【事件の表示】
　特願２０１４−５３０２９０「有機電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２１日国際公開、ＷＯ２０１３／０３８０７７、平成２６年１１月１７日国内公表、特表２０１４−５３０４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年（２０１２年）６月１１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１１年９月１４日，仏国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年６月３日付けで審査請求がなされ、平成２８年３月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１５日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされたが、同年９月６日付けで拒絶査定がなされたものである。
　これに対して、平成２９年１月１１日付けで審判請求がなされ、当審において同年８月１５日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１２月１３日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正（以下、「本手続補正」という。）がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、本手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明であり、本願発明は以下のとおりの発明である。
「プラスチック基板（２）と呼ばれる、プラスチック材料で作られた少なくとも１つの下部基板と、前記プラスチック基板（２）上に堆積された、それぞれソース電極（３）及びドレイン電極（４）である２つの電極（３、４）と、有機半導体材料で作られ、前記電極（３、４）の上部かつそれらと接触して、並びに前記プラスチック基板（２）の上部に堆積された半導体層（５）と、誘電材料で作られ、前記半導体層（５）上に堆積された誘電体層（６）と、前記誘電体層（６）上に形成されたゲート電極（７）と、を含む有機トランジスタ（１）であって、それはさらに、誘電材料で作られ、前記プラスチック基板（２）と前記半導体層（５）との間に延在する多孔質層（９）を含み、前記多孔質層（９）は、少なくとも前記ソース（３）及びドレイン（４）電極の間の領域の下に延在し、前記プラスチック基板（２）の表面の誘電率を低下させ、
　前記ソース（３）及びドレイン（４）電極は前記多孔質層（９）上に堆積されている、有機トランジスタ（１）。」
第３　引用例、引用発明等
１　引用例１について
　当審拒絶理由に引用された特開２００９−７３１２４号公報(以下、「引用例１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与した。以下、同じ。）
（１）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、基材の少なくとも片面上に、高分子で構成され且つ連通性の低い独立した多数の微小孔が形成された多孔質層を有する積層体及びその製造方法、並びに高分子で構成され且つ連通性の低い独立した多数の微小孔が形成された多孔質膜及びその製造方法に関する。これら多孔質層を有する積層体や多孔質膜は、多孔質層や多孔質膜が有する空孔特性をそのまま利用することにより、回路用基板、電磁波シールドや電磁波吸収体などの電磁波制御材、低誘電率材料、アンテナ、セパレーター、クッション材、インク受像シート、絶縁材、断熱材、細胞培養基材等、広範囲な基板材料として利用可能である。」
（２）「【００５３】
　
本発明の多孔質層積層体は、基材と、前記基材の少なくとも片面上の高分子で構成されている多孔質層とを含む積層体
　前記多孔質層における微小孔の平均孔径が０．０１〜１０μｍであり、空孔率が３０〜８０％であり、前記微小孔は、連通性の低い独立微小孔である、積層体である。」
（３）「【００５６】
　基材を構成する材料としては、上記テープ剥離試験により多孔質層と界面剥離を生じなければ特に限定されず、多孔質層を構成する材料に応じて適宜選択できる。
基材を構成する材料としては、
ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリエステル系樹脂、液晶性ポリエステル系樹脂、芳香族ポリアミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾイミダゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂、ポリスルホン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、ポリブチレンテレフタレート系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂、フッ素系樹脂、オレフィン系樹脂（環状オレフィン系樹脂等を含む）、ポリアリレート系樹脂等のプラスチック等が挙げられる。
ポリシロキサンとポリイミドの骨格を主鎖に含むポリシロキサン含有ポリイミド等が挙げられる。」
（４）「【００９３】
　多孔質層は、主成分が例えば高分子成分で構成されている。多孔質層を構成する高分子成分としては、上記テープ剥離試験により多孔質層と界面剥離を生じない基材を形成可能であれば特に限定されず、基材を構成する材料に応じて適宜選択できる。
前記高分子成分としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリエステル系樹脂、液晶性ポリエステル系樹脂、芳香族ポリアミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾイミダゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂、ポリスルホン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂等のプラスチック等が挙げられる。
