【事件の表示】
　特願２０１３−５１４２４３「金属インターコネクトのために絶縁積層体を選択的にエッチングする方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月１５日国際公開，ＷＯ２０１１／１５６２５３，平成２５年　７月２２日国内公表，特表２０１３−５２９８３８，請求項の数（１８）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１１年６月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年６月１１日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２６年２月２０日に審査請求がなされ，平成２７年５月１２日付けで拒絶理由通知がされ，同年１０月１６日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年４月２８日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年９月９日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに手続補正書が提出され，同年１０月１２日に電話応対がなされ，平成２９年４月１０日付けで拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）がされ，同年１０月１１日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年４月２８日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし２０に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特表２００７−５３７６０２号公報
２.特開２０００−１５０４１５号公報
３.特開平０９−２３２２８１号公報
４.特開平０４−０９６２２４号公報
５.特開２００４−３３６０３８号公報
６.特開２００４−１２８０５０号公報
７.特開２００７−２５８５８６号公報
８.特開２０１０−１２３８０９号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　第１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項１，６〜９ 
・引用例１〜３，１０ 
・備考 
　引用例１の段落［００３１］〜［００４６］，［００７１］，［００９４］〜［００９８］及び図１〜４，図１６を参照。 
　引用例１の段落［００９８］には，被エッチング膜である層間絶縁膜としてＭＳＱを用いることが記載されており，当該ＭＳＱが本願における「ＳｉＣＯＨ含有層」に相当する。（「ＭＳＱ」が，「ＳｉＣＯＨ含有層」に相当する点について，要すれば，引例１０の【０００３】の記載を参照されたい。）また，引用例１の段落［００９４］〜［００９５］には，「Ｔｉ（チタン），ＴｉＮ（窒化チタン），Ｗ（タングステン），ＷＳｉ（タングステンシリサイド），ＷＮ（窒化タングステン）等の導電材」をエッチングマスクとして使用することが記載され，段落［００３１］には，エッチングストッパとしてシリコン窒化膜を配設することが記載されている。引用例１の上記「エッチングマスク」及び「エッチングストッパ」が，本願における「ハードマスク」及び「キャップ層」に相当する。 
　また，引用例１の段落［００３５］，［００３７］には，エッチングマスクを１００℃以下でエッチングし，被エッチング膜を１００℃以上でエッチングすることが記載されている。さらに，段落［００７１］には，基板温度が高まるとエッチングストッパであるシリコン窒化膜のエッチレートが低下することが記載されているから，エッチングストッパをエッチングする際には，エッチレートがより高くなるように低い温度でエッチングすることが示唆されているものと理解できる。 
　以上によれば，引用例１には，本願における「第１基板温度よりも高温である第２基板温度を制御する工程」，「前記第２基板温度よりも低温である第３基板温度を制御する工程」が開示されていると認められる。 
　そこで，本願の請求項１と引用例１を比較すると，引用例１には，「第１基板温度が２０℃よりも低い」ことが特定されていない点で本願の請求項１と相違するが，ＴｉやＷを含む膜を２０℃よりも低温でエッチングする技術は，引用例２（段落［００１４］）や引用例３（段落［００４７］〜［００４９］）に記載された周知技術であるから，引用例１において上記相違点に係る構成とすることは，周知技術に照らし当業者が適宜なし得たことである。 
　したがって，本願の請求項１は引用例１〜３，１０から容易になし得たものである。 
　本願の請求項６〜９についても同様である。 
  
・請求項２ 
・引用例１〜５，１０ 
・備考 
　シリコン窒化膜を２０℃よりも低い温度でエッチングする技術は，引用例４（第３頁左下欄第５行〜第１３行）や引用例５（段落［００３７］）に記載された周知の技術であるから，引用例１において「第３基板温度を２０℃よりも低い温度に制御する」ことは，周知技術に照らし当業者が適宜なし得たことである。したがって，本願の請求項２は進歩性を有さない。 
  
・請求項４〜５ 
・引用例１〜３，６，１０ 
・備考 
　引用例６の段落［００１６］を参照。引用例６の「密着膜２３」が本願の「平坦化層」に相当する。引用例１に引用例６の構成を適用することは当業者が容易になし得たことである。 
  
・請求項１０ 
・引用例１〜３，７〜８，１０ 
　ＳｉＣＯＨ層を気相成長法で形成する技術は，引用例７（段落［００５７］〜［００６３］）や引用例８（段落［００３１］）にも記載された周知の技術である。 
  
・請求項１１ 
・引用例１〜３，６〜７，１０ 
・備考 
　請求項１１の事項については，引用例６の段落［００１８］及び図１，４〜５，引用例７の段落［００７２］〜［００７４］及び図１〜２を参照。 
  
・請求項１２〜１５ 
・引用例１〜３，９〜１１ 
・備考 
　請求項１２〜１４の構成については，引用例９の段落［００３１］〜［００３６］，図１〜２，引用例１１を参照。請求項１５の工程は当業者が適宜なし得たことである。 
 
・請求項３，１６〜２０ 
・引用例１〜８，１０ 
・備考 
　ビアファースト工程は引用例６（図１，３〜５），引用例７（図１〜３），引用例８（図１〜２）に，トレンチファースト工程は引用例８（図５）に記載された周知の工程であり，引用例１のビア形成技術をこれら周知の工程のいずれに適用するかは，当業者が適宜選択し得たことである。 
  
 ＜引用文献等一覧＞ 
１.特開２００３−１３３２９３号公報（新たに引用された文献） 
２.特開平９−１９９４８４号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
３.特開平７−２２８９８５号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
４.特開平１−１４６３２８号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
５.特開平９−２７４７９号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
６.特開２００７−２５８５８６号公報（新たに引用された文献） 
７.特開２００９−１２３８８６号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
８.特開２００４−１２８０５０号公報（原査定の引用例６） 
９.特開２０１０−１２３８０９号公報（原査定の引用例８） 
１０.特開２００７−２６６０９９号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
１１.特表２０１０−５０６３８１号公報（周知技術を示す文献：新たに引用） 
  
