【事件の表示】
　特願２０１２−　９４７４６「薄膜トランジスタ構造，ならびにその構造を備えた薄膜トランジスタおよび表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月２９日出願公開，特開２０１２−２３５１０４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　
　本願は，平成２４年４月１８日（国内優先権主張平成２３年４月２２日）の出願であって，平成２７年８月２０日付けで拒絶理由の通知がなされ，同年１１月２０日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，平成２８年５月１２日付けで拒絶査定がなされた。これに対して同年９月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされたものである。
　
２　平成２８年９月１６日付けの手続補正
（１）補正の内容 
　平成２８年９月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の請求項１及び請求項３を削除し，該削除に伴い，補正前の請求項２，４を補正後の請求項１，２に繰り上げ，補正前の請求項５，６を補正後の請求項３，４に繰り上げ，補正後の請求項３，４について該繰り上げに伴う引用請求項のずれを補正するものである。
（２）補正の適否
　そうすると，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当し，特許法第１７条の２第３項及び４項の規定に適合することは明らかである。
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項，及び，第５項に規定する要件を満たす。
３　本願発明
　本願の請求項１乃至４に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項２に係る発明(以下「本願発明」という。）は，次のとおりである。
　　
「【請求項２】
　基板上に少なくとも，基板側から順に，酸化物半導体層と，エッチストッパー層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ構造であって，
　前記酸化物半導体層は，
　金属元素がＺｎと；ＡｌおよびＧａよりなる群から選択される１種以上の元素とからなり，且つ，金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であって，
　エッチストッパー層およびソース・ドレイン電極側に形成される第１酸化物半導体層と，
　金属元素がＩｎ，Ｇａ，およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と，Ｓｎとを含み，基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり，かつ，
　前記第１酸化物半導体層と，前記エッチストッパー層およびソース・ドレイン電極とが，直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。」
４　原査定の概要
　原査定の理由３の概要は，次のとおりである。
「●理由３（特許法第２９条の２）について
・請求項　１〜６
・引用文献等　３，４
　出願人は，意見書において，「引用文献３には基板側から順に，Ｓｎ，またはＳｎとＩｎの両方の金属元素の酸化物を含有する第一の薄膜と，ＺｎＯを含有する第二の薄膜との積層構造（請求項１）が記載されているため，上記積層構造を有する薄膜トランジスタ構造を除く補正を行ないました。」，「引用文献４には基板側から順に，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏからなる第１の半導体層（段落００２２）と，Ｚｎ：Ｓｎ＝５０：５０のＺｎ−Ｓｎ−Ｏからなる第２の半導体層（段落００２３）との積層構造が記載されているため，上記積層構造を有する薄膜トランジスタ構造を除く補正を行ないました。」と主張している。
　しかし，先に通知した先願３には，第二の薄膜の導電性を制御するため，ＡｌやＧａの酸化物を含有させることが記載されている（段落００２４等参照）。実施例１３及び１４には，ＺｎＯにＡｌまたはＧａの酸化物を添加した第二の薄膜が記載されている。
　先に通知した先願４には，第２の半導体層としてＺｎ−Ｏ等の化合物を用いることが記載されている（段落００１３）。また，第２の半導体層としてＺｎ：Ｓｎ＝７０：３０のものを用いることが記載されている（段落００４１等参照）。
　よって，出願人の主張は採用できない。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
３.特願２０１０−２４６５５７号（特開２０１２−０９９６６１号）
