【事件の表示】
　特願２０１５−　　５５９０「イメージセンシングデバイスとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　４月　４日出願公開，特開２０１６−　４６５１０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年１月１５日（パリ条約による優先権主張２０１４年８月２０日，アメリカ合衆国）に出願された特願２０１５−５５９０号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
平成２８年　４月２８日：拒絶理由通知（起案日） 
平成２８年　８月　３日：意見書 
平成２８年　８月　３日：手続補正書 
平成２９年　１月２７日：拒絶査定（起案日）
平成２９年　５月２３日：審判請求 
平成２９年　５月２３日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。） 
平成２９年１２月２７日：拒絶理由通知 （起案日）
平成３０年　４月　３日：意見書 
第２　本願発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　イメージセンシングデバイスであって，
　複数のフォトセンシング素子を有するアクティブ層と，
　前記フォトセンシング素子のうちの一つの上に設置され，且つ，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）から構成される群から選択される色を有するカラーパターンと，
　前記カラーパターン上に設置されるマイクロレンズと，
　前記カラーパターンに隣接し，且つ，前記フォトセンシング素子のうちの別の一つの上に位置する透過パターンと，を有し，
　前記透過パターンは，カラーフィルター部分とマイクロレンズ部分を有し，前記マイクロレンズと前記カラーパターン間の屈折率の差の絶対値は，０.３未満で，前記透過パターンのマイクロレンズ部分と前記カラーフィルター部分間の屈折率の差がなく，
　前記マイクロレンズの上面と前記透過パターンの前記マイクロレンズ部分の上面とでは高さが異なることを特徴とするイメージセンシングデバイス。」
第３　拒絶の理由
　平成２９年１２月２７日（起案日）の当審が通知した拒絶理由は，概略，次のとおりのものである。
　本願発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２あるいは引用文献３ないし５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。
　あるいは，引用文献２に記載された発明及び引用文献１，６に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．特開２０１２−０７４５２１号公報 
２．特開２００９−０２６８０８号公報 
３．特開平０７−０３８０７５号公報 
４．特開２００６−１９６６３４号公報 
５．特開平０９−１１６１２７号公報 
６．特開２０１３−１１５３３５号公報 
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　引用文献１には，以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【発明の効果】
【００１２】
　以上説明したように
本発明によれば
光フィルタ間での混色を防止しながら
光電変換部での受光量の向上を図ることが可能になる
「【００１５】
＜１．固体撮像装置の概略構成例＞
　図１に，本発明の各実施形態の製造方法を適用して作製される固体撮像装置の一例として，ＭＯＳ型の固体撮像装置の概略構成を示す。
【００１６】
　この図に示す固体撮像装置１は，例えば単結晶シリコンからなる基板１１の一表面側に光電変換部を含む複数の画素２が規則的に２次元的に配列された画素領域（いわゆる撮像領域）３と，その周辺回路部とを有して構成される。
【００１７】
　画素２は，例えばフォトダイオードからなる光電変換部と，複数の画素トランジスタ（いわゆるＭＯＳトランジスタ）を有して成る。
【００１８】
　各画素２における複数の画素トランジスタは，例えば転送トランジスタ，リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。その他，選択トランジスタ追加して４つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので，詳細説明は省略する。
【００１９】
　画素２は，１つの単位画素として構成することができる。また，画素２は，共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は，複数のフォトダイオードと，複数の転送トランジスタと，共有する１つのフローティングディフージョンと，共有する１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち，共有画素では，複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが，他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される。
【００２０】
　
また特に本発明においては，各画素２における光電変換部の上方に，後で説明する層内レンズやオンチップレンズが配置され
各光電変換部への集光率の向上が図られている
「【００２８】
＜２．第１実施形態＞
［
Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法
  第１実施形態の製造方法を説明するに先立ち，本第１実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置における光フィルタの配列を説明する。図２は，光フィルタのＷ市松配列の配列状態を示す平面図である。
【００２９】
　
以下の第１〜第４実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置は，光電変換部上の光フィルタとして，赤色領域から青色領域までの光を透過する光フィルタ，つまり無色透明な光フィルタ（白色フィルタＷと記す）を用いている
【００３０】
　
市松配列された白色フィルタＷ−白色フィルタＷ間には，一行置きに緑色領域の光を透過する光フィルタ（緑色フィルタＧと記す）が配置されている
さらに残りの白色フィルタＷ−白色フィルタＷ間には，赤色領域の光を透過する光フィルタ（赤色フィルタＲと記す）と，青色領域の光を透過する光フィルタ（青色フィルタＢと記す）とが，行方向に交互に配置されている
【００３１】
　このような光フィルタ配列を有する固体撮像装置において，特に本第１実施形態の製造方法は，各光フィルタＷ，Ｇ，Ｒ，Ｂ間に，ここでの図示を省略した混色防止膜を設けた構成を製造する第１例であり，以下基板側から順に製造方法を説明する。
【００３２】
　先ず，図３に示すように，例えば
単結晶シリコンのような半導体材料からなる基板１１の表面側に行列方向に画素２を設定して配列させ，例えばフォトダイオードからなる光電変換部２１を各画素２に形成する
基板１１上の光電変換部２１を囲む位置に，電荷の読出電極，画素駆動配線，垂直信号線等の配線２３を形成する。これらの配線２３は，例えば多層の配線２３を層間絶縁膜で分離してなる多層配線構造の配線層２５として形成する。その後，配線層２５上に，各光電変換部２１に対応して層内レンズ２７を形成し，これを覆う状態で平坦化絶縁膜２９を形成する
【００３３】
　以上までの工程は，特に製造手順が限定されることはなく，通常の固体撮像装置の製造方法と同様の手順で行うことができる。次の工程からが本第１製造方法に特徴的な工程となる。
【００３４】
　先ず図４（１）に示すように，
平坦化絶縁膜２９上に赤色フィルタＲをパターン形成する。赤色フィルタＲは，例えば赤色顔料または赤色染料を含有するフォトレジスト材料を用い，フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各赤色フィルタＲは，図２の平面図を用いて説明した位置において，目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される
【００３５】
　次に図４（２）に示すように，
平坦化絶縁膜２９上に青色フィルタＢをパターン形成する。青色フィルタＢは，例えば青色顔料または青色染料を含有するフォトレジスト材料を用い，フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各青色フィルタＢは，図２の平面図を用いて説明した位置において，目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される
【００３６】
　さらにここでは図示を省略したが，
引き続き平坦化絶縁膜２９上に緑色フィルタＧをパターン形成する。緑色フィルタＧは，例えば緑色顔料または緑色染料を含有するフォトレジスト材料を用い，フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各緑色フィルタＧは，図２の平面図を用いて説明した位置において，目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される
