【事件の表示】
　特願２０１３−　８９５８０「固体撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月２９日出願公開，特開２０１４−　９９５８２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年４月２２日（優先権主張　平成２４年１０月１８日）の出願であって，平成２８年２月９日に手続補正書の提出と審査請求がされ，平成２９年１月２０日付けで拒絶理由が通知され，同年３月１４日に意見書と手続補正書が提出され，同年３月３１日付けで拒絶査定がなされ，同年６月２９日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年６月２９日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
　１　補正の内容
　平成２９年６月２９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１４を補正して，補正後の請求項１ないし１４とするものであって，補正前後の請求項１は次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，
　前記センサ回路とは異なる回路をそれぞれ有する第２の半導体基板および第３の半導体基板とを備え，
　前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に積層され，
　前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され，
　前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ねる
　固体撮像装置。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，
　前記センサ回路とは異なる回路をそれぞれ有する第２の半導体基板および第３の半導体基板とを備え，
　前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に積層され，
　前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され，
　前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ね，
　前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板との電気的接続，または，前記第２の半導体基板と前記第３の半導体基板との電気的接続の少なくとも一方には，シェアードコンタクトが用いられる
　固体撮像装置。」
　
　２　補正事項の整理
　本件補正の請求項１についての補正事項を整理すると次のとおりである。
　
・補正事項１
　補正前の請求項１の「前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ねる」を補正して，補正後の請求項１の「前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ね，
　前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板との電気的接続，または，前記第２の半導体基板と前記第３の半導体基板との電気的接続の少なくとも一方には，シェアードコンタクトが用いられる」とすること。
　３　新規事項追加の有無，発明の特別な技術的特徴の変更の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（２）さらに，補正事項１による補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１は，いずれも特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
（３）そして，補正事項１は，発明の特別な技術的特徴を変更するものではないと認められるから，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものといえる。
（４）以上検討したとおりであるから，本件補正の補正事項１を含む請求項１についての補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項，及び，第５項に規定する要件を満たす。
　
　４　独立特許要件についての検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項１を含むから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，請求項１に係る発明について，更に検討を行う。
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，
　前記センサ回路とは異なる回路をそれぞれ有する第２の半導体基板および第３の半導体基板とを備え，
　前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に積層され，
　前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され，
　前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ね，
　前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板との電気的接続，または，前記第２の半導体基板と前記第３の半導体基板との電気的接続の少なくとも一方には，シェアードコンタクトが用いられる