４.特願２０１１−５４３２４５号（国際公開第２０１１／０６５３２９号）」
　　　　 　　　
５　先願について 
（１）先願の記載事項
　原査定の拒絶の理由に「引用文献３」として引用された，本願の国内優先権主張の日（以下「国内優先日」という。）前の特許出願であって，本願の国内優先日後に出願公開がされた特願２０１０−２４６５５７号（特開２０１２−９９６６１号公報）（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書（以下「先願明細書」という。）には，以下の事項が記載されている。
Ａ　「【００１３】
（１）積層構造
　本発明の積層構造は，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する非晶質膜である第一の薄膜，及び前記第一の薄膜上に接触して積層された，少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなることを特徴とする。
　さらに，本発明の積層構造においては，第一の薄膜が，さらにＺｎ，Ａｌ及びＧａからなる群から選択される一種以上の金属元素Ｍ２の酸化物を含有していてもよい。
・・・（中略）・・・
【００２３】
　第二の薄膜の膜厚も，積層構造の用途によって適宜設定することができるが，２０〜２００ｎｍであることが好ましく，３０〜１５０ｎｍであることがより好ましい。ＺｎＯを含有する第二の薄膜の膜厚が２０〜２００ｎｍであると，ＺｎＯの結晶化度を十分に上げることができる。
【００２４】
　尚，
第二の薄膜は，さらにＡｌ及びＧａのいずれか一方又は両方の酸化物を含有していてもよい。Ａｌ又はＧａの酸化物を含有することにより，第二の薄膜に導電性を付与することができる。
【００２５】
　
第二の薄膜中のＡｌ及び／又はＧａの酸化物の割合は，第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに，０．２〜５質量％であること
Ｂ　「【００２７】
（２）薄膜トランジスタ
　
本発明の薄膜トランジスタは，ゲート絶縁膜上に，チャネル層を有する薄膜トランジスタであって，前記チャネル層が，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する第一の薄膜，及び前前記第一の薄膜上に接触して積層された，少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなる積層構造
　また，本発明の薄膜トランジスタにおいては，第一の薄膜が，さらにＺｎ，Ａｌ及びＧａからなる群から選択される一種以上の金属元素Ｍ２の酸化物を含有していてもよい。
【００２８】
　上記積層構造をボトムゲート型のＴＦＴのチャネル層に用いた場合，ＺｎＯを含有する第二の薄膜の結晶性が向上しているため，粒界散乱の抑制が可能となり，ＴＦＴ特性を大幅に改善することができる。また，耐還元性のあるＺｎＯを含有する膜をチャネル層として用いることにより，酸化膜よりもパッシベーション性に優れる窒化膜を直接積層することができ，製造コストの低減が期待できる。
【００２９】
　本発明の薄膜トランジスタのチャネル層における第一の薄膜の膜厚は，５〜５０ｎｍであることが好ましく，７〜２０ｎｍであることがより好ましい。第一の薄膜の膜厚が５ｎｍ未満であると，第二の薄膜の結晶性の向上効果が不十分となるおそれがあり，５０ｎｍを超えると，薄膜トランジスタのチャネル厚よりも厚くなるため，電界効果移動度の向上効果が得られなくなるおそれがある。
【００３０】
　本発明の薄膜トランジスタのチャネル層における第二の薄膜の膜厚は，３０〜１００ｎｍであることが好ましく，４０〜８０ｎｍであることがより好ましい。第二の薄膜の膜厚が３０ｎｍ未満であると，薄膜トランジスタのチャネル厚よりも薄くなるため，電界効果移動度の向上効果が得られなくなるおそれがあり，１００ｎｍを超えると，電界効果移動度のバラツキを招くおそれがある。
【００３１】
　本発明の
薄膜トランジスタのチャネル層における第一の薄膜中の金属元素Ｍ１及びＭ２の好ましい組み合わせ，各酸化物の割合，第二の薄膜に添加する成分については，上記本発明の積層構造と同様
【００３２】
　本発明の薄膜トランジスタは，チャネル層として上記本発明の積層構造を用いる以外は公知のボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法を用いて製造することができる。」
Ｃ　「【００４６】
実施例１５
［薄膜トランジスタの作製］
　下記材料・条件で薄膜トランジスタを作製した。
・
ゲート電極
　無アルカリガラスとしてｅａｇｌｅ２０００を使用し，Ｃｒをスパッタ成膜した。次にフォトレジストを塗布し，露光，現像，エッチングを行い，最後にレジストを剥離して，ゲート電極とした。
・
絶縁膜
　上記基板をＣＶＤ装置にセットし，ＳｉＯ
