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　特願２０１４−　８８９５６「フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月２４日出願公開、特開２０１４−１３３７０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００２年（平成１４年）７月３０日(パリ条約による優先権主張　２００１年８月２日、ドイツ)に出願した特願２００２−２２１３４２号の一部を平成２１年６月５日に新たな特許出願とした特願２００９−１３６１１６号の一部を、さらに、平成２６年４月２３日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年３月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年９月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２８年２月１７日付けで拒絶査定されたのに対し、平成２８年６月２３日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、そして、当審において平成２９年４月１７日付けで拒絶理由を通知し、同年８月１７日付けで意見書のみが提出され、その後、同年９月５日付けで審尋をし、それに対して同年１２月１１日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２７年９月７日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されたとおりのものであり、そのうち独立項である請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であることを特徴とする、多結晶シリコンの原料棒から、坩堝を用いないフロートゾーン法により製造したシリコンからなる単結晶。」
　
第３　当審の拒絶理由
　当審において平成２９年４月１７日付けで通知した拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
理由１　特許法第３６条第６項第２号について
　請求項１は、「単結晶」という物の発明であるが、「多結晶シリコンの原料棒から、坩堝を用いないフロートゾーン法により製造した」との記載は、製造に関して経時的な要素の記載がある場合及び製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。 
　ここで、物の発明に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において、当該特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（以下「不可能・非実際的事情」という）が存在するときに限られると解するのが相当である（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号、平成２４年（受）第２６５８号）。 
　しかしながら、本願明細書等には不可能・非実際的事情について何ら記載がなく、当業者にとって不可能・非実際的事情が明らかであるとも言えない。 
　したがって、請求項１に係る発明及びそれを引用する請求項２に係る発明は明確でない。よって、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
理由２　特許法第２９条第１項第３号について
　単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶は、本願の優先日前に既に周知な単結晶（例えば、特開平９−１８３６８６号公報（以下「引用文献１」という。）、特開平１０−９５６８９号公報（以下「引用文献２」という。）、特開２００１−１０６５９１号公報（以下「引用文献３」という。）、特開２００１−１９９７８９号公報（以下「引用文献４」という。）の各々の実施例等参照）であり、本願発明の単結晶は、「単結晶（物）」として、この周知の単結晶と同じ物といえる。また、単結晶からスライシングされたシリコンからなる基板も本願の優先日前に既に周知である。 
　してみれば、請求項１に係る発明及びそれを引用する請求項２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
  なお、拒絶理由通知書には、上記周知な単結晶はいずれもチョクラルスキー法によって製造された単結晶であり、チョクラルスキー法の場合には坩堝からの不純物（汚染物質）が混入する場合があり、本願発明のフロートゾーン法により製造した単結晶とは、その不純物の点で異なっている可能性もあるが、本願の現在の請求項の記載、明細書及び図面の記載から、両者に不純物の点においての相違点を認めるには至らないことも追記されている。
理由３　特許法第３６条第４項第１号について
　（略）
第４　意見書、審尋及び回答書の概要
