【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４７０２６８０号発明「マイクロ波を利用した処理装置」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４７０２６８０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、〔３〜４〕、５、６について訂正することを認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本件特許第４７０２６８０号（以下「本件特許」という。）は、平成１７年４月２７日に出願（特願２００５−１２８９３１号）されたものであって、その請求項１乃至４係る発明について、平成２３年３月１８日に特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対し、株式会社ニッシン（以下「請求人」という。）から平成２８年３月３１日に、請求項１〜４に係る発明の特許について無効審判の請求がなされたものであるところ、審判請求以降の手続は、おおむね次のとおりである。　
 
平成２８年　６月１４日付け　答弁書
　　　同年　９月２７日付け　審理事項通知書（１回目）
　　　同年１０月２７日付け　口頭審理陳述要領書（請求人）
　　　同年１１月２５日付け　口頭審理陳述要領書（被請求人）　
　　　同年１１月２９日付け　審理事項通知書（２回目）
　　　同年１２月　８日付け　口頭審理陳述要領書（２）（請求人）
　　　同年１２月　８日付け　口頭審理陳述要領書（２）（被請求人）　
　　　同年１２月１３日　　　口頭審理　
平成２９年　１月１３日付け　上申書（被請求人）
　　　同年　２月１７日付け　上申書（請求人）
　　　同年　３月１５日付け　審決の予告
　　　同年　５月１６日付け　上申書（被請求人）
　　　同年　５月１６日付け　訂正請求書
　　　同年　７月１１日付け　弁駁書（請求人）
第２　訂正請求についての当審の判断
　被請求人が平成２９年５月１６日に提出した訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の趣旨は、「特許第４７０２６８０号の特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、３〜６について訂正することを求める。」というものであって、本件訂正の内容は、上記平成２９年５月１６日付けの訂正請求書に記載されているとおり、以下の訂正事項１〜５からなるものである。
　なお、本件訂正前の特許請求の範囲を「訂正前特許請求の範囲」といい、本件訂正後の特許請求の範囲を「訂正特許請求の範囲」という。また、願書に添付された明細書、図面は訂正されていないので、本件訂正前後にかかわらずそれぞれ「本件明細書」、「本件図面」という。また、訂正事項の下線は当審が付加したものであり、本件訂正によって記載が変更された箇所を表す。
  
 （１）訂正事項１　 
　訂正前特許請求の範囲の請求項１において、
「前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」と記載されているのを、
「前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし
、
　
前記被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である
 （２）訂正事項２　 
　訂正前特許請求の範囲の請求項３において、
「請求項１又は２に記載した処理装置において、」と記載されているのを、
「請求
項２
 （３）訂正事項３　 
　訂正前特許請求の範囲の請求項４において、
「請求項１又は２に記載した処理装置において、
　被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
　籠状体を回転させながら被処理物の錆の還元又は有機物のクリーニング処理をする構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」と記載されているのを、
「請求
項２
　被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
　籠状体を回転させながら
前記
 （４）訂正事項４　 
　訂正前特許請求の範囲の請求項３において、
「請求項１又は２に記載した処理装置において、
　前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で、前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備えたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」と記載されているのを、請求項１を引用するものについて、独立形式に改めて
「
被処理物の錆（ただし、銅の錆を除く）を還元する処理装置であって
　
被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に
　
前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け
　
前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし
　前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で、前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備えたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」との新たな請求項５とする。 
 （５）訂正事項５　 
　訂正前特許請求の範囲の請求項４において、
「請求項１又は２に記載した処理装置において、
　被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
　籠状体を回転させながら被処理物の錆の還元又は有機物のクリーニング処理をする構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」と記載されているのを、請求項１を引用するものについて、独立形式に改めて
「
被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　
前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし、
　
被
　籠状体を回転させながら被処理物の錆
を
元す
２　訂正の適否についての判断 
 （１）訂正事項１について　 
 　ア　訂正の目的の適否と特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否
　訂正事項１は、訂正前特許請求の範囲の請求項１の「被処理物の錆を還元する構成とし」との記載において、上記「被処理物の錆」が、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものであり、また、訂正事項１によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものでないことは明らかである。
　したがって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
  
　イ　新規事項追加の有無　 
　「被処理物の錆」が、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である」ことについては、本件明細書の段落【００１５】に「このように行われる酸化物の還元（錆落とし）処理と、殺菌処理、油、汚れ取り処理については、鉄材からなる器具や用具などの他に、ニッケル、銅、水銀、白金、銀、金、錫、鉛などの資材で構成された器具や用具などの被処理物であっても同様に処理することができる。」と、同段落【００２９】に「このようにして水素プラズマ２５に晒される被処理物１３は、酸化物として生じている錆の酸素が水素プラズマによって化合し、その化合物Ｈ２Ｏが水蒸気となって真空ポンプ１９により処理室１１外に排出される。
  この結果、錆としての酸化物や水酸化物が還元されるため、錆が消失する。
  例えば、酸化鉄ＦｅＯやＦｅ２Ｏ３等の酸素が還元され鉄に戻る。」と記載されているから、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるといえる。 
　したがって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合する。 
 （２）訂正事項２について　 
　ア　訂正の目的の適否、特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否、新規事項追加の有無
　訂正事項２は、訂正前特許請求の範囲の請求項３において、「請求項１又は２に記載した処理装置において、」と記載されているのを、「請求
項２
　したがって、訂正事項２は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合する。 
 （３）訂正事項３について　 
　ア　訂正の目的の適否、特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否、新規事項追加の有無
　訂正事項３は、訂正前特許請求の範囲の請求項４において、「請求項１又は２に記載した処理装置において、」と記載されているのを「請求
項２
前記
　訂正事項３−１は、請求項４が引用する請求項について、請求項１又は２と特定されていたものを、請求項２のみに限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。
　訂正事項３−２は、訂正事項３−１の訂正によって請求項４が請求項２を引用するものとなったことに伴って、処理装置の処理内容を「被処理物の錆の還元又は有機物のクリーニング処理」から「前記クリーニング処理」に限定するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。また、「クリーニング処理」に「前記」を付けることにより、請求項４に記載された「クリーニング処理」が、請求項２に記載されていた「被処理物に付着している有機物をクリーニング処理」を指すことを明らかにするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項３によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものでなく、訂正事項３が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮と、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合する。 
 （４）訂正事項４について　 
　ア　訂正の目的の適否、特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否、新規事項追加の有無
　訂正事項４は、訂正前特許請求の範囲の請求項３において、「請求項１又は２に記載した処理装置において、」と記載されているのを、請求項１を引用するものについて、引用関係を解消して独立形式とする訂正事項（以下「訂正事項４−１」という。）と、請求項３が引用する請求項１に記載されていた「被処理物の錆を還元する構成とした」「処理装置」について、「被処理物の錆（ただし、銅の錆を除く）を還元する処理装置」であることを特定する訂正事項（以下「訂正事項４−２」という。）からなるものである。
　訂正事項４−１は、請求項３が引用する請求項について、請求項１又は２と特定されていたものを、請求項１を引用するもののみについて、引用関係を解消して独立形式にするものであるから、特許請求の範囲を減縮するとともに、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　訂正事項４−２は、訂正前の請求項３が引用する請求項１に「被処理物の錆を還元する構成とした」「処理装置」と記載されていたところ、当該「処理装置」が、「銅の錆を除く」「被処理物の錆」を「還元する」ものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。
　また、訂正事項４によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものではなく、訂正事項４が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである
　したがって、訂正事項４は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び、同第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合する。
（５）訂正事項５について　 
　ア　訂正の目的の適否、特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否、新規事項追加の有無
　訂正事項５は、訂正前特許請求の範囲の請求項４において、「請求項１又は２に記載した処理装置において、」と記載されているのを、請求項１を引用するものについて、独立形式とする訂正事項（以下「訂正事項５−１」という。）と、「被処理物の錆の還元又は有機物のクリーニング処理をする構成」と記載されているのを「錆を還元する構成」に訂正する事項（以下「訂正事項５−２」という。）からなるものである。
　訂正事項５−１は、請求項４が引用する請求項について、請求項１又は２と特定されていたものを、請求項１を引用するもののみについて、引用形式を解消して独立形式にするものであるから、特許請求の範囲を減縮するとともに、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　訂正事項５−２は、訂正事項５−１の訂正に伴って、処理装置の処理内容を「被処理物の錆の還元又は有機物のクリーニング処理」から「被処理物の錆の還元」に限定するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　また、訂正事項５によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものでなく、訂正事項５が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである。
　したがって、訂正事項５は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするもの、及び、同第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものに該当し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合する。 
