【事件の表示】
　特願２０１２−１３２８３８「プラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月１４日出願公開，特開２０１３−　３３９４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，平成２４年６月１２日（優先権主張平成２３年７月７日）の出願であって，平成２８年１月１２日付けで拒絶理由を通知し，同年３月１８日に意見書と手続補正書が提出され，同年７月１９日付けで拒絶査定され，同年１０月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１２月１日に手続補正書が提出され，平成２９年８月１０日付けで，当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知し，同年１０月１２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　そして，その請求項１，２に係る発明（以下「本願発明１」，「本願発明２」という。）は，平成２９年１０月１２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　処理空間を画成する処理容器と，
　前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給部と，
　前記処理ガスのプラズマを発生させるためのエネルギーを導入する導入部と，
　被処理基体を保持するための保持部材であり，誘電体材料製の表面及び部分的に平端面を含む端面を有し，前記処理空間内に設けられた該保持部材と，
　前記保持部材の前記端面を囲むように設けられるフォーカスリングであり，前記保持部材の前記平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有する該フォーカスリングと，
　前記保持部材の前記端面と前記フォーカスリングの前記内壁面との間隙は，０より大きく，式（１）で示されるデバイの長さ（λＤ）の３倍以下であり，
　　【数１】
　式（１）においてＴｅは前記間隙における電子温度であり，ｎｏは前記間隙における電子密度であり，
　前記フォーカスリングは，該フォーカスリングの内縁を含む第１領域と，前記第１領域より外側の第２領域とを含み，
　前記第１領域は，前記保持部材の上面の延長面に沿って設けられており，
　前記第２領域は，前記保持部材の上面より上方に設けられ，
　前記第１領域は，前記被処理基体が直接接触する部分を含み，前記被処理基体が前記直接接触する部分に接触することによって，前記第１領域における一部の領域が前記被処理基体との間に隙間を生じることなく覆われると共に，前記保持部材と前記フォーカスリングとの間の間隙の一部が閉鎖される，プラズマ処理装置。」
「【請求項２】
　前記保持部材の前記端面と前記フォーカスリングの前記内壁面との間隙は，０より大きく３５０μｍ以下である，請求項１に記載のプラズマ処理装置。」
　２　当審の拒絶理由
　一方，当審において，平成２９年８月１０日付けで通知した拒絶理由（当審拒絶理由）の概要は以下のとおりである。
「１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・理由１ 
・請求項１，２ 
・引用文献１−５ 
 
・備考 
・引例１を主引例とした検討。 
　＜途中省略＞
  
・引例２を主引例とした検討 
　引例２の請求項１，請求項８，【０００８】，【００２８】，【００３１】−【００５５】及び図１〜２等を参照。 
　引例２の【００２８】には，静電チャックとフォーカスリングとの隙間を０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とすることで，プラズマの侵入を阻止することが記載されている。 
　そうすると，引例２のプラズマの侵入が阻止される前記隙間の大きさは，デバイの長さ（λＤ）の３倍以下の範囲に含まれるものに相当するものと認められる。 
　また，保持部材が，「部分的に平端面を含む端面を有」し，かつ，フォーカスリングが，「保持部材の前記平端面と対面する平壁面を部分的に含む」点については，引例３の【００１８】，【００２２】，図３，引例４の【００２０】，【００２８】−【００２９】，図３，図６，引例５の【００３７】，【００５０】，図１，図３等の記載を参照されたい。 
  
＜引用文献等一覧＞ 
１．特開２００４−２００３５３号公報 
２．特開２０１１−１０８８１６号公報 
３．特開平９−２８９２０１号公報 
４．特開平７−１０６３１６号公報 
５．特開平８−１０７１３９号公報 
　＜以下省略＞」
　３　引用例の記載と引用発明 
（１）当審拒絶理由で，「引例２」として引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された，又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例１（特開２０１１−１０８８１６号公報）には，「基板処理装置の基板載置台」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。（下線は当審において付した。以下同じ。）
