(57)【要約】  Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備え、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の平均径をＸ、カーボン又はボロンの粒子径をＹとした場合、Ｙ／Ｘが１／１０〜１／１００００の範囲にあることを特徴とするＳｂ及びＴｅを主成分とするＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。Ｓｂ−Ｔｅ基合金スパッタリングターゲット組織の改善を図り、焼結ターゲットのクラック発生を抑制し、スパッタリング時にアーキングの発生を防止する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備え、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の平均径をＸ、カーボン又はボロンの粒子径をＹとした場合、Ｙ／Ｘが１／１０〜１／１００００の範囲にあることを特徴とするＳｂ及びＴｅを主成分とするＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項２】
カーボン又はボロンを除くＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体の原料としてガスアトマイズ粉を用いることを特徴とする請求項１記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項３】
カーボン又はボロンの含有量を０．１〜１０ａｔ％とすることを特徴とする請求項１又は２記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を、最大３０ａｔ％含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項５】
カーボン又はボロンを含有するＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのターゲットであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のスパッタリング用Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カーボン又はボロンを含有すると共に、パーティクル発生を効果的に抑制することができるＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、相変化記録用材料として、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体としてＳｂ−Ｔｅ基材料からなる薄膜が用いられるようになってきた。このＳｂ−Ｔｅ基合金材料からなる薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法などの、一般に物理蒸着法と言われている手段によって行われるのが普通である。特に、操作性や皮膜の安定性からマグネトロンスパッタリング法を用いて形成することが多い。【０００３】
スパッタリング法による膜の形成は、陰極に設置したターゲットにＡｒイオンなどの正イオンを物理的に衝突させ、その衝突エネルギーでターゲットを構成する材料を放出させて、対面している陽極側の基板にターゲット材料とほぼ同組成の膜を積層することによって行われる。
スパッタリング法による被覆法は処理時間や供給電力等を調節することによって、安定した成膜速度でオングストローム単位の薄い膜から数十μｍの厚い膜まで形成できるという特徴を有している。【０００４】
相変化記録膜用Ｓｂ−Ｔｅ基合金材料からなる膜を形成する場合に、特に問題となるのは、スパッタリング時にパーティクルが発生したりあるいは異常放電（マイクロアーキング）やクラスター状（固まりになって付着）の薄膜形成の原因となるノジュール（突起物）の発生や、スパッタリングの際にターゲットのクラック又は割れが発生したりすること、さらにはターゲット用焼結粉の製造工程で多量に酸素等のガス成分を吸収することである。
このようなターゲット又はスパッタリングの際の問題は、記録媒体である薄膜の品質を低下させる大きな原因となっている。  【０００５】
上記の問題は、焼結用粉末の粒径又はターゲットの構造や性状によって大きく影響を受けることが分かっている。しかしながら、従来は相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ基合金スパッタリングターゲットを製造する際に、焼結によって得られるターゲットが十分な特性を保有していないということもあって、スパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生、さらにはターゲット中に含まれる多量の酸素等のガス成分を避けることができなかった。【０００６】
従来のＳｂ−Ｔｅ基スパッタリング用ターゲットの製造方法として、Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金について不活性ガスアトマイズ法により急冷した粉末を作製し、Ｇｅ／Ｔｅ＝１／１、Ｓｂ／Ｔｅ＝０．５〜２．０なる割合をもつ合金を均一に混合した後加圧焼結を行うＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ基スパッタリング用ターゲットの製造方法が開示されている（例えば特許文献１参照）。
また、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む合金粉末のうち、タップ密度（相対密度）が５０％以上になる粉末を型に流し込み、冷間もしくは温間で加圧し、冷間加圧後の密度が９５％以上である成形材をＡｒもしくは真空雰囲気中で熱処理を施すことにより焼結することにより、該焼結体の含有酸素量が７００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ基スパッタリングターゲットの製造方法及びこれらに使用する粉末をアトマイズ法により製造する技術の記載がある（例えば特許文献２参照）。【０００７】
