(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成されるガラス質絶縁層とを有し、前記ガラス質絶縁層は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２を６５〜８４％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１０％、Ｂ２Ｏ３を０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜１５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２０％、ＺｒＯ２を０〜２％含有するガラスを含むことを特徴とする発光素子搭載用基板。
【請求項２】
前記ガラス質絶縁層に含まれるガラスが転移点４６０〜７８０℃、軟化点７００〜９００℃、結晶化点９００℃以上の熱特性をもつガラスである請求項１に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項３】
前記ガラス質絶縁層は、ＺｎＯの含有量が０〜５％であり、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯから選ばれる少なくとも１種または／およびＺｎＯを含有する請求項１または２に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記軟化点が７２３℃以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記ガラス質絶縁層が前記ガラス以外にセラミックスフィラーを含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項６】
前記基板本体上に前記発光素子用の端子部が形成され、この端子部を除く領域に前記絶縁層が形成されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項７】
前記基板本体が凹部を有し、この凹部の底面を発光素子搭載面とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに１項に記載の発光素子搭載用基板の前記ガラス質絶縁層上に発光素子が搭載され、前記発光素子を被覆する蛍光体層を有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置に係り、特に反射率の低下を防止できる発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード素子（発光素子）の高輝度、白色化に伴い、照明、各種ディスプレイ、大型液晶テレビのバックライト等として発光素子を用いた発光装置が使用されている。発光素子を搭載する発光素子搭載用基板には、一般に素子から発せられる光を効率よく反射する高反射性が求められる。
【０００３】
このため、従来より、発光素子から発光する光を可能な限り前方に反射させることを目的として、基板表面に反射層を施す試みがされている。このような反射層としては、高い反射率を有する銀反射層がある。
【０００４】
しかし、銀は腐食しやすく、放置すると表面にＡｇ２Ｓなどの化合物が生成して光反射率が低下しやすい。その対策として、銀の表面をシリコーン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの樹脂でコートする方法が提案されている（特許文献１参照）。しかし、この方法では樹脂中、あるいは銀導体層と樹脂の界面から水分や腐食性の気体が入り、経時的に銀導体層を腐食させてしまうため、長期信頼性を求められる製品への適用は困難であった。
【０００５】
そこで、銀導体層の腐食を防止するため、銀の表面をガラス層でコートする方法が提案されている（特許文献２参照）。  
一方、セラミックス基板を銀等の導体との同時焼成で効率的に製造する方法として、低温同時焼成セラミック（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）（以下、ＬＴＣＣという。）が知られている。このＬＴＣＣをグリーンシートに成形し、このグリーンシートを複数層積層して焼結したものをセラミックス基板として使用することもある。この場合、グリーンシート上に金属ペーストを塗布しておくことにより、内部配線層を形成することも可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−６７１１６号公報
【特許文献２】特開２００９−２３１４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２には、焼成して製造されたセラミックス（アルミナ）基板上に銀導体ペーストを塗布して銀の配線導体を形成し、さらにこの配線導体上に、ガラスペーストを塗布して焼成することによって銀の表面をガラス層でコートする方法が記載されている。しかし、この特許文献２に開示の方法では、銀導体層とガラス層の形成で焼成工程を繰り返す必要があった。
