(57)【要約】コンタクタの実装方法は、マウントベース上の基準点を認識するステップＳ１０と、マウントベース上の第１のマークの位置を認識して、基準点に対する第１のマークの実相対位置ｍ１を算出するステップＳ１２と、基準点に対する第１のマークの設計上の理論相対位置ｍ０を算出するステップＳ１３と、理論相対位置ｍ０に対する実相対位置ｍ１の相対的なズレ量Δｍを算出するステップＳ１４と、実装装置において第１のマークの位置を認識するステップＳ２２と、ズレ量Δｍと第１のマークの位置に基づいてマウントベース上におけるコンタクタの実装位置を特定するステップＳ２３と、実装位置にコンタクタを実装するステップＳ２７，Ｓ２８と、を備えている。
2008120575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、
前記基板上に設けられた基準点の位置を認識する第１の認識ステップと、
前記コンタクトを実装する位置を示すために前記基板上に設けられた第１のマークの位置を認識して、前記基準点に対する前記第１のマークの実相対位置を算出する第１の算出ステップと、
前記基準点に対する前記第１のマークの設計上の理論相対位置を算出する第２の算出ステップと、
前記第１の算出ステップで算出された前記実相対位置と、前記第２の算出ステップで算出された前記理論相対位置と、に基づいて、前記理論相対位置に対する前記実相対位置の相対的なズレ量を算出する第３の算出ステップと、
前記第１のマークの位置を認識する第２の認識ステップと、
前記第３の算出ステップで算出された前記ズレ量と、前記第２の認識ステップで認識された前記第１のマークの位置と、に基づいて、前記基板上における前記コンタクタの実装位置を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された位置に前記コンタクタを実装する実装ステップと、を備えたコンタクタの実装方法。
【請求項２】
前記特定ステップにおいて、前記第２の認識ステップで認識された前記第１のマークの位置と、前記第３の算出ステップで算出された前記ズレ量とから、前記第１のマークの設計上の理論位置を算出し、前記理論位置を前記基板上における前記コンタクタの実装位置として特定する請求項１記載のコンタクタの実装方法。
【請求項３】
前記コンタクタの位置を認識するために前記コンタクタに設けられた第２のマークの位置を認識する第３の認識ステップをさらに備え、
前記実装ステップにおいて、前記第２のマークが前記実装位置に位置するように、又は、前記第２のマークが前記実装位置から所定距離離れて位置するように、前記基板上にコンタクタを実装する請求項１又は２記載のコンタクタの実装方法。
【請求項４】
前記第１の認識ステップ及び前記第１の算出ステップにおいて、第１の測定装置により前記基準点の位置及び前記第１のマークの位置をそれぞれ認識し、
前記第２の認識ステップ及び前記第３の認識ステップにおいて、前記第１の測定装置とは異なる第２の測定装置により前記第１のマークの位置及び前記第２のマークの位置をそれぞれ認識する請求項３記載のコンタクタの実装方法。
【請求項５】
複数の前記コンタクタを同一の前記基板上に実装する際に、それぞれの前記第１の認識ステップにおいて同一の前記基準点の位置を認識する請求項１〜４の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【請求項６】
前記特定ステップで特定された前記実装位置に接着剤を塗布する塗布ステップをさらに備えた請求項１〜５の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【請求項７】
前記コンタクタは、
前記基板に固定されるベース部と、
後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、
前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、
一つの前記ベース部に複数の前記梁部が設けられており、
前記第２のマークは前記ベース部に設けられている請求項１〜６の何れかに記載のコンタクタの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の電子部品（以下、代表的にＩＣデバイスとも称する。）のテストに際して、ＩＣデバイスと電気的な接続を確立するプローブカードにおいて、ＩＣデバイスの入出力端子と電気的に接触するためのコンタクタをプローブ基板に実装するためのコンタクタの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子は、シリコンウェハ等の半導体ウェハに多数造り込まれた後、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等の諸工程を経て電子部品として完成する。こうしたＩＣデバイスにあっては、出荷前に動作テストが行われるが、このＩＣデバイスのテストは完成品の状態でもウェハ状態でも実施される。【０００３】
