(57)【要約】  投影光学系とウエハ等の感光性基板との間の気体の揺らぎの影響を抑制し、必要に応じて感光性基板の露光中における平面度を高く維持できる露光方法を提供する。露光光で投影光学系（ＰＬ）を介してウエハ（Ｗ）を露光する露光方法において、投影光学系（ＰＬ）とウエハ（Ｗ）との間に、ウエハ（Ｗ）と一体的に移動するとともに、露光光を透過するガラス板（２９）を配置し、投影光学系（ＰＬ）とガラス板（２９）との間に露光光を透過する液体（ＬＱ）を供給し、露光光で投影光学系（ＰＬ）、液体（ＬＱ）、及びガラス板（２９）を介してウエハ（Ｗ）を露光する。
2008139913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で光学部材を介して感光性基板を露光する露光方法において、
前記光学部材と前記感光性基板との間に、前記感光性基板と一体的に移動するとともに、前記露光光を透過する露光用平板を配置し、
前記光学部材と前記露光用平板との間に前記露光光を透過する液体を供給し、
前記露光光で前記光学部材、前記液体、及び前記露光用平板を介して前記感光性基板を露光する露光方法。
【請求項２】
前記露光用平板の前記露光光に対する屈折率は、前記液体の前記露光光に対する屈折率の０．９倍から１．１倍の範囲内である請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記感光性基板の露光時に、前記感光性基板の表面に前記露光用平板が接触する請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記感光性基板は円板状であり、
前記露光用平板は前記感光性基板を覆う大きさの矩形の平板である請求項１から３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
露光光で光学部材及び所定の液体を介して感光性基板を露光する際に、前記所定の液体と前記感光性基板との間に配置される露光用平板であって、
前記露光光を透過するとともに、前記感光性基板を覆う大きさの平板状の部材からなる露光用平板。
【請求項６】
前記露光用平板の前記露光光に対する屈折率は、前記液体の前記露光光に対する屈折率の０．９倍から１．１倍の範囲内である請求項５に記載の露光用平板。
【請求項７】
前記平板状の部材は、合成石英又は蛍石よりなる請求項５又は６に記載の露光用平板。
【請求項８】
前記感光性基板は円板状であり、
前記平板状の部材は前記感光性基板を覆う大きさの矩形の平板である請求項５から７のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項９】
前記平板状の部材の一辺の長さは２００ｍｍ又は３００ｍｍ程度である請求項８に記載の露光用平板。
【請求項１０】
前記平板状の部材は、前記感光性基板よりも厚い請求項５から９のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１１】
前記平板状の部材の厚さは、０．５〜３ｍｍである請求項５から１０のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１２】
前記平板状の部材の平面度は、前記感光性基板の平面度よりも高い請求項５から１１のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１３】
前記平板状の部材の表面及び裏面の少なくとも一方に前記露光光に対する反射防止膜が形成された請求項５から１２のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１４】
前記平板状の部材の表面に前記液体に対して撥液性のコーティングが施される請求項５から１３のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１５】
前記撥液性のコーティングの材料は、フッ素系化合物、シリコン化合物、又はポリエチレン樹脂である請求項１４に記載の露光用平板。
【請求項１６】
前記露光光の波長をλとして、
前記平板状の部材の前記感光性基板の露光面に対向する領域における複屈折量はλ／１００以下である請求項５から１５のいずれか一項に記載の露光用平板。
【請求項１７】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、
前記リソグラフィ工程で請求項１から４のいずれか一項に記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部材を介して感光性の基板を露光する露光技術、感光性の基板を露光する際に使用される平板、及びその露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路を製造するためのリソグラフィ工程中で、レチクル（又はフォトマスク等）に形成されたパターンを投影光学系を介して基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の各ショット領域に転写するために、ステッパ等の一括露光型の投影露光装置及びスキャニング・ステッパ等の走査露光型の投影露光装置等の露光装置が使用されている。これらのうち、ウエハを露光対象とする露光装置においては、ウエハの投影光学系の光軸に垂直な平面内の直交する２方向（Ｘ方向、Ｙ方向）の位置、並びにその光軸方向の位置（フォーカス位置）及びその直交する２方向の周りの傾斜角（レベリング）等を制御するためのウエハステージが備えられている。【０００３】
従来のウエハステージは、例えば平面、又は多数のピンもしくは多数の溝が形成された表面を持つウエハホルダを備え、このウエハホルダ上にウエハの裏面を真空吸着又は静電吸着によって保持していた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３２１６９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハは一般に露光面である表面は研磨加工が施されて平面度は良好であるが、その裏面の平面度は表面に比べて劣っている。そのため、従来のウエハステージのようにウエハの裏面でウエハを吸着保持する機構では、露光時にウエハの表面の平面度が低下する恐れがある。
また、従来の露光装置においては、投影光学系の最下端の光学部材の先端部とウエハとの間には、チャンバ内の温度制御された空気等の気体が供給されていた。そのため、例えばウエハステージが移動する際にその光学部材とウエハとの間の気体の屈折率分布の変動（揺らぎ）が生じ、これが解像度等の露光性能を低下させる恐れがあった。このような露光性能の低下は従来は問題にならない程度であったが、今後、半導体集積回路等の微細化が一層進展するにつれて、気体の揺らぎ等の影響も抑制することが好ましい。【０００５】
本発明はこのような問題点に鑑み、投影光学系とウエハ等の感光性基板との間の気体の揺らぎの影響を抑制できるとともに、必要に応じて感光性基板の露光中における平面度を高く維持できる露光技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による露光方法は、露光光で光学部材を介して感光性基板を露光する露光方法において、その光学部材とその感光性基板との間に、その感光性基板と一体的に移動するとともに、その露光光を透過する露光用平板を配置し、その光学部材とその露光用平板との間にその露光光を透過する液体を供給し、その露光光でその光学部材、その液体、及びその露光用平板を介してその感光性基板を露光するものである。
また、本発明による露光用平板は、露光光で光学部材及び所定の液体を介して感光性基板を露光する際に、その所定の液体とその感光性基板との間に配置される露光用平板であって、その露光光を透過するとともに、その感光性基板を覆う大きさの平板状の部材からなるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、そのリソグラフィ工程で本発明の露光方法を用いるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の露光方法によれば、光学部材と感光性基板との間に、感光性基板と一体的に移動するとともに、露光光を透過する露光用平板が配置される。さらに、露光用平板と光学部材との間に露光光を透過する液体が供給される。従って、その光学部材とその感光性基板との間の気体が供給される空間が狭くなり、その気体の揺らぎの影響が抑制される。
さらに、その感光性基板の表面をその露光用平板に密着させて露光を行う場合には、その感光性基板は平面度の良好な表面基準で保持されるため、露光中における平面度を高く維持できる。
また、本発明の露光用平板によれば、本発明の露光方法を使用できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態で使用される露光装置を示す斜視図である。
【図２】図１の露光装置のウエハ駆動機構を示す一部を切り欠いた図である。
【図３】図２のウエハパック２８を示す分解斜視図である。
【図４】図２のウエハパック２８の組立工程の一例を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は図２のウエハベース４１上の磁性板６２の磁化パターンの一例を示す平面図、図５（Ｂ）は磁性板６２の磁化パターンの他の例の一部を示す図である。