【０００８】
そこで、本発明者は、ＬＴＣＣを用いて発光素子を載置する基板と、給電のための内部配線層と、前記基板表面に銀等の金属で形成される反射層と、この反射層を腐食から保護するガラス層とを一括して、１回の焼成で形成することを試みた。
【０００９】
しかし、特許文献２に記載されているガラスペーストをＬＴＣＣに用いて同時焼成を行ったところ、基板に大きな変形が生じてしまった。特許文献２に記載されているガラスペースト（旭硝子製、商品名：ＡＰ５７００）は結晶化温度Ｔｃが８８０℃程度であり、通常のＬＴＣＣの焼成温度である８００〜９００℃程度の温度で焼成するとガラス層が結晶化しやすい。表面のガラス層が結晶化すると、焼成工程および焼成後の冷却工程においてセラミック基板部分とガラス層部分の収縮挙動が大きく異なる結果になる。そこで、表面のガラス層が焼成工程で結晶化し、それによって、基板が変形したものと考えている。
【００１０】
本発明は、焼成後に基板が変形せず、かつ導体層を腐食から防ぎ長期信頼性に優れた発光素子搭載用基板の提供を目的とする。また、この発光素子搭載用基板を用いた発光装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、発光素子搭載用基板において、発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成される銀を含む反射層と、この反射層上に形成されるガラス質絶縁層とを有し、前記ガラス質絶縁層は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２を６５〜８４％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１０％、Ｂ２Ｏ３を０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜１５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２０％、ＺｒＯ２を０〜２％含有するガラスで形成されている。また、前記ガラス質絶縁層には、前記ガラス以外にセラミックスフィラーを含有することもできる。
【００１２】
さらに、発光装置としては、上記発光素子搭載用基板と前記基板本体の搭載面に搭載される発光素子とこの発光素子を被覆する蛍光体層を備えるものとした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の発光素子搭載用基板では、ガラス質絶縁層で銀を含む反射層を被覆することによって、反射層の酸化や硫化等の腐食を防止できるので、反射層の反射率の低下も防止できる。また、焼成後の反りも防ぐことができる。
【００１４】
本発明の発光装置によれば、反射層の腐食を長期間防止できるので、長期間反射率の高い状態を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に用いられる基板の断面図の一例である。
【図２】本発明に用いられる基板に発光素子を配置した断面図の一例である。
【図３】本発明の発光装置の断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の発光素子搭載用基板は、発光素子が搭載される搭載面を有する基板本体と、この基板本体の搭載面の一部に形成され、前記発光素子から発せられる光を反射させる銀を含む反射層と、この反射層上に形成されるガラス質絶縁層とを有し、前記ガラス質絶縁層は、酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２を６５〜８４％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１０％、Ｂ２Ｏ３を０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜１５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２０％含有するガラスで形成されている。
【００１７】
基板本体は図１に示すように全体が平板状の部材や、図２に示すように発光素子搭載面が一段下の位置となるように凹部が形成された部材である。基板を構成する材質は、反射層と絶縁層とを焼き付けるため無機材料（アルミナセラミックス、窒化アルミニウムおよびＬＴＣＣ等）が好ましい。特に、ＬＴＣＣの場合には、基板本体、反射層および絶縁層を同時焼成によって形成でき、発光素子搭載用基板を製造するときの工程の負荷を少なくできる。さらに、ＬＴＣＣで複数層積層するものを用いた場合には、給電のための内部配線層をも同時に焼成できる。
【００１８】
反射層には反射率の高さから銀が主として用いられるが、銀パラジウム混合物や銀白金混合物等の金属も使用できる。この銀の焼結と、基板本体の焼結を一括して実施するＬＴＣＣの場合、銀を焼結させるためには銀の融点付近に焼成温度を設定する必要がある。一方、銀の融点（９６２℃）を超えるような温度では、銀が流動しすぎて変形してしまうため、通常は８００〜９００℃で焼成することが好ましい。
