【事件の表示】
　特願２０１２−１４４０９２「半導体装置の製造方法および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　１月１６日出願公開、特開２０１４−７３６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年６月２７日に特許出願したものであって、平成２７年１２月２１日付け拒絶理由通知に対して平成２８年３月４日付けで手続補正がなされ、同年５月２日付け最後の拒絶理由通知に対して同年７月４日付けで手続補正がなされたが、同年１２月２２日付けで同年７月４日付け手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされた。これに対し、平成２９年３月２４日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成２９年３月２４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２９年３月２４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　本件補正
　平成２９年３月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであり、
　本件補正前に、
「【請求項１】
　以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
　（ａ）第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、を備えるリードフレームを準備する工程；
　（ｂ）表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップを、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載する工程；
　（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを複数の第１ワイヤを介して電気的に接続し、前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを第２ワイヤを介して電気的に接続する工程；
　（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを樹脂で封止する工程；
　ここで、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第１窪み部配置領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第２窪み部配置領域と、
　を備え、
　前記ダイパッドの前記第２面は、
　前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、
　前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部と、
　を備え、
　前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置されている。
 【請求項２】
　請求項１において、
　前記チップ搭載領域、前記第１ボンディング領域、前記第１窪み部配置領域、および前記第２窪み部配置領域における前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも粗い、半導体装置の製造方法。
 【請求項３】
　請求項２において、
　前記溝部の深さは、前記段差部の深さよりも深い半導体装置の製造方法。
 【請求項４】
　請求項１において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれに配置される窪み部は、穴である、半導体装置の製造方法。
 【請求項５】
　請求項１において、
　前記第１窪み部配置領域および第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合される半導体装置の製造方法。
 【請求項６】
　請求項１において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記複数の穴のうち、隣り合う穴の配置間隔は、前記複数の穴、それぞれの開口径の２倍以下である半導体装置の製造方法。
 【請求項７】
　請求項１において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記溝が形成される半導体装置の製造方法。
 【請求項８】
　請求項２において、
　前記第１面の表面粗さを、平坦面に対する単位面積あたりの表面積の比Ｓｒとして表わすと、
　Ｓｒは、１．２以上である半導体装置の製造方法。
 【請求項９】
　第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、
　表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有し、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載される半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを電気的に接続する第２ワイヤと、
　前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを封止する封止体と、
　を有し、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第１窪み部配置領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第２窪み部配置領域と、
　を備え、
　前記ダイパッドの前記第２面は、
　前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、
　前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部と、
　を備え、
　前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置されている、半導体装置。
 【請求項１０】
　請求項９において、
　前記チップ搭載領域、前記第１ボンディング領域、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域における前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも粗い、半導体装置。
 【請求項１１】
　請求項１０において、
　前記溝部の深さは、前記段差部の深さよりも深い半導体装置。
 【請求項１２】
　請求項９において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれに形成される窪み部は、穴である、半導体装置。
 【請求項１３】
　請求項９において、
