(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムのみからなる酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットであって、
上記酸化物系成分の表面の少なくとも一部に上記炭素系成分を積層してなり、
上記酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、上記炭素系成分が占める面積比が２〜１５％であることを特徴とするスパッタリング複合ターゲット。
【請求項２】
酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分と、錫、亜鉛、タングステン及びゲルマニウムから成る群より選ばれた少なくとも１種の元素とを有し、
上記元素割合が１．０〜３０．０質量％であることを特徴とするスパッタリング複合ターゲットであって、
上記酸化物系成分の表面の少なくとも一部に上記炭素系成分を積層してなり、
上記酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、上記炭素系成分が占める面積比が２〜１５％であることを特徴とするスパッタリング複合ターゲット。
【請求項３】
上記酸化物系成分が焼結体であり、上記炭素系成分が非焼結体である請求項１又は２に記載のスパッタリング複合ターゲット。
【請求項４】
上記酸化物系成分１００質量部に対して、上記炭素系成分を０．６〜６．０質量部含有する請求項１又は２に記載のスパッタリング複合ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング複合ターゲットに関し、更に詳しくは、電気抵抗が低く良好な導電性を有する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）系の透明導電膜を室温で製造するのに好適に用いられるスパッタリング複合ターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ等に用いられる透明導電膜には、Ｉｎ２Ｏ３系（例えばＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２系、以下「ＩＴＯ」という）膜が使用されている。
これらの透明導電膜は、例えばＩＴＯにチタンを添加したスパッタリングターゲットを原料とするスパッタリング法によって、低電気抵抗の薄膜として基板上に形成することができるが、その際、膜の電気的、光学的特性を向上させるために、ガラス製の基板の温度を約３００℃の高温に加熱して行われる（特許文献１）。
【０００３】
しかし、カラーフィルムやインクなどの他の部材が基板に使用される場合、これらの部材の中には耐熱温度が低いものもあるため、基板を高温にまで加熱することなく透明導電膜を成膜する方法が求められている。また特にインジウム酸化物系では、ドープする添加物や酸素欠陥が導電性キャリアに大きく影響を及ぼすことから、材料面とプロセス面とも合わせて広く研究開発が行われている。
【０００４】
例えば、インジウムタングステン酸化物薄膜については、構成材料の組成比を限定することで、基板を比較的低温の１５０℃に加熱して成膜することができる（特許文献２）。
またインジウム亜鉛酸化物薄膜については、得られた基板上の透明導電膜を酸素又は水素雰囲気下で２００℃にて加熱処理することで良好な透明導電膜を得る方法（特許文献３）や、アルミニウムやガリウムをドープして成膜した後に、還元雰囲気で３００℃以下の熱処理を行うことで低電気抵抗化する方法（特許文献４）や、スパッタガス中に水素ガスを添加した後に８０℃〜１８０℃で加熱処理する方法が開示されている（特許文献５）。
【０００５】
更に、スパッタプロセス、その前後の工程において酸素欠陥の導入を目的とした処理を行うことで、電気抵抗、安定性を制御する検討がなされている。
例えば、ＩＴＯターゲットの作製方法に着目したものとして、ＩＴＯターゲット作製時に酸化インジウム、酸化スズのほかに金属インジウム、金属スズを添加することにより、ターゲット中の酸素含有率を８〜１７重量%として、成膜後の薄膜に酸素欠陥を導入する方法や（特許文献６）、ＩＴＯターゲット作製時の焼結工程を真空中または不活性ガス雰囲気中、還元ガス雰囲気中で行うことで、ターゲット中の酸素含有率を低減させる方法（特許文献７）が開示されている。
【０００６】
その他、低温で低抵抗率なＩＴＯ薄膜を得る方法として、ＤＣマグネトロンスパッタ法において、バイアス電圧及びターゲット電流を制御することにより基板に到達する際の被スパッタ分子のエネルギー及び成膜速度を最適化することで、基板材料を４０℃以下と比較的低温とする条件で低抵抗な薄膜を得る方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１６８６３６号公報
【特許文献２】特開２００２−２５６４２４号公報
【特許文献３】国際公開第０４／１０５０５４号パンフレット
【特許文献４】特開２０００−４４２３６号公報
【特許文献５】特開２００２−３４３１５０号公報
【特許文献６】特開平０５−２２２５２６号公報
【特許文献７】特開平０３−４４４６５号公報
