(57)【要約】  ２〜１２質量％のＺｎおよび０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、必要に応じＮｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、ＡｌおよびＡｇの中の一種以上を合計で０．００５〜０．５質量％含有し、残部が銅およびその不可避的不純物から成り、１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率および１２０〜２１５のマイクロビッカース硬さを有し、表面が平均厚さで０．１〜２．０μｍの純Ｓｎ相で覆われている、Ｓｎめっき銅合金材、並びに、該合金材をプレス加工して得られる、基板実装部の厚さ（t）が０．２〜１．０ｍｍ、基板実装部の幅（ｗ）が０．９ｔ〜２．０ｔｍｍであるピン状の部材でありプレス破面に銅合金母材が露出している、はんだ実装性に優れるプリント基板端子によりプレス加工前にめっき処理しても優れた実装性が得られるＳｎめっき銅合金材、およびこの素材から加工されたプリント基板端子が提供できる。
2008114868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２〜１２質量％のＺｎおよび０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、残部が銅およびその不可避的不純物から成る銅合金材であり、１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率および１２０〜２１５のマイクロビッカース硬さを有し、表面が平均厚さで０．１〜２．０μｍの純Ｓｎ相で覆われていることを特徴とするプリント基板端子用Ｓｎめっき銅合金材。
【請求項２】
２〜１２質量％のＺｎおよび０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、ＡｌおよびＡｇの中の一種以上を合計で０．００５〜０．５質量％含有し、残部が銅およびその不可避的不純物から成る銅合金材であり、１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率および１２０〜２１５のマイクロビッカース硬さを有し、表面が平均厚さで０．１〜２．０μｍの純Ｓｎ相で覆われていることを特徴とする、プリント基板端子用Ｓｎめっき銅合金材。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のＳｎめっき銅合金材からプレス加工され、プレス破面に銅合金母材が露出したピン状の部材であり、基板実装部の厚さ（ｔ）が０．２〜１．０ｍｍ、基板実装部の幅（ｗ）が０．９ｔ〜２．０ｔｍｍであることを特徴とするプリント基板端子。
【請求項４】
相対湿度８５％、温度８５℃の雰囲気に２４時間曝露後、２５０℃の鉛フリーはんだに２ｍｍ深さで１０秒浸漬したときに、プレス破面においてはんだが付着した部分の面積が、はんだに浸漬した部分の面積に対し、１０５％を超えることを特徴とする請求項３のプリント基板端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板のスルーホールに挿入されフロー工程を経て鉛フリーはんだにより実装されるプリント基板端子の素材として好適なＳｎめっき銅合金材、およびこのＳｎめっき銅合金材から製造されたプリント基板端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車の電子制御ユニットのなかにはプリント基板が内蔵されており、プリント基板にはオス端子（以下、基板端子とする）が装着されている（図１（ａ）参照）。このオス端子は、一端にメス端子を有するワイヤーハーネスを介して、外部の電子機器等と接続されている。
