【事件の表示】
　特願２０１５−５４５７７３「エピタキシャルウェハおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月１２日国際公開、ＷＯ２０１４／０８６７４２、平成２８年　１月１２日国内公表、特表２０１６−５００４７５、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１２年１２月６日、米国）を国際出願日とする外国語特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　６月　５日　翻訳文提出・審査請求
　平成２８年　５月２５日　拒絶理由通知
　平成２８年　８月３０日　意見書・手続補正書
　平成２８年１２月１４日　拒絶査定
　平成２９年　４月１９日　審判請求
　平成２９年１０月１９日　拒絶理由通知（当審）
　平成３０年　２月１９日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし１０に係る発明は、下記引用文献１及び４に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００７−０７３８２０号公報
４．特表２００７−５０７８８５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２９年１０月１９日付けで当審より通知した拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
　１　理由１（明確性）
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
（１）請求項１ないし１０について
　ア　請求項１及び７に「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素」と記載されているが、窒素の平均濃度を特定するものであるのか、全域における窒素の濃度を特定するものであるのか、それとも、少なくとも一部の領域における窒素の濃度を特定するものであるのかが明確でない。
　イ　請求項１及び７の「前記シリコンエピタキシャル層および前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも１つ」との記載、並びに、請求項７の「前記シリコンエピタキシャル層および前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つ」との記載の意味が明確でない。
（２）請求項１ないし６について
　ア　請求項１の「オプションとして前記シリコンエピタキシャル層の上の１つ以上のさらなるエピタキシャル層とを含み」との記載より、請求項１に係る発明は「シリコンエピタキシャル層の上の１つ以上のさらなるエピタキシャル層」を有しないものを包含するものと認められるところ、請求項１に係る発明が「シリコンエピタキシャル層の上の１つ以上のさらなるエピタキシャル層」を有しない場合には、請求項１ないし６の記載の意味が明確でない。
　イ　請求項１に係る発明は、「１つ以上のさらなるエピタキシャル層」が窒素でドープされないものを包含するものと解されるところ、「１つ以上のさらなるエピタキシャル層」が窒素でドープされない場合には、請求項１の「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」との記載の意味が明確でない。
　ウ　請求項１の「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」との記載が、「『欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法』によって『窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層』を検出可能であり、さらに、『窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層』は、『窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥』を含まない」との意味であるのか、「『欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法』によっては、『窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層』から『窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥』を検出することができない」との意味であるのかが明確でない。
　エ　請求項１には「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」と記載されているが、「エピタキシャル欠陥」を「欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能」であるか否かは、検査に用いる装置の精度や条件等に依存するものと認められ、請求項１においては、検査に用いる装置の精度や条件等が何ら特定されていないから、上記記載により特定される技術事項の範囲が明確でない。
　オ　請求項１には「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」と記載されているが、「エピタキシャル欠陥」が「窒素のドープと関係する」か否かを判別する指標が不明であり、どのような場合に、「エピタキシャル欠陥」が「窒素のドープと関係しない」といいえるのかが不明であるから、上記記載により特定される技術事項の範囲が明確でない。
（３）請求項２及び４ないし６について
　ア　請求項２の「前記シリコンエピタキシャル層は窒素でドープされ、前記シリコンエピタキシャル層の上に成膜されるさらなるエピタキシャル層は窒素でドープされない」との記載と、請求項２が引用する請求項１の記載が整合していない。
（４）請求項３ないし６について
　ア　請求項３の、「前記シリコンエピタキシャル層は窒素でドープされず、前記シリコンエピタキシャル層の上に成膜されるさらなるエピタキシャル層は窒素でドープされる」との記載と、請求項３が引用する請求項１の記載が整合していない。
（５）請求項６について
　ア　請求項６が引用する請求項１には、「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」と記載されており、請求項６には、「窒素でドープされる前記シリコンエピタキシャル層、または窒素でドープされる前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つ、または窒素でドープされる前記シリコンエピタキシャル層および窒素でドープされる前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つは、ゲッタリング活動を呈し、酸素のピーク濃度を有する酸素富化領域を含む」と記載されているが、エピタキシャル欠陥を含まないエピタキシャル層が、いかにしてゲッタリング活動を呈することができるのか、発明の詳細な説明及び当該技術分野における技術常識を参酌しても、不明である。
　イ　請求項６には、「窒素でドープされる前記シリコンエピタキシャル層」と記載されているが、請求項６が引用する請求項３の記載と整合しない。また、請求項６には、「窒素でドープされる前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つ」と記載されているが、請求項６が引用する請求項２の記載と整合しない。また、請求項６には、「窒素でドープされる前記シリコンエピタキシャル層および窒素でドープされる前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つ」と記載されているが、請求項６が引用する請求項２及び３の記載と整合しない。
