【事件の表示】
　特願２０１３−５４３１４３「集積回路の水素パッシベーション」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月１４日国際公開、ＷＯ２０１２／０７８１６３、平成２６年　１月１６日国内公表、特表２０１４−５０１０４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１２月９日を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年１２月　４日　審査請求・手続補正
平成２７年　３月２７日　拒絶理由通知
平成２７年　８月２７日　意見書・手続補正
平成２８年　３月２９日　拒絶理由通知
平成２８年１０月　５日　意見書・手続補正
平成２８年１１月２８日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　４月　６日　審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２８年１０月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
「【請求項１】
　集積回路であって，
　基板と，
　前記基板に結合されるトランジスタと，
　前記基板に結合されるＰＭＤ層であって，コンタクトの一部を含む，前記ＰＭＤ層と，
　前記ＰＭＤ層の上にある，水素放出層と重水素放出層の少なくとも１つの層と，
　水素放出層と重水素放出層の前記少なくとも１つの層の上にあるパッシベーショントラッピング層であって，前記パッシベーショントラッピング層の頂面が前記コンタクトの頂面よりも前記基板から遠くない，前記パッシベーショントラッピング層と，
　を含む，集積回路。」
　
第３　引用文献及び引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−０９３０６４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，容量素子を備えた半導体装置及びその製造方法に関する。」
　イ　「【０００３】
　ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ：Dynamic Random Access Memory）装置においては，その高集積化を実現するために，高誘電率を有する誘電体（以下，高誘電体と呼ぶ。）を記憶容量素子の容量膜として用いる技術が開発されている。例えば，酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）又は酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等の金属酸化物は，酸化シリコン又は窒化シリコンよりも誘電率が大きいため，容量膜の面積を小さくすることができる。また，情報セキュリティに対して高度な暗号化技術が必要とされており，低電圧動作で且つ高速書き込み及び高速読み出しが可能な不揮発性メモリ装置が要望されている。自発分極特性を有する強誘電体を用いた強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ：Ferroelectric Random Access Memory）装置が実用化されている。容量膜には，Ｐｂ（Ｚｒ１−ｘＴｉｘ）Ｏ３（０＜ｘ＜１，通称ＰＺＴ），ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（通称ＳＢＴ），ＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９（通称ＳＢＮ），ＳｒＢｉ２（Ｔａ１−ｘＮｂｘ）２Ｏ９（０＜ｘ＜１，通称ＳＢＴＮ）又はＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（通称ＢＩＴ）等のペロブスカイト構造を持つ金属酸化物がよく用いられている。これらの材料は，ヒステリシス特性を有することから不揮発性メモリ装置を実現できる。
【０００４】
　しかしながら，これらの誘電体材料は金属酸化物であるため，水素等の還元性雰囲気によって容易に還元するという問題がある。
一般に半導体製造プロセスにおいては，トランジスタの電気的特性を維持するには水素雰囲気で熱処理を行う必要がある。
【０００５】
　
水素雰囲気での各処理工程においては，水素ガス及び水素イオンが発生するため，発生した水素ガス及び水素イオンがキャパシタに至った場合は，水素イオンが誘電体を構成する酸素原子と反応して誘電体膜の膜質を劣化させる。
