(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、前記メサ構造の上部に設けられた、実装キャリアの電極配線と接続するためのバンプ電極からなる上部電極、および前記メサ構造の下部に設けられた下部電極を備える第１半導体受光素子と、
前記半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、前記半導体基板および前記メサ構造上を通って配置された配線によって、前記第１半導体受光素子の下部電極との間が電気的に接続されてなるバンプ電極からなる上部電極を備えた第１メサと、
前記半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、前記実装キャリア上の前記電極配線と接続されることで、前記第１半導体受光素子の上部電極と同電位となる前記メサ構造の上部に設けられたバンプ電極からなる上部電極を備えた第２メサと、
前記半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、前記メサ構造の上部に設けられた、上部電極、および前記メサ構造の下部に設けられた下部電極を備えるメサ構造の第２半導体受光素子と、を備え、
前記第２メサの上部電極は、前記半導体基板および前記メサ構造上を通って配置された配線によって、前記第２半導体受光素子の下部電極と接続されてなることを特徴とする半導体受光装置。
【請求項２】
前記半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、前記実装キャリア上の前記電極配線と接続されることで、前記第２半導体受光素子の上部電極と同電位となる、前記メサ構造の上部に設けられたバンプ電極からなる上部電極を備える第３メサをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体受光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体受光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体受光装置には、フリップチップ型のメサ状の半導体受光素子が半導体基板上に配置された構成のものがある。この半導体受光装置においてキャリアに受光素子を配置する場合、メサ状の半導体受光素子の機能を有さない構造体（ダミーメサ）を配置することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体受光装置においては、半導体受光素子の下部電極からダミーメサの表面に沿って上部まで配線を設けることによって、キャリアの配線に接続することができる。しかしながら、さらに別の電子部品と接続するために半導体受光素子の上部電極からメサ表面に沿ってメサの底部まで配線を設けると、この配線と上記半導体受光素子との間に高電界が印加されてしまう。その結果、半導体受光素子の表面を覆う絶縁膜が破壊されてリーク電流が増大するおそれがある。また、配線と半導体受光素子との間で寄生容量が発生し、特性の劣化が生じる原因にもなる。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体受光素子からのリーク電流や寄生容量を抑制することができる半導体受光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、メサ構造の上部に設けられた、実装キャリアの電極配線と接続するためのバンプ電極からなる上部電極、およびメサ構造の下部に設けられた下部電極を備える第１半導体受光素子と、半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、半導体基板およびメサ構造上を通って配置された配線によって、第１半導体受光素子の下部電極との間が電気的に接続されてなるバンプ電極からなる上部電極を備えた第１メサと、半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、実装キャリア上の電極配線と接続されることで、第１半導体受光素子の上部電極と同電位となるメサ構造の上部に設けられたバンプ電極からなる上部電極を備えた第２メサと、半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、メサ構造の上部に設けられた、上部電極、およびメサ構造の下部に設けられた下部電極を備えるメサ構造の第２半導体受光素子と、を備え、第２メサの上部電極は、半導体基板およびメサ構造上を通って配置された配線によって、第２半導体受光素子の下部電極と接続されてなることを特徴とするものである。
