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　特願２０１４−５２９７５１「デュアルチャンバ構成のパルスプラズマチャンバ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月１４日国際公開、ＷＯ２０１３／０３６３７１、平成２６年１１月２７日国内公表、特表２０１４−５３１７５３、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年（２０１２年）８月１７日を国際出願日（パリ優先権主張　外国庁受理　２０１１年９月７日（以下，左の日を「本願優先日」という。）　米国）とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　４月２５日　翻訳文提出
平成２７年　８月１４日　審査請求・手続補正
平成２８年　８月　５日　拒絶理由通知
平成２９年　２月　６日　意見書・手続補正
平成２９年　６月　６日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年１０月１３日　審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２０に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２０」という。）は，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定するよう動作可能な連続波（ＣＷ）コントローラと，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるパルスＲＦ信号の電圧，周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間を設定するよう動作可能なパルスコントローラと，
　前記両チャンバの動作中に前記プレートを通して前記上側チャンバから前記下側チャンバに流れる種の流れを制御するために，前記ＣＷコントローラおよび前記パルスコントローラのパラメータを設定するよう動作可能なシステムコントローラと，
を備え，
　前記種の流れは，陰イオンエッチングと，前記オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，前記オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援し，
　前記第１のＲＦ電源は，前記ＣＷコントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給し，
　前記第２のＲＦ電源は，前記パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する，ウエハ処理装置。
　【請求項２】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記システムコントローラは，さらに，前記上側チャンバ内の第１の圧力および前記下側チャンバ内の第２の圧力を設定するよう動作可能であり，前記第１の圧力は前記第２の圧力よりも高い，ウエハ処理装置。
　【請求項３】
　請求項２に記載のウエハ処理装置であって，前記オン期間の持続時間は，前記オフ期間の持続時間と異なる，ウエハ処理装置。
　【請求項４】
　請求項２に記載のウエハ処理装置であって，前記オン期間の持続時間は，前記オフ期間の持続時間と等しい，ウエハ処理装置。
　【請求項５】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記第１のＲＦ電源の周波数は，２７ＭＨｚから１００ＭＨｚの間の値を有する，ウエハ処理装置。
　【請求項６】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記第２のＲＦ電源の周波数は，０．４ＭＨｚから２５ＭＨｚの間の値を有する，ウエハ処理装置。
　【請求項７】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記第１のＲＦ電源の電圧は，１００Ｖから６００Ｖの間の値を有する，ウエハ処理装置。
　【請求項８】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記第２のＲＦ電源の電圧は，１０００Ｖから６０００Ｖの間の値を有する，ウエハ処理装置。
　【請求項９】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記上側チャンバは，前記ウエハの処理中に前記上側チャンバ内で上側プラズマを形成するよう動作可能である，ウエハ処理装置。
　【請求項１０】
　請求項１に記載のウエハ処理装置であって，前記上側チャンバは，処理中に２０ｍＴｏｒｒから６０ｍＴｏｒｒの間の第１の圧力を有するよう動作可能であり，前記下側チャンバは，処理中に１０ｍＴｏｒｒから１９ｍＴｏｒｒの間の第２の圧力を有するよう動作可能である，ウエハ処理装置。
　【請求項１１】
　上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置でウエハを処理するための方法であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１のＲＦ電源によって生成される連続高周波（ＲＦ）信号のための第１のパラメータを設定する工程であって，前記第１のパラメータは，第１の電圧および第１の周波数を含む，工程と，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるパルスＲＦ信号のための第２のパラメータを設定する工程であって，前記第２のパラメータは，第２の電圧，第２の周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間を含む，工程と，
