【事件の表示】
　特願２０１５−　　　　９３「ダミーパターンを有する撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月　４日出願公開、特開２０１６−　４６５０８、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年（２０１５年）１月５日（パリ条約による優先権主張　２０１４年８月２２日，米国）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　１月　５日　審査請求
平成２８年　５月１８日　拒絶理由通知
平成２８年　８月１９日　意見書・手続補正
平成２９年　１月２７日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　４月１１日　審判請求・手続補正
平成２９年１０月３１日　補正却下決定・拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２９年１２月　７日　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。）
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明８」といい，まとめて「本願発明」という。）は，当審補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項で特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　撮像装置であって，
　前記撮像装置のアクティブ領域内の基板上に形成される複数の光電変換素子と，
　前記アクティブ領域と該アクティブ領域を囲む前記撮像装置の周辺領域の一部に延伸した領域の前記基板上に設置される複数のマイクロレンズ素子を有するマイクロレンズ構造と，
　前記マイクロレンズ構造の領域を囲む前記周辺領域内の前記基板上に設置される複数の突起素子を有するダミーパターンと，
　前記マイクロレンズ構造の前記複数のマイクロレンズ素子と前記ダミーパターンの前記複数の突起素子の表面上に形成される，製造プロセスにおけるテープの取り付け及び除去の対象となるパッシベーション膜と，を有し，
　前記ダミーパターンの上部の前記パッシベーション膜の表面積は，前記マイクロレンズ構造の外側の前記周辺領域の表面積より小さいことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
　前記突起素子の形状は，凸状，円柱状，角柱状，円錐または角錐状を含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
　前記ダミーパターンは複数の凸状の突起素子を有し，且つ，前記凸状の突起素子の各々は，前記マイクロレンズ構造の各マイクロレンズの形状と同じ形状を有し，前記凸状の突起素子の上部は，前記マイクロレンズ構造の上部と同じ高さであることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
　前記ダミーパターンの前記上部の前記パッシベーション膜の前記表面積は，前記マイクロレンズ構造の外側の前記周辺領域の前記表面積の５０-８０%であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
　前記マイクロレンズ構造と前記光電変換素子間に設置され，前記周辺領域内に設置される延長部分を有し，前記ダミーパターンが，前記延長部分に設置されるカラーフィルター層と，
　前記カラーフィルター層と前記光電変換素子間に設置される平坦化層と，を更に有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
　前記パッシベーション膜の材料は，化学気相堆積酸化ケイ素を含み，前記パッシベーション膜は，前記マイクロレンズ構造と前記ダミーパターンの表面全体を被覆することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
　前記ダミーパターンは，前記周辺領域で，規則的に設置され，前記周辺領域は，前記ダミーパターンにより完全に占有されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
　前記ダミーパターンは前記周辺領域内にランダムに設置され，前記周辺領域の一部は前記ダミーパターンにより占有されないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。」
　
第３　原査定の理由の概要
（進歩性）本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−２２７４７４号公報
２．特開２００９−１７７０７９号公報
３．特開２００５−１２９９５２号公報
４．特開平０６−２２４３９７号公報
５．特開２００８−０９１３９９号公報
６．特開２０１４−１０３２９９号公報
７．特開２００７−１７３５３５号公報
８．特開２０１２−２５２２５９号公報
９．特開２０１２−２０４４０２号公報
　
第４　当審拒絶理由の概要
１　本願発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
 引用文献Ａ　米国特許出願公開第２００６／０２２８８２６号明細書
 引用文献６　特開２０１４−１０３２９９号公報
 引用文献８　特開２０１２−２５２２５９号公報
 引用文献２　特開２００９−１７７０７９号公報
（なお，引用文献番号は原査定に合わせた。）
２　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 ・請求項４について 
　請求項４に記載された「前記マイクロレンズ構造と前記ダミーパターンを被覆するテープと接触すること」は，同「撮像装置」との関係が不明確であり，発明が不明確である。　すなわち，「前記マイクロレンズ構造と前記ダミーパターンを被覆するテープ」は，「撮像装置」の作用機能とは無関係であり，また，その構成の一部とも認められず，「前記マイクロレンズ構造と前記ダミーパターンを被覆するテープと接触すること」が，物としての「撮像装置」の構成をどのように特定しているのか不明である。 
　
第５　引用文献
１　引用文献Ａの記載
（１）引用文献Ａ
　当審拒絶理由で引用された米国特許出願公開第２００６／０２２８８２６号（以下，「引用文献Ａ」という。）には，図面とともに次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）（当審注。訳は当審で作成した。）
　ア　「FIELD OF THE INVENTION
[0002] The present invention relates to a method for fabricating an image sensor; and more particularly, to a method for fabricating an image sensor using a wafer back grinding process. 」
（訳：発明の分野
[0002]　この発明は，イメージセンサの製造方法に関し，さらに特定すると，裏面研削処理したウェハを用いるイメージセンサの製造方法に関する。）
　イ　「[0008] FIGS. 2A  to  2C are cross-sectional views illustrating a method for fabricating 
a conventional CMOS image sensor including a unit pixel configured
and color filters with microlenses. 