２
の成膜を行った。
・
チャネル成膜
　このようにして得た絶縁膜付き基板をスパッタ装置にセットし，実施例１と同様にしてＩＺＯ／ＺｎＯからなる酸化物薄膜積層構造を作製した。
【００４７】
・
エッチストッパー
　上記基板をＣＶＤ装置にセットし，ＳｉＮｘの成膜を行った。
・
チャネル，エッチストッパーのパターニング
　上記基板にフォトレジストを塗布し，露光，現像，ドライエッチングを行い，最後にレジストを剥離して，チャネル層を得た。
・
保護膜
　さらに上記基板をＣＶＤ装置にセットし，ＳｉＮｘの成膜を行った。
　
次に上記基板にフォトレジストを塗布し，露光，現像，ドライエッチングを行い，最後にレジストを剥離して，ソース，ドレイン，ゲート電極用のコンタクトホールを作製した。
【００４８】
・
ソース，ドレイン電極
　上記基板上にＩＴＯをスパッタ成膜した後，フォトレジストを塗布し，露光，現像，エッチングを行い，最後にレジストを剥離して，ソース・ドレイン電極とした。
　　
（２）先願発明
　ア　薄膜トランジスタの積層構成について　　
　薄膜トランジスタの積層工程として上記（１）Ｃには，ゲート電極を形成した無アルカリガラス上に絶縁膜を形成し，該絶縁膜付き基板上にＩＺＯ／ＺｎＯからなる酸化物薄膜積層構造を形成し，該酸化物薄膜積層構造が形成された基板上にエッチストッパーを形成し，エッチストッパーをパターニングしてチャネル層を形成し，該チャネル層が形成された基板上に保護膜を形成し，該保護膜が形成された基板にソース，ドレイン，ゲート電極用のコンタクトホールを形成し，該コンタクトホールを形成した基板にソース・ドレイン電極を形成することが記載されている。
　上記の積層工程から薄膜トランジスタの積層構成について検討すると，無アルカリガラス上には，ゲート電極，絶縁膜，酸化物薄膜積層構造，エッチストッパー，保護膜，ソース・ドレイン電極が順に積層され，酸化物薄膜積層構造とエッチストッパーとは直接接触しているものと認められる。
　イ　酸化物薄膜積層構造について
　酸化物薄膜積層構造の組成として上記（１）Ｂには，「本発明の薄膜トランジスタは，ゲート絶縁膜上に，チャネル層を有する薄膜トランジスタであって，前記チャネル層が，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する第一の薄膜，及び前前記第一の薄膜上に接触して積層された，少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜からなる積層構造」からなり，「薄膜トランジスタのチャネル層における第一の薄膜中の金属元素Ｍ１及びＭ２の好ましい組み合わせ，各酸化物の割合，第二の薄膜に添加する成分については，上記本発明の積層構造と同様」であることが記載され，積層構造として上記（１）Ａには，「Ａｌ又はＧａの酸化物を含有することにより，第二の薄膜に導電性を付与」できるため，「第二の薄膜中のＡｌ及び／又はＧａの酸化物の割合は，第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに，０．２〜５質量％」とすることが記載されている。
　上記の記載から薄膜トランジスタの酸化物薄膜積層構造の組成について検討すると，絶縁膜上に，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する第一の薄膜，少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜が順に積層され，第二の薄膜ではＡｌ及び／又はＧａの酸化物の割合が第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに０．２〜５質量％としたものと認められる。
　ウ　上記ア及びイの事項から，先願明細書には，下記の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「無アルカリガラス上に，ゲート電極，絶縁膜，酸化物薄膜積層構造，エッチストッパー，保護膜，ソース・ドレイン電極が順に積層され，酸化物薄膜積層構造とエッチストッパーとは直接接触し，
　上記酸化物薄膜積層構造は，前記絶縁膜上に，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有する第一の薄膜，少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜が順に積層され，前記第二の薄膜ではＡｌ及び／又はＧａの酸化物の割合が第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに０．２〜５質量％である，薄膜トランジスタの構造。」
　
６　対比 
（１）本願発明と先願発明との対応関係
　ア　先願発明の「無アルカリガラス」，「エッチストッパー」，「ソース・ドレイン電極」は，それぞれ本願発明の「基板」，「エッチストッパー層」，「ソース・ドレイン電極」に相当する。
