(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、
被処理基板を第１の温度に調節する温度調節機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、
支持基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に移動させる移動機構と、を有し、
前記第１の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化しない温度であって、
前記第２の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化する温度であることを特徴とする、剥離装置。
【請求項２】
前記移動機構は、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記移動機構は、前記第２の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第２の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させることを特徴とする、請求項１に記載の剥離装置。
【請求項４】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有し、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤を挿通して当該接着剤を切るワイヤと、
前記ワイヤを送り出す送出部と、
前記送出部から送り出され、接着剤を挿通した前記ワイヤを巻き取る巻取部と、を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項５】
前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通する前の前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有することを特徴とする、請求項４に記載の剥離装置。
【請求項６】
前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通する前の前記ワイヤを加熱する加熱部を有することを特徴とする、請求項４又は５に記載の剥離装置。
【請求項７】
前記加熱部は、前記ワイヤに電流を流すことを特徴とする、請求項６に記載の剥離装置。
【請求項８】
前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通した前記ワイヤを洗浄する洗浄部を有することを特徴とする、請求項４〜７のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記洗浄部は、接着剤を挿通した前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給することを特徴とする、請求項８に記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記洗浄部は、接着剤を挿通した前記ワイヤに接触して接着剤を除去することを特徴とする、請求項８又は９に記載の剥離装置。
【請求項１１】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するレーザ光であって、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤を挿通するレーザ光を照射するレーザ光照射部を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の剥離装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の剥離装置を備えた剥離システムであって、
前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた処理ステーションと、
前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
【請求項１３】
被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
第１の保持部によって保持された被処理基板を第１の温度に調節し、第２の保持部によって保持された支持基板を前記第１の温度より高い第２の温度に加熱しながら、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離し、
前記第１の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化しない温度であって、
前記第２の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化する温度であることを特徴とする、剥離方法。
【請求項１４】
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて、被処理基板と支持基板を剥離することを特徴とする、請求項１３に記載の剥離方法。
【請求項１５】
前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離し、
その後、第２の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離することを特徴とする、請求項１３に記載の剥離方法。
【請求項１６】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するワイヤを送出部と巻取部の間で一方向に移動させながら、被処理基板及び支持基板の面方向に前記ワイヤを接着剤に挿通させて当該接着剤を切ることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項１７】
前記送出部から送り出された後であって接着剤を挿通する前の前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給することを特徴とする、請求項１６に記載の剥離方法。
【請求項１８】
前記送出部から送り出された後であって接着剤を挿通する前の前記ワイヤを加熱することを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の剥離方法。
【請求項１９】
前記ワイヤの加熱は、当該ワイヤに電流を流すことによって行われることを特徴とする、請求項１８に記載の剥離方法。
【請求項２０】
接着剤を挿通した後であって前記巻取部に巻き取られる前の前記ワイヤを洗浄することを特徴とする、請求項１６〜１９のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２１】
前記ワイヤの洗浄は、当該ワイヤに接着剤の溶剤を供給して行われることを特徴とする、請求項２０に記載の剥離方法。
【請求項２２】
前記ワイヤの洗浄は、当該ワイヤにブラシを接触させて行われることを特徴とする、請求項２０又は２１に記載の剥離方法。
【請求項２３】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するレーザ光を、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤に挿通させて当該接着剤を切ることを特徴とする、請求項１３〜１５のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項２４】
請求項１３〜２３のいずかに記載の剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項２５】
請求項２４に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置、当該剥離装置を備えた剥離システム、当該剥離装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。ここで、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
【０００３】
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の剥離装置を用いた場合、大きい噴射圧で液体を噴射するので、ウェハ又は支持基板が損傷を被るおそれがあった。特に、ウェハは薄型化しているので損傷を受け易い。
【０００６】
また、例えば接着剤を介してウェハと支持基板が接合されている場合、ウェハと支持基板の接合強度が大きいため、非常に大きい噴射圧の液体が必要となる。このため、液体を多量に必要とし、またウェハと支持基板を剥離するのに多大な時間を要する。
【０００７】
そこで、発明者らは、ウェハと支持基板を剥離し易くするため、接合された状態のウェハと支持基板の加熱処理を行い、接着剤を軟化させることを試みた。
【０００８】
しかしながら、単にウェハと支持基板を加熱しただけでは、ウェハの表面に形成された電子回路等のデバイス上に酸化膜が形成されてしまう。そして、この酸化膜により、製品にダメージを与えるおそれがある。また、ウェハを加熱することによって、ウェハ上のデバイスが損傷を受けるおそれもある。
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置であって、被処理基板を第１の温度に調節する温度調節機構を備え、且つ当該被処理基板を保持する第１の保持部と、支持基板を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する加熱機構を備え、且つ当該支持基板を保持する第２の保持部と、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記第１の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化しない温度であって、前記第２の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化する温度であることを特徴としている。なお、第２の温度は例えば２００℃〜２５０℃である。また、第１の温度は第２の温度よりも低ければよいが、被処理基板に結露が発生しない温度、例えば１７℃以上が好ましい。
【００１１】
本発明によれば、第１の保持部によって保持された被処理基板を第１の温度に調節し、第２の保持部によって保持された支持基板を第１の温度より高い第２の温度に加熱しながら、少なくとも第１の保持部又は第２の保持部を相対的に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離することができる。このように第２の保持部で支持基板を第２の温度に加熱することで、支持基板側の接着剤を第２の温度に加熱して軟化させることができ、被処理基板と支持基板を小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理基板が損傷を受けるのを抑制し、被処理基板と支持基板を適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。しかも、第１の保持部で保持された被処理基板を第２の温度よりも低い第１の温度に温度調節するので、被処理基板側の接着剤が第１の温度に温度調節されて軟化するのが抑制され、被処理基板の表面が接着剤に保護された状態になる。このため、被処理基板の表面に形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができる。また、被処理基板が第１の温度に調節され、しかも被処理基板の表面が接着剤に保護された状態になるので、当該被処理基板の表面に形成されたデバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。以上より本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。
【００１３】
