(57)【要約】  積層型電子部品の外部電極を、積層体の端面上に直接めっきを施すことによって形成した場合、外部電極となるめっき膜と内部電極との接合が不十分なため、外部より水分などが積層体内に浸入しやすい。  上記課題を解決するため、外部電極（８）となるめっき膜（１０）を積層体（５）の端面（６）上に直接形成した後、酸素分圧５ｐｐｍ以下および温度６００℃以上の条件下で熱処理を行なう。これによって、内部電極（３）とめっき膜（１０）との境界部分に相互拡散層（１１）が形成される。相互拡散層（１１）においては、金属の体積膨張が起こり、絶縁体層（２）と内部電極（３）および外部電極（８）の各々との界面に存在し得る隙間が埋められる。
2008059666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、
前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面上に外部電極を形成する工程と
を含む、積層型電子部品の製造方法であって、
前記外部電極を形成する工程は、
前記積層体を用意する工程において用意された前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部にめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき膜を形成するようにめっきする、めっき工程と、
前記めっき膜が形成された前記積層体を、酸素分圧５ｐｐｍ以下および温度６００℃以上の条件下で熱処理する、熱処理工程と
を備える、積層型電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程において付与される温度が８００℃以上である、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記内部電極の主成分となる金属と前記めっき膜の主成分となる金属とは互いに異なる、請求項１に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記内部電極の主成分となる金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇであり、前記内部電極の主成分となる金属および前記めっき膜の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種であり、前者がＣｕのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種であり、前者がＰｄのとき、後者がＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＲｈおよびＳｎの少なくとも１種であり、前者がＡｇのとき、後者がＡｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種である、請求項３に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記内部電極の主成分となる金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇであり、前記内部電極の主成分となる金属および前記めっき膜の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＣｕであり、前者がＣｕのとき、後者がＮｉであり、前者がＰｄまたはＡｇのとき、後者がＣｕまたはＮｉである、請求項４に記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記外部電極を形成する工程は、前記めっき膜上に第２のめっき膜を形成する工程をさらに備え、前記熱処理工程は、前記第２のめっき膜を形成する工程の前に実施される、請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型電子部品の製造方法。
【請求項７】
積層された複数の絶縁体層および前記絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、前記内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、
前記積層体の前記所定の面上に形成される、外部電極と
を備え、
前記外部電極は、前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、前記積層体の前記所定の面に直接形成される、めっき膜を含み、
前記内部電極と前記めっき膜との境界部分には、前記めっき膜に含まれる金属成分および前記内部電極に含まれる金属成分の双方が検出され得る相互拡散層が形成されていて、前記相互拡散層は、前記内部電極側および前記めっき膜側の双方にまで延びるように形成され、前記内部電極側においては、前記積層体の前記所定の面から２μｍ以上離れた位置まで達している、
