【事件の表示】
　特願２０１５−１０４０４７「ナノワイヤ構造を製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月　３日出願公開、特開２０１５−２１６３７９、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年（２０１０年）１２月２２日を国際出願日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年１２月２２日，スウェーデン国）とする特願２０１２−５４５９０５号の一部を，平成２７年５月２１日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　６月２２日　手続補正
平成２７年　８月２８日　手続補正
平成２８年　７月２２日　拒絶理由通知
平成２８年１１月２５日　意見書提出・手続補正
平成２８年１２月２７日　拒絶理由通知
平成２９年　４月　３日　意見書提出・手続補正
平成２９年　６月　６日　補正却下・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年１０月１３日　審判請求・手続補正
第２　原査定の概要
　本願請求項１−３に係る発明は，引用文献１−４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，本願請求項４−５に係る発明は，引用文献１−６に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第２００８／０６０４５５号
２.特開２０００−２９４１１９号公報
３.国際公開第２００８／１１８０９５号
４.国際公開第２００６／０３８５０４号
５.特表２００７−５０６６４３号公報
６.特表２００８−５１４５４４号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって，補正前の請求項１，２，４及び５は，それぞれ発明特定事項が限定されて，補正後の請求項１，２，３及び４とされたもので，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，また，同補正は，当初明細書の段落００４１，００４９，図８の記載に基づくものであるから，新規事項を追加するものではない。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比及び判断」までに示すように，補正後の請求項１ないし４に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
　また，補正前の請求項３を削除する補正は，請求項の削除を目的とするものである。
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明４」という。）は，平成２９年１０月１３日付けの補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　２つの対向電極とナノワイヤを含む液体を堆積する機構とを備え，
　前記堆積の機構は前記ナノワイヤを含む液体を基板上に堆積し，
　前記２つの対向電極間に生じる電界の印加により，前記基板上に前記ナノワイヤを，前記基板の表面の法線方向である基板に垂直な方向に整列させ，
　前記ナノワイヤはｐｎ接合を構成し，
　前記ナノワイヤを前記基板表面の法線方向に配列させる前記電界の印加により，前記ｐｎ接合のｎ側からｐ側に向かう電気双極子を誘起し，
　前記ナノワイヤは，前記液体の乾燥中，または，前記液体の蒸発中，若しくは，前記液体の凝固中に整列される，装置。
　【請求項２】
　さらに，前記ナノワイヤを前記基板上に配置させる手段，および，前記ナノワイヤの粘着を高める材料で前記基板の表面を被覆する手段を備え，
　前記対向電極は，前記基板の上方に設けられた第１電極と前記第１電極の下方に設けられた第２電極であり，
　前記ナノワイヤはナノワイヤの複数の部分集団を備え，
　前記ナノワイヤを前記基板上に配置させる手段は，組成および／またはサイズに応じて，前記ナノワイヤを選択的に配置させる，請求項１に記載の装置。
　【請求項３】
　さらに，前記ナノワイヤに光照射する手段を備え，
　前記装置は均一な電界もしくは電界勾配を形成するように構成され，
　ワイヤサイズの分類を，異なった波長の光照射と組み合わせて，垂直整列と連続して使用し，ワイヤをサイズ及び組成の両方によって選択的に堆積させ，
　前記光照射の手段は，前記ナノワイヤに異なった所定の波長領域の光を照射することによって異なったバンドギャップを有するナノワイヤを選択的に整列させ，前記装置が，前記基板上への前記ナノワイヤの堆積を連続して行う，請求項２に記載の装置。
　【請求項４】
　前記液体はモノマーを含み，前記ナノワイヤは，前記液体中で前記モノマーが前記ナノワイヤを封入するポリマーとなる重合中に整列される，請求項３に記載の装置。」
第５　引用文献及び引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，対応する特表２０１０−５０６７４４号公報による。）（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
　ア「Field of the Invention
[0001] 
The present invention relates to nanowires, and more particularly, to nanowire deposition and alignment.
Background of the Invention
[0002] Nanostructures, and in particular, nanowires have the potential to facilitate a whole new generation of electronic devices. A major impediment to the emergence of this new generation of electronic devices based on nanostructures is the ability to effectively align and deposit nanowires on various substrates. 
Electric fields allow for alignment of nanowires suspended in suspension, but current techniques pose stringent constraints on the scalability to large area substrates.
[0003] What are needed are systems and methods for achieving a high quality nanowire deposition suitable for manufacturing large arrays of nanostructure- enabled devices.」
（訳：技術分野
［０００１］
本発明はナノワイヤに関し，さらに詳細には，ナノワイヤの堆積および配列に関する。
背景技術
［０００２］ナノ構造，および，特にナノワイヤは，全く新規の次世代電子デバイスを実現する可能性を有している。この，ナノ構造に基づいた次世代電子デバイスの出現を妨げているものは，主として，様々な基板上にナノワイヤを効果的に配列して堆積させる能力である。
懸濁液中に懸濁されたナノワイヤを配列させることは，電場によって可能である
［０００３］ナノ構造を使用可能なデバイスを大きなアレイ状に製造することに適した，高性能のナノワイヤ堆積を実現するシステムおよび方法が必要とされている。）
　イ　「[00081] 
In one embodiment, the present invention provides methods for aligning and depositing nanowires from a suspended state onto a substrate patterned with electrodes in the presence of an electromagnetic field, as well as apparatuses and systems for performing such alignment and deposition (see Figure 2). Substrate and nanowire surface chemistry provide a net electric charge on both the substrate and nanowires. Through appropriate choice of electrode pattern, the nanowires are subjected to an electromagnetic field gradient that exerts a net force on the nanowires. The force enables controlled manipulation of nanowires (e.g., in suspension) to specified locations on the substrate. The electrodes also generate an alternating current (AC) field that polarizes the nanowires, resulting in a net dipole moment. The AC field subsequently exerts a torque on the dipole and enables an angular alignment parallel to the field direction. Appropriate choice of electrical parameters, e.g., frequency and amplitude, provide for nanowire alignment and capture, as well as a pinning or association of nanowires (NWs) over the electrodes. In the associated state, the nanowires are suitably aligned parallel to the electric field, but are sufficiently mobile along the electrode edges to accommodate a chronological sequence of alignment and association events without giving rise to nanowire clumping. The present invention also provides methods for locking or coupling of nanowires onto the electrodes. In the coupled state, the nanowires remain aligned, as in the previously associated state, but lose their lateral mobility along the electrode edges. The present invention also provides for an appropriate choice of fluid flow control to flush undesired/uncoupled/misaligned nanowires from the electrodes. A drying process provides for removal of solvent and enables an electrostatic sticking of the NWs on the surface.
