【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５４８０４４８号発明「鉛−テルル−リチウム−酸化物を含有する厚膜ペーストと半導体デバイスの製造においてのそれらの使用」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５４８０４４８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１について訂正することを認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本件特許第５４８０４４８号（請求項の数［３］、以下、「本件特許」という。）は、２０１１年　５月　４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１０年　５月　４日、２０１１年　２月　７日、２０１１年　２月２２日、２０１１年　３月２４日、米国（ＵＳ））を国際出願日とする特願２０１３−５０９２１２号に係るものであって、その特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明について、平成２６年　２月２１日に特許権の設定登録がなされた。
　
　これに対して、本件無効審判請求人　木村　智弓（以下「請求人」という。）は、平成２６年１０月２３日付け審判請求書によって、上記請求項１〜３に係る発明の特許について、本件特許無効審判〔無効２０１４−８００１７１号〕を請求した。
　
　その後の手続の経緯は、概略以下のとおりである。
平成２７年　２月１８日付け　審判事件答弁書（被請求人）
　　　同年　２月１８日付け　訂正請求書（被請求人）
　　　同年　３月３０日付け　審理事項通知書
　　　同年　５月２６日付け　口頭審理陳述要領書（請求人）
　　　同年　５月２６日付け　口頭審理陳述要領書（被請求人）
　　　同年　６月　８日付け　審理事項通知書
　　　同年　６月　８日付け　上申書（請求人）
　　　同年　６月２２日付け　口頭審理陳述要領書２（請求人）
　　　同年　６月２２日付け　口頭審理陳述要領書２（被請求人）
　　　同年　６月２６日　　　第１回口頭審理
　　　同年　７月２１日付け　上申書（請求人）
　　　同年１１月１８日付け　審尋（請求人に対して）
　　　同年１２月　９日付け　回答書（請求人）
　　　同年１２月　９日付け　上申書（請求人）
　　　同年１２月　９日付け　証拠説明書（請求人）
平成２８年　１月　６日付け　補正許否の決定
　　　同年　２月２６日付け　審判事件答弁書２（被請求人）
　　　同年　５月　６日付け　審決の予告
　　　同年　６月２８日付け　上申書（被請求人）
　　　同年　６月２８日付け　訂正請求書（被請求人）
　　　同年　８月　２日付け　審判事件弁駁書（請求人）
　　　同年１１月１４日付け　補正許否の決定
　
第２　訂正請求について
　平成２８年　６月２８日付けの訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求は、上記訂正請求書によれば、特許請求の範囲を、上記訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、請求項ごとに訂正することを請求するものであって、次の事項を訂正内容としている。
　なお、平成２７年　２月１８日付けの訂正請求書による訂正の請求は、本件訂正の請求がなされたため、特許法第１３４条の２第６項の規定により、取り下げたものとみなされる。
　
１．　訂正の内容
（１）　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「を含む」とあるのを、
「を含み、前記鉛−テルル−リチウム−酸化物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む」に訂正する。
　
（２）　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「厚膜ペースト組成物」とあるのを、
「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物」に訂正する。
２．　訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１には、「
　ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、
　ｂ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、
　ｃ）有機媒体と
を含む厚膜ペースト組成物。」と記載されていたところ、訂正事項１は、この記載のうちの「鉛−テルル−リチウム−酸化物」について、「前記鉛−テルル−リチウム−酸化物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む」との限定を付加するものであるし、訂正事項２は、この記載のうちの「厚膜ペースト組成物。」について、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」との限定を付加するものであるから、訂正事項１〜２は、いずれも、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）新規事項追加の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
　願書に添付した明細書には、「厚膜ペースト組成物」について、例えば、その【０００１】に、「本発明は、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペーストを提供する。」との記載があり、また、例えば、その【００６４】〜【００９７】には、太陽電池の前面に印刷する本発明の厚膜ペースト組成物における、鉛−テルル−リチウム−酸化物は２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含んでいたことが記載されていることからして、訂正事項１〜２が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかであるし、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないことも明らかであるから、訂正事項１〜２についての訂正は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件に適合するものである。
　
（４）独立特許要件
　本件無効審判は、上記第１に示したとおり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３を対象としているので、それらの請求項のうちの請求項１についての訂正である、訂正事項１〜２には、特許法第１３４条の２第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
　
（５）むすび 
　上記（１）〜（４）で検討したとおり、上記訂正請求書による訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件に適合するものであるので、当該訂正を認める。 
　
　
第３　本件訂正後発明 
　上記第２のとおり本件訂正を認めるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、本件請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、
　ｂ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、
　ｃ）有機媒体と
　を含み、
　前記鉛−テルル−リチウム−酸化物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物。
【請求項２】
　（ａ）半導体基板の少なくとも１つの表面上に堆積された１つまたは複数の絶縁膜を含む前記半導体基板を提供する工程と、
　（ｂ）厚膜ペースト組成物を前記絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程であって、前記厚膜ペースト組成物が、
　ｉ）前記組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、
　ｉｉ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、
　ｉｉｉ）有機媒体とを含む工程と、
　（ｃ）前記半導体基板、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して前記厚膜ペーストの前記有機媒体が揮発させられ、１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む方法。
【請求項３】
　（ａ）半導体基板と、
　（ｂ）前記半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層と、
　（ｃ）前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、伝導性金属と鉛−テルル−リチウム−酸化物とを含む電極と
　を含む物品。」
　なお、上記第２のとおり本件訂正がされたのは、本件の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明のうちの、請求項１に係る発明だけであって、請求項２〜３に係る発明については本件訂正がされなかったことから、以下、請求項１に係る発明については「本件訂正発明１」といい、請求項２〜３に係る発明については、それぞれ、「本件発明２」、「本件発明３」という。 
　
第４　当事者の主張 
 １．請求人の主張の概要 
 　請求人は、特許５４８０４４８号の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明の特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、審判請求書、平成２７年　５月２６日付け口頭審理陳述要領書、同年　６月　８日付け上申書、同年同月２２日付け口頭審理陳述要領書２、同年同月２６日の第１回口頭審理（第１回口頭審理調書）、同年　７月２１日付け上申書、同年１２月　９日付けの上申書（３）、同年同月同日付けの証拠説明書及び平成２８年　８月　２日付け審判事件弁駁書において、甲第１〜２３号証を提示し、以下の無効理由を主張した。 
 　 
 ［無効理由１］ 
　本件訂正発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、本件訂正発明１の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第１　無効理由１」参照。）。 
 　 
 ［無効理由２］ 
（１）　本件訂正発明１は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第１号証に記載された発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件訂正発明１の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第２　無効理由２」の「１　訂正発明」参照。）。 
  
（２）　本件発明２は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第１号証に記載された発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明２の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第２　無効理由２」の「２　本件発明２」参照。）。 
  
（３）　本件発明３は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第１号証に記載された発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明３の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第２　無効理由２」の「３　本件発明３」参照。）。 
  
 ［無効理由３］ 
（１）　本件訂正発明１は、甲第２号証に記載された発明と、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第２号証に記載された発明と、甲第１号証に記載の発明と、甲第３、７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件訂正発明１の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第３　無効理由３」の「１　訂正発明」参照。）。 
  
（２）　本件発明２は、甲第２号証に記載された発明と、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第２号証に記載された発明と、甲第１号証に記載の発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明２の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第３　無効理由３」の「２　本件発明２」参照。）。 
  
（３）　本件発明３は、甲第２号証に記載された発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到でき、また、甲第２号証に記載された発明と、甲第１号証に記載の発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明３の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第３　無効理由３」の「２　本件発明３」参照。）。 
  
 ［無効理由４］ 
　本件発明３は、甲第５号証に記載された発明と、甲第１または甲第２号証に記載された発明とから容易に想到できるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明３の特許は同法第１２３条第１項第２号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第４　無効理由４」参照。）。 
  
 ［無効理由５］ 
　本件訂正発明１ついての特許は特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、その特許は同法第１２３条第１項第４号に該当するため、無効にされるべきである（平成２７年１２月　９日付けの上申書第１０〜１２頁の「III　無効審判の請求の根拠」の「第５　無効理由５」及び平成２８年　８月　２日付け審判事件弁駁書第２頁の「６．弁駁の内容」の「第１　はじめに」参照。）。 
 　 
 ［証拠方法］ 
 甲第１号証：国際公開第９２／００９２４号 
 甲第２号証：特開２００９−９９７８１号公報 
 甲第３号証：特開平１０−３４０６２１号公報 
 甲第４号証：特開２００６−３０２８９０号公報 
 甲第５号証：特表２００８−５２００９４号公報 
 甲第６号証：特許・実用新案審査基準　第II部　第２章　新規性・進歩性 
 甲第７号証：山根正之ら編「ガラス工学ハンドブック」初版第３刷、 
 　　　　　２００５年２月２０日　株式会社朝倉書店発行、第５３６頁 
 甲第８号証：平成１７年（行ケ）第１００４２号　特許取消決定取消請求 
 　　　　　事件判決 
 甲第９号証：特開２０１０−１８４８５２号公報 
 甲第１０号証：特開２０１０−２５１６４５号公報 
 甲第１１号証：特開平９−９２０２７号公報 
 甲第１２号証：特表２００８−５４３０８０号公報 
 甲第１３号証：特開２０１０−２８３３４０号公報 
 甲第１４号証：国際公開第２０１０／１０９５４１号 
 甲第１５号証：国際公開第２００９／０９７２６４号 
 甲第１６号証：Mohamed M. Hilali, UNDERSTANDING AND DEVELOPMENT OF  
 　　　　　　 MANUFACTURABLE SCREEN-PRINTED CONTACTS ON HIGH 
 　　　　　　 SHEET-RESISTANCE EMITTERS FOR LOW-COST SILICON  
 　　　　　　 SOLAR CELLS , A Thesis Presented to The Academic  
 　　　　　　 Faculty , Georgia Institute of Technology , 
　　　　　　　August 2005, p.52-53, p.59-62, p.74-79, p.129, p.183 
 甲第１７号証：特表２０１１−５１０８９７号公報 
 甲第１８号証：特願２０１３−５０９２１４号における平成２５年１２月 
 　　　　　　２４日付けの拒絶理由通知書 
 甲第１９号証：S.B.Rane et al. , Firing and processing effects on  
 　　　　　　 microstructure of fritted silver thick film electrode  
 　　　　　　 materials for solar cells, Materials Chemistry and 
 　　　　　　 Physics, 82(2003), p.237 
 甲第２０号証：JOHN R. LARRY et al. , Thick-Film Technology:  
 　　　　　　 An Introduction to the Materials ,  
 　　　　　　 IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, HYBRIDS, AND 
 　　　　　　 MANUFACTURING TECHNOLOGY, VOL. CHMT-3, NO.2, JUNE 
　　　　　　　1980, p.211-212　 
 甲第２１号証：審判便覧　51-04.1　「請求理由」の要旨変更 
 甲第２２号証：Hilali, Mohamed M., Understanding and Development of  
 　　　　　　 Manufacturable Screen-Printed Contacts on High Sheet- 
 　　　　　　 Resistance Emitters for Low-Cost Silicon Solar Cells 
 　　　　　　 , [online], 2005-09-16, Georgia Tech Library 
 　　　　　　 , [２０１５年６月２４日　検索],インターネット 
 　　　　　　 URL: https://smartech.gatech.edu/handle/1853/7284 
 甲第２３号証：米国特許第７９１０３９３号明細書 
  
　甲第１〜２０号証の成立に争いはなく、また、甲第２１〜２３号証にもそれらの成立に疑いを差し挟む余地はない。なお、甲第１〜５号証は、審判請求書とともに、甲第６〜１９号証は、平成２７年　５月２６日付け口頭審理陳述要領書とともに、甲第２０号証は、平成２７年　６月　８日付け上申書とともに、甲第２１〜２３号証は、平成２７年　７月２１日付け上申書とともに、提出された。　 
 　 
　２．被請求人の主張の概要 
　被請求人は、本件審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求め、平成２７年　２月１８日付け審判事件答弁書、同年　５月２６日付け口頭審理陳述要領書、同年　６月２２日付け口頭審理陳述要領書２、同年同月２６日の第１回口頭審理（第１回口頭審理調書）、平成２８年　２月２６日付け審判事件答弁書２及び同年　６月２８日付け上申書において、乙第１〜４号証を提示し、請求人の主張する上記[無効理由１]〜[無効理由５]は、いずれも理由がない、と主張した。 
 　 
 ［証拠方法］ 
 乙第１号証：山根正之ら編「ガラス工学ハンドブック」初版第４刷、 
 　　　　　２００７年３月３０日　株式会社朝倉書店発行、
　　　　　 第１７９〜１８０頁、第５０８頁 
 乙第２号証：新村出編「広辞苑　第二版補訂版」第５刷、昭和５５年９月 
 　　　　　２０日　株式会社岩波書店発行、第１８７２頁 
 乙第３号証：特許・実用新案審査基準　第II部　第２章　新規性・進歩性
 乙第４号証：特許・実用新案審査基準　第IX部　審査の進め方 
 　 
 　乙第１〜４号証の成立に争いはない。なお、乙第１号証は、平成２７年　２月１８日付け審判事件答弁書とともに、乙第２〜４号証は、平成２７年　６月２２日付け口頭審理陳述要領書２とともに、提出された。　 
 　 
 　 
第５　無効理由についての当審の判断 
　１．主発明が記載された甲各号証の記載事項 (当審注：「…」は記載の省略を表す。)
（１）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に特許協力条約に基づいて公開された甲第１号証（国際公開第９２／００９２４号） 
（１ａ）「 The present invention relates to novel glass compositions and, in particular, to novel low temperature glasses which are useful as sealing glasses or solder glasses, and in electronic paste formulations.
 The term solder glass or sealing glass is a term which is used to describe glasses which form an adhesive bond between two glasses , or between a combination of glass, metal, or a ceramic material.
 It is well known in the art that commercially available solder glasses capable of sealing ceramic and electrical component parts, such as television tube and semiconductor devices, are practical in the 400°to 500℃ range. These solder glasses are generally based upon the lead oxide-boron oxide binary system. The lesd oxide-boron oxide eutectic comprises 13％ by weight of boron oxide and 87％ by weight of lead oxide and represents the most fluid glass in that binary system. It is the starting point from which most commercial solder glasses have been derived. Whilst these glasses, with the addition of certain fillers, have been very successful, these is a need in the art for a solder glasses which will seal at temperatures below the lower limit of the range of use for the lead oxide-boron oxide based glasses. 
…
 In order for a glass to qualify as a solder glass it has to meet certain physical criteria. These criteria will depend to a great extent upon the properties of the materials which the solder glass is to unite. Thus, in general, a solder glass should possess the following characteristics:
 i) a low viscosity in the melting phase;
 ii) a thermal expansion which will match the thermal expansion of the workpiece;
 iii) a sealing temperature which is below the lowest annealing and strain points of the materials to which it is to be sealed.
 iv) good physical and chemical stability; and 
 v) a good adhesion to the workpiece.
 Various attempts have been made in the prior art to produce solder glasses which meet the above criteria and which will seal at temperature of the order of 300°to 350℃.」（明細書第１頁第３行〜第２頁第２４行）
（当審訳：本発明は、新規のガラス組成物に関し、特に、シールガラスまたは半田ガラスとして有用であり、電子ペースト製剤においても有用である、新規の低温ガラスに関する。
　用語「半田ガラス」または「シールガラス」は、２つのガラスの間、またはガラス、金属、またはセラミック材料の組み合わせの間の接着層を形成するガラスについて記述するために使用される用語である。
　セラミックおよび電気構成部品（例えば、テレビブラウン管および半導体デバイス）をシールすることが可能な市販の半田ガラスが４００〜５００℃の範囲内で実用であることは、当該技術分野においてよく知られている。これらの半田ガラスは、一般的に、酸化鉛−酸化ホウ素２成分系に基づいている。酸化鉛−酸化ホウ素共晶物は、１３重量％の酸化ホウ素と８７重量％の酸化鉛とを含み、二成分系の中で最も流動性のあるガラスである。それは、市販の半田ガラスのほとんどが導出されてきた出発点である。これらのガラスは、特定の充填剤の添加で成功を収めてきたのであるが、半田ガラス業界には、酸化鉛−酸化ホウ素をベースとしたガラスの利用範囲の下限を下回る温度で、シールを行おうとするニーズがある。
…
　ガラスが半田ガラスと見なされるには、特定の物理的基準を満たさなければならない。これらの基準は、半田ガラスが結合させる物質の特性に多くの程度依存するであろう。したがって、一般的に、半田ガラスは、以下の特性を有すべきである。
ｉ）　溶融相における低い粘度；
ｉｉ）熱膨張が、加工物の熱膨張と一致すること；
ｉｉｉ）シール温度が、シールされる物質の最も低い徐冷点と歪み点を下回ること；
ｉｖ）良好な物理的及び化学的な安定性；
ｖ）　加工物への良好な接着性
　上記の基準を満たし、かつ、３００〜３５０℃の温度でシールする半田ガラスを製造するために、種々の試みがこれまで行われてきた。）
（１ｂ）「　We have now developed a series of solder glass compositions some of which have dilatometric softening temperatures of below 350℃, which are capable of wetting and bonding to a wide range of glasses, metals and ceramics including typical electronic substrates such as alumina, metallised alumina and silicon, and which are not derived from the lead oxide-boron oxide eutectic or the lead oxide-vanadium pentoxide eutectic mixtures.
 Accordingly, the present invention provides a low melting glass composition which comprises in mol percent calculated on an oxide basis  i) from 50 to 85％ of TeO2, or an appropriate amount of a precursor for TeO2,
 ii) from 0.1 to 30％ of an oxide of silver, or an appropriate amount of a precursor  therefor,
 iii) from 5 to 30％ of an oxide of lead and/or an oxide of zinc, or an appropriate amount of a precursor for the said oxide, and 
 iv) optionally from 0.1 to 44.9％ of one or more oxides of Mg, Ti, Ta, Mo, B, W, Tl, V,  Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Zr, Hf, Si, Ge, Al, Ga, In, P, Sn, Sb, Bi, La or a rare earth metal , or an appopriate amount of a precursor for one or more of the chosen oxides, provided that when V is included in the composition it is present in an amount of less than 5 mol ％, 
and the glass composition having a dilatometric softening temperature, Ts, typically of 380℃ or below.
  The low melting glass composition of the present invention thus contain TeO2 as the major component in an amount of from 50-85 mol ％, preferably 60 to 80 mol ％, more preferably 65-75 mol ％. 
 The low melting glass composition of the present invention may be a three oxide system, the first oxide comprising TeO2, with the second and third oxides comprising components (ii) and (iii) as defined above. …
 The low melting glass composition may be a four or more component system, in which the additional components are as definend above for component (iv). Component(iv) is preferably an oxide of Mo, W, Mg, Tl, B or V, most preferably MoO3 or WO3.」（明細書第３頁第１１行〜第４頁第２６行）
（当審訳：我々は、今回、一連の半田ガラス組成物であって、いくつかは、３５０℃未満の熱膨張計的軟化温度を有し、典型的な電子基材（例えば、アルミナ、メタライジングアルミナ及びケイ素）を含む多様なガラス、金属及びセラミックへの濡れ性及び結合性を有することが可能であり、かつ、酸化鉛−酸化ホウ素共晶混合物にも酸化鉛−五酸化バナジウム共晶混合物にも由来しない、半田ガラス組成物を開発した。
　したがって、本発明は、低融点ガラス組成物を提供するものであり、当該低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２、又は適正量のＴｅＯ２前駆体
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物、又は適正量のその前駆体
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物、又は適正量の
　　　前記酸化物の前駆体、及び
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物、又は適正量の当該選ばれた酸化物の
　　うちの１種以上の前駆体とを含み、但し、組成物にＶが含まれている
　　場合は、５モル％未満の量で存在し、
そのガラス組成物は、典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下である。
　本発明の低融点ガラス組成物は、主成分として、ＴｅＯ２を５０〜８５モル％、好ましくは６０〜８０モル％、より好ましくは６５〜７５モル％含有している。
　本発明の低融点ガラス組成物は、ＴｅＯ２からなる第１の酸化物と、上記した（ｉｉ）成分と（ｉｉｉ）成分とからなる第２及び第３の酸化物とを含む、３酸化物系でもよい。…
　本発明の低融点ガラス組成物は、４以上の成分系でもよく、そこでの付加成分は、上記した（ｉｖ）成分である。成分（ｉｖ）は、好ましくはＭｏ、Ｗ、Ｍｇ、Ｔｌ、Ｂ及びＶの酸化物であり、より好ましくはＭｏＯ３又はＷＯ３である。）
（１ｃ）「  The various oxides used in the preparation of the compositions of the present invention are usually in the form of fine powders. Precursors of these oxides can also be useful, providing that they decompose to form the required oxides at a temperature below the melting tenmperature of the glass.…」（明細書第５頁第１２〜１７行）
（当審訳：本発明の組成物の調製で使用される種々の酸化物は、通常、微粉の形態である。これらの酸化物の前駆体もまた有用であり得るが、但し、それらは、ガラスの溶融温度未満で分解して必要とされる酸化物を形成する。…）
（１ｄ）「 The low melting glass compositions of the present invention, optionally in admixture with a filler as described above , may be applied to the substrate surfaces which are to be bonded together either as a molten glass, or as a shaped preform, or the powdered glass may be admixed with an organic vehicle to form a glass paste which is used to coat the substrate. The surstrate is then heated initially to a temperature at which the organic vehicle will burn off  and then at a temperature sufficient to melt the glass and form the seal. Generally, the composite is heated to a temperature in the range of from 300°to 450℃ to melt the glass and form the bond. The organic vehicle may be any synthetic organic solvent which preferably boils or decomposes at a temperature below the softening point of the glass composition.
 In addition to their use as straightforward solder, sealing or bonding glasses, the glasses of this invention may also successfully be employed in passivating, dielectric, resistor, conducting, die attach or similar electronic paste formulations in which the glass acts wholely or in part as the adhesived bond.」（明細書第６頁第３１行〜第７頁第１７行）
（当審訳：本発明の低融点組成物は、上記した充填剤が任意に付加されるが、溶融ガラスとして、あるいは、成形されたプリフォームとして、結合される基板表面に適用されてもよいし、あるいは、基板に塗布するために用いられる、ガラスペーストを形成する有機ビヒクルと混合された、ガラス粉末として、結合される基板表面に適用されてもよい。まず最初に、基板は有機ビヒクルが「焼失する」温度まで加熱され、次いで、ガラスが溶融されてシールが形成されるのに十分な温度に加熱される。一般的に、組成物は、ガラスを溶融して結合を形成するために、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱される。有機溶媒は、ガラス組成物の軟化点未満の温度で沸騰又は分解するのであれば、どのような合成有機溶媒でもよい。
　半田、シール又は結合ガラスそのものとしての使用に加えて、本発明のガラスは、ガラスが接着結合の全体または一部として働く、不動態化用、誘電体用、抵抗器用、導電体用、ダイアタッチ又は同様の電子ペースト製剤に、効率的に使用される。）
（１ｅ）「 A metal flake or powder filler, such as silver, gold, copper, aluminium or a solder alloy may be admixed with the low melting glass composition of the present invention in an amount of from 25％ to 95％ by weight based on the total dry weight of the composition, preferably 60 to 95％ by weight based on the total dry weight of the composition. The metal-glass mixture may be formulated into a paste by admixture with an organic vehicle. The organic vehicle will generally be used in an amount such that the total solids content of the metal-filled glass paste is in the range of from 70 to 90％ solids. The metal-glass mixture is particularly suitable for electronic applications, such as thick film conducting pastes and die attach applications in bonding semiconductor devices to a ceramic substrate, such as alimina.」（明細書第７頁第２８行〜第８頁第９行）
（当審訳：銀、金、銅、アルミニウム又は半田合金のような金属製のフレーク状又は粉末状の充填剤を、組成物の乾燥重量の合計に基づき、２５〜９５重量％の量で、好ましくは６０〜９５重量％の量で、本発明の低融点ガラス組成物に混合してもよい。金属−ガラス混合物は、有機ビヒクルと混合したペーストとしてもよい。有機ビヒクルは、一般的には、金属充填ガラスペーストの固体成分の合計が７０〜９０％の範囲内の量となるように使用される。金属−ガラス混合物は、「厚膜」導電ペーストのような電子用途及びアルミナのようなセラミック基板と半導体装置とを結合するダイアタッチ用途に、好適である。）
（１ｆ）「 The solder glasses and pastes of the present invention may be coated onto metal-glass or ceramic substrates at any chosen thickness but usually at thicknesses in the range of from about 0.5 to 500 micrometres. When the solder glass is used as a paste, either with or without a filler and either with or without a metal flake or powder incorporated therein, the paste will generally be applied to the substrate surface in a conventional manner, for example by brush coating, screen printing, stencilling or stamping.  For die attach applications, the paste is typically syringe dispensed. The die is attached by placing it in the centre of the wet paste and setting it by the application of pressure  … The structure is then heat treated to burn off the organic vehicle and the temperature then raised to melt the low melting glass composition.」（明細書第８頁第１０〜２８行）
（当審訳：本発明の半田ガラス及びペーストは、金属−ガラスの又はセラミックの基板上に、通常０．５〜５００μｍの範囲内の厚さで、被覆される。半田ガラスがペーストで使用されるときは、充填剤の有無やフレーク状又は粉状の金属の有無にかかわらず、ペーストは、一般的には、慣例的方法によって、例えば、刷毛塗り、スクリーン印刷、ステンシル技法又はスタンピングによって、基板表面に適用される。ダイアタッチ用途の際には、ペーストは、シリンジディスペンス型が一般的である。ダイは、ウエットペーストの中心に位置するように接触され、圧力をかけて設置される…その後、構造物は、有機ビヒクルが「焼失する」ように加熱処理され、その後、低融点ガラス組成物を溶融させるように温度が上げられる。）
（１ｇ）「 
Example 18
　A four oxide tellirite based glass was made from the following components by fusing at a temperature of 775℃ for 10 minutes in a platinum crucible:
　　　　　　　　
Mol％
 TeO2　　　　　　74.42
 PbO 　　　　　　 4.65
 Ag2O 　　　　　 13.95
 ZnO 　　　　　　 6.98
 
