(57)【要約】本発明の液晶装置１は、第１導電層２０と、前記第１導電層２０に対して絶縁層を介して形成された第２導電層２１とを含み、前記第１導電層２０と前記第２導電層２１とが交差する交差部４０を含み、前記交差部４０において、前記第１導電層２０と前記第２導電層２１の少なくとも一方に形成されたスリット部２１０ａと、当該スリット部２１０ａとは所定間隔を隔てて形成された切り欠き部２１０ｂとを含むことを特徴とする。
2008050501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、前記第１導電層に対して絶縁層を介して形成された第２導電層と、を含む表示装置であって、
前記第１導電層と前記第２導電層とが重畳する重畳部を含み、
前記重畳部において、前記第１導電層と前記第２導電層の少なくとも一方に形成されたスリット部と、当該スリット部とは所定間隔を隔てて形成された切り欠き部とを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記スリット部が複数並列して形成されており、各スリット部に対して前記切り欠き部が形成されてなることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の表示装置。
【請求項３】
前記切り欠き部は、前記スリット部の延長線上に形成されてなることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の表示装置。
【請求項４】
前記切り欠き部が、前記スリット部の長手方向に沿って複数形成されてなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記切り欠き部が、碁盤目状に点在してなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記切り欠き部は、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に形成されてなることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
第１導電層と、前記第１導電層に対して絶縁層を介して形成された第２導電層と、を含む表示装置の製造方法であって、
前記第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
前記第１導電層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記第１導電層と重畳する重畳部を含む形で第２導電層を形成する第２導電層形成工程と、
前記各導電層が重畳する位置において不良があった場合に、当該不良を修正する修正工程と、を含み、
前記第１導電層形成工程と前記第２導電層形成工程の少なくとも一方の工程は、当該第１導電層と当該第２導電層の少なくとも一方において、各導電層が重畳する箇所にスリット部を形成するスリット部形成工程と、当該スリット部とは所定間隔を隔てて配設される切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程と、を含み、
前記修正工程は、前記スリット部と前記切り欠き部とを繋ぐ導電層にレーザ光を照射して、前記不良箇所を切除する工程を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記スリット部形成工程において、当該スリット部を複数並列して形成するとともに、
前記切り欠き部形成工程において、前記複数のスリット部に対してそれぞれ切り欠き部を形成することを特徴とする請求の範囲第７項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記切り欠き部形成工程において、前記スリット部の長手方向に沿って切り欠き部を複数形成することを特徴とする請求の範囲第７項又は第８項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記切り欠き部形成工程において、当該切り欠き部を碁盤目状に点在させて形成することを特徴とする請求の範囲第７項ないし第９項のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記切り欠き部形成工程において、当該切り欠き部を一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に形成することを特徴とする請求の範囲第７項ないし第１０項のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画素電極が透明基板上にマトリクス状に配置され、その画素電極毎に電圧を印加することにより画像を形成する液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置等の表示装置が知られている。