【事件の表示】
　特願２０１１−２００４３６「半導体装置、およびその製造方法、ならびにデータ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月２６日出願公開、特開２０１２−　８４８７１、請求項の数（１８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年９月１４日（特許法第４１条に基づく国内優先権主張：平成２２年９月１５日、特願２０１０−２０６８５８号）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　９月　２日　出願審査請求
　平成２７年　４月２８日　拒絶理由通知
　平成２７年１１月　６日　意見書
　平成２８年　６月２４日　拒絶査定
　平成２８年　９月２１日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　３月１３日　拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由１」という。）
　平成２９年　９月１４日　意見書・手続補正書
　平成２９年１０月　４日　拒絶理由通知（以下、「当審拒絶理由２」という。）
　平成２９年１１月３０日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし２０に係る発明は、下記引用文献１ないし４に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．特開２０１０−１５７７４１号公報
　２．特開２００５−１０１２６８号公報
　３．特開２００７−３１１５８４号公報
　４．特開２００８−２５１９６４号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　１　当審拒絶理由１の概要
　当審拒絶理由１の概要は次のとおりである。
（１）理由１（進歩性）
　この出願の請求項１ないし１８に係る発明は、下記引用文献１ないし５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
　１．特開２００９−１８２０５９号公報
　２．特開２０１０−２０３８９０号公報
　３．特開２００８−２５１９６４号公報
　４．特開２０１０−１５７７４１号公報
　５．米国特許出願公開第２０１１／０２０７３２３号明細書
（２）理由２（拡大先願）
　この出願の請求項１、４ないし６、９及び１８に係る発明は、下記外国語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の外国語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記外国語特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない（同法第１８４条の１３参照）。
　先の出願：特願２０１２−５５４４１９号（国際公開第２０１１／１０４５５０号）
（３）理由３（明確性）
　ア　請求項７及び８について
　本願の請求項７には、「前記溝は、半導体基板内を貫通するように設けられた貫通電極を囲むように設けられ、絶縁リングを形成している」と記載されている。
　他方、請求項７が引用する請求項５には「前記溝には導電材料が埋設されている」と記載されており、このような構成では「絶縁リング」を形成できないことが明らかであるから、請求項７に係る発明を明確に把握することができない。
　請求項７を引用する請求項８についても同様である。
　よって、請求項７及び８に係る発明は明確でない。
　イ　請求項１１ないし１７について
　本願の請求項１１において請求項１１自身を引用しているために、請求項１１に係る発明を明確に把握することができない。
　請求項１１を引用する請求項１２ないし１７についても同様である。
　よって、請求項１１ないし１７に係る発明は明確でない。
　２　当審拒絶理由２の概要
　当審拒絶理由２の概要は次のとおりである。
（１）理由１（明確性）
　本願の請求項１１において請求項１１自身を引用しているために、請求項１１に係る発明を明確に把握することができない。
　請求項１１を引用する請求項１２ないし１７についても同様である。
　よって、請求項１１ないし１７に係る発明は明確でない。
第４　平成２９年１１月３０日付け手続補正について
　平成２９年１１月３０日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）が新規事項を追加するものでないことは明らかであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　また、本件補正前に受けた拒絶理由通知において特許をすることができないものか否かについての判断が示された発明と、本件補正後の特許請求の範囲に記載される事項により特定される発明とが、特許法第３７条の発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当することは明らかであるから、本件補正は同法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　さらに、本件補正における特許請求の範囲についての補正は、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明、及び、誤記の訂正を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第５項の規定に適合する。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて適用される同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであるとはいえない。
第５　本願発明
　上記第４のとおり、平成２９年１１月３０日付け手続補正は、特許法第１５９条第１項の規定により読み替えて適用される同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであるとはいえない。
　したがって、本願の請求項１ないし１８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１８」という。）は、平成２９年１１月３０日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　第１の面を有する材料層と、
　前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝と、
　を備え、
　前記溝は、
　前記開口部に接し、１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、
　おおむね垂直な側壁を有する垂直部と、
　を有し、
　前記スキャロップ形成溝の幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく、
　前記テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大きく、
　前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　前記テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の幅は前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
