【事件の表示】
　特願２０１５−１０２９６０「パッド構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　１日出願公開、特開２０１５−１７３２８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年（２０１３年）９月２日の出願（パリ条約による優先権主張　２０１２年９月２８日（以下，左の日を「本願優先日」という。），米国）である特願２０１３−１８１３２８号の一部を，平成２７年５月２０日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　５月２０日　審査請求
平成２８年　５月１３日　拒絶理由通知
平成２８年　９月２６日　意見書・手続補正書
平成２９年　２月　９日　拒絶査定
平成２９年　６月１４日　審判請求・手続補正書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は，本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の第一層間領域と，
　前記第一層間領域下の第一金属間領域と，
　前記第一層間領域下に設置された第一追加金属間領域と，
　前記第一追加金属間領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み，
　前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，および
　前記第一追加金属間領域は，前記第二領域に設置され，テーパの付いた側壁を有し，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とインターフェース接続する第一ビアを含むことを特徴とするパッド構造。」
（２）本件補正後
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１】
　接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の第一層間領域と，
　前記第一層間領域下の第一金属間領域と，
　前記第一層間領域下に設置された第一追加金属間領域と，
　前記第一追加金属間領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み，
　前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，および
　前記第一追加金属間領域は，前記第二領域に設置され，テーパの付いた側壁を有し，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とインターフェース接続する第一ビアを
含み，前記第一ビアは，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とのインターフェースから延在し，前記ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する
　ことを特徴とするパッド構造。」
（３）本件補正事項
　本件補正は，請求項１に記載された「第一追加金属間領域」の「第一ビア」について「
前記第一ビアは，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とのインターフェースから延在し，前記ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する
２　補正の適否
　本件補正事項は，新規事項を追加するものではないから特許法１７条の２第３項の規定に適合し，特許請求の範囲の減縮を目的とするから，同条４項の規定に適合し，同条５項２号に掲げるものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，さらに検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の第一層間領域と，
　前記第一層間領域下の第一金属間領域と，
　前記第一層間領域下に設置された第一追加金属間領域と，
　前記第一追加金属間領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み，
　前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，および
　前記第一追加金属間領域は，前記第二領域に設置され，テーパの付いた側壁を有し，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とインターフェース接続する第一ビアを含み，前記第一ビアは，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とのインターフェースから延在し，前記ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する
　ことを特徴とするパッド構造。」
（２）引用文献１の記載
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願優先日前に日本国内で頒布された刊行物である，特開２００２−２２２８１１号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ボンディングパッド領域を有する半導体装置およびその製造方法に関する。」
