【事件の表示】
　特願２０１４−１４３３１７「ハニカムヘテロエピタキシーを含む半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月　４日出願公開、特開２０１４−２２５６８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２２年（２０１０年）９月１３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年９月１８日，米国）に出願された特願２０１０−２０３８８９号の一部を，平成２６年７月１１日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　７月１１日　審査請求
平成２７年　５月１４日　拒絶理由通知
平成２７年　８月１９日　意見書・手続補正
平成２８年　３月　４日　拒絶査定
平成２８年　７月１５日　審判請求・手続補正
平成２９年　３月２３日　拒絶理由通知
平成２９年　６月２８日　意見書
　
２　本願発明
　本願の請求項１−１２に係る発明（以下，まとめて「本願発明」という。）は，平成２８年７月１５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−１２に記載された，次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　シリコン基板上にマスクを画定するステップであって，前記マスクは，これを貫通する複数のナノサイズの開口を含み，前記ナノサイズの開口のそれぞれが前記シリコン基板の表面に向かって伸長すると共に，前記シリコン基板の表面を露出する溝を画定するステップと，
　前記画定するステップに続いて，前記シリコン基板の露出された前記表面のそれぞれの上の各溝の内部に本質的に無欠陥のナノアイランドを作成するステップであって，前記ナノアイランドのそれぞれは，酸化層，チャネル小バンドギャップ層，非ドープワイドバンドギャップ層，及び，ドープされたワイドバンドギャップ層を含み，これらの層は各ナノアイランドが内部に作成された前記溝の内部に配置される，作成するステップと，
　前記作成するステップに続いて，前記ナノアイランド上に，トランジスタを構成するステップと，
　からなることを特徴とする方法。
【請求項２】
　前記作成するステップは，有機金属化学気相成長法（MOCVD）によって前記ナノアイランドの選択的ヘテロエピタキシャル成長を実行するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記作成するステップは，ガスソース分子線エピタキシー（MBE）法によって前記ナノアイランドの選択的ヘテロエピタキシャル成長を実行するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記開口は，それぞれ，六角形の形状をしていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　シリコン基板と，
　前記シリコン基板の上面に配置され，これを貫通する複数のナノサイズの開口を含むマスクであって，前記ナノサイズの開口のそれぞれが前記シリコン基板の表面に向かって伸長すると共に，前記シリコン基板の表面を露出する溝を画定することと，
　前記シリコン基板の露出された前記上面のそれぞれの上の各溝の内部に成長された本質的に無欠陥のナノアイランドであって，前記ナノアイランドのそれぞれは，酸化層，チャネル小バンドギャップ層，非ドープワイドバンドギャップ層，及び，ドープされたワイドバンドギャップ層を含み，これらの層は各ナノアイランドが内部に作成された前記溝の内部に配置されることと，
　前記ナノアイランド上に構成されたトランジスタと，
　からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
　前記開口は，それぞれ，六角形の形状をしていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記ナノアイランドの厚さは，５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
　前記シリコン基板は（１１１）面方位を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記マスクはハードマスクを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
　シリコン基板上にマスクを画定するステップであって，前記マスクは，これを貫通する複数のナノサイズの開口を含み，前記ナノサイズの開口のそれぞれが前記シリコン基板の表面に向かって伸長すると共に，前記シリコン基板の表面を露出する溝を画定するステップと，
　有機金属化学気相成長法（MOCVD），及びガスソース分子線エピタキシー（MBE）法のうちの少なくとも一つを用いて，前記シリコン基板の露出された前記表面のそれぞれの上の各溝の内部に本質的に無欠陥のナノアイランドの選択的ヘテロエピタキシャル成長を実行するステップであって，前記ナノアイランドのそれぞれは，酸化層，チャネル小バンドギャップ層，非ドープワイドバンドギャップ層，及び，ドープされたワイドバンドギャップ層を含み，これらの層は各ナノアイランドが内部に作成された前記溝の内部に配置される，実行するステップと，
　前記ナノアイランド上にトランジスタを構成するステップと，
　からなることを特徴とする方法。
【請求項１１】
　前記構成するステップは，ゲート，側壁及びオーミックコンタクトを設置するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
