【事件の表示】
　特願２０１５−１３５６９６「温度センサ素子及びその製造方法、多重層薄膜サーモパイル及びその製造方法並び放射温度計の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月１７日出願公開、特開２０１５−２２７８８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年（平成２３年）４月２６日（優先権主張　平成２２年４月２６日、平成２３年３月２日）を国際出願日として出願した特願２０１２−５１２８４７号の一部を、平成２７年７月６日に新たに出願したものであって、平成２８年７月２９日付けで拒絶理由が通知されたが、指定した期間内に応答がなかったため平成２９年２月２日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）されたところ、同年５月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２９年５月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の結論］
　平成２９年５月８日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線は、請求人が付与したものである。）。
「【請求項１】
有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子の製造方法において、有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、その後、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程と、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、を行い、その後、各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行うことを特徴とする温度センサ素子の製造方法であって、
前記多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと、多重層薄膜とは異なる材料の補強用薄膜を前記多重層薄膜に密着形成して、該多重層薄膜を補強したこと、を特徴とする温度センサ素子の製造方法。
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子の製造方法において、有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、その後、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程と、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、を行い、その後、各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行うことを特徴とする温度センサ素子の製造方法。」
２　補正の適否
（１）　本件補正の補正事項について
　本件補正は、以下の補正事項Ａを含むものである。
（補正事項Ａ）請求項１に、「
前記多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと、多重層薄膜とは異なる材料の補強用薄膜を前記多重層薄膜に密着形成して、該多重層薄膜を補強したこと
（２）　新規事項の追加について
　当該補正事項Ａが、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるか否かを検討する。
ア　本願の当初明細書等に記載された事項
　当初明細書等には、温度センサ素子の製造方法に関して、以下の記載がある（下線は当審にて付与した。以下同様。）。
（ア−１）　「【背景技術】
【０００２】
 (
第一の発明
サーモパイルは、複数の熱電対を直列に接続して同一の温度差ΔＴに対して、センサ出力である熱起電力が大きくなるように構成した熱型センサであり、また温度差センサである。
【０００３】
　熱型センサには、サーミスタなどの絶対温度センサと熱電対やサーモパイルなどの温度差センサがある。温度差センサは、温度差しか検出しないので、ある点の基準温度に対して他の点の温度差のみを厳密に検出できるゼロ位法が適用できるから高精度の熱形温度センサとなり（特許文献１）、このために耳式体温計などの高精度赤外線温度センサでは、ほとんどサーモパイルが使用されている（特許文献２）所以である。
　・・・
【０００５】
　一般に、抵抗率の大きい熱電材料は、大きなゼーベック係数を有するので、熱電対総数ｎの個数を増やさないで、サーモパイルの出力を上げる努力もなされ、結局、
サーモパイルの出力と内部抵抗ｒによるＳ／Ｎとがトレードオフの関係になり、これらの妥協点でサーモパイルが製作されていた
（ア−２）　「【０００５】
　・・・
（
第二の発明
本発明者は、先の特許出願に、多重層薄膜サーモパイルの原型である『温度センサ素子及びこれを用いた放射温度計、並びに温度センサ素子の製造方法』を発明した（特願２０１０−１００５７８）。そこでは、５マイクロメートル程度の薄さの有機材料であるＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタラートフィルム）を層薄膜として利用し、この層薄膜上に熱電材料としてのＢｉとＳｂとからなる熱電対を多数直列接続して形成した層サーモパイルを、各層薄膜の貫通孔を介して直列接続して形成する多重層薄膜に形成した合成サーモパイルがあった。しかしながら、
ＰＥＴフィルムを多層に貼り合わせる工程や上下の層サーモパイル同士を導通させるための貫通孔を形成する必要があり、また、導通にも銀ペーストを用いる必要があるなど大量生産上より改善が望まれる点があった
【０００６】
フォトレジスト膜以外の例えば、シリコン酸化膜などの無機材料の物質を各層薄膜として選ぶと、
工程数が極めて多くなり、
結局、高価な多重層薄膜サーモパイルになってしまう
（イ−１）　「【００１８】
　
本発明の請求項１に係わる温度センサ素子の製造方法
【００１９】
有機薄膜で各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを形成する場合、無機薄膜を用いた従来の技術であるマイクロマシーン技術に使用されるスパッタリングやＣＶＤなどの多層膜形成が困難なことが多い
ＰＥＴなどの有機薄膜に層サーモパイルを複数枚形成しておき、これらを張り合わせ接合して、一枚の多重層化した合成サーモパイルを形成して温度センサ素子を作成する製造方法
（イ−２）　「【００４４】
　上記の目的を達成するために、本発明の請求項１１に係わる多重層薄膜サーモパイルは、空洞により、基板から熱分離されている多重層薄膜がそれぞれの層薄膜から成り立っていること、該層薄膜にそれぞれ層サーモパイルが形成されていること、これらの上下の層薄膜に形成された層サーモパイル同士は、層薄膜に形成された貫通孔を通して直列接続されて、少なくとも１つの合成サーモパイルを構成する多重層薄膜サーモパイルにおいて、多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと、多重層薄膜とは異なる材料の補強用薄膜を前記多重層薄膜に密着形成して、該多重層薄膜を補強したこと、を特徴とするものである。
【００４５】
　基板中または基板の上に形成した空洞により、この基板から熱分離した多重層薄膜のそれぞれの層薄膜に形成されているサーモパイルを、本発明では、層サーモパイルと呼ぶことにしており、これらの層サーモパイルを電気的に直列接続したサーモパイルを合成サーモパイルと呼ぶことにしている。
【００４６】
　
多重層薄膜の主体をフォトレジスト膜で形成することにより、
設計通りの形状、厚みおよび寸法の多重層薄膜が高精度で容易に形成できる。また、貫通孔を、層薄膜となるフォトレジスト膜自体の所定の箇所に、露光・現像によるパターン化により精度良く容易に形成できるので、この層薄膜に形成した貫通孔を通して上下の層サーモパイル同士を容易に導通することができる。
　・・・
【００５０】
各層サーモパイルを構成する熱電対の接続方法として、これらの熱電対を直列や並列、またはこれらを組み合わせた接続にすることもできるが、同一の温度差ΔＴの下で、２端子と成る合成サーモパイルの熱起電力を大きくするためには、すべての熱電対を単に直列接続する方が良い。
　多重層薄膜として、
フォトレジスト膜を用いているので、一般には、薄く弾性のある有機材料であり、架橋構造の形成でも、弛みなどの変形の心配がある。
空洞により宙に浮いた構造の多重層薄膜の強度を高める
