【事件の表示】
　特願２０１５−　６１００７「高圧急速熱処理のための装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日出願公開、特開２０１５−１７３２６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年（２００９年）５月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年５月９日，アメリカ合衆国，２００９年５月７日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２０１１−５０８７０６号の一部を，平成２７年（２０１５年）３月２４日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　４月２１日　審査請求
平成２８年　５月３０日　特許法第５０条の２の通知を伴う拒絶理由通知
平成２８年　９月　５日　意見書・手続補正
平成２９年　２日２８日　拒絶査定・平成２８年９月５日付けの補正の却下の決定
平成２９年　７月　５日　審判請求・手続補正
　
第２　審判請求と同時にした手続補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２９年７月５日に審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正により，本件補正前の請求項１０は，本件補正後の請求項１０へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１０の記載は次のとおりである。
「【請求項１０】
　急速熱処理チャンバーであって，
　チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と，
　前記チャンバー内で熱的に処理される基板を支持するための基板支持部と，
　前記基板を加熱するために構成される第１の熱源と，
　前記チャンバー内の圧力を２絶対気圧を上回るように制御するための圧力制御弁と
を含むチャンバー。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１０の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。以下，同じ。）
「急速熱処理チャンバーであって，
　チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と，
　前記
急速熱処理
　前記基板を加熱するために構成される第１の熱源と，
　前記
急速熱処理
から５．０絶対気圧の範囲の圧力
を含み，
　
前記第１の熱源としてのランプヘッドアセンブリが，前記急速熱処理チャンバー中の最大で５絶対気圧の増加した圧力のもとで，０．２５ｍｍを上回る量での軸方向の変形を防止する剛性を有する，急速熱処理
２　補正の適否
　本件補正は，補正前の請求項１０に記載した発明を特定するために必要な事項である「チャンバー」について「急速熱処理チャンバー」であることを明確にし，当該「急速熱処理チャンバー」内の圧力について「５．０絶対気圧の範囲の圧力」という上限を付加し，さらに「第１の熱源」について「第１の熱源としてのランプヘッドアセンブリが，前記急速熱処理チャンバー中の最大で５絶対気圧の増加した圧力のもとで，０．２５ｍｍを上回る量での軸方向の変形を防止する剛性を有する」という限定を付加したものである。
　「急速熱処理チャンバー」内の圧力については，本願の外国語書面の翻訳文の段落【００２２】に記載された事項，「第１の熱源としてのランプヘッドアセンブリ」については，本願の外国語書面の翻訳文の段落【００３１】に記載された事項，に基づいて技術的事項を追加したものであり，本願の外国語書面の翻訳文に記載された事項の範囲内においてされたものであって，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正事項は，補正前の請求項１０に記載された発明と補正後の請求項１０に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であり，本件補正前の請求項１０に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１０に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１０に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
