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　特願２０１４−　４４９４７「データ記憶装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月２９日出願公開、特開２０１４−１８２８１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年３月７日（パリ条約による優先権主張２０１３年３月１５日（以下，「優先日」という。），米国，２０１３年９月１６日，米国）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　２月　４日　　：審査請求書，手続補正書の提出
　平成２８年　１月２１日付け：拒絶理由通知書
　平成２８年　４月２５日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成２８年　７月　６日付け：拒絶理由通知書
　平成２８年１１月１７日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成２９年　１月　４日付け：拒絶査定
　平成２９年　３月２３日　　：審判請求書，手続補正書の提出
　平成３０年　１月３１日付け：拒絶理由通知書（当審）
　平成３０年　４月１８日　　：意見書，手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成３０年４月１８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　装置であって，
　少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路を備え，前記第１のメモリ階層は，不揮発性ソリッドステートメモリを含み，前記第２のメモリ階層は，別の不揮発性メモリとして，磁気データ記憶媒体を含み，
　前記装置は，
　前記制御回路とホストデバイスとの間で通信するように構成されたホストインターフェースと，
　前記制御回路および，前記第２のメモリ階層を含むデータ記憶デバイスの間で通信するように構成され，前記データ記憶デバイスが前記ホストデバイスと直接にインターフェースしているかのように，前記データ記憶デバイスが前記装置とインターフェースするように前記ホストインターフェースを模倣するために前記ホストインターフェースを複製するように構成された，データ記憶デバイスインターフェースとを備え，
　前記制御回路は，前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成され，
　前記制御回路は，前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層との間でデータを送信することが可能であるように，前記第２のメモリ階層の前記不揮発性メモリを含む前記データ記憶デバイスに統合される，装置。」
第３　拒絶の理由
　平成３０年１月３１日付けで当審が通知した拒絶理由は，次のとおりのものである。
　本願発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２−６に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２００７−１９３４４０号公報
引用文献２：特開平１０−４０１７０号公報
引用文献３：特開２０１０−２０７７４号公報
引用文献４：特開２０１１−１９２２９８号公報
引用文献５：特開２００７−１３３８６８号公報
引用文献６：特開２００９−２７１９２４号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　平成３０年１月３１日付けの当審の拒絶の理由で引用された特開２００７−１９３４４０号公報（平成１９年８月２日出願公開，以下，「引用文献１」という。）には，関連する図面とともに，以下の事項が記載されている（下線は，当審で付した。以下同じ。）。
　Ａ　「【０００８】
＜全体の構成及び機能＞
　まず図１において，実施形態の全体ブロックの例を説明する。１００は，ホスト装置であり，例えば，パーソナルコンピュータに於けるコントロール部である。
２００は，不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置である。
記憶装置２００は，バッファとして機能するＳＤＲＡＭ２０１，後述するコントローラなどが搭載された例えば１チップのＬＳＩ（大規模集積化回路）２０２
を有する。
【０００９】
　
ＬＳＩ２０２は，コントローラ３１１，ホストインターフェース３１２，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３，ディスクインターフェース３１４，フラッシュメモリインターフェース３１５を有する。
【００１０】
　
ホスト装置１００は，ホストインターフェース３１２を介して，コントローラ３１１にコマンドを与えることができる。またホスト装置１００は，ホストインターフェース３１２を介して，コントローラ３１１からのデータを受け取ることもできるし，コントローラ３１１側へデータを転送することもできる。