　前記スキャロップ形成溝のスキャロップ形成側壁の端部は、とがった先端部のない滑らかな表面を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
　前記溝は半導体基板を貫通するように設けられていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
　前記溝には導電材料が埋設されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
　前記溝には絶縁材料が埋設されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記溝は、半導体基板内を貫通するように設けられた貫通電極を囲むように設けられ、絶縁リングを形成していることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
　前記貫通電極、絶縁リングを備えた半導体基板を複数、有し、
　前記複数の半導体基板は積層され、
　前記複数の半導体基板は、前記貫通電極を介して互いに電気的に接続される、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
　材料層の第１の面からその厚み方向の内側に向かって、１以上のスキャロップ形成溝を含む溝テーパー部を形成する工程と、
　前記材料層内の前記溝テーパー部の下におおむね垂直な側壁を有する垂直部を形成する工程と、
　を有し、
　前記スキャロップ形成溝は、その幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく、
　前記テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大きく、
　前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
　前記溝テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記第１の面に近いスキャロップ形成溝の幅は前記第１の面から遠いスキャロップ形成溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
　１つの前記スキャロップ形成溝は、下記工程（１）〜（３）からなるスキャロップ形成溝形成サイクルを１サイクル行うことで形成することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
（１）露出している前記材料層を等方性エッチングして第２の溝を形成する工程、
（２）前記第２の溝の内壁上に保護膜を形成する工程、
（３）前記第２の溝の内壁底面上に形成された保護膜を除去する工程。
【請求項１２】
　前記溝テーパー部を形成する工程では、前記スキャロップ形成溝形成サイクルを１サイクル行うごとに、前記工程（１）におけるエッチング時間を減少させることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
　前記材料層はシリコンからなる半導体基板であって、
　前記スキャロップ形成溝形成サイクルの工程（１）では、ＳＦ6ガスを用いることを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
　前記保護膜はカーボンを含有するポリマーを主成分とし、
　前記スキャロップ形成溝形成サイクルの工程（２）では、Ｃ４Ｆ８ガスを用いることを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
　前記溝テーパー部および垂直部を形成した後、
　前記第２の溝の内壁の保護膜を除去する工程と、
　前記スキャロップ形成溝の側壁の端部を丸める工程と、
　を有することを特徴とする請求項１１〜１４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
　前記スキャロップ形成溝の側壁の端部を丸める工程では、等方性エッチングを用いることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
　前記スキャロップ形成溝の側壁の端部を丸める工程は、
　第２の材料層を成膜する工程と、
　エッチング工程と、
　を含むことを特徴とする請求項１５または１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
　プロセッサーと、
　ＤＲＡＭメモリモジュールと、
　前記プロセッサーとＤＲＡＭメモリモジュールとを接続するシステムバスと、
　を備えるデータ処理装置であって、
　前記データ処理装置に含まれる半導体装置は、
　第１の面を有する材料層と、
　前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝と、
　を備え、
　前記溝は、
　前記開口部に接し、１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、
　おおむね垂直な側壁を有する垂直部と、
　を有し、
　前記スキャロップ形成溝の幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく、
　前記テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大きく、
　前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有することを特徴とするデータ処理装置。」
第６　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１
（１）引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由１において「引用文献１」として引用された特開２００９−１８２０５９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は当審において付したもの。以下において同じ。）
　ア「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、保護膜の形成とエッチングとを繰り返して基板を加工するドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
半導体装置
を形成する際に、基板に深いトレンチを形成する方法
　すなわち、基板の表面に、エッチングマスクを所定形状にパターニングして形成した後、例えば、ＳＦ６ガスのプラズマにより、基板をエッチングして凹部を形成する。その後、Ｃ４Ｆ８ガスのプラズマにより、この凹部の内面上に保護膜を形成する。その後、ＳＦ６プラズマによるエッチングを施すことにより、凹部の側面上には保護膜を残したまま、凹部の底面上の保護膜のみを除去し、凹部の下方を更にエッチングする。以後、同様にして、保護膜の形成とエッチングとを繰り返すことにより、基板に深いトレンチを形成する。また、その際、アスペクト比の高いトレンチを形成するために、保護膜の一部にエッチング耐性の高い保護膜を用いる技術が開示されている（特許文献１）。
【０００３】
　トレンチの形成において、トレンチの上部（開口部付近）と上部以外の領域（トレンチの深い部分）とで、トレンチの壁面の角度を変化させる技術が望まれている。例えば、形成されたトレンチの内部に所望の膜をエピタキシャル成長させる際に、エピタキシャル膜にボイドが発生しないように、トレンチの上部のみをテーパ形状にする技術が要求されている。通常の方法では、トレンチの上部をテーパ形状にした後に、底部を垂直にエッチングしようとしても、上部以外の部分のトレンチの幅が広がり、結果として、上部のテーパ形状が損なわれたほぼ垂直の壁面が形成されてしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２０００−２９９３１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　