「【請求項１】
　
基部と，該基部の上部平面に接着剤層よって接着され，円形の吸着面によって基板を支持する円板状の静電チャックと，該静電チャックの周囲に配置され，前記基板を囲むと共に，前記基部の前記上部平面の外周部を覆う円環状のフォーカスリングとを有し，前記静電チャックは上部円板部と該上部円板部よりも径が大きい下部円板部とを有する２段構造を呈しており，前記下部円板部の外周部及び該下部円板部と前記基部とを接着する前記接着剤層の外周部は，前記フォーカスリングで覆われていることを特徴とする基板処理装置の基板載置台
　＜途中省略＞
【請求項８】
　
前記静電チャックの前記上部円板部の外周面と前記フォーカスリングの内周面との隙間（Ｃ）は，０．０５〜０．４ｍｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置の基板載置台
「【０００８】
　このような
従来の基板載置台においては，静電チャック７２とフォーカスリング７５との間に隙間があるために，この隙間と，ウエハＷとフォーカスリング７５との間の隙間を経てプラズマが進入し，有機物からなる接着剤層７３がプラズマの照射を受けて消耗するという問題がある
静電チャック７２とフォーカスリング７５との間における基部７１の表面７１ａが露出する。この露出表面７１ａにプラズマが照射され溶射皮膜が消耗し，やがて基部７１の金属アルミニウムが露出すると異常放電（アーキング）が発生するという問題もある
接着剤層７３の消耗及び異常放電の発生は，基板載置台としての機能に悪影響を及ぼし，基板載置台の寿命が短くなる原因となる
「【００２８】
　請求項８記載の基板処理装置の基板載置台によれば，
静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との隙間（Ｃ）は，０．０５〜０．４ｍｍであるので，静電チャックとフォーカスリングとの間の隙間へのプラズマの進入を阻止することができる
「【００３１】
　図１は，本発明の実施の形態に係る基板載置台を備えた基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。この
基板処理装置は，基板としての半導体デバイス用のウエハ（以下，単に「ウエハ」という）にプラズマエッチング処理を施す
【００３２】
　図１において，
基板処理装置１０は，ウエハＷを収容するチャンバ１１を有し，チャンバ１１内にはウエハＷを載置する円柱状の基板載置台（以下，「サセプタ」という。）１２が配置されている
【００３３】
　
排気プレート１４は多数の貫通孔を有する板状部材であり，チャンバ１１の内部を上部と下部に仕切る仕切板として機能する。排気プレート１４によって仕切られたチャンバ１１内部の上部（以下，「処理室」という。）１５には，後述するようにプラズマが発生する
【００３４】
　排気管１７には，ＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）（共に図示省略）が接続され，これらのポンプはチャンバ１１内を真空引きして所定圧力まで減圧する。なお，チャンバ１１内の圧力はＡＰＣバルブ（図示省略）によって制御される。
【００３５】
　
チャンバ１１内のサセプタ１２には第１の高周波電源１８が第１の整合器１９を介して接続され，且つ第２の高周波電源２０が第２の整合器２１を介して接続されており
第２の高周波電源２０は比較的高い高周波，例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタ１２に印加する。これにより，サセプタ１２は下部電極として機能する
【００３６】
　サセプタ１２の上部には，静電電極板２２を内部に有する静電チャック２３が配置されている。
静電チャック２３はセラミックスで構成されており，下部円板部が上部円板部よりも径が大きい２段構造を有している
【００３７】
　静電電極板２２には直流電源２４が接続されており，静電電極板２２に正の直流電圧が印加されると，ウエハＷにおける静電チャック２３側の面（以下，「裏面」という。）には負電位が発生して静電電極板２２及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ，この電位差起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により，ウエハＷは静電チャック２３に吸着保持される。
【００３８】
　静電チャック２３に吸着保持されたウエハＷを囲むように，フォーカスリング２５が配置されている。フォーカスリング２５は，例えばシリコン（Ｓｉ）や炭化珪素（ＳｉＣ）などによって構成される。
【００３９】
　サセプタ１２の内部には，例えば，円周方向に延在する環状の冷媒室２６が設けられている。冷媒室２６には，チラーユニット（図示省略）から冷媒用配管２７を介して低温の冷媒，例えば，冷却水やガルデン（登録商標）が循環供給される。冷媒によって冷却されたサセプタ１２は静電チャック２３を介してウエハＷ及びフォーカスリング２５を冷却する。
【００４０】
