【事件の表示】
　特願２０１４−５５７２９１「部品内蔵基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年７月２４日国際公開、ＷＯ２０１４／１１２１０８、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年１月１８日を国際出願日とする出願であって、平成２８年９月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１６日に手続補正がされ、同年１２月７日付け（発送日：１２月１４日）で拒絶査定（以下「原査定」という。）がされ、これに対し、平成２９年２月１日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ、同年３月１日に前置報告され、当審において同年９月６日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年９月２１日に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　１　請求項１について
　引用文献１（特に、段落【００１９】ないし【００３０】参照）には、片面銅張積層板２０上に、開口部３２Ａを設けたプリプレグ３２αを積層し、開口部３２Ａ内にチップコンデンサを配置し、ガラスクロス等の芯材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグ３４αを載置して加熱プレスし、さらにレーザによってチップコンデンサ３０の端子へ至るバイアホール３６Ｄを形成し、デスミア処理をして、めっきによってビアを形成した部品内蔵基板が記載されている。
　すると、引用文献１に記載の発明は、ビアが、大径部と小径部が段差を介して接続された構成で、かつ大径部はガラスクロスを貫通して形成されている構成でない点、及びコア基板が流動体及び剛性体で形成されておらず、流動体の厚みがコア基板の厚みに対して３０％〜９０％である旨の特定がなされていない点で、請求項１に係る発明と相違する。
　しかし、引用文献２（特に、段落【００２２】、【００２８】ないし【００２９】、【００３４】〜【００３５】、図１８参照）には、ガラスクロスにエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを硬化させた絶縁層にレーザによってビアホールを形成すると、当該ビアホールは、ガラスクロスの位置に段差３９が形成され、段差３９を介して、ビアホールの径が小さくなる構成が記載されている。そして、引用文献１及び引用文献２に記載の発明は、ガラスクロス等の芯材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを硬化させた絶縁層にレーザによってビアホールを形成する構成である点で共通である。また、ビアの密着性を高めることは、当業者が通常考慮することである。してみると、引用文献１に記載の発明のバイアホール３６Ｄを、引用文献２に記載された構成と同様の段差を有する構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　さらに、開口部を備えるコア基板を流動体（プリプレグ）及び剛性体で形成することは、引用文献３（特に、段落【００１７】、段落【００１８】、図６参照）及び引用文献４（特に、段落【００５９】、段落【００６０】、図１３参照）にみられるように周知技術である。すると、開口部を備えるコア基板をプリプレグのみで形成する引用文献１に記載の発明において、当該コア基板を流動体（プリプレグ）及び剛性体で形成する構成とすることは、周知技術の単なる転換であるから、当業者が容易になし得ることである。さらに、プリプレグのみからなるコア基板を流動体（プリプレグ）及び剛性体からなるコア基板に置き換えることによる、「剛性体８があることにより、押圧した際に部品４を適切に埋設できる」（本願明細書段落【００２３】参照）との効果は、当業者が当然に予測し得るものである。なお、剛性体の厚みをコア基板の厚みに対して１０％〜７０％の数値範囲を満たす（すなわち、流動体の厚みをコア基板の厚みに対して３０％〜９０％の数値範囲を満たす）ものとすることに対する格別の効果は、本願明細書及び図面の全体を参酌しても特に記載されているとはいえず、当該数値範囲に臨界的意義が存在するとは認められない。
　
　２　請求項２ないし４について
　引用文献１に記載の発明は、上記した点に加えて、基板を支える、剛性を有する支持板について言及されていない点、ビアが導電体の充填で形成されていない点、及びコア基板が流動体及び剛性体で形成されていない点で、請求項２ないし４に係る発明と相違する。
