(57)【要約】  共振周波数や、外形寸法、他の周波数特性の制約条件を満足することが容易な誘電体共振器装置と、その製造方法との提供を図る。誘電体共振器（１）は、誘電体ブロック（２）と内導体（４）と段差面の電極非形成領域（５Ａ）とを備える。誘電体ブロック（２）は、内導体形成孔（３）が内部を貫通し、外面に外導体（６）が配される。内導体（４）は内導体形成孔（３）の内面に配される。内導体形成孔（３）は、両端間で内周面が非連続になる段差面を有する。内導体（４）は段差面に配される段差面導体部（４Ｃ）を含む。段差面導体部（４Ｃ）は、内導体形成孔（３）の一端を介して誘電体ブロック（２）外面に露出する。段差面の電極非形成領域（５Ａ）は、内導体形成孔（３）の段差面に段差面導体部（４Ｃ）とともに配される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ブロックの内部を貫通する内導体形成孔の内面の、軸方向に略垂直な段差面に配される段差面導体部を含む内導体と、
前記誘電体ブロックの外面に配されて前記内導体とともに共振器を構成する外導体と、
前記段差面導体部とともに前記段差面に配されて、前記内導体形成孔の一端から露出する段差面電極非形成領域と、を備える誘電体共振器装置。
【請求項２】
複数の前記段差面電極非形成領域が、それぞれ複数の前記内導体形成孔の前記段差面のいずれかに配されて、それぞれ前記誘電体ブロックの同一の外面に露出する請求項１に記載の誘電体共振器装置。
【請求項３】
前記段差面電極非形成領域は、前記誘電体ブロックの開放面に露出し、
前記誘電体ブロックの開放面に、前記内導体形成孔を囲む環状の第一の開放面電極非形成領域を備える請求項１または２に記載の誘電体共振器装置。
【請求項４】
前記誘電体ブロックの開放面に、前記第一の開放面電極非形成領域から内側に突設される第二の開放面電極非形成領域を備える請求項３に記載の誘電体共振器装置。
【請求項５】
前記段差面電極非形成領域は、前記段差面の軸心方向内側の端と軸心方向外側の端との中央よりも、前記軸心方向内側の位置に配置される請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体共振器装置。
【請求項６】
前記段差面電極非形成領域は、レーザ加工痕である請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体共振器装置。
【請求項７】
誘電体ブロックの内部を貫通する内導体形成孔の内面の、軸方向に略垂直な段差面に配される段差面導体部を含む内導体と、前記誘電体ブロックの外面に配されて前記内導体とともに共振器を構成する外導体と、を備える誘電体共振器装置の製造方法であって、
前記内導体が形成された前記誘電体ブロックに対して、前記段差面導体部の一部を除去して、前記内導体形成孔の一端から露出する段差面電極非形成領域を形成する工程を含む、誘電体共振器装置の製造方法。
【請求項８】
前記段差面電極非形成領域を形成する工程は、レーザを照射することによる請求項７に記載の誘電体共振器装置の製造方法。
【請求項９】
前記内導体と前記外導体とが形成された前記誘電体ブロックに対して、前記誘電体ブロックの開放面にレーザを照射することにより、前記外導体の一部を除去して、前記内導体形成孔を囲む環状の第一の開放面電極非形成領域を形成する工程を含む請求項８に記載の誘電体共振器装置の製造方法。
【請求項１０】
前記内導体と前記外導体とが形成された前記誘電体ブロックに対して、前記誘電体ブロックの開放面にレーザを照射することにより、前記外導体の一部を除去して、前記第一の開放面電極非形成領域から内側に突設される第二の開放面電極非形成領域を形成する工程を含む請求項８または９に記載の誘電体共振器装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体ブロックの外面に外導体を形成し、内導体形成孔に内導体を形成して共振器を構成した誘電体共振器装置と、その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、誘電体ブロックに内導体および外導体を形成して共振器を構成した誘電体共振器や、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサなどが普及している（以下、これらを総じて誘電体共振器装置と称する。）。【０００３】
誘電体共振器装置では、所定の共振周波数や共振器間結合度を実現しながら誘電体ブロックを小型化するために内導体形成孔の内周面を不連続に形成した構成が採用されることがあった（例えば、特許文献１参照）。例えば、内導体形成孔に大径孔と小径孔とからなるステップ構造や、軸心のずれた２つの孔からなる異軸構造などが採用されていた。このように内導体形成孔の内周面を形成した場合、内導体形成孔には軸方向に略垂直な段差面が形成されることになる。【０００４】
