【事件の表示】
　特願２０１３−２３７０７４「プラズマチャンバーにおいて半導体ワークピースを取り巻く導電性カラー」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１５日出願公開，特開２０１４−　９０１７７，請求項の数（５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００２年２月８日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００１年４月３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２００２−５８０３７４号の一部を平成２２年１月２９日に新たな特許出願とした特願２０１０−１８７８６号の一部を平成２５年１１月１５日に新たな特許出願としたものであって，平成２５年１２月１６日に審査請求がなされ，平成２６年７月１８日に上申書が提出され，同年９月２４日付けで拒絶理由が通知され，平成２７年３月３０日に意見書と手続補正書が提出され，同年７月２日付けで拒絶理由が通知され，平成２８年１月７日に意見書が提出され，同年７月２７日付けで拒絶査定され，同年１２月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２９年１月１１日に手続補正書が提出され，同年５月１０日に上申書が提出され，同年６月１９日付けで当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知し，同年１２月７日にファクシミリにより補正案が提出され，同年１２月８日に電話応対がなされ，同年１２月２５日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年７月２７日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　１．（進歩性）この出願の請求項１〜１５に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.国際公開第０１／０１４４５号
２.国際公開第９９／１４７８８号
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項　１−１５ 
・引用文献等　１−５ 
  
・備考 
＜引用例１を主引例とした検討＞ 
　ア　引用例１には，ＦＩＧ．１ないしＦＩＧ．１１Ｂとともに，以下の記載がある。（日本語訳は，対応する日本国公表特許公報による。） 
  
（引１ａ）「【請求項４０】　ワークピースの炭化水素層をエッチングするプラズマ強化プロセスであって， 
　前記炭化水素層をエッチングするプロセスガス混合物をプラズマチャンバの内側に供給するステップと， 
 　前記チャンバ内の前記プロセスガス混合物の少なくとも１部からプラズマを形成するステップと， 
　前記プラズマに面する上面を有する陰極電極を前記チャンバ内に供給するステップと，
　前記陰極電極の上面に隣接して前記ワークピースを保持するステップと，
　前記ワークピースの周辺を取り巻くように，誘電体物質で構成されるシールドを配置するステップと， 
　前記誘電体シールドの少なくとも１部分の上に重なるリングを配置するステップとを含み， 
　前記リングが，前記プラズマに含有される化学種による腐食に対して前記誘電体物質よりも耐性を有する非誘電体物資で構成されるプラズマ強化半導体製造プロセス。 
【請求項４１】　前記シールドが，二酸化ケイ素で構成され，また前記リングが，シリコンで構成される請求項４０に記載のプロセス。 
【請求項４２】　前記炭化水素層が，リソグラフ耐性物質である請求項４０に記載のプロセス。 
【請求項４３】　ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセスであって， 
　前記スピン−オンガラス層をエッチングするプロセスガス混合物をプラズマチャンバの内側に供給するステップと， 
　前記チャンバ内の前記プロセスガス混合物の少なくとも１部からプラズマを形成するステップと， 
　前記プラズマに面する上面を有する陰極電極を前記チャンバ内に供給するステップと，
　前記陰極電極の上面に隣接して前記ワークピースを保持するステップと，
　前記ワークピースの周辺を取り巻くように，誘電体物質で構成されるシールドを配置するステップと， 
　前記誘電体シールドの少なくとも１部分の上に重なるリングを配置するステップとを含み， 
　前記リングが，前記プラズマに含有される化学種による腐食に対して前記誘電体物質よりも耐性を有する非誘電体物資で構成されるプラズマ強化半導体製造プロセス。 
【請求項４４】　前記シールドが，二酸化ケイ素で構成され，前記リングが，シリコンで構成される請求項４３に記載のプロセス。」 
  
（引１ｂ）「【００３７】 
　別の例として，石英シールド３０の腐食によって放出される酸素は，ウェーハの二酸化ケイ素をエッチングするプロセスに異なる効果を有している。そのような腐食プロセスが，ウェーハに露呈されるあらゆるシリコンのエッチングに対してできる限り選択的であることが望ましい。典型的な酸化物腐食プロセスにおいて，酸素は，二酸化ケイ素のエッチングを促進しないが，シリコンのエッチングを促進する。その結果，石英シールド３０の腐食は，一般に，ウェーハの周辺近くの腐食プロセスの選択性を減少する。 
【００３８】 
　両例示において，ウェーハの周辺近くの空間均一性又は選択性の低下は，腐食プロセスにかなり影響を及ぼす化学種を放出しない物質から構成される保護リング５０を有する石英シールド３０のインナ部分３８をカバーすることによって改善されることが可能である。初期に説明されたように，イオン束が，石英シールドの露呈表面とプロセスガスとの間の反応速度を一般に減速するワークピースの周辺から下に傾いているので，保護リングを有する石英シールド３０のアウタ部分をカバーする必要はない。 
【００３９】 
　シリコンは，プロセスキットの寿命を延ばすのに効果的であるとして，即ち，誘電体及び金属をエッチングするのに一般に使用される試薬による腐食に対して良好な耐性及び低い不純物レベルを有する簡単な利用性として，初期に記述されたのと同一理由で，保護リング５０にとって好ましい物質である。シリコンは，ＣＦ4又はＣＨＦ3などのフッ素含有試薬を使用する腐食プロセスの均一性を改善するのに別の利点を有している。プラズマのフッ素イオンの高濃度は，一般に，腐食プロセスの選択性を減少する。ワークピースと隣接してシリコン物質を供給すると，ワークピースに隣接してフッ素イオン濃度を減少するため，シリコンは，フッ素イオンと反応し，フッ素イオンを消耗する（「化学的に除去する」）。例えば，酸化ケイ素をエッチングするためのプロセスにおいて，シリコンリング５０の存在により，フォトレジストに対する腐食の選択性を改善すると考えられている，即ち，フォトレジストの腐食速度を減少すると考えられている。 
【００４０】 
　図７は，保護リング５０が誘電体シールド３０の露呈表面のより大きい部分をカバーし，それによって，腐食から保護される誘電体シールド３０の領域を増大するということを除いては，図４の設計と類似する別の設計を示している。特に，図示されている保護リング５０は，上方に面する全表面と，誘電体シールド３０の内方に面する全表面をカバーしている。その結果として，図７は，保護リング５０の以前に記述した両機能，即ち，プロセスキットの寿命を延ばすことと，誘電体シールド３０とプロセスガスとの間の化学的相互作用のよって生ずる半導体製造プロセスの空間不均一性を減少することとをさらなる進歩を設計している。 
【００４１】 
　図５及び図６は，更に，保護リング５０が，図４の設計におけるよりも多い誘電体シールドをカバーするが，図７の設計におけるよりも少ない誘電体シールドをカバーする図４と図７との間の中間の別の設計を示している。特に，図５及び図６において，保護リング５０は，下部リング５６と上部リング５８とを備え，上部リング５８は，部分的に，又は全体的に，誘電体シールド３０の内方に面する高架表面３２をカバーしている。プロセスにより，図５又は図６の設計は，誘電体シールド３０が腐食するのを適切に防止し，それによって，プロセスの化学現象を変える。 
【００４２】 
　図７の設計が，特に，石英誘電体シールド３０の腐食から放出される酸素によって強度に作用されない半導体製造プロセスに好都合であると考えられている。初期に記述したように，そのようなプロセスはフォトレジスト平坦化エッチングプロセスと，スピン−オンーガラスエッチングプロセスとを含む。保護リング５０によってカバーされる石英シールド３０の領域を増加することは，更に，石英から酸素を放出することを減少する。そのような放出は，ワークピースの中心に対してか鉱物の周辺近くの腐食速度を増大し，それによって，ワークピースを上の腐食速度の空間均一性を低下する。 
【００４３】 
　保護シールド５０は，初期に記述したようにフッ素イオンを化学的に除去する利点を有するシリコンで構成されることが好ましい。フッ素含有試薬を使用して酸化ケイ素をエッチングするプロセスにおいて，図７の設計は，プラズマに露呈されるシリコンシールド５０の表面領域を増大するので，ワークピースに隣接したフッ素イオンの濃度を更に減少し，それによって，腐食プロセスの選択性を改善する。 
【００４４】 
　シリコンシールドの露呈表面領域を増大する１つの可能な利点は，エッチングプロセスの効果がかなりのもとなり，その温度感度をよりよく表示させることである。プラズマ腐食チャンバで通常生ずる温度の範囲内で，シリコンシールドの温度を増大すると，フッ素との反応性を増大する。その結果，シリコンシールドが，プラズマに対して露呈される大きな表面領域を有する設計において，良好なプロセスの反復性を確実にするために，シリコンシールドの温度を調整する必要がある。」 
　イ　上記記載及び引用例１の図面の記載から，引用例１の「ワークピースの周辺を取り巻くように，誘電体物質で構成されるシールド」及び「『シリコンで構成される』『誘電体シールドの少なくとも１部分の上に重なるリング』」は，それぞれ，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）の「誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールド」及び「『半導体材料で構成され』『上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる』『中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラー』」に相当すると認められる。 
  
　ウ　一方，引用例１には，シリコンで構成されるリングの抵抗率が示されておらず，この点で，引用例１に記載された発明と，本願発明１とは相違する。（相違点１） 
  
　エ　上記相違点１について検討する。 
　引用例１の上記摘記（１ｂ）の「シリコンは，ＣＦ4又はＣＨＦ3などのフッ素含有試薬を使用する腐食プロセスの均一性を改善するのに別の利点を有している。プラズマのフッ素イオンの高濃度は，一般に，腐食プロセスの選択性を減少する。ワークピースと隣接してシリコン物質を供給すると，ワークピースに隣接してフッ素イオン濃度を減少するため，シリコンは，フッ素イオンと反応し，フッ素イオンを消耗する（「化学的に除去する」）。例えば，酸化ケイ素をエッチングするためのプロセスにおいて，シリコンリング５０の存在により，フォトレジストに対する腐食の選択性を改善すると考えられている，即ち，フォトレジストの腐食速度を減少すると考えられている。」，「保護シールド５０は，初期に記述したようにフッ素イオンを化学的に除去する利点を有するシリコンで構成されることが好ましい。フッ素含有試薬を使用して酸化ケイ素をエッチングするプロセスにおいて，図７の設計は，プラズマに露呈されるシリコンシールド５０の表面領域を増大するので，ワークピースに隣接したフッ素イオンの濃度を更に減少し，それによって，腐食プロセスの選択性を改善する。」との記載から，引用例１のシリコンで構成されるリングは，ＣＦ4又はＣＨＦ3などのフッ素含有試薬を使用する腐食プロセスの均一性，及び，腐食の選択性を改善する機能を果たすことが求められていることが理解される。 
　そして，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「プラズマ腐食チャンバで通常生ずる温度の範囲内で，シリコンシールドの温度を増大すると，フッ素との反応性を増大する。その結果，シリコンシールドが，プラズマに対して露呈される大きな表面領域を有する設計において，良好なプロセスの反復性を確実にするために，シリコンシールドの温度を調整する必要がある。」との記載から，前記機能を適切に発揮するためには，「シリコンシールドの温度を調整する必要がある。」ことを理解することができる。 
  
