【事件の表示】
　特願２０１２−５４１８５２「プラズマアニール方法及びその装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月１０日国際公開，ＷＯ２０１２／０６０３２５，請求項の数（８）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１１年１０月３１日（優先権主張２０１０年１１月４日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成２６年８月２９日に審査請求がなされ，平成２７年１２月２日付けで拒絶理由が通知され，平成２８年２月５日に意見書と手続補正書が提出され，同年８月２４日付けで最後の拒絶理由が通知され，同年１０月３１日に意見書と手続補正書が提出されたが，平成２９年２月１７日付けで，平成２８年１０月３１日に提出された手続補正書でした補正が却下されるとともに，拒絶査定（以下「原査定」という。）され，平成２９年５月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１１月２０日付けで当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知し，平成３０年１月２２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年２月１７日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
Ａ．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
Ｂ．（進歩性）この出願の下記の請求項の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
Ｃ．（明確性）この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由Ａ，Ｂについて
・請求項１
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１には，膜を（塗布し乾燥させて）形成する工程の後，基板加熱することなく大気圧プラズマに晒して結晶化する工程（段落［００９５］〜［００９８］，図１，４等）において，これらの工程を同一チャンバー内で行うこと（段落［０１００］，図５）が記載されている。
　請求項１に係る発明と引用文献１に記載の発明を対比すると，構成において相違するところが見当たらない。
　よって，請求項１に係る発明は，引用文献１に記載されたものであるか，引用文献１から当業者が容易に想到できたものと認める。
・請求項７
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１においては，水素をプラズマ化している。（［請求項１］他）
・請求項９
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１においては，室温以上の温度の言及もある（段落［００９８］）ことから，加熱することも示唆されているといえる。
・請求項１０
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１においては，結晶化している（段落［００９６］）のだから，膜の構成物質の結晶構造が変化していることは明らかである。
・請求項１１
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１の，図５等から見て，プラズマ発生装置の記載がなされているといえる。
・請求項１２
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１の段落［０００２］〜［００１９］の［背景技術］からみて，電子デバイス，特に，ＴＦＴの製造方法に関する技術であることは明らかである。
●理由Ｂについて
・請求項１
・引用文献等　２，１，３
・備考
　引用文献２には，基板上に膜を形成する工程（［請求項１］，段落［００２３］等）の後，ＧＤプラズマによるプラズマ処理工程（［請求項２］，段落［００３０］等）を行って膜の性状及び構造を変更，つまり，結晶構造が変化し結晶化させることが記載されており，ＧＤプラズマによるプラズマ処理工程については，段落［０００８］，［００１３］等からみて，常圧で非熱プロセス，つまり，周囲温度を上げることなく大気圧プラズマを照射する工程を行っているということができる。
　ここで，引用文献２では，膜を形成する工程と大気圧プラズマを照射する工程とを同一装置で行う記載はない。
　しかしながら，引用文献１において，膜形成とプラズマ処理とを同一装置で行うことが記載されている（段落［０１００］，図５）し，引用文献３にも，常圧（大気圧）での処理を含めたプラズマを用いる装置において，膜形成とプラズマ処理とを同一装置で行うことが記載されている（特に，請求項６，第６頁右下欄，第３図（ｃ）等）ことから，引用文献２において，チャンバー外の大気に晒さずに良質な膜を得るために，引用文献１又は３に記載の膜形成とプラズマ処理とを同一装置で行う技術思想を採用することは，当業者にとって容易である。
・請求項２，３
・引用文献等　２，１，３，４
・備考
　平行平板型の２枚の対向電極による大気圧プラズマの発生に関しては，引用文献４の段落［００４６］，図１等を参照されたい。また，プラズマ発生の電力における電圧値は設計的事項の範疇である。
・請求項４
・引用文献等　２，１，３，４，５
・備考
　放電管の材質については，無機誘電体材料を採用することについては，引用文献５の段落［００１０］（石英）に記載されているし，有機高分子材料，金属についても良く用いられている材料である。
・請求項５，６
・引用文献等　２，１，３，４，５
・備考
　平行平板型のプラズマ発生装置における２枚の対向電極の材料として，引用文献４（段落［００１０］）ではシリコン（無機誘電体材料）についての言及があるし，対向電極として平板誘電体や平板金属を用いることは，良く行われていることである。
・請求項７
・引用文献等　２，１，３，４，５
・備考
　引用文献１には，水素（［請求項１］），引用文献２には，ヘリウム，アルゴン，窒素（段落［００１５］），引用文献３には，アンモニア（第６頁右下欄），引用文献４には，酸素，ヘリウム（段落［００６３］），引用文献５には，水素，窒素，酸素，アルゴン，ヘリウム等（段落［００１２］）が挙げられているし，その他のガスについても，プラズマ化することは周知である。
・請求項８
・引用文献等　２，１，３，４，５
・備考
　酸素を用いない場合には，チャンバー内の酸素濃度をできるだけ低くすることはいわば技術常識である。
・請求項９〜１２
・引用文献等　２，１，３，４，５
・備考
　引用文献４の段落［００４９］等には，膜の加熱をしながらプラズマ処理を行うことが記載されている。
●理由Ｃについて
・請求項１，９
　請求項１には，「周囲温度を上げることなく」という記載があるが，この場合の「周囲温度」及び「周囲」の定義がなされていないため，何処の温度，或いは何処を示しているのか分からず，不明確である。
　また，請求項１を引用する請求項９においては，「基板の上の膜を加熱しながらプラズマを照射」しており，膜を加熱しておきながら，周囲温度を上げないことは，技術的に相矛盾し意味不明であるから，請求項１，９の記載は，技術的にも不明確である。
・請求項１，８
　請求項１には「同一装置」とあるのに対し，請求項１を引用する請求項８においては「チャンバー」とあり，この場合の両者の関係が必ずしも明確であるとはいえない。　
　仮に請求項１の「同一装置」の「装置」と，請求項８の「チャンバー」が異なるものであるならば，請求項１における「同一装置」とは，どの程度までを「同一」の「装置」と見なすのか，例えば，マルチチャンバーシステムを同一の装置とするのか否か等不明であり，定義が定まらないため，不明確である。
・請求項２〜１２
　請求項２〜１２は，不明確な記載を含む請求項を引用しているため，同様に不明確である。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１０−５６４８３号公報　
２.特表２００６−５０３６８６号公報
３.特開平３−１３５０１８号公報
４.特開平０８−２５０４８８号公報
５.特開平１１−１４５１４８号公報　
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
  