積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型電子部品およびその製造方法に関するものであり、特に、外部電極が積層体の外表面上に、直接、めっきを施すことにより形成された、積層型電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４に示すように、積層セラミックコンデンサに代表される積層型電子部品１０１は、一般に、積層された複数の絶縁体層１０２と、絶縁体層１０２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極１０３および１０４とを含む、積層体１０５を備えている。積層体１０５の一方および他方端面１０６および１０７には、それぞれ、複数の内部電極１０３および複数の内部電極１０４の各端部が露出していて、これら内部電極１０３の各端部および内部電極１０４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極１０８および１０９が形成されている。【０００３】
外部電極１０８および１０９の形成にあたっては、一般に、金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを積層体１０５の端面１０６および１０７上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極膜１１０がまず形成される。次に、ペースト電極膜１１０上に、たとえばＮｉを主成分とする第１のめっき膜１１１が形成され、さらにその上に、たとえばＳｎを主成分とする第２のめっき膜１１２が形成される。すなわち、外部電極１０８および１０９の各々は、ペースト電極膜１１０、第１のめっき膜１１１および第２のめっき膜１１２の３層構造より構成される。【０００４】
外部電極１０８および１０９に対しては、積層型電子部品１０１が半田を用いて基板に実装される際に、半田との濡れ性が良好であることが求められる。同時に、外部電極１０８に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０３を互いに電気的に接続し、かつ、外部電極１０９に対しては、互いに電気的に絶縁された状態にある複数の内部電極１０４を互いに電気的に接続する役割が求められる。半田濡れ性の確保の役割は、上述した第２のめっき膜１１２が果たしており、内部電極１０３および１０４相互の電気的接続の役割は、ペースト電極膜１１０が果たしている。第１のめっき膜１１１は、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たしている。【０００５】
しかし、ペースト電極膜１１０は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層型電子部品１０１の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極膜１１０の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき膜１１１および１１２はその厚みが数μｍ程度であるため、仮に第１のめっき膜１１１および第２のめっき膜１１２のみで外部電極１０８および１０９を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。【０００６】
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、積層体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解めっきによって導電性金属層を析出させる方法が開示されている。【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、内部電極とめっき膜との接合が不十分なため、外部より水分などが積層体内に浸入しやすいという問題がある。したがって、高温、高湿環境下にて負荷試験を行なった場合、積層型電子部品の寿命特性が劣化しやすいという問題を招く。
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、この発明の目的は、上記のような問題を解決し得る、積層型電子部品の製造方法を提供しようとすることである。【０００９】
この発明の他の目的は、上述した製造方法によって製造される積層型電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、積層された複数の絶縁体層および絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体を用意する工程と、積層体の所定の面に露出した複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体の所定の面上に外部電極を形成する工程とを含む、積層型電子部品の製造方法にまず向けられる。【００１１】
この発明では、前述した技術的課題を解決するため、外部電極を形成する工程は、積層体を用意する工程において用意された積層体の所定の面に露出した複数の内部電極の各端部にめっき析出物を析出させ、かつめっき析出物が相互に接続されるようにめっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき膜を形成するようにめっきする、めっき工程と、めっき膜が形成された積層体を、酸素分圧５ｐｐｍ以下および温度６００℃以上の条件下で熱処理する、熱処理工程とを備えることを特徴としている。【００１２】