　第２　この出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第１号，第２号，及び，第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　１　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について 
（１）特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許権者が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。 
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。  
 　 
（２）前提となる事実関係等 
　ア　本願の特許請求の範囲の記載 
　本願の請求項１ないし２０に記載された発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明２０」という。また，これらを併せて「本願発明」という。）は，以下のとおりのものである。 
「【請求項１】 
　絶縁層をパターニングする方法であって： 
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程；及び 
　前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法に従って，プラズマエッチングシステム内の温度制御された基板ホルダを利用する一連のエッチング処理を前記プラズマエッチングシステム内で実行することによって，前記膜積層体を貫通してパターンを転写する工程； 
　を有し， 
　前記基板温度制御法は： 
　前記パターンを前記ハードマスクを貫通して転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために，及び任意で前記パターンを前記SiCOH含有層へ部分的に転写するために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程； 
　前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び， 
　前記キャップ層を貫通して前記パターンを転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程； 
　を有する方法。 
【請求項２】 
　前記基板温度制御法が： 
　前記第2エッチングプロセスにおいて第2基板温度を50℃よりも高い温度に制御する工程；及び， 
　前記第3エッチングプロセスにおいて第3基板温度を20℃よりも低い温度に制御する工程を有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項３】 
　前記パターンを転写する工程が，トレンチを最初に形成する金属ハードマスク(TFMHM)集積法又はビアを最初に形成してトレンチを最後に形成する(VFTL)集積法の中に組み込まれる，請求項1に記載の方法。 
【請求項４】 
　前記膜積層体が，前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間に設けられる平坦化層を有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項５】 
　前記平坦化層が，Siと，O，C，及びNからなる群から選ばれる1種類以上の元素を含む層を有する，請求項4に記載の方法。 
【請求項６】 
　前記ハードマスクが複数の層を有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項７】 
　前記ハードマスクが，金属を含む少なくとも1層の層を有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項８】 
　前記キャップ層が複数の層を有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項９】 
　前記キャップ層が，シリコン窒化物(SixNy)，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する，請求項1に記載の方法。 
【請求項１０】 
　前記SiCOH含有層が，気相成長法を用いて形成される，請求項1に記載の方法。 
【請求項１１】 
　前記膜積層体を基板上に準備する工程が： 
　前記ハードマスクを覆うようにマスクを形成する工程；及び， 
　リソグラフィ法を用いることによって前記マスク内にパターンを形成する工程； 
　をさらに有し， 
　前記マスクは，反射防止コーティング(ARC)を覆う放射線感受性材料の層を含む， 
　請求項1に記載の方法。 
【請求項１２】 
　前記温度制御された基板ホルダが： 
　温度制御された熱流体を循環させる流体チャネルを内部に有する支持体底部；及び 
　前記支持体底部の上部と断熱材を介して結合する基板支持体； 
　を有し， 
　前記基板支持体は： 
　前記基板支持体内部に埋め込まれた1つ以上の加熱素子； 
　前記基板の背面と接触することで前記基板を支持する上面；及び 
　前記基板支持体の上面に前記基板を保持する静電固定電極； 
　を有する， 
　請求項1に記載の方法。 
【請求項１３】 
　前記温度制御された基板ホルダは，前記基板支持体の上面に設けられた複数のオリフィス又はチャネルのうちの少なくとも1つを通って前記基板の背面へ伝熱ガスを供給するように構成される背面ガス供給システムをさらに有する，請求項12に記載の方法。 
【請求項１４】 
　前記背面ガス供給システムの複数のオリフィスは，前記基板の背面の実質的な中心領域と前記基板の背面の実質的な端部領域との間で，半径方向に背圧を変化させるように，前記基板支持体の上面の複数の領域内に配置される，請求項13に記載の方法。 
【請求項１５】 
　前記一連のエッチングプロセスが： 
　前記基板の実質的な中心領域に対応する第1内側設定温度及び前記基板の実質的な端部領域に対応する第1外側設定温度を有する第1設定温度に基板支持体を制御し，かつ，前記支持体底部を第1底部温度に制御することによって，前記第1エッチングプロセス中に第1温度プロファイルに前記基板を維持する工程； 
　前記第1エッチングプロセス後であって前記第2エッチングプロセス前に，前記基板を前記第1温度プロファイルから第2温度プロファイルへ修正する工程； 
　前記第1内側設定温度及び前記第1外側設定温度とは異なる第2内側設定温度及び第2外側設定温度を有する第2設定温度に前記基板支持体を制御し，かつ，前記支持体底部を第2底部温度に制御することによって，前記第2エッチングプロセス中に第2温度プロファイルに前記基板を維持する工程； 
　前記第2エッチングプロセス後であって前記第3エッチングプロセス前に，前記基板を前記第2温度プロファイルから第3温度プロファイルへ修正する工程；並びに， 
　前記第2内側設定温度及び前記第2外側設定温度とは異なる第3内側設定温度及び第3外側設定温度を有する第3設定温度に前記基板支持体を制御し，かつ，前記支持体底部を第3底部温度に制御することによって，前記第3エッチングプロセス中に第3温度プロファイルに前記基板を維持する工程； 
　を有する，請求項12に記載の方法。 
【請求項１６】 
　基板上にトレンチ−ビア構造を準備する方法であって： 
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程； 
　前記ハードマスク内にトレンチパターンを生成する工程； 
　前記トレンチパターンと位置合わせされたビアパターンを備えるビアパターニング層を，前記ハードマスクを覆うように準備する工程； 
　プラズマエッチングシステム内で第1エッチングプロセスを用いることによって，前記ビアパターニング層中のビアパターンを前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程； 
　前記ビアパターニング層を除去する工程； 
　前記プラズマエッチングシステム内で第2エッチングプロセスを用いることによって，前記キャップ層に影響させないようにしながら，前記ハードマスク中のトレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写する工程； 
　前記プラズマエッチングシステム内で第3エッチングプロセスを用いることによって，前記SiCOH含有層中のビアパターンを前記キャップ層へ転写する工程；並びに， 
　前記トレンチパターンの転写中，前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法に従って前記プラズマエッチングシステム内で温度制御された基板ホルダを利用する工程； 
　を有し， 
　前記基板温度制御法は： 
　前記ビアパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために前記第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程； 
　前記トレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び， 
　前記ビアパターンを前記キャップ層へ転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程； 
　を有する方法。 
【請求項１７】 
　前記基板温度制御法が： 
　前記第2エッチングプロセスにおいて第2基板温度を50℃よりも高い温度に制御する工程；及び， 
　前記第3エッチングプロセスにおいて第3基板温度を20℃よりも低い温度に制御する工程を有する，請求項16に記載の方法。 
【請求項１８】 
　前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間に平坦化層を設ける工程；及び， 
　前記ビアパターンを前記平坦化層へ転写する工程； 
　をさらに有する，請求項16に記載の方法。 
【請求項１９】 
　前記ハードマスクが金属含有層を有し，かつ， 
　前記キャップ層が，シリコン窒化物(SixNy)，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭 窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する， 
　請求項16に記載の方法。 
【請求項２０】 
　基板上にトレンチ−ビア構造を準備する方法であって： 
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程； 
　前記ハードマスク内にビアパターンを生成する工程； 
　プラズマエッチングシステム内で第1エッチングプロセスを用いることによって，前記ビアパターニング層中のビアパターン層を前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程； 
　前記ビアパターンと位置合わせされたトレンチパターンを備えるトレンチパターニング層を，前記ハードマスクを覆うように準備する工程； 
　前記トレンチパターンを前記ハードマスクへ転写する工程，前記トレンチパターンを除去する工程； 
　前記プラズマエッチングシステム内で第2エッチングプロセスを用いることによって，前記キャップ層に影響させないようにしながら，前記ハードマスク中のトレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写する工程； 
　前記プラズマエッチングシステム内で第3エッチングプロセスを用いることによって，前記SiCOH含有層中のビアパターンを前記キャップ層へ転写する工程；並びに， 
　前記トレンチパターンの転写中，前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法に従って前記プラズマエッチングシステム内で温度制御された基板ホルダを利用する工程； 
　を有し， 
　前記基板温度制御法は： 
　前記ビアパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために前記第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程； 
　前記トレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び， 
　前記ビアパターンを前記キャップ層へ転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程； 
　を有する方法。」 
  
　イ　本願明細書の発明の詳細な説明の記載 
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。 
（ア）「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，絶縁積層体内でのパターン形成のための選択エッチング方法に関し，より詳細には，後続のメタライゼーションのための低誘電率(low-k)絶縁積層体内でのトレンチ−ビア構造形成のための選択エッチング方法に関する。」 
  
（イ）「【背景技術】 
【０００２】 
　半導体デバイスの当業者に知られているように，インターコネクトの遅延は，駆動中の集積回路(IC)の速度及び性能を改善する上での主要な制限因子である。インターコネクトの遅延を抑制する一の方法は，IC製造のためのバックエンド(BEOL)作業中に，金属インターコネクト中に低誘電率(low-k)材料及び超low-k材料を用いることによって，インターコネクトのキャパシタンスを減少させることである。そのようなlow-k材料は現在，オルガノシリコンガラス又はSiCOH含有材料を含む。 
【０００３】 
　よって近年，low-k材料は，相対的に高誘電率の絶縁材料−たとえば二酸化シリコン−に取って代わるものとして開発されてきた。特にlow-k材料は，半導体デバイスの金属層間の層間誘電層及び層内誘電層に利用されている。それに加えて，絶縁材料の誘電率をさらに減少させるため，孔を有する材料膜−つまり有孔性low-k誘電材料−が生成される。そのようなlow-k材料は，フォトレジストの塗布と同様のスピンオン誘電体(SOD)法又は化学気相成長(CVD)法によって堆積されて良い。従ってlow-k材料の使用は，既存の半導体製造プロセスにとって容易に受け入れられ得る。 
【０００４】 
　半導体基板上に新たなインターコネクト層を準備するとき，一般的には，先に形成されたインターコネクト層を覆うようにキャップ層が形成される。それに続いてlow-k絶縁層が形成され，そのlow-k絶縁層を覆うように1層以上の層−たとえばハードマスク−が形成される。絶縁積層体を形成する際，リソグラフィ及びエッチング処理が，後続のメタライゼーションプロセスの準備のために絶縁層をパターニングするのに利用される。たとえば一のインターコネクト層と隣接するインターコネクト層との間で電気的に連続となるように金属ラインとコンタクトプラグを準備するとき，絶縁層の積層体は，様々な集積法に従って，トレンチービア構造を備えるようにパターニングされて良い。 
【０００５】 
　しかし金属インターコネクトのために絶縁層の積層体にlow-k材料を実際に実装するには，多くの課題が存在する。一の課題には，トレンチ及びビア構造用の特定の限界寸法(CD)を実現しながら下地のインターコネクト層へ損傷を及ぼすことなく絶縁層の積層体を選択的にパターニングすることが含まれる。Low-k絶縁層のパターニング中，エッチングプロセスが，あまりに早く下地のキャップ層に影響しないことが重要である。」 
  
（ウ）「【００９８】 
　表1は，シリコン含有ARC層と有機平坦化層(OPL)の下に存在するキャップ層をパターニングする典型的なプロセス条件を与えている。キャップ層はSiCxNyHzを主成分とする材料を含む。各エッチングプロセスについて，プロセス番号，上部電極(UEL)の出力(W)，下部電極(LEL)の出力(W)，プラズマエッチングシステム内でのガス圧力(mTorr)，プラズマエッチングシステム内での成分について設定された温度（℃）（”UEL”=上部電極の温度，”W”=壁の温度，”LEL”=下部電極の温度，つまり基板温度），C4F8の流速(sccm)，Arの流速(sccm)，N2の流速(sccm)，及びエッチング時間(sec)を含むプロセス条件が記載されている。」 
  
（エ）【００９９】の【表１】から，キャップ層のビアパターニングのプロセス条件が，プロセスＮｏ．１及びＮｏ．２のいずれにおいても，ＵＥＬ（上部電極）ＲＦが，８００Ｗ，ＬＥＬ（下部電極）ＲＦが，１２００Ｗ，圧力が，４０ｍＴｏｒｒ，ＵＥＬ（上部電極）温度が，６０℃，Ｗ（壁）温度が，６０℃，C4F8の流速が，１０sccm，Arの流速が，５００sccm，N2の流速が，１００sccm，及びエッチング時間が，２０secであることで共通しており，一方，プロセスＮｏ．１のＬＥＬ（下部電極）温度が，８℃であり，Ｎｏ．２のＬＥＬ（下部電極）温度が，６０℃であることで異なることが読み取れる。 
  
（オ）「一旦ビアパターンがARC層とOPL層を突き抜けて延びると，表1で特定されたプロセス条件が実行される。プロセス番号1と2の違いは基板温度である。ここでは温度は，8℃から60℃に上昇している。表1に記載されているように，ビアパターンは，比較的低い基板温度で上記の特定されたプロセス条件を用いることによってキャップ層を突き抜けるか又は入り込むように延びる一方で，比較的高い基板温度では上記の特定されたプロセス条件を用いてもキャップ層を突き抜けて延びないし，入り込むようにも延びない。」（【００９９】） 
  
　ウ　公知文献の記載 
（ア）本願の優先権主張の日前の公知文献である周知例１（特開平４−９６２２４号公報）には，次の記載が認められる。
・「低温エッチングによれば，シリコン基板を被エッチング材とし，エッチングガスとして堆積性のガスを含まない例えばＳＦ６のみを用いた場合にも，基板温度の冷却に従ってアンダーカットが小さくなり，−９０℃以下でアンダーカットのない良好な異方性形状が得られる。よって，例えば水冷温度では堆積性ガスを添加しないと等方性エッチングしか実現できない条件にあっても，このような低温状態にすることにより異方性エッチングを達成でき，よって堆積性ガスの使用を僅かに抑えることが可能となる。 
　更に，Ｓｉのエッチング速度は低温になるに従って大きくなり，よって高速エッチングが可能となる。 
　しかも，これに対し，マスクとなるフォトレジストやＳｉＯ２のエッチング速度は逆に小さくなるので，マスクとの選択性を高めることができ，ＳｉＯ２マスクなしにレジストのみでも例えば高選択性のＳｉトレンチエッチングが可能ならしめられる。」 
  
