【事件の表示】
　特願２０１１−２７１２７６「半導体組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　７月１２日出願公開，特開２０１２−１３４４８３，請求項の数（２）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年１２月１２日（パリ条約による優先権主張２０１０年１２月２３日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２６年５月２８日に審査請求がなされ，平成２７年８月１１日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１１日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年４月５日付けで拒絶査定され，同年８月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２９年８月２４日付けで当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知し，同年１１月２２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年４月５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（新規性）この出願の請求項１〜３に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
２．（進歩性）この出願の請求項１〜３の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物１〜３に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２００９−２６７３７２号公報
２.特開２００９−２６０３４０号公報
３.特表２００７−５１９２２７号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
１）本件出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２）本件出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第1号，第２号に規定する要件を満たしていない。
  
　　　　　　　　　記（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
理由１ 
請求項１，３ 
引用文献等　１，２ 
ア　引用文献１には以下の記載がある（下線は当審で付加した。）。 
（ア）「【請求項１】 
　有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって，下記一般式（１）で表される部分構造を有する有機半導体材料を用いることを特徴とする，組成物。
【化１】 
（式中，ＸはＳ，Ｓｅ，またはＴｅを表す。） 
【請求項２】 
　前記有機半導体材料が下記一般式（２）で表されることを特徴とする，請求項１に記載の組成物。 
【化２】 
  
（式中，ＸはＳ，Ｓｅ，またはＴｅを表し，Ｒ１，Ｒ２は独立して置換基を有してもよいアルキル基を表す。ｍ１，ｍ２は独立して０〜４の整数を表す。）
　・・・ 
【請求項８】 
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物，又は，請求項６に記載の有機半導体インクから作成した，有機半導体薄膜。」 
（イ）「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は，薄膜半導体に関する。更に詳しくは，本発明は，有機半導体材料として特定の有機複素環化合物を用い，有機半導体材料と高分子材料を混合したことを特徴とする，電界効果トランジスタ用の組成物，および電界効果トランジスタの製造方法に関する。」 
（ウ）「【０００８】 
　非特許文献１には，２，７−ジアルキル[１]ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン（下記一般式（３）において，Ｘ１及びＸ２が硫黄原子であり，Ｒ１及びＲ２が一般式ＣｎＨ２ｎ＋１の飽和炭化水素で表される化合物，以下ＣｎＢＴＢＴ）を用いた電界効果トランジスタについて開示されている。ＣｎＢＴＢＴは，種々の有機溶媒に可溶かつ，ウエットプロセスで作成した電界効果トランジスタの移動度は１ｃｍ２ Ｖ−１ｓ−１以上（トップコンタクト型の場合で）と非常に良好な特性を示す有機半導体材料である。しかし，ＣｎＢＴＢＴを用いた電界効果トランジスタは，融点以上の熱処理により，容易に薄膜が崩壊し半導体特性を示さなくなるという欠点がある。一方で，電界効果トランジスタを用いたデバイス製造工程では１５０℃程度の熱がかかることが多く，ＣｎＢＴＢＴ単体では，工業プロセスによるデバイス製造は困難であり，高耐熱性材料の開発が求められている。 
【０００９】 
【化１】 
  
　・・・ 
【００１１】 
【特許文献１】特開２００８−１０５４１号公報 
【特許文献２】特開２００５−３２２８７０号公報 
【特許文献３】米国特許２００７／０１５８６４６号公報 
【特許文献４】ＷＯ２００５／０５５２４８号公報 
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００７，１２９，１５７３２−１５７３３
【非特許文献２】Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２００６，１８，２９００．」
（エ）「【発明を実施するための最良の形態】 
【００２０】 
　以下に本発明の有機半導体組成物の好ましい態様を記載する。 
　本発明の有機半導体組成物（以下，便宜的に「本発明組成物」と記載）は，下記の一般式（１）で表される部分構造を有する有機半導体材料および高分子材料を含む。その他の添加物を含有してもよいが，含有しなくても本発明の効果は得られる。 
【００２１】 
【化４】 
 
   
【００２２】 
 （式中，ＸはＳ，Ｓｅ，またはＴｅを表す。） 
【００２３】 
　上記の有機半導体材料が，下記一般式（２）で表される化合物であることが好ましい。 
【００２４】 
【化５】 
 
   
【００２５】 
　ＸはＳ，Ｓｅ，またはＴｅを表すが，Ｓが好ましい。Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立に，置換基を有してもよいアルキル基を表し，ｍ１，ｍ２は０〜４の整数を表す。アルキル基としては，直鎖アルキル基，分岐アルキル基，環状アルキル基，およびこれらの組み合わせが挙げられるが，Ｃ１〜Ｃ３６の直鎖アルキル基が好ましい。置換基としては，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒのハロゲン原子，スルホン酸基，ニトロ基，カルボン酸基が挙げられるが，無置換又はハロゲン置換基が好ましい。」
（オ）「【００２８】 
　さらに，有機半導体材料（２）の例（代表例としてｍ１及びｍ２が１の場合）として下記の一般式（３）で表される化合物の具体例を，表１乃至表４に挙げる。ここで，水素原子をＨ，炭素原子をＣ，フッ素原子をＦ，塩素原子をＣｌ，臭素原子をＢｒ，硫黄原子をＳ，セレン原子をＳｅ，テルル原子をＴｅと表記する。 
【００２９】 
【化７】 
 
  
　・・・ 
【００３１】 
【表２】
　・・・
（カ）「【００３４】 
　本発明の高分子材料とは，高分子化合物，もしくは高分子化合物を主要成分とし，その他に種々の素材を混合した材料である。高分子化合物とは，非常に多数の原子が化学結合してできる巨大分子のことであり，単量体の繰り返し構造単位を有する重合体も高分子化合物に含まれる。一般的に分子量が約一万以上のものは高分子材料とみなされるが，広義においてはオリゴマーと呼ばれる分子量の低い重合体も高分子材料と呼ばれる。本発明における高分子化合物とは，上記の分子量が高い化合物だけでなく，比較的分子量の小さい重合体も含まれる。 
【００３５】 
　本発明の高分子材料は，室温で固体であり，かつ溶媒に溶解する材料であることが好ましい。本発明の高分子材料の具体例としては，有機系合成高分子化合物，有機系天然高分子化合物，無機系高分子化合物に大別される。具体例として，以下に示す材料およびこれらの誘導体，共重合体，混合体が挙げられるが，下記のこれら全ての高分子化合物は一種又は二種以上を任意に組み合わせて使用することも出来る。 
【００３６】 
　有機系合成高分子化合物として，合成樹脂，プラスチック，ポリ塩化ビニル系高分子，ポリエチレン系高分子，フェノール樹脂系高分子，ポリスチレン系高分子，アクリル樹脂系高分子，アミド樹脂系高分子，エステル樹脂系高分子，ナイロン系高分子，ビニロン系高分子，ポリエチレンテレフタレート系高分子，合成ゴム系高分子，ポリイソプレン系高分子，アクリルゴム系高分子，アクリロニトリルゴム系高分子，ウレタンゴム系高分子などが挙げられるが，好ましくは合成樹脂，プラスチック，ポリ塩化ビニル系高分子，ポリエチレン系高分子，フェノール樹脂系高分子，ポリスチレン系高分子，アクリル樹脂系高分子，アミド樹脂系高分子，エステル樹脂系高分子，ナイロン系高分子，ビニロン系高分子，ポリエチレンテレフタレート系高分子などが挙げられ，さらに好ましくは合成樹脂，プラスチック，ポリ塩化ビニル系高分子，ポリスチレン系高分子，ポリエチレン系高分子，フェノール樹脂系高分子，アクリル樹脂系高分子などが挙げられる。」 
（キ）「【００４５】 
　本発明組成物における高分子材料の添加量は，通常０．５％〜９５％，好ましくは１％〜９０％，より好ましくは３％〜７５％，最も好ましくは５％〜５０％の範囲で使用するのが良い。」 
（ク）「【００７７】 
（電界効果トランジスタの作成） 
本発明インクを用いた電界効果トランジスタの作成法について以下に述べるが，本発明組成物の効果を減じない限りにおいては，以下の手法に限定されない。ゲート絶縁膜，ゲート電極を形成した基板の上に本発明による有機半導体インクを供給し，本発明の組成物を含む半導体薄膜を得る。その後，上記手法にてソースおよびドレイン電極を作成し，本発明組成物を含む電界効果トランジスタを得る。または，ゲート電極，ゲート絶縁層，ソースおよびドレイン電極を形成した基板の上に本発明による有機半導体インクを供給し，本発明の組成物を含む半導体薄膜を得る。有機半導体インクを供給し，有機半導体薄膜を形成する方法としては，例えば，スピンコート法，スプレー法，スクリーン印刷法，インクジェット印刷法などが挙げられる。特に半導体特性を損なう手法でなければ，これらの手法に限定されるものではない。 
　・・・ 
【００８０】 
　本発明の組成物に用いた材料は以下の通りであり，いずれも有機半導体材料もしくは一般工業製品として周知である。 
１．有機半導体材料 
１）化合物名２，７−デシル[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ]ベンゾチオフェン，化合物（３１９） 融点；１２４℃ 
　発明者による合成品，以下「Ｃ１０ＢＴＢＴ」と記載する。 
　また，その他で使用可能なアルキルＢＴＢＴ（ｎはアルキル鎖の炭素数を示す）の融点（ホットプレート測定値）は以下の通りである。 
  
