【事件の表示】
　特願２０１２−５５６２３８「プロセス均一性及び熱消散を改善するダミーＴＳＶ（スルーシリコンビア）」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年９月９日国際公開、ＷＯ２０１１／１０９５９５、平成２５年６月１０日国内公表、特表２０１３−５２１６６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年（平成２３年）３月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年３月３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年３月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２４日付けで意見書が提出され、同年１２月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年４月５日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年７月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月９日付けで拒絶査定不服の審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２８年４月５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。 
  
「【請求項１】
　多重チップ積層体を組み立てる際の使用のための少なくとも第１の集積回路を形成する方法であって、
　第１のウエハに形成された少なくとも第１の集積回路内に第１の複数のスルーシリコンビア開口をパターニングし及びエッチングすることと、
　前記第１の複数のスルーシリコンビア開口内に１つ以上の伝導性層を形成して、熱を熱的に伝導させるために前記第１の集積回路内に第１の複数のスルーシリコンビア構造を形成することと、を備え、
　前記第１の複数のスルーシリコンビア開口は、
　前記第１の集積回路内に形成されるいずれの能動回路領域をも貫通せずに第１の側から前記第１の集積回路の全体を通って第２の側に延びる少なくとも第１のスルーシリコンビア開口と、
　前記第１の集積回路内に形成されるいずれの能動回路領域まで前記第１の側から下に向かって延びるが通過はしない少なくとも第２のスルーシリコンビア開口と、を有しており、
　第２のウエハに形成された第２の複数のスルーシリコンビア構造が前記第１の複数のスルーシリコンビア構造に位置合わせされて接触するように、前記第２のウエハを前記第２の側に接合することを更に備える方法。」
第３　引用発明等
１．引用文献１
　原査定で引用された特開２００６−２４５３１１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関して、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【０００５】
　しかしながら、このような貫通プラグを有していても、マルチチップ半導体装置が含む半導体チップの放熱性は十分であるとはいえない。すなわち、特に
マルチチップ半導体装置の中心部には、発生する熱の放熱経路が存在していない。従って、マルチチップ半導体装置の内部、特にその中心部近傍では、熱がこもって高温になってしまうおそれがある
【０００６】
　マルチチップ半導体装置内部の高温化が進行すると、個々の半導体装置（半導体チップ）が具える素子が破壊されてしまうおそれがある。また、マルチチップ半導体装置自体或いはマルチチップ半導体装置が具える構成要素に変形等の不具合が生じるおそれがある。このような素子の破壊、変形等といった不具合に起因して、マルチチップ半導体装置の動作に支障をきたすおそれがある。結果として、
マルチチップ半導体装置、すなわちパッケージ
【０００７】
　ここでいうパッケージとは、複数個の半導体装置を含む、パッケージ化されたデバイスである。また、以下の説明において、
このパッケージを単に積層構造体と称する
【０００８】
　
このように、積層型のパッケージ内部の放熱効率を向上させるための技術
が嘱望されている
（２）「【発明の効果】
【００１６】
　この発明の半導体装置の構成によれば、特に、かかる
半導体装置を複数個積層してなる積層型のパッケージ内部、特にパッケージの中心部近傍での冷却効率を顕著に向上させることができる
（３）「【００２３】
　図１（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、
半導体装置１０は、絶縁膜１４を具えている。絶縁膜１４は、シリコン基板に作り込まれた素子等の構成を覆ってこれを保護している。