【特許文献８】特開２００６−１１７９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板に用いられる部材によっては上記特許文献２〜５に記載されている方法よりも更に低温で成膜や処理を行う必要がある。また上記特許文献３及び４に記載されているような成膜後の加熱処理は、単に工程を増やすのみにとどまらず、プラスチックフィルム上に導電性酸化物薄膜を形成した場合はロール形状の中間製品を扱うこととなるため設備が大型化し、また温度分布の制御も難しいなどの問題点が生じる。
上記特許文献５に記載されているスパッタガスに水素ガスを導入する方法では、必然的に水素イオンがターゲットに打ち込まれることになり、スパッタ時間によりターゲット及び成膜中の雰囲気変化を回避することは困難である。更に真空ポンプとしてクライオポンプを用いた場合には、水素ガスによりポンプの再生間隔を短くする必要があり、効率的な成膜が困難となる。
【０００９】
また上記特許文献６及び７に記載されているようにスパッタリングターゲット作製時の雰囲気を制御する場合、ターゲット自体の焼結密度が十分でなかったり、製造工程の複雑化を招いたりするなど更なる検討課題を有している。また金属部を含んだ酸化物ターゲットを作製する場合も同様に焼結雰囲気の制御が難しい。更に上記特許文献８に記載されているようにスパッタ時のバイアス電圧及びターゲット電流を制御するには、スパッタ装置の電源回路部が複雑となり装置が高価となるため、一般的な装置への展開は容易ではない。
【００１０】
他方、現状では、未だにＩＴＯが最も一般的に使用されており、添加物の検討はまだ実用化に不十分な段階にある。またディスプレイデバイスの大型化や高精細化などにより、透明導電膜の低電気抵抗化への要求は更に高まっている。
【００１１】
本発明は、上記した従来の課題に着目して成されたものであり、一定量の酸素欠陥を透明導電膜に安定して導入することができ、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成することができるスパッタリング複合ターゲット、これを用いたＩＴＯ透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、酸化インジウムと炭素分とを併用することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
本発明のスパッタリング複合ターゲットは、酸化インジウムのみからなる酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットであって、酸化物系成分の表面の少なくとも一部に炭素系成分を積層してなり、酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、上記炭素系成分が占める面積比が２〜１５％であることを特徴とする。また、本発明のスパッタリング複合ターゲットは、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分と、錫、亜鉛、タングステン及びゲルマニウムから成る群より選ばれた少なくとも１種の元素とを有し、元素割合が１．０〜３０．０質量％であることを特徴とするスパッタリング複合ターゲットであって、酸化物系成分の表面の少なくとも一部に上記炭素系成分を積層してなり、酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、上記炭素系成分が占める面積比が２〜１５％であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを構成したので、安定した一定量の酸素欠陥を透明導電膜に導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有するＩｎ２Ｏ３系の透明導電膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明のスパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材について詳細に説明する。なお、本明細書において、濃度及び含有量等についての「％」は特記しない限り質量百分率を表すものとする。
【００１９】
本発明のスパッタリング複合ターゲットは、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するものである。
酸化物系成分は、酸化インジウムから成るものでもよく、酸化インジウム以外のものを含むものでもよい。酸化物系成分としては、例えば酸化インジウムのチップ、酸化インジウム粉末から成る焼結体、この焼結体に後述する特定の元素をドープしたもの、又は、酸化インジウム粉末と後述する特定の元素を含む酸化物粉末を混合して焼結した焼結体等を用いることができる。
【００２０】
炭素系成分は、炭素を含むものであればよく、例えば炭素粉末や、スパッタリング用のカーボンチップ、Ａｌ４Ｃ３、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ等のカーバイド材料等を用いることができる。
スパッタリング複合ターゲットが炭素系成分を有することにより、安定した一定量の酸素欠陥を透明導電膜中に導入することができる。
酸素欠陥が導入されるメカニズムは明らかではないが、Ｉｎ２Ｏ３を含む酸化物系成分中の酸素（Ｏ）が、炭素系成分中のＣと結びついてＣＯ又はＣＯ２となって放出されることにより、スパッタリングする時間や雰囲気変化等にかかわらず、安定した一定量の酸素欠陥が透明導電膜中に導入されると推測する。