（訳：［０００８１］
一実施形態において，本発明は，電磁場の存在下において，ナノワイヤを，懸濁した状態から，電極がパターン加工された基板上に配列および堆積させる方法，並びに，このような配列および堆積を実行する装置およびシステム（図２参照）を提供する。基板およびナノワイヤの界面化学によって，基板およびナノワイヤの両方に正味電荷が提供される。電極パターンを適切に選択することによって，ナノワイヤには電磁場勾配が生じ，該電磁場勾配によって正味の力がナノワイヤ上に加えられる。この正味の力によって，（例えば懸濁液中の）ナノワイヤを基板上の特定の位置に制御しながら動かすことが可能になる。上記電極はまた，ナノワイヤを分極させる交流（ＡＣ）電場を生成し，結果的に正味双極子モーメントが生じる。続いて上記ＡＣ電場がこの双極子にトルクをかけ，上記電場の方向に対して平行な角度配列が可能となる。電気的パラメータ，例えば周波数および振幅を適切に選択することによって，ナノワイヤは配列および捕獲され，電極の上にナノワイヤ（ＮＷ）の「ピン止め」または「関連付け」が行われる。関連付けされた状態では，ナノワイヤは，好適には電場に平行に配列されているが，電極の縁に沿って十分に移動可能であり，ナノワイヤを凝集させることなく，配列および関連付け動作の時間シーケンスに対応可能である。本発明はまた，ナノワイヤを電極上に「固定」または「結合」させる方法を提供する。結合された状態では，ナノワイヤは，それ以前の関連付けされた状態と同様に，配列された状態に維持されるが，電極の縁に沿った横方向の移動性は失われる。本発明はまた，望ましくない／結合されていない／配列していないナノワイヤを電極から「洗い流す」ための流量の制御を適切に選択することを提供する。乾燥プロセスによって溶媒を除去して，表面のＮＷ同士を静電気的に「粘着」させることが可能である。
　ウ　「[000108] 
In addition to aligning the nanowires parallel to the AC field, the field gradient exerts a dielectrophoretic force on the nanowire attracting it toward the electrode pair. As represented schematically in Figure 5, the gradient is highest at the electrode pair, and exerting an increasing attraction toward the electrodes. An electric double-layer is produced at the surface of each electrode of the pair, such that oppositely charged ions are present at the electrode, hi the presence of the electric field, the ions then migrate away from the electrode and initially toward the nanowire hovering above. As ions approach the oppositely charged nanowire, the ions are repulsed by the like charge and then directed back toward the electrode resulting in a circulating pattern of ions. Liquid that is present (i.e., the nanowire suspension) is also circulated, generating an elecro-osmotic force that opposes the dielectrophoretic force attracting the nanowires to the electrodes. As the two forces reach an equilibrium (or relative equilibrium), the nanowires are held in place such that they become associated with the electrode pair.
（訳：［０００１０８］
ナノワイヤをＡＣ電場に平行に配列することに加えて，電場の勾配がナノワイヤに誘電泳動力をかけて，該ナノワイヤを電極対に引き付ける。図５に概略的に示したように，この勾配は電極対において最も高くなり，電極に引き付ける力は増大する。電極対の各電極の表面には，電気的ニ重層が形成されており，そのため，電極には逆帯電したイオンが存在している。電場の存在下で，このイオンは，電極から移動して，まず上方に浮かんでいるナノワイヤに向かう。逆帯電したナノワイヤにイオンが接近すると，イオンは，同種の電荷によって退けられて電極に差し戻され，結果的にイオンの循環パターンを生じさせる。そこに在る液体（つまりナノワイヤ懸濁液）も循環して，電気浸透力を生成する。この電気浸透力は，ナノワイヤを電極に引き付ける誘電泳動力に対立する力である。これら２つの力が均衡（または比較的均衡）に達すると，ナノワイヤは所定の位置に保持され，該ナノワイヤは電極対に関連付けられる。
　エ　「[000126] In further embodiments, 
alignment, association and coupling can be performed using nanowires that are n-doped on one end and p-doped on the opposite end. The use of two different dopings results in nanowires that will have two induced dipoles when an electric field is applied.
For example, a set of electrodes can be used (e.g., three or four electrodes, though more electrodes can be used) in which one pair of electrodes is energized at a higher level than a second pair. Suitably, pairs of electrodes in an electrode set are positioned such that one electrode pair is in the same plane as the other pair, for example next to each other or one pair above another pair (e.g., positioned in line with each other on the substrate).
（訳：［０００１２６］さらなる実施形態では，
一端がｎ型ドープされていると共に他端がｐ型ドープされたナノワイヤを用いて，配列，関連付け，および，結合を行うことが可能である。異なる２つのドーピングを用いることによって，結果的にナノワイヤは，電場が印加されると，誘導された２つの双極子を有する。
例えば，１組の電極を用いてもよく（例えば３つまたは４つの電極，しかしこれよりも多い数の電極を用いてもよい），ここでは，１つの電極対に別の電極対よりも高レベルで電圧が与えられる。好適には，１つの電極セットのうちの複数の電極対は，１つの電極対が，他の電極対と同一平面状にあるように，例えば互いに隣り合って，または，１つの電極対がもう１つの電極対の上に重なって配置される（例えば基板上に互いに一列に配置される）。
　オ　「[000138] Figure 14a represents a flowchart 1400 showing a method of nanowire alignment and deposition in accordance with one embodiment of the present invention. In step 1402 of flowchart 1400, a channel, for example channel 206 as represented in Figure 2, is first filled with a suitable solvent, for example, IPA. It should be noted that the initial filling of the channel is not required. 
In step 1404, the channel is then filled with a nanowire suspension, for example a nanowire ink.
The nanowires are then associated or pinned to the electrodes in step 1406, suitably as set forth in the association phase as described throughout. In suitable embodiments, the electric field is then modulated so as to align the nanowires 1408.
[000139] 
Following alignment modulation (or association if alignment modulation is not utilized) the nanowires are then coupled or locked onto the electrode pairs in step 1410, by modulating the electric field as described throughout.
[000140] Uncoupled nanowires are then removed or released, in step 1412, from the electrode pairs using any of the methods described herein or otherwise known in the art. Suitably, nanowires are released or removed from the electrode pairs by flowing a liquid (e.g., BPA) over the nanowires.