また、誘電体共振器装置では所望の共振周波数を得るため、製造工程において外導体に部分的な電極非形成領域を設けることで共振周波数の調整を行うことがあった（例えば、特許文献２参照。）。例えば１／４波長共振器は、共振器の開放端近傍の外導体を削除することにより共振周波数を上げ調整したり、共振器の短絡端近傍の外導体を削除することにより共振周波数を下げ調整したりされていた。
【特許文献１】特開平１０−０６５４０８号公報
【特許文献２】特開平０５−１４５３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
誘電体共振器装置では共振周波数の制約条件以外にも、外形寸法や他の周波数特性の制約条件も満足する必要がある。そのため、外導体に設ける電極非形成領域の最適化だけでは、上記共振周波数以外の制約条件をも満足することが困難な場合があった。【０００６】
また従来、誘電体共振器装置の共振周波数の下げ調整は、誘電体ブロックの短絡面の外導体に電極非形成領域を形成することにより実施されていた。したがって、共振周波数の下げ調整を行う場合、誘電体ブロックの短絡面を加工面にするように姿勢制御する必要があった。【０００７】
本発明は、共振周波数や、外形寸法、他の周波数特性の制約条件を満足することが容易な誘電体共振器装置を提供すること、および、誘電体ブロックの短絡面の加工に限定されずに、共振周波数の下げ調整を実施できる誘電体共振器装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の誘電体共振器装置は、内導体と外導体と段差面電極非形成領域とを備える。内導体は段差面導体部を含む。段差面導体部は、内導体形成孔の内面の段差面に配される。内導体形成孔は、誘電体ブロックの内部を貫通する。段差面は、内導体形成孔の軸方向に略垂直な内導体形成孔の内面である。外導体は、誘電体ブロックの外面に配されて内導体とともに共振器を構成する。段差面電極非形成領域は、段差面導体部とともに段差面に配されて、内導体形成孔の一端から露出する。【０００９】
この構成では段差面電極非形成領域を設けることにより、内導体の両端間の電流経路が伸張して、この内導体による等価的な共振器長が伸張する。これにより、この内導体と外導体とによる共振器の共振周波数が下がる。段差面電極非形成領域による等価的な共振器長の変化の程度は、段差面電極非形成領域の配置や面積などにより異なる。したがって、段差面電極非形成領域を調整して形成することにより、共振周波数の下げ調整ができる。共振周波数の下げ調整が、段差面電極非形成領域によっても可能になるので、誘電体共振器装置における、共振周波数や、外形寸法、他の周波数特性の制約条件を満足することが容易になる。【００１０】
複数の段差面電極非形成領域が、それぞれ複数の内導体形成孔の段差面のいずれかに配されてもよい。この場合、段差面電極非形成領域それぞれは誘電体ブロックの同一の外面に露出すると好適である。【００１１】
この構成では複数の内導体形成孔を備えているので、複数の共振器間の結合特性を適切に設定する必要がある。仮に、内導体の段差面以外や外導体に電極非形成領域を形成する場合、共振器間の結合特性に影響が及んで制約条件を満足することが困難になる虞がある。しかしながら、本構成のように段差面電極非形成領域を設けても、共振器間の結合特性には、ほとんど影響が及ばず、共振器間の結合特性と独立に各共振器の共振周波数を設定することができる。各段差面電極非形成領域が誘電体ブロックの同一の外面に露出すれば、この外面側から各段差面電極非形成領域の加工を行うことで、加工のたびに姿勢制御をしなくてもよい。【００１２】
誘電体ブロックの開放面に、第一の開放面電極非形成領域を備えてもよい。第一の開放面電極非形成領域は環状であり、内導体形成孔を囲む。この場合、段差面電極非形成領域は誘電体ブロックの開放面に露出すると好適である。【００１３】
第一の開放面電極非形成領域と段差面電極非形成領域とが、誘電体ブロックの開放面に露出するので、この開放面側から第一の開放面電極非形成領域と段差面電極非形成領域との加工を行うことで、加工のたびに姿勢制御をしなくてもよい。【００１４】
誘電体ブロックの開放面に、第二の開放面電極非形成領域を備えてもよい。第二の開放面電極非形成領域は、第一の開放面電極非形成領域から内側に突設される。【００１５】
この第二の開放面電極非形成領域により共振周波数を上げ調整できる。第二の開放面電極非形成領域が誘電体ブロックの開放面に露出するので、この開放面側から第二の開放面電極非形成領域と段差面電極非形成領域との加工を行うことで、加工のたびに姿勢制御をしなくてもよい。【００１６】
段差面電極非形成領域は、段差面の軸心方向内側の端と軸心方向外側の端との中央よりも、軸心方向内側の位置に配置されると好適である。【００１７】
この構成では、段差面における軸心方向内側の位置は調整感度が高く、段差面における軸心方向外側の位置は調整感度が低い。したがって、軸心方向内側の位置に段差面電極非形成領域を配置することで、小さな加工面積で大きな共振周波数の変化を導くことができる。段差面電極非形成領域の形成により生じる加工熱は誘電体材料の変質を招来し、周波数特性の劣化の要因となる。そのため、軸心方向内側の位置に段差面電極非形成領域を配置して、段差面電極非形成領域の加工面積を抑制することが、熱による周波数特性の劣化の抑制につながる。【００１８】
