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　特願２０１１−１２８２４９「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２７日出願公開、特開２０１２−２５６６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年６月８日に特許出願したものであって、平成２７年９月４日付け拒絶理由通知に対して平成２８年３月７日付けで手続補正がなされ、同年４月２５日付け最後の拒絶理由通知に対して同年１１月８日付けで意見書が提出されたが、平成２９年１月１６日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月２４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成２８年３月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　互いに積層された第１及び第２の半導体チップを含むチップ積層体を有する半導体装置であって、
　前記第１及び第２の半導体チップのそれぞれが、
　半導体基板と、
　前記半導体基板の第１の面に設けられた回路素子層と、
　前記回路素子層の表面に設けられた第１の表面絶縁層と、
　前記半導体基板の前記第１の面の反対側に位置する前記半導体基板の第２の面に設けられた第１の裏面絶縁層と、
　前記第１の裏面絶縁層の面のうち、前記半導体基板と接触する面とは反対側に位置する面に設けられ、前記第１の裏面絶縁層と異なる絶縁物質を含む第２の裏面絶縁層と、
　前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
　前記貫通電極に接続された表面電極と、を有し、
　前記第１の表面絶縁層は、前記表面電極を露出する開口部を備え、
　前記表面電極は、前記第１の表面絶縁層から離れていることを特徴とする半導体装置。」
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−３４２６９０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚さ方向に貫通する貫通電極を有する半導体チップおよびその製造方法、ならびに厚さ方向に貫通する貫通電極を有する
複数の半導体チップが積層された半導体装置
に関する。
イ．「【００４１】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体チップの構造を示す図解的な断面図である。
この
半導体チップ１は、シリコンからなる半導体基板２を含んでいる。
半導体基板２の一方表面（以下、「表面」という。）には、複数の電極を有する機能素子（デバイス）３が形成されている。
【００４２】
半導体基板２の表面には、開口６ａを有するハードマスク６が形成されている。
半導体基板２の表面において、開口６ａ内には、機能素子３の一部を露出させるようなパターンを有する絶縁膜８が形成されている。開口６ａおよび貫通孔４の内面には、銅（Ｃｕ）からなる表面側シード層９が形成されている。表面側シード層９は、貫通孔４内では半導体基板２の表面から７０μｍより浅い部分に形成されている。表面側シード層９は、さらに、半導体基板２の厚さ方向に関して表面から７０μｍ程度の位置に、貫通孔４にほぼ垂直に貫通孔４を塞ぐように形成されている。表面側シード層９は、貫通孔４の内周面（絶縁膜５上）にも形成されている。」
ウ．「【００４４】
配線部材１１やハードマスク６の表面には、酸化珪素や窒化珪素（Ｓｉ
３
Ｎ
４
）からなる表面側絶縁膜１３が形成されている。
表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されている。表面側貫通電極１０Ａには、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２が接合されている。
半導体基板２の表面とは反対側の面（以下「裏面」という。）には、開口７ａを有するハードマスク７が形成されている。
【００４５】
貫通孔４内で、半導体基板２の裏面から３０μｍより浅い部分には、銅からなる裏面側シード層１４が設けられている。裏面側シード層１４は、表面側シード層９のうち貫通孔４を塞いでいる部分に隣接して、貫通孔４を塞ぐように形成されており、さらに、貫通孔４内の内周面やハードマスク７の開口７ａの内壁面にも形成されている。
