【事件の表示】
　特願２０１５−１３８３３９「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月２６日出願公開、特開２０１５−２１３１９０、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年８月２０日に出願した特願２００８−２１１９６２号の一部を平成２７年７月１０日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　７月１０日　審査請求・上申書
　平成２８年　５月２３日　拒絶理由通知
　平成２８年　７月２５日　意見書・手続補正書
　平成２８年１２月２２日　拒絶査定
　平成２９年　３月２１日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　６月２６日　上申書
　平成２９年　９月２７日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年１２月　１日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし６に係る発明は、下記引用文献２ないし７に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
２．特開２００６−３１０５３２号公報
３．特開２００５−０６４２１８号公報
４．特表２００３−５３０６９７号公報
５．特開２００５−３１７６８５号公報
６．米国特許出願公開第２００７／０１６４２７９号明細書
７．特開２００８−０２１８４９号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２９年９月２７日付けで当審より通知した拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
　１　理由１（サポート要件）
（１）本願発明１、３、４及び６について
　本願発明１、３、４及び６は、「第２の絶縁膜」のみによって「突起部」の全体を完全に被覆した上で、「外部接続端子」との接続のために「再配線層」を「第１伸長部」の側に延伸したものを包含するものと認められるが、そのような発明は「発明の詳細な説明」には記載されておらず、また、「発明の詳細な説明」に記載された課題に対応するものとはいえない。
　よって、本願発明１、３、４及び６は、「発明の詳細な説明」に記載したものでない。
（２）本願発明１ないし６について
　本願の請求項１に「前記半導体基板と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜」と記載されている。
　しかしながら、「発明の詳細な説明」には、「第２絶縁膜」（絶縁膜１３）が「半導体基板」（半導体基板１０）の表面に接するものは、記載されていない。
　請求項４の「前記半導体基板と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程」との記載についても、上記と同様のことがいえる。
　また、請求項１を引用する請求項２及び３、並びに請求項４を引用する請求項５及び６についても、上記と同様のことがいえる。
　よって、本願発明１ないし６は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
　２　理由２（明確性）
（１）本願発明１ないし３について
　本願の請求項１に「前記第１開口部内の前記第２領域の一部に複数回にわたりプローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された突起部」と記載されているが、「複数回にわたりプローブを当接させることにより形成された突起部」と、「１回だけプローブを当接させることにより形成された突起部」との構造上の相違が不明確であるから、上記記載により特定される技術事項の範囲を明確に特定することができない。
　請求項１を引用する請求項２及び３についても、上記と同様のことがいえる。
　よって、本願発明１ないし３は、明確でない。
　３　理由３（進歩性）
　この出願の請求項１ないし６に係る発明は、下記引用文献１、２、４ないし６に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　４　理由４（拡大先願）
　この出願の請求項１ないし６に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた下記特許出願３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００５−３１７６８５号公報
　（当審注．原査定では「引用文献５」として引用されていた文献である。）
２．米国特許出願公開第２００７／０１６４２７９号明細書
　（当審注．原査定では「引用文献６」として引用されていた文献である。）
３．特願２００７−７２５２２号（特開２００８−２３５５３９号）
４．特開２００７−３１７８６０号公報
５．特開２００５−３９０１７号公報
６．特開２００１−５３０７５号公報
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明４」という。）は、平成２９年１２月１日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　半導体基板上に形成された電極パッドと、
　前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜と、
　前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された凹部及び突起部と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続された接続部と、前記接続部から伸長して前記電極パッドの前記凹部及び前記突起部を含む前記第２領域に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域と前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域とを被覆する第１伸長部と、前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して外部接続端子に接続された第２伸長部と、を備える再配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記第２絶縁膜の膜厚は１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　電極パッドと、前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜とが形成された半導体基板を準備する工程と、
　前記第１開口部内の前記第２領域の一部に複数回にわたりプローブを当接させて前記第２領域内に凹部及び突起部を形成する測定工程と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
　前記第２開口部と、前記第２絶縁膜の表面の第２伸長領域と、前記第２開口部を挟んで前記第２伸長領域とは異なる方向に伸長して前記第２絶縁膜の表面の前記凹部及び前記突起部を含む前記第２領域に対応する領域及び前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域を含む第１伸長領域と、に再配線層を形成するためのレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続されると共に前記第１伸長領域に延在する第１伸長部と前記第２伸長領域に延在する第２伸長部とを備えた前記再配線層を形成する再配線層形成工程と、
　前記第２伸長部に接続された外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項４】
　前記第２絶縁膜の膜厚は１〜１０μｍであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。」
第５　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１
（１）引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由及び原査定において引用された特開２００５−３１７６８５号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は当審において付したもの。以下において同じ。）
　「【００３３】
　以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
　図１及び図２は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示し、図１は表面の部材を部分的にはがした状態を示す平面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ’線部の断面構成を示している。また、図３は、同半導体装置において、半導体ウェハプロセス終了後、半導体チップの電気特性検査を行った段階での素子電極の周辺部分を拡大して示した平面図である。図４は、同半導体装置の断面構成を示した図２のうち、素子電極の周囲の部分を拡大して表示したものである。
【００３４】
　図１及び図２に示すように、半導体チップ１０には半導体素子形成領域１１に少なくとも１つの半導体素子が形成されており、
半導体チップ１０の上には、
半導体チップ１０の電極である素子電極１３と、この素子電極１３の上側を開口するチッ化シリコンからなる保護膜（パッシベーション膜）１４とが形成されている。前記素子電極１３は、
接続用領域）１３ａと、
（検査用領域）１３ｂとで構成されている。
【００３５】
　
保護膜１４の上には、素子電極１３の上側に開口部を有する感光性絶縁材料からなる第１の絶縁膜１５を介して、一方の端部が素子電極１３と接続され、他方の端部がＣｕからなるランド１８と接続された金属配線層１７が形成されている。
ランド１８と接続される半田の金属バンプ２０が形成されている。
【００３６】
　なお、第１の絶縁膜１５を構成する材料は感光性絶縁材料に限られず、絶縁性を有する材料であればよい。また、下部金属層１６ａのバリアメタルを構成する材料はＴｉに限られず、保護膜１４との強い密着性を有し、下部金属層１６ａの下部金属膜のエッチング液に対するバリア性を有する材料であれば良く、例えばＴｉＷやＣｒ等を用いても良い。また、下部金属層１６ａの下部金属膜および上部金属膜１６ｂおよびランド１８を構成する材料はＣｕに限られず、導電性を有する材料であれば良く、それぞれが異なる導電性材料により構成されていても良い。また、上部金属膜１６ｂおよびランド１８は、一工程で形成しても良いし、別々の工程で形成しても良い。また、第２の絶縁膜１９についても熱硬化性エポキシ樹脂に限られず、絶縁性を有する材料であれば良く、例えば第１の絶縁膜１５と同一の感光性絶縁材料でも良い。
【００３７】
　以上のように構成された本実施の形態の半導体装置において、図３、図４においても拡大して示すように、素子電極１３は半導体チップ１０の半導体素子形成領域１１と素子配置禁止領域１２に跨って形成されている。そして特に、半導体素子形成領域１１上に形成された領域
（接続用領域）１３ａは、外部接続用端子である金属バンプ２０に接続するための金属配線層１７との接続のための電極として用いられ、
（検査用領域）１３ｂは半導体チップ１０の電気特性検査のためのプローブ針接続用電極として使用される。
保護膜１４は素子電極１３の上部に開口部を有している。
【００３８】
　また、半導体チップ１０の主面において、複数の素子配置禁止領域１２同士が半導体素子形成領域１１において点在するように適宜間隔をあけて２次元的に配置されており、各素子電極１８の接続用領域１３ａが半導体素子の近傍でかつ金属バンプ２０の配設位置近傍に配置されている。