１　平成２９年８月１７日付け意見書の概要
（１）理由１について
　理由１に対して、請求人は、平成２９年８月１７日付け意見書（以下「意見書」という。）で、
「
少なくとも２００ｍｍの長さのＦＺシリコン単結晶を同じ長さのＣＺシリコン単結晶から区別する合理的アプローチは、酸素量を特定することである
ＦＺシリコン単結晶は、ＣＺシリコン単結晶よりも格段に少ない酸素量を有する
　本願の出願時には、ＦＺシリコン単結晶に意図的に酸素がドープされ得ることも知られていました。ところが、ＦＺシリコン単結晶に酸素を意図的にドープする既知の手法は、少なくとも２００ｍｍの直径を有するシリコン単結晶に対し機能しないことが判明しました。・・・。したがって、ＦＺシリコン単結晶に酸素を意図的にドープすることは望ましいとはいえませんが、本願の出願時点では、現請求項１に記載のような、少なくとも２００ｍｍの直径を有し、かつ少なくとも２００ｍｍの長さを有する大型のＦＺシリコン単結晶において、ＣＺシリコン単結晶と区別できるようにその含有酸素量を調整するという技術思想も存在していませんでした。このような状況であったことから、上記のような大型のＦＺシリコン単結晶において、ＣＺシリコン単結晶と区別できる程度の含有酸素量を測定するための標準的といえる手法も存在していませんでした。よって、本願の出願時点において、本願発明に係るシリコン単結晶を酸素量で直接特定することは非実際的であるといえます。」（下線は当審において付与したものである。以下同様。）と記載し、
　大型のＦＺシリコン単結晶とＣＺシリコン単結晶を区別する合理的アプローチは酸素量を特定することであるとした上で、大型のＦＺシリコン単結晶において、ＣＺシリコン単結晶と区別できる程度の含有酸素量を測定するための標準的といえる手法が存在しなかったことをもってして、本願請求項１に係る単結晶（物）の発明を製造方法で記載することには、不可能・非実際的事情があることを主張している。
（２）理由２について
　理由２に対して、請求人は、意見書で、引用文献１〜４に記載の単結晶は、いずれも坩堝を用いて作製されたものであり、本願発明に係るシリコン単結晶とは、明らかに酸素量が異なるものであるといえることから、請求項１及び２に係る発明は、上述の周知な単結晶とは異なるものであり、特許法第２９条第１項第３号に該当しないことを主張している。
２　審尋及び回答書の概要
（１）審尋の概要
　当審からの審尋では、
「シリコン単結晶の含有酸素量は赤外吸収法により本願優先日前より測定されてきているもの（例えば、井上直久、他「シリコン結晶中の酸素の挙動」、鉄と鋼第７３（１９８７）第８号、ｐ３２左欄７〜８行、参照）であり、本願優先日前にその測定方法は、ＪＥＩＤＡ（日本電子工業振興会）により、ＪＥＩＤＡ規格「赤外吸収によるシリコン中の格子間酸素原子濃度の標準測定方法」JEIDA-61-2000（平成１２年８月、社団法人日本電子工業振興会発行）（以下「規格書」という。）として規格化されている。上記規格書の１頁１２〜１３行には『この測定法は、シリコン単結晶薄片中のあるいは商用シリコンウェーハ中の格子間酸素の濃度を、赤外分光法を用いた吸収係数測定から求める方法である。』と記載され、８頁２６行には『直径１００〜３００ｍｍで、ウェーハ厚さ５００〜８００μｍを有すること』と記載されており、少なくとも２００ｍｍの大型のシリコン単結晶をも測定対象とすることが記載されている。 
　してみれば、シリコン単結晶がＦＺ法であれ、ＣＺ法であれ、あるいはさらに別の方法で作成されたものであるにしろ、本願優先日前に、少なくとも２００ｍｍの大型のシリコン単結晶における含有酸素量を測定する標準的な方法は既に存在していることは明かである。」と記載し、請求人の主張する不可能・非実際的事情があるとは判断できないことを伝えた上で、更なる主張を求めたものである。
（２）回答書の概要
　上記審尋に対して、請求人は、
「
出願人は、ＪＥＩＤＡ規格の存在自体を争うものではありません
　平成２９年８月１７日付の意見書において主張した、含有酸素量の特定は、ＣＺ法によるシリコン単結晶（以下「ＣＺシリコン単結晶」と称する）と、ＦＺシリコン単結晶とを区別する合理的な方法として考えられる手法を例示したものです。なお、『含有酸素量』については現請求項１において規定されていません。 
　上記意見書において主張しましたように、『ＦＺシリコン単結晶に意図的に酸素をドープする手法は、２００ｍｍ以上の直径を有するシリコン単結晶に対し機能しない』ことを本願出願人は知得していましたが、本願の出願人以外の当業者は知り得ていなかったと出願人は認識しています。 
　したがって、たとえ
上記のようなＪＥＩＤＡ規格に基づく測定方法が存在していた
　２００ｍｍ以上のＦＺシリコン単結晶に意図的に酸素をドープすることができ、かつ含有酸素量が同一であると仮定すると、含有酸素量の特定だけでは、ＣＺシリコン単結晶と、ＦＺ法シリコン単結晶とを区別することができないことになります。そうすると、本願の優先日当時の技術水準では、ＣＺシリコン単結晶と、ＦＺシリコン単結晶とを、含有酸素量の特定のみで区別することは不可能であると当業者は認識していたはずです。　上記のような当時の技術水準に鑑み、たとえご
