【事件の表示】
　特願２０１４−５１４５６８「ＣＭＯＳ画像センサー内蔵ＩＲアップコンバージョン装置を組み込んだ赤外線撮像装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月１３日国際公開、ＷＯ２０１２／１７０４５６、平成２６年　９月　４日国内公表、特表２０１４−５２２５７８、請求項の数（１８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年６月６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１１年６月６日、米国）を国際出願日とする外国語特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年１２月　３日　特許法第１８４条の４第１項の規定による翻訳文提出
　平成２７年　４月２３日　審査請求
　平成２８年　２月１９日　拒絶理由通知
　平成２８年　７月２２日　意見書・手続補正書
　平成２８年　９月１３日　拒絶査定
　平成２９年　１月２０日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　８月２９日　補正の却下の決定（当審）・拒絶理由通知（当審）
　平成２９年１２月　５日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし１８に係る発明は、下記引用文献１ないし５に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．国際公開第２０１１／０６６３９６号
２．特開２００３−０８３８０９号公報
３．国際公開第２０１０／０７０５６３号
４．特開２００９−１９２９１９号公報
５．米国特許出願公開第２００５／０１６１７０３号明細書
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２９年８月２９日付けで当審より通知した拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は次のとおりである。
　１　理由１（明確性）
　本願の請求項１に「前記アップコンバージョン装置が
機械的固定具
により
結合される
機械的固定具
により
結合される
　例えば、アップコンバージョン装置がファイバオプティックプレートを介してＣＩＳに結合されたものや、ハウジング（外装部材）によってアップコンバージョン装置とＣＩＳを固定したものが、「機械的固定具・・・により・・・結合される」といいえるのか否かが不明である。
　請求項１を引用する請求項２ないし１８についても上記と同様の点が指摘される。
　よって、請求項１ないし１８に係る発明は明確でないから、この出願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　２　理由２（進歩性）
　この出願の請求項１ないし１８に係る発明は、下記引用文献１ないし７に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００３−０８３８０９号公報
２．国際公開第２０１１／０６６３９６号
３．国際公開第２０１０／０７０５６３号
４．特開２００９−１９２９１９号公報
５．米国特許出願公開第２００５／０１６１７０３号明細書
６．特表２００７−５０２０３１号公報
７．米国特許出願公開第２０１１／０１１６０７８号明細書
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし１８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１８」という。）は、平成２９年１２月５日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　透明なＩＲアップコンバージョン装置およびＣＭＯＳ画像センサー（ＣＩＳ）を含む撮像装置において、前記透明なＩＲアップコンバージョン装置は多層スタックを含み、前記多層スタックは、陽極層、ホール遮断層、ＩＲ感知層、ホール・トランスポート層、発光層、電子トランスポート層、および陰極を含み、
　前記アップコンバージョン装置が接着剤により前記ＣＩＳに結合される
ことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記陽極がインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、または銀ナノワイヤを含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項３】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記ホール遮断層がＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、３ＴＰＹＭＢ、またはＵＧＨ２を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項４】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記ＩＲ感知層がＰｂＳｅ　