【事件の表示】
　特願２０１５−２３９８４３「表示装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月１６日出願公開、特開２０１６−１０６２４４、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１２年１月２８日（優先権主張　平成１１年１月２８日（以下、「優先日」という。）、平成１１年３月２３日）に出願した特願２０００−１９９４４号の一部を、平成２２年９月１６日に新たな特許出願とした特願２０１０−２０８０９８号の一部を、平成２５年１０月１８日に新たな特許出願とした特願２０１３−２１６８９８号の一部を、平成２６年７月９日に新たな特許出願とした特願２０１４−１４１１２９号の一部を、平成２７年１２月９日に新たな特許出願としたものであって、
　平成２８年８月３日付けの拒絶理由通知に対して、平成２８年９月１６日付けで手続補正がなされ、平成２９年２月１３日付けの最後の拒絶理由通知に対して、平成２９年３月２１日付けで手続補正がなされたが、平成２９年８月１４日付けで、平成２９年３月２１日付け手続補正書でした補正の却下の決定がなされるとともに、同日付で拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、平成２９年８月２２日に拒絶査定の謄本が送達され、これに対し、平成２９年１１月７日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２９年８月１４日付けの補正の却下の決定及び原査定の概要
１　平成２９年３月２１日付けの補正の却下の決定の概要は以下のとおりである。
　平成２９年３月２１日付けの補正は、限定的減縮を目的とするものであるが、当該補正後の本願請求項１に係る発明は引用文献２−４に基づいて、請求項２−４に係る発明は引用文献２−５に基づいて、請求項５に係る発明は引用文献２−４、６に基づいて、請求項６−８に係る発明は引用文献２−６に基づいて、請求項９−１１に係る発明は引用文献２−７に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、独立特許要件を満たさないから、平成２９年３月２１日付けの補正は却下すべきものである。
引用文献等一覧
２.特開平１０−３３３６４１号公報
３.特開昭５６−１３３７８６号公報
４.特開平０２−０６００８８号公報
５.特開平０９−１９７３９０号公報
６.特開平０９−１７１１９２号公報
７.特開平０７−２７２８５７号公報
２　原査定の概要は次のとおりである。
１．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（明確性）について
・請求項１０，１１
　請求項１０が請求項９を引用する場合、「前記ＥＬ素子と前記第２の基板との間」に配置される「樹脂」と「パッシベーション膜」の相対的な位置関係が特定できず、請求項１０及び請求項１０を引用する請求項１１の記載は不明りょうである。
　よって、請求項１０，１１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
●理由２（進歩性）について
・請求項１
・引用文献等２−４
・請求項２
・引用文献等２−５
・
・請求項３，４
・引用文献等２−５
・請求項５
・引用文献等２−４，６
・請求項６−８
・引用文献等２−６
・請求項９
・引用文献等２−７
・請求項１０
・引用文献等２−７
・請求項１１
・引用文献等２−７
引用文献等一覧
２.特開平１０−３３３６４１号公報
３.特開昭５６−１３３７８６号公報
４.特開平０２−０６００８８号公報
５.特開平０９−１９７３９０号公報
６.特開平０９−１７１１９２号公報
７.特開平０７−２７２８５７号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１−１１に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明１１」という。）は、平成２９年１１月７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記第１の基板と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項２】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項３】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間の配線と、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有し、
　前記ＥＬ素子の陰極は、前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
　　【請求項４】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間の配線と、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有し、
　前記層間絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
　前記ＥＬ素子の陰極は、前記コンタクトホールを介して、前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
　　【請求項５】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記第１の基板と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項６】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項７】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間の配線と、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有し、
　前記ＥＬ素子の陰極は、前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
　　【請求項８】
　第１の基板と、
　第２の基板と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の下地膜と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の層間絶縁膜と、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記下地膜と前記層間絶縁膜との間の配線と、
　前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子と、
　前記下地膜と前記第２の基板との間の第１のシール材と、