　基板として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いるとき、このＳＯＩ層を補強用薄膜として用いることもできる。ＳＯＩ層の上にフォトレジスト膜の多重層薄膜を形成し、そこに合成サーモパイルを形成することもできる。」
（ウ−１）　「【発明の効果】
【００７２】
　・・・
【００７４】
　本発明の温度センサ素子の製造方法は、各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を含む有機薄膜を主体とした各層薄膜に層サーモパイルと、その多重層化に伴う必要な各工程であり、極めて熱伝導度が小さく、しかも極めて薄く製作できるＰＥＴなどの有機薄膜が利用できること、貫通孔も容易に形成できること、素子分離も容易であることなど、高感度で高いＳ／Ｎであり、しかも安価な温度センサ素子が容易に提供できるという利点がある。
　本発明の温度センサ素子では、上部の層薄膜に形成された貫通孔の周辺に、上部の層薄膜の層サーモパイルの電極を形成しておくと（層サーモパイルの電極の中に貫通孔を形成する形）、導電性接着剤などで容易に層間の導通を得ることができるので、好都合である。
（ウ−２）　「【００７９】
　本発明の多重層薄膜サーモパイルでは、フォトレジスト膜の多重層薄膜をフォトレジスト膜の材料の選択や補強用薄膜の援助の下に、フォトレジスト膜の多重層薄膜のうち空洞により基板から熱分離した宙に浮いた薄膜である温度感応部が、容易に変形し難いようにすることができるという利点がある。
本発明の多重層薄膜サーモパイルの製造方法は、フォトレジスト膜を主体とした各層薄膜に層サーモパイルと、その多重層化に伴う必要な各工程を含み、フォトレジスト膜は、有機物であることが多く、極めて熱伝導度が小さく、しかも極めて薄く容易に製作できること、フォトレジスト膜であるので貫通孔も高精度で容易に形成できること、予め高精度に形成した空洞を利用した犠牲領域を用いて、温度感応部となる基板から熱分離した多重層薄膜が用意に形成できるので、バラツキの極めて小さく画一的で高感度及び応答速度となること、素子分離も容易であることなど、高いＳ／Ｎであり、しかも安価な多重層薄膜サーモパイルが提供できるという利点がある。特に、ＳＯＩ基板でない安価なシリコン単結晶基板が使用できるので、集積回路を有するコンパクトで安価な多重層薄膜サーモパイルが提供できるという利点がある。
本発明の多重層薄膜サーモパイルでは、フォトレジスト膜で基板から熱分離した多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は、このフォトレジスト膜自体の露光と現像に基づくパターン化により微細で精度が良く、しかも容易に形成できること、また、この貫通孔を通して層サーモパイル同士を容易に直列接続できること、更に、露光・現像によりパターン化できるフォトレジスト膜による多重層薄膜の形成のため工程数が少なくて済むという利点がある。」
（エ）　「【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】　・・・（
第一発明
【図２】　・・・（
第一発明
【図３】　・・・（
第一発明
【図４】　・・・（
第一発明
【図５】　・・・（
第一発明
【図６】　・・・（
第一発明
【図７】　・・・（
第一発明
【図８】　・・・（
第一発明
【図９】　・・・（
第一発明
【図１０】　・・・（
第一発明
【図１１】　・・・（
第一発明
【図１２】　・・・（
第一発明
【図１３】本発明の温度センサ素子の各層薄膜に有機薄膜を用いて実施した場合の温度センサ素子の製造方法を説明するための特徴的な工程を示すブロック図である。（
第一発明
【図１４】　・・・（
第二発明
【図１５】　・・・（
第二発明
【図１６】　・・・（
第二発明
【図１７】　・・・（
第二発明
【図１８】　・・・（
第二発明
【図１９】　・・・（
第二発明
【図２０】　・・・（
第二発明
【図２１】　・・・（
第二発明
【図２２】　・・・（
第二発明
【図２３】　・・・（
第二発明
【図２４】　・・・（
第二発明
【図２５】　・・・（
第二発明
【図２６】本発明の多重層薄膜サーモパイルの製造方法を説明するための特徴的な工程を示すブロック図である。（
第二発明
（オ−１）　「【発明を実施するための形態】
【００９０】
以下、本発明の温度センサ素子等の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
（
第一発明の実施例
【実施例１】
【００９１】
　図１は、本発明の温度センサ素子の概念を説明するための一実施例を示す構成概略図の平面図で、図２は、図１のＸ−Ｘにおける横断面概略図であり、熱型赤外線センサ素子として実施した場合である。図１では、熱型赤外線センサ素子として実施した場合であるが、構造が分かりやすいように、受光部７に形成してある赤外線吸収膜２５や熱伝導薄膜２６を省いて描いてある。また、基板１に薄膜２がメンブレン（ダイアフラム）として、形成されてあり、空洞１０を有しているために、熱的に基板１から分離された構造になっている場合である。この薄膜２にサーモパイル３が形成されているが、本発明では、この薄膜２が多重層薄膜１５となっており、この多重層薄膜１５を構成する各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）には、層サーモパイル１３（１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ）が形成されてあり、それぞれの接着剤２７や熱融着などで多重化された上下の層サーモパイル１３の熱起電力が大きくなるように、上下層薄膜導通部２４を介して直列接続されて、電極端子Ａ２１と電極端子Ｂ２２から外部に出力されるようにしている。
　・・・
【００９２】
　本発明の温度センサ素子を熱型の赤外線センサ素子として利用する場合は、赤外線の受光部７を形成してあり、そこに
各層サーモパイル１３（１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ）がそれぞれ形成されている各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）を接合した多重層薄膜１５
この各層薄膜１２は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜やこれらの混合薄膜などの無機材料から形成することもできるし、ＰＥＴフィルムのようなプラスチック薄膜などの有機材料から形成することもできる。
　・・・
【００９４】
　図３（ａ）に示した熱型赤外線センサ素子の図では、シリコン（Ｓｉ）単結晶の基板１にＣＶＤ（化学的気相成長法）により、シリコン単結晶と同一の熱膨張係数になるように調整したオキシナイトライド薄膜（シリコンの酸化膜と窒化膜との混合膜）を層薄膜１２Ａとして形成してあり、この層薄膜１２Ａは、電気的および熱的の絶縁層２８となる薄膜の作用もしている場合である。
　・・・
【００９５】
　上述のようにして、本発明の温度センサ素子の熱型の赤外線センサ素子を無機材料の薄膜２で形成した場合には、それぞれの薄膜２を構成する層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ　がＣＶＤなどのより、重ねて堆積できるので、必ずしも接着剤２７などは必要がない。そして、公知のフォトリソグラフィーにより、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの厚みも、例えば、０．１マイクロメートル（μｍ）という極めて薄く、また、各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを構成する熱電対６の熱電導体Ａ１６と熱電導体Ｂ１７の厚みと幅もそれぞれ、１μｍと２μｍ程度で極めて小型に形成できる。
【００９６】
　層薄膜１２に絶縁層２８を形成した後、その上に層サーモパイル１３を形成して多重層薄膜１５を形成した方が、層サーモパイル１３の熱電導体Ａと熱電導体Ｂの選択性が広がるという利点があり、さらに、絶縁層２８は、電気的な絶縁層であるばかりでなく、熱的にも絶縁性を有することが多く、極めて薄い層サーモパイル１３を支持するためにも好適である。
　・・・
【実施例２】
【００９８】
　図４は、本発明の温度センサ素子を熱型の赤外線センサ素子として実施した場合で、上述の図２や図３で説明したような無機材料からなる受光部７での温度感応部５としての薄膜２を用いた一実施例を示す構成概略図の平面図である。
　・・・
【実施例３】
【０１０２】
