(57)【要約】  基材上に形成された、アモルファスシリコン膜を有する薄膜トランジスタを備えてなるアクティブマトリックス基板であって、アモルファスシリコン表面がシリル化されており、かつシリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に有機保護膜を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板；及び、基材上に形成された薄膜トランジスタのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化剤と接触させて、該表面をシリル化する工程、シリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に感放射線性樹脂組成物により樹脂膜を形成する工程、及び得られた樹脂膜に活性放射線を照射して樹脂膜中に潜像パターンを形成し、次いで現像液を接触させることにより潜像パターンを顕在化させて、樹脂膜をパターン化する工程、を有することを特徴とする前記アクティブマトリックス基板の製造方法。
2008026750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリックス基板の製造方法であって、
（ａ）基材上に形成された薄膜トランジスタのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化剤と接触させて、該表面をシリル化する工程、
（ｂ）シリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に感放射線性樹脂組成物により樹脂膜を形成する工程、及び
（ｃ）得られた樹脂膜に活性放射線を照射して樹脂膜中に潜像パターンを形成し、次いで現像液を接触させることにより潜像パターンを顕在化させて、樹脂膜をパターン化する工程、を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。
【請求項２】
基材上に形成された、アモルファスシリコン膜を有する薄膜トランジスタを備えてなるアクティブマトリックス基板であって、アモルファスシリコン膜の表面がシリル化されており、かつシリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に有機保護膜を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【請求項３】
シリル化が、トリメチルシリル化である請求の範囲２記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項４】
有機保護膜が、架橋された、極性基を有する脂環式オレフィンポリマーからなる膜である請求の範囲２又は３記載のアクティブマトリックス基板。
【請求項５】
シリル化剤が、ヘキサメチルジシラザンである請求の範囲１記載のアクティブマトリックス基板の製造方法。
【請求項６】
感放射線性樹脂組成物が、極性基を有する脂環式オレフィンポリマー、架橋剤、感放射線化合物、及び溶剤を含有してなるものである請求の範囲１又は５記載のアクティブマトリックス基板の製造方法。
【請求項７】
請求の範囲２〜４のいずれかに記載のアクティブマトリックス基板を備えてなることを特徴とする平面表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリックス基板及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、簡単な工程により製造することができ、しかも高い信頼性を有するアクティブマトリックス基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリックス基板とは、基板上、互いに直交して配置される複数本のゲート信号線とソース信号線との交点の近傍に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して画素電極が配置されたものである。かかる基板は、アクティブマトリックス型平面表示装置に使用されている。アクティブマトリックス型平面表示装置では、各表示画素がＴＦＴ（スイッチング素子）により個別に制御されるので、パッシブマトリックス型平面表示装置に比べてクロストークが生じにくく、高精細化、大容量化に適している。
Ｆｉｇ．７は、従来のアクティブマトリックス基板上の回路の一例の説明図である。基板上に直交して配置されたゲート信号線１２とソース信号線１３の交点の近傍にスイッチング素子としてのＴＦＴ１４が配置されている。ゲート電極１５に印加される電圧に応じて、ソース電極１６からドレイン電極１７に流れる電流量が変化し、当該変化がコンタクトホールを経由して画素電極１８に伝達されることになる。
従来のアクティブマトリックス基板は、ＴＦＴが形成されたアレイ基板の表面に、スパッタ法、蒸着法、又はＣＶＤ法によりシリコン窒化物などからなるパッシベーション膜が形成され、層間絶縁膜により表面が平坦化され、層間絶縁膜上に、コンタクトホールにおいてＴＦＴのドレイン電極と接続された画素電極が設けられた構成を有するものが多い。
例えば、特許文献１には、ＳｉＮＸ又はＳｉＯ２からなる保護層（パッシベーション膜）と、ベンゾシクロブテンからなる平坦化層（層間絶縁膜）とを有するアクティブマトリックス基板が開示されている。かかるアクティブマトリックス基板の製造過程においては、前記パッシベーション膜の形成を真空中で行う必要があり、設備費が高額で、操作が煩雑であるという欠点がある。
一方、特許文献２には、画素電極と配線との間に、ソース電極、ソース配線、ドレイン電極及びバックチャネルを直接覆うシロキサン樹脂からなる第１の有機層間絶縁膜と、アクリル系樹脂からなる第２の有機層間絶縁膜とが形成され、ＴＦＴのチャネル部に直接下層の有機層間絶縁膜が接するアクティブマトリックス基板が開示されている。かかるアクティブマトリックス基板の製造過程においては有機層間絶縁膜を形成する工程が２工程あり、さらなる製造工程の簡略化が望まれる。
【特許文献１】特開平１０−９６９６３号公報
【特許文献２】特開平１１−３０７７７８号公報
【発明の開示】
【０００３】
本発明は、簡単な工程により製造することができ、しかも高い信頼性を有するアクティブマトリックス基板及びその製造方法を提供することを目的としてなされたものである。
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、基材上に形成されたＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化した後、その上に有機保護膜を形成してなるアクティブマトリックス基板は、リーク電流が小さく、また、ゲート電極の電圧の増加に対してソース電極／ドレイン電極間の電流が直線的に立ち上がり、しかも高温多湿の環境下に長時間放置しても、かかる特性や電流を流すのに必要な閾値電圧がほとんど変化しないことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１）アクティブマトリックス基板の製造方法であって、