　静電チャック２３におけるウエハＷが吸着保持されている部分（以下，「吸着面」という。）には，複数の伝熱ガス供給孔２８が開口している。伝熱ガス供給孔２８は，伝熱ガス供給ライン２９を介して伝熱ガス供給部（図示省略）に接続され，伝熱ガス供給部は伝熱ガスとしてのＨｅ（ヘリウム）ガスを，伝熱ガス供給孔２８を介して吸着面及びウエハＷの裏面の隙間に供給する。吸着面及びウエハＷの裏面の隙間に供給されたＨｅガスはウエハＷの熱を静電チャック２３に効果的に伝達する。
【００４１】
　
チャンバ１１の天井部には，サセプタ１２と対向するようにシャワーヘッド３０が配置されている。シャワーヘッド３０は，上部電極板３１と，この上部電極板３１を着脱可能に釣支するクーリングプレート３２と，クーリングプレート３２を覆う蓋体３３とを有する。上部電極板３１は厚み方向に貫通する多数のガス孔３４を有する円板状部材からなり，例えば半導電体であるシリコンによって構成される。また，クーリングプレート３２の内部にはバッファ室３５が設けられ，バッファ室３５にはガス導入管３６が接続されている
【００４２】
　また，シャワーヘッド３０の上部電極板３１には直流電源３７が接続されており，上部電極板３１へ負の直流電圧が印加される。このとき，上部電極板３１は正イオンの衝突により二次電子を放出して処理室１５内部におけるウエハＷ上において電子密度が低下するのを防止する。放出された二次電子は，ウエハＷ上から側方排気路１３においてサセプタ１２の側面を囲うように設けられた半導電体である炭化珪素や珪素によって構成される接地電極（グランドリング）３８へ流れる。
【００４３】
　このような構成のプラズマ処理装置１０では，
処理ガス導入管３６からバッファ室３５へ供給された処理ガスがガス孔３４を介して処理室１５内部へ導入され，導入された処理ガスは，第２の高周波電源２０からサセプタ１２を介して処理室１５内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる
【００４４】
　基板処理装置１０の各構成部材の動作は，基板処理装置１０が備える制御部（図示省略）のＣＰＵがプラズマエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。
【００４５】
　図２は，図１における基板載置台を示す部分断面図である。
【００４６】
　図２において，サセプタ１２は，基部（以下，「金属ベース」という。）４１と，該金属ベース４１の上部表面に接着剤層４２によって接着され，円形の吸着面によってウエハＷを支持する円板状の静電チャック２３と，該静電チャック２３の周囲に配置され，ウエハＷを囲う円環状のフォーカスリング２５とから主として構成されている。
【００４７】
　
静電チャック２３は
下部円板部２３ａ及び上部円板部２３ｂの厚さは，例えば，それぞれ１ｍｍである
【００４８】
　フォーカスリング２５は，金属ベース４１の凹部４１ａを囲む上部平面４１ｂに載置されており，フォーカスリング２５は，上部平面４１ｂを覆っている。フォーカスリング２５の内周部分は，金属ベース４１の上部平面４１ｂの内周側端部よりも内周方向に突出しており，凹部４１ａに嵌合した静電チャック２３の下部平板部２３ａの外周部及び接着剤層４２の外周部はフォーカスリング２５によって覆われている。すなわち，静電チャック２３の下部円板部２３ａと金属ベース４１の凹部４１ａとの嵌合部は，フォーカスリング２５で覆われている。ここで，静電チャック２３の下部円板部２３ａとフォーカスリング２５との静電チャック２３の半径方向における一の重なり幅（Ｆ）は，例えば０．５ｍｍ以上である。この重なり幅（Ｆ）を０．５ｍｍ以上にすることによって，プラズマの進入を阻止する効果が増大する。
【００４９】
　静電チャック２３の下部円板部２３ａの厚さと，接着剤層４２の厚さの合計は，金属ベース４１の凹部４１ａの深さよりも若干薄くなっている。従って，金属ベース４１の凹部４１ａを囲む上部平面４１ｂに載置されたフォーカスリング２５の下部平面と静電チャック２３の下部円板部２３ａの上部平面と間には隙間（Ｄ）がある。この隙間（Ｄ）は，例えば０．４ｍｍ以下である。この隙間を０．４ｍｍよりも大きくすると，プラズマの進入を阻止する効果が十分に得られない。
【００５０】
　金属ベース４１の上部平面４１ｂに載置されたフォーカスリング２５の下部表面と静電チャック２３の下部円板部２３ａとの間に隙間を設けることにより，各構成部材の製作時における製作誤差を吸収し，組立容易性を確保することができる。例えば，金属ベース４１の上部平面４１ｂと，静電チャック２３の下部円板部２３ａの上部平面を同じ高さとし，フォーカスリング２５を，金属ベース４１の上部平面４１ｂ及び静電チャック２３の下部円板部２３ａの上部平面の両方に同時に当接させて，載置しようとしても，寸法誤差の影響で４１ｂと２３ａの上部平面が同じ高さとなることはないので，良好な組み立てができない。
【００５１】
　
ウエハＷは，例えば，シリコンからなる円形の板状体であり，ウエハＷとフォーカスリング２５とは，鉛直方向において一部，すなわちウエハＷの外周部とフォーカスリング２５の内周部とが重なっている。ウエハＷの半径方向に沿った一の重なり部分における重なり幅（Ａ）は０．５〜１．５ｍｍである。重なり幅（Ａ）が０．５ｍｍよりも少ないとプラズマの進入を防止する効果が十分でなく，１．５ｍｍよりも大きいと静電チャック２３とウエハＷとの接触面積が相対的に小さくなるので，ウエハＷの温度を制御する際の伝熱効率が低下する。重なり幅（Ａ）が０．５〜１．５ｍｍであれば，伝熱効率を低下させることなく，ウエハＷとフォーカスリング２５との隙間をプラズマが通過するのを防止することができる
