(57)【要約】  耐食性に優れた希土類永久磁石であって、水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きする脱水素・再結合する処理を施したＲ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を熱間圧縮して得られたＲ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石と、前記永久磁石の表面に形成された、ＲとＦｅを主成分とする複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜よりなる、希土類系永久磁石。ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐食性に優れた希土類永久磁石であって、
水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きする脱水素・再結合する処理を施したＲ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を熱間圧縮して得られたＲ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石と、
前記永久磁石の表面に形成された、ＲとＦｅを主成分とする複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜とを有する、希土類系永久磁石。
ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。
【請求項２】
耐食性に優れた希土類系永久磁石の製造方法であって、
Ｒ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きする脱水素・再結合する処理を施すＨＤＤＲ処理工程と、
前記ＨＤＤＲ処理を施された磁石粉末を熱間圧縮してＲ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石を作製する工程と、
前記、Ｒ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石を中性電解質水溶液に浸漬し、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石に負電位を印加する工程を有する、希土類系永久磁石の製造方法。
ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、耐食性に優れた希土類永久磁石およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系永久磁石（ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。以下同じ）などの希土類永久磁石の具体的な成分組成として、例えば、以下のような組成が知られている（特開２００４−２１８０４２号公報参照）。
原子％で、Ｎｄ：１３．０％、Ｄｙ：０．５％、Ｃｏ：１．０％、Ｂ：６．５％、Ｚｒ：０．１％、Ｇａ：０．４％を含有し、Ｆｅ：残部の組成。
原子％で、Ｎｄ：１１．６％，Ｄｙ：１．８％，Ｐｒ：０．２％，Ｂ：６．１％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
Ｎｄ：１２．３％，Ｃｏ：１７．０％，Ｂ：６．５％，Ｚｒ：０．１％，Ｇａ：０．３％を含有し、残部：Ｆｅの組成。【０００３】
原子％で、Ｎｄ：１１．５％，Ｄｙ：０．８％，Ｐｒ：０．２％，Ｃｏ：７．０％，Ｂ：６．５％，Ｚｒ：０．１％，Ｔｉ：０．３％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１２．５％，Ｐｒ：０．５％，Ｃｏ：１８．０％，Ｂ：６．５％，Ｚｒ：０．１％，Ｇａ：０．３％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１１．９％，Ｌａ：０．４％，Ｃｏ：１４．７％，Ｂ：６．８％，Ｈｆ：０．１％，Ｓｉ：０．３％，Ｗ：０．５％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１２．０％，Ｄｙ：２．０％，Ｂ：６．５％，Ｈｆ：０．１％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１２．３％，Ｄｙ：１．８％，Ｃｏ：１６．９％，Ｂ：６．６％，Ｚｒ：０．２％，Ｇａ：０．３％，Ａｌ：０．５％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１１．０％，Ｐｒ：３．０％，Ｃｏ：２０．０％，Ｂ：６．５％，Ｓｉ：０．１％，Ｇａ：０．３％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：９．０％，Ｃｅ：４．０％，Ｃｏ：１０．０％，Ｂ：６．５％，Ｎｂ：０．４％を含有し、残部：Ｆｅの組成。【０００４】