（６）請求項７ないし１０について
　ア　請求項７の「オプションとして前記シリコンエピタキシャル層の上に１つ以上のさらなるエピタキシャル層を成膜することとを含み」との記載より、請求項７に係る発明は、「シリコンエピタキシャル層の上に１つ以上のさらなるエピタキシャル層を成膜すること」を有しないものを包含するものと認められるところ、請求項７に係る発明が「シリコンエピタキシャル層の上に１つ以上のさらなるエピタキシャル層を成膜すること」を有しない場合には、請求項７ないし１０の記載の意味が不明確である。
　イ　請求項７の記載からは、「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープすること」が、「１つ以上のシリコン前駆物質化合物および１つ以上の窒素前駆物質化合物を含有する成膜ガス雰囲気の存在下での化学蒸着法による成膜」中に行われるのか否かが明確でない。
（７）請求項８及び１０について
　ア　請求項８の「前記シリコンエピタキシャル層は前記１つ以上の窒素前駆物質化合物の存在下において成膜され、前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つは前記１つ以上の窒素前駆物質化合物がない状態で成膜される」との記載と、請求項８が引用する請求項７の記載が整合していない。
（８）請求項９及び１０について
　ア　請求項９の前記シリコンエピタキシャル層は前記１つ以上の窒素前駆物質化合物がない状態で成膜され、前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の前記少なくとも１つは前記１つ以上の窒素前駆物質化合物の存在下において成膜される」との記載と、請求項９が引用する請求項７の記載が整合していない。
　２　理由２（サポート要件）
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（１）請求項１ないし１０について
　ア　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、「シリコンエピタキシャル層の上の１つ以上のさらなるエピタキシャル層」が「シリコン」であるとは特定していないから、「シリコンではないエピタキシャル層」（例えば、「ＳｉＣエピタキシャル層」）を窒素でドープする発明を包含するものと認められるところ、発明の詳細な説明には、「シリコンではないエピタキシャル層」（例えば、「ＳｉＣエピタキシャル層」）を窒素でドープした場合の具体的な試験結果は、何ら示されておらず、そうしたものが本願発明の課題を解決できるのかは不明である。
　したがって、発明の詳細な説明に記載された発明を、請求項１ないし１０に係る発明にまで拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１ないし１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。
　イ　本願の請求項１ないし１０には、窒素の濃度が「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度」である旨が記載されている。
　他方、発明の詳細な説明には、窒素の濃度が「２×１０１９原子／ｃｍ３」である「サンプル１」と、窒素の濃度が「４×１０１８原子／ｃｍ３」である「サンプル２」についての、「ビッカース微小圧痕試験」の結果は示されているものの、その他の濃度のものについては、具体的な試験結果が何ら示されておらず、窒素の濃度が「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く４×１０１８原子／ｃｍ３より少ない」場合、及び、「２×１０１９原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下」の場合に、本願発明の課題を解決できるのかは不明である。
　したがって、発明の詳細な説明に記載された発明を、本願の請求項１ないし１０に係る発明にまで拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項１ないし１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。
　ウ　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、「シリコンエピタキシャル層」と「１つ以上のさらなるエピタキシャル層」の両方を窒素でドープするものを包含するものと認められるが、本願の発明の詳細な説明、及び図７Ａないし図７Ｄ等には、そのような発明は記載されていない。
（２）請求項７ないし１０について
　ア　本願の請求項７ないし１０に係る発明は、「シリコン前駆物質化合物」が「ジクロロシラン」ではないもの、及び、「窒素前駆物質化合物」が「アンモニア」ではないものを包含するものと認められる。
　他方、本願明細書の段落［００３３］ないし［００３６］及び［００５３］、並びに［図１］等には、「シリコン前駆物質化合物」として「ジクロロシラン」を用い、「窒素前駆物質化合物」として「アンモニア」を用いた場合における、成膜温度と窒素濃度との関係は示されているものの、「シリコン前駆物質化合物」として「ジクロロシラン」以外のものを用い、又は、「窒素前駆物質化合物」として「アンモニア」以外のものを用いた場合における、成膜温度と窒素濃度との関係は、示されていない。
　そして、当該技術分野における技術常識を参酌しても、「シリコン前駆物質化合物」として「ジクロロシラン」以外のものを用い、又は、「窒素前駆物質化合物」として「アンモニア」以外のものを用いた場合に、「９４０℃以下」の成膜条件で、「シリコンエピタキシャル層」を「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素」でドープすることができるのかは、不明である。
　したがって、発明の詳細な説明に記載された発明を、本願の請求項７ないし１０に係る発明にまで拡張ないし一般化できるとはいえないから、請求項７ないし１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではない。
　３　理由３（実施可能要件）
　この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（１）請求項１ないし１０について
　ア　本願の請求項１ないし１０に係る発明は、シリコンエピタキシャル層（又はエピタキシャル層）における窒素の濃度を、１×１０２０原子／ｃｍ３に近い高濃度としたものを包含するものと認められる。
　しかしながら、本願の［図１］ないし［図３］に示されたグラフでは、窒素の濃度は、上限値においても「１×１０２０原子／ｃｍ３」には達しておらず、明細書及び図面のその他の箇所にも、シリコンエピタキシャル層（又はエピタキシャル層）における窒素の濃度を、１×１０２０原子／ｃｍ３に近い高濃度とする方法について、明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１ないし１０に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
（２）請求項１ないし６について