　「【請求項１０】急速熱処理チャンバーであって，
　チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と，
　前記
急速熱処理
　前記基板を加熱するために構成される第１の熱源と，
　前記
急速熱処理
から５．０絶対気圧の範囲の圧力
を含み，
　
前記第１の熱源としてのランプヘッドアセンブリが，前記急速熱処理チャンバー中の最大で５絶対気圧の増加した圧力のもとで，０．２５ｍｍを上回る量での軸方向の変形を防止する剛性を有する，急速熱処理
（２）引用文献および引用発明
　ア　引用文献の記載事項　
　
　原査定の拒絶の理由で引用された国際公開第２００６／０８７７７７号（以下，「引用文献」という。）には，図面と共に，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
（ア）「【００１３】
　また，本発明に係る
加圧式ランプアニール装置
前記透明部材の厚さｔは，アニール処理を行う際の前記処理室内の設計圧力をＰ（単位：Ｐａ）とし，前記処理室内から前記透明部材が圧力を受ける面の面積をＡ（単位：ｍｍ
２
）とし，前記透明部材の曲げ応力をσb（単位：Ｎ／ｍｍ
２
）としたときに下記式を満たすものであることを特徴とする加圧式ランプアニール装置。
　
１０（ＰＡ／σb）
１／２
≦ｔ≦７５（ＰＡ／σb）
１／２
【００１４】
　また，本発明に係る加圧式ランプアニール装置において，
前記保持部に保持される被処理基板の表面と略垂直方向の前記処理室の長さが５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることが好ましい。このように処理室の長さを５ｍｍ以上１００ｍｍ以下と短くすることにより，処理室内に配置された被処理基板とランプヒータとの間の距離を短くでき，それによって昇温レートを上げることができる。
（イ）「【００２０】
　図１に示すように，
加圧式ランプアニール装置はＡｌ製のチャンバー１
チャンバー１の肉厚は従来の減圧式ランプアニール装置に比べて厚く形成されている。
　尚，本実施の形態では，前記表面処理としてＡｕメッキ処理又はシュウ酸アルマイト処理を用いているが，本発明はこれに限定されるものではなく，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｔｉからなる群から選択された一の金属を主成分としたコーティング膜を用いることも可能である。
【００２１】
　
チャンバー１内には被処理基板としてのウエハ２を載置する載置台３が設けられている。載置台３はランプ光が透過する材料，例えば石英で形成されている。載置台３の上方には石英ガラス４が配置されている。この石英ガラス４は，略円柱部４ａとその上部の周囲に形成された鍔部４ｂから構成されている。石英ガラスの略円柱部４ａは，チャンバー内が加圧されるために従来の減圧式ランプアニール装置に比べて厚く形成されている。
【００２２】
　
石英ガラスの略円柱部４ａの厚さの決定方法について説明する。
　
設計圧力（例えば使用圧力×１．２倍）をＰ（単位：Ｐａ）とし，圧力を受ける面の面積をＡ（単位：ｍｍ
２
）とし，石英ガラスの曲げ応力をσb（単位：Ｎ／ｍｍ
２
）とした場合の石英ガラスの厚さｔは，下記式（１）を満たすことが好ましい。
　
１０（ＰＡ／σb）１／２≦ｔ≦７５（ＰＡ／σb）１／２・・・（１）
【００２３】
　
石英ガラス４の上にはランプヒータ５が配置されており，このランプヒータ５は金属製の筐体６の内部に配置されている。
（ウ）「【００２６】
　チャンバー１内に形成される処理室５５は狭い方が好ましい。その理由は，所定の圧力まで加圧するのに必要な時間を短くすることができるからである。また，
処理室５５内の高さ１１は低い方が好ましい。その理由は，処理室５５内に配置されたウエハ２とランプヒータ５との間の距離を短くでき，それによって昇温レートを上げることができるからである。
（エ）「【００３１】
　また，
