(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する基板と、
前記実装面に実装された実装部品と、
前記実装面との間に前記実装部品を挟む主面と、前記実装面上で前記実装部品を囲う外周面とを有し、前記実装部品を封止する封止体と、
前記封止体の前記主面から前記実装面に向けて凹む溝状であり、前記外周面との間に１００μｍ〜３００μｍの間隔をあけて配置された両端部を有し、前記両端部の間に延在するトレンチと、
前記トレンチ内に充填され、かつ、前記封止体の前記主面及び前記外周面を覆うシールドと
を具備する回路モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の回路モジュールであって、
前記トレンチに沿って前記実装面に設けられた表層導体を更に具備し、
前記トレンチが前記主面から前記表層導体まで延び、
前記シールドが前記表層導体に接続している
回路モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路モジュールであって、
前記実装部品が複数の実装部品を含み、
前記トレンチが前記複数の実装部品を隔てる
回路モジュール。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の回路モジュールであって、
前記主面における前記両端部の形状が半円形である
回路モジュール。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の回路モジュールであって、
前記トレンチは、前記両端部において、前記両端部の間に延在する前記トレンチの部分よりも浅くなるように形成されている
回路モジュール。
【請求項６】
基板の実装面に実装部品を実装し、
前記実装面との間に前記実装部品を挟む主面を有し、前記実装部品を封止する封止体を前記実装面に設け、
前記実装面に設けられた前記封止体に、前記実装面上で前記実装部品を囲う外周面を、前記封止体の輪郭に沿って切断することにより形成し、
前記実装面に設けられた前記封止体に、前記主面から前記実装面に向けて凹む溝状であり、前記外周面との間に１００μｍ〜３００μｍの間隔をあけて配置された両端部を有し、前記両端部の間に延在するトレンチを形成し、
前記封止体に前記外周面及び前記トレンチを形成した後に、前記トレンチ内にシールドを充填し、前記封止体の前記主面及び前記外周面を前記シールドによって被覆する
回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記封止体を前記実装面に設ける前に、表層導体を前記実装面に前記トレンチに沿うように形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記トレンチをレーザー加工により形成する
回路モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の回路モジュールの製造方法であって、
前記トレンチを形成するときのレーザーの出力を、前記両端部において、前記両端部の間に延在する前記トレンチの部分よりも小さく設定する
回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュール及び回路モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板に実装された実装部品の周囲を、合成樹脂等からなる封止体によって封止した回路モジュールが利用されている。ここで、実装部品が無線通信素子である場合等に、封止体の表面を導電体で被覆し、電磁波に対するシールドとして利用するものが存在する。このシールドによって、実装部品から回路モジュール外への電磁干渉あるいは、回路モジュール外から実装部品への電磁干渉が防止される。
【０００３】
さらに、回路基板に複数の実装部品が実装される場合、実装部品間の電磁干渉を防止するため、実装部品の間を隔てるようにシールドを配設した回路モジュールも開発されている。実装部品は上述のように封止体によって被覆されているため、封止体を部分的に除去してトレンチ（溝）を形成し、当該トレンチ内に導電体を形成することにより実装部品間のシールドとすることができる。
【０００４】