【００５２】
　
ウエハＷとフォーカスリング２５とが重なる重なり部分におけるウエハＷとフォーカスリング２５との隙間（Ｂ）は，例えば０．４ｍｍ以下である。隙間が０．４ｍｍよりも大きいとプラズマの進入を阻止する効果が不十分となる。ウエハＷとフォーカスリング２５との隙間が０．４ｍｍ以下であれば，プラズマの進入を効果的に阻止することができる。このとき，ウエハＷの下部平面とフォーカスリング２５の上部平面とを当接させてもよい
【００５３】
　
静電チャック２３の上部円板部２３ｂの外周面とフォーカスリング２５の内周面との間の隙間（Ｃ）は，例えば０．４ｍｍ以下，好ましくは，０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下である。この隙間（Ｃ）が０．４ｍｍよりも大きいと，プラズマの進入を阻止する効果が小さくなる。また，この隙間（Ｃ）が０．０５ｍｍよりも小さいと，静電チャック２３の上部円板部２３ｂの外周面とフォーカスリング２５の内周面とが接触して損傷する虞がある。隙間（Ｃ）が０．０５〜０．４ｍｍであれば，接触による損傷を防止しつつプラズマの進入を阻止することができる
【００５４】
　本実施の形態によれば，静電チャック２３を，上部円板部２３ｂと該上部円板部２３ｂよりも径が大きい下部円板部２３ａとを有するものとし，下部円板部２３ａを金属ベース４１の凹部４１ａに嵌合する埋め込み構造とし，嵌合部をフォーカスリング２５で覆うようにしたので，金属ベース４１の表面（凹部４１ａの底部表面）や接着剤層４２の外周部を，下部円板部２３ａ及び凹部４１ａの嵌合部４１ｃの下部に位置させて，金属ベース４１の表面や接着剤層４２の外周部へ至るプラズマの進入経路を長くすることができ，もって，プラズマが金属ベース４１の表面や接着剤層４２の外周部へ到達するのを抑制することができる。その結果，他の構成部材を追加することなく，接着剤層４２の消耗や金属ベース４１の表面におけるアーキングの発生を防止することができる。
【００５５】
　すなわち，本実施の形態によれば，ウエハＷとフォーカスリング２５を鉛直方向において一部重ね合わせ，ウエハＷとフォーカスリング２５との間に形成される水平方向に延びる隙間の厚さ（Ｂ），静電チャック２３の上部円板部の外周面とフォーカスリング２５の内周面との間に形成される鉛直方向に延びる隙間の幅（Ｃ），及びフォーカスリング２５の下部平面と静電チャック２３の下部円板部２３ａの上部平面との間に形成される水平方向の隙間の厚さ（Ｄ）を，それぞれ０．４ｍｍ以下とし，これによって，ウエハＷ及び静電チャック２３と，フォーカスリング２５との間に形成され，ウエハＷの上部空間に連通する隙間を，いわゆる迷路状のラビリンス構造としたので，
ウエハＷにプラズマ処理を施す際のプラズマがこの隙間を介して金属ベース４１の表面や接着剤層４２に到達するのを阻止し，接着剤層４２の消耗や金属ベース４１の表面におけるアーキングの発生を防止して，これらの損傷を防ぐことができる。さらには，アーキングによるパーティクルの発生及び金属汚染を防止することもできる
・図２は，引用例１に記載された発明の実施の形態に係る基板載置台の部分断面図であって，上記摘記した記載，特に【００５２】の「ウエハＷとフォーカスリング２５とが重なる重なり部分におけるウエハＷとフォーカスリング２５との隙間（Ｂ）は，例えば０．４ｍｍ以下である。隙間が０．４ｍｍよりも大きいとプラズマの進入を阻止する効果が不十分となる。ウエハＷとフォーカスリング２５との隙間が０．４ｍｍ以下であれば，プラズマの進入を効果的に阻止することができる。このとき，ウエハＷの下部平面とフォーカスリング２５の上部平面とを当接させてもよい」との記載と，同図から，
　静電チャックの周囲に配置される円環状のフォーカスリングが，フォーカスリングの内周面を含むフォーカスリングの内周部と，前記内周部より外側の外周部とを含み，
　前記内周部の上部平面は，前記静電チャックの上面の延長面に沿って設けられており，
　前記外周部の上部平面は，前記静電チャックの上面より上方に設けられ，
　前記内周部の上部平面は，ウエハの下部平面が当接する部分を含み，前記ウエハが前記当接する部分に接触することによって，前記内周部の上部平面における一部の領域が前記ウエハとの間に隙間を生じることなく覆われると共に，前記静電チャックと前記フォーカスリングとの間の間隙の一部が閉鎖されるという構造を理解することができる。
　そうすると，上記の記載に照らして，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「シリコンからなる円形の板状体である半導体デバイス用のウエハを収容するチャンバと，
　半導体デバイス用のウエハを載置する円柱状の基板載置台（以下「サセプタ」という。）と，
　前記チャンバの天井部に，前記サセプタと対向するように配置されているシャワーヘッドと，
を備える，基板としての半導体デバイス用のウエハにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置であって，