[0009] Referring to  FIG. 2A , field oxide layers  11  defining a filed region and 
an active region are formed over a substrate  10 
Unit pixels  16  including photodiodes are formed in a light sensing region
[0010] An inter-layer insulation layer  19  is formed over the above resultant structure, and a plurality of first metal lines  20  are formed thereon through a patterning process. Afterwards, a plurality of second metal lines  22 , a first inter-metal insulation layer  21 , a plurality of third metal lines  24 , and a second inter-metal insulation layer  23  are formed sequentially over the above resultant structure where the first metal lines  20  are formed. 
[0011] A passivation layer  25  is formed over the third metal lines  24  and the second inter-metal insulation layer  23  to protect devices from moisture or scratches. A material for forming color filters is formed over the passivation layer  25  and patterned using a mask to form color filters  26 . Particularly,
 the color filters  26  
corresponding to the unit pixels  16  in the light sensing region. 
[0012] 
A planarization layer  27  is formed over a predetermined region of the passivation layer  25  to reduce a height difference created when the color filters  26  are formed, and microlenses  28  are formed over the planarization layer  27 .
A microlens protection layer  29  is formed over the entire surface of the above resultant structure to protect the microlenses  28
[0013] Then, a pad opening process is performed to open a pad open unit PO. More specifically, a photoresist pattern  30  is formed over a certain portion of the microlens protection layer  29  to expose the pad open unit PO. Using the photoresist pattern  30 , the microlens protection layer  29  and the passivation layer  25  are sequentially etched to expose the third metal lines  24 . 
[0014] Referring to  FIG. 2B , the photoresist pattern  30  is removed, and 
a taping process which glues a tape  31  on the entire resultant structure is performed 
[0015] The wafer back grinding process  100  grinds a rear surface of an image sensor chip to a certain thickness, so that a distance between optical lenses and external modules can be adjusted appropriately. After the image sensor chip is completed with a wire bonding process, glass is overlaid to protect the image sensor chip against factors causing defects in chip operation, thereby completing a packaging process. 
[0016] After the packaging process, a plastic device including an external lens is adhered on top of the packaged device and mounted on a print circuit board to be fabricated as one module. This module is implemented into a product like a camera. 