特許文献１には、電子部品を被覆するモールド樹脂層が導電性樹脂層に被覆された構成を有する回路モジュールが開示されている。この回路モジュールでは、モールド樹脂層に電子部品を隔てるスリットが形成され、スリット内に導電性樹脂層が充填されている。これにより、導電性樹脂層が電子部品間のシールドとして機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２２５６２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の回路モジュールは、モールド樹脂層の全幅にわたってスリットが形成されているため、温度をはじめとする周囲環境の変化による導電性樹脂層の膨張や収縮に伴ってこのスリットを中心とした反りが発生しやすい。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、変形しにくい回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る回路モジュールは、基板と、封止体と、トレンチと、シールドとを具備する。
上記基板は実装面を有する。
上記封止体は、上記実装面との間に上記実装部品を挟む主面と、上記実装面上で上記実装部品を囲う外周面とを有し、上記実装部品を封止する。
上記トレンチは、上記封止体の上記主面から上記実装面に向けて凹む溝状であり、上記外周面との間に間隔をあけて形成される。
上記シールドは、上記トレンチ内に充填され、かつ、上記封止体の上記主面及び上記外周面を覆う。
【０００９】
また、本発明の一形態に係る回路モジュールの製造方法は、基板の実装面に実装部品を実装することを含む。
上記実装面との間に上記実装部品を挟む主面を有し、上記実装部品を封止する封止体が上記実装面に設けられる。
上記実装面に設けられた上記封止体に、上記実装面上で上記実装部品を囲う外周面が、上記封止体の輪郭に沿って切断することにより形成される。
上記実装面に設けられた上記封止体に、上記主面から上記実装面に向けて凹む溝状のトレンチが、上記封止体の上記輪郭との間に間隔をあけて形成される。
上記封止体に上記外周面及び上記トレンチを形成した後に、上記トレンチ内にシールドが充填され、上記封止体の上記主面及び上記外周面が上記シールドによって被覆される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。
【図２】同回路モジュールの平面図である。
【図３】同回路モジュールの断面図（図２中Ａ−Ａ線）である。
【図４】同回路モジュールの断面図（図２中Ｂ−Ｂ線）である。
【図５】同回路モジュールの断面図（図２中Ｃ−Ｃ線）である。
【図６】同回路モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】同回路モジュールの製造過程を示す断面図である。
【図８】同回路モジュールの製造過程を示す平面図である。
【図９】同回路モジュールの製造過程を示す平面図である。
【図１０】同回路モジュールの製造過程を示す平面図である。
【図１１】変形例に係る回路モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、基板と、封止体と、トレンチと、シールドとを具備する。
上記基板は実装面を有する。
上記封止体は、上記実装面との間に上記実装部品を挟む主面と、上記実装面上で上記実装部品を囲う外周面とを有し、上記実装部品を封止する。
上記トレンチは、上記封止体の上記主面から上記実装面に向けて凹む溝状であり、上記外周面との間に間隔をあけて形成される。
上記シールドは、上記トレンチ内に充填され、かつ、上記封止体の上記主面及び上記外周面を覆う。
【００１２】
この構成により、封止体は、トレンチによって分割されずに、連続するようになる。そのため、封止体は、一体としてその形状を保とうとするため、トレンチの形成による強度の低下を抑制できる。したがって、この回路モジュールでは、封止体やシールドの膨張や収縮の膨張や収縮に伴って変形することを防止できる
【００１３】
上記回路モジュールは、上記トレンチに沿って上記実装面に設けられた表層導体を更に具備してもよい。
また、上記トレンチが上記主面から上記表層導体まで延びていてもよい。
更に、上記シールドが上記表層導体に接続していてもよい。
この構成により、シールドの電位が表層導体の電位と等しくなる。つまり、表層導体がグランド電位の場合、シールドもグランド電位となる。
【００１４】
上記実装部品が複数の実装部品を含んでもよい。
また、上記トレンチが上記複数の実装部品を隔ててもよい。