【０００８】
半導体基板上に設けられ、メサ構造を有し、実装キャリア上の電極配線と接続されることで、第２半導体受光素子の上部電極と同電位となる、メサ構造の上部に設けられたバンプ電極からなる上部電極を備える第３メサをさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る半導体受光装置によれば、半導体受光素子からのリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は実施例１に係る半導体受光装置に含まれるメサの平面図であり、（ｂ）は半導体受光装置の電気回路図である。
【図２】図１（ｂ）のＷ−Ｗ´線断面図である。
【図３】実施例１の変形を示す図である。
【図４】（ａ）は実施例２に係る半導体受光装置に含まれるメサの平面図であり、（ｂ）は半導体受光装置の電気回路図である。
【図５】図４（ａ）のＸ−Ｘ´線断面図である。
【図６】（ａ）は実施例３に係る半導体受光装置に含まれるメサの平面図であり、（ｂ）は半導体受光装置の電気回路図である。
【図７】キャリアのキャリア配線を破線で表した図である。
【図８】図６（ａ）のＹ−Ｙ´線断面図である。
【図９】（ａ）は実施例４に係る半導体受光装置に含まれるメサの平面図であり、（ｂ）は半導体受光装置の電気回路図である。
【図１０】キャリアのキャリア配線を破線で表した平面図である。
【図１１】図１０（ａ）のＺ−Ｚ´線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００１４】
図１（ａ）は、実施例１に係る半導体受光装置１００に含まれるメサの平面図である。図１（ａ）に示すように、半導体受光装置１００は、半導体受光素子１０ａおよびダミーメサ２０ａ，２０ｂを含む。半導体受光素子１０ａおよびダミーメサ２０ａ，２０ｂは、後述する半絶縁性半導体基板５０上に配置されている。半導体受光素子１０ａ、およびダミーメサ２０ａ，２０ｂは、メサ状に形成されている。また、半導体受光装置１００は、後述するキャリア４０を含んでいる。図１（ａ）においては、キャリア４０のキャリア配線を破線で示している。
【００１５】
図１（ａ）に示すように、半導体受光素子１０ａは、下部メサ１１上に、上部メサ１２および上部電極１３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ１１は、円柱形状を有している。上部メサ１２は、下部メサ１１よりも小さい径を有する円柱形状を有し、下部メサ１１の略中央に配置されている。上部メサ１２は、受光領域として機能する。上部電極１３は、上部メサ１２よりも小さい径を有する円柱形状を有し、上部メサ１２の略中央に配置されている。すなわち、半導体受光素子１０ａは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。さらに、半導体受光素子１０ａは、下部メサ１１上の上部メサ１２以外の領域に、下部電極１４を備える。
【００１６】
ダミーメサ２０ａ，２０ｂは、下部メサ２１上に、上部メサ２２および上部電極２３がこの順に配置された構造を有する。例えば、下部メサ２１は、円柱形状を有している。上部メサ２２は、下部メサ２１よりも小さい径を有する円柱形状を有し、下部メサ２１の略中央に配置されている。上部電極２３は、上部メサ２２よりも小さい径を有する円柱形状を有し、上部メサ２２の略中央に配置されている。すなわち、ダミーメサ２０ａ，２０ｂは、下部ほど径が大きく上部ほど径が小さいメサ形状を有する。
【００１７】
半導体受光素子１０ａの下部電極１４とダミーメサ２０ａの上部電極２３とは、ダミーメサ２０ａの表面を通る配線１５ａによって接続されている。一方、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とは、キャリア４０のキャリア配線によって接続されている。したがって、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３との間には、半導体受光素子１０ａの表面を通る配線が設けられていない。
【００１８】