ＱＤを含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項５】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記ホール・トランスポート層が１，１−ビス［ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（２−ナフチル）−（１，１’−フェニル）−４，４’−ジアミン（ＮＰＢ）、またはＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項６】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記発光層がトリス−（２−フェニルピイジン）イリジウム、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ポリ−［２−メトキシ，５−（２’−エチル−ヘキシルオキシ）フェニレン・ビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、トリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、またはイリジウム（Ｉｌｌ）ビス−［（４，６−ジ−フルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリナト（ＦＩｒｐｉｃ）を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項７】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記電子トランスポート層がトリス［３−（３−ピリジル）−メシチル］ボラン（３ＴＰＹＭＢ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、またはトリス−（８−ヒドロキシ・キノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項８】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記陰極がインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム・スズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、カーボン・ナノチューブ、銀ナノワイヤ、またはＭｇ：Ａｌを含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項９】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記陰極が厚さ３０ｎｍ未満の１０：１　Ｍｇ：Ａｇ層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１０】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記多層スタックがさらに、前記極上に反射防止層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１１】
　請求項９に記載の撮像装置において、前記反射防止層が２００ｎｍ未満の厚さを有するＡｌｑ３層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１２】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記多層スタックがさらに前記陽極上に配置されるＩＲ通過可視遮断層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１３】
　請求項１２に記載の撮像装置において、前記ＩＲ通過可視遮断層が異なる屈折率を有する材料からなる複数の交互層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１４】
　請求項１３に記載の撮像装置において、前記交互層が厚さ１０〜１００ｎｍのＴａ２Ｏ５層およびＳｉＯ２層を含み、前記ＩＲ通過可視遮断断層が２〜８０段の層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１５】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記ＣＩＳが前記多層スタックの基板であることを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１６】
　請求項１に記載の撮像装置において、前記多層スタックがさらに支持層を含むことを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１７】
　請求項１６に記載の撮像装置において、前記支持層が剛体であることを特徴とする撮像装置。
　　【請求項１８】
　請求項１６に記載の撮像装置において、前記支持層が可撓性であり、前記アップコンバージョン装置が前記ＣＩＳに薄層として被されることを特徴とする撮像装置。」
第５　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１
（１）引用文献１の記載事項
　当審拒絶理由において「引用文献１」として引用され、原査定において「引用文献２」として引用された特開２００３−０８３８０９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は当審において付したもの。以下において同じ。）
　「【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】図１は本発明の赤外可視変換部材にかかる第１実施形態を示す概略構成図である。
図１は撮像素子としてのＣＣＤイメージセンサを備える赤外線検出器を示すもので、ＣＣＤイメージセンサ１の光の受光面上には赤外可視変換部材２ａが配置されており、また、ＣＣＤイメージセンサ１にはドライバ５が電気的に接続されている。
【００１７】
赤外可視変換部材２ａは、アップコンバージョン蛍光体を含む蛍光体層３をファイバオプティックプレート（ＦＯＰ）４上に積層したもの
【００１８】
蛍光体層３に含まれるアップコンバージョン蛍光体は、赤外光を吸収して可視光を再放射するもの
【００１９】ここで、蛍光体層３の膜厚と可視光発光強度との相関を図２、蛍光体層３の膜厚と解像度との相関を図３、蛍光体層３の膜厚と相対輝度との相関を図４にそれぞれ示す。図２、３に示したように、可視光発光強度と解像度とは蛍光体層３の膜厚に対して異なる依存性を示すが、本実施形態においては、蛍光体層３の膜厚を５〜１２０μｍとすることによって、可視光発光強度及び解像度の双方を高水準で両立することが可能となり、図４に示したように十分に高い相対輝度を達成することができる。なお、蛍光体層３の膜厚が１２０μｍを越えると可視光発光強度と解像度との少なくとも一方が不十分となり、他方、５μｍ未満の場合には均一な蛍光体層を形成することが困難となり、いずれの場合にも上記の効果を得ることができない。
