【事件の表示】
　特願２０１２−２１８４６５「半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月２１日出願公開、特開２０１４−　７２４４８、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年９月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　８月１０日　審査請求
平成２８年　６月２０日　拒絶理由通知
平成２８年　８月２９日　意見書・手続補正
平成２９年　１月３１日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　５月１９日　審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１３」という。）は，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と，
脂肪酸アミド及び下記一般式（ＩＩ）で表される化合物から選択される少なくとも１種と，
を含む半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
　【化１】
　
〔式（Ｉ）中，Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１〜８のアルキル基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基を表す。〕
　　Ｒ５−（−Ｏ−Ｒ１０−）ｎ−Ｏ−Ｒ６　・・・（ＩＩ）
〔式（ＩＩ）中，Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し，Ｒ１０はアルキレン基を示す。ｎは３以上の任意の整数である。なお，複数存在する−（−Ｏ−Ｒ１０−）−におけるＲ１０は同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項２】
　前記脂肪酸アミドを含有し，該脂肪酸アミドが下記一般式（１），（２），（３）及び（４）で表される化合物から選択される少なくとも１種を含む請求項１に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
　Ｒ７ＣＯＮＨ２・・・・（１）
　Ｒ７ＣＯＮＨ−Ｒ８−ＮＨＣＯＲ７・・・・（２）
　Ｒ７ＮＨＣＯ−Ｒ８−ＣＯＮＨＲ７・・・・（３）
　Ｒ７ＣＯＮＨ−Ｒ８−Ｎ（Ｒ９）２・・・・（４）
〔一般式（１），（２），（３）及び（４）中，Ｒ７及びＲ９は各々独立に炭素数１〜３０のアルキル基又はアルケニル基を示し，Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。Ｒ７及びＲ９は同一であっても異なっていてもよい。〕
【請求項３】
　前記脂肪酸アミドを含有し，該脂肪酸アミドが，ステアリン酸アミド，Ｎ，Ｎ’−メチレンビスステアリン酸アミド及びステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミドからなる群より選択される少なくとも１種を含有する請求項１又は請求項２に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項４】
　前記脂肪酸アミドを含有し，該脂肪酸アミドの分解温度が，４００℃以下である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項５】
　前記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有し，該一般式（ＩＩ）で表される化合物の数平均分子量が３００〜１,０００,０００である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項６】
　前記一般式（Ｉ）におけるＲ１は，それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基である請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項７】
　前記一般式（Ｉ）において，ｎが１〜３の整数であり，Ｒ４がそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項８】
　さらに樹脂を含有する請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項９】
　前記樹脂の含有率が０．１質量％〜３０質量％である請求項８に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１０】
　半導体基板と，前記半導体基板上の全面又は一部に設けられた請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物の焼成物層と，を有するパッシベーション膜付半導体基板。
【請求項１１】
　半導体基板上の全面又は一部に，請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物を付与して組成物層を形成する工程と，
　前記組成物層を焼成処理して，パッシベーション膜を形成する工程と，
　を有するパッシベーション膜付半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
　ｐ型層及びｎ型層がｐｎ接合されてなる半導体基板と，
　前記半導体基板上の全面又は一部に設けられた請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物の焼成物層と，
　前記半導体基板の前記ｐ型層及びｎ型層の少なくとも一方の層上に配置された電極と，
　を有する太陽電池素子。
【請求項１３】
　ｐ型層及びｎ型層が接合されてなるｐｎ接合を有し，前記ｐ型層及びｎ型層の少なくとも一方の層上に電極を有する半導体基板の，前記電極を有する面の一方又は両方の面上に，請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体基板パッシベーション膜形成用組成物を用いて組成物層を形成する工程と，
　前記組成物層を焼成処理して，パッシベーション膜を形成する工程と，
を有する太陽電池素子の製造方法。」
　
第３　原査定の概要
Ａ．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
Ｂ．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由Ａ（特許法第２９条第１項第３号）について
・請求項１，６，７
・引用文献等　２
　出願人は意見書において，引用文献２について，
「引用文献２は「層間絶縁膜」を形成するための組成物であり［請求項１］，銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性を課題としています［０００４］。本願のような，パッシベーション層形成の用途は記載も示唆もされておりません。」と主張している。
　しかしながら，引用文献２の段落［００４８］には，「このようにして得られる層間絶縁膜は，低比誘電率を示し，かつバリアメタルとの密着性に優れることから，…，半導体素子の表面コート膜などの保護膜，…，液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜，エレクトロルミネッセンス表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。」とあり，保護膜に用いられていることは明らかであって，特に，最初の下線部の「半導体素子の表面コート膜」からみて，パッシベーション層形成の用途に対する示唆がなされているものと認める。
　したがって，出願人の主張は採用できず，よって，請求項１，６，７に係る発明は，引用文献２に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
●理由Ｂ（特許法第２９条第２項）について
・請求項５〜７
・引用文献等　２，３，４
　上記拒絶理由通知書で述べたとおり，有機アルミニウム化合物と共に用いられる一般式（ＩＩ）で表される化合物において，当該化合物の数平均分子量として３００〜１，０００，０００を満たすものについては，引用文献３又は４に挙げられており，そうすると，請求項５〜７に係る発明は，引用文献２，３，４に基いて当業者が容易に想到できたものといえ，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項８，９
・引用文献等　２，３，４，５
　引用文献２，４には，樹脂（ポリマー）を加えることが示されているし，引用文献４，５には，樹脂の含有率についての記載がある。
　よって，請求項８，９に係る発明は，引用文献２，３，４，５に基いて当業者が容易に想到できたものといえ，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項１０〜１３
・引用文献等　２，３，４，５，１
　引用文献１，５には，太陽電池素子に関する記載がある。
　よって，請求項１０〜１３に係る発明は，引用文献１，２，３，４，５に基いて当業者が容易に想到できたものといえ，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第２０１２／１１９６８４号
２.特開２００２−３６３４９０号公報
３.特開２００１−２２６１７１号公報
４.特開２０００−３１９５３０号公報
５.特開平０８−２２５３８２号公報
（当審注：引用文献番号は当審において付け替えた。）
　
第４　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）（当審注：訳は，対応する特表２０１４−５１６４６７号公報による。）
　ア　「Die vorliegende Erfindung 
betrifft Aluminiumoxid basierte Passivierungs-schichten
Weiterhin werden ein Verfahren und geeignete Zusammensetzungen zur Herstellung dieser Schichten beschrieben.