（イ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は，パッド開口部が達している配線層の下方の層間絶縁層においてクラックが生じるのが抑えられた半導体装置およびその製造方法を提供することにある。」
（ウ）「【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好適な実施の形態について，図面を参照しながら説明する。
【００１５】［半導体装置］図１は，半導体装置を模式的に示す平面図である。図２（ａ）は，図１の領域Ａ１０を拡大した図である。図２（ｂ）は，図２（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面を模式的に示す断面図である。
【００１６】まず，半導体装置１０００の平面構造を説明する。
半導体装置１０００は，
パッド領域２００とを有する。
【００１７】次に，半導体装置１０００の断面構造を説明する。能動部における
半導体基板１０の表面上には，半導体素子（図示せず）が形成されている。
半導体基板１０の上には，第１の層間絶縁層２０が形成されている。第１の層間絶縁層２０の上には，第１の配線層３０が形成されている。第１の層間絶縁層２０および第１の配線層３０の上には，第２の層間絶縁層２２が形成されている。具体的には，上方に後述の保護絶縁層５０が形成されている第１の層間絶縁層２０の上面を第１の領域とすると，
また，上方に後述のパッド開口部６０が形成されている第１の層間絶縁層２０の上面を第２の領域とすると，第２の領域の上には，第２の層間絶縁層２２が形成されている。第２の層間絶縁層２２において，第１の配線層３０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第１のプラグ７０が形成されている。
【００１８】
第２の層間絶縁層２２および第１のプラグ７０の上には，第２の配線層３２が形成されている。第２の層間絶縁層２２および第２の配線層３２の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されている。具体的には，上方に後述の保護絶縁層５０が形成されている第２の層間絶縁層２２の上面を第３の領域とすると，第２の配線層３２は，第３の領域の上に形成されている。また，上方に後述のパッド開口部６０が形成されている第２の層間絶縁層２２の上面を第４の領域とすると，第４の領域の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されている。
【００１９】
第３の層間絶縁層２４の上には，第３の配線層４０が形成されている。
第３の層間絶縁層２４において，第３の配線層４０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第２のプラグ７２が形成されている。
【００２０】第３の層間絶縁層２４およびプラグ配線層４０の上において，保護絶縁層５０が形成されている。保護絶縁層５０において，パッド開口部６０が形成されている。
パッド開口部６０は，第３の配線層４０の上面に達している。
パッド開口部６０の平面
このパッド開口部６０において，
ワイヤボンディングがなされる。
【００２１】次に，本実施の形態における特徴点を説明する。
第３の配線層４０の下のレベルにおいて形成された，第１および第２の配線層３０，３２は，平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成されている。つまり，パッド開口部６０の下方の領域において，第１および第２の配線層３０，３２が形成されていない。このため，たとえばワイヤボンディングの際に，第３の配線層４０に衝撃が加わっても，その衝撃を層間絶縁層２０，２２，２４のみで受けることができる。その結果，第３の配線層４０の下の層間絶縁層２０，２２，２４においてクラックが生じるのを抑えることができる。また，配線層と層間絶縁層との界面において，膜はがれが生じるのを抑えることができる。
（エ）「【００２２】［半導体装置の製造方法］以下，図２を参照して，実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００２３】まず，半導体基板１０の上に，半導体素子（たとえばＭＩＳトランジスタ，メモリトランジスタ）を形成する。次に，公知の方法により，
酸化シリコンからなる第１の層間絶縁層２０を形成する。
【００２４】次に，第１の層間絶縁層２０の上に，第１の配線層３０を形成する。
第１の配線層３０は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される。
【００２５】次に，第１の配線層３０および第１の層間絶縁層２０の上において，公知の方法により，酸化シリコンからなる第２の層間絶縁層２２を形成する。
第２の層間絶縁層２２は，必要に応じて，ＣＭＰ法により平坦化される。
第２の層間絶縁層２２において，第１の配線層３０に達するスルーホール２２ａを形成する。
スルーホール２２ａ内に，第１のプラグ７０を形成する。第１のプラグ７０は，タングステン層を全面に形成し，そのタングステン層をエッチバックすることにより形成される。