　（中略）
【００２７】
　貫通電極部１２は、第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通している。貫通電極部１２が第１主表面１０ａから露出する頂面（露出面）を第１頂面部１２ａと称する。また、貫通電極部１２が第２主表面１０ｂから露出する頂面を第２頂面部１２ｂと称する。貫通電極部１２は、外部端子として機能する。すなわち、
半導体装置１０の内部に作り込まれているトランジスタ等の素子
（４）「【００２８】
　
半導体装置１０は、複数の放熱貫通部２０を有している。この放熱貫通部２０は、半導体装置１０の動作により発生する熱を、半導体装置１０を取り巻く外部環境に放熱しやすくする機能部である。
　（中略）
【００３０】
　
放熱貫通部２０は、第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通している。
　（中略）
【００３６】
　貫通電極部１２、
放熱貫通部２０
は、
例えば銅又は銅合金により形成するのがよい。
（５）「【００３８】
　図１（Ｃ）に示すように、
半導体装置１０は、同一形状の複数個を積層した積層構造体とされる。
　（中略）
【００４０】
　また、
半導体装置１０は、熱伝導用バンプ２４を具えている。
複数個の半導体装置１０の放熱貫通部２０同士を熱伝導可能に接続できればよいので、複数個の半導体装置１０同士を積層するに際して、互いに対向する第１及び第２端面部２０ａ及び２０ｂの間に１つが存在するよう設けておけばよい。
（６）「【００５３】
　　（半導体装置、積層構造体及び実装構造体の製造方法例）
　以下、図２及び図３を参照して、この発明の
半導体装置１０の製造方法例
　（中略）
【００５６】
　図２（Ａ）に示すように、
先ず、半導体ウェハ１を準備する。
半導体ウェハ１には、従来公知の半導体チップの製造工程と同様に、複数の同一の構成を有するこの発明の半導体装置を同時に形成するため、複数の半導体チップ形成領域がマトリクス状に配列されている。
　（中略）
【００５９】
　図２（Ｂ）に示すように、
半導体ウェハ１に、
放熱用ヴィアホール１１ｂを含むヴィアホール１１を、従来公知の例えばホトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて
作り込む。ヴィアホール１１の形成位置は、上述ウェハプロセスにより形成された素子の機能を損なわないことを条件とし
　（中略）
【００６３】
　次いで、図２（Ｄ）に示すように、絶縁膜２上に、
ヴィアホール１１
を埋め込む金属膜３、好ましくは、例えば銅膜を形成する。
　（中略）
【００６７】
　最後に、
従来公知のダイシング装置等を用いて、半導体ウェハ１をダイシングラインＬ１に沿って切削して切断し、複数個の図３（Ｃ）に示す構成を有する半導体装置１０を個片化する。
（７）「【００８１】
　　（第２の実施の形態）
　図６を参照して、この発明の第２の実施の形態につき説明する。
第２の実施の形態の積層構造体及び実装構造体は、その最上面に、これらの構造体が発する熱をより効果的に放熱させる構成をさらに具えていることを特徴としている。この放熱効果を増強するさらなる構成を除けば、この実施の形態の積層構造体及び実装構造体自体、並びにこれらを構成する半導体装置及び実装基板については、既に説明した第１の実施の形態と何ら変わるところがない。
　（中略）
【００８３】
　
この例の実装構造体３００、すなわち積層構造体１００は、その最上面１００ａに、放熱体３０をさらに具えている。放熱体３０は、発熱体である半導体装置１０の発する熱を、外部環境である大気中に放散させるための部材である。
【００８４】
　放熱体３０としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）製のいわゆるヒートシンクを適用することができる。放熱体３０は、上面３０ａ及びこの上面３０ａと対向する下面３０ｂを有している。
放熱体３０は、
放熱貫通部連続体２０Ｘに接するように搭載されている。
【００８５】
　このような構成とすれば、貫通電極部連続体１２Ｘ及び
放熱貫通部連続体２０Ｘにより、積層構造体１００の最上面１００ａに導かれた熱を大気中に効率的に放散させることができるので、積層構造体１００を構成する半導体装置１０を、より効果的に冷却することができる。
ア．上記（１）及び（２）によれば、積層構造体とも称されるマルチチップ半導体装置の中心部には、発生する熱の放熱経路が存在していないため、特にその中心部近傍では、熱がこもって高温になってしまうおそれがあるが、引用文献１の「半導体装置及びその製造方法」によって、その放熱効率（冷却効率）を顕著に向上させることができる。