【００３９】
　ここで、
本発明にかかる半導体装置は、半導体ウェハプロセス終了後、半導体チップの電気特性検査工程、外部接続端子形成工程を経て製造される。
電気特性検査工程においては、
素子電極１３の検査用領域１３ｂにプローブ針を接触させて行う。したがって、この素子電極１３の検査用領域１３ｂにはプローブ針が押し付けられるため、図３に示すように、プローブ痕２１が残る。
このプローブ痕２１上には第１の絶縁膜１５が形成される
【００４０】
　一方、
外部接続端子と接続するための金属配線層１７は
素子電極１３の接続用領域１３ａに形成されるが、この部分にはプローブ痕２１が存在しない
【００４１】
　また、金属配線層１７はスパッタ法やめっき法を用いて形成されるが、これらの方法によれば、素子電極１３の接続用領域１３ａとの接続部分に機械的衝撃はほとんど加わらないので、接続用領域１３ａの下部に配設された回路や配線に影響を与えることもない。
【００４２】
　また、素子電極１３の大きさは従来に比較して大きくなるが、素子電極１３のうち、金属配線層１７と接続される接続用領域１３ａは、半導体素子形成領域１１上にあるので、半導体チップ１０の小型化を阻害することもない。
【００４３】
　また、外部接続端子としての金属バンプ２０の直下には第１の絶縁膜１５が存在するので、実装時の機械的衝撃や応力に対して応力緩和作用を有しており、金属バンプ２０の配置は下部回路に何ら制約を受けない。
【００４４】
　さらに、素子電極１３のうち、金属配線層１７と接続される素子電極１８の接続用領域１３ａは、金属バンプ２０の配設位置近傍に配置されているため、金属バンプ２０に接続するための金属配線層１７の配線長を短くすることができ、半導体装置と外部機器との間で信号の高速伝送が可能となる。
・・・
【００５７】
　次に、前記のように構成された半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
　図７（ａ）〜図７（ｅ）および図８（ａ）〜図８（ｅ）および図９（ａ）〜図９（ｄ）は、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示しており、図１のＡ−Ａ’線における工程順の断面構成を示している。
【００５８】
　まず、
図７（ａ）に示すように、
半導体ウェハ３０の主面上に、素子電極１３として、
接続用領域１３ａおよび検査用領域１３ｂを形成する。
【００５９】
　次に、
図７（ｂ）に示すように、半導体ウェハ３０の主面上に、素子電極１３上に開口部を有するように保護膜（パッシベーション膜）１４を形成する。
　次に、
図７（ｃ）に示すように、素子電極１３上
に形成された検査用領域１３ｂにプローブ針２２を接触させ、半導体チップの電気特性検査を行う。
【００６０】
　次に、
図７（ｄ）に示すように、半導体ウェハ３０の主面上に、素子電極１３上
に形成された接続用領域１３ａに開口部を有するように、第１の絶縁膜１５を形成する。
【００６１】
　次に、図７（ｅ）に示すように、前記開口部の内部を含む、第１の絶縁膜１５上に、スパッタリング法によりチタンからなるバリアメタルおよびＣｕからなる下部金属膜とから構成される下部金属層１６ａを形成する。なお、バリアメタル及び下部金属膜からなる下部金属層１６ａの形成は、スパッタリング法に限らず、真空蒸着法、ＣＶＤ法または無電解めっき法等を用いても良い。また、下部金属層１６ａのバリアメタルに用いる材料はチタンに限られず、ＴｉＷまたはＣｒを用いても良い。
【００６２】
　次に、
図８（ａ）に示すように、
配線の形状を開口するめっきレジスト膜２３を形成する。
【００６３】
　次に、図８（ｂ）に示すように、めっきレジスト膜２３をマスクとして用いた電解めっき法により、下部金属層１６ａをシードとしてＣｕからなる上部金属膜１６ｂを形成する。
【００６４】
　次に、図８（ｃ）に示すように、めっきレジスト膜２３を分解して除去する。
　次に、図８（ｄ）に示すように、下部金属層１６ａおよび上部金属膜１６ｂ上にドライフィルムレジスト２４を形成し、ランド１８に対応する部分に開口部を設ける。
【００６５】
　次に、図８（ｅ）に示すように、ドライフィルムレジスト膜２４をマスクとして用いた電気めっき法により、下部金属層１６ａおよび上部金属膜１６ｂをシードとしてＣｕからなるランド１８を形成する。
【００６６】
　次に、図９（ａ）に示すように、ドライフィルムレジスト膜２４を分解して除去する。
　次に、図９（ｂ）に示すように、まず、塩化第二鉄溶液を用いてウエットエッチングを行う。これにより、上部金属膜１６ｂ及びこの上部金属層１６ｂの間に露出する下部金属層１６ａが溶解されるが、下部金属層１６ａと比べて上部金属膜１６ｂは十分な厚さを有しており、下部金属層１６ａが上部金属膜１６ｂよりも先に除去される。なお、ウエットエッチングに用いるエッチング液は塩化第二鉄溶液に限られず、硫酸と過酸化水素との混合液等からなり銅を溶解できるエッチング液であればよい。
【００６７】
　その後、チタンを溶解するエッチング液としてＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸塩）溶液を用いてバリアメタルを除去して第１の絶縁膜１５を露出する。これにより、
バリアメタルおよび下部金属膜からなる下部金属層１６ａ及び上部金属膜１６ｂが積層された金属配線層１７
が形成される。
【００６８】
　次に、図９（ｃ）に示すように、半導体ウェハ１０の主面上に、ランド１８の上部に金属面が露出するように、熱硬化性のエポキシ樹脂を用いて第２の絶縁膜１９を形成する。
　次に、
図９（ｄ）に示すように、ランド１８の上部に半田ボールを載置して溶融することにより外部接続端子である金属バンプ２０を形成する。
【００６９】
　その後、半導体ウェハ１０をチップ状態にダイシングすることにより本実施形態の半導体装置を得ることができる。」
（２）引用発明
　ア　引用発明１（物の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体チップ１０上に形成された素子電極１３と、
　前記素子電極１３の表面を被覆し、かつ、前記素子電極１３の表面の接続用領域１３ａ及び検査用領域１３ｂの一部を露出させる開口部を有する保護膜１４と、
　前記検査用領域１３ｂにプローブ針を接触させることにより前記検査用領域１３ｂ内に形成されたプローブ痕２１と、
　前記保護膜１４と前記素子電極１３とを被覆すると共に、前記接続用領域１３ａの一部を露出させる開口部を備える絶縁膜１５と、
　前記絶縁膜１５の開口部を介して前記素子電極１３に接続されるとともに金属バンプ２０に接続された金属配線層１７と、を備えることを特徴とする半導体装置。」
　イ　引用発明２（製造方法の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「素子電極１３と、前記素子電極１３の表面を被覆し、かつ、前記素子電極１３の表面の接続用領域１３ａ及び検査用領域１３ｂの一部を露出させる開口部を有する保護膜１４とが形成された半導体ウエハを準備する工程と、
　前記検査用領域１３ｂにプローブ針を接触させることにより前記検査用領域１３ｂ内にプローブ痕２１を形成する電気特性検査工程と、
　前記保護膜１４と前記素子電極１３とを被覆すると共に、前記接続用領域１３ａの一部を露出させる開口部を備えた絶縁膜１５を形成する工程と、
　前記絶縁膜１５の表面に金属配線層１７を形成するためのめっきレジスト膜２３を形成する工程と、
　前記素子電極１３に接続された前記金属配線層１７を形成する工程と、
　前記金属配線層１７に接続された金属バンプ２０を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　２　引用文献２
　当審拒絶理由及び原査定において引用された米国特許出願公開第２００７／０１６４２７９号明細書（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は当審において作成した。）
　ア「[0047] Refer to FIG.1. The semiconductor substrate 10 may be a silicon substrate, a GaAs substrate, or a SiGe substrate. A plurality of semiconductor devices 12 is formed in or on the semiconductor substrate 10.」
（訳．［００４７］　図1を参照する。半導体基板10は、シリコン基板、GaAs基板、SiGe基板でもよい。複数の半導体装置12が半導体基板10の中または上に形成されている。）
　イ「[0060] Refer to FIG.1. An opening 24 in the passivation layer 22 exposes a pad 26.」
（訳．［００６０］　図1を参照する。パッシベーション層22における開口部24は、パッド26を露出させる。）
　ウ「[0064] Refer to FIG.2C. During a step of testing, a testing probe 32 contacts with the testing area 28 of a pad 26 for electrical testing. Refer to FIG.2D. After the step of testing, the testing probe 32 is removed, and a probe mark 34 is left on the testing area 28. Refer to FIG.2E. A patterned polymer layer 36 is formed over the passivation layer 22 and the testing area 28, and the probe mark 34 is thus covered. An opening 38 in the patterned polymer layer 36 exposes the bond area 30 of the pad 26.」
（訳．［００６４］　図2Cを参照されたい。試験工程の間に、検査用プローブ32は、電気的試験用のパッド26の検査領域28に接触する。図2Dを参照されたい。試験工程の後、検査用プローブ32を除去した後に、検査領域28上にプローブ痕34が残る。図2Eを参照されたい。パッシベーション層22および検査領域28の上にパターニングされたポリマー層36が形成され、プローブ痕34が覆われている。ポリマー層36の開口部38は、パッド26の接続領域30を露出させる。）
　エ「[0071] In the present invention, the pad 26 has a testing area 28 for electrical testing and a bond area 30 to be electrically connected to an external system. In this embodiment, after the electrical testing is completed, the testing area 28 of the pad 26 is covered with a patterned polymer layer 36.」
（訳．［００７１］　本発明においては、パッド26は、電気的検査のための検査領域２８と、外部システムと電気的に接続するための接続領域30を有している。本実施の形態では、上記の電気的検査が終了した後、パッド26の検査領域28は、パターニングされたポリマー層36によって覆われている。）
　オ「[0077]This embodiment exemplifies the application of the present invention to a redistribution layer (RDL).
