【事件の表示】
　特願２０１４−　６２３９４「炭化珪素装置および炭化珪素装置の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月３０日出願公開，特開２０１４−２０７４４４，請求項の数（１５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年３月２５日を出願日とする出願（パリ条約優先権主張，平成２５年３月２６日，アメリカ合衆国，（以下，左の日を「本願優先日」という。），平成２５年９月２３日，アメリカ合衆国）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　３月２６日　審査請求
平成２７年　２月１２日　拒絶理由通知
平成２７年　７月　１日　意見書・手続補正書
平成２８年　２月２４日　拒絶理由通知
平成２８年　５月２６日　意見書・手続補正書
平成２８年　９日１３日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　１月１８日　審判請求・手続補正書
平成２９年　９月１２日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
平成２９年１２月１２日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。なお，「第２」における引用文献１ないし７は，「第５」以降の原審引用文献１ないし７に対応する。
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由（特許法第２９条第２項）について
・請求項１〜７，１３〜１４
・引用文献１〜４
・備考
　本願の請求項１の記載によれば，同請求項における「遮断領域」とは，「前記炭化珪素基板の前記主面は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記無機パッシベーション層構造により覆われておらず」との事項を満たすものである。一方，引用文献２の図２によれば，引用文献２の「炭化珪素半導体基板１」（本願の「炭化珪素基板」に相当。）主面の一部（エッジ）は「絶縁膜４」（本願の「無機パッシベーション層構造」に相当。）により覆われていないことが見て取れる。そうすると，引用文献２の「絶縁膜４」は，「前記炭化珪素基板の前記主面は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記無機パッシベーション層構造により覆われておらず」との事項を満たすものであり，この点について，本願の請求項１と引用文献２に差異は認められない。
　そこで，本願の請求項１と引用文献２を比較すると，引用文献２には，「前記無機パッシベーション層構造に隣接する成形材料層とを含み」「前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域を貫通する」との事項が記載されていない点で，本願の請求項１と相違する。
　しかしながら，上記拒絶理由通知書において指摘したとおり，炭化珪素装置をエポキシ樹脂等の成形材料層で被覆することは，引用文献１，３〜４にも記載された周知の技術であるから，引用文献２に当該周知技術を適用することは，当業者が容易になし得たことである。そして，引用文献１に当該周知技術を適用すれば，引用文献１の図２に開示された構造からみて，「成形材料層」が「無機パッシベーション層構造に隣接」し「無機パッシベーション層構造の前記遮断領域を貫通する」との事項を自然に充足することは，明らかである。
　したがって，本願の請求項１は引用文献１〜４から容易になし得たものである。また，本願の請求項２〜７，１３〜１４の事項は，いずれも引用文献１〜４のいずれかに記載された事項であるから，本願の請求項２〜７，１３〜１４についても上記と同様に，引用文献１〜４から容易になし得たものである。
　平成２８年５月２６日付け意見書において出願人は，引用文献には「遮断領域」について記載も示唆もない旨主張しているが，上記検討のとおり，引用文献２の「炭化珪素半導体基板１」が「絶縁膜４」に覆われていない領域を有することは図２から明らかであり，当該領域が本願における「遮断領域」に相当することは明らかである。出願人の主張は採用できない。
・請求項８〜１２，１５
・引用文献１〜７
・備考
　炭化珪素装置において，エッジ領域内に位置する少なくとも１つのエッジ終端領域を設ける構成は，引用文献５（段落［００４０］〜［００４９］及び図１〜２），引用文献６（段落［００４８］〜［００４９］及び図６Ｆ〜６Ｊ），及び，引用文献７（段落［００１９］〜［００２３］及び図１）に記載された周知の構成であるから，引用文献１において当該周知の構成を採用することは，当業者が適宜なし得たことである。また，請求項９〜１２については，特に引用文献６（「薄い炭化ケイ素層１２０」が本願の「炭化珪素表面層」に相当。）を参照。　
　本願の請求項８〜１２，１５は引用文献１〜７から容易になし得たものである。
　以上のとおり，本願の請求項１〜１５は引用文献１〜７から当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１３−２６２４９号公報
２.特開２０１２−２３５１７１号公報
３.特開２０１２−１５１３５４号公報
４.国際公開第２００６／３８６４４号
５.特開２００３−１０１０３９号公報
６.特表２００９−５２４２１７号公報
７.特開２０１２−１５６１５３号公報
第３　当審拒絶理由通知の概要
　当審拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。なお，「第３」における引用文献１，２は，「第５」以降の当審引用文献１，２に対応する。（下線部は当審にて付与した。）