 Ts      235℃
 TCE    215 x 10-7     　　　　　　　 」（明細書第１２頁第１〜１４行）
（当審訳：　
実施例１８
　酸化テルルベースの４酸化物のガラスが、次の組成物を白金坩堝中で７７５℃の温度で１０分間溶融することによって、作製された。
　　　　　　　　
 モル％
 TeO2　　　　　　74.42
 PbO 　　　　　　 4.65
 Ag2O 　　　　　 13.95
 ZnO 　　　　　　 6.98
 Ts      235℃
 TCE    215 x 10-7     　　　　　　　　）
（１ｈ）「 
Examples 1 to 8
　A range of three oxide tellurite based glasses were made of the composition TeO2:X:Y, investigating the tellurite rich glass region. …The oxides X and Y which were incorporated into the tellurite glass systems were selected from the following:
　Ag2O　=　A 　　　　　 ZnO　=　Z　　
　　　　　　　　　　　　PbO　=　P
　Glasses were prepared from mixtures of two of these oxides with TeO2(abbreviation T) in the following ratios:
　Composition TXY1　=　85:7.5:7.5　mol％
　Composition TXY2　=　80:15:5　mol％
　Composition TXY3　=　80:5:15　mol％
　Composition TXY4　=　70:25:5　mol％
　Composition TXY5　=　70:15:15　mol％
　Composition TXY6　=　70:5:25　mol％
　The mixtures were all fused at a temperature of 775℃ for 10 minutes in a platinum crucible. The glasses were then poured into graphite moulds maintained at room temperature to produce small bars. The bar was then cut to fit a dilatometer and measurements made of the softening temeperature, Ts, and the coefficient of thermal expansion, TCE. In some cases, exact cutting of the glass bar to fit the dilatometer was not possible as the glass bar shattered. The fragments allowed the measurement of Ts but not the measurement of TCE. Table 1 below gives the results. …
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（明細書第８頁第３２行〜第１０頁末行）
（当審訳：　
実施例１〜８
　ＴｅＯ２：X：Yという組成の、酸化テルルベースの様々な３酸化物のガラスを作製し、酸化テルルリッチのガラス領域を調査した。…酸化テルルガラス系に組み込まれた酸化物XとYは、次の中から選択された。
　Ａｇ２Ｏ　=　A　　　　ＺｎＯ　=　Z　　
　　　　　　　　　　　　ＰｂＯ　=　P
　これらの酸化物のうちの２つとＴｅＯ２（略称T）との以下の比率の混合物から、ガラスを調製した。
　組成物TXY1　=　８５：７．５：７．５　モル％
　組成物TXY2　=　８０：１５：５　モル％
　組成物TXY3　=　８０：５：１５　モル％
　組成物TXY4　=　７０：２５：５　モル％
　組成物TXY5　=　７０：１５：１５　モル％
　組成物TXY6　=　７０：５：２５　モル％
　混合物は、全て、白金坩堝中で、７７５℃の温度で１０分間溶融された。ついで、ガラスは、小さな棒材とするために、室温に維持された黒鉛製の型中に注入された。次いで、棒材は、膨張計に合うように切断され、軟化温度Ｔsと熱膨張計係数ＴＣＥが測定された。場合によっては、ガラス棒は、切断の際に砕けた。破片ではＴsの測定は可能であるが、TCEの測定はできない。次の表１に結果を示す。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（１ｉ）「　
Examples 9 to 17
　An investigation into four oxide tellurite based glasses was made by adding various fourth oxides in amounts of 1,5,7.5 or 10 mol% to various of certain of the three oxide glass systems previously described. Glasses were prepared from mixtures of the four oxides by fusing at a temperature of 775℃ for 10 minutes in a platinum crucible. The abbreviations for the three oxide system were as described above, the fourth oxide addition being represented by one of the following letters indicating which oxide was added:
　　　　　　　　　　MoO3　=　M 
　　　　　　　　　　WO3　 =　W
　　　　　　　　　　ZnO　 =　Z
and the number 1 or 5 etcetera indicating whether it was added in an amount of 1,5,7.5 or 10  mol%. The results are given in Table 2 below:
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（明細書第１１頁第１〜末行）
（当審訳：　
実施例９〜１７
　酸化テルルベースの４酸化物のガラスについての調査が、前述の３酸化物ガラス系に第４の酸化物を１モル％、５モル％、７．５モル％、１０モル％添加することによって行われた。ガラスは、４酸化物の混合物を白金坩堝中で、７７５℃の温度で１０分間溶融することによって、調製された。３酸化物系の略称は上述のとおりであり、添加された第４酸化物は、その酸化物を示す次の文字のうちの１つで表される。
　　　　　ＭｏＯ３　=　M
　　　　　ＷＯ３　　=　W
　　　　　ＺｎＯ　　=　Z
そして、１または５などの数字は、１モル％、５モル％、７．５モル％、１０モル％のうちのいずれの添加量であったを示している。結果を次の表２に示す。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（１ｊ）「
1.  A low melting glass composition which comprises in mol percent calculated on an oxide basis 
 i) from 50 to 85％ of TeO2, or an appropriate amount of a precursor for TeO2,
 ii) from 0.1 to 30％ of an oxide of silver, or an appropriate amount of a precursor therefor,
 iii) from 5 to 30％ of an oxide of lead and/or an oxide of zinc, or an appropriate amount  of a precursor for the said oxide, and 
 iv) optionally from 0.1 to 44.9％ of one or more oxides of Mg, Ti, Ta, Mo, B, W, Tl, V,  Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Zr, Hf, Si, Ge, Al, Ga, In, P, Sn, Sb, Bi, La or a rare earth metal, or an appopriate amount of a precursor for one or more of the chosen oxides,  provided that when V is included in the composition it is present in an amount of less than 5 mol ％, 
and the glass composition having a dilatometric softening temperature, Ts, typically of 380℃ or below.
…
22.  A metal-filled glass composition which comprises :
 a) from 25 to 95％ by weight of a metal flake or powder filler,
 b) from 5 to 75％ by weight of a low melting glass composition as claimed in any one of claims 1 to 14,
the percentages being by weight based on the total weight of the composion.
23.  A metal-filled composition as claimed in claim 22 which additionally includes an organic vehicle in an amount such that the metal-filled solder glass paste so formed has a solids content in the range of from 60 to 95％ solids.
…
25.  An adhesive bond between a combination of a glass, metal or a ceramic which is formed by a low melting point glass composition as claimed in any one of claims 1 to 14.
26.  A structure which includes therein at least one adhesive bond as claimed in claim 25.
…
28.  A method of bonding two substrate surfaces which are the same or different and which are selected from glass, metal or ceramic matrials, which method comprises using as the bond forming material a low melting point glass composition as claimed in any one of claims 1 to 14.
29.  A method as claimed in claim 28 wherein the glass composition is applied to the surfaces to be bonded together as a molten glass, a shaped preform or as a powdered glass in admixture with an organic vehicle.
… 」（特許請求の範囲）
（当審訳：
請求項１．　低融点ガラス組成物であって、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２、又は適正量のＴｅＯ２前駆体
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物、又は適正量のその前駆体
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物、又は適正量の
　　　前記酸化物の前駆体、及び
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物、又は適正量の当該選ばれた酸化物の
　　うちの１種以上の前駆体とを含み、但し、組成物にＶが含まれている
　　場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下である、ガラス組成物。
…
請求項２２．　金属充填ガラス組成物であって、
　ａ）　２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤
　ｂ）　５〜７５重量％の請求項１〜１４のいずれかに記載の低融点ガラス　　　組成物からなり、
重量％は、組成物の合計重量を基礎としている、金属充填ガラス組成物。
請求項２３．　請求項２２に記載の金属充填組成物であって、固形成分が６０〜９５％の範囲内の金属充填半田ガラスペーストが形成されるような量で、有機ビヒクルを付加的に含む、金属充填組成物。
…
請求項２５．　請求項１〜１４のいずれか一項に記載の低融点ガラス組成物によって形成される、ガラス、金属またはセラミックの組み合わせの間の接着層。
請求項２６．　請求項２５に記載の接着層の少なくとも一つを含む構造物。
…
請求項２８．　同じか異なり、ガラス、金属又はセラミックから選択された二つの基板の表面を結合する方法であって、前記方法は、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の低融点ガラス組成物を結合層形成材料として使用することを含む、方法。
請求項２９．　請求項２８に記載の方法であって、ガラス組成物が、溶融ガラス、成形されたプリフォーム又は有機ビヒクルと混合された粉末化されたガラスとして結合表面に適用される方法。）
（２）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開２００９−９９７８１号公報） 
（２ａ）「【請求項１】
多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストにおいて、該ペーストに含まれる低融点ガラスの組成が、質量％で
ＳｉＯ２  １〜１０、
Ｂ２Ｏ３  ５〜１５、
Ａｌ２Ｏ３  １〜１５、
ＰｂＯ  ６８〜８９、
ＣｕＯ  ０〜１０、
ＴｉＯ２  ０〜１０
含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスであることを特徴とする導電性ペースト。
…」（【特許請求の範囲】）
（２ｂ）「【技術分野】
　本発明は、特に多結晶Ｓｉ太陽電池に形成される受光面電極において、良好なオーミック接触が得られる導電性ペースト材料に関する。」（【０００１】）
（２ｃ）「【背景技術】
　従来、多結晶Ｓｉ太陽電池はｐ型シリコン基板の一方の面にｎ型シリコン基板層を設けた構造となっており、そのｎ型シリコン層側を受光面とし、受光面側表面に受光効率をあげるための窒化珪素膜などの反射防止膜を設け、さらにその反射防止膜側に半導体と接続した表面電極と、その裏面に裏面電極を設けることで受光により半導体のｐｎ接合に生じた電力を取り出していた。
　このとき、表面電極を形成する場合、受光効率をあげるために形成された窒化珪素膜などの反射防止膜が比較的高い電気抵抗値を持つことから、これら反射防止膜をあらかじめエッチングし、そこへ導電性ペーストなどの電極材料を印刷・焼成することで半導体と電極とを接続していた。
　しかしこのようなエッチングによる方法は工程増によるコストアップなどの理由から、このようなエッチングは行わず、電極材料を直接反射防止膜上に印刷・焼成することで同時に反射防止膜を熔融・除去し電極と半導体とを接続する方法がとられるようになってきた。このとき、表面電極材料の導電性ペーストにリン等の周期表第Ｖ族に属する元素を含有したり(特許文献１参照)、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分を含有したり(特許文献２参照)、様々な添加剤を種々配合し高いオーミック接触を得ようとする方法が提案されている。
【特許文献１】特開昭６２−４９６７６号公報
【特許文献２】特開２００１−３１３４００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
  しかしながら、上記のように表面電極材料に種々金属を含有する添加剤を配合して焼成した場合、半導体と表面電極の間に安定したオーミック接触をえることができなかった。
　そこで本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたもので、反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえることのできる導電性ペーストを提供することにある。」（【０００２】〜【０００６】）
（２ｄ）「【課題を解決するための手段】
  本発明は、多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストにおいて、該ペーストに含まれる低融点ガラスの組成が、質量％で
ＳｉＯ２  １〜１０、Ｂ２Ｏ３  ５〜１５、Ａｌ２Ｏ３  １〜１５、ＰｂＯ  ６８〜８９、ＣｕＯ  ０〜１０、ＴｉＯ２  ０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスであることを特徴とする導電性ペーストである。」（【０００７】）
（２ｅ）「ＳiＯ２はガラス形成成分であり、別のガラス形成成分であるＢ２Ｏ３と共存させることにより、安定したガラスを形成することができるもので、質量％で１〜１０％の範囲で含有させる。１０％を越えると、ガラスの軟化点が上昇し、成形性、作業性が困難となる。…
　Ｂ２Ｏ３はガラス形成成分であり、ガラス溶融を容易とし、ガラスの熱膨張係数において過度の上昇を抑え、かつ、焼付け時にガラスに適度の流動性を与え、ガラスの誘電率を低下させるものである。ガラス中に５〜１５％（質量％、以下においても同様である）の範囲で含有させるのが好ましい。２％未満ではガラスの流動性が不充分となり、焼結性が損なわれる。他方１５％を越えるとガラスの安定性を低下させる。…
　Ａｌ２Ｏ３はガラスを安定化させ、またその導入により半導体と表面電極とのオーミック接触を上げる効果を持つ。ガラス中に１〜１５％の範囲で含有させることが好ましい。１未満では上記作用を発揮しえず、１５％を超えるとガラスが不安定となる。…
　ＰｂＯはガラスを低融点化し、流動性を与え、反射防止膜をファイアースルーし半導体と表面電極との接触面を大きくする効果を持つ成分である。ガラス中に６８〜８９％で含有させるのが好ましい。６８％未満ではその作用を発揮し得ず、他方８９％を超えると熱膨張係数が過大となる。…
　ＣｕＯはその導入により半導体と表面電極とのオーミック接触を上げる効果があり、０〜１０％の範囲で含有させるのが好ましい。１０％を超えると熔融時においてガラスが結晶化しやすくなる。…
　ＴｉＯ２はその導入により半導体と表面電極とのオーミック接触を上げる効果があり、０〜１０％の範囲で含有させるのが好ましい。１０％を超えると熔融時においてガラスが結晶化しやすくなる。…
　この他にも、一般的な酸化物で表すＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい。  」（【００１３】〜【００１９】）
（２ｆ）「【実施例】
…
    （導電性ペースト材料）
　まず、ガラス粉末は、実施例に記載した所定組成となるように各種無機原料を秤量、混合して原料バッチを作製する。この原料バッチを白金ルツボに投入し、電気加熱炉内で１０００〜１３００℃、１〜２時間で加熱溶融して表１の実施例１〜５、表２の比較例１〜４に示す組成のガラスを得た。
【表１】
【表２】
　ガラスの一部は型に流し込み、ブロック状にして熱物性(熱膨張係数、軟化点)測定用に供した。残余のガラスは急冷双ロール成形機にてフレーク状とし、粉砕装置で平均粒径１〜４μｍ、最大粒径１０μｍ未満の粉末状に整粒した。
　次いで、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと上記ガラス粉、また導電性粉末として銀粉末を所定比で混合し、粘度、５００±５０ポイズ程度の導電性ペーストを調製した。
　なお、軟化点は、リトルトン粘度計を用い、粘度係数η＝１０７．６ に達したときの温度とした。また、熱膨張係数は、熱膨張計を用い、５℃／分で昇温したときの３０〜３００℃での伸び量から求めた。
　次に、表面に窒化珪素層、また裏面にアルミ電極層が形成された１辺３０ｍｍの多結晶シリコンを準備し、その窒化珪素層上部に上記で作製した導電性ペーストをスクリーン印刷した。これらの試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉で８００℃条件下で焼成し、サンプルを得た。
　このようにして得られたデバイスについて、太陽電池としての集電効率(０〜１．０)を測定し、その効率が０．７以上のものを○、０．７未満のものを×とした。
    （結果）
　低融点ガラス組成および、各種試験結果を表に示す。
　表１における実施例１〜５に示すように、本発明の組成範囲内においては、軟化点が３５０℃〜５００℃であり、好適な熱膨張係数（８０〜１１０）×１０−７／℃を有しており、更には、集電効率が０．７以上と良好であり、多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストとして好適である。
　他方、本発明の組成範囲を外れる表２における比較例１〜４は、良好な集電特性が得られない、または熔融時に結晶化するなど、多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストとしては適用し得ない。」（【００２１】〜【００３２】）
（３）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第５号証（特表２００８−５２００９４号公報） 
（３ａ）「 混合物から製造される太陽電池コンタクトであって、該混合物が、
    ａ．固体部分、及び
    ｂ．有機部分を含み、
    ｃ．該固体部分が、
        i．約８５〜約９９重量％の銀成分、及び
        ii．約１〜約１５重量％のガラス成分を含み、
        iii．該ガラス成分が
            ａ．約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、
            ｂ．約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含み、
            ｃ．Ｂ２Ｏ３を含まない
ことを特徴とする太陽電池コンタクト。　」（【請求項１】）
（３ｂ）「【技術分野】
　本発明は、ペースト組成物、及び太陽電池のコンタクトの製造方法、並びに光二次電池の製造に用いられる他の関連成分に関連する。」（【０００１】）
（３ｃ）「【背景技術】
　太陽電池は、通常、太陽光を有用な電気エネルギーに変換するシリコン（Ｓｉ）のような半導体によって製造される。太陽電池は、一般的に、Ｓｉの薄ウェハーから作られ、このウェハーは好適なリン源からリン（Ｐ）をＰ型Ｓｉウェハーへと拡散することにより形成されるＰＮ接合を要する。シリコンウェハーの太陽光が入射する側は、入射する太陽光の反射損失を防ぐため、通常反射防止膜（ＡＲＣ）で覆われており、これによって太陽電池の効率が高められる。前面コンタクト（ｆｒｏｎｔ−ｃｏｎｔａｃｔ）として知られる二次元の電極グリッドパターンはＮ型シリコンへの連絡を形成し、もう一方の側（裏面コンタクト；ｂａｃｋ−ｃｏｎｔａｃｔ）は、アルミニウム（Ａｌ）コーティングによってＰ型シリコンへと連絡する。これらのコンタクトは、ＰＮ接合部から外部へと出力するための電気的な出力路である。」（【０００２】）
（３ｄ）「  本発明は、前面コンタクト（ｆｒｏｎｔ−ｃｏｎｔａｃｔ）のペースト原料に用いるためのガラス組成物を提供するものであって、これらは高性能（効率（η）及び曲線因子（ＦＦ）によって計測される）の太陽電池を得るための低い直列抵抗（Ｒｓ）及び高い並列抵抗（Ｒｓｈ）を備えている。本発明には、概略、固体部分と有機部分の混合物成分から製造される太陽電池コンタクトが含まれる。…
　本発明の組成物及び方法は、前面コンタクト成分間（典型的にはＡｇとＳｉである）において、ガラス媒体を通じて最適な相互作用、結合、及び接触の形成を促進することによって、従来技術の欠点を克服するものである。ガラス及び銀を含有する導電性のペーストは、シリコン基板上に印刷された後に焼成され、ガラスが熔融し、金属が焼結する。焼成後、Ａｇ／Ｓｉの導電性単独系統が形成され、バルクペーストとシリコンウェハーの間に導電性のブリッジを作る。有鉛ガラスは、比較的低温での優れたフロー特性により、低い温度での焼成を可能にする。」（【０００３】〜【０００４】）
（３ｅ）「ペーストのプリント及び焼成。前記ペースト組成物は、太陽電池コンタクトあるいは他の太陽電池部品の製造工程で用いられる。本発明の太陽電池コンタクトの製造方法においては、（１）銀含有ペーストをシリコン基板に塗布し、（２）ペーストを乾燥させ、（３）ペーストを焼成して金属を焼結させ、シリコンへのコンタクトを形成する工程が含まれる。ペーストのプリントパターンは、炉設定温度約６５０〜９５０℃、又はウェハー温度約５５０〜８５０℃といった好適な温度で焼成される。好適には、炉設定温度は、約７５０−９３０℃で、ペーストは空気中で焼成される。焼成中、反射防止ＳｉＮＸ層がガラスによって酸化、腐食され、Ｓｉ基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成し、これがシリコンに対してエピタキシャルに結合していると考えられる。焼成条件は、シリコンウェハー上のシリコン／ペースト界面において、Ａｇ／Ｓｉ単独系統の十分な密度を生成するために選択され、これが低い抵抗性、高い変換効率、高い曲線因子を有する前面コンタクト及び太陽電池の生産につながる。
　標準的なＡＲＣは、Ｓｉ３Ｎ４のような、総称してＳｉＮＸと呼ばれる窒化ケイ素のようなシリコン化合物から作られる。この層は絶縁体として働き、接触抵抗を増加させる傾向にある。したがって、ガラス成分によるこのＡＲＣ層の腐食は、前面コンタクトの形成に必要な工程である。…」（【００２７】〜【００２８】）
（３ｆ）「【実施例１】
　実施例：１２．５ｃｍ×１２．５ｃｍ、厚さ２５０−３００μｍの多結晶シリコンウェハーを窒化ケイ素反射防止膜によって被覆した。これらのウェハーのシート抵抗は約１Ω−ｃｍであった。
　市販の裏面用アルミニウムペースト（Ｆｅｒｒｏ ＣＮ５３−０３８）及び裏面銀ペースト（Ｆｅｒｒｏ ＣＮ３３−４５１）を裏面コンタクトのために用いた。前面コンタクトパターンは、２８０メッシュスクリーンを使用し、フィンガーラインのオープニング１００μｍ、ライン間のスペース約２．８ｍｍでプリントした。実施例のペーストに用いられたガラス組成物は、周知のガラス製造技術によって調製した。ガラス組成物を表４に、このガラス組成物の特性を表５に、ペースト組成物を表６に示す。前面コンタクトをプリントした後、サンプルを約１００〜約１５０℃で約３〜約１５分間乾燥した。プリントしたウェハーは、３ゾーン赤外線（ＩＲ）ベルト炉を使用し、約３ｍ（１２０”）／ｍｉｎのベルト速度で、３つのゾーンの設定温度がそれぞれ７８０℃、８１０℃、９３０℃の条件で、共焼成した。ゾーンは、それぞれ７”、１６”、７”であった。ほとんどのサンプルの焼成後のフィンガー幅は、約１２０〜約１７０μｍで、焼成後の厚さは、約１０〜１５μｍであった。
　太陽電池の電気的性能は、Ｏｒｉｅｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ Ｃｏ．社（コネチカット州ストラトフォード）のＭｏｄｅｌ ９１１９３−１０００を用いて、ＡＳＴＭ Ｇ−１７３−０３に準じ、ＡＭ １．５の太陽光条件で測定した。電気的試験の結果を表７に示す。
【表４】
　ガラス組成物Ａ〜Ｅの特性は、つづく表５に説明する。Ｔｇは、ガラス転移温度を表す。ＴＣＥは、２５〜３００℃の範囲での熱膨張係数である。
【表５】
　表６のペースト剤は、Ｆｅｒｒｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（オハイオ州クリーブランド）より市販されている有機ビヒクルＶ１３１及びＶ１３２を使用して製造された。表６中の量は、すべて固体部分及び有機部分を含むペーストの重量パーセントである。
【表６】
　表６の前面コンタクトペーストは、本発明に開示された焼成プロフィールに従って焼成した。得られた太陽電池の電気的特性を表７に説明する。
【表７】
　Ｉｓｃとは、出力電圧０で測定された短絡電流を意味し、Ｖｏｃとは、出力電流０で測定された開回路電圧を意味する。ＲＳ及びＲｓｈは前記定義の通りである。」（【００３３】〜【００４２】）
（３ｇ）「ガラス組成物からの銀の溶解及び沈殿の反応速度は、アルカリ金属酸化物の存在によって大きく変化する。この点から、本発明の組成物は、さらに、例えば、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ及びＬｉ２Ｏ及びそれらの組み合わせのようなアルカリ金属酸化物を含んでいてもよい。特に、本発明の一実施例のガラス成分は、約０．１〜約１５ｍｏｌ％のＮａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏ、もしくはさらに好適には、約０．１〜約５ｍｏｌ％のこれらのアルカリ金属酸化物を含んでいてもよい。」（【００２２】）
（３ｈ）「前面コンタクトペースト又はインク中のガラスは、効率的な前面コンタクト銀−シリコン界面を形成するために、多くの主要な役割を果たす。前面コンタクトペーストガラスは、焼成を通じて下部のＳｉとのコンタクトを形成するため、一般に窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）又は二酸化チタン（ＴｉＯ２）から作られる反射防止膜を腐食させる。ガラスはまた、Ｓｉとの自己−制御相互作用（Ｓｉの一部を酸化してＳｉＯ２としてガラス中へ溶解させる）にも関与する。ＳｉＯ２が局所的に集まることでガラスの粘性が増加し、この増加によりＳｉがＳｉＯ２としてさらに溶解することが一時的に制限されるため、ガラスとＳｉとの自己制御相互作用が生じてもＰＮ接合は保たれる。ガラスはまた、ガラスに溶解しているＡｇ金属を溶解し、Ａｇイオンをシリコン界面へ移動させ、有益なＡｇ／Ｓｉ単独系統を界面で形成するために、ガラスからＡｇを沈殿させる。最終的に、ガラスは、バルク銀の抵抗を減少させるための銀ペーストの緻密性を高める働きをし、シリコンウェハーと焼成（銀）ペースト間の結合（密着）を高める。」（【００２３】）
　２．周知技術が記載された甲各号証の記載事項 (当審注：「…」は記載の省略を表す。)
（１）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第３号証（特開平１０−３４０６２１号公報） 
（１ア）「【発明の実施の形態】この発明に用いられる導電性粉末としては、従来の導体ペーストに用いられている銀粉末を主成分とし、必要に応じてパラジウムおよび／または白金の微粉末を加えたものが好適に用いられる。ガラスとしては、この発明による組成のガラスをボールミルで微粉砕したものを用いることができ、導電性粉末１００重量部に対して５ないし２０重量部配合することが必要である。５重量部未満の配合量では、基板との密着が十分とならず、２０重量部を越えるとメッキ性が悪くなるからである。ガラス成分の組成範囲をこの発明の様に限定した理由は次の通りである。ＰｂＯは、５０重量％未満では融点が高くなってしまうのでこの発明の主旨である低軟化点化に反し、６０重量％を越えると耐メッキ薬品性が低下する。ＳｉＯ２は、ガラスのネットワークフォーマとして機能するが、２５重量％未満では耐メッキ薬品性が低下し、３５重量％を越えて配合すると融点が上昇してしまう。ＺｒＯ２及びＴｉＯ２は、耐メッキ液特性を向上させる働きがあり、３重量％未満ではこの効果が出にくく、８重量％を越えると融点が上がってしまう。最後にＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏであるが、これらの成分はガラスの融点を低下させる効果をもたらすもので、合計６重量％未満ではその効果が乏しくなり、逆に９重量％を越えると融点が下がり過ぎたり耐薬品性・耐水性が低下してしまう。この発明に使用される有機ビヒクルとしては、エチルセルロース樹脂をターピネオールやブチルカルビトールアセテート等の有機溶剤に溶解したものが好適である。」（【０００５】）
（１イ）「（Ａ）銀、パラジウム、白金の内少なくとも一つの成分からなる導電性粉末１００重量部、及び（Ｂ）無機結合材としてＰｂＯ：５０〜６０重量％、ＳｉＯ２：２５〜３５重量％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２の合計３〜８重量％、及びＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏの合計６〜９重量％からなるガラス５〜２０重量部とを（Ｃ）有機ビヒクル中に分散させてなる導体ペースト。」（【請求項１】）
（１ウ）「【産業上の利用分野】この発明は、抵抗器の電極形成に使用される導体ペーストに関するものである。特に、チップ抵抗器の端子電極形成に用いるに好適な導体ペーストに関するものである。」（【０００１】）
（１エ）「【従来の技術】代表的なチップ抵抗器の製造工程は次の様である。先ず、アルミナセラミック等の絶縁基板上に導体ペーストを塗布乾燥後８５０℃で焼成して一次電極を形成する。次に、同様にして抵抗体を形成した後、一次保護コートをかけてからトリミングして抵抗値調整を行う。更に、二次保護コートを形成、基板を分割後、端面に導体ペーストをディップまたは印刷によって塗布してから６００℃で焼成して端子電極を形成し、最後にメッキを行って完成する。この様な工程に使用される電極形成用導体ペーストとしては、導電成分としての銀、銀パラジウム、銀白金のいずれかを主成分とし、無機結合材としてのガラス及び金属酸化物粉末と共に有機ビヒクル中に分散させたものが一般に用いられている。この内、端子電極形成用導体ペーストについては、電極膜を絶縁基板に固着させ且つメッキ工程で薬剤に浸食されない様にするため、６００℃以上の温度で焼成することが要求されていた。
【発明が解決しようとする課題】所が、上記の工程では抵抗体形成後のトリミングによって抵抗値調整をしても、端子電極形成の際に６００℃以上の温度で再焼成される為、抵抗値が変動してしまい、極端な場合、規格を外れてしまうことがあった。そこでこの発明は、上記の問題点を解決し、端子電極形成に用いた場合に、抵抗値変動を最小に抑える事が可能な導体ペーストを提供することを目的とする。」（【０００２】〜【０００３】）
（１オ）「【実施例】エチルセルロース樹脂をターピネオールに溶解した有機ビヒクル中に、表１のガラスフリットａと、微細な銀粉末及びパラジウム粉末または白金粉末を、表２に示す比率で混合し、三本ロールを用いて混練分散して導体ペーストを作成した。
【表１】
【表２】
こうして作製した導体ペーストを、１インチ角サイズの９６％アルミナ基板にスクリーン印刷し、１２０℃で１０分間乾燥後５４０℃、５６０℃、６００℃の温度で焼成して５ｍｍ角と２ｍｍ角の２種類の導体パターンを形成した試料を作製して評価を行った。メッキ性については、代用特性として半田ぬれ性で評価した。試料をロジンフラックス中に浸漬してから、２２０℃で溶融した２Ａｇ／６２Ｓｎ／３６Ｐｂ組成の半田に５秒間浸漬し冷却後、５ｍｍ角パターンについて半田濡れ面積を測定した。この際、濡れ面積９８％以上を良、９０〜９７％を可、８９％以下を不可と判定した。続いて、耐酸性を調べるため、別の２ｍｍ角パターンの試料を１０％に希釈した塩酸に所定時間浸漬後、水洗して乾燥後し、ロジンフラックスに浸漬し２２０℃の上記組成の半田に５秒間浸漬して予備半田とし、冷却後直径０．６ｍｍの半田メッキ軟導線を半田付けした後、ピールテストにより密着強度を測定した。又、塩酸に浸漬しない試料についても、密着強度を測定した。これらの評価結果を表３にまとめた。表２及び３より、この発明によれば、６００℃焼成では勿論のこと、５６０℃に焼成温度を下げた場合でも、メッキ性、耐酸性の特性に優れている事がわかる。
【表３】
【比較例】比較例として、ガラスの配合量を過剰にしたもの及び過小にしたものについて調べるため、表２の後半の配合比で作成した導体ペーストを用い、実施例と同様にして試料作成と評価を行った。この結果を同じく表３の後半にまとめた。
【発明の効果】以上の通りこの発明の導体ペーストによれば、ガラスの組成及び配合量を適切に選んだことにより、チップ抵抗器の端子電極形成に用いた場合、従来より４０℃程度低い温度での焼成が可能となり、予め抵抗値調整した抵抗体の抵抗値ドリフトが小さく抑えられると共に、優れた半田特性及びメッキ性を備えた導電膜を得る事ができる。…」（【０００７】〜【００１３】）
（２）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第４号証（特開２００６−３０２８９０号公報） 
（２ア）「【請求項１】
  ａ）導電性銀粉末と、
  ｂ）粒径が７ナノメートルから１００ナノメートル未満の範囲内にあるＺｎ含有添加剤と、
  ｃ）軟化点が３００から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、
  ｄ）有機媒体中に分散されている
  ことを特徴とする厚膜導電性組成物。
…
【請求項４】
　前記ガラスフリット組成物は、全ガラスフリット組成物に対して、ＳｉＯ２を２１〜２９重量パーセント、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜８重量パーセント、ＰｂＯを５０〜６２重量パーセント、Ｂ２Ｏ３を７〜１０重量パーセント、ＺｎＯを０〜４重量パーセント、Ｌｉ２Ｏを０〜０．１重量パーセント、およびＴｉＯ２を２〜７重量パーセント含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
…」（【特許請求の範囲】）
（２イ）「【技術分野】
　本発明は、主に、シリコン半導体デバイスを対象とする。詳細には、本発明は、太陽電池デバイスの正面に使用される導電性銀ペーストを対象とする。」（【０００１】）
（２ウ）「【背景技術】
　本発明は、広範な半導体デバイスに適用することができるが、光ダイオードおよび太陽電池などの受光素子に、特に有効である。本発明の背景を、従来技術の特定の例としての太陽電池に関して、以下に述べる。
　ｐ−型ベースを有する従来の太陽電池構造は、典型的な場合には電池の正面または太陽側にある負電極と、裏面にある正電極とを有する。半導体本体のｐｎ接合に向かう適切な波長の放射線は、この本体内に正孔−電子対を発生させる外部エネルギーの供給源として働くことが、周知である。ｐ−ｎ接合に存在する電位差のため、正孔と電子とはこの接合部を反対方向に横断し、それによって、電力を外部回路に送出することが可能な電流の流れを引き起こす。ほとんどの太陽電池は、メタライズされているシリコンウェーハ、すなわち導電性である金属接点が設けられているシリコンウェーハの形をとる。
　現在、地球上で使用されているほとんどの発電太陽電池は、シリコン太陽電池である。大量生産でのプロセスの流れは、一般に、単純化を最大限に実現すること、および製造コストを最小限に抑えることを目標としている。特に電極は、スクリーン印刷などの方法を使用して金属ペーストを形成することにより、作製される。この製造方法の例を、図１に関連して以下に述べる。図１は、ｐ−型シリコン基板１０を示す。
　図１（ｂ）では、逆の導電型であるｎ型拡散層２０が、リン（Ｐ）などの熱拡散によって形成されている。オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）が、リン拡散源として一般に使用される。任意の特定の変更がない場合、拡散層２０は、シリコン基板１０の全面に形成される。この拡散層は、１平方当たりのオーム数（オーム／□）が数十オーム程度の面積抵抗率と、約０．３から０．５μｍの厚さとを有する。
　この拡散層の一面をレジストなどで保護した後、図１（ｃ）に示すように、拡散層２０が一方の主要面にのみ残るよう、エッチングによってほとんどの面から除去する。次いで有機溶媒などを使用して、レジストを除去する。
　次に窒化シリコン膜３０を、熱化学気相成長法（ＣＶＤ）などのプロセスにより図１（ｄ）に示される手法で、約７００から９００Åの厚さになるまで反射防止コーティングとしてｎ−型拡散層２０上に形成する。
　図１（ｅ）に示すように、窒化シリコン膜３０上に正面電極用の銀ペースト５００をスクリーン印刷し、次いで乾燥させる。…
…さらに、正面電極を形成する銀ペースト５００は、焼成により焼結し、窒化シリコン膜３０内に浸透させ、それによって、ｎ−型層２０に電気的に接触可能になる。このタイプのプロセスを、一般に「ファイアスルー」と呼ぶ。このファイアスルー状態は、図１（ｆ）の層５０１で明らかにされている。
　Ｓｈｕｉｃｈｉ他による文献（例えば、特許文献１参照。）は、半導体基板の一方の主要面に、他方の導電型を示す領域を形成し、かつ半導体基板のこの主要面上に反射防止コーティングを形成することによって得られる太陽電池について、教示している。得られる太陽電池は、反射防止コーティング上に被覆され、かつ焼成された、電極材料を有する。電極材料には、例えば鉛、ホウ素、およびケイ素が含まれ、さらに、約３００から６００℃の軟化点を有するガラスフリット中に、チタン、ビスマス、コバルト、亜鉛、ジルコニウム、鉄、およびクロムからの１種または複数の粉末を含有する。これらの粉末は、０．１から５μｍの平均粒径を有する。Ｓｈｕｉｃｈｉ他は、平均粒径が０．１μｍ未満である粉末は電極内での分散性に乏しく、その電極は、不十分な接着強度（引張り強さ）を示すことになると教示している。
【特許文献１】日本国特許出願公開第２００１−３１３４００号明細書」（【０００２】〜【００１２】）
（２エ）「…電極を、図１（ｅ）および（ｆ）に示されるものと同様のステップによって形成する。すなわち図１（ｅ）に示すように、…正面電極を形成する銀ペーストを、基板１０の裏面の場合と同じ方法で窒化シリコン膜３０上にスクリーン印刷し、その後、乾燥および焼成を、典型的な場合には７００から９７５℃の温度範囲でかつ数分から１０分を超える時間にわたり、酸素と窒素との混合ガス流を流通させながら、赤外炉内で実施する。
　図１（ｆ）に示すように、焼成中、裏面では、…裏面電極を形成する。
　正面では、本発明の正面電極銀ペースト５００が、銀、Ｚｎ含有添加剤、ガラスフリット、有機媒体、および任意選択の金属酸化物からなり、ｎ−型層２０との電気接触が実現されるよう焼成する間、窒化シリコン膜３０と反応しかつ窒化シリコン膜３０に浸透することが可能である（ファイアスルー）。このファイアスルー状態、すなわち正面電極銀ペーストが融解し、窒化シリコン膜３０に浸透する程度は、窒化シリコン膜３０の品質および厚さ、正面電極銀ペーストの組成、および焼成条件に依存する。太陽電池の変換効率および耐湿信頼性は、明らかに、このファイアスルー状態にかなり依存する。」（【００４６】〜【００４８】）
（２オ）「
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図１Ｅ】
【図１Ｆ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記（２ウ）〜（２エ）を踏まえると、【図１Ａ】〜【図１Ｆ】からは、ｐ−型シリコン基板１０の正面にｎ−型拡散層２０と窒化シリコン膜３０とを形成した後、その窒化シリコン膜３０上に銀ペースト５００をスクリーン印刷し、乾燥し、焼成すると、当該銀ペースト５００が、上記窒化シリコン膜３０と反応しかつ上記窒化シリコン膜３０内に浸透して、ｎ−型拡散層２０と電気的に接触するようになるとの、太陽電池デバイス製作の一連のプロセスが見て取れる。
（３）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第７号証（山根正之ら編「ガラス工学ハンドブック」初版第３刷、２００５年２月２０日　株式会社朝倉書店発行、第５３６頁） 
「９．２．３　新光学ガラス
　ａ．　低融点ガラス
　近年光学ガラスの製造は精密に形状や表面を加工した型によりプレスし直接レンズを製造するモールドプレスが行われている．この方法によればプレスする型を非球面に加工すれば近似する形状を有するレンズが容易に作成できるため，従来研削によってしかつくることができなかった非球面レンズを大量に製造することが可能になっている．…
　このようにモールドプレスの利点は明らかであるが，この方式ではモールド型の寿命がレンズの生産性に直接関与することから，できる限り低温でプレスすることが望まれる．このために光学的特性を維持しつつ軟化温度を低下させたガラスが開発されている．
　アルカリ金属酸化物，とくにＬｉ２Ｏ，２価成分ではＰｂＯ，ＺｎＯがガラスの軟化温度を低下させることが知られている．…」
（４）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特開平９−９２０２７号公報） 
（４ア）「【従来の技術】従来より、蛍光表示管は、自己発光型ディスプレイとして広く用いられている。
図１は、蛍光表示管の構成を示す部分断面図である。この蛍光表示管１は、絶縁性基板として表面を洗浄化したガラス基板３上に、スクリーン印刷法により所定のパターンを有する導体配線層５、５ａを形成し、さらに、この導体配線層５、５ａが形成されたガラス基板３上に、スクリーン印刷法により誘電体ガラスを主成分とした絶縁体層７が形成されている。なお、絶縁体層７は、鉄、クロム、マンガン、コバルト等の酸化物からなる複合酸化物を含有しているため、黒色を呈している。
また、この絶縁体層７の所定位置には導体配線層５、５ａと電気的接続をとるスルーホール７ａが形成されている。そして、この絶縁体層７の表面には、スルーホール７ａを通して導体配線層５に導通接続させる所定パターンの陽極導体層９がスクリーン印刷法で塗布、乾燥させて形成されている。
さらに、この陽極導体層９上には蛍光体層１１がスクリーン印刷法や電着法により塗布、乾燥させて形成している。
次に、ガラス基板３上に形成されたこれらの陽極導体層９および蛍光体層１１の積層体を空気中で４５０℃〜５８０℃の温度で同時に加熱焼成を行い、陽極導体層９および蛍光体層１１内の有機ビヒクルのバインダーを完全に除去させるとともに焼結させることによって、陽極導体層９および蛍光体層１１からなる陽極１３が形成され、パターン表示部１５が構成される。」（【０００２】〜【０００６】）
（４イ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記（４ア）を踏まえると、【図１】からは、絶縁基板としてのガラス基板３上に形成された所定のパターンを有する導体配線層５、５ａと、陽極導体層９および蛍光体層１１からなる陽極１３との導通接続は、黒色を呈している絶縁体層７の所定位置に形成されているスルーホール７ａを通して行われているという、蛍光表示管１の構成が見て取れる。
（５）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１２号証（特表２００８−５４３０８０号公報） 
（５ア）「【請求項１】
　混合物から作成されるコンタクトを含む太陽電池であって、焼成の前に、該混合物が、
  ａ．固体部分と、
  ｂ．有機部分と、を含み、
  ｃ．該固体部分が、
        ｉ．導電性金属成分約８５〜約９９重量％と、
        ｉｉ．ガラス成分約１〜約１５重量％と、を含み、該ガラス成分が鉛を含まないことを特徴とする太陽電池
【請求項２】
　請求項１の太陽電池コンタクトにおいて、該コンタクトが前面コンタクトであり、該金属成分が銀を含み、該ガラス成分が、Ｂｉ２Ｏ３約５〜約８５モル％と、ＳｉＯ２約１〜約７０モル％とを含むことを特徴とする太陽電池コンタクト。
…
【請求項１１】
　請求項２の太陽電池コンタクトにおいて、該固体部分が、Ｂｉ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＳｎＯ，ＺｎＯ，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｂ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，１２Ｂｉ２Ｏ３・ＳｉＯ２，２Ｂｉ２Ｏ３・ＳｉＯ２，３Ｂｉ２Ｏ３・５ＳｉＯ２，Ｂｉ２Ｏ３・４ＳｉＯ２，６Ｂｉ２Ｏ３・ＳｉＯ２，Ｂｉ２Ｏ３・ＳｉＯ２，２Ｂｉ２Ｏ３・３ＳｉＯ２，Ｂｉ２Ｏ３・２ＴｉＯ２，２Ｂｉ２Ｏ３・３ＴｉＯ２，２Ｂｉ２Ｏ３・４ＴｉＯ２，６Ｂｉ２Ｏ３・ＴｉＯ２，６Ｂｉ２Ｏ３・Ｖ２Ｏ５，ＢｉＶＯ４，２Ｂｉ２Ｏ３・３Ｖ２Ｏ５，ＢｉＶ３Ｏ９，６．５Ｂｉ２Ｏ３・２．５Ｖ２Ｏ５・ＴｉＯ２，２ＺｎＯ・３ＴｉＯ２，ＺｎＯ・ＳｉＯ２，ＺｒＯ２・ＳｉＯ２，ＭｇＯ・Ｖ２Ｏ５，ＳｒＯ・Ｖ２Ｏ５，ＣａＯ・Ｖ２Ｏ５，ＢａＯ・Ｖ２Ｏ５，ＺｎＯ・Ｖ２Ｏ５，Ｎａ２Ｏ・１７Ｖ２Ｏ５，Ｋ２Ｏ・４Ｖ２Ｏ５，２Ｌｉ２Ｏ・５Ｖ２Ｏ５，これらの反応物及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる結晶性添加物をさらに含むことを特徴とする太陽電池コンタクト。
…」（【特許請求の範囲】）
（５イ）「【背景技術】
　太陽電池は、通常、太陽光を有用な電気エネルギーに変換するシリコン（Ｓｉ）のような半導体によって製造される。太陽電池は、一般的に、Ｓｉの薄ウェハーから作られ、このウェハーは好適なリン源からリン（Ｐ）をＰ型Ｓｉウェハーへと拡散することにより形成されるＰＮ接合を要する。シリコンウェハーの太陽光が入射する側は、入射する太陽光の反射損失を防ぐため、通常反射防止膜（ＡＲＣ）で覆われており、これによって太陽電池の効率が高められる。前面コンタクト（ｆｒｏｎｔ−ｃｏｎｔａｃｔ）として知られる二次元の電極グリッドパターンはＮ型シリコンへの連絡を形成し、もう一方の側（裏面コンタクト；ｂａｃｋ−ｃｏｎｔａｃｔ）は、アルミニウム（Ａｌ）コーティングによってＰ型シリコンへと連絡する。また、銀リアコンタクト（ｓｉｌｖｅｒ−ｒｅａｒ ｃｏｎｔａｃｔ）として知られるコンタクトは、銀、又は銀−アルミニウムペーストにより作成され、シリコンのＮ側に印刷、焼成することで、タブを固くつなぎ、太陽電池モジュールにおいて一つのセルを次のセルへと電気的に連絡することを可能としている。これらのコンタクトは、ＰＮ接合部から外部へと出力するための電気的な出力路である。
　太陽電池コンタクトに用いられる従来のペーストは、鉛フリットを含んでいる。太陽電池ペーストのガラス成分中にＰｂＯを含有することによって、（ａ）ペースト組成物の焼結温度を低く抑える、（ｂ）シリコン基盤との促進作用、焼結の際にシリコンとの低い接触抵抗の形成を促進する、といった所望の効果が得られる。…しかしながら、環境問題への懸念から、ペースト組成物におけるＰｂＯ（同様にＣｄＯ）の使用は、現在、可能な限り強く忌避されている。このため、光電池産業においては、鉛フリー及びカドミウムフリーのペースト組成物、鉛フリー及びカドミウムフリーのガラスを用いた太陽電池コンタクトペーストとして好適な特性を与えることのできる組成物の必要性が存在する」（【０００２】〜【０００３】）
（５ウ）「【発明の開示】
　本発明は、太陽電池コンタクトのペースト原料に用いるための鉛フリー及びカドミウムフリーのガラス組成物を提供するものであって、これらは高性能（効率（η）及び曲線因子（ＦＦ）によって計測される）の太陽電池を得るための低い直列抵抗（Ｒｓ）及び高い並列抵抗（Ｒｓｈ）を備えている。本発明には、概略、焼成前に、固体部分と有機部分とを含む混合物から作成される太陽電池コンタクトが含まれる。固体部分は、約８５〜約９９重量％の導電性金属成分、及び約１〜約１５重量％の鉛フリーのガラス成分を含む。」（【０００４】）
（５エ）「銀−及びガラス−含有の厚膜フィルムペーストは、光照射によって発生する電流を集電するため、シリコンベース太陽電池の前面コンタクトの形成に使用される。ペーストは一般的にスクリーン印刷で塗布されるものの、噴出、パッド印刷、及びホットメルト印刷のような方法も使用される。スクリーン印刷された前面コンタクトを有する太陽電池は、比較的低温（ウェハー温度５５０℃〜８５０℃、焼成炉の設定温度６５０℃〜１０００℃）で焼成され、リンをドープしたシリコンウェハーのＮ側と銀ベースのペーストとの間に低い抵抗のコンタクトを形成する。また、ここでは太陽電池の製造方法も想定される。」（【０００８】）
（５オ）「ペーストのプリント及び焼成。以上のペースト組成物は、太陽電池コンタクトあるいは他の太陽電池部品の製造工程で用いられる。本発明の太陽電池コンタクトの形成方法においては、（１）シリコン基板に銀含有ペーストを塗布し、（２）ペーストを乾燥し、（３）ペーストを焼成して金属を焼結し、シリコンへのコンタクトを形成する工程、が含まれる。ペーストのプリントパターンは、炉設定温度約６５０〜９５０℃、又はウェハー温度約５５０〜８５０℃といった好適な温度で焼成される。好ましくは、炉設定温度は、約７５０〜９３０℃であり、ペーストは空気中で焼成される。焼成中、反射防止ＳｉＮｘ層がガラスによって酸化、腐食され、Ｓｉ基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成し、これがシリコンに対してエピタキシャルに結合していると考えられる。焼成条件は、シリコンウェハー上のシリコン／ペースト界面において、十分な密度のＡｇ／Ｓｉ単独系統を生成するために選択され、これが低い抵抗性、高い変換効率、高い曲線因子を有する前面コンタクト及び太陽電池の生産につながる。」（【００２３】）
（６）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に特許協力条約に基づいて公開された国際出願である甲第１５号証（国際公開第２００９／０９７２６４号） 
　なお、当審訳にあたっては、甲第１５号証に対応する公表公報として提出されている甲第１７号証（特表２０１１−５１０８９７号公報）の対応箇所を参考にした。
（６ア）「…Crystalline silicon PV cells in today's industry are typically coated with an anti-reflective coating to promote light adsorption, which increases PV cells efficiency. However, the anti-reflective coating imposes high electrocal resistance to the charge carrier flowing from the semiconductor to the metal contact. Such anti-reflective coating often comprise silicon nitride, titanium oxide or silicon oxide.
　Conductive inks are used to form these conductive grids or metal contacts. Conductive inks typically include a glass frit, a conductive species, such as silver particles, and an organic medium. To form the metal contacts, conductive inks are printed onto the substrate in a pattern of grid lines or other pattern by screen printing or other process. The substrate is then fired, during which electrical contact is made between the grid lines and the substrate. This contact is enhanced by the formation of individual silver crystallites at the glass-substrate interface.…
　As otherwise mentioned herein, the anti-reflective coating enhances light absorption but also acts as an insulator which impairs the excited electrons from flowing from the substrate to the metal contacts. Accordingly, the conductive ink should penetrate the anti-reflective coating to form metal contacts having ohmic contact with the substrate. To accomplish this, conductive inks incorporate glass frits to aid with sintering silver particles to a substrate and to promote adhesion and ohmic contact between the formed metal contact and the substrate. When the glass frit liquefies, it tends to flow toward the interface between the silver particles and the anti-reflective coating on the substrate. The melted glass dissolves the anti-reflective coating materials as well as some of the metal particles and substrate. Once the temperature decreases, the molten silver and the melted or dissolved substrate recrystallize through the liquid phase. As a result, some of the silver crystallites are able to penetrate the antireflective layer and form ohmic contact with the substrate. This process is referred to as fire-through and facilitates a low contact resistance formation and a stronger bond between conductive grid or metal contact and the substrate.」（[0003]〜[0005]）
（当審訳：…今日の産業における結晶シリコン光起電力電池は、通常、光の吸収を促進し、光起電力電池の効率を向上するため、反射防止膜で被覆されている。しかしながら、反射防止膜は、半導体から金属接点へ流れる電荷担体に、高い電気抵抗を加える。そのような反射防止膜は多くの場合、窒化ケイ素、酸化チタン、又は酸化ケイ素を含む。
　導電性インクはこれらの導電グリッド又は金属接点を形成するために使用される。導電性インクは通常、ガラスフリット、銀粒子等の導電性種及び有機媒体を含む。金属接点を形成するため、導電性インクは、スクリーン印刷又はその他の方法によって格子線のパターン又はその他のパターンで基板上に印刷される。その後、基板は焼成され、その間に格子線と基板との間に電気接点が構成される。この接点はガラス基材界面で、個々の銀結晶子の形成によって強化される。…
　ここで別の点について述べると、反射防止膜は、光吸収を増強するだけでなく、基板から金属接点への流れから励起された電子を減ずる絶縁体としても作用する。従って、導電性インクは、基板とオーミック接触を有する金属接点を形成するため、反射防止膜を突き抜けるほうが良い。これを達成するため、導電性インクは、銀粒子が基板へ焼結することを補助し、及び形成された金属接点と基板との間の接着及びオーミック接触の形成を促進するガラスフリットを包含する。ガラスフリットが液化した場合、基板上の銀粒子と反射防止膜との間の接触面に向かって流れる傾向がある。融解したガラスは反射防止膜の材料を一部の金属粒子や基板と同様に溶解する。温度が低下した時点で、融解した銀及び融解又は溶解した基板は液相を通じて再結晶化する。その結果、銀の結晶子の一部は反射防止層を突き抜け、基板とのオーミック接触を形成することができる。この方法は、「ファイヤースルー」といわれ、低い接触抵抗の形成、及び導電グリッド又は金属接点と基板との間のより強力な結合形成を促進する。）（甲第１７号証の【０００３】〜【０００５】）
（６イ）「Embodiments of the present invention relate to tellurium containing frits having no intentionally added lead and the uses thereof. According to one or more embodiments, the frits described herein have very low viscosity and are particularly corrosive.  For example, in one or more embodiments, the frits tend to dissolve refractory materials typically used in PV applications as anti-reflective layers such as SiO2, TiO2 and SiNx .」（[0008]）
（当審訳： 本発明の実施形態は、意図的に添加された鉛を有さない、テルルを含むガラスフリット、及びその用途に関する。一以上の実施形態によれば、ここに記載されたガラスフリットは、非常に低粘度であり、特に腐食性である。例えば、一以上の実施形態において、そのガラスフリットは、通常、光起電性製品において反射防止層として使用される、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ等の難溶性物質を溶解する傾向がある。）（甲第１７号証の【０００８】）
（６ウ）「EXAMPLES
　Two inks (Ink A and Ink B) were prepared having at least a frit and a conductive species. Inks A and B were prepared using a general procedure. The general procedure includes batching and dispersing the examples using triple roll milling. Alternative dispersion processes known in the industry such as bead milling, sand milling and colloid milling could also be used to disperse the solid particles in the organic binder medium. 
　Inks A and B both had a frit content of 3% by weight and silver in an amount of 97% by weight (on a solids basis). Both frits were bismuth borosilicate compositions, had similar coefficients of thermal expansion and glass transition temperatures. Ink A contained a frit known in the art which had no intentionally added lead. Ink B contained a frit known in the art which had no intentionally added lead and also incorporated TeO２ . 
　Eight textured, monocrystalline silicon wafers with a 40 ohm/square phosphorus doped emitter and boron doped base having a silicon nitride anti reflective coating were used. The back surfaces of the eight wafers were printed with commercially available back surface aluminum ink and silver rear contact ink. Both inks were thoroughly dried. Four wafers were then printed on the front surface with Ink A using a 325 mesh screen (Cells 1-4). Four additional wafers were printed on the front surface with Ink B in an identical manner (Comparative Cells 5-8). The PV cells were then dried and fired in an infrared furnace to a peak firing temperature as noted in Table 1. Each wafer was fired at the peak temperature for approximately 3 to 5 seconds. After cooling, the parts were tested for their current-voltage (I-V) characteristics. 
 