　固体撮像装置。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　ア　拒絶査定の理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２０１２−１５２７８号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
「【請求項７】
　
光電変換素子が主面に配された基板
　
前記基板の主面の上に配された，銅を主成分とする配線を含む配線層
アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層
固体撮像装置用の部材
　前記
アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層は，前記銅を主成分とする配線を含む配線層よりも前記基板に近接して配置され，前記光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するためのパッドを有する
固体撮像装置用の部材
「【０００３】
　特許文献１には，
増幅型であるＣＭＯＳ型の固体撮像装置において，光電変換素子の受光面積を確保するため，光電変換素子と転送トランジスタを配した第１基板と，他の回路を配した第２基板とを接合して固体撮像装置を形成する構成が開示されている
「【発明の効果】
【００１１】
　
本発明の固体撮像装置によって，外部端子との接続不良の発生を抑制し，金属汚染の発生が低減されたパッドを提供することが可能となる
「【００１５】
　本発明の実施例１について，図１から図６を用いて説明する。
【００１６】
　まず，図３を用いて実施例１の固体撮像装置の回路を説明する。本実施例では，信号電荷が，例えば電子の場合について説明を行う。図３の固体撮像装置は，複数の光電変換素子が配列した画素部３０１と，画素部３０１からの信号を読み出す駆動のための制御回路や読み出した信号を処理する信号処理回路を含む周辺回路を有する周辺回路部３０２とを有する。
【００１７】
　画素部３０１は，光電変換素子３０３と，転送トランジスタ３０４と，増幅トランジスタ３０６と，リセットトランジスタ３０７が複数配置されている。少なくとも１つの光電変換素子３０３を含む構成を画素とする。本実施例の１つの画素は，光電変換素子３０３と，転送トランジスタ３０４と，増幅トランジスタ３０６と，リセットトランジスタ３０７を含む。光電変換素子３０３のアノードは接地している。転送トランジスタ３０４のソースは光電変換素子３０３のカソードと接続しており，転送トランジスタ３０４のドレイン領域は増幅トランジスタ３０６のゲート電極と接続している。この増幅トランジスタ３０６のゲート電極と同一のノードをノード３０５とする。リセットトランジスタはノード３０５に接続し，ノード３０５の電位を任意の電位（例えば，リセット電位）に設定する。ここで，増幅トランジスタ３０６はソースフォロア回路の一部であり，ノード３０５の電位に応じた信号を信号線ＲＬに出力する。ノード３０５はフローティングディフュージョンとも称される場合がある。
【００１８】
　周辺回路部３０２は，画素部３０１以外の領域を示している。周辺回路部３０２は，読み出し回路や制御回路を含む周辺回路が配置されている。周辺回路は，画素部３０１のトランジスタのゲート電極へ制御信号を供給するための制御回路である垂直走査回路ＶＳＲを有する。また，周辺回路は，画素部３０１から出力された信号を保持し，増幅や加算やＡＤ変換などの信号処理を行う読み出し回路ＲＣを有する。また，周辺回路は，読み出し回路ＲＣから信号を順次出力するタイミングを制御する制御回路である水平走査回路ＨＳＲを有する。
【００１９】
　ここで，
実施例１の固体撮像装置は２つの部材が張り合わされることによって構成されている
２つの部材とは，第１の基板１０１を有する第１部材３０８と第２の基板１２１を有する第２部材３０９である
第１基板には画素部３０１の光電変換素子３０３と，転送トランジスタ３０４とが配されており，第２基板には画素部３０１の増幅トランジスタ３０６と，リセットトランジスタ３０７と，周辺回路部３０２とが配されている
【００２０】
　
このような構成によって，従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて，光電変換素子３０３の面積を大きくすることが可能となり感度の向上させることが可能となる。また，従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて，光電変換素子の面積を同一とするならば，光電変換素子３０３を多く設けることが可能となり，多画素化が可能となる。なお，第１基板には少なくとも光電変換素子が配置されていればよく，第１基板に増幅トランジスタ３０６が配置されていてもよい。また，転送トランジスタを設けず，光電変換素子と増幅トランジスタのゲート電極とが接続する構成であってもよい。本発明は，第１基板に配置される素子は任意に選定可能であり，画素回路構成も任意に選択可能である
「【００２２】
　図２（Ａ）において，第１部材３０８には，複数の光電変換素子が配列した画素部３０１Ａと，パッド３１３が配されたパッド部３１２Ａ，とが配されている。画素部３０１Ａには，図３における光電変換素子３０３と転送トランジスタ３０４と接続部３１０，３１１とが複数配されている。また，パッド３１３と平面的に同一位置に第２部材３０９との接続のための接続部３１４Ａが配されている。
パッド３１３には外部端子が接続される。パッド３１３は固体撮像装置に複数配置されており，光電変換素子で生じた電荷に基づく信号（画像信号）を出力するパッドや，外部から供給される周辺回路を駆動するための電圧などが入力されるパッドが含まれる
「【００２６】
　第１部材３０８は，第１配線構造１４９と第１基板１０１とを有する。
第１基板１０１は例えばシリコン半導体基板
【００２７】
　第１部材３０８の画素部３０１において，第１基板１０１には，光電変換素子を構成するｎ型半導体領域１１２と，転送トランジスタのドレインであるｎ型半導体領域１１４と，素子分離構造１１９とが配されている