また、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含む原料について不活性ガスアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末の内２０μｍ以上であり、かつ単位重量当たりの比表面積が３００ｍｍ２／ｇ以下である粒度分布を有する粉末を使用し、冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ基スパッタリングターゲット材の製造方法の記載がある（例えば、特許文献３参照）。
この他にアトマイズ粉を使用してターゲットを製造する技術としては、下記特許文献４、５、６がある。
しかし、以上の特許文献については、アトマイズ粉をそのまま使用するもので、ターゲットの十分な強度が得られておらず、またターゲット組織の微細化及び均質化が達成されているとは言い難い。また、許容される酸素含有量も高く、相変化記録層を形成するためのＳｂ−Ｔｅ基スパッタリングターゲットとしては、十分とは言えないという問題がある。【０００８】
さらに、光ディスク記録膜形成用スパッタリングターゲットであって、表面酸化膜又は加工層を除去し、さらに表面粗さを中心線平均粗さＲａ≦１．０μｍとしたターゲットが知られている（特許文献７参照）。このターゲットの目的は、プレスパッタ時間を短縮すること、あるいは全くプレスパッタを必要としないようにすることであり、この目的に対しては極めて有効である。
しかし、最近ＤＶＤやＢＤ（Blue Ray Disc）などでは、さらに高密度化が進み、製品歩留りを向上させるために、ターゲットに起因するパーティクルの低減が極めて重要になっている。
したがって、上記のようなプレスパッタの短縮化に限らず、パーティクル、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れ発生等を効果的に抑制するために、ターゲットの表面だけでなく、ターゲット全体の品質改善が必要になっている。【０００９】
さらに、最近は相変化記録膜の電気抵抗を高くして、書き込み消去動作時に流れる電流値を低減させ、消費電力を小さくすることにより回路への負担を軽減しようとする提案がある。この一つの方策としてカーボン粉末をスパッタリングターゲットに混入させて低抵抗化を図る提案がなされている（特許文献８参照）。
しかし、カーボン粉末は非金属なので、従来のＳｂ−Ｔｅ基合金スパッタリングターゲットにカーボンを混合すると、むしろ異物的な添加物となり、スパッタ時に異常放電が発生し易く、パーティクルの発生が多くなり、場合によってはターゲットにクラックが発生することもあり、好ましい添加物とは言えない問題があった。【００１０】
【特許文献１】特開２０００−２６５２６２号公報
【特許文献２】特開２００１−９８３６６号公報
【特許文献３】特開２００１−１２３２６６号公報
【特許文献４】特開昭１０−８１９６２号公報
【特許文献５】特開２００１−１２３２６７号公報
【特許文献６】特開２０００−１２９３１６号公報
【特許文献７】特開２０００−１６９９６０号公報
【特許文献８】特開２００４−３６３５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、相変化記録層形成用Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体ターゲットにカーボン又はボロンを添加し、相変化記録層の電気抵抗の増加を図るものであるが、上記の諸問題点の解決、特にスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生、ターゲットのクラック又は割れの発生等を効果的に抑制できるターゲットを提供するものである。特に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなる相変化記録層を形成するためのスパッタリング用Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体ターゲットを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記問題点を解決するための技術的な手段は、安定しかつ均質な相変化記録層は、粉末の性状並びにターゲットの構造及び特性を工夫することによって得ることができるとの知見を得た。
この知見に基づき、本発明は
１）Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットにおいて、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備え、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の平均径をＸ、カーボン又はボロンの粒子径をＹとした場合、Ｙ／Ｘが１／１０〜１／１００００の範囲にあることを特徴とするＳｂ及びＴｅを主成分とするＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
２）カーボン又はボロンを除くＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体の原料としてガスアトマイズ粉を用いることを特徴とする上記１）記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
３）カーボン又はボロンの含有量を０．１〜１０ａｔ％とすることを特徴とする上記１）又は２）記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