２．高分子材料 
　例に記載の高分子材料の中で，ガラス転移温度５０〜１５０℃のものを使用した。 
１）化合物名ポリメタクリル酸メチルエステル 
　東京化成製，以下「ＰＭＭＡ」と記載する。絶縁性アクリル樹脂系高分子，ガラス転移温度９０−１１５℃，溶融温度２５０℃以上，熱分解温度３００℃以上。 
２）化合物名ポリスチレン 
　Ａｌｄｒｉｃｈ製，以下「ＰＳ」と記載する。絶縁性ポリスチレン系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上。 
３）化合物名ポリ（スチレン・アクリロニトリル）コ・ブロック重合体 
　Ａｌｄｒｉｃｈ製，以下「ＰＳ―ＡＮ」と記載する。絶縁性共重合系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上。 
４）化合物名ポリ（３−ヘキシル−チオフェン） 
　メルク社製。以下Ｐ３ＨＴと記載する。半導体性ポリチオフェン系高分子，ガラス転移温度約１１５℃，溶融温度＞２１０℃，熱分解温度＞４３０℃。 
【００８１】 
例１ 
＜本発明インクの作成＞ 
　以下の手法にて，有機半導体材料および高分子材料の濃度が異なる，本発明の各種インクを得た。 
　インク１の作成法は以下の通りです。 
　Ｃ１０ＢＴＢＴ２．０部にクロロフォルム９８．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴを溶解させ，第一の溶液を得た。ＰＭＭＡ２．０部にクロロホルム９９．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，ＰＭＭＡを溶解させ，第二の溶液を得た。第一の溶液５０部に，第二の溶液１５部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＭＭＡが溶解した第三の溶液を得た。さらに，クロロホルムを３５部添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が０．３％であるインク１を得た。
　インク２は，ＰＭＭＡの代わりにＰＳを用いる以外はインク１と同様に調製した。
　インク３は，ＰＭＭＡの代わりにＰＳ−ＡＮを用いる以外はインク１と同様に調製した。
　インク４は，ＰＭＭＡの代わりにＰ３ＨＴを用いる以外はインク１と同様に調製した。
　インク５の作成法は以下の通りである。 
　インク１と同様の手法で，Ｃ１０ＢＴＢＴを含む第一の溶液および，ＰＭＭＡを含む第二の溶液を得た。第一の溶液５０部に，第二の溶液３．５部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＭＭＡが溶解した第三溶液を得た。さらに，クロロホルムを４６．５部添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が０．０７％であるインク５を得た。」
（ケ）「【００９１】 
例４ 
＜高分子材料の比較＞ 
　ＰＭＭＡ，ＰＳ，ＰＳ−ＡＮ，Ｐ３ＨＴをそれぞれ０．３％含有する上記インク１乃至４および比較溶液から作成し，１５０℃の熱処理を施したボトム素子の電界効果トランジスタの移動度を表６に示す。 
【００９２】 
【表６】 
  
【００９３】 
　前述のように，高分子材料を含有しない比較溶液から作成した半導体素子は，１５０℃の熱処理に伴い融解と薄膜の崩壊が生ずるため，半導体特性を示さなかった。一方，ＰＭＭＡ，ＰＳ，ＰＳ−ＡＮおよびＰ３ＨＴの高分子材料を含むインク１〜４は高分子材料の構造に依存せず，１５０℃の熱処理においても明瞭なキャリア移動度を示した。また，絶縁性高分子材料であるＰＭＭＡ，ＰＳ，ＰＳ−ＡＮを含む，本発明の電界効果トランジスタは，１５０℃の熱処理により高い移動度を示す。一方，半導体材料であるＰ３ＨＴを含むトランジスタにおいては，閾値電圧の改善が認められ，低電圧で駆動するトランジスタとなった。」 
  
イ　引用発明１ 
　上記ア（エ）（オ）の記載から，有機半導体材料（２）の例として，一般式（２）においてＸが硫黄原子Ｓであり，Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ独立してアルキル，又は置換アルキルであるものが開示されていることから，引用文献１には以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
「有機半導体材料および高分子材料を含む組成物であって， 
　高分子材料とは有機系合成高分子化合物であり好ましくはポリスチレン系高分子であり， 
　有機半導体材料が，一般式（２）で表され 
  
式中，Ｒ１及びＲ２は，それぞれ独立して，アルキル，または置換アルキルであり，Ｘは硫黄原子Ｓであり，ｍ１は１であり， 
　前記組成物は，有機半導体薄膜を作成することができる，組成物。」 
  
ウ　対比 
（ア）請求項１記載の発明について 
　引用発明１の組成物は，有機半導体薄膜を作成することから請求項１記載の発明（以下，「本願発明１」という。）の半導体組成物に相当し，引用発明１の有機半導体材料は分子量が低いので本願発明１の低分子半導体に相当し，引用発明１の高分子材料は本願発明１のポリマーバインダーとしてのスチレン系ポリマーに相当し，引用発明１の薄膜は本願発明１の層に相当するから，引用発明１と本願発明１は次の（イ）の点で一致し（ウ）の点で相違する。 
（イ）　半導体組成物であって， 
　ポリマーバインダーとしてのスチレン系ポリマーと， 
　式（ＩＩ）の低分子半導体と，を含み， 
　　【化１】 
  
式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキル，または置換アルキルであり， 
前記半導体組成物は，層を作成することができる，半導体組成物。 
（ウ） 
相違点１　本願発明１のスチレン系ポリマーは，重量平均分子量４０，０００乃至２，０００，０００であるのに対して，引用発明１の高分子材料は重量平均分子量が不明である点。 
相違点２　本願発明１の半導体組成物は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する層を作成することができるのに対して，引用発明１では，１実施例として０．００１４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃの電界効果移動度を有する層を作成することができることが開示されている点。 
（エ）請求項３記載の発明について 
　引用発明１の組成物を含む半導体薄膜は電界効果トランジスタの薄膜を形成するから，請求項３記載の発明（以下，「本願発明３」という。）の半導体層に相当し，引用発明１の有機半導体材料は分子量が低いので本願発明３の低分子半導体に相当し，引用発明１の高分子化合物は本願発明３のポリマーバインダーとしてのスチレン系ポリマーに相当し，引用発明１の組成物を含む半導体薄膜も電子機器の半導体層の製造に供されるものであるから，引用発明１と本願発明３は次の（オ）の点で一致し（カ）の点で相違する。
（オ）　電子機器であって，半導体層を備え，前記半導体層が
　ポリマーバインダーとしてのスチレン系ポリマーと，
　式（ＩＩ）の低分子半導体と，を含み，
　　【化１】 
  
式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキル，または置換アルキルであり，
前記半導体組成物は，層を作成することができる，半導体組成物。
（カ） 
相違点１　本願発明３のスチレン系ポリマーは，重量平均分子量４０，０００乃至２，０００，０００であるのに対して，引用発明１の高分子材料は重量平均分子量が不明である点。 
相違点３　本願発明３の半導体層は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有するのに対して，引用発明１では，１実施例として０．００１４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃの電界効果移動度を有する層を作成している点。 
  
エ　判断 
（ア）相違点１〜３について 
　引用文献２には，低分子半導体にポリマーを加えることにより電界効果移動度を向上させる技術が記載されており，【００３６】には，ポリマーとしてポリスチレンが例示され，ポリマーの重量平均分子量として５，０００〜１，０００，０００が例示され，【００５２】〜【００５４】には，実施例として２８０，０００の重量平均分子量のポリスチレンを加えた時に，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな０．２５−０．３４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃの電界効果移動度を示す半導体層を実現している。したがって，引用発明１において引用文献２に記載の技術に基づき，ポリスチレン系高分子の重量平均分子量を４０，０００乃至２，０００，０００とすることは当業者が適宜設定可能な程度の事項であり，その際の電界効果移動度も当業者が予想し得た程度のものにすぎない。 
  
理由２ 
請求項１〜３（サポート要件） 
　特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆が無くとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，出願人（審判請求人）が証明責任を負うと解するのが相当である。 
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。 
ア　独立請求項の記載  
　本願発明１は，以下のとおりのものである。 
「【請求項１】 
　半導体組成物であって， 
　ポリマーバインダーとしての重量平均分子量４０，０００乃至２，０００，０００のスチレン系ポリマーと， 
　式（ＩＩ）の低分子半導体と，を含み， 
　　【化１】 
  
式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキル，または置換アルキルであり， 
　前記半導体組成物は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する層を作成することができる，半導体組成物。」 
  