【００２６】次に，第１のプラグ７０および第２の層間絶縁層２２の上に，第２の配線層３２を形成する。第２の配線層３２は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される。第２の配線層３２は，パッド開口部６０が形成される領域以外の領域に形成されるようにする。
【００２７】次に，
第２の層間絶縁層２２および第２の配線層３２の上に，公知の方法により，酸化シリコンからなる第３の層間絶縁層２４を形成する。
【００２８】次に，第３の層間絶縁層２４および第２のプラグ７２の上に，第３の配線層４０を形成する。第３の配線層４０は，公知の方法により導電層（たとえばアルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層）を形成し，その導電層をパターニングすることにより形成される。」
（オ）「【００３０】（作用効果）
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の作用効果を説明する。
【００３１】本実施の形態においては，第１および第２の配線層３０，３２をパッド開口部６０の領域外において形成されるようにしている。このため，
パッド開口部６０の下方の領域において，第１および第２の配線層３０，３２が形成されていない。
層間絶縁層と配線層との界面において，膜はがれが生じるのを抑えることができる。
（カ）「【００３２】
［変形例］
次の変形が可能である。
（中略）
【００４０】（６）上記実施の形態においては，
第３の配線層４０の下の配線層は，第１の配線層および第２の配線層であり，２層であった。しかし，第３の配線層４０の下の配線層は，
３層以上であってもよい。
　イ　引用発明
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置１０００のパッド領域２００であって，
　パッド開口部６０においてワイヤボンディングがなされ，パッド開口部６０は第３の配線層４０の上面に達しており，
　第３の層間絶縁膜２４の上には，第３の配線層４０が形成されており，第２の層間絶縁層２２の上には，第２の配線層３２及び第３の層間絶縁層２４が形成されており，第１の層間絶縁層２０の上には，第１の配線層３０及び第２の層間絶縁層２２が形成されており，半導体基板１０の上には，第１の層間絶縁層２０が形成されており，
　上方にパッド開口部６０が形成されている第２の領域の上には，第２の層間絶縁膜２２が形成され，上方にパッド開口部６０が形成されている第４の領域の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されており，
　第１の配線層３０及び第２の配線層３２は，平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成され，
　第３の層間絶縁層２４において，第３の配線層４０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第２のプラグ７２が形成されている。」
（３）引用文献２の記載
　ア　引用文献２
　本願優先日前に日本国内で頒布された刊行物である，特開平８−１７２１３０号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，金属配線材料で開口部内が確実に埋め込まれた接続孔が形成された半導体装置の配線構造及びその形成方法，更に詳しくは，所謂高圧リフロー法に基づいた半導体装置の配線構造及びその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化に伴い，寸法ルールが微細化している。そして，半導体デバイスの配線形成プロセスにおいては，
狭くて深い（アスペクト比の高い）コンタクトホール，ビアホール，スルーホール（以下，総称して接続孔と呼ぶ）を安定に形成する技術
接続孔は，例えば導体層の上方に形成された絶縁層に開口部を設け，かかる開口部内に金属配線材料を埋め込むことによって形成される。
開口部内を金属配線材料で確実に埋め込むプロセス技術が要求されている。
（イ）「【０００９】従って，本発明の目的は，
接続孔とその下に形成された導体層との間のコンタクト抵抗を増加させることなく，確実に金属配線材料で開口部内が埋め込まれた接続孔を有する半導体装置の配線構造
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するための本発明の
半導体装置の配線構造は，（イ）導体層が設けられた基体上に形成された絶縁層と，（ロ）該導体層の上方の絶縁層に形成された開口部及び該開口部内に埋め込まれた金属配線材料から成る接続孔と，（ハ）該金属配線材料から成り，該絶縁層上に形成され，該接続孔と接続された配線，から成る半導体装置の配線構造であって，開口部の側壁には，絶縁材料から成るオーバーハング状のサイドウオールが形成されている
（ウ）「【００１９】（実施例１）実施例１の半導体装置の配線構造の模式的な一部断面図を図１の（Ａ）に示す。実施例１の配線構造は，絶縁層２０と，接続孔２５と，配線２６から構成されている。絶縁層２０は，導体層１５が設けられた基体１０上に形成されている。実施例１においては，導体層１５はソース・ドレイン領域であり，基体１０は半導体基板である。