　ア　当該技術分野における技術常識より、シリコンエピタキシャル層を１×１０１６原子／ｃｍ３以上の高濃度の窒素でドープした場合には、シリコンエピタキシャル層に多少の結晶欠陥が生じることは不可避と考えられるところ、本願の明細書及び図面には、「前記シリコンエピタキシャル層は１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープされ、または、前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも１つは、１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープされ、または、前記シリコンエピタキシャル層および前記１つ以上のさらなるエピタキシャル層の少なくとも１つは、１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープされ」、かつ、「窒素でドープされた前記１つ以上のエピタキシャル層は、欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」ようなものを製造する具体的な方法について、明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１ないし６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
　４　理由４（進歩性）
　この出願の請求項１ないし６に係る発明は、下記引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。（注．下記引用文献２は、本願発明の奏する効果が格別のものでないことを示すために引用された。）
引用文献等一覧
１．特開２００７−７３８２０号公報
２．特開昭６０−２４６２９７号公報
　５　理由５（原文新規事項）
　本願の請求項１及び明細書の段落[００３０]には、「断面走査電子顕微鏡法」と記載されているが、国際出願日における国際出願の明細書（国際公開の第７頁第１８−１９行）には、「Cross-Sectional Transmission Electron Microscopy」（訳すると「断面透過電子顕微鏡法」）と記載されており、「断面走査電子顕微鏡法」は記載も示唆もされていない。
　よって、本願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項は、国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内にないから、特許法第４９条第６号に該当する（同法第１８４条の１８参照）。
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は、平成３０年２月１９日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハと、前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上に成膜されるシリコンエピタキシャル層とを含み、前記シリコンエピタキシャル層は４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープされた、エピタキシャルウェハ。
　　【請求項２】
　前記シリコンエピタキシャル層は窒素でドープされ、前記シリコンエピタキシャル層の上に成膜されるさらなるシリコンエピタキシャル層は窒素でドープされない、請求項１に記載のエピタキシャルウェハ。
　　【請求項３】
　前記シリコンエピタキシャル層は完全にまたは部分的に前記シリコン基板ウェハを被覆する、請求項１または請求項２に記載のエピタキシャルウェハ。
　　【請求項４】
　前記シリコンエピタキシャル層は、元素周期表のＩＩＩ属またはＶ属に属する少なくとも１つの電気的に活性なドーパントでさらにドープされる、請求項１〜３の１つに記載のエピタキシャルウェハ。
　　【請求項５】
　エピタキシャルウェハを製造する方法であって、
　第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハを与えることと、
　ある成膜温度で、前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上にシリコンエピタキシャル層を成膜することとを含み、
　前記シリコンエピタキシャル層は、１つ以上のシリコン前駆物質化合物およびアンモニアを含有する成膜ガス雰囲気の存在下で化学蒸着法によって成膜され、前記成膜温度は９４０℃以下、および前記成膜ガス雰囲気において前記１つ以上のシリコン前駆物質化合物およびアンモニアの分解を引起すのに十分な温度以上であり、前記方法はさらに、前記シリコンエピタキシャル層を、前記成膜中に、４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープすることを含む、方法。
　　【請求項６】
　前記シリコンエピタキシャル層は前記アンモニアの存在下において成膜され、さらなるシリコンエピタキシャル層が１つ以上の窒素前駆物質化合物がない状態で前記シリコンエピタキシャル層上に成膜される、請求項５に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記エピタキシャルウェハをエピ後アニールすることをさらに含む、請求項５または請求項６に記載の方法。」
　第５　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１
（１）引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由及び原査定において引用された特開２００７−７３８２０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は当審において付したもの。以下において同じ。）
　ア「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
シリコン基板(12)と前記シリコン基板(12)の表面に成膜されたエピタキシャル層(13)とを備えるエピタキシャルウェーハ(11)において、
　
前記エピタキシャル層(13)の全部の領域
に窒素が含有されたことを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
【請求項２】
　
エピタキシャル層(13)の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０
１３
〜１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
である請求項１記載のエピタキシャルウェーハ。
（中略）
【請求項４】
　
原料ガスを反応容器(20)に流通させることにより前記反応容器(20)内に配置されたシリコン基板(12)の表面にエピタキシャル層(13)を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
　
前記原料ガスの流通の全期間にわたって
窒素含有ガスを流すことにより前記エピタキシャル層(13)の全部
に窒素を含有させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
　イ「【０００１】
　
本発明は、シリコン基板とそのシリコン基板の表面に成膜されたエピタキシャル層とを備えるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法に関するものである。