　前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、
　前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、
　前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有し、
　前記層間絶縁膜は、コンタクトホールを有し、
　前記ＥＬ素子の陰極は、前記コンタクトホールを介して、前記配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
　　【請求項９】
　請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
　前記ＥＬ素子と前記第２の基板との間の樹脂を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項１０】
　請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
　前記ＥＬ素子と前記第２の基板との間のパッシベーション膜を有することを特徴とする表示装置。
　　【請求項１１】
　請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の表示装置と、
　操作スイッチ、音声入力部、受像部、又はバッテリと、
　を有する電子機器。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開平１０−３３３６４１号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
「【００３８】
駆動用トランジスタ１２は、
メモリＴＦＴから構成される。
「【００４２】以下、有機ＥＬパネル１の構造について詳しく説明する。図２は、有機ＥＬパネル１の１画素分の構成を平面的に示す図であり、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。これらの図に示すように、
有機ＥＬ素子１１、駆動用トランジスタ１２
をガラス基板１４の上に形成することによって、有機ＥＬパネル１を構成している。
【００４３】具体的に説明すると、
ガラス基板１４の上に
駆動用トランジスタ１２のゲート電極１２ａ
が
形成されている。
ゲート電極１２ａの上には、
ゲート絶縁膜１４ｂが形成されている。
「【００４５】ゲート電極１２ａの上側の
ゲート絶縁膜１４ａ
の上には、アモルファスシリコンでなる半導体層１２ｄが形成されている。半導体層１２ｄの
両側にはオーミック層１２ｆが形成されている。
ソース電極１２ｂが、オーミック層１２ｆに積層して形成されている。
その反対側には、
ドレイン電極１２ｃが、オーミック層１３ｆに積層して形成されている。
【００４６】上記のようにして形成された
駆動用トランジスタ１２
の上には、
層間絶縁膜１４ｃが形成されている。層間絶縁膜１４ｃの上には、
カソード電極１１ａが
形成されている。
カソード電極１１ａの上には、
有機ＥＬ層１１ｂが、
形成されている。
有機ＥＬ層１１ｂの上に、
アノード電極１１ｃが形成されている。このようにして、有機ＥＬ素子１１が形成される。
図３
　上記記載より、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献２の記載箇所を示す。）。
「有機ＥＬ素子１１、駆動用トランジスタ１２をガラス基板１４の上に形成することによって構成された有機ＥＬパネル１であって（【００４２】）、
　駆動用トランジスタ１２は、メモリＴＦＴから構成されるものであり（【００３８】）、ガラス基板１４の上に駆動用トランジスタ１２のゲート電極１２ａが形成され、ゲート電極１２ａの上には、ゲート絶縁膜１４ｂが形成され（【００４３】）、ゲート絶縁膜１４ｂの上には、アモルファスシリコンでなる半導体層１２ｄが形成され、半導体層１２ｄの両側にはオーミック層１２ｆが形成され、ソース電極１２ｂが、オーミック層１２ｆに積層して形成され、その反対側には、ドレイン電極１２ｃが、オーミック層１３ｆに積層して形成され（【００４５】）、
　駆動用トランジスタ１２の上には、層間絶縁膜１４ｃが形成され、
　層間絶縁膜１４ｃの上には、カソード電極１１ａが形成され、カソード電極１１ａの上には、有機ＥＬ層１１ｂが形成され、有機ＥＬ層１１ｂの上に、アノード電極１１ｃが形成され、このようにして、有機ＥＬ素子１１が形成される（【００４６】）、
　有機ＥＬパネル１。」
２　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開昭５６−１３３７８６号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「次に、上記構成に係る
エレクトロルミネッセンス表示装置
「したがって、
表示用基板１、対向基板６および封着部材８により気密容器を形成することができる。
３　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開平０２−０６００８８号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「薄膜ＥＬ素子が形成された
ガラス基板と
ガラス板との縁辺部を接着剤でシールし、前記接着シール部を弗素系樹脂で被い、前記薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐ
第１図　
４　引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（特開平０９−１９７３９０号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１３】まず図１（Ａ）に示すようにガラス基板１０１上に下地膜として酸化珪素膜１０２を３０００Åの厚さにプラズマＣＶＤ法で成膜する。」
５　引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（特開平０９−１７１１９２号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】上記の構成を利用することによって得られるアクティブマトリクス型液晶表示装置の具体的な構成を図１に示す。図１において、ＴＦＴ基板上には、マトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴと、画素ＴＦＴを駆動する駆動回路薄膜トランジスタが形成されている。対向基板とＴＦＴ基板間には、封止材により液晶材が封止され、画素ＴＦＴと共に、駆動回路ＴＦＴは液晶材内部に存在しているため、駆動回路ＴＦＴを保護することができる。
【００１３】また、本発明では、対向基板、ＴＦＴ基板を整形するために、これらの基板を切断した後に、分断端面が外部と接触しないように、ショートリング分断端面に非導電性または弱導電性の樹脂を塗布している。これにより、画素ＴＦＴに接続されているバスラインを外部から遮蔽することができるので、画素ＴＦＴが静電破壊されるのを防止することができる。」