　オ　一方，引用例２には，以下の記載がある。 
（引２ａ）「【０００１】 
【発明の属する技術分野】 
　本発明は，半導体ウェハ等の加工物を，ポリマ前駆体ガスなどのエッチング選択性向上前駆体材料(etch selectivity-enhancing precursor material)を用いる処理でもって処理するためのプラズマリアクタに関する。」 
  
（引２ｂ）「【０００６】【課題を解決するための手段】・・・加熱されたポリマ硬化前駆体（例えば，シリコン）部品の材料は，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比，フッ素に対する水素の処理ガス成分比，及び，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比を温度増加の関数として変化させることによって，重合に有利に関与し，その結果として生じるポリマが実質的に強化される。リアクタチャンバ内のポリマ硬化前駆体材料部品が加熱されて，重合温度（ポリマ前駆体材料が表面上に凝縮することができる温度）を超えてより高い温度範囲までに達したとき，エッチング選択性は温度上昇とともに高まる。このように，本発明の基本的な方法は，（シリコン，炭素，炭化珪素又は窒化珪素，とりわけ好適にはシリコンのような）ポリマ硬化前駆体材料部品を，エッチング処理中に，炭化フッ素，フッ化炭化水素ガスと共にリアクタチャンバに提供し，当該ポリマ硬化前駆体材料部品を加熱して，重合温度を十分に上回る温度（すなわち，より高い温度範囲）にして，これまで得られたシリコンに対する酸化物のエッチング選択性が所望の増加をすることが達成されることである。」 
  
（引２ｃ）「【０００９】 
ポリマ硬化前駆体（例えばシリコン）部品は，リアクタチャンバの壁部及び／又は天井部の一部と一体となっていてもよい。しかしながら，それは，できれば別体の迅速取外し可能消耗部品であるものが好ましく，また，加熱／冷却装置は，伝導又は遠隔方式でポリマ硬化前駆体部品を加熱する任意の適当なタイプのものでよい。」 
  
（引２ｄ）「【００１３】 
　好ましい実施形態において，ポリマ硬化前駆体消耗部品は，ウェハ支持体すなわちウェハチャックの周縁部から，半径方向外向きにチャンバ側壁部に向かって延びる平らなシリコン環状体又はベースプレートである。（更に，もし必要ならば，シリコンベースプレートはシールドにも役立ち，ある種のプラズマリアクタに用いられるウェハペデスタル上のウェハを保持する下のセラミッククランプ（又は静電チャック）が，プラズマから保護されることができる。）好ましい実施形態において，シリコンベースプレートは，下にあるコイルによって誘導加熱されるが，他の任意の適当な遠隔加熱技術，例えば赤外線放射加熱を用いることができる。この目的のために，適当な抵抗率を有するシリコン材料が，加熱シリコン部品用として選択されて，その下にあるコイルによる効率的な誘導加熱と少なくともほぼ完全な誘導磁界の吸収が確保され，シリコン部品が熱シールドだけでなく，プラズマシールドとしても機能するようになる。」 
  
（引２ｅ）「【００２７】・・・そのような交換可能なポリマ硬化前駆体部品は，容易に作成可能な任意の形状（例えば平面環状，平面リング状，中実リング状，円筒状，板状等々）とすることができ，リアクタチャンバ内の任意の場所に置くことができる。しかし，図４（Ａ）の実施形態では，ポリマ硬化前駆体消耗部品が，ウェハペデスタル１６の周辺を取り囲む（シリコンのような）ポリマ硬化前駆体材料からなる薄い平らな環状リング６０になっている。このリング６０は，チャンバ内の任意の適当な平面に置くことができるが，従来のウェハ搬送機構によるアクセスを可能にするため，このシリコンリング６０はウェハペデスタル１６上に保持されたウェハ１７の面のやや下方又は近傍に置かれる。 
【００２８】 
　ポリマ硬化前駆体リング６０と温度直接制御装置との一体化又は機械的結合の必要性を排除するため，直接伝導以外の（例えば放射又は誘導）加熱方法を用いることが望ましい。タングステンハロゲンランプ又は放電ランプ等の放射熱源を用いることができる。放射又は誘導熱源は例えば，リング６０から離さずに内部に，或いは，例えば透明窓部を介してリング６０から離して外部に置くことができる。図４（Ａ）の実施形態においては，外部誘導ヒータを用いて，少なくとも誘導結合の目的のためにはほぼ透明である石英のような材料製の窓部６４によってポリマ硬化前駆体リング６０から離した誘導コイル６２を構成している。最も効率のよい誘導加熱を行うためは，ポリマ硬化前駆体リング６０を，抵抗率が十分に低い，例えば０．０１Ω-ｃｍ程度のシリコンで形成する。」 
  
　カ　また，引用例３には，以下の記載がある。 
（引３ａ）「【０００１】 
【発明の属する技術分野】 
　本発明は，ポリマー前駆ガス等の選択エッチング促進前駆物質を用いたプロセスにより半導体ウエハ等のワークピースを処理するためのプラズマリアクタに関する。」 
  
（引３ｂ）「【００１５】 
　例えば，シリコン対シリコン酸化物エッチング選択比におけるのと同様の向上も達成されるが（本明細書において後に記載されるように），本発明によって達成されるフォトレジスト選択比に本発明の効力が見出される。」 
  
（引３ｃ）「【００１９】 
　ポリマー硬化前駆物質リング６０を温度制御装置に統合するか又は機械的に直接結合するか，いずれかの必要性を除くため，直接伝導（例えば，輻射加熱又は誘導加熱）以外の他の方法による加熱を採用するのが好ましい。タングステンハロゲンランプ又は放電ランプなどの輻射加熱源が使用されてもよい。例えば，輻射又は誘導加熱源は透過窓によってリング６０から分離された内部にある平面状環状リング６０から分離されるか又は，加熱源が外部にある。第４Ａ図の実施例では，少なくとも誘導結合の目的のためほぼ透明なクオーツなどの材料の窓６４によりポリマー硬化前駆物質リング６０から分離された誘導コイル６２を構成する外部誘導加熱体が採用される。最も効率的な誘導加熱を提供するため，ポリマー硬化前駆物質リング６０が十分低い固有抵抗，例えば，０．０１Ω−ｃｍの桁のシリコンから形成される。」 
  
　キ　してみれば，引用例２，３の上記記載から，エッチング処理中に，炭化フッ素，フッ化炭化水素ガスをリアクタチャンバに提供して，半導体ウェハ等の加工物を，エッチング処理するためのプラズマリアクタにおいて，シリコンリングをウェハペデスタル上に保持されたウェハの面のやや下方又は近傍に置き，当該リングを，温度直接制御装置との一体化又は機械的結合の必要性を排除するために誘導加熱方法を用いて加熱することで，加熱された前記シリコンが，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比，フッ素に対する水素の処理ガス成分比，及び，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比を温度増加の関数として変化させて重合に有利に関与することによって，シリコンに対する酸化物のエッチング選択性，あるいは，フォトレジスト選択比を高めることができること，及び， 
　シリコンベースプレートが，下にあるコイルによって誘導加熱される目的のために，適当な抵抗率を有するシリコン材料を，加熱シリコン部品用として選択する必要があるところ，最も効率のよい誘導加熱を行うためは，ポリマ硬化前駆体リングを，抵抗率が十分に低い，例えば０．０１Ωｃｍ程度のシリコンで形成することが望ましいことが理解される。 
 　 
　ク　そうすると，引用例１と，引用例２，３に接した当業者であれば，「ＣＦ4又はＣＨＦ3などのフッ素含有試薬を使用する腐食プロセスの均一性，及び，腐食の選択性を改善する機能を果たす」ために，「シリコンシールドの温度を調整する必要がある」とされる引用例１に記載された発明において，前記「シリコンシールドの温度」の調整を，「温度直接制御装置との一体化又は機械的結合の必要性を排除する」ことができる「誘導加熱方法」を用いて行うために，引用例１に記載されたプラズマ腐食チャンバに，誘導加熱用の誘導コイルを設けるとともに，「シリコンで構成される」「誘電体シールドの少なくとも１部分の上に重なるリング」の材料として，最も効率のよい誘導加熱を行うことができるとされる，例えば０．０１Ωｃｍ程度のシリコンを選択すること，すなわち，相違点１について，本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易に想到し得たことである。 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，引用例１ないし３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　ケ　請求項２ないし１５に係る発明についても，抵抗率を０．１Ωｃｍ等の低い値とすることは，上記＜引例１を主引例とした検討＞エないしクと同様の理由により当業者が容易に想到し得たことであり，また，その他の構成も引用例１ないし５に記載されている事項であるか，設計事項であるから，当業者が容易に発明をすることができたものである。
  
　コ　なお，審判請求人は，本願発明の効果として，ワークピースからの電気的アークの低減について主張する。しかしながら，当該効果は，下記の「理由２」で示すように，本願の請求項に記載された事項によって特定される発明において，常に奏せられる効果であるとはいえないから，当該主張は，請求項の記載に基づかない主張であって採用することはできない。 
　さらに，当該効果は，引用例５の【００２７】等の記載に照らして，当業者が予測する範囲内のものともいえる。 
　したがって，審判請求人の前記主張は採用することができない。 
  
＜引例４を主引例とした検討＞ 
　ア　引用例４には，ＦＩＧ．１ないしＦＩＧ．６とともに，以下の記載がある。（日本語訳は，対応する日本国公表特許公報による。） 
（引４ａ）「【００３６】 
外側エッジリング４１２は，チャック４０４の外部表面４１８を保護するために使用される。更に外側エッジリング４１２及び内側高周波結合エッジリング４０８は，チャック４０４との間に隙間のある継ぎ目ができないように配置される。外側エッジリング４１２に使用される材料は絶縁すなわち誘電材料である（例えば，セラミック，石英，ポリマ）。一実施形態において，外側エッジリング４１２の材料は，チャック４０６からの任意の有効な高周波結合を提供しない。したがって，外側エッジリング４１２は，エッチング処理中，大きく消耗しないことになる。別の実施形態においては，外側エッジリング４１２がチャック４０６と誘電結合しないことを保証するために，チャック４０４と外側エッジリング４１２との間に，誘電（すなわち絶縁）材料の充填層を設けることができる。例えば，充填層の材料は，セラミック，石英，テフロン（登録商標），又はポリマを含む幅広い適切な材料から選択することができる。 
【００３７】 
　チャック４０６に高周波電力を加えることで，電場が生成され，次にウェーハ４０６の上にシース４２４が生じる。シース４２４に伴う電場は，ウェーハ４０６の上面に向かうイオンの加速を促進する。内側高周波結合エッジリング４０８は，チャック４０４に提供される高周波エネルギの一部が内側高周波結合エッジリング４０８を通じて高周波結合されるように，適切な特性を有する材料で作られる。高周波結合エッジリング４０８は，プラズマ処理を汚染しない様々な材料で作ることができる。適切な材料の例には，半導体材料（炭化ケイ素等）又は絶縁材料が含まれ，この材料の導電性はドーピング等を通じて制御することができる。内側高周波結合エッジリング４０８の材料とその導電性は，望ましい高周波結合の度合いに応じて選択することができる。通常，高周波結合は，薄い内側高周波結合エッジリング４０８を使うこと，或いは内側高周波結合エッジリング４０８として使用する材料の導電性を増加させることで，高めることができる。内側高周波結合エッジリング４０８がウェーハ４０６のエッチングに伴ってエッチングされる場合は，汚染物質が生成されるべきではなく，かつ，過度に高価な材料にするべきではない。定期的な交換が必要になるためである。一方，一実施形態において，外側エッジリング４１２の材料はチャック４０６からの任意の有効な高周波結合を提供せず，その結果，大体において定期的な交換を必要としないことになる。」 
  