ウェハ状態のＩＣデバイスのテストに際して、当該ＩＣデバイスとの電気的な接続を確立するためのプローブ針として、半導体ウェハにフォトリソグラフィ等の半導体製造技術を用いて作られたもの（以下単に、「シリコンフィンガコンタクタ」とも称する。）が従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。このシリコンフィンガコンタクタは、プローブ基板に取り付けられるベース部と、後端側がベース部に設けられ、先端側がベース部からフィンガ状（櫛状）に突出している梁部と、梁部の表面に形成され、ＩＣデバイスの入出力端子と電気的に接続する導電部と、を有している。【０００４】
こうしたシリコンフィンガコンタクタを用いてプローブカードを製作する場合には、プローブ基板の所定位置に接着剤を塗布し、その塗布位置にシリコンフィンガコンタクタのベース部を位置決めして接着剤を硬化させることで、シリコンフィンガコンタクタを基板上に実装している。【０００５】
このような一連の実装工程は専用の実装装置を用いて行われており、画像処理技術等を用いて、シリコンフィンガコンタクタ６０が基板５１上に位置決めされている。具体的には、図８に示すように、先ず、基板５１上に実際に設けられた第１のマーク５１ｄの位置と、シリコンフィンガコンタクタ６０上に設けられた第２のマーク６１ｂの位置とを認識し、第１のマーク５１ｄの位置からそれらの中点Ｍ１を算出すると共に、第２のマーク６１ｂの位置からそれらの中点Ｍ２を算出する。次いで、第１のマーク５１ｄの中点Ｍ１に対してコンタクタ６０のマーク６１ｂの中点Ｍ２が所定距離Ｌ離れて位置するように、シリコンフィンガコンタクタ６０が基板５１上に位置決めする。【０００６】
以上のような要領で基板５１上に多数のシリコンフィンガコンタクタ６０が実装されるが、図８に示すように、第１のマーク５１ｄの加工公差は±１０μｍ程度であるため、隣接する第１のマーク５１ｄ同士の間に最大２０μｍ程度のバラツキが存在している。これに対し、被試験ウェハ側における入出力端子間が数十〜数百μｍと狭ピッチになっているため、ＩＣデバイスの試験時にコンタクタ６０と被試験ウェハ上の入出力端子との間でミスコンタクトを生じる可能性が高くなっている。【０００７】
実装精度に影響を与える要因としては、基板上における第１のマークの加工精度のほかに、実装装置におけるマークの認識誤差や動作精度等を挙げることができるが、これらの精度は±数μｍ以内にすることができるため、実装精度に与える影響は第１のマークの加工精度が最も大きい。【０００８】
また、シリコンフィンガコンタクタを実装する基板のサイズが大きくなり、実装するシリコンフィンガコンタクタの数が多くなるのに伴って、第１のマークの加工誤差が累積するため、実装精度に与える第１のマークの加工精度の影響は大きくなる傾向にある。【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２４９７２２号公報
【特許文献２】特開２００１−１５９６４２号公報
【特許文献３】国際公開第０３／０７１２８９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、コンタクタを基板に高精度に実装することができるコンタクタの実装方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明によれば、被試験電子部品のテストに際して前記被試験電子部品の入出力端子と電気的に接触するコンタクタを、基板に実装するコンタクタの実装方法であって、前記基板上に設けられた基準点の位置を認識する第１の認識ステップと、前記コンタクトを実装する位置を示すために前記基板上に設けられた第１のマークの位置を認識して、前記基準点に対する前記第１のマークの実相対位置を算出する第１の算出ステップと、前記基準点に対する前記第１のマークの設計上の理論相対位置を算出する第２の算出ステップと、前記第１の算出ステップで算出された前記実相対位置と、前記第２の算出ステップで算出された前記理論相対位置と、に基づいて、前記理論相対位置に対する前記実相対位置の相対的なズレ量を算出する第３の算出ステップと、前記第１のマークの位置を認識する第２の認識ステップと、前記第３の算出ステップで算出された前記ズレ量と、前記第２の認識ステップで認識された前記第１のマークの位置と、に基づいて、前記基板上における前記コンタクタの実装位置を特定する特定ステップと、前記特定ステップで特定された位置に前記コンタクタを実装する実装ステップと、を備えたコンタクタの実装方法が提供される。【００１２】