これらの表示装置の駆動方式として、アクティブマトリクス駆動方式が公知であり、アクティブマトリクス駆動方式の表示装置では、ゲートバスライン（走査配線）とソースバスライン（信号配線）とが透明基板上に格子状に設けられ、ゲートバスラインとソースバスラインとの交差部近傍にＴＦＴ等のスイッチング素子が設けられている。【０００３】
例えばＴＦＴには、ゲートバスラインから分岐されたゲート電極と、ソースバスラインから分岐されたソース電極と、画素電極と接続しているドレイン電極とが設けられている。また、画素電極を含む透明基板に対向する位置には、対向電極を含む透明基板が備えられている。そして、それぞれの画素は、ゲートバスラインから選択信号を受けたときに、ソースバスラインから受けた信号によって画素電極と対向電極との間に電圧が印加されることにより駆動される。【０００４】
このような表示装置において、例えばソースバスラインとゲートバスライン等のように互いに交差する配線同士においてリークが生じた場合、例えば当該ソースバスラインにおいて短絡が生じた部分より先には信号が正しく伝わらないので、正しく表示されない線状の領域（線欠陥）が生じることとなる。そこで、このような配線同士の交差箇所において不良発生を修正する方法として、例えば特許文献１及び２に記載したような技術が知られている。
【特許文献１】特開昭６３−２２１３２５号公報
【特許文献２】特開２００４−３４７８９１公報
【発明の開示】
【０００５】
（発明が解決しようとする課題）
特許文献１には、配線の重畳部分に１本のスリットを入れ、そのスリットの両端からレーザ照射により切断することで短絡部分を孤立させる技術が開示されている。また、特許文献２には、配線の重畳部分に多数本のスリットを並列設置し、そのスリット形成部において配線を切断する技術が開示されている。
【０００６】
このように、リークが発生した場合にスリット部分のみをレーザ照射により切り離す方法においては、例えばリーク発生箇所にスリット幅以上の大きさの膜残りや異物があった場合は、スリットを利用してリーク発生箇所を切り離すことができない。このような場合、スリット形成箇所を越えて導電膜上をレーザで切断する必要があるが、レーザカットによる切断方向は９０°にしか方向転換できず、或いは９０°に方向転換させることが操作の簡便性から好ましい。したがって、切断する対象が導電膜であることから、切断によってもリークが完全に修正できるとは限らず、また特にコーナー部（レーザの走査方向転換位置）において修正不良が発生する場合がある。そこで、このような問題の対策として、スリット長を長くすることが考えられるが、あまりに長くすると配線抵抗が高くなってしまい、表示性能を低下させてしまう場合がある。
【０００７】
本発明は、上記のような事情に基づいてなされたものであって、抵抗の上昇を伴わず、導電層（配線）のリーク発生箇所等を好適に修正可能な表示装置を提供することを目的とし、さらにこのような表示装置の製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するために、本発明の表示装置は、第１導電層と、前記第１導電層に対して絶縁層を介して形成された第２導電層と、を含む表示装置であって、前記第１導電層と前記第２導電層とが重畳する重畳部を含み、前記重畳部において、前記第１導電層と前記第２導電層の少なくとも一方に形成されたスリット部と、当該スリット部とは所定間隔を隔てて形成された切り欠き部とを含むことを特徴とする。
【０００９】
このような表示装置によると、第１導電層と第２導電層の重畳部においてリーク等の不良が生じた場合にも、スリット部と、そのスリット部とは所定間隔を隔てて形成された切り欠き部とが貫通するように、スリット部と切り欠き部とを繋ぐ導電層を切除すれば、当該不良箇所を切り離すことが可能となり、信頼性の高い導電機能を具備させることが可能となり、ひいては表示品質の高い表示装置を提供することが可能となる。また、スリット部とは所定間隔を隔てて切り欠き部を設け、不良箇所を切断可能な構成としたため、比較的大きな面積に亘る不良箇所を修正可能であるとともに、単にスリット部の長さを延長させて修正可能な面積の拡大を図る場合に比べて、導電層の抵抗値増大を抑えることができ、表示性能の低下が伴い難い構成となっている。なお、本発明において重畳部とは、各導電層が重畳する周辺も含むもので、具体的には異物混入により重畳する導電層にリークが生じ得る範囲を含むものである。また、重畳部の具体例としては特に各導電層が交差する交差部を例示することができる。