（ａ）基材上に形成された薄膜トランジスタのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化剤と接触させて、該表面をシリル化する工程、
（ｂ）シリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に感放射線性樹脂組成物により樹脂膜を形成する工程、及び
（ｃ）得られた樹脂膜に活性放射線を照射して樹脂膜中に潜像パターンを形成し、次いで現像液を接触させることにより潜像パターンを顕在化させて、樹脂膜をパターン化する工程、を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法、
（２）基材上に形成された、アモルファスシリコン膜を有する薄膜トランジスタを備えてなるアクティブマトリックス基板であって、アモルファスシリコン膜の表面がシリル化されており、かつシリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に有機保護膜を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板、
（３）シリル化が、トリメチルシリル化である前記（２）記載のアクティブマトリックス基板、
（４）有機保護膜が、架橋された、極性基を有する脂環式オレフィンポリマーからなる膜である前記（２）又は（３）記載のアクティブマトリックス基板、
（５）シリル化剤が、ヘキサメチルジシラザンである前記（１）記載のアクティブマトリックス基板の製造方法、
（６）感放射線性樹脂組成物が、極性基を有する脂環式オレフィンポリマー、架橋剤、感放射線化合物、及び溶剤を含有してなるものである前記（１）又は（５）記載のアクティブマトリックス基板の製造方法、
（７）前記（２）〜（４）のいずれかに記載のアクティブマトリックス基板を備えてなることを特徴とする平面表示装置、及び
を提供するものである。
また、本発明のアクティブマトリックス基板の製造方法によれば、高い信頼性を有するアクティブマトリックス基板を簡単な操作で効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
Ｆｉｇ．１（ａ）は本発明のアクティブマトリックス基板の一態様の、１画素単位の模式的平面図、Ｆｉｇ．１（ｂ）はＴＦＴ部を含む部分断面図、Ｆｉｇ．２は本発明のアクティブマトリックス基板を用いて作製され得るアクティブマトリックス型液晶表示装置の一態様の平面図、Ｆｉｇ．３はＦｉｇ．２のアクティブマトリックス型液晶表示装置のＸ−Ｙ断面Ｆｉｇ．（一部）、Ｆｉｇ．４は本発明の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の典型的な構成例を示す図、Ｆｉｇ．５はアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置に使用される、本発明のアクティブマトリックス基板上の回路の一例の説明図、Ｆｉｇ．６は実施例１のアクティブマトリックス基板についての、ゲート電極の電圧と、ソース電極／ドレイン電極間の電流の関係を示すグラフ、Ｆｉｇ．７は従来のアクティブマトリックス基板上の回路の一例の説明図である。図中、符号１は基材、２はゲート信号線、３はソース信号線、４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、５はゲート電極、６はソース電極、７はドレイン電極、８はシリル化部、９は有機保護膜、１０はコンタクトホール、１１は画素電極、１２はゲート信号線、１３はソース信号線、１４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１５はゲート電極、１６はソース電極、１７はドレイン電極、１８は画素電極、１９は半導体層、２０はゲート絶縁膜、１０１はアクティブマトリックス基板、１０２はカラーフィルタ基板、１０３はシール材、１０４は有機保護膜、１０５は電極パターン、１０８は入力端子、１１０は液晶層、１１１配向膜、２０１は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２０２は画素電極、２０３はゲート信号線、２０４はソース信号線、２０６は対向電極、２０７はカラーフィルタ層、２０８はブラックマトリックス、３０１はアクティブマトリックス基板、３０２は発光材料層、３０３は上部電極層（陰極）、３０４は封止膜、４０１は走査電極、４０２は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、４０３はデータ電極、４０４はコンデンサ、４０５は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、４０６は有機ＥＬ素子を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明のアクティブマトリックス基板は、基材上に形成されたＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面がシリル化され、その上に有機保護膜を有する。Ｆｉｇ．１（ａ）は本発明のアクティブマトリックス基板の一態様の、１画素単位の模式的平面図、Ｆｉｇ．１（ｂ）はＴＦＴ部を含む部分断面図である。本態様においては、基材１の表面に、ゲート信号線２とソース信号線３が直交して配置され、その交点の近傍にＴＦＴ４が配置されている。ＴＦＴ４は、ゲート電極５、ソース電極６、ドレイン電極７、半導体層１９及びゲート絶縁膜２０を有する。基材１の上に形成されたＴＦＴ４のアモルファスシリコン膜の表面がシリル化されると共に、シリル化部８が形成されている。本図においては、シリル化部が厚さをもって示されているが、シリル化部の厚さはたかだか−Ｏ−Ｓｉ−Ｃ−Ｈの原子間距離程度であり、シリル化層とは呼ぶことができない厚さである。シリル化部８の上には、有機高分子からなる有機保護膜９が設けられ、有機保護膜９のコンタクトホール１０を介して、ドレイン電極７と画素電極１１とが接続されている。なお、本態様ではＴＦＴが１画素単位当たり１つであるが、所望により２つ以上形成されていてもよい。
本発明のアクティブマトリックス基板の各構成要素、すなわち、基材、ゲート信号線、ソース信号線、ＴＦＴ、及び画素電極などは、例えば、前記特許文献１や２に記載されるような従来のアクティブマトリックス基板のものと同様であり、それらの公知文献に記載の材料を用いて形成される。