　前記連続ＲＦ信号を前記上側電極に印加する工程と，
　前記パルスＲＦ信号を前記下側電極に印加する工程と，
を備え，
　前記第１のパラメータおよび前記第２のパラメータを設定することにより，前記両チャンバの動作中に前記上側チャンバから前記下側チャンバへの種の流れを制御し，前記種の流れは，陰イオンエッチングと，前記オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，前記オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援し，
　前記第１のＲＦ電源は，連続波（ＣＷ）コントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給し，
　前記第２のＲＦ電源は，パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する，方法。
　【請求項１２】
　請求項１１に記載の方法であって，さらに，
　前記上側チャンバ内の第１の圧力を設定する工程と，
　前記下側チャンバ内の第２の圧力を設定する工程と，
を備える，方法。
　【請求項１３】
　請求項１２に記載の方法であって，さらに，
　前記第１の圧力を増大させて，前記上側チャンバから前記下側チャンバへの前記種の流れを増大させる工程を備える，方法。
　【請求項１４】
　請求項１１に記載の方法であって，さらに，
　前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを隔てる前記プレートの貫通孔の長さを調節する工程を備え，前記貫通孔の前記長さを短くすることにより，前記上側チャンバから前記下側チャンバへの前記種の流れを増大させる，方法。
　【請求項１５】
　請求項１４に記載の方法であって，さらに，
　前記プレートの前記貫通孔の数を減らして，前記上側チャンバおよび前記下側チャンバの間の前記種の流れを減少させる工程を備える，方法。
　【請求項１６】
　請求項１１に記載の方法であって，前記第１のパラメータを設定する工程は，
前記第１の電圧を上げて，前記種の流れを増大させる工程を含む，方法。
　【請求項１７】
　請求項１１に記載の方法であって，前記方法の工程は，１または複数のプロセッサによって実施される場合にコンピュータプログラムによって実行され，前記コンピュータプログラムは，非一時的なコンピュータ読み取り可能記憶媒体に格納される，方法。
　【請求項１８】
　上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源のための第１のパラメータを設定するよう動作可能な連続波（ＣＷ）コントローラと，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成される第２のパルスＲＦ信号のための第２のパラメータを設定すると共に，前記下側電極に接続された第３のＲＦ電源によって生成される第３のパルスＲＦ信号のための第３のパラメータを設定するよう動作可能なパルスコントローラと，
　前記両チャンバの動作中に前記プレートを通して前記上側チャンバから前記下側チャンバに流れる種の流れを制御するために，前記第１，第２，および，第３のパラメータを転送するよう動作可能なシステムコントローラと，
を備え，
　前記種の流れは，陰イオンエッチングと，オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援し，
　前記第１のＲＦ電源は，前記ＣＷコントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給し，
　前記第２のＲＦ電源は，前記パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する，ウエハ処理装置。
　【請求項１９】
　請求項１８に記載のウエハ処理装置であって，前記第１のＲＦ電源は，３０ＭＨｚから１００ＭＨｚまでの間の周波数を有し，前記第２のＲＦ電源は，０．４ＭＨｚから４ＭＨｚまでの間の周波数を有し，前記第３のＲＦ電源は，２０ＭＨｚから１００ＭＨｚまでの間の周波数を有する，ウエハ処理装置。
　【請求項２０】
　請求項１８に記載のウエハ処理装置であって，前記上側チャンバは，処理中に２０ｍＴｏｒｒから６０ｍＴｏｒｒの間の第１の圧力を有するよう動作可能であり，前記下側チャンバは，処理中に１０ｍＴｏｒｒから１９ｍＴｏｒｒの間の第２の圧力を有するよう動作可能である，ウエハ処理装置。」
　
第３　原査定の概要
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，本願優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１
・引用文献等　１，２
・備考
（中略）
　引用文献２には，プラズマエッチング装置における下部電極に接続される高周波電源として，パルス発生器に接続され，パルス変調されたバイアス電圧が印加されるものが記載されており，更に，そのパルス変調のパラメータとして，投入パワー（「電圧」に対応），変調周期（「周波数」に対応），ＯＮ時間及びＯＦＦ時間（「オン期間の持続時間及びオフ期間の持続時間」に対応）が制御されることが記載されており，これは，上記相違点２に係る技術事項に相当するものである（段落［００１３］，［００１４］参照）。
　ここで，引用文献１及び２に記載された各発明が共に，プラズマ処理装置に係るものであり，かつ，引用文献１に記載された発明におけるバイアス電力ジェネレータ１３２，１３４と，引用文献２に記載された発明における高周波電源が，共に，下部電極に接続され，バイアス電圧を供給するという共通の機能を有するものであることからすれば，引用文献１に記載された発明に引用文献２に記載された発明を適用して，上記相違点１に係る技術事項を導き出すようにすることは，当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