　図５は、本発明の温度センサ素子における多重層薄膜１５の合成サーモパイル１４を構成する各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに形成する層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに分解して合成サーモパイル１４を説明するための３つの各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃとその層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃのパターン図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）で、熱型の赤外線センサ素子として実施した場合であり、
その一実施例として、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに有機薄膜を用いた場合である。
【０１０３】
　
ＰＥＴフィルムなどの有機薄膜
【０１０４】
　層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを構成する熱電対６の熱電導体Ａ１６として、例えば、ビスマス（Ｂｉ）を、また、熱電導体Ｂ１７として、例えば、アンチモン（Ｓｂ）を、それぞれのパターンに応じたマスクを通して真空蒸着により、それぞれの層サーモパイル１３（１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ）をアレー形成することができる。各層薄膜１２を重ねて接合形成して多重層薄膜１５を形成するために、先ずは、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに均一な張力を与えるためとそれぞれの取り扱いを容易にするために枠３１を、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに、やはりエポキシ系などの接着剤２７を利用して張り付けた状態を示すもので、その１つとして、枠３１を取り付けた層薄膜１２の概略平面図を図７（ａ）に示してあり、そのＸ−Ｘ線における横断面概略図を図７（ｂ）に示している。なお、図８には、各枠３１を取り付けて均一に張った状態の各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを位置合わせして重ねた状態で、接合して多重層薄膜１５を形成するときの横断面概略図を示している。また、エポキシ系などの接着剤２７は、重合反応で固化するので、溶媒の蒸発を利用して固化する接着剤とは異なり好適である。もちろん、
ＰＥＴなどの有機薄膜からなる各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ
　・・・
【実施例４】
【０１０７】
　図１１は、本発明の温度センサ素子に関し、これを赤外線センサ素子として用いて、放射温度計として実施した場合の概念図である。
　・・・
【実施例５】
【０１０９】
　図１２は、本発明の温度センサ素子の同一の多重層薄膜１５に合成サーモパイル１４と共に薄膜ヒータ３５を形成して熱伝導型センサとして実施した場合の概念図である。
　・・・
【実施例６】
【０１１１】
　図１３は、本発明の
温度センサ素子の各層薄膜に有機薄膜を用いて実施した場合の温度センサ素子の製造方法
【０１１２】
　基板１から熱分離した
各層薄膜１２をＰＥＴフィルムのような有機薄膜で形成するときには、無機薄膜のようにＣＶＤを用いて多重層薄膜１５を形成することが困難であるために、各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）に各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを形成した後、張り合わせて接合した方が、安価な製造方法となる。
ＰＥＴフィルムなどは、４００℃程度に加熱したピンや刃状治具で容易に貫通孔１１が形成できるし、パンチなどでの打ち抜きでも貫通孔１１が形成できる。多重層接合工程では、エポキシ系の接着剤２７を用いたり、熱圧着により熱融着させたりすることもできる。
【０１１３】
　上述の実施例では、本発明の温度センサ素子を熱形の赤外線センサ素子として利用した場合を中心に説明してきたが、赤外線センサ素子以外の用途の温度センサとして利用して温度差を高感度に検出する場合は、本発明の温度センサ素子が最適である。例えば、ダイアフラム状やカンチレバ状の基板１から熱分離した薄膜２に、本発明の温度センサ素子と共にマイクロヒータを形成して熱伝導型センサを構成することができる。この熱伝導型センサを用いると、フローセンサ、気圧センサ（真空センサも含む）、水素センサや湿度センサを含むガスセンサ、マイクロヒータを温度走査させて物質のエンタルピ変化を検出するような超小型の熱分析計などとして、高感度で高精度であり、しかも超小型（例えば、温度感応部の寸法が１００μｍ角程度）の熱伝導型センサが提供できる。
【０１１４】
　本発明の温度センサ素子は、本実施例に限定されることはなく、本発明の主旨、作用および効果が同一でありながら、当然、種々の変形がありうることは言うまでもなく、これらはすべて本発明の技術的範囲に属する、」（当審注：【０１１４】段落の「属する、」が「属する。」の誤記であることは明らかである。）
（オ−２）　「（
第二発明
【実施例７】
【０１１５】
図１４は、本発明の多重層薄膜サーモパイルの概念を説明するための一実施例を示す構成概略図の平面図で、熱型赤外線センサ素子として実施した場合である。図１５は、図1４のＸ−Ｘにおける横断面概略図である。
フォトレジスト膜からなる多重層薄膜１５
感光性材料であるフォトレジスト膜の特徴を生かしてそれ自体に、露光・現像してパターン化形成した貫通孔１１
また、フォトレジスト膜は、感光性材料なので、容易に、しかも高精度に、所望の形状にパターン化できるので、端子となる電極、例えば、電極端子Ａ２１や電極端子Ｂ２２を露出させたり、貫通孔１１を各層薄膜１２に高精度で形成することもできる。なお、各層サーモパイル１３の一方の接点Ａ１８（例えば、冷接点）は、熱容量の大きいためにヒートシンクとして作用する基板１の上に位置するようにしてあり、他の接点Ｂ１９（例えば、温接点）は、基板１から熱分離した多重層薄膜１５のうち、受光部７で温度感応部５となる架橋構造の中央付近に形成するようにする。本実施例では、受光部７の架橋構造の中央付近が最も高温になるが、この付近を均一な温度にするために金属薄膜や熱電導体などで形成した熱伝導薄膜２６を中央付近に形成し、その上に接点Ｂ１９を配置形成するようにしている。
　・・・
【０１１７】
本実施例の多重層薄膜サーモパイルでは、図１４と図１５に示すような構造で、基板１に予め形成してある空洞１０に亜鉛などの犠牲物質で充填して犠牲領域８を形成し、更に平坦化させておき、改めて、犠牲領域８を含む基板１として使用するものである。そしてこの
基板１の上に、必要に応じて補強用薄膜１００を形成し、多重層薄膜１５として残すフォトレジスト膜をスピンコートなどで形成して、その感光性を利用して貫通孔１１を含む高精度なパターンを形成して、各層薄膜１２と各層サーモパイル１３からなる多重層薄膜１５と合成サーモパイル１４を形成する
　・・・
【０１１９】
図１６（ａ）に示した熱型赤外線センサ素子の図では、基板１に予め形成してある空洞１０を亜鉛などの犠牲領域８の材料で充填したのち平坦化させた基板を用意しておき、この上に、必要に応じて補強用薄膜１００を形成しておく。補強用薄膜１００としては、シリコン酸化膜などの堅い材料を、１マイクロメートル（μｍ）程度の厚みに形成すると良い。層薄膜１２Ａとして、例えば、ポリイミド系のネガ型フォトレジスト膜をスピンコートで形成すると良い。このフォトレジスト膜の層薄膜１２Ａは、電気的および熱的な絶縁層２８となる薄膜の作用もしている。ネガ型フォトレジスト膜からなる各層薄膜１２は、露光・現像および熱硬化により、所定のパターン形状に形成できるという利点がある。このとき、上下の層薄膜１２を導通させるための貫通孔１１も所定の位置に高精度で形成することができる。さらに、その上に熱電対６の一方の熱電導体Ａ１６としてビスマス（Ｂｉ）薄膜を真空蒸着形成した後、ポジ型レジストのリフトオフを利用してパターン形成して、その上に他方の熱電導体Ｂ１７としてアンチモン（Ｓｂ）薄膜を真空蒸着形成した後、同様にしてパターン化し、層サーモパイル１３Ａを形成した場合の実施例を示したものである。図１６（ｂ）と図１６（ｃ）も図１６（ａ）に示した形成の場合と同様で、それぞれ層薄膜１２Ｂと層薄膜１２Ｃを形成して、その上にそれぞれ、熱電材料である熱電導体Ａおよび熱電導体Ｂを形成して層サーモパイル１３Ｂ、層サーモパイル１３Ｃを形成した場合である。本実施例のように３層の層薄膜１２からなる多重層薄膜１５を形成する場合は、それぞれの層薄膜１２の上に形成した各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ同士を、層薄膜１２に形成した貫通孔１１を介する上下層薄膜導通部２４を通して直列接続して合成サーモパイル１４を形成する。なお、電極２３、電極端子Ａ２１や電極端子Ｂ２２は、アルミニウム（Ａｌ）や酸化し難い金属である金（Ａｕ）などを真空蒸着やスパッタリングで堆積して薄膜を形成しておき、各層薄膜１２の構成材料であるネガ型フォトレジスト膜を侵さない剥離液である、例えば、ポジ型フォトレジストを使用して、この金属薄膜をパターン化して形成すると良い。
