(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストレージメモリ（ＳＭ）にページデータを記憶する方法であって、
前記ページデータは、第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）を有する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）に含まれており、
前記ストレージメモリ（ＳＭ）は、第２のメモリページサイズ（ＳＭＰＳ）を有するストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）を含み、
当該方法は、
各第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）の内容を、個別に、圧縮チャンク（ＣＣｉ）に圧縮するステップ（１）と、
各圧縮チャンクサイズ（ＣＣＳｉ）を、前記第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）と比較するステップと、
前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズ（ＣＣＳｉ）が前記第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）よりも厳密に小さい場合には、前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）を、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数のストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶するステップ（３）であって、ｒはＭＭＵＳ／ＳＭＰＳであり、ｃｅｉｌ（ｒ）はｒ以上の最小整数値を返す関数である、ステップと、
一方で、圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズ（ＣＣＳｉ）が前記第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）よりも大きい場合には、前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）の非圧縮内容を、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に直接記憶するステップ（３）と、を含む方法。
【請求項２】
前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズ（ＣＣＳｉ）が前記第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）に等しい場合には、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に、前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）を記憶する（３）、または前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）の非圧縮内容を直接記憶する（３）、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ストレージメモリ（ＳＭ）内における圧縮チャンク（ＣＣｉ）の位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）と、の間のマッピング情報を含むマッピングテーブル（ＭＴ）を作成するステップ（３）と、
前記マッピングテーブル（ＭＴ）を前記ストレージメモリ（ＳＭ）に記憶するステップ（４）と、をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記記憶するステップ（３）は、
基準サイズ（ＲＳｉ）の組を定義するステップと、
各圧縮チャンク（ＣＣｉ）について、前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズを、前記基準サイズ（ＲＳｉ）と比較するステップと、
前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズ（ＣＣＳｉ）が前記基準サイズ（ＲＳｉ）のうちの１つと等しい場合には、前記圧縮チャンクを、前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶するステップと、を含み、
一方で、前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）のサイズ（ＣＣＳｉ）が前記基準サイズ（ＲＳｉ）のうちの１つと等しくない場合には、前記記憶ステップ（３）は、
パディングデータを用いて前記圧縮チャンク（ＣＣｉ）をパディング（padding）し、上位側に最も近い基準サイズに到達させるステップと、
前記パディングされた圧縮チャンクを前記ストレージメモリページ（ＳＰＭｉ）に記憶するステップ（３）と、をさらに含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記記憶するステップ（３）は、
全ての非圧縮内容を、先頭のストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶するステップ（５）と、
残りの圧縮チャンク（ＣＣｒｉ）を次のストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶する前に、残りの圧縮チャンク（ＣＣｒｉ）を整列するステップ（１２）と、を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記整列するステップ（１２）は、連結された残りの圧縮チャンク（ＣＣｒｉ）を含むデータストリング（ＬＳ）を作成するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ストレージメモリ（ＳＭ）から第１のメモリ（ＷＭ）にページデータを転送する方法であって、
前記第１のメモリ（ＷＭ）は、第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）を有する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）を含み、
前記ストレージメモリ（ＳＭ）は、第２のメモリページサイズ（ＳＭＰＳ）を有するストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）を含み、
前記ページデータは、前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶され、且つ、圧縮チャンク（ＣＣｉ）または非圧縮内容を含み、
前記方法は、