プリント基板端子は、プリント基板のスルーホールに挿入され、フラックス塗布、予熱、フローはんだ付け、冷却、洗浄の工程を施すことにより、プリント基板にはんだ実装される。【０００３】
従来、基板端子用の素材としては、黄銅（Ｃ２６００またはＣ２６８０）のＳｎめっき条が用いられてきた。すなわち、幅３００〜８００ｍｍの黄銅広幅材に、連続ラインでＳｎめっきを施し、細幅の条にスリットする。この条から連続プレスでピンを打ち抜き、ピンを樹脂のハウジングに挿入してコネクタとしていた。しかし、この工程で製造された基板端子のプレス破面には、Ｓｎめっきが付着していない。【０００４】
近年、地球環境保全の観点より、端子を基板に実装する際に用いるはんだが、従来のＳｎ−Ｐｂはんだから、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系等の鉛フリーはんだに置き換わった。従来のＳｎ−Ｐｂはんだの場合、プレス破面にＳｎめっきが付着していない黄銅端子でも、問題なくはんだ実装できた。しかし、Ｓｎ−Ｐｂはんだが鉛フリーはんだに代替されてから、黄銅地のプレス破面がはんだをはじきスルーホール内にはんだが濡れ上がらないという、実装トラブルが多発するようになった。【０００５】
この原因は、端子にプレスされてから基板に実装されるまでの間に、黄銅地のプレス破面が酸化して破面表面に生成されるＺｎリッチの酸化膜にある。一般的に、生成したＺｎリッチの酸化膜は安定なためフラックスに浸漬しても溶け残り、はんだとの濡れが悪くはんだをはじく性質がある。従来のＳｎ−Ｐｂはんだは共晶組成であることから、フローはんだ温度（約２５０℃）に対し融点が１８７℃と極めて低い。そのため、たとえＺｎリッチの酸化膜が存在しても、Ｓｎ−Ｐｂはんだを使用するとスルーホールの良好なはんだ濡れ上がりが生じる。一方、鉛フリーはんだの融点は２２０℃程度と高いため、Ｚｎリッチの酸化膜にはじかれて充分な濡れ上がりが得られなくなった（非特許文献１参照。）。【０００６】
上記実装不良の対策として、プレス加工前の黄銅広幅材ではなくプレス加工後のピンにＳｎめっきを施す工程（以下、後めっき工程とする）が採用されるようになった。すなわち、黄銅広幅材を細幅条にスリット後、連続プレスでピンに打ち抜いた後、連続ラインでＳｎめっきを施す工程である。この場合、プレス破面がＳｎめっきで覆われるため、Ｚｎリッチの酸化膜によりはんだがはじかれる問題を回避できる。しかし、細幅条に対してＳｎめっきを施すため、広幅材にめっきを施す従来の工程（以下、前めっき工程とする）と比較して、めっきの生産効率が極めて悪く、その製造コストは非常に高いものとなっている。【０００７】
基板端子に関係する上記以外の動向として、端子断面積の小型化や高密度実装が進んでいる。その結果、電流を流した際のジュール熱による端子の温度上昇が増加している。温度上昇の対策としては、熱放散性すなわち熱伝導率が高い素材を用いることが有効である。
以上、自動車の電子制御ユニットのプリント基板を例に説明したが、これ以外のプリント基板においても同様である。【０００８】
【非特許文献１】末次憲一郎：詳説鉛フリーはんだ付け技術、工業調査会（２００４）、ｐ１５２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、鉛フリーはんだによる実装性に優れるプリント基板端子およびその素材を提供することである。より具体的には、前めっき工程により低コストで製造しても十分な実装性が得られ、良好なはんだ濡れ性、電気特性、強度および曲げ加工性を併せ持つＳｎめっき銅合金材、およびこの素材を加工して得られる優れた実装性を有するプリント基板端子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、黄銅中のＺｎを減量し、かつ少量のＳｎを添加して製造条件を調整し、さらに適正な条件のＳｎめっきを施すことにより、良好なはんだ濡れ性、電気特性、強度および曲げ加工性を併せ持ち基板端子素材として好適な材料を開発した。すなわち本発明は、下記銅合金材を提供する。
