【事件の表示】
　特願２０１４−　８８１３３「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月１６日出願公開、特開２０１４−１９７６８１、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年１０月１日（国内優先権主張　平成２０年１０月３日）を出願日とする特願２００９−２２９４１９号の一部を、平成２６年４月２２日に新たな出願としたものであって、同年４月２３日付で審査請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２７年２月２７日付で拒絶理由通知が通知され、同年４月２日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正がなされ、同年１０月１６日付で拒絶理由通知が通知され、同年１２月１０日付で意見書が提出されたが、平成２８年６月２０日付で拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされたものである。
　これに対して、平成２８年９月２１日付で審判請求がなされ、当審において平成２９年５月１１日付で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月２１日付で意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正（以下、「本手続補正」という。）がなされたものである。
第２　原査定の概要
１　原査定の理由の概要
　原査定の理由の概要は、次のとおりである。
「この出願については、平成２７年１０月１６日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由（進歩性）について
・請求項１，２
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に［００２２］，［００５４］−［００５７］，図４を参照。）には、
　ゲート電極７０と、
　ゲート電極７５を含む配線層３２（Ａ）と、
　前記ゲート電極７０及び前記ゲート電極７５上のゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上であって、前記ゲート電極７０と重なる位置に設けられた半導体層、及び前記ゲート電極７５と重なる位置に設けられた半導体層と、
　前記ゲート電極７０と重なる位置に設けられた半導体層に接続されたドレイン電極７２と、前記ゲート電極７５と重なる位置に設けられた半導体層に接続されたドレイン電極７７と、ドレイン信号線２４とを含む導電層と、
　前記ゲート電極７０と重なる位置に設けられた半導体層に接続されたソース電極７３と、前記ゲート電極７５と重なる位置に設けられた半導体層に接続されたソース電極７８と、を含む導電層と、
を備え、
　前記ゲート電極７０と前記ドレイン信号線２４がＩＴＯ膜を介して接続され、
　前記ゲート電極７５を含む前記配線層３２（Ａ）と、前記ソース電極７８を含む前記導電層がＩＴＯ膜を介して接続している、
半導体装置、
の発明が記載されている。
　本願発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、
　本願発明は、第１，第２の酸化物半導体層を有するのに対して、引用文献１に記載された発明は、アモルファスＳｉにより形成された半導体層（［００３４］参照。）を有する点（以下、「相違点１」という。）、および、
　本願発明は、第３の導電層と第１の導電層とが直接接続し、第４の導電層と第２の導電層とが直接接続するのに対し、引用文献１に記載された発明は、ゲート電極７０とドレイン信号線２４がＩＴＯ膜を介して接続しており、ゲート電極７５を含む配線層３２（Ａ）と、ソース電極７８を含む導電層がＩＴＯ膜を介して接続している点（以下、「相違点２」という。）、
で相違する。
　相違点１について、引用文献２（特に、［０１３８］段落を参照。）には、薄膜トランジスタにおいて、チャネル形成領域を含む半導体として酸化物半導体を用いる技術が記載されている。
　引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の技術は、薄膜半導体を用いた半導体装置で共通するから、引用文献１に記載された発明において、半導体層の材料として、アモルファスＳｉに代えて酸化物半導体を適用することは、引用文献２の記載に基づいて当業者が容易になし得たことである。
　相違点２について、引用文献３（［０２４８］、図２９参照。）、引用文献４（［０２１２］、図２７参照。）、引用文献５（［０１６８］−［０１７０］、図２１参照。）に記載されているように、ボトムゲート−トップコンタクト型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極とソース・ドレイン電極とを直接接続する技術は周知である。
　そして、引用文献１に記載された発明と上記周知技術は、ボトムゲート−トップコンタクト型の薄膜トランジスタで共通し、かつゲート電極とソース・ドレイン電極とを接続する点で共通する。
　そのうえ、引用文献１に記載された発明において、ゲート電極とソース・ドレイン電極とを直接接続しても、製造工程数が増えるなどの阻害要因も見当たらないから、引用文献１に記載された発明において、ゲート電極７０とドレイン信号線２４との接続、及びゲート電極７５を含む配線層３２（Ａ）とソース電極７８を含む導電層との接続を、ＩＴＯ膜を介して行うのに代えて直接接続することは、周知技術に基づいて当業者が適宜なし得たことである。
・請求項３
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に、［００５２］段落を参照。）に記載された発明は、保護回路を形成するものである。
・請求項４
・引用文献１−５
・備考
　引用文献２（特に、［０１４２］段落を参照。）には、インジウムを用いることが記載されている。
・請求項５
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に、［００２２］段落を参照。）に記載された発明は、画素部を有する。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平０９−２８１５２５号公報
２.特開２００７−０９６０５５号公報
３.特開２００６−１２８６５４号公報（周知技術を示す文献）
４.特開２００６−１２８６６５号公報（周知技術を示す文献）
５.特開２００５−３４０８０２号公報（周知技術を示す文献）」
２　原査定の拒絶理由通知の概要
　平成２７年１０月１６日付拒絶理由通知書の概要は、次のとおりである。
「（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１，２
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に、［００２２］，［００５４］−［００５７］段落，図４を参照。）には、
　ゲート電極７０と、
　ゲート電極７５を含む配線層３２（Ａ）と、
　ドレイン電極７２，ドレイン電極７７，ドレイン信号線２４を含む導電層と、
ソース電極７３，ソース電極７８を含む導電層とを有する半導体装置、
の発明が記載されている。
　本願発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、
　本願発明は、第１，第２の酸化物半導体層を有するのに対して、引用文献１に記載された発明は、アモルファスＳｉにより形成された半導体層（［００３４］参照。）を有する点（以下、「相違点１」という。）、および、
　本願発明は、第３の導電層と第１の導電層とが直接接続し、第４の導電層と第２の導電層とが直接接続するのに対し、引用文献１に記載された発明は、ゲート電極７０とドレイン信号線２４がＩＴＯ膜を介して互いに接続しており、配線層３２（Ａ）とソース電極７３もＩＴＯ膜を介して互いに接続している点（以下、「相違点２」という。）、
で相違する。
　相違点１について、引用文献２（特に、［０１３８］段落を参照。）には、酸化物半導体層を有する半導体装置が記載されている。
　引用文献１に記載された発明に、引用文献２に開示された構成を適用することは、当業者にとって容易である。
　相違点２について、引用文献３（［０２４８］、図２９参照。）、引用文献４（［０２１２］、図２７参照。）、引用文献５（図２１参照。）に記載されているように、ソース電極又はドレイン電極を構成する導電層と、ゲート電極を構成する導電層とを、コンタクトホールにおいて直接接続する技術が周知であるから、引用文献１に記載された発明において、ゲート電極７０とドレイン信号線２４とを直接接続し、配線層３２（Ａ）とソース電極７３を直接接続することは、当業者が適宜なし得たことである。
・請求項３
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に、［００５２］段落を参照。）に記載された発明は、保護回路を形成するものである。
・請求項４
・引用文献１−５
・備考
　引用文献２（特に、［０１４２］段落を参照。）には、インジウムを用いることが記載されている。
・請求項５
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（特に、［００２２］段落を参照。）に記載された発明は、画素部を有する。
　　　　　　　　　　＜最後の拒絶理由通知とする理由＞
　この拒絶理由通知は、最初の拒絶理由通知に対する応答時の補正によって通知することが必要になった拒絶理由のみを通知するものである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平０９−２８１５２５号公報