各第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）について、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数の読み出しアクセスで前記ストレージメモリ（ＳＭ）にアクセスするステップ（７）であって、ｒはＭＭＵＳ／ＳＭＰＳであり、ｃｅｉｌ（ｒ）はｒ以上の最小整数値を返す関数である、ステップと、
読み出された各非圧縮内容を前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）に直接記憶するステップ、または、対応する伸張チャンクを前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）に記憶する前に、読み出された各圧縮チャンク（ＣＣｉ）を伸張するステップと、
前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶されたマッピングテーブル（ＭＴ）を供給するステップと、を含み、
前記マッピングテーブルは、ブート時にシャドーイングされる、方法。
【請求項８】
前記マッピングテーブル（ＭＴ）は、前記ストレージメモリ（ＳＭ）内における圧縮チャンク（ＣＣｉ）の位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）と、の間のマッピング情報を含み、
前記方法は、前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶された正しい圧縮チャンク（ＣＣｉ）または正しい非圧縮内容を、前記マッピングテーブル（ＭＴ）を用いて取り出すステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ページデータは、請求項１乃至５のいずれかに記載の記憶する方法を用いて前記ストレージメモリ（ＳＭ）に記憶される、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
ストレージメモリ（ＳＭ）から第１のメモリ（ＷＭ）にページデータ（３０）を転送するデバイスであって、
前記第１のメモリ（ＷＭ）は、第１のメモリページサイズ（ＭＭＵＳ）を有する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）を含み、
前記ストレージメモリ（ＳＭ）は、第２のメモリページサイズ（ＳＭＰＳ）を有するストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）を含み、
前記ページデータは、前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶され、且つ、圧縮チャンク（ＣＣｉ）または非圧縮内容を含み、
前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）には、マッピングテーブル（ＭＴ）が記憶され、
前記デバイスは、
各第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）について、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数の読み出しアクセスで前記ストレージメモリ（ＳＭ）にアクセスするように構成された手段（３１）であって、ｒはＭＭＵＳ／ＳＭＰＳであり、ｃｅｉｌ（ｒ）はｒ以上の最小整数値を返す関数である、手段（３１）と、
読み出された各非圧縮内容を前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）に直接記憶するように構成された手段（３３）と、
対応する伸張チャンクを前記第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）に記憶する前に、読み出された各圧縮チャンク（ＣＣｉ）を伸張するように構成された手段（３２）と、を備え、
前記マッピングテーブルは、ブート時にシャドーイングされる、デバイス。
【請求項１１】
前記マッピングテーブル（ＭＴ）は、前記ストレージメモリ（ＳＭ）内における圧縮チャンク（ＣＣｉ）の位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページ（ＭＭＵｉ）と、の間のマッピング情報を含み、
前記アクセス手段（３１）は、さらに、前記ストレージメモリページ（ＳＭＰｉ）に記憶された正しい圧縮チャンク（ＣＣｉ）または正しい非圧縮内容を、前記マッピングテーブル（ＭＴ）を用いて取り出すように構成される、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記アクセス手段は、ブート時に前記マッピングテーブル（ＭＴ）にアクセスするように構成される、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記ストレージメモリは、請求項１乃至５のいずれかに記載の記憶する方法を用いて前記ストレージメモリ（ＳＭ）に記憶されたページデータを備える、請求項１０乃至１２のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載のデバイス（３０）を備える、無線通信装置（５０）。
【請求項１５】
セルラー携帯電話である、請求項１４に記載の無線通信装置（５０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にバーチャルメモリ機構が設けられている電子デバイスの異なるメモリ手段でのデータ処理、特にページデータの圧縮、記憶および転送に関する。
【０００２】
本発明は、ページデータを記憶および転送するためのメモリ手段を用いた、任意の電子デバイス、例えば限定はしないが、無線通信装置、例えばセルラー携帯電話に適用可能である。
【背景技術】
【０００３】
電子デバイスのメモリは、メモリページに分割することができ、メモリページは、メモリに対するアクセスの最小単位である。メモリページは、ページデータとも呼ばれるデータを含む。電子デバイスは、異なる用途向けに、異なる種類のメモリを含むことができる。一般的に言うと、電子デバイスは、ブート時または実行時にプロセスを実行する際に、ページデータを記憶する作業メモリページを含む、作業メモリを使用する。電子デバイスの大部分は、“ＲＡＭ”すなわちランダムアクセスメモリを、作業メモリとして使用する。作業メモリに含まれるメモリページは、“ＭＭＵ”ページすなわちメモリ管理ユニット（Memory Management Unit）ページとも呼ばれる。というのは、これらがバーチャルメモリ機構の中で、ＭＭＵによって管理されるからである。
【０００４】
その上、電子デバイスがオフの際にデータを保持するために、ページデータは、ストレージメモリに記憶させなければならない。例えば、ストレージメモリは、埋め込みフラッシュメモリまたはハードディスクとすることができる。このストレージメモリも、メモリページを含む。
【０００５】