原子％で、Ｎｄ：８．０％，Ｄｙ：５．０％，Ｃｏ：５．０％，Ｂ：６．５％，Ｚｒ：０．１％，Ｔａ：０．４％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１１．４％，Ｄｙ：２．１％，Ｃｏ：１５．０％，Ｂ：７．０％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１２．２％，Ｔｂ：１．２％，Ｃｏ：１２．０％，Ｂ：７．５％，Ｇｅ：０．３％，Ｃｒ：０．１％を含有し、残部：Ｆeの組成。
原子％で、Ｎｄ：１１．３％，Ｐｒ：２．０％，Ｇｄ：１．０％，Ｂ：６．８％，Ｖ：０．３％，Ｃｕ：０．１％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％で、Ｎｄ：１２．４％，Ｄｙ：１．０％，Ｃｏ：８．０％，Ｂ：６．５％，Ｎｉ：０．１％，Ｍｏ：０．３％を含有し、残部：Ｆｅの組成。
原子％でＮｄ：１１．２％，Ｐｒ：２．０％，Ｃｏ：１１．２％，Ｂ：６．５％，Ｚｒ：０．１％，Ｇａ：０．３％，Ｃ：０．２％を含有し、残部：Ｆｅの組成。【０００５】
これら希土類永久磁石は、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ、ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）装置の磁気回路に使用され、また近年では通常の各種モータへの応用が進んでいる。
これらの成分組成を有する希土類永久磁石は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石粉末またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を成形したのち焼結するかまたは熱間圧縮することにより得られ、この希土類永久磁石は現在最強の磁石特性を示す。しかし、これらＲ、ＴおよびＢを含みさらに必要に応じてＭを含む希土類永久磁石は耐食性が劣るので実用においては電解Ｎｉメッキ、樹脂電着塗装などの表面処理を施してその表面にＮｉメッキ層または樹脂層を形成し、それによって耐食性を付与している（特開昭６０−０５４４０６号公報、特開平１０−２５６０１２号公報参照）。【０００６】
この希土類永久磁石を製造するためのＲ−Ｔ−Ｂ系磁石粉末またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石粉末を製造する方法として、下記（Ａ）、（Ｂ）の手法が知られている。
（Ａ）一つの方法では、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石合金、またはＲ−Ｔ−Ｂ系合金にＭを０．００１〜５．０原子％含有したＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石合金をＡｒガス雰囲気中で溶解して得られたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石インゴットまたはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石インゴットを機械的に粉砕して粒径：３００μｍ以下の粗粉末を作製する。この粗粉末を水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きすることにより脱水素・再結合する処理（以下、この処理をＨＤＤＲ処理という）を施すことにより磁石粉末を製造する（この方法で得られた磁石粉末を以下「ＨＤＤＲ磁石粉末」という）。
（Ｂ）またＲ−Ｔ−Ｂ系磁石インゴットまたはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石インゴットを粒径：３μｍ以下となるように機械粉砕することにより磁石粉末を製造する方法がある（この方法で得られた磁石粉末を以下「粉砕磁石粉末」という）、