【００１１】
　
コントローラ３１１（当審注：「コントローラ３１１」は「ホスト装置１００」の明らかな誤記である。）からのコマンドは，データの書き込み命令，データの読出し命令
などがある。
【００１２】
　
コントローラ３１１は，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３を介して，ＳＤＲＡＭ２０１との間でデータのやり取りを行うことができる。またコントローラ３１１は，ディスクインターフェース３１４を介して，ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うことができる。さらにコントローラ３１１は，フラッシュメモリインターフェース３１５を介して，フラッシュメモリ２０３との間でデータのやり取りを行うことができる。
【００１３】
　
上記の装置は，フラッシュメモリインターフェース３１５，フラッシュメモリ２０３の部分は，キャッシュとして使用する。
　Ｂ　「【００２７】
　さらにアドレス管理部４２０が設けられている。アドレス管理部４２０は，ハードディスクのアドレス及びフラッシュメモリ２０３の記録済み領域，未記録領域などのアドレスを一括して管理している。
フラッシュメモリ２０３は，キャッシュメモリとして利用される
　Ｃ　「【００３４】
　
データ書き込みコマンドがあった場合，
ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを状態判定部４２１が判定する（ステップＳＡ５）。スピンドルモータが回転していない場合には，書き込み処理部４１８は，書き込みデータ
をフラッシュメモリに書き込む。ＨＤＤモータが回転している場合には，書き込み処理部４１８は，書き込みデータをハードディスクに書き込む。
　Ｄ　「【図１】
」
　Ｅ　「【図３】
」
２　引用発明
　上記引用文献１に記載されている事項を検討する。
（１）上記１のＡの「２００は，不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置である。・・・記憶装置２００は，・・・後述するコントローラなどが搭載された例えば１チップのＬＳＩ（大規模集積化回路）２０２・・・を有する。」との記載，及び上記１のＤで引用した図１の記載から，「不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置２００に含まれるＬＳＩ２０２」を読み取ることができる。
（２）上記１のＡの「ＬＳＩ２０２は，コントローラ３１１，ホストインターフェース３１２，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３，ディスクインターフェース３１４，フラッシュメモリインターフェース３１５を有する。」との記載から，「前記ＬＳＩ２０２」は，「コントローラ３１１，ホストインターフェース３１２，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３，ディスクインターフェース３１４，及びフラッシュメモリインターフェース３１５を有し」ているものである。
（３）上記１のＡの「ホスト装置１００は，ホストインターフェース３１２を介して，コントローラ３１１にコマンドを与えることができる。またホスト装置１００は，ホストインターフェース３１２を介して，コントローラ３１１からのデータを受け取ることもできるし，コントローラ３１１側へデータを転送することもできる。」及び「コントローラ３１１（当審注：「コントローラ３１１」は「ホスト装置１００」の明らかな誤記である。）からのコマンドは，データの書き込み命令，データの読出し命令・・・などがある。」との記載から，「ホストインターフェース３１２」は，「ホスト装置１００」が，これを介して，「コントローラ３１１にデータの書き込み命令，データの読出し命令等のコマンドを与えたり，ホスト装置１００とコントローラ３１１との間でデータのやり取りを行うものであ」ることが読み取れる。
（４）上記１のＡの「コントローラ３１１は，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３を介して，ＳＤＲＡＭ２０１との間でデータのやり取りを行うことができる。」及び「バッファとして機能するＳＤＲＡＭ２０１」との記載から，「ＳＤＲＡＭインターフェース３１３」は，「コントローラ３１１」が，これを介して，「バッファとして機能するＳＤＲＡＭ２０１との間でデータのやり取りを行うものであ」ることが読み取れる。
（５）上記１のＡの「またコントローラ３１１は，ディスクインターフェース３１４を介して，ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うことができる。」との記載から，「ディスクインターフェース３１４は，コントローラ３１１が，これを介して，ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うものであ」ることが読み取れる。