【００３７】
　以上のようにして，平坦化絶縁膜２９上に，
それぞれ独立した島状の赤色フィルタＲ，青色フィルタＢ，および緑色フィルタＧを，第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成する
【００３８】
　以上のような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成順は，特に限定されることはなく，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成に用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【００３９】
　次に，図４（３）に示すように，
第１パターンとしての各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ（緑色フィルタＧは図示省略）が形成された平坦化絶縁膜２９上に，これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する
例えば，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの屈折率が約１．６５である場合，混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ
２
：屈折率１．４５）を用いる
【００４０】
　このような混色防止膜３１の成膜は，既に形成されている各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition:化学気相成長）等により，等方的に成膜することが重要である。これにより，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇのパターン形状を維持した状態で，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【００４１】
　次に，図４（４）に示すように，
混色防止膜３１を異方性エッチングすることにより，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁のみに混色防止膜３１を残し，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上および平坦化絶縁膜２９上の混色防止膜３１を除去する
【００４２】
　その後，図５（１）に示すように，
平坦化絶縁膜２９上に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび側壁の混色防止膜３１を埋め込む程度に十分な膜厚で，レンズ材３３を成膜する。レンズ材３３は，赤色領域から青色領域までの光を透過する無色透明な材料で構成され，例えば塗布成膜によって行う。特にここでは，後に説明するようにこのレンズ材３３を光フィルタ材料として用いて白色フィルタ（Ｗ）が構成されるため，混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料をレンズ材３３として用いることとする。一例として，混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ
２
：屈折率１．４５）で形成した場合であれば，レンズ材３３として屈折率１．６程度の有機材料が用いられる
【００４３】
　次いで，図５（２）に示すように，
レンズ材３３上において，全ての画素２上に対応させた位置に，リフロー性を有する材料からなるマスク３５をパターン形成する
【００４４】
　その後，図５（３）に示すように，
加熱によってマスク３５をリフローさせてレンズ形状に成型する
【００４５】
　しかる後，図５（４）に示すように，
レンズ形状にリフローさせたマスク３５上から，マスク３５およびレンズ材３３の表面層をエッチングし，リフローさせたマスク３５のレンズ形状をレンズ材３３の表面側に転写する。これにより，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ３３ａが形成される。これと共に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間には，レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと，この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａとが一体に形成される
【００４６】
　これらの白色フィルタＷは，市松配列された各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また各白色フィルタＷと，隣接する各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には，混色防止膜３１が挟持される。ただし，図２を参照し，平面視した状態での各白色フィルタＷの四隅は，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば，互いに接合されていても良い。
【００４７】
　
以上により，第１実施形態の固体撮像装置１−１が得られる
【００４８】
　図６には，本第１実施形態で得られた固体撮像装置１-１の要部を拡大した断面構成図を示す。この図に示すように，固体撮像装置１-１に入射した光ｈは，オンチップレンズ３３ａで集光され，各オンチップレンズ３３ａの下方に配置された各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射される。このうち，オンチップレンズ３３ａで集光されて斜め方向から光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射した光ｈは，光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇ間に挟持された低屈折率の混色防止膜３１で反射される。これにより，例えば白色フィルタＷに対して斜め方向から入射した光ｈが，隣接して配置された青色フィルタＢの下方の光電変換部２１に入射することが防止される。
【００４９】
　ここで例えば青色フィルタＢが屈折率１．６５，白色フィルタＷの屈折率１．６の場合を考えると，その臨界角は７６°となる。この場合，混色防止膜３１が設けられていなければ，白色フィルタＷに斜め方向から入射した光は，屈折率の高い青色フィルタＢに取り込まれ，青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出される，いわゆる「混色」が発生する。これに対して，第１実施形態の固体撮像装置１−１では，白色フィルタＷと青色フィルタＢとの間に，これらよりも屈折率の低い混色防止膜３１を挟持した構成となっている。このため，白色フィルタＷに斜め方向から入射して光は混色防止膜３１で反射され，青色フィルタＢ側に取り込まれることはない。したがって，青色フィルタＢが配置された画素から，青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出されることを防止できる。以上により，本第１実施形態で得られた構成の固体撮像装置１-１は，混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。
【００５０】
　また特に本第１実施形態の製造方法では，先ず島状の第１パターンとして形成した各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成する。その後，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして白色フィルタＷを形成する。このため，混色防止膜３１の形成においては，パターン形成される各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁においての混色防止膜３１の膜厚ｄを必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第１実施形態の製造方法によれば，混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも，光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇの専有面積を最大限に拡大でき，さらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。」
２　引用発明１
　上記１からみて，引用文献１には，以下の発明が記載されている（以下「引用発明１」という。）。
「（１）単結晶シリコンのような半導体材料からなる基板１１の表面側に行列方向に画素２を設定して配列させ，例えばフォトダイオードからなる光電変換部２１を各画素２に形成する工程と，
（２）基板１１上の光電変換部２１を囲む位置に，多層配線構造の配線層２５を形成し，その後，層内レンズ２７，平坦化絶縁膜２９を形成する工程と，
（３）平坦化絶縁膜２９上に，目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状に，それぞれ独立した島状の赤色フィルタＲ，青色フィルタＢ，および緑色フィルタＧを，第１パターンとして形成する工程と，