　・・・
【実施例８】
【０１２３】
図１９は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを製作する途中段階であり、シリコン単結晶の基板１に空洞１０を設けた後に、この空洞１０を犠牲領域８の犠牲物質となる亜鉛などの金属を充填したときの基板１の他の一実施例を示す平面概略図（a）とそのY-Yにおける断面概略図（ｂ）で、凹凸９（実際には、ここでは凹部である）を設けて、この上に形成するフォトレジスト膜を主体とした多重層薄膜の実効的な厚みを増加させて、曲げ強度を高めるようにした場合である。
　・・・
【実施例９】
【０１２７】
図２１は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを説明するための他の一実施例を示す横断面概略図で、実施例の図１５や図１８に示すように空洞１０が基板１内で閉じている場合とは異なり、基板１の厚み方向に貫通した空洞１０に犠牲領域８の犠牲物質として亜鉛などを充填した場合である。
　・・・
【実施例１０】
【０１２９】
図２２は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを説明するための他の一実施例を示す横断面概略図で、基板１の上に空洞１０を形成してあり、基板１の上方に合成サーモパイル１４を有する多重層薄膜１５を形成した場合である。
　・・・
【０１３１】
空洞１０とその上に形成してある合成サーモパイル１４を有する
フォトレジスト膜を主体とした多重層薄膜１５の形成方法
補強用薄膜１００の形成後、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上に、各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを順次、パターン形成しながら多重化して行き、合成サーモパイル１４を作成する。
　・・・
【実施例１１】
【０１３３】
図２３は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを説明するための他の一実施例を示す平面概略図で、合成サーモパイルと共に薄膜ヒータを形成して熱伝導型センサとして気体などの流体の流れを計測する気体などのフローセンサに適用した場合である。
　・・・
【実施例１２】
【０１３６】
図２４は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを用いて放射温度計を製作した場合の一実施例を示す平面概略図で、多重層薄膜サーモパイルを熱型赤外線センサに適用し、同一の空洞に２個の合成サーモパイル１４Ａ、１４Ｂを近接して設けた場合である。
　・・・
【実施例１３】
【０１４０】
図２５は、本発明の多重層薄膜サーモパイルを用いた放射温度計であり、これをイメージセンサに適用した場合で、その一実施例を示す平面概略図である。多重層薄膜サーモパイルのアレーとして、同一の基板１に合成サーモパイルアレー１４０を形成した場合である。
　・・・
【実施例１４】
【０１４５】
図２６は、本発明の多重層薄膜サーモパイルの製造方法を説明するための特徴的な工程を示すブロック図である。
【０１４６】
基板１に所定の形状の精密な空洞を形成後、犠牲領域８をこの空洞に充填して形成する犠牲領域形成工程、犠牲領域８と基板１とを覆うフォトレジスト膜を塗布する
フォトレジスト塗布工程、このフォトレジスト膜を露光しパターン化するパターン化工程、層サーモパイル１３を形成する層サーモパイル形成工程、前記フォトレジスト塗布工程から層サーモパイル形成工程までの一連の工程を繰り返し、多重層薄膜１５を形成する繰り返し工程
　・・・
【０１５２】
本発明のフォトレジスト膜を用いた多重層薄膜サーモパイル及びこれを用いた放射温度計、並びに多重層薄膜サーモパイルの製造方法は、本実施例に限定されることはなく、本発明の主旨、作用および効果が同一でありながら、当然、種々の変形がありうることは言うまでもなく、これらも本発明の技術的範囲に当然属する。」
（カ）　図１３は、以下のようなものである。
（キ）　図２６は、以下のようなものである。
イ　判断
（ア）明示的な記載について
　当初明細書等には、「有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子の製造方法において、有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、その後、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程と、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、を行い、その後、各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行う」製造工程を有する温度センサの製造方法において、「前記多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと、多重層薄膜とは異なる材料の補強用薄膜を前記多重層薄膜に密着形成して、該多重層薄膜を補強したこと」についての明示的な記載はない。
（イ）当初明細書等には、【発明を実施するための形態】として、【実施例１】−【実施例６】（（オ−１）で摘記した【００９０】−【０１１４】段落及び図１−１３）の「第一の発明」と、【実施例７】−【実施例１４】（（オ−２）で摘記した【０１１５】−【０１５２】段落及び図１４−２６）の「第二の発明」とが記載されている。
　ここで、上記「第一の発明」は、「各層サーモパイル１３（１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ）がそれぞれ形成されている各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）を接合した多重層薄膜１５」に関するものであり（【００９２】段落）、「各層薄膜１２は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜やこれらの混合薄膜などの無機材料から形成することもできるし、ＰＥＴフィルムのようなプラスチック薄膜などの有機材料から形成することもできる」（【００９２】段落）ものであって、【実施例１】及び【実施例２】は「無機材料」を用いたものであり、【実施例３】−【実施例６】は「ＰＥＴフィルムなどの有機薄膜を用いた」ものである。
　一方、上記「第二の発明」は、「フォトレジスト膜からなる各層薄膜１２をスピンコートにより」「形成」した「多重層薄膜１５」に関するものである（【０１１５】段落）。
（ウ）そして、本件補正前の請求項１に係る発明が、当初明細書等の「第一の発明」の【実施例６】に対応するものであることは明らかである。
（エ）そこで、当初明細書等の「第一の発明」における「ＰＥＴフィルムのような有機薄膜」が「フォトレジスト膜」を含むこと、及び当初明細書等の「第一の発明」において「貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと」が、当初明細書等に明示的に記載されていないことは明らかであるところ、これらの記載が当初明細書等の記載から自明な事項であるかどうかについて、検討する。
　
ａ　【実施例６】は、「有機薄膜」として「ＰＥＴフィルムのような有機薄膜」を用いるものであり（【０１１２】段落）、「無機薄膜のようにＣＶＤを用いて多重層薄膜１５を形成することが困難であるために、各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）に各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを形成した後、張り合わせて接合」する方法を採用するものである（【０１１２】段落）。
　また、有機薄膜を用いる場合、貫通孔は「４００℃程度に加熱したピンや刃状治具で容易に」形成できるものである（【０１１２】段落）。
　
