【事件の表示】
　特願２０１４−５１９０１８「エピタキシャルリフトオフ後のウエハーの再利用のための犠牲エッチング保護層」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月２７日国際公開、ＷＯ２０１３／０９５７１２、平成２６年　９月１８日国内公表、特表２０１４−５２３８４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年　６月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年　６月２９日、（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年１０月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年５月１０日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２８年　９月　２日付けで拒絶査定がされ、平成２９年　１月　５日に拒絶査定に対する不服審判請求がされたものであり、平成２９年１０月１７日付けで当審からの拒絶理由が通知され、平成３０年　４月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成３０年　４月２４日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　少なくとも１つの成長表面を有する成長基板、セル、犠牲層、および少なくとも第１、第２および第３の基板保護層を有する構造を準備すること、
　ここで、前記第１の基板保護層は、前記成長基板上に配置され、前記第２の基板保護層は、前記第１の基板保護層上に配置され、前記第１の基板保護層と接しており、前記第３の基板保護層は、前記第２の基板保護層上に配置され、前記第２の基板保護層と接しており、前記犠牲層は、前記第３の基板保護層上に配置され、前記セルは、前記犠牲層上に配置されており、
　エッチング液を用いて前記犠牲層をエッチングすることにより前記セルを分離すること、
　エッチング液を用いて前記第３の基板保護層をエッチングすることにより前記第３の基板保護層を除去すること、
　エッチング液を用いて前記第２の基板保護層をエッチングすることにより前記第２の基板保護層を除去すること、
および
　エッチング液を用いて前記第１の基板保護層をエッチングすることにより前記第１の基板保護層を除去すること、
を含む、前記成長基板の完全性を保持する方法。」
第３　当審で通知した拒絶理由の概要
　平成２９年１０月１７日付けで当審が通知した拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
１）この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２）この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
３）この出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
４）この出願の請求項１〜２２に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において頒布された引用文献１（国際公開第２０１１／０６６０２９号）に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　特許法第２９条第２項の当審拒絶理由について
１　引用文献１（国際公開第２０１１／０６６０２９号）
（１）引用文献１の記載事項
　ア　「Summary
[021]　The present disclosure addresses the need to further develop more efficient, light weight, and flexible PV devices. The present disclosure also addresses the need to develop methods of non-destructively removing epitaxial growth layers from a growth substrate, and preserving the integrity of the growth substrate for reuse without the requirement of polishing or other destructive methods of preparing its surface prior to its next use. In some cases, this objective may be accomplished by transferring active epilayers from structures comprising growth substrates to lighter, flexible host substrates. In certain instances, the methods for effecting epilayer transfer may include the use of epitaxial liftoff methods comprising the selective etching of a sacrificial layer, followed by the selective etching of two or more protective layers.」（当審仮訳：「概要
［０２１］本開示は、より効率的、軽量、かつフレキシブルなＰＶデバイスをさらに開発する要求に取り組んだものである。本開示は、加えてエピタキシャル成長層を成長基板から非破壊的に取り除き、研磨または次の使用に先立って表面を破壊的な方法で準備する必要なしに、再利用のために成長基板の完全性を保持する方法を開発する要求に取り組んだものである。ある場合には、この目的は、成長基板を含む構造から、活性エピ層をより軽いフレキシブルなホスト基板に移動することにより達成される。場合によっては、エピ層移動のためのエッチング方法は、犠牲層の選択的エッチング、それに続く２以上の保護層の選択的エッチングを含むエピタキシャルリフトオフ法の使用を含み得る。」）
　イ　「[032]　In one embodiment, a method of preserving the integrity of a growth substrate is described, comprising:
