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　特願２０１４−５４９３２１「電流センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　４日国際公開、ＷＯ２０１３／０９７５４２、平成２７年　２月　２日国内公表、特表２０１５−５０３７３５、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
特許出願：　平成２４年１０月３０日
（パリ条約による優先権主張（外国庁受理２０１１年１２月３０日、中国）を伴う国際出願）
拒絶査定：　平成２９年１月１２日（送達日：同年同月１７日）
拒絶査定不服審判の請求：　平成２９年５月１７日 
手続補正：　平成２９年５月１７日 
拒絶理由通知：　平成３０年１月１７日（発送日：同年同月１８日）
手続補正：　平成３０年４月４日
意見書：　　平成３０年４月４日
拒絶理由通知：　平成３０年６月２１日
（以下、「当審拒絶理由」という。発送日：同年同月２２日）
手続補正：　平成３０年７月２４日（以下、「本件補正」という。）
意見書：　　平成３０年７月２４日
第２　本願発明
　本願請求項１−３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明３」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　ＭＴＪセンサブリッジ、前記ＭＴＪセンサブリッジの近くにあってテスト電流を搬送する導体、および少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に設置される磁石を備えるシングルチップ電流センサであって、
　前記ＭＴＪセンサブリッジは、１つまたは複数のＭＴＪ抵抗器を含み、
　前記ＭＴＪ抵抗器および前記ＭＴＪ温度補償抵抗器は、それぞれ、１つまたは直列に接続された複数のＭＴＪ素子を備え、
　前記ＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、
　前記ＲＨは高い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、前記ＲＬは低い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、
　前記磁石が、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に置かれることによって、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層をバイアスする磁場を産出し、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層の磁化方向が、そのピンド層の磁化方向と反平行になるようにし、したがって前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器が、前記電流センサの測定範囲で温度の関数としてのみ変化する高い抵抗状態になるようにし、
　前記ＭＴＪセンサブリッジは、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と直列に接続されてセンサブリッジ電圧出力を安定化し、前記導体の中のテスト電流によって産出された磁場を測定することによって前記テスト電流を決定し、次いで前記テスト電流は出力電圧として提供されるシングルチップ電流センサ。
　　【請求項２】
　前記ＭＴＪセンサブリッジはハーフブリッジである、請求項１に記載のシングルチップ電流センサ。
　　【請求項３】
　前記ＭＴＪセンサブリッジはフルブリッジである、請求項１に記載のシングルチップ電流センサ。」
第３　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１０−１４５２４１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。）
「【００１５】
  
検出素子１０は、基板４０上に形成されたトンネル磁気抵抗効果素子(ＴＭＲ素子)であり、
「【００７５】
  なお、
バイアス磁界Ｈｂ０の発生方法としては、この変形例１で挙げたような永久磁石でもよいし、検出素子１０（ＴＭＲ素子）の下部電極を用いてバイアス電流を流す方法でもよい。
「【００８１】
  ［実施の形態２］
  実施の形態２では、ＴＭＲ素子が磁界検出用の検出素子の他に、参照素子として利用さ
れる。
【００８２】
  外部磁界Ｈｅｘに比べて大きいバイアス磁界Ｈｂを印加しているとみなせる場合に、
バイアス磁界Ｈｂの方向と固着層の磁化の方向を平行または反平行とする
同じ特性を有した複数のＴＭＲ素子を用意し、そのうちの一部を外部磁界Ｈｅｘに応じた抵抗を発生させる検出素子として使用し、その他のＴＭＲ素子を参照素子として使用する。そして検出素子と参照素子の抵抗値の差から外部磁界Ｈｅｘを求めることによって、周囲の温度によって変化するＴＭＲ素子の抵抗値の変化を補償し
