(57)【要約】  蒸着法やスパッタ法により行うことによって生じていた問題を総て解決し、さらに、時間的な無駄を伴うことなく被成膜部材の両面に効率的に薄膜を形成できるＣＶＤ装置、そのＣＶＤ装置を用いた薄膜形成方法を提供する。  ＣＶＤ装置（１）は、反応室（２）と、前記反応室（２）内に原料ガスを供給するＣＶＤ部（４）と、前記反応室（２）内の気体を排気する排気手段（３）とを備える。前記反応室（２）は、被成膜テープ（１６）が第１の巻取りローラ（１７）から第２の巻取りローラ（１８）へ至る走行経路（Ｒ）と、前記走行経路（Ｒ）に沿って走行する前記被成膜テープ（１６）の両面に薄膜を形成する両面成膜機構（１９）とを備える。
2008026242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室と、前記反応室内に原料ガスを供給するＣＶＤ部と、前記反応室内の気体を排気する排気手段とを備えるＣＶＤ装置において、
前記反応室に、
被成膜テープが第１の巻取りローラから第２の巻取りローラへ至る走行経路と、
前記ＣＶＤ部を備え、前記走行経路に沿って一方向へ走行する前記被成膜テープの両面に薄膜を形成する両面成膜機構とを設けた
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記両面成膜機構は、
前記被成膜テープの一面に薄膜を形成する第１の成膜機構と、
前記被成膜テープの他面に薄膜を形成する第２の成膜機構と、
前記第１の成膜機構と前記第２の成膜機構との間の走行経路において前記被成膜テープの表裏を反転させる反転手段とを備える
ことを特徴とする請求項１記載のＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記ＣＶＤ部は、
キャリアガス中に原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、
前記オリフィス管のガス通路に連通された前記原料溶液を供給する原料溶液用通路と、
前記オリフィス管に前記キャリアガスを供給するキャリアガス管と、
前記オリフィス管で分散された前記原料溶液を気化する気化管と、
前記気化管内に挿入され前記オリフィス管のガスを噴出する細孔と、
前記気化管を加熱する加熱手段とを有する
ことを特徴とする請求項１又は２記載のＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記ＣＶＤ部は、前記反応室内にＲＦ電圧の印加によりプラズマを形成するＲＦプラズマ発生手段を備え、
前記反応室内において、隣合う前記ＣＶＤ部を互いに分離する隔離部材を設けたことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記第１の巻取りローラと前記第２の巻取りローラとは、正逆両方向に回転できることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項６】
反応室内の気体を排気手段により排気する排気ステップと、前記反応室に原料ガスを供給する原料ガス供給ステップと、前記反応室内において被成膜テープに薄膜を形成する成膜ステップとを備える薄膜形成方法において、
前記成膜ステップは、
前記被成膜テープが第１の巻取りローラから第２の巻取りローラへ至る走行経路を形成する走行経路形成ステップと、
前記走行経路に沿って一方向へ走行する前記被成膜テープの両面に薄膜を形成する両面成膜ステップとを備える
ことを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項７】
前記両面成膜ステップは、
第１の成膜機構により前記被成膜テープの一面に薄膜を形成する第１の成膜ステップと、
第２の成膜機構により前記被成膜テープの他面に薄膜を形成する第２の成膜ステップと、
前記第１の成膜機構と前記第２の成膜機構との間の走行経路において前記被成膜テープの表裏を反転させる反転ステップとを備える
ことを特徴とする請求項６記載の薄膜形成方法。
【請求項８】
キャリアガス管からオリフィス管にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ステップと、
原料溶液用通路から前記オリフィス管に原料溶液を供給する原料溶液供給ステップと、
前記原料溶液を、前記オリフィス管で微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて、前記オリフィス管の流出口に設けられた気化管に供給する気化管供給ステップと、
前記気化管で前記原料溶液を前記気化管の加熱手段により加熱して気化する気化ステップとを備える
ことを特徴とする請求項６又は７記載の薄膜形成方法。
【請求項９】
前記反応室内にＲＦプラズマを発生させて薄膜を形成するＲＦプラズマ発生ステップを備えることを特徴とする請求項６〜８のうちいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【請求項１０】
前記被成膜テープを正逆両方向に走行させ、薄膜を形成する薄膜形成ステップを備えることを特徴とする請求項６〜９のうちいずれか１項に記載の薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＶＤ装置と、それを用いた薄膜形成方法とに関し、特に、被成膜テープ上に薄膜を効率的に形成するＣＶＤ装置と、それを用いた薄膜形成方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
究極の光メモリといわれるホログラフィック記録再生技術は、例えば、ＮＩＫＫＥＩ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ  ２００５．１．１７「離陸間近のホログラフィック媒体２００６年に２００Ｇバイトを実現」第１０５頁〜第１１４頁等により紹介されている。【０００３】
ところで、その実用化の鍵が光ディスク等の記録再生媒体の低製造コスト化を図ることが可能か否かに握られていると言っても過言ではない。【０００４】
即ち、そのホログラフィック記録再生技術の記録再生媒体には、波長選択膜が不可欠であり、この波長選択膜は、例えばシリコン酸化膜ＳｉＯ2と、ニオブオキサイド膜Ｎｂ2Ｏ5（又はタンタルオキサイド膜）とを交互に積層してなり、その層数は例えば５〜１００層になる。【０００５】
そして、その膜は、従来においては、一般に、蒸着法やスパッタ法により形成されていた。
【非特許文献１】ＮＩＫＫＥＩ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ  ２００５．１．１７「離陸間近のホログラフィック媒体２００６年に２００Ｇバイトを実現」第１０５頁〜第１１４頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、多層膜を蒸着法やスパッタ法で形成すると、下記のような課題があった。【０００７】
先ず、第１に、蒸着法やスパッタ法によれば、反応室内壁に酸化物が堆積し、それが剥離して製品上に付着するという問題が生じ易い。【０００８】
第２に、蒸着法やスパッタ法によれば、高真空で且つ低いデポジション温度で成膜するので、化学量論に比較して酸素が不足し、物性の異なる酸化物薄膜が形成され易く、設計通りの特性が得られないという問題が生じ易い。【０００９】
第３に、蒸着法やスパッタ法によれば、堆積速度がＣＶＤ法によるよりも著しく小さいので、生産性が低く、生産コストを低くすることが難しいという問題が生じやすい。【００１０】