透明導電膜に安定した一定量の酸素欠陥が導入され、この酸素欠陥が導電性キャリアとして機能するため、電気抵抗が低く、良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができる。
炭素系成分の他に、ホウ素系成分を複合ターゲットとして用いることも考えられたが、ホウ素系成分を複合ターゲットに用いると、透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が劣化した。
【００２１】
スパッタリング複合ターゲットは、酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているものでもよく、酸化物系成分と炭素系成分とが各々別体となっているものでもよい。
酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体である場合は、これらを共にスパッタリングすることが好ましい。
なお、本明細書において「共に」とは、別体のスパッタリング複合ターゲットを略同時にスパッタリングする意味のことをいい、多少時間的なずれがある場合であっても、同一の還元性雰囲気中で別体のスパッタリング複合ターゲットをスパッタリングすることをいう。
【００２２】
酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体の場合は、例えば酸化物系成分として上記の焼結体を用い、炭素系成分として非焼結体等を用いることができる。
また、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体の場合は、スパッタリング複合ターゲットとして、酸化物系成分の表面の少なくとも一部に炭素系成分を積層したものを用いることが好ましい。
次に、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体のスパッタリング複合ターゲットの例を説明する。
【００２３】
図１は、本発明のスパッタリング複合ターゲットの実施形態の一例を示す図である。
図１に示すように、本例のスパッタリング複合ターゲット１は、円盤状の酸化物系成分（例えばＩｎ２Ｏ３）２と、所定の角度を有する扇形状の４つの炭素系成分（例えばカーボンチップ）３ａ〜３ｄとを有するものである。
スパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２の表面に、その中心部から所定の角度で放射線上に、扇形状の４つの炭素系成分３ａ〜３ｄを積層したものである。
炭素系成分３ａ〜３ｄは、スパッタリングにより形成される透明導電膜中に均等に酸素欠陥が導入されるように、酸化物系成分２の表面に等角度又は等間隔で配置することが好ましい。
なお、図１では、４つの扇形状の炭素系成分３ａ〜３ｄを、円盤状の酸化物系成分２の表面に配置した例を示したが、酸化物系成分２や炭素系成分３ａ〜３ｄの数、形状又は配列方法は、本例に限定されない。
【００２４】
本例のスパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２の最大面積をターゲット表面積とした場合に、該ターゲット表面積１００％に対して、炭素系成分３が占める面積比（図１中、炭素系成分３ａ〜３ｄの合計面積比）が２〜１５％であることが好ましい。
スパッタリング複合ターゲットにおいて、炭素系成分が占める面積比が２％未満であると、スパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合がある。一方、該面積比が１５％を超えると、カーボンが透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が低下する場合がある。
【００２５】
次に、酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているスパッタリング複合ターゲットの例を説明する。
スパッタリング複合ターゲットが酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているものである場合は、酸化物系成分１００重量部に対して、炭素系成分を０．６〜６．０重量部含有することが好ましい。
炭素系成分の含有量が０．６重量部未満であると、得られる透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合があり、６．０重量部を超えると、炭素が透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなって、導電性が低下する場合がある。
【００２６】
スパッタリング複合ターゲットは、金属元素、具体的にはスズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）及びゲルマニウム（Ｇｅ）から成る群より選ばれた少なくとも１種の元素を有することが好ましい。
スパッタリング複合ターゲットが上記金属元素を有するものであると、優れた電導性を有する透明導電膜を得ることができる。
上記元素は酸化物系成分中にドープしてもよく、上記元素を含む金属又は酸化物等を用いてもよい。さらに、これら以外の元素が含まれていてもよい。
【００２７】
スパッタリング複合ターゲット中の上記元素の含有割合は、１．０〜３０．０％であることが好ましい。熱的に安定な透明導電膜が得られるようにするためには、上記元素の含有割合は１０％程度であることが好ましい。
【００２８】
