(57)【要約】  例えば送受切替スイッチ（２０３）において、送信信号伝送路に対してシリーズに第１のダイオード（ＧＤ１）を設け、受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオード（ＧＤ２）を設け、第１のダイオード（ＧＤ１）に直流電流が流れる第１の電流経路（ＧＣＲ１）と第２のダイオード（ＧＤ２）に直流電流が流れる第２の電流経路（ＧＣＲ２）とを並列接続する。制御端子（ＶｃＧ）に所定の正電圧を印加すると、制御端子（ＶｃＧ）→抵抗（ＧＲ）→インダクタ（ＧＳＬ１）→ダイオード（ＧＤ１）→ストリップライン（Ｌｔ１）→ストリップライン（Ｌｔ２）→共用インダクタ（Ｌｔ３）の経路で直流電流が流れ、且つ制御端子（ＶｃＧ）→抵抗（ＧＲ）→ダイオード（ＧＤ２）→ストリップライン（ＧＳＬ２）→ストリップライン（Ｌｔ１）→（Ｌｔ２）→（Ｌｔ３）の経路で直流電流が流れる。
2008139819.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯が異なる少なくとも２つの通信系の送受信信号を入出力する２つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の２つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第１・第２の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記２つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第１・第２の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有し、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設け、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第１・第２の高周波スイッチに共用してなる複合高周波部品。
【請求項２】
前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えた請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】
前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】
前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項５】
前記共用インダクタに対して並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるようにした請求項３または４に記載の複合高周波部品。
【請求項６】
前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第１または第２の信号伝送路の途中に配置した請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項７】
前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続した請求項１〜６のうちいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の複合高周波部品の回路を単一の多層セラミック基板に構成してなる複合高周波部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は高周波スイッチを備えた複合高周波部品に関し、特に、低い制御電圧で送受信信号の切替えを行う複合高周波部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号をアンテナで送受信するとともに、送受信信号を送信信号と受信信号に切り替える高周波スイッチを備えた複合高周波部品が知られている。（例えば特許文献１参照。）
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。【０００３】
ここで特許文献１に示されている複合高周波部品の構成について図１を基に説明する。【０００４】
この複合高周波部品は、１８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。【０００５】
図１においてダイプレクサ（合分波器）１０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ１０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ１０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ１０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ１０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。【０００６】
送受切替スイッチ１０３において、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＧＤ１およびインダクタＧＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ８５０／９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＧＳＬ２、ダイオードＧＤ２およびキャパシタＧＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＧから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２を直列関係に接続している。【０００７】
送受切替スイッチ１０４についても同様に、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＤＤ１およびインダクタＤＰＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＤＳＬ２、ダイオードＤＤ２およびキャパシタＤＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＤから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２を直列関係に接続している。
【特許文献１】特開２０００−１６５２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記複合高周波部品は携帯電話端末等の移動体通信システムにおける通信装置に用いられるが、近年の低消費電力化の要請に伴って駆動電圧もますます低下されつつある。ところが図１に示したような従来の送受切替スイッチ（高周波スイッチ）の制御信号の電圧を低下させていくと前記２つのダイオード（例えば図１に示したＧＳＭ８５０／９００の送受切替スイッチ１０３におけるダイオードＧＤ１，ＧＤ２）のアノード・カソード間に印加される電圧がダイオードのＰＮ接合電位に近くなる。そのような条件ではダイオードが完全な導通状態にはならず、オン抵抗が増したり、伝送／遮断すべき伝送信号の電圧に応じてダイオードの両端電圧が変動したりするといった現象が生じる。そのため、回路特性としては挿入損失（ＩＬ）が劣化するとともに、高調波歪みが増大するという問題が生じる。したがって制御電圧の低電圧化には限界があった。【０００９】
そこで、この発明の目的は、従来の高周波スイッチに比べて低い制御電圧で信号経路を切り替えられるようにして挿入損失特性や高調波歪み特性の劣化を抑えるとともに、部品点数を削減した複合高周波部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するためにこの発明の複合高周波部品は次のように構成する。
（１）  周波数帯が異なる少なくとも２つの通信系の送受信信号を入出力する２つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器（ダイプレクサ）と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の２つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第１・第２の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記２つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第１・第２の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有し、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設け、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第１・第２の高周波スイッチに共用する。【００１１】