１．（サポート要件）本件出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
２．（明確性）本件出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・理由　１（サポート要件）
・請求項　１〜１５ 
　本願の請求項１及び１４に係る発明における技術的課題は，炭化珪素装置の半導体表面では，１．５ＭＶ／ｃｍを越える範囲の電界が炭化珪素装置のエッジ領域において発生する可能性があり，ポリイミドのような良好な降伏耐性（＞）３ＭＶ／ｃｍ）を有する材料のパッシベーションが必要であるが，ポリイミドパッシベーション膜には，炭化珪素の腐食を引き起こし得る湿気を集積してしまうので，パッシベーション膜の耐圧と耐湿を課題としたものである（明細書段落【０００３】，【０００４】参照）。
　前記技術的課題を解決するためには，
炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流ことをいう。）において
　しかし，請求項１及び１４には，前記下線部分の記載が特定されておらず，技術的課題を解決するための手段が反映されていないため，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求することとなっている。
　したがって請求項１及び請求項１４は，サポート要件を満たしていない。
　また，請求項１を引用する請求項２ないし１３，請求項１４を引用する請求項１５にも同様の拒絶理由が存する。
・理由　２（明確性）
・請求項　１〜１５
　請求項１及び請求項１４において「炭化珪素装置の能動状態」という記載は，どのような状態を意味するのか，明らかでない。
　また，請求項１を引用する請求項２ないし１３，請求項１４を引用する請求項１５にも同様の拒絶理由が存する。
・理由　３（進歩性）
・請求項　１−１３
・引用文献　１，２
　引用文献１の，特に，【００１４】〜【００２５】及び図２には，
　炭化珪素半導体基板１と，
　横方向に，前記基板１の主面を少なくとも端部を除き覆う絶縁膜４（請求項１において「横方向に前記炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆う無機パッシベーション層構造」に相当）を備えた炭化珪素装置（以下，「引用装置発明１」という。）
　が開示されている。
　請求項１に係る発明と引用文献１とを比較すると以下の点で相違する。
（相違点１）
　請求項１に係る発明では，無機パッシベーション層構造に隣接する成形材料層を含み，前記無機パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の遮断領域を貫通しているのに対して，引用発明１には，成形材料層を有しない点。
（相違点２）
　請求項１に係る発明では，前記成形材料層に接触する前記無機パッシベーション層構造の表面における電界が前記炭化珪素装置の能動状態において５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成されるのに対して，引用装置発明１は，基板表面上に形成される絶縁膜４の表面の電界について，特に留意していない点。
　以下，前記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　炭化珪素基板を用いた半導体素子をパッケージする際，当該半導体素子を保護するために，エポキシ等の封止材（請求項１において「成形材料層」に相当）を用いて成形・封止することは，半導体素子の実装技術として常套手段であり，引用装置発明１において，当該常套手段を採用することに格別な困難性は認められず，当該常套手段を採用した際に，エポキシ等の封止材は，端面において絶縁膜４を通り抜けて直接基板に接する構成（請求項１において「前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の遮断領域を貫通している」に相当）に至る。
（相違点２について）
　引用文献２の，【００１９】，【００２０】及ぶ図４には，半導体素子をパッケージする際，チップ表面に発生する電界に留意するという技術的事項が開示されており，引用装置発明１において，当該技術的事項に配慮して，絶縁膜４に印加される電界をできるだけ低くなるように構成すること（請求項１において「５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成すること」に相当する。）は，当業者が容易に想到し得た事項である。
　また，請求項１を引用する請求項２〜１３に係る発明においても，同様の拒絶理由が存する。
・理由　３（進歩性）
・請求項　１４，１５
・引用文献　１，２
　引用文献１の，特に，【００１４】〜【００２５】及び図２には，以下の発明（以下，「引用形成方法発明１」という。）が記載されている。
　横方向に，基板１の主面を少なくとも端部を除き覆う絶縁膜４（請求項１４において「横方向に前記炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆う無機パッシベーション層構造」に相当）を形成する工程を含む炭化珪素装置の製造方法。
　請求項１４に係る発明と，引用形成方法発明１とを対比すると以下の各点で相違する。
（相違点１）
　請求項１４に係る発明では，無機パッシベーション層構造に隣接して成形材料層を形成する工程を含み，前記無機パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の遮断領域を貫通しているのに対して，引用形成方法発明１には，成形材料層を形成する工程を有しない点。
（相違点２）