本発明のアクティブマトリックス基板では、シリル化は、少なくとも、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面において生じておればよい。ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面とは、ＴＦＴのチャネル部のアモルファスシリコン膜の表面をいう。該シリル化に利用するシリル基に特に制限はなく、例えば、ジメチルシリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、及びトリフェニルシリル基などを挙げることができる。これらの中で、トリメチルシリル基を好適に利用することができる（すなわち、トリメチルシリル化）。ここで、シリル化とは、基材等の表面に存在するプロトンがシリル基によって置換されることをいう。ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面がシリル化されると、アモルファスシリコン膜の表面が疎水性となり、アモルファスシリコン膜の表面と有機保護膜の間への水分の侵入が防止され得、優れた耐湿熱注を有するアクティブマトリックス基板が得られるものと考えられる。
本発明のアクティブマトリックス基板において、有機保護膜は、通常、シリル化されたＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面に直接接するようにして、基材の全面に形成される。
本発明において、有機保護膜を形成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテンなどのポリオレフィン；脂環式オレフィンポリマー；アクリル樹脂；ポリイミド樹脂；ポリシロキサン樹脂；ポリエーテル；などを挙げることができる。これらの中で、脂環式オレフィンポリマーは、吸湿性が極めて小さく、誘電率の周波数依存性が小さいので好適に用いることができる。本発明において、有機保護膜の厚さは、通常、０．１〜１００μｍ、好ましくは０．５〜５０μｍ、より好ましくは０．５〜３０μｍである。
前記脂環式オレフィンポリマーとは、環状構造と炭素−炭素二重結合とを有する脂環式オレフィン単量体を重合してなり、該単量体単位を構造単位として有する重合体である。環状構造としては、例えば、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造が挙げられる。また、環状構造は、単環であっても、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環など）であってもよい。環状構造の一単位を構成する炭素原子数は、特に限定はないが、通常、４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個である。
脂環式オレフィンポリマーは、脂環式オレフィン単量体以外の単量体単位を構造単位として有していてもよい。脂環式オレフィンポリマー中、脂環式オレフィン単量体単位の割合は、所望により適宜選択されるが、通常、３０〜１００重量％、好ましくは５０〜１００重量％、より好ましくは７０〜１００重量％である。かかる場合、得られる有機保護膜の耐湿熱性が優れる。
前記脂環式オレフィンポリマーとしては極性基を有するものが好適である。かかる重合体中の極性基の存在割合は特に限定されるものではない。極性基は、脂環式オレフィンポリマーの構成単量体単位の総モル数中、有機保護膜の良好な耐湿熱性などを確保する観点から、通常、３０〜１００モル％、好ましくは５０〜１００モル％、より好ましくは７０〜１００モル％の構成単量体単位に存在するのがよい。各構成単量体単位に存在する極性基の種類又は数に特に限定はない。
前記極性基としては、例えば、カルボキシル基（ヒドロキシカルボニル基）、アルコキシカルボニル基、ジカルボン酸無水物基（カルボニルオキシカルボニル基）、水酸基（ヒドロキシル基）、ニトリル基、エポキシ基、オキセタニル基、及びイミド基からなる群より選択される１種以上の基（以下、これらをまとめて「特定極性基」という）が挙げられる。
例えば、特定極性基が水酸基である例としては、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシフェニルアルキル基などのフェノール性水酸基を含む置換基；ヒドロキシアルキル基、ヒドロキシアルコキシ基、ヒドロキシアルコキシカルボニル基などのアルコール性水酸基を含む置換基；が挙げられ、ヒドロキシメトキシ基及びヒドロキシエトキシ基などが好ましい。
特定極性基がイミド基である例としては、Ｎ−フェニルジカルボキシイミド基などが挙げられる。
脂環式オレフィンポリマーは前記特定極性基を１種類だけ有していてもよいし、２種類以上有していてもよいが、２種類以上有するのが好ましい。中でも、カルボキシル基とイミド基とを併有するのがより好ましい。
前記特定極性基を有する脂環式オレフィンポリマーとしては、例えば、以下の式（Ｉ）で表される繰り返し構造単位を有するものが挙げられる。
2008026750.tif 000003
〔式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子又は−Ｘｎ−Ｒ’（Ｘは、メチレン基、カルボニル基などの二価の基であり、ｎは０又は１であり、Ｒ’は置換基を有してもよい、メチル基、ベンジル基、カルボキシル基などの、炭素数１〜７のアルキル基、芳香族基、又は特定極性基である。）であり、Ｒ１〜Ｒ４のうち１つ以上は、Ｒ’が特定極性基である−Ｘｎ−Ｒ’であり、ｍは０〜２の整数である。〕
特定極性基を有する脂環式オレフィンポリマーは、特定極性基を有する脂環式オレフィン単量体を、又は特定極性基を有する脂環式オレフィン単量体と当該脂環式オレフィン単量体と重合可能なその他の単量体とを、公知の方法に従って重合し、所望により水素添加することにより得られる。特定極性基は脂環式オレフィン単量体の他、前記その他の単量体に存在していてもよい。また、その他の単量体に特定極性基が存在する場合、脂環式オレフィン単量体に特定極性基が存在していなくてもよい。
特極性性基を有する脂環式オレフィン単量体としては、例えば、５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチル−５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシメチル−５−ヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−メチル−８−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−カルボキシメチル−８−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エンなどの１つのカルボキシル基を有する脂環式オレフィン単量体；５−エキソ−６−エンド−ジヒドロキシカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−エキソ−９−エンド−ジヒドロキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン−８，９−ジカルボン酸無水物、ヘキサシクロ［６．６．１．１３，６．１１０，１３．０２，７．