本発明の目的は、トレンチの上部にテーパ形状を設ける等、トレンチの上部と下部とで形状を変えたトレンチを形成できるドライエッチング方法を提供することである。
　イ「【００１２】
　次に、本実施形態のドライエッチング方法における基板加工の機構を説明する。
　図３は、本発明の第１の実施形態に係るドライエッチング方法による被加工物の形状を例示する模式断面図である。
　図３（ａ）は、加工開始前の状態を示し、（ｂ）は凹部の内面に保護膜を形成した状態を示し、（ｃ）は凹部の底面の保護膜を除去した状態を示し、（ｄ）は更にエッチングを行って新たな凹部を形成した状態を示す。
　まず、図３（ａ）に表したように、シリコンからなる基板２１の上に所定の形状のパターンで、所定の開口部２２ａを設けたエッチングマスク２２を形成し、被加工体２０とする。
【００１３】
　そして、被加工体２０を、ドライエッチング装置１のバイアス電極１３の上部に設置し、チャンバー２内を排気した後、チャンバー２内にＳＦ６ガス及びＯ２ガスを導入すると共に、ＲＦ電源１２を作動させて、コイル１１に高周波電力（ソース電力）を供給する。これにより、プラズマ発生室３においてＳＦ６ガスによるＳＦ６プラズマが発生する。この状態でＲＦ電源１４を作動させて、バイアス電極１３に高周波電力（バイアス電力）を印加する。この結果、被加工体２０にバイアス電力が印加され、ＳＦ６プラズマにより被加工体２０がエッチングされる。
　これにより、図３（ｂ）に示すように、基板２１の表面におけるエッチングマスク２２の開口部２２ａにおいて露出した領域に、凹部２３ａが形成される。
【００１４】
　その後、図１に例示したステップＳ１１０を行う。
　すなわち、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスに代えて、チャンバー２内にＣ４Ｆ８ガスを導入し、Ｃ４Ｆ８ガスによるＣ４Ｆ８プラズマを発生させる。
　これにより、図３（ｂ）に表したように、このＣ４Ｆ８プラズマによって、被加工体２０の全面に有機材料からなる第１の保護膜２４が形成される。なお、第１の保護膜２４は略等方的に形成されるため、凹部２３ａの内面にも形成される。
　次に、図１に例示したステップＳ１２０として、以下を行う。
　すなわち、Ｃ４Ｆ８ガスに代えて、チャンバー２内にＳＦ６ガス及びＯ２ガスを導入し、ＳＦ６プラズマを生成する。そして、第１のバイアス電力Ｅ１として、例えば、８０Ｗに設定し、第１のエッチングを行う。第１のバイアス電力Ｅ１は、高いバイアス電力なので、被加工体２０が異方的にエッチングされる。
　これにより、図３（ｃ）に示すように、被加工体２０に形成された第１の保護膜２４のうち、凹部２３ａの底面の部分のみが選択的に除去される。
【００１５】
　次に、図１に例示したステップＳ１３０として、以下を行う。
　すなわち、第２のバイアス電力Ｅ２として、例えば、４０Ｗに設定し、第２のエッチングを行う。このとき、基板２１の表面における凹部２３ａ以外の領域はエッチングマスク２２によって保護されており、また、凹部２３ａの側面は第１の保護膜２４によって保護されているため、凹部２３ａの底面のみが選択的にエッチングされる。この時、第２のバイアス電力Ｅ２は、バイアス電力が低いため、第１の保護膜２４によって凹部２３ａの側面を適正な状態で保護しつつ、凹部２３ａの底面部の基板２１のみをエッチングすることができる。
　この結果、図３（ｄ）に示すように、凹部２３ａの下方に凹部２３ｂが形成される。
【００１６】
　以上のステップＳ１１０〜ステップＳ１３０の実施が、１回の第１のサイクル１０１となる。そして、この第１のサイクル１０１を複数回繰り返すことにより、第１の加工１００が行われ、基板２１にトレンチを形成することができる。
【００１７】
　また、図１に例示した第２の加工２００におけるステップＳ２１０〜Ｓ２３０でも、上記のステップＳ１１０〜Ｓ１３０と同様に加工が行われる。そして、ステップＳ２１０〜Ｓ２３０の１回の実施が、１回の第２のサイクル２０１となる。そして、この第２のサイクル２０１を複数回繰り返すことにより、第２の加工２００が行われ、基板２１にトレンチを形成することができる。
【００１８】
　なお、上記において、保護膜２４（第１の保護膜及び第２の保護膜）には、例えば、Ｃ４Ｆ８ガスのプラズマを用いて成膜した有機膜を用いることができる。
　また、第１、第２、第３、第４のエッチングには、ＳＦ６ガスのプラズマを用いることができる。また、第１、第２、第３、第４のエッチングには、Ｏ２ガスを混合したＳＦ６ガスのプラズマを用いても良い。
【００１９】
　図４は、本発明の第１の実施形態に係るドライエッチング方法の処理条件を例示するグラフ図である。
　図５は、本発明の第１の実施形態に係るドライエッチング方法における被加工物の形状を例示する模式断面図である。
　図４の横軸は、各サイクルの回数Ｎを示し、縦軸は、第１〜第４のエッチングにおけるバイアス電力を示す。そして、図中の実線は、第１のバイアス電力Ｅ１と第３のバイアス電力Ｅ３を示し、破線は、第２のバイアス電力Ｅ２と第４のバイアス電力Ｅ４を示す。また、
図４に例示した処理条件は、トレンチの上部にテーパ形状を持たせ、トレンチの上部以外の部分は、基板面に対して実質的に垂直な側壁、または上部のテーパよりも傾斜のついたテーパ形状の側壁を形成する場合の処理条件の一例である。すなわち、トレンチの上部に上部テーパ部があり、上部より深い位置に、上部の側壁（側面）の基板表面に対する角度より実質的に大きい角度の側壁（側面）を有する部分を形成する場合の処理条件の一例である。
　
図４に表したように、本実施形態に係るドライエッチング方法においては、第１の加工１００として、第１のサイクル１０１を３０回実施する（Ｎ
１
＝３０）。
第２の加工２００として、第２のサイクル２０１を７６回実施する（Ｎ
２
＝７６）。
【００２０】
　そして、図４の実線と破線で表したように、１サイクル内において、第２のバイアス電力Ｅ２は、第１のバイアス電力Ｅ１より小さく設定されている。これにより、高バイアス電力の第１のバイアス電力Ｅ１を用いた第１のエッチングで、第１の保護膜のうちの凹部２３ａの底面の部分を効率的に除去できる。そして、その後、バイアス電力の小さい第２のバイアス電力Ｅ２を用いた第２のエッチングにより、側面部に残存している第１の保護膜によって凹部２３ａの側面を適正な状態で保護しつつ、第１の保護膜から露出した凹部２３ａの底面部の基板２１をエッチングできる。
【００２１】
　同様に、図４の実線と破線で表したように、１サイクル内において、第４のバイアス電力Ｅ４は、第３のバイアス電力Ｅ３より小さく設定されている。これにより、高バイアス電力の第３のバイアス電力Ｅ３を用いた第３のエッチングで、第２の保護膜のうちの凹部２３ａの底面の部分を効率的に除去できる。そして、その後、バイアス電力の小さい第２のバイアス電力Ｅ４を用いた第４のエッチングにより、側面部に残存している第２の保護膜によって凹部２３ａの側面を適正な状態で保護しつつ、第２の保護膜から露出した凹部２３ａの底面部の基板２１をエッチングできる。
【００２２】
　そして、図４に表したように、第１のバイアス電力Ｅ１と第２のバイアス電力Ｅ２は、第１のサイクルの回数Ｎ１が増えるにつれて、低下している。これにより、第１のサイクル１０１の回数Ｎ１が増えるに連れ、すなわち、深く掘り進むに連れ、凹部２３ａの底面の第１の保護膜の除去の程度が小さくなる。これにより、第１の保護膜から露出する基板２１の面積を小さくでき、第１のサイクルの回数Ｎ１が増えるにつれて、凹部２３ａの断面積が小さくできる。