ｎ型半導体領域１１２で蓄積された電荷は
ｎ型半導体領域１１４に転送された電荷に基づく電位は
配線層１１１の配線を介して，第２部材３０９へと伝達される。この配線層１１１の配線は，接続部３１１を構成する
【００２８】
　
画素部３０１の第１基板１０１の裏面１０３側には，平坦化層１１５，複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層１１６，平坦化層１１７，複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズ層１１８がこの順に配置されている
裏面照射型の固体撮像装置
【００２９】
　
第１部材３０８のパッド部３１２には，パッド３１３と，外部端子と接続させるためのパッド３１３を露出する開口１００とが配されている
パッド３１３から入力された電圧を第２部材３０９に伝達する接続部３１４Ａが配置されている
【００３０】
　
第２部材３０９は，第２配線構造１５０と第２基板１２１とを有する
第２基板１２１は例えばシリコン半導体基板
第２基板の主面１２２にはトランジスタが配置される
「【００３４】
　そして，
本実施例の固体撮像装置においては，第１基板１０１の主面１０２と第２基板１２１の主面１２２とが，第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置されている（対向配置）。つまり，第１基板，第１配線構造，第２配線構造，第２基板の順に配置されている
第１配線構造１４９の上面と，第２配線構造１５０の上面とが，接合面Ｘにおいて張り合わされている
【００３５】
　ここで，第１配線構造１４９において，配線層１０９はアルミニウムを主成分とする配線（アルミニウム配線）からなり，配線層１１１は銅を主成分とする配線（銅配線）からなる。また，第２配線構造１５０においては，配線層１３１及び配線層１３２はアルミニウム配線からなり，配線層１３４は銅配線からなる。この時，接合面Ｘにおいて，銅配線からなる配線層１１１及び配線層１３４に含まれる接続部３１１及び接続部３１４（３１４Ａ及び３１４Ｂ）が金属接合により接合している。また，パッド部において，外部端子との接続を行うパッド３１３は，配線層１０９と同一層，即ち同一高さに配置されており，アルミニウムを主成分とする導電体である。パッドがアルミニウムを主成分とする導電体からなることで，パッドにおける外部端子との接続不良の発生を抑制することが可能となる。なお，例えば，銅でパッドを構成すると表面に酸化物が形成されやすく，外部端子との接続時（ワイヤボンディング時）の接触不良を起こしやすい。また，外部端子と接続させるために銅の表面を露出させた場合には，装置内に銅が拡散し金属汚染が生じ，ノイズの原因となりうる。
【００３６】
　また，パッドが配線層１０９と同一層，即ち同一高さに配置されていることで，配線層１０９の配線と同一工程で形成することが可能となり，製造工程が簡易である。なお，高さとは第１基板１０１の主面１０２からの高さである。」
「【００５３】
　また，本実施例においては，第１基板の主面に最も近接した配線層に含まれた配線がパッドとして機能している。このような構成によって，パッド３１３は配線層１０９の配線と同一工程で形成可能であり，製造工程が簡易となる。また，露出させるためのエッチングを薄膜化された半導体基板４０７の裏面４０８側から行うことで，パッド形成のエッチングに要する時間を短縮することが可能となる。なお，エッチングの際には，パッド３１３がエッチングストッパとしても機能することが可能である。
【００５４】
　更に，第１基板の主面に最も近接した配線層を，アルミニウムを主成分とする金属としている。この構成によって，アルミニウムよりも拡散しやすい銅を主成分とする金属を光電変換素子に近接した層に用いないため，光電変換素子等への金属汚染の影響を低減し，固体撮像装置のノイズを抑制することが可能となる。」
　イ　引用発明
　引用例１の上記の記載から，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「少なくとも光電変換素子が配置されていればよく，転送トランジスタ，増幅トランジスタ等の素子が配されているシリコン半導体基板である第１基板を有する第１部材と，
　周辺回路部等が配されているシリコン半導体基板である第２基板を有する第２部材とを備えた裏面照射型の固体撮像装置であって，
　前記第１部材は，
　光電変換素子が主面に配され，裏面側には，平坦化層，複数のカラーフィルタを含むカラーフィルタ層，平坦化層，複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズ層がこの順に配置されている第１基板と，
　前記第１の基板の主面の上に配された，銅を主成分とする配線を含む配線層とアルミニウムを主成分とする配線を含む配線層とを有する第１配線構造と，を有し，
　前記アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層は，前記銅を主成分とする配線を含む配線層よりも前記第１基板に近接して配置され，前記光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するためのパッドを有するものであり，
　前記第２部材は，第２配線構造と，主面にトランジスタが配置される第２基板とを有するものであり，
　前記第１基板の主面と第２基板の主面とが，前記第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置されて，第１基板，第１配線構造，第２配線構造，第２基板の順に配置されるように張り合わされることによって構成され，
　第１配線構造の上面と，第２配線構造の上面とが，接合面において張り合わされている
　裏面照射型の固体撮像装置。」