【図６】図６（Ａ）はウエハをＹ方向に走査する場合のウエハパック２８及びＸＹコイルキャリア４０の動きの一例を示す平面図、図６（Ｂ）はウエハをＸ方向にステップ移動する場合のウエハパック２８及びＸＹコイルキャリア４０の動きの一例を示す平面図である。
【図７】図７（Ａ）は、局所液浸方式で露光を行う場合の投影光学系ＰＬの先端部近傍の配置を示す図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）における液体の深さｄ２とガラス板の厚さｄ１との関係を示す図である。
【図８】図８（Ａ）はガラス板の複屈折量の分布の一例を示す図、図８（Ｂ）はガラス板の複屈折量の分布の他の例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の露光装置の要部を示す一部を切り欠いた図である。
【図１０】デバイス製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０００９】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、２１Ｗ…投影領域、２８…ウエハパック、２９…ガラス板、３０…フレーム、３３…ダイヤフラム、３４…磁性板、３５…緩衝部材、３６Ａ〜３６Ｃ…Ｚアクチュエータ、３７…静電軸受部材、６４…第１平面モータ、７２…第２平面モータ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
［第１の実施形態］
以下、本発明の好ましい第１の実施形態につき図１〜図８を参照して説明する。本例は、スキャニング・ステッパよりなる走査露光型の露光装置（投影露光装置）を用いて露光を行う場合に本発明を適用したものである。
図１は、本例の露光装置ＥＸの概略構成を示す。図１において、露光装置ＥＸは、露光光ＩＬ（露光用の照明光又は露光ビーム）を用いて転写用のパターンが形成されたレチクルＲ（マスク）を照明する照明系２０と、レチクルＲを駆動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを駆動するウエハ駆動機構と、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系５１と、その他の種々の制御又は演算等を行う処理系等とを備えている。露光光ＩＬとして、本例ではＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が使用されている。なお、露光光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、Ｆ2 レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光、ＹＡＧレーザの高調波、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波、又は水銀ランプの輝線（ｉ線等）なども使用できる。【００１１】
照明系２０は、例えば特開２００１−３１３２５０号公報（対応する米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書）などに開示されるように、露光光源と、オプティカル・インテグレータ（フライアイレンズ、ロッドインテグレータ（内面反射型インテグレータ）、回折光学素子など）等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等（いずれも不図示）を有する照明光学系とを含んでいる。照明系２０は、レチクルブラインド（マスキングシステム）で規定されたレチクルＲ上のスリット状の照明領域２１Ｒを露光光ＩＬによりほぼ均一な照度分布で照明する。【００１２】
露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域２１Ｒ内のパターンは、両側テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）で、ウエハＷ上の一つのショット領域上の非走査方向に細長い投影領域２１Ｗ（図６（Ａ）参照）に投影される。露光対象の基板（感光性基板）としてのウエハＷは、本例ではシリコン又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の半導体からなる円板状の基材の表面にフォトレジスト（感光材料）を塗布したものである。また、そのウエハＷを構成する円板状の基材の表面（露光面）は研磨加工されて、極めて平面度の高い面とされている。この結果、ウエハＷのフォトレジストが塗布されている表面も、極めて平面度の高い面である。一方、ウエハＷを構成する円板状の基材の裏面、即ちウエハＷの裏面の平面度は表面に比べて劣っている。【００１３】
本例の投影光学系ＰＬは例えば屈折系であるが、反射屈折系等も使用できる。以下、図１において、投影光学系ＰＬの光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向に直交する非走査方向に沿ってＸ軸を取り、その走査方向に沿ってＹ軸を取って説明する。また、以下ではＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に平行な方向をそれぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向と呼び、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転角（傾斜角）をそれぞれθＸ，θＹ，θＺと呼ぶ。なお、本例では、Ｘ軸及びＹ軸に平行な面（ＸＹ平面）がほぼ水平面であり、−Ｚ方向が鉛直下方である。【００１４】
先ず、レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上に吸着保持され、レチクルステージＲＳＴはレチクルベース２４上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、例えば同期誤差（又はレチクルＲのパターン像とウエハＷ上の露光中のショット領域との位置ずれ量）を補正するようにＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸周りの回転方向に微動して、レチクルＲの走査を行う。レチクルステージＲＳＴのＸ方向及びＹ方向の側面の反射面（又は移動鏡、コーナリフレクタ等）に対向するようにレーザ干渉計２５Ｘ及び２５Ｙが配置されている。レーザ干渉計２５Ｘ及び２５Ｙは、対応する反射面にレーザビーム（少なくとも一方は複数軸のレーザビーム）を照射することによって、例えば投影光学系ＰＬを基準として少なくともレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置を分解能０．５〜０．１ｎｍ程度で計測するとともに、回転角θＺを計測し、計測値をステージ制御系５３及び主制御系５１に供給する。ステージ制御系５３は、その計測値及び主制御系５１からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してレチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。【００１５】
また、レチクルＲのパターン領域２２をＸ方向に挟むように、アライメントマーク２３Ａ及び２３Ｂが形成されている。レチクルＲの上方には、光路折り曲げ用のミラーを介してアライメントマーク２３Ａ，２３Ｂの位置を検出するためのレチクルアライメント顕微鏡２６Ａ，２６Ｂが配置されている。レチクルアライメント顕微鏡２６Ａ，２６Ｂの検出信号はアライメント信号処理系５４に供給され、アライメント信号処理系５４では画像処理方式等で検出したマーク位置の情報を主制御系５１に供給する。【００１６】
また、投影光学系ＰＬの鏡筒の下部周縁部に、ほぼ等角度間隔で３箇所にそれぞれＺ方向に伸縮するＺアクチュエータ３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃを介して環状の静電軸受部材３７が設置され、静電軸受部材３７にコンプレッサ３８から可撓性を持つ配管３９を介して露光光ＩＬが通過する雰囲気中の気体（例えばドライエア、窒素、又はヘリウム等）と同じ種類の清浄で圧縮された気体が供給されている。そして、静電軸受部材３７の底面側に所定間隔を隔てて、浅い箱状の容器であるウエハパック２８内に収納されたウエハＷが配置されている。ウエハパック２８の上部は均一な厚さで矩形の平行平面板状のガラス板２９で密閉され、ウエハＷの表面（フォトレジストが塗布された露光面）の全面がガラス板２９の投影光学系ＰＬに対して反対側の面に密着するように、ウエハＷはガラス板２９側に付勢及び／又は吸着されている。【００１７】