２.特開２００７−０９６０５５号公報
３.特開２００６−１２８６５４号公報（新たに引用された文献、周知技術を示す文献）
４.特開２００６−１２８６６５号公報（新たに引用された文献、周知技術を示す文献）
５.特開２００５−３４０８０２号公報（新たに引用された文献、周知技術を示す文献）」　
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記　
＜引用文献等一覧＞　
引用例１：特開平９−２３０３８３号公報
引用例２：特開２００７−９６０５５号公報
請求項１
引用例：１，２
備考
　引用例１図３および図４に記載された発明の「保護用薄膜トランジスタ１１ａ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ｂ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇ」，「ゲート絶縁膜２１」，「コンタクト用メタル層５５（ソース側コンタクト用メタル層２６，ドレイン側コンタクト用メタル層２７）」ないし「上側コンタクト部５６（保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ，保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ）」，「保護リング１０」，「ゲートライン７」および「保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇ」は、それぞれ請求項１に記載された発明の「第１のトランジスタ」，「第２のトランジスタ」，「第１のゲート電極」，「第２のゲート電極」，「ゲート絶縁層」，「第１の導電層」，「第２の導電層」，「第３の導電層」および「第４の導電層」に相当する。
　また、引用例１【０００９】【００２０】および図４の記載から、引用例１に記載された発明も、第３の導電層と第１の導電層は直接接続されており、また、第４の導電層と第２の導電層は直接接続されていると認められる。
　そうすると、引用例１に記載された発明と、請求項１に記載された発明は、以下の点で相違し、その余の点で一致する。
［相違点］
　本願発明は、「第１の酸化物半導体層」と「第２の酸化物半導体層」を有し、それぞれの酸化物半導体層が、「第１のトランジスタのチャネル形成領域」および「第２のトランジスタのチャネル形成領域」を有しているのに対して、引用例１に記載された発明は、酸化物半導体層を有しておらず、チャネル形成領域として、アモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２にチャネル領域２２ａを有している点。
　
以下［相違点］について検討する。
　引用例２【０００８】に記載されているように、「酸化物半導体のような化合物半導体は、他のシリコンや有機半導体材料などの半導体材料と比較して、材料が安価であり作製工程も複雑化しないため、低コストで半導体装置が作成することができる」ことは公知の事項であり、低コスト等を目的として、引用例１記載の発明のアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２を酸化物半導体で構成するようにすることは、当業者が容易に想到した事項である。
請求項２
引用例：１，２
備考
　引用例１に記載された発明の「コンタクト用メタル層５５（ソース側コンタクト用メタル層２６，ドレイン側コンタクト用メタル層２７）」ないし「上側コンタクト部５６（保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ，保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ）」、および「保護リング１０」の、「第３の領域」および「第６の領域」に対応する部分は同じ方向にのびていると認められる。
請求項３
引用例：１，２
備考
　引用例１に記載された発明は、「保護用薄膜トランジスタ１１ａ」および「保護用薄膜トランジスタ１１ｂ」を備えているから、保護回路に設けられた半導体装置であると認められる。
請求項４
引用例：１，２
備考
　引用例２【０００６】に「インジウム酸化物（Ｉｎ2Ｏ3）」と記載されているように、引用例１に記載された発明の半導体層として酸化物半導体を採用した際に、インジウムを有する酸化物半導体層とするとこは、当業者が適宜為し得る事項である。
請求項５
引用例：１，２
備考
　引用例１【０００４】に「画素用薄膜トランジスタ６」および「画素電極５」と記載されているように、引用例１に記載された発明は、請求項５に記載された発明の「第３のトランジスタ」および「画素電極」と同様の構成を有していると認められる。
第４　本願発明
　本願請求項１−５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明５」という。）は、本手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
　前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層とを有し、
　前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層とを有し、
　前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第１の酸化物半導体層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第２の酸化物半導体層と、
　前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第１の導電層と、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
　前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層と、
　前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
　前記第２の導電層は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、を有し、
　前記第１の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第２の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第４の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第５の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第３の領域は第１の方向にのびており、
　前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびており、
　前記第６の領域は第２の方向にのびており、
　前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびており、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであり、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つであることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
　前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層とを有し、
　前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層とを有し、
　前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第１の酸化物半導体層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第２の酸化物半導体層と、
　前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第１の導電層と、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
　前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層と、
　前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
　前記第２の導電層は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、を有し、
　前記第１の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第２の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第４の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第５の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第３の領域は第１の方向にのびており、
　前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびており、
　前記第６の領域は第２の方向にのびており、