（１）２〜１２質量％のＺｎおよび０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、残部が銅およびその不可避的不純物から成る銅合金材であり、１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率および１２０〜２１５のマイクロビッカース硬さを有し、表面が平均厚さで０．１〜２．０μｍの純Ｓｎ相で覆われていることを特徴とするプリント基板端子用Ｓｎめっき銅合金材。
（２）２〜１２質量％のＺｎおよび０．１〜１．０質量％のＳｎを含有し、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、ＡｌおよびＡｇの中の一種以上を合計で０．００５〜０．５質量％含有し、残部が銅およびその不可避的不純物から成る銅合金材であり、１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の熱伝導率および１２０〜２１５のマイクロビッカース硬さを有し、表面が平均厚さで０．１〜２．０μｍの純Ｓｎ相で覆われていることを特徴とする、プリント基板端子用Ｓｎめっき銅合金材。
（３）上記（１）〜（２）のＳｎめっき銅合金条からプレス加工され、プレス破面に銅合金母材が露出したピン状の部材であり、基板実装部の厚さ（ｔ）が０．２〜１．０ｍｍ、基板実装部の幅（ｗ）が０．９ｔ〜２．０ｔｍｍ（ｗ／ｔ＝０．９〜２．０）であることを特徴とするプリント基板端子。
（４）相対湿度８５％、温度８５℃の雰囲気に２４時間曝露後、２５０℃の鉛フリーはんだに２ｍｍ深さで１０秒浸漬したときに、プレス破面においてはんだが付着した部分の面積が、はんだに浸漬した部分の面積に対し、１０５％を超えることを特徴とする上記（３）のプリント基板端子。
【発明の効果】
【００１１】
プリント基板のスルーホールに挿入されフロー工程を経て鉛フリーはんだにより実装されるプリント配線基板端子の素材として好適なＳｎめっき銅合金材、およびこの素材から製造された実装性に優れるプリント基板端子を低コストで提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】プリント基板にオス端子を装着し、基板実装性を評価する判断基準を示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（１）合金の特性
本発明の銅合金の熱伝導率は１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。熱伝導率が２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超えると、基板へのはんだ実装時に、端子を通ってはんだから逃げる熱量が増大し、充分なスルーホールのはんだ濡れ上がりが得られなくなる。一方、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満になると、端子に電流を流したときの温度上昇が大きくなり、中・大電流用コネクタとして使用できなくなる。【００１４】
本発明銅合金のマイクロビッカース硬さ（以下、硬さとする）は１２０〜２１５である。硬さが１２０未満の場合、基板端子としての強度が不足し、メスコネクタ挿抜の際に端子が変形する等の問題が生じる。硬さが２１５を超えると、曲げ加工で割れが生じる。【００１５】
（２）合金成分
本発明の銅合金は、ＺｎとＳｎを基本成分とし、両元素の作用により特性を作りこむ。Ｚｎ濃度の範囲は２〜１２質量％、Ｓｎ濃度の範囲は０．１〜１．０質量％である。