・・・
[0078] Refer to FIG.4B. Next, a first metal layer 56 having a thickness of between 1 and 30 μm is electroplated on the seed layer 42 exposed by the first-photoresist-layer opening 54.
・・・
[0080] Refer to FIG.4G. Next, a second metal layer 66 having a thickness of between 1 and 200 μm, e.g. between 20 and 120 μm, is electroplated on the bond area 60 exposed by the second-photoresist-layer opening 64.
・・・
For example, the metal layer 48 may include a gold layer with a thickness of between 10 and 30 μm, for forming a metal bump, or between 1 and 10 μm, for forming a metal trace.」
（訳．［００７７］　本実施形態は、本発明を再分配層(RDL)に適用している。
・・・
［００７８］　図4Bを参照されたい。次に、第１フォトレジスト層の開口部54によって露出されたシード層42上に、電気めっきにより、厚さ1から30μmの第1金属層56が形成される。
・・・
［００８０］　図4Gを参照されたい。次に、1から200μmの間(例えば20から120μm)の厚さを有する第2金属層66を第2フォトレジスト層の開口部64によって露出した接続領域60上に電気メッキにより形成する。
・・・
例えば、金属層48は、金属バンプを形成する場合には10から30μmの、金属トレースを形成する場合には1から10μmの厚さの金層を含んでよい。）
　３　先願３
（１）先願３の明細書及び図面の記載事項
　当審拒絶理由において引用された特願２００７−７２５２２号（特開２００８−２３５５３９号）（以下、「先願３」という。）の明細書には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００２５】
　以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
　＜第１の実施の形態＞
　最初に、本発明の第１の実施の形態における半導体装置の形態について説明する。
【００２６】
　図１は第１の実施の形態における半導体装置の構成を説明する図であり、（Ａ）は要部断面模式図であり、（Ｂ）は拡大図である。
　この図に示す半導体装置１は、一例として、ダイシングによって切断される前のウエハ状態の半導体装置の要部が示されている。また、この図の半導体装置１には、ウエハ状のまま、プローブピンによる電気的特性検査が施された状態が示されている。
【００２７】
　半導体装置１には、Ｓｉ（シリコン）またはＧａＡｓ（ガリウムヒ素）等の
半導体基材（半導体ウエハ）１０の一方の主面に、
電子回路層１１が形成されている。
【００２８】
　
電子回路層１１上には、さらに電子回路層１１に電気的に接続された複数の電極パッド１２
が配設されている。但し、電極パッド１２については、再配線用の電極パッドとプローブピン用の電極パッドとを共用する。
電極パッド１２には、プローブピンによる接触により糸くず状に生成した突起物１２ａが生成している。
電子回路層１１上には、半導体装置１を保護するために、窒化シリコン（ＳｉＮ）等のパッシベーション膜２０が形成されている。
【００２９】
　
パッシベーション膜２０並びに電極パッド１２上には、電極パッド１２上に生成した突起物１２ａを被覆するように、有機絶縁膜２１が形成されている。
有機絶縁膜２１内には、電極パッド１２表面まで貫通する開口部２２が設けられている。但し、開口部２２は、突起物１２ａの位置を外すように形成されている。そして、開口部２２の底部において、電極パッド１２表面が露出している。
【００３０】
　さらに、
有機絶縁膜２１上と開口部２２の内壁並びに表面が露出した電極パッド１２上には、シード層３０が形成され、シード層３０上に、外部接続用端子に導通させるための再配線層３１が形成されている。
【００３１】
　そして、半導体装置１は、再配線層３１の一部を表出するように封止層４０によって封止されている。封止層４０の材質は、例えば、エポキシ系樹脂である。さらに、封止層４０から表面が露出した
再配線層３１上には、外部接続用端子としてのバンプ電極（突出電極）５０が配設されている。
【００３２】
　次に、このような半導体装置１の製造方法について、硬化前の有機絶縁膜２１の塗布工程から、図２〜図５を用いて説明する。なお、以下の図面では、図１と同一の部材には同一の符号を付し、既に説明した部材については、その説明の詳細を省略する。
【００３３】
　図２は有機絶縁膜塗布工程を説明する図であり、（Ａ）は要部断面模式図であり、（Ｂ）は拡大図である。
　この図では、プローブピンによる電気的特性検査が行われた後のウエハ状の半導体装置に、ペースト状の有機絶縁膜２１ａが塗布された状態が示されている。
【００３４】
　図示するように、
半導体基材１０上には、予め、素子並びに電子回路層１１が形成され、電子回路層１１上には、電子回路層１１に導通する電極パッド１２が形成されている。そして、電極パッド１２の一部を被覆するように、パッシベーション膜２０が形成されている。そして、電極パッド１２には、プローブピンによる電気的特性検査によって発生した、糸くず状の突起物１２ａが生成している。
【００３５】
　このようなウエハ状の半導体装置上に、スピンコートにより感光性樹脂である有機絶縁膜２１ａを塗布する。ここで、有機絶縁膜２１ａの材質は、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等で構成され、光硬化前は、ペースト状である。従って、光硬化前の有機絶縁膜２１ａは、糸くず状の突起物１２ａ周囲を被覆する程度の粘性を充分に備えている。即ち、
有機絶縁膜２１ａをスピンコートにより半導体装置上に塗布すれば、糸くず状の突起物１２ａが有機絶縁膜２１ａによって完全に被覆し、パッシベーション膜２０並びに電極パッド１２上にも、有機絶縁膜２１ａが形成する。
【００３６】
　図３は有機絶縁膜パターニング工程を説明する図であり、（Ａ）は要部断面模式図であり、（Ｂ）は拡大図である。この図では、前工程で塗布した有機絶縁膜２１ａが半導体装置上で硬化し、パターニングされた状態が示されている。
【００３７】
　前工程で塗布した有機絶縁膜２１ａに対し、露光用マスクの位置合わせを行い、リソグラフィによって、
有機絶縁膜２１ａを硬化し、半導体装置上にパターニングされた有機絶縁膜２１を形成する。
【００３８】
　ここで、リソグラフィによって、
有機絶縁膜２１内に電極パッド１２表面まで貫通する開口部２２を設ける。この開口部２２については、上述した露光・リソグラフィによって、電極パッド１２に生成した突起物１２ａが有機絶縁膜２１から露出しないように、有機絶縁膜２１中に形成する。
【００３９】
　図４は再配線層鍍金工程を説明する図であり、（Ａ）は要部断面模式図であり、（Ｂ）は拡大図である。この図では、電極パッド１２上に再配線層３１が鍍金された状態が示されている。
【００４０】
　電極パッド１２表面、開口部２２内壁並びに有機絶縁膜２１表面に、予め、５０〜５００ｎｍのシード層３０をスパッタリングによって成膜する。
　そして、
再配線層を形成するために、レジストを塗布し、リソグラフィによりパターンニングされたレジスト３２から表出したシード層３０上に電解鍍金によって、膜厚が３〜５０μｍの再配線層３１を形成する。
【００４１】
　図５は再配線層形成工程を説明する図であり、（Ａ）は要部断面模式図であり、（Ｂ）は拡大図である。この図では、電極パッド１２上に再配線層３１が配設された状態が示されている。
【００４２】
　前工程で、パターニング形成したレジスト３２並びにレジスト３２下に位置する不要部分のシード層３０をアッシング、エッチングによって除去し、
再配線層３１を電極パッド１２上に形成する。
【００４３】
　この後については、図１に示す半導体装置１のように、再配線層３１の一部を表出するように、封止層４０を形成する。そして、封止層４０から表面が露出した
再配線層３１上にバンプ電極５０を形成し、バンプ電極５０と電極パッド１２とを電気的に接続させ、半導体装置１が完成する。
【００４４】
　このように、
第１の実施の形態で説明した半導体装置１にあっては、プローブピンによる電気的特性検査によって発生した、糸くず状の突起物１２ａが有機絶縁膜２１によって被覆されている。
【００４５】
　そして、
突起物１２ａが有機絶縁膜２１によって被覆された状態が維持されたまま、電極パッド１２上に、再配線層３１が形成される。さらに再配線層３１上には、外部接続用端子としてのバンプ電極５０が形成される。
【００４６】
　
かかる有機絶縁膜２１によって、突起物１２ａ下部の被覆性の悪い部分は絶縁膜で覆われる
【００４７】
　また、
再配線層用並びに電気的特性検査用を共用する電極パッド１２を備える
（２）先願発明
　ア　先願発明１（物の発明）
　上記（１）より、先願３の明細書及び図面には、下記の発明（以下、「先願発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体基材１０上に形成された電極パッド１２と、
　前記電極パッド１２の表面を被覆し、かつ、前記電極パッド１２の表面の一部を露出させる開口部を備えるパッシベーション膜２０と、
　前記電極パッド１２にプローブピンを接触させることにより形成された突起物１２ａと、
　前記パッシベーション膜２０及び前記突起物１２ａを被覆するとともに、前記電極パッド１２の表面の一部を露出させる開口部２２を備える有機絶縁膜２１と、
　前記開口部２２を介して電極パッド１２に接続されるとともに、外部接続用端子に接続された再配線層３１と、を備えることを特徴とする半導体装置。」
　イ　先願発明２（製造方法の発明）
　上記（１）より、先願３の明細書及び図面には、下記の発明（以下、「先願発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「電極パッド１２と、前記電極パッド１２の表面を被覆し、かつ、前記電極パッド１２の表面の一部を露出させる開口部を備えるパッシベーション膜２０とが形成された半導体基材１０を準備する工程と、
　前記電極パッド１２にプローブピンを接触させて突起物１２ａを形成する電気的特性検査工程と、