「【００８５】
  磁界検出装置２は、図１の抵抗素子２２に代えて、ＴＭＲ素子である参照素子５０を含む。すなわち、
磁界検出装置２は、磁界を検出する検出素子１０と、電圧源２１と、抵抗素子として用いられる参照素子５０と、電圧増幅回路２３Ａと、制御部２５Ａと、バイアス電流供給部としての電流源３１、３３とを含む。
【００８６】
  
検出素子１０は、基板４０上に形成されたＴＭＲ素子であり、
【００８７】
  
参照素子５０は、基板４０上に形成されたＴＭＲ素子であり、絶縁層５４を挟んで上部に位置する上部電極５８と下部に位置する下部電極５７とを含む。検出素子１０の場合と同様に、上部電極５８は強磁性層（自由層）を含み、下部電極５７は強磁性層（固着層）を含む。
「【００９２】
  次に、測定部２０Ａの構成について説明する。電圧源２１は、配線層６２と配線層４２との間に接続される。これによって、直列接続された参照素子５０および検出素子１０に定電圧が印加される。定電圧印加の手段として、ツェナーダイオードなどを利用してもよい。
【００９３】
  電圧増幅回路２３Ａの入力ノードは、一体形成された配線層４３，６３に接続される。電圧増幅回路２３Ａは、参照素子５０および検出素子１０の接続ノードＮｄ１の電圧Ｖｄ１を増幅して出力電圧Ｖｏｕｔとして制御部２５に出力する。電圧増幅回路２３Ａは、実施の形態１と同様に、差動増幅回路と参照電圧源とによって構成することができる。このように
検出素子１０と参照素子５０とからなるハーフブリッジを構成する
「【００９７】
  次に、磁界検出装置２の動作について説明する。外部磁界Ｈｅｘが変化すると、自由層の磁化の向きが変化し、固着層の磁化の向きとなす角度が変化するため、検出素子１０の抵抗が変化する。このとき、検出素子１０には、たとえば１０Ｏｅ程度のバイアス磁界が発生するように下部電極１７にバイアス電流が供給される。実施の形態１で説明したように、バイアス磁界にはヒステリシス低減などの効果がある。
【００９８】
  一方、参照素子５０の下部電極５７にはＸ軸方向のバイアス電流Ｉｂが供給され、たとえば、１００Ｏｅの磁界が生成される。これによって、外部磁界によらずに
常に参照素子５０の自由層の磁化方向を固着層の磁化方向に対して概略一定に保つようにして、
「【０１３２】
  以上の手順により、広い磁界範囲で、良好な精度で磁界を測定することができる。また、温度による感度の変化を補正することもできる。また、上記の検出手順によれば、磁界の印加方向が概略一定である磁界を高感度に測定することができるので、たとえば、
磁界検出装置３を直流および交流の電流センサとして利用することができる
　したがって、上記引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「磁界を検出する検出素子１０と、抵抗素子として用いられる参照素子５０と、バイアス電流供給部としての電流源３１、３３とを含む電流センサであって、（【００８５】、【０１３２】）
　検出素子１０は、トンネル磁気抵抗効果素子(ＴＭＲ素子)であり、（【００１５】、【００８６】）
　検出素子１０と参照素子５０とからなるハーフブリッジを構成し、（【００９３】）
　バイアス磁界の発生方法としては、永久磁石でもよく、（【００７５】）
　参照素子５０は、ＴＭＲ素子であり、上部電極５８と下部電極５７とを含み、上部電極５８は強磁性層（自由層）を含み、下部電極５７は強磁性層（固着層）を含み（【００８７】）、常に参照素子５０の自由層の磁化方向を固着層の磁化方向に対して概略一定に保つようにし、バイアス磁界の方向と固着層の磁化の方向を反平行とし、同じ特性を有した複数のＴＭＲ素子を用意し、そのうちの一部を検出素子として使用し、その他のＴＭＲ素子を参照素子として使用して、周囲の温度によって変化するＴＭＲ素子の抵抗値の変化を補償する（【００８２】、【００９８】）、
　電流センサ。」
２．引用文献２について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（国際公開第２００５／０８１００７号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「 [0001] 本発明は、巨大磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果により磁界検出を行う磁界検出器およびこれを用いた電流検出装置、位置検出装置および回転検出装置に関するものである。」 
 