そして、上記記録再生媒体には、波長選択膜の他にも各種の膜を必要とするが、その波長選択膜を形成するためだけに、シリコン酸化膜と、ニオブオキサイド膜又はタンタルオキサイド膜とを交互に積層することが必要であり、その積層工程数が５〜１０００回（例えば２０回）というように非常に多く、製造コスト低減を阻む大きな要因になっている。【００１１】
というのは、シリコン酸化膜を成膜すると、次に、例えばニオブオキサイド膜を成膜し、その次に、シリコン酸化膜を成膜し、次に、ニオブオキサイド膜を成膜するということを１０回も繰り返すことは、成膜する薄膜の切り換えに時間がかかるからである。【００１２】
例えば、一つのＣＶＤ装置でシリコン酸化膜を形成し、別のＣＶＤ装置でニオブオキサイド膜を形成するというように、形成する膜を変える度に成膜装置を切り換えると、切り換える度に時間的な大きな無駄が生じるのである。【００１３】
さらに、被成膜部材の両面に多層膜を形成するには、片面を成膜した後、被成膜部材を裏返して、再度成膜する必要がある。したがって、成膜時間は、片面の場合の少なくとも２倍以上かかることになり、時間的な無駄は顕著なものとなる。【００１４】
本発明は、そのような課題を解決すべく為されたものであり、蒸着法やスパッタ法により行うことによって生じていた上記問題を総て解決し、さらに、時間的な無駄を伴うことなく被成膜部材の両面に効率的に薄膜を形成できるＣＶＤ装置、そのＣＶＤ装置を用いた薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記した課題を解決するため、請求項１に係る発明は、反応室と、前記反応室内に原料ガスを供給するＣＶＤ部と、前記反応室内の気体を排気する排気手段とを備えるＣＶＤ装置において、前記反応室に、被成膜テープが第１の巻取りローラから第２の巻取りローラへ至る走行経路と、前記ＣＶＤ部を備え、前記走行経路に沿って一方向へ走行する前記被成膜テープの両面に薄膜を形成する両面成膜機構とを設けたことを特徴とする。【００１６】
また請求項２に係る発明は、前記両面成膜機構は、前記被成膜テープの一面に薄膜を形成する第１の成膜機構と、前記被成膜テープの他面に薄膜を形成する第２の成膜機構と、前記第１の成膜機構と前記第２の成膜機構との間の走行経路において前記被成膜テープの表裏を反転させる反転手段とを備えることを特徴とする。【００１７】
また請求項３に係る発明は、前記ＣＶＤ部は、キャリアガス中に原料溶液を微粒子状又は霧状に分散させるオリフィス管と、前記オリフィス管のガス通路に連通された前記原料溶液を供給する原料溶液用通路と、前記オリフィス管に前記キャリアガスを供給するキャリアガス流路と、前記オリフィス管で分散された前記原料溶液を気化する気化管と、前記気化管内に挿入され前記オリフィス管のガスを噴出する細孔と、前記気化管を加熱する加熱手段とを有することを特徴とする。【００１８】
また請求項４に係る発明は、前記ＣＶＤ部は、前記反応室内にＲＦ電圧の印加によりプラズマを形成するＲＦプラズマ発生手段を備え、前記反応室内において、隣合う前記ＣＶＤ部を互いに分離する隔離部材を設けたことを特徴とする。【００１９】
また請求項５に係る発明は、前記第１の巻取りローラと前記第２の巻取りローラとは、正逆両方向に回転できることを特徴とする。【００２０】
また請求項６に係る発明は、反応室内の気体を排気手段により排気する排気ステップと、前記反応室に原料ガスを供給する原料ガス供給ステップと、前記反応室内において被成膜テープに薄膜を形成する成膜ステップとを備える薄膜形成方法において、前記成膜ステップは、被成膜テープが第１の巻取りローラから第２の巻取りローラへ至る走行経路を形成する走行経路形成ステップと、前記走行経路に沿って一方向へ走行する前記被成膜テープの両面に薄膜を形成する両面成膜ステップとを備えることを特徴とする。【００２１】
また請求項７に係る発明は、前記両面成膜ステップは、第１の成膜機構により前記被成膜テープの一面に薄膜を形成する第１の成膜ステップと、第２の成膜機構により前記被成膜テープの他面に薄膜を形成する第２の成膜ステップと、前記第１の成膜機構と前記第２の成膜機構との間の走行経路において前記被成膜テープの表裏を反転させる反転ステップとを備えることを特徴とする。【００２２】
また請求項８に係る発明は、キャリアガス管からオリフィス管にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ステップと、原料溶液用通路から前記オリフィス管に原料溶液を供給する原料溶液供給ステップと、前記原料溶液を、前記オリフィス管で微粒子状又は霧状にしてキャリアガス中に分散させて、前記オリフィス管の流出口に設けられた気化管に供給する気化管供給ステップと、前記気化管で前記原料溶液を前記気化管の加熱手段により加熱して気化する気化ステップとを備えることを特徴とする。【００２３】
また請求項９に係る発明は、前記反応室内にＲＦプラズマを発生させて薄膜を形成するＲＦプラズマ発生ステップを備えることを特徴とする。【００２４】
また請求項１０に係る発明は、前記被成膜テープを正逆両方向に走行させ、薄膜を形成する薄膜形成ステップを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
上記した請求項１及び６に係る発明によれば、両面成膜機構を備えたことにより、一方向へ走行中の被成膜テープの両面に薄膜を形成することができるので、時間的な無駄を伴うことなく被成膜テープの両面に効率的に薄膜を形成できる。【００２６】
また、請求項２及び７に係る発明によれば、第１の成膜機構と第２の成膜機構との間の走行経路において被成膜テープの表裏を反転させるので、より確実に効率を向上することができる。【００２７】
また、請求項３及び８に係る発明によれば、ＣＶＤ用気化器の構造を簡単にしながら、多種の原料溶液をキャリアガス中に微粒子状又は霧状に分散させ得ることができると共に、目詰まりが生じにくくすることができるので、原料溶液の流量を長時間にわたり精度良く制御することができる。【００２８】
また、請求項４及び９に係る発明によれば、成膜温度を下げることができるので、耐熱温度が低い被成膜テープにも、容易に薄膜を形成することができる。【００２９】
また、請求項５及び１０に係る発明によれば、任意の積層構造からなる多層膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＣＶＤ装置の全体構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る反応室の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＣＶＤ用気化器の構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るガスシャワー電極の構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る反応室の構成を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る反応室の構成を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る反応室の構成を示す図である。
【図８】本発明の第５の実施形態に係るＣＶＤ用気化器の構成を示す図である。
【図９】７６０Ｔｏｒｒアルゴン雰囲気中におけるトリスジメチルアミノシランのＴＧ−ＤＴＡチャートを示すものである。
【図１０】トリスジメチルアミノシランの温度に対する蒸気圧特性を測定した結果を示すものである。