（中略）
【０００４】
　しかし、エピタキシャルウェーハは、シリコン基板の表面にシリコン単結晶からなるエピタキシャル層が既に形成されているため、そのエピタキシャルウェーハを更に熱処理することは作業工数を増加させる不具合があった。
　また、そのエピタキシャルウェーハに窒化ガスを含む雰囲気ガス中で熱処理して、析出を助長する空孔をエピタキシャル層の内部に深く侵入させても、その表面から離れたところにゲッタリング効果を有する酸素析出核を生じさせることは困難であった。
　
本発明の目的は、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせ得るエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
　ウ「【００１１】
　次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
　
図１に示すように、本発明のエピタキシャルウェーハ１１は、シリコン基板１２とそのシリこのコン基板１２の表面に成膜されたエピタキシャル層１３とを備える。そして、このエピタキシャルウェーハ１１は、図２に示すような反応容器２０に、原料ガスを流通させる、反応容器２０内に配置されたシリコン基板１２の表面にエピタキシャル層１３を成膜することにより作られる。
【００１２】
　図２は、枚葉式のエピタキシャルウェーハの製造装置を示す。この装置における反応容器２０は上部ドーム２１と下部ドーム２２により構成され、この反応容器２０の内部にはエピタキシャル成長用の単一のシリコン基板１２を支持する支持部材２４が設けられる。この反応容器２０には上部ドーム２１の内部に連通するガス供給口２６及びガス排出口２７が配設される。このガス供給口２６には原料ガスやドープガスを供給するガス導入管２８の一端が接続され、ガス排出口２７にはガス排出管２５が接続される。ガス導入管２８やガス排出口２７はハステロイのような耐塩酸合金から構成される。
【００１３】
　この装置では、図示しないが、ドーム２１及び２２の外側に設けられた熱源によりシリコン基板１２を加熱しながら、ガス導入管２８及びガス供給口２６を通して反応容器２０内に原料ガスをキャリアガスとともに導入する。
ここで、原料ガスとしてはＳｉＨ
２
Ｃｌ
２
、ＳｉＨＣｌ
３
、ＳｉＨ
４
又はＳｉＣｌ
４
等が挙げられ、
シリコン基板１２の表面にシリコン単結晶薄膜からなるエピタキシャル層１３(図１)を形成し
【００１４】
　そして、
本発明の製造方法における特徴ある点は、ガス導入管２８及びガス供給口２６を通して反応容器２０に原料ガスをキャリアガスとともに導入してそれらを反応容器２０に流通させる全期間にわたって又は一時期に窒素含有ガスを流すところにある。エピタキシャル層１３を形成する際に、窒素含有ガスを反応容器２０内に流すと、エピタキシャル層１３の全部又は厚さ方向の一部に窒素が含有される。即ち、原料ガスを反応容器２０に流通させる全期間にわたってにその原料ガスとともに窒素含有ガスを流すと、図４に示すように、エピタキシャル層１３の全部の領域に窒素が含有され、
窒素含有ガスとしては、ボンベにてキャリアガス（Ｈ
２
）にて希釈された窒素ガス(Ｎ
２
)が用いられる。
【００１５】
　このように、エピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域に窒素が含有されたことを特徴とするエピタキシャルウェーハ１１では、エピタキシャル層１３に故意に窒素を含有させられることから、それにより微少欠陥が誘発させ、窒素が含有されたエピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の表面を除く一部の領域にゲッタリング効果を有する領域を形成することができる。
【００１６】
　ここで、図１は、原料ガスの流通の一時期が流通時の初期であって、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域がシリコン基板１２とエピタキシャル層１３の界面近傍であるエピタキシャルウェーハ１１を示す。この場合には、エピタキシャル後の熱処理条件にもよるが、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域が、エピタキシャル層１３の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板１２とエピタキシャル層１３の界面までの領域であることが好ましい。具体的に、エピタキシャル層１３の厚さ方向の一部の領域は、シリコン基板１２とエピタキシャル層１３の界面から０〜２０μｍの厚さの領域であることが好ましい。
【００１７】
　一方、一般的なエピタキシャルウェーハ１１におけるエピタキシャル層１３の標準的な厚さは薄ものにおいては１〜１０μｍであり、厚ものにおいては１００〜１５０μｍである。このことから、エピタキシャル層１３の表面から１μｍ以上内部かつシリコン基板１２とエピタキシャル層１３の界面までの領域、又はシリコン基板１２とエピタキシャル層１３の界面からエピタキシャル層１３の０〜２０μｍの厚さの領域に窒素を入れることは、原料ガスを流通させる全期間の初期における９〜１割の間に窒素含有ガスを流すことを意味する。このようにしてエピタキシャル層１３とシリコン基板１２の界面から０〜２０μｍの厚さの領域に窒素を入れると、シリコン基板１２からの酸素拡散が期待でき、エピタキシャル層１３とシリコン基板１２との間における欠陥誘発も促進されると考えられる。即ち、シリコン基板１２とエピタキシャル層１３との間の界面に窒素を導入した場合、シリコン基板１２の酸素拡散によるインタースティシャル酸素窒素にて、容易に析出するものと考えられる。この結果、作業工数を増加させることなく、エピタキシャル層１３の表面から離れた内部にゲッタリング効果を生じさせることができ、シリコン基板１２に窒素をドープしたものと同様なゲッタリング効果が得られる。
【００１８】
　また、
エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域における窒素濃度は１×１０
１３
〜１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
であることが好ましく
窒素濃度が１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
を越えても著しいゲッタリング効果の向上を期待できない。
【００１９】
　また、エピタキシャル層１３を育成している間に反応容器２０に流す窒素量は、マスフローメータにてコントロールできる範囲、即ち、０．０００１リットル／分〜１リットル／分であることが好ましく、更に希釈する配管設備等を所有して薄くて安定な窒素ガス量を作り出すことが好ましい。
窒素量を制御することにより、エピタキシャル層１３における窒素が含有された領域の窒素濃度を上記範囲内にすることができる。反応容器２０に流す窒素量がキャリアガスと同程度の量になるとエピタキシャル層１３に必要な濃度を越え、窒化膜形成が起こり正常なエピタキシャル層１３が形成できなくなる。
【００２０】
　このため、本発明におけるエピタキシャルウェーハの製造方法では、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層１３の成長中にそのエピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させる。この結果、シリコン基板１２に窒素をドープするより、後工程でかつ比較的手軽に、精度良く、部分的にゲッタリング効果を有する領域をエピタキシャル層１３に形成でき、安定したデバイスを作成することができる。