指摘のような手法が本願の優先日当時に存在していた
第５　判断
１　理由１について
　物の発明に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されていることから、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとする理由１に対し、請求人は、上記意見書及び回答書で不可能・非実際的事情について主張してきたので、以下、その内容について検討する。
（１）シリコン単結晶の含有酸素量の測定について
　上記審尋において説示したとおり、シリコン単結晶の含有酸素量は赤外吸収法により本願優先日前より通常に測定されてきており、その測定方法は対象とするシリコン単結晶の製造方法、大きさによらず適用されるもので本願優先日前に既に規格化（JEIDA-61-2000　平成１２年８月、社団法人日本電子工業振興会発行）されているもの（以下「標準測定方法」という。）である。このシリコン単結晶の含有酸素量を赤外吸収法により測定する標準測定方法の存在についていは、請求人も認めているところである（上記回答書の下線部参照）。
　そして、請求人は、上記意見書で、ＦＺシリコン単結晶はＣＺシリコン単結晶よりも格段に少ない酸素量を有することから、酸素量を特定することが、少なくとも２００ｍｍの長さのＦＺシリコン単結晶と同じ長さのＣＺシリコン単結晶を区別する合理的アプローチであることを述べている。
　上記請求人の主張を踏まえれば、本願発明の「シリコンからなる単結晶」を含有酸素量で特定することにより、ＦＺシリコン単結晶とＣＺシリコン単結晶を区別できることは明かであり、その含有酸素量は上記標準的測定方法で測定できるものである。そして、請求人の主張するとおり、仮に少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有しこの長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶が「フロートゾーン法によって製造」されることはなかったにせよ、少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有しこの長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶の含有酸素量を上記標準測定方法では測定できないとする技術的理由はなく、請求人も上記標準測定方法では測定できない技術的理由について何ら主張していない。
　してみれば、含有酸素量によって、少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有しこの長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶を特定でき、それによりその余の製造方法（例えばＣＺ法）で製造したシリコンからなる単結晶と区別できるところ、これをあえて「多結晶シリコンの原料棒から、坩堝を用いないフロートゾーン法により製造した」という製造方法で特定することの不可能・非実際的事情があるとはいえない。
（２）ＦＺシリコン単結晶への酸素ドープについて
ア　請求人の意見書及び回答書での酸素ドープについての主張をまとめると、おおよそ次のとおりであるといえる。
　ＦＺシリコン単結晶に酸素を意図的にドープする既知の手法では少なくとも２００ｍｍの直径を有するシリコン単結晶に対し機能しないことを請求人は知得していたが、他の当業者は知り得ていなかった。そこで、少なくとも２００ｍｍの直径を有するＦＺシリコン単結晶が存在すると仮定すると、当業者はそのＦＺシリコン単結晶に対しても意図的に酸素をドープすることがあり得ることになり、酸素をドープすると含有酸素量は、その他の製造方法（ＣＺ法）によって製造されたシリコン単結晶と同一であると当業者は認識するものとも仮定され、含有酸素量の特定では、ＣＺシリコン単結晶と、ＦＺシリコン単結晶とを区別することができないと当業者は認識するものといえるから、そのような特定を行おうとしないことになる。したがって、含有酸素量で特定することは、不可能・非実際的事情に相当するという主張である。
イ　上記の主張は、含有酸素量の特定では、ＣＺシリコン単結晶と「酸素をドープした」ＦＺシリコン単結晶とを当業者は区別できると認識しないため、不可能・非実際的事情に相当するという主張であり、ＦＺシリコン単結晶をドープすることを前提とするものと認められる。しかしながら、本願発明は、「酸素をドープした」シリコンからなる単結晶であるとは特定されておらず、かつ、本願明細書に酸素をドープすることについて何ら記載されていないことから、本願明細書に鑑みても、本願発明のシリコンからなる単結晶が酸素をドープしたものとは解されない。
　また、請求人が意見書で提示した特開昭６０−９０８９９号公報に記載されているように、ＦＺ法でシリコンからなる単結晶を製造する際に、酸素をドーピングする技術が周知であったにしろ、本願明細書の実施例は、
「【実施例】
【００２３】