（訳：本発明は，下部ウエハ層のための，アルミニウムおよび他の金属に対する拡散バリアの役割を同時に果たす，
酸化アルミニウムベースの不動態化層に関する。さらに，これらの層の製造のための方法および好適な組成物
　イ　「
Die Aluminiumoxidschicht wirkt nicht nur als Barriereschicht sondern zeigt aussrdem gegenueber der p-dotierten Basis hervorragende Passivierungs- eigenschaften
 
In dem erfindungsgemaessen Verfahren sind vorzugsweise Sol-Gel basierte Tinten und/oder Pasten einsetzbar, durch die dielektrische Aluminiumoxidoder Aluminiumoxid-Hybridschichten mit Barrierewirkung ausgebildet werden koennen, durch die die Diffusion von metallischem Aluminium und/oder andere vergleichbaren Metallen und Metallpasten, die mit Silizium eine niedrigschmelzende (1300°C) Legierung bilden koennen, verhindert werden kann. Die im erfindungsgemaessen Verfahren gebildeten dielektrische Aluminiumoxid- oder Aluminiumoxid-Hybridschichten wirken dementsprechend als Diffusionsbarriere. 
 
Besonders bevorzugt ist die Verwendung von sterisch stabilisierte Tinten und /oder Pasten, wie sie in den oben zitierten Patentanmeldungen beschrieben und charakterisiert sind, um im erfindungsgemaessen Verfahren Al2O3 -Beschichtungen als auch gemischten Al2O3 -Hybrid-Schichten auszubilden. 
 
Als Hybridmaterialien kommen fuer diese Verwendung insbesondere Mischungen aus Al2O3  mit den Oxiden von Bor, Gallium, Silicium, Germanium, Zink, Zinn, Phosphor, Titan, Zirkonium, Yttrium, Nickel, Cobalt, Eisen, Cer, Niob, Arsen und Blei in Frage, wobei die Tinten und/oder Pasten durch Einbringung der entsprechenden Precursoren in das System erhalten werden. 
 
Nachdem die erfindungsgemaessen Tinten und/oder Pasten in gewuenschter Weise auf die Waferoberflaechen aufgebracht worden sind, werden sie bei erhoehten Temperaturen zur Ausbildung der Barriereschichten getrocknet. Diese Trocknung erfolgt bei Temperaturen zwischen 300 und 1000 °C, wobei sich amorphe Al
2
O
3
 und/oder Aluminiumoxidhybrid-Schichten ausbilden
（訳：
酸化アルミニウム層は，バリア層の役割を果たすだけでなく，さらにｐ−ドープ基材に対して優れた不動態化特性をも示し，
　本発明の方法を，好ましくは，バリア作用を有する誘電体酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムハイブリッドの層の形成を可能にするゾルゲルベースのインクおよび／またはペーストを使用して行うことができ，これにより，ケイ素と低融点（＜１３００℃）合金を形成することができる金属アルミニウムおよび／もしくは他の同等の金属または金属ペーストの拡散を防止することができる。したがって，本発明の方法において形成される誘電体酸化アルミニウムまたは酸化アルミニウムハイブリッドの層は，拡散バリアの役割を果たす。
　特に好ましいのは，上で引用された特許出願に記載され特徴づけられるように，本発明の方法におけるＡｌ２Ｏ３のコーティングおよび混合Ａｌ２Ｏ３ハイブリッド層の形成のために立体的に安定化されたインクおよび／またはペーストの使用である。
　この使用のための好適なハイブリッド材料は，特に，Ａｌ２Ｏ３と，ホウ素，ガリウム，ケイ素，ゲルマニウム，亜鉛，スズ，リン，チタン，ジルコニウム，イットリウム，ニッケル，コバルト，鉄，セリウム，ニオブ，ヒ素または鉛の酸化物との混合物であり，ここで，インクおよび／またはペーストは，対応する前駆体の系中への導入により得られる。
　
本発明のインクおよび／またはペーストを，所望のやり方でウエハ表面に適用した後，それらを，バリア層を形成させるために高温で乾燥させる。この乾燥を，３００℃と１０００℃との間の温度で行い，アモルファスＡｌ
２
Ｏ
３
および／または酸化アルミニウムハイブリッドの層が形成される。
　ウ　「
Bei den Tinten handelt es sich um sterisch stabilisierte Al
2
O
3
 -Tinten
polyoxylierte Loesungsmittel enthalten
 
Zur Formulierung dieser tintenfoermigen Aluminium-Sole koennen entsprechende Alkoxide des Aluminiums verwendet werden, wie Aluminium- triethylat, Aluminiumtriisopropylat und Aluminiumtri-sec-butylat
 
 
Als Loesungsmittel koennen in den Tinten Mischungen
 hochsiedenden Glykolether, bevorzugt Diethylenglykol- monoethylether, Ethylenglykolmonobutylether oder Diethylenglykolmono- butylether
 
Weiterhin ist die Zugabe von organischer Saeure, bevorzugt Essigsaeure, erforderlich, wodurch die freigesetzten alkoxide zu den korrespondierenden Alkoholen umgesetzt werden. Gleichzeitig katalysiert die zugesetzte Saeure die Praekondensation und die damit einsetzende Vernetzung der in Loesung  hydrolisierten Aluminiumkerne. In der oben genannten Anmeldung sind viele geeignete Saeuren aufgezaehlt. 