貫通孔４内で裏面側シード層１４に囲まれた領域および開口７ａ内は、裏面側貫通電極１０Ｂで満たされている。裏面側貫通電極１０Ｂは銅からなる。裏面側貫通電極１０Ｂの表面は、ハードマスク７の表面と面一になっている。
ハードマスク７の表面には、酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６が形成されている。
【００４６】
表面側貫通電極１０Ａ、表面側シード層９、裏面側シード層１４、および裏面側貫通電極１０Ｂは、半導体基板２の表面側と裏面側との導通経路をなす貫通電極１０を形成している。
これにより、機能素子３の配線部材１１が接続された電極に対して、バンプ１２を介して半導体チップ１の表面側から電気接続できるとともに、バンプ１５を介して半導体チップ１の裏面側からも電気接続できる。
半導体基板２を貫通する貫通電極１０
エ．「【０１０３】
ウエハＷの裏面には、研削痕や研削時に受けたダメージを有する研削ダメージ層が存在している。この研削ダメージ層を除去するため、ウエハＷの裏面が５μｍ程度ドライエッチングされる（図１３（ｃ）参照）。これにより、ウエハＷの厚さは１００μｍ程度となる。
次に、ＣＶＤ法により、ウエハＷの裏面全面に、
酸化珪素からなるハードマスク７
　上記アないしエ及び図１から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、複数の半導体チップが積層された半導体装置に関するものである。
・上記イによれば、半導体チップ１は、半導体基板２を有するものである。
・上記イによれば、半導体基板２の表面には、複数の電極を有する機能素子（デバイス）３が形成されているものである。
・上記イによれば、半導体基板２の表面には、ハードマスク６が形成されているものである。
・上記ウによれば、ハードマスク６の表面には、表面側絶縁膜１３が形成されているものである。
・上記ウ、エによれば、半導体基板２の表面とは反対側の裏面には、酸化珪素からなるハードマスク７が形成されているものである。
・上記ウによれば、ハードマスク７の表面には、酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６が形成されているものであり、図１によれば、裏面側絶縁膜１６は、ハードマスク７の半導体基板２と接触する面とは反対側に位置する面に形成されるものである。
　つまり、ハードマスク７の半導体基板２と接触する面とは反対側に位置する面には、酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６が形成されているものである。
・上記ウによれば、表面側貫通電極１０Ａ、表面側シード層９、裏面側シード層１４、および裏面側貫通電極１０Ｂは、半導体基板２を貫通する貫通電極１０を形成するものである。
・上記ウによれば、表面側貫通電極１０Ａには、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２が接合されているものである。
・上記ウによれば、表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されているものである。また、図１によれば、バンプ（突起電極）１２は、表面側絶縁膜１３を貫通するものである。
・上記イによれば、図１は、半導体チップの構造を示すものであり、図１によれば、符号「１」で示される半導体チップは、半導体基板２と機能素子（デバイス）３とハードマスク６と表面側絶縁膜１３とハードマスク７と裏面側絶縁膜１６と貫通電極１０とバンプ（突起電極）１２とを有するものである。
　つまり、半導体チップ１は、半導体基板２と機能素子（デバイス）３とハードマスク６と表面側絶縁膜１３とハードマスク７と裏面側絶縁膜１６と貫通電極１０とバンプ（突起電極）１２とを有するものである。
　そうすると、上記摘示事項及び図１を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「複数の半導体チップが積層された半導体装置であって、
　半導体チップ１は、
　半導体基板２と、
　半導体基板２の表面に形成され、複数の電極を有する機能素子（デバイス）３と、
　半導体基板２の表面に形成されるハードマスク６と、
　ハードマスク６の表面に形成される表面側絶縁膜１３と、
　半導体基板２の表面とは反対側の裏面に形成され、酸化珪素からなるハードマスク７と、
　ハードマスク７の半導体基板２と接触する面とは反対側に位置する面に形成され、酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６と、