（中略）
・請求項　２−１３，１６−２０
・引用文献等　１，２
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特表２０１０−５１２０３１号公報
２．特開平１１−２１９９３８号公報
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【背景】
【０００１】
　[001]半導体ウェハのようなワークピースにわたるプラズマプロセスの均一性は，プラズマイオン分布及びプロセスガス流分布が非均一であることによって制限される。ウェハにわたるプロセス均一性を改善するための努力は，プラズマソース電力の半径方向分布を変化させ及び（又は）チャンバ内のガス流の半径方向分布を変化させることを必然的に伴う。このような変化は，典型的に，チャンバの天井又はそれより上で行われる。というのは，プラズマソース電力印加装置が一般的に天井又はその上にあり，且つプロセスガス噴射装置が典型的に天井におけるガス分配プレートだからである。１つの問題として，天井からウェハまでの距離は，典型的に，プラズマイオン及び（又は）プロセスガス流の望ましい分布を，天井で実現される理想的な状態と，ウェハ表面での実際の状態との間で拡散作用によって歪めてしまうに充分なものである。それ故，
プラズマプロセスの均一性を改善できる程度が，ウェハから天井までのギャップのために著しく制限される。
【０００２】
　[002]プラズマプロセスの制御は，プラズマ内の化学種の解離によって影響を受ける。解離の程度は，例えば，（とりわけ）ＲＦプラズマソース電力レベルの選択により決定される。典型的に，解離の程度は，チャンバ内の全てのガス化学種に影響を及ぼし，一般的には，チャンバ内の全ての種が同程度の解離を経験するが，より重い又はより複雑な分子の種ほど，より簡単な種よりも，解離の程度が若干僅かとなり得る。その結果，リアクタチャンバ内で異なる化学種の解離を別々に制御することは，一般的に，不可能である。例えば，１つの化学種に対して高度の解離が望まれる場合には，チャンバ内に存在する全ての種が著しい程度の解離を経験する。このようなケースでは，例えば，より複雑な種でも，チャンバ内に存在する全ての種を少なくとも一部分は解離しなければ，チャンバ内の１つの化学種を高度に解離することが可能にはならない。それ故，
エッチングプロセスを制御する能力は，解離に対して独立した制御が欠如している
【０００３】
　[003]また，プラズマプロセスの制御は，ウェハ表面におけるＲＦ電界によっても影響を受ける。典型的に，ウェハ表面におけるＲＦ電界は，チャンバの導電性表面，例えば，側壁又は天井に対するウェハの電位により制御される。このような制御は，側壁がウェハの縁に最も近く且つウェハの中心から最も遠く配置され，ひいては，非均一性を生み出すために，制限される。
ウェハ全体に対して均一な導電性平面を呈する天井は，ウェハから天井までのギャップによりウェハから変位されており，このギャップは，ウェハ上で均一でなければならない電界に望ましくない歪を生じさせる
【概要】
【０００４】
　[004]
半導体ウェハ又は誘電体マスクのようなワークピースを処理するためのプラズマリアクタ
チャンバ内には，その場の(in-situ)電極本体が横たわり，チャンバを上部チャンバ領域及び下部チャンバ領域に分割する。
　イ　「【詳細な説明】
【００１０】
　[0019]図１は，ワークピース支持ペデスタル２５に支持されたワークピース２０を処理するためのプラズマリアクタチャンバ１５内のその場の(in-situ)電極／ガス分配プレート１０の概念図である。
ＲＦプラズマソース電力印加装置が設けられ，これは，チャンバ天井３０（電極として働く）でもよい
電極／プレート１０より上のチャンバ１５の上部領域１５ａにプラズマ３７が形成される。その場の電極／ガス分配プレート１０は，図３Ａ，３Ｂ，３Ｃ又は３Ｄに示すパターンの１つに基づく通路７２を有し，これは，チャンバ１５の上部チャンバ領域１５ａから下部領域１５ｂへプラズマが通過できるようにする。これは，下部領域１５ｂに，より少ないプラズマ（低密度プラズマ）４０を形成できるようにする。その場の電極／ガス分配プレート１０は，誘電体材料で形成され，導電層４４（図１の破線）を内部に形成することができる。
それとは別に（又はそれに加えて），導電層４４に印加されるＶＨＦ電力は，下部チャンバ領域１５ｂにおけるプラズマイオン発生を促進することができる。
【００１１】
　[0020]図２は，図１のその場の電極１０を使用できる
プラズマリアクタ
半導体ウェハでよいワークピース１０２を処理するためのものである。
リアクタは，
容量性結合のＲＦプラズマソース電力印加装置１１６
備え
ＶＨＦ容量性結合のソース電力印加装置１１６は，天井１０８内
に配置できる電極である。
別のＲＦ電力ジェネレータ１２２は，任意のインピーダンス整合要素１２４を経て容量性結合のソース電力印加装置１１６へ（例えば，約２７ＭＨｚから２００ＭＨｚの範囲内の）超高周波（ＶＨＦ）電力を与える。
【００１２】
　[0021]
プラズマイオンを発生する際の容量性結合のソース電力印加装置１１６の効率は，ＶＨＦ周波数の上昇と共に高くなり，
ＲＦ電力印加装置１１４，１１６の両方からの電力は，ワークピース支持体１０３上に形成されたチャンバ１０４内のバルクプラズマ１２６に結合される。
ウェハ１０２の下に横たわるワークピース支持体１０３内の電極１３０に結合されたＲＦバイアス電源からワークピース１０２へＲＦプラズマバイアス電力が容量性結合される。ＲＦバイアス電源は，低周波数（ＬＦ）ＲＦ電力ジェネレータ１３２及び別のＲＦ電力ジェネレータ１３４を含んでもよく，
【００１３】
　[0022]プラズマイオン密度は，誘導性結合の電力印加装置１１４又はＶＨＦ容量性結合の電力印加装置１１６のいずれかにより印加される電力が増加されるにつれて高くなる。しかしながら，それらは，誘導性結合の電力が，バルクプラズマにおけるイオン及び基のより多くの解離，並びに中心低の半径方向イオン密度分布を促進するという点で，異なる振舞いをする。対照的に，
