は，スピンコートやインクジェット印刷には低粘度が必要とされ，一方スクリーン印刷，オフセットリソグラフ印刷などのためには，高粘度が必要とされる（前記第５の１（１）イ）という認識の下で，フレキソ印刷やグラビア印刷に好適なインクの溶媒の粘度として「２５℃において１０ｃＰより高い」とするものであるから，この教示に反してフレキソ印刷やグラビア印刷のインクの溶媒の粘度を変更し，さらにインクすなわち配合物自体の粘度を２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内とすることは，当業者にとって困難である。
　そして，本願発明２は，相違点２に係る構成を有することにより，「配合物は、低コストで容易な印刷プロセスを可能とする」（本願明細書段落【０００６】）という有利な効果を奏するものである。
（３）まとめ
　したがって，本願発明２は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明３ないし３９について
　本願発明３ないし３９は，本願発明１又は２を引用するものであり，本願発明１又は２の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１又は２と同様の理由により，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　特許請求の範囲の記載要件について
　当審補正によって補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２は，いずれも「２．２３〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有し」及び「グラビア印刷またはフレキソ印刷により」という発明特定事項を含むこととなった。
　よって，請求項１及び２，及びこれを引用して記載した請求項３ないし３９の記載は明確になり，その発明は発明の詳細な説明に記載されたものとなった。
　
第７　原査定の理由についての判断
　前記第６のとおり，本願発明１ないし３９は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。