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）  
・請求項　１−８  
・引用文献１−５  
  
・備考　  
（１）請求項１について 
　引例１の【００１５】−【００２５】に記載された発明と，本願の請求項１に記載された発明（以下「本願発明１」という。）は，以下の相違点１，２を除き一致する。 
  
・相違点１：「大気圧プラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程（Ａ）」が，本願発明１では，「周囲温度を上げることなく」と特定されているのに対して，引例１には，「周囲温度を上げることなく」との記載がないこと。 
  
・相違点２：本願発明１が，「前記アモルファスシリコン膜を形成する工程と大気圧プラズマを照射する工程（Ａ）とが同一装置内で行われること」を特定するのに対して，引例１には，当該記載がないこと。 
  
　以下，相違点について検討する。 
・相違点１について 
　審判請求人は，「請求項１には，『周囲温度を上げることなく』という記載があるが，この場合の『周囲温度』及び『周囲』の定義がなされていないため，何処の温度，或いは何処を示しているのか分からず，不明確である。」との拒絶査定の理由に対して，審判請求書において，「本願請求項１に係る製造方法における大気圧プラズマの照射は，例えば，本願明細書の［図１］で示されるような放電管を用いることで達成されるものであり，そして，このような放電管を用い，例えば，基板を移動させて大気圧プラズマ照射を行うこと（例えば，本願明細書の段落［００４８］参照）等により，大気圧プラズマの照射を基板の局所のみとすることができ，結果として周囲温度を上げずに大気圧プラズマを照射することが可能となるものです。また，ここで，本願明細書の［図１］より，周囲温度とは基板の周囲の温度を意図するであろうことが把握できます。」と説明する。 
　そこで，「周囲温度を上げることなく」を，審判請求人の主張に沿って解するならば，引例１に記載された前記発明もまた，引例１の図１に記載された，石英パイプ３４からなる放電管を用いることで達成されるものであり，そして，このような放電管を用い，例えば，基板を移動させて大気圧プラズマ照射を行うこと（例えば，引例１の【００１７】参照）等により，大気圧プラズマの照射を基板の局所のみとすることができ，結果として周囲温度を上げずに大気圧プラズマを照射することが可能となるものと認められる。 
　したがって，上記相違点１は，実質的なものではない。 
  
・相違点２について 
　引例２の図１とその説明（【０１２５】−【０１３６】）を参照されたい。 
　引例２の図１は，引例２の実施の形態１−１に係る「薄膜トランジスタの製造装置」の概略構成を示す図であって，当該「装置」は，その構成要素内に，「成膜室３，４」と，アモルファスシリコンを多結晶シリコンに改質する「レーザアニール室５」を含むものである。 
　すなわち，アモルファスシリコン膜を形成する工程と，アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程とを，同一装置内で行うことは周知の方法である。 
　そして，引例１に記載された方法に，前記周知の方法を適用することは当業者が適宜なし得たことである。 
  
（２）請求項２ないし８について 
・引例１の【００１６】に例示された周波数は１４４ＭＨｚであって，本願の請求項２，３で特定する範囲からは外れる，また，電圧も明示されていない。 
　しかしながら，引例１の請求項１，請求項６，７の記載からも明らかなように，引例１に記載された発明は，プラズマを生成し，当該プラズマで再結晶を行うことを発明の要旨とする発明であって，当該プラズマを生成する高周波の周波数及び電圧等は適宜定め得る設計事項といえる。 
　そして，本願の請求項２，３で特定する周波数，電圧，及び電極の使用は周知（例えば，引例３の【００４５】，引例４の【００４２】，【００４６】，【００５４】引例５の【００３５】，【００４０】等の記載を参照されたい。）のものであり，当該事項の特定による格別の効果も認められない。 
  
・放電管の材質については，引例１の【００２２】，【００２３】を参照。プラズマ発生用ガスについては，引例１の【００１６】，引例３の【００４７】−【００４８】等を参照。 
  
・アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程において，シリコンが，雰囲気中の酸素と結合して酸化シリコンとなることを防ぐために，必要に応じて，引例１の工程を，酸素濃度を１００ｐｐｍ以下に保たれているチャンバー内で行うことは当業者が適宜なし得たことである。 
  
・引例１の方法は，膜の構成物質の結晶構造を変化させるものであり，また，電子デバイスの製造方法でもあるといえる。 
  
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧  
 １．特開２００６−６０１３０号公報 
 ２．特開２００１−８５７０１号公報 
 ３．特開平１１−２６０５９７号公報 
 ４．国際公開第２００８／０７２３９０号 
 ５．特表２００８−５１９４１１号公報 
 