ＶＨＦ容量性結合の電力は，より少ない解離，及び中心高の半径方向イオン分布を促進し，更に，そのＶＨＦ周波数が高くなるにつれてより高いイオン密度を与える。
【００１４】
　[0023]
誘導性及び容量性結合の電力印加装置は，プロセスの要件に基づいて
個別に使用することができる。
容量性結合のＶＨＦ電力印加装置１１６は，電力をプラズマへ同時に結合し，一方，ＬＦ及びＨＦバイアス電力ジェネレータは，バイアス電力をウェハ支持電極１３０に同時に与える。これら電力源の同時の動作は，プラズマイオン密度，プラズマイオン半径方向分布（均一性），プラズマの解離又は化学種含有量，シースイオンエネルギー及びイオンエネルギー分布（巾）のような最も重要なプラズマ処理パラメータを独立して調整できるようにする。
ソース電力コントローラ１４０は，バルクプラズマイオン密度，プラズマイオン密度の半径方向分布，並びにプラズマにおける基及びイオンの解離を制御するために，ソース電力ジェネレータ１１８，１２２を互いに独立して調整する（例えば，それらの電力比を制御する）。コントローラ１４０は，各ＲＦジェネレータ１１８，１２２の出力電力レベルを独立して制御することができる。それに加えて又はそれとは別に，コントローラ１４０は，ＲＦジェネレータ１１８，１２２の一方又は両方のＲＦ出力をパルス化することができ，且つＶＨＦジェネレータ１２２及び任意であるがＨＦジェネレータ１１８の各々のデューティサイクルを独立して制御するか又はそれらの周波数を制御することができる。それに加えて，バイアス電力コントローラ１４２は，イオンエネルギーレベル及びイオンエネルギー分布巾の両方を制御するためにバイアス電力ジェネレータ１３２，１３４の各々の出力電力レベルを制御する。
【００１５】
　[0024]図２のリアクタにおけるその場の電極１０は，ワークピース支持ペデスタル１０３と天井１０８との間の平面内に設置される。１つの態様において，その場の電極１０は，セラミックのような絶縁材料（例えば，窒化アルミニウム）で形成される。
【００１６】
　[0025]図３Ａから図３Ｄを参照すれば，その場の電極の通路７２は，丸又は円形で，均一直径のもの（図３Ａ及び図３Ｄ）でもよいし，又は半径方向位置と共に直径が増大するパターン（図３Ｂ）でもよいし，又は半径方向位置と共に直径が減少するパターン（図３Ｃ）でもよいし，或いは通路７２間の距離が非均一で，例えば，中央において密度が高く且つ外側半径において密度が最小（図３Ｄ）であってもよい。
【００１７】
　[0026]図４を参照すれば，図４のその場の電極１０の内部特徴は，更に，内側及び外側ガスマニホールド６２，６４と，その場の電極１０の底面７０におけるガス噴射オリフィス６９の内側及び外側グループ６６，６８と，その場の電極１０を貫通して形成された軸方向通路７２とを含み，この軸方向通路は，図１の上部チャンバ領域１５ａからその場の電極１０を貫通して下部チャンバ領域１５ｂへプラズマを流すことができる。図３Ｂ及び３Ｃに示されたように，その場の電極１０を通しての流量分布に非均一性を導入するために，通路７２のサイズ又は面積を，その場の電極１０上の半径方向位置の関数として変化させることができる。この流量分布の非均一性は，リアクタに本来あるプラズマイオン密度の非均一性を相殺し又は正確に補償するように選択することができる。ここに示す実施例では，通路サイズの半径方向分布は，最も小さい通路７２が中心に最も近いところにある一方，最も大きい通路が周囲に最も近いところにあるというものである。これは，中心が高いプラズマイオン密度の半径方向分布を補償する。もちろん，望ましい効果及びリアクタの特性に基づいて，通路サイズの別の分布が選択されてもよい。
【００１８】
　[0027]図２のリアクタは，更に，その場の電極１０の内側及び外側ガスマニホールド６２，６４の各々に結合された図４に示す内側及び外側プロセスガス供給源７６，７８も備えている。図１に示すように，ＲＦ電力ジェネレータ８０は，インピーダンス整合部８２を通してその場の電極１０の導電層４４に結合される。或いは又，導電層４４が接地されてもよい。又は，導電層４４がＤＣ電圧源に結合されてもよい。
【００１９】
　[0028]
その場の電極１０が存在することで，その場の電極１０の上下の２つの領域１５ａ，１５ｂに異なるプロセス条件が各々生じる。上部チャンバ領域１５ａは，その場の電極の通路７２を通るガス流抵抗のために，高いチャンバ圧力を有し，これは，誘導性結合のプラズマソースに対して有利である。プラズマ密度及び電子の温度は，上部チャンバ領域１５ａにおいて高く，これは，上部チャンバ１５ａにおいて化学種のより多くの解離を招く。下部チャンバにおける解離は，電子の温度が低く，プラズマイオン密度が低く且つ圧力が低いので，かなり少ない。更に，下部チャンバ領域１５ｂの圧力が低いために，衝突があまりなく，従って，イオンの軌道は，ウェハ表面付近で垂直方向に関してより狭く分布され，顕著な効果が得られる。
【００２０】
　[0029]１つの態様によれば，図２のリアクタは，ある選択された化学種が高度に解離されるが，他の種はそうでないような独特のプロセスを実行するように使用することができる。これは，高度な解離が望まれる化学種を，天井のガス分配プレート１０８ｂを通して導入する一方，解離がほとんど又は全く望まれない他の化学種を，内側及び外側のガス供給源７６，７８の一方又は両方からその場の電極／ガス分配プレート１０へ導入することにより，達成される。例えば，
高反応性のエッチング種は，より単純なフッ化炭素ガスを天井のガス分配プレート１０８ｂを経て導入して，上部領域１５ａの高密度プラズマ中で解離させることにより，発生することができる。非常に複雑な，炭素に富んだ種は，複雑なフッ化炭素種をガス供給源７６，７８からその場の電極１０へ導入して，ほとんど又は全く解離せずにワークピースの表面に到達できるようにすることにより，発生することができる。これは，実質上解離なし（その場の電極１０を通して導入される種の場合）及び完全に又は高度に解離された種（天井のガス分配プレート１０８ｂを通して導入される種の場合）を包含するように，ワークピースに到達する種の解離の範囲を相当に広げる。また，２組の種の解離の制御を，独立したものにする。