４）Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を、最大２０ａｔ％含有することを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット
５）Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を、最大３０ａｔ％含有することを特徴とする上記１）〜４）のいずれかに記載のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体は、添加した非金属であるカーボンやボロンの粗大化を抑制しているので、これらを起点とする異常放電を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができるという優れた効果を有する。また、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例２のターゲット表面のＳＥＭ写真を示す。
【図２】比較例１のターゲット表面のＳＥＭ写真を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、Ｓｂ−Ｔｅ基合金のガスアトマイズ粉又は機械粉砕して得た粉末を使用して焼結し、焼結体スパッタリングターゲットを得る。
一般に、ガスアトマイズ粉は、機械粉末に比べ極めて微細な粉末を得ることができ、粉砕機械の使用による汚染が防止できるので、そのまま焼結粉末として使用するのが望ましいと言える。このガスアトマイズ粉を用いて焼結したターゲットは、その表面粗さＲａが０．１μｍ以下に小さくなり、後述するように、機械粉砕した粉末に比べ特性上優れている。
しかし、本願発明の条件を満たしている限り、機械粉砕粉を使用することについては特に問題となるものではない。機械粉砕するに際しては、酸素含有量を低減させるために、不活性雰囲気中で機械粉砕することが望ましい。機械粉砕には、振動ボールミルなどを使用することができる。【００１６】
本発明のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットは、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン（Ｃ）又はボロン（Ｂ）の粒子が包囲する組織を備えていることが大きな特徴である。
このカーボン又はボロンの１μｍ以上、特に１０μｍ以上の粗大化した粒子が存在する場合には、それを起点とするアーキングが発生し易くなり、パーティクル発生の原因となる。この傾向はカーボン又はボロンの粒子径がまだそれほど大きくない場合には、それほど大きな影響を与えないが、粗大化と共に弊害が大きくなる。【００１７】
特に、パーティクル発生の原因は、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の径とカーボン又はボロンの粒子径が近似している場合に、大きくなる傾向にある。すなわち、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の径とカーボン又はボロンの粒子径の比が十分に大きい場合には、アーキング及びパーティクルの発生を大きく抑制できる効果がある。
本発明者らによる研究によって、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の平均径をＸ、カーボン又はボロンの粒子径をＹとした場合、Ｙ／Ｘが１／１０〜１／１００００の範囲にあることが、アーキング及びパーティクルの発生を効果的に抑制できるとの知見を得た。【００１８】
Ｙ／Ｘが１／１０を超えるようなＹ／Ｘの場合には、アーキング及びパーティクルの発生を抑制効果が低い。また、１／１００００よりも小さいＹ／Ｘの場合には、製造が事実上難しいという問題がある。したがって、上記の範囲とすることが好ましい。また、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子は大きな影響を受けるものではないが、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の平均結晶粒径は５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下の均一組織であることがより望ましいと言える。
多くの場合、粗大化したＳｂ−Ｔｅ基合金粒子は小さいＳｂ−Ｔｅ基合金粒子を伴うものであり、粗大化したＳｂ−Ｔｅ基合金粒子は小さいＳｂ−Ｔｅ基合金粒子の混在は組織の不均一化を招く。したがって、同様にアーキング及びパーティクルの発生原因となるからである。
また、ターゲットの結晶粒径を小さくすることにより、エロージョンされたターゲットの表面を、エロージョン後も平滑とすることができ、従前のエロージョン面に発生した凹凸にリデポが付着し、それがノジュールに成長し、これが崩壊することによって発生するパーティクルも抑制することが可能となるという利点がある。【００１９】
また、上記の条件のターゲットを作製する場合には、カーボン又はボロンの選択と混合及びこれらの焼結体の製造条件を調整することが重要である。しかし、上記Ｙ／Ｘが１／１０〜１／１００００の範囲に調整できれば、その製造工程に制限を課す必要がないことは知るべきである。
以上から、カーボン又はボロンを除くＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体の原料としてガスアトマイズ粉を用いることが、好ましい条件である。また、添加するカーボン又はボロンの含有量は０．１〜１０ａｔ％とすることが望ましい。０．１ａｔ％未満では添加の効果がなく、また１０ａｔ％を超える添加では、抵抗が増大して相変化記録層の機能を低下させるので望ましくない。【００２０】