　これにより、
図５（ａ）に表したように、トレンチの上部(基板２１の表面２１ａに近い領域）に、テーパ形状５５を設けることができる。
【００２３】
　また、図４に表したように、同一の第１のサイクル１０１内において、第１のバイアス電力Ｅ１と第２のバイアス電力Ｅ２との差は、第１のサイクル１０１の回数Ｎ１の増大につれて縮小している。これにより、基板２１の表面２１ａに近い領域では、基板２１の主面（表面２１ａ）に垂直な方向のエッチング速度が、水平な方向のエッチング速度より高い異方性が高いエッチングが行われ、その後、表面２１ａから深く掘り進むにつれて、その異方性が低下するエッチングが行われる。
　これにより、図５（ａ）に例示したテーパ形状５５をより形成し易くできる。
【００２４】
　なお、図４の例では、第１のサイクル１０１の回数Ｎ１が増すに連れ、第１のバイアス電力Ｅ１と第２のバイアス電力Ｅ２を低下させることと、第１のバイアス電力Ｅ１と第２のバイアス電力Ｅ２との差を縮小させることを同時に行っているが、どちらか一方を実施しても良い。
【００２５】
　そして、この後、図５（ｂ）に表したように、第３の保護膜３２４を形成する（ステップＳ１９０）。この第３の保護膜３２４の耐エッチング性は、この後形成される第２の保護膜の耐エッチング性より高い。すなわち、第１の加工１００と第２の加工２００の間に、凹部の内面に、第２の保護膜より耐エッチング性の高い第３の保護膜を形成する。これにより、この後実施される第２の加工によってテーパ形状５５が損なわれることを実質的に防止することができる。
【００２６】
　そして、図４に表したように、第２の加工２００を開始する。
　この時、第３の保護膜３２４は、この後形成される第２の保護膜よりは高い耐エッチング性を有するが、ある程度のエッチング性を有するように設定できるので、第３の保護膜３２４の凹部２３ａの底面の部分を除去し、それ以外の部分は残存させることができる。
　これにより、図５（ｃ）に表したように、第３の保護膜３２４の凹部２３ａの底面の部分から、基板２１がエッチングでき、基板２１を掘り進めることができる。
【００２７】
　そして、図４に表したように、第３のバイアス電力Ｅ３と第４のバイアス電力Ｅ４は、第２のサイクルの回数Ｎ２が増えるにつれて、上昇している。一般に、深く掘り進むに連れ、凹部２３ａの底面付近においてエッチングイオンの供給が不足する状態となり、トレンチが先細りの形状となるが、このように、第３のバイアス電力Ｅ３と第４のバイアス電力Ｅ４を、第２のサイクルの回数Ｎ２が増えるにつれて上昇させることにより、これが防止できる。
　これにより、
図５（ｄ）に表したように、テーパ形状５５より深い位置において、基板２１の表面２１ａに対して実質的に垂直な側面を有する所望の形状のトレンチを形成することができる。
　ウ「【００３２】
　以下、第１の実施例について説明する。
　（第１の実施例）
　第１の実施例のドライエッチング方法における第１〜第４のエッチングにおいては、図４に例示した条件の第１〜第４のバイアス電力Ｅ１〜Ｅ４を用いた。そして、第１〜第４のエッチングには、ＳＦ６ガスとＯ２ガスの混合ガスによるプラズマを用いた。
　また、第１の保護膜及び第２の保護膜の形成においては、Ｃ４Ｆ８ガスによるプラズマを用い、Ｃ４Ｆ８ガスの流量を５００ｓｃｃｍとし、１サイクルの成膜時間を０．６秒とした。
　そして、第３の保護膜３２４の形成においては、同様にＣ４Ｆ８ガスのプラズマを用い、成膜時間を１．５秒とした。これにより、第３の保護膜のエッチング耐性は、第２の保護膜（及び第１の保護膜）のエッチング耐性より高くされている。
【００３３】
　
図６は、本発明の第１の実施形態に係るドライエッチング方法によるトレンチの形状を例示する模式断面図である。
　
図６に表したように、基板２１に設けられたトレンチ５０において、基板２１の上部５１０（表面２１ａに近い領域）、基板２１の下部５２０（底面２１ｃ側に近い領域）、及び、その中間部５２０、のそれぞれで、テーパ形状が異なっており、
【００３４】
　
第１の実施例のドライエッチング方法により、基板２１にトレンチ５０を形成し、
【００３５】
　その結果、上部テーパ角θ１が８８．４度、中間部テーパ角θ２が９０．０度、下部テーパ角θ３が８９．７度と、
トレンチ５０の上部５１０のみにテーパ形状５５を有し、それ以外の中間部５２０や下部５３０では、基板２１の表面２１ａに対して実質的に垂直な形状のトレンチを形成することができた。
（２）引用発明１−１及び引用発明１−２
　ア　引用発明１−１（物の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明１−１」という。）が記載されていると認められる。
　「表面２１ａを有する基板２１と、
　前記基板２１に設けられ、表面２１ａに開口部を有するトレンチ５０と、
　を備え、
　前記トレンチ５０は、
　前記表面２１ａに接し、テーパ形状５５を有する上部５１０と、
　基板２１の表面２１ａに対して実質的に垂直な形状を有する中間部５２０と、
　を有する半導体装置。」
　イ　引用発明１−２（製造方法の発明）
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明１−２」という。）が記載されていると認められる。
　「基板２１の表面２１ａから下方に向かってテーパ形状５５を有する上部５１０を形成する工程と、
　前記基板２１のテーパ形状５５を有する上部５１０の下に実質的に垂直な形状を有する中間部５２０を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　２　引用文献２
　当審拒絶理由１において「引用文献２」として引用された特開２０１０−２０３８９０号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３８】
　ステップＳ３８では、接触端子部９０を埋め込み形成するためのトレンチ穴３２をシリコン基板１０に形成する。トレンチ穴３２は、レジスト層２２及び酸化層１６を利用して、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行って形成することができる。例えば、ボッシュプロセスを用いて形成することが好適である。ボッシュプロセスは、ドライの異方性エッチングプロセスである。ボッシュプロセスは、エッチングガス（ＳＦ６）を用いてシリコンをエッチングするプロセスと、デポジションガス（Ｃ４Ｆ８）を用いて側壁を保護するデポジションプロセスを交互に切替えて行うことによってシリコン基板１０に高アスペクト比のトレンチ穴３２を形成するプロセスである。このとき、レジスト層２２とシリコン基板１０とのエッチング速度の差（選択比）を考慮し、レジスト層２２の下の酸化層１６がエッチングされない条件とすることが好適である。また、形成されるトレンチ穴３２のスキャロップ（側壁の粗さ）ができるだけ小さくなるような条件とすることが好適である。
【００３９】
　トレンチ穴３２の深さは、好ましくは２０μｍ〜３０μｍ以上となるようにすることが好適である。酸化層１６の膜厚を１．０μｍ程度として、ボッシュプロセスを適用することによって、シリコン基板１０に最大幅５μｍ以下かつ深さ２０μｍ以上のトレンチ穴３２を形成することができる。なお、加工精度を高めるためにトレンチ穴３２の深さは５０μｍ以下に抑えることが好ましい。
【００４０】