【００２０】蛍光体層３は、例えば遠心沈降法により形成することができる。すなわち、蛍光体層３の膜厚に応じた所定量のアップコンバージョン蛍光体微粒子を、水ガラス溶液に加えて懸濁液とし、この懸濁液をＦＯＰ４の所定の面上に塗布する。懸濁液中のアップコンバージョン蛍光体を沈降させてＦＯＰ４上に堆積させた後、吸引などにより水ガラス溶液を吸い取り乾燥することによって蛍光体層３が得られる。
【００２１】このようにして得られる蛍光体層３中には水ガラスが含まれていてもよい。水ガラスの赤外吸収スペクトルは図５に示す通りであり、このように水ガラスは赤外光に対して殆ど吸収性を示さないため、アップコンバージョン蛍光体を結着するバインダーとして用いることができる。なお、蛍光体層３のバインダーは赤外光を透過するものであれば特に制限されず、水ガラスの他に有機系バインダーなどを使用してもよい。
【００２２】
蛍光体層３からの可視光は、ＦＯＰ４によりＣＣＤイメージセンサ１に伝送される。
【００２３】ＦＯＰ４に入射した可視光は、コア１１内で全反射を繰り返し、受光面から出射面に伝送される。このとき、全反射しないでコア１１から漏れる光（迷光）が生じる場合があるが、かかる迷光は吸収体１３により吸収され、他のコア２への迷光の入射が防止される。このようにＦＯＰ４によって、蛍光体層３からの可視光を十分に高い解像度でＣＣＤイメージセンサ１に伝送することができる。
【００２４】ここで、蛍光体層３に含まれるアップコンバージョン蛍光体の平均粒径は、隣接するコア１１間の距離ｄの１／２以下であることが好ましい。例えばコア間距離ｄが６μｍである場合、アップコンバージョン蛍光体の平均粒径は３ミクロン以下（より好ましくは２μｍ以下）であることが好ましい。アップコンバージョン蛍光体の平均粒径がコア間距離の１／２を越えると、アップコンバージョン蛍光体からの可視光が所定のコアに入射する際に、そのコアに隣接する他のコアにも可視光が入射しやすくなり、ＣＣＤイメージセンサ１で検出される像の解像度が低下する傾向にある。
【００２５】このように第１実施形態では、アップコンバージョン蛍光体を含む蛍光体層３の膜厚を５〜１２０μｍとすることによって、アップコンバージョン蛍光体が赤外光を吸収して可視光を再放射する際に、可視光発光強度と解像度との双方を高水準で両立することができる。また、ＦＯＰ４により赤外可視変換部材２ａからの可視光ＣＣＤイメージセンサ１に伝送することによって、当該可視光による像の解像度が高水準に維持されるので、その像をＣＣＤイメージセンサ１により高感度で検出することができる。
【００２６】例えば第１実施形態の赤外線検出器において、蛍光体層３の膜厚を５０μｍとし、これに強度１５６．７μＷの赤外光を入射させると、７９７カウントのピークが検出された（ガンマ値：１．４）。この結果は当該赤外線検出器がレーザビームの位置検出を行う上で十分な感度を有していることを示すものである。
【００２７】なお、第１実施形態はこれに限られるものではない。
例えば図１に示した装置は撮像素子としてＣＣＤイメージセンサ１を備えるものであるが、ＣＣＤイメージセンサ１の代わりにＭＯＳ型イメージセンサを用いてもよい。
【００２８】また、本実施形態においては、蛍光体層３上に有機膜（例えばポリパラキシリレン）をさらに備えていてもよい。これにより蛍光体層３の損傷が防止されるので、上記の優れた特性を長期にわたって得ることができる。」
（２）引用発明
　上記（１）より、引用文献１には下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ＣＣＤイメージセンサ１と、
　前記ＣＣＤイメージセンサ１の受光面上に配置された赤外可視変換部材２ａと、
　前記ＣＣＤイメージセンサ１に電気的に接続されたドライバ５と、
　を備え、
　前記赤外可視変換部材２ａは、アップコンバージョン蛍光体を含む蛍光体層３をファイバオプティックプレート４上に積層したものである
　ことを特徴とする、赤外線検出器。」
　２　引用文献２
　当審拒絶理由において「引用文献２」として引用され、原査定において「引用文献１」として引用された国際公開第２０１１／０６６３９６号（以下、「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は特表２０１３−５１２４３９号公報による。）
　ア「
Embodiments of the invention pertain to a method and apparatus for sensing infrared (IR) radiation. An embodiment of the present invention provides an all-organic up-conversion device that can be fabricated by integrating an OLED and an organic photodetector into one device.
（訳．
本発明の実施形態は、赤外線（ＩＲ）放射を感知する方法および装置に関する。本発明の一実施形態は、ＯＬＥＤと有機光検出器を１つのデバイスに統合することによって製造することができる全有機アップコンバージョンデバイスを提供する。
　イ「
Figure 3 shows the operation of an up-conversion device in accordance with an embodiment of the subject invention.
A photon can then pass through a first transparent (or semi-transparent) electrode and strike an IR sensing layer.