ガラス板２９は、露光光ＩＬを透過する合成石英又は蛍石（ＣａＦ2 ）等の硝材から形成され、ガラス板２９のウエハＷの表面が密着している面及びこれと反対側の面の平面度は、ウエハＷの表面の平面度よりも高くなっている。本例のガラス板２９はガラス基板であるため、容易に平面度を高くすることができる。これによって、ガラス板２９にウエハＷの表面を密着させた場合に、ウエハＷの表面（露光面）の平面度を高く維持できる。なお、ガラス板２９の平面度は、ウエハＷの表面の平面度と同等程度であってもよい。平面度の値としては、例えば、露光光の波長をλとすると、１００λ/１００００以下というように設定することもできる。この値自体は少なければ少ないほどよく、１０λ/１００００以下、５λ/１００００以下というような値に適宜設定することもできる。また、例えば、ガラス板２９のウエハＷの表面が密着している面とその反対側の面との間の平行度の値を設定するようにしてもよい。例えば、平行度を２秒以下と設定してもよい。この値も小さければ小さいほどよいので、１秒以下、０．５秒以下というように適宜設定することができる。さらに、所定の露光光に対する複屈折量に応じてガラス板２９を規定するようにしてもよい。複屈折量で規定する例については後述する。【００１８】
また、ウエハＷは露光光ＩＬによってガラス板２９を介して露光される。これに関して、投影光学系ＰＬの先端部の光学部材とウエハＷの表面との間の物体の屈折率が高い程、投影光学系ＰＬの像の解像度を高くできるとともに、焦点深度を深くできるため、ガラス板２９は露光光ＩＬを透過するとともに、できるだけ露光光ＩＬに対する屈折率の高い硝材から形成することが好ましい。【００１９】
なお、ガラス板２９の厚さｄ１は、ガラス板２９が存在しないときの投影光学系ＰＬとウエハＷとの作動距離（投影光学系ＰＬの先端部よりもウエハＷに近い部材があるときには、この部材とウエハＷとの距離）ｗｄに、ガラス板２９の屈折率ｎ１を乗じて得られる光路長よりも所定のマージンδｄ分だけ薄いという条件下で、できるだけ厚いことが好ましい。その所定のマージンδｄとは、後述のようにガラス板２９及びウエハＷを一体的にＸ方向、Ｙ方向に駆動する際の、Ｚ方向の位置の最大変動量である。【００２０】
また、ガラス板２９を正方形（長方形でもよい）の平板であるとして、その平板の幅（長方形の場合には平均値）をＨとすると、幅Ｈに応じて必要な強度を達成するために要求されるガラス板２９の最小の厚さｄ１min(H)がほぼ規定される。この条件を考慮すると、ガラス板２９の厚さｄ１の許容範囲は以下のようになる。
ｄ１min(H)≦ｄ１≦（ｎ１・ｗｄ−δｄ）  …（１）
一例として、ウエハＷは厚さが０．７５ｍｍ程度で、直径が略２００又は３００ｍｍの円板状である。このとき、ガラス板２９はそのウエハＷの全面を覆うことができる幅が２００又は３００ｍｍよりも例えば数１０ｍｍ大きい、すなわち幅が２００又は３００ｍｍ程度の正方形の平板で、厚さが１ｍｍ程度である。【００２１】
なお、ウエハＷの直径は２００又は３００ｍｍ以外にも任意の値が可能であり、これに応じてガラス板２９もそのウエハＷの直径よりも或る程度大きい幅の正方形又は矩形の平板とすればよい。
また、このようなガラス板２９と略同様の機能を有しているのであれば、ガラス板２９に代えて他の材料からなる部材を用いることも可能である。【００２２】
図２は、図１の露光装置ＥＸのウエハ駆動機構を示す一部を切り欠いた図である。図２において、Ｚアクチュエータ３６Ａは、静電軸受部材３７に固定されたＬ字型の第１部材３６Ａ１と、この先端部を＋Ｚ方向に支持するように配置されて、Ｚ方向に伸縮可能な電歪素子（ピエゾ素子等）又は磁歪素子等の駆動素子３６Ａ２と、この駆動素子３６Ａ２の底面と投影光学系ＰＬの鏡筒とを連結するＬ字型の第２部材３６Ａ３とから構成されている。他のＺアクチュエータ３６Ｂ及び３６Ｃも、それぞれ同様に駆動素子３６Ｂ２及び３６Ｃ２を備え、ステージ制御系５３が駆動素子３６Ａ２〜３６Ｃ２の伸縮量を制御して、静電軸受部材３７の３箇所のＺ方向の位置を制御することによって、投影光学系ＰＬに対する静電軸受部材３７のＺ方向の位置、及び傾斜角θＸ，θＹを微調整できる。【００２３】
なお、図１の露光装置ＥＸにおいて、レチクルベース２４及び投影光学系ＰＬは、一例として振動的に分離された不図示の異なるコラムに支持されている。そして、図２において、Ｚアクチュエータ３６Ａ〜３６Ｃ中の投影光学系ＰＬの鏡筒に固定されている第２部材（３６Ａ３等）を、投影光学系ＰＬを支持しているコラムとは振動的に分離された別のコラムに固定してもよい。【００２４】
また、静電軸受部材３７の底面側に環状の電極部材７５が合成樹脂等の絶縁部材に埋め込まれて設置されている。電極部材７５は、実際には、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの周りに等角度間隔で３分割され、分割された３個の電極部材７５Ａ，７５Ｂ，７５Ｃの電荷（又は相対的な電位）をステージ制御系５３が独立に制御できるように構成されている。さらに、電極部材７５を通して静電軸受部材３７の底面（ウエハパック２８のガラス板２９に対向する面）にかけて、多数の吹き出し孔３７ａが形成され、これらの吹き出し孔３７ａは、静電軸受部材３７の内部の通気孔３７ｂに連通し、通気孔３７ｂに配管３９を介してコンプレッサ３８が連結されている。この場合、ステージ制御系５３が静電軸受部材３７の電極部材７５に電荷（例えば正電荷）を与えることによって、ガラス板２９の上面に符号が逆の分極電荷（例えば負電荷）が生じて、ガラス板２９は静電場によって静電軸受部材３７側（＋Ｚ方向）に吸引される。また、ステージ制御系５３がコンプレッサ３８から静電軸受部材３７の多数の吹き出し孔３７ａを介してガラス板２９側に（−Ｚ方向に）吹き出される気体の流量を制御することで、ガラス板２９が静電軸受部材３７に当接することが防止される。従って、ガラス板２９を含むウエハパック２８は、静電軸受部材３７に対してエア予圧式の静電軸受方式によってＺ方向に所定間隔を隔てて非接触状態で浮上するように保持される。【００２５】
さらに、電極部材７５は、実際には３つの電極部材７５Ａ〜７５Ｃに分割されているため、ステージ制御系５３はそれらの３つの電極部材７５Ａ〜７５Ｃによるガラス板２９に対する静電気による吸引力を個別に制御することによって、投影光学系ＰＬに対するウエハパック２８のＺ方向の位置（フォーカス位置）、及び傾斜角θＸ，θＹ（レベリング）よりなる相対位置関係を調整する。個々の電極部材７５Ａ〜７５Ｃによるウエハパック２８のＺ方向の駆動量は、例えば数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度である。このために、静電軸受部材３７の内側のウエハＷ上の投影領域２１Ｗ及び／又はこの近傍の領域の複数の計測点に所定パターンの像を投影する投光部６１Ａと、ウエハＷで反射した検出光を受光する受光部６１Ｂとを含み、その複数の計測点のＺ方向の位置を検出するオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという。）６１が設けられている。【００２６】
なお、投光部６１Ａ及び受光部６１Ｂは、それぞれ例えば検出光を折り曲げるミラー等の一部の光学系が静電軸受部材３７の内側に配置されているのみで、その他の構成部材は、投影光学系ＰＬの側面に配置されている。このＡＦセンサ６１の計測値を処理することによって、ウエハＷの表面の投影領域２１Ｗの平均的な面のフォーカス位置及び傾斜角を求めることができ、これらの計測結果はステージ制御系５３に供給される。なお、ＡＦセンサ６１としては、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているものを用いることができる。また、ＡＦセンサ６１は、ウエハＷの表面の計測点の代わりに、ガラス板２９の上面の計測点のＺ方向の位置を計測し、この計測結果から既知のガラス板２９の厚さを差し引くことで、間接的にウエハＷの表面でのＺ方向の位置を求めるようにしてもよい。【００２７】
この場合、一例として、予めテストプリント等によって、ＡＦセンサ６１によって計測される被検面のフォーカス位置及び傾斜角がそれぞれ０のときに、その被検面が投影光学系ＰＬの像面に合致するようにＡＦセンサ６１の初期のオフセット調整が行われている。そこで、ウエハＷに対する露光時にステージ制御系５３では、ＡＦセンサ６１によって計測されるウエハＷの投影領域２１Ｗのフォーカス位置及び傾斜角がそれぞれ０になるように、静電軸受部材３７内の３個の電極部材７５Ａ〜７５Ｃによるガラス板２９に対する吸引力を制御する。これによって、ウエハＷの表面が常に投影光学系ＰＬの像面に合焦した状態で露光が行われる。【００２８】
さらに、例えばＡＦセンサ６１の計測値に新たなオフセットが生じた場合には、そのオフセットを補正するように図１のＺアクチュエータ３６Ａ〜３６Ｃを駆動して、静電軸受部材３７のフォーカス位置及び傾斜角を微調整してもよい。これによって、静電軸受部材３７内の３個の電極部材７５Ａ〜７５Ｃに対する制御が容易になる。なお、静電軸受部材３７の吹き出し孔３７ａを等角度間隔で３組の吹き出し孔群に分割し、これらの３組の吹き出し孔群からウエハパック２８に吹き出される気体の流量を独立に制御することによって、ウエハパック２８のフォーカス位置及びレベリング角を制御してもよい。【００２９】