イ　本願明細書の発明の詳細な説明の記載  
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている（下線は当審において付したもの。）。  
「【００６０】 
（比較例１〜３） 
　一般的に，３種類の比較例を以下のように調製した。２００ｎｍの熱的に成長させた酸化ケイ素誘電層を有する，ｎドープされたケイ素ウェハを基板として用いた。０．６ｗｔ％の２，７−ジトリデシル−ＢＴＢＴのクロロベンゼン半導体溶液を誘電層にスピンコーティングした。７０〜８０℃で３０分間乾燥させた後，半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成させた（図３を参照）。このデバイスは，Ｋｅｉｔｈｌｅｙ　４２００　ＳＣＳを用い，周囲条件で特性決定された。それぞれの例について少なくとも１０個のトランジスタを製造し，特性決定した。半導体層の形態を光学顕微鏡によって調べた。 
　【００６１】 
　比較例１では，酸化ケイ素誘電層の表面は改質されなかった。 
　【００６２】 
　比較例２では，酸化ケイ素誘電層の表面は，半導体溶液を析出させる前に，ＨＭＤＳで改質された。 
　【００６３】 
　比較例３では，酸化ケイ素誘電層の表面は，半導体溶液を析出させる前に，ＯＴＳ−８で改質された。 
　【００６４】 
（比較例４〜６） 
　３ｍｇの２，７−ＢＴＢＴを，３ｍｇのポリ（３，３’’’−ジドデシルクアテルチオフェン）（ＰＱＴ−１２としても知られ，以下に示される構造を有するポリマー）とともに，１ｇのジクロロベンゼン溶媒に溶解した。 
　　【化２４】 
 
  
半導体溶液を，ＯＴＳ−８で改質された基板にスピンコーティングし，均一な膜を作成した。７０〜８０℃で３０分間乾燥させた後，半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成させた。それぞれの例について少なくとも１０個のトランジスタを製造し，特性決定した。 
　【００６５】 
　比較例４では，ソース電極およびドレイン電極を堆積させた後，デバイスをアニーリングしなかった。 
　【００６６】 
　比較例５では，次いで，このデバイスを，減圧乾燥器中，１３０℃の温度で１０分間アニーリングした。 
　【００６７】 
　比較例６では，次いで，このデバイスを，減圧乾燥器中，１４０℃の温度で１０分間アニーリングした。 
　【００６８】 
（実施例１〜９） 
　１５ｍｇのポリスチレン，１５ｍｇの２，７−ジトリデシル−ＢＴＢＴを２ｇのクロロベンゼン溶媒に溶解した。半導体溶液を，ＯＴＳ−８で改質された基板にスピンコーティングし，均一な膜を作成した。７０〜８０℃で３０分間乾燥させた後，半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成させた。それぞれの例について少なくとも１０個のトランジスタを製造し，特性決定した。 
　【００６９】 
　実施例１では，ポリスチレンは，分子量が約４５，０００であった。 
　【００７０】 
　実施例２では，ポリスチレンは，分子量が約２８０，０００であった。 
　【００７１】 
　実施例３では，分子量が１００，０００のポリ（α−メチルスチレン）を，ポリスチレンの代わりに用いた。 
　【００７２】 
　実施例４では，分子量が７２，０００のポリ（４−メチルスチレン）をポリスチレンの代わりに用いた。また，フェニルトリクロロシラン（ＰＴＳ）をＯＴＳ−８の代わりに用いた。 
　【００７３】 
　実施例５では，コポリマー，ポリ（ビニルトルエン−コ−α−メチルスチレン）（溶融粘度，１６１℃で１００ポイズ）をポリスチレンの代わりに用いた。また，ＰＴＳをＯＴ-Ｓ−８の代わりに用いた。 
　【００７４】 
　実施例６では，分子量が１００，０００のポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）をポリスチレンの代わりに用いた。また，ＰＴＳをＯＴＳ−８の代わりに用いた。 
　【００７５】 
　実施例７では，ポリスチレンをポリマーとして用い，ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）をＯＴＳ−８の代わりに用いた。２，７−ジペンチル−ＢＴＢＴを２，７−ジトリデシル−ＢＴＢＴの代わりに用いた。 
　【００７６】 
　実施例８では，ポリスチレンをポリマーとして用い，ＰＴＳをＯＴＳ−８の代わりに用いた。２，７−ジペンチル−ＢＴＢＴを２，７−ジトリデシル−ＢＴＢＴの代わりに用いた。 
　【００７７】 
　実施例９では，ポリ（α−メチルスチレン）をポリマーとして用い，ＰＴＳをＯＴＳ−８の代わりに用いた。２，７−ジペンチル−ＢＴＢＴを２，７−ジトリデシル−ＢＴＢＴの代わりに用いた。 
　【００７８】 
（比較例７） 
　実施例２で製造したトランジスタデバイスを，１３０℃で５分間，熱によってアニーリングした。室温まで冷却した後，移動度を再び測定した。 
　【００７９】 
（結果） 
　表１は，比較例１〜７，実施例１〜９のトランジスタの性能をまとめたものである。 
　【００８０】 
　　【表１】 
 
  
　・・・ 
【００８５】 
　実施例１〜９の半導体層は，良好な膜均一性を与え，良好な性能を与えた。特に，高い分子量を有するスチレン系ポリマーまたはアリールアミン系ポリマー（例えば，ポリ（Ｎ−ビニル　カルバゾール））を用いる場合に，高い平均移動度が達成された。最も高い移動度は，ポリマーバインダーと２，７−ジトリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェンのコンポジット半導体では０．８１ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃまで達し，ポリマーバインダー中の２，７−ジペンチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェンのコンポジット半導体では３．０ｃｍ２／Ｖ・ｓまで達し，移動度の変動は大きく減った。好ましくは，アニーリング工程を使用しない。比較例７で示されるように，アニーリングしたデバイスは，移動度が顕著に低くなっていた。」 
  
ウ　発明の詳細な説明の記載  
　前記イの記載から，本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されていることが理解される。 
  
　表１に記載された移動度は，低分子化合物として， ２，７−ジトリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン又は，２，７−ジペンチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェンを用い，重量平均分子量が４５，０００〜３００，０００のスチレン系のポリマーを１：１重量比で加えた半導体生成物を２ｇのクロロベンゼン溶媒に溶解した半導体溶液を，改質された基板にスピンコーティングし，均一な膜を作成し，７０〜８０℃で３０分間乾燥させた後，半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成させ，少なくとも１０個のトランジスタを製造し，特性決定したものから得られたものである。
  
エ　本願発明の課題  
　本願明細書の記載によれば，本願発明の課題は，「高い移動度と優れた安定性を達成する」ことであると認められる（段落【０００２】）。
  
オ　請求項１についての検討  
（ア）本願発明１は，半導体組成物の発明であって， 
　ポリマーバインダーとしての重量平均分子量４０，０００乃至２，０００，０００のスチレン系ポリマーと， 
　式（ＩＩ）の低分子半導体と，を含み， 
　　【化１】 
  
式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキル，または置換アルキルであり， 
　前記半導体組成物は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する層を作成することができることのみを特定するものである。  
 　  
　しかしながら，上記ウの理解に照らして，少なくとも，２，７−ジトリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン又は，２，７−ジペンチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン以外の低分子化合物や重量平均分子量が４５，０００〜３００，０００の範囲を外れるスチレン系のポリマーを用い，１：１以外の重量比で混合した場合においても同様な結果が得られることは示されていない。 
（イ）すなわち，請求項１の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えている。  
　したがって，本願明細書の記載はもとより，本願出願当時の技術常識に照らしても，請求項１の記載によって特許を請求しようとする範囲の全てにおいて，本願発明の課題を解決できると当業者が認識することはできないというべきである。  
　そうすると，本願の請求項１の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。  
　よって，請求項１に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものでない。  
  
カ　請求項２，３についても同様である。 
  
請求項１（明確性要件） 
　請求項１は，「・・・前記半導体組成物は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する層を作成することができる，半導体組成物」と記載され，半導体組成物の発明である。しかし，その「半導体組成物」が「作成することができる」層の特性で記述されており，「半導体組成物」自体の構造や特性とどのような関係があるのか不明である。 
　よって，請求項１に係る発明は，明確でない。 
  
