【事件の表示】
　特願２０１３−　１５０５５「感光性コポリマー、このコポリマーを含むフォトレジスト組成物、およびこれから形成される物品」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２９日出願公開、特開２０１３−１６６９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１月３０日（パリ条約による優先権主張　２０１２年２月１５日　米国）に出願された特許出願であって、平成２７年１２月２２日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年３月２８日に意見書及び誤訳訂正書が提出されたが、同年５月１８日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年９月１６日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に特許請求の範囲についての手続補正書が提出され、同年１１月１日に審判請求書についての手続補正書（方式）が提出され、同年１１月３０日付けで前置報告がされたものである。
第２　平成２８年９月１６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［結論］
　平成２８年９月１６日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　平成２８年９月１６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、審判請求と同時にされた補正であり、本件補正前の平成２８年３月２８日提出の誤訳訂正書により補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、特許請求の範囲の請求項１について、
「【請求項１】
　式（ＸＸ）：
　【化１】
  
（式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
　（１）ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、これらは一緒に環を形成し、
　Ｒｚは（ｉ）（ａ）置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基、（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル、および（ｃ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合するＣ１−１０アルキレン基もしくはＣ３−１０シクロアルキレン基並びに置換基Ｒｘ、Ｒｙ、およびＲｚが結合された炭素原子を含む基であるか、または（ｉｉ）Ｃ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含むＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、あるいは
　（２）ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、
　Ｒｚは置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基またはＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、　少なくとも１つのＲｘおよびＲｙはＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含み、さらに連結基としてＣ１−２０アルキレン基を含む）
を有する電子感受性酸脱保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマー。」を
「【請求項１】
　式（ＸＸ）：
　【化１】
  
（式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、これらは一緒に環を形成し、
　Ｒｚは（ｉ）（ａ）置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基、（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル、および（ｃ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合するＣ１−１０アルキレン基もしくはＣ３−１０シクロアルキレン基並びに置換基Ｒｘ、Ｒｙ、およびＲｚが結合された炭素原子を含む基であるか、または（ｉｉ）Ｃ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含むＣ６−２０環式脂肪族含有基であ
る
を有する電子感受性酸脱保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマー。」とする補正（以下「補正事項１」という。なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。）を含むものである。
２　補正の目的
　上記の補正事項１は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である一般式（ＸＸ）におけるＲｘ、Ｒｙ及びＲｚについて、その選択肢の一つである「（２）ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、
　Ｒｚは置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基またはＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、　少なくとも１つのＲｘおよびＲｙはＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含み、さらに連結基としてＣ１−２０アルキレン基を含む）」を削除するとともに、不要となった「（１）」を削除するものであり、また、補正前後の請求項１に係る発明の産業上の利用分野及び解決すべき課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　上記２のとおりであるから、補正事項１を含む本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
式（ＸＸ）：
　【化１】
  
