【事件の表示】
　特願２０１４−２１６１０６「相変化メモリセル」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月２３日出願公開、特開２０１５−１３３４７６、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年（２０１４年）１０月２３日（パリ条約による優先権主張　２０１４年１月１５日（以下、「本願優先日」という。），中華人民共和国）を出願日とする出願であって、同年１０月２３日付けで審査請求がなされ、平成２７年１１月１３日付けで拒絶理由通知が通知され、平成２８年４月４日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされ、同年７月２９日付けで拒絶理由通知が通知され、同年９月１日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされたが、平成２９年２月１日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされたものである。
　これに対して、平成２９年５月１日付けで審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、当審において同年１０月３１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１２月２７日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正（以下、「本手続補正」という。）がなされたものである。
第２　原査定の理由の概要
　（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１３−００８９４７号公報
２．国際公開第２００５／０３８０８０号
３．特開２００７−０８７７７４号公報
４．特開２００８−２６１７９８号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用例１：特開２０１３−８９４７号公報
引用例Ａ：特開２０１０−２５７９７６号公報
（なお、引用文献番号は原査定に合わせた。）
第４　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、本手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明であり、本願発明は以下のとおりの発明である。
「少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤと、少なくとも一つの相変化層と、第一電極と、第二電極と、第三電極と、を含む相変化メモリセルであって、
　前記第一電極と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第二電極とは、書き込み回路を形成し、
　前記第一電極、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤ及び前記第二電極は、相互に直列接続され、
　前記書き込み回路は、前記相変化メモリセルにデータを書き込み、
　前記第三電極と、少なくとも一つの前記相変化層と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第一電極或いは前記第二電極とは、読み出し回路を形成し、
　前記第三電極と、少なくとも一つの前記相変化層と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第一電極或いは前記第二電極とは、相互に直列接続され、
　前記読み出し回路は、前記相変化メモリセルからデータを読み出し、
　少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは複数のリング構造体である湾曲部を有し、
　少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは、順に接続された第一部、前記湾曲部及び第二部から形成され、
　前記第一部は、前記第二部と間隔をあけて平行に設置され、
　前記第一電極は少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第一部と電気的に接続され、前記第二電極を少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第二部と電気的に接続され、
　前記第三電極は、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部と間隔をあけて設置され、
　少なくとも一部の前記相変化層及び少なくとも一部の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部は、相互に接触していることを特徴とする相変化メモリセル。」
第５　引用例、引用発明等
１　引用例１について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１３−００８９４７号公報(以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（１）「【００１２】
　（実施例１）
　
図１を参照すると、本発明の相変化メモリセル１０は、基板１００と、少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体１１０と、少なくとも一つの相変化層１２０と、第一電極１３２と、第二電極１３４と、第三電極１３６と、第四電極１３８と、を含む。
【００１３】
　更に、前記相変化メモリセル１０は、書き込み回路及び読み出し回路を含む。
前記書き込み回路は、相互に直列接続された前記第一電極１３２と、前記カーボンナノチューブ構造体１１０と、前記第二電極１３４と、を含み、前記相変化メモリセル１０にデータを書き込むことができる。前記読み出し回路は、相互に直列接続された前記第三電極１３６と、前記相変化層１２０と、前記第四電極１３８と、を含み、前記相変化メモリセル１０からデータを読み出すことができる。