　しかし、多層基板の積層を、剛性を有する支持基板上で行うこと、及びビアホールに導電体を充填してビアを形成することは、特に例示するまでもなく慣用技術であるから、引用文献１に記載の発明において、そのような構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。さらに、コア基板を流動体及び剛性体で形成することは、当業者が適宜になし得ることであるし、当該流動体と当該剛性体の厚みの比を請求項２に記載の数値範囲とすることは、格別の効果を奏することでもなく、当業者が適宜になし得る設計的事項である。
　３　請求項５ないし８について
　引用文献１に記載の発明は、ガラスクロスの位置、積層工程で加わる圧力、大径ビア及び小径ビアの厚み、及び端子の厚みが、それぞれ所定の数値範囲となることが特定されていない点で、請求項５ないし８に係る発明と相違する。
　しかし、請求項５ないし８に係る発明おいて特定されている数値範囲は、それぞれ、多層基板の技術分野において格別の数値範囲ではなく、当該数値範囲を特定することで格別の効果を奏するものでもない。してみると、引用文献１に記載の発明において、ガラスクロスの位置、積層工程で加わる圧力、大径ビア及び小径ビアの厚み、及び端子の厚みを、それぞれ各請求項において特定された数値範囲に含まれるものとすることは、当業者が適宜になし得る設計的事項である。
　４　まとめ
　よって、請求項１ないし８に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明、及び引用文献３及び４にみられる周知技術に基づいて、当業者であれば容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
１．特開２００９−１９４３８２号公報
２．特開２００９−２４６３５８号公報
３．国際公開第２０１２／０４２６６７号（周知技術を示す文献）
４．特開２０１０−１２８９３４号公報（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は、平成２９年９月２１日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　剛性を有する支持板上に金属膜を貼り付け、該金属膜上に電気又は電子的な部品を搭載する搭載工程と、
　前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体の前記貫通孔に前記部品を通し、シート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を前記貫通孔を塞ぐ位置に配するレイアップ工程と、
　前記孔あき絶縁体及び前記孔なし絶縁体とを互いに押圧して加熱することにより絶縁層を形成し、該絶縁層内に前記部品を埋設する積層工程と、
　前記絶縁層の外側から前記部品が有する端子に到達するビアを形成するビア形成工程と、
　前記絶縁層の表面に導体パターンを形成し、かつ前記ビア内に前記導体パターンと前記端子とを電気的に接続するための導電体を充填して導通ビアを形成するパターン形成工程と
を含み、
　前記レイアップ工程にて、前記孔あき絶縁体を流動性を有する流動体及び剛性を有する剛性体で形成し、前記流動体の厚みは前記孔あき絶縁体の厚みに対して３０％〜９０％とし、
　前記ビア形成工程にて、前記ガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射により大径の大径ビアを形成した後、前記第１のレーザー照射よりも低いパワーである第２のレーザー照射により前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記端子に到達する前記大径ビアより小径の小径ビアを形成することを特徴とする部品内蔵基板の製造方法。
　【請求項２】
　前記ビア形成工程にて、前記ビア内に突出する前記ガラスクロスをガラスエッチング処理にて除去することを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
　【請求項３】
　前記レイアップ工程にて、前記孔なし絶縁体の溶融開始温度が前記孔あき絶縁体の溶融開始温度よりも高いものを用いることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
　【請求項４】
　前記パターン形成工程の後、前記導体パターンの外側から絶縁樹脂材料からなる外側絶縁体を押圧して積層して多層基板を形成する外側積層工程をさらに行い、
　該外側積層工程で前記大径ビア及び前記小径ビアからなる前記導通ビア１個あたりに加わる圧力を５０ｇｆ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
　【請求項５】
　前記パターン形成工程の後、前記導体パターンの外側から絶縁樹脂材料からなる外側絶縁体を押圧して積層して多層基板を形成する外側積層工程をさらに行い、
　前記大径ビア及び前記小径ビアの厚みは、前記多層基板の厚みに対して１５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
　【請求項６】