　前記パッシベーション膜２０及び前記突起物１２ａを被覆するとともに、前記電極パッド１２の表面の一部を露出させる開口部２２を備える有機絶縁膜２１を形成する工程と、
　再配線層３１を形成するためのレジスト３２を形成する工程と、
　前記電極パッド１２に接続された前記再配線層３１を形成する工程と、
　前記再配線層３１に接続された外部接続用端子を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　４　引用文献４
　当審拒絶理由において引用された特開２００７−３１７８６０号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００５】
　これに対し、一般的に「ウエハレベルＣＳＰ」（以下、「ウエハレベルパッケージ」と称する場合がある）と呼ばれ、たとえば図１１に示すように、電極１０３を有し、回路を形成したウエハ１０２の片面に、絶縁樹脂層１０４、シード層１０５、再配線層１０７、封止樹脂層１０８、半田バンプ１０９等が形成され、ウエハごと樹脂封止されたパッケージ構造がある。図１１は、従来の半導体装置１０１の構造を説明する部分拡大図である。このウエハレベルパッケージの製法においては、ウエハ１０２の上に、絶縁樹脂層１０４を成膜する。また、前記電極１０３との電気的接続を得るための開口部を前記絶縁樹脂層１０４に形成した後、その上に密着層としてのＣｒをスパッタ法にて成膜すると共に、その上に給電層としてのＣｕをスパッタ法にて成膜した構造からなるシード層１０５を成膜する。さらに、その上に樹脂からなるめっきレジスト１１１を成膜し（図１２参照）、目的のパターンに加工する。次いで、Ｃｕの電解めっきを用いて再配線層１０７を形成し、さらに、前記めっきレジスト１１１を剥離すると共に、不要なシード層１０５をエッチングにより除去する。そして、封止樹脂層１０８を成膜し、Ｃｕパッド１０７ａとなる部分を開口した後、そのパッド１０７ａ上に半田バンプ１０９を形成する。このようにして、ウエハ形状のままパッケージングを済ませ、最終工程においてウエハを所定のチップ寸法にダイシング（切断）することで、パッケージ構造を具備した半導体チップ１０１を得ることができる。」
　５　引用文献５
　当審拒絶理由において引用された特開２００５−３９０１７号公報（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１の半導体装置であるウエハプロセスを応用して形成したＣＳＰ、いわゆるウエハレベルＣＳＰ（以下、ＷＣＳＰと略記する）の完成状態を示す斜視図、図２は、ＷＣＳＰのＣｕ配線（再配線）およびボンディングパッドを示す斜視図、図３は、ＷＣＳＰの要部拡大断面図である。
【００２９】
本実施の形態１のＷＣＳＰは、単結晶シリコンからなる半導体チップ（以下、単にチップという）１Ｂ、このチップ１Ｂの主面に形成されたＬＳＩ（最上層配線４とボンディングパッドＢＰのみ図示）、チップ１Ｂの最上層に形成された複数個の半田バンプ１４、ボンディングパッドＢＰと半田バンプ１４とを接続するＣｕ配線２などによって構成されている。
【００３０】
上記最上層配線４の上部は、ボンディングパッドＢＰの上部を除き、表面保護膜３で覆われており、この表面保護膜３の上部は、感光性ポリイミド樹脂膜（有機パッシベーション膜）５で覆われている。
【００３１】
上記感光性ポリイミド樹脂膜５の表面には、Ｃｕ配線２が形成されている。Ｃｕ配線２は、その一端部が感光性ポリイミド樹脂膜５に形成された開孔６を通じてボンディングパッドＢＰに接続されており、他端部はバンプランド２Ａを構成している。そして、バンプランド２Ａの表面には、ＷＣＳＰの外部接続端子を構成する半田バンプ１４が接続されている。
【００３２】
上記Ｃｕ配線２の上部は、バンプランド２Ａの上部を除き、最上層保護膜１２で覆われている。この最上層保護膜１２は、感光性ポリイミド樹脂で構成されているが、下層の感光性ポリイミド樹脂膜５が高温硬化型樹脂で構成されているのに対し、低温硬化型樹脂で構成されている。」
　６　引用文献６
　当審拒絶理由において引用された特開２００１−５３０７５号公報（以下、「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００３】配線材としては、従来よりアルミニウム（Ａｌ）が用いられているが、最近では、Ａｌと比較して同じ配線断面積で低い配線抵抗を実現できるＣｕが用いられている。Ｃｕは、Ａｌと同じ配線ピッチで同じ配線抵抗では配線の厚みを薄くできるため、結果的に配線間容量を小さくすることができる。特に、近年要求されている半導体装置の小型化及び高密度化のニーズに応えるために開発されているチップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）構造を有する半導体装置では、ウエハに作り込まれた各半導体素子（最終的に個々の半導体チップとして分離される部分）の電極パッドを、当該ウエハとの間にポリイミド層等の絶縁層を介して、パッケージ外部に連絡するための再配線を行う必要があるが、その再配線に使用する配線材として、電気的特性に優れているという観点から主にＣｕが用いられている。
・・・
【００１９】次の工程では（図２（ｂ）参照）、後の工程での被覆層形成のための空間を確保するために、Ｃｕめっき層１６（図２（ａ）参照）に対して等方性のエッチングを行い、図示のように配線パターンの形状を最終的な配線層１７に対応した所要の配線パターンの形状となるまでパターン幅を細くする。このエッチング処理により、Ｃｕめっき層１６の表層部分（上面側及び側面側）が除去され、その除去された部分に等間隔の空間ＳＰが確保される。一方、Ｃｕめっき層１６のうち残存した部分は、最終的な配線層１７として画定される。この配線層１７は「再配線層」とも呼ばれる。本実施形態では、この配線層１７の厚さを数十μｍ程度に選定している。
・・・
【００３７】このようなはんだボールを外部接続端子として用いた半導体装置は、その一例が図６に示されており、例えば以下のようにして作製することができる。先ず、第１の実施形態における図１（ａ）〜図２（ｄ）の工程と同様の工程を経た後、金属薄膜１４と被覆層１８の上にドライフィルム等の感光性のレジストをビア・ポストの形状に従うようにパターニングし、次いで金属薄膜（給電層）１４からの給電による電解めっきにより、パターニングされたレジスト層をマスクにしてＣｕのビア・ポスト４１を形成し、さらに必要に応じてビア・ポストの頂上部にバリヤメタル層を形成した後、レジスト層を除去し、露出している給電層１４をエッチングにより除去し、さらにウエハ１０を封止樹脂（封止樹脂層４２）により封止した後、露出したビア・ポスト４１の頂上部に外部接続端子としてのはんだボール４３をリフローにより接着する。この後、ダイサー等により、封止樹脂層４２と共にウエハ１０を切断して個々の半導体チップに分離し、各半導体チップを実装基板上に実装する。」
　７　引用文献７
　原査定において引用された特開２００６−３１０５３２号公報（以下、「引用文献７」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００４０】
（第２実施形態）
　図１３はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体２において、
配線１１の接続パッド部以外の適宜な箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜１２にテスト用開口部１３ａを形成
【００４１】
　すなわち、図５に示すように、オーバーコート膜１２を形成した後において、図７に示すように、半導体構成体２をベース板１の上面に配置する前に、半導体構成体２の電気的テストを行なう必要がある場合には、図５に示すオーバーコート膜１２形成工程後に、図１４に示すように、
配線１１の接続パッド部以外の適宜な箇所に対応する部分におけるオーバーコート膜１２に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、テスト用開口部１３ａを形成する。
【００４２】
　この場合、
テスト用開口部１３ａは、
テスト用のプローブを挿通してテストを可能とすることを目的とする
　８　引用文献８
　原査定において引用された特開２００５−０６４２１８号公報（以下、「引用文献８」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００４】
　一点目としては、プローブピンが当てられることにより、パッドの変形やボンディング位置のずれが起こるので、各層間の応力分布が変化する。よって、局所的な応力集中が発生するので、パッドが剥がれてしまうという問題点があった。
【０００５】
　二点目としては、プローブピンが複数回以上当てられた場合、パッド表面で損傷する部分の面積が増大し、その針痕に圧着ボールが部分的に入り込んでしまう。よって、超音波により接合を行うときにパッドとボールとの真正面どうしが接合されないので、圧着ボールがパッドに完全には接着せずボールが剥がれてしまうという問題点があった。」
　９　引用文献９
　原査定において引用された特表２００３−５３０６９７号公報（以下、「引用文献９」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００３】
　シリコンウェーハを電気的試験などにおいて探り針で調べる場合に、試験針が、特にAlCuのボンディングパッドが用いられている場合のボンディングパッドの軟らかい表面を傷つけ得ることがよく知られている。AlCuのボンディングパッド１には、図面の図１に示されているようにプローブ針２を用いる電気的試験が施される。プローブ針２は、軟らかい表面を傷つけ、所謂カール３を形成する。
【０００４】
　インターメタル誘電材料(intermetal dielectric material)４を付し、次いでこの構造(図２参照)を平坦化する(planarize)ために化学機械研磨(CMP)をする後続の処理の間に、カールの部分は、露出状態になり得る(露出カール３ａ)。
【０００５】
　更なる処理ステップにおいて、CMPにより露出されるこのカール３ａは、図３に図示されているようにボンディングパッドにおける腐食を引き起こし得る。図３において、３ｂは、露出カール３ａから生じる腐食した場所である。」
　１０　引用文献１０
　原査定において引用された特開２００８−０２１８４９号公報（以下、「引用文献１０」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２４】