イ．上記（４）によれば、半導体装置１０は、複数の放熱貫通部２０を有しており、前記放熱貫通部２０は、前記半導体装置１０の第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通している。この放熱貫通部２０は、半導体装置１０の動作により発生する熱を、半導体装置１０を取り巻く外部環境に放熱しやすくする機能部であって、銅又は銅合金により形成するのがよい。
ウ．半導体装置１０の製造方法に関する記載である上記（６）によれば、放熱貫通部２０を形成するための工程には、半導体ウェハ１に、放熱用ヴィアホール１１ｂを含むヴィアホール１１を、ホトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて作り込むこと（【００５９】）と、前記ヴィアホール１１を埋め込む金属膜３（例えば銅膜）を形成すること（【００６３】）が含まれている。また、半導体ウェハ１には複数の半導体チップ形成領域がマトリクス状に配列されており（【００５６】）、半導体装置１０の製造工程の最後に、前記半導体ウェハ１をダイシングラインＬ１に沿って切削して切断し、複数個の半導体装置１０を個片化している（【００６７】）。
エ．上記（３）によれば、半導体装置１０は、シリコン基板にトランジスタ等の素子が作り込まれたものであり、さらに、上記（６）の【００５９】の記載によれば、上記ウの前記ヴィアホール１１は、前記素子の機能を損なわない位置に形成されている。
オ．上記（５）によれば、複数個の半導体装置１０を積層して積層構造体１００とされ、前記複数個の半導体装置１０同士を積層する際に、前記複数個の半導体装置１０の放熱貫通部２０同士は、熱伝導用バンプ２４により互いに接続される。
カ．上記（７）によれば、第２の実施の形態として、積層構造体１００は、その最上面１００ａに、放熱貫通部連続体２０Ｘに接するように搭載された放熱体３０をさらに具えており、前記積層構造体１００を構成する前記半導体装置１０を、より効果的に冷却することができる。
　したがって、上記（１）ないし（７）の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「半導体ウェハ１に形成された半導体装置１０内に複数の放熱用ヴィアホール１１ｂをホトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて作り込むことと、
　前記複数の放熱用ヴィアホール１１ｂを埋め込む金属膜３を形成して、前記半導体装置１０内に複数の放熱貫通部２０を形成することと、を備え、
　前記放熱貫通部２０は半導体装置１０の動作により発生する熱を、半導体装置１０を取り巻く外部環境に放熱しやすくする機能部であり、かつ、前記半導体装置１０の第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通しており、
　前記放熱用ヴィアホール１１ｂは、シリコン基板に作り込まれたトランジスタ等の素子の機能を損なわない位置に形成されており、
　さらに、
　前記半導体ウェハ１をダイシングラインＬ１に沿って切削して切断し、複数個の半導体装置１０を個片化することと、
　前記複数個の半導体装置１０を積層して積層構造体１００とすること、を備え、
　前記複数個の半導体装置１０同士を積層する際に、前記複数個の半導体装置１０の前記放熱貫通部２０同士は、熱伝導用バンプ２４により互いに接続される、
　方法。」
２．引用文献４
　原査定で引用された特開２０１０−２１４５１号公報（以下、「引用文献４」という。）には、「固体撮像装置およびその製造方法」に関して、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【００１３】
　また、ウェハレベルの固体撮像装置には、外部からの給電を目的として、半導体基板を貫通する貫通電極が設けられており、その貫通電極が給電経路となっている。一方、この貫通電極は、固体撮像装置から外部への放熱経路にもなっている。すなわち、例えば固体撮像装置をプリント基板にそれらの間に実装部材を介在させて実装した場合には、
半導体基板上に
発生した熱は
プリント基板へ放熱される
（２）「【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
　以上のように、従来のウェハレベルの固体撮像装置では、受光部の周囲に形成されている配線層の直下に給電を目的として形成した貫通電極が主な放熱経路となる。しかしながら、従来のウェハレベルの固体撮像装置では、ＣＣＤ型固体撮像装置の
主要な発熱源である
出力アンプ部、
主要な発熱源である
ロジック回路部
（３）「【００３４】
　半導体基板２には、半導体基板２の下面（第２の面）から上面へ向かう方向へ半導体基板２を貫通して上面側配線層４に接続する貫通電極６が形成されている。また、