Ｚｎが２％未満になると、硬さが不足し、Ｓｎ濃度によっては熱伝導率が２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超える。Ｚｎが１２％を超えると、酸化膜の成分がＺｎリッチとなりはんだがスルーホールに充填されず実装性に劣り、さらに熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満となる。
Ｓｎは圧延の際の加工硬化を促進する作用を持つ。Ｓｎが０．１％未満になると、硬さが不足し、Ｚｎ濃度によっては熱伝導率が２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超える。Ｓｎが１．０％を超えると、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満になる。【００１６】
本発明合金には、合金の強度、耐熱性、耐応力緩和性等を改善する目的で、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｐ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、ＡｌおよびＡｇの中の一種以上を合計で０．００５〜０．５質量％添加することができる。ただし、合金元素の追加は、熱伝導率の低下、曲げ加工性の低下等を招くことがあるので、この点への配慮は必要である。【００１７】
（３）合金のＳｎめっき
本発明銅合金にはプレス打ち抜き前にＳｎめっきを施す。通常、このＳｎめっきは、連続めっきラインにおいて、脱脂及び酸洗の後、電気めっき法により下地めっき層を形成し、次に電気めっき法によりＳｎめっき層を形成し、最後にリフロー処理を施しＳｎめっき層を溶融させる工程で製造される。
下地めっきとしては、Ｃｕ下地めっきが一般的であり、耐熱性が求められる用途に対してはＮｉ下地が施されることがあり、さらに高い耐熱性が求められる場合にはＣｕ／Ｎｉ二層下地めっきが施されることもある。ここで、Ｃｕ／Ｎｉ二層下地めっきとは、Ｎｉ下地めっき、Ｃｕ下地めっき、Ｓｎめっきの順に電気めっきを行った後にリフロー処理を施しためっきであり、リフロー後のめっき皮膜層の構成は表面から純Ｓｎ相、Ｃｕ−Ｓｎ相、Ｎｉ相、母材となる。【００１８】
このリフロー技術の詳細は、特開平６−１９６３４９号公報、特開２００３−２９３１８７号公報、特開２００４−６８０２６号公報等に開示されている。
Ｓｎめっきが薄すぎると、めっき部位のはんだ濡れ性が低下し、はんだがスルーホールを濡れ上がらなくなる。一方、Ｓｎめっきが厚すぎると不経済である。本発明での適正なＳｎめっきの厚みは、純Ｓｎ相の平均厚みで０．１〜２．０μｍである。
なお、下地めっきの種類（下地めっきを行わない場合も含む）およびリフロー処理の有無によらず、純Ｓｎ相の平均厚みを０．１〜２．０μｍに調整すれば本発明が構成され、その効果が発揮される。【００１９】
（４）端子の形状
本発明のＳｎめっき銅合金材からプレス加工される基板端子は、例えば図１（ａ）に示すようなピン状の部材が挙げられる。この端子の基板実装に利用される部分（基板実装部）の厚さ（ｔ（ｍｍ））は０．２〜１．０ｍｍとする。ｔが０．２ｍｍ未満の場合、端子に電流を流したときの温度上昇が大きくなり、中・大電流用コネクタとして使用できなくなる。また、メスコネクタ挿抜の際等に端子が変形してしまう。ｔが１．０ｍｍを超える場合、プレス破面（銅合金母材が露出）の面積が大きくなりすぎ、はんだがスルーホールを濡れ上がらなくなる。【００２０】
実装部の幅（ｗ（ｍｍ））は０．９ｔ〜２．０ｔとする。ｗが０．９ｔ未満の場合、Ｓｎめっきが付着していない部分（プレス破面）の面積が、Ｓｎめっきが付着している部分（圧延面）の面積に対して大きくなり過ぎ、はんだがスルーホールを濡れ上がらなくなる。
ｗが２．０ｔを超える場合、Ｓｎめっきが付着していない部分（プレス破面）の面積が、Ｓｎめっきが付着している部分（圧延面）の面積に対して充分小さいので、黄銅の前めっき材でもスルーホールのはんだ濡れ上がりが生じる。この場合、本発明の構成および効果は必要なくなる。【００２１】