　providing a growth substrate with at least one growing surface;
　depositing a first protective layer, a second protective layer, a sacrificial layer, and a cell over the growth substrate, wherein the sacrificial layer and the first and second protective layers are positioned between the growth substrate and the cell;
　releasing the cell by etching the sacrificial layer with an etchant;
　removing the second protective layer by etching the second protective layer with an etchant; and
　removing the first protective layer by etching the first protective layer with an etchant.」
（当審仮訳：「［０３２］一実施形態では、少なくとも一の成長用表面を有する成長基板を提供する工程；
　成長基板上に、第１の保護層、第２の保護層、犠牲層及びセルを堆積する工程、ただし、前記犠牲層、前記第１の保護層および前記第２の保護層は前記成長基板および前記セルの間に位置する；
　前記犠牲層をエッチング液でエッチングすることにより前記セルを遊離する工程；
　前記第２の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、前記第２の保護層を除去する工程；および、
　前記第１の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、前記第１の保護層を除去する工程を含む、成長基板の完全性を保持する方法が開示される。」）
　ウ　「[0129]　In yet another embodiment, there is disclosed a method of preserving the smoothness of a growth substrate after the release of an epilayer by epitaxial liftoff. Exemplary methods include those outlined in FIGS. 22 and 23. In some embodiments, the method comprises the removal of an epilayer from a structure having multiple, such as at least three, sacrificial layers and a growth substrate, wherein the first sacrificial layer is etched to release the epilayer from the structure, and the second and third layers are etched to yield the smooth growth substrate.・・・」
（当審仮訳：「［０１２９］さらに別の実施形態では、エピタキシャルリフトオフによりエピ層を遊離した後、成長基板の平滑性を維持する方法が開示される。例示的な方法は、図２２および２３で概略が示されるものを含む。いくつかの実施形態では、この方法は、例えば複数、例えば少なくとも３つの犠牲層および成長基板を有する構造からのエピ層の移動を含み、この方法において、第１の犠牲層はエピ層を構造から遊離するためにエッチングされ、第２および第３の層は、平滑な成長基板を得るためにエッチングされる。・・・」）
　エ　「[0131] FIG. 20 illustrates a schematic for the preparation of certain PV devices, which comprises the removal of the growth substrate from the overlying epilayer/cell structure. The method of FIG. 20 can be initiated through the selection of structure 400. Structure 400 may include growth substrate 102 and cell 404.・・・
・・・
[0133] Structure 400 further comprises sacrificial layer 405, first protective layer 408, and second protective layer 406.・・・
・・・
[0137] In the first step of FIG. 20, structure 400, sacrificial layer 405 is exposed to an etchant, which begins to undergo etching to yield intermediate structure 412 having a partially-etched sacrificial layer 405. In some embodiments, sacrificial layer 405 comprises AlAs.
[0138]・・・Upon completion of the etch in intermediate structures 412 and 502, cell 204 is released to yield structure 414.・・・