　ステップＳ４０では、レジスト層２２を除去する。レジスト層２２は、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）の混合溶液を用いて化学的に除去することができる。本実施の形態では、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）とを適宜な割合で混合し、８０℃程度に加熱してレジスト層２０を除去する。レジスト層１４を除去した後、水洗を行い、スピン乾燥させる。さらに、酸素（Ｏ２）プラズマを用いたアッシング処理により、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行った際にトレンチ穴３２内の側面に付着した堆積物を除去することが好ましい。
【００４１】
　
ステップＳ４２では、スキャロップの低減処理を行う。スキャロップの低減処理は、シリコン酸化層形成処理及びエッチングの組み合わせとすることができる。
　３　引用文献３
　当審拒絶理由１において「引用文献３」として引用され、原査定において「引用文献４」として引用された特開２００８−２５１９６４号公報（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３４】
　次に、図１３に示すように、開口１１５を埋め込むように裏面全面に電極膜を形成し、これをパターニングして、貫通電極１１６を形成する。このようにして、分離壁１０５で囲まれた貫通電極１１６が完成する。
【００３５】
　図１４に、図１３のＡ−Ａ断面に対応した断面図を示す。
図１４に示すように、貫通電極１１６は、絶縁膜（シリコン酸化膜）からなるリング状の分離壁１０５によって、その周りのシリコン基板１００と絶縁分離されている。
【００３６】
　このように、本実施形態によれば、分離溝１０３の内周側面１０３ｉｓに多結晶シリコン膜１０４ｉｓが直接設けられており、分離溝１０３の外周側面１０３ｏｓに多結晶シリコン膜１０４ｏｓが直接設けられていることから、これら多結晶シリコン膜１０４ｉｓ，１０４ｏｓをシリコン基板１００の一部とみなすことができる。つまり、幅Ｗ１０３の分離溝が形成された領域全体がデッドスペースとなるのではなく、幅Ｗ１０５の分離壁１０５が形成された領域のみがデッドスペースとなることから、チップ表面の利用効率を高めることができる。」
　４　引用文献４
　当審拒絶理由１において「引用文献４」として引用され、原査定において「引用文献１」として引用された特開２０１０−１５７７４１号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、半導体デバイスに関し、
（中略）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかし、ＴＳＶの導電材料は、ＴＳＶの側壁から剥離する傾向を示すか、または高―低温度サイクルまたは熱ショック試験中にスライドする傾向を示す可能性がある。これにより、ＴＳＶの信頼性は低下している。また、ビアに導電材料を充填するには、ビアの垂直側壁にバリア層及び／或いはシード層を形成する必要がある。しかし、
側壁の垂直特性により、良好な接着特性を有するバリア層及び／或いはシード層を形成することは困難であり、その結果、ＴＳＶを充填することは困難な可能性がある。
【０００７】
　よって、ＴＳＶに対して、これらの問題を減少、または防ぐ必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　
本発明はスカロップ状（ｓｃａｌｌｏｐｅｄ）側壁を有するシリコン貫通ビアを提供する。
　イ「【００２４】
　
滑らかな側壁を有する垂直、またはほぼ垂直のＴＳＶがシード層の形成及び／或いはＴＳＶの充填に最適でない表面を提供するということが判明している。これらの欠点を克服し、その上にシード層が形成されることができる、より良い表面を提供するために本発明の実施例は、上述のようなスカロップ状の表面を有する側壁を用いる。スカロップ状の側壁は、摩擦力と粘着力を増すことで、その上にシード（または他の）層が形成されることができる、より良い表面を提供するため、接続の信頼性を上げるということが判明している。
（中略）
【００２９】
　図６は、本発明の実施例による開口６１０の形成を示している。開口６１０は、図１〜図４を参照して上記に論じた技術を用いることで形成することができる。即ち、
フォトリソグラフィー技術を用い、凹所に等方性エッチングを繰り返し実行して保護層（例えば高分子）を堆積してスカロップ状側壁を有する開口６１０を形成する。
【００３０】
　しかし、
図６に示された実施例では、開口６１０は、内側に傾斜した側壁を有することでＶ型の開口を形成する。
傾斜した側壁は、エッチングと高分子堆積の時間間隔を変えることで形成することができる。例えば、エッチングの時間間隔を約５％〜４０％に徐々に減少し、高分子堆積の時間間隔を約５％〜４０％に増加する。
【００３１】
　上述のように、
スカロップ状側壁は、その上にシード層が形成されることができるより良い表面を提供する。傾斜した側壁は、側壁に沿ったシード（または他の）層を形成する能力を更に強めるということも判明している。よって、上述のように、開口６１０は、スカロップ状で且つ傾斜した側壁に形成され、後に続くプロセスステップでシード層の形成を更に助ける。
　５　引用文献５
　当審拒絶理由１において「引用文献５」として引用された米国特許出願公開第２０１１／０２０７３２３号明細書（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は特表２０１３−５２０８３０号公報による。）
　ア「[0006] In an embodiment, the inventive process provides a method of forming insulating layers on sidewalls of 
structures used in the fabrication of semiconductor devices.
（訳．ある実施形態で、本発明のプロセスは、
半導体デバイスの製造で用いられる構造
　イ「[0052] In the context of the inventive process, a via is an etched structure 40. 
An etched structure 40 is any hole or cavity formed in a substrate 10.
（訳．本発明のプロセスの文脈では、ビアはエッチングされた構造４０である。
エッチングされた構造４０とは、基板１０に形成された孔又は空洞である。
　ウ「[0090] 
In FIG.6c, structure 40 is shown with scalloped sidewall 50 having a near-vertical sidewall profile for a bottom portion of the sidewall 50, and a large non-vertical scallop 70 at the top of structure 40. The sidewall profile of the structure 40 shown in FIG.6c with the large scallop 70, might be produced, for example, using an etch process 110 comprising a non-cyclic isotropic etch step for a duration sufficient to form the large scallop 70, and a cyclic etch step to form the near-vertical bottom portion of structure 40 shown in FIG.6c.