[000141] After uncoupled nanowires have been removed from the electrode pairs, in step 1414, a decision analysis is made where it is determined whether a sufficient number or sufficient density of nanowires has been achieved by the alignment and deposition methods of the present invention (i.e., steps 1402-1412). This decision analysis can be made by inspecting the electrode pairs in any manner, for example, via visual inspection (microscope or other suitable device), or by using an electrical or other signal to monitor the number and/or density of nanowires at an electrode pair. A sufficient number of nanowires can be a pre-set or pre-determined number of nanowires, a number of nanowires that is determined at the time of deposition, or a number of nanowires that is dependent upon the electrical or other of characteristics of the wires. For example, as discussed throughout, a sufficient number of nanowires can be determined by measuring the impedance, capacitance, resistance or other characteristics of the nanowires coupled onto the electrode pairs.
[000142] If it is determined that a sufficient number of nanowires has been coupled onto the electrode pairs, decision analysis step 1414 will return an answer of yes, in step 1416, following which, a final nanowire flush step 1420 will suitably begin. It should be noted that nanowire flush step 1420 is not required. Following this nanowire flush (or following a yes decision in step 1416), 
the nanowires are then dried in step 1422.
（訳：［０００１３８］図１４ａは，本発明の一実施形態に係る，ナノワイヤの配列および堆積方法を示すフローチャート１４００である。フローチャート１４００のステップ１４０２では，最初に，通路，例えば図２に示した流路２０６を，好適な溶媒，例えばＩＰＡで充填する。この最初の通路充填は，必須でないことに留意されたい。
その後ステップ１４０４において，通路を，ナノワイヤ懸濁液，例えばナノワイヤインクで充填する。
その後ステップ１４０６において，好適には明細書全体を通して説明する関連付け段階に記載したように，ナノワイヤを電極に関連付ける，または，ピン止めする。
［０００１３９］
配列調節（または，配列調節を用いないならば関連付け）の後，ステップ１４１０において，ナノワイヤを電極対に結合または固定させる。
［０００１４０］その後ステップ１４１２において，ここに記載の任意の方法，そうでなければ従来技術においてよく知られた任意の方法を用いて，結合されていないナノワイヤを電極対から除去または解き放す。好適には，ナノワイヤの上に液体（例えばＩＰＡ）を流すことによって，ナノワイヤを電極対から解き放すかまたは除去する。
［０００１４１］結合されていないナノワイヤを電極対から除去した後，ステップ１４１４において，決定解析を行う。決定解析とは，本発明の配列および堆積方法（つまりステップ１４０２〜１４１２）によって十分な数または十分な密度のナノワイヤが実現されたかどうかを決定することである。この決定解析は，電極対を任意の方法，例えば，目視検査（顕微鏡または好適な装置）で検査することによって，または，電気信号または他の信号を用いて，電極対におけるナノワイヤの本数および／または密度を監視することによって行うことが可能である。「十分な本数のナノワイヤ」とは，予め設定された，あるいは所定の本数のナノワイヤ，堆積の時点で確認される多数のナノワイヤ，または，ワイヤの電気特性または他の特性によって左右される多数のナノワイヤであり得る。例えば，明細書全体を通して説明するように，電極対上に結合されたナノワイヤのインピーダンス，静電容量，抵抗，または，他の特性を測定することによって，「十分な本数のナノワイヤ」を決定することができる。
［０００１４２］十分な本数のナノワイヤが電極対上に結合されたと決定されたならば，決定解析ステップ１４１４は，ステップ１４１６において「イエス」と返答し，その後，好適には最後のナノワイヤ洗い流しステップ１４２０が開始される。ナノワイヤ洗い流しステップ１４２０は必須でないことに留意されたい。このナノワイヤを洗い流した後（またはステップ１４１６における「イエス」決定の後），
ステップ１４２２においてナノワイヤを乾燥させる。
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板上にパターン加工された電極対を有し，
ナノワイヤが懸濁された懸濁液を基板上に堆積し，
電極対に電圧が与えられ，基板上にナノワイヤを，電場に対して平行に配列させ，
ナノワイヤは，一端がｎ型ドープされていると共に他端がｐ型ドープされており，電極対はナノワイヤを分極させる電場を生成し，結果的に正味双極子モーメントが生じ，
ナノワイヤは，乾燥される，装置。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，電子を放出する電子放出源の製造方法，これによって製造した電子放出源及び前記電子放出源を使用した蛍光発光型表示器に関する。
　イ　「【００１８】先ず，図１において，硼珪酸ガラス等の絶縁基板１０１上に，銀ペーストをスクリーン印刷して焼成することによりカソード配線１０２を被着形成する。次に，図２に示すように，カソード配線１０２に連続するように黒鉛ペーストをスクリーン印刷して，ペースト状のカソード電極１０３を形成する。
【００１９】尚，カソード電極１０３の上に，カーボンナノチューブを含むカーボン物質の層とゲート電極（図示せず）が短絡した場合の過電流防止等のために，抵抗体層としての抵抗体ペーストを積層した構成としてもよい。この場合，カソード電極１０３はペースト状でなくてもよい。
【００２０】一方，分散媒であるイソプロパノール（ＩＰＡ）に，アーク放電法によって生成されたカーボンナノチューブを含むカーボン物質を超音波により分散し，これによって得られたカーボンナノチューブを含むカーボン物質の分散溶液を，図３に示すように，基板３０１上にスピンコート法により塗布被着し，乾燥させることにより，電子放出素子としてのカーボンナノチューブ層１０４を形成する。
【００２１】尚，カーボンナノチューブの分散時に分散剤を添加した場合には，これを取り除くために，カーボンナノチューブを含むカーボン物質の分散溶液を基板３０１に塗布後，焼成する。また，塗布方法も，前記分散溶液の状態に応じて種々の印刷方法が採用できる。
【００２２】次に，図３の基板３０１裏返しにして，図２で得られた基板に載せ，カーボンナノチューブ層１０４とカソード電極１０３とを接触させた後に，基板３０１を取り除く。これにより，図４に示すように，カーボンナノチューブ層１０４をカソード電極１０３上に転写する。このとき，カソード電極１０３の表面には，ペーストで濡れていない部分を有するカーボンナノチューブが存在する。
【００２３】したがって，
図５に示すように，アルミニウムによってベタ状に形成された電界印加電極５０２が下部に被着された絶縁基板５０１を，絶縁基板１０１と略平行に所定距離（例えば約５ｍｍ）だけ離間させて配置し，カソード電極１０３に対して電界印加電極５０２を正電位として，電界印加電極５０２とカソード電極１０３との間に，絶縁基板１０１に対して略垂直な方向に所定強度（例えば約１ｋＶ／ｍｍ）の電界を印加して，前記電界による静電誘導で分極し，黒鉛ペーストの液体表面上へ露出しているカーボンナノチューブの端部が，カソード電極１０１に対して垂直方向に配向するような力を与える。
【００２４】同時に，所定の温度での乾燥処理，例えば約１５０度Ｃの空気流をあてて乾燥処理を施し，カーボンナノチューブ１０４をカソード電極１０３に固定する。尚，製造条件によっては自然乾燥とすることもできる。
【００２５】これにより，図６に示すように又，図７にその部分拡大図を示すように，カーボンナノチューブ層１０４の表面に存在する多数のカーボンナノチューブが，絶縁基板１０１に対して垂直方向あるいはこれに近い方向に傾斜して配向する。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。（訳は，対応する特表２０１０−５２５５５７号公報による。）
　「Referring to Fig. 2a and b, a nanowire circuit according to the present invention comprises at least a first nanowire transistor 8 comprising a first nanowire 5 protruding from a substrate 4. The first nanowire 5 has a first wrap gate electrode 23 arranged around a portion of its length. Two levels of interconnects 1, 2 are used to accomplish the source and drain contacts and the wrap gate electrode 23 of the nanowire transistor 8. One of the interconnect levels is a first interconnect level 1 located on the substrate 4 providing an electrode 16 connected to a base end of the first nanowire 8. The first wrap gate electrode 23 of the first nanowire 8 is provided m one of the two interconnect levels 1,2.