上述の熱処理工程において付与される温度は８００℃以上とされることが好ましい。【００１３】
この発明において、内部電極の主成分となる金属とめっき膜の主成分となる金属とは互いに異なることが好ましい。【００１４】
内部電極の主成分となる金属としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇが用いられる。この場合、内部電極の主成分となる金属およびめっき膜の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種であり、前者がＣｕのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種であり、前者がＰｄのとき、後者がＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＲｈおよびＳｎの少なくとも１種であり、前者がＡｇのとき、後者がＡｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種であることが好ましい。【００１５】
より好ましくは、内部電極の主成分となる金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇが用いられる。この場合、内部電極の主成分となる金属およびめっき膜の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＣｕであり、前者がＣｕのとき、後者がＮｉであり、前者がＰｄまたはＡｇのとき、後者がＣｕまたはＮｉである。【００１６】
外部電極を形成する工程は、めっき膜上に第２のめっき膜を形成する工程をさらに備えていてもよい。この場合、前述の熱処理工程は、第２のめっき膜を形成する工程の前に実施されることが好ましい。【００１７】
上述したこの発明に係る製造方法によって得られた積層型電子部品は、構造的な特徴を有している。この発明は、また、このような構造的な特徴を有する積層型電子部品にも向けられる。【００１８】
すなわち、この発明に係る積層型電子部品は、積層された複数の絶縁体層および絶縁体層間の界面に沿って形成された複数の内部電極を含み、内部電極の各端部が所定の面に露出している、積層体と、積層体の所定の面上に形成される、外部電極とを備えている。上記外部電極は、積層体の所定の面に露出した複数の内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体の所定の面に直接形成される、めっき膜を含んでいる。そして、内部電極とめっき膜との境界部分には、めっき膜に含まれる金属成分および内部電極に含まれる金属成分の双方が検出され得る相互拡散層が形成されていて、相互拡散層は、内部電極側およびめっき膜側の双方にまで延びるように形成され、内部電極側においては、積層体の上記所定の面から２μｍ以上離れた位置まで達していることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、外部電極となるめっき膜を形成した後、特定的な条件下で熱処理をするようにしているので、内部電極とめっき膜との境界部分において、相互拡散が生じる。この相互拡散は、それが生じた部分での体積膨張をもたらす。すなわち、内部電極とめっき膜との境界部分において体積膨張が生じる。その結果、絶縁体層と内部電極および外部電極の各々との界面に生じることのある隙間が埋められ、積層体に対して封止性を持たせることができる。したがって、積層体への水分やめっき液などの浸入が防止され、高温、高湿環境下にて負荷試験を行なった場合の寿命特性の劣化を防止することができる。【００２０】
上述の熱処理工程において付与される温度を８００℃以上と高くすれば、相互拡散した部分における、めっき膜成分と内部電極成分との均一分散が大きく進む。この現象は、熱処理温度が８００℃以上となる点を境目として急峻に進み、前述の封止性を大きく増加する。【００２１】
また、内部電極の主成分となる金属とめっき膜の主成分となる金属とが互いに異なっていると、これら金属が互いに同じ場合に比べて、相互拡散が促進される。【００２２】
外部電極を形成するに当たって、上述のように熱処理されるめっき膜上に第２のめっき膜を形成する場合、熱処理工程を、第２のめっき膜の形成工程の前に実施するようにすれば、第２のめっき膜を形成する際に用いられるめっき液の積層体への浸入を有利に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明の第１の実施形態による積層型電子部品１を示す断面図である。
【図２】図１に示した積層体５の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】この発明の第２の実施形態による積層型電子部品１ａを示す断面図である。
【図４】従来の積層型電子部品１０１を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１，１ａ  積層型電子部品
２  絶縁体層
３，４  内部電極
５  積層体
６，７  端面
８，９，８ａ，９ａ  外部電極
１０  めっき膜
１１  相互拡散層
１２  中間めっき膜(第２のめっき膜)
１３  外側めっき膜(第２のめっき膜)