（５）端子のはんだ濡れ性
良好なスルーホールのはんだ濡れ上がりが安定して生じる条件は、下記エージング処理を施した端子を、鉛フリーはんだ浴に２ｍｍ深さで１０秒浸漬したときに、プレス破面におけるはんだ濡れ面積率（Ｓ）が１０５％を超える、好ましくは１１０％以上になることである。
Ｓ（％）＝（はんだが付着した部分の面積）／（はんだに浸漬した部分の面積）×１００【００２２】
Ｓが１００％を超えるということは、はんだ浸漬線より上方にはんだが濡れ上がることを意味する。はんだ濡れ性試験の条件は次の通りである。
・エージング：相対湿度８５％、温度８５℃の雰囲気に２４時間曝露
・フラックス：株式会社タムラ製作所製、商品名ＵＬＦ−３００Ｒ
・はんだ組成：Ｓｎ−３．０ｍａｓｓ％Ａｇ−０．５ｍａｓｓ％Ｃｕ（千住金属工業株式会社製）
・はんだ温度：２５０℃
・はんだ浸漬深さ：２ｍｍ
・はんだ浸漬時間：１０秒
銅合金の特性、成分およびＳｎめっき条件ならびに端子形状が、上述した本発明の条件を満たせば、Ｓが１０５％を超える。
【実施例】
【００２３】
高周波誘導炉を用い、内径６０ｍｍ、深さ２００ｍｍの黒鉛るつぼ中で２ｋｇの電気銅を溶解した。溶湯表面を木炭片で覆った後、ＺｎおよびＳｎを添加した。溶湯温度を１２００℃に調整した後、溶湯を金型に鋳込み、幅６０ｍｍ、厚み３０ｍｍのインゴットを製造した。インゴットを８５０℃で３時間加熱し、厚さ８ｍｍまで熱間圧延を行なった。熱間圧延板の表面の酸化スケールをグラインダーで研削後、冷間圧延、再結晶焼鈍、冷間圧延の順に工程を進め、厚みをｔ（ｍｍ）に仕上げた。
再結晶焼鈍では、材料を大気中、４００℃で３０分間加熱した。また、焼鈍で生成した酸化膜を除去するため、１０質量％硫酸−１質量％過酸化水素溶液による酸洗および＃１２００エメリー紙による機械研磨を順次行った。最終冷間圧延では圧延加工度（Ｒ）を変化させた。ここで、Ｒは次式で定義する。
Ｒ（％）＝（ｔ0−ｔ）／ｔ0×１００（ｔ0：圧延前の厚み、ｔ：圧延後の厚み）【００２４】
次に、この銅合金材に対し、種々の厚みのＳｎめっきを施した。
（１）アルカリ水溶液中で試料をカソ−ドとして次の条件で電解脱脂を行った。
・電流密度：３Ａ／ｄｍ2
・脱脂剤：ユケン工業（株）製商標「パクナＰ１０５」。脱脂剤濃度：４０ｇ／Ｌ。温度：５０℃。時間３０秒
・電流密度：３Ａ／ｄｍ2。
（２）１０質量％硫酸水溶液を用いて酸洗した。
（３）次の条件で厚さ０．３μｍのＮｉ下地めっきを施した（Ｎｉ下地およびＣｕ／Ｎｉ二層下地の場合）。
・めっき浴組成：硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／Ｌ、ホウ酸３０ｇ／Ｌ
・めっき浴温度：５０℃
・電流密度：５Ａ／ｄｍ2
（４）次の条件で厚さ０．３μｍのＣｕ下地めっきを施した（Ｃｕ下地およびＣｕ／Ｎｉ二層下地の場合）。
・めっき浴組成：硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸６０ｇ／Ｌ
・めっき浴温度：２５℃
・電流密度：５Ａ／ｄｍ2【００２５】
（５）次の条件でＳｎめっきを施した。
・めっき浴組成：酸化第１錫４１ｇ／Ｌ、フェノ−ルスルホン酸２６８ｇ／Ｌ、界面活性剤５ｇ／Ｌ
・めっき浴温度：５０℃
・電流密度：９Ａ／ｄｍ2
電着時間によりＳｎめっき厚みを変化させた。
（６）リフロー処理として、温度を４００℃の加熱炉中に試料を１０秒間挿入し水冷した。【００２６】
得られた銅合金Ｓｎめっき条に対し、次の特性を評価した。
（Ａ）めっき厚の測定
電解式膜厚計（コクール法）により、純Ｓｎ相の厚みを測定した。電解液はＲ−５０を用いた。電解液Ｒ−５０で電解を行うと、Ｓｎめっき層を電解してＣｕ−Ｓｎ合金層の手前で電解がとまり、ここでの装置の表示値が純Ｓｎめっき層の厚みとなる。
（Ｂ）熱伝導率