　以上のような構成を有する第１再配線層１１は、第２層間絶縁膜１２０により覆われる。なお、第２層間絶縁膜１２０は、最上層の層間絶縁膜であるとする。また、この第２層間絶縁膜１２０は、第１層間絶縁膜１１０上全体に形成されている。第２層間絶縁膜１２０は、第１層間絶縁膜１１０と同様に、例えばポリイミドなどに代表される有機系樹脂などの絶縁膜で形成された絶縁膜である。また、第２層間絶縁膜１２０は、第１再配線層１１上面からの膜厚を例えば５μｍ程度とすることができる。なお、第２層間絶縁膜１２０は、第１再配線層１１上に、当該第１再配線層１１の一部を露出させる開口を有する。また、第２層間絶縁膜１２０の構成材料も、第１層間絶縁膜１１０の構成材料と同様に、例えば感光性を有する材料（例えば感光性のポリイミドなど）を使用することで、第２層間絶縁膜１２０を加工する際のフォトリソグラフィ工程が不要となるため製造工程を削減することが可能となる。」
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）引用発明１との対比・判断
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「半導体チップ１０」及び「素子電極１３」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」及び「電極パッド」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「半導体基板上に形成された電極パッド」を備える点において共通するといえる。
（イ）引用文献１の段落【００３４】の記載より、引用発明１の「保護膜１４」は「チッ化シリコン」で形成されているから、絶縁性を有することは明らかであり、当該「保護膜１４」は、本願発明１の「第１絶縁膜」に相当するといえる。
　また、引用発明１の「接続用領域１３ａ」及び「検査用領域１３ｂ」のうち、「保護膜１４」の開口部により露出された部分（以下、それぞれを単に「接続用領域」及び「検査用領域」という。）は、それぞれ、本願発明１の「第１領域」及び「第２領域」に相当するといえる。
　そして、引用文献１の段落【００３７】及び【図４】の記載より、引用発明１の「保護膜１４」が有する「開口部」は、「『素子電極１３』の表面の互いに隣接する『接続用領域』と『検査用領域』とを露出させ」るものであるといえ、当該「開口部」は、本願発明１の「第１開口部」に相当するといえる。
　また、引用発明１の「保護膜１４」が有する「開口部」の、「接続用領域」側の端部、及び、「検査用領域」側の端部は、それぞれ、本願発明１の「第１端部」及び「第２端部」に相当するといえ、これらの端部は、「互いに対向する」ものであるといえる。
　さらに、引用文献１の段落【００３７】及び【図４】の記載より、引用発明１の「『接続用領域』の『検査用領域』側とは反対側の端部」は、「『保護膜１４』が有する『開口部』の『接続用領域』側の端部」に接しており、また、「『検査用領域』の『接続用領域』側とは反対側の端部」は、「『保護膜１４』が有する『開口部』の『検査用領域』側の端部」に接しているといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜」を備える点において共通するといえる。
（ウ）引用文献１の段落【００５９】及び【図７】の記載より、引用発明１の「プローブ痕２１」は、「『保護膜１４が有する開口部』内の『検査用領域』の一部にプローブを当接させることにより『検査用領域』内に形成された」ものであるといえる。
　また、引用文献１の段落【００３９】の記載より、引用発明１の「プローブ痕２１」が、微少な「凹部」と「凸部」を有することは明らかであり、当該「凹部」及び「凸部」は、それぞれ、本願発明１の「凹部」及び「突起部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された凹部及び突起部」を備える点において共通するといえる。
（エ）引用発明１の「絶縁膜１５」は、本願発明１の「第２絶縁膜」に相当するといえる。
　また、引用文献１の段落【００３９】、【図３】及び【図４】の記載より、引用発明１の「絶縁膜１５」は、「『保護膜１４』と『素子電極１３』と『プローブ痕２１の凸部の少なくとも下方部分』とを被覆する」ものであるといえる。
　さらに、引用文献１の段落【００３９】、【図３】及び【図４】の記載より、引用発明１の「絶縁膜１５」が備える「開口部」は、「『検査用領域』から離間し且つ『保護膜１４が有する開口部』内の『接続用領域』の一部を露出させる」ものであるといえ、当該「開口部」は、本願発明１の「第２開口部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜」を備える点において共通するといえる。
（オ）引用発明１の「金属配線層１７」は、後述する相違点１を除き、本願発明１の「再配線層」に相当するといえる。
　また、引用発明１の「金属バンプ２０」は、本願発明１の「外部接続端子」に相当するといえる。
　そして、引用文献１の【図４】の記載より、引用発明１の「金属配線層１７」は、「『絶縁膜１５が備える開口部』を介して『素子電極１３』に接続された部分」（以下、「部分Ａ」という。）と、「前記『部分Ａ』から図中右側に伸長した部分」（以下、「部分Ｂ」という。）と、「前記『部分Ａ』から、前記『部分Ｂ』とは異なる方向に伸長して『金属バンプ２０』に接続された部分」（以下、「部分Ｃ」という。）とを備えるものであるといえる。
　ここで、上記「部分Ａ」及び「部分Ｃ」は、それぞれ、本願発明１の「接続部」及び「第２伸長部」に相当するといえる。
　そして、上記「部分Ｂ」と、本願発明１の「第１伸長部」とは、「第２絶縁膜（絶縁膜１５）の表面を被覆する」点、及び、「伸長部」である点において、共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１とは、「前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続された接続部と、前記接続部から伸長して前記第２絶縁膜の表面を被覆する第１伸長部と、前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して外部接続端子に接続された第２伸長部と、を備える再配線層」を備える点において共通し、後述する相違点１において相違するといえる。
（カ）本願発明１と引用発明１とは、「半導体装置」である点において共通するといえる。
（キ）以上より、本願発明１と引用発明１とは、下記ａにおいて一致し、下記ｂにおいて相違すると認める。
　ａ　一致点
　「半導体基板上に形成された電極パッドと、
　前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜と、
　前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された凹部及び突起部と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続された接続部と、前記接続部から伸長して前記第２絶縁膜の表面を被覆する第１伸長部と、前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して外部接続端子に接続された第２伸長部と、を備える再配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本願発明１の「第１伸長部」は、「前記電極パッドの前記凹部及び前記突起部を含む前記第２領域に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域と前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域とを被覆する」のに対し、引用発明１は当該構成を特定しない点。
　イ　判断
　相違点１について、検討する。
　まず、引用文献１、２、４ないし６、及び８ないし１０には、相違点１に係る構成が記載又は示唆されているとはいえない。
　次に、引用文献７についてみると、段落【００４０】ないし【００４２】及び【図１３】に、「上層下地金属層１７のうち、
『半田ボール２１』（本願発明１の『外部接続端子』に対応）の方向に延伸した部分
配線１１の接続パッド部（本願発明１の『電極パッド』に対応）以外の箇所に形成された『テスト用開口部１３ａ』
　したがって、引用文献７に、相違点１に係る構成が記載又は示唆されているとはいえない。
　以上より、引用文献１、２、４ないし１０に、相違点１に係る構成が記載又は示唆されているとはいえない。
　そして、本願発明１は相違点１に係る構成を備えることにより、「半導体基板の検査工程において検査プローブが当接される電極パッドの検査用領域の上方には絶縁膜のみならず再配線層が形成されるので、複数回に亘るウエハ検査に起因して、電極パッドの検査用領域に比較的高さの高い突起状のプローブ痕が形成されプローブ痕の突起部先端が絶縁膜の表面から突出した場合でも、当該部分は再配線層によってカバーされる。従って、プローブ痕の突起部を介して電極パッドと封止樹脂とが直接接することを防止することができ、パッケージ内部に水分が侵入した場合でも、電極パッドの腐食の進行を抑制することができるので、高い信頼性を確保することが可能となる。」（本願明細書の段落【００１１】）という、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明からは予測することのできない、格別の効果を奏するものである。
　したがって、本願発明１は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）先願発明１との対比・判断
　ア　対比
　本願発明１と先願発明１とを対比する。
（ア）先願発明１の「半導体基材１０」及び「電極パッド１２」は、それぞれ、本願発明１の「半導体基板」及び「電極パッド」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と先願発明１とは、「半導体基板上に形成された電極パッド」を備える点において共通するといえる。
（イ）先願３の明細書（以下、「先願３明細書」という。）の段落【００２８】の記載より、先願発明１の「パッシベーション膜２０」は窒化シリコン（ＳｉＮ）であるから「絶縁膜」であるといえ、当該「パッシベーション膜２０」は、本願発明１の「第１絶縁膜」に相当するといえる。
　また、先願３の図面（以下、「先願３図面」という。）の【図１】の記載より、先願発明１の「突起物１２ａ」は、「電極パッド１２」の表面の左寄りの位置に形成されているといえ、「電極パッド１２」の露出した表面の領域のうち、「突起物１２ａ」が形成された領域及びその左側の領域（以下、両領域を併せて「左領域」という。）は、本願発明１の「第２領域」に相当するといえ、「突起物１２ａ」よりも右側の領域（以下、「右領域」という。）は、本願発明１の「第１領域」に相当するといえる。