　２０４ｍｍの直径を有するシリコン単結晶を引き上げる場合、２００ｍｍより長い長さで無転位であった。準備期間において１１５ｍｍの直径を有する多結晶の原料棒を容器中に取り付けた。同様に容器中に種結晶、平板コイルとして構成された高周波コイル（パンケーキコイル）及び単結晶用のリフレクタを準備した。ポンプ期間において、容器をまず排気し、次いでアルゴン（１．６５ｂａｒ）及び窒素（０．３体積％）で満たした。引き続き、アルゴン及び窒素からなる混合物を容器に通した。この流量は４２００Ｎｌ／ｈ（アルゴン）及び１３Ｎｌ／ｈ（窒素）であった。予備加熱期間の間に、原料棒の下方端面側をまず予備加熱リングを用いて、引き続き高周波コイルを用いて加熱した。種結晶に溶融液滴部が形成された後に、この種結晶を原料棒に当て付け、単結晶の引下を開始し、その際、単結晶の直径はまず恒常的に拡大した。このコーン部分形成期間の開始のために単結晶を一方向に回転させた。単結晶の円柱形部分を引き上げる前になお本発明による反転回転に切り替えた。単結晶の円柱部分の引下の場合の引下速度は１．８ｍｍ／ｍｉｎであった。引下工程の最終期間において、単結晶の直径を減少させテイルコーンにし、単結晶を冷却後に容器から取り出した。」と、酸素をドープしないものを実施例として記載していることからも、上記周知技術を踏まえても、酸素をドープしていないことは明かである。
　してみれば、本願発明に係るシリコンからなる単結晶は意図的に酸素がドープされたものとは解されないことから、本願発明に係るシリコンからなる単結晶に対して、「酸素をドープする」ことを前提にした請求人の主張は誤りといわざるを得ないことから、上記請求人の主張に基づいて不可能・非実際的事情があるとは認められない。
（３）まとめ
　請求人は、シリコンからなる単結晶の物の発明である本願発明が、「多結晶シリコンの原料棒から、坩堝を用いないフロートゾーン法により製造した」との製造方法で特定されていること対して、含有酸素量では特定することができない不可能・非実際的事情が存在することから上記製造方法で特定したことを主張しているが、上記（１）及び（２）で説示したおり、請求人の主張する事項はいずれも不可能・非実際的事情といえるものではない。
　よって、本願特許請求の範囲にはその物の製造方法が記載されているが、出願時（本願の優先日）において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能・非実際的事情が存在するとは認められないことから、最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号、平成２４年（受）第２６５８号の判決に則り、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するとはいえない。
　したがって、本願発明は明確でないことから、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２　理由２について
　上記１の（２）「ＦＺシリコン単結晶への酸素ドープについて」で説示したように、「酸素をドープする」ことを前提にした請求人の主張は、本願発明及び本願明細書の記載に基づかない正当な主張ではないものの、ここで請求人の当該主張を受け入れ、仮に、本願発明の単結晶に「酸素をドープ」した単結晶が含まれるものとして、以下検討する。
（１）周知発明について
ア　引用文献の記載事項
　上記引用文献１〜４には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審において付与した。
（ア）引用文献１
（１ア）「【実施例】・・・
【００３８】
　具体的な引き上げ工程は以下の通りである。まず、石英るつぼ５内にシリコン多結晶原料２１０ｋｇを投入し、ヒーター７によって加熱して溶融させ、石英るつぼ５内にシリコン融液１５を得た。このシリコン融液１５に、上方から吊り下げられた種結晶１６を浸漬し、種結晶１６を回転させながらこれを所定の速度で引き上げ、種結晶１６の先に
直径３００ｍｍの単結晶棒
（１イ）「【００４２】
【発明の効果】
　以上の説明で明らかな如く、本発明によれば、石英るつぼ上端に酸化珪素が析出付着するのを防止することができるので、高歩留まりの単結晶工程により
無転位の単結晶を得ることができる
（イ）引用文献２
（２ア）「【実施例】以下に、単結晶成長方法の実施例について説明する。
【００４７】
　引き上げ結晶　　　　　　　：
直径３００ｍｍのシリコン単結晶
　原料仕込み量　　　　　　　：高純度多結晶シリコン　１５０ｋｇ
　溶解方法　　　　　　　　　：抵抗加熱式
　炉内雰囲気　　　　　　　　：１０Ｔｏｒｒ
　　　　　　　　　　　　　　　Ａｒ（アルゴン）５０リットル／ｍｉｎ
　石英坩堝のサイズ　　　　　：直径　６５０ｍｍ、高さ　４００ｍｍ
　ヒーターのサイズ　　　　　：内径　７００ｍｍ、外径　７４０ｍｍ
　　　　　　　　　　　　　　　高さ　５００ｍｍ
　保温筒のサイズ　　　　　　：内径　８００ｍｍ、外径　９５０ｍｍ　
　メインチャンバ５ａの寸法　：直径　１０００ｍｍ、高さ　１２００ｍｍ