Fig. 2a and b further schematically illustrates one embodiment of the present invention which forms an inverter circuit. The inverter comprises a first and a second nanowire 5, 6 side by side protruding from a substrate 4. An input electrode 16 and an output electrode 15 is formed m a first interconnect level 1 located on the substrate 4. The first and the second nanowire 5, 6 are placed on the output electrode 15. Individual electrodes 19, 20 are formed on Lop of each nanowire 5, 6. The first and the second nanowire 5, 6 have a first and a second wrap gate electrode 23, 54 arranged along a portion of the length thereof, respectively. The first wrap gate electrode 23 is connected to the input electrode 16 and the second wrap gate electrode 24 is connected to the output electrode 15. Both wrap gate electrodes 23, 24 are provided within the first level of interconnect 1, however not limited to this. The arrangement of the first and the second nanowire 5, 6 forms complementary enhancement mode and depletion mode WIGFHTs 8, 9, respectively. According to this embodiment the nanowires 5, 6 have the same charge carrier type, i.e. the nanowires 5, 6 are both either n-type or p-type, although having different threshold level. Hence the nanowire transistors can be regarded as unipolar transistors. However the nanowire transistors can be made without any pnp-region or npn-region as in MOSFETs.
In one embodiment of the present invention the electrodes 15, 16 of the first interconnect level 1 located on the substrate connects to the nanowires 5,6 in a wrap around configuration.」(第９頁１９行〜１０頁３０行)
（訳：図２ａと図２ｂを参照すると，本発明のナノワイヤ回路は，基板４から突き出ている第１ナノワイヤ５を含む少なくとも第１ナノワイヤトランジスタ８を含んでいる。第１ナノワイヤ５は，その長さの一部の周囲に配置された第１ラップゲート電極２３を含む。相互接続１と相互接続２の２つのレベルは，ナノワイヤトランジスタ８のソース接触と，ドレイン接触と，ラップゲート電極２３とを実現するために使用される。相互接続のうちの１つは，基板４上に配置された第１相互接続レベル１であり，第１ナノワイヤ８の基部の端部に接続された電極１５を提供する。第１ナノワイヤ８の第１ラップゲート電極２３は，２つの相互接続１と相互接続２のうちの１つに提供される。
図２ａと図２ｂは，さらに，インバータ回路を形成する本発明の１つの実施例を例示する。インバータは，基板４から並んで突き出ている第１ナノワイヤ５および第２ナノワイヤ６を含む。入力電極１６と出力電極１５は，基板４上に配置された第１の相互接続レベル１中に形成される。第１ナノワイヤ５および第２ナノワイヤ６は，出力電極１５上に配置される。個別の電極１９，電極２０は，各ナノワイヤ５，ナノワイヤ６の頂部上に形成される。第１ナノワイヤ５および第２ナノワイヤ６は，それぞれその長さの一部に沿って配置されたゲート電極２３，ゲート電極２４を含む。第１ラップゲート電極２３は，入力電極１６に接続され，第２ラップゲート電極２４は出力電極１５に接続される。両方のラップゲート電極２３とラップゲート電極２４は，相互接続レベル１の第１レベル中に提供されているが，この方法に限定されるものではない。第１ナノワイヤ５および第２ナノワイヤ６の配置は，相補的なＷＩＧＦＥＴのエンハンスメント形８とデプレッション形９をそれぞれ形成する。この実施例によると，ナノワイヤ５，ナノワイヤ６は，同じ電荷キャリヤタイプを有する，すなわち，ナノワイヤ５，ナノワイヤ６は，ｎ形またはｐ形のどちらかであるが，異なった敷居値を持つ。したがって，ナノワイヤトランジスタは，ユニポーラ（単極性）トランジスターと見なすことができる。しかしながら，ナノワイヤトランジスタは，ＭＯＳＦＥＴ（酸化金属半導体電界効果トランジスター）のようなｐｎｐ領域やｎｐｎ領域なしで作ることができる。
本発明の１つの実施例では，基板に配置された第１の相互接続レベル１の出力電極１５，入力電極１６は，巻き付け式構成物のナノワイヤ５，ナノワイヤ６に接続する。）
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「[0040]まず，図1を参照しながら，本発明による縦型電界効果トランジスタの基本的な構成を説明する。
[0041]図1に示す縦型電界効果トランジスタ100は，荷電粒子(電子または正孔）を走行させる複数の線状構造物の束から構成された活性領域110を有している。活性領域110を構成する複数の線状構造物の間には隙間が存在する。この隙間は，樹脂などの誘電体材料によって充填されていても良い。活性領域111に含まれる線状構造物の束が全体として，チャネル領域として機能する。線状構造物は，好ましくは，直径がナノメートルオーダのサイズを有するナノワイヤやCNTである。