【図１１】ヘキサメチルジシラザンの温度に対する蒸気圧特性を測定した結果を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明において、形成しようとする多層膜の最良の例は、フレキシブル有機ＥＬディスプレー用に、ＰＥＴ樹脂の被成膜テープ上に形成する拡散防止膜（通常シリコン窒化膜）である。【００３２】
また、被成膜テープは、例えば長さ５０００ｍ、幅０．３ｍのプラスチック（材質ＰＥＴ）であり、上述した波長選択膜を含む必要な薄膜が被成膜テープの両面に形成されると、それから打ち抜きにより規格に従った大きさの多数の媒体ディスクが得られるようにされているのである。【００３３】
尚、ＣＶＤ装置のＣＶＤ部は、通常のＣＶＤ方法が行われるようにしたものでも良いが、沸点が大凡２５℃以上の液体化合物或いは固体化合物を気化する気化管を備えたものが好適である。具体的には、特願２００４−２９００８７号により提案済みの、固体を溶媒に溶かして得た溶液を、気化器により気化（ガス化）することにより薄膜形成用のガスとして用い、薄膜を形成する技術を駆使するようにしても良い。そして、後で記載する実施例においても気化器を用いたＣＶＤ技術を駆使している。尚、この気化器を用いた気化機構の内容の詳細は、後述する。【００３４】
また、各ＣＶＤ部は、ＲＦ（Radio Frequency)電圧をＲＦ電極と成膜ローラとの間に印加してプラズマを形成したプラズマＣＶＤを行うようにしても良い。特に、被成膜テープの耐熱性が低い場合には、プラズマＣＶＤを行うことにより、比較的低い温度で多層膜を形成することができるので、被成膜テープに要求される耐熱性は低くて済む。【００３５】
ところで、その場合において、各ＣＶＤ部毎にＲＦ電源を設ける実施の形態があり、そのような形態を採る場合、複数のＲＦ電源が比較的近接して設けられることになり、その複数のＲＦ電源間に干渉が生じる可能性がある。そこで、その可能性をなくすために、複数のＲＦ電源の周波数を互いに変えるとか、位相を互いにずらすようにしても良い。【００３６】
また、薄膜形成用のガスを、成膜エリア上にシャワーのように垂直に且つ多数の噴出孔から供給する（シャワー方式）ようにしても良い。このようにすれば、テープ全面に対して均質、均厚の多層膜を得ることが容易に為し得る。【００３７】
更に、成膜エリア上にシャワーのようにＣＶＤ形成用のガスを供給するようにすると共に、プラズマを形成するという、シャワープレート方式とプラズマ方式を併用するようにしても良い。後で述べる実施例においてはそのように併用されている。【００３８】
また、一つのＣＶＤ装置に設けるＣＶＤ部の数は、後で述べる実施例では２個の場合について説明するが、必ずしもそれに限定されず、例えば５個、１０個というように、更にはもっと多い数にしても良い。【００３９】
薄膜の形成にとって、ＣＶＤ温度の制御、管理は極めて重要であるが、その温度制御性、管理性をより良好にするために、成膜ローラを、熱媒体（例えば、オイル）を用いて数十℃（例えば、５０℃、或いは６０℃等）に温度制御するようにしてもよい。
（１）第１の実施形態
（１−１）全体構成
図１に示すＣＶＤ装置１は、反応室２、排気手段３、複数のＣＶＤ部４（4a,4b）からなり、全体として、反応室２内の気体を排気手段３により排気し、ＣＶＤ部４において原料溶液を気化して生成した原料ガスを前記反応室２に導入して、前記反応室２内において被成膜部材に薄膜を形成し得るように構成されている。【００４０】
排気手段３は、真空排気口５で反応室２に連通された主真空配管６、前記主真空配管６と排気用真空ポンプ７とを繋ぐ真空配管８、前記真空配管８に設けられた水冷トラップ９、真空バルブ10とからなる。また、反応室２内には、ガス供給管11を通じてＮ2ガスが供給されるように構成されている。【００４１】
図２に示すように、反応室２は、密閉された反応室本体15と、被成膜部材である被成膜テープ16が第１の巻取りローラ17から第２の巻取りローラ18へ至る走行経路Ｒと、前記被成膜テープ16が前記第１の巻取りローラ17から前記第２の巻取りローラ18へ至る間に、前記被成膜テープ16の両面に薄膜を形成する両面成膜機構19とを備え、被成膜テープ16の両面に薄膜を効率的に形成し得るように構成されている。
（１−２）両面成膜機構の構成
次に本発明の特徴的部分である、被成膜テープ16の両面に薄膜を形成する両面成膜機構19の構成について図２を参照して詳細に説明する。【００４２】
両面成膜機構19は、前記被成膜テープ16の一面に薄膜を形成する第１の成膜機構21と、前記被成膜テープ16の他面に薄膜を形成する第２の成膜機構22と、前記第１の成膜機構21から前記第２の成膜機構22へ至る走行経路Ｒにおいて前記被成膜テープ16の表裏を反転させる反転手段としての誘導ローラ23とを備える。【００４３】
第１の成膜機構21は、被成膜テープ16を巻回する第１の成膜ローラ24と、該第１の成膜ローラ24に対応して設けられた第１のＣＶＤ部4aとを備える。前記第１のＣＶＤ部4aは、反応室２の左側下面に、上方に向かって原料ガスを供給し得るように設置される。一方、第２の成膜機構22は、被成膜テープ16を巻回する第２の成膜ローラ25と、該第２の成膜ローラ25に対応して設けられた第２のＣＶＤ部4bとを備える。前記第２のＣＶＤ部4bは、反応室２の右側上面に、下方に向かって原料ガスを供給し得るように設置される。誘導ローラ23は、被成膜テープ16の表裏を反転させ得るように、第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ被成膜テープ16を誘導する。この誘導ローラ23は、成膜ローラ24,25の上側へ配置された第１の誘導ローラ23aと、成膜ローラ24,25の下側へ配置された第２の誘導ローラ23bとからなる。【００４４】
前記第１の成膜機構21と前記第２の成膜機構22に被成膜テープ16を連続的に供給し得るように、第１の巻取りローラ17、第２の巻取りローラ18、第１の成膜ローラ24、第２の成膜ローラ25、誘導ローラ23、複数の送りローラ26とが反応室２内に設置され、被成膜テープ16が第１の巻取りローラ17から第２の巻取りローラ18へ至る走行経路Ｒが形成されている。【００４５】
前記第１の巻取りローラ17と前記第２の巻取りローラ18は、それぞれ反応室２内の左右両側の下側に配置されており、図示しない駆動手段に接続され、該駆動手段から伝達される駆動力により正方向へ回転し得るように構成されている（図中矢印方向）。この前記第１の巻取りローラ17と前記第２の巻取りローラ18との間に第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とが軸支されている。この第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とは、同一水平線上に配置される。さらに、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25との間に誘導ローラ23が軸支される。また、第１の巻取りローラ17と第１の成膜ローラ24との間、及び第２の成膜ローラ25と第２の巻取りローラ18との間にそれぞれ送りローラ26が軸支されている。【００４６】
尚、27は第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bを他のＣＶＤ部から分離する隔離部材である。隔離部材27は、ＣＶＤ部4a,4bが設けられている反応室２の内壁に、第１の成膜ローラ24、第２の成膜ローラ25を挟んで板状の部材を立設して構成される。隔離部材27は、反応室２の内壁から成膜ローラの中心軸までの範囲を覆い、先端は、内側へ折り返されている。そして、反応室２は、隔離部材27で覆われた内側に、真空排気口５を備えている。【００４７】
