(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、傾斜した側面を有する外部接続用電極部を備えた電子部品を１つ以上形成する部品形成工程と、
前記電子部品を前記第１基板上で個々の電子部品に分離すると共に、前記傾斜した側面を露出させる分離工程と、
前記電子部品を前記第１基板上から第２基板上に移す転写工程と、
前記傾斜した側面を含む経路上に液体材料を塗布することにより、前記電子部品の外部接続用電極部と前記第２基板上の電極とを電気的に接続する配線を形成する配線形成工程とを備え、
前記分離工程では、異方性エッチングにより個々の電子部品に分離した後、等方性エッチングにより前記傾斜した側面を露出させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線形成工程では、前記液体材料を塗布する前に、前記経路の周囲に撥液処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線形成工程では、インクジェット法を用いて前記液体材料を塗布することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１基板の第１面に、外部接続用電極部を備えた電子部品を１つ以上形成する部品形成工程と、
前記電子部品を前記第１基板上で個々の電子部品に分離する分離工程と、
前記電子部品を前記第１基板から第２基板の第１面に移す転写工程と、
前記第２基板の前記第１面に配置された電極と、前記外部接続用電極部と、に重なるように液体材料を塗布し、前記電極と前記外部接続用電極部とを電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、を備え、
前記外部接続用電極部が前記電子部品の端部に形成されたものであり、前記電子部品の前記端部が第１の部分と第２の部分とを有し、前記第１の部分と前記第２の部分とが前記外部接続用電極部に覆われ、前記第１の部分の膜厚が前記第２の部分の膜厚より大きく、前記第２の部分が前記第１の部分より前記第２基板の外周寄りに位置し、
前記分離工程では、異方性エッチングにより個々の電子部品に分離した後、等方性エッチングにより前記端部を露出させる、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電子デバイスを基板上に実装した半導体装置において、電子デバイスの外部接続用の電極と基板の端子とを電気的に接続する金属配線を形成する方法がいくつか知られている。例えば、ワイヤボンディングによって金属配線で接続する方法や、インクジェット法を用いて導電性材料を含む液体材料を塗布することにより配線を形成する方法などが知られている。
インクジェット法を用いて配線を形成する場合、電子デバイスに設けられた外部接続用電極と基板の端子との間には多くの場合段差があるため、電気的接続が安定した配線を形成するためには工夫が必要である。例えば特許文献１には、この段差を絶縁樹脂で覆うことにより緩やかな傾斜にすることが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−３０２８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載された方法では、段差を緩やかな傾斜にするために、絶縁樹脂で覆う工程が必要となる。
そこで本発明の目的は、製造工程を複雑にせずに、半導体装置の電子部品と配線との電気的接続の安定性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板上に形成され、傾斜した側面を有する外部接続用電極部を備えた電子部品を、前記傾斜した側面を露出させた状態で前記第１基板上から第２基板上に移す転写工程と、前記傾斜した側面を含む経路上に液体材料を塗布することにより、前記電子部品の外部接続用電極部と前記第２基板上の電極とを電気的に接続する配線を形成する配線形成工程とを備えたものである。
これによれば、電子部品の外部接続用電極部の側面が傾斜を有しているため、液体材料を傾斜した側面に沿って塗布することができる。このため、電気的接続の安定した配線を形成することができる。また、外部接続用電極部の側面全体に液体材料を塗布することができるので、外部接続用電極部と配線の接触面積を大きくすることができ、電気的接続の安定性を向上させることができる。
【０００５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板上に、傾斜した側面を有する外部接続用電極部を備えた電子部品を１つ以上形成する部品形成工程と、前記電子部品を前記第１基板上で個々の電子部品に分離すると共に、前記傾斜した側面を露出させる分離工程と、前記電子部品を前記第１基板上から第２基板上に移す転写工程と、前記傾斜した側面を含む経路上に液体材料を塗布することにより、前記電子部品の外部接続用電極部と前記第２基板上の電極とを電気的に接続する配線を形成する配線形成工程とを備えたものである。
これによれば、電子部品の外部接続用電極部の側面が傾斜を有しているため、液体材料を傾斜した側面に沿って塗布することができる。このため、電気的接続の安定した配線を形成することができる。また、外部接続用電極部の側面全体に液体材料を塗布することができるので、外部接続用電極部と配線の接触面積を大きくすることができ、電気的接続の安定性を向上させることができる。
【０００６】