　前記パターン形成工程の後、前記導体パターンの外側から絶縁樹脂材料からなる外側絶縁体を押圧して積層して多層基板を形成する外側積層工程をさらに行い、
　前記小径ビアが到達する前記端子の厚みを１２μｍ以上とすることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。」
　
第４　引用文献
　１　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された引用文献１（特開２００９−１９４３８２号公報）には、図面（特に図１ないし図３参照）とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
（１）「【００１５】
［第１実施例］
　以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施例に係る
多層基板５０
　
多層基板５０は、第１樹脂層２２、第２樹脂層３２及び第３樹脂層３４の３つの樹脂層からなり、第２樹脂層３２の開口部３２Ａにチップコンデンサ３０が収容されている。
導体回路４６
ビア導体４２Ｕ
　ここで、第１樹脂層２２の第２面は、チップコンデンサと向かい合っている面であって、第１面は第２面と反対側の面である。
　第２樹脂層３２の第１面は、第１樹脂層の第１面と向かい合っている面であって、第２面は第１面とは反対側の面である。
　第３樹脂層３４の第１面は、第２樹脂層の第２面と向かい合っている面であって、第２面は第１面と反対側の面である。」
（２）「【００１８】
　引き続き、図３（Ｃ）を参照して上述した
プリント配線板の製造方法
【００１９】
（１）
厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）やエポキシなどの樹脂を含浸させて硬化させた第１樹脂基板２２の片面に厚み１８μｍの銅箔２４がラミネートされている片面銅張積層板（積層体）２０
【００２０】
（２）
厚さ０．４ｍｍのプリプレグ３２αを準備する。次いで、プリプレグ３２αにチップコンデンサを収容するための開口部３２Ａを形成する。
　次いで、片面銅張積層板２０である第１樹脂基板２２上に、プリプレグ３２αを積層する（図１（Ｂ）。プリプレグ３２αは、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させた未硬化な樹脂層である。
　次いで、片面銅張積層板とプリプレグ３２αとを加熱プレスする。加熱プレスすることで、プリプレグ３２αは、硬化して、第２樹脂基板（第２樹脂層）３２となる。また、第１樹脂基板と第２樹脂基板が強固に接合される。
　片面銅張積層板（第１樹脂基板）２０と第２樹脂基板３２とからなる途中基板の製法は、銅箔とプリプレグ（硬化後、第１樹脂基板となる）と開口部を有する硬化済の第２樹脂基板とを加熱プレスしてもよい。また、硬化済の片面銅張積層板と開口部を有する硬化済の第２樹脂基板との間にプリプレグを介在させて加熱プレスしてもよい。
【００２１】
（３）片面銅張積層板（第１樹脂基板）２０と第２樹脂基板とからなる途中基板の四隅に位置決め用の貫通孔２６（アライメントマーク２７）をレーザにより穿設する（図１（Ｃ）参照）。位置決め用の通孔はドリルによる穿設でもよい。
　なお、アライメントマークの形成位置は、開口部３２Ａにより露出している積層体に形成してもよい。この場合、アライメントマークが電子部品の近くに形成されているため、電子部品を搭載する位置精度やバイアホールを形成する位置の精度が高くなる。アライメントマークは、積層体を貫通する貫通孔や第１樹脂層の第１面上に形成された導体からなっていてもよい。アライメントマークが導体からなる場合、導体の周りの金属膜は除去されている。
【００２２】
（４）次いで、開口部により露出している第１樹脂層上に接着剤層２８を形成する（図１（Ｄ）参照）。接着剤層を形成する位置は、位置決め用の貫通孔２６を用いて決められる。接着剤層は、塗布やポッティングなどで形成できる。これにより、後述するようにチップコンデンサ３０と第１樹脂基板２２との隙間を充填することが可能となる。
【００２３】
（４）
次いで、チップコンデンサ３０が、片面銅張積層板上に接着剤層を介して搭載される（図１（Ｅ）参照）。
【００２４】
（５）
次に、ガラスクロス等の心材にＢＴやエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグ３４α（厚さ０．１ｍｍ）を第２樹脂基板３２の上に載置する（図２（Ａ）参照）。
【００２５】
（６）
そして、重ね合わせた基板は加熱プレスされる。
ここでは、加熱プレスすることで、先ず、プリプレグ３４αからエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）等が開口部３２Ａ内に押し出される。そして、押し出された樹脂が開口部３２Ａとチップコンデンサ３０との間の隙間を充填する。次いで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３４αが第３樹脂基板（第３樹脂層）となる。また、開口部内に押し出された樹脂が硬化して、開口部３２Ａとチップコンデンサ３０との間の隙間を充填する充填樹脂となる。