また、図２に示すように、ウエハパック２８は、矩形の枠状の線膨張率が極めて小さい金属又はセラミックス等からなるフレーム３０と、この上面に載置されるとともに、底面２９ａにウエハＷの表面が密着しているガラス板２９と、フレーム３０の底面に溶接等によって固定されて、或る程度の可撓性を持つ非磁性体の金属製の薄い平板状のダイヤフラム３３と、このダイヤフラム３３の上面（ウエハＷに対向する面）に固定されて、所定の磁化パターンが周期的に形成された矩形の平板状の磁性板３４と、ウエハＷの裏面と磁性板３４の上面との間に介装された矩形（又はウエハＷと同様の円形等でもよい）の平板状で少なくともＺ方向に可撓性を持つ緩衝部材３５とを備えている。緩衝部材３５は、例えば合成ゴム又は合成樹脂（例えばフッ素系樹脂等）等から形成されて、磁性板３４上に接着等によって固定されている。そして、ダイヤフラム３３及び磁性板３４側から緩衝部材３５を介して、ウエハＷがガラス板２９側に付勢されている。【００３０】
さらに、図３は、図２のウエハパック２８を示す分解斜視図である。図３に示すように、フレーム３０の上面の周縁部にほぼ矩形の閉じた溝３０ａが形成され、この溝３０ａ内に合成ゴム又は合成樹脂等の可撓性を持つオーリング３２が装着されている。フレーム３０の上面にガラス板２９を載置すると、ガラス板２９とフレーム３０及びダイヤフラム３３とで囲まれた空間（ウエハＷが収納された空間）が、オーリング３２によって気密化される。また、フレーム３０の上面のオーリング３２の内側からフレーム３０の内面にかけて多数の吸着孔３０ｃが形成されている。図２に示すように、フレーム３０の−Ｙ方向の側面には排気孔３０ｄが形成され、排気孔３０ｄに開閉用のバルブ３１ａを備えた排気管３１が連結されている。この場合、予めバルブ３１ａを開いた状態で、排気管３１を介してウエハパック２８の内部が排気されて負圧にされ、ウエハＷの表面は実質的に真空吸着によってもガラス板２９の裏面２９ａに密着して保持される。この際に、フレーム３０の多数の吸着孔３０ｃを介してガラス板２９はフレーム３０に真空吸着されており、この状態でバルブ３１ａが閉じられている。なお、本例では、ウエハＷは緩衝部材３５によってもガラス板２９側に付勢されているため、ウエハパック２８内の真空度は、ガラス板２９をフレーム３０に安定に吸着できる程度であればよい。【００３１】
また、図３において、フレーム３０の＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向の外側面は、互いに直交するとともに、レーザビームを反射できる高平面度の反射面に仕上げられている。なお、フレーム３０の＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向の外側面に、レーザビームを反射するための薄い移動鏡を固定してもよい。さらに、フレーム３０の±Ｘ方向の外側面には、複数箇所に小さい平板状の凸部３０ｂが形成され、ウエハパック搬送用のアーム４３によってそれらの凸部３０ｂを介してフレーム３０（ウエハパック２８）を容易に搬送できるように構成されている。後述のようにウエハＷをウエハパック２８内に収納する工程では、一例としてフレーム３０を反転する（ガラス板２９が載置される面を鉛直下方にする）場合があるため、そのウエハパック搬送用のアーム４３は、実際には凸部３０ｂを上下に挟み込むように安定に保持する。そのアーム４３によって、一例として、ウエハパック２８は図１の露光装置ＥＸの投影光学系ＰＬの下方まで搬送される。【００３２】
さらに、図３において、ウエハパック２８の磁性板３４には、一例としてＸ軸及びＹ軸に４５°で交差するように放射状に磁化した４つのマグネット部ＭＢ１，ＭＢ２，ＭＢ３，ＭＢ４よりなる磁化ユニットＭＵＢをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ周期ＢＸ及びＢＹで２次元的に配置した磁化パターンが形成されている。実際には、その磁化パターンは、磁性板３４の底面（ダイヤフラム３３に接する面）側に所定の厚さで形成されている。なお、磁化ユニットＭＵＢは、実際には垂直磁化（±Ｚ方向に交互に磁化されていること）が好ましい。また、磁性板３４を、マグネット部ＭＢ１〜ＭＢ４を単位とする独立の多数の永久磁石の集合体として構成してもよい。【００３３】
磁性板３４の材料は、例えばコバルト系、ニッケル系、又はネオジウム鉄ボロン系等の強磁性体である。さらに、磁性板３４は、本例の露光装置ＥＸが設置される室温（例えば２３°Ｃ）下で線膨張率が極めて小さい磁性材料、好ましくは線膨張率がほぼ０の磁性材料から形成される。線膨張率がほぼ０の材料としては、例えばスーパーインバーマグネットが挙げられる。これによって、後述のように磁力によって磁性板３４（ウエハパック２８）を駆動する際に、磁性板３４の温度が或る程度上昇しても、ウエハパック２８及びその内部のウエハＷに歪が生じることがない。【００３４】
ここで、例えば露光装置ＥＸに近接して配置される作業領域で、未露光のウエハＷをウエハパック２８内に収納する工程の一例につき、図４を参照して説明する。
先ず、図４（Ａ）に示すように、ガラス板２９は反転されてその底面２９ａ（ウエハＷが当接する面）が鉛直上方（＋Ｚ方向）を向くように、支持部材４４上に真空吸着又は静電吸着によって保持されている。次に、ウエハ搬送アーム４５の先端部にウエハＷの裏面が真空吸着等によって保持された状態で、ウエハＷの表面Ｗａがガラス板２９の底面２９ａに対向した後、ウエハ搬送アーム４５を降下させる。そして、図４（Ｂ）に示すように、ウエハＷの表面がガラス板２９の底面２９ａに当接した後、ウエハ搬送アーム４５の真空吸着を解除して、ウエハ搬送アーム４５を待避させる。【００３５】
その後、図４（Ｃ）に示すように、ダイヤフラム３３、磁性板３４、緩衝部材３５、及びオーリング３２が装着されたフレーム３０を、ウエハパック搬送用のアーム（不図示）によって反転させた状態でウエハＷの裏面上に搬送した後、そのアームを降下させて、図４（Ｄ）に示すように、フレーム３０をガラス板２９の底面に載置する。この状態で、主にフレーム３０及び磁性板３４の荷重によって、緩衝部材３５を介してウエハＷはガラス板２９側に付勢されており、ウエハＷの表面はほぼガラス板２９の底面に密着している。そして、フレーム３０の排気管３１のバルブ３１ａを開いて、排気管３１に可撓性を持つ配管４６ａを介して真空ポンプ４６を連結し、真空ポンプ４６によって排気孔３０ｄを通してフレーム３０、ダイヤフラム３３、及びガラス板２９で囲まれた空間内の気体を排気する。この結果、吸着孔３０ｃを介してガラス板２９がフレーム３０に吸着されるとともに、ウエハＷの表面のガラス板２９の底面に対する密着度が高められる。この状態で、バルブ３１ａを閉じて、配管４６ａを排気管３１から取り外すことによって、ウエハパック２８内へのウエハＷの収納が完了する。その後、ウエハパック搬送用のアームによってウエハパック２８は反転されて、図１の露光装置ＥＸ側に搬送される。【００３６】
なお、ガラス板２９とウエハＷの表面との間に気泡等が残されるのを防止するために、ガラス板２９にウエハＷの表面を密着させる工程は、例えば高真空に設定されたチャンバ内で行ってもよい。さらに、図４（Ａ）〜図４（Ｄ）までの作業を所定の負圧に設定されたチャンバ内で行うようにしてもよい。この場合には、排気管３１のバルブ３１ａを閉じたままにしておくことで、フレーム３０、ダイヤフラム３３、及びガラス板２９で囲まれた空間は、作業完了時には自動的にその負圧に設定される。【００３７】
次に、露光装置ＥＸによって露光が行われたウエハＷをウエハパック２８から取り出す場合には、図４（Ｄ）の状態で（ただし、排気管３１に真空ポンプ４６を連結する必要はない）、バルブ３１ａを開いてウエハパック２８の内部を大気に開放した後、図４（Ｃ）に示すように、フレーム３０を上昇させる。次に、図４（Ｂ）に示すように、ガラス板２９を支持部材４４側に吸着保持した状態で、ウエハ搬送アーム４５によってウエハＷの裏面を吸着して、ウエハ搬送アーム４５を上昇させることで、露光済みのウエハＷを取り出すことができる。取り出されたウエハＷは、例えばコータ・デベロッパに搬送されてフォトレジストの現像が行われる。【００３８】
なお、図３のウエハパック２８では、フレーム３０にダイヤフラム３３が固定されており、ガラス板２９はフレーム３０に着脱自在であるが、逆に、フレーム３０にガラス板２９を固定して、ダイヤフラム３３をフレーム３０に着脱自在としてもよい。
図１に戻り、ウエハパック２８の下方に矩形の平板状で駆動用の種々のコイル等が設けられたＸＹコイルキャリア４０が配置され、ＸＹコイルキャリア４０は、気体軸受方式によって非接触状態で、平板状のウエハベース４１上にＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸の周りの回転方向に移動可能に載置されている。ＸＹコイルキャリア４０の底面側には、ウエハベース４１に対してＸＹコイルキャリア４０をＸ方向、Ｙ方向に駆動するとともに回転角θＺを制御する第１平面モータ６４用の駆動コイルが設置され、ＸＹコイルキャリア４０の上面側には、ＸＹコイルキャリア４０に対してウエハパック２８（図３の磁性板３４）をＸ方向、Ｙ方向に駆動するとともに回転角θＺを制御する第２平面モータ７２用の駆動コイルが設置されている。【００３９】