【０００６】
　従って，
誘電体膜を有する半導体メモリ装置において，水素が通過しにくい膜（以降，水素バリア膜と呼ぶ。）によって容量素子を囲むことにより，水素が誘電体膜に達することを防止する必要がある。
・・・
【００１５】
　図１０に示すように，第２の従来例に係る半導体装置は，絶縁性水素バリア膜１０８と層間絶縁膜１１２との間，及び絶縁性水素バリア膜１０８と導電性水素バリア膜１１０との間上に，
酸化シリコンよりなる絶縁性応力緩和膜２０１が形成されている。
【００１６】
　このように
絶縁性水素バリア膜１０８の上に絶縁性応力緩和膜２０１を形成することにより，導電性水素バリア膜１０８における下部電極１１１の端部に生じるクラックの発生を防止することができるため，水素の進入による強誘電体が還元及び容量素子の特性劣化を抑制することがきる。
【特許文献１】特開平１１−００８３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
　しかしながら，前記第２の従来例に係る半導体装置は，
酸化シリコンよりなる絶縁性応力緩和膜２０１を通して容量絶縁膜１１３に水素が進入するという問題がある。
【００１８】
　すなわち，図１１に示すように，製造プロセス中の水素は，コンタクトプラグ１０９を通して半導体支持基板１０１の下方から上方に垂直に進入し，さらに，絶縁性応力緩和膜２０１を通して導電性水素バリア膜１１０の下側を基板面に平行に進入し，最終的に強誘電体よりなる容量絶縁膜１１３に到達する。強誘電体は水素により還元されるため，容量素子１１５の特性が劣化してしまう。
【００１９】
　前記従来の問題に鑑み，本発明は，
半導体装置にクラックの発生を防止する絶縁性応力緩和膜を用いながらも，下方からの水素の進入を阻止して容量絶縁膜の還元を防止することにより，良好な容量特性を持つ半導体装置を実現できる
　ウ　「【００３５】
　図１は本発明の一実施形態に係る
半導体装置
【００３６】
　図１に示すように，例えばシリコン（Ｓｉ）よりなる半導体基板１１の上部には，酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる素子分離領域１２が選択的に形成されている。なお，半導体基板１１は必ずしも基板に限られず，シリコン等の半導体領域であればよい。
【００３７】
　
半導体基板１１の素子分離領域１２によって区画された領域には
複数のトランジスタ１６が形成されている。トランジスタ１６を含む半導体基板１１上の全面には，
第１の層間絶縁膜１７が形成されている。
【００３８】
　
第１の層間絶縁膜１７の上には，窒化シリコンからなり，耐水素性を有する第１の絶縁性水素バリア膜１８が形成され，該第１の絶縁性水素バリア膜１８の上には，第１の絶縁性水素バリア膜１８と組成比が異なる窒化シリコンよりなり，耐水素性を有する第２の絶縁性水素バリア膜１９が形成されている。
【００３９】
　
第１の層間絶縁膜１７，第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９よりなる積層膜には，それぞれ半導体基板１１の不純物拡散層１５にまで達する，タングステン（Ｗ）よりなる複数のコンタクトプラグ２０が形成されている。
　エ　「【００４６】
　図２は図１の容量素子２７を含む半導体装置の要部を拡大した断面構成を示している。
半導体基板１１側からの水素の進入は，良好な水素バリア性を持つ第１の絶縁性水素バリア膜１８によって阻止できる。
　オ　「【００５４】
　以下，前記のように構成された半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００５５】
　図３（ａ），（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法における工程順の断面構成を示している。
【００５６】
　まず，図３（ａ）に示すように，シリコンよりなる半導体基板１１の上部に酸化シリコンよりなる素子分離領域１２を選択的に形成する。続いて，半導体基板１１上における素子分離領域１２により区画された領域に，それぞれ酸化シリコンよりなるゲート絶縁膜１３，ポリシリコンよりなるゲート電極１４及びボロン又は砒素等の不純物を注入して拡散した不純物拡散層１５により構成された複数のトランジスタ１６を形成する。その後，各トランジスタ１６を含む半導体基板１１の上の全体に，ＢＰＳＧよりなる第１の層間絶縁膜１７を形成する。続いて，熱ＣＶＤ法により，第１の層間絶縁膜１７の上に全面にわたって，膜厚が２０ｎｍのＳｉ３Ｎ４よりなる第１の絶縁性水素バリア膜１８と，膜厚が８０ｎｍのＳｉＮｘよりなる第２の絶縁性水素バリア膜１９とを順次形成する。なお，第１の絶縁性水素バリア膜１８と第２の絶縁性水素バリア膜１９との具体的な成膜条件は後述する。