 
Durch die Zugabe geeigneter Saeuren oder Saeuregemische kann gleichzeitig eine Stabilisierung des Tinten-Sols erfolgen. Es koennen dem Sol zu diesem Zweck aber auch gezielt komplexbildende und/oder chelatisierende Additive zugesetzt sein. Entsprechende Komplexbildner koennen der oben genannten Anmeldung entnommen werden. 
 
Eine sterische Stabilisierung der Tinten erfolgt dabei durch Vermischen mit hydrophoben Komponenten, wie 1 ,3-Cyclohexadion, Salicylsaeure und deren Strukturverwandten, und maessig hydrophilen Komponenten, wie Acetylaceton, Dihydroxybenzoesaeure, Trihydroxybenzoesaeure sowie deren Strukturverwandten, oder mit Chelatbildnern, wie Ethylendiamintetra- essigsaeure (EDTA), Diethylentriaminpeantaessigsaeure (DETPA), Nitrilotriessigsaeure (NTA), Ethylendiaminetetramethylenephosphonsaeure (EDTPA), Diethylentriaminpentamethylenephosphonsaeure (DETPPA) und strukturverwandten Komplexbildnern bzw. Chelatbildnern. 
 
Des Weiteren koennen dem Aluminium-Sol weitere Additive zur Einstellung
Viskositaet
wie z. B. Aluminiumhydroxide, Aluminiumoxide, Siliziumdioxid, oder zur Formulierung von Hybridsolen Oxide, Hydroxide, Alkoxide der Elemente Bor, Gallium, Silizium, Germanium, Zink, Zinn, Phosphor, Titan, Zirkonium, Yttrium, Nickel, Kobalt, Eisen, Cer, Niob, Arsen, Blei
 
Vorzugsweise sind in geeigneten Tintenzusammensetzungen die schichtbildenden Komponenten im Verhaeltnis so eingesetzt, dass der Feststoff- gehalt der Tinten zwischen 0.5 und 10 Gew.-%, bevorzugt zwischen 1 und 5 Gew.-%, liegt. 
 
Durch die rueckstandsfreie Trocknung der Tinten nach Beschichtung der Oberflaechen resultieren amorphe AI2O3 Schichten, wobei die Trocknung bei Temperaturen zwischen 300 und 1000 °C, bevorzugt bei etwa 350 °C, erfolgt. Bei geeigneter Beschichtung erfolgt die Trocknung innerhalb einer  Zeit von  5 Minuten, wobei einer Schichtdicke von  100 nm erhalten wird. Werden dickere Schichten gewuenscht, muessen die Trocknungsbedingungen entsprechend variiert werden. Al2O3(-Hybrid)-Schichten, die bei Temperaturen  500 °C getrockneten worden sind, koennen durch Verwendung der meisten anorganischen Mineralsaeuren, bevorzugt jedoch durch HF und H3PO4, sowie durch viele organische Saeuren wie Essigsaeure, Propionsaeure und aehnliche, geaetzt und strukturiert werden. 
 
Als Substrat fuer die Beschichtung mit den entsprechenden Tinten kommen mono- oder multikristalline Siliziumwafer
Duenn- schichtsolarmodule
（訳：
インクは，立体的に安定化させた，
Ａｌ
２
Ｏ
３
インクであり，
ポリオキシル化(polyoxylated)溶媒を含む。
　
これらのインク形態アルミニウムゾルを，アルミニウムトリエトキシド，アルミニウムトリイソプロポキシドおよびアルミニウムトリ−ｓｅｃ−ブトキシドなどの対応するアルミニウムのアルコキシド
を使用して，処方することができる
　
インク中に存在し得る溶媒は
高沸点グリコールエーテル，好ましくはジエチレングリコールモノエチルエーテル，エチレングリコールモノブチルエーテルまたはジエチレングリコールモノブチルエーテルとの混合物である。
　さらには，有機酸，好ましくは酢酸の添加が必要であり，これは，遊離したアルコキシドを対応するアルコールに変換させる。同時に，添加された酸は，溶液中で加水分解されたアルミニウム核の予備濃縮およびそれに伴って開始される架橋において，触媒作用を及ぼす。上述の出願には，多くの好適な酸が列挙されている。
　好適な酸または酸混合物の添加は，同時に，インクゾルの安定化が起こることを可能にする。しかしながら，錯化剤および／またはキレート添加剤もまた，この目的のためにゾルに意図的に添加してもよい。対応する錯化剤は，上述の出願により明らかにされている。