（イ）本願の優先権主張の日前の公知文献である周知例２（特開２００４−３３６０３８号公報）には，次の記載が認められる。 
・「【００３６】 
　ウエハ表面の温度検知ステッカーが示したところによると，１５Torrの圧力及び−１５℃の冷却材温度の時でウエハ表面の温度は９３〜９９℃であり，また，２Torrのヘリウム背圧及び−１５℃の冷却材温度の時で１４３〜１４９℃である。」 
  
　エ　本願発明の課題 
　本願明細書の記載（前記イ）によれば，次のとおりである。 
（ア）本願発明は，後続のメタライゼーションのための低誘電率(low-k)絶縁積層体内でのトレンチ−ビア構造形成のための選択エッチング方法に関するものである。（【０００１】） 
  
（イ）半導体基板上に新たなインターコネクト層を準備するとき，一般的には，先に形成されたインターコネクト層を覆うようにキャップ層が形成され，それに続いてlow-k絶縁層が形成され，そのlow-k絶縁層を覆うように1層以上の層−たとえばハードマスク−が形成される。 
　そして，一のインターコネクト層と隣接するインターコネクト層との間で電気的に連続となるように金属ラインとコンタクトプラグを準備するとき，絶縁層の積層体は，リソグラフィ及びエッチング処理によって，トレンチービア構造を備えるようにパターニングされる。（【０００４】） 
  
（ウ）本願発明の課題は，Low-k絶縁層のパターニング中，エッチングプロセスが，あまりに早く下地のキャップ層に影響しないように，トレンチ及びビア構造用の特定の限界寸法(CD)を実現しながら下地のインターコネクト層へ損傷を及ぼすことなく絶縁層の積層体を選択的にパターニングすることにある。（【０００５】） 
  
（３）検討 
　ア　前記（２）アのとおり，本願発明１は，「第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程」，「第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程」及び「第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程」を含むことによって，「前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性」及び「前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性」を実現することを発明特定事項として含む発明であり，本願発明２は，「前記第2エッチングプロセスにおいて第2基板温度を50℃よりも高い温度に制御する工程」及び「前記第3エッチングプロセスにおいて第3基板温度を20℃よりも低い温度に制御する工程」を発明特定事項とする発明である。 
  
　イ　そこで，本願発明１，２について，（２）ウに示した本願発明の課題を解決できると当業者が認識できるか否かについて検討する。 
  
　ウ　本願明細書には次の記載が認められる。 
・表1は，シリコン含有ARC層と有機平坦化層(OPL)の下に存在するキャップ層をパターニングする典型的なプロセス条件を与えている。キャップ層はSiCxNyHzを主成分とする材料を含む。各エッチングプロセスについて，プロセス番号，上部電極(UEL)の出力(W)，下部電極(LEL)の出力(W)，プラズマエッチングシステム内でのガス圧力(mTorr)，プラズマエッチングシステム内での成分について設定された温度（℃）（”UEL”=上部電極の温度，”W”=壁の温度，”LEL”=下部電極の温度，つまり基板温度），C4F8の流速(sccm)，Arの流速(sccm)，N2の流速(sccm)，及びエッチング時間(sec)を含むプロセス条件が記載されている。（【００９８】） 
  
・一旦ビアパターンがARC層とOPL層を突き抜けて延びると，表1で特定されたプロセス条件が実行される。プロセス番号1と2の違いは基板温度である。ここでは温度は，8℃から60℃に上昇している。表1に記載されているように，ビアパターンは，比較的低い基板温度で上記の特定されたプロセス条件を用いることによってキャップ層を突き抜けるか又は入り込むように延びる一方で，比較的高い基板温度では上記の特定されたプロセス条件を用いてもキャップ層を突き抜けて延びないし，入り込むようにも延びない。（【００９９】） 
  
　エ　これらの記載からみて，本願明細書の記載から，当業者は，ｘ，ｙ，ｚの値が不明であり，また，主成分以外にどのような材料が含まれているか不明であるものの，ビアパターンがARC層とOPL層を突き抜けて延びた後に，表1で特定されたプロセス条件が実行されると，特定の組成比を有する，SiCxNyHzを主成分とする材料からなるキャップ層が，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃である場合には，ビアパターンがキャップ層を突き抜けて延びないし，入り込むようにも延びないが，”LEL”=下部電極の温度が，８℃である場合には，ビアパターンがキャップ層を突き抜けるか又は入り込むように延びることを理解するといえる。 
  
　オ　他方，本願明細書には，表1で特定されたプロセス条件であって，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃である場合に，「前記キャップ層を覆うSiCOH含有層」（及び「ARC層」，「OPL層」）に対して，ビアパターニングを適切に行うことができることは記載されていない。 
　そして，前記（２）ウの，周知例１の「Ｓｉのエッチング速度は低温になるに従って大きくなり，よって高速エッチングが可能となる。しかも，これに対し，マスクとなるフォトレジストやＳｉＯ２のエッチング速度は逆に小さくなる」との記載に照らして，被エッチング材の材質の違いによって，温度が高くなると，エッチング速度が大きくなる場合と，逆に，温度が高くなると，エッチング速度が小さくなる場合とがあり得ることが，本願の優先権の主張の日前において，技術常識として知られていたことが認められる。 
　そうすると，表1で特定されたプロセス条件であって，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃である場合に，「前記キャップ層を覆うSiCOH含有層」（及び「ARC層」，「OPL層」）に対して，ビアパターニングを適切に行うことができたか明らかとはいえない。 
  
　カ　すなわち，本願明細書の記載からは，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃である場合に，「前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性」を実現することができると当業者が予測することは困難といえる。 
　したがって，本願発明１は，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとは認められない。 
  
　キ　しかも，前記（２）ウの周知例２の記載からも明らかなように，ウエハの温度と，ウエハを載置する台の温度は，一般的には等しくなく，両者の間を介在する伝熱ガスの圧力等によって，ウエハの温度とウエハを載置する台の温度との温度差が変化することは，本願の優先権の主張の日前において周知の事項であったといえる。 
　そうすると，本願明細書の【００９８】における「”LEL”=下部電極の温度，つまり基板温度」との関係を前提とした説明は，直ちには是認することはできない。 
　さらに，仮に，本願明細書の記載から，「”LEL”=下部電極の温度，つまり基板温度」ということができ，基板温度が６０℃と８℃の場合において，エッチング特性に差があることから，これに基づいてエッチング選択性を認めることができたとしても，請求項１に記載された発明は，「第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程」及び「第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度」と特定するにすぎない。 
　すなわち，本願発明１は，例えば，第1基板温度が，20℃よりも低い０℃であって，第2基板温度が，前記第1基板温度よりも高温である８℃である場合を包含すると解されるが，これらの温度を選択した場合にまで，本願発明の課題を解決することができるとは，本願明細書の記載からは，当業者が認識できるとはいえない。 
 　 
　ク　さらに，請求項２では，第2基板温度を50℃よりも高い温度と特定するが，本願明細書には，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃及び８℃である場合のエッチング特性が記載されているだけであるから，技術常識を参酌しても，第2基板温度が50℃よりも高い温度である場合の全ての範囲において，本願発明の課題を解決できるとまでは，当業者が認識できるとはいえない。 
  
　ケ　しかも，材料のエッチング特性（例えば，エッチング速度の温度依存性）は，材料の種類（組成），エッチング条件（ガスの組成，圧力，温度）等の組合せによって異なることは当業者にとって自明な事項といえる。 
　そうすると，材料の種類（組成），エッチング条件（ガスの組成，圧力，温度）等の組合せを特定しない請求項１及び２に記載された範囲の全てにおいてまで，本願発明の課題を解決することができるとまでは，技術常識に照らしても当業者が認識できたとは認められない。請求項１，２以外の，請求項３−２０に係る発明についても同様である。 
  
　コ　すなわち，本願の特許請求の範囲の記載は，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の優先権主張の日前の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。 
 　 
　２　特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性）について 
（１）請求項１の文頭に「絶縁層をパターニングする方法であって：・・・」とあるが，これに続く請求項１の文中には，「絶縁層」との用語が記載されていない。 
　したがって，請求項１に記載された発明を明確に把握することができない。（「絶縁層」が，「SiCOH含有層」を指すのであれば，そのことが明確に理解できるような記載とされたい。） 
  
（２）請求項１には，「前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法・・・前記基板温度制御法は：前記パターンを前記ハードマスクを貫通して転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために，及び任意で前記パターンを前記SiCOH含有層へ部分的に転写するために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程；前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程・・・」とあり，請求項１の記載は，文の前半で特定する「基板温度制御法」を，文の後半において，「前記基板温度制御法は：」として説明する構造となっている。 
　しかしながら，前記記載は，文の前半で，「SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性」の実現を特定するのに対して，文の後半では，「前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性」を実現することが特定されており，選択性を実現する対象が文の前半と後半で整合していない。 
　したがって，請求項１に係る発明を明確に把握することができない。 
　請求項１６，請求項２０も同様である。 
  
（３）請求項２０に「前記ビアパターニング層中のビアパターン層を前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程」とあるが，当該記載の「前記ビアパターニング層」の「前記」に対応する記載が，請求項２０に存在しない。また，「ビアパターン層」を転写は，日本語として理解することができない。（「層」の転写は，日本語として不自然である。） 
  
（４）【００３２】の「(ii)パターン160を，絶縁層130を貫通するように転写する第2エッチングプロセスにおいて前記第1基板温度よりも低温となるように第2基板温度を制御する工程」は，「(ii)パターン160を，絶縁層130を貫通するように転写する第2エッチングプロセスにおいて前記第1基板温度よりも高温となるように第2基板温度を制御する工程」の誤記ではないのか。 
  