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１および図２を参照して、この発明の第１の実施形態による積層型電子部品１およびその製造方法について説明する。【００２６】
まず、図１に示すように、積層型電子部品１は、積層された複数の絶縁体層２と、絶縁体層２間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極３および４とを含む積層体５を備えている。積層型電子部品１が積層セラミックコンデンサを構成するとき、絶縁体層２は、誘電体セラミックから構成される。積層体５の一方および他方端面６および７には、それぞれ、複数の内部電極３および複数の内部電極４の各端部が露出していて、これら内部電極３の各端部および内部電極４の各端部を、それぞれ、互いに電気的に接続するように、外部電極８および９が形成されている。【００２７】
外部電極８および９の各々は、電解めっきまたは無電解めっきのような湿式めっきによるめっき析出物からなるめっき膜１０から構成される。すなわち、外部電極８および９は、導電性ペースト膜、真空蒸着膜、スパッタ膜などを含むものではない。【００２８】
次に、図１に示した積層型電子部品１の製造方法について、外部電極８および９の形成方法を中心に、図２をも参照しながら説明する。図２は、図１に示した積層体５の一部であって、内部電極３が露出する一方の端面６付近を拡大して示す図である。なお、他方の端面７およびそこに露出する内部電極４については、上述した端面６および内部電極３の場合と実質的に同様である。【００２９】
まず、積層された複数の絶縁体層２および絶縁体層２間の界面に沿って形成された複数の内部電極３および４を含み、内部電極３および４の各端部が端面６および７にそれぞれ露出している、積層体５が用意される。この積層体５において、内部電極３および４が端面６および７より引っ込んでいて、十分に露出していない場合には、サンドブラストやバレル研磨などの方法により絶縁体層２を削り、内部電極３および４を端面６および７に十分に露出させておくことが好ましい。【００３０】
次に、積層体５の端面６および７に露出した内部電極３および４の各端部を互いに電気的に接続するように、積層体５の端面６および７上に外部電極８および９をそれぞれ形成する工程が実施される。【００３１】
上記外部電極８および９を形成する工程において、まず、積層体５の端面６および７に露出した複数の内部電極３および４の各端部にめっき析出物を析出させ、かつめっき析出物が相互に接続されるようにめっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき膜１０を端面６および７上に直接形成するようにめっきする、めっき工程が実施される。【００３２】
次に、上述のようにめっき膜１０が形成された積層体５は、酸素分圧５ｐｐｍ以下および温度６００℃以上の条件下で熱処理される。この熱処理は、内部電極３および４と外部電極８および９を構成するめっき膜１０との間で各々に含まれる金属成分の相互拡散を生じさせる。その結果、図２に示すように、内部電極３および４とめっき膜１０との境界部分には、相互拡散層１１が形成される。相互拡散により、内部電極３および４とめっき膜１０との境界部分において体積膨張が起こり、絶縁体層２と内部電極３および４との界面の隙間ならびに絶縁体層２とめっき膜１０との界面の隙間が埋められる。そのため、積層体５内への水分やめっき液などの浸入が防止され、高温、高湿環境下にて負荷試験を行なった場合の寿命特性の劣化を防止することができる。【００３３】
相互拡散層１１は、めっき膜１０に含まれる金属成分および内部電極３および４に含まれる金属成分の双方が検出され得ることを要件としている。言い換えると、この要件を満たす領域が相互拡散層１１であると定義される。【００３４】
相互拡散層１１は、図２に示すように、内部電極３および４側およびめっき膜１０側の双方にまで延びるように形成される。相互拡散層１１の形成による封止性を十分に得るためには、相互拡散層１１は、所定寸法以上の領域において形成されていなければならない。その目安として、相互拡散層１１の内部電極３および４側での形成領域が、図２に示すように、端面６および７の各々から距離Ａについて２μｍ以上離れた位置まで達していれば、十分な封止効果が得られることが後述する実験例からわかっている。【００３５】
上述した熱処理工程において付与される温度は、好ましくは、８００℃以上と高くされる。これにより、相互拡散した部分における、めっき膜成分と内部電極成分との均一分散が大きく進む。この現象は、熱処理温度が８００℃以上となる点を境目として急峻に進み、前述の封止性を大きく増加する。【００３６】
なお、熱処理工程において付与される温度の上限については、特に限定されるものではないが、絶縁体層２を変質させずかつ内部電極３および４ならびにめっき膜１０の各々に含まれる金属を溶融させない温度が上限ということになる。【００３７】
熱処理による相互拡散をより生じやすくするためには、内部電極３および４の主成分となる金属とめっき膜１０の主成分となる金属とは互いに異なることが好ましい。【００３８】
