【事件の表示】
　特願２０１３−　１０５３８「電子デバイスの製造方法、電子デバイス及び発振器」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　８月　７日出願公開、特開２０１４−１４３２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２５年１月２３日の出願であって、平成２８年１０月１９日付けの拒絶理由の通知に対して、同年１２月２１日付け意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２９年３月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
第２．平成２９年７月３日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年７月３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
　前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、
　前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、
　前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、
　前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
　前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積し
、前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２８年１２月２１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
　前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、
　前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、
　前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、
　前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
　前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含む電子デバイスの製造方法。」
　
２．新規事項
　本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項である「外部電極を形成する外部電極形成工程」について、「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい」という事項を追加して補正後の請求項１に記載された発明とする補正事項を含むものである。
　上記補正事項が、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内のものか否かを検討する。
（１）当初明細書等において、「外部電極形成工程」に関する記載事項は、以下のとおりである（なお、下線は当審で付与した。）。
・「【００１９】
【図１】本発明の第一実施形態に係る
電子デバイスの断面模式図
【図２】本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図３】本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係る
電子デバイスの製造工程の説明図
【図５】本発明の第三実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。
【図６】本発明の第四実施形態に係る発振器の上面模式図である。
【図７】従来公知の電子デバイスの断面図である。」
・「【００２７】
　ガラスからなるベース基板２を軟化又は溶融し、型成形により貫通孔を形成する。貫通孔に鉄−ニッケル系合金の線材を充填し、加熱・軟化させて線材とガラスとを溶着する。ガラスを冷却後に両面を研磨して平坦化し、貫通電極３の端面Ｍを露出させて酸化膜を除去するとともに、端面Ｍとベース基板２の表面とを面一に形成する。平坦化され
たベース基板２は
厚さが０．２ｍｍ〜１ｍｍである
・「【００３０】
　図３（Ｓ４）は、導電膜形成工程Ｓ４において、ベース基板２の他方の表面ＬＳに導電膜４を形成した状態を表す断面模式図である。ベース基板２の他方の表面ＬＳを研磨又は洗浄して端面Ｍの酸化膜を除去する。次に、他方の表面ＬＳに蒸着法やスパッタリング法により
金属の導電膜４を０．０５μｍ〜０．５μｍの厚さに堆積する
・「【００３２】
　図４（Ｓ６）は、外部電極形成工程Ｓ６において、電極パターン１５（導電膜４）の表面に無電解メッキ膜１１を堆積した状態を表す断面模式図である。
電極パターン１５の表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜１１を堆積して外部電極１３を形成する。無電解メッキ膜１１は、他方の表面ＬＳを無電解メッキ液に浸して導電膜４が他方の表面ＬＳ側に露出する露出面の全体を覆うように形成する。つまり、無電解メッキ膜１１は電極パターン１５の上面の他に側面にも形成される。無電解メッキ膜１１は、厚さを１μｍ〜１０μｍとし、好ましくは１μｍ〜５μｍとする