（ア）前記シャワーヘッドは，厚み方向に貫通する多数のガス孔を有する円板状部材からなる上部電極板と，この上部電極板を着脱可能に釣支するクーリングプレートと，クーリングプレートを覆う蓋体とを有し，前記クーリングプレートの内部にはバッファ室が設けられ，バッファ室には処理ガス導入管が接続されており，前記処理ガス導入管からバッファ室へ供給された処理ガスは，ガス孔を介してチャンバ内部の上部（以下「処理室」という。）へ導入されるものであり，
（イ）前記サセプタは，基部と，
　　該基部の上部平面に接着剤層よって接着され，円形の吸着面によって基板を支持する円板状の静電チャックと，
　　該静電チャックの周囲に配置され，前記基板を囲むと共に，前記基部の前記上部平面の外周部を覆う円環状のフォーカスリングとを有するものであり，
　前記静電チャックは，セラミックスで構成されており，上部円板部と該上部円板部よりも径が大きい下部円板部とを有する２段構造を呈しており，下部円板部及び上部円板部の厚さは，それぞれ１ｍｍであり，
　前記下部円板部の外周部及び該下部円板部と前記基部とを接着する前記接着剤層の外周部は，前記フォーカスリングで覆われており，
（ウ）ウエハとフォーカスリングとは，鉛直方向において一部，すなわちウエハの外周部とフォーカスリングの内周部とが重なるものであり，ウエハの半径方向に沿った一の重なり部分における重なり幅（Ａ）を０．５〜１．５ｍｍとすることで，伝熱効率を低下させることなく，ウエハとフォーカスリングとの隙間をプラズマが通過するのを防止することができるものであり，
　ウエハとフォーカスリングとが重なる重なり部分において，ウエハの下部平面とフォーカスリングの上部平面とが当接し，
　静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）が，０．０５〜０．４ｍｍであって，接触による損傷を防止しつつプラズマの進入を阻止したものであり，
（エ）前記静電チャックの周囲に配置される円環状の前記フォーカスリングが，フォーカスリングの内周面を含むフォーカスリングの内周部と，前記内周部より外側の外周部とを含み，
　前記内周部の上部平面は，前記静電チャックの上面の延長面に沿って設けられており，
　前記外周部の上部平面は，前記静電チャックの上面より上方に設けられ，
　前記内周部の上部平面は，ウエハの下部平面が当接する部分を含み，前記ウエハが前記当接する部分に接触することによって，前記内周部の上部平面における一部の領域が前記ウエハとの間に隙間を生じることなく覆われると共に，前記静電チャックと前記フォーカスリングとの間の間隙の一部が閉鎖され，
（オ）前記サセプタには，第２の高周波電源が第２の整合器を介して接続されており，第２の高周波電源は比較的高い高周波，例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力をサセプタに印加し，導入された処理ガスは，第２の高周波電源からサセプタを介して処理室内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起されてプラズマとなる
　基板処理装置。」
（２）当審拒絶理由で，「引例３」として引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された，又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例２（特開平９−２８９２０１号公報）には，「プラズマ処理装置」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。
「【００１８】前記
静電チャック１１の平面形態は，ウエハＷの外形と相似形をなし，ウエハＷよりも僅かに小さい大きさを有している
「【００２２】前記サセプタ６の上面外周縁における
静電チャック１１の周囲には
フォーカスリング２９が設けられている
・図２は，引用例２に記載された発明の実施形態に係るエッチング装置における静電チャックの側面断面図，図３は，静電チャックの斜視図であって，上記摘記した記載と同図から，
　部分的に平端面を含む端面を有する円形の板状体の形状を有するウエハＷと，
　平面形態が，前記ウエハＷの外形と相似形をなし，前記ウエハＷよりも僅かに小さい大きさを有している前記ウエハＷを保持するための静電チャック（１１）であり，表面及び部分的に平端面を含む端面を有する静電チャック（１１）と，
　前記静電チャック（１１）の前記端面を囲むように設けられるフォーカスリング（２９）であり，前記静電チャック（１１）の前記平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有するフォーカスリング（２９）という構造を理解することができる。
（３）当審拒絶理由で，「引例４」として引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された，又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例３（特開平７−１０６３１６号公報）には，「プラズマ処理装置」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。