　３　第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 
　発明の詳細な説明には，「キャップ層」，「SiCOH含有層」，「ハードマスク」，「平坦化層」の具体的な組成，及び，各層を「エッチング処理」する際の具体的なエッチング条件が記載されていない。 
　そして，エッチング特性が，材料によって異なることは当業者において周知の事項である。 
　そうすると，「キャップ層」，「SiCOH含有層」，「ハードマスク」，「平坦化層」の材料，及び，各層を「エッチング処理」する際の具体的なエッチング条件を選定して，「SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現」し，かつ，「SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現」するために，当業者は過度の試行錯誤を要すると認められる。 
　しかも，本願の請求項６，８，９に係る発明においては，「ハードマスク」及び「キャップ層」は，複数の層を有するのであるから，これら複数の層の特性を考慮した上で，前記選択性を実現することは，さらに困難といえる。 
　すなわち，発明の詳細な説明の記載は，当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分なものとは認められない。 
  
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１８」という。）は，平成２９年１０月１１日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定される発明であり，独立形式で記載された請求項に係る発明である，本願発明１，本願発明１４，及び本願発明１８は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　SiCOH含有層を含む絶縁層をパターニングする方法であって：
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程；及び
　基板温度制御法に従って，プラズマエッチングシステム内の温度制御された基板ホルダを利用する一連のエッチング処理を前記プラズマエッチングシステム内で実行することによって，前記膜積層体を貫通してパターンを転写する工程；
　を有し，
　前記基板温度制御法は：
　前記パターンを前記ハードマスクを貫通して転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために，及び任意で前記パターンを前記SiCOH含有層へ部分的に転写するために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程；
　前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスク層との間および前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び，
　前記キャップ層を貫通して前記パターンを転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程；
　を有し，
ここで，
　前記キャップ層は，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する，
方法。」
「【請求項１４】
　基板上にトレンチ−ビア構造を準備する方法であって：
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程；
　前記ハードマスク内にトレンチパターンを生成する工程；
　前記トレンチパターンと位置合わせされたビアパターンを備えるビアパターニング層を，前記ハードマスクを覆うように準備する工程；
　プラズマエッチングシステム内で第1エッチングプロセスを用いることによって，前記ビアパターニング層中のビアパターンを前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程；
　前記ビアパターニング層を除去する工程；
　前記プラズマエッチングシステム内で第2エッチングプロセスを用いることによって，前記キャップ層に影響させないようにしながら，前記ハードマスク中のトレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写する工程；
　前記プラズマエッチングシステム内で第3エッチングプロセスを用いることによって，前記SiCOH含有層中のビアパターンを前記キャップ層へ転写する工程；並びに，
　基板温度制御法に従って前記プラズマエッチングシステム内で温度制御された基板ホルダを利用する工程；
　を有し，
　前記基板温度制御法は：
　前記ビアパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために前記第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程；
　前記トレンチパターンを前記SiCOH含有層を通して転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスク層との間および前記SiCOH含有層と前記キャップ層の間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び，
　前記ビアパターンを前記キャップ層へ転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程；
　を有し，
　ここで，前記キャップ層は，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する，
方法。」
「【請求項１８】
　基板上にトレンチ−ビア構造を準備する方法であって：
　キャップ層，前記キャップ層を覆うSiCOH含有層，及び，前記SiCOH含有層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記ハードマスクはSi及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層を有する工程；
　前記ハードマスク内にビアパターンを生成する工程；
　プラズマエッチングシステム内で第1エッチングプロセスを用いることによって，前記ハードマスク中の前記ビアパターンを前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程；
　前記ビアパターンと位置合わせされたトレンチパターンを備えるトレンチパターニング層を，前記ハードマスクを覆うように準備する工程；
　前記トレンチパターンを前記ハードマスクへ転写する工程；
　前記トレンチパターンを除去する工程；
　前記プラズマエッチングシステム内で第2エッチングプロセスを用いることによって，前記キャップ層に影響させないようにしながら，前記ハードマスク中のトレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写する工程；
　前記プラズマエッチングシステム内で第3エッチングプロセスを用いることによって，前記SiCOH含有層中のビアパターンを前記キャップ層へ転写する工程；並びに，
　基板温度制御法に従って前記プラズマエッチングシステム内で温度制御された基板ホルダを利用する工程；
　を有し，
　前記基板温度制御法は：
　前記ビアパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために前記第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程；
　前記トレンチパターンを前記SiCOH含有層へ転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスク層との間および前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程；及び，
　前記ビアパターンを前記キャップ層へ転写する第3エッチングプロセスにおける前記第2基板温度よりも低温である第3基板温度を制御する工程；
　を有し，
　ここで，前記キャップ層は，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する，
方法。」
第５　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００３−１３３２９３号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「【請求項１】　(ａ)半導体基板の主面上に配設された絶縁膜上に，所定の開口パターンを有する
エッチングマスクを形成
　(ｂ)前記
エッチングマスクの開口パターンに合わせて，フロロカーボンガスを用いて前記絶縁膜を選択的にエッチング
　前記工程(ａ)は，
　前記エッチングマスクを，１００℃以上の温度条件下でも前記開口パターンが変形しない材質で形成する工程を含み，
　前記工程(ｂ)は，
　前記
半導体基板の温度を，１００℃以上にした状態で前記エッチングを行う
　＜途中省略＞
【請求項６】　前記工程(ａ)は，
　前記
エッチングマスクを，Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，ＷＳｉおよびＷＮから選択される何れかで形成
「【００２８】
【発明の実施の形態】＜発明の概念＞まず，本発明の概念について言及する。発明者は，
エッチング時の基板温度を１００℃以上にするとホールの形状異常の抑制や，下地膜との選択比の向上に有効であるという認識を得る
【００２９】そこで，耐熱性，使い易さ，半導体装置への影響を考慮した結果，従来からのレジスト材の代わりに，
ポリシリコンや窒化シリコン等のような，耐熱性に優れた物質をレジストマスクとして用いて，エッチング時の基板温度を１００℃以上にするという技術的思想に到達
「【００３１】＜Ａ−１．製造方法＞図１に示すように，シリコン基板である半導体基板２００上に，
エッチングストッパであるシリコン窒化膜２０１を配設
シリコン窒化膜２０１上に層間絶縁膜としてシリコン酸化膜２０２を配設
　＜途中省略＞
【００３３】そして，シリコン酸化膜２０２を被エッチング膜とし，シリコン窒化膜２０１を下地膜としてエッチングを行うが，
まず，シリコン酸化膜２０２の主面全面に渡ってポリシリコン膜２０３を形成
【００３４】次に，ポリシリコン膜２０３上に，ホールパターンを有するレジストマスクＲＭ１を写真製版（フォトリソグラフィ）により形成し，
レジストマスクＲＭ１のホールパターンに合わせてポリシリコン膜２０３をパターニング
【００３５】なお，
ポリシリコン膜２０３のエッチングは，層間絶縁膜に比べてポリシリコン膜２０３が薄く，アスペクト比が小さいので，基板温度が１００℃以下でもホールの形状異常は発生せず，レジストマスクＲＭ１として従来からのレジスト材を用いても不都合は生じない
　＜途中省略＞
【００３７】次に，図２に示す工程において，
パターニングされたポリシリコン膜２０３をエッチングマスクとし，基板温度を１００℃以上にしてエッチングを行い，形状異常を抑制したコンタクトホールＣＨ１を形成する
【００３８】
　ここで，
エッチング条件の一例として，２周波平行平板型エッチング装置を用いた場合について説明する
【００３９】
　
２周波平行平板型エッチング装置は，平行に配設された上部電極板（Ｔｏｐ）と下部電極板（Ｂｏｔｔｏｍ）とを有し，それぞれの電極板に異なる周波数の高周波（ＲＦ）電力を供給する構成となっている
【００４０】
　そして，上部電極板には周波数の高い（６０ＭＨｚ程度）ＲＦ電力を供給してプラズマ生成を行い，半導体基板が搭載される下部電極板には周波数の低い（２ＭＨｚ程度）を供給して，半導体基板に入射するイオンのエネルギー制御を行うことができる。
【００４１】
　
ＲＦ電力の供給例は，上部電極板／下部電極板＝２０００／１５００（Ｗ），
