(57)【要約】 ＩＴＯスクラップを電解することにより、インジウム−錫合金として回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。ＩＴＯの電解槽とインジウム−錫合金回収槽とを設け、電解槽でＩＴＯを溶解した後、インジウム−錫合金回収槽で、インジウム−錫合金を回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲット又は製造時に発生するＩＴＯ端材等のＩＴＯスクラップから、インジウム−錫合金を効率良く回収する方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯスクラップを電解することにより、インジウム−錫合金として回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【請求項２】
隔膜又はイオン交換膜で仕切った電解槽で、ＩＴＯスクラップを電解することを特徴とする請求項１記載のＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【請求項３】
ＩＴＯの電解槽とインジウム−錫合金回収槽とを設け、電解槽でＩＴＯを溶解した後、インジウム−錫合金回収槽で、インジウム−錫合金を回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、使用済みインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲット又は製造時に発生するＩＴＯ端材等のＩＴＯスクラップ（本願明細書においては、これらを「ＩＴＯスクラップ」と総称する）からの有価金属の回収方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インジウム−錫酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：一般にＩＴＯと称呼されている）スパッタリングターゲットは液晶表示装置の透明導電性薄膜やガスセンサーなどに広く使用されているが、多くの場合スパッタリング法による薄膜形成手段を用いて基板等の上に薄膜が形成されている。
このスパッタリング法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタリングターゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形成していくと、該ターゲットは均一に消耗していく訳ではない。このターゲットの一部の消耗が激しい部分を一般にエロージョン部と呼んでいるが、このエロージョン部の消耗が進行し、ターゲットを支持するバッキングプレートが剥き出しになる直前までスパッタリング操作を続行する。そして、その後は新しいターゲットと交換している。
したがって、使用済みのスパッタリングターゲットには多くの非エロージョン部、すなわち未使用のターゲット部分が残存することになり、これらは全てスクラップとなる。また、ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時においても、端材や研磨粉・切削粉からスクラップ（端材）が発生する。一般に、酸化錫（ＳｎＯ２）が９．７ｗｔ％前後含有されているが、多くは酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）である。【０００３】
ＩＴＯスパッタリングターゲット材料には高純度材が使用されており、特にインジウムは価格も高いので、一般にこのようなスクラップ材からインジウムを回収することが、そしてまた、同時に錫を回収することが行われている。このインジウム回収方法として、従来酸溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組み合わせた方法が用いられている。
例えば、ＩＴＯスクラップを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化水素を通して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫化物として沈殿除去した後、これにアンモニアを加えて中和し、水酸化インジウムとして回収する方法である。
しかし、この方法によって得られた水酸化インジウムはろ過性が悪く操作に長時間を要し、Ｓｉ、Ａｌ等の不純物が多く、また生成する水酸化インジウムはその中和条件及び熟成条件等により、粒径や粒度分布が変動するため、その後ＩＴＯターゲットを製造する際に、ＩＴＯターゲットの特性を安定して維持できないという問題があった。【０００４】
以下に、従来技術とその利害得失を紹介する。
その一つとして、基板上に被着されたＩＴＯ膜を電解液中で電気化学的反応により還元させ、さらにこの還元された透明導電膜を電解液に溶解させる透明導電膜のエッチング方法がある（特許文献１参照）。但し、目的がマスクパターンを高精度で得る方法であり、回収方法とは異なる技術である。
ＩＴＯからの有価金属を回収するための事前処理として、バッキングプレートとの接合に用いていたＩｎ系のロウ材に含まれる不純物を電解液中で分離する技術がある（特許文献２参照）。しかし、これはＩＴＯから有価金属を回収する直接的な技術に関するものではない。【０００５】
亜鉛精錬工程の副産物として得られる中間物又はＩＴＯスクラップからインジウムを回収する際に、錫をハロゲン化錫酸塩として分離した後、塩酸又は硝酸水溶液で還元処理し、次いでこの水溶液のｐＨを２〜５に調整して、鉄、亜鉛、銅、タリウム等の金属イオンを還元し沈殿しにくい物質とし、水溶液中のインジウム成分を分離する技術が開示されている（特許文献３参照）。この技術は精製工程が複雑で、精製効果もそれほど期待できない問題がある。
また、高純度インジウムの回収方法として、ＩＴＯを塩酸で溶解し、これにアルカリを加えてｐＨが０．５〜４となるようにし、錫を水酸化物として除去し、次に硫化水素ガスを吹き込み銅、鉛等の有害物を硫化物として除去し、次いでこの溶解液を用いて電解によりインジウムメタルを電解採取する技術が開示されている（特許文献４参照）。この技術も精製工程が複雑であるという問題がある。【０００６】
ＩＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とし、この溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加して錫を水酸化錫として除去し、除去後さらに水酸化ナトリウム水溶液を添加して水酸化インジウムとして、これをろ過し、ろ過後の水酸化インジウムを硫酸インジウムとし、これを用いて電解採取によりインジウムとする方法がある（特許文献５参照）。これは精製効果が大きく有効な方法であるが、工程が複雑であるという不利な点がある。【０００７】
ＩＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とする工程、該塩化インジウム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸化錫を除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、回収する工程からなるインジウムの回収方法がある（特許文献６参照）。この方法も、精製効果が大きく有効な方法であるが、工程が複雑であるという不利な点がある。【０００８】
溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸化物含有鋳造スクラップを取り出して雰囲気炉に挿入し、一度炉を真空にした後、アルゴンガスを導入し、所定温度に加熱して亜酸化物含有鋳造スクラップを還元する金属インジウムの回収方法を開示する（特許文献７参照）。
これ自体は有効な方法であるが、ＩＴＯスクラップの基本的な回収方法ではないという欠点がある。
以上から、効率的かつ回収工程に汎用性がある方法が求められている。【０００９】
【特許文献１】特開昭６２−２９０９００号公報
【特許文献２】特開平８−４１５６０号公報
【特許文献３】特開平３−８２７２０号公報
【特許文献４】特開２０００−１６９９９１号公報
【特許文献５】特開２００２−６９６８４号公報
【特許文献６】特開２００２−６９５４４号公報
【特許文献７】特開２００２−２４１８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の問題を解決するために、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲット又は製造時に発生するＩＴＯ端材等のＩＴＯスクラップから、インジウム−錫合金を効率良く回収する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、ＩＴＯスクラップを電解することにより、インジウム−錫合金として回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法を提供する。ＩＴＯスクラップから有価金属を回収する場合の電解液として、主として硫酸、塩酸を使用する。また、必要に応じて硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム等の電解質を添加した電解液を使用することができる。また、アルカリ性溶液の電解質を使用することもできる。これらの電解質溶液は、特に制限されるものではなく、効率的に回収できる条件を任意に選択することができる。
端材等のスクラップであるために一義的に決められるものではなく、電流密度はその端材の量や材料の性質に応じて適宜選択して実施する。電解質溶液の液温は、通常０〜１００°Ｃの範囲とするが、好ましくは２０〜５０°Ｃの範囲とする。【００１２】
以上の本発明の電解によるインジウム−錫合金の回収方法は、ＩＴＯスクラップをアノードとして電解するだけなので、極めて簡便な方法である。しかし、従来技術でこのような手法を採用した例はない。
隔膜又はイオン交換膜で仕切った電解槽で、ＩＴＯスクラップを電解することもできる。さらに、ＩＴＯの電解槽とインジウム−錫合金回収槽とを設け、電解槽でＩＴＯを溶解した後、インジウム−錫合金回収槽でインジウム−錫合金を回収することもできる。【００１３】
一旦、ＩＴＯから、インジウム−錫合金として回収することができれば、これをそのまま使用することができると共に、例えばインジウム−錫合金に、さらに金属インジウム又は金属錫を添加して、その合金成分量を変え、あるいは他の元素を添加することも容易になし得るものである。さらに、このインジウム−錫合金を原料として、再生ＩＴＯを製造することも容易である。本願発明はこれらを全て包含する。
【発明の効果】
【００１４】
インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲット又は製造時に発生するＩＴＯ端材等のＩＴＯスクラップを使用し、これをアノードとして電解するだけなので、極めて簡便に高純度のインジウム−錫合金を効率良く回収することができるという優れた方法である。
【発明の実施の形態】
【００１５】
本発明は、ＩＴＯターゲットのインジウム含有スクラップを、電解により、簡便にインジウム−錫合金として回収する方法を提供するものである。原材料としてのＩＴＯスクラップそのものは、一般にすでに高純度を達成しているので、これを回収して得た有価金属は、当然に高純度としての材質を有することは言うまでもない。この純度は、基本的には原材料の純度が反映される。
【００１６】
電解液としては、硫酸又は塩酸の酸性溶液を使用することができ、さらに硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、硫酸ナトリウム等を添加して電解質とすることができる。この他に、電流効率を上げるために、一般に知られている公知の添加材を使用することも可能である。その場合は、添加剤が製品の純度を低下させないことが前提となるだけである。
【００１７】
また、電解することが可能であれば、本願発明の目的を達成することができるので、アルカリ性の電解液を使用することも可能である。本願発明は、これらを包含する。
電解装置として特別なものは必要としない。例えば電解するＩＴＯをアノードとし、カソード母板としてカーボン等の耐蝕性の電極を用いて電解すれば良い。これによって、アノード中の不純物の増加又は混入を避けることができる。