ｂ　一方、本願の当初明細書等において、「フォトレジスト膜」は、「一般には、薄く弾性のある有機材料であり、架橋構造の形成でも、弛みなどの変形の心配がある」ものであって、「空洞により宙に浮いた構造の多重層薄膜の強度を高める」必要があるものである（【００５０】段落）。
　そして、「フォトレジスト膜を主体とした多重層薄膜１５」は、【実施例６】のような「各層薄膜１２（１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ）に各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを形成した後、張り合わせて接合」することによって形成するのではなく、「基板１の上に、必要に応じて補強用薄膜１００を形成し、多重層薄膜１５として残すフォトレジスト膜をスピンコートなどで形成して、その感光性を利用して貫通孔１１を含む高精度なパターンを形成して、各層薄膜１２と各層サーモパイル１３からなる多重層薄膜１５と合成サーモパイル１４を形成する」ものであり（【０１１７】段落）、「補強用薄膜１００の形成後、各層薄膜１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上に、各層サーモパイル１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃを順次、パターン形成しながら多重化して行き、合成サーモパイル１４を作成する」ものであり（【０１３１】段落）、「フォトレジスト塗布工程、このフォトレジスト膜を露光しパターン化するパターン化工程、層サーモパイル１３を形成する層サーモパイル形成工程、前記フォトレジスト塗布工程から層サーモパイル形成工程までの一連の工程を繰り返し、多重層薄膜１５を形成する繰り返し工程」を有するものである（【０１４６】段落）。
　また、この場合、貫通孔は、「感光性材料であるフォトレジスト膜の特徴を生かしてそれ自体に、露光・現像してパターン化形成」するものである（【０１１５】段落）。
ｃ　上記ａ−ｂから、当初明細書等には、「フォトレジスト膜」を主体とする「第二の発明」と、「第一の発明」における「ＰＥＴフィルムのような有機薄膜」を主体とするものとでは、多重層薄膜及び貫通孔の形成方法が異なることが、それぞれ別個の実施例として明確に区別して記載されている。
　したがって、「第一発明」における「ＰＥＴフィルムのような有機薄膜」が「フォトレジスト膜」を含むこと、及び当初明細書等の「第一の発明」において「貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと」が、当初明細書等の記載から自明な事項であるとはいえない。
（オ）また、以下において、上記（エ）とは逆に、当初明細書等の「フォトレジスト膜」を主体とする「第二の発明」において、「有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子の製造方法において、有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、その後、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程と、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、を行い、その後、各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行う」ことが、当初明細書等の記載から自明な事項であるといえるかどうかについて、検討する。
　当初明細書等において、「第二の発明」は、「ＰＥＴフィルムを多層に貼り合わせる工程や上下の層サーモパイル同士を導通させるための貫通孔を形成する必要があり、…大量生産上より改善が望まれる点があった」ことを解決すべき課題の１つとし（（ア−２）で摘記した【０００５】段落）、「フォトレジスト膜」を用いることで当該課題を解決するものである。
　しかしながら、「フォトレジスト膜」を用いる「第二の発明」において、本件補正後の請求項１に特定されている「前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行」うことは、上記解決しようとする課題と整合するものではない。
　したがって、「第二の発明」において、「有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子の製造方法において、有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、その後、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程と、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、を行い、その後、各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行う」ことが、当初明細書等の記載から自明な事項であるとはいえない。
ウ　補正事項Ａについての小括
　上記ア−イから、当該補正事項Ａを含む本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　したがって、当該補正事項Ａは、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
３　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである補正事項Ａを含むものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２９年５月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−２０に係る発明は、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１−２０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明（以下「本願発明２」という。）は、以下のとおりのものであり、当審にて分説しＡ）〜Ｇ）の見出しを付けた。
「【請求項２】
Ａ）有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルを形成し、多重層化して形成した合成サーモパイルを温度感応部に設けた温度センサ素子において、
Ｂ）有機薄膜の各層薄膜に、それぞれ多重層化のための層薄膜数を想定して作成する各層毎の層サーモパイル形成工程の後、
Ｃ）前記各層の必要な箇所に電極導通用の貫通孔を形成する貫通孔作成工程を行い、
Ｄ）次に前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合して一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルを形成するように接合する多重層接合工程を行い、
Ｅ）その後、個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜を接合させる基板接合工程と、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間を導通させる導通工程とを行い、
Ｆ）次に各温度センサ素子に分離する素子分離工程を行って製造した
Ｇ）ことを特徴とする温度センサ素子。」
第４　原査定の概要
　原査定の拒絶の理由である、平成２８年７月２９日付け拒絶理由通知書に記載された理由の概要は、以下のとおりである。
１　理由１（発明の単一性）について
（略）
２　理由２（明確性）について
・請求項　２〜１０
（１）請求項２に係る発明は、「温度センサ素子」（物の発明）であるが、当該請求項には、その物の製造方法が記載されているものと認められる。
　そして、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（以下「不可能・非実際的事情」という）が存在することについて、明細書等に記載がなく、また、出願人から主張・立証がされていないため、その存在を認める理由は見いだせない。
（２）請求項３の「請求項１又は２に記載の温度センサ素子。」との記載について、請求項１は「温度センサ素子の製造方法」の発明であるから、不明確である。
　したがって、この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
３　理由３（進歩性）について
　請求項１−２、４、６、８に係る発明は引用文献１−４に基づいて、請求項３に係る発明は、引用文献１−５に基づいて、請求項５に係る発明は引用文献１−４、６に基づいて、請求項７に係る発明は引用文献１−４、７に基づいて、それぞれ、当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開昭６４−２９７２１号公報