　
反応室内のガス圧力は２Ｐａ（パスカル），
　
ガス混合比（供給流量比）は，Ｃ
5
Ｆ
8
／Ｏ
2
／Ａｒ＝１５／２０／３５０（SCCM）である
【００４２】
　ここで，Ｃ5Ｆ8ガスは近年において使用が広まったガスであり，Ｃ4Ｆ8等に比べてＣ／Ｆ比が高く（カーボンリッチ），Ｃ4Ｆ8よりもレジストやシリコンに対する選択性を高めることが可能なガスである。同様な特性を有するガスとしては，Ｃ4Ｆ6がある。
【００４３】なお，図２に示す工程においては，まず，上述した条件で
シリコン酸化膜２０２を貫通してシリコン窒化膜２０１に達するホールを形成した後，当該ホールの底部に露出するシリコン窒化膜２０１を，エッチングにより除去して半導体基板２００に到達するコンタクトホールＣＨ１を得る
「【００７０】また，図１６に，エッチングマスクの開口部の直径が０．２３μｍの場合の，基板温度と，ホール底部における下地膜（シリコン窒化膜）のエッチング選択比との関係を示す。図１６においては，横軸に基板温度（℃）を，左側縦軸にシリコン窒化膜のエッチレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を，右側縦軸に
下地膜のエッチング選択比（Ｓｉ
3
Ｎ
4
のエッチレートに対するＳｉＯ
2
のエッチレートの比率：ＳｉＯ
2
／Ｓｉ
3
Ｎ
4
）
【００７１】図１６から判るように，
基板温度が高まると，シリコン窒化膜のエッチレートは低下し，下地膜のエッチング選択比は向上
「【００９４】＜Ａ−５．
変形例３
エッチングマスクとして
【００９５】
例えば，Ｔｉ（チタン），ＴｉＮ（窒化チタン），Ｗ（タングステン），ＷＳｉ（タングステンシリサイド），ＷＮ（窒化タングステン）等の導電材を用いても良い
「【００９７】＜Ａ−６．
変形例４
被エッチング膜として
【００９８】例えば，ＳｉＯＣ，ＨＳＱ（hydrogen silsesqunioxane），
ＭＳＱ（methylsesqunioxane）
の層間絶縁膜に対して本発明は有効である
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。），及び次の技術的事項が記載されていると認められる。
・引用発明１
　「シリコン酸化膜である層間絶縁膜をパターニングする方法であって：
　エッチングストッパ，前記エッチングストッパを覆うシリコン酸化膜，及び，前記シリコン酸化膜を覆うエッチングマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程であって，前記エッチングマスクはポリシリコン膜を有する工程；及び
　基板の温度を１００℃以上，あるいは，１００℃以下に制御して，２周波平行平板型エッチング装置内の温度制御された一連のエッチング処理を前記２周波平行平板型エッチング装置内で実行することによって，前記膜積層体を貫通してホールパターンを転写する工程；
　を有し，
　ＲＦ電力の供給例は，上部電極板／下部電極板＝２０００／１５００（Ｗ）であり，
　反応室内のガス圧力は，２Ｐａ（パスカル）であり，
　ガス混合比（供給流量比）は，Ｃ5Ｆ8／Ｏ2／Ａｒ＝１５／２０／３５０（SCCM）であり，
　前記基板の温度の制御は：
　前記ホールパターンを前記エッチングマスクを貫通して転写するときに，ホールの形状異常は発生せずに，レジストマスクのホールパターンに合わせてエッチングマスクをパターニングするために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は100℃以下でも不都合は生じない，工程；
　前記シリコン酸化膜を貫通して前記ホールパターンを転写するときに，ホールの形状異常の抑制，及び，前記シリコン酸化膜と前記エッチングストッパとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける100℃以上に第2基板温度を制御する工程；及び，
　当該ホールの底部に露出するエッチングストッパを，エッチングにより除去して基板に到達するコンタクトホールを得る工程；
　を有し，
ここで，
　前記エッチングストッパは，シリコン窒化膜である，
方法。」
・引用文献１の記載から理解される技術的事項
（１）引用発明１において，エッチングマスクとして，ポリシリコン膜に替えて，例えば，Ｔｉ（チタン），ＴｉＮ（窒化チタン），Ｗ（タングステン），ＷＳｉ（タングステンシリサイド），ＷＮ（窒化タングステン）等の導電材を用いても良いこと。
（２）引用発明１において，被エッチング膜として，シリコン酸化膜に替えて，ＭＳＱ（methylsesqunioxane）等の低誘電率（Low-ｋ）の層間絶縁膜を用いても有効であること。
　２　引用文献２ないし１６について
　ア　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平９−１９９４８４号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１４】しかる後，上記の処理を行った基板４を図２に示した反応室２４内に搬送し，試料台１１の上に載置して基板４を−３０℃に冷却する。
この後に行うタングステン膜２及びＴｉＮ／ＴｉＷ膜５のエッチングは，以下の通り合計３ステップで行う
基板４の温度は，３つのステップを通してほぼ−３０℃で一定に保つ
　上記記載から，引用文献２には，タングステン膜，ＴｉＮ／ＴｉＷ膜等の，タングステン，Ｔｉという金属を含む膜をエッチングする際の基板温度として，２０℃よりも低い温度である，−３０℃という温度を用いる場合があるという技術的事項が記載されていると認められる。
　イ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献３（特開平７−２２８９８５号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４７】まず，予備室２の試料挿入／試料取出し系１２から挿入される試料を図２（ａ）で説明する。試料は厚み１mm，直径３インチのＳｉＯ2 基板を用いた。この基板の裏面は平坦に加工されている。ＳｉＯ2 基板の代わりにＳｉ，ＩｎＰ，ＧａＡｓなどの半導体，石英系および多成分系のガラス，ＬｉＮｂＯ3 ，ＬｉＴａＯ3 などの誘電体，磁性体などを用いても良い。
この試料は基板１６上に順にバッファ層２０とコア層１９とＷＳｉ膜１８が形成されており，ＷＳｉ膜１８の上にフォトレジストパターン１７がパターニングされている
【００４８】バッファ層２０はＳｉＯ2 からなり，厚さ約１０μm である。コア層１９には酸化膜が用いられる。例えば，ＳｉＯ2 にＴｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，Ｐ2 Ｏ5 などの屈折率制御用添加物を０．数重量％から１０数重量％添加した膜，あるいはＳｉＯＮ，ＳｉＯx Ｎy Ｈz などである。この実施例ではＳｉＯ2 にＴｉＯ2 を１重量％添加した膜（膜厚約８μm ）を用いた
。ＷＳｉ膜１８はコア層１９をエッチングするためのマスク材となる
【００４９】さて，この図２（ａ）の試料１０を，図１に示す予備室２内に挿入後，ガス供給系１５の矢印方向から予備室２内に，露点が−６０℃以下のＮ2 ガス（あるいはＡｒ，Ｈｅ，Ｏ2 などのガスでもよい。）を流しながら（ガス流量１００cc/min），予備室２内を排気系４で真空排気して乾燥させる。これに併せて２つの反応室１−１及び１−２も排気系３−１，３−２で真空排気する。予備室２および反応室１−１，１−２内の真空度を１．３３×１０-1Pa以下に保った後，一方の反応室１−１につながるゲートバルブ１１−１を開いて試料１０を予備室２から反応室１−１へ搬送し，下部電極１３−２上に載置する。そして，冷媒循環系９とＨｅガス供給系８とにより，
基板を−４０℃に冷却する
ＷＳｉ膜１８のエッチング
エッチングされたＷＳｉパターンの幅はフォトレジストパターン幅に対してわずかに１％の幅減りしかなかった
これは低温エッチングのため，フォトレジストの損傷やエッチングがほとんどなかったためと考えられる
エッチングされたＷＳｉ側面も極めて平滑であった
　上記記載から，引用文献３には，ＷＳｉ膜等の，Ｗという金属を含む膜をエッチングする際の基板温度として，２０℃よりも低い温度である，−４０℃という温度を用いる場合があるという技術的事項が記載されていると認められる。
　ウ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平１−１４６３２８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「第３図（２）において，反応ガスとしてＳＦ６を用いてＳｉ３Ｎ４耐酸化膜３をプラズマエッチングして耐酸化マスク３Ａを形成する。
　
Ｓｉ
３
Ｎ
４
のプラズマエッチングは
　この時，
基板温度が０℃になる
　上記記載から，引用文献４には，Ｓｉ３Ｎ４をプラズマエッチングする際の基板温度として，２０℃よりも低い温度である，０℃という温度を用いる場合があるという技術的事項が記載されていると認められる。
　エ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平９−２７４７９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３７】次に，有磁場マイクロ波プラズマ・エッチャーを用い，上記
ＳｉＮ膜３のドライエッチングを行った
　　ＣＦ4 流量　　　　　　　　　５０　ＳＣＣＭ
　　Ｏ2　 流量                  ２０　ＳＣＣＭ
　　Ｓ2 Ｆ2 流量                １０  ＳＣＣＭ
　　圧力                      １．０　Ｐａ
　　マイクロ波パワー  　　　１０００　Ｗ（２．４５　ＧＨｚ）
　　ＲＦバイアス・パワー        ７０　Ｗ（２　ＭＨｚ）
　　
ウェハ温度                −３０　℃
とした。この結果，図２に示されるような選択酸化マスク３ａが形成された。」
　上記記載から，引用文献５には，ＳｉＮ膜をプラズマエッチングする際の基板温度として，２０℃よりも低い温度である，−３０℃という温度を用いる場合があるという技術的事項が記載されていると認められる。
　オ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献６（特開２００７−２５８５８６号公報：原査定の引用文献７）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１６】
　前記半導体装置の多孔質ＳｉＣＯＨ膜に埋め込められた有機膜をエッチングする例として，複数層レジスト構造を用いてデュアルダマシン法にて配線を形成する場合を例にして説明する。先ず図１に，前記多孔質ＳｉＣＯＨ膜に埋め込められた有機膜を備える膜構造を示す。図中２１は下層側の金属例えば銅の配線層，２２は，銅配線層２１がエッチングされることを防ぐためのストッパ膜であり，例えば厚さ３５ｎｍに形成されたＳｉＣＮ膜又はＳｉＣ膜等より構成される。
２３は例えば厚さ３０ｎｍに形成された，ストッパ膜２２との密着性を高めるための密着膜であり，例えばＳｉＯ
２
膜やＴｉＮ膜等より構成され，前記ストッパ膜２２の補助的機能も有している
　カ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献７（特開２００９−１２３８８６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００５７】
　
配線層間絶縁膜４４は，３員環又は４員環からなる環状有機シロキサン構造の原料を用い，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｒｎなどからなる不活性キャリアガスを用いて反応室に供給し，高周波電力を引加することで成膜を行う
【００５８】