【００２１】
　一方、図３は窒素がエピタキシャル層１３の中間に導入されている例を示す。このエピタキシャルウェーハ１１は絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）に用いられる場合に好ましいが、その他の用途においてもゲッターを強くする効果がある。ＩＧＢＴを形成する場合には図２におけるドーム２１及び２２の外側に設けられた熱源によりシリコン基板１２を加熱しながら、ガス導入管２８及びガス供給口２６を通して反応容器２０内に原料ガスとともに比抵抗をコントロールするためのドーパントガスをＨ２のキャリアガスとともに導入することになる。ドーパントガスとしてはＰＨ３が挙げられ、窒素含有ガスはドーパントガスの切り換え時の一定時期(図３ではｎ＋とｎ−の間)に導入することが好ましい。このようなＩＧＢＴ品種においては、欠陥を誘発させなくともエピタキシャル層１３に窒素を含有させることにより、従来金拡散、電子線、中性子照射等で、確保していたライフタイムキラーの代替えとして用いることができる。
【００２２】
　また、
図４は、エピタキシャル層１３の全部の領域に窒素を含有させた場合を示す。このようにエピタキシャル層１３の全部の領域に窒素を含有させたエピタキシャルウェーハ１１であっても、エピタキシャル層１３にゲッタリング効果が生じて金属不純物表面清浄度が高いエピタキシャルウェーハ１１が得られる。
【実施例】
【００２３】
　次の本発明の実施例を比較例とともに説明する。
　＜実施例１＞
　
図２に示す反応容器２０を準備し、この反応容器２０の内部にエピタキシャル成長用のシリコン基板１２を支持させ、これを加熱しながら、ガス導入管２８及びガス供給口２６を通して反応容器２０内に原料ガスであるＳｉＨＣｌ
３
とドープガスであるＰＨ
３
をＨ
２
からなるキャリアガスとともに導入した。そしてそれらを反応容器２０に流通させる全期間に、希釈機構にて薄めた窒素含有ガスを流してエピタキシャルウェーハ１１を得た。
【００２４】
　＜実施例２＞
　エピタキシャル層１３に取込まれた窒素の量が異なる５枚のエピタキシャルウェーハ１１を準備した。それらのウェーハ１１を一定量の金属不純物で汚染させた場合の析出量をＩＣＰ−ＭＳにより測定した。このエピタキシャル層１３に取込まれた窒素の量と金属不純物の析出量との関係を図６に示す。
【００２５】
　＜評価１＞
　
図６に示すように、エピタキシャル層１３中に窒素を含有させると金属不純物の析出量が増加する傾向にある。
　一方、
図５から明らかなように、エピタキシャル層１３中の窒素は原料ガスに含ませる窒素の量により変化することが判る。従って、窒素の導入量及びその時期をコントロールしながらエピタキシャル層１３の成長中にそのエピタキシャル層１３の全部の領域又は厚さ方向の任意の一部の領域に窒素を導入させることができることが判る。
　
そして、図６の結果から、エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域における窒素濃度は、ゲッタリング効果を生じさせるために１×１０
１３
〜１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
であることが好ましいことが判る。
（２）引用発明
　ア　引用発明１（物の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「シリコン基板１２と、前記シリコン基板１２の表面に成膜されたシリコン単結晶薄膜からなるエピタキシャル層１３とを備えるエピタキシャルウェーハにおいて、
　前記エピタキシャル層１３の全部の領域に窒素が含有され、
　前記エピタキシャル層１３の窒素が含有された領域の窒素濃度が１×１０１３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。」
　イ　引用発明２（物を生産する方法の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「原料ガスであるＳｉＨＣｌ３を反応容器２０に流通させることにより前記反応容器２０内に配置されたシリコン基板１２の表面にシリコン単結晶薄膜からなるエピタキシャル層１３を成膜するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
　前記原料ガスの流通の全期間にわたって、窒素含有ガスとしてキャリアガス（Ｈ２）にて希釈された窒素ガス(Ｎ２)を流すことにより、前記エピタキシャル層１３の全部に１×１０１３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度の窒素を含有させることを特徴とする、
　エピタキシャルウェーハの製造方法。」
　２　引用文献２
　当審拒絶理由において引用された特開昭６０−２４６２９７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【特許請求の範囲】
　
エピタキシャル成長法によりシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコン化合物を同伴するキャリアガス中又はエピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガス又は窒素化合物ガスを存在させることを特徴とする窒素ドープシリコン単結晶の製造方法
【発明の詳細な説明】
　
本発明はシリコン単結晶の製造方法に関するもので、特にエピタキシャル・ウェーハを使用する半導体素子製造工程に含まれる熱処理工程においてシリコンウェーハに生ずる熱応力に強いシリコンエピタキシャルウェーハを得ることを目的とするものである。
　一般にチョコラルスキー法で育成されたシリコンウェーハには酸素が４ｘ１０１７〜２ｘ１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｃ程添加されているため熱応力に強いことが知られている（文献S.M.Hu et al.　ジャーナル　オフ　アプライド　フィジクス　48(5) p1889,1975）。
　一方、エピタキシャル成長法では酸素を添加する試みが種々なされているが、エピタキシャル成長を阻害する等の問題から熱応力に対する改善に必要な程充分な酸素を添加することは困難である。
　
本発明者はかかる熱応力による結晶性の劣化に対する特にエピタキシャル成長法における改善について種々検討の結果、窒素をシリコンエピタキシャルウェーハ中に少量添加することにより酸素添加と同等又はそれ以上の効果が得られることを知見し本発明に到達したものである。
　
即ちエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコン化合物を同伴するキャリアガス中又はエピタキシャル成長雰囲気中に窒素ガス又は窒素化合物ガスを存在させることを特徴とする窒素ドープシリコン単結晶の製造方法に関するものである。
　３　引用文献３
　原査定において引用された特表２００７−５０７８８５号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア「【００１１】