第４　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成３０年１月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明であり，本願発明１は，以下のとおりである。
「【請求項１】
基板上に成膜用ガスを用いてアモルファスシリコン膜を形成する工程，及び，周囲温度を上げることなく基板上のアモルファスシリコン膜に７６０Ｔｏｒｒから上下１００Ｔｏｒｒの範囲である大気圧下で発生させた大気圧プラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程（Ａ）を含む，膜を構成する物質の結晶構造が変化し結晶化した膜の製造方法であって，
前記工程（Ａ）は，放電管の内部にプラズマ発生用ガスを流すことにより前記大気圧下でプラズマを発生させ，生成したプラズマを直接に基板上のアモルファスシリコン膜に照射する工程であり，
前記アモルファスシリコン膜を形成する工程で使用する成膜用ガスと前記工程（Ａ）で使用するプラズマ発生用ガスは，共にヘリウムを含むガスであり，
前記アモルファスシリコン膜を形成する工程と大気圧プラズマを照射する工程（Ａ）とが同一装置内で行われることを特徴とする製造方法。」
第５　特許法第２９条第２項（進歩性）について
　１　引用文献，引用発明等
（１）引用文献１について
　当審拒絶理由で引用した引用文献１（特開２００６−６０１３０号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「【請求項１】
　非結晶薄膜を溶融した後に再結晶化する薄膜結晶化方法において，
　細管に導入したプラズマ生成ガスを前記細管の先端から大気中に噴出させて前記細管の先端にマイクロプラズマジェットを生成し，前記
マイクロプラズマジェットを大気中で非結晶薄膜に照射して前記非結晶薄膜を溶融する
薄膜結晶化方法
「【００１５】
　（第１の実施形態）
　
本発明の薄膜結晶化方法では，大気中で，アモルファスシリコン膜に，微小径のプラズマ噴出炎（マイクロプラズマジェット）を照射して多結晶シリコンを生成する
　図１は，この方法を実施する第１の実施形態の装置を模式的に示している。この装置は，
マイクロプラズマジェット４０を生成する石英パイプ３４
【００１６】
　石英パイプ３４は，１００ｍｍの全長を有し，内径２ｍｍの円筒形状の先端が細く成形され，マイクロプラズマジェット４０を噴出する噴出口の口径は，１００μに設定されている。また，高周波電源３１は，１４４ＭＨｚの高周波電力（１００Ｗ）を出力し，マッチング回路３０は，コイル３３から高周波電源３１に戻る反射波が最小となるように調整している。
　
高周波電源３１から供給された高周波電流がコイル３３に流れると，コイル３３は，石英パイプ３４内に誘導電場を発生する。そのため，プラズマ生成ガスとして例えばアルゴン（Ａｒ）ガスを使用する場合では，ガス供給源３６から供給され，流量調節器３５で所定圧力に調整されて石英パイプ３４内に流入するアルゴンガスのアルゴン原子は，誘導電場で電離して高温（６０００〜７０００℃）のプラズマとなり，アルゴンガスの流入圧力に押されて石英パイプ３４先端の噴出口から大気中に噴き出る
噴き出したプラズマは，大気の存在により，拡散することなく，１ｃｍ
3
当り１０
17
個の電子密度を有するマイクロプラズマジェット４０を生成する
【００１７】
　
蒸着やスパッタリング等の方法でガラス等の基板５０上に，ＴＦＴへの利用に適した膜厚（０．３μ前後）のアモルファスシリコン膜５１を形成
マイクロプラズマジェット４０をアモルファスシリコン膜５１に照射すると，照射位置のアモルファスシリコン膜５１は，数ミリ秒以下の短時間の照射で溶融し，局所的に結晶化する
　また，
アモルファスシリコン膜５１の同一箇所に対するマイクロプラズマジェット４０の延べ照射時間が数ミリ秒程度となる速さで，基板５０を石英パイプ３４に対して矢印ｂの方向に相対的に移動（走査）して行くと，マイクロプラズマジェット４０が照射された軌跡上に結晶化したシリコン５２が生成する。また，この走査を２次元的に実施すれば，平面状の多結晶シリコン膜を得ることができる
「【００２０】
　また，
マイクロプラズマジェット４０を同一位置に１秒以上照射すると，照射位置のアモルファスシリコン膜５１が蒸発し，ガラス基板５０に孔が空く
そのため，この装置では，マイクロプラズマジェットの照射時間や照射位置を制御することにより，薄膜を備えた基板に貫通孔を設けたり，溝を形成したり，所定位置で切断したりする等，精密加工を施すこともできる。
　従って，この装置一つで，アモルファスシリコン膜が形成された基板の微細加工や，所定の線形状または面領域のみの選択的な結晶化，あるいは膜全体の結晶化を行うことが可能である
【００２１】
　このように，この薄膜結晶化装置は，レーザアニール装置に比較して構造が極めて簡単であり，
大気中においてアモルファス膜を短時間で再結晶化することができ
（２）引用発明
　上記の記載から，上記引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ガラス等の基板上に，蒸着やスパッタリング等の方法で，ＴＦＴへの利用に適した膜厚（０．３μ前後）のアモルファスシリコン膜を形成する工程，及び，
　石英パイプ内に，プラズマ生成ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し，前記石英パイプ内に流入した前記アルゴンガスのアルゴン原子は，誘導電場で電離して高温（６０００〜７０００℃）のプラズマとなり，前記アルゴンガスの流入圧力に押されて前記石英パイプ先端の噴出口から大気中に噴き出したプラズマが，大気の存在により，拡散することなく，１ｃｍ3当り１０17個の電子密度を有するマイクロプラズマジェットを生成し，当該マイクロプラズマジェットは，前記アモルファスシリコン膜に照射されて，照射位置のアモルファスシリコン膜を，数ミリ秒以下の短時間の照射で溶融して，局所的に結晶化する工程を含む，