　イ　上記記載及び引用例４の図面の記載から，引用例４の「外側エッジリング」及び「内側高周波結合エッジリング」は，それぞれ，本願発明１の「誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールド」及び「『半導体材料で構成され』『上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる』『中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラー』」に相当すると認められる。 
  
　ウ　一方，引用例４には，ドーピング等を通じて制御される半導体材料の抵抗率が示されておらず，この点で，引用例４に記載された発明と，本願発明１とは相違する。（相違点２） 
  
　エ　上記相違点２について検討する。 
　引用例２の上記摘記（引２ｅ），引用例３の上記摘記（引３ｃ），及び，引用例５の「【０００８】好ましくは，カラーリングは，薄いコーティングまたは層，あるいは導体の周辺部を覆う誘電材料の環状リングを備える。カラーリングにより，導体の周辺部からのＲＦ電界構成成分は，そこを通ってプラズマシースに結合できる。好ましくは，誘電材料は，約１０-3Ωｃｍ〜約１０1Ωｃｍという低い抵抗を有する半導体誘電材料を含み，それは，電圧がチャックの電極に印加されるときに小さい電流が誘電材料を通って流れることができるほど十分に漏れやすい。」（日本語訳は，対応する日本国公表特許公報による。）の記載に照らして，ドープされたシリコンの抵抗率として，０．１Ωｃｍ程度よりも小さい値は，格別のものとはいえない。 
　一方，引用例４の上記摘記（４ａ）には，「内側高周波結合エッジリング４０８の材料とその導電性は，望ましい高周波結合の度合いに応じて選択することができる。通常，高周波結合は，薄い内側高周波結合エッジリング４０８を使うこと，或いは内側高周波結合エッジリング４０８として使用する材料の導電性を増加させることで，高めることができる。」と記載されている。 
　してみれば，引用例４に記載された発明において，ドープされたシリコンの抵抗率を，０．１Ωｃｍ程度よりも小さい値とすることは適宜なし得たことである。 
　そして，下記の「理由２」で示すように，本願の請求項に記載された事項によって特定される発明において，ワークピースからの電気的アークの低減との効果が，シリコンの抵抗率が０．１Ωｃｍ以下という条件で常に奏せられるとは認められないから，「抵抗率が０．１Ωｃｍ以下」との特定に臨界的な意義を認めることもできない。 
　すなわち，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，引用例２ないし５に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　オ　請求項２ないし１５に係る発明についても，抵抗率を０．１Ωｃｍ等の低い値とすることは，上記＜引例４を主引例とした検討＞エと同様の理由により当業者が容易に想到し得たことであり，また，その他の構成も引用例１ないし５に記載されている事項であるか，設計事項であるから，当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
  
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
１．国際公開第９９／１４７８８号（日本語訳については，対応する日本国公表特許公報である特表２００１−５１６９４８号公報を参照。） 
２．特開平１０−６４８８２号公報 
３．特開平１０−１５００２１号公報 
４．国際公開第０１／０１４４５号（日本語訳については，対応する日本国公表特許公報である特表２００３−５０３８４１号公報を参照。） 
５．国際公開第９９／１４７９６号（日本語訳については，対応する日本国公表特許公報である特表２００１−５１６９６７号公報を参照。）　 
  
  
　２　この出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許権者が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。 
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。  
 　 
（２）前提となる事実関係等 
　ア　本願の特許請求の範囲の記載 
　本願の請求項１ないし１５に記載された発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。また，これらを併せて「本願発明」という。）は，以下のとおりのものである。 
「【請求項１】 
 半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる，プロセスキット。 
【請求項２】 
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　ドープされた半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり， 
　上記ドープされた半導体材料は，抵抗率を０．１Ωｃｍ以下とするに充分な濃度のドーパントを有する半導体材料で構成される，プロセスキット。 
【請求項３】 
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり， 
　前記導電性カラーは， 
内側リングと， 
前記内側リンクの外側に放射状に配置され，前記内側リングとは別個の外側リングとを備えたプロセスキット。 
【請求項４】 
上記導電性カラーは，抵抗率が０．０３Ωｃｍ以下である，請求項１から３のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項５】 
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　抵抗率が０．０１２Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる，プロセスキット。 
【請求項６】 
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　ドープされた半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり， 
上記ドープされた半導体材料は，抵抗率を０．０１２Ωｃｍ以下とするに充分な濃度のドーパントを有する半導体材料で構成される，プロセスキット。
【請求項７】 
　前記導電性カラーは， 
内側リングと， 
前記内側リンクの外側に放射状に配置され，前記内側リングとは別個の外側リングとを備えた請求項５又は６に記載のプロセスキット。 
【請求項８】 
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって， 
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと， 
　抵抗率が０．００８〜０．０１２Ωｃｍの範囲の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え， 
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる，プロセスキット。 
【請求項９】 
上記誘電体シールドの上記一部分は，上記導電性カラーのいずれの部分も上記誘電体シールドを貫いて上記誘電体シールドの最下面まで延びないように上記導電体カラーの下に横たわっている，請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１０】 
上記誘電体シールドは，上記導電性カラーに面する前面を有し， 
　上記導電性カラーは，上記誘電体シールドの上記前面を完全にカバーする，請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１１】 
上記誘電体シールドは，半径方向内側の部分と，半径方向外側の部分で構成され， 
　上記導電性カラーは，上記誘電体シールドの上記半径方向内側の部分の上に横たわる，請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１２】 
上記導電性カラーは，その半径方向の巾が少なくとも５．７ｍｍである，請求項１から１１のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１３】 
上記導電性カラーは，上記ワークピースエリアの周囲を越えて半径方向に少なくとも４ｍｍ延びる，請求項１から１２のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１４】 
上記導電性カラーは，その厚みが少なくとも０．７ｍｍである，請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセスキット。 
【請求項１５】 
上記導電性カラーは，その厚みが少なくとも１．８ｍｍである，請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセスキット。」 
  
　イ　本願明細書の発明の詳細な説明の記載 
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。 
（ア）「【０００６】 
　ワークピースがその周囲付近に露出金属を有し，この露出金属の位置に大きな電界が存在する場合には，露出金属と，チャック電極又は金属ペデスタル本体との間に電気的アークが時々発生し得る。アークは，それにより生じる電流及び熱がワークピース上の電気的コンポーネントにダメージを及ぼすので，極めて望ましからぬものである。アーク発生の確率を高める要因は，カソードにかかる高いＤＣバイアス電圧，高いチャック電圧，及びチャンバー内のプラズマ密度を向上させるための磁界の使用を含む。」 
  