[0017] As mentioned above, the wafer back grinding process  100  is performed to adjust a focusing length between an image sensor chip and an external lens. However, during the wafer back grinding process  100 , lots of particles X are generated, and thus, it is necessary to develop a method for reducing the particle generation. One approach is to perform a taping process. As illustrated in  FIG. 2B , the taping process is performed using the tape  31  after the removal of the photoresist pattern  30 . If the wafer back grinding process  100  is performed after the taping process, particles X tend to adhere on the tape  31  without affecting the image sensor chip. In addition to the given function of the tape  31  as a protector of the patterns formed over the entire wafer, the tape  31  adsorbs physical force to thereby prevent the wafer from being broken.
 The tape  31  is removed therafter.
（訳：[0008]　図２Ａから２Ｃは，上述した
単位画素及びマイクロレンズ付きのカラーフィルタを含む従来のＣＭＯＳイメージセンサ
[0009]　図２Ａを参照すると，フィールド領域と
アクティブ領域を
基板１０上に形成されている。
フォトダイオードを含む複数の単位画素１６が受光領域に形成されて
[0010]　上記の得られた構造の上に形成される層間絶縁層１９と，複数の第１金属線２０は，パターニング工程により形成されている。その後，複数の第２金属配線２２，第１配線間絶縁層２１，複数の第３金属線２４及び第２の金属間絶縁層２３が，第１金属配線２０が形成されている上記の得られた構造の上に，順次形成される。
[0011]　パッシベーション層２５は，第３金属配線２４と第２金属間絶縁層２３上に形成され，水分や傷からデバイスを保護する。カラーフィルタを形成するための材料がパッシベーション層２５上に形成されており，カラーフィルタ２６を形成するマスクを用いてパターン化されている。特に，
カラーフィルタ２６は，受光領域における単位画素１６に対応する
[0012]　
平坦化層２７は，パッシベーション層２５の所定領域上に形成され，カラーフィルタ２６を形成する際に出現した高低差を低減し，マイクロレンズ２８が平坦化層２７上に形成されている。マイクロレンズ保護層２９が上記の得られた構造の上に形成され，マイクロレンズ２８を保護している。
[0013]　そして，パッド開口工程が行われ，パッド開口部ＰＯを開ける。より具体的には，マイクロレンズの保護層２９の特定の部分の上に形成されたパッド開口部ＰＯを露出するフォトレジストパターン３０を形成する。フォトレジストパターン３０を用いて，マイクロレンズの保護層２９とパッシベーション層２５を順次エッチングして，第３金属配線２４を露出させる。
[0014]　図２Ｂを参照すると，フォトレジストパターン３０を除去した後，
得られた構造全体の上にテープ３１を接着するテーピング工程が行われる。
[0015]　ウェハ裏面研削(バックグラインディング)処理１００は，イメージセンサチップの裏面を所定の厚さまで研削し，光学レンズや外部モジュールとの間の距離を適切に調整することができる。ワイヤボンディング工程を経てイメージセンサチップが完成した後，ガラスが被覆されてチップの動作中に欠陥を生じさせる要因からイメージセンサチップを保護するように，パッケージング工程を完了させる。
[0016]　このパッケージング工程後，外部レンズを含むプラスチックデバイスが，パッケージ化された装置の上に接着され，プリント回路基板上に実装された１つのモジュールとして製作されることとなる。このモジュールは，カメラ等の製品に実装されている。
[0017]　上述したように，ウエハ裏面研削処理１００は，イメージセンサチップと外部レンズとの間の焦点距離を調節するために行われる。ウエハ裏面研削処理１００では，多量の粒子Ｘが生成されるので，粒子の発生を減少させる方法を開発する必要がある。１つのアプローチは，テーピング処理を行うことである。図２Ｂに示すように，テーピング処理は，フォトレジストパターン３０を除去した後にテープ３１を用いて行われる。ウェハ裏面研削(バックグラインディング)処理１００が，テーピング処理の後に実行される場合，粒子Ｘはイメージセンサチップに影響を与えることなくテープ３１に付着しがちである。ウェハ全体の上に形成されたパターンの保護措置としての保護テープ３１の所定の機能に加え，テープ３１が物理的な力を吸収することでウエハの破損を防止する。
テープ３１はその後除去される。
