(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶とを有し、
前記第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第
１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極
よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２
の電極とを有し、
前記第２の絶縁膜は塗布型絶縁膜であり、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との両方に接する単層の絶縁膜
であり、
前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタク
トホール内とに一体的に形成されており、
前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形
成されており、
前記第２の電極は画素電極であり、
前記第２の電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的
に接続されており、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第２の絶縁膜とによって、保持容量が形成
されている液晶表示装置の製造方法であって、
前記第２の絶縁膜を、第１の膜厚で形成した後、前記第２の電極を形成する前に前記第
１の膜厚よりも薄い第２の膜厚まで薄膜化する工程を有する、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極は、透明電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の電極は、反射電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射電極は、凹凸を有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の電極は、透明電極と反射電極であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の電極は対向電極であり、前記第１の電極と前記第２の電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の電極は、スリットを有することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の基板は対向電極を有し、前記対向電極と前記第２の電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動されることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、表面が平坦であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるように、前記第１の膜厚から前記第２の膜厚に薄膜化することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるように、前記第１の膜厚から前記第２の膜厚に未露光で現像することにより薄膜化することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるように、前記第１の膜厚から前記第２の膜厚にアッシングにより薄膜化することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるように、前記第１の膜厚から前記第２の膜厚にエッチングにより薄膜化することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の膜厚が、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下となるように、前記第１の膜厚から前記第２の膜厚にハーフ露光技術により薄膜化することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示パネルのアクティブ素子（例えば、薄膜トランジスタ）が形成される基板に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＰＳ方式（横電界方式ともいう）の液晶表示パネルは、画素電極と対向電極との間で、少なくとも一部において基板と平行な電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、液晶層を透過する光を変調させて画像を表示するものである。
このＩＰＳ方式の液晶表示パネルにおいて、絶縁膜を挟んで、面状の対向電極と線状部分を有する画素電極とを形成し、この面状の対向電極と線状部分を有する画素電極との間で電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、液晶層を透過する光を変調させて画像を表示する液晶表示パネルが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２４２４３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した面状の対向電極を使用するＩＰＳ方式の液晶表示パネルでは、面状の対向電極と線状部分を有する画素電極との間に形成される絶縁膜として、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の薄い膜厚の絶縁膜が要求される。さらに、後工程のラビング工程におけるラビング不足によるドメイン発生の問題を考慮すると平坦性も必要である。
