【事件の表示】
　特願２０１３−１１２３６７「プローブガイド板及びその製造方法、半導体検査装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月１１日出願公開、特開２０１４−２３２０３０、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年５月２８日の出願であって、平成２８年１月１４日付けで手続補正がなされ、平成２８年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２９年１月１７日付けで手続補正がなされたが、平成２９年４月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２９年７月１８日付けで拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年４月２８日付け拒絶査定）の概要は、次のとおりである。
１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１−１０
・引用文献等　１−８
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−９３１２７号公報
２．特開２００７−２２７３４１号公報（周知技術を示す文献）
３．特開２００１−９１５４４号公報（周知技術を示す文献）
４．特開２００８−６６４８１号公報（周知技術を示す文献）
５．特開２００７−２６３６５０号公報（周知技術を示す文献）
６．特開２００９−２７６３１６号公報（周知技術を示す文献）
７．特開２００５−１８９０８６号公報（周知技術を示す文献）
８．特開２０１３−１６６７２号公報（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１−６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明６」という。）は、平成２９年７月１８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　対象物を検査するための電気信号をプローブ針を介して入出力する半導体検査装置に用いられるプローブガイド板であって、
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板の一方の面から他方の面に貫通し、前記プローブ針が挿入される貫通孔と、
　前記貫通孔の前記一方の面側の端部に設けられ、前記一方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第１テーパ部と、
　前記貫通孔の前記他方の面側の端部に設けられ、前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部と、
　前記第１テーパ部及び前記第２テーパ部を含む前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜と、を有し、
　前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜の膜厚は３μｍ以上１０μｍ以下であり、
　前記シリコン基板の一方の面の全体及び他方の面の全体において、シリコンが露出していることを特徴とするプローブガイド板。
　　【請求項２】
　前記一方の面及び前記他方の面は、前記シリコン基板の（１００）面であることを特徴とする請求項１記載のプローブガイド板。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載のプローブガイド板と、
　前記貫通孔に挿入されたプローブ針と、を有し、
　対象物を検査するための電気信号を前記プローブ針を介して入出力することを特徴とする半導体検査装置。
　　【請求項４】
　対象物を検査するための電気信号をプローブ針を介して入出力する半導体検査装置に用いられるプローブガイド板の製造方法であって、
　シリコン基板の一方の面から他方の面に貫通し、前記プローブ針が挿入される貫通孔を形成する工程と、
　前記貫通孔が形成された前記シリコン基板を異方性ウェットエッチングし、前記貫通孔の前記一方の面側の端部に、前記一方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第１テーパ部を形成すると共に、前記貫通孔の前記他方の面側の端部に前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部を形成する工程と、
　前記シリコン基板を熱酸化し、前記第１テーパ部及び前記第２テーパ部を含む前記貫通孔の内壁面にシリコン酸化膜を形成する工程と、を有し、
　前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜の膜厚は３μｍ以上１０μｍ以下であり、
　前記シリコン基板の一方の面の全体及び他方の面の全体において、シリコンが露出することを特徴とするプローブガイド板の製造方法。
　　【請求項５】
　前記一方の面及び前記他方の面は、前記シリコン基板の（１００）面であることを特徴とする請求項４記載のプローブガイド板の製造方法。
　　【請求項６】
　前記第１テーパ部及び前記第２テーパ部を形成する工程の前に、前記シリコン基板に対してエキシマ処理、紫外線照射処理、又はプラズマ処理を行い、
　前記第１テーパ部及び前記第２テーパ部を形成する工程では、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて異方性ウェットエッチングを行うことを特徴とする請求項４又は５記載のプローブガイド板の製造方法。」