半導体基板２には、さらに非貫通放熱部７が形成されている。非貫通放熱部７は、一端が半導体基板２の下面に開口し半導体基板２の下面から上面へ向かう方向へ延在し且つ他端が半導体基板２の上面に非到達の非貫通孔の内部に金属を充填した構造となっている。
（４）「【００３５】
　
半導体基板２の下面には、
非貫通放熱部７の端部に接続する下面側配線層（裏面側配線）８が形成されている。
下面側配線層８上には外部接続電極として半田ボール９が設けられる。
【００３６】
　以上のように構成された
固体撮像装置１をプリント基板１０に実装することにより、半導体基板２上に形成された固体撮像素子から発生した熱は、貫通電極６および非貫通放熱部７から下面側配線層８および半田ボール９を経てプリント基板１０へ至る放熱経路１１を通じて放熱される。
本実施の形態では、非貫通放熱部７からプリント基板へ至る経路が追加されているので、放熱効果を従来に比べて高めることが可能となる。
（５）「【００４３】
　また、
非貫通放熱部７は、受光部３以外の領域で、電力消費量の大きい部分の近傍に形成してもよい。例えば、非貫通放熱部７は、
半導体基板２の上面側の端部が出力アンプ部１４の直下の位置に配置されるように形成してもよい
主要な発熱源となる部分に近い領域に放熱経路を設けることができ、効率よく放熱を行うことができる。
　（中略）
【００４５】
　ＭＯＳ型固体撮像装置の場合には、
非貫通放熱部７は
ロジック回路部２１の直下の位置に配置されるように形成すればよい。
主要な発熱源であるタイミング・ジェネレータやＡ／Ｄコンバータなどからなるロジック回路部２１
の直下からの放熱を効率よく行うことができる。
ア．上記（３）によれば、半導体基板２には、非貫通放熱部７が形成されており、前記非貫通放熱部７は、一端が前記半導体基板２の下面に開口し前記半導体基板２の下面から上面へ向かう方向へ延在し且つ他端が前記半導体基板２の上面に非到達の非貫通孔の内部に金属を充填した構造となっている。
イ．上記（１）によれば、半導体基板上で発生した熱はプリント基板へ放熱される。具体的には、上記（４）によれば、前記半導体基板２の下面には、下面側配線層８が形成され、半田ボール９によってプリント基板１０に接続されており、半導体基板２上の発熱源で発生した熱は、非貫通放熱部７から下面側配線層８および半田ボール９を経て、放熱先であるプリント基板１０へ至る放熱経路１１を通じて放熱される。なお、半導体基板２の下面側に放熱先であるプリント基板１０が接続されているから、半導体基板２の下面は「放熱先側の面」ということができ、半導体基板２の上面は「放熱先側の面とは反対側の面」ということができる。
ウ．上記（２）及び（５）によれば、非貫通放熱部７は、受光部以外の発熱源の近傍に形成してもよく、例えば、発熱源である出力アンプ部１４の直下の位置やロジック回路部２１の直下の位置に配置されるように形成することにより、発熱源となる部分に近い領域に放熱経路を設けることができ、効率よく放熱を行うことができる。
　したがって、上記（１）ないし（５）の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用文献４には、次の技術事項が記載されている。 
「半導体基板において、発熱源から効率良く放熱するために、一端が半導体基板２の放熱先側の面に開口し、前記放熱先側の面とは反対側の面へ向かう方向へ延在するとともに、他端が前記反対側の面に非到達の非貫通孔の内部に金属を充填した構造となっている非貫通放熱部を、前記発熱源の近傍に形成すること。」
第４　対比・判断
１．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「半導体ウェハ１」及び「半導体ウェハ１に形成された半導体装置１０」は、本願発明の「第１のウエハ」及び「第１のウエハに形成された第１の集積回路」に相当する。また、引用発明の「積層構造体１００」は複数個の半導体装置１０を積層したものであるから、本願発明の「多重チップ積層体」に相当する。
　そうすると、引用発明の半導体装置１０は、本願発明の第１の集積回路と同様に、「多重チップ積層体を組み立てる際の使用のための」ものであるといえる。
（２）引用発明の放熱貫通部２０は前記半導体装置１０の第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通しているから、当該放熱貫通部２０を形成するための放熱用ヴィアホール１１ｂも前記半導体装置１０の第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通している。また、引用発明の半導体装置１０はシリコン基板に作り込まれているから、前記放熱用ヴィアホール１１はシリコン基板を貫通しているといえる。したがって、これらを総合すると、引用発明の「放熱用ヴィアホール１１」は本願発明の「第１のスルーシリコンビア開口」に相当する。