「 [0003] また、強磁性層間の交換結合作用がなくなる程度に厚い非磁性金属層を持つ強磁性層／非磁性層／強磁性層／反強磁性層からなる構造により、強磁性層／反強磁性層を交換結合させて、その強磁性層の磁気モーメントを固定しいわゆる固着層とし、他方の強磁性層のスピンのみを外部磁界で容易に反転できる自由層とした、いわゆるスピンバルブ膜が知られている。反強磁性体としては、FeMn、IrMn、PtMnなどが用いられている。この場合、２つの強磁性層間の交換結合が弱く小さな磁界でスピンが反転できるので、高感度の磁気抵抗効果素子を提供できることから、高密度磁気記録用再生ヘッドとして用いられている。上記のスピンバルブ膜は、膜面内方向に電流を流すことで用いられる。 
 
[0004] 一方、膜面に対して垂直方向に電流を流す垂直磁気抵抗効果を利用すると、さら に大きな磁気抵抗効果が得られることが知られている。  
　さらには、強磁性層／絶縁層／強磁性層からなる 3層膜において、外部磁界によつて 2つの強磁性層のスピンを互いに平行あるいは反平行にすることにより、膜面垂直方向のトンネル電流の大きさが異なることを利用した、強磁性トンネル接合によるトンネル磁気抵抗 (TMR： tunneling magnetoresistance)効果も知られている。」
「 [0007] さらに、単体の磁気抵抗効果素子で測定するのではなく、４個の磁気抵抗効果素子を用いてブリッジ回路を形成し、かつ固着層の磁化方向が逆向きの素子を組合わせ、高出力な磁界検出器を形成する技術が提案されている。（特許文献１参照）」
３．引用文献３について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２００７−６４８１３号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０１６２】
  すなわち、磁気抵抗効果素子２．１，２．２に対するバイアス部４．１，４．２の相対的な位置を適切に設定することで、磁界検出装置５００の検出範囲を任意に変更することができる。
【０１６３】
  なお、磁界検出装置５００においては、ほぼ同一の外部磁界Ｈｅｘをそれぞれ磁気抵抗効果素子２．１および２．２へ印加することで、外部磁界Ｈｅｘを検出する。そこで、以下のような電流検出回路に応用することができる。
【０１６４】
  図２６は、実施の形態５に従う磁界検出装置５００を応用した電流検出回路の要部を示す図である。
【０１６５】
  図２６を参照して、磁気抵抗効果素子２．１および２．２の上部に検出対象の電流が流れる電路６９が配置される。検出対象の電流が電路６９を流れることで、電路６９の周方向に電流磁界が生じ、その大きさは電路６９に沿って一様である。この電流磁界は、検出対象の電流の大きさに比例するので、電流磁界を検出することで、電流の大きさを測定できる。」
４．引用文献４について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２００８−１３４１８１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００３１】
  図１に示す磁気検出装置１は、磁気抵抗効果素子１０と、固定抵抗素子２０及び集積回路１９（図３参照）が一体化されたＩＣパッケージである。
【００３２】
  磁石Ｍなどの磁界発生部材は、前記磁気検出装置１と接触しない。前記磁気抵抗効果素子１０の電気抵抗は、流入する前記磁石Ｍからの外部磁界の方向変化に基づいて変化する。
【００３３】
  前記磁気抵抗効果素子１０は、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用して、外部磁界により電気抵抗が変化するＧＭＲ素子である。一方、前記固定抵抗素子２０は、外部磁界によって電気抵抗が変化しない。」
５．引用文献５について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平０８−２３３８６７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】従来、１つの半導体磁気抵抗素子と３つの基準抵抗によりブリッジに構成された電流検出回路により近接通過電流あるいは磁束変化を電圧信号に変換する検出回路は、図４に示すように、入力端子間に温度補償した電圧を印加し、出力端子間の電圧を一定ゲインの差動増幅器により出力電圧を得るため、該出力電圧は該磁気抵抗素子の抵抗変化に対して出力電気信号が直線的変化とならない。
【０００３】すなわち近接通過電流あるいは磁束変化で被検出半導体磁気抵抗素子の抵抗がＲからＲ＋Δｒになるとする。またこの抵抗変化△ｒは温度係数β（一般にβ＜０）の温度特性を有し、３つの基準抵抗の温度係数は微小で無視できるとすると、端子電圧△Ｖは、
【０００４】
【数式１】　（省略）
となり、この端子電圧ΔＶは分母、分子にΔｒの項があるため、抵抗変化Δｒに対して直線的変化をしない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このため、従来の構成はΔｒの小さいところでしか使えない、あるいはフルスケールにおいて直線的に使えない課題を抱えていた。
【０００６】またΔｒの温度依存性を相殺するため、ＶINにΔｒの温度特性と反対方向の温度特性を持たせることは既知の技術である。・・・」