０９，１４］ヘプタデカ−４−エン−１１，１２−ジカルボン酸無水物などの２つのカルボキシル基を有する脂環式オレフィン単量体；５−（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−メチル−５−（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、５−カルボキシメチル−５−（４−ヒドロキシフェニル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、８−メチル−８−（４−ヒドロキシフェニル）テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−カルボキシメチル−８−（４−ヒドロキシフェニル）テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エンなどの１つのヒドロキシフェニル基を有する脂環式オレフィン単量体；Ｎ−（４−フェニル）−（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド）などのＮ−置換イミド基含有脂環式オレフィン単量体；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
上記脂環式オレフィン単量体と重合可能なその他の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、及び１−エイコセン等の炭素数２〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、及び１，７−オクタジエン等の非共役ジエン等、並びに特定極性基で置換されたこれらの単量体の置換体などが挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
本発明に用いる脂環式オレフィンポリマーは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜５００，０００であることがより好ましく、１０，０００〜２５０，０００であることがさらに好ましい。脂環式オレフィンポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００であると、耐湿熱性、接着性、表面平滑性などがバランスされた有機保護膜を形成することができる。脂環式オレフィンポリマーの分子量分布は、ＴＨＦを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定される重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）が、５以下であることが好ましく、４以下であることがより好ましく、３以下であることがさらに好ましい。
本発明における有機保護膜は、好ましくは脂環式オレフィンポリマー、より好ましくは極性基を有する脂環式オレフィンポリマーにより形成されるが、基材との密着性及び有機保護膜形成以降のプロセス適合性に優れることから、有機保護膜は、架橋された、極性基を有する脂環式オレフィンポリマーにより形成されるのがさらに好ましい。
本発明のアクティブマトリックス基板は、例えば、前記する特許文献１や２に記載される公知の方法に準じて製造することができるが、操作が容易で効率的であることから、以下の方法、すなわち、
（ａ）基材上に形成されたＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化剤と接触させて、該表面をシリル化する工程、
（ｂ）シリル化されたアモルファスシリコン膜の表面の上に感放射線性樹脂組成物により樹脂膜を形成する工程、及び
（ｃ）得られた樹脂膜に活性放射線を照射して樹脂膜中に潜像パターンを形成し、次いで現像液を接触させることにより潜像パターンを顕在化させて、樹脂膜をパターン化する工程、を有する方法が好適である。
本発明方法の工程（ａ）において、基材上に形成されたＴＦＴの表面をシリル化するために使用されるシリル化剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、Ｎ−トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、Ｎ−トリメチルシリルジメチルアミン、Ｎ−トリメチルシリルジエチルアミン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、Ｎ−トリメチルシリルイミダゾール、テトラメチルジシラザン、ｔ−ブチルジメチルクロロシラン、Ｎ−メチル−Ｎ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、ジクロロメチルテトラメチルジシラザン、クロロメチルジメチルクロロシラン、ブロモメチルジメチルクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）尿素、Ｎ−トリメチルシリル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル尿素、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）カーバメート、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）サルファメート、トリメチルシリルトリフルオロメタンスルホン酸などを挙げることができる。これらの中で、アモルファスシリコン膜の表面と有機保護膜との間への水分の浸入防止効果、及び両者の界面の密着性向上効果に優れることから、特にヘキサメチルジシラザンを好適に用いることができる。これらのシリル化剤は、それぞれ単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
本発明方法において、基材上に形成されたＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化剤と接触させて該表面をシリル化する方法に特に制限はない。例えば、ホットプレートを備えたシリル化処理室にＴＦＴが形成されたアレイ基板（基材上にＴＦＴを形成した後のもの）をホットプレートから離して搬入し、処理室内を減圧にしてシリル化剤の蒸気を導入し、ホットプレートを加熱してアレイ基板をホットプレートに近づけ、５０℃以下でシリル化剤の蒸気を均一に拡散させて、シリル化剤の蒸気の導入と排気を停止し、アレイ基板をホットプレートに接触させて８０〜９０℃の温度でシリル化反応を行ったのち、シリル化剤の蒸気を窒素により置換してシリル化反応を停止させる方法が挙げられる。シリル化は、アレイ基板とシリル化剤の蒸気との接触が行われている間に進行する。その場合、シリル化剤の濃度は、０．１ｖｏｌ％〜５ｖｏｌ％が好ましい。上記方法によれば、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面を含め、アレイ基板の全面がシリル化され得る。接触は、通常、１分間以上行えばよい。