　前記第１窪み部配置領域および第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合される半導体装置。
 【請求項１４】
　請求項９において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記複数の穴のうち、隣り合う穴の配置間隔は、前記複数の穴、それぞれの開口径の２倍以下である半導体装置。
 【請求項１５】
　請求項９において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記溝が形成される半導体装置。
 【請求項１６】
　請求項１０において、
　前記第１面の表面粗さを、平坦面に対する単位面積あたりの表面積の比Ｓｒとして表わすと、
　Ｓｒは、１．２以上である半導体装置。」
とあったところを、
本件補正により、
「【請求項１】
　以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
　（ａ）第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、を備えるリードフレームを準備する工程；
　（ｂ）表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップを、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載する工程；
　（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを複数の第１ワイヤを介して電気的に接続し、前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを第２ワイヤを介して電気的に接続する工程；
　（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを樹脂で封止する工程；
　ここで、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置され
、複
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置され
、複
　を備え、
　前記ダイパッドの前記第２面は、
　前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、
　前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部と、
　を備え、
　前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置され
、且つ、平面視において、前記溝部とは重ならず、
　
平面視において、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されて
 【請求項２】
　請求項１において、
　前記チップ搭載領域、前記第１ボンディング領域、前記第１窪み部配置領域、および前記第２窪み部配置領域における前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも粗い、半導体装置の製造方法。
 【請求項３】
　請求項２において、
　前記溝部の深さは、前記段差部の深さよりも深い
、
 【請求項４】
　請求項１において、
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記複数の穴のうち、隣り合う穴の配置間隔は、前記複数の穴、それぞれの開口径の２倍以下である
、
 【請求項５】
　請求項２において、
　前記第１面の表面粗さを、平坦面に対する単位面積あたりの表面積の比Ｓｒとして表わすと、
　Ｓｒは、１．２以上である
、
 【請求項６】
　第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、
　表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有し、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載される半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを電気的に接続する第２ワイヤと、
　前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを封止する封止体と、
　を有し、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置され
、複
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置され
、複
　を備え、
　前記ダイパッドの前記第２面は、
　前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、
　前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部と、
　を備え、
　前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置され
、且つ、平面視において、前記溝部とは重ならず、
　
平面視において、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されて
 【請求項７】
　請求項
６
　前記チップ搭載領域、前記第１ボンディング領域、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域における前記第１面の表面粗さは、前記第２面の表面粗さよりも粗い
、
 【請求項８】
　請求項
７
　前記溝部の深さは、前記段差部の深さよりも深い
、
 【請求項９】
　請求項
６
　前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記複数の穴のうち、隣り合う穴の配置間隔は、前記複数の穴、それぞれの開口径の２倍以下である
、
 【請求項１０】
　請求項
７
　前記第１面の表面粗さを、平坦面に対する単位面積あたりの表面積の比Ｓｒとして表わすと、
　Ｓｒは、１．２以上である
、
とするものである。なお、下線は補正箇所を示す。
　上記補正の内容は、本件補正前の請求項１及び６について、「第１窪み部配置領域」及び「第２窪み部配置領域」が「溝または複数の穴」で形成されるとあったのを「複数の穴」のみとすること、「第１窪み部配置領域、第１ボンディング領域、および第２窪み部配置領域」が「平面視において、溝部とは重なら」ないこと、「平面視において、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されて」いること、を限定したものである。
　よって、本件補正は、補正前の請求項に記載された発明を特定するために必要な事項の限定を目的にするものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正の請求項６に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