　イ　先願発明の「酸化物薄膜積層構造」は，薄膜トランジスタにおいてチャネル層として機能するものなので，下記の相違点を除いて本願発明の「酸化物半導体層」に相当する。
　ウ　本願発明の「第２酸化物半導体層」は基板側に形成されている。先願発明の「第一の薄膜」は，絶縁膜上に積層されていることから，「無アルカリガラス」側に形成されているといえる。そうすると，先願発明の酸化物薄膜積層構造を構成する「第一の薄膜」と「第二の薄膜」は，本願発明の「第２酸化物半導体層」と「第１酸化物半導体層」に対応している。
　エ  先願発明の「第二の薄膜」は，少なくともＺｎＯを含有し，Ａｌ及び／又はＧａの酸化物の割合が第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに０．２〜５質量％であり，上記ウの事項を踏まえると，下記の相違点を除き本願発明の「金属元素がＺｎと；ＡｌおよびＧａよりなる群から選択される１種以上の元素とからなり，且つ，金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であって，エッチストッパー層およびソース・ドレイン電極側に形成される第１酸化物半導体層」に相当する。
　オ　先願発明の「第一の薄膜」は，Ｉｎ及びＳｎのいずれか一方又は両方の金属元素Ｍ１の酸化物を含有するものであり，上記ウの事項を踏まえると，本願発明の「金属元素がＩｎ，Ｇａ，およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と，Ｓｎとを含み，基板側に形成される第２酸化物半導体層」に相当する。
　カ　先願発明では，酸化物薄膜積層構造とエッチストッパーとは直接接触しているが，該酸化物薄膜積層構造は，第一の薄膜と第二の薄膜とで構成され，また，上記エから，該第二の薄膜はエッチストッパー層およびソース・ドレイン電極側に形成されていることから，結局，先願発明の「第二の薄膜」はエッチストッパーと直接接触しているといえる。
　　　　
（２）本願発明と先願発明の一致点について
　上記の対応関係から，本願発明と先願発明は，下記の点で一致する。
　
「基板上に少なくとも，基板側から順に，酸化物半導体層と，エッチストッパー層と，ソース・ドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ構造であって，
　前記酸化物半導体層は，
　金属元素がＺｎと；ＡｌおよびＧａよりなる群から選択される１種以上の元素とからなり，
　エッチストッパー層およびソース・ドレイン電極側に形成される第１酸化物半導体層と，
　金属元素がＩｎ，Ｇａ，およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と，Ｓｎとを含み，基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり，かつ，
　前記第１酸化物半導体層と，前記エッチストッパー層が，直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。」
　　　　　　　
（３）本願発明と先願発明の相違点について
　本願発明と先願発明は，下記の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明では，「第１酸化物半導体層」は「金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上」であるのに対し，先願発明では，「少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜」は「Ａｌ及び／又はＧａの酸化物の割合が第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに０．２〜５質量％」である点。
　　
（相違点２）
　本願発明では，「第１酸化物半導体層」は「ソース・ドレイン電極」とも「直接接触している」のに対して，先願発明では，「第二の薄膜」は「ソース・ドレイン電極」と「直接接触している」か定かではない点。
　
７　当審の判断 
（１）相違点１について
　先願発明の「少なくともＺｎＯを含有する第二の薄膜」は，「Ａｌ及び／又はＧａの酸化物の割合が第二の薄膜の合計量を１００質量％としたときに０．２〜５質量％」である。
　ここで，第二の薄膜の金属元素全体に占めるＺｎ，Ａｌ，Ｇａの含有量について検討すると，そもそも「第二の薄膜」では，第二の薄膜の酸化物の合計量を１００質量％としたときにＺｎの酸化物は９５％以上であるから，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａ及びＯのそれぞれの原子量である６５．３９，２６．９８，６９．７２及び１６．００を踏まえれば，「第二の薄膜」において，「金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上」であることは明らかである。