　ウ　「[0018] However, the aforementioned taping process may have several disadvantages. As illustrated in  FIG. 2C , since the tape  31  has a certain level of adhesion pressure, 
the microlens protection layer  29  is likely to crack when the tape  31  is removed.
（訳：[0018]　しかし，前記テーピング工程は，いくつかの欠点を有している。図２Ｃに示すように，テープ３１がある程度の接着圧力を有するので，
テープ３１を除去する際に，マイクロレンズ保護層２９にクラックが発生しやすい。
　エ　図２Ｂには，
受光領域における複数の単位画素１６の上に形成されたマイクロレンズ２８と，マイクロレンズ２８及び受光領域以外の周辺領域の平坦化層上に形成されたマイクロレンズ保護層２９とを有するイメージセンサ
（２）引用発明Ａ
　前記（１）より，引用文献Ａには次の発明（以下，「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「イメージセンサであって，基板上の受光領域に形成されているフォトダイオードを含む複数の単位画素と，受光領域における単位画素の上に形成されたマイクロレンズと，マイクロレンズ及び周辺領域の平坦化層上に形成されたマイクロレンズ保護層とを有するイメージセンサ。」
２　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　原査定で引用された特開２０１２−２２７４７４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，固体撮像装置およびその製造方法に関し，特にカラーフィルタ間に隔壁を用いた固体撮像装置およびその製造方法に関する。」
　イ　「【００１９】
　固体撮像装置１は，図１に示すように，平面視形状が例えば四角形状（ここでは，長方形状である。）をしている。
固体撮像装置１は，その中央に画素領域３を，画素領域３の周辺に周辺回路領域５をそれぞれ有する。
【００２０】
　なお，ここでは，周辺回路領域５は，四角形状の画素領域３の全周に添ってその外側に存在しているが，画素領域３の周辺の一部の範囲に設けられても良い。
　
画素領域３には複数の画素部７が２次元状に形成されている。画素領域３には，その外周部分の無効画素領域９と，無効画素領域９の内側部分の有効画素領域１１とがある。
【００２１】
　周辺回路領域５は，画素領域３，特に有効画素領域１１内の画素部７からの画素信号を外部装置に出力したり，画素領域３内の画素部７に給電したりするための回路を備える。
　ここでは，複数の画素部７は画素領域３内を行列状に形成されている。
【００２２】
　図２は，図１のＡ部の拡大図であり，（ａ）はマイクロレンズ３１を取り外した状態での平面図であり，（ｂ）は断面図である。なお，断面は，フィルタ２７等が形成されている面に直交する断面である。
【００２３】
　半導体基板２１は，画素領域３の各画素部７に対応して受光部２３を２次元状に有している。半導体基板２１上には配線層２５が形成されている。配線層２５は，後述するが，多層構造をしている。配線層２５は，画素領域３では２層構造をし，周辺回路領域５では３層構造をしている。
【００２４】
　配線層２５上の画素領域３においては，各画素部７に対応して複数のカラーフィルタ２７が形成され，各カラーフィルタ２７間に対応して隔壁２９が形成されている。カラーフィルタ２７と隔壁２９上には，同図の（ｂ）に示すように，
各画素部７に対応してマイクロレンズ３１が形成されている。
（中略）
（５）マイクロレンズ
　マイクロレンズ３１は，上方から入射する光を対応する画素部７のフォトダイオードＰＤに集光させるものである。
【００３２】
　
マイクロレンズ３１は，ここでは，半導体基板２１から離れる方向に突出する凸レンズである。
　ウ　「【００８５】
　カラーフィルタ３５７は，半導体基板３５３上であってフォトダイオードＰＤ上に形成され，また
無効画素領域９のフォトダイオードＰＤのない領域では，
ダミーフィルタ３６７が形成されている。
【００８６】
　各カラーフィルタ３５７間には隔壁３５９が形成され，各ダミーフィルタ３６７間にはダミー隔壁３６９が形成されている。
　各カラーフィルタ３５７と隔壁３５９上にはマイクロレンズ３６１が，
ダミーフィルタ３６７とダミー隔壁３６９上にはダミーのマイクロレンズ３７１が形成されている。
（２）引用発明１
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「固体撮像装置であって，画素領域には，その外周部分の無効画素領域と，無効画素領域の内側部分の有効画素領域とがあり，各画素部に対応してマイクロレンズが形成されており，マイクロレンズは，半導体基板から離れる方向に突出する凸レンズであり，無効画素領域のフォトダイオードのない領域にはダミーのマイクロレンズが形成されている固体撮像装置。」
３　引用文献２及び３の記載
（１）引用文献２
　原査定及び当審拒絶理由で引用された特開２００９−１７７０７９号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
固体撮像装置
　イ　「【００７０】
　（実施形態１）
　図１および図２は，本発明の実施形態１による
固体撮像装置の構造
【００７１】
　この実施形態１の固体撮像装置１００は，封止パッケージ１内に撮像素子チップ（固体撮像素子）２を収容し，該封止パッケージ１にリッドガラス６を，該撮像素子チップ２上に中空領域が形成されるよう被せて撮像素子チップ２を封止した実装構造を有している。
【００７２】