　インクの立体的安定化は，ここで，１，３−シクロヘキサジオン，サリチル酸およびそれらの構造類似体（structural relatives）などの疎水性成分，ならびにアセチルアセトン，ジヒドロキシ安息香酸，トリヒドロキシ安息香酸およびそれらの構造類似体などの中程度の疎水性成分，またはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ），ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＥＴＰＡ），ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ），エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＰＡ），ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸（ＤＥＴＰＰＡ）および構造的に類似する錯化剤もしくはキレート剤などのキレート剤と混合することによりもたらされる。
　さらに，表面張力，
粘度，
を調整するためのさらなる添加剤を，アルミニウムゾルに添加することができる。
例えば水酸化アルミニウム，酸化アルミニウム，二酸化ケイ素などを，または，ホウ素，ガリウム，ケイ素，ゲルマニウム，亜鉛，スズ，リン，チタン，ジルコニウム，イットリウム，ニッケル，コバルト，鉄，セリウム，ニオブ，ヒ素，鉛の元素のハイブリッドゾル，酸化物，水酸化物，アルコキシド
　層形成成分を，好ましくは，好適なインク組成物中で，インクの固体含有量が０．５重量％と１０重量％との間，好ましくは１重量％と５重量％との間となるような比で用いる
。
　表面のコーティング後のインクの残渣を含まない乾燥により，アモルファスＡｌ２Ｏ３層がもたらされ，ここで，乾燥を，３００℃と１０００℃との間の温度で，好ましくは約３５０℃で行う。好適なコーティングの場合には，乾燥を，＜５分間以内で行い，＜１００ｎｍの厚みを得る。より厚い層を所望する場合には，これに応じて乾燥条件を変化させなければならない。温度＜５００℃で乾燥されたＡｌ２Ｏ３（ハイブリッド）層を，ほとんどの無機鉱酸の使用によるが，好ましくはＨＦおよびＨ３ＰＯ４により，ならびに酢酸，プロピオン酸などの多くの有機酸により，エッチングし，構造化することができる。
　
対応するインクによるコーティングに好適な基板は，単結晶または多結晶のシリコンウエハ
薄膜太陽電池用モジュール
（２）引用発明１
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「酸化アルミニウムベースの不動態化層に好適な組成物であって，このインクをウエハ表面に適用した後高温で乾燥させるとアモルファスＡｌ２Ｏ３層が形成され，このインクは，アルミニウムトリエトキシドなどのアルミニウムのアルコキシドを使用すること。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，絶縁膜形成用組成物に関し，さらに詳しくは，半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として，低比誘電率の塗膜が得られ，かつ銅拡散防止膜である
バリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物
　イ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は，
Ａ）下記一般式（１）で表される化合物，下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物ならびに（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チタンアルコキシド化合物，ジルコニウムアルコキシド化合物，アルミニウムアルコキシド化合物，タンタルアルコキシド化合物，ボロンアルコキシド化合物，チタンキレート化合物，ジルコニウムキレート化合物，アルミニウムキレート化合物，タンタルキレート化合物，ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。
Ｒa Ｓｉ（ＯＲ2）4-a　 ・・・・・（１）
（式中，Ｒは水素原子，フッ素原子または１価の有機基，Ｒ2は１価の有機基，ａは１〜２の整数を示す。）
Ｓｉ（ＯＲ3）4　　　　 ・・・・・（２）
（式中，Ｒ3は１価の有機基を示す。）
　Ｒ4b （Ｒ5Ｏ）3-b Ｓｉ−（Ｒ8）d −Ｓｉ（ＯＲ6）3-c Ｒ7c　　・・・・・（３）
〔式中，Ｒ4〜Ｒ7は同一または異なり，それぞれ１価の有機基，ｂ〜ｃは同一または異なり，０〜２の整数，Ｒ8は酸素原子，フェニレン基または−（ＣＨ2 ）n−で表される基（ここで，ｎは１〜６の整数である），ｄは０または１を示す。〕
次に，本発明は，上記絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し，加熱することを特徴とする絶縁膜の形成方法に関する。次に，本発明は，上記絶縁膜の形成方法によって得られるシリカ系絶縁膜に関する。
　ウ　「【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において，（Ａ）成分の加水分解縮合物とは，上記化合物（１）〜（３）の群から選ばれた少なくとも１種の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方である。ここで，（Ａ）成分における加水分解物とは，上記（Ａ）成分の加水分解縮合物を構成する化合物（１）〜（３）に含まれるＲ2 Ｏ−基，Ｒ3 Ｏ−基，Ｒ5 Ｏ−基およびＲ6 Ｏ−基のすべてが加水分解されている必要はなく，例えば，１個だけが加水分解されているもの，２個以上が加水分解されているもの，あるいは，これらの混合物であってもよい。
また，（Ａ）成分における縮合物は，（Ａ）成分を構成する化合物（１）〜（３）の加水分解物のシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが，本発明では，シラノール基がすべて縮合している必要はなく，僅かな一部のシラノール基が縮合したもの，縮合の程度が異なっているものの混合物などをも包含した概念である。
　エ　「【００２５】（Ｂ）有機溶媒
本発明の絶縁膜形成用組成物は，（Ａ）成分と（Ｃ）成分を，通常，（Ｂ）有機溶媒に溶解または分散してなる。この（Ｂ）有機溶媒としては，
アミド系溶媒
【００２８】
アミド系溶媒としては，
アセトアミド
　オ　「【００３２】
（Ｃ）成分