２　引用文献
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−７６２２８号公報（平成１４年３月１５日公開。以下「引用文献１」という。）には、「樹脂封止型半導体装置」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００１４】この樹脂封止型半導体装置は、一括モールドタイプであり、図示のように、
リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイパッド３に搭載された半導体素子４
半導体素子４の上面にある所定の電極９とリードフレームの端子部５とを電気的に接続したワイヤー６
半導体素子４の上面の残りの電極１０をダイパッド表面にグランドボンディングしたワイヤー８
ダイパッド３の裏面及び端子部５の下面と側面とを露出させた状態で、すべてのワイヤー６，８を含む半導体素子４の外囲領域を封止してなる封止樹脂７
イ．「【００１８】
図９
図１０
【００１９】この樹脂封止型半導体装置は、図７及び図８に示したのと略同様であるが、さらに
ダイパッド３の表面におけるワイヤー接続用の銀メッキ部分１２の両側に沿って凹部１３，１４を形成
封止樹脂７がこれらの凹部１３，１４に侵入するので、封止樹脂７とダイパッド３との密着性は一層良好なものになる。
　上記ア及びイから、引用文献１の「半導体装置」には以下の事項が記載されている。
　上記アによれば、吊りリード２と端子部５を有したリードフレーム１、リードフレーム１の吊りリード２で支持された「ダイパッド３」、ダイパッド３に搭載され上面に電極９、１０を設けた「半導体素子４」、電極９とリードフレーム１の端子部５とを電気的に接続した「ワイヤー６」、残りの電極１０をダイパッド表面にグランドボンディングした「ワイヤー８」、ダイパッド３の裏面及び端子部５の下面と側面を露出させた状態ですべてのワイヤー６、８を含む半導体素子４の外囲領域を封止してなる「封止樹脂７」を備えたものである。
　また、上記イによれば、封止樹脂７とダイパッド３との密着性を良好なものにするため、ダイパッド３の表面におけるワイヤー接続部分１２の両側に沿って形成された「凹部１３、１４」を備えたものである。
　
　そうすると、上記摘示事項、図９及び図１０を総合勘案すると、引用文献１の「半導体装置」には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「吊りリード２と端子部５を有したリードフレーム１と、
　リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイパッド３と、
　ダイパッド３に搭載され、上面に電極９、１０を設けた半導体素子４と、
　電極９とリードフレーム１の端子部５とを電気的に接続するワイヤー６と、
　電極１０をダイパッド表面にグランドボンディングしたワイヤー８と、
　ダイパッド３の裏面及び端子部５の下面と側面を露出させた状態ですべてのワイヤー６、８を含む半導体素子４の外囲領域を封止してなる封止樹脂７と、
　ダイパッド３の表面におけるワイヤー接続部分１２の両側に沿って形成された凹部１３、１４と、
　を備えた半導体装置。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−８５５９１号公報（平成１３年３月２０日公開。以下「引用文献２」という。）には、図面と共に以下の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ウ．「【００１６】ここで、
本発明による半導体パッケージは、チップパッド１００の底面である第２面が外部に露出され、これがチップで発生する熱の放出通路として用いられる
エージ処理は、チップパッド１００の第２面で行われる。
【００１７】したがって、
湿気侵入経路がスエージ処理を施していないときよりも一層複雑になって、湿気侵入に関連した半導体パッケージの信頼性が改善される。また、このようなスエージ処理部１１６は、封止剤（ＥＭＣ）１０４とリードフレームとの貼り合わせを一層堅固にし、かつ、チップパッド１００の端部での熱応力を緩和させる役目をする。 
【００１８】次に、
リードフレームのチップパッド１００には細長い溝が形成されている。この細長い溝は第１面に構成１０８でき、第２面にも構成１１２できる。
１つではなく、２つ以上で構成して、さらなる湿気侵入の防止及び封止剤の貼り合わせ力の向上を図ることができる。
【００１９】従来は、外部からの湿気を遮断できる手段がないか、ディンプルを使って湿気の侵入を防止していた。・・・（中略）・・・
【００２１】図５は、図４のＸ−Ｘ’線断面図である。図５を参照すれば、スロット１１０は、チップパッド１００を完全に貫通する穴状に形成されている。また、スロット１１０でチップが搭載される部分近傍で
チップパッド１００の一部が曲げ上げられた羽根部１２２が形成されている。なお、チップパッド１００の第２面には“Ｖ”形状の細長い溝１１２が形成されており、第１面には“Ｕ”形状の細長い溝１０８が形成されている。これにより、羽根部１２２でも湿気が侵入する経路を延ばすようにでき、結果としてチップパッド１００の第１面の“Ｕ”形状の細長い溝１０８で湿気の侵入が堅固に抑えられる
　上記ウによれば、引用文献２には、「チップパッドの底面（第２面）が露出された半導体パッケージにおいて、湿気侵入の防止及び封止剤の貼り合わせ力の向上のため、チップパッドの端部にスエージ処理部（または羽根部）を形成し、チップパッドの第１面及び第２面に溝を形成」する技術事項が記載されている。
３　対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ダイパッド３」は、表面（半導体素子４を搭載する面）と裏面（当該面の反対側の面）を有しており（引用文献１の図９を参照。）、本願補正発明の「ダイパッド」の「第１面」と「第２面」に相当する構成を備えている。
　また、引用発明のリードフレーム１の「端子部５」は、ダイパッド３の外周に複数配置されているから（引用文献１の図９及び図１０を参照。）、本願補正発明のダイパッドの隣に配置される「複数のリード」に相当する。
　よって、引用発明の「吊りリード２と端子部５を有したリードフレーム１と、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイパッド３」は、本願補正発明の「第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッド」及び「前記ダイパッドの隣に配置される複数のリード」に相当する。
（２）引用発明の「半導体素子４」は、本願補正発明の「半導体チップ」に相当する。そして、引用発明の「半導体素子４」は、複数の電極９及び１０を設けた上面とダイパッド３に搭載される反対側の面とを有しているから（引用文献１の図９及び図１０を参照）、本願補正発明の半導体チップの「表面」と「裏面」に相当する構成を備えている。
　また、引用発明の「ダイパッド３」は、その表面に半導体素子４を搭載するものであるから、本願補正発明の「ダイパッドの第１面のチップ搭載領域」に相当する構成を備えている。