（式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、これらは一緒に環を形成し、
　Ｒｚは（ｉ）（ａ）置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基、（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル、および（ｃ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合するＣ１−１０アルキレン基もしくはＣ３−１０シクロアルキレン基並びに置換基Ｒｘ、Ｒｙ、およびＲｚが結合された炭素原子を含む基であるか、または（ｉｉ）Ｃ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含むＣ６−２０環式脂肪族含有基である）を有する電子感受性酸脱保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマー。　」
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
ア　特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
　以下、この観点に立って検討する。
イ　平成２７年３月２８日提出の誤訳訂正書により補正された明細書（以下「本願明細書」という。なお、審判請求時の補正により明細書は補正されていない。）には、以下のとおりの記載がある（下線は、当審で付した。）。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本明細書に開示されるのは、新規感光性コポリマー、このコポリマーを含むフォトレジスト、およびこのフォトレジストからパターンを形成する方法である。
【背景技術】
【０００２】
　
ＥＵＶ（極紫外線）フォトレジスト現像はＥＵＶＬ（ＥＵＶリソグラフィ）技術実行のための困難な問題であり続けてきた。高解像（すなわち、ハーフピッチで２２ｎｍのフィーチャを解像する）かつ１．８ｎｍ未満の低いライン幅ラフネス（ＬＷＲ）だけでなく、高いウェハスループットを提供する（すなわち、１０〜１５ｍＪ／ｃｍ
２
）のに充分感受性である材料の開発が必要とされている。
【０００３】
　ＥＵＶフォトレジスト材料およびポリマーデザインのために、非常に重要な考慮事項はＥＵＶ吸収である。ＥＵＶプラットフォーム広く使用されるポリマーは高エネルギー（１３．４ｎｍ）光によってイオン化されており、かつ高エネルギー電子を放出する。この高エネルギー電子は還元的電子移動によって光酸発生剤によって捕捉され、そしてＰＡＧを活性化して酸を発生させる。
【０００４】
　ＥＵＶ感受性はフォトスピードによっても決定され、このフォトスピードはレジスト中の光酸発生剤（ＰＡＧ）の濃度および／または効率を変えること、ポリマー骨格上の酸不安定（ａｃｉｄ−ｌａｂｉｌｅ）保護基の数を最適化すること、ポリマー保護基を設計すること、または塩基クエンチャーの量を少なくすることによって増大させられうる。
ササキら（・・・Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ　Ｖ．６９２３、６９２３４７（２００８））はハロゲン原子をポリマーに導入することが、ＥＵＶ高吸収性元素であるハロゲンによる吸収係数の増大のせいで、ＥＵＶシステムにおいて酸発生収率およびレジスト感度を増大させることを開示する。
・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　
この追加の吸収はＥＵＶリソグラフィにおける入射エネルギーを効率的に使用させうる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　
先行技術の上記および他の欠点は、式（ＸＸ）を有する電子感受性酸脱保護性（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｚｉｎｇ　ａｃｉｄ　ｄｅｐｒｏｔｅｃｔａｂｌｅ）モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマーによって克服されうる：
【化１】
   
式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、Ｒｚは置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基またはＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、ＲｘおよびＲｙは場合によっては一緒に環を形成し、並びに
Ｒ
ｘ
、Ｒ
ｙ
およびＲ
ｚ
の少なくとも１つはハロゲン化されている。
（イ）「【発明を実施するための形態】
【００１３】
　本発明の上述のおよび他の目的、特徴および利点は、添付の図面と合わせて以下の詳細な記載から明らかである。
　本明細書において開示されるのは、ラジカル重合性（メタ）アクリラート型モノマーをベースにして酸脱保護性電子感受性基を組み込んだ新規コポリマーである。
この酸脱保護性電子感受性モノマーは、酸の存在下でのこの基の容易な脱離を可能にする第三級アルキルスペーサー構造を有し、かつハロゲン化ＥＵＶ発色団（例えば、フッ素基）を有するペンダント芳香環を含むか、または前記スペーサー自体がハロゲン化発色団を含むか、または両方である。
「【００１７】
　ある実施形態においては、電子感受性モノマーは式（ＩＩＩ）または（ＩＶ）を有する
：
【化５】
  
式中、各Ｒａは独立してＨ、Ｆ、−ＣＮ、ＣＨ３、もしくはＣＦ３であり、ＲｃはＣ１−１０アルキルもしくはＣ３−１０シクロアルキルであり、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、およびＲｇは独立してＣ１−６ペルフルオロアルキル、もしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルであり、Ｓ２は単結合、Ｃ１−１０アルキレン基、もしくはＣ３−１０シクロアルキレン基であり、ｘは１〜２０の整数であり、ｙは１〜２０の整数であり、ｍは０〜５の整数であり、ｎは１〜５の整数であり、並びにｐは０〜２ｘ＋６の整数である。」
「【００２０】・・・ある実施形態においては、電子感受性酸脱保護性モノマーは
【化９】
  
またはこの組み合わせを含む。」
（ウ）「【００４７】
　本発明は以下の実施例によってさらに説明される。
　・・・
【００４９】
　
２種類の異なる脱離基モノマー（電子感受性モノマーＬＧ１およびＬＧ２）が以下の手順に従って製造された。
【００５０】
　スキーム１に示される
脱離基１（ＬＧ１）
【化２２】
  
【００５１】
　
１−（３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル）シクロペンチルメタクリラート（スキーム１において、ｎ＝１、Ｘ＝ＣＦ
３
）
・・・
【００５４】
　スキーム２に示される
脱離基２（ＬＧ２）（式中、ｎ＝１およびｙはＣＦ
３
である）
【化２３】
  