【００１０】
本発明において、前記スリット部が複数並列して形成されており、各スリット部に対して前記切り欠き部が形成されてなるものとすることができる。このような構成によると、例えば不良箇所が比較的大きな場合にも修正可能で、例えば複数のスリットに跨って不良が生じた場合、当該複数のスリットを繋ぐ各導電層を切除すれば良く、またスリット部に対して所定間隔を隔てて切り欠き部が形成されているため、そのような大きな面積に跨る不良に対して対応可能となる。また、スリット部の並列構成、及び並列した各スリット部に対する切り欠き部の設置により、スリット部の長さ方向と、当該長さ方向に交わる方向（スリット部の並列方向）とのいずれかに切断方向を定めることができ、当該切断操作が簡便となる。
【００１１】
また、例えばスリット部の延長線上に切り欠き部を配置すれば、レーザ光照射による切断を行う際に、９０°に交わる縦横のいずれかの方向にレーザ光を走査すれば良いため、当該レーザ光の走査が簡便となり、ひいては照射精度を高めることが可能となる。具体的には、スリット部の長さ方向に対しては、当該スリット部と切り欠き部を繋ぐ導電層を切断することができ、スリット部の並列方向に対しては、並列したスリット部同士を繋ぐ導電層若しくは並列した切り欠き部同士を繋ぐ導電層を切断することができる。
【００１２】
本発明において、前記切り欠き部が、前記スリット部の長手方向に沿って複数形成されてなるものとすることができる。このような構成によると、導電層の抵抗増大を抑えつつ、修復可能な面積の拡大を一層図ることが可能となる。
【００１３】
また、前記切り欠き部が、碁盤目状に点在してなるものとすることができる。このような構成によると、切り欠き部同士を繋ぐ導電層を切断する際、９０°方向転換の縦横いずれかに切断方向を定めることが可能となり、上述の通り、切断操作が簡便なものとなる。特に、レーザ光照射により切断を行う場合、碁盤目状の切り欠き部のいずれかにおいて当該レーザ光の走査方向を９０°に方向転換させることができるため（つまり導電層の存在しない箇所で転換可能なため）、転換部分（走査方向転換位置）において修正不良が発生する問題も解消することができる。
【００１４】
また、前記切り欠き部は、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に形成されてなるものとすることができる。このような切り欠き部によると、レーザ光照射による切断精度を高めることが可能となる。つまり、レーザ光の光幅は数μｍであるため、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に切り欠き部を形成することで、無駄を省いた切断を実現できるのである。切り欠き部の一辺が６．０μｍ未満の場合、導電層の存在部分でレーザ光の走査方向を方向転換させる必要が生じる場合があり、１０．０μｍを超えると、導電層の抵抗値が必要以上に高くなる場合がある。
【００１５】
次に、上記課題を解決するために、本発明の表示装置の製造方法は、第１導電層と、前記第１導電層に対して絶縁層を介して形成された第２導電層と、を含む表示装置の製造方法であって、前記第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、前記第１導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記第１導電層と重畳する重畳部を含む形で第２導電層を形成する第２導電層形成工程と、前記各導電層が重畳する位置において不良があった場合に、当該不良を修正する修正工程と、を含み、前記第１導電層形成工程と前記第２導電層形成工程の少なくとも一方の工程は、当該第１導電層と当該第２導電層の少なくとも一方において、各導電層が重畳する箇所にスリット部を形成するスリット部形成工程と、当該スリット部とは所定間隔を隔てて配設される切り欠き部を形成する切り欠き部形成工程と、を含み、前記修正工程は、前記スリット部と前記切り欠き部とを繋ぐ導電層にレーザ光を照射して、前記不良箇所を切除する工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