そのため、面状の対向電極と線状部分を有する画素電極との間に形成される絶縁膜として、塗布型の絶縁膜を薄く塗布して形成する方法が考えられる。
しかし、この方法では、大きな（例えば１μｍ以上）の段差を有するスルーホール部において、塗布膜厚が極端に薄くなり、対向電極と画素電極とが短絡する恐れがあった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡する恐れのない液晶表示装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に狭持された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、アクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜よりも上層に設けられた第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜よりも上層に設けられた第２の電極とを有し、
前記第２の絶縁膜は塗布型絶縁膜であり、
前記第１の絶縁膜は、第１のコンタクトホールを有し、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の電極と前記第２の電極との間と、前記第１のコンタクトホール内とに形成されており、
前記第１のコンタクトホール内の前記第２の絶縁膜には、第２のコンタクトホールが形成されており、
前記第２の電極は画素電極であり、
前記第２の電極は、前記第２のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に電気的に接続されており、
前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第２の絶縁膜とによって、保持容量が形成されている。
【０００６】
（２）（１）において、前記第２の電極は、透明電極である。
（３）（１）または（２）において、前記第２の絶縁膜は、膜厚が１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である。
（４）（１）から（３）の何れかにおいて、前記第１の電極は、透明電極である。
（５）（１）から（３）の何れかにおいて、前記第１の電極は、反射電極である。
（６）（５）において、前記反射電極は、凹凸を有する。
（７）（１）から（３）の何れかにおいて、前記第１の電極は、透明電極と反射電極である。
（８）（１）から（７）の何れかにおいて、前記第１の電極は対向電極であり、前記第１の電極と前記第２の電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動される。
（９）（８）において、前記第１の電極は、スリットを有する。
（１０）（１）から（７）の何れかにおいて、前記第２の基板は対向電極を有し、前記対向電極と前記第２の電極とによって発生される電界により前記液晶が駆動される。
（１１）（１）から（１０）の何れかにおいて、前記第１の電極と前記第２の電極との間に第３の絶縁膜を有する。
（１２）（１）から（１１）の何れかにおいて、前記第２の絶縁膜は、表面が平坦である。
尚、（１）〜（１２）に記載した構成は、あくまで一例であり、これに限定されるものではない。
【発明の効果】
【０００７】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の液晶表示装置によれば、段差部にて、絶縁膜の両側に形成される電極同士が短絡するのを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例の液晶表示パネルの１サブピクセルの構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図３】図１の等価回路を示す図である。
【図４】図１に示すＢ−Ｂ’切断線に沿った、透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。
【図５】図４に示す塗布型絶縁膜の形成方法の一例を説明するための図である。
【図６】図４に示す塗布型絶縁膜の形成方法の他の例を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。
【図８】画素電極の変形例を示す図である。
【図９】本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の１サブピクセルの構成を示す平面図である。
【図１１】図１０に示すＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の断面構造を示す断面図である。
【図１３】塗布型絶縁膜２０の形成方法として、塗布型絶縁材料を薄く塗って形成した場合を示す図である。
