(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域と、一対のＬＤＤ領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、を有する半導体領域と、
前記チャネル形成領域上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の複数の層と、
前記複数の層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の制御ゲートと、
前記半導体領域の端部を覆うように開口を有する第３の絶縁層と、を有し、
前記複数の層は、それぞれ異なる窒化化合物を有し、
前記複数の層は、前記制御ゲートと重ならない第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記ＬＤＤ領域と重なる第２の領域を有し、
前記半導体領域のチャネル幅方向の端部は、前記複数の層又は前記制御ゲートと重なる領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第３の絶縁層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体領域の端部は、不純物領域を有し、
前記不純物領域は、前記チャネル形成領域、前記ソース領域、及び前記ドレイン領域と接する領域を有し、
前記不純物領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と導電型が異なることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的に書き込み、読み出し及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置並びにその作製方法に関する。特に当該不揮発性半導体記憶装置における電荷蓄積層の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
データを電気的に書き換えが可能であり、電源を切ってもデータを記憶しておくことのできる不揮発性メモリの市場が拡大している。不揮発性メモリは、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と類似の構造を有し、電荷を長期間蓄積することのできる領域がチャネル形成領域上に設けられているところに特徴がある。この電荷蓄積領域は絶縁層上に形成され、周囲と絶縁分離されていることから浮遊ゲートとも呼ばれている。浮遊ゲート上には、さらに絶縁層を介して制御ゲートを備えている。
【０００３】
このような構造を有する所謂浮遊ゲート型の不揮発性メモリは、制御ゲートに印加する電圧により、浮遊ゲートに電荷を蓄積させ、また放出させる動作が行われる。すなわち浮遊ゲートに保持させる電荷の出し入れにより、データを記憶する仕組みになっている。具体的に、浮遊ゲートへの電荷の注入や引き抜きは、チャネル形成領域が形成される半導体層と、制御ゲートの間に高電圧を印加して行われている。このときチャネル形成領域上の絶縁層には、ファウラー−ノルドハイム（Ｆｏｗｌｅｒ−Ｎｏｒｄｈｅｉｍ）型（Ｆ−Ｎ型）トンネル電流（ＮＡＮＤ型）や、熱電子（ＮＯＲ型）が流れると言われている。このことより当該絶縁層は、トンネル絶縁層とも呼ばれている。
【０００４】
浮遊ゲート型の不揮発性メモリは、信頼性を保証するために、浮遊ゲートに貯えた電荷を１０年以上保持できる特性が要求されている。そのためトンネル絶縁層には、トンネル電流が流れる厚さで形成しつつ、電荷が漏れてしまわないように、高い絶縁性が求められている。
【０００５】
また、トンネル絶縁層上に形成される浮遊ゲートは、チャネル形成領域が形成される半導体層と同じ半導体材料であるシリコンで形成されている。具体的には、浮遊ゲートを多結晶シリコンで形成する方法が普及しており、例えば４００ｎｍの厚さにポリシリコン膜を堆積して形成したものが知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−５８６８５号公報（第７頁、第７図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
不揮発性メモリの浮遊ゲートは多結晶シリコンで形成されているので、同じシリコン材料で形成される半導体層（チャネル形成領域）の伝導帯の底のエネルギーレベルが同じとなる。むしろ浮遊ゲートの多結晶シリコンの厚さを薄膜化しようとすると、伝導帯の底のエネルギーレベルがチャネル形成領域を形成する半導体層よりも高くなってしまう。このようなエネルギーレベルの差が生じると、半導体層から浮遊ゲートに電子が注入されにくくなってしまい、書き込み電圧が高くなってしまう。
【０００７】
浮遊ゲートと半導体層の間に設けるトンネル絶縁層に関しては、低電圧で書き込むためには当該トンネル絶縁層の厚さを薄くすればよいが、一方で、電荷を長期間安定的に保持させるためには、電荷の漏洩や不純物の侵入を防ぐために厚さを厚くする必要がある。
【０００８】
このような現状から、従来の不揮発性メモリにおいて、情報を書き込むためには高い書き込み電圧が必要とされている。また、電荷保持特性の繰り返しの書き換えによる劣化に対しては、冗長メモリセルの搭載やコントローラを工夫により、エラー検出及びエラー訂正を行うなどの対処をして信頼性を確保している。
【０００９】
そこで本発明は、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。また、書込み電圧を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層または半導体基板と、半導体層または半導体基板の上方であってチャネル形成領域と重なる位置に、第１の絶縁層、異なる窒化化合物で形成される複数の層、第２の絶縁層、制御ゲートを有する不揮発性半導体記憶装置である。本発明において、異なる窒化化合物で形成される複数の層の少なくとも一つ以上を、絶縁性であり、かつ電荷をトラップすることが可能な層で形成することで、異なる窒化化合物層の少なくとも一つ、または異なる窒化化合物層の界面において電荷を保持するサイト（トラップ）を複数有するため、当該領域で電荷を保持することができ、電荷蓄積層として機能させることができる。
【００１１】
異なる窒化化合物で形成される複数の層の少なくとも一つの材料として、窒化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム等がある。また、酸化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウム等のゲルマニウム化合物等を選択することができる。
【００１２】
また、異なる窒化化合物で形成される複数の層の少なくとも一つの材料として、窒化珪素、酸素が添加された窒化珪素、酸素及び水素が添加された窒化珪素等がある。また、窒素が添加された酸化珪素、窒素及び水素が添加された酸化珪素等の窒化珪素化合物等を選択することができる。
【００１３】
また、異なる窒化化合物で形成される複数の層の少なくとも一つ材料として、窒化アルミニウム、酸素が添加された窒化アルミニウム、酸素及び水素が添加された窒化アルミニウム等の窒化アルミニウム化合物等を選択することができる。
【００１４】
また、第１の絶縁層は、半導体層または半導体基板の表面をプラズマ処理による固相酸化若しくは固相窒化で形成することが好ましい。当該手法により形成した絶縁層は、緻密で絶縁耐圧が高く信頼性に優れているため、厚さを薄く形成することが可能であり、電荷蓄積層に電荷を注入するためのトンネル絶縁層である第１の絶縁層に適している。
【００１５】
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置において、半導体層は絶縁表面上に形成され、島状に分離していることが好ましい。少なくとも、記憶素子を形成する半導体層と、ロジック回路を形成する半導体層は分割されていることが好ましい。すなわち本発明は、互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、半導体層の上方であってチャネル形成領域と重なる位置に、第１の絶縁層、電荷蓄積層、第２の絶縁層、制御ゲートを有する不揮発性半導体記憶装置であって、絶縁表面に半導体層が形成されたものを含んでいる。
【発明の効果】
【００１６】
半導体領域（半導体層または半導体基板）上にトンネル絶縁層として機能する第１の絶縁層を介して異なる窒化化合物層で積層して形成し、当該窒化化合物層の一つ以上を電荷蓄積層として機能させることで、異なる窒化化合物層の少なくとも一つ、または異なる窒化化合物層の界面に電荷を保持するサイト（トラップ）を複数有するため、電荷を保持しやすい。また、該異なる窒化化合物層の一つとして、絶縁性を有するゲルマニウム化合物、窒化珪素化合物、窒化アルミニウム化合物等で形成される層を用いることにより、電荷蓄積層は絶縁性であるため、第１の絶縁層に欠陥があったとしても、電荷蓄積層で保持された電荷が半導体層に漏洩することを低減することが可能である。その結果、電荷蓄積層における電荷保持性を向上させるとともに、第１の絶縁層の厚さを薄くすることが可能であるため、低電圧で書き込みをすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。図１（Ａ）は、特に不揮発性メモリ素子の要部を示している。この不揮発性メモリ素子は、絶縁表面を有する基板１０を用いて作製されている。絶縁表面を有する基板１０としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表面に絶縁層が形成された金属基板などを用いることができる。
【００１９】
この絶縁表面を有する基板１０上に半導体層１８が形成されている。基板１０と半導体層１８の間には、下地膜として機能する絶縁層１２を設けても良い。この絶縁層１２は、基板１０から半導体層１８へアルカリ金属などの不純物が拡散して汚染することを防ぐものであり、ブロッキング層として適宜設ければ良い。
【００２０】
絶縁層１２としては、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸素と窒素を含有した珪素（酸窒化珪素）等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁層１２を２構造とする場合、第１層目の絶縁層として酸窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として第１層目の酸窒化珪素層と組成の異なる酸窒化珪素層を形成するとよい。また、第１層目の絶縁層として窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化珪素層を形成してもよい。
【００２１】
半導体層１８は、単結晶半導体又は多結晶半導体で形成されたものを用いることが好ましい。例えば、基板１０上にスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法若しくは減圧ＣＶＤ法によって基板１０の全面に形成された半導体層を結晶化させた後、選択的にエッチングして半導体層１８を複数形成することができる。すなわち、素子分離の目的から、絶縁表面に島状の半導体層を複数形成し、該半導体層を用いて一又は複数の不揮発性メモリ素子を形成することが好ましい。半導体材料としては、シリコンが好ましく、その他にシリコンゲルマニウム半導体を用いることもできる。半導体膜の結晶化法としては、レーザー結晶化法、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）又はファーネスアニール炉を用いた熱処理による結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる結晶化法又はこれら方法を組み合わせて行う方法を採用することができる。
【００２２】
このように、絶縁表面に形成された半導体層を島状に分離形成することで、同一基板上にメモリ素子アレイと周辺回路を形成した場合にも、有効に素子分離をすることができる。すなわち、１０Ｖ〜２０Ｖ程度の電圧で書き込みや消去を行う必要のあるメモリ素子アレイと、３Ｖ〜７Ｖ程度の電圧で動作してデータの入出力や命令の制御を主として行う周辺回路を同一基板上に形成した場合でも、各素子に印加する電圧の違いによる相互の干渉を防ぐことができる。
【００２３】
半導体層１８にはｐ型不純物が注入されていても良い。ｐ型不純物として、例えばホウ素が用いられ、５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度の濃度で添加されていても良い。これは、トランジスタのしきい値電圧を制御するためのものであり、チャネル形成領域１４に添加されることで有効に作用する。チャネル形成領域１４は、制御ゲート電極２４と略重なる領域に形成されるものであり、半導体層１８の一対の不純物領域の間に位置するものである。
【００２４】
一対の不純物領域１８ａ、１８ｂは不揮発性メモリ素子においてソース領域及びドレイン領域として機能する領域である。一対の不純物領域１８ａ、１８ｂはｎ型不純物であるリン若しくはヒ素を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度で添加することで形成される。
【００２５】
第１の絶縁層１６は、不揮発性メモリ素子においてトンネル絶縁層として機能しうる。第２の絶縁層２２は、不揮発性メモリ素子においてコントロール絶縁層として機能しうる。第１の絶縁層１６は酸化珪素若しくは酸化珪素と窒化珪素の積層構造で形成する。第１の絶縁層１６は、プラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法により絶縁層を堆積することで形成しても良いが、好ましくはプラズマ処理による固相酸化若しくは固相窒化で形成すると良い。半導体層（代表的にはシリコン層）を、プラズマ処理により酸化又は窒化することにより形成した絶縁層は、緻密で絶縁耐圧が高く信頼性に優れているためである。第１の絶縁層１６は、電荷蓄積層２０に電荷を注入するためのトンネル絶縁層として用いるので、このように丈夫であると厚さを薄くしても、絶縁性を保つことが可能であるため好ましい。この第１の絶縁層１６は１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さに形成することが好ましい。例えば、ゲート長を６００ｎｍとする場合、第１の絶縁層１６は１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さに形成することができる。
【００２６】
プラズマ処理による固相酸化処理若しくは固相窒化処理として、マイクロ波（代表的には２．４５ＧＨｚ）で励起され、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下のプラズマを利用することが好ましい。固相酸化処理若しくは固相窒化処理において、５００℃以下の温度において、緻密な絶縁層を形成すると共に実用的な反応速度を得るためである。
【００２７】
このプラズマ処理により半導体層１８の表面を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２）又は一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、若しくは酸素又は一酸化二窒素と水素（Ｈ２）と希ガス雰囲気下）で行う。また、プラズマ処理により窒化をする場合には、窒素雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、窒素と水素と希ガス雰囲気下、若しくはＮＨ３と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる。また、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。
【００２８】
図１５にプラズマ処理を行うための装置の構成例を示す。このプラズマ処理装置は、基板１０を配置するための支持台８０と、ガスを導入するためのガス供給部７６、ガスを排気するために真空ポンプに接続する排気口７８、アンテナ７２、誘電体板７４、プラズマ発生用のマイクロ波を供給するマイクロ波供給部８４を有している。また、支持台８０に温度制御部８２を設けることによって、基板１０の温度を制御することも可能である。
【００２９】
以下に、プラズマ処理について説明する。なお、プラズマ処理とは、半導体基板、絶縁層、導電層に対する酸化処理、窒化処理、酸窒化処理、水素化処理、表面改質処理を含んでいる。これらの処理は、その目的に応じて、ガス供給部７６から供給するガスを選択すれば良い。
【００３０】
酸化処理若しくは窒化処理を行うには以下のようにすれば良い。まず、処理室内を真空にし、ガス供給部７６から酸素又は窒素を含むプラズマ処理用ガスを導入する。基板１０は室温若しくは温度制御部８２により１００℃〜５５０℃に加熱する。なお、基板１０と誘電体板７４との間隔は、２０ｎｍ〜８０ｍｍ（好ましくは２０ｎｍから６０ｍｍ）程度である。次に、マイクロ波供給部８４からアンテナ７２にマイクロ波を供給する。そしてマイクロ波をアンテナ７２から誘電体板７４を通して処理室内に導入することによって、プラズマ８６を生成する。マイクロ波の導入によりプラズマの励起を行うと、低電子温度（３ｅＶ以下、好ましくは１．５ｅＶ以下）で高電子密度（１×１０１１ｃｍ−３以上）のプラズマを生成することができる。この高密度プラズマで生成された酸素ラジカル（ＯＨラジカルを含む場合もある）及び／又は窒素ラジカル（ＮＨラジカルを含む場合もある）によって、半導体基板の表面を酸化又は窒化することができる。プラズマ処理用ガスにアルゴンなどの希ガスを混合させると、希ガスの励起種により酸素ラジカルや窒素ラジカルを効率良く生成することができる。この方法は、プラズマで励起した活性なラジカルを有効に使うことにより、５００℃以下の低温で固相反応による酸化、窒化をすることができる。
【００３１】
図１において、プラズマ処理により形成される好適な第１の絶縁層１６の一例は、酸素雰囲気下のプラズマ処理により半導体層１８表面に３ｎｍ以上６ｎｍ以下の厚さで酸化珪素層１６ａを形成し、その後窒素雰囲気下でその酸化珪素層の表面を窒化プラズマで処理した窒素プラズマ処理層１６ｂを形成する。具体的には、まず、酸素雰囲気下でのプラズマ処理により半導体層１８上に３ｎｍ以上６ｎｍ以下の厚さで酸化珪素層１６ａを形成する。その後、続けて窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより酸化珪素層の表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層１６ｂを設ける。なお、表面近傍とは、酸化珪素層の表面から概略０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下の深さをいう。例えば、窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって、酸化珪素層１６ａの表面から概略１ｎｍの深さに窒素を２０〜５０原子％の割合で含有した構造となる。
【００３２】
半導体層１８の代表例としての珪素層の表面をプラズマ処理で酸化することで、界面に歪みのない緻密な酸化層を形成することができる。また、当該酸化層をプラズマ処理で窒化することで、表層部の酸素を窒素に置換して窒化層を形成すると、さらに緻密化することができる。それにより絶縁耐圧が高い絶縁層を形成することができる。