　ここで，上記封止パッケージ１は，パッケージ基板１ａと，その外周部分に形成された外壁部１ｂとを有しており，該パッケージ基板１ａの，該外壁部１ｂに囲まれた領域に上記撮像素子チップ２が接着材５ａにより固着されている。また，この封止パッケージ１は，そのパッケージ基板１ａの両側辺部に配置された複数の外部リード端子７を有し，該外部リード端子の撮像素子チップ２側の部分（内側端部）は，上記外周壁１ｂを貫通し，該撮像素子チップ２の近傍に位置している。そして，該外部リード端子の内側端部は，上記撮像素子チップ２の電極パッドとボンディングワイヤ３により接続されている。また，上記封止パッケージの外壁部１ｂ上には，封止パッケージ内部の空間が密封されるよう，リッドガラス６がガラスシール５ｂにより固着されている。ここで，封止パッケージ１は，モールド樹脂やセラミックにより形成したものである。
【００７３】
　このような本実施形態１の固体撮像装置１００の実装構造は，図１２（ａ）に示す従来の固体撮像装置の実装構造と同一である。
【００７４】
　そして，本実施形態１の固体撮像装置１００では，上記封止パッケージ１とリッドガラス６とにより形成される密閉空間内に露出する，該封止パッケージ１の内面，
撮像素子チップ２の表面，
がすべて，保護膜４により覆われている。
【００７５】
　また，ここで
保護膜４は，ＳｉＯ
２
膜であり，撮像素子チップ２の表面に入射した光Ｌは，図１（ｂ）で示すように，該保護膜４の表面で各画素の中心部に近づくように屈折し，さらに，該マイクロレンズ８と該保護膜４との界面で，各画素の中心部に近づくように屈折する。
（２）引用文献３
　原査定で引用された特開２００５−１２９９５２号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【０００１】
　本発明はＣＭＯＳイメージセンサの製造方法に関し，特に，パッドエッチング工程を２回行い，パッドレイアウトを変更することによってパッド周辺部で低温酸化膜が剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する現象を抑制したＣＭＯＳイメージセンサの製造方法に関する。」
　イ　「【０００６】
　図１Ｂは，このような単位画素とカラーフィルタ及びマイクロレンズを備えて構成された
ＣＭＯＳイメージセンサの断面構造
【０００７】
　図１Ｂに示されているように，従来の通常のＣＭＯＳイメージセンサは，基板１０上に形成された素子分離膜１１と，基板１０内の所定領域に形成されたＰ型ウェル及びＮ型ウェルと，基板１０上に形成されスペーサ１３を備えたゲート電極１２と，フォトダイオードを含む単位画素１４と，Ｎ型イオン注入領域１５と，Ｐ型イオン注入領域１６と，ゲート電極１２を含む基板上に形成された層間絶縁膜１７と，層間絶縁膜１７上に形成された第１金属配線１８と，第１金属配線１８を覆う第１金属層間絶縁膜１９と，第１金属層間絶縁膜１９上に形成された第２金属配線２０と，第２金属配線２０を覆う第２金属層間絶縁膜２１と，第２金属層間絶縁膜２１上に形成された第３金属配線２２と，第３金属配線２２を覆い素子保護のためのパッシべーション膜２３と，パッシべーション膜２３上の単位画素１４領域に形成されたカラーフィルタ２４と，カラーフィルタ２４による段差を補償するオーバーコーティング層２５と，オーバーコーティング層２５上に形成されたマイクロレンズ２６と，
マイクロレンズ２６を保護するための低温酸化（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ：ＬＴＯ）膜２７とを備えて構成されている。
【０００８】
　ここで，低温酸化膜２７は，単位画素１４が形成された受光領域では主にマイクロレンズ２６とオーバーコーティング層２５上に形成されているが，パッドオープン部の周辺領域（第３金属配線２２が露出している部分の周辺領域）ではパッシべーション膜２３上に直接形成されている。」
（３）周知技術
　前記（１）及び（２）より，次の技術は周知技術と認められる。
「撮像装置において，マイクロレンズを保護するための保護膜を備えること。」
４　引用文献４及び５の記載
（１）引用文献４
　原査定で引用された特開平０６−２２４３９７号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は，画像欠陥を低減する
固体撮像装置の製造方法
　イ　「【００２０】
【実施例】以下，この発明に係る固体撮像装置の製造方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。なお，従来装置と同一の部分は同一の符号を付して説明を省略する。
【００２１】この実施例は，ＣＣＤ撮像装置にこの発明を適用したものであって，チップ領域内に多数の受光領域と，これに付帯する電荷転送領域が形成されたウェハを用いる。
【００２２】先ず，本実施例は，図２に示すように，周知の製造技術により，カラーフィルタ３２及びオンチップレンズ３３までが形成されたウェハ２１を用意する。
【００２３】このウェハ２１に対して，図１に示すフローチャートのプロセスを行なう。以下，図３〜図６に従って工程を説明する。
【００２４】
オンチップレンズまで形成されたウェハ２１上に，図３に示すように，耐酸性のＵＶ照射硬化型テープ（以下，ＵＶテープという）３４を全面に貼り付ける（ステップ１）。このＵＶテープ３４は，ＵＶ照射後の剥離後の糊残りを少なくするためにできるだけＵＶ樹脂量及び架橋剤の含有量の多いもの，即ち架橋密度が高くなる接着剤を備えたものを用いる。
（２）引用文献５
　原査定で引用された特開２００８−０９１３９９号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
受光装置の製造方法
　イ　「【００１８】
　次に，図１を参照して，このような受光装置１の製造方法について詳細に述べる。
　まず，図１（Ａ）に示すように，複数の受光部１１が設けられたベース基板１２を用意する。すなわち，
ベース基板１２上にマイクロレンズアレイを形成する。