（２）前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えたものとする。【００１２】
（３）前記共用インダクタは、前記合分波器の入出力部側（前記高周波スイッチの共通信号入出力部側）に設ける。【００１３】
（４）前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設ける。【００１４】
（５）前記共用インダクタには、並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるように構成する。【００１５】
（６）前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第１または第２の信号伝送路の途中に配置する。【００１６】
（７）前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続して、合計３つ以上の高周波スイッチを備えたものとする。【００１７】
（８）単一の多層セラミック基板に前記複合高周波部品の回路を構成する。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、次のような効果を奏する。
（１）第１・第２の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第１・第２のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように２つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。【００１９】
また、第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタとして１つのインダクタのみを設ければよいので、部品点数が削減でき、小型化が図れる。【００２０】
（２）前記合分波器のハイパスフィルタのインダクタを前記共用インダクタとして用いることにより、ハイパスフィルタの構成部品としても兼用することになり、部品点数が削減でき、さらに小型化が図れる。また、ハイパスフィルタの減衰特性が向上し、直流および低周波信号を減衰できるのでＥＳＤ（静電気放電）特性が改善される。【００２１】
（３）前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けることによって、合分波器の低域側を伝搬する低域側信号のロスが増大することがない。【００２２】
（４）前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けることによって、合分波器の低域側へ伝搬しようとする低周波信号が共用インダクタで減衰されるので、ＥＳＤ特性が改善される。【００２３】
（５）前記共用インダクタに並列にキャパシタを接続して、ハイパスフィルタの通過帯域で並列共振させることによって、高域側信号のロスが改善される。【００２４】
（６）前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第１または第２の信号伝送路の途中に配置することによって、この共用インダクタを設けない方の信号伝送路のロス特性が良好となる。【００２５】
（７）前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共用信号入出力部を接続して、合計３つ以上の高周波スイッチを備えることによって、トリプルバンドやさらにマルチバンドの通信システムに適用可能となる。【００２６】
（８）単一の多層セラミック基板に前記複合高周波部品の回路を構成することによって、１チップ化でき、部品間の配線による損失を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来の複合高周波部品の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図３】第２の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図４】第３の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図５】第４の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図６】第５の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図７】第６の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図８】第７の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【符号の説明】
【００２８】
１００，２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２８０，２９０−複合高周波部品
１０２，２０２，２１２，２２２，２３２，２４２，２８２，２９２−ダイプレクサ
１０３，２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２８３，２９３−送受切替スイッチ
１０４，２０４，２１４，２２４，２３４，２４４，２８４，２９４−送受切替スイッチ
１０５，２０５，２１５，２２５，２３５，２４５，２８５，２９５−フィルタ
１０６，２０６，２１６，２２６，２３６，２４６，２８６，２９６−フィルタ
２８７，２９７，２９８−受信信号用高周波スイッチ
ＤＣＲ１−第１の電流経路
ＤＣＲ２−第２の電流経路
ＧＣＲ１−第１の電流経路
ＧＣＲ２−第２の電流経路
ＶｃＧ，ＶｃＤ−制御端子
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係る複合高周波部品について図２を参照して説明する。
図２に示す複合高周波部品２００は、１８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。【００３０】
図２において、この発明の合分波器に相当するダイプレクサ２０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ２０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ２０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。このダイプレクサ２０２はアンテナ端子ＡＮＴに接続されるアンテナ接続部を備え、その２つの入出力部間が直流通電可能に構成している。【００３１】
フィルタ２０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ２０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号を通過させるとともに、高調波を減衰させる。【００３２】
ダイプレクサ２０２において、キャパシタＣｔ１、Ｃｕ１およびストリップラインＬｔ１によってＧＳＭ８５０／９００の信号を通過させるローパスフィルタを構成し、キャパシタＣｔ２、インダクタＬｔ３およびストリップラインＬｔ２によってＧＳＭ１８００／１９００の信号を通過させるハイパスフィルタを構成している。このインダクタＬｔ３がこの発明に係る共用インダクタに相当する。【００３３】
フィルタ２０５は、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２およびストリップラインＧＬｔ１によってＧＳＭ８５０／９００の送信信号を通過させるローパスフィルタを構成している。【００３４】
フィルタ２０６は、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｃ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３、ストリップラインＤＬｔ１，ＤＬｔ２によってＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を通過させるローパスフィルタを構成している。【００３５】