　一般に、基板への低圧シリコン堆積は、単結晶（エピタキシャル）シリコン膜か多結晶シリコン膜か非晶質シリコン膜の形成をもたらすことができる。本発明の一実施形態において、結晶シリコン基板上へのシリコンエピタキシャル堆積が単結晶シリコン膜を形成するために使用できる。ここで、結晶シリコン基板は単結晶成長のための『種』として作用する。エピタキシャルシリコン含有層は、その下にあるＳｉウェハーとは異なる組成的特性と電気的特性を有するように設計し、デバイスの特定の要求に合わせることができる。ＨＣＤ処理ガスに少量のドーパントガスの加えることにより、エピタキシャルシリコン含有膜をドープすることができる。ドーパントガスの例としては、リン含有ガス（例えばＰＨ３）、ヒ素含有ガス（例えばＡｓＨ３）、窒素含有ガス（例えばＮＨ３）、ホウ素含有ガス（例えばＢ２Ｈ６とＢＣｌ３）などがある。上記ドーパントガスのいずれのＨＣＤ処理ガスへの添加も、プロセス中の基板上の水素の存在のためシリコン堆積を加速させることによって、シリコン堆積の選択性を高めることができる。また、ＨＦやＦ２やＨＣｌなどのハロゲン含有ガスのＨＣＤ処理ガスへの添加も、シリコンでない表面上に堆積したシリコン原子をエッチングし取り除くことによって、シリコン表面へのシリコン堆積の選択性を改善することができる。」
　イ「【００２７】
　図３Ａは、本発明の一実施形態によるシリコン含有膜を基板上に堆積するための流れ図を示している。３００において、プロセスを開始する。３０２において、処理システムの処理チャンバーに基板を供給する。処理システムは、図１Ａまたは図１Ｂに示したバッチタイプ処理システムであってもよく、また、図２に示したような処理装置の一部として提供されてもよい。３０４において、基板を加熱し、３０６においてＨＣＤ処理ガスを基板に露出する。本発明の一実施形態において、ＨＣＤ処理ガスはＨＣＤガスのほかに不活性ガスを含むことができ、シリコン含有膜はシリコン膜とすることができる。不活性ガスは、例えば、ＨｅとＮｅとＡｒとＫｒとＸｅとＮ２から、または、基板またはチャンバー環境と化学的に反応しないほかのあらゆるガスから選択することができる。不活性ガスは、液体状のＨＣＤ用の搬送ガスとして、また、基板表面でなくチャンバー環境での化学反応の発生を減らすためにＨＣＤガスを薄めるために使用し得る。本発明の別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスのほかに、不活性ガスと、水素含有ガスと第二のシリコン含有ガスの少なくとも一つとを含むことができる。水素含有ガスは、例えば、Ｈ２を含むことができる。ＨＣＤガスへのＨ２の添加がシリコン堆積速度を高めることが観察された。第二のシリコン含有ガスは、例えば、ＳｉＨ４とＳｉＣｌ４とＳｉ２Ｈ６とＳｉＣｌ２Ｈ２から選択することができる。本発明のまた別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスと、例えば、リン含有ガス（例えばＰＨ３）とヒ素含有ガス（例えばＡｓＨ３）と窒素含有ガス（例えばＮＨ３）とホウ素含有ガス（例えばＢ２Ｈ６とＢＣｌ３）から選択することができるドーパントガスとを含むことができる。本発明の別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、例えば、ＨＦとＦ２とＣｌ２とＨＣｌから選択することができるハロゲン含有ガスを含むことができる。本発明のまた別の実施形態において、ＨＣＤ処理ガスは、ＨＣＤガスと、例えば、ＧｅＨ４とＧｅＣｌ４から選択することができるゲルマニウム含有ガスとを含み、ＳｉＧｅ膜を堆積することができる。」
　ウ「【００２９】
　シリコン含有膜を堆積するために使用されるプロセス条件は、約１００Ｔｏｒｒ未満の処理チャンバー圧力を含むものとすることができる。あるいは、プロセス圧力は、約１Ｔｏｒｒ未満、例えば０.４Ｔｏｒｒとすることができる。プロセス条件はさらに、約５００℃と約９００℃の間、好ましくは約８００℃の基板温度を含むものとすることができる。本発明の一実施形態において、基板温度を約８００℃とすることができ、処理チャンバー圧力を０．４Ｔｏｒｒとすることができる。３０８において、ＨＣＤ処理ガスの分解からシリコン含有膜が基板上に堆積する。」
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　ア　引用発明１の「シリコン基板１２」が「表面」及び「裏面」を有することは技術常識より明らかであり、上記「シリコン基板１２」、「表面」及び「裏面」は、それぞれ、本願発明１の「シリコン基板ウェハ」、「第１の側」及び「第２の側」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１は、「第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハ」を含む点において共通するといえる。
　イ　引用発明１の「エピタキシャル層１３」は、「シリコン単結晶薄膜からなる」ものであるから、「シリコンエピタキシャル層」であるといえる。
　また、上記アのとおり、引用発明１の「シリコン基板１２」の「表面」は、本願発明１の「第１の側」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明１の「エピタキシャル層１３」は、本願発明１の「シリコンエピタキシャル層」に相当するといえ、本願発明１と引用発明１は、「前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上に成膜されるシリコンエピタキシャル層とを含」む点において共通するといえる。
　ウ　引用発明１の「エピタキシャル層１３」は「全部の領域に窒素が含有され」たものであるから、「窒素でドープされ」たものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１は、「前記シリコンエピタキシャル層は窒素でドープされた」との点において共通し、後述する相違点１−１において相違するといえる。
　エ　引用発明１の「エピタキシャルウェーハ」は、本願発明１の「エピタキシャルウェハ」に相当するといえる。
　オ　以上から、本願発明１と引用発明１は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
　「第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハと、前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上に成膜されるシリコンエピタキシャル層とを含み、前記シリコンエピタキシャル層は窒素でドープされた、エピタキシャルウェハ。」
（イ）相違点
　・相違点１−１
　本願発明１では、「シリコンエピタキシャル層」が「４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープされ」るのに対し、引用発明１では、「シリコンエピタキシャル層」（エピタキシャル層１３）が１×１０１３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度の窒素でドープされる点。
（２）判断
　相違点１−１について検討する。
　引用文献１の段落【００１８】には、「窒素濃度が１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であるとゲッタリング効果が減少し、
窒素濃度が１×１０
１６
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
を越えても著しいゲッタリング効果の向上を期待できない。
　さらに、引用文献１の段落【００１９】には、「反応容器２０に流す窒素量がキャリアガスと同程度の量になると
エピタキシャル層１３に必要な濃度を越え、窒化膜形成が起こり正常なエピタキシャル層１３が形成できなくなる。
