【事件の表示】
　特願２０１６−　　４１９０「パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月　７日出願公開、特開２０１６−１２２８４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年（２０１３年）６月１３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１２年６月１４日（以下，左の日を「本願優先日」という。），米国）を国際出願日とする特願２０１５−５１７４３９号の一部を，平成２８年１月１３日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２８年１２月２２日　拒絶理由通知
平成２９年　３月１４日　意見書・手続補正書
平成２９年　３月１５日　意見書・手続補正書
平成２９年　６月　６日　拒絶査定
平成２９年１０月　４日　審判請求・手続補正書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１４は，本件補正後の請求項１４へ補正された。
（１）本件補正前
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１４の記載は次のとおりである。
「【請求項１４】
　パワーアンプモジュールであって，
　基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと，
　前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，１０μｍから５０μｍまでの範囲から選ばれた厚みと，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み，
　前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え，前記ワイヤーボンドパッドは，前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と，前記拡散バリア層の上のバリア層と，前記バリア層の上のボンディング層とを含み，前記ワイヤーボンドパッドは，ワイヤーボンディングのために構成される，パワーアンプモジュール。」
（２）本件補正後
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１４の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１４】
　パワーアンプモジュールであって，
　基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと，
　前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，１０μｍから５０μｍまでの範囲から選ばれた厚みと，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み，
　前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え，前記ワイヤーボンドパッドは，前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と，前記拡散バリア層の上の
，０．０３μｍから０．１５μｍまでの厚みを有する
（３）本件補正事項
　本件補正は，請求項１４に記載された「バリア層」について「
０．０３μｍから０．１５μｍまでの厚みを有する
２　補正の適否
　本件補正事項は，新規事項を追加するものではないから特許法１７条の２第３項の規定に適合し，特許請求の範囲の減縮を目的とするから，同条４項の規定に適合し，同条５項２号に掲げるものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１４に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，さらに検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１４に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「パワーアンプモジュールであって，
　基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと，
　前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，１０μｍから５０μｍまでの範囲から選ばれた厚みと，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み，
　前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え，前記ワイヤーボンドパッドは，前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と，前記拡散バリア層の上の，０．０３μｍから０．１５μｍまでの厚みを有するバリア層と，前記バリア層の上のボンディング層とを含み，前記ワイヤーボンドパッドは，ワイヤーボンディングのために構成される，パワーアンプモジュール。」