　そして、先願発明１の「パッシベーション膜２０」が備える「開口部」は、本願発明１の「第１開口部」に相当するといえ、当該「開口部」の左側の端部（以下、「左端部」という。）、及び右側の端部（以下、「右端部」という。）は、それぞれ、本願発明１の「第２端部」及び「第１端部」に相当するといえ、先願３図面の【図１】の記載より、「右端部」と「左端部」は、「互いに対向する」ものであるといえる。
　また、先願３明細書の段落【００２８】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「パッシベーション膜２０」が備える「開口部」は、「電極パッド１２」の表面の互いに隣接する「右領域」と「左領域」とを露出させるものであるといえる。
　さらに、先願３明細書の段落【００２８】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「『右領域』の、『左領域』とは反対側の端部」は、「右端部」に接するものであり、「『左領域』の、『右領域』とは反対側の端部」は、「左端部」に接するものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と先願発明１とは、「前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜」を備える点において共通するといえる。
（ウ）先願３明細書の段落【００２８】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「パッシベーション膜２０」が備える「開口部」内の「左領域」には、プローブピンの接触により「突起物１２ａ」が生成しているものと認められ、当該「突起物１２ａ」は、本願発明１の「突起部」に相当するといえる。
　また、先願発明１における「プローブピンの接触」は、「プローブを当接させること」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と先願発明１とは、「プローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された突起部」を備える点において共通し、後述する相違点２において相違するといえる。
（エ）先願３明細書の段落【００２９】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「有機絶縁膜２１」は、「『パッシベーション膜２０』と『電極パッド１２』と『突起物１２ａ』の少なくとも下方部分とを被覆する」ものであるといえ、当該「有機絶縁膜２１」は、本願発明１の「第２絶縁膜」に相当するといえる。
　また、先願３明細書の段落【００２９】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「有機絶縁膜２１」が有する「開口部２２」は、「『左領域』から離間し且つ『パッシベーション膜２０が備える開口部』内の『右領域』の一部を露出させる」ものであるといえ、当該「開口部２２」は、本願発明１の「第２開口部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と先願発明１とは、「前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜」を備える点において共通するといえる。
（オ）先願発明１の「再配線層３１」及び「外部接続用端子」は、それぞれ、本願発明１の「再配線層」及び「外部接続端子」に相当するといえる。
　また、先願３明細書の段落【００３０】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明１の「再配線層３１」は、「『開口部２２』を介して『電極パッド１２』に接続された接続部」と、「前記接続部から伸長して『電極パッド１２』の『突起部』を含む『左領域』に対応する『有機絶縁膜２１』の表面の領域と、『パッシベーション膜２０が備える開口部』の『左端部』に対応する『有機絶縁膜２１』の表面の領域とを被覆する第１伸長部」と、「前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して『外部接続用端子』に接続された第２伸長部」とを備えたものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と先願発明１とは、「前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続された接続部と、前記接続部から伸長して前記電極パッドの前記突起部を含む前記第２領域に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域と前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域とを被覆する第１伸長部と、前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して外部接続端子に接続された第２伸長部と、を備える再配線層」を備える点において共通し、後述する相違点２において相違するといえる。
（カ）本願発明１と先願発明１とは、「半導体装置」である点において共通するといえる。
（キ）以上より、本願発明１と先願発明１とは、下記ａにおいて一致し、下記ｂにおいて相違すると認める。
　ａ　一致点
　「半導体基板上に形成された電極パッドと、
　前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜と、
　プローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された突起部と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備える第２絶縁膜と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続された接続部と、前記接続部から伸長して前記電極パッドの前記突起部を含む前記第２領域に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域と前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域とを被覆する第１伸長部と、前記接続部から前記第１伸長部とは異なる方向に伸長して外部接続端子に接続された第２伸長部と、を備える再配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。」
　ｂ　相違点
　・相違点２
　本願発明１は、「前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させることにより前記第２領域内に形成された凹部及び突起部」を備え、「第２領域」が「凹部を含む」のに対し、先願発明１は、プローブを「第２領域」（左領域）に当接させるとは特定せず、また、「第２領域」（左領域）に「凹部」が形成されるとは特定しない点。
　イ　判断
　相違点２について、検討する。
　相違点２は、本願発明１が、電極パッドをコンタクト用の第１領域と検査用の第２領域に分離した電極パッド構造を技術的前提にした発明であるのに対して、先願発明１は、当該技術的前提を有しない点に起因する。
　当該技術的前提について、先願３の明細書、特許請求の範囲又は図面には開示も示唆もなく、また、当該技術的前提がない以上、具体的構成を変更する契機もなく、相違点２が課題解決のための具体的手段における微差であるとはいえない。
　したがって、本願発明１と先願発明１が同一であるとはいえない。
　２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに他の構成を付加したものである。
　そうすると、上記１（１）イのとおり、本願発明１が、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、上記１（２）イのとおり、本願発明１と先願発明１が同一であるとはいえない以上、本願発明２と先願発明１が同一であるとはいえない。
　３　本願発明３について
（１）引用発明２との対比・判断
　ア　対比
　本願発明３と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「素子電極１３」は、本願発明３の「電極パッド」に相当するといえる。
　また、引用文献１の段落【００３４】の記載より、引用発明２の「保護膜１４」は「チッ化シリコン」で形成されているから、絶縁性を有することは明らかであり、当該「保護膜１４」は、本願発明３の「第１絶縁膜」に相当するといえる。
　そして、引用発明２の「接続用領域１３ａ」及び「検査用領域１３ｂ」のうち、「保護膜１４」の開口部により露出された部分（以下、それぞれを単に「接続用領域」及び「検査用領域」という。）は、それぞれ、本願発明３の「第１領域」及び「第２領域」に相当するといえる。
　また、引用文献１の段落【００３７】、【００５８】、【００５９】、【図４】及び【図７】の記載より、引用発明２の「保護膜１４」が有する「開口部」は、「『素子電極１３』の表面の互いに隣接する『接続用領域』と『検査用領域』とを露出させ」るものであるといえ、当該「開口部」は、本願発明３の「第１開口部」に相当するといえる。
　そして、引用文献１の段落【００３７】、【００５８】、【００５９】、【図４】及び【図７】の記載より、引用発明２の「保護膜１４」が有する「開口部」の、「接続用領域」側の端部、及び、「検査用領域」側の端部は、それぞれ、本願発明３の「第１端部」及び「第２端部」に相当するといえ、これらの端部は、「互いに対向する」ものであるといえる。
　また、引用文献１の段落【００３７】、【００５８】、【００５９】、【図４】及び【図７】の記載より、引用発明２の「『接続用領域』の『検査用領域』側とは反対側の端部」は、「『保護膜１４』が有する『開口部』の『接続用領域』側の端部」に接しており、また、「『検査用領域』の『接続用領域』側とは反対側の端部」は、「『保護膜１４』が有する『開口部』の『検査用領域』側の端部」に接しているといえる。
　そして、引用発明２の「半導体ウエハ」は、本願発明３の「半導体基板」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明３と引用発明２とは、「電極パッドと、前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜とが形成された半導体基板を準備する工程」を備える点において共通するといえる。