＜引用文献等一覧＞ 
１．特開２００９−２８３７８６号公報 
２．特開２００９−２６０３４０号公報 
第４　本願発明
　本願の請求項１，２に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」，「本願発明２」という。）は，平成２９年１１月２２日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１，２に記載されている事項により特定される発明であり，本願発明１，本願発明２は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　電子機器の半導体層を製造するプロセスであって，
　ポリマーバインダーとしての重量平均分子量４５，０００乃至３００，０００のスチレン系ポリマーと，式（ＩＩ）の低分子半導体とを１：１の重量比で混合した組成物を基板にコーティングし，均一な膜を作成し，
　　【化２】
ここで，式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキルであり，
　７０乃至８０℃で乾燥させた後，前記低分子半導体の融点よりも低い温度で前記組成物をアニーリングし，前記半導体層を作成し，
　半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成し，
　前記半導体層が，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する，プロセス。
【請求項２】
　電子機器であって，半導体層を備え，前記半導体層が，ポリマーバインダーと
しての重量平均分子量４５，０００乃至３００，０００のスチレン系ポリマーと，式（ＩＩ）の低分子半導体とを１：１の重量比で含み，
　　【化３】
式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキルであり，
　前記半導体層が，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する，電子機器。」
第５　特許法第２９条第２項（進歩性）について
　１　引用文献，引用発明等
（１）引用文献１について
　当審拒絶理由で引用した引用文献１（特開２００９−２８３７８６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「【請求項１】
　
有機半導体材料
高分子材料を含む組成物
　＜途中省略＞
【請求項２】
　
前記有機半導体材料が下記一般式（２）で表される
【化２】
（式中，ＸはＳ，Ｓｅ，またはＴｅを表し，Ｒ１，Ｒ２は独立して置換基を有してもよいアルキル基を表す。ｍ１，ｍ２は独立して０〜４の整数を表す。）
　＜途中省略＞
【請求項９】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物を含む，
電界効果トランジスタ
【請求項１０】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物，又は，請求項６に記載の有機半導体インクを
基板上に塗布することにより，半導体薄膜を形成することを含む，電界効果トランジスタの製造方法
【請求項１１】
　前記半導体薄膜を大気雰囲気下で製膜することを特徴とする，請求項１０に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
　前記
半導体薄膜を形成後に熱処理を行う
【請求項１３】
　
熱処理温度が，２０℃以上２５０℃以下である
【請求項１４】
　熱処理温度が，１００℃以上１８０℃以下であることを特徴とする，請求項１３に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
　
熱処理温度が，有機半導体材料の融点よりも高い
【請求項１６】
　熱処理温度が，高分子材料のガラス転移温度よりも高いことを特徴とする，請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の電界効果トランジスタの製造方法。」
「【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　
本発明は，溶液による塗布や印刷が可能であり，良好な耐熱性とトランジスタ特性
を目的とする
「【００３４】
　
本発明の高分子材料とは
高分子化合物，もしくは高分子化合物を主要成分とし，その他に種々の素材を混合した材料である
一般的に分子量が約一万以上のものは高分子材料とみなされるが，広義においてはオリゴマーと呼ばれる分子量の低い重合体も高分子材料と呼ばれる
本発明における高分子化合物とは，上記の分子量が高い化合物だけでなく，比較的分子量の小さい重合体も含まれる
　【００３５】
　
本発明の高分子材料は
下記のこれら全ての高分子化合物は一種又は二種以上を任意に組み合わせて使用することも出来る
【００３６】
　
有機系合成高分子化合物として
好ましくは
ポリスチレン系高分子
が挙げられる
【００３７】
　
有機系天然高分子として
セルロースやデンプンなどがより好ましい
　
無機系高分子化合物として，シリコン樹脂，シリコンゴムなどが挙げられる
【００３８】
　
本発明高分子材料を電気特性の観点から分類すると，導電性高分子化合物，半導体性高分子化合物，絶縁性高分子化合物に大別される
【００３９】
　
導電性高分子化合物とは
【００４０】
　
半導体性高分子化合物とは
【００４１】
　
絶縁性高分子化合物とは
具体例として
ポリスチレン系高分子
がより好ましい
「【００４４】
　
本発明組成物における有機半導体材料の添加量は
最も好ましくは５０％〜９５％の範囲で使用するのが良い
【００４５】
　
本発明組成物における高分子材料の添加量は
最も好ましくは５％〜５０％の範囲で使用するのが良い
【００４６】
　
本発明組成物における添加物の添加量は
より好ましくは０．５％〜２０％の範囲で使用するのが良い
【００４７】
　有機半導体インク（以下，「本発明インク」という）は，本発明組成物および溶媒を含んでなる。その他の添加物は含有してもよいが，含有しなくても本発明の効果が得られる。印刷に用いる方法によりその濃度が異なるため，一概には言えないが，溶媒に対する本発明組成物の添加量は，通常０．０１％〜７０％，好ましくは通常０．１％〜５０％，より好ましくは０．２％〜５０％の範囲で使用するのが良い。」
「【実施例】
【００７９】
　以下に，実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが，これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
以下の記載において，部とあるのは，特に断りのない限り，重量基準である
【００８０】
　本発明の組成物に用いた材料は以下の通りであり，いずれも有機半導体材料もしくは一般工業製品として周知である。
１．有機半導体材料
１）化合物名
２，７−デシル[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ]ベンゾチオフェン
融点；１２４℃
　
発明者による合成品，以下「Ｃ１０ＢＴＢＴ」と記載する
　＜途中省略＞
２．高分子材料
　例に記載の高分子材料の中で，ガラス転移温度５０〜１５０℃のものを使用した。
１）化合物名ポリメタクリル酸メチルエステル
　東京化成製，以下「ＰＭＭＡ」と記載する。絶縁性アクリル樹脂系高分子，ガラス転移温度９０−１１５℃，溶融温度２５０℃以上，熱分解温度３００℃以上。
２）化合物名
ポリスチレン
　
Ａｌｄｒｉｃｈ製，以下「ＰＳ」と記載する。絶縁性ポリスチレン系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上
３）化合物名ポリ（スチレン・アクリロニトリル）コ・ブロック重合体
　Ａｌｄｒｉｃｈ製，以下「ＰＳ―ＡＮ」と記載する。絶縁性共重合系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上。
４）化合物名ポリ（３−ヘキシル−チオフェン）
　メルク社製。以下Ｐ３ＨＴと記載する。半導体性ポリチオフェン系高分子，ガラス転移温度約１１５℃，溶融温度＞２１０℃，熱分解温度＞４３０℃。
【００８１】
例１
＜本発明インクの作成＞
　以下の手法にて，有機半導体材料および高分子材料の濃度が異なる，本発明の各種インクを得た。
　インク１の作成法は以下の通りです。
　
Ｃ１０ＢＴＢＴ２．０部にクロロフォルム９８．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴを溶解させ，第一の溶液を得た
ＰＭＭＡ２．０部にクロロホルム９９．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，ＰＭＭＡを溶解させ，第二の溶液を得た
第一の溶液５０部に，第二の溶液１５部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＭＭＡが溶解した第三の溶液を得た。さらに，クロロホルムを３５部添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が０．３％であるインク１を得た
　
インク２は，ＰＭＭＡの代わりにＰＳを用いる以外はインク１と同様に調製した
　インク３は，ＰＭＭＡの代わりにＰＳ−ＡＮを用いる以外はインク１と同様に調製した。
　インク４は，ＰＭＭＡの代わりにＰ３ＨＴを用いる以外はインク１と同様に調製した。
　インク５の作成法は以下の通りである。
　インク１と同様の手法で，Ｃ１０ＢＴＢＴを含む第一の溶液および，ＰＭＭＡを含む第二の溶液を得た。第一の溶液５０部に，第二の溶液３．５部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＭＭＡが溶解した第三溶液を得た。さらに，クロロホルムを４６．５部添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が０．０７％であるインク５を得た。
【００８２】
　インク６の作成法は以下の通りである。
　インク１と同様の手法で，Ｃ１０ＢＴＢＴを含む第一の溶液および，ＰＭＭＡを含む第二の溶液を得た。第一の溶液５０部に，第二の溶液７部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＭＭＡが溶解した第三の溶液を得た。さらに，クロロホルム４３部を添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が０．１４％であるインク６を得た。
　インク７の作成法は以下の通りである。
　実施例１と同様の手法で，Ｃ１０ＢＴＢＴを含む第一の溶液および，ＰＭＭＡを含む第二の溶液を得た。第一の溶液５０部に，第二の溶液５０部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＭＭＡの濃度が１．０％であるインク７を得た。
【００８３】
　例２（比較用）
　Ｃ１０ＢＴＢＴ１．０部にクロロホルム９９．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴを溶解させ，比較用の溶液（以下，比較溶液と記載）を得た。
【００８４】
＜ボトムコンタクト素子の作成＞
　以下の手法にて，図１Ａに図示した構造を有するボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ（以下，ボトム基板と記載）を作成した。
ヘキサメチルジシラザン（以下，ＨＭＤＳと記載）処理をした３００ｎｍのＳｉＯ
2