株式会社リガク製熱伝導率測定装置ＦＡ８５１０を用いて、レーザーフラッシュ法により熱伝導率を求めた。温度は２５℃、雰囲気は真空で測定を行った。
（Ｃ）マイクロビッカース硬さ
明石製作所社製、商品名「マイクロビッカース硬さ試験機  ＭＶＫ−Ｅ型」を用いて、圧延方向に対して平行な断面においてＪＩＳＺ２２４４に規定されたビッカース硬さ（ＨＶ０．５）を求めた。【００２７】
次に、銅合金Ｓｎめっき条から、幅がｗ（ｍｍ）で長さが３０ｍｍのピンをプレス打ち抜き加工で採取し、次の特性を評価した。
（Ｄ）はんだ濡れ性
上述の条件で、エージング後の試料を鉛フリーはんだに浸漬し、プレス破面におけるはんだ濡れ面積率（Ｓ）を測定した。Ｓが１０５％を超える場合を良好と判断した。
（Ｅ）基板実装試験
８５℃、８５％で２４時間エージング後の試料を、株式会社連取電気製作所製、卓上型噴流はんだ付け装置ＳＲ−３００を用い、はんだ濡れ性の評価で使用したものと同じフラックスと鉛フリーはんだを用いて基板に実装した。基板材質はガラスエポキシＦＲ４、基板板厚は１．６ｍｍ、銅箔ランド径はφ２．０ｍｍ、スルーホール径はピンの幅ｗに対して＋０．２ｍｍ以内とした。フラックス塗布後、基板の下面を２５０℃のはんだの噴流と接触させ、冷却後のスルーホール断面を観察した。はんだがランド表面に濡れ広がっている場合を○とし、スルーホールの途中までしか上がってこない場合を×とした（図１参照）。【００２８】
（Ｆ）通電したときの温度上昇
ピンをメス端子と嵌合させて、１２Ｖで３０Ａの直流電流を３０分間流した。その際、端子に熱電対を溶接して温度上昇量を測定した。温度上昇量が３０℃以下の場合を○とし、３０℃を超える場合を×とした。
（Ｇ）曲げ加工性
ＪＩＳＨ３１１０に規定されたＷ曲げ試験を実施した。曲げ半径は、板厚値とした。曲げ後の試料につき、光学顕微鏡を使用して倍率４００倍で曲げ部の断面の割れの有無を観察し、割れが発生しなかった場合を○、割れが発生した場合を×と評価した。なお、深さが１０μｍを超える亀裂を割れとみなした。【００２９】
（実施例１）
合金成分および最終圧延加工度が、熱伝導率、硬さ、端子性能に及ぼす影響を、表１に基づき説明する。全試料とも０．３μｍのＣｕ下地めっきの後、１．０μｍのＳｎめっきを施している。表１中の試料のリフロー後の純Ｓｎ相の厚みは０．６±０．２μｍであった。また、端子の寸法は、ｔ＝０．６４ｍｍ、ｗ＝０．６４ｍｍである。【００３０】
【表１】
2008114868.tif 000003
【００３１】
Ｚｎを２〜１２％、Ｓｎを０．１〜１．０質量％とし適切な最終圧延加工度を選択したＮｏ．１〜２８では、熱伝導率が１５０〜２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）の範囲、硬さが１２０〜２１５の範囲に収まっており、端子に加工後のはんだ濡れ性および基板実装性は良好であり、通電時の温度上昇は基準の３０℃以下で、曲げ加工での割れは確認されなかった。
比較例Ｎｏ．２９はＺｎ濃度が２％に満たないため、熱伝導率が２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）を超えてはんだ濡れ面積率が１０５％以下となり、はんだ実装性も悪かった。また、硬さが１２０未満となり、コネクタ挿抜の際の端子変形が懸念される。【００３２】
比較例Ｎｏ．３０はＳｎ濃度が０．１％に満たないため硬さが１２０未満となり、コネクタ挿抜の際の端子変形が懸念される。
比較例Ｎｏ．３１はＺｎ濃度が１２％を超えたため酸化膜組成がＺｎリッチとなり、その結果はんだ濡れ面積率が１０５％以下となってはんだ実装性も劣化した。また、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満となり、通電時の温度上昇が基準の３０℃を超えた。
