【事件の表示】
　特願２０１６−　２７６９７「半導体装置の製造方法，及び，半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月１９日出願公開，特開２０１６−　８６１９４，請求項の数（１）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年７月１９日の出願である特願２０１５−９０６５０号の一部を新たに平成２８年２月１７日に出願したものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　２月１７日　審査請求・上申書
平成２９年　１月１９日　拒絶理由通知
平成２９年　３月２４日　意見書
平成２９年　５日３０日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　７月２７日　審判請求
　
第２　原査定の概要
　現査定の概要は次のとおりである。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項１
・引用文献等１，２
　引用文献１（特に，段落［００５６］，［００６１］，及び，図１，３７，３８）には，基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３と，フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４と，前記フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６と，前記柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３と，前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａと，前記金属ゲート電極１２０ａに接続された前記フィン状シリコン層１０３に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂと，前記柱状シリコン層１０６の拡散層１１０上に形成されたコンタクト１２７と，前記金属ゲート配線１２０ｂ上に形成されたコンタクト１２８とを有し，前記拡散層１１０と前記コンタクト１２７とは直接接続する構造であり，金属を堆積することにより，前記コンタクト１２７と，前記コンタクト１２８を形成する半導体装置に係る発明が，記載されている（以下，「引用発明１」という。）。
　本願請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）と引用発明１とを対比すると，引用発明１の「基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３」，「フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４」，「前記フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６」，「前記柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３」，「前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａ」，「前記金属ゲート電極１２０ａに接続された前記フィン状シリコン層１０３に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂ」，「前記柱状シリコン層１０６の拡散層１１０上に形成されたコンタクト１２７」，「前記拡散層１１０と前記コンタクト１２７とは直接接続する構造であ」ることは，それぞれ，本願発明１の「半導体基板上に形成されたフィン状半導体層」，「前記フィン状半導体層の周囲に形成された第１の絶縁膜」，「前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層」，「前記柱状半導体層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜」，「前記第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極」，「前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線」，「前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された第２の金属からなる第１のコンタクト」，「前記第１のコンタクトと前記柱状半導体層上部が電気的に接続されていること」に相当する。さらに，引用発明１のゲート絶縁膜１１３のうち，柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０と対向する部分は，本願発明１の「前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜」に相当し，また，引用発明１の「金属を堆積することにより，前記コンタクト１２７と，前記コンタクト１２８を形成する」ことは，コンタクト１２７と，コンタクト１２８が，同じ金属で形成されることであるから，引用発明１の「前記金属ゲート配線１２０ｂ上に形成されたコンタクト１２８」は，本願発明１の「前記ゲート配線上に形成された前記第２の金属を含む第３のコンタクト」に相当している。
　本願発明１と引用発明１とは，本願発明１の「第２の金属からなる第１のコンタクト」が，「前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成され」ているのに対して，本願発明１の「第２の金属からなる第１のコンタクト」に対応する引用発明１の「コンタクト１２７」は，「前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成され」ているものではない点で相違している（以下，「相違点１」という。）とともに，本願発明１では，「前記第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部が電気的に接続されている」構成を有しているのに対して，引用発明１の「柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０」と，本願発明１の「第２の金属からなる第１のコンタクト」に対応する引用発明１の「コンタクト１２７」とは，直接接続しているものの，本願発明１の上記構成を有していない点で相違している（以下，「相違点２」という。）。