（イ）「【００１０】 
　本発明の導電性カラーは，ワークピースの周囲の露出金属からアークが発生するおそれを効果的に減少又は排除する。」 
  
（ウ）「【発明を実施するための形態】 
【００１３】 
　１．プロセスチャンバーの従来の要素 
　図２は，本発明を使用できる典型的な半導体製造プロセスチャンバーを示す。図示されたチャンバーは，エッチング又は化学蒸着（ＣＶＤ）に適した磁気増強型プラズマチャンバーである。本発明の導電性カラーを説明する前に，このチャンバーの従来の要素について説明する。 
【００１４】 
　このプロセスチャンバーは，円筒状側壁１２，円形下壁１４及び円形上壁即ち蓋１６により包囲された真空チャンバーである。蓋１６の下部にアノード電極１８が取り付けられ，これは，通常，電気的に接地される。このアノード電極は，ガス導入口として働くように孔が設けられて，これを通してプロセスガスがチャンバーに入るようにしてもよい。チャンバー壁１２−１６の各々は，通常，金属であるが，壁の幾つか又は全部を半導体や誘電体にすることもできる。誘電体でない壁は，通常，電気的に接地されて，アノードの一部分として機能する。 
【００１５】 
　半導体ウェアのようなワークピース即ち基板１０は，ワークピース支持部材即ちペデスタル２０の実質的に平らな前面（「前」面とは，アノードに面するペデスタルの面をいう）に取り付けられる。ペデスタルは，通常，チャンバーの下壁に取り付けられ支持される。（ペデスタルを支持する構造部は，示されていない。）ペデスタルは，通常，以下に述べるようにカソード電極として機能する金属本体２２を有するが，このペデスタル本体は，静電チャック誘電体に埋設された電極のような別の電極がカソード電極として接続される場合には，金属でなくてもよい。 
　＜・・・途中省略・・・＞ 
【００３７】 
　３．誘電体シールドの上に横たわる導電性カラー 
　ワークピース即ち基板１０がその周囲付近に露出金属を有し，この露出金属の位置に大きな電界が存在する場合には，露出金属と，プロセスキット又はチャック電極との間に電気的アークが時々発生し得る。 
【００３８】 
　半導体デバイスの製造において，ワークピースの縁からある距離以上接近してワークピースに材料を付着してはならないと従来から言われており，この距離は，「縁除外分」と称される。２００ｍｍ直径のシリコンウェハの場合には，縁除外分は，３ｍｍから５ｍｍである。縁除外分を必要とする主たる目的は，ロボットがワークピースの縁を掴んだときに粒子が放出するのを回避するためである。 
【００３９】 
　通常，ワークピースの縁に金属を露出させてはならないが，このような露出は，ワークピースに次々の層を付着しエッチングするときに整列エラーによっても生じ得る。金属特徴部が整列エラーのために縁除外ゾーンへ若干延びる場合には，それに続く誘電体又はレジスト層の整列ずれや，縁レジスト除去プロセスの不充分な制御の結果として，これら後続層によりそれが完全にカバーされないことがある。 
【００４０】 
　アークは，それにより生じる電流や熱がワークピース上の電気的コンポーネントにダメージを及ぼすと共に，アークにより発生する多数の小さな粒子でワークピースが汚染され得るので，極めて望ましくない。アーク発生の確率を高める要因は，カソード電極にかかる高いＤＣバイアス電圧，高いチャック電圧，及びチャンバー内のプラズマ密度を向上させるための磁界の使用を含む。 
【００４１】 
　アーク発生の主たる原因は，ワークピースの周囲付近に強い半径方向成分を有する電界であると考えられる。この半径方向電界は，カソードと接地点との間のＲＦ電圧と，カソードＤＣバイアス電圧と，チャック電圧との組合せにより発生されると考えられる。 
【００４２】 
　本発明においては，従来の誘電体シールド４０の上に横たわり且つワークピースの周囲を厳密に取り巻く高導電性カラーにより，アーク発生のおそれが劇的に減少され又は排除される。この導電性カラーとワークピースの周囲との間のギャップは，できるだけ僅かであるか又はゼロであるのが好ましい。これは，導電性カラーの内半径（即ち半径方向内側の境界）がワークピースの外半径（即ち周囲）以下であって，ワークピースの周囲が導電性カラーの半径方向内側部分に接触するか又は重畳する場合に達成される。 
　＜・・・途中省略・・・＞ 
【００４７】 
　本発明は，このような理論に限定されないが，導電性カラーがアーク発生を防止するメカニズムは，次の通りであると考えられる。導電性カラーは，導電率が高いので，その全面にわたってほぼ等しい電位を課する。これは，ワークピースの縁付近で半径方向電界を減少するときに少なくとも２つの利点を有する。第１に，カラーがワークピースの周囲から半径方向外方に延びる距離にわたり，電界は，カラーの表面においてゼロに近づく。第２に，カラーは，ワークピースを取り巻き，ワークピースの周囲にわたりほぼ等しい電位を課するので，ワークピースの平面に沿った電界が減少される。 
　＜・・・途中省略・・・＞ 
【００４９】 
　４．比較テスト 
　図１及び図２に示した本発明の実施形態を，外側カラー即ちリング５０及び内側カラー即ちリング５２に対して他の材料を使用するプロセスキットで比較した。より詳細には，２００ｍｍ直径のシリコンウェハにパッド用の開口を形成するために酸化シリコン及び窒化シリコンの誘電体層をエッチングする従来の磁気増強型プラズマ補助プロセスを実行しながらアーク発生についてテストした。テストに使用したウェハは，誘電体層の下にパターン化された金属特徴部を有するものであった。ウェハは，２つの異なる製造ロットから得られ，第２ロットからのウェハは，第１ロットからのウェハよりもアークを発生する傾向が高いものであった。 
【００５０】 
　処理後にウェハを目視検査したり，チャンバー内の閃光を目視監視したり，カソードＤＣバイアス電圧，チャック電圧，及びＲＦ電源とカソードとの間の反射電力を連続的に監視したりする多数の方法によりアークを検出した。監視されたいずれの値のスパイクもアークの徴候と解釈した。 
【００５１】 
　例１：導電性の外側カラー５０及び内側カラー５２は，ドープされたシリコンの抵抗率が０．００８から０．０１２Ωｃｍの範囲となるような硼素濃度でドープされたシリコンで構成した。アークは全く観察されなかった。その結果は，ドープされたシリコンが単結晶シリコンであるか多結晶シリコンであるかに無関係であった。 
【００５２】 
　対照１：比較のために，前節で述べた導電性リングと同じ寸法を有するが，抵抗率が約２Ωｃｍの軽くドープされたシリコンで構成された従来の外側カラー５０及び内側カラー５２に置き換えた。本発明をテストするのに使用したものと同じエッチングプロセス及びテストウェアを使用して，アーク発生の多数の実例を検出すると共に，両ロットからのテストウェアへのダメージを観察した。 
【００５３】 
　対照２：又，１０5Ωｃｍの非常に高い抵抗率を有する炭化シリコンで構成される以外は同じ外側カラー５０及び内側カラー５２についても比較した。アーク発生の多数の実例を検出すると共に，両ロットからのテストウェアへのダメージを観察した。 
【００５４】 
　例２：例１でテストした導電性内側カラー５２は，軸方向厚みが３．６ｍｍであった。例２として，例１の内側カラーの厚みの半分である１．８ｍｍの厚みを有する導電性内側カラー５２に置き換えた。内側カラーの下の誘電体シールドの部分の厚みを１．８ｍｍ増加し，そのプロセスキットが例１の場合と同じスペースを占有するようにした。例２の薄いカラー５２は，例１の厚いカラーと同程度に良好に機能し，即ちアーク発生の実例は検出されなかった。それ故，テストされたものより大きい軸方向厚みを有するカラーを使用したときに，何らかの性能上の利益が得られるとは考えられない。厚いカラーの主たる効果は，交換を必要とするまでにより多くの浸食に耐えることができ，且つ割れ難くて，個人が手で取り扱う間に偶発的なダメージを受け難いことである。 
【００５５】 
　例３：図３は，導電性カラー５４が単に平らな環状のもので，その外径が誘電体シールド４４の外径に等しい本発明の別の実施形態を示す。この導電性カラーの上面は，ウェハ１０の下面と同一平面であり，従って，ワークピースの平面の上に（前方に）延びる焦点リングは存在しない。誘電体シールド４４は，その平らな上面が導電性カラー５４の平らな下面に一致している。同じテスト条件の下で，例３の実施形態は，例１及び２の実施形態と同程度に良好に機能し，即ちアーク発生は全く検出されなかった。これは，持ち上がった焦点リングを持つことが，本発明のアーク減少の利益を得るために重要でないことを実証している。 
【００５６】 
　例４：図４は，導電性の内側カラー５２を含むが，導電性の外側カラー５０を含まない本発明の別の実施形態を示す。テストにおいて，この実施形態の誘電体シールド４６のサイズは，図２の実施形態の誘電体シールド４０及び外側カラー５２の合成サイズと同じであった。導電性の内側カラー５２は，図２の実施形態をテストするのに使用されたものと同じであった。同じテスト条件のもとで，若干のアークを検出したが，対照１及び対照２の場合より遥かに少ないものであった。より詳細には，第１ロットからのウェハは，アークのダメージを全く示さなかったが，監視されている電圧においてアークの潜在性を示すスパイクが検出された。第２ロットからのウェハは，アークのダメージを示した。 
【００５７】 
　例１，２及び３が例４より良好に機能したという事実は，全半径方向巾が非常に小さい導電性カラー５０，５２，５４が最良のアーク抑制を達成しないことを示している。例１，２及び４では，内側の導電性カラー５２は，その半径方向巾が５．７ｍｍであり（１０４ｍｍ外半径から９８．２ｍｍ内半径を引いたもの），そのうちの４ｍｍは，ウェハの周囲を越えて半径方向に（即ち外側に）延びており，１．７ｍｍは，ウェハの背後に（即ち下に）あり，即ち１００ｍｍ半径のウェハが静電チャックの周囲を１．７ｍｍだけオーバーハングしている。例１の外側導電性カラー５０及び例３の平らな導電性カラー５４は，外半径が１３４ｍｍであり，従って，例１及び２の導電性カラーは，１００ｍｍ半径ウェハの周囲を越えて３４ｍｍ延びる全半径方向巾を有する。 
【００５８】 
　ウェハの周囲を越える半径方向巾は，導電性カラーの最も重要な寸法であると考えられる。これらのテストは，カラーが，図３の実施形態のようにウェハの周囲を越えて少なくとも４ｍｍ，好ましくは，少なくとも８ｍｍ延びる場合に，導電性カラーのアーク抑制性能が良好になることを指示している。図２の実施形態のようにカラーがウェハの周囲を越えて少なくとも３４ｍｍ延びるときにはアーク抑制が完全であった。 
【００５９】 
　上記テストに使用された要素の他の特性は，次の通りであった。導電性外側カラー５０は，ウェハの平面より上の（前方の）持ち上がりが６ｍｍであった。静電チャックの誘電体２６は，１０ｍｍ厚みの窒化アルミニウムであった。誘電体シールドは，石英で，内側カラー５２の下の厚みが６．３ｍｍであり，外側カラー５０の下の厚みが１１．４ｍｍであった。 
【００６０】 
　上記テストに使用されたエッチングプロセスの条件は，次の通りであった。電源３２により供給されるＲＦ電力は，１３．５６ＭＨｚの周波数において１５００ワットであり，これは，接地されたチャンバー壁に対して−１５００ボルトのＤＣバイアスをペデスタル本体２２に発生した。チャック電源２８は，接地点に対して−８００ボルトをチャック電極２４に供給した。 
【００６１】 
　チャンバーの圧力は，１５０ミリｔｏｒｒであり，エッチングプロセスガスの流量は，５０ｓｃｃｍＣＦ4，３０ｓｃｃｍＣＨＦ3，１０ｓｃｃｍＳＦ6，１０ｓｃｃｍＮ2，及び１００ｓｃｃｍＡｒであった。」 
  
　ウ　本願発明の課題 
　本願明細書の記載（前記イ）によれば，本願発明の課題は，「ワークピースの周囲の露出金属からアークが発生するおそれを効果的に減少又は排除すること」を目的とするものと認められる。（【００１０】） 
  
（３）検討 
　ア　前記（２）アのとおり，本願発明は，「半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって，誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備え，上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる，プロセスキット」であること等を発明特定事項とする発明である。 
 　 
　イ　一方，前記（２）イの記載から，以下の事項が理解される。 
・ワークピースがその周囲付近に露出金属を有し，この露出金属の位置に大きな電界が存在する場合には，露出金属と，チャック電極又は金属ペデスタル本体との間に電気的アークが時々発生し得ること。（【０００６】） 
  
・アーク発生の確率を高める要因は，カソードにかかる高いＤＣバイアス電圧，高いチャック電圧，及びチャンバー内のプラズマ密度を向上させるための磁界の使用を含むこと。（【０００６】） 
  
・半導体ウェアのようなワークピース即ち基板が，通常，カソード電極として機能する金属本体を有するペデスタルの実質的に平らな前面に取り付けられること。（【００１５】）
  
・ワークピース即ち基板１０がその周囲付近に露出金属を有し，この露出金属の位置に大きな電界が存在する場合には，露出金属と，プロセスキット又はチャック電極との間に電気的アークが時々発生し得ること。（【００３７】） 
  
・アーク発生の主たる原因は，ワークピースの周囲付近に強い半径方向成分を有する電界であると考えられ，この半径方向電界は，カソードと接地点との間のＲＦ電圧と，カソードＤＣバイアス電圧と，チャック電圧との組合せにより発生されると考えられること。（【００４１】） 
  
・本発明においては，従来の誘電体シールド４０の上に横たわり且つワークピースの周囲を厳密に取り巻く高導電性カラーにより，アーク発生のおそれが劇的に減少され又は排除され，この導電性カラーとワークピースの周囲との間のギャップは，できるだけ僅かであるか又はゼロであるのが好ましく，これは，導電性カラーの内半径（即ち半径方向内側の境界）がワークピースの外半径（即ち周囲）以下であって，ワークピースの周囲が導電性カラーの半径方向内側部分に接触するか又は重畳する場合に達成されること。（【００４２】） 
  