ＧＳＭ８５０／９００用の送受切替スイッチ２０３は、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号伝送路（第１の信号伝送路）に第１のダイオードＧＤ１をシリーズに設け、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号の伝送路（第２の信号伝送路）に第２のダイオードＧＤ２およびコンデンサＧＣ５をシャントに設けている。また、制御端子ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→第１のダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＬｔ２→インダクタＬｔ３の経路で直流電流が流れる第１の電流経路ＧＣＲ１を構成し、ＶｃＧ→ＧＲ→第２のダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ２→Ｌｔ３の経路で直流電流が流れる第２の電流経路ＧＣＲ２を構成し、第１のダイオードＧＤ１と第２のダイオードＧＤ２を含む上記第１・第２の電流経路ＧＣＲ１，ＧＣＲ２が並列接続される関係としている。【００３６】
なお、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路に設けたキャパシタＧＣｕ３はダイオードＧＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとる。【００３７】
ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２０４の構成もＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２０３の構成と基本的に同様であり、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号伝送路（第１の信号伝送路）に対してシリーズに第１のダイオードＤＤ１を設け、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路（第２の信号伝送路）に対してシャントに第２のダイオードＤＤ２を設けている。【００３８】
また、制御端子ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→第１のダイオードＤＤ１→インダクタＬｔ３の経路で直流電流が流れる第１の電流経路ＤＣＲ１を構成し、ＶｃＤ→ＤＲ→第２のダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ３の経路で直流電流が流れる第２の電流経路ＤＣＲ２を構成し、第１のダイオードＤＤ１と第２のダイオードＤＤ２を含む上記第１・第２の電流経路ＤＣＲ１，ＤＣＲ２が並列接続される関係としている。【００３９】
上記第１のダイオードＤＤ１にはストリップラインＤＰＳＬｔとキャパシタＤＰＣｔ１との直列回路を並列接続している。ＤＰＳＬｔは、ダイオードＤＤ１のオフ時に、ダイオードＤＤ１の容量とＤＰＳＬｔとの並列共振によりアイソレーションを確保する。また、コンデンサＤＰＣｔ１は、直流電流が、ダイオードＤＤ１を介さずに流れるのを防止する。【００４０】
なお、キャパシタＤＣｕ４は、ダイオードＤＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとる。【００４１】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。また、ＧＳＭ８５０／９００とＧＳＭ１８００／１９００とについて、それぞれの第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れるインダクタとして単一の共用インダクタＬｔ３を設けたので、部品点数が削減でき、小型化が図れる。しかも上記インダクタＬｔ３はダイプレクサ２０２のハイパスフィルタの一部も兼ねているので、その分さらに部品点数が削減でき、小型化が図れる。【００４２】
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態に係る複合高周波部品について図３を参照して説明する。
この複合高周波部品２１０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２の入出力部側に設けたが、図３に示す例では、共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２１２のアンテナ接続部側に設けている。【００４３】
制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。【００４４】
制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＬｔ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。【００４５】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。【００４６】
またこのように、インダクタＬｔ３をダイプレクサ２１２のアンテナ接続部側に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等による比較的低周波のノイズが印加されても、そのノイズはインダクタＬｔ３を介して直ちにグランドにシャントされるので、ダイプレクサの低域側（ＧＳＭ８５０／９００）へ伝搬しようとする上記低周波ノイズが抑制されて、ＥＳＤ特性が改善される。【００４７】
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態に係る複合高周波部品について図４を参照して説明する。
この複合高周波部品２２０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２に設けたが、図４に示す例では、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ８５０／９００の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けている。【００４８】
制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。【００４９】
ダイプレクサ２２２はその２つの入出力部間で直流通電可能であるので、制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＬｔ２→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ２→Ｌｔ１→ＧＳＬ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。【００５０】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。【００５１】
またこのように、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ８５０／９００の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けたことにより、この共用インダクタＬｔ３を設けない方の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の送信信号伝送路）のロス特性が良好となる。【００５２】
《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態に係る複合高周波部品について図５を参照して説明する。
この複合高周波部品２３０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２に設けたが、図５に示す例では、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ１８００／１９００の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けている。【００５３】
ダイプレクサ２３２はその２つの入出力部間で直流通電可能であるので、制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＬｔ２→ストリップラインＤＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ２→ＤＳＬ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。【００５４】