上記発明においては特に限定されないが、前記特定ステップにおいて、前記第２の認識ステップで認識された前記第１のマークの位置と、前記第３の算出ステップで算出された前記ズレ量とから、前記第１のマークの設計上の理論位置を算出し、前記理論位置を前記基板上における前記コンタクタの実装位置として特定することが好ましい。【００１３】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタの位置を認識するために前記コンタクタに設けられた第２のマークの位置を認識する第３の認識ステップをさらに備え、前記実装ステップにおいて、前記第２のマークが前記実装位置に位置するように、又は、前記第２のマークが前記実装位置から所定距離離れて位置するように、前記基板上にコンタクタを実装することが好ましい。【００１４】
上記発明においては特に限定されないが、前記第１の認識ステップ及び前記第１の算出ステップにおいて、第１の測定装置により前記基準点の位置及び前記第１のマークの位置をそれぞれ認識し、前記第２の認識ステップ及び前記第３の認識ステップにおいて、前記第１の測定装置とは異なる第２の測定装置により前記第１のマークの位置及び前記第２のマークの位置をそれぞれ認識することが好ましい。【００１５】
上記発明においては特に限定されないが、複数の前記コンタクタを同一の前記基板上に実装する際に、それぞれの前記第１の認識ステップにおいて同一の前記基準点の位置を認識することが好ましい。【００１６】
上記発明においては特に限定されないが、前記特定ステップで特定された前記実装位置に接着剤を塗布する塗布ステップをさらに備えていることが好ましい。【００１７】
上記発明においては特に限定されないが、前記コンタクタは、前記基板に固定されるベース部と、後端側が前記ベース部に設けられ、先端側が前記ベース部から突出している梁部と、前記梁部の表面に形成され、前記被試験電子部品の入出力端子に電気的に接触する導電部と、を有し、一つの前記ベース部に複数の前記梁部が設けられており、前記第２のマークは前記ベース部に設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、基板に基準点を設けて、その基準点に対して、実際の第１のマークの相対的な位置（実相対位置）と、第１のマークの設計上の相対的な位置（理論相対位置）とを求めて、理論相対位置に対する実相対位置の相対的なズレ量を算出し、基板上においてコンタクタの実装位置を特定する際にそのズレ量を加味する。これにより、第１のマークを基板に設ける際に生じた加工誤差を相殺することができるので、基板にコンタクタを精度良く実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施形態における電子部品試験装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態におけるプローブカードを示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態におけるプローブカードを示す下面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態におけるシリコンフィンガコンタクタを示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態におけるシリコンフィンガコンタクタを示す平面図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態におけるコンタクタの実装方法を示すフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、図６におけるステップＳ１１〜Ｓ１４を説明するためのマウントベースの部分平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図６におけるステップＳ２２〜Ｓ２７を説明するためのマウントベースの部分平面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図６におけるステップＳ２４を示す側面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図６におけるステップＳ２７を示す側面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、図６におけるステップＳ２８を示す側面図である。