・本発明は，このような理論に限定されないが，導電性カラーがアーク発生を防止するメカニズムは，次の通りであると考えられること。すなわち，導電性カラーは，導電率が高いので，その全面にわたってほぼ等しい電位を課し，これは，ワークピースの縁付近で半径方向電界を減少するときに，（ｉ）カラーがワークピースの周囲から半径方向外方に延びる距離にわたり，電界は，カラーの表面においてゼロに近づくこと，及び，（ii）カラーは，ワークピースを取り巻き，ワークピースの周囲にわたりほぼ等しい電位を課するので，ワークピースの平面に沿った電界が減少されること，という少なくとも２つの利点を有すること。（【００４７】） 
  
・２００ｍｍ直径のシリコンウェハにパッド用の開口を形成するために酸化シリコン及び窒化シリコンの誘電体層をエッチングする従来の磁気増強型プラズマ補助プロセスを実行しながら， 
　誘電体層の下にパターン化された金属特徴部を有するテストウェハを使用して，
　電源により供給されるＲＦ電力は，１３．５６ＭＨｚの周波数において１５００ワットであり，これは，接地されたチャンバー壁に対して−１５００ボルトのＤＣバイアスをペデスタル本体に発生するものであり，チャック電源は，接地点に対して−８００ボルトをチャック電極２４に供給し，チャンバーの圧力は，１５０ミリｔｏｒｒであり，エッチングプロセスガスの流量は，５０ｓｃｃｍＣＦ4，３０ｓｃｃｍＣＨＦ3，１０ｓｃｃｍＳＦ6，１０ｓｃｃｍＮ2，及び１００ｓｃｃｍＡｒであるエッチングプロセスの条件のもとで，
　アーク発生についてテストしたこと。（【００４９】，【００６０】，【００６１】） 
  
・導電性の外側カラー５０，及び， 
　軸方向厚みが３．６ｍｍ（１．８ｍｍ）であって，その半径方向巾が５．７ｍｍであり，そのうちの４ｍｍは，ウェハの周囲を越えて半径方向に（即ち外側に）延びており，１．７ｍｍは，ウェハの背後に（即ち下に）ある内側カラー５２を， 
　ドープされたシリコンの抵抗率が０．００８から０．０１２Ωｃｍの範囲となるような硼素濃度でドープされたシリコンで構成して， 
　上記エッチングプロセス及び上記テストウェハを用いた場合には，アークは全く観察されなかったこと。（【００５１】，【００５４】，【００５７】） 
  
・抵抗率が約２Ωｃｍの軽くドープされたシリコン，あるいは，１０5Ωｃｍの非常に高い抵抗率を有する炭化シリコンで構成された従来の外側カラー５０及び内側カラー５２に置き換えて，上記エッチングプロセス及び上記テストウェハを使用した場合には，アーク発生の多数の実例を検出したこと。（【００５２】，【００５３】） 
  
・ウェハの周囲を越える半径方向巾は，導電性カラーの最も重要な寸法であると考えられ，カラーが，ウェハの周囲を越えて少なくとも４ｍｍ，好ましくは，少なくとも８ｍｍ延びる場合に，導電性カラーのアーク抑制性能が良好になり，カラーがウェハの周囲を越えて少なくとも３４ｍｍ延びるときにはアーク抑制が完全であったこと。（【００５８】） 
  
　ウ　そうすると，前記イから，導電率を高めた導電性カラーを，従来の誘電体シールドの上に，ワークピースの周囲を厳密に取り巻くように，且つ，この導電性カラーとワークピースの周囲との間のギャップをできるだけ僅かであるか又はゼロであるように（すなわち，導電性カラーの内半径がワークピースの外半径以下であってワークピースの周囲が導電性カラーの半径方向内側部分に接触するか又は重畳するように）横たわらせることで，周囲付近に露出金属を有するワークピースの前記露出金属と，チャック電極又は金属ペデスタル本体との間に電気的アークが発生することを抑制することができること，具体的には， 
　２００ｍｍ直径のシリコンウェハにパッド用の開口を形成するために酸化シリコン及び窒化シリコンの誘電体層をエッチングする従来の磁気増強型プラズマ補助プロセスを実行する場合において，前記導電性カラーが，抵抗率が０．００８から０．０１２Ωｃｍの範囲となるように硼素濃度でドープされたシリコンで構成されたものであって，導電性の外側カラー５０，及び，軸方向厚みが３．６ｍｍ（１．８ｍｍ）であって，半径方向巾が５．７ｍｍであり，そのうちの４ｍｍは，ウェハの周囲を越えて半径方向に（即ち外側に）延びており，１．７ｍｍは，ウェハの背後に（即ち下に）ある内側カラー５２からなるものである場合に，アークが全く観察されなかったことが理解される。 
  
　エ　一方，本願発明の「導電性カラー」は，その形状を，「中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある」とのみ特定するものである。 
　そうすると，本願発明の「導電性カラー」は，その内縁を特定しないから，本願発明に係るプロセスキットは，例えば，導電性カラーの内周径が，ワークピースの外周径の２倍であって，導電性カラーとワークピースの周囲との間に大きなギャップ有するものを含有するといえる。 
　あるいは，ワークピースの外周の形が矩形であって，導電性カラーの内周の形が円形であるため，導電性カラーとワークピースの周囲との間の一部に，ギャップ有するものを含有するといえる。 
　また，本願発明の「導電性カラー」は，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にあることを特定するだけで，その程度を特定しないから，本願発明に係るプロセスキットは，例えば，導電性カラーの外周が，ワークピースの外周を，０．１ｍｍ程度超えて，半径方向外側に延びるものを含有する。 
　あるいは，本願発明に係るプロセスキットは，例えば，導電性カラーの厚さが，数オングストローム程度であって，単原子層から構成されるものを含有するといえる。 
　しかしながら，上記ウの理解に照らして，このような構造を有するプロセスキットによって，本願発明に係る，「ワークピースの周囲の露出金属からアークが発生するおそれを効果的に減少又は排除すること」という課題を解決することができると認識することはできない。 
 　 
　オ　さらに，発明の詳細な説明の記載から，抵抗率が０．００８から０．０１２Ωｃｍの範囲となるようにドープされた導電性カラーを用いた場合に，アークが観察されなかったことが理解されるとしても，本案発明で特定する，「抵抗率が０．１Ωｃｍ」の場合に，アークが観察されないとまでは，直ちに認識することはできない。 
  
　カ　しかも，本願発明は，「上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる」ものであるから，導電性カラーの一部が，誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわるものを含有するといえる。 
　そうすると，本願発明は，導電性カラーの底面の大部分がペデスタルを構成するカソード電極として機能する金属本体に直接接触し，導電性カラーの外周部近傍の底面の一部が，誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわるものを含有するといえるが，このようなプロセスキットにおいては，導電性カラーの抵抗率が０．１Ωｃｍ以下であるという高導電性によって，導電性カラーが電極として機能するものと認められ，本願発明の課題は解決されないといえる。 
  
　キ　すなわち，請求項の記載には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，あるいは，請求項の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えている。 
　したがって，本願明細書の記載（ないし示唆）はもとより，本願出願当時の技術常識に照らしても，請求項１ないし１５の記載によって特許を請求しようとする範囲の全てにおいて，本願発明の課題を解決できると当業者が認識することはできないというべきである。 
　そうすると，本願の特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。 
  
　＜＜上申書における補正の示唆について＞＞ 
　審判請求人は，平成２９年５月１０日に提出した上申書において，各独立請求項において，「・・・，プロセスキット」を，「・・・，上記ワークピースからの電気的アークが低減される，プロセスキット」と補正することを示唆する。 
　しかしながら，前記「上記ワークピースからの電気的アークが低減される」との記載が，プロセスキットという物品の，どのような形状・構造等を特定しようとするものであるかを明確に理解することはできない。 
　したがって，上記補正をした場合には，特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第２号の規定を満たしていないものとなるので，補正にあたっては留意されたい。 
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は，平成２９年１２月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定される発明であり，独立形式で記載された請求項に係る発明である，本願発明１ないし本願発明３は，以下のとおりである。
「【請求項１】
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，
　抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある導電性カラーとを備え，
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記導電性カラーの下側面の全体を覆うようになっており，
　上記導電性カラーが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。
【請求項２】
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられ，上記ワークピースからの電気的アークを低減するためのプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，
　抵抗率が０．０１２Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある導電性カラーとを備え，
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記導電性カラーの下側面の全体を覆うようになっており，
　上記導電性カラーが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。
【請求項３】
半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられ，上記ワークピースからの電気的アークを低減するためのプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，
　抵抗率が０．００８〜０．０１２Ωｃｍの範囲の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある導電性カラーとを備え，
　上記導電性カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記導電性カラーの下側面の全体を覆うようになっており，
　上記導電性カラーが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。」
第５　特許法第２９条第２項（進歩性）について
　１　引用文献，引用発明等
（１）引用文献１について
　当審拒絶理由で引用した引用文献１（国際公開９９／１４７８８号：原査定の引用文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「43. 
A plasma-enhanced process for etching a spin-on glass layer on a workpiece
　providing into the interior of 
a plasma chamber
　forming a plasma from at least a portion of the process gas mixture within the chamber;
　providing within the chamber a cathode electrode having an upper surface facing the plasma;
　holding said workpiece adjacent the upper surface of the cathode electrode;
　
positioning a shield, composed of dielectric material, so as to encircle the perimeter of the workpiece
　
positioning a ring overlying at least a portion of the dielectric shield, wherein the ring is composed of a non-dielectric material which is more resistant than the dielectric material to erosion by chemical species contained in the plasma
  44. A process according to claim 43, wherein the shield is composed of silicon dioxide and the ring is composed of silicon.」（第３１ページ第１０−２３行）（日本語訳：４３．　
ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセス
　前記スピン−オンガラス層をエッチングするプロセスガス混合物を
プラズマチャンバ
　前記チャンバ内の前記プロセスガス混合物の少なくとも１部からプラズマを形成するステップと，
　前記プラズマに面する上面を有する陰極電極を前記チャンバ内に供給するステップと，
　前記陰極電極の上面に隣接して前記ワークピースを保持するステップと，
　前記
ワークピースの周辺を取り巻くように，誘電体物質で構成されるシールドを配置
　前記
誘電体シールドの少なくとも１部分の上に重なるリングを配置
　前記
リングが，前記プラズマに含有される化学種による腐食に対して前記誘電体物質よりも耐性を有する非誘電体物資
４４．　前記シールドが，二酸化ケイ素で構成され，前記
リングが，シリコンで構成
「Figure 2 is a schematic longitudinal sectional view of a plasma chamber according to the invention having a dielectric shield comprising a thick outer dielectric shield and a thin inner dielectric shield, and having a non-dielectric collar covering the inner shield.」（第４ページ第１７−１９行）（日本語訳：図２は，厚いアウタ誘電体シールドと薄いインナ誘電体シールドとを備える誘電体シールドを有し，且つインナシールドをカバーする非誘電カラーを有する本発明によるプラズマチャンバの概略長手方向断面図である。）
 