ＭＭＵは、“ページング”と呼ばれる技術により、メモリの間でメモリページを転送することによって、ページデータを管理する。ページングの原理は、メモリページ内のデータが必要な場合にのみ、メモリページを、大容量ストレージメモリとも呼ばれるストレージメモリから、作業メモリにロードすることにある。ページングは、ブート時に、ほとんど使われないデータのローディングを避けることができ、これにより、プロセス実行のためにより多くの作業メモリを開放する。
【０００６】
作業メモリページ内で、メモリアドレスに配置されるデータが、プロセスによって呼び出され、対応するメモリページが見つからない場合、ページフォルトが発生し、これは、ストレージメモリから作業メモリへのメモリページのローディングをトリガする。メモリページがロードされると、データは、前記プロセスによって使用することができる。
【０００７】
その上、ストレージメモリでの空きを節約するために、製造業者は、データを圧縮し、圧縮データをストレージメモリに記憶させる。ブート時または電子デバイスの動作中に、作業メモリにロードすべきデータを圧縮するために、前記圧縮データは、通常の圧縮アルゴリズムを用いて圧縮することができる。
【０００８】
さらに、メモリに記憶されたデータをアクセスするためのメモリアクセス時間は、データを取り出すためにアクセスすべきメモリページの数に依存する。このアクセスすべきメモリページの数は、メモリへのリードアクセスの数としても留意される。一般的に言うと、ストレージメモリは、作業メモリページのサイズとは異なるサイズを有し得るストレージメモリページを含む。この場合、メモリアクセス時間は、メモリへの読み出しアクセスの数に応じて異なる場合がある。圧縮は、ストレージメモリのアクセス時間を劣化させないことが、適切である。
【０００９】
よって、メモリアクセス時間の劣化を防ぐ一方で、圧縮を向上することが有用である。
【００１０】
既知の解決策は、非ページデータの場合と同じ圧縮アルゴリズムを用いて、圧縮率を最大化することにある。圧縮すべきデータは、１つまたは複数のストレージメモリページに記憶される、圧縮チャンクに分割される。ＭＭＵページサイズは、ストレージメモリページサイズよりも大きくなり得るため、ストレージメモリページに記憶された圧縮チャンクは、ＭＭＵページでの非圧縮データと合っていない。換言すると、圧縮チャンク（chunk）は、ページデータが圧縮されずに、前記ストレージメモリに記憶されている場合よりも多くのストレージメモリページに記憶されることがある。この場合、ＭＭＵページ内容を取り出すために、ページデータが圧縮されずに記憶されている場合よりも多くのストレージメモリページを読むことが必要とされ、よってメモリアクセス時間を劣化させる。
【００１１】
ページコードの場合、ブート時または実行時間中に、非圧縮コードに素早くアクセスする必要がある。理想的には、ページフォルトの間、ストレージメモリへのリードアクセスの数は、非圧縮ページコードの場合よりも、圧縮ページコードの場合が大きくてはならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
実施形態によると、電子デバイスのブート時または実行時間中に、前記ストレージメモリへのリードアクセスの数の向上を可能にする、ページデータをストレージメモリに記憶するための方法が提案される。
【００１３】
特に、圧縮データがストレージメモリに記憶される際に、メモリアクセス時間の向上を可能にし、ストレージメモリページへの圧縮ページデータの連結を向上する方法が提案される。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
一態様によると、ストレージメモリにページデータ、特に例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを記憶させる方法が提案され、前記ページデータは、第１のメモリページサイズを有する第１のメモリページに含まれており、前記ストレージメモリは、第２のメモリページサイズを有するストレージメモリページを含み、前記方法は、各第１のメモリページの内容を、個別に圧縮チャンクに圧縮するステップを含み、前記方法は、さらに、各圧縮チャンクサイズを、前記第１のメモリページサイズと比較するステップと、圧縮チャンクのサイズが、前記第１のメモリページサイズよりも厳密に小さい場合、前記圧縮チャンクを、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数のストレージメモリページに記憶させるステップであって、ｒは前記第１のメモリページサイズと前記第２のメモリページサイズとの比であるステップと、一方で圧縮チャンクのサイズが、前記第１のメモリページサイズよりも大きい場合、前記第１のメモリページの非圧縮内容を、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページに直接記憶させるステップと、を含む。
【００１５】
よって、ＭＭＵページの非圧縮内容の内容を取り出すために必要な圧縮チャンクを全て読むことは、前記ＭＭＵページ内容が、非圧縮ストレージメモリに記憶された場合よりも多くの読み出しアクセスは必要としない。これは、連結された圧縮チャンクを含むストリングを、最少のストレージメモリページに記憶することを可能にする。
【００１６】
さらに、方法が前記ストレージメモリへのリードアクセスの数を制限するようにして、前記圧縮チャンクをストレージメモリに記憶することが可能である。
【００１７】
圧縮チャンクのサイズが、前記第１のメモリページサイズに等しい場合、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページに、前記圧縮チャンクを記憶するか、または前記第１のメモリページの非圧縮内容を直接記憶するかの、２つの可能性が提示される。
【００１８】
前記方法は、好ましくは、前記ストレージメモリ内の、圧縮チャンクの位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページとの間のマッピング情報を含むマッピングテーブルを作成するステップと、前記マッピングテーブルを前記ストレージメモリに記憶させるステップと、をさらに含む。
【００１９】
本発明のこの態様を実施するための、いくつかの実施形態が可能である。
【００２０】
特に、以下の２つの実施形態は、次の特徴を共有する。
−第１のメモリページの各内容は、個別に圧縮される。
−各ページデータ（またはバイナリ）について、第１のメモリページを所与とし、マッピングテーブルを用いて、正しい圧縮チャンク（すなわちそれが記憶されているストレージメモリページ）が取り出される。このマッピングテーブルは、正しい圧縮チャンクを取り出すために、ストレージメモリ全体を読むことを回避させる。このマッピングテーブルは、例えば、圧縮バイナリ内に記憶され、好ましくは、ページングが呼び出された際に、ストレージメモリからマッピングテーブルを読み出すことを避けるために、ブート時にシャドーイングされる。ブート時でのシャドーイング（shadowing）は、実行時間中に使用するために、バイナリデータを作業メモリにロードすることにある。