　The fill factor and efficiency refer to measurements of the performance of a semiconductor. The term fill factor is defined as the ratio of the maximum power (Vmp x Jmp ) divided by the short-circuit current (Isc ) and open-circuit voltage (Voc ) in light current density - voltage (J-V) characteristics of solar cells. The open circuit voltage (Voc) is the maximum voltage obtainable at the load under open-circuit conditions. The short circuit current density (Jsc ) is the maximum current through the load under short-circuit conditions. The fill factor (FF), is thus defined as (VmpJmp)/(VocJsc), where Jmp  and Vmp  represent the current density and voltage at the maximum power point. The cell efficiency, η, is given by the equation η = (IscVocFF)/Pin  where Isc  equals the short circuit current, Voc  equals the open circuit voltage, FF equals fill factor and Pin  is the power of the incident solar radiation.
　The fill factor and efficiency of Comparative Cells 5-8, which contain TeO2, was significantly higher than Cells 1-4, which did not contain TeO2.  This improvement was observed at both firing temperatures. Without being bound by theory, it is believed that the use of TeO2 reduces the viscosity of the molten frit, thereby enabling the frit to penetrate, dissolve and/or digest the anti-reflective layer of the PV cell and improving ohmic contact between the silver or formed metal contact and the substrate cell.」（[0039]〜[0043]））
（当審訳：【実施例】
　少なくともガラスフリット及び導電性種を有する２種のインク（インクＡ及びインクＢ）を調製した。インクＡ及びＢは一般的な手順で調製した。一般的な手順は、計量、及び、例えば、３本ロールミル法（triple roll milling）を使用する分散を含む。業界で知られている、ビーズミル法、サンドミル法及びコロイドミル法等の別の分散方法もまた有機バインダー媒体に固体微粒子を分散するために使用できる。
　インクＡ及びＢの両方は、ガラスフリットを３質量％、及び銀を９７質量％の含有量で（固形分を基準として）有していた。両方のガラスフリットはホウケイ酸ビスマス（bismuth borosilicate）組成物であり、同様な熱膨張係数及びガラス転移温度を有していた。
インクＡは意図的に添加された鉛を有さない、当技術分野で公知のガラスフリットを含んでいた。インクＢは意図的に添加された鉛を有さず、ＴｅＯ２を包含する当技術分野で公知のガラスフリットを含んでいた。
　８個のテクスチャー処理された、リンドープによるエミッタ電極及びボロンドープによるベース電極で４０オーム／スクエアー（ohm／square）を有し、窒化ケイ素の反射防止膜を有する単結晶シリコンウェハーを使用した。８個のウェハーの裏面は市販の裏面アルミニウムインク（back surface aluminum ink）及び銀リアコンタクトインク（silver rear contact ink）で印刷した。両方のインクを完全に乾燥した。その後、４個のウェハーについて、表面にインクＡで３２５メッシュスクリーンを使用して印刷した（セル１−４）（比較例に相当）。別の４個のウェハーについては、表面にインクＢで同じ方法で印刷した（比較セル５−８）（実施例に相当）。その後、各ＰＶセルを乾燥し、赤外炉において、表１に示した最高焼成温度に焼成した。各ウェハーを最高温度でおよそ３〜５秒間焼成した。冷却後、各セルについて、その電流電圧（Ｉ−Ｖ）特性を試験した。
【表１】
  「曲線因子（fill factor）」及び「効率（efficiency）」は  半導体の性能の評価を参照にする。用語「曲線因子」は、太陽電池の光電流密度−電圧（Ｊ−Ｖ）特性において、最大出力（maximum power）（Vmp x Jmp）を短絡電流（short-circuit current）(Isc）と開放電圧（open-circuit voltage）（Voc)の積で除した比として定義される。開放電圧（Voc）は開放条件（open-circuit condition）下の負荷で、得られる最大電圧である。短絡電流密度（short-circuit current density）(Jsc）は短絡条件（short-circuit condition）下の負荷で流れる最大電流である。曲線因子（FF）はこのように（VmpJmp）/VocJsc）、［但し、Jmp及びVmpは、最大出力点（maximum power point）での電流密度及び電圧を表す。］として定義される。セル効率、ηは、方程式、η＝（IscVocF）/Pin、［但し、Iscは短絡電流に相当し、Vocは開放電圧に相当し、FFは曲線因子に相当し、及びPinは入射する太陽放射力である。］によって得られる。
　ＴｅＯ２を含む比較セル５〜８（実施例）の曲線因子及び効率は、ＴｅＯ２を含まないセル１〜４（比較例）に比べて有意に高かった。この改良は両方の焼成温度で認められた。理論にかかわらず、ＴｅＯ２の使用は、融解されたガラスフリットの粘度を低下させ、その結果、ガラスフリットが光起電力電池の反射防止層を突き抜け、溶解し、及び／又は消化し、銀又は形成された金属接点と基板セルとの間の抵抗接点を改良することが可能となっているものと考えられる。）（甲第１７号証の【００４０】〜【００４５】）
（６エ）「
  1. A frit comprising: TeO2; and one or more of Bi2O3 and SiO2, the frit containing no intentionally-added lead.
  2. The frit of claim 1, further comprising B2O3 .
…
  10. A conductive ink comprising a substantially lead-free frit according to any of claims 2-9 and a conductive species.
…」（claims)
（当審訳：
【請求項１】
  ＴｅＯ２、並びにＢｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２の１種以上を含み、且つ意図的に添加された鉛を含まないことを特徴とするガラスフリット。
【請求項２】
  更に、Ｂ２Ｏ３を含む請求項１に記載のガラスフリット。
…
【請求項１０】
  請求項２〜９のいずれか１項に記載の実質的に無鉛のガラスフリット、及び導電性種を含むことを特徴とする導電性インク。
…）（甲第１７号証の【特許請求の範囲】）
（７）甲第２２号証によれば、公開日が２００５年９月１６日とされ、また、甲第２３号証によれば、米国特許商標庁において２０１０年６月３日を優先権主張の日とする米国特許出願に対して、公知文献として扱われた、
甲第１６号証（Mohamed M. Hilali, UNDERSTANDING AND DEVELOPMENT OF  
　　　　　　　MANUFACTURABLE SCREEN-PRINTED CONTACTS ON HIGH 
 　　　　　　 SHEET-RESISTANCE EMITTERS FOR LOW-COST SILICON  
 　　　　　　 SOLAR CELLS, A Thesis Presented to The Academic 
　　　　　　　Faculty, Georgia Institute of Technology, 
　　　　　　　August 2005, p.52-53, p.59-62, p.74-79, p.129, 
　　　　　　　p.183 ）
（７ア）「3.1.3.1  The Composition of Screen-Printing Pastes
　The paste is composed of four different materials: metal powders, glass frit and modifiers, solvent, and non-volatile polymers or resin, which are blended together. The role of these ingredients is described below:
　1−  Functional phase, which consists if the metal powder (e.g., Ag in the case of conductive metal pastes for printing the front grid), and is responsible for providing the current condition;
　2−  Binder phase, which holds the paste to the subatrate, dissolves the metal powder and sticks to the substrate or provides adhesion during high-temperature firing. It also affects the sintering kinetics. This is also called glass frit, which is a mixture of metal oxides and silicon dioxide to form a uniform glass. Before being added to the paste, the glass is milled to a thin sheet and crushed. Normally, lead oxide is the most important ingredient, which is added in amounts of 2-5％ for the sintering action. Other components can be bismuth, boron, aluminum, copper, and titanium. Phosphorus can also be added to improve the contact with the n-type emitter.
　3−  Vehicle, which acts as a carrier for the powders and consist of both volatile solvents and non-volatile polymers. These substances evaporate during the drying and burn-off steps before the actual firing step. The vehicle is aiso responsible for pseudoplastics behavior and adhesion of the paste to the substrate during printing.
　4−  Modifiers, which are small amounts of additives that are proprietary to the paste manufacturer. These additives control the behavior of the paste before and after processing. The modifiers include combinations of elemental metals such as Ge, Bi, Pb, Li, Cd, In, and Zn.」（第５２頁第１行〜第５３頁第２行）
（当審訳：３．１．３．１　スクリーン印刷ペーストの組成
　ペーストは、ブレンドして一体化された４つの異なる材料：金属粉末と、ガラスフリット及び改質剤と、溶媒と、不揮発性ポリマー又は樹脂とで構成される。これらの役割を以下に記載する。
１−　機能相、金属粉末（例えば、フロントグリッドを印刷するための導電性金属ペーストの場合はＡｇ）からなり、電流の通電に関与する。
２−　バインダー相、ペーストを基板に保持するか、金属粉末を溶解して基板に固着させるか、又は高温焼成時に接着を提供する。焼結速度にも影響を及ぼす。この相は、ガラスフリットとも呼ばれ、金属酸化物と二酸化珪素との混合物であり、溶融されて均一なガラスを形成する。ペーストに添加される前に、ガラスは、薄いシートにミルされ、破砕される。通常、酸化鉛が最も重要な成分であり、焼結作用を得るために２〜５％の量で添加される。他の成分は、ビスマス、ホウ素、アルミニウム、銅、及びチタンであり得る。ｎ型エミッターとの接触を改良するために、リンが添加されることもあり得る。
３−　ビヒクル、粉末の媒体として機能し、揮発性溶剤及び不揮発性ポリマーの両方からなる。これらの物質は、実際の焼成工程の前の乾燥工程及びバーンオフ工程で蒸発する。ビヒクルはまた、印刷時にペーストの擬塑性挙動及び基板への接着に関与する。
４−　改質剤、ペースト製造業者独自の少量の添加剤である。この添加剤は処理前後のペーストの挙動を制御する。改質剤は、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｌｉ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｚｎなどの単体金属の組み合わせを含む。
…）
（７イ）「3.1.3.5 The Screen-Printed Paste Firing Process
　Follwing the printing of the cell, the metal paste is fired. This is done in a radiatin lamp-heated belt furnace in an industrial production environment. The firing is basically a three-step process:
　1.  Drying: Drying is performed to evaporate all the solvents in the paste, which otherwise cause gas bubbles at higher temperatures and result in cracking of the metallization. Drying is done at 〜150℃.
　2.  Buru-out: The burn-out process is done at temperatures in the range of 300-400℃ to drive out the organic binders.
　3. Firing: The firing step is also called the sintering step during which the Ag metal grid adheres to the underlying Si. Conventional firing is done at temperatures in the range of 700-800℃. As a rule, it is best to fire fast and hot.
　The profiles of these three steps are described in Figure 3.4. Cracking in the metallization can happen if the outside surface of the paste is dried too fast, forming a crust that cannnot be permeated by the solvent.
　During the burnout process, sufficient airflow must be present to have complete oxidation of the organic components; otherwise, carbon will be present in the paste and can diffuse into the junction during firing. The thermogravimetric analysis(TGA) gives the temperature at which all the organic constituents in the paste are burn out; this depends on the type of polymers used. However, excessive burn-out is not critical and should be avoided since gas bubbles can give cracks in the matallization.
　The firing step is also called the sintering step. The upward slope of firing proifile can be set to 50℃/s, while the downward slope can be set to slower rates to obtain better adhesion of the Ag  to the Si and prevent detachment as a result of differences in the expansion coefficients. A value of -10℃/s has been deemed the best cooling rate in terms of specific contact resistance. The cell stays around 30-60 s at a temperature less than 50℃ from the peak. Conditions with the high belt loading of cells, an insufficient air injection, and rapid firing may produce a net reducing atmosphere in the local environment of the thick-film conductor, which is capable of converting the lead oxide (and bismuth oxide if present in the glass) contained in the glass to metallic lead(and bismuth).
　During the firing process the silicate glass systems, such as the ones used for solar cell thick-film contacts, form a viscous glass at the firing temperature, and a major part of densification results from the viscous flow under the pressure caused by the fine pores. In other words, vitrification takes place and is responsible for forming a bond for the thick-film contact. The processes or steps that take place during the firing cycle are shown in Figure 3.5. Ag is screen printed on top of the silicon nitride antireflection coating and then fired. Between 100-200℃, the solvent evaporates; from 200-400℃ the polymer or resin burns out; from 400-600℃ the glass frit starts to melt and Ag particles start to coalesce and sinter; from 600-800℃ molten glass with some amount of dissolved Ag etches the silicon nitride antireflection coating and reaches the Si surface where it reacts and etches a very thin layer of Si. Ag in the glass then precipitates onto the Si surface in the form of crystallites.
　Contact formation can influence series resistance, shunt resistance, and junction leakage current, which in turn can degrade the fill factor. Optimizing the firing process means finding the temperature profile where VOC is unaffected and good fill factor(
＞
                                            」（第５９頁第１８行〜第６２頁下から４行）
 （当審訳：３．１．３．５　スクリーン印刷ペーストの焼成工程
　セルの印刷に続いて、金属ペーストが焼成される。これは、工業的生産環境において、放射線ランプヒータベルト炉内で行われる。焼成は、基本的には、以下の３工程プロセスである。
　１．乾燥：乾燥は、ペースト中のすべての溶媒を蒸発させるために行われる。乾燥が行われない場合、より高い温度で気泡が発生し、導体薄膜の亀裂を招く。乾燥は約１５０℃で行われる。
　２．バーンアウト：バーンアウトプロセスは、有機バインダーを除去するために、３００〜４００℃の範囲の温度で行われる。
　３．焼成：焼成工程は、焼結工程とも呼ばれ、この工程では、銀グリッドが下側のＳｉと接着する。焼結は、７００〜８００℃の範囲の温度で行われる。原則として、高速かつ高温で焼成することが最良とされる。
　これら３つの工程のプロファイルは、図３.４に記載されている。ペースト外表面の乾燥が早すぎると、溶媒が浸透できない層が形成されるため、導体薄膜の亀裂を生じ得る得る。
　バーンアウト工程では、有機成分の完全な酸化のための気流が必要とされる。さもなければ、炭素がペースト中に残存して、焼成時に接合部に拡散する可能性がある。熱重量測定（ＴＧＡ）により、ペースト中の全ての有機成分がバーンアウトされる温度が与えられる。これは、使用されたポリマーのタイプに依存する。過剰なバーンアウトは、重大問題ではないが、気泡が導体薄膜に亀裂を与える得るので、避けるべきである。
　焼成工程は焼結工程とも呼ばれる。焼成プロファイルの加熱速度は、５０℃／秒に設定可能であり、一方、冷却速度は、ＳｉへのＡｇのより良好な接着を得るために、かつ膨張係数の差の結果としての剥離を防止するために、より遅い速度に設定可能である。−１０℃／秒が特定の接触抵抗に関しての最良の冷却速度であるとみなされてきた。セルは、ピークよりも５０℃低い温度で３０〜６０秒間維持される。高ベルト負荷、不十分な空気注入、急速焼成の条件下では、厚膜伝導体が局所的に還元雰囲気となるため、ガラス中の酸化鉛（及びガラス中に酸化ビスマスが存在する場合）は、金属鉛（及びビスマス）に変換され得る。
　焼成プロセスの間、太陽電池の厚膜接点に使用されるようなケイ酸塩ガラス系は、焼成温度で粘性ガラスを形成し、細孔によって引き起こされる圧力下での粘性流から大部分の緻密化が生じる。言い換えると、ガラス化が起こり、厚膜接点の形成に関与する。焼成サイクルの間に起こる、プロセス又は工程は、図３.５に示されている。Ａｇは、窒化珪素反射防止膜上にスクリーン印刷され、次いで、焼成される。１００〜２００℃で溶媒が蒸発し、２００〜４００℃でポリマー又は樹脂がバーンアウトされ、４００〜６００℃でガラスフリットが溶融を開始し、かつＡｇ粒子が合体及び焼結を開始し、６００〜８００℃である程度の溶融Ａｇを含む溶融ガラスが窒化珪素反射防止膜をエッチングし、Ｓｉ表面に達し、そこでＳｉの極薄層と反応してエッチングする。次いで、ガラス中のＡｇが結晶化形態でＳｉ表面上に析出する。
　接点形成は、直列抵抗、短絡抵抗、及び接合漏れ電流に影響を及ぼす可能性があり、さらには、曲線因子を低下させ得る。焼成工程の最適化とは、ＶＯＣが影響を受けず、かつ、良好な曲線因子（≧０．７８）が達成させる温度プロファイルを見出すことを意味する。最適焼成条件は、フリット組成及びエミッタープロファイルに依存する。一般的には、高速高温の焼成が最適な結果を与える。なぜなら、不純物が拡散する機会を与えられず、焼結が効果的であるからである。エミッター領域に拡散する不純物の活性化エネルギーは、一般的には、焼結に使用される物のそれよりも低い。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（７ウ）「3.2.2 Current Understanding of the Contact Formation and Current Transport in the Screen-Printed Contacts
3.2.2.1 Contact Formation Mechanism
　During solar cell processing, a Ag grid is generally screen printed on top of the SiNx antireflection coating and fired through the SiNx film onto the emitter surface. The contact formation occurs when the screen-printed thick film experiences elevated temperatures(650℃) during the firing process. Upon heating, the glass frit fluidizes and wets the SiNx surface, dissolving the silver and etching the silicon nitride. The etching of SiNx takes place by a redox reaction, χSi+2MOχ,glass→χSiO２+2M, where M is the metal in the glass frit. This behavior has been supported by the presence of metal precipitates observed in the glass after firing. Figure 3.11 shows an SEM/EDS image demonstrating the presence of lead precipitates in the glass after firing. Subsequently, the glass frit also etches or dissolves a small amount of the Si surface. This has been demonstrared by Schubert et al. in Fig.3.12, Where significant Si etching was observed by a paste which contained only glass frit with no Ag. Upon cooling, the excess Si contained in the glass frit crystallizes epitaxially on the substrate. This mechanism is shown Figure 3.13. However, this model has not been validated experimentally; dissolved Si could alternatively become oxidaized and precipitate in the glass layer. Excess Ag in the molten glass re-crystallizes epitaxially at the Si surface in the shape of inverted pyramid-like Ag crystallites.
 A model for contact formation has been proposed in the literature[81]. Five steps in Figure 3.14 pictorially summarize this model for the contact formation. Figure 3.14(a) shows that the screen-printed Ag gridline contains the inorganic constituents (Ag particles, glass frit, and modifiers). Figure 3.14(b) shows that, upon heating , the glass frit starts to melt at temperatures 450℃. The glass frit wets the surface and then starts to etch or react with the SiNx layer underneath (Fig.3.14(c)). In addition, the Ag particles begin to sinter and dissolve in the glas frit. Once the glass frit etches through the SiNx film, it starts to etch or dissolve the Si surface underneath the SiNx at temperatures 〜670-700℃. (Fig.3.14(d)). Upon cooling, the excess Si in the glass frit crystallizes epitaxially, and some of the dissolved Ag in the frit precipitates as Ag crystallites, which get embedded into the Si surface at the Ag-Si interface, forming a direct contact with the Si emitter to provide a path or interconnection for current transport(Fig.3.14(e)).  Finally, lead and possibly other metals also precipitate in the glass layer.
                                                        」（第７４頁下から９行〜第７９頁末行）
（当審訳：　３．２．２　スクリーン印刷接点における接点形成及び電流輸送に関する現在の理解   
３．２．２．１　接点形成機構
　太陽電池の作製時、Ａｇグリッドは、一般的には、ＳｉＮｘ反射防止膜上にスクリーン印刷され、ＳｉＮｘ膜を介してエミッター表面上に焼成される。スクリーン印刷厚膜が焼成プロセス時に高温（＞６５０℃）を受けると、接点形成が起こる。加熱すると、ガラスフリットが流動化してＳｉＮｘ表面を湿潤にし、それにより、銀が溶解して窒化珪素がエッチングされる。ＳｉＮｘのエッチングは、χＳｉ＋２ＭＯχ，ｇｌａｓｓ→χＳｉＯ２＋２Ｍ（式中、Ｍは、ガラスフリット中の金属である）というレドックス反応により起こる。この挙動は、焼成後のガラスで観測される金属析出物の存在により裏付けられた。図３．１１は、焼成後のガラス中の鉛析出物の存在を実証するＳＥＭ／ＥＤＳ画像を示している、続いて、ガラスフリットは、また、Ｓｉ表面の少量をエッチング又は溶解する。このことは、図３．１２のように、Ａｇなしでガラスフリットのみを含有するペーストにより、有意なＳｉエッチングが観測されたとの、シューベルトらの報告により実証されている。冷却時に、ガラスフリット中に含有される過剰なＳｉが、基板上にエピタキシャルに結晶化する。この機構は、図３．１３に示されている。しかしながら、このモデルは、実験的に検証されておらず、溶解されたＳｉは、代替的に、酸化状態になってガラス層中に析出する可能性がある。溶融ガラス中の過剰なＡｇは、逆ピラミッド状のＡｇ結晶がＳｉ表面でエピタキシャルに再結晶化する。
　接点形成モデルは、文献［８１］で提案されてきた。図３．１４の５つの工程は、接点形成のモデルを図式化してまとめたものである。図３．１４（ａ）は、スクリーン印刷されたＡｇグリッド線が無機成分（Ａｇ粒子、ガラスフリット、及び改質剤）を含有することを示している。図３．１４（ｂ）は、加熱するとガラスフリットが４５０℃よりも高いの温度で溶融を開始することを示している。ガラスフリットは、表面を湿潤にし、次いで、下側のＳｉＮｘ層のエッチング又はそれとの反応を開始する（図３．１４（ｃ））。それに加えて、Ａｇ粒子は、焼結及びガラスフリット中への溶解を開始する。ガラスフリットは、ＳｉＮｘ層をエッチングすると、約６７０〜７００℃の温度でＳｉＮｘの下側のＳｉ表面のエッチング又は溶解を開始する（図３．１４（ｄ））。冷却すると、ガラスフリット中の過剰なＳｉは、エピタキシャルに結晶化し、フリット中に溶解されたＡｇの一部は、Ａｇ結晶として析出し、これは、Ａｇ−Ｓｉ界面でＳｉ表面内に埋め込まれた状態となり、その結果、Ｓｉエミッターとの直接接触を形成して、電流輸送のための経路又は相互接続を提供する（図３．１４（ｅ））。最終的に、鉛及びおそらく他の金属もまた、ガラス層中に析出する。
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（７エ）「 The first requirement for achieving low-resistivity ohmic contact to the Si emitter is to punch through the SiNx layer during the contact firing process. Second, the paste and firing combination must result in a metal-Si contact area fraction that is sufficient for low contact resistivity. Third, the fired or modified glass layer should be thin enough for tunneling and/or it should be conductive to allow for current transport. In addition, the 100 Ω/sq emitter is more prone to shunting since it has a shallower p-n junction compared to the 45 Ω/sq. This adds another constraint to the chemistry of the glass frit and metallic constituents of the paste to prevent shunting and excessive impurity diffusion.」（第１２９頁下から９行〜末行）
（当審訳：Ｓｉエミッタへの低低効率オーム接点を実現する第１の要件は、接点焼成プロセス時にＳｉＮｘ層を貫通することである。第２に、ペーストと焼成との組合せは、低接触抵抗率を得るのに十分な金属−Ｓｉ接触面積率をもたらすものでなければならない。第３に、焼成又は改質されたガラス層は、トンネリングに十分な薄さにすべきであり、かつ／又は電流輸送を可能にするために伝導性にすべきである。それに加えて、１００Ω／ｓｑのエミッターは、４５Ω／ｓｑのそれと比較して、より浅いｐ−ｎ接合を有するため、短絡を起こしやすい。このことから、短絡及び過剰な不純物拡散防止のために、ペーストのガラスフリット及び金属成分の化学的性質には、さらなる制約が課される。）
（７オ）「Figure 7.16 demonstrates the presence of Ag precipitation within the glass layer formed using the Ferro pastes.
                                                    」（第１８３頁第２行〜下から７行）
（当審訳：図７．１６は、フェロペーストを用いて形成されたガラス層内のＡｇ析出物の存在を実証する。
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（８）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１９号証（S.B.Rane et al. , Firing and processing effects on  microstructure of fritted silver thick film electrode  materials for solar cells, Materials Chemistry and  Physics, 82(2003) , p.237 ）
「1.  Introduction
　Thick film technology is widely used for versatile applications (viz. communications, military equipment, medical equipments, automotive electronics, photovoltaic,etc.).The steady growth of thick film technology has been due to the continual flow of new microelectronic circuit needs and the ability to develop materials to accommodate them. Amongst the various thick film conductors, silver has established as a high reliability option since it has enormous economic advantage compared to gold /platinum conductors. However, the solubility of silver in molten tin-lead solder and tendency of silver ion migration under the influence of an electrical field and moisture are serious problems associated with silver thick film conductors. Such problems can be circumvented by avoiding large voltage difference between adjacent conductors or by using protective over-glazes or by alloying with 20-40％ of palladium.
　In addition to usage as conductor terminations in hybrid microelectronic circuits, the fired-on type silver based pastes are used as the front grid of silicon solar cells. The prime pre-requisite of such silver paste is low series resistance, low metal area coverage and good adhesion after firing to the single crystal and polycrystalline silicon surface. The parameters, such as particle size, shape and distribution, of silver powder are of utmost importance, which have direct bearing on the printing and, in turn, on the microstructure and electrical properties of the resulting films. The influence of the surfactant treatments and surface area of the silver powder on the rheology of silver thick film paste has been rarely reported. Normally, relatively low firing temperature(600-850℃) type silver pastes are recommended for silicon solar cells. This necessities working out of a glass composition to have the glass softening temparature in 400-600℃ range. The other important aspect is that the glass frit binder should not chemically react with silver or polysilicon, which can adversely affect the resultant photovoltaic properties. These three aspects of glass are to be kept in mind when the composition and post-processing conditions of silver pastes for solar cells are optimized. Thus, controlling the properties (viz. conductivity, contact resistance, solderability, adhesion, solder leach resistance, etc.) of resulting conductor thick film pastes for solar cells is not an easy task and demands thorough understanding of microstructure ⇔ property ⇔ processing relationship.
　This paper reports the microstructural, physico-chemical and electrical properties of the fritted silver thick film electrode paste formulated using different powder processing conditions, which also included treatment with surfactants.（第２３７頁の「1.  Introduction」）
（当審訳：１．緒言
　厚膜技術は、様々な用途（すなわち、通信機関、軍用機器、医療機器、自動車用電子部品、光起電力素子等）に広く使用されている。厚膜技術の安定した成長は、新しい超小型電子回路ニーズの持続的流れとそれらに適合する材料開発能力に依存している。種々の厚膜導体の中で、銀は、金／白金の導体と比べて巨大な経済的利益を有することから、信頼性の高い選択肢として定着してきた。しかしながら、溶融スズ−鉛半田への銀の溶解性並びに電場及び湿度の影響下での銀イオンのマイグレーションの傾向は、銀の厚膜技術に付随する深刻な問題である。そのような問題は、近接導体間の大きな電位差を排除することにより、あるいは、保護用オーバーグレーズを用いることにより、あるいは、２０〜４０％のパラジウムと合金化することにより、回避することが可能である。
　焼付け型の銀系ペーストは、ハイブリッド超小型電子回路の導体終端としての使用に加え、シリコン太陽電池のフロントグリッドとして使用される。そのような銀ペーストの主要な前提条件は、低い直列抵抗、金属の面積の低い被覆率、並びに、単結晶及び多結晶のシリコン表面への良好な焼成後接着である。粒子サイズ、形状、分布といった銀粉末のパラメーターは、最も重要であり、印刷に対して、ひいては得られる膜のマイクロ構造及び電気的性質に対して、直接影響を及ぼす。銀厚膜ペーストのレオロジーに及ぼす銀粉末の界面活性剤による処理及び表面積の影響は、ほとんど報告されていない。通常、焼成温度が比較的低い（６００〜８５０℃）タイプの銀ペーストが、シリコン太陽電池として推奨されている。このため、ガラス組成物が４００〜６００℃の範囲内のガラス軟化温度を有するようにする必要がある。他の重要な点は、ガラスフリットバインダーが銀やポリシリコンと化学反応してはならないことである。化学反応すると、得られる光起電特性に悪影響を及ぼす可能性がある。太陽電池用として銀ペーストの組成及び後処理条件を最適化する場合、ガラスのこれら３つの点に留意すべきである。したがって、太陽電池用として得られる導体厚膜ペーストの性質（すなわち、伝導率、接触抵抗、半田付け性、接着性、耐半田浸食性等）の制御は、容易な作業ではなく、マイクロ構造⇔性質⇔処理の関係の十分な理解が必要になる。
　本稿では、界面活性剤による処理も含め、様々な粉末処理を施して形成されるフリット銀厚膜電極ペーストのマイクロ構造的な、物理化学的な及び電気的な性質を報告する。）
  