「2. Protective Ring to Prevent Erosion of Dielectric Shield
　Figures 2 and 3 show a protective ring or erosion-resistant ring 50 overlying the radially inner portion 38 of the dielectric shield 30, that is, overlying the dielectric closest to the perimeter of the wafer 20.
　
The dielectric shield or collar 30 and the protective ring 50 together constitute the 
process kit
　図２及び図３は，誘電体シールド３０の半径方向インナ部分３８の上に広がる，即ち，ウェーハ２０の周辺に密接する誘電体の上に広がる保護リング又は耐腐食リング５０を示している。
　
誘電体シールド又はカラー３０，及び保護リング５０は
プロセスキット」を共に構成する
「In a silicon oxide etch chamber, 
the protective ring 50 preferably is composed of pure silicon
Silicon is advantageous because it is resistant to erosion by reactive species generally used in oxide etch processes, and because it readily can be obtained in forms having extremely low impurity concentrations to as to avoid the release of contaminants into the chamber. Single crystal silicon is preferred because it can be obtained with the highest purity
保護リング５０は，純シリコンで構成されることが好ましい
シリコンは，酸化物腐食プロセスに一般に使用される反応種による腐食に耐性であるので，またそれは，チャンバに汚染物質を放出するのを回避するように，非常に低い不純物濃度を有する形状で使用可能であるので，好都合である。単一の結晶シリコンは，高純度で使用できるので，好ましい
　FIG.２は，厚いアウタ誘電体シールドと薄いインナ誘電体シールドとを備える誘電体シールドを有し，且つインナシールドをカバーする非誘電体カラーを有する引用文献１に記載された発明によるプラズマチャンバの概略長手方向断面図であって，引用文献１の上記記載を参酌すれば，同図から，以下の構造を見て取ることができる。
「ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセスで用いられるプラズマチャンバ内において，ワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールド３０と，
　純シリコンで構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある保護リング５０とを備え，
　上記保護リング５０が，上記誘電体シールド３０の少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールド３０が上記保護リング５０の下側面の全体を覆うようになっており，
　上記保護リング５０が，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。」
　したがって，上記引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
（２）引用発明１
「ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセスで用いられるプラズマチャンバ内において，ワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，
　純シリコンで構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある保護リングとを備え，
　上記保護リングが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記保護リングの下側面の全体を覆うようになっており，
　上記保護リングが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。」
（３）引用文献２ないし５について
　ア　当審拒絶理由で引用した引用文献２（特開平１０−６４８８２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本発明は
半導体ウェハ等の加工物を，ポリマ前駆体ガスなどのエッチング選択性向上前駆体材料(etch selectivity-enhancing precursor material)を用いる処理でもって処理するためのプラズマリアクタに関する
  
「【０００６】
【課題を解決するための手段】・・・加熱されたポリマ硬化前駆体（例えば，
シリコン
は，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比，フッ素に対する水素の処理ガス成分比，及び，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比を温度増加の関数として変化させることによって，重合に有利に関与し
エッチング選択性は温度上昇とともに高まる
本発明の基本的な方法は
シリコンのような
ポリマ硬化前駆体材料部品を
エッチング処理中に，炭化フッ素，フッ化炭化水素ガスと共にリアクタチャンバに提供し，当該ポリマ硬化前駆体材料部品を加熱して，重合温度を十分に上回る温度（すなわち，より高い温度範囲）にして，これまで得られたシリコンに対する酸化物のエッチング選択性が所望の増加をすることが達成されることである
  
「【０００９】ポリマ硬化前駆体（例えば
シリコン
は
できれば別体の迅速取外し可能消耗部品であるものが好ましく
加熱
装置は
遠隔方式でポリマ硬化前駆体部品を加熱する任意の適当なタイプのものでよい
  
「【００１３】
好ましい実施形態において，ポリマ硬化前駆体消耗部品は，ウェハ支持体すなわちウェハチャックの周縁部から，半径方向外向きにチャンバ側壁部に向かって延びる平らなシリコン環状体又はベースプレートである
好ましい実施形態において，シリコンベースプレートは，下にあるコイルによって誘導加熱される
この目的のために，適当な抵抗率を有するシリコン材料が，加熱シリコン部品用として選択されて，その下にあるコイルによる効率的な誘導加熱と少なくともほぼ完全な誘導磁界の吸収が確保され，シリコン部品が熱シールドだけでなく，プラズマシールドとしても機能するようになる
  
「【００２７】・・・そのような交換可能なポリマ硬化前駆体部品は，容易に作成可能な任意の形状（例えば平面環状，平面リング状，中実リング状，円筒状，板状等々）とすることができ，リアクタチャンバ内の任意の場所に置くことができる。しかし，図４（Ａ）の実施形態では，ポリマ硬化前駆体消耗部品が，ウェハペデスタル１６の周辺を取り囲む（シリコンのような）ポリマ硬化前駆体材料からなる薄い平らな環状リング６０になっている。このリング６０は，チャンバ内の任意の適当な平面に置くことができるが，従来のウェハ搬送機構によるアクセスを可能にするため，この
シリコンリング６０はウェハペデスタル１６上に保持されたウェハ１７の面のやや下方又は近傍に置かれる
【００２８】
ポリマ硬化前駆体リング６０と温度直接制御装置との一体化又は機械的結合の必要性を排除するため
誘導
加熱方法を用いることが望ましい
最も効率のよい誘導加熱を行うためは，ポリマ硬化前駆体リング６０を，抵抗率が十分に低い，例えば０．０１Ω-ｃｍ程度のシリコンで形成する
　イ　上記記載から，引用文献２には，エッチング処理中に，炭化フッ素，フッ化炭化水素ガスをリアクタチャンバに提供して，半導体ウェハ等の加工物を，エッチング処理するためのプラズマリアクタにおいて，シリコンリングをウェハペデスタル上に保持されたウェハの面のやや下方又は近傍に置き，当該リングを，温度直接制御装置との一体化又は機械的結合の必要性を排除するために誘導加熱方法を用いて加熱することで，加熱された前記シリコンが，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比，フッ素に対する水素の処理ガス成分比，及び，フッ素に対する炭素の処理ガス成分比を温度増加の関数として変化させて重合に有利に関与することによって，シリコンに対する酸化物のエッチング選択性，あるいは，フォトレジスト選択比を高めることができること，及び， 
　シリコンベースプレートが，下にあるコイルによって誘導加熱される目的のために，適当な抵抗率を有するシリコン材料を，加熱シリコン部品用として選択する必要があるところ，最も効率のよい誘導加熱を行うためは，ポリマ硬化前駆体リングを，抵抗率が十分に低い，例えば０．０１Ω-ｃｍ程度のシリコンで形成することが望ましいという技術的事項が記載されていると認められる。 
　ウ　当審拒絶理由で引用した引用文献３（特開平１０−１５００２１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】
本発明は
選択エッチング
半導体ウエハ等のワークピースを処理するためのプラズマリアクタに関する
  
「【００１５】例えば，
シリコン対シリコン酸化物エッチング選択比
本発明によって達成されるフォトレジスト選択比に本発明の効力が見出される
  
「【００１９】
ポリマー硬化前駆物質リング６０を温度制御装置に統合するか又は機械的に直接結合するか，いずれかの必要性を除くため，直接伝導（例えば，輻射加熱又は誘導加熱）以外の他の方法による加熱を採用するのが好ましい
最も効率的な誘導加熱を提供するため，ポリマー硬化前駆物質リング６０が十分低い固有抵抗，例えば，０．０１Ω−ｃｍの桁のシリコンから形成される
 