（６）各訂正事項の独立特許要件の適用について　 
　本件特許無効審判事件においては、本件訂正前の全ての請求項が無効審判の請求の対象とされているので、訂正事項１〜５に係る本件訂正後の請求項１、３〜６に係る発明に関して、特許法第１３４条の２第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は適用されない。
（７）一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１、３、４について、請求項３、４は請求項１を引用しており、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。
　したがって、本件訂正前の請求項１、３、４に対応する本件訂正後の請求項１、５、６は、特許法第１３４条の２第３項に規定する一群の請求項である。
（８）引用関係の解消の求めについて
　上記（４）、（５）のとおり、訂正事項４、５に係る本件訂正は認められるので、本件訂正に係る請求人の求めのとおり、本件訂正後の請求項１、請求項５、請求項６はそれぞれ別の請求単位として扱われる。
　なお、訂正事項２、３は引用関係の解消を目的とする訂正ではないから、訂正事項２、３に係る本件訂正後の請求項３、４は、これらが引用する本件訂正後の請求項２と別の請求単位として扱われることはない。本件訂正後の請求項２〜４は一群の請求項であり、一の請求単位として扱われる。
（９）訂正についての検討のまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第３項の規定、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合するので、本件訂正後の請求項１、〔３〜４〕、５、６について訂正することを認める。
第３　本件発明　
　上記第２のとおり、本件訂正は認められたので、本件特許の請求項１〜６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜６」といい、これらをまとめて「本件発明」ということもある。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。　
 
「【請求項１】
　被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし
、
　
前記被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である
【請求項２】
　被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物に付着している有機物をクリーニング処理する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。
【請求項３】
　請求
項２
　前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で、前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備えたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。
【請求項４】
　請求
項２
　被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
　籠状体を回転させながら
前記
【請求項５】
　被処理物の錆（ただし、銅の錆を除く）を還元する処理装置であって、
　被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし
、
　前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で、前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備えたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。
【請求項６】
　被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成とし、
　被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
　籠状体を回転させながら被処理物の錆を還元する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」
 
第４　請求人の主張と証拠方法　
１　請求人の主張の概要　
（１）　請求人は、「特許第４７０２６８０号特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、」との審決を求め、審判請求書とともに甲第１号証〜甲第６号証を提出し、口頭審理陳述要領書（平成２８年１０月２７日付け）とともに甲第７〜１１号証を提出し、口頭審理陳述要領書（２）（平成２８年１２月　８日付け）とともに甲第１２号証を提出し、上申書を提出し、弁駁書とともに甲第１３〜１４号証を提出している。そして、提出した上記書類及び口頭審理における主張を整理すると、請求人の主張する無効理由は以下のとおりである。　
 
ア　無効理由１　
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
 
イ　無効理由２　
　本件訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
 
ウ　無効理由３　
　本件訂正前の請求項２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
エ　無効理由４　
　本件訂正前の請求項２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
 
オ　無効理由５
　本件訂正前の請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
 
カ　無効理由６
　本件訂正前の請求項３に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
キ　無効理由７
　本件訂正前の請求項４に係る発明は、甲第１号証及び甲第３号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
ク　無効理由８
　本件訂正前の請求項４に係る発明は、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
［証拠方法］
甲第１号証：特開２０００−３４８８９８号公報
甲第２号証：福田永外４名，“表面波励起プラズマによる中性水素原子生成とレジストアッシングへの応用”，室蘭工業大学紀要，２００４年１１月，Ｎｏ．５４，２９〜３５頁
甲第３号証：特開平６−３２２１６３号公報 
甲第４号証：特表平１１−５０７９９０号公報 
甲第５号証：特表２００２−５０６１２８号公報
甲第６号証：特開平２−１９０４８９号公報
甲第７号証：特開２００１−１４４０９０号公報
甲第８号証：特開２００５−１２９８４９号公報
甲第９号証：特開２００５−１０８９１６号公報
甲第１０号証：特開２００４−６８１８号公報
甲第１１号証：特開２００６−３０７２５５号公報
甲第１２号証：マイクロ波表面波水素プラズマによる金属の還元実験の結果
甲第１３号証：特許庁審査基準第ＩＩＩ部第２章第４節特定の表現を有する請求項等についての取り扱い
甲第１４号証：平成１５年（ワ）第８６０号損害賠償請求事件判決文
２　甲号証の記載事項
　請求人が証拠方法として提出した各甲号証の記載事項は、それぞれ次のとおりである（なお、下線は当審が付与したものであり、「…」は記載の省略を表す。）。
　
（１）　甲第１号証（特開２０００−３４８８９８号公報）の記載事項　
　１ア　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面波励起プラズマの生成方法に係り
【０００２】
【従来の技術】近年、特に
半導体産業界ではプラズマの利用が盛んである。具体的には、半導体製造プロセスでは、エッチング処理を始めとして、デポジション処理、アッシング処理、表面改質処理などがプラズマの利用によりドライ化され、プラズマはＬＳＩなどに必要な微細加工技術に使われているだけでなく、現今では太陽電池や大型液晶パネル等に必要な大面積加工技術にも使われている
　
　１イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
上記の表面波励起プラズマでも、酸素ガスまたは水素ガスを導入しながら生成する反応性プラズマの場合は、大面積化が図り難いという問題がある
【０００６】勿論、
マイクロ波電力の供給量を増やして強制的にプラズマ密度を上げれば
処理対象物（被処理物）が熱ダメージを受けるという別の問題を生じる
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑み、酸素ガスまたは水素ガスを用いる反応性プラズマの大面積化を適切なかたちで実現することのできる表面波励起プラズマの生成方法を提供することを課題とする
　
　１ウ　「【００１５】請求項３の発明によりプラズマを生成する場合、チャンバー内に水素ガスを導入するとともに、水ガス（水蒸気）および希ガス族元素のガスの少なくとも一方のガスを触媒ガスとして同時に導入しながらチャンバー内を減圧雰囲気に保持しつつ、スロットアンテナからチャンバー壁に設けられている誘電体窓を介してマイクロ波電力をチャンバー内へ供給する。したがって、
チャンバー内ではプラズマ化し難い水素ガスの他に、プラズマ化し易い水ガスおよび／または希ガス族元素のガスが必ず混在しており、このプラズマ化し易いガスの混在で水素ガス単独の場合に比べてプラズマ密度が高くなる結果
表面波励起プラズマの大面積化が実現される
【００１６】つまり、請求項３の表面波励起プラズマの生成方法の場合、プラズマ生成を促進する触媒的機能を有するガス（触媒ガス）として、水ガスおよび／または希ガス族元素のガスを水素ガスに混在させることにより、チャンバー内に供給されたマイクロ波が表面波となって伝搬できるだけのカットオフ密度以上の十分なプラズマ密度が得られるのである。
プラズマの面積拡大が、マイクロ波電力の供給量増大ではなく、触媒ガスの併用によるものであるから、処理対象物の熱ダメージの原因となる温度上昇を誘発することもなく、プラズマの大面積化は適切なかたちで実現されることになる
水素ガスが主ガス（メインガス）として必ず含まれていることから生成されるプラズマは還元作用の強いプラズマとなる
　
　１エ　「【００１８】
【発明の実施の形態】続いて、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施に用いられる表面波励起プラズマ発生装置（以下、適宜「プラズマ発生装置」と略記）の構成を示すブロック図、図２はプラズマ発生装置におけるスロットアンテナを示す部分平面図である。以下、図１のプラズマ発生装置の構成を先ず説明してから、ついで本発明の実施例による表面波励起プラズマの生成について説明する。
【００１９】
図１のプラズマ発生装置は
表面波励起プラズマが形成される生成空間Ｓ
円筒状のチャンバー１
プラズマ生成エネルギーであるマイクロ波電力を出力するマイクロ波電力出力部２
チャンバー１内へ必要なガスを導入するガス導入部３
チャンバー１の上面開口を塞ぐようにして取り付けられた石英板窓（誘電体窓）４
石英板窓４の上に設けられたＳＷＰランチャー（マイクロ波導波管）５およびスロットアンテナ６
ガス導入部３からチャンバー１の内に必要なガスが導入されるとともに、スロットアンテナ６からチャンバー１の石英板窓４を介してマイクロ波電力が供給されて生成空間Ｓに表面波励起プラズマが生成される
【００２０】チャンバー１の底面１Ｂには排気管１Ｃが接続されていて、
排気管１Ｃの下流側に介設されている真空排気機構（図示省略）によりチャンバー１の排気が行われる
処理対象物の搬入・搬出に必要な機構（図示省略）なども設けられている
　
　１オ　「【００２７】なお、図１のプラズマ発生装置では、チャンバー１の上面端から１０ｃｍほど下がった位置に
チャンバー１の中を上下に仕切るかたちでシールドプレート１２が取り付けられている
このシールドプレート１２は薄板に穴を一面に開けた所謂シールドメッシュの役割を果たすものであり、表面波励起プラズマはシールドプレート１２より上側に生じる
　
　１カ　「【００２８】続いて、図１のプラズマ装置を用いて表面波励起プラズマの生成を行う本発明の実施例について説明する。
〔第１実施例〕
メインガス導入系３Ａから酸素ガスを導入すると同時に、触媒ガス導入系３Ｂから水ガス（水蒸気）を導入した
【００２９】そして、
マイクロ波電力出力部２から２ｋＷのマイクロ波電力を出力した。そうすると、図３に示すように、チャンバー１の生成空間Ｓの略全域に渡って均一な表面波励起プラズマが生じた
【００３０】なお、
第１実施例の場合、生成した表面波励起プラズマ中には、電子や酸素イオンの他に、化学反応性の高い酸素ラジカルが多数存在する。酸素ラジカルは電子が内殻から外殻へ移動しすることで活性を帯びて反応性が高まった酸素である
図１のプラズマ発生装置の場合、シールドプレート１２により酸素ラジカルが選択的に通過させられて下方のステージＳＴの処理対象物へ向かう
　
　１キ　「【００３７】
〔第３実施例〕
チャンバー１の内を排気しながら、メインガス導入系３Ａから水素ガスを導入すると同時に、触媒ガス導入系３ＢからＡｒガスを導入した
水素ガスとＡｒガスが混在しているチャンバー１の生成空間Ｓは約１００ｍTorrの減圧雰囲気に保つようにした
【００３８】そして、
マイクロ波電力出力部２から２．５ｋＷのマイクロ波電力を出力した。そうすると、やはりチャンバー１の生成空間Ｓの略全域に渡って均一な表面波励起プラズマが生じた
石英板窓４の内面直下の局所的なプラズマ中には水素プラズマ〔Ｈ
2
〕と共にＡｒイオン（Ａｒ
+
 ）の発生に伴って生じた電子ｅが、相当量含まれており、十分なプラズマ濃度となっている
【００３９】表面波の水平方向への伝搬は、図７（ｃ）に示すように、プラズマの水平方向への拡張を伴いながら、さらに図７（ｄ）に示すように、表面波はチャンバー１の内側壁面１Ａへ向けて伝搬してゆく。そして、チャンバー１の内側壁面１Ａに達して戻るマイクロ波により共振現象の様相を呈して、石英板窓４の内面とプラズマのと間に、いわゆるマイクロ波の表面波モードが立った状態となる結果、表面波励起プラズマは直径約３０ｃｍの円形の大面積プラズマを生成することとなる。生成した表面波励起プラズマは、目視観察により、チャンバー１の内側壁面（石英板窓のエッジ近傍）１Ａのところも含めて均一な点灯状態であることが確認された。つまり、第３実施例においては、３ｋＷでも十分なプラズマを生成できない水素ガスに２．５ｋＷ程度のマイクロ波電力で十分な濃度のプラズマを生成できるＡｒガスを混在させることで、還元作用の強い大面積の反応性プラズマが生成できるのである。