制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＤＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。【００５５】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。【００５６】
またこのように、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ１８００／１９００の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けたことにより、この共用インダクタＬｔ３を設けない方の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号伝送路）のロス特性が良好となる。【００５７】
《第５の実施形態》
次に、第５の実施形態に係る複合高周波部品について図６を参照して説明する。
この複合高周波部品２４０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは、共用インダクタＬｔ３に対してキャパシタＣｕ２を並列に接続して、このキャパシタＣｕ２とインダクタＬｔ３とによって並列共振回路を構成した点である。この並列共振回路の共振周波数は、キャパシタＣｔ２、ストリップラインＬｔ２、インダクタＬｔ３およびキャパシタＣｕ２によるハイパスフィルタの通過帯域の周波数に定めている。その他の構成は図２に示したものと同様である。【００５８】
このように、共用インダクタＬｔ３に並列にキャパシタＣｕ２を接続して、ハイパスフィルタの通過帯域で並列共振させることによって、ハイパスフィルタの通過域から遮断域への減衰特性が急峻となって高域側信号（ＧＳＭ１８００／１９００）のダイプレクサでのロスが改善される。【００５９】
なお、図６に示した例では、共用インダクタＬｔ３をダイプレクサの入出力部側に設けたが、図３に示したようにアンテナ接続部側に設け、その共用インダクタＬｔ３にキャパシタＣｕ２を並列接続するようにしてもよい。その場合にも同様の効果を奏する。【００６０】
《第６の実施形態》
次に、第６の実施形態に係る複合高周波部品について図７を参照して説明する。
第１〜第５の実施形態では、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号入力端子、受信信号出力端子、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、図７に示す複合高周波部品２８０はＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図２に示した回路と異なるのは、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号をＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２８７を設けている点である。【００６１】
受信信号用高周波スイッチ２８７は、ＧＳＭ１９００の受信信号伝送路にシリーズに第１のダイオードＰＤ１を設け、ＧＳＭ１８００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＰＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＰＤ１，ＰＤ２が共にオンして、ＶｃＤＲ→抵抗ＰＲ→インダクタＰＳＬ１→ダイオードＰＤ１→ストリップラインＰＳＬ２→インダクタＰＬの経路で直流電流が流れ、且つＶｃＤＲ→ＰＲ→ダイオードＰＤ２→ＰＬの経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ２８４から出力されるＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を、受信信号用高周波スイッチ２８７により低電圧でＧＳＭ１９００の受信信号とＧＳＭ１８００の受信信号とに切り替える。【００６２】
なお、送受切替スイッチ２８４と受信信号用高周波スイッチ２８７との間には直流電流遮断用のキャパシタＤＣ６を設けている。その他の構成および作用は図２に示したものと同様である。【００６３】
《第７の実施形態》
次に、第７の実施形態に係る複合高周波部品について図８を参照して説明する。
第６の実施形態では、ＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものであったが、この図８に示す例ではさらに、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号をＧＳＭ８５０とＧＳＭ９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２９８を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサを構成している。【００６４】
受信信号用高周波スイッチ２９８は、ＧＳＭ８５０の受信信号伝送路にシリーズに第１のダイオードＡＤ１を設け、ＧＳＭ９００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＡＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＧＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＡＤ１，ＡＤ２が共にオンして、ＶｃＧＲ→抵抗ＡＲ→インダクタＡＳＬ１→ダイオードＡＤ１→ストリップラインＡＳＬ２→インダクタＡＬの経路で直流電流が流れ、且つＶｃＧＲ→ＡＲ→ダイオードＡＤ２→ＡＬの経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ２９３から出力されるＧＳＭ８５０／９００の受信信号を、受信信号用高周波スイッチ２９８により低電圧でＧＳＭ８５０の受信信号とＧＳＭ９００の受信信号とに切り替える。【００６５】
なお、送受切替スイッチ２９３と受信信号用高周波スイッチ２９８との間には直流電流遮断用のキャパシタＧＣ６を設けている。その他の構成および作用は図２および図７に示したものと同様である。【００６６】
《第８の実施形態》
次に、第８の実施形態に係る複合高周波部品について説明する。
図２〜図８では複合高周波部品の回路図のみ示したが、これらの複合高周波回路部品は多層セラミック基板に構成することができる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートにキャパシタやインダクタ、ストリップライン等を構成する各種電極パターンを形成し、それらを積層してマザーボードを形成し、それを個別の部品に分断した後、一体焼成する。【００６７】
また、多層セラミック基板内に設けないチップインダクタやチップコンデンサ等を用いる場合にはそれらを多層セラミック基板の上面に搭載する。例えば図２〜図８において、複合高周波部品２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２８０，２９０で囲んだ範囲外の部品（キャパシタ）は個別のチップインダクタを多層セラミック基板の上面に搭載する。
【図１】
2008139819.tif 000003
【図２】
2008139819.tif 000004
【図３】
2008139819.tif 000005
【図４】
2008139819.tif 000006
【図５】
2008139819.tif 000007
【図６】
2008139819.tif 000008
【図７】
2008139819.tif 000009
【図８】
2008139819.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯が異なる少なくとも２つの通信系の送受信信号を入出力する２つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の２つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第１・第２の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記２つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第１・第２の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有し、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設け、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第１・第２の高周波スイッチに共用してなる複合高周波部品。