この構成により、トレンチに充填されたシールドが複数の実装部品の間に配置されるようになる。したがって、シールドによって複数の実装部品間の電磁波が遮断される。
【００１５】
上記トレンチが、上記主面における形状が円弧状である複数の端部を有してもよい。
この構成により、シールドから封止体に応力が加わっても封止体が変形しにくくなる。
【００１６】
上記トレンチが、複数の端部を有し、当該複数の端部で他の部分よりも浅くなるように形成されていてもよい。
この構成により、トレンチのレーザー加工時に実装面に損傷が加わることが防止される。
【００１７】
また、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、基板の実装面に実装部品を実装することを含む。
上記実装面との間に上記実装部品を挟む主面を有し、上記実装部品を封止する封止体が上記実装面に設けられる。
上記実装面に設けられた上記封止体に、上記実装面上で上記実装部品を囲う外周面が、上記封止体の輪郭に沿って切断することにより形成される。
上記実装面に設けられた上記封止体に、上記主面から上記実装面に向けて凹む溝状のトレンチが、上記封止体の上記輪郭との間に間隔をあけて形成される。
上記封止体に上記外周面及び上記トレンチを形成した後に、上記トレンチ内にシールドが充填され、上記封止体の上記主面及び上記外周面が上記シールドによって被覆される。
【００１８】
この構成により、封止体に形成されるトレンチと外周面との間に間隔があくようになる。そのため、例えば、トレンチの後に外周面が形成される場合に、外周面が形成される際にトレンチの角の部分が欠けることが防止される。
【００１９】
上記封止体を上記実装面に設ける前に、表層導体が上記実装面に上記トレンチに沿うように形成されてもよい。
この構成により、例えば、トレンチをレーザー加工により形成する際に、レーザーが表層導体で遮断されるため、トレンチの深さが一定となる。
【００２０】
上記トレンチがレーザー加工により形成されてもよい。
また、上記トレンチを形成するときのレーザーの出力を、上記トレンチの端部で他の部分よりも小さく設定してもよい。
この構成により、トレンチを加工する際に実装面に損傷が加わることが防止される。
【００２１】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールについて説明する。
【００２２】
［回路モジュール１００の構成］
図１は、本実施形態に係る回路モジュール１００の斜視図であり、図２は回路モジュール１００の平面図である。また、図３、図４及び図５は回路モジュール１００の断面図であり、図３は図２のＡ−Ａ線における断面図、図４は図２のＢ−Ｂ線における断面図、図５は図２のＣ−Ｃ線における断面図である。なお各図において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに直交する方向を示す。
【００２３】
図１から図５に示すように、回路モジュール１００は、回路基板１０１、実装部品１０２、封止体１０３及びシールド１０４を備える。回路モジュール１００の大きさや形状は特に限定されないが、例えば数十ｍｍ角で厚さ数ｍｍの直方体形状である。
【００２４】
回路基板１０１は、実装部品１０２等が実装される基板である。回路基板１０１は、例えば、ガラスエポキシ系材料や絶縁性セラミック材料等の絶縁性材料からなる層が積層された多層基板であり、その層内には、層内配線が形成されている。以下、回路基板１０１の、実装部品１０２が実装される面（Ｚ軸方向上面）を実装面１０１ｂとする。
【００２５】
実装面１０１ｂには、図２、図４及び図５に示すように表層導体１０５が形成されている。表層導体１０５は、実装面１０１ｂ上にＹ軸方向に延在し、Ｙ軸方向（延伸方向）の中央部においてＸ軸方向にオフセットしている。表層導体１０５は、例えば銅などの導電性材料によって形成される。表層導体１０５は、実装面１０１ｂ上において各実装部品１０２と電気的に接続しないように、複数の実装部品１０２間の領域に沿って形成されている。
【００２６】
表層導体１０５は、例えば、回路基板１０１内に形成された層内配線に接続され、この層内配線を介して実装部品１０２に電気的に接続される。具体的には、表層導体１０５は、回路モジュール１００のグランド端子に電気的に接続されていてもよい。この場合、表層導体１０５は、回路モジュール１００のグランド電位と同電位となる。
【００２７】