【図１４】対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）と、反射電極１との上に、ＣＶＤ法により形成された絶縁膜を形成し、対向電極と画素電極（ＩＴＯ１）との間を絶縁するようにした場合を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例は、本発明の特許請求の範囲の解釈を限定するためのものではない。
図１は、本発明の実施例の液晶表示パネルの１サブピクセルの構成を示す平面図である。
図２は、図１に示すＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。以下、図２を用いて、本実施例の液晶表示パネルの構造について説明する。
本実施例の液晶表示パネルは、面状の対向電極を使用するＩＰＳ方式の液晶表示パネルであり、図２に示すように、液晶層ＬＣを介して互いに対向配置される透明基板（１００Ｂ）と、透明基板（１００Ａ）とを有する。本実施例では、透明基板（１００Ｂ）の主表面側が観察側となっている。
透明基板（１００Ｂ）は、ガラス基板１０Ｂを有し、ガラス基板１０Ｂの液晶層ＬＣ側には、ガラス基板１０Ｂから液晶層ＬＣに向かって順に、遮光膜（ＢＭ）およびカラーフィルタ層（ＣＦ）、オーバーコート層１３Ｂ、配向膜１５Ｂが形成される。さらに、透明基板（１００Ｂ）の外側には偏光板１１Ｂが形成される。
また、透明基板（１００Ａ）は、ガラス基板１０Ａを有し、ガラス基板１０Ａの液晶層ＬＣ側には、ガラス基板１０Ａから液晶層ＬＣに向かって順に、絶縁膜１２、層間絶縁膜１３Ａ、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）、塗布型絶縁膜２０、画素電極（ＩＴＯ１）、配向膜１５Ａが形成される。さらに、透明基板（１００Ａ）の外側には偏光板１１Ａが形成される。
また、絶縁膜１２は、下地膜１２Ａ、ゲート絶縁膜１２Ｂ、層間絶縁膜１２Ｃ、層間絶縁膜１２Ｄで構成される。
【００１０】
図１に戻って、Ｄは映像線（ドレイン線、ソース線ともいう）、Ｇは走査線（ゲート線ともいう）、ＳＨ１〜ＳＨ４はスルーホール（コンタクトホールともいう）、１は反射電極、２はゲート電極、３は半導体層、４はソース電極（映像線Ｄをソース線と呼ぶ場合はドレイン電極ともいう）である。
ここで、反射電極１は、例えば、下層のモリブデン（Ｍｏ）（１ａ）と、上層のアルミニウム（Ａｌ）（１ｂ）の２層構造とされる。
図３は、図１の等価回路を示す図であり、図３の容量素子（ＣLC）は液晶容量、容量素子（Ｃｓｔ）は、塗布型絶縁膜２０を挟んで形成される画素電極（ＩＴＯ１）と、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）とで形成される保持容量（蓄積容量ともいう）である。
実際の液晶表示パネルでは、図１に示す等価回路が、例えば、携帯電話機に使用されるカラー表示の液晶表示パネルであれば、サブピクセル数が２４０×３２０×３のマトリクス状に配置されることになる。なお、本実施例の液晶表示装置の駆動方法は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置と同じであるので、駆動方法の説明は省略する。
本実施例の液晶表示パネルは、半透過型の液晶表示パネルであり、反射電極１が形成される領域が、反射型の液晶表示パネルを構成し、それ以外の部分が透過型の液晶表示パネルを構成する。
【００１１】
以下、図１に示す薄膜トランジスタの部分の構成について説明する。
図４は、図１に示すＢ−Ｂ’切断線に沿った、透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。なお、図４、および後述する図５、図６、図７、図９、図１３、図１４では、偏向板１１Ａの図示は省略している。
図４に示すように、ガラス基板１０Ａ上に形成された、例えば、ＳｉＮとＳｉＯ２の積層膜等からなる下地膜１２Ａ上に、半導体層３が形成される。なお、半導体層３は、アモルファスシリコン膜、或いは、ポリシリコン膜で構成される。
この半導体層３上には、例えばＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１２Ｂが形成され、このゲート絶縁膜１２Ｂ上にゲート電極２が形成される。
ゲート電極２上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｃが形成され、この層間絶縁膜１２Ｃ上に、映像線（Ｄ）と、ソース電極４が形成される。そして、半導体層３は、スルーホール（ＳＨ１）を介して映像線（Ｄ）に接続され、さらに、スルーホール（ＳＨ２）を介してソース電極４に接続される。
また、映像線（Ｄ）、およびソース電極４上には、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる層間絶縁膜１２Ｄが形成され、この層間絶縁膜１２Ｄ上には、例えばアクリル樹脂などからなる層間絶縁膜１３Ａが形成される。
ここで、ソース電極４上で、層間絶縁膜１２Ｄ、および層間絶縁膜１３Ａには、スルーホール（ＳＨ３）が形成される。
【００１２】
本実施例では、このスルーホール（ＳＨ３）内にも、塗布型絶縁膜２０が形成される。ここで、スルーホール（ＳＨ３）内に形成された塗布型絶縁膜２０には、スルーホール（ＳＨ４）が形成され、このスルーホール（ＳＨ４）内に形成された透明導電膜（例えば、ＩＴＯ；Indium-Tin-Oxide）により、画素電極（ＩＴＯ１）が、ソース電極４に電気的に接続される。