「【００２０】また前記載置台３の上面には，ウエハＷの周りに
ウエハＷを取り囲むように絶縁体例えばセラミックや石英よりなるプラズマ集中リング（フォーカスリング）６が設けられている
フォーカスリング６は，図３に示すようにウエハＷの外形と相似形状に作られる
「【００２８】フォーカスリング６の上面は上述の実施例では傾斜面とされているが，図６（ａ）に示すように段部を複数形成する構成，図６（ｂ）に示すようにＬ字型に形成する構成，図６（ｃ）に示すように外側を傾斜面にして内側を平坦面にする構成等を採用しても同様の効果が得られる。なおフォーカスリング６の内側はウエハＷの表面より低くても同一の高さでもよく，プラズマの密度などに応じてウエハＷの周縁部の平坦性を確保できるように適宜設定すればよい。
【００２９】またフォーカスリング６の外側を内側よりも高くすれば，プラズマ下面の周縁部の平坦性が良くなる点で好ましいが，本発明では必ずしもフォーカスリング６の上面における外側，内側の高さ関係を上述のように限定するものではなく，高いプラズマの集中効果を得る点からすればフォーカスリング６の上面がウエハＷの表面よりも高ければ例えばその上面はウエハＷに並行な平面であってもよい。」
・図１及び図２は，引用例３に記載された発明の実施例に係るプラズマ処理装置例えばエッチング装置の全体構成を示す断面図，及び一部を破断した概略斜視図であり，図３は，載置台及びフォーカスリングを示す分解斜視図であって，上記摘記した記載と同図から，
　部分的に平端面を含む端面を有する円形の板状体の形状を有するウエハＷと，
　前記ウエハＷを保持するための載置台（３）であり，表面及び部分的に平端面を含む端面を有する載置台（３）と，
　前記載置台（３）の前記端面を囲むように設けられるプラズマ集中リング（フォーカスリング）（６）であり，前記載置台（３）の前記平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有するプラズマ集中リング（フォーカスリング）（６）という構造を理解することができる。
（４）当審拒絶理由で，「引例５」として引用した，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された，又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例４（特開平８−１０７１３９号公報）には，「絶縁性リング部材およびそれを用いた半導体製造装置」（発明の名称）に関して，図面とともに以下の記載がある。
「【請求項１】　
プラズマを用いて半導体ウェハに処理を行う処理室内で用いる絶縁性リング部材
半導体ウェハを保持する試料台
半導体ウェハの側面に対応した内周面を有し
　＜途中省略＞
【請求項３】　請求項１または２記載の絶縁性リング部材であって，前記
絶縁性リング部材自体が石英によって形成
「【００３７】図１および図３を用いて，図３に示すテストデータの実験結果について説明すると，絶縁性リング部材３の内周面３ａとウェハ１の側面１ａとの隙間ｔをパラメータとし，隙間ｔを0.5mm ，1.0mm ，1.5mm ，2.0mm とに変化させた場合のウェハ１の側面１ａに付着した酸化膜のエッチングによる削れ量を測定したものであり，その結果，前記酸化膜の削れ量が零となったのは隙間ｔが0.5mm と1.0mm の場合であった。」
「【００５０】さらに，本発明による絶縁性リング部材は，
オリエンテーションフラットタイプのウェハ
・図１の（ａ），（ｂ）は，引用例４に記載された発明の絶縁性リング部材の構造の一実施例の平面図及び断面図であって，上記摘記した記載と同図から，
　オリエンテーションフラットタイプのウェハ（１）と，
　前記オリエンテーションフラットタイプのウェハ（１）を保持するための静電チャック（試料台）（２）であり，表面及び部分的に平端面を含む端面を有する静電チャック（試料台）（２）と，
　前記静電チャック（試料台）（２）の前記端面を囲むように設けられる絶縁性リング部材（３）であり，前記静電チャック（試料台）（２）の前記平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有する絶縁性リング部材（３）という構造を理解することができる。
　４　当審の判断
（１）請求項１の進歩性について
　ア　対比 
　本願発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「処理室」，「チャンバ」，「シャワーヘッド」，「『導入された処理ガス』を『処理室内部へ印加されたプラズマ生成用の高周波電力によって励起』して『プラズマ』とする，『第２の高周波電源が第２の整合器を介して接続されて』いる『サセプタ』」，「ウエハ」，「静電チャック」，「セラミックス」，「『フォーカスリングの』『内周部の上部平面』」及び「『フォーカスリングの』『外周部の上部平面』」は，それぞれ本願発明１の「処理空間」，「処理容器」，「処理空間に処理ガスを供給するガス供給部」，「処理ガスのプラズマを発生させるためのエネルギーを導入する導入部」，「被処理基体」，「保持部材」，「誘電体材料」，「フォーカスリングの内縁を含む第１領域」及び「『フォーカスリングの』『第２領域』」に相当する。