　第１樹脂基板と第２樹脂基板、第３樹脂基板が、強固に接着され、チップコンデンサ３０を収容する多層基板５０となる（図２（Ｂ）参照）。
　第１樹脂層と第３樹脂層の厚みは略等しいことが好ましい。
　なお、本実施例では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３２Ａ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３２Ａ内に充填材を配置しておくことも可能である。更に、プリプレグ３２の代わりに硬化させた樹脂基板を用いることもできる。
　充填樹脂は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることが好ましい（ガラス繊維やアラミド繊維は有していない）。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。
【００２６】
　ここで、多層基板５０の両面が平滑な第１樹脂基板２２、第３樹脂基板３４なので、多層基板５０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、多層基板の上に導体回路４４、４６、ビア導体４２Ｕ、４２Ｄを適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、多層基板５０に十分な強度を得ることができる。
【００２７】
（７）次
いで、位置決め用の貫通孔２６（アライメントマーク２７）を用いて、銅箔２４、第１樹脂基板（第１樹脂層）２２及び接着剤層２８に、レーザによりチップコンデンサの端子３０Ａ、端子３０Ｂへ至るビア導体用のバイアホール３６Ｄを形成する。また、充填樹脂、第３樹脂基板３４に、チップコンデンサの電極に至るビア導体用のバイアホール３６Ｕを形成する。
　バイアホールを形成する位置は、コンデンサを搭載するときに用いたアライメントマークを基準にして決定されている。そのため、バイアホールが、コンデンサの端子（電極）に対し、位置ずれすることなく、高精度に形成することができる。
　プリプレグから染み出した樹脂が貫通孔２６を充填して、アライメントマークの認識が困難となる場合がある。そのような場合、アライメントマークをカメラやＸ線などで認識して、新たな第２アライメントマークを形成してもよい。この時、バイアホール３６Ｕ、３６Ｄは、第２アライメントマークを基準にして形成されることが好ましい。第２アライメントマークは、多層基板（ベース基板）５０を貫通する貫通孔などであって、アライメントマーク２７を基準にして形成することができる。
【００２８】
（８）次に、市販（例えば上村工業社製）の無電解銅めっき水溶液中に、触媒を付与した多層基板５０を浸漬して、バイアホール３６Ｄ、３６Ｕと貫通孔３７の内壁を含む多層基板５０の表面に厚さ０．６〜３．０μｍの
無電解めっき膜（無電解銅めっき膜）３８を形成する
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【００２９】
（９）そして、市販（例えば、上村工業社製）の電解めっき液に多層基板５０を浸漬し、無電解銅めっき膜３８を介して電流を流し、以下の条件で電解めっきを施して
電解銅めっき膜４０を形成する
【００３０】
　〔電解めっき条件〕
　　　電流密度　　　　　　　１Ａ／Ｄｍ２
　　　　時間　　　　　　　　　１２０分
　　　　温度　　　　　　　２２±２℃
【００３１】
（１０）電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部を溶解除去する。その後エッチングレジストを除去する（図３（Ｂ））。続いて、導体回路表面をソフトエッチングすることにより、導体（電解銅めっき膜）表面に粗化面４８を形成する（図３（Ｃ））。
これにより、多層基板５０の上面側（第３樹脂層の第２面上）に無電解銅めっき膜３８及び電解銅めっき膜４０から成る導体回路４６を形成し、第３樹脂層にビア導体４２Ｕを形成する。
（３）図２（Ａ）から、プリプレグ３４αは孔なしであること、及びプリプレグ３４αは開口部３２Ａを塞ぐ位置に配されることが看取される。
（４）段落【００２３】の「（４）次いで、チップコンデンサ３０が、片面銅張積層板上に接着剤層を介して搭載される」との記載、及び図１（Ｂ）ないし図１（Ｅ）から、プリプレグ３２αの開口部３２Ａは貫通孔であると認められる。
（５）段落【００２５】の記載及び図２（Ｂ）から、第１樹脂層２２、第２樹脂層３２、第３樹脂層３４、及び充填樹脂からなる層に、チップコンデンサ３０が埋設されることが看取される。
（６）段落【００２７】段落の記載及び図３（Ｃ）から、導体回路４６とチップコンデンサ３０の電極がビア導体４２Ｕにより接続されることが看取される。