（４）第１パターンとしての各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇが形成された平坦化絶縁膜２９上に，これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する工程であって，
　各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの屈折率が約１．６５であり，混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる工程と，
（５）混色防止膜３１を異方性エッチングすることにより，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁のみに混色防止膜３１を残し，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上および平坦化絶縁膜２９上の混色防止膜３１を除去する工程と，
（６）平坦化絶縁膜２９上に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび側壁の混色防止膜３１を埋め込む程度に十分な膜厚で，レンズ材３３を成膜する工程であって，
　レンズ材３３は，赤色領域から青色領域までの光を透過する無色透明な材料で構成され，このレンズ材３３を光フィルタ材料として用いて白色フィルタ（Ｗ）を構成するため，混色防止膜３１よりも屈折率の高い，屈折率１．６程度の有機材料をレンズ材３３として用いる工程と，
（７）レンズ材３３上において，全ての画素２上に対応させた位置に，リフロー性を有する材料からなるマスク３５をパターン形成する工程と，
（８）加熱によってマスク３５をリフローさせてレンズ形状に成型する工程と，
（９）レンズ形状にリフローさせたマスク３５上から，マスク３５およびレンズ材３３の表面層をエッチングし，リフローさせたマスク３５のレンズ形状をレンズ材３３の表面側に転写する工程であって，
　これにより，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ３３ａが形成すると共に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと，この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａとが一体に形成される工程と，
を含む方法によって製造されたＷ市松配列の固体撮像装置。」
３　引用文献２の記載　
　引用文献２には，以下の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数個の受光素子
半導体基板
　所定の位置に配列された各受光素子の入射側に，複数種類の
カラーフィルタ
第１のマイクロレンズ
　少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に，カラーフィルタを介さず，前記
第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズ
　を備えたことを特徴とする
固体撮像装置
「【背景技術】
【０００２】
　デジタルカメラ等の電子式カメラには，ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の固体撮像装置が用いられている。この固体撮像装置としては，受光素子とカラーフィルタとを一対として画素（ピクセル）を構成し，この画素を２次元配置した単板カラー撮像方式のものが一般的である。受光素子は，光の色に依らず明るさのみを検出するものであるため，特定の色を抽出するカラーフィルタを受光素子の入射側に配置することにより，画素ごとに特定の色の光を検出している。
　＜途中省略＞
【０００５】
　そこで，正方格子配列において，市松状の位置に色画素（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素）を配置し，残りの市松状の位置に
白（Ｗ）画素を配置することで，色情報と輝度情報とを区別して検出し，輝度解像度の色依存性をなくす技術が提案されている（特許文献１参照）
【０００６】
　
特許文献１に記載の技術では，各画素を同じ構造とした場合，色画素とＷ画素との感度差が非常に大きく，同一の露出条件では，Ｗ画素からの輝度信号が色画素からの色信号に比べて約４倍程度になるため，色信号と輝度信号とのバランスが悪く，高品位なカラー画像を得ることができないとの指摘がなされている
　＜途中省略＞
【０００８】
　
本発明は，上記課題を鑑みてなされたものであり，色画素と白画素とのサイズを同一としたまま色信号と輝度信号とのバランスを図ることができ，画素配置に制約が生じることのない固体撮像装置を提供することを目的とする
さらには，色信号と輝度信号とのバランス，及び，輝度解像度の列方向と行方向とに関するバランスを同時に向上させ，より高品位なカラー画像を撮像することができる固体撮像装置を提供することを目的とする
【課題を解決するための手段】
【０００９】
  上記目的を達成するために，本発明の固体撮像装置は，入射光を光電変換して信号電荷を生成する複数個の受光素子が半導体基板内に２次元マトリクス状に配列されてなる固体撮像装置において，所定の位置に配列された各受光素子の入射側に，複数種類のカラーフィルタのうちいずれかが配置され，各カラーフィルタの入射側に第１のマイクロレンズが配置されてなる複数の色画素と，少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に，カラーフィルタを介さず，前記第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズが配置されてなる複数の白画素と，を備えたことを特徴とする。これにより，第１のマイクロレンズは，第２のマイクロレンズに比して入射角度範囲が広がり，斜め入射光の集光効率が向上する。
　＜途中省略＞
【発明の効果】
【００１４】
　本発明の固体撮像装置は，所定の位置に配列された各受光素子の入射側に，複数種類のカラーフィルタのうちいずれかが配置され，各カラーフィルタの入射側に第１のマイクロレンズが配置されてなる複数の色画素と，少なくとも１つの前記色画素に隣接する位置に配列された各受光素子の入射側に，カラーフィルタを介さず，第１のマイクロレンズより頂点位置が低い第２のマイクロレンズが配置されてなる複数の白画素とを備えるので，第１のマイクロレンズは，第２のマイクロレンズに比して入射角度範囲が広がり，斜め入射光の集光効率が向上する。これにより，色画素から得られる色信号の強度が白画素から得られる輝度信号の強度に比して相対的に高まり，色信号と輝度信号とのバランスが改善される。また，色画素と白画素とのサイズを同一としたまま色信号と輝度信号とのバランスを図ることができるため，画素配置に関する制約は生じない。」
「【００２６】
　次に，固体撮像装置２の製造方法について，図５〜図７を用いて説明する。なお，図５〜図７は，図１のＩ−Ｉ線に沿う断面における製造工程を示す。まず，
半導体基板３中に不純物イオンを注入することにより，前述の受光素子ＰＤや転送チャネル１３を形成
半導体基板３上に，転送電極１５や遮光膜１７をパターニング形成し，さらに全面を覆うように平坦化層１８を形成
【００２７】
　次いで，
平坦化層１８の表面上に，特定の顔料が含有した感光性樹脂材の塗布とフォトリソグラフィ技術によるパターニングとを繰り返すことにより，図５（Ｂ）に示すように，各色画素の形成領域に対応するように，カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃを形成
なお，このとき，Ｗ画素４ｅの形成領域上からは，カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの形成のために塗布した感光性樹脂材の残渣等を完全に除去しておく
【００２８】
　次いで，図５（Ｃ）に示すように，
平坦化層１８及びカラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの表面を覆うように，透明樹脂等のマイクロレンズ形成材を堆積し，この表面を平坦化することによりレンズ層３０を形成する。さらに，レンズ層３０の上に感光性樹脂材を塗布し，感光性樹脂層３１を形成する
レンズ層３０と感光性樹脂層３１とは，ドライエッチングに対するエッチング比がほぼ同一の材料を用いる
【００２９】
　次いで，
感光性樹脂層３１をフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることにより，図６（Ａ）に示すように，色画素の形成領域上に第１の矩形パターン３１ａを形成し，Ｗ画素４ｅの形成領域上に第２の矩形パターン３１ｂを形成する
第２の矩形パターン３１ｂの１辺の長さＬ２を，第１の矩形パターン３１ａの１辺の長さＬ１より短くする
【００３０】
　次いで，
熱フローを行うことより，第１及び第２の矩形パターン３１ａ，３２ｂを溶融させ，図６（Ｂ）に示すように，上凸状のレンズ母型３１ａ，３２ｂへと変形させる
上記の長さＬ１，Ｌ２の差異により，第２のレンズ母型３１ｂは，第１のレンズ母型３１ａより小さく，高低差Ｈが生じる
【００３１】
　次いで，