被成膜テープ16は、送りローラ26によって、一端、反応室２内の上側へ誘導され、左回りに第１の成膜ローラ24に巻回される。この第１の成膜ローラ24に巻回されたときに、第１のＣＶＤ部4aとの間に形成されるプラズマ発生領域Ａに曝される被成膜テープ16の表面を被成膜テープ16の一面とする。【００４８】
誘導ローラ23は、隔離部材27を避けると共に、Ｓ字を描くように第１の成膜ローラ24に左回りに巻回された被成膜テープ16を右回りに第２の成膜ローラ25に巻回し得るように誘導する。すなわち、第１の成膜ローラ24の下側から送出された被成膜テープ16は、第１の誘導ローラ23aによって、一端上側へ誘導された後、第２の誘導ローラ23bによって、下側へ誘導され、右回りに第２の成膜ローラ25へ巻回される。これにより、被成膜テープ16は、第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ至る間に、表裏が反転され、第１の成膜ローラ24で巻回された一面とは逆の他面が第２の成膜ローラ25でプラズマ発生領域Ａに曝される。そして、被成膜テープ16は、送りローラ26によって、反応室２の下側へ誘導され、第２の巻取りローラ18へと至る。【００４９】
以上のようにして、第１の巻取りローラ17から第２の巻取りローラ18へ至る走行経路Ｒが形成され、これにより、被成膜テープ16は、両面成膜機構19により第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ至る走行経路Ｒにおいて、表裏が反転され、第２の成膜ローラ25において、第１の成膜ローラ24で成膜された面ではない他の面に薄膜が形成される。また、被成膜テープ16は、誘導ローラ23、送りローラ26によって、成膜ローラ24,25へ所定の力で押付けられている。【００５０】
尚、被成膜テープ16は、例えば、長さが５０００ｍ、幅が０．３ｍ〜２ｍであり、材質は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリイミド等の樹脂、又は、銅やアルミニウム等の金属からなる。
（１−３）ＣＶＤ部の構成
第１のＣＶＤ部4aと第２のＣＶＤ部4bとは、それぞれ第１の成膜ローラ24、第２の成膜ローラ25に巻回された被成膜テープ16上に薄膜を形成し得るように、前記第１の成膜ローラ24、第２の成膜ローラ25に対応して設けられる。第１のＣＶＤ部4aと第２のＣＶＤ部4bとは、それぞれ、原料溶液を気化した原料ガスを反応室２内へ供給するＣＶＤ用気化器31と、成膜ローラ24，25との間のプラズマ発生領域Ａにプラズマを発生させ、成膜ローラ24，25に巻回された被成膜テープ16上に薄膜を形成するＲＦプラズマ発生手段としてのガスシャワー電極32とを備える。【００５１】
第１のＣＶＤ部4aは、反応室２の下側に、ガスシャワー電極32が下方から前記第１の成膜ローラ24に対向するように設けられている。一方、第２のＣＶＤ部4bは、反応室２の上側に、ガスシャワー電極32が上方から前記第２の成膜ローラ25に対向するように設けられている。【００５２】
また、第１のＣＶＤ部4aと第２のＣＶＤ部4bとは、原料溶液の種類や、温度などの成膜条件をそれぞれ個別的に設定し得るように構成され、これにより、各ＣＶＤ部において所望の薄膜をそれぞれ形成することができる。また、ＣＶＤ装置１は、被成膜テープ16が走行している間、各ＣＶＤ部の成膜動作をそれぞれ個別的に開始させたり、または停止させたりすることができることはもちろんである。【００５３】
尚、第１のＣＶＤ部4aと第２のＣＶＤ部4bとは、反応室２に設置される位置が異なるのみで、その構成は同じであることから、以下、第１のＣＶＤ部4aについて、その構成を説明する。【００５４】
ＣＶＤ用気化器31は、ガス供給管33を通じてガスシャワー電極32に原料ガスを導入することにより、多数の噴出口から反応室２内の第１の成膜ローラ24上にシャワーのように原料ガスを供給できるように構成されている。
（１−３−１）ＣＶＤ用気化器の構成
図３に示すように、ＣＶＤ用気化器31は、気化機構41と、当該気化機構41に設けられた原料溶液供給機構42とを備え、気化機構41が反応室のガス供給管33に連結されている。【００５５】
気化機構41は、窒素ガスやアルゴン等のキャリアガスを反応室２に供給するキャリアガス流路43が、キャリアガス管44、オリフィス管45により形成され、オリフィス管45の先端（すなわちキャリアガス流路43の流出口46）に気化管47が形成されている。【００５６】
この気化機構41は、キャリアガスを供給する供給機構（図示せず）にキャリアガス管44の基端（すなわちキャリアガス流路43の流入口）が連結されているとともに、キャリアガス管44の先端48がオリフィス管45の基端49に連結され、これによりキャリアガス管44からオリフィス管45に高速のキャリアガスを供給し得るように構成されている。【００５７】
因みに、キャリアガス管44の基端と供給機構との間には、Ｎ2供給バルブ及びマスフローコントローラ（図示せず）が設けられている。またキャリアガス管44には、圧力トランスデューサ50が取り付けられている。【００５８】
なお、圧力トランスデューサ50は、キャリアガス管44内のキャリアガスの圧力及びその変動を正確に測定し、記録しながら常時モニタする。圧力トランスデューサ50は、キャリアガスの圧力レベルに応じた信号レベルを有する出力信号を制御部（図示せず）に送信する。【００５９】
このようにして図示しない表示部に、キャリアガスの圧力結果を出力信号に基づいて表示してオペレータにモニタさせ得るようになされている。これによりオペレータは、圧力結果に基づいてキャリアガス流路43の目詰まりをモニタできる。【００６０】
ここでキャリアガス管44は、その内径がオリフィス管45の内径よりも大きく選定され、キャリアガス管44からオリフィス管45に供給されるキャリアガスの流速を一段と速くさせ得るように構成されている。【００６１】
オリフィス管45は、鉛直向きに配置され、その先端46に台形円錐状でなる凸状部51が設けられているとともに、この凸状部51の頂部に細孔52が設けられている。このようにオリフィス管45では、先端に凸状部51を設けたことにより細孔52の先端たる噴霧口53の外周周辺に傾斜面51aを形成した。これにより残留物が噴霧口53に溜まり難くなり、噴霧口53の目詰まりを抑止し得るようになされている。【００６２】
因みに、この実施の形態の場合、凸状部51の頂角θは、４５°〜１３５°、特に３０°〜４５°の鋭角に形成することが好ましく、この場合、析出した原料化合物によって噴霧口53が詰まることを防止できる。【００６３】
噴霧口53の細孔52は、その内径がオリフィス管45の内径よりも小さく選定され、これにより、当該オリフィス管45におけるキャリアガスの圧力が高くなるように構成されている。ここで細孔52の先端は、オリフィス管45の凸状部51が気化管47の基端54に挿入されていることにより、気化管47の内部空間55に突出するように配置される。【００６４】