このようにして、画素電極（ＩＴＯ１）は、画素に形成されたアクティブ素子と電気的に接続されている。そして、画素電極（ＩＴＯ１）には、走査線（Ｇ）で駆動されるアクティブ素子を介して、映像線（Ｄ）から映像信号が書き込まれる。
以下、図４に示す塗布型絶縁膜２０の形成方法について説明する。
図５は、図４に示す塗布型絶縁膜２０の形成方法の一例を説明するための図である。
初めに、図５（ａ）に示すように、通常の方法により、ガラス基板１０Ａ上に、下地膜１２Ａと、半導体層３と、ゲート絶縁膜１２Ｂと、ゲート電極２と、層間絶縁膜１２Ｃと、映像線（Ｄ）と、ソース電極４と、層間絶縁膜１２Ｄと、層間絶縁膜１３Ａとを形成し、ソース電極４上で、層間絶縁膜１２Ｄ、および層間絶縁膜１３Ａに、スルーホール（ＳＨ３）を形成する。そして、塗布型絶縁材料２０ａを、厚さが、例えば２〜５μｍとなるように成膜する。なお、層間絶縁膜１３Ａは、膜厚が、例えば１．５〜３μｍの厚さに形成する。
次に、図５（ｂ）に示すように、塗布型絶縁材料２０ａを、例えば１００〜５００ｎｍの厚さの膜厚になるように薄膜化する。
この薄膜化を行う方法としては、塗布型絶縁材料２０ａが感光性材料の場合は、未露光で現像するか、アッシングにより厚さを薄くすればよく、また、塗布型絶縁材料２０ａが非感光性材料の場合は、全面エッチングにより行えばよい。
次に、図５（ｃ）に示すように、スルーホール（ＳＨ４）を形成して、塗布型絶縁膜２０を形成する。
このスルーホール（ＳＨ４）は、塗布型絶縁材料２０ａが感光性材料の場合は、露光・現像により形成でき、また、塗布型絶縁材料２０ａが非感光性材料の場合は、ホト・エッチングで行えばよい。
【００１３】
図６は、図４に示す塗布型絶縁膜２０の形成方法の他の例を説明するための図である。
初めに、図６（ａ）に示すように、通常の方法により、ガラス基板１０Ａ上に、層間絶縁膜１２Ａと、半導体層３と、ゲート絶縁膜１２Ｂと、ゲート電極２と、層間絶縁膜１２Ｃと、映像線（Ｄ）と、ソース電極４と、層間絶縁膜１２Ｄと、層間絶縁層１３Ａとを形成し、ソース電極４上で、層間絶縁膜１２Ｄ、および層間絶縁層１３Ａに、スルーホール（ＳＨ３）を形成する。そして、感光性の塗布型絶縁材料２０ａを、厚さが２〜５μｍの厚さに成膜する。
次に、図６（ｂ）に示すように、ハーフ露光技術により、スルーホール（ＳＨ４）の部分（図６の矢印Ａの部分）は充分に露光し、その他の部分（図６の矢印Ｂの部分）はハーフ露光する。その後、現像して、厚さが、例えば１００〜５００ｎｍで、スルーホール（ＳＨ４）を有する塗布型絶縁膜２０を形成する。
なお、感光性の塗布型絶縁材料２０ａとして、未露光で現像した時に、膜厚の膜減り量（膜厚が薄くなる量）が多いものを使用する場合には、図６（ｂ）では、ハーフ露光技術の代わりに、通常の露光、現像でもよい。
図７は、本実施例の液晶表示パネルの変形例の透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。この図７は、図１に示すＢ−Ｂ’切断線に相当する部分の断面構造を示す断面図である。
図７に示す構造は、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）と、反射電極１の上に、ＣＶＤ法により、絶縁膜２３を形成し、その上に、塗布型絶縁膜２０を形成するようにしたものである。
尚、絶縁膜２３を、塗布型絶縁膜２０と画素電極（ＩＴＯ１）との間に形成しても良い。
【００１４】
図１３は、塗布型絶縁膜２０の形成方法として、塗布型絶縁材料を薄く塗って形成した場合を示す図である。塗布型絶縁膜２０の形成方法として、塗布型絶縁材料を薄く塗って形成した場合には、図１３のＡに示すように、スルーホール（ＳＨ４）の領域において、塗布型絶縁膜２０の膜厚が薄くなり、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）と、画素電極（ＩＴＯ１）が短絡する恐れがある。このように、塗布型絶縁材料を薄く塗って形成した場合は、スルーホール（ＳＨ４）の周辺において、塗布型絶縁膜２０の表面が十分に平坦化されていない状態となる恐れがある。尚、短絡の問題を避けるためには、スルーホール（ＳＨ４）の周辺において対向電極を形成しないようにすればよい。但し、その場合は表示に用いられる面積が減り、開口率が小さくなるという問題がある。また、保持容量が小さくなるという問題がある。
これに対して、本実施例では、図４のＡに示すように、スルーホール（ＳＨ４）の領域において、塗布型絶縁膜２０の膜厚が充分厚いので、表面が平坦でカバレッジが良好であり、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）と、画素電極（ＩＴＯ１）が短絡する恐れがない。したがって、スルーホール（ＳＨ４）の近傍にも対向電極を形成することが可能となる。
尚、層間絶縁膜１３Ａ、塗布型絶縁材料２０ａ、塗布型絶縁膜２０の膜厚は、あくまで一例であるため、例示した範囲に限定されるものではない。尚、層間絶縁膜１３Ａの膜厚が塗布型絶縁膜２０の膜厚の２倍以上あると、図１３で説明したように塗布型絶縁材料２０ａを薄く塗っただけでは段差部の周辺で平坦化が不十分となる恐れがあるため、図５や図６で示したようなプロセスにより形成することが望ましい。
図１４は、対向電極として機能する透明電極（ＩＴＯ２）と、反射電極１との上に、ＣＶＤ法により形成された絶縁膜２３を形成し、対向電極と画素電極（ＩＴＯ１）との間を絶縁するようにした場合を示す図である。