【００３３】
いずれにしても、上記のようなプラズマ処理による固相酸化処理若しくは固相窒化処理を用いることで、耐熱温度が７００℃以下のガラス基板を用いても、９５０℃〜１０５０℃で形成される熱酸化膜と同等な絶縁層を得ることができる。すなわち、不揮発性メモリ素子のトンネル絶縁層として信頼性の高いトンネル絶縁層を形成することができ、絶縁層をより薄く形成することが可能となる。また、プラズマ処理により窒化をすることにより、不揮発性メモリ素子においてホール伝導性が高まり消去しやすくなる利点がある。
【００３４】
第１の絶縁層１６上に異なる窒化物層を積層して形成する。異なる窒化物層の少なくとも一つ以上の層は、絶縁性であり、電荷を保持するトラップを有する層であることが好ましい。なお、異なる窒化物層の一方では、電荷を保持するトラップを有さず、他方のみにおいて電荷を保持するトラップを有してもよい。また、異なる窒化物層の層間において、電荷を保持するトラップを有してもよい。このような構造とすることで、異なる窒化物層は電荷蓄積層として機能する。
【００３５】
なお、異なる窒化物層は、３層以上の複数の窒化物層で形成されてもよい。異なる窒化物層の材料の一つとして、ゲルマニウム化合物がある。ゲルマニウム化合物としては、窒化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム等がある。また、酸化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウム等を用いることができる。
【００３６】
窒化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウム等のゲルマニウム化合物を電荷蓄積層に用いる場合、ゲルマニウム元素を含む雰囲気中（例えば、ＧｅＨ４及びＮ２、ＧｅＨ４及びＮＨ３、ＧｅＨ４及びＮ２Ｏ等を含む雰囲気）でプラズマＣＶＤ法を行うことにより電荷蓄積層を形成することができる。また、酸化ゲルマニウムをアンモニア雰囲気で加熱した焼結体を蒸着して窒化ゲルマニウムを用いた電荷蓄積層を形成することができる。
【００３７】
また、異なる窒化物層の材料の一つとして、窒化珪素化合物がある。窒化珪素化合物としては、窒化珪素、酸素が添加された窒化珪素、酸素及び水素が添加された窒化珪素等がある。また、窒素が添加された酸化珪素、窒素及び水素が添加された酸化珪素等を用いることができる。
【００３８】
窒化珪素化合物、窒素が添加された酸化珪素、窒素及び水素が添加された酸化珪素等を電荷蓄積層に用いる場合、珪素元素を含む雰囲気中（例えば、ＳｉＨ４及びＮ２、ＳｉＨ４及びＮＨ３、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏ等を含む雰囲気）でプラズマＣＶＤ法を行うことにより電荷蓄積層を形成することができる。また、シリコンをターゲットとし、反応ガスとして窒素を用いた反応性スパッタリング法を用いて電荷蓄積層を形成することができる。
【００３９】
また、異なる窒化物層の材料の一つとして、窒化アルミニウム化合物がある。窒化アルミニウム化合物としては、窒化アルミニウム、酸素が添加された窒化アルミニウム、酸素及び水素が添加された窒化アルミニウム等の窒化アルミニウム化合物等がある。
【００４０】
窒化アルミニウム化合物を電荷蓄積層に用いる場合、アルミニウム元素を含む雰囲気中（例えば、ＡｌＣｌ３及びＮＨ３、ＡｌＢｒ３及びＮＨ３、ＡｌＣｌ３及び３ＮＨ３等を含む雰囲気）で熱ＣＶＤ法を行うことにより電荷蓄積層を形成することができる。また、アルミニウム金属をターゲットとし、反応ガスとして窒素を用いた反応性スパッタリング法を用いて電荷蓄積層を形成することができる。
【００４１】
ここでは、異なる窒化物層を電荷蓄積層２０とし、それぞれを第１の電荷蓄積層２０ａ、第２の電荷蓄積層２０ｂとして示す。また、第１の電荷蓄積層２０ａをプラズマＣＶＤ法を用いて窒化ゲルマニウムで形成し、第２の電荷蓄積層２０ｂをプラズマＣＶＤ法を用いて窒化珪素で形成する。
【００４２】
第２の絶縁層２２は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの一層若しくは複数層を、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などで形成する。第２の絶縁層２２の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上１０ｎｍ以下で形成する。例えば、酸窒化珪素層を厚さ１０ｎｍの厚さに堆積したものを用いることができる。また、電荷蓄積層２０上に、窒化珪素層を３ｎｍの厚さに堆積し、窒化珪素層上に酸化珪素層の厚さを５ｎｍの厚さに堆積したものを用いることができる。
【００４３】
制御ゲート電極２４はタンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された金属、又はこれらの金属を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することが好ましい。また、リン等の不純物元素を添加した多結晶シリコンを用いることができる。また、一層又は複数層の金属窒化物層２４ａと上記の金属層２４ｂの積層構造で制御ゲート電極２４を形成しても良い。金属窒化物としては、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化チタンを用いることができる。金属窒化物層２４ａを設けることにより、金属層２４ｂの密着性を向上させることができ、剥離を防止することができる。また、窒化タンタルなどの金属窒化物は仕事関数が高いので、第２の絶縁層２２との相乗効果により、第１の絶縁層１６の厚さを厚くすることができる。
【００４４】
また、図１（Ｂ）に示すように、不揮発性メモリ素子は、半導体基板３０を用いて作製されてもよい。半導体基板３０としては単結晶シリコン基板（シリコンウエハー）を用いることが好ましい。また、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることもできる。ＳＯＩ基板として、鏡面研磨ウェーハに酸素イオンを注入した後、高温アニールすることにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作られた所謂ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）基板を用いても良い。
【００４５】
半導体基板３０がｎ型で有る場合にはｐ型不純物が注入されたｐウェル３２が形成されている。ｐ型不純物として、例えばホウ素が用いられ、５×１０１５ｃｍ−３〜１×１０１６ｃｍ−３程度の濃度で添加されている。ｐウェル３２を形成することにより、この領域にｎチャネル型のトランジスタを形成することができる。また、ｐウェル３２に添加するｐ型不純物は、トランジスタのしきい値電圧を制御する作用もある。半導体基板３０に形成されるとするチャネル形成領域は、制御ゲート電極２４と略一致する領域に形成されるものであり、半導体基板３０に形成される一対の不純物領域３８ａ、３８ｂの間に位置している。
【００４６】
一対の不純物領域３８ａ、３８ｂは不揮発性メモリ素子においてソース及びドレインとして機能する領域である。また、一対の不純物領域３８ａ、３８ｂはｎ型不純物であるリン若しくはヒ素を１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３乃至１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度で添加することで形成される。
【００４７】
半導体基板３０上には、図１（Ａ）に示す不揮発性メモリ素子と同様に、第１の絶縁層１６、電荷蓄積層２０、第２の絶縁層２２、制御ゲート電極２４が形成される。なお、第１の絶縁層１６は熱酸化により半導体基板３０の表面を酸化して形成しても良い。
【００４８】
図１に示す不揮発性記憶素子は、電荷蓄積層２０及び制御ゲート電極２４の端部が一致している。即ち、一つのマスクにより電荷蓄積層２０、第２の絶縁層２２、及び制御ゲート電極２４がエッチングされている。このため、エッチング工程数を削減することが可能であり、スループットを向上させることができる。
【００４９】
図２（Ａ）及び（Ｂ）に示す不揮発性記憶素子は、電荷蓄積層２０、第２の絶縁層２２、及び制御ゲート電極２４の側壁にはスペーサ２８が形成されている。なお、当該スペーサ２８は第１の絶縁層１６の側壁に形成してもよい。スペーサ２８が形成されることにより、電荷蓄積層２０または制御ゲート電極２４の端部におけるリーク電流（例えば、電荷蓄積層２０と制御ゲート電極２４の間に流れてしまう電流）防ぐ効果がある。また、このスペーサ２８を利用して、制御ゲート電極２４のチャネル長方向の両端の下方に低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄ（図２（Ａ））、３８ｃ、３８ｄ（図２（Ｂ））を形成することができる。この低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄ、３８ｃ、３８ｄは低濃度ドレイン（ＬＤＤ）として機能する。低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄは必須の構成とはならないが、この領域を設けることにより、ドレイン端の電界を緩和して、書き込み及び消去の繰り返しによる劣化を抑制することができる。
【００５０】
図３に示す不揮発性記憶素子は、電荷蓄積層２０の上面の面積が制御ゲート電極２４の上面の面積と比較して大きい構造である。即ち、電荷蓄積層２０が外側に突出した形状である。電荷蓄積層２０において制御ゲート電極２４の外側に形成される領域と、低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄ（図３（Ａ））、３８ｃ、３８ｄ（図３（Ｂ））が第１の絶縁層１６を介して重畳する。電荷蓄積層２０及び制御ゲート電極２４をこのような形状とすることで、電荷蓄積層２０において制御ゲート電極２４の外側に形成される領域を通過して半導体層に不純物を添加することができる。即ち、不純物を添加する工程により半導体層１８において、チャネル形成領域１４、高濃度不純物領域１８ａ、１８ｂ、及び低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄを同時に形成することが可能である。また、ｐウェル３２において、高濃度不純物領域３８ａ、３８ｂ、及び低濃度不純物領域３８ｃ、３８ｄを同時に形成することが可能である。このため、スループットを向上させることができる。
【００５１】
図４に示す不揮発性記憶素子は、電荷蓄積層２０の上面の面積が制御ゲート電極２４の上面の面積と比較して小さい構造である。
【００５２】
このような構造の薄膜トランジスタは、制御ゲート電極２４を形成する前に、低濃度の不純物を半導体層１８に添加して、低濃度不純物領域１８ｃ、１８ｄを形成した後、制御ゲート電極２４を形成する。次に、制御ゲート電極２４をマスクとして半導体層１８に不純物を高濃度添加することで、高濃度不純物領域１８ａ、１８ｂ形成することができる。また、同様に、制御ゲート電極２４を形成する前に、低濃度の不純物をｐウェル３２に添加して、低濃度不純物領域３８ｃ、３８ｄを形成した後、制御ゲート電極２４を形成する。次に、制御ゲート電極２４をマスクとしてｐウェル３２に不純物を高濃度添加することで、高濃度不純物領域３８ａ、３８ｂを形成することができる。
【００５３】
図５に示す不揮発性記憶素子は、図１乃至図４に示す不揮発性記憶素子の電荷蓄積層２０のように制御ゲート電極２４や半導体層１８に対応するように所定の形状にエッチングされない形状を有する。即ち、隣接する不揮発性記憶素子において共通の電荷蓄積層２０が形成される構造である。また、高濃度不純物領域１８ａ、１８ｂ、３８ａ、３８ｂを覆うように電荷蓄積層２０が形成される構造である。この場合、作製プロセスにおいて、エッチングにより半導体層１８またはｐウェル３２を露出させなくてよいため、半導体層１８またはｐウェル３２へ与えるダメージを軽減することが可能となる。また、スループットを向上させることができる。
【００５４】
図１に示す不揮発性メモリ素子の動作メカニズムを、バンド図を参照して説明する。以下に示すバンド図において、図１と同じ要素には同じ符号を付している。ここでは図１（Ａ）に示されるような薄膜の半導体層を有する不揮発性記憶素子を用いて説明するが、図１（Ｂ）に示されるような単結晶半導体基板を用いた不揮発性記憶素子に適用することもできる。また、電荷蓄積層２０ａとして、窒化ゲルマニウム層を用い、電荷蓄積層２０ｂとして窒化珪素層を用い、電荷蓄積層２０ａにおけるトラップ準位において、電子をトラップする形態について以下に示す。
【００５５】
図４７は半導体層１８、第１の絶縁層１６、電荷蓄積層２０、第２の絶縁層２２、制御ゲート電極２４が積層された状態を示している。図４７は制御ゲート電極２４に電圧を印加していない場合であって、半導体層１８のフェルミ準位Ｅｆと制御ゲート電極２４のフェルミ準位Ｅｆｍが等しい場合を示している。
【００５６】
第１の絶縁層１６を挟んで、半導体層１８と電荷蓄積層２０は異なる材料で形成している。半導体層１８のバンドギャップＥｇ１（伝導帯の下端Ｅｃと価電子帯の上端Ｅｖのエネルギー差）と電荷蓄積層２０ａのバンドギャップＥｇ２は異なるものとし、後者のバンドギャップは大きくなるように組み合わせている。例えば、半導体層１８としてシリコン（１．１２ｅＶ）、電荷蓄積層２０ａとして窒化ゲルマニウム（３〜５ｅＶ）を組み合わせることができる。窒化ゲルマニウムは水素化されていても良い。このときゲルマニウムに対する水素の含有量は、１〜３０原子％であれば良い。電荷蓄積層２０ａを水素を含有する窒化ゲルマニウムで形成することで、第１の絶縁層１６との界面における再結合中心を減少させることができる。また、電荷蓄積層２０ａには、トラップ準位２０ｃ、２０ｄを有する。
【００５７】
なお、第１の絶縁層１６は酸化珪素層１６ａ（約８ｅＶ）と、当該酸化珪素をプラズマ処理により窒化した窒素プラズマ処理層１６ｂ（約５ｅＶ）で示してしている。また、第２の絶縁層２２は、酸化珪素層を示している。
【００５８】
ところで、電荷蓄積層２０に電子を注入するには、熱電子を利用する方法と、Ｆ−Ｎ型トンネル電流を利用する方法がある。熱電子を利用する場合には、正の電圧を制御ゲート電極２４印加して、ドレインに高電圧を印加して熱電子を発生させる。それにより、熱電子を電荷蓄積層２０に注入することができる。Ｆ−Ｎ型トンネル電流を利用する場合には、正の電圧を制御ゲート電極２４に印加して半導体層１８からＦ−Ｎ型トンネル電流により電荷蓄積層２０に注入する。
【００５９】
図５５（Ａ）はＦ−Ｎ型トンネル電流により電荷蓄積層２０に注入するときの印加電圧を示している。また、図６（Ａ）は、図１（Ｂ）に示すように半導体層１８の代わりに半導体基板３０を用いて不揮発性メモリを形成したときの例を示す。制御ゲート電極２４に正の高電圧（１０Ｖ〜２０Ｖ）を印加すると共に、ソース領域１８ａとドレイン領域１８ｂは０Ｖとしておく。このときのバンド図は図４８に示すようになる。高電界により第１の絶縁層１６に注入された半導体層１８の電子の一部は、電荷蓄積層２０ａのトラップ準位に捕獲される。電子を捕獲したトラップは負に帯電して閾値電圧を正方向にシフトさせる。
【００６０】
電荷蓄積層２０に電子が保持されている間は、不揮発性メモリ素子のしきい値電圧は正の方向にシフトする。この状態を、データ”０”が書き込まれた状態とすることができる。図４９は、電荷保持状態のバンド図を示している。電荷蓄積層２０ａの電子は、第１の絶縁層１６と第２の絶縁層２２に挟まれていることにより、エネルギー的に閉じこめられた状態にある。電荷蓄積層２０ａに蓄積するキャリア（電子）によりポテンシャルは上がるが、障壁エネルギーを超えるエネルギーが電子に付与されない限り電荷蓄積層２０ａから電子は放出されないことになる。
【００６１】
データ”０”が書き込まれた状態を検出するには、中間電位Ｖｒｅａｄを制御ゲート電極２４に印加したときに、トランジスタがオンにならないことを回路によって判別すれば良い。中間電位とは、データ”１”におけるしきい値電圧Ｖｔｈ１と、データ”０”におけるしきい値電圧Ｖｔｈ２の中間の電位である（この場合、Ｖｔｈ１＜Ｖｒｅａｄ＜Ｖｔｈ２）。又は、図６（Ｂ）または図５５（Ｂ）に示すようにソース領域１８ａとドレイン領域１８ｂ間にバイアスを印加して、制御ゲート電極２４を０Ｖとしたときに不揮発性メモリ素子が導通するか否かで判断することができる。
【００６２】
図５６（Ａ）は電荷蓄積層２０から電荷を放出させ、不揮発性メモリ素子からデータを消去する状態を示している。この場合、制御ゲート電極２４に負のバイアスを印加して、半導体層１８と電荷蓄積層２０の間にＦ−Ｎ型トンネル電流を流すことにより行う。或いは、図７（Ｂ）に示すように、制御ゲート電極２４に負のバイアスを印加し、ソース領域１８ａに正の高電圧を印加することにより、Ｆ−Ｎ型トンネル電流を発生させ、ソース領域１８ａ側に電子を引き抜いても良い。
【００６３】
なお、半導体層１８の代わりに図１（Ｂ）に示すような半導体基板を用いて不揮発性メモリを形成する場合、図７に示すように、制御ゲート電極２４を接地して、半導体基板３０のｐウェル３２に負のバイアスを印加して、半導体基板３０のチャネル形成領域と電荷蓄積層２０の間にＦ−Ｎ型トンネル電流を流すことにより行う。或いは、図７（Ｂ）に示すように、制御ゲート電極２４に負のバイアスを印加し、ソース領域１８ａに正の高電圧を印加することにより、Ｆ−Ｎ型トンネル電流を発生させ、ソース領域１８ａ側に電子を引き抜いても良い。
【００６４】
図５０は、この消去状態のバンド図を示している。消去動作では、第１の絶縁層１６を薄く形成することができるので、Ｆ−Ｎ型トンネル電流により電荷蓄積層２０の電子を半導体層１８側に放出させることができる。また、半導体層１８のチャネル形成領域から正孔がより注入されやすく、電荷蓄積層２０に注入することにより、実質的な消去動作をすることができる。
【００６５】
ここでは、電荷蓄積層２０ａにおけるトラップ準位において、電子をトラップする形態について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、窒化珪素で形成された電荷蓄積層２０ｂにおけるトラップ準位において、電子をトラップすることができる。また、窒化ゲルマニウムで形成される電荷蓄積層２０ａ及び窒化珪素で形成される電荷蓄積層２０ｂの界面において、電子をトラップすることができる。
【００６６】
以上説明したように、本発明に係る不揮発性メモリ素子は、半導体層から電荷蓄積層２０へ電荷を注入しやすくすることができ、電荷蓄積層２０から電荷が消失することを防ぐことができる。つまり、メモリとして動作する場合に、低電圧で高効率な書き込みをすることが出来、且つ電荷保持特性を向上させることが可能となる。
【００６７】
このような不揮発性メモリ素子を用いて、様々な態様の不揮発性半導体記憶装置を得ることができる。図８に不揮発性メモリセルアレイの等価回路の一例を示す。１ビットの情報を記憶するメモリセルＭＳ０１は、選択トランジスタＳ０１と不揮発性メモリ素子Ｍ０１で構成されている。選択トランジスタＳ０１は、ビット線ＢＬ０と不揮発性メモリ素子Ｍ０１の間に直列に挿入され、ゲートがワード線ＷＬ１に接続されている。不揮発性メモリ素子Ｍ０１のゲートはワード線ＷＬ１１に接続されている。不揮発性メモリ素子Ｍ０１にデータの書き込むときは、ワード線ＷＬ１とビット線ＢＬ０をＨレベル、ＢＬ１をＬレベルとして、ワード線ＷＬ１１に高電圧を印加すると、前述のように電荷蓄積層２０に電荷が蓄積される。データを消去する場合には、ワード線ＷＬ１とビット線ＢＬ０をＨレベルとし、ワード線ＷＬ１１に負の高電圧を印加すれば良い。