【００１８】
電流密度は原料の種類により、適宜に調整することが望ましい。この場合に調整する要素は、生産効率のみである。また、電解温度も特に制限はないが、０〜１００°Ｃに調整して電解することが望ましい。電解温度０°Ｃ未満であると電流効率が低下すること、逆に電解温度が１００°Ｃを超えると電解液の蒸発が多くなるということであるが、より好ましい電解温度は２０〜５０°Ｃである。
【実施例】
【００１９】
次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのものであり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。【００２０】
（実施例１）
ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）の端材２ｋｇを原料とした。この原料中の成分は酸化錫（ＳｎＯ２）が９．７ｗｔ％、残部酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）であった。
この原料をアノードとし、０．１〜２Ｎの硫酸浴中、液温５０°Ｃで、電解精製を行った。この結果、Ｉｎ−Ｓｎ合金がカソード側に電着した。これによって、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）の端材から、約１．４ｋｇのＩｎ−Ｓｎ合金を回収することができた。【００２１】
（実施例２）
ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）の使用済スクラップ２ｋｇを原料とした。この原料中の成分は実施例１と同様である。この原料をアノードとし、２Ｎ塩酸浴中、温度２５°Ｃで電解精製を行った。この結果、Ｉｎ−Ｓｎ合金がカソード側に電着した。
これによって、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）の端材から、約１．４５ｋｇのＩｎ−Ｓｎ合金を回収することができた。【００２２】
（実施例３）
電解槽に水酸化ナトリウム５０ｇ／Ｌの溶液を入れ、さらにこの電解槽のアノード側にＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）のスクラップ２ｋｇを入れ、温度２５°Ｃで電解した。この場合のスクラップ原料は実施例１と同様である。その結果、カソードにＩｎ−Ｓｎ合金が電着し、これによって、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）スクラップから、約１．５ｋｇのＩｎ−Ｓｎ合金を回収することができた。【００２３】
（実施例４）
電解槽に水酸化ナトリウム５０ｇ／Ｌの溶液を入れ、さらにこの電解槽のアノード側にＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）のスクラップ２ｋｇを入れ、温度２５°Ｃで電解した。この場合のスクラップ原料は実施例１と同様である。また、この電解に際しては、アノードとカソードを隔膜で仕切った。隔膜によりスラッジが除去でき、その結果、カソードにＩｎ−Ｓｎ合金が電着し、これによって、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）スクラップから、約１．５ｋｇのＩｎ−Ｓｎ合金を回収することができた。【００２４】
（実施例５）
実施例１と同様の原料を用い、電解条件も同じとした。さらに、電解槽のアノードボックスにＩＴＯスクラップを入れ、陰イオン交換膜で仕切り、カソード側は０．１〜２Ｎの硫酸を用いた。次に、この溶解液を抜き出し、スラッジや微粒子をフィルターで除去した後、回収槽に入れて電解採取で約１．３ｋｇのＩｎ−Ｓｎ合金を回収した。【００２５】
上記の実施例においては、いずれも酸化錫（ＳｎＯ２）が９．７ｗｔ％、残部酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）であるＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）端材又はスクラップを使用したが、Ｉｎ２Ｏ３及びＳｎＯ２の成分量に応じて、電流密度、ｐＨ等の電解条件を任意に変えることが可能であり、この原料の成分量に特に制限される必要がないことは言うまでもない。特に、ＩＴＯは酸化錫（ＳｎＯ２）の含有量を５ｗｔ％〜３０ｗｔ％まで、変化させることがあるが、このような場合でも、本発明は十分に適用できる。
また、ＩＴＯにさらに少量の副成分を添加したものもあるが、基本的にＩＴＯが基本成分であれば、本願発明は、これらにも適用できることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００２６】
本発明は、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）スパッタリングターゲット又は製造時に発生するＩＴＯ端材等のＩＴＯスクラップを使用し、これをアノードとして電解するだけなので、極めて簡便に高純度のインジウム−錫合金を効率良く回収することができるの、高価なインジウムを再利用する点で、大きな産業上の利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯスクラップをアノードとして電解することにより、カソードにインジウム−錫合金を電着させて回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【請求項２】
隔膜又はイオン交換膜で仕切った電解槽で、ＩＴＯスクラップをアノードとして電解することを特徴とする請求項１記載のＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【請求項３】
ＩＴＯ電解槽とインジウム−錫合金回収槽とを設け、電解槽でＩＴＯスクラップをアノードとして電解し、該電解により得た溶解液を回収槽へ入れ、該回収槽で電解採取によりインジウム−錫合金を回収することを特徴とするＩＴＯスクラップからの有価金属の回収方法。
【国際調査報告】
2008053620.tif 000002
2008053620.tif 000003