２.特開平０２−１６５０２５号公報
３.特開平０６−２６０６８６号公報
４.特開２００５−３２４３２０号公報（周知技術を示す文献）
５.特開２０００−７７８０４号公報
６.特開２００６−２０３０４０号公報（周知技術を示す文献）
７.特開２００６−１０５６５１号公報（周知技術を示す文献）
第５　当審の判断
１　理由２（明確性）について
　本願発明２の構成要件Ａ）−Ｆ）は、温度センサ素子の製造方法に関する限定であって、完成した温度センサ素子に関してどのような構造的限定を行うものであるのか不明である。
　ここで、審判請求書の請求の理由における請求人の主張は、本件補正前の請求項２について、不可能・非実際的事情の主張・立証を行うものではなく、本願の当初明細書等及び本願出願時における当業者の技術常識を勘案しても、本願発明２について、不可能・非実際的事情の存在は認められない。
　そして、不可能・非実際的事情の存在が認められない場合において、製造方法の記載によって物を特定しようとする請求項２の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合するものであるとはいえない。
　したがって、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、他の請求項に係る発明及び原査定における他の理由について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
第７　附記
１　本願発明２’について
　上記第３−第６のとおり、本願は、特許法第３６条第６項第２号の規定により特許を受けることができないものであるが、その物の製造方法により特定された物に関する発明である本願発明２に代えて、以下に示す、その物の構造により特定された物の発明である請求項２’に係る発明（以下「本願発明２’」という。却下された本件補正後の請求項２を参照。）について、上記第４の３に示した原査定の拒絶の理由３（進歩性）について、検討する。
「　【請求項２’】
Ａ）有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子において、
Ｂ）前記有機薄膜の各層薄膜の必要な箇所に電極導通用の貫通孔が形成されており、
Ｃ）前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合されて一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルが形成され、
Ｄ）個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜が接合されており、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間が導通されており、
Ｅ）各温度センサ素子に分離されている
Ｆ）温度センサ素子。」
　なお、却下された本件補正後の請求項２は、以下のとおりのものである。
「【請求項２】
有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子において、
前記有機薄膜の各層薄膜の必要な箇所に電極導通用の貫通孔が形成されており、
前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合されて一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルが形成され、
個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜が接合されており、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間が導通されており、各温度センサ素子に分離されている温度センサ素子であって、
前記多重層薄膜を構成する各層薄膜の主体がフォトレジスト膜であり、貫通孔は該フォトレジスト膜自体の露光・現像に基づくパターン化により作成したこと、多重層薄膜とは異なる材料の補強用薄膜が前記多重層薄膜に密着形成され、該多重層薄膜が補強されていること、を特徴とする温度センサ素子。」
２　引用文献・引用発明等
（１）　引用文献１　
ア　引用文献１に記載された事項
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（特開昭６４−２９７２１号公報）には、以下の記載がある（下線は当審にて付与した。以下同様。）。
（引１ａ）「本発明は、サーモパイルの感度を向上せしめる方法に関するものである。」（第１頁左下欄１９−２０行目）
（引１ｂ）「理論的には、異種の金属の温接点がサーモパイルの感受部に密度高く分布する様に、蒸着法或いはワイヤボンディング法式等でより微細に配置付けられれば、その温接点の数に比例した出力信号が得られる筈である。
　一方逆の副作用として熱電対の個々の金属膜の厚さが薄く、狭くなるに従って、製造上の困難性が発生する為に製造コストが高くなる。
　又、電気的なる性能も極端に膜厚が薄く、且つその幅が狭くなると有効断面積が小さくなり、充分なる導通性が得られ難くなるとインピーダンスが高くなり、結果的にはサーモパイルの内部抵抗が高くなり、充分なる出力レベルを所定の負荷端子に対して得る事が出来なくなる。
　同時に、外部よりのノイズを拾い易く、且つ自己ノイズの発生度も高くなる。
　この為に、熱電対の異種の金属膜１０及び１１の機械的なる寸法は、製造上並びに性能上、下限がある。
　従来の平偏なる一枚の絶縁基盤上に配置付けられる熱電対の温接点の数は、限られたサーモパイル型センサの感熱部の面積内では、多くの熱電対を配置付ける事が出来ない。」（第２頁左上欄４行目―同頁右上欄６行目）
（引１ｃ）「第１図は、本発明の
サーモパイル型センサ
　
中央部に孔１３−１を有し、その上面に複数の熱電対を装着した第１層目の基盤Ｂ
１
は、その内孔の外周部に熱電対の温接点部分ｓを
１２対を
有し
　この数量は従来の方法によるものと変わらないが、
第２並びに第３層目の基盤Ｂ
２
、Ｂ
３
に装着されたそれぞれの温接点部の数は９対及び５対が追加され
　即ち従来の熱電対推は、平偏なる絶縁性の基盤上に平面的に配列されていた為に、充分なる熱電対数を得る事が困難で、本発明の場合、模型的にその数量を図面上で比較すると、本発明数／従来数＝２６／１２≒１８８％と８８％も改良される事が判明する。
　即ちサーモパイル型センサの感受部の面積を第１図中破線１２で示す内部に、第１層第２層第３層の基盤Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３を第２図でそれ等を重ね合わせて縦断した面の図を示す如く重ね合わせて、
第１基盤Ｂ
１
の開口部１３に第２基盤の熱電対推の温接点群が上面から見える様に、更に第２基盤Ｂ
２
の開口部１３−２内第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ、それぞれの熱電対が電気的には直列に接続される様に、第１層のサーモパイルの端子Ｔ
１
と第２層の端子Ｔ
２
を、又第２層の端子Ｔ
３
と第３層の端子Ｔ
４
をそれぞれ結線し、最後に第１層のＴ
０
と第３層のＴ
５
を所定の出力端子として適用
　当審注：「第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ」は、「第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内
に
（引１ｄ）「次に完成されたサーモパイル型センサの一例を縦断面図で示す。
　ＴＯ５型頭部に赤外線フィルター３１を備えたカン３２を用意し、一方
ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４に、上述した熱電対推を多層に備えた基盤Ｂを装着し
（引１ｅ）「
絶縁性の材質から構成された基盤Ｂ
１
、Ｂ
２
、Ｂ
３
それぞれの基盤とその熱電対を構成する異種の金属膜は、極めて薄いものではあるが厚みを有する
（引１ｆ）第１図は、以下のようなものである。
イ　引用文献１に記載された発明
　上記（引１ｃ）ないし（引１ｅ）の下線部の記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　ここで、引用文献１の全体を通して記載されている「熱電対推」が「熱電対堆」の誤記であることは明らかであるから、「熱電対堆」と読み替えた。
　なお、引用発明の認定の根拠となった対応する摘記箇所等を付記した。
「中央部に孔１３−１を有し、その上面に１２対の熱電対を装着した第１層目の基盤Ｂ１は、その内孔の外周部に熱電対の温接点部分ｓを有し（引１ｃ）、