【図８】図８は、従来のコンタクタの実装方法を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１…電子部品試験装置
１０…テストヘッド
５０…プローブカード
５１…マウントベース
５１ｃ…基準点
５１ｄ…第１のマーク
Ｍ１…中点
５１ｅ…設計上の第１のマーク
Ｍ０…中点
５１ｆ…実装位置
５２…ボンディングワイヤ
５３…支柱
５４…リミッタ
５５…配線基板
５６…ベース部材
５７…スティフナ
６０…プローブ針
６１…ベース部
６１ｂ…第２のマーク
Ｍ２…中点
６２…梁部
６３…導電層
８０…プローバ
Ｗ…半導体ウェハ
Δｍ…ズレ量
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。【００２２】
先ず、本実施形態におけるコンタクタの実装方法が適用されるプローブカードを備えた電子部品試験装置の構成について概説する。【００２３】
図１は本発明の実施形態における電子部品試験装置の構成を示す概略断面図、図２は本発明の実施形態におけるプローブカードを示す断面図、図３は本発明の実施形態におけるプローブカードを示す下面図、図４は本発明の実施形態におけるシリコンフィンガコンタクタを示す断面図、図５は本発明の実施形態におけるシリコンフィンガコンタクタを示す平面図である。【００２４】
本実施形態における電子部品試験装置１は、例えばシリコン（Ｓｉ）等から構成される半導体ウェハＷに造り込まれたＩＣデバイスの電気的特性を試験するための装置である。この電子部品試験装置１は、図１に示すように、ＩＣデバイスの試験を行うテスタ（不図示）にケーブル（不図示）を介して電気的に接続されたテストヘッド１０と、半導体ウェハＷ上のＩＣデバイスとテストヘッド１０とを電気的に接続するためのプローブカード５０と、半導体ウェハＷをプローブカード５０に押し付けるプローバ８０と、を備えている。【００２５】
プローブカード５０は、図１〜図３に示すように、半導体ウェハＷ上に造り込まれたＩＣデバイスの入出力端子に電気的に接触する多数のシリコンフィンガコンタクタ６０と、このシリコンフィンガコンタクタが実装されたマウントベース５１と、ボンディングワイヤ５２を介してシリコンフィンガコンタクタ６０に電気的に接続された配線パターン（不図示）を有する配線基板５５と、プローブカード５０を補強するためのベース部材５６及びスティフナ５７と、マウントベース５１を支持する支柱５３と、マウントベース５１の変形を抑制するリミッタ５４と、から構成されており、ハイフィックス１１を介してテストヘッド１０に接続されている。【００２６】
シリコンフィンガコンタクタ６０は、図４及び図５に示すように、マウントベース５１に固定されているベース部６１と、後端側がベース部６１に設けられ、先端側がベース部６１から突出している梁部６２と、梁部６２の表面に形成された導電層６３と、から構成されている。【００２７】
このシリコンフィンガコンタクタ６０のベース部６１及び梁部６２は、フォトリソグラフィ等の半導体製造技術を用いてシリコン基板から構成されており、図５に示すように、一つのベース部６１に対して複数本（本例では４本）の梁部６２がフィンガ状（櫛状）に設けられている。このように、半導体製造技術を用いてコンタクタ６０を製造することで、梁部６２の間のピッチを被試験ウェハＷ上に造り込まれた入出力端子の狭小なピッチに容易に合わせることができる。なお、本発明においては一つ当たりのベース部６１に設けられる梁部６２の数は任意に設定することができる。【００２８】
図４に示すように、ベース部６１の後端には段差６１ａが形成されている。この段差６１ａの深さと長さの比を制御することで、マウントベース５１に対するコンタクタ６０の傾斜角度βを任意に設定することが可能となっている。なお、この傾斜角度βは小さいほど好ましい。【００２９】
また、本実施形態では、図５に示すように、ベース部６１の上面両端に、コンタクタ６０をマウントベース５１に実装する際に用いられる第２のマーク６１ｂが設けられている。この第２のマーク６１ｂは、例えばベース部６１に貫通孔や金属メッキ層を形成することで構成されている。【００３０】
梁部６２の上面には、シリコンフィンガコンタクタ６０において導電層６３を他の部分から電気的に絶縁するための絶縁層６２ａが形成されている。この絶縁層６２ａは、例えばＳｉＯ２層やボロンドープ層から構成されている。【００３１】