（３）放熱用ヴィアホール１１ｂを作り込むために、引用発明は「ホトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて」いるが、これは本願発明における「パターニングし及びエッチングすること」に相当する。
（４）引用発明は、放熱用ヴィアホール１１ｂを埋め込む金属膜３を形成することによって、放熱貫通部２０を形成しているが、当該放熱貫通部２０が半導体装置１０の動作により発生する熱を、半導体装置１０を取り巻く外部環境に放熱しやすくする機能部であることを勘案すると、引用発明の前記「金属膜３」及び前記「放熱貫通部２０」は、本願発明の「伝導性層」及び「第１のスルーシリコンビア構造」にそれぞれ相当する。
（５）一般にトランジスタは能動素子に含まれるものであるから、引用発明における「シリコン基板に作り込まれたトランジスタ等の素子」が存在する領域は、本願発明における「能動回路領域」に相当するものである。そして、引用発明の放熱用ヴィアホール１１ｂは、シリコン基板に作り込まれたトランジスタ等の素子の機能を損なわない位置に形成されており、かつ、上記（２）で述べたとおり前記半導体装置１０の第１主表面１０ａから第２主表面１０ｂに貫通しているから、引用発明の前記放熱用ヴィアホール１１ｂは、本願発明の第１のスルーシリコンビア開口と同様に、「前記第１の集積回路内に形成されるいずれの能動回路領域をも貫通せずに第１の側から前記第１の集積回路の全体を通って第２の側に延びる」ものであるといえる。
（６）引用発明において、放熱用ヴィアホール１１ｂを作り込むこと、及び、放熱貫通部２０を形成することは、半導体装置１０の製造方法の一部であるから（上記「第３」の「１．」の「ウ．」参照）、引用発明の方法は、半導体装置１０すなわち第１の集積回路を形成する方法を少なくとも含んでいる。
（７）引用発明においては、「前記半導体ウェハ１をダイシングラインＬ１に沿って切削して切断し、複数個の半導体装置１０を個片化すること」の後に「前記複数個の半導体装置１０を積層して積層構造体１００とすること」を行っているので、本願発明のように半導体ウエハ同士を接合してはいない。
　そうすると、本願発明と引用発明は、
「多重チップ積層体を組み立てる際の使用のための少なくとも第１の集積回路を形成する方法であって、
　第１のウエハに形成された少なくとも第１の集積回路内に第１の複数のスルーシリコンビア開口をパターニングし及びエッチングすることと、
　前記第１の複数のスルーシリコンビア開口内に１つ以上の伝導性層を形成して、熱を熱的に伝導させるために前記第１の集積回路内に第１の複数のスルーシリコンビア構造を形成することと、を備え、
　前記第１の複数のスルーシリコンビア開口は、
　前記第１の集積回路内に形成されるいずれの能動回路領域をも貫通せずに第１の側から前記第１の集積回路の全体を通って第２の側に延びる少なくとも第１のスルーシリコンビア開口を有している、
　方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明は、「前記第１の集積回路内に形成されるいずれの能動回路領域まで前記第１の側から下に向かって延びるが通過はしない少なくとも第２のスルーシリコンビア開口」を有しているのに対して、引用発明はそのような開口を有していない点。
［相違点２］
　本願発明は、「第２のウエハに形成された第２の複数のスルーシリコンビア構造が前記第１の複数のスルーシリコンビア構造に位置合わせされて接触するように、前記第２のウエハを前記第２の側に接合すること」を更に備えているのに対して、引用発明は、半導体ウェハ１を切断して複数個の半導体装置１０を個片化した後に積層しているので、ウエハ同士を接合することは行っていない点。
２．判断
（１）相違点１について
　引用発明は、積層構造体の放熱効率（冷却効率）を向上させることを課題とする発明であるが（上記「第３」の「１．」の「ア．」参照）、引用文献１の第２の実施の形態には、放熱効率（冷却効率）をより向上させるために、引用発明のように放熱貫通部２０を形成することに加えて、放熱効率（冷却効率）を向上させることができる他の手段（放熱体３０）を積層構造体に採用（併用）することが記載されている（上記「第３」の「１．」の「カ．」参照）。