　前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびており、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであり、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つであり、
　前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とは、それぞれインジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項１または請求項２において、
　前記第１の方向と前記第２の方向とは同じ方向であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとは、保護回路に設けられることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項５】
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　画素部を有し、
　前記画素部は、第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタと電気的に接続する画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。」
第５　引用例、引用発明等
１　引用例１について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平０９−２８１５２５号公報(以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【００５２】
図４は、静電破壊防止用の素子となる非線形抵抗素子３４のうちドレイン信号線２４側に設けられた非線形抵抗素子３４の構成の一実施例を示す平面図である。
【００５３】ここで、ドレイン信号線２４と交差する部分の配線層３２（Ａ）においてはアルミニュウム（その表面は陽極酸化されている）で形成され、このアルミニュウムはゲート信号線２２の形成時に同時に形成されるものとなっている。
【００５４】同図において、第１非線形抵抗素子３４Ａは、ゲート信号線２２の形成の際に同時に形成された
ゲート電極７０（但し、前記ゲート信号線２２とは異なり、その表面には陽極酸化がなされていないものとなっている）と、このゲート電極７０の一部を覆って形成された窒化シリコン膜と半導体層の順次積層体７１と、この積層体７１の上面に互いに離間して配置されて形成されるドレイン電極７２およびソース電極７３とで構成されている。
【００５５】
ドレイン電極７２は、ドレイン信号線２４と一体に形成されているとともに、このドレイン信号線２４を介してゲート電極７０と互いに接続されている。この接続は、保護膜３８に形成したコンタクト孔によってゲート電極７０の一部を露呈させ、この露呈させたゲート電極７０の一部と前記ドレイン信号線２４とをＩＴＯ膜によって互いに接続させている。
【００５６】また、
ソース電極７３はドレイン信号線２４の形成の際において同時に形成され、かつ配線層３２（Ａ）と接続されるようになっている。この場合の接続においても、保護膜３８に形成したコンタクト孔によって配線層３２（Ａ）の一部を露呈させ、この露呈させた配線層３２（Ａ）の一部と前記ソース電極７３とをＩＴＯ膜によって互いに接続させている。
【００５７】第２非線形抵抗素子３４Ｂは、
配線層３２（Ａ）の延在部として形成されるゲート電極７５と、このゲート電極７５上に形成される窒化シリコン膜と半導体層の順次積層体７６と、この積層体７６の上面に互いに離間して配置されて形成されるドレイン電極７７およびソース電極７８とで構成されている。
【００５８】
ドレイン電極７７はドレイン信号線２４の延在部として形成され、
【００５９】この場合の
ソース電極７８は、前記第１非線形抵抗素子３４Ａにおけるソース電極と一体に形成され
（２）したがって、上記引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「ゲート電極７０と、このゲート電極７０の一部を覆って形成された窒化シリコン膜と半導体層の順次積層体７１と、
　前記積層体７１の上面に互いに離間して配置されて形成されるドレイン電極７２およびソース電極７３であって、
　　前記ドレイン電極７２は、ドレイン信号線２４と一体に形成され、
　　前記ドレイン電極７２は、保護膜３８に形成したコンタクト孔によって前記ゲート電極７０の一部を露呈させ、この露呈させた前記ゲート電極７０の一部と前記ドレイン信号線２４とをＩＴＯ膜によって互いに接続させることにより、前記ドレイン信号線２４を介して前記ゲート電極７０とを互いに接続し、
　　前記ソース電極７３は、前記保護膜３８に形成したコンタクト孔によって配線層３２（Ａ）の一部を露呈させ、この露呈させた前記配線層３２（Ａ）の一部と前記ソース電極７３とをＩＴＯ膜によって互いに接続し、
　前記配線層３２（Ａ）の延在部として形成されるゲート電極７５と、このゲート電極７５上に形成される窒化シリコン膜と半導体層の順次積層体７６と、
　前記積層体７６の上面に互いに離間して配置されて形成されるドレイン電極７７およびソース電極７８であって、
　　前記ドレイン電極７７は、前記ドレイン信号線２４の延在部として形成され、
　　前記ソース電極７８は、前記ソース電極７３と一体に形成される
　ことを特徴とする、静電破壊防止用の素子。」
２　引用例２（当審拒絶理由において引用例２として引用された文献）について
　原査定の拒絶の理由および当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開２００７−０９６０５５号公報(以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０００８】
　
酸化物半導体のような化合物半導体は、他のシリコンや有機半導体材料などの半導体材料と比較して、材料が安価であり作製工程も複雑化しないため、低コストで半導体装置を作製することができる。
（２）したがって、上記引用例２には次の事項（以下、「引用例２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「酸化物半導体は、シリコンからなる半導体材料と比較して、低コストで半導体装置を作製することができること。」
３　引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１２８６５４号公報(以下、「引用例３」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０２４８】
　次に、
駆動回路において、一部のＴＦＴのゲート電極とソース電極又はドレイン電極とを接続させるために、
第１の絶縁膜８０５、８０６の一部をエッチングして、
コンタクトホール８５０を形成する。
該コンタクトホールを介してゲート電極として機能する第１の導電層８０２と、後に形成されるソース電極又はドレイン電極として機能する第４の導電層８３３を接続すること
（２）したがって、上記引用例３には次の事項（以下、「引用例３記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「駆動回路において、一部のＴＦＴのゲート電極とソース電極又はドレイン電極とを接続させるために、第１の絶縁膜８０５、８０６の一部をエッチングして、コンタクトホール８５０を形成し、該コンタクトホールを介してゲート電極として機能する第１の導電層８０２と、後に形成されるソース電極又はドレイン電極として機能する第４の導電層８３３を接続すること。」
４　引用例４について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１２８６６５号公報(以下、「引用例４」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０２１２】
　次に、
駆動回路において、一部のＴＦＴのゲート電極とソース電極又はドレイン電極とを接続させるために、
て第１の絶縁膜８０５、８０６の一部をエッチングして、
コンタクトホール８５０を形成する。
該コンタクトホールを介してゲート電極８０２と、後に形成されるソース電極又はドレイン電極８３３を接続すること
（２）したがって、上記引用例４には次の事項（以下、「引用例４記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「駆動回路において、一部のＴＦＴのゲート電極とソース電極又はドレイン電極とを接続させるために、第１の絶縁膜８０５、８０６の一部をエッチングして、コンタクトホール８５０を形成し、該コンタクトホールを介してゲート電極８０２と、後に形成されるソース電極又はドレイン電極８３３を接続すること。」
５　引用例５について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３４０８０２号公報(以下、「引用例５」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０１６８】
（実施の形態７）
　
走査線側入力端子部と信号線側入力端子部とに保護ダイオードを設けた一態様について図２１を参照して説明する。
【０１６９】
　信号線側入力端子部には、保護ダイオード５６１と保護ダイオード５６２が設けられている。この保護ダイオードは、ＴＦＴ５０１若しくはＴＦＴ５０２と同様な工程で作製され、
ゲートとドレイン若しくはソースの一方とを接続することによりダイオードとして動作させている。
【０１７０】
　
保護ダイオード５６１は、ゲート電極層、半導体層、配線層から成っている。