　大気中で，アモルファスシリコン膜に，微小径のプラズマ噴出炎（マイクロプラズマジェット）を照射して多結晶シリコンを生成する方法であって，
　前記マイクロプラズマジェットは，同一位置に１秒以上照射すると，照射位置の前記アモルファスシリコン膜が蒸発し，前記ガラス基板に孔が空くため，
　前記アモルファスシリコン膜の同一箇所に対する前記マイクロプラズマジェットの延べ照射時間が数ミリ秒程度となる速さで，前記基板を前記石英パイプに対して相対的に移動（走査）して，マイクロプラズマジェットが照射された軌跡上に結晶化したシリコンを生成し，また，この走査を２次元的に実施して，平面状の多結晶シリコン膜を得る方法。」
（３）引用文献２ないし１０について
　ア　当審拒絶理由で引用した引用文献２（特開２００１−８５７０１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０１２５】（実施の形態１−１）
図１は
薄膜トランジスタの製造装置の全体構成図
【０１２６】図１に示すように，
本製造装置は，中央に基板を搬送する搬送用ローラ，押し出し装置，握み手等を有するロボット１０を備えた搬送室１が設置されている
【０１２７】搬送室１は，その周囲にゲートバルブ９２〜９７を介して６つの室２〜７が取り付けられる構造となっている。また，ロボット１０は図示しないモータ付き台の上にあり，このモータの回転により各処理に際して当該室の方向へ向くことが可能，すなわち回転可能である。そしてこれにより，各室で別々の基板を同時に，そして本製造装置では複数の基板を同時に処理することが可能となっている。
【０１２８】更に，
何れの室２〜７も，少なくとも内部の空気を排気して減圧する機能と，その室内でなされる処理によってはその処理から定まる特定のガスを室外から導入し，排気する機能を備えており，更にまた搬送室１からゲートバルブ９２〜９７を介してロボット１０により搬入された基板（図示せず）を各室２〜７の所定の若しくは固有の条件で処理し，ロボット１０と協力して再度搬送室１へ搬出する機能を有している
【０１２９】搬出入室２は，本装置にて処理する基板を外部から取り入れてその雰囲気を大気から減圧にする，或いは本装置で処理の終了した基板の雰囲気を減圧状態から室内の大気に戻したり，窒素を充填したりする機能を有している。またこのため，ポンプＰや弁Ｖや各種ガス供給機構に接続されている。なお，ポンプＰや弁Ｖや各種ガス供給機構は，搬出入室２以外のその室１，３〜７にも個別に設けられている。
【０１３０】
２つの成膜室３，４は，室外の原料（ガス）供給源に弁Ｖを介して接続されており，これによりその室内にてプラズマＣＶＤ法により基板上に非晶質シリコンや微結晶シリコンの膜，或いは絶縁膜としての二酸化珪素膜等を形成する設備，部屋としての機能を有する
【０１３１】なお，成膜室３，４で用いる成膜方法は，何もプラズマＣＶＤ法に限られるものではなく，必要な設備との接続を図ることによりＥＣＲプラズマＣＶＤ法，リモートプラズマＣＶＤ法，或いはスパッタリング法等々を用いることも可能である。
【０１３２】
レーザアニール室５は，上面に室外からのレーザ光を導入することのできる石英製の窓（図示せず）を有し，また室内に搬入された改質のための照射の対象としての非晶質半導体薄膜の形成された基板を，水平に保持した状態でレーザーエネルギーの密度等の処理条件から定まる所定の速度で移動させる機能を有している
【０１３３】そして，
レーザ光は，室外の改質（溶融，結晶化）用レーザ発振装置１１より所定の強度及び発振条件で出射された後，レンズ，スリット等を有する光学系１２により所定のエネルギー密度及びビーム形状に調整される
　上記記載から，引用文献２は，非晶質シリコンの膜を形成する工程と，前記非晶質シリコンの膜の改質（溶融，結晶化）する工程とを，同一装置内，すなわち，薄膜トランジスタの製造装置内で行うという技術的事項が記載されていると認められる。
　イ　当審拒絶理由で引用した引用文献３（特開平１１−２６０５９７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４５】本発明において
外側電極１と内側電極３に印加される交流の周波数は
好ましくは１０ｋＨｚ〜２００ＭＨｚに設定される
　上記記載から，引用文献３には，外側電極と内側電極に印加される交流の周波数として，１０ｋＨｚ〜２００ＭＨｚが好ましいという技術的事項が記載されていると認められる。
　ウ　当審拒絶理由で引用した引用文献４（国際公開第２００８／０７２３９０号）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0042] ガス供給管 1の噴出口 la側の端部の外周上には，同軸状の単一のプラズマ発生用の高電位電極 3が設置されている。高電位電極 3には電圧印加装置 4が接続され，図 2Aに示すような，所定周波数のパルス列状の正電圧を印加することができる。電圧印加装置 4により印加するパルス列状の正電圧の電圧値を例えば 10kVに設定し，周波数を例えば 10kHz程度に設定することにより，噴出口 laから細く伸びる非平衡プラズマジェット 5が生成される。」
「[0046] 但し，時間的に変化する電圧を印加することが望ましい。時間的に変化することにより，特に誘電体バリア放電の場合，ガラスというコンデンサを経由してプラズマを着火しているので，電圧が変化する成分によってプラズマが生成され易くなる。具体的には， 10kHz程度の電圧を用いればよいが， 60Hz程度の低周波でもグロ一状の大気圧プラズマが得られる場合もある。ただし， 10MHz程度の高周波になると，高速力メラで見ても一様な形状をしている別の放電形状になる。より好ましくは，周期的に変化する電圧を印加する。周期的に放電したほうが安定したプラズマが得られ易いからである。」
「[0054] 媒質ガス：ヘリウムガス 
 石英パイプの内径： 3mm 
 媒質ガスの流量：数リットル /分 
 