　請求項１４に係る発明では，前記成形材料層に接触する前記無機パッシベーション層構造の表面における電界が前記炭化珪素装置の能動状態において５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成されるのに対して，引用形成方法発明１は，基板表面上に形成される絶縁膜４の表面の電界について，特に留意していない点。
　以下，前記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　炭化珪素基板を用いた半導体素子をパッケージする際，当該半導体素子を保護するために，エポキシ等の封止材（請求項１４において「成形材料層」に相当）を用いて成形・封止することは，半導体素子の実装技術として常套手段であり，引用形成方法発明１において，当該常套手段を採用することに格別な困難性は認められず，当該常套手段を採用した際に，エポキシ等の封止材は，端面において絶縁膜４を通り抜けて直接基板に接する構成（請求項１４において「成形材料層は無機パッシベーション層構造の遮断領域を貫通し」に相当）に至る。
（相違点２について） 
　引用文献２の，【００１９】，【００２０】及ぶ図４には，半導体素子をパッケージする際，チップ表面に発生する電界に留意するという技術的事項が開示されており，引用形成方法発明１において，当該技術的事項に配慮して，絶縁膜４に印加される電界をできるだけ低くなるように構成すること（請求項１４において「５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成すること」に相当する。）は，当業者にとって設計的事項である。
　また，請求項１４を引用する請求項１５に係る発明においても，同様の拒絶理由が存する。
　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−２３５１７１号公報
２．特開２００５−２７７２８７号公報
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は，平成２９年１２月１２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　炭化珪素基板と，
　横方向に前記炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆う無機パッシベーション層構造と，
　前記無機パッシベーション層構造に隣接する成形材料層とを含む炭化珪素装置であって，
　前記無機パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記炭化珪素基板の前記主面は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記無機パッシベーション層構造により覆われておらず，前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域を貫通し,
　炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において，５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成される，
炭化珪素装置。
【請求項２】
　前記成形材料層は前記炭化珪素基板の少なくとも主面全体に沿って延びる，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項３】
　前記成形材料層は，エポキシ樹脂，シリカ，またはシリカゲルのうちの少なくとも１つを少なくとも主に含む，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項４】
　前記成形材料層は，間にポリイミド材料の無い前記無機パッシベーション層構造に隣接して配置される，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項５】
　前記無機パッシベーション層構造は少なくとも１つの第１層と第２層を含み，前記第１層は酸化珪素を少なくとも主として含み，前記第２層は窒化珪素を少なくとも主として含む，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項６】
　前記第２層は前記成形材料層に隣接して配置される，請求項５記載の炭化珪素装置。
【請求項７】
　前記炭化珪素基板は前記炭化珪素基板のエッジにおいて前記炭化珪素基板の能動領域を囲むエッジ領域を含み，前記無機パッシベーション層構造は，少なくとも前記エッジ領域内の前記炭化珪素基板と前記成形材料層に接触して配置される，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項８】
　前記炭化珪素基板は前記炭化珪素基板のエッジにおいて前記炭化珪素基板の能動領域を囲むエッジ領域を含み，前記炭化珪素基板は，主として第１の導電型と，前記炭化珪素基板の前記能動領域を囲む前記エッジ領域内に位置する少なくとも１つのエッジ終端領域とを有するエピタキシャル炭化珪素層を含み，前記エッジ終端領域は第２の導電型を有する，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項９】
　前記炭化珪素基板は，第１の導電型と，前記エピタキシャル炭化珪素層内に位置する第２の導電型を有する埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域とを有するエピタキシャル炭化珪素層を含み，前記埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域は前記第１の導電型を含む炭化珪素表面層により覆われる，請求項８に記載の炭化珪素装置。
【請求項１０】