また、前記配線形成工程では、前記液体材料を塗布する前に、前記経路に撥液処理を施すことを特徴とすることが望ましい。
これにより、液体材料が実装基板や電子部品の表面上で広がらず、配線経路上に確実に液体材料を塗布することができる。
【０００７】
また、前記配線形成工程では、例えばインクジェット法を用いて前記液体材料を塗布することにより、簡易かつ確実に液体材料を塗布することができる。
【０００８】
また、前記分離工程では、異方性エッチングにより個々の電子部品に分離した後、等方性エッチングにより前記傾斜した側面を露出させることができる。
【０００９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１基板の第１面に配置され、外部接続用電極部を備えた電子部品を前記第１基板から第２基板の第１面に移す転写工程と、前記第２基板の前記第１面に配置された電極と、前記外部接続用電極部と、に重なるように液体材料を塗布し、前記電極と前記外部接続用電極部とを電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、を備え、前記外部接続用電極部が前記電子機器の端部に形成されたものであり、前記電子部品の前記端部が第１の部分と第２の部分とを有し、前記第１の部分と前記第２の部分とが前記外部接続用電極部に覆われ、前記第１の部分の膜厚が前記第２の部分の膜厚より大きく、前記第２の部分が前記第１の部分より前記第２基板の外周寄りに位置する、ことを特徴とするものであってもよい。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に位置し、電子部品と、前記基板上に位置する電極と、前記電子部品の端部に形成された外部接続用電極部と前記電極とに接する配線と、を含み、前記電子部品の前記端部が第１の部分と第２の部分とを有し、前記第１の部分と前記第２の部分とが前記外部接続用電極部に覆われ、前記第１の部分の膜厚が前記第２の部分の膜厚より大きく、前記第２の部分が前記第１の部分より前記基板の外周寄りに位置する、ことを特徴とする。
これによれば、第１の部分と第２の部分との間の面が電子部品の傾斜した側面となることもでき、この場合、第１の部分と第２の部分とにまたがって形成される外部接続用電極部も、傾斜した側面に沿って形成されていることになる。このため、電気的接続の安定した配線を形成することができる。なお、第１の部分と第２の部分との間の面は曲率を有したものであってもよい。
【００１１】
上記半導体装置において、前記端部の膜厚が前記第１の部分から前記第２の部分にかけて連続的に変化することが好ましい。これによれば、配線が断線する可能性を低減することができる。
【００１２】
上記半導体装置において、前記端部の前記第１の部分が前記電子部品の上面の一部をなすことが好ましい。これによれば、配線の接触する面積が増加するため、接触不良の発生を低減することができる。
【００１３】
本発明の半導体装置は、電気光学装置や電子機器に適用することができる。ここで、電気光学装置とは、例えば、液晶素子、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ素子等を備えた装置であって、本発明の半導体装置を駆動回路等に適用した装置などをいう。また、電子機器とは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備える。その構成に特に限定は無いが、例えばＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１〜図７を用いて、実施の形態１による半導体装置１０の製造方法について説明する。
図１（Ａ）は、図７に示す半導体装置１０に実装される薄膜チップ（電子部品）２０の構成の概略を示す図である。図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ部を拡大した図である。図１（Ｂ）に示すように、薄膜チップ２０は、ＴＦＴ等の電子デバイス部２１と、外部接続用電極部２２を１つ以上備えている。薄膜チップ２０は、図１（Ｃ）に示すように薄膜チップ製造基板（第１基板）３０上に製造される。一般に、薄膜チップ製造基板３０上には薄膜チップ２０が複数製造される。この薄膜チップ２０を薄膜チップ製造基板３０から半導体装置１０の基板（第２基板）上に転写した後、薄膜チップ２０と基板上の端子とを電気的に接続する配線を形成することにより半導体装置１０を製造する。
【００１５】
図２（Ａ）は、薄膜チップ製造基板３０上に製造された薄膜チップ２０の電子デバイス部２１と外部接続用電極部２２の構成を示す平面図、図２（Ｂ）は、外部接続用電極部２２の断面（図２（Ａ）のＸ−Ｘ断面）を示す断面図である。薄膜チップ製造基板３０は、ガラス基板等であり、厚さは０．５〜０．７ｍｍが望ましい。薄膜チップ製造基板３０と薄膜チップ２０の間には剥離層３１が設けられている。剥離層３１は例えばアモルファスシリコンで形成されており、厚さは１００ｎｍ程度が望ましい。
【００１６】
剥離層３１上にはまず下地絶縁膜（二酸化シリコン膜）２３が形成されている。下地絶縁膜２３は、厚さ５００ｎｍ程度が望ましい。下地絶縁膜２３上には厚さ５０ｎｍ程度のゲート絶縁膜（二酸化シリコン膜）２４が形成されている。ゲート絶縁膜２４上に形成されたゲート配線２５は、タンタルで厚さ５００ｎｍ程度に形成されている。層間絶縁膜（二酸化シリコン膜）２６は、８００ｎｍ程度の厚さで形成されており、ソース・ドレイン配線２７は、アルミニウムで厚さ９００ｎｍ程度に形成されている。図２（Ｂ）に示すように、外部接続用電極部２２はソース・ドレイン配線２７と一体に形成され、下地絶縁膜２３の中程まで達している。パッシベーション膜（窒化シリコン膜）２８は、ソース・ドレイン配線２７を覆うように１μｍ程度の厚さに形成されている。