　ウ　拒絶査定の理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，国際公開２００６／１２９７６２号（以下「引用例２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「[0023] 画素が光電変換素子とトランジスタで構成された
イメージセンサを備えた第1の半導体チップと
第2の半導体チップと
第3の半導体チップを積層して構成することにより
1つの単一化されたデバイスとなり，光電変換素子の開口率の向上，チップ利用率の向上，さらに全画素の同時シャツタを実現することができる
「[0028]以下，図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
[0029]図1は，本発明に係る半導体イメージセンサ・モジュールの第1実施の形態の概略構成を示す。本発明実施の形態に係る
半導体イメージセンサ・モジュール51は
イメージセンサを備えた第1の半導体チップ52と
第2の半導体チップ53と
第3の半導体チップ54とを積層して構成される
　引用例２の上記記載から，イメージセンサを備えた第1の半導体チップと，イメージセンサとは異なる回路をそれぞれ有する第2の半導体チップおよび第3の半導体チップとを備え，第1の半導体チップを最上層とし，前記第1の半導体チップ，前記第2の半導体チップ，および第3の半導体チップを３層に積層した半導体イメージセンサ・モジュールの構造が，本願の優先権主張の日前に知られていたこと，及び，このように半導体チップを３層に積層して，１つの単一化されたデバイスとすることで，光電変換素子の開口率の向上，チップ利用率の向上等の効果を得ることができることが知られていたと理解できる。
　エ　拒絶査定の理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２０１２−６４７０９号公報（以下「引用例３」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
基板の光入射側に形成され，光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域
　
前記画素領域の基板深さ方向の下部に形成され，能動素子を含む周辺回路部
　
前記画素領域と前記周辺回路部との間に形成されて，前記能動素子の動作時に能動素子から放射される光の前記光電変換部への入射を遮る遮光部材
　
を有する固体撮像装置
【請求項２】
　前記
画素が，光電変換部と複数の画素トランジスタを含んで形成
　前記
周辺回路部の能動素子が，ＭＯＳトランジスタ及び／又はダイオードで形成
　請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
　
前記基板は
　
多層配線層及び前記画素領域を含む第１の半導体チップ部と，
　
多層配線層及び前記周辺回路部を含む第２の半導体チップ部とが
　
貼り合わされて構成され
　前記周辺回路は，ロジック回路を有し，
　前記第１の半導体チップ部と前記第２の半導体チップ部は，前記第１の半導体チップを貫通する接続導体により電気的に接続されている
　請求項２記載の固体撮像装置。
　＜途中省略＞
【請求項５】
　
前記遮光部材は，光を反射・散乱させる反射・散乱部材で形成されている
　請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像装置。
　＜途中省略＞
【請求項９】
　
前記反射・散乱部材は，前記多層配線層の互いに一部重ね合わせた複数層の配線，あるいは複数層のダミー配線，あるいは複数層の配線とダミー配線の組み合わせで形成されている
　請求項５記載の固体撮像装置。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　
固体撮像装置においては，複数のチップ同士を貼り合わせて接合することで，信号を高速伝送できるようにする取り組みも始まっている
この場合，光電変換部と周辺回路部が至近距離に形成されるため，固体撮像装置特有の課題が発生する
光電変換部は微小なキャリア（例えば電子）を信号として扱うため，周辺にある回路からの熱や電磁場の影響が雑音として混入し易い
【０００９】
　
ホットキャリア発光は，ソース・ドレイン間で加速されたキャリアがドレイン端で衝突電離するときに出る電子と正孔の生成再結合，あるいはそのどちらかの状態遷移によって起きる発光である
光電変換部とトランジスタで構成された回路とを非常に近くに配置した場合，発光はそれほど拡散せずに光電変換部に光子が相当数注入される
【００１０】
　
拡散が不十分であることから，回路のトランジスタ配置密度やアクティブ率の違いから生じるホットキャリア発光の発光分布が２次元情報として画像に写り込む。そのため，光電変換部へのホットキャリア発光の注入量を検出限界以下に抑えるための遮光が必要である
【００１１】
　また，周辺回路内に，サージ電圧に対して回路素子を保護するための保護回路が内蔵されている。保護回路を構成する保護ダイオードでは，動作時に逆バイアス電圧がかかりブレークダウン状態で発光現象が起きる。この発光が光電変換部に入ると上述と同様に，固体撮像装置の特性に大きな影響を与える。」
「【発明の効果】
【００１７】
　
本発明に係る固体撮像装置によれば
周辺回路部における能動素子の動作時に能動素子から放射される光が遮光部材で遮断され，光電変換部への光の侵入が抑制されるので，固体撮像装置の画質を向上することができる
「【００３４】
　＜２．第１実施の形態＞
　［固体撮像装置の構成例］
　図３に，本発明に係る固体撮像装置，特にＭＯＳ型固体撮像装置の第１実施の形態を示す。本実施の形態のＭＯＳ型固体撮像装置は，裏面照射型の固体撮像装置である。本実施の形態のＭＯＳ型固体撮像装置は，図２Ｃの構成を適用したが，他の図Ｂの構成あるいは，制御回路をそれぞれの第１及び第２の半導体チップ部に分けて搭載した構成にも適用できる。第２実施の形態以下の各実施の形態においても，同様に，上記構成を適用できる。
【００３５】