（２）引用文献及び引用発明
　ア　引用文献１について
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−２１３７３０号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
　ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波帯およびそれ以上の周波数帯で使用される高周波用モジュール基板，およびそれを用いた
高周波電力増幅モジュール
　ｂ　「【０００４】図６は図５のモジュール基板上に形成されたマイクロストリップラインの断面構造を示すものである。窒化アルミニウム基板上にタングステン／ニッケル／銅により線路が形成されている。さらにトランジスタチップを基板表面に実装し，
ワイヤボンディングを行うため，表面には金メッキが必要とされる。表面の金メッキと下層金属の銅との密着性，およびワイヤボンディング時の表面の硬度を考慮して，ニッケルメッキを行った後，金メッキが行われる。
【０００５】しかし，基板上にチップ部品を実装する時，半田と金が反応して，いわゆる半田の金食われが生じるため，表面の金メッキが多いと信頼性上問題となる。そのため金メッキ厚ｔ５は１μｍ程度に制約される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成では，金メッキの厚さは１μｍ程度と薄いけれども線路全体に金メッキがあるため，組立時にリフロー炉を通ることにより，部品直下の金だけでなく，周辺部の金にも半田が広がって反応していく。金メッキ層の厚みは１μｍ程度と薄いが，
全ての線路に形成されているため金の絶対量が多く，半田と反応する金の量も多くなり，信頼性上好ましくない。
【０００７】また，金メッキが全体に施されていると，練り半田を塗布する際に位置ズレが生じた場合，リフロー炉を通しても部品の位置ズレは修正されず，部品実装の精度が要求される。さらに，リフローの際，チップが動いて隣接したチップと接触してしまう虞がある。そのため，部品の実装密度も低下せざるを得ない。またチップの位置ズレが修正されないと，チップの実装位置のばらつきにより，特性のばらつきも大きくなってしまう。
【０００８】
本発明の目的は，表面の金メッキが施された領域を限定して金の量を少なくすることにより，半田の金食われを低減して信頼性を向上させ，さらに部品実装密度を上げて，小型化を可能にした高周波用モジュール基板およびそれを用いた高周波電力増幅モジュールを提供する
　ｃ　「【００１２】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）図１（ａ）は第１の実施の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分，（ｂ）はその断面構造を示すものである。本実施の形態の特徴的な構成は，窒化アルミニウム基板上に形成された伝送線路において，部品実装領域のみに金メッキが施されており，他の領域はレジストで覆われている点にある。
【００１３】線路の構成としては，窒化アルミニウム基板５の表面にタングステン６がパターン形成されており，その上にニッケルメッキ７，さらに銅メッキ８が行われ，マイクロストリップラインが形成される。ここで，銅メッキ８は線路の抵抗を低減するため，またニッケルメッキ７は銅８とタングステン６との密着性を高めるために有効である。
【００１４】さらに，表面にチップ実装を行うためには，銅メッキ８上にニッケル／金メッキが必要とされる。実装に必要な部分のみにニッケル／金メッキを形成するために，部品実装領域以外はレジスト１１で覆っておく。そして，部品実装領域のみにニッケルメッキ９，金メッキ１０を形成する。ここで，
ニッケルメッキ９は銅８と金１０の密着性を高めるため，およびワイヤボンディング時の表面の硬度を高めるために有効である。
【００１５】このような構成にすることにより，線路全体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少ないため，実装時に問題になる半田の金食われを低減し，信頼性を向上させることができる。また，部品実装領域以外はレジストで覆われているため，チップ部品を実装する際の位置ズレはリフロー炉を通ることにより修正され，実装不良が低減され，実装密度を上げることも可能となる。
【００１６】また，
高周波においては表皮効果が生ずるため，高周波電流は伝送線路の上下に集中する。上側の電流成分を考えた場合，電流は線路の表面近傍に集中するため，伝送損失は線路の表面層の抵抗に大きく依存する。マイクロ波帯では表皮の深さは数μｍ程度であり，上側の電流分布としては表面の金およびニッケルの部分に電流は集中する。しかし，低抵抗な金メッキ層はわずか１μｍ以下であり，残りの電流はニッケルメッキの部分を流れることになる。ニッケルは金や銅に比べると抵抗率が大きいため，伝送損失が大きくなってしまう。本発明の構成とすることにより，ニッケル９も部品実装領域にしか存在しないため，伝送線路での表面の電流分布は主に低抵抗な銅を流れることになり，線路全体での伝送損失も低減することができる。