【００６８】
このメモリセルＭＳ０１において、選択トランジスタＳ０１と不揮発性メモリ素子Ｍ０１をそれぞれ、絶縁表面に島状に分離して形成された半導体層で形成することにより、素子分離領域を特段設けなくても、他の選択トランジスタ若しくは不揮発性メモリ素子との干渉を防ぐことができる。また、メモリセルＭＳ０１内の選択トランジスタＳ０１と不揮発性メモリ素子Ｍ０１は共にｎチャネル型なので、この両者を一つの島状に分離した半導体層で形成することにより、この二つの素子を接続する配線を省略することができる。
【００６９】
図９は、ビット線に不揮発性メモリ素子を直接接続したＮＯＲ型の等価回路を示している。このメモリセルアレイは、ワード線ＷＬとビット線ＢＬが互いに交差して配設し、各交差部に不揮発性メモリ素子を配置している。ＮＯＲ型は、個々の不揮発性メモリ素子のドレインをビット線ＢＬに接続する。ソース線ＳＬには不揮発性メモリ素子のソースが共通接続される。
【００７０】
この場合もこのメモリセルＭＳ０１において、不揮発性メモリ素子Ｍ０１を絶縁表面に島状に分離して形成された半導体層で形成することにより、素子分離領域を特段設けなくても、他の不揮発性メモリ素子との干渉を防ぐことができる。また、複数の不揮発性メモリ素子（例えば、図９に示すＭ０１〜Ｍ２３）を一つのブロックとして扱い、これらの不揮発性メモリ素子を一つの島状に分離した半導体層で形成することにより、ブロック単位で消去動作を行うことができる。
【００７１】
ＮＯＲ型の動作は、例えば、次の通りである。データ書き込みは、ソース線ＳＬを０Ｖとし、データを書込むために選択されたワード線ＷＬに高電圧を与え、ビット線ＢＬにはデータ”０”と”１”に応じた電位を与える。例えば、”０”と”１”に対してそれぞれＨレベル、Ｌレベルの電位をビット線ＢＬに付与する。”０”データを書き込むべく、Ｈレベルが与えられた不揮発性メモリ素子ではドレイン近傍でホットエレクトロンが発生し、これが浮遊ゲートに注入される。”１”データの場合この様な電子注入は生じない。
【００７２】
“０”データが与えられたメモリセルでは、ドレインとソースとの間の強い横方向電界により、ドレインの近傍でホットエレクトロンが生成され、これが電荷蓄積層に注入される。これにより、電荷蓄積層に電子が注入されてしきい値電圧が高くなった状態が”０”である。”１”データの場合はホットエレクトロンが生成されず、電荷蓄積層に電子が注入されずしきい値電圧の低い状態、すなわち消去状態が保持される。
【００７３】
データを消去するときは、ソース線ＳＬに１０Ｖ程度の正の電圧を印加し、ビット線ＢＬは浮遊状態としておく。そしてワード線に負の高電圧を印加して（制御ゲートに負の高電圧を印加して）、電荷蓄積層から電子を引き抜く。これにより、データ”１”の消去状態になる。
【００７４】
データ読み出しは、ソース線ＳＬを０Ｖにすると共にビット線ＢＬを０．８Ｖ程度とし、選択されたワード線Ｗに、データ”０”と”１”のしきい値の中間値に設定された読み出し電圧を与え、不揮発性メモリ素子の電流の変化の有無を、ビット線ＢＬに接続されるセンスアンプで判定することにより行う。
【００７５】
図１０は、ＮＡＮＤ型メモリセルアレイの等価回路を示す。ビット線ＢＬには、複数の不揮発性メモリ素子を直列に接続したＮＡＮＤセルＮＳ１が接続されている。複数のＮＡＮＤセルが集まってブロックＢＬＫ１を構成している。図１０で示すブロックＢＬＫ１のワード線は３２本である（ワード線ＷＬ０〜ＷＬ３１）。ブロックＢＬＫ１の同一行に位置する不揮発性メモリ素子には、この行に対応するワード線が共通接続されている。
【００７６】
この場合、選択トランジスタＳ１、Ｓ２と不揮発性メモリ素子Ｍ０〜Ｍ３１が直列に接続されているので、これらを一つのまとまりとして一つの半導体層で形成しても良い。それにより不揮発性メモリ素子を繋ぐ配線を省略することが出来るので、集積化を図ることができる。また、隣接するＮＡＮＤセルとの分離を容易に行うことができる。また、選択トランジスタＳ１、Ｓ２の半導体層とＮＡＮＤセルＮＳ１の半導体層を分離して形成しても良い。不揮発性メモリ素子Ｍ０〜Ｍ３１の電荷蓄積層から電荷を引き抜く消去動作を行うときに、そのＮＡＮＤセルの単位で消去動作を行うことができる。また、一つのワード線に共通接続する不揮発性メモリ素子（例えばＭ３０の行）を一つの半導体層で形成しても良い。
【００７７】
書込み動作では、ＮＡＮＤセルＮＳ１が消去状態、つまりＮＡＮＤセルＮＳ１の各不揮発性メモリ素子のしきい値が負電圧の状態にしてから実行される。書込みは、ソース線ＳＬ側の不揮発性メモリ素子Ｍ０から順に行う。不揮発性メモリ素子Ｍ０への書込みを例として説明すると概略以下のようになる。
【００７８】
図１１（Ａ）は、”０”書込みをする場合、選択ゲート線ＳＧ２に例えばＶｃｃ（電源電圧）を印加して選択トランジスタＳ２をオンにすると共にビット線ＢＬを０Ｖ（接地電圧）にする。選択ゲート線ＳＧ１は０Ｖとして、選択トランジスタＳ１はオフとする。次に、不揮発性メモリ素子Ｍ０のワード線ＷＬ０を高電圧Ｖｐｇｍ（２０Ｖ程度）とし、これ以外のワード線を中間電圧Ｖｐａｓｓ（１０Ｖ程度）にする。ビット線ＢＬの電圧は０Ｖなので、選択された不揮発性メモリ素子Ｍ０のチャネル形成領域の電位は０Ｖとなる。ワード線ＷＬ０とチャネル形成領域との間の電位差が大きいため、不揮発性メモリ素子Ｍ０の電荷蓄積層には前述のようにＦ−Ｎトンネル電流により電子が注入される。これにより、不揮発性メモリ素子Ｍ０のしきい値電圧が正の状態（”０”が書込まれた状態）となる。
【００７９】
一方”１”書込みをする場合は、図１１（Ｂ）に示すように、ビット線ＢＬを例えばＶｃｃ（電源電圧）にする。選択ゲート線ＳＧ２の電圧がＶｃｃであるため、選択トランジスタＳ２のしきい値電圧Ｖｔｈに対して、ＶｃｃマイナスＶｔｈ（Ｖｃｃ−Ｖｔｈ）になると、選択トランジスタＳ２がカットオフする。従って、不揮発性メモリ素子Ｍ０のチャネル形成領域はフローティング状態となる。次に、ワード線ＷＬ０に高電圧Ｖｐｇｍ（２０Ｖ）、それ以外のワード線に中間電圧Ｖｐａｓｓ（１０Ｖ）を印加すると、各ワード線とチャネル形成領域との容量カップリングにより、チャネル形成領域の電圧がＶｃｃ−Ｖｔｈから上昇し例えば８Ｖ程度となる。チャネル形成領域の電圧が高電圧に昇圧されるため、”０”の書込みの場合と異なり、ワード線ＷＬ０とチャネル形成領域の間の電位差が小さい。したがって、不揮発性メモリ素子Ｍ０の浮遊ゲートには、Ｆ−Ｎトンネル電流による電子注入が起こらない。よって、不揮発性メモリ素子Ｍ３１のしきい値は、負の状態（”１”が書込まれた状態）に保たれる。
【００８０】
消去動作をする場合は、図５７に示すように、選択されたブロック内の全てのワード線に負の高電圧（Ｖｅｒｓ）を印加する。ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬをフローティング状態とする。これにより、ブロックの全てのメモリセルにおいて浮遊ゲート中の電子がトンネル電流により半導体層に放出される。この結果、これらのメモリセルのしきい値電圧が負方向にシフトする。
【００８１】
また、半導体層１８の代わりに、半導体基板３０を用いて不揮発性メモリを形成する場合は、図１２（Ａ）に示すように、選択されたブロック内の全てのワード線を０Ｖとして、ｐウェルに負の高電圧（Ｖｅｒｓ）を印加する。ビット線ＢＬ、ソース線ＳＬはフローティング状態とする。これにより、ブロックの全てのメモリセルにおいて浮遊ゲート中の電子がトンネル電流により半導体基板に放出される。この結果、これらのメモリセルのしきい値電圧が負方向にシフトする。
【００８２】
図１２（Ｂ）に示す読み出し動作では、読出しの選択がされた不揮発性メモリ素子Ｍ０のワード線ＷＬ０の電圧Ｖｒ（例えば０Ｖ）とし、非選択の不揮発性メモリ素子のワード線ＷＬ１〜３１及び選択ゲート線ＳＧ１、ＳＧ２を電源電圧より少し高い読出し用中間電圧Ｖｒｅａｄとする。すなわち、図１３に示すように、選択メモリ素子以外のメモリ素子はトランスファートランジスタとして働く。これにより、読出しの選択がされた不揮発性メモリ素子Ｍ０に電流が流れるか否かを検出する。つまり、不揮発性メモリ素子Ｍ３０に記憶されたデータが”０”の場合、不揮発性メモリ素子Ｍ０はオフなので、ビット線ＢＬは放電しない。一方、”１”の場合、不揮発性メモリ素子Ｍ０はオンするので、ビット線ＢＬが放電する。
【００８３】
図１４は、不揮発性半導体記憶装置の回路ブロック図の一例を示している。不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ５２と周辺回路５４が同一の基板上に形成されている。メモリセルアレイ５２は、図８、図９、図１０で示すような構成を有している。周辺回路５４の構成は以下の通りである。
【００８４】
ワード線選択のためにロウデコーダ６２と、ビット線選択のためにカラムデコーダ６４が、メモリセルアレイ５２の周囲に設けられている。アドレスは、アドレスバッファ５６を介してコントロール回路５８に送られ、内部ロウアドレス信号及び内部カラムアドレス信号がそれぞれロウデコーダ６２及びカラムデコーダ６４に転送される。
【００８５】
データ書き込み及び消去には、電源電位を昇圧した電位が用いられる。このため、コントロール回路５８により動作モードに応じて制御される昇圧回路６０が設けられている。昇圧回路６０の出力はロウデコーダ６２やカラムデコーダ６４を介して、ワード線ＷＬやビット線ＢＬに供給される。センスアンプ６６はカラムデコーダ６４から出力されたデータが入力される。センスアンプ６６により読み出されたデータは、データバッファ６８に保持され、コントロール回路５８からの制御により、データがランダムアクセスされ、データ入出力バッファ７０を介して出力されるようになっている。書き込みデータは、データ入出力バッファ７０を介してデータバッファ６８に一旦保持され、コントロール回路５８の制御によりカラムデコーダ６４に転送される。
【００８６】
このように、不揮発性半導体記憶装置では、メモリセルアレイ５２において、電源電位とは異なる電位を用いる必要がある。そのため、少なくともメモリセルアレイ５２と周辺回路５４の間は、電気的に絶縁分離されていることが望ましい。この場合、以下で説明する実施例１乃至３のように、不揮発性メモリ素子及び周辺回路のトランジスタを絶縁表面に形成した半導体層で形成することにより、容易に絶縁分離をすることができる。それにより、誤動作を無くし、消費電力の低い不揮発性半導体記憶装置を得ることができる。
【００８７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態の不揮発性記憶素子において、半導体層１８の端部における第１の絶縁層１６の被覆不良や作製プロセスに伴う電荷の蓄積等による不揮発性メモリ素子の特性へ影響、特に第１の絶縁層１６の膜厚が薄いときに生じる被覆不良や作製プロセスに伴う電荷の蓄積等による不揮発性メモリ素子の特性へ影響を低減することが可能な構造について、以下に示す。
【００８８】
図５１（Ａ）は不揮発性記憶素子の上面図を示しており、図５１（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ図５１（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間、Ａ２−Ｂ２間の断面の模式図を示している。
【００８９】
図５１に示す構造において、島状に設けられた半導体層１８は、制御ゲート電極２４と重なる領域に設けられたチャネル形成領域１４と、制御ゲート電極と重ならない領域であって当該チャネル形成領域１４と隣接して設けられたソース領域又はドレイン領域を形成する第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと、半導体層１８の端部であって制御ゲート電極２４と重なる領域及びその近傍の領域に設けられた第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄとを有している。第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄは、チャネル形成領域１４と第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと隣接して設けられている。
【００９０】
第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄとは、それぞれ導電型が異なるように設ける。例えば、第１の不純物領域１８ａ、１８ｂをｎ型の導電型で設けた場合には、第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄをｐ型の導電型で設け、第１の不純物領域１８ａ、１８ｂをｐ型の導電型で設けた場合には第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄをｎ型の導電型で設ける。ここでは、ソース領域またはドレイン領域として機能する第１の不純物領域１８ａ、１８ｂをｎ型の導電型で設け、第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄをｐ型の導電型で設ける。また、半導体層１８のチャネル形成領域１４にあらかじめチャネルドープを行う場合には、第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄとチャネル形成領域１４を同じ濃度のｐ型の不純物領域としてもよい。
【００９１】
このように、半導体層１８の端部であって制御ゲート電極２４と重なる領域とその近傍の領域に、チャネル形成領域１４、第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと隣接して、当該第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと導電型が異なる第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄを設けることにより、第１の不純物領域１８ａ、１８ｂと第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄの隣接する部分がｐｎ接合により抵抗が高くなる。その結果、半導体層１８の端部における第１の絶縁層１６の被覆不良を原因とするリーク電流や作製プロセスに伴う電荷の蓄積等による不揮発性メモリ素子の特性へ及ぼす影響を抑制することが可能となる。
【００９２】
また、第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄは、半導体層１８及び制御ゲート電極２４が重なる領域に設けられていればよい。このため、図５２に示すように、半導体層１８及び制御ゲート電極２４が重なる領域の近傍にのみ第２の不純物領域１８ｃ、１８ｄを設けてもよい。従って、電荷蓄積層２０の一対の端部（ここでは、キャリアがチャネル形成領域を流れる方向（ソース領域とドレイン領域を結ぶ方向）に対して概略垂直な方向における電荷蓄積層２０の端部）の領域と重なる半導体層１８及びその近傍の領域に選択的に不純物領域１８ｃ、１８ｄを設けた構成としてもよい（図５２（Ａ）参照）。なお、図５２（Ａ）は不揮発性記憶素子の上面図を示しており、図５２（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ図５２（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間、Ａ２−Ｂ２間の断面の模式図を示している。
【００９３】
また、半導体層の端部を覆う絶縁層３６を形成してもよい。（図５３（Ａ）参照）。なお、図５３（Ａ）は不揮発性記憶素子の上面図を示しており、図５３（Ｂ）及び（Ｃ）はそれぞれ図５３（Ａ）におけるＡ１−Ｂ１間、Ａ２−Ｂ２間の断面の模式図を示している。絶縁層３６は、半導体層１８と、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが短絡することを防止するために設ける。このため、半導体層１８の端部と、制御ゲート電極または電荷蓄積層が重畳する領域において、半導体層１８上に形成されていることが好ましい。
【００９４】
図５３（Ａ）において、破線は絶縁層３６の端部を示し、破線の内側には絶縁層３６が形成されておらず、破線の外側に絶縁層３６が形成され半導体層１８の端部を覆っている。即ち、絶縁層３６は半導体層１８上に開口部を有する。
【００９５】
ここでは、半導体層１８の端部を覆う絶縁層３６を形成した後、トンネル酸化膜として機能する絶縁層１６を形成しているが、この構造に限定されない。トンネル酸化膜として機能する絶縁層１６を形成した後、絶縁層３６を形成してもよい。
【００９６】
なお、半導体層の端部を覆う絶縁層３６は、半導体層１８の端部と、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが短絡することを防止するために設けるため、半導体層１８の端部と、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが重畳する領域に形成されていればよい。
【００９７】
代表的には、図５４（Ａ）乃至（Ｃ）に示すように、半導体層１８の端部と、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが重畳する領域に、絶縁層３９ａ、３９ｂが形成されていてればよい。即ち、絶縁層３９ａ、３９ｂは、基板上に非連続的に形成された非連続層である。このため、図５４（Ｂ）に示すように、図５４（Ａ）のＡ１−Ｂ１の断面では絶縁層３９ａ、３９ｂが形成されず、図５４（Ｃ）のＡ２−Ｂ２の断面で示すように、半導体層１８の端部において、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが形成される領域のみに絶縁層３９ａ、３９ｂが形成される。
【００９８】
また、制御ゲート電極のチャネル長方向における絶縁層３９ａ、３９ｂの長さは３μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは３μｍ以上５μｍ以下である。
【００９９】
絶縁層３６、３９ａ、３９ｂは、酸化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化珪素と窒化珪素の積層構造、酸化珪素と窒化アルミニウムの積層構造等で形成する。また、絶縁層３６、３９ａ、３９ｂはエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル樹脂等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１００】
絶縁層３６、３９ａ、３９ｂの膜厚は、半導体層１８、絶縁層３６、３９ａ、３９ｂ、及び制御ゲート電極２４でトランジスタとして動作することを回避する程度の膜厚が好ましい。または、半導体層１８、絶縁層３６、３９ａ、３９ｂ、電荷蓄積層２０、及び制御ゲート電極２４で不揮発性記憶素子として動作することを回避する程度の膜厚が好ましい。
【０１０１】