チャンバー１内の処理室５５は圧力調整ラインに接続されている。この圧力調整ライン及び前記加圧ライン１２によってチャンバー１内の処理室を所定の圧力（例えば１ＭＰａ未満）に加圧できるようになっている。前記圧力調整ラインは可変バルブ３９を備えており
（オ）「【００４２】
　図３及び図４に示すゲートバルブ４９の開口部を開き，搬送ロボット５３により
前記シリコンウエハを処理室５５内に導入
圧力調整ラインの可変バルブ３９
処理室５５内は１ＭＰａ未満の所定の圧力まで加圧され，その圧力で維持される。
【００４３】
　次に，
ランプヒータ５から石英ガラス４を通してランプ光をシリコンウエハに照射する
（中略）
【００４７】
　次に，上記加圧式ランプアニール装置によるランプアニール処理実験及びその結果について説明する。
　図６は，上記加圧式ランプアニール装置によってランプアニール処理を施すウエハ２を示す平面図である。参照符号６２〜６５は，ウエハ２にランプアニール処理を施した際にウエハ２の表面上の温度を測定した位置を示すものである。ウエハ２の直径は１５０ｍｍであり，測定位置６２と測定位置６５との間の距離は１４０ｍｍである。
【００４８】
　図７は，６００℃の温度，酸素ガスによって
０．９ＭＰａの圧力
　図７によれば，ヒーターを予備加熱する為にオンした際の測定位置６３の温度が４１．０℃であり，ＲＴＡ（実プロセス）を行う為にヒーターをオンした際の測定位置６３の温度が８６．９℃であり，
実プロセスの昇温レートが１０７℃／秒
【００４９】
　図８は，７００℃の温度，酸素ガスによって
０．９ＭＰａの圧力
　図８によれば，ヒーターを予備加熱する為にオンした際の測定位置６３の温度が９９．５℃であり，ＲＴＡ（実プロセス）を行う為にヒーターをオンした際の測定位置６３の温度が１４４．５℃であり，
実プロセスの昇温レートが１１０．１℃／秒
【００５０】
　図９は，９００℃の温度，酸素ガスによって
０．９ＭＰａの圧力
　図９によれば，ヒーターを予備加熱する為にオンした際の測定位置６３の温度が４９．２℃であり，ＲＴＡ（実プロセス）を行う為にヒーターをオンした際の測定位置６３の温度が９０．３℃であり，
実プロセスの昇温レートが１５８．５℃／秒
（カ）図１には，以下のものが記載されているものと認められる。
　「加圧式ランプアニール装置のチャンバー１であって，
　処理室５５と，
　処理室５５内で熱的に処理されるウエハ２を載置する載置台３と，
　ウエハ２を加熱するためのランプヒータ５と，
　処理室を所定の圧力（例えば１ＭＰａ未満）に加圧できる圧力調整ライン　の可変バルブ３９と，
　処理室を１ＭＰａ未満に加圧できる圧力調整ラインの可変バルブ３９と，
　石英ガラス４の上にはランプヒータ５が配置され，このランプヒータ５は金属製の筐体６の内部に配置されているチャンバ−１。」
　さらに，図１には，チャンバー１の石英ガラス４の側面に接する壁を石英ガラス４の厚みと等しい厚みとすることが記載されている。
イ　引用発明
　前記ア（ア）ないし（カ）の記載から，引用文献には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「加圧式ランプアニール装置のチャンバー１であって，
　処理室５５と，
　処理室５５内で熱的に処理されるウエハ２を載置する載置台３と，
　ウエハ２を加熱するためのランプヒータ５と，
　処理室５５を１ＭＰａ未満に加圧できる圧力調整ラインの可変バルブ３９と，
　石英ガラス４の上にはランプヒータ５が配置され，このランプヒータ５は金属製の筐体６の内部に配置されているチャンバ−１。」
（３）本願補正発明と引用発明の対比
　ア　引用発明の「加圧式ランプアニール装置のチャンバー１」は，「ランプアニール」は「急速熱処理」装置の一種であるから，本願補正発明の「急速熱処理チャンバー」に相当する。
　イ　引用発明の「処理室５５」は，処理する空間を意味するので，本願補正発明の「チャンバー容積部を規定するチャンバー本体」に相当する。
　ウ　引用発明の「ウエハ２」は，本願補正発明の「基板」に相当するので，引用発明の「処理室５５内で熱的に処理されるウエハ２を載置する載置台３」は，本願補正発明の「急速熱処理チャンバー内で熱的に処理される基板を支持するための基板支持部」に相当する。
　エ　引用発明の「ウエハ２を加熱するためのランプヒータ５」は，熱源として機能するから，本願補正発明の「基板を加熱するための第１の熱源」に相当する。