（２）「【００２６】
　（四）カーボンナノチューブワイヤ
　
前記カーボンナノチューブ構造体１１０は、一本又は数本のカーボンナノチューブワイヤからなることができる。
（３）「【００３３】
　前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、金属または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの電気伝導材料からなる。前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４の厚さは１００ｎｍ〜１００μｍであるが、２０ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。本実施例において、前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４の材料は、導電性ペーストからなる。該導電性ペーストは、金属粉末、低融点のガラス粉末及び接着剤からなる。前記金属粉末は銀粉で、前記接着剤はテルピネオール又はエチルセルロースであることが好ましい。前記導電性ペーストにおいて、前記金属粉末の重量比は５０％〜９０％であり、前記低融点のガラス粉末の重量比は２％〜１０％であり、前記接着剤の重量比は８％〜４０％である。前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、スクリーン印刷法によって、導電性ペーストを前記カーボンナノチューブ構造体１１０の一部の表面に印刷することにより形成される。前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４に電圧を印加した際に、前記カーボンナノチューブ構造体１１０の熱によって前記相変化層１２０が相変化温度に達することができるのであれば、該導電ペーストの形状、寸法及び位置は制限されない。本実施例において、前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、相互に対向して設置され、且つ前記カーボンナノチューブ構造体１１０の対向する両端における各々のカーボンナノチューブに、電気的にそれぞれ接続されている。つまり、
前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、前記カーボンナノチューブ構造体１１０に電気的に接続されている。
【００３４】
　
前記第三電極１３６及び前記第四電極１３８は、それぞれ前記相変化層１２０に電気的に接続されている。
本実施例において、前記第四電極１３８を省略することもできる。この場合、前記相変化層１２０に電流が流れるように、前記第三電極１３６及び前記第一電極１３２の間に電圧を印加し、または前記第三電極１３６及び前記第二電極１３４の間に電圧を印加する。前記第三電極１３６、前記相変化層１２０及び前記第一電極１３２／前記第二電極１３４は、相互に直列接続される。
（４）上記（１）ないし（３）から、上記引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体１１０と、少なくとも一つの相変化層１２０と、第一電極１３２と、第二電極１３４と、第三電極１３６と、を含み、
　前記カーボンナノチューブ構造体１１０は、一本又は数本のカーボンナノチューブワイヤからなり、
　前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、前記カーボンナノチューブ構造体１１０に電気的に接続され、書き込み回路を形成し、
　前記書き込み回路は、前記相変化メモリセル１０にデータを書き込むことができ、
　前記第三電極１３６、前記相変化層１２０及び前記第一電極１３２／前記第二電極１３４は、相互に直列接続され、読み出し回路を形成し、
　前記読み出し回路は、前記相変化メモリセル１０からデータを読み出すことができる、
　相変化メモリセル１０。」
２　引用例２について
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００５／０３８０８０号(以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「[0036]　図２Ａ，Ｂは本発明の第１実施形態を示す説明図であり、図２Ａは概略的な斜視図、図２Ｂは底面図である。このナノサイズヒータ付きノズル１０は、ノズル１１と、一対の電極２１，２２と、ナノサイズヒータ３０などで構成される。
[0037]　ノズル１１は、石英やガラスなどの電気絶縁性材料を用いて、円筒や角筒などのパイプ状に形成される。ノズル１１の内径は、微小薄膜を成膜する際の空間分解能に応じて適宜設定され、例えば１００ｎｍ程度〜２μｍ程度の直径に形成される。原料ガスが、ガス供給源からガス配送路(不図示)を通じてノズル１１の後端に供給されると、ノズル１１先端の開口部から基板Ｗに向けて局所的に供給される。
[0038]　ノズル１１の側面には、一対の電極２１，２２が設けられる。電極２１，２２には、外部電源から送電路(不図示)を通じて直流または交流の電力が供給される。
[0039]　
ナノサイズヒータ３０は、高い融点および比較的高い体積抵抗率を有する材料で形成され、ヒータ材料として一般的なタングステンやグラフアイト等でも形成可能であるが、上述したように、大きな許容電流密度および高温でも高い強度を有するカーボンナノチューブを用いることが好ましい。
[0040]　ナノサイズヒータ３０の各端部は、融着や圧着などで電極２１，２２にそれぞれ固定される。
ナノサイズヒータ３０は、ノズル１１の開口部を横切るようにＵ字状に湾曲して配置され、ノズル１１を通過した原料ガスを効率的に加熱する。
（２）上記（１）から、上記引用例２には次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
