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　特願２０１４−５４２１５６「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月２４日国際公開、ＷＯ２０１４／０６１６９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年１０月１６日（優先権主張２０１２年１０月１９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１０月１７日付け（同年同月２５日発送）で拒絶理由通知が通知され、同年１２月２１日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成２９年１月１８日付け（同年同月２４日送達）で拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年４月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年８月１５日に、上申書が提出された。
第２　平成２９年４月２４日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年４月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜４と補正するとともに、明細書の記載を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項１は、次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設けられた多重量子井戸発光層と、を備え、
　前記多重量子井戸発光層は、前記ｐ型窒化物半導体層に近い側から、第２発光層と、第３バリア層と、第１発光層とを備え、
　前記第１発光層は、複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の間に設けられた第１バリア層とを備え、
　前記第２発光層は、複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の間に設けられた第２バリア層とを備え、
　前記第２量子井戸層は、前記第１量子井戸層よりも厚く、
　前記第２バリア層は、前記第１バリア層よりも薄く、
　前記第２バリア層は、前記第３バリア層よりも薄い、窒化物半導体発光素子。」
（補正後）
「【請求項１】
　ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設けられた多重量子井戸発光層と、を備え、
　前記多重量子井戸発光層は、前記ｐ型窒化物半導体層に近い側から、第２発光層と、第３バリア層と、第１発光層とを備え、
　前記第１発光層は、複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の間に設けられた第１バリア層とを備え、
　前記第２発光層は、複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の間に設けられた第２バリア層とを備え、
　前記第２量子井戸層は、前記第１量子井戸層よりも厚く、
　前記第２バリア層は、前記第１バリア層よりも薄く、
　前記第２バリア層は、前記第３バリア層よりも薄
く、
　
前記第２量子井戸層が前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している、
２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１に記載の「前記第３バリア層よりも薄い」を、「前記第３バリア層よりも薄く、前記第２量子井戸層が前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している」とすること。
［補正事項２］
　補正前の明細書の段落【００１３】を補正すること。
（２）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　以下、補正事項１、２について検討する。
ア　補正事項１について
（ア）補正事項１により補正された事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の図３に記載されているから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（イ）補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第２量子井戸層」について、「前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している」という構成を追加して、「第２量子井戸層」を限定する補正であり、補正前の請求項に記載された発明と産業上の利用分野及び発明が解決しようとする課題が同一である。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
イ　補正事項２について
　補正事項２により補正された事項は、当初明細書等の図３に記載されており、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
ウ　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定の規定に適合するか）について、以下において検討する。 
　
（３）独立特許要件について 
ア　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
 　　　 
イ　引用例の記載と引用発明 
（ア）引用例１：特開２００７−１１５７５３号公報
　原査定の拒絶理由で引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−１１５７５３号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。 
ａ　「【請求項１】
　
ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、
　
ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、
　
前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
　
前記量子井戸構造は、Ｉｎ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ｎからなる複数の第１の井戸層、Ｉｎ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｙ
Ｎからなる一または複数の第２の井戸層、およびＩｎ
Ｚ
Ｇａ
１−Ｚ
Ｎ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｘ、Ｚ＜Ｙ）からなるバリア層を含み、
　
前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚く、
　
前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、
　
前記第１の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において前記第２の井戸層の発光波長と略等しい、