　前記炭化珪素表面層は前記エピタキシャル炭化珪素層の一部であり，前記埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域は，前記炭化珪素表面層に相当する前記エピタキシャル炭化珪素層の表面領域を通して前記エピタキシャル炭化珪素層中に前記第２の導電型のイオンを注入することにより作製される注入領域である，請求項９に記載の炭化珪素装置。
【請求項１１】
　前記炭化珪素表面層は前記埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域を含む前記エピタキシャル炭化珪素層の上に堆積されるエピタキシャル層である，請求項９に記載の炭化珪素装置。
【請求項１２】
　前記炭化珪素表面層は前記炭化珪素装置のエッジ近くの前記埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域の外側端から前記炭化珪素装置の能動領域まで横方向に延び，前記能動領域は前記炭化珪素表面層に覆わずに残される，請求項９に記載の炭化珪素装置。
【請求項１３】
　前記炭化珪素装置は，ショットキーダイオード，マージピンショットキーダイオード，ｐｎダイオード，バイポーラトランジスタ，電界効果トランジスタ，金属酸化物半導体トランジスタ，または接合電界効果トランジスタを含む，請求項１に記載の炭化珪素装置。
【請求項１４】
　横方向に炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆う無機パッシベーション層構造を形成する工程と，前記無機パッシベーション層構造に隣接して成形材料層を形成する工程と，を含む炭化珪素装置の形成方法であって，
　前記無機パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記炭化珪素基板の前記主面は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記無機パッシベーション層構造により覆われておらず，前記成形材料層は前記無機パッシベーション層構造の前記遮断領域を貫通し，
　炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，
炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において，５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成される，方法。
【請求項１５】
　少なくとも，第１の導電型を含む炭化珪素構造のエピタキシャル炭化珪素層を形成する工程と，前記エピタキシャル炭化珪素層内に位置する第２の導電型を含む埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域を形成する工程とをさらに含み，
　前記埋め込み横方向炭化珪素エッジ終端領域は前記第１の導電型を含む炭化珪素表面層により覆われるように形成される，請求項１４に記載の方法。」
第５　引用文献，引用発明等
１　原査定の引用文献１について
　原査定で引用された，特開２０１３−２６２４９号公報（以下，「原審引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置構造（または半導体集積回路装置）および半導体装置の製造方法における
ダイオードデバイス技術または製造技術
イ　「【０１１０】
　次に，図２８および図２９に示すように，金属ベースシート１６（ステンレスシート）上に集積された半導体チップ２，メタル端子（第１の外部リード９ａおよび第２の外部リード９ｂ），ワイヤ１１ａ，１１ｂ等からなるチップ−端子集合体をモールド金型のキャビティ等にセットして，たとえば
エポキシ系樹脂等を用いて，
トランスファモールド（圧縮モールドでも良い）等により，金属ベースシート１６の上面部分を封止し
ウ　「【０１３８】
　また，前記実施の形態では，シリコン単結晶基板等のシリコン系半導体基板上にＰＮ接合を複数形成する例を具体的に説明したが，
基板等の材質は
ＳｉＣ
　前記アないしウの記載から，原審引用文献１には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ダイオードデバイス技術または製造技術において，エポキシ系樹脂等を用いて，トランスファモールド（圧縮モールドでも良い）等により，金属ベースシート１６の上面部分を封止し，基板等の材質はＳｉＣであるもの。」
２　原査定の引用文献２について
　原査定で引用された特開２０１２−２３５１７１号公報（以下，「原審引用文献２」という。）は，当審拒絶理由通知の引用文献１と同一文献であるから，記載事項等については，後記８を参照のこと。
３　原査定の引用文献３について
　原査定で引用された，特開２０１２−１５１３５４号公報（以下，「原審引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
炭化珪素（以下，ＳｉＣという）にて構成される半導体パワー素子を備えたＳｉＣ半導体装置に関するもので
イ　「【課題を解決するための手段】
【０００８】
　上記目的を達成するため，請求項１に記載の発明では，放熱板（２）の上に絶縁材（３）を介して配線パターン（４）に実装され，
半導体パワー素子が形成されてなるＳｉＣにて構成された第１半導体チップ（７）を備え，該第１半導体チップ（７）をモールド樹脂（１１）にて覆ったＳｉＣ半導体装置において
ウ　「【００３３】
　
モールド樹脂１１は，
エポキシ樹脂
によって構成されている