２つの領域１５ａ，１５ｂの各々における解離は，ＲＦプラズマソース電力レベル（例えば，ＲＦジェネレータ１１８，１２４），及びチャンバ圧力（真空ポンプ１６０の制御による），並びに異なる領域１５ａ，１５ｂへのガス流量を制御することによって，制御される。
　ウ　図２には，
「システムコントローラ１４０」から「ソース電力ジェネレータ１２２」及び「バイアス電力コントローラ１４２」に向けて「制御」すること
（２）引用装置発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用装置発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタであって，そのチャンバ内には，その場の電極／ガス分配プレートが横たわり，チャンバを上部チャンバ領域及び下部チャンバ領域に分割し，その場の電極／ガス分配プレートは通路を有し，上部チャンバ領域から下部チャンバ領域へプラズマが通過できるようにし，
　プラズマリアクタは容量性結合のＲＦプラズマソース電力印加装置を備え，容量性結合のソース電力印加装置は天井内に配置できる電極であり，ソース電力ジェネレータは容量性結合のソース電力印加装置へ電力を与え，
　ウェハの下に横たわるワークピース支持体内の電極に結合されたＲＦバイアス電源からワークピースへＲＦプラズマバイアス電力が容量性結合され，ＲＦバイアス電源は，低周波数ＲＦ電力ジェネレータ及び別のＲＦ電力ジェネレータを含んでもよく，
　ソース電力コントローラは，ソース電力ジェネレータの出力電力レベル及び周波数を制御することができ，ソース電力ジェネレータのＲＦ出力をパルス化することができ，
　バイアス電力コントローラはバイアス電力ジェネレータの出力電力レベルを制御し，
　システムコントローラからソース電力ジェネレータ及びバイアス電力コントローラに向けて制御すること。」
（３）引用方法発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用方法発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタであって，そのチャンバ内には，その場の電極／ガス分配プレートが横たわり，チャンバを上部チャンバ領域及び下部チャンバ領域に分割し，その場の電極／ガス分配プレートは通路を有し，上部チャンバ領域から下部チャンバ領域へプラズマが通過できるようにしたプラズマリアクタ，で行うエッチングプロセスであって，
　プラズマリアクタは容量性結合のＲＦプラズマソース電力印加装置を備え，容量性結合のソース電力印加装置は天井内に配置できる電極であり，ソース電力ジェネレータは容量性結合のソース電力印加装置へ電力を与え，
　ウェハの下に横たわるワークピース支持体内の電極に結合されたＲＦバイアス電源からワークピースへＲＦプラズマバイアス電力が容量性結合され，
　ソース電力コントローラは，ソース電力ジェネレータの出力電力レベル及び周波数を制御することができ，ソース電力ジェネレータのＲＦ出力をパルス化することができ，
　バイアス電力コントローラはバイアス電力ジェネレータの出力電力レベルを制御し，
　システムコントローラからソース電力ジェネレータ及びバイアス電力コントローラに向けて制御すること。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，高周波放電を用いたプラズマエッチング方法に関するものである。」
　イ　「【００１３】
【発明の実施の形態】第１の実施の形態
この発明の第１の実施の形態について，図１および図２を参照しながら説明する。図１はプラズマエッチング装置の構造を示す模式図である。
プラズマエッチング装置は，誘導結合方式による真空室となるプラズマ生成室１により構成されており，チャンバーは接地されている。
反応性ガス，例えば酸化膜エッチングの場合，ＣＨＦ
3
 （５０％）／Ｃ
4
 Ｆ
8
 （５０％）の混合ガスを，５０ｓｃｃｍ，５Ｐａ程度に導入する。プラズマ生成室に石英板を隔てて上部に取り付けられたマルチスパイラルコイル３に，マッチング回路４を介して高周波電源５より高周波電力を印加することによりプラズマ６を生成することができる。被エッチング試料となるウエハ７は，マルチスパイラルコイル３に対向する形で下部電極８上に置かれ，マッチング回路９を介して高周波電源１０よりバイアス用高周波電力が供給される。パルス発生器１１からは，プラズマ生成用高周波電源５とバイアス用高周波電源１０に任意のパルス変調用信号が送られる構成になっている。
【００１４】図２は，バイアス投入電力をパルス変調（ＯＮ／ＯＦＦ変調）する際の各種パラメータの時間変化の説明図である。
（ａ）はプラズマに供給する高周波電力（例えば，１３．５６ＭＨｚ）であってＣＷであるのに対し，バイアス電力は変調用パルス（ｂ）によって（ｃ）に示すようにＯＮ／ＯＦＦ変調することとする。
このバイアス電力に応じて，イオンに負のバイアス電圧が発生するため，このとき被エッチング試料表面には，（ｄ）に示すようなイオン電流が流入することになる。
バイアス電力ＯＦＦ時には，副反応生成物が排出され，等方性のラジカル・原子が十分供給されて堆積保護膜が形成される一方，ＯＮ時にはイオン主体の異方性エッチングが進行する。
【００１５】このように構成されたプラズマエッチング方法によると，
バイアスへの供給電力をパルス変調することにより，被エッチング試料面へ供給されるのイオンのエネルギー，フラックスを時間的に制御し，等方性のラジカル・原子の供給，副反応生成物の排出が主体となる時間帯を別々にすることで，指向性のイオン主体の異方性エッチングが効果的に進行し，選択比および異方性を向上させることができる。