前記移動機構は、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させてもよい。
【００１４】
前記移動機構は、前記第２の保持部に保持された支持基板が、その外周部から中心部に向けて前記第１の保持部に保持された被処理基板から連続的に剥離するように、前記第２の保持部の外周部を保持して鉛直方向に移動させてもよい。
【００１５】
前記剥離装置は、被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有し、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤を挿通して当該接着剤を切るワイヤと、前記ワイヤを送り出す送出部と、前記送出部から送り出され、接着剤を挿通した前記ワイヤを巻き取る巻取部と、を有していてもよい。
【００１６】
前記剥離装置は、前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通する前の前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給する溶剤供給部を有していてもよい。
【００１７】
前記剥離装置は、前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通する前の前記ワイヤを加熱する加熱部を有していてもよい。
【００１８】
前記加熱部は、前記ワイヤに電流を流してもよい。
【００１９】
前記剥離装置は、前記送出部と前記巻取部の間に設けられ、接着剤を挿通した前記ワイヤを洗浄する洗浄部を有していてもよい。
【００２０】
前記洗浄部は、接着剤を挿通した前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給してもよい。
【００２１】
前記洗浄部は、接着剤を挿通した前記ワイヤに接触して接着剤を除去してもよい。
【００２２】
前記剥離装置は、被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するレーザ光であって、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤を挿通するレーザ光を照射するレーザ光照射部を有していてもよい。
【００２３】
別な観点による本発明は、前記剥離装置を備えた剥離システムであって、前記剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第１の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第２の洗浄装置と、を備えた処理ステーションと、前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。
【００２４】
また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、第１の保持部によって保持された被処理基板を第１の温度に調節し、第２の保持部によって保持された支持基板を前記第１の温度より高い第２の温度に加熱しながら、少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離し、前記第１の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化しない温度であって、前記第２の温度は、被処理基板と支持基板の間の接着剤が軟化する温度であることを特徴としている。
【００２６】
少なくとも前記第１の保持部又は前記第２の保持部を相対的に水平方向に移動させて、被処理基板と支持基板を剥離してもよい。
【００２７】
前記第２の保持部の外周部を鉛直方向に移動させ、外周部から中心部に向けて支持基板を被処理基板から連続的に剥離し、その後、第２の保持部全体を鉛直方向に移動させ、被処理基板と支持基板を剥離してもよい。
【００２８】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するワイヤを送出部と巻取部の間で一方向に移動させながら、被処理基板及び支持基板の面方向に前記ワイヤを接着剤に挿通させて当該接着剤を切ってもよい。
【００２９】
前記送出部から送り出された後であって接着剤を挿通する前の前記ワイヤに接着剤の溶剤を供給してもよい。
【００３０】
前記送出部から送り出された後であって接着剤を挿通する前の前記ワイヤを加熱してもよい。
【００３１】
前記ワイヤの加熱は、当該ワイヤに電流を流すことによって行われてもよい。
【００３２】
接着剤を挿通した後であって前記巻取部に巻き取られる前の前記ワイヤを洗浄してもよい。
【００３３】
前記ワイヤの洗浄は、当該ワイヤに接着剤の溶剤を供給して行われてもよい。
【００３４】
前記ワイヤの洗浄は、当該ワイヤにブラシを接触させて行われてもよい。
【００３５】
被処理基板と支持基板の間の接着剤の厚みより小さい径を有するレーザ光を、被処理基板及び支持基板の面方向に接着剤に挿通させて当該接着剤を切ってもよい。
【００３６】
また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離装置によって実行させるために、当該剥離装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００３７】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。
【図３】剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図４】第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。
【図８】反転装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図９】検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図１０】検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図１１】剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。
【図１２】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図１３】第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。
【図１４】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図１５】剥離装置の第１の保持部から第２の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１６】第２の搬送装置のベルヌーイチャックから第１の洗浄装置のポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１７】第３の搬送装置のベルヌーイチャックから反転装置の第２の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１８】反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。
【図１９】反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。
【図２０】反転装置の第１の保持部から第３の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。
【図２１】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２２】第１の鉛直移動部の平面図である。
【図２３】第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。
【図２４】第１の鉛直移動部によって第２の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図２５】第２の鉛直移動部によって第２の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。
【図２６】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図２７】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２８】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図２９】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３０】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３１】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３２】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３３】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３４】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３５】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３６】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３７】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３８】ワイヤによって接着剤を切断する様子を示す説明図である。
【図３９】被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。
【図４０】他の実施の形態にかかる剥離装置の構成の概略を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
【００４１】
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪ上に複数の電子回路等を備えた複数のデバイスが形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ〜１００μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
【００４２】
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００４３】
搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。インターフェイスステーション５は、処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置７が配置されている。また、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置７の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪ及び非接合面ＷＮの洗浄と、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う検査後洗浄ステーション８が配置されている。
【００４４】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００４５】
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
【００４６】
処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
【００４７】