【００１７】
図２（Ｂ）に示すように、外部接続用電極部２２はテーパー状に形成されており、側面は傾斜を有している。薄膜チップ２０を形成する際には、まず、ソース・ドレイン配線２７部分の開口をエッチングにより形成した後、外部接続用電極部２２の開口を形成するためのフォトレジストを形成して、エッチングを行う。その後、ソース・ドレイン配線２７と外部接続用電極部２２を一体に形成する。
【００１８】
次に、薄膜チップ製造基板３０上に複数形成された薄膜チップ２０を単体の薄膜チップ２０に分離する。
図３，４を用いて、薄膜チップ２０の分離について説明する。図３（Ａ）は、薄膜チップ２０の平面図、図３（Ｂ）および図４は、薄膜チップ２０の断面図（図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図）である。
まず、パッシベーション膜２８上にフォトレジスト２９を形成し、チップ分離部３２を開口するようにパターニングする。次に、ＣＦ4プラズマを用いた反応性イオンエッチングを行い、チップ分離部３２を異方性エッチングにより除去する。これにより、図３（Ｂ）に示すように、チップ分離部３２の剥離層３１が露出し、薄膜チップ２０は隣接する薄膜チップ２０と分離される。
【００１９】
さらに、フッ酸溶液を用いて等方性エッチングを行い、薄膜チップ２０の側面部分の下地絶縁膜２３、ゲート絶縁膜２４、および層間絶縁膜２６を除去し、図４に示すように外部接続用電極部２２の側面（図中Ｂの部分）を露出させる。
【００２０】
次に、薄膜チップ２０を半導体装置１０に転写する。
図５（Ａ）〜（Ｃ）を用いて薄膜チップ２０の転写について説明する。図５（Ａ）〜（Ｃ）は、薄膜チップ２０の断面図（図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図）である。
【００２１】
まず、図５（Ａ）に示すように、半導体装置１０の基板１１にスクリーン印刷技術等を用いて熱硬化型接着剤４０を塗布し、薄膜チップ２０のパッシベーション膜２８と貼り合わせる。貼り合わせ後、加熱処理（８０℃、３０分）を施し、接着剤を硬化させる。
【００２２】
次に、図５（Ｂ）に示すように、薄膜チップ製造基板３０の背面よりレーザー光を照射する。ここでは、ＸｅＣｌエキシマレーザー装置を用いて波長３０８ｎｍのレーザー光を照射する。レーザー光を照射することにより、剥離層３１の密着力が低下し、薄膜チップ２０が薄膜チップ製造基板３０から容易に剥離できる。これにより、薄膜チップ２０が半導体装置１０の基板１１上に転写される。基板１１と薄膜チップ２０のパッシベーション膜２８とが接着剤を介して貼り合わされる。
【００２３】
図５（Ｃ）は基板１１に薄膜チップ２０が転写されたあとの半導体装置１０の断面図である。パッシベーション膜２８の端部が第１の部分２８１と第２の部分２８２とを有し、第１の部分２８１と第２の部分２８２とが外部接続用電極部２２に覆われている。第１の部分２８１の膜厚は第２の部分２８２の膜厚より大きい。また、第２の部分２８２が第１の部分２８１より基板１１の外周寄りに位置している。
【００２４】
次に、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２と、基板１１上の電極とを接続する金属配線を形成する。
図６，７を用いて金属配線の形成について説明する。図６（Ａ）および図７（Ａ）は、基板１１上の薄膜チップ２０の平面図、図６（Ｂ）および図７（Ｂ）は、それぞれ図６（Ａ）および図７（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。
【００２５】
まず、図６（Ｂ）に示すように、基板１１と薄膜チップ２０の表面に自己組織化膜５０を形成し、表面を撥液化する。自己組織化膜５０は、例えばフルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）を用いて形成することができる。
【００２６】
次に、図７に示すように、外部接続用電極部２２の傾斜した側面を含む経路上にインクジェット法を用いて導電性材料を含む液体材料を吐出し、金属配線６０を形成する。上述したように、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２の側面はあらかじめ露出させている。液体材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの導電性材料を１０ｎｍ程度に細粒化した導電性微粒子を、テトラデカンなどの溶剤に分散させたものを用いる。
【００２７】
液体材料をインクジェット法によって塗布した後、加熱して溶剤成分を除去することにより金属配線６０が形成される。なお、液体材料の塗布は、インクジェット法以外にディスペンサを用いた滴下などの方法で行っても良い。
【００２８】
基板１１および薄膜チップ２０の表面には自己組織化膜５０が形成されているため、吐出した液体材料が基板１１や薄膜チップ２０の表面上で広がらず、配線経路上に確実に液体材料を塗布することができる。
【００２９】