　ウ　「【００１８】（中略）
第３の実施の形態
この発明の第３の実施の形態について，図１および図４を参照しながら説明する。
【００１９】この実施の形態は，エッチング形状の異常，特にゲートエッチングにおけるノッチのおもな原因と考えられるチャージアップに起因した問題を解決しうるエッチング手法を提供するものである。この形状異常は，被エッチング試料面に供給されるイオンの電荷の局所的なアンバランスに起因するとされており，ここではその電荷のアンバランスがオーバーエッチ時の下地（Ｓｉ）の露出によって固定されることに着目し，この
オーバーエッチ時に高周波電力の供給をパルス変調すること
【００２０】図１において，
パルス発生器１１により高周波電源５を変調する構成を用いる。すなわち，図４（ａ）に示すように，ＣＷ時にプラズマに供給する高周波電力（例えば，１３．５６ＭＨｚ）に対し，（ｂ）に示すような変調用パルスを重畳させることにより，（ｃ）に示すようにメインエッチに続くオーバーエッチ時の高周波電力をＯＮ／ＯＦＦ変調することとする。高周波電力ＯＮ時に，被エッチング試料表面に入射するイオン種は主に正イオンであるのに対し，高周波電力ＯＦＦ時には，アフターグロー中での電子温度の低下によって負イオンが生成され主体となる。
このオーバーエッチ時にパルス変調を行うことで，主な種に高周波電力ＯＦＦ時の負イオンを導入し時間的にバランスさせることができる。
【００２１】このように構成されたプラズマエッチング方法によると，被エッチング試料のオーバーエッチ時に，
高周波電力の供給をパルス変調することで，主な種に高周波電力ＯＦＦ時の負イオンを導入することで時間的にバランスさせることができる。
（２）引用技術的事項２
　前記（１）ア及びイより，引用文献２には次の技術的事項（以下，「引用技術的事項２」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマエッチング装置において，反応性ガスとしてＣＨＦ3 （５０％）／Ｃ4 Ｆ8 （５０％）の混合ガスを導入し，ウエハが置かれる下部電極にバイアス用高周波電力が供給され，プラズマに供給する高周波電力はＣＷであるのに対し，バイアス電力は変調用パルスによってＯＮ／ＯＦＦ変調し，バイアス電力ＯＦＦ時には，等方性のラジカル・原子が十分供給されて堆積保護膜が形成される一方，ＯＮ時にはイオンに負のバイアス電圧が発生し，イオン主体の異方性エッチングが進行すること。」
　
第５　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用装置発明との対比
　ア　引用装置発明の「半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタ」は，「そのチャンバ内には，その場の電極／ガス分配プレートが横たわり，チャンバを上部チャンバ領域及び下部チャンバ領域に分割し，その場の電極／ガス分配プレートは通路を有し，上部チャンバ領域から下部チャンバ領域へプラズマが通過できるようにし」てあるから，引用装置発明の「その場の電極／ガス分配プレート」，「上部チャンバ領域」及び「下部チャンバ領域」は，それぞれ本願発明１の「プレート」，「上側チャンバ」及び「下側チャンバ」に相当し，すると，引用装置発明の「半導体ウェハを処理するためのプラズマリアクタ」は，本願発明１の「上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置」に相当する。
　イ　引用装置発明における「容量性結合のソース電力印加装置は天井内に配置できる電極であり」の「電極」は，本願発明１の「前記上側チャンバ内の上側電極」に相当し，引用装置発明において「ソース電力ジェネレータは容量性結合のソース電力印加装置へ電力を与え」及び「ソース電力コントローラは，ソース電力ジェネレータの出力電力レベル及び周波数を制御することができ，ソース電力ジェネレータのＲＦ出力をパルス化することができ」ることから，パルス化しないこともできると解され，してみると，引用装置発明の「ソース電力コントローラ」はパルス化しないときは，本願発明１の「前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定するよう動作可能な連続波（ＣＷ）コントローラ」に相当し，同「前記第１のＲＦ電源は，前記ＣＷコントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給し」を満たす。
　ウ　引用装置発明における「ウェハの下に横たわるワークピース支持体内の電極」は，本願発明１の「前記下側チャンバ内の下側電極」に相当し，引用装置発明において「ウェハの下に横たわるワークピース支持体内の電極に結合されたＲＦバイアス電源からワークピースへＲＦプラズマバイアス電力が容量性結合され」及び「バイアス電力コントローラはバイアス電力ジェネレータの出力電力レベルを制御」することから，引用装置発明の「バイアス電力コントローラ」は，下記相違点１を除いて，本願発明１の「パルスコントローラ」と，「前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるＲＦ信号の電圧を設定するよう動作可能なコントローラ」である点で共通する。
　エ　引用装置発明の「システムコントローラ」は，「システム」全体を制御するものであること，したがって「上部チャンバ領域から下部チャンバ領域へプラズマが通過できるように」全体を制御することは自明であり，してみると本願発明１の「前記両チャンバの動作中に前記プレートを通して前記上側チャンバから前記下側チャンバに流れる種の流れを制御するために，前記ＣＷコントローラおよび前記パルスコントローラのパラメータを設定するよう動作可能なシステムコントローラ」に相当する。