このような製造方法によると、好適に不良箇所を修正できるため、信頼性の高い導電機能を具備させることが可能となり、ひいては表示品質の高い表示装置を提供することが可能となる。特に、切り欠き部を設けて不良箇所を切断するものとしたため、比較的大きな面積に亘る不良箇所を修正可能であるとともに、単にスリット部の長さを延長させて修正可能な面積の拡大を図る場合に比べて、導電層の抵抗値増大を抑えることができ、表示性能の低下が伴い難いものとなっている。
【００１７】
なお、前記スリット部形成工程において、当該スリット部を複数並列して形成するとともに、前記切り欠き部形成工程において、前記複数のスリット部に対してそれぞれ切り欠き部を形成するものとすることができる。この場合、例えば不良箇所が比較的大きな場合にも修正可能で、例えば複数のスリットに跨って不良が生じた場合、当該複数のスリットを繋ぐ各導電層を切除すれば良く、またスリット部に対して所定間隔を隔てて切り欠き部が形成されているため、そのような大きな面積に跨る不良に対して対応可能となる。また、スリット部の並列構成、及び並列した各スリット部に対する切り欠き部の設置により、スリット部の長さ方向と、当該長さ方向に交わる方向（スリット部の並列方向）とのいずれかに切断方向を定めることができ、当該切断操作が簡便となる。つまり、レーザ光照射による切断を行う際に、９０°に交わる縦横のいずれかの方向にレーザ光を走査すれば良いため、レーザ光の走査が簡便となり、ひいては照射精度を高めることが可能となる。具体的には、スリット部の長さ方向に対しては、当該スリット部と切り欠き部を繋ぐ導電層を切断することができ、スリット部の並列方向に対しては、並列したスリット部同士を繋ぐ導電層若しくは並列した切り欠き部同士を繋ぐ導電層を切断することができる。
【００１８】
前記切り欠き部形成工程において、前記スリット部の長手方向に沿って切り欠き部を複数形成するものとすることができる。この場合、導電層の抵抗増大を抑えつつ、修復可能な面積の拡大を一層図ることが可能となる。
【００１９】
また、前記切り欠き部形成工程において、当該切り欠き部を碁盤目状に点在させて形成するものとすることができる。この場合、切り欠き部同士を繋ぐ導電層を切断する際、９０°方向転換の縦横いずれかに切断方向を定めることが可能となり、上述の通り、切断操作が簡便なものとなる。具体的には、碁盤目状の切り欠き部のいずれかにおいてレーザ光の走査方向を９０°方向転換させることができるため（つまり導電層の存在しない箇所で転換可能なため）、転換部分（走査方向転換位置）において修正不良が発生する問題も解消することができる。
【００２０】
また、前記切り欠き部形成工程において、当該切り欠き部を一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に形成するものとすることができる。この場合、切断精度を高めることが可能となる。つまり、レーザ光の光幅は数μｍであるため、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に切り欠き部を形成することで、無駄を省いた切断を実現できるのである。切り欠き部の一辺が６．０μｍ未満の場合、導電層の存在部分でレーザ光の走査方向を転換させる必要が生じる場合があり、１０．０μｍを超えると、導電層の抵抗値が必要以上に高くなる場合がある。
【００２１】
（発明の効果）
本発明によると、配線抵抗の上昇を伴わず、導電層（配線）のリーク発生箇所等を好適に修正可能な表示装置を提供することが可能となる。
また、同じく抵抗の上昇を伴わず、導電層（配線）のリーク発生箇所等を好適に修正可能な工程を含む表示装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る液晶表示装置についてドライバ回路及び配線構成を模式的に示す平面図。
【図２】図１の部分拡大平面模式図。
【図３】図２の部分拡大平面模式図。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面模式図。
【図５】図３のＢ−Ｂ線断面模式図。
【図６】本実施形態の液晶表示装置が奏する作用効果を示す説明図。
【図７】画素の構成を示す平面模式図。
【図８】本実施形態に係る液晶表示装置の断面構成を模式的に示す図。
【図９】切り欠き部の一変形例を模式的に示す図。
【図１０】切り欠き部の異なる変形例を模式的に示す図。