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１２−９３１２７号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【０００１】
  本発明は、液晶パネルやカメラモジュール、ＩＣ、ＬＳＩ等の
多電極半導体デバイスの検査用のプローブカードに備えら
垂直方向に沿って屈曲部を有するプローブ針をプローブヘッドに挿着する構造を備えたバーチカルプローブヘッド
「【００４４】
  以下、本発明に係るバーチカルプローブヘッドの実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
  図１は、本発明の第１の実施形態の構成を説明するための概略図であり、（ａ）は横断面が矩形状に形成されたプローブ針のコンタクト前のプローブヘッドを示す斜視図、（ｂ）はプローブ針のコンタクト時のプローブヘッドを示す斜視図である。
  図１の（ａ）に示すように、
バーチカルプローブヘッド１は、プローブ針２、プローブハウジング３、およびインターポーザ４を備え
  この
プローブ針２は、被検査対象である電子デバイス５のテスト端子５ａに接触して電気的に導通を有するプローブ先端２ａと、電気信号測定装置
に電気信号を伝達するインターポーザ４と接触して電気的に導通を有するプローブ後端２ｂとを備え
プローブ下部２ｃとプローブ上部２ｄとの間にプローブ針２の長手方向に沿って左右に屈曲する屈曲部２ｅを備え
【００４５】
  図１の（ｂ）に示すように、矢印は
プローブ針２が伸縮するとき
このプローブ針２の屈曲部２ｅは、複数の曲点を有して形成され
これはプローブ針が曲点を支点にしてカーブして、全長を縮めてバネとして働くもので座屈によるものではない。
  
プローブハウジング３は、プローブ針２をプローブ先端２ａ側から挿入可能な第１の開口３ａを有する上部スルーホール３ｃと、プローブ先端２ａを電子デバイス５側に突出させる第２の開口３ｂを有する下部スルーホール３ｄとを備え
  さらに
プローブハウジング３は、上部スルーホール３ｃを有する上部シリコン基板３ｅと、下部スルーホール３ｄを有する下部シリコン基板３ｆとを備え
上部スルーホール３ｃは、上部シリコン基板３ｅの上方に形成されており、かつ、下部スルーホール３ｄは、下部シリコン基板３ｆの下方に形成され
そして上部スルーホール３ｃと下部スルーホール３ｄとの間には屈曲部３ｅの非屈曲方向の位置を支持する空洞部３ｇを備え
さらに下部スルーホール３ｄの下部シリコン基板３ｆには入り勝手部３ｈが形成され
この入り勝手部３ｈはカーブを描いて形成されたプローブ針２を上方から挿入するときに、所定の下部スルーホール３ｄに間違わずに容易に挿着できるようにしたものであり、
【００４６】
  このように・・・（中略）・・・効果がある。
  また、
下部スルーホール３ｄの上端を入り勝手部３ｈを備えた形状に形成することによって、プローブ針２は、所定の下部スルーホール３ｄではなく近隣の他の下部スルーホール３ｄに間違って入ることがなく、プローブ針２をプローブハウジング３に挿入し易く、プローブ針２の交換が容易である。この入り勝手部の形状はＲ形状であり、
このような入り勝手部のＲ形状によって、プローブ針は支持されており挿着安定性がある。
入り勝手部のＲ形状はこれに限定することはなく、他のＣカット形状などであっても構わない。」
「【００４８】
  これによって、プローブ針２は上部スルーホール３ｃの側壁３ｋに押圧され、さらに、下部スルーホール３ｄの入り勝手部３ｈに支持され、プローブ針２の水平方向および垂直方向位置が支持されてずれ落ちることもなく位置決め精度が良い。また、プローブ上部の周囲全体が上部スルーホール３ｃの第１の開口３ａ、長手方向側壁３ｊ、および短手方向側壁３ｋとの摩擦接触で支持されるためしっかりと固定でき、位置精度も良い。長手方向側壁３ｊは空洞部３ｇの側壁にも延長している。なお、バネ性を有する
プローブ針を
嵌着
の場合、
プローブ針２を装着するスルーホールは入口が広く、出口が狭いという特徴によって、プローブ針２を安定的に支持する方向である。
例えば、漏斗のように下すぼまりであるので上から挿入したプローブ針は下に抜け落ちることはなく、また、上からはインターポーザの接続端子が付勢して押えているため、プローブ針は上方にもずれることがなく、極めて自然に安定している。
【００４９】
  図３は、本発明の第１の実施形態に係るプローブハウジングの概略図であり、（ａ）は角形の下部スルーホールを備えたプローブハウジングを斜め上方から見た斜視図であり、（ｂ）は上部シリコン基板を斜め上方から見た斜視図、（ｃ）は下部シリコン基板を斜め上方から見た斜視図、（ｄ）は（ｃ）に示すＡ矢視図である。
  図３の（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、プローブハウジング３は、ＭＥＭＥＳ技術によって高度な精密性で形成された横断面角形のプローブ針２を挿着可能な下部スルーホール３ｄを備えている。プローブ針は横断面が丸形でも構わない。
【００５０】
  そして、図３の（ｂ）（ｃ）に示すように、
上部シリコン基板３ｅと下部シリコン基板３ｆとは、
接着材を用いて接合するようにしても構わない。
「【００５３】
  図３の（ｂ）（ｃ）（ｄ）および図４の（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）に示すように、
プローブ針２と接触するシリコン基板３ｅ、
３ｆ、
の表面には、酸化膜を形成し
これによって、それぞれのプローブ針２は互いに独立した電気信号の導通を可能とし
【００５４】