検査装置７では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無等が検査される。また、検査後洗浄ステーション８では、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄装置４１、被処理ウェハＷの表裏面を上下反転させる反転装置４２を有している。これら接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１、反転装置４２は、後処理ステーション４側からＹ方向に並べて配置されている。
【００４８】
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置７及び検査後洗浄ステーション８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
【００４９】
なお、後処理ステーション４では、処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
【００５０】
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００５１】
処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。
【００５２】
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【００５３】
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【００５４】
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
【００５５】
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷの温度を第１の温度に調節する温度調節機構１２４が設けられている。温度調節機構１２４には、例えばペルチェ素子が用いられる。なお、第１の温度は、後述するように例えば２３℃である。
【００５６】
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
【００５７】
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【００５８】
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを第２の温度に加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。なお、第２の温度は、後述するように第１の温度よりも高い温度であって、例えば２００℃〜２５０℃である。
【００５９】
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
【００６０】
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させて第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
【００６１】
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
【００６２】
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
【００６３】
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００６４】
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
【００６５】
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
【００６６】
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、回収した液体を排出する排出管１９５と、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９６が接続されている。
【００６７】
図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。
【００６８】
アーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば接着剤Ｇの溶剤である有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０２が支持されている。アーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０３により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０２は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０４からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０２の高さを調節できる。
【００６９】
洗浄液ノズル２０２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０２には、図４に示すように当該洗浄液ノズル２０２に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０２には、当該洗浄液ノズル２０２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０２内で混合され、当該洗浄液ノズル２０２から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
【００７０】
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
【００７１】
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
【００７２】
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、被処理ウェハＷの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと被処理ウェハＷの外周部が洗浄される。
【００７３】
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図７に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
【００７４】
なお、第３の搬送装置５１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置５１の第２の駆動部２３２は、図１に示した搬送路５０に取り付けられ、第３の搬送装置５１は搬送路５０上を移動可能になっている。
【００７５】
次に、上述した反転装置４２の構成について説明する。反転装置４２は、図８に示すように、その内部に複数の機器を収容する処理容器２４０を有している。処理容器２４０の側面には、第３の搬送装置５１により被処理ウェハＷの搬入出を行うための搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口（図示せず）には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００７６】
処理容器２４０の底面には、当該処理容器２４０の内部の雰囲気を排気する排気口２５０が形成されている。排気口２５０には、例えば真空ポンプなどの排気装置２５１に連通する排気管２５２が接続されている。
【００７７】
処理容器２４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で保持する第１の保持部２６０と、被処理ウェハＷを上面で保持する第２の保持部２６１とが設けられている。第１の保持部２６０は、第２の保持部２６１の上方に設けられ、第２の保持部２６１と対向するように配置されている。第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、例えば被処理ウェハＷをほぼ同じ直径を有している。また、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１にはベルヌーイチャックが用いられている。これにより、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、被処理ウェハＷの片面の全面をそれぞれ非接触で保持することができる。
【００７８】
第１の保持部２６０の上面には、第１の保持部２６０を支持する支持板２６２が設けられている。なお、本実施の形態の支持板２６２を省略し、第１の保持部２６０は処理容器２４０の天井面に当接して支持されていてもよい。
【００７９】
第２の保持部２６１の下方には、当該第２の保持部２６１を鉛直方向に移動させる移動機構２７０が設けられている。移動機構２７０は、第２の保持部２６１の下面を支持する支持板２７１と、支持板２７１を昇降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を鉛直方向に接近、離間させる駆動部２７２を有している。駆動部２７２は、処理容器２４０の底面に設けられた支持体２７３により支持されている。また、支持体２７３の上面には支持板２７１を支持する支持部材２７４が設けられている。支持部材２７４は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、駆動部２７２により支持板２７１を昇降させる際に、自由に伸縮することができる。
【００８０】
次に、上述した検査装置７の構成について説明する。検査装置７は、図９及び図１０に示すように処理容器２８０を有している。処理容器２８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００８１】
処理容器２８０内には、被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック２９０が設けられている。ポーラスチャック２９０は、平板状の本体部２９１と、本体部２９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス２９２とを有している。ポーラス２９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス２９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス２９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス２９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック２９０上に吸着保持できる。
【００８２】
ポーラスチャック２９０の下方には、チャック駆動部２９３が設けられている。このチャック駆動部２９３により、ポーラスチャック２９０は回転自在になっている。また、チャック駆動部２９３は、処理容器２８０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール２９４上に取付けられている。このチャック駆動部２９３により、ポーラスチャック２９０はレール２９４に沿って移動できる。すなわち、ポーラスチャック２９０は、被処理ウェハＷを処理容器２８０の外部との間で搬入出するための受渡位置Ｐ１と、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整するアライメント位置Ｐ２との間を移動できる。
【００８３】
アライメント位置Ｐ２には、ポーラスチャック２９０に保持された被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出するセンサ２９５が設けられている。センサ２９５によってノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０を回転させて、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節することができる。