窒化物半導体発光素子。
ｂ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、窒化物半導体発光素子に関する。」
ｃ　「【０００８】
　本発明の一側面によれば、窒化物半導体発光素子は、（ａ）ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、（ｂ）ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、（ｃ）前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域とを備え、前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる
複数の第１の井戸層
一または複数の第２の井戸層
前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚く、前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、前記第１の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において前記第２の井戸層の発光波長と略等しい
【０００９】
　この窒化物半導体発光素子によれば、薄い第１の井戸層は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層は高い電流密度において効率良く発光する。第１の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において第２の井戸層の発光波長と略等しくなる。これ故に、所望の波長の光を発する発光素子において、互いに異なる発光効率を有する複数の井戸層を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整できる。」
ｄ　「【００２４】
　（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の主要部を示す図面である。図２は、窒化物半導体発光素子の構造を示す図面である。窒化物半導体発光素子１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５と、発光領域１７とを含む。発光領域１７は、量子井戸構造１９を有する。量子井戸構造１９は、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に設けられている。ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３からは、発光領域１７に電子Ｅが供給される。ｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５からは、発光領域１７に正孔Ｈが供給される。量子井戸構造１９は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層２１、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層２３、およびバリア層２５を含む。第１および第２の井戸層２１、２３とバリア層２５とは交互の配列されている。
第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置している
第２の井戸層２３の厚さＤ
Ｗ２
は第１の井戸層２１の厚さＤ
Ｗ１
より厚い
【００２５】
　この窒化物半導体発光素子１１によれば、薄い第１の井戸層２１は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層２３は高い電流密度において効率良く発光する。結晶性が悪化しやすい第２の井戸層２３が第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置するので、第１の井戸層の結晶性を損ねることはない。また、第１および第２の井戸層２１、２３の発光波長は、当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の電流密度に対して互いに異なる依存性を有する。第２の井戸層２３の厚さＤＷ２を第１の井戸層２１の厚さＤＷ１より厚くすると共に、第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙを第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さくすることにより、第１の井戸層２１の発光波長が当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の第１の電流密度において第２の井戸層２３の発光波長より大きくなると共に、第１の井戸層２１の発光波長が当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の第２の電流密度において第２の井戸層２３の発光波長より小さくなる。これ故に、所望の波長の光を発する発光素子において、互いに異なる発光効率を有する井戸層２１、２３を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整できる。
…（略）…
【００３３】
　窒化物半導体発光素子１１では、第１の井戸層２１の厚さＤＷ１は４ナノメートル未満であることが好ましい。井戸層が４ナノメートル以下であると、結晶品質を損ねることなく効果的にＩｎ組成ゆらぎが導入され、
低い電流密度における発光効率を向上させることができる
高い電流密度における発光効率を向上させることができる
【００３４】
　窒化物半導体発光素子１１では、第２の井戸層２３の数は第１の井戸層２１の数より少ないことが好ましい。第２の井戸層２３の数が、良好な結晶品質を得やすい第１の井戸層２１の数より小さければ、量子井戸構造１９の全体の結晶品質が良好になる。」
ｅ　「【００３５】
　（実験例１）
図３（Ａ）から図３（Ｃ）に示されるような発光ダイオードＡ、Ｂ、Ｃを準備する。発光
ダイオードＡ、Ｂ、Ｃは窒化ガリウム支持基体を用いている。
…（略）…
【００３７】
　発光ダイオードＣの構造は
バッファ層６１：Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ｎ、５０ｎｍ
ｎ型窒化ガリウム系半導体領域６３：ＧａＮ、２マイクロメートル
量子井戸構造の第１の井戸層６５ａ：Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ、３ｎｍ
量子井戸構造の障壁層６５ｂ：Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ、１５ｎｍ
量子井戸構造の第２の井戸層６５ｃ：Ｉｎ０．１１Ｇａ０．８９Ｎ、５ｎｍ
ｐ型窒化ガリウム系半導体領域６７：２０ｎｍ
ｐ型ｎ型窒化ガリウム系コンタクト層６９：５０ｎｍ
である。第１の井戸層６５ａからの光の波長が第２の井戸層６５ｃからの光の波長とほぼ一致するように、第１の井戸層６５ａの組成および厚み並びに第２の井戸層６５ｂの組成および厚みが調整される。
…（略）…
【００４２】