（訳．
図６ｃには、構造４０は、スキャロップ状側壁５０が側壁５０の底部でほぼ垂直な側壁形状を有し、構造４０の上部で大きな非垂直スキャロップ７０を有する形で示されている。大きなスキャロップ７０を有する図６ｃに示された構造４０の側壁形状は、例えば、大きなスキャロップ７０を形成するのに十分な時間にわたる非サイクリック等方性エッチングステップと、図６ｃに示された構造４０のほぼ垂直な底部を形成するサイクリックエッチングステップを含むエッチングプロセスによって生成される。
　６　引用文献６
　原査定において「引用文献２」として引用された特開２００５−１０１２６８号公報（以下、「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３０】
　そして、第２のホトレジスト層５７Ｂをマスクとして、シリコンウェハー５１の裏面に対し、等方性エッチング（例えばウェットエッチングやドライエッチング）もしくはレーザー照射を、シリコンウェハー５１の厚さの途中まで行う。等方性エッチングは、エッチング方向以外の方向にもエッチングが進行するため、いわゆるアンダーカッティングが生じる。即ち、シリコンウェハー５１の裏面には、第２のホトレジスト層５７Ｂの開口部よりも広い口径を有し、かつ曲面を有した凹部ｂが形成される。この際、凹部ｂは、その深さｄを任意の深さで形成することができるが、例えば、５０μｍ程度に形成することが好ましい。
【００３１】
　次に、図４に示すように、第２のホトレジスト層５７Ｂをマスクとして、凹部ｂの底部（凹部ｂの口径よりも小さい口径の領域）に対し、異方性エッチング（例えばドライエッチング）もしくはレーザー照射を行い、層間絶縁膜５２を露出する。これにより、パッド電極５３上にシリコンウェハー５１を貫通するビアホールＶＨが形成される。
このビアホールＶＨは、大きい口径の凹部ｂと、それより小さい口径の筒部を有するように形成される。
　７　引用文献７
　原査定において「引用文献３」として引用された特開２００７−３１１５８４号公報（以下、「引用文献７」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２１】
　また、便宜上同図はスキャロップ形状４を現実のものよりもかなり誇張して描いてある。また、ビアホール３の底部側（図１の下側）に行くほどエッチングレートは小さくなる。そのため、実際にはビアホール３の底部側の方が上部側（図１の上側）よりもスキャロップ形状４の段差が浅く、平坦に近い状態となっている。なお、同図ではビアホール３がストレート形状であるが、実際のボッシュプロセスではテーパー形状（深さ方向になるについて開口の直径が狭くなる形状）になる傾向がある。
【００２２】
　次に、マスク層２を除去する。具体的にはマスク層２がレジスト層であればレジスト除去装置（例えば、プラズマアッシング装置）を用いてＯ２プラズマでアッシングする。また、マスク層２がシリコン酸化膜等の絶縁膜であれば、例えば平行平板型のプラズマエッチング装置や反応性イオンエッチング装置等を用いてマスク層２を除去する。
【００２３】
　次に、
図２に示すようにドライエッチング法によりスキャロップ形状４を除去し、ビアホール３の内壁を平坦化する。
　８　先願Ａ
（１）先願Ａの明細書及び図面の記載事項
　当審拒絶理由１において「先願６」として引用された特願２０１２−５５４４１９号（以下、「先願Ａ」という。）の国際出願日における明細書及び図面には、次の事項が記載されている。（記載箇所は国際公開２０１１／１０４５５０号に基づく。また、訳は特表２０１３−５２０８３０号公報による。）
　ア「In an embodiment, the inventive process provides a method of forming insulating layers on sidewalls of 
structures used in the fabrication of semiconductor devices.
（訳．ある実施形態で、本発明のプロセスは、
半導体デバイスの製造で用いられる構造
　イ「In the context of the inventive process, a via is an etched structure 40. 
An etched structure 40 is any hole or cavity formed in a substrate 10.
（訳．本発明のプロセスの文脈では、ビアはエッチングされた構造４０である。
エッチングされた構造４０とは、基板１０に形成された孔又は空洞である。
　ウ「
In Figure 6c, structure 40 is shown with scalloped sidewall 50 having a near-vertical sidewall profile for a bottom portion of the sidewall 50, and a large non-vertical scallop 70 at the top of structure 40. The sidewall profile of the structure 40 shown in Figure 6c with the large scallop 70, might be produced, for example, using an etch process 110 comprising a non-cyclic isotropic etch step for a duration sufficient to form the large scallop 70, and a cyclic etch step to form the near-vertical bottom portion of structure 40 shown in Figure 6c.
（訳．
図６ｃには、構造４０は、スキャロップ状側壁５０が側壁５０の底部でほぼ垂直な側壁形状を有し、構造４０の上部で大きな非垂直スキャロップ７０を有する形で示されている。大きなスキャロップ７０を有する図６ｃに示された構造４０の側壁形状は、例えば、大きなスキャロップ７０を形成するのに十分な時間にわたる非サイクリック等方性エッチングステップと、図６ｃに示された構造４０のほぼ垂直な底部を形成するサイクリックエッチングステップを含むエッチングプロセスによって生成される。
（２）引用発明Ａ−１及び引用発明Ａ−２
　ア　引用発明Ａ−１（物の発明）
　上記（１）より、先願Ａの国際出願日における明細書及び図面には、下記の発明（以下、「引用発明Ａ−１」という。）が記載されていると認められる。
　「基板１０と、
　前記基板１０に形成された孔又は空洞である構造４０と、
　を備え、
　前記構造４０は、
　上部に大きな非垂直スキャロップ７０を有し、
　底部にほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０を有する
　ことを特徴とする半導体デバイス。」
　イ　引用発明Ａ−２（製造方法の発明）
　上記（１）より、先願Ａの国際出願日における明細書及び図面には、下記の発明（以下、「引用発明Ａ−２」という。）が記載されていると認められる。
　「基板１０に大きな非垂直スキャロップ７０を形成する非サイクリック等方性エッチングステップと、
　非垂直スキャロップ７０の下にほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０を形成するサイクリックエッチングステップと、
　を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
第７　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）引用発明１−１との対比・判断
　ア　対比
（ア）引用発明１−１の「表面２１ａ」及び「基板２１」は、それぞれ、本願発明１の「第１の面」及び「材料層」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「第１の面を有する材料層」を備える点において共通するといえる。
（イ）引用発明１−１の「トレンチ５０」は、本願発明１の「溝」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝」を備える点において共通するといえる。
（ウ）引用発明１−１の「テーパ形状５５を有する上部５１０」は、後述する相違点１を除き、本願発明１の「テーパー部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記溝は、前記開口部に接するテーパー部を有し」との点において共通し、後述する相違点１において相違するといえる。
（エ）引用発明１−１の「基板２１の表面２１ａに対して実質的に垂直な形状を有する中間部５２０」は、後述する相違点２を除き、本願発明１の「おおむね垂直な側壁を有する垂直部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明１−１は、「前記溝は、おおむね垂直な側壁を有する垂直部を有し」との点において共通し、後述する相違点２において相違するといえる。
（オ）以上から、本願発明１と引用発明１−１は、下記ａの点で一致し、下記ｂの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
　「第１の面を有する材料層と、
　前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝と、
　を備え、
　前記溝は、
　前記開口部に接するテーパー部と、
　おおむね垂直な側壁を有する垂直部と、
　を有することを特徴とする半導体装置。」
　ｂ　相違点
　・相違点１−１
　本願発明１の「テーパー部」は、「２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大きく」、かつ、「前記スキャロップ形成溝の幅が前記垂直部の溝幅よりも大き」いのに対し、引用発明１−１はこれらの構成を特定しない点。