【００５７】
　次に，図３（ｂ）に示すように，
第２の絶縁性水素バリア膜１９，第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第１の層間絶縁膜１７に対して，半導体基板１１の不純物拡散層１５にまで達するコンタクトホールを形成する。続いて，ＣＶＤ法又はスパッタ法等により，第２の絶縁性水素バリア膜１９の上に各コンタクトホールにタングステンを充填されるように形成してコンタクトプラグ２０を形成する。その後，第２の絶縁性水素バリア膜１９上の不要なタングステンを除去する。
【００６０】
　以下，本実施形態に係る第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９の成膜方法の具体例を説明する。
【００６１】
　
第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９は，シラン（ＳｉＨ
４
）とアンモニア（ＮＨ
３
）とを原料とする熱ＣＶＤ法により形成する。この熱ＣＶＤ法により，シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との原子数比の値は，シランとアンモニアとの流量比によって制御可能である。
【００６２】
　図５に窒化シリコンの屈折率とシランに対するアンモニアの流量比（ＮＨ３／ＳｉＨ４）との関係を示す。ここで，成膜時の圧力は２Ｐａとし，基板温度は８００℃としている。図５から分かるように，シランに対するアンモニアの流量比の値が大きい場合は，窒化シリコンの屈折率は窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）の屈折率の値の２．０に近づく。一方，シランに対するアンモニアの流量比の値が小さい場合は，窒化シリコンの屈折率はシリコン（Ｓｉ）の３．４に近づく。成膜された窒化シリコンの屈折率を窒素原子数比ｘの値に換算した値を右側の縦軸に示す。シランに対するアンモニアの流量比を１００にまで大きくすると，窒素原子数比ｘの値は１．３となり，化学量論組成である４／３＝１．３３に近い膜が得られる。一方，シランに対するアンモニアの流量比を５にまで小さくすると，窒素原子数比ｘの値は１．１となる。さらに小さくすると，シリコン（Ｓｉ）に近い膜となるため，水素バリア性が低下する。」
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置であって，
　半導体基板１１には，複数のトランジスタ１６が形成され，
　トランジスタ１６を含む半導体基板１１上の全面には，第１の層間絶縁膜１７が形成されており，
　第１の層間絶縁膜１７の上には，窒化シリコンからなり，耐水素性を有する第１の絶縁性水素バリア膜１８が形成され，該第１の絶縁性水素バリア膜１８の上には，第１の絶縁性水素バリア膜１８と組成比が異なる窒化シリコンよりなり，耐水素性を有する第２の絶縁性水素バリア膜１９が形成されており，
　第１の層間絶縁膜１７，第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９よりなる積層膜には，タングステン（Ｗ）よりなる複数のコンタクトプラグ２０が形成されている。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２２４２０６号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体装置及びその製造方法に係り，特に，貴金属電極を用いたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＤＲＡＭ
　イ　「【００２７】また，
高誘電率膜を用いてキャパシタを形成する場合，トランジスタの特性向上のために行われるフォーミングガスアニールによってキャパシタ特性が劣化することがある。
キャパシタ特性を向上する観点からは，キャパシタ上を水素の拡散を防止する膜で覆うことが望ましい。しかしながら，キャパシタ上に水素の拡散を防止する膜を設けると，キャパシタの下層に設けられているトランジスタまで水素が到達せず，フォーミングガスアニールの本来の目的であるトランジスタの特性向上を図ることができなくなる。
【００２８】
本発明の目的は，キャパシタ特性を劣化することなくトランジスタに水素を供給しうる半導体装置
　ウ　「【００３５】はじめに，本実施形態による
半導体装置