　引き上げ軸３の回転数　　　：１０ｒｐｍ
　坩堝１の回転数　　　　　　：８ｒｐｍ
　
結晶直胴部８ａの長さ　　　：６５０ｍｍ
（２イ）「【００４９】
　この図から明らかなように、結晶径の変動の少ない滑らかな形状の尾部８ｂを有する結晶８を
全域無転位で得ることができた
（ウ）引用文献３
（３ア）「【実施例】・・・
【００４８】
　るつぼ１a内の、ヒーター４によって加熱溶融されてたシリコン融液３に、引き上げ軸５の先端のシードチャック６に取り付けられた種結晶を接触させ、種結晶先端に融液を凝固成長させながら引き上げて、単結晶７を成長させる。るつぼ１ａおよび１ｂは支持軸２により回転でき、単結晶も引き上げ軸５により回転される。単結晶はまず
結晶を無転位化する
【００４９】
　
単結晶は、目標径を210mm、ボディ長さを1000mm
（エ）引用文献４
（４ア）「【発明の実施の形態】・・・
【００１３】
　ここで、上述したシリコン単結晶の製造方法により、直径５ｍｍ、１０ｍｍ及び１５ｍｍのシードを用い、
直胴部の直径２００ｍｍ
無転位のシリコン単結晶が得られた
　しかし、シード直径が大きくなるほどシード直下のパラレル成長が難しくなる傾向がある（結果的にシード直径が絞られても無転位成長には影響がない）が、１５ｍｍ程度の直径のシードを用いることにより、
直径４００ｍｍ
大口径、大重量のシリコン単結晶を無転位で製造できた
イ　周知発明
　上記引用文献１〜４の記載事項から、引用文献１〜４の各々には以下の発明が記載されているといえることから、引用文献１〜４の各々に記載された発明を、以下まとめて「周知発明」という。
「単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶。」
（２）対比
　本願発明と周知発明とを対比すると、
（一致点）
「単結晶が少なくとも２００ｍｍの長さにわたり少なくとも２００ｍｍの直径を有し、この長さの範囲内で無転位であるシリコンからなる単結晶。」
の点で一致し、以下の点で一応相違する。
（相違点）
　本願発明は、「多結晶シリコンの原料棒から、坩堝を用いないフロートゾーン法により製造した」との製造方法で特定されているのに対し、周知発明は、その製造方法で特定された性状を有するか明らかでない点で相違する。
（３）相違点の判断
ア　酸素ドープしない単結晶
　まず、本願発明の単結晶のうち、酸素をドープしない単結晶について検討する。請求人は、上記意見書でＦＺシリコン単結晶はＣＺシリコン単結晶よりも格段に少ない酸素量を有することを主張しており、引用文献１〜４に記載されている製造方法がいずれも具体的にはチョクラルスキー法に該当するものであることに鑑みると、本願発明の単結晶のうち、酸素をドープしない場合の単結晶については、含有酸素量が異なる点で、本願発明の単結晶と周知発明の単結晶とは実質的に相違するものと判断できる。
イ　酸素ドープした単結晶
　次に、本願発明の単結晶のうち、「酸素をドープ」した単結晶について検討する。上記１の（２）「ＦＺシリコン単結晶への酸素ドープについて」で記載したように、請求人は、ＦＺシリコン単結晶に酸素を意図的にドープする既知の手法では少なくとも２００ｍｍの直径を有するシリコン単結晶に対し機能しないことを請求人のみが知得していた（他の当業者は知り得ていなかった）ことを主張しているが、請求人は、少なくとも２００ｍｍの直径を有するシリコン単結晶において既知の手法ではドープできないことについて何ら具体的な証拠も提示していないことから、当該主張は技術的に根拠のあることとして受け入れられない。
　してみれば、請求人が意見書で提示した特開昭６０−９０８９９号公報に開示された手法等、酸素をドープする既知の手法が２００ｍｍ以上の直径を有するシリコン単結晶に対して機能しないとはいえないことから、請求人が回答書で述べているように、当業者が認識するとおりＣＺシリコン単結晶と酸素をドープされたＦＺシリコン単結晶とは区別することができないということになる。加えて、請求人は、酸素をドープされた少なくとも２００ｍｍの直径を有するＦＺシリコン単結晶と上記周知発明の単結晶とが、含有酸素量の点で有意に異なることの具体的な証拠も示していない。
　よって、本願発明の単結晶のうち「酸素をドープ」した単結晶と周知発明の単結晶とは含有酸素量では区別できないことになり、上記製造方法の特定に係る相違点が単結晶にもたらす実質的な相違点とはならないことになる。
（４）まとめ
　したがって、上記イの点において、上記相違点は実質的な相違点とはならないことから、本願発明は、引用文献１〜４に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
 　 
第６　むすび
　以上のとおり、本願特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない、あるいは、本願発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないことから、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。