図１（ｂ）は、半導体受光装置１００の電気回路図である。図１（ｂ）に示すように、半導体受光装置１００は、さらに、ｎ側端子１０１およびｐ側端子１０２を備える。半導体受光素子１０ａとｎ側端子１０１とを接続する配線は、図１（ａ）に示すダミーメサ２０ａの上部電極２３を経由する。ｐ側端子１０２と半導体受光素子１０ａとの間の配線は、図１（ａ）に示すダミーメサ２０ｂの上部電極２３を経由する。
【００１９】
図２は、図１（ａ）のＷ−Ｗ´線断面図である。図２においては、キャリア４０の断面も示されている。本実施例においては、半導体受光素子１０ａとして、裏面入射型の受光素子を用いている。図２においては、下方向が半絶縁性半導体基板５０の第１主面側（光入射側）とし、上方向が第２主面側（光入射と反対側）とする。
【００２０】
図２に示すように、半導体受光素子１０ａおよびダミーメサ２０ａ，２０ｂは、半絶縁性半導体基板５０上に形成されている。半絶縁性半導体基板５０は、例えば、ＩｎＰ等からなる。半絶縁性半導体基板５０の第１主面において半導体受光素子１０ａに対応する領域には、レンズ５１が形成されている。このとき、レンズ５１は、半導体基板面よりも深く削られている。それにより、半絶縁性半導体基板５０の第１主面に入射される光を半導体受光素子１０ａに対して集光することができる。また、半絶縁性半導体基板５０のレンズ５１の外周部には、位置合わせマーク５３が形成されており、レンズ５１と位置合わせマーク５３とを同じ工程で形成することができる。なお、半絶縁性半導体基板５０の第１主面には、ＳｉＮ等からなる低反射膜５２が形成されている。
【００２１】
半導体受光素子１０ａは、半絶縁性半導体基板５０側から順にコンタクト層３１、光吸収層３２、およびｎ窓層３３が積層された構造を有する。ｎ窓層３３にはｐ窓層３６が形成されている。ｐ窓層３６は、ｐ型半導体からなり、例えばｐ−ＩｎＰからなる。ｐ窓層３６は、ｎ型のｎ窓層３３にｐ型ドーパントを拡散させることによって作製することができる。ｐ窓層３６上には、コンタクト層３７が配置されている。コンタクト層３７は、ｐ型半導体からなり、例えばｐ−ＩｎＧａＡｓからなる。
【００２２】
コンタクト層３１、光吸収層３２、およびｐ窓層３６は、絶縁層３５によって覆われている。コンタクト層３７上には、バンプ電極である上部電極１３が配置されている。なお、コンタクト層３７の上部と接している絶縁層３５の一部は除かれており、上部電極１３は、コンタクト層３７と導通している。また、コンタクト層３１の露出部分に、下部電極１４が形成されている。下部電極１４とダミーメサ２０ａの上部電極２３とは、配線１５ａによって接続されている。
【００２３】
ダミーメサ２０ａ，２０ｂは、半絶縁性半導体基板５０側から順にコンタクト層３１、光吸収層３２、およびｎ窓層３３が積層された構造を有する。コンタクト層３１は、ｎ型半導体からなり、例えばｎ−ＩｎＰからなる。光吸収層３２は、ｉ型半導体からなり、例えばｉ−ＩｎＧａＡｓからなる。ｎ窓層３３は、ｎ型半導体からなり、例えばｎ−ＩｎＰからなる。ｎ窓層３３上には、コンタクト層３４が配置されている。コンタクト層３４は、ｎ型半導体からなり、例えばｎ−ＩｎＧａＡｓからなる。コンタクト層３１、光吸収層３２、ｎ窓層３３、およびコンタクト層３４は、絶縁層３５によって覆われている。ｎ窓層３３およびコンタクト層３４上には、絶縁層３５を介して上部電極２３が配置されている。上部電極２３は、バンプ電極であり、ｎ窓層３３およびコンタクト層３４とは導通していない。
【００２４】
ダミーメサ２０ａ，２０ｂの図１（ａ）と図２との対応関係において、コンタクト層３１および絶縁層３５が下部メサ２１に相当し、光吸収層３２、ｎ窓層３３、および絶縁層３５が上部メサ２２に相当する。
【００２５】
キャリア４０は、半導体受光素子１０ａの半絶縁性半導体基板５０と反対側に設けられている。キャリア４０の半導体受光素子１０ａ側の面には、キャリア配線４１，４２が設けられている。キャリア配線４１，４２は、キャリア４０上に形成されたパターン配線である。ダミーメサ２０ａの上部電極２３は、キャリア配線４１に接続されている。半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とは、キャリア配線４２によって接続されている。
【００２６】
半導体受光素子１０ａの図１（ａ）と図２との対応関係において、コンタクト層３１および絶縁層３５が下部メサ１１に相当し、光吸収層３２、ｐ窓層３６、ｎ窓層３３、および絶縁層３５が上部メサ１２に相当する。
【００２７】