また、ウエハパック２８（フレーム３０）の＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向の側面の反射面（又は移動鏡）に対向するようにレーザ干渉計４２Ｘ及び４２Ｙが配置されている。レーザ干渉計４２Ａ及び４２Ｙは、対応する反射面にレーザビーム（少なくとも一方は複数軸のレーザビーム）を照射することによって、例えば投影光学系ＰＬを基準として、少なくともウエハパック２８のＸ方向、Ｙ方向の位置を分解能０．５〜０．１ｎｍ程度で計測するとともに、回転角θＺを計測し、計測値をステージ制御系５３及び主制御系５１に供給する。さらに、本例では、後述のように、ＸＹコイルキャリア４０に対するウエハパック２８のＸ方向、Ｙ方向の相対位置を分解能１０μｍ程度で計測するとともに、回転角θＺを計測するためのリニアエンコーダと、ウエハベース４１に対するＸＹコイルキャリア４０のＸ方向、Ｙ方向の相対位置を分解能１０μｍ程度で計測するとともに、回転角θＺを計測するためのリニアエンコーダとが備えられている。これらのリニアエンコーダの計測値もステージ制御系５３に供給されている。ステージ制御系５３は、レーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙ及びそれらのリニアエンコーダの計測値、並びに主制御系５１からの制御情報に基づいて、上記の平面モータ６４及び７２を介してウエハパック２８及びＸＹコイルキャリア４０の位置及び速度を制御する。【００４０】
また、投影光学系ＰＬの＋Ｙ方向の側面には、ウエハＷ上のアライメントマーク（ウエハマーク）の位置を検出するためのオフ・アクシス方式で撮像方式のアライメントセンサＡＬＧが配置されており、アライメントセンサＡＬＧの検出信号はアライメント信号処理系５４に供給されている。アライメント信号処理系５４は、その検出信号に基づいて例えばエンハンスド・グローバル・アライメント方式（ＥＧＡ方式）でウエハＷ上の全部のショット領域の配列情報を求めて主制御系５１に供給する。この場合、予めレチクルＲのパターンの投影光学系ＰＬを介した像の基準位置（アライメントマーク２３Ａ，２３Ｂの像の中心等）と、アライメントセンサＡＬＧの検出位置との位置関係（ベースライン量等）の情報が計測されて、記憶されている。そのために、図３に示すように、ウエハパック２８のガラス板２９の底面のウエハＷの近傍には、基準マークＦＭ１等が形成されている。【００４１】
また、本例の露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬの先端の光学部材とウエハＷ上のガラス板２９との間の局所的な領域（液浸領域）に純水等の液体を供給し、露光光ＩＬで投影光学系ＰＬ、液体、及びガラス板２９を介してウエハＷを露光する液浸方式であることが好ましい。この場合、その液浸領域の広がりを抑制するために、ガラス板２９の上面にその液体に対して撥液性のコーティングを施すことが好ましい。このように液浸方式とすることによって、その液体及びガラス板２９の屈折率に応じて投影光学系ＰＬの解像度及び焦点深度を向上できる。従って、その液体としては、露光光ＩＬを透過するとともに、できるだけ屈折率の大きい液体（例えばデカリン(decalin）等）が好ましい。液浸法で露光するためには、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット又は国際公開第２００５／１２２２２１号パンフレット等に開示されているように、かつ図２に示すように、その液浸領域に配管４８ａ及びノズルを介して液体ＬＱを供給する液体供給装置４８と、その液浸領域の液体ＬＱをノズル及び配管４９ａを介して回収する液体回収装置４９とを設ければよい。【００４２】
図１の露光装置ＥＸを用いた露光時には、不図示のウエハローダ系によって、未露光のウエハＷを収納したウエハパック２８がＸＹコイルキャリア４０上に載置された後、レチクルＲ及びウエハＷのアライメントが行われる。その後、静電軸受部材３７を介してウエハパック２８を非接触に浮上させて保持した状態で、照明光学系２０から露光光ＩＬをレチクルＲ上の照明領域２１Ｒに照射する。そして、照明領域２１Ｒ内のパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の一つのショット領域上の投影領域に投影した状態で、レチクルステージＲＳＴ及びＸＹコイルキャリア４０の平面モータを駆動して、レチクルＲとウエハＷ（ウエハパック２８）とをＹ方向に同期移動する動作と、露光光ＩＬの照射を停止して、ＸＹコイルキャリア４０の平面モータを駆動してウエハＷ（ウエハパック２８）をＸ方向及び／又はＹ方向にステップ移動する動作とが繰り返される。この動作の繰り返しによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。その後、不図示のウエハローダ系によって、露光済みのウエハＷを収納したウエハパック２８は、コータ・デベロッパ（不図示）側に搬送される。【００４３】
次に、本例の図１の露光装置ＥＸのＸＹコイルキャリア４０及びウエハパック２８を駆動するための平面モータ６４及び７２の構成等、並びにウエハパック２８及びウエハベース４１とＸＹコイルキャリア４０との２次元的な相対位置を計測するためのリニアエンコーダの構成等につき説明する。
図２に示すように、露光装置ＥＸのウエハベース４１は床ＦＬ上に設置され、ウエハベース４１の上面には、所定の磁化パターンが周期的に形成された磁性板６２が固定されている。磁性板６２の上面は高い平面度に仕上げられており、磁性板６２上に、気体を吹き出す複数（例えば４隅）のエアガイド６８を介して非接触状態で、ＸＹコイルキャリア４０が載置されている。ＸＹコイルキャリア４０の底面に第１平面モータ６４を構成するＸ軸の駆動コイル６３Ｘ及びＹ軸の駆動コイル６３Ｙが固定されている。【００４４】
図５（Ａ）は、図１のウエハベース４１を示す平面図である。図５（Ａ）において、磁性板６２の表面には所定の厚さで、Ｘ軸及びＹ軸に４５°で交差するように放射状に磁化した４つのマグネット部ＭＡ１，ＭＡ２，ＭＡ３，ＭＡ４よりなる磁化ユニットＭＵＡをＸ方向及びＹ方向にそれぞれ周期ＡＸ及びＡＹで２次元的に配置した磁化パターンが形成されている。このように、表面に磁化パターンが形成された磁性板６２を用いることによって、その上の２点鎖線で示すＸＹコイルキャリア４０を第１平面モータ６４で駆動する際に、より重心に近い位置での駆動が可能になり、ＸＹコイルキャリア４０をより安定に駆動できる。【００４５】
なお、磁化ユニットＭＵＡを用いる代わりに、図５（Ｂ）に示すように、＋Ｚ方向に磁化したマグネット部ＭＣ１，ＭＣ３と、−Ｚ方向に磁化したマグネット部ＭＣ２，ＭＣ４とからなる垂直磁化した磁化ユニットＭＵＣをＸ軸及びＹ軸に４５°で交差する方向に所定ピッチで配列した磁化パターンを用いることが好ましい。また、磁性板６２を、マグネット部ＭＡ１〜ＭＡ４を単位とする個別の多数の永久磁石の集合体として構成してもよい。磁性板６２は、ウエハパック２８内の磁性板３４と同様に、本例の露光装置ＥＸが設置される室温下で線膨張率が極めて小さい磁性材料、好ましくはスーパーインバーマグネット等のように線膨張率がほぼ０の磁性材料から形成される。これによって、磁性板６２に対して磁力によってＸＹコイルキャリア４０を駆動する際に、磁性板６２の温度が或る程度上昇しても、ウエハベース４１に歪が生じることがなく、ＸＹコイルキャリア４０を高精度に駆動できる。【００４６】
また、図５（Ａ）において、ＸＹコイルキャリア４０の底面には、磁性板６２の磁化パターンの周期に応じて、ＸＹコイルキャリア４０をＸ方向（非走査方向）に駆動するための例えば３相のＸ軸の駆動コイル６３Ｘと、ＸＹコイルキャリア４０をＹ方向（走査方向ＳＤ）に駆動するための例えば３相のＹ軸の駆動コイル６３Ｙとが、それぞれ複数組設置されている。この場合、駆動コイル６３Ｘ及び６３Ｙと、磁性板６２の磁化パターン（より正確にはＸ方向及びＹ方向に周期ＡＸ及びＡＹで変化する磁場分布）とから、それぞれＸ軸のリニアモータ６４Ｘ及びＹ軸のリニアモータ６４Ｙが構成され、２軸のリニアモータ６４Ｘ及び６４Ｙから第１平面モータ６４が構成されている（図２参照）。ステージ制御系５３の制御のもとで、リニアモータ６４Ｘ及び６４Ｙはそれぞれウエハベース４１に対してＸＹコイルキャリア４０をＸ方向及びＹ方向に非接触状態で駆動する。また、図５（Ａ）から分かるように、リニアモータ６４Ｘ及び６４Ｙはそれぞれ複数軸であるため、一方のリニアモータ６４Ｘ（又は６４Ｙ）を２軸で異なる駆動量だけ駆動することによって、ＸＹコイルキャリア４０の回転角θＺを制御することも可能である。なお、平面モータ６４を使用する代わりに、駆動方向が直交する２つの１次元のリニアモータ等を組み合わせた駆動機構を用いてもよい。【００４７】
また、ＸＹコイルキャリア４０の底面に、ウエハベース４１上の磁性板６２の磁化パターンの磁場（Ｘ方向、Ｙ方向に周期ＡＸ，ＡＹで変化する磁場）を検出するホール素子等を含む検出器６７Ａ及び６７Ｂが固定されている。検出器６７Ａ及び６７Ｂはそれぞれウエハベース４１（磁性板６２）に対するＸＹコイルキャリア４０のＸ方向、Ｙ方向の相対位置を分解能１０μｍ程度で検出する。これらの検出結果からＸＹコイルキャリア４０の回転角θＺも求められる。検出器６７Ａ及び６７Ｂの検出結果は、Ｘ軸及びＹ軸の駆動コイル６３Ｘ及び６３Ｙの相切り換え（コミュテーション）にも使用される。【００４８】