還元作用の強い大面積プラズマは、例えば半導体製造プロセスにおけるウエハの表面還元処理（表面改質処理）に威力を発揮する
【００４０】また、水素ガスとＡｒガスの割合を、モル比で水素ガス：Ａｒガス＝１：１とＡｒガスの割合を増やした場合も、１．５ｋＷのマイクロ波電力で同様に還元性の十分な表面波励起プラズマを生成できることを確認した。」
　１ク　「【００４５】実施例では、図１のプラズマ発生装置により表面波励起プラズマを生成したが、本発明の方法の実施に用いるプラズマ発生装置は、
図１のものに限らず、例えば、チャンバー１の内にシールドプレート１２が設けられていないプラズマ発生装置を用いることもできる
　１ケ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）　甲第２号証（福田永外４名，“表面波励起プラズマによる中性水素原子生成とレジストアッシングへの応用”，室蘭工業大学紀要，２００４年１１月，Ｎｏ．５４，２９〜３５頁）の記載事項
　
　２ア　「１　はじめに
　従来、
半導体微細加工におけるレジスト除去工程
従来の灰化に依らない方法、例えば水素による反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によれば上記の問題は回避できるが、プラズマによる基板へのダメージが懸念される
本研究では、低プラズマダメージの特性を有する表面波プラズマを用いた中性原子によるレジスト除去を試み
　
　２イ　「２．１中性原子発生装置
　図１に今回開発した中性原子発生装置の外観を示す。
　図２に示すように、
マイクロ波導入部分は、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を１２インチ径（３００ｍｍ）試料全体に均一に照射できるよう導波管をテーパー（コーン）構造にしている
本装置には高誘電体（石英およびＡｌＮなど）窓材が用いられており、反応チャンバーと導波部を分離させている
本装置は
表面波プラズマが発生するよう設計している
高誘電体窓材を使用する理由は、誘電体窓材表面上の限られた空間においてのみ高密度プラズマが発生できるようにするためである。プラズマは窓に対し垂軸方向で指数関数的に減衰する（図３）。一方、中性原子は寿命が長いので長距離拡散する。それゆえ中性原子のみ基板に照射できる
これまでレジストアッシング工程への適用可能性について検討を行ってきた
　
　２ウ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　２エ　「３ 実験結果
　最初、酸素原子によるアッシングを試みた。8 インチ（200mm）ウェハのレジスト膜厚面内均一性を、ウェハエッジより10mm 離れた4 点と中央一点の計5 点について測定した。酸素及び水素の平均アッシングレートは0.974 μm/min であった。最大値は0.995 μm/min で平均値から+2.2%の差、最小値は0.960 μm/min で平均値から-2.3%の差であり、ほぼ均一にレジストを除去できた。以上の結果から、酸素原子を用いたアッシングは、通常の酸素プラズマアッシングとほぼ同程度の特性を有していることが明らかとなった。
　
本研究では酸素原子および水素原子によるアッシングの優位性を調べるために、最初にイオン注入無しのレジスト（OFPR-800）除去を試みた。次に高ドーズイオン注入レジストのアッシングも行った。それぞれの実験条件は表1 および表2 に示すとおりである
　２オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　２カ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　２キ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　２ク　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　２ケ　「図５および図６に示すように、基板（ステージ）温度の上昇に伴い、アッシングレートの増加が見られる。特に150℃以上では急激な増加が確認できる。高温領域では酸素原子によるアッシングレートが高いのに対し、140〜145℃で逆転し、低温領域では逆に水素によるアッシングレートの方が高くなる傾向を示す。今回、誘電体窓の材質の違いは顕著には見られなかった。」（第３２頁右欄第１〜８行）
　
　２コ　「誘電体窓材に関わらず、酸素原子によるアッシングでは活性化エネルギーは0.47eV となり、一方、水素原子によるアッシングでは0.34〜0.36eV となった。基底状態の酸素原子 [O(3P)] 照射によるアッシングを行った他の報告では、反応の活性化エネルギーが0.50eV とほぼ同等の値が得られている。
これにより、本研究での反応種はイオンや活性ラジカルではなく、基底状態の酸素原子であると考えられる。一方、水素原子によるアッシングにおいても同等のエネルギーが得られていることから、レジストアッシングの優占種が中性原子であることを意味している
（３）　甲第３号証（特開平６−３２２１６３号公報）の記載事項　
　３ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラスチック又は金属等の被処理部材に脱脂及び／又は活性化などのプラズマ処理を施す為の回転バレル式プラズマ処理装置に関する。」
　
　３イ　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の処理装置では、プラズマ雰囲気の発生端に面する被処理部材は満足に処理されるが、
その陰になる被処理部材における処理が不十分になる傾向が強く、均一なプラズマ処理が実現しないと言う問題点があった
【０００４】本願発明は上記従来技術の問題点（技術的課題）を解決する為になされたもので、
各被処理部材の表面を均一に処理出来る共に、多数の被処理部材にわたって均一なプラズマ処理を実現出来るようにした回転バレル式プラズマ処理装置を提供することを目的としている
　
　３ウ　「【０００７】
【実施例】以下本願の実施例を示す図面について説明する。図１乃至図３において、１は床に置かれた２個の台、２は各台１に樹立させた二本の支柱、３は各支柱２の上端に水平に固定した支台で、両支台３は平行に配置されている。４は円筒形の側壁５およびその両端に取り付けられた端板６、７からなる外筒である。７ａは端板７に形成された開口、７ｂは開口７ａを気密に覆うマウント板である。８は外筒４の軸と直交する直線に沿って側壁５の外面２箇所に固定した支軸で、支台３に取り付けられた２個の軸支部９にそれぞれ軸支され、外筒４の軸を水平方向に対して傾動自在にしている。１０は一方の支軸８の周りに設けたアーム元部、１１はその一端が元部１０に支持されているアーム、１２は伸縮型のエアシリンダでそのピストンロッド１３がアーム１１の他端に枢着されている。１４は端板６に設けられた円形の被処理部材の投入口、１５は投入口１４の近くにおいて側壁５に固定した一対の軸受、１６は軸受１５に回動自在に支持された回動軸、１７は回動軸１６の両端部に固着された一対の回動アーム、１８は回動アームに取り付けられた円形の蓋、１９は回動軸１６を回動し得るようこれに連結されている揺動型のエアシリンダである。２０は蓋１８と端板６との間の気密を保つためのＯリング、２１は端板６と側壁５の間の気密を保つためのＯリングで、蓋１８が閉じたとき外筒４が気密になるように構成されている。なお２２は組編金属材でＯリング状に形成された高周波シールドで、Ｏリング２０の外側において端板６の溝に納められている。２３は側壁５に設けられた処理ガスの供給口、２４は一方の支軸８を中空にすることによって外筒４の軸心位置に形成した真空排気口である。なおフレキシブル配管を用いれば、真空排気口を偏軸位置に設けることが出来る。２５は蓋１８に設けられた覗き窓である。
【０００８】次に、
２６は開口部２９を備える側枠２８と、筒部２７とからなる内筒で、処理空間Ｔを区画形成している
２７ａは筒部２７の内面全周にわたって放射状に散設された被処理物攪拌用の多数の羽根である。なお被処理部材の性質によっては、この羽根を設ける代わりに筒部２７の内面を緩やかな凹凸面あるいは粗面の抵抗面に形成してもよい
モータ３２が内筒２６を1rpm程度の低速で回転するように構成されている
　
　３エ　「【０００９】上記構成のものにあっては、エアシリンダ１２を操作して図１に示されるように蓋１８の側が上になるよう外筒４を傾動する。エアシリンダ１９を操作して蓋１８を開き、投入口１４から電気接点、マイクロリレーのプラスチック製キャップ等の多数の被処理部材Ｍを内筒２６の中へ投入し、内筒２６における被処理部材Ｍの占積率が10%、多くても20%に達したら、蓋１８を矢印方向に回動させて閉じる。なお、
被処理部材としては他にパチンコ玉、各種の粉体および粒状体等極めて多種類の部材を被処理部材として投入することが出来る
【００１０】プラズマ雰囲気においては、励起遷移により生じた紫外線放射、酸素イオン、解離あるいは励起状態の酸素原子および電子が被処理部材Ｍの表面に付着している油脂に当たり、これを水蒸気および二酸化炭素に分解する。これらの分解生成ガスは排気手段によって外筒４外に排出される。脱脂されたプラスチック表面はプラズマ雰囲気により酸化され活性化される。なお必要に応じて覗き窓２５を通して被処理部材Ｍの処理状態を監視する。
【００１１】
内筒２６が回転するにつれて、被処理部材Ｍは羽根２７ａにより内筒２６の軸を通る水平面近くまで持ち上げられその後羽根２７ａから落下し、以後上昇落下を繰り返す
この攪拌作用は何れの被処理部材Ｍをもまた各被処理部材Ｍの何れの表面をも常に新鮮なプラズマ雰囲気に均一に接触させ、何れの表面も均一に処理される
　
　３オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（４）　甲第５号証（特表２００２−５０６１２８号公報）の記載事項　
　５ア　「【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、
脱酸
を目的とした、大型の金属部材（１２）の表面の熱処理方法に係る
　
　５イ　「【００４３】
　以上において説明した反応器１０による金属部品１２のクリーニング及び脱酸は、下記の様に行われる。
　　【００４４】
　なお、以下で説明する例において、金属部材１２は、従来の駆動手段（図示せず）によって駆動される基板ホルダ１４の上を移動（ running over ）している鋼のシートである。
　　【００４５】
　先ず、鋼のシート１２を、基板ホルダ１４の上に置いた後、反応室１６内を、ノズル１８を使用して低圧の還元性混合ガスで満たす。この還元性混合ガスの圧力は、好ましくは、１ｍＴｏｒｒから１０ｍＴｏｒｒの範囲である。
　　【００４６】
　例えば、
この還元性のガスは、水素を含有している。また、この還元性のガスは、アルゴンまたはその他の不活性ガスと水素の混合ガスであっても良い
　　【００４７】
　本発明を実施する際に、水素は好ましいガスではあるが、他の還元性ガスも、当然、使用を想定することが可能である。
　　【００４８】
　次に、マイクロ波のエネルギーは、各アプリケータ２４によって、各導入ノズル１８の近傍に、同時にまたは連続させて、照射される。これによって、この領域に、静磁場（先に述べた様に、その強度は電子サイクロトロン共鳴に対応している）が形成される。即ち、静磁場は、反応室１６内で、処理対象の鋼のシート１２が置かれている領域から離れたこの領域に形成される。
…
　　【００５２】
　この様にして、分離度が高く、
非常に活性に富んだ低圧水素プラズマが得られ、これによって、鋼のシートの表面処理が可能になる
　
　５ウ　「【００６０】
　先ず、第２図を見ると、酸素及び炭素が、かなりの量で、鋼の生地とシリコンの封緘層の間の遷移領域の中に存在していることが分かる。当然、酸素は酸化物に起因するものである。これに対して、炭素は、溶剤を用いたクリーニングの後でも炭化水素による汚染が残っていることを示している。
　　【００６１】
　次に、第３図を見ると、
鋼の表面（即ち、封緘層と鋼の表面との間の遷移領域）において、酸素
が大幅に減少している
　　【００６２】
　この様に、
本発明による水素プラズマ処理によれば、元々の鉄酸化物を減らす
　　【００６３】
　
以上で説明した表面処理方法は
表面の脱酸化を可能にし
　５エ「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　５オ「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（５）　甲第６号証（特開平２−１９０４８９号公報）の記載事項　
　６ア　「［産業上の利用分野］
　
本発明は、金属表面酸化物の除去により金属表面を清浄化する方法に関するものである
　
　６イ　「［課題を解決する為の手段及び作用］
　広範に述べられた本発明により、金属表面を清浄化する方法が提供されるが、この方法に於ては、
水素を含むガスの強力なマイクロ波周波数プラズマ内で生ずる原子水素により、酸素が金属酸化物から抽出されることによって金属表面から金属酸化物が除去される
　
　６ウ　「原子水素が酸化された表面と相互作用する時に興味のある２つの作用が生ずる。第１に、酸素の抽出が生じて、これにより水素が化学的に表面酸化物を減少させ、自身を水蒸気に変換させ、これがポンプにより排除される。」（第２頁右下欄第４〜８行）
　
　６エ　「［実施例］
　例として、本発明の乾式リフロー鑞接方法を実部する装置を示す添付図面が参照される。
　さて図面を参照し、図示の装置は回転ポンプと油拡散ポンプの組合せ１１及び１０によって推進されるように配置された直径５．０８ｃｍ（２″）の円筒形の溶融シリカ真空室１から成っている。この室内には温度監視制御を行う為の熱電対（図示せず）を有する電気加熱台２がある。この台２は基板内のオーリング・シール１３を通る棒１２を動かすことによって室内を上下に動かされることが出来る。この室の頂部には小さい同調可能のマイクロ波空所４に連通する円錐形部分３があり、２００Ｗ、２．４５ＧＨｚのマイクロ波発生器６によってこのマイクロ波空所内にプラズマ５が発生され得るようになっている。
アルゴン・水素ガス混合物７がマイクロ波空所の頂部内に導入され
　穿孔された板８の形状の接地されたマイクロ波シールドがマイクロ波周波数の電場からチップの鑞接面を濾波するのに使用され、鑞の表面荷電（及びその下にある電子回路）が生じないのを確実になしている。