　エ　上記記載から，引用文献３には，シリコン対シリコン酸化物選択比，あるいは，フォトレジスト選択比の向上を達成するために，ポリマー硬化前駆物質リングを，最も効率的な誘導加熱が提供される，十分低い固有抵抗，例えば，０．０１Ω−ｃｍの桁のシリコンによって形成して，前記ポリマー硬化前駆物質リングを誘導加熱するという技術的事項が記載されていると認められる。
　オ　当審拒絶理由で引用した引用文献４（国際公開第０１／０１４４５号：原査定の引用文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「FIG. 4 illustrates a plasma processing apparatus 400 according to one embodiment of a third aspect of the invention. 
The plasma processing apparatus 400 includes a wafer processing chamber 402
An inner RF coupled edge ring 408
An outer edge ring 412 borders the inner RF coupled edge ring 408
The inner RF coupled edge ring 408 is used to shield the notch 410 of the chuck 404 from ion bombardment such as during etch processes. As shown in FIG. 4, the notch 410 of the chuck 404 is adjacent an inner surface 414 and a bottom surface 416 of the inner RF coupled edge ring 408. The inner surface 414 is also within the outer edge of the wafer 406. An outer surface 418 of the inner RF coupled edge ring 408 extends beyond the outer edge of the wafer 406 and beyond an outer edge 420 of the chuck 404. An upper portion of the inner surface 414 of the RF coupled edge ring 408 includes a recessed area 414. The wafer 406 sits in the recessed area 414 and covers the seam between the inner surface 414 of the inner RF coupled edge ring 408 and the outer surface of the chuck 404 that is adjacent the inner RF coupled edge ring 408. A top surface 422 of the inner RF coupled edge ring 408 is substantially at the same height as a top surface of the wafer 406. 
The outer surface 418 of the inner RF coupled edge ring 408 is at a predetermined distance X from the edge of the wafer 406. The predetermined distance X can vary depending on implementation and particular processes being performed. Typically, 1 -2 centimeters is a suitable for the predetermined distance X for most processes
The outer edge ring 412 is used to shield the outer surface 418 of the chuck 404. The arrangement of the outer edge ring 412 and the inner RF coupled edge ring 408 also prevent any open seams to the chuck 404. 
The material used for the outer edge ring 412 is an insulator or dielectric material
Application of RF power to the chuck 406 results in the formation of an electric field and in turn a sheath 424 above the wafer 406. The electric field associated with the sheath 424 promotes the acceleration of ions toward the top surface of the wafer 406. The inner RF coupled edge ring 408 is made of material with suitable properties so that a portion of the RF energy provided to the chuck 404 is RF coupled through the inner RF coupled edge ring 408. RF coupled edge ring 408 can be made from a variety of materials that will not contaminate the plasma processing. 
Examples of suitable materials include semiconducting materials (e.g., Silicon Carbide) or dielectric materials, wherein the conductivity of the material can be controlled through doping and the like. The material and its conductivity of the inner RF coupled edge ring 408 are chosen depending on the degree of the RF coupling desired
Typically, RF coupling can be improved by either using a thinner, inner RF coupled edge ring 408 or increasing the conductivity of the material used as the inner RF coupled edge ring 408. Given that the inner RF coupled edge ring 408 will be etched as the wafer 406 is etched, it should not produce contaminants and should not be too expensive of a material because it will require periodic replacement. On the other hand, in one embodiment, the material for the outer edge ring 412 does not provide any significant RF coupling from the chuck 406 and thus should not require periodic replacement for the most part
プラズマ処理装置４００は
静電チャック（ＥＳＣ）４０４を有するウェーハ処理チャンバ４０２を含む
このチャック４０４は電極として機能
内側高周波結合エッジリング４０８
チャック４０４のノッチ４１０に隣接し，ウェーハ４０６のエッジを超えて延びる高周波結合領域を提供する
外側エッジリング４１２は内側高周波結合エッジリング４０８
の外部エッジとに隣接する
　内側高周波結合エッジリング４０８は，エッチングプロセス中等にチャック４０４のノッチ４１０をイオン衝撃から保護するために使用される。図４に示すように，チャック４０４のノッチ４１０は内側高周波結合エッジリング４０８の内部表面４１４及び底面４１６に隣接する。更に内部表面４１４はウェーハ４０６の外部エッジの内側にある。内側高周波結合エッジリング４０８の外部表面４１８は，ウェーハ４０６の外部エッジを超え，チャック４０４の外部エッジ４２０を超えて延びる。内側高周波結合エッジリング４０８の内部表面４１４の上部は陥凹領域４１４を含む。ウェーハ４０６は陥凹領域４１４に置かれ，内側高周波結合エッジリング４０８の内部表面４１４と，内側高周波結合エッジリング４０８に隣接するチャック４０４の外部表面と，の間の継ぎ目を覆う。内側高周波結合エッジリング４０８の上面４２２は，ウェーハ４０６の上面とほぼ同じ高さにある。
内側高周波結合エッジリング４０８の外部表面４１８は，ウェーハ４０６のエッジから所定の距離Ｘの位置にある。所定の距離Ｘは，実装品と，実行される特定のプロセスと，に応じて変化する。通常，ほとんどのプロセスに関して，所定の距離Ｘには１乃至２センチメートルが最適である
　外側エッジリング４１２は，チャック４０４の外部表面４１８を保護するために使用される。更に外側エッジリング４１２及び内側高周波結合エッジリング４０８は，チャック４０４との間に隙間のある継ぎ目ができないように配置される。
外側エッジリング４１２に使用される材料は絶縁すなわち誘電材料である
　チャック４０６に高周波電力を加えることで，電場が生成され，次にウェーハ４０６の上にシース４２４が生じる。シース４２４に伴う電場は，ウェーハ４０６の上面に向かうイオンの加速を促進する。内側高周波結合エッジリング４０８は，チャック４０４に提供される高周波エネルギの一部が内側高周波結合エッジリング４０８を通じて高周波結合されるように，適切な特性を有する材料で作られる。高周波結合エッジリング４０８は，プラズマ処理を汚染しない様々な材料で作ることができる。
適切な材料の例には，半導体材料（炭化ケイ素等）又は絶縁材料が含まれ，この材料の導電性はドーピング等を通じて制御することができる
内側高周波結合エッジリング４０８の材料とその導電性は，望ましい高周波結合の度合いに応じて選択することができる
　
通常，高周波結合は，薄い内側高周波結合エッジリング４０８を使うこと，或いは内側高周波結合エッジリング４０８として使用する材料の導電性を増加させることで，高めることができる
内側高周波結合エッジリング４０８がウェーハ４０６のエッチングに伴ってエッチングされる場合は，汚染物質が生成されるべきではなく，かつ，過度に高価な材料にするべきではない
定期的な交換が必要になる
外側エッジリング４１２の材料はチャック４０６からの任意の有効な高周波結合を提供せず，その結果，大体において定期的な交換を必要としないことになる
　FIG.４は，引用文献４に記載された発明の第三の態様の一実施例による，内側高周波結合エッジリングと外側エッジリングとを含むプラズマ処理装置を示す図であって，引用文献４の上記記載を参酌すれば，同図から，以下の構造を見て取ることができる。
「プラズマ処理装置４００の，電極として機能する静電チャック（ＥＳＣ）４０４を有するウェーハ処理チャンバ４０２内でウェーハ４０６の付近に取り付けられる内側高周波結合エッジリング４０８と，該内側高周波結合エッジリング４０８に隣接する外側エッジリング４１２であって，
　誘電材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ウェーハの外縁よりも外側にある外側エッジリング４１２と，
　適切な材料の例には，半導体材料（炭化ケイ素等）又は絶縁材料が含まれ，この材料の導電性はドーピング等を通じて制御することができる材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも，通常，ほとんどのプロセスに関して１乃至２センチメートル外側にある内側高周波結合エッジリング４０８とを備え，
　上記内側高周波結合エッジリング４０８の一部が，上記外側エッジリング４１２の一部分の上に横たわり，上記外側エッジリング４１２が上記内側高周波結合エッジリング４０８の下側面の一部を覆うようになっており，さらに，上記内側高周波結合エッジリング４０８は，上記静電チャック４０４のノッチ４１０に隣接し，ウェーハ４０６のエッジを超えて延びる高周波結合領域を提供するものであり，
　上記内側高周波結合エッジリング４０８が，上記ウェーハ４０６の領域の外縁の内側にある半径方向内側の境界を有しており，
　前記内側高周波結合エッジリング４０８は，定期的な交換が必要になり，外側エッジリング４１２は，大体において定期的な交換を必要としない，
　内側高周波結合エッジリング４０８と，該内側高周波結合エッジリング４０８に隣接する外側エッジリング４１２とからなる構造。」
　上記記載から，引用文献４には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　カ　引用発明２
「プラズマ処理装置の，電極として機能する静電チャックを有するウェーハ処理チャンバ内でウェーハの付近に取り付けられる内側高周波結合エッジリングと，該内側高周波結合エッジリングに隣接する外側エッジリングであって，
　誘電材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ウェーハの外縁よりも外側にある外側エッジリングと，
　適切な材料の例には，半導体材料（炭化ケイ素等）又は絶縁材料が含まれ，この材料の導電性はドーピング等を通じて制御することができる材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも，通常，ほとんどのプロセスに関して１乃至２センチメートル外側にある内側高周波結合エッジリングとを備え，
　上記内側高周波結合エッジリングの一部が，上記外側エッジリングの一部分の上に横たわり，上記外側エッジリングが上記内側高周波結合エッジリングの下側面の一部を覆うようになっており，さらに，上記内側高周波結合エッジリングは，上記静電チャックのノッチに隣接し，ウェーハのエッジを超えて延びる高周波結合領域を提供するものであり，
　上記内側高周波結合エッジリングが，上記ウェーハの領域の外縁の内側にある半径方向内側の境界を有しており，
　前記内側高周波結合エッジリングは，定期的な交換が必要になり，外側エッジリングは，大体において定期的な交換を必要としない，
　内側高周波結合エッジリングと，該内側高周波結合エッジリングに隣接する外側エッジリングとからなる構造。」
　キ　当審拒絶理由で引用した引用文献５（国際公開第９９／１４７９６号：原査定で引用した周知文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「
A collar ring 230 is positioned on the conductor 210 in direct electrical contact with its peripheral portion 228
This significantly reduces anomalies or discontinuities in the plasma sheath at the edge or perimeter of the substrate 130 and provides more uniform plasma processing rates or characteristics across the substrate
カラーリング２３０が，導体２１０の上に導体２１０の周辺部２２８と直接接触するように配置されている
これにより，基板１３０の端部あるいは周縁部における，プラズマシースの異常あるいは切れ目がかなり少なくなり，そして，さらに均一なプラズマ処理速度を可能としあるいは基板全体にわたる特性を均一化することが可能となる
「In a preferred embodiment, the collar ring 230 is made from a semiconducting dielectric material that has low electrical resistance that allows DC field components to be transmitted or conducted through the collar ring 230. By semiconducting dielectric it is meant that the material has a higher electrical conductivity than insulator materials, and a lower electrical conductivity than metals. The semiconducting dielectric material also comprises a resistivity sufficiently low to allow DC electric field components to be electrically coupled from the conductor 210 to the collar ring 230 to provide a more consistent and uniform plasma sheath above the perimeter of the substrate. These DC field components even or balance out the DC potential at the edge of the substrate where edge effects are normally highly pronounced. 
The more balanced or level DC field potential across the substrate perimeter also reduces the possibility of electrical arcing at the edge of the electrode 155b
Preferably, the semiconducting dielectric collar ring 230 comprises a resistivity of about 10