・・・２０ｇの
５，５，５−トリフルオロ−２−フェニルペンタン−２−イルメタクリラート（ＬＧ２）
【００５７】
　
比較ポリマー例
　ヒール、フィードおよび開始剤のための３種類の別々の溶液が製造された。このヒール溶液は１．９３ｇの
２−フェニル−２−プロピルメタクリラート（ＰＰＭＡ）
・・・
【００６０】
　実施例１（
ポリマーＡ
　ヒール、フィードおよび開始剤のための３種類の別々の溶液が製造された。このヒール溶液は３．４２ｇの
１−（３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル）シクロペンチルメタクリラート
・・・
【００６３】
　実施例２（
ポリマーＢ
　ヒール、フィードおよび開始剤のための３種類の別々の溶液が製造された。このヒール溶液は２．５７ｇの
５，５，５−トリフルオロ−２−フェニルペンタン−２−イルメタクリラート
・・・
【００６５】
・・・最終ポリマーは真空で一晩乾燥させられた。
【００６６】
　表１は評価されたポリマーの物理的特性を示す。４０ｎｍ膜厚さでの透過率は、それぞれの化学組成物についての実施されたおよび推定された材料密度（１．２ｇ／ｃｍ３）を用いて計算された。
【００６７】
【表１】
【００６８】
　次いで、上記ポリマーは配合され、そしてＫｒＦおよびＥＵＶ露光条件下で評価された。
【００６９】
　フォトレジスト製造および処理
　上述のように製造されたポリマー４．９５ｇ、乳酸エチル中のオムノバＰＦ６５６界面活性剤の５重量％溶液０．１ｇ、塩基添加剤（Ｔｒｏｇｅｒ’ｓ  Ｂａｓｅ）の１重量％溶液１．０ｇ、ヒドロキシメチルイソブチラート溶媒（ＨＢＭ）３７．９１ｇ、および乳酸エチル溶媒１５６ｇを混合することによりポジティブトーンフォトレジスト組成物が製造された。
【００７０】
  このレジスト溶液は０．０１μｍＰＴＦＥフィルタを通された。レジスト配合物は６０ｎｍのレジスト厚さに対して２５ｎｍの下層（ＡＲ（商標）１９、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズＬＬＣ）でコーティングされた２００ｍｍＳｉウェハ上にスピンキャストされた。この膜は１３０℃で９０秒間アニールされ、そしてコントラスト曲線を得るためのオープンフレームアレイを用いて、ダークフィールドライン／スペースパターンを含むバイナリマスクを通して、ＥＵＶ光源（ＮＡ＝０．３０；クアッド（Ｑｕａｄ）；０．２２σ／０．６８σ）に露光された。この露光されたウェハは１００℃で６０秒間ベークされ、次いで、０．２６Ｎのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液で６０秒間現像された。
【００７１】
　
表２はポリマーＡおよびＢ、並びに比較ポリマーのリソグラフィ特性のまとめを示す
ポリマーＢはポリマーＡと比べてかなり低い１７ｎｍ解像限界、かつポリマーＢは比較例およびポリマーＡと比べて解像限界およびＬＷＲが有意に低いという独特の向上を示す。
【００７２】
【表２】
　・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００７４】
　しかし、
表２に認められるように、感度の目立った向上は観察されなかった。
ウ　本願補正発明の課題について
　本願明細書の【０００２】〜【０００７】には、ＥＵＶ（極紫外線）フォトレジスト現像はＥＵＶＬ（ＥＵＶリソグラフィ）技術実行のために困難な問題で有り続けてきており、高解像かつ１．８ｎｍ未満の低いライン幅ラフネス（ＬＷＲ）だけでなく、高いウェハスループットを提供するのに十分感受性である材料の開発が必要とされ、ササキらは、ハロゲン原子をポリマーに導入することが、ＥＵＶ高吸収性元素であるハロゲンによる吸収係数の増大のせいで、ＥＵＶシステムにおいて酸発生収率及びレジスト感度を増大させることを開示していたところ、式（ＸＸ）（注：構造式は省略）を有する電子感受性酸脱保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマーによって、先行技術の欠点が克服されうるものであると記載されている。
　そうすると、本願補正発明は、先行技術の欠点を克服し、ＥＵＶフォトレジスト現像において使用可能な、解像度、ＬＷＲ、感受性などに優れるポリマーを提供することを課題とするものであると認められる。
エ　本願補正発明の課題を解決できると認識できる範囲
　上記イのとおり、本願明細書の発明の詳細な説明には、「先行技術の上記および他の欠点は、式（ＸＸ）を有する電子感受性保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマーによって克服されうる」と記載され（【０００７】）、その式（ＸＸ）は下記の構造を有するものである（注：本願補正発明の式（ＸＸ）とは置換基の定義が異なる。）。
（式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、Ｒｚは置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基またはＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、ＲｘおよびＲｙは場合によっては一緒に環を形成し、並びにＲｘ、ＲｙおよびＲｚの少なくとも１つはハロゲン化されている。）
　そして、【０００７】の式（ＸＸ）をさらに限定した下記の式（ＩＩＩ）と式（ＩＶ）が記載され（【００１７】）、その具体的化合物として、下記の【化９】として２つのモノマーが記載されている（以下、実施例の記載に倣い、【化９】の左を「モノマーａ」、右を「モノマーｂ」という。）。
  