実装部品１０２は、回路基板１０１の実装面１０１ｂに実装された部品であり、例えば、集積回路（ＩＣ）、コンデンサ、インダクタ、抵抗、水晶振動子、デュプレクサ、フィルタ、パワーアンプ等である。実装部品１０２は、はんだＨによるはんだ接合によって実装面１０１ｂに実装されている。図２に示すように、回路基板１０１には、複数の実装部品１０２が実装される。なお、実装部品１０２の数や配置は特に限定されない。
【００２８】
封止体１０３は、封止材料によって構成され、実装面１０１ｂ上において実装部品１０２を被覆する。封止材料は、例えば、シリカやアルミナが添加されたエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂である。
【００２９】
封止体１０３は、実装面１０１ｂと対向するＺ軸方向上面である主面１０３ｂと、Ｘ軸方向に対向する２面及びＹ軸方向に対向する２面により構成される外周面１０３ｃとを有する。封止体１０３には、主面１０３ｂから実装面１０１ｂに向けて凹んだ溝部であるトレンチ１０６が形成されている。
【００３０】
トレンチ１０６は、封止体１０３が主面１０３ｂから凹状に除去されることにより形成されている。トレンチ１０６は、図２に示すように、表層導体１０５に沿って形成されている。また、トレンチ１０６は、図４に示すように、主面１０３ｂから表層導体１０５まで延びている。トレンチ１０６は、複数の実装部品１０２の間にあり、実装部品１０２を隔てている。
【００３１】
トレンチ１０６の両端部は、図２及び図５に示すように、封止体１０３の外周面１０３ｃの手前で止まっている。すなわち、トレンチ１０６の各端部と封止体１０３の外周面１０３ｃとの間に、封止体１０３の一部である端壁部１０３ａが残されている。したがって、図２に示すように、トレンチ１０６によって仕切られた封止体１０３の左右それぞれの部分は２つの端壁部１０３ａによってつながっている。端壁部１０３ａのＸ軸方向の寸法は、例えば、１００μ〜３００μの範囲内とすることができる。
【００３２】
シールド１０４は、導電性材料であるシールド材料からなり、電磁干渉に対するシールドとして機能する。シールド材料は、例えば、ＡｇやＣｕ等の導電性粒子を含有するエポキシ樹脂等の導電性樹脂であっても、封止体１０３上にメッキ等により形成された金属膜であってもよい。
【００３３】
シールド１０４は、図４に示すように、封止体１０３の主面１０３ｂ及び外周面１０３ｃを被覆する外部シールド部１０４ａと、トレンチ１０６内に充填された内部シールド部１０４ｂとを有する。内部シールド部１０４ｂは、図４に示すように表層導体１０５に当接している。
【００３４】
外部シールド部１０４ａは、内部シールド部１０４ｂと連続しており、内部シールド部１０４ｂを介して表層導体１０５に電気的に接続されている。上述のように表層導体１０５は回路モジュール１００のグランドであるものとすることができ、シールド１０４はグランド電位であるものとすることができる。
【００３５】
シールド１０４は、回路モジュール１００における電磁干渉を防止する機能を有する。具体的には、外部シールド部１０４ａが、回路モジュール１００の外部から実装部品１０２への電磁波や、実装部品１０２から回路モジュール１００の外部への電磁波を遮蔽する。また、内部シールド部１０４ｂは、実装部品１０２の相互間の電磁波を遮蔽する。
【００３６】
上述のように、回路モジュール１００では、封止体１０３を形成する材料とシールド１０４を形成する材料とが異なる。そのため、封止体１０３とシールド１０４とで、例えば熱による、膨張及び収縮の程度が異なる。このような場合、回路モジュール１００には、封止体１０３とシールド１０４との膨張及び収縮のギャップを相殺するように変形しようとする応力が生じる。
【００３７】
ここで、本実施形態に係る回路モジュール１００とは異なり、トレンチが封止体の外周面まで貫通している回路モジュールを想定する。すなわち、この回路モジュールには、本実施形態に係る端壁部１０３ａがなく、封止体がトレンチによって２つに分割されている。なお、この回路モジュールの他の構成は、本実施形態に係る回路モジュール１００と同様であるものとする。
【００３８】
回路モジュールには、上記のような応力が生じると、反りが発生する場合がある。この回路モジュールでは、封止体がトレンチによって２つに分割されているため、応力がトレンチ近傍に集中し、トレンチを中心とする反りが発生しやすい。すなわち、この回路モジュールは、図４に示す姿勢において上に凸の形状や下に凸の形状になりやすい。
【００３９】