（イ）引用文献１の段落【００５９】及び【図７】の記載より、引用発明２の「前記検査用領域１３ｂにプローブ針を接触させることにより前記検査用領域１３ｂ内にプローブ痕２１を形成する工程」は、「『保護膜１４』が有する『開口部』内の『検査用領域』の一部にプローブを当接させて『検査用領域』内に『プローブ痕２１』を形成する測定工程」であるといえる。
　また、引用文献１の段落【００３９】の記載より、引用発明２の「プローブ痕２１」が、微少な凹部と凸部を有することは明らかであり、当該「凹部」及び「凸部」は、それぞれ、本願発明３の「凹部」及び「突起部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明３と引用発明２とは、「前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させて前記第２領域内に凹部及び突起部を形成する測定工程」を備える点において共通し、後述する相違点３において相違するといえる。
（ウ）引用発明２の「絶縁膜１５」は、本願発明３の「第２絶縁膜」に相当するといえる。
　また、引用文献１の段落【００３９】、【００６０】、【図３】、【図４】及び【図７】の記載より、引用発明２の「絶縁膜１５」は、「『保護膜１４』と『素子電極１３』と『プローブ痕２１の凸部の少なくとも下方部分』とを被覆する」ものであるといえる。
　さらに、引用文献１の段落【００３９】、【００６０】、【図３】、【図４】及び【図７】の記載より、引用発明２の「絶縁膜１５」が備える「開口部」は、「『検査用領域』から離間し且つ『保護膜１４が有する開口部』内の『接続用領域』の一部を露出させる」ものであるといえ、当該「開口部」は、本願発明３の「第２開口部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明３と引用発明２とは、「前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程」を備える点において共通するといえる。
（エ）引用発明２の「金属配線層１７」は、後述する相違点４を除き、本願発明３の「再配線層」に相当するといえる。
　また、引用発明２の「金属バンプ２０」は、本願発明３の「外部接続端子」に相当するといえる。
　そして、引用文献１の【図４】、【図８】及び【図９】の記載より、引用発明２の「金属配線層１７」は、左右に伸長した部分を備えるものであるといえ、当該「金属配線層１７」のうち、左側に伸長した部分は、本願発明３の「第２伸長部」に相当するといえ、右側に伸長した部分は、後述する相違点４を除き、本願発明３の「第１伸長部」に相当するといえ、これらの部分は「異なる方向に伸長」しているといえる。
　また、上記「金属配線層１７」のうち、左側に伸長した部分が形成される領域は、本願発明３の「第２伸長領域」に相当するといえ、右側に伸長した部分が形成される領域は、本願発明３の「第１伸長領域」に相当するといえる。
　そして、引用発明２の「めっきレジスト膜２３」は、本願発明３の「レジストマスク」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明３と引用発明２とは、「前記第２開口部と、前記第２絶縁膜の表面の第２伸長領域と、前記第２開口部を挟んで前記第２伸長領域とは異なる方向に伸長する第１伸長領域と、に再配線層を形成するためのレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程」を備える点において共通し、後述する相違点４において相違するといえる。
（オ）引用文献１の【図８】及び【図９】の記載より、引用発明２の「前記素子電極１３に接続された前記金属配線層１７を形成する工程」は、本願発明３の「前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続されると共に前記第１伸長領域に延在する第１伸長部と前記第２伸長領域に延在する第２伸長部とを備えた前記再配線層を形成する再配線層形成工程」に相当するといえる。
（カ）引用文献１の【図９】の記載より、引用発明２の「前記金属配線層１７に接続された金属バンプ２０を形成する工程」は、本願発明３の「前記第２伸長部に接続された外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程」に相当するといえる。
（キ）本願発明３と引用発明２とは、「半導体装置の製造方法」である点において共通するといえる。
（ク）以上より、本願発明３と引用発明２とは、下記ａにおいて一致し、下記ｂにおいて相違すると認める。
　ａ　一致点
　「電極パッドと、前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜とが形成された半導体基板を準備する工程と、
　前記第１開口部内の前記第２領域の一部にプローブを当接させて前記第２領域内に凹部及び突起部を形成する測定工程と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
　前記第２開口部と、前記第２絶縁膜の表面の第２伸長領域と、前記第２開口部を挟んで前記第２伸長領域とは異なる方向に伸長する第１伸長領域と、に再配線層を形成するためのレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続されると共に前記第１伸長領域に延在する第１伸長部と前記第２伸長領域に延在する第２伸長部とを備えた前記再配線層を形成する再配線層形成工程と、
　前記第２伸長部に接続された外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点３
　本願発明３では、「測定工程」において、プローブを複数回にわたり当接させるのに対し、引用発明２は当該構成を特定しない点。
　・相違点４
　本願発明３では、「第１伸長領域」が「前記第２絶縁膜の表面の前記凹部及び前記突起部を含む前記第２領域に対応する領域及び前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域を含む」のに対し、引用発明２は当該構成を特定しない点。
　イ　判断
　相違点４について、検討する。
　引用文献１、２及び４ないし１０に、相違点４に係る構成が記載又は示唆されているとはいえない。
　そして、本願発明３は相違点４に係る構成を備えることにより、「半導体基板の検査工程において検査プローブが当接される電極パッドの検査用領域の上方には絶縁膜のみならず再配線層が形成されるので、複数回に亘るウエハ検査に起因して、電極パッドの検査用領域に比較的高さの高い突起状のプローブ痕が形成されプローブ痕の突起部先端が絶縁膜の表面から突出した場合でも、当該部分は再配線層によってカバーされる。従って、プローブ痕の突起部を介して電極パッドと封止樹脂とが直接接することを防止することができ、パッケージ内部に水分が侵入した場合でも、電極パッドの腐食の進行を抑制することができるので、高い信頼性を確保することが可能となる。」（本願明細書の段落【００１１】）という、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明からは予測することのできない、格別の効果を奏するものである。
　したがって、相違点３について検討するまでもなく、本願発明３は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）先願発明２との対比・判断
　ア　対比
　本願発明３と先願発明２とを対比する。
（ア）先願発明２の「半導体基材１０」及び「電極パッド１２」は、それぞれ、本願発明３の「半導体基板」及び「電極パッド」に相当するといえる。
　また、先願３明細書の段落【００２８】の記載より、先願発明２の「パッシベーション膜２０」は「絶縁膜」であるといえ、当該「パッシベーション膜２０」は、本願発明３の「第１絶縁膜」に相当するといえる。
　また、先願３図面の【図１】の記載より、先願発明２の「突起物１２ａ」は、「電極パッド１２」の表面の左寄りの位置に形成されているといえ、「電極パッド１２」の露出した表面の領域のうち、「突起物１２ａ」が形成された領域及びその左側の領域（以下、両領域を併せて「左領域」という。）は、本願発明３の「第２領域」に相当するといえ、「突起物１２ａ」よりも右側の領域（以下、「右領域」という。）は、本願発明３の「第１領域」に相当するといえる。
　そして、先願発明２の「パッシベーション膜２０」が備える「開口部」は、本願発明３の「第１開口部」に相当するといえ、当該「開口部」の左側の端部（以下、「左端部」という。）、及び右側の端部（以下、「右端部」という。）は、それぞれ、本願発明３の「第２端部」及び「第１端部」に相当するといえ、先願３図面の【図１】の記載より、「右端部」と「左端部」は、「互いに対向する」ものであるといえる。
　また、先願３明細書の段落【００２９】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明２の「パッシベーション膜２０」が備える「開口部」は、「電極パッド１２」の表面の、互いに隣接する「右領域」と「左領域」とを露出させるものであるといえる。
　さらに、先願３明細書の段落【００２９】及び先願３図面の【図１】の記載より、先願発明２の「『右領域』の、『左領域』とは反対側の端部」は、「右端部」に接するものであり、「『左領域』の、『右領域』とは反対側の端部」は、「左端部」に接するものであるといえる。
　そうすると、本願発明３と先願発明２とは、「電極パッドと、前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜とが形成された半導体基板を準備する工程」を備える点において共通するといえる。
（イ）先願３明細書の段落【００２８】及び【００３４】、並びに先願３図面の【図１】の記載より、先願発明２の「前記電極パッド１２にプローブピンを接触させて突起物１２ａを形成する電気的特性検査工程」においては、プローブピンを接触させて、「左領域」内に「突起物１２ａ」が生成されるものと認められ、当該「突起物１２ａ」は、本願発明１の「突起部」に相当するといえる。
　また、先願発明２の「プローブピンを接触させ」ることは、「プローブを当接させること」であるといえ、先願発明２の「電気的特性検査工程」は「測定工程」であるといえる。
　そうすると、本願発明３と先願発明２とは、「プローブを当接させて前記第２領域内に突起部を形成する測定工程」を備える点において共通し、後述する相違点５及び６において相違するといえる。
（ウ）先願３明細書の段落【００２９】及び【００３５】ないし【００３８】、並びに先願３図面の【図１】及び【図３】の記載より、先願発明２の「有機絶縁膜２１」は、「『パッシベーション膜２０』と『電極パッド１２』と『突起物１２ａ』の少なくとも下方部分とを被覆する」ものであるといえ、当該「有機絶縁膜２１」は、本願発明３の「第２絶縁膜」に相当するといえる。