【化９】
　さらに、２−フェニル−２−プロピルメタクリラート（ＰＰＭＡ）とコモマーを重合した比較ポリマー、モノマーａとコモノマーを重合したポリマーＡ、及び、モノマーｂとコモノマーを重合したポリマーＢを合成し（【００４７】〜【００６５】）、それらのポリマーについて、Ｔｇなどの物理的特性（【表１】）に加え、それらのポリマーをポジティブトーンフォトレジスト組成物としてＥＵＶ光源を露光した場合の解像限界とＬＷＲ、及び、ＥＵＶとＫｒＦに対する感度（【表２】）などの測定結果が示されている。
　モノマーｂは、一般式（ＩＩＩ）に包含され、本願補正発明のように「Ｒｘ及びＲｙは・・・、これらは一緒に環を形成」する構造を有していないので、本願補正発明に含まれるものではなく、モノマーａは、一般式（ＩＶ）に包含され、本願補正発明に含まれるものである。
　そうすると、本願明細書の発明の詳細な説明に記載された【表２】の結果などからみて、本願補正発明に関してはモノマーａを用いたコポリマーが発明の課題を解決できることが具体的に示されていることから、モノマーａと基本骨格が類似するモノマー、すなわち、式（ＩＶ）を有するモノマーを用いたコポリマーについては、発明の課題を解決できることを当業者が認識することができる。
　他方、本願補正発明に係る式（ＸＸ）を有するモノマーは、式（ＩＶ）と基本骨格が異なるモノマー、すなわち、芳香族基を有しないモノマー（請求項１の（ｉｉ）は、式（ＩＶ）の基本骨格を構成するフェニル基ではなく環式脂肪族含有基である。）を包含するものであるところ、本願明細書の発明の詳細な説明には、式（ＩＶ）において、フェニル基に代えて環式脂肪族含有基としても（本願補正発明の（ｉｉ）に相当）、本願補正発明の課題に関連する物性がモノマーａと同等となることについて、合理的な説明は何ら記載されてない。
　そして、一般に、化合物は、その具体的な構造により物性が変化するものであるという技術常識に照らしても、本願補正発明に係る式（ＸＸ）を有するモノマーのうち、式（ＩＶ）と基本骨格が異なるモノマーを用いたコポリマーについても、本願補正発明の課題との関連において、モノマーａを用いたポリマーＡと同等の物性を有すると認識することはできない。
オ　本願補正発明のサポート要件適合性
　本願補正発明は、式（ＩＶ）と基本骨格が異なるものを包含する式（ＸＸ）を有するモノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマーであるが、上記エのとおり、当業者において、本願出願当時の技術常識に照らして、本願明細書の発明の詳細な説明の記載から、本願補正発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものということはできない。
　したがって、本願補正発明の特許請求の範囲（請求項１）の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しないから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（３）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ア　引用文献２に記載された事項
（ア）特開２００２−２４９５２０号公報（原査定で引用した引用文献２。以下「引用文献２」という。）には、次のとおりの記載がある（下線は当審で付した。）。
「【請求項１】　下記一般式（１）で示される基を有する高分子化合物。
　【化１】
（式中、Ｒ１は
フッ素原子又はフッ素化されたアルキル基
【請求項２】　下記一般式（２−１）〜（２−５）で示されるいずれかの繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【化２】（合議体注：一般式（２−２）〜（２−５）は省略）
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
 （式中、Ｒ１はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基であり、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。Ｒ３、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。Ｒ３、Ｒ４は環を形成してもよく、その場合はそれぞれ炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。Ｒ５〜Ｒ７は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。・・・ａ、ｂは０〜２の整数、ｃは１〜３の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。ｋは１〜５の整数、ｋ’は０〜４の整数であり、ｋ＋ｋ’＝５である。・・・）」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、微細加工技術に適したレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料のベースポリマーとして有用な高分子化合物並びにレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
　近年、ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている。
【０００３】微細化が急速に進歩した背景には投影レンズの高ＮＡ化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。・・・
【０００６】本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、３００ｎｍ以下、特にＦ２（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２（１４６ｎｍ）、ＫｒＡｒ（１３４ｎｍ）、Ａｒ２（１２１ｎｍ）などの真空紫外光における透過率に優れたレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料のベースポリマーとして有用な新規高分子化合物並びにこれを含むレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
　本発明者は上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、ベースポリマー中の酸脱離性ユニットに含フッ素芳香環を有するエステル基を導入することにより、酸脱離能を損なうことなく透明性とドライエッチング耐性を確保したレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料が得られること知見し、本発明に至ったものである。」
「【００１４】一般式（１）で表される置換基を具体的に例示すると下記のようなものが挙げられる。
【化６】
  