本発明の絶縁膜形成用組成物には，チタンアルコキシド化合物，ジルコニウムアルコキシド化合物，アルミニウムアルコキシド化合物，タンタルアルコキシド化合物，ボロンアルコキシド化合物，チタンキレート化合物，ジルコニウムキレート化合物，アルミニウムキレート化合物，タンタルキレート化合物，ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物を含有する
【００３３】
（Ｃ）成分を添加することで銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる絶縁膜形成用組成物が得られる。
【００３４】
（Ｃ）成分の合成に使用する化合物としては、例えば
トリエトキシアルミニウム・・・などのアルミニウムアルコキシド
ジエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム・・・などのアルミニウムキレート
　カ　「【００３７】その他の添加剤
本発明で得られる
絶縁膜形成用組成物には、さらに
有機ポリマー
などの成分を添加してもよい。
・・・
【００３９】・・・
有機ポリマーとしては、
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物
【００４０】
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、
ポリオキシメチレンアルキルエーテル
　キ　「【００４８】このようにして得られる層間絶縁膜は，低比誘電率を示し，かつバリアメタルとの密着性に優れることから，ＬＳＩ，システムＬＳＩ，ＤＲＡＭ，ＳＤＲＡＭ，ＲＤＲＡＭ，Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパー膜，
半導体素子の表面コート膜などの保護膜
（２）引用発明２
　前記（１）より，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）」が記載されていると認められる。
「（Ａ）成分の縮合物，（Ｂ）有機溶媒及び（Ｃ）チタンアルコキシド化合物，ジルコニウムアルコキシド化合物，アルミニウムアルコキシド化合物，タンタルアルコキシド化合物，ボロンアルコキシド化合物，チタンキレート化合物，ジルコニウムキレート化合物，アルミニウムキレート化合物，タンタルキレート化合物，ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物を含有する絶縁膜形成用組成物であって，基板に塗布加熱してシリカ系絶縁膜を形成するものであって，（Ａ）成分の縮合物はシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであり，（Ｂ）有機溶媒としてアセトアミドなどのアミド系溶媒であり，さらに有機ポリマーとしてポリオキシメチレンアルキルエーテルなどのポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物を添加してもよいこと。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
セラミック前駆体，触媒，界面活性剤および溶媒からなるフィルム形成性液体を調製する工程，前記フィルム形成性液体を前記基板上に置く工程および前記基板上の前記フィルム形成性液体から前記溶媒を除去して，前記基板上にセラミックフィルムを製造する工程
・・・
【請求項７】　
前記セラミック前駆体が，
アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド
・・・
【請求項１２】　
前記界面活性剤がエチレンオキシドとプロピレンオキシドのブロックコポリマーである，
・・・」
　イ　「【００１０】
【発明の実施の形態】本発明によるフィルムは，セラミック前駆体（例えばシリカ前駆体）を含む塗布液を基板上に塗布しスピンプロセッサー上で回転させる，以下の好ましい方法により提供できる。シリカが最も好ましいセラミックフィルムではあるが，本発明は他のセラミックの利用を想起している。本明細書で使用されるセラミックという用語は，イオン結合および共有結合により結合している金属および非金属元素でできた複雑な化合物および固溶体のことである。セラミック材料は無機元素の組合せである場合が一番多い。セラミック材料は炭素を含むことがある。セラミック材料の例は，金属酸化物，金属酸化物の化合物，金属炭化物および窒化物ならびに炭酸塩があるがこれらに限定されない。より詳細には，例えば，セラミック材料には，シリカ，チタニア，アルミナ，ケイ酸チタン，炭化チタン，窒化アルミニウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素があるがこれらに限定されない。セラミック材料は，動物の外皮，骨および歯の中に天然に存在するが，磁器または他の人工製品にも見出される。
【００１１】フィルムが形成される元の塗布液は，好ましくは以下の２段階プロセスにより提供される。第１段階では，部分的に加水分解したシリカのストック溶液が提供される。これは，シリカ前駆体（例えばオルトケイ酸テトラエチル），アルコール（例えばエタノールなど），水および酸触媒を反応させることにより実施される。得られたストック溶液は昇温下で（好ましくは約４０〜７０℃，より好ましくは約６０℃）ある期間（好ましくは約６０〜１５０分間，より好ましくは約９０分間）エージングされ，次いで第２段階で使用される。
【００１２】塗布液（ｓｐｉｎｎｉｎｇ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を調製する第２段階では，このストック溶液の一部を追加のアルコール（すなわちアルコール希釈剤，第１段階で使用したアルコールと同じである必要はない）で希釈し，単官能化アルコキシシランを，追加の酸触媒，水および界面活性剤とともに添加する。界面活性剤は混合物中で細孔形成剤として機能する。
【００１３】塗布液提供方法での使用に好適なセラミック前駆体には，例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ），テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ），チタン（ＩＶ）イソプロポキシド，チタン（ＩＶ）メトキシドおよび
アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド
【００１４】塗布液提供方法の第２段階で使用するのが好適なアルコール希釈剤には，例えばエタノール，メタノール，プロパノール（例えば，イソプロパノール），イソブタノールおよびｎ−ブタノールがある。塗布液提供方法で使用される酸触媒は，好ましくは有機酸である。酸触媒の具体例としては，例えば酢酸，シュウ酸およびギ酸がある。