第１及び第２のレンズ母型３１ａ，３２ｂをマスクとして，レンズ層３０をエッチング（異方性のドライエッチング）することにより，レンズ母型３１ａ，３２ｂの形状を転写し，前述の第１及び第２のマイクロレンズ２０ａ，２１ｂを形成する
第１のマイクロレンズ２０ａと第２のマイクロレンズ２０ｂとの間に，高低差Ｈが生じている。以上説明した方法により，固体撮像装置２を製造することができる
【００３２】
　なお，上記実施形態では，第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとの高低差Ｈを，カラーフィルタの厚みとほぼ等しくするとしているが，本発明はこれに限定されるものでなく，この高低差Ｈは，適宜変更してよい。
【００３３】
　また，上記実施形態では，Ｗ画素の形成領域にて平坦化層上に直接に第２のマイクロレンズを形成しているが，本発明はこれに限定されるものでなく，平坦化層上に透明フィルタや白フィルタ等の輝度と相関関係のある分光特性を有する輝度フィルタを介して第２のマイクロレンズを形成してもよい。この場合には，輝度フィルタを色画素に設けられたカラーフィルタより薄く形成するか，または，第１のマイクロレンズと第２のマイクロレンズとの間でレンズ面の形状や曲率を異ならせることで高低差Ｈを生成すればよい。
【００３４】
　また，上記実施形態では，色画素を赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の３原色の光を検知する画素として構成しているが，本発明はこれに限定されるものでなく，色画素をシアン（Ｃ），マゼンタ（Ｍ），黄（Ｙ）の補色光を検知する画素として構成してもよい。
【００３５】
　また，上記実施形態では，画素をＸＹ方向に沿って正方格子状に配列する例を示しているが，本発明はこれに限定されるものでなく，図８に示すように，正方格子配列をＸＹ方向に関して４５°回転させた画素配列（いわゆるハニカム配列）としてもよい。
【００３６】
　また，上記実施形態では，色画素及び白画素を市松状に配列することにより，各白画素は４つの色画素に隣接しているが，本発明はこれに限定されるものでなく，各白画素は少なくとも１つの色画素に隣接していればよい。図９は，色画素及び白画素をストライプ状に配列した一例である。この場合，各白画素は２つの色画素に隣接している。
【００３７】
　また，上記実施形態では，固体撮像装置をインターライン転送方式のＣＣＤ型イメージセンサとして構成しているが，本発明はこれに限定されるものでなく，フレーム転送方式のＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサ等の単板カラー撮像方式のあらゆる固体撮像装置に適用可能である。」
・図３は，引用文献２に記載された発明に係る固体撮像装置の概略縦断面図であって，上記摘記を参酌すれば，
　Ｂフィルタ（１９ｃ）と，Ｒフィルタ（１９ａ）との間の，Ｗ画素（４ｅ）の形成領域の平坦化層（１８）の上面に設けられた，
　前記各フィルタと略同一の厚さを有する板状部分と，両端部が前記各フィルタから離隔し，前記板状部分からの高さが第１のマイクロレンズ（２０ａ）の上面よりも高低差Ｈだけ低いマイクロレンズ状部分とからなる，第２のマイクロレンズ（２０ｂ）
　の構造を見て取ることができる。
４　引用発明２
　引用文献２の【００２９】には，「次いで，
感光性樹脂層３１を
パターニングすることにより
色画素の形成領域上に第１の矩形パターン３１ａを形成
Ｗ画素４ｅの形成領域上に第２の矩形パターン３１ｂを形成
第２の矩形パターン３１ｂ
第１の矩形パターン３１ａ
　当該記載を前提とすれば，上記３の摘記における【００３０】及び【００３１】に記載された「第１及び
第２の矩形パターン
３２ｂ
３２ｂ
３２ｂ
３２ｂ
２１ｂ
３２ｂ
第２の矩形パターン
３１ｂ
３１ｂ
３１ｂ
３１ｂ
２０ｂ
３１ｂ
　そうすると，引用文献２には，以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「（ａ）半導体基板３中に不純物イオンを注入することにより，受光素子ＰＤ等を形成する工程と，
（ｂ）半導体基板３上に，転送電極１５や遮光膜１７をパターニング形成し，さらに全面を覆うように平坦化層１８を形成する工程と，
（ｃ）平坦化層１８の表面上に，特定の顔料が含有した感光性樹脂材の塗布とフォトリソグラフィ技術によるパターニングとを繰り返すことにより，各色画素の形成領域に対応するように，カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃを形成する工程であって，
　Ｗ画素４ｅの形成領域上からは，カラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの形成のために塗布した感光性樹脂材の残渣等を完全に除去しておく工程と，
（ｄ）平坦化層１８及びカラーフィルタ１９ａ〜１９ｃの表面を覆うように，透明樹脂等のマイクロレンズ形成材を堆積し，この表面を平坦化することによりレンズ層３０を形成し，さらに，レンズ層３０の上に感光性樹脂材を塗布し，感光性樹脂層３１を形成する工程であって，
　レンズ層３０と感光性樹脂層３１とは，ドライエッチングに対するエッチング比がほぼ同一の材料を用いる工程と，
（ｅ）感光性樹脂層３１をフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることにより，色画素の形成領域上に第１の矩形パターン３１ａを形成し，Ｗ画素４ｅの形成領域上に第２の矩形パターン３１ｂを形成する工程であって，
　第２の矩形パターン３１ｂの１辺の長さＬ２を，第１の矩形パターン３１ａの１辺の長さＬ１より短くする工程と，
（ｆ）熱フローを行うことより，第１及び第２の矩形パターン３１ａ，３１ｂを溶融させ，上凸状のレンズ母型３１ａ，３１ｂへと変形させる工程であって，
　上記の長さＬ１，Ｌ２の差異により，第２のレンズ母型３１ｂは，第１のレンズ母型３１ａより小さく，高低差Ｈが生じる工程と，
（ｇ）第１及び第２のレンズ母型３１ａ，３１ｂをマスクとして，レンズ層３０をエッチング（異方性のドライエッチング）することにより，レンズ母型３１ａ，３１ｂの形状を転写する工程であって，
　（ｉ）第１のマイクロレンズ２０ａ，及び，
　（ii）カラーフィルタ１９ｃとカラーフィルタ１９ａとの間のＷ画素４ｅの形成領域の平坦化層１８の上面に設けられた，前記各カラーフィルタと略同一の厚さを有する板状部分と，両端部が前記各フィルタから離隔し前記板状部分からの高さが第１のマイクロレンズ２０ａよりも低いマイクロレンズ状部分とからなる，第２のマイクロレンズ２０ｂを形成する工程と，
　を含む方法により製造された，第１のマイクロレンズ２０ａの上面と第２のマイクロレンズ２０ｂの上面との間に，高低差Ｈが生じている固体撮像装置２。」
５　引用文献３の記載
「【請求項３】  半導体基板に光電変換部を設け，この光電変換部を樹脂膜で被覆し，かつこの樹脂膜の表面に前記光電変換部に光を集光させる
マイクロレンズを設けた固体撮像装置において
同一半導体基板に設けた光電変換部を赤色光用，緑色光用，青色光用の各光電変換部として構成するとともに
各色光用の光電変換部に対応して設けた各マイクロレンズの焦点距離を相違させ，各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるように構成した
「【０００７】そして，
マイクロレンズ９と樹脂膜８を，視感度の高い緑色の波長の光に対して設計した場合
波長の短い青色光では光線１０ｂに示すように焦点距離がフォトダイオード２の表面の上方に位置され
逆に赤色光の場合には焦点位置はフォトダイオード２の内部下方に位置する
したがって，カメラレンズの絞りを開いたときの信号出力の低下量は緑色光に比べ青色光と赤色光で多く発生する
【０００８】なお，このような問題はマイクロレンズの径が大きい程顕著であるため，カメラの感度を高めるにマイクロレンズの径を大きくしたときには前記した問題は一層大きくなり，カメラの高感度化が制約されるという問題になる。
本発明の目的は，カメラの絞りを開いたときの色バランスの崩れを防止して高感度なカメラを得ることを可能にした固体撮像装置を提供することにある
「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置は，赤色光用，緑色光用，青色光用としてそれぞれ固体撮像装置を独立に形成し，かつ各固体撮像装置に設けられる樹脂膜の厚さを相違させ，各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるように構成する。また，赤色光用，緑色光用，青色光用としてそれぞれ固体撮像装置を独立に形成し，かつ各固体撮像装置の各マイクロレンズの焦点距離を相違させ，各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるように構成する。また，本発明を単板カラー固体撮像装置として構成する場合には，同一半導体基板に設けた光電変換部を赤色光用，緑色光用，青色光用の各光電変換部として構成するとともに，
各色光用の光電変換部に対応して設けた各マイクロレンズの焦点距離を相違させ，各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるように構成する