　前記アないしウの記載から，原審引用文献３には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「炭化珪素（以下，ＳｉＣという）にて構成される半導体パワー素子を備えたＳｉＣ半導体装置に関するもので，半導体パワー素子が形成されてなるＳｉＣにて構成された第１半導体チップ（７）を備え，該第１半導体チップ（７）をモールド樹脂（１１）にて覆ったＳｉＣ半導体装置において，モールド樹脂（１１）は，エポキシ樹脂によって構成されている。」
４　原査定の引用文献４について
　原査定で引用された，国際公開第２００６／３８６４４号（以下，「原審引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「技術分野
[0001]本発明は，高耐電圧半導体素子を樹脂で覆って高耐電圧化をはかった半導体装置に関する。」
イ　「[0013]《第1実施例》
　本発明の第1実施例の高耐電圧半導体装置及びその製造方法について図1から図7を参照して説明する。
　図1は本発明の第1実施例の高耐電圧半導体装置である，耐電圧5kVの
高耐電圧SiCダイオード装置
　上記のように
金属基板1上に構成されたSiC半導体素子2
金属基板1の上面からの突出部分を覆うように，熱硬化性の封止用の樹脂9を塗布
（中略）
[0014]樹脂9としては一般的な熱硬化性樹脂を用いることができる。
熱硬化性樹脂
としてはエポキシ樹脂
　前記ア，イの記載から，原審引用文献４には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「高耐電圧SiCダイオード装置において，金属基板1上に構成されたSiC半導体素子2と，金属基板1の上面からの突出部分を覆うように，熱硬化性の封止用の樹脂9を塗布し，熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂のもの。」
５　原査定の引用文献５について
　原査定で引用された，特開２００３−１０１０３９号公報（以下，「原審引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高耐圧半導体装置に関する。」
イ　「【００４０】先ず，図１及び図２は，本発明の第１の実施形態にかかる高耐圧半導体装置を示している。図１は断面図であり，図２は上面図である。ここでは
高耐圧半導体装置のひとつとして，ショットキーバリアダイオード
【００４１】図１に示すように，この
ショットキーバリアダイオードは，ｎ
−
型半導体層１と，ｎ
−
型半導体層１の表面に形成されたｐ
＋
型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９を具備し
【００４２
】ｎ
−
型半導体層１の表面には，複数のｐ
＋
型高不純物濃度層からなる第１ガードリング層１１が形成され
【００４３】ｎ−型半導体層１の表面には，
エッジターミネーション層９及び第１ガードリング層１１を内部に含むようにｐ
−
型低不純物層からなるリサーフ層１０が形成され
ウ　「【００５０】（中略）
半導体層１として，ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を用いた
　前記アないしウの記載から，原審引用文献５には次の技術的事項が記載されていると認められる。
「高耐圧半導体装置のひとつとして，ショットキーバリアダイオードについて，ショットキーバリアダイオードは，ｎ−型半導体層１と，ｎ−型半導体層１の表面に形成されたｐ＋型高不純物濃度層からなるエッジターミネーション層９を具備し，ｎ−型半導体層１の表面には，複数のｐ＋型高不純物濃度層からなる第１ガードリング層１１が形成され，エッジターミネーション層９及び第１ガードリング層１１を内部に含むようにｐ−型低不純物層からなるリサーフ層１０が形成され，半導体層１として，ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を用いたもの。」
６　原査定の引用文献６について
　原査定で引用された，特表２００９−５２４２１７号公報（以下，「原審引用文献６」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，マイクロエレクトロニクスデバイスに関し，より詳細には，
炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端に関する
イ　「【００４８】
　図６Ｆは，本発明のさらなる実施形態による，
エッジ終端構造の製造方法
，炭化ケイ素層３０の上に，薄い炭化ケイ素層１２０が形成され
炭化ケイ素層１２０は，注入層及び／又はエピタキシャル層でもよく
【００４９】
　図６Ｇは，マスク層１４０の形成及びパターン形成を示す図である。マスク層１４０は，従来のマスキング技術を利用して形成することができ，表面電荷補償領域に対応している。マスク中の窓（ウィンドウ）は，接合３２及び／又はガードリング３４に対応する。
マスク層１４０をイオン注入マスクとして利用して，イオンが炭化ケイ素層３０中に注入されて，接合３２及び／又はガードリング３４が設けられる
マスク層１４０を除去し
絶縁層２６を形成する
　前記ア，イの記載から，原審引用文献６には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端に関するエッジ終端構造の製造方法において，炭化ケイ素層３０の上に，薄い炭化ケイ素層１２０が形成され，炭化ケイ素層１２０は，注入層及び／又はエピタキシャル層でもよく，マスク層１４０をイオン注入マスクとして利用して，イオンが炭化ケイ素層３０中に注入されて，接合３２及び／又はガードリング３４が設けられ，マスク層１４０を除去し，絶縁層２６を形成する。」
７　原査定の引用文献７について
　原査定で引用された，特開２０１２−１５６１５３号公報（以下，「原審引用文献７」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，