  また、プローブ針２とシリコン基板３ｅ、３ｅ´、３ｍ、３ｆ、３ｆ´とが接触する接触面だけでなく、それぞれのシリコン基板３ｅ、３ｅ´、３ｍ、３ｆ、３ｆ´の全体の表面に酸化膜を形成することによって、上部シリコン基板および下部シリコン基板、または上部シリコン基板、中間部シリコン基板、および下部シリコン基板の面接触により分子間で直接接合が促進される。これによって接着材を用いることなく、上部シリコン基板、中間部シリコン基板、および下部シリコン基板を容易に接合することができ、一体的に形成することができる。」
　したがって、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「多電極半導体デバイスの検査用のプローブカードに備えられ、垂直方向に沿って屈曲部を有するプローブ針をプローブヘッドに挿着する構造を備えたバーチカルプローブヘッド（段落【０００１】より。以下同様。）であって、
 バーチカルプローブヘッド１は、プローブ針２、プローブハウジング３、およびインターポーザ４を備え、プローブ針２は、被検査対象である電子デバイス５のテスト端子５ａに接触して電気的に導通を有するプローブ先端２ａと、電気信号測定装置に電気信号を伝達するインターポーザ４と接触して電気的に導通を有するプローブ後端２ｂとを備え、プローブ下部２ｃとプローブ上部２ｄとの間にプローブ針２の長手方向に沿って左右に屈曲する屈曲部２ｅを備え（【００４４】）
  プローブハウジング３は、プローブ針２をプローブ先端２ａ側から挿入可能な第１の開口３ａを有する上部スルーホール３ｃと、プローブ先端２ａを電子デバイス５側に突出させる第２の開口３ｂを有する下部スルーホール３ｄとを備え、プローブハウジング３は、上部スルーホール３ｃを有する上部シリコン基板３ｅと、下部スルーホール３ｄを有する下部シリコン基板３ｆとを備え、上部スルーホール３ｃは、上部シリコン基板３ｅの上方に形成されており、かつ、下部スルーホール３ｄは、下部シリコン基板３ｆの下方に形成され、そして上部スルーホール３ｃと下部スルーホール３ｄとの間には屈曲部３ｅの非屈曲方向の位置を支持する空洞部３ｇを備え、さらに下部スルーホール３ｄの下部シリコン基板３ｆには入り勝手部３ｈが形成され、この入り勝手部３ｈはカーブを描いて形成されたプローブ針２を上方から挿入するときに、所定の下部スルーホール３ｄに間違わずに容易に挿着できるようにしたものであり（【００４５】）、
  下部スルーホール３ｄの上端を入り勝手部３ｈを備えた形状に形成することによって、プローブ針２は、所定の下部スルーホール３ｄではなく近隣の他の下部スルーホール３ｄに間違って入ることがなく、プローブ針２をプローブハウジング３に挿入し易く、プローブ針２の交換が容易であり、この入り勝手部の形状はＲ形状であり、このような入り勝手部のＲ形状によって、プローブ針は支持されており挿着安定性があり、入り勝手部のＲ形状はＣカット形状などであっても構わず（【００４６】）、
   プローブ針を嵌着する場合、プローブ針２を装着するスルーホールは入口が広く、出口が狭いという特徴によって、プローブ針２を安定的に支持する方向であり、例えば、漏斗のように下すぼまりであるので上から挿入したプローブ針は下に抜け落ちることはなく、また、上からはインターポーザの接続端子が付勢して押えているため、プローブ針は上方にもずれることがなく、極めて自然に安定し（【００４８】）、
　プローブ針２と接触するシリコン基板３ｅ、３ｆの表面には、酸化膜を形成し、これによって、それぞれのプローブ針２は互いに独立した電気信号の導通を可能とし（【００５３】）、
  上部シリコン基板３ｅと下部シリコン基板３ｆとは、接着材を用いて接合するようにしても構わない（【００５０】）、
  バーチカルプローブヘッド（【０００１】）。」
（２）引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献２（特開２００７−２２７３４１号公報）には、図面ともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【０００１】
  本発明は、
電子部品（半導体など）に設けられた複数の接触子
を弾性接点に案内するガイド部材
「【００６９】
  図４及び図５に示すように、ガイド部材３０は、前記中継ボード２０の図示Ｚ１方向の上部に設けられている。前記
ガイド部材３０は
平板状の部材であり、例えば絶縁性を有する樹脂
より形成され
【００７０】
  図５に示すように、前記ガイド部材３０は樹脂製のベース３０Ａと前記ベース３０Ａの中心部に形成された角状の貫通孔３０Ｂとを有している。
【００７１】
  そして、前記貫通孔３０Ｂの周囲には
上下方向
に貫通する多数の小孔３１からなる位置決め手段が設けられ
前記個々の小孔３１は、前記電子部品１の前記球状接触子（外部接触子）２ａおよび前記中継ボード２０のスルーホール２２に対応して形成されており、
【００７２】
  前記位置決め手段を形成する多数の小孔３１のうち、隅部に設けられた４つの位置決め小孔３１Ａ，３１Ａ，３１Ａ，３１Ａの直径は、その他の多数の小孔３１よりも小さな寸法で形成されている。例えば、前記電子部品１の球状接触子２ａの直径が０．６ｍｍである場合には、前記４つの位置決め小孔３１Ａの直径は０．７１ｍｍで形成され、前記その他多数の小孔３１の直径は０．７５ｍｍである。
【００７３】
  なお、図８および図１０Ａないし図１０Ｃに示すように、
前記小孔３１及び前記位置決め小孔３１Ａの表裏両端の一方の縁部（板厚方向の一方の縁部）、好ましくは双方の縁部には傾斜面３１ａ，３１ｂが形成され
前記球状接触子２ａと前記上側スパイラル接触子２４Ａの一方または双方を、前記小孔３１および前記位置決め小孔３１Ａ内に導き易くなっている。