【００８４】
処理容器２８０のアライメント位置Ｐ２側の側面には、撮像装置３００が設けられている。撮像装置３００には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。処理容器２８０の上部中央付近には、ハーフミラー３０１が設けられている。ハーフミラー３０１は、撮像装置３００と対向する位置に設けられ、鉛直方向から４５度傾斜して設けられている。ハーフミラー３０１の上方には、照度を変更することができる照明装置３０２が設けられ、ハーフミラー３０１と照明装置３０２は、処理容器２８０の上面に固定されている。また、撮像装置３００、ハーフミラー３０１及び照明装置３０２は、ポーラスチャック２９０に保持された被処理ウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明装置３０２からの照明は、ハーフミラー３０１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー３０１で反射して、撮像装置３００に取り込まれる。すなわち、撮像装置３  ００は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして、撮像した被処理ウェハＷの画像は、後述する制御部３５０に出力され、制御部３５０において被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。
【００８５】
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３５０にインストールされたものであってもよい。
【００８６】
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１１は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
【００８７】
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
【００８８】
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１２に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【００８９】
その後、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳは、加熱機構１４１によって第２の温度、例えば２００℃〜２５０℃に加熱される。この第２の温度は、接着剤Ｇが軟化する温度である。そして、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇにおいて、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化する。
【００９０】
一方、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳを第２の温度に加熱する間、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷは、温度調節機構１２４によって第１の温度、例えば２３℃に温度調節される。この第１の温度は、少なくとも第２の温度よりも低く、接着剤Ｇが軟化しない温度である。そして、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇにおいて、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇは軟化しない。すなわち、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができる。また、被処理ウェハＷが低い温度である第１の温度に温度調節され、しかも被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になるので、当該接合面ＷＪに形成されたデバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。なお、デバイスの酸化抑制と損傷抑制という観点からは、第１の温度は低ければ低いほど好ましいが、被処理ウェハＷが結露するのを防止するため、第１の温度は１７℃以上であるのが好ましい。
【００９１】
続いて、加熱機構１４１によって支持ウェハＳ側の接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１３に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。このとき、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化しているので、第２の保持部１１１を小さい荷重で容易に移動させることができる。そして、図１４に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１１の工程Ａ１）。
【００９２】
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイス（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、デバイスと支持ウェハＳが接触し、デバイスが損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上のデバイス（バンプ）の高さに基づいて設定される。
【００９３】
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
【００９４】
図１５に示すように第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、ベルヌーイチャック２３０を所定の位置まで下降させる。なお、被処理ウェハＷはベルヌーイチャック２３０によって非接触の状態で保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上のデバイスが損傷を被ることなく被処理ウェハＷが保持される。なお、このとき、第２の保持部１１１は第１の保持部１１０に対向する位置まで移動する。
【００９５】
次に図１６に示すように、第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
【００９６】
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０４の洗浄液ノズル２０２を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０２から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪが洗浄される（図１１の工程Ａ２）。
【００９７】
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
【００９８】
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面ＷＪが洗浄された後、非接合面ＷＮが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置７に搬送される。なお、この第３の搬送装置５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
【００９９】
検査装置７に搬送された被処理ウェハＷは、受渡位置Ｐ１においてポーラスチャック２９０上に保持される。続いて、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０をアライメント位置Ｐ２まで移動させる。次に、センサ２９５によって被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０を回転させる。そして、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整して、当該被処理ウェハＷを所定の向きに配置する。
【０１００】
その後、チャック駆動部２９３によってポーラスチャック２９０をアライメント位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１に移動させる。そして、被処理ウェハＷがハーフミラー３０１の下を通過する際に、照明装置３０２から被処理ウェハＷに対して照明を照らす。この照明による被処理ウェハＷ上での反射光は撮像装置３００に取り込まれ、撮像装置３００において被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像が撮像される。撮像された被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像は制御部３５０に出力され、制御部３５０において、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図１１の工程Ａ３）。
【０１０１】
検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面ＷＪ上の接着剤Ｇが除去される（図１１の工程Ａ４）。なお、この工程Ａ４は、上述した工程Ａ２と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ４を省略してもよい。
【０１０２】
接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって反転装置４２に搬送され、反転装置４２により表裏面を反転、すなわち上下方向に反転される（図１１の工程Ａ５）。ここで、反転装置４２による被処理ウェハＷの反転方法について説明する。
【０１０３】
接合面洗浄装置４０で接合面ＷＪが洗浄され被処理ウェハＷは、図１７に示すように、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０により接合面ＷＪを保持された状態で反転装置４２に搬送される。そして、被処理ウェハＷは、反転装置４２の第２の保持部２６１に接合面ＷＪを上方に向けた状態で受け渡され、第２の保持部２６１により被処理ウェハＷの非接合面ＷＮの全面が保持される。
【０１０４】
次いで、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を第２の保持部２６１の上方から退避させ、その後、駆動部２８３により第２の保持部２６１を上昇、換言すれば、図１８に示すように第１の保持部２６０に接近させる。そして、第１の保持部２６０により被処理ウェハＷの接合面ＷＪを保持すると共に、第２の保持部２６１による被処理ウェハＷの保持を停止して、被処理ウェハＷを第１の保持部２６０に受け渡す。これにより図１９に示すように、被処理ウェハＷが第１の保持部２６０により、非接合面ＷＮを下方に向けた状態で保持される。
【０１０５】
その後、第２の保持部２６１を下降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を離隔し、次いで退避していた第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させる。そして、ベルヌーイチャック２３０が上方を向いた状態で、当該ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部２６０の下方に配置する。次いでベルヌーイチャック２３０を上昇させ、それと共に第１の保持部２６０による被処理ウェハＷの保持を停止する。これにより、接合面洗浄装置４０に搬入される際にベルヌーイチャック２３０により接合面ＷＪを保持されていた被処理ウェハＷは、図２０に示すように、ベルヌーイチャック２３０により非接合面ＷＮが保持された状態となる。すなわち、ベルヌーイチャック２３０により保持される被処理ウェハの面の表裏が反転した状態となる。その後、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持した状態で、ベルヌーイチャック２３０を反転装置４２から退避させる。