（Ｃ）またＲ−Ｔ−Ｂ系磁石インゴットまたはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石インゴットを再溶解して得られた溶湯をＡｒ雰囲気中の単ロール液体急冷装置により超急冷合金箔片とすることにより磁石粉末を製造する方法がある（この方法で得られた磁石粉末を以下「超急冷磁石粉末」という）。【０００７】
これらＨＤＤＲ磁石粉末および超急冷磁石粉末は熱間圧縮して、また粉砕磁石粉末は液相焼結してそれぞれ希土類永久磁石を製造することができるが、使用する原料粉末の種類によって希土類永久磁石の組織が顕著に相違する。例えば、前記ＨＤＤＲ磁石粉末を原料粉末として得られた希土類永久磁石（以下、ＨＤＤＲ粉磁石という）は、平均結晶粒径が０．１〜１μｍのＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相が集合した再結晶組織を主相とし、Ｒ−ｒｉｃｈ相がＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の平均結晶粒径の１０倍以上の間隔で不連続的にまばらに分散している組織を有している。
前記粉砕磁石粉末を原料粉末として得られた希土類永久磁石（以下、粉砕粉磁石という）は、主相のＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の粒径が１０μｍレベルであり、Ｒ−ｒｉｃｈ相は主相のＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の周囲を連続的に包む形態で存在している。
前記超急冷磁石粉末を原料粉末として得られた希土類永久磁石（以下、超急冷粉磁石という）は、主相のＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の粒径が１０〜５０ｎｍのレベルであり、Ｒ−ｒｉｃｈ相は主相のＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の周囲を連続的に包む形態で存在している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前述のように、希土類永久磁石は各種モータへの応用が進んでいる一方で、各種モータはますます超小型化しており、そこで使用される希土類永久磁石も超小型化されている。かかる超小型化されたモータの永久磁石部品の表面を保護するために従来から電解Ｎｉメッキ層または樹脂層などを保護皮膜として形成している。しかし、これら電解Ｎｉメッキ層または樹脂層はある程度の耐食性は確保できるものの、十分な耐食性を確保するにはその厚さを厚くしなければならない。他方、電解Ｎｉメッキ層または樹脂層を厚くすると、前述の超小型化されたモータに使用される永久磁石部品の保護皮膜が占める部分が多くなり、モータの超小型化に限界が生じる。そのために希土類永久磁石の耐食性を確保できる一層薄い保護皮膜が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明者等は、一層耐食性に優れた希土類永久磁石を製造すべく研究を行い、以下(a)、（ｂ）に記載する結果が得られた。
（ａ）ＨＤＤＲ磁石粉末を熱間圧縮して作製したＨＤＤＲ粉磁石を中性電解質溶液に浸漬して負電位を印加することにより形成されたＲ（ただし、ＲはＹを含む希土類元素を示す）とＦｅを主成分とする複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜は、緻密で希土類永久磁石基体との密着性に優れており、この保護皮膜は従来の電解Ｎｉメッキや樹脂塗装による保護皮膜に比べて格段に優れた耐食性を付与することができる、
（ｂ）前記密着性に優れた（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜の形成は、ＨＤＤＲ粉磁石のみに見られる現象であり、他の粉砕粉磁石および超急冷粉磁石を同様に中性電解質溶液に浸漬して負電位を印加しても保護皮膜の形成は起らない、という研究結果が得られたのである。【００１０】
この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、