（イ）引用発明の「基板としての半導体デバイス用のウエハにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置」は，以下の相違点１，２を除いて，本願発明１の「プラズマ処理装置」に相当する。
　したがって，上記の対応関係から，本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりといえる。
＜一致点＞
「処理空間を画成する処理容器と，
　前記処理空間に処理ガスを供給するガス供給部と，
　前記処理ガスのプラズマを発生させるためのエネルギーを導入する導入部と，
　被処理基体を保持するための保持部材であり，誘電体材料製の表面及び端面を有し，前記処理空間内に設けられた該保持部材と，
　前記保持部材の前記端面を囲むように設けられるフォーカスリングであり，内壁面を有する該フォーカスリングと，
　前記フォーカスリングは，該フォーカスリングの内縁を含む第１領域と，前記第１領域より外側の第２領域とを含み，
　前記第１領域は，前記保持部材の上面の延長面に沿って設けられており，
　前記第２領域は，前記保持部材の上面より上方に設けられ，
　前記第１領域は，前記被処理基体が直接接触する部分を含み，前記被処理基体が前記直接接触する部分に接触することによって，前記第１領域における一部の領域が前記被処理基体との間に隙間を生じることなく覆われると共に，前記保持部材と前記フォーカスリングとの間の間隙の一部が閉鎖される，プラズマ処理装置。」
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１の保持部材が「部分的に平端面を含む端面」を有し，フォーカスリングが「保持部材の平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面」を有するのに対して，引用発明の静電チャックは「円板状」であり，フォーカスリングは「円環状」である点。
・相違点２：保持部材の端面とフォーカスリングの内壁面との間隙が，本願発明１では，「０より大きく，式（１）で示されるデバイの長さ（λＤ）の３倍以下」と特定されているのに対して，引用発明では，「０．０５〜０．４ｍｍ」とされている点。
　イ　判断
・相違点１について
　引用発明は，シリコンからなる円形の板状体である半導体デバイス用のウエハにプラズマエッチング処理を施す基板処理装置に係る発明である。
　一方，引用例２ないし４から，半導体デバイス用のウエハとして，円形の板状体のもののほかに，部分的に平端面を含む端面を有する円形の板状体の形状を有するウエハも，オリエンテーションフラットタイプのウェハとして広く用いられており，このような形状のウエハを処理するための基板処理装置において，前記ウエハを保持するための保持部材，及び，前記保持部材を囲むように設けられるリング部材の形状を，前記ウエハの形状に対応した形状としたもの，すなわち，部分的に平端面を含む端面を有する保持部材，及び，前記保持部材の平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有するリングとした構造が周知であると理解できる。
　してみれば，引用発明に係る基板処理装置を，部分的に平端面を含む端面を有する円形の板状体の形状を有するウエハのプラズマ処理に用いるにあたり，引用発明において，ウエハを保持する静電チャック及びフォーカスリングを，前記ウエハの形状に対応させて，部分的に平端面を含む端面を有する静電チャック，及び，前記静電チャックの平端面と対面する平壁面を部分的に含む内壁面を有するフォーカスリングとすること，すなわち，引用発明において，引用例２ないし４に記載された周知の構造を採用することによって，相違点１について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
・相違点２について
　引用発明は，上部円板部と該上部円板部よりも径が大きい下部円板部とを有する２段構造を呈しており，下部円板部及び上部円板部の厚さがそれぞれ１ｍｍである静電チャックの前記上部円板部の外周面と，フォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）を，０．０５〜０．４ｍｍとすることによって，厚さが１ｍｍである静電チャックの前記上部円板部の外周面と，フォーカスリングの前記内周面との間へのプラズマの進入を阻止した発明である。
　そして，引用発明における，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）の大きさに係る前記特定は，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）に，プラズマの進入を阻止することを目的として設定されたものであって，前記隙間（Ｃ）へのプラズマの進入を阻止することによって，ウエハにプラズマ処理を施す際のプラズマが，金属ベースの表面や接着剤層に到達するのを阻止し，接着剤層の消耗や金属ベースの表面におけるアーキングの発生を防止して，これらの損傷を防ぎ，さらには，アーキングによるパーティクルの発生及び金属汚染を防止することができる（【００５５】）という効果を奏するといえる。