　したがって、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「電子部品（半導体など）に設けられた複数の接触子を弾性接点に案内するガイド部材（段落【０００１】より。以下同様。）であって、ガイド部材３０は平板状の部材であり、例えば絶縁性を有する樹脂より形成され（【００６９】）、上下方向に貫通する多数の小孔３１からなる位置決め手段が設けられ、前記個々の小孔３１は、前記電子部品１の前記球状接触子（外部接触子）２ａおよび前記中継ボード２０のスルーホール２２に対応して形成されており（【００７１】）、前記小孔３１及び前記位置決め小孔３１Ａの表裏両端の一方の縁部（板厚方向の一方の縁部）、好ましくは双方の縁部には傾斜面３１ａ，３１ｂが形成され、前記球状接触子２ａと前記上側スパイラル接触子２４Ａの一方または双方を、前記小孔３１および前記位置決め小孔３１Ａ内に導き易くなっている（【００７３】）、ガイド部材（【０００１】）。」
（３）引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献３（特開２００１−９１５４４号公報）には、図面ともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハ上に形成された半導体素子あるいは半導体デバイスの検査方法に係り、特にプロービング検査およびバーンイン検査など半導体製造工程における電気的特性測定用の検査装置に関する。」
「【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。図１は本発明による
半導体検査装置の検査ウエハ
【００２４】
検査ウエハ１１は、両持ち梁又はダイアフラム１２
と、プローブ１３と、貫通孔１４とで構成されている。ダイアフラム１２部には、プローブ１３が形成されており、プローブ１３は検査ウエハ１１の底面より数μmから数十μm突き出している。貫通孔１４はプローブ１３と同数個形成されており、
配線１６は、個々のプローブ１３からそれぞれの貫通孔１４を経て検査ウエハ１１の反対側面に形成した二次側電極パッド１７まで形成されている
「【００５６】図９はエッチング方法による貫通孔の形状を示す平面図と断面図である。（ａ）（ｂ）（ｃ）のいずれもＸ＝２ｍｍ、Ｙ＝２ｍｍ、Ｚ＝６００μｍの（１００）面のシリコンウエハにｄ＝１００μｍの貫通孔を形成するものとし、貫通孔が互いに重ならないようにＬ＝１００μｍの間隔を開けて並ぶように形成する。」
「【００５８】（ｂ）は
異方性ウェットエッチングによってシリコンウエハ１０１の両側から貫通孔１０４を形成したもので、逆四角錐状の貫通孔をつなぎ合せた鼓状の形状をしている。
□２ｍｍのシリコンウエハ１０１には９個の貫通孔１０４形成できる。
【００５９】（ａ）、（ｂ）とも
貫通孔１０２、１０４のｄの寸法を小さくしたところで□２ｍｍのシリコンウエハ１０１に形成できる数量に変化はなく、異方性ウェットエッチングにおける加工限界がある。
【００６０】一方、（ｃ）は
ＲＩＥ装置などのドライエッチングによってシリコンウエハ１０１に貫通孔１０５を形成したものである。ドライエッチングのために貫通孔１０５はマスクパターンとほぼ同形状のほぼ垂直な形状になる。
□２ｍｍのシリコンウエハ１０１には１００個の貫通孔１０５が形成される
　したがって、引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「半導体検査装置の検査ウエハ１１は、両持ち梁又はダイアフラム１２と、プローブ１３と、貫通孔１４とで構成され、ダイアフラム１２部には、プローブ１３が形成されており、プローブ１３は検査ウエハ１１の底面より数μmから数十μm突き出し、貫通孔１４はプローブ１３と同数個形成され、配線１６は、個々のプローブ１３からそれぞれの貫通孔１４を経て検査ウエハ１１の反対側面に形成した二次側電極パッド１７まで形成され（段落【００２３】、【００２４】より。以下同様。）、
　異方性ウェットエッチングによってシリコンウエハ１０１の両側から貫通孔１０４を形成したものは、逆四角錐状の貫通孔をつなぎ合せた鼓状の形状をし、□２ｍｍのシリコンウエハ１０１には９個の貫通孔１０４形成できる（【００５６】、【００５８】）が、貫通孔１０２、１０４のｄの寸法を小さくしたところで□２ｍｍのシリコンウエハ１０１に形成できる数量に変化はなく、異方性ウェットエッチングにおける加工限界があり（【００５９】）、ＲＩＥ装置などのドライエッチングによってシリコンウエハ１０１に貫通孔１０５を形成したものでは、ドライエッチングのために貫通孔１０５はマスクパターンとほぼ同形状のほぼ垂直な形状になり、□２ｍｍのシリコンウエハ１０１には１００個の貫通孔１０５が形成される（【００６０】）、
　半導体検査装置の検査ウエハ（【００２３】）。」
（４）引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献４（特開２００８−６６４８１号公報）には、図面ともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【０００１】
  本発明は、シリコン基板に半導体素子が実装されてなる半導体装置、および当該半導体装置を製造する製造方法に関する。」
「【００１０】
  本発明の具体的な課題は、
シリコン基板を用いて形成されるパッケージ
半導体素子が搭載されて
「【００２３】
  本発明による
パッケージの製造方法は、シリコン基板をエッチングして、該シリコン基板を貫通するビアホールを形成するエッチング工程と、前記ビアホールに導電材料を埋設してビアプラグを形成する工程と、を有