　そして、引用文献４に記載の非貫通放熱部も、半導体装置において放熱効率（冷却効率）を向上させることができる手段であるから、引用発明において、放熱効率（冷却効率）をより向上させるために、引用文献４に記載の「半導体基板において、発熱源から効率良く放熱するために、一端が半導体基板２の放熱先側の面に開口し、前記放熱先側の面とは反対側の面へ向かう方向へ延在するとともに、他端が前記反対側の面に非到達の非貫通孔の内部に金属を充填した構造となっている非貫通放熱部を、前記発熱源の近傍に形成すること。」という技術事項を採用（併用）して、放熱貫通部２０に加えて、トランジスタ等の素子（すなわち、能動回路領域）の近傍に前記非貫通放熱部を形成するようにすることは、当業者が適宜なし得ることである。そして、前記非貫通放熱部を形成する際に、前記放熱貫通部２０を形成する際と同様に、半導体装置１０内に複数のヴィアホール（本願発明の「第２のスルーシリコンビア開口」に相当）をホトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて作り込むことは、当業者が普通になし得ることである。
　そして、相違点１に係る本願発明の効果も、引用発明及び引用文献４に記載の技術事項の効果に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別のものとはいえない。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、
「しかしながら、引用文献４に記載された発明では、例えば図１に示されているように、受光部３及びレンズ５を半導体基板２の上面（本願発明の「第２の側」に対応）に設けることによって、半導体基板２の上方に位置する撮像対象を撮像可能に構成されております。したがって、引用文献４に記載された発明において、外部装置（例えば、貫通電極６に位置合わせされて接触可能な複数のスルーシリコンビア構造を有する他のウエハ等）を半導体基板２の上面側に接合することは、撮像対象を撮像するのが外部装置の存在によって困難になることから、全く想定されていないものと思料致します。」及び「さらに、引用文献４には、貫通電極６の他端が形成されている一方で非貫通放熱部７の他端が形成されていない半導体基板２の上面（本願発明の「第２の側」に対応）において外部装置を接合するという構成が何等開示又は示唆されていない以上、仮に、引用文献１〜３に記載された発明に対して、引用文献４に記載された構成を採用したとしても、本願請求項１に係る発明と同等の構成を得ることは到底不可能であります。」
と主張している。
　しかしながら、引用文献４に記載されている発熱源は、上記「第３」の「２．」の（２）及び（５）に摘示したように、受光部のような固体撮像素子に特有なものに限定されておらず、アンプ部やロジック回路部のような固体撮像素子以外の半導体基板においても存在し得る発熱源も含まれているから、引用文献４に記載されている非貫通放熱部を発熱源の近傍に形成して効率良く放熱するという技術事項は、放熱源を有する半導体基板全般に適用可能なものであることは明らかである。
　したがって、引用文献４に記載の固体撮像素子において、外部装置を半導体基板の上面側に接合することは全く想定されていないからといって、引用文献４に記載の上記技術事項を、トランジスタ等の素子という発熱源を有する引用発明に適用できないというものではないから、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
（２）相違点２について
　積層構造体を製造する際に、個片化された半導体装置を積層することに代えて、複数の半導体装置が形成されたウエハを積層して接合した後に、当該ウエハを切断して複数個の積層構造体を得るようにすることは、例えば、国際公開第２００８／１０８３３４号（原査定で引用された引用文献２。段落［００３０］参照。）、特開２００４−５５７７０号公報（段落【００６１】ないし【００６６】参照。）、国際公開第２００６／０２７９８１号（段落［００７９］ないし［００８２］参照。）に記載があるように周知技術にすぎない。
　したがって、上記周知技術を採用することによって、引用発明においてもウエハを積層して接合した後に、当該ウエハを切断して複数個の積層構造体を得るようにすることは、当業者にとって格別の技術的困難性を伴うことではない。また、ウエハを積層して接合する際に、放熱貫通部２０同士が接続されるように位置合わせをすることは、当業者であれば当然に行うことである。
　そして、相違点２に係る本願発明の効果も、引用発明及び周知技術の効果に基づいて当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別のものとはいえない。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び引用文献４に記載の技術事項並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第５　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び引用文献４に記載の技術事項並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。