この保護ダイオードと接続する共通電位線５５４、共通電位線５５５はゲート電極層と同じ層で形成している。
配線層と電気的に接続するには、絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
【０１７１】
　絶縁層へのコンタクトホールは、マスク層を形成し、エッチング加工すれば良い。この場合、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【０１７２】
　
信号配線層はＴＦＴ５０１におけるソース及びドレイン配線層５０５と同じ層で形成され、それに接続している信号配線層とソース又はドレイン側が接続する構造となっている。
【０１７３】
　走査信号線側の入力端子部も同様な構成である。入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを挿入する位置は、本実施の形態のみに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。
【０１７４】
　以上のように、本発明を用いると、配線等のパターンを形成不良を生じることなく制御性よく安定して形成することが出来るので、保護回路を形成することで、配線等が複雑化し、密に形成される場合であっても、形成時の設置不良によるショートなどを生じることはない。よって、良好な電気的特性と高い信頼性とを有する表示装置を作製することができる。」
（２）したがって、上記引用例５には次の事項（以下、「引用例５記載事項」という。）が記載されていると認められる。
「ゲートとドレイン若しくはソースの一方とを接続することによりダイオードとして動作する、保護ダイオード５６１であって、
　保護ダイオード５６１は、ゲート電極層、半導体層、配線層から成っており、
　共通電位線５５４はゲート電極層と同じ層で形成され、
　ゲートと、ドレイン若しくはソースの一方とを接続するために、絶縁層にコンタクトホールを形成すること。」
６　引用例６（当審拒絶理由において引用例１として引用された文献）について
　当審拒絶理由の拒絶の理由に引用された特開平９−２３０３８３号公報(以下、「引用例６」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【０００３】図５はアクティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさのガラス基板上に画素用薄膜トランジスタ等が形成された状態における等価回路的平面図を示したものである。アクティブマトリクスパネル複数個分に対応する大きさのガラス基板１は、最終的には一点鎖線で示すカットライン２に沿って切断されることにより、各単体に分断されるようになっている。この場合、カットライン２で囲まれた領域はパネル形成領域３となっており、その周囲は余剰部４となっている。
【０００４】パネル形成領域３には、マトリクス状に配置された複数の画素電極５と、これら画素電極５にそれぞれ接続された複数の画素用薄膜トランジスタ６と、行方向に配置され、画素用薄膜トランジスタ６にゲート信号を供給する複数のゲートライン７と、列方向に配置され、画素用薄膜トランジスタ６にデータ信号を供給する複数のデータライン８と、行方向に配置され、画素電極５との間で補助容量部ＣSを形成する複数の補助容量ライン９と、複数の画素電極５の周囲に配置された保護リング１０と、保護リング１０の外側において保護リング１０と各ゲートライン７にそれぞれ接続された２つずつの保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂからなる複数のゲートライン側保護素子１１と、保護リング１０の外側において保護リング１０と各データライン８にそれぞれ接続された２つずつの保護用薄膜トランジスタ１２ａ、１２ｂからなる複数のデータライン側保護素子１２とが設けられている。余剰部４にはショートライン１３が格子状に設けられている。
【０００５】そして、各ゲートライン７の左端部および各データライン８の上端部はショートライン１３に接続されている。各補助容量ライン９の右端部は、保護リング１０の右辺部に平行して配置された共通ライン９ａおよびこの共通ライン９ａから延びる接続ライン９ｂを介してショートライン１３に接続されている。ゲートライン側保護素子１１は、それぞれのゲート電極Ｇとソース電極Ｓとを互いに接続された２つの保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂが、それぞれのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを互いに逆向きとされた状態で、ゲートライン７と保護リング１０との間に並列接続された構造となっている。データライン側保護素子１２は、それぞれのゲート電極Ｇとソース電極Ｓとを互いに接続された２つの保護用薄膜トランジスタ１２ａ、１２ｂが、それぞれのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを互いに逆向きとされた状態で、データライン８と保護リング１０との間に並列接続された構造となっている。
【０００６】次に、このアクティブマトリクスパネルの各保護用薄膜トランジスタの部分の具体的な構造について図６および図７を参照しながら説明する。ただし、保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂの構造はほぼ同じであるので、代表としてゲートライン側保護素子１１の両保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂの構造について説明する。
ガラス基板１の上面には両保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂの各ゲート電極Ｇが形成されている。また、ガラス基板１の上面には、ゲートライン７、およびショートライン１３が形成されている。この状態では、ゲートライン７の左端部はショートライン１３に接続され、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇはゲートライン７に接続されている。
【０００７】
ゲート電極Ｇ等を含むガラス基板１の上面全体には、図６では省略されているが、窒化シリコン等からなるゲート絶縁膜２１が形成されている。各ゲート電極Ｇにそれぞれ対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にはアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２が形成されている。各半導体薄膜２２の上面中央部にはチャネル保護膜２３が形成されている。各半導体薄膜２２のチャネル保護膜２３下の部分は真性領域からなるチャネル領域２２ａとされ、その両側はイオン注入領域からなるソース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとされている。各ソース領域２２ｂおよび各ドレイン領域２２ｃの上面にはソース側シリサイド層２４およびドレイン側シリサイド層２５が形成されている。チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるソース側シリサイド層２４の上面にはソース側コンタクト用メタル層２６を介してソース電極Ｓが形成され、チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるドレイン側シリサイド層２５の上面にはドレイン側コンタクト用メタル層２７を介してドレイン電極Ｄが形成されている。
ゲート絶縁膜２１の上面には保護リング１０が形成されている。この状態では、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓは保護リング１０に接続されている。
【０００８】ところで、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極（第２の配線）Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極（第２の配線）Ｄはゲート絶縁膜２１に形成された複数のコンタクトホール２８を介してゲートライン（第１の配線）７と接続されている。すなわち、保護リング１０とショートライン１３との間におけるゲートライン７の所定箇所にはアルミニウム合金等から一体に幅広部７ａが形成され、この幅広部７ａの一点鎖線で囲まれた部分に下側コンタクト部（第１のコンタクト部）３１が形成されている。この場合、下側コンタクト部３１を除く幅広部７ａおよびゲートライン７の上面には、幅広部７ａの一点鎖線で囲まれた部分に方形状のマスクを施した状態でゲートライン７を一方の電極として陽極酸化処理を行なうことにより酸化アルミニウム等からなる陽極酸化膜３２が形成されている。
【０００９】下側コンタクト部３１に対応する部分のゲート絶縁膜２１には複数（９つ）のコンタクトホール２８が形成されている。下側コンタクト部３１に対応する部分のゲート絶縁膜の上面にはコンタクト用メタル層３３を介して上側コンタクト部（第２のコンタクト部）３４が形成され、この上側コンタクト部３４は各コンタクトホール２８を介して下側コンタクト部３４と接続されている。そして、上側コンタクト部３４には一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄがそれぞれ接続されている。したがって、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄは、上側コンタクト部３４が各コンタクトホール２８を介して下側コンタクト部３１に接続されることで、ゲートライン７に接続されている。また、