であって、前記エッチング工程は、直線状に前記ビアホールが形成される第１のエッチング工程と、テーパー状に前記ビアホールが形成される第２のエッチング工程とを含む
【００２４】
  上記の製造方法により形成されるパッケージでは、前記
ビアプラグは、直線状に形成される直線部と、テーパー形状に形成されるテーパー部とを有することになる。
【００２５】
  上記のパッケージの製造方法によれば、シリコン基板にビアホールを形成する場合のエッチング形状のばらつきを抑制し、形成されるビアプラグの信頼性を良好とすることが可能となる。例えば、前記エッチング工程では、前記ビアホールの開口側がテーパー状となるようにエッチングを行うことで、当該開口側でのエッチング形状のばらつきの発生を抑制し、形成されるビアプラグの電気的な接続の信頼性を良好とすることができる。
【００２６】
  また、形成される前記ビアプラグは、
前記テーパー部を有しているために所定の部分に応力が集中する影響が抑制され、破損や接続不良の発生が抑制されて信頼性が良好となる効果を奏する。
　したがって、引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「シリコン基板を用いて形成されるパッケージであって、半導体素子が搭載され（段落【００１０】より。以下同様。）、パッケージの製造方法は、シリコン基板をエッチングして、該シリコン基板を貫通するビアホールを形成するエッチング工程であって、直線状に前記ビアホールが形成される第１のエッチング工程と、テーパー状に前記ビアホールが形成される第２のエッチング工程とを含む工程と、前記ビアホールに導電材料を埋設してビアプラグを形成する工程と、を有し（【００２３】）、ビアプラグは、直線状に形成される直線部と、テーパー形状に形成されるテーパー部とを有することになり（【００２４】）、
　形成される前記ビアプラグは、前記テーパー部を有しているために所定の部分に応力が集中する影響が抑制され、破損や接続不良の発生が抑制されて信頼性が良好となる効果を奏する（【００２６】）、
　パッケージ（【００１０】）。」
（５）引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献５（特開２００７−２６３６５０号公報）には、図面ともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【０００５】
  このような目的を達成するために、本発明の
電気信号測定用治具は、シリコン基板と、該シリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、
を備え、
「【００１６】
  このようなシリコン基板２が備えるスルーホール３は、その内径が１０〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍの範囲、ピッチ（図１に示されるように、隣接するスルーホールの開口中心の距離Ｌ）が２０〜１０００μｍ、好ましくは３０〜３００μｍの範囲である。また、スルーホール３の少なくとも一部はピッチが２０〜２００μｍの範囲であってもよい。本発明では、スルーホール３の全ての内径、ピッチが上記の範囲内であってもよく、また、複数のスルーホール３うち、所望のスルーホール３が上記の範囲の内径、ピッチを有するものであってもよい。勿論、全てのスルーホール３が、例えば、内径１０μｍ、形成ピッチ２０μｍとなるものであってもよい。
  
シリコン基板２に形成されている二酸化珪素膜４は、その厚みが０．１〜５μｍ、好ましくは０．８〜４．５μｍ程度である。また、表面側二酸化珪素層５は、その厚みが０．１〜５μｍ、好ましくは０．８〜４．５μｍ程度である。二酸化珪素膜４、表面側二酸化珪素層５の厚みが上記の範囲未満であると、絶縁不良を生じ易く、上記の範囲を超えると、成膜時の応力コントロールが困難となり反りや歪みが生じ易くなり好ましくない
　したがって、引用文献５には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
「電気信号測定用治具は、シリコン基板と、該シリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、を備え（段落【０００５】より。以下同様。）、
　シリコン基板２に形成されている二酸化珪素膜４は、その厚みが０．１〜５μｍ、好ましくは０．８〜４．５μｍ程度であり、また、表面側二酸化珪素層５は、その厚みが０．１〜５μｍ、好ましくは０．８〜４．５μｍ程度であり、二酸化珪素膜４、表面側二酸化珪素層５の厚みが上記の範囲未満であると、絶縁不良を生じ易く、上記の範囲を超えると、成膜時の応力コントロールが困難となり反りや歪みが生じ易くなり好ましくない【００１６】、
　電気信号測定用治具【０００５】。」
（６）引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献６（特開２００９−２７６３１６号公報）には、図面ともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与した。）。
「【００１９】
  このように、
基板本体１５の材料としてシリコンを用い
プローブカード１０
【００２０】
  
絶縁膜１６は、基板本体１５の表面（貫通孔１８の側面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆うように設けられ
絶縁膜１６は、基板本体１５とプローブ針１２との間を絶縁するための膜である。絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができる。絶縁膜１６として、熱酸化膜を用いた場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる。