【００１５】塗布液提供方法で使用するのに好適な官能化アルコキシシランには，ＲＳｉ（ＯＲ’）3；Ｒ2Ｓｉ（ＯＲ’）2；Ｒ3ＳｉＯＲ’；ＲＲ’Ｓｉ（ＯＲ”）2；およびＲＲ’Ｒ”ＳｉＯＲ'''があり，前式において，Ｒ，Ｒ’，Ｒ”およびＲ'''はそれぞれアルキル（特にメチル，エチル，イソプロピル，ブチル）またはアリール（特にフェニル）であり；例えばメチルトリエトキシシランおよびフェニルトリエトキシシランであり，またはＲがフェニル，ＣＦ3またはブチルでありＲ’が上記で定義されたとおりのＲ2Ｓｉ（ＯＲ’）2；Ｒ3ＳｉＯＲ’がある。Ｒ，Ｒ’およびＲ”が上記で定義されととおりのＲ2Ｒ’ＳｉＯＳｉＲ2Ｒ’およびＲＲ’Ｒ”ＳｉＯＳｉＲＲ’Ｒ”も使用できる。アルキルアルコキシシランの使用は，低いκおよび高いモジュラスを維持しながら，κの安定性を向上させる。
【００１６】
塗布液提供方法で使用するのに好適な界面活性剤として
エチレンオキシドプロピレンオキシド（ＥＯ−ＰＯ）ブロックコポリマー
【００１７】塗布液は基板（例えば，シリコンウェハ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ，Ｐｔなど）に塗布され，溶液はスピンプロセッサー上で回転される。高速の動きにより揮発性アルコールが除去され，フィルム形成を引き起こす。アルコールが除去されるにつれ，界面活性剤濃度が臨界ミセル濃度（Ｃmc）を超え秩序ある液晶相が溶解状態で形成される。存在するシリカ前駆体は液晶の周囲にネットワークを形成し，加水分解および縮合反応が進行するにつれ，ネットワークは固形薄膜を形成する。焼成して界面活性剤を除去すると，シリカネットワークはさらに反応して硬質な薄膜を形成する。」
（２）引用発明３
　前記（１）より，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）」が記載されていると認められる。
「セラミック前駆体，触媒，界面活性剤および溶媒からなるフィルム形成性液体であって，前記セラミック前駆体がアルミニウムｓｅｃ−ブトキシドであって，前記界面活性剤がエチレンオキシドとプロピレンオキシドのブロックコポリマーであること。」
４　引用文献４について
（１）引用文献４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
（ａ）アルコキシシラン類，
ケイ素以外の金属元素からなる金属化合物
脂肪族有機ポリマー，を包含する半導体素子用組成物。
【請求項２】　
金属化合物に含まれる金属元素が，アルミニウム，
である
【請求項３】　
金属化合物の形態が，金属アルコキシド，
である
【請求項４】　
脂肪族有機ポリマーが，脂肪族ポリエーテル，
　イ　「【００１１】さらに，得られる脂肪族有機ポリマー−金属酸化物複合体や多孔質のケイ素含有金属複合酸化物を改質するために，ケイ素原子上に２〜３個の水素，アルキル基又はアリール基をもつアルコキシシランを上記のアルコキシシラン類に混合することも可能である。混合する量は，原料のシラン化合物の全モル数のうち８０モル％以下となるようにする。８０モル％を超えるとゲル化しない場合がある。本発明で用いられる金属化合物は，加水分解を経る脱水縮合反応や，置換基および／または配位子の脱離による縮合反応によって金属酸化物を生成するものであれば如何なるものでも用いることができる。好適に用いることができる金属原子の例としては，例えば，アルミニウム，チタン，ジルコニウム，スズ，ゲルマニウム，タングステン，タンタル，バナジウムなどが挙げられる。この中でも特に好ましいのはアルミニウム，チタン，ジルコニウムである。
【００１２】また金属化合物の形態としては，
　メトキシド，エトキシド，プロポキシド，ブトキシド，フェノキシドなど炭素数１〜６のアルコールの金属アルコキシド，
　ギ酸，酢酸，プロピオン酸，蓚酸，マロン酸，乳酸，酒石酸などの有機酸の金属塩，
　アセト酢酸アルキル，マロン酸ジアルキル，アセチルアセトン，テトラメチルヘプタンジオン，ヘキサフルオロアセチルアセトンなどのジケトンを配位子とする金属の錯体，
　メタンスルホン酸，トリフルオロメタンスルホン酸，ｐ−トルエンスルホン酸などのスルホン酸の金属塩，
　燐酸，硫酸，硝酸，炭酸などの無機酸の金属塩，
　その他ハロゲン化物，シアン化物，アルキル化物，水素化物，水酸化物，金属アミド，キノリネートなど，
等が挙げられる。上記に列挙した中でも特に好ましいのがアルコキシド，有機酸の塩，ジケトン錯体である。
【００１３】金属化合物は１種類の形態で構成されていてもよいし，反応性を制御するために２種類以上の形態から構成されていてもよい。これらは金属化合物に含まれる金属原子の種類と前述のアルコキシシランの加水分解反応の起こり易さによって決められる。金属化合物の量は，用いたアルコキシシランのケイ素原子１モルに対して金属原子が０．００１〜１０モル，好ましくは０．０１〜１モルの範囲になるように設定する。金属原子の含有量が０．００１モルより少ないと金属化合物の効果が得られない場合があり，１０モルより多いと均一にゲル化しない場合がある。上述のアルコキシシラン類と金属化合物を添加する順序は，アルコキシシラン類を部分加水分解させた後に金属化合物を添加しても，その逆でも，また同時に加水分解反応を開始し，進行させてもよい。
【００１４】該組成物に用いられる脂肪族有機ポリマーは限定されないが，
好適に用いることができる脂肪族有機ポリマーの例としては，ポリエチレングリコール，ポリプロピレングリコール，ポリテトラメチレングリコールなどのポリエーテル類，
脂肪族有機ポリマーの重合度は８〜３５００００の範囲から選ばれる。ポリマーの基本骨格が脂肪族であると，後述するように加熱焼成によって多孔質ケイ素含有金属複合酸化物に変換するのが容易であるので好ましい。好ましいのは脂肪族ポリエーテル
（２）引用発明４
　前記（１）より，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）」が記載されていると認められる。
「アルコキシシラン類，珪素以外の金属元素からなる金属化合物，脂肪族有機ポリマーを包含する半導体素子用組成物であって，金属化合物がアルミニウムアルコキシドであって，脂肪族有機ポリマーが脂肪族ポリエーテルで重合度が８〜３５００００であること。」
５　引用文献５について
（１）引用文献５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は耐熱性繊維を含むセラミック複合被膜がエレクトロニクス装置上にその保護のために形成できることを見出した。