（９）本件特許に係る出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２０号証（JOHN R. LARRY et al. , Thick-Film Technology: An Introduction to the Materials, IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS, HYBRIDS, AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, VOL. CHMT-3, NO.2, JUNE 1980, p.211-212)
（９ア）「Abstract− The use of thick-film technology to manufacture electronic circuits and discrete passive components continues to grow at a rapid rate worldwide. When applied to hybride microcircuits, it can be viewed as a means of packaging active devices, spanning the gap between monolithic integrated circuit chips and printed circuit boards with attached active and passive components. The strength of the thick-film approach is a consequence of function, size, and unit cost trade-offs; advances in materials have played a major role relative to each of these factors. Thick-film materials are developed to meet needs defined by electronic circuit design and process engineers. A general understanding of thick films is provided from a materials standpoint, particularly for the new engineer. Background is developed for a basic, yet simple, understanding of the components that make up resistor, conductor, and dielectric compositions, of processing, and of the properties of the final thick-film composite structures.」（第２１１頁左欄第１〜１５行）
（当審訳：要約−　電子回路や個々の受動部品の製造のために厚膜技術の利用は、世界的に急速に増加し続けている。ハイブリッドマイクロ回路に適用する場合、厚膜技術は、モノシリック集積回路チップと、能動部品や受動部品が取り付けられたプリント回路基板との間のギャップをまたいで能動デバイスをパッケージ化する手段とみなすことができる。厚膜法の強さは、機能、サイズ、単価コストのトレードオフの結果であり、材料の進歩がこれらの要因の各々に対して、主役を果たしてきた。厚膜材料は、電子回路設計とプロセスの技術者によって明確にされるニーズに合うように開発される。とりわけ新たしい技術者に対しては、材料の観点から厚膜の一般的な知識が提供される。抵抗体、導体及び誘電体の組成物を構成する成分、処理、厚膜複合構造体の性質を理解するための基本的で、簡単な背景的知識を紹介する。）　 
（９イ）「　INTRODUCTION
　Over the past 20 years thick-film materials have been used to manufacture an increasing variety of resistor networks, hybrid integrated circuits, hybrid integrated networks, and components for all segments of the electronics industry: military, industrial, data processing, medical, automotive, telecommunications, and consumer.  Extensive proliferation into these worldwide markets is primarily a consequence of performance latitude, circuit reliability, process economics, and adaptability to circuit miniaturization and high-volume production. Although many factors have contributed to the rapid and sustained growth of thick-film electronics, advances in materials technology have been essential. This paper reviews some of the important advances in materials for microcircuits, with sections covering resistors, conductors, dielectrics, and vehicles. Although much of the materials technology is proprietary, an attempt is made to provide details where possible. Where appropriate, chronological perspective is provided, and the paper is structured in the context of an introduction .  Within this context, references have been omitted. 」（第２１１頁左欄第１６〜３７行）
（当審訳：　緒言
　過去２０年間にわたり、厚膜材料は、多様化する抵抗ネットワーク、ハイブリッド集積回路、ハイブリッド統合ネットワーク、及び電子工業の全ての分野（軍事、工業、データ処理、医療、自動車、電気通信及び消費者）の部品を製造するために利用されてきた。これらの世界市場への広範な拡大は、主に、性能の程度、回路の信頼性、プロセスの製材性並びに回路の小型化及び量産化への適合の結果である。多くの因子が厚膜エレクトロニクスの迅速かつ持続的な成長に寄与したが、材料技術の進歩がその本質をなしている。本稿では、抵抗体、導体、誘電体及びビヒクルを扱う分野におけるマイクロ回路材料の重要な進歩のいくつかを取り上げる。材料技術の多くには所有権者がいるが、できる限り詳細を提示するように試みる。適宜、時系列的な展望を示し、「入門」の観点から本稿を構成している。このような観点のため、参照文献は省略した。） 
（９ウ）「　OVERVIEW OF THE MATERIALS AND THE PROCESS
　Thick-film compositions are dispersions of inorganic powders in organics fluid vehicles. The materials exhibit pseudoplastic or thixotropic rheology with viscosity an inverse function of shear rate. They are used to form conductors, resistors, and other passive circuit elements on ceramic substrates such as 85-99-percent alumina. The latter usually are 0.5-1 mm thick with length and width dimensions of 1-10cm.
　Circuit patterns are produced with automated screen printing machines. In principle, the process is much like the age-old silk screening technique in which composition or ink is forced through a screen with a rubber squeegee. A portion of the screen, generally stainless steel in construction, is dammed or masked with a polymeric material such that the screen openings form a pattern. Composition forced through these openings reproduce the pattern on the underlying substrate. The printing process is very fast, and modern machines with in-line feedthrough equipment can pattern nearly 2000 substrates/h. Throughput can be increased significantly when many circuits are printed on a single substrate. For example, conductor patterns for 25 2-cm by 2-cm circuits can be printed simultaneously on a 10 cm by 10 cm substrate. A subsequent scribing and snapping operation separates the individual circuits.
　The pattern is dried below 200℃ and then fired in a conveyor belt furnace adjusted to provide reproducible time-temperature profiles. Firing duration is of the order of 20-60 min and peak firing temperatures are usually set between 600℃ and 1000℃. Most thick-film compositions have a wide firing latitude, and, within relatively broad limits, the precise shape of  the profile is not critical. However, it is important to maintain any given firing schedule as invariant as possible to insure the reproducibility of the performance characteristics of the fired films.
　Conductors and resistors formed by sequential printing and firing yield resistor networks. The attachment of leads completes the circuits. The interconnection of active devices yields hybrid integrated networks. The addition of printed capacitors, monolithic capacitors, and other discrete components yields hybrid integrated circuits, such as the one shown in Fig.1. The thick-film technique can also be used to produce complex multilayer circuits with several layers of printed conductor wiring separated by layers of a printed insulating dielectric. The dielectric is patterned with through-holes, called vias, for the connection of conductors. A thick-film circuit production line requires relatively low inverstment and is very versatile. It is ideal for long production runs  of like parts; and because the turnaround time is fast−that is, the changing of the screens is simple and rapid−it is effective for prototyping or the short-run production of different parts.
　Thick-film microcircuits provide an enormous range of functionality in relatively small packages, particularly compared to printed circuit boards containing discrete components. Also, substrate requirements are much less stringent than those for thin-film circuits, and the overall investment is lower. In many applications thick-film technology can be thought of as a versatile low-cost size-efficient way of packaging active devices.
　Fig.2 is a simplified flowchart for making thick-film microcircuit compositions. Metals, metal oxides, solvents, resins, and other raw materials are converted to intermediates such as metal powders, glass powders, and vehicles by chemical and mechanical processes. The intermediates are combined or formulated to compositions by mechanical processes. The key to producing compositions reproducibly is control of the interdiates; and back integration to intermediates from readily available raw materials is important. With intermediates of controlled high quality, conversion to reproducible compositions is relatively straightforward.
　Fig.3 reviews the major components of thick-film compositions. Each usually contains three basic parts: a functional phase, a permanent binder, and a vehicle. Functional phasee in conductors are usually precious metals and mixtures of precious metals or alloys. However, nitrogen-fireable compositions based on copper are being tested extensively by many firms and are currently being used to produce a limited number of communications circuits. Air-fireable nickel-based materials are important in dc gas discharge displays. The functional phase of early resistors was Pd/PdO/Ag, but today most systems contain conductive oxides such as RuO2 or Bi2Ru2O7. Nitrogenfireable materials with other functional phases are currently being field tested. Typical dielectric functional phases are ferroelectric crystalline oxides such as barium titanate, glasses, glass-ceramics, and mixtures of these materials.
　Historically, permanent binders have been glasses such as aluminosilicates and borosilicates. These are many types of glasses that are effective in binding functional phases to alumina or other ceramic substrates. In the last 10 years mixtures of certain crystalline oxides have been found to work well, and, in some systems, oxides are more effective than glass, particularly at low-volume percent concentrations, yield very dense fired films. Some compositions are formulated with mixtures of oxides and glasses to produce mixed bonded systems.
　A vehicle typically contains two phases: a volatile solvent and a nonvolatile resin. It is the carrier for the particles of the binder and the functional phase that enables them to be screen-printed. 
　During the firing of thick-film patterns the following events occur: first, the volatile portion of the vehicle evaporates; then, combustion of the nonvolatile phase takes place at temperatures between 200 and 400℃. With increasing temperature many important reactions begin to occur. The binder will begin to flow and/or react with the substrate. It may react with the functional phase and will certainly influence the sintering kinetics of the functional phase. An understanding of the essential elements of these reactions is important in the development of materials with the complex combination of performance characteristics needed for high-tolerance reliable circuits. 
　The following sections review some of the important meterials and performance characteristics of resistors, conductors, dielectrics, and vehicles with relevance to modern circuit requirements.」（第２１１頁左欄第３８行〜第２１２頁右欄下から１６行）
（当審訳：　材料及びプロセスの概要
　厚膜組成物は、有機液体ビヒクル中の無機粉末の分散物である。この材料は、粘度がせん断速度の逆関数となるという、擬塑性又はチキソトロピー性のレオロジーを呈する。この材料は、８５〜９９％がアルミナでなるようなセラミック基板上に導体、抵抗体及びその他の受動回路素子を形成するために使用される。基板は、通常、０．５〜１ｍｍの厚みで、長さ及び幅の寸法は１〜１０ｃｍである。
　回路パターンは、自動スクリーン印刷機で作成される。原理的には、このプロセスは、ゴムスキージーにより組成物又はインキがスクリーンを通って押し出される従来のシルクスクリーン印刷技術に非常に類似している。スクリーン開口がパターンを形成するように、一般的にはステンレス鋼で形成される、スクリーンの一部が高分子物質で埋められ、又はマスクされる。この開口を通って押し出された組成物は、下に位置する基板上にパターンを再形成する。印刷プロセスは非常に高速であり、フィールドスルー装置を内蔵する最近の機械では、１時間当たり約２０００基板にパターン形成できる。単一の基板上に多くの回路を印刷する場合は、スループットを有意に増加することができる。例えば、１０ｃｍ×１０ｃｍの基板上に２５個の２ｃｍ×２ｃｍの導体パターンを同時に印刷することができる。後続の溝加工及び割断操作により、個々の回路に分離される。
　パターンは、２００℃未満で乾燥され、再現可能な時間−温度プロファイルとなるように調整された、ベルト搬送式内で焼成される。焼成時間は２０〜６０分程度であり、ピーク焼成温度は、通常、６００℃から１０００℃の間に設定される。ほとんどの厚膜組成物は、広い焼成ラチチュードを有し、比較的広い範囲内で、プロファイル精密さは重要ではない。しかしながら、焼成された膜の性能特性の再現性を保障するためには、与えられた焼成スケジュールを可能な限り変更しないことが重要である。
　逐次的な印刷及び焼成により形成された導体及び抵抗体は、抵抗ネットワークを生成する。リードを取り付けると回路が完成する。能動素子を相互接続するとハイブリッド統合ネットワークが得られる。印刷コンデンサー、モノリシックコンデンサー及び他の個別部品を追加すると、図１に示されるような、ハイブリッド集積回路が得られる。また、厚膜技術を利用して、印刷絶縁誘電体層により分離されたいくつかの印刷導体配線層を有する複合多層回路を生成することができる。誘電体は、導体を接続するためのビアと呼ばれるスルーホールとともにパターン化される。厚膜回路製造ラインは、必要な投資額が比較的低く、非常に汎用性があり、類似のパーツの長期間にわたる製造運転に理想的である。さらに、ターンアラウンド時間が短いために、すなわち、スクリーンの交換が単純かつ迅速であるために、プロトタイプの作成又は異なるパーツの短期間の作成にも有効である。
　厚膜マイクロ回路は、特に個別部品を含有するプリント回路基板と比較して、比較的小さいパッケージで非常に広範な機能を提供する。また、基板の必要条件は、薄膜回路のそれよりも厳しくはなく、投資総額がより低い。多くの用途では、厚膜技術は、能動素子をパッケージ化する汎用的な低コストのサイズ効率の高い方法と考えることができる。
　図２は、厚膜マイクロ組成物を作成するための単純化されたフローチャートである。金属、金属酸化物、溶媒、樹脂及び他の原料は、化学的及び機械的プロセスにより、金属粉末、ガラス粉末、ビヒクル等の中間生成物に変換される。中間生成物は、機械的プロセスによって組み合わされるか、配合されて組成物になる。組成物を再現性よく生成するのに重要な点は、中間生成物の制御であり、容易に入手可能な原料から中間生成物への統合が重要である。制御された高品質の中間生成物を用いれば、再現性のある組成物への変換は比較的容易である。
　図３に、厚膜組成物の主要成分を概説する。通常、３つの基本部分、すなわち、機能相、バインダー及びビヒクルを含有する。導体の機能相は、通常、貴金属及び貴金属の混合物又は合金である。銅系の窒素焼成可能な組成物は、多くの企業により広範囲に試験されており、現在、通信回路の製造に限定的に使用されている。空気焼成可能なニッケル系材料は、直流ガス放電ディスプレイに重要である。初期の抵抗体の機能相は、Ｐｄ／ＰｄＯ／Ａｇであったが、現在のほとんどの系は、ＲｕＯ２やＢｉ２Ｒｕ２Ｏ７等の導電性酸化物を含有する。他の機能相を有する窒素焼成可能な材料は、現在、フィールド試験が行われている。典型的な誘電体機能相は、強誘電体結晶性酸化物、例えば、チタン酸バリウム、ガラス、ガラス−セラミック及びこれらの材料の混合物である。
　歴史的には、バインダーは、アルミノシリケートやボロシリケート等のガラスである。機能相をアルミナ基板又は他のセラミック基板に結合するのに有効な多くのタイプのガラスが存在する。過去１０年間、特定の結晶性酸化物の混合物は、いくつかの系で良好に機能することが見い出されており、酸化物は、特に低堆積％濃度では、ガラスよりも有効であり、非常に密な焼成膜を与える。いくつかの組成物は、混合結合系を生成するように酸化物とガラスとの混合物を用いて配合される。
　ビヒクルとは、典型的には、２相、すなわち、揮発性溶媒及び不揮発性樹脂を含有する。ビヒクルとは、バインダー及び機能相の粒子のスクリーン印刷を可能にする媒介物である。
　厚膜パターンの焼成時、次の事象が生ずる。最初に、ビヒクルの揮発性部分が蒸発し、次いで、２００〜４００℃の温度で不揮発性相の燃焼が生ずる。温度の上昇に伴って、多くの重要な反応が起こり始める。バインダーは、流動及び／又は基板との反応を始める。バインダーは、機能相と反応する可能性があり、機能相の焼結速度に確実に影響する。これらの反応の必須要素を理解することは、許容度の高い信頼性ある回路に必要とされる複雑に組み合わされた性能特性を有する材料を開発するうえで重要である。
　次のセクションでは、最近の回路要件に適合する抵抗体、導体、誘電体及びビヒクルの重要な材料及び性能特性のいくつかを取り上げる。）
（９エ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（第２１２頁のＦｉｇ．１〜３）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　） 
　なお、請求人が提示した甲第１〜２３号証のうち、甲第６、８〜１０、１３〜１４、１７〜１８、２１〜２３号証については、本件特許に係る出願の優先権主張の日前に公知の文献とはいえないので、上記１．〜２．において記載事項の摘示は行わなかった。
　３．［無効理由１］について
（１）甲第１号証に記載された発明 
ア．　上記１．（１ｊ）からすると、甲第１号証には、「低融点ガラス組成物であって、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２、又は適正量のＴｅＯ２前駆体
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物、又は適正量のその前駆体
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物、又は適正量の
　　　前記酸化物の前駆体、及び
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物、又は適正量の当該選ばれた酸化物の
　　うちの１種以上の前駆体とを含み、但し、組成物にＶが含まれている
　　場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下である、低融点ガラス組成物。」、
「金属充填ガラス組成物であって、
　ａ）　２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤
　ｂ）　５〜７５重量％の前記の低融点ガラス組成物
からなり、
重量％は、組成物の合計重量を基礎としている、金属充填ガラス組成物。」、及び、
「その金属充填組成物であって、固形成分が６０〜９５％の範囲内の金属充填半田ガラスペーストが形成されるような量で、有機ビヒクルを付加的に含む、金属充填組成物。」という発明がそれぞれ記載されていると認められる。
イ．　上記ア．に示した発明について、金属充填半田ガラスペーストに注目すると、甲第１号証には、次のことが記載されているといえる。
（イ−１）金属充填半田ガラスペーストは、固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で、金属充填組成物に有機ビヒクルを付加的に含むこと。
（イ−２）前記金属充填組成物は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の低融点ガラス組成物とからなること。
（イ−３）前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
　ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２、又は適正量のＴｅＯ２前駆体
　ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物、又は適正量のその前駆体
　ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物、又は適正量
　　　　の前記酸化物の前駆体、及び
　ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、
　　　又は希土類金属の１種以上の酸化物、又は適正量の当該選ばれた酸化
　　　物のうちの１種以上の前駆体とを含み、但し、組成物にＶが含まれて
　　　ている場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、低融点ガラス組成物であること。
ウ．　上記イ．に示したことによると、金属充填組成物は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の低融点ガラス組成物とからなり、その金属充填組成物に有機ビヒクルを、固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で、付加的に含めたのが、金属充填半田ガラスペーストであるところ、その固形成分には、前記フレーク状又は粉末状の金属充填剤以外に、前記低融点ガラス組成物も含まれるのか否かが明らかではないが、上記１．（１ｃ）の、「本発明の組成物の調製で使用される種々の酸化物は、通常、微粉の形態である。これらの酸化物の前駆体もまた有用であり得るが、但し、それらは、ガラスの溶融温度未満で分解して必要とされる酸化物を形成する。」との記載に照らすならば、前記低融点ガラス組成物は、通常、微粉の形態であるから、前記固形成分には、前記フレーク状又は粉末状の金属充填剤とともに、前記低融点ガラス組成物も含まれるのが、通常であるといえる。
エ．　また、上記１．（１ａ）、（１ｂ）、（１ｆ）によれば、「金属充填半田ガラスペースト」とは、前記低融点ガラス組成物が「半田ガラス組成物」であることを表していると認められる。
オ．　上記ア．〜エ．の検討から、甲第１号証には、金属充填半田ガラスペーストに注目すると、次の発明が記載されているといえる。
「固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で有機ビヒクルを付加的に含む、金属充填半田ガラスペーストであって、
前記固形成分は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の微粉の形態の低融点ガラス組成物とからなり、
前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物とを含み、但し、組成物にＶが含まれて
　　いる場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、半田ガラス組成物である、
金属充填半田ガラスペースト。」に係る発明（以下、「甲１ａ発明」という。）。
（２）　本件訂正発明１と甲１ａ発明との対比
　本件訂正発明１と甲１ａ発明とを対比するに、甲１ａ発明における「金属充填半田ガラスペースト」は、上記１．（１ｆ）によれば、「厚膜」導電ペーストに好適とされているから、本件訂正発明１における「厚膜ペースト組成物」に相当するといえ、また、甲１ａ発明における「フレーク状又は粉末状の金属充填剤」、「有機ビヒクル」は、上記１．（１ｆ）によれば、いずれも、「厚膜」導電ペーストで用いられる成分であるから、それぞれ、本件訂正発明１における「伝導性金属」、「有機媒体」に相当するといえ、また、甲１ａ発明における「固形成分」、「微粉の形態の低融点ガラス組成物」は、それぞれ、本件訂正発明１における「固形分」、「酸化物」に相当する。そして、甲１ａ発明における「固形成分は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の微粉の形態の低融点ガラス組成物とからな」ることは、本件訂正発明１における「全固形分に基づいて伝導性金属８５〜９９．７５重量％」と、「全固形分に基づいて伝導性金属８５〜９５重量％」の範囲で一致し、また、本件訂正発明１における「固形分に基づいて酸化物０．２５〜１５重量％」と、「固形分に基づいて酸化物５〜１５重量％」の範囲で一致する。
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違していると認められる。
＜一致点＞
　ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属８５〜９５重量％と、
  ｂ）固形分に基づいて酸化物５〜１５重量％と、
  ｃ）有機媒体と
を含む厚膜ペースト組成物。
＜相違点＞
相違点１−１:　酸化物が、本件訂正発明１では「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であって、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むのに対し、甲１ａ発明では、微粉の形態の低融点ガラス組成物であって、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで５０〜８５％のＴｅＯ２を含むものの、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であるのか否かが明らかでないし、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含むのか否かが明らかでない点。
相違点１−２:　厚膜ペーストが、本件訂正発明１では「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」ものであるのに対し、甲１ａ発明では、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」ものであるのか否かが明らかでない点。
（３）　相違点についての当審の判断
（３−１）  上記相違点１−１についての当審の判断
ア．　そこで、まず、上記相違点１−１につき検討するに、甲１ａ発明における酸化物は、上記（１）オ．によれば、「微粉の形態の低融点ガラス組成物」をなしており、
「前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、
　　又は希土類金属の１種以上の酸化物とを含み、但し、組成物にＶが含
　　まれている場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、半田ガラス組成物である、」とされている。
イ．　上記ア．に示した低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、５０〜８５％のＴｅＯ２を含んでいるが、上記ア．のような記載では、低融点ガラス組成物を構成する具体的組成が確定できず、低融点ガラス組成物の１モル当たりの重量を確定することができないため、ＴｅＯ２の含有量を重量％に換算することができない。
ウ．　そこで、低融点ガラス組成物を構成する具体的組成についての記載の有無につき、甲第１号証を参照してみるに、上記１．（１ｇ）には、実施例１８として、ＴｅＯ２　７４．４２モル％、ＰｂＯ　４．６５モル％、Ａｇ２Ｏ　１３．９５モル％、ＺｎＯ　６．９８モル％からなり、熱膨張計的軟化温度（以下、単に「軟化温度」という。）Ｔｓが２３５℃で、熱膨張係数ＴＣＥが２１５×１０−７である低融点ガラス組成物、すなわち、軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の半田ガラス組成物（以下、単に「半田ガラス組成物」という。）が記載されている。
エ．　ここで、上記ウ．に示した半田ガラス組成物について、ＴｅＯ２、ＰｂＯ、Ａｇ２Ｏ、ＺｎＯについての１モル当たりの重量は、それぞれ、１５９．６、　２２３．２、　２３１．８、　８１．３９であることを考慮して、重量％に換算したＴｅＯ２の含有量を求めると、次の式により、７１．０５重量％であることが分かる。
　そして、これにより、上記１．（１ｇ）に実施例１８として記載されている半田ガラス組成物は、本件訂正発明１の「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むとの発明特定事項を備えていないことが明らかとなる。
重量％に換算したＴｅＯ２の含有量＝
74.42×159.6／（74.42×159.6＋4.65×223.2＋13.95×231.8＋6.98×81.39）＝　71.05
オ．  また、甲第１号証には、上記１．（１ｈ）に、実施例１〜８の半田ガラス組成物についての記載があり、これらの低融点ガラス組成物について、上記エ．と同様にして、重量％に換算したＴｅＯ２の含有量を求めると、実施例１〜８のうちの、実施例３〜４の半田ガラス組成物は、いずれも、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むとの特定事項を備えていることが明らかとなる。
　すなわち、実施例３としての、ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　１５モル％、Ａｇ２Ｏ　１５モル％からなり、軟化温度Ｔｓが２５０℃で、熱膨張係数ＴＣＥが２２８×１０−７である半田ガラス組成物は、ＴｅＯ２　６２重量％、ＰｂＯ　１９重量％、Ａｇ２Ｏ　１９重量％からなり、
また、実施例４としての、ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　５モル％、Ａｇ２Ｏ　２５モル％からなり、軟化温度Ｔｓが３１０℃で、熱膨張係数ＴＣＥが２４６×１０−７である半田ガラス組成物は、ＴｅＯ２　６２重量％、ＰｂＯ　６重量％、Ａｇ２Ｏ　３２重量％からなることから、
実施例３〜４として記載されている半田ガラス組成物は、いずれも、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むとの特定事項を備えていることが明らかとなるし、また、これらの半田ガラス組成物は、いずれも、ＴｅＯ２とＰｂＯとＡｇ２Ｏとを含んでいることから、テルル−鉛−銀−酸化物であるといえる。
カ．  さらに、甲第１号証には、上記１．（１ｉ）に、実施例９〜１７の低融点ガラス組成物についての記載があり、実施例２と実施例８のそれぞれの３酸化物ガラスに、任意に添加される、ＭｏＯ３、ＷＯ３等の第４の酸化物を１モル％、５モル％、７．５モル％、１０モル％それぞれ添加した低融点ガラス組成物について、軟化温度Ｔｓと熱膨張係数ＴＥＣとを確認すると、ＭｏＯ３、ＷＯ３等の第４の酸化物を添加した、実施例９〜１７の低融点ガラス組成物は、３酸化物ガラスに添加した成分とその添加量に応じて、３酸化物ガラスよりも、軟化温度Ｔｓが少し上昇し、熱膨張係数ＴＥＣが少し低減する傾向にあるものの、軟化温度Ｔｓが３８０℃以下との要件を満たしているから、半田ガラス組成物であることが把握される。
キ．　甲第１号証には、上記オ．〜カ．での検討からすると、甲１ａ発明における半田ガラス組成物として、実施例３〜４のテルル−鉛−銀−酸化物に、任意にＭｏＯ３、ＷＯ３等の第４の酸化物を、例えば、５モル％添加した半田ガラス組成物であって、軟化温度Ｔｓが実施例３の２５０℃や実施例４の３１０℃から少し上昇し、熱膨張係数ＴＥＣが実施例３の２２８×１０−７や実施例４の２４６×１０−７から少し低減した半田ガラス組成物を用いることが記載されているといえるところ、上記ア．に示したとおり、甲１ａ発明は、半田ガラス組成物として、任意に添加するの第４の酸化物としてＬｉの酸化物を用いるものを含んでいる。
ク．　上記オ．〜キ．での検討を踏まえると、甲１ａ発明は、半田ガラス組成物として、実施例３〜４のテルル−鉛−銀−酸化物に、任意にＬｉの酸化物を５モル％添加したものを含んでいるところ、当該半田ガラス組成物は、テルル−鉛−銀−酸化物にＬｉの酸化物を添加したものであるから、テルル−鉛−銀−リチウム−酸化物といえ、そして、当該酸化物は、酸化鉛と酸化テルルと酸化リチウムとを含んでいるから、鉛−テルル−リチウム−酸化物の一態様である。
　そして、それらの半田ガラス組成物は、具体的には、
実施例３のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加したものは、ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　１５モル％、Ａｇ２Ｏ　１５モル％からなる半田ガラス組成物に、任意にＬｉ２Ｏを５モル％添加したものであるから、その添加の結果、
ＴｅＯ２　６６．７モル％、ＰｂＯ　１４．３モル％、Ａｇ２Ｏ　１４．３モル％、Ｌｉ２Ｏ　４．８モル％からなる、半田ガラス組成物となるところ、
Ｌｉ２Ｏについての１モル当たりの重量が２９．８８であることを考慮して、上記エ．と同様にして重量％に換算すると、