（７）プリプレグのガラスクロスがシート状であることは技術常識であるから、プリプレグ３４αに内蔵されるガラスクロスもシート状であると認められる。
　上記記載事項及び図面の図示内容を総合して、本願発明１の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「片面銅張積層板２０である第１樹脂基板２２の上に、チップコンデンサ３０が収容される貫通孔である開口部３２Ａが予め形成されたプリプレグ３２αを積層するとともに、前記開口部３２Ａを通して前記チップコンデンサ３０を搭載する第１の工程と、
　シート状のガラスクロスが内蔵された孔なしのプリプレグ３４αを前記開口部３２Ａを塞ぐ位置に配する第２の工程と、
　前記プリプレグ３２α及び前記プリプレグ３４αとを互いに加熱プレスすることにより第１樹脂層２２、第２樹脂層３２、第３樹脂層３４、及び充填樹脂からなる第１の層を形成し、該層内に前記チップコンデンサ３０を埋設する第３の工程と、
　前記第１の層の外側から前記チップコンデンサ３０の電極に至るバイアホール３６Ｕを形成する第４の工程と、
　前記第１の層の表面に導体回路４６を形成し、かつ前記バイアホール３６Ｕ内に前記導体回路４６と前記電極とを電気的に接続するための無電解銅めっき膜３８及び電解銅めっき膜４０を充填してビア導体４２Ｕを形成する第５の工程と
　を含むプリント配線板の製造方法。」
　２　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された引用文献２（特開２００９−２４６３５８号公報）には、図面（特に図８、図９、図１８参照）とともに以下の事項が記載されている。
（１）「【００２４】
　上記構成のコアレス配線基板１０は例えば以下の手順で作製される。」
　
（２）「【００２８】
　そして、図８に示されるように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層２１に複数のビア穴３２を形成する（ビア穴形成工程）。このとき、樹脂絶縁層２１中のガラスクロス３６もレーザ加工により焼失されることで切断される。またこのとき、切断されたガラスクロス３６の先端３６Ａは、レーザ加工時の熱エネルギーによって溶け、その後固まることで丸みを帯びた形状となる。さらに、ビア穴形成時において、レーザ光の一部がガラスクロス３６で散乱するため、そのガラスクロス３６の上方と下方とでレーザ加工性が変化することにより、ガラスクロス３６が存在する位置に対応して段差３９が形成される。」
（３）「【００３５】
　より詳しくは、図１８に示されるように、ビア穴３２における段差３９は、樹脂絶縁層２１〜２４においてガラスクロス３６が存在する深さ位置に対応して形成されている。また、ビア穴３２において、段差３９を境界としてビア開口側領域（図１８では上方の領域）とビア底部側領域（図１８では下方の領域）とで区分した場合、ビア底面６４を基準としたビア開口側領域の傾斜角度θ１は、ビア底面６４を基準としたビア底部側領域の傾斜角度θ２よりも大きくなっている（θ１＞θ２）。」
（４）段落【００３５】及び図１８から、大径のビア開口側領域に対して段差３９を形成しつつ小径のビア底部側領域が形成させることが看取される。また、段落【００３５】、図８、図９、図１８から、レーザ光の照射がビア開口側領域の上部からなされることを考慮すれば、ビア開口側領域の形成後に段差を形成しつつ積層金属シート体４２に到達するビア底部側領域が形成されることも明らかである。
　上記記載事項、認定事項、及び図面の図示内容を総合して、本願発明１の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献２には、次の発明（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されている。
「ビア穴形成工程にて、ガラスクロス３６を切断するパワーのレーザ光の照射により大径のビア開口側領域を形成した後、前記レーザ光の照射により前記大径のビア開口側領域に対してガラスクロス３６が存在する深さ位置に対応して段差３９を形成しつつ積層金属シート体４２に到達する前記大径のビア開口側領域より小径のビア底部側領域を形成するコアレス配線基板１０の製造方法。」
第５　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、後者の「片面銅張積層板２０である第１樹脂基板２２」は、前者の「剛性を有する支持板」に相当し、以下同様に、後者の「チップコンデンサ３０」は電気的な部品の一種であるから、前者の「電気又は電子的な部品」に、「チップコンデンサ３０が収容される貫通孔である開口部３２Ａ」は「部品が貫通する貫通孔」に、プリプレグは絶縁体であるから、「プリプレグ３２α」は「孔あき絶縁体」に、「プリプレグ３４α」は「孔なし絶縁体」に、
　後者の「加熱プレス」は前者の「押圧して加熱すること」に、後者の第１樹脂層２２、第２樹脂層３２、第３樹脂層３４、及び充填樹脂は全て絶縁体であるから、「第１樹脂層２２、第２樹脂層３２、第３樹脂層３４、及び充填樹脂からなる第１の層」は「絶縁層」に、後者の第３の工程では層を積層しているから、「第３の工程」は「積層工程」に、