「【００１３】次に，図２（ｂ）のように，マイクロレンズを形成するべく樹脂膜８の上面にフォトレジストを塗布し，かつレンズ形成箇所にのみこれを残すようにパターン形成してレンズパターン９０を形成する。次に，図２（ｃ）のように，１６０〜１８０℃でベーキングすることでレンズパターン９０を流動化させ，この時生ずる表面張力を利用して表面形状に曲率を持たせ，マイクロレンズ９を形成する。ここで，
マイクロレンズの曲率は
レンズパターン９０の厚さと径の寸法とで決定される
したがって，フォトダイオード２の表面に焦点を結ばせるには，レンズパターン９０の厚さと径寸法と樹脂膜８の厚さを選ぶことで実現される
「【００１７】以上の実施例における本発明の説明では，赤色用・緑色用・青色用の３個のＣＣＤ素子を用いてカラーカメラを構成する場合について説明した。しかし，１個のＣＣＤ素子でカラー画像を得ることは周知の技術であり，通常かかる方式を単板カラーＣＣＤ素子と称する。以下，本発明を単板カラーＣＣＤ素子に適用した例を説明する。
【００１８】図５はその一例であり，光電変換領域の断面構造を示す。図において，前記各実施例と同一部分には同一符号を付してある。そして，ここでは隣接するフォトダイオードが赤・緑・青の各光電変換部として構成されることになる。このため，
樹脂膜８には，前記各色のフォトダイオードに対応する位置にそれぞれ赤色・緑色・青色の各光学色フィルタ層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを対応配置している
これと共に各色に対応して曲率を相違させ，焦点距離を最適化したマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを設けている
【００１９】この構成のＣＣＤ素子によれば，ＣＣＤ素子には白色光の光学像が投影されるが，この時，例えば赤色光で最適化したマイクロレンズ９Ｒを通った緑色光と青色光は色フィルタ２０Ｒで阻止されるため，赤色光のみがフォトダイオード２の表面に焦点を結ぶことになる。緑色用や青色用マイクロレンズ９Ｇ，９Ｂの設けられた画素の場合も，同様に各色の光のみがフォトダイオード２の表面に焦点を結ぶことになる。したがって，
焦点距離が各色ごとに最適値となっているため，カメラレンズの絞り値を開いても赤や青色の感度の大幅な低下は阻止でき，かつ各色による感度差も発生しない
・図５は，引用文献３に記載された発明を単板カラーＣＣＤ素子に適用した一実施例の断面図であって，上記摘記を参酌すれば，同図から，マイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの高さが異なることを見て取ることができる。
６　引用文献４の記載
「【請求項１】
少なくとも
フォトダイオードと転送電極が形成された半導体基板上部に
カラーフィルタを形成
前記カラーフィルタの上部に透明膜を形成する工程と，
前記透明膜の上面にポジ型レジストを用いて
レジストパターンを形成
前記レジストパターンに光照射を行なう工程と，
前記
レジストパターンを熱処理により，複数の凸状レンズ曲面を有するマイクロレンズに形成
前記光照射は前記カラーフィルタの色配列に応じてドーズ量を変化させ，
前記
マイクロレンズの高さと曲率が，前記カラーフィルタの色配列に応じて異なる
カラー固体撮像装置
「【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　以下，本発明の実施形態に係るカラー固体撮像装置の製造方法について，図面を参照しながら説明する。
【００２２】
　図１は本発明の実施形態に係るカラー固体撮像装置を説明する図であり，赤，緑，青の光電変換領域の断面構造を示す。
【００２３】
　同図において，１はＮ型半導体基板，１ＡはＰ型ウェル，２はＮ型不純物領域で構成されるフォトダイオード，３はＮ型不純物領域で構成されるＣＣＤチャネル，４はＰ+分離領域，５は絶縁膜，６は転送電極，７は遮光膜である。ここでは隣接するフォトダイオード２が赤，緑，青の各光電変換部として構成されることになる。
【００２４】
　また，絶縁膜５および遮光膜７の上部に形成した透明膜８中には，各色のフォトダイオード２に対峙しながら，赤色，緑色，青色のカラーフィルタ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成する。さらに，
各色に対応して曲率を相違させ，焦点距離を最適化したマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを設けている
【００２５】
　この構成によれば，例えば赤色光で最適化したマイクロレンズ９Ｒを通った緑色光と青色光は色フィルタ２０Ｒで阻止されるため，赤色光のみがフォトダイオード２の表面に焦点を結ぶことになる。
【００２６】
　また，緑色用や青色用マイクロレンズ９Ｇ，９Ｂの設けられた画素の場合も，同様に各色の光のみがフォトダイオード２の表面に焦点を結ぶことになる。
【００２７】
　
この焦点距離は，各色ごとに最適値となっているため，カメラレンズの絞り値を開いても赤や青色の感度の大幅な低下は阻止でき，かつ各色による感度差も発生しない
【００２８】
　次に，図２から図１０を参照しながら，本発明の実施形態に係るカラー固体撮像装置の製造方法について説明する。
【００２９】
　まず，図２に示すように，各色のフォトダイオード２に対応する位置に，それぞれ赤色，緑色，青色のカラーフィルタ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを形成する。
【００３０】
　次に，図３に示すように，カラーフィルタ２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｇの上部に，後工程によりマイクロレンズとなる透明膜８を，平坦化を行いながら形成する。
【００３１】
　なお，平坦化をする透明膜と，マイクロレンズを形成するための透明膜は，個別に形成してもよい。
【００３２】
　次に，図４に示すように，ポジ型フォトレジストをスピンコーティング法によりレジスト膜１１を形成する。レジスト膜１１の膜厚は約１μｍ，塗布後の熱処理は１００℃／９０秒である。
【００３３】
　次に，図５に示すように，
第１のマスク１２を介して，マイクロレンズ間に相当する領域に露光を行う。このとき，露光装置はｉ線ステッパーであり，露光量は３００ｍＪ／ｃｍ
2
である
【００３４】
　次に，図６に示すように，露光が行われたレジスト膜１１を現像液に浸水させて，未露光部からなるレジストパターン３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを形成する。現像液にはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用いた。
【００３５】
　
本実施形態ではレジストパターン３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂが，同一サイズになるようにした。但し，赤色が最も形状が大きく，青色が最も形状が小さくなるように形成してもよい
【００３６】
　次に，図７に示すように，第２のマスク１３を介して，
青色用のレジストパターン３０Ｂのみに光照射を行う。光源にはｉ線を用い，露光量は２００ｍＪ／ｃｍ
2
である
【００３７】
　次に，図８に示すように，第３のマスク１４を介して，
緑色用のレジストパターン３０Ｇのみに光照射を行う。光源にはｉ線を用い，露光量は１００ｍＪ／ｃｍ
2
である
【００３８】
　次に，図９に示すように，１６０度から２００度の温度で熱処理を行い，マイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを形成する。
【００３９】
　この場合，ベーク前後の寸法変動量が０．２ｕｍを定義とする耐熱性は，赤色用のレジストパターン３０Ｒは２００℃，緑色用のレジストパターン３０Ｇは１８０℃，青色用のレジストパターン３０Ｂは１６０℃である。
【００４０】
　すなわち，青色用のレジストパターン３０Ｂは，赤色用および緑色用のレジストパターン３０Ｒ，３０Ｇよりも熱変化が大きいため，レンズ高さが低く，曲率の小さいマイクロレンズ形状になる。
【００４１】
　最後に，図１０に示すように，マイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと樹脂膜８とを全面エッチバックし，マイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂをエッチオフするとともに，マイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂの形状を透明膜８に転写して，マイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを形成する。
【００４２】
　このとき，エッチング条件は，マイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂと透明膜８との選択比が，ほぼ１となる条件で行うのが好ましく，具体的には，平行平板ＲＩＥにより，反応ガスとしてＮ2／Ｏ2（＝４０／４０ｃｃｍ）を用い，圧力３５Ｐａ，ＲＦパワー４５０Ｗで行う。
【００４３】