他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇはゲート絶縁膜２１に形成された単体のコンタクトホール３５を介して保護リング１０に接続されている。
（２）「【００１９】次に、図３および図４を参照して、この発明を適用したアクティブマトリクスパネルの第２実施形態について説明する。図３はこのアクティブマトリクスパネルの一部を示す平面図、図４は同アクティブマトリクスパネルの一部を示す断面図である。
これらの図において、図６および図７と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。このアクティブマトリクスパネルでは、保護リング１０とショートライン１３との間におけるゲートライン７の所定箇所の両側にゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂがアルミニウム合金等から一体に形成されている。各延出部５１ａ、５１ｂの先端部の一点鎖線で囲まれた部分にはゲートライン７に直交する短冊状の第１および第２の下側コンタクト部（第１のコンタクト部）５２ａ、５２ｂが形成されている。
【００２０】
各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分におけるゲート絶縁膜２１にはそれぞれ３つのコンタクトホール５３ａ、５３ｂからなる第１および第２のコンタクトホール群５４ａ、５４ｂが形成されている。この場合、コンタクトホール群５４ａ、５４ｂの各コンタクトホール５３ａ、５３ｂはゲートライン７に直交するように一列に配置されている。
各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分および両下側コンタクト部５２ａ、５２ｂ間に対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にはクロム等からなるコンタクト用メタル層５５を介してアルミニウム合金等からなる短冊状の上側コンタクト部（第２のコンタクト部）５６が形成され、この上側コンタクト部５６が各コンタクトホール群５４ａ、５４ｂを介して下側コンタクト部５２ａ、５２ｂと接続されている。そして、上側コンタクト部５６には一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄがそれぞれ接続されている。
【００２１】
このように、このアクティブマトリクスパネルでは、ゲートライン７の所定箇所にその両側からそれぞれゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂを形成し、これらの延出部５１ａ、５１ｂの先端部にゲートライン７と一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄとの間をコンタクトホール５３ａ、５３ｂを介して接続するための下側コンタクト部５２ａ、５２ｂを形成しているので、下側コンタクト部５２ａ、５２ｂをゲートライン７からより一層離すことができ、下側コンタクト部５２ａ、５２ｂでヒロックが発生してヒロックの部分から下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが腐食しても、ゲートライン７が腐食するまでの時間が長くなり、ゲートライン７を腐食によって断線しにくくすることができる。また、ゲートライン７の両側にそれぞれ延出部５１ａ、５１ｂを形成し、これら延出部５１ａ、５１ｂの先端部を折り曲げて基端部と並列させ、各延出部５１ａ、５１ｂの先端部にそれぞれ下側コンタクト部５２ａ、５２ｂを形成したので、上側コンタクト部５６等の他の配線を切断することなく延出部５１ａ、５１ｂを切断することができると共に、いずれか一方の延出部５１ａ、５１ｂを切断しても一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄをゲートライン７と接続することができ、いずれか一方の下側コンタクト部５２ａ、５２ｂの腐食が検査等で発見されたときは、腐食が発見された下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが形成された延出部５１ａ、５１ｂを二点鎖線で示すようにレーザビーム等で切断することにより、腐食が発見された下側コンタクト部５２ａ、５２ｂをゲートライン７から分断し、ゲートライン７を腐食の進行によって断線しないようにすることができる。
（３）図３
（４）図４
（５）図４を参照すると、「上側コンタクト部５６」と「保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂ」のそれぞれの「ソース電極Ｓ」および「ドレイン電極Ｄ」は同じ層に形成されており、また、「上側コンタクト部５６には一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄがそれぞれ接続されている。」（【００２０】）の記載から、「上側コンタクト部５６」は、「保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」と「保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ」に接続されているから、図３に示されているように、「上側コンタクト部５６」は、「保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」と「保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ」を有する構成であると認められる。
（６）図３を参照すると、「保護リング１０」は、「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄ」および「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓ」と、一体に形成されていると言える。
（７）図３を参照すると、「保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇ」は「ゲートライン７」と一体に形成されていると言える。
（８）したがって、上記引用例６には次の発明（以下、「引用例６発明」という。）が記載されていると認められる。
「ガラス基板１の上面には、保護用薄膜トランジスタ１１ａ、１１ｂの各ゲート電極Ｇが形成され、
　ガラス基板１の上面には、ゲートライン７、およびショートライン１３が形成され、
　ゲートライン７の左端部はショートライン１３に接続され、
　保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇはゲートライン７と一体に形成され、、
　ゲート電極Ｇ等を含むガラス基板１の上面全体に、ゲート絶縁膜２１が形成され、
　各ゲート電極Ｇにそれぞれ対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にはアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２が形成され、
　各半導体薄膜２２の上面中央部にはチャネル保護膜２３が形成され、
　各半導体薄膜２２のチャネル保護膜２３下の部分は真性領域からなるチャネル領域２２ａとされ、その両側はイオン注入領域からなるソース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとされ、
　各ソース領域２２ｂおよび各ドレイン領域２２ｃの上面にはソース側シリサイド層２４およびドレイン側シリサイド層２５が形成され、
　チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるソース側シリサイド層２４の上面にはソース側コンタクト用メタル層２６を介してソース電極Ｓが形成され、
　チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるドレイン側シリサイド層２５の上面にはドレイン側コンタクト用メタル層２７を介してドレイン電極Ｄが形成され、
　ゲート絶縁膜２１の上面には、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓと一体に形成された保護リング１０が形成され、
　ゲートライン７の所定箇所の両側にゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂが一体に形成され、
　各延出部５１ａ、５１ｂの先端部にゲートライン７に直交する短冊状の第１および第２の下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが形成され、
　各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分におけるゲート絶縁膜２１にはそれぞれ３つのコンタクトホール５３ａ、５３ｂからなる第１および第２のコンタクトホール群５４ａ、５４ｂが形成され、
　各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分および両下側コンタクト部５２ａ、５２ｂ間に対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にコンタクト用メタル層５５を介して短冊状の上側コンタクト部５６が形成され、
　上側コンタクト部５６は、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄを有しており、