６．引用文献６について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開昭６３−１７９５８５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「実施例
この発明の第１の実施例を第１図および第２図に基づいて説明する。すなわち、この磁気抵抗素子の温度補償回路は、磁気抵抗素子１，２と、この磁気抵抗素子１，２に接続されて前記磁気抵抗素子１，２の温度変化による出力電圧の変化を少なくするように前記磁気抵抗素子１，２に印加する電圧を変化する温度特性をもった温度補償回路部３，４を有する電源とを備えている。」（第２頁右下欄第１行〜第９行）
７．引用文献７について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７（特開昭４９−００５３８２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「一方，半導体歪計素子のゲージ率が温度上昇に従って低下し，これによってブリッジの出力が低下するのを補償する感度補償方法としては，第３図に示すようにブリッジの入力電源を定電流源Ｉとし，温度上昇に伴うブリッジ抵抗値の増大を利用してゲージ率の低下に伴うブリッジ出力の低下を補償すべくブリッジの入力電圧を増加させる方法や，第４図に示す様に半導体歪計素子Ｇ１，Ｇ２に近接して感熱抵抗素子Ｔを配設し，該感熱抵抗素子Ｔに対して直列および並列に抵抗ｒ３，ｒ４を接続してブリッジの入力電圧に適当な温度特性を持たせる方法があるが，前述した感度補償を行なうためにブリッジの入力電圧が温度変化に対応して変化することによりブリッジ出力に初期不平衡電圧が含まれている場合には，そのブリッジ入力電圧変化に応じて初期不平衝電圧が変化し，これが見かけ上の熱出力になるという致命的な欠点がある。」（第２頁右上欄第１９行〜同左下欄第１４行）
８．引用文献８について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８（特表２００５−５１４６１１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
  図４は、代替的な実施の形態に従った多重目的センサ３５０を示す電気的概略図である。図３に示す概略図と同様に、図４は検出端子３１０、３１２、３１４及び３１６により分けられる４つの磁気抵抗素子３０２、３０４、３０６及び３０８を含む全ホイートストン・ブリッジ構成を示している。多重目的センサに対する代替的な実施の形態に従うと、ブリッジ電源は抵抗素子３２２を介して検出端子の一つに結合される電圧源３２４を含んでいる。図３を参照して記述されたように、電源は外部のものでも内部のものでもよい。したがって、電源はセンサに組み込まれるか、又はセンサの外部にあり得る。抵抗素子３２２、および次の図面を参照して記述される任意の抵抗素子は非常に低い温度係数、つまり温度に対し感度の低い一つ以上の抵抗を含み得る。本発明は抵抗を使用することに限定されるわけではなく、当業者は異なる構成要素が更に使用できることを理解することが出来るであろう。さらに、ここで記述される抵抗素子は、内部抵抗素子（検出素子に組み込まれている）又は外部抵抗素子（検出素子の外的に結合されている）であり得る。」
「【００３２】
  図６は代替的な実施の形態に従った多重目的センサとして使用可能な半ホイートストン・ブリッジ構成の電気概略図４５０である。半ホイートストン・ブリッジ構成は、検出端子３１０、３１２及び３１４により分けられる二つの磁気抵抗素子３０２及び３０４を含んでいる。半ホイートストン・ブリッジ構成の代替的な実施の形態に従うと、電圧源３２４は、例えば非常に低い温度係数つまり温度に対し感度が低い抵抗を含む、抵抗素子３２２を介して検出端子３１０に結合されている。先述した図と同様に、二つの電圧測定は磁界センサ読み及び温度センサ読みを決定するように行われる。第一の電圧測定（Ｖｏｕｔ７）は、磁界センサ読みを決定するために使用され、第二の電圧測定（Ｖｏｕｔ８）は、温度センサ読みを決定するために使用される。図６を参照すると、Ｖｏｕｔ７測定は、検出端子３１２及び３１４を渡して行われる。「Ｖ」が電源３２４によって供給される一定の電圧であり、「ｒ」が抵抗素子３２２の抵抗と仮定すると、Ｖｏｕｔ７は以下の方程式を使用して計算される。
Ｖｏｕｔ７＝Ｖｏｕｔ８×（Ｒ＋ΔＲ）／ｒ＝Ｖｏｕｔ８×Ｒ×（１＋Ｓ×Ｈ）／ｒ
          ＝（Ｖ−Ｖｏｕｔ８）×（１＋Ｓ×Ｈ）／２                （方程式１４）
  図６を参照すると、Ｖｏｕｔ８測定は、抵抗素子３２２を渡して行われ、以下の方程式を使用して計算される。
Ｖ−Ｖｏｕｔ８＝Ｖｏｕｔ８×２Ｒ／ｒ
              ＝Ｖｏｕｔ８×２Ｒ０×（１＋Ｃ×Ｔ）／ｒ            （方程式１５）
