【事件の表示】
　特許第４８８３５３６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４８８３５３６号の特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項８及び９について訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件訂正審判の請求に係る特許第４８８３５３６号は、平成１５年９月２９日に出願した特願２００３−３３６７６５号（以下「原出願」という。）の一部を平成２０年１１月６日に新たな特許出願としたものであり、以後の主な手続は以下のとおりである。  
 　  
　平成２０年１２月　５日：出願審査請求
　平成２２年　２月　５日：手続補正書・上申書の提出
　平成２３年１０月２６日：特許査定（１１月１日送達）  
　　　　同年１２月１６日：設定登録  
　平成２４年　２月２２日：特許掲載公報発行  
　平成３０年　１月３０日：本件訂正審判の請求 
 　　　　 　 
第２　訂正の適否  
１　訂正の要旨 
　平成３０年１月３０日付けの訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。また、本件訂正請求書による訂正を、以下「本件訂正」という。）は、特許第４８８３５３６号の特許請求の範囲を本件訂正審判請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項８及び９について訂正することを認める、との審決を求めるものである。  
 　  
２　訂正の内容（下線は、当審で付した。）  
（１）訂正事項１  
　特許請求の範囲の請求項８に「請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に融着層を介して配置された放熱部材とを備えた、半導体レーザ装置。」と記載されているうちの、請求項１の記載を直接引用する部分を、   　
　　　
　「第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、平坦部と、前記平坦部から突出するように形成されたリッジ部を構成する凸部とを有する第２導電型の第２クラッド層と、
　前記第２クラッド層の平坦部上における前記凸部近傍に形成されると共に、前記第２クラッド層の平坦部上において前記凸部から離れた部分にまで延在して形成される第１電流ブロック層と、
　前記第２クラッド層の前記平坦部上における
前記凸部近傍には形成されず、
の上面に接して
　前記第１電流ブロック層および前記第２電流ブロック層の上に形成され、前記第２クラッド層の前記凸部に電気的に接続するように形成された
ｐ側パット電極である
　
ｐ側電極が前記リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されず、
　前記凸部の側面上の前記金属層の表面が、順テーパ形状である、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に融着層を介して配置された放熱部材とを備えた、半導体レーザ装置。」に訂正する。　
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項８に「請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に融着層を介して配置された放熱部材とを備えた、半導体レーザ装置。」と記載されているのを、
　
　「請求項
２〜７
　
３　訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、一群の請求項について　  
（１）訂正事項１  
　ア　訂正事項１は、
（ア）訂正前の請求項８のうち、請求項１の記載を直接引用する部分を独立形式の請求項８として書き直し、
（イ）「第２電流ブロック」は、「凸部近傍には形成されず」、かつ「第１電流ブロック層の上面に接して形成された」ものであると限定し、
（ウ）「金属層」が「ｐ側パット電極である金属層」であると限定し、
（エ）「ｐ側電極が前記リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されず、」とｐ側電極の位置を限定するものであるから、
　特許法第１２６条第１項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
　　  
　イ（ア）願書に添付した明細書及び図面には、「第２実施形態による半導体レーザ装置（青紫色ＬＤ）」に関して、以下の記載がある。
  　
　「【００５１】
　この後、ヒートシンク１３をステム（図示せず）に取り付けた後、ワイヤボンドを行うとともに、キャップ封入を行うようにしてもよい。
（第２実施形態）
　