　図示された装置を使用して乾式鑞リフロー方法を実施するに際して、試料チップ９のような試料が基層加熱台２（例えば、直径が５．０８ｃｍ（２″））上に載置され、反応容器１が１０−５ｔｏｒｒの基準圧力まで真空排気される。これは、液体窒素捕捉拡散ポンプ１０と回転ポンプ１１によって行われる。配管１７を含む推進循環路内の弁１４，１５及び１６が作動され、弁１５及び１６が閉じられる時に弁１４が最初に作動される。このようにして、室１が回転ポンプ１１によって相対的に低圧に排気される。次に、弁１４が開じられて開放された弁１５及び１６を経てポンプ１０及び１１により室１が低圧に排気される。
　
Ｈ
２
およびＡｒ雰囲気１０−１００ｍｔｏｒｒの間の圧力で導入され
２．４５ＧＨｚのプラズマが反応容器内で２００Ｗの最大出力電力を有するマイクロ波発生器６によって衝突される
　上述の装置は次のように作動する。
　
供給ガス（Ａｒ＋Ｈ
２
）が図示のようにマイクロ波プラズマ空所４の上方で反応装置に流入する。強力なマイクロ波周波数の電場がこれらのガスの分解を生じさせて、これらのガスがグロー放電（即ち、プラズマ）５になる
これらの原子スペシーズ（Ａｒ
＊
及びＨ
＊
）は真空ポンプ１０及び１１の作用によって下流に掃き流され、ここで鑞接台される試料の表面に衝突する。原子水素は鑞及び鑞接台される表面の両者の表面酸化物から酸素を抽出し、これによって清浄化された金属面を生ずるのである
（６）　甲第７号証（特開２００１−１４４０９０号公報）の記載事項　
　７ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、金属配線上の酸化物の還元方法および銅配線上の酸化銅の還元方法に関する。」
　
　７イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、第１の従来例において、
銅配線とプラズマ窒化シリコン膜の間に、酸化銅（ＣｕｘＯ）が存在するために、剥がれが発生し易くなる。特に、大面積の銅配線上のプラズマ窒化シリコン膜が剥がれ易い
　
　７ウ　「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体装置に関し、その製造方法を次のとおりにすることにより、前記問題点を解決し、かつ、前記発明の目的を達成することができる。
１．シリコン基板上の絶縁膜１０２上に形成されたバリア層上に、銅層による配線層を形成した後、炭素又は水素のうち少なくとも一方を含むプラズマに曝し、当該配線層上の酸化銅等を還元し、金属銅へ変換し、銅層による配線層を形成する（請求項１）。
２．
前記プラズマは、ヘリウムガスで希釈したメタンガスにより発生させたＣＨ
４
／Ｈｅプラズマである
３．前記プラズマは、メタンガスのみにより発生させたＣＨ４プラズマである（請求項３）。
４．前記シリコン基板は、３００℃〜６５０℃の範囲の温度である（請求項４４）。
５．  前記プラズマの発生方法が誘導結合型プラズマであり、前記シリコン基板に基板バイアス用高周波を印加する（請求項５）。」
　
　７エ　「【００２１】次に、図１（ｂ）に第１の絶縁膜１０２表面上及び溝１０３ａの内壁上に窒化チタン膜や窒化タンタル膜、タンタル膜などの何れか又は積層からなる第１のバリア層１０５を約１０ｎｍから約５０ｎｍの厚さで形成する。
【００２２】次に、
バリア膜１０５上全面に銅膜１０６を形成する
【００２３】次に、
図１（ｃ）に示すように
ダマシン配線１０７ａから１０７ｄを形成する
大気放置により、ダマシン配線１０７ａ等の表面には酸化銅１０８ａから１０８ｄが約３ｎｍから約１０ｎｍ厚で形成される
【００２４】次に、
図２（ｄ）に示すように、図３の高密度プラズマ装置を用いて、ＣＨ
４
、Ｈｅにより発生したプラズマ１０９を、銅配線表面に照射し、酸化銅１０８ａ等を還元し、金属性の銅へと変換する
このプラズマ照射後に図２（ｅ）に示すように清浄な銅表面を持ったダマシン配線１０７ａから１０７ｄを形成することができる
【００２５】次に、酸化銅１０８ａ等を除去後、真空状態のまま、違うチャンバーにおいて、プラズマＣＶＤ法により、ダマシン配線１０７ａ等上と第１の絶縁膜１０２上にシリコン窒化膜や炭化シリコン膜等からなる第２のバリア層１１０を約２０ｎｍから約２００ｎｍの厚さで形成する。ここで、銅が酸化せず、かつ、銅が拡散しなければ、どのような絶縁膜でも良い。
【００２６】さらに、この第２のバリア層１１０の上に、例えば、シリコン酸化膜やフッ素添加アモルファスカーボン膜、その他低誘電率材料からなる第２の絶縁膜１１１をＣＶＤ法、またはスピンコート法により、約０．６μｍから３μｍの厚さで形成する。
プラズマ処理の段階で、シリコン基板１０１を３００℃から６５０℃程度の高温に保持すると、除去効果はさらに増加する
ここでの最高温度は第１の絶縁膜１０２の耐熱温度以下にする必要がある
　
　７オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　７カ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（７）　甲第８号証（特開２００５−１２９８４９号公報）の記載事項　
　８ア　「【背景技術】
【０００２】
　半導体集積回路等の半導体装置では、微細化に伴い、配線抵抗及び配線間容量に起因した信号伝搬遅延が大きな問題となってきている。そのため、配線抵抗及び配線間容量の低減が重要な課題となっている。
【０００３】
　
配線抵抗の低減に対しては、低い抵抗率を有する銅配線の採用が提案されており
銅配線には通常、層間絶縁膜に形成された溝に銅を埋め込んで形成されるダマシン配線が用いられ
【０００４】
　
上述したような銅配線を用いた場合、銅配線の表面が大気中で酸化されるという問題がある。銅配線の表面に銅酸化物層が形成されると、ストッパー絶縁膜と銅配線との間の密着性が低下し、特性や信頼性に悪影響を与えることとなる。そのため、ストッパー絶縁膜を形成する前に、銅配線の表面に形成された銅酸化物を還元する必要がある。この還元処理にはプラズマ処理が用いられる
【０００５】
　しかしながら、
プラズマ還元処理を加熱状態で行った場合、低誘電率絶縁膜（層間絶縁膜）に含まれる有機成分等がプラズマ雰囲気中の活性な水素等によって分解され、ＣＨ
4 
等のガスとして除去されてしまう。そのため、低誘電率絶縁膜の表面にＯＨ基等が導入され、吸湿性の非常に高いいわゆるダメージ層が形成される。その結果、ダメージ層によって配線間のリークが増大してしまうといった問題が生じる
　
　８イ　「【００１８】
  以下、図１に示した処理装置を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図４は、本製造方法を模式的に示した断面図である。
【００１９】
　まず、
図２に示すように
銅配線１０４が含まれている
銅は大気中で容易に酸化されるため、銅配線１０４の表面には銅酸化物層１０４ａが形成されている
【００２０】
　低誘電率絶縁膜１０２には、少なくとも炭素及び水素を含有した絶縁膜が用いられる。本実施形態では、低誘電率絶縁膜１０２として、シリコン、酸素、炭素及び水素を含有した絶縁膜（以下、ＳｉＣＯ：Ｈ膜と略記）を用いる。例えば、原料ガスとして有機シランガス（アルキルシラン）及びＯ2 ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された有機系の絶縁膜を、低誘電率絶縁膜１０２として用いることができる。この低誘電率絶縁膜は、通常のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 膜）中にメチル基が導入されたものであり、比誘電率が２．２〜３．０程度と、通常のＳｉＯ2 膜の比誘電率（３．９程度）よりも大幅に低い。銅配線１０４には、低誘電率絶縁膜１０２に形成された溝に銅を埋め込んで形成されるダマシン配線が用いられる。
【００２１】
　次に、
図３に示すように、銅配線１０４の表面に形成された銅酸化物層１０４ａをプラズマ処理により還元して除去する
【００２２】
　まず、基板１００を処理室１１内に搬入し、支持台１５上に基板１００を載置する。支持台１５に載置された
基板１００は、支持台１５に設けられた冷却機構１６によって冷却される。ここでは冷却温度を−５０℃とする
【００２３】
　処理室１１内を真空排気した後、ガス導入口１２から処理室１１内に
ＮＨ
3
 ガス及びＮ
2
 ガスを導入する
高周波電源１７から１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を供給し、２０秒間のプラズマ還元処理を行う。この処理により、銅配線１０４の表面に形成されていた銅酸化物層１０４ａが還元される。具体的には、ＮＨ
3
 プラズマによって形成された活性な水素によって銅酸化物（ＣｕＯ）が還元されてＣｕとなる
【００２４】
　このプラズマ処理の際に、低誘電率絶縁膜１０２の表面もプラズマ雰囲気に晒されることになるが、
基板１００が冷却されているため、プラズマ雰囲気中の活性な水素等と低誘電率絶縁膜１０２中の有機成分等との反応性を弱くすることができる。そのため、
低誘電率絶縁膜１０２表面におけるダメージ層の形成を抑制することができる
　
　８ウ　「【００３０】
　一方、比較例として、３５０℃でプラズマ還元処理を施した後、同一の処理室内において３５０℃でストッパー絶縁膜を形成した試料を作製した。この場合には、リーク電流は２．５×１０-8Ａ／ｃｍ2 であり、本実施形態の試料に比べてリーク電流が著しく増加していた。また、室温程度でプラズマ還元処理を行った場合にも、リーク電流は５．５×１０-9Ａ／ｃｍ2 と大きかった。一般に、デバイスの特性及び信頼性等の観点から、リーク電流は１．０×１０-10Ａ／ｃｍ2 程度以下にすることが望ましい。したがって、室温程度でプラズマ還元処理を行っても、十分な特性を得ることはできない。
十分な特性を得るためには、少なくとも０℃程度以下まで、基板を冷却する必要があると考えられる
　
　８エ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　８オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８）　甲第９号証（特開２００５−１０８９１６号公報）の記載事項　
　９ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、プラズマ発生部を具備するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　特許文献１は、プラズマ密度が均一で且つプラズマの拡散の少ない効率の良いプラズマ発生装置を提供することを目的して、プラズマ発生用コイルを有するプラズマ発生装置において、
プラズマ発生空間を囲繞するプラズマ拡散遮蔽壁を設けたことを開示し、さらにプラズマ拡散遮蔽壁がパンチングメタルであることを開示する。これによって、前記拡散遮蔽壁によって画成された空間にプラズマを生成し、前記拡散遮蔽壁の内部に封じ込めてプラズマの拡散を防止する
　
　９イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　上記特許文献１及び２に開示されるような単独のプラズマ源を用いて液晶パネル等の大型基板を処理するプラズマ処理装置を枚葉処理装置として製造するには大面積にわたる高均一なプラズマを形成する必要があり、装置が大型化するという不具合が生じる。
【０００６】
　また、特許文献３で開示されるように複数個のプラズマ発生部を処理容器の上部に設けて処理する方法では、装置が複雑となり、高価となるという不具合が生じる。
【０００７】
　このため、本願発明は、既存のプラズマ発生装置を用いると共に、大型の基板等の被処理体を動かしてスキャン処理可能なプラズマ処理装置を提供することにある。」
　
　９ウ　「【発明の効果】
【００１３】
　この発明によれば、既存のプラズマ発生部を用いて高密度プラズマを発生させ、この高密度プラズマをパンチングメタルに形成されたライン状の孔から、移動する被処理体に対して放出してスキャン処理することにより、大型の被処理体に対して簡単な構造で、高速且つ高均一なプラズマ処理を全面に渡って実施することができるものである。これによって、例えばリール式のＴＡＢテープのような非常に長い基板にも処理することが可能となるものである。
【００１４】
　また、孔を設けたパンチングメタルに、導電性材料でできた遮蔽壁を設けたことにより、
パンチングメタルの孔を通過したラジカルが効率よく被処理体と反応できるようになる
　
　９エ　「【実施例１】
【００１６】
　
本願発明の実施例に係るプラズマ処理装置１は、プラズマ発生部２と、プラズマ処理部３とによって構成される。この実施例では、プラズマ源に表面波プラズマを用いた
【００１７】
　前記プラズマ発生部２は、例えば直流電力をマイクロ波に変換するマグネトロン２１と、このマグネトロン２１で発生したマイクロ波を伝達する導波管２２と、導波管２２によって伝達されるマイクロ波を所定の箇所に集中させて
表面波プラズマ２８を発生
…
【００１９】
　前記プラズマ生成空間２５と前記真空処理空間３２の間には、
図２で示すようなパンチングメタル４０が配される。このパンチングメタル４０は、導電性物質によって形成され、その中央には直径方向にライン状、長方形状に複数の孔４１が配設される
【００２０】
　以上の構成のプラズマ処理装置１において、先ず被処理体３０を可動台３１に搭載して、前記可動台３１をパンチングメタル４０の下方位置まで移動させる。そして、真空引きを行って、所定のガス（この実施例では、酸素＋四弗化炭素）をガス導入管２７からプラズマ生成空間２５へ導入し、マグネトロン２１から例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振して、導波管２２及びアンテナ２３を介して前記ガスを励起し、前記プラズマ生成空間２５にプラズマを生成する。そして、
前記パンチングメタル４０によって、被処理体にダメージを与えるマイクロ波やイオンが遮断されると共に、パンチングメタル４０に形成の孔からラジカルや励起されないガス成分が通過して、被処理体３０を処理する
　
　９オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（９）　甲第１０号証（特開２００４−６８１８号公報）の記載事項　
　１０ア　「【００２６】
本発明において用いる
プラズマ照射装置の１例を図１に示す
【００２７】
図中、マグネトロン（図示せず）によって生成された２．４５ＧＨｚ　のマイクロ波１０が矩形導波管１２を通して、さらにスロットアンテナ１４から石英窓１６を介して、真空容器１８に入射してそこで
表面波プラズマが生成される
【００２８】
図示装置の場合、マイクロ波の出力は最大で３ｋｗ　であり、圧力が５０〜２５０Ｐａの領域で安定した高密度プラズマが得られる。
プラズマ照射装置２０における圧力は適宜調整可能となっている。
【００２９】
プラズマ照射装置２０に導入する水素の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｍｉｎ〜５００ｍｌ／ｍｉｎの間に設定できる。装置内の圧力の設定は導入する水素の流量と排気側バルブをそれぞれ調節することによっておこなう。