　このように選択比がほぼ１となる条件で透明膜８のエッチングを行うと，図１０に示すようにマイクロレンズパターン４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂとほぼ同一形状のマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを形成することができる。
【００４４】
　
以上の工程から，本発明の実施形態に係るカラー固体撮像装置を製造する
【００４５】
　本実施形態ではレジストとしてポジ型レジストを用いたことを特徴とする。
【００４６】
　通常ポジ型レジストにより形成したレジストパターンは，ネガ型レジストとは異なり，光反応は生じていない。
【００４７】
　そこで，レジストパターン３０Ｇ，３０Ｂに，新たに光照射を行うとすることにより，レジストパターン３０Ｇ，３０Ｂを形成する材料が光反応を起こす。この光反応は，感光剤の光分解や，ベース樹脂の光架橋反応であるため，レジストパターン３０Ｇ，３０Ｂの耐熱性を光照射量に比例して，耐熱性の向上を行うことが出来る。
【００４８】
　したがって，本発明の実施形態ではレジストパターン３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを，赤色用，緑色用，青色用の順序で耐熱特性に差を生じることが出来る。
【００４９】
　また，このようなレジストパターン３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂに熱処理を行うと，青色用は熱処理により形状変化が大きいため，形状曲率が緩やかになりながら，レンズのトップ高さが低くなり，図１０のようなレンズ形状９Ｂになる。
【００５０】
　同様に，緑色用４０Ｇは赤色用４０Ｒよりも形状変化が大きく，赤色用４０Ｒは最も形状変化が小さい。
【００５１】
　したがって，
マイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの曲率は青色用，緑色用，青色用の順序で緩やかになり，またマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの高さは，青色用，緑色用，赤色用の順序で低くすることが出来る
７　引用文献５の記載
「【請求項１】  複数の光センサ部上に選択的に形成された開口部を有する遮光層と，
前記
複数の光センサ部
前記保護層上に形成された平坦化層上に，前記複数の光センサ部に臨んで周期的に形成された
複数色のオンチップカラーフィルタ層
前記オンチップカラーフィルタ層上に形成された
オンチップマイクロレンズ
を具備する
固体撮像装置
前記遮光層，前記保護層および前記オンチップマイクロレンズのうちの少なくともいずれか１種は，
前記
オンチップカラーフィルタ層の各色に対応して，前記光センサ部への入射光量を異にする構造
【請求項２】  オンチップマイクロレンズの平面形状は，オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその面積を異ならしめることにより，前記入射光量を異にすることを特徴とする，請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】  
オンチップマイクロレンズの断面形状は，オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその高さを異ならしめることにより，前記入射光量を異にする
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】かかるオンチップカラーフィルタ層を有する固体撮像装置においては，良好なホワイトバランスをとるためには，例えばＢのカラーフィルタ層を透過して光センサに入射する光量，Ｇのカラーフィルタ層を透過して光センサに入射する光量およびＲのカラーフィルタ層を透過して光センサに入射する光量の割合を，ある一定の範囲内におさめる必要がある。これを図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００１０】まず，Ｓｉ光電変換素子による光センサの感度の分光感度特性は，図５（ａ）に示される。なお，図５（ａ）に示した分光感度特性は，スミア防止等のための赤外線カットフィルタ込みの特性である。
【００１１】一方
カラーテレビジョンのカラー画像は，図５（ｃ）に示すようにＢ：Ｇ：Ｒの各色のオンチップカラーフィルタ層搭載後の光センサ感度が，０．１１：０．５９：０．３０の割合となるときに正確なホワイトバランスが得られるように設計されている
【００１２】
各色の光センサへの入射光量のバランスをある一定の範囲内におさめ，各色の光センサからの出力電圧の割合を先述したような一定の値とする方法としては，従来より例えばオンチップカラーフィルタ層の染色条件により染色濃度を選択する方法が採られている
しかしながら，オンチップカラーフィルタ層の染色条件のみでは，固体撮像装置の設計自由度が小さく，満足な結果が得られない場合も発生する
【００１３】
本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みて提案するものであり，各色の光センサ部に入射する光量のバランスを所望の一定範囲内に確実におさめ，色再現性に優れた固体撮像装置を提供することをその課題とする
「【００２５】実施の形態例２
本実施の形態例は
オンチップマイクロレンズの断面形状をオンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその高さを異ならしめた
【００２６】本実施の形態例による固体撮像装置の垂直レジスタ方向の概略断面図を図２（ａ）に，そして被写体側からみた固体撮像装置の概略平面図を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のＡ−Ａ断面が図２（ａ）に相当する。同図に見られるように，オンチップマイクロレンズ９の断面形状における高さは，例えばＧのオンチップカラーフィルタ層８に対応するものが最も大きく，ＲおよびＢのオンチップカラーフィルタ層８に対応するものの順に小さくなる。このようなオンチップマイクロレンズ９の形状は，先述したオンチップマイクロレンズ形成用の有機高分子材料層上に形成するレジストパターンの厚さに大小を持たせることにより容易に形成できる。
【００２７】その製造方法の１つとしては，レジストパターン形成後にさらに上層レジスト膜を塗布し，厚さを必要とするレジストパターン上にのみに上層レジストパターンを残し，これらをともにリフローしてリフローレジストパターンとし，これをエッチバックして有機高分子材料層に転写すればよい。この際には上層のレジスト膜塗布時に下層のレジストパターンとミキシングしないような配慮は当然必要であり，上層レジスト膜塗布液の溶剤選択や，下層のレジスト膜のプリベーク条件の設定等を適宜おこなう。また他の製造方法としては，均一な厚さのリフローレジストパターンを形成後，さらに上層レジスト膜を塗布し，厚さを必要とするリフローレジストパターン上にのみに上層レジストパターンを残し，この上層レジストパターンをリフローする２段階リフロー法によってもよい。この後全面エッチバックしてオンチップマイクロレンズ材料層である有機高分子材料層にリフローレジストパターン形状を転写する。
【００２８】
かかるオンチップマイクロレンズ９の断面形状の採用により，各オンチップカラーフィルタ層８に対応してオンチップマイクロレンズ９の透過光量を異ならしめて入射光量を制御することが容易に可能となり，ホワイトバランスに優れた固体撮像装置を得ることができる
８　引用文献６の記載
「【００４１】
　換言すれば，
Gのカラーフィルタ１５Gの屈折率は，波長５００nmにおいて1.54ないし2.00の範囲内
Rのカラーフィルタ１５RやBのカラーフィルタ１５Bの屈折率も同様に1.54ないし2.00の範囲内
「【００５８】
　
マイクロレンズ１６の波長５００nmにおける屈折率は
R，G，Bのカラーフィルタ１５の各フィルタの屈折率以下の，1.54ないし1.65の範囲内
第５　引用文献１を主引例，引用文献２を副引例とした検討
（１）対比 
　本願発明と引用発明１を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　引用発明１の「フォトダイオードからなる光電変換部２１」は，本願発明の「フォトセンシング素子」に相当する。したがって，引用発明１の前記「フォトダイオードからなる光電変換部２１」が形成されている「単結晶シリコンのような半導体材料からなる基板１１の表面側」は，本願発明の「フォトセンシング素子」を有する「アクティブ層」に相当する。
　イ　引用発明１の「赤色フィルタＲ」，「青色フィルタＢ」，および「緑色フィルタＧ」は，いずれも，本願発明の「赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）から構成される群から選択される色を有するカラーパターン」に相当する。
　ウ　引用発明１の「各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ３３ａ」は，本願発明の「カラーパターン上に設置されるマイクロレンズ」に相当する。