炭化けい素等のワイドバンドギャップ半導体で作製された半導体素子を備えた半導体装置に関する
イ　「【００１９】
　図１は，この発明の半導体装置の実施形態の断面図である。この実施形態は，
半導体素子としてＳｉＣ　ｐｎ接合ダイオード(ｐｉｎダイオード)１０を備え
【００２０】
　
ＳｉＣ　ｐｎ接合ダイオード１０は，ｎ型ＳｉＣ基板１１と，ｎ型ＳｉＣ基板１１上にエピタキシャル成長で形成されたｎ型ＳｉＣドリフト層１２
【００２１】
　また，ＳｉＣ　ｐｎ接合ダイオード１０は，
ｎ型ＳｉＣドリフト層１２上に形成されたｐ型ＳｉＣアノード層１３を有
【００２２】
　この
ｐ型ＳｉＣアノード層１３は，反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)により両端部を除去してメサ構造に加工
【００２３】
　次に，エッチングにより形成したメサ底部での電界集中を緩和するために，
メサ底部に
ｐ型ＪＴＥ(ジャンクション・ターミネーション・エクステンション)１５を設けた
　前記ア，イの記載から，原審引用文献７には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「炭化けい素等のワイドバンドギャップ半導体で作製された半導体素子を備えた半導体装置に関するもので，半導体素子としてＳｉＣ　ｐｎ接合ダイオード(ｐｉｎダイオード)１０を備え，ＳｉＣ　ｐｎ接合ダイオード１０は，ｎ型ＳｉＣ基板１１と，ｎ型ＳｉＣ基板１１上にエピタキシャル成長で形成されたｎ型ＳｉＣドリフト層１２，ｎ型ＳｉＣドリフト層１２上に形成されたｐ型ＳｉＣアノード層１３を有し，ｐ型ＳｉＣアノード層１３は，反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)により両端部を除去してメサ構造に加工し，メサ底部にｐ型ＪＴＥ(ジャンクション・ターミネーション・エクステンション)１５を設けた。」
８　当審の引用文献１について
（１）当審引用文献１に記載事項
　当審で引用された，特開２０１２−２３５１７１号公報（以下，「当審引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【０００１】
　本発明は，
炭化珪素ショットキダイオードに関するもので
　
イ　「【００１４】
　本発明の
炭化珪素ショットキダイオード１０は
ｎ型の炭化珪素半導体基板１の表面に形成されるアノードのためのショットキ電極２と，該ショットキ電極２の周囲を取囲むべく，炭化珪素半導体基板１の表面にｐ型のガードリング３と，該ガードリング３上に延在すると共に当該ガードリング３の周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板１の表面上に延在する絶縁膜４と
ショットキ電極２は炭化珪素半導体基板１の表面上においてガードリング３に接し，かつ絶縁膜４上にも延在するように形成され
ウ　「【００２０】
　炭化珪素半導体基板１のエピタキシャル層１２の表面上に形成される
絶縁膜４は，積層構造であり，
下から順に熱酸化膜
ＰＳＧ
更にその上に窒化膜
で形成
エ　「【００２４】
　また，
ガードリング３の内側表面
には絶縁膜４が延在しておらず，この部位にはショットキ電極２の端部が延在している
（２）当審引用装置発明
　前記アないしエから，当審引用文献１には，以下の発明（以下，「当審引用装置発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「炭化珪素ショットキダイオードに関するもので，炭化珪素ショットキダイオードは，ｎ型の炭化珪素半導体基板の表面に形成されるアノードのためのショットキ電極と，該ショットキ電極の周囲を取囲むべく，炭化珪素半導体基板の表面にｐ型のガードリングと，該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜と，ショットキ電極は炭化珪素半導体基板の表面上においてガードリングに接し，かつ絶縁膜上にも延在するように形成され，絶縁膜は積層構造であり，下から順に熱酸化膜，ＰＳＧ，更にその上に窒化膜を形成し，ガードリングの内側表面には絶縁膜が延在しておらず，この部位にはショットキ電極の端部が延在している。」
（３）当審引用形成方法発明
　前記アないしエから，当審引用文献１には，以下の発明（以下，「当審引用形成方法発明」という。）が記載されているものと認められる。
「炭化珪素ショットキダイオードに関するもので，炭化珪素ショットキダイオードは，ｎ型の炭化珪素半導体基板の表面に形成されるアノードのためのショットキ電極と，該ショットキ電極の周囲を取囲むべく，炭化珪素半導体基板の表面にｐ型のガードリングと，該ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜と，ショットキ電極は炭化珪素半導体基板の表面上においてガードリングに接し，かつ絶縁膜上にも延在するように形成され，絶縁膜は積層構造であり，下から順に熱酸化膜，ＰＳＧ，更にその上に窒化膜を形成し，ガードリングの内側表面には絶縁膜が延在しておらず，この部位にはショットキ電極の端部が延在している炭化珪素ショットキダイオードの形成方法。」
２　当審の引用文献２について
　当審で引用された，特開２００５−２７７２８７号公報（以下，「当審引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置に関するものであり，特に，
１つの半導体パッケージ内に高電圧駆動の半導体素子チップと低電圧駆動の半導体素子チップとが配置されている半導体装置に関するもので
イ　「【００１４】