このように、半導体層の端部を覆う絶縁層３６、３９ａ、３９ｂを形成することで、半導体層１８の端部と、制御ゲート電極２４または電荷蓄積層２０とが短絡することを防止することができる。特に、ゲート絶縁膜として機能する絶縁層の膜厚が数ナノメート〜数十ナノメートのように、膜厚が半導体層の膜厚よりも薄い場合に特に効果的である。また、半導体層１８上に形成された絶縁層をエッチングにより全て除去した場合に、半導体層１８の端部と絶縁層１２との接する部分において絶縁層１２に凹部が形成される場合があるが、絶縁層３６、３９ａ、３９ｂを形成することで当該凹部を絶縁層で充填することができる。このため、トンネル酸化膜として機能する第１の絶縁層等を形成した場合に、被覆不良等を低減することが可能である。これらの結果、後に形成される半導体素子の信頼性を高めることが可能である。
【実施例１】
【０１０２】
本実施例では、不揮発性半導体記憶装置の一例に関して図面を参照して説明する。なお、ここでは、不揮発性半導体記憶装置において、メモリ部を構成する不揮発性メモリ素子と、当該メモリ部と同一の基板上に設けられメモリ部の制御等を行うロジック部を構成するトランジスタ等の素子とを同時に形成する場合を示す。
【０１０３】
まず、不揮発性半導体記憶装置におけるメモリ部の模式図を図８に示す。
【０１０４】
本実施例で示すメモリ部は、制御用トランジスタＳと不揮発性メモリ素子Ｍを有するメモリセルが複数設けられている。図８では、制御用トランジスタＳ０１と不揮発性メモリ素子Ｍ０１により一つのメモリセルが形成されている。また、同様に、制御用トランジスタＳ０２と不揮発性メモリ素子Ｍ０２、制御用トランジスタＳ０３と不揮発性メモリ素子Ｍ０３、制御用トランジスタＳ１１と不揮発性メモリ素子Ｍ１１、制御用トランジスタＳ１２と不揮発性メモリ素子Ｍ１２、制御用トランジスタＳ１３と不揮発性メモリ素子Ｍ１３とによりメモリセルが形成されている。
【０１０５】
制御用トランジスタＳ０１のゲート電極はワード線ＷＬ１に接続され、ソース又はドレインの一方はビット線ＢＬ０に接続され、他方は不揮発性メモリ素子Ｍ０１のソース又はドレインに接続されている。また、不揮発性メモリ素子Ｍ０１のゲート電極はワード線ＷＬ１１に接続され、ソース又はドレインの一方は制御用トランジスタＳ０１のソース又はドレインに接続され、他方はソース線ＳＬ０に接続されている。
【０１０６】
なお、メモリ部に設けられる制御用トランジスタは、ロジック部に設けられるトランジスタと比較して駆動電圧が高いため、メモリ部に設けるトランジスタとロジック部に設けるトランジスタのゲート絶縁膜等を異なる厚さで形成することが好ましい。例えば、駆動電圧が小さくしきい値電圧のばらつきを小さくしたい場合にはゲート絶縁膜が薄い薄膜トランジスタを設けることが好ましく、駆動電圧が大きくゲート絶縁膜の耐圧性が求められる場合にはゲート絶縁膜が厚い薄膜トランジスタを設けることが好ましい。
【０１０７】
従って、本実施例では、駆動電圧が小さくしきい値電圧のばらつきを小さくしたいロジック部のトランジスタに対しては厚さが小さい絶縁層を形成し、駆動電圧が大きくゲート絶縁膜の耐圧性が求められるメモリ部のトランジスタに対しては厚さが大きい絶縁層を形成する場合に関して以下に図面を参照して説明する。なお、図２２〜図２４は上面図を示し図１６〜図２１は図２２〜図２４におけるＡ−Ｂ間、Ｃ−Ｄ間、Ｅ−Ｆ間及びＧ−Ｈ間の断面図を示している。また、Ａ−Ｂ間及びＣ−Ｄ間はロジック部に設けられる薄膜トランジスタを示し、Ｅ−Ｆ間はメモリ部に設けられる不揮発性メモリ素子を示し、Ｇ−Ｈ間はメモリ部に設けられる薄膜トランジスタを示している。また、本実施例では、Ａ−Ｂ間に設ける薄膜トランジスタをｐチャネル型、Ｃ−Ｄ間、Ｇ−Ｈ間に設ける薄膜トランジスタをｎチャネル型、Ｅ−Ｆ間に設けられる不揮発性メモリ素子の電荷の蓄積を電子で行う場合に関して説明するが、本発明の不揮発性半導体記憶装置はこれに限られるものでない。
【０１０８】
まず、基板１００上に絶縁層１０２を介して島状の半導体層１０４、１０６、１０８、１１０を形成し、当該島状の半導体層１０４、１０６、１０８、１１０を覆うように第１の絶縁層１１２を形成する（図１６（Ａ）、図２２参照）。
【０１０９】
島状の半導体層１０４、１０６、１０８、１１０は、基板１００上にあらかじめ形成された絶縁層１０２上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料等を用いて非晶質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層を結晶化させた後に選択的にエッチングすることにより設けることができる。なお、非晶質半導体層の結晶化は、レーザー結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法またはこれら方法を組み合わせた方法等により行うことができる。
【０１１０】
また、レーザー光の照射によって半導体層の結晶化若しくは再結晶化を行う場合には、レーザー光の光源としてＬＤ励起の連続発振（ＣＷ）レーザー（ＹＶＯ４、第２高調波（波長５３２ｎｍ））を用いることができる。特に第２高調波に限定する必要はないが、第２高調波はエネルギー効率の点で、さらに高次の高調波より優れている。ＣＷレーザーを半導体層に照射すると、連続的に半導体層にエネルギーが与えられるため、一旦半導体層を溶融状態にすると、溶融状態を継続させることができる。さらに、ＣＷレーザーを走査することによって半導体層の固液界面を移動させ、この移動の方向に沿って一方向に長い結晶粒を形成することができる。また、固体レーザーを用いるのは、気体レーザー等と比較して、出力の安定性が高く、安定した処理が見込まれるためである。なお、ＣＷレーザーに限らず、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザを用いることも可能である。繰り返し周波数が高いパルスレーザを用いると、半導体層が溶融してから固化するまでの時間よりもレーザーのパルス間隔が短ければ、常に半導体層を溶融状態にとどめることができ、固液界面の移動により一方向に長い結晶粒で構成される半導体層を形成することができる。その他のＣＷレーザー及び繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザを使用することもできる。例えば、気体レーザーとしては、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、ＣＯ２レーザー等がある。固体レーザーとして、ＹＡＧレーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＧｄＶＯ４レーザー、ＫＧＷレーザー、ＫＹＷレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、Ｙ２Ｏ３レーザー、ＹＶＯ４レーザー等がある。また、ＹＡＧレーザー、Ｙ２Ｏ３レーザー、ＧｄＶＯ４レーザー、ＹＶＯ４レーザーなどのセラミックスレーザがある。金属蒸気レーザーとしてはヘリウムカドミウムレーザ等が挙げられる。また、レーザー発振器において、レーザー光をＴＥＭ００（シングル横モード）で発振して射出すると、被照射面において得られる線状のビームスポットのエネルギー均一性を上げることができるので好ましい。その他にも、パルス発振のエキシマレーザーを用いても良い。
【０１１１】
上記手法の代わりに、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることもできる。ＳＯＩ基板として、鏡面研磨ウェーハに酸素イオンを注入した後、高温アニールすることにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作られた所謂ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）基板を用いても良い。ＳＯＩの半導体層を、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０として用いることができる。
【０１１２】
基板１００は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、金属基板（例えばステンレス基板など）、Ｓｉ基板等の半導体基板から選択されるものである。他にもプラスチック基板として、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリルなどの基板を選択することもできる。
【０１１３】
絶縁層１０２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の絶縁材料を用いて形成する。例えば、絶縁層１０２を２層構造とする場合、第１層目の絶縁層として酸窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として第１層目の酸窒化珪素層と組成の異なる酸窒化珪素層を形成するとよい。また、第１層目の絶縁層として窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として酸化珪素層を形成してもよい。このように、ブロッキング層として機能する絶縁層１０２を形成することによって、基板１００からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、この上に形成する素子に悪影響を与えることを防ぐことができる。なお、基板１００として石英を用いるような場合には絶縁層１０２を省略してもよい。
【０１１４】
第１の絶縁層１１２は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の絶縁材料を用いて単層又は積層して形成する。例えば、第１の絶縁層１１２を単層で設ける場合には、ＣＶＤ法により酸窒化珪素層を５〜５０ｎｍの厚さで形成する。また、第１の絶縁層１１２を３層構造で設ける場合には、第１層目の絶縁層として酸窒化珪素層を形成し、第２の絶縁層として窒化珪素層を形成し、第３の絶縁層として酸窒化珪素層を形成する。
【０１１５】
なお、半導体層１１０の上方に形成された第１の絶縁層１１２は、後に完成する薄膜トランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０１１６】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８上に形成された、第１の絶縁層１１２を選択的に除去し、半導体層１０４、１０６、１０８の表面を露出させる。ここでは、メモリ部に設けられた半導体層１１０を選択的にレジスト１１４で覆い、半導体層１０４、１０６、１０８上に形成された、第１の絶縁層１１２をエッチングすることによって選択的に除去すると共に半導体層１１０上に第１の絶縁層１２１を形成する（図１６（Ｂ）参照）。
【０１１７】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８上に第２の絶縁層１１６、１１８、１２０をそれぞれ形成する（図１６（Ｃ）参照）。
【０１１８】
第２の絶縁層１１６、１１８、１２０は、半導体層１０４、１０６、１０８に熱処理又はプラズマ処理等を行うことによって形成することができる。例えば、高密度プラズマ処理により当該半導体層１０４、１０６、１０８に酸化処理、窒化処理又は酸窒化処理を行うことによって、当該半導体層１０４、１０６、１０８上にそれぞれ酸化層、窒化層又は酸窒化層となる第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を形成する。なお、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０は、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成してもよいし、ＣＶＤ法やスパッタ法で形成した層に高密度プラズマ処理を行うことにより形成してもよい。
【０１１９】
例えば、半導体層１０４、１０６、１０８としてＳｉを主成分とする半導体層を用いて高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行った場合、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０として酸化珪素層又は窒化珪素層が形成される。また、高密度プラズマ処理により半導体層１０４、１０６、１０８に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、半導体層１０４、１０６、１０８に接して酸化珪素層が形成され、当該酸化珪素層の表面又は表面近傍に窒素プラズマ処理層が形成される。
【０１２０】
ここでは、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下で形成する。例えば、高密度プラズマ処理により半導体層１０４、１０６、１０８に酸化処理を行い当該半導体層１０４、１０６、１０８の表面に概略３ｎｍの酸化珪素層を形成した後、高密度プラズマ処理により窒化処理を行い酸化珪素層の表面又は表面の近傍に窒素プラズマ処理層を形成する。具体的には、まず、酸素雰囲気下のプラズマ処理により半導体層１０４、１０６、１０８上に３ｎｍ〜６ｎｍの厚さで酸化珪素層１６ａを形成する。その後、続けて窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより酸化珪素層の表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層を設ける。ここでは、窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって、酸化珪素層の表面から概略１ｎｍの深さに窒素を２０〜５０原子％の割合で含有させた構造とする。窒素プラズマ処理層には、酸素と窒素を含有した珪素（酸窒化珪素）が形成されている。また、このとき、高密度プラズマ処理による酸化処理と窒化処理は大気に一度も曝されることなく連続して行うことが好ましい。高密度プラズマ処理を連続して行うことによって、汚染物の混入の防止や生産効率の向上を実現することができる。また、この際に、半導体層１１０上に形成された第１の絶縁層１２１の表面も酸化又は窒化され、酸窒化珪素層が形成される場合がある。
【０１２１】
なお、高密度プラズマ処理により半導体層を酸化する場合には、酸素を含む雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２）又は一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、若しくは酸素又は一酸化二窒素と水素（Ｈ２）と希ガス雰囲気下）で行う。一方、高密度プラズマ処理により半導体層を窒化する場合には、窒素を含む雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、窒素と水素と希ガス雰囲気下、若しくはＮＨ３と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。
【０１２２】
希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる。また、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。高密度プラズマ処理を希ガス雰囲気中で行った場合、第１の絶縁層１２１、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０は、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでいる場合があり、Ａｒを用いた場合には第１の絶縁層１２１、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０にＡｒが含まれている場合がある。
【０１２３】
また、高密度プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であり、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下で行う。より詳しくは、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下で行う。プラズマの電子密度が高密度であり、基板１００上に形成された被処理物（ここでは、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０）付近での電子温度が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被照射物を酸化または窒化することよって形成される酸化層または窒化層は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された層と比較して厚さ等が均一性に優れ、且つ緻密な層を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下と低いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化または窒化処理を行うことができる。例えば、ガラス基板の歪点よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分に酸化または窒化処理を行うことができる。プラズマを形成するための周波数としては、マイクロ波（例えば、２．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。
【０１２４】
本実施例では、高密度プラズマ処理により被処理物の酸化処理を行う場合、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを導入する。ここで用いる混合ガスは、酸素を０．１〜１００ｓｃｃｍ、水素を０．１〜１００ｓｃｃｍ、アルゴンを１００〜５０００ｓｃｃｍとして導入すればよい。なお、酸素：水素：アルゴン＝１：１：１００の比率で混合ガスを導入することが好ましい。例えば、酸素を５ｓｃｃｍ、水素を５ｓｃｃｍ、アルゴンを５００ｓｃｃｍとして導入すればよい。
【０１２５】
また、高密度プラズマ処理により窒化処理を行う場合、窒素（Ｎ２）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを導入する。ここで用いる混合ガスは、窒素を２０〜２０００ｓｃｃｍ、アルゴンを１００〜１００００ｓｃｃｍとして導入すればよい。例えば、窒素を２００ｓｃｃｍ、アルゴンを１０００ｓｃｃｍとして導入すればよい。
【０１２６】
本実施例において、メモリ部に設けられた半導体層１０８上に形成される第２の絶縁層１２０は、後に完成する不揮発性メモリ素子において、トンネル酸化膜として機能する。従って、第２の絶縁層１２０の厚さが薄いほど、トンネル電流が流れやすく、メモリとして高速動作が可能となる。また、第２の絶縁層１２０の厚さが薄いほど、後に形成される電荷蓄積層に低電圧で電荷を蓄積させることが可能となるため、不揮発性半導体記憶装置の消費電力を低減することができる。そのため、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０は、厚さを薄く（例えば、１０ｎｍ以下）形成することが好ましい。
【０１２７】