【請求項２】
前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えた請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】
前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】
前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項５】
前記共用インダクタに対して並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるようにした請求項３または４に記載の複合高周波部品。
【請求項６】
前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第１または第２の信号伝送路の途中に配置した請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項７】
前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続した請求項１〜６のうちいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の複合高周波部品の回路を単一の多層セラミック基板に構成してなる複合高周波部品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数帯が異なる少なくとも２つの通信系の送受信信号を入出力する２つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の２つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第１・第２の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記２つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第１・第２の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有し、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設け、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第１・第２の高周波スイッチに共用してなる複合高周波部品。
【請求項２】
前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えた請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項３】
前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項４】
前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けた請求項２に記載の複合高周波部品。
【請求項５】
前記共用インダクタに対して並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるようにした請求項３または４に記載の複合高周波部品。
【請求項６】
前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第２の信号伝送路の途中に配置した請求項１に記載の複合高周波部品。
【請求項７】
前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続した請求項１〜６のうちいずれかに記載の複合高周波部品。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の複合高周波部品の回路を単一の多層セラミック基板に構成してなる複合高周波部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は高周波スイッチを備えた複合高周波部品に関し、特に、低い制御電圧で送受信信号の切替えを行う複合高周波部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、それぞれの周波数帯が異なる複数の通信系の送受信信号をアンテナで送受信するとともに、送受信信号を送信信号と受信信号に切り替える高周波スイッチを備えた複合高周波部品が知られている。（例えば特許文献１参照。）
上記高周波スイッチには、送信信号をアンテナへ出力し、アンテナからの受信信号を受信部へ入力するための複数のダイオードが含まれている。
【０００３】
ここで特許文献１に示されている複合高周波部品の構成について図１を基に説明する。
【０００４】
この複合高周波部品は、１８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
【０００５】
図１においてダイプレクサ（合分波器）１０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ１０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ１０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。フィルタ１０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ１０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号の基本波を通過させるとともに高調波を減衰させる。
【０００６】
送受切替スイッチ１０３において、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＧＤ１およびインダクタＧＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ８５０／９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＧＳＬ２、ダイオードＧＤ２およびキャパシタＧＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＧＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＧから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＧＤ１，ＧＤ２を直列関係に接続している。
【０００７】
送受切替スイッチ１０４についても同様に、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を伝送する伝送路にダイオードＤＤ１およびインダクタＤＰＳＬ１を設けるとともに、この送信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ１をシリーズに設けている。またＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を伝送する伝送路にはストリップラインＤＳＬ２、ダイオードＤＤ２およびキャパシタＤＣ５を設けるとともに、この受信信号の伝送路に対してダイオードＤＤ２をシャントに設けている。そして、送受切替制御信号の端子ＶｃＤから正電圧が印加されたとき、上記２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２に対して直流電流が流れるように、この２つのダイオードＤＤ１，ＤＤ２を直列関係に接続している。
【特許文献１】特開２０００−１６５２７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記複合高周波部品は携帯電話端末等の移動体通信システムにおける通信装置に用いられるが、近年の低消費電力化の要請に伴って駆動電圧もますます低下されつつある。ところが図１に示したような従来の送受切替スイッチ（高周波スイッチ）の制御信号の電圧を低下させていくと前記２つのダイオード（例えば図１に示したＧＳＭ８５０／９００の送受切替スイッチ１０３におけるダイオードＧＤ１，ＧＤ２）のアノード・カソード間に印加される電圧がダイオードのＰＮ接合電位に近くなる。そのような条件ではダイオードが完全な導通状態にはならず、オン抵抗が増したり、伝送／遮断すべき伝送信号の電圧に応じてダイオードの両端電圧が変動したりするといった現象が生じる。そのため、回路特性としては挿入損失（ＩＬ）が劣化するとともに、高調波歪みが増大するという問題が生じる。したがって制御電圧の低電圧化には限界があった。