【００１７】図１では金メッキ１０の下層導体の構造はタングステン６／ニッケル７／銅８／ニッケル９となっているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。また最後にレジスト１１を除去することにより誘電体損を低減することができる。
【００１８】（実施の形態２）
図２（ａ）は第２の実施の形態の高周波電力増幅モジュールの１部分，（ｂ）はその断面構造を示すものである。
伝送線路において，部品実装領域のみに金メッキが施されており，他の領域はレジストで覆われている
【００１９】
アルミナ基板１３上に銅８によりマイクロストリップ線路が形成されている。さらに，表面にはチップ実装を行うため，銅メッキ８上にニッケル９／金メッキ１０が施されている。
部品実装領域以外はレジスト１１で覆っておく。そして，部品実装領域のみにニッケルメッキ９，金メッキ１０を形成する。
【００２０】このような構成にすることにより，線路全体に金メッキがある場合に比べ金メッキ１０の量が少ないため，実装時に問題になる半田の金食われを低減することができる。さらに，実装不良を低減して，実装密度を上げることも可能となる。また，
ニッケル９も部品実装領域にしか存在しないため，線路全体での伝送損失も低減することができる。
【００２１】
図２では金メッキの下層導体は銅／ニッケルとなっているが他の導体の組み合わせにおいても同様の効果が得られる。
　ｄ　「【００３１】
【発明の効果】以上述べてきたように本発明により，組立実装時に問題になる半田の金食われを低減し，信頼性を向上することができる。また実装不良を低減して，部品の実装密度を上げて，小型化を可能にすることができる。さらに線路の伝送損失が低減され，モジュールの特性を向上させることができる。」
　ｅ　図２（ａ）及び（ｂ）には，
「アルミナ基板１３」上にある「トランジスタチップ２」
「トランジスタチップ２」と「マイクロストリップライン１」の幅広部とを結ぶ「ボンディングワイヤ３」
幅広部の表面には「ニッケル９／金メッキ１０」が施されていること，「トランジスタチップ２」と幅広部との間の側面には「ニッケル９／金メッキ１０」が施されていないこと
（イ）引用発明
　前記（ア）より，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「高周波電力増幅モジュールであって，アルミナ基板上に銅によりマイクロストリップラインが形成され，その表面には部品実装領域のみにニッケル／金メッキを形成し，部品実装領域以外はレジストで覆っておき，アルミナ基板上にあるトランジスタチップ及びトランジスタチップとマイクロストリップラインの幅広部とを結ぶボンディングワイヤとを備え，幅広部の表面にはニッケル／金メッキが施され，トランジスタチップと幅広部との間の側面にはニッケル／金メッキが施されていないこと。」
　イ　引用文献２について
（ア）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−２２８０２１号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ　「【０００１】
発明の分野
　本発明は，接続端子部の電導基材表面上に，ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成された電子部品に関する。また本発明は，このような電子部品の製造方法に関する。」
　ｂ　「【０００２】
背景技術
　半導体チップなどを搭載しうる電子部品として，パッケージや回路基板など種々のものが利用されている。この内，パッケージとしては，例えば，リードフレーム，ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）などが挙げられる。従来より，このような電子部品では，その
接合材として半田やワイヤーボンディング
【０００３】
　このような
電子部品の接合技術および実装技術としては，
端子基材である銅の表面上に，ニッケルめっき被膜，パラジウムめっき被膜，金めっき被膜を順に形成させることによって，ワイヤーボンディング及び半田接合端子における接合特性を向上させる
【０００４】
　また特開２００６−０８３４１０号公報（特許文献２）には，半田付け部にニッケル，パラジウム，金の三層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において，パラジウム層と金層の厚みを特定の厚さの関係に保持することによって，半田濡れ性が良好な電子部品を形成できることが開示されている。
【０００５】
　一方で，本出願人らは，これまでに電子部品の端子部に使用可能であって，半田濡れ性に優れたパラジウムめっき液を複数提案してきた（例えば，特開２００１−３３５９８６号公報（特許公報３），特開２００１−３３５０９３号公報（特許公報４））。
【０００６】
　このように，これまでにも電子部品の接合技術として，接合部もしくは接続端子部の半田濡れ性向上の等の観点から，接合部等にめっき被膜を形成させる試みが種々なされてきた。