　後者の「電極」は前者の「端子」に、「バイアホール３６Ｕ」は「ビア」に、後者の第４の工程ではバイアホール３６Ｕを形成しているから、「第４の工程」は「ビア形成工程」に、
　後者の「導体回路４６」は前者の「導体パターン」に、「無電解銅めっき膜３８及び電解銅めっき膜４０」は「導電体」に、「ビア導体４２Ｕ」は「導通ビア」に、後者の第５の工程ではパターンを形成しているから、「第５の工程」は「パターン形成工程」に、
　後者のプリント配線板はチップコンデンサ３０を内蔵しているから、後者の「プリント配線板の製造方法」は前者の「部品内蔵基板の製造方法」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「片面銅張積層板２０である第１樹脂基板２２上に」「チップコンデンサ３０を搭載」することは、本願発明１の「剛性を有する支持板上に金属膜を貼り付け、該金属膜上に電気又は電子的な部品を搭載する」ことと、「剛性を有する支持板上に、電気又は電子的な部品を搭載」する限りで共通する。
　引用発明の「第１の工程」と、本願発明の「搭載工程」及びそれに続く「レイアップ工程」の中の「前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体の前記貫通孔に前記部品を通し」までの工程とは、支持板上に、電気又は電子的な部品を搭載するとともに、孔あき絶縁体の貫通孔に前記部品を通した状態で配置する点で共通するといえる。そうすると、引用発明の「第１の工程」及び「第２の工程」は、本願発明１の「剛性を有する支持板上に金属膜を貼り付け、該金属膜上に電気又は電子的な部品を搭載する搭載工程と、前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体の前記貫通孔に前記部品を通し、シート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を前記貫通孔を塞ぐ位置に配するレイアップ工程」と、「剛性を有する支持板上に電気又は電子的な部品を搭載するとともに、前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体を支持板上に配置し、シート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を前記貫通孔を塞ぐ位置に配する工程」である限りで共通する。
　したがって、両者は、
「剛性を有する支持板上に電気又は電子的な部品を搭載するとともに、前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体を支持板上に配置し、シート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を前記貫通孔を塞ぐ位置に配する工程と、
　孔あき絶縁体及び前記孔なし絶縁体とを互いに押圧して加熱することにより絶縁層を形成し、該絶縁層内に前記部品を埋設する積層工程と、
　前記絶縁層の外側から前記部品が有する端子に到達するビアを形成するビア形成工程と、
　前記絶縁層の表面に導体パターンを形成し、かつ前記ビア内に前記導体パターンと前記端子とを電気的に接続するための導電体を充填して導通ビアを形成するパターン形成工程とを含む部品内蔵基板の製造方法。」
　である点で一致し、次の点で相違している。
〔相違点１〕
　本願発明１は、剛性を有する支持板上に「金属膜を貼り付け、該金属膜上に」電気又は電子的な部品を搭載するのに対して、引用発明は、そのようなものではない点。
〔相違点２〕
　本願発明１は、剛性を有する支持板上に金属膜を貼り付け、該金属膜上に電気又は電子的な部品を搭載する搭載工程と、「前記部品が貫通する貫通孔が予め形成された孔あき絶縁体の前記貫通孔に前記部品を通し、」シート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を前記貫通孔を塞ぐ位置に配するレイアップ工程を有するのに対して、引用発明は、片面銅張積層板２０である第１樹脂基板２２の上に、チップコンデンサ３０が収容される貫通孔である開口部３２Ａが予め形成されたプリプレグ３２αを積層するとともに、前記開口部３２Ａを通して前記チップコンデンサ３０を搭載する第１の工程と、シート状のガラスクロスが内蔵された孔なしのプリプレグ３４αを前記開口部３２Ａを塞ぐ位置に配する第２の工程とを有する点。
〔相違点３〕
　本願発明１は、「前記レイアップ工程にて、前記孔あき絶縁体を流動性を有する流動体及び剛性を有する剛性体で形成し、前記流動体の厚みは前記孔あき絶縁体の厚みに対して３０％〜９０％と」するのに対して、引用発明は、そのようなものではない点。
〔相違点４〕