内部電極３および４の主成分となる金属としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇが用いられる。この場合、内部電極３および４の主成分となる金属およびめっき膜１０の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｎ、ＰｔおよびＰｄの少なくとも１種であり、前者がＣｕのとき、後者がＡｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種であり、前者がＰｄのとき、後者がＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＲｈおよびＳｎの少なくとも１種であり、前者がＡｇのとき、後者がＡｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、ＳｎおよびＺｎの少なくとも１種であることが好ましい。【００３９】
より好ましくは、内部電極３および４の主成分となる金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、ＰｄまたはＡｇが用いられる。この場合、内部電極３および４の主成分となる金属およびめっき膜１０の主成分となる金属は、前者がＮｉのとき、後者がＣｕであり、前者がＣｕのとき、後者がＮｉであり、前者がＰｄまたはＡｇのとき、後者がＣｕまたはＮｉである。【００４０】
図２に示すような相互拡散層１１の存在は、たとえば、波長分散型Ｘ線マイクロアナライザ（ＷＤＸ）のマッピング分析を行なうことにより確認することができる。すなわち、ＷＤＸのマッピング分析を行なえば、金属元素の拡散状態を２次元的に把握することができる。【００４１】
以上説明したような積層型電子部品１では、外部電極８および９の各々は、単層のめっき膜１０から構成されていたが、さらに少なくとも１層のめっき膜が形成されていてもよい。このような複数層のめっき膜をもって外部電極が形成された積層型電子部品の一例について、図３を参照して説明する。【００４２】
図３は、この発明の第２の実施形態による積層型電子部品１ａを示す、図１に対応する図である。図３において、図１に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。【００４３】
図３に示した積層型電子部品１ａの外部電極８ａおよび９ａに注目すると、積層体５の端面６および７上に形成されためっき膜１０を下地として、第２のめっき膜としての中間めっき膜１２および外側めっき膜１３が、めっき膜１０の場合と同様、電解めっきまたは無電解めっきによって形成されている。【００４４】
外側めっき膜１３は、はんだに対し濡れ性が良好であることが求められるため、たとえばＳｎやＡｕなどを主成分とすることが望ましい。この実施形態では、下地となるめっき膜１０は、たとえばＣｕを主成分としている。この場合、中間めっき膜１２は、はんだ接合時のはんだ食われを防止する役割を果たすことが求められるため、たとえばＮｉを主成分とすることが望ましい。なお、下地となるめっき膜１０がＮｉを主成分とする場合、中間めっき膜１２は省略されてもよい。【００４５】
図３に示すように、外部電極８ａおよび９ａの各々が複数層をなすめっき膜１０、１２および１３から構成される場合であっても、前述した相互拡散の対象となるのは、主として、下地となるめっき膜１０である。このような相互拡散を生じさせるための熱処理は、下地となるめっき膜１０の形成後であれば、いつ実施してもよいが、好ましくは、中間めっき膜１２や外側めっき膜１３を形成する工程の前に実施される。このようにすることにより、中間めっき膜１２および外側めっき膜１３の形成時に用いられるめっき液の浸入をも有利に防止できるためである。【００４６】
以上、この発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。【００４７】
たとえば、この発明が適用される積層型電子部品としては、積層チップコンデンサが代表的であるが、その他、積層チップインダクタ、積層チップサーミスタなどにも適用可能である。【００４８】
したがって、積層型電子部品に備える絶縁体層は、電気的に絶縁する機能を有していればよく、その材質は特に問われるものではない。すなわち、絶縁体層は、誘電体セラミックからなるものに限らず、その他、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミックなどからなるものであってもよい。【００４９】
以下、この発明の範囲を決定するため、またはこの発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。【００５０】
試料となる積層型電子部品の積層体として、長さ１．９ｍｍ、幅１.０５ｍｍおよび高さ１.０５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用積層体であって、絶縁体層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この積層体において、絶縁体層の積層数は４１６層であり、絶縁体層の 各厚みは１．９μｍであった。【００５１】