　例えば，ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４は，少なくともシリコン，酸素，炭素，水素からなる環状有機シロキサン原料を用い，本発明に係る方法にて形成した低誘電率絶縁膜である。そのような原料としては，例えば［化３］又は［化４］で示される環状有機シロキサンであることが好ましい。これらの原料は構造中に不飽和炭化水素基を含むため，成膜プラズマ中での炭素の側鎖炭素の脱離を抑制し，絶縁膜内に多くの炭素を取り込むことができるようになる。
　＜途中省略＞
【００６１】
　それらの膜厚は５０〜２００ｎｍ程度が良い。原料分圧をプラズマ励起中に変化させることで，密着性に優れる層などを挿入しても良い。
【００６２】
　ビア層間絶縁膜４３は，
成膜条件や混合ガス原料を追加したり，入れ替えたりすることで，配線層間絶縁膜４４よりも炭素成分の少ないＳｉＯＣＨ層としても良い
【００６３】
　例えば，配線層間絶縁膜４４としては，［化３］からなる原料を気化し，プラズマ気相成長法を用いて形成した環状シロキサンを含む絶縁膜を用い，ビア層間絶縁膜４３及びハードマスク膜４５ａとしては，［化５］からなる原料を気化し，プラズマ気相成長法を用いて形成したシロキサンを含む絶縁膜を選択し，これらを連続成長させることもできる。」
　上記記載から，引用文献７には，３員環又は４員環からなる環状有機シロキサン構造の原料を用い，Ｈｅ，Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｒｎなどからなる不活性キャリアガスを用いて反応室に供給し，高周波電力を引加する成膜において，成膜条件や混合ガス原料を追加したり，入れ替えたりすることで，ＳｉＯＣＨ層を成膜する方法，すなわち，ＳｉＯＣＨ層を気相成長法で形成する技術的事項が記載されていると認められる。
　キ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献８（特開２００４−１２８０５０号公報：原査定の引用文献６）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３１】
次に，同図（ｂ）に示すように，ＳｉＣＨ膜６上に，
平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて層間絶縁膜（第３の絶縁膜）としてのＳｉＣＯＨ膜７を５００ｎｍ堆積する
　上記記載から，引用文献８には，ＳｉＯＣＨ膜を，平行平板型プラズマＣＶＤ装置，すなわち，気相成長法で形成する技術的事項が記載されていると認められる。
　ク　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献９（特開２０１０−１２３８０９号公報：原査定の引用文献８）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３１】
　本実施形態に係るウエハ載置台４は，略円柱状をなしており，絶縁部材３の上に設けられた金属製，例えばアルミニウム製の載置台本体４１を有する。載置台本体４１の上には，ウエハＷの載置部として機能する，ウエハＷの載置面を有する静電チャック４２とを有している。静電チャック４２は載置台本体４１よりも小径であり，載置台本体４１の上端周縁部には，静電チャック４２を囲むように，環状のフォーカスリング４３が配置されている。このフォーカスリング４３は例えば絶縁材料からなっており，これによりエッチングの均一性が向上される。なお，載置台本体４１は下部電極として機能する。
【００３２】
　載置台本体４１の内部には，冷媒循環路４５が設けられており，この冷媒循環路４５には，冷媒導入管４６および冷媒排出管４７が接続されている。この冷媒循環路４５には，例えばフッ素不活性液体などの冷媒が冷媒供給機構４８から冷媒導入管４６を介して供給されて循環され，その冷熱がウエハＷに伝達されるようになっている。冷媒温度は低い方が冷却能力が高く好ましいが，低すぎると結露を起こす。
【００３３】
　静電チャック４２は，ウエハＷより若干小径に形成され，誘電体からなる本体４２ａとその中に介在された電極４２ｂとを有している。電極４２ｂには直流電源５０が接続されており，この直流電源５０から例えば１．５ｋＶの直流電圧が印加されることにより，静電気力，例えばクーロン力，ジョンセン・ラーベック力によってその上に載置されたウエハＷを静電吸着する。直流電源５０はスイッチ５１によりオン・オフされるようになっている。本体４２ａを構成する誘電体としてはＡｌ２Ｏ３，Ｚｒ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，Ｙ２Ｏ３等のセラミックスが例示される。
【００３４】
　ウエハ載置台４に載置されたウエハＷの裏面側には，伝熱ガスであるＨｅガスを供給するためのガス流路５２が接続されている。ガス流路５２にはガス供給配管５３が接続されており，ガス供給配管５３にはＨｅ供給機構５５が接続されている。そしてＨｅ供給機構５５からガス供給配管５３およびガス流路５２を介してＨｅガスがウエハＷの裏面に供給され，Ｈｅガスを介して冷媒の冷熱をウエハＷに伝達するようになっている。すなわち，Ｈｅガスは冷媒の冷熱を伝達する伝熱ガスとして供給される。
【００３５】
　載置台本体４１の内部の冷媒循環路４５と静電チャック４２との間の伝熱経路には，伝熱コントロール部６０が水平に設けられている。伝熱コントロール部６０は，図２に示すように，載置台本体４１内のウエハＷに対応する位置に設けられた，ウエハＷよりも大径の円板状をなす空間部６１と，空間部６１内に充填された，多数の連通する空隙が存在する固体部材６２とで構成されている。
【００３６】
固体部材６２は，空隙に伝熱ガスが存在しないときに断熱できるように断熱材で構成することが好ましい。また，安定でかつ容易に変形しないように硬度および機械的強度が比較的高い材料が好ましい。このような観点から固体部材６２としては多孔質セラミックスが好適である。また，固体部材６２としては，多孔質金属材料，発泡ゴム，グラスファイバー等も使用することができる。」
　ケ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献１０（特開２００７−２６６０９９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００３】
　一方高集積化を図るためにデバイス構造が多層化されているが，動作速度を向上させるためには寄生容量を小さくすることが必要であることから，絶縁膜例えば層間絶縁膜についても低誘電率膜の材料の開発が進められている。この低誘電率膜の一つとして，例えばＳｉ−Ｃ結合を有するポーラス
ＭＳＱ（Ｍｅｔｈｙｌ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ−Ｓｉｌｓｅｓ−Ｑｕｉｏｘａｎｅ）膜
ＳｉＣＯＨ膜
　上記記載から，引用文献１０には，「ＭＳＱ（Ｍｅｔｈｙｌ−ｈｙｄｒｏｇｅｎ−Ｓｉｌｓｅｓ−Ｑｕｉｏｘａｎｅ）膜」が，ＳｉＣＯＨ膜の一種であるという技術的事項が記載されていると認められる。
　コ　平成２９年４月１０日付けの拒絶の理由に引用された引用文献１１（特表２０１０−５０６３８１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　処理システム内で基板を支持する基板ホルダであって：
　第1温度を有する温度制御された支持体底部；
　該
温度制御された支持体底部
基板支持体
　前記基板支持体と結合して該
基板支持体を
加熱する
加熱素子
　前記温度制御された支持体底部と前記基板支持体との間に設けられた
断熱材
　を有する基板ホルダ。
　＜途中省略＞
【請求項１５】
　前記基板支持体は，該
基板支持体内部に埋め込まれていて基板を前記基板支持体へ電気的に固定するように備えられている固定用電極
　サ　引用文献１２（特表２００７−５３７６０２号公報：原査定の引用文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００８７】
　
エッチング中の動作温度は，一部の実施形態において，約−２０℃〜約４０℃である
トレンチのエッチングの場合カソード温度は２０℃
バイアのエッチングの場合温度は２５℃
「【０１６８】
　エッチングする構造体は実施例７及び８で共通である。これらの構造体は，図１２に示されるような積層を有する直径３００ｍｍのウェハである。エッチング構造体１２００は
バリア層１２１０
中間誘電層（ＩＬＤ）１２２０
キャップ層１２３０
反射防止層つまりＡＲＣ１２４０
バリア層１２１０は
エッチストップとして機能する
ＩＬＤ層１２２０の誘電性材料はＳｉＣＯＨ
Ｓｉ
３
Ｎ
４
を含み得るキャップ層
「【０１７９】
実施例８
　本発明の実施形態の追加例は，
多段階エッチング処理
【０１８０】
　本例の第１工程は，図１２に示される構造体を供給することである。図に示されるように，構造体１２００は，詳細に上述したような様々な層及び構造を有する。また，記載したように，エッチングはアプライドＤＦＢイネーブラー・エッチ内で３００ｍｍウェハを用いて行う。
【０１８１】
　これらのエッチング工程の第１番目は，ＡＲＣ及びキャップ層を，後に誘電層をエッチングできるように貫通してエッチングするＡＲＣ開口及びＴＥＯＳキャップ開口エッチングである。ＡＲＣ開口エッチング中，混合ガスはＣＦ４を１５０ｓｃｃｍ，ＣＨＦ３を３０ｓｃｃｍ含み，圧力は３０ｍＴｏｒｒである。バイアスは１３．５６ＭＨｚ，２０００ワット，電源は０ワットである。アプライドＤＦＢイネーブラー・エッチのＮＳＴＵ設定は１．３５，ＣＳＴＵ内部／外部（ｉ／ｏ）設定は４／０，ウェハ／チャック冷却ヘリウム（Ｈｅ）内部／外部（内−外）圧力は１０Ｔ−１０Ｔである。エッチング時間は３０秒である。
【０１８２】
　次に，４００ｓｃｃｍ，２０ｍＴｏｒｒのＡｒを用い，バイアス１３．５６ＭＨｚ，２００ワット，電源１５０ワットで移行工程を行う。ＤＦＢイネーブラー・エッチのＮＳＴＵ設定は３，ＣＳＴＵ内部／外部（ｉ／ｏ）設定は４．７／０，ウェハ／チャック冷却ヘリウム（Ｈｅ）内部／外部（内−外）圧力は２０Ｔ−１０Ｔである。移行工程の時間は５秒である。
【０１８３】
　ＡＲＣ及びキャップ層を開口した後，本エッチングを行って誘電層をエッチングする。本例において，本エッチングは２部に分けられる。第１本エッチングＭＥ１と第２本エッチングＭＥ２である。ＭＥ１中に適用する混合ガスは，５０ｓｃｃｍのＨ２，１５ｓｃｃｍのＣ４Ｆ６，３０ｓｃｃｍのＣＨ２Ｆ２，１５０ｓｃｃｍのＮ２，４００ｓｃｃｍのＡｒを含み，圧力は１５ｍＴｏｒｒである。エッチング用に発生させるプラズマのＲＦバイアスは２ＭＨｚ，６００ワット，１３．５６ＭＨｚ，６００ワットであり，電源は１５０ワットである。アプライドＤＦＢイネーブラー・エッチのＮＳＴＵ設定は３，ＣＳＴＵ内部／外部（ｉ／ｏ）設定は４．７／０，ウェハ／チャック冷却ヘリウム（Ｈｅ）内部／外部（内−外）圧力は２０Ｔ−１０Ｔである。一旦プラズマが発生したら，構造体を３０秒間エッチングする。
【０１８４】
　ＭＥ２中に適用する混合ガスは流量０ｓｃｃｍのＨ２，１５ｓｃｃｍのＣ４Ｆ６，２０ｓｃｃｍのＣＨ２Ｆ２，２００ｓｃｃｍのＮ２，２００ｓｃｃｍのＡｒを含み，圧力は１５ｍＴｏｒｒである。エッチング用に発生させるプラズマのＲＦバイアスは２ＭＨｚ，１５００ワット及び１３．５６ＭＨｚ，１５００ワットであり，電源は１５０ワットである。アプライドＤＦＢイネーブラー・エッチのＮＳＴＵ設定は３，ＣＳＴＵ内部／外部（ｉ／ｏ）設定は４．７／０，ウェハ／チャック冷却ヘリウム（Ｈｅ）内部／外部（内−外）圧力は２０Ｔ−１０Ｔである。一旦プラズマが発生したら，構造体を１５秒間エッチングし，バリア層１２１０に達する直前にエッチングを終了する。
【０１８５】
　次に，バリア層１２１０をエッチングするために，オーバーエッチングつまりＯＥ工程を用いる。本例のオーバーエッチング工程は，流量１３ｓｃｃｍのＣ４Ｆ６，２００ｓｃｃｍのＮ２，２００ｓｃｃｍのＡｒを含み，圧力は２０ｍＴｏｒｒ，ＲＦバイアスは２ＭＨｚ，１５００ワット及び１３．５６ＭＨｚ，１５００ワット，電源は０ワット，ＮＳＴＵ設定は９，ＣＳＴＵ設定は２．５／０，Ｈｅ内−外は１５Ｔ−１５Ｔ，時間は４５秒である。」