また、上記方法の他、例えば、密閉した容器に常温、常圧でアレイ基板と少量のシリル化剤とを同封することにより、アレイ基板上のＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面をシリル化する方法が挙げられる。かかる方法によれば、実質的に、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面のみがシリル化され得る。
次いで、工程（ｂ）において、シリル化された、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面の上に感放射線性樹脂組成物により樹脂膜（有機保護膜）を形成する。
前記感放射線性樹脂組成物としては、特に限定されるものではないが、通常、極性基を有する脂環式オレフィンポリマー、架橋剤、感放射線化合物、及び溶剤を含有してなるものが好適に用いられる。
極性基を有する脂環式オレフィンポリマーの好ましい例としては、特定極性基を有する脂環式オレフィンポリマーが挙げられる。架橋剤としての好ましい例としては、エポキシ基を２つ以上、好ましくはエポキシ基を３つ以上有する、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ポリフェノール型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族グリシジルエーテル、エポキシアクリレート重合体等の多官能エポキシ化合物が挙げられる。感放射線化合物（紫外線や電子線などの放射線を吸収し、化学反応を引き起こすことができる化合物）の好ましい例としては、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸クロライド、１，２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド等のキノンジアジドスルホン酸ハライドと、１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン、４，４’−［１−［４−［１−［４−ヒドロキシフェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール等のフェノール性水酸基を有する化合物とのエステル化合物などの光酸発生剤が挙げられる。かかる組成物には、公知の感放射線性樹脂組成物に慣用されるその他の成分の他、無機微粒子として、例えば、コロイダルシリカが含まれていてもよい。また、溶剤としては、例えば、モノアルキレングリコール溶媒、ポリアルキレングリコール溶媒、モノアルキレングリコールアルキルエステル溶媒、ポリアルキレングリコールアルキルエステル溶媒、モノアルキレングリコールジエステル溶媒、ポリアルキレングリコールジエステル溶媒などが挙げられる。
以上の感放射線性樹脂組成物はポジ型の例であるが、ネガ型であってもよい。かかる組成物は公知の方法に従って製造することができる。なお、本発明方法に用いる感放射線性樹脂組成物の固形分濃度としては、必要な樹脂膜の厚さや塗布方法などを考慮して適宜選定することができるが、５〜４０重量％であるのが好ましい。調製された感放射線性樹脂組成物は、通常、孔径０．１〜５μｍのフィルターなどを用いて異物などを除去したのち、塗布するのが好ましい。
樹脂膜を形成する方法に特に制限はなく、例えば、塗布法やフィルム積層法などを挙げることができる。これらの方法によりアレイ基板上に樹脂膜を形成すれば、シリル化された、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面に所望の樹脂膜が形成され得る。樹脂膜はアレイ基板の全面に形成されるのが好ましい。
前記塗布法は、感放射線性樹脂組成物をアレイ基板上に塗布したのち、加熱乾燥して溶媒を除去する方法である。感放射線性樹脂組成物をアレイ基板上に塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。加熱乾燥温度は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、通常は３０〜１５０℃である。加熱乾燥時間は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、通常は０．５〜９０分間である。
前記フィルム積層法は、感放射線性樹脂組成物を、樹脂フィルムや金属フィルムなどの上に塗布した後に加熱乾燥により溶媒を除去してＢステージフィルムを得、次いで、このＢステージフィルムをアレイ基板上に積層する方法である。加熱乾燥条件は、各成分の種類や配合割合に応じて適宜選択することができるが、加熱温度は、通常、３０〜１５０℃であり、加熱時間は、通常、０．５〜９０分間である。フィルム積層は、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの圧着機を用いて行うことができる。
工程（ｃ）においては、得られた樹脂膜に活性放射線を照射して樹脂膜中に潜像パターンを形成し、次いで現像液を接触させることにより潜像パターンを顕在化させて、樹脂膜をパターン化する。
活性放射線は、感放射線化合物を活性化させ、感放射線性樹脂組成物のアルカリ可溶性を変化させることができるものであれば特に限定されず、例えば、紫外線、ｇ線やｉ線などの単一波長の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光などの光線；電子線などの粒子線；などを挙げることができる。これらの活性放射線を選択的にパターン状に照射して潜像パターンを形成する方法としては、例えば、縮小投影露光装置などにより、紫外線、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光などの光線を、マスクパターンを介して照射する方法、電子線などの粒子線により描画する方法などを挙げることができる。活性放射線を照射したのち、所望により、樹脂膜を６０〜１３０℃で、１〜２分間加熱処理してもよい。
活性放射線照射により形成された潜像パターンを現像して顕在化させるための現像液としては、アルカリ性化合物の水性溶液を用いることができる。アルカリ性化合物としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの無機化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドやテトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの有機化合物のいずれをも用いることができる。アルカリ水性溶液の水性媒体としては、水；メタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒を使用することができる。アルカリ水性溶液は、界面活性剤などを適当量添加したものであってもよい。