・「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
・「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）これらの摘記した事項によれば、当初明細書等には、「外部電極」の「前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚み」であるか、「前記ベース基板の他方の表面上」の厚みであるかは不明であるが、無電解メッキ膜１１の厚みが１μｍ〜１０μｍ、好ましくは１μｍ〜５μｍで形成されることは開示されている。
　また、図１、４によれば、「外部電極」の「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さ」くなっているように見うけられる。
　しかし、当初明細書等には、「外部電極」の「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅」の具体的な数値は記載されていないことから、「外部電極」の「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅」と「前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚み」の大小関係は不明である。
　また、図１、４は「電子デバイス」の模式図、製造工程の説明図であって正確な各部材間の大きさの関係を表しているものではなく、例えば、上記摘記した事項によれば、「ベース基板２」の厚みは０．２ｍｍ〜１ｍｍ、「導電膜４」の厚みは０．０５μｍ〜０．５μｍ、「無電解メッキ膜１１」の厚み（「電極パターン表面上」であるか「ベース基板の他方の表面上」であるか不明であるが、「電極パターン表面上」であるとする。）は１μｍ〜５μｍ  程度であるから、「無電解メッキ膜１１」は「ベース基板２」の２００分１程度の厚さ、「導電膜４」は「無電解メッキ膜１１」の１０分の１程度の厚さと考えられるが、図１、４においては明らかにそのような関係になっていないことから、各部材で異なる縮尺で記載したものと認められ、このような異なる縮尺で記載された各部材間で大きさの関係を読み取ることはできない。
　また、当初明細書等の全ての記載を参照しても、「外部電極」の「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい」ことに関する示唆もない。
　したがって、上記補正事項を含む本件補正は、当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものと認めることができない。
　よって、本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３）小括
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
３．独立特許要件についての予備的見解
　上記補正事項は、本件補正前の請求項１に記載された発明の発明特定事項である「外部電極を形成する外部電極形成工程」について、「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さ」く形成するという事項を付加して限定することにより、本件補正後の請求項１に記載される発明の発明特定事項を限定するものである。また、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一である。
　仮に、本件補正が、当初明細書の図１、４に記載されており、上記「２．」に記載した新規事項の追加でなく、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合に、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）についても検討しておく。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１．の（１）で記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献、引用発明
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由において引用された、特開２０１２−１５３６３号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は、当審において付加した。以下、同じ。）
　　
ａ．「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は
電子デバイス及びその製造方法に関する
ｂ．「【００１７】
　以下、本発明の実施の形態を図に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る電子デバイスの断面図である。
電子デバイス１は、ガラス製のベース１０の第１の面とリッド７０とで囲まれ
パッケージ内部に電子部品６０が搭載され、電子部品６０は、回路パターン３０、貫通電極２０、電極パターン５０を介して、基板
に実装される端子である外部電極８０と電気的に接続されている
【００１８】　　・・・中略・・・
【００１９】　　・・・中略・・・
【００２０】
　
回路パターン３０は、ベース１０の第１の面
に形成され、
【００２１】　
　
接合部４０は、ベース１０の第１の面のうち
ベース１０とリッド７０とを接続する
【００２２】
　
電極パターン５０は、ベース１０の第１の面と反対の面（第２の面）に形成される