　オ　引用発明の「処理室５５内を加圧する際の圧力調整ラインの可変バルブ３９」は，下記相違点１の点を除き，本願補正発明の「急速熱処理チャンバー内の圧力を」「制御するための圧力制御弁」に相当する。
　カ　引用発明の「石英ガラス４の上にはランプヒータ５が配置され，このランプヒータ５は金属製の筐体６の内部に配置されている」構成は，熱源を含む構成要素なので，本願補正発明と下記相違点２の点を除き，「第１の熱源のとしてのランプヘッドアセンブリ」に相当する。
　そうすると，本願補正発明と引用発明とは，下記キの点で一致するが，下記クの点で相違すると認められる。
　キ　一致点
　「急速熱処理チャンバーであって，
　チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と，
　前記急速熱処理チャンバー内で熱的に処理される基板を支持するための基板支持部と，
　前記基板を加熱するために構成される第１の熱源と，
　前記急速熱処理チャンバー内の圧力を制御するための圧力制御弁と
を含み，
　前記第１の熱源としてのランプヘッドアセンブリを有する，急速熱処理チャンバー。」
　ク　相違点　
　相違点１
　本願補正発明では　圧力制御弁は２絶対気圧から５．０絶対気圧の範囲の圧力に制御するのに対して，引用発明では，可変バルブは１ＭＰａ未満に加圧できるという点。
　相違点２
　本願補正発明では，ランプヘッドアセンブリは，前記急速熱処理チャンバー中の最大で５絶対気圧の増加した圧力のもとで，０．２５ｍｍを上回る量での軸方向の変形を防止する剛性を有するのに対して，引用発明では，ランプヘッドアセンブリに相当する構成について剛性の数値限定は明示していない点。
（４）相違点についての判断
　相違点１について
　引用発明における可変バルブが調製できる範囲は，１ＭＰａ未満であり，基板処理装置において通常用いられている絶対圧を意味するものと解して絶対気圧に換算すると１ＭＰａ＝９．８６９絶対気圧未満となる。すなわち，引用発明における圧力制御範囲は，本願補正発明の圧力制御範囲を含んでいる。引用発明に開示された圧力制御範囲内において，その範囲内に圧力制御範囲を設定することは，圧力制御という観点ではより緩やかな条件の範囲設定であるから，当業者にとって設計的事項と認められる。
　
　相違点２について
　引用発明において，ランプヘッドセンブリに対応する構成要素のうち，最も圧力を受けることが予想されるのは，石英ガラス４である。この石英ガラス４に対して，前記（２）アの段落【００２１】には，「石英ガラスの略円柱部４ａは，チャンバー内が加圧されるために従来の減圧式ランプアニール装置に比べて厚く形成されている。」と記載されており，加圧による変形に対する配慮が読み取れる。また，その厚み決定にあたって，前記（２）アの段落【００２２】には，「設計圧力（例えば使用圧力×１．２倍）をＰ（単位：Ｐａ）とし，圧力を受ける面の面積をＡ（単位：ｍｍ２）とし，石英ガラスの曲げ応力をσb（単位：Ｎ／ｍｍ２）とした場合の石英ガラスの厚さｔは，下記式（１）を満たすことが好ましい。
  １０（ＰＡ／σb）１／２≦ｔ≦７５（ＰＡ／σb）１／２・・・（１）」と記載され，石英ガラスの「曲げ」という変形を所定の範囲に押さえるための石英ガラスの厚みとすることが開示されている。
　さらに，前記（２）ア（カ）のとおり，図１には，チャンバの壁の厚みを石英ガラスの厚みと等しくすることが開示されている。
　次に，変形の方向については，チャンバ上部に石英ガラスが置かれていることから，チャンバ側から圧力がかかると石英ガラスが凸上になる形での変形，すなわち垂直「軸方向の変形」が問題となり，これが本願補正発明「軸方向の変形」に対応するものである。
　前記（２）ウの段落【００２６】では，「処理室５５内に配置されたウエハ２とランプヒータ５との間の距離を短くでき，それによって昇温レートを上げることができるからである。」と記載されており，当該軸方向の変形は，同距離を長くしてしまう方向なので，高い昇温レートの達成の観点から，当該軸方向の変形を起こさないことが望ましい事が読み取れる。
　以上の記載から，引用発明においても，ランプヘッドアセンブリに対応する構成要素に対して，高い剛性が求められる事情について明示されている。
　そして，前記（２）オの段落【００４８】〜【００５０】には，０．９ＭＰａの圧力下で利用した実験結果が開示されており，この範囲の圧力において，１００℃／秒を越える高速な昇温レートが達成されており，この結果から，圧力下において軸方向の変形を起こしていないことが推察される。