熱酸化膜付きｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．０２Ω・ｃｍ以下）上にレジスト材料を塗布，露光パターニングし，ここにクロムを１ｎｍ，さらに金を４０ｎｍ蒸着した。次いでレジストを剥離して，ソース電極及びドレイン電極を形成させた（チャネル長２５μｍ×チャネル幅２ｍｍ×２０個である櫛型電極）
　
上記のインク１〜７および比較溶液の各々を，公知の処方にてＨＭＤＳによる表面処理を行ったボトム基板に，２〜３ｍｇを滴下することで基板上に半導体組成物を供給し，スピンコート法（回転数４０００ｒｐｍ回転時間２５秒）にて，ボトム基板上に半導体薄膜を作成することで，本発明のボトムコンタクト型の電界効果トランジスタを得た（以下，ボトム素子と略す）
【００８５】
＜トップコンタクト素子の作成＞
　上記インク１〜７および比較溶液の各々を，ＨＭＤＳ処理をした３００ｎｍのＳｉＯ2熱酸化膜付きｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．０２Ω・ｃｍ以下）に，２〜３ｍｇを滴下することで基板上に半導体組成物を供給し，スピンコート法（回転数４０００ｒｐｍ回転時間２５秒）にて，シリコン基板上に半導体薄膜を得た。半導体薄膜を形成した基板に，下記の熱処理を施した。その後，電極作成用シャドウマスクを取り付け，真空蒸着装置内に設置し，装置内の真空度が１．０×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。次いで抵抗加熱蒸着法によって，金の電極（ソース電極及びドレイン電極）を４０ｎｍの厚さに蒸着（チャネル長２００μｍ×チャネル幅２ｍｍ）し，図１Ｂに示した構造を有する，トップコンタクト型である電界効果トランジスタを得た（以下，トップ素子と略す）。
【００８６】
　上記のインク１〜７および比較溶液の各々から作成した，半導体薄膜を含むトップ素子または，半導体薄膜を含むボトム素子の熱処理方法は以下のように行った。大気雰囲気下にてあらかじめ所定温度にて予熱を行っていたホットプレート上に，半導体薄膜を含む素子を乗せ，１０分間静置後，速やかに室温環境下に移動した。ここで室温とは，おおむね２２〜２５℃を示す。
【００８７】
（キャリア移動度および閾値電圧の算出）
　半導体のキャリア移動度（以下移動度）および閾値電圧の算出は「半導体デバイス物理特性および技術」［Ｓｚｅ，Ｓ．Ｍ．ｐｐ３０−３５，ｐｐ２００−２０７（１９８５）］の記載内容に準拠して行った。移動度および閾値電圧は，半導体素子に対して，ソースおよびドレイン電圧（０〜−１００Ｖ）を印加することによって測定し，半導体応答曲線の飽和ソースドレイン電流を用いて算出した。移動度および閾値電圧は３つの素子にて測定を行い，その平均値を算出した。
　【００８８】
例３
＜耐熱性の比較＞
　ＰＭＭＡを０．３％含有する上記インク１もしくは比較溶液から作成し，熱処理なし（室温），１１８℃，および１５０℃の熱処理を行ったボトム素子の移動度を表５に示す。
　
　＜途中省略＞
　【００９０】
　ＰＭＭＡを含む本発明インクから作成した半導体素子は，熱処理を行わなくても，半導体特性を示した。さらに，ＰＭＭＡを含む本発明インクから作成した半導体素子は，熱処理温度の上昇に伴い半導体特性の向上がみとめられ，特に１５０℃の熱処理に伴い，顕著な移動度の向上が認められたことから，有機半導体材料の融点以上の熱処理が有効であることが判明した。一方，ＰＭＭＡを含まない比較溶液は，１５０℃の熱処理により半導体薄膜の融解が生じ，半導体素子の機能が失われることから，比較例溶液からの工業プロセスによるデバイス製造は困難であると考えられる。
【００９１】
例４
＜
高分子材料の比較
　ＰＭＭＡ，
ＰＳ
をそれぞれ０．３％含有する上記インク１乃至４および比較溶液から作成し，１５０℃の熱処理を施したボトム素子の電界効果トランジスタの移動度を表６に示す
【００９２】
【表６】
【００９３】
　前述のように，高分子材料を含有しない比較溶液から作成した半導体素子は，１５０℃の熱処理に伴い融解と薄膜の崩壊が生ずるため，半導体特性を示さなかった。一方，ＰＭＭＡ，
ＰＳ
の高分子材料を含むインク１〜４は高分子材料の構造に依存せず，１５０℃の熱処理においても明瞭なキャリア移動度を示した
ＰＳ
を含む，本発明の電界効果トランジスタは，１５０℃の熱処理により高い移動度を示す
【００９４】
例５
＜高分子材料添加量と塗布性比較＞
　本発明インクのスピンコートによる製膜性について，表面をＵＶ／オゾン処理によって親水化したＳｉＯ２基板（以下，未処理基板）および，ＵＶ／オゾン処理後に公知の手法にてＨＭＤＳによる疎水化を行った基板（以下，ＨＭＤＳ処理基板）を用いて比較を行った。未処理基板又はＨＭＤＳ処理基板上に，インク５乃至７および比較溶液を，２〜３ｍｇを滴下することで基板上に半導体組成物を供給し，スピンコート法（回転数４０００ｒｐｍ　回転時間２５秒）にて，半導体薄膜を得た。
　未処理基板または処理基板上での，半導体インク５乃至７または比較溶液による，ＳｉＯ２表面上でのスピンコート製膜性を表７に示す。
【００９５】
【表７】
【００９６】
　ここでは，基板表面上に形成した半導体薄膜の面積から濡れ性を評価し，◎は有機半導体組成物が１００％基板表面を覆った状態，○は９８％以上覆った状態，△は９０％以上覆った状態，×は８０以下しか覆えなかった状態をそれぞれ示す。
　未処理基板，ＨＭＤＳ処理基板共に，比較溶液，インク５，インク６の順番，すなわちＰＭＭＡの含有量の増加に伴い塗布性が改善した。特に，比較溶液を用いた場合，ＨＭＤＳ処理基板上では明瞭な半導体薄膜の形成が認められなかったのに対し，インク６では非常に良好な半導体薄膜の形成が認められた。
インク７は，スピンコート法にとっては高粘度であり塗布性が悪くなっているため，濡れ性が低下した。しかし，ＰＭＭＡの添加量を調整することでスピンコート法以外の塗布法にて製膜が可能となる
　【００９７】
例６
＜高分子材料の比較＞
　ＰＭＭＡの含有量が異なる上記のインク１，５〜７から作成し，室温での熱処理を施したボトム素子の電界効果トランジスタの移動度を表８に示す。
【００９８】
【表８】
　【００９９】
　
ＰＭＭＡの含有量をＣ１０ＢＴＢＴに対して７〜１００％と広い範囲で変化させても，移動度に有意な差は認められず
【０１００】
例７
＜トップコンタクト素子＞
　ＰＭＭＡを０．３％含有する上記のインク１から作成し，１５０℃の熱処理を施したトップ素子の電界効果トランジスタの移動度を表９に示す。
【０１０１】
【表９】
【０１０２】
　本発明インクを用いたトップ素子においても，ＰＭＭＡの共存下で明瞭なＦＥＴ特性を示した。さらに，ボトム素子と比較して，移動度は１０〜１００倍以上向上し，高分子材料を含有する組成物としては高い移動度を示した。また，室温による処理と比べて，１５０℃の熱処理によって電界効果トランジスタ特性が飛躍的に向上した。一方，比較溶液を用いた場合には，トランジスタ特性を示さなかった。
【０１０３】
　本発明組成物および本発明インクから作成した電界効果トランジスタは，良好な大気安定性を示した。
【０１０４】
　比較溶液から作成した電界効果トランジスタは，熱処理温度の向上に伴い半導体特性の向上が観測されるが，融点温度以上の熱処理では融解に伴い，半導体特性を示さなくなる。しかし，本発明組成物を用いることで，１５０℃の熱処理においても良好な電界効果トランジスタ特性を示し，熱処理温度の向上に伴い移動度の向上が認められた。
【０１０５】
　電界効果トランジスタを用いたデバイス製造では，種々の工程で１５０℃の熱がかかってしまうことも多く，耐熱性の向上は非常に重要な課題であった。しかし，本発明組成物および本発明インクを用いることにより，有機半導体特性の向上と熱処理温度の向上を，初めて両立させた。さらに，本発明インクを用いることで，製膜性や粘度などを調製することが可能となり，半導体薄膜作成用の本発明インクを用いることで，スピンコート法だけでなく，種々のウエットプロセスにて半導体薄膜が作成可能となる。」
（２）引用発明１
　上記の記載から，上記引用文献１には，インク２を基板上に塗布することにより半導体薄膜を形成することを含む電界効果トランジスタの製造方法に係る，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「有機半導体材料および高分子材料を含む組成物を基板上に塗布することにより，半導体薄膜を形成し，当該半導体薄膜を形成後に熱処理を行うことを含む，電界効果トランジスタの製造方法であって，
　前記有機半導体材料が，融点；１２４℃の，２，７−デシル[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ]ベンゾチオフェン（以下「Ｃ１０ＢＴＢＴ」と記載する。）であり，
　前記高分子材料が，Ａｌｄｒｉｃｈ製，絶縁性ポリスチレン系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上の，ポリスチレン（以下「ＰＳ」と記載する。）であり，
　前記Ｃ１０ＢＴＢＴ２．０部にクロロフォルム９８．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴを溶解させ，第一の溶液を調整し，ＰＳ２．０部にクロロホルム９９．０部を添加し，３０〜４０℃の加熱を行うことで，ＰＳを溶解させ，第二の溶液を調整し，第一の溶液５０部に，第二の溶液１５部を添加し，３０〜５０℃の加熱を行うことで，Ｃ１０ＢＴＢＴとＰＳが溶解した第三の溶液を調整し，さらに，クロロホルムを３５部添加することで，最終的にＣ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＳの濃度が０．３％であるインク２を調整し，
　ヘキサメチルジシラザン（以下「ＨＭＤＳ」と記載する。）処理をした３００ｎｍのＳｉＯ2熱酸化膜付きｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．０２Ω・ｃｍ以下）上にレジスト材料を塗布，露光パターニングし，ここにクロムを１ｎｍ，さらに金を４０ｎｍ蒸着し，次いでレジストを剥離して，ソース電極及びドレイン電極（チャネル長２５μｍ×チャネル幅２ｍｍ×２０個である櫛型電極）を形成してボトム基板となし，
　上記のインク２を，公知の処方にてＨＭＤＳによる表面処理を行った前記ボトム基板に，２〜３ｍｇを滴下することで基板上に半導体組成物を供給し，スピンコート法（回転数４０００ｒｐｍ回転時間２５秒）にて，前記ボトム基板上に半導体薄膜を作成して得たボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ（以下「ボトム素子」と略す。）において，
　前記有機半導体材料の融点である１２４℃よりも高い１５０℃の熱処理を施した前記ボトム素子の電界効果トランジスタの移動度が，１４．０x１０−４ｃｍ２Ｖ−１Ｓ−１である，
　良好な耐熱性とトランジスタ特性を有する電界効果トランジスタの製造方法。」
（３）引用文献２ないし４について
　ア　当審拒絶理由で引用した引用文献２（特開２００９−２６０３４０号公報：原査定の引用文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　改善された移動度と可撓性とを有する薄膜トランジスタであって，
　
ゲート誘電体層と半導体層とを含み，前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む，薄膜トランジスタ
【請求項２】
　溶媒と，組成物全重量の０．１〜５重量パーセントの結晶性半導体ポリマーと，組成物全重量の０．０１〜２．５重量パーセントの非晶質絶縁ポリマーとを含み，１．５センチポアズ〜２０センチポアズの粘度を有する半導体組成物。」 
「【００１０】
　さらなる態様において，
絶縁ポリマーはポリスチレン
【００１１】
　
絶縁ポリマーは少なくとも２，０００，例えば約５，０００〜約１，０００，０００の重量平均分子量を有していてよい
「【００３６】