接続孔２５は，導体層１５の上方の絶縁層２０に形成された開口部２１，及びこの開口部２１内に埋め込まれた金属配線材料２４から成る。
【００２０】
開口部２１の側壁には，絶縁材料から成るオーバーハング状のサイドウオール２２が形成されている。
それ故，図１の（Ｂ）に一部の図示を省略して示した開口部の部分を示すように，絶縁層２０の表面近傍における開口部の径が最小値（Ｒ
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）をとり，開口部の底部に向かって開口部の径が増加する。
（エ）「【００３３】（実施例２）
実施例２の半導体装置の配線構造は，実質的には実施例１にて説明した配線構造と同様である。
基体は，半導体基板（図示せず）の上方に形成された下層絶縁層３０から成り，導体層は下層絶縁層３０の上に形成された下層配線層３１から成る。
【００３４】実施例２が実施例１と相違する点は，サイドウオールの形成工程が相違する点にある。即ち，実施例２においては，サイドウオールの形成工程は，供給律速形のＣＶＤ法により絶縁層上及び開口部内に絶縁材料層を堆積させた後，絶縁層上及び開口部底部の絶縁材料層を除去する工程から構成されている。サイドウオールはＳｉＮから成る。
供給律速形のＣＶＤ法を採用することによって，カバレッジの悪い，コンフォーマルではない絶縁材料層を形成することが可能になり，開口部の側壁にオーバーハング状のサイドウオールを形成することができる。
【００３５】［工程−２００］例えばＣＶＤ法にて形成されたＳｉＯ2から成る下層絶縁層３０（基体に相当する）の上に金属配線材料から成る下層配線層３１を公知の方法で形成する（図５の（Ａ）参照）。尚，下層配線層３１から下方へと延びる接続孔を形成しておくこともできる。
【００３６】［工程−２１０］次に，
下層配線層３１（導体層に相当する）が形成された下層絶縁層３０（基体に相当する）上に絶縁層２０を形成する。絶縁層２０は，例えばＳｉＯ
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から成り，ＣＶＤ法にて形成することができる。その後，下層配線層３１の上方の絶縁層２０に，フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて開口部２１を設ける
【００３７】［工程−２２０］その後，
供給律速形のＣＶＤ法により絶縁層２０上及び開口部２１内に，ＳｉＮから成る絶縁材料層を堆積させる。
使用ガス　　：ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ＝５０／１０sccm
圧力　　　　：３３０Ｐａ
ＲＦパワー　：１９０Ｗ
基体加熱温度：４００゜Ｃ
【００３８】その後，
異方性のドライエッチングによる絶縁材料層の全面エッチバックを行う。
逆テーパ形状（オーバーハング状）のサイドウオール２２が形成された
【００３９】次に，実施例１の［工程−１３０］の下地層２３の形成，金属配線材料層２４Ａの形成，［工程−１４０］の高圧リフロー処理，［工程−１５０］の配線の形成を実施例１と同様に行い，図４に示した配線構造を完成させる。」
　イ　引用技術的事項
　前記アより，引用文献２には，次の技術的事項（以下，「引用技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
「接続孔とその下に形成された導体層との間のコンタクト抵抗を増加させることなく，確実に金属配線材料で開口部内が埋め込まれた接続孔を有する半導体装置の配線構造であって，接続孔は，導体層の上方の絶縁層に形成された開口部及びこの開口部内に埋め込まれた金属配線材料から成り，開口部の側壁には，オーバーハング状のサイドウオールが形成されており，絶縁層の表面近傍における開口部の径が最小値をとり，開口部の底部に向かって開口部の径が増加すること。」
（４）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明において「パッド開口部６０においてワイヤボンディングがなされ」るから，同「パッド開口部６０」は本願補正発明の「接着領域」に相当する。
　イ　引用発明において「パッド開口部６０は第３の配線層４０の上面に達しており」，前記アを考慮すると，同「第３の配線層４０」は本願補正発明の「前記接着領域下のパッド」に相当する。
　ウ　引用発明において「第３の層間絶縁膜２４の上には，第３の配線層４０が形成されており」かつ「第２の層間絶縁層２２の上には，第２の配線層３２及び第３の層間絶縁層２４が形成されて」いるから，前記イを考慮すると，同「第２の配線層３２及び第３の層間絶縁膜２４」は本願補正発明の「前記パッド下の第一層間領域」といえる。
　エ　引用発明において「第２の層間絶縁層２２の上には，第２の配線層３２及び第３の層間絶縁層２４が形成されており」かつ「第１の層間絶縁層２０の上には，第１の配線層３０及び第２の層間絶縁層２２が形成されて」いるから，前記ウを考慮すると，同「第１の配線層３０及び第２の層間絶縁層２２」は本願補正発明の「前記第一層間領域下の第一金属間領域」といえる。
　オ　引用発明において「半導体基板１０の上には，第１の層間絶縁層２０が形成されており」，第１の層間絶縁層２０は「酸化シリコンからなる」（前記（２）ア（エ）【００２３】）から，同「半導体基板１０」及び「第１の層間絶縁層２０」は，下記相違点１を除いて，それぞれ本願補正発明の「パッシベーション酸化物領域下のウェハ」及び「パッシベーション酸化物領域」に相当する。