　高電圧ＩＣチップ２において，高電圧回路，これに接続された高電圧導入用ボンディングワイヤなどの
高電圧回路部の周辺部分には高電圧印加による高電界が発生し，低電圧ＩＣチップ３の回路内半導体素子動作に悪影響を及ぼす場合がある
ウ　「【００１７】
　以下，上記のように配置された電界緩和用ボンディングワイヤ５の作用について詳細に説明する。図２（ａ）に平面図で示すような，電気絶縁性の封止材により封止された
１つの半導体パッケージ内に高電圧ＩＣチップ２と低電圧ＩＣチップ３とが配置されている半導体装置をモデルとして
低電圧ＩＣチップ３上の直線ＡＢ上での電界強度を計算した結果
を
示す
　前記アないしウの記載から，当審引用文献２には次の技術的事項が記載されていると認められる
「１つの半導体パッケージ内に高電圧駆動の半導体素子チップと低電圧駆動の半導体素子チップとが配置されている半導体装置に関するもので，高電圧回路部の周辺部分には高電圧印加による高電界が発生し，低電圧ＩＣチップの回路内半導体素子動作に悪影響を及ぼす場合があり，１つの半導体パッケージ内に高電圧ＩＣチップ２と低電圧ＩＣチップ３とが配置されている半導体装置をモデルとして，低電圧ＩＣチップ３上の直線ＡＢ上での電界強度を計算した結果を示すもの。」
第６　判断
１　サポート要件及び明確性について
　平成２９年１２月１２日の手続補正によって，請求項１及び１４には，
「炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において」という技術的事項が追加されたことにより，サポート要件及び明確性に関する拒絶理由は解消した。
２　進歩性について
（１）本願発明１について
　ア　本願発明１と当審引用装置発明の対比
（ア）当審引用装置発明の「ｎ型の炭化珪素半導体基板」は，本願発明１の「炭化珪素基板」に相当する。
（イ）当審引用装置発明の「ガードリング上に延在すると共に当該ガードリングの周囲を取囲むように炭化珪素半導体基板の表面上に延在する絶縁膜」は，「積層構造であり」，当該炭化珪素半導体基板の表面上に延在することから，横方向に当該炭化珪素半導体基板の主面を少なくとも部分的に覆い，保護膜であるパッシベーション膜として機能するので，後記相違点（１）を除き，本願発明１の「横方向に前記炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆うパッシベーション層構造」に相当する。
（ウ）当審引用装置発明の「ガードリングの内側表面には絶縁膜が延在しておらず，この部位にはショットキ電極が延在している」ことから，「ガードリングの内側表面には絶縁膜が延在して」いない部位があり，「この部位」が本願発明１の「遮断領域」に相当するので，前記（イ）を考慮すると，本願発明１の「パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，炭化珪素基板の主面は前記パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記パッシベーション層構造により覆われておらず」という点で共通する。
　そうすると，本願発明１と当審引用装置発明とは下記（エ）の点で一致し，（オ）の点で相違する。
（エ）一致点
　「炭化珪素基板と，
　横方向に前記炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆うパッシベーション層構造を含む炭化珪素装置であって，
　前記パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記炭化珪素基板の前記主面は前記パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記パッシベーション層構造により覆われていない炭化珪素装置。」
　
（オ）相違点
　相違点（１）
　本願発明１では，パッシベーション層構造は，「無機パッシベーション層構造」であるのに対して，当審引用装置発明では，「絶縁膜は積層構造であり，下から順に熱酸化膜，ＰＳＧ，更にその上に窒化膜を形成」したものであり，当該積層構造が，無機であることについて明記していない点。
　相違点（２）
　本願発明１では，「前記無機パッシベーション層構造に隣接する成形材料層とを含」み，「前記成形材料層は前記無機パッショベーション構造の遮断領域を貫通」するのに対して，当審引用装置発明では，成形材料層を有しない点。
　相違点（３）
　本願発明１では，「炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において，５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成される」のに対して，当審引用装置発明では，基板表面上に形成される絶縁膜の表面の電界について，特に，明示されていない点。
イ　相違点についての検討
　以下，相違点（３）について検討する。
　相違点（３）に関する構成は，当審引用文献２には記載されておらず，示唆もされていない。
　そして，当該相違点（３）を有することにより，本願発明１には以下の有利な効果を奏する。
　すなわち，少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界が炭化珪素基板内に発生するが，無機パッシベーション構造の外面における電界を５００ｋＶ／ｃｍ未満に低減することができる。このようにして，ポリミイドより良好な耐湿性を有するポリミイド以外の様々な有機材料を，無機パッシベーション構造の上の追加パッシベーション層に利用することができる。または，成形材料は，無機パッシベーション構造に隣接して実現することができる。炭化珪素装置の破壊挙動と長期信頼性を改善することができる。（本願明細書【０００８】参照）。
ウ　まとめ