【００３０】
プラズマ照射装置２０のプラズマ発生部２２とサンプル３０の間にはパンチングされた金属板（遮蔽板）２４が挿入されている。遮蔽板２４はアースされているので、プラズマ内で生成したイオンはそこでトラップされ、サンプル３０まで到達するのは水素ラジカルおよび水素分子となる
　
　１０イ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１０）　甲第１２号証（マイクロ波表面波水素プラズマによる金属の還元実験の結果）の記載事項
　平成２８年１２月　８日付けの口頭審理陳述要領書（２）には、甲第１２号証について、以下の説明がなされている。
　１２ア　「５．２
　甲第１号証記載の装置で金属（銅、鉄）の錆を消去する実験を行ったので、その結果を甲第１２号証として提出する。
　甲第１２号証では、甲第１号証記載の装置を用い、下記条件でマイクロ波表面波水素プラズマを発生させて金属（銅板、鉄板）の錆を消去する実験を行った。
　なお、金属のマスク用にシリコンウエハを用い、シリコンウエハの固定用に粘着ポリイミドテープ（薄い黄色）を用いた。
　実験結果として、銅板、鉄板のいずれも錆を消去することができた。
…
・シールドプレート無し
…
　銅板、鉄板ともバーナーで加熱し、酸化膜（錆）を形成した。」（口頭審理陳述要領書（２）の第３頁第２〜２０行）
第５　被請求人の主張と証拠方法　
１　被請求人の主張の概要　
　被請求人は、「本件無効審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、答弁書を提出し、口頭審理陳述要領書（平成２８年１１月２５日付け）を提出し、口頭審理陳述要領書（２）（平成２８年１２月　８日付け）を提出し、上申書とともに乙第１〜３号証を提出することにより、請求人の主張する理由及び証拠によっては本件発明を無効とすることはできないと主張している。　
［証拠方法］
乙第１号証：鉄の錆の状況を示す写真
乙第２号証：鬼頭毅外５名，“水素の化学的圧縮技術における酸化鉄の水素還元プロセスの速度論的評価”，Journal of Japan Society of Energy and Resources，２０１２年３月，Ｖｏｌ．３３，Ｎｏ．２，通巻１９２号，１０〜１５頁
乙第３号証：実験成績証明書
第６　当審の判断
　請求人の主張する無効理由１〜無効理由８についての当審の判断を以下に示す。最初に、甲第１号証を主引例とする新規性・進歩性に関する、無効理由１、２、５、７について検討し、次に、甲第２号証を主引例とする新規性・進歩性に関する、無効理由３、４、６、８について検討する。
１　無効理由１、２、５、７（甲第１号証を主引例とする新規性・進歩性）について
　甲第１号証を主引用例とする無効理由１、２、５、７について検討する。
　
（１）甲第１号証に記載された発明　
　上記第４　２（１）の甲第１号証から摘記した上記１ア〜１ケから、以下ア〜ケの事項が記載されていると認められる。　
　ア　上記１アによれば、甲第１号証には、ＬＳＩに必要な微細加工技術や、太陽電池、液晶パネル等の大面積加工技術において、表面改質処理等にプラズマが使われていることが記載されている。
　イ　上記１イによれば、甲第１号証において、発明が解決しようとする課題は、上記アのプラズマによる表面改質処理等を行うために、大面積の処理が可能で、被処理物が熱ダメージを受けない、表面波励起プラズマの生成方法を提供することである。
　ウ　上記１ウには、表面波励起プラズマの大面積化を実現するために、チャンバー内でプラズマ化し難い水素ガスの他に、プラズマ化し易い水ガスおよび／または希ガス族元素のガスを混在させており、大面積化のためにマイクロ波電力を増大させる必要がないので、被処理物の熱ダメージの原因となる温度上昇を誘発しないことが記載されている。
　エ　上記１エには、水素ガスの他に、プラズマ化し易いガスを混在させることによって、大面積の処理が可能で、被処理物が熱ダメージを受けないようにすることが可能であるプラズマ発生装置が記載されており、当該プラズマ発生装置は以下の構成を有するものである。
　すなわち、このプラズマ発生装置は、上記１ケの図１に示されているものであって、表面波励起プラズマが形成される生成空間Ｓを有する円筒状のチャンバー１と、マイクロ波電力を出力するマイクロ波電力出力部２と、チャンバー１内へ必要なガスを導入するガス導入部３と、チャンバー１の上面開口を塞ぐようにして取り付けられた石英板窓（誘電体窓）４と、石英板窓４の上に設けられたマイクロ波導波管５およびスロットアンテナ６とを備え、ガス導入部３からチャンバー１の内に必要なガスが導入されるとともに、スロットアンテナ６からチャンバー１の石英板窓４を介してマイクロ波電力が供給されて生成空間Ｓに表面波励起プラズマが生成されるように構成されており、さらに、チャンバー１には被処理物を載せておくステージＳＴが設けられており、不図示の被処理物の搬入・搬出機構と、不図示の、チャンバー１の排気を行う、排気管１Ｃの下流側に介設された真空排気機構が設けられている。
　オ　上記１オによれば、上記エに記載した生成空間Ｓは、シールドプレート１２が、チャンバー１の中を上下に仕切るかたちで取り付けられることにより画成されており、当該シールドプレートとは、一面に穴を設けた薄板からなり、いわゆるシールドメッシュの役割を果たすものである。
　カ　上記エ、オの検討事項も考慮すると、上記１ケの図１から、チャンバー１はシールドプレート１２によって上下に仕切られており、シールドプレート１２よりも上側が生成空間Ｓとして画成されており、シールドプレート１２よりも下側の空間には、ステージＳＴに載置された被処理物が配置されることが見て取れる。なお、シールドプレート１２よりも下側の上記空間は、被処理物に対してプラズマ処理をする空間であるから、この空間を以下「処理空間」という。
　また、図１から、チャンバー１の上部には、マイクロ波導波管５、スロットアンテナ６及び石英板窓４が設けられていることが見て取れる。
　キ　上記エで検討した、被処理物の搬入・搬出機構は、被処理物を上記処理空間内に搬入し、また、処理終了後に上記処理空間から外部へ搬出するための機構であると解される。
　ク　上記１キには、図１に記載されたプラズマ発生装置を用いた、第３実施例の処理方法であって、チャンバー１内に導入するガスを水素ガス及びＡｒガスとし、２．５ｋＷのマイクロ波電力を出力すると、生成空間Ｓの略全域に亘って均一な還元作用の強い表面波励起プラズマが生じ、この還元作用の強い大面積プラズマによって、半導体ウエハの表面還元処理を行うことが記載されている。
　ケ　上記１オによれば、表面波励起プラズマはシールドプレート１２より上側、すなわち、生成空間Ｓ内に生じるものであり、また、上記１カの段落【００３０】によれば、第１実施例の方法において、表面波励起プラズマ中には、イオン、電子、ラジカルが含まれているが、これらのうち、ラジカルが選択的にシールドプレートを通過して、ステージＳＴ上の被処理物に向かうものである。
　一方、甲第１号証には、第３実施例の方法におけるシールドプレートの機能については記載されていないが、第３実施例と第１実施例はガスの種類が違うだけで、シールドプレートのシールドメッシュとしての機能は同じと考えられるので、第３実施例の方法が実施される図１のプラズマ発生装置においても、第１実施例と同様に、水素ガス及びＡｒガスから生成される表面波励起プラズマ中に含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、ラジカルが選択的に被処理物である半導体ウエハに向かうものであるといえる。
　なお、表面波励起プラズマ中に含まれるイオンや電子はシールドプレートを通過せず、ラジカルが選択的に通過することは、甲第９号証の段落【００２０】及び甲第１０号証の段落【００３０】にも記載されているように、プラズマ処理装置の技術分野における技術常識である。
　また、被請求人が提出した平成２８年１１月２５日付けの口頭審理陳述要領書の第５頁の５〜９行には、「甲第１号証の図１に記載されているプラズマ発生装置では、シールドプレート１２の上側（生成空間Ｓ）に表面波励起プラズマ（電子、イオン、中性粒子）が生成され、そのシールドプレート１２の下側にはエネルギーの少ない中性粒子が抽出され、この中性粒子によって半導体ウエハ等の表面還元処理が行われる」と記載しており、電子とイオンはシールドプレート１２を通過せず、通過するものはエネルギーの少ない中性粒子であることを認めている。
　コ　上記ア〜ケの検討事項に基づき、被処理物である半導体ウエハに対して表面還元処理が行われる、第３実施例の方法を実施しているプラズマ発生装置に注目して、本件発明１の記載ぶりに則して整理すると、甲第１号証には、次のプラズマ発生装置（以下、「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「搬入・搬出機構によって搬入又は搬出される被処理物が配置される処理空間と、シールドプレート１２によって前記処理空間と仕切られた生成空間Ｓとからなるチャンバー１を備えるとともに、
　チャンバー１の排気を行う真空排気機構、チャンバー１内へ水素ガス及びＡｒガスを導入するガス導入部３、マイクロ波電力を出力するマイクロ波電力出力部２、チャンバー１の上部に設けられたマイクロ波導波管５、スロットアンテナ６及び石英板窓４を備え、
　ガス導入部３からチャンバー１内に水素ガス及びＡｒガスが導入されるとともに、スロットアンテナ６から石英板窓４を介してマイクロ波電力が供給されることにより生成空間Ｓに表面波励起プラズマが生成され、
　前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、ラジカルが選択的に前記シールドプレート１２を通過して、被処理物である半導体ウエハの表面還元処理を行う、プラズマ発生装置。」  
（２）本件発明１について
（２−１）本件発明１と甲１発明との対比　
　ア　甲１発明の「搬入・搬出機構によって搬入又は搬出される被処理物が配置される処理空間」「からなるチャンバー１」は、「チャンバー１」内に「被処理物」を取り出し自在に内装する処理室であるといえるから、本件発明１の「被処理物を取出し自在に内装する処理室」に相当する。
　イ　甲１発明の「チャンバー１の排気を行う真空排気機構」、「チャンバー１内へ水素ガス及びＡｒガスを導入するガス導入部３」は、それぞれ、本件発明１の「処理室内を減圧する減圧手段」、「処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段」に相当する。
　ウ　甲１発明の「マイクロ波電力を出力するマイクロ波電力出力部２」は、当該マイクロ波電力を生成空間Ｓすなわちチャンバー１に供給するものであるから、本件発明１の「処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段」に相当する。
　エ　甲１発明において、「ガス導入部３からチャンバー１内に水素ガス及びＡｒガスが導入されるとともに、スロットアンテナ６から石英板窓４を介してマイクロ波電力が供給されることにより生成空間Ｓ」に生成される「表面波励起プラズマ」は、マイクロ波を水素ガスに導入することにより生成される表面波プラズマであるから、本件発明１の「マイクロ波表面波水素プラズマ」に相当する。
　オ　上記ウ、エの検討事項を勘案すると、甲１発明の「マイクロ波電力を出力するマイクロ波電力出力部２、チャンバー１の上部に設けられたマイクロ波導波管５、スロットアンテナ６及び石英板窓４」は、本件発明１の「処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段」に相当する。
　カ　「被処理物に照射」されるものは、甲１発明では、「前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、前記シールドプレート１２を選択的に通過したラジカル」であるが、本件発明１では、「マイクロ波表面波水素プラズマ」そのものであるところ、当該「マイクロ波表面波水素プラズマ」は、水素ガスを励起して生成されたプラズマであり、技術常識によれば、当該プラズマ中には、イオン、電子、ラジカルが含まれているので、これらイオン、電子、ラジカルの全てが照射されるものである。したがって、甲１発明と本件発明１は、「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」に含まれる少なくとも「ラジカル」を「前記処理室に内装した被処理物に照射」する点で共通している。
　キ　甲１発明において「被処理物である半導体ウエハの表面還元処理を行う」ことと、本件発明１において「被処理物の錆を還元する構成とし」、「前記被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆であること」は、いずれも、被処理物を還元処理する点で共通している。
　ク　甲１発明の「プラズマ発生装置」は、マイクロ波を利用して被処理物を処理する装置であるから、本件発明１の「マイクロ波を利用した処理装置」に相当する。
　ケ　以上から、本件発明１と甲１発明の一致点と相違点は次のとおりである。
≪一致点≫
「被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマに含まれる少なくともラジカルを前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物を還元処理する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」　
 
≪相違点１≫ 
「処理室に内装した被処理物に照射」するものが、本件発明１では、「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」であるのに対し、甲１発明では、「前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、前記シールドプレート１２を選択的に通過したラジカル」である点。
≪相違点２≫ 
「還元処理」の内容が、本件発明１では「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」である「被処理物の錆を還元する」ことであるのに対して、甲１発明では「半導体ウエハの表面還元処理」を行うことである点。
 
（２−２）相違点についての判断
　上記相違点１、２のうち、最初に相違点２について検討し、その後で相違点１について検討する。
（２−２−１）相違点２について
　甲第１号証には、実施例３における「半導体製造プロセスにおけるウエハの表面還元処理」の詳細については記載されていない。
　そこで、半導体製造プロセスにおけるウエハの表面還元処理について、当該技術分野の技術常識に基づいて検討するに、特に錆を還元するようなウエハの表面還元処理としては、ウエハ上にダマシン配線として知られる銅配線を形成する際、銅は大気中で酸化し易く、銅配線表面が酸化して酸化銅が形成されるが、このような酸化銅を残したままにすると不都合を起こすので、還元性のプラズマを照射することによって酸化銅を除去することが、当業者にはよく知られている（要すれば、上記第４の２の（６）、（７）を参照のこと。）。