かかる構成に加えてオリフィス管45には、基端49から凸状部51までの間に複数（この場合、例えば５つ）の接続管56a〜56eが連通しており、この接続管56a〜56eにそれぞれ原料溶液供給機構42が設けられている。これによりオリフィス管45は、接続管56a〜56eを介して原料溶液供給機構42から所定の原料溶液が供給され得るように構成されている。原料溶液供給機構42では、原料溶液用タンク（図示せず）に貯えられた原料溶液を、所定の原料溶液流路58を経由させることにより、液体マスフローコントローラ（ＬＭＦＣ）57、ブロックバルブ59を順次介してオリフィス管45に供給するように構成されている。なお、この液体マスフローコントローラ57は、原料溶液流路58を流れる原料溶液の流量を制御するようになされている。【００６５】
この場合、オリフィス管45は、例えば接続管56aから供給された原料溶液に高速で流れるキャリアガスが合流し、当該原料溶液を微粒子状又は霧状にさせてキャリアガス中に分散させ、細孔52を介して気化管47内に高速（２３０ｍ／秒〜３５０ｍ／秒）で噴霧するようになされている。【００６６】
この実施の形態の場合、オリフィス管45は、内径が例えばΦ１．０ｍｍ以下に選定されているとともに、鉛直向きに延びる長手方向の長さが１００ｍｍ程度に選定されることにより、円柱状のガス通路が形成されている。さらに細孔52の内径がΦ０．２〜０．７ｍｍ程度に選定されており、その内部でキャリアガスを高速にさせ得るようになされている。このように、オリフィス管45が円柱状のガス通路を備えることにより、安定的にキャリアガス中に原料溶液を分散させると共に、気化管47へ供給することができる。【００６７】
ここでオリフィス管45に連結した気化管47は、管状でなり、当該オリフィス管45と同様に鉛直向きに配置され、その内径がオリフィス管45の内径より顕著に大きく選定されていることにより、当該気化管47内の圧力がオリフィス管45内の圧力よりも小さくなるように形成されている。【００６８】
このように気化管47は、細孔52が設けられていることにより、オリフィス管45との間で大きな圧力差が設けられている。これにより、原料溶液及びキャリアガスが細孔52から高速（例えば２３０ｍ／秒〜３５０ｍ／秒）で噴出し、内部空間において膨張させ得るようになされている。【００６９】
この実施の形態の場合、気化管47内の圧力が例えば１０Ｔｏｒｒ程度に選定されているのに対し、オリフィス管45内の圧力が例えば５００〜１０００Ｔｏｒｒ程度に選定され、気化管47とオリフィス管45との間に大きな圧力差が設けられている。【００７０】
因みに、流量制御後のキャリアガスの圧力は、キャリアガスの流量、溶液流量及び細孔52の寸法によって増減するが、最終的には噴霧口53の寸法を選定してキャリアガスの圧力を制御し、５００〜１０００Ｔｏｒｒにすることが好ましい。【００７１】
これに加えて気化管47の外周には、基端54及び先端（すなわち反応室との接続部分）の間に加熱手段としての気化管加熱ヒータ60が取り付けられており、この気化管加熱ヒータ60によって気化管47が例えば２７０℃程度に加熱され得る。なお、この実施の形態の場合、気化管47の基端54がほぼ半球形状に形成されていることにより、気化管加熱ヒータ60によって当該基端54側を均一に加熱することができるようになされている。【００７２】
かくして気化管47では、オリフィス管45内で高速のキャリアガス流によって分散され霧化した原料溶液を、気化管加熱ヒータ60によって瞬時に加熱して、瞬間的に気化するように構成されている。このとき、原料溶液がオリフィス管45内で混合されたときから気化管47内に噴霧されるまでの時間は極めて短時間（好ましくは０．１〜０．００２秒以内）であることが好ましい。原料溶液は、高速のキャリアガス流によって、オリフィス管45内で分散させた直後に微細になり、高温の気化管47内で瞬時に気化する。また、溶媒のみが気化する現象は抑制される。【００７３】
因みに原料溶液及びキャリアガスを高速で気化管47に噴霧することによって、霧の寸法が微細化（霧の直径が１μｍ以下）し、蒸発面積の増大と蒸発速度の増大を図ることができる。なお霧の寸法が１桁減少すると、蒸発面積は１桁増大する。なお噴霧口53から噴出した霧が気化管47の内壁に衝突しないように、噴霧口53の角度と気化管47の寸法を設計することが好ましい。霧が気化管47の内壁に衝突すると、壁面に付着し、蒸発面積が桁違いに減少して、蒸発速度が低下するからである。また、霧が長時間気化管47壁に付着していると、熱分解して蒸発しない化合物に変化する例もあるからである。【００７４】
またこの場合、気化管47は、その内部が減圧されていることにより原料溶液それぞれに含まれる原料化合物の昇華温度を低下させることができ、その結果、気化管加熱ヒータ60からの熱で原料溶液を容易に気化させ得るようになされている。【００７５】
このようにして気化管47は、原料溶液を気化し、これを薄膜形成用ガスとしての原料ガスとして反応室２に供給し、この反応室２でＣＶＤ法によって薄膜を形成させ得るようになされている。【００７６】
なお、気化管47の基端54は、オリフィス管45との間に断熱材61を有し、この断熱材61によって気化管47からの熱がオリフィス管45に伝達され難くなるように構成されている。因みに気化管47の基端54はＯリング62によって気密封止されている。またオリフィス管45と気化管47とを連結する締結部材63には断熱材64が設けられている。【００７７】
因みに、細孔52から噴霧された霧が気化管47の内壁を濡らさないことが好ましい。理由は、霧に比べて、濡れ壁では蒸発面積が桁違いに減少するからである。つまり、気化管47の内壁が全く汚れない構造が好ましい。また、気化管47の内壁の汚れが簡単に評価できるように、気化管47壁は鏡面仕上げをすることが好ましい。【００７８】
以上の構成において、ＣＶＤ部では、オリフィス管45において反応室２に向けて常に高速で流れるキャリアガス流に、原料溶液を供給することにより、原料溶液を微粒子状又は霧状にさせてキャリアガス中に分散させ、そのまま気化管47で気化し原料ガスとして反応室２に供給する。【００７９】
このようにして、気化機構41では、高速のキャリアガス流によって原料溶液を瞬間的に霧化させて、気化管加熱ヒータ60の熱で当該原料溶液を容易に気化させ易いようにしていることにより、気化させ難い原料化合物を溶媒に溶かして得た原料溶液であっても気化管47において容易に気化できる。【００８０】
また気化機構41では、キャリアガス管44において加圧されたキャリアガスを高速にしてオリフィス管45に導入するため（例えばキャリアガスは５００〜１０００Ｔｏｒｒで、２００ｍｌ／ｍｉｎ〜２Ｌ／ｍｉｎ）、オリフィス管45において原料溶液の温度上昇を抑制することができる。【００８１】
従って、この気化機構41では、オリフィス管45において原料溶液中の溶剤のみが蒸発気化することを抑制できるので、オリフィス管45において原料溶液が高濃度化することを防止でき、かくして粘度の上昇を抑制できるとともに、原料化合物が析出することを防止できる。【００８２】
さらに、気化機構41では、キャリアガス中に分散した原料溶液を気化管47で瞬時に気化させることができるので、細孔52や細孔52付近において原料溶液中の溶剤のみが気化することを抑止できるため、細孔52の目詰まりを抑止できる。かくしてＣＶＤ用気化器31の連続使用時間を長くすることができる。
（１−３−２）ガスシャワー電極の構成
ガスシャワー電極32は、図４に示すように、ＲＦ電源71の一端が電気的に接続されている。このＲＦ電源71の他端は接地され、また、上記各成膜ローラ24,25は接地されている。これにより、第１の成膜ローラ24（第２の成膜ローラ25）の被成膜テープ16上の部分と、ガスシャワー電極32との間にプラズマ放電が生じるプラズマ発生領域Ａを形成する。【００８３】