（１）ＨＤＤＲ磁石粉末を熱間圧縮して得られたＨＤＤＲ粉磁石の表面に、複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜が形成されている耐食性に優れた希土類永久磁石、および
（２）ＨＤＤＲ磁石粉末を熱間圧縮して得られたＨＤＤＲ粉磁石を中性電解質水溶液に浸漬してＨＤＤＲ粉磁石に負電位を印加する耐食性に優れた希土類永久磁石の製造方法、に特徴を有するものである。【００１１】
本発明の希土類永久磁石の製造に使用する原料粉末としては、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石インゴットまたはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石インゴットを機械的に粉砕して得られた粗粉末を用いることができる。ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。この粗粉末を水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きすることにより脱水素・再結合する処理（以下、この処理をＨＤＤＲ処理という）を施すことにより、ＨＤＤＲ磁石粉末を製造できる。【００１２】
この発明の前記（２）記載の耐食性に優れた希土類永久磁石の製造方法において使用する「中性電解質水溶液」は、中性塩、特にＳＯ４イオンを含むＮａ２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４、ＭｇＳＯ４、ＣａＳＯ４の水溶液であることが好ましい。【００１３】
前記粉砕粉磁石および超急冷粉磁石を中性電解質溶液に浸漬して負電位を印加しても保護皮膜の形成は起らない理由は下記のように説明できる。粉砕粉磁石および超急冷粉磁石はいずれもＲ−ｒｉｃｈ相が主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の周囲を連続的に包む形態で存在している組織を有している。かかる組織を有する粉砕粉磁石および超急冷粉磁石を中性電解質溶液に浸漬してこれに負電位を印加すると、Ｒ−ｒｉｃｈ相が中性電解質溶液中に溶け出し、それにともなってＲ−ｒｉｃｈ相に包まれているＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相が中性電解質溶液中に脱落する。このＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の脱落が負電位の印加中に次々に起こるために、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の表面に何らかの保護皮膜が形成されることはない。【００１４】
他方、ＨＤＤＲ磁石粉末を熱間圧縮して得られたＨＤＤＲ粉磁石はＲ−ｒｉｃｈ相がＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相を包囲することなく平均結晶粒径の１０倍以上の間隔で不連続的にまばらに分散している組織を有している。そのため、Ｒ−ｒｉｃｈ相が中性電解質溶液中に溶け出しても、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相が中性電解質溶液中に脱落することはなく、中性電解質溶液中に溶け出したＲ−ｒｉｃｈ相のＲと主相Ｒ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相のＦｅが主相の表面で溶液中の酸素と反応し、複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜として析出し形成されるものと考えられる。
【発明の効果】
【００１５】
Ｒ２Ｏ３相を主体とする保護皮膜は従来の電解Ｎｉメッキや樹脂塗装による保護皮膜に比べて一層優れた耐食性を有するところから、保護皮膜を一層薄くすることができ、電気・電子機器の小型化にすぐれた効果をもたらすものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