（訳．
図３は、本発明の一実施形態によるアップコンバージョンデバイスの動作を示す。
その後、光子は、第１透明（または、半透明）電極を通り、ＩＲ感知層に当たることができる。
　ウ「
Referring to Figure 3, in a specific embodiment, a hole blocking layer (not shown in Figure 3) can be added between the transparent electrode the IR radiation enters and the IR sensing layer. Such a layer can block holes from passing from the transparent electrode to the IR sensing layer and/or from the IR sensing layer to the transparent electrode.
（訳．
図３を参照すると、特定の実施形態において、正孔ブロック層（図３では図示しない）を、ＩＲ放射が入る透明電極とＩＲ感知層の間に追加することができる。そのような層は、透明電極からＩＲ感知層に、および／またはＩＲ感知層から透明電極に正孔が通ることをブロックすることができる。
　エ「
As shown in Figure 3, in a specific embodiment a second transparent (or semi-transparent) electrode, or cathode, can be disposed on the other side of the LED stack. In this embodiment, a potential between the pair of electrodes can drive the carriers, such as holes, from the IR sensing layer into the first LED and holes from each charge separation layer, where electrons and holes are generated, into the LED toward the cathode electrode. Likewise, electrons injected by the cathode are driven into the fifth LED and the electrons generated in the charge separation (generation) layers are driven into the LED toward the anode.
（訳．
図３に示すように、特定の実施形態において、第２の透明（または半透明）電極、またはカソードは、ＬＥＤ積層の別の側に配置することができる。本実施形態において、電極対の間の電位は、ＩＲ感知層から第１のＬＥＤに正孔などのキャリアを動かすことができ、電子や正孔が生成される各電荷分離層からＬＥＤに入りカソード電極へ向けて正孔を動かすことができる。同じように、カソードによって注入された電子は第５のＬＥＤの中に動かされ、電荷分離（生成）層で生成された電子はＬＥＤに入り、アノードに向けて動かされる。
　オ「
Figure 4 shows an energy band diagram of another IR sensing up-conversion device in accordance with an embodiment of the subject invention.
（訳．
図４は、本発明の一実施形態による別のＩＲ感知アップコンバージョンデバイスのエネルギーバンド図を示す。）
　カ「
Figure 5 shows a structural diagram of the device of Figure 4.
 Referring to Figure 5, an organic near infrared (NIR)-to-visible up-conversion device can be provided using a tin phthalocyanine (SnPc):C60 bulk heterostructure layer as a 
NIR sensitizer
phosphorescent emitter
Upon photo-excitation, the photo-generated holes are injected into the OLED and recombine with electrons injected from the cathode to give off visible light.
（訳．
図５は、図４のデバイスの構造図を示す。
　図５を参照すると、有機近赤外−可視アップコンバージョンデバイスは、
ＮＩＲ増感体
蛍光エミッタ
光励起すると、光生成正孔がＯＬＥＤに注入され、カソードから注入された電子と再結合され、可視光を放つ。
　３　引用文献３
　当審拒絶理由及び原査定において「引用文献３」として引用された国際公開第２０１０／０７０５６３号（以下、「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は特表２０１２−５１３０８４号公報による。）
　ア「The invention relates to a 
transparent organic light emitting diode (OLED)
（訳．本発明は、明光（bright lucent）領域及び暗光（dark lucent）領域を有する
透明有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
　イ「The layer system, which is for example directly applied on the substrate material, may comprise the following materials: said anode layer can be performed as an ITO-layer (I = Indium, T = Tin, O = Oxide), whereas the substrate material can be performed e.g. as a glass material or a foil and the ITO-layer is designed as a coating layer on said substrate material. The organic light emitting layer system may comprise a p-doped hole injection layer MTDATA:F4TCNQ(1%)40nm. Next to the p-doped hole injection layer a hole carrier layer can be applied (α-NPD, 10nm). Next to this layer an emission layer is applied, whereas the emission layer can be performed in different colors. E.g. orange:α-NPD:Ir(MDQ)2(acac)(10%), 20nm. The next layer can be an electron transport layer(BAIq 20nm), which is followed by an n-doped layer(LiF lnm). Next to the organic light emitting layer system the cathode layer system can be a Al-layer with a thickness of 1.5nm and on the Al-layer a transparent Ag-layer of 15nm is applied. On said transparent thin Ag-layer an Al-layer of 50nm can be applied in discrete areas to perform the pattern in the OLED. 