【０００９】
そこで、この発明の目的は、従来の高周波スイッチに比べて低い制御電圧で信号経路を切り替えられるようにして挿入損失特性や高調波歪み特性の劣化を抑えるとともに、部品点数を削減した複合高周波部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するためにこの発明の複合高周波部品は次のように構成する。
（１）  周波数帯が異なる少なくとも２つの通信系の送受信信号を入出力する２つの入出力部およびアンテナ接続部を備えて、前記複数の通信系の送受信信号を合波・分波する、合分波器（ダイプレクサ）と、前記複数の通信系の送受信信号の入出力部と前記合分波器の２つの入出力部との間に、送信信号と受信信号を切り替える第１・第２の高周波スイッチをそれぞれ接続した複合高周波部品において、
前記合分波器は、当該合分波器の前記２つの入出力部間を直流通電可能に構成し、
前記第１・第２の高周波スイッチはそれぞれ、共用信号入出力部と第１の信号入出力部との間に第１の信号伝送路を有し、前記共用信号入出力部と第２の信号入出力部との間に第２の信号伝送路を有し、第１のダイオードを含む、直流電流が流れる第１の電流経路と、第２のダイオードを含む、直流電流が流れる第２の電流経路とを備え、前記第１の信号伝送路に第１のダイオードをシリーズに設け、前記第２の信号伝送路に第２のダイオードをシャントに設け、前記第１・第２の電流経路同士を前記直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、当該並列接続の一方の接続点を制御電圧入力部とし、前記並列接続の他方の接続点と接地との間に、前記第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタを備えるとともに、当該共用インダクタを第１・第２の高周波スイッチに共用する。
【００１１】
（２）前記合分波器は、前記送受信信号の伝送路に対して前記共用インダクタをシャントに接続しキャパシタをシリーズに接続してなるハイパスフィルタを備えたものとする。
【００１２】
（３）前記共用インダクタは、前記合分波器の入出力部側（前記高周波スイッチの共通信号入出力部側）に設ける。
【００１３】
（４）前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設ける。
【００１４】
（５）前記共用インダクタには、並列にキャパシタを接続して前記ハイパスフィルタの通過帯域の周波数で並列共振させるように構成する。
【００１５】
（６）前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第２の信号伝送路の途中に配置する。
【００１６】
（７）前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共通信号入出力部を接続して、合計３つ以上の高周波スイッチを備えたものとする。
【００１７】
（８）単一の多層セラミック基板に前記複合高周波部品の回路を構成する。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、次のような効果を奏する。
（１）第１・第２の電流経路同士を、それぞれに流れる直流電流の通電方向を一致させて並列接続し、その並列接続の一方の接続点と接地との間にインダクタを設け、並列接続の他方の接続点に制御電圧を入力するように構成したことにより、第１・第２のダイオードにそれぞれ制御電圧が印加されることになり、低い制御電圧でオン・オフ制御が可能となる。すなわち、従来のように２つのダイオードを直列関係にして制御電圧を印加するようにした場合に比べてそれぞれのダイオードに印加される電圧が増加する。したがって、挿入損失および高調波歪みが劣化することなく制御電圧の低電圧化が図れる。
【００１９】
また、第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れる共用インダクタとして１つのインダクタのみを設ければよいので、部品点数が削減でき、小型化が図れる。
【００２０】
（２）前記合分波器のハイパスフィルタのインダクタを前記共用インダクタとして用いることにより、ハイパスフィルタの構成部品としても兼用することになり、部品点数が削減でき、さらに小型化が図れる。また、ハイパスフィルタの減衰特性が向上し、直流および低周波信号を減衰できるのでＥＳＤ（静電気放電）特性が改善される。
【００２１】
（３）前記共用インダクタを、前記合分波器の入出力部側に設けることによって、合分波器の低域側を伝搬する低域側信号のロスが増大することがない。
【００２２】
（４）前記共用インダクタを前記合分波器のアンテナ接続部側に設けることによって、合分波器の低域側へ伝搬しようとする低周波信号が共用インダクタで減衰されるので、ＥＳＤ特性が改善される。
【００２３】
（５）前記共用インダクタに並列にキャパシタを接続して、ハイパスフィルタの通過帯域で並列共振させることによって、高域側信号のロスが改善される。
【００２４】
（６）前記共用インダクタを前記第１または第２の高周波スイッチの第１または第２の信号伝送路の途中に配置することによって、この共用インダクタを設けない方の信号伝送路のロス特性が良好となる。
【００２５】
（７）前記第１または第２の高周波スイッチの前記第１または第２の信号入出力部にさらに別の高周波スイッチの共用信号入出力部を接続して、合計３つ以上の高周波スイッチを備えることによって、トリプルバンドやさらにマルチバンドの通信システムに適用可能となる。
【００２６】
（８）単一の多層セラミック基板に前記複合高周波部品の回路を構成することによって、１チップ化でき、部品間の配線による損失を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係る複合高周波部品について図２を参照して説明する。
図２に示す複合高周波部品２００は、１８００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１８００（ＤＣＳ）、１９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ１９００（ＰＣＳ）、８５０ＭＨｚ帯のＧＳＭ８５０、および９００ＭＨｚ帯のＧＳＭ９００（ＥＧＳＭ）に適応するものである。
【００２８】
図２において、この発明の合分波器に相当するダイプレクサ２０２は、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送受信信号と、ＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送受信信号を合波・分波する。送受切替スイッチ２０３はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号と受信信号を切り替える。同様に送受切替スイッチ２０４はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号と受信信号を切り替える。このダイプレクサ２０２はアンテナ端子ＡＮＴに接続されるアンテナ接続部を備え、その２つの入出力部間が直流通電可能に構成している。
【００２９】
フィルタ２０５はＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００系の送信信号を通過させるとともに高調波を減衰させる。同様にフィルタ２０６はＧＳＭ１８００／ＧＳＭ１９００系の送信信号を通過させるとともに、高調波を減衰させる。
【００３０】
ダイプレクサ２０２において、キャパシタＣｔ１、Ｃｕ１およびストリップラインＬｔ１によってＧＳＭ８５０／９００の信号を通過させるローパスフィルタを構成し、キャパシタＣｔ２、インダクタＬｔ３およびストリップラインＬｔ２によってＧＳＭ１８００／１９００の信号を通過させるハイパスフィルタを構成している。このインダクタＬｔ３がこの発明に係る共用インダクタに相当する。
【００３１】
フィルタ２０５は、キャパシタＧＣｃ１，ＧＣｕ１，ＧＣｕ２およびストリップラインＧＬｔ１によってＧＳＭ８５０／９００の送信信号を通過させるローパスフィルタを構成している。
【００３２】
フィルタ２０６は、キャパシタＤＣｃ１，ＤＣｃ２，ＤＣｕ１，ＤＣｕ２，ＤＣｕ３、ストリップラインＤＬｔ１，ＤＬｔ２によってＧＳＭ１８００／１９００の送信信号を通過させるローパスフィルタを構成している。
【００３３】