図８は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置（青紫色ＬＤ）を示した断面図
【００５２】　
　……
【００５４】
　ＭＱＷ活性層２５上には、図８に示すように、約２０ｎｍの厚みを有するアンドープＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる保護層２６が形成されている。保護層２６上には、約０．１μｍの厚みを有するアンドープＧａＮからなるｐ側光ガイド層２７が形成されている。ｐ側光ガイド層２７上には、約０．１μｍの厚みを有する平坦部と、平坦部の中央部付近に、約１．５μｍの幅と約０．４μｍの高さとを有するストライプ状の凸部とを有するｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなるｐ型クラッド層２８が形成されている。なお、ｐ型クラッド層２８は、本発明の『第２クラッド層』の一例である。ｐ型クラッド層２８の凸部上には、約１０ｎｍの厚みを有するアンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなるｐ側コンタクト層２９が形成されている。
ｐ型クラッド層２８の凸部と、ｐ側コンタクト層２９とによって、電流注入領域となるリッジ部が形成されている。
【００５５】
　
ｐ側コンタクト層２９上には、ｐ側コンタクト層２９側から、約１ｎｍの厚みを有するＰｄ層、約１０ｎｍの厚みを有するＰｔ層および約０．２μｍの厚みを有するＡｕ層からなるｐ側電極３０が形成されている
リッジ部側面より約１０μｍ離れた部分から外側の部分には、第１電流ブロック層３１上に、約０．５μｍの厚みを有するＳｉＯ
２
膜からなる第２電流ブロック層３２が形成されている
【００５６】
　このように、第２実施形態では、
リッジ部近傍（第１部分）に、厚みの小さいＳｉＯ
２
膜からなる第１電流ブロック層３１のみが形成されている
リッジ部近傍以外の部分（第２部分）
【００５７】
　ここで、第２実施形態では、第１電流ブロック層３１および第２電流ブロック層３２が積層された部分の厚み（約０．６μｍ）が、リッジ部の高さ（約０．４μｍ）と
ｐ側電極３０
【００５８】
　また、
ｐ側電極３０、第１電流ブロック層３１および第２電流ブロック層３２上には、下層から上層に向かって、約０．１μｍの厚みを有するＴｉ層と約０．５μｍのＡｕ層とからなるｐ側パッド電極３３が形成されている。ｐ側パッド電極３３上には、ＡｕＳｎ（Ｓｎ３０％）半田からなる融着層３４を介して、ダイヤモンドからなるヒートシンク３５が装着されている
    　
　「【符号の説明】
【００８０】
　３、２３  ｎ型クラッド層（第１クラッド層）
　５、２５  ＭＱＷ活性層（活性層）
　７、２８  ｐ型クラッド層（第２クラッド層）
　９、３１  第１電流ブロック層（電流ブロック層）
　１０、３２  第２電流ブロック層（電流ブロック層）
　１１  ｐ側電極
　１２、３４  融着層
　１３、３５  ヒートシンク（放熱部材）
　
３０  ｐ側電極
　
３３  ｐ側パッド電極
  　
　「図８
」　
　
（イ）上記記載を踏まえて、図８を見ると、以下のことが理解できる。　
　ａ　「第２電流ブロック層」は、
　「符合３２で示されたＳｉＯ２膜からなる層」であり、第２クラッド層２８の平坦部上のリッジ部（凸部）近傍には形成されておらず、リッジ部（凸部）から離された部分において、第１電流ブロック層３１の上面に接するように形成されていること。　
   　
　ｂ　「ｐ側パット電極である金属層」は、
　「符合３３で示された金属層」であり、第１電流ブロック層３１及び第２電流ブロック層３２の上に形成され、第２クラッド層２８のリッジ部（凸部）の上部に形成された
ｐ側電極３０
　
　ｃ　「ｐ側電極」は、
　「符合３０で示された電極」であり、リッジ部（凸部）の上部に形成され、リッジ部（凸部）の側面には形成されていないこと。
  　
（ウ）してみると、訂正事項１の、
　ａ　「第２電流ブロック」は、「凸部近傍には形成されず」、かつ「第１電流ブロック層の上面に接して形成された」ものであること、
　ｂ　「金属層」が「ｐ側パット電極である金属層」であること、
　ｃ　「ｐ側電極が前記リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されず、」は、
　願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされるものであり、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。 
    　　
（２）訂正事項２  