As a next layer an antireflection layer can be applied, e.g. Alq
3
(50nm).
（訳．例えば、基板材料上に直接適用される層システムは、次の部材を有してよい。すなわち、前記アノード層はＩＴＯ層（Ｉ＝インジウム、Ｔ＝スズ、Ｏ＝酸化物）として実行されてよく、一方、基板材料は例えばガラス材料又はホイルとして実行されてよく、ＩＴＯ層は該基板材料上のコーティング層として設計される。前記有機発光層システムは、ｐドープ正孔注入層ＭＴＤＡＴＡ：Ｆ４ＴＣＮＱ（１％）４０ｎｍを有してよい。ｐドープ正孔注入層に隣接して、正孔担体層が適用されてよい（α−ＮＰＤ，１０ｎｍ）。この層に隣接して、発光層が適用され、一方、発光層は様々な色において実行されてよい（例えば、オレンジ：α−ＮＰＤ：Ｉｒ（ＭＤＱ）２（ａｃａｃ）（１０％），２０ｎｍ）。次の層は電子伝達層（ＢＡｌｑ２０ｎｍ）であってよく、その後にｎドープ層（ＬｉＦ１ｎｍ）が続く。有機発光層システムに隣接して、カソード層は１．５ｎｍの厚さを有するＡｌ層であってよく、Ａｌ層上には、１５ｎｍの透明なＡｇ層が適用される。この透明な薄いＡｇ層上には、５０ｎｍのＡｌ層が、ＯＬＥＤにおけるパターンを実行するよう、離散的な領域において適用されてよい。
次の層として、反射防止層（例えば、Ａｌｑ
３
（５０ｎｍ））が適用されてよい。
　４　引用文献４
　当審拒絶理由及び原査定において「引用文献４」として引用された特開２００９−１９２９１９号公報（以下、「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００１１】
　以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施形態による光学多層膜付きガラス部材の構成を示す断面図である。図１に示す光学多層膜付きガラス部材１は、ガラス基板２と、ガラス基板２の主表面２ａに付着力強化層３を介して形成された光学多層膜４とを具備している。このような光学多層膜付きガラス部材１において、付着力強化層３はガラス基板２と光学多層膜４との密着性を向上させ、膜クラックや膜剥がれの発生を抑制するものである。
【００１２】
　光学多層膜４は用途に応じて適宜に選択されるものであり、例えば反射防止機能を有する反射防止膜（ＡＲ膜：Ａｎｔｉ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ膜）、赤外線カット膜（紫外線波長域にもカット機能を有する紫外線−赤外線カット膜を含む）、赤外線透過膜、ダイクロイック膜等が挙げられる。このような機能を有する光学多層膜４には、例えば低屈折率膜と高屈折率膜とを交互に配置した積層膜が用いられる。
低屈折率膜としては酸化珪素膜等が用いられる。高屈折率膜としては
酸化タンタル
が用いられる。
　５　引用文献５
　当審拒絶理由及び原査定において「引用文献５」として引用された米国特許出願公開第２００５／０１６１７０３号明細書（以下、「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は当審で作成した。）
　「[0030] In FIG.10, the focal plane sensor incorporates a layered photodiode CMOS sensor as is described for example in U.S. Pat. No. 5,965,875 in order to obtain false color signals. 111 represents interconnect metallization typical of CMOS focal plane arrays. 113 represents the original front surface of the focal plane array. 115 indicates the top or blue sensitive pixel of a stacked photodiode pixel. 117 indicates the middle or green sensitive pixel of a stacked photodiode pixel. 119 indicates the bottom or red sensitive pixel of a stacked photodiode pixel. 121 indicates the transparent cap layer, 123 the reflective layer and 
125 the up-conversion material layer.