【０００７】
　しかしながら，
パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請は依然として強い。このため，接合部分自体の薄膜化もしくは小面積化がさらに求められると同時に，さらなる薄膜化もしくは小型化がなされて接合部が高温の熱履歴を受けた場合であっても，良好な接合状態を実現できる接合部もしくは接続端子部が求められている。
　ｃ　「【発明の具体的説明】
【００１７】
電子部品
　本発明による電子部品は，前記したように，
接続端子部の電導基材表面上に，ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなる
【００１８】
　一般的に，
電子部品におけるめっき被膜の耐熱性向上のためには，熱負荷時に，電導基材表面のニッケルめっき被膜のニッケルや，下地である電導基材の主（ベース）金属（例えば，銅）が，めっき被膜の最表面層まで拡散し，表面に露出して，大気により酸化されることを防止することが望ましい。このようなニッケル等の金属の拡散を防止するためには，例えば，ニッケルめっき被膜上をさらに，パラジウムめっき被膜や，金めっき被膜で覆い，
【００１９】
　
本発明は，ニッケルめっき被膜の調製の際にニッケルめっき浴に単にゲルマニウムを加えることによって，ニッケルめっき被膜のニッケルや，下地である電導基材の主金属（例えば，銅）の，表面層への拡散を効果的に防止することに成功した。
【００２０】
　通常，本発明におけるニッケルめっき被膜は，ニッケルめっき浴にゲルマニウムを添加して，ニッケルめっきを行うことによって形成され，ニッケルめっき被膜中においてはゲルマニウムが共析していると考えられる。このようにニッケルめっき被膜中に存在するゲルマニウムには，ニッケルめっき被膜を覆う，パラジウムめっき被膜や金めっき被膜へのニッケルの拡散を防止もしくは遅延させる働きがあることがは今回分かった。また，下地である電導基材の主金属（例えば，銅）の表面層への拡散を抑えるバリア効果もあることも今回判明した。
　なお以上でのニッケルめっき被膜中でのゲルマニウムの挙動は，理論的な仮定を含むものであり，このような仮定は本発明を限定するものではない。
【００２１】
　すなわち，本発明によれば，下層から順に，ニッケル（Ｎｉ）−パラジウム（Ｐｄ）−金（Ａｕ）の三層めっき被膜を形成させる場合に，パラジウムめっき層および金めっき層をそれぞれ純金属かそれに近いものとすることができる。これは需要者にとって望ましく受け入れやすい特性であり，このような構成を採用できることも本発明の特徴の一つであると言える。
【００２２】
　本発明の一つの好ましい態様によれば，本発明による電子部品は，前記ニッケルめっき被膜の表面上に，パラジウムめっき被膜または金めっき被膜が形成された，二層めっき構造を有する。ニッケルめっき被膜を，パラジウムめっき被膜または金めっき被膜が覆うことによって，酸化などの腐食等から保護することができ，耐熱性および半田濡れ性等の向上を図ることができる。
【００２３】
　本発明の一つのより好ましい態様によれば，
本発明による電子部品は，前記ニッケルめっき被膜の表面上に，パラジウムめっき被膜が形成され，さらにその表面上に，金めっき被膜が形成された，三層めっき構造を有する（例えば，図１参照）。このような三層構造を有することにより，ニッケルめっき被膜を酸化などの腐食等から保護することができ，耐熱性および半田濡れ性等の向上を図ることができる。
【００２４】
　本発明の別の一つの好ましい態様によれば，本発明による電子部品は，ニッケルめっき被膜の厚みは，０．０１〜５μｍであり，好ましくは０．０１〜３μｍ，より好ましくは０．０５〜２μｍ，さらに好ましくは０．１μｍ〜１μｍ，さらにより好ましくは０．３μｍ〜１μｍ，特に好ましくは０．５μｍ〜１μｍである。ニッケルめっき膜厚が，０．０１μｍより薄いと，ニッケルめっき被膜におけるニッケルの拡散抑止効果が低減し，また良好な耐熱性および半田濡れ性を確保することが困難となることがある。また，ニッケルめっき膜厚が，５μｍより大きいと，コスト増につながると共に，製品の軽薄短小化，小型化を目指す観点からは望ましくない。」
　ｄ　「【実施例】
【００３８】
　以下本発明を実施例により説明するが，
本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００３９】
実施例１
　
ここでは実際に，ニッケルめっき液を用いて電子部品に半田との接合部を形成して，半田濡れ性を評価した。
【００４０】
　（１）　評価サンプルの調製
　まず，Ｃｕ合金系リードフレームを用いて，その接続端子部となる部分の表面上に，下記条件に従いニッケルめっき処理，パラジウムめっき処理，および，金めっき処理を順次施し，各めっき被膜を形成させ，これを評価サンプルとした。
　なお，このような一般的なリードフレーム（Ｃｕ合金系リードフレーム）素材上に形成された三層めっき構造の概念図を示すと，図１の通りである。
（中略）
【００４５】
　なお各めっき処理は，
めっき膜厚がそれぞれニッケル　１μｍ，パラジウム　０．０１μｍ，および金　０．００７μｍとなるように行った。