【００３６】シリコン基板１０上には，素子領域を画定する素子分離膜１２が形成されている。素子領域上には，ゲート電極２０とソース／ドレイン拡散層２４，２６とを有するメモリセルトランジスタが形成されている。ゲート電極２０は，図１に示すように，ワード線を兼ねる導電膜としても機能する。
メモリセルトランジスタが形成されたシリコン基板１０上には，
プラグ３８とが埋め込まれた層間絶縁膜３０が形成されている。
【００３７】
層間絶縁膜３０上には，膜中に水素を含むシリコン窒化膜よりなる水素供給膜４４と，酸化タンタル（Ｔａ
2
Ｏ
5
）膜よりなる水素拡散防止膜４５と，
が形成されている。
【００３８】層間絶縁膜５８上には，エッチングストッパ膜６４，層間絶縁膜６６及びエッチングストッパ膜６８が形成されている。エッチングストッパ膜６８上には，エッチングストッパ膜６８，層間絶縁膜６６，エッチングストッパ膜６４を貫きプラグ６２に接続され，エッチングストッパ膜６８上に突出して形成されたシリンダ状の蓄積電極７６が形成されている。蓄積電極７６上には，酸化タンタル膜よりなるキャパシタ誘電体膜７８を介して，ルテニウム膜よりなるプレート電極８０が形成されている。プレート電極８０上には，例えば酸化タンタル膜よりなる水素拡散防止膜８２が形成されている。
【００３９】水素拡散防止膜８２上には，層間絶縁膜９０が形成されている。層間絶縁膜９０上には，プラグ９６を介してプレート電極８８に接続され，或いは，プラグ９８を介してビット線４８に接続された配線層１００が形成されている。配線層１００が形成された層間絶縁膜９０上には，層間絶縁膜１０２が形成されている。
【００４０】こうして，１トランジスタ，１キャパシタよりなるメモリセルを有するＤＲＡＭが構成されている。
【００４１】このように，本実施形態による
半導体装置は，層間絶縁膜３０と層間絶縁膜４０との間に，水素供給膜４４と水素拡散防止膜４５とが形成されている
フォーミングガスから水素を供給する代わりに，水素供給膜４４中に含まれる水素をメモリセルトランジスタに供給することができる。
メモリセルトランジスタの特性向上を図ることができる。
水素供給膜４４から放出される水素は水素拡散防止膜４５によってキャパシタには達しないため，水素供給膜４４によってキャパシタ特性を劣化することはない。これにより，フォーミングガスアニールによるキャパシタ特性の劣化を防止しつつ，メモリセルトランジスタの特性を向上することができる。
　エ　「【００５３】次いで，全面に，例えば
ＰＥＣＶＤ法により，例えば膜厚２０〜１００ｎｍのシリコン窒化膜を堆積する。
水素を多量に含むシリコン窒化膜よりなる水素供給膜４４を形成する
【００５４】なお，水素供給膜４４としては，水素を１５％以上含むシリコン窒化膜を適用することが望ましい。水素含有量が１５％未満の膜では，メモリセルトランジスタの特性向上に十分な水素を供給できないからである。
【００５５】次いで，
水素供給膜４４上に，
水素拡散防止膜４５を形成する。
【００５６】なお，
水素拡散防止膜４５としては
水素含有量が１５％未満であるシリコン窒化膜を用いてもよい。
（２）引用技術的事項２
　前記（１）より，引用文献２には次の技術的事項（以下，「引用技術的事項２」という。）」が記載されていると認められる。
「半導体装置であって，トランジスタが形成されたシリコン基板１０上に，プラグ３８が埋め込まれた層間絶縁膜３０が形成されており，層間絶縁膜３０上には，膜中に水素を含むシリコン窒化膜よりなる水素供給膜４４と水素含有量が１５％未満であるシリコン窒化膜である水素拡散防止膜４５とが形成されたものにおいて，フォーミングガスから水素を供給する代わりに，水素供給膜４４中に含まれる水素をトランジスタに供給することができる。」
３　引用文献３について
（１）引用文献３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平０８−０４５９２６号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置およびその製造方法に係り，さらに詳しくは，層間膜からトランジスタへのリンや水分の侵入を防止し，しかもトランジスタの水素化が十分な半導体装置およびその製造方法に関する。」
　イ　「【００２１】
【実施例】以下，本発明に係る
半導体装置
【００２２】ＬＯＣＯＳ４は，窒化シリコン膜を酸化阻止マスクとして用いた熱酸化法により形成され，酸化シリコン膜で構成される。ゲート絶縁膜６は，絶縁膜であれば特に限定されないが，たとえば熱酸化法により形成される酸化シリコン膜で構成される。
ゲート電極１１と，ゲート絶縁膜６と，半導体基板２の表面に形成されたソース・ドレイン領域とでＭＯＳトランジスタが構成される。