[0139] Structure 414 comprises first protective layer 408, second protective layer 406, growth substrate 102, and optionally, at least one buffer layer. In the next step of FIG. 20, second protective layer 406 is removed by etching it with an etchant. Suitable etchants may include those discussed above. For example, a GaAs second protective layer may be removed with an H2SO4:H2O2 etchant. An InP second protective layer may be removed with, for example, an H3PO4:HCl etchant. Removal of second protective layer 406 yields structure 416. In some embodiments, it may be desirable to etch first protective layer 408 from structure 416 to yield growth substrate 102. For example, an InGaP first protective layer may be etched away from a GaAs growth substrate using an H3PO4:HCl etchant.
・・・
[0141] Liberation of the growth substrate/buffered growth substrate may result in a very smooth surface that allows for the subsequent reuse of the wafer.・・・」
（当審仮訳：「［０１３１］図２０は、エピ層／セル構造の積層からの成長基板の除去を含む、あるＰＶデバイスの作製の概略を示す。図２０の方法は、構造４００の選択で開始され得る。構造４００は成長基板１０２およびセル４０４を含み得る。・・・
・・・
［０１３３］構造４００は、さらに犠牲層４０５、第１の保護層４０８および第２の保護層４０６を含み得る。・・・
・・・
［０１３７］図２０の最初の工程では、構造４００、犠牲層４０５はエッチング液にさらし、それによりエッチングが開始され、部分的にエッチングされた犠牲層４０５を有する中間構造４１２が得られる。いくつかの実施形態では、犠牲層４０５はＡｌＡｓを含む。
［０１３８］・・・中間構造４１２および５０２のエッチングの完了により、セル２０４は遊離され構造４１４が得られる。・・・
［０１３９］構造４１４は、第１の保護層４０８、第２の保護層４０６、成長基板１０２および選択的に少なくとも一のバッファ層を含む。図２０の次の工程では、第２の保護層４０６はエッチング液を用いてエッチングすることにより除去される。好ましいエッチング液は、上記で議論したものを含み得る。例えば、ＧａＡｓ第２の保護層はＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２エッチング液で除去し得る。ＩｎＰ第２の保護層は、例えば、Ｈ３ＰＯ４：ＨＣｌエッチング液で除去し得る。第２の保護層４０６の移動により構造４１６が得られる。いくつかの実施形態では、構造４１６から第１の保護層４０８をエッチングし、成長基板１０２を得ることが望ましい場合がある。例えば、ＩｎＧａＰ第１の保護層はＨ３ＰＯ４：ＨＣｌエッチング液を用いてＧａＡｓ成長基板からエッチングし除き得る。
・・・
［０１４１］成長基板／バッファ層を含む成長基板を遊離することは、成長基板の連続する再利用を可能にする非常に平滑な表面をもたらし得る。・・・」）
　オ　「[0152]　In some embodiments, the remaining growth substrate may be prepared for reuse by selectively etching away second protective layer 406 and first protective layer 408.・・・」（当審仮訳：「［０１５２］いくつかの実施形態では、残っている成長用基板は第二の保護層４０６および第一の保護層４０８を選択的エッチングで除くことにより、再利用のために準備し得る。・・・」）
　カ　「
　　　　　　　　　　　　　　　FIG.20　　　　　　 　　　　　　　　」
　キ　「
　　　　　　　　　　　　　　　FIG.22　　　　　　 　　　　　　　　」
（２）引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、上記（１）イによれば、少なくとも一の成長用表面を有する成長基板を提供する工程と、成長基板上に、第１の保護層、第２の保護層、犠牲層及びセルを堆積する工程と、前記犠牲層をエッチング液でエッチングすることにより前記セルを遊離する工程と、前記第２の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、前記第２の保護層を除去する工程と、前記第１の保護層をエッチング液でエッチングすることにより、前記第１の保護層を除去する工程を含む、成長用基板の完全性を保持する方法が記載され、さらに、上記（１）ウ、エ、カ及びキによれば、第１の保護層４０８（ＩｎＧａＰ第１の保護層）は、成長基板１０２（ＧａＡｓ成長基板）上に配置され、第２の保護層４０６（ＧａＡｓ第２の保護層）は、第１の保護層４０８（ＩｎＧａＰ第１の保護層）上に接して配置され、犠牲層４０５（ＡｌＡｓ犠牲層）は、第２の保護層４０６（ＧａＡｓ第２の保護層）上に接して配置され、セル４０４（ＧａＡｓセル）は、犠牲層４０５（ＡｌＡｓ犠牲層）上に配置されている構造４００が記載され、犠牲層４０５（ＡｌＡｓ犠牲層）、第２の保護層４０６（ＧａＡｓ第２の保護層）、第１の保護層４０８（ＩｎＧａＰ第１の保護層）の順にエッチング除去されることが記載されている。
　そして、これら記載を本願請求項１の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「少なくとも１つの成長表面を有する成長基板、セル、犠牲層、第１の保護層、および、第２の保護層を有する構造を準備すること、
　ここで、前記第１の保護層は、前記成長基板上に配置され、前記第２の保護層は、前記第１の保護層上に配置され、前記第１の基板保護層と接しており、前記犠牲層は、前記第２の保護層上に配置され、前記第２の基板保護層と接しており、前記セルは、前記犠牲層上に配置されており、
　エッチング液を用いて前記犠牲層をエッチングすることにより前記セルを分離し、
　エッチング液を用いて前記第２の基板保護層をエッチングすることにより前記第２の基板保護層を除去し、
　エッチング液を用いて前記第１の基板保護層をエッチングすることにより前記第１の基板保護層を除去すること、