（訳．図１０の焦点面センサでは、偽色信号を得るために、例えば米国特許第５，９６５，８７５号に記載される積層フォトダイオードＣＭＯＳセンサーを採用した。１１１はＣＭＯＳ焦点面アレイの典型的な相互接続金属層を示す。１１３は、焦点面アレイの本来の表面を示す。１１５は、積層されたフォトダイオード・ピクセルの最上部、すなわち「青色感知」画素を示している。１１７は、積層されたフォトダイオード・ピクセルの中央部、すなわち「緑色感知」画素を示している。１１９は、積層されたフォトダイオード・ピクセルの最下部、すなわち「赤色感知」画素を示している。１２１は透明なキャップ層を示し、１２３は反射層、
１２５はアップコンバージョン材料層である。
　６　引用文献６
　当審拒絶理由において「引用文献６」として引用された特表２００７−５０２０３１号公報（以下、「引用文献６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０１７９】
　
本発明は、アップコンバートと呼ばれる、赤外線放射の可視光領域への周波数シフトを、その後のイメージングが従来の可視光イメージング回路によって達成可能であるように実施する装置及び方法を記述し紹介する。
【０１８０】
　上で注目したように、多くの優れた可視光イメージング回路が従来のＣＭＯＳ技法を使用して経済的に実現されている。現在、そのようなＣＭＯＳ回路は、比較的高価で困難なハイブリッド技術を介してのみ高性能光検出器と組み合わされる。
【０１８１】
　これに対して、
本発明によるアップコンバート層は、集積回路産業において開発された製造技術という成熟した主体を使用して、従来のＣＭＯＳイメージング回路と容易且つ経済的に統合される。
【０１８２】
　しかし、図６Ａに示すように、マトリックス材料層１２がＣＭＯＳイメージャ４５の上に形成され、粒子層１４がマトリックス材料層１２の上に形成される。図６Ｂでは、メゾスコピック結晶シリコン粒子１７が粒子層１４から形成される。メゾスコピック結晶シリコンの層１２、１６の間に完全に埋め込まれた後、粒子は、アップコンバート層４２に加えられた光ポンピングエネルギーを使用して入射ＩＲ放射を可視光にアップコンバートすることができる。
【０１８３】
　
図７は、アップコンバート層４２とＣＭＯＳイメージャ４５との組合せを更に示す。入射ＩＲ放射５２が（光学的に設けられた）第１光フィルタ５３（例えば、帯域通過、帯域停止、高域又は低域通過）を経てアップコンバート層４２に衝突する。
　７　引用文献７
　当審拒絶理由において「引用文献７」として引用された米国特許出願公開第２０１１／０１１６０７８号明細書（以下、「引用文献７」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（訳は当審で作成した。）
　「[0041] FIG.2 is a plan view illustrating a pixel sensor array according to an embodiment of the inventive concept, and FIG.3 is a cross-sectional view illustrating the pixel sensor array of FIG.2 according to an embodiment of the inventive concept. The cross-sectional view of FIG.3 is taken along a line I-I' in FIG.2.
・・・
[0044] Photoelectric conversion element 110 and the logic element are formed on a semiconductor substrate 100. 
Photoelectric conversion element 110
are typically formed by a CMOS fabrication technology.
・・・
[0058] To address at least this deterioration, 
certain embodiments of the inventive concept comprise a wavelength conversion layer 180 that converts light LIR with a first wavelength band into light LVR with a second wavelength band shorter than the first wavelength band to improve a photoelectric conversion efficiency of the image sensor.
[0059] 
Wavelength conversion layer 180 is typically formed of a material capable of converting light LIR with an infrared wavelength band into light LVR with a visible wavelength band.