ＴｅＯ２　６１．６重量％、ＰｂＯ　１８．５重量％、Ａｇ２Ｏ　１９．２重量％、Ｌｉ２Ｏ　０．８重量％からなる半田ガラス組成物であることが分かるし、
実施例４のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加したものは、ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　５モル％、Ａｇ２Ｏ　２５モル％からなる半田ガラス組成物に、任意にＬｉ２Ｏを５モル％添加したものであるから、その添加の結果、
ＴｅＯ２　６６．７モル％、ＰｂＯ　４．８モル％、Ａｇ２Ｏ　２３．８モル％、Ｌｉ２Ｏ　４．８モル％からなる、半田ガラス組成物となるところ、
Ｌｉ２Ｏについての１モル当たりの重量が２９．８８であることを考慮して、上記エ．と同様にして重量％に換算すると、
ＴｅＯ２　６１．３重量％、ＰｂＯ　６．１重量％、Ａｇ２Ｏ　３１．８重量％、Ｌｉ２Ｏ　０．８重量％からなる半田ガラス組成物であることが分かり、
いずれの半田ガラスも、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むとの特定事項を備えていることが明らかとなる。
　してみると、甲１ａ発明は、半田ガラス組成物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含むテルル−鉛−銀−リチウム−酸化物となる、厚膜ペーストを含んでいるといえ、上記相違点１−１に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えていることとなる。
ケ． よって、上記相違点１−１は実質的な相違点とはいえない。
（３−２）  上記相違点１−２についての当審の判断
サ．　次に、上記相違点１−２につき検討するに、甲１ａ発明の厚膜ペーストは、上記（１）オ．に示したとおり、軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の半田ガラス組成物を備えており、そして、甲第１号証には、上記１．の（１ａ）〜（１ｄ）によれば、ガラス組成物が、２つのガラスの間、またはガラス、金属、またはセラミック材料の組み合わせの間の接着層を形成する半田ガラスとして有用であることから、結合される基板表面に適用され、ガラスが溶融して結合を形成するために、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱されて、前記ガラスが接着結合として働く、ダイアタッチと同様の電子用途に効率的に使用されるとされている。
シ．　甲第１号証には、上記１．の（１ｅ）のように、「金属−セラミック混合物」は、「厚膜」導電ペーストのような電子用途及びアルミナのようなセラミック基板と半導体装置とを結合するダイアタッチ用途に、好適である。」との記載も見受けられるものの、上記サ．に示した甲第１号証の記載事項、及び、上記１．の（１ｊ）に示される甲第１号証の特許請求の範囲の記載を勘案すると、上記１．の（１ｅ）の「「厚膜」導電ペーストのような電子用途」とは、セラミック基板と半導体装置とを結合するダイアタッチ用途と同様の電子用途であり、セラミック基板と半導体装置とを「厚膜」導電ペーストで結合する電子用途を意味していると解される。
ス．　また、甲第１号証全体の記載を参照しても、甲１ａ発明の厚膜ペーストが、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するため」に用いられるとの具体的な記載は見当たらない。
セ．　上記２．の（９ア）〜（９ウ）によれば、厚膜組成物は、導体である機能相、ガラスであるバインダー及びスクリーン印刷を可能にするビヒクルを主要成分として含有するところ、上記（１）オ．に示したとおり、甲１ａ発明の厚膜ペーストも、フレーク状又は粉末状の金属充填剤と半田ガラス組成物と有機ビヒクルと主要成分として含有していることから、厚膜組成物に属すると認められ、そして、その厚膜組成物は、上記２．の（９ア）〜（９ウ）によれば、太陽電池デバイスを含む、電子工業の全ての分野（軍事、工業、データ処理、医療、自動車、電気通信及び消費者）において、セラミック基板上に導体、抵抗体及びその他の受動回路素子を形成するために使用され、ニーズに合うように材料開発されてきたとの事項が技術常識とされているものの、例えば、上記２．の（９ウ）に示されている、厚膜組成物のピーク焼成温度は、通常、６００℃から１０００℃の間に設定されるとの事項やバインダーはアルミノシリケートやボロシリケート等のガラスであるとの事項は、上記サ．に示した、甲１ａ発明の厚膜ペーストについての、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱されて、前記ガラスが接着結合として働くとの事項とは整合しておらず、上記２．の（９ア）〜（９ウ）に記載される、太陽電池デバイスを含む、電子工業の全て分野において使用される等の事項がそのまま、甲１ａ発明の厚膜ペーストに当てはめられるとはいえない。
ソ．　また、上記２．の（８）によれば、厚膜ペーストが焼付け型の銀系の厚膜ペーストである場合、通常、焼成温度が比較的低い（６００〜８５０℃）タイプについては、太陽電池デバイスの前面電極である、シリコン太陽電池のフロントグリッドとして推奨されているが、このためには、ガラス組成物が４００〜６００℃の範囲内のガラス軟化温度を有するようにする必要があるとの事項が技術常識とされているから、上記サ．に示したような、軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の半田ガラス組成物を備えており、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱されて、前記ガラスが接着結合として働く、甲１ａ発明の厚膜ペーストは、焼付け型の銀系の厚膜ペーストであるとはいえない。
タ．　上記シ．〜ソ．での検討を踏まえると、甲１ａ発明の厚膜ペーストが、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するため」に用いられることは、甲第１号証には記載も示唆もされていないといえるため、上記相違点２は実質的な相違点である。
（４）　小括
　以上の検討により、本件訂正発明１は甲第１号証に記載された発明と同一とはいえず、［無効理由１］によっては、本件訂正発明１の特許を無効とすることはできない。
　４．［無効理由２］について
（１）　上記第４の１．の［無効理由２］（１）に示した、本件訂正発明１に関する無効理由について検討する。
（１−１）甲第１号証に記載された発明 
　甲第１号証に記載された発明は、上記３．の（１）で検討したとおりのものであるところ、上記３．の（２）に示したように、「金属充填半田ガラスペースト」は「厚膜」導電ペーストに好適とされているから、「金属充填半田ガラスペースト」を「厚膜導電ペースト」と読み替えると、次のとおりのものである。　
「固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で有機ビヒクルを付加的に含む、厚膜導電ペーストであって、
前記固形成分は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の微粉の形態の酸化物の低融点ガラス組成物とからなり、
前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物とを含み、但し、組成物にＶが含まれて
　　いる場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、半田ガラス組成物である、
厚膜導電ペースト。」に係る発明（以下、「甲１ｂ発明」という。）
（１−２）　本件訂正発明１と甲１ｂ発明との対比・判断
ア．　本件訂正発明１と甲１ｂ発明とを対比するに、上記３．（２）での検討と同様にして、両者は、次に示す相違点１−３〜１−４の点で相違し、その余の点で一致していると認められる。
相違点１−３：　酸化物が、本件訂正発明１では「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であって、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むのに対し、甲１ｂ発明では、微粉の形態の酸化物の低融点ガラス組成物であって、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで５０〜８５％のＴｅＯ２を含むものの、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であるのか否かが明らかでないし、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含むのか否かが明らかでない点。
相違点１−４：　厚膜ペーストが、本件訂正発明１では「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」ものであるのに対し、甲１ｂ発明では、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」ものであるのか否かが明らかでない点。
イ．　上記相違点１−３につき検討するに、その相違点は上記相違点１−１と同じ相違点であり、当該相違点については、上記３．（３−１）ア．〜ク．での検討と同様にして、甲第１号証には、甲１ｂ発明における半田ガラス組成物が、
実施例３のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加した、ＴｅＯ２　６１．６重量％、ＰｂＯ　１８．５重量％、Ａｇ２Ｏ　１９．２重量％、Ｌｉ２Ｏ　０．８重量％からなる半田ガラス組成物である場合、及び、
実施例４のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加した、ＴｅＯ２　６１．３重量％、ＰｂＯ　６．１重量％、Ａｇ２Ｏ　３１．８重量％、Ｌｉ２Ｏ　０．８重量％からなる半田ガラス組成物である場合（以下、甲１ｂ発明における半田ガラス組成物がこれらの半田ガラス組成物のいずれかである場合を「甲１ｂ’発明」という。）も記載されているところ、
このような甲１ｂ’発明において半田ガラス組成物は、テルル−鉛−銀−酸化物にリチウム酸化物を添加したものであるから、テルル−鉛−銀−リチウム−酸化物といえ、そして、当該酸化物は、酸化鉛と酸化テルルと酸化リチウムとを含んでいるから、鉛−テルル−リチウム−酸化物の一態様であるし、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含」むとの特定事項を備えているから、甲１ｂ’発明は、上記相違点１−３に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えていることとなる。
ウ．　よって、上記相違点１−３は実質的な相違点とはいえない。
エ．　次に、上記相違点１−４につき検討するに、その相違点は上記相違点１−２と同じ相違点であり、上記３．（３−２）サ．〜ソ．での検討と同様にして、甲１ｂ’発明を含む、甲１ｂ発明の厚膜ペーストが、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するため」に用いられることは、甲第１号証には記載も示唆もされていないから、上記相違点１−４は実質的な相違点である。
オ．　そうすると、［無効理由２］により本件訂正発明１の特許を無効とするには、上記相違点１−３に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備える、甲１ｂ’発明の厚膜ペーストを含む、甲１ｂ発明の厚膜ペーストに、上記相違点１−４に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到できたといえるか、また、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたといえる必要があるので、これらの観点から、以下、検討する。
カ．　ファイアースルーとは、本件の明細書にも記載されているように、ｐ型シリコンでなる半導体基板の前面全体にｎ型拡散層が形成され、そのｎ型拡散層の上に反射防止層が形成された、太陽電池デバイスに対し、前記反射防止層の上に電極を形成するにあたって、前記反射防止層の上に印刷した厚膜ペーストが焼成の間に焼結して前記反射防止層を貫通し、それによって前記ｎ型拡散層との電気的接触を達成するプロセスのことであるとされており（【００４４】〜【００５２】）、そして、ファイアースルーを行うために用いられる厚膜ペーストが、上記相違点１−４に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えた厚膜ペーストである。
　そうすると、上記オ．の観点からの検討は、甲１ｂ’発明の厚膜ペーストを含む、甲１ｂ発明の厚膜ペーストを、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から、あるいは、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから、ファイアースルーを行うために用いることが容易に想到できたといえるか否かの検討を行うこととなる。
キ．　ここで、甲１ｂ’発明の厚膜ペーストは、上記イ．に示したように、半田ガラス組成物として、甲第１号証の実施例３のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加した、半田ガラス組成物、あるいは、
甲第１号証の実施例４のテルル−鉛−銀−酸化物に任意にＬｉの酸化物を５モル％添加した、半田ガラス組成物を備えたものであるところ、
Ｌｉの酸化物は任意に添加された成分にすぎないから、甲１ｂ’発明の厚膜ペーストをファイアースルーを行うために用いることができるというには、Ｌｉの酸化物が添加されていない場合にも、ファイアースルーを行うために用いることができるといえる必要がある。
　そのため、甲１ｂ’発明の厚膜ペーストが備える半田ガラス組成物にＬｉの酸化物が添加されていない場合、すなわち、甲１ｂ発明の厚膜ペーストが半田ガラス組成物として、甲第１号証の実施例３〜４のテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物を備える場合に、当該厚膜ペーストを、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から、あるいは、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから、ファイアースルーを行うために用いることが容易に想到できたといえるか否かの検討を行う必要がある。
ク．　ところで、上記２．の末尾で指摘したとおり、甲第２、４、５、９〜１６号証のうち、甲第９〜１０、１３〜１４号証は、本件特許に係る出願の優先権主張の日前に公知の文献とはいえないので、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術との主張について、周知技術の内容把握は、実質的には、甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証から行うこととなる。
ケ．　甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証には、ファイアースルーについて、次のような事項が記載されている。
（ケ−１）　甲第２号証には、上記１．（２ａ）〜（２ｇ）によれば、
反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触を得ることのできる導電性ペーストは、そのペーストに含まれる低融点ガラスの組成が、重量％で、ＳｉＯ２  １〜１０、Ｂ２Ｏ３  ５〜１５、Ａｌ２Ｏ３  １〜１５、ＰｂＯ  ６８〜８９、ＣｕＯ  ０〜１０、ＴｉＯ２  ０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスである、（以下、「低融点ガラスの組成が所定組成である」という。）導電性ペーストであり、前記低融点ガラスの組成が所定組成である実施例１〜５の導電性ペースト、及び、前記低融点ガラスの組成が所定組成と異なる比較例１〜４の導電性ペーストを、太陽電池デバイスの窒化珪素でなる反射防止膜の上にスクリーン印刷して、電気炉で８００℃の条件下で焼成したところ、実施例１〜５の導電性ペーストを用いた場合には、前記反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触を得ることができたものの、前記低融点ガラスの組成が所定組成ではない比較例３〜４の導電性ペーストを用いた場合には、半導体基板と表面電極とのオーミック接触を得ることができなかったという事項が記載されている。
（ケ−２）　甲第４号証には、上記２．（２ア）〜（２オ）によれば、
導電性銀粉末と、粒径が７ナノメートルから１００ナノメートル未満の範囲内にあるＺｎ含有添加剤と、ガラスフリットとが、有機媒体中に分散されている、太陽電池デバイスの正面に使用される導電性銀ペーストであって、前記ガラスフリットは、全ガラスフリットに対して、ＳｉＯ２を２１〜２９重量パーセント、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜８重量パーセント、ＰｂＯを５０〜６２重量パーセント、Ｂ２Ｏ３を７〜１０重量パーセント、ＺｎＯを０〜４重量パーセント、Ｌｉ２Ｏを０〜０．１重量パーセント、およびＴｉＯ２を２〜７重量パーセント含むという、導電性銀ペーストを、窒化シリコン膜上にスクリーン印刷し、７００から９７５℃の温度範囲で、酸素と窒素との混合ガスを流通させながら、赤外炉内で焼成することで、前記導電性銀ペーストが、窒化シリコンと反応しかつ窒化シリコン膜に浸透することが可能となるという事項が記載されている。
（ケ−３）　甲第５号証には、上記１．（３ａ）〜（３ｆ）によれば、
太陽電池の前面コンタクトを製造するための、ペースト組成物であって、固体部分及び有機部分を含み、該固体部分が約８５〜約９９重量％の銀成分、及び、約１〜約１５重量％のガラス成分を含み、該ガラス成分が約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含み、Ｂ２Ｏ３を含まない、ペースト組成物を、シリコン基板に塗布して乾燥させ、炉設定温度約６５０〜９５０℃で焼成して金属を焼結させ、その焼成中、反射防止層が前記ガラスによって酸化、腐食されて、シリコンへのコンタクトを形成する工程が含まれるという事項が記載されている。
（ケ−４）　甲第１１号証には、上記２．（４ア）〜（４イ）によれば、
絶縁基板としてのガラス基板３上に形成された所定のパターンを有する導体配線層５、５ａと、陽極導体層９および蛍光体層１１からなる陽極１３との導通接続は、黒色を呈している絶縁体層７の所定位置に形成されているスルーホール７ａを通して行われているという、蛍光表示管１の構成が記載されているだけであり、ファイアースルーについて事項は記載されていない。
（ケ−５）　甲第１２号証には、上記２．（５ア）〜（５オ）によれば、
太陽電池の前面コンタクトを作成するための、厚膜ペーストであって、固体部分と有機部分とを含み、該固体部分が、銀を含む導電性金属成分約８５〜約９９重量％と、Ｂｉ２Ｏ３約５〜約８５モル％とＳｉＯ２約１〜約７０モル％とを含むガラス成分約１〜約１５重量％と、を含み、該ガラス成分がＰｂＯを含まない、厚膜ペーストを、シリコン基板に塗布し、乾燥し、炉設定温度約６５０〜９５０℃で空気中で焼成して金属を焼結し、焼成中、反射防止ＳｉＮＸ層がガラスによって酸化、腐食され、Ｓｉ基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成されるという事項が記載されている。
（ケ−６）　甲第１５号証には、上記２．（６ア）〜（６エ）によれば、今日の産業における結晶シリコン光起電力電池は、通常、光の吸収を促進し、光起電力電池の効率を向上するための、反射防止膜で被覆されているが、その反射防止膜は絶縁体としても作用するので、基板とオーミック接触を有する金属接点を形成するために、導電性インクはガラスフリットを包含しており、ガラスフリットが液化した場合、反射防止膜を一部の金属粒子や基板と同様に溶解し、温度が低下した時点で、融解した銀及び融解又は溶解した基板は液相を通じて再結晶化し、その結果、銀の結晶子の一部は反射防止層を突き抜け、基板との抵抗接点を形成することができるところ、当該導電性インクが、ＴｅＯ２、Ｂ２Ｏ３並びにＢｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２の１種以上を含み、且つ意図的に添加された鉛を含まないガラスフリットを含んでいると、そのガラスフリットは、通常、光起電性製品において反射防止層として使用される、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ等の難溶性物質を溶解する傾向があるという事項が記載されている。
（ケ−７）　甲第１６号証には、上記２．（７ア）〜（７オ）によれば、太陽電池のフロントグリッドを印刷するための導電性ペーストは、Ａｇ粉末と、酸化鉛等の金属酸化物と二酸化珪素との混合物であるガラスフリット及びＧｅ等の単体金属である改質剤と、揮発性溶媒と、不揮発性ポリマー又は樹脂とで構成され、その導電性ペーストは、太陽電池の窒化珪素反射防止膜上にスクリーン印刷され、約１５０℃で乾燥されて揮発性溶媒が蒸発され、３００〜４００℃でバーンアウトされて不揮発性ポリマー又は樹脂が除去され、７００〜８００℃で焼成されて溶融Ａｇを含む溶融ガラスが窒化珪素反射膜をエッチングしてＳｉ表面に達し、次いで、ガラス中のＡｇが結晶化形態でＳｉ表面上に析出して接点が形成されるという事項が記載され、前記接点の形成モデル、及び、前記接点の形成要件が詳細に記載されている。
コ．　上記（ケ−１）〜（ケ−７）を参照すると、厚膜ペーストをファイアースルーを行うために用いることは周知であるとしても、ファイアースルーを行うためには、太陽電池デバイスの難溶性の反射防止層の上に印刷された、厚膜ペーストが焼成の間に焼結し、前記厚膜ペーストに含有されていた溶融ガラスが前記難溶性の反射防止層を溶解して貫通する必要があるため、どのような厚膜ペーストであってもファイアースルーを行うために用いることができるというわけではなくて、例えば、上記（ケ−１）にも明示されるように、厚膜ペーストに含まれる低融点ガラスの組成が所定組成である必要があるといえる。また、上記２．（８）に示されている、太陽電池用として得られる厚膜ペーストの性質の制御は、容易な作業ではなく、マイクロ構造⇔性質⇔処理の関係の十分な理解が必要になるとの技術常識を考慮すると、ファイアースルーを行うために用いられていない厚膜ペーストを、ファイアースルーを行うために用いることは容易なことではないといえる。
サ．　甲１ｂ発明の厚膜ペーストが半田ガラス組成物として、上記キ．に示した、甲第１号証の実施例３のテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物を備えるとは、具体的には、上記３．（３−１）オ．に示したとおり、
ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　１５モル％、Ａｇ２Ｏ　１５モル％からなるガラス組成物、重量％に換算すると、
ＴｅＯ２　６２重量％、ＰｂＯ　１９重量％、Ａｇ２Ｏ　１９重量％からなるガラス組成物を備えることであるし、
また、甲１ｂ発明の厚膜ペーストが半田ガラス組成物として、上記キ．に示した、甲第１号証の実施例４のテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物を備えるとは、具体的には、上記３．（３−１）オ．に示したとおり、
ＴｅＯ２　７０モル％、ＰｂＯ　５モル％、Ａｇ２Ｏ　２５モル％からなるガラス組成物、重量％に換算すると、
ＴｅＯ２　６２重量％、ＰｂＯ　６重量％、Ａｇ２Ｏ　３２重量％からなるガラス組成物を備えることであるところ、
甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証を参照しても、甲第１号証の実施例３〜４の半田ガラス組成物を備える、甲１ｂ発明の厚膜ペーストをファイアースルーを行うために用いることが容易に想到できたとはいえない。
　すなわち、ファイアースルーを行うために用いることができる厚膜ペーストに含まれるガラスについて、
上記（ケ−１）を参照すると、甲第２号証では、重量％で、ＳｉＯ２ を１〜１０、Ｂ２Ｏ３ を５〜１５、Ａｌ２Ｏ３ を１〜１５、ＰｂＯを ６８〜８９、ＣｕＯを ０〜１０、ＴｉＯ２ を０〜１０含むガラスとされており、
上記（ケ−２）を参照すると、甲第４号証では、重量％で、ＳｉＯ２を２１〜２９、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜８、ＰｂＯを５０〜６２、Ｂ２Ｏ３を７〜１０、ＺｎＯを０〜４、Ｌｉ２Ｏを０〜０．１、およびＴｉＯ２を２〜７含むガラスとされており、
上記（ケ−３）を参照すると、甲第５号証では、モル％で、ＰｂＯを約１５〜約７５、ＳｉＯ２を約５〜５０含み、Ｂ２Ｏ３を含まないガラスとされており、
上記（ケ−４）を参照すると、甲第１１号証では、ファイアースルーを行うために用いることができる厚膜ペーストは記載されておらず、
上記（ケ−５）を参照すると、甲第１２号証では、モル％で、Ｂｉ２Ｏ３を約５〜約８５、ＳｉＯ２を約１〜約７０含み、ＰｂＯを含まないガラスとされており、
上記（ケ−６）を参照すると、甲第１５号証では、ＴｅＯ２、Ｂ２Ｏ３並びにＢｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２の１種以上を含み、且つ意図的に添加された鉛を含まないガラスとされており、
上記（ケ−７）を参照すると、甲第１６号証では、酸化鉛等の金属酸化物と二酸化珪素との混合物であるガラスとされていることから、
甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証のいずれにも、甲第１号証の実施例３〜４のテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物が、ファイアースルーを行うために用いることができる厚膜ペーストに含まれる所定組成のガラスに属することは記載されていない。
　そうすると、甲第１号証の実施例３〜４の半田ガラス組成物を備える、甲１ｂ発明の厚膜ペーストは、甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証を参照しても、太陽電池用の厚膜ペーストに属するとはいえない。
シ．　また、甲１ｂ発明において、実施例３〜４の半田ガラス組成物以外のテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物を備える厚膜ペーストについても、上記サ．の検討と同様にして、甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証を参照しても、太陽電池用の厚膜ペーストに属するとはいえない。
ス．　そして、上記コ．に示したように、太陽電池用として得られる厚膜ペーストの性質の制御は、容易な作業ではないとの技術常識を考慮すると、ファイアースルーを行うために用いられてはいない甲１ｂ発明の厚膜ペーストを、ファイアースルーを行うために用いることは容易なことではないといえる。
　したがって、甲第２、４、５、１１〜１２、１５〜１６号証を参照しても、甲１ｂ発明の厚膜ペーストは、ファイアースルーを行うために用いることが容易に想到できた厚膜ペーストであるとはいえない。
セ．　上記オ．〜ス．の検討を踏まえると、甲１ｂ発明の厚膜ペーストに、上記相違点１−４に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到できたとはいえない。
ソ．　また、甲第３及び７号証には、次のような事項が記載されている。
（ソ−１）　甲第３号証には、上記２．（１ア）〜（１オ）によれば、
アルミナ基板上に抵抗器の電極を形成するのに使用される導体ペーストであって、銀、パラジウム、白金の内少なくとも一つの成分からなる導電性粉末１００重量部、及び、無機結合材としてＰｂＯ：５０〜６０重量％、ＳｉＯ２：２５〜３５重量％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２の合計３〜８重量％、及びＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏの合計６〜９重量％からなるガラス５〜２０重量部とを、有機ビヒクル中に分散させてなる導体ペーストに関し、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏは、ガラスの融点を低下させる効果をもたらすという事項が記載されている。
（ソ−２）　甲第７号証には、上記２．（３）によれば、
精密に形状や表面を加工した型によりプレスして直接製造するモールドプレスにより製造されるレンズにおいて用いられる光学ガラスに関し、アルカリ金属酸化物、とくにＬｉ２Ｏ、２価成分ではＰｂＯ、ＺｎＯがガラスの軟化温度を低下させるという事項が記載されている。
タ．　甲第３号証には、上記（ソ−１）に示されるように、アルミナ基板上に抵抗器の電極を形成するのに使用される導体ペーストで用いられる、ＰｂＯ：５０〜６０重量％、ＳｉＯ２：２５〜３５重量％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２の合計３〜８重量％含むガラスに関し、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏは、ガラスの融点を低下させる効果をもたらすという事項が、また、甲第７号証には、上記（ソ−２）に示されるように、モールドプレスにより製造されるレンズにおいて用いられる光学ガラスに関し、Ｌｉ２Ｏ、２価成分ではＰｂＯ、ＺｎＯがガラスの軟化温度を低下させるという事項が、それぞれ記載されている。
　しかしながら、甲１ｂ発明における半田ガラス組成物はテルル−鉛−銀−酸化物の半田ガラス組成物であって、
甲第３号証に記載されるような、ＰｂＯ：５０〜６０重量％、ＳｉＯ２：２５〜３５重量％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２の合計３〜８重量％含むガラスではないし、
甲第７号証に記載されるような、モールドプレスにより製造されるレンズにおいて用いられる光学ガラスでもない。
　そのため、甲第３及び７号証に記載の発明を甲１ｂ発明の厚膜ペーストと組み合わせることに合理性はない。
　そして、上記オ．〜ス．の検討も勘案すると、甲１ｂ発明の厚膜ペーストに、上記相違点１−４に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたともいえない。
チ．　上記ソ．〜タ．の検討を踏まえると、甲１ｂ発明の厚膜ペーストに、上記相違点１−４に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが、甲第３及び７号証に記載の発明と甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたとはいえない。
（１−３）　小括
　以上の検討により、本件訂正発明１の特許は、［無効理由２］によっては、無効とすることはできない。
（２）　上記第４の１．の［無効理由２］（２）に示した、本件発明２に関する無効理由について検討する。
（２−１）　甲第１号証に記載された発明
ナ．　上記（１−１）に示した甲１ｂ発明の厚膜導電ペーストに関して、甲第１号証には、上記１．（１ｄ）によれば、「本発明の低融点組成物は、…結合される基板表面に適用されてもよいし、あるいは、基板に塗布するために用いられる、ガラスペーストを形成する有機ビヒクルと混合された、ガラス粉末として、結合される基板表面に適用されてもよい。まず最初に、基板は有機ビヒクルが「焼失する」温度まで加熱され、次いで、ガラスが溶融されてシールが形成されるのに十分な温度に加熱される。一般的に、組成物は、ガラスを溶融して結合を形成するために、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱される。…本発明のガラスは、ガラスが接着結合の全体または一部として働く、…ダイアタッチ又は同様の電子ペースト製剤に、効率的に使用される。」との記載があり、
上記１．（１ｅ）によれば、「金属−ガラス混合物は、有機ビヒクルと混合したペーストとしてもよい。…金属−ガラス混合物は、「厚膜」導電ペーストのような電子用途及びアルミナのようなセラミック基板と半導体装置とを結合するダイアタッチ用途に、好適である。」との記載があり、
上記１．（１ｆ）によれば、「本発明の半田ガラス及びペーストは、金属−ガラスの又はセラミックの基板上に、通常０．５〜５００μｍの範囲内の厚さで、被覆される。…ダイアタッチ用途の際には、…ダイは、ウエットペーストの中心に位置するように接触され、圧力をかけて設置される…その後、構造物は、有機ビヒクルが「焼失する」ように加熱処理され、その後、低融点ガラス組成物を溶融させるように温度が上げられる。」との記載があり、
また、上記１．（１ｊ）によれば、その特許請求の範囲に、
「…
請求項２８．　同じか異なり、ガラス、金属又はセラミックから選択された二つの基板の表面を結合する方法であって、前記方法は、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の低融点ガラス組成物を結合層形成材料として使用することを含む、方法。
請求項２９．　請求項２８に記載の方法であって、ガラス組成物が、溶融ガラス、成形されたプリフォーム又は有機ビヒクルと混合された粉末化されたガラスとして結合表面に適用される方法。」という発明が記載されている。
ニ．　そして、上記１．（１ｅ）の「「厚膜」導電ペーストのような電子用途」とは、上記３．の（３−２）シ．での検討と同様にして、セラミック基板と半導体装置とを「厚膜」導電ペーストで結合する電子用途を意味していると解される。また、ダイアタッチ用途の際の「ダイ」が「半導体装置」を意味していることは技術常識である。
ヌ．　上記ナ．〜ニ．の検討から、甲第１号証には、甲１ｂ発明の厚膜導電ペーストの使用方法に注目すると、次の発明が記載されているといえる。
「厚膜導電ペーストが、結合される基板表面上に０．５〜５００μｍの範囲内の厚さで被覆され、そのペーストの中心に位置するように半導体装置が接触されて圧力をかけて設置され、前記基板は、有機ビヒクルが焼失するように加熱処理され、その後、ガラスを溶融して前記基板と前記半導体装置と結合を形成するために、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱される方法であって、
前記厚膜導電ペーストは、固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で有機ビヒクルを付加的に含む、前記厚膜導電ペーストであって、
前記固形成分は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の微粉の形態の酸化物の低融点ガラス組成物とからなり、
前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物とを含み、但し、組成物にＶが含まれて
　　いる場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、半田ガラス組成物である、
前記方法。」に係る発明（以下、「「甲１ｃ発明」という。）
（２−２）　本件発明２と甲１ｃ発明との対比
　本件発明２と甲１ｃ発明とを対比するに、甲１ｃ発明における「厚膜導電ペースト」は、上記（１−２）ア．〜ウ．での検討を踏まえると、
本件発明２における「厚膜ペースト組成物が、
ｉ）前記組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、
ｉｉ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、
ｉｉｉ）有機媒体とを含む」との発明特定事項を備えていると認められる。
　してみると、両者は、次に示す相違点１−５の点で相違し、その余の点で一致していると認められる。
相違点１−５：方法が、本件発明２では、「
（ａ）半導体基板の少なくとも１つの表面上に堆積された１つまたは複数の絶縁膜を含む前記半導体基板を提供する工程と、
（ｂ）厚膜ペースト組成物を前記絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程と、
（ｃ）前記半導体基板、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して前記厚膜ペーストの前記有機媒体が揮発させられ、１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む」のに対し、
甲１ｃ発明では、それらの工程を含まない点。
（２−３）　相違点１−５についての当審の判断
　本件発明２が備えている上記相違点１−５の発明特定事項は、上記（１−２）カ．に示したとおりの、ファイアースルーというプロセスであるところ、甲第１号証に記載されている厚膜導電ペーストをファイアースルーというプロセスに使用することは、上記（１−２）オ．〜ス．での検討と同様にして、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到できたとはいえないし、また、上記（１−２）ソ．〜タ．での検討と同様にして、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたともいえない。
　
（２−４）　小括
　よって、本件発明２の特許は、［無効理由２］によっては、無効とすることはできない。
　
（３）　上記第４の１．の［無効理由２］（３）に示した、本件発明３に関する無効理由について検討する。
（３−１）　甲第１号証に記載された発明
ハ．　上記（１−１）に示した甲１ｂ発明の厚膜導電ペーストを使用して得られる物に関して、甲第１号証には、上記１．（１ｄ）によれば、「本発明の低融点組成物は、…結合される基板表面に適用されてもよいし、あるいは、基板に塗布するために用いられる、ガラスペーストを形成する有機ビヒクルと混合された、ガラス粉末として、結合される基板表面に適用されてもよい。まず最初に、基板は有機ビヒクルが「焼失する」温度まで加熱され、次いで、ガラスが溶融されてシールが形成されるのに十分な温度に加熱される。一般的に、組成物は、ガラスを溶融して結合を形成するために、３００〜４５０℃の範囲の温度に加熱される。…本発明のガラスは、ガラスが接着結合の全体または一部として働く、…ダイアタッチ又は同様の電子ペースト製剤に、効率的に使用される。」との記載があり、
上記１．（１ｅ）によれば、「金属−ガラス混合物は、有機ビヒクルと混合したペーストとしてもよい。…金属−ガラス混合物は、「厚膜」導電ペーストのような電子用途及びアルミナのようなセラミック基板と半導体装置とを結合するダイアタッチ用途に、好適である。」との記載があり、
また、上記１．（１ｊ）によれば、その特許請求の範囲に、
「…
請求項２５．　請求項１〜１４のいずれか一項に記載の低融点ガラス組成物によって形成される、ガラス、金属またはセラミックの組み合わせの間の接着層。
請求項２６．　請求項２５に記載の接着層の少なくとも一つを含む構造物。
…」という発明が記載されている。
ヒ．　そして、上記１．（１ｅ）の「「厚膜」導電ペーストのような電子用途」とは、上記３．の（３−２）シ．での検討と同様にして、セラミック基板と半導体装置とを「厚膜」導電ペーストで結合する電子用途を意味していると解される。また、ダイアタッチ用途の際の「ダイ」が「半導体装置」を意味していることは技術常識である。
フ．　上記ハ．〜ヒ．の検討から、甲第１号証には、甲１ｂ発明の厚膜導電ペーストを使用して得られる物に注目すると、次の発明が記載されているといえる。
「厚膜導電ペーストによって形成される、セラミック基板と半導体装置との間の接着層の少なくとも一つを含む電子用途の構造物であって、
前記厚膜導電ペーストは、固形成分が６０〜９５％の範囲内となるような量で有機ビヒクルを付加的に含む、前記厚膜導電ペーストであって、
前記固形成分は、２５〜９５重量％のフレーク状又は粉末状の金属充填剤と、５〜７５重量％の微粉の形態の酸化物の低融点ガラス組成物とからなり、
前記低融点ガラス組成物は、酸化物ベースで計算されるモルパーセントで、
ｉ）　５０〜８５％のＴｅＯ２
ｉｉ）０．１〜３０％の銀の酸化物
ｉｉｉ）５〜３０％の鉛の酸化物及び／又は亜鉛の酸化物
ｉｖ）任意に、０．１〜４４．９％のＭｇ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｂ、Ｗ、
　　Ｔｌ、Ｖ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、
　　Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｌａ、又は
　　希土類金属の１種以上の酸化物とを含み、但し、組成物にＶが含まれて
　　いる場合は、５モル％未満の量で存在し、
典型的には、熱膨張計的軟化温度Ｔｓが３８０℃以下の、半田ガラス組成物である、
前記電子用途の構造物。」に係る発明（以下、「「甲１ｄ発明」という。）
（３−２）　本件発明３と甲１ｄ発明との対比
　本件発明３と甲１ｄ発明とを対比するに、甲１ｄ発明における「厚膜導電ペーストによって形成される、セラミック基板と半導体装置との間の接着層の少なくとも一つを含む電子用途の構造物」は、上記（１−２）ア．〜ウ．での検討を踏まえると、
本件発明３における「伝導性金属と鉛−テルル−リチウム−酸化物とを含む箇所を含む物品。」との発明特定事項を備えていると認められる。
　してみると、両者は、次に示す相違点１−６の点で相違し、その余の点で一致していると認められる。
相違点１−６：物品が、本件発明３では、「
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層と、
（ｃ）前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触する電極と
を含む」のに対し、
甲１ｄ発明では、それらを含まない点。
（３−３）　相違点１−６についての当審の判断
　本件発明３が備えている上記相違点１−６の発明特定事項は、本件特許の明細書を参照すると、上記（１−２）カ．に示したとおりのファイアースルーを行うために厚膜ペーストを用いることで得られたものであることを特定した事項といえるところ、甲第１号証に記載されている厚膜導電ペーストをファイアースルーを行うために用いることは、上記（１−２）オ．〜ス．での検討と同様にして、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到できたとはいえないし、また、上記（１−２）ソ．〜タ．での検討と同様にして、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたともいえない。
　そうすると、甲１ｄ発明に上記相違点１−６に係る本件発明３の発明特定事項を備えさせることは、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術から容易に想到できたとはいえないし、また、甲第１号証に記載された発明と、甲第３及び７号証に記載の発明と、甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアスルーの周知技術とから容易に想到できたともいえない。
　
（３−４）　小括
　よって、本件発明３の特許は、［無効理由２］によっては、無効とすることはできない。
（４）　まとめ
　以上の検討により、［無効理由２］によっては、本件訂正発明１、本件発明２、及び、本件発明３の特許を無効とすることはできない。