【０１０６】
なお、検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく反転装置４２にて被処理ウェハＷの反転が行われるが、反転の方法については、上述の方法と同様である。
【０１０７】
その後、被処理ウェハＷを保持した状態で第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させ、被処理ウェハＷを上下方向に反転させる。そして、被処理ウェハＷは、非接合面ＷＮが上方を向いた状態でベルヌーイチャック２３０により再び検査装置７に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図１１の工程Ａ６）。そして、非接合面ＷＮにパーティクルの汚れが確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面ＷＮが洗浄される（図１１の工程Ａ７）。なお、この工程Ａ７は、上述した工程Ａ２と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ７を省略してもよい。
【０１０８】
次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
【０１０９】
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１１の工程Ａ８）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
【０１１０】
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２及びＡ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ９）。
【０１１１】
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪ上の接着剤が除去されて、接合面ＳＪが洗浄される（図１１の工程Ａ１０）。なお、工程Ａ１０における支持ウェハＳの洗浄は、上述した工程Ａ２における被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの除去と同様であるので説明を省略する。
【０１１２】
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
【０１１３】
以上の実施の形態によれば、第１の保持部１１０によって保持された被処理ウェハＷを第１の温度に調節し、第２の保持部１１１によって保持された支持ウェハＳを第１の温度より高い第２の温度に加熱しながら、第２の保持部１１１を第１の保持部１１０に対して相対的に水平方向に移動させ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離することができる。このように第２の保持部１１１で支持ウェハＳを第２の温度に加熱することで、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇを第２の温度に加熱して軟化させることができ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを小さい荷重で容易に剥離することができる。このため、被処理ウェハＷが損傷を受けるのを抑制し、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。しかも、第１の保持部１１０で保持された被処理ウェハＷを第２の温度よりも低い第１の温度に温度調節するので、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇが第１の温度に温度調節されて軟化するのが抑制され、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができる。また、被処理ウェハＷが第１の温度に調節され、しかも被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になるので、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。以上より本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。
【０１１４】
以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
【０１１５】
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
【０１１６】
以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
【０１１７】
以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上のデバイスが接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上のデバイスが接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。
【０１１８】
また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
【０１１９】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１との間の処理空間を覆うカバー（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、処理空間を不活性ガスの雰囲気にすることにより、被処理ウェハＷが加熱処理されても、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上のデバイスに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。
【０１２０】
また、以上の実施の形態の剥離装置３０において、第２の保持部１１１に追従して水平方向に移動可能であって、複数の孔から不活性ガスを供給するポーラスプレート（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、重合ウェハＴを剥離するために第２の保持部１１１を移動させる際、第２の保持部１１１に追従してポーラスプレートを移動させながら、剥離により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する。そうすると、被処理ウェハＷが加熱処理されても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上のデバイスに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。
【０１２１】
なお、以上の実施の形態の剥離装置３０では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
【０１２２】
以上の実施の形態では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を移動させる方法はこれに限定されない。例えば第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部の外周部１１１を鉛直方向に移動させてもよい。
【０１２３】
かかる場合、剥離装置３０には、上記実施の形態において第２の保持部１１１を移動させる移動機構１５０に代えて、図２１に示すように第２の保持部１１１の下方に移動機構４００が設けられる。移動機構４００は、第２の保持部１１１を保持し、且つ第２の保持部１１１の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の鉛直移動部４０１と、第１の鉛直移動部４０１を保持し、且つ第１の鉛直移動部４０１と第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる第２の鉛直移動部４０２と、第１の鉛直移動部４０１、第２の鉛直移動部４０２及び第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部４０３とを有している。第１の鉛直移動部４０１、第２の鉛直移動部４０２、水平移動部４０３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。
【０１２４】
第１の鉛直移動部４０１は、第２の保持部１１１の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ４１０と、第２の保持部１１１の中央部を支持する支持柱４１１と、シリンダ４１０と支持柱４１１を支持する支持板４１２とを有している。図２２に示すように６つのシリンダ４１０は、支持板４１２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ４１０は、第２の保持部１１１の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱４１１は、支持板４１２の中央部であって、第２の保持部１１１の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ４１０によって第２の保持部１１１の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第２の保持部１１１の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱４１１が配置されている。
【０１２５】
第２の鉛直移動部４０２は、図２１に示すように支持板４１２を昇降させる駆動部４２０と、支持板４１２を支持する支持部材４２１とを有している。駆動部４２０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材４２１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板４１２と水平移動部４０３との間に例えば３箇所に設けられている。
【０１２６】
水平移動部４０３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部４０１、第２の鉛直移動部４０２及び第２の保持部１１１を水平方向に移動させることができる。
【０１２７】
なお、剥離装置３０のその他の構成は、上記実施の形態の剥離装置３０の構成と同様であるので説明を省略する。但し、本実施の形態の第２の保持部１１１と当該第２の保持部１１１の加熱機構１４１には、それぞれ弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。
【０１２８】
かかる剥離装置３０では、当該剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴが、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、図２３に示すように移動機構４００の第２の鉛直移動部４０２により第２の保持部１１１を上昇させて、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
【０１２９】
その後、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳは、加熱機構１４１によって第２の温度、例えば２００℃〜２５０℃に加熱される。この第２の温度は、接着剤Ｇが軟化する温度である。そして、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇにおいて、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化する。