　次に，図１（Ｂ）に示すように，このベース基板１２の表面（受光部１１が設けられた面）を覆うように，光硬化性の接着フィルム１４を貼り付ける。
（３）周知技術
　前記（１）及び（２）より，次の技術は周知技術と認められる。
「固体撮像装置の製造方法において，マイクロレンズが形成された基板上にテープを全面に貼り付けること。」
５　引用文献６の記載
（１）引用文献６
　原査定及び当審拒絶理由で引用された特開２０１４−１０３２９９号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに次の記載がある。なお，引用文献６に記載された「フォトダイーオード」は「フォトダイオード」の誤記と認める。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，フォトダイオードの具備されていないアレイ外周部を遮光した固体撮像素子に関し，特に可視領域から赤外波長域における光の透過を防ぎ，
遮光層の剥がれが原因となる特性劣化の無い固体撮像素子
　イ　「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　本発明は以上の様な事情の下になされ，反射による特性劣化を防止するために，
遮光層として，ｂｌａｃｋレジスト
ｂｌａｃｋレジストパターンの剥がれ問題の発生の無い，固体撮像素子
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　上記の課題を解決するための手段として，請求項１に記載の発明は，フォトダイオードを配列して配置し，マイクロレンズを持つアレイ部とアレイ外周部からなる固体撮像素子であって，
前記
固体撮像素子のマイクロレンズ形成層のマイクロレンズを，フォトダイオードの配列の外側に１ピッチ以上，ダミーとしてマイクロレンズを形成すると共に，アレイ外周部の最外周であるスクライブラインの内側に１ピッチ以上，ダミーとしてマイクロレンズを形成したことを特徴とする固体撮像素子
　ウ　「【発明を実施するための形態】
【００１６】
　以下本発明を実施するための形態を，図面を用いて詳細に説明する。図１は本願発明の固体撮像素子の構成を明確にするために，構成と工程を示している。
【００１７】
　配線層１６やフォトダイオード８を設けた下地ウエハ基板上に，平坦化層１を設け，その上に，ブラックマトリックス及びカラー画素であるＲＧＢをパターニングを行い，レンズ形成層３を塗布する。
【００１８】
　図３は本願発明の
固体撮像素子の平面図を示しており，フォトダイオード８の配列の外側に３ピッチ，ダミーとしてマイクロレンズ５を形成すると共に，アレイ外周部１１の最外周であるスクライブライン１４の内側に１ピッチのダミーのマイクロレンズ５が設けられている。
　エ　「【００２４】
　露光現像によりパターニングを行った後，熱リフローにてレンズ形状とする。高さが０．３μｍ〜１．５μｍのマイクロレンズ５を形成する。この時
ダミーマイクロレンズ７は，フォトダイオード８の配列の外側に１ピッチ以上，形成すると共に，アレイ外周部１１の最外周であるスクライブライン１４の内側に１ピッチ以上，ダミーマイクロレンズ７を形成した。
【００２５】
　遮光層は，４００〜１１００ｎｍにおける光の透過率を１％以下でとするため，ｂｌａｃｋレジストとして，ＪＳＲ社製ＢＫ４６１１をスピンコート（主回転９００ｒｐｍ）を行い，１．００μｍ程度の厚みの遮光層を得る。この時，透過率が１％以下と成る様に膜厚を微調節する。
【００２６】
　この時，ダミーマイクロレンズ７を設けていない，図４に示す構成では，ｂｌａｃｋレジストを用い，上記の様に，透過率を１％以下に制御しようとすると，露光時の光がｂｌａｃｋレジスト膜の底部まで十分に届かないため，ｂｌａｃｋレジストパターンの，剥がれが発生する危険性がある。
【００２７】
　一方
フォトダイオード５の配列の外側に１ピッチ以上，ダミーマイクロレンズ７を形成すると共に，アレイ外周部１１の最外周であるスクライブライン１４の内側に１ピッチ以上，ダミーマイクロレンズ７を形成すると，
ダミーマイクロレンズ７により，フォトダイオード８の配列の外側やアレイ外周部１１の最外周といった，剥がれが始まる部分において，ｂｌａｃｋレジストとレンズ形成層との接触面積が増えるため，剥がれが生じなくなる。
　オ　「【符号の説明】
【００３４】
１・・・平坦化層
２・・・カラー画素
２Ｒ・・・Ｒ画素
２Ｂ・・・Ｂ画素
２Ｇ・・・Ｇ画素
３・・・レンズ形成層
４・・・レンズ層
５・・・マイクロレンズ
６・・・遮光層
７・・・ダミーマイクロレンズ
８・・・フォトダイーオード
９・・・平滑化層
１０・・・アレイ部
１１・・・アレイ外周部
（略）」
　カ　図１には，
アレイ外周部１１の一部に延伸した３ピッチのダミーマイクロレンズ７と，アレイ外周部１１の最外周に１ピッチのダミーマイクロレンズ７を形成すること，ダミーマイクロレンズ７の断面は半円形状であること，遮光層６がダミーマイクロレンズ７の表面に形成されること，
（２）引用発明６
　前記（１）より，引用文献６には次の発明（以下，「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
「フォトダイオードの配列の外側であるアレイ外周部の一部に延伸した３ピッチのダミーマイクロレンズと，アレイ外周部の最外周に１ピッチのダミーマイクロレンズを形成した固体撮像素子であって，フォトダイオードの配列の外側やアレイ外周部の最外周といった，剥がれが始まる部分において，遮光層としてのｂｌａｃｋレジストとレンズ形成層との接触面積が増えるため，剥がれが生じなくなること。」
６　引用文献７の記載
（１）引用文献７
　原査定で引用された特開２００７−１７３５３５号公報（以下，「引用文献７」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，固体撮像装置に関する。」