【００２１】
これら２つの実施形態のうちの１つによると、前記記憶ステップは、基準サイズの組を定義するステップを含んでもよく、各圧縮チャンクのサイズが、前記基準サイズと比較され、前記圧縮チャンクのサイズが、前記基準サイズのうちの１つと等しい場合、前記圧縮チャンクが、前記ストレージメモリページに直接記憶され、一方で、前記圧縮チャンクのサイズが、前記基準サイズのうちの１つと等しくない場合、前記記憶ステップは、前記圧縮チャンクを、パディングデータでパディング（padding）し、上位側に最も近い基準サイズに到達させるステップと、前記パディングされた圧縮チャンクを、前記ストレージメモリページに記憶するステップと、をさらに含む。
【００２２】
これら２つの実施形態の他の１つによると、前記記憶ステップは、全ての非圧縮内容を、先頭のストレージメモリページに記憶するステップと、残りの圧縮チャンクを、次のストレージメモリページに記憶させる前に整列するステップと、を含んでもよい。
【００２３】
好ましくは、前記整列ステップは、連結された残りの圧縮チャンクを含むデータストリングを、作成するステップを含む。
【００２４】
もう１つの態様によると、ストレージメモリから第１のメモリにページデータ、特に例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを転送するための方法が提案され、前記第１のメモリは、第１のメモリページサイズを有する第１のメモリページを含み、前記ストレージメモリは、第２のメモリページサイズを有するストレージメモリページを含み、前記ページデータは、前記ストレージメモリページに記憶され、圧縮チャンクまたは非圧縮内容を含み、前記方法は、各第１のメモリページに関して、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数の読み出しアクセスで前記ストレージメモリにアクセスするステップであって、ｒは前記第１のメモリページサイズと前記第２のメモリページサイズとの比であるステップと、読み出された各非圧縮内容を、前記第１のメモリページに直接記憶させるステップ、または、対応する伸張チャンクを、前記第１のメモリページに記憶させる前に、読み出された各圧縮チャンクを伸張するステップと、を含む。
【００２５】
前記方法は、好ましくは、前記ストレージメモリページに記憶されたマッピングテーブルを供給するステップをさらに含み、前記マッピングテーブルは、前記ストレージメモリ内の、圧縮チャンクの位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページとの間のマッピング情報を含み、前記方法は、前記ストレージメモリページに記憶された正しい圧縮チャンクまたは正しい非圧縮内容を、前記マッピングテーブルを用いて取り出すステップを含む。
【００２６】
有利なことに、前記マッピングテーブルは、ブート時にシャドーイングされてもよい。
【００２７】
もう１つの実施形態によると、前記ページデータは、上述のように定義された記憶方法を用いて、前記ストレージメモリに記憶されていてもよい。
【００２８】
もう１つの態様によると、ストレージメモリから第１のメモリにページデータ、特に例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを転送するためのデバイスが提案され、前記第１のメモリは、第１のメモリページサイズを有する第１のメモリページを含み、前記ストレージメモリは、第２のメモリページサイズを有するストレージメモリページを含み、前記ページデータは、前記ストレージメモリページに記憶され、圧縮チャンクまたは非圧縮内容を含み、前記デバイスは、各第１のメモリページに関して、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数の読み出しアクセスで前記ストレージメモリにアクセスするように構成された手段であって、ｒは前記第１のメモリページサイズと前記第２のメモリページサイズとの比である手段、と、読み出された各非圧縮内容を、前記第１のメモリページに直接記憶させるように構成された手段と、対応する伸張チャンクを、前記第１のメモリページに記憶させる前に、読み出された各圧縮チャンクを伸張するように構成された手段と、を備える。
【００２９】
実施形態によると、前記デバイスは、前記ストレージメモリページに記憶されたマッピングテーブルを含んでもよく、前記マッピングテーブルは、前記ストレージメモリ内の、圧縮チャンクの位置または非圧縮内容の位置と、対応する第１のメモリページとの間のマッピング情報を含み、前記アクセス手段は、前記ストレージメモリページに記憶された正しい圧縮チャンクまたは正しい非圧縮内容を、前記マッピングテーブルを用いて取り出すように、さらに構成されている。
【００３０】
前記アクセス手段は、ブート時に前記マッピングテーブルにアクセスするようにさらに構成されている。
【００３１】
もう１つの実施形態によると、前記ストレージメモリは、上述のように定義された記憶方法を用いて、前記ストレージメモリに記憶されているページデータを備える。
【００３２】
もう１つの態様によると、上述のように定義されたデバイスを備える、無線通信装置が提案される。
【００３３】
前記無線通信装置は、セルラー携帯電話であってもよい。
【００３４】
本発明の他の利点および特徴は、実施形態の詳細な説明を調査することによって明らかとなり、これらはどのような制限も行わず、添付の図面に関係するものである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図２】図２は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図３】図３は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図４】図４は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図５】図５は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図６】図６は、本発明に係る記憶方法の例を模式的に示している。
【図７】図７は、本発明に係る転送方法の例を模式的に示している。
【図８】図８は、本発明に係る転送方法の例を模式的に示している。
【図９】図９は、本発明に係るデバイスの実施形態を模式的に示している。
【図１０】図１０は、本発明に係るデバイスの実施形態を組み込んだ無線通信装置の例を模式的に示している。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図面において、全体的に、同様の番号は同様の要素を指す。図面内の要素は、必ずしも正確な縮尺で描かれていない。
【００３７】
図１において、ページデータ、特に、例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを、ストレージメモリＳＭに記憶する方法の実施形態が、模式的に示されており、方法は、特に、仮想メモリ機構におけるページングに適している。