　したがって、引用文献６には、次の技術的事項が記載されていると認められる。
「基板本体１５の材料としてシリコンを用い（段落【００１９】より。以下同様。）、 絶縁膜１６は、基板本体１５の表面（貫通孔１８の側面に対応する部分の基板本体１５の面も含む）を覆うように設けられ、絶縁膜１６は、基板本体１５とプローブ針１２との間を絶縁するための膜であり、絶縁膜１６としては、例えば、酸化膜（例えば、熱酸化膜）を用いることができ、絶縁膜１６として、熱酸化膜を用いた場合、絶縁膜１６の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍとすることができる（【００２０】）、プローブカード（【００１９】）。」
（７）引用文献７について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献７（特開２００５−１８９０８６号公報）には、段落【００４４】より、技術的事項として、「絶縁膜１９を支持枠体１６，１６，１７，１８と比較して膜厚が薄く形成することにより、熱膨張に関しては無視しうること」が記載されていると認められる。
（８）引用文献８について
　原査定の拒絶の理由に、周知技術を示す文献として引用された引用文献８（特開２０１３−１６６７２号公報）には、段落【００４５】より、技術的事項として、「フォトレジストパターンを用いた絶縁膜のウェットエッチングを行う前に、アッシャーを用いたプラズマ処理などによりフォトレジストパターンに対して表面処理（プラズマ表面処理）を行い、それによってウェットエッチング時の濡れ性向上（フォトレジストパターンに対する濡れ性向上）を図ることができる」ことが記載されていると認められる。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　引用発明は、バーチカルプローブヘッドにおけるプローブハウジング３を構成する「下部シリコン基板３ｆ」の発明として捉えることも可能であるから、引用発明を「下部シリコン基板３ｆ」についての発明と捉えて、本願発明１と対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明における「プローブ針２」が、本願発明１における「プローブ針」に相当する。
イ　引用発明における「多電極半導体デバイスの検査」が検査装置によって行われることは明らかである。すると、引用発明における「多電極半導体デバイスの検査」を行う検査装置は、「プローブ針２」によって「被検査対象である電子デバイス５のテスト端子５ａに接触して電気的に導通を有する」とともに、「電気信号測定装置に電気信号を伝達するインターポーザ４と接触して電気的に導通を有する」ものであるから、本願発明１における、「対象物を検査するための電気信号をプローブ針を介して入出力する半導体検査装置」に相当するといえる。
ウ　引用発明における「プローブハウジング３」の「下部シリコン基板３ｆ」は、「下部スルーホール３ｄを有」し、「下部スルーホール３ｄの上端を入り勝手部３ｈを備えた形状に形成することによって、プローブ針２は、所定の下部スルーホール３ｄではなく近隣の他の下部スルーホール３ｄに間違って入ることがなく、プローブ針２をプローブハウジング３に挿入し易く、プローブ針２の交換が容易であ」るから、本願発明１における「プローブガイド板」に相当する。
エ　引用発明における「下部シリコン基板３ｆ」となる「シリコン基板」が、本願発明１における「シリコン基板」に相当する。
オ　引用発明の「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」は、「プローブ針２を上方から挿入する」ためのスルーホールであるから、本願発明１における「前記シリコン基板の一方の面から他方の面に貫通し、前記プローブ針が挿入される貫通孔」に相当する。
カ　引用発明における「下部スルーホール３ｄの下部シリコン基板３ｆ」に形成された（「プローブ針２を上方から挿入する」ときの）「入り勝手部３ｈ」は、「下部スルーホール３ｄの上端」（つまり、「上部シリコン基板３ｅ」と「接合」される面側）に「形成」され、「入り勝手部のＲ形状はＣカット形状などであっても構わ」ないから、本願発明１における「前記貫通孔の前記一方の面側の端部に設けられ、前記一方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第１テーパ部」に相当する。
キ　引用発明における「プローブ針２と接触するシリコン基板」「３ｆの表面」に「形成」された「酸化膜」は、「これによって、それぞれのプローブ針２は互いに独立した電気信号の導通を可能とし」ているのであるから、「プローブ針２と接触する」、「Ｃカット形状」の「入り勝手部」を含む「下部スルーホール３ｄ」の内壁面に形成されていることは明らかである。
　よって、引用発明の「下部シリコン基板３ｆ」における、「Ｃカット形状」の「入り勝手部」を含む「下部スルーホール３ｄ」の内壁面に形成された「酸化膜」と、本願発明１における「前記第１テーパ部及び前記第２テーパ部を含む前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜」とは、「前記第１テーパ部を含む前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜」の点で共通するといえる。
ク　引用文献の段落【００５４】の記載（また、
プローブ針２とシリコン基板３ｅ、
３ｆ
とが接触する接触面だけでなく、それぞれのシリコン基板３ｅ、