　イ　「【０００８】
《第１実施形態》
　図１は，固体撮像装置１１を示す図である。図１［Ａ］には，固体撮像装置１１の上面図を示す。図１［Ｂ］には，固体撮像装置１１の受光面の部分拡大図を示す。図１［Ｃ］には，図１［Ｂ］中のＸ−Ｘ′箇所の断面構造を示す。
【０００９】
　以下，図１を用いて，固体撮像装置１１の構成を説明する。
　まず，
固体撮像装置１１の受光面には，光電変換素子１３ａおよびマイクロレンズ１４ａが画素単位に配列される。
　この
固体撮像装置１１の受光面には，図１［Ａ］に示すように，有効な画像信号を生成する領域として，有効画素領域１３が予め設定される。
　この有効画素領域１３の外側には，外周域１５が設けられる。この外周域１５は，有効な画像信号を生成しない代わりに，下記の構成が設けられる。
【００１０】
（１）
ダミーのマイクロレンズ１４ｂ・・通常，マイクロレンズ１４ａの加工工程では，周辺の歩留まりが悪くなる。そこで，外周域１５にもダミーのマイクロレンズ１４ｂを形成することにより，有効画素領域１３内のマイクロレンズ１４ａの品質を高めることができる。
（２）引用発明７
　前記（１）より，引用文献７には次の発明（以下，「引用発明７」という。）が記載されていると認められる。
「固体撮像装置において，有効画素領域の外側に，外周域を設け，そこにダミーのマイクロレンズを形成すること。」
７　引用文献８の記載
（１）引用文献８
　原査定及び当審拒絶理由で引用された特開２０１２−２５２２５９号公報（以下，引用文献８」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，レンズアレイ，
撮像装置
　イ　「【００２４】
　レンズアレイ２０は，透明な基板本体２１と，基板本体２１に凸状のレンズ面が撮像素子４２の方向（光の入射側と反対側の方向）に向くように形成された複数のマイクロレンズ２２を有している。
　また，
撮像素子４２と対向する有効なマイクロレンズ２２が設けられたレンズ領域２７の外側に，マイクロレンズ２２と同じ感光性レンズ材料を用いて形成された複数のダミーパターン２３を有している。
　ウ　「【００３２】
　（実施例１）
　図３は実施例１のレンズアレイにおけるマイクロレンズおよびダミーパターンの配置を示す概略平面図，図４（ａ）〜（ｄ）はマイクロレンズの製造方法を示す概略断面図である。
　図３に示すように，実施例１のレンズアレイ２０は，Ｘ方向とＹ方向とに配列した複数のマイクロレンズ２２を有するレンズ領域２７と，レンズ領域２７を囲んで同じくＸ方向とＹ方向とに配列した
複数のダミーパターン２３を有するダミー領域２８とを備えている。
【００３３】
　平面視で円形のマイクロレンズ２２のレンズ径は，例えばおよそ１００μｍである。Ｘ方向とＹ方向とにおける配置ピッチはそれぞれおよそ１０５μｍで，マイクロレンズ２２は等間隔に配置されている。
【００３４】
　これに対して，
平面視で正方形（四角形）のダミーパターン２３は
（２）引用発明８
　前記（１）より，引用文献８には次の発明（以下，「引用発明８」という。）が記載されていると認められる。
「撮像装置において，有効なマイクロレンズが設けられたレンズ領域の外側に，ダミーパターンを有するダミー領域を備えており，ダミーパターンは平面視で正方形であること。」
８　引用文献９の記載
（１）引用文献９
　原査定で引用された特開２０１２−２０４４０２号公報（以下，「引用文献９」という。）には，図面とともに次の記載がある。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明の実施形態は，固体撮像装置及びその製造方法に関する。」
　イ　「【００１１】
　（１）　第１の実施形態　
　図１乃至図７を参照して，第１の実施形態に係る
固体撮像装置
【００１２】
　（ａ）　構造　
　図１乃至図３を用いて，第１の実施形態に係る固体撮像装置の構造について，説明する。
【００１３】
　図１は，固体撮像装置（以下，イメージセンサとよぶ）のチップのレイアウト例を示す模式図である。　
　図１に示されるように，本実施形態のイメージセンサにおいて，画素アレイ２及びそれを制御するための回路（アナログ回路又はロジック回路）が，１つの半導体基板（チップ）１０内に設けられている。
【００１４】
　半導体基板１０内の画素アレイ２は，画像（被写体）に対応する光を取得するための撮像領域（有効領域ともよばれる）２１を含んでいる。　
　撮像領域２１は，有効画素を含む単位セル３を複数個有する。以下では，有効画素を含む単位セル３のことを，単に，単位セルとよぶ。各単位セル３は，少なくとも１つの画素（有効画素，光電変換部）を含んでいる。光電変換部は，マイクロレンズ及びカラーフィルタを介して入射された光を電気信号へ変換する。光電変換部によって，ＣＭＯＳセンサ或いはＣＣＤセンサが形成される。互いに隣接する単位セル３及び互いに隣接する光電変換部は，素子分離領域によって，分離されている。
【００１５】
　画素アレイ２は，黒基準領域２９を含んでいる。黒基準領域２９は，光電変換された信号に対する基準電位（暗電圧又はリセット電圧）を形成するために，画素アレイ２内に設けられている。黒基準領域２９は，ＯＢ（Optical Black）領域，遮光領域，あるいは，無効領域ともよばれる。
【００１６】
　黒基準領域２９は，画素アレイ２内において，撮像領域２１に隣接している。例えば，
黒基準領域２９は，撮像領域２１の周囲を取り囲むように，画素アレイ２内にレイアウトされている。
　黒基準領域２９は，複数の黒基準画素を含む単位セル４を有している。以下では，黒基準領域２９内の黒基準画素を含む単位セル４のことを，単に，黒基準セル４とよぶ。黒基準セル４は，単位セル２０と実質的に同じ構造を有し，画素を含んでいる。光の入射を遮る遮光膜が，黒基準セル４上方に，設けられていることによって，黒基準領域２９が，形成される。尚，黒基準セル４は，ダミーセルとよばれる場合もある。」