　発光ダイオードＣでは、図６に示されるように、印加電流の広い範囲で、高い発光効率を維持している。５ｎｍ厚の厚い井戸層が最もｐ領域に近くに位置しているので、この厚い井戸層が最も発光に寄与する。また、キャリアは薄い井戸層にも注入されるので、低い電流密度において良好な発光効率を示す薄い井戸層も発光に寄与できる。厚い井戸層の下地に３ｎｍの薄い井戸層を設けているので、５ｎｍ厚の厚い井戸層を設けても、薄い井戸層の結晶品質が悪くなることはなく、また厚い井戸層の結晶品質も悪くなることはない。高い発光効率は、電流密度の広い範囲（例えば０Ａ／ｃｍ２以上２００Ａ／ｃｍ２以下の範囲）で維持される。発光ダイオードＣの発光スペクトルの半値全幅は、発光ダイオードＡ、Ｂの各々の発光スペクトルの半値全幅よりも大きい。」
ｆ　図１、２は、以下のとおりのものである（ただし、合議体にて回転した。）。
（イ）引用発明
　以上、図１〜７を参酌してまとめると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、
　ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、
　前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
　前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層、およびＩｎＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｘ、Ｚ＜Ｙ）からなるバリア層を含み、
　第２の井戸層は、第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており、
　前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚く、
　前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、
　前記第１の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度のある値において前記第２の井戸層の発光波長と略等しい、窒化物半導体発光素子。」
ウ　対比
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域」、「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」、「量子井戸構造を有する発光領域」、及び「窒化物半導体発光素子」は、それぞれ、補正発明の「ｎ型窒化物半導体層」、「ｐ型窒化物半導体層」、「多重量子井戸発光層」、及び「窒化物半導体発光素子」に相当する。
（イ）補正発明の「前記多重量子井戸発光層は、前記ｐ型窒化物半導体層に近い側から、第２発光層と、第３バリア層と、第１発光層とを備え、前記第１発光層は、複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の間に設けられた第１バリア層とを備え、前記第２発光層は、複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の間に設けられた第２バリア層とを備え」と、引用発明の「前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層、およびＩｎＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｘ、Ｚ＜Ｙ）からなるバリア層を含み、第２の井戸層は、第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており」、「前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており」とを対比する。
ａ　引用発明の「第２の井戸層」は、「第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置して」いるから、「第１の井戸層」より「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域に近い側」の層である。
　また、引用発明は、「『複数の第１の井戸層』、『一または複数の第２の井戸層』および『バリア層』を含み」、「前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されて」いるものであるから、引用発明の「複数の第１の井戸層」、「複数の第２の井戸層」は、それぞれ補正発明の「複数の第１量子井戸層」、「複数の第２量子井戸層」に相当し、引用発明の「複数の第２の井戸層」の間の「バリア層」は、補正発明の「第２バリア層」に相当し、引用発明の「複数の第１の井戸層」の間の「バリア層」は、補正発明の「第１バリア層」に相当し、引用発明の最も「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第１の井戸層」と最も「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第２の井戸層」との間の「バリア層」は、補正発明の「第３バリア層」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「前記多重量子井戸発光層は、前記ｐ型窒化物半導体層に近い側から、第２発光層と、第３バリア層と、第１発光層とを備え、前記第１発光層は、複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の間に設けられた第１バリア層とを備え、前記第２発光層は、複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の間に設けられた第２バリア層とを備え」るものである点で一致する。
ｂ　また、引用発明において、「前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚」いものであるから、補正発明と引用発明とは、「前記第２量子井戸層は、前記第１量子井戸層よりも厚」いものである点で一致する。
ｃ　さらに、補正発明の「前記第２量子井戸層が前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している」を引用発明と対比する。
　上記のａの検討を勘案すると、引用発明において、「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」と、「複数の第２の井戸層」の間の「バリア層」との間には、当該「複数の第２の井戸層」のうち、「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」側の「第２の井戸層」が位置しているといえる。
　よって、補正発明と引用発明とは「前記第２量子井戸層が前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している」ものである点で一致する。
（ウ）以上（ア）、（イ）をまとめると、補正発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設けられた多重量子井戸発光層と、を備え、
　前記多重量子井戸発光層は、前記ｐ型窒化物半導体層に近い側から、第２発光層と、第３バリア層と、第１発光層とを備え、
　前記第１発光層は、複数の第１量子井戸層と、前記複数の第１量子井戸層の間に設けられた第１バリア層とを備え、
　前記第２発光層は、複数の第２量子井戸層と、前記複数の第２量子井戸層の間に設けられた第２バリア層とを備え、
　前記第２量子井戸層は、前記第１量子井戸層よりも厚く、
　前記第２量子井戸層が前記ｐ型窒化物半導体層と前記第２バリア層との間に位置している、窒化物半導体発光素子。」