【０００５】本発明は，エレクトロニクス装置上に被膜を形成する方法，及びそのようにして被覆した装置を提供する。この方法は，先ずＨ−樹脂及び耐熱性繊維を含む組成物を基体上に適用する。次いでこの被覆された基体を，前記Ｈ−樹脂をセラミックに変換するに充分な温度で加熱する。
【０００６】本発明は，
溶剤中に希釈されたＨ−樹脂及び耐熱性繊維を含む被覆組成物
【０００７】本発明は，
Ｈ−樹脂及び耐熱性繊維を含む組成物からセラミック複合被膜を形成することができる
【０００８】ここで用いている用語「シリカ含有マトリックス」又は「セラミックマトリックス」は，Ｈ−樹脂を加熱した後に得られる硬い被膜を記述するのに用いられている。この被膜は，アモルファスシリカ（ＳｉＯ2 ）材料並びにアルファスシリカ様材料で，残留炭素（例えばＳｉ−Ｃ又はＳｉ−ＯＣ），シラノール（Ｓｉ−ＯＨ）及び／又は水素の完全には抜けていないもの（これらは前記シリカ前駆体樹脂を加熱したとき得られる）並びに耐熱性繊維の両方を含む。用語「エレクトロニクス基体」は，エレクトロニクス装置又はエレクトロニクス回路，例えばシリコンをベースにした装置又はガリウムをベースにした装置，焦点面配列（ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｒｒａｙｓ），光電式装置，光起電力セル及び光学装置を含む。
【０００９】本発明において，Ｈ−樹脂と耐熱性繊維とを含む被覆組成物を基体に適用し，次いでこの被覆された基体を，前記組成物をセラミックに変換するに充分な温度で加熱することを含むプロセスによって，基体上にセラミック被膜が形成される。
【００１０】本発明において使用できるＨ−樹脂は，式ＨＳｉ（ＯＨ）x （ＯＲ）y Ｏz/2（ここに，各Ｒは独立に有機基又は置換された有機基であって酸素原子を介してケイ素に結合したとき，加水分解性置換基形成するものであり，ｘ＝０〜２，ｙ＝０〜２，ｚ＝１〜３，ｘ＋ｙ＋ｚ＝３である）で示されるヒドリドシロキサン樹脂を含む。Ｒの例は，アルキル，例えばメチル，エチル，プロピル及びブチル；アリール，例えばフェニル及びアルケニル，例えばアリール及びビニルである。そのようなものとして，これらの樹脂は完全に縮合していてもよく（ＨＳｉＯ3/2)n ，又はそれらは単に部分的に加水分解しているか（即ち，幾らかのＳｉ−ＯＲを含んでいる）及び／又は部分的に縮合している（即ち，幾らかのＳｉ−ＯＨを含んでいる）。この構造によっては表せないが，これらの樹脂は，それらの形成又は取扱いに含まれる種々のファクターの故にそれらに結合している０又は２個の水素原子を有する少数（例えば，１０％未満）のケイ素原子を含んでいてもよい。
・・・
【００１７】ここで用いられる耐熱性繊維は当技術分野において公知であり，Ｈ−樹脂と混和性であり，加熱に耐えることができるどんな繊維も含むことができる。これらの多数の繊維が商業的に入手可能である。適当な繊維の例は，炭化ケイ素，窒化ケイ素，炭素の芯に炭化ケイ素が析出したもの，ホウ酸アルミニウム，酸化アルミニウム，酸化ケイ素，チタンを含む炭化ケイ素，酸化炭化ケイ素，シリコンオキシカルボナイトライド，炭素，グラファイト，アラミド及び有機顔料を含む。これらの繊維は，１トウ（ｔｏｗ）当たりどんな望みの数のフィラメントを含んでいてもよく，１μm 未満（例えば０．１μm ）〜５００μm の範囲のサイズを有する。
・・・
【００２０】本発明において使用される耐熱性繊維の量も，例えば，最終被覆に望まれる特性に依存して広い範囲に亘って変化しうる。しかしながら，一般に，耐熱性繊維は，充分なＨ−樹脂が存在して耐熱性繊維を結び付けることを確保するために，９０容量％未満の量で使用される。明らかに，より少量の繊維（例えば，１〜５容量％）も使用できる。繊維の体積は２５〜８０％の範囲にあることが好ましい。」
（２）引用発明５
　前記（１）より，引用文献５には次の発明（以下，「引用発明５」という。）」が記載されていると認められる。
　「溶剤中に希釈されたＨ−樹脂及び耐熱性繊維を含む被覆組成物。」
　
第５　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「アルミニウムトリエトキシドなどのアルミニウムのアルコキシド」は，本願発明１の「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物」を満たす。
　イ　引用発明１の「酸化アルミニウムベースの不動態化層に好適な組成物」は，ウエハ表面に適用」されるものであるから，下記相違点１を除いて，本願発明の「半導体基板パッシベーション膜形成用組成物」に相当する。
　ウ　すると，本願発明１と引用発明１とは，下記エの点で一致し，下記オの点で相違する。
　エ　一致点
「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物と，
を含む半導体基板パッシベーション膜形成用組成物。
（当審注：請求項１に記載された式（Ｉ）の構造式は，以下では，単に【化１】と表す。）
　【化１】
〔式（Ｉ）中，Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１〜８のアルキル基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基を表す。〕」
　オ　相違点１
　本願発明１は「脂肪酸アミド及び下記一般式（ＩＩ）で表される化合物から選択される少なくとも１種
　　Ｒ５−（−Ｏ−Ｒ１０−）ｎ−Ｏ−Ｒ６　・・・（ＩＩ）
〔式（ＩＩ）中，Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し，Ｒ１０はアルキレン基を示す。ｎは３以上の任意の整数である。なお，複数存在する−（−Ｏ−Ｒ１０−）−におけるＲ１０は同一であっても異なっていてもよい。〕」を含むのに対し，引用発明１にはこのことが明示されない点。
（２）相違点１についての判断
　引用文献１においては粘度を調整するためのさらなる添加剤を添加することが示唆されている（前記第４の１（１）ウ）が，そこで例示されている有機化合物は特定の元素のアルコキシドのみであって，相違点１に係る構成は示唆されていない。
　また，粘度を調整するために相違点１に係る構成を備えることは，引用文献２ないし５には，記載も示唆もされていない。
　そして，本願発明１は相違点１に係る構成を備えることにより，「半導体基板パッシベーション膜形成用組成物が半導体基板上へ印刷するのに適した粘度特性を持つ。前記印刷するのに適した粘度特性とは，前記半導体基板パッシベーション膜形成用組成物を付与する際に粘度が低下し，付与した後に粘度が上昇する性質を指す。」「前記半導体基板パッシベーション膜形成用組成物の塗膜がより均一となる。これは、前記半導体基板パッシベーション膜形成用組成物を付与する際に粘度が低下することによって、印刷工程で膜中へ入り込んでしまう気泡が、パッシベーション膜中へ残ること（固定化）が起こりにくくなるためであると考えられる。」（本願明細書段落００６３及び００６４）という有利な効果を奏するものである。