　第２並びに第３層目の基盤Ｂ２、Ｂ３に装着されたそれぞれの温接点部の数は９対及び５対が追加され（引１ｃ）、
　第１基盤Ｂ１の開口部１３に第２基盤の熱電対堆の温接点群が上面から見える様に、更に第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内に第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ、それぞれの熱電対が電気的には直列に接続される様に、第１層のサーモパイルの端子Ｔ１と第２層の端子Ｔ２を、又第２層の端子Ｔ３と第３層の端子Ｔ４をそれぞれ結線し、最後に第１層のＴ０と第３層のＴ５を所定の出力端子として適用され（引１ｃ）、
　ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４に、上述した熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂを装着した（引１ｄ）
　サーモパイル型センサであって、
　絶縁性の材質から構成された基盤Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３であり（引１ｅ）、
　それぞれの基盤とその熱電対を構成する異種の金属膜は、極めて薄いものではあるが厚みを有する（引１ｅ）
　サーモパイル型センサ。」
（２）　引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２（特開平０２−１６５０２５号公報）には、以下の記載がある。
（引２ａ）「〔発明が解決しようとする課題〕
　サーモパイルにおいて、発生する起電力を増大して性能を向上させるには、熱電対の対長を大きくするか、または、熱電対の数を増やすなどが有効な手段である。
　しかし、従来の上記のような構造では、上記の手段には限界があった。
　すなわち、素子の寸法、つまりシリコンフレーム１１の外形寸法を一定に保って、熱電対の数を増やすには、熱電対の寸法を小さくする必要があるが、形成精度に限界があることから、２次元構造を採る限り、熱電対の数にはおのずと限界がある。
　なお、素子寸法を大きくすると熱電対の数を増やすことができるが、１つのシリコンウエハからとれる個数が減るとともに、素子のパッケージが大きくなり、素子のコストとパッケージコストが高くなるなどの問題が生ずる。また対長を大きくすることも素子やパッケージを大きくするという同様の問題を生ずることとなる。
　本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、素子平面寸法を大きくすることなく、より大きな起電力を得ることができるものを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明のサーモパイルは、
直列に接続した熱電対群を複数群薄い絶縁膜を挾んで立体構造に配設し、熱電対群の間の絶縁膜に設けた開口を通して各熱電対群を直列に接続
（３）　引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３（特開平０６−２６０６８６号公報）には、以下の記載がある。
(引３ａ)「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】サーモパイルとしての感度を上げるためには、直列接続された熱電対の数を多くすればよい。しかしながら、一定の測定領域内に設けることができる測定用の接合点の数は限られているため、感度をあげようとしても限度があるという問題があった。また、高感度のサーモパイルを実現するためには大面積の測定領域が必要であるため、熱容量が大きくなり測定応答時間が遅くなるという問題があった。
【０００４】本発明の目的は、測定領域の面積が小さく高感度で応答時間の速いサーモパイル及びその製造方法を提供することにある。」
(引３ｂ)「【００１３】次に本発明の第１の実施例によるサーモパイルの製造方法について図３及び図４を用いて説明する。図３及び図４では、説明の便宜のために、図１（ｃ）に示すＢ−Ｂ′線断面図を代表図として用いることとする。まず、Ａｌ２Ｏ３からなる約３００μｍ厚の絶縁性基板１０上に第１層目の熱電対層１２用の銅からなる約５００ｎｍ厚の銅層３０を蒸着又はスパッタリングにより形成する。続いて、銅層３０上にレジスト層３２を塗布し、銅線１４として残存すべき形状にパターニングする（図３（ａ））。
【００１４】次に、パターニングされたレジスト層３２をマスクとして銅層３０をエッチングして第１層目の熱電対層１２の銅線１４が形成される（図３（ｂ））。次に、全面に第１層目の熱電対層１２用のコンスタンタンからなる約５００ｎｍ厚のコンスタンタン層３４を蒸着又はスパッタリングにより形成する。続いて、コンスタンタン層３４上にレジスト層３６を塗布し、コンスタンタン線１６として残存すべき形状にパターニングする（図３（ｃ））。
【００１５】次に、パターニングされたレジスト層３６をマスクとしてコンスタンタン層３４をエッチングして第１層目の熱電対層１２のコンスタンタン線１６が形成され、第１層目の熱電対層１２が形成される（図３（ｄ））。次に、全面に、例えばＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４からなる約１μｍ厚の絶縁層２０を堆積し、表面を平坦化する。続いて、絶縁層２０上にレジスト層３８を形成し、第１層目の熱電対層１２と第２層目の熱電対層２２とを接続部分が開口するようにレジスト層３８をパターニングする（図３（ｅ））。
【００１６】次に、レジスト層３８をマスクとして絶縁層２０をエッチングして、
接続部分にコンタクトホール４０を形成
第２層目の熱電対層２２用の銅からなる約５００ｎｍ厚の銅層４２を蒸着又はスパッタリングにより形成する。このとき、銅層４２は、コンタクトホール４０を介して第１層目のコンスタンタン線１６と接合される
【００１７】続いて、全面にレジスト層４４を塗布し、銅線２４として残存すべき形状にパターニングする（図３（ｆ））。次に、パターニングされたレジスト層４４をマスクとして銅層４２をエッチングして第２層目の熱電対層２２の銅線２４が形成される（図４（ａ））。続いて、全面に第２層目の熱電対層２２用のコンスタンタンからなる約５００ｎｍ厚のコンスタンタン層４６を蒸着又はスパッタリングにより形成する。続いて、コンスタンタン層４６上にレジスト層４８を塗布し、コンスタンタン線２６として残存すべき形状にパターニングする（図４（ａ））。
【００１８】次に、パターニングされたレジスト層４８をマスクとしてコンスタンタン層４６をエッチングして第２層目の熱電対層２２のコンスタンタン線２６が形成され、第２層目の熱電対層２２が形成される（図４（ｂ））。次に、全面に、例えばＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４からなる約３００ｎｍ厚の絶縁層２８を堆積し、表面を平坦化して、サーモパイルを完成する（図４（ｃ））。
【００１９】このように本実施例によれば
熱電対層を二層化したサーモパイル
(引３ｃ)「【００２５】さらに、上記実施例では銅線とコンスタンタン線により熱電対を形成したが、他の金属熱電材料により熱電対を形成するようにしてもよい。また、上記実施例では
絶縁層に形成したコンタクトホール上に金属層を堆積することにより第１層目の熱電対層と第２層目の熱電対層を接続したが、
ビアホールにより接続してもよい
（４）　引用文献４
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４（特開２００５−３２４３２０号公報）には、以下の記載がある。
（引４ａ）「【００１３】
　
マイクロメカニカル素子を製造する場合、一般には同種の複数個の素子が１つの基板上に形成され、プロセスの最終段階でたいていはソーによりダイシングされる。このとき層構造体の全体が個別化される
【００１４】
　前述したように、本発明の素子は多様な分野で使用することができる。特に
有利な利用分野として、
サーモパイル
が上げられる
３　対比・判断
（１）　対比
ア　Ａ）、Ｆ）について
　引用発明の「第１層目の基盤Ｂ１」の「１２対の熱電対」、「第２層目の基盤Ｂ２」の「９対」の「温接点部」を有する「熱電対」及び「第３層目の基盤Ｂ３」の「５対」の「温接点部」を有する「熱電対」は、いずれも、それぞれが各基盤上に形成された「熱電対堆」を構成するであるから、本願発明２’の「層サーモパイル」に相当する。
　引用発明の「基盤Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３」は、「それぞれの基盤とその熱電対を構成する異種の金属膜は、極めて薄いものではあるが厚みを有する」ものであるから、本願発明２’の「各層薄膜」に相当するといえる。