　上側コンタクト部５６が各コンタクトホール群５４ａ、５４ｂを介して下側コンタクト部５２ａ、５２ｂと接続され、
　他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇはゲート絶縁膜２１に形成された単体のコンタクトホール３５を介して保護リング１０に接続されている、
　保護用トランジスタ。」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用例６発明とを対比すると、次のことがいえる。
ア　引用例６発明の「保護用薄膜トランジスタ１１ａ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ｂ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇ」，「保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇ」，「ゲート絶縁膜２１」および「保護用トランジスタ」は、それぞれ本願発明１の「第１のトランジス」，「第２のトランジスタ」，「第１のゲート電極」，「第２のゲート電極」「前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層」および「半導体装置」に相当する。
イ　引用例６発明は「各ゲート電極Ｇにそれぞれ対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にはアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２が形成され」ており、この「アモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２」は半導体層であることにかわりないから、引用例６発明の「各ゲート電極Ｇにそれぞれ対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にはアモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２が形成され」ることと、本願発明１の「前記第１のトランジスタは、」「第１の酸化物半導体層とを有し、前記第２のトランジスタは、」「第２の酸化物半導体層とを有し」ていること、および、「前記ゲート絶縁層上の前記第１の酸化物半導体層と、前記ゲート絶縁層上の前記第２の酸化物半導体層と」は、「前記第１のトランジスタは、」「第１の」「半導体層とを有し、前記第２のトランジスタは、」「第２の」「半導体層とを有し」ている点、および、「前記ゲート絶縁層上の前記第１の」「半導体層と、前記ゲート絶縁層上の前記第２の」「半導体層と」を有している点で共通する。
　また、引用例６発明は、「各半導体薄膜２２のチャネル保護膜２３下の部分は真性領域からなるチャネル領域２２ａとされ」ているから、本願発明１の「前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し」ていることと、「前記第１の」「半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、前記第２の」「半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し」ている点で共通する。
ウ　引用例６発明は、「各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分および両下側コンタクト部５２ａ、５２ｂ間に対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にコンタクト用メタル層５５を介して短冊状の上側コンタクト部５６が形成され、」「上側コンタクト部５６は、一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄを有して」いるから、引用例６発明の「上部コンタクト部５６」の「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」、および、「上部コンタクト部５６」の「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ」は、それぞれ、本願発明１の「前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有」する「第１の領域」、および、「前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有」する「第２の領域」に相当する。
　また、引用例６発明の「上側コンタクト部５６」は、短冊状をなしているから、本願発明１の「第１の方向にのびて」いる「第３の領域」に相当する領域を有していると認められる。
　さらに、引用例６発明は、「各半導体薄膜２２のチャネル保護膜２３下の部分は真性領域からなるチャネル領域２２ａとされ、その両側はイオン注入領域からなるソース領域２２ｂおよびドレイン領域２２ｃとされ、各ソース領域２２ｂおよび各ドレイン領域２２ｃの上面にはソース側シリサイド層２４およびドレイン側シリサイド層２５が形成され、チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるソース側シリサイド層２４の上面にはソース側コンタクト用メタル層２６を介してソース電極Ｓが形成され、チャネル保護膜２３からある程度離れた部分におけるドレイン側シリサイド層２５の上面にはドレイン側コンタクト用メタル層２７を介してドレイン電極Ｄが形成され、」ているから、「ソース電極Ｓ」および「ドレイン電極Ｄ」は、「各半導体薄膜２２」の上に形成されていると言える。そうすると、引用例６発明の「上側コンタクト部５６」は、本願発明１の「前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第１の導電層」と、「前記第１の」「半導体層上及び前記第２の」「半導体層上の第１の導電層」である点で共通する。
　加えて、引用例６発明の「上部コンタクト部５６」の「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」、および、「上部コンタクト部５６」の「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄ」は、短冊をなす「上側コンタクト部５６」と交わる方向に形成されているから、このことは、本願発明１の「前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびて」いることに相当する。
エ　引用例６発明の「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄ」、および、「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓ」は、本願発明１の「前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有」する「第４の領域」、および、「前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有」する「前記第５の領域」に相当する。
　また、「保護リング１０」は、リングを形成しているから、本願発明１の「第２の方向にのびて」いる「第６の領域」に相当する領域を有していると認められる。
　さらに、「保護リング１０」は、「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓと一体に形成され」ており、また、上記「ウ」で検討したように、「ソース電極Ｓ」および「ドレイン電極Ｄ」は、「各半導体薄膜２２」の上に形成されていると言えるから、引用例６発明の「保護リング１０」は、本願発明１の「前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第２の導電層」と、「前記第１の」「半導体層上及び前記第２の」「半導体層上の第２の導電層」である点で共通する。
　加えて、引用例６発明の「保護リング１０」の「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのドレイン電極Ｄ」、および、「保護リング１０」の「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのソース電極Ｓ」は、リングを形成している「保護リング１０」」と交わる方向に形成されているから、このことは、本願発明１の「前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびて」いることに相当する。
オ　引用例６発明は「保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇはゲートライン７と一体に形成され」ているから、引用例６発明の「ゲートライン７」は、本願発明１の「前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層」に相当する。