　しかしながら、このようなダマシン配線上の酸化銅は、銅の錆であって、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」ではない。
　また、ダマシン配線上の酸化銅除去のための表面還元処理以外に、ウエハ上の錆（もしくは金属酸化物）を還元除去するような処理であって、特に、当該錆（もしくは金属酸化物）が、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」であるような処理が周知であるともいえないし、そのような処理についてはいずれの甲号証にも記載も示唆もされていない。
　したがって、甲１発明において、「半導体ウエハの表面還元処理」として「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」を還元除去するようにすること、すなわち、相違点２に係る本件発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえない。
（２−２−２）相違点１について
　ア　甲１発明の認定の基礎となった、甲第１号証の第３実施例で使用される上記１ケの図１記載のプラズマ発生装置において、そのチャンバー１は、シールドプレート１２によって仕切られて、シールドプレート１２より上側は生成空間Ｓとして画成されており、下側は処理空間として画成されている。そして、当該プラズマ発生装置において、上記（１）ケで検討したように、表面波励起プラズマ中に含まれるイオンや電子はシールドプレートを通過しないが、ラジカルは選択的に通過して被処理物に照射されることにより、当該被処理物に対して表面還元処理が行われるものである。
　イ　一方、甲第１号証の上記１クには、実施例において用いられるプラズマ発生装置として、シールドプレート１２が設けられないものを用いることができるとも記載されているので、甲１発明のプラズマ発生装置において、上記１クの記載に基づいて、シールドプレート１２を設けないものとすることが当業者にとって容易になし得ることであるといえるかについて、以下検討する。
　ウ　上記アに記載したように、シールドプレート１２は、表面波励起プラズマ中に含まれるイオンや電子はシールドプレートを通過させず、ラジカルを選択的に通過させる機能を有するので、被処理物には、イオンや電子は照射されず、ラジカルのみが照射されるものである。したがって、甲１発明においては、イオンや電子が照射されないために、被処理物はイオンや電子が照射されるよりも受け取るエネルギーが小さいので、反応は穏やかとなり、被処理物の温度上昇が抑制され、その結果、被処理物のダメージが低減されているといえる。つまり、シールドプレート１２は、被処理物に高エネルギーのイオンや電子を照射しないようにすることにより、反応を穏やかにし、被処理物の温度上昇を抑制し、被処理物へのダメージを低減するために使用されるものであるということができる。なお、シールドプレートを利用することにより被処理物のダメージが低減されることは、例えば、上記９エの段落【００２０】に「前記パンチングメタル４０によって、被処理体にダメージを与えるマイクロ波やイオンが遮断される」と記載されているように、当業者には周知の技術事項である。
　エ　逆に、基板の温度を高くするほど、プラズマによる還元処理の効率が高くなることも当業者には周知である。例えば、上記７エの段落【００２６】には、酸化銅の還元を行うプラズマ処理について、「プラズマ処理の段階で、シリコン基板１０１を３００℃から６５０℃程度の高温に保持すると、除去効果はさらに増加する。」と記載されており、シリコン基板の温度を高くしてプラズマ処理をすることにより、還元処理の効果がより高くなることが示されている。
　オ　つまり、上記ウの検討によれば、甲１発明においてシールドプレート１２が設けられているのは、被処理物である半導体ウエハに対して、プラズマ処理によるダメージを低減して、低温で、穏やかな還元処理を行うためであるが、その一方で、上記イに記載したように、シールドプレート１２を設けないようにすることもできる。このことは、被処理物には、有機物のように高温・高エネルギーによるダメージを受け易いものもある一方で、金属素材や無機材料など高温・高エネルギーによるダメージを受け難いものもあるので、高温・高エネルギーによってダメージを受け難い被処理物については、上記エに記載したように、プラズマ処理の効果を高くするとの観点から、シールドプレートを設けないようにすることができることを意味しているといえる。
　カ　そこで、仮に、甲１発明における被処理物として、半導体ウエハに代えて、金属や無機材料のようにプラズマの高温処理によるダメージを受け難いものに代えるなら、プラズマによる還元処理の効率を上げる観点から、甲１発明において、シールドプレートを設けないようにすることは可能であるといえるかもしれない。しかしながら、甲１発明は、その認定の基礎とした甲第１号証の実施例３についての記載（上記１キ参照。）から見て、半導体ウエハの表面還元処理を行うことを目的とする発明であるから、甲１発明において、被処理物として半導体ウエハに代えて、金属素材や無機材料からなる被処理物とすることは、上記目的から逸脱することになるので、そのような置き換えは、当業者が容易になし得ることであるとはいえないし、その結果、甲１発明において、シールドプレートを設けないようにすることが容易であるともいえない。
　キ　また、半導体ウエハの表面還元処理が、半導体ウエハ上に形成された銅配線上の銅酸化物を還元除去する処理である場合について検討すると、例えば、甲第７号証の上記７エの段落【００２６】には、酸化銅の還元を行うプラズマ処理について、「シリコン基板１０１を３００℃から６５０℃程度の高温に保持すると、除去効果はさらに増加する。」と記載されており、還元処理の効果を高めるために、シリコン基板の温度を高くしてプラズマ処理をすることが記載されているから、甲１発明において、シールドプレートを設けないようにする動機付けとなり得る事項が示されているとはいえる。
　しかしながら、高温でのプラズマ処理は、半導体ウエハ上に設けられた層間絶縁膜にダメージ層が形成されてリーク電流が増大する等のデメリットがあることが周知であること（要すれば、上記８アの段落【０００５】参照のこと。）も考慮すると、甲１発明においてシールドプレートを設けないようにすることが容易になし得ることであるとは、直ちにはいうことができず、その結果、「処理室に内装した被処理物に照射」するものを「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」にすること、すなわち、相違点１に係る本件発明１の特定事項とすることが容易であるともいえない。
　なお、仮に、甲１発明において、半導体ウエハの表面還元処理が、半導体ウエハ上に形成された銅配線上の銅酸化物の還元除去処理であり、当該処理の効率を上げるために、シールドプレートを設けないようにすることで、「処理室に内装した被処理物に照射」するものを「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」となし得るとしても、その結果得られる発明は、銅の錆を還元する処理装置であって、本件発明１のような「被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」である「被処理物の錆を還元する」処理装置を得ることはできない。
　ク　以上から、甲１発明において、チャンバー１からシールドプレート１２を設けないようにすることにより、被処理物に表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルの全てが照射されるようにすること、すなわち、相違点１に係る本件発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえない。
（２−２−３）相違点１と相違点２の総合的な検討
　上記（２−２−１）では相違点１について、上記（２−２−２）では相違点２について検討したが、相違点１と相違点２は相互に関連するので、これらを総合した観点からも検討する。
　本件発明１の処理装置において、還元処理の対象は、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」を備えた被処理物であり、そのような被処理物とは、本件明細書の段落【０００１】の記載を参照すると、「医療器具、調理器具」のような「鉄、ニッケル、白金、銀及び金」の金属を成形した器具であると解することができ、このような金属の器具は高温・高エネルギーのプラズマを照射してもダメージを受けることがないものであり、高温・高エネルギーのプラズマを照射することによって高い効率で還元処理が可能なものであるから、シールドプレートを設けずに、被処理物に対して「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」を照射しているものであるといえる。
　一方、甲１発明の処理装置において、還元処理の対象は、半導体ウエハであり、その表面にはサブミクロンの精度で微細加工された金属配線や有機物からなる絶縁層等が形成されているため、高温・高エネルギーのプラズマを照射するとダメージを受けて、半導体装置としての機能が劣化したり喪失したりするものであり、低温・低エネルギーのプラズマによる、穏やかな処理を行う必要があるから、シールドプレートを設けることによって、被処理物に対して「前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、前記シールドプレート１２を選択的に通過したラジカル」を照射しているものであるといえる。
　つまり、本件発明１と甲１発明は、単に処理装置の用途もしくは被処理物が異なるばかりでなく、被処理物の特性に応じたプラズマを照射するために、シールドプレートの有無という処理装置の構成上の相違も有しており、その結果、被処理物に照射するプラズマのエネルギーの強度や被処理物の温度も相違するものである。
　してみると、本件発明１と甲１発明は、「マイクロ波表面波水素プラズマ」を発生する装置という点では共通しているものの、用途や被処理物のみならず、装置の構造も相違しているものであるから、本件発明１と甲１発明は全く相違する発明であり、甲１発明において、装置の構造上の相違を意味する相違点１と、用途や被処理物の相違を意味する相違点２について、当該相違点１及び相違点２に係る本件発明１の特定事項とすることが、容易になし得るものであるとは到底いうことができない。
（２−２−４）相違点についての判断のまとめ
　以上より、本件発明１は、甲１発明と相違点１及び相違点２において相違しており、また、甲１発明において、相違点１及び相違点２に係る本件発明１の特定事項とすることは、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易になし得ることであるともいえない。
（２−３）請求人の意見について
　請求人は、上記訂正事項１によって訂正された請求項１の特定事項「被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である」について、弁駁書で以下の４つの主張をしているので、これら主張について検討する。
　なお、弁駁書では「甲第１号証に記載された発明」について、それが具体的にどのような発明として認定されたものであるかは記載されていないが、審決の予告でなされた「甲１発明」の認定について何も意見を述べておらず、弁駁書第４頁に記載された＜相違点１＞、＜相違点２＞は、それぞれ審決の予告に記載した≪相違点１≫、≪相違点２≫と同じであるから、「甲第１号証に記載された発明」とは、審決の予告で認定した「甲１発明」、すなわち、上記（１）コで認定した「甲１発明」のことであると解される。
（２−３−１）請求人の第１の主張
　ア　請求人は、弁駁書の第４〜５頁の（３）（３−１）において、「甲第１号証に記載された発明は、『半導体ウエハ上の表面還元処理』としてウエハ上の銅配線表面の銅酸化膜のプラズマによる還元除去を行うことに特化した発明のみを開示しているのではない。『プラズマはＬＳＩなどに必要な微細加工技術に使われているだけでなく、現今では太陽電池や大型液晶パネル等に必要な大面積加工技術にも使われている。』との記載を鑑みれば、プラズマは、ウエハ上の銅配線表面の銅酸化膜だけに限らず、例えば、太陽電池に使用される銀配線の表面の銀酸化膜のプラズマによる還元処理に、甲第１号証に記載された発明を適用可能である」と主張しているので、当該主張（以下「第１の主張」という。）について以下検討する。
　イ　上記アに記載のとおり、請求人は、「太陽電池に使用される銀配線の表面の銀酸化膜のプラズマによる還元処理」（以下「銀酸化膜の還元処理」という。）に甲第１号証に記載された発明を適用可能であると主張しているが、上記「銀酸化膜の還元処理」を記載した文献が全く提示されていないので、「銀酸化膜の還元処理」が具体的にどのような処理であるか不明であるし、本件特許に係る出願の出願時に公知であったかも不明である。また、「銀酸化膜の還元処理」に、どのような理由で「甲第１号証に記載された発明」すなわち「甲１発明」を適用するかも不明である。
　したがって、請求人の上記第１の主張は、具体的な検討が可能な程度に十分に記載されていないため、これを採用することができない。
　エ　なお、仮に、「甲第１号証に記載された発明」が、上述のとおり当審が認定した「甲１発明」を意味しており、さらに、太陽電池の製造における「銀酸化膜の還元処理」を記載した公知の文献が提示されている、とした場合について検討すると、「甲１発明」は、半導体ウエハの表面還元処理を行うプラズマ発生装置についての発明であって、太陽電池の処理を行う装置ではないし、半導体ウエハにおいて銀配線を使用することが周知であるともいえないから、太陽電池の製造技術である「銀酸化膜の還元処理」に、半導体ウエハの処理装置である「甲１発明」を適用するための動機付けを見出すことができない。
　オ　また、甲第１号証には、上記アに記載のとおり、「太陽電池や大型液晶パネル等に必要な大面積加工技術」（以下「大面積加工技術」という。）と記載されているけれども、請求人は、審判請求書において、甲第１号証に記載された発明として、第３実施例に基づく発明を認定しているのみであって、上記大面積加工技術についての発明を認定をしていないので、仮に、甲第１号証に記載された発明として、新たに、上記大面積加工技術についての発明を認定した場合には、新たな無効理由の主張に該当し、審判請求書の要旨を実質的に変更するものとなる恐れがある。
　カ　したがって、請求人の上記第１の主張は採用することができない。
（２−３−２）請求人の第２の主張