【０１３０】
一方、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳを第２の温度に加熱する間、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷは、温度調節機構１２４によって第１の温度、例えば２３℃に温度調節される。この第１の温度は、少なくとも第２の温度よりも低く、接着剤Ｇが軟化しない温度である。そして、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇにおいて、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇは軟化しない。すなわち、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができる。また、被処理ウェハＷが低い温度である第１の温度に温度調節され、しかも被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になるので、当該接合面ＷＪに形成されたデバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。なお、デバイスの酸化抑制と損傷抑制という観点からは、第１の温度は低ければ低いほど好ましいが、被処理ウェハＷが結露するのを防止するため、第１の温度は１７℃以上であるのが好ましい。
【０１３１】
続いて、加熱機構１４１によって支持ウェハＳ側の接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図２４に示すように移動機構４００の第１の鉛直移動部４０１によって第２の保持部１１１の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ４１０によって第２の保持部１１１の外周部が鉛直下方に移動する際、第２の保持部１１１の中央部が支持柱４１１に支持され、当該第２の保持部１１１の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。
【０１３２】
かかる場合、工程Ａ１において、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、被処理ウェハＷの接合面ＷＪには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面ＷＪ、ＳＪに多大な荷重がかかり、接合面ＷＪ上のデバイスが損傷を受けるおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面ＷＪ、ＳＪに大きな荷重がかからない。したがって、デバイスの損傷を抑制することができる。
【０１３３】
その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図２５に示すように第２の鉛直移動部４０２によって第２の保持部１１１全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図２６に示すように第１の鉛直移動部４０１によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第２の保持部１１１と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【０１３４】
本実施の形態によっても、第１の保持部１１０によって保持された被処理ウェハＷを第１の温度に調節し、第２の保持部１１１によって保持された支持ウェハＳを第１の温度より高い第２の温度に加熱しながら、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離することができる。このように支持ウェハＳ側の接着剤Ｇを第２の温度に加熱して軟化させることができ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを小さい荷重で容易に剥離することができるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。しかも、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇが第１の温度に温度調節されて軟化するのが抑制され、被処理ウェハＷの接合面ＷＪが接着剤Ｇに保護された状態になる。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができ、さらに当該デバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。
【０１３５】
以上の実施の形態の剥離装置３０には、図２７及び図２８に示すように被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇを切るワイヤ４３０が設けられていてもよい。ワイヤ４３０は、接着剤Ｇの厚み、例えば１０００μｍより小さい径、例えば３００μｍを有している。また、ワイヤ４３０には、金属製のワイヤ、例えばピアノ線が用いられる。そして、ワイヤ４３０は、被処理ウェハＷ及び支持ウェハＳの面方向に接着剤Ｇを挿通して当該接着剤Ｇを切ることができる。
【０１３６】
第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の外側には、ワイヤ４３０を送り出す送出部としての送出ロール４３１と、接着剤Ｇを挿通したワイヤ４３０を巻き取る巻取部としての巻取ロール４３２とが設けられている。送出ロール４３１と巻取ロール４３２の間で延伸するワイヤ４３０の延伸方向は、例えば第２の保持部１１１の進行方向（図２８の太矢印方向）と同じである。また、送出ロール４３１と巻取ロール４３２は、移動機構（図示せず）によって、それぞれ第２の保持部１１１の進行方向に直交する方向に移動可能に構成されている。
【０１３７】
かかる場合、工程Ａ１において、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１が被処理ウェハＷと支持ウェハＳを保持した際、ワイヤ４３０、送出ロール４３１及び巻取ロール４３２は、それぞれ被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側に待機している。その後、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、加熱機構１４１によって第２の温度、例えば２００℃〜２５０℃に加熱されると共に、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷが、温度調節機構１２４によって第１の温度、例えば２３℃に温度調節される。そうすると、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化し、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇが軟化しない。
【０１３８】
その後、送出ロール４３１と巻取ロール４３２の間でワイヤ４３０を一方向に移動させながら、当該送出ロール４３１と巻取ロール４３２を被処理ウェハＷと支持ウェハＳ側に移動させ、ワイヤ４３０を接着剤Ｇに挿通させる。そうすると、ワイヤ４３０によって接着剤Ｇが切断される。
【０１３９】
また、このようにワイヤ４３０で接着剤Ｇを切断する際、移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【０１４０】
本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化すると共に、ワイヤ４３０によって接着剤Ｇが切断されるので、第２の保持部１１１をより小さい荷重で容易に移動させることができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切且つ均一に剥離することができ、剥離処理に要する時間をさらに短縮することもできる。しかも、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇが第１の温度に温度調節されて軟化するのが抑制されるので、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができ、また当該デバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。
【０１４１】
以上の実施の形態では、ワイヤ４３０を第２の保持部１１１の進行方向と同じ方向に延伸させて、当該ワイヤ４３０によって接着剤Ｇを切断したが、ワイヤ４３０による接着剤Ｇの切断方法はこれに限定されない。
【０１４２】
例えば図２９に示すようにワイヤ４３０は、第２の保持部１１１の進行方向（図２９の太矢印方向）と直交する方向に延伸していてもよい。かかる場合、送出ロール４３１と巻取ロール４３２は、移動機構（図示せず）によって、それぞれ第２の保持部１１１の進行方向と同じ方向に移動可能に構成されている。
【０１４３】
そして、工程Ａ１において、送出ロール４３１と巻取ロール４３２の間でワイヤ４３０を一方向に移動させながら、当該送出ロール４３１と巻取ロール４３２を被処理ウェハＷと支持ウェハＳ側に移動させ、ワイヤ４３０を接着剤Ｇに挿通させる。そうすると、ワイヤ４３０によって接着剤Ｇが切断される。また、このようにワイヤ４３０で接着剤Ｇを切断する際、移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される。なお、本実施の形態では、ワイヤ４３０によって接着剤Ｇが切断されたが、当該ワイヤ４３０によって接着剤Ｇに切れ目を形成してもよい。
【０１４４】
かかる場合においても、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化すると共に、ワイヤ４３０によって接着剤Ｇが切断されるので、第２の保持部１１１をより小さい荷重で容易に移動させることができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切且つ均一に剥離することができ、剥離処理に要する時間をさらに短縮することもできる。しかも、被処理ウェハＷ側の接着剤Ｇが第１の温度に温度調節されて軟化するのが抑制されるので、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制することができ、また当該デバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。
【０１４５】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、図３０に示すように送出ロール４３１と重合ウェハＴの間に、溶剤供給部としての溶剤ノズル４４０が設けられていてもよい。溶剤ノズル４４０は、接着剤Ｇを挿通する前のワイヤ４３０に接着剤Ｇの溶剤（有機溶剤）を供給する。かかる場合、ワイヤ４３０に接着剤Ｇの溶剤が付着しているので、ワイヤ４３０による接着剤Ｇの切断をより容易に行うことができる。したがって、第２の保持部１１１をより小さい荷重で容易に移動させることができるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切且つ均一に剥離することができ、剥離処理に要する時間をさらに短縮することもできる。