　また、引用例６発明は、「ゲートライン７の所定箇所の両側にゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂが一体に形成され、各延出部５１ａ、５１ｂの先端部にゲートライン７に直交する短冊状の第１および第２の下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが形成され、各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分におけるゲート絶縁膜２１にはそれぞれ３つのコンタクトホール５３ａ、５３ｂからなる第１および第２のコンタクトホール群５４ａ、５４ｂが形成され、各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分および両下側コンタクト部５２ａ、５２ｂ間に対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にコンタクト用メタル層５５を介して短冊状の上側コンタクト部５６が形成され」ているから、「ゲートライン７」と「上側コンタクト部５６」は直接接続されていると言える。
　加えて、「上側コンタクト部５６」は、「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」を有しているから、「ゲートライン７」と「上側コンタクト部５６」が直接接続されることにより、「ゲートライン７」の「保護用薄膜トランジスタ１１ａのゲート電極Ｇ」は「一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓ」に電気的に接続されていると言える。
　そうすると、引用例６発明は、本願発明１の「前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され」ることと、同様の構成を有していると認められる。
　さらに、引用例６発明は、「ゲートライン７」と「上部コンタクト部５６」は、「第１および第２のコンタクトホール群５４ａ、５４ｂ」を介して直接接続されているから、このことは、本願発明１の「前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであ」ることと、「前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分」を有する点で共通する。
カ　引用例６発明の「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇ」は、本願発明１の「前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層」に相当する。
　また、引用例６発明は、「他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのゲート電極Ｇはゲート絶縁膜２１に形成された単体のコンタクトホール３５を介して保護リング１０に接続されている」から、このことは、本願発明１の「前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され」ること、および、「前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つであること」に相当する。
キ　したがって、本願発明１と引用例６発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
　前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の半導体層とを有し、
　前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の半導体層とを有し、
　前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第１の半導体層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第２の半導体層と、
　前記第１の半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第１の導電層と、
　前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第２の導電層と、
　前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層と、
　前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
　前記第２の導電層は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、を有し、
　前記第１の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第２の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第４の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第５の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第３の領域は第１の方向にのびており、
　前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびており、
　前記第６の領域は第２の方向にのびており、
　前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびており、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分を有し、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つであることを特徴とする半導体装置。」
［相違点１］
　本願発明１の「第１のトランジスタ」および「第２のトランジスタ」は、それぞれ「第１の酸化物半導体層」および「第２の酸化物半導体層」を有しているのに対して、引用例６発明はそうでない点。
［相違点２］
　本願発明１は「前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであ」るのに対して、引用例６発明はそうでない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点２］について以下に検討する。
　引用例６発明は、
「ゲートライン７の所定箇所の両側にゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂが一体に形成され、各延出部５１ａ、５１ｂの先端部にゲートライン７に直交する短冊状の第１および第２の下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが形成され、各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分におけるゲート絶縁膜２１にはそれぞれ３つのコンタクトホール５３ａ、５３ｂからなる第１および第２のコンタクトホール群５４ａ、５４ｂが形成され、各下側コンタクト部５２ａ、５２ｂに対応する部分および両下側コンタクト部５２ａ、５２ｂ間に対応する部分におけるゲート絶縁膜２１の上面にコンタクト用メタル層５５を介して短冊状の上側コンタクト部５６が形成され」ており、
この構成を有することにより、
「【００２１】このように、このアクティブマトリクスパネルでは、ゲートライン７の所定箇所にその両側からそれぞれゲートライン７と直交する方向に延出すると共に、先端部が１８０度折り曲げられて全体がほぼＪ字状となった第１および第２の延出部５１ａ、５１ｂを形成し、これらの延出部５１ａ、５１ｂの先端部にゲートライン７と一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄとの間をコンタクトホール５３ａ、５３ｂを介して接続するための下側コンタクト部５２ａ、５２ｂを形成しているので、下側コンタクト部５２ａ、５２ｂをゲートライン７からより一層離すことができ、下側コンタクト部５２ａ、５２ｂでヒロックが発生してヒロックの部分から下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが腐食しても、ゲートライン７が腐食するまでの時間が長くなり、ゲートライン７を腐食によって断線しにくくすることができる。また、
ゲートライン７の両側にそれぞれ延出部５１ａ、５１ｂを形成し、これら延出部５１ａ、５１ｂの先端部を折り曲げて基端部と並列させ、各延出部５１ａ、５１ｂの先端部にそれぞれ下側コンタクト部５２ａ、５２ｂを形成したので、上側コンタクト部５６等の他の配線を切断することなく延出部５１ａ、５１ｂを切断することができると共に、いずれか一方の延出部５１ａ、５１ｂを切断しても一方の保護用薄膜トランジスタ１１ａのソース電極Ｓおよび他方の保護用薄膜トランジスタ１１ｂのドレイン電極Ｄをゲートライン７と接続することができ、いずれか一方の下側コンタクト部５２ａ、５２ｂの腐食が検査等で発見されたときは、腐食が発見された下側コンタクト部５２ａ、５２ｂが形成された延出部５１ａ、５１ｂを二点鎖線で示すようにレーザビーム等で切断することにより、腐食が発見された下側コンタクト部５２ａ、５２ｂをゲートライン７から分断し、ゲートライン７を腐食の進行によって断線しないようにすることができる。
との効果を有している。
　そのため、引用例６発明において、「ゲートライン７」と「上部コンタクト部５６」とを直接接続する部分を１つとし、本願発明１と同様の構成とすることが容易であるとは言えない。
　また、引用例１ないし５には、［相違点２］に係る構成を、引用例６発明に適用することが容易であるとの記載はないから、引用例６発明に引用例１ないし５の記載を適用し、相違点２に係る構成を想起することはできない。