　表面側貫通電極１０Ａ、表面側シード層９、裏面側シード層１４、および裏面側貫通電極１０Ｂにより形成され、半導体基板２を貫通する貫通電極１０と、
　表面側貫通電極１０Ａに接合され、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２と、を有し、
　表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されており、バンプ（突起電極）１２は、表面側絶縁膜１３を貫通する半導体装置。」
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「複数の半導体チップが積層」された構造は、互いに積層された一の半導体チップ及び他の半導体チップを有するものといえるから、本願発明の「互いに積層された第１及び第２の半導体チップを含むチップ積層体」に相当するものを当然に備えているものである。
　したがって、引用発明の「複数の半導体チップが積層された半導体装置」は、本願発明の「互いに積層された第１及び第２の半導体チップを含むチップ積層体を有する半導体装置」に相当する。
（２）引用発明の「半導体チップ１」は、「複数の半導体チップが積層」された構造における各半導体チップを構成するものであると解するのが自然であり、本願発明の「前記第１及び第２の半導体チップのそれぞれ」に相当する。
（３）引用発明の「半導体基板２」は、本願発明の「半導体基板」に相当する。
（４）引用発明の「半導体基板２の表面」は、本願発明の「前記半導体基板の第１の面」に相当する。そして、引用発明の「複数の電極を有する機能素子（デバイス）３」及び「ハードマスク６」は、機能素子（デバイス）３により回路素子を構成するとともに、ハードマスク６により層を形成するものであるから、本願発明の「回路素子層」であるといえる。
　したがって、引用発明の「半導体基板２の表面に形成され、複数の電極を有する機能素子（デバイス）３」及び「半導体基板２の表面に形成されるハードマスク６」は、本願発明の「前記半導体基板の第１の面に設けられた回路素子層」に相当する。
（５）引用発明の「ハードマスク６の表面」は、ハードマスク６が本願発明の「回路素子層」を構成するものであるから、本願発明の「回路素子層の表面」に相当する。したがって、引用発明の「ハードマスク６の表面に形成される表面側絶縁膜１３」は、本願発明の「前記回路素子層の表面に設けられた第１の表面絶縁層」に相当する。
（６）引用発明の「半導体基板２の表面とは反対側の裏面」は、本願発明の「前記半導体基板の前記第１の面の反対側に位置する前記半導体基板の第２の面」に相当する。また、引用発明の「半導体基板２の表面とは反対側の裏面に形成され、酸化珪素からなるハードマスク７」は、酸化珪素からなるものであるから絶縁体であり、半導体基板２の裏面に形成されるものであるから、裏面絶縁層であるといえる。
　したがって、引用発明の「半導体基板２の表面とは反対側の裏面に形成され、酸化珪素からなるハードマスク７」は、本願発明の「前記半導体基板の前記第１の面の反対側に位置する前記半導体基板の第２の面に設けられた第１の裏面絶縁層」に相当する。
（７）引用発明の「ハードマスク７の半導体基板２と接触する面とは反対側に位置する面」は、本願発明の「前記第１の裏面絶縁層の面のうち、前記半導体基板と接触する面とは反対側に位置する面」に相当する。また、引用発明の「酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６」は、窒化珪素が含まれ得るものだから、引用発明の「酸化珪素からなるハードマスク７」とは、異なる絶縁物質を含むものであるといえる。
　したがって、引用発明の「ハードマスク７の半導体基板２と接触する面とは反対側に位置する面に形成され、酸化珪素や窒化珪素からなる裏面側絶縁膜１６」は、本願発明の「前記第１の裏面絶縁層の面のうち、前記半導体基板と接触する面とは反対側に位置する面に設けられ、前記第１の裏面絶縁層と異なる絶縁物質を含む第２の裏面絶縁層」に相当する。
（８）引用発明の「半導体基板２を貫通する貫通電極１０」は、本願発明の「前記半導体基板を貫通する貫通電極」に相当する。
（９）引用発明の「表面側貫通電極１０Ａに接合され、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２」は、貫通電極１０を構成する表面側貫通電極１０Ａに接合されるものであるから、貫通電極に接続されたものであるといえる。また、引用発明の「表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２」は、半導体基板２の表面側に設けられる表面側絶縁膜１３の表面から突出するものであり、半導体基板の２の表面側に設けられた電極であるから、表面電極であるといえる。