潜像パターンを有する樹脂膜に現像液を接触させる方法としては、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法などを挙げることができる。現像温度は、通常、５〜５５℃であり、現像時間は、通常、３０〜１８０秒間である。
このようにしてパターン化された樹脂膜をアレイ基板上に形成したのち、所望により、該基板上、該基板裏面及び該基板端部の現像残渣を除去するために、アレイ基板を超純水などのリンス液を用いてリンスしてもよい。
さらに、所望により、感放射線化合物を失活させるために、パターン化樹脂膜を有するアレイ基板全面に活性放射線を照射したり、それと同時に又は照射後、樹脂膜を加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、アレイ基板をホットプレートやオーブン内で加熱する方法が挙げられる。加熱温度は、通常、１００〜３００℃である。
本発明方法においては、アレイ基板上にパターン化樹脂膜を形成した後に、樹脂の架橋反応を行うのが好ましい。アレイ基板上に形成された樹脂膜を架橋する方法は、使用した架橋剤の種類に応じて適宜選択することができるが、通常は加熱により行う。加熱は、例えば、ホットプレート、オーブンなどを用いて行うことができる。加熱温度は、通常は１８０〜２５０℃であるのが好ましく、加熱時間は、樹脂膜の大きさ、厚さ、使用機器などに応じて適宜選択することができる。例えば、ホットプレートを用いる場合は、通常は５〜６０分間、オーブンを用いる場合は、通常は３０〜９０分間であるのが好ましい。
加熱は、所望により、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンなどなどの不活性ガス雰囲気下で行うことができる。
以上の工程（ｃ）によれば、樹脂膜にコンタクトホールとなるホールパターンが形成される。以後、例えば、公知の方法に従って、有機保護膜の上に、例えば、スパッタリング法によりＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる画素電極を形成してパターニングし、樹脂膜のコンタクトホールを介してＴＦＴのドレイン電極と画素電極とを接続する。このとき、画素電極を構成するＩＴＯにより電極パターンを同時に形成する。その後、配向膜を形成してラビング処理等の配向処理を施すことによりアクティブマトリックス基板を得る。
本発明の平面表示装置は、本発明のアクティブマトリックス基板を備えてなることを特徴とする。本発明の平面表示装置は、該基板を用いてなることから、長寿命、低消費電力で高コントラストな優れた平面表示装置である。該装置の具体例としては、アクティブマトリックス型液晶表示装置、アクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置などが挙げられる。
前記アクティブマトリックス型液晶表示装置とは、液晶材料やフィルム状液晶等を間に挟んで対向配設された一対の基板からなるものであって、一対の基板のうちの一方の基板が本発明のアクティブマトリックス基板で構成された平面表示装置である。アクティブマトリックス基板に対して対向配設される基板（以下、「対向基板」という。）としては、例えば、カラーフィルタ基板、マイクロレンズ基板等が挙げられる。
また、アクティブマトリックス基板とカラーフィルタ基板とで構成される液晶表示装置の変形例としては、アクティブマトリックス基板における画素電極上に、カラーフィルタ材料層を直接設け、対向基板にカラーフィルタを設けない態様の液晶表示装置や、導電性を有するカラーフィルタ材料により、アクティブマトリックス基板の画素電極を形成し、対向基板にカラーフィルタを設けない態様の液晶表示装置などが挙げられる。
Ｆｉｇ．２に、本発明のアクティブマトリックス基板を用いて作製され得るアクティブマトリックス型液晶表示装置の一態様の平面図を、Ｆｉｇ．３に、そのＸ−Ｙ線断面図を示す。本態様においては、画素電極２０２を備えたアクティブマトリックス基板１０１と、対向電極２０６を備えたカラーフィルタ基板１０２とが、液晶層１１０を挟んで対向配設され、各画素電極２０２と対向電極２０６との対向部分が画素となっている。画素からなる表示領域の外周にはシール材１０３が設けられ、表示領域とシール材１０３の間の領域に電極パターン１０５が存在している。なお、カラーフィルタ基板１０２には、ブラックマトリックス２０８を有するカラーフィルタ層２０７上に対向電極２０６が設けられ、その上に配向膜１１１が設けられている。アクティブマトリックス基板１０１には、基板上、スイッチング素子としてのＴＦＴ２０１を駆動するゲート信号を供給するゲート信号線２０３及びＴＦＴ２０１にソース信号を供給するソース信号線２０４が互いに直交して設けられている。両信号線の交差部近傍にＴＦＴ２０１が設けられ、その上に有機保護膜１０４を介して、両信号線と一部重なるように画素電極２０２が設けられている。なお、有機保護膜１０４のコンタクトホール（図示せず）において、画素電極２０２とＴＦＴ２０１のドレイン電極が接続されている。また、有機保護膜１０４の上には配向膜１１１が対向配設されている。
一方、ゲート信号線２０３とソース信号線２０４は、額縁領域を超えて延出形成されており、その外側の端子領域に設けられた入力端子１０８を介して、ゲート信号線２０３にＴＦＴ２０１駆動用の信号電圧が入力され、ソース信号線２０４に表示データの信号電圧が入力され得る。電極パターン１０５が、有機保護膜１０４の外周領域上に形成され、さらに端子領域まで延長形成されており、駆動回路からの信号が入力される。以上の液晶表示装置は公知の方法、例えば、特開２００３−００５２１５号公報に記載の方法に従って製造することができる。
前記アクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置とは、本発明のアクティブマトリックス基板上、マトリクス配列して形成された各画素が、少なくとも１つの有機ＥＬ素子と、該有機ＥＬ素子を駆動するための少なくとも２つのＴＦＴとを有するものである。
有機ＥＬ素子は、特に制限されず、例えば、陽極となる正孔注入電極と陰極となる電子注入電極との間に正孔輸送層と発光材料層とが形成された構造（ＳＨ−Ａ構造）のもの、正孔注入電極と電子注入電極との間に発光材料層と電子輸送層とが形成された構造（ＳＨ−Ｂ構造）のもの、又は正孔注入電極と電子注入電極との間に、正孔輸送層と発光材料層と電子輸送層とが形成された構造（ＤＨ構造）のものなどが挙げられる。いずれの構造の場合でも、有機ＥＬ素子は正孔注入電極（陽極）から注入された正孔と電子注入電極（陰極）から注入された電子が、発光材料層と正孔（または電子）輸送層の界面、および発光材料層内で再結合して発光するという原理で作動する。
Ｆｉｇ．４に、本発明の有機ＥＬ表示装置における有機ＥＬ素子の典型的な構成例を示す。Ｆｉｇ．４に示す有機ＥＬ素子は、アクティブマトリックス基板〔下部電極層（陽極）として画素電極を含む〕３０１、発光材料層３０２、及び上部電極層（陰極）３０３から構成されている。また、最外層として封止膜３０４が設けられている。有機ＥＬ表示装置の一画素分の構成としては、通常、少なくとも１つの有機ＥＬ素子に対し、該ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴとして少なくとも２つ、すなわち、駆動トランジスタと書き込みトランジスタが必要であるが、Ｆｉｇ．４の構成例では両トランジスタは省略してある。それらのトランジスタは、本発明のアクティブマトリックス基板に存在する。