　オ　すると，本願発明１と引用装置発明とは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源の電圧および周波数を設定するよう動作可能な連続波（ＣＷ）コントローラと，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるＲＦ信号の電圧を設定するよう動作可能なコントローラと，
　前記両チャンバの動作中に前記プレートを通して前記上側チャンバから前記下側チャンバに流れる種の流れを制御するために，前記ＣＷコントローラおよび前記コントローラのパラメータを設定するよう動作可能なシステムコントローラと，
を備え，
　前記第１のＲＦ電源は，前記ＣＷコントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給する，ウエハ処理装置。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１の「コントローラ」は，「パルスコントローラ」であり「パルスＲＦ信号の周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間を設定するよう動作可能」であって，「前記第２のＲＦ電源は，前記パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する」のに対し，引用装置発明の「コントローラ」は「バイアス電力コントローラ」であり，「パルスＲＦ信号」の周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間を設定するよう動作可能であることの特定がない点。
（イ）相違点２
　本願発明１では「前記種の流れは，陰イオンエッチングと，前記オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，前記オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援」するのに対し，引用装置発明ではこの旨の特定がない点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点１及び２について，まとめて判断する。
　イ　引用装置発明は乖離に対して独立した制御（前記第４の１（１）ア【０００２】）を実現するもので，具体的に，より単純なフッ化炭素ガスと非常に複雑な炭素に富んだ種について２組の種の乖離の制御を独立したものにするもの（同イ【００２０】）であるから，反応性ガスとしてＣＨＦ3 （５０％）／Ｃ4 Ｆ8 （５０％）の混合ガスを導入してエッチングを行う引用技術的事項２に適用することが示唆されており，当業者はこの適用を動機づけられているといえる。
　すると，引用技術的事項２においてバイアス電力はパルス変調するところ，引用装置発明を適用する際に，そのバイアス電力コントローラをパルスコントローラとすることでワークピース支持体内の電極にパルスＲＦバイアス電力を供給することは，当業者が容易になし得るといえる。
　ウ　しかし，バイアス電力をパルス変調しても，ソース電力が印加されている限りアフターグロー状態とはならず（したがって，プラズマの再点火もない。），陰イオンエッチングはできないし，そもそも，引用技術的事項２はバイアス電力ＯＦＦ時にラジカル・原子による堆積保護膜を形成し，ＯＮ時にはイオンに負のバイアス電圧が発生し，すなわち正イオンによる異方性エッチングを行うものであり，陰イオンエッチングを行うものではない。引用文献１をみても，２つの領域の乖離は，ソース電力レベル及びチャンバ圧力，並びにガス流量を制御することによって制御される（前記第４の１（１）イ【００２０】）ことが開示されているのみでバイアス電力により乖離を制御することは開示されていない（かえって，その場の電極／ガス分配プレートの内部の導電層にＶＨＦ電力を印加して下部チャンバ領域におけるプラズマイオン発生を促進することが記載されている。前記第４の１（１）イ【００１０】）し，引用文献１に記載された引用装置発明と引用技術的事項２を組み合わせても，陰イオンエッチングを行うことは，当業者が容易に導けることではないから，相違点２に係る構成は当業者が容易に得られるものではない。
　なお，引用文献２には引用技術的事項２とは別の実施形態として負イオンによるプラズマエッチングを行うものが記載されている（前記第４の２（１）ウ）が，前記実施形態はプラズマを生成するためのマルチスパイラルコイルに印加される高周波電力をパルス変調するものであるから，仮に前記実施形態を採用しても，相違点１に係る構成は得られない。
　エ　そして，本願発明１は，ＲＦのオン期間中の下側プラズマの再点火が容易となり，下側チャンバ内のプラズマアフターグローの制御が可能となる（本願明細書段落０００４−０００６，００４２−００４４）という格別に有利な効果を有する。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２ないし１０について
　本願発明２ないし１０は，本願発明１を引用するものであるから，前記１と同様の理由により，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　本願発明１１について
（１）本願発明１１と引用方法発明との対比
　引用方法発明の「エッチングプロセス」は下記相違点３及び４を除いて本願発明１１の「ウエハを処理するための方法」に相当するほか，前記１（１）アないしエと同様であるから，本願発明１１と引用方法発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置でウエハを処理するための方法であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１のＲＦ電源によって生成される連続高周波（ＲＦ）信号のための第１のパラメータを設定する工程であって，前記第１のパラメータは，第１の電圧および第１の周波数を含む，工程と，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成されるＲＦ信号のための第２のパラメータを設定する工程であって，前記第２のパラメータは，第２の電圧を含む，工程と，