　したがって、引用発明の「表面側貫通電極１０Ａに接合され、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２」は、本願発明の「前記貫通電極に接続された表面電極」に相当する。
（１０）引用発明の「表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されて」いることは、表面側絶縁膜１３（上記（５）のとおり、本願発明の「第１の表面絶縁層」に相当。）に、表面側貫通電極１０Ａを露出するための開口部が設けられていると解するのが自然である。そして、引用発明の「表面側貫通電極１０Ａに接合され、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２」及び「表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されており、バンプ（突起電極）１２は、表面側絶縁膜１３を貫通する」ことは、表面側貫通電極１０Ａを露出するための上記開口部の内部に、表面側絶縁膜１３を貫通して表面側絶縁膜１３の表面から突出するように、バンプ（突起電極）１２が設けられていると解するのが自然であり、当該開口部は、バンプ（突起電極）１２を露出するものであるといえる。
　したがって、引用発明の「表面側貫通電極１０Ａに接合され、表面側絶縁膜１３の表面から突出したバンプ（突起電極）１２」及び「表面側貫通電極１０Ａは、表面側絶縁膜１３から露出されており、バンプ（突起電極）１２は、表面側絶縁膜１３を貫通する」ことは、本願発明の「前記第１の表面絶縁層は、前記表面電極を露出する開口部」に相当する構成を備えているものである。
（１１）本願発明は「前記表面電極は、前記第１の表面絶縁層から離れている」のに対し、引用発明にはその旨の特定がされていない。
　上記（１）ないし（１１）から、本願発明と引用発明とは、次の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
　互いに積層された第１及び第２の半導体チップを含むチップ積層体を有する半導体装置であって、
　前記第１及び第２の半導体チップのそれぞれが、
　半導体基板と、
　前記半導体基板の第１の面に設けられた回路素子層と、
　前記回路素子層の表面に設けられた第１の表面絶縁層と、
　前記半導体基板の前記第１の面の反対側に位置する前記半導体基板の第２の面に設けられた第１の裏面絶縁層と、
　前記第１の裏面絶縁層の面のうち、前記半導体基板と接触する面とは反対側に位置する面に設けられ、前記第１の裏面絶縁層と異なる絶縁物質を含む第２の裏面絶縁層と、
　前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
　前記貫通電極に接続された表面電極と、を有し、
　前記第１の表面絶縁層は、前記表面電極を露出する開口部を備えたことを特徴とする半導体装置。
＜相違点＞
　本願発明では、「前記表面電極は、前記第１の表面絶縁層から離れている」のに対し、引用発明には、その旨の特定がされていない。
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　半導体チップが貫通電極を有するか否かに関わらず、半導体チップの表面に設けられ、バンプを露出する開口部を備える絶縁層と、当該開口部の内部に設けられ、絶縁層を貫通して絶縁層の表面から突出するように設けられるバンプとの関係について、バンプを絶縁層から離れたものとすることは、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−６４８１２号公報（第２絶縁膜４と金属バンプ６の関係。段落【００３７】、【００４１】、図１を参照。）、特開平１０−２３３３９９号公報（上層の表面保護膜４ｂとバンプ電極７の関係。段落【００２６】ないし【００２７】、【００７８】ないし【００８７】、図１、図２３ないし図３０を参照。）、特開平１１−８７４０４号公報（応力低減層１８と半田接合部３０の関係。段落【００１４】ないし【００１５】、図２を参照。）、特開２０１１−８２４５０号公報（カバー層８７と表面バンプ８５の関係。段落【００６６】、図４、図１６参照。）及び特開２００９−１２９９５３号公報（絶縁膜８と接続用バンプ１０，１１の関係。段落【００２２】、【００２６】、図１１ないし図１３を参照。）に記載されているように周知の技術事項である。