高電位電極 3への印加電圧：電圧 10kV
 
印加電圧の周波数： 10kHz
　上記記載から，引用文献４には，高電位電極への印加電圧として10kV，印加電圧の周波数として10kHzという値を用いるという技術的事項が記載されていると認められる。
　エ　当審拒絶理由で引用した引用文献５（特表２００８−５１９４１１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３５】
  １つ又は複数の電極に対する電源は，
プラズマの発生
低周波数（ＬＦ）３０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの範囲もまた，首尾よく使用することができる
「【００４０】
  
一般に，プラズマは，プロセスガスとしてヘリウムを使用すると，アルゴンを用いるのに比べて低電圧で点火することができ，アルゴンを使用すると，窒素又は空気を用いるのに比べて低電圧で点火することができる
ＰＨＦ−２Ｋ電源を使用して，純粋のアルゴンプラズマを３ｋＶで直接点火することができる
　上記記載から，引用文献５には，プラズマの発生に，低周波数（ＬＦ）３０ｋＨｚ〜３００ｋＨｚの範囲が，首尾よく使用することができること，及び，一般に，プラズマは，プロセスガスとしてヘリウムを使用すると，アルゴンを用いるのに比べて低電圧で点火することができ，アルゴンを使用すると，窒素又は空気を用いるのに比べて低電圧で点火することができ，ＰＨＦ−２Ｋ電源を使用して，純粋のアルゴンプラズマを３ｋＶで直接点火することができるという技術的事項が記載されていると認められる。
　
　オ　原査定で引用した引用文献６（特開２０１０−５６４８３号公報：原査定の引用文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００９５】
　以上の基本原理を元に，
ゲルマニウム（Ｇｅ）溶液を，図１（ａ）に示すように，各種の手法によりガラス基板上へ塗布し，これを乾燥させることによって，ゲルマニウム（Ｇｅ）酸化物を析出
【００９６】
　これら塗布したゲルマニウム（Ｇｅ）酸化物水溶液を，乾燥により
固体状ゲルマニウム（Ｇｅ）酸化物として析出させた後，図１（ｂ）に示すように，大気圧近傍の水素プラズマにて還元することによって，ゲルマニウム（Ｇｅ）の結晶膜を得る
【００９７】
　ここで，大気圧近傍の水素プラズマを用いることのメリットは，単に還元反応を示す原子状水素密度を上昇させるのみならず，原料となるゲルマニウム（Ｇｅ）水溶液の蒸発速度を低減できることから，原料ゲルマニウム（Ｇｅ）水溶液溶媒の過度な蒸発を防止することにつながる。
【００９８】
　また，ＧｅＯ２ の生成法としては，ゲルマニウム（Ｇｅ）の熱酸化（９００℃）が考えられるが，本方式ならば低温での作製が可能である。
大気圧水素プラズマ処理の際も特に基板加熱は必要なく，全て低温でのプロセスで行うことができる。具体的には，溶液又は懸濁液の塗布，及び曝露処理を４００℃以下の温度で行うことができる。さらに言えば室温が好ましい。これにより，高温プロセスを排除することができる。尚，４００℃というのは，廉価なガラス基板を用いた場合にプロセスを行える最高温度である。また，紙やプラスチック上に行う場合には，室温でのプロセスが重要である
「【０１００】
　この結果，例えば，図５に示すように，
溶液塗布から水素プラズマ還元によるゲルマニウム（Ｇｅ）薄膜の形成までを，同一チャンバーにて大気圧一貫処理する
　上記の記載から，上記引用文献６には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ゲルマニウム溶液を，ガラス基板上へ塗布し，これを乾燥させることによって，ゲルマニウム酸化物を析出する工程，及び，前記ゲルマニウム酸化物を，大気圧近傍の水素プラズマにて還元することによって，ゲルマニウムの結晶膜を得る方法であって，
　大気圧水素プラズマ処理の際も特に基板加熱は必要なく，全て低温でのプロセス，具体的には，溶液の塗布，及び曝露処理を４００℃以下の温度で行うことができ，さらに言えば室温が好ましく，
　前記溶液塗布から水素プラズマ還元によるゲルマニウム薄膜の形成までを，同一チャンバーにて大気圧一貫処理する方法。」
　カ　原査定で引用した引用文献７（特表２００６−５０３６８６号公報：原査定の引用文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
チタニアもしくはチタニア含有物を薄膜として基板の上に堆積させる方法
　前記
基板を２５０℃を下回る温度で加熱
主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用して薄膜の性状及び薄膜成長速度を改良
　
導入されたガス流中に予備蒸発させた反応性チタニアＣＶＤ前駆体を，コーティング領域を流動するガス中に導入
を含んでなる方法。
【請求項２】
　前記コーティングを常圧グロー放電プラズマで後処理して前記薄膜の性状及び構造を変更する，請求項１に記載の方法。」
「【０００８】
　常圧グロー放電プラズマ（ＡＰＧＤＰ； Atmospheric Pressure Glow Discharge Plasma）はかねてから知られているけれども，このようなプラズマを適用した場合，表面処理に対して，例えばプリント加工又は第２段階のコーティングに先がけてプラスチックを前処理することに対して，大きな制限が存在している。」
「【００１３】
　目的とする低温運転や目的とするプロセス特性を達成するため，プラズマの種類や運転の詳細を入念に選択することが必要である。多くの異なるタイプのプラズマが存在しているけれども，非熱プラズマとして運転することができるので，グロー放電プラズマがとりわけ有利である。いろいろな出力源や設定で上述のようなプラズマを発生させることができるけれども，本発明者らは，低周波ＡＣプラズマを使用したときに好適な挙動が得られるということを発見した。」
「【実施例】
【００２３】
　下記の実施例は，本発明の範囲と可能性を説明することを意図しており，これらの実施例でもって本発明を制限することを意味するものではない。
適用した典型的な実験条件：
周波数：１０〜２５ＫＨｚ（可変）
出力：１００Ｗ〜１ＫＷ
形状：片面もしくは両面に誘電性バリアを被覆した平行な平板（例えば，ガラス，セラミック又はプラスチックの薄膜もしくはシート）
電極ギャップ（金属電極又は誘電体である内部表面から測定）：約１〜１５ｍｍで変動，最適範囲は，２〜６ｍｍであった。
出力密度：０．１〜１０Ｗｃｍ-2（通常，０．５〜２Ｗｃｍ-2）
キャリヤ（すなわち，プラズマ）ガス：ヘリウム
キャリヤガス温度（呈示）：周囲温度〜約５０℃（前駆体の揮発度を保証するため）
プラズマガス温度：約５０〜１００℃（接触プローブで測定）
キャリヤガス流量：１〜２Ｌ／分