72は反応室２の下面板、73はガスシャワー電極32の最外殻部分を成すシールド電極、74はそのシールド電極73の内側にそれと絶縁して形成されたＲＦ電極で、これに前記ＲＦ電源71の一端が電気的に接続されている。そして、そのＲＦ電極74の内側に、上記気化管47からのガスを反応室２内に供給するガス供給管33が、その間に酸化ガス等供給空間75が構成されるように設けられている。76はその酸化ガス等供給空間75に酸化ガス等を供給する酸化ガス等供給管である。【００８４】
ＲＦ電極74の下側にこれとの間に空間78が構成されるように略水平に設けられたガスシャワープレート77は、上記ガス供給管33から上記空間78内に供給されたガス（気化原材料）を下側に噴出する気化原材料噴出孔（噴出し孔）79,79,・・・と、上記酸化ガス等供給空間75内に供給された酸化ガス等を下側に噴出する酸化ガス等噴出孔（噴出し孔）80,80,・・・とが配設されており、上記空間78内において気化原材料と酸化ガス等とが反応してしまうことがないように、互いに分離された経路を通じて第１の成膜ローラ24上の被成膜テープ16上に供給されるようになっている。【００８５】
81は上記ＲＦ電極74内に設けられたヒータ、82はそのヒータ81に電力を供給するヒータ用電源、83はノイズカットフィルタである。また、84は気化原材料供給バルブである。
（１−４）作用及び効果
次に上記ＣＶＤ装置１の作用及び効果について説明する。【００８６】
ＣＶＤ装置１は、第１の巻取りローラ17、第２の巻取りローラ18の回転により、反応室２内に形成された走行経路Ｒに沿って被成膜テープ16を正方向に走行させる。ＣＶＤ装置１では、誘導ローラ23を設け、被成膜テープ16を走行中において、第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ至る間に、表裏を反転させるように構成した。これにより、ＣＶＤ装置１では、被成膜テープ16が正方向に走行している間に被成膜テープ16の表面及び裏面に対し薄膜を形成することができるので、効率的に被成膜テープ16の両面に薄膜を形成することができる。【００８７】
また、ＣＶＤ装置１は、ＣＶＤ用気化器31が原料溶液を高速で流れるキャリアガスにあてて気化管47に噴霧するオリフィス管45を備えることにより、被成膜テープ16に対し、下方からでも薄膜を形成することができる。従って、ＣＶＤ装置１では、反応室２の下面に設置された第１のＣＶＤ部4aが、確実に被成膜テープ16の一面に薄膜を形成するので、第２のＣＶＤ部4bが他面に薄膜を形成することにより、被成膜テープ16の両面に確実に薄膜を形成することができる。【００８８】
また、ＣＶＤ装置１は、第１、第２のＣＶＤ部4a,4bがそれぞれ個別的に各種ＣＶＤ条件を設定できるようにされ、形成する薄膜も個別に設定できるようにされており、そして、成膜動作をさせたり、成膜動作を停止させたりする制御も個別に為し得るようにされている。【００８９】
従って、第１のＣＶＤ部4aには、第１の薄膜を、第２のＣＶＤ部4bには、第２の薄膜を形成させるようにすることができる。さらに、第１、第２のＣＶＤ部4a，4bに同様の薄膜を形成させるようにすることもできる。【００９０】
また、ＣＶＤ装置１では、第１の巻取りローラ17、第２の巻取りローラ18を正逆両回転できるように構成してもよい。すなわち、被成膜テープ16は、第１の巻取りローラ17と第２の巻取りローラ18とが正逆両回転することにより、走行経路Ｒに沿って第１の巻取りローラ17から第２の巻取りローラ18へ向かう方向（正方向）に走行したり、逆に第２の巻取りローラ18から第１の巻取りローラ17へ向かう方向（逆方向）に走行し得る。これにより、被成膜テープ16は、第２の巻取りローラ18から第１の巻取りローラ17へ至る場合にも、表裏が反転される。従って、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bの成膜条件をそれぞれ個別的に設定することにより、任意の積層構造からなる多層膜を形成することができる。【００９１】
また、ＣＶＤ装置１は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bに隔離部材27を設けたことにより、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bを他のＣＶＤ部から隔離することができる。これにより、一方のＣＶＤ部が他方のＣＶＤ部の影響を受けずに被成膜テープ16に薄膜を形成することができるので、形成される薄膜の品質を向上することができる。また、ＣＶＤ装置１は、隔離部材27の先端を内側へ折り返したことにより、原料ガスの流出をより確実に防ぐことができる。【００９２】
また、ＣＶＤ装置１は、隔離部材27で覆われた部分に真空排気口５を形成したことにより、処理済ガスを円滑に排気するように構成した。従って、ＣＶＤ装置１は、処理済ガスが隔離部材27を超えて反応室２内に流出するのを防ぐことができる。これにより、ＣＶＤ装置１は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bが他のＣＶＤ部の影響を受けずに被成膜テープ16に薄膜を形成することができるので、形成される薄膜の品質をより向上することができる。【００９３】
また、ＣＶＤ装置１は、第１のＣＶＤ部4a及び第２のＣＶＤ部4bにそれぞれガスシャワー電極32を設けたことにより、被成膜テープ16の全面に対して均質、均厚の薄膜を形成することができる。【００９４】
また、ＣＶＤ装置１は、反応室２の内壁の温度変化を容易に抑制でき、さらに、ＣＦ4プラズマクリーニングによって、反応室２の内壁などに付着した薄膜をエッチングにより除去できるので、ゴミの少ない薄膜を形成することができる。仮に、無機材料、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯｘ，Ｓｉ，Ｃ，ＤＬＣの薄膜を形成する場合、蒸着法やスパッタ法では反応室２内に付着した薄膜が剥離しやすく、被成膜テープ16上にゴミとして付着して、薄膜の品質を低下させることとなるが、本発明に係るＣＶＤ装置１によれば、ＣＶＤ法により薄膜を形成するので、品質の向上を図ることができる。
（２）第２の実施形態
図１との対応部分に同一符号を付して示す図５において、ＣＶＤ装置101は、上述した第１の実施形態とは、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bが反応室２の側面に対向するように設けられている点において異なる。【００９５】
第１の成膜ローラ24は反応室２の左側、第２の成膜ローラ25は反応室２の右側にそれぞれ配置され、同一水平線上に軸支されている。第１の巻取りローラ17は、反応室２の左側上であって、第１の成膜ローラ24より右に設けられており、第２の巻取りローラ18は反応室２内の右側下であって、第２の成膜ローラ25の垂直軸線上に設けられている。また、第１のＣＶＤ部4aは、第１の成膜ローラ24に対応して、反応室２の左側面に、第２のＣＶＤ部4bは、第２の成膜ローラ25に対応して反応室２の右側面にそれぞれ設けられている。【００９６】
被成膜テープ16は、第１の巻取りローラ17から鉛直下方に垂下して、送りローラ26により直角に左方向へ送出され、左周りに第１の成膜ローラ24に巻回される。誘導ローラ23は、第１の成膜ローラ24の下側から送出された被成膜テープ16を、Ｓ字を描くように反応室２の上側へ誘導し、第２の成膜ローラ25に対し右回りに巻回する。これにより、被成膜テープ16は、第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ至る間に、表裏が反転され、第１の成膜ローラ24で巻回された一面とは逆の他面が第２の成膜ローラ25でプラズマ発生領域Ａに表れる。第２の成膜ローラ25から送出された被成膜テープ16は、送りローラ26によって、第２の成膜ローラ25から左方向へ誘導され、第２の巻取りローラ18へと至る。【００９７】