一般的に、半導体層上に絶縁層を薄く形成する方法として熱酸化法があるが、基板１００としてガラス基板等の融点が十分に高くない基板を用いる場合には、熱酸化法により第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を形成することは非常に困難である。また、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成した絶縁層は、層の内部に欠陥を含んでいるため膜質が十分でなく、厚さを薄く形成した場合にはピンホール等の欠陥が生じる問題がある。また、ＣＶＤ法やスパッタ法により絶縁層を形成した場合には、半導体層の端部の被覆が十分でなく、後に第２の絶縁層１２０上に形成される導電層等と半導体層とがリークする場合がある。従って、本実施例で示すように、高密度プラズマ処理により第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を形成することによって、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成した絶縁層より緻密な絶縁層を形成することができ、また、半導体層１０４、１０６、１０８の端部を第２の絶縁層１１６、１１８、１２０で十分に被覆することができる。その結果、メモリとして高速動作や電荷保持特性を向上させることができる。なお、ＣＶＤ法やスパッタ法により第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を形成した場合には、絶縁層を形成した後に高密度プラズマ処理を行い当該絶縁層の表面に酸化処理、窒化処理又は酸窒化処理を行うことが好ましい。
【０１２８】
次に、第１の絶縁層１１２、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を覆うように電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを形成する（図１７（Ａ）参照）。電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂとして、膜中に電荷をトラップする欠陥を有している絶縁層で形成することができる。例えば、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂとして、窒化ゲルマニウム化合物、窒化珪素化合物、窒化アルミニウム化合物等を用いて積層することができる。
【０１２９】
窒化ゲルマニウム化合物としては、窒化ゲルマニウム、酸素が添加された窒化ゲルマニウム、酸素及び水素が添加された窒化ゲルマニウム等を用いることができる。また、酸化ゲルマニウム、窒素が添加された酸化ゲルマニウム、窒素及び水素が添加された酸化ゲルマニウム等のゲルマニウム化合物を用いることができる。
【０１３０】
また、窒化珪素化合物としては、窒化珪素、酸素が添加された窒化珪素、酸素及び水素が添加された窒化珪素等を用いることができる。また、窒素が添加された酸化珪素、窒素及び水素が添加された酸化珪素等を用いることができる。窒化アルミニウム化合物としては、窒化アルミニウム、酸素が添加された窒化アルミニウム、酸素及び水素が添加された窒化アルミニウム等の窒化アルミニウム化合物等がある。
【０１３１】
ここでは、電荷蓄積層１２２ａとして、ＧｅＨ４及びＮＨ３を原料とし、プラズマＣＶＤ法により形成した１〜２０ｎｍ、好ましくは１〜１０ｎｍの厚さの窒化ゲルマニウムを用いる。このとき、水素で５％に希釈されたＧｅＨ４及びＮＨ３の流量比を１：２５、基板温度を３００度、圧力を１００Ｐａ、電極間隔距離を２１ｍｍとし、２７ＭＨｚの電源周波数でＲＦパワーを１００Ｗとした高周波電力を印加することで、３２．３ａｔｏｍｉｃ％のＧｅ、４９．２  ａｔｏｍｉｃ％のＮ、及び１８．５  ａｔｏｍｉｃ％のＨを含む窒化ゲルマニウム層を形成することができる。
【０１３２】
また、電荷蓄積層１２２ｂとして、ＳｉＨ４、Ｎ２及びＡｒを原料とし、プラズマＣＶＤ法により形成した１〜２０ｎｍ、好ましくは１〜１０ｎｍの厚さの窒化珪素を用いる。このとき、ＳｉＨ４、Ｎ２及びＡｒの流量比を１：２００：２５、基板温度を４００度、圧力を４０Ｐａ、電極間隔距離を３０ｍｍとし、６０ＭＨｚの電源周波数でＲＦパワーを１００Ｗとした高周波電力を印加することで、４４ａｔｏｍｉｃ％のＳｉ、４３．５ａｔｏｍｉｃ％のＮ、及び１３．５  ａｔｏｍｉｃ％のＨを含む窒化珪素層を形成することができる。なお、メモリ部に設けられた電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂは、後に完成する不揮発性メモリ素子において電荷をトラップする層として機能する。
【０１３３】
次に、半導体層１０４、１０６上に形成された第２の絶縁層１１６、１１８、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂと半導体層１１０上に形成された電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを選択的に除去し、半導体層１０８上に形成された、第２の絶縁層１２０と電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを残存させる。ここでは、メモリ部に設けられた半導体層１０８を選択的にレジスト１２４で覆い、レジスト１２４で覆われていない第２の絶縁層１１６、１１８と電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂをエッチングすることによって選択的に除去する（図１７（Ｂ）参照）。なお、図１７（Ｂ）では、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂをエッチングして選択的に除去することによって、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂの一部を残存させ、電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを形成する例を示している。
【０１３４】
次に、半導体層１０４、１０６、半導体層１０８の上方に形成された電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂ、半導体層１１０の上方に形成された第１の絶縁層１２１を覆うように第３の絶縁層１２８を形成する（図１７（Ｃ）参照）。
【０１３５】
第３の絶縁層１２８は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の絶縁材料を用いて単層又は積層して形成する。例えば、第３の絶縁層１２８を単層で設ける場合には、ＣＶＤ法により酸窒化珪素層を５〜５０ｎｍの厚さで形成する。また、第３の絶縁層１２８を３層構造で設ける場合には、第１層目の絶縁層として酸窒化珪素層を形成し、第２層目の絶縁層として窒化珪素層を形成し、第３層目の絶縁層として酸窒化珪素層を形成する。
【０１３６】
なお、半導体層１０８の上方に形成された第３の絶縁層１２８は、後に完成する不揮発性メモリ素子においてコントロール絶縁層として機能し、半導体層１０４、１０６の上方に形成された第３の絶縁層１２８は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０１３７】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０の上方に形成された第３の絶縁層１２８を覆うように導電層を形成する（図１８（Ａ）参照）。ここでは、導電層として、導電層１３０と導電層１３２を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電層は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０１３８】
導電層１３０、１３２としては、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、これらの元素を窒化した金属窒化層で形成することもできる。他にも、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成することもできる。
【０１３９】
ここでは、導電層１３０として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電層１３２としてタングステンを用いて積層構造で設ける。また、他にも、導電層１３０として、窒化タングステン、窒化モリブデン又は窒化チタンから選ばれた単層又は積層構造を用い、導電層１３２として、タンタル、モリブデン、チタンから選ばれた単層又は積層構造を用いることができる。
【０１４０】
次に、積層して設けられた導電層１３０、１３２を選択的にエッチングして除去することによって、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０の上方の一部に導電層１３０、１３２を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電層１３４、１３６、１３８、１４０を形成する（図１８（Ｂ）参照）。なお、メモリ部に設けられた半導体層１０８の上方に形成される導電層１３８は、後に完成する不揮発性メモリ素子において制御ゲートとして機能する。また、導電層１３４、１３６、１４０は、後に完成するトランジスタにおいてゲート電極として機能する。
【０１４１】
次に、半導体層１０４を覆うようにレジスト１４２を選択的に形成し、当該レジスト１４２、導電層１３６、１３８、１４０をマスクとして半導体層１０６、１０８、１１０に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図１８（Ｃ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。この後レジスト１４２を除去する。
【０１４２】
図１８（Ｃ）においては、不純物元素を導入することによって、半導体層１０６にソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１４６とチャネル形成領域１４４が形成される。また、半導体層１０８には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１５０とチャネル形成領域１４８が形成される。また、半導体層１１０には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１５４とチャネル形成領域１５２が形成される。
【０１４３】
次に、半導体層１０６、１０８、１１０を覆うようにレジスト１５６を選択的に形成し、当該レジスト１５６、導電層１３４をマスクとして半導体層１０４に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図１９（Ａ）、図２３参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、図１８（Ｃ）で半導体層１０６、１０８、１１０に導入した不純物元素と異なる導電型を有する不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入する。その結果、半導体層１０４にソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１６０とチャネル形成領域１５８を形成される。この後レジスト１５６を除去する。
【０１４４】
次に、第３の絶縁層１２８、導電層１３４、１３６、１３８、１４０を覆うように絶縁層１６２を形成し、当該絶縁層１６２上に半導体層１０４、１０６、１０８、１１０にそれぞれ形成された不純物領域１４６、１５０、１５４、１６０と電気的に接続する導電層１６４を形成する（図１９（Ｂ）、図２４参照）。
【０１４５】
絶縁層１６２は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の酸素または窒素を有する絶縁層やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む層、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、アリール基）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０１４６】
導電層１６４は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層又は積層で形成する。アルミニウムを主成分とする合金材料とは、例えば、アルミニウムを主成分としニッケルを含む材料、又は、アルミニウムを主成分とし、ニッケルと、炭素と珪素の一方又は両方とを含む合金材料に相当する。導電層１６４は、例えば、バリア層とアルミニウムシリコン層とバリア層の積層構造、バリア層とアルミニウムシリコン層と窒化チタン層とバリア層の積層構造を採用するとよい。なお、バリア層とは、チタン、チタンの窒化物、モリブデン、又はモリブデンの窒化物からなる薄膜に相当する。アルミニウムやアルミニウムシリコンは抵抗値が低く、安価であるため、導電層１６４を形成する材料として最適である。また、上層と下層のバリア層を設けると、アルミニウムやアルミニウムシリコンのヒロックの発生を防止することができる。また、還元性の高い元素であるチタンからなるバリア層を形成すると、結晶質半導体層上に薄い自然酸化膜ができていたとしても、この自然酸化膜を還元し、結晶質半導体層と良好なコンタクトをとることができる。
【０１４７】
なお、本実施例では、メモリ部に形成される不揮発性メモリ素子のコントロール絶縁膜として機能する絶縁層とロジック部に形成される薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を同時に形成する例（図１７（Ｃ）参照）を示したがこれに限られない。例えば、図２０に示すように形成してもよい。以下に、具体的に説明する。
【０１４８】
まず、図１７（Ａ）まで同様に形成した後、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂ上に第３の絶縁層１２８を形成する（図２０（Ａ）参照）。次に、半導体層１０８を覆うようにレジスト１２４を選択的に形成した後、半導体層１０４、１０６、１１０の上方に形成された電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂと第３の絶縁層１２８を選択的に除去する（図２０（Ｂ）参照）。その後、露出した半導体層１０４、１０６の表面にゲート絶縁膜として機能する絶縁層１６８、１７０を形成する（図２０（Ｃ）参照）。絶縁層１６８、１７０は、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０の形成で説明したように高密度プラズマ処理を用いて設けてもよいし、ＣＶＤ法やスパッタ法によって形成することができる。
【０１４９】
図２０に示すように形成することによって、ロジック部に形成される薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とメモリ部に形成される不揮発性メモリ素子のコントロール絶縁膜とを異なる厚さや材料で設けることもできる。
【０１５０】
また、本実施例で示した工程において、ゲート電極として機能する導電層１３４、１３６、１３８、制御電極として機能する導電層１４０の側面に接するように絶縁層１７２（サイドウォールともいう）を設けてもよい（図２１参照）。半導体層１０４、１０６、１０８、１１０に絶縁層１７２をマスクとして不純物元素を導入することによって、当該半導体層１０４、１０６、１０８、１１０にそれぞれＬＤＤとして機能する低濃度不純物領域１８０、１７４、１７６、１７８を形成することができる。
【０１５１】
なお、絶縁層１７２は、半導体層１０４と直接接するように設けてもよいし（図２１（Ａ）参照）、当該絶縁層１７２の下方に他の絶縁層や電荷蓄積層が設けられた構造としてもよい（図２１（Ｂ）参照）。
【０１５２】
また、本実施例では、メモリ部に設けられた半導体層１０８の上方全面に電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを設けた構成を示したが、これに限られない。例えば、半導体層１０８と導電層１３８が交差する部分に選択的に電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを設けた構造としてもよい（図４６参照）。なお、不揮発性メモリ素子において、チャネル長をＬ、チャネル幅をＷとした場合、電荷蓄積層１２６はチャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗより大きくなるように設けてもよいし（図４６参照）、チャネル長Ｌとチャネル幅Ｗの一方より大きくなるように設けてもよいし、チャネル長Ｌ及びチャネル幅Ｗより小さくなるように（常に半導体層１０８上に設けられた状態）設けてもよい。
【０１５３】
本実施例は、本明細書で示した他の実施の形態又は実施例と組み合わせて行うことができる。
【実施例２】
【０１５４】
本実施例では、上記実施例と異なる不揮発性半導体記憶装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。なお、上記実施例と同じものを指す場合には同様の符号を用いて示し説明を省略する。なお、図２５〜図２７において、Ａ−Ｂ間及びＣ−Ｄ間はロジック部に設けられる薄膜トランジスタを示し、Ｅ−Ｆ間はメモリ部に設けられる不揮発性メモリ素子を示し、Ｇ−Ｈ間はメモリ部に設けられる薄膜トランジスタを示している。
【０１５５】
まず、上記実施例で示したように、図１６（Ａ）まで同様に形成後、半導体層１０４、１０６、１０８の端部と、半導体層１１０を覆うようにレジスト１１４を選択的に形成し、当該レジスト１１４に覆われていない第１の絶縁層１１２を選択的に除去する（図２５（Ａ）参照）。つまり、ここでは、半導体層１１０と半導体層１０４、１０６、１０８の端部が第１の絶縁層１１２に覆われた構造となる。
【０１５６】
これは、半導体層１０４、１０６、１０８上に形成された第１の絶縁層１１２をエッチングにより全て除去した場合に、半導体層１０４、１０６、１０８の端部と絶縁層１０２との部分において絶縁層１０２に凹部が形成されるのを防止するために設ける。絶縁層１０２に凹部が形成された場合、その後に半導体層１０４、１０６、１０８を覆う絶縁層等を形成した場合に被覆不良を原因とするリーク電流等の問題が生じるため、このように、半導体層１０４、１０６、１０８の端部を第１の絶縁層１１２で覆うことが有効となる。この後レジスト１１４を除去する。
【０１５７】
ここでは、ウエットエッチング法により絶縁層をエッチングして、第１の絶縁層１１２を形成する。
【０１５８】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８上に第２の絶縁層１１６、１１８、１２０をそれぞれ形成する（図２５（Ｂ）参照）。第２の絶縁層１１６、１１８、１２０は、上記実施例で説明したいずれかの方法で形成することができる。ここでは、高密度プラズマ処理を用いて酸化処理と窒化処理を続けて行うことによって、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０として酸化珪素層を形成した後、酸化珪素層の表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層を形成する。