　そこで，上記の相違点１，２について検討すると，引用文献２（特に，２３欄５２〜６４行，及び，図１３ｉ；なお，１３欄１〜１３行，２２欄２０〜３２行，及び，図６ａの記載も参照）には，メタルＳ／Ｄ２３０は，誘起されたエクステンション領域２３４を形成するように，例えば柱状である中央半導体層２２８の周りを覆っており，前記メタルＳ／Ｄ２３０は，金属Ｍと前記中央半導体層２２８の上部の周囲に形成された誘電体層Ｉとから構成されており，前記メタルＳ／Ｄ２３０を構成する金属Ｍは，前記中央半導体層２２８の上部で前記中央半導体層２２８と接続していることについて開示されている。
　そして，引用文献２に記載の誘電体層Ｉにおける，中央半導体層２２８の上部の周囲部分は，本願発明１の「前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜」に相当する。さらに，引用文献２に記載の金属Ｍにおける，中央半導体層２２８の頂部にあり，中央半導体層２２８の軸方向に垂直な部分は，本願発明１の「第１のコンタクトの上部」に相当し，また，中央半導体層２２８の頂部と電気的に接続されているので，本願発明１の「前記第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部が電気的に接続されていること」に相当する構成を有している。
　引用文献２に記載の発明は，引用発明１と柱状の半導体層を有する点において共通するから，引用発明１に引用文献２の記載を適用することにより，本願発明１の「前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜」を有し，「前記第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部が電気的に接続されている」ように構成することは，当業者が適宜なし得ることと認められる。
　出願人は，意見書において，「本発明は，「前記ゲート配線上に形成された前記第２の金属を含む第３のコンタクト」を含む構造とすることによって，明細書の段落【００３６】，【００３７】に記載されている効果，すなわち，「ゲート電極とゲート配線と同じ形状の孔に金属が埋め込まれ，自己整合で，第２の金属が前記柱状半導体層上部側壁を取り囲む第１のコンタクトを形成することができる」という効果，および「前記ゲート配線上の一部の前記第２のゲート絶縁膜を除去しているため，同時にゲート配線のための第３のコンタクトを形成することができ，ゲート配線のためのコンタクトを容易に形成できる」という効果を奏することが可能です。このような点は，いずれの引用文献にも記載されておらず，示唆もありません。」と主張しているが，上記したように，引用発明１には，本願発明１の「前記ゲート配線上に形成された前記第２の金属を含む第３のコンタクト」に相当する記載が認められるので，当然，その効果も，上記主張の効果と同様であるものと認められるから，上記の出願人の主張は，採用することができない。
　よって，本願請求項１に係る発明は，引用文献１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．国際公開第２０１３／０６９１０２号
２．米国特許第６８９１２３４号明細書
第３　本願発明
　本願請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，出願当初の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と，
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第１の絶縁膜と，
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と，
前記柱状半導体層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜と，
前記第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と，
前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と，
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜と，
前記第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された第２の金属からなる第１のコンタクトと，
前記ゲート配線上に形成された前記第２の金属を含む第３のコンタクトと，
を有し，
前記第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。」
第４　引用文献，引用発明等
１　原査定の引用文献１について
　原査定で引用された，国際公開第２０１３／０６９１０２号（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１）引用文献１の記載事項
ア　「【００５６】
図３８に示すように，
金属を堆積し，コンタクト１４３，１２７，１２８を形成する
コンタクト１２７と柱状シリコン層１０６上部の拡散層１１０とが直接接続される
（中略）
【００６１】
上記製造方法の結果を図１に示す。
基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３
フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４
フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６
柱状シリコン層１０６の直径はフィン状シリコン層１０３の幅と同じであって，
フィン状シリコン層１０３の上部と柱状シリコン層１０６の下部に形成された拡散層１１２と，
柱状シリコン層１０６の上部に形成された拡散層１１０と，
フィン状シリコン層１０３の上部の拡散層１１２の上部に形成されたシリサイド１１８と，
柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３
ゲート絶縁膜の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａ
金属ゲート電極１２０ａに接続されたフィン状シリコン層１０３に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂ
拡散層１１０上に形成されたコンタクト１２７
拡散層１１０とコンタクト１２７とは直接接続する構造
イ　図１には以下の事項が記載されていると認められる。
　シリコン基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３と，
　前記フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４と，
　前記フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６と，
　前記柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３と，
　前記ゲート絶縁膜１１３の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａと，
　前記金属ゲート電極１２０ａに接続された前記フィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂと，
　前記柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０上に形成された金属からなるコンタクト１２７と，　
　前記金属ゲート配線１２０ｂ上に形成された金属からなるコンタクト１２８と，
　コンタクト１２７と前記柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０が直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
（２）引用発明　
　前記ア，イから，引用文献１には以下の発明(以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「シリコン基板１０１上に形成されたフィン状シリコン層１０３と，
　前記フィン状シリコン層１０３の周囲に形成された第１の絶縁膜１０４と，
　前記フィン状シリコン層１０３上に形成された柱状シリコン層１０６と，
　前記柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３と，
　前記ゲート絶縁膜１１３の周囲に形成された金属ゲート電極１２０ａと，
　前記金属ゲート電極１２０ａに接続された前記フィン状シリコン層に直交する方向に延在する金属ゲート配線１２０ｂと，
　前記柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０上に形成された金属からなるコンタクト１２７と，　
　前記金属ゲート配線１２０ｂ上に形成された金属からなるコンタクト１２８と，
　コンタクト１２７と前記柱状シリコン層１０６の上部の拡散層１１０が直接接続されていることを特徴とする半導体装置。」
２　原査定の引用文献２について
　原査定で引用された，米国特許６８９１２３４号明細書（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある（訳文は当審で作成した。）。
ア　「Referring　now　to　FIG.　6,　a　comparison　between　transistors　configured　in　accordance　with　the　present　invention　and　other　transistor　structures　having　overlapping　gates　is　shown.　As　indicated　above,　the　present　transistor　90　(an　example　of　which　is　shown　in　Illustration　6(a))　includes　a　conductor　(in　this　case　a　metal)92　that　overlaps　an　extension　region　94　between　the　source　and/or　drain　regions　96　and　the　channel　region　98.　
This　conductor　92　is　separated　from　the　extension　region　94　by　an　insulator　100　and　is　chosen　to　have　a　workfunction　that　will　induce　a　desired　polarity　and　concentration　of　charge　in　the　extension　region　94
（訳文：ここで図6を参照すると，本発明に従って構成されたトランジスタ，重複するゲートを有する他のトランジスタ構造の比較が示されている。上に示したように，トランジスタ90(その一例を図6(a)に示されている)は，ソース/ドレイン領域96とチャネル領域98との間のエクステンション領域94と重なっている導体(この場合は金属製)92を備えている。
この導体92は，絶縁体100によってエクステンション領域94から分離され，エクステンション領域94の電荷の所望の極性及び濃度を誘発する仕事関数を有するように選択される
イ　「Some　sample　structures　configured　in　accordance　with　embodiments　of　the　present　invention　are　shown　in　FIG.13.　Regionsare　indicated　by　the　type　of　material(s)　of　which　they　consist:　
a)I:　Insulators,　such　as　SiO2,　Si3N4,　SiNx,　ZrO2,　HfO2,　etc.　
b)S:　Semiconductors,　such　as　Si,　GexSi1-x,　Ge,　certain　C-based　materals,　GaAs,　etc.　
c)M:　Metals,　such　as　Al,　Er,　Yb,　Pt,　Ir,　Cu,　Ag,　Ar,　W,　Ni,　NiSi,　Co,　CoSi,　ErSi1.7,　PtSi,　PtGe,　certain　forms　of　C,　degenerately-doped　semiconductors,　etc.　Each　region　may　consist　of　one　or　more　of　these　materials.　
The　gate　(G)　may　be　a　metal　or　a　doped　semiconductor.