　絶縁ポリマーは，ポリスチレン，ポリ（α−メチルスチレン），ポリ（４−ビニルビフェニル），ポリ（ビニルシンナメート），およびポリシロキサンからなる群より選択されてよい。さらに，高分子量を有する絶縁ポリマーは，半導体層の加工特性を，その粘度を改変することによって改善することもできる。態様において，絶縁ポリマーは少なくとも２，０００の重量平均分子量を有する。さらなる態様において，絶縁ポリマーは約５，０００〜約１，０００，０００の重量平均分子量を有する。さらに他の態様において，絶縁ポリマーは１００，０００以上の重量平均分子量を有する。
【００３７】
　
一般的に言って，半導体層は絶縁ポリマーよりも多くの半導体ポリマーを含む
絶縁ポリマーは，半導体層の総重量に対して，半導体層の約０．１〜約６０重量パーセント，例えば約０．１〜約２０重量パーセントを構成する。この適用はこの理論により制限されると解釈されるべきではないが，絶縁ポリマーは半導体層により良好な膜質（film quality）も提供すると信じられる
「【００５１】
　２００ｎｍ酸化シリコンを有するｎ型にドープしたシリコンウェハーを基板として用い，ＯＴＦＴ装置を製作した。ここでｎ型にドープしたシリコンはゲート電極として，また酸化シリコンはゲート誘電体層として機能した。プラズマ洗浄したウェハーをトルエン中の０．１Ｍ　ドデシルトリクロロシラン溶液に６０℃で２０分間浸漬することにより，ＳＡＭシラン界面層でウェハー表面を修飾した。
【００５２】
　
半導体溶液を
１ｇのジクロロベンゼン中に１０ｍｇのＰＢＴＢＴ−１２と１ｍｇのポリスチレン（Ｍｗ＝２８０，０００）とを加熱しながら溶解することにより調製した
【化１２】
　【００５３】
　０．４５μｍのシリンジフィルターを通して濾過した後，半導体溶液を上述のウェハー基板上に１０００ｒｐｍにて９０秒間スピンコーティングした。溶媒を乾燥後，金のソース／ドレイン電極をシャドーマスクを通して半導体層の上部に蒸着し，
ＯＴＦＴ装置を完成した
【００５４】
　装置はＫｅｉｔｈｌｅｙ　４２００−ＳＣＳ機器を用いて周囲条件において暗所の下で特性を調べた。ポリスチレンを添加した装置は，より高いｏｎ電流（on-current）およびより良好な飽和挙動を示した。移動度およびしきい値電圧のデータを，１０個超のトランジスタに対する伝達曲線（transfer curve）から抽出し，表１にまとめた。一般に，半導体層にポリスチレンを添加した装置は，ポリスチレンを添加しなかった装置と比較して，ずっと高い移動度と低いしきい値電圧とを示した。
【表１】
　【００５５】
　従って，
高分子半導体，特に高結晶性ＰＢＴＢＴの性能は，少量の絶縁ポリスチレンを添加することにより改善された
　イ　上記記載から，引用文献２には，ゲート誘電体層と半導体層とを含み，前記半導体層が半導体ポリマーおよび絶縁ポリマーを含む，薄膜トランジスタにおいて，
　一般的に言って，半導体層が絶縁ポリマーよりも多くの半導体ポリマーを含む場合，すなわち，絶縁ポリマーが，半導体層の総重量に対して，半導体層の約０．１〜約６０重量パーセント，例えば約０．１〜約２０重量パーセントを構成する場合に，絶縁ポリマーは半導体層により良好な膜質（film quality）を提供すると信じられていること，及び，
　１ｇのジクロロベンゼン中に１０ｍｇのＰＢＴＢＴ−１２と１ｍｇのポリスチレン（Ｍｗ＝２８０，０００）とを加熱しながら溶解することにより調製した半導体溶液を用いて作製したＯＴＦＴ装置が，０．２５−０．３４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃの移動度を示し，高結晶性ＰＢＴＢＴの性能は，少量の絶縁ポリスチレンを添加することにより改善されるという技術的事項が記載されていると認められる。 
　ウ　引用文献３（特開２００９−２６７３７２号公報：原査定の引用文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
低分子化合物と，キャリア輸送性を有する高分子化合物と，を含み
　
前記高分子化合物の溶解度パラメータと，前記低分子化合物の溶解度パラメータとが，０．６以上１．５以下異なっている
有機半導体組成物
【請求項２】
前記高分子化合物と前記低分子化合物とが，海島構造を形成している，ことを特徴とする請求項１記載の有機半導体組成物。
【請求項３】
前記高分子化合物及び前記低分子化合物の少なくとも一方が，液晶性を有する，ことを特徴とする請求項１又は２記載の有機半導体組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の
有機半導体組成物を用いてなることを特徴とする有機薄膜
【請求項５】
前記低分子化合物が，表面に偏在していることを特徴とする請求項４記載の有機薄膜。
【請求項６】
請求項４又は５記載の有機薄膜を備えることを特徴とする有機薄膜素子。
【請求項７】
ソース電極及びドレイン電極と，これらの電極間の電流経路となる有機半導体層と，前記電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と，を備え
　前記有機半導体層が，請求項４又は５に記載の有機薄膜からなる，ことを特徴とする
有機薄膜トランジスタ
「【００９４】
　
有機薄膜の機械的特性を高めるため，有機半導体組成物は，キャリア輸送性高分子化合物及び低分子化合物に加えて，キャリア輸送性を有しない高分子化合物を更に含んでいてもよい
キャリア輸送性を有しない高分子化合物としては
ポリスチレン
が挙げられる
「【実施例】
【０１４６】
　以下，本発明を実施例により更に詳細に説明するが，本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１４７】
［実験１］
　まず，キャリア輸送性高分子化合物として下記化学式（１３），（１４），（１５），（１６）及び（１７）のいずれかで表される化合物，低分子化合物として下記化学式（１８），（１９）及び（２０）のいずれかで表される化合物をそれぞれ準備した。なお，化合物（１３）〜（１７）におけるｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５は，括弧内の構造の繰り返し数を示す数であり，当該化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量が，それぞれ６９０００（化合物（１３）），１４５０００（化合物（１４）），３５１０００（化合物（１５）），４２０００（化合物（１６）），１６４０００（化合物（１７））となるのに対応する数である。また，ｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４，ｎ５は，対応する化合物のポリスチレン換算の数平均分子量が，それぞれ４１０００（化合物（１３）），７３０００（化合物（１４）），８５０００（化合物（１５）），２２０００（化合物（１６）），２３０００（化合物（１７））となるのに対応する数でもある。
【化７】
　・・・
【０１４８】
　次に，これらのキャリア輸送性高分子化合物及び低分子化合物の溶解度パラメータ（ＳＰ）を，上述した方法により求め，キャリア輸送性高分子化合物と低分子化合物との組み合わせによるＳＰの差（ΔＳＰ）を算出した。得られた結果をまとめて表５に示す。表５中，化合物名に付された括弧内の数値が，各化合物が有しているＳＰの値であり，キャリア輸送性高分子化合物の列と低分子化合物の行とが交わる部分に記載された数値が，これらの化合物のＳＰの値の差の絶対値（ΔＳＰ）である。
【表５】
【０１４９】
　一例として，キャリア輸送性高分子化合物である化合物（１３）と，低分子化合物である化合物（１８）とを５０：５０（重量比）で混合して有機半導体組成物（ΔＳＰ＝１．００）を調製した。まず，これを溶媒であるクロロホルムに溶解した後，スピンコート法により薄膜を形成して，その薄膜の表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。その結果，当該薄膜では，化合物（１３）と化合物（１８）とが海島構造を形成していることが確認された。
【０１５０】
　この有機半導体組成物について，ＤＳＣ法による測定を行った結果，化合物（１３）の融解時に表れるピークが消滅した一方，化合物（１８）の結晶相から液晶相への転移ピークがシフトし，吸熱量が減少していた。このことから，化合物（１３）と化合物（１８）とが部分的に相溶していることが確認された。
【０１５１】
　また，キャリア輸送性高分子化合物である化合物（１５）と，低分子化合物である化合物（１８）とを３０：７０（重量比）で混合して有機半導体組成物（ΔＳＰ＝０．９２）を調製した。まず，これを溶媒であるトルエンに溶解した後，スピンコート法により絶縁膜上に薄膜を形成して，薄膜をエネルギーフィルタ型透過電子顕微鏡（ＥＦ−ＴＥＭ）により観察した。その結果，化合物（１８）のみに含まれている硫黄が，薄膜と絶縁膜との界面，及び，薄膜の絶縁膜とは反対側の表面に偏在していることが確認された。これは，低分子化合物である化合物（１８）が，薄膜の表面に偏在していることを意味する。ただし，薄膜表面から内側への硫黄の濃度勾配は緩やかであったことから，化合物（１５）と化合物（１８）とは分離していないことが確認された。なお，本明細書において，薄膜の「表面」とは，薄膜における，気体，液体，固体等のあらゆる成分との界面を意味する。例えば，薄膜と絶縁膜との界面，薄膜と大気との界面，薄膜と保護膜との界面等が挙げられる。
　＜途中省略＞
【０１５４】
［実験２］
（有機薄膜トランジスタの作製）
　
キャリア輸送性高分子化合物として上記化合物（１３）（ＳＰ＝１７．０２）を，低分子化合物として上記化合物（１８）（ＳＰ＝１８．０２）を含む有機半導体組成物（ΔＳＰ＝１．００）を用いて，図１２に示す構造を有する有機薄膜トランジスタを作製した
【０１５５】
　すなわち，まず，ゲート電極となる高濃度にドーピングされたｎ−型シリコン基板の表面を熱酸化し，２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成した。この基板をアセトンで１０分間超音波洗浄した後，オゾンＵＶを３０分間照射した。その後，窒素を満たしたグローブボックス中で，オクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）のオクタン希釈液を用い，これに基板を１５時間浸漬することによりこの基板表面をシラン処理した。
【０１５６】
　また，化合物（１３）（
９，９−ジオクチルフルオレンとビチオフェンの共重合体；ポリスチレン換算の重量平均分子量＝６９，０００）
化合物（１８）（ジドデシルベンゾチエノベンゾチオフェン）
【０１５７】
　その後，得られた塗布液を，上記表面処理した基板上にスピンコート法により塗布し，約６０ｎｍの厚さを有する化合物（１３）及び化合物（１８）を含む薄膜（有機薄膜）を形成した。そして，メタルマスクを用いた真空蒸着法により，有機薄膜上に，チャネル長２０μｍ，チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極（有機薄膜側から，フラーレン及び金の積層構造を有する）を作製した。
【０１５８】
　なお，実験２では，塗布液として，化合物（１３）と化合物（１８）との割合を下記の表６に示すように変えた各種のものを準備し，これらをそれぞれ用いて，サンプルＮｏ．１〜５までの５種類の有機薄膜トランジスタを作製した。
【０１５９】
（特性評価）
　上述のようにして得られた
サンプルＮｏ．１〜５のそれぞれの有機薄膜トランジスタについて，ゲート電圧Ｖｇを０〜−６０Ｖ，ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−６０Ｖに変化させた条件で，そのトランジスタ特性を測定した。かかる測定により得られた伝達特性から算出した，実験２の有機薄膜トランジスタによる電界効果移動度（移動度）を表に示す
【表６】
」
 