  上記記載から，引用文献１２には，バリア層１２１０（本願発明の「キャップ層」に相当），ＳｉＣＯＨからなるＩＬＤ層１２２０，Ｓｉ３Ｎ４等を含み得るキャップ層１２３０及び反射防止層１２４０（本願発明の「ハードマスク」に相当）からなる構造体を，エッチング条件が各段階において異なる多段階エッチング処理によって，プラズマエッチングする方法が記載されているものと認められる。
　シ　引用文献１３（特開２０００−１５０４１５号公報：原査定の引用文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項５】　半導体基板の表面上に酸化膜を形成する工程と，フォトリソグラフィにより前記
酸化膜のコンタクト形成予定領域をエッチングしてコンタクトを途中まで形成する第１エッチング工程
第１エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクトを途中まで形成する第２エッチング工程
第２エッチング工程よりも低い温度で前記酸化膜を更にエッチングしてコンタクトを形成する第３エッチング工程
　上記記載から，引用文献１３には，エッチング中に基板温度を段階的に下げてドライエッチングする技術的事項が記載されていると認められる。
　ス　引用文献１４（特開平０９−２３２２８１号公報：原査定の引用文献３）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２４】次に，図４に示したエッチング装置１を用いた本発明のドライエッチング処理方法の第２実施形態例を，図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。この処理方法は，本発明の方法を，コンタクトホールをエッチング処理によって加工する方法に適用した例である。すなわち，この例は，図２（ａ）に示すようにシリコン基板４０上のＳｉＯ2 層４１の上にフォトレジストパターン４２を形成した試料Ｗの，ＳｉＯ2 層４１をエッチング処理してこれをフォトレジストパターン４２に対応したパターン形状に加工するもので，
第１ステップとして常温でジャストエッチング（メインエッチング）を，続く第２ステップとして低温によるオーバーエッチングを行う
【００２５】まず，以下の条件で
第１ステップのジャストエッチング
ＳｉＯ
2 
層４１を，薄膜となる一部を残した状態にまでエッチング除去
・第１ステップ（ジャストエッチング）
エッチングガス；Ｃ4 Ｆ8 ／Ｏ2 　５０／１０ＳＣＣＭ
圧　　　　　　；５ｍＴｏｒｒ
ソースパワー１（ＲＦアンテナ４）；２５００Ｗ（１３．５６Ｈｚ）
ソースパワー２（ＲＦアンテナ３，３）；２５００Ｗ（１３．５６Ｈｚ）
パルスＯＮ／ＯＦＦ；１０μｓｅｃ／３０μｓｅｃ
ＲＦバイアス　；５００Ｗ
試料温度　　　；２０℃
なお，ここでの試料温度調整についても，第１実施形態例の場合と同様に，ステージ１２に備えられた静電チャックのヒータ（図示略）とチラー１７による冷却とを併用して行い，特に前述した制御装置２３による冷却制御によって試料温度を微調整している。
　＜途中省略＞
【００２８】続いて，放電を再度行って以下の条件で低温（−５０℃）による
第２ステップのオーバーエッチング
ＳｉＯ
2
 層４１の一部をエッチング除去
・第２ステップ（オーバーエッチ）
エッチングガス；Ｃ4 Ｆ8 ／Ｏ2 　５０／１０ＳＣＣＭ
圧　　　　　　；５ｍＴｏｒｒ
ソースパワー１（ＲＦアンテナ４）；２５００Ｗ（１３．５６Ｈｚ）
ソースパワー２（ＲＦアンテナ３，３）；２５００Ｗ（１３．５６Ｈｚ）
パルスＯＮ／ＯＦＦ；１０μｓｅｃ／３０μｓｅｃ
ＲＦバイアス　；２００Ｗ
試料温度　　　；−５０℃
　上記記載から，引用文献１４には，エッチング中に基板温度を段階的に下げてドライエッチングする技術的事項が記載されていると認められる。
　セ　引用文献１５（特開平０４−０９６２２４号公報：原査定の引用文献４）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「２　特許請求の範囲
　１．被エッチング材の少なくとも被エッチング部を０℃以下にした状態でエッチングを行う低温エッチング方法において，
　該被エッチング部はエッチング特性の異なる２以上の層を有する多層膜であり，
　該多層膜を構成する各層のエッチングは，各層に適正な堆積性ガスを添加した
エッチングガスにより該エッチングを行う
　２．被エッチング材の少なくとも被エッチング部を０℃以下にした状態でエッチングを行う低温エッチング方法において，
　エッチングは複数のエッチングチェンバーを有するエッチング装置により行い，
　上記被エッチング部のエッチングは，温度を互いに異ならしめたエッチングチェンバーにより行うことを特徴とする低温エッチング方法。
　３．該被エッチング部はエッチング特性の異なる２以上の層を有する多層膜であり，
　上記被エッチング部である該多層膜を構成する各層のエッチングは，各層に適正な温度に制御した各エッチングチェンバー内で行うことを特徴とする請求項２に記載の低温エッチング方法。
　４．該被エッチング部は単層膜であり，
はじめに高温条件で高速エッチングを行い
次いで低温条件で高選択エッチングを行う
　上記記載から，引用文献１５には，エッチング中に基板温度を段階的に下げてドライエッチングする技術的事項が記載されていると認められる。
　ソ　引用文献１６（特開２００４−３３６０３８号公報：原査定の引用文献５）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４４】
　
多孔質のＳｉＣＯＨ型の誘電体を部分的にエッチングして平滑なエッチングフロントを得るための最良の公知なプロセス条件
【００４５】
　エッチングガス：８０ｓｃｃｍＣＦ4，４０ｓｃｃｍＨ2，４００ｓｃｃｍＡｒ，ＣＦ4及びＨ2における５％の変動では，ＣＦ4：Ｈ2比が約２：１に保たれている限り，同様な結果が得られるであろう。
　エッチングプロセスの圧力：２００mTorr
　プラズマの電力：１０００Ｗ；ウエハプレートに対して１３．５６ＭＨｚが与えられる（ＲＩＥ）。（「ウエハレンズ効果」を避けるため，圧力が増加した時に電力を増加させる必要がある。）
　
ウエハ表面の温度：１００〜１７０℃
　上記記載から，引用文献１６には，ＳｉＣＯＨ型の誘電体を部分的にエッチングして平滑なエッチングフロントを得るための最良の公知なプロセス条件として，ウエハ表面の温度：１００〜１７０℃というものがあるという技術的事項が記載されていると認められる。
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
　ア　引用発明１の「シリコン酸化膜である層間絶縁膜」と，本願発明１の「ＳｉＣＯＨ含有層を含む絶縁層」は，「絶縁層」である点で一致する。
　イ　引用発明１の「エッチングストッパ」，「『エッチングマスク』とされた『ポリシリコン膜』」，「２周波平行平板型エッチング装置」，「ホールパターン」は，本願発明１の「キャップ層」，「ハードマスク」，「プラズマエッチングシステム」，「パターン」に相当する。
　ウ　基板の温度制御を，「温度制御された基板ホルダ」で行うことは通常の方法であるから，引用発明１の基板の「温度制御」は，「温度制御された基板ホルダ」で行われているものと理解できる。
　エ　引用発明１の「ホールの形状異常は発生せずに，レジストマスクのホールパターンに合わせてエッチングマスクをパターニングする」は，本願発明１の「『制御されたプロファイル』『を実現』」に相当する。
　オ　引用発明１と，本願発明１とは，「第2エッチングプロセスにおける第2基板温度」を，絶縁層とキャップ層との間でのエッチング選択性を実現するために制御している点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「絶縁層をパターニングする方法であって：
　キャップ層，前記キャップ層を覆う絶縁層，及び，前記絶縁層を覆うハードマスクを有する膜積層体を基板上に準備する工程；及び
　基板温度制御法に従って，プラズマエッチングシステム内の温度制御された基板ホルダを利用する一連のエッチング処理を前記プラズマエッチングシステム内で実行することによって，前記膜積層体を貫通してパターンを転写する工程；
　を有し，
　前記基板温度制御法は：
　前記パターンを前記ハードマスクを貫通して転写するときに制御されたプロファイルを実現するために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程；
　前記絶縁層を貫通して前記パターンを転写するときに前記絶縁層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現するために第2基板温度を制御する工程；及び，
　前記キャップ層を貫通して前記パターンを転写する第3エッチングプロセス工程；
　を有する，
方法。」
（相違点）
（相違点１）一致点に係る「キャップ層，前記キャップ層を覆う絶縁層，及び，前記絶縁層を覆うハードマスクを有する膜積層体」が，本願発明１では，「キャップ層」が「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」ものであり，「絶縁層」が「SiCOH含有層を含む絶縁層」であり，「ハードマスク」が「Si及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層」の組合せからなる膜積層体であるのに対して，引用発明１では，「シリコン窒化膜」，「シリコン酸化膜である層間絶縁膜」及び「ポリシリコン膜」の組合せからなる膜積層体である点。
（相違点２）パターンをハードマスクを貫通して転写するときの第1エッチングプロセスにおける「第1基板温度」，絶縁層を貫通してパターンを転写するときの第2エッチングプロセスにおける「第2基板温度」，及びキャップ層を貫通してパターンを転写する第3エッチングプロセスにおける「第3基板温度」の制御が，本願発明１では，「第1基板温度」が「20℃よりも低い」温度であり，「第2基板温度」が「第1基板温度よりも高温である」温度であり，「第3基板温度」が「第2基板温度よりも低温」に制御されるものであるのに対して，引用発明１では，第1基板温度が「100℃以下でも不都合は生じない」ものとされ，第2基板温度が「100℃以上」に制御され，第3基板温度の制御については特定されていない点。
（相違点３）第1エッチングプロセスにおける基板温度の制御が，本願発明１では，パターンをハードマスクを貫通して転写するときに「『限界寸法(CD)を実現するため』，『及び任意で前記パターンを前記SiCOH含有層へ部分的に転写するために』」にも行われるものであるのに対して，引用発明１は，そのような目的が特定されていない点。
（相違点４）第2エッチングプロセスにおける基板温度の制御が，本願発明１では，「『SiCOH含有層とハードマスクとの間』『でのエッチング選択性』」を実現するためにも行われるものであるのに対して，引用発明１は，そのような目的が特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　ホールの形状異常の程度，エッチング選択性の大小は，エッチング対象の材質と温度の組合せによって変化するから，材質に係る相違点１と温度制御に係る相違点２とを一体として検討する。
　上記引用文献１ないし１６には，「キャップ層」が「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」材料であり，「絶縁層」が「SiCOH含有層を含む絶縁層」である組合せを含む膜積層体において，20℃よりも低い第1基板温度よりも高温である第2基板温度に基板温度を制御して，「絶縁層」を「キャップ層」に対して高いエッチング選択比でエッチング処理を行い，その後，「第2基板温度よりも低温である第3基板温度」で「キャップ層」に対してエッチング処理を行うという技術的事項は記載されておらず，本願優先日前において周知技術であるともいえない。