　訂正事項１により、請求項１の記載を直接引用する請求項８を訂正後の請求項８としたことに伴い、残りの訂正前の請求項２ないし７を引用する請求項８を訂正後の請求項９として書き直すものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとする」ことを目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないことから、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　また、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされるものであることは明らかであり、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。 
 　 
（３）一群の請求項 
　訂正前の請求項１ないし請求項８は、請求項１の記載を引用するものであり、訂正前において「一群の請求項」に該当するものであるから、本件訂正は、一群の請求項ごとになされたものであって、特許法第１２６条第３項の規定に適合する。　 　　
 　　　　 
４　独立特許要件について  
　訂正事項１は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであるから、同条第７項の規定に基づき、訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて、以下に検討する。  
 　　 
（１）訂正後の発明　  
　本件訂正後の請求項８に係る発明は、以下のとおりのものである（以下「本件訂正発明８」という。）。  
　なお、訂正箇所に下線を付した。  
 　 
　「第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、平坦部と、前記平坦部から突出するように形成されたリッジ部を構成する凸部とを有する第２導電型の第２クラッド層と、
　前記第２クラッド層の平坦部上における前記凸部近傍に形成されると共に、前記第２クラッド層の平坦部上において前記凸部から離れた部分にまで延在して形成される第１電流ブロック層と、
　前記第２クラッド層の前記平坦部上における
前記凸部近傍には形成されず、
の上面に接して
　前記第１電流ブロック層および前記第２電流ブロック層の上に形成され、前記第２クラッド層の前記凸部に電気的に接続するように形成された
ｐ側パット電極である
　
ｐ側電極が前記リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されず、
　前記凸部の側面上の前記金属層の表面が、順テーパ形状である、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子に融着層を介して配置された放熱部材とを備えた、半導体レーザ装置。」に
 
（２）特許法第２９条の２についての判断  
　ア　独立特許要件に関し、請求人は、原出願の出願日（平成１５年９月２９日）前の出願であって、本件特許出願の出願日後に公開された下記の５件の特許出願を提示している。  
  
　甲第１号証：特願２００４−４３３２５号
　　　　　　（特開２００４−２７４０４２号公報） 
　甲第２号証：特願２００４−２０５２６０号
　　　　　　（特開２００５−４５２３９号公報） 
　甲第３号証：特願２００３−６６５９３号
　　　　　　（特開２００４−２８１４３１号公報） 
　甲第４号証：特願２００３−６６５９７号
　　　　　　（特開２００４−２８１４３２号公報） 
　甲第５号証：特願２００３−３９４４７４号
　　　　　　（特開２００４−１０１４８３号公報） 
　上記特許出願は、何れも、日亜化学工業株式会社によりなされた特許出願であり、「リッジ部を有する半導体レーザ素子」に関する発明が記載されているものと認められる。　　
 　　　  
　イ　甲第１号証　
（ア）特願２００４−４３３２５号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、図とともに、次の事項が記載されている。  
  　
　「実施の形態５
　
図５は、本発明の実施の形態５に係る窒化物半導体素子の構成を表すものである
基板５０１上に、ｎ型窒化物半導体層５０２、活性層５０４、ｐ型窒化物半導体層５０３が積層され、ｐ型窒化物半導体層にストライプ状のリッジが設けられた半導体レーザ（ＬＤ）であって、第１電極５０５が、リッジ上部のみに形成されているものである
　
　「【符号の説明】
【０１２３】
　１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、８０１・・・基板
　１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、８０２・・・ｎ型窒化物半導体層
　１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、８０３・・・ｐ型窒化物半導体層
　１０４、２０４、３０４、４０４、５０４、８０４・・・活性層