【００３８】
前記ページデータは、第１のメモリページサイズＭＭＵＳを有するいくつかの第１のメモリページＭＭＵｉに含まれる。
【００３９】
前記ストレージメモリＳＭは、第２のメモリページサイズＳＭＰＳを有するいくつかのストレージメモリページＳＭＰｉを含む。
【００４０】
記憶方法は、圧縮ステップ１を含み、このステップにおいて、各第１のメモリページの内容ＭＭＵＣｉが、個々に圧縮チャンクＣＣｉに圧縮される。第１のメモリページＭＭＵｉは、異なる内容ＭＭＵＣｉを有してもよいので、圧縮ステップ１は、それぞれ異なるサイズＣＣＳｉを有する異なる圧縮チャンクＣＣｉを供給してもよい。
【００４１】
特に、圧縮チャンクＣＣｉは、第１のメモリページサイズＭＭＵＳと等しいか、より大きいサイズＣＣＳｉを有することがある。この結果は、第１のメモリページ内容が、圧縮に適合されていない、または圧縮アルゴリズムが不適切な圧縮を行った場合に、起こり得る。
【００４２】
さらに、この記憶方法は、各圧縮チャンクサイズＣＣＳｉを、前記第１のメモリページサイズＭＭＵＳと比較するための比較ステップ２と、前記圧縮チャンクＣＣｉまたは前記第１のメモリページ内容ＭＭＵＣｉを、１つまたは複数のストレージメモリページＳＭＰｉに記憶するための記憶ステップ（３）と、を含む。
【００４３】
圧縮チャンクＣＣｉのサイズＣＣＳｉが、前記第１のメモリページサイズＭＭＵＳよりも厳密に小さい場合、前記圧縮チャンクＣＣｉは、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数のストレージメモリページに記憶４される。
【００４４】
圧縮チャンクＣＣｉのサイズＣＣＳｉが、前記第１のメモリページサイズＭＭＵＳ（ステップ２０）と等しい場合、２つの実施形態が可能である。
【００４５】
Ａで参照される、第１の実施形態では、前記圧縮チャンクＣＣｉは、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数のストレージメモリページに記憶４される。
【００４６】
Ｂで参照される、第２の実施形態では、前記第１のメモリページの非圧縮内容ＭＭＵＣｉは、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページに直接記憶される。
【００４７】
圧縮チャンクＣＣｉのサイズＣＣＳｉが、前記第１のメモリページサイズＭＭＵＳよりも大きい場合、前記第１のメモリページの非圧縮内容ＭＭＵＣｉは、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページに直接記憶５される。ｒは、前記第１のメモリページサイズＭＭＵＳと前記第２のメモリページサイズＳＭＰＳとの比であり、すなわちｒ＝ＭＭＵＳ／ＳＭＰＳであり、
ｃｅｉｌ（ｒ）は、浮動小数としてのｒの上限（ceiling）を返す数学的関数であり、換言すれば、ｒ以上の最小整数値を返す。
【００４８】
ｒが１よりも小さいか、大きいか、等しいかは、ここでは差がない。
【００４９】
また、マッピングテーブルＭＴが作成される。このマッピングテーブルＭＴは、第１のメモリページＭＭＵｉのアドレスを与えることによって、正しい圧縮チャンクＣＣｉまたは正しい非圧縮内容ＭＭＵＣｉを、ストレージメモリＳＭへと取り出すために用いられる。よって、マッピングテーブルＭＴは、前記ストレージメモリＳＭ内の圧縮チャンクＣＣｉの位置または非圧縮内容ＭＭＵＣｉの位置と、対応する第１のメモリページＭＭＵｉと、の間のマッピング情報を含む。
【００５０】
前記マッピングテーブルＭＴは、例えば、前記ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶７される。
【００５１】
いくつかの変形を用いて、前記圧縮チャンクＣＣｉまたは前記非圧縮内容ＭＭＵＣｉを、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数のストレージメモリページＳＭＰｉに記憶することができる。２つの変形を、これより以下に詳細に説明する。
【００５２】
図２により詳細に示される、第１の変形によると、いくつかの基準サイズＲＳｉ、すなわち、予め定義されたサイズの組が定義８される。
【００５３】
上述したように、各第１のメモリページＭＭＵｉの内容ＭＭＵＣｉは、個別に圧縮チャンクＣＣｉに圧縮される。
【００５４】
圧縮チャンクサイズＣＣＳｉは、次いで、組に含まれる全ての基準サイズＲＳｉと比較９される。
【００５５】
この第１の変形では、圧縮チャンクのサイズが基準サイズのうちの１つと等しくない場合、前記圧縮チャンクＣＣｉは、上位側に最も近い基準サイズに達するために、パディング１０される。前記パディングステップ１０は、パッドデータ（例えばＦＦＦＦ値）を、圧縮チャンクＣＣｉの終わりに加え、より上位側に最も近い基準サイズまで、圧縮チャンクサイズＣＣＳｉを増加させることにある。
【００５６】
次いで、パディングされた圧縮チャンクおよびパディングされていない圧縮チャンクＣＣｉは、ｃｅｉｌ（ｒ）と等しい数のストレージメモリページＳＭＰｉよりも多くにまたがるチャンクがないように、ストレージメモリＳＭに記憶４される。
【００５７】
ここで図３を参照し、第１の変形の例を、より詳細に述べる。
【００５８】
図３では、簡素化の理由から、５つのみの第１のメモリページＭＭＵ１〜ＭＭＵ５が示されている。参照符号ＭＭＵＣｉは、対応する第１のメモリページＭＭＵｉの内容を示している。
【００５９】
同じように、簡素化の理由から、１２個だけのメモリページＳＭＰ１〜ＳＭＰ１２が示されている。
【００６０】
参照符号ＣＣｉは、５つの圧縮チャンクＣＣ１〜ＣＣ５のうちの、１つの圧縮チャンクを示している。参照符号ＣＣＳｉは、圧縮チャンクサイズのサイズを示し、参照符号ＲＳｉは、基準サイズの組のうちの１つの基準サイズを示している。
【００６１】
例えば、第１のメモリページサイズＭＭＵＳは、４ｋＢ（４キロバイト）に等しく、第２のメモリページサイズＳＭＰＳは、２ｋＢに等しく、基準サイズＲＳｉは、４ｋＢ、３ｋＢ、２．５ｋＢ、２ｋＢ、１．５ｋＢ、１ｋＢおよび０．５ｋＢの値の組から選択することができる。この場合、ＲＳ１は、４ｋＢに等しく、ＲＳ２は、２．５ｋＢに等しく、ＲＳ３は、２ｋＢに等しい。図１において、例えば、圧縮チャンクサイズＣＣＳ１〜ＣＣＳ５は、それぞれ、４ｋＢ、２．２ｋＢ、３．７ｋＢ、３．１ｋＢおよび２ｋＢと等しい。
【００６２】
マッピングテーブルＭＴは、例えば、２つの第１のストレージメモリページＳＭＰ１およびＳＭＰ２に記憶７される。
【００６３】
第１のメモリページサイズＭＭＵＳと等しいサイズＣＣＳ１を有する第１の圧縮チャンクＣＣ１は、圧縮チャンクＣＣ１またはおそらくは対応する第１のメモリページＭＭＵ１の内容ＭＭＵＣ１のいずれかが、２つのストレージメモリページＳＭＰ３およびＳＭＰ４に直接記憶される（参照符号ＡおよびＢ）。
【００６４】