【０１５９】
次に、半導体層１１０の上方に形成された第１の絶縁層１１２と、第２の絶縁層１１６、１１８、１２０を覆うように電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを形成する（図２５（Ｃ）参照）。電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂは、上記実施例で説明したいずれかの材料で形成することができる。ここでは、電荷蓄積層１２２ａとしてプラズマＣＶＤ法により形成された窒化ゲルマニウム層を用い、１２２ｂとしてプラズマＣＶＤ法により形成された窒化珪素層を用いる。
【０１６０】
次に、半導体層１０４、１０６上に形成された第２の絶縁層１１６、１１８、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを選択的に除去し、半導体層１０８上に形成された第２の絶縁層１２０、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂと、半導体層１１０の上方に形成された電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを残存させる。ここでは、メモリ部に設けられた半導体層１０８、半導体層１１０を選択的にレジスト１２４で覆い、レジスト１２４で覆われていない第２の絶縁層１１６、１１８と電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂをエッチングすることによって選択的に除去する（図２６（Ａ）参照）。なお、図２６（Ａ）では、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂをエッチングして選択的に除去することによって、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂの一部を残存させ、電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを形成する例を示している。なお、上記実施例で示したように、半導体層１１０の上方に形成された電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを除去してもよい。
【０１６１】
次に、半導体層１０４、１０６、半導体層１０８、１１０の上方に形成された電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂを覆うように第３の絶縁層１２８を形成する（図２６（Ｂ）参照）。
【０１６２】
第３の絶縁層１２８は、上記実施例で説明したいずれかの材料を用いて形成する。例えば、第３の絶縁層１２８を、ＣＶＤ法により酸窒化珪素層を５〜５０ｎｍの厚さで形成する。
【０１６３】
なお、半導体層１０８の上方に形成された第３の絶縁層１２８は、後に完成する不揮発性メモリ素子においてコントロール絶縁層として機能し、半導体層１０４、１０６の上方に形成された第３の絶縁層１２８は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０１６４】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０の上方にそれぞれゲート電極として機能する導電層１３４、１３６、１３８、１４０を形成する（図２６（Ｃ）参照）。なお、メモリ部に設けられた半導体層１０８の上方に形成される導電層１３８は、後に完成する不揮発性メモリ素子において制御ゲートとして機能する。また、導電層１３４、１３６、１４０は、後に完成するトランジスタにおいてゲート電極として機能する。
【０１６５】
次に、半導体層１０４を覆うようにレジスト１４２を選択的に形成し、当該レジスト１４２、導電層１３６、１３８、１４０をマスクとして半導体層１０６、１０８、１１０に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図２７（Ａ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、リン（Ｐ）を用いる。
【０１６６】
図２７（Ａ）においては、不純物元素を導入することによって、半導体層１０６にソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１４６とチャネル形成領域１４４が形成される。また、半導体層１０８には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１５０とチャネル形成領域１４８が形成される。また、半導体層１１０には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１５４とチャネル形成領域１５２が形成される。
【０１６７】
次に、半導体層１０６、１０８、１１０を覆うようにレジスト１５６を選択的に形成し、当該レジスト１５６、導電層１３４をマスクとして半導体層１０４に不純物元素を導入することによって不純物領域を形成する（図２７（Ｂ）参照）。不純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純物元素を用いる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、図２７（Ａ）で半導体層１０６、１０８、１１０に導入した不純物元素と異なる導電型を有する不純物元素（例えば、ボロン（Ｂ））を導入する。その結果、半導体層１０４にソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１６０とチャネル形成領域１５８を形成される。この後レジスト１５６を除去する。
【０１６８】
次に、第３の絶縁層１２８、導電層１３４、１３６、１３８、１４０を覆うように絶縁層１６２を形成し、当該絶縁層１６２上に半導体層１０４、１０６、１０８、１１０にそれぞれ形成された不純物領域１４６、１５０、１５４、１６０と電気的に接続する導電層１６４を形成する（図２７（Ｃ）参照）。
【０１６９】
絶縁層１６２、導電層１６４は、上記実施例で説明したいずれかの材料を用いて形成することができる。
【０１７０】
なお、本実施例は、本明細書で示した他の実施の形態又は実施例と組み合わせて行うことができる。
【実施例３】
【０１７１】
本実施例では、上記実施例と異なる不揮発性半導体記憶装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。なお、上記実施例と同じものを指す場合には同様の符号を用いて示し説明を省略する。なお、図２８〜図３０において、Ａ−Ｂ間及びＣ−Ｄ間はロジック部に設けられる薄膜トランジスタを示し、Ｅ−Ｆ間はメモリ部に設けられる不揮発性メモリ素子を示し、Ｇ−Ｈ間はメモリ部に設けられる薄膜トランジスタを示している。
【０１７２】
まず、基板１００上に絶縁層１０２を介して半導体層１０３を形成し、当該半導体層１０３上に第１の絶縁層１１２を形成する（図２８（Ａ）参照）。
【０１７３】
半導体層１０３は、基板１００上にあらかじめ形成された絶縁層１０２上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料等を用いて非晶質半導体層を形成し、当該非晶質半導体層を結晶化させることにより設けることができる。なお、非晶質半導体層の結晶化は、レーザー結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法またはこれら方法を組み合わせた方法等により行うことができる。
【０１７４】
上記手法の代わりに、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることもできる。ＳＯＩ基板として、鏡面研磨ウェーハに酸素イオンを注入した後、高温アニールすることにより、表面から一定の深さに酸化層を形成させるとともに、表面層に生じた欠陥を消滅させて作られた所謂ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）基板を用いても良い。ＳＯＩの半導体層を、半導体層１０３として用いることができる。
【０１７５】
次に、第１の絶縁層１１２上に選択的にレジスト１１４を設け、当該レジスト１１４をマスクとしてエッチングすることによって、第１の絶縁層１１２を残存させて、第２の絶縁層１１３を形成する（図２８（Ｂ）参照）。
【０１７６】
次に、露出した半導体層１０３上に第３の絶縁層１１５を形成する（図２８（Ｃ）参照）。
【０１７７】
第３の絶縁層１１５は、露出した半導体層１０３に熱処理又はプラズマ処理等を行うことによって形成することができる。例えば、高密度プラズマ処理により当該半導体層１０３に酸化処理、窒化処理又は酸窒化処理を行うことによって、当該半導体層１０３それぞれの上に、窒素プラズマ処理層を表面または表面近傍に有する酸化珪素層を第３の絶縁層１１５として形成する。なお、第３の絶縁層１１５は、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成してもよいし、ＣＶＤ法やスパッタ法で形成した層に高密度プラズマ処理を行うことにより形成してもよい。
【０１７８】
例えば、半導体層１０３としてＳｉを主成分とする半導体層を用いて高密度プラズマ処理により酸化処理又は窒化処理を行った場合、第３の絶縁層１１５として酸化珪素層又は窒化珪素層が形成される。また、高密度プラズマ処理により半導体層１０３に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、半導体層１０３に接して酸化珪素層が形成され、当該酸化珪素層及び前記電荷蓄積層の界面、または前記酸化珪素層に窒素プラズマ処理層が形成される。
【０１７９】
ここでは、第３の絶縁層１１５を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下で形成する。例えば、高密度プラズマ処理により半導体層１０３に酸化処理を行い当該半導体層１０３の表面に酸化珪素層を形成した後、高密度プラズマ処理により窒化処理を行い酸化珪素層及び前記電荷蓄積層の界面、または前記酸化珪素層に窒素プラズマ処理層を形成する。また、このとき、高密度プラズマ処理による酸化処理と窒化処理は大気に一度も曝されることなく連続して行うことが好ましい。高密度プラズマ処理を連続して行うことによって、汚染物の混入の防止や生産効率の向上を実現することができる。また、この際に、第２の絶縁層１１３の表面も酸化又は窒化され、酸窒化珪素層が形成される場合がある。
【０１８０】
次に、第３の絶縁層１１５と第２の絶縁層１１３上に電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを形成する（図２９（Ａ）参照）。電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂは、上記実施例で説明したいずれかの材料で形成することができる。ここでは、電荷蓄積層１２２ａとしてプラズマＣＶＤ法により形成された窒化ゲルマニウム層を用い、１２２ｂとしてプラズマＣＶＤ法により形成された窒化珪素層を用いる。
【０１８１】
次に、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂ上に選択的にレジスト１２３を形成し、当該レジスト１２３をマスクとして、第３の絶縁層１１５と電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを選択的に除去することによって、第３の絶縁層１１５、電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂの積層構造を残存させて第４の絶縁層１２０、電荷蓄積層１２５ａ、１２５ｂを形成する。また、第２の絶縁層１１３上に形成された電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂを残存させて電荷蓄積層１２７ａ、１２７ｂを形成する。なお、電荷蓄積層１２７ａ、１２７ｂは、除去することも可能である（図２９（Ｂ）参照）。メモリ部に形成された第２の絶縁層は、後に完成する不揮発性記憶素子においてトンネル絶縁膜として機能する。
【０１８２】
次に、半導体層１０３を選択的にエッチングして島状の半導体層１０４、１０６、１０８、１１０を形成する（図２９（Ｃ）参照）。
【０１８３】
次に、半導体層１０４、１０６、半導体層１０８の上方に形成された電荷蓄積層１２６ａ、１２６ｂ、半導体層１１０の上方に形成された電荷蓄積層１２７ａ、１２７ｂを覆うように第５の絶縁層１２８を形成する（図３０（Ａ）参照）。
【０１８４】
次に、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０の上方にそれぞれゲート電極として機能する導電層１３４、１３６、１３８、１４０を形成する（図３０（Ｂ）参照）。なお、メモリ部に設けられた半導体層１０８の上方に形成される導電層１３８は、後に完成する不揮発性メモリ素子において制御ゲートとして機能する。また、導電層１３４、１３６、１４０は、後に完成するトランジスタにおいてゲート電極として機能する。
【０１８５】
次に、上記実施例で示したように、半導体層１０４、１０６、１０８、１１０にそれぞれチャネル形成領域及び不純物領域を形成した後、第５の絶縁層１２８、導電層１３４、１３６、１３８、１４０を覆うように第６の絶縁層１６２を形成し、当該絶縁層１６２上に半導体層１０４、１０６、１０８、１１０にそれぞれ形成された不純物領域１４６、１５０、１５４、１６０と電気的に接続する導電層１６４を形成する（図３０（Ｃ）参照）。
【０１８６】
なお、本実施例は、本明細書で示した他の実施の形態又は実施例と組み合わせて行うことができる。
【実施例４】
【０１８７】
本実施例では、上記実施例と異なる半導体基板を用いた不揮発性半導体記憶装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。なお、図３７〜図３９は上面図を示し、図３１〜図３５は図３７〜図３９におけるＡ−Ｂ間、Ｅ−Ｆ間の断面図を示しており、図４０は図３７〜図３９におけるＣ−Ｄ間の断面図を示している。また、Ａ−Ｂ間はメモリ部に設けられるトランジスタと不揮発性メモリ素子を示し、Ｃ−Ｄ間はメモリ部に設けられる不揮発性メモリ素子を示し、Ｅ−Ｆ間はロジック部に設けられるトランジスタを示している。
また、本実施例では、Ｅ−Ｆ間に示す基板１２００の領域１２０７に設けられるトランジスタをｐチャネル型、領域１２０８に設けられるトランジスタをｎチャネル型とし、Ａ−Ｂ間に示す基板１２００の領域１２０９に設けられるトランジスタをｎチャネル型、不揮発性メモリ素子のキャリアの移動を電子で行う場合に関して説明するが、本発明の不揮発性半導体記憶装置はこれに限られるものでない。
【０１８８】
まず、基板１２００上に絶縁層を形成する。ここでは、ｎ型の導電型を有する単結晶Ｓｉを基板１２００として用い、当該基板１２００上に絶縁層１２０１と絶縁層１２０２を形成する（図３１（Ａ）参照）。例えば、基板１２００に熱処理を行うことにより絶縁層１２０１として酸化珪素を形成し、当該絶縁層１２０１上にＣＶＤ法を用いて絶縁層１２０２として窒化珪素を形成する。
【０１８９】
また、基板１２００は、半導体基板であれば特に限定されず用いることができる。例えば、ｎ型又はｐ型の導電型を有する単結晶Ｓｉ基板、化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、ＺｎＳｅ基板等）、貼り合わせ法またはＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ＩＭｐｌａｎｔｅｄ  ＯＸｙｇｅｎ）法を用いて作製されたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板等を用いることができる。
【０１９０】
また、絶縁層１２０２は、絶縁層１２０１を形成した後に高密度プラズマ処理により当該絶縁層１２０１を窒化することにより設けてもよい。なお、基板１２００上に設ける絶縁層は単層又は３層以上の積層構造で設けてもよい。
【０１９１】
次に、絶縁層１２０２上に選択的にレジストマスク１２０３のパターンを形成し、当該レジストマスク１２０３をマスクとして選択的にエッチングを行うことによって、基板１２００に選択的に凹部１２０４を形成する（図３１（Ｂ）参照）。基板１２００、絶縁層１２０１、１２０２のエッチングとしては、プラズマを利用したドライエッチングにより行うことができる。
【０１９２】
次に、レジストマスク１２０３のパターンを除去した後、基板１２００に形成された凹部１２０４を充填するように絶縁層１２０５を形成する（図３１（Ｃ）参照）。
【０１９３】
絶縁層１２０５は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素等の絶縁材料を用いて形成する。ここでは、絶縁層１２０５として、常圧ＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によりＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）ガスを用いて酸化珪素を形成する。
【０１９４】
次に、研削処理、研磨処理又はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことによって、基板１２００の表面を露出させる。ここでは、基板１２００の表面を露出させることにより、基板１２００の凹部１２０４に形成された絶縁層１２０６間に領域１２０７〜１２０９が設けられる。なお、絶縁層１２０６は、基板１２００の表面に形成された絶縁層１２０５が研削処理、研磨処理又はＣＭＰ処理により除去されることにより得られたものである。続いて、ｐ型の導電型を有する不純物元素を選択的に導入することによって、基板１２００の領域１２０８、１２０９にｐウェル１２１０を形成する（図３２（Ａ）、図３７（Ａ）、（Ｂ）、図４０（Ａ）参照）。
【０１９５】
ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。ここでは、不純物元素として、ボロン（Ｂ）を領域１２０８、１２０９に導入する。
【０１９６】
なお、本実施例では、基板１２００としてｎ型の導電型を有する半導体基板を用いているため、領域１２０７には不純物元素の導入を行っていないが、ｎ型を示す不純物元素を導入することにより領域１２０７にｎウェルを形成してもよい。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。
【０１９７】
一方、ｐ型の導電型を有する半導体基板を用いる場合には、領域１２０７にｎ型を示す不純物元素を導入してｎウェルを形成し、領域１２０８、１２０９には不純物元素の導入を行わない構成としてもよい。
【０１９８】
次に、基板１２００に設けられた領域１２０７〜１２０９上に第１の絶縁層１２１１を形成する（図３２（Ｂ）参照）。
【０１９９】
第１の絶縁層１２１１は、実施例１に示す第１の絶縁層１１２と同様に形成することができる。ここでは、第１の絶縁層１２１１として、酸窒化珪素をＣＶＤ法を用いて形成する。
【０２００】
なお、基板１２００の露出した領域１２０９に形成された第１の絶縁層１２１１は、後に完成するトランジスタにおいてゲート絶縁膜として機能する。
【０２０１】