本発明のアクティブマトリックス基板では、陽極としての画素電極とＴＦＴのドレイン電極とが接続されている。Ｆｉｇ．５に、本発明のアクティブマトリックス基板上の回路の一例を示すが、該回路において、水平駆動回路に接続された走査電極４０１に順じ印加された電圧によりＴＦＴ４０２（書き込みトランジスタ）がオン状態になり、垂直駆動回路に接続されたデータ電極４０３からの表示信号に応じた電荷量がコンデンサ４０４に蓄積される。コンデンサ４０４に蓄積された電荷量によりＴＦＴ４０５（駆動トランジスタ）が動作し、有機ＥＬ素子４０６に電流が供給され有機ＥＬ素子が点灯する。走査電極４０１に電圧が印加されるまでの間この点灯状態が保持されることになる。以上の有機ＥＬ表示装置は公知の方法、例えば、特開２００２−３３３８４６号公報に記載の方法に従って製造することができる。
【実施例】
【０００６】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
製造例１（脂環式オレフィンポリマーの製造）
８−カルボキシテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン６０重量部、Ｎ−フェニル−（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド）４０重量部、１，５−ヘキサジエン２．８重量部、（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ベンジリデンルテニウムジクロリド０．０５重量部及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル４００重量部を、窒素置換した耐圧ガラス反応器に仕込み、撹拌下に８０℃で２時間重合反応を行って開環メタセシス重合体１Ａを含有する重合反応溶液を得た。重合転化率は、９９．９％以上であった。この重合体１Ａの重量平均分子量は３，２００、数平均分子量は１，９００、分子量分布は１．６８であった。
次いで、水素添加触媒としてビス（トリシクロヘキシルホスフィン）エトキシメチレンルテニウムジクロリド０．１重量部を重合反応溶液に加え、水素を４ＭＰａの圧力で５時間溶存させて、水素添加反応を進行させたのち、活性炭粉末１重量部を添加し、オートクレーブに入れて撹拌しつつ１５０℃で水素を４ＭＰａの圧力で３時間溶存させた。次いで、溶液を取り出して孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターでろ過して活性炭を分離して開環メタセシス重合体１Ａの水素化物１Ｂを含有する水素添加反応溶液４７６重量部を得た。ろ過は、滞りなく行うことができた。ここで得られた水素化物１Ｂを含有する水素添加反応溶液の固形分濃度は２０．６重量％であり、水素化物１Ｂの収量は９８．１重量部であった。得られた水素化物１Ｂの重量平均分子量は４，４３０、数平均分子量は２，５７０、分子量分布は１．７２であった。水素化率は９９．９％であった。
得られた水素化物１Ｂの水素添加反応溶液をロータリーエバポレーターで濃縮し、固形分濃度を３５重量％に調整して、水素化物１Ｃ（極性基としてカルボキシル基を有する脂環式オレフィンポリマー）の溶液を得た。濃縮の前後で収量、水素化物の重量平均分子量、数平均分子量、及び分子量分布に変化はなかった。
実施例１
製造例１で得られた水素化物１Ｃを含有する脂環式オレフィンポリマー溶液（固形分３５重量％）１００重量部、架橋剤として脂環式構造を有する多官能エポキシ化合物［ダイセル化学工業（株）、ＥＨＰＥ３１５０（製品名）、分子量約２，７００、エポキシ基数１５］２５重量部、感放射線化合物として１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライド（２．５モル）との縮合物２５重量部、老化防止剤として（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル／トリデシル）−１，２，３，４−ブタンテトラカルボキシレート５重量部、接着助剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５重量部及びシリコーン系界面活性剤［信越化学工業（株）、ＫＰ３４１（製品名）］０．０５重量部を混合し、さらにジエチレングリコールエチルメチルエーテル９２重量部及びＮ−メチル−２−ピロリドン８重量部を添加して混合撹拌した。混合物は、５分以内に均一な溶液になった。この溶液を孔径０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して、感放射線性樹脂組成物１Ｄを調製した。
ガラス基材［コーニング社、コーニング１７３７（製品名）］上に、スパッタリング装置を用いて、クロムを２００ｎｍの膜厚に形成し、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ゲート電極、ゲート信号線及びゲート端子部を形成した。次いで、ＣＶＤ装置により、ゲート電極とゲート配線を覆って、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化物膜を４５０ｎｍの厚さ、半導体層となるａ−Ｓｉ層を２５０ｎｍの厚さ、オーミックコンタクト層となるｎ＋Ｓｉ層を５０ｎｍの厚さで連続成形し、ｎ＋Ｓｉ層とａ−Ｓｉ層をアイランド状にパターニングした。さらに、ゲート絶縁膜とｎ＋Ｓｉ層上にスパッタリング装置で、クロムを２００ｎｍの膜厚に形成し、フォトリソグラフィにより、ソース電極、ソース信号線、ドレイン電極及びデータ端子部を形成し、ソース電極とドレイン電極の間の不要なｎ＋Ｓｉ層を除去してバックチャネルを形成し、ガラス基材上にＴＦＴが形成されたアレイ基板を得た。
得られたアレイ基板をホットプレートを備えたシリル化処理室に入れ、処理室内部を脱気したのちシリル化剤としてヘキサメチルジシラザンを導入し、５０℃でヘキサメチルジシラザンの蒸気を処理室内に均一に拡散させたのち、ホットプレートによりアレイ基板を８５℃に加熱して１分間シリル化を行った。次いで、窒素により処理室内のヘキサメチルジシラザンを置換し、室温まで冷却して、ＴＦＴのアモルファスシリコン膜の表面を含み、表面全体がシリル化（トリメチルシリル化）されたアレイ基板を得た。