　カ　引用発明の「半導体装置１０００のパッド領域２００」は，下記相違点１を除いて，本願補正発明の「パッド構造」に相当する。
　キ　引用発明において「上方にパッド開口部６０が形成されている第２の領域」及び「上方にパッド開口部６０が形成されている第４の領域」はともに「上方にパッド開口部６０が形成されている」「領域」であり，また「パッド開口部６０の下方の領域において，第１および第２の配線層３０，３２が形成されていない」（前記（２）ア（オ））という技術的思想が示されているから，前記アないしオを考慮すると，同「領域」は，下記相違点１を除いて，本願補正発明の「第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され」を満たす。
　ク　引用発明において「第１の配線層３０及び第２の配線層３２は，平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成され」ており，前記キの技術的思想とともに，前記アないしオを考慮すると，同「平面的にみてパッド開口部６０の領域外」の領域は，下記相違点１を除いて，本願補正発明の「第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され」を満たす。
　ケ　引用発明において，「上方にパッド開口部６０が形成されている第４の領域の上には，第３の層間絶縁層２４が形成されており」また「第３の層間絶縁層２４において，第３の配線層４０と第２の配線層３２とを電気的に接続するための第２のプラグ７２が形成されて」いるから，前記アないしクを考慮すると，同「第３の層間絶縁層２４」及び「第２のプラグ７２」は，本願補正発明の「前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み」を満たす。
　コ　引用発明において，「上方にパッド開口部６０が形成されている第２の領域の上には，第２の層間絶縁膜２２が形成され」また「第１の配線層３０は，平面的にみてパッド開口部６０の領域外において形成され」ており，「第１の配線層３０」は具体的には「アルミニウム層，アルミニウムと銅との合金層」といった金属で形成される（前記（２）ア（エ）【００２４】）から，前記アないしケを考慮すると，同「第２の層間絶縁膜２２」及び「第１の配線層３０」は，本願補正発明の「前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み」を満たす。
　サ　すると，本願補正発明と引用発明とは，下記シの点で一致し，下記スの点で相違する。
　シ　一致点
「接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の第一層間領域と，
　前記第一層間領域下の第一金属間領域と，
　パッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み，
　前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含む
　ことを特徴とするパッド構造。」
　ス　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明では，「前記第一層間領域下に設置された第一追加金属間領域」を含み，「パッシベーション酸化物領域」は「前記第一追加金属間領域下のパッシベーション酸化物領域」であり，「第一領域」及び「第二領域」は「前記第一追加金属間領域」にも延在し，「前記第一追加金属間領域は，前記第二領域に設置され，テーパの付いた側壁を有し，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とインターフェース接続する第一ビアを含」むのに対し，引用発明ではこの旨が明示されない点。
（イ）相違点２
　本願補正発明では，「前記第一ビアは，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とのインターフェースから延在し，前記ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する」のに対し，引用発明ではこの旨が明示されない点。
（５）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用文献１には「変形例」として「第３の配線層４０の下の配線層は，３層以上であってもよい」（前記（２）ア（カ））と記載されているから，引用発明において配線層を３層以上とすることが示唆されている。すると，この示唆にしたがって引用発明において第１の配線層３０及び第２の層間絶縁層２２の下に，同様な位置関係を有する配線層とプラグを含む層間絶縁層（本願補正発明の「第一追加金属間領域」に相当）を追加することは当業者が容易になし得ることである。
　そして，その際にプラグ（ビア）を実際に形成しようとすれば，ビアは通常エッチングにより上方（ウェハから遠い方）から下方に掘り進めて形成するから上方でより長時間エッチャントにさらされることにより，本質的にテーパー形状となるのであって（特開２００９−９９９９３号公報【０００６】参照。），「テーパーのついた側壁を有する」ビアとすることは，プラグ（ビア）形成技術の具体的適用に伴う設計的事項にすぎない。