さらに、基準サイズのうちの１つと異なるサイズを有する、圧縮チャンクＣＣ２、ＣＣ３およびＣＣ４は、パッドデータＰＤＤ２、ＰＤＤ３、ＰＤＤ４を用いてパディング９され、これらのそれぞれが、上位側に最も近い基準サイズに達する。換言すると、第２の圧縮チャンクＣＣ２は、０．３ｋＢのパッドデータサイズでパディング９され、２．５ｋＢのサイズＲＳ２に達する。第３の圧縮チャンクＣＣ３は、０．３ｋＢのパッドデータサイズでパディングされ、４ｋＢのサイズＲＳ１に達する。第４の圧縮チャンクＣＣ４は、０．９ｋＢのパッドデータサイズでパディングされ、４ｋＢのサイズＲＳ１に達する。基準サイズＲＳ３のうちの１つと等しいサイズＣＣＳ５を有する第５の圧縮チャンクＣＣ５は、パディングされない。
【００６５】
パディングされた圧縮チャンク、パディングされていない圧縮チャンクおよび第１のメモリページ内容ＭＭＵＣｉは、ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶される前に、サイズによって整列することができる。前記パディングされた圧縮チャンク、パディングされていない圧縮チャンクおよび第１のメモリページ内容ＭＭＵＣｉは、以後、要素（element）とも呼ばれる。
【００６６】
よって、例えば、限定はしないが、全ての前記要素を、以下のように記憶させることができる。
【００６７】
まず、４ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、２ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、３ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、１ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、２．５ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、１．５ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶し、次に、０．５ｋＢと等しいサイズを有する全ての要素を記憶する。この整列は、ｃｅｉｌ（４／２）＝２と等しい数のストレージメモリページＳＭＰｉよりも多くにまたがって延びる圧縮チャンクがない、より効率的な記憶を保証する。
【００６８】
要素を整列するために適している、基準サイズＲＳｉのいくつかの他の選択もある。その後の組の基準サイズＲＳｉは、ｃｅｉｌ（ｒ），ｃｅｉｌ（ｒ−１），．．．，２，１／２，１／３，１／４．．．となり得る。
【００６９】
ｃｅｉｌ（ｒ），ｃｅｉｌ（ｒ）−１／２，ｃｅｉｌ（ｒ）−１，．．．，３／２，１，１／２，１／４などの、基準サイズＲＳｉの他の選択も可能である。
【００７０】
限定はしないが、より一般的に、基準サイズＲＳｉは、ｍ≦（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）・ｑの場合にｍ＊Ｓに等しく選択でき、
または、ｍがｑの除数である場合に、（（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）・ｑ＋ｍ）・Ｓに等しく選択することができる。
【００７１】
これら２つの式で、
−  Ｓは、ＳＭＰＳがＳの倍数であるような、浮動小数であり、
−  ｑは、ＳＭＰＳ＝ｑ＊Ｓであるような、整数であり、
−  ｍは、ヌルでない整数である。
【００７２】
例えば、ＭＭＵＳ＝４ｋＢ、ＳＭＰＳ＝２ｋＢ、およびＳ＝０．５の場合、ｃｅｉｌ（ｒ）＝２およびｑ＝４である。よって、基準サイズＲＳｉの組は、次のようにすることができる。
ＲＳ１＝０．５（ｍ＝１であり、ＲＳ１はｍ＊Ｓに等しい）
ＲＳ２＝１（ｍ＝２であり、ＲＳ２はｍ＊Ｓに等しい）
ＲＳ３＝１．５（ｍ＝３であり、ＲＳ３はｍ＊Ｓに等しい）
ＲＳ４＝２（ｍ＝４であり、ＲＳ４はｍ＊Ｓに等しい）
ＲＳ５＝２．５（ｍ＝１（ｍはｑの除数）であり、ＲＳ５は（（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）・ｑ＋ｍ）・Ｓ）に等しい）
ＲＳ６＝３（ｍ＝２（ｍはｑの除数）であり、ＲＳ６は（（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）・ｑ＋ｍ）・Ｓ）に等しい）
ＲＳ７＝４（ｍ＝４（ｍはｑの除数）であり、ＲＳ７は（（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）・ｑ＋ｍ）・Ｓ）に等しい）
【００７３】
本発明に係る方法の第２の変形が、図４に示されている。
【００７４】
この第２の変形では、いくつかの基準サイズＲＳｉの組は、使用されない。
【００７５】
記憶ステップ５において、全ての非圧縮内容ＭＭＵＣｉが、先頭のストレージメモリページＳＭＰｉ（すなわち、例えば０から始まるアドレスを有するストレージメモリページ）に記憶され、全ての残りの圧縮チャンクＣＣｒｉは、次のストレージメモリページＳＭＰｉに記憶させる（ステップ４）前に、整列１２される。
【００７６】
この第２の変形では、ＭＭＵＳと等しいサイズを有する圧縮チャンクは、整列されるべき（１２）前記残りの圧縮チャンクＣＣｒｉに含まれていてもよく（矢印Ａ）、あるいは、先頭の前記ストレージメモリページの後に、ストレージメモリに直接記憶させてもよい。代わりに、このような状況で、対応する非圧縮内容を考慮し、この内容を、先頭の前記ストレージメモリページの後に、ストレージメモリに直接記憶させることも可能である（矢印Ｂ）。
【００７７】
残りの圧縮チャンクＣＣｉを整列するステップ１２の例は、ここで、図５に模式的に示されている。
【００７８】
整列ステップ１２は、前記記憶方法の記憶ステップ３にしたがい、前記圧縮チャンクをストレージメモリＳＭに記憶させる前に、連結された残りの圧縮チャンクを含むデータストリングＬＳを作成するステップを含む。
【００７９】
残りの圧縮チャンクＣＣｒｉを整列するステップ１２は、ステップ１００で開始する。開始ステップ１００の実行後、次の初期化のステップ１０１が実行される。
【００８０】
初期化のステップ１０１は、変数ＬＳＣ、Ｎおよびｄを、ゼロに初期化することを含む。
【００８１】
ＬＳＣは、データストリングＬＳのサイズであり、
Ｎは、前記データストリングＬＳの記憶に必要とされる、ストレージメモリページＳＭＰｉの最小の数であり、
ｄは、Ｎ個のストレージメモリページＳＭＰｉのサイズと、データストリングＬＳのサイズＬＳＣとの間のオフセットである。
【００８２】
次いで、データストリングＬＳに連結されていない残りの圧縮チャンクＣＣｒｉの中から、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉを検出すること含む、検出ステップ１０２が実行される。例えば、この検出ステップ１０２は、最大サイズを有する残りの圧縮チャンクを検出することを含む。
【００８３】
次いで、前記残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが存在するかどうかをテストすることを含む、ステップ１０３が実行される。そのような残りの圧縮チャンクＣＣｒｉがある場合、連結ステップ１０４が実行され、そうでない場合、整列ステップ１２は終了する（ステップ１０５）。