図２に示すように、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とがキャリア配線４２によって接続されていることから、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３との間には、半導体受光素子１０ａの表面を通る配線が設けられていない。このような構成とすることで、半導体受光素子１０ａの表面に形成された絶縁層３５に対して高電界が印加されることが抑制される。それにより、絶縁層３５におけるリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる。
【００２８】
なお、配線１５ａは、絶縁層３５の上を通ってダミーメサ２０ａの上部電極２３まで延在している。すなわち、配線１５ａは、半導体受光素子１０ａの表面、半絶縁性半導体基板５０の表面、およびダミーメサ２０ａの表面に形成された絶縁層３５の表面上に形成され、上部電極２３に接続されている。しかしながら、配線１５ａは、半導体受光素子１０ａの下部電極から延在し、キャリア配線４１に接続しているが、半導体受光素子１０ａのコンタクト層３１は、外部から接続されていないことから、半導体受光素子１０ａのコンタクト層３１の表面に形成された絶縁層３５に対して、高電界が印加されることが抑制される。
【００２９】
本実施例においては、半導体受光素子１０ａが第１半導体受光素子として機能し、ダミーメサ２０ａが第１メサとして機能し、ダミーメサ２０ｂが第２メサとして機能する。
【００３０】
（変形例）
図３は、実施例１の変形例を示す図である。図３に示すように、ダミーメサ２０ｂの代わりにキャパシタや抵抗などのパッシブ素子を含んだ他のメサ状のデバイス６０を配置してもよい。この場合においても、半導体受光素子１０ａの上部電極１３と他のデバイス６０の上部電極とをキャリア配線によって接続することによって、半導体受光素子１０ａの表面に形成された絶縁層３５への高電界の印加が抑制される。なお、本変形例においては、メサ状のデバイス６０が第２メサとして機能する。
【実施例２】
【００３１】
実施例２においては、半絶縁性半導体基板５０上に半導体受光素子が２つ配置されている場合について説明する。図４（ａ）は、実施例２に係る半導体受光装置１００ａに含まれるメサの平面図である。図４（ａ）に示すように、半導体受光装置１００ａは、半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ，２０ｂを含む。半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ，２０ｂは、半絶縁性半導体基板５０上にメサ状に設けられている。半導体受光素子１０ｂは、半導体受光素子１０ａと同様の構造を有する。また、図４（ａ）においては、キャリア４０のキャリア配線を破線で示している。
【００３２】
図４（ａ）に示すように、ダミーメサ２０ａ、半導体受光素子１０ａ、ダミーメサ２０ｂ、および半導体受光素子１０ｂは、この順に一列に配置されている。半導体受光素子１０ａの下部電極１４とダミーメサ２０ａの上部電極２３とは、配線１５ａによって接続されている。半導体受光素子１０ｂの下部電極１４とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とは、配線１５ｂによって接続されている。配線１５ｂは、配線１５ａと同様のものである。一方、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とは、キャリア４０のキャリア配線によって接続されている。
【００３３】
図４（ｂ）は、半導体受光装置１００ａの電気回路図である。図４（ｂ）に示すように、半導体受光素子１０ａおよび半導体受光素子１０ｂは直列接続されている。半導体受光素子１０ａとｎ側端子１０１とを接続する配線は、図４（ａ）に示すダミーメサ２０ａの上部電極２３を経由する。ｐ側端子１０２と半導体受光素子１０ｂとを接続する配線は、図４（ａ）に示す半導体受光素子１０ｂの上部電極１３を経由する。中間端子１０３と半導体受光素子１０ａ，１０ｂとを接続する配線は、キャリア４０のキャリア配線を経由する。
【００３４】
図５は、図４（ａ）のＸ−Ｘ´線断面図である。図５においては、キャリア４０の断面も示されている。図５のダミーメサ２０ａ、半導体受光素子１０ａおよびダミーメサ２０ｂは、図２と同様の構造を有する。配線１５ｂが半導体受光素子１０ｂの下部電極１４からダミーメサ２０ｂの上部電極２３まで延在しているところと、半導体受光素子１０ｂが設けられているところとが異なる。なお、半導体受光素子１０ｂは、半導体受光素子１０ａと同様の構造を有する。