具体的には、シールドが封止体よりも膨張する場合や、封止体がシールドよりも収縮する場合には、回路モジュールは、図４に示す姿勢において上に凸の形状になりやすい。また、シールドが封止体よりも収縮する場合や、封止体がシールドよりも膨張する場合には、回路モジュールは、図４に示す姿勢において下に凸の形状になりやすい。
【００４０】
一方、本実施形態に係る回路モジュール１００では、図２に示すように、封止体１０３がトレンチ１０６によって完全に分割されておらず、封止体１０３が端壁部１０３ａによって連続している。したがって、回路モジュール１００では、上記のような応力が生じても、封止体１０３が一体としてその形状を保とうとするため、トレンチを中心とした反りが発生しにくい。
【００４１】
また、封止体１０３の主面１０３ｂに平行な面におけるトレンチ１０６の両端部の形状は任意であるが、図２に示すように半円形（円弧状）であることが好ましい。つまり、端壁部１０３ａのトレンチ１０６側における面の形状が半円形であることが好ましい。この場合、シールド１０４の膨張や収縮に伴ってシールド１０４から端壁部１０３ａに加わる応力が、端壁部１０３ａの半円形の面により分散されやすい。したがって、シールド１０４から端壁部１０３ａに加わる応力によって端壁部１０３ａが変形しにくい。
【００４２】
このように、本実施形態に係る回路モジュール１００は、封止体１０３の端壁部１０３ａの構成により、変形しにくい。
【００４３】
［回路モジュール１００の製造方法］
図６は、本実施形態に係る回路モジュール１００の製造方法を示すフローチャートである。図７〜図１０は回路モジュール１００の製造過程を示す図であり、図７は断面図であり、図８〜図１０は平面図である。回路モジュール１００の製造方法について、図６及び図７に沿って説明する。
【００４４】
＜ステップＳ−１＞
図７（ａ）に示すように、回路基板１０１の実装面１０１ｂに、実装部品１０２を実装し、表層導体１０５を形成する。実装部品１０２の実装には、はんだ接合等の各種実装方法を用いることができる。表層導体１０５は、例えば、実装面１０１ｂに銅箔を接着することや、実装面１０１ｂに銅メッキを施すことにより形成することができる。また、表層導体１０５は、例えば、実装面１０１ｂに液状の金属ペーストを塗布し、塗布した金属ペーストを焼成によって固化させることによっても形成可能である。さらに、液状の導電性樹脂ペーストを塗布し、塗布した導電性樹脂ペーストを硬化させることによっても形成可能である。
【００４５】
図８は、ステップＳ−１における回路基板１０１の平面図である。図８には封止体１０３の輪郭ｏが一点鎖線で示されている。つまり、後述するハーフカット（Ｓ−４）によって一点鎖線の位置に封止体１０３の外周面１０３ｃが形成される。一点鎖線の間隔は、ハーフカット（Ｓ−４）に用いる刃の厚さに対応する。表層導体１０５の両端部は封止体１０３の輪郭ｏまで及んでいない。つまり、表層導体１０５と封止体１０３の輪郭ｏとの間には間隔があいている。
【００４６】
なお、表層導体１０５は、封止体１０３の輪郭ｏまで及んでいてもよく、この場合、表層導体１０５の端部において表層導体１０５とシールド１０４とを導通させることができる。しかし、図８に示すように、表層導体１０５と封止体１０３の輪郭ｏとの間に間隔をあけることにより、封止体１０３の外周面１０３ｃに表層導体１０５のバリが発生することが防止される。
【００４７】
詳細には、表層導体１０５は銅などの導電性材料で形成されるが、このような導電性材料は、ダイシングなどの加工によりバリが発生しやすい。しかし、図８に示すように、表層導体１０５と封止体１０３の輪郭ｏとの間に間隔をあける場合、ハーフカット（Ｓ−４）の際の加工領域に表層導体１０５がないため、封止体１０３の外周面１０３ｃに表層導体１０５のバリが発生しない。
【００４８】
＜ステップＳ−２＞
図７（ｂ）に示すように、回路基板１０１の実装面１０１ｂ上に封止体１０３を形成する。封止体１０３は、例えば、流体状の封止材料で実装部品１０２を被覆した後に、封止材料を硬化させることにより形成される。回路基板１０１の実装面１０１ｂに対向する封止体１０３の主面１０３ｂ（Ｚ軸方向上面）は、各実装部品１０２より高い位置にあればよい。
【００４９】
＜ステップＳ−３＞
図７（ｃ）に示すように、封止体１０３にトレンチ１０６を形成する。トレンチ１０６は、封止体１０３の主面１０３ｂ側からレーザーを照射することによるレーザー加工により形成する。なお、トレンチ１０６を形成する方法としては、レーザー加工以外の方法も用いることが可能であるが、精密加工性などの観点からレーザー加工であることが好ましい。