【０１４６】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、図３１に示すように送出ロール４３１と重合ウェハＴの間に、加熱部４５０が設けられていてもよい。加熱部４５０はワイヤ４３０に電流を流すことができ、この電流によってワイヤ４３０は熱線となる。そして、送出ロール４３１から送出されたワイヤ４３０は、加熱部４５０によって所定の温度に加熱される。そうすると、ワイヤ４３０による接着剤Ｇの切断をより容易に行うことができる。したがって、第２の保持部１１１をより小さい荷重で容易に移動させることができるので、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切且つ均一に剥離することができ、剥離処理に要する時間をさらに短縮することもできる。なお、このようにワイヤ４３０を加熱している間も、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷは温度調節機構１２４によって第１の温度に温度調節されている。したがって、ワイヤ４３０からの熱が被処理ウェハＷに伝わることがなく、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを抑制し、またデバイスが損傷を受けるのを抑制することができる。
【０１４７】
なお、上記実施の形態では、加熱部４５０はワイヤ４３０に電流を流していたが、加熱部４５０には種々の加熱手段が用いられる。例えば加熱部４５０には、ヒータを用いてもよい。
【０１４８】
また、剥離装置３０には、上述した溶剤ノズル４４０と加熱部４５０が共に設けられていてもよい。
【０１４９】
以上の実施の形態の剥離装置３０において、接着剤Ｇを挿通した後であって、巻取ロール４３２に巻き取られる前のワイヤ４３０を洗浄してもよい。
【０１５０】
例えば図３２に示すように、重合ウェハＴと巻取ロール４３２の間において、ワイヤ４３０に接着剤Ｇの溶剤を供給する、洗浄部としての溶剤ノズル４６０が設けられていてもよい。かかる場合、接着剤Ｇを挿通した後であって巻取ロール４３２に巻き取られる前のワイヤ４３０に、溶剤ノズル４６０から接着剤Ｇの溶剤が供給される。そうすると、ワイヤ４３０に付着した接着剤Ｇが除去され、ワイヤ４３０が洗浄される。なお、溶剤ノズル４６０に代えて、接着剤Ｇの溶剤を貯留し、ワイヤ４３０を浸漬させて接着剤Ｇを除去する溶剤槽（図示せず）を設けてもよい。
【０１５１】
また、例えば図３３に示すように、重合ウェハＴと巻取ロール４３２の間において、ワイヤ４３０に接触する洗浄部としてのブラシ４７０が設けられていてもよい。かかる場合、接着剤Ｇを挿通した後であって巻取ロール４３２に巻き取られる前のワイヤ４３０に、ブラシ４７０が接触する。そうすると、ワイヤ４３０に付着した接着剤Ｇが除去され、ワイヤ４３０が洗浄される。
【０１５２】
溶剤ノズル４６０又はブラシ４７０を設けるいずれの場合においても、巻取ロール４３２に巻き取られる前のワイヤ４３０を洗浄することができるので、巻取ロール４３２のワイヤ４３０を再利用することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理にかかるコストを低廉化することができる。なお、剥離装置３０には、上述した溶剤ノズル４６０とブラシ４７０が共に設けられていてもよい。
【０１５３】
以上の実施の形態では、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇを切断する際にワイヤ４３０を用いていたが、ワイヤ４３０に代えて、例えばレーザ光を用いてもよい。
【０１５４】
剥離装置３０には、図３４及び図３５に示すようにレーザ光照射部４８０が設けられている。レーザ光照射部４８０は、内部にレンズやミラーを内蔵し、これらを用いて集光したレーザ光４８１を照射することができる。レーザ光４８１は、接着剤Ｇの厚み、例えば１０００μｍより小さい径、例えば３００μｍを有している。また、レーザ光照射部４８０は、移動機構（図示せず）によって、第２の保持部１１１の進行方向に直交する方向に移動可能に構成されている。そして、レーザ光照射部４８０から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇに照射されたレーザ光４８１は、被処理ウェハＷ及び支持ウェハＳの面方向に接着剤Ｇを挿通して当該接着剤Ｇを切ることができる。
【０１５５】
かかる場合、レーザ光照射部４８０を第２の保持部１１１の進行方向に直交する方向に移動させながら、当該レーザ光照射部４８０からレーザ光４８１を接着剤Ｇに照射して挿通させる。そうすると、レーザ光４８１によって接着剤Ｇが切断される。また、このようにレーザ光４８１によって接着剤Ｇを切断する際、移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【０１５６】
本実施の形態によっても、ワイヤ４３０を設けた場合と同様に、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、支持ウェハＳ側の接着剤Ｇが軟化すると共に、レーザ光４８１よって接着剤Ｇが切断されるので、第２の保持部１１１をより小さい荷重で容易に移動させることができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳをさらに適切且つ均一に剥離することができ、剥離処理に要する時間をさらに短縮することができる。
【０１５７】
次に、剥離装置３０の別の実施の形態について説明する。剥離装置３０は、図３６に示すように、内部を密閉可能な処理容器５００を有している。処理容器５００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【０１５８】
処理容器５００の底面には、当該処理容器５００の内部の雰囲気を排気する排気口５０１が形成されている。排気口５０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置５０２に連通する排気管５０３が接続されている。
【０１５９】
処理容器５００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部５１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部５１１とが設けられている。第１の保持部５１０は、第２の保持部５１１の上方に設けられ、第２の保持部５１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
【０１６０】
第１の保持部５１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部５１０は、平板状の本体部５２０を有している。本体部５２０の下面側には、多孔質体であるポーラス５２１が設けられている。ポーラス５２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス５２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
【０１６１】
また、本体部５２０の内部であってポーラス５２１の上方には吸引空間５２２が形成されている。吸引空間５２２は、例えばポーラス５２１を覆うように形成されている。吸引空間５２２には、吸引管５２３が接続されている。吸引管５２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管５２３から吸引空間５２２とポーラス５２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部５１０に吸着保持される。
【０１６２】
第１の保持部５１０の上面には、当該第１の保持部５１０を支持する支持板５３０が設けられている。支持板５３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板５３０を省略し、第１の保持部５１０は処理容器５００の天井面に当接して支持されてもよい。
【０１６３】
第２の保持部５１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管５４０が設けられている。吸引管５４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
【０１６４】
第２の保持部５１１の下方には、第２の保持部５１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構５５０が設けられている。移動機構５５０は、第２の保持部５１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部５５１と、第２の保持部５１１を水平方向に移動させる水平移動部５５２とを有している。水平移動部５５２は、駆動部（図示せず）によって、水平方向に移動可能に構成されている。
【０１６５】
鉛直移動部５５１は、第２の保持部５１１の下面を支持する支持板５６０と、支持板５６０を昇降させて第１の保持部５１０と第２の保持部５１１を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部５６１と、支持板５６０を支持する支持部材５６２とを有している。駆動部５６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材５６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と水平移動部５５２との間に例えば３箇所に設けられている。
【０１６６】
処理容器５００の内部には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇを切るワイヤ５７０が設けられていてもよい。ワイヤ５７０は、接着剤Ｇの厚み、例えば１０００μｍより小さい径、例えば３００μｍを有している。また、ワイヤ５７０には、金属製のワイヤ、例えばピアノ線が用いられる。そして、ワイヤ５７０は、被処理ウェハＷ及び支持ウェハＳの面方向に接着剤Ｇを挿通して当該接着剤Ｇを切ることができる。
【０１６７】
第１の保持部５１０と第２の保持部５１１の外側には、ワイヤ５７０を送り出す送出部としての送出ロール５７１と、接着剤Ｇを挿通したワイヤ５７０を巻き取る巻取部としての巻取部５７２とが設けられている。送出ロール５７１と巻取ロール５７２は、図３７に示すように移動機構（図示せず）によって、それぞれワイヤ５７０の延伸方向に直交する方向に移動可能に構成されている。
【０１６８】
なお、第２の保持部５１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部５１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部５１１の上面から突出可能になっている。
【０１６９】
かかる場合、工程Ａ１において、剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部５１１に吸着保持される。その後、移動機構５５０により第２の保持部５１１を上昇させて、第１の保持部５１０と第２の保持部５１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部５１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部５１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。また、このとき、ワイヤ５７０、送出ロール５７１及び巻取ロール５７２は、それぞれ被処理ウェハＷと支持ウェハＳの外側に待機している。
【０１７０】
その後、図３８に示すように送出ロール５７１と巻取ロール５７２の間でワイヤ５７０を一方向に移動させながら、当該送出ロール５７１と巻取ロール５７２を被処理ウェハＷと支持ウェハＳ側に移動させ、ワイヤ５７０を接着剤Ｇに挿通させる。そうすると、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇが切断される。
【０１７１】
その後、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇが切断されると、図３９に示すように移動機構５５０によって第２の保持部５１１と支持ウェハＳを鉛直下方に移動させる。そして、第１の保持部５１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部５１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される。
【０１７２】