　よって、引用発明のバンプ（突起電極）１２および表面側絶縁膜１３に、周知技術を適用して相違点の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　念のため、本願発明の「前記表面電極は、前記第１の表面絶縁層から離れている」事項について、製造方法の点からも検討する。
　本願の発明の詳細な説明の段落【０１２３】ないし【０１２５】には、めっき用レジスト膜１５５の開口部１５６に表面電極本体１５３を形成し、めっき用レジスト膜１５５を除去することで、第２の表面電極６９を形成し、開口部１５６が、第１の表面絶縁層６５の開口部１３１よりも小さいこと（図５参照）により、（本願発明の表面電極に対応する）第２の表面電極６９が（本願発明の第１の表面絶縁層に対応する）第１の表面絶縁層６５から離れているように、製造するものであることが示されている。
　ここで、上記特開平１０−２３３３９９号公報（段落【００７８】ないし【００８７】、図２３ないし図３０を参照。）には、フォトレジストパターン９ｂ1を用いてはんだバンプ７ａを形成し、フォトレジストパターン９ｂ1を除去することで、バンプ電極７を形成し、フォトレジストパターン９ｂ1の開口が、ポリイミド樹脂等からなる上層の表面保護膜４ｂの開口部８よりも小さいこと（図２６参照）により、バンプ電極７が上層の表面保護膜４ｂから離れたものとされることが示されており、絶縁層が有する開口部よりも小さな開口部を有するレジスト膜を用いてバンプを形成することにより、バンプを絶縁膜から離れたものとすることは、一般的に用いられる手法に過ぎない。
　そうすると、引用発明のバンプ（突起電極）１２を形成する手法として、当該一般的な手法を用いることにより、バンプ（突起電極）１２を表面側絶縁膜１３から離れたものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１及び２と引用文献５〜７を組み合わせるべき動機付けはなく、そのような示唆もない。そもそも、引用文献５〜７は貫通電極とは無関係な発明である。」及び「引用文献８及び９には、互いに異なる絶縁材料からなる「第１の裏面絶縁層」と「第２の裏面絶縁層」によってチップの裏面を覆う点については記載されていない。つまり、各引用文献には、本発明が規定する各要素がバラバラに開示されているだけであり、これらをいとも簡単に組み合わせ可能であるとする認定は、当たらないものと思料する。」という旨を主張している。
　しかし、引用発明におけるバンプ（突起電極）１２は、表面側絶縁膜１３の開口部の内部に設けられ、表面側絶縁膜１３を貫通して表面側絶縁膜１３の表面から突出するように設けられているものであり、当該バンプ（突起電極）１２が設けられた半導体チップと他の半導体チップとの間の電気的な接続を行う機能を有するものである。
　また、上述したとおり、半導体チップが貫通電極を有するか否かに関わらず、半導体チップの表面に設けられ、バンプを露出する開口部を備える絶縁層と、当該開口部の内部に設けられ、絶縁層を貫通して絶縁層の表面から突出するように設けられるバンプとの関係について、バンプを絶縁層から離れたものとすることは、周知技術であり、当該周知技術においても、バンプは、バンプが設けられた半導体チップと他の装置との間の電気的な接続を行う機能を有するものである。そして、当該機能は、バンプが、開口部の内部に設けられ、絶縁層を貫通して絶縁層の表面から突出するように設けられることにより達成されるものであって、半導体チップにおける貫通電極の有無や半導体チップの裏面の第１の裏面絶縁層及び第２の裏面絶縁層の有無に依存するものではない。
　してみると、引用発明のバンプ（突起電極）１２も、上記周知技術のバンプも、バンプが設けられた半導体チップと他の装置との間の電気的な接続を行うという共通の機能を有するものであり、引用発明のバンプ（突起電極）１２および表面側絶縁膜１３に、上記周知技術を適用する動機付けが存在するといえる。また、引用発明のバンプ（突起電極）１２および表面側絶縁膜１３に、上記周知技術を適用することに、特段の阻害要因は存在しない。
　よって、審判請求人の上記主張を採用することはできない。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用発明と周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　したがって、本願発明は、引用発明および周知の技術事項により当業者が容易になし得たものである。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。