ｃ．「【００２７】
　次に、
製造方法を図２、図３を用いて説明する
【００２８】
　
図２は、本発明に係る電子デバイスの製造工程を示す図である
　図２（ａ）は、
ベース１０に貫通孔を形成する工程
【００２９】
　図２（ｂ）は、
貫通電極２０を挿入し、溶着する工程
【００３０】
　図２（ｃ）は、
ベース１０上面に回路パターン３０及び接合部４０を、ベース１０下面に電極パターン５０を形成する工程
回路パターン３０及び接合部４０及び電極パターン５０はフォトリソ法
で形成する
【００３１】
  図２（ｄ）は、
電子部品６０を搭載する工程
【００３２】
　図２（ｅ）は、
ベース１０に搭載された電子部品６０を保護するため、凹上に加工したリッド７０をベース１０と接合する工程
【００３３】
　図２（ｆ）は、
パッケージを個片化する工程
【００３４】
　図２（ｇ）は
個片化したパッケージに外部電極８０、腐食防止部９０を形成する工程
外部電極８０、及び、腐食防止部９０は無電解ニッケルめっきを行うことで
ｄ．「図１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｅ．「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
・上記ａ．、ｃ．よれば、引用文献１には、電子デバイスの製造方法が記載されており、また、上記ｂ．の段落【００１７】、上記ｄ．によれば、該電子デバイスは、ガラス製のベース１０の第１の面とリッド７０とで囲まれた空洞部であるパッケージ内部に電子部品６０が搭載され、電子部品６０は、回路パターン３０、貫通電極２０、電極パターン５０を介して、基板に実装される端子である外部電極８０と電気的に接続されるものであることが記載されている。
　したがって、引用文献１には、ガラス製のベース１０の第１の面とリッド７０とで囲まれた空洞部であるパッケージ内部に電子部品６０が搭載され、電子部品６０は、回路パターン３０、貫通電極２０、電極パターン５０を介して、基板に実装される端子である外部電極８０と電気的に接続されている電子デバイスの製造方法、が記載されているといえる。
・上記ｃ．、ｅ．によれば、前記電子デバイスの製造方法は、ベース１０に貫通孔を形成する工程と、貫通孔に貫通電極２０を挿入し、溶着する工程と、ベース１０上面に回路パターン３０及び接合部４０を、ベース１０下面に電極パターン５０を形成する工程と、電子部品６０を搭載する工程と、ベース１０に搭載された電子部品６０を保護するため、凹状に加工したリッド７０をベース１０と接合する工程と、パッケージを個片化する工程と、個片化したパッケージに無電解ニッケルめっきを行うことで外部電極８０、腐食防止部９０を形成する工程と、を備えることが記載されている。
・上記ｂ．の段落【００２０】、【００２１】には、回路パターン３０、接合部４０は、ベース１０の第１の面に、形成されることが、さらに、段落【００２２】には、電極パターン５０はベース１０の第２の面に形成されることが記載されており、上記ベース１０上面、及びベース１０下面は、各々、ベース１０の第１の面、及びベース１０の第２の面といえ、また、段落【００２０】には、回路パターン３０に、貫通電極２０と電子部品６０が接続されることが記載されている。
　また、上記ｃ．の段落【００３０】には、前記回路パターン３０、前記接合部４０、前記電極パターン５０は、フォトリソ法によっても形成可能なことが記載され、さらに、図１、図２（ｃ）から、前記電極パターン５０が、ベース１０の第２の面の貫通電極２０の端面と、端面の周囲のベース１０の第２の面に形成されていることが読み取れる。
　したがって、引用文献１には、ベース１０の第１の面に貫通電極２０と電子部品６０が接続される回路パターン３０及び接合部４０を、ベース１０の第２の面の貫通電極２０の端面と、端面の周囲のベース１０の第２の面に電極パターン５０を、それぞれフォトリソ法で形成する工程、が記載されているといえる。
・さらに、図１、図２（ｇ）から、前記外部電極８０が、電極パターン５０の表面およびベース１０の第２の面の電極パターン５０の周囲に形成されていることが読み取れ、また、上記（ｃ）の段落【００３４】には、上記「腐食防止部９０」が「接合部４０」に形成されることが記載されている。
　したがって、引用文献１には、個片化したパッケージに無電解ニッケルめっきを行うことで電極パターン５０の表面およびベース１０の第２の面の電極パターン５０の周囲に外部電極８０を、接合部４０に腐食防止部９０をそれぞれ形成する工程、が記載されているといえる。
　上記引用文献１の記載及び図面並びにこの分野の技術常識を考慮すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「ガラス製のベース１０の第１の面とリッド７０とで囲まれた空洞部であるパッケージ内部に電子部品６０が搭載され、電子部品６０は、回路パターン３０、貫通電極２０、電極パターン５０を介して、基板に実装される端子である外部電極８０と電気的に接続されている電子デバイスの製造方法であって、
　ベース１０に貫通孔を形成する工程と、
　貫通孔に貫通電極２０を挿入し、溶着する工程と、
　ベース１０の第１の面に、貫通電極２０と電子部品６０が接続される回路パターン３０、及び接合部４０を、ベース１０の第２の面の貫通電極２０の端面と、該端面の周囲の第２の面に電極パターン５０を、それぞれフォトリソ法で形成する工程と、
　電子部品６０を搭載する工程と、
　ベース１０に搭載された電子部品６０を保護するため、凹状に加工したリッド７０をベース１０と接合する工程と、