-3
  Ω to about 10 
2
  Ω cm, and more preferably from about 10 
-3
  Ω cm to about 10
 1 
 Ω cm
Suitable semiconducting ceramic materials for fabricating the collar ring 230 include for example, 
doped
 ceramic materials, such as mixtures of the ceramic materials described herein, such as aluminum oxide and titanium oxide, or aluminum nitride and other conduction additives, as well as silicon, silicon carbide and silicon nitride
基板の周縁部のＤＣ電界成分が均衡がとれたものあるいは平衡がとれたものであればあるほど，電極１５５ｂの端部におけるアークの発生の可能性が少なくなる
好ましくは，その半導体カラーリング２３０は，約１０
-3
Ωｃｍ〜約１０
2
Ωｃｍ程度の抵抗値を持ち，もっと好ましくは，約１０
-3
Ωｃｍ〜約１０
1
Ωｃｍの抵抗値を持つ
カラーリング２３０を製造するのに適している半導体セラミック物質は，シリコン，シリコンカーバイドおよび窒化シリコンと同様に，例えば，以下に記載されたセラミック物質，つまり，酸化アルミニウム，酸化チタニウム，窒化アルミニウム，および他の導電性添加物の混合物等のドープされたセラミック物質を含む
「 What is claimed is:
  1. A support for supporting a substrate in a plasma process chamber, the support comprising:
  (a) a dielectric member having an electrode embedded therein, and a receiving surface for receiving the substrate;
  (b) a conductor supporting the dielectric member, the conductor having a peripheral portion extending beyond the electrode in the dielectric member;
  (c) a voltage supply for supplying an RF bias voltage to the electrode embedded in the dielectric member to capacitively couple RF power from the electrode to the conductor; and
  (d) a collar ring on the peripheral portion of the conductor, the collar ring having a RF electrical field absorption sufficiently low to capacitively couple RF power from the peripheral portion of the conductor through the collar ring to a plasma in the plasma process chamber.」（第２４ページ第１−１５行）(日本語訳：【請求項１】
プラズマ処理チャンバ内で基板を支持する支持体
　（ａ）
電極を埋め込まれ，且つ基板を受け取る受け取り面を有する誘電部材
　（ｂ）
誘電部材を支持し，誘電部材内の電極を越えて伸びる周縁部を有する導体
　（ｃ）
電極からのＲＦパワーを導体へ容量結合するため，ＲＦバイアス電圧を誘電部材内に埋め込まれた電極へ供給する電
　（ｄ）
導体の周縁部上にあるカラーリングであって，導体の周縁部からのＲＦパワーを，カラーリングを介してプラズマ処理チャンバ内のプラズマへ容量結合するのに十分低いＲＦ電界吸収を有するカラーリング
　ク　上記記載から，引用文献５には，電極を埋め込まれ，且つ基板を受け取る受け取り面を有する誘電部材と，該誘電部材を支持し，誘電部材内の電極を越えて伸びる周縁部を有する導体と，電極からのＲＦパワーを導体へ容量結合するため，ＲＦバイアス電圧を誘電部材内に埋め込まれた電極へ供給する電源と，前記導体の周縁部上にあるカラーリングであって，導体の周縁部からのＲＦパワーを，カラーリングを介してプラズマ処理チャンバ内のプラズマへ容量結合するのに十分低いＲＦ電界吸収を有するカラーリングとを有するプラズマ処理チャンバ内で基板を支持する支持体において，前記カラーリングを，前記導体上に導体の周辺部と直接接触するように配置し，好ましくは，約１０-3Ωｃｍ〜約１０1Ωｃｍの抵抗値を持つシリコン等の半導体で構成することで，基板の端部あるいは周縁部における，プラズマシースの異常あるいは切れ目がかなり少なくなり，そして，さらに均一なプラズマ処理速度を可能としあるいは基板全体にわたる特性を均一化することが可能となり，さらに，電極の端部におけるアークの発生の可能性が少なくなるという効果が奏されるという技術的事項が記載されていると認められる。
　２　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　引用文献１を主引例とした進歩性の検討
（ア）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
（ｉ）引用発明１の「ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセスで用いられるプラズマチャンバ」は，本願発明１の「半導体製造プロセスプラズマチャンバー」に相当する。
（ii）「純シリコン」は，半導体の一種であるといえる。
（iii）引用発明１の「保護リング」と，本願発明１の「導電性カラー」は，「カラー」である点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットであって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと，
　半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にあるカラーとを備え，
　上記カラーが，上記誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記カラーの下側面の全体を覆うようになっており，
　上記カラーが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，プロセスキット。」
（相違点）
（相違点１）一致点に係る「カラー」が，本願発明１では，「抵抗率が０．１Ωｃｍ以下」の「導電性カラー」であるのに対して，引用発明１では，「純シリコン」で構成される「保護リング」である点。
（相違点２）一致点に係る「カラー」の外縁が，本願発明１では，ワークピースの外縁よりも「少なくとも４ｍｍ」外側にあるのに対して，引用発明１では，そのような特定がされていない点。
（イ）相違点についての判断
・相違点１について
　純シリコンの抵抗率が高く，該抵抗率を下げるためには，前記純シリコンに不純物を導入する必要があることは技術常識である。
　一方，引用文献１の上記「シリコンは，酸化物腐食プロセスに一般に使用される反応種による腐食に耐性であるので，またそれは，チャンバに汚染物質を放出するのを回避するように，非常に低い不純物濃度を有する形状で使用可能であるので，好都合である。単一の結晶シリコンは，高純度で使用できるので，好ましい。」との記載から，引用発明１は，保護リングを純シリコンで構成することによって，ワークピースのスピン−オンガラス層をエッチングするプラズマ強化プロセスにおける，前記プラズマに含有される化学種による腐蝕に対して耐性を高め，かつ，チャンバに汚染物質を放出するのを回避した発明であると理解される。
　そうすると，引用発明１の純シリコンからなる保護リングにおいて，高い抵抗率を有する前記純シリコンの抵抗率を０．１Ωｃｍ以下にして，導電性カラーとするために，前記純シリコンに不純物を導入することには，阻害事由が存在するといえる。
　そして，本願発明１は，前記カラーが，抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の導電性カラーであることによって，本願明細書に記載された格別の効果を奏するものと認められる。
　さらに，引用文献１ないし５のいずれにも，上記阻害事由が存在するにも関わらず，引用発明１において，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することを動機づける記載も示唆も認められない。
　したがって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用文献１ないし５に記載された発明または技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　イ　引用文献４を主引例とした進歩性の検討
（ア）対比
　本願発明１と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。
（ｉ）引用発明２の「プラズマ処理装置のウェーハ処理チャンバ」，「ウェーハ」は，それぞれ，本願発明１の「半導体製造プロセスプラズマチャンバー」，「ワークピース」に相当する。
（ii）引用発明２の「内側高周波結合エッジリングと，該内側高周波結合エッジリングに隣接する外側エッジリングとからなる構造」と，本願発明１の「プロセスキット」は，「複数部材の組合せ構造」である点で一致する。
（iii）引用発明２の「誘電材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ウェーハの外縁よりも外側にある外側エッジリング」と，本願発明１の「誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールド」は，「誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁がワークピースの外縁よりも外側にある部材Ａ」である点で一致する。
（iv）引用発明２の「適切な材料の例には，半導体材料（炭化ケイ素等）又は絶縁材料が含まれ，この材料の導電性はドーピング等を通じて制御することができる材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも，通常，ほとんどのプロセスに関して１乃至２センチメートル外側にある内側高周波結合エッジリング」と，本願発明１の「抵抗率が０．１Ωｃｍ以下の半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある導電性カラー」は，「半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁がワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある部材Ｂ」である点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられる複数部材の組合せ構造であって，
　誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある部材Ａと，
　半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある部材Ｂとを備え，
　上記部材Ｂが，上記部材Ａの少なくとも一部分の上に横たわるようになっており，
　上記部材Ｂが，上記ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，複数部材の組合せ構造。」
（相違点）
（相違点３）一致点に係る「複数部材の組合せ構造」が，本願発明１では，「プロセスキット」であるのに対して，引用発明２では，そのような特定がされていない点。
（相違点４）一致点に係る「誘電体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある部材Ａ」が，本願発明１では，「誘電体シールド」であるのに対して，引用発明２では，そのような特定がされていない点。
（相違点５）一致点に係る「半導体材料で構成され，中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある部材Ｂ」が，本願発明１では，「抵抗率が０．１Ωｃｍ以下」の「導電性カラー」であるのに対して，引用発明２では，そのような特定がされていない点。
（相違点６）本願発明１では，「誘電体シールドが上記導電性カラーの下側面の全体を覆う」のに対して，引用発明２では，そのような特定がされていない点。
（イ）相違点についての判断
・相違点３について
　引用発明２において，「内側高周波結合エッジリング」は，定期的な交換が必要になるのに対して，「外側エッジリング」は，「大体において定期的な交換を必要としない」ものである。
　そうすると，引用発明２において，これら交換の頻度がことなる部材を組み合わせて，「プロセスキット」とすることには，阻害事由が存在するといえる。
　そして，引用文献１ないし５のいずれにも，上記阻害事由が存在するにも関わらず，引用発明２において，上記相違点３について，本願発明１の構成を採用することを動機づける記載も示唆も認められない。
　したがって，引用発明２において，上記相違点３について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
・相違点５について
　引用発明２において，内側高周波結合エッジリングの導電性は，望ましい高周波結合の度合いに応じて選択するところ，引用文献４には，その具体的な値は記載されていない。
　そして，引用文献１ないし５のいずれにも，引用発明２において，前記内側高周波結合エッジリングの抵抗率を０．１Ωｃｍ以下とする動機を見いだすことはできない。
　したがって，引用発明２において，上記相違点５について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
・相違点６について
　引用発明２において，「内側高周波結合エッジリング」は，静電チャックのノッチに隣接し，ウェーハのエッジを超えて延びる高周波結合領域を提供するものである。
　そうすると，引用発明２において，外側エッジリングが，前記内側高周波結合エッジリングの下側面の全体を覆う構造となると，前記内側高周波結合エッジリングは，静電チャックのノッチに隣接することによって奏される，前記ウェーハのエッジを超えて延びる高周波結合領域を提供という機能を果たすことができなくなるといえる。
　すなわち，引用発明２において，上記相違点６について，本願発明１の構成を採用することには阻害事由が存在するといえる。
　そして，引用文献１ないし５のいずれにも，上記阻害事由が存在するにも関わらず，引用発明２において，上記相違点６について，本願発明１の構成を採用することを動機づける記載も示唆も認められない。
　したがって，引用発明２において，上記相違点６について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たこととはいえない。
　したがって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明２及び引用文献１ないし５に記載された発明または技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５は，いずれも，上記相違点１あるいは相違点１を更に限定した構成と，上記相違点３，５，及び６の構成とを備えるから，上記「（１）本願発明１について」と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明または技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，「本願発明の『導電性カラー』は，その形状を，『中央開口部を有すると共に，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にある』とのみ特定するものである。そうすると，本願発明の『導電性カラー』は，その内縁を特定しないから，本願発明に係るプロセスキットは，例えば，導電性カラーの内周径が，ワークピースの外周径の２倍であって，導電性カラーとワークピースの周囲との間に大きなギャップ有するものを含有するといえる。・・・また，本願発明の『導電性カラー』は，その外縁が上記ワークピースの外縁よりも外側にあることを特定するだけで，その程度を特定しないから，本願発明に係るプロセスキットは，例えば，導電性カラーの外周が，ワークピースの外周を，０．１ｍｍ程度超えて，半径方向外側に延びるものを含有する。・・・しかしながら，上記ウの理解に照らして，このような構造を有するプロセスキットによって，本願発明に係る，『ワークピースの周囲の露出金属からアークが発生するおそれを効果的に減少又は排除すること』という課題を解決することができると認識することはできない。・・・そうすると，本願の特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１２月２５日付けの手続補正書による補正と，同日に提出された意見書における説明によって，この拒絶の理由は解消した。
第７　原査定についての判断
　平成２９年１２月２５日付けの手続補正書による補正により，補正後の請求項１ないし５は，「導電性カラーが，誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわり，上記誘電体シールドが上記導電性カラーの下側面の全体を覆うようになっており，上記導電性カラーが，ワークピースの領域の外縁の内側にある又は上記ワークピースの領域の外縁に一致する半径方向内側の境界を有している，プロセスキット」における導電性カラーが，「抵抗率が０．１Ωｃｍ以下（「０．０１２Ωｃｍ以下」または「０．００８〜０．０１２Ωｃｍの範囲」）の半導体材料で構成され」，「その外縁が上記ワークピースの外縁よりも少なくとも４ｍｍ外側にある」という技術的事項を有するものとなった。
　そして，当該技術的事項は，当審拒絶理由における引用文献４，１（すなわち原査定における引用文献１，２）には記載されておらず，本願優先権主張の日前における周知技術でもない。
　したがって，本願発明１ないし５は，当審拒絶理由における引用文献４，１（すなわち原査定における引用文献１，２）に記載された発明，及び，周知技術（当審の引用文献５）に基づいて当業者が容易に発明をすることはできたものとも認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。