　ア　請求人は、弁駁書の第５頁の（３−２）において、「鉄板表面の鉄酸化膜のプラズマによる還元処理に、甲第１号証に記載された発明を適用可能である」と主張している（以下「第２の主張」という。）ので、当該主張について以下検討する。
　イ　甲１発明は、被処理部材を半導体ウエハとして、その表面還元処理を行うためのプラズマ発生装置に係る発明であって、被処理部材として銅板や鉄板を処理する装置ではないから、甲第１２号証に示されているように、銅板や鉄板をバーナーで加熱することによって形成された酸化膜（錆）が、マイクロ波表面波水素プラズマを照射することによって消去できるとしても、甲１発明において、被処理部材として銅板や鉄板に適用する動機が見出せないし、請求人はこの点について十分な説明をしていない。
　ウ　したがって、請求人の上記第２の主張は採用することができない。
（２−３−３）請求人の第３の主張
　ア　請求人は、弁駁書の第５〜７頁の（３−３）において、「本件訂正発明１に係る処理装置は、用途限定が付されているものの、用途限定がその用途に特に適した物を意味していない場合であって、本件訂正発明１の発明特定事項と、甲第１号証に記載された事項とが、用途限定以外の点で相違しないのであるから、両者を異なる発明であると判断すべきではない。」と主張している（以下「第３の主張」という。）ので、当該主張について以下検討する。
　イ　上記（２−１）と（２−２）で検討したように、本件発明１と甲１発明とは、上記相違点１と相違点２で相違しており、相違点２については用途を限定していると解することは可能であるとしても、相違点１は、甲１発明がチャンバー１内にシールドプレート１２を備えているという、装置の構造上の特徴に基づく相違点であり、本件発明１と甲１発明とでは、被処理物に与える温度、エネルギーや作用が異なるので、処理の内容も異なるものであるといえる。つまり、相違点１については、用途限定の違いを示しているものと解することはできない。
　ウ　したがって、本件発明１と甲１発明とは用途限定以外の点で相違しないとの前提に基づく上記第３の主張は採用することができない。
（２−３−４）請求人の第４の主張
　ア　請求人は、弁駁書の第７〜８頁の（３−４）において、平成１５年（ワ）第８６０号の判決を根拠として、「処理装置の客観的な構成のほかに、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の還元の用途や使用方法に用いることが記載されているが、その用途や使用方法に適するようにするために処理装置の構成が特定の構成に限られることがないので、それらの用途や使用方法の記載は、発明の構成を更に限定するものではないというべきであるということになる。本件訂正発明１の構成は、処理装置の客観的な構成を記載した部分によって明らかにされているとものと解すべきである。」と主張している（以下「第４の主張」という。）ので、当該主張について以下検討する。
　イ　本件発明１の「前記被処理物の錆が、鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆である」なる特定事項は、請求人の主張するように、本件発明１の処理装置の用途を特定していると考えることもできる。しかしながら、本件発明１において、上記「鉄、ニッケル、白金、銀及び金の錆」を備えた被処理物とは、本件明細書の段落【０００１】の記載を参照すると、「医療器具、調理器具」のように被処理物自体が上記「鉄、ニッケル、白金、銀及び金」から形成されており、高温・高エネルギーのプラズマを照射してもほとんどダメージを受けないものであるのに対して、甲１発明では、被処理物が高温・高エネルギーのプラズマの照射に対してダメージを受け易い半導体ウエハであるのみならず、チャンバー１内にシールドプレート１２を設けることによって、被処理物である半導体ウエハの温度が上がりすぎてダメージを受けないように調整されているという処理装置としての構造上の特徴も有しているものである。
　ウ　してみると、処理装置の用途、もしくは対象とする被処理物が、「鉄、ニッケル、白金、銀及び金」から形成されたものであるか、「半導体ウエハ」であるかによって、被処理物に照射するプラズマのエネルギーや、被処理物の設定温度が相違しているのみならず、装置の構造上の特徴としてシールドプレートの有無の点でも相違しているので、本件発明１と甲１発明は、単に処理装置の用途が異なるのみでなく、当該用途に応じた処理装置の構造上の相違や、被処理物に照射するプラズマのエネルギーの設定や、被処理物の設定温度が相違しているものであるといえる。
　エ　したがって、本件発明１は、上記アに判示された「その用途や使用方法に適するようにするために処理装置の構成が特定の構成に限られることがない」ものに該当するとはいえず、本件発明１において「用途や使用方法の記載は、発明の構成を更に限定するものではない」ともいえない。
　オ　よって、上記第４の主張は採用することができない。
（２−４）判断の結論
　以上の検討から、本件発明１は、甲１発明と相違点１及び相違点２において相違しているから、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。
　また、甲１発明において、相違点１及び相違点２に係る本件発明１の特定事項とすることは、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易になし得ることであるともいえない。
（３）本件発明５について
（３−１）本件発明５と甲１発明との対比　
　ア　上記（２−１）の検討を参照すると、本件発明５と甲１発明は次の点で相違している。
≪相違点３≫ 
「処理室に内装した被処理物に照射」するものが、本件発明５では、「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」であるのに対し、甲１発明では、「前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカル」のうち、「前記シールドプレート１２を選択的に通過」した「ラジカル」である点。
≪相違点４≫ 
「処理装置」が行う処理が、本件発明５では「銅の錆を除く」「被処理物の錆を還元する」ことであるのに対して、甲１発明では「半導体ウエハの表面還元処理」することである点。
≪相違点５≫ 
「処理装置」が、本件発明５では「前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で、前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備え」るものであるのに対して、甲１発明ではそのような特定がなされていない点。
（３−２）相違点についての判断
（３−２−１）相違点３について
　相違点３は、上記（２−１）で検討した相違点１と同じであるから、上記（２−２−２）で検討した理由と同じ理由によって、甲１発明において、相違点３に係る本件発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえない。
（３−２−２）相違点４について
　甲第１号証には、実施例３における「半導体製造プロセスにおけるウエハの表面還元処理」の詳細については記載されていない。
　そこで、半導体製造プロセスにおけるウエハの表面還元処理について、当該技術分野の技術常識に基づいて検討するに、特に錆を還元するようなウエハの表面還元処理としては、ウエハ上にダマシン配線として知られる銅配線を形成する際、銅は大気中で酸化し易く、銅配線表面が酸化して酸化銅が形成されるが、このような酸化銅を残したままにすると不都合を起こすので、還元性のプラズマを照射することによって酸化銅を除去することが、当業者にはよく知られている（要すれば、上記第４の２の（６）、（７）を参照のこと。）。
　しかしながら、このようなダマシン配線上の酸化銅は、銅の錆であって、「銅の錆を除く」錆ではない。
　また、ダマシン配線上の酸化銅除去のための表面還元処理以外に、ウエハ上の錆（もしくは金属酸化物）を還元除去するような処理であって、特に、当該錆（もしくは金属酸化物）が、「銅の錆を除く」錆であるような処理が当業者に周知であるともいえないし、そのような処理についてはいずれの甲号証にも記載も示唆もされていない。
　したがって、甲１発明において、「処理装置」が行う処理として「銅の錆を除く」錆を還元除去するようにすること、すなわち、相違点４に係る本件発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえない。
（３−３）判断の結論
　以上の検討から、甲１発明において、相違点３及び相違点４に係る本件発明５の特定事項とすることは、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　したがって、相違点５について検討するまでもなく、本件発明５は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）本件発明６について
（４−１）本件発明６と甲１発明との対比　
　ア　上記（２−１）の検討を参照すると、本件発明６と甲１発明は次の点で相違している。
≪相違点６≫ 
「処理室に内装した被処理物に照射」するものが、本件発明６では、「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」であるのに対し、甲１発明では、「前記表面波励起プラズマに含まれるイオン、電子、ラジカルのうち、前記シールドプレート１２を選択的に通過したラジカル」である点。
≪相違点７≫ 
「処理装置」が行う処理が、本件発明６では「被処理物の錆を還元する」ことであるのに対して、甲１発明では「半導体ウエハの表面還元処理」することである点。
≪相違点８≫ 
「処理装置」が、本件発明６では「被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、籠状体を回転させながら被処理物の錆を還元する」ものであるのに対して、甲１発明ではそのような特定がなされていない点。
（４−２）相違点についての判断
　ア　まず、相違点８について検討を行う。
　イ　本件発明６の特定事項である「籠状体」について、本件明細書の記載に基づいて確認する。本件明細書の段落【００３３】の記載「籠状体２６は、図４に示すように、周囲を網状線で覆った直方体とし、その一面が蓋面２６ａとして形成してある。すなわち、蓋面２６ａを開いて籠状体２６に被処理物１３を収納させる。なお、蓋面２６ａは閉めた状態で係止するようにしてある。また、籠状体２６は円筒状に形成することもできる。」によれば、「籠状体」とは、周囲を網状線で覆った直方体または円筒状の物体であり、その内部に被処理物を収納するものである。また、「籠状体」外部で生成されたマイクロ波表面波水素プラズマを、「籠状体」内部の被処理物に供給できるように、「籠状体」は網状、すなわち多数の孔を有しているものということができる。
　ウ　また、広辞苑（岩波書店、１９９８年１１月１１日第五版発行、第４８６頁）によれば、「籠」とは「竹や籐・藺・柳・針金などの線状のもので編んだり組んだりした器物」を意味している。
　エ　したがって、本件訂正後の請求項６に記載された「籠状体」とは、針金などの線状のもので編んだ網状の物体であり、多数の孔を有しているものであると認められる。
　オ　一方、甲第３号証には、プラズマ処理装置において被処理部材に対し均一なプラズマ処理を行うことのできる、回転バレル式プラズマ処理装置が記載されており、上記３ウの記載を参照すると、図３から、当該回転バレル式のプラズマ処理装置は、被処理部材Ｍを収納する処理空間Ｔを区画形成している内筒２６を備えており、上記内筒２６は、側枠２８と筒部２７とからなるものであること、を見て取ることができる。
　カ　また、上記３ウの段落【０００８】には、筒部２７の内面全周にわたって被処理物攪拌用の多数の羽根が設けられるか、羽根を設ける代わりに筒部２７の内面を緩やかな凹凸面あるいは粗面の抵抗面に形成してもよいと記載されていることから、筒部２７はその内面は、網状の物体から構成されているものではなく、多数の孔を有しているものであるともいえない。
　キ　したがって、甲第３号証の内筒２６は、本件請求項４に記載された「籠状体」に該当するものであるということはできない。
　ク　また、甲第３号証に記載された回転バレル式プラズマ処理装置は、上記３エによると、被処理部材Ｍを均一にプラズマ処理するために、被処理部材Ｍを収納した内筒２６を回転することによって、当該被処理部材Ｍを攪拌するものであり、被処理部材Ｍは例示されているパチンコ玉のように攪拌によってもダメージや破損のおそれのない部材であるといえる。
　ケ　そこで、甲１発明に、甲第３号証に記載された内筒を組み合わせることができるかを検討するに、甲１発明は、被処理物が半導体ウエハであって、当該ウエハの表面（おもてめん）側にプラズマが照射されれば十分であり、当該ウエハの裏面側にプラズマ照射をする必要がなく、ウエハ全体を均一にプラズマ処理する必要のないものであるから、甲１発明に、均一なプラズマを行うために被処理物を回転し攪拌するための内筒を組み合わせる動機がない。
　また、仮に、甲１発明に内筒を組み合わせる動機があったとしても、半導体ウエハを内筒に入れて回転し攪拌すると、半導体ウエハが破損することが明らかであるから、そのような組み合わせをするはずがないし、また、組み合わせた内筒は、そもそも、上記キに検討したように、本件特許の請求項４に記載された「籠状体」に該当するものでもない。
　したがって、甲１発明において、甲第３号証に記載された内筒を組み合わせる動機は無く、仮に組み合わせる動機があったとしても、その結果甲１発明が「籠状体」を備えるものとはならない。
　そして、その他のいずれの甲号証にも、「籠状体」を設けることについて記載したものはない。
　コ　以上の検討から、甲１発明において、相違点８に係る本件発明６の特定事項を備えたものとすることが、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
（４−３）判断の結論
　以上の検討から、甲１発明において、相違点８に係る本件発明６の特定事項とすることは、甲第１号証の記載に基づいて、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　したがって、相違点６、７について検討するまでもなく、本件発明６は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）無効理由１、２、５、７についての検討のまとめ
（５−１）無効理由１について
　上記（１）〜（２）で検討したように、甲１発明は、相違点１、２の点において本件発明１と相違している。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由１によって、本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。
（５−２）無効理由２について