得られた表面がシリル化されたアレイ基板に、上記の感放射線性樹脂組成物１Ｄをスピンコートしたのち、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークして、膜厚１．２μｍの樹脂膜を形成した。この樹脂膜に、１０μｍ×１０μｍのホールパターンのマスクを介して、３６５ｎｍにおける光強度が５ｍＷ／ｃｍ２である紫外線を、４０秒間空気中で照射した。次いで、０．４重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、２５℃で９０秒間現像処理を行ったのち、超純水で３０秒間リンスしてコンタクトホールのパターンを形成したところ、残膜率９０％以上の良好なパターンが得られた。さらに、オーブンを用いて、２３０℃で１５分間加熱するポストベーク（架橋処理）を行った。
有機保護膜が形成されたアレイ基板を真空槽に移し、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガス（体積比１００：４）を用い、圧力０．３Ｐａ、ＤＣ出力４００Ｗとし、マスクを通してＤＣスパッタリングすることにより、ドレイン電極に接するように、膜厚２００ｎｍのＩｎ−Ｓｎ−Ｏ系の非晶質透明導電層（画素電極）を形成して、アクティブマトリックス基板を得た。
得られたアクティブマトリックス基板のソース電極とドレイン電極の間に電圧２０Ｖを印加し、ゲート電極に印加する電圧を−２０〜３０Ｖに変化させて、ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流を、マニュアルプローバーと半導体パラメータアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、４１５６Ｃ）を用いて測定した。結果を、Ｆｉｇ．４に示す。リーク電流は１×１０−１３Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は４Ｖであった。
アクティブマトリックス基板を５０℃、８０％ＲＨの雰囲気中に１００時間放置したのち、同じ測定を行った。リーク電流は１×１０−１３Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は４Ｖであり、変化はなかった。
実施例２
実施例１で得られた表面がシリル化されたアレイ基板に、感放射線性樹脂組成物１Ｄの代わりに、アクリル樹脂溶液［ＪＳＲ（株）、オプトマー］をスピンコートした以外は、実施例１と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製し、評価を行った。
作製直後のリーク電流は３×１０−１３Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は３Ｖであった。５０℃、８０％ＲＨの雰囲気中に１００時間放置後のリーク電流は１×１０−１２Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は２Ｖであった。
実施例３
実施例１で得られた表面がシリル化されたアレイ基板に、感放射線性樹脂組成物１Ｄの代わりに、ポリイミド樹脂溶液［東レ（株）、フォトニース］をスピンコートした以外は、実施例１と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製し、評価を行った。
作製直後のリーク電流は７×１０−１３Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は３Ｖであった。５０℃、８０％ＲＨの雰囲気中に１００時間放置後のリーク電流は３×１０−１２Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は１．５Ｖであった。
比較例１
実施例１で得られたガラス基材上にＴＦＴが形成されたアレイ基板を、シリル化処理することなく、感放射線性樹脂組成物１Ｄをスピンコートする工程に移った以外は、実施例１と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製し、評価を行った。
作製直後のリーク電流は２×１０−１１Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は２Ｖであった。５０℃、８０％ＲＨの雰囲気中に１００時間放置後のリーク電流は３×１０−１０Ａ／ｃｍ２であり、閾値電圧は０Ｖであった。
比較例２
実施例１で得られたガラス基材上にＴＦＴが形成されたアレイ基板を、シリル化処理することなく、アクリル樹脂溶液［ＪＳＲ（株）、オプトマー］をスピンコートする工程に移った以外は、実施例２と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製し、実施例１と同様にして評価を行った。
作製直後のリーク電流が２×１０−６Ａ／ｃｍ２であり、アクティブマトリックス基板として作動しなかった。
比較例３
実施例１で得られたガラス基材上にＴＦＴが形成されたアレイ基板を、シリル化処理することなく、ポリイミド樹脂溶液［東レ（株）、フォトニース］をスピンコートする工程に移った以外は、実施例３と同様にしてアクティブマトリックス基板を作製し、実施例１と同様にして評価を行った。
作製直後のリーク電流が５×１０−５Ａ／ｃｍ２であり、アクティブマトリックス基板として作動しなかった。
実施例１〜３及び比較例１〜３の結果を、第１表に示す。
【表１】
2008026750.tif 000004
第１表及びＦｉｇ．４より、ガラス基材上にＴＦＴが形成されたアレイ基板の表面がシリル化され、その上に、架橋された、極性基を有する脂環式オレフィンポリマーで有機保護膜を形成した実施例１のアクティブマトリックス基板、並びに有機保護膜がアクリル樹脂及びポリイミド樹脂である実施例２〜３の各アクティブマトリックス基板は、高温多湿の環境下に長時間放置された後でさえ実用的に優れた性能を有していることが分かる。
一方、アレイ基板の表面のシリル化を行わずに、架橋された、極性基を有する脂環式オレフィンポリマーで有機保護膜を形成した比較例１のアクティブマトリックス基板は、アレイ基板の表面がシリル化された実施例１のアクティブマトリックス基板と比べると性能が劣ることが分かる。また、アレイ基板の表面のシリル化を行わずに、有機保護膜をアクリル樹脂及びポリイミド樹脂で形成した比較例２〜３の各アクティブマトリックス基板は、リーク電流が大きく、アクティブマトリックス基板として作動しないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０００７】
本発明のアクティブマトリックス基板によれば、リーク電流が小さく、また、ゲート電極の電圧の増加に対してソース電極／ドレイン電極間の電流が直線的に立ち上がり、しかも高温多湿の環境下に長時間放置しても、かかる特性や閾値電圧がほとんど変化しないので、長寿命、低消費電力で高コントラストな優れたアクティブマトリックス型平面表示装置が得られる。また、本発明のアクティブマトリックス基板の製造方法によれば、優れた特性を有するアクティブマトリックス基板を簡単な操作で効率的に製造することができる。
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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