　１０５、２０５、３０５、４０５、５０５、７０５、８０５・・・第１電極（ｐ側オーミック電極）
　６０５（ａ）・・・第１電極の上層
　６０５（ｂ）・・・第１電極下層
　１０６、２０６、３０６、４０６、５０６、７０６、８０６・・・第２電極（ｐ側パッド電極）
　６０６（ａ）・・・第２電極の上層
　６０６（ｂ）・・・第２電極の下層
　１０７、２０７、３０７、４０７、５０７、８０７・・・第１電極（ｎ側オーミック電極）
　１０８、２０８、３０８、４０８、５０８、８０８・・・第２電極（ｎ側パッド電極）
　
１０９、２０９、３０９、４０９、５０９、６０９、７０９・・・第１の絶縁膜
　
１１０、２１０、３１０、４１０、５１０、７１０・・・第２の絶縁膜
　３１１、４１１、７１１・・・密着層
　
５１２・・・金属層
　６１３、７１３、８１３・・・接合層領域
　８１４・・・絶縁膜  　」
  　
　「図５
」   　
  　
（イ）上記（ア）の記載からして、
　甲第１号証の図５には、
　「基板５０１上に、ｎ型窒化物半導体層５０２、活性層５０４、ｐ型窒化物半導体層５０３が積層され、ｐ型窒化物半導体層５０３に
ストライプ状のリッジ
　
　さらに、上記符合の説明を踏まえて、図５を見ると、
　「ストライプ状のリッジ」の周囲には、
　ｐ型窒化物半導体層５０３側から順に、第１の絶縁膜５０９、金属層５１２及び第２の絶縁膜５１０が積層されていることが理解できる。　
　　
（ウ）当審の判断　
　甲第１号証に記載された「第１の絶縁膜５０９」及び「第２の絶縁膜５１０」は、それぞれ、本件訂正発明８の「第１電流ブロック層」及び「第２電流ブロック層」に相当する。
　しかしながら、本件訂正発明８の「第２電流ブロック層」は、「凸部から離れた部分において、第１電流ブロック層の上面に接して形成された」ものであるのに対して、
　甲第１号証に記載された「第２の絶縁膜５１０」は、金属層５１２上面に形成され、第１の絶縁膜５０９の上面に接して形成されたものではない。　
　よって、本件訂正発明８は、甲１号証に記載された発明と同一であるとはいえない。  
  　
　ウ　甲第２号証　
（ア）特願２００４−２０５２６０号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、図とともに、次の事項が記載されている。  
           　
　「【００３９】
　図１は、本発明の実施の形態に係る窒化物半導体素子の構成を表すものであって、
窒化物半導体基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０４、ｐ型窒化物半導体層１０３が積層され、ｐ型窒化物半導体層にストライプ状のリッジが設けられた窒化物半導体レーザ素子
【００４０】
　リッジの側面及びそのリッジから連続するｐ型窒化物半導体層の上面にかけて第１の絶縁膜１０９が形成されている。
リッジ上面及び第１の絶縁膜の上面にはｐ側オーミック電極１０５
　
　「【符号の説明】
【０１０１】
　１０１・・・窒化物半導体基板
　１０２・・・ｎ型窒化物半導体層
　１０３・・・ｐ型窒化物半導体層
　１０４・・・活性層
　
１０５・・・ｐ側オーミック電極
　１０６・・・ｐ側パッド電極
　１０７・・・ｎ側電極
　１０８・・・第２の絶縁膜
　１０９・・・第１の絶縁膜
　１１０・・・端面保護膜
　１１１・・・転位束
　１１２・・・低転位密度領域　」　
　
　「図１
」    
　
（イ）上記（ア）の記載からして、 
　甲第２号証の図１には、 
　「窒化物半導体基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０４、ｐ型窒化物半導体層１０３が積層され、ｐ型窒化物半導体層１０３に
ストライプ状のリッジ
　
　さらに、上記符合の説明を踏まえて、図１を見ると、 
　「ストライプ状のリッジ」の上面及び側面には、ｐ側オーミック電極１０５が形成されていることが理解できる。
　　　
（ウ）当審の判断
　甲第２号証に記載された「ｐ側オーミック電極１０５」は、本件訂正発明８の「ｐ側電極」に相当する。
　しかしながら、本件訂正発明８の「ｐ側電極」は、「リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されない」ものであるのに対して、
　甲第２号証に記載された「ｐ側オーミック電極１０５」は、リッジの上面だけではなく、側面にも形成されたものである。　
　よって、本件訂正発明８は、甲第２号証に記載された発明と同一であるとはいえない。   
 　
　エ　甲第３号証　
（ア）特願２００３−６６５９３号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、図とともに、次の事項が記載されている。  　
   　
　「【００５７】
　実施の形態１
　図１は本発明の一実施形態を示す断面図であり、図２はリッジ構造および電極構造の一例を示す部分拡大図である。図３は、本発明に係る製造工程の一例を示す断面図である。