【図１１】切り欠き部の異なる変形例を模式的に示す図。
【図１２】切り欠き部の異なる変形例を模式的に示す図。
【図１３】切り欠き部の異なる変形例を模式的に示す図。
【符号の説明】
【００２３】
１…液晶表示装置（液晶装置）、２…基板（素子基板）、３…基板（対向基板）、２０…蓄積容量線（第１導電層）、２１…引廻配線（第２導電層）、２４…ゲート絶縁膜（絶縁層）、４０…交差部（重畳部）、２１０ａ…スリット部、２１０ｂ…切り欠き部
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の表示装置を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。ここでは、表示装置の一実施形態として液晶表示装置について説明する。
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置について、ドライバ回路及び配線構成を模式的に示す平面図、図８は、当該液晶表示装置の断面構成を模式的に示す図である。また、図７は画素の構成を示す平面模式図である。【００２５】
本実施形態の液晶表示装置１は、一対の基板２，３間に液晶層４を挟持してなるものであり、矩形状に形成されたシール剤７の内側領域に液晶層４が充填されている。
基板２は素子基板であって、スイッチング素子としてＴＦＴ１６（図７参照）を含み、当該ＴＦＴ１６に接続された画素電極１７をマトリクス状に備えている。
一方、基板３は対向基板であって、基板面にベタ状に配設された共通電極６を備えている。【００２６】
また、素子基板２には、ソースドライバ８から各画素に対して画像信号を供給する複数のデータ線１８と、ゲートドライバ９から各画素のＴＦＴ１６に対して走査信号を供給する複数の走査線１９と、ソースドライバ８から各画素に対して容量を形成するための電気信号を供給する蓄積容量線２０と、が形成されている。なお、蓄積容量線２０はソースドライバ８に接続された引廻配線２１とコンタクトホール（後述）を介して接続されている。【００２７】
さらに、図７に示したように、画素部は液晶層４（液晶素子）と蓄積容量が並列に接続された構成を有している。ＴＦＴ１６がＯＮとなると、画像信号（駆動電圧）が画素部へ書き込まれる一方、当該画素部には蓄積容量線２０が配設されているため、ＴＦＴ１６がＯＦＦとなった後にも蓄積容量によりこの電圧が保持される。なお、蓄積容量は、上記蓄積容量線２０と画素電極１７との間に配設されるゲート絶縁膜（後述）により形成される。【００２８】
次に、図２は図１の破線部分を拡大した平面模式図で、図３は図２の部分拡大平面図、図４は図３のＡ−Ａ線断面図、図５は図３のＢ−Ｂ線断面図である。
ソースドライバ８（図１参照）からの電気信号を蓄積容量線（第１導電層）２０に供給可能な引廻配線（第２導電層）２１は、蓄積容量線２０に対してコンタクトホール２２を介して接続されている。引廻配線２１は、データ線１８と同一工程で形成された配線層（導電層）で、データ線１８と同一層且つ同一材料により構成される一方、蓄積容量線２０は、走査線１９と同一工程で形成された配線層で、走査線１９と同一層且つ同一材料により構成され、これら引廻配線２１と蓄積容量線２０とは、ゲート絶縁膜２４を介して積層されている。【００２９】
ここで、これら引廻配線２１と蓄積容量線２０とは、図２ないし図５に示すように互いに交差する関係で配置されており、その交差部（重畳部）４０において短絡等の不良が発生した場合に、当該不良を修正するための不良修正用スリット部２１０ａ，２１１ａ，２１２ａ・・・（以下、総称してスリット部２１０ａ等とも言う）が配設されている。このスリット部２１０ａ等は、引廻配線２１に形成されている。また、同じく交差部４０には、スリット部２１０ａ，２１１ａ，２１２ａ・・・の長手方向に、当該スリット部２１０ａ，２１１ａ，２１２ａ・・・とは所定間隔を隔てて配設された切り欠き部２１０ｂ，２１０ｃ，２１０ｄ，２１０ｅ，２１１ｂ，２１１ｃ，２１１ｄ，２１１ｅ，２１２ｂ，２１２ｃ，２１２ｄ，２１２ｅ・・・（以下、総称して切り欠き部２１０ｂ等とも言う）が形成されている。そして、当該切り欠き部２１０ｂ等も不良を修正するための不良修正用切り欠き部として構成されており、引廻配線２１に形成されている。【００３０】
スリット部２１０ａ等は、複数のスリットが等間隔で並列された構成をなし、その長さが３５．０μｍ〜５０．０μｍ（例えば４０．０μｍ）とされ、その幅が６．０μｍ〜１０．０μｍ（例えば６．０μｍ）とされる一方、隣接するスリットの間隔（スリット間距離、つまりピッチ）が３０．０μｍ〜５０．０μｍ（例えば４５．０μｍ）とされている。【００３１】