【００１９】
ガラス質絶縁層は下層の反射層を腐食（特に、銀の酸化や硫化など）などから保護するための層であり、ガラス層またはガラスとセラミックスフィラーとの混合層（ガラス−セラミックス層）で構成される。ガラスはガラス質絶縁層を緻密にするための成分であり、反射率を低下させないように無色であることが好ましい。なお、本明細書において、単にガラスというときには、非晶質のガラスをいい、結晶質のガラスのときだけ結晶質ガラスとして表記する。
【００２０】
ガラス質絶縁層に含まれる前記ガラスは、反射層を形成する導体（特に、反射率の高い銀で形成されたもの）と同時に焼成できることが好ましい。そして、特に銀導体と同時に焼成したときに、銀と反応せず、変色部やオープンポアなど、欠陥を生じないものが好ましい。すなわち、ＬＴＣＣを用いた場合の基板本体、反射層および絶縁層を同時に焼成する場合、８００〜９００℃の焼成温度範囲で、結晶が析出せず焼結でき、緻密化できるガラスである。
【００２１】
本発明者は種々検討した結果、焼成時にガラスがよく流動して緻密化することと、銀との反応を抑制することを両立できるガラス組成範囲があることを見いだした。
【００２２】
本発明の発光装置において、発光素子としてはＬＥＤ素子があげられる。より具体的には、放射した光で蛍光体を励起して可視光を発光させるものがあり、青色発光タイプのＬＥＤ素子や紫外発光タイプのＬＥＤ素子が例示される。ただし、これらに限定されるものではなく、蛍光体を励起して可視光を発光させることが可能な発光素子であれば、発光装置の用途や目的とする発光色等に応じて種々の発光素子を使用できる。
【００２３】
本発明の発光装置には、発光素子を被覆する蛍光体層（図３参照）が設けられることが好ましい。この蛍光体層は、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂のような透明樹脂中に蛍光体を、混合・分散させたものである。蛍光体は、発光素子から放射された光により励起されて可視光を発光し、この可視光と発光素子から放射される光との混色によって、あるいは蛍光体から発光される可視光または可視光自体の混色によって、発光装置として所望の発光色を得るものである。蛍光体の種類は特に限定されるものではなく、目的とする発光色や発光素子から放射される光等に応じて適宜選択される。
【００２４】
また、蛍光体層は、直接発光素子を覆うように形成された被覆層の上に、別に蛍光体層を設けることも可能である。すなわち、蛍光体層は発光装置の発光素子が形成された側の最上層に形成されることが好ましい。
【００２５】
本発明の発光装置は典型的には基板本体の表面に発光素子を電気的に接続する端子部を有し、当該端子部を除く領域がガラス質絶縁層で覆われているものである。この場合、発光素子の実装は、たとえば、発光素子を基板上にエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で接着（ダイボンド）するとともに、発光素子上面の電極を金線等のボンディングワイヤを介して基板のパッド部に接続する方法、あるいは、ＬＥＤチップの裏面に設けられた半田バンプ、Ａｕバンプ、Ａｕ−Ｓｎ共晶バンプ等のバンプ電極を、基板のリード端子やパッド部にフリップチップ接続する方法などにより行われる。
【００２６】
前記基板本体は反射層とそれを保護するガラス質絶縁層を設けることができれば特に限定されないが、以下では基板本体がＬＴＣＣ基板である場合について説明する。
【００２７】
ＬＴＣＣ基板はガラス粉末とアルミナ粉末等のセラミックスフィラーとの混合物を焼成して製造される基板であり、銀導体と同時に焼成して製造することが可能な基板である。
【００２８】
ＬＴＣＣ基板に使用するガラス粉末とアルミナ粉末等のセラミックスフィラーは通常グリーンシート化して使用される。たとえば、まずガラス粉末とアルミナ粉末等をポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合する。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート等のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラリーをシート状に成形する。最後に、このシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートとする。これらグリーンシートには必要に応じて、銀ペーストを用いてスクリーン印刷等によって配線パターンやビアなどが形成される。
【００２９】
ＬＴＣＣ基板を構成するガラス組成は、たとえばモル％表示で、ＳｉＯ２が６０．４％、Ｂ２Ｏ３が１５．６％、Ａｌ２Ｏ３が６％、ＣａＯが１５％、Ｋ２Ｏが１％、Ｎａ２Ｏが２％である。
【００３０】