比較例Ｎｏ．３２はＳｎ濃度が１．０％を超えたため、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満となり、通電時の温度上昇が基準の３０℃を超えた。【００３３】
比較例Ｎｏ．３３は最終圧延加工度が低すぎることに起因して硬さが１２０未満となったものであり、コネクタ挿抜の際の端子変形が懸念される。  
比較例Ｎｏ．３４は最終圧延加工度が高すぎることに起因して硬さが２１５を超えたものであり、曲げ加工で割れが発生した。
比較例Ｎｏ．３５は黄銅の例である。はんだ濡れ面積率は８０％に満たず、プレス破面にははんだがはじかれ黄銅母材が露出した部分が見られた。基板への実装は不可能であった。また通電時の温度上昇も基準の３０℃を大きく超えた。【００３４】
（実施例２）
Ｓｎめっきの条件が、端子に加工後のはんだ濡れ性および基板実装性に及ぼす影響を表２に基づき説明する。全ての試料とも、銅合金母材の成分はＣｕ−８．０％Ｚｎ−０．３％Ｓｎ、最終圧延加工度は４０％、熱伝導率は１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、硬さは１５０である。また、端子の寸法は、ｔ＝０．８０ｍｍ、ｗ＝０．８０ｍｍである。【００３５】
【表２】
2008114868.tif 000004
【００３６】
Ｎｏ．３６〜４４は、０．３μｍのＣｕ下地めっきを施す場合について、Ｓｎの電着厚みを変えることにより、リフロー後の純Ｓｎ相の平均厚みを変化させたものである。純Ｓｎ相が０．１μｍ未満のＮｏ．３６では、はんだ実装性が劣化した。純Ｓｎ相が０．１μｍ以上のＮｏ．３７〜４４では良好なはんだ濡れ性とはんだ実装性が得られた。ただし、純Ｓｎ相が２．０μｍを超えるＮｏ．４４については、純Ｓｎ相が不必要に厚く不経済である。
Ｎｏ．４５〜４６は０．３μｍのＮｉと０．３μｍのＣｕの二層下地めっきを施す場合、Ｎｏ．４７〜４８は０．３μｍのＮｉ下地めっきを施す場合、Ｎｏ．４９〜５０は下地めっきを施さない場合である。これらについても、リフロー後の純Ｓｎ相の平均厚みを０．１μｍ以上にすることで良好なはんだ濡れ性とはんだ実装性が得られている。【００３７】
（実施例３）
端子形状が、端子に加工後のはんだ濡れ性、基板実装性、通電時の温度上昇に及ぼす影響を表３に基づき説明する。全ての試料とも、銅合金母材の成分はＣｕ−２．７％Ｚｎ−０．１６％Ｓｎ、最終圧延加工度は６０％、熱伝導率は２４７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、硬さは１４５である。また、０．３μｍのＣｕ下地めっきの後、１．０μｍのＳｎめっきを施している。表３中の試料のリフロー後の純Ｓｎ相の厚みは０．６±０．２μｍであった。【００３８】
【表３】
2008114868.tif 000005
【００３９】
ｔを０．２〜１．０ｍｍ、ｗを０．９ｔ〜２．０ｔにしたＮｏ．５１〜６０では、良好なはんだ濡れ性が得られ、基板実装性も良好で通電時の温度上昇は基準の３０℃以下であった。
ｔが０．２ｍｍ未満のＮｏ．６１では、通電時に温度上昇が起こりやすく、コネクタ挿抜の際の端子変形も懸念される。ｔが１．０ｍｍを超えるＮｏ．６２では、はんだ濡れ性が発明例より劣り、はんだ実装性が劣化した。【００４０】
ｗが０．９ｔ未満のＮｏ．６３〜６５でははんだ濡れ性が発明例より劣り、はんだ実装性が劣化した。
ｗが２．０ｔを超えるＮｏ．６６〜６７については、良好なはんだ濡れ性および基板実装性が得られたものの、この端子寸法の場合黄銅の前めっき材でも基板実装が可能だったため、はんだ実装性改善を目的に本発明を利用する必要はない。
【図１】
2008114868.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【表２】
2008114868.tif 000007
【国際調査報告】
2008114868.tif 000008
2008114868.tif 000009