【００１５】本発明の高分子化合物は、上記式（２−１）〜（２−５）の繰り返し単位だけでも酸脱離性を有するが、更に酸脱離性を向上させる点から下記繰り返し単位（３−１）〜（３−５）を導入することができる。
【００１６】
【００１７】
（式中、Ｒ５〜Ｒ１０、ｍは上記と同じであり、Ｒは酸不安定基を表す。）」
「【００８６】［合成例１］メタクリル酸２−ペンタフルオロフェニル−イソプロピルと下記モノマー１の共重合（１：１）
・・・
【化１８】
  
【００８９】［合成例２］メタクリル酸｛１，１−ビス（ペンタフルオロフェニル）−２−エチル｝とモノマー１の共重合（１：１）
・・・
【００９１】［合成例３］メタクリル酸２−（ｐ−トリフルオロメチルフェニル）−イソプロピルとモノマー１の共重合（１：１）」
「【００９３】［評価例］
ポリマー透過率測定
得られたポリマー１ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２０ｇに十分に溶解させ、０．２μｍのフィルターで濾過してポリマー溶液を調製した。比較例用ポリマーとして、分子量１０，０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．１０の単分散ポリヒドロキシスチレンの水酸基の３０％をテトラヒドロピラニル基で置換したポリマーを用意し、これを比較例用ポリマー１とした。同様に、分子量１５，０００、分散度１．７のポリメチルメタクリレートを比較例用ポリマー２、メタ／パラ比４０／６０で分子量９，０００、分散度２．５のノボラックポリマーを比較例用ポリマー３とし、上記と同様の方法でポリマー溶液を調製した。ポリマー溶液をＭｇＦ２基板にスピンコーティングして塗布後、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１００ｎｍのポリマー膜をＭｇＦ２基板上に作成した。この基板を真空紫外光度計（日本分光製、ＶＵＶ−２００Ｓ）に設置し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍにおける透過率を測定した。測定結果を表１に示す。
【００９４】　　　　
【表１】
【００９５】
レジスト調製及び露光
上記ポリマー及び下記に示す成分を表２に示す量で用いて常法によりレジスト液を調製した。次に、ＤＵＶ−３０（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製）を５５ｎｍの膜厚で製膜したシリコンウエハー上に得られたレジスト液をスピンコーティング後、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、レジストの厚みを２００ｎｍの厚さにした。これにＦ２エキシマレーザー（リソテック社、ＶＵＶＥＳ）で露光量を変化させながら露光し、露光後直ちに１２０℃で９０秒間ベークし、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で６０秒間現像を行って、露光量と残膜率の関係を求めた。膜厚が０になった露光量をＥｔｈとして、レジストの感度を求めた。
【００９６】
【表２】
  