ＬＴＣＣ基板の製造に用いられるガラス粉末は、溶融法によって得られたガラスを粉砕して製造される。粉砕の方法は本発明の目的を損なわないものであれば限定されず、乾式粉砕でもよいし湿式粉砕でもよい。湿式粉砕の場合には、溶媒として水を用いることが好ましい。また粉砕にはロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕機を適宜用いることができる。ガラスは粉砕後、必要に応じて乾燥され、分級される。
【００３１】
セラミックスフィラーの一例としてアルミナ粉末があげられる。アルミナ粉末の粒度や形状などは特に限定されない。典型的には平均粒径Ｄ５０が１〜５μｍ程度のものが用いられる。たとえば昭和電工社製のＡＬ−４５Ｈが挙げられる。
ガラス粉末とアルミナ粉末の配合比率は典型的にはガラス粉末４０質量％、アルミナ粉末６０質量％である。なお、本明細書において５０％粒径（Ｄ５０）は、レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置を用いて測定したものをいう。
【００３２】
前記グリーンシートは、焼成後必要に応じて所望の形状に加工されて基板とされる。この場合、被焼成体は１枚または複数枚のグリーンシートを重ねたものである。前記焼成は典型的には８５０〜９００℃に２０〜６０分間保持して行われる。より典型的な焼成温度は８６０〜８８０℃である。
【００３３】
なお、反射層を同時に形成する場合、グリーンシートの焼成温度の上限である９００℃で焼結できるが、９００℃超では焼成時に銀または銀含有導体が軟化し、導体パターンやビアの形状が保持できなくなるおそれがある。好ましくは８８０℃以下である。より好ましくは８７０℃以下である。
基板表面に形成される銀を含む反射層は、反射率の観点から他の無機成分を含有しないことが好ましい。この反射層は主として、基板本体に搭載される発光素子から発せられる光を反射する。
【００３４】
次に、ガラス質絶縁層について説明する。
ガラス質絶縁層はガラス単体の層またはガラスとセラミックスフィラーとを含む層であると好ましい。
【００３５】
ガラス質絶縁層の厚みは典型的には５〜３０μｍである。５μｍ未満であると、被覆性が不充分になるおそれがあるため５μｍ以上であることが好ましい。３０μｍ超では発光素子の放熱性を阻害し発光効率が低下してしまうおそれがある。
【００３６】
ガラス質絶縁層を形成する方法は５〜３０μｍの厚みの層を平坦に形成できる方法であれば特に限定されないが、典型的には、ガラス単体またはガラスとセラミックスフィラーとの混合物をペースト化してスクリーン印刷し、焼成して形成される。
【００３７】
本発明においてガラス質絶縁層中、体積％表示でガラスを５０％以上含有することが好ましい。５０％未満であると、焼成時の焼結が不充分となり、被覆性を損ねるおそれがある。焼結性を向上するために７０％以上含有することがより好ましい。また、セラミックスフィラーを５０％以下含有する。セラミックスフィラーの含有量は典型的には５％以上である。セラミックスフィラーを含有することにより、ガラス質絶縁層の強度を高くできる場合がある。また、ガラス質絶縁層の放熱性を高くできる場合がある。
【００３８】
前記セラミックスフィラーはアルミナ、シリカであることが例示されるが、反射率を損ねるような吸収をもたらさないもの（白色や透明）であれば、限定されるものではない。
【００３９】
一般的なＬＴＣＣ基板との同時焼成によってガラス質絶縁層を形成する場合、ガラス質絶縁層のガラスはＴｇが４６０〜７８０℃であることが好ましい。Ｔｇはたとえば昇温速度１０℃／分の条件で示差熱分析測定を行ったときに第１屈曲部のショルダーの温度として観測できる。また、Ｔｓが７００〜９００℃であることが好ましい。ここでＴｓは昇温速度１０℃／分の条件で１０００℃まで示差熱分析測定を行ったときに第４屈曲部の温度として観測できる。
【００４０】
ガラス質絶縁層のガラスは、焼成工程において結晶化しないものが好ましい。一般的なＬＴＣＣ基板との同時焼成によってガラス質絶縁層を形成する場合、ガラス質絶縁層のガラスは、Ｔｃが９００℃以上のもの、またはＴｃが観測できないものが好ましい。Ｔｃが９００℃未満であると、焼成工程においてガラス質絶縁層が結晶化しやすくなり、それによって基板に反りが生じるおそれがある。ここでＴｃは昇温速度１０℃／分の条件で１０００℃まで示差熱分析測定を行ったときにＴｇより高温で観測される発熱ピークの温度をいうものとする。
【００４１】
次に本発明で使用できるガラスの組成について説明する。
【００４２】
本発明のガラスはモル％表示でＳｉＯ２を６５〜８４％、Ａｌ２Ｏ３を１〜１０％、Ｂ２Ｏ３を０〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜１５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２０％含有するガラスである。
【００４３】
ＳｉＯ２は、ガラスの網目形成酸化物であり必須成分である。ＳｉＯ２の含有量が６５％未満であるとガラスの化学的耐久性が不十分となるおそれがある、または焼成工程において結晶化しやすくなる。好ましくは７０％以上である。ＳｉＯ２が８４％超であるとガラスの溶融温度が高くなる、または軟化点（Ｔｓ）が高くなりすぎ、緻密なガラス質絶縁層が形成できないおそれがある。好ましくは８４％以下、より好ましくは８０％以下である。