[0042]活性領域110は，ソース領域およびドレイン領域として機能する一対の電極（下部電極120および上部電極130)を縦方向に接続している。ソース領域またはドレイン領域として機能する上部電極130は，誘電体部140を介して下部電極120の上に位置しており，誘電体部140の上面から横方向に突出したオーバーハング部分130a，130bを有している。活性領域110の側面部分には，不図示のゲート絶縁膜を介してゲート電極150が対向している。ゲート電極150は，不図示のゲート配線を介して駆動回路に接続されている。駆動回路を用いてゲート電極150の電位を上下させることにより，活性領域110の導電性を制御し，トランジスタ動作(スイッチングや増幅)を実行することができる。
[0043]本発明による縦型電界効果トランジスタの主たる特徴点は，線状構造物の束から構成された活性領域110が，誘電体部140に支持された上部電極130のオーバーハング部分130a，130bの真下に配置されていることにある。各線状構造物は，好ましくは下部電極120上に成長した柱状半導体から構成されており，活性領域110の外周側面の位置は，上部電極130の側面の位置に整合している。
[0044]本発明による縦型電界効果トランジスタの製造方法によれば，活性領域110の外周側面の位置が，上部電極130の側面の位置に対して自己整合的に規定される。」
　「[0071][製造方法]
　以下，図8〜図10を参照しながら，本実施形態のTFTを製造する方法の好ましい実施形態を説明する。
（中略）
[0076]次に，図9(b)に示すように，CVD法によって下部電極4の表面上にナノワイヤ8'を成長させる。Geナノワイヤを成長させる場合は，ゲルマンガスを使用するが，Siナノワイヤを成長させる場合，シランやジシランガスを使用する。
[0077]下部電極4を触媒金属から形成しない場合は，CVD法によるナノワイヤの成長を開始する前，触媒として，例えばNi，Coなどの遷移金属微粒子，または，そのような遷移金属の合金の微粒子を下地表面上に堆積しておくことが好ましい。このような触媒の堆積法としては，例えば，ナノワイヤ成長前に，溶媒中にある金属微粒子を分散させる方法や，触媒となる金属薄膜に熱処理を行うことで凝集させ，微粒子化する方法を用いることができる。」
５　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
背景
１．分野
　本発明の態様は，単層カーボンナノチューブに関し，特に，単層カーボンナノチューブの選別に関する。」
　「【発明の開示】
【０００５】
例示的な態様の詳細な説明
　図1は本発明の態様による，金属単層カーボンナノチューブから半導体単層カーボンナノチューブを選別するための過程100を示す流れ図である。過程100は，本発明の態様を理解するのに最も役に立つように，複数の別個の操作を順に実施するものとして記述されている。しかしながら，操作の記述順は，操作は必ずしも順序に依存するものではないこと，または，操作は示した順序で実施されないことを意味すると考えるべきである。当然，過程100は例示的な過程であり，他の過程を使用してもよい。
【０００６】
　ブロック102では，過程100は，標的クラスの単層カーボンナノチューブに対応する直径およびカイラリティ(例えば，アームチェア，ジグザグ，らせん(またはカイラル))を決定する。単層カーボンナノチューブは，グラファイトシートを丸めてエンドキャップを有する，または有さない継ぎ目のない筒としたストリップとしてモデル化することができる。壁が単原子の厚さしかないので，「単層」である。グラファイトシートを巻いて，シートの一端の原子がシートの他端の原子と一致するようにして，筒を生成させる。第1の原子から第2の原子に向かうベクトルはカイラルベクトルと呼ばれ，「カイラルベクトル」の長さは単層カーボンナノチューブの円周に等しい。単層カーボンナノチューブ軸の向きはカイラルベクトルに垂直である。
【０００７】
　図2は，カイラルベクトルおよびカイラル角を示す単層カーボンナノチューブの六角格子の平面図200である。カイラルベクトルCｈは六角格子上でCｈ=na1+ma2として規定される。ここで，a1およびa2は単位ベクトルであり，nおよびmは整数である。カイラル角θはa1により規定される向きに対し測定される。例示的な図200は，(n，m)=(4，2)で構成され，この単層カーボンナノチューブのユニットセルは，OAB’Bにより境界が示される。単層カーボンナノチューブを形成するために，このセルが丸められOがAに，BがB’に重なり，2つの端がキャップされることを想像せよ。
【０００８】
　異なる型のカーボンナノチューブは異なる値のnおよびmを有する。ジグザグナノチューブは(n，0)または(0，m)に対応し，カイラル角が0°であり，アームチェアナノチューブは(n，n)を有しカイラル角が30°であり，一方，カイラルナノチューブは一般的な(n，m)値を有し，カイラル角が0°と30°との間である。本発明の複数の態様では，走査型トンネル顕微鏡を使用して，単層カーボンナノチューブに対する原子構造を決定し，表示してもよい。
【０００９】
　異なる長さ，直径，および/またはカイラルベクトルを有する単層カーボンナノチューブは異なる電子特性を有する。例えば，そのカイラルベクトルにより，直径の小さな単層カーボンナノチューブは半導体単層カーボンナノチューブまたは金属単層カーボンナノチューブのいずれかとなる。金属単層カーボンナノチューブは，室温で電気を通す場合がある。半導体単層カーボンナノチューブは室温では電気を通さない。
【００１０】
　図1に戻ると，ブロック104では，過程100は，標的クラスの単層カーボンナノチューブの共鳴振動数を識別する。1つの態様では，特別な振動数の光を放射するレーザビームを，単層カーボンナノチューブの混合物全体で走査してもよい。光の電場成分は1または複数の単層カーボンナノチューブと相互作用する。電場成分は標的単層カーボンナノチューブにおいて双極子モーメントを誘発する。
【００１１】
　レーザビームの振動数が標的単層カーボンナノチューブの共鳴振動数と等しい場合，標的単層カーボンナノチューブで誘発された双極子は共鳴すると思われる。レーザビームの振動数が単層カーボンナノチューブの共鳴振動数よりも低いと，単層カーボンナノチューブはレーザビームに引き付けられる(すなわち，光学的にトラップされる)。レーザビームの振動数が単層カーボンナノチューブの共鳴振動数よりも高い場合，レーザビームは単層カーボンナノチューブと反発する。(レーザビームの振動数が，単層カーボンナノチューブの共鳴振動数前後である場合，単層カーボンナノチューブの光学トラッピングは不安定である。)
（中略）
【００５６】
　本発明の態様により，バンドギャップ(すなわち，光双極子共鳴振動数)により選別された単層カーボンナノチューブを使用するのに適した他のシステムはトランジスタ製造システムを含む。例えば，多くの装置では，特別な装置上のトランジスタ全てが同じバンドギャップを有するように，トランジスタバンドギャップが制御される。これにより，確実に，全てのトランジスタが同じしきい電圧を有するようになる。本発明の態様により選別された単層カーボンナノチューブを用いるのに適した他のシステムは，電池製造システム，および燃料電池製造システムを含む。」