　そうすると，先願発明においても，「第二の薄膜」は「金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上」であるものと認められるので，上記相違点１は，実質的な相違点とはいえない。
（２）相違点２について
　先願発明では，無アルカリガラス上に，ゲート電極，絶縁膜，酸化物薄膜積層構造，エッチストッパー，保護膜，ソース・ドレイン電極が順に積層されている。また，先願明細書（上記５（１）Ｃ参照）には，エッチストッパー及び保護膜の材料をＳｉＮｘとすること，及び，保護膜が形成された基板にソース・ドレイン電極用のコンタクトホールを作製後，ＩＴＯをスパッタ成膜してエッチングを行いソース・ドレイン電極とすることが，記載されている。
　ここで，ソース・ドレイン電極用のコンタクトホールの底がどこまで形成されているかについて検討すると，エッチストッパー及び保護膜は絶縁材料であるＳｉＮｘにより成膜されているので，ソース電極及びドレイン電極がエッチストッパーまたは保護膜を介している場合には酸化物薄膜積層構造と電気的なコンタクトがとれないことから，コンタクトホールは酸化物薄膜積層構造まで形成され，ソース電極及びドレイン電極は，酸化物薄膜積層構造の「第二の薄膜」上面において接していると認められる。
　そうすると，先願発明においても，「第二の薄膜」は「ソース・ドレイン電極」と「直接接触している」ものと認められるので，上記相違点２は，実質的な相違点とはいえない。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，先願発明と同一であるといえる。そして，本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一ではなく，また，本願の出願の時において，その出願人が先願の出願人と同一でもないから，本願発明は，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない
８　審判請求人の主張
（１）審判請求書の記載
　審判請求人は，平成２８年９月１６日付けで審判請求書において，
「【拒絶査定の理由の要点】 
　原査定の拒絶理由は，「本願は，平成２７年８月２０日付け拒絶理由通知書に記載した理由１〜３（新規性，進歩性，拡大先願）によって拒絶をすべき」というものです。具体的には本願発明は，引用文献１（特開２０１０−０５０１６５号公報），引用文献２（特開２０１０−２６７９５５号公報）との関係で新規性，進歩性がなく，特許法第２９条第１項第３号，同条第２項の規定により特許を受けることができず，更に本願発明は，引用文献３（特願２０１０−２４６５５７号，特開２０１２−０９９６６１号），引用文献４（特願２０１１−５４３２４５号，ＰＣＴ／ＪＰ２０１０／０７０８１６号，国際公開第２０１１／０６５３２９号）に記載された発明と同一であり，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない旨，認定されました。 
【本願発明が特許されるべき理由】 
１．前置補正について 
　平成２７年１１月２０日付け手続補正書に記載の請求項１〜４に係る薄膜トランジスタ構造（いずれも独立請求項）のうち請求項１（エッチストッパー層なし）および３（エッチストッパー層あり）を削除しました。 
　上記補正に伴い，請求項２，４を請求項１，２に繰り上げる補正を行ないました。 
　更に上記手続補正書に記載の請求項５，６を請求項３，４に繰り上げる補正を行ないました。 
２．本願発明が特許されるべき理由 
　拒絶査定を検討しますと，原審審査官殿は，上記手続補正書に記載の請求項１〜４に係る薄膜トランジスタ構造のうち，除くクレームを規定した請求項１，３のみ言及されて上記引用文献に対する特許性を否定されましたが，（除くクレームでなく）第１酸化物半導体層の組成を限定した請求項２（エッチストッパー層なし），４（エッチストッパー層あり）については何も指摘されませんでした。 
　ここで，上記請求項２，４は，当該請求項に記載の第１酸化物半導体層を「金属元素がＺｎと；ＡｌおよびＧａよりなる群から選択される１種以上の元素とからな」るものに限定したものですが，上記補正により，平成２７年１１月２０日付け意見書で述べたとおり，引用文献３のように金属元素がＺｎからなるもの（すなわち，Ｚｎ−Ｏ系酸化物），引用文献１，４のように金属元素がＺｎとＳｎとからなるもの（すなわち，Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物），引用文献２のように絶縁性酸化物を含むＺｎ−Ｏ系またはＳｎ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物との相違が明確になったと考えます。 