本実施形態では、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２の側面は傾斜を有しているため、液体材料を傾斜した側面に沿って塗布することができる。このため、電気的接続の安定した金属配線６０を形成することができる。また、外部接続用電極部２２側面部全体に液体材料を塗布することができるので、外部接続用電極部２２と金属配線６０の接触面積を大きくすることができ、外部接続用電極部２２と金属配線６０との電気的接続の安定性を向上させることができる。
【００３０】
なお、外部接続用電極部２２の形状は図２（Ｂ）に示すものに限られず、液体材料を均一に塗布しやすいように平均的な傾斜を有し、電気的接続の安定した金属配線６０を形成できる形状であればよい。また、傾斜を有するのは金属配線６０を形成する側の側面のみでもよい。
【００３１】
また、薄膜チップ製造基板３０上では、薄膜チップ２０が半導体装置１０に実装される際に上側となる面が下側となるように形成し、半導体装置１０に転写する際に上下の向きを逆にして転写しているが、薄膜チップ製造基板３０上においても半導体装置１０に実装される時と同じ向きで形成するようにしてもよい。
【００３２】
実施の形態２．
図８（Ａ）は、実施の形態２による半導体装置１０に実装される薄膜チップ２０の電子デバイス部２１と外部接続用電極部２２の構成を示す平面図、図８（Ｂ）は、外部接続用電極部２２の断面（図８（Ａ）のＸ−Ｘ断面）を示す断面図である。実施の形態１と同様に、薄膜チップ２０は薄膜チップ製造基板３０上に製造され、薄膜チップ製造基板３０から剥離されて半導体装置１０の基板上に転写される。
【００３３】
図８（Ｂ）に示すように、外部接続用電極部２２は、実施の形態１と同様にソース・ドレイン配線２７と一体に形成されテーパー状になっているが、実施の形態２では外部接続用電極部２２の上面（半導体装置１０に実装した際の上面）は剥離層３１に接するように形成されている。
【００３４】
薄膜チップ製造基板３０上に複数形成された薄膜チップ２０の分離および薄膜チップ２０の半導体装置１０への転写は実施の形態１と同様に行う。薄膜チップ２０を転写した後、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２と、基板１１上の電極とを接続する金属配線を形成する。金属配線の形成は、実施の形態２においてもまず基板１１と薄膜チップ２０の表面に自己組織化膜５０を形成し、表面を撥液化する。次に、インクジェット法等を用いて液体材料を吐出し、金属配線６０を形成する。
【００３５】
図９（Ａ）は、基板１１上で金属配線６０を形成した薄膜チップ２０の平面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。
図９（Ｂ）に示すように、実施の形態２においても、パッシベーション膜２８の端部が第１の部分２８１と第２の部分２８２とを有しており、第１の部分２８１と第２の部分２８２とが外部接続用電極部２２に覆われている。また、第１の部分２８１の膜厚は第２の部分２８２の膜厚より大きい。また、第２の部分２８２が第１の部分２８１より基板１１の外周寄りに位置している。さらに、実施の形態２では、第１の部分２８１が薄膜チップ２０の上面の一部をなしている。これにより、金属配線６０の接触する面積が増加するため、接触不良の発生を低減することができる。
【００３６】
以上のように、実施の形態２においても、薄膜チップ２０の外部接続用電極部２２の側面は傾斜を有しているため、液体材料を傾斜した側面に沿って塗布することができる。このため、電気的接続の安定した金属配線６０を形成することができる。また、外部接続用電極部２２側面部全体に液体材料を塗布することができるので、外部接続用電極部２２と金属配線６０の接触面積を大きくすることができる。さらに実施の形態２では、外部接続用電極部２２の上面も露出しているため、外部接続用電極部２２と金属配線６０の接触面積をさらに大きくとることができる。よって、外部接続用電極部２２と金属配線６０との電気的接続の安定性をさらに向上させることができる。
【００３７】
なお、外部接続用電極部２２の形状は図８（Ｂ）に示すものに限られず、液体材料を均一に塗布しやすいように平均的な傾斜を有し、電気的接続の安定した金属配線６０を形成できる形状であればよい。また、傾斜を有するのは金属配線６０を形成する側の側面のみでもよい。
【００３８】
電気光学装置
図１０は、本発明の電気光学装置の例である有機ＥＬ装置１００の回路構成を示す図である。有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３と、各走査線１０１と各信号線１０２との交点付近にそれぞれ設けられる複数の画素部Ａとを含んでいる。すなわち、本例の有機ＥＬ装置１００は、複数の画素部Ａを備え、当該各画素部がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００３９】