（６）上記１のＡの「さらにコントローラ３１１は，フラッシュメモリインターフェース３１５を介して，フラッシュメモリ２０３との間でデータのやり取りを行うことができる。」との記載から，「フラッシュメモリインターフェース３１５は，コントローラ３１１が，これを介して，フラッシュメモリ２０３との間でデータのやり取りを行うものであ」ることが読み取れる。
（７）上記１のＡの「上記の装置は，フラッシュメモリインターフェース３１５，フラッシュメモリ２０３の部分は，キャッシュとして使用する。」との記載，及び上記１のＢの「フラッシュメモリ２０３は，キャッシュメモリとして利用される」との記載から，「フラッシュメモリ２０３は，キャッシュメモリとして利用されるものであ」ることが読み取れる。
（８）上記１のＣの「データ書き込みコマンドがあった場合，・・・ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを状態判定部４２１が判定する（ステップＳＡ５）。スピンドルモータが回転していない場合には，書き込み処理部４１８は，書き込みデータ・・・をフラッシュメモリに書き込む。ＨＤＤモータが回転している場合には，書き込み処理部４１８は，書き込みデータをハードディスクに書き込む。」との記載，及び上記１のＥで引用した図３の記載から，「データ書き込みコマンドがあった場合に，コントローラ３１１の状態判定部４２１は，ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを判定し，スピンドルモータが回転していない場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをフラッシュメモリに書き込む一方，ＨＤＤモータが回転している場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをハードディスクに書き込む」ことが読み取れる。
　
（９）以上（１）〜（８）の検討から，引用文献１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
 「不揮発性キャッシュメモリを用いる記憶装置２００に含まれるＬＳＩ２０２であって，
　前記ＬＳＩ２０２は，コントローラ３１１，ホストインターフェース３１２，ＳＤＲＡＭインターフェース３１３，ディスクインターフェース３１４，及びフラッシュメモリインターフェース３１５を有し， 
　ホストインターフェース３１２は，ホスト装置１００が，これを介して，コントローラ３１１にデータの書き込み命令，データの読出し命令等のコマンドを与えたり，ホスト装置１００とコントローラ３１１との間でデータのやり取りを行うものであり， 
　ＳＤＲＡＭインターフェース３１３は，コントローラ３１１が，これを介して，バッファとして機能するＳＤＲＡＭ２０１との間でデータのやり取りを行うものであり， 
　ディスクインターフェース３１４は，コントローラ３１１が，これを介して，ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うものであり， 
　フラッシュメモリインターフェース３１５は，コントローラ３１１が，これを介して，フラッシュメモリ２０３との間でデータのやり取りを行うものであり， 
　フラッシュメモリ２０３は，キャッシュメモリとして利用されるものであり， 
　データ書き込みコマンドがあった場合に，コントローラ３１１の状態判定部４２１は，ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを判定し，スピンドルモータが回転していない場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをフラッシュメモリに書き込む一方，ＨＤＤモータが回転している場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをハードディスクに書き込む，
　ＬＳＩ２０２。」 
３　引用文献２の記載
（１）平成３０年１月３１日付けの当審の拒絶の理由で引用された特開平１０−４０１７０号公報（平成１０年２月１３日出願公開，以下，「引用文献２」という。）には，関連する図面とともに，以下の事項が記載されている。
　Ｆ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はディスクキャッシュシステムに関し，特に磁気ディスク装置と半導体ディスク装置とを有するコンピュータシステムで使用されるディスクキャッシュシステムに関する。」
　Ｇ　「【００１７】（途中省略）ディスクキャッシュ制御手段としては，半導体ディスク装置と磁気ディスク装置とが物理的に独立した装置である場合には，ＯＳやアプリケーションプログラムからの磁気ディスクに対するアクセス要求に応じて半導体ディスクと磁気ディスク装置とを統合制御するソフトウェアによって実現することができる。また，半導体ディスク装置と磁気ディスク装置とが一体化された統合ドライブ装置を実現してもよく，この場合には，その統合ドライブ装置内部のコントローラをファームウェアなどにより制御することによって，そのコントローラが半導体ディスク装置と磁気ディスク装置とを統合制御するように構成することもできる。