次に、上記積層体を、水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．８ｍｍの導電性メディアを投入した。そして、回転バレルを、ｐＨを８.５に調整した浴温２５℃のＣｕめっき用ストライク浴に浸漬させ、回転数１０ｒｐｍにて回転させながら、電流密度０.１１Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電して、内部電極の露出する積層体の端面に、直接、Ｃｕめっき膜を形成した。なお、上記Ｃｕめっき用ストライク浴は、１４ｇ／Ｌのピロリン酸銅、１２０ｇ／Ｌのピロリン酸、および１０ｇ／Ｌの蓚酸カリウムを含むものであった。【００５２】
次いで、上記Ｃｕめっき膜を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを８.８に調整した浴温５５℃のＣｕめっき用ピロリン酸浴（上村工業社製ピロブライトプロセス）に浸漬させ、回転数１０ｒｐｍにて回転させながら、電流密度０.３０Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電した。このようにして、上記Ｃｕめっき膜の上に、さらにＣｕめっき膜を形成し、Ｃｕめっき膜の厚みは合計約１０μｍとなった。【００５３】
次に、上述のようにＣｕめっき膜が形成された積層体を、酸素分圧５ｐｐｍ未満の窒素雰囲気中において、表１の「熱処理温度」の欄に示した各温度にて、２時間熱処理した。なお、試料４については、熱処理を施さなかった。【００５４】
次に、上述の熱処理によって生じた内部電極とＣｕめっき膜との境界部分での相互拡散の状態を確認するため、各試料について、ＷＤＸのマッピング分析を行い、金属元素の２次元的な拡散状態を分析した。この分析において、装置として、日本電子製ＪＸＡ８５００Ｆを用い、加速電圧を１５ｋＶとし、照射電流を５０ｎＡとし、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の倍率を５０００倍とし、積算時間を４０ｍｓとし、ＮｉおよびＣｕの検出特性Ｘ線とし、Ｋα特性Ｘ線の１次線を用いた。このようにして求められた相互拡散の状態が表１の「拡散層形成距離」に示されている。この「拡散層形成距離」は図２の「Ａ」に相当する。【００５５】
次に、上記積層体を、水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径１．８ｍｍの導電性メディアを投入した。そして、回転バレルを、ｐＨを４.２に調整した浴温６０℃のＮｉめっき用ワット浴に浸漬させ、回転数１０ｒｐｍにて回転させながら、電流密度０.２０Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電した。このようにして、前述のＣｕめっき膜上に、厚み約４μｍのＮｉめっき膜を形成した。【００５６】
次いで、上記Ｎｉめっき膜を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを５．０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数１０ｒｐｍにて回転させながら、電流密度０.１０Ａ／ｄｍ２にて６０分間通電した。このようにして、Ｎｉめっき膜上に厚み約４μｍのＳｎめっき膜を形成した。【００５７】
以上のようにして、積層体に対して、直接、電解めっき膜を形成してなる外部電極を備える、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。【００５８】
得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサに対して、高温、高湿負荷試験としてのＰＣＢＴ（Pressure Cooker Bias Test）試験を実施した。試験条件は、温度１２５℃、湿度９５％、電圧６．３Ｖおよび時間７２時間とし、試料となる積層セラミックコンデンサの抵抗が１ＭΩ以下となったものを不良とし、不良率を算出した。その結果が表１の「ＰＣＢＴ不良率（１）」の欄に示されている。【００５９】
また、各試料に係る積層セラミックコンデンサに対して、試験条件をより厳しくしたＰＣＢＴ試験を実施した。試験条件は、温度１５０℃、湿度９５％、電圧６．３Ｖおよび時間１４４時間とした。このＰＣＢＴ試験においても、試料となる積層セラミックコンデンサの抵抗が１ＭΩ以下となったものを不良とし、不良率を算出した。その結果が表１の「ＰＣＢＴ不良率（２）」の欄に示されている。【００６０】
【表１】
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【００６１】
表１から、まず、熱処理を施すことにより、拡散層が形成されることがわかる。そして、拡散層の形成が、ＰＣＢＴ不良率に影響を及ぼしていることがわかる。【００６２】
より具体的には、試料１〜３のように、熱処理温度を６００℃以上とすれば、「ＰＣＢＴ不良率（１）」を０％とすることができる。他方、試料１および２のように、熱処理温度を８００℃以上とすると、前述したように、封止性がより高められ、その結果、より厳しい条件のＰＣＢＴ試験での不良率すなわち「ＰＣＢＴ不良率（２）」をも０％とすることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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