　したがって，本願発明１は，当審引用文献１および２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本願発明２ないし１３について
　本願発明２ないし１３は，本願発明１を引用し，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１が当審引用文献１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明２ないし１３も当審引用文献１および２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
（３）本願発明１４について
　ア　本願発明１４と当審引用形成方法発明の対比
　前記（１）アを考慮すると，本願発明１４と当審引用形成方法発明とは下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違する。
（ア）一致点
　横方向に炭化珪素基板の主面を少なくとも部分的に覆うパッシベーション層構造を形成する工程と，を含む炭化珪素装置の形成方法であって，
　前記パッシベーション層構造は少なくとも１つの遮断領域を含み，前記炭化珪素基板の前記主面は前記パッシベーション層構造の前記遮断領域内では前記無機パッシベーション層構造により覆われていない，方法。
（イ）相違点
　相違点（１）
　本願発明１４では，パッシベーション層構造は，「無機パッシベーション層構造」であるのに対して，当審引用形成方法発明では，「絶縁膜は積層構造であり，下から順に熱酸化膜，ＰＳＧ，更にその上に窒化膜を形成」したものであり，当該積層構造が，無機であることについて明記していない点。
　相違点（２）
　本願発明１４は，「前記無機パッシベーション層構造に隣接して成形材料層を形成する工程」を含むのに対して，当審引用形成方法発明は，成形材料層を形成する工程を含まない点。
　相違点（３）
　本願発明１４は，「無機パッシベーション層構造に隣接して成形材料層を形成する工程を含み，炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において，５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成される」のに対して，当審引用形成方法発明は，基板表面上に形成される絶縁膜の表面の電界について，特に，明示されていない点。
イ　相違点についての検討
　以下，相違点（３）について検討する。
　相違点（３）に関する構成は，当審引用文献２には記載されておらず，示唆もされていない。
　そして，当該相違点（３）を有することにより，本願発明１４には以下の有利な効果を奏する。
　すなわち，少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界が炭化珪素基板内に発生するが，無機パッシベーション構造の外面における電界を５００ｋＶ／ｃｍ未満に低減することができる。このようにして，ポリミイドより良好な耐湿性を有するポリミイド以外の様々な有機材料を，無機パッシベーション構造の上の追加パッシベーション層に利用することができる。または，成形材料は，無機パッシベーション構造に隣接して実現することができる（本願明細書【０００８】参照）。このように改善された破壊挙動と長期信頼性を有する炭化珪素装置を少ない労力で提供することができる（本願明細書【００９５】参照）。
ウ　まとめ
　したがって，本願発明１４は，当審引用文献１および２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（４）本願発明１５について　
　本願発明１５は，本願発明１４を引用し，本願発明１４の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１４が当審引用文献１および２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明１５も当審引用文献１および２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
第７　原査定について
　平成２９年１２月１２日付けの補正により，本願発明１，１４は，「炭化珪素基板の少なくとも１つの領域が少なくとも２．３ＭＶ／ｃｍの電界を含む一方で，炭化珪素基板に対して配置された無機パッシベーション構造の表面における電界が，炭化珪素装置の特定の能動状態，換言すれば，炭化珪素装置が通常または目的動作条件下で最大全電流を供給するまたは定格電流を供給する状態（定格電流とは，当該定格電流について，装置により到達されるべき寿命の５０％を越える間，能動状態において装置が供給することができる電流のことをいう。）において，５００ｋＶ／ｃｍより低くなるように構成される」という技術的事項を有するものとなった。当該技術的事項は，原審引用文献１ないし７に記載されておらず，本願優先日前における周知技術でもないので，本願発明１，１４は，当業者であっても，原審引用文献１ないし７に基づいて容易に発明できたものではない。
　また，本願発明２ないし１３，及び１５は，各々本願発明１，１４を引用し，各々本願発明１，１４の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１，１４が原審引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明２ないし１３，及び１５も原審引用文献１ないし７に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
　したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。