【００５０】
レーザー加工に用いる媒体は適宜決定可能であり、例えば、固体レーザーやガスレーザーを採用可能である。レーザー加工におけるレーザーの強度は、封止体１０３を貫通し、表層導体１０５を損傷しない範囲内で適宜決定可能である。
【００５１】
図９は、ステップＳ−３における封止体１０３の平面図である。レーザー加工では、レーザーを表層導体１０５の一方の端部から他方の端部まで走査させる。これにより、トレンチ１０６が表層導体１０５に沿って形成される。トレンチ１０６の両端部は、表層導体１０５と同様に、封止体１０３の輪郭ｏまで及んでいない。つまり、トレンチ１０６と封止体１０３の輪郭ｏとの間には間隔があいている。
【００５２】
トレンチ１０６が封止体１０３の輪郭ｏまで及んでいると、ハーフカット（Ｓ−４）の際にトレンチ１０６を横切って加工することとなる。この場合、トレンチ１０６の角の部分が欠ける場合がある。トレンチ１０６の角の部分が欠けると、封止体１０３による実装部品１０２の封止が不完全になり、実装部品１０２がシールド１０４（図３〜図５参照）を介してショートする場合がある。
【００５３】
しかし、本実施形態では、トレンチ１０６が封止体１０３の輪郭ｏまで及んでおらず、トレンチを横切った加工の必要がないため、トレンチ１０６の角の部分が欠ける心配がない。これにより、封止体１０３による実装部品１０２の封止の信頼性が向上する。
【００５４】
＜ステップＳ−４＞
図７（ｄ）に示すように、ハーフカット部１０７を形成する。ハーフカット部１０７は、加工容易性などの観点からダイシングにより形成される。なお、ハーフカット部１０７を形成する方法としては、ダイシング以外の方法も用いることが可能であり、例えばレーザー加工を用いることができる。
【００５５】
ハーフカット部１０７が形成されると、封止体１０３の外周面１０３ｃが形成される。ハーフカット部１０７は、例えば、封止体１０３の主面１０３ｂから、回路基板１０１の厚さの３分の１程度入り込んだ深さまで切り込まれることにより形成される。なお、ハーフカット部１０７のＺ軸方向の深さは、任意に決定できるが、シールド１０４（図３〜図５参照）の機能を良好に発揮させるためには回路基板１０１の実装面１０１ｂまで到達していることが好ましい。
【００５６】
図１０は、ステップＳ−４における封止体１０３の平面図である。上述したように、表層導体１０５がハーフカット部１０７に露出していないため、ハーフカット部１０７に表層導体１０５のバリが発生することがない。またトレンチ１０６がハーフカット部１０７と交差していないため、トレンチ１０６の角の部分が欠けることがない。
【００５７】
＜ステップＳ−５＞
図７（ｅ）に示すように、シールド１０４を形成する。シールド１０４は、例えば、液状の導電性樹脂を、トレンチ１０６及びハーフカット部１０７に充分に入り込むように封止体１０３上から塗布し、塗布した導電性樹脂を硬化させることにより形成される。
【００５８】
＜ステップＳ−６＞
図７（ｆ）に示すように、各回路モジュール１００ごとに切り分ける。具体的には、ハーフカット部１０７の中央部が、その両側にシールド１０４が残るように切断される。切断方法は適宜決定可能である。
【００５９】
なお、図６に示すステップＳ−３とステップＳ−４の順番を入れ替えても構わない。つまり、図７（ｄ）に示すハーフカット部１０７が、図７（ｃ）に示すトレンチ１０６より先に形成されても構わない。
【００６０】
この場合、ハーフカット部１０７の後に形成されるトレンチ１０６がハーフカット部１０７まで及んでいると、トレンチ１０６を形成するためのレーザーがハーフカット部１０７に入射し、ハーフカット部１０７の深さが部分的に深くなる。しかし、本実施形態では、トレンチ１０６がハーフカット部１０７まで及んでいないため、ハーフカット部１０７の形状が損なわれることが防止される。
【００６１】
［変形例］
本実施形態の変形例に係る回路モジュールは、図６に示す製造工程のうち、トレンチ形成工程（ステップＳ−３）が本実施形態とは異なる。上記実施形態では、トレンチ１０６を形成する際に、一定の出力のレーザーを照射する。一方、本変形例では、トレンチ１０６を形成する際に、図９に示すトレンチ１０６の両端部（端壁部１０３ａに隣接する位置）でレーザーの出力を小さくする。つまり、レーザーの照射開始位置及び照射停止位置でレーザーの出力を小さくする。
【００６２】