次に、本発明の透明導電膜の製造方法を図面に基づき説明する。
本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。
【００２９】
図２は、一般的なＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。
図２に示すように、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置１０は、チャンバー１１内に、基板４を保持する基板ホルダー１２と、ターゲット１を保持するターゲットホルダー１３とが対向配置されている。ターゲットホルダー１３には、基板４とターゲット１との間に高周波（例えば１３．５６ＨＭｚ）の電圧を印加する電源１５が接続されている。
ターゲットホルダー１３は、図示を省略した磁石及びヨークと、冷却水等の冷媒を循環させる配管１４とを備えている。
【００３０】
また、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置１０は、チャンバー１１の外部に、該チャンバー１１内にスパッタリング時のプロセスガスを供給するためのガスボンベ１６と、チャンバー１１内を真空にするためのクライオポンプ等の排気ポンプ１７とを備えている。ガスボンベ１６とチャンバー１１とは、供給配管１８で連結され、この供給配管１８には、スパッタガスの供給量を調節する流量調節弁１９が設けられている。
なお、図２においては、１つのガスボンベ１６を設けた例を示したが、複数種類のガスを混合したスパッタガスを使用する場合は、複数のガスボンベを設け、該ガスボンベから複数のガスをチャンバー内に供給するようにしてもよい。
【００３１】
図２に示す例のスパッタリング装置を用いて、透明導電膜を製造する方法について説明する。
まず、基板ホルダー１２に基板４をセットする。
基板４としては、例えば表面が清浄な透明のガラス基板、又は、ポリエチレン（ＰＥ）やポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン（ＰＯ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）及びポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）から成る群より選ばれた少なくとも１種の透明な樹脂基板を用いることができる。
【００３２】
次に、ターゲットホルダー１３に、例えば図１に示すスパッタリング複合ターゲット１をセットする。スパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２を第１ターゲットとし、炭素系成分３を第２ターゲットとし、第１ターゲット上に第２ターゲットを積層して用いる。
【００３３】
次に、チャンバー１１内を排気ポンプ１６により排気し真空にする。
その後、排気を継続しながらチャンバー１内にガスボンベ１６からスパッタガスを導入し、チャンバー１１内が一定の雰囲気圧力になるようにする。スパッタガスは、例えば不活性ガスであるＡｒガスを用いることが好ましく、Ａｒガスと必要に応じてＯ２ガスを所定量混合した混合ガス等を用いてもよい。
ガス流量は、５〜５０ｓｃｃｍが好ましく、ガス圧は、０．５〜２．０Ｐａが好ましい。
【００３４】
次に、電源１４からターゲットホルダー１３を介してスパッタリング複合ターゲット１と基板４との間に高周波（１３．５６ＭＨｚ）の電圧を印加し、ＲＦ放電によりチャンバー１１内にプラズマを発生させる。
そして、電源１４から３０〜１２０Ｗ、具体的には５０Ｗの電力を印加して、基板４を加熱することなくスパッタリングを開始し、スパッタ時間１０分間、室温（２０±５℃）で、基板４上に厚さ２００ｎｍ程度の透明導電膜を形成する。
【００３５】
本発明の透明導電膜の製造方法によれば、スパッタする時間を１〜５０時間と変化させた場合であっても、室温（２０±５℃）で、８．０×１０−４Ω・ｃｍ未満、好ましくは６．０×１０−４Ω・ｃｍ未満、具体的には、４．０×１０−４Ω・ｃｍ以下の低い膜電気抵抗を有するＩｎ２Ｏ３系の透明導電膜を得ることができる。
また、スパッタリング複合ターゲットに含まれる炭素系成分の面積比及び含有量が上記範囲内のものであれば、光透過率が８０％以上の透明導電膜を得ることができる。
【００３６】
図３に示すＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて透明導電膜を製造することも可能である。
図３は、他例のＲＦマグネトロンスパッタ装置１０の概略構成を示す図である。なお、図３において、図２と同様の部材には、同一の符号を付した。
図３に示すＲＦマグネトロンスパッタ装置１０は、酸化物系成分を含有する第１ターゲット２’と、炭素系成分を含有する第２ターゲット３’をそれぞれ異なる位置に配置する２つのターゲットホルダー１３ａ，１３ｂを備えたものである。
この２つのターゲットホルダー１３ａ，１３ｂに、各々第１ターゲット２’、第２ターゲット３’を設置して、スパッタリング複合ターゲット１’とし、第１ターゲット２’と第２ターゲット３’を共に略同時にスパッタリングしてもよい。
なお、均質な透明導電膜を形成するために、基板ホルダー１２を所定の速度で回転させるようにしてもよい。
また、図３においては、ターゲットホルダー１３ａ，１３ｂに各々電源１５ａ，１５ｂを接続した例を示したが、１つの電源からターゲットホルダー１３ａ，１３ｂの両方に電圧を印加するようにしてもよい。