【００３５】
本実施例においても、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とがキャリア配線４２によって接続されていることから、半導体受光素子１０ａの上部電極１３と半導体受光素子１０ｂの上部電極１３との間には、半導体受光素子１０ａの表面を通る配線が設けられていない。このような構成とすることで、半導体受光素子１０ａの表面に形成された絶縁層３５への高電界の印加が抑制される。それにより、絶縁層３５におけるリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる。なお、本実施例においては、半導体受光素子１０ｂが第２半導体受光素子として機能する。
【実施例３】
【００３６】
実施例３においては、半導体受光素子１０ｂのダミーメサ２０ｂと反対側にさらに他のダミーメサ２０ｃが配置されている場合について説明する。図６（ａ）は、実施例３に係る半導体受光装置１００ｂに含まれるメサの平面図である。図６（ａ）に示すように、半導体受光装置１００ｂは、半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｃを含む。半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｃは、半絶縁性半導体基板５０上にメサ状に設けられている。ダミーメサ２０ｃは、ダミーメサ２０ａ，２０ｂと同様の構造を有する。
【００３７】
なお、半絶縁性半導体基板５０上には、ダミーメサ３０ａ，３０ｂが形成されている。ダミーメサ３０ａ，３０ｂは、ダミーメサ２０ａ〜２０ｃと同様の高さを有しており、半導体受光装置１００ｂの強度を確保する機能を有する。
【００３８】
半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｃについて、半導体受光素子１０ａ，１０ｂは第１列にこの順に配置され、ダミーメサ２０ａ〜２０ｃは第２列にこの順に配置される。そして、半導体受光素子１０ａとダミーメサ２０ａ，２０ｂのそれぞれとが隣接しかつ半導体受光素子１０ｂとダミーメサ２０ｂ，２０ｃのそれぞれとが隣接するように、千鳥状に配置されている。本実施例においては合計で５個のメサが千鳥状に配置されることになるので、半導体受光素子１０ａ，１０ｂおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｃの配置点を結ぶと「Ｗ」字が形成される。
【００３９】
言い換えると、半導体受光素子１０ａ，１０ｂが第１列に順に配置され、ダミーメサ２０ａ〜２０ｃが第２列に順に配置されている。このように配置することによって、半導体受光素子１０ａ，１０ｂが互いに隣接するようになる。この場合、半導体受光素子１０ａ，１０ｂは、実質的に同じ光を受光することができ、感度特性ばらつきが小さい半導体受光素子を形成することができる。
【００４０】
図６（ｂ）は、半導体受光装置１００ｂの電気回路図である。図６（ｂ）に示すように、半導体受光素子１０ａおよび半導体受光素子１０ｂは直列接続されている。半導体受光素子１０ａとｎ側端子１０１とを接続する配線は、図６（ａ）に示すダミーメサ２０ａの上部電極２３を経由する。ｐ側端子１０２と半導体受光素子１０ｂとを接続する配線は、図６（ａ）に示すダミーメサ２０ｃの上部電極２３を経由する。中間端子１０３と半導体受光素子１０ａ，１０ｂとを接続する配線は、ダミーメサ２０ｂの上部電極２３を経由する。
【００４１】
図７は、キャリア４０のキャリア配線４１，４２，４３を破線で表した図である。図７に示すように、キャリア配線４１は、ダミーメサ２０ａの上部電極２３からｎ側端子１０１まで延在している。キャリア配線４２は、半導体受光素子１０ａの上部電極１３からダミーメサ２０ｂの上部電極２３を通って中間端子１０３まで延在している。キャリア配線４３は、半導体受光素子１０ｂの上部電極１３からダミーメサ２０ｃの上部電極２３を通ってｐ側端子１０２まで延在している。
【００４２】
図８は、図６（ａ）のＹ−Ｙ´線断面図である。図８においては、キャリア４０の断面も示されている。図８のダミーメサ２０ａ，２０ｂ、半導体受光素子１０ａ，１０ｂは、図５と同様の構造を有する。ダミーメサ３０ａ，３０ｂは、コンタクト層３４を備えていない他は、ダミーメサ２０ａ〜２０ｃと同様の構造を有する。
【００４３】