　イ　相違点２について
　ビアを相違点２に係る形状とすることの技術的意義やその効果について検討する。本願明細書を参酌すると，本願の図２及び図３には指示番号「１６２Ａ」が付された「下方が幅広の台形形状のもの」が記載されているが，同図を参照する本願明細書の段落【０００９】及び【００１８】には，「ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する」ことの技術的意義やその製造方法について言及はない。かえって，本願の図４には「下方が幅広の台形形状のもの」と逆向きである「上方が幅広の台形形状のもの」の両方が記載されており，これを参照して本願明細書の段落【００２１】には「図４は，具体例による剥離を軽減する実例パッド構造４００の断面図である。」と記載されているのであるから，本願明細書の段落【０００３】に記載された「本発明は，剥離を軽減するパッド構造を提供することを目的とする。」という課題との関係において，「下方が幅広の台形形状のもの」であろうが「上方が幅広の台形形状のもの」であろうがどちらでもよいとしか理解できず，「ウェハに接近する方向に沿って増大する幅を有する」ことの技術的意義やその効果は，当業者にとって不明と言うほかはない。
　そもそも，本願の図１ないし図４のすべてにおいて，指示番号「１２０」が付された「パッド」の直下に位置する，指示番号「１２２」が付された「パッド接続」はテーパーの付いていない長方形として表現されており，最もパッド１２０における力１９０の影響を受けるパッド接続１２２がテーパー不要のものとして表現されているのであるから，テーパーの向きはおろかテーパーを付けること自体にすら本願補正発明における技術的意義やその効果を認めることはできない。
　そして，引用技術的事項により「接続孔とその下に形成された導体層との間のコンタクト抵抗を増加させることなく，確実に金属配線材料で開口部内が埋め込まれた接続孔」として「絶縁層の表面近傍における開口部の径が最小値をとり，開口部の底部に向かって開口部の径が増加すること」が示されており，引用発明においてプラグを設計する際に「接続孔とその下に形成された導体層との間のコンタクト抵抗を増加させることなく，確実に金属配線材料で開口部内が埋め込まれた接続孔」を実現するために，引用技術的事項を採用することにより，ビアを相違点２に係る形状とすることは，当業者が適宜なし得る設計変更にすぎない。
　ウ　効果について
　「パッド構造に関連する剥離を軽減する」（本願明細書段落【０００５】）という本願補正発明の効果については，前記（２）ア（オ）のとおり，引用発明も同様の効果を奏するものであるから，引用発明に比して格別のものではない。なお，相違点２に係る構成による効果も上述イのとおり，格別のものと認めることはできない。
（６）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２８年９月２６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「接着領域と，
　前記接着領域下のパッドと，
　前記パッド下の第一層間領域と，
　前記第一層間領域下の第一金属間領域と，
　前記第一層間領域下に設置された第一追加金属間領域と，
　前記第一追加金属間領域下のパッシベーション酸化物領域と，
　パッシベーション酸化物領域下のウェハと，
を含むパッド構造において，
　第一領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記接着領域および前記パッド下に設置され，
　第二領域は，前記第一層間領域，前記第一金属間領域，前記パッシベーション酸化物領域，前記第一追加金属間領域，および，前記ウェハを通して延在する領域として規定され，前記パッド下に前記第一領域に隣接して設置され，
　前記第一層間領域は，前記第一領域の誘電体材料と前記第二領域の第一パッド接続を含み，
　前記第一金属間領域は，前記第一領域の前記第一層間領域および前記第一金属間領域間の誘電体-誘電体インターフェースを形成する前記第一領域の誘電体材料，および，前記第二領域の金属を含み，および
　前記第一追加金属間領域は，前記第二領域に設置され，テーパの付いた側壁を有し，前記第一金属間領域の前記第二領域の前記金属とインターフェース接続する第一ビアを含む
ことを特徴とするパッド構造。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，本願発明は，本願優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１：特開２００２−２２２８１１号公報
３　引用文献
　前記第２の２（２）のとおり，引用文献１には引用発明が記載されていると認められる。
４　判断
　本願発明と引用発明を対比すると，前記第２の２（４）と同様であり，同じ相違点１で相違するが，その余の点で一致する。そして，前記第２の２（５）アのとおり，相違点１に係る構成を得ることは，当業者が容易になし得ることであり，本願発明の効果については，同ウで述べたところと同様であるから，引用発明に比して格別のものではない。
５　まとめ
　よって，本願発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。