【００４４】
Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、ガラスの安定性を増し、Ｔｓを下げる成分であり２０％まで含有することができる。２０％超であると耐酸性などの化学的耐久性が不十分になるおそれがある。１６％未満であることがより好ましい。Ｂ２Ｏ３は焼成工程でのガラスの結晶化を抑制する、銀との反応を抑制する等の効果を有するので、Ｂ２Ｏ３を５％以上含有することが好ましい。
【００４５】
Ａｌ２Ｏ３は必須成分であり、ガラスの安定性を高くする成分であり1％以上含有。１％未満であるとガラスが不安定になるおそれがある。好ましくは２％以上である。１０％超であると、Ｔｓが高くなりすぎるおそれがある。また、銀発色が生じやすくなる。またＴｃが低くなり、焼成温度範囲で結晶化しやすくなるおそれがある。Ａｌ２Ｏ３の含有量は好ましくは７％以下である。
【００４６】
Ａｌ２Ｏ３の銀発色挙動への関係について、さらに説明を述べる。銀発色の発生メカニズムは次のように説明できる。まず、銀を含む反射層を被覆する形で焼成するガラス質絶縁層には、焼成とともに銀がガラス質絶縁層のガラス中に拡散していく。ガラス中の銀は銀イオンの形で、通常、Ａｇ＋で存在すると考えられる。さらに、銀イオンがガラス中で移動し、集まるとともに、還元された場合、Ａｇ０となり、それがコロイド化すると、光吸収を引き起こす。この光吸収が、いわゆる銀発色として検知される。
【００４７】
このメカニズムにおいて、銀が、ガラス中で銀イオンの形のままで存在するならば、光吸収は引き起こされず、銀発色は検知されない。つまり銀を銀イオンのままガラス中で留めておくことが、銀発色抑制の有効な手段であるといえる。
【００４８】
本発明の場合、ガラスの安定性、原料の入手容易性、メッキ工程などで必要な化学耐久性の確保が容易であることから、ＳｉＯ２を骨格としたガラスを選定している。ＳｉＯ２を骨格としたガラス中のアルカリ金属成分とＡｌ２Ｏ３の関係については、以下のことが知られている。なお、ここで、Ｍはアルカリ金属原子を示す。まず、ＳｉＯ２を骨格としたガラスにアルカリ成分を導入していくと、アルカリ金属原子はガラス中のケイ素原子と酸素原子との結合、すなわち、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの架橋を壊し、Ｓｉ−Ｏ−：Ｍ＋のイオン結合の形で入っていき、いわゆる非架橋酸素を生じていく。
【００４９】
ここにＡｌ２Ｏ３を導入すると、まず、アルミニウムイオンであるＡｌ３＋はガラス中の非架橋酸素を引きつけて、４配位構造の［ＡｌＯ４］の形をとり、中心のＡｌは負の電荷を帯びた形になる。この電荷補償のため、正の電荷を持つＭ＋（アルカリ金属イオン）を引きつける形をとる。同様の構造をとる元素としてＢ（ホウ素）も知られているが、Ａｌ（アルミニウム）の方がＢより優先的に、この構造をとりやすいと言われている。この構造をとるとき、ガラス全体の構造中の非架橋酸素の数は減り、ガラスネットワークの構造は強くなる。
【００５０】
ここで、Ａｇ（銀）について考察すると、Ａｇもアルカリ金属原子と同様に、１価の価数をとり、ガラス中で、イオンとして存在するときには、Ａｇ＋となり、アルカリ金属原子と同様の挙動を示すことが推察される。つまり、Ａｌ３＋はガラス中の非架橋酸素を引きつけて、４配位の［ＡｌＯ４］の形をとり、中心のＡｌは負の電荷を帯びた形になる。この電荷補償のため、正の電荷を持つＡｇ＋（銀イオン）を引きつける形をとる。ガラス中の銀イオンは発色の原因とはならないので、銀イオンで安定に存在できるこの構造をとる場合、銀発色は生じにくいと考えられる。
【００５１】
しかしＡｌ２Ｏ３が過剰な場合、ガラス中でＡｌは６配位構造をとり、いわゆる修飾元素として振る舞うことが知られている。この場合、Ａｌは非架橋酸素を増加させる方向に振る舞うため、ガラスは隙間の多い構造をとることになる。さらに、ＡｌがＡｇ＋などの正の電荷を持つイオンを引きつける形とはならない。つまり、銀イオンをガラス中で安定化できなくなってくる。このとき、アルカリ金属原子および銀はガラス中で移動しやすくなり、銀が集まり、コロイド化する可能性が高まると推察される。発明者はＳｉＯ２含有量（％）と３倍のＡｌ２Ｏ３含有量（％）の和が大きすぎると銀発色が生じやすくなることを見いだした。すなわち、ＳｉＯ２＋３×Ａｌ２Ｏ３の値は１００％以下であることが好ましい。１００％超であると銀発色が生じやすくなる。好ましくは、９０％以下である。
【００５２】
アルカリ金属酸化物であるＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏはいずれも必須成分ではないが、ガラスの溶融温度を下げる成分であり、Ｔｓを下げる成分であり、合計で４％以上含有することが好ましい。４％未満では効果が不十分となるおそれがある。しかし、合計で２０％超では銀発色が生じやすくなるおそれがある。Ａｌ２Ｏ３の含有量が５％超の場合には、Ｔｓを低くするためにＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏが7％超であることが好ましい。また、１８％以下であることが好ましい。