６　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明の分野は，包括的にはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）に関し，特に，ＣＮＴを選別するためにＣＮＴの流体流に静的な光を当てることに関する。
【背景技術】
【０００２】
　カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を，チューブ（エンドキャップ型又は非エンドキャップ型）の形状に丸められたシート状の炭素として捉えることができる。或る特性を有するＣＮＴ（たとえば，金属に類似する電子特性を有する「導電性」ＣＮＴ）は，いくつかの用途に適当であり得るが，他の或る特性を有するＣＮＴ（たとえば，半導体に類似する電子特性を有する「半導体性」ＣＮＴ）は，いくつかの他の用途に適当であり得る。ＣＮＴ特性は，ＣＮＴの「カイラリティ（chirality：螺旋度）」及び径の関数である傾向にある。ＣＮＴのカイラリティは，その炭素原子の配置を特徴づける（たとえば，アームチェア，ジグザグ，螺旋／カイラル）。ＣＮＴの径は，チューブの断面を横切る全長である。
【０００３】
　ＣＮＴの特性は，ＣＮＴのカイラリティ及び径の関数であり得るため，特定の用途に対する特定のＣＮＴの適合性は，ＣＮＴのカイラリティ及び径によって決まりがちである。不都合なことに，現ＣＮＴ製造プロセスでは，チューブの径及びカイラリティが広く変更されるＣＮＴのバッチを製造することしかできない。したがって，径及びカイラリティが，製造されたものの狭い１つの範囲（又は複数の範囲）内にしか存在しない（たとえば，特定の用途のための）ＣＮＴを収集することができないという問題が発生する。
【０００４】
　Zhang，Hannah及びWoo（以下，「Zhang他」）による「光双極子トラップを用いる単一壁カーボンナノチューブの選別（Sorting of Single-Walled Carbon Nanotubes Using Optical Dipole Traps）」と題する米国特許出願公開第２００４／０１２０８８０号は，特定のカイラリティ及び径のＣＮＴは電気双極子モーメントを有し，それによってＣＮＴは印加される時変電場下で特有の「吸引／反発」挙動を示す，ということを教示している。したがって，Zhang他は，さらに，特定のチューブのカイラリティ及び径の「標的」ＣＮＴを収集するための基礎として特有の「吸引／反発」挙動を使用する技法を教示している。
【０００５】
　ＣＮＴの「吸引／反発」挙動に関して，Zhang他は，時変電場に配置されたＣＮＴの系エネルギは，ε０が自由空間の誘電率であり，χがＣＮＴの電気分極率であり，Ｅ２が時変電場の強度である場合，Ｕ＝−１／２ε０χＥ２である，と教示している。電気分極率χは，印加される時変電場に応答するＣＮＴの個々の電気双極子モーメントの全体としての向き及び強度を示す。Zhang他によれば，電気分極率χは，印加される電場の振動数の関数であり，ＣＮＴの電気双極子モーメントの全体としての「向き」は振動数の関数として変化するということがより重要である。
【０００６】
　特に，印加される電場振動数が「共鳴振動数」を下回る場合，双極子モーメントは全体として，ＣＮＴを増大する電場強度に向かって移動させる方向に「向く」（すなわち，電場強度が高いほど系エネルギが低くなるため，ＣＮＴは電場強度が増大する領域に吸引される）が，印加される電場振動数が上述した共鳴振動数を上回る場合，双極子モーメントは全体として，ＣＮＴを増大する電場強度から離れるように移動させる方向に「向く」（すなわち，電場強度が高いほど系エネルギが高くなるため，ＣＮＴは電場強度が増大する領域から反発される）。印加される時変電場の振動数が共鳴振動数である場合，ＣＮＴの全体としての向く方向及び動きは不安定である。
【０００７】
　Zhang他はまた，ＣＮＴの特定の共鳴振動数はそのエネルギーバンドギャップの関数であるということと，ＣＮＴのエネルギーバンドギャップはＣＮＴのカイラリティ及び径の関数であるということも教示している。このため，印加される時変電場に応答する上述したＣＮＴの特有の吸引／反発挙動は，ＣＮＴのカイラリティ及び径の関数である。
【０００８】
　Zhang他はさらに，上述した吸引／反発挙動に基づいてＣＮＴを選別する技法を述べている。特に，電場が種々のカイラリティ及び径を有するＣＮＴ群（たとえば，単一の製造プロセス実行によって製作されるＣＮＴのバッチ等）に印加される場合，収集されるよう求められるＣＮＴの共鳴振動数に鑑みて振動数が調整される時変電場の印加を通して，特定のＣＮＴを収集することができる。図１ａ〜図１ｃは，この技法をより詳細に説明する。
【０００９】
　図１ａは，製造されたＣＮＴを含む流体流１０３を示す。製造されたＣＮＴは径及びカイラリティのさまざまな組合せを有するものとする。分かりやすくするために，図１ａは，２つのタイプの製造されたＣＮＴのみを示す。すなわち，１）第１のカイラリティ及び径の組合せを有する第１のグループ１０５，１０７，１１０，１１１，１１２，１１４，１１７，１１９，及び２）第２のカイラリティ及び径の組合せを有する第２のグループ１０６，１０８，１０９，１１３，１１５，１１６，１１８，１２０である。ＣＮＴ１０５〜１２０のすべてが，流体流１０３１の一部として装置に入る。第２の流体流１０４が流体流１０３と並んで流れる。
【００１０】
　一般的な概念は，上で定義した第１のグループに関連するＣＮＴ等の特定のタイプのＣＮＴは，流体流１０３から抽出され流体流１０４に導入される，ということである。このため，第１のタイプのＣＮＴは，流体流１０４２の一部として装置から流出し，第２のタイプのＣＮＴは流体流１０３２の一部として装置から流出する。
【００１１】
　抽出プロセスは，レーザビームの電場成分を使用して時変電場を印加する。レーザビームスポット１０１が，流体流１０３に当たっているものとして描かれている。レーザビームは，さらにおよそ流体流１０３の断面の中心内においてｘ軸に沿ってソースイメージ１０２に焦点が合せられ，そのためそこに収束する（より詳細に後述する図２は，このように集束されるレーザビームの３次元斜視図を提供する）。
【００１２】
　流体流の中心の集光点１０２により，レーザビームによって照明される任意の領域の電場強度は，集光点１０２に向かう方向に増大する。したがって，ＣＮＴの第１のグループの共鳴振動数を下回るがＣＮＴの第２のグループの共鳴振動数を上回るレーザビーム振動数を選択することにより，第１のグループからのＣＮＴは集光点１０２に向かって吸引され，第２のグループからのＣＮＴは集光点１０２から反発される。
【００１３】
　図１ａによって表される時点では，流体流１０３から流体流１０４までレーザビームを掃引することにより，ＣＮＴ１０５及び１０７は，それらの集光点１０２への吸引の結果として流体流１０４に引き込まれ，ＣＮＴ１０６は，その集光点１０２からの反発の結果として流体流１０３に残る。レーザビームの掃引の後の状態を図１ｂに示す。