・・・
【００９８】　表１，２より本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、Ｆ２（１５７ｎｍ）の波長においても十分な透明性を確保できることがわかった。また、ＶＵＶＥＳ露光の結果、露光量の増大に従って膜厚が減少し、ポジ型レジストの特性を示すことがわかった。」
（イ）上記（ア）の記載からみて、引用文献２の一般式（２−１）で示される繰り返し単位は、「酸脱離性ユニットに含フッ素芳香環を有するエステル基を導入した」ものであり（【０００７】）、引用文献２の一般式（２−１）及び一般式（３−１）で示される繰り返し単位を形成するモノマーは、合成例１〜３で用いたモノマーのように、メタクリル酸エステルを包含するものであるから、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「メタクリル酸エステルであるモノマーから形成される、下記一般式（２−１）で示される繰り返し単位と、下記繰り返し単位（３−１）を導入した、高分子化合物。
  
（式中、Ｒ１はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基であり、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。Ｒ３、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。Ｒ３、Ｒ４は環を形成してもよく、その場合はそれぞれ炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。Ｒ５〜Ｒ７は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。Ｒは酸不安定基である。ａ、ｂは０〜２の整数、ｃは１〜３の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝３である。ｋは１〜５の整数、ｋ’は０〜４の整数であり、ｋ＋ｋ’＝５である。）中、Ｒ５〜Ｒ１０、ｍは上記と同じであり、Ｒは酸不安定基を表す。）」　　　　　　　　　
イ　本願補正発明と引用発明との対比・判断
（ア）対比
　本願補正発明のうち、Ｒｚが「（ｉ）（ａ）置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基、（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル」であるものと、引用発明とを対比する。
　本願補正発明と引用発明とは、
「式（ＸＸ）：
  
（式中、ＲａはＣ１アルキルであり、
ＲｚはＣ６芳香族含有基であるモノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマー。」である点で一致し、次の点で相違している。
＜相違点１＞
　式（ＸＸ）におけるＲｘ及びＲｙに関し、本願補正発明は、「それぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、これらは一緒に環を形成し」と特定しているのに対し、引用発明は、「Ｒ３、Ｒ４は水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。Ｒ３、Ｒ４は環を形成してもよく、その場合はそれぞれ炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。」と特定している点。
＜相違点２＞
　式（ＸＸ）におけるＲｚのＣ６芳香族含有基に置換する基に関し、本願補正発明は、「（ｉ）（ａ）置換」又は「Ｃ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル」と特定しているのに対し、引用発明は、「Ｒ１はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基であり、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基」であり、Ｒ１の結合数である「ｋは１〜５の整数」、Ｒ２の結合数である「ｋ’は０〜４の整数」であり、「ｋ＋ｋ’＝５」であると特定している点。
＜相違点３＞
　式（ＸＸ）を有するモノマーに関し、本願補正発明は「電子感受性酸脱保護性モノマー」と特定しているのに対し、引用発明は、そのような特定はされていない点。
（イ）判断
ａ　相違点１及び２について
（ａ）　引用文献２の【００１４】には、引用発明の一般式（２−１）で示される繰り返し単位の具体的な基として、
「
　　　　　　　　　」（以下「Ｒ３とＲ４が環を形成する構造」という。）
が記載され、上記構造は、引用発明の一般式（２−１）において、Ｒ３とＲ４が環を形成し、Ｒ１＝フッ素原子、Ｒ２＝水素原子としたものであり、本願補正発明において、ＲｘとＲｙが一緒に環を形成し、（ｉ）（ａ）の「置換」がフッ素原子である場合に相当する。
　そうすると、引用文献２の記載に接した当業者であれば、引用発明において、【００１４】に記載された「Ｒ３とＲ４が環を形成する構造」を採用し、本願補正発明のうち「（ｉ）（ａ）置換・・・Ｃ６−２０芳香族含有基」であるコポリマーとすることは、当業者が容易に想到することができたものということができる。
（ｂ）　引用文献２の【００１４】には、フェニル基に置換する基として、「フッ素原子」ではなく「フッ素化されたアルキル基」である−ＣＦ３を採用した構造（下記参照）も記載されている。
  