　また上記で作成した評価サンプルにおいて，ニッケルめっき処理におけるニッケル浴のゲルマニウムの含有量０，１，１０，５０，１００，１０００ｐｐｍとした場合に得られたサンプルをそれぞれ，評価サンプル１（比較例），評価サンプル２〜６（本発明）とした。
（中略）
【００６０】
実施例３
　実施例１において調製したサンプル１およびサンプル５を用いて，これらに大気中で４００℃，３０秒の条件の加熱処理を施した後，
これらの三層めっき被膜におけるニッケル層からのニッケル拡散の挙動を，Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）（日本電子株式会社製，ＪＰＳ−９０１０ＭＸ）を用いて，深さ方向の分析を行った結果（ｄｅｐｔｈプロファイル）を測定した。
　なお前記したように，サンプル１（比較例）は，Ｃｕ合金系リードフレームの電導基材（銅ベースの金属）上に，ゲルマニウム不含のニッケルめっき被膜（膜厚　１μｍ）と，
パラジウムめっき被膜（膜厚　０．０１μｍ）
【００６１】
　結果は図６（サンプル１（比較例）の結果）および図７（サンプル５（本発明）の結果）に示される通りであった。
【００６２】
　なお，図は横軸が三層めっき被膜の表層からの深さに相当し，縦軸がその深さにおける，ニッケル，パラジウム，金の各含有割合を示す。したがって，三層めっき被膜を，仮に加熱処理を施さずに測定したとすれば，ｄｅｐｔｈプロファイルのグラフでは，横軸の値の小さい側（すなわち，めっき被膜の表層側）から順に，金がまず多く見られ，次いで表層から深くなるにつれて，パラジウムが多く見られるようになり，さらに深くなると，ニッケルが多く見られるようになる。図６および７はこのような観点で見ることができる。
【００６３】
　図６では，ニッケルめっき被膜がゲルマニウム不含であることから，ニッケル層からのニッケルのパラジウム層や金層への拡散が起きていることが確認できた。すなわち，三層めっき被膜の表層およびそれに近いあたりから，既にニッケルの存在が確認できた。このことは，加熱処理によりニッケルが，より表層に近い，パラジウム層および金層にまで拡散しており，最表面においてもニッケルが析出していることを意味する。
【００６４】
　一方，図７は，図６に比べるとそのプロファイルは大きく異なっている。図７では，表層およびそれに近い段階ではニッケルはほとんど観察されず，パラジウム層が終わるあたりからようやくニッケルが観察された。すなわち，
図７のサンプル５（本発明）の場合には，ニッケルめっき被膜よりも表面に近い層へのニッケルの大幅な拡散はほとんど認められなかった。このことは，ニッケルめっき被膜がゲルマニウムを含有することによって，より表層へのニッケルの拡散が抑制されたことを意味する。
（イ）引用技術的事項２
　前記（ア）より，引用文献２には，次の技術的事項（以下，「引用技術的事項２」という。）が記載されていると認められる。
「パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請によりワイヤーボンディングによる接合部分自体の薄膜化が求められていることから，金属の拡散を防止するために，ニッケルめっき浴にゲルマニウムを加えたニッケルめっき被膜の表面上に，パラジウムめっき被膜が形成され，さらにその表面上に，金めっき被膜が形成された，三層めっき構造。」
　ウ　引用文献３について
（ア）引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，国際公開第２００８／０９３６２６号（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ　「【技術分野】
[0001]　この発明は，ワイヤボンディングによって実装基板やパッケージ基板などに実装されるチップ素子に関する。」
　ｂ　「[0030]　ガラス層２０の２つの開口２２Ａ，２２Ｂ内には，開口２２Ａ，２２Ｂ下の主面電極１２と導通するボンディング用電極２１Ａ，２１Ｂを設けている。これらの
ボンディング用電極２１Ａ，２１Ｂは複数のメッキ層を形成したものである。具体的には，主面電極１２と導通する最下層に，ニッケルを主成分とする約３μｍ厚のニッケルメッキ層を無電解メッキにより形成し，ニッケルメッキの上層に，パラジウムを主成分とする約０．１μｍ厚のパラジウムメッキ層を無電解メッキにより形成し，パラジウムメッキの上層に，金ワイヤ５０Ａ，５０Ｂとの接続性を高めるために金を主成分とする約０．１μｍ厚の金メッキ層を無電解メッキにより形成している。
（イ）引用技術的事項３
　前記（ア）より，引用文献３には，次の技術的事項（以下，「引用技術的事項３」という。）が記載されていると認められる。
「ボンディング用電極は複数のメッキ層を形成したものであり，最下層にニッケルを主成分とする約３μｍ厚のニッケルメッキ層を無電界メッキにより形成し，ニッケルメッキの上層に，パラジウムを主成分とする約０．１μｍ厚のパラジウムメッキ層を無電界メッキにより形成し，パラジウムメッキの上層に，金を主成分とする約０．１μｍ厚の金メッキ層を無電界メッキにより形成すること。」
　エ　引用文献４について