この絶縁層６２ａの表面には導電層６３が形成されている。導電層６３を構成する材料としては、例えば、タングステン、パラジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、イリジウム、ニッケル等の金属材料を挙げることができる。【００３２】
以上のような構成のシリコンフィンガコンタクタ６０は、図４に示すように、接着剤５１ｂによりマウントベース５１に固定されており、被試験ウェハＷに造り込まれたＩＣデバイスの入出力端子にその先端が対向するようになっている。シリコンフィンガコンタクタ５０をマウントベース５１に固定する接着剤５１ｂとしては、例えば紫外線硬化型接着剤等を挙げることができる。【００３３】
マウントベース５１は、被試験ウェハＷよりも若干大きな熱膨張率を有する材料から構成される円形状の基板である。マウントベース５１を構成する具体的な材料としては、例えば、セラミックス、コバール、タングステンカーバイト、ステンレスインバー鋼などを挙げることができる。なお、加工が容易であり安価である点において、マウントベース５１をセラミックス基板で構成することが好ましい。被試験ウェハＷに対して適切な熱膨張率を持つ材料でマウントベース５１を構成することで、温度印加により生じるコンタクタ６０の接触圧の変動や、コンタクタ６０の先端と被試験ウェハＷ上の端子との間の位置ズレを少なくすることができる。【００３４】
マウントベース５１においてコンタクタ６０の後方には、図２及び図３に示すように、マウントベース５１を表面から裏面に貫通している矩形状の貫通孔５１ａが形成されている。コンタクタ６０の導電層６３に接続されたボンディングワイヤ５２が、マウントベース５１の貫通孔５１ａを介して、配線基板５５上の端子（不図示）に接続されている。コンタクタ６０と配線基板５５とを、余裕を持たせたボンディングワイヤ５２で接続することにより、マウントベース５１と配線基板５５の熱膨張差を許容することができる。【００３５】
また、本実施形態では、図３に示すように、マウントベース５１の所定位置に、コンタクタ６０をマウントベース５１に実装する際に用いられる基準点５１ｃが設けられている。この基準点５１は、例えば、マウントベース５１に形成された貫通孔から構成されている。【００３６】
配線基板５５は、例えばガラスエポキシ樹脂から構成される円形状の基板である。配線基板５５の下面には、ボンディングワイヤ５２が接続される端子（不図示）が形成され、配線基板５５の上面には、ハイフィックス１１側のコネクタ１２と連結するコンタクタ５５ｃが上面に設けられており、配線基板５５の内部には下面の端子と上面のコネクタ５５ｃとを電気的に接続している配線パターン（不図示）が形成されている。コネクタ１２、５５ｃとしては、例えばＺＩＦ（Zero Insertion Force）コネクタを用いることができる。配線基板５５には、支柱５３を貫通させるための第１の貫通孔５５ａと、リミッタ５４を貫通させるための第２の貫通孔５５ｂとが、表面から裏面に貫通するように形成されている。【００３７】
配線基板５５の上面には、プローブカード５０を補強するためにベース部材５６及びスティフナ５７が設けられている。ベース部材５６とスティフナ５７は例えばボルト締結により固定されている。また、スティフナ５７と配線基板５５は、当該基板５５の外周部分で例えばボルト締結により固定されている。これに対し、ベース部材５６と配線基板５５は直接固定されていないので、配線基板５５はその中央部分において非拘束な状態となっており、配線基板５５の熱膨張による変形がベース部材５６に直接伝達しないようになっている。ベース部材５６及びスティフナ５７を構成する材料としては、例えばステンレス鋼や炭素鋼などを挙げることができる。【００３８】
支柱５３は、マウントベース５１を支持するための柱状部材であり、図２に示すように、支柱５３の一端はマウントベース５１に固定され、支柱５３の他端は第１の貫通穴５５ａを介してベース部材５６に直接固定されている。支柱５３をベース部材５６に直接固定することで、配線基板５５の熱膨張の影響により支柱５３の位置が変動してしまうのを防止することができる。支柱５３を構成する材料としては、例えばステンレスインバー鋼などを挙げることができる。支柱５３をマウントベース５１やベース部材５６に固定する手法としては、例えばボルト締結や接着などを挙げることができる。【００３９】
本実施形態では、コンタクタ６０を実装しているマウントベース５１と、コンタクタ６０に電気的に接続された配線パターンが形成された配線基板５５とを別々な基板で構成し、しかもマウントベース５１と配線基板５５とを非接触な状態としているので、配線基板５５が熱膨張等により変形しても、コンタクタ６０を実装しているマウントベース５１にその変形が伝達することはなく、コンタクタ６０の接触圧の変動や位置ズレを少なくすることができる。【００４０】