６　引用文献７について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７（特開平０７−２７２８５７号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１４】（第二実施例）図３は、本発明の第二実施例に係わるEL素子の断面図である。この薄膜EL素子本体は、第一実施例と同様の方法で構成されている。このEL素子本体上に樹脂等の封入材９を塗布し、その上にガラス板の保護層８を配置した。この封入材９には熱硬化性の樹脂が適している。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「ガラス基板１４」は、本願発明１の「第１の基板」に相当する。
イ　引用発明は、「ガラス基板１４の上に駆動用トランジスタ１２のゲート電極１２ａが形成され、ゲート電極１２ａの上には、ゲート絶縁膜１４ｂが形成され、ゲート絶縁膜１４ｂの上には、アモルファスシリコンでなる半導体層１２ｄが形成され、半導体層１２ｄの両側にはオーミック層１２ｆが形成され、ソース電極１２ｂが、オーミック層１２ｆに積層して形成され、その反対側には、ドレイン電極１２ｃが、オーミック層１３ｆに積層して形成され」ているので、「駆動用トランジスタ１２」は、「ガラス基板１４」の上に形成されている。
　そして、引用発明は、「駆動用トランジスタ１２の上には、層間絶縁膜１４ｃが形成され」ているので、「層間絶縁膜１４ｃ」は、「駆動用トランジスタ１２」の上に形成されている。
　したがって、引用発明の「層間絶縁膜１４ｃ」は、「ガラス基板１４」の上に形成されている。
　そうすると、引用発明の「ガラス基板１４」の上に形成されている「層間絶縁膜１４ｃ」と、本願発明１の「前記第１の基板と前記第２の基板との間の層間絶縁膜」とは、「前記第１の基板の上の層間絶縁膜」である点で共通する。
ウ　引用発明の「駆動用トランジスタ１２は、メモリＴＦＴから構成される」ので、引用発明の「駆動用トランジスタ１２」は、本願発明１の「ＴＦＴ」に相当する。
　上記イで述べたように、引用発明の「駆動用トランジスタ１２」は、「ガラス基板１４」の上に形成され、「駆動用トランジスタ１２の上には、層間絶縁膜１４ｃが形成され」ているので、引用発明の「駆動用トランジスタ１２」は、「ガラス基板１４」と「層間絶縁膜１４ｃ」の間に形成されている。
　したがって、引用発明の「ガラス基板１４」と「層間絶縁膜１４ｃ」の間に形成されている「駆動用トランジスタ１２」は、本願発明１の「前記第１の基板と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴ」に相当する。
エ　引用発明は、「層間絶縁膜１４ｃの上には、カソード電極１１ａが形成され、カソード電極１１ａの上には、有機ＥＬ層１１ｂが形成され、有機ＥＬ層１１ｂの上に、アノード電極１１ｃが形成され、このようにして、有機ＥＬ素子１１が形成される」ので、引用発明の「有機ＥＬ素子１１」は、「層間絶縁膜１４ｃ」の上に形成されている。
　したがって、引用発明の「層間絶縁膜１４ｃ」の上に形成されている「有機ＥＬ素子１１」と、本願発明１の「前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間のＥＬ素子」とは、「前記層間絶縁膜の上のＥＬ素子」である点で共通する。
オ　引用発明の「有機ＥＬパネル１」は、本願発明１の「表示装置」に相当する。
　すると、本願発明１と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「第１の基板と、
　前記第１の基板の上の層間絶縁膜と、
　前記第１の基板と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜の上のＥＬ素子と、
　を有する表示装置。」
（相違点１）
　本願発明１は、「第２の基板」を有するのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　層間絶縁膜が、本願発明１は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間」であるのに対して、引用発明は、「ガラス基板１４」に対向する基板を有していないため、そのような特定がない点。
（相違点３）
　ＥＬ素子が、本願発明１は、「前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間」であるのに対して、引用発明は、「ガラス基板１４」に対向する基板を有していないため、そのような特定がない点。
（相違点４）
　本願発明１は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第１のシール材と、」「を有し、」「前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられて」いるのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点５）
　本願発明１は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、」「前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有する」のに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（２）判断
　事案に鑑み、まず、上記相違点５について検討する。
　引用文献４には、ガラス基板と、ガラス板との縁辺部を接着剤でシールし、接着シール部を弗素系樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐ技術が記載されている（上記「第４　３」）。しかし、引用発明には、ガラス基板に対向する基板を有することも、ガラス基板とそれに対向する基板との間にシール材を有することも示されていないため、引用発明に、引用文献４に記載された技術を適用する動機付けがない。
　また、引用文献４には、弗素系樹脂が、ガラス基板とガラス板との間の部分を有することは記載されていないのであるから、引用発明に、引用文献４に記載された、接着シール部を弗素系樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐ技術を適用しても、弗素系樹脂が、ガラス基板とガラス板との間の部分を有する構成を得ることはできない。
　また、引用文献３には、表示用基板１、対向基板６および封着部材８によりエレクトロルミネッセンス表示装置の気密容器を形成することは記載されているが（上記「第４　２」）、封着部材８の外側にシール材を設けることは記載されていない。