　そして原審審査官殿は，上記の補正および意見書を十分考慮頂いて「上記請求項２，４については特許性がある」と認められたうえで，今回の拒絶査定を通知されたものと思料されます。 
　そこで，実質的に拒絶査定の対象となった上記請求項１，３のみ削除して，上記請求項２，４に限定する補正を行ないましたので，この補正により，今回の拒絶査定は解消されたと考えます。 
【むすび】 
　以上のとおり，補正後の本願請求項１〜４に係る発明は上記引用文献との関係で特許性を有するものになったと考えます（特許法第２９条第１項第３号，第２９条第２項，第２９条の２）。 
　よって，「原査定を取り消す，この出願の発明はこれを特許すべきものとする」との審決を賜ります様，お願い申し上げます。 
【お願い】 
　本出願人としましては，上記補正により今回の拒絶査定は解消したと確信致しますが，万が一，原審審査官殿の意図を理解せず拒絶査定の内容を誤解している場合は，何卒，その点を改めてご指摘賜りますよう，どうぞ宜しくお願い致します。」
と主張している。
（２）主張が受け入れられない理由
　審判請求人は，要するに「原審審査官殿は，・・・中略・・・（除くクレームでなく）第１酸化物半導体層の組成を限定した請求項２（エッチストッパー層なし），４（エッチストッパー層あり）については何も指摘されませんでした。」を根拠として，「原審審査官殿は，上記の補正および意見書を十分考慮頂いて『上記請求項２，４については特許性がある』と認められた」と判断し，「実質的に拒絶査定の対象となった上記請求項１，３のみ削除して，上記請求項２，４に限定する補正を行ないましたので，この補正により，今回の拒絶査定は解消された」と主張している。
　しかしながら，平成２８年５月１２日付けの拒絶査定には，
「出願人は，意見書において，『引用文献３には基板側から順に，Ｓｎ，またはＳｎとＩｎの両方の金属元素の酸化物を含有する第一の薄膜と，ＺｎＯを含有する第二の薄膜との積層構造（請求項１）が記載されているため，上記積層構造を有する薄膜トランジスタ構造を除く補正を行ないました。』・・・中略・・・と主張している。
　しかし，先に通知した先願３には，第二の薄膜の導電性を制御するため，ＡｌやＧａの酸化物を含有させることが記載されている（段落００２４等参照）。実施例１３及び１４には，ＺｎＯにＡｌまたはＧａの酸化物を添加した第二の薄膜が記載されている。
　・・・中略・・・
　よって，出願人の主張は採用できない。」
と記載されているように，特許法第２９条の２の規定を満たしていない請求項は１〜６であることが明記されているだけでなく，「先願３」の記載事項として「第二の薄膜の導電性を制御するため，ＡｌやＧａの酸化物を含有させることが記載されている（段落００２４等参照）」が指摘されている。
　上記の拒絶査定に記載された内容を踏まえると，拒絶査定において拒絶査定の対象とされたのは請求項１及び３に限定されるものではない。さらに，請求項１では，「第１酸化物半導体層」の金属元素には，「Ａｌ，ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される１種以上の元素」を含有しないものが含まれるものであったのに対し，請求項２では，「第１酸化物半導体層」の金属元素には「Ａｌ，ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される１種以上の元素」を必ず含有するものとされていたことから，拒絶査定においてわざわざ「第二の薄膜の導電性を制御するため，ＡｌやＧａの酸化物を含有させることが記載されている（段落００２４等参照）」の指摘は，請求項２及び４に対する拒絶査定の根拠を明記したものであると認められる。
　そうすると，拒絶査定において実質的に拒絶された請求項は，請求項１及び３に限定されず，請求項１〜６であるといえる。そして，審判請求人の上記主張は拒絶査定を曲解したことに基づくものであり，そのような場合に対してまで再度同じ特許法第２９条の２を根拠とする拒絶理由を通知して補正の機会を与えなければならないことは特許法上に規定されておらず，また，そのような機会を与えることは，他の拒絶査定不服審判事件との関係において公平性を逸するものであるから，審判請求人の上記主張を採用することはできない。
９　むすび
　以上のとおり，本願の請求項２に係る発明は，先願発明と実質的に同一であり，しかも，本願の請求項２に係る発明の発明者が先願発明の発明者と同一ではなく，また，本願出願時において，その出願人が先願の出願人と同一でもないので，特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，その余の請求項について検討するまでもなく，拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。