ＧＳＭ８５０／９００用の送受切替スイッチ２０３は、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号伝送路（第１の信号伝送路）に第１のダイオードＧＤ１をシリーズに設け、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号の伝送路（第２の信号伝送路）に第２のダイオードＧＤ２およびコンデンサＧＣ５をシャントに設けている。また、制御端子ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→第１のダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＬｔ２→インダクタＬｔ３の経路で直流電流が流れる第１の電流経路ＧＣＲ１を構成し、ＶｃＧ→ＧＲ→第２のダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ２→Ｌｔ３の経路で直流電流が流れる第２の電流経路ＧＣＲ２を構成し、第１のダイオードＧＤ１と第２のダイオードＧＤ２を含む上記第１・第２の電流経路ＧＣＲ１，ＧＣＲ２が並列接続される関係としている。
【００３４】
なお、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路に設けたキャパシタＧＣｕ３はダイオードＧＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとる。
【００３５】
ＧＳＭ１８００／１９００側の送受切替スイッチ２０４の構成もＧＳＭ８５０／９００側の送受切替スイッチ２０３の構成と基本的に同様であり、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号伝送路（第１の信号伝送路）に対してシリーズに第１のダイオードＤＤ１を設け、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路（第２の信号伝送路）に対してシャントに第２のダイオードＤＤ２を設けている。
【００３６】
また、制御端子ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→第１のダイオードＤＤ１→インダクタＬｔ３の経路で直流電流が流れる第１の電流経路ＤＣＲ１を構成し、ＶｃＤ→ＤＲ→第２のダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ３の経路で直流電流が流れる第２の電流経路ＤＣＲ２を構成し、第１のダイオードＤＤ１と第２のダイオードＤＤ２を含む上記第１・第２の電流経路ＤＣＲ１，ＤＣＲ２が並列接続される関係としている。
【００３７】
上記第１のダイオードＤＤ１にはストリップラインＤＰＳＬｔとキャパシタＤＰＣｔ１との直列回路を並列接続している。ＤＰＳＬｔは、ダイオードＤＤ１のオフ時に、ダイオードＤＤ１の容量とＤＰＳＬｔとの並列共振によりアイソレーションを確保する。また、コンデンサＤＰＣｔ１は、直流電流が、ダイオードＤＤ１を介さずに流れるのを防止する。
【００３８】
なお、キャパシタＤＣｕ４は、ダイオードＤＤ２のオフ時に、受信信号伝送路のインピーダンス整合をとる。
【００３９】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。また、ＧＳＭ８５０／９００とＧＳＭ１８００／１９００とについて、それぞれの第１・第２の電流経路を流れる直流電流が共通に流れるインダクタとして単一の共用インダクタＬｔ３を設けたので、部品点数が削減でき、小型化が図れる。しかも上記インダクタＬｔ３はダイプレクサ２０２のハイパスフィルタの一部も兼ねているので、その分さらに部品点数が削減でき、小型化が図れる。
【００４０】
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態に係る複合高周波部品について図３を参照して説明する。
この複合高周波部品２１０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２の入出力部側に設けたが、図３に示す例では、共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２１２のアンテナ接続部側に設けている。
【００４１】
制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００４２】
制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＬｔ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００４３】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。
【００４４】
またこのように、インダクタＬｔ３をダイプレクサ２１２のアンテナ接続部側に設けたことにより、アンテナ端子側から静電気等による比較的低周波のノイズが印加されても、そのノイズはインダクタＬｔ３を介して直ちにグランドにシャントされるので、ダイプレクサの低域側（ＧＳＭ８５０／９００）へ伝搬しようとする上記低周波ノイズが抑制されて、ＥＳＤ特性が改善される。
【００４５】
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態に係る複合高周波部品について図４を参照して説明する。
この複合高周波部品２２０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２に設けたが、図４に示す例では、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ８５０／９００の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けている。
【００４６】
制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００４７】
ダイプレクサ２２２はその２つの入出力部間で直流通電可能であるので、制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＬｔ２→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＧＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→ストリップラインＤＳＬ２→Ｌｔ２→Ｌｔ１→ＧＳＬ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００４８】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。
【００４９】
またこのように、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ８５０／９００の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けたことにより、この共用インダクタＬｔ３を設けない方の信号伝送路（ＧＳＭ８５０／９００の送信信号伝送路）のロス特性が良好となる。
【００５０】
《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態に係る複合高周波部品について図５を参照して説明する。
この複合高周波部品２３０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは共用インダクタＬｔ３の接続位置である。図２に示した例では共用インダクタＬｔ３をダイプレクサ２０２に設けたが、図５に示す例では、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ１８００／１９００の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けている。
【００５１】
ダイプレクサ２３２はその２つの入出力部間で直流通電可能であるので、制御端子ＶｃＧに正電圧を印加した時、ＶｃＧ→抵抗ＧＲ→インダクタＧＳＬ１→ダイオードＧＤ１→ストリップラインＬｔ１→ストリップラインＬｔ２→ストリップラインＤＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＧＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＧ→ＧＲ→ダイオードＧＤ２→ストリップラインＧＳＬ２→Ｌｔ１→Ｌｔ２→ＤＳＬ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＧＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００５２】