　本願発明１は、「前記ビア形成工程にて、前記ガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射により大径の大径ビアを形成した後、前記第１のレーザー照射よりも低いパワーである第２のレーザー照射により前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記端子に到達する前記大径ビアより小径の小径ビアを形成する」のに対して、引用発明は、そのようなものではない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点４について先に検討する。
　本願発明１と引用文献２に記載された事項とを対比すると、後者の「ビア穴形成工程」は前者の「ビア形成工程」に相当し、以下同様に、「ガラスクロス３６」は「ガラスクロス」に、「ガラスクロス３６を切断するパワーのレーザ光の照射」は「ガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射」に、「大径のビア開口側領域」は「大径ビア」に、「段差３９」は「段差部」に、それぞれ相当する。
　
　また、引用文献２に記載された事項における「前記大径のビア開口側領域より小径のビア底部側領域」は、本願発明１における「前記端子に到達する前記大径ビアより小径の小径ビア」と、「前記大径ビアより小径の小径ビア」という限りで共通し、
　引用文献２に記載された事項における「前記レーザ光の照射により前記大径のビア開口側領域に対して段差３９を形成しつつ前記大径のビア開口側領域より小径のビア底部側領域を形成する」ことは、本願発明１における「前記第１のレーザー照射よりも低いパワーである第２のレーザー照射により前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記端子に到達する前記大径ビアより小径の小径ビアを形成する」ことと、「レーザー照射により前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記大径ビアより小径の小径ビアを形成する」という限りで共通し、
　引用文献２に記載された事項における「コアレス配線基板１０」は、本願発明１における「部品内蔵基板」と、「基板」という限りで共通する。
。
　したがって、引用文献２に記載された事項を本願発明１の用語を用い、その記載ぶりに倣って整理すると次のように表現できる。
「ビア形成工程にて、ガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射により大径の大径ビアを形成した後、レーザー照射により前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記大径ビアより小径の小径ビアを形成する基板の製造方法。」
　してみると、引用文献２に記載された事項は、ガラスクロス３６を切断するパワーのレーザ光がガラスクロス３６により散乱することで段差３９が形成されるものであって、積層金属シート体４２に到達するまで同じパワーのレーザ光が照射されるものであり、相違点４に係る発明特定事項のうち、少なくとも、ビア形成工程にて、ガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射により大径の大径ビアを形成した後、「前記第１のレーザー照射よりも低いパワーである第２のレーザー照射により」前記大径ビアより小径の小径ビアを形成したものではない。
　そして、本願発明１は、大径ビアを形成する際にガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射を用い、小径ビアを形成する際にガラスクロスを貫通するパワーの第１のレーザー照射よりも低いパワーの第２のレーザー照射を用いることにより、ガラスクロスを貫通しつつも、基板に内蔵された部品を傷つけないという顕著な効果を奏するものである。
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された引用文献３（国際公開第２０１２／０４２６６７号）や、引用文献４（特開２０１０−１２８９３４号公報）にも、相違点４に係る本願発明１の発明特定事項についての記載はない。
　
　そうしてみると、引用発明に引用文献２、引用文献３、及び引用文献４に記載された事項を適用して、相違点４に係る本願発明１の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たとはいえない。 
　したがって、本願発明１は、相違点１、２及び３を検討するまでもなく、引用発明、引用文献２、引用文献３、及び引用文献４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　したがって、本願発明１は、引用発明、引用文献２、引用文献３、及び引用文献４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６は、本願発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、本願発明１と同様の理由により、引用発明、引用文献２、引用文献３、及び引用文献４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　原査定についての判断