　エ　上記記載から，引用文献３には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ソース電極及びドレイン電極と，これらの電極間の電流経路となる有機半導体層と，前記電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と，を備えた有機薄膜トランジスタであって，
　前記有機半導体層が，低分子化合物と，キャリア輸送性を有する高分子化合物と，を含み，前記高分子化合物の溶解度パラメータと，前記低分子化合物の溶解度パラメータとが，０．６以上１．５以下異なっている有機半導体組成物を用いてなる有機薄膜からなり，
　前記低分子化合物が，ジドデシルベンゾチエノベンゾチオフェンであり，
　前記キャリア輸送性を有する高分子化合物が，９，９−ジオクチルフルオレンとビチオフェンの共重合体（ポリスチレン換算の重量平均分子量＝６９，０００）であり，
　前記低分子化合物と，前記キャリア輸送性を有する高分子化合物との配合比（重量比）が，５０：５０である有機薄膜トランジスタについて，ゲート電圧Ｖｇを０〜−６０Ｖ，ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−６０Ｖに変化させた条件で測定した電界効果移動度（移動度）が，２．１ｃｍ２／Ｖｓである，有機薄膜トランジスタ。」
　さらに，上記記載から，引用文献３には，引用発明２が，有機薄膜の機械的特性を高めるため，有機半導体組成物は，キャリア輸送性高分子化合物及び低分子化合物に加えて，キャリア輸送性を有しない高分子化合物を更に含んでいてもよく，キャリア輸送性を有しない高分子化合物としては，非共役高分子化合物が例示でき，有機薄膜とした場合のキャリア輸送性を極度に阻害しないものが好ましく，また，可視光の吸収が強くないものも好ましく，このような非共役高分子化合物としては，例えば，ポリスチレン類（ポリスチレン，アイソタクチックポリスチレン，ポリ（α−メチルスチレン）等），ポリエチレン類（ＨＤポリエチレン等），ポリプロピレン，ポリイソプレン，ポリブタジエン，ポリ（４−メチル−１−ペンテン），ポリ（テトラフルオロエチレン），ポリカーボネート，ポリアクリレート，ポリメチルアクリレート，ポリメチルメタクリレート，ポリ塩化ビニル等が挙げられ，また，これらの非共役高分子化合物を構成している繰り返し単位を有するコポリマー（ランダムコポリマー，ブロックコポリマー）が挙げられるという技術的事項が記載されていると認められる。
　オ　引用文献４（特開２００７−５１９２２７号公報：原査定の引用文献３）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
有機半導体層処方であって
１，０００Hzで３．３以下の誘電率εを有する有機結合剤
　【化１】
式中，
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ９，Ｒ１０，Ｒ１１，およびＲ１２のそれぞれは，同一または異なっていてもよく，独立して，水素；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；任意に置換されたＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；任意に置換されたＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；任意に置換されたＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；任意に置換されたＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基 （−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ，式中，Ｘは，ハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；任意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ，Ｂｒ，Ｆ）；または任意に置換されたシリル基であり，；および
式中，Ｒ２およびＲ３および／またはＲ８およびＲ９は，Ｃ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和の環を形成するように架橋されていてもよく，飽和または不飽和の環は，酸素原子，硫黄原子，式−Ｎ（Ｒａ）−（式中，Ｒａは，水素原子または任意に置換された炭化水素基）で示される基が介在していてもよい，；および
式中，ポリアセン骨格の１または２以上の炭素原子は，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｏ，Ｓ，ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子によって任意に置換されていてもよい；および
式中，独立して，ポリアセンの隣接する環の位置に存在するいずれの２または３以上の置換基Ｒ１〜Ｒ１２は，ともに，ポリアセンに融合した，任意にＯ，Ｓまたは−Ｎ（Ｒａ）（Ｒａは，上記定義のとおりである）が割り込まれたさらなるＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和の環または芳香族環系を構成してもよい，；および
式中，ｎは，０，１，２，３または４である，
の
ポリアセン化合物を含む，前記処方
　＜途中省略＞
【請求項２１】
　請求項１〜１９のいずれかに記載の有機半導体層処方を含む，
電子デバイス
「【００４７】
　本発明の好ましい態様では，半導体ポリアセンは，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい，好ましくは，１０−４ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい，さらに好ましくは，１０−３ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい，もっとさらに好ましくは，１０−２ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きいおよび最も好ましくは，１０−１ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい電界効果移動度，μを有する。
　ポリマーである結合剤は，絶縁結合剤または半導体結合剤，またはそれらの混合物のいずれかを含んでもよく，ここでは，有機結合剤，ポリマー結合剤または単に結合剤と呼ぶ。
　本発明の好ましい結合剤は，低い誘電率の材料，すなわち１，０００Ｈｚにおいて３．３以下の誘電率，εを有するものである。有機結合剤は，好ましくは，１，０００Ｈｚにおいて３．０より小さい，さらに好ましくは，２．９以下の誘電率を有する。好ましくは，有機結合剤は，１，０００Ｈｚで１．７よりも大きい誘電率を有する。結合剤の誘電率が，２．０〜２．９の範囲であることがとくに好ましい。ある特定の理論に束縛されることは望まないが，１，０００Ｈｚで３．３よりも大きい誘電率の結合剤を用いることは，電子デバイス，たとえばＯＦＥＴのＯＳＣ層の移動度を減少させるかもしれないと考えられている。さらに，高い誘電率の結合剤は，また望ましくない増加した電流ヒステリシスをもたらし得る。
【００４８】
　
有機結合剤の例は，ポリスチレンである
　好ましい態様の1つには，有機結合剤は，原子の少なくとも９５％，さらに好ましくは少なくとも９８％，とくに全部が，水素，フッ素および炭素原子からなるものである。
　結合剤は，通常，共役結合，とくに共役二重結合および／または芳香環を含むのが好ましい。
　結合剤は，好ましくは，膜を，さらに好ましくは柔軟な膜を形成できるようであるべきである。スチレンおよびアルファ-メチルスチレンのポリマー，たとえば，スチレン，アルファ-メチルスチレンおよびブタジエンを含むコポリマーを好適に用いてもよい。
　本発明で用いる低い誘電率の結合剤は，さもなければ分子部位エネルギーに乱雑なばらつきをもたらす不変な双極子をほとんど有さない。誘電率（誘電定数）は，ＡＳＴＭ　Ｄ　１５０テスト方法によって決定することができる。」
　カ　上記記載から，引用文献４には，１，０００Hzで３．３以下の誘電率εを有する有機結合剤と，所定の構造を有するポリアセン化合物を含む有機半導体層処方において，前記有機結合剤の例として，ポリスチレンがあり，当該有機半導体層処方が電子デバイスに用いられるという技術的事項が記載されていると認められる。
　２　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
（ア）本願明細書【０００２】の「いくつかの実施形態では，電子機器は，薄膜トランジスタである。」との記載に照らして，引用発明１の「電界効果トランジスタ」は，本願発明１の「電子機器」に相当する。
　そうすると，引用発明１の「『電界効果トランジスタ』に含まれる『半導体薄膜』」は，本願発明１の「電子機器の半導体層」に相当する。
（イ）引用発明１の「Ａｌｄｒｉｃｈ製，絶縁性ポリスチレン系高分子，ガラス転移温度５０−１１０℃，溶融温度２００℃，熱分解温度３３０℃以上の，ポリスチレン」は，技術常識に照らして，本願発明１の「『ポリマーバインダーとしての』『スチレン系ポリマー』」に相当する。
（ウ）引用発明１の「２，７−デシル[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ]ベンゾチオフェン」は，本願発明１の「式（ＩＩ）の低分子半導体」で特定される範囲に含まれる材料といえる。