また，半導体ディスク装置に磁気ディスク装置とのインターフェースを設けておき，ホストシステムから見て半導体ディスク装置を上流側，磁気ディスク装置を下流側に配置する構成を採用してもよく，この場合には，半導体ディスク装置内のコントローラをファームウェアなどにより制御することによって，そのコントローラが半導体ディスク装置と磁気ディスク装置とを統合制御するように構成することが好ましい。これにより，磁気ディスク装置には何ら変更を加えることなく，半導体ディスク装置を使用したディスクキャッシュを実現できる。
　Ｈ　「【００６５】
半導体ディスク装置３００は，
ハードディスク装置４００のホストインターフェース（ＩＤＥなど）と接続可能なハードディスクインターフェース３０４を備えている。
　Ｊ　「【図１０】
」
（２）引用文献２記載事項
　ア　上記Ｈ及びＪの記載より，引用文献２には，
「フラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置をハードディスク装置のディスクキャッシュとして使用するディスクキャッシュシステムにおいて，半導体ディスク装置３００内のフラッシュコントローラ３０２とハードディスク装置４００とを接続するためのハードディスクインターフェース３０４に関して，半導体ディスク装置３００は，・・・ハードディスク装置４００のホストインターフェース（ＩＤＥなど）と接続可能なハードディスクインターフェース３０４を備えている」旨が記載されている。（以下，「引用文献２記載事項ａ」という。）
　イ　上記Ｇの記載より，引用文献２には，
「また，半導体ディスク装置に磁気ディスク装置とのインターフェースを設けておき，ホストシステムから見て半導体ディスク装置を上流側，磁気ディスク装置を下流側に配置する構成を採用してもよく，この場合には，半導体ディスク装置内のコントローラをファームウェアなどにより制御することによって，そのコントローラが半導体ディスク装置と磁気ディスク装置とを統合制御するように構成することが好ましい。これにより，
磁気ディスク装置には何ら変更を加えることなく，半導体ディスク装置を使用したディスクキャッシュを実現できる
４　参考文献１の記載
　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００８−２５０７１９号公報（平成２０年１０月１６日出願公開，以下，「参考文献１」という。）には，関連する図面とともに，以下の事項が記載されている。
　Ｋ　「【０００４】
　また，
近年，ＨＤＤと不揮発性の半導体メモリであるフラッシュメモリとを組み合わせた，いわゆるハイブリッドＨＤＤが注目されている。このハイブリッドＨＤＤによれば，フラッシュメモリをキャッシュメモリとして利用することにより，システムの起動時間や休止状態からの復帰時間の短縮，バッテリでの動作モードの最適化による消費電力の低減，ＨＤＤの長寿命化を図ることができ，信頼性，耐久性を向上することができる。
　Ｌ　「【００１１】
　
図１および図３に示すように，ＨＤＤは，偏平な矩形箱状の筐体１０を備えている。この筐体１０は，上面の開口した矩形箱状のベース１１と，複数のねじによりケースにねじ止めされてケースの上端開口を閉塞したトップカバー１５と，を有している。
【００１２】
　
筐体１０内において，ベース１１上は，記録媒体としての２枚の磁気ディスク１２ａ，１２ｂ，これらの磁気ディスクを支持および回転させるスピンドルモータ１３，磁気ディスクに対して情報の記録，再生を行なう複数の磁気ヘッド３３，これらの磁気ヘッドを磁気ディスク１２ａ，１２ｂに対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ１４，ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ（以下ＶＣＭと称する）１６が設けられている。
　Ｍ　「【００１７】
　図２および図４に示すように，
ベース１１の底壁外面には，プリント回路基板（以下，ＰＣＢと称する）４０がねじ止めされ
【００１８】
　ＰＣＢ４０はベース１１に対応したほぼ矩形状に形成されている。ＰＣＢ４０のほぼ中央部には，スピンドルモータ１３のステータ部１９を挿通するための円形の開口４１が形成されている。
ＰＣＢ４０上には多数の電子部品が実装されている。これらの電子部品は，制御部７０として機能するシステムＬＳＩ（ＳＯＣ）４４
を含んでいる。
　Ｎ　「【図３】
」
　Ｏ　「【図５】
」
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「フラッシュメモリ２０３」，「ＨＤ２０４」，「ホストインターフェース３１２」，「ディスクインターフェース３１４」が本願発明の「不揮発性ソリッドステートメモリ」，「磁気データ記憶媒体」，「ホストインターフェース」，「データ記憶デバイスインターフェース」にそれぞれ相当することは明らかであり，引用発明の「ＬＳＩ２０２」は，「ホストインターフェース３１２（ホストインターフェース）」と「ディスクインターフェース３１４（データ記憶デバイスインターフェース）」とを備えることから，本願発明の「装置」に対応する。
　