（５）「【０１２９】
　
本発明の多孔膜積層体は、
インク受像シート
として利用可能である。
（６）「【０１５３】
　本発明の多孔膜積層体や多孔性フィルムは、低誘電率材料としても有用である。ブロードバンド時代の到来により、大容量の情報を高速で伝達する必要が生じている。そのため、電子機器で使用される周波数も高まってきており、その中で使われる電子部品も高周波信号に対応する必要がある。これまでの配線基板（主にガラスエポキシ樹脂）を高周波回路に使用すると、（１）高い誘電率による伝達信号の遅れや、（２）高い誘電損失による、信号の混信・減衰の発生、消費電力の増加、回路内の発熱などの問題が生じる。
これらの問題を解決するための高周波用配線基板材料としての多孔性の材料が有用であるとされている。それは、空気の比誘電率は１と低いのに対して、多孔性の材料にすれば、低い比誘電率を達成可能なためである。このため、従来、多孔性基板材料が必要とされてきたが、低誘電率にするためには空孔率を上げる必要があり、その結果、基板としての強度が低下してしまうという問題があった。本発明の多孔膜積層体は、多孔質層が基材に積層されており、低誘電率特性を持っているのみならず、多孔質層が基材に密着しているため取り扱う上で十分な強度を確保することができ、低誘電率材料として好ましい媒体である。
【０１５４】
　本発明の多孔膜積層体や多孔性フィルムを低誘電率な回路基板材料として使用する場合、上記したように、多孔膜積層体や多孔性フィルム表面に銅箔を貼り合わせ、エッチングにより銅箔の不要な部分を除去することにより配線を形成する方法により製造することが考えられる。配線の微細化、高密度化は困難になりつつあるが、現在でもこの従来法でほとんどの回路基板が作られており、本発明の多孔膜積層体や多孔性フィルムもこの方法で使用することができる。非常に要求が強くなってきている基板の低誘電率化に対応しうる有用な材料と言える。多孔質層の連通性が低いため、銅箔をエッチングする時に、エッチング液が多孔質層の中に入り難く、好ましくない銅箔の裏側からのエッチングが起こりにくく、連通性の低い独立した多孔質層の特徴を生かすことが可能である。
【０１５５】
　
インク受像シートは、印刷メディアとも呼ばれ、印刷技術においてしばしば使用されてる。一方、現在、多くの印刷法が実用化、利用されており、このような印刷技術として、例えば、インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）、昇華型印刷、オフセット印刷、レーザープリンタ印刷（トナー印刷）、凹版印刷（グラビア印刷）、コンタクト印刷、マイクロコンタクト印刷等を挙げることができる。
【０１５６】
　電子材料を印刷法で作成するメリットとしては、（１）シンプルなプロセスで製造できる、（２）廃棄物の少ない低環境負荷プロセスである、（３）低エネルギー消費によって短時間で製造できる、（４）初期投資額が大幅に低減できる等があるが、その一方、これまでにない高精細な印刷が要求され、技術的に困難であることもこと実である。従って、特に電子材料の製造に利用される印刷に関しては、印刷機械の性能だけでなく、インクやインク受像シートの特性が印刷結果に大きな影響を与える。
本発明の多孔膜積層体は、多孔質層が基材に密着しており、多孔質層の微細な多孔構造はインクを吸ったり、インクを精密に固定することができるため、これまでにない高精細な印刷を達成することができ、非常に好ましく用いられる。
【０１５７】
　
電子材料を印刷により製造する場合、印刷法としては上述の方法を利用できる。印刷により製造される電子材料の具体例としては、
有機トランジスタ、
を挙げることができる。
【０１５８】
　
上記電子材料を製造する方法は、例えば導電体、誘電体、半導体、絶縁体、抵抗体等の電子素材を含むインクを多孔質層（基板）表面に印刷する工程を含んでいる。
また、半導体を含むインクで印刷することにより、トランジスタ等を形成することができる。半導体としては、ペンタセン、液状シリコン、フルオレン−ビチオフェンコポリマー（Ｆ８Ｔ２）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）等を挙げることができる。
（７）上記（１）ないし（６）から、上記引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されていると認められる。
「プラスチックから構成された基材と、
　前記基材に積層された、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリエステル系樹脂、液晶性ポリエステル系樹脂、芳香族ポリアミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾイミダゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂、ポリスルホン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂等のプラスチック等で構成され、多孔性の材料にすることにより低い比誘電率とした、多孔質層と、
　を含み、
　多孔質層が基材に積層されていることにより、低誘電率特性を持っているのみならず、多孔質層が基材に密着しているため十分な強度を確保することができる、
　積層体を備え、
　インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）、昇華型印刷、オフセット印刷、レーザープリンタ印刷（トナー印刷）、凹版印刷（グラビア印刷）、コンタクト印刷、マイクロコンタクト印刷等の印刷手法により、多孔質層に印刷された、有機トランジスタ。」
２　引用例２について