チタニア前駆体：予備蒸発（例えば，バブラー中で），１％未満，殆どの場合に０．１％の範囲の濃度範囲で分配される。
酸素レベル：１％未満，典型的には０．１％未満」
「【００３０】
実施例３：性質に及ぼす後処理の効果の実証
　２種類の薄膜を作製し，その際，一方の薄膜は実施例１に記載のようにして製造し，他方の薄膜は，実施例１に記載のようにして製造したけれども，コーティングの完了後に薄膜をＧＤプラズマ中で６０秒間にわたって保持することによって「後処理」を実施した。得られた薄膜は，顕著に異なる性質を示した。後処理後の薄膜は，接着力及び耐久性がかなり大であった（例えば，クロスハッチ試験及び水すすぎ耐性試験による）。」
　上記の記載から，上記引用文献７には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「基板を２５０℃を下回る温度で加熱して，主たる反応源として，キャリヤ（すなわち，プラズマ）ガスに，ヘリウムを用いた，常圧グロー放電プラズマを使用して，予備蒸発させた反応性チタニアＣＶＤ前駆体を，コーティング領域を流動するガス中に導入して，チタニアもしくはチタニア含有物を薄膜として基板の上に堆積させる工程，及び，前記コーティングを常圧グロー放電プラズマで後処理して前記薄膜の性状及び構造を変更する工程を含む，方法。」
　キ　原査定で引用した引用文献８（特開平３−１３５０１８号公報：原査定の引用文献３）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「１．試料上に金属窒化物を主成分とする薄膜を形成する半導体装置の製造方法において，膜形成後に該薄膜を大気に晒すことなく，該薄膜を所望のプラズマに晒すことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第１ページ左下欄第４−８行）
「６．
常圧
プラズマ
「・・・
膜形成を行った
その後
同室３４でアンモニアプラズマに晒して窒化チタン膜表面近傍の窒素含有量を膜中の最大とする
　上記記載から，引用文献８には，常圧（大気圧）での処理を含めたプラズマを用いる装置において，膜形成とプラズマ処理とを同一装置で行うという技術的事項が記載されていると認められる。
　ク　原査定で引用した引用文献９（特開平８−２５０４８８号公報：原査定の引用文献４）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４６】
上部電極２０及び下部電極３０には，ＲＦ電源４０が接続されている
１３，５６ＭＨｚ，１００Ｗの高周波電力を供給し，かつ，ガス導入管１４より所定のプロセスガスを導入することで
大気圧又はその近傍の圧力下にて，プラズマ放電が生成される
　上記記載から，引用文献９には，１３，５６ＭＨｚ，１００Ｗの高周波電力を供給し，かつ，ガス導入管より所定のプロセスガスを導入することで，平行平板型の２枚の対向電極により大気圧プラズマが生成されるという技術的事項が記載されていると認められる。
　ケ　原査定で引用した引用文献１０（特開平１１−１４５１４８号公報：原査定の引用文献５）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１０】誘導熱プラズマを発生させる部分をトーチと呼ぶ。図１１はこのような誘導熱プラズマトーチの構造を示した原理図である。
誘導熱プラズマトーチは通常，耐熱温度の高い石英等のシース管３１で形成され，一端が解放されている
　上記記載から，引用文献１０には，放電管の材質について，耐熱温度の高い石英等を採用するという技術的事項が記載されていると認められる。
　コ　引用文献１１（特開２００４−２９６７２９号公報：補正の却下の決定で引用した引用文献６）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
非晶質構造を有する半導体膜を形成する工程
前記非晶質構造を有する半導体膜上に，大気圧又は大気圧近傍圧力下で，該半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたグロ−放電プラズマにより，該金属元素を添加する工程
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱して結晶構造を有する半導体膜を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。」
「【００１６】
図１に大気圧又は大気圧近傍下でクリ−ニング処理，成膜処理，金属触媒添加処理，エッチング処理を行う装置のノズル構成を示す。ノズル体１０１にはクリ−ニングや成膜やエッチングやなどの表面処理を行うための気体を供給する気体供給手段１０３とその排気手段１０６，不活性気体供給手段１０７とその排気手段１１０が接続されている。気体供給手段１０３から供給される気体は，内周気体供給筒内１００にてプラズマ化或いは反応性のラジカル又はイオン種を生成して気体噴出口１０４から被処理体に吹き付ける。その後，当該気体は外周気体排気筒１０５から排気手段１０６により排出する。その外郭には不活性気体供給口１０５が設けられ，さらに最外郭に排気口１０９を設けることによりガスカ−テンを形成し，処理空間と周辺雰囲気とを遮断する構成となっている。上記した各工程の大気圧又は大気圧近傍の圧力とは，１．３×１０１〜１．３１×１０５Ｐａとすれば良い。
【００１７】
また，気体供給手段１０３と気体排出手段１０６との間に気体精製手段１１２を設け，気体を循環させる構成を組み入れても良い。このような構成を組み入れることにより，気体の消費量を低減することができる。また，排気手段１０６から排出される気体を回収して精製し，再度気体供給手段１０３で利用する形態としても良い。
【００１８】
大気圧又は大気圧近傍の圧力で安定な放電を維持するためには，ノズル体と被処理物の間隔は５０ｍｍ以下が良く，好ましくは１０ｍｍ以下とすれば良い。
【００１９】
このノズル体の形状は，内周気体供給筒１００の内側に備えられた電極１０２を中心とした同軸円筒型とするのが最も望ましいが，同様に局所的にプラズマ化した処理気体を供給できる構成であればこれに限定されない。」
「【００３６】
【実施例】
［実施例１］
本発明の実施例を図４〜図８により説明する。ここでは，同一基板上に画素部と，画素部の周辺に設ける駆動回路のＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴ）を同時に作製する方法について詳細に説明する。すべての成膜，洗浄，エッチングは大気圧又は大気圧近傍下のプラズマ処理により行う。
【００３７】