切り欠き部２１０ｂ等は、並列配置されたスリット部２１０ａ，２１１ａ，２１２ａ・・・のそれぞれに対してここでは左右対称に形成されており、各スリット部２１０ａ，２１１ａ，２１２ａ・・・の長手方向に沿って複数（本実施形態では左右２つの計４つ）形成されている。その結果、切り欠き部２１０ｂ等は碁盤目状に点在しており、ここでは一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍ（例えば８．０μｍ）の矩形状、さらに具体的には正方形状に構成されている。また、スリット部２１０ａを挟んだ第１番目の切り欠き部２１０ｂと切り欠き部２１０ｄとの距離は６０．０μｍ〜１００．０μｍ（例えば９０．０μｍ）とされており、これら切り欠き部間の距離は上記スリット間距離の整数倍に設定されている。また、隣接する切り欠き部同士の距離（例えば切り欠き部２１０ｅと切り欠き部２１０ｄとの距離）は１５．０μｍ〜２５．０μｍ（例えば２２．５μｍ）とされている。【００３２】
なお、走査線１９及び蓄積容量線２０を構成する導電材料としては、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉからなるものを採用することができ、データ線１８及び引廻配線２１を構成する導電材料としては、例えばＴｉ／Ａｌからなるものを採用することができる。また、蓄積容量線２０と引廻配線２１との間に介在するゲート絶縁膜２４としては、酸化ケイ素の他、酸化ケイ素と半導体材料との積層膜、酸化ケイ素と半導体材料とＳＯＧ（Spin On Glass）との積層膜、或いは酸化ケイ素とＳＯＧ（Spin On Glass）との積層膜等からなるものを採用することができる。また、図４及び図５に示すように、引廻配線２１上には酸化ケイ素等からなるパッシベーション膜２５が形成されている。【００３３】
このような構成の液晶表示装置によると、例えば蓄積容量線２０と引廻配線２１との交差部４０において、図６に示すように異物３０が混入し両配線間にリーク等の不良が生じた場合にも、好適に不良修正を行うことができる。
具体的には、図６に示すようにスリット部２１０ａと切り欠き部２１０ｂとが貫通するように、これらスリット部２１０ａと切り欠き部２１０ｂとを繋ぐ導電層２１ａ（引廻配線２１）をレーザ光照射に基づくレーザカット（レーザ光照射部を符号３２で示す）により切断し、同じく切り欠き部２１０ｂと切り欠き部２１０ｃとを繋ぐ導電層２１ｂ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３２）により、切り欠き部２１０ｃと切り欠き部２１１ｃとを繋ぐ導電層２１ｅ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３３）により、切り欠き部２１１ｃと切り欠き部２１１ｂとを繋ぐ導電層２１ｃ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３４）により、切り欠き部２１１ｂとスリット部２１１ａとを繋ぐ導電層２１ｄ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３４）により切断すれば、当該不良部である異物３０は電気的に孤立し、リーク等に起因する不具合を修正することが可能となる。【００３４】
この場合、スリット部２１０ａ等の延長線上に切り欠き部２１０ｂ等を設けて不良箇所を切断可能な構成としたため、広面積に亘る不良箇所を修正可能であり、比較的大きな異物が混入した場合でも対応可能となる。特に、単にスリット部２１０ａ等の長さを延長させて修正可能な面積の拡大を図る場合に比べて、引廻配線２１の抵抗値増大を抑えることができ、表示性能の低下が伴い難い構成となっている。【００３５】
また、本実施形態では、スリット部２１０ａ等はそれぞれ複数並列して形成され、各スリット部２１０ａ等に対して切り欠き部２１０ｂ等が形成されており、当該切り欠き部２１０ｂ等は碁盤目状に形成されている。このようなスリット部２１０ａ等の並列構成、及び並列した各スリット部２１０ａ等に対する切り欠き部２１０ｂ等の設置により、スリット部２１０ａ等の長さ方向と、当該長さ方向に交わる方向（スリット部２１０ａ等の並列方向）とのいずれかに上記切断方向を定めることができ、当該切断操作が簡便となる。具体的には、上記のようにレーザカットを行う際には、９０°に交わる縦横のいずれかの方向にレーザ光を走査すれば良いため、当該レーザ光の走査が簡便となり、ひいては照射精度を高めることが可能となる。具体的には、スリット部２１０ａ等の長さ方向に対しては、当該スリット部２１０ａ等と切り欠き部２１０ｂ等を繋ぐ引廻配線２１を切断することができ、スリット部２１０ａ等の並列方向に対しては、並列したスリット部２１０ａ等同士を繋ぐ引廻配線２１若しくは並列した切り欠き部２１０ｂ等同士を繋ぐ引廻配線２１を切断することができる。【００３６】