　原査定に引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−４６００７号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，アナログ用あるいはデジタル用携帯電話などの主に送信用に用いられる高周波用電力増幅器に関するものである。」
（イ）「【００２３】図２（ａ）は図１（ａ）の
マイクロストリップライン１１のＢ−Ｂ’線における断面図である。窒化アルミニウム基板１６上にタングステン２１を主成分とする導体層が厚さｔ１＝１５μｍ程度形成されており，次にニッケルメッキ２２が厚さｔ２＝４μｍ程度，次に銅メッキ２３が厚さｔ３＝２０μｍ程度形成されている。ニッケルメッキ２２はタングステン２１と銅メッキ２３との密着性を高める
　オ　引用文献５について
　原査定に引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−５１５６７号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，例えばパーソナルコンピュータ，オーディオ機器或いは各種のモバイル機器や携帯電話機等の各種電子機器等に好適に用いられ，情報通信機能やストレージ機能等を有して超小型通信機能モジュールを構成する高周波モジュール用基板装置及びその製造方法，並びに高周波モジュール装置及びその製造方法に関する。」
（イ）「【０１１６】次に，図２８に示すように，マスク４２が形成された第２の絶縁層１７上に例えば
メッキ法等によって厚み１０μｍ程度のＣｕ層４３を形成する。
（３）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「高周波電力増幅モジュール」は，下記相違点１及び２を除いて，本願補正発明の「パワーアンプモジュール」に相当する。
　イ　引用発明の「アルミナ基板上にあるトランジスタチップ」は，「高周波電力増幅モジュール」を構成するものであるから「無線周波数信号を供給する」ことは明らかであって，これは，本願補正発明の「基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプ」に相当する。
　ウ　引用発明の「アルミナ基板上」の「マイクロストリップライン」は，本願発明の「前記基板上の導電トレース」に相当し，引用発明において，「マイクロストリップライン」の「部品実装領域以外はレジストで覆っておき」，「幅広部の表面にはニッケル／金メッキが施され」，「トランジスタチップと幅広部との間の側面にはニッケル／金メッキが施されていない」から，これは，下記相違点１を除いて，本願補正発明の「前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み」を満たす。
　エ　引用発明において，「トランジスタチップとマイクロストリップラインの幅広部とを結ぶボンディングワイヤ」を備え，「幅広部の表面にはニッケル／金メッキが施され」るから，この「幅広部」は，本願補正発明の「前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え」及び同「前記ワイヤーボンドパッドは，ワイヤーボンディングのために構成される」を満たす。
　オ　すると，本願補正発明と引用発明とは，下記カの点で一致し，下記クの点で相違する。
　カ　一致点
「パワーアンプモジュールであって，
　基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと，
　前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み，
　前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え，前記ワイヤーボンドパッドは，ワイヤーボンディングのために構成される，パワーアンプモジュール。」
　キ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明の「導電トレース」は「１０μｍから５０μｍまでの範囲から選ばれた厚み」を含むのに対し，引用発明の「マイクロストリップライン」はその厚みが不明である点。
（イ）相違点２
　本願補正発明では，「前記ワイヤーボンドパッドは，前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と，前記拡散バリア層の上の，０．０３μｍから０．１５μｍまでの厚みを有するバリア層と，前記バリア層の上のボンディング層とを含」むのに対し，引用発明では，「幅広部の表面」には「ニッケル／金メッキが施され」る点。
（４）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明においてマイクロストリップラインの厚さは所望の電気的特性を得るにあたって当業者が適宜設計すべき事項にすぎない。
　引用文献４にはマイクロストリップラインの厚さを３９μｍとすることが記載されているし，引用文献５には，銅層をメッキにより１０μｍ程度の厚さに形成することが記載されているから，マイクロストリップラインの厚さを設計した上で，それをメッキにより実現することは当業者が容易になしうることである。