【００５３】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯはいずれも必須成分ではないが、ガラスの溶融温度を下げる成分であり、Ｔｓを低くする成分である。含有量の合計ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが１５％以下の範囲で含有できる。ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが１５％超であると、ガラスが不安定になるおそれがある。Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏが7％超の場合にはＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯは５％以下であることが好ましい。
【００５４】
ＺｎＯもＴｓを低くする成分であるが、ＺｎＯを含有する場合、含有量は５％以下であることが好ましい。耐酸性が不十分になるおそれがあるからである。
【００５５】
本発明におけるガラスは本質的に上記成分を主成分とするが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。そのような成分を含有する場合、それら成分の含有量の合計は１０％以下であることが好ましい。ただし、鉛酸化物は含有しない。
【００５６】
本発明のガラス質絶縁層を形成した発光素子搭載用基板の反射率としては、８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、８８％以上がさらに好ましい。
【実施例】
【００５７】
表１に示す例１〜５についてモル％で示す組成となるようにガラス原料を調合、混合し、この混合された原料を白金ルツボに入れて１５００〜１６００℃で６０分間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルで水を溶媒として２０〜６０時間粉砕してガラス粉末を得た。例１〜４が実施例のガラスであり、例５が比較例のガラスである。例３は例２のガラス粉末にアルミナフィラー（住友化学製ＡＡ−２）を加えた実施例である。ガラスとアルミナの体積比を表中のガラス欄およびアルミナ欄に示している。
【００５８】
各ガラス粉末の平均粒径Ｄ５０（単位：μｍ）を、島津製作所社製ＳＡＬＤ２１００を用いて測定した。いずれもＤ５０＝１〜３μｍの範囲内であった。軟化点Ｔｓ（単位：℃）をブルカーＡＸＳ社製熱分析装置ＴＧ−ＤＴＡ２０００を用いて昇温速度１０℃／分の条件で１０００℃まで、それぞれ測定した。また、例１〜５のいずれについてもＴｓ測定時に結晶ピークは認められなかった。
【００５９】
例１、２、５については各ガラス粉末のみ、例３についてはガラス粉末にアルミナフィラーを加えた混合粉末を質量％表示で７０％、樹脂を溶剤に溶融したビヒクル成分を３０％としたものについて、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行ってガラスペーストを作製した。
【００６０】
銀ペーストは、導電性粉末（大研化学工業社製Ｓ４００−２）およびエチルセルロースを質量比８５：１５の割合で調合し、固形分の質量％表示濃度を８５％として溶剤（αテレピネオール）に分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って作製した。
【００６１】
ＬＴＣＣグリーンシートに銀ペーストを印刷し、乾燥後、ガラスペーストを銀ペースト上に印刷し、これを５５０℃に５時間保持して樹脂成分を分解除去した後、８７０℃に３０分保持して焼成を行った。得られたＬＴＣＣ基板の表面の反射率を測定した。反射率の測定にはオーシャンオプティクス社の分光器ＵＳＢ２０００と小型積分球ＩＳＰ−ＲＦを用いて測定し、可視光域の４００〜８００ｎｍの平均値を反射率（単位：％）として算出した。結果を表に示す。
【００６２】
実パッケージにＬＥＤを載置し、光量測定した結果と、本手法による測定の反射率との相関から考慮して、反射率８０％未満では効率的に発光素子からの光を反射できないので絶縁層としては好ましくないと考えた。
【００６３】
【表１】
0005381800.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００６４】
携帯電話や大型液晶ＴＶ等のバックライトに利用できる。
【符号の説明】
【００６５】
１：ＬＴＣＣ基板
２：導体層（反射層）
３：ガラス質絶縁層
４：ビア導体
５：封止樹脂（蛍光体層）
６：発光素子
７：ボンディングワイヤ
８：金メッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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