　平成２９年９月２１日の手続補正により補正された請求項１は、ビア形成工程にて、前記ガラスクロスを貫通する「パワーの第１のレーザー照射により」大径の大径ビアを形成した後、「前記第１のレーザー照射よりも低いパワーである第２のレーザー照射により」前記大径ビアに対して段差部を形成しつつ前記端子に到達する前記大径ビアより小径の小径ビアを形成するとの事項を備えるものとなっており、上記のとおり、本願発明１ないし６は、引用発明、引用文献２、引用文献３、及び引用文献４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第７　当審拒絶理由について
　１　当審では、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由を通知している。
　ア　請求項１について 
（ア）請求項１には、「流動性を有する流動体及び剛性を有する剛性体からなる孔あき絶縁体、並びにシート状のガラスクロスが内蔵された孔なし絶縁体を形成材料として押圧・加熱してなる絶縁層」、及び「絶縁樹脂材料を含む絶縁層」との記載がある。 
　上記各「絶縁層」は記載の整合性から判断すると、実際には同一のものを示すはずであるが、あたかも別のものを示すように記載されており、不明確である。 
  
（イ）請求項１には、「前記導通ビアは、前記導体パターンから前記端子に向けて大径の大径ビアに導電体が充填された大径部と、前記大径ビアの形成時と比較して低いパワーのレーザー照射によって形成され且つ前記大径ビアより小径の小径ビアに導電体が充填された小径部とで形成され」るとの記載がある。 
　上記における、特に大径ビアの形成時と比較して低いパワーのレーザー照射によって小径ビアを形成することが、部品内蔵基板の製造方法であるか否かを検討すると、明細書、特許請求の範囲、図面の記載及び技術常識を考慮しても、当該製造方法が物（部品内蔵基板）のどのような構造若しくは特性を表しているのか明らかではないから、上記は物の発明についての請求項にその物の製造方法が記載されている場合に該当する。 
　ここで、物の発明についての請求項にその物の製造方法が記載されている場合に、その請求項の記載が「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは、出願時においてその物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的ではないという事情が存在するときに限られるところ、請求項１に係る発明においては上記事情が存在しないことは明らかであるから、上記記載は明確ではない。 
  
（ウ）請求項１には、「孔あき絶縁体において、前記流動体の厚みは前記孔あき絶縁体の厚みに対して３０％〜９０％であ」るとの記載がある。 
　しかしながら、上記「孔あき絶縁体」の「流動体」は部品内蔵基板の製造中に変形し、その厚みは最終的な生成物としての「部品内蔵基板」の構成には反映されない。したがって、上記記載は部品内蔵基板を構成するものとは認められない。 
　これに対して、平成２９年９月２１日の手続補正により、請求項１は削除された結果、この拒絶理由は解消した。
　イ　請求項５について 
　請求項５には、「前記孔あき絶縁体及び前記孔なし絶縁体の厚みに対して４０％〜９０％の間で前記ガラスクロスの位置を制御することを特徴とする請求項２に記載の部品内蔵基板の製造方法」との記載がある。 
　しかしながら、上記記載の意味が、明細書、特許請求の範囲、図面の記載及び技術常識を考慮しても不明である。 
　これに対して、平成２９年９月２１日の手続補正により、請求項５は削除された結果、この拒絶理由は解消した。
　２　当審では、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由を通知している。
　請求項４には、「前記レイアップ工程にて、前記孔なし絶縁体の溶融開始温度が前記孔あき絶縁体の溶融開始温度と同じかそれよりも高いものを用いる」との記載がある。 
　しかしながら、レイアップ工程にて、孔なし絶縁体の溶融開始温度が孔あき絶縁体の溶融開始温度と同じものを用いることは、発明の詳細な説明（発明を実施するための形態）には記載がない。 
　これに対して、平成２９年９月２１日の手続補正により、請求項４を前記レイアップ工程にて、前記孔なし絶縁体の溶融開始温度が前記孔あき絶縁体の溶融開始温度「よりも」高いものを用いると変更した結果、この拒絶理由は解消した。
第８　むすび
　以上のとおり、本願発明１ないし６は、いずれも、引用発明、引用文献２、引用文献３及び引用文献４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。