リミッタ５４は、ウェハＷをコンタクタ６０に押し付けた際にマウントベース５１が変形するのを防止するための柱状の部材であり、図２に示すように、リミッタ５４の一端はマウントベース５１の裏面に接触し、又は、当該裏面の近傍に位置しており、リミッタ５４の他端は第２の貫通穴５５ｂを介してベース部材５６に直接固定されている。リミッタ５４を構成する材料としては、支柱５３と同様に、例えばステンレスインバー鋼などを挙げることができる。リミッタ５４をベース部材５６に固定する手法としては、例えばボルト締結や接着などを挙げることができる。このリミッタ５４は、ウェハＷがプローブカード５０に押し付けられた際に、マウントベース５１の裏面に密着して、マウントベース５１が配線基板５５側に変形するのを抑制するようになっている。なお、ウェハＷをコンタクタ６０に押し付けた際に変形しない程度の十分な強度をマウントベース５１が有している場合には、リミッタ５４は不要である。【００４１】
以上のような構成のプローブカード５０は、図１に示すように、コンタクタ６０が中央開口７１を介して下方を臨むような姿勢で、環状のホルダ７０に固定されている。ホルダ７０は、プローブカード５０を保持した状態で環状のアダプタ７５に固定されており、さらに、アダプタ７５は、プローバ８０のトッププレート８１に形成された開口８２に固定されている。このアダプタ７５は、被試験ウェハＷの品種およびテストヘッド１０の形状に対応してサイズの異なるプローブカードを、プローバ８０の開口８２に適合させるためのものでる。プローブカード５０側とハイフィックス１１側とは、図１に示すように、ハイフィックス１１の下面に設けられたフック１３と、アダプタ７５に設けられたフック７６とを互いに係合させることにより機械的に連結されている。【００４２】
テストヘッド１０の下部にはハイフィックス１１が装着されており、このハイフィックス１１の下面に、同軸ケーブルが接続されたコネクタ１２が設けられている。このテストヘッド１０側のコネクタ１２と、プローブカード５０の配線基板５５の上面に設けられたコネクタ５５ｃとが連結することで、テストヘッド１０とプローブカード５０とが電気的に接続するようになっている。【００４３】
プローバ８０は、真空チャックによりウェハＷを保持することが可能となっていると共に、この保持したウェハＷをＸＹＺ方向に移動させることが可能な搬送アーム８３を有しており、ウェハＷをプローバ８０の内部に搬送することが可能となっている。そして、試験に際して、開口８２を介してプローバ８０内に臨むプローブカード５０に対して、搬送アーム８３がウェハＷを対向させて押し付け、その状態でテスタがウェハＷ上のＩＣデバイスに試験信号をテストヘッド１０を介して入出力することで、ＩＣデバイスの試験が実施される。【００４４】
以下に、図６〜図７Ｅを参照して、本実施形態においてコンタクタをマウントベースに実装する方法について説明する。図６は本発明の実施形態におけるコンタクタの実装方法を示すフローチャートであり、図７Ａ〜図７Ｅは図６における各ステップを説明するための図である。【００４５】
先ず、図６のステップＳ１０において、三次元測定装置を用いて、マウントベース５１上に予め設けられている基準点５１ｃの位置を測定し、この基準位置５１ｃを三次元測定装置における原点（０，０）として設定する。図６のステップＳ１０及びステップＳ１１で用いられる三次元測定装置としては、例えばＣＮＣ画像測定機や共焦点レーザ顕微鏡などの非接触式のものを挙げることができる。【００４６】
次に、図６のステップＳ１１において、図７Ａに示すように、三次元測定装置を用いて、マウントベース５１上に実際に設けられた２つの第１のマーク５１ｄの位置をそれぞれ測定し、図６のステップＳ１２において、基準点５１ｃに対する第１のマーク５１ｄの中点Ｍ１の相対位置ｍ１（実相対位置（ｘ１，ｙ１））を算出する。なお、マウントベース５１に実際に設けられた第１のマーク５１ｄは、例えば、マウントベース５１に形成された貫通孔から構成されている。【００４７】
次に、図６のステップＳ１３において、マウントベース５１における設計上の第１のマーク５１ｅの位置をＣＡＤデータなどから読み込んで、基準点５１ｃに対する第１のマーク５１ｅの中点Ｍ０の相対位置ｍ０（理論相対位置（ｘ０，ｙ０））を算出する。【００４８】