基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層Ｑｎ、活性層Ｑａ、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐが積層され、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐにストライプ状のリッジが設けられた半導体レーザ素子（ＬＤ）である
　
　「【００９６】
　［実施例６］
　実施例６では、図４に示すように、基板１０１に導電性のＧａＮ基板を用いる。ＧａＮ基板１０１の膜厚は３００μｍであって、単位面積あたりの結晶欠陥は１×１０６個／ｃｍ２以下である。該ＧａＮ基板１０１の裏面にｎ側電極１３０及びｎ側のパッド電極１４１を実施例１と同様の条件で形成する。また、他の条件も実施例１と同様とすることで、６５ｍＷ以上の高出力において発振波長４０５ｎｍの連続発振可能な半導体レーザ素子を得る。」　
　
　「【符号の説明】
１０１・・・基板、１０２・・・バッファ層、１０３・・・下地層、１０４・・・ｎ型コンタクト層、１０５・・・クラック防止層、１０６・・・ｎ型クラッド層、１０７・・・ｎ型光ガイド層、１０８・・・活性層、１０９・・・ｐ型電子閉じ込め層、１１０・・・ｐ型光ガイド層、１１１・・・ｐ型クラッド層、１１２・・・ｐ型コンタクト層、１１３・・・絶縁膜、１１４・・・第２の絶縁膜、１０８・・・活性層、
１２０・・・ｐ側電極
  　
　「図４
」　
　　
（イ）上記（ア）の記載からして、
　甲第３号証の図４には、
　「基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層Ｑｎ、活性層Ｑａ、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐが積層され、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐに
ストライプ状のリッジ
　
　さらに、上記符合の説明を踏まえて、図４を見ると、 
　「ストライプ状のリッジ」の上面及び側面には、ｐ側電極１２０が形成されていることが理解できる。
　　　
（ウ）当審の判断
　甲第３号証に記載された「ｐ側電極１２０」は、本件訂正発明８の「ｐ側電極」に相当する。
　しかしながら、本件訂正発明８の「ｐ側電極」は、「リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されない」ものであるのに対して、
　甲第３号証に記載された「ｐ側電極１２０」は、リッジの上面だけではなく、側面にも形成されたものである。　
　よって、本件訂正発明８は、甲第３号証に記載された発明と同一であるとはいえない。   
       　
　オ　甲第４号証
（ア）特願２００３−６６５９７号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、図とともに、次の事項が記載されている。
。　    　
     　
　「【００５６】
　実施の形態２
　
図６は、本発明の他の実施形態を示す断面図である。本実施形態は、実施の形態１と同様に、基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層Ｑｎ、活性層Ｑａ、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐが積層され、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐにストライプ状のリッジが設けられた半導体レーザ（ＬＤ）
ｐ側電極１２０が、リッジ上部のみに形成されているものである
　
　「【符号の説明】
１０１・・・基板、１０２・・・バッファ層、１０３・・・下地層、１０４・・・ｎ型コンタクト層、１０５・・・クラック防止層、１０６・・・ｎ型クラッド層、１０７・・・ｎ型光ガイド層、１０８・・・活性層、１０９・・・ｐ型電子閉じ込め層、１１０・・・ｐ型光ガイド層、１１１・・・ｐ型クラッド層、１１２・・・ｐ型コンタクト層、
１１３・・・絶縁膜、１１４・・・第２の絶縁膜
１２０・・・ｐ側電極、１４０，１４１・・・パッド電極
　
　「図６　
」　   　
  　
（イ）上記（ア）の記載からして、
　甲第４号証の図６には、
　「基板１０１上に、ｎ型窒化物半導体層Ｑｎ、活性層Ｑａ、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐが積層され、ｐ型窒化物半導体層Ｑｐに
ストライプ状のリッジ
　
　さらに、上記符合の説明を踏まえて、図６を見ると、
　パッド電極１４０が、絶縁膜１１３の上に形成され、第２の絶縁膜１１４の上に形成されていないことが理解できる。　
　
（ウ）当審の判断