基板１５００のサイズは，６００ｍｍ×７２０ｍｍ，６８０ｍｍ×８８０ｍｍ，１０００ｍｍ×１２００ｍｍ，１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ，１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ，１５００ｍｍ×１８００ｍｍ，１８００ｍｍ×２０００ｍｍ，２０００ｍｍ×２１００ｍｍ，２２００ｍｍ×２６００ｍｍ，または２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用い，製造コストを削減することが好ましい。基板１５００の上に実施の形態で示したように，大気圧及び大気圧近傍下でプラズマ処理により，膜厚５０〜１００ｎｍの下地絶縁膜１５０１ａおよび膜厚５０〜１００ｎｍの膜厚の下地絶縁膜１５０１ｂを積層成膜して形成する。成膜前の基板洗浄について同装置で大気圧及び大気圧近傍下のプラズマ処理で行った。導入するガスはＨｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等の不活性ガス又は酸素，窒素，水素のいずれかを用いる。電源は，直流電源，又は高周波電源を適用可能である。直流電源を用いる場合には，放電を安定化するために間欠的に電力を供給するものが好ましく，その周波数が５０Ｈｚ〜１００ｋＨｚ，パルス持続時間が１〜１０００μｓｅｃとすることが好ましい。上記した各工程の大気圧又は大気圧近傍の圧力とは，１．３０×１０１〜１．３１×１０５Ｐａとすれば良い。下地絶縁膜１５０１（１５０１ａ，１５０１ｂ）は，基板１５００から半導体層への不純物拡散を防ぐために形成される。本実施例では，低アルカリガラスを用い，下地絶縁膜１５０１ａには膜厚１００ｎｍの窒化珪素膜を下地絶縁膜１５０１ｂには膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜をそれぞれ大気圧及び大気圧近傍下でプラズマ処理により成膜した。また本実施例では，下地絶縁膜を二層の積層成膜しているが，不純物拡散の防止効果を得られるなら，一層あるいは三層以上の積層としてもよい。なお，ＴＦＴ作製工程では，ガラスや石英等の透光性を有するものを用いるが，本実施例においては，上面発光型の発光装置を作製するため，各工程における処理温度に耐えうるものであれば，透光性を有するものに限らず他の基板を用いてもよい。
【００３８】
次に，下地絶縁膜１５０１の上に半導体膜１５０２ａ〜１５０２ｄを形成する。
【００３９】
本実施例では，
非晶質半導体膜として膜厚５５ｎｍの非晶質珪素膜を大気圧及び大気圧近傍下でプラズマ処理により形成
【００４０】
次いで，非晶質半導体膜１５０２ａ〜１５０２ｄに大気圧及び大気圧近傍下でＮｉなどの金属触媒を添加する
この時プラズマを発生させる電極には金属触媒と同じ元素を用い，Ａｒなどの不活性ガスをプラズマ化させて添加する
ニッケルを非晶質半導体膜上に添加させた後，ハロゲンランプで７５０℃，１８０秒で加熱処理を行う
　上記記載から，引用文献１１には，非晶質構造を有する半導体膜を形成する工程と，前記非晶質構造を有する半導体膜上に，大気圧又は大気圧近傍圧力下で，該半導体膜の結晶化を助長する金属元素を含む電極間に生成されたグロ−放電プラズマにより，該金属元素を添加する工程と，前記金属元素が添加された非晶質構造を有する半導体膜に，ハロゲンランプで７５０℃，１８０秒等の加熱処理を行い結晶構造を有する半導体膜を形成する工程とを含む方法によって半導体装置を作製するという技術的事項が記載されていると認められる。
　２　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
（ア）引用発明１の「石英パイプ」，「プラズマ生成ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガス」は，本願発明１の「放電管」，「プラズマ発生用ガス」に相当する。
　また，引用発明１の「大気中」は，本願発明１の「７６０Ｔｏｒｒから上下１００Ｔｏｒｒの範囲である大気圧下」を満たす。
（イ）そうすると，引用発明１の「石英パイプ内に，プラズマ生成ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し，前記石英パイプ内に流入した前記アルゴンガスのアルゴン原子は，誘導電場で電離して高温（６０００〜７０００℃）のプラズマとなり，前記アルゴンガスの流入圧力に押されて前記石英パイプ先端の噴出口から大気中に噴き出したプラズマが，大気の存在により，拡散することなく，１ｃｍ3当り１０17個の電子密度を有するマイクロプラズマジェットを生成し，当該マイクロプラズマジェットは，前記アモルファスシリコン膜に照射されて，照射位置のアモルファスシリコン膜を，数ミリ秒以下の短時間の照射で溶融して，局所的に結晶化する工程」と，本願発明１の「周囲温度を上げることなく基板上のアモルファスシリコン膜に７６０Ｔｏｒｒから上下１００Ｔｏｒｒの範囲である大気圧下で発生させた大気圧プラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程（Ａ）」とは，「『基板上のアモルファスシリコン膜に７６０Ｔｏｒｒから上下１００Ｔｏｒｒの範囲である大気圧下で発生させ』『プラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程』」である範囲で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程，及び，基板上のアモルファスシリコン膜に７６０Ｔｏｒｒから上下１００Ｔｏｒｒの範囲である大気圧下で発生させたプラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程（Ａ）を含む，膜を構成する物質の結晶構造が変化し結晶化した膜の製造方法であって，
前記工程（Ａ）は，放電管の内部にプラズマ発生用ガスを流すことにより前記大気圧下でプラズマを発生させ，生成したプラズマを直接に基板上のアモルファスシリコン膜に照射する工程である製造方法。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１が，「成膜用ガスを用いて」アモルファスシリコン膜を形成するものであって，「『前記アモルファスシリコン膜を形成する工程で使用する成膜用ガス』が『ヘリウムを含むガス』」であるのに対して，引用発明１のアモルファスシリコン膜は，「蒸着やスパッタリング等の方法」で形成されるものであり，成膜用ガスを用いて形成されるものとは特定されていない点。
（相違点２）本願発明１が，「周囲温度を上げることなく」基板上のアモルファスシリコン膜に「大気圧プラズマ」を照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程を含み，当該工程で使用するプラズマ発生用ガスが，「ヘリウムを含むガス」であるのに対して，引用発明１は，そのような構成が特定されていない点。