（訳文：本発明の実施形態に従って構成されたいくつかのサンプル構造は，図13に示されている。領域は，構成する材料(単数または複数)の型で示されている。　
a)I:　絶縁体，SiO2，Si3N4，SiNx，ZrO2，HfO2，等である。　
b)S:　半導体，Si，GexSi1-x,　Ge,　C-based　materals,GaAs等である。　
c)M:　金属，Al，　Er，　Yb，　Pt,　Ir,　Cu,　Ag,　Ar,　W　,Ni　,NiSi,　Co,　CoSi,　ErSi1.7,　PtSi,　PtGe,ある形態Cの縮退ドープ半導体等である。各領域は，これらの物質の1種以上から構成することができる。
ゲート(G)は，金属又はドープ半導体であってもよい。
ウ　「(i)　vertical　FET:　This　shows　
an　example　of
vertical　device
At　the　top　is　a　metal　S/D,　230　with　a　doped　S/D　232　on　the　bottom
fin　geometry
（訳文：(i)縦型FET:これは，非対称(すなわち，ソース及びドレインが異なる設計の)この
縦形デバイス(verticaldevice)の例
上部にメタルS/D，230底部にドープされたソース・ドレイン232が形成されている
フィン形状
第５　対比・判断
１　本願発明について
（１）本願発明と引用発明の対比
ア　引用発明の「シリコン基板１０１」，「フィン状シリコン層１０３」，「柱状シリコン層１０６」，「金属ゲート電極１２０ａ」，「金属ゲート配線１２０ｂ」は，各々本願発明の「半導体基板」，「フィン状半導体層」，「柱状半導体層」，「ゲート電極」，「ゲート配線」に相当する。
イ　引用発明の「柱状シリコン層１０６の周囲に形成されたゲート絶縁膜１１３」は，柱状シリコン層に周囲に一体的に形成されていることから，本願発明の「前記柱状半導体層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜」と，「前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜」とを併せた構成に相当する。
ウ　引用発明のコンタクト１２８は、ゲート配線用のコンタクトという点で、下記相違点２の点を除き、本願発明の「第３のコンタクト」に相当する。
　そうすると，本願発明と引用発明は，以下のエの点で一致し，オの点で相違する。
エ　一致点
半導体基板上に形成されたフィン状半導体層と，
前記フィン状半導体層の周囲に形成された第１の絶縁膜と，
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と，
前記柱状半導体層の周囲に形成された第１のゲート絶縁膜と，
前記第１のゲート絶縁膜の周囲に形成された金属からなるゲート電極と，
前記ゲート電極に接続された前記フィン状半導体層に直交する方向に延在する金属からなるゲート配線と，
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第２のゲート絶縁膜と，
ゲート配線上に形成された第３のコンタクトと，
を有していることを特徴とする半導体装置。
　
オ　相違点
　相違点１　
　本願発明では，「第２のゲート絶縁膜の周囲に形成された第２の金属からなる第１のコンタクトを有する」のに対して，引用発明では，第１のコンタクトを有しない点
　相違点２　
　本願発明では，「第３のコンタクト」は，「第１のコンタクト」を形成する「第２の金属」を含むの対して，引用発明では，コンタクト１２８は，金属ではあるが，「第１のコンタクト」を有しないため，「第１のコンタクト」を形成する金属との関係は明示されていない点。
　相違点３
　本願発明では，「第１のコンタクトの上部と前記柱状半導体層上部が電気的に接続されていること」を特徴とするのに対して，引用発明では，「第１のコンタクト」を有しないため「第１のコンタクトの上部と柱状半導体層上部」の接続関係が存在しない点。
（２）相違点についての判断
　相違点１ないし３は，「第１のコンタクト」に関する技術的事項であるから，まとめて検討する。
　相違点１ないし相違点３に関する構成は，引用文献１及び引用文献２には，記載も示唆も無い。
　そして，本願発明における「第１のコンタクト」は，柱状半導体層上部を金属と半導体の仕事関数差によって，ｎ型半導体もしくはｐ型半導体層として機能する働きを有する。当該機能により，柱状半導体層上部に拡散層を形成すること工程を削減することができるという格別な効果を奏する（本願明細書の段落【００３８】参照）。また，「第１のコンタクト」を形成する第２の金属は，「第３のコンタクト」を形成する要素でもあり，ゲート配線上に形成されゲート配線層のための「第３のコンタクト」を容易に形成することを可能にするという有利な効果を奏する。（本願明細書の段落【００３８】参照）。
（３）まとめ
　したがって，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，当業者が引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。