【００２３】本実施例では，ポリサイド構造のゲート電極１１の上に，反射防止効果を有する水素供給源層２０が成膜してある。水素供給源層２０は，Ｓｉx Ｏy Ｎz ：Ｈ膜またはＳｉx Ｎy ：Ｈ膜などで構成される。これらの膜は，水素含有量が，１０atom％以上，好ましくは１５atom％以上，さらに好ましくは２０atom％以上である。Ｓｉx Ｏy Ｎz ：Ｈ膜は，ＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，Ｎ2 ，ＮＨ3 等を用いて，たとえばＣＶＤ法または反応性スパッタ法，または，ＥＣＲプラズマＣＶＤあるいはバイアスＥＣＲプラズマＣＶＤなどのプラズマＣＶＤ法により成膜される。特に，Ｓｉx Ｏy Ｎz ：Ｈ膜は，水素の含有量が，約２０atom％と多く，水素供給源層として好ましく利用することができる。
【００２４】また，本実施例の水素供給源層２０は，ゲート電極１１のフォトリソグラフィー加工時において，反射防止層として機能し，定在波効果を低減し，線幅変動を極力防止して微細パターンの形成が可能になる。このような観点から，水素供給源層２０の光学定数および膜厚は，反射防止機能を最大限に発揮するように設定される。
【００２５】本実施例の
半導体装置では，水素供給源層２０が形成されたゲート電極１１
を覆うように，バリア層２２が成膜してある。バリア層２２としては，たとえば低圧ＣＶＤによる窒化シリコン膜またはＥＣＲ−ＣＶＤによる窒化シリコン膜などで構成され
バリア層２２の内側に，水素供給源層２０が成膜してあるので，図２に示すように，水素化処理に際し，この水素供給源層２０から半導体基板２の表面のチャネル部に水素が供給されるので，この部分の水素化が十分に行われる。したがって，シリコンの未結合手が水素により良好に終端され，キャリアトラップとなることもなく，トランジスタの特性が向上する。
　ウ　「【００４４】また，本発明では，トランジスタのゲート電極または半導体層となる導電層の上に，反射防止効果を有する水素供給源層を，導電層のパターン加工後にもそのまま残す。そして，その後の工程で，トランジスタの特性を向上させるための水素化処理を行う際に，水素供給源層に含まれる水素が，トランジスタのチャネルを構成する半導体基板あるいは半導体層まで良好に到達し，半導体基板または半導体層を構成するシリコンの未結合手を終端させ，トランジスタの特性を向上させる。
【００４５】特に本発明では，
バリア層の下に水素供給源層が成膜されるので，水素化用熱処理に際し，水素供給源層から水素が供給されるので，水素化が不十分になることもない。また，バリア層は，
トランジスタから水素が外部に逃げることも防止することができる。
（２）引用技術的事項３
　前記（１）より，引用文献３には次の技術的事項（以下，「引用技術的事項３」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置であって，水素供給源層が形成されたゲート電極を覆うように，窒化シリコンで構成されるバリア層が成膜され，バリア層はトランジスタから水素が外部に逃げることを防止する。」
　
第５　対比及び判断
１　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「半導体装置」は，「複数のトランジスタ１６が形成され」ているから，本願発明の「集積回路」に相当する。
（２）引用発明の「半導体基板１１」は，本願発明の「基板」に相当する。
（３）引用発明において「半導体基板１１には，複数のトランジスタ１６が形成され」ているから，本願発明の「前記基板に結合されるトランジスタ」を満たす。
（４）引用発明において「トランジスタ１６を含む半導体基板１１上の全面には，第１の層間絶縁膜１７が形成され」かつ「第１の層間絶縁膜１７，第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９よりなる積層膜には，タングステン（Ｗ）よりなる複数のコンタクトプラグ２０が形成されている」から，本願発明の「前記基板に結合されるＰＭＤ層であって，コンタクトの一部を含む，前記ＰＭＤ層」を満たす。