次に、基板１２００の領域１２０９に形成された第１の絶縁層１２１１を覆うようにレジストマスク１２１２を選択的に形成し、基板１２００の領域１２０７、１２０８に形成された第１の絶縁層１２１１を選択的に除去し、領域１２０９に設けられた一部の第１の絶縁層１２１１を残存させて、第１の絶縁層１２１３とする（図３２（Ｃ）参照）。
【０２０２】
次に、レジストマスク１２１２を除去した後、基板１２００の領域１２０７、１２０８、及び領域１２０９の一部の表面上に第２の絶縁層１２１４〜１２１６をそれぞれ形成する。次に、第１の絶縁層１２１３及び第２の絶縁層１２１４〜１２１６を覆うように電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂを形成する。（図３３（Ａ）参照）。
【０２０３】
第２の絶縁層１２１４〜１２１６は、上述したように、プラズマ処理を用いて形成してもよい。例えば、基板１２００を加熱して領域１２０７〜１２０９の表面を酸化し酸化珪素層を形成した後、酸化珪素層の表面をプラズマ処理して酸化珪素層表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層を形成する。また、高密度プラズマ処理により領域１２０７〜１２０９の表面に酸化処理を行った後に、再度高密度プラズマ処理を行うことによって窒化処理を行ってもよい。この場合、領域１２０７〜１２０９の表面に接して酸化珪素層が形成され、当該酸化珪素層の表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層が形成される。即ち、表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層を有する酸化珪素層により第２の絶縁層１２１４〜１２１６を形成することができる。
【０２０４】
他にも、熱処理を行い基板１２００に設けられた領域１２０７〜１２０９の表面を酸化させることにより第２の絶縁層１２１４〜１２１６を酸化珪素層で形成することができる。
【０２０５】
ここでは、第２の絶縁層１２１４〜１２１６として、基板１２００に設けられた領域１２０７〜１２０９の表面を、Ａｒ及びＯ２の流量比を１８０：１、圧力を１０６．６７Ｐａ、ＲＦパワーを３８００Ｗとした高周波電力を印加した高密度プラズマ処理により酸化処理を行った後、Ｎ２及びＡｒの流量比を１：５、圧力を１２Ｐａ、ＲＦパワーを１２００Ｗとした高周波電力を印加した高密度プラズマ処理により窒化処理を行って、酸化珪素層及び窒素プラズマ処理層を積層して形成する。
【０２０６】
本実施例において、基板１２００においてメモリ部に設けられた領域１２０９上に形成される第２の絶縁層１２１６は、後に完成する不揮発性メモリ素子において、トンネル酸化膜として機能する。従って、第２の絶縁層１２１６の厚さが薄いほど、トンネル電流が流れやすく、メモリとして高速動作が可能となる。また、第２の絶縁層１２１６の厚さが薄いほど、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂに低電圧で電荷を蓄積させることが可能となるため、不揮発性半導体記憶装置の消費電力を低減することができる。そのため、第２の絶縁層１２１６は、厚さを薄く形成することが好ましい。
【０２０７】
電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂは、実施例１に示す電荷蓄積層１２２ａ、１２２ｂと同様に形成する。
【０２０８】
次に、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂ上にレジストマスク１２１８を形成し、当該レジストマスク１２１８をマスクとして電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂと、第２の絶縁層１２１４〜１２１６を選択的に除去する。ここでは、基板１２００において領域１２０９の一部を覆うようにレジストマスク１２１８を形成し、当該レジストマスク１２１８に覆われていない電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂ、第２の絶縁層１２１４〜１２１６を除去することによって、領域１２０９に設けられた一部の第２の絶縁層１２１６と電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂを残存させ、第２の絶縁層１２２０、電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂとする（図３３（Ｂ）参照）。具体的には、領域１２０９のうち、後に不揮発性メモリ素子が形成される領域に設けられた第２の絶縁層１２２０と電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂを残存させる。また、基板１２００の領域１２０７、１２０８と領域１２０９の一部の表面が露出する。
【０２０９】
次に、レジストマスク１２１８を除去した後、基板１２００の領域１２０７〜１２０９、電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂを覆うように第３の絶縁層１２２１を形成する（図３３（Ｃ）参照）。
【０２１０】
第３の絶縁層１２２１は、第１の絶縁層１２１１と同様に、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等の絶縁材料を用いて単層又は積層して形成する。ここでは、第３の絶縁層１２２１として、ＳｉＨ４：Ｎ２Ｏの流量比を１：８００、基板温度を４００℃、圧力を４０Ｐａ、電極間隔距離を２８ｍｍとし、２７ＭＨｚの電源周波数でＲＦパワーを１５０Ｗとした高周波電力を印加したＣＶＤ法を用いて、酸窒化珪素を形成する。
【０２１１】
なお、基板１２００の領域１２０９における電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂ上に形成された第３の絶縁層１２２１は、後に完成する不揮発性メモリ素子においてコントロール絶縁膜として機能する。
【０２１２】
次に、第３の絶縁層１２２１上に導電層を形成する（図３４（Ａ）参照）。ここでは、導電層として、導電層１２２２と導電層１２２３を順に積層して形成した例を示している。もちろん、導電層は、単層又は３層以上の積層構造で形成してもよい。
【０２１３】
導電層１２２２、１２２３としては、実施例１に示す導電層１３０、１３２と同様に形成することができる。
【０２１４】
ここでは、導電層１２２２として窒化タンタルを用いて形成し、その上に導電層１２２３としてタングステンを用いて積層構造で設ける。
【０２１５】
次に、積層して設けられた導電層１２２２、１２２３を選択的にエッチングして除去することによって、基板１２００の領域１２０７〜１２０９の上方の一部に導電層１２２２、１２２３を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電層１２２４〜１２２７を形成する（図３４（Ｂ）、図４０（Ｂ）参照）。また、ここでは、基板１２００において、導電層１２２４〜１２２７と重ならない領域１２０７〜１２０９の表面が露出するようにする。なお、導電層１２２７は、後に完成する不揮発性メモリ素子において制御ゲートとして機能する。
【０２１６】
具体的には、基板１２００の領域１２０７において、導電層１２２４の下方に形成された第３の絶縁層１２２１のうち当該導電層１２２４と重ならない部分を選択的に除去し、導電層１２２４とエッチングされた第３の絶縁層１２２１の端部が概略一致するように形成する。また、基板１２００の領域１２０８において、導電層１２２５の下方に形成された第３の絶縁層１２２１のうち当該導電層１２２５と重ならない部分を選択的に除去し、導電層１２２５とエッチングされた第３の絶縁層１２２１の端部が概略一致するように形成する。また、基板１２００の領域１２０９において、導電層１２２６の下方に形成された第３の絶縁層１２２１うち当該導電層１２２６と重ならない部分を選択的に除去し、導電層１２２６とエッチングされた第３の絶縁層１２２１の端部が概略一致するように形成する。また、基板１２００の領域１２０９において、導電層１２２７の下方に形成された第３の絶縁層１２２１、電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂ、第２の絶縁層１２２０のうち当該導電層１２２７と重ならない部分を選択的に除去し、導電層１２２７、エッチングされた第３の絶縁層（第３の絶縁層１２２９と示す。）、電荷蓄積層１２２８ａ、１２２８ｂ及びエッチングされた第２の絶縁層１２２０（第２の絶縁層１２３０と示す。）の端部が概略一致するように形成する。
【０２１７】
この場合、導電層１２２４〜１２２７の形成と同時に、導電層１２２４〜１２２７と重ならない部分の絶縁層等を除去してもよいし、導電層１２２４〜１２２７を形成した後残存したレジストマスク又は当該導電層１２２４〜１２２７をマスクとして導電層１２２４〜１２２７と重ならない部分の絶縁層等を除去してもよい。
【０２１８】
次に、基板１２００の領域１２０７〜１２０９に不純物元素を選択的に導入し、低濃度不純物領域１２３１〜１２３３を形成する（図３４（Ｃ）参照）。ここでは、領域１２０８、１２０９に導電層１２２５〜１２２７をマスクとしてｎ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入して低濃度不純物領域１２３２、１２３３を形成し、領域１２０７に導電層１２２４をマスクとしてｐ型を付与する低濃度の不純物元素を選択的に導入して低濃度不純物領域１２３１を形成する。ｎ型を付与する不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）等を用いることができる。ｐ型を付与する不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。
【０２１９】
次に、導電層１２２４〜１２２７の側面に接する絶縁層１２３４〜１２３７（サイドウォールともよばれる）を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等により、珪素、酸化珪素又は窒化珪素等の無機材料を含む層や、有機樹脂などの有機材料を含む層を、単層又は積層して形成する。そして、当該絶縁層を、垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングして、導電層１２２４〜１２２７の側面に接するように形成することができる。なお、絶縁層１２３４〜１２３７は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）領域を形成する際のドーピング用のマスクとして用いる。また、ここでは、絶縁層１２３４〜１２３７は、導電層１２２４〜１２２７の下方に形成された絶縁層や電荷蓄積層の側面にも接するように形成されている。
【０２２０】
続いて、当該絶縁層１２３４〜１２３７、導電層１２２４〜１２２７をマスクとして基板１２００の領域１２０７〜１２０９に不純物元素を導入することによって、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２３８〜１２４０を形成する（図３５（Ａ）、図３８（Ａ）、（Ｂ）参照）。ここでは、基板１２００の領域１２０８、１２０９に絶縁層１２３５〜１２３７と導電層１２２５〜１２２７をマスクとして高濃度のｎ型を付与する不純物元素を導入して不純物領域１２３９、１２４０を形成し、領域１２０７に絶縁層１２３４と導電層１２２４をマスクとして高濃度のｐ型を付与する不純物元素を導入して不純物領域１２３８を形成する。
【０２２１】
その結果、基板１２００の領域１２０７には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１２３８と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２４１と、チャネル形成領域１２４５が形成される。また、基板１２００の領域１２０８には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１２３９と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２４２と、チャネル形成領域１２４６が形成される。また、基板１２００の領域１２０９には、ソース領域またはドレイン領域を形成する不純物領域１２４０と、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２４３、１２４４と、チャネル形成領域１２４７、１２４８が形成される。
【０２２２】
なお、本実施例では、導電層１２２４〜１２２７と重ならない基板１２００の領域１２０７〜１２０９を露出させた状態で不純物元素の導入を行っている。従って、基板１２００の領域１２０７〜１２０９にそれぞれ形成されるチャネル形成領域１２４５〜１２４８は導電層１２２４〜１２２７と自己整合的に形成することができる。
【０２２３】
次に、基板１２００の領域１２０７〜１２０９上に設けられた絶縁層や導電層等を覆うように絶縁層１２４９を形成し、当該絶縁層１２４９に開口部１２５０〜１２５４を形成する（図３５（Ｂ）参照）。
【０２２４】
絶縁層１２４９は、実施例１に示す絶縁層１６２と同様に形成することができる。ここでは、ポリシラザンを用いて形成する。
【０２２５】
次に、ＣＶＤ法を用いて開口部１２５０〜１２５４に導電層１２５５〜１２５９を形成し、当該導電層１２５５〜１２５９と電気的に接続するように絶縁層１２４９上に導電層１２６０〜１２６３を選択的に形成する（図３５（Ｃ）、図３９（Ａ）、（Ｂ）、図４０（Ｃ）参照）。
【０２２６】
導電層１２５５〜１２５９、１２６０〜１２６３は、実施例１に示す導電層１６４と同様に形成することができる。ここでは、導電層１２５５〜１２５９はＣＶＤ法によりタングステン（Ｗ）を選択成長することにより形成することができる。
【０２２７】
以上の工程により、基板１２００の領域１２０７に形成されたｐ型のトランジスタ１２６４と、領域１２０８に形成されたｎ型のトランジスタ１２６５と、領域１２０９に形成されたｎ型のトランジスタ１２６６及び不揮発性メモリ素子１２６７とを具備する不揮発性半導体記憶装置を得ることができる。
【０２２８】
なお、素子分離領域として機能する絶縁層１２０６の代わりに、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法）を用いて形成した絶縁層１２９１〜１２９５を用いることができる（図３６参照）。
【０２２９】
また、本実施例は、本明細書で示した他の実施の形態又は実施例と組み合わせて行うことができる。
【実施例５】
【０２３０】
本実施例では、上記実施例と異なる不揮発性半導体記憶装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。
【０２３１】
実施例４と同様の工程により、基板１２００上に第１の絶縁層１２１３、第２の絶縁層１２１４〜１２１６、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂを形成する。次に、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂ上に第３の絶縁層１２７１を形成する。（図４１（Ａ）参照）。
【０２３２】
第３の絶縁層１２７１は、実施例４で示した第３の絶縁層１２２１と同様に形成することができる。
【０２３３】
次に、第３の絶縁層１２７１上にレジストマスク１２１８を形成し、当該レジストマスク１２１８をマスクとして、第３の絶縁層１２７１、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂと、第２の絶縁層１２１４〜１２１６を選択的に除去する。領域１２０９に設けられた一部の第２の絶縁層１２１６、電荷蓄積層１２１７ａ、１２１７ｂ、及び第３の絶縁層１２７１を残存させ、第２の絶縁層１２２０、電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂ、第３の絶縁層１２７２とする（図４１（Ｂ）参照）。
【０２３４】
レジストマスク１２１８を除去した後、基板１２００の領域１２０７〜１２０９の露出部に第４の絶縁層１２７３〜１２７５を形成する。第４の絶縁層１２７３〜１２７５は実施例４に示す第２の絶縁層１２１４、１２１５と同様に、加熱処理による基板１２００の表面の酸化や、プラズマ処理による基板１２００表面の酸化処理または窒化処理により形成することができる。このため第４の絶縁層１２７３〜１２７５の厚さを薄くすることが可能である。また、第４の絶縁層１２７３、１２７４は、ロジック部に形成されるトランジスタのゲート絶縁膜として機能する。このため、高速動作が可能なトランジスタを作製することができる。
【０２３５】
ここでは、第４の絶縁層１２７３〜１２７５として、基板１２００に設けられた領域１２０７〜１２０９の表面を高密度プラズマ処理により酸化処理を行った後、窒化処理を行って、表面又は表面近傍に窒素濃度の高い窒素プラズマ処理層を有する酸化珪素を形成する。
【０２３６】
次に、第１の絶縁層１２１３、第３の絶縁層１２７２、第４の絶縁層１２７３〜１２７５上に、導電層１２２２、１２２３を形成する（図４１（Ｃ）参照）。
【０２３７】
次に、実施例４と同様に、積層して設けられた導電層１２２２、１２２３を選択的にエッチングして除去して、基板１２００の領域１２０７〜１２０９の上方の一部に導電層１２２２、１２２３を残存させ、それぞれゲート電極として機能する導電層１２２４〜１２２６、及び制御ゲートとして機能する導電層１２２７を形成する（図４０（Ｂ）、図４２（Ａ）参照）。また、基板１２００の領域１２０９において、導電層１２２７の下方に形成された第３の絶縁層１２７２、電荷蓄積層１２１９ａ、１２１９ｂ、第２の絶縁層１２２０のうち当該導電層１２２７と重ならない部分を選択的に除去し、導電層１２２７、第３の絶縁層１２２９、電荷蓄積層１２２８ａ、１２２８ｂ及び第２の絶縁層１２３０の端部が概略一致するように形成する。
【０２３８】
次に、実施例４と同様に、導電層１２２４〜１２２７の側面に接する絶縁層１２３４〜１２３７、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２３８〜１２４０、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２４１〜１２４４を形成する（図３８（Ａ）、（Ｂ）、図４２（Ｂ）参照）。
【０２３９】
次に、絶縁層１２４９、導電層１２５５〜１２５９、当該導電層１２５５〜１２５９と電気的に接続する導電層１２６０〜１２６３を選択的に形成する（図３９（Ａ）、（Ｂ）、図４０（Ｃ）、図４２（Ｃ）参照）。
【０２４０】
以上の工程により、基板１２００の領域１２０７に形成されたｐ型のトランジスタ１２７４と、領域１２０８に形成されたｎ型のトランジスタ１２７５と、領域１２０９に形成されたｎ型のトランジスタ１２７６及び不揮発性メモリ素子１２７７とを具備する不揮発性半導体記憶装置を得ることができる。
【実施例６】
【０２４１】
本実施例では、実施例４及び実施例５において、ゲート電極として機能する導電層１２２４〜１２２７について図４３を用いて説明する。ここでは、実施例４を用いて説明するが、実施例５に本実施例を適用することもできる。
【０２４２】