（２）引用発明の「フラッシュメモリ２０３」は，ＨＤ２０４の「キャッシュメモリとして利用されるものであ」るから，本願発明の「第１のメモリ階層」に相当し，また，引用発明の「ＨＤ２０４」は，本願発明の「第２のメモリ階層」に相当するものといえる。
　また，引用発明では，「データ書き込みコマンドがあった場合に，コントローラ３１１の状態判定部４２１は，ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを判定し，スピンドルモータが回転していない場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをフラッシュメモリに書き込む一方，ＨＤＤモータが回転している場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをハードディスクに書き込む」ようになっており，この記載から，引用発明の「コントローラ３１１」は，フラッシュメモリ２０３（第１のメモリ階層）とＨＤ２０４（第２のメモリ階層）との間に，データを割り当てる制御を行う回路であるといえるから，引用発明の「コントローラ３１１」と本願発明の「制御回路」とは，後記する点で相違するものの，「少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路」である点で共通する。
　してみれば，引用発明の「ＬＳＩ２０２」は本願発明の「装置」に対応し，両者は，
「少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路を備え，前記第１のメモリ階層は，不揮発性ソリッドステートメモリを含み，前記第２のメモリ階層は，別の不揮発性メモリとして，磁気データ記憶媒体を含」む点で共通する。
（３）引用発明の「ホストインターフェース３１２」は，「ホスト装置１００とコントローラ３１１との間でデータのやり取りを行うものであ」るから，本願発明の「制御回路とホストデバイスとの間で通信するように構成されたホストインターフェース」に相当する。
（４）引用発明の「ディスクインターフェース３１４」は，「コントローラ３１１が，これを介して，ＨＤ２０４との間でデータのやり取りを行うものであ」るから，本願発明の「前記制御回路および，前記第２のメモリ階層を含むデータ記憶デバイスの間で通信するように構成され，前記データ記憶デバイスが前記ホストデバイスと直接にインターフェースしているかのように，前記データ記憶デバイスが前記装置とインターフェースするように前記ホストインターフェースを模倣するために前記ホストインターフェースを複製するように構成された，データ記憶デバイスインターフェース」とは，後記する点で相違するものの，「制御回路および，第２のメモリ階層を含むデータ記憶デバイスの間で通信するように構成された，データ記憶デバイスインターフェース」である点で共通する。
（５）引用発明は，「データ書き込みコマンドがあった場合に，コントローラ３１１の状態判定部４２１は，ＨＤＤモータ（スピンドルモータ）が回転しているかどうかを判定し，スピンドルモータが回転していない場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをフラッシュメモリに書き込む一方，ＨＤＤモータが回転している場合には，コントローラ３１１の書き込み処理部４１８が，書き込みデータをハードディスクに書き込む」ようになっていることから，「コントローラ３１１（制御回路）」は，ホスト装置１００（ホストデバイス），フラッシュメモリ２０３（第１のメモリ階層），およびＨＤ２０４（第２のメモリ階層）に対するデータの転送を管理するように構成されているといえる。
　一方，本願発明では，「前記制御回路は，前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成され，前記制御回路は，前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層との間でデータを送信することが可能であるように，前記第２のメモリ階層の前記不揮発性メモリを含む前記データ記憶デバイスに統合される」ことから，引用発明の「コントローラ３１１」と本願発明の「制御回路」とは，後記する点で相違するものの，「ホストデバイス，第１のメモリ階層，および第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成され」る点で共通する。
（６）上記（１）〜（５）の検討から，本願発明と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「装置であって，
　少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路を備え，前記第１のメモリ階層は，不揮発性ソリッドステートメモリを含み，前記第２のメモリ階層は，別の不揮発性メモリとして，磁気データ記憶媒体を含み，
　前記装置は，
　前記制御回路とホストデバイスとの間で通信するように構成されたホストインターフェースと，
　前記制御回路および，前記第２のメモリ階層を含むデータ記憶デバイスの間で通信するように構成された，データ記憶デバイスインターフェースとを備え，