（５）引用発明において「窒化シリコンからなり，耐水素性を有する第１の絶縁性水素バリア膜１８が形成され，該第１の絶縁性水素バリア膜１８の上には，第１の絶縁性水素バリア膜１８と組成比が異なる窒化シリコンよりなり，耐水素性を有する第２の絶縁性水素バリア膜１９が形成され」ており，引用発明の「第１の絶縁性水素バリア層１８」とその上の「第２の絶縁性水素バリア膜」は，本願明細書段落【００２１】に「水素拡散障壁層２１１６が，パッシベーショントラッピング層として機能する」と記載されていることから，本願発明の「パッシベーショントラッピング層」と，「水素拡散障壁層」である点で共通し，さらに，引用発明において「第１の層間絶縁膜１７，第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９よりなる積層膜には，タングステン（Ｗ）よりなる複数のコンタクトプラグ２０が形成されている」から，「水素拡散障壁層の頂面が前記コンタクトの頂面よりも前記基板から遠くない」を満たす。
（６）すると，本願発明と引用発明とは，下記（７）の点で一致し，下記（８）の点で相違する。
（７）一致点
「集積回路であって，
　基板と，
　前記基板に結合されるトランジスタと，
　前記基板に結合されるＰＭＤ層であって，コンタクトの一部を含む，前記ＰＭＤ層と，
　水素拡散障壁層であって，前記水素拡散障壁層の頂面が前記コンタクトの頂面よりも前記基板から遠くない，前記水素拡散障壁層と，
　を含む，集積回路。」
（８）相違点
　ア　相違点１
　本願発明は「前記ＰＭＤ層の上にある，水素放出層と重水素放出層の少なくとも１つの層」を含み，水素拡散障壁層が「水素放出層と重水素放出層の前記少なくとも１つの層の上にある」のに対し，引用発明は「水素放出層と重水素放出層の少なくとも１つの層」を含まない点。
　イ　相違点２
　本願発明においては水素拡散障壁層が「パッシベーショントラッピング層」であるのに対し，引用発明においては水素拡散障壁層が「パッシベーショントラッピング層」であることは明示されていない点。
２　相違点についての判断
　まず，相違点１について検討すると，引用文献１にはトランジスタの電気的特性を維持するために水素雰囲気で熱処理を行う必要があることが記載されており（前記第３の１（１）イ【０００４】），引用発明において水素雰囲気で熱処理を行うことが前提とされている。そして，引用技術的事項２では，フォーミングガスから水素を供給する代わりに水素供給膜から水素をトランジスタに供給し，層間絶縁膜上に水素供給膜とシリコン窒化膜である水素拡散防止膜を形成されたものが示されているから，引用発明においてトランジスタの電気的特性を維持するために引用技術的事項２の水素供給膜を採用し，これを引用発明の第１の層間絶縁膜の上に設けることは，当業者が容易になし得ることである。
　すると，引用発明の窒化シリコンからなる第１の絶縁性水素バリア膜及び第２の絶縁性水素バリア膜の下に水素供給膜を設けることになる。
　そして，引用発明の窒化シリコンからなる第１の絶縁性水素バリア膜は半導体基板側からの水素の進入を阻止するものであること（前記第３の１（１）エ），引用技術的事項２の水素供給膜から放出される水素は，水素拡散防止膜によってキャパシタには達せず，かつ，メモリセルトランジスタの特性が向上することが引用文献２に開示されていること（前記第３の２（１）ウ【００４１】）及び引用技術的事項３より，水素供給膜を覆う窒化シリコンで構成される水素拡散障壁層がトランジスタから水素が外部に逃げることを防止する機能を持つことが，当業者に容易に了解される。そして，本願発明の「パッシベーショントラッピング層」とは，「水素又は重水素パッシベーションが，後続の熱処理工程の間トランジスタ及びインタフェース領域から離れて拡散することを防ぐ」という機能を持つもののことである（本願明細書段落【００１７】）から，相違点２に係る「パッシベーショントラッピング層」についても，当業者が容易に導くことができるものである。
３　まとめ
　したがって，本願発明は，引用発明並びに引用文献２及び３に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお，請求人は，本願発明は「パッシベーショントラッピング層の形成プロセスの後続のプロセスにおける熱処理の間にトランジスタや基板とトランジスタとの間のインターフェース領域から水素や重水素が離れて拡散する」という技術的課題を解決するために「水素放出層と重水素放出層の前記少なくとも１つの層の上にあるパッシベーショントラッピング層であって，前記パッシベーショントラッピング層の頂面が前記コンタクトの頂面よりも前記基板から遠くない，前記パッシベーショントラッピング層」という構成を有しているが，引用文献１−５は，この構成を何ら教示，示唆していない旨主張している。しかし，請求人の主張する課題を解決する「パッシベーショントラッピング層」が，当業者により容易に導けることは，前記２のとおりであるから，請求人の主張は採用できない。
　
第６　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。