　そして、引用発明の「ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４に、上述した熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂを装着したサーモパイル型センサ」は、「熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂ」が「第１基盤Ｂ１の開口部１３に第２基盤の熱電対堆の温接点群が上面から見える様に、更に第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内に第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ」られたものであるから、本願発明２’の「各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子」に相当する。
　したがって、引用発明の「ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４に、上述した熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂを装着したサーモパイル型センサ」と、本願発明２’のＡ）「有機薄膜の各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子」とは、「各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子」である点で共通する。
イ　Ｃ）について
　引用発明の「第１基盤Ｂ１の開口部１３に第２基盤の熱電対堆の温接点群が上面から見える様に、更に第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内に第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ」ることは、本願発明２’のＣ）「前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合されて一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルが形成され」ることに相当する。
ウ　Ｄ）について
　引用発明の「ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４」及び「上述した熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂ」は、それぞれ、本願発明２’の「温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板」及び「張り合わせ接合された前記多重層薄膜」に相当する。
　したがって、引用発明の「ヒートシンク３３を備えたヘッダー３４に、上述した熱電対堆を多層に備えた基盤Ｂ」が「装着」されており、「それぞれの熱電対が電気的には直列に接続される様に、第１層のサーモパイルの端子Ｔ１と第２層の端子Ｔ２を、又第２層の端子Ｔ３と第３層の端子Ｔ４をそれぞれ結線」されていることと、本願発明２’のＤ）「個別の温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜が接合されており、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように貫通孔を通して上下層の電極間が導通されて」いることとは、「温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜が接合されており、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように上下層の電極間が導通されている」点で共通する。
エ　上記ア−ウから、引用発明と本願発明２’とは、以下の一致点で一致し、以下の相違点で相違する。
＜一致点＞
「各層薄膜に層サーモパイルが形成され、多重層化して形成されている合成サーモパイルが温度感応部に設けられた温度センサ素子において、
　前記各層薄膜を位置合わせして重ねた状態で張り合わせ接合されて一枚の多重層薄膜としての合成サーモパイルが形成され、
　温度センサ素子のヒートシンクを兼ねたアレー基板に、張り合わせ接合された前記多重層薄膜が接合されており、各層薄膜に形成した各層サーモパイルが直列接続になるように上下層の電極間が導通されている、
　温度センサ素子。」
＜相違点＞
（相違点１）各層サーモパイルの導通について、本願発明２’は「各層薄膜の必要な箇所に電極導通用の貫通孔が形成されており」「貫通孔を通して」導通されているのに対して、引用発明では、貫通孔を用いることが特定されていない点。
（相違点２）各層薄膜の材質について、本願発明２’は「有機薄膜」であるのに対して、引用発明は「絶縁性の材質」としか特定していない点。
（相違点３）本願発明２’は、「各温度センサ素子に分離されている」のに対して、引用発明にはそのような特定がない点。
（２）　判断
ア　相違点１について
　引用発明において「第１基盤Ｂ１の開口部１３に第２基盤の熱電対堆の温接点群が上面から見える様に、更に第２基盤Ｂ２の開口部１３−２内に第３基盤の温接点群が位置付けられる様に重ね合わせ、それぞれの熱電対が電気的には直列に接続される様に、第１層のサーモパイルの端子Ｔ１と第２層の端子Ｔ２を、又第２層の端子Ｔ３と第３層の端子Ｔ４をそれぞれ結線し、最後に第１層のＴ０と第３層のＴ５を所定の出力端子として適用」するものであり、引用文献１の図１（上記（引１ｇ））も参酌すれば、第１層の端子Ｔ０と端子Ｔ１、第２層の端子Ｔ２と端子Ｔ３、第３層の端子Ｔ４と端子Ｔ５とは、それぞれの層の上面にそれぞれ設けられるものであることは明らかであり、基盤の間の導通をとるための手段として、引用発明が基盤を貫通する貫通孔を有していることは、当業者に自明のことである。
　したがって、当該相違点１は、実質的な相違点とはならない。
　仮に、引用発明において貫通孔を通して導通をとることが当業者に自明のことではないとしても、上記文献２−３にみられるように、サーモパイルを多層化した温度センサの技術分野において、上層のサーモパイルと下層のサーモパイルとの接続を、貫通孔を通して行うことは、当業者にとって周知の技術的事項であったと認められるため、引用発明においても具体的な導通のための手段として、当該周知の貫通孔を通した導通を採用することで、当該相違点１に係る本願発明２’の構成とすることは、当業者であれば容易に想到しうることである。
イ　相違点２について
　一般に、「絶縁性の材質から構成された基盤」として、プラスチック基盤等の有機材料から構成された基盤は、特に例示するまでもなく、周知の材料である。
　そして、引用発明において、「絶縁性の材質から構成された基盤」の材質は、「有機材料」であるか「無機材料」であるかの二者択一の選択であり、当該選択肢のうちどちらかを選択することは、引用発明の基盤を具現化するにあたり、当業者が適宜選択すべき事項にすぎない。
ウ　相違点３について
　本願発明における「温度センサ素子」が「各温度センサ素子に分離されている」ものであることは、各々の「温度センサ素子」の構造を何ら限定するものではないため、「各温度センサ素子に分離されている」ことが特定されているか否かは、「温度センサ素子」という物の発明において、実質的な相違点とはならない。
　仮に、物の発明として、「温度センサ素子」の何らかの構造上の特徴を限定するものであったとしても、上記文献４にみられるように、サーモパイル等のマイクロメカニカル素子を製造する場合、一般には同種の複数個の素子が１つの基板上に形成され、プロセスの最終段階でたいていはソーによりダイシングされる、いわゆる素子分離工程を経て製造されることは、当業者にとって周知の技術的事項である。
　そして、引用発明におけるサーモパイル型センサにおいても、素子分離工程を設けて大量生産を行うことで、上記相違点３に係る本願発明２’の構成とすることは、当業者であれば容易に想到しうることである。
エ　本願発明２’の効果について
　本願発明２’の効果は、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が予測しうる範囲内のものにすぎず、格別顕著なものではない。
オ　小括
　上記ア−エから、本願発明２’は、引用発明自体、又は引用発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　まとめ
　以上から、本願発明２’は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。