　エ　引用発明１の「各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと，この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａとが一体に形成され」た部材は，本願発明の「カラーパターンに隣接し，且つ，前記フォトセンシング素子のうちの別の一つの上に位置する透過パターン」に相当し，引用発明１の前記「レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷ」及び「『レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷ』の上部のレンズ材からなる『オンチップレンズ３３ａ』」は，それぞれ，本願発明の「カラーフィルター部分」及び「マイクロレンズ部分」に相当する。
　オ　引用発明１の「レンズ材３３」が，屈折率１．６程度であり，「各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ」の屈折率が約１．６５であるから，両者の間の屈折率の差の絶対値は０．０５となる。したがって，引用発明１は，本願発明の「前記マイクロレンズと前記カラーパターン間の屈折率の差の絶対値は，０.３未満」を満たす。
　カ　引用発明１の「レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷ」及び「『レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷ』の上部のレンズ材からなる『オンチップレンズ３３ａ』」は，いずれもレンズ材３３で構成されるから，両者の間に屈折率の差はない。したがって，引用発明１は，本願発明の「前記透過パターンのマイクロレンズ部分と前記カラーフィルター部分間の屈折率の差がなく」を満たす。
　キ　引用発明１の「固体撮像装置」は，以下の相違点を除いて，本願発明１の「イメージセンシングデバイス」に相当する。
　したがって，本願発明と引用発明１とは，以下の点で一致し，相違する。 
＜一致点＞
「イメージセンシングデバイスであって，
　複数のフォトセンシング素子を有するアクティブ層と，
　前記フォトセンシング素子のうちの一つの上に設置され，且つ，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）から構成される群から選択される色を有するカラーパターンと，
　前記カラーパターン上に設置されるマイクロレンズと，
　前記カラーパターンに隣接し，且つ，前記フォトセンシング素子のうちの別の一つの上に位置する透過パターンと，を有し，
　前記透過パターンは，カラーフィルター部分とマイクロレンズ部分を有し，前記マイクロレンズと前記カラーパターン間の屈折率の差の絶対値は，０.３未満で，前記透過パターンのマイクロレンズ部分と前記カラーフィルター部分間の屈折率の差がない，
　イメージセンシングデバイス。」
＜相違点＞
・相違点１：本願発明は，「前記マイクロレンズの上面と前記透過パターンの前記マイクロレンズ部分の上面とでは高さが異なる」のに対して，引用発明１では，当該構成が特定されていない点。
（２）判断 
　上記相違点について，判断する。
・相違点１について
　ア　引用文献２には以下の記載がある。
「【０００５】
　そこで，正方格子配列において，市松状の位置に色画素（Ｒ画素，Ｇ画素，Ｂ画素）を配置し，残りの市松状の位置に
白（Ｗ）画素を配置することで，色情報と輝度情報とを区別して検出し，輝度解像度の色依存性をなくす技術が提案されている（特許文献１参照）
【０００６】
　
特許文献１に記載の技術では，各画素を同じ構造とした場合，色画素とＷ画素との感度差が非常に大きく，同一の露出条件では，Ｗ画素からの輝度信号が色画素からの色信号に比べて約４倍程度になるため，色信号と輝度信号とのバランスが悪く，高品位なカラー画像を得ることができないとの指摘がなされている
　イ　そうすると，引用文献２の上記記載に接した当業者であれば，引用発明１に係る「各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ３３ａが形成すると共に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと，この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａとが一体に形成される工程と，を含む方法によって製造されたＷ市松配列の固体撮像装置」が，引用文献２に記載された「白（Ｗ）画素を配置することで，色情報と輝度情報とを区別して検出し，輝度解像度の色依存性をなくす技術」を採用した固体撮像装置に相当するものであり，したがって，引用発明１には，前記「技術」を採用したことに伴う，前記「色画素とＷ画素との感度差が非常に大きく，同一の露出条件では，Ｗ画素からの輝度信号が色画素からの色信号に比べて約４倍程度になるため，色信号と輝度信号とのバランスが悪く，高品位なカラー画像を得ることができない」という課題が内在しているものと理解するといえる。
　ウ　さらに，引用発明１の固体撮像装置と，引用文献２に記載された固体撮像装置２は，いずれも，
　各色フィルタ（引用文献２の「カラーフィルタ」に相当する。以下同じ）Ｒ，Ｂ，Ｇを埋め込む程度に十分な膜厚で，レンズ材（「マイクロレンズ形成材」）を成膜し，
　前記レンズ材上にリフロー性を有する材料（「感光性樹脂層３１」）からなるマスクを，所定の寸法でパターン形成し，
　前記マスクをリフローさせてレンズ形状に成型し，
　前記リフローさせたマスクのレンズ形状をレンズ材の表面側に転写することで，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ（「第１のマイクロレンズ２０ａ」）を形成すると共に，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に，レンズ材が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタ（「カラーフィルタ１９ｃと，カラーフィルタ１９ａとの間の，Ｗ画素４ｅの形成領域の平坦化層１８の上面に設けられた，前記各カラーフィルタと略同一の厚さを有する板状部分」）と，この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ（「前記板状部分からの高さが第１のマイクロレンズ２０ａよりも低いマイクロレンズ状部分」）とを一体に形成する工程を含む方法によって製造されるものである点で共通する。
　エ　そして，引用発明２に記載された発明では，前記「色画素とＷ画素との感度差が非常に大きく，同一の露出条件では，Ｗ画素からの輝度信号が色画素からの色信号に比べて約４倍程度になるため，色信号と輝度信号とのバランスが悪く，高品位なカラー画像を得ることができない」という課題を，「感光性樹脂層３１をフォトリソグラフィ技術によってパターニングすることにより，色画素の形成領域上に第１の矩形パターン３１ａを形成し，Ｗ画素４ｅの形成領域上に第２の矩形パターン３１ｂを形成する工程」において，「第２の矩形パターン３１ｂの１辺の長さＬ２を，第１の矩形パターン３１ａの１辺の長さＬ１より短くする」ことによって，第１のマイクロレンズ２０ａと第２のマイクロレンズ２０ｂとの間に，高低差Ｈを生じさせるという課題解決手段を採用することによって解決している。
　オ　そうすると，上記ウのとおり，引用発明１と引用文献２に記載された発明とでは，マイクロレンズを形成する方法が共通することから，上記イにおいて理解した引用発明１に内在する課題を解決するために，引用発明１において，引用文献２に記載された上記エの課題解決手段を適用して，マイクロレンズの上面と透過パターンのマイクロレンズ部分の上面とで高さを異ならせること，すなわち，相違点１について本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
第６　引用文献１を主引例，引用文献３ないし５を副引例とした検討
（１）対比 
　本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は第５（１）のとおりである。
（２）判断 
　上記相違点について，判断する。
・相違点１について
　ア　引用文献１の【００２０】には，「また特に本発明においては，各画素２における光電変換部の上方に，後で説明する層内レンズやオンチップレンズが配置され，各光電変換部への集光率の向上が図られている。」と記載されている。
　すなわち，前記記載に照らして，引用発明１の，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方に配置される「オンチップレンズ３３ａ」は，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの下方に配置される各光電変換部への集光率が向上するような特性を備えた構造を有していることが望ましいことが理解される。