　前記連続ＲＦ信号を前記上側電極に印加する工程と，
　前記ＲＦ信号を前記下側電極に印加する工程と，
を備え，
　前記第１のパラメータおよび前記第２のパラメータを設定することにより，前記両チャンバの動作中に前記上側チャンバから前記下側チャンバへの種の流れを制御し，
　前記第１のＲＦ電源は，連続波（ＣＷ）コントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給する，方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点３
　本願発明１１では，「第２のパラメータを設定する工程」は，「パルスＲＦ信号のための」ものであり「前記第２のパラメータ」は，「第２の周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間」を含み，「前記パルスＲＦ信号」を前記下側電極に印加する工程を備え，「前記第２のＲＦ電源は，パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する」のに対し，引用方法発明では「ウェハの下に横たわるワークピース支持体内の電極に結合されたＲＦバイアス電源からワークピースへＲＦプラズマバイアス電力が容量性結合」され，「バイアス電力コントローラ」が，「第２の周波数，オン期間の持続時間，および，オフ期間の持続時間」を含むパラメータを設定することの特定がない点。
（イ）相違点４
　本願発明１１では「前記種の流れは，陰イオンエッチングと，前記オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，前記オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援」するのに対し，引用方法発明ではこの旨の特定がない点。
（２）相違点についての判断
　相違点３及び４は，それぞれ相違点１及び２に対応するものであるから，前記１（２）と同様である。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１１は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４　本願発明１２ないし１７について
　本願発明１２ないし１７は，本願発明１１を引用するものであるから，前記３と同様の理由により，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５　本願発明１８について
（１）本願発明１８と引用装置発明との対比
　引用装置発明の「低周波数ＲＦ電力ジェネレータ」及び「別のＲＦ電力ジェネレータ」は，それぞれ本願発明１８の「第２のＲＦ電源」及び「第３のＲＦ電源」に相当するほか，前記１（１）と同様であるから，本願発明１８と引用装置発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「上側チャンバを下側チャンバに流体連通させるプレートによって隔てられた前記上側チャンバおよび前記下側チャンバを備えたウエハ処理装置であって，
　前記上側チャンバ内の上側電極に接続された第１の高周波（ＲＦ）電源のための第１のパラメータを設定するよう動作可能な連続波（ＣＷ）コントローラと，
　前記下側チャンバ内の下側電極に接続された第２のＲＦ電源によって生成される第２のＲＦ信号のための第２のパラメータを設定すると共に，前記下側電極に接続された第３のＲＦ電源によって生成される第３のパルスＲＦ信号のための第３のパラメータを設定するよう動作可能なコントローラと，
　前記両チャンバの動作中に前記プレートを通して前記上側チャンバから前記下側チャンバに流れる種の流れを制御するために，前記第１，第２，および，第３のパラメータを転送するよう動作可能なシステムコントローラと，
を備え，
　前記第１のＲＦ電源は，前記ＣＷコントローラに制御されつつ，前記上側電極に連続波ＲＦ電力を供給する，ウエハ処理装置。」
　イ　相違点
（ア）相違点５
　本願発明１８の「コントローラ」は，「パルスコントローラ」であり「第２のパルスＲＦ信号のための第２のパラメータを設定すると共に」，「第３のパルスＲＦ信号のための第３のパラメータを設定するよう動作可能」であって，「前記第２のＲＦ電源は，前記パルスコントローラに制御されつつ，前記下側電極にパルスＲＦ電力を供給する」のに対し，引用装置発明の「コントローラ」は「バイアス電力コントローラ」であり「パルスＲＦ信号」のためのパラメータを設定するよう動作可能であることの特定がない点。
（イ）相違点６
　本願発明１８では「前記種の流れは，陰イオンエッチングと，オフ期間のアフターグロー中のウエハの表面における過剰な正荷電の中和と，オン期間中の前記下側チャンバにおけるプラズマの再点火とを支援」するのに対し，引用装置発明ではこの旨の特定がない点。
（２）相違点についての判断
　相違点５及び６は，それぞれ相違点１及び２に対応するものであるから，前記１（２）と同様である。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１８は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
６　本願発明１９及び２０について
　本願発明１９及び２０は，本願発明１８を引用するものであるから，前記５と同様の理由により，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
第６　原査定について
　前記第５のとおり，本願発明１ないし２０は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
　よって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。