　また，本願補正発明の「５絶対気圧の増加した圧力のもとで，０．２５ｍｍを上回る量での軸方向の変形」について，その前後でどのようにチャンバーに対する影響を与えるのか，その効果について明細書には記載が無く，当該数値範囲の臨界的意義は見いだせない。
　以上の事情を総合すると，引用発明において，ランプヘッドアセンブリに対応する構成要素の軸方向の変形に対する剛性の数値範囲について，本願補正発明における範囲とすることは，加圧下に求められる構成要素の剛性に配慮して，当業者であれば通常設定し得る範囲の数値限定に過ぎず，当業者が容易に設定し得たものと認められる。
（５）まとめ
　よって，本願補正発明は，引用文献に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　３　本件補正についてのむすび　
　以上の検討から，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反してなされたものであるから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成２９年７月５日付けでされた手続補正は，上記のとおり却下され，平成２８年９月５日付けでされた手続補正は，平成２９年２月２８日付けで却下の決定をしているので，本願の請求項１０に係る発明は，外国語書面の翻訳文に記載された特許請求の範囲の請求項１０に記載された次のとおりのものと認める（以下，「本願発明」という。）。
「【請求項１０】
　急速熱処理チャンバーであって，
　チャンバー容積部を規定するチャンバー本体と，
　前記チャンバー内で熱的に処理される基板を支持するための基板支持部と，
　前記基板を加熱するために構成される第１の熱源と，
　前記チャンバー内の圧力を２絶対気圧を上回るように制御するための圧力制御弁とを含むチャンバー。」
　２　現査定の拒絶の理由
　現査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１０に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない，また，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献：国際公開第２００６／０８７７７７号
　３　新規性
（１）引用文献の記載
　引用文献の記載事項は，前記第２の［理由］の２（２）に記載したとおりである。
（２）対比・判断
　ア　引用発明の「加圧式ランプアニール装置のチャンバー１」は，「ランプアニール」は「急速熱処理」装置の一種であるから，本願発明の「急速熱処理チャンバー」に相当する。
　イ　引用発明の「処理室５５」は，処理する空間を意味するので，本願発明の「チャンバー容積部を規定するチャンバー本体」に相当する。
　ウ　引用発明の「ウエハ２」は，本願発明の「基板」に相当するので，引用発明の「処理室５５内で熱的に処理されるウエハ２を載置する載置台３」は，本願発明の「急速熱処理チャンバー内で熱的に処理される基板を支持するための基板支持部」に相当する。
　エ　引用発明の「ウエハ２を加熱するためのランプヒータ５」は，熱源として機能しているから，本願補正発明の「基板を加熱するための第１の熱源
」に相当する。
　オ　引用発明の「１ＭＰａ未満に加圧できる圧力調整ラインの可変バルブ３９」は，当該加圧範囲を絶対気圧換算（１Ｍｐａ＝９．８６９絶対気圧）すると，９．８６９気圧未満となる。この範囲は，本願発明の「約２絶対気圧を上回るように制御する」という加圧範囲と重なるため，引用発明の「処理室５５内を１ＭＰａ未満に加圧できる圧力調整ラインの可変バルブ３９」は，本願補正発明の「前記チャンバー内の圧力を２絶対気圧を上回るように制御するための圧力制御弁」に相当する。
　したがって，前記アないしオの検討から，本願発明は，引用文献に記載された発明である。
　４　進歩性
　本願発明と引用文献に仮に相違点があったとしても，その相違点については構造上の微差に過ぎず，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない，又は特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。