　パッケージを個片化する工程と、
　個片化したパッケージに無電解ニッケルめっきを行うことで電極パターン５０の表面およびベース１０の第２の面の電極パターン５０の周囲に外部電極８０を、接合部４０に腐食防止部９０をそれぞれ形成する工程と、
　を備える電子デバイスの製造方法。」
（イ）引用文献２
　拒絶査定において引用された、国際公開第２０１０−１６４８７号（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「[0030]　本実施例にかかる水晶振動子１では、図１に示すように、水晶振動片２（本発明でいう水晶振動片２）と、この水晶振動片２の一主面２１に形成された励振電極２３（下記参照）を気密封止する第１封止部材３（本発明でいう封止部材）と、この水晶振動片２の他主面２２に形成された励振電極２３（下記参照）を気密封止する第２封止部材４が設けられている。」
ｂ．「[0037]　第１封止部材３は、図２に示すように、１枚の水晶ウエハ６（下記参照）から形成された直方体の水晶Ｚ板である。
[0038]　この第１封止部材３には、水晶振動片２の励振電極２３と電気的に接続する電極パッド３３と、水晶振動片２と接合する接合部（具体的に接合面３２）と、外部と電気的に接続する外部電極端子３４とが設けられている。水晶振動片２との接合面３２は、第１封止部材３の一主面３１の平面視主面外周に設けられている。
[0039]　第１封止部材３の接合面３２には、水晶振動片２と接合するための第３接合材７３が形成されている。具体的に、第３接合材７３は、複数の層が積層され、その最下層側からＣｒ層（図示省略）とＡｕ層７３１とが蒸着形成され、その上にＳｎメッキ層７３２が積層して形成され、その上にＡｕメッキ層７３３が積層して形成されてなる。なお、第３接合材７３と電極パッド３３とは同時に形成され、電極パッド３３も第３接合材７３と同一の構成となる。
[0040]　また、
第１封止部材３には、図２に示すように、水晶振動片２の励振電極２３を外部と導通させるためのビア３６（本発明でいう貫通孔）が形成され、このビア３６内に導通部材５（下記参照）が充填されている。すなわち、このビア３６は、第１封止部材３の基材の両主面３１，３８に形成される電極パターン（電極パッド３３や外部電極端子３４や電極パターン３７）を導通状態とするものであり、このビア３６を介して、電極パターン３７が第１封止部材３の一主面３１の電極パッド３３から他主面３８の外部電極端子３４にかけてパターン形成されている
ｃ．「[0071]　
図２２に示すようにＡｕ膜７３１をウエハ６全面に形成した後に、ウエハ６全面にレジストを塗布し、レジスト層（図示省略）を形成し、レジスト層をＡｕ膜７３１上に形成した後に、予め設定したパターン形成（電極パッド３３と電極パターン３７と第３接合材７３との形成）を行うために露光および現像を行なう
そして、露光および現像を行うことで露出したＡｕ膜７３１をメタルエッチングして、電極パッド３３と電極パターン３７と第３接合材７３それぞれにおけるＡｕ膜７３１を形成する
ｄ．「図２
  
　」
ｅ．「図２２
」
　上記引用文献２の記載及び図面並びにこの分野の技術常識を考慮すると、引用文献２には、電極パターンの形成に関する次の技術（以下、「周知の技術」という。）が開示されていると認められる。
「電極が形成される面の全面に導電膜を形成し、その後、エッチングで電極パターンとなる部分を残すことで電極パターンを形成すること。」
（ウ）引用文献３
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１２−４４１０５号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２９】
　回路パターン３０は、貫通電極２１などの酸化を防ぐために、貫通電極２１のベース１０の１の面側、すなわち空洞部の面側の端面上に形成されるとともに、ベース１０の１の面上に形成されている。また、
電極パターン６０は、貫通電極２１のベース１０の１の面側の端面と反対の端面上に形成されるとともに、ベース１０の１の面と反対の面上に形成されている
【００３０】
　また、内部配線３１、外部電極６１は、それぞれ金属膜で形成され、最表面は金、銀、白金等の貴金属を使用して表面層を形成される。貴金属は、イオン化傾向が小さく、耐腐食性があるため、長期的劣化を抑えることができ、本願発明を用いた電子デバイスの信頼性を向上させることができる。また、内部配線３１及び外部電極６１は、それぞれ単一の層で形成されている。
【００３１】
　また、金属拡散を防ぐために拡散防止層として貴金属で形成された表面層の下地にニッケル等の金属層を形成しても良い。なお、内部配線３１、外部電極６１は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００３２】
　内部配線３１、外部電極６１の形成方法には、スパッタ法が一般的な方法である。また、内部配線３１、外部電極６１の各金属膜の形成方法にはめっき法を用いることができる。このとき、
内部配線３１、外部電極６１の形成には、無電解めっきを用いることができる。また、めっきによる金属膜は、回路パターン３０上、又は電極パターン６０上だけに形成することも可能なため、通常のめっきによる回路基板などの上面の処理を省くことが可能になる
ｂ．「【００４２】
　そこで、
図２（ｅ）に示す回路パターン３０上、及び電極パターン６０上にそれぞれ内部配線３１、及び外部電極６１を形成し、それぞれを貫通電極と電気的に接続する工程を行う
【００４３】
　
図７は、図２（ｅ）の貫通電極２０部分を拡大した図である