　また、引用文献２及び３にも、相違点１−１に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　以上のとおり、引用発明１において相違点１−１に係る構成を採用することには、十分な動機付けがあるとはいえず、かつ、阻害要因があり、また、引用文献２及び３にも、相違点１−１に係る構成については記載も示唆もされていないから、本願発明１は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものであるから、上記１のとおり、本願発明１が引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２ないし４も、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　３　本願発明５について
（１）対比
　本願発明５と引用発明２とを対比する。
　ア　引用発明２の「エピタキシャルウェーハ」は、本願発明５の「エピタキシャルウェハ」に相当するといえ、本願発明５と引用発明２は、「エピタキシャルウェハを製造する方法」である点において共通するといえる。
　イ　引用発明２の「シリコン基板１２」が「表面」及び「裏面」を有することは技術常識より明らかであり、上記「シリコン基板１２」、「表面」及び「裏面」は、それぞれ、本願発明５の「シリコン基板ウェハ」、「第１の側」及び「第２の側」に相当するといえる。
　また、引用発明２において、「シリコン基板１２」を「反応容器２０内」に配置することは、「シリコン基板１２」を「与えること」であるといえる。
　そうすると、本願発明５と引用発明２は、「第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハを与えること」を含む点において共通するといえる。
　ウ　引用発明２の「エピタキシャル層１３」は、「シリコン単結晶薄膜からなる」ものであるから、「シリコンエピタキシャル層」であるといえる。
　したがって、引用発明２の「前記反応容器２０内に配置されたシリコン基板１２の表面にシリコン単結晶薄膜からなるエピタキシャル層１３を成膜する」ことは、本願発明５の「前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上にシリコンエピタキシャル層を成膜すること」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明５と引用発明２は、「前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上にシリコンエピタキシャル層を成膜すること」を含む点において共通し、後述する相違点５−１において相違するといえる。
　エ　引用発明２の「原料ガスであるＳｉＨＣｌ３」は、「シリコン前駆物質化合物」であるといえる。
　また、引用発明２の「窒素含有ガス」と、本願発明５の「アンモニア」とは、「窒素前駆物質化合物」である点において共通し、後述する相違点５−２において相違するといえる。
　さらに、本願発明５において、「原料ガスの流通の全期間にわたって、窒素含有ガスとしてキャリアガス（Ｈ２）にて希釈された窒素ガス(Ｎ２)を流」すことにより、窒素を含有する「エピタキシャル層１３」を成膜することは、技術常識を考慮すると、「シリコンエピタキシャル層」を「シリコン前駆物質化合物および窒素前駆物質化合物を含有する成膜ガス雰囲気の存在化で化学蒸着法によって成膜」することであるといえる。
　そうすると、本願発明５と引用発明２は、「前記シリコンエピタキシャル層は、１つ以上のシリコン前駆物質化合物および窒素前駆物質化合物を含有する成膜ガス雰囲気の存在下で化学蒸着法によって成膜され」との点において共通し、後述する相違点５−２において相違するといえる。
　オ　引用発明２の「前記原料ガスの流通の全期間にわたって、窒素含有ガスとしてキャリアガス（Ｈ２）にて希釈された窒素ガス(Ｎ２)を流すことにより、前記エピタキシャル層１３の全部に１×１０１３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度の窒素を含有させること」は、「エピタキシャル層１３」を、成膜中に窒素でドープすることであるといえる。
　そうすると、本願発明５と引用発明２は、「前記方法はさらに、前記シリコンエピタキシャル層を、前記成膜中に、窒素でドープすることを含む」との点において共通し、後述する相違点５−３において相違するといえる。
　カ　以上から、本願発明５と引用発明２は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
　「エピタキシャルウェハを製造する方法であって、
　第１の側および第２の側を有するシリコン基板ウェハを与えることと、
　前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上にシリコンエピタキシャル層を成膜することとを含み、
　前記シリコンエピタキシャル層は、１つ以上のシリコン前駆物質化合物および窒素前駆物質化合物を含有する成膜ガス雰囲気の存在下で化学蒸着法によって成膜され、
　前記方法はさらに、前記シリコンエピタキシャル層を、前記成膜中に窒素でドープすることを含む、方法。」
（イ）相違点
　・相違点５−１
　本願発明５では、「前記シリコン基板ウェハの前記第１の側上にシリコンエピタキシャル層を成膜する」際の「成膜温度」が「９４０℃以下、および前記成膜ガス雰囲気において前記１つ以上のシリコン前駆物質化合物およびアンモニアの分解を引起すのに十分な温度以上」であるのに対し、引用発明２は、「シリコン基板ウェハ」（シリコン基板１２）の「第１の側」（表面）上に「シリコンエピタキシャル層」（エピタキシャル層１３）を成膜する際の成膜温度を特定しない点。
　・相違点５−２
　本願発明５では、「窒素前駆物質化合物」が「アンモニア」であるのに対し、引用発明２では、「窒素前駆物質化合物」が「キャリアガス（Ｈ２）にて希釈された窒素ガス(Ｎ２)」である点。
　・相違点５−３
　本願発明５では、「シリコンエピタキシャル層」を「４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素でドープする」のに対し、引用発明２では、「シリコンエピタキシャル層」（エピタキシャル層１３）を１×１０１３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度の窒素でドープする点。
（２）判断
　相違点５−３について検討する。
　上記１（２）において検討したのと同様の理由により、引用発明２において相違点５−３に係る構成を採用することには、十分な動機付けがあるとはいえず、かつ、阻害要因があり、また、引用文献２及び３にも、相違点５−３に係る構成については記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点５−１及び５−２について検討するまでもなく、本願発明５は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　４　本願発明６及び７について
　本願発明６及び７は、本願発明５の発明特定事項を全て含み、さらに他の発明特定事項を付加したものであるから、上記３のとおり、本願発明５が引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明６及び７も、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　５　対比・判断のまとめ