また、本願発明のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットは、副成分として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を、最大３０ａｔ％含有させることができる。添加の効果を持たせるためには、通常１５ａｔ％以上とするのが良い。Ｓｂの含有量も１５〜３０ａｔ％を添加し、残量をＴｅとする。
添加元素として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を最大３０ａｔ％含有させる場合には、所望のガラス転移点や変態速度を得ることができる。特に、カーボン又はボロンを含有するＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金又はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなるターゲットが相変化記録層形成用として有効な成分である。【００２１】
本願発明の主要な要件ではないが、付加的な条件として、表面粗さＲａが０．４μｍ以下、ガス成分を除く純度が４Ｎ以上、不純物であるガス成分の含有量が１５００ｐｐｍ以下とすることもできる。ターゲットの表面粗さは表面欠陥の存在に強く影響するので、表面粗さが大きければ、その背後に加工変質層を含む表面欠陥があることを意味するからである。加工変質層を含む表面欠陥は、大量のクラック発生につながる。一見、表面粗さと表面欠陥は直接的な関係がないように見えるが、表面粗さに隠れた表面欠陥が存在する。
表面粗さＲａを０．４μｍ以下とすることにより、このような加工変質層を含む表面欠陥の殆どをターゲットから消失させることができ、ターゲットのクラック発生を防止し、クラックに起因するパーティクル発生を、より効果的に抑制することができるという利点がある。【００２２】
また、Ｓｂ−Ｔｅ基合金焼結体スパッタリングターゲットの純度を上げることにより、主成分又は添加副成分以外の不純物、例えば酸化物等は、それを起点とする異常放電（アーキング）の原因となる。本願発明では、４Ｎ以上の純度を有し、この不純物によるアーキングを効果的に防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができる。純度はさらに５Ｎ以上であることが望ましい。
また、不純物であるガス成分の含有量を１５００ｐｐｍ以下とすることが望ましい。これを超える酸素、窒素、炭素等のガス成分の含有は、酸化物、窒化物、炭化物等の不純物発生の原因となり易い。これを減少させることは、アーキングを防止し、このアーキングによるパーティクルの発生を抑制することにつながる。【００２３】
このように、本願発明のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体は、添加した非金属であるカーボンやボロンの粗大化を抑制しているので、これらを起点とする異常放電を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができるという優れた効果を有する。
さらに、ターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られる大きな効果を得ることができる。【００２４】
このように、本願発明の結晶構造の相変化ターゲットは、スパッタエロージョンによる表面凹凸が減少し、ターゲット上面へのリデポ（再付着物）膜剥離によるパーティクル発生が抑制できる効果がある。また、このような組織によりスパッタ膜も面内及びロット間の組成変動が抑えられ、相変化記録層の品質が安定するというメリットがある。そして、このようにスパッタリングの際の、パーティクルの発生、異常放電、ノジュールの発生等を効果的に抑制することができる効果を有する。
本発明のＳｂ−Ｔｅ基スパッタリングターゲットにおいて、さらに、付加的に酸素等のガス成分含有量を１５００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍ以下さらには、酸素等のガス成分含有量を５００ｐｐｍ以下とすることができる。このような酸素等のガス成分の低減は、パーティクルの発生や異常放電の発生をさらに低減することができるメリットがある。
【実施例】
【００２５】
本発明の実施例について説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想の範囲内で、実施例以外の態様あるいは変形を全て包含するものである。
（実施例１）
ガス成分を除くそれぞれの純度が４Ｎ以上であるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅ粉末原料をＡｇ５Ｉｎ５Ｓｂ７０Ｔｅ２０合金となるように調合・合成し、不活性雰囲気中で機械粉砕した。これによって、表１に示す通りの、平均粒度８．０μｍの粒度の粉末（Ｘ）を得た。
次に、これを（１）、（２）、（３）、（４）の４種類に分け、それぞれの粉末に、表１に示す通りの、平均粒子径：３０ｎｍ、５０ｎｍ、７ｎｍ、７５０ｎｍのカーボン粉末（Ｙ）を５ａｔ％混合し、ホットプレスした。このようにして得た焼結体を機械加工し、さらにこれを研磨して、所定量のカーボンを含有するＡｇ５Ｉｎ５Ｓｂ７０Ｔｅ２０合金ターゲットとした。
Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボンの粒子が包囲する組織を備えていた。表１に、Ｙ／Ｘの比率と密度を示す。ターゲットにクラックの発生は全く認められなかった。【００２６】
このターゲットを用いて２００ｍｍφのＳｉウエハー上にスパッタリングを実施した。この結果、アーキングの発生がなく、１０ｋＷ・ｈｒまで及び１００ｋＷ・ｈｒまでのスパッタリングを実施した場合の、パーティクル発生個数の結果を表１に示す。
表１に示すように、１０ｋＷ・ｈｒまで及び１００ｋＷ・ｈｒまでのスパッタリングを実施した場合の、２００ｍｍφＳｉウエハー上に形成された０．３μｍ以上のパーティクル発生個数は、（１）では≦４０個、（２）では≦４０個、（３）では≦１０個、（４）ではでは≦４０個であり、優れたターゲットが得られた。この中で、特に（３）の結果が最も良好であった。