　第１実施の形態に係る固体撮像装置２８は，第１の半導体チップ部３１と，第２の半導体チップ部４５とが貼り合わされて構成される。
第１の半導体チップ部３１には，光電変換部となるフォトダイオードＰＤと，複数の画素トランジスタとからなる画素が２次元的に複数配列された画素アレイ（以下，画素領域という）２３と，制御回路２４とが形成される
「【００４７】
　そして，本実施の形態においては，特に，画素領域と周辺回路部との間に，周辺回路部の能動素子の動作時に能動素子から放射される光が画素のフォトダイオードＰＤへ入射するのを遮る遮光部材が配置される。能動素子としては，ＭＯＳトランジスタ，あるいは保護用のダイオードなどである。本例では，画素領域２３と周辺回路部を構成するロジック回路２５との間に遮光部材８１が配置される。
【００４８】
　本実施の形態では，
第１の半導体チップ部３１の多層配線層４１の所要の複数層の配線４０で遮光部材８１が形成される
　引用例３の上記記載から，多層配線層及び光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域を含む第１の半導体チップ部と，多層配線層及び周辺回路部を含む第２の半導体チップ部とを貼り合わせて接合した固体撮像装置において，前記光電変換部と前記周辺回路部とを至近距離に配置した場合，ソース・ドレイン間で加速されたキャリアがドレイン端で衝突電離するときに出るホットキャリア発光が，前記光電変換部に雑音として混入するため，光電変換部への前記ホットキャリア発光の注入量を検出限界以下に抑えるために遮光が必要であるという課題，及び，当該遮蔽に，画素領域と前記周辺回路部との間に配された，前記第１の半導体チップ部の多層配線層の互いに一部重ね合わせた複数層の配線，あるいは複数層のダミー配線，あるいは複数層の配線とダミー配線の組み合わせで形成した反射・散乱部材を用いることで前記課題を解決して，固体撮像装置の画質を向上することができることが，本願の優先権主張の日前に知られていたと理解できる。
　オ　拒絶査定の理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２０１１−９６８５１号公報（以下「引用例４」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００３９】
　
図３
　図４〜図１９を用いて，本実施形態例の固体撮像装置８１の製造方法について説明する。
【００４０】
　第１の実施形態例においては，先ず，図４に示すように，
第１の半導体ウェハ（以下，第１の半導体基板という）３１の各チップ部となる領域に，半製品状態のイメージセンサ，すなわち画素領域２３と制御回路２４を形成する
【００４１】
　フォトダイオード（ＰＤ）は，ｎ型半導体領域３４と基板表面側のｐ型半導体領域３５を有して形成される。画素を構成する基板表面上にはゲート絶縁膜を介してゲート電極３６を形成し，ゲート電極３６と対のソース／ドレイン領域３３により画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を形成する。図４では，複数の画素トランジスタを，２つの画素トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で代表して示す。フォトダイオード（ＰＤ）に隣接する画素トランジスタＴｒ１が転送トランジスタに相当し，そのソース／ドレイン領域がフローティングディフージョン（ＦＤ）に相当する。各単位画素３０が素子分離領域３８で分離される。
【００４２】
　一方，制御回路２４側では，第１の半導体基板３１に制御回路を構成するＭＯＳトランジスタを形成する。図３では，ＭＯＳトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４で代表して，制御回路２４を構成するＭＯＳトランジスタを示す。各ＭＯＳトランジスタＴｒ３，Ｔｒ４は，ｎ型のソース／ドレイン領域３３と，ゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極３６とのより形成される。
【００４３】
　
次いで，第１の半導体基板３１の表面上に，１層目の層間絶縁膜３９を形成し，その後，層間絶縁膜３９に接続孔を形成し，所要のトランジスタに接続する接続導体４４を形成する
【００４４】
　その後，１層目の層間絶縁膜３９に深さの異なる接続孔をエッチングストッパとなる第２絶縁薄膜４３ｂまで選択的に形成する。次いで，各接続孔に連続するように，各部で同じ膜厚の第１絶縁薄膜４３ａ及び第２絶縁薄膜４３ｂを選択エッチングして接続孔を形成する。そして，各接続孔に接続導体４４を埋め込む。
【００４５】
　また，第２絶縁薄膜４３ｂ形成後，第１の半導体基板３１の半導体ウェル領域３２内の所望の領域を分離する絶縁スペーサ層４２を形成する。絶縁スペーサ層４２は，第２絶縁薄膜４３ｂ形成後，第１の半導体基板３１の所望の位置を裏面側から開口し，絶縁材料を埋め込むことで形成される。この絶縁スペーサ層４２は，図３の基板間配線６８を囲む領域に形成されるものである。
【００４６】
　
次いで，各接続導体４４に接続するように，層間絶縁膜３９を介して複数層，本例では３層の銅配線４０を形成して多層配線層４１を形成する
「【００８６】
　＜３．第２の実施形態＞
　図２１に，本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の概略構成図を示す。
図２１は，図３と同様，パッド部が形成される領域を含む範囲の概略断面構成図である
本実施形態例の固体撮像装置８２は，１つの接続孔からなる基板間配線８０を形成することにより，第１の半導体基板３１側の画素領域及び制御回路と，第２の半導体基板４５側のロジック回路とを電気的に接続して構成した例である
図２１において，図３に対応する部分には同一符号を付し重複説明を省略する
【００８７】
　本実施形態例では，