なお、切り欠き部２１０ｂ等は、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に形成されており、この場合、レーザカットの精度を高めることが可能となる。つまり、レーザ光の光幅は数μｍであるため、一辺が６．０μｍ〜１０．０μｍの矩形状に切り欠き部２１０ｂ等を形成することで、無駄を省いた切断を実現できるのである。切り欠き部２１０ｂ等の一辺が６．０μｍ未満の場合、引廻配線２１の存在部分でレーザ光の走査方向を転換させる必要が生じる場合があり、１０．０μｍを超えると、引廻配線２１の抵抗値が必要以上に高くなる場合がある。【００３７】
次に、液晶表示装置の製造方法について説明する。
ここでは、主に修正工程を含む製造工程について説明するものとする。【００３８】
まず、透光性のガラス基板からなる一対の基板２，３を用意する。
その後、基板２に対して走査線１９及び蓄積容量線２０を形成するとともに、これら配線上にゲート絶縁膜２４を形成し、さらに当該ゲート絶縁膜２４上にデータ線１８及び引廻配線２１を形成する。なお、ここで蓄積容量線２０と引廻配線２１とは、図３ないし図５に示すように表示領域の外部において互いに交差するように形成される。【００３９】
なお、引廻配線２１を形成する工程においては、フォトリソグラフィ法を用いたマスクエッチングにより図３ないし図５に示すようなパターンのスリット部２１０ａ等及び切り欠き部２１０ｂ等を形成する。また、基板２には更にＴＦＴ１６を形成するとともに、画素電極１７を形成し、画素電極１７上に配向膜（図示略）を形成する。【００４０】
一方、基板３には必要に応じてカラーフィルタ（図示略）を形成するとともに、共通電極６を形成する。さらに、共通電極６上に配向膜（図示略）を形成する。【００４１】
そして、これら電極等を形成した各基板２，３の少なくともいずれか一方に対してシール剤７を形成し、当該シール剤７の内側に液晶を滴下するとともに、各基板２，３をシール剤７を介して貼り合わせ、更に偏向板等を形成して、図１及び図８に示したような構成の液晶表示装置１を製造する。【００４２】
ここで、本実施形態の製造方法においては、上記蓄積容量線２０と引廻配線２１との交差部４０（図３ないし図５参照）において、図６に示すような異物３０が混入した場合、蓄積容量線２０と引廻配線２１との間に生じ得るリークを修正するために修正工程を行うものとしている。修正工程は、上述したスリット部２１０ａ等及び切り欠き部２１０ｂ等を繋ぐ引廻配線２１をレーザカットすることにより行う。【００４３】
具体的には、図６に示すようにスリット部２１０ａと切り欠き部２１０ｂとが貫通するように、これらスリット部２１０ａと切り欠き部２１０ｂとを繋ぐ導電層２１ａ（引廻配線２１）をレーザ光照射に基づくレーザカット（レーザ光照射部３２）により切断する。また、同じく切り欠き部２１０ｂと切り欠き部２１０ｃとを繋ぐ導電層２１ｂ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３２）により、切り欠き部２１０ｃと切り欠き部２１１ｃとを繋ぐ導電層２１ｅ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３３）により、切り欠き部２１１ｃと切り欠き部２１１ｂとを繋ぐ導電層２１ｃ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３４）により、切り欠き部２１１ｂとスリット部２１１ａとを繋ぐ導電層２１ｄ（引廻配線２１）をレーザカット（レーザ光照射部３４）により切断する。これにより当該不良箇所である異物３０の混入位置は電気的に孤立し、リーク等に起因する不具合を修正することが可能となる。【００４４】