【００８４】
整列ステップ１２が終了すると、全ての残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが、データストリングＬＳに連結され、ストレージメモリＳＭに記憶されるための準備がなされる。
【００８５】
連結ステップ１０４は、前記検出された残りの圧縮チャンクＣＣｒｉを、含まれた圧縮チャンクＣＣｒｉと共に、データストリングＬＳに連結することを含む。前記連結ステップ１０４は、また、変数を次のように更新することも含む。
−  ＬＳＣ＝ＬＳＣ＋ＣＣＳｒｆ
【数１】
0005431497.tif 000002
ＣＣＳｒｆは、検出された残りの圧縮チャンクのサイズであり、
ｆｌｏｏｒ（ｘ）は、浮動小数としてのｘの床（floor）を返す、数学的関数であり、換言すれば、ｘ以下の最大整数値を返す。
【００８６】
前記連結ステップ１０４が実行された後に、検出ステップ１０６は、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉを検出するために再び実行される。
【００８７】
次いで、もう１つの存在ステップ１０７が実行され、少なくとも１つの残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが存在するかどうかがテストされる。そのような残りの圧縮チャンクＣＣｒｉがある場合、計算ステップ１０８が実行され、そうでない場合、整列ステップ１２は終了する（ステップ１０５）。
【００８８】
前記計算ステップ１０８は、次のようなオフセットｄを計算することを含む。
−  ｄ＝（Ｎ＋１）＊ＳＭＰＳ−ＬＳＣ
【００８９】
このオフセットにより、次の検出された圧縮チャンクを、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数ｎのストレージメモリページに含められるかを知ることができる。
【００９０】
次いで、次のようなサイズＣＣＳｒｆを有する残りの圧縮チャンクを検出することを含む、検出ステップ１０９が実行される。
−  ＣＣＳｒｆ≦（ｃｅｉｌ（ｒ）−１）＊ＳＭＰＳ＋ｄ
【００９１】
次いで、存在ステップ１１０が再び実行され、そのような残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが存在するかどうかがテストされる。そのような残りの圧縮チャンクＣＣｒｉがある場合、前記連結ステップ１０４が再び実行され、そうでない場合、パディングステップ１１１が実行される。
【００９２】
前記パディングステップ１１１は、ＰＤＤＳ＝ｄなどのサイズＰＤＤＳを有する、パッドデータを作成することを含む。
【００９３】
前記パディングステップ１１１は、また、変数を次のように更新することも含む。
−  ＬＳＣ＝ＬＳＣ＋ＰＤＤＳ
【数２】
0005431497.tif 000003
【００９４】
次いで、検出ステップ１０６が、再び実行される。
【００９５】
前記第２の実施形態の例が、図６に示されている。
【００９６】
図６において、簡素化の理由から、４つのみの第１のメモリページＭＭＵ１〜ＭＭＵ４および９つのメモリページＳＭＰ１〜ＳＭＰ９が、示されている。
【００９７】
例えば、第１のメモリページサイズＭＭＵＳは、４ｋＢ（４キロバイト）に等しく、第２の第１のメモリページサイズＳＭＰＳは、２ｋＢに等しい。
【００９８】
この場合、圧縮チャンクサイズＣＣＳ１〜ＣＣＳ４は、それぞれ、４ｋＢ、２．２ｋＢ、３．７ｋＢ、および３．１ｋＢに等しい。
【００９９】
よって、第１のメモリページサイズＭＭＵＳに等しいサイズＣＣＳ１を有する第１の圧縮チャンクＣＣ１は、ストレージメモリＳＭには記憶されない。対照的に、対応する第１のメモリページＭＭＵ１の内容ＭＭＵＣ１は、２つのストレージメモリページＳＭＰ３およびＳＭＰ４に記憶される。次いで、マッピングテーブルＭＴが、例えば２つの第１のストレージメモリページＳＭＰ１およびＳＭＰ２に記憶７される。
【０１００】
さらに、残りの圧縮チャンクＣＣ２、ＣＣ３およびＣＣ４が、ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶３される前に、整列１２される。検出ステップ１０２の実行は、例えば、第３の残りの圧縮チャンクＣＣ３を供給する。よって、前記残りの圧縮チャンクＣＣ３は、データストリングＬＳに含まれる第１のチャンクである。
【０１０１】
次いで、変数が次のように更新（ステップ１０４）される。
−  ＬＳＣ＝３．７ｋＢ
−  Ｎ＝１
【０１０２】
次いで、現在のオフセットｄが計算される（ステップ１０８）。
−  ｄ＝０．３ｋＢ
【０１０３】
よって、次のようなサイズＣＣＳｒｆを有する、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが検出される（ステップ１０９）。
−  ＣＣＳｒｆ≦２．３ｋＢ
【０１０４】
第２の圧縮チャンクＣＣ２が、検出された残りの圧縮チャンクである。よって、前記残りの圧縮チャンクＣＣ２は、データストリングＬＳ内に含まれる（ステップ１０４）第２のチャンクである。
【０１０５】
次いで、変数が次のように更新（ステップ１０４）される。
−  ＬＳＣ＝５．９ｋＢ
−  Ｎ＝２
【０１０６】
次いで、現在のオフセットｄが計算される（ステップ１０８）。
−  ｄ＝０．１ｋＢ
【０１０７】
よって、次のようなサイズＣＣＳｒｆを有する、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが検出される（ステップ１０９）。
−  ＣＣＳｒｆ≦２．１ｋＢ
【０１０８】
ここで、そのような残りの圧縮チャンクは存在せず、よって、ＰＤＤＳ＝０．１ｋＢなどのサイズＰＤＤＳを有するパッドデータを用いて、データストリングがパディングされる（ステップ１１１）。
【０１０９】
次いで、変数が次のように更新（ステップ１１１）される。
−  ＬＳＣ＝６ｋＢ
−  Ｎ＝３
【０１１０】
検出ステップ１０６が再び実行されると、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが検出される。
【０１１１】
次いで、現在のオフセットｄが計算される（ステップ１０８）。
−  ｄ＝２ｋＢ
【０１１２】
次のようなサイズＣＣＳｒｆを有する、残りの圧縮チャンクＣＣｒｉが検出される（ステップ１０９）。
−  ＣＣＳｒｆ≦４ｋＢ
【０１１３】
ここで、第３の圧縮チャンクＣＣ４が検出される（ステップ１０９）。
【０１１４】
次いで、最後の残りの圧縮チャンクＣＣ４が連結される（ステップ１０４）。
【０１１５】
それ以上の圧縮チャンクが検出されない場合（ステップ１０７）、整列ステップ１２は終了する（ステップ１０５）。
【０１１６】
ページデータ、特に例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを転送する方法の実施形態を、これより特に図７を参照して、より詳細に説明する。