　５．［無効理由３］について
（１）　上記第４の１．の［無効理由３］（１）に示した、本件訂正発明１に関する無効理由について検討する。
（１−１）甲第２号証に記載された発明 
ア．　上記１．（２ａ）からすると、甲第２号証には、「多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストにおいて、該ペーストに含まれる低融点ガラスの組成が、質量％で
ＳｉＯ２  １〜１０、
Ｂ２Ｏ３  ５〜１５、
Ａｌ２Ｏ３  １〜１５、
ＰｂＯ  ６８〜８９、
ＣｕＯ  ０〜１０、
ＴｉＯ２  ０〜１０
含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスであることを特徴とする導電性ペースト」に係る発明が記載されていると認められる。
イ．　上記ア．に示した導電性ペーストに係る発明は、上記１．（２ｂ）〜（２ｄ）によれば、多結晶Ｓｉ太陽電池に形成される受光面電極において、良好なオーミック接触が得られる導電性ペーストに関し、受光面電極を形成する場合に、反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と受光面電極との良好なオーミック接触をえることのできる導電性ペーストを提供することを発明が解決しようとする課題としており、その課題を、ペーストに含まれる低融点ガラスを上記ア．に示した所定組成のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスにすることで解決したという発明であって、そして、上記１．（２ｆ）によれば、その導電性ペーストは、具体的には、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと上記ア．に示した低融点ガラスの粉、導電性粉末としての銀粉末を所定比で混合し、粘度５００±５０ポイズ程度に調製した導電性ペーストであるとされており、また、ペーストに含まれる低融点ガラスが上記ア．に示した所定組成のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスではない比較例の導電性ペーストは、多結晶Ｓｉ太陽電池用の導電性ペーストとしては適用し得ないとされている。
ウ． 上記ア．〜イ．の検討から、甲第２号証には、導電性ペーストに注目すると、次の発明が記載されていえるといえる。
「多結晶Ｓｉ太陽電池の受光面電極形成用の導電性ペーストであり、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと低融点ガラスの粉、導電性粉末としての銀粉末を所定比で混合し、粘度５００±５０ポイズ程度に調製した導電性ペーストであって、
前記低融点ガラスが、質量％で、ＳｉＯ２ を１〜１０、Ｂ２Ｏ３ を５〜１５、Ａｌ２Ｏ３ を１〜１５、ＰｂＯを６８〜８９、ＣｕＯを０〜１０、ＴｉＯ２を０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスである、導電性ペースト。」に係る発明（以下、「甲２ａ発明」という。）。
（１−２）　本件訂正発明１と甲２ａ発明との対比
　本件訂正発明１と甲２ａ発明と対比するに、上記１．（９ウ）に示される、厚膜組成物は、通常、機能相、バインダー及びビヒクルを含有するとの技術常識を考慮すると、甲２ａ発明における「導電性ペースト」は、機能相である「導電性粉末としての銀粉末」、バインダーである「エチルセルロースと低融点ガラスの粉」及びビヒクルである「αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイル」を含有しているから、厚膜組成物に属しており、本件訂正発明１における「厚膜ペースト組成物」に相当するといえ、また、甲２ａ発明における「結晶Ｓｉ太陽電池の受光面電極形成用の」、「αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイル」、「低融点ガラスの粉」と「導電性粉末としての銀粉末」は、それぞれ、本件訂正発明１における「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための」、「有機媒体」、「固形分」に相当するといえ、甲２ａ発明における「低融点ガラスの粉」、「導電性粉末としての銀粉末」は、それぞれ、本件訂正発明１における「酸化物」、「伝導性金属」に相当するといえる。
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違していると認められる。
＜一致点＞
　ａ）伝導性金属と、
　ｂ）酸化物と、
　ｃ）有機媒体と
　を含み、
　１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物。
＜相違点＞
相違点２−１：厚膜ペースト組成物中に、本件訂正発明１では、「全固形分に基づいて伝導性金属８５〜９９．７５重量％と、」「固形分に基づいて酸化物０．２５〜１５重量％と、」「を含む」のに対して、甲２ａ発明では、固形分が低融点ガラスの粉と導電性粉末としての銀粉末とからなり、前記低融点ガラスの粉と前記銀粉末とを所定比で混合しているものの、それらの具体的な混合比が不明である点。
相違点２−２：酸化物が、本件訂正発明１では、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であって、「前記鉛−テルル−リチウム−酸化物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む」のに対して、甲２ａ発明では、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系であり、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない点。
（１−３）　上記相違点２−１についての当審の判断
カ．　上記１．（２ａ）〜（２ｆ）を参照しても、甲２ａ発明の１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物（以下、「甲２ａ発明の厚膜ペースト」という。）における、低融点ガラスの粉と導電性粉末としての銀粉末との具体的な混合比は、甲第２号証からでは、明らかではない。
キ．　そこで、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する周知技術が甲２ａ発明に適用し得る技術事項かにつき、検討する。
ク．　ここで、上記４．（１−２）ク．での指摘と同様、甲第４、５、９〜１６号証のうち、甲第９〜１０、１３〜１４号証は、本件特許に係る出願の優先権主張の日前に公知の文献とはいえないので、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する周知技術について、周知技術の内容把握は、実質的には、甲第４、５、１１〜１２、１５〜１６号証から行うこととなる。
ケ．　また、甲２ａ発明は、上記（１−１）イ．に示したように、厚膜ペーストに含まれる低融点ガラスを上記（１−１）ア．に示した所定組成のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスにするという発明であるから、甲２ａ発明に適用し得る厚膜ペーストに関する技術事項は、上記（１−１）ア．に示した所定組成のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラス（以下、「甲第２号証に記載された所定組成のガラス」という。）と整合するガラスを備える、厚膜ペーストに限られているといえる。
コ．　甲第４、５、１１〜１２、１５〜１６号証には、ファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関し、次の技術事項が記載されている。
（コ−１）　甲第４号証に記載されているのは、上記２．（２ア）〜（２イ）によれば、太陽電池デバイスの正面に使用される導電性銀ペーストにおけるガラスフリット組成物が、重量％で、ＳｉＯ２を２１〜２９、Ａｌ２Ｏ３を０．１〜８、ＰｂＯを５０〜６２、Ｂ２Ｏ３を７〜１０、ＺｎＯを０〜４、Ｌｉ２Ｏを０〜０．１、およびＴｉＯ２を２〜７含むペーストに関する技術事項であるから、ＳｉＯ２とＰｂＯの含有範囲が甲第２号証に記載された所定組成のガラスとは明らかに異なる。
（コ−２）　甲第５号証に記載されているのは、上記１．（３ａ）〜（３ｅ）によれば、太陽電池の前面コンタクトの製造に用いられる導電性ペーストにおける固体部分が約８５〜約９９重量％の銀成分、及び、約１〜約１５重量％のガラス成分を含み、該ガラス成分が、約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含み、Ｂ２Ｏ３を含まないペーストに関する技術事項であり、Ｂ２Ｏ３の含有量が甲第２号証に記載された所定組成のガラスとは明らかに異なるし、また、上記１．（３ｆ）に示されている具体的ガラス組成物のうち、前記技術事項にもかかわらずＢ２Ｏ３を含んでいる、ｍｏｌ％で、ＰｂＯが６１．５、ＳｉＯが２７．２、Ａｌ２Ｏ３が５．６、Ｂ２Ｏ３が２．４、ＺｒＯ２が２．０、Ｓｂ２Ｏ５が１．４からなるガラス組成物Ｃについて、上記３．（３−１）エ．と同じ要領で重量％に換算してみても、ＰｂＯが８１．７、ＳｉＯが９．７、Ａｌ２Ｏ３が３．４、Ｂ２Ｏ３が１．０、ＺｒＯ２が１．５、Ｓｂ２Ｏ５が２．７からなるガラス組成であるから、Ｂ２Ｏ３の含有量が甲第２号証に記載された所定組成のガラスとは明らかに異なる。
（コ−３）　甲第１１号証に記載の技術事項は、上記２．（４ア）〜（４イ）によれば、蛍光表示管の製造にあたって、スルホールを通じて導体配線層と導通接続させる陽極導体層に関する技術事項であって、ファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する技術事項ではない。
（コ−４）　甲第１２号証に記載の技術事項は、上記２．（５ア）〜（５ウ）によれば、太陽電池の前面コンタクトの形成に使用される厚膜フィルムペーストにおける固体部分が、導電性金属成分約８５〜約９９重量％と、ガラス成分約１〜約１５重量％とを含み、該ガラス成分が、Ｂｉ２Ｏ３約５〜約８５モル％と、ＳｉＯ２約１〜約７０モル％とを含み、ＰｂＯを含まないペーストに関する技術事項であるから、ＰｂＯの含有範囲が甲第２号証に記載された所定組成のガラスとは明らかに異なる。
（コ−５）　甲第１５号証に記載の技術事項は、上記２．（６ア）〜（６エ）によれば、光起電力電池の反射防止膜を突き抜けて、導電グリッド又は金属接点を形成する導電性インクであって、ＴｅＯ２、並びにＢｉ２Ｏ３及びＳｉＯ２の１種以上を含み、更に、Ｂ２Ｏ３を含む、無鉛のガラスフリットと銀とを含む導電性インクに関し、固形分を基準として、無鉛のガラスフリットを３質量％、銀を９７質量％の含有量で有するという技術事項であるから、ＰｂＯの含有範囲が甲第２号証に記載された所定組成のガラスとは明らかに異なる。
（コ−６）　甲第１６号証に記載の技術事項は、上記２．（７ア）〜（７オ）によれば、太陽電池のフロントグリッドを印刷するための導電性ペーストは、Ａｇ粉末と、酸化鉛等の金属酸化物と二酸化珪素との混合物であるガラスフリット及びＧｅ等の単体金属である改質剤と、揮発性溶媒と、不揮発性ポリマー又は樹脂とで構成されるという技術事項であるから、甲第２号証に記載された比較例の導電性ペーストで用いられているガラスフリットも包含する技術事項が示されているといえる。
サ．　上記（コ−１）〜（コ−６）の検討から、甲第４、５、１１〜１２、１５〜１６号証には、ファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関し、甲第２号証に記載された所定組成のガラスと整合するガラスを備えた厚膜ペーストに関する技術事項は記載されていないといえる。
シ．　ただ、上記コ．に示した甲第５、１２及び１５号証の記載事項からすると、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物においては、そのペースト組成物に含まれている、ガラスの組成によらずに、ガラスを３重量％、導電性粒子を９７重量％の含有量で有するということが周知の技術事項であるともいえる。
ス．　そして、上記シ．に示した周知の技術事項を、甲２ａ発明に適用すると、低融点ガラスの粉を３重量％、銀粉末を９７重量％の含有量で有することとなるところ、甲２ａ発明においては、固形分は、低融点ガラスの粉と銀粉末とからなっているため、全固形分に基づいて銀粉末は９７重量％、固形分に基づいて低融点ガラスの粉は３重量％用いることとなり、上記相違点２−１に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えることとなる。
（１−４）　上記相違点２−２についての当審の判断
タ．　上記（１−１）ウ．に示されるように甲２ａ発明が備える低融点ガラスは、質量％で、ＳｉＯ２ を１〜１０、Ｂ２Ｏ３ を５〜１５、Ａｌ２Ｏ３ を１〜１５、ＰｂＯを６８〜８９、ＣｕＯを０〜１０、ＴｉＯ２を０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスであるから、当該ガラスがＴｅＯ２とＬｉ２Ｏと有することは明らかではないところ、上記１．（２ｅ）によれば、甲２ａ発明が備える低融点ガラスには、「一般的な酸化物で表すＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい」とされている。
チ．　しかしながら、上記２．（８）に示されている、太陽電池用として得られる厚膜ペーストの性質の制御は、容易な作業ではなく、マイクロ構造⇔性質⇔処理の関係の十分な理解が必要になるとの技術常識を考慮すると、甲第２号証に「一般的な酸化物で表すＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい」との記載があるだけでは、マイクロ構造⇔性質⇔処理の関係の十分な理解がされているとはいえず、前記低融点ガラスにＴｅＯ２とＲ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）といった複数種の成分を添加し得るまでの実質的な開示があると認定することはできない。
　そのため、甲２ａ発明に、上記１．（２ｅ）に示される、「一般的な酸化物で表すＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＴｅＯ２などを加えてもよい」との甲第２号証記載の技術事項を適用しても、甲第２号証に記載された所定組成のガラスを鉛−テルル−リチウム−酸化物にすることはできない。
ツ．　また、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する周知技術が、甲第２号証に記載された所定組成のガラスを備える、甲２ａ発明の厚膜ペーストに適用し得る技術事項かにつき検討してみても、上記（１−３）ク．〜サ．での検討のとおり、甲第４、５、１１〜１２、１５〜１６号証記載のいずれの技術事項も、甲第２号証に記載された所定組成のガラスと整合するガラスを備えた厚膜ペーストに関する技術事項ではないから、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する周知技術は、甲２ａ発明には適用し得ない。
テ．　また、甲第１号証に記載の厚膜ペーストに関する技術事項が甲２ａ発明の厚膜ペーストに適用し得る技術事項かにつき検討してみても、上記４．（１−２）オ．〜ス．で検討したとおり、甲第１号証に記載の厚膜ペーストは、甲第２号証に記載された所定組成のガラスと整合するガラスを備えた厚膜ペーストに関する技術事項ではないから、甲第１号証に記載の厚膜ペーストに関する技術事項を甲２ａ発明に適用することもできない。
ト．　さらに、甲第３及び７号証記載の技術事項が、甲第２号証に記載された所定組成のガラスを備える、甲２ａ発明に適用し得る技術事項かにつき検討してみても、上記４．（１−２）ソ．〜タ．に示したように、甲第３号証に記載されているのは、ＰｂＯ：５０〜６０重量％、ＳｉＯ２：２５〜３５重量％、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２の合計３〜８重量％含むガラスに関する技術事項であるし、甲第７号証に記載されているのは、モールドプレスにより製造されるレンズにおいて用いられる光学ガラスに関する技術事項であり、いずれの技術事項も、甲第２号証に記載された所定組成のガラスと整合するガラスを備えた厚膜ペーストに関する技術事項ではないから、甲第３及び７号証記載の技術事項を甲２ａ発明に適用することもできない。
ナ．　上記タ．〜ト．での検討を踏まえると、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術を考慮しても、甲２ａ発明に上記相違点２−２に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたとはいえないし、甲第１号証に記載の発明と甲第３、７号証に記載の発明と甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術とを考慮しても、甲２ａ発明に上記相違点２−２に係る本件訂正発明１の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたともいえない。
（１−５）　小括
　よって、本件訂正発明１は、［無効理由３］によっては、無効とすることはできない。
（２）　上記第４の１．の［無効理由３］（２）に示した、本件発明２に関する無効理由について検討する。
（２−１）　甲第２号証に記載された発明
ナ．　上記（１−１）に示した甲２ａ発明の導電性ペーストに関して、甲第２号証には、上記１．（２ｃ）によれば、「【背景技術】
　従来、多結晶Ｓｉ太陽電池はｐ型シリコン基板の一方の面にｎ型シリコン基板層を設けた構造となっており、そのｎ型シリコン層側を受光面とし、受光面側表面に受光効率をあげるための窒化珪素膜などの反射防止膜を設け、さらにその反射防止膜側に半導体と接続した表面電極と、その裏面に裏面電極を設けることで受光により半導体のｐｎ接合に生じた電力を取り出していた。
  このとき、表面電極を形成する場合、受光効率をあげるために形成された窒化珪素膜などの反射防止膜が比較的高い電気抵抗値を持つことから、これら反射防止膜をあらかじめエッチングし、そこへ導電性ペーストなどの電極材料を印刷・焼成することで半導体と電極とを接続していた。
　しかしこのようなエッチングによる方法は工程増によるコストアップなどの理由から、このようなエッチングは行わず、電極材料を直接反射防止膜上に印刷・焼成することで同時に反射防止膜を熔融・除去し電極と半導体とを接続する方法がとられるようになってきた。このとき、表面電極材料の導電性ペーストにリン等の周期表第Ｖ族に属する元素を含有したり(特許文献１参照)、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｃｒ成分を含有したり(特許文献２参照)、様々な添加剤を種々配合し高いオーミック接触を得ようとする方法が提案されている。
…
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
  しかしながら、上記のように表面電極材料に種々金属を含有する添加剤を配合して焼成した場合、半導体と表面電極の間に安定したオーミック接触をえることができなかった。
　そこで本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたもので、反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえることのできる導電性ペーストを提供することにある。」との記載があり、
上記１．（２ｆ）によれば、「表面に窒化珪素層…が形成された１辺３０ｍｍの多結晶シリコンを準備し、その窒化珪素層上部に上記…導電性ペーストをスクリーン印刷した。これらの試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉で８００℃条件下で焼成し、サンプルを得た。」との記載がある。
ニ．　上記ナ．の記載から、甲２ａ発明の導電性ペーストの使用方法は、上記１．（２ｆ）によれば、
「表面に窒化珪素層が形成された１辺３０ｍｍの多結晶シリコンを準備」する工程と、「その窒化珪素層上部に導電性ペーストをスクリーン印刷して試験片を得る」工程と、「得られた試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉で８００℃条件下で焼成し、サンプルを得」るという工程とからなると認められるところ、
上記１．（２ｃ）によれば、「窒化珪素層」は、比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜とされているし、「多結晶シリコン」は、半導体基板とされているし、この発明の「導電性ペースト」は、直接反射防止膜上に印刷・焼成することで反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえることのできる導電性ペーストであるとされている。
ヌ．　上記ナ．〜ニ．の検討から、甲第２号証には、甲２ａ発明の導電性ペーストの使用方法に注目すると、次の発明が記載されていると認められる。
「表面に比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜が形成された１辺３０ｍｍの半導体基板を準備する工程と、
前記反射防止膜上部に導電性ペーストをスクリーン印刷して試験片を得る工程と、
前記試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉で８００℃条件下で焼成して、前記反射防止膜窒化珪素層をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえる工程とからなる方法であって、
前記導電性ペーストが、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと低融点ガラスの粉、導電性粉末としての銀粉末を所定比で混合し、粘度５００±５０ポイズ程度に調製した導電性ペーストであって、
前記低融点ガラスが、質量％で、ＳｉＯ２ を１〜１０、Ｂ２Ｏ３ を５〜１５、Ａｌ２Ｏ３ を１〜１５、ＰｂＯを６８〜８９、ＣｕＯを０〜１０、ＴｉＯ２を０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスである、前記方法。」に係る発明（以下、「甲２ｂ発明」という。）。
（２−２）　本件発明２と甲２ｂ発明との対比
　本件発明２と甲２ｂ発明とを対比するに、甲２ｂ発明における「比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜」、「導電性ペースト」、「試験片」、「αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイル」、「低融点ガラス」、「導電性粉末としての銀粉末」は、上記（１−２）での検討を踏まえると、それぞれ、本件発明２における「絶縁膜」、「厚膜ペースト組成物」、「層状構造物」、「有機溶媒」、「酸化物」、「伝導性金属」に相当するし、また、甲２ｂ発明における「表面に比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜が形成された１辺３０ｍｍの半導体基板を準備する工程」、「前記反射防止膜上部に導電性ペーストをスクリーン印刷して試験片を得る工程」、「前記試験片を、１４０℃のオーブンで１０分間乾燥させ、次に電気炉で８００℃条件下で焼成して、前記反射防止膜窒化珪素層をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえる工程」は、それぞれ、本件発明２における「半導体基板の少なくとも１つの表面上に堆積された１つまたは複数の絶縁膜を含む前記半導体基板を提供する工程」、「厚膜ペースト組成物を前記絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程」、「前記半導体基板、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して前記厚膜ペーストの前記有機媒体が揮発させられ、１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程」に相当するといえる。
　してみると、両者は、次に示す一致点で一致し、次に示す相違点で相違していると認められる。
＜一致点＞
（ａ）半導体基板の少なくとも１つの表面上に堆積された１つまたは複数の絶縁膜を含む前記半導体基板を提供する工程と、
（ｂ）厚膜ペースト組成物を前記絶縁膜の少なくとも一部の上に適用して層状構造物を形成する工程であって、前記厚膜ペースト組成物が、
    ｉ）伝導性金属と、
    ｉｉ）酸化物と、
    ｉｉｉ）有機媒体とを含む工程と、
（ｃ）前記半導体基板、１つまたは複数の絶縁膜、および厚膜ペーストを焼成して前記厚膜ペーストの前記有機媒体が揮発させられ、１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触している電極を形成する工程とを含む方法。
＜相違点＞
相違点２−３：厚膜ペースト組成物が、本件発明２では、「前記組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属８５〜９９．７５重量％と、」「固形分に基づいて酸化物０．２５〜１５重量％と、」「を含む」のに対して、甲２ｂ発明では、固形分が低融点ガラスの粉と導電性粉末としての銀粉末とからなり、前記低融点ガラスの粉と前記銀粉末とを所定比で混合しているものの、それらの具体的な混合比が不明である点。
相違点２−４：酸化物が、本件発明２では、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であるのに対して、甲２ｂ発明では、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系であり、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない点。
（２−３）　相違点についての当審の判断
　上記相違点２−３は、上記（１−２）に示した相違点２−１に相当し、また、上記相違点２−４は、上記（１−２）に示した相違点２−２にほぼ相当する。
　そして、上記相違点２−３については、上記（１−３）カ．〜ス．での検討と同様にして、甲第５、１２及び１５号証に記載のファイアースルーに用いられる厚膜ペーストに関する周知技術を甲２ｂ発明における厚膜ペースト組成物に適用することで、甲２ｂ発明は上記相違点２−３に係る本件発明２の発明特定事項を備えるようになるといえる。
　また、上記相違点２−４については、上記（１−４）タ．〜ト．での検討と同様にして、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術を考慮しても、甲２ｂ発明に上記相違点２−４に係る本件発明２の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたとはいえないし、甲第１号証に記載の発明と甲第３、７号証に記載の発明と甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術とを考慮しても、甲２ｂ発明に上記相違点２−４に係る本件発明２の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたともいえない。
（２−４）　小括
　よって、本件発明２は、［無効理由３］によっては、無効とすることはできない。
（３）　上記第４の１．の［無効理由３］（３）に示した、本件発明３に関する無効理由について検討する。
（３−１）　甲第２号証に記載された発明
ハ．　上記（１−１）に示した甲２ａ発明の導電性ペーストに関して、甲第２号証には、上記１．（２ｃ）によれば、「…従来、多結晶Ｓｉ太陽電池はｐ型シリコン基板の一方の面にｎ型シリコン基板層を設けた構造となっており、そのｎ型シリコン層側を受光面とし、受光面側表面に受光効率をあげるための窒化珪素膜などの反射防止膜を設け、さらにその反射防止膜側に半導体と接続した表面電極と、その裏面に裏面電極を設けることで受光により半導体のｐｎ接合に生じた電力を取り出していた。
  このとき、表面電極を形成する場合、受光効率をあげるために形成された窒化珪素膜などの反射防止膜が比較的高い電気抵抗値を持つことから、これら反射防止膜をあらかじめエッチングし、そこへ導電性ペーストなどの電極材料を印刷・焼成することで半導体と電極とを接続していた。
　しかしこのようなエッチングによる方法は工程増によるコストアップなどの理由から、このようなエッチングは行わず、電極材料を直接反射防止膜上に印刷・焼成することで同時に反射防止膜を熔融・除去し電極と半導体とを接続する方法がとられるようになってきた。…
  しかしながら、上記のように表面電極材料に種々金属を含有する添加剤を配合して焼成した場合、半導体と表面電極の間に安定したオーミック接触をえることができなかった。
…本発明は、上述の問題点を解決すべくなされたもので、反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極との良好なオーミック接触をえることのできる導電性ペーストを提供する」との記載があるところ、
このような記載からは、「窒化珪素層」は、比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜とされているし、「多結晶シリコン」は、半導体基板とされていることは明らかである。
ヒ．　上記ハに示したことから、甲第２号証には、甲２ａ発明の導電性ペーストを使用して得られる物品に注目すると、次の発明が記載されていると認められる。
「半導体基板の受光面側表面に設けられた比較的高い電気抵抗値を持つ反射防止膜の上に導電性ペーストを印刷・焼成することで前記反射防止膜をファイアースルーして半導体基板と表面電極とが良好にオーミック接触するようになった物品であって、
前記導電性ペーストが、αテルピネオールとブチルカルビトールアセテートからなるペーストオイルにバインダーとしてのエチルセルロースと低融点ガラスの粉、導電性粉末としての銀粉末を所定比で混合し、粘度５００±５０ポイズ程度に調製した導電性ペーストであって、
前記低融点ガラスが、質量％で、ＳｉＯ２ を１〜１０、Ｂ２Ｏ３ を５〜１５、Ａｌ２Ｏ３ を１〜１５、ＰｂＯを６８〜８９、ＣｕＯを０〜１０、ＴｉＯ２を０〜１０含むＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系低融点ガラスである、前記物品。」に係る発明（以下、「甲２ｃ発明」という。）。
（３−２）　本件発明３と甲２ｃ発明との対比
　本件発明３と甲２ｃ発明とを対比するに、上記（２−２）での検討と同様にして、両者は、次に示す一致点で一致し、次に示す相違点で相違していると認められる。
＜一致点＞
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層と、
（ｃ）前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、伝導性金属と酸化物とを含む電極と
を含む物品。
＜相違点＞
相違点２−５：酸化物が、本件発明３では、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であるのに対して、甲２ｃ発明では、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＰｂＯ系であり、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない点。
（３−３）　相違点２−５についての当審の判断
　上記相違点２−５は、上記（２−２）に示した相違点２−４と同じであり、上記（１−４）タ．〜ト．での検討と同様にして、甲第４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術を考慮しても、甲２ｃ発明に上記相違点２−５に係る本件発明３の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたとはいえないし、甲第１号証に記載の発明と甲第３、７号証に記載の発明と甲第２、４、５、９〜１６号証に記載のファイアースルーの周知技術とを考慮しても、甲２ｃ発明に上記相違点２−５に係る本件発明３の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたともいえない。
（３−４）　小括
　よって、本件発明３は、［無効理由３］によっては、無効とすることはできない。
（４）　まとめ
　以上の検討により、［無効理由３］によっては、本件訂正発明１、本件発明２、及び、本件発明３の特許を無効とすることはできない。
　６．［無効理由４］について
　上記第４の１．の［無効理由４］に示した、本件発明３に関する無効理由について検討する。
（１）　甲第５号証に記載された発明
ア．　上記１．（３ａ）からすると、甲第５号証には、「 混合物から製造される太陽電池コンタクトであって、該混合物が、
    ａ．固体部分、及び
    ｂ．有機部分を含み、
    ｃ．該固体部分が、
        i．約８５〜約９９重量％の銀成分、及び
        ii．約１〜約１５重量％のガラス成分を含み、
        iii．該ガラス成分が
            ａ．約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、
            ｂ．約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含み、
            ｃ．Ｂ２Ｏ３を含まない
ことを特徴とする太陽電池コンタクト。」に係る発明が記載されている。
イ．　上記ア．に示した太陽電池コンタクトに係る発明は、上記１．（３ｂ）〜（３ｅ）によれば、太陽光を有用な電気エネルギーに変換するシリコン（Ｓｉ）のような半導体によって製造される太陽電池において、通常反射防止膜（ＡＲＣ）で覆われている、太陽光の入射側に形成する前面コンタクトに関し、ガラス媒体を通じて最適な相互作用、結合、及び接触の形成を促進することによって、従来技術の欠点を克服するものであって、ガラス及び銀を含有する混合物が、導電ペーストとして、シリコン基板上に印刷された後に焼成され、ガラスが熔融し、金属が焼結した後、Ａｇ／Ｓｉの導電性単独系統が形成され、バルクペーストとシリコンウェハーの間に導電性のブリッジを作るところ、焼成中に反射防止膜がガラスによって酸化、腐食され、シリコン基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成し、これがシリコンに対してエピタキシャルに結合すると考えられている。
ウ．　上記イ．に示したことからすると、上記ア．に示した太陽電池コンタクトは、絶縁体である反射防止膜で覆われているシリコン基板上に、上記ア．に示した混合物が、印刷された後に焼成されて、焼成中に反射防止膜がガラスによって酸化、腐食され、シリコン基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成され、バルクペーストとシリコン基板の間に導電性のブリッジが作られた太陽電池の前面コンタクトであるといえ、また、上記ア．に示した混合物は導電ペーストであるといえ、また、前面コンタクトは太陽電池に備わっていると認められる。
エ． 上記ア．〜ウ．の検討から、甲第５号証には、次の発明が記載されているといえる。
「絶縁体である反射防止膜で覆われているシリコン基板上に、導電ペーストが、印刷された後に焼成されて、焼成中に反射防止膜がガラスによって酸化、腐食され、シリコン基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成され、バルクペーストとシリコン基板の間に導電性のブリッジが形成された前面コンタクトを備える太陽電池であって、
前記導電ペーストが、固体部分、及び有機部分を含み、前記固体部分が、約８５〜約９９重量％の銀成分、及び、約１〜約１５重量％のガラス成分を含み、前記ガラス成分が約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含み、Ｂ２Ｏ３を含まない、前記太陽電池。」に係る発明（以下、「甲５発明」という。）。
（２）　本件発明３と甲５発明との対比
　本件発明３と甲５発明とを対比するに、甲５発明における「絶縁体である反射防止膜」、「シリコン基板」、「前面コンタクト」、「太陽電池」、「銀成分」、「ガラス成分」は、それぞれ、本件発明３における「１つまたは複数の絶縁層」、「半導体基板」、「電極」、「物品」、「伝導性金属」、「酸化物」に相当するし、甲５発明における「シリコン基板」を覆う「絶縁体である反射防止膜」は、本件発明３における「半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層」に相当する。そして、甲５発明における「絶縁体である反射防止膜で覆われているシリコン基板上に、導電ペーストが、印刷された後に焼成されて、焼成中に反射防止膜がガラスによって酸化、腐食され、シリコン基板との反応によってＡｇ／Ｓｉ単独系統が形成され、バルクペーストとシリコン基板の間に導電性のブリッジが形成された前面コンタクト」は、「前面コンタクト」がファイアースルーにより形成された「電極」であることを意味していることから、本件発明３における「前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、伝導性金属と酸化物とを含む電極」に相当する。
　してみると、両者は、次に示す一致点で一致し、次に示す相違点で相違していると認められる。
＜一致点＞
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層と、
（ｃ）前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、伝導性金属と酸化物とを含む電極と
を含む物品。
＜相違点＞
相違点３−１：酸化物が、本件発明３では、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」であるのに対して、甲５発明では、Ｂ２Ｏ３を含まず、約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含んでおり、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない点。
（３）　相違点３−１についての当審の判断
カ．　甲５発明における、酸化物は、Ｂ２Ｏ３を含まず、約１５〜約７５ｍｏｌ％のＰｂＯ、約５〜５０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含んでおり、その酸化物の具体例が、ガラス組成物Ａ〜Ｂ、Ｄ〜Ｅとして、上記１．（３ｆ）に示されているところ、いずれの具体例も、ＰｂＯは含んでいるが、ＴｅＯ２とＬｉ２Ｏとを含んでおらず、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない。
　また、甲５発明には属しない発明における酸化物の具体例が、ガラス組成物Ｃとして、上記１．（３ｆ）に示されているところ、その具体例は、ＰｂＯとＢ２Ｏ３とを含んでいるが、ＴｅＯ２とＬｉ２Ｏとを含んでおらず、鉛−テルル−リチウム−酸化物ではない。
キ．　ここで、甲第５号証には、上記１．（３ｇ）〜（３ｈ）によれば、「ガラス組成物からの銀の溶解及び沈殿の反応速度は、アルカリ金属酸化物の存在によって大きく変化する。この点から、本発明の組成物は、さらに、例えば、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ及びＬｉ２Ｏ及びそれらの組み合わせのようなアルカリ金属酸化物を含んでいてもよい。特に、本発明の一実施例のガラス成分は、約０．１〜約１５ｍｏｌ％のＮａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏ、もしくはさらに好適には、約０．１〜約５ｍｏｌ％のこれらのアルカリ金属酸化物を含んでいてもよい。
　前面コンタクトペースト又はインク中のガラスは、効率的な前面コンタクト銀−シリコン界面を形成するために、多くの主要な役割を果たす。前面コンタクトペーストガラスは、焼成を通じて下部のＳｉとのコンタクトを形成するため、一般に窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）又は二酸化チタン（ＴｉＯ２）から作られる反射防止膜を腐食させる。…ガラスはまた、ガラスに溶解しているＡｇ金属を溶解し、Ａｇイオンをシリコン界面へ移動させ、有益なＡｇ／Ｓｉ単独系統を界面で形成するために、ガラスからＡｇを沈殿させる。…」との記載があることから、
甲５発明における酸化物は、約０．１〜約５ｍｏｌ％のＮａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏを含んでいてもよいとされている。
ク．　しかしながら、甲第５号証の全体の記載を参照しても、甲５発明における酸化物にＴｅＯ２を含ませ得ることは記載も示唆もされていない。
ケ．　そこで、甲５発明における酸化物に約０．１〜約５ｍｏｌ％のＮａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ＋Ｌｉ２Ｏを含ませた場合に、甲第１または甲第２号証に記載された発明を組み合わせることで、上記相違点３−１に係る本件発明３の発明特定事項を備えさせることが容易に想到できたといえるか否かにつき検討する。
（ケ−１）　上記４．（３−１）〜（３−３）での検討と同様にして、甲第１号証に記載された発明を、「半導体基板と、前記半導体基板上の１つまたは複数の絶縁層と、前記１つまたは複数の絶縁層と接触し且つ前記半導体基板と電気的接触し、伝導性金属と酸化物とを含む電極とを含む物品」に適用することは容易に想到し得ないことであるから、甲５発明におけるガラスに甲第１号証に記載された発明を適用することに合理性はない。
（ケ−２）　上記５．（１−３）カ．〜サ．での検討と同様にして、Ｒ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）、ＴｅＯ２などを加えてもよいとされる甲第２号証に記載された発明における所定組成のガラスは、Ｂ２Ｏ３の含有量が、甲５発明におけるガラスとは異なっているから、甲５発明におけるガラスに甲第２号証に記載された発明を適用することに合理性はない。
コ．　上記ケ．での検討を踏まえると、甲５発明に甲第１または甲第２号証に記載された発明を組み合わせることに合理性があるとはいえないから、甲５発明おけるガラスに上記相違点３−１に係る本件発明３の発明特定事項を備えさせることは、容易に想到できたとはいえない。
（４）　小括
　よって、本件発明３は、［無効理由４］によっては、無効とすることはできない。
　７．［無効理由５］について
　上記第４の１．の［無効理由５］に示した、本件訂正発明１に関する無効理由について検討する。 
（１）　請求人の主張 
　請求人は、上記［無効理由５］について、甲第８号証を提出して、「特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであ」る（甲第８号証第２４〜２５頁）との判示の観点に立って、本件について検討すると、本件明細書の記載では、鉛、テルル、リチウムおよび酸化物の含有量が規定されることのない、本件訂正発明１が課題を解決できることを当業者が認識できるように記載されているとはいえない旨主張している（平成２７年１２月　９日付けの上申書第５３頁第２９行〜第５９頁下から４行）。 
  