　よって、引用発明の「ダイパッド３に搭載され、上面に電極９、１０を設けた半導体素子４」は、本願補正発明の「表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有し、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載される半導体チップ」に相当する。
（３）引用発明の「電極９」は、半導体素子４の上面に設けられた複数の電極の一部であるから（引用文献１の図１０を参照。）、本願補正発明の「半導体チップの複数の電極の一部」に相当する。
　よって、引用発明の「電極９とリードフレーム１の端子部５とを電気的に接続するワイヤー６」は、本願補正発明の「前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを電気的に接続する複数の第１ワイヤ」に相当する。
（４）引用発明の「電極１０」は、半導体素子４の上面に設けられた複数の電極のうち、電極９以外の複数の電極であるから（引用文献１の図１０を参照。）、本願補正発明の「半導体チップの複数の電極の他部」に相当する。
　よって、引用発明の「電極１０をダイパッド表面にグランドボンディングしたワイヤー８」は、本願補正発明の「前記半導体チップの前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを電気的に接続する第２ワイヤ」に相当する。
　また、引用発明の「ダイパッド３」は、半導体素子４を搭載する領域とワイヤー８をボンディングする領域とを有しているから、当然に半導体素子４よりも大きな面積である（引用文献１の図９を参照）。
　よって、引用発明の「ダイパッド３」及び「半導体素子４」は、本願補正発明の「前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく」に相当する構成を備えている。
（５）引用発明の「ダイパッド３の裏面」は、半導体素子４を搭載する面と反対側の面であり、本願補正発明の「ダイパッドの第２面」に相当する。
　また、引用発明の「封止樹脂７」は、本願補正発明の「封止体」に相当する。
　そして、引用発明の「端子部５の下面と側面」は、端子部５の一部分であるから、本願補正発明の「複数のリードの一部」に相当する。
　よって、引用発明の「ダイパッド３の裏面及び端子部５の下面と側面を露出させた状態ですべてのワイヤー６、８を含む半導体素子４の外囲領域を封止してなる封止樹脂７」は、本願補正発明の「前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを封止する封止体」に相当する。
（６）引用発明の「ダイパッド３の表面」は、半導体素子４を搭載する搭載領域を有しており、本願補正発明の「ダイパッドの第１面」に相当する。
　そして、引用発明の「ワイヤー接続部分１２」は、半導体素子４のワイヤー８がボンディングされるダイパッド３の表面にあり、半導体素子４の搭載領域とリードフレームの端子部５との間に位置するものであるから（引用文献１の図９を参照。）、本願補正発明の「第１ボンディング領域」に相当する。
　更に、引用発明の「ダイパッド３の表面に形成された凹部１３」は、ワイヤー接続部分１２と半導体素子４の搭載領域との間にあるから（引用文献１の図９及び図１０を参照。）、本願補正発明の「第１窪み部配置領域」に相当する。
　同様に、引用発明の「ダイパッド３の表面に形成された凹部１４」は、ワイヤー接続部分１２よりもダイパッド３の周縁側にあるから（引用文献１の図９及び図１０を参照。）、本願補正発明の「第２窪み部配置領域」に相当する。
　よって、引用発明の「ダイパッド３の表面におけるワイヤー接続部分１２の両側に沿って形成された凹部１３、１４」は、本願補正発明の「前記ダイパッドの前記第１面は、前記チップ搭載領域と、前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置された第１窪み部配置領域と、前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置された第２窪み部配置領域」に相当する。
　但し、第１窪み部配置領域及び第２窪み部配置領域について、本願補正発明は「複数の穴」で形成されており、「平面視において、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されている」のに対し、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
（７）ダイパッドの第２面において、本願補正発明は「前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部」を備えているのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
　更に、本願補正発明は「前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置され、且つ、平面視において、前記溝部とは重なら」ないのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない点で相違する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
　「第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、
　表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有し、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載される半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを電気的に接続する第２ワイヤと、
　前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを封止する封止体と、
　を有し、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置された第１窪み部配置領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置された第２窪み部配置領域と、
　を備えた、
　半導体装置。」
＜相違点１＞
　第１窪み部配置領域及び第２窪み部配置領域について、本願補正発明は「複数の穴」で形成されており、「平面視において、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されている」のに対し、引用発明はその旨の特定がされていない。
＜相違点２＞
　ダイパッドの第２面において、本願補正発明は「前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部」を備えているのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない。
＜相違点３＞