【０１１７】
前記方法は、前記ページデータを、ストレージメモリＳＭから、第１のメモリＷＭに転送する。前記第１のメモリＷＭは、プロセスによって使用されるべきページデータを含む、作業メモリとすることができる。
【０１１８】
前記ページデータは、上で図１〜図６に定義された実施形態のいずれかに係る記憶方法を用いて、例えば前記ストレージメモリＳＭに記憶されている。
【０１１９】
前記第１のメモリＷＭは、第１のメモリページサイズＭＭＵＳを有する第１のメモリページＭＭＵｉを含む。
【０１２０】
さらに、前記方法は、各第１のメモリページＭＭＵｉについて、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の数ｎの読み出しアクセスにより、前記ストレージメモリＳＭにアクセス１４するステップを含む。
【０１２１】
アクセスステップ１４は、ストレージメモリページＳＭＰｉの内容を抽出し、前記内容を第１のメモリページＭＭＵｉに記憶することにある。
【０１２２】
有利なことに、アクセスステップ１４は、ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶されているマッピングテーブルＭＴを用いて、前記ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶されている正しい圧縮チャンクＣＣｉまたは正しい非圧縮内容ＭＭＵＣｉを取り出すステップ１８を含んでもよい。前記マッピングテーブルＭＴのおかげで、１つまたは複数の選択された第１のメモリページの内容を抽出するために、全てのストレージメモリページＳＭＰｉをアクセスする必要はない。マッピングテーブルＭＴをアクセスする際、選択された第１のメモリページに対応するストレージメモリページの位置を得ることが可能である。
【０１２３】
例えば、ブート時の間に、前記マッピングテーブルＭＴをストレージメモリから一旦アクセスすることができ、これによって、メモリへのリードアクセスの数を、より多く改善する。
【０１２４】
次いで、読み出された各非圧縮内容ＭＭＵＣｉは、前記第１のメモリページＭＭＵｉに直接記憶１５され、あるいは、読み出された各圧縮チャンクＣＣｉは、前記第１のメモリページＭＭＵｉに記憶１７される前に、伸張１６される。
【０１２５】
もう１つの実施形態に係るページデータを転送する前記方法の例が、図８に示されている。
【０１２６】
図８は、例えば、上述のように定義された第２の実施形態にしたがって、データが前記ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶されている。例えば、ストレージメモリページＳＭＰｉは、マッピングテーブルＭＴと、非圧縮内容ＭＭＵＣ１と、３つの圧縮チャンクＣＣ２〜ＣＣ４を含む。
【０１２７】
前記マッピングテーブルＭＴは、まず、２つのストレージメモリページＳＭＰ１およびＳＭＰ２の読み出しによってアクセスされ、前記第１のメモリから直接リードアクセスを用いることによって、実行時間中に使用されるべき第１のメモリＷＭに記憶させることができる。
【０１２８】
次いで、前記転送方法は、第１のメモリページＭＭＵ１〜ＭＭＵ４に対応する前記ストレージメモリページＳＭＰｉに記憶された、正しい圧縮チャンクＣＣ２〜ＣＣ４または正しい非圧縮内容ＭＭＵＣ１を取り出すステップを含む。
【０１２９】
よって、各第１のメモリページＭＭＵ１〜ＭＭＵ４について、ストレージメモリＳＭに含まれる、対応するストレージメモリページＳＭＰｉが検出される。
【０１３０】
第１のメモリページＭＭＵ１について、前記非圧縮内容ＭＭＣ１が２つのストレージメモリページＳＭＰ１およびＳＭＰ２に読み込まれ、次いで、対応する第１のメモリページＭＭＵ１に記憶される。
【０１３１】
他の第１のメモリページＭＭＵ２〜ＭＭＵ４について、前記圧縮チャンクＣＣ２〜ＣＣ４が、多くとも２つのページを読み出すことによってアクセスされる。実際のところ、この例では、ｃｅｉｌ（ｒ）は２に等しい。
【０１３２】
よって、全ての読み出された非圧縮内容ＭＭＵＣｉ、および全ての伸張された、読み出された圧縮チャンクが、対応する最初の第１のメモリページＭＭＵｉに記憶される。前記第１のメモリページは、第１のメモリＷＭ、例えば作業メモリに含まれる。
【０１３３】
もう１つの実施形態に係る、ページデータ、特に例えばページコードとしての読み出し専用ページデータを転送するためのデバイス３０が、図９に示されている。図１および図２のいくつかの参照符号が、図９に報告されている。
【０１３４】
このデバイス３０は、前記ページデータを、ストレージメモリＳＭから第１のメモリＷＭ、例えば作業メモリに転送する。
【０１３５】
前記ページデータは、上で図１〜図６に定義された実施形態のいずれかに係る記憶方法を用いて、例えば前記ストレージメモリＳＭに記憶されている。
【０１３６】
さらに、前記第１のメモリＷＭは、前記第１のメモリページＭＭＵｉを含む。
【０１３７】
転送するデバイス３０は、アクセス手段３１と、伸張手段３２と、記憶手段３３と、を備える。
【０１３８】
アクセス手段３１は、各第１のメモリページＭＭＵｉについて、ｃｅｉｌ（ｒ）以下の読み出しアクセス数ｎにより前記ストレージメモリＳＭにアクセスすることができる。ストレージメモリＳＭへのｎ回のリードアクセスを用いる場合、前記アクセス手段３１は、前記ストレージメモリＳＭのｎ個のストレージメモリページＳＭＰｉの内容を抽出し、これらを、伸張手段３２に送信することができる。
【０１３９】
伸張手段３２は、各ストレージメモリページＳＭＰｉの圧縮チャンクを伸張し、伸張チャンクを、記憶手段３３に送信することができる。さらに、この伸張手段３２は、各非圧縮内容を、前記記憶手段３３に直接送信することができる。
【０１４０】
記憶手段３３は、前記非圧縮内容および前記圧縮チャンクを、前記第１のメモリページＭＭＵｉに記憶することが可能である。
【０１４１】
これらの手段のいくつかまたは全てを、例えば、マイクロプロセッサ内のソフトウェアモジュールによって、または特定のロジック回路によって実現することができる。
【０１４２】
図１０を参照すると、図９で定義されたページデータを転送するためのデバイス３０は、例えば、送信チェーンＴＸＣＨおよび受信チェーンＲＸＣＨに加えてアンテナＡＮＴを含む無線通信装置５０のデジタル部ＤＧＰに組み込んでもよい。このような無線通信装置は、例えば、セルラー携帯電話であってもよい。
【図１】
0005431497.tif 000004
【図２】
0005431497.tif 000005
【図３】
0005431497.tif 000006
【図４】
0005431497.tif 000007
【図５】
0005431497.tif 000008
【図６】
0005431497.tif 000009
【図７】
0005431497.tif 000010
【図８】
0005431497.tif 000011
【図９】
0005431497.tif 000012
【図１０】
0005431497.tif 000013