（２）　当審の判断 
（２−１）　判断手法 
　特許法第３６条第６項第１号の規定する要件については、特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断する（知的財産高等裁判所特別部判決平成１７年（行ケ）第１００４２号）。 
  
（２−２）　発明の詳細な説明の記載及び図面の記載  
　上記第２のとおり本件訂正がされたのは、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明のうちの、請求項１に係る発明だけであって、本件特許の発明の詳細な説明の記載及び図面の記載については本件訂正がされなかったことから、それらの記載は本件特許時の明細書の発明の詳細な説明の記載及び図面の記載のとおりであるところ、以下の記載がある。  
ア．「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペーストを提供する。厚膜ペーストは、有機媒体中に分散された伝導性金属またはその誘導体の供給源と鉛−テルル−リチウム−酸化物とを含む。」  
  
イ．「【背景技術】 
【０００２】 
　ｐ型ベースを有する従来の太陽電池構造は典型的に電池の前面（太陽側の面）上にある陰極と裏面上の陽極とを有する。半導体本体のｐ−ｎ接合に当たる適切な波長の放射は、電子−正孔対電荷担体を発生させるための外部エネルギー源として作用する。これらの電子・正孔対電荷担体はｐ−ｎ半導体接合によって発生された電界内で移動し、半導体の表面に適用された導電性グリッドまたは金属コンタクトによって集められる。発生された電流は外部回路に流れる。 
【０００３】 
　典型的に、導電性ペースト（インクとしても知られる）を用いて導電性グリッドまたは金属コンタクトを形成する。導電性ペーストは典型的に、ガラスフリット、導電性種（例えば、銀粒子）、および有機媒体を含有する。金属コンタクトを形成するために、導電性ペーストをグリッドラインまたは他のパターンとして基板上に印刷し、次に焼成し、その間にグリッドラインと半導体基板との間に電気的接触が形成される。」 
  
ウ．「【発明が解決しようとする課題】 
【０００４】
　しかしながら、典型的に、結晶シリコンＰＶ電池を窒化ケイ素、酸化チタン、または酸化ケイ素などの反射防止コーティングでコートして光の吸着を促進し、電池の効率を増加させる。また、このような反射防止コーティングは絶縁体として作用し、金属コンタクトの基板からの電子の流れを損なう。この問題を克服するためには、導電性ペーストは、焼成の間に反射防止コーティングを貫通して半導体基板との電気的接触を有する金属コンタクトを形成しなくてはならない。また、金属コンタクトと基板との間の強い結合の形成（すなわち、接着性）およびはんだぬれ性も望ましい。 
【０００５】 
　反射防止コーティングを貫通して焼成時に基板との強い結合を形成する能力は導電性ペーストの組成および焼成条件に非常に依存している。また、効率、ＰＶ電池の性能の基本的尺度は、焼成された導電性ペーストと基板との間に形成された電気的接触の特性によっても影響される。 
【０００６】 
　良い効率を有するＰＶ電池を製造するための経済的な方法を提供するために、低温において焼成されて反射防止コーティングを貫通し、半導体基板との良い電気的接触を提供することができる厚膜ペースト組成物が必要とされている。」 
  
エ．「【課題を解決するための手段】 
【０００７】 
　本発明の一態様は、 
 ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、 
 ｂ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、 
 ｃ）有機媒体と 
 を含む厚膜ペースト組成物である。 
 …」 
  
オ．「【発明を実施するための形態】 
 … 
【００２１】 
鉛−テルル−リチウム−酸化物組成物 
　本発明の態様は、鉛−テルル−リチウム−酸化物（Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ）組成物に関する。実施形態において、これらの組成物はガラス組成物であってもよい。さらなる実施形態において、これらの組成物は結晶性、部分的に結晶性、非晶質、部分的に非晶質、またはそれらの組合せであってもよい。実施形態において、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ組成物は２つ以上のガラス組成物を含有してもよい。実施形態において、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ組成物は、ガラス組成物と結晶性組成物などの付加的な組成物とを含有してもよい。用語「ガラス」または「ガラス組成物」は、非晶質および結晶性材料の上記の組み合わせのいずれかを表わすために使用される。 
【００２２】 
　実施形態において、本明細書に記載されたガラス組成物は鉛−テルル−リチウム−酸化物を含有する。また、ガラス組成物は、ケイ素、銀、スズ、ビスマス、アルミニウム、セリウム、ジルコニウム、ナトリウム、バナジウム、フッ素（ｆｌｏｕｒｉｎｅ）、ニオブ、ナトリウム、タンタル、カリウム、マグネシウム、リン、セレン、コバルト、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、マンガン、クロム等の付加的な成分を含有してもよい。 
 … 
【００２４】 
　実施形態において、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏを製造するために使用された出発混合物は、（全出発混合物の重量に基づいて）、 
 ３０〜６０重量％、４０〜５５重量％、または４５〜５０重量％であってもよいＰｂＯ、４０〜６５重量％、４５〜６０重量％、または５０〜５５重量％であってもよいＴｅＯ２、０．１〜５重量％、０．２〜３重量％、または０．３〜１重量％であってもよいＬｉ２Ｏを含有してもよい。 
【００２５】 
　さらなる実施形態において、上記のＰｂＯ、ＴｅＯ２、およびＬｉ２Ｏに加えて、Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏを製造するために使用された出発混合物はＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＢｉＦ３、Ｖ２Ｏ５、Ｎａ２Ｏ、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ、Ｐ２Ｏ５、ＳｅＯ２、Ｃｏ３Ｏ４、ＰｄＯ、ＲｕＯ２、ＮｉＯ、ＭｎＯ、Ｃｒ２Ｏ３、またはＡｌ２Ｏ３の１つまたは複数を含有してもよい。… 
 … 
【００２９】 
　さらなる実施形態において、本明細書におけるガラスフリット組成物は、第３の組の成分、すなわち、ＧｅＯ２、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＺｎＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＭｎＯ、ＢａＯ、ＳｅＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、ＦｅＯ、ＨｆＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｄＯ、Ｓｂ２Ｏ３、ＰｂＦ２、ＺｒＯ２、Ｍｎ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＣｕＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＢｉＦ３、ＳｎＯ、ＳｉＯ２、Ａｇ２Ｏ、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、および金属ハロゲン化物（例えば、ＮａＣｌ、ＫＢｒ、ＮａＩ、ＬｉＦ）の１つまたは複数を含有してもよい。 
【００３０】 
　したがって、本明細書中で用いられるとき、用語「Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ」はまた、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｇｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｙ、Ａｓ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｃｏ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｃｄ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐ、Ｃｕ、Ｃｅ、およびＮｂからなる群から選択された１つまたは複数の元素を含有する金属酸化物を含めてもよい。 
【００３１】 
　表１、２、および４は、ＰｂＯ、ＴｅＯ２、Ｌｉ２Ｏおよび、鉛−テルル−リチウム−酸化物を製造するために使用することができるその他の任意選択の化合物を含有する粉末混合物のいくつかの例を列挙する。この一覧は例示目的であり、限定的であることを意図しない。表１、２、および４において、化合物の量は全ガラス組成物の重量に基づいて重量パーセントとして示される。 
 … 
【００３３】 
　ガラスフリットとも呼ばれるガラス組成物が、特定の成分のパーセンテージを含有するものとして本明細書において説明される。具体的には、パーセンテージは、本明細書に説明されるように後で加工されてガラス組成物を形成する出発原料において使用された成分のパーセンテージである。このような専門用語は当業者には慣用的である。換言すれば、組成物は特定の成分を含有し、それらの成分のパーセンテージは、相当する酸化物の形態のパーセンテージとして表わされる。… 
 … 
【００４６】 
　図１（ａ）は単結晶シリコンまたは多結晶シリコンｐ型基板１０を示す。 
【００４７】 
　図１（ｂ）において、逆極性のｎ型拡散層２０を形成してｐ−ｎ接合を作る。ｎ型拡散層２０が、リン源としてオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）を使用してリン（Ｐ）の熱拡散によって形成されてもよい。一切の特定の改良がない場合、ｎ型拡散層２０は、シリコンｐ型基板の表面全体の上に形成される。拡散層の深さは、拡散温度および時間を制御することによって変化させられてもよく、一般に、約０．３〜０．５ミクロンの厚さの範囲において形成される。ｎ型拡散層は、数十オーム／平方〜約１２０オーム／平方までのシート抵抗率を有し得る。 
【００４８】 
　レジスト等を有するｎ型拡散層２０の１つの表面を保護した後、図１（ｃ）に示されるように、ｎ型拡散層２０をエッチングによって大部分の表面から除去し、その結果、それは１つの主表面上にだけ残る。次に、有機溶剤等を用いてレジストを除去する。 
【００４９】 
　次に、図１（ｄ）において、反射防止コーティングとしても機能する絶縁層３０がｎ型拡散層２０上に形成される。絶縁層は通常は窒化ケイ素であるが、ＳｉＮｘ：Ｈ膜（すなわち、絶縁膜が、後続の焼成加工の間の不活性化のための水素を含む）、酸化チタン膜、酸化ケイ素膜、炭素を含有する窒化ケイ素膜、炭素を含有する酸化ケイ素膜、炭素を含有するオキシ窒化ケイ素膜、または酸化ケイ素／酸化チタン膜であってもよい。窒化ケイ素膜の約７００〜９００Åの厚さは、約１．９〜２．０の屈折率のために適している。絶縁層３０の堆積はスパッタリング、化学蒸着、または他の方法によって行われてもよい。 
【００５０】 
　次に、電極が形成される。図１（ｅ）に示されるように、本発明の厚膜ペースト組成物を絶縁膜３０上にスクリーン印刷し、次に乾燥させる。さらに、アルミニウムペースト６０および裏面銀ペースト７０を基板の裏面上にスクリーン印刷し、連続的に乾燥させる。 焼成は、数秒〜数十分の間７５０〜８５０℃の温度において行われる。 
【００５１】 
　従って、図１（ｆ）に示されるように、焼成の間にアルミニウムがアルミニウムペーストからシリコン基板の裏面上に拡散し、それによって、高濃度のアルミニウムドーパントを含有するｐ＋層４０を形成する。この層は一般に裏面電界（ＢＳＦ）層と呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率を改良するのを助ける。焼成は、乾燥されたアルミニウムペースト６０をアルミニウム後部電極６１に変換する。裏面銀７０は同時に焼成され、銀または銀／アルミニウム後部電極７１になる。焼成の間、裏面アルミニウムと裏面銀との間の境界は合金の状態を呈し、それによって電気接続を達成する。後部電極の大部分の領域は、一つにはｐ＋層４０を形成する必要のために、アルミニウム電極によって占められる。同時に、アルミニウム電極へのはんだ付けは不可能なので、銀または銀／アルミニウム後部電極が、銅リボン等によって太陽電池を相互接続するための電極として裏面の限られた領域の上に形成される。 
【００５２】 
　前面上に、本発明の厚膜ペースト組成物５００は焼成の間に焼結して絶縁膜３０を貫通し、それによってｎ型拡散層２０との電気的接触を達成する。このタイプのプロセスは一般に「ファイアスルー（ｆｉｒｅ ｔｈｒｏｕｇｈ）」と呼ばれる。このファイアスルーされた状態、すなわち、ペーストが溶融して絶縁膜３０を通過する程度は、絶縁膜３０の特質および厚さ、ペーストの組成、および焼成条件に依存する。焼成されたとき、図１（ｆ）に示されるようにペースト５００は電極５０１になる。 
 … 
【００５９】 
　厚膜ペースト組成物は、一パターンとして、例えば、接続線を有する母線として絶縁膜上に印刷されてもよい。印刷は、スクリーン印刷、めっき、押出、インクジェット、造形印刷またはマルチプル印刷、またはリボンによって行われてもよい。 
【００６０】 
　この電極形成プロセスにおいて、厚膜ペースト組成物が加熱されて有機媒体を除去し、金属粉末を焼結する。加熱は、空気中でまたは酸素含有雰囲気中で行わうことができる。この工程は通常、「焼成」と称される。焼成温度プロファイルは典型的に、乾燥された厚膜ペースト組成物からの有機バインダー材料、並びに存在する一切の他の有機材料の焼尽を可能にするように設定される。一実施形態において、焼成温度は７５０〜９５０℃である。焼成は、高い輸送速度、例えば１００〜６００ｃｍ／分を用いて、結果として０．０５〜５分のホールドアップ時間でベルト炉内で行うことができる。複数の温度領域、例えば３〜１１の領域を用いて、所望の熱プロファイルを制御することができる。 
 … 
【実施例】 
【００６４】 
　厚膜ペースト組成物の具体的な調製および評価を以下に説明する。 
【００６５】 
実施例Ｉ 
鉛−テルル−リチウム−酸化物の調製 
表１のガラス１〜７、および表２および３のガラスの鉛−テルル−リチウム−酸化物の調製 
　表１の鉛−テルル−リチウム−酸化物（Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ）組成物を調製するために、Ｐｂ３Ｏ４、ＴｅＯ２、およびＬｉ２ＣＯ３粉末を混合およびブレンドした。ブレンドされた粉末バッチ材料を白金合金るつぼ内に充填し、次に、空気またはＯ２含有雰囲気を使用する９００〜１０００℃の炉内に入れた。成分の完全溶液を得た後、熱処理の時間は２０分であった。次に、成分の融解から生じる得られた低粘度液体を金属ローラーによって急冷した。次に、急冷されたガラスを粉砕し、選別して０．１〜３．０ミクロンのＤ５０を有する粉末を得た。 
【００６６】 
　表２の鉛−テルル−酸化物（Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ）組成物を調製するために、Ｐｂ３Ｏ４、ＴｅＯ２、およびＬｉ２ＣＯ３粉末および任意選択により、表２に示されるように、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｎａ２ＣＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｋ２ＣＯ３、Ａｇ２Ｏ、ＡｇＮＯ３、ＣｅＯ２、および／またはＳｎＯ２を混合およびブレンドした。 
【００６７】 
表１のガラス８〜１４、および表４のガラスの鉛−テルル−リチウム−酸化物の調製 
　ＴｅＯ２粉末（９９＋％純度）、ＰｂＯ粉末、およびＬｉ２ＣＯ３粉末（ＡＣＳ試薬用、９９＋％純度）の混合物を適した容器内で１５〜３０分にわたって混転して表１のガラス組成物８〜１４のための出発粉末を混合した。表４の組成物のために、ＴｅＯ２、ＰｂＯまたはＰｂ３Ｏ４、およびＬｉ２ＣＯ３および任意選択により、表４に示されるように、ＳｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＦ３、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｎａ２ＣＯ３、ＮａＮＯ３、Ｐ２Ｏ５、リン酸アルミニウム、リン酸鉛、ＳｅＯ２、ＰｂＳｅＯ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｄＣＯ３、Ｐｄ（ＮＯ３）２、ＲｕＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＺｒＯ４、Ｖ２Ｏ５、ＮｉＯ、Ｎｉ（ＮＯ３）２、ＮｉＣＯ３、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、Ｍｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３の混合物を適した容器内で１５〜３０分にわたって混転して出発粉末を混合した。出発粉末混合物を白金るつぼ内に置き、空気中で１０℃／分の加熱速度において９００℃まで加熱し、次に９００℃に１時間保持して混合物を溶融した。白金るつぼを炉から取り出して溶融物をステンレス鋼プラテン上に流し込むことによって溶融物を９００℃から急冷した。得られた材料を乳鉢および乳棒で１００メッシュ未満に微粉砕した。次に、Ｄ５０が０．５〜０．７ミクロンになるまで、微粉砕された材料をジルコニアボールとイソプロピルアルコールとを有するポリエチレン容器内でボールミル粉砕した。次に、ボールミル粉砕された材料をミル粉砕ボールから分離し、乾燥させ、２３０メッシュのスクリーンに通して、厚膜ペーストの調製試料において使用されるフラックス粉末を得た。 
【００６８】 
【表１】 
 
【００６９】 
【表２】 
 
【００７０】 
【表３】 
 
【００７１】 
【表４】 
 
  
【００７２】 
 実施例ＩＩ 
 ペーストの調製 
 表６、７、８、９、１０、および１１の実施例のペーストの調製 
　一般的に、ペーストの調製試料を以下の手順を用いて調製した。表５の溶剤、バインダー、樹脂、および界面活性剤の適切な量を秤量し、混合缶内で１５分間混合して有機媒体を形成した。 
【００７３】 
【表５】 
 