本発明の希土類永久磁石の製造に使用する原料粉末としては、Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石合金、またはＲ−Ｔ−Ｂ系合金にＭを０．００１〜５．０原子％含有したＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石合金をＡｒガス雰囲気中で溶解して得られたＲ−Ｔ−Ｂ系磁石インゴットまたはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石インゴットを機械的に粉砕して得られた粒径：３００μｍ以下の粗粉末を用いることができる。ただし、ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅあるいはＦｅの一部をＣｏで置換した成分、ＭはＳｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖのうち１種または２種以上を示し、Ｂはボロン元素を示す。
なお上記Ｒ−Ｔ−Ｂ系磁石合金、またはＲ−Ｔ−Ｂ−Ｍ系磁石合金の組成は、既知の磁石合金の組成を用いることができる。好ましい組成としては、例えば原子％で、Ｒ：１２〜１５％、Ｂ：６〜７％、Ｍ：０．５〜２％、残部：Ｔの組成を挙げることができる。【００１７】
この粗粉末を水素雰囲気中で加熱することにより水素化・相分解し、ついで同じく加熱状態で真空引きすることにより脱水素・再結合する処理（以下、この処理をＨＤＤＲ処理という）を施すことにより、ＨＤＤＲ磁石粉末を製造できる。
前記ＨＤＤＲ処理の好ましい条件としては、圧力：１０〜１０００ｋＰａの水素ガス雰囲気中で５００〜１０００℃の範囲内の温度に昇温し保持することにより、前記粗粉末に水素を吸収させて主相を分解する水素吸収・分解処理を施し、次いで５００〜１０００℃の範囲内の所定の温度で到達圧０．１３ｋＰa以下の真空雰囲気に保持することにより強制的に水素を放出させて分解生成相を再結合させる脱水素・再結合処理を行う。
これらＨＤＤＲ磁石粉末を熱間圧縮して製造された希土類永久磁石（以下、ＨＤＤＲ粉磁石という）は、平均結晶粒径が０．１〜１μｍのＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相が集合した再結晶組織を主相とし、Ｒ−ｒｉｃｈ相がＲ２Ｔ１４Ｂ型金属間化合物相の平均結晶粒径の１０倍以上の間隔で不連続的にまばらに分散している組織を有している。
次に前記ＨＤＤＲ粉磁石を中性電解質水溶液に浸漬してＨＤＤＲ粉磁石に負電位を印加することにより、磁石表面に複合酸化物（Ｒ，Ｆｅ）２Ｏ３の保護皮膜を形成することができる。
中性電解質水溶液は、中性塩、特にＳＯ４イオンを含むＮａ２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４、ＭｇＳＯ４、ＣａＳＯ４の水溶液であることが好ましい。
ＨＤＤＲ粉磁石に印加される負電位は−１．３Ｖから-２．５Ｖが好ましい。
前記保護被膜の厚さは、０．５μｍ以上２０μｍ以下が好ましい。厚さ０．５μｍ未満では、保護被膜としての十分な効果がえられない。他方、保護被膜は薄いことが好ましいので、好ましい範囲の上限を２０μｍとした。【００１８】
実施例１
Ｎｄ：１３．０％、Ｄｙ：０．５％、Ｃｏ：１．０％、Ｂ：６．５％、Ｚｒ：０．１％、Ｇａ：０．４％、Ｆｅ：残部からなる組成（以上、原子％）の合金鋳塊を機械的に粉砕して粒径：３００μｍ以下の粉末とし、この粉末を加熱炉に装入し、加熱炉内を０．４気圧の水素ガス雰囲気に保持したのち、加熱炉内の温度を室温から８５０℃に昇温し、引き続いて８５０℃に３時間保持して水素吸蔵処理した。そののち、前記粉末を真空雰囲気中、温度：８５０℃に１時間保持して脱水素処理し、さらに真空度：１×１０-5Ｔｏｒｒになるまで排気冷却し、その後、粉砕して平均粒径：２００μｍのＨＤＤＲ磁石粉末を作製した。このＨＤＤＲ磁石粉末を磁界：１３ｋＯｅ，圧力：２００ＭＰａで磁界中成形して成形体を作製し、この成形体をＡｒ雰囲気中、８００℃、圧力：１５０ＭＰａの条件で熱間圧縮することにより真密度のＨＤＤＲ粉磁石ブロックを作製した。得られたＨＤＤＲ粉磁石ブロックを切断し、研磨することにより１０×１０×２ｍｍの寸法を有するＨＤＤＲ粉磁石試料を作製した。【００１９】
さらに、ポテンショスタットによる定電位分極回路、対極となるリング状Ｐｔを底面に備えさらに回転電極を備えた電解槽、および恒温槽からなる装置を用意し、濃度：０．１７６ｋｍｏｌ／ｍ３のＮａ２ＳＯ４水溶液を電解槽に充填し、恒温槽により前記Ｎａ２ＳＯ４水溶液を温度：２５℃に保持した。さらに、試料の電位を電気化学的に規定するためにＡｇ／ＡｇＣｌ（３．３３ｋｍｏｌ／ｍ３ＫＣｌ）の電極を照合電極として設け、電解槽と塩橋を用いて連結した。なお、脱酸素のために処理中は窒素ガスを通気した。