（３）のケースは、カーボンの平均粒度が最も小さい７ｎｍの場合であり、カーボンの平均粒度が小さい場合に、パーティクル発生抑制効果が、より高いことが分る。【００２７】
【表１】
2008044626.tif 000002
【００２８】
（実施例２）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金原料を、ガスアトマイズ装置を用い、噴射ガスとしてアルゴン（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）を使用して７８０°Ｃで噴射しアトマイズ粉を製造した。これによって、きれいな球形の粉末が得られた。
このガスアトマイズ粉は、表２に示す通りの、平均直径３２．０μｍの粒度の粉末（Ｘ）を得た。次に、これを（１）、（２）、（３）、（４）の４種類に分け、それぞれの粉末に、表２に示す通りの、平均粒子径：３０ｎｍ、５０ｎｍ、７ｎｍ、７５０ｎｍのカーボン粉末（Ｙ）を５ａｔ％混合し、ホットプレスした。
このようにして得た焼結体を機械加工し、さらにこれを研磨して、所定量のカーボンを含有するＧｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金ターゲットとした。表２に、Ｙ／Ｘの比率と密度を示す。【００２９】
このようにして得たターゲット表面のＳＥＭ写真を図１に示す。この図１に示すように、クラック等の欠陥は全く見られず、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボン又はボロンの粒子が包囲する組織を備えていた。
表１に示すように、１０ｋＷ・ｈｒまで及び１００ｋＷ・ｈｒまでのスパッタリングを実施した場合の、２００ｍｍφＳｉウエハー上に形成された０．３μｍ以上のパーティクル発生個数は、（１）では≦４０個、（２）では≦４０個、（３）では≦４０個、（４）ではでは≦４０個であり、優れたターゲットが得られた。本実施例２の場合、Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金の粒径は３２．０μｍであり、実施例１に比べてやや大きいという特徴を有するが、ほぼ同様のパーティクル発生個数となった。【００３０】
【表２】
2008044626.tif 000003
【００３１】
（比較例１）
Ｇｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金原料を、ガスアトマイズ装置を用い噴射ガスとしてアルゴン（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）を使用して７８０°Ｃで噴射し、２種類のアトマイズ粉を製造した。このアトマイズ粉をこのガスアトマイズ粉は、表３に示す通りの、平均粒径８．０μｍの粒度の粉末（Ｘ）である（１）、（２）と平均直径３２．０μｍの粒度の粉末（Ｘ）である（３）、（４）を得た。この４種類の合金粉末に、表３に示す通りの、それぞれ平均粒子径：８．８ｎｍ、３３．０ｎｍ、８．８ｎｍ、３３．０ｎｍのカーボン粉末（Ｙ）を５ａｔ％混合し、ホットプレスした。
このようにして得た焼結体を機械加工し、さらにこれを研磨して、所定量のカーボンを含有するＧｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金ターゲットとした。表３に、Ｙ／Ｘの比率と密度を示す。このＹ／Ｘの比率は本願発明の条件を満足しておらず、カーボン粒子の径が大きくなった。【００３２】
このようにして得たターゲット表面のＳＥＭ写真を図２に示す。この図２に示すように、クラック等の欠陥は見られないが、Ｓｂ−Ｔｅ基合金粒子の周囲に微小なカーボンの粒子が存在せず、点状に粗大化したカーボンが観察された。
表３に示すように、１０ｋＷ・ｈｒまで及び１００ｋＷ・ｈｒまでのスパッタリングを実施した場合の、２００ｍｍφＳｉウエハー上に形成された０．３μｍ以上のパーティクル発生個数は、（１）では＞４０個、（２）では＞２００個、（３）では＞４０個、（４）ではでは＞４０個であり、パーティクル発生が多く、従来と同様の、劣るターゲットとなった。【００３３】
【表３】
2008044626.tif 000004
【００３４】
実施例１−２及び比較例１ではカーボン（Ｃ）について説明したが、ボロン（Ｂ）を添加した場合も、カーボン添加と同様の作用及び効果となるのが確認できた。また、本実施例では、カーボンを添加したＡｇ５Ｉｎ５Ｓｂ７０Ｔｅ２０合金及びＧｅ２２．２Ｓｂ２２．２Ｔｅ５５．６合金ターゲットについて説明したが、副成分として、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄから選択した１種以上の元素を添加した場合においても、カーボン又はボロンを添加する効果については、同様の結果となった。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明のＳｂ−Ｔｅ基合金焼結体は、添加した非金属であるカーボンやボロンの粗大化を抑制しているので、これらを起点とする異常放電を防止することが可能となり、アーキングによるパーティクルの発生を抑制することができるという優れた効果を有し、またターゲットの仕上げの段階で、切削加工等の機械加工を行うが、粗大化したカーボンやボロンが存在する場合には、それらを起点としたクラック等が発生する虞があり、これを起点とするパーティクル発生も考えられたが、本発明により、これらも未然に防止できるという大きな効果が得られるので、相変化記録用材料、すなわち相変態を利用して情報を記録する媒体として極めて有用である。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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