３ｆ
の全体の表面に酸化膜を形成することによって、上部シリコン基板および下部シリコン基板
の面接触により分子間で直接接合が促進される。これによって接着材を用いることなく、上部シリコン基板、
および下部シリコン基板を容易に接合することができ、
　よって、引用発明において「上部シリコン基板３ｅと下部シリコン基板３ｆと」を「接着材を用いて接合する」場合、「下部シリコン基板３ｆ」における「上部シリコン基板３ｅ」と「接合」される面と、その反対の面とに「酸化膜を形成」せず、露出させることが、本願発明１における「前記シリコン基板の一方の面の全体及び他方の面の全体において、シリコンが露出していること」に相当するといえる。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「対象物を検査するための電気信号をプローブ針を介して入出力する半導体検査装置に用いられるプローブガイド板であって、
　シリコン基板と、
　前記シリコン基板の一方の面から他方の面に貫通し、前記プローブ針が挿入される貫通孔と、
　前記貫通孔の前記一方の面側の端部に設けられ、前記一方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第１テーパ部と、
　前記第１テーパ部を含む前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜と、を有し、
　前記シリコン基板の一方の面の全体及び他方の面の全体において、シリコンが露出していることを特徴とするプローブガイド板。」
（相違点１）
　本願発明１では、プローブガイド板が、「前記貫通孔の前記他方の面側の端部に設けられ、前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部」を有し、「貫通孔」が「第２テーパ部」を含むのに対し、引用発明では、「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」の下端面側（つまり、「下部シリコン基板３ｆ」における、「上部シリコン基板３ｅ」と「接合」される面とは反対の面の側。以下同様。）に、「Ｒ形状」や「Ｃカット形状」を形成することは示されていない点。
（相違点２）
　本願発明１では、「前記貫通孔の内壁面に形成されたシリコン酸化膜の膜厚は３μｍ以上１０μｍ以下であ」るのに対し、引用発明では、「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」に形成された「酸化膜」について、膜厚が示されていない点。
（２）判断
ア　上記相違点１について検討すると、引用発明では、「下部スルーホール３ｄの下部シリコン基板３ｆ」に「入り勝手部３ｈ」を「形成」することで、「この入り勝手部３ｈはカーブを描いて形成されたプローブ針２を上方から挿入するときに、所定の下部スルーホール３ｄに間違わずに容易に挿着でき」、「プローブ針２は、所定の下部スルーホール３ｄではなく近隣の他の下部スルーホール３ｄに間違って入ることがなく、プローブ針２をプローブハウジング３に挿入し易く、プローブ針２の交換が容易であ」るようにしているのであるから、プローブ針２の挿入、交換に関して、「下部スルーホール３ｄ」における「プローブ針２」の出側（つまり、「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」の下端面側。以下同様。）を、入り勝手部３ｈと同様な形状にする必要性は見いだせない。
イ　また、 引用文献１の段落 【００４５】に記載されているように、引用発明の「バーチカルプローブヘッド１」における「プローブ針２」は、「屈曲部２ｅ」において「複数の曲点を有して形成され」、「プローブ針２が伸縮するとき」は、該「屈曲部２ｅ」においてなされ、「プローブ針が曲点を支点にしてカーブして、全長を縮めてバネとして働くもので座屈によるものではない」のであるから、「下部スルーホール３ｄ」の「プローブ針２」の出側に「プローブ針２」が接触して破壊が生じるおそれはなく、「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」の下端面側に、「プローブ針２」の接触による破壊を防止するための「Ｃカット形状」を形成する動機付けを見出すこともできない。
ウ　まして、引用発明には、「プローブ針２を装着するスルーホールは入口が広く、出口が狭いという特徴によって、プローブ針２を安定的に支持する方向であり、例えば、漏斗のように下すぼまりであるので上から挿入したプローブ針は下に抜け落ちることはな」いことを特徴としているのであるから、「下部スルーホール３ｄ」の「プローブ針２」の出側（つまり、「下部シリコン基板３ｆ」における「下部スルーホール３ｄ」の下端面側）に、「Ｃカット形状」を形成することは、かえって、プローブ針２を安定的に支持するという上記目的を阻害する要因となるものといえる。
エ　次に、引用文献２に記載された技術的事項は、「小孔３１」及び「位置決め小孔３１Ａ」の「表裏両端の」「双方の縁部には傾斜面３１ａ，３１ｂが形成され」ているものの、該「小孔３１」及び「位置決め小孔３１Ａ」は、「電子部品（半導体など）に設けられた複数の接触子を弾性接点に案内するガイド部材」の「位置決め手段」であるから、引用発明における「プローブ針２を装着するスルーホール」とは異なる用途に用いられる「小孔」である。
　よって、引用文献２に記載された技術的事項を引用発明１に適用する動機付けはないものといえる。
オ　引用文献３に記載された技術的事項における「貫通孔」は、プローブ針が挿入されるものではなく、個々のプローブ１３への配線１６が形成される貫通孔である。