なお、検出器６７Ａ及び６７Ｂはインクリメンタル方式であるため、原点を設定するために、磁性板６２の＋Ｙ方向の端部に、Ｘ方向に所定間隔で原点検出用のパターン６５Ａ及び６５Ｂが埋め込まれている。これに対応して、ＸＹコイルキャリア４０の底面の＋Ｙ方向の端部には、パターン６５Ａ及び６５Ｂと同じＸ方向の間隔で、パターン６５Ａ及び６５ＢのＸ方向、Ｙ方向の絶対位置を磁性板６２の磁化パターンの周期ＡＸ，ＡＹよりも狭い範囲内で検出するための、光学式又は静電容量式等の原点センサ６６Ａ及び６６Ｂが固定されている。本例では、一例として、原点センサ６６Ａ及び６６Ｂで同時にパターン６５Ａ及び６５ＢのＸ方向、Ｙ方向の位置を検出してから、検出器６７Ａ，６７Ｂで検出される磁場が所定位相になるときに、検出器６７Ａ及び６７ＢのＸ軸、Ｙ軸の計測値をそれぞれリセットする。この後に検出器６７Ａ及び６７Ｂによって検出されるＸＹコイルキャリア４０の位置は、ウエハベース４１上のパターン６５Ａ及び６５Ｂを基準とする絶対位置とみなすことが可能である。このように、パターン６５Ａ，６５Ｂ、原点センサ６６Ａ，６６Ｂ、磁性板６２の磁化パターン、及び検出器６７Ａ，６７Ｂを含んで、ウエハベース４１に対するＸＹコイルキャリア４０の２次元的な相対位置を計測するための第１リニアエンコーダが構成されている。この第１リニアエンコーダの計測値はステージ制御系５３に供給されている。【００４９】
また、図６（Ａ）は、図２のウエハパック２８、ＸＹコイルキャリア４０、及びウエハベース４１を示す平面図である。図６（Ａ）に示すように、ＸＹコイルキャリア４０の上面のほぼ全面に、図３のウエハパック２８内の磁性板３４の磁化パターンの周期に応じて、ＸＹコイルキャリア４０に対してウエハパック２８をＸ方向（非走査方向）及びＹ方向（走査方向ＳＤ）に駆動するための例えば３相のＸ軸の駆動コイル７１Ｘ及びＹ軸の駆動コイル７１Ｙが、それぞれ複数組設置されている。この場合も、駆動コイル７１Ｘ及び７１Ｙと、図３の磁性板３４の磁化パターンとから、それぞれＸ軸のリニアモータ７２Ｘ及びＹ軸のリニアモータ７２Ｙが構成され、２軸のリニアモータ７２Ｘ及び７２Ｙから第２平面モータ７２が構成されている（図２参照）。図２のステージ制御系５３の制御のもとで、リニアモータ７２Ｘ及び７２ＹはそれぞれＸＹコイルキャリア４０に対してウエハパック２８をＸ方向及びＹ方向に非接触状態で駆動する。この際に、ウエハパック２８のＺ方向の位置及び傾斜角θＸ，θＹは、図２の静電軸受部材３７による静電的な吸引及び気体の吹き出しによって非接触状態で制御されている。【００５０】
また、図６（Ａ）から分かるように、リニアモータ７２Ｘ及び７２Ｙはそれぞれ複数軸であるため、一方のリニアモータ７２Ｘ（又は７２Ｙ）を２軸で異なる駆動量だけ駆動することによって、ウエハパック２８の回転角θＺを制御することも可能である。なお、平面モータ６４及び／又は７２としては、例えば米国特許第6,437,463号明細書に開示されている平面モータを使用してもよい。【００５１】
また、図２に示すように、ＸＹコイルキャリア４０の上面に、ウエハパック２８内の磁性板３４の磁化パターンの磁場を検出するホール素子等を含む検出器７４Ａ及び７４Ｂが固定されている。検出器７４Ａ及び７４ＢはそれぞれＸＹコイルキャリア４０に対するウエハパック２８（磁性板３４）のＸ方向、Ｙ方向の相対位置を分解能１０μｍ程度で検出する。これらの検出結果からウエハパック２８のＸＹコイルキャリア４０に対する回転角θＺも求められる。検出器７４Ａ及び７４Ｂの検出結果は、駆動コイル７１Ｘ及び７１Ｙの相切り換え（コミュテーション）にも使用される。【００５２】
検出器７４Ａ及び７４Ｂについても、原点を設定するために、ダイヤフラム３３の底面中央部に原点検出用のパターン７３Ｂが固定されている。ＸＹコイルキャリア４０の上面中央部には、パターン７３ＢのＸ方向、Ｙ方向の位置を図３の磁性板３４の磁化パターンの周期ＢＸ，ＢＹよりも狭い範囲内で検出するための、光学式又は静電容量式等の原点センサ７３Ａが固定されている。なお、原点センサ７３Ａ及びパターン７３Ｂも実際には２組設けられている。一例として、原点センサ７３Ａでパターン７３ＢのＸ方向、Ｙ方向の位置を検出してから、検出器７４Ａ，７４Ｂで検出される磁場が所定位相になるときに、検出器７４Ａ，７４ＢのＸ軸、Ｙ軸の計測値をそれぞれリセットする。この後に検出器７４Ａ，７４Ｂによって検出されるウエハパック２８の位置は、パターン７３Ｂが検出器７４Ｂによって検出される位置を基準とする絶対位置とみなすことが可能である。このように、原点センサ７３Ａ、パターン７３Ｂ、磁性板３４の磁化パターン、及び検出器７４Ａ，７４Ｂを含んで、ＸＹコイルキャリア４０に対するウエハパック２８の２次元的な相対位置を計測するための第２リニアエンコーダが構成されている。この第２リニアエンコーダの計測値もステージ制御系５３に供給されている。【００５３】
ただし、本例では、ウエハパック２８のＸ方向、Ｙ方向の位置、及び回転角θＺは、図１のレーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙによっても計測されている。そこで、予めウエハベース４１とウエハパック２８とが所定の位置関係の状態でレーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙの計測値をリセット又はプリセットしておくことで、その後は、レーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙの計測値（ウエハベース４１に対するウエハパック２８の相対位置）から図５（Ａ）の検出器６７Ａ，６７Ｂを含む第１リニアエンコーダの計測値（ウエハベース４１に対するＸＹコイルキャリア４０の相対位置）を差し引くことで、ＸＹコイルキャリア４０に対するウエハパック２８の相対位置を求めるようにしてもよい。この場合には、図２のＸＹコイルキャリア４０の上面側の原点センサ７３Ａ及びパターン７４Ｂ等を省略することが可能である。【００５４】
図１のステージ制御系５３では、レーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙ、図５（Ａ）の検出器６７Ａ，６７Ｂを含む第１リニアエンコーダ、及び図２の検出器７４Ａ，７４Ｂを含む第２リニアエンコーダの計測値、並びに主制御系５１からの制御情報に基づいて、図２の第１平面モータ６４及び第２平面モータ７２を駆動する。この場合、図１のレチクルＲの位置と対応するウエハパック２８（ウエハＷ）の位置関係は、レーザ干渉計４２Ｘ，４２Ｙの計測値に基づいて制御され、ＸＹコイルキャリア４０の位置は、一例として、できるだけウエハパック２８がＸＹコイルキャリア４０の中央部に位置するように制御される。【００５５】
次に、走査露光時及びステップ移動時の第１平面モータ６４及び第２平面モータ７２の駆動方法の一例につき説明する。
先ず、図６（Ａ）に示すように、ウエハパック２８内のウエハＷの一つのショット領域ＳＡ１を投影光学系ＰＬの投影領域２１Ｗに対して＋Ｙ方向に移動してショット領域ＳＡ１を露光する走査露光時には、図２の第２平面モータ７２を駆動して、ＸＹコイルキャリア４０に対してウエハパック２８を矢印Ａ１で示す＋Ｙ方向に移動する。ステージ制御系５３は、その動作と並行して、図２の第１平面モータ６４を駆動して、ウエハパック２８の＋Ｙ方向への移動によるＸＹコイルキャリア４０に対する逆方向への反力を相殺するように、ウエハベース４１に対してＸＹコイルキャリア４０を矢印Ａ２で示す−Ｙ方向に移動する。このカウンターバランス方式の駆動によって、ウエハパック２８を走査する際に発生する振動量を極めて小さくでき、その結果として重ね合わせ精度等を向上できる。【００５６】
なお、ウエハＷ上の一連のショット領域に露光する際には、通常はウエハＷの走査方向は±Ｙ方向に交互に反転する。そのため、そのカウンターバランス方式の駆動を行っても、ウエハパック２８とＸＹコイルキャリア４０との位置関係が次第に大きくずれていくことはない。
次に、図６（Ｂ）に示すように、ウエハＷ上のショット領域ＳＡ１の露光後にそれに−Ｘ方向に隣接するショット領域ＳＡ２に露光する場合、露光光ＩＬの照射を停止して、ウエハＷを１つのショット領域の幅分だけ＋Ｘ方向にステップ移動する必要がある。このために、図２の第２平面モータ７２を駆動して、ＸＹコイルキャリア４０に対してウエハパック２８を矢印Ｂ１で示す＋Ｘ方向に移動する。ステージ制御系５３では、その動作に僅かに先行して、図２の第１平面モータ６４を駆動して、ウエハパック２８の＋Ｘ方向への移動によるＸＹコイルキャリア４０に対する逆方向への反力を上回る駆動力を発生して、ウエハベース４１に対してＸＹコイルキャリア４０を矢印Ｂ２で示す＋Ｘ方向に移動する。このときの投影光学系ＰＬに対するウエハパック２８の＋Ｘ方向への移動量と、投影光学系ＰＬに対するＸＹコイルキャリア４０の＋Ｘ方向への移動量とはほぼ同じとする。【００５７】
同様に、ウエハＷをＹ方向にステップ移動する場合にも、ウエハパック２８を駆動する際に、ステージ制御系５３はＸＹコイルキャリア４０を同じ方向に駆動する。ステップ移動中には、このようなＸＹコイルキャリア４０の駆動によって多少の振動が発生しても、露光精度には影響しない。さらに、このようにウエハパック２８とＸＹコイルキャリア４０とを同じ方向に駆動することによって、ステップ移動前後でウエハパック２８とＸＹコイルキャリア４０との相対位置が変化しないため、その後のウエハＷのショット領域ＳＡ２の走査露光動作に円滑に移行することができ、露光工程のスループットを高めることができる。【００５８】
次に、本例の図１の露光装置ＥＸのウエハパック２８におけるガラス板２９の特性等につき詳細に説明する。
図７（Ａ）は、ウエハＷをガラス板２９に密着させて、液浸方式で露光を行う場合の投影光学系ＰＬの先端部近傍を示す拡大図である。図７（Ａ）において、投影光学系ＰＬの先端の光学部材ＰＬａと、ガラス板２９との間の局所的な領域（局所液浸空間）に露光光を透過する液体ＬＱが供給されている。【００５９】