　そして、本願発明１は、［相違点２］に係る構成を有することで、「また、ゲート絶縁膜１０２に設けたコンタクトホール１２８を介して、ゲート電極１１１と同じ層で形成される走査線１３と、非線形素子１７０ａの第三端子（ドレイン）とを直接接続することで、接続に伴う界面の形成を一つに抑制できるだけでなく、接続のためのコンタクトホールの形成を一つに抑制できる。その結果、保護回路の機能を高め動作の安定化を図ることができるだけでなく、保護回路の占有面積を小さくして、表示装置の小型化を図ることができる。特に、保護回路を構成する非線形素子が３つ、４つに増えるほど、界面とコンタクトホールの数を抑制する効果が大きくなる。」（【００４６】）という格別の効果を有するものである。
　そうすると、［相違点２］に係る構成は、引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
２　本願発明２について
（１）対比
　本願発明２は、本願発明１に
「前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とは、それぞれインジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する」
との限定を加えたものであるから、上記「１（１）対比」で検討したことに加え、以下の点が対応する。
ア　引用例６発明の「アモルファスシリコン等からなる半導体薄膜２２」は、本願発明２の「前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とは、それぞれインジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する」ことと、「前記第１の」「半導体層と前記第２の」「半導体層とを有する」点で共通する。
イ　したがって、本願発明２と引用例６発明とは、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
　前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の半導体層とを有し、
　前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の半導体層とを有し、
　前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第１の半導体層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第２の半導体層と、
　前記第１の半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第２の半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第１の導電層と、
　前記第１の半導体層上及び前記第２の半導体層上の第２の導電層と、
　前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層と、
　前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
　前記第２の導電層は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、を有し、
　前記第１の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第２の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第４の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第５の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第３の領域は第１の方向にのびており、
　前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびており、
　前記第６の領域は第２の方向にのびており、
　前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびており、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分を有し、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つであることを特徴とする半導体装置。」
［相違点３］
　本願発明２の「第１のトランジスタ」および「第２のトランジスタ」は、それぞれ「第１の酸化物半導体層」および「第２の酸化物半導体層」を有し、「前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層とは、それぞれインジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有」しているのに対して、引用例６発明はそうでない点。
［相違点４］
　本願発明２は「前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであ」るのに対して、引用例６発明はそうでない点。
（２）相違点についての判断
　［相違点４］について以下に検討する。
　［相違点４］は、上記「１（２）相違点についての判断」で検討した［相違点２］と同じ相違点であるから、上記「１（２）相違点についての判断」で検討したとおり、［相違点４］に係る構成は、引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到したものであるとは言えない。
３　本願発明３ないし５について
　本願発明３ないし５は、本願発明１もしくは２の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本願発明１および２が引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明３ないし５も、引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　本願発明１ないし５は、
「第１のトランジスタと第２のトランジスタとを有し、
　前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、第１の酸化物半導体層とを有し、
　前記第２のトランジスタは、第２のゲート電極と、第２の酸化物半導体層とを有し、
　前記第１のゲート電極上及び前記第２のゲート電極上のゲート絶縁層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第１の酸化物半導体層と、
　前記ゲート絶縁層上の前記第２の酸化物半導体層と、
　前記第１の酸化物半導体層は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第２の酸化物半導体層は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有し、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第１の導電層と、
　前記第１の酸化物半導体層上及び前記第２の酸化物半導体層上の第２の導電層と、
　前記第１のゲート電極として機能する部分を有する第３の導電層と、
　前記第２のゲート電極として機能する部分を有する第４の導電層と、を有し、
　前記第１の導電層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
　前記第２の導電層は、第４の領域と、第５の領域と、第６の領域と、を有し、
　前記第１の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第２の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方として機能する領域を有し、
　前記第４の領域は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第５の領域は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方として機能する領域を有し、
　前記第３の領域は第１の方向にのびており、
　前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ前記第１の方向と交わる方向にのびており、
　前記第６の領域は第２の方向にのびており、
　前記第４の領域及び前記第５の領域は、それぞれ前記第２の方向と交わる方向にのびており、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続することで、前記第１のゲート電極は前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続することで、前記第２のゲート電極は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、
　前記第３の導電層と前記第１の導電層とが直接接続する部分は１つであり、
　前記第４の導電層と前記第２の導電層とが直接接続する部分は１つである」
という技術的事項を有する「半導体装置」である。
　当該技術的事項は、前記「第５　引用例、引用発明等」で検討したとおり、原査定における引用例１ないし５には記載されておらず、本願出願日前における周知技術でもないので、本願発明１ないし５は、当業者であっても、原査定における引用文献１ないし５に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり審決する。