【００１４】
　図１ｂの状態から，ＣＮＴ１０５及び１０７は流出流１０４２の一部として流出し，ＣＮＴ１０６は流出流１０３２の一部として流出することが明らかである。図１ｃは，流れ１０３からＣＮＴ１１０，１１１及び１１２を取り込み，それらを流れ１０４に導入するように，レーザビームが流れ１０３から流れ１０４に再び掃引される場合の状況を示す。また，この掃引の動きを繰り返すことにより，第１のグループのＣＮＴは流出流１０４２の一部として流出し，第２のグループのＣＮＴは流出流１０３２の一部として流出することも明らかである。このように，ＣＮＴの選別が達成される。」
７　引用文献７について
（１）引用文献７の記載
　補正却下の決定で引用された特開２００９−１３０３５２号公報（以下，引用文献７という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，太陽電池に関するもので，より詳細にはナノワイヤ構造のエネルギー吸収層を有する太陽電池に関するものである。」
「【発明の効果】
【００２１】
　
本発明によれば，ナノワイヤ構造のエネルギー吸収層によって高い光電変換効率を実現する太陽電池を提供することができる。
【００２２】
　さらに，本発明によると，太陽スペクトラムの略全範囲に該当する光を吸収することができ，エピタキシャル成長工程を代替することができるため，結晶欠陥のようなエピタキシャル層の不利益な問題を解決することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
　以下，添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。なお，本発明の実施形態は様々な他の形態に変更されることができ，本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また，本発明の実施形態は，当業界において平均の知識を有する者に対して本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って，図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることができ，図面上に同一の符号で表示される要素は同一の要素を表す。
【００２４】
　
図２は，本発明の一実施形態による太陽電池を表す断面図である。図２を参照すると，本実施形態による太陽電池２０は，基板２１，エネルギー吸収層２２，透明電極層２３，ｎ型電極２４ａ及びｐ型電極２４ｂを含む。
【００２５】
　太陽光を受け，起電力を発生させるように提供されるエネルギー吸収層２２は複数のナノワイヤ構造体２２ａ，２２ｂを有することを特徴とする。
【００２６】
　
ナノワイヤ構造体２２ａ，２２ｂは，ｎ型半導体２２ａとｐ型半導体２２ｂの接合構造で，図４において説明するようにナノサイズの棒の形状を有する。
　「【００５２】
　図６ａ及び図６ｂは，図４に図示されたナノワイヤ構造体を製造する方法を説明するための概略的な工程の断面図である。
【００５３】
　先ず，図６ａのように，基板６１上にナノ大の触媒金属パターン６２を形成する。ここで，触媒金属パターン６２はニッケル，クロムのような転移金属からなり，基板６１の上面に塗布した後に加熱してナノ大で凝集させることにより得ることができる。
【００５４】
　次いで，図６ｂのように，蒸着工程を通じ触媒金属パターン６２上に半導体物質からなるナノワイヤ構造体を成長させる。触媒金属パターン６２上に形成される半導体は，触媒金属パターン６２のサイズと定義される直径を有するナノワイヤ６３，６４として成長することができる。この場合，ｐｎ接合構造を形成するために，ｎ型半導体６３とｐ型半導体６４のドーピング条件は異なるべきである。
【００５５】
　但し，上記のように触媒を使用する工程の他にもナノワイヤを形成することができる他の公知の工程，例えば，両極酸化アルミニウム（ＡＡＯ）をテンプレートとして使用する方法等によりナノワイヤを形成することもできる。」
８　引用文献８について
（１）引用文献８の記載
　補正却下の決定で引用された特開２００６−２６１６６６号公報（以下，引用文献８という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，総括的には光起電素子に関し，具体的には，ナノ構造材料を含む光起電素子に関する。
　「【００５４】
　幾つかの実施形態は，図１に示すように，薄いＳｉ基板上にドープＳｉナノロッドアレイを作ることを含む。
図１を参照すると，ステップＡにおいて，ｎ−型ナノロッドセグメント（上部セグメント１０１ｂ）及びｐ−型ナノロッドセグメント（下部セグメント１０１ａ）を含むシリコンナノロッド１０１は，ドープＳｉ基板１０３上に作られる。ステップＢにおいて，誘電体材料１０４が，ナノロッド間の空間内に堆積される。ステップＣにおいて，上部接点１０５が，付加される。幾つかの実施形態では，ホモエピタキシャル関係により，ナノロッドは，面外に垂直に整列する。
　「【００６３】
　図９に示すプロセスは，対応するＴＣＯ層及び絶縁層を堆積させるのに使用することでき，ナノワイヤ９０１は，金属触媒９０３を使用して基板上に成長する。ＴＣＯ９０４は，ナノワイヤ９０１間に堆積される。図９を参照すると，ナノワイヤの第１（ｎ−型又はｐ−型）の部分の主要部分の成長（ステップＡ）が終了した後に，温度を低下させて成長金属溶液を凝固させ，第１のＴＣＯ層を堆積させる（ステップＢ）。ＴＣＯ層はまた，凝固金属上にも堆積することになるが，この層は，下にある金属のその後の加熱及び溶融ステップの間に割れて消失することになる。同一型（ｎ又はｐ）のナノワイヤの成長が継続され（ステップＣ），次に反対型に変更されることになる。その後，上述と同様な方法で絶縁層を堆積させることとなる。最後に，残りのナノワイヤの成長が終了した後に，第２のＴＣＯを堆積させることになる。
【００６４】
　ナノワイヤが曲がる可能性を低下させるために，幾つかの実施形態では，基板１００１を背面接点１００２と接触した状態にする図１０に示すナノワイヤ電池のように，電場内成長が使用される。基板１００１上には，反射ピラミッド１００３，結晶質シリコンナノロッド（ｐ又はｎ）１００４及び該シリコンナノロッド１００４上のアモルファスシリコン皮膜（ｎ又はｐ）がある。ＴＣＯ材料１００６は，ナノロッド間に存在し，前面接点１００７は，素子の頂部に配置される。前面及び背面接点１００７及び１００２は，外部回路１００８への起電素子の接続を可能にする。」
　「【００７０】
　低コストでありかつ高い処理能力の材料に基づいた１８％までのこの小幅なエネルギー変換効率の増大によるだけで，太陽発電による電気は，従来型の電力網電気に対抗できる。
従って，幾つかの実施形態では，電磁（ＥＭ）スペクトルの付加的部分を捕捉するのを助けるために，ＰＶ素子上に蛍光体を堆積させることができる。図２４は，そのような配置を示し，蛍光体層２４０１が，図１に示す素子の上に設置される。