以上のように、ＣＶＤ装置101は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bを反応室２の側面に設けたことにより、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bにおいて、成膜ローラ24,25の側方にプラズマ発生領域Ａを形成することができる。これにより、ＣＶＤ装置101では、各プラズマ発生領域Ａで原料ガスを同じ水平方向に供給することができるので、成膜条件をそろえることができる。従って、いずれのプラズマ発生領域Ａでも安定した品質の薄膜を形成することができる。【００９８】
また、ＣＶＤ装置101は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bがＣＶＤ用気化器31、ガスシャワー電極32を備えることにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
（３）第３の実施形態
図５との対応部分に同一符号を付して示す図６において、ＣＶＤ装置111は、上述した第２の実施形態とは、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とが上下方向にずらして設けられている点において異なる。【００９９】
第１の成膜ローラ24は、左下側に配置され、第２の成膜ローラ25は、右上側に配置されている。第１の巻取りローラ17は、反応室２の左側上であって、第１の成膜ローラ24の垂直軸線上に設けられており、第２の巻取りローラ18は反応室２内の右側下であって、第２の成膜ローラ25の垂直軸線上に設けられている。【０１００】
被成膜テープ16は、送りローラ26により、一端、第１の巻取りローラ17から反応室２の右方向へ誘導され、左回りに第１の成膜ローラ24に巻回される。誘導ローラ23は、第１の成膜ローラ24の下側から送出された被成膜テープ16を、被成膜テープ16を第２の成膜ローラ25の高さまで垂直上方へ誘導する。被成膜テープ16は、Ｓ字を描くように右回りに第２の成膜ローラ25に巻回される。第２の成膜ローラ25の下側から送出される被成膜テープ16は、反応室２の内側へ誘導された後、第２の巻取りローラ18へと至る。【０１０１】
以上により、ＣＶＤ装置111は、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とを上下方向にずらして設けたことにより、反応室２の高さ寸法を小さくすることができる。従って、ＣＶＤ装置111は、巻取りローラ17，18、成膜ローラ24，25、送りローラ26、誘導ローラ23や、ＣＶＤ部4a, 4bの設置箇所を、反応室２の下面から低い位置とすることができる。これにより、ＣＶＤ装置111では、被成膜テープ16の設置、交換作業等を容易に行なうことができると共に、省スペース化を図れる。【０１０２】
また、ＣＶＤ装置111は、反応室２の側面に第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bを設けたことにより、上述した第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。【０１０３】
さらに、ＣＶＤ装置111は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bがＣＶＤ用気化器31、ガスシャワー電極32を備えることにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
（４）第４の実施形態
図５との対応部分に同一符号を付して示す図７において、ＣＶＤ装置121は、上述した第２の実施形態とは、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とが縦に並設されている点において異なる。【０１０４】
第１の成膜ローラ24は反応室２内の上側、第２の成膜ローラ25は反応室２内の下側にそれぞれ配置され、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とは反応室２内の中心軸線上に軸支される。第１の巻取りローラ17は、反応室２内の左側上に設けられており、第２の巻取りローラ18は反応室２内の左側下に設けられている。【０１０５】
被成膜テープ16は、送りローラ26により、一端、第１の巻取りローラ17から反応室２の右側へ誘導され、左回りに第１の成膜ローラ24に巻回される。誘導ローラ23は、第１の成膜ローラ24から送出された被成膜テープを、隔離部材27を避けると共に、右回りに第２の成膜ローラ25に巻回し得るように誘導する。上側から第２の成膜ローラ25に巻回された被成膜テープ16は、反応室２の左側へ誘導された後、第２の巻取りローラ18へと至る。【０１０６】
以上により、ＣＶＤ装置121は、第１の成膜ローラ24と第２の成膜ローラ25とを中心軸線上に縦方向に設けたことにより、反応室２の横幅の寸法を小さくすることができる。従って、ＣＶＤ装置121は、設置できる場所が、幅の狭い場合でも据付けることができる。【０１０７】
また、ＣＶＤ装置121は、反応室２の側面に第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bを設けたことにより、上述した第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。【０１０８】
さらに、ＣＶＤ装置121は、第１のＣＶＤ部4a、第２のＣＶＤ部4bがＣＶＤ用気化器31、ガスシャワー電極32を備えることにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
（５）第５の実施形態
図３との対応部分に同一符号を付して説明する図８において、ＣＶＤ用気化器131は、気化機構132によってキャリアガスを常に反応室２へ供給するとともに、原料溶液供給機構42から供給された原料溶液のほぼ全てを気化機構132で確実に気化して反応室２に供給し得るように構成されている。原料溶液供給機構42では、原料溶液用タンク（図示しない）に貯えられた原料溶液を、液体マスフローコントローラ（ＬＭＦＣ）133、原料溶液流路134、ブロックバルブ59を順次介して原料供給管136に供給するようになされている。【０１０９】
また、かかる構成に加えて原料溶液供給機構42では、ブロックバルブ59から原料供給管136に原料溶液を供給していないとき、溶媒用タンク（図示しない）に貯えられた溶媒を、所定の溶媒流路137を経由させることにより、液体マスフローコントローラ（ＬＭＦＣ）138、ブロックバルブ59を介して原料供給管136に供給するように構成されている。【０１１０】
気化機構132は、気化機構本体139、キャリアガス管44、原料供給管136、細孔141を備えた噴霧フランジ142を備え、細孔141の先端に気化管47が形成されている。この気化機構132は、気化機構本体139が原料供給管136を鉛直方向に保持すると共に、原料供給管136の先端近傍の外側にキャリアガスを供給し得るように構成されている。これにより、原料供給管136から供給される原料溶液と、キャリアガス管44から供給されるキャリアガスとが細孔141の基端側に形成された分散部143で混合し得るように構成されている。【０１１１】