ｃ．「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｄ．「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記ａ．の段落【００３２】によれば、外部電極６１を無電解めっきで形成でき、また、図７によれば、外部電極６１の、ベース１０の電極パターン６０の周囲のパターン幅方向の幅は、電極パターン６０表面上の厚みより小さいことが読み取れる。
　上記引用文献３の記載及び図面を考慮すると、引用文献３には以下の技術事項（以下、「引用文献３記載の技術事項」という。）が開示されていると認められる。
「無電解めっきで形成される電子デバイスの外部電極において、ベース基板上の電極パターンの周囲のパターン幅方向の無電解メッキの幅を、無電解メッキの電極パターン表面上の無電解メッキの厚みより小さくすること。」
　
（３）対比・判断
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　
ａ．引用発明の「ベース１０」は、「ガラス製」であり絶縁性と認められることから、引用発明の「ベース１０」は、本件補正発明の「絶縁性のベース基板」に相当し、また、引用発明の「貫通電極２０」は、本件補正発明の「貫通電極」に相当する。
　そして、引用発明の「貫通孔に貫通電極２０を挿入し、溶着する工程」は、本件補正発明の「絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程」に相当する。
ｂ．引用発明の「電子部品６０」は、本件補正発明の「電子素子」に相当する。
　そして、「電子部品６０」は、「ベース１０の第１の面」の「回路パターン３０」に接続され、「ベース１０の第１の面とリッド７０とで囲まれた空洞部であるパッケージ内部に」「搭載され」るものであって、さらに、「第１の面」を「一方の表面」と称することは任意であるから、引用発明の「電子部品６０を搭載する工程」は、本件補正発明の「前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程」に相当する。
ｃ．引用発明の「リッド７０」は、「ベース１０に搭載された電子部品６０を保護するため、凹状に加工した」ものであるから、本件補正発明の「電子素子を収容する蓋体」に相当し、そして、引用発明の「ベース１０に搭載された電子部品６０を保護するため、凹状に加工したリッド７０をベース１０と接合する工程」は、本件補正発明の「前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程」に相当する。
ｄ．引用発明の「電極パターン５０」は、本件補正発明の「電極パターン」に相当する。
　そして、引用発明の「電極パターン５０」は、「ベース１０の第２の面」に形成されるものであり、ここで、「ベース１０の第２の面」は「ベース１０の第１の面」に対して他方の面であって、また、引用発明の「フォトリソ法で形成」される「電極パターン５０」は、導電性の膜の一部を残して形成されるものかは不明であるが、「ベース１０の第２の面の貫通電極２０の端面と、該端面の周囲の第２の面」に形成されるものであるから、引用発明の「ベース１０の第１の面に、貫通電極２０と電子部品６０が接続される回路パターン３０、及び接合部４０を、ベース１０の第２の面の貫通電極２０の端面と、該端面の周囲の第２の面に電極パターン５０を、それぞれフォトリソ法で形成する工程」と、本件補正発明の「前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程」とは、「前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに電極パターンを形成する電極パターン形成工程」の点では共通する。
ｅ．引用発明の「個片化したパッケージに無電解ニッケルめっきを行うことで電極パターン５０の表面およびベース１０の第２の面の電極パターン５０の周囲に外部電極８０を、接合部４０に腐食防止部９０をそれぞれ形成する工程」と、本件補正発明の「前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積し、前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい外部電極を形成する外部電極形成工程」とは、「前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程」の点では共通する。
ｆ．引用発明の「電子デバイスの製造方法」は、本件補正発明の「電子デバイスの製造方法」に相当する。
　
　したがって、本件補正発明と引用発明とを対比すると、両者は、以下の点で一致し、また、相違している。
　
（一致点）
「絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
　前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、
　前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、
　前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
　前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含む電子デバイスの製造方法。」
 　　
（相違点１）