第１の半導体基板３１と第２の半導体基板４５とを電気的に接続する基板間配線８０は，第１の半導体基板３１の裏面側から第１の半導体基板３１を貫通して第２の半導体基板４５の最上層のアルミ配線５７に達している
さらに
その基板間配線８０は，一部において，第１の半導体基板３１の銅配線４０に達している
画素領域及び制御回路側の配線とロジック回路側の配線を接続する基板間配線８０を形成する
【００８８】
　また，本実施形態例では，遮光膜６３は，基板間配線８０を形成した後の工程で形成する。この場合には，基板間配線８０を形成したのち，基板間配線８０上部にキャップ膜７２を形成し，その後，遮光膜６３を形成すればよい。
【００８９】
　
本実施形態例の固体撮像装置では，１つの基板間配線８０で画素領域及び制御回路とロジック回路との電気的な接続がなされる
このため，第１の実施形態に比較し，構成が簡素化されるとともに，製造工数も削減される。したがって，製造コストをより削減することができる。その他，第１の実施形態と同様の効果を奏する
　引用例４の上記記載から，第１の半導体基板の裏面側から第１の半導体基板を貫通して第２の半導体基板の最上層のアルミ配線に達し，さらに，一部において，第１の半導体基板の銅配線に達する，第１の半導体基板側の画素領域及び制御回路と，第２の半導体基板側のロジック回路とを電気的に接続する，１つの接続孔からなる基板間配線が，固体撮像装置の構成を簡素化するとともに，製造工数を削減し，したがって，製造コストをより削減することができるという効果を奏することが，本願の優先権主張の日前に知られていたと理解できる。
（３）本願補正発明１の進歩性について
　ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明の「光電変換素子」は，本願補正発明１の「光電変換部」に相当する。そうすると，引用発明の第１基板に配された「『光電変換素子』と『転送トランジスタ，増幅トランジスタ等の素子』」を含む回路は，本願補正発明１の「光電変換部を含むセンサ回路」に相当する。
（イ）引用発明の第２基板に配された「周辺回路部等」は，本願補正発明１の「前記センサ回路とは異なる回路」に相当する。
（ウ）引用発明の「前記第１基板の主面と第２基板の主面とが，前記第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置されて，第１基板，第１配線構造，第２配線構造，第２基板の順に配置されるように張り合わされることによって構成され」と，本願補正発明１の「前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に積層され」は，「前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板が積層され」の範囲で一致する。
（エ）引用発明の「『光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するためのパッドを有するものであ』る『アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層』」は，本願補正発明１の「外部接続用の電極を構成する電極用金属素子」に相当する。そうすると，引用発明の「『前記第１部材は』『アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層』を有し，『前記アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層は』『前記光電変換素子の電荷に基づく信号を出力するためのパッドを有するものであり』」は，本願補正発明１の「前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され」に相当する。
（オ）引用発明は，「第１配線構造の上面と，第２配線構造の上面とが，接合面において張り合わされている」ものであるところ，前記接合面において，第１部材の画素部に配された光電変換素子を構成するｎ型半導体領域で蓄積された電荷に基づく電位が，第２部材へと伝達され（【００２７】），第１部材のパッド部に配されたパッドから入力された電圧が，第２部材に伝達され（【００２９】）るのであるから，引用発明は，第１部材と第２部材との電気的接続を備えるといえる。そうすると，引用発明と，本願補正発明１とは，第１の半導体基板と第２の半導体基板との電気的接続を有する範囲で一致する。
　したがって，上記の対応関係から，引用発明は，以下の一致点において，本願補正発明１の構成を満たし，以下の点で相違する。
＜一致点＞
「光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，
　前記センサ回路とは異なる回路を有する第２の半導体基板を備え，
　前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板が積層され，
　前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され，
　前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板との電気的接続を有する
　固体撮像装置。」
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１の固体撮像装置が，光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，前記センサ回路とは異なる回路を有する第２の半導体基板に加えて，「『センサ回路とは異なる回路を有する』『第３の半導体基板』」を備え，当該「第３の半導体基板」が，「前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に」なるように積層されているのに対して，引用発明は，「第３の半導体基板」を備えることが特定されていない点。