　・相違点１−２
　本願発明１の「垂直部」は、「おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」のに対し、引用発明１−１は当該構成を特定しない点。
　イ　判断
　相違点１−１について判断する。引用文献１ないし７には、相違点１−１に係る構成のうち、「前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大き」いとの構成について、記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点１−２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２）引用発明Ａ−１との対比・判断
　ア　対比
（ア）引用発明Ａ−１の「基板１０」は、本願発明１の「材料層」に相当するといえる。
　また、先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−１の「基板１０」は上面を有するものであるといえ、当該上面は、本願発明１の「第１の面」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明Ａ−１は、「第１の面を有する材料層」を備える点において共通するといえる。
（イ）引用発明Ａ−１の「孔又は空洞である構造４０」は、本願発明１の「溝」に相当するといえる。
　また、先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−１の「孔又は空洞である構造４０」は、「基板１０」の上面に開口部を有するものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明Ａ−１は、「前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝」を備える点において共通するといえる。
（ウ）先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−１の「大きな非垂直スキャロップ７０」は、開口部に接し、１のスキャロップ形状溝を有する、テーパー部であるといえるから、後述する相違点２−１を除き、本願発明１の「前記開口部に接し、１以上のスキャロップ形状溝を有するテーパー部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明Ａ−１は、「前記溝は、前記開口部に接し、１以上のスキャロップ形状溝を有するテーパー部・・・を有し」との点において共通し、後述する相違点２−１において相違するといえる。
（エ）引用発明Ａ−１の「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」は、本願発明１の「おおむね垂直な側壁を有する垂直部」に相当するといえる。
　また、先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−１の「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」は、「おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」ものであるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明Ａ−１は、「前記溝は、・・・おおむね垂直な側壁を有する垂直部・・・を有し」との点、及び、「前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」との点において共通するといえる。
（オ）先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−１の「大きな非垂直スキャロップ７０」の溝の幅は、「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」の溝幅よりも大きいといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明Ａ−１は、「前記スキャロップ形成溝の幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく」との点において共通するといえる。
（カ）引用発明Ａ−１の「半導体デバイス」は、本願発明１の「半導体装置」に相当するといえる。
（キ）以上から、本願発明１と引用発明Ａ−１は、下記ａの点で一致し、下記ｂの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
　「第１の面を有する材料層と、
　前記材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝と、
　を備え、
　前記溝は、
　前記開口部に接し、１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、
　おおむね垂直な側壁を有する垂直部と、
　を有し、
　前記スキャロップ形成溝の幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく、
　前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有することを特徴とする半導体装置。」
　ｂ　相違点
　・相違点２−１
　本願発明１は、「前記テーパー部は、２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大き」いのに対し、引用発明Ａ−１はそうではない点。
　イ　判断
　相違点２−１に係る構成が当該技術分野における周知技術又は慣用技術であるとはいえないから、相違点２−１が課題解決のための具体化手段における微差であるとはいえない。
　したがって、本願発明１と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない。
（３）本願発明１についてのまとめ
　上記（１）イのとおり、本願発明１は引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、上記（２）イのとおり、本願発明１と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない。
　２　本願発明２ないし８について
　本願発明２ないし８は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに構成を付加したものである。
　そうすると、本願発明１が、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２ないし８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明１と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない以上、本願発明２ないし８と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない。
　３　本願発明９について
（１）引用発明１−２との対比・判断
　ア　対比
（ア）引用発明１−２の「基板２１」及び「表面２１ａ」は、それぞれ、本願発明９の「材料層」及び「第１の面」に相当するといえる。
　また、引用発明１−２の「テーパ形状５５を有する上部５１０」は、後述する相違点３−１を除き、本願発明９の「溝テーパー部」に相当するといえ、引用発明１−２の「基板２１の表面２１ａから下方に向かってテーパ形状５５を有する上部５１０を形成する工程」は、基板２１の表面２１ａから、その厚み方向の内側に向かって、テーパ形状５５を有する上部５１０を形成する工程であるといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１−２は、「材料層の第１の面からその厚み方向の内側に向かって、溝テーパー部を形成する工程」を有する点において共通し、後述する相違点３−１において相違するといえる。
（イ）引用発明１−２の「実質的に垂直な形状を有する中間部５２０」は、後述する相違点３−２を除き、本願発明９の「おおむね垂直な側壁を有する垂直部」に相当するといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明１−２は、「前記材料層内の前記溝テーパー部の下におおむね垂直な側壁を有する垂直部を形成する工程」を有する点において共通し、後述する相違点３−２において相違するといえる。
（ウ）以上から、本願発明９と引用発明１−２は、下記ａの点で一致し、下記ｂの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
　「材料層の第１の面からその厚み方向の内側に向かって、溝テーパー部を形成する工程と、
　前記材料層内の前記溝テーパー部の下におおむね垂直な側壁を有する垂直部を形成する工程と、
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点３−１
　本願発明９の「溝テーパー部」は、「２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大きく」、かつ、「前記スキャロップ形成溝は、その幅が前記垂直部の溝幅よりも大き」いのに対し、引用発明１−２はこれらの構成を特定しない点。
　・相違点３−２
　本願発明９の「垂直部」は、「おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」のに対し、引用発明１−２は当該構成を特定しない点。
　イ　判断