この場合には、図１４のＡに示すように、反射電極１による凹凸を平坦化できないため、ラビング不足が発生し、これによりドメインが発生するためコントラストが低下することになる。
しかしながら、本実施例では、図４のＢに示すように、反射電極１の段差を吸収することができ、塗布型絶縁膜２０の表面を平坦化することができる。これにより、ラビング不足によるドメインを防止でき、コントラストを向上させることが可能となる。
なお、前述の特許文献１には、平坦化膜（２１０）を有する液晶表示パネルが記載されている。しかしながら、この特許文献１には、塗布型絶縁膜２０で保持容量を形成することは開示されていない。
【００１５】
なお、本実施例において、画素電極（ＩＴＯ１）は、図１に示すような、一部が開放した形状のスリットを有する櫛歯形状に代えて、図８に示すような、閉じた形状のスリット３０を内部に有する矩形形状であってもよい。図１、図８の何れの場合も、画素電極は線状部分を有する構造となっている。
図９は、本実施例の液晶表示パネルの変形例の透明基板（１００Ａ）側の断面構造を示す断面図である。この図９は、図１に示すＢ−Ｂ’切断線に相当する部分の断面構造を示す断面図である。
図９に示す構造では、反射電極１に入射される光を、拡散・反射させるために、反射電極１に凹凸を形成したものである。このような構造でも、反射電極１の凹凸を吸収し、塗布型絶縁膜２０の表面を平坦化することができる。
なお、図９に示す構造では、対向電極の図示は省略しているが、通常のＩＰＳ方式の液晶表示パネルの場合には、透明基板（１００Ａ）側に、また、縦電界方式（例えばＴＮ方式やＶＡ方式など）の液晶表示パネルの場合には、透明基板（１００Ｂ）側に形成される。また、ＩＰＳ方式の場合には、反射電極１が対向電極を兼ねても良い。
このように、本発明は、面状の対向電極を使用するＩＰＳ方式の液晶表示パネルに限定されるものではなく、通常のＩＰＳ方式の液晶表示パネル、あるいは、縦電界方式の液晶表示パネルにも適用可能である。
この場合に、透明電極（ＩＴＯ２）または反射電極１は、画素電極（ＩＴＯ１）との間で、保持容量（Ｃｓｔ）を形成するための電極として使用される。
尚、縦電界方式の液晶表示パネルの場合は、画素電極（ＩＴＯ１）はスリットを有さない形状であっても良いし、マルチドメイン化するためにスリットを形成しても良い。
【００１６】
図１０は、本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の１サブピクセルの構成を示す平面図である。
図１１は、図１０に示すＡ−Ａ’切断線に沿った断面構造を示す断面図である。
図１０、図１１に示す構造は、本発明を、通常のＩＰＳ方式の液晶表示パネルに適用した場合の構造を図示したものである。
なお、図１０、図１１において、ＩＴＯ３は、対向電極を示す。なお、図１１において、透明電極（ＩＴＯ２）の下層側（ガラス基板１０Ａ側）は、層間絶縁膜１３Ａ以外の構造の図示は省略している。図１０においても、透明電極（ＩＴＯ２）は、対向電極の役割と、保持容量形成の役割を果たす。
図１２は、本発明の実施例の液晶表示パネルの変形例の断面構造を示す断面図である。この図１２は、図１に示すＡ−Ａ’切断線に相当する部分の断面構造を示す断面図である。
図１２に示す構造は、本発明を、縦電界方式の液晶表示パネルに適用した場合の構造を図示したものである。
縦電界方式の液晶表示パネルでは、対向電極（コモン電極ともいう）（ＩＴＯ３）は、透明基板（１００Ｂ）側に形成される。また、透明電極（ＩＴＯ２）は、保持容量形成の役割を果たす。尚、図９の実施例と組み合わせて、反射電極１を形成してもよい。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
例えば、半透過型ではなく、透過型、あるいは、反射型の液晶表示装置に適用しても良い。透過型の場合は、反射電極１を省略可能である。反射型の場合は、透明電極（ＩＴＯ２）の代わりに、反射電極１を形成すればよい。
透過型、あるいは、半透過型の場合には、液晶表示パネルの背面に図示しないバックライトを配置しても良い。反射型の場合には、液晶表示パネルの前面（観察者側）に、図示しないフロントライトを配置しても良い。
また、本発明は、液晶表示装置に限定されず、アクティブ素子と保持容量とを有する表示装置に対しても適用可能である。
【符号の説明】
【００１７】
１  反射電極
１ａ  モリブデン（Ｍｏ）
１ｂ  アルミニウム（Ａｌ）
２  ゲート電極
３  半導体層
４  ソース電極
１０Ａ，１０Ｂ  ガラス基板
１１Ａ，１１Ｂ  偏光板
１２  絶縁膜
１２Ａ  下地膜
１２Ｂ  ゲート絶縁膜
１２Ｃ，１２Ｄ  層間絶縁膜
１３Ａ  層間絶縁膜
１３Ｂ  オーバーコート層
１５Ａ，１５Ｂ  配向膜
２０  塗布型絶縁膜
２０ａ  塗布型絶縁材料
２３  絶縁膜
３０  スリット
１００Ａ，１００Ｂ  透明基板
ＬＣ  液晶層
ＢＭ  遮光膜
ＣＦ  カラーフィルタ層
ＩＴＯ１  画素電極
ＩＴＯ２  透明電極
ＩＴＯ３  対向電極
Ｄ  映像線（ドレイン線、ソース線）
Ｇ  走査線（ゲート線）
ＳＨ１〜ＳＨ４  スルーホール
ＣLC  液晶容量
Ｃｓｔ  保持容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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