　本件補正発明では、「前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程」を有しており、「電極パターン形成工程」においては該「導電膜形成工程」で形成された「導電膜」「を残こして電極パターンを形成する」のに対して、引用発明では、そのような「導電膜形成工程」を有するか不明であって、「電極パターン５０」は「フォトリソ法で形成」される点。
（相違点２）
　形成される上記「外部電極」が、本件補正発明では、「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい」のに対して、引用発明では、そのうような特定がされていない点。
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　例えば、引用文献２にも記載されるように、電極パターンの形成に関して、電極が形成される面の全面に導電膜を形成し、その後、エッチングで電極パターンとなる部分を残すことで電極パターンを形成することは周知の技術であって、また、当該周知の技術における一連の工程を、２つの工程に分けることは設計的事項に過ぎないことから、引用発明における電極パターン５０を形成する工程において、該周知の技術を適用して、「ベース１０の第２の面」に導電膜を形成する工程と、その後、電極パターンとなる部分を残すことで電極パターンを形成する工程とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（相違点２について）
　引用文献３には、無電解めっきで形成される電子デバイスの外部電極において、ベース基板上の電極パターンの周囲のパターン幅方向の無電解メッキの幅を、無電解メッキの電極パターン表面上の無電解メッキの厚みより小さくするという技術事項が記載されており、また、引用発明において、外部電極を具体的にどのような大きさで形成するかは当業者が設計時に適宜選択なし得た事項と認められることから、引用発明における電子デバイスの外部電極の形成に関して上記引用文献３記載の技術事項を適用して、ベース基板上の電極パターンの周囲のパターン幅方向の無電解メッキの幅が、無電解メッキの電極パターン表面上の無電解メッキの厚みより小さい外部電極を形成することは、当業者が適宜なし得たことである。
　　
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明、引用文献３記載の技術事項、及び周知の技術に基づいて当業者が予測できる範囲のものである
　したがって、本件補正発明は、引用発明、引用文献３記載の技術事項、及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（４）　結語
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　また，仮に本件補正が特許法第１７条の２第３項の規定に適合し、本件補正が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２９年７月３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−１１に係る発明は、平成２８年１２月２１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は再掲すると次のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
　前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、
　前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、
　前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、
　前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
　前記電極パターンの表面および前記ベース基板の他方の表面上の前記電極パターンの周囲に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含む電子デバイスの製造方法。」
２．原査定の拒絶の理由
　この出願の下記の請求項１に係る発明は、その出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び周知の技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２０１２−０１５３６３号公報
３．引用文献、引用発明
　引用発明等は、上記「第２．３．（２）」の「（ア）引用文献１」、及び「（イ）引用文献２」に記載したとおりである。
　 　
４．対比・判断
　本願発明は、上記「第２．３．」で検討した本件補正発明の発明特定事項である「外部電極を形成する外部電極形成工程」について、「前記ベース基板上の前記電極パターンの周囲のパターン幅方向の前記無電解メッキの幅が、前記無電解メッキの前記電極パターン表面上の前記無電解メッキの厚みより小さい」という限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明は、上記「第２．３．（３）」で検討した上記「（相違点１）」のみで相違し、該「（相違点１）」は上記引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明することができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。