本実施例においても、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３とがキャリア配線４２によって接続されていることから、半導体受光素子１０ａの上部電極１３とダミーメサ２０ｂの上部電極２３との間には、半導体受光素子１０ａの表面を通る配線が設けられていない。また、半導体受光素子１０ｂの上部電極１３とダミーメサ２０ｃの上部電極２３とがキャリア配線４３によって接続されていることから、半導体受光素子１０ｂの上部電極１３とダミーメサ２０ｃの上部電極２３との間には、半導体受光素子１０ｂの表面を通る配線が設けられていない。このような構成とすることで、半導体受光素子１０ａ，１０ｂの表面に形成された絶縁層３５への高電界の印加が抑制される。それにより、絶縁層３５におけるリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる。なお、本実施例においては、ダミーメサ２０ｃが第３メサとして機能する。
【実施例４】
【００４４】
実施例４においては、２つの半導体受光素子を直列接続する場合の他の例について説明する。図９（ａ）は、実施例４に係る半導体受光装置１００ｃに含まれるメサの平面図である。図９（ａ）に示すように、半導体受光装置１００ｃは、半導体受光素子１０ａ〜１０ｄおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｈを含む。半導体受光素子１０ａ〜１０ｄおよびダミーメサ２０ａ〜２０ｈは、半絶縁性半導体基板５０上にメサ状に設けられている。半導体受光素子１０ｃ，１０ｄは、半導体受光素子１０ａ，１０ｂと同様の構造を有する。ダミーメサ２０ｄ〜２０ｈは、ダミーメサ２０ａ〜２０ｃと同様の構造を有する。
【００４５】
図９（ｂ）は、半導体受光装置１００ｃの電気回路図である。図９（ｂ）に示すように、半導体受光素子１０ａおよび半導体受光素子１０ｂは直列接続されている。半導体受光素子１０ａのｎ側には、ｎ側端子１０１ａおよびｎ側端子１０１ｂが接続されている。半導体受光素子１０ｂのｐ側には、ｐ側端子１０２ａおよびｐ側端子１０２ｂが接続されている。中間端子１０３ａは、半導体受光素子１０ａと半導体受光素子１０ｂとの間に接続されている。
【００４６】
また、半導体受光素子１０ｃおよび半導体受光素子１０ｄは直列接続されている。半導体受光素子１０ｃのｎ側には、ｎ側端子１０１ｃおよびｎ側端子１０１ｄが接続されている。半導体受光素子１０ｄのｐ側には、ｐ側端子１０２ｃおよびｐ側端子１０２ｄが接続されている。中間端子１０３ｂは、半導体受光素子１０ｃと半導体受光素子１０ｄとの間に接続されている。
【００４７】
ダミーメサ２０ａ、半導体受光素子１０ａ、およびダミーメサ２０ｂは、第１行にこの順に配置されている。ダミーメサ２０ｄ、半導体受光素子１０ｂ、およびダミーメサ２０ｃは、第２行にこの順に配置されている。ダミーメサ２０ｅ、半導体受光素子１０ｃ、およびダミーメサ２０ｆは、第３行にこの順に配置されている。ダミーメサ２０ｈ、半導体受光素子１０ｄ、およびダミーメサ２０ｇは、第４行にこの順に配置されている。半導体受光素子１０ａと半導体受光素子１０ｂとが互いに隣接するように配置されている。また、ダミーメサ２０ｂ，２０ｃ，２０ｆ，２０ｇは、第１列にこの順に配置されている。半導体受光素子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、第２列にこの順に配置されている。ダミーメサ２０ａ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｈは、第３列にこの順に配置されている。それにより、半導体受光素子１０ａ，１０ｂは実質的に同じ光を受光することができるため、感度特性のばらつきが小さい半導体受光素子を形成することができる。また、半導体受光素子１０ｃと半導体受光素子１０ｄとが互いに隣接するように配置されている。それにより、半導体受光素子１０ｃ，１０ｄは実質的に同じ光を受光することができるため、感度特性のばらつきが小さい半導体受光素子を形成することができる。
【００４８】
半導体受光素子１０ａの下部電極１４からダミーメサ２０ａの上部電極２３にかけて配線１５ａが設けられている。半導体受光素子１０ｂの下部電極１４からダミーメサ２０ｂの上部電極２３にかけて配線１５ｂが設けられている。半導体受光素子１０ｃの下部電極１４からダミーメサ２０ｅの上部電極２３にかけて配線１５ｃが設けられている。また、半導体受光素子１０ｃの下部電極１４からダミーメサ２０ｆの上部電極２３にかけて配線１５ｄが設けられている。半導体受光素子１０ｄの下部電極１４からダミーメサ２０ｇの上部電極２３にかけて配線１５ｅが設けられている。