　イ　相違点２について
　引用文献１において，「部品実装密度を上げて，小型化を可能にする」という課題が示されていること（前記（２）ア（ア）ｂ【０００８】）及び金メッキの下層導体を他の組み合わせとすることが示唆されている（前記（２）ア（ア）ｃ【００２１】）ことから，引用発明に「パッケージのさらなる小型化や高密度化の要請により接合部分自体の薄膜化が求められていること」に対処し「表面上に金めっき被膜が形成された，三層めっき構造」である引用技術的事項２を採用することは，当業者において動機づけられるといえる。
　そして，引用技術的事項２は「金属の拡散を防止するため」のものであるからその「ニッケルメッキ被膜」及び「パラジウムメッキ被膜」が，それぞれ「拡散バリア層」及び「バリア層」として機能していることは明らかである。
　この際に，ボンディングワイヤからの高周波信号は幅広部の表面にある三層めっき構造を「貫通」してマイクロストリップラインに伝播することになるから「前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚み」とすることは当業者に自明のことである。
　また，ボンディング用電極のメッキ層としてパラジウムメッキ層の厚さを０．１μｍ程度とすることが引用技術的事項３に示されているから，前記のとおり引用技術的事項２を採用する際に，パラジウムメッキ被膜がバリア層として十分機能するように，その厚さを同程度の値とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　なお，引用文献２には，三層めっき構造において，パラジウムめっき被膜の膜厚を０．０１μｍとすることが記載されている（前記（２）イ（ア）ｄ【００６０】）が，この膜厚でニッケルの拡散が抑制される（同【００６４】）ことを測定により確かめるためのものであるから，この膜厚より厚くすることを否定する趣旨ではない（同【００３８】参照。）ことは明らかである。
　ウ　効果について
　引用文献１には「表皮効果により生じうる伝送損失が低減できる」という効果が示されている（前記（２）ア（ア）ｃ【００１６】）から，同様の効果は当業者が予測できる程度のものである。
（５）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　審判請求と同時にされた手続補正は，前記第２のとおり却下されたので，本願の請求項１４に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２９年３月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１４に記載された，次のとおりのものと認める。
「パワーアンプモジュールであって，
　基板上にあり，無線周波数信号を供給するように構成されたパワーアンプと，
　前記基板上の導電トレースとを備え，前記導電トレースは，１０μｍから５０μｍまでの範囲から選ばれた厚みと，めっき部と非めっき部とを有する上面部を含み，前記導電トレースは，さらに前記パワーアンプと前記めっき部との間に配置された非めっき側壁を含み，
　前記パワーアンプの出力に電気的に結合されて，前記導電トレースの前記上面部の前記めっき部の上に配置されたワイヤーボンドパッドをさらに備え，前記ワイヤーボンドパッドは，前記無線周波数信号が前記導電トレースへと貫通することを可能にするように十分に小さい厚みを有する拡散バリア層と，前記拡散バリア層の上のバリア層と，前記バリア層の上のボンディング層とを含み，前記ワイヤーボンドパッドは，ワイヤーボンディングのために構成される，パワーアンプモジュール。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，本願発明は，本願優先日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献（当審注：引用文献番号は付け替えた。）に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１　特開平０９−２１３７３０号公報
引用文献２　特開２００９−２２８０２１号公報
引用文献３　国際公開第２００８／０９３６２６号
引用文献４　特開平０７−０４６００７号公報
引用文献５　特開２００３−０５１５６７号公報
３　引用文献
　各引用文献の記載及び引用発明は，前記第２の２（２）のとおりである。
４　判断
　本願発明は，本願補正発明から「０．０３μｍから０．１５μｍまでの厚みを有する」という限定を取り除いたもの（前記第２の１（３）参照。）であり，本願発明の発明特定事項をすべて含みさらに限定を加えたものが，前記第２の２（５）のとおり，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　まとめ
　よって，本願発明は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１４に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。