・相違点２：一致点に係る構成である，電極用金属素子が，本願補正発明１では，「前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ね」るのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
・相違点３：一致点に係る構成である，電気的接続が，本願補正発明１では，「シェアードコンタクトが用いられる」のに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
　イ　相違点についての判断
・相違点１について
　引用例１には，上記４（２）アのとおり，「増幅型であるＣＭＯＳ型の固体撮像装置において，光電変換素子の受光面積を確保するため，光電変換素子と転送トランジスタを配した第１基板と，他の回路を配した第２基板とを接合して固体撮像装置を形成する構成が開示されている。」（【０００３】），「実施例１の固体撮像装置は２つの部材が張り合わされることによって構成されている。」（【００１９】），「このような構成によって，従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて，光電変換素子３０３の面積を大きくすることが可能となり感度の向上させることが可能となる。また，従来の１つの部材（即ち１つの基板）に画素部を全て配置する場合に比べて，光電変換素子の面積を同一とするならば，光電変換素子３０３を多く設けることが可能となり，多画素化が可能となる。なお，第１基板には少なくとも光電変換素子が配置されていればよく，第１基板に増幅トランジスタ３０６が配置されていてもよい。また，転送トランジスタを設けず，光電変換素子と増幅トランジスタのゲート電極とが接続する構成であってもよい。本発明は，第１基板に配置される素子は任意に選定可能であり，画素回路構成も任意に選択可能である。」（【００２０】）とあり，光電変換素子の受光面積を確保するため，あるいは，多画素化を可能とする等の理由によって，固体撮像装置を，１つの部材ではなく，２つの部材を積層した構成とすることが記載されている。
　一方，引用例２には，上記４（２）ウのとおり，イメージセンサを備えた第1の半導体チップと，イメージセンサとは異なる回路をそれぞれ有する第2の半導体チップおよび第3の半導体チップとを備え，第1の半導体チップを最上層とし，前記第1の半導体チップ，前記第2の半導体チップ，および第3の半導体チップを３層に積層した半導体イメージセンサ・モジュールの構造が記載されるとともに，このように半導体チップを３層に積層して，１つの単一化されたデバイスとすることで，光電変換素子の開口率の向上，チップ利用率の向上等の効果が得られることが示されている。
　そうすると，引用発明と引用例２の前記記載に接した当業者であれば，２つの部材を積層して構成した引用発明において，積層する部材の数を，２層から３層に増やすことによって，２層の場合よりも，光電変換素子の受光面積の確保，チップ利用率の向上等の効果をより一層得ることができる場合があることに容易に思い至るといえる。
　してみれば，「第３の半導体基板」を備えていない引用発明に係る固体撮像装置の構成を，光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，前記センサ回路とは異なる回路を有する第２の半導体基板に加えて，「『センサ回路とは異なる回路を有する』『第３の半導体基板』」を備えるものとなし，当該「第３の半導体基板」を，「前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に」なるように積層したものとなすことは，光電変換素子の受光面積の確保，チップ利用率の向上等の必要の程度に応じて，当業者が適宜なし得た設計事項といえる。
　したがって，引用発明において，上記相違点１について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・相違点２について
　引用文献３には，上記４（２）エのとおり，多層配線層及び光電変換部を含む画素が複数配列された画素領域を含む第１の半導体チップ部と，多層配線層及び周辺回路部を含む第２の半導体チップ部とを貼り合わせて接合した固体撮像装置において，前記光電変換部と前記周辺回路部とを至近距離に配置した場合，ソース・ドレイン間で加速されたキャリアがドレイン端で衝突電離するときに出るホットキャリア発光が，前記光電変換部に，雑音として混入するため，光電変換部への前記ホットキャリア発光の注入量を検出限界以下に抑えるために遮光が必要であるという課題，及び，当該遮蔽に，画素領域と前記周辺回路部との間に配された，前記第１の半導体チップ部の多層配線層の互いに一部重ね合わせた複数層の配線，あるいは複数層のダミー配線，あるいは複数層の配線とダミー配線の組み合わせで形成した反射・散乱部材を用いることで前記課題を解決して，固体撮像装置の画質を向上することができることが示されている。
　一方，引用発明に係る裏面照射型の固体撮像装置は，光電変換素子が主面に配され，裏面側にはカラーフィルタ層，マイクロレンズ層等が配置される第１基板と，主面にトランジスタが配置される第２基板とが，前記第１基板の主面と前記第２基板の主面とを，第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置して，第１基板，第１配線構造，第２配線構造，第２基板の順に配置されるように張り合わせた構造を備えるものである。
　
　そうすると，引用文献３の前記記載に接した当業者であれば，引用発明に係る裏面照射型の固体撮像装が，前記第１基板の光電変換素子と，前記第２基板のトランジスタとが，第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置，すなわち，至近に配置する構造を備えており，そのため，前記トランジスタのソース・ドレイン間で加速されたキャリアがドレイン端で衝突電離するときに出るホットキャリア発光が，第１基板の主面側から，すなわち，カラーフィルタ層，マイクロレンズ層等が配置された第１基板の受光面とは反対の面側から，前記光電変換素子に入射して，雑音として混入する恐れがあることに思い至るといえる。