　また、引用文献３に記載された技術的事項には、「貫通孔」を「異方性ウェットエッチングによってシリコンウエハ１０１の両側から貫通孔１０４を形成したものは、逆四角錐状の貫通孔をつなぎ合せた鼓状の形状をし」ていることが示されているものの、該技術的事項は、「異方性ウェットエッチングにおける加工限界があ」るため、貫通孔１０５を高密度に形成できないことを説明するために例示された技術的事項である。
　以上の点を併せ考えれば、引用文献３に記載された技術的事項を引用発明１に適用する動機付けはないものといえる。
カ　引用文献４に記載された技術的事項は、「直線状に前記ビアホールが形成される第１のエッチング工程と、テーパー状に前記ビアホールが形成される第２のエッチング工程とを含む工程と、前記ビアホールに導電材料を埋設してビアプラグを形成する工程」により形成された、「直線状に形成される直線部と、テーパー形状に形成されるテーパー部とを有する」「ビアプラグ」を開示するが、該「ビアプラグ」は「シリコン基板を貫通するビアホール」に「導電材料を埋設して」形成したものであって、プローブ針が挿入されるものではないから、引用文献４に記載された該技術的事項を、引用発明における「プローブ針２を装着するスルーホール」に適用することは、当業者といえども、動機付けられないものといえる。
キ　次に、引用文献５に記載された技術的事項は、二酸化珪素膜や表面二酸化珪素膜の膜厚が所定範囲未満であると、絶縁不良を生じ易く、上記の範囲を超えると、成膜時の応力コントロールが困難となり反りや歪みが生じ易くなり好ましくないことを開示するに過ぎず、上記相違点１に係る本願発明１の構成を開示するものではない。
ク　引用文献６に記載された技術的事項は、プラズマ処理などによりウェットエッチング時の濡れ性向上（フォトレジストパターンに対する濡れ性向上）を図ることができることを開示するに過ぎず、上記相違点１に係る本願発明１の構成を開示するものではない。
ケ　引用文献７に記載された技術的事項は、「絶縁膜を支持枠体と比較して膜厚が薄く形成することにより、熱膨張に関しては無視しうること」を開示するに過ぎず、上記相違点１に係る本願発明１の構成を開示するものではない。
コ　引用文献８に記載された技術的事項は、「アッシャーを用いたプラズマ処理」により、「ウェットエッチング時の濡れ性向上（フォトレジストパターンに対する濡れ性向上）を図ることができる」ことを開示するに過ぎず、上記相違点１に係る本願発明１の構成を開示するものではない。
（３）まとめ
　以上のとおり、本願発明１は、上記相違点２について検討するまでもなく、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−８に記載された技術的事項に基づいて、容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２、３について
　本願発明２、３は、本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１と同じく、プローブガイド板が、「前記貫通孔の前記他方の面側の端部に設けられ、前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部」を有し、「貫通孔」が「第２テーパ部」を含む構成を備えるものである。
　よって、本願発明２、３は、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−８に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明４について
　本願発明４は、本願発明１に対応する方法の発明であり、上記相違点１に係る本願発明１の構成に対応する構成（「前記貫通孔の前記一方の面側の端部に、前記一方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第１テーパ部を形成すると共に、前記貫通孔の前記他方の面側の端部に前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部を形成する工程」を有し、「貫通孔の内壁面」は「前記第２テーパ部を含」む構成）を備えるものである。
　よって、本願発明４は、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−８に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明５−６について
　本願発明５−６は、本願発明４を減縮した発明であるから、上記「３．」で述べたとおり、上記相違点１に係る本願発明１の構成に対応する構成を備えるものである。
　よって、本願発明５−６は、本願発明４と同様の理由により、当業者であっても、引用発明及び引用文献２−８に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
１．理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−８は、「前記貫通孔の前記他方の面側の端部に設けられ、前記他方の面に近づくに従って孔の大きさが拡大する第２テーパ部」、つまり、「前記第２テーパ部を含む前記貫通孔」を有するという事項、または、それに対応する事項を有するものとなっており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１−８に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定の理由１を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。