【００４９】
図１０は、キャリア４０のキャリア配線４１〜４７を破線で表した平面図である。図１０に示すように、キャリア配線４１は、ダミーメサ２０ａの上部電極２３からｎ側端子１０１ａまで延在するとともに、ｎ側端子１０１ｂまで延在している。キャリア配線４２は、半導体受光素子１０ａの上部電極１３からダミーメサ２０ｂの上部電極２３を通って中間端子１０３ａまで延在している。キャリア配線４３は、半導体受光素子１０ｂの上部電極１３からダミーメサ２０ｃの上部電極２３を通ってｐ側端子１０２ａまで延在するとともに、ダミーメサ２０ｄの上部電極２３を通ってｐ側端子１０２ｂまで延在する。
【００５０】
キャリア配線４４は、ダミーメサ２０ｆの上部電極２３からｎ側端子１０１ｃまで延在している。キャリア配線４５は、半導体受光素子１０ｃの上部電極１３からダミーメサ２０ｇの上部電極２３を通って中間端子１０３ｂまで延在している。キャリア配線４６は、半導体受光素子１０ｄの上部電極１３からダミーメサ２０ｈの上部電極２３を通ってｐ側端子１０２ｃまで延在するとともに、ｐ側端子１０２ｄまで延在している。キャリア配線４７は、ダミーメサ２０ｅの上部電極２３からｎ側端子１０１ｄまで延在している。
【００５１】
ｎ側端子１０１ａ，１０１ｃ、ｐ側端子１０２ａ，１０２ｃ、および中間端子１０３ａ，１０３ｂは、半導体受光装置１００ｃのダミーメサ２０ｂ，２０ｃ，２０ｆ，２０ｇ側に配置されている。これらの端子は、半導体受光装置１００ｃからの電気信号を回収するための端子として用いられる。一方、ｎ側端子１０１ｂ，１０１ｄおよびｐ側端子１０２ｂ，１０２ｄは、半導体受光装置１００ｃのダミーメサ２０ａ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｈ側に配置されている。これらの端子は、半導体受光装置１００ｃのモニタ用の端子として用いられる。
【００５２】
図１１は、図１０のＺ−Ｚ´線断面図である。図１１においては、キャリア４０の断面も示されている。図１１のダミーメサ２０ｆ，２０ｇ，２０ｈ、半導体受光素子１０ｃ，１０ｄは、図８のダミーメサ２０ａ〜２０ｃおよび半導体受光素子１０ａ，１０ｂと同様の構造を有する。
【００５３】
本実施例においては、半導体受光素子の上部電極とダミーメサの上部電極とがキャリア配線によって接続されていることから、半導体受光素子の上部電極とダミーメサの上部電極との間には半導体受光素子の表面を通る配線が設けられていない。このような構成とすることで、半導体受光素子の表面に形成された絶縁層３５への高電界の印加が抑制される。それにより、絶縁層３５におけるリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施例においては、半導体受光素子１０ａが第１半導体受光素子として機能し、ダミーメサ２０ａが第１メサとして機能し、ダミーメサ２０ｂが第２メサとして機能し、半導体受光素子１０ｂが第２半導体受光素子として機能し、半導体受光素子１０ｃが第３半導体受光素子として機能し、ダミーメサ２０ｆが第３メサとして機能し、ダミーメサ２０ｇが第４メサとして機能し、半導体受光素子１０ｄが第４半導体受光素子として機能する。
【００５５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  半導体受光素子
１３  上部電極
１４  下部電極
１５  配線
２０  ダミーメサ
２３  上部電極
３１，３４，３７  コンタクト層
３２  光吸収層
３３  ｎ窓層
３５  絶縁層
３６  ｐ窓層
４０  キャリア
４１〜４７  キャリア配線
５０  半絶縁性半導体基板
１００  半導体受光装置
１０１  ｎ側端子
１０２  ｐ側端子
１０３  中間端子
【図１】
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【図２】
0005483544.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005483544.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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