　上記１ないし４のとおり、本願発明１ないし７は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定について
　上記第６の５のとおり、本願発明１ないし７は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　１　理由１（明確性）について
　ア　当審拒絶理由の１（１）アにおいて、請求項に記載された窒素の濃度が、平均濃度を特定するものであるのか、全域における濃度を特定するものであるのか、それとも、少なくとも一部の領域における濃度を特定するものであるのかが明確でない旨が指摘された。これに対し、平成３０年２月１９日付け意見書において、「窒素の濃度につきましては、シリコンエピタキシャル層の全域において、４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下の範囲内にあることを規定しています。」との主張がなされ、記載の意味が明確となったため、上記拒絶の理由は解消した。
　イ　当審拒絶理由の「理由１（明確性）」において指摘されたその他の拒絶理由については、平成３０年２月１９日付け手続補正によって、対応する記載が削除され、又は記載の不整合が解消されたため、いずれも解消した。
　ウ　以上より、当審拒絶理由の「理由１（明確性）」はいずれも解消した。
　２　理由２（サポート要件）について
　ア　当審拒絶理由の２（１）アにおいて、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、「シリコンエピタキシャル層の上の１つ以上のさらなるエピタキシャル層」が「シリコン」であるとは特定していないから、「シリコンではないエピタキシャル層」（例えば、「ＳｉＣエピタキシャル層」）を窒素でドープする発明を包含するものと認められるところ、発明の詳細な説明には、「シリコンではないエピタキシャル層」（例えば、「ＳｉＣエピタキシャル層」）を窒素でドープした場合の具体的な試験結果は、何ら示されておらず、そうしたものが本願発明の課題を解決できるのかは不明である旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、「さらなるエピタキシャル層」が「シリコンエピタキシャル層」に限定されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　イ　当審拒絶理由の２（１）イにおいて、窒素の濃度が「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く４×１０１８原子／ｃｍ３より少ない」場合、及び、「２×１０１９原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下」の場合に、本願発明の課題を解決できるのか不明である旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、窒素の濃度が「４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下」に限定されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ウ　当審拒絶理由の２（１）ウにおいて指摘された拒絶理由については、平成３０年２月１９日付け手続補正により、対応する記載が削除されたため、解消した。
　エ　当審拒絶理由の２（２）アにおいて、「シリコン前駆物質化合物」として「ジクロロシラン」以外のものを用い、又は、「窒素前駆物質化合物」として「アンモニア」以外のものを用いた場合に、「９４０℃以下」の成膜条件で、「シリコンエピタキシャル層」を「１×１０１６原子／ｃｍ３より多く１×１０２０原子／ｃｍ３以下の濃度の窒素」でドープすることができるのか不明である旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、「窒素前駆物質化合物」がアンモニアに限定され、また、同日付意見書における主張及び技術常識を考慮すると、「シリコン前駆物質化合物」として「ジクロロシラン」以外のものを用いることまで拡張可能であるといえるから、上記拒絶理由は解消した。
　オ　以上より、当審拒絶理由の「理由２（サポート要件）」はいずれも解消した。
　３　理由３（実施可能要件）について
　ア　当審拒絶理由の３（１）アにおいて、発明の詳細な説明には、シリコンエピタキシャル層（又はエピタキシャル層）における窒素の濃度を、１×１０２０原子／ｃｍ３に近い高濃度とする方法について、明確かつ十分に記載されているとはいえない旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、窒素の濃度が「４×１０１８原子／ｃｍ３以上２×１０１９原子／ｃｍ３以下」に限定されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　イ　当審拒絶理由の３（２）アにおいて、発明の詳細な説明には、１×１０１６原子／ｃｍ３以上の高濃度の窒素でドープしたシリコンエピタキシャル層について、「欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」ようなものを製造する具体的な方法について、明確かつ十分に記載されているとはいえない旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、特許請求の範囲の「欠陥エッチング、レーザ散乱検査、または断面走査電子顕微鏡法で検出可能であり、窒素のドープと関係するエピタキシャル欠陥を含まない」との記載が削除されたため、上記の拒絶理由は解消した。
　ウ　以上より、当審拒絶理由の「理由３（実施可能要件）」はいずれも解消した。
　４　理由４（進歩性）について
　上記第６の５のとおり、本願発明１ないし７は、引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、当審拒絶理由の「理由４（進歩性）」によっては、本願を拒絶することはできない。
　５　理由５（原文新規事項）について
　当審拒絶理由の５において、本願の請求項１及び明細書の段落[００３０]には、「断面走査電子顕微鏡法」と記載されているが、国際出願日における国際出願の明細書（国際公開の第７頁第１８−１９行）には、「Cross-Sectional Transmission Electron Microscopy」（訳すると「断面透過電子顕微鏡法」）と記載されており、「断面走査電子顕微鏡法」は記載も示唆もされていない旨が指摘された。
　これに対し、平成３０年２月１９日付け手続補正により、請求項１の「断面走査電子顕微鏡法」との記載が削除された。また、明細書の段落［００３０］には、「断面走査電子顕微鏡法」との記載に続けて、括弧中に「ＸＴＥＭ」と記載され、当該「ＸＴＥＭ」が「Cross-Sectional Transmission Electron Microscopy」と同義であることは明らかであるから、段落［００３０］の記載が国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内にないとまではいえない。
　よって、当審拒絶理由の「理由５（原文新規事項）」は解消した。
　６　当審拒絶理由についてのまとめ
　上記１ないし５のとおり、当審拒絶理由はいずれも解消した。
　よって、当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第９　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。