制御端子ＶｃＤに正電圧を印加した時、ＶｃＤ→抵抗ＤＲ→インダクタＤＰＳＬ１→ダイオードＤＤ１→ストリップラインＤＳＬ２→インダクタＬｔ３の経路（第１の電流経路ＤＣＲ１）で直流電流が流れる。また、ＶｃＤ→ＤＲ→ダイオードＤＤ２→Ｌｔ３の経路（第２の電流経路ＤＣＲ２）で直流電流が流れる。
【００５３】
このようにしてＧＳＭ８５０／９００側の送受の切替、ＧＳＭ１８００／１９００側の送受の切替のいずれも低電圧で制御可能となる。
【００５４】
またこのように、共用インダクタＬｔ３をＧＳＭ１８００／１９００の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号伝送路）の途中にシャントに設けたことにより、この共用インダクタＬｔ３を設けない方の信号伝送路（ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号伝送路）のロス特性が良好となる。
【００５５】
《第５の実施形態》
次に、第５の実施形態に係る複合高周波部品について図６を参照して説明する。
この複合高周波部品２４０が図２に示した複合高周波部品と異なるのは、共用インダクタＬｔ３に対してキャパシタＣｕ２を並列に接続して、このキャパシタＣｕ２とインダクタＬｔ３とによって並列共振回路を構成した点である。この並列共振回路の共振周波数は、キャパシタＣｔ２、ストリップラインＬｔ２、インダクタＬｔ３およびキャパシタＣｕ２によるハイパスフィルタの通過帯域の周波数に定めている。その他の構成は図２に示したものと同様である。
【００５６】
このように、共用インダクタＬｔ３に並列にキャパシタＣｕ２を接続して、ハイパスフィルタの通過帯域で並列共振させることによって、ハイパスフィルタの通過域から遮断域への減衰特性が急峻となって高域側信号（ＧＳＭ１８００／１９００）のダイプレクサでのロスが改善される。
【００５７】
なお、図６に示した例では、共用インダクタＬｔ３をダイプレクサの入出力部側に設けたが、図３に示したようにアンテナ接続部側に設け、その共用インダクタＬｔ３にキャパシタＣｕ２を並列接続するようにしてもよい。その場合にも同様の効果を奏する。
【００５８】
《第６の実施形態》
次に、第６の実施形態に係る複合高周波部品について図７を参照して説明する。
第１〜第５の実施形態では、ＧＳＭ８５０／９００の送信信号入力端子、受信信号出力端子、ＧＳＭ１８００／１９００の送信信号入力端子および受信信号出力端子を備えるデュアルバンドのスイッチプレクサを示したが、図７に示す複合高周波部品２８０はＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものである。図２に示した回路と異なるのは、ＧＳＭ１８００／１９００の受信信号をＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２８７を設けている点である。
【００５９】
受信信号用高周波スイッチ２８７は、ＧＳＭ１９００の受信信号伝送路にシリーズに第１のダイオードＰＤ１を設け、ＧＳＭ１８００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＰＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＤＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＰＤ１，ＰＤ２が共にオンして、ＶｃＤＲ→抵抗ＰＲ→インダクタＰＳＬ１→ダイオードＰＤ１→ストリップラインＰＳＬ２→インダクタＰＬの経路で直流電流が流れ、且つＶｃＤＲ→ＰＲ→ダイオードＰＤ２→ＰＬの経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ２８４から出力されるＧＳＭ１８００／１９００の受信信号を、受信信号用高周波スイッチ２８７により低電圧でＧＳＭ１９００の受信信号とＧＳＭ１８００の受信信号とに切り替える。
【００６０】
なお、送受切替スイッチ２８４と受信信号用高周波スイッチ２８７との間には直流電流遮断用のキャパシタＤＣ６を設けている。その他の構成および作用は図２に示したものと同様である。
【００６１】
《第７の実施形態》
次に、第７の実施形態に係る複合高周波部品について図８を参照して説明する。
第６の実施形態では、ＧＳＭ１８００とＧＳＭ１９００の受信信号出力端子を分離したトリプルバンドのスイッチプレクサとして用いるものであったが、この図８に示す例ではさらに、ＧＳＭ８５０／９００の受信信号をＧＳＭ８５０とＧＳＭ９００の受信信号に切り替える受信信号用高周波スイッチ２９８を設けてクワッドバンドのスイッチプレクサを構成している。
【００６２】
受信信号用高周波スイッチ２９８は、ＧＳＭ８５０の受信信号伝送路にシリーズに第１のダイオードＡＤ１を設け、ＧＳＭ９００の受信信号伝送路に対してシャントに第２のダイオードＡＤ２を設けている。また、制御端子ＶｃＧＲに所定の正電圧が印加された時、ダイオードＡＤ１，ＡＤ２が共にオンして、ＶｃＧＲ→抵抗ＡＲ→インダクタＡＳＬ１→ダイオードＡＤ１→ストリップラインＡＳＬ２→インダクタＡＬの経路で直流電流が流れ、且つＶｃＧＲ→ＡＲ→ダイオードＡＤ２→ＡＬの経路で直流電流が流れるように構成している。このようにして送受切替スイッチ２９３から出力されるＧＳＭ８５０／９００の受信信号を、受信信号用高周波スイッチ２９８により低電圧でＧＳＭ８５０の受信信号とＧＳＭ９００の受信信号とに切り替える。
【００６３】
なお、送受切替スイッチ２９３と受信信号用高周波スイッチ２９８との間には直流電流遮断用のキャパシタＧＣ６を設けている。その他の構成および作用は図２および図７に示したものと同様である。
【００６４】
《第８の実施形態》
次に、第８の実施形態に係る複合高周波部品について説明する。
図２〜図８では複合高周波部品の回路図のみ示したが、これらの複合高周波回路部品は多層セラミック基板に構成することができる。具体的には、複数のセラミックグリーンシートにキャパシタやインダクタ、ストリップライン等を構成する各種電極パターンを形成し、それらを積層してマザーボードを形成し、それを個別の部品に分断した後、一体焼成する。
【００６５】
また、多層セラミック基板内に設けないチップインダクタやチップコンデンサ等を用いる場合にはそれらを多層セラミック基板の上面に搭載する。例えば図２〜図８において、複合高周波部品２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２８０，２９０で囲んだ範囲外の部品（キャパシタ）は個別のチップインダクタを多層セラミック基板の上面に搭載する。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】従来の複合高周波部品の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図３】第２の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図４】第３の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図５】第４の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図６】第５の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図７】第６の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【図８】第７の実施形態に係る複合高周波部品の回路図である。
【符号の説明】
【００６７】
１００，２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２８０，２９０−複合高周波部品
１０２，２０２，２１２，２２２，２３２，２４２，２８２，２９２−ダイプレクサ
１０３，２０３，２１３，２２３，２３３，２４３，２８３，２９３−送受切替スイッチ
１０４，２０４，２１４，２２４，２３４，２４４，２８４，２９４−送受切替スイッチ
１０５，２０５，２１５，２２５，２３５，２４５，２８５，２９５−フィルタ
１０６，２０６，２１６，２２６，２３６，２４６，２８６，２９６−フィルタ
２８７，２９７，２９８−受信信号用高周波スイッチ
ＤＣＲ１−第１の電流経路
ＤＣＲ２−第２の電流経路
ＧＣＲ１−第１の電流経路
ＧＣＲ２−第２の電流経路
ＶｃＧ，ＶｃＤ−制御端子
【国際調査報告】
2008139819.tif 000011
2008139819.tif 000012
2008139819.tif 000013
2008139819.tif 000014