  温度（Ｔ）読みは、方程式１５を使用して決定することが出来、磁界センサ読みは方程式１４を使用して決定することが出来る。全ホイートストン・ブリッジ構成を利用する多重目的センサに対する実施の形態と同じように、図５及び図６を参照して議論される論理素子は、磁気センサ読み及び温度センサ読みを決定するために二つの出力測定を使用可能である。先述した図面を参照して言及されたように、論理素子はプロセッサ、及び／又は、ハードウエア、ソフトウエア、ファームウエアの素子、またはその組み合わせを使用して実現し得る。」
第４　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　まず、引用発明における「磁界を検出する検出素子１０」及び「抵抗素子として用いられる参照素子５０」は、いずれも「トンネル磁気抵抗効果素子(ＴＭＲ素子)」であり、また、「参照素子５０」は「周囲の温度によって変化するＴＭＲ素子の抵抗値の変化を補償する」ために使用されるものである。したがって、「磁界を検出する検出素子１０」及び「抵抗素子として用いられる参照素子５０」は、それぞれ本願発明１における「ＭＴＪ抵抗器」及び「ＭＴＪ温度補償抵抗器」に相当する。そして、引用発明においては、「検出素子１０と参照素子５０とからなるハーフブリッジ」が構成され、また「バイアス磁界の発生方法としては、永久磁石でも」よいとされており、その場合に永久磁石が素子の横（近傍）に設置されることは当然であるから、引用発明における「磁界を検出する検出素子１０と、抵抗素子として用いられる参照素子５０と、バイアス電流供給部としての電流源３１、３３とを含む電流センサ」と、本願発明１における「ＭＴＪセンサブリッジ、前記ＭＴＪセンサブリッジの近くにあってテスト電流を搬送する導体、および少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に設置される磁石を備えるシングルチップ電流センサ」とは、「ＭＴＪセンサブリッジ、および少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に設置される磁石を備える電流センサ」である点で共通する。
　また、引用発明の「検出素子１０と参照素子５０とからなるハーフブリッジ」が少なくとも一つの検出素子１０を含み、また「検出素子１０と参照素子５０」が、それぞれ少なくとも一つの「ＴＭＲ素子」を備えることは明らかであって、これらの構成は本願発明１における「前記ＭＴＪセンサブリッジは、１つ」「のＭＴＪ抵抗器を含み」、「前記ＭＴＪ抵抗器および前記ＭＴＪ温度補償抵抗器は、それぞれ、１つ」「のＭＴＪ素子を備え、」ることに相当する。
　次に、引用発明においては「バイアス磁界の方向と固着層の磁化の方向を反平行とし」て、「参照素子５０の自由層の磁化方向を固着層の磁化方向に対して概略一定に保つようにし」ているのであるから、「永久磁石」が「参照素子５０」の近傍に配置されることによって、「参照素子５０の自由層の磁化方向」を調整する磁場が供給され、その「参照素子５０の自由層の磁化方向」をバイアスする磁界の方向と「固着層の磁化の方向」を「反平行と」する構成が設けられることは明らかであり、該構成が本願発明１における「前記磁石が、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に置かれることによって、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層をバイアスする磁場を産出し、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層の磁化方向が、そのピンド層の磁化方向と反平行になるようにし、」ている構成に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
（一致点）
「ＭＴＪセンサブリッジ、および少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に設置される磁石を備える電流センサであって、
　前記ＭＴＪセンサブリッジは、１つのＭＴＪ抵抗器を含み、
　前記ＭＴＪ抵抗器および前記ＭＴＪ温度補償抵抗器は、それぞれ、１つのＭＴＪ素子を備え、
　前記磁石が、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の横に置かれることによって、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層をバイアスする磁場を産出し、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器の中の前記ＭＴＪ素子の自由層の磁化方向が、そのピンド層の磁化方向と反平行になるようにされた、
　電流センサ。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は「前記ＭＴＪセンサブリッジの近くにあってテスト電流を搬送する導体」を備えるのに対し、引用発明がそのような導体を備えているかどうかは不明である点。