（相違点３）本願発明１が，「前記アモルファスシリコン膜を形成する工程と大気圧プラズマを照射する工程（Ａ）とが同一装置内で行われる」のに対して，引用発明１では，そのような構成が特定されていない点。
　イ　相違点についての判断
　事案にかんがみ，最初に相違点２について検討する。
（ア）本願の明細書には以下の記載がある。
「【発明の効果】
【００１３】
　
本発明の膜の製造方法によれば
プラズマ粒子が膜に衝突した部分のみを徐々に結晶化させることができる
　
特に本発明で用いる大気圧プラズマ（熱非平衡型のプラズマ）の場合
周囲温度を上げることなく，照射領域の構造体の形態や結合状態を変化させることができ，即ち低温での結晶化が可能である
このように，大気圧中で制御されるプラズマでは，結晶化を低温にて制御しながら行うことができる
「【００３３】
　プラズマ照射装置は特にペンシル状のノズルから放射するプラズマジェット（図１）である必要は無く，２枚の対向する平板電極に対して交流電界を印加し，この間隙に
プラズマガスとなり得るガス（プラズマ発生用ガス：特に限定するものではないが例えばヘリウムガス，後述参照）などを流すことにより安定な大気圧プラズマを発生
「【００４１】
　
基板上の膜へのプラズマ照射時間は通常，数分〜数時間であり，例えば５分間〜２４時間，５分間〜１０時間，１０分間〜２時間，又は２０分間〜１時間程度のプラズマ照射を行うことができる
「【００４８】
　＜途中省略＞
　
このとき，特に放電管に誘電体を用いた熱非平衡型のプラズマを照射した場合，基材自身の温度は上昇しないため，アモルファスシリコン膜の形態のみが変化するにとどまり，基材の変形等は伴わないのが大きな特徴といえる
（イ）本願明細書の上記記載から，本願発明１の「周囲温度を上げることなく」とは，「特に，本発明で用いる大気圧プラズマ（熱非平衡型のプラズマ）」（【００１３】）によって，プラズマ粒子が膜に衝突した部分のみを徐々に結晶化させることができるように，結晶化を低温にて制御しながら行うこと，即ち低温での結晶化という技術的意義を持つものと理解される。
（ウ）そうすると，引用発明１の「石英パイプ内に，プラズマ生成ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し，前記石英パイプ内に流入した前記アルゴンガスのアルゴン原子は，誘導電場で電離して高温（６０００〜７０００℃）のプラズマとなり，前記アルゴンガスの流入圧力に押されて前記石英パイプ先端の噴出口から大気中に噴き出したプラズマが，大気の存在により，拡散することなく，１ｃｍ3当り１０17個の電子密度を有するマイクロプラズマジェットを生成し，当該マイクロプラズマジェットは，前記アモルファスシリコン膜に照射されて，照射位置のアモルファスシリコン膜を，数ミリ秒以下の短時間の照射で溶融して，局所的に結晶化する工程」における，「プラズマ生成ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガス」を供給して電離させた「高温（６０００〜７０００℃）のプラズマ」による「照射位置のアモルファスシリコン膜を，数ミリ秒以下の短時間の照射で溶融して，局所的に結晶化する工程」が，本願発明１の「周囲温度を上げることなく」基板上のアモルファスシリコン膜に「大気圧プラズマ」を照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程であるということができないことは明らかであるから，相違点２は，実質的なものといえる。
（エ）そして，「周囲温度を上げることなく」基板上のアモルファスシリコン膜に「大気圧プラズマ」を照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程は，引用文献２ないし１１のいずれにも記載されておらず，また，本願の優先権主張の日前において周知技術であったとも認められない。
　してみれば，引用文献１ないし１１に記載された発明及び技術的事項から，引用発明１において，上記相違点２について本願発明１の構成となすことが当業者にとって容易であったとは認められない。
　そうすると，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用文献１ないし１１に記載された発明及び技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２ないし８について
　本願発明２ないし８は，いずれも上記相違点２の構成を備えるから，上記「（１）本願発明１について」と同様の理由により，引用文献１ないし１１に記載された発明及び技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　原査定についての判断
　１　特許法第２９条第１項第３号（新規性）及び特許法第２９条第２項（進歩性）について
　原査定における引用文献１ないし５には，上記「第５　特許法第２９条第２項（進歩性）について　１　引用文献，引用発明等」の，「原査定で引用した引用文献６（原査定の引用文献１）」ないし「原査定で引用した引用文献１０（原査定の引用文献５）」において摘記した事項が記載されている。
　一方，平成３０年１月２２日付けの手続補正書による補正により，補正後の請求項１ないし８は，いずれも，周囲温度を上げることなく基板上のアモルファスシリコン膜に大気圧プラズマを照射してアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変化させる工程を含むものであって，当該工程で使用するプラズマ発生用ガスが，ヘリウムを含むガスであるという技術的事項を有するものとなった。
　そして，当該技術的事項は，原査定における引用文献１ないし５には記載されておらず，本願の優先権主張の日前における周知技術でもない。
　したがって，本願発明１ないし８は，原査定における引用文献１に記載された発明ではなく，また，原査定における引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできたものとも認められない。
　２　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
　原査定の特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）についての拒絶の理由は，平成３０年１月２２日に提出された手続補正書による補正，平成２８年１０月３１日に提出された意見書，審判請求書，及び，平成３０年１月２２日に提出された意見書の説明により解消した。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。