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明の「電極対」と，本願発明１の「２つの対向電極」とは，「２つの電極」である点で共通である。
　イ　引用発明の「ナノワイヤが懸濁された懸濁液」は，「ナノワイヤを含む液体」の一種であるから，引用発明の「ナノワイヤが懸濁された懸濁液」は，本願発明１の「ナノワイヤを含む液体」に相当する。
　ウ　引用発明の「ナノワイヤが懸濁された懸濁液を基板上に堆積」するためには，何からの機構を有するものであり，上記イを考慮すれば，引用発明は，本願発明１の「ナノワイヤを含む液体を堆積する機構」を有しているといえる。
　エ　引用発明の「電極対に電圧が与えられ」ることは，電極対間に電界を生じさせるものであり，上記アを考慮すれば，引用発明の「電極対に電圧が与えられ」ることは，本願発明１の「２つの」「電極間に生じる電界の印加」を行うことに相当する。
　オ　引用発明の「配列」は，本願発明１の「整列」に相当する。
　カ　引用発明の「電極対はナノワイヤを分極させる電場を生成し，結果的に正味双極子モーメントが生じ」ることと，本願発明１の「電界の印加により」，「ｎ側からｐ側に向かう電気双極子を誘起し」ていることとは，「電界の印加により」，「ｎ側からｐ側に向かう電気双極子を誘起し」ている点で共通である。
　キ　引用発明の「ナノワイヤは，乾燥される」ことと，本願発明１の「前記ナノワイヤは，前記液体の乾燥中，または，前記液体の蒸発中，若しくは，前記液体の凝固中に整列される」こととは，「ナノワイヤは，乾燥される」点で共通である。
　ク　すると，本願発明１と引用発明とは，下記ケの点で一致し，下記コの点で相違する。
　ケ　一致点
「２つの電極とナノワイヤを含む液体を堆積する機構とを備え，
　堆積の機構は，ナノワイヤを含む液体を基板上に堆積し，
　２つの電極間に生じる電界の印加により，基板上にナノワイヤを，電界に対して平行に整列させ，
　ナノワイヤは，一端がｎ型ドープされていると共に他端がｐ型ドープされており，電界の印加により，ｎ側からｐ側に向かう電気双極子を誘起し，
　ナノワイヤは，乾燥される，装置。」
　コ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では，「２つの電極」が「２つの対向電極」であり，「前記２つの対向電極間に生じる電界の印加により，前記基板上に前記ナノワイヤを，前記基板の表面の法線方向である基板に垂直な方向に整列させ」るのに対し，引用発明では，そのようになっていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１では，「前記ナノワイヤはｐｎ接合を構成」するのに対し，引用発明では，ナノワイヤがｐｎ接合を構成しているか不明な点。
（ウ）相違点３
　本願発明１では，「前記ナノワイヤは，前記液体の乾燥中，または，前記液体の蒸発中，若しくは，前記液体の凝固中に整列される」のに対し，引用発明では，基板上にナノワイヤを，電界に対して平行に整列された後に，乾燥させる点。
（２）相違点についての判断
　ア　相違点１について検討する。
（ア）相違点１に係る構成である「前記ナノワイヤを，前記基板の表面の法線方向である基板に垂直な方向に整列させ」ることについて，引用文献７（段落００２４，００２６，図２，４），引用文献８（段落００５４，００７０，図１，２４）には，基板に対して垂直な方向に配列したナノ構造体，及び，それを用いたデバイスが記載されている。
（イ）ここで，引用発明のナノワイヤに，引用文献７，８に記載された基板に対して垂直な方向に配列したナノ構造体を採用することを検討する。
（ウ）引用発明において，ナノワイヤは，ＡＣ電場に平行に配列することで，ナノワイヤを電極に引き付ける誘電泳動力とそれに対立する電気浸透力を均衡させて，ナノワイヤを所定の位置に保持され，電極対に関連付けられるものである。（第５の１（１）ウ［000108］）
（エ）よって，引用発明において，ナノワイヤの方向を基板の法線方向に整列させるには，単に電界を基板の法線方向に印加するだけでなく，ＡＣ電場，電界強度に関する誘電泳動，電極と液体間の電荷に関係する電気浸透を調整し電極対に関連付けることと，ナノワイヤを含む液体を介して基板の法線方向に対向する電極対を有する電極構成とを同時に可能にしうる装置を実現することになるが，当該事項は当業者が容易に想到しえることは認められない。
（オ）よって，引用文献７，８に記載された基板に対して垂直な方向に配列したナノ構造体を参考にして，引用発明のナノワイヤを，基板の表面の法線方向である基板に垂直な方向に整列させることには，阻害要因があるというべきである。
（カ）なお，引用文献２（第５の２（１）イ【００２３】）には，離間させて配置された電界印加電極とカソード電極との間に，所定強度（例えば約１ｋＶ／ｍｍ）の電界を印加して，静電誘導で分極し，カーボンナノチューブの端部が，カソード電極に対して垂直方向に配向する力を与えることが記載されており，引用文献２には，基板に対して法線方向に対向する電極に電界を印加してのナノ構造体を整列させる技術が記載されていると認められる。
（キ）ここで，電界を印加して整列させる際の印加する電界のナノワイヤに対する作用は，引用発明では，交流電界による誘電泳動力，電気浸透力であり，引用文献２では，直流電界による静電誘導であり，両者は作用が大きく異なっているから，引用文献２の電界を基板に対して法線方向に印加することを，引用発明に採用することの動機付けがない。
（ク）そして，本願発明１は，相違点１に係る構成を備えることによって，「ナノワイヤが配置される基板とは独立して明確に規定され制御された向きを有する」（本願明細書段落【００２３】）という効果を奏すると認められる。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，他の相違点について検討するまでもなく，引用文献１ないし８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，前記１と同様の理由により，引用文献１ないし８に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第７　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　前記「第６　対比及び判断」の相違点１について，引用文献１ないし６には記載も示唆もされていないから，本願発明１ないし５は，引用文献１ないし６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　まとめ
　したがって，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　
第８　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。