「カーボンナノチューブをノズル１１の開口部を横切るようにＵ字状に湾曲して配置し、ノズル１１を通過した原料ガスを効率的に加熱する、ナノサイズヒータ３０。」
３　引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−０８７７７４号公報(以下、「引用例３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２２】
　一方、
線状電気ヒータ部５ｗを熱交換室Ｃの内部に組付けるに際しては、
、線状電気ヒータ部５ｗは、湾曲部（折曲部を含む）５ｗｒを設けることによりリング状或いは渦巻状に巻回し、熱交換室Ｃの内部に所定の長さ分を収容する。特に、巻回数は、必要な加熱能力等を考慮して複数回とすることが望ましい。
（２）上記（１）から、上記引用例３には次の発明（以下、「引用例３発明」という。）が記載されていると認められる。
「熱交換室Ｃの内部に組付ける線状電気ヒータ部５ｗであって、
　湾曲部（折曲部を含む）５ｗｒを設けることによりリング状或いは渦巻状に巻回し、熱交換室Ｃの内部に所定の長さ分を収容する、
　線状電気ヒータ部５ｗ。」
４　引用例４について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−２６１７９８号公報(以下、「引用例４」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００２９】
　
前記サンプル採取部１は、ガス状のサンプルを導入（採取）するためのサンプリングカップ１ａを備え、図１にはサンプリングカップ１ａの一部を切り欠いて示してある。そして、図１に示すように、サンプリングカップ１ａはワイヤ部材１ｂを内蔵し、このワイヤ部材１ｂは、ほぼ渦巻き状（フィラメント状）で、例えばヒータワイヤにポリジメチルシロキサンを塗布することにより作成され、サンプル中の揮発性成分を吸蔵（吸着）し、通電によって昇温すると吸蔵した揮発性成分を（一度に）放出する性状を有している。
（２）上記（１）から、上記引用例４には次の発明（以下、「引用例４発明」という。）が記載されていると認められる。
「ガス状のサンプルを導入（採取）するためのサンプリングカップ１ａを備えた、サンプル採取部１であって、
　サンプリングカップ１ａは、ほぼ渦巻き状（フィラメント状）で、サンプル中の揮発性成分を吸蔵（吸着）し、通電によって昇温すると吸蔵した揮発性成分を（一度に）放出する性状を有するワイヤ部材１ｂを内蔵している、
　サンプル採取部１。」
５　引用例Ａについて
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２０１０−２５７９７６号公報(以下、「引用例Ａ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０１１２】
　
また、図１８を参照すると、前記加熱素子１０４が、一つの線状のカーボンナノチューブ複合構造体である場合、該線状のカーボンナノチューブ複合構造体は、前記中空の三次元支持体１０２の表面に巻き付かれる
（２）上記（１）から、上記引用例Ａには次の発明（以下、「引用例Ａ発明」という。）が記載されていると認められる。
「一つの線状のカーボンナノチューブ複合構造体であって、該線状のカーボンナノチューブ複合構造体は、中空の三次元支持体１０２の表面に巻き付かれる、
　加熱素子１０４。」
第６　対比・判断
１　対比
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、次のことがいえる。
（１）引用例１発明の「少なくとも一つの相変化層１２０」および「相変化メモリセル１０」は、それぞれ本願発明の「少なくとも一つの相変化層」および「相変化メモリセル」に相当する。
（２）引用例１発明の「少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体１１０」は、「一本又は数本のカーボンナノチューブワイヤからな」っているから、本願発明の「少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤ」に相当する。
（３）引用例１発明は、「前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、前記第一電極１３２及び前記第二電極１３４は、前記カーボンナノチューブ構造体１１０に電気的に接続され、」「前記相変化メモリセル１０にデータを書き込むことができ」る、「書き込み回路を形成し」ており、また、「前記第三電極１３６、前記相変化層１２０及び前記第一電極１３２／前記第二電極１３４は、相互に直列接続され、」「前記相変化メモリセル１０からデータを読み出すことができる、」「読み出し回路を形成し」ている。
　そうすると、引用例１発明の「書き込み回路」および「読み出し回路」は、それぞれ、本願発明の「書き込み回路」および「読み出し回路」に相当し、また、引用例１発明の「第一電極１３２」，「第二電極１３４」および「第三電極１３６」は、それぞれ、本願発明の「第一電極」，「第二電極」および「第三電極」に相当する。
（３）してみると、本願発明と引用例１発明は以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤと、少なくとも一つの相変化層と、第一電極と、第二電極と、第三電極と、を含む相変化メモリセルであって、
　前記第一電極と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第二電極とは、書き込み回路を形成し、
　前記第一電極、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤ及び前記第二電極は、相互に直列接続され、
　前記書き込み回路は、前記相変化メモリセルにデータを書き込み、