　前記制御回路は，前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成される，装置。」
（相違点）
（相違点１）本願発明のデータ記憶デバイスインターフェースは，「前記データ記憶デバイスが前記ホストデバイスと直接にインターフェースしているかのように，前記データ記憶デバイスが前記装置とインターフェースするように前記ホストインターフェースを模倣するために前記ホストインターフェースを複製するように構成され」ているのに対して，引用発明のディスクインターフェース３１４は，そのように構成されているか否かが明らかでない点。
（相違点２）本願発明は，「制御回路」が，「前記ホストデバイス，前記第１のメモリ階層，および前記第２のメモリ階層との間でデータを送信することが可能であるように，前記第２のメモリ階層の前記不揮発性メモリを含む前記データ記憶デバイスに統合される」のに対して，引用発明は，そのように構成されているか否かが明らかでない点。
第６　判断 
　上記相違点について，判断する。
（１）相違点１について
　上記「第４　引用文献の記載及び引用発明」の「３　引用文献２の記載」の引用文献２記載事項ａ及び引用文献２記載事項ｂより，引用文献２には，ハードディスクインターフェース３０４を，通常の磁気ディスク装置（ハードディスク）とホストシステムとを接続するためのホストインターフェース（ＩＤＥなど）を介して半導体ディスク装置３００のコントローラ３０２を接続できるように構成することで，通常の磁気ディスク装置（ハードディスク）をホストシステムと接続するためのホストインターフェース（ＩＤＥなど）をそのまま使用して，磁気ディスク装置には何ら変更を加えることなく，半導体ディスク装置を使用したディスクキャッシュを実現する技術（以下，「引用文献２記載技術」という。）が記載されており，このことは，すなわち，ハードディスクインターフェース３０４が，「ハードディスク装置４００（データ記憶デバイス）がホストシステム（ホストデバイス）と直接にインターフェースしているかのように，前記ハードディスク装置４００（データ記憶デバイス）が半導体ディスク装置３００（装置）とインターフェースするようにホストインターフェースを模倣するために前記ホストインターフェースを複製するように構成され」ていることに他ならない。
　そして，引用発明と引用文献２記載技術とは，いずれも，フラッシュメモリをハードディスクのキャッシュとして用いる技術である点で共通していることから，引用発明のディスクインターフェース３１４に引用文献２記載技術を適用して，上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
（２）相違点２について
　上記「第４　引用文献の記載及び引用発明」の「１　引用文献１の記載」のＡ，Ｄの記載からすると，引用発明の「記憶装置２００」は，「コントローラ３１１」及び「ハードディスク（ＨＤ）２０４」をその内部に有するものであるから，「コントローラ３１１（制御回路）」と「ハードディスク（ＨＤ）２０４」とが，記憶装置２００内で，一体に構成されること，すなわち，「統合される」ことが示唆されているといえる。
　そして，上記「第４　引用文献の記載及び引用発明」の「４　参考文献１の記載」のＫ〜Ｏの記載からすると，ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）のキャッシュとしてフラッシュメモリを使用する，いわゆるハイブリッドハードディスクドライブにおいて，「制御部」と「ハードディスクドライブ」とを一つの筐体内に一体として構成すること，すなわち，「制御部」が「ハードディスクドライブ」に「統合される」構成とすることは，本願の優先日前に既に周知技術であったものと認められる。
　また，ハイブリッドハードディスクドライブの制御部が，ハードディスクドライブのキャッシュとしてフラッシュメモリを利用するために，「ホスト（ホストデバイス）」，「フラッシュメモリ（第１のメモリ階層），および「ハードディスクドライブ（第２のメモリ階層）」との間で「データを送信することが可能であるように」動作していることは自明のことである。
　してみれば，引用発明に上記周知技術を適用して，コントローラ３１１（制御回路）が，ホスト装置１００（ホストデバイス），フラッシュメモリ２０３（第１のメモリ階層），およびＨＤ２０４（第２のメモリ階層）との間でデータを送信することが可能であるように，ＨＤ２０４（第２のメモリ階層の不揮発性メモリを含むデータ記憶デバイス）に統合されるように構成すること，すなわち，上記相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
（３）そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明，引用文献２記載技術，及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用文献２記載技術，及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。