なお、その他の工程Ａ２〜Ａ１１については、上記実施の形態の工程Ａ２〜Ａ１１と同様であるので説明を省略する。
【０１７３】
本実施の形態によれば、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇを切断した後、第２の保持部５１１を鉛直下方に移動させ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離することができる。このため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを極めて小さい荷重で容易に剥離することができる。したがって、被処理ウェハＷが損傷を受けるのを抑制し、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。しかも、被処理ウェハＷを加熱していないので、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが酸化するのを防止することができる。また、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたデバイスが損傷を受けるのを抑制することもできる。以上より本実施の形態によれば、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理を適切且つ効率よく行うことができる。
【０１７４】
なお、以上の実施の形態では、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇを切断した後、第２の保持部５１１を鉛直下方に移動させたが、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇを切断しながら、第２の保持部５１１を鉛直下方に移動させてもよい。かかる場合でも、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを小さい荷重で容易に剥離することができる。
【０１７５】
以上の実施の形態では、ワイヤ５７０、送出ロール５７１及び巻取ロール５７２は、それぞれ１つずつ設けられていたが、複数設けられてもよい。例えば図４０に示すように、ワイヤ５７０、送出ロール５７１及び巻取ロール５７２は、２つずつ設けられていてもよい。かかる場合、ワイヤ５７０による接着剤Ｇの切断をより迅速に行うことができ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理に要する時間をさらに短縮することができる。
【０１７６】
また、以上の実施の形態では、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇを切断していたが、ワイヤ５７０によって接着剤Ｇに切れ目を形成してもよい。そして、接着剤Ｇに切れ目が形成された状態で、第２の保持部５１１を鉛直下方に移動させる。かかる場合でも、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを小さい荷重で容易に剥離することができる。
【０１７７】
以上の実施の形態のワイヤ５７０に対して、図３０に示した溶剤ノズル４４０を設けてもよい。かかる場合、送出ロール５７１から送出されて接着剤Ｇを挿通する前のワイヤ５７０に対して、溶剤ノズル４４０から接着剤Ｇの溶剤を供給する。そして、ワイヤ５７０に接着剤Ｇの溶剤が付着しているので、ワイヤ４３０による接着剤Ｇの切断をより容易に行うことができる。
【０１７８】
また、以上の実施の形態のワイヤ５７０に対して、図３１に示した加熱部４５０を設けてもよい。加熱部４５０には、例えばワイヤ５７０に電流を流して当該ワイヤ５７０を加熱するものを用いてもよいし、例えばヒータを用いてもよい。そして、送出ロール５７１から送出されたワイヤ５７０は、加熱部４５０によって所定の温度に加熱される。そうすると、ワイヤ５７０による接着剤Ｇの切断をより容易に行うことができる。なお、加熱部４５０の熱によって被処理ウェハＷが加熱されるのを防止するため、被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０に温度調節機構（図示せず）を設けてもよい。この温度調節機構には、上記実施の形態における温度調節機構１２４と同様のものを用いてもよい。
【０１７９】
なお、剥離装置３０には、上述した溶剤ノズル４４０と加熱部４５０が共に設けられていてもよい。
【０１８０】
また、以上の実施の形態のワイヤ５７０に対して、図３２に示した溶剤ノズル４６０を設けてもよい。かかる場合、接着剤Ｇを挿通した後であって巻取ロール５７２に巻き取られる前のワイヤ５７０に対して、溶剤ノズル４６０から接着剤Ｇの溶剤が供給される。そうすると、ワイヤ５７０に付着した接着剤Ｇが除去され、ワイヤ５７０が洗浄される。
【０１８１】
また、以上の実施の形態のワイヤ５７０に対して、図３３に示したブラシ４７０を設けてもよい。かかる場合、接着剤Ｇを挿通した後であって巻取ロール５７２に巻き取られる前のワイヤ５７０に、ブラシ４７０が接触する。そうすると、ワイヤ５７０に付着した接着剤Ｇが除去され、ワイヤ５７０が洗浄される。
【０１８２】
いずれの場合においても、巻取ロール５７２に巻き取られる前のワイヤ５７０を洗浄することができるので、巻取ロール５７２のワイヤ５７０を再利用することができる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理にかかるコストを低廉化することができる。なお、剥離装置３０には、上述した溶剤ノズル４６０とブラシ４７０が共に設けられていてもよい。
【０１８３】
以上の実施の形態のワイヤ５７０に代えて、図３４及び図３５に示したレーザ光照射部４８０を用いてもよい。レーザ光照射部４８０から照射されるレーザ光４８１は、接着剤Ｇの厚み、例えば１０００μｍより小さい径、例えば３００μｍを有している。また、レーザ光照射部４８０は、移動機構（図示せず）によって、第２の保持部５１１の進行方向に直交する方向に移動可能に構成されている。そして、レーザ光照射部４８０から被処理ウェハＷと支持ウェハＳの間の接着剤Ｇに照射されたレーザ光４８１は、被処理ウェハＷ及び支持ウェハＳの面方向に接着剤Ｇを挿通して当該接着剤Ｇを切ることができる。
【０１８４】
かかる場合においても、ワイヤ５７０を設けた場合と同様に、レーザ光照射部４８０から照射されたレーザ光４８１によって接着剤Ｇを切断した後、第２の保持部５１１を鉛直下方に移動させ、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離することができる。このため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを極めて小さい荷重で容易に剥離することができる。したがって、被処理ウェハＷが損傷を受けるのを抑制し、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを適切且つ均一に剥離することができる。さらに、従来よりも剥離処理に要する時間を短縮することもできる。
【０１８５】
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１の洗浄液ノズル２０２には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２０２の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２０２として、有機溶剤を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
【０１８６】
また、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１３において、洗浄液ノズル２０２に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２０２からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
【０１８７】
また、検査装置７の構成は上記実施の形態の構成に限定されない。検査装置７は、被処理ウェハＷの画像を撮像して、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査できれば、種々の構成を取り得る。
【０１８８】
以上の実施の形態の重合ウェハＴには、当該重合ウェハＴの損傷を抑制するための保護部材、例えばダイシングフレーム（図示せず）が設けられていてもよい。ダイシングフレームは、被処理ウェハＷ側に設けられている。そして、被処理ウェハＷが支持ウェハＳから剥離された後も、薄型化された被処理ウェハＷはダイシングフレームに保護された状態で、所定の処理や搬送が行われる。したがって、剥離後の被処理ウェハＷの損傷を抑制することができる。
【０１８９】
以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
【０１９０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【符号の説明】
【０１９１】
１    剥離システム
２    搬入出ステーション
３    処理ステーション
２０  第１の搬送装置
３０  剥離装置
３１  第１の洗浄装置
３２  第２の搬送装置
１１０  第１の保持部
１１１  第２の保持部
１２４  温度調節機構
１４１  加熱機構
１５０  移動機構
１５１  鉛直移動部
１５２  水平移動部
３５０  制御部
４００  移動機構
４０１  第１の鉛直移動部
４０２  第２の鉛直移動部
４０３  水平移動部
４３０  ワイヤ
４３１  送出ロール
４３２  巻取ロール
４４０  溶剤ノズル
４５０  加熱部
４６０  溶剤ノズル
４７０  ブラシ
４８０  レーザ光照射部
４８１  レーザ光
Ｇ    接着剤
Ｓ    支持ウェハ
Ｔ    重合ウェハ
Ｗ    被処理ウェハ
【図１】
0005580806.tif 000002
【図２】
0005580806.tif 000003
【図３】
0005580806.tif 000004
【図４】
0005580806.tif 000005
【図５】
0005580806.tif 000006
【図６】
0005580806.tif 000007
【図７】
0005580806.tif 000008
【図８】
0005580806.tif 000009
【図９】
0005580806.tif 000010
【図１０】
0005580806.tif 000011
【図１１】
0005580806.tif 000012
【図１２】
0005580806.tif 000013
【図１３】
0005580806.tif 000014
【図１４】
0005580806.tif 000015
【図１５】
0005580806.tif 000016
【図１６】
0005580806.tif 000017
【図１７】
0005580806.tif 000018
【図１８】
0005580806.tif 000019
【図１９】
0005580806.tif 000020
【図２０】
0005580806.tif 000021
【図２１】
0005580806.tif 000022
【図２２】
0005580806.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
0005580806.tif 000031
【図３１】
0005580806.tif 000032
【図３２】
0005580806.tif 000033
【図３３】
0005580806.tif 000034
【図３４】
0005580806.tif 000035
【図３５】
0005580806.tif 000036
【図３６】
0005580806.tif 000037
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
0005580806.tif 000040
【図４０】
0005580806.tif 000041