また、スパッタリング複合ターゲット１は、図１〜３に示す例に限らず、酸化物系成分２と炭素系成分３とを一体化したものを用いてもよい。
【００３７】
本発明の透明導電膜付基材は、代表的には上述の製造方法によって得られるもので、耐熱性を有さないプラスチック、例えばポリエチレン、ポリプロピレン又はポリエチレンテレフタレート等のフィルムやシートにＩＴＯ透明導電膜を形成して成る透明導電膜付基材である。
本発明によれば、スパッタリングにおいて、基板を加熱することなく室温に保った条件下で、安定して一定の酸素欠陥を透明導電膜に導入することができる。従って、従来から用いられてきたガラス基板に対してだけでなく、上記のプラスチックフィルムやシートなどの耐熱性の低い基板に対しても低い電気抵抗及び良好な導電性を有するＩＴＯ透明導電膜を形成することが可能となったため、上記の透明導電膜付基板が実現した。
本発明によって得られる透明導電膜は、太陽電池や、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に好適に用いることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明を実施例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例
に限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
図２に示すＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタ装置を用いて、ターゲットホルダーに、直径４インチ×厚さ４ｍｍのＩＴＯから成る焼結体である酸化物系（ＩＴＯ）成分を設置した。
このＩＴＯ成分の上に、ＩＴＯ成分の最大表面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で６％になるように設置し、スパッタリング複合ターゲットとした。
【００４０】
次に、基板ホルダーに、厚さ１ｍｍのガラス基板を設置した。
そして、チャンバー内を排気ポンプで真空にした後、スパッタガスとして、流量１５ｓｃｃｍ、ガス圧１ＰａのＡｒガスをチャンバー内に導入した。
その後、基板を加熱することなく、室温（２０±５℃）で、電源により５０Ｗの高周波（１３．５６ＭＨｚ）の電圧を、基板及びスパッタリング複合ターゲットの間に印加し、スパッタ時間１０分間で、基板上に厚さ２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗を４端子法測定機により測定した。透明導電膜の電気抵抗は、２．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、透明導電膜の光透過率は、８８％であった。
トータルして５０時間スパッタした後、上記と同様に１０分間スパッタを行い、透明導電膜を製造した場合も、透明導電膜の電気抵抗は２×１０−４Ω・ｃｍ程度であり、光透過率も８８％であることから再現性が確認された。
【００４１】
（実施例２）
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例１と同様のＩＴＯ成分のターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で２％になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、３×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、９０％であった。また再現性も確認された。
【００４２】
（実施例３）
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例１と同様のＩＴＯ成分のターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で１５％になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８５％であった。
【００４３】
（実施例４）
基板ホルダーに厚さ０．１５ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）系フィルムを設置したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４４】
（実施例５）
基板ホルダーに厚さ０．３０ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）系フィルムを設置したこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４５】
（実施例６）
基板ホルダーに厚さ０．５０ｍｍのポリプロピレン（ＰＰ）系フィルムを設置したこと以外は、実施例３と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４６】
（実施例７）
基板ホルダーに厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムを設置したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８５％であった。また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４７】
（実施例８）