　前記開口は，それぞれ，六角形の形状をしていることを特徴とする請求項１０に記載の方法。」
　
３　発明の詳細な説明の記載不備について
（１）当審拒絶理由の概要
　平成２９年３月２３日付けで当審より通知した拒絶理由の概要は次のとおりである。
　発明の詳細な説明には，オーミックコンタクトの作製について，当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから，この出願は，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２）判断
　本願の発明の詳細な説明には，従来技術の「ナノワイヤMOSFETの欠点は，非平面構造（nonplanar structure）による標準のCMOS技術との不適合性にあり」（【０００４】），実施例は「効果的な熱除去と良好な平面度を含むCMOS要件と適合」する「ヘテロエピタキシャルアプローチを提供する」ものであり（【００１０】），「図２は，単一ナノアイランド１０２のｎチャネルMOSFET層構造を示し，ゲート酸化層２０２」「が含まれ」，「各ナノアイランド１０２上で，一つ又は多数のトランジスタを実現すること」（【００１１】）が，記載されている。そして，図２には，ナノアイランド１０２のゲート酸化層２０２の上面とハードマスク１００の上面とが同一平面となることが記載されている。
　さらに，本願の発明の詳細な説明には，「図３Ａ及び図３Ｂに示されるように，ハードマスク１００は，ナノアイランドを用いて実装されるトランジスタの面積要件が特定ノードの標準CMOSシリコントランジスタと等しくなるように設計されても」よく，「トランジスタ３００，３００’はそれぞれ，ゲート３０６，３０６’と，オーミックコンタクト（ohmic contact）３０８，３０８’を含む」（【００１２】）ことが記載されており，図３Ａ及び図３Ｂには，オーミックコンタクト３０８，３０８’が，ハードマスク１００とナノアイランドにまたがって設けられることが記載されている。
　してみると，平面度を保ったナノアイランドの上面すなわちゲート酸化層２０２の上にオーミックコンタクトが接していることになるが，絶縁体であるゲート酸化層に対してどのようにして「オーミックコンタクト」を作製するのか，当業者にとって不明である。
　オーミックコンタクトは，トランジスタを構成するソース電極，ドレイン電極になるものであり，そのオーミックコンタクトをどのように作製するのか不明であるから，本願の請求項１ないし１２に記載された方法ないし半導体装置について，発明の詳細な説明に，当業者が実施できる程度に記載されているとは認められない。
（３）審判請求人の主張について
　ア　これに対して，審判請求人は，平成２９年６月２８日付け意見書において，(1)「本願の明細書には，オーミックコンタクトがゲート酸化層２０２の上面ではなく，ナノアイランド上に形成されること述べているに過ぎません。」と主張し，その根拠として，「本願明細書の段落［００１１］−［００１２］に説明されるように，いくつかの実施例において，ナノアイランド１０２は，ゲート酸化層２０２と，チャネル小バンドギャップ層２０４と，アンドープワイドバンドギャップ層２０６と，ｐ＋ワイドバンドギャップ層２０８とを含み，トランジスタ３００がナノアイランド１０２上に形成され，トランジスタ３００，３００’はそれぞれ，ゲート３０６，３０６’と，オーミックコンタクト３０８，３０８’を含むもの」であり，「本願明細書の段落［００１３］と図４にあるように，いくつかの実施例において，半導体装置は」特定のステップにより形成され，当業者であれば，「ナノアイランドの形成後に，トランジスタが構成される」と考えること，をあげ，さらに，(2)当業者であれば，オーミックコンタクトが「１．ゲート３０６の形成後にチャネル小バンドギャップ層２０４の一部を露出すべくゲート酸化層２０２を除去するステップ，２．意図されるソース／ドレイン層がどこに形成されるかを画定すべくアイソレーション（分離）３０４を形成するステップ，３．露出されたチャネル小バンドギャップ層２０４上にソース／ドレイン層を形成するステップ，及び４．ソース／ドレイン層上に金属シリサイドを形成するステップを備え，金属シリサイドが形成された後に，オーミックコンタクトが形成される。」というステップによって形成され得ることがわかる，と主張する。
　イ　審判請求人の主張(1)について検討する。
　本願の発明の詳細な説明の記載から「ナノアイランド」の形成後に，トランジスタが構成されること自体は理解できるものの，「ナノアイランド」は，発明の詳細な説明（［００１１］−［００１２］）に記載されているように，「図２」に開示された「MOSFET層構造を示し」その上面に「ゲート酸化膜２０２」を含むものしか開示されておらず，その「ナノアイランド」の形成後に，トランジスタを構成しても，「オーミックコンタクト」が「ゲート酸化膜２０２」の上面に形成されることしか読み取れない。
　ウ　審判請求人の主張(2)について検討する。
　本願の発明の詳細な説明には，前記意見書に記載されたオーミックコンタクトを形成するための各ステップについての開示が一切ない。そしてナノアイランドの形成後にトランジスタを構成するステップとして前記意見書に記載されたオーミックコンタクトを形成するための各ステップが当業者に自明であると認めるべき根拠もない。
　エ　してみると，審判請求人の主張は採用することができない。
　
４　結言
　以上のとおり，本願は，発明の詳細な説明の記載に不備があり，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たさないから，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。