　イ　一方，引用文献３の「マイクロレンズを設けた固体撮像装置において，同一半導体基板に設けた光電変換部を赤色光用，緑色光用，青色光用の各光電変換部として構成するとともに，各色光用の光電変換部に対応して設けた各マイクロレンズの焦点距離を相違させ，各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるように構成した」（【請求項３】），「樹脂膜８には，前記各色のフォトダイオードに対応する位置にそれぞれ赤色・緑色・青色の各光学色フィルタ層２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを対応配置している。また，これと共に各色に対応して曲率を相違させ，焦点距離を最適化したマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを設けている」（【００１８】）との記載，及び，図５のマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの高さが異なる構造に照らして，赤色光，緑色光，青色光の各色光がそれぞれの光電変換部に適切に集光されるためには，各色光用の光電変換部に対応して設けた各マイクロレンズの焦点距離を相違させること，すなわち，マイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの高さを異ならせることが必要であることが理解される。
　ウ　同様に，引用文献４の「各色に対応して曲率を相違させ，焦点距離を最適化したマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを設けている」（【００２４】），及び，「マイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの曲率は青色用，緑色用，青色用の順序で緩やかになり，またマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂの高さは，青色用，緑色用，赤色用の順序で低くすることが出来る」（【００５１】）との記載から，焦点距離を最適化したマイクロレンズ９Ｒ，９Ｇ，９Ｂは，高さが異なることが理解される。
　エ　したがって，上記イ及びウから，引用発明１において，「オンチップレンズ３３ａ」による，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの下方に配置される各光電変換部への集光率を向上させるために，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方に配置される各「オンチップレンズ３３ａ」の高さを異ならせることは，当業者が容易になし得たことである。
　オ　さらに，引用文献５の「オンチップマイクロレンズの断面形状は，オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその高さを異ならしめることにより，前記入射光量を異にする」（【請求項３】），及び，「本発明は上述した従来技術の問題点に鑑みて提案するものであり，各色の光センサ部に入射する光量のバランスを所望の一定範囲内に確実におさめ，色再現性に優れた固体撮像装置を提供することをその課題とする」（【００１３】）との記載から，色再現性に優れた固体撮像装置を提供するために，オンチップカラーフィルタ層の各色に対応してその高さを異ならしめることが望ましいことも理解される。
　そして，色再現性に優れることは，固体撮像装置の一般的な課題である。
　そうすると，引用文献５の前記記載に基づいて，引用発明１において，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方に配置される各「オンチップレンズ３３ａ」の高さを異ならせることは，当業者が容易になし得たことである。
　カ　そして，上記エ及びオのとおり，引用文献３ないし５に記載された事項に基づいて，引用発明１において，各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方に配置される各「オンチップレンズ３３ａ」の高さを異ならせた場合に，前記各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方に配置される各「オンチップレンズ３３ａ」のいずれかの上面の高さと，白色フィルタＷの上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａの上面の高さとが異なるものとなることは自明な事項といえる。
　したがって，引用発明１において，相違点１について本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
第７　引用文献２を主引例とした検討
（１）対比 
　ア　引用発明２の「受光素子ＰＤ」は，本願発明の「フォトセンシング素子」に相当する。したがって，引用発明２の前記「受光素子ＰＤ」が形成されている「半導体基板３」は，本願発明の「フォトセンシング素子」を有する「アクティブ層」に相当する。
　イ　引用発明２の「カラーフィルタ１９ａ」，「カラーフィルタ１９ｂ」，および「カラーフィルタ１９ｃ」は，いずれも，本願発明の「赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）から構成される群から選択される色を有するカラーパターン」に相当する。
　ウ　引用発明２の「第１のマイクロレンズ２０ａ」は，本願発明の「カラーパターン上に設置されるマイクロレンズ」に相当する。
　エ　引用発明２の「第２のマイクロレンズ２０ｂ」は，本願発明の「カラーパターンに隣接し，且つ，前記フォトセンシング素子のうちの別の一つの上に位置する透過パターン」に相当し，引用発明２の前記「カラーフィルタ１９ｃとカラーフィルタ１９ａとの間のＷ画素４ｅの形成領域の平坦化層１８の上面に設けられた，前記各カラーフィルタと略同一の厚さを有する板状部分」及び「両端部が前記各フィルタから離隔し前記板状部分からの高さが第１のマイクロレンズ２０ａよりも低いマイクロレンズ状部分」は，それぞれ，本願発明の「カラーフィルター部分」及び「マイクロレンズ部分」に相当する。
　オ　引用発明２の「カラーフィルタ１９ｃとカラーフィルタ１９ａとの間のＷ画素４ｅの形成領域の平坦化層１８の上面に設けられた，前記各カラーフィルタと略同一の厚さを有する板状部分」及び「両端部が前記各フィルタから離隔し前記板状部分からの高さが第１のマイクロレンズ２０ａよりも低いマイクロレンズ状部分」は，いずれもマイクロレンズ形成材で構成されるから，両者の間に屈折率の差はない。したがって，引用発明２は，本願発明の「前記透過パターンのマイクロレンズ部分と前記カラーフィルター部分間の屈折率の差がなく」を満たす。
　カ　引用発明２の「固体撮像装置２」は，以下の相違点を除いて，本願発明１の「イメージセンシングデバイス」に相当する。
　したがって，本願発明と引用発明２とは，以下の点で一致し，相違する。 
＜一致点＞
「イメージセンシングデバイスであって，
　複数のフォトセンシング素子を有するアクティブ層と，
　前記フォトセンシング素子のうちの一つの上に設置され，且つ，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）から構成される群から選択される色を有するカラーパターンと，
　前記カラーパターン上に設置されるマイクロレンズと，
　前記カラーパターンに隣接し，且つ，前記フォトセンシング素子のうちの別の一つの上に位置する透過パターンと，を有し，
　前記透過パターンは，カラーフィルター部分とマイクロレンズ部分を有し，前記透過パターンのマイクロレンズ部分と前記カラーフィルター部分間の屈折率の差がなく，
　前記マイクロレンズの上面と前記透過パターンの前記マイクロレンズ部分の上面とでは高さが異なる
　イメージセンシングデバイス。」
＜相違点＞
・相違点２：本願発明は，「前記マイクロレンズと前記カラーパターン間の屈折率の差の絶対値は，０.３未満」であるのに対して，引用発明２では，当該構成が特定されていない点。
（２）判断 
　上記相違点について，判断する。
・相違点２について
　マイクロレンズとカラーパターンの屈折率が具体的に記載されていない引用文献２に記載された発明である引用発明２を実施するにあたって，各部材の屈折率が具体的に記載されている引用文献１の記載を参考にして，マイクロレンズの材料として，屈折率１．６程度であるものを用い，カラーパターンの材料として屈折率が約１．６５であるものを用いること，すなわち，「前記マイクロレンズと前記カラーパターン間の屈折率の差の絶対値は，０.３未満」とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　また，引用文献６の記載からも，マイクロレンズとカラーパターン間の屈折率の差の絶対値が０.３未満であることは格別のものとは認められない。
　さらに，本願の明細書及び図面の記載からは，マイクロレンズとカラーパターン間の屈折率の差の絶対値における「０.３」という値に臨界的な意義も認めることはできない。 
　したがって，引用発明２において，相違点２について本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
第８　むすび
　以上のとおり，本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び引用文献２あるいは引用文献３ないし５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。
　あるいは，本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献２に記載された発明及び引用文献１，６に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。