　してみれば，キャップ層が「シリコン窒化膜」であり，「絶縁層」が「シリコン酸化膜」である組合せを含む膜積層体を，100℃以上の基板温度に制御して，Ｃ5Ｆ8を含むエッチングガスを用いることで，「シリコン窒化膜」に対して「シリコン酸化膜」を高いエッチング選択比でエッチング処理を行うことを特徴とする引用発明１において，「キャップ層」として前記「シリコン窒化膜」に替えて「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」材料を用い，「絶縁層」として前記「シリコン酸化膜」に替えて「SiCOH含有層を含む絶縁層」を用いるように変更した上で，基板温度制御を，「20℃よりも低い第1基板温度よりも高温」に制御して絶縁層をエッチング処理した後に，「第2基板温度よりも低温」となるように制御するように変更してキャップ層に対してエッチング処理を行うようにすることは，これら一連の変更を行う動機を見いだすことができないことから，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　そして，本願発明１は，「キャップ層」が「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」材料であり，「絶縁層」が「SiCOH含有層を含む絶縁層」であり，「ハードマスク」が「Si及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層」であるという組合せからなる積層体材料に対して，「20℃よりも低い」第1基板温度，「第1基板温度よりも高温である第2基板温度」，「第2基板温度よりも低温である第3基板温度」という基板温度制御を伴うエッチング処理を行うことによって，本願の発明の詳細な説明に記載された，金属インターコネクトのために絶縁層の積層体にlow-k材料を実際に実装する際に存在する多くの課題の一であって，トレンチ及びビア構造用の特定の限界寸法(CD)を実現しながら下地のインターコネクト層へ損傷を及ぼすことなく絶縁層の積層体を選択的にパターニングするという課題（本願明細書【０００５】）を解決するという顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって，他の相違点について判断するまでもなく，本願発明１は，引用発明１，引用文献１ないし１６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし１３について
　本願の請求項２ないし１３は，請求項１を直接または間接に引用する発明であって，本願発明１の発明特定事項を全て含むから，本願発明２ないし１３もまた，本願発明１と同じ理由により，引用発明１，引用文献１ないし１６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　３　本願発明１４，１８，及び本願発明１５ないし１７について
　本願発明１４，１８は，本願発明１を，基板上にトレンチ−ビア構造を準備する方法に適用した発明であって，本願発明１４，１８は，いずれも本願発明１の上記相違点１，２に相当する構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，引用発明１，引用文献１ないし１６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　さらに，本願発明１５ないし１７は，請求項１４を引用する発明であって，本願発明１４の発明特定事項を全て含むから，本願発明１５ないし１７もまた，本願発明１４と同じ理由により，引用発明１，引用文献１ないし１６に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，本願明細書の記載からは，”LEL”=下部電極の温度が，６０℃である場合に，「前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性」を実現することができると当業者が予測することは困難といえる等の拒絶理由を通知しているが，平成２９年１０月１１日付けの補正において，「前記キャップ層は，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」とする発明特定事項を付加する補正がされるとともに意見書において説明がなされた結果，これらの拒絶の理由は解消した。
第８　特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性要件）について
（１）当審では，補正前の請求項１の文頭に「絶縁層をパターニングする方法であって：・・・」とあるが，これに続く請求項１の文中には，「絶縁層」との用語が記載されていないから請求項１に記載された発明を明確に把握することができないとの拒絶理由を通知しているが，平成２９年１０月１１日付けの補正において，補正前の「絶縁層」を，「SiCOH含有層を含む絶縁層」とする補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
（２）当審では，「請求項１には，『前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法・・・前記基板温度制御法は：前記パターンを前記ハードマスクを貫通して転写するときに制御されたプロファイルと限界寸法(CD)を実現するために，及び任意で前記パターンを前記SiCOH含有層へ部分的に転写するために，第1エッチングプロセスにおける第1基板温度を制御する工程であって，前記第1基板温度は20℃よりも低い，工程；前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するために第2エッチングプロセスにおける前記第1基板温度よりも高温である第2基板温度を制御する工程・・・』とあり，請求項１の記載は，文の前半で特定する『基板温度制御法』を，文の後半において，『前記基板温度制御法は：』として説明する構造となっている。しかしながら，前記記載は，文の前半で，『SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性』の実現を特定するのに対して，文の後半では，『前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性』を実現することが特定されており，選択性を実現する対象が文の前半と後半で整合していない。したがって，請求項１に係る発明を明確に把握することができない。請求項１６，請求項２０も同様である。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１０月１１日付けの補正において，文の前半の「前記SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現する基板温度制御法」を「基板温度制御法」と補正し，文の後半の「前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現するため」を，「前記SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスク層との間および前記SiCOH含有層と前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現するために」とする補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
（３）当審では，「請求項２０に『前記ビアパターニング層中のビアパターン層を前記SiCOH含有層へ少なくとも部分的に転写する工程』とあるが，当該記載の『前記ビアパターニング層』の『前記』に対応する記載が，請求項２０に存在しない。また，『ビアパターン層』を転写は，日本語として理解することができない。（『層』の転写は，日本語として不自然である。）」，及び，「【００３２】の『(ii)パターン160を，絶縁層130を貫通するように転写する第2エッチングプロセスにおいて前記第1基板温度よりも低温となるように第2基板温度を制御する工程』は，『(ii)パターン160を，絶縁層130を貫通するように転写する第2エッチングプロセスにおいて前記第1基板温度よりも高温となるように第2基板温度を制御する工程』の誤記ではないのか。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１０月１１日付けの補正において補正がされた結果，これらの拒絶の理由は解消した。
第９　特許法第３６条第４項第１号（発明の実施可能要件）について
　当審では，「発明の詳細な説明には，『キャップ層』，『SiCOH含有層』，『ハードマスク』，『平坦化層』の具体的な組成，及び，各層を『エッチング処理』する際の具体的なエッチング条件が記載されていない。そして，エッチング特性が，材料によって異なることは当業者において周知の事項である。そうすると，『キャップ層』，『SiCOH含有層』，『ハードマスク』，『平坦化層』の材料，及び，各層を『エッチング処理』する際の具体的なエッチング条件を選定して，『SiCOH含有層とその下の前記キャップ層との間でのエッチング選択性を実現』し，かつ，『SiCOH含有層を貫通して前記パターンを転写するときに前記SiCOH含有層と前記ハードマスクとの間でのエッチング選択性を実現』するために，当業者は過度の試行錯誤を要すると認められる。しかも，本願の請求項６，８，９に係る発明においては，『ハードマスク』及び『キャップ層』は，複数の層を有するのであるから，これら複数の層の特性を考慮した上で，前記選択性を実現することは，さらに困難といえる。すなわち，発明の詳細な説明の記載は，当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分なものとは認められない。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１０月１１日付けの補正において，「前記キャップ層は，シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」ことを特定する補正がなされ，さらに意見書において説明がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第１０　原査定についての判断
　平成２９年１０月１１日付けの補正により，補正後の請求項１ないし１８は，「キャップ層」が「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」材料であり，「絶縁層」が「SiCOH含有層を含む絶縁層」であり，「ハードマスク」が「Si及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層」である積層体材料，及び，「20℃よりも低い」第1基板温度，「第1基板温度よりも高温である第2基板温度」，「第2基板温度よりも低温である第3基板温度」という制御という技術的事項を有するものとなった。
　そして，当該「キャップ層」が「シリコンカーバイド(SixCy)，シリコン炭窒化物(SiCxNy)，又はSiCxNyHz，又はこれらの２種以上の組み合わせを有する」材料であり，「絶縁層」が「SiCOH含有層を含む絶縁層」であり，「ハードマスク」が「Si及びOを含む少なくとも1層の層又は金属を含む少なくとも1層の層」である積層体材料，及び，「20℃よりも低い」第1基板温度，「第1基板温度よりも高温である第2基板温度」，「第2基板温度よりも低温である第3基板温度」という制御という技術的事項は，原査定における引用文献１ないし８には記載されておらず，本願優先権主張の日前における周知技術でもないので，本願発明１ないし１８は当業者であっても，原査定における引用文献１ないし８に基づいて容易に発明をすることはできない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第１１　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。