基板ホルダーに厚さ１２５μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムを設置したこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８４％であった。また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４８】
（実施例９）
基板ホルダーに厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムを設置したこと以外は、実施例３と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８０％であった。また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００４９】
（実施例１０）
基板ホルダーに厚さ０．５ｍｍのポリエチレン（ＰＥ）シートを設置したこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００５０】
（実施例１１）
基板ホルダーに厚さ１．０ｍｍのポリエチレン（ＰＥ）シートを設置したこと以外は、実施例２と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００５１】
（実施例１２）
基板ホルダーに厚さ２．０ｍｍのポリエチレン（ＰＥ）シートを設置したこと以外は、実施例３と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、４×１０−４Ω・ｃｍであり、また再現性も確認された。
フィルム基板の変形などは観察されず、スパッタプロセス中の熱によるフィルムへの影響がないことが確認された。
【００５２】
（実施例１３〜１５）
ＩＴＯ及びＣ（グラファイト）を以下の比率で粉体混合し、焼結等により一体化したスパッタリング複合ターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を形成した。
実施例１３；ＩＴＯ：Ｃ（グラファイト）＝９９．４％：０．６％
実施例１４；ＩＴＯ：Ｃ（グラファイト）＝９８．０％：２．０％
実施例１５；ＩＴＯ：Ｃ（グラファイト）＝９４．７％：５．３％
なお、上記実施例１３〜１５のスパッタリングターゲットにおいて、Ｃの占める面積の割合は、各々、２％、６％、１５％に相当する。
実施例１３〜１５のスパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜の電気抵抗は、各々３×１０−４Ω・ｃｍ（実施例１３）、２×１０−４Ω・ｃｍ（実施例１４）、４×１０−４Ω・ｃｍ（実施例１５）であった。
また、実施例１３〜１５の透明導電膜の光透過率は、それぞれ、９０％、８８％、８５％であった。
【００５３】
（比較例１）
直径４インチ×厚さ４ｍｍのＩＴＯから成る焼結体をスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗は、８×１０−３Ω・ｃｍであり、光透過率は、８８％であった。
【００５４】
（比較例２）
直径４インチ×厚さ４ｍｍのＩＴＯ成分上に、ＩＴＯ成分の最大表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で２０％になるように設置したものをスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、２×１０−３Ω・ｃｍであり、光透過率は、７６％であった。
【００５５】
〔結果の考察〕
実施例１〜１５のスパッタリング複合ターゲットを用いて製造した透明導電膜は、いずれも電気抵抗が４×１０−４Ω・ｃｍ以下と低く、基板を高温（例えば２００℃）に加熱することなく室温で、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができた。
また、スパッタを５０時間行った後であっても、得られる透明導電膜の電気抵抗が４×１０−４Ω・ｃｍ以下と変わらず、スパッタの再現性が良好であることが確認できた。
一方、比較例１及び２のスパッタリングターゲットを用いると、得られた透明導電膜の電気抵抗が８×１０−３Ω・ｃｍ及び２×１０−３Ω・ｃｍと高く、要求されるレベルの電気抵抗を有する透明導電膜を得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明のスパッタリング複合ターゲットの実施形態の一例を示す平面図である。
【図２】一般的なＲＦマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す図である。
【図３】他例のＲＦマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１、１’…スパッタリング複合ターゲット、２，２’…酸化物系成分、３，３’，３ａ〜３ｄ…炭素系成分、４…基板、１０…ＲＦマグネトロンスパッタ装置、１１…チャンバー、１２…基板ホルダー、１３，１３ａ，１３ｂ…ターゲットホルダー、１４…配管、１５…電源、１６…ガスボンベ、１７…排気ポンプ、１８…供給配管、１９…流量調節弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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