（相違点２）本願発明１は「シングルチップ」の電流センサであるのに対し、引用発明はシングルチップで構成されるか否かが不明である点。
（相違点３）本願発明１は「前記ＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、前記ＲＨは高い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、前記ＲＬは低い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であ」るとされているのに対し、引用発明は「同じ特性を有した複数のＴＭＲ素子を用意し、そのうちの一部を検出素子として使用し、その他のＴＭＲ素子を参照素子として使用」するものではあるが、本願発明１のような「前記ＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、前記ＲＨは高い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、前記ＲＬは低い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であ」るという構成までは特定されていない点。
（相違点４）本願発明１は「前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器が、前記電流センサの測定範囲で温度の関数としてのみ変化する高い抵抗状態になるように」されているのに対し、引用発明においてはそのような特定はされていない点。
（相違点５）本願発明１においては「前記ＭＴＪセンサブリッジは、前記少なくとも１つのＭＴＪ温度補償抵抗器と直列に接続されてセンサブリッジ電圧出力を安定化し、前記導体の中のテスト電流によって産出された磁場を測定することによって前記テスト電流を決定し、次いで前記テスト電流は出力電圧として提供される」のに対し、引用発明においてはそのような特定はされていない点。
（２）相違点についての判断
　本願発明１の内容に鑑み、上記相違点３について検討する。
　相違点３に係る本願発明１の「前記ＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、前記ＲＨは高い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、前記ＲＬは低い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であ」るという構成は、上記引用文献２ないし８のいずれにも記載も示唆もされていない。
　したがって、その他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用文献１ないし８に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２．本願発明２、３について
　本願発明２、３も、相違点３に係る本願発明１の上記構成と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１ないし８に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１−４について上記引用文献１−８に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、本件補正により補正された請求項１−３は、いずれも「前記ＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、前記ＲＨは高い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であり、前記ＲＬは低い抵抗状態での前記ＭＴＪ素子の抵抗であ」るという事項を有するものとなっており、上記のとおり、本願発明１−３は、当業者であっても、引用文献１−８に基づいて容易に発明できたものとはいえない。したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では、平成３０年４月４日付け手続補正書の請求項１の「前記ＭＴＪ抵抗器および前記ＭＴＪ温度補償抵抗器は、それぞれ、１つまたは直列に接続された複数のＭＴＪ素子を備え、前記複数のＭＴＪ素子のすべては、同じ温度係数、ＲＨおよびＲＬを有し、」という点は、発明の詳細な説明に記載されていないとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正において補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１−３は、当業者が引用文献１−８に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。