　また、引用文献２の請求項１には、Ｒ１は、「フッ素原子又はフッ素化されたアルキル基」と記載されてることから、フッ素原子とフッ素化されたアルキル基とは置換可能に用いられるものであることが理解できる。
　そうすると、引用発明において、【００１４】に記載された「Ｒ３とＲ４が環を形成する構造」を参考にして、Ｒ３とＲ４とで環を形成し、また、フェニル基に置換する基としてフッ素原子ではなくフッ素化されたアルキル基（−ＣＦ３など）を採用し、本願補正発明のうち「（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキル」とすることは、当業者が容易に想到することができたものということができる。
ｂ　相違点３について
　引用発明における一般式（２−１）で示される繰り返し単位を形成するメタクリル酸エステルであるモノマーは、【０００７】の「ベースポリマ中の酸脱離性ユニットに含フッ素芳香環を有するエステル基を導入することにより、酸脱離能を損なうことなく・・・レジスト材料が得られることを知見し、本発明に至った」との記載によれば、本願補正発明における式（ＸＸ）を有するモノマーと同様に、レジスト材料に用いられるものであり、酸脱離（「酸脱保護」と同義である。）するモノマーであるから、本願補正発明と同様に「電子感受性酸脱保護モノマー」であると認められる。
　したがって、相違点３は、実質的な相違点ではない。
ｃ　効果について
　本願補正発明と引用発明とは、いずれも、高解像度化、高感度化、微細化が求められるレジスト材料に用いることができるポリマーであり、本願補正発明と引用発明とを比較した効果の差が具体的に示されているわけではないから、本願補正発明は、引用発明に比べて格別顕著な効果を奏するものとはいえない。
ｄ　小括
　以上によれば、引用発明から本願補正発明の構成に至ることは当業者が容易に想到し得るものであり、本願補正発明の効果も格別顕著とはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明、すなわち引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　補正の却下の決定のむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明　
　第２で述べたとおり、平成２８年９月１６日にされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２８年３月２８日に提出された誤訳訂正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　式（ＸＸ）：
【化１】
（式中、ＲａはＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルもしくはＣ１−１０フルオロアルキルであり、
　（１）ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、これらは一緒に環を形成し、
　Ｒｚは（ｉ）（ａ）置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基、（ｂ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合されたＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキル、および（ｃ）Ｃ６−２０芳香族含有基に結合するＣ１−１０アルキレン基もしくはＣ３−１０シクロアルキレン基並びに置換基Ｒｘ、Ｒｙ、およびＲｚが結合された炭素原子を含む基であるか、または（ｉｉ）Ｃ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含むＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、あるいは
　（２）ＲｘおよびＲｙはそれぞれ独立して置換もしくは非置換Ｃ１−１０アルキル基またはＣ３−１０シクロアルキル基であり、
　Ｒｚは置換もしくは非置換Ｃ６−２０芳香族含有基またはＣ６−２０環式脂肪族含有基であり、少なくとも１つのＲｘおよびＲｙはＣ１−６ペルフルオロアルキルもしくはＣ３−６ペルフルオロシクロアルキルを含み、さらに連結基としてＣ１−２０アルキレン基を含む）
を有する電子感受性酸脱保護性モノマーとコモノマーとの重合生成物を含むコポリマー。」
２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の理由とされた、平成２７年１２月２２日付け拒絶理由通知書に記載した、請求項１に係る発明についての理由２及び理由４は、要するに次のとおりのものである。
（１）理由２
　請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、この出願は、請求項１の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２）理由４
　この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献２に記載された発明に基いて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　
３　当審の判断
　上記第２の２のとおり、本願補正発明は本願発明の発明特定事項を限定的に減縮したものであり、本願発明は、本願補正発明を包含するものである。
　そうすると、第２の３で述べたのと同じ理由（特許法第３６条第６項第１号及び同法第２９条第２項）により、本願発明も、特許を受けることができないものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　そうすると、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。