　ウ　「【００６５】
　本実施形態のイメージセンサにおいて，
黒基準領域２９内の黒基準セル４（フォトダイオード４０）の上方に，凹凸部を有する遮光膜６１が設けられている。遮光膜６１の凹凸部（突起部）６２は，光の照射側に形成される。
（２）引用発明９
　前記（１）より，引用文献９には次の発明（以下，「引用発明９」という。）が記載されていると認められる。
「固体撮像装置において，黒基準領域が撮像領域の周囲を取り囲むようにレイアウトされ，黒基準領域には凹凸部を有する遮光膜が設けられていること。」
　
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明Ａとの対比　
　ア　引用発明１の「イメージセンサ」は，下記相違点１−４を除いて，本願発明の「撮像装置」に相当する。
　イ　引用発明１の「基板上の受光領域に形成されているフォトダイオードを含む複数の単位画素」は，本願発明の「前記撮像装置のアクティブ領域内の基板上に形成される複数の光電変換素子」に相当する。
　ウ　引用発明１の「受光領域における単位画素の上に形成されたマイクロレンズ」は，下記相違点１を除いて，本願発明の「前記アクティブ領域の前記基板上に設置される複数のマイクロレンズ素子を有するマイクロレンズ構造」に相当する。
　エ　引用発明１の「マイクロレンズ及び周辺領域の平坦化層上に形成されたマイクロレンズ保護層」は，テーピング工程においてテープを接着し，テープはその後除去される（前記第３の１（１）イ[0012]，[0014]及び[0017]参照。）から，下記相違点３を除いて，本願発明の「複数のマイクロレンズ素子の表面上に形成される，製造プロセスにおけるテープの取り付け及び除去の対象となるパッシベーション膜」に相当する。
　オ　すると，本願発明と引用発明１とは，下記カの点で一致し，下記キの点で相違する。
　カ　一致点
「撮像装置であって，
　前記撮像装置のアクティブ領域内の基板上に形成される複数の光電変換素子と，
　前記アクティブ領域の前記基板上に設置される複数のマイクロレンズ素子を有するマイクロレンズ構造と，
　複数のマイクロレンズ素子の表面上に形成される，製造プロセスにおけるテープの取り付け及び除去の対象となるパッシベーション膜と，を有すること，
　を特徴とする撮像装置。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明の「マイクロレンズ構造」は「該アクティブ領域を囲む前記撮像装置の周辺領域の一部に延伸した領域」にも「複数のマイクロレンズ素子を有する」のに対し，引用発明１の「マイクロレンズ」は「周辺領域」には形成されない点。
（イ）相違点２
　本願発明は「前記マイクロレンズ構造の領域を囲む前記周辺領域内の前記基板上に設置される複数の突起素子を有するダミーパターン」を有するのに対し，引用発明１はそうではない点。
（ウ）相違点３
　本願発明の「パッシベーション膜」は「前記マイクロレンズ構造の前記複数のマイクロレンズ素子と前記ダミーパターンの前記複数の突起素子の表面上に形成される」のに対し，引用発明１の「マイクロレンズ保護層」はそうではない点。
（エ）相違点４
　本願発明において「前記ダミーパターンの上部の前記パッシベーション膜の表面積は，前記マイクロレンズ構造の外側の前記周辺領域の表面積より小さい」のに対し，引用発明１においてはこの旨が明示されない点。
（２）相違点についての判断
　相違点１ないし４に係る構成を同時に備えることは，いずれの引用文献にも記載されていない。
　そして，相違点１ないし４に係る構成を同時に備えることにより，本願発明１は，テープとダミーパターン上に設置されたパッシベーション膜間の接触面積を減少させることができ，その結果，テープが撮像装置から除去されるとき，パッシベーション膜の剥離を効果的に防止することができるという，当業者の予測を越えた効果を奏するものと認められる。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献Ａ，１ないし９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたとはいえない。
２　本願発明２ないし８について
　本願発明２ないし８は，本願発明１の発明特定事項をすべて備え，さらに別の発明特定事項を付加したものであるから，前記１と同様の理由により，引用文献Ａ，１ないし９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたとはいえない。
３　特許請求の範囲の記載不備について
　当審拒絶理由で記載不備を指摘した当審補正前の請求項４は，当審補正によって削除された。
　よって，もはや記載不備の拒絶理由は解消した。
　
第７　原査定の理由についての判断
　本願発明１ないし８の発明特定事項である「前記アクティブ領域と該アクティブ領域を囲む前記撮像装置の周辺領域の一部に延伸した領域の前記基板上に設置される複数のマイクロレンズ素子を有するマイクロレンズ構造と，前記マイクロレンズ構造の領域を囲む前記周辺領域内の前記基板上に設置される複数の突起素子を有するダミーパターンと，
　前記マイクロレンズ構造の前記複数のマイクロレンズ素子と前記ダミーパターンの前記複数の突起素子の表面上に形成される，製造プロセスにおけるテープの取り付け及び除去の対象となるパッシベーション膜と，を有し，前記ダミーパターンの上部の前記パッシベーション膜の表面積は，前記マイクロレンズ構造の外側の前記周辺領域の表面積より小さいことを特徴とする」点は，原査定で引用した引用文献１ないし９には記載も示唆もない。
　よって，本願発明１ないし８は，引用文献１ないし９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第８　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。