このとき、投影光学系ＰＬの光学部材ＰＬａとウエハＷとの間に液体ＬＱ及びガラス板２９がない通常の場合の、ウエハＷの露光面をＷＡとすると、光学部材ＰＬａと露光面ＷＡとの間隔が作動距離ｗｄである。また、ガラス板２９の厚さをｄ１、液体ＬＱの深さ（光学部材ＰＬａとガラス板２９との間隔）をｄ２、ガラス板２９の屈折率をｎ１、液体ＬＱの屈折率をｎ２とすると、これらの間には次の関係がある。【００６０】
ｗｄ＝（ｄ１／ｎ１）＋（ｄ２／ｎ２）  …（２）
ガラス板２９が合成石英又は蛍石より形成されているとき、その露光光ＩＬ（本例では１９３ｎｍ）に対する屈折率ｎ１はそれぞれ約１．５６又は１．５０である。また、液体ＬＱが水（純水）であるときの露光光ＩＬに対する屈折率ｎ２は約１．４４である。さらに、液体ＬＱがデカリン(Decalin) であるときの露光光ＩＬに対する屈折率ｎ２は約１．６０である。
即ち、ガラス板２９の屈折率ｎ１は、液体の屈折率ｎ２の０．９倍〜１．１倍の範囲内（本実施形態では、１．３０〜１．５８又は１．４４〜１．７６の範囲内の屈折率）である。このように屈折率ｎ１が屈折率ｎ２に近いほど、液体ＬＱとガラス板２９との境界面での反射光が低減して、照度が高くなり露光工程のスループットが向上するとともに、投影光学系ＰＬのフレア等が減少し、結像特性が向上する。【００６１】
そこで、屈折率ｎ１及びｎ２がほぼ１．５であると仮定すると、式（２）は近似的に次のようになり、液体ＬＱとガラス板２９との全体の厚さは、作動距離ｗｄのほぼ１．５倍になる。
１．５・ｗｄ≒ｄ１＋ｄ２              …（２Ａ）
この場合、露光面ＷＡ上に集光していた露光光ＩＬＡに対して、ウエハＷ上に集光する露光光ＩＬＢの入射角は小さくなるため、焦点深度がほぼ１．５倍に広がる。【００６２】
また、ガラス板２９の厚さｄ１の条件は上記の式（１）であり、式（２）から液体ＬＱの深さｄ２は次のようになる。
ｄ２＝ｎ２・ｗｄ−（ｎ２／ｎ１）ｄ１  …（３）
図７（Ｂ）は、式（３）で規定される厚さｄ１と深さｄ２との関係を示したものであり、図７（Ｂ）の横軸はガラス板２９の厚さｄ１、縦軸は液体ＬＱの深さｄ２である。また、式（１）の最小値ｄ１min 及びマージンδｄを考慮すると、ガラス板２９の厚さｄ１は図７（Ｂ）の範囲５Ａ内となり、これに対応して液体ＬＱの深さｄ２は範囲５Ｂ内となる。【００６３】
このように投影光学系ＰＬの光学部材ＰＬａとウエハＷとの間にガラス板２９及び液体ＬＱを配置する場合には、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の気体の揺らぎによる露光性能の低下の問題は解消される。また、ウエハＷの直径が２００〜３００ｍｍである場合、ガラス板２９の厚さｄ１の範囲５Ａは、一例として０．５〜３ｍｍ程度である。このようにガラス板２９を用いる場合、ガラス板２９の屈折率は一定であり、液体ＬＱの深さｄ２が小さくなるため、例えば液体ＬＱの供給及び回収に伴う屈折率分布の変動等の影響が小さくなり、投影光学系ＰＬの解像度等の露光性能が向上する。【００６４】
また、図７（Ａ）において、ガラス板２９の表面２９ｂ及び底面（裏面）２９ａには、それぞれ露光光ＩＬに対する反射防止コーティングが施されている。本例のガラス板２９を用いて、液体ＬＱを供給することなくドライ方式でウエハＷの露光を行う場合にも、ガラス板２９の表面２９ｂ及び底面２９ａには、露光光ＩＬに対する反射防止コーティングを施すことが好ましい。なお、表面２９ｂ及び底面２９ａの少なくとも一方に反射防止コーティングを施すだけでもよく、これによって、露光光ＩＬの利用効率が向上し、ウエハＷの露光時間を短縮できるため、スループットが向上する。【００６５】
なお、ガラス板２９の屈折率ｎ１は、必ずしも液体ＬＱの屈折率ｎ２の０．９倍〜１．１倍の範囲内になくともよい。この場合でも、気体の揺らぎの影響が低減するという効果は得られる。
さらに、投影光学系ＰＬとガラス板２９との間に液体ＬＱを供給する場合には、ガラス板２９の表面２９ｂ（液体ＬＱに接する面）に施される反射防止コーティングは、液体ＬＱの屈折率ｎ２を考慮して、露光光ＩＬに対する反射率が最も小さくなるように設計されることが好ましい。また、液体ＬＱの屈折率ｎ２とガラス板２９の屈折率ｎ１とがほぼ等しいとみなせる場合には、ガラス板２９の表面２９ｂ側の反射防止コーティングを省略してもよい。この場合、表面２９ｂ（境界面）での露光光ＩＬの反射率は小さいため、露光光ＩＬの利用効率は殆ど低下しない。【００６６】
また、図７（Ａ）において、本例では、投影光学系ＰＬとガラス板２９との間には、露光光ＩＬの露光領域を含む局所的な領域に、局所液浸方式で液体ＬＱが供給される。従って、ガラス板２９上での液体ＬＱの拡散を防止するために、ガラス板２９の表面２９ｂに液体ＬＱに対して撥液性のコーティングが施されることが好ましい。その撥液性のコーティングの材料は、例えばフッ素系化合物、シリコン化合物、又はポリエチレン樹脂である。【００６７】
なお、ウエハＷの表面にガラス板２９がない状態で、局所液浸方式で露光を行う場合には、ウエハＷの表面に液体ＬＱに対して撥液性のコーティングが施されることが好ましい。しかしながら、ウエハＷ上にはフォトレジストが塗布されているため、その上に形成できる撥液性のコーティングの種類には制限がある。これに対して、本例では、液体ＬＱに接するのはガラス板２９であり、ガラス板２９上に形成できる撥液性のコーティングに対する制限は少ないため、容易に液体ＬＱを所望の領域に制限して局所液浸方式で露光を行うことができる。【００６８】
次に、本例で露光光として使用されているエキシマレーザ光のようなレーザビームは、その共振器の構造によって一般に直線偏光特性を有している。また、最近は、例えば国際公開第２００４／０５１７１７号パンフレットで開示されているように、解像度等を高めるために、露光光の偏光状態を直線偏光等に設定して露光を行ういわゆる偏光制御が使用されることがある。この際に偏光状態を効率的に制御するためには、直線偏光特性を持つレーザビームは好都合である。【００６９】
しかしながら、本例のガラス板２９の材料が合成石英である場合、合成石英においては、製造工程においてストレスが作用する等の要因によって、ほぼ全面でランダムな微少量の複屈折性を持つことがある。また、ガラス板２９の材料が蛍石である場合にも、その蛍石がある程度の複屈折性を持つ可能性がある。このようにガラス板２９が複屈折性を持ち、その複屈折量が大きくなると、例えば直線偏光状態で図１のレチクルＲ（レチクルＲ及び投影光学系ＰＬでは偏光状態は実質的に変化しないものとする）に入射した露光光ＩＬの偏光状態が、ガラス板２９を透過して楕円偏光等になって、所望の結像特性が得られない恐れがある。【００７０】
複屈折材料では、常光線の屈折率をｎｏ、異常光線の屈折率をｎｅとして、材料の厚さをｄ１、露光光の波長をλとすると、その材料を透過する際の常光線と異常光線との光路差（光路長差）Ｍ・λは、次のようになる。ただし、Ｍは実数である。この光路差Ｍ・λはその複屈折材料の複屈折量に対応する。
Ｍ・λ＝｜ｎｅ−ｎｏ｜ｄ１  …（４）
その光路差と、入射時の露光光の偏光方向とその複屈折材料の結晶軸（例えば位相が速く進む進相軸）の方向とがなす角度とによって、その複屈折材料を通過した後の露光光の偏光状態が変化する。例えば入射する直線偏光の露光光の偏光面と複屈折軸（例えば進相軸、又は進相軸に対して位相が遅れる遅相軸）とが一致していると、射出される際の偏光状態は保たれる。一方、入射する露光光の偏光面と複屈折軸とが４５°で傾斜しているときには、射出される際には楕円偏光となり、偏光状態は解消される。【００７１】
本例で使用できるガラス板２９の複屈折量の分布は、例えば図８（Ａ）のガラス板２９Ａのような複屈折量の分布となる。図８（Ａ）において、様々の方向の線分ＶＢは、その方向がその点における進相軸の方向を示し、その長さはその点における複屈折量（式（４）の光路差）を示している。また、線分ＶＡは、ガラス板２９Ａの厚さを通過したときに２ｎｍとなる複屈折量を比較のために示している。波長λが１９３ｎｍの場合には、２ｎｍの複屈折量はほぼλ／１００に相当する。【００７２】
また、ウエハＷの直径が３００ｍｍである場合、ガラス板２９Ａにおいて、複屈折量の計測は、円形のウエハＷが密着される領域であるほぼ直径が３００ｍｍの円形領域２９Ａａ内で行われる。そして、ガラス板２９Ａは、円形領域２９Ａａ内に横方向及び縦方向に所定ピッチで設定された複数の計測点における複屈折量がそれぞれ２ｎｍ以下、すなわちほぼλ／１００以下である。この程度の複屈折量であれば、ガラス板２９Ａを透過する前後の露光光の偏光状態の変動は無視できる程度であり、偏光制御を行って所望の結像特性を得ることができる。【００７３】