以上のような修正工程を含む本実施形態の製造方法によると、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。つまり、両配線２０，２１の交差部において、スリット部２１０ａ等と切り欠き部２１０ｂ等を形成しているため、比較的大きな異物等が混入した場合にも当該混入箇所において修正を施すことができ、不良発生を広範囲に亘って修正することが可能となる。また、スリット部２１０ａ等を単に延長して修正範囲を拡大するのではなく、スリット部２１０ａ等の延長方向に切り欠き部２１０ｂ等を形成することで、修正範囲の拡大を図るものとしているため、当該引廻配線２１の配線抵抗上昇も生じ難いものとなっている。【００４５】
また、特に本実施形態に係る製造方法のように、レーザカットにより異物箇所を孤立させるような態様においては、矩形状（ここでは正方形）の切り欠き部２１０ｂ等を碁盤目状に配列したことにより、レーザ光照射の走査方向（光源の走査方向）の変換を９０°方向転換で行うことが可能となる。つまり、図６に示したように、碁盤目状の各切り欠き部２１０ｂ等を繋ぐ引廻配線２１を切断する場合、レーザカット部３２，３３，３４のようにレーザ光照射の走査方向を垂直に交わる縦横のいずれかの方向に定めることができる。したがって、当該レーザ光照射の走査方向変換は９０°方向転換により実現でき、しかも当該変換位置を切り欠き部２１０ｂ等の配設位置とすることができ、当該変換位置における切断不良の発生を防止することが可能となる。つまり、引廻配線２１の存在しない位置で方向変換を行うことができるので、配線の切除を伴わない方向変換を実現でき、当該方向変換位置で生じ易い切断不良を回避することが可能となるのである。なお、本実施形態においては、修正工程に先立って異物３０等の存在を検査する検査工程を含むものとしている。【００４６】
以上、本発明の実施形態について示したが、本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態では引廻配線２１にスリット部２１０ａ等及び切り欠き部２１０ｂ等を形成するものとしているが、蓄積容量線２０に形成するものとしても良い。
（２）上記実施形態では引廻配線２１と蓄積容量線２０とが交差する領域において、スリット部２１０ａ等及び切り欠き部２１０ｂ等を配設したが、その他の各種導電層が交差する領域においてこれらスリット部及び切り欠き部を配設するものとしても良い。
（３）上記実施形態では液晶表示装置を例に示したが、例えばＥＬ表示装置、プラズマ表示装置等についても本発明に係る構成を採用するものとしても良い。
（４）上記実施形態では切り欠き部を全て等しいピッチで形成したが、例えば２列目以降のピッチを間引いても良い。具体的には図９に示すように第１スリット部２１０ａに対して第１列の切り欠き部２１０ｂ，２１０ｄ、及び第２列の切り欠き部２１０ｃ，２１０ｅを形成する一方、第２スリット２１１ａに対して第１列の切り欠き部２１１ｂ，２１１ｄを形成し、第２列目の切り欠き部を省略する構成とすることができる。
（５）上記実施形態ではスリット部２１０ａ等に対して左右２列の切り欠き部２１０ｂ等を形成したが、配線抵抗の許容範囲内であれば何列に形成しても良い。例えば図１０に示すように左右４列とすることができる。
（６）上記実施形態では切り欠き部２１０ｂ等を四角形としたが、レーザ光の光幅よりも大きい開口径を備えた切り欠きであれば、例えば図１１に示すように円形の切り欠き部３１０ｂ等であっても良い。【００４７】
（７）また、上記実施形態では、スリット２１０ａの両端に切り欠き部２１０ｂ，２１０ｄ等を形成するものとしたが、例えば図１２に示すように、スリット２１０ａの片側に切り欠き部２１０ｂを形成するものとしても良い。
（８）また、スリット２１０ａの片側に切り欠き部２１０ｂを形成する場合、例えば図１３に示すように、データ線１８と走査線１９とが交差する部分（交差部４０）において、当該スリット２１０ａ及び切り欠き部２１０ｂを形成することができる。この場合、データ線１８と走査線１９との間で異物混入により短絡が生じた場合には、図１３の破線で示した箇所に沿ってレーザ光を照射することで、当該短絡箇所を孤立（絶縁）することが可能となる。なお、図１３において、符号１８ａはソース電極、符号４１はドレイン電極であって、走査線１９からゲート電極（図示略）に走査信号が供給されると、ソース電極１８ａとドレイン電極４１とが導通し、ソース電極１８ａからドレイン電極４１に対してデータ信号が供給され、コンタクト４３を介して画素電極（図示略）にデータ信号が送信される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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