次に、図６のステップＳ１４において、ステップＳ１２で算出された実相対位置ｍ１と、ステップＳ１３で算出された理論相対位置ｍ０とから、マウントベース５１上に実際に設けられた第１のマーク５１ｄに対する、設計上の第１のマーク５１ｅの相対的なズレ量Δｍを算出する。具体的には、このズレ量Δｍは、（Δｘ，Δｙ）＝（ｘ１−ｘ０，ｙ１−ｙ０）で算出される。【００４９】
以上のように三次元測定装置を用いて算出されたズレ量Δｍを、図６のステップＳ２０において、コンタクタ５０マウントベース５１に実装する実装装置に入力する。次いで、実装装置は、図６のステップＳ２１において、画像処理技術等を用いて、マウントベース５１上に実際に加工された２つの第１のマーク５１ｄの位置を測定し、ステップＳ２２において、図７Ｂに示すように、これら２つの第１のマーク５１ｄの中点Ｍ１の位置（Ｘｍ，Ｙｍ）を算出する。【００５０】
次いで、図６のステップＳ２３において、図７Ｂに示すように、ステップＳ２２で算出された中点Ｍ１と、ステップＳ２０で入力されたズレ量Δｍとに基づいて、マウントベース５１上においてシリコンフィンガコンタクタ６０を実装すべき位置５１ｆ（実装位置）を特定する。具体的には、実装位置は、（Ｘａ，Ｙａ）＝（Ｘｍ−Δｘ，Ｙｍ−Δｙ）で算出される。すなわち、本実施形態では、マウントベース５１上においてコンタクタ６０を実装すべき位置５１ｆが、マウントベース５１における設計上の第１のマーク５１ｅの中点Ｍ０と一致して、マウントベース５１に第１のマーク５１ｄを形成する際に発生した加工誤差を相殺することができる。【００５１】
次いで、図６のステップＳ２４において、図７Ｃに示すように、実装装置の塗布ユニット１０１が、マウントベース５１の実装位置５１ｆに接着剤５１ｂを塗布する。この塗布ユニット１０１は、特に図示しないが、例えば紫外線硬化型接着剤が充填されたシリンジを有しており、マウントベース５１上に所定量の接着剤を塗布することが可能となっている。【００５２】
次に、実装装置は、図６のステップＳ２５において、吸着ユニット１０２によりシリコンフィンガコンタクタ６０を吸着保持した状態で、画像処理技術等を用いて、当該コンタクタ６０のベース部６１の両端に実際に設けられた２つの第２のマーク６１ｂの位置を測定し、ステップＳ２６において、図７Ｂに示すように、これら２つの第２のマーク６１ｂの中点Ｍ２の位置を算出する。【００５３】
次いで、実装装置は、図６のステップＳ２７において、図７Ｄに示すように、吸着ユニット１０２によりシリコンフィンガコンタクタ６０を移動させて、図７Ｂに示すように、第２のマーク６１ｂの中点Ｍ２が実装位置５１ｆから所定距離Ｌだけ離れた状態で、マウントベース５１上にシリコンフィンガコンタクタ６０を載置する。なお、図７Ｄに示すように、吸着ユニット１０２の先端には、マウントベース５１に対するコンタクタ６０の取付角度βと実質的に同一の角度を有する吸着面１０２ａが設けられている。【００５４】
次いで、図６のステップＳ２８において、図７Ｅに示すように、実装装置の照射ユニット１０３が接着剤５１ｂに紫外線を照射することで、接着剤５１ｂを硬化させてコンタクタ６０がマウントベース５１に固定される。【００５５】
以上のように、本実施形態では、コンタクタ６０を実装するマウントベース５１に基準点５１ｃを設けて、その基準点５１ｃに対して、実際の第１のマーク５１ｄの相対的な位置（実相対位置ｍ１）と、第１のマーク５１ｄの設計上の相対的な位置（理論相対位置ｍ０）とを求めて、理論相対位置ｍ０に対する実相対位置ｍ１の相対的なズレ量Δｍを算出し、マウントベース５１上においてコンタクタ６０の実装位置を特定する際に、そのズレ量Δｍを加味する。そのため、第１のマーク５１ｄをマウントベース５１に形成した際に生じた加工誤差が相殺されるので、マウントベース５１にシリコンフィンガコンタクタ６０を精度良く実装することができる。【００５６】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。【００５７】
例えば、上述の実施形態では、基板に実装されるコンタクタとして、シリコンフィンガコンタクタ６０を例にとって説明したが、基板に実装する際に位置決めを必要とするコンタクタであれば、本発明においては特にこれに限定されない。【００５８】
また、上述の実施形態では、コンタクタが実装される基板として、マウントベース５１を例にとって説明したが、本発明においては特にこれに限定されず、例えば、コンタクタを配線基板に直接実装する場合には、その配線基板に基準点及び第１のマークを設けても良い。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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