レーザーの照射開始位置及び照射停止位置においては、レーザーのエネルギーが集中しやすい。このため、レーザーの出力を一定とする場合、照射開始位置及び照射停止位置における回路基板１０１の層内配線がレーザーによりダメージを受けやすい。本変形例では、レーザーの照射開始位置及び照射停止位置においてレーザーの出力が小さくするため、回路基板１０１の層内配線へのダメージが発生しにくい。
【００６３】
本変形例では、トレンチ１０６を形成する際にレーザーの照射開始位置及び照射停止位置においてレーザーの出力が小さくするため、トレンチ１０６の両端部ではトレンチ１０６が表層導体１０５まで貫通していない。そのため、封止体１０３の端壁部は、表層導体１０５に隣接する位置においてＸ軸方向（レーザーの走査方向）の寸法が大きくなる。
【００６４】
具体的には、端壁部のＸ軸方向の寸法は、端壁部のＺ軸方向下部の方がＺ軸方向上部よりも１００μｍ〜２００μｍ大きくなる。例えば、端壁部のＺ軸方向上部の寸法が１００μである場合Ｚ軸方向下部の寸法が２００μｍ〜３００μｍとなり、端壁部のＺ軸方向上部の寸法が３００μである場合Ｚ軸方向下部の寸法が４００μｍ〜５００μｍとなる。
【００６５】
図１１は、本実施形態の変形例に係る回路モジュールの断面図である。図１１には本変形例の製造方法で製造された回路モジュールの端壁部の形状が例示されている。しかし、回路モジュールの端壁部の形状は、レーザーの出力などに応じて様々に変化することは勿論である。
【００６６】
図１１（ａ）に示す回路モジュール１００ｍ１の端壁部１０３ａ１は階段形状を有する。つまり、回路モジュール１００ｍ１では、トレンチ１０６の端部において、トレンチ１０６が封止体１０３の一定の深さまで形成されているため、トレンチ１０６の底面に一定の高さの端壁部１０３ａ１が残る。その結果、端壁部１０３ａ１は、トレンチ１０６が形成されていない部分と、トレンチ１０６が一定の深さに形成された部分とにより階段形状となる。
【００６７】
図１１（ｂ）に示す回路モジュール１００ｍ２の端壁部１０３ａ２はスロープ形状を有する。つまり、回路モジュール１００ｍ２では、トレンチ１０６の端部において、トレンチ１０６が一定の割合で深くなるように形成されているため、トレンチ１０６の底面にスロープ形状の端壁部１０３ａ２が残る。
【００６８】
図１１（ｃ）に示す回路モジュール１００ｍ３の端壁部１０３ａ３は円弧形状を有する。つまり、回路モジュール１００ｍ３では、トレンチ１０６の端部において、トレンチ１０６が徐々に深くなり、かつ、端壁部１０３ａ３の形状が円弧形状となるように形成されている。これにより、シールド１０４の膨張や収縮により端壁部１０３ａ３に加わる応力が端壁部１０３ａ３の円弧形状の面によって分散されやすくなる。そのため、端壁部１０３ａ３はシールド１０４から加わる応力により変形しにくい。
【００６９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００７０】
例えば、本実施形態に係る回路モジュールにはトレンチが１つ設けられているが、回路モジュールには複数のトレンチが設けられていてもよい。また、本実施形態に係る回路モジュールにはトレンチが１本の線状に形成されているが、トレンチは途中で分岐する形状に形成されてもよい。
【符号の説明】
【００７１】
１００…回路モジュール
１０１…回路基板
１０２…実装部品
１０３…封止体
１０３ａ…端壁部
１０３ｂ…主面
１０３ｃ…外周面
１０４…シールド
１０４ａ…外部シールド部
１０４ｂ…内部シールド部
１０５…表層導体
１０６…トレンチ
１０７…ハーフカット部
【要約】
【課題】変形しにくい回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュールは、基板と、封止体と、トレンチと、シールドとを具備する。上記基板は実装面を有する。上記封止体は、上記実装面との間に上記実装部品を挟む主面と、上記実装面上で上記実装部品を囲う外周面とを有し、上記実装部品を封止する。上記トレンチは、上記封止体の上記主面から上記実装面に向けて凹む溝状であり、上記外周面との間に間隔をあけて形成される。上記シールドは、上記トレンチ内に充填され、かつ、上記封止体の上記主面及び上記外周面を覆う。
【選択図】図２【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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