　甲第４号証に記載された「パッド電極１４０」、「絶縁膜１１３」及び「第２の絶縁膜１１４」は、それぞれ、本件訂正発明８の「ｐ側パッド電極である金属層」、「第１電流ブロック層」及び「第２電流ブロック層」に相当する。
　しかしながら、本件訂正発明８の「ｐ側パッド電極である金属層」は、「第１電流ブロック層および第２電流ブロック層の上に形成された」ものであるのに対して、
　甲第４号証に記載された「パッド電極１４０」は、「第２の絶縁膜１１４」の上に形成されたものではない。
　よって、本件訂正発明８は、甲第４号証に記載された発明と同一であるとはいえない。  
 　  
　カ　甲第５号証
（ア）特願２００３−３９４４７４号の願書に最初に添付された明細書又は図面には、図とともに、次の事項が記載されている。
　
　「【００２８】
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
実施の形態１．
　図１は、本実施の形態に係るリッジ導波路型半導体レーザを模式的に示す断面図である。図１において、窒化物半導体レーザ１０は、実装基板２０上に半田などの導電性接合剤２３を用いてフェースダウン実装されている。
窒化物半導体レーザ１０は、サファイア等の絶縁性基板１１の上にｎ側窒化物半導体層１２、活性層１３、ｐ側窒化物半導体層１４を順次積層し、ｐ側窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部を形成したリッジ導波路型レーザである
【００２９】
　……　
【００３１】
　本件発明の特徴であるリッジ部近傍の構造について図２を参照しながら説明する。図２は、図１のリッジ部近傍の構造を拡大して示す部分拡大断面図である。尚、図２は、図１と上下逆転した図面を表している。図２に示すように、窒化物半導体レーザ１０のｐ型窒化物半導体層１４には、導波路形成用のリッジ１４ａが設けられ、リッジ１４ａの頂面を露出するように第１の絶縁保護膜１７が形成されている。第１の絶縁保護膜１７には、リッジ１４ａと光屈折率の違いが大きな材料が用いられており、その光屈折率の違いに基づいてリッジ１４ａが光閉じ込め機能を発揮する。さらに、
リッジ部１４ａの全体を覆うようにｐ側オーミック電極１５が形成され
　「【符号の説明】
【００８９】
１０：半導体レーザ、
１１：基板、
１２：ｎ型窒化物半導体層、
１３：活性層、
１４：ｐ型窒化物半導体層、
１４ａ：リッジ部、
１５：ｐ側オーミック電極
１６：ｎ側オーミック電極、
１７：第１の保護絶縁膜、
１８：第２の保護絶縁膜、
１９：ｐ側パッド電極、
２０：実装基板、
２１、２２：実装基板上の電極、
２３：導電性接合剤（半田バンプ）、
３０：拡散防止層　」　
　  　
　「図１
」　
　「図２
」　
　
（イ）上記（ア）の記載からして、
　甲第５号証の図１及び図２には、
　「サファイア等の絶縁性基板１１の上にｎ側窒化物半導体層１２、活性層１３、ｐ側窒化物半導体層１４を順次積層し、ｐ側窒化物半導体層１４に
ストライプ状のリッジ部
　
　さらに、上記符合の説明を踏まえて、図２を見ると、 
　「ストライプ状のリッジ部」の上面及び側面には、ｐ側オーミック電極１５が形成されていることが理解できる。
　　　
（ウ）当審の判断
　甲第５号証に記載された「ｐ側オーミック電極１５」は、本件訂正発明８の「ｐ側電極」に相当する。
　しかしながら、本件訂正発明８の「ｐ側電極」は、「リッジ部の上部に形成されるが前記リッジ部の側面に形成されない」ものであるのに対して、
　甲第５号証に記載された「ｐ側オーミック電極１５」は、リッジ部の上面だけではなく、側面にも形成されたものである。　
　よって、本件訂正発明８は、甲第５号証に記載された発明と同一であるとはいえない。   
　オ　まとめ 
　本件訂正発明８は、上記５件の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるとはいえない。  
 　 
（３）独立特許要件についてのまとめ  
　以上の検討によれば、本件訂正発明８について、特許出願の際独立して特許を受けられないとすべき理由を発見しない。　  
　また、他に本件訂正発明８について、特許出願の際独立して特許を受けられないとすべき理由を発見しない。　  
　よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第７号の規定に適合する。  
  
５　訂正の適否についてのまとめ 
　本件訂正請求は適法であることから、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項８及び９について訂正することを認める。 　 
 　　　 
第３　むすび  
　以上のとおり、本件訂正請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とし、かつ同条第３項、第５項から第７項の規定に適合する。  
　よって、結論のとおり審決する。