　相違点３−１について判断する。引用文献１ないし７には、相違点３−１に係る構成のうち、「前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大き」いとの構成について、記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点３−２について検討するまでもなく、本願発明９は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２）引用発明Ａ−２との対比・判断
　ア　対比
（ア）引用発明Ａ−２の「基板１０」は、本願発明９の「材料層」に相当するといえる。
　また、先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−２の「基板１０」は上面を有するものであるといえ、当該上面は、本願発明９の「第１の面」に相当するといえる。
　さらに、引用発明Ａ−２の「大きな非垂直スキャロップ７０」は、後述する相違点４−１を除き、本願発明９の「１以上のスキャロップ形成溝を含む溝テーパー部」に相当するといえ、引用発明Ａ−２の「基板１０に大きな非垂直スキャロップ７０を形成する非サイクリック等方性エッチングステップ」は、基板１０の上面から、その厚み方向の内側に向かって、大きな非垂直スキャロップ７０を形成する工程であるといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明Ａ−２は、「材料層の第１の面からその厚み方向の内側に向かって、１以上のスキャロップ形成溝を含む溝テーパー部を形成する工程」を有する点において共通するといえる。
（イ）引用発明Ａ−２の「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」は、本願発明９の「おおむね垂直な側壁を有する垂直部」に相当するといえる。
　また、先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−２の「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」は、「おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」のであるといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明Ａ−２は、「前記材料層内の前記溝テーパー部の下におおむね垂直な側壁を有する垂直部を形成する工程」を有する点、及び、「前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有する」点において共通するといえる。
（ウ）先願Ａの［図６ｃ］の記載より、引用発明Ａ−２の「大きな非垂直スキャロップ７０」の幅は、「ほぼ垂直な側壁形状を有するスキャロップ状側壁５０」の溝幅よりも大きいといえる。
　そうすると、本願発明９と引用発明Ａ−２は、「前記スキャロップ形成溝は、その幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく」との点において共通するといえる。
（エ）引用発明Ａ−２の「半導体デバイス」は、本願発明１の「半導体装置」に相当するといえる。
（オ）以上から、本願発明９と引用発明Ａ−２は、下記ａの点で一致し、下記ｂの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
　「材料層の第１の面からその厚み方向の内側に向かって、１以上のスキャロップ形成溝を含む溝テーパー部を形成する工程と、
　前記材料層内の前記溝テーパー部の下におおむね垂直な側壁を有する垂直部を形成する工程と、
　を有し、
　前記スキャロップ形成溝は、その幅が前記垂直部の溝幅よりも大きく、
　前記垂直部は、おおむね同等の幅を有する複数のスキャロップ形成溝を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点４−１
　本願発明９の「溝テーパー部」は、「２以上のスキャロップ形成溝を有し、前記開口部に近いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさは前記開口部から遠いスキャロップ形成溝の深さ方向の大きさよりも大き」いのに対し、引用発明Ａ−２はそうではない点。
　イ　判断
　相違点４−１に係る構成が当該技術分野における周知技術又は慣用技術であるとはいえないから、相違点４−１が課題解決のための具体化手段における微差であるとはいえない。
　したがって、本願発明９と引用発明Ａ−２が同一であるとはいえない。
（３）本願発明９についてのまとめ
　上記（１）イのとおり、本願発明９は引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また、上記（２）イのとおり、本願発明９と引用発明Ａ−２が同一であるとはいえない。
　４　本願発明１０ないし１７について
　本願発明１０ないし１７は、本願発明９の発明特定事項を全て備え、さらに構成を付加したものである。
　そうすると、本願発明９が、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明１０ないし１７は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明９と引用発明Ａ−２が同一であるとはいえない以上、本願発明１０ないし１７と引用発明Ａ−２が同一であるとはいえない。
　５　本願発明１８について
　本願発明１８は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに構成を付加したものである。
　そうすると、本願発明１が、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明１と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない以上、本願発明１８と引用発明Ａ−１が同一であるとはいえない。
　６　まとめ
　以上のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明１ないし１８は、引用発明Ａ−１又はＡ−２と同一であるとはいえない。
第８　原査定について
　上記第７の６のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、請求項１ないし２０に係る発明は引用文献３、４、６及び７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとした原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
第９　当審拒絶理由について
（１）当審拒絶理由１について
　ア　理由１（進歩性）について
　上記第７の６のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本願発明１ないし１８は引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとした当審拒絶理由１の理由１によって本願を拒絶することはできない。
　イ　理由２（拡大先願）について
　上記第７の６のとおり、本願発明１ないし１８は、引用発明Ａ−１又はＡ−２と同一であるとはいえないから、当審拒絶理由１の理由２によって本願を拒絶することはできない。
　ウ　理由３（明確性）について
（ア）当審拒絶理由１の「理由３（明確性）について」の（１）において、「本願の請求項７には、『前記溝は、半導体基板内を貫通するように設けられた貫通電極を囲むように設けられ、絶縁リングを形成している』と記載されている。他方、請求項７が引用する請求項５には『前記溝には導電材料が埋設されている』と記載されており、このような構成では『絶縁リング』を形成できないことが明らかであるから、請求項７に係る発明を明確に把握することができない。」旨の拒絶理由が示された。
　しかしながら、平成２９年１１月３０日付け手続補正書による補正後の請求項７は請求項５を引用しないから、当該拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
（イ）当審拒絶理由１の「理由３（明確性）について」の（２）において、「本願の請求項１１において請求項１１自身を引用しているために、請求項１１に係る発明を明確に把握することができない。」旨の拒絶理由が示された。
　しかしながら、平成２９年１１月３０日付け手続補正書による補正後の請求項１１は請求項１１を引用しないから、当該拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
　エ　当審拒絶理由１についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由１の理由１ないし理由３によって、本願を拒絶することはできない。
　したがって、当審拒絶理由１によって本願を拒絶することはできない。
（２）当審拒絶理由２について
　当審拒絶理由２において、「本願の請求項１１において請求項１１自身を引用しているために、請求項１１に係る発明を明確に把握することができない。」旨の拒絶理由が示された。
　しかしながら、平成２９年１１月３０日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１１は請求項１１を引用しないから、当審拒絶理由２によって本願を拒絶することはできない。
（３）当審拒絶理由についてのまとめ
　以上のとおり、当審拒絶理由１及び当審拒絶理由２によって本願を拒絶することはできない。
第１０　結言
　以上のとおり、原査定の理由、当審拒絶理由１及び当審拒絶理由２によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。