かかる状態で前記ＨＤＤＲ粉磁石試料を回転電極の一面に固定し、ＨＤＤＲ粉磁石試料を回転させながら電位：−１．８ＶをＨＤＤＲ粉磁石試料に３０分間印加し、回転電極からＨＤＤＲ粉磁石試料を外し、反対面を固定して同じ処理を３０分実施することにより表面処理を行なった。その結果、ＨＤＤＲ粉磁石試料の表面に皮膜が形成されていることが確認された。
この皮膜は、Ｘ線マイクロアナライザーにより（Ｎｄ、Ｄｙ）−ｒｉｃｈであることが確認され、Ｘ線光電子分光により（Ｎｄ、Ｄｙ、Ｆｅ）２Ｏ３であることが確認された。さらに試料断面の走査型電子顕微鏡観察により、この皮膜の平均厚さが１０μｍであることが確認された。
この表面に皮膜が形成されているＨＤＤＲ粉磁石試料を温度：８０℃、湿度：９０％ＲＨで２０００時間保持することにより発錆試験を行なったところ錆は発生しなかった。さらにこの表面に皮膜が形成されているＨＤＤＲ粉磁石試料を着磁後、温度：３５℃、塩水（５％ＮａＣｌ）噴霧中で１０００時間まで保持し、不可逆減磁率を測定した結果、不可逆減磁率は０．２％であった。【００２０】
比較例１
実施例１で用意したＮｄ：１３．０％、Ｄｙ：０．５％、Ｃｏ：１．０％、Ｂ：６．５％、Ｚｒ：０．１％、Ｇａ：０．４％、Ｆｅ：残部からなる組成（以上、原子％）の合金鋳塊を機械的に粉砕して粒径：３μｍの粉砕磁石粉末を作製した。この粉砕磁石粉末を実施例１と同じ条件で磁界中成形して成形体を作製し、この成形体を真空雰囲気中、１１３０℃、１時間保持の条件で焼結し、次いでＡｒ雰囲気中、６００℃、１時間保持の熱処理を行なうことによりほぼ真密度の粉砕粉磁石ブロックを作製した。得られた粉砕粉磁石ブロックを切断し、研磨することにより１０×１０×２ｍｍの寸法を有する粉砕粉磁石試料を作製した。
得られた粉砕粉磁石試料に実施例１と同様にして表面処理を行なった結果、粉砕粉磁石試料の表面は荒れており、皮膜が形成されていないことが確認された。【００２１】
比較例２
実施例１で用意したＮｄ：１３．０％、Ｄｙ：０．５％、Ｃｏ：１．０％、Ｂ：６．５％、Ｚｒ：０．１％、Ｇａ：０．４％、Ｆｅ：残部からなる組成（以上、原子％）の合金鋳塊を溶解し、得られた溶湯をＡｒ雰囲気中の単ロール液体急冷装置により厚さ：２５μｍの超急冷合金箔片を作製した。この超急冷合金箔片を超急冷磁石粉末として実施例１と同じ条件で磁界中成形することにより成形体を作製した。この成形体をＡｒ雰囲気中、８００℃、圧力：１５０ＭＰａの条件で熱間圧縮することにより真密度の超急冷粉磁石ブロックを作製し、得られた超急冷粉磁石ブロックを切断し、研磨することにより１０×１０×２ｍｍの寸法を有する超急冷粉磁石試料を作製した。
得られた超急冷粉磁石試料を実施例１と同様にして表面処理を行なった結果、超急冷粉磁石試料の表面は荒れており、皮膜が形成されていないことが確認された。【００２２】
従来例１
実施例１で作製したＨＤＤＲ粉磁石試料に通常の条件で厚さ：１０μｍのＮｉメッキ層を形成した。この表面にＮｉメッキ層が形成されているＨＤＤＲ粉磁石試料を実施例１と同じ条件の温度：８０℃、湿度：９０％ＲＨで２０００時間保持することにより発錆試験を行なったところ１３５０時間で錆が発生した。さらにこの表面にＮｉメッキ層が形成されているＨＤＤＲ粉磁石試料を着磁後、温度：３５℃、塩水（５％ＮａＣｌ）噴霧中で１０００時間まで保持し、不可逆減磁率を測定した結果、不可逆減磁率は４．３％であった。【００２３】
実施例１、比較例１〜２および従来例１に示される結果から、この発明の（Ｎｄ、Ｄｙ、Ｆｅ）２Ｏ３保護皮膜は、従来のＮｉメッキ層からなる保護皮膜に比べて耐食性に優れていること、並びに前記（Ｎｄ、Ｄｙ、Ｆｅ）２Ｏ３保護皮膜はＨＤＤＲ粉磁石試料に形成され、粉砕粉磁石試料および超急冷粉磁石試料の表面には形成されないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明によれば、Ｒ２Ｏ３相を主体とする保護皮膜を有する希土類永久磁石を提供することができる。Ｒ２Ｏ３相を主体とする保護皮膜は従来の電解Ｎｉメッキや樹脂塗装による保護皮膜に比べて一層優れた耐食性を有するところから、保護皮膜を一層薄くすることができる。そのため本発明は、希土類永久磁石を装備した電気・電子機器の小型化にすぐれた効果をもたらすものである。
【国際調査報告】
2008020467.tif 000002
2008020467.tif 000003
2008020467.tif 000004