 … 
【００７５】 
　表６、７、８、９、１０、および１１のデータを生じるために使用された最終ペーストを製造するために、表１のフリット２〜３重量％をＡｇペースト分に混合し、粉砕機として当業者に公知の回転ガラス板間の剪断によって分散させた。あるいは、２つの別個のペーストを製造し、すなわち、１）Ａｇの適切な量を表５の媒体と共にロールミル粉砕し、および２）表１のフリットの適切な量を表５の媒体と共にロールミル粉砕した。次に、Ａｇペーストおよびフリットペーストの適切な量を遊星形遠心ミキサー（日本、東京の株式会社シンキー）を用いて共に混合して、試験されたペーストを形成した。 
【００７６】 
　以下の詳細によって表に列挙されたペースト組成物を製造するために上に記載された手順を用いて表６、７、８、９、１０、および１１のペーストの実施例を製造した。試験されたペーストは８５〜８８％の銀粉末を含有した。実施例はＤ５０＝２．０μｍを有する球状銀を使用した。 
【００７７】 
　表１０および１１の最終ペーストを製造するために３つの別個のペーストを製造し、すなわち、１）Ａｇの適切な量を表５のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した、２）表１の第１のガラスフリットの適切な量を表５のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した、および３）表２の第２のガラスフリットの適切な量を表５のビヒクルの適切な量に添加し、ロールミル粉砕した。表１０および１１のペースト組成物によって示されるようにＡｇペーストおよびフリットペーストの適切な量を遊星形遠心ミキサー（日本、東京の株式会社シンキー）を用いて共に混合した。 
【００７８】 
　表３は、表１０および１１の実施例の組み合わせられたフリット組成物を示す。表３に示された組み合わせられたフリット組成物は、表１および２のフリット組成物を使用して表１０および１１のブレンディング比において計算される。 
【００７９】 
表１２、１３、１４、および１５の実施例の厚膜ペーストの調製 
　厚膜ペーストの有機成分および相対量を表５に示す。 
【００８０】 
　有機成分（約４．６ｇ）をＴｈｉｎｋｙ混合ジャー（Ｔｈｉｎｋｙ ＵＳＡ，Ｉｎｃ．）内に入れ、十分にブレンドされるまで２０００ＲＰＭにおいて２〜４分間Ｔｈｉｎｋｙ方式で混合した。無機成分（Ｐｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ粉末および銀導電性粉末）をガラスジャー内で１５分にわたって混転により混合した。無機成分の全重量は４４ｇであり、その４２．５〜４３．５ｇは銀粉末であり、０．５〜１．５ｇは表１のＰｂ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ粉末であった。… 
【００８１】 
実施例ＩＩＩ 
太陽電池の作製 
表６、７、８、９、１０、および１１に記載された実施例の太陽電池の作製
　ｐ型ベース上にリンドープトエミッターを有する１．１インチ×１．１インチのダイシングソーカット多結晶シリコン太陽電池にペーストを適用した。実施例１および１３〜２２のペーストを６５Ω／□エミッターを有するＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ（ＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ，Ｇｅｒｍａｎｙ）多結晶ウエハに適用し、実施例＃２〜＃６のペーストを５５Ω／□エミッターを有するＧｉｎｔｅｃｈ（Ｇｉｎｔｅｃｈ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔａｉｗａｎ））多結晶ウエハに適用した。使用された太陽電池はイソトロパ酸のエッチングによってテクスチャー化され、ＳｉＮｘ：Ｈの反射防止コーティング（ＡＲＣ）を有した。表６、７、８、９、１０、および１１に示されるように、効率および充填比を各々の試料について測定した。各々のペーストについて、５〜１０の試料の効率および充填比の平均値および中央値が示される。各々の試料は、２５０ｍｍ／秒のスキージー速度を有するＥＴＰモデルＬ５５５プリンターセットを使用してスクリーン印刷することによって製造された。使用されたスクリーンは、３２５メッシュおよび２３μｍのワイヤを有するスクリーンの２０μｍのエマルション上に１００μｍの開口を有する１１の指線および１．５ｍｍの開口を有する１つの母線のパターンを有した。市販のＡｌペースト、ＤｕＰｏｎｔ ＰＶ３８１をデバイスの照明されない（裏）面上に印刷した。 
【００８２】 
　次に、印刷されたパターンを両面に有するデバイスを１０分間、２５０℃のピーク温度の乾燥炉内で乾燥させた。次に、５６０ｃｍ／分のベルト速度および５５０−６００−６５０−７００−８００−９０５〜９４５℃の温度設定値を用いてＣＦ７２１４Ｄｅｓｐａｔｃｈ ６領域ＩＲ炉で基板を太陽側の面を上にして焼成した。加工品の実際の温度を加工の間に測定した。各々の加工品の推定ピーク温度は７４０〜７８０℃であり、各々の加工品は４秒の全時間の間６５０℃を超えていた。次に、較正されたＳＴ−１０００試験機を用いて、完全に加工された試料をＰＶ性能について試験した。 
【００８３】 
表１２、１３、１４および１５の実施例の太陽電池の作製 
　厚膜ペーストの性能を試験するための太陽電池は、酸によってエッチングされたテクスチャー化表面を有する６５ｏｈｍ／ｓｑ．のリンドープトエミッター層と厚さ７０ｎｍのＰＥＣＶＤ ＳｉＮｘ反射防止コーティングとを有する２００ミクロンのＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ（ＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ，Ｇｅｒｍａｎｙ）多結晶シリコンウエハから製造された。ダイアモンドウエハ用ソーを用いてウエハを２８ｍｍ×２８ｍｍのウエハに切断した。ウエハは、切断された後にＡＭＩ−Ｐｒｅｓｃｏ ＭＳＰ−４８５スクリーン印刷機を用いてスクリーン印刷されて母線、０．２５４ｃｍのピッチの１１本の導体線、および完全研磨面、スクリーン印刷されたアルミニウム裏面導体を提供した。印刷および乾燥後に、電池をＢＴＵ国際急速熱処理ベルト炉内で焼成した。表１２、１３、１４および１５に示された焼成温度は最後のピーク領域の炉の設定温度であり、実際のウエハ温度よりも約１２５℃高い。焼成された導体線の線幅の中央値は１２０ミクロンであり、平均の線の高さは１５ミクロンであった。線の抵抗率の中央値は３．０×１０−６ｏｈｍ ｃｍであった。２８ｍｍ×２８ｍｍの電池の性能は、太陽電池の全充填比（ＦＦ）を約５％低減するエッジ効果によって影響されることが予想される。 
【００８４】 
実施例ＩＶ 
太陽電池の性能：効率および充填比 
試験手順：表６、７、８、９、１０、および１１の効率および充填比 
　本明細書に記載された方法によって製造された太陽電池を変換効率について試験した。効率を試験する例示的な方法を以下に示す。 
【００８５】 
　実施形態において、本明細書に記載された方法によって製造された太陽電池を効率を測定するための商用Ｉ−Ｖ試験機（Ｔｅｌｅｃｏｍ ＳＴＶ、モデルＳＴ−１０００）内に置いた。Ｉ−Ｖ試験機のＸｅアーク灯が公知の強度、ＡＭ１．５を有する直射日光をシミュレートし、電池の前面を照射した。試験機は多点接触方法を用いて約４００の負荷抵抗の設定において電流（Ｉ）および電圧（Ｖ）を測定し、電池のＩ−Ｖ曲線を求めた。充填比（ＦＦ）と効率（Ｅｆｆ）との両方をＩ−Ｖ曲線から計算した。 
【００８６】 
表１２、１３、１４、および１５の実施例の太陽電池の電気的測定 
　表１２および１３の実施例の太陽電池の性能をＳＴ−１０００、Ｔｅｌｅｃｏｍ ＳＴＶ Ｃｏ．ＩＶ試験機を用いて２５℃±１．０℃において測定した。ＩＶ試験機のＸｅアーク灯は公知の強度を有する直射日光をシミュレートし、電池の前面を照射した。試験機は４接触法を使用して約４００の負荷抵抗の設定において電流（Ｉ）および電圧（Ｖ）を測定し、電池のＩ−Ｖ曲線を求めた。太陽電池効率（Ｅｆｆ）、充填比（ＦＦ）、および直列抵抗（Ｒｓ）（Ｒｓについてデータは示されない）をＩ−Ｖ曲線から計算した。 
【００８７】 
　これらの実施例の効率および充填比の中央値および平均値を表１２、１３、１４、および１５に示す。 
【００８８】 
【表６】 
 
  
【００８９】 
【表７】 
 
【００９０】 
【表８】 
 
【００９１】 
【表９】  
【００９２】 
【表１０】  
【００９３】 
【表１１】  
【００９４】 
【表１２】  
【００９５】 
【表１３】  
【００９６】 
【表１４】  
【００９７】 
【表１５】  
【００９８】 
比較例Ｉ：ビスマス−テルル−リチウム−酸化物 
ビスマス−テルル−リチウム−酸化物の調製 
　表１６に示されたビスマス−テルル−リチウム−酸化物（Ｂｉ−Ｔｅ−Ｌｉ−Ｏ）を含有する組成物は、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化テルル（ＴｅＯ２）、炭酸リチウム（ＬｉＣＯ３）、およびリン酸リチウム（ＬｉＰＯ４）を使用して、そして上の実施例Ｉにおいて記載された手順、すなわち、表１のガラス１〜７と表２および３のガラスの鉛−テルル−リチウム−酸化物の調製によって調製された。 
【００９９】 
【表１６】 
 
【０１００】 
ペーストの調製 
　ガラスＡを使用するペーストを以下の手順によって製造した。適切な量の有機ビヒクル（表５）とＡｇ粉末とを混合することによってペーストを製造した。０〜７５ｐｓｉに徐々に圧力を増加させながらＡｇペーストを３本ロール練り機を通過させた。Ｂ型粘度計を用いてＡｇペーストの粘度を測定し、溶剤および樹脂の適切な量を添加してペーストの粘度を２３０〜２８０Ｐａ−ｓｅｃの目標に向けて調節した。別のペーストを製造するために適切な量の有機ビヒクル（表５）およびガラス粉末Ａを混合した。０〜２５０ｐｓｉに徐々に圧力を増加させながらフリットペーストを３本ロール練り機を通過させた。各々のペーストの分散度を磨砕度（ＦＯＧ）によって測定した。… 
 【０１０１】 
 　遊星形遠心ミキサー（日本、東京の株式会社シンキー）を用いてＡｇおよびフリットペーストを混合物と一緒に混合して、表１７に示された最終ペーストの配合を実施した。 
 【０１０２】 
 太陽電池の作製と効率および充填比の測定 
 　ｐ型ベース上にリンドープトエミッターを有する１．１インチ×１．１インチのダイシングソーカット多結晶シリコン太陽電池にペーストを適用した。６２Ω／□のエミッターを有するＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ（ＤｅｕｔｓｃｈｅＣｅｌｌ，Ｇｅｒｍａｎｙ）多結晶ウエハにペーストを適用した。使用された太陽電池はイソトロパ酸のエッチングによってテクスチャー化され、ＳｉＮｘ：Ｈの反射防止コーティング（ＡＲＣ）を有した。表１７に示されるように、効率および充填比を各々の試料について測定した。２００ｍｍ／秒のスキージー速度を有するＥＴＰモデルＬ５５５プリンタセットを用いてスクリーン印刷することによって各々の試料を製造した。使用されたスクリーンは、３２５メッシュおよび２３μｍのワイヤを有するスクリーンの２０μｍのエマルション上に１００μｍの開口を有する１１の指線および１．５ｍｍの開口を有する１つの母線のパターンを有した。市販のＡｌペースト、ＤｕＰｏｎｔ ＰＶ３８１をデバイスの照明されない（裏）面上に印刷した。 
【０１０３】 
　次に、印刷されたパターンを両面に有するデバイスを１０分間、２５０℃のピーク温度の乾燥炉内で乾燥させた。次に、５６０ｃｍ／分のベルト速度および５００−５５０−６１０−７００−８００−ＨＺ６の温度設定値を用いてＣＦ７２１４ Ｄｅｓｐａｔｃｈ ６領域ＩＲ炉で基板を太陽側の面を上にして焼成し、そこにおいてＨＺ６＝８８５、９００および９１５℃であった。加工品の実際の温度を加工の間に測定した。各々の加工品の推定ピーク温度は７４５〜７７５℃であり、各々の加工品は４秒の全時間の間６５０℃を超えていた。次に、較正されたＳＴ−１０００試験機を用いて、完全に加工された試料をＰＶ性能について試験した。 
【０１０４】 
　表１７に示された効率および充填比を各々の試料について測定した。各々のペーストについて、６つの試料について効率および充填比の平均値および中央値を示す。 
【０１０５】 
 　　　…」 
  
カ．「 
　
 」 
  
  
（２−３） 特許請求の範囲に記載された発明と発明の詳細な説明に記載された発明との対応関係の検討  
　上記（２−１）に示した判断手法に従い、まず、上記（２−２）に示した、本件特許の発明の詳細な説明に記載された発明について、その発明が解決すべき課題（以下、単に、「課題」ということもある。）を確認し、次に、本件特許の発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が課題を解決できると認識できる発明の範囲（以下、「課題を解決できると認識できる発明の範囲」という。）を整理した後、最後に、上記第３に示した、本件訂正発明１との対応関係の検討を行うこととする。  
 　  
サ．　本件特許の発明が解決すべき課題  
（ア）　本件特許の発明の詳細な説明における、上記（２−２）ウ．に示した、【発明が解決しようとする課題】についての【０００６】には、「良い効率を有するＰＶ電池を製造するための経済的な方法を提供するために、低温において焼成されて反射防止コーティングを貫通し、半導体基板との良い電気的接触を提供することができる厚膜ペースト組成物が必要」であるとの課題が記載されている。 
  
（イ）　ここで、上記（ア）に示した課題における、「ＰＶ電池」、「厚膜ペースト」とは、上記（２−２）イ．〜ウ．に示した、本件特許の発明の詳細な説明の【背景技術】、【発明が解決しようとする課題】についての記載（【０００２】〜【０００５】）からすると、それぞれ、「結晶シリコン太陽電池」、「ガラスフリット、導電性種（例えば、銀粒子）、および有機媒体を含有する導電性ペースト」と言い換えることができる。 
  
（ウ）　ところで、上記（ア）に示した課題には「良い効率」、「低温」、「良い電気的接触」との程度を表す事項が含まれているから、それらの程度を明確化して、前記課題を明確に確認するため、まず、上記（ア）に示した課題の対象となっている、「結晶シリコン太陽電池を製造するための、ガラスフリット、導電性種（例えば、銀粒子）、および有機媒体を含有する、導電性ペースト」（以下、単に「太陽電池製造用の導電性ペースト」と称することもある。）についての技術的意義を確認した後、前記課題の明確化につき、本件特許の出願時の技術常識を踏まえた検討を行うこととする。 
  
（ウ−１）　太陽電池製造用の導電性ペーストについて、本件特許の発明の詳細な説明を参照してみると、上記（２−２）ア．に示した、【技術分野】には、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物。」（【０００１】）との記載があり、そのような導電性ペーストを用いた太陽電池デバイスの製造プロセスフローが、上記（２−２）カ．に示したように記載され、その製造プロセスフローの説明が、上記（２−２）オ．のうちの【００４６】〜【００５２】に記載されている。それらの記載によれば、太陽電池製造用の導電性ペーストとしては、上記（２−２）ア．に示した、【技術分野】に記載されるような、焼成されて反射防止コーティングを貫通し、半導体基板との電気的接触を提供する、太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストがあるが、それ以外に、焼成されて拡散し裏面電界層を形成する、太陽電池デバイスの裏面を印刷するための導電性ペーストもあるところ、上記（ア）に示した課題の対象となっているのは、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストであるということが理解される。 
  
（ウ−２）　そして、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストに対し、上記（ア）に示した課題における「良い効率」、「低温」、「良い電気的接触」との程度について、本件特許の発明の詳細な説明全体を参照しても、それらの程度についての明確な基準は見当たらないものの、上記（２−２）オ．の実施例（【００６４】〜【０１０５】）には、種々の焼成温度に設定されて製造された太陽電池について、効率（Ｅｆｆ％）を評価したことは記載され、また、上記（２−２）ウ．の「反射防止コーティングを貫通して焼成時に基板との強い結合を形成する能力は導電性ペーストの組成および焼成条件に非常に依存している。また、効率、ＰＶ電池の性能の基本的尺度は、焼成された導電性ペーストと基板との間に形成された電気的接触の特性によっても影響される。」（【０００５】）との記載からすると、本件特許の発明の詳細な説明においては、製造された太陽電池について、効率（Ｅｆｆ％）を評価することで、半導体基板との電気的接触も評価していることが理解される。 
  
（ウ−３）　１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストについて、本件特許の優先権主張の日前に公知の文献である、甲第２、４、５、１２、１５〜１６号証には、上記４．（１−２）ケ．（ケ−１）〜（ケ−７）に示したとおり、焼成時にガラスフリットが反射防止コーティングと反応することで前記反射防止コーティングを貫通して、半導体基板と導電性グリッドまたは金属コンタクトとの電気的接触を形成する旨の記載があることから、当該太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストは、本件特許の優先権主張の日前に、すでに、公知となっていたところ、さらに、上記１．（２ｆ）、上記２．（６ウ）によれば、甲第２号証、甲第１５号証には、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストにおけるガラスフリットに、所定の組成のガラスフリットを用いた実施例によると、所定の組成とは異なる組成のガラスフリットを用いた比較例と比べて、良い効率を有する太陽電池を製造することができた旨の記載があることから、本件特許の出願時において、「良い効率」とは、比較例と比べて良い効率であることを意味しているといえる。 
  
（ウ−４）　上記（ウ−３）に示したことからすると、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための導電性ペーストは、本件特許の優先権主張の日前に公知となっていたことから、本件特許の出願時に、その導電性ペーストを提供することだけでは課題とはなり得ないところ、例えば、「良い効率を有する結晶シリコン太陽電池を製造することができる、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための、太陽電池製造用の導電性ペーストを提供する」との課題は、比較例と比べて良い効率を有する結晶シリコン太陽電池を製造することができる、太陽電池デバイスの前面を印刷するための、太陽電池製造の導電性ペーストを提供することを課題としていることを意味しているといえる。 
  
（ウ−５）　上記（ウ−１）〜（ウ−４）での検討を踏まえると、上記（ア）に示した課題は、「比較例と比べて良い効率を有する結晶シリコン太陽電池を製造するための経済的な方法を提供するため、低温において焼成されて反射防止コーティングを貫通し、半導体基板との良い電気的接触を提供することができる、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物が必要」であることを意味していると確認できる。 
  
（エ）　小括 
　上記（ア）〜（ウ）での検討から、本件特許の発明が解決すべき課題は、比較例と比べて良い効率を有する結晶シリコン太陽電池を製造するための経済的な方法を提供するため、低温において焼成されて反射防止コーティングを貫通し、半導体基板との良い電気的接触を提供することができる、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物が必要であることであると確認できる。 
  
  
シ．　課題を解決できると認識できる発明の範囲 
（カ）　上記サ．（エ）で確認した課題について、本件特許の発明の詳細な説明には、上記（２−２）エ．に示したように、【課題を解決するための手段】として、「ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、 
 ｂ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、 
 ｃ）有機媒体と 
 を含む厚膜ペースト組成物である」（【０００７】）との記載があるところ、この記載のうちの、「厚膜ペースト組成物」は、上記（２−２）ア．に示した、【技術分野】についての記載（【０００１】）を参酌すると、「１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物」を意味していると認められる。 
  
（キ）　しかしながら、上記（カ）に示した【課題を解決するための手段】としての、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物では、本件特許の発明が解決すべき課題を解決し得ないことは、本件特許の発明の詳細な説明の記載や本願出願時の技術常識に照らし、明らかである。その理由は、以下の(キ−１)〜（キ−４）のとおりである。  
 すなわち、  
 (キ−１)　上記（カ）に示した【課題を解決するための手段】である、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物は、本件特許の発明の詳細な説明における、上記（２−２）オ．の実施例の記載（【００６４】〜【０１０５】）によれば、鉛−テルル−リチウム−酸化物としてガラス１７のガラスフリット組成物（表２（【００６９】））を備える実施例１５の厚膜ペースト（表８（【００９０】））を包含しているところ、その実施例１５の厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用し、焼成温度を９２０℃、９４０℃にそれぞれ設定して製造された太陽電池（以下、それぞれ、「実施例１５の太陽電池１」、「実施例１５の太陽電池２」という。また、これらの太陽電池を「実施例１５の太陽電池」とまとめて称することがある。）は、それらの太陽電池の効率（Ｅｆｆ％）を測定すると、実施例１５の太陽電池１の効率（Ｅｆｆ％）の平均値は１１．８０で、実施例１５の太陽電池２の効率（Ｅｆｆ％）の平均値は１０．９５であった（【００８１】〜【００８２】、【００８４】〜【００８５】、表８（【００９０】））のに対し、比較例のガラスを備える厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用し、焼成温度を９００℃、９１５℃、９３０℃にそれぞれ設定して製造された太陽電池（以下、それぞれ、「比較例の太陽電池１」、「比較例の太陽電池２」、「比較例の太陽電池３」という。また、これらの太陽電池を「比較例の太陽電池」とまとめて称することがある。）は、その太陽電池の効率（Ｅｆｆ％）を測定すると、比較例の太陽電池１、２、３の効率（Ｅｆｆ％）の平均値は、それぞれ、１０．０４、１２．４６、１２．６１であった（【００９８】〜【０１０４】、表１７（【０１０５】））ことが記載されている。 
  
（キ−２）　ここで、本件特許の発明の詳細な説明における、上記（２−２）オ．の実施例の記載（【００６４】〜【０１０５】）のうちの、比較例の太陽電池についての記載（【００９８】〜【０１０５】）を参照すると、その太陽電池は、比較例の厚膜ペーストを用いて製造された（【００９８】〜【０１０１】）ところ、その比較例の厚膜ペーストにおけるガラスは、ＴｅＯ２とＢｉ２Ｏ３とＢ２Ｏ３とＬｉ２Ｏとを含有し、Ｐｂを含まないとの、ガラスの組成（表１６（【００９９】））からみて、本件特許の優先権主張の日前に公知の文献である甲第１５号証に開示された、太陽電池製造用の導電性ペースト（上記２．（６エ））に該当するため、本件特許の優先権主張の日前に公知となった太陽電池であると認められる。 
  
（キ−３）　そして、本件特許の発明の詳細な説明における、上記（２−２）オ．の実施例（【００６４】〜【０１０５】）には、上記（キ−１）で指摘した事項、すなわち、焼成温度が９２０℃、９４０℃にそれぞれ設定されて製造された、実施例１５の太陽電池１〜２は、効率（Ｅｆｆ％）の平均値（以下、単に「効率の平均値」という。）が、それぞれ、１１．８０、１０．９５であったのに対し、焼成温度が９１５℃に設定されて製造された比較例の太陽電池２は、効率の平均値が１２．４６であったとの事項が記載されているところ、このような事項からすると、実施例１５の太陽電池は、比較例の太陽電池２よりも高温で焼成して製造したにもかかわらず、比較例の太陽電池２よりも効率が悪いといえる。また、上記サ．（ウ−２）、上記（キ−２）で指摘した事項を踏まえると、実施例１５の太陽電池は、比較例の太陽電池２、すなわち、本件特許の優先権主張の日前に公知となった太陽電池よりも、半導体基板との電気的接触が悪いといえる。 
  
（キ−４）　上記（キ−１）〜（キ−３）での検討を踏まえると、鉛−テルル−リチウム−酸化物としてガラス１７（表２（【００６９】））を備える実施例１５の厚膜ペースト（表８（【００９０】））を包含している、上記（カ）に示した【課題を解決するための手段】としての、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物では、本件特許の発明が解決すべき課題を解決し得ない場合があることは、本件特許の発明の詳細な説明の記載から、明らかであるといえる。 
  
  
（ク）　そこで、上記（カ）に示した【課題を解決するための手段】としての、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物のうちの、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できる、厚膜ペースト組成物について、発明の詳細な説明にどのような記載があるかにつき、以下に検討する。 
（ケ）　本件特許の発明の詳細な説明における、上記（２−２）オ．の実施例の記載（【００６４】〜【０１０５】）によれば、鉛−テルル−リチウム−酸化物としてガラス１、２、４、５、９〜１６、１８〜２０、２２〜２４、２８〜３４、３８〜４４（表１〜４（【００６８】〜【００７１】）を備える実施例１〜１４、１６〜２２、２４〜４０（表６〜１５（【００８８】〜【００９７】））の厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用して焼成して作製された太陽電池は、それらの太陽電池（以下、それらの太陽電池を「実施例１５、２３以外の太陽電池」という。）の効率（Ｅｆｆ％）を測定すると、実施例１５、２３以外の太陽電池は、上記（キ−１）〜（キ−３）での検討と同様にして、比較例の太陽電池よりも低温で焼成して製造しても、太陽電池の効率の平均値は、比較例の太陽電池よりも高いといえ、鉛−テルル−リチウム−酸化物としてガラス１、２、４、５、９〜１６、１８〜２０、２２〜２４、２８〜３４、３８〜４４のガラス（以下、「特定のガラスフリット組成物」という。）を備える実施例の厚膜ペーストによると、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できているといえる。 
  
（コ）　小括 
　してみると、上記（カ）に示した【課題を解決するための手段】としての、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物のうち、鉛−テルル−リチウム−酸化物として特定のガラスフリット組成物を備える厚膜ペースト組成物は、課題を解決できると認識できる発明の範囲であるといえる。 
  
  
ス．　特許請求の範囲に記載された発明との対応関係の検討 
（サ）　そこで、上記第３に示した本件訂正発明１と、上記シ．（ク）〜（コ）で検討した、課題を解決できると認識できる発明の範囲との対応関係を検討する。  
  
（シ）　上記第３に示した本件訂正発明１を再掲すると、次のとおりものである。  
 「【請求項１】 
 ａ）厚膜ペースト組成物中の全固形分に基づいて伝導性金属またはその誘導体８５〜９９．７５重量％と、 
 ｂ）固形分に基づいて鉛−テルル−リチウム−酸化物０．２５〜１５重量％と、 
 ｃ）有機媒体と 
 を含み、
　前記鉛−テルル−リチウム−酸化物が２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物。」 
  
（ス）　ここで、上記（シ）に示した本件訂正発明１は、請求項１の記載からして、上記サ．（エ）に示した課題の対象となっている、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物に限定されていることは明らかである。
（セ）　また、上記（シ）に示した本件訂正発明１における、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む」「鉛−テルル−リチウム−酸化物」は、次の検討により、特定のガラスフリット組成物を備える実施例のペーストに基づいて、課題を解決できると認識できる発明の範囲に限定されているといえる。
（セ−１）　上記（２−２）オ．の実施例の記載（【００６４】〜【０１０５】）によれば、鉛−テルル−リチウム−酸化物としての特定のガラスフリット組成物（ガラス１、２、４、５、９〜１６、１８〜２０、２２〜２４、２８〜３４、３８〜４４のガラス）は、２３．８５〜６２．２５重量％のＴｅＯ２を含んでいるものの、６３．０６重量％までのＴｅＯ２は含んでいない。
（セ−２）　ところで、上記（２−２）オ．の実施例には、ＴｅＯ２が、本件訂正発明１のＴｅＯ２の含有量の範囲内である、６２．２５重量％含まれる、ガラス１２を備える厚膜ペースト、及び、ＴｅＯ２が、本件訂正発明１のＴｅＯ２の含有量の範囲内である、６０．５５重量％含まれる、ガラス１９を備える厚膜ペーストについて、それぞれの厚膜ペーストを、反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用した例が、それぞれ、実施例１０（【００８３】、【００８６】〜【００８７】、表１２（【００９４】））、実施例１９（【００８１】〜【００８２】、【００８４】〜【００８５】、表８（【００９０】））として記載されており、そして、実施例１０については、焼成温度を９２０℃に設定して製造された太陽電池（以下、「実施例１０の太陽電池」という。）は、効率の平均値が１５．３９であり、実施例１９については、焼成温度を９０５℃に設定して製造された太陽電池（以下、「実施例１９の太陽電池」という。）は、効率の平均値が１４．２５であったとされているのに対し、比較例のガラスを備える厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用し、焼成温度を９００℃、９１５℃、９３０℃にそれぞれ設定して製造された比較例の太陽電池１、２、３について効率（Ｅｆｆ％）を測定すると、比較例の太陽電池１〜３の効率の平均値は、それぞれ、１０．０４、１２．４６、１２．６１であった（【００９８】〜【０１０５】）という事項が記載されている。
  このような事項からすると、実施例１０、実施例１９のいずれの実施例の太陽電池も、比較例の太陽電池より低温で焼成して製造しても、比較例の太陽電池よりも効率がかなり良く、また、実施例１０の太陽電池と実施例１９の太陽電池とを比較すると、ＴｅＯ２の含有量が多い、ガラス１２を備える厚膜ペーストを適用した、実施例１０の太陽電池の方が効率が良いということが把握される。
（セ−３）　そして、６３．０６重量％という、ガラス６中のＴｅＯ２含有量と、６２．２５重量％という、ガラス１２中のＴｅＯ２含有量との差は、６２．２５重量％という、ガラス１２中のＴｅＯ２含有量と、６０．５５重量％という、ガラス１９中のＴｅＯ２含有量との差よりも小さいという事項と、上記（セ−２）の検討とを勘案すると、当該ガラス６を備える厚膜ペーストを、反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用して製造された太陽電池は、比較例の太陽電池よりも低温で焼成して製造されても、比較例の太陽電池よりも効率が良いことが推認できるといえる。
（セ−４）　また、１つまたは複数の絶縁層を有する太陽電池デバイスの前面を印刷するための厚膜ペースト組成物におけるガラスフリット組成物が、ＰｂＯを含む場合、上記４．（１−２）の（ケ−１）〜（ケ−７）によれば、ＰｂＯは主成分として含まれるということは、本件特許の出願時の技術常識といえるし、Ｌｉ２Ｏを含む場合、上記１．（３ｇ）〜（３ｈ）、上記２．（２ア）によれば、副成分として、本件特許の発明の詳細な説明の比較例（上記（２−２）オ．の表１６（【００９９】））のように、Ｌｉ２Ｏは少量含まれるということも、本件特許の出願時の技術常識といえる。
（セ−５）　上記（セ−４）からすると、上記（シ）に示した本件訂正発明１における、「２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む」「鉛−テルル−リチウム−酸化物」は、主成分としてＰｂＯを含み、副成分として、Ｌｉ２Ｏを少量含み、そして、２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含む、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」を意味しているといえ、そして、このような「鉛−テルル−リチウム−酸化物」は、特定のガラスフリット組成物を包含しているものの、本件特許の出願時の技術常識に反するガラスフリット組成物は包含していないといえる。
（セ−６）　上記（セ−１）〜（セ−５）の検討を踏まえると、上記（シ）に示した本件訂正発明１における、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」は、上記シ．（ク）〜（コ）で検討した、特定のガラスフリット組成物を備える実施例のペーストに基づいて、課題を解決できると認識できる発明の範囲に限定されているといえる。
（ソ）　したがって、本件訂正発明１は、上記サ．（エ）に示した課題の対象に限定されているし、上記シ．（ク）〜（コ）で検討した、課題を解決できると認識できる発明の範囲に限定されているものであり、本件特許の発明の詳細な説明に記載された発明であるから、特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしており、本件訂正発明１の特許は、上記［無効理由５］によって無効にすることはできない。 
  
  
セ．　補足
（タ）　平成２８年　８月　２日付け審判事件弁駁書での請求人の主張
　請求人は、上記ス．（シ）に示した本件訂正発明１についての、上記［無効理由５］に関し、次の主張をしている（第２頁第８行〜第４頁末行）。
（タ−１）　本件特許の発明が解決すべき課題を解決できている、特定のガラスフリット組成物（ガラス１、２、４、５、９〜１６、１８〜２０、２２〜２４、２８〜３４、３８〜４４）を備える実施例のペーストは、２３．８５〜６３．０６重量％のＴｅＯ２を含むだけではなくて、ＰｂＯおよびＬｉ２Ｏの含有量も特定の範囲に限定されており、ＰｂＯおよびＬｉ２Ｏの含有量が前記範囲外であると課題が解決できているものでないところ、本件訂正発明１では、ＰｂＯおよびＬｉ２Ｏの含有量は全く限定されていない。
（タ−２）　本件訂正発明１のＴｅＯ２の含有量の上限値は６３．０６重量％に限定されたが、このような本件訂正発明１は、発明の効果が実証されていない、ガラス６を備える厚膜ペーストや、効率（Ｅｆｆ）の平均値及び中央値が、比較例よりも劣っている、ガラス２を備える厚膜ペースト（実施例３）を含んでおり、本件訂正発明１は、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できないものも含んでいる。
（チ）　当審の判断
　しかしながら、請求人の上記（タ）の主張は、次の検討により、妥当な主張とはいえず、採用し得ない。
（チ−１）　上記（２−２）オ．の実施例には、本件訂正発明１に含まれる、ガラス２を備える実施例３の厚膜ペーストについては、その厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用し、焼成温度を９０５℃に設定して製造された太陽電池（以下、「実施例３の太陽電池」という。）は、効率の平均値が１２．８８であった（表６【００８８】）のに対し、上記ス．（セ−２）に示したように、比較例のガラスを備える厚膜ペーストを反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用し、焼成温度を９００℃、９２０℃、９４０℃にそれぞれ設定して製造された、比較例の太陽電池１、２、３は、太陽電池１の効率の平均値は、それぞれ、１０．０４、１２．４６、１２．６１であったという事項が記載されているところ、このような事項からすると、実施例３の太陽電池の効率は、比較例の太陽電池１〜３のいずれの太陽電池よりも効率が良いことは明らかである。
　してみると、本件訂正発明１に含まれる、ガラス２を備える実施例３の厚膜ペーストを、反射防止コーティングを有する太陽電池用半導体基板に適用して製造された太陽電池は、本件特許の発明の詳細な説明の記載によれば、比較例の太陽電池よりも低温で焼成して製造されても、比較例の太陽電池よりも効率が良いことが明らかであるといえ、本件訂正発明１に含まれる、ガラス２を備える実施例の厚膜ペーストによると、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できているといえる。
（チ−２）　また、ＴｅＯ２が、本件訂正発明１のＴｅＯ２の含有量の上限値である、６３．０６重量％含まれる、ガラス６を備える厚膜ペーストについても、上記ス．（セ−１）〜（セ−３）で検討したとおり、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できる範囲に含まれるといえる。
（チ−３）　また、本件訂正発明１では、ＰｂＯおよびＬｉ２Ｏの含有量についての明示の規定はないが、上記ス．（セ−４）〜（セ−５）の検討を踏まえると、本件訂正発明１における、「鉛−テルル−リチウム−酸化物」は、上記シ．（ク）〜（コ）で検討した、特定のガラスフリット組成物を備える実施例のペーストに基づいて、課題を解決できると認識できる発明の範囲に限定されているといえ、本件訂正発明１について、本件特許の明細書全体の記載を見渡しても、あるいは、甲第２〜２３号証を参照しても、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できない範囲を含んでいると認定し得る根拠は見出し得ない。
（チ−４）　さらに、請求人は、上記（タ）の主張を行うにあたり、その主張を裏付け得る証拠としては、ガラス６を備える厚膜ペーストやガラス２を備える厚膜ペースト（実施例３）以外には、客観的かつ具体的な証拠を提出してはいないところ、それらの厚膜ペーストは、上記（チ−１）〜（チ−２）に示したとおり、いずれも、本件特許の発明が解決すべき課題を解決できる範囲に含まれるといえる。
（３）　まとめ
　よって、本件訂正発明１は、［無効理由５］によっては、無効とすることはできない。
 第６　むすび　  
　以上のとおり、［無効理由１］〜［無効理由３］、［無効理由５］によっては、本件訂正発明１の特許は無効にすべきとはいえないし、［無効理由２］〜［無効理由３］によっては本件発明２の特許は無効にすべきとはいえないし、［無効理由２］〜［無効理由４］によっては、本件発明３の特許は無効にすべきとはいえない。 
  
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担とすべきである。 
  
　よって、結論のとおり審決する。