　前記第三電極と、少なくとも一つの前記相変化層と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第一電極或いは前記第二電極とは、読み出し回路を形成し、
　前記第三電極と、少なくとも一つの前記相変化層と、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤと、前記第一電極或いは前記第二電極とは、相互に直列接続され、
　前記読み出し回路は、前記相変化メモリセルからデータを読み出す、
　ことを特徴とする相変化メモリセル。」
［相違点１］
　本願発明は、「少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは複数のリング構造体である湾曲部を有し、
　少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは、順に接続された第一部、前記湾曲部及び第二部から形成され、
　前記第一部は、前記第二部と間隔をあけて平行に設置され、
　前記第一電極は少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第一部と電気的に接続され、前記第二電極を少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第二部と電気的に接続され、
　前記第三電極は、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部と間隔をあけて設置され、
　少なくとも一部の前記相変化層及び少なくとも一部の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部は、相互に接触している」
のに対して、引用例１発明はそのようになっていない点。
２　相違点についての判断
　［相違点１］について以下に検討する。
　引用例１には、「カーボンナノチューブワイヤ」について、［相違点１］に係る構造は開示されておらず、また、「カーボンナノチューブワイヤの湾曲部は加熱素子として相変化層を加熱するので、カーボンナノチューブワイヤの湾曲部に蓄積された熱を十分に利用でき、相変化層の動作速度を向上させることができ、更には、相変化メモリセル及び相変化メモリデバイスの読み書き効率を向上させることができる。」（段落【０００８】）点を考慮することも記載されていないので、引用例１発明において、［相違点１］に係る構成とすることが容易であったとは言えない。
　さらに、引用例２ないし４およびＡには、「少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは複数のリング構造体である湾曲部を有し、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは、順に接続された第一部、前記湾曲部及び第二部から形成され、前記第一部は、前記第二部と間隔をあけて平行に設置され、前記第一電極は少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第一部と電気的に接続され、前記第二電極を少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第二部と電気的に接続され、前記第三電極は、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部と間隔をあけて設置され、少なくとも一部の前記相変化層及び少なくとも一部の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部は、相互に接触している」ことは記載されていないから、引用例１発明に、引用例２ないし４およびＡの記載を適用し、［相違点１］に係る構成を想起することはできない。
　そして、本願発明は、［相違点１］に係る構成を有することにより、「カーボンナノチューブワイヤの湾曲部は加熱素子として相変化層を加熱するので、カーボンナノチューブワイヤの湾曲部に蓄積された熱を十分に利用でき、相変化層の動作速度を向上させることができ、更には、相変化メモリセル及び相変化メモリデバイスの読み書き効率を向上させることができる。」（段落【０００８】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点１］に係る構成は、引用例１ないし４およびＡに記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
第７　原査定についての判断
　本願発明の「少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは複数のリング構造体である湾曲部を有し、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤは、順に接続された第一部、前記湾曲部及び第二部から形成され、前記第一部は、前記第二部と間隔をあけて平行に設置され、前記第一電極は少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第一部と電気的に接続され、前記第二電極を少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記第二部と電気的に接続され、前記第三電極は、少なくとも一本の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部と間隔をあけて設置され、少なくとも一部の前記相変化層及び少なくとも一部の前記カーボンナノチューブワイヤの前記湾曲部は、相互に接触」する構成は、原査定における引用例１ないし４には記載も示唆もなく、また、本願優先日前における周知技術でもない。
　したがって、本願発明は、原査定における引用例１ないし４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
　よって、原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。