　当審拒絶理由に引用された特開２００８−２０５１４４号公報(以下、「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、パターン形成方法および半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、有機半導体層を有する薄膜トランジスタの電極パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。」
（２）「【００１６】
（第１実施形態）
　本発明のパターン形成法に係わる実施の形態の一例を、
トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタからなる半導体装置
【００１７】
　まず、図１（ａ）に示すように、例えばガラス基板からなる基板１１上には、例えば銀（Ａｇ）からなる導電性膜１２’が５０ｎｍの膜厚で設けられている。
【００１８】
　
上記基板１１としては、上述したガラス基板の他に、
プラスチック基板
が用いられる。
・・・　中　略　・・・
【００３０】
　以上のようにして、基板１１上にソース・ドレイン電極１２を形成した後、図２（ｆ）に示すように、ソース・ドレイン電極１２を覆う状態で、基板１１上に、有機半導体層１３を形成する。ここでは、例えばスピンコート法により、ペンタセン誘導体の１ｗｔ％トルエン溶液を塗布した後、１００℃で溶媒を揮発させて５０ｎｍの有機半導体層１３を形成する。
【００３１】
　ここで、
有機半導体層１３としては、上記ペンタセン誘導体の他に、ポリチオフェン、フルオレン−チオフェンコポリマー、ポリアリルアミン等の高分子材料、または、ルブレン、チオフェンオリゴマー、ナフタセン誘導体等の低分子材料を用いてもよい。
【００３２】
　また、
有機半導体層１３の形成方法としては、上記スピンコート法の他に、インクジェット法、ディスペンサー法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷方法により形成してもよい。
【００３３】
　次いで、
有機半導体層１３上に、例えばポリビニルフェノール（ＰＶＰ）からなるゲート絶縁膜１４を４μｍの膜厚で形成する。ゲート絶縁膜１４としては、上記ＰＶＰの他に、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等を用いることができる。
・・・　中　略　・・・
【００３８】
　
以上のようにして、基板１１上にソース・ドレイン電極１２、有機半導体層１３、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極１５がこの順に積層されたトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタが形成される。
（３）【図２】（ｈ）には、基板１１と、基板１１上に積層されたソース・ドレイン電極１２と、ソース・ドレイン電極１２および基板１１の上部に積層された有機半導体層１３と、有機半導体層１３上に積層されたゲート絶縁膜１４と、ゲート絶縁膜１４上に積層されたゲート電極１５とからなる、トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタが示されている。
（４）上記（１）ないし（３）から、上記引用例２には次の発明（以下、「引用例２発明」という。）が記載されていると認められる。
「プラスチック基板１１と、
　プラスチック基板１１上に積層されたソース・ドレイン電極１２と、
　ソース・ドレイン電極１２および基板１１の上部に積層された有機半導体層１３と、
　有機半導体層１３上に積層された、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等を用いたゲート絶縁膜１４と、
　ゲート絶縁膜１４上に積層されたゲート電極１５とからなる、
　トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ。」
第４　対比・判断
１　対比
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、次のことがいえる。
（１）引用例１発明の「プラスチックから構成された基材」および「有機トランジスタ」は、それぞれ本願発明の「プラスチック基板（２）と呼ばれる、プラスチック材料で作られた少なくとも１つの下部基板」および「有機トランジスタ（１）」に相当する。
（２）引用例１発明の「多孔質層」は、「ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹脂、ポリエステル系樹脂、液晶性ポリエステル系樹脂、芳香族ポリアミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、ポリベンゾイミダゾール系樹脂、ポリベンゾチアゾール系樹脂、ポリスルホン系樹脂、セルロース系樹脂、アクリル系樹脂等のプラスチック等で構成され」ているから、誘電材料で作られていると言える。
　また、引用例１発明は、「多孔質層が基材に積層されていることにより、低誘電率特性を持っているのみならず、多孔質層が基材に密着しているため十分な強度を確保することができる」ことから、「基材」に積層された「多孔質層」は、「基材」の「多孔質層」が積層された面の誘電率を低下させていると言える。
　そうすると、引用例１発明の「多孔質層」と、本願発明の「誘電材料で作られ、前記プラスチック基板（２）と前記半導体層（５）との間に延在」し、「少なくとも前記ソース（３）及びドレイン（４）電極の間の領域の下に延在し、前記プラスチック基板（２）の表面の誘電率を低下させ」ており、また、「前記ソース（３）及びドレイン（４）電極」が堆積している「多孔質層（９）」は、「誘電材料で作られ、」「前記プラスチック基板（２）の表面の誘電率を低下させ」ている「多孔質層（９）」である点で共通する。
（３）してみると、本願発明と引用例１発明は以下の点で一致し、また、相違する。