　
　そして，引用文献３に，前記ホットキャリア発光の注入量を検出限界以下に抑えるためには遮光が必要であること，及び，当該遮蔽に，画素領域と前記周辺回路部との間に配された，第１の半導体チップ部の多層配線層の互いに一部重ね合わせた複数層の配線，あるいは複数層のダミー配線，あるいは複数層の配線とダミー配線の組み合わせで形成した反射・散乱部材を用いることが記載されているのであるから，当該記載に接した当業者であれば，前記第１基板の主面と前記第２基板の主面とを，第１，第２配線構造を介して向かい合う向きに配置して，第１基板，第１配線構造，第２配線構造，第２基板の順に配置されるように張り合わせて構成した裏面照射型の固体撮像装置である引用発明において，前記前記第１基板の光電変換素子と，前記第２基板のトランジスタとの間に配置された，第１配線構造の一部，例えば，アルミニウムを主成分とする配線を含む配線層を，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ねるように形成することは容易になし得たことである。
　したがって，引用発明において，上記相違点２について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　
・相違点３について
　引用文献４には，上記４（２）オのとおり，第１の半導体基板の裏面側から第１の半導体基板を貫通して第２の半導体基板の最上層のアルミ配線に達し，さらに，一部において，第１の半導体基板の銅配線に達する，第１の半導体基板側の画素領域及び制御回路と，第２の半導体基板側のロジック回路とを電気的に接続する，１つの接続孔からなる基板間配線が，固体撮像装置の構成を簡素化するとともに，製造工数を削減し，したがって，製造コストをより削減することができるという効果を奏することが示されている。
　一方，本願の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
「【０１５９】
　例えば，第１の半導体基板２１１の図中最も上側から第１の半導体基板２１１を貫通して第２の半導体基板の多層配線層２５５内の配線に達し，且つ一部が第１の半導体基板２１１の多層配線層２４５の配線に達するコンタクトを形成すれば，貫通孔を１つ設けるだけで第１の半導体基板２１１と第２の半導体基板２１２との電気的接続が可能となる。このようなコンタクトはシェアードコンタクトとも称される。」
　そうすると，本願の発明の詳細な説明の上記説明に照らして，引用文献４に記載された前記「１つの接続孔からなる基板間配線」は，本願補正発明１の「シェアードコンタクト」であると認められる。
　そして，固体撮像装置の構成を簡素化し，製造工数を削減し，製造コストをより削減することができることが望ましいことは当業者にとって周知の課題といえる。
　してみれば，引用発明と引用文献４に接した当業者であれば，引用文献４に，第１の半導体基板側の画素領域及び制御回路と，第２の半導体基板側のロジック回路とを電気的に接続する，１つの接続孔からなる基板間配線を用いることにより，固体撮像装置の構成を簡素化するとともに，製造工数を削減し，したがって，製造コストをより削減することができるという効果を奏することが示されているのであるから，引用発明の部材間の電気的接続にあたって，引用文献４に記載された「１つの接続孔からなる基板間配線」，すなわち，「シェアードコンタクト」を用いることは，容易になし得たことである。
　したがって，引用発明において，上記相違点３について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・効果について
　上記相違点１ないし３に基づく効果は，当業者が予測する範囲内のものであって，本願明細書の記載からは，格別のものとは認められない。
（４）むすび
　本願補正発明１は，引用例１に記載された引用発明と引用例２なし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであり，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成２９年６月２９日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１４に係る発明は，平成２９年３月１４日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　光電変換部を含むセンサ回路を有する第１の半導体基板と，
　前記センサ回路とは異なる回路をそれぞれ有する第２の半導体基板および第３の半導体基板とを備え，
　前記第１の半導体基板を最上層とし，前記第１の半導体基板，前記第２の半導体基板，および前記第３の半導体基板が３層に積層され，
　前記第１の半導体基板に，外部接続用の電極を構成する電極用金属素子が配置され，
　前記電極用金属素子は，前記第１の半導体基板の受光面の反対側から前記光電変換部に入射する光を遮光する遮光機構を兼ねる
　固体撮像装置。」
　
　２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である引用例１ないし４に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を限定したものである本願補正発明１が，前記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性について」で判断したとおり，引用例１ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと判断されることから，本願発明１も同様に，引用例１ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。