　本願補正発明は「前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置され、且つ、平面視において、前記溝部とは重なら」ないのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない
　そこで、まず相違点１について判断する。
　一般に、樹脂と密着するように構成する対象物において、樹脂との接触面積を増やすために当該対象物に窪みを形成することはごく普通に行われていることである。そして、窪みの形状として「複数の穴」を選択することは、例えば引用文献２（従来ディンプルを採用した点。段落【００１９】、【００２５】を参照。）、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１６１８９６号公報（貫通しない穴であるディンプルを採用した点。従来の技術を説明した段落【０００５】、【０００６】を参照。）、特開平６−２１３０３号公報（貫通穴または貫通しない穴を採用した点。段落【０００３】ないし【０００７】を参照。）に記載されているように、周知の技術事項である。
　よって、引用発明の「凹部」に代えて周知の技術事項を採用して相違点１の構成にすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　次に、相違点２及び相違点３について判断をする。
　引用文献２（上記「第２」 ［理由］２（２）を参照。）は、湿気侵入の防止及び封止剤の貼り合わせ力の向上のため、チップパッド（本願補正発明の「ダイパッド」に相当。）の第２面（底面）に、スエージ処理部（または羽根部）と溝を構成したものである。また、引用文献２には、第１面（チップ搭載面）にも溝が形成されており、第１面と第２面の溝の配置関係は適宜なし得るところ（図４、図５、図６、図８を参照。）、図４及び図５の実施形態を参照すると、第１面の溝よりも第２面の溝の方が外側に形成することも適宜なし得る事項である。
　よって、引用発明と引用文献２に記載された技術事項とは、少なくともダイパッドと樹脂との密着性を良好にするために、ダイパッドに窪みを設けたものであるから、引用発明において引用文献２に記載された技術事項を採用して、相違点２（ダイパッドの側面に段差部を形成すること、ダイパッド裏面に窪みを形成すること。）、相違点３（ダイパッド裏面に形成した窪みをダイパッド表面に形成した窪みよりも外側に配置すること。）の構成にすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　なお、第１窪み部配置領域及び第２窪み部配置領域に窪みとして複数の穴を形成することは、上記相違点１についての判断で示したとおり、特開平７−１６１８９６号公報や特開平６−２１３０３号公報に記載されているように、周知の技術事項である。
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用文献２及び周知の技術事項により当業者が容易になし得たものである。 
４　むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知の技術事項により当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２９年３月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２８年３月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項９】
　第１面、前記第１面の反対側に位置する第２面を有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの隣に配置される複数のリードと、
　表面、前記表面に形成された複数の電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有し、前記ダイパッドの前記第１面のチップ搭載領域上に搭載される半導体チップと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の一部と前記複数のリードを電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
　前記半導体チップの前記複数の電極の他部と前記ダイパッドを電気的に接続する第２ワイヤと、
　前記複数のリードの一部および前記ダイパッドの前記第２面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の第１ワイヤおよび前記第２ワイヤを封止する封止体と、
　を有し、
　前記ダイパッドの前記第１面の面積は、前記半導体チップの前記裏面の面積よりも大きく、
　前記ダイパッドの前記第１面は、
　前記チップ搭載領域と、
　前記チップ搭載領域と前記複数のリードの間に位置し、前記第２ワイヤを接合する第１ボンディング領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記チップ搭載領域の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第１窪み部配置領域と、
　前記第１ボンディング領域と前記ダイパッドの周縁部の間に配置され、溝または複数の穴が形成された第２窪み部配置領域と、
　を備え、
　前記ダイパッドの前記第２面は、
　前記ダイパッドの側面に連なる段差部と、
　前記ダイパッドの前記第２面の中央部と前記段差部の間に配置される溝部と、
　を備え、
　前記第１窪み部配置領域、前記第１ボンディング領域、および前記第２窪み部配置領域は、前記溝部と前記チップ搭載領域の間に配置されている、半導体装置。」
２　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１、引用文献２及びその記載事項は、上記「第２ ［理由］２」に記載したとおりである。
３　対比・判断
 本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明の「第１窪み部配置領域」及び「第２窪み部配置領域」が「溝または複数の穴」で形成されるとあったのを「複数の穴」のみとすること、「複数の穴」で形成すること、「第１窪み部配置領域、第１ボンディング領域、および第２窪み部配置領域」が「平面視において、溝部とは重なら」ないこと、「平面視において、前記第１窪み部配置領域および前記第２窪み部配置領域のそれぞれには、前記複数の穴が形成され、前記第２ワイヤは前記複数の穴で囲まれた領域内に接合されて」いること、の限定を削除したものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２ ［理由］３」に記載したとおり、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項、及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により（但し、相違点１はなくなる。）、引用文献１に記載された発明、引用文献２に記載された技術事項により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。