因みに原料供給管136は、例えば、内径がΦ１．０ｍｍ程度であり、長さが１００ｍｍ程度である。【０１１２】
原料溶液供給機構42は、原料溶液流路134を介して原料供給管136の基端に連通していることにより、原料供給管136の基端から先端へ原料溶液を供給し得るように構成されている。【０１１３】
気化機構本体139は、原料供給管136の先端部分との間に隙間を形成し、原料供給管136の先端側に分散部143を介して噴霧フランジ142を設けると共に、キャリアガス管44の先端44aを原料供給管136の先端側に連結する導入口144を設けている。このようにして、分散部143は原料溶液とキャリアガスとを合流させて、原料溶液をキャリアガス中に分散させ得るように構成されている。【０１１４】
以上の構成において、ＣＶＤ用気化器131では、原料供給管136から鉛直方向に流れる原料溶液と、キャリアガス管44から導入口144を介して原料供給管136の先端に向けて流れるキャリアガスとが、分散部143において混合される。これによりＣＶＤ用気化器131は、原料溶液を微粒子状又は霧状にさせてキャリアガス中に分散させ、気化管47に導入する。因みに原料溶液が分散部143で混合されたときから霧状に噴霧されるまでは１秒以内（より好ましくは０．１秒以内）であることが好ましい。【０１１５】
次いで分散部143でキャリアガス中に分散された原料溶液は、細孔141を通過して気化管47へ導入される。ここで、気化管47の圧力は分散部143に比べ格段に低いため、キャリアガス中に分散した原料溶液は高速で気化管47に噴出し、膨張する。これにより原料溶液に含まれる化合物の昇華温度は低下するため、気化管加熱ヒータ60からの熱で原料溶液は気化し、原料ガスとして反応室２に供給される。【０１１６】
このようにして、ＣＶＤ装置１では、原料溶液を原料ガスとして反応室２内に供給でき、これにより当該原料ガスを被成膜テープ16上に均一に吹き付けてＲＦプラズマにより被成膜テープ16上で化学反応を起させ、所定の薄膜を形成することができる。
（６）実施例１
上記第１の実施形態に係るＣＶＤ用気化器31を用いることにより、分子中にシリコンと窒素を含む化合物からシリコン窒化膜を形成することができる。そのような化合物の一例として、化１にトリスジメチルアミノシラン（以下ＴＤＭＡＳ）を、化２にヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤＳ）を示す。【０１１７】
【化１】
2008026242.tif 000003
【０１１８】
【化２】
2008026242.tif 000004
【０１１９】
図９に温度に対するＴＤＭＡＳのＴＧ−ＤＴＡチャート、すなわち熱重量分析（ＴＧ：Thermo gravimetric Analysis）及び示差熱分析の結果を示す。図９のＡに示す熱重量分析特性は、７６０Ｔｏｒｒアルゴン雰囲気下におけるデータである。この図から明らかなように、ＴＤＭＡＳを完全に蒸発させるためには約１００℃の温度が必要ということになる。【０１２０】
図１０は、ＴＤＭＡＳの温度に対する蒸気圧の変化を示すもの、図１１は、ＨＭＤＳの温度に対する蒸気圧の変化を示すものである。この図からも、ＴＤＭＡＳ及びＨＭＤＳの蒸気圧が強い温度依存性を持つことが確認される。
（７）実施例２
ＴＤＭＡＳを用いて、プラズマＣＶＤ法により、シリコン窒化膜を形成したときの、条件を表１に示す。【０１２１】
【表１】
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【０１２２】
表２に形成したシリコン窒化膜の膜厚を測定した結果を示す。【０１２３】
【表２】
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【０１２４】
シリコン窒化膜は、堆積速度約100nm/min形成できることが分かった。また、シリコン窒化膜の組成は、Si:34at%,  N:7at%,  C:34at%,  O:25at%であった。酸素の含有量が多かったのは、薄膜形成前の反応室２の排気が不足していたためと考えられる。【０１２５】
分子中にシリコンと窒素を含む化合物をプラズマで分解して、シリコン窒化膜を形成する場合、ＴＤＭＡＳや、ＨＭＤＳを使用することができる。ところが、ＴＤＭＡＳや、ＨＭＤＳでは、窒素が不足するので、ＲＦプラズマの周波数を１３．５６ＭＨｚとし、アンモニアガスを採用することが有効である。【０１２６】
また、有機シリコン化合物と、窒素ガス、アンモニア（ＮＨ3）を反応させることによっても、シリコン窒化膜を形成することができる。この場合、有機シリコン化合物としては、テトラエチルシラン（以下４ＥＳ、融点≦０℃、沸点１５４〜１５５℃）、トリエチルシラン（以下３ＥＳ、沸点１０７〜１０８℃）、トリメチルビニルシラン（以下ＴＭＶＳ、融点≦０℃、沸点５５〜５７℃）、フェニルシラン（以下ＰｈＳ、沸点１１９〜１２１℃）、ジフェニルシラン（以下ＤＰＳ、沸点１１３〜１１４℃［9mmHg］）などの、いずれも安価で危険性がない材料を用いることができる。【０１２７】
但し、ＲＦプラズマの周波数が５０ＫＨｚ〜３８０ＫＨｚの場合、窒素ガスを十分に分解・ラジカル化することができないので、ＴＤＭＡＳ，４ＥＳ，３ＥＳ，ＴＭＶＳ，ＰｈＳと窒素ガスを反応させても、形成した薄膜に十分な窒素が含有されない。【０１２８】
これに対し、ＲＦプラズマの周波数を１３．５６ＭＨｚにアップすることにより、窒素ガスを十分に分解・ラジカル化することができる。これにより、十分な窒素を含有したシリコン窒化膜を形成することができる。また、アンモニアガスを採用することにより、ＲＦプラズマの周波数が５０ＫＨｚ〜３８０ＫＨｚの場合でも、形成したシリコン窒化膜の窒素含有量を増加させることができる。
（８）その他
本発明は、上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、ＣＶＤ装置は、被成膜テープ16の表裏を反転させるため、第１の成膜ローラ24から第２の成膜ローラ25へ、Ｓ字を描くように被成膜テープ16を誘導するようにした構成について説明したが、本発明はこれに限らず、被成膜テープ16を進行方向に対し、ねじるようにして表裏を反転させることとしてもよい。【０１２９】
また、ＣＶＤ装置では、第１の成膜機構21及び第２の成膜機構22がそれぞれ１個の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、第１の成膜機構21及び第２の成膜機構22をそれぞれ複数個（２個、３個、４個など）設けることとしてもよい。こうすることにより、より効率的に任意の積層構造からなる多層膜を形成することができる。この場合、被成膜テープ16は、第１の巻取りローラ17と第２の巻取りローラ18との間において、少なくとも１回、表裏が反転されればよい。【０１３０】
また、被成膜テープ16は、第１の巻取りローラ17と第２の巻取りローラ18との間において、１回、反転する場合について説明したが、本発明はこれに限らず、成膜ローラの数に合わせて任意の回数反転させることとしてもよい。【０１３１】
また、上記したＣＶＤ装置では、ＣＶＤ部がプラズマ発生手段を備えるプラズマＣＶＤ装置について説明したが、本発明はこれに限らず、熱ＣＶＤ装置としてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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