　なお，引用文献１には溶媒として高沸点グリコールエーテルを含むことが記載されている（前記第４の１（１）ウ）が重合度の点で相違点１に係る構成を満たさないし，引用発明１の組成物に適する溶媒として記載されている高沸点グリコールエーテルの重合度を変えるべき動機付けも見いだせない。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２ないし１３について
　本願発明２ないし１３は，本願発明１を引用するものであるから，前記１と同様の理由により，引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
第６　原査定について
１　理由Ａについて
（１）本願発明１と引用発明２との対比
　引用発明２の「アセトアミドなどのアミド系溶媒」及び「ポリオキシメチレンアルキルエーテルなどのポリアルキレンオキサイド構造」は，それぞれ本願発明１の「脂肪酸アミド」及び「下記一般式（ＩＩ）で表される化合物」を満たす。
　本願発明１と引用発明２とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「脂肪酸アミド及び下記一般式（ＩＩ）で表される化合物から選択される少なくとも１種と，を含む組成物。
　　Ｒ５−（−Ｏ−Ｒ１０−）ｎ−Ｏ−Ｒ６　・・・（ＩＩ）
〔式（ＩＩ）中，Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立に水素原子又はアルキル基を示し，Ｒ１０はアルキレン基を示す。ｎは３以上の任意の整数である。なお，複数存在する−（−Ｏ−Ｒ１０−）−におけるＲ１０は同一であっても異なっていてもよい。〕」
　イ　相違点
（ア）相違点２
　本願発明１は「（Ａ）成分の縮合物」「（Ａ）成分の縮合物はシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したもの」を発明特定事項としないのに対し，引用発明２はこれを含有する点。
（イ）相違点３
　本願発明１は「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物
　【化１】
〔式（Ｉ）中，Ｒ１はそれぞれ独立して炭素数１〜８のアルキル基を表す。ｎは０〜３の整数を表す。Ｘ２及びＸ３はそれぞれ独立して酸素原子又はメチレン基を表す。Ｒ２，Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜８のアルキル基を表す。〕」を含むのに対し，引用発明２は「（Ｃ）チタンアルコキシド化合物，ジルコニウムアルコキシド化合物，アルミニウムアルコキシド化合物，タンタルアルコキシド化合物，ボロンアルコキシド化合物，チタンキレート化合物，ジルコニウムキレート化合物，アルミニウムキレート化合物，タンタルキレート化合物，ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物」を含有する点。
（ウ）相違点４
　本願発明１の組成物は「半導体基板パッシベーション膜形成用」であるのに対し，引用発明２の組成物は「絶縁膜形成用」である点。
（２）本願発明１についての判断
　本願発明１は，相違点２ないし４の点で，引用発明２と相違するから，引用発明２ではない。
（３）本願発明６及び７についての判断
　本願発明６及び７は，本願発明１を引用するものであるから，同様に，引用発明２ではない。
（４）まとめ
　以上のとおり，本願発明１，６及び７は引用発明２ではないから，原査定の理由Ａによって，本願を拒絶することはできない。
２　理由Ｂについて
（１）相違点についての判断
　本願発明５ないし１３は，いずれも本願発明１を引用するものであるから，少なくとも相違点２ないし４で相違する。
　ア　相違点２について
　引用発明２は「基板に塗布加熱してシリカ系絶縁膜を形成するもの」であるから，シリカの前駆体となる「（Ａ）成分の縮合物」「（Ａ）成分の縮合物はシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したもの」を欠くことはできないし，これを欠くと引用発明２は「絶縁膜形成用組成物」ではなくなるから，相違点２を解消することには阻害要因があるというべきである。
　そして，引用文献１，３ないし５には，相違点２を解消することについて，記載も示唆もない。
　イ　相違点３について
　引用発明２は，（Ｃ）成分として多くの選択肢を有しており，この選択肢の中から「下記一般式（Ｉ）で表される有機アルミニウム化合物」を選択することにより，形成される酸化アルミニウムはアモルファス状態となりやすく優れたパッシベーション効果を有するパッシベーション膜を形成することができる（本願明細書段落００４３）という有利な効果を奏するものである。
　一方，引用発明２は，そもそもシリカ系絶縁膜を形成するものであり，引用発明２において（Ｃ）成分は「銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる」ものを得るためであり（前記第４の２（１）オ【００３３】），前記有利な効果は予測できたものではない。
　ウ　相違点４について
　引用発明２を半導体基板に適用して「半導体基板パッシベーション膜形成用」とすることに動機付けが見いだせない。引用発明２は「（Ｃ）成分の加水分解縮合物」を含有しており，これは，「銅拡散防止膜であるバリアメタルとの密着性に優れる」ものを得るためであり（前記第４の２（１）オ【００３３】），引用発明２では半導体基板表面に直接適用することは想定されていない。引用文献２には「半導体素子の表面コート膜などの保護膜」の用途が記載されている（前記第４の２（１）キ）が，同【００３３】の記載を考慮すると「半導体素子の表面」は「半導体基板の表面」と同視することはできない。
　よって，引用文献１又は３に記載された発明を引用発明２に採用する動機付けが見いだせない。引用文献４及び５には，相違点４に係る構成についての記載や示唆はない。
（２）まとめ
　以上のとおり，本願発明５ないし１３は，引用発明２及び引用文献１，３ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものではない。
　よって，原査定の理由Ｂによって，本願を拒絶することはできない。
　
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。