（エ）引用発明１の「前記有機半導体材料の融点である１２４℃よりも高い１５０℃の熱処理を施し」と，本願発明１の「低分子半導体の融点よりも低い温度で前記組成物をアニーリング」とは，「所定の温度で組成物をアニーリング」する点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「電子機器の半導体層を製造するプロセスであって，
　ポリマーバインダーとしてのスチレン系ポリマーと，式（ＩＩ）の低分子半導体とを混合した組成物を基板にコーティングし，均一な膜を作成し，
　　【化２】
ここで，式中，Ｒ２及びＲ３は，それぞれ独立して，アルキルであり，
　所定温度で前記組成物をアニーリングし，前記半導体層を作成する，プロセス。」
（相違点）
（相違点１）一致点に係る「『ポリマーバインダーとしての』『スチレン系ポリマー』」の重量平均分子量が，本願発明１では，「４５，０００乃至３００，０００」であるのに対して，引用発明１では，明記されていない点。
（相違点２）スチレン系ポリマーと低分子半導体とを混合した組成物における，両者の重量比が，本願発明１では，「１：１」であるのに対して，引用発明１では，「Ｃ１０ＢＴＢＴの濃度が１．０％，ＰＳの濃度が０．３％」である点。
（相違点３）本願発明１が，「７０乃至８０℃で乾燥させた後，前記低分子半導体の融点よりも低い温度で前記組成物をアニーリングし，前記半導体層を作成し，半導体層の上部に，金のソース電極およびドレイン電極を真空蒸着させ，デバイスを完成」する工程を有するのに対して，引用発明１が，「ヘキサメチルジシラザン（以下「ＨＭＤＳ」と記載する。）処理をした３００ｎｍのＳｉＯ2熱酸化膜付きｎドープシリコンウェハー（面抵抗０．０２Ω・ｃｍ以下）上にレジスト材料を塗布，露光パターニングし，ここにクロムを１ｎｍ，さらに金を４０ｎｍ蒸着し，次いでレジストを剥離して，ソース電極及びドレイン電極（チャネル長２５μｍ×チャネル幅２ｍｍ×２０個である櫛型電極）を形成してボトム基板となし，上記のインク２を，公知の処方にてＨＭＤＳによる表面処理を行った前記ボトム基板に，２〜３ｍｇを滴下することで基板上に半導体組成物を供給し，スピンコート法（回転数４０００ｒｐｍ回転時間２５秒）にて，前記ボトム基板上に半導体薄膜を作成して得たボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ（以下「ボトム素子」と略す。）において，前記有機半導体材料の融点である１２４℃よりも高い１５０℃の熱処理を施」す工程を有する点。
（相違点４）一致点に係る半導体層の電界効果移動度が，本願発明１では，「０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大き」いのに対して，引用発明１では，「１４．０x１０−４ｃｍ２Ｖ−１Ｓ−１である」点。
　イ　相違点についての判断
　本願明細書の【００３４】の「半導体組成物によって作られる半導体の移動度は，低分子半導体と特定のポリマーとの組み合わせによって影響を受けることがわかっている。式（Ｉ）の化合物を，多くの異なるポリマーと合わせてもよい。ある特定の実施形態では，ポリマーバインダーは，スチレン系ポリマーである。」との記載，及び【００３７】の「ある実施形態では，式（Ｉ）の低分子半導体と，ポリマーバインダーとの重量比は，１：１付近である。式（ＩＩ）の低分子半導体と，スチレン系ポリマーバインダーとの重量比は，望ましくは，約３：２〜約２：３であり，最適には，約１：１の比率で機能する。」との記載から，本願発明１において，低分子半導体とスチレン系ポリマーバインダーとの重量比と，半導体組成物によって作られる半導体の移動度とが関連していると理解される。
　そこで，上記相違点２と相違点４とを併せて最初に検討すると，引用文献１には，Ｃ１０ＢＴＢＴと，ＰＳとを，重量比で「１：１」の比率とすることは記載されていない。
　一方，引用文献１の【００９６】−【００９９】には，Ｃ１０ＢＴＢＴに対して，ＰＭＭＡの含有量を変化させることは記載されている。
　しかしながら，【００９９】には，「ＰＭＭＡの含有量をＣ１０ＢＴＢＴに対して７〜１００％と広い範囲で変化させても，移動度に有意な差は認められず」と記載されていることに照らして，引用発明１において，Ｃ１０ＢＴＢＴと，ＰＳとを，重量比で「１：１」の比率とする積極的な動機を見いだすことはできず，また，引用発明１において，「１４．０x１０−４ｃｍ２Ｖ−１Ｓ−１であ」った半導体層の電界効果移動度が，本願発明１で特定する「０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大き」い値となることを予測し得たとも認められない。
　しかも，引用文献２に「一般的に言って，半導体層は絶縁ポリマーよりも多くの半導体ポリマーを含む。一部の態様において，絶縁ポリマーは，半導体層の総重量に対して，半導体層の約０．１〜約６０重量パーセント，例えば約０．１〜約２０重量パーセントを構成する。この適用はこの理論により制限されると解釈されるべきではないが，絶縁ポリマーは半導体層により良好な膜質（film quality）も提供すると信じられる。」（【００３７】）と記載されていることに照らして，スチレン系ポリマーと低分子半導体とを混合した組成物における，両者の重量比を「１：１」とすることには，阻害事由が存在するともいえる。
　してみれば，引用文献１，２に記載された技術的事項から，引用発明１において，上記相違点２，４について本願発明１の構成となすことが当業者にとって容易であったとは認められない。
　さらに，引用文献３，４に記載された発明及び技術的事項を参酌しても，引用発明１において，上記相違点２，４について本願発明１の構成となすことが当業者にとって容易であったとは認められない。
　そうすると，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１及び引用文献１ないし４に記載された発明及び技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明２について
　本願発明２は，上記相違点２及び４の構成とを備えるから，上記「（１）本願発明１について」と同様の理由により，引用文献１ないし４に記載された発明及び技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，「本願明細書の記載によれば，本願発明の課題は，『高い移動度と優れた安定性を達成する』ことであると認められる・・・しかしながら，上記ウの理解に照らして，少なくとも，２，７−ジトリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン又は，２，７−ジペンチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチオフェン以外の低分子化合物や重量平均分子量が４５，０００〜３００，０００の範囲を外れるスチレン系のポリマーを用い，１：１以外の重量比で混合した場合においても同様な結果が得られることは示されていない。（イ）すなわち，請求項１の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えている。したがって，本願明細書の記載はもとより，本願出願当時の技術常識に照らしても，請求項１の記載によって特許を請求しようとする範囲の全てにおいて，本願発明の課題を解決できると当業者が認識することはできないというべきである。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１１月２２日付けの手続補正書による補正と，同日に提出された意見書における説明によって，この拒絶の理由は解消した。
第７　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
　当審では，「請求項１は，『・・・前記半導体組成物は，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する層を作成することができる，半導体組成物』と記載され，半導体組成物の発明である。しかし，その『半導体組成物』が『作成することができる』層の特性で記述されており，『半導体組成物』自体の構造や特性とどのような関係があるのか不明である。よって，請求項１に係る発明は，明確でない。」との拒絶理由を通知しているが，平成２９年１１月２２日付けの手続補正書による補正によって，補正前の請求項１が削除されたことによって，この拒絶の理由は解消した。
第８　原査定についての判断
　平成２９年１１月２２日付けの手続補正書による補正により，補正後の請求項１，２は，いずれも，ポリマーバインダーとしての重量平均分子量４５，０００乃至３００，０００のスチレン系ポリマーと，式（ＩＩ）の低分子半導体との混合が，「１：１の重量比」であり，「半導体層が，０．１０ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃより大きな電界効果移動度を有する」という技術的事項を有するものとなった。
　そして，当該技術的事項は，原査定における引用文献１ないし３には記載されておらず，本願優先権主張の日前における周知技術でもない。
　したがって，本願発明１，２は，原査定における引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできたものとも認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第９　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。