本実施例においては、ゲート電極として機能する導電層１２８０ａ〜１２８０ｄは、それぞれ積層構造であり、金属窒化物からなる第１層１２８１〜１２８４及び金属から成る第２層１２８５〜１２８８を積層させた構造であり、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状である。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属元素が、ゲート絶縁膜として機能する絶縁層やその下層の基板１２００に拡散することを防ぐことができる。
【０２４３】
このような形状の導電層１２８０ａ〜１２８０ｄをゲート電極として用いると、基板１２００の領域１２０７〜１２０９に不純物元素を導入することによって、ソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域１２３８〜１２４０を形成すると同時に、ＬＤＤ領域を形成する低濃度不純物領域１２４１〜１２４４を形成することができる。即ち、第１層の端部より外側に突き出た第２層の領域が、低濃度不純物領域のマスクとして機能する。このため、工程数を削減することが可能であり、スループットを向上させることができる。
【実施例７】
【０２４４】
本実施例では、上述した本発明の不揮発性半導体記憶装置を備えた非接触でデータの入出力が可能である半導体装置の適用例に関して図面を参照して以下に説明する。非接触でデータの入出力が可能である半導体装置は利用の形態によっては、ＲＦＩＤタグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップともよばれる。
【０２４５】
半導体装置８００は、非接触でデータを交信する機能を有し、高周波回路８１０、電源回路８２０、リセット回路８３０、クロック発生回路８４０、データ復調回路８５０、データ変調回路８６０、他の回路の制御を行う制御回路８７０、記憶回路８８０およびアンテナ８９０を有している（図４４（Ａ））。高周波回路８１０はアンテナ８９０より信号を受信して、データ変調回路８６０より受信した信号をアンテナ８９０から出力する回路であり、電源回路８２０は受信信号から電源電位を生成する回路であり、リセット回路８３０はリセット信号を生成する回路であり、クロック発生回路８４０はアンテナ８９０から入力された受信信号を基に各種クロック信号を生成する回路であり、データ復調回路８５０は受信信号を復調して制御回路８７０に出力する回路であり、データ変調回路８６０は制御回路８７０から受信した信号を変調する回路である。また、制御回路８７０としては、例えばコード抽出回路９１０、コード判定回路９２０、ＣＲＣ判定回路９３０および出力ユニット回路９４０が設けられている。なお、コード抽出回路９１０は制御回路８７０に送られてきた命令に含まれる複数のコードをそれぞれ抽出する回路であり、コード判定回路９２０は抽出されたコードとリファレンスに相当するコードとを比較して命令の内容を判定する回路であり、ＣＲＣ判定回路９３０は判定されたコードに基づいて送信エラー等の有無を検出する回路である。
【０２４６】
次に、上述した半導体装置の動作の一例について説明する。まず、アンテナ８９０により無線信号が受信される。無線信号は高周波回路８１０を介して電源回路８２０に送られ、高電源電位（以下、ＶＤＤと記す）が生成される。ＶＤＤは半導体装置８００が有する各回路に供給される。また、高周波回路８１０を介してデータ復調回路８５０に送られた信号は復調される（以下、復調信号）。さらに、高周波回路８１０を介してリセット回路８３０およびクロック発生回路８４０を通った信号及び復調信号は制御回路８７０に送られる。制御回路８７０に送られた信号は、コード抽出回路９１０、コード判定回路９２０およびＣＲＣ判定回路９３０等によって解析される。そして、解析された信号にしたがって、記憶回路８８０内に記憶されている半導体装置の情報が出力される。出力された半導体装置の情報は出力ユニット回路９４０を通って符号化される。さらに、符号化された半導体装置８００の情報はデータ変調回路８６０を通って、アンテナ８９０により無線信号に載せて送信される。なお、半導体装置８００を構成する複数の回路においては、低電源電位（以下、ＶＳＳ）は共通であり、ＶＳＳはＧＮＤとすることができる。また、本発明の不揮発性半導体記憶装置を記憶回路８８０に適用することができる。本発明の不揮発性半導体記憶装置は、駆動電圧を低くすることができるため、非接触でデータを交信できる距離をのばすことが可能となる。
【０２４７】
このように、通信機から半導体装置８００に信号を送り、当該半導体装置８００から送られてきた信号を通信機で受信することによって、半導体装置のデータを読み取ることが可能となる。
【０２４８】
なお、ここでは、通信機とはＲＦＩＤと無線通信により情報の送受信を行う手段を有していればよく、例えば、情報を読み取るリーダや、読み取り機能及び書き込み機能を備えたリーダ／ライタ等が挙げられる。また、読み取り機能と書き込み機能の一方又は両方を備える携帯電話やコンピュータ等も含まれる。
【０２４９】
また、半導体装置８００は、各回路への電源電圧の供給として、電源（バッテリー）を搭載せず電磁波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリー）を搭載して電磁波と電源（バッテリー）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。
【０２５０】
次に、非接触でデータの入出力が可能な半導体装置の使用形態の一例について説明する。表示部３２１０を含む携帯端末の側面には、通信機３２００が設けられ、品物３２２０の側面には半導体装置３２３０が設けられる（図４４（Ｂ））。品物３２２０が含む半導体装置３２３０に通信機３２００をかざすと、表示部３２１０に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６０をベルトコンベアにより搬送する際に、通信機３２４０と、商品３２６０に設けられた半導体装置３２５０を用いて、該商品３２６０の検品を行うことができる（図４４（Ｃ））。このように、システムに半導体装置を活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。
【０２５１】
また、本発明の不揮発性半導体記憶装置は、メモリを具備したあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、本発明の不揮発性半導体記憶装置を適用した電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図４５に示す。
【０２５２】
図４５（Ａ）、（Ｂ）は、デジタルカメラを示している。図４５（Ｂ）は、図４５（Ａ）の裏側を示す図である。このデジタルカメラは、筐体２１１１、表示部２１１２、レンズ２１１３、操作キー２１１４、シャッターボタン２１１５などを有する。また、取り出し可能な不揮発性のメモリ２１１６を備えており、当該デジタルカメラで撮影したデータをメモリ２１１６に記憶させておく構成となっている。本発明を用いて形成された不揮発性の半導体記憶装置は当該メモリ２１１６に適用することができる。
【０２５３】
また、図４５（Ｃ）は、携帯電話を示しており、携帯端末の１つの代表例である。この携帯電話は筐体２１２１、表示部２１２２、操作キー２１２３などを含む。また、携帯電話は、取り出し可能な不揮発性のメモリ２１２５を備えており、当該携帯電話の電話番号等のデータ、映像、音楽データ等をメモリ２１２５に記憶させ再生することができる。本発明を用いて形成された不揮発性の半導体記憶装置は当該メモリ２１２５に適用することができる。
【０２５４】
また、図４５（Ｄ）は、デジタルプレーヤーを示しており、オーディオ装置の１つの代表例である。図４５（Ｄ）に示すデジタルプレーヤーは、本体２１３０、表示部２１３１、メモリ部２１３２、操作部２１３３、イヤホン２１３４等を含んでいる。なお、イヤホン２１３４の代わりにヘッドホンや無線式イヤホンを用いることができる。メモリ部２１３２は、本発明を用いて形成された不揮発性の半導体記憶装置を用いることができる。例えば、記録容量が２０〜２００ギガバイト（ＧＢ）のＮＡＮＤ型不揮発性メモリを用い、操作部２１３３を操作することにより、映像や音声（音楽）を記録、再生することができる。なお、表示部２１３１は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型のオーディオ装置において特に有効である。なお、メモリ部２１３２に設けられた不揮発性の半導体記憶装置は、取り出し可能な構成としてもよい。
【０２５５】
また、図４５（Ｅ）は、電子ブック（電子ペーパーともいう）を示している。この電子ブックは、本体２１４１、表示部２１４２、操作キー２１４３、メモリ部２１４４を含んでいる。またモデムが本体２１４１に内蔵されていてもよいし、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。メモリ部２１４４は、本発明を用いて形成された不揮発性の半導体記憶装置を用いることができる。例えば、記録容量が２０〜２００ギガバイト（ＧＢ）のＮＡＮＤ型不揮発性メモリを用い、操作キー２１４３を操作することにより、映像や音声（音楽）を記録、再生することができる。なお、メモリ部２１４４に設けられた不揮発性の半導体記憶装置は、取り出し可能な構成としてもよい。
【０２５６】
以上の様に、本発明の不揮発性半導体記憶装置の適用範囲は極めて広く、メモリを有するものであればあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２５７】
【図１】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。
【図２】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。
【図３】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。
【図４】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。
【図５】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための断面図である。
【図６】不揮発性メモリの書き込み及び読み出し動作を説明する図である。
【図７】不揮発性メモリの消去動作を説明する図である。
【図８】不揮発性メモリセルアレイの等価回路の一例を示す図である。
【図９】ＮＯＲ型不揮発性メモリセルアレイの等価回路の一例を示す図である。
【図１０】ＮＡＮＤ型不揮発性メモリセルアレイの等価回路の一例を示す図である。
【図１１】ＮＡＮＤ型不揮発性メモリの書き込み動作を説明する図である。
【図１２】ＮＡＮＤ型不揮発性メモリの消去及び読み出し動作を説明する図である。
【図１３】電荷が蓄積された”０”の場合と消去された”１”の場合における不揮発性メモリのしきい値電圧の変化を示す図である。
【図１４】不揮発性半導体記憶装置の回路ブロック図の一例を示す図である。
【図１５】プラズマ処理装置の構成を説明する図である。
【図１６】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図１７】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図１８】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図１９】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２０】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２１】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２２】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図２３】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図２４】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図２５】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２６】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２７】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２８】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図２９】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３０】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３１】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３２】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３３】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３４】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３５】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３６】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図３７】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図３８】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図３９】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図４０】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図４１】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図４２】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図４３】本発明の不揮発性半導体記憶装置の作製方法の一例を示す図である。
【図４４】本発明の不揮発性半導体記憶装置の一例を示す図である。
【図４５】本発明の不揮発性半導体記憶装置の使用形態を示す図である。
【図４６】本発明の不揮発性半導体記憶装置の上面の一例を示す図である。
【図４７】初期状態（電荷放出状態）における不揮発性メモリのバンド図である。
【図４８】書き込み状態における不揮発性メモリのバンド図である。
【図４９】電荷保持状態における不揮発性メモリのバンド図である。
【図５０】消去状態における不揮発性メモリのバンド図である。
【図５１】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための上面図及び断面図である。
【図５２】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための上面図及び断面図である。
【図５３】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための上面図及び断面図である。
【図５４】本発明に係る不揮発性半導体記憶装置の主要な構成を説明するための上面図及び断面図である。
【図５５】不揮発性メモリの書き込み及び読み出し動作を説明する図である。
【図５６】不揮発性メモリの消去動作を説明する図である。
【図５７】ＮＡＮＤ型不揮発性メモリの消去動作を説明する図である。
【図１】
0005483660.tif 000002
【図２】
0005483660.tif 000003
【図３】
0005483660.tif 000004
【図４】
0005483660.tif 000005
【図５】
0005483660.tif 000006
【図６】
0005483660.tif 000007
【図７】
0005483660.tif 000008
【図８】
0005483660.tif 000009
【図９】
0005483660.tif 000010
【図１０】
0005483660.tif 000011
【図１１】
0005483660.tif 000012
【図１２】
0005483660.tif 000013
【図１３】
0005483660.tif 000014
【図１４】
0005483660.tif 000015
【図１５】
0005483660.tif 000016
【図１６】
0005483660.tif 000017
【図１７】
0005483660.tif 000018
【図１８】
0005483660.tif 000019
【図１９】
0005483660.tif 000020
【図２０】
0005483660.tif 000021
【図２１】
0005483660.tif 000022
【図２２】
0005483660.tif 000023
【図２３】
0005483660.tif 000024
【図２４】
0005483660.tif 000025
【図２５】
0005483660.tif 000026
【図２６】
0005483660.tif 000027
【図２７】
0005483660.tif 000028
【図２８】
0005483660.tif 000029
【図２９】
0005483660.tif 000030
【図３０】
0005483660.tif 000031
【図３１】
0005483660.tif 000032
【図３２】
0005483660.tif 000033
【図３３】
0005483660.tif 000034
【図３４】
0005483660.tif 000035
【図３５】
0005483660.tif 000036
【図３６】
0005483660.tif 000037
【図３７】
0005483660.tif 000038
【図３８】
0005483660.tif 000039
【図３９】
0005483660.tif 000040
【図４０】
0005483660.tif 000041
【図４１】
0005483660.tif 000042
【図４２】
0005483660.tif 000043
【図４３】
0005483660.tif 000044
【図４４】
0005483660.tif 000045
【図４５】
0005483660.tif 000046
【図４６】
0005483660.tif 000047
【図４７】
0005483660.tif 000048
【図４８】
0005483660.tif 000049
【図４９】
0005483660.tif 000050
【図５０】
0005483660.tif 000051
【図５１】
0005483660.tif 000052
【図５２】
0005483660.tif 000053
【図５３】
0005483660.tif 000054
【図５４】
0005483660.tif 000055
【図５５】
0005483660.tif 000056
【図５６】
0005483660.tif 000057
【図５７】
0005483660.tif 000058