［一致点］
「プラスチック基板（２）と呼ばれる、プラスチック材料で作られた少なくとも１つの下部基板とを含む有機トランジスタ（１）であって、
　それはさらに、誘電材料で作られた多孔質層（９）を含み、前記多孔質層（９）は、前記プラスチック基板（２）の表面の誘電率を低下させている、有機トランジスタ（１）。」
［相違点１］
　本願発明は「前記プラスチック基板（２）上に堆積された、それぞれソース電極（３）及びドレイン電極（４）である２つの電極（３、４）と、有機半導体材料で作られ、前記電極（３、４）の上部かつそれらと接触して、並びに前記プラスチック基板（２）の上部に堆積された半導体層（５）と、誘電材料で作られ、前記半導体層（５）上に堆積された誘電体層（６）と、前記誘電体層（６）上に形成されたゲート電極（７）と、を含む有機トランジスタ（１）であ」るのに対して、引用例１発明は、「有機トランジスタ」が「インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）、昇華型印刷、オフセット印刷、レーザープリンタ印刷（トナー印刷）、凹版印刷（グラビア印刷）、コンタクト印刷、マイクロコンタクト印刷等の印刷手法により、多孔質層に印刷」されるとの記載はあるものの具体的な構成が示されていない点。
［相違点２］
　本願発明の「多孔質層（９）」は、「前記プラスチック基板（２）と前記半導体層（５）との間に延在」し、「少なくとも前記ソース（３）及びドレイン（４）電極の間の領域の下に延在し」ており、また、「前記ソース（３）及びドレイン（４）電極」が堆積しているのに対して、引用例１発明は、「有機トランジスタ」が「インクジェット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサ印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）、昇華型印刷、オフセット印刷、レーザープリンタ印刷（トナー印刷）、凹版印刷（グラビア印刷）、コンタクト印刷、マイクロコンタクト印刷等の印刷手法により、多孔質層に印刷」されるとの記載はあるものの対応する構成の明示がない点。
２　相違点についての判断
　［相違点１］および［相違点２］について以下に検討する。
（１）引用例２発明の「有機半導体層１３上に積層された、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリイミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等を用いたゲート絶縁膜１４」は、誘電材料であることは明らかであるから、引用例２発明の「ゲート絶縁膜１４」は、本願発明の「誘電材料で作られ、前記半導体層（５）上に堆積された誘電体層（６）」に相当する。
（２）そうすると、「前記プラスチック基板（２）上に」積層された、「それぞれソース電極（３）及びドレイン電極（４）である２つの電極（３、４）と、有機半導体材料で作られ、前記電極（３、４）の上部かつそれらと接触して、並びに前記プラスチック基板（２）の上部に」積層された「半導体層（５）と、誘電材料で作られ、前記半導体層（５）上に」積層された「誘電体層（６）と、前記誘電体層（６）上に形成されたゲート電極（７）と、を含む有機トランジスタ（１）」は、公知の構成であり、該公知の構成を引用例１発明の「有機トランジスタ」として採用することに格別の困難性は認められない。［相違点１］
（３）本願明細書に
「【００３５】
　多孔質層９は、スピンコーティング、拡散（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）、シルクスクリーニング、又は印刷、例えばあるいはグラビア印刷、フレクソグラビア（ｆｌｅｘｏｇｒａｖｕｒｅ）、又はインクジェットなどの当業者によってよく知られている任意の方法によって、プラスチック基板２上に堆積され得る。」
と記載されているように、本願は「シルクスクリーニング」，「グラビア印刷」、「フレクソグラビア（ｆｌｅｘｏｇｒａｖｕｒｅ）」，「インクジェット」により「堆積」が行われるとしているから、本願明細書に記載された上記方法に対応する引用例１発明の方法である、「スクリーン印刷」，「凹版印刷（グラビア印刷）」，「凸版印刷（フレキソ印刷）」，「インクジェット印刷」を採用した際に、本願発明と同様の「堆積」が行われることは明らかである。
　そうすると、引用例１発明において該公知の構成を採用し「有機トランジスタ」を作製する際に、「印刷手法」として、「スクリーン印刷」，「凹版印刷（グラビア印刷）」，「凸版印刷（フレキソ印刷）」，「インクジェット印刷」を採用し、「ソース電極（３）及びドレイン電極（４）」，「半導体層（５）」および「誘電体層（６）」を「堆積」により積層することに格別の困難性は認められない。［相違点１，２］
（４）加えて、引用例１発明に該公知の構成を採用した際に、引用例１発明は「高周波用配線基板材料としての多孔性の材料」（前記１（６）段落【０１５３】）を前提とするから、引用例１発明の「多孔質層」を、高周波信号が伝搬する引用例２発明の「ソース・ドレイン電極１２」や「有機半導体層１３」の基板として位置付けることにより、同「多孔質層」が、「前記プラスチック基板（２）と前記半導体層（５）との間に延在」し、「少なくとも前記ソース（３）及びドレイン（４）電極の間の領域の下に延在し」ており、また、「前記ソース（３）及びドレイン（４）電極」が「堆積」している構成を導出することは、当業者にとって容易に為しうることである。［相違点２］
３　小括
　そうすると、本願発明は、引用例１および２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第５　結語
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用例１および２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。