を含む、前記成長基板の完全性を保持する方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
２　当審の判断
（１）本願発明と引用発明の対比
　本願発明と引用発明を対比すると、本願発明の「少なくとも第１、第２および第３の基板保護層」と、引用発明の「第１の保護層、および、第２の保護層」は、基板保護層である点で共通するから、両者は、以下のアの点で一致し、イの点で相違している。
　ア　一致点
「少なくとも１つの成長表面を有する成長基板、セル、犠牲層、および、基板保護層を有する構造を準備すること、
　ここで、前記基板保護層は、前記成長基板上に配置され、前記犠牲層は、前記基板保護層上に配置され、前記セルは、前記犠牲層上に配置されており、
　エッチング液を用いて前記犠牲層をエッチングすることにより前記セルを分離すること、
　エッチング液を用いて前記基板保護層をエッチングすることにより前記基板保護層を除去すること、
を含む、前記成長基板の完全性を保持する方法」である点。
　イ　相違点
　本願発明の基板保護層は、「少なくとも第１、第２および第３の基板保護層」であって、「前記第１の基板保護層は、前記成長基板上に配置され、前記第２の基板保護層は、前記第１の基板保護層上に配置され、前記第１の基板保護層と接しており、前記第３の基板保護層は、前記第２の基板保護層上に配置され、前記第２の基板保護層と接しており、前記犠牲層は、前記第３の基板保護層上に配置さ」ており、この基板保護層のそれぞれを、エッチング液を用いてエッチング除去しているのに対して、引用発明の基板保護層は、「第１の保護層、および、第２の保護層」であって、「前記第１の保護層は、前記成長基板上に配置され、前記第２の保護層は、前記第１の保護層上に配置され、前記第１の基板保護層と接しており、前記犠牲層は、前記第２の保護層上に配置され、前記第２の基板保護層と接しており」、この基板保護層を第２、第１の順でそれぞれエッチング液を用いてエッチング除去している点。
（２）相違点の検討
　上記相違点について検討すると、上記１（１）アによれば、引用文献１には、「In certain instances, the methods for effecting epilayer transfer may include the use of epitaxial liftoff methods comprising the selective etching of a sacrificial layer, followed by the selective etching of two or more protective layers.」（当審仮訳：「場合によっては、エピ層移動のためのエッチング方法は、犠牲層の選択的エッチング、それに続く２以上の保護層の選択的エッチングを含むエピタキシャルリフトオフ法の使用を含み得る。」）と記載されており、「２以上の保護層」を用いることの明示があるから、引用発明の「第１の保護層、および、第２の保護層」を「少なくとも第１、第２、および第３の基板保護層」とすること、「第３の基板保護層」を、第２の保護層とその上に接して配置され犠牲層との間、すなわち、「前記第３の基板保護層は、第２の基板保護層上に配置され、前記第２の基板保護層と接しており、前記犠牲層は、前記第３の基板保護層上に配置され」るように設けること、及び、これら基板保護層を第３、第２、第１の順で、それぞれエッチング液を用いてエッチング除去することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（３）本願発明の効果の検討
　本願発明の奏する１つの効果は、表面研磨することなく成長基板の完全性を保持し、成長基板を再利用することであると認められるところ、このような効果は、引用文献１の段落［０２１］（上記１（１）ア参照）、段落［０１４１］（上記１（１）エ参照）及び段落［０１５２］（上記１（１）オ参照）等に記載されているように、引用発明において既に達成されているものであるから、格別顕著なものであるといえない。
　また、本願発明の奏する他の効果は、「分離層の下で成長させられる材料を選択し、リフトオフ中の保護のために最も有効なエッチング材料の組み合わせの使用を別々に可能とし、および再成長のための滑らかな表面を作成するためのさらなるオプションを可能とすること」（段落【００６２】）、すなわち、成長基板に対するエッチング選択性がある基板保護層材料の組み合わせを増やせることであると認められるところ、引用文献１の段落［０２１］（上記１（１）ア参照）及び段落［０１５２］（上記１（１）オ参照）に記載されているように、引用発明の第１及び第２保護層も選択エッチングされる材料であることから、このような保護層の層数を増やすことで、成長基板に対するエッチング選択性がある基板保護層材料の組み合わせを増やせることは、当業者であれば容易に予測し得ることである。
　したがって、本願発明において、「少なくとも第１、第２および第３の基板保護層」とすることによって、基板保護層が２層である場合に比して予測し得ない顕著な効果が奏されるとは認められない。
（４）請求人の主張の検討
　請求人は、引用文献１には、少なくとも３つの隣接した基板保護層を含有する成長構造または方法については何ら記載も示唆も無く、少なくとも３つの隣接した基板保護層を使用することによって達成されるいくつかの技術的利点についても何ら記載も示唆もないため、引用文献１に係る保護層として第３の基板保護層をさらに追加することに容易に想到することはなく、またその効果も合理的には予測し得ない旨を主張している（平成３０年　４月２４日付けの意見書の２．（６）参照）。
　しかしながら、上記（２）で検討したとおり、引用文献１には、「２以上の保護層」を用いることの明示があるし、上記（３）で検討したとおり、その効果も予測し得るものである。
　また、請求人の主張するいくつかの技術的利点のうち、「ＡｌＡｓ犠牲層に隣接して最適材料を配置する能力」や「下層にダメージを与えることなく、第２および第３の基板保護層をオーバーエッチングする（完全に除去されることを保証する）こと」（同意見書の２．（４）参照）は、複数の隣接した基板保護層について、最適な基板保護層材料の組合せを選択することに付随する単なるエッチング選択性に過ぎないから、本願発明が奏する効果であるといえない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明（引用発明）及び引用文献１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。