　さらに、引用文献５−７には、第２のシール材を、第１のシール材の外側に設け、第２のシール材は、第１の基板と第２の基板との間の部分とを有することは記載されていない。
　したがって、上記相違点５に係る本願発明１の構成は、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得えたことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、上記相違点１−４について検討するまでもなく、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−４について
　本願発明２−４も、上記相違点５に係る本願発明１の「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、」「前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第１の基板と重ならず且つ前記第２の基板と重ならない部分と、を有する」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明５について
（１）対比
　本願発明５と引用発明を対比すると、上記「１（１）対比」の「ア」−「オ」の点は同じである。
　すると、本願発明５と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「第１の基板と、
　前記第１の基板の上の層間絶縁膜と、
　前記第１の基板と前記層間絶縁膜との間のＴＦＴと、
　前記層間絶縁膜の上のＥＬ素子と、
　を有する表示装置。」
（相違点１）
　本願発明５は、「第２の基板」を有するのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点２）
　層間絶縁膜が、本願発明５は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間」であるのに対して、引用発明は、「ガラス基板１４」に対向する基板を有していないため、そのような特定がない点。
（相違点３）
　ＥＬ素子が、本願発明５は、「前記層間絶縁膜と前記第２の基板との間」であるのに対して、引用発明は、「ガラス基板１４」に対向する基板を有していないため、そのような特定がない点。
（相違点４）
　本願発明５は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第１のシール材と、」「を有し、」「前記第１のシール材は、前記ＥＬ素子を囲むように設けられて」いるのに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（相違点５’）
　本願発明５は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、」「前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有する」のに対して、引用発明は、そのような特定がない点。
（２）判断
　事案に鑑み、まず、上記相違点５’について検討する。
　引用文献４には、ガラス基板と、ガラス板との縁辺部を接着剤でシールし、接着シール部を弗素系樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐ技術が記載されている（上記「第４　３」）。しかし、引用発明には、ガラス基板に対向する基板を有することも、ガラス基板とそれに対向する基板との間にシール材を有することも示されていないため、引用発明に、引用文献４に記載された技術を適用する動機付けがない。
　また、引用文献４には、弗素系樹脂が、ガラス基板とガラス板との間の部分を有することは記載されていないのであるから、引用発明に、引用文献４に記載された、接着シール部を弗素系樹脂で被い、薄膜ＥＬ素子への湿気の侵入を防ぐ技術を適用しても、弗素系樹脂が、ガラス基板とガラス板との間の部分を有する構成を得ることはできない。
　また、引用文献３には、表示用基板１、対向基板６および封着部材８によりエレクトロルミネッセンス表示装置の気密容器を形成することは記載されているが（上記「第４　２」）、封着部材８の外側にシール材を設けることは記載されていない。
　さらに、引用文献５−７には、第２のシール材を、第１のシール材の外側に設け、第２のシール材は、第１の基板と第２の基板との間の部分とを有することは記載されていない。
　したがって、上記相違点５’に係る本願発明５の構成は、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に想到し得えたことであるとはいえない。
　よって、本願発明５は、上記相違点１−４について検討するまでもなく、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明６−８について
　本願発明６−８も、上記相違点５’に係る本願発明５の「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、」「前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、前記第２の基板の側面の一部と接する部分と、を有する」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明５と同じ理由により、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
５　本願発明９−１１について
　本願発明９−１１は、本願発明１−８を直接又は間接的に引用する発明であり、上記相違点５に係る本願発明１の構成又は上記相違点５’に係る本願発明５の構成と、同一の構成を備えるものであるから、本願発明１又は本願発明５と同じ理由により、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第６　原査定について
１　理由１（特許法第３６条第６項第２号）について
　審判請求時の補正により、請求項１０の「請求項１乃至請求項９のいずれか一項において」という記載は、「請求項１乃至請求項８のいずれか一項において」に補正されており、原査定の理由１を維持することはできない。
２　理由２（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により、本願発明１−１１は、「前記第１の基板と前記第２の基板との間の第２のシール材と、を有し、」「前記第２のシール材は、前記第１のシール材の外側に設けられており、前記第２のシール材は、前記第１の基板と前記第２の基板との間の部分と、」「を有する」という事項を有するものとなっており、引用発明及び引用文献３−７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。したがって、原査定の理由２を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。