　さらに，引用例１の【００５３】には，「この隙間（Ｃ）が０．４ｍｍよりも大きいと，プラズマの進入を阻止する効果が小さくなりまた，この隙間（Ｃ）が０．０５ｍｍよりも小さいと，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面とが接触して損傷する虞があるので，隙間（Ｃ）が０．０５〜０．４ｍｍであれば，接触による損傷を防止しつつプラズマの進入を阻止することができる」と記載されている。
　そうすると，引用例１の前記記載から，引用発明において，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）を小さくするほど，プラズマの進入を阻止する効果を大きくすることができ，その結果として，前記効果をより確実に得ることができることを，当業者は理解するといえる。
　してみれば，プラズマの侵入を確実に阻止して前記効果を得るために，保持部材の端面とフォーカスリングの内壁面との間隙の値を小さな値に設定することは当業者が容易に想到し得たことであり，その際，当該隙間（Ｃ）の大きさとして，本願発明１の「式（１）で示されるデバイの長さ（λＤ）の３倍以下」の条件を満たす範囲に含まれる値を採用することは，前記「式（１）で示されるデバイの長さ（λＤ）の３倍以下」が，その下限を特定していないことからも格別の困難は認められない。
　すなわち，相違点２について，引用発明において，本願発明１の条件を満たす値を選択することは当業者が容易になし得たことである。
　ウ　効果について
　引用発明において，相違点１，２について，本願発明１の構成を採用したことによる効果は，当業者が予測する範囲内のものであり，格別のものとは認められない。
　エ　審判請求人の主張について
　審判請求人は，平成２９年１０月１２日に提出した意見書において，以下の主張をする。
「また，引用文献２の図２及び図３においても，ウエハＷとフォーカスリング２５との間には，隙間Ｂが設けられています。」，「また，このような隙間を設けないようにする示唆するような記載も，引用文献１，２にはありません。」
　しかしながら，引用例１の【００５２】には，「ウエハＷとフォーカスリング２５とが重なる重なり部分におけるウエハＷとフォーカスリング２５との隙間（Ｂ）は，例えば０．４ｍｍ以下である。隙間が０．４ｍｍよりも大きいとプラズマの進入を阻止する効果が不十分となる。ウエハＷとフォーカスリング２５との隙間が０．４ｍｍ以下であれば，プラズマの進入を効果的に阻止することができる。このとき，
ウエハＷの下部平面とフォーカスリング２５の上部平面とを当接させてもよい
　そして，ウエハＷとフォーカスリング２５とが「当接」するということは，フォーカスリング２５は，ウエハＷが直接接触する部分を含み，前記ウエハが前記直接接触する部分に接触することによって，フォーカスリング２５の一部の領域が前記ウエハとの間に隙間を生じることなく覆われるものと認められる。
　したがって，審判請求人の前記主張は採用することができない。
（２）請求項２の進歩性について
　本願発明２と引用発明との一致点及び相違点は，上記一致点及び相違点１，２に加えて，次の相違点３を含む。
・相違点３：本願発明２では，保持部材の端面とフォーカスリングの内壁面との間隙が「０より大きく３５０μｍ以下」と特定されているのに対して，引用発明では「０．０５〜０．４ｍｍ」とされている点。　
・相違点３について
　引用発明において，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）は，プラズマの進入を阻止することを目的として設定されており，「この隙間（Ｃ）が０．４ｍｍよりも大きいと，プラズマの進入を阻止する効果が小さくなりまた，この隙間（Ｃ）が０．０５ｍｍよりも小さいと，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面とが接触して損傷する虞があるので，隙間（Ｃ）が０．０５〜０．４ｍｍであれば，接触による損傷を防止しつつプラズマの進入を阻止することができる」とされている。
　そうすると，引用発明において，静電チャックの上部円板部の外周面とフォーカスリングの内周面との間の隙間（Ｃ）が小さいほど，プラズマの進入を阻止する効果が大きくなることが理解できる。
　してみれば，プラズマの侵入をより確実に阻止することを目的として，保持部材の端面とフォーカスリングの内壁面との間隙の値として，引用発明において特定する範囲の上限の値を下げた０．０５〜０．３５ｍｍの範囲に含まれる値を選択すること，すなわち，相違点３について，本願発明２の条件を満たす値を選択することは当業者が適宜なし得たことである。
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，本願発明１及び本願発明２は，いずれも引用例１及び引用例２ないし４に記載された発明から容易に発明をすることができたものである。
　したがって，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　５　むすび 
　以上のとおりであるから，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。