　また、先願３明細書の段落【００２９】及び【００３５】ないし【００３８】、並びに先願３図面の【図１】及び【図３】の記載より、先願発明２の「有機絶縁膜２１」が備える「開口部２２」は、「『左領域』から離間し且つ『パッシベーション膜２０が備える開口部』内の『右領域』の一部を露出させる」ものであるといえ、当該「開口部２２」は、本願発明３の「第２開口部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明３と先願発明２とは、「前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程」を備える点において共通するといえる。
（エ）先願発明２の「再配線層３１」、「外部接続用端子」及び「レジスト３２」は、それぞれ、本願発明３の「再配線層」、「外部接続端子」及び「レジストマスク」に相当するといえる。
　また、先願３明細書の段落【００３０】及び【００３９】ないし【００４２】、並びに先願３図面の【図１】及び【図４】の記載より、先願発明２では、「レジスト３２」によって、「開口部２２」と、「『有機絶縁膜２１』の表面の、外部接続用端子に向かって伸長した領域」（本願発明３の「第２伸長領域」に相当）と、「上記『外部接続用端子に向かって伸長した領域』とは異なる方向に伸長して、『有機絶縁膜２１』の表面の『突起物１２ａを含む左領域に対応する領域』及び『パッシベーション膜２０が備える開口部の左端部』に対応する『有機絶縁膜２１』の表面の領域を含む領域」（本願発明３の「第１伸長領域」に相当）とに、「再配線層」を形成するといえる。
　そうすると、本願発明３と先願発明２とは、「前記第２開口部と、前記第２絶縁膜の表面の第２伸長領域と、前記第２開口部を挟んで前記第２伸長領域とは異なる方向に伸長して前記第２絶縁膜の表面の前記突起部を含む前記第２領域に対応する領域及び前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域を含む第１伸長領域と、に再配線層を形成するためのレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程」を備える点において共通し、後述する相違点６において相違するといえる。
（オ）先願３明細書の段落【００３０】及び【００３９】ないし【００４２】、並びに先願３図面の【図１】及び【図４】の記載より、先願発明２の「再配線層３１」は、「開口部２２」を介して「電極パッド１２」に接続されると共に、「『有機絶縁膜２１』の表面の、外部接続用端子に向かって伸長した領域（本願発明３の『第２伸長領域』に相当）に延在する部分」（本願発明３の「第２伸長部」に相当）と、「上記『外部接続用端子に向かって伸長した領域』（本願発明３の『第２伸長領域』に相当）とは異なる方向に伸長して、『有機絶縁膜２１』の表面の『突起物１２ａを含む左領域に対応する領域』及び『パッシベーション膜２０が備える開口部』の左端部に対応する『有機絶縁膜２１』の表面の領域を含む領域（本願発明３の『第１伸長領域』に相当）に延在する部分」（本願発明３の「第１伸長部」に相当）とを備えるものであるといえる。
　そうすると、本願発明３と先願発明２とは、「前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続されると共に前記第１伸長領域に延在する第１伸長部と前記第２伸長領域に延在する第２伸長部とを備えた前記再配線層を形成する再配線層形成工程」を備える点において共通するといえる。
（カ）先願３明細書の段落【００４５】並びに先願３図面の【図１】及び【図４】の記載より、先願発明２の「前記再配線層３１に接続された外部接続用端子を形成する工程」は、本願発明３の「前記第２伸長部に接続された外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程」に相当するといえる。
（キ）本願発明３と先願発明２とは、「半導体装置の製造方法」である点において共通するといえる。
（ク）以上より、本願発明３と先願発明２とは、下記ａにおいて一致し、下記ｂにおいて相違すると認める。
　ａ　一致点
　「電極パッドと、前記電極パッドの表面を被覆しかつ前記電極パッドの表面の互いに隣接する第１領域と第２領域とを露出させ、互いに対向する第１端部及び第２端部を有する第１開口部を備え、前記第１領域の前記第２領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第１端部に接し、前記第２領域の前記第１領域側とは反対側の端部が前記第１開口部の前記第２端部に接する第１絶縁膜とが形成された半導体基板を準備する工程と、
　プローブを当接させて前記第２領域内に突起部を形成する測定工程と、
　前記第１絶縁膜と前記電極パッドと前記突起部の少なくとも下方部分とを被覆すると共に前記第２領域から離間し且つ前記第１開口部内の前記電極パッドの前記第１領域の一部を露出させる第２開口部を備えた第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、
　前記第２開口部と、前記第２絶縁膜の表面の第２伸長領域と、前記第２開口部を挟んで前記第２伸長領域とは異なる方向に伸長して前記第２絶縁膜の表面の前記突起部を含む前記第２領域に対応する領域及び前記第１開口部の前記第２端部に対応する前記第２絶縁膜の表面の領域を含む第１伸長領域と、に再配線層を形成するためのレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
　前記第２開口部を介して前記電極パッドに接続されると共に前記第１伸長領域に延在する第１伸長部と前記第２伸長領域に延在する第２伸長部とを備えた前記再配線層を形成する再配線層形成工程と、
　前記第２伸長部に接続された外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点５
　本願発明３では、「測定工程」において、プローブを複数回にわたり当接させるのに対し、先願発明２は当該構成を特定しない点。
　・相違点６
　本願発明３では、「測定工程」において、第２領域の一部にプローブを当接させて前記第２領域内に凹部を形成し、「第２領域」が「凹部を含む」のに対し、先願発明２は、プローブを「第２領域」（左領域）に当接させるとは特定せず、また、「第２領域」（左領域）に「凹部」が形成されるとは特定しない点。
　イ　判断
　相違点６について、検討する。
　相違点６は、本願発明３が、電極パッドをコンタクト用の第１領域と検査用の第２領域に分離した電極パッド構造を技術的前提にした発明であるのに対して、先願発明２は、当該技術的前提を有しない点に起因する。
　当該技術的前提について、先願３の明細書、特許請求の範囲又は図面には開示も示唆もなく、また、当該技術的前提がない以上、具体的構成を変更する契機もなく、相違点６が課題解決のための具体的手段における微差であるとはいえない。
　したがって、相違点５について検討するまでもなく、本願発明３と先願発明２が同一であるとはいえない。
　４　本願発明４について
　本願発明４は、本願発明３の発明特定事項を全て備え、さらに他の構成を付加したものである。
　そうすると、上記３（１）イのとおり、本願発明３が、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明４は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、上記３（２）イのとおり、本願発明３と先願発明２が同一であるとはいえない以上、本願発明４と先願発明２が同一であるとはいえない。
　５　まとめ
　以上のとおり、本願発明１ないし４は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明１ないし４は、先願３の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された先願発明１又は２と同一であるとはいえない。
第７　原査定について
　上記第６の５のとおり、本願発明１ないし４は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　１　理由１（サポート要件）について
（１）当審拒絶理由の理由１（１）において、「本願発明１、３、４及び６は、『第２の絶縁膜』のみによって『突起部』の全体を完全に被覆した上で、『外部接続端子』との接続のために『再配線層』を『第１伸長部』の側に延伸したものを包含するものと認められるが、そのような発明は『発明の詳細な説明』には記載されておらず、また、『発明の詳細な説明』に記載された課題に対応するものとはいえない」旨が指摘されたが、平成２９年１２月１日付けの手続補正により、本願発明１ないし４は、「『第２の絶縁膜』のみによって『突起部』の全体を完全に被覆した上で、『外部接続端子』との接続のために『再配線層』を『第１伸長部』の側に延伸したもの」を包含しないこととなったから、上記拒絶の理由は解消した。
（２）当審拒絶理由の理由１（２）において、「『発明の詳細な説明』には、『第２絶縁膜』（絶縁膜１３）が『半導体基板』（半導体基板１０）の表面に接するものは、記載されていない。」旨が指摘されたが、平成２９年１２月１日付けの手続補正により、本願発明１ないし４は、「『第２絶縁膜』（絶縁膜１３）が『半導体基板』（半導体基板１０）の表面に接するもの」を包含しないこととなったから、上記拒絶の理由は解消した。
　２　理由２（明確性）について
（１）当審拒絶理由の理由２（１）において、「『複数回にわたりプローブを当接させることにより形成された突起部』と、『１回だけプローブを当接させることにより形成された突起部』との構造上の相違が不明確である」旨が指摘されたが、平成２９年１２月１日付けの手続補正により、請求項１の「複数回にわたり」との記載が削除されたため、上記拒絶の理由は解消した。
　３　理由３（進歩性）について
　上記第６の５のとおり、本願発明１ないし４は、引用文献１、２及び４ないし１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、当審拒絶理由の「理由３」によって本願を拒絶することはできない。
　４　理由４（拡大先願）について
　上記第６の５のとおり、本願発明１ないし４は、先願３の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された先願発明１又は２と同一であるとはいえないから、当審拒絶理由の「理由４」によって本願を拒絶することはできない。
第９　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。