各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。また、各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。各画素部Ａには、走査線１０１を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ１１２と、このスイッチングトランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持するコンデンサ１１１と、このコンデンサ１１１によって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ１１３と、この駆動用トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続されたときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）と、この画素電極と対向する対向電極（陰極）との間に挟み込まれた発光機能層と、が設けられている。これらの画素電極と対向電極と発光機能層によって有機ＥＬ素子３００が構成されている。なお、発光機能層は正孔輸送層、発光層、電子注入層を含む。
【００４０】
この有機ＥＬ装置１００では、走査線１０１が駆動されてスイッチングトランジスタ１１２がオン状態となると、そのときの信号線１０２の電位がコンデンサ１１１に保持され、このコンデンサ１１１の状態に応じて、駆動用トランジスタ１１３のオン／オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極に電流がながれ、さらに発光機能層を介して陰極に電流がながれる。発光機能層は、この流れる電流量に応じて発光する。各発光機能層の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。
【００４１】
本発明による半導体装置１０は、例えば有機ＥＬ装置１００のデータ線駆動回路１０４や走査線駆動回路１０５に用いられる。
【００４２】
電子機器
次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１１は、有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図１１（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図１１（Ｂ）は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計１１００は、本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図１１（Ｃ）は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置１２００を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、および本発明にかかる有機ＥＬ装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、半導体装置に実装される薄膜チップの構成の概略を示す図である。
【図２】図２（Ａ）は、実施の形態１による薄膜チップの平面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。
【図３】図３（Ａ），（Ｂ）は、薄膜チップの分離を説明する図である。
【図４】図４は、薄膜チップの分離を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｃ）は、薄膜チップの転写を説明する図である。
【図６】図６（Ａ），（Ｂ）は、金属配線の形成を説明する図である。
【図７】図７（Ａ），（Ｂ）は、金属配線の形成を説明する図である。
【図８】図８（Ａ）は、実施の形態２による薄膜チップの平面図、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＸ−Ｘ断面を示す断面図である。
【図９】図９（Ａ），（Ｂ）は、実施の形態２による金属配線の形成を説明する図である。
【図１０】図１０は、本発明の電気光学装置の例である有機ＥＬ装置の回路構成を示す図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の電子機器の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  半導体装置、１１  基板、２０  薄膜チップ、２１  電子デバイス部、２２  外部接続用電極部、２３  下地絶縁膜、２４  ゲート絶縁膜、２５  ゲート配線、２６  層間絶縁膜、２７  ソース・ドレイン配線、２８  パッシベーション膜、２８１  第１の部分、２８２  第２の部分、２９  フォトレジスト、３０  薄膜チップ製造基板、３１  剥離層、３２  チップ分離部、４０  熱硬化型接着剤、５０  自己組織化膜、６０  金属配線、１００  有機ＥＬ装置、１０１  走査線、１０２  信号線、１０３  電源線、１０４  データ線駆動回路、１０５  走査線駆動回路、１１１  コンデンサ、１１２  スイッチングトランジスタ、１１３  駆動用トランジスタ、１１５  グランド線、３００  有機ＥＬ素子
【図１】
0005403201.tif 000002
【図２】
0005403201.tif 000003
【図３】
0005403201.tif 000004
【図４】
0005403201.tif 000005
【図５】
0005403201.tif 000006
【図６】
0005403201.tif 000007
【図７】
0005403201.tif 000008
【図８】
0005403201.tif 000009
【図９】
0005403201.tif 000010
【図１０】
0005403201.tif 000011
【図１１】
0005403201.tif 000012