＜相違点１＞
　第２バリア層について、補正発明では、「前記第２バリア層は、前記第１バリア層よりも薄く、前記第２バリア層は、前記第３バリア層よりも薄」いものであるのに対し、引用発明では、「バリア層」、すなわち、「複数の第２の井戸層」の間の「バリア層」（第２バリア層）、「複数の第１の井戸層」の間の「バリア層」（第１バリア層）、最も「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第１の井戸層」と最も「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第２の井戸層」との間の「バリア層」（第３バリア層）について、補正発明の上記のような特定はなされていない点。
エ　判断
（ア）相違点１について
ａ　活性層が多重量子井戸構造を備える窒化物半導体発光素子において、活性層に対するｐ型半導体層からのホール注入効率を向上させて、発光効率を向上させるために、多重量子井戸構造においてｐ型半導体層に近い側のバリア層の膜厚を薄くすることは、周知技術であり、例えば、以下の周知例１、２に記載されている。
（ａ）周知例１：特開２００６−１０８５８５号公報（原査定の備考で、周知技術を示す文献として引用された引用文献４）
・「【技術分野】
【０００１】
　本発明はIII族窒化物系化合物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　III族窒化物系化合物半導体発光素子はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に活性層が挟まれる構成である。かかる発光素子において発光効率の増大を図るため、活性層を多重量子井戸構造とすることがある。
…（略）…
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明者らにより今回新たに見出された上記課題を解決するために本発明はなされた。即ち、
　ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に活性層が挟まれる構成のIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
　…（略）…
【０００８】
　この発明の他の局面によれば前記活性層が多重量子井戸構造を備え、
該多重量子井戸構造において最も前記ｐ型半導体層に近いバリア層の膜厚を他のバリア層の膜厚より薄くする
　これにより
活性層に対するｐ型半導体層からのホール注入効率が向上する
よって、発光素子の発光効率が向上する
　…（略）…」
（ｂ）周知例２：特開２０１１−１８７６２１号公報（原査定の拒絶の理由で、周知技術を示す文献として引用された引用文献２）
・「【０００５】
　一方、高輝度で高効率な発光素子を得るために、井戸層の厚みや活性層の積層数を多くすることが行われている（例えば特許文献１〜５）。例えば特許文献１では、…（略）…また特許文献２では、活性層に近いｐ型半導体層のｐ型不純物のドープ量を低くするかノンドープとして、
ｐ型半導体層に最も近い障壁層を薄膜にすることでホール注入効率を改善
・「【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
　上記の目的を達成するために、本発明の半導体発光素子によれば、基板と、前記基板上に活性領域を挟んで積層されたｎ型半導体層及びｐ型半導体層を有する窒化物系半導体発光素子であって、前記活性領域は、多重量子井戸構造を構成する障壁層と、前記障壁層の膜厚よりも厚い膜厚を有し、かつ前記ｐ型半導体層に最も近い側に設けられた最終障壁層と、を含み、
前記多重量子井戸構造を構成する障壁層の内、前記最終障壁層に隣接した２層の障壁層の平均膜厚は、他の障壁層の平均膜厚よりも薄くする
ｐ型半導体層側の抵抗を低減させて順方向電圧を低下でき、高効率
・「【００２８】
　障壁層は、量子井戸効果を発揮させる以外に、井戸層で発生した結晶欠陥を補填する作用もある。…（略）…これを改善するため、ＩｎＧａＮ井戸層の上に、ＧａＮ障壁層を厚く積層し、結晶欠陥を埋めると共に、ｐ型半導体層１２の不純物が活性領域側に拡散し、井戸層に混入する事態を阻止し、もって活性領域の結晶性を改善することが行われていた。しかしながら、
障壁層が厚くなると抵抗成分が増大して、ＯＮ時の順方向電圧が高くなる
ｐ型半導体層１２側の障壁層を薄くすることで順方向電圧を低下させる
ｂ　上記「イ（ア）引用例１」に摘記した段落【００３３】の「
低い電流密度における発光効率を向上させることができる
高い電流密度における発光効率を向上させることができる
　したがって、引用発明において、ホールの注入効率を向上させて、発光効率を向上させるために、上記周知技術に基づき、「複数の第２の井戸層」の間の「バリア層」（第２バリア層）を、「複数の第１の井戸層」の間の「バリア層」（第１バリア層）、及び、最も「ｐ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第１の井戸層」と最も「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域」に近い側の「第２の井戸層」との間の「バリア層」（第３バリア層）よりも薄いものとすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、上記周知技術に基づき、相違点１に係る補正発明の構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
（イ）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、引用発明において、上記周知技術に基づいて、相違点１に係る補正発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
オ　独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、補正発明が特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２８年１２月２１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、上記「第２　１　本件補正の内容」の「（補正前）」に記載したとおりである。
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−１１５７５３号公報（引用例１、再掲）には、上記「第２　２（３）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されており、引用例１には上記「第２　２（３）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されている。
２　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２　本件補正についての検討」で検討した補正発明における「第２量子井戸層」についての限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を実質的に全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が上記「第２　２　本件補正についての検討」において検討したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。