（訳．［００４１］図２は本発明の実施形態である画素センサアレイの平面図であり、図３は図２に示される本発明の実施形態である画素センサアレイの断面図である。図３は図２のＩ−Ｉ’線断面図である。
・・・
［００４４］光電変換素子１１０及び論理素子は半導体基板１００上に形成される。
光電変換素子１１０
は、典型的にはＣＭＯＳ製造技術により形成される。
・・・
［００５８］少なくともこの劣化に対処するために、
本発明のいくつかの実施形態では、イメージセンサの光電変換の効率を向上させるために、第１波長帯域の光ＬＩＲを、第１波長帯域よりも短い第２波長帯域の光ＬＶＲに変換する波長変換層１８０を含む。
［００５９］
波長変換層１８０は、典型的には、赤外波長帯域の光ＬＩＲを可視波長帯域の光ＬＶＲに変換することのできる素材で形成される。
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「蛍光体層３」は、赤外光を吸収して可視光を再放射する「アップコンバージョン蛍光体」を含むから（引用文献１の段落［００１８］）、「ＩＲアップコンバージョン装置」であるといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、「ＩＲアップコンバージョン装置」を含む点において共通し、後述する相違点１及び２において相違するといえる。
　イ　引用発明の「ＣＣＤイメージセンサ１」と、本願発明１の「ＣＭＯＳ画像センサー（ＣＩＳ）」は、「撮像素子」である点において共通するといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、「撮像素子」を含む点において共通し、後述する相違点３において相違するといえる。
　ウ　引用発明の「蛍光体層３」は、「ファイバオプティックプレート４」を介して「ＣＣＤイメージセンサ１」に結合されているといえる。
　そうすると、本願発明１と引用発明は、「ＩＲアップコンバージョン装置」（引用発明の「蛍光体層３」）が「撮像素子」（本願発明１の「ＣＩＳ」、引用発明の「ＣＣＤイメージセンサ１」）に結合される点において共通し、後述する相違点４において相違するといえる。
　エ　引用発明の「赤外線検出器」と、本願発明１の「撮像装置」は、「装置」である点において共通し、後述する相違点５において相違するといえる。
　オ　以上から、本願発明１と引用発明は、下記（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違すると認める。
（ア）一致点
　「ＩＲアップコンバージョン装置及び撮像素子を含む装置において、
　前記ＩＲアップコンバージョン装置が前記撮像素子に結合される
ことを特徴とする装置。」
（イ）相違点
　・相違点１
　本願発明１の「ＩＲアップコンバージョン装置」は「透明」であるのに対し、引用発明は、「ＩＲアップコンバージョン装置」（蛍光体層３）が「透明」であるとは特定しない点。
　・相違点２
　本願発明１の「ＩＲアップコンバージョン装置」は「多層スタックを含み、前記多層スタックは、陽極層、ホール遮断層、ＩＲ感知層、ホール・トランスポート層、発光層、電子トランスポート層、および陰極を含」むものであるのに対し、引用発明はそうではない点。
　・相違点３
　本願発明１の「撮像素子」は「ＣＭＯＳ画像センサー（ＣＩＳ）」であるのに対し、引用発明の「撮像素子」は「ＣＣＤイメージセンサ１」である点。
　・相違点４
　本願発明１では、「ＩＲアップコンバージョン装置」が接着剤により「撮像素子」（ＣＩＳ）に結合されるのに対し、引用発明では、「ＩＲアップコンバージョン装置」（蛍光体層３）が接着剤により「撮像素子」（ＣＣＤイメージセンサ１）に結合されるとは特定しない点。
　・相違点５
　本願発明１は「撮像装置」であるのに対し、引用発明は「赤外線検出器」である点。
（２）判断
　相違点４について、検討する。
　引用文献１ないし７には相違点４に係る構成について記載も示唆もされておらず、また、ＩＲアップコンバージョン装置と撮像素子とを接着剤により結合して撮像装置とすることが当該技術分野において周知の技術であるということもできないから、引用発明に対して引用文献２ないし７に記載された発明を適用することにより相違点４に係る構成を導き出すことは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　したがって、相違点１ないし３及び５について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし１８について
　本願発明２ないし１８は、本願発明１の発明特定事項を全て備え、さらに構成を付加したものである。
　そうすると、本願発明１が、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本願発明２ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　３　まとめ
　以上のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定について
　上記第６の３のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、請求項１ないし１８に係る発明は引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとした原査定の理由によって本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　１　理由１（明確性）について
　当審拒絶理由において、本願の請求項１に「前記アップコンバージョン装置が
機械的固定具
により
結合される
機械的固定具
により
結合される
　これに対し、平成２９年１２月５日付け手続補正により、「
機械的固定具
により
結合される
　２　理由２（進歩性）について
　上記第６の３のとおり、本願発明１ないし１８は、引用文献１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、当審拒絶理由の「理由２」によって本願を拒絶することはできない。
第９　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。