　上記（１）〜（２）で検討したように、甲１発明は、相違点１、２の点において、本件発明１と相違しており、甲１発明において、相違点１、２に係る本件発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることができたものではない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由２によって、本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。
（５−３）無効理由５について
　上記（３）で検討したように、甲１発明は、相違点３〜５の点において、本件発明５と相違しており、甲１発明において、相違点３、４に係る本件発明５の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることができたものではない。
　したがって、本件発明５は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由５によって、本件発明５に係る特許を無効とすることはできない。
（５−４）無効理由７について
　上記（４）で検討したように、甲１発明は、相違点６〜８の点において、本件発明６と相違しており、甲１発明において、相違点８に係る本件発明６の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることができたものではない。
　したがって、本件発明６は、甲第１号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由７によって、本件発明６に係る特許を無効とすることはできない。
２　無効理由３、４、６、８（甲第２号証を主引例とする新規性・進歩性）について
　甲第２号証を主引用例とする無効理由３、４、６、８について検討する。
（１）甲第２号証に記載された発明　
　ア　上記２アによれば、甲第２号証には、半導体微細加工におけるレジスト除去工程に関して、低プラズマダメージの特性を有する表面波プラズマを用いた中性原子によるレジスト除去について記載されている。
　イ　上記２イによれば、図２に記載された中性原子発生装置は、導波管を介して２．４５ＧＨｚのマイクロ波が反応チャンバーに導入されるものであり、石英又はＡｌＮからなる高誘電体窓材によって反応チャンバーと導波部が分離されている。
　ウ　上記イの検討事項を踏まえると、上記２ウの図２から、誘電体窓によって導波部（円形導波管）から分離された反応チャンバーを備え、前記導波部にはマイクロ波が導入され、前記反応チャンバーの左上部から「ガス流入」し、前記反応チャンバーの右側から「ウエハー挿入」し、前記反応チャンバーの下側から「排気」している中性原子発生装置が見て取れる。
　エ　上記イに記載したように、反応チャンバー上部の導波部からマイクロ波が導入されるということは、中性原子発生装置には、マイクロ波を供給するための、図２に不図示の「マイクロ波供給手段」が接続されていることは明らかである。
　オ　上記ウで記載したように、反応チャンバーの上部空間の左上部から「ガス流入」するということは、中性原子発生装置には、反応チャンバーにガスを供給するための、図２に不図示の「ガス供給手段」が接続されていることは明らかである。
　カ　上記ウで記載したように、反応チャンバーの右側から「ウエハー挿入」することから、中性原子発生装置には、ウエハーを反応チャンバーに挿入し、また、反応チャンバーから排出するための手段（以下「ウエハ挿入・排出手段」という。）が設けられていることは明らかである。
　キ　上記ウで記載したように、反応チャンバーの処理空間の下側から「排気」して、上記２オ、２カに記載されているようにチャンバ内を１３３Ｐａに減圧し得ることから、中性原子発生装置には、不図示の、反応チャンバーを減圧する手段（以下「減圧手段」という。）が接続されていることは明らかである。
　ク　上記２エ、２オ、２カ、２キ、２クによれば、酸素原子又は水素原子によるアッシングを行うために、図２の中性原子発生装置の反応チャンバーに酸素又は水素が供給されていることから、上記オの検討も勘案すると、上記「ガス供給手段」は、酸素ガス又は水素ガスを供給する手段であるといえる。なお、酸素ガスと水素ガスは同時に供給されるのではなく、別々に供給され得ることは、上記２キの図５と、上記２クの図６のいずれにおいても、酸素プラズマによるアッシングレートと水素プラズマによるアッシングレートの変化が別々にプロットされていることから明らかである。
　ケ　上記２イによれば、中性原子発生装置に導波部を介してマイクロ波を導入すると、誘電体窓表面上の限られた空間においてのみ高密度プラズマが発生し、当該高密度プラズマのうち寿命が長い中性原子のみがウエハに照射されることによってウエハのアッシングが行われる。
　コ　上記ア〜ケの検討事項に基づき、水素ガスを供給してアッシングを行う場合に注目して、本件発明２の記載ぶりに則して整理すると、甲第２号証には、次の中性原子発生装置（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ウエハ挿入・排出手段によって挿入または排出されるウエハが配置される反応チャンバーを備えるとともに、
　前記反応チャンバーを減圧する減圧手段、前記反応チャンバーに水素ガスを供給するガス供給手段、前記反応チャンバー上部の導波部にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段、導波部、誘電体窓を備え、
　前記マイクロ波供給手段からマイクロ波を導入すると、前記誘電体窓表面上の限られた空間においてのみ高密度プラズマが発生し、当該高密度プラズマのうち寿命が長い中性原子のみがウエハに照射されることによってウエハのアッシングが行われる、中性原子発生装置。」
（２）本件発明２と甲２発明との対比　
　本件発明２と甲２発明とを対比する。
　ア　甲２発明の「ウエハ」は、本件発明２の「被処理物」に相当する。
　イ　甲２発明の「ウエハ挿入・排出手段によって挿入または排出されるウエハが配置される反応チャンバー」は、「反応チャンバー」内に被処理物である「ウエハ」を取り出し自在に内装する処理室であるといえるから、本件発明２の「被処理物を取出し自在に内装する処理室」に相当する。
　ウ　甲２発明の「反応チャンバーを減圧する減圧手段」、「反応チャンバーに水素ガスを供給するガス供給手段」は、それぞれ、本件発明２の「処理室内を減圧する減圧手段」、「処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段」に相当する。
　エ　甲２発明の「反応チャンバー上部の導波部にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段」は、当該マイクロ波が導波部及び誘電体窓を介して反応チャンバーに供給されるものであるから、本件発明２の「処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段」に相当する。
　オ　甲２発明において、「水素ガス」が供給され、「前記マイクロ波供給手段からマイクロ波を導入すると、前記誘電体窓表面上の限られた空間においてのみ」発生する「高密度プラズマ」は、上記２イの「本装置は、マイクロ波励起によりＴＭ０１モードの表面波プラズマが発生するよう設計している」との記載によれば、「水素ガス」がマイクロ波励起された「表面波プラズマ」である。したがって、甲２発明において発生する「高密度プラズマ」は、本件発明２の「マイクロ波表面波水素プラズマ」に相当する。
　カ　上記エ、オの検討事項を勘案すると、甲２発明の「前記反応チャンバー上部の導波部にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段、導波部、誘電体窓」は、本件発明２の「処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段」に相当する。
　キ　「被処理物に照射」されるものは、甲２発明では、「高密度プラズマのうち寿命が長い中性原子のみ」であるが、本件発明２では、「マイクロ波表面波水素プラズマ」そのものであるところ、当該「マイクロ波表面波水素プラズマ」は、水素ガスを励起して生成されたプラズマであり、技術常識によれば、当該プラズマ中には、イオン、電子、中性原子が含まれているので、これらイオン、電子、中性原子の全てが照射されるものである。したがって、甲２発明と本件発明２は、「プラズマ発生手段」が発生する「マイクロ波表面波水素プラズマ」に含まれる少なくとも「中性原子」を「前記処理室に内装した被処理物に照射」する点で共通している。
　ク　甲２発明において、ウエハのアッシングとは、ウエハ上に形成されたレジストを除去することであり、また、技術常識に照らせば、レジストは有機物であるから、甲２発明において「ウエハのアッシング」を行うことは、本件発明１において「被処理物に付着している有機物をクリーニング処理」することに相当する。
　ケ　甲２発明の「中性原子発生装置」は、マイクロ波を利用して被処理物であるウエハを処理する装置であるから、本件発明１の「マイクロ波を利用した処理装置」に相当する。
　コ　以上から、本件発明２と甲２発明の一致点と相違点は次のとおりである。
≪一致点≫
「被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
　前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段を備えてマイクロ波表面波水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段を設け、
　前記プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマに含まれる少なくとも中性原子を前記処理室に内装した被処理物に照射し、被処理物に付着している有機物をクリーニング処理する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した処理装置。」　
 
≪相違点９≫ 
「処理室に内装した被処理物に照射」するものが、本件発明２では「プラズマ発生手段が発生するマイクロ波表面波水素プラズマ」であるのに対し、甲２発明では、「高密度プラズマのうち寿命が長い中性原子のみ」である点。
 
（３）相違点９についての検討
　ア　甲第２号証の上記２アによれば、従来、レジストを除去するために、反応性イオンエッチングを利用すると、プラズマによる基板へのダメージがあるため、甲２発明においては、低プラズマダメージの特性を有する表面波プラズマを用いた中性原子によるレジスト除去を試みたものである。
　イ　したがって、甲２発明において、被処理物であるウエハに中性原子のみを照射しているのは、ウエハ本体へのダメージを低減するためであり、仮に、中性原子のみでなく、イオンや電子を含むプラズマの全てをウエハに照射すると、ウエハ本体にダメージを与えることになり、甲２発明の技術的意義を損なうこととなるから、甲２発明において、被処理物であるウエハに照射するものを、中性原子のみでなく、マイクロ波表面波水素プラズマとすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　ウ　以上から、甲２発明において、相違点９に係る本件発明２の特定事項を備えたものとすることが、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
（４）請求項２を引用する請求項３に係る発明についての検討
　請求項２を引用する請求項３に係る発明、すなわち、本件発明２の特定事項の全てを備える本件発明３と、甲２発明を対比すると、少なくとも、上記相違点９で相違する。
　そして、上記（３）で検討した理由と同様の理由により、甲２発明において相違点９に係る本件発明３の特定事項を備えたものとすることが、当業者が容易になし得ることであるということはできないから、請求項３で新たに特定された事項について検討するまでもなく、本件発明３は、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）請求項２を引用する請求項４に係る発明についての検討
　請求項２を引用する請求項４に係る発明、すなわち、本件発明２の特定事項の全てを備える本件発明４と、甲２発明を対比すると、少なくとも、上記相違点９で相違する。
　そして、上記（３）で検討した理由と同様の理由により、甲２発明において相違点９に係る本件発明４の特定事項を備えたものとすることが、当業者が容易になし得ることであるということはできないから、請求項４で新たに特定された事項について検討するまでもなく、本件発明４は、甲第２号証と甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（６）無効理由３、４、６、８についての検討のまとめ
（６−１）無効理由３について
　上記（１）〜（２）で検討したように、甲２発明は、相違点９において、本件発明２と相違している。
　したがって、本件発明２は、甲第２号証に記載された発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由３によって、本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。
（６−２）無効理由４について
　上記（３）で検討したように、甲２発明において、相違点９に係る本件発明２の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
　したがって、本件発明２は、甲第２号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由４によって、本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。
（６−３）無効理由６について
　上記（４）で検討したように、本件発明３は、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由６によって、本件発明３に係る特許を無効とすることはできない。
（６−４）無効理由８について
　上記（５）で検討したように、本件発明４は、甲第２号証と甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものではない。
　よって、無効理由８によって、本件発明３に係る特許を無効とすることはできない。
第７　まとめ　
　以上のとおり、本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、〔３〜４〕、５、６について訂正することを認める。
　請求人の主張する無効理由１〜８及び提出した証拠方法によっては、本件特許の請求の範囲の請求項１〜６に係る発明についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６４条の規定により、請求人の負担とする。 
　よって、結論のとおり審決する。