なお、偏光制御を行わない場合には、複屈折が生じても差し支えない。そこで、偏光制御を行わない場合には、ガラス板２９として、図８（Ｂ）に示すように、比較的大きい複屈折量の分布を持つガラス板２９Ｂを使用してもよい。図８（Ｂ）において、ガラス板２９ＢのウエハＷに対応する円形領域２９Ｂａ内には、線分ＶＣで示すように複屈折量が２ｎｍ（線分ＶＡ）以上である計測点が多く存在する。【００７４】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態につき図９を参照して説明する。図９は、ウエハＷが密着するガラス板２９をステージに直接固定した露光装置の要部を示す。図９において、投影光学系ＰＬの下方の平板状の定盤８上に気体軸受を介してＸ方向、Ｙ方向に移動可能にＸＹステージ９が載置され、ＸＹステージ９上に、例えばボイスコイルモータ方式等でＺ方向に駆動される３箇所のＺ駆動部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを介してＺステージ１０が支持されている。ＸＹステージ９は、例えば不図示のガイド機構に沿って２組のリニアモータによって直交するＸ方向、Ｙ方向に駆動される。Ｚステージ１０のＸ方向、Ｙ方向の側面の反射面（又は移動鏡）に不図示のレーザ干渉計からレーザビームが照射され、そのレーザ干渉計によって少なくともＺステージ１０のＸ方向、Ｙ方向の位置、及び回転角θＺ等が計測されている。【００７５】
そして、Ｚステージ１０の上面にＹ方向に離れた２箇所の支持部材１２Ａ及び１２Ｂを介してガラス板２９が着脱可能に保持され、ガラス板２９の底面２９ａにウエハＷの表面（フォトレジストが塗布された露光面）の全面が密着している。この場合、支持部材１２Ａ，１２Ｂに不図示の真空ポンプに連結される吸着孔１２Ａａ，１２Ｂａ等が形成され、これらの吸着孔１２Ａａ，１２Ｂａ等によって支持部材１２Ａ，１２Ｂ上にガラス板２９が真空吸着方式で保持されている。【００７６】
また、支持部材１２Ａ，１２Ｂの上部に、連結部材１３Ａ，１３Ｂを介して、ガラス板２９の上面に所定間隔を開けて、平板状の電極板１４Ａ，１４Ｂが待避可能に配置され、電極板１４Ａ，１４Ｂに不図示の制御装置から所定の電荷（又は電位）を与えることによって、ガラス板２９の底面にウエハＷを静電吸着によって保持できるように構成されている。さらに、不図示のＡＦセンサを介して計測されるウエハＷの表面のフォーカス位置等に基づいて、Ｚ駆動部１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを介してＺステージ１０のフォーカス位置等を制御することによって、ウエハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に合焦させることができる。【００７７】
この例では、未露光のウエハＷ及びガラス板２９は、不図示の組立装置によって密着させられる。その後、ガラス板２９及びウエハＷは、一例としてウエハ搬送アーム１５に載置された状態で、図９の支持部材１２Ａ，１２Ｂの間まで搬送される。この際に電極板１４Ａ，１４Ｂは待避している。次に、ウエハ搬送アーム１５を次第に下降させて、ガラス板２９の底面を支持部材１２Ａ，１２Ｂの上面に載置して吸着を開始する。その後、電極板１４Ａ，１４Ｂを戻して正又は負の電荷を帯電させることによって、ウエハＷがガラス板２９に安定に吸着保持される。その後、Ｚステージ１０（ウエハＷ）の位置を不図示のレーザ干渉計によって計測し、この計測値に基づいてＸＹステージ９を駆動することによって、投影光学系ＰＬからの露光光ＩＬでガラス板２９を介してウエハＷを露光する。その後、ウエハＷの裏面にウエハ搬送アーム１５を配置して、例えば電極板１４Ａ，１４Ｂの帯電を解除して、待避させてから、支持部材１２Ａ，１２Ｂの真空吸着を解除して、ウエハ搬送アーム１５を上昇させることによて、ガラス板２９及びウエハＷを搬出できる。搬出されたガラス板２９及びウエハＷは、不図示の分離装置において分離される。【００７８】
この図９の露光装置においても、ウエハＷの表面がガラス板２９の底面に密着するようにウエハＷが保持されるため、Ｚステージ１０の構造が簡素化できるとともに、ウエハＷの裏面の平面度に影響されることなく、ウエハＷの表面を高い平面度に維持した状態でウエハＷを露光することができる。また、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の気体層の間隔が狭くなるため、気体の揺らぎの影響が低減される。従って、不図示のレチクルのパターンが投影光学系ＰＬを介してウエハＷの各ショット領域に高精度に露光される。【００７９】
また、この実施形態においても、露光時には、図９の投影光学系ＰＬの先端の光学部材と、ガラス板２９との間の局所的な領域（局所液浸空間）に、液体供給回収装置（不図示）から露光光を透過する液体（図７（Ａ）の液体ＬＱと同様の液体）を供給することが好ましい。これによって、解像度及び焦点深度を向上できる。さらに、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に気体が介在しないため、気体の揺らぎの影響をさらに低減できる。この際に、液体とガラス板２９との境界部の反射光を低減するために、ガラス板２９の露光光ＩＬに対する屈折率は、液体の露光光ＩＬに対する屈折率にできるだけ近いことが好ましい。【００８０】
なお、上記の実施形態では、ウエハＷとガラス板２９とは密着している。しかしながら、ウエハＷとガラス板２９とは所定の隙間をあけて保持してもよい。この場合には、例えば図９において、ウエハＷを不図示のウエハホルダ上に載置して吸着保持した状態で、支持部材１２Ａ，１２Ｂを介してウエハＷの表面から所定の間隔を隔ててガラス板２９を保持すればよい。この場合にも、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間の気体層の間隔が狭くなるため、気体の揺らぎの影響が低減され、露光性能が向上する。【００８１】
なお、上記の実施の形態の露光装置は、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハ駆動装置を露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【００８２】
なお、本発明は、走査露光型の投影露光装置のみならず、一括露光型の投影露光装置で露光する場合にも同様に適用することができる。
また、上述の実施形態においては、光透過性の基材上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型レチクルを用いているが、このレチクルに替えて、例えば米国特許第6,778,257 号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。【００８３】
また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬを使ってパターン像をウエハＷ上に投影することによって基板を露光しているが、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハＷ上に形成することによって、ウエハＷ上にライン・アンド・スペースを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。この場合、投影光学系ＰＬを使わなくても良く、干渉縞を形成するための回折格子を光学部材とみなすことができる。【００８４】
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイスを製造する工程の一例を図１０に示す。図１０において、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、このステップに基づいてレチクル（マスク）を製作するステップ２２２、シリコン材料から基板（ここではウエハ）を製造するステップ２２３、基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２２５、及び検査ステップ２２６等を経て、半導体デバイスが製造される。基板処理ステップ２２４は、上記の実施形態の露光装置によりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）工程、及びエッチング工程などを含む。この半導体デバイス（電子デバイス）の製造方法によれば、露光中の空気揺らぎ等の影響が低減されているため、半導体デバイスを高精度に製造できる。【００８５】
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレート等に形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、セラミックスウエハ等を基板として用いる薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイス（電子デバイス）の製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。【００８６】
本願明細書に掲げた種々の米国特許及び米国特許出願公開については、特に援用表示をしたもの以外についても、指定国または選択国の法令が許す範囲においてそれらの開示を援用して本文の一部とする。  
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、請求の範囲、図面、及び要約を含む２００７年５月１０日付け提出の米国仮出願第６０／９２４，３７２号の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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