段差面電極非形成領域は、レーザ加工痕であってもよい。レーザ加工によれば、極めて小サイズの段差面電極非形成領域であっても高精度に形成することが可能である。したがって、極めて小型化した誘電体共振器装置にも段差面電極非形成領域を形成できる。【００１９】
本発明の誘電体共振器装置の製造方法は、内導体が形成された前記誘電体ブロックに対して、前記段差面導体部の一部を除去して、前記内導体形成孔の一端から露出する段差面電極非形成領域を形成する工程を含む。【００２０】
段差面電極非形成領域を形成する工程は、レーザを照射することによると好適である。【００２１】
内導体と前記外導体とが形成された誘電体ブロックに対して、誘電体ブロックの開放面にレーザを照射することにより、第一の開放面電極非形成領域を形成する工程を含んでもよい。第一の開放面電極非形成領域は、外導体の一部を除去して形成された、内導体形成孔を囲む環状の領域である。【００２２】
内導体と外導体とが形成された誘電体ブロックに対して、誘電体ブロックの開放面にレーザを照射することにより、第二の開放面電極非形成領域を形成する工程を含んでもよい。第二の開放面電極非形成領域は、外導体の一部を除去して形成された、第一の開放面電極非形成領域から内側に突設された領域である。【００２３】
これらの工程により、段差面電極非形成領域を設けて共振周波数の下げ調整を実施できる。また、誘電体ブロックの姿勢制御を行う工程が必須で無く、工程数を抑制できる。
【発明の効果】
【００２４】
この発明によれば、共振周波数や、外形寸法、他の周波数特性の制約条件を満足させて、誘電体共振器装置を製造できる。また、誘電体ブロックの短絡面側であっても開放面側であっても、段差面電極非形成領域を設けて共振周波数の下げ調整を実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】誘電体共振器の構成例を説明する図である。
【図２】同誘電体共振器の段差面電極非形成領域の有無および面積の大小による共振周波数の変化を説明する図である。
【図３】同誘電体共振器の製造フローである。
【図４】誘電体フィルタの構成例を説明する図である。
【図５】誘電体デュプレクサの構成例を説明する図である。
【符号の説明】
【００２６】
１…誘電体共振器
２…誘電体ブロック
３…内導体形成孔
３Ａ…大径孔
３Ｂ…小径孔
４…内導体
４Ａ…大径孔周面導体部
４Ｂ…小径孔周面導体部
４Ｃ…段差面導体部
５Ａ，５Ｂ，５Ｃ…電極非形成領域
６…外導体
１１…誘電体フィルタ
１６…外導体
５１…レーザ照射装置
５２…反射鏡
１０１…誘電体デュプレクサ
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、誘電体共振器装置の構成例を説明する。【００２８】
図１は、誘電体共振器１の構成を説明する図である。同図（Ａ）は、誘電体共振器１の正面図であり、同図（Ｂ）は、図中に一点鎖線（Ｂ−Ｂ’）で示す部分の誘電体共振器１の断面図である。【００２９】
誘電体共振器１は、誘電体ブロック２を備えている。誘電体ブロック２は誘電体材料により組成された略直方体形状のブロックである。誘電体ブロック２の内部には正面から背面にかけて、誘電体ブロック２の内部を貫通する内導体形成孔３が設けられている。内導体形成孔３は、大径孔３Ａと小径孔３Ｂとからなるステップ構造である。なお、内導体形成孔は、誘電体ブロック内部で軸心がずれる異軸構造であってもよい。【００３０】
誘電体ブロック２の外面の略全体には外導体６が設けられている。誘電体ブロック２正面の外導体６には、矩形筒状に外導体６が除去された電極非形成領域５Ｃが内導体形成孔３の外周に形成されている。この電極非形成領域５Ｃが第一の開放面電極非形成領域に相当する。また、略矩形状に外導体６が除去された電極非形成領域５Ｂが、電極非形成領域５Ｃの内側に突設されている。電極非形成領域５Ｂが第二の開放面電極非形成領域に相当する。【００３１】
また、内導体形成孔３の内面には、内導体４が設けられている。内導体４は、大径孔周面導体部４Ａと小径孔周面導体部４Ｂと段差面導体部４Ｃとから構成されている。大径孔周面導体部４Ａは内導体形成孔３の大径孔３Ａの内周面に形成されている。小径孔周面導体部４Ｂは内導体形成孔３の小径孔３Ｂの内周面に形成されている。段差面導体部４Ｃは、大径孔３Ａと小径孔３Ｂとの、軸方向に略垂直な段差面に形成されている。この段差面には、略矩形状に段差面導体部４Ｃが除去された電極非形成領域５Ａが形成されている。電極非形成領域５Ａが段差面電極非形成領域に相当する。【００３２】
この内導体４は電極非形成領域５Ｃにより誘電体ブロック２の正面側で一端が開放され、誘電体ブロック２の背面で他端が外導体６に接続されて、１／４波長共振器を構成している。【００３３】
なお、各導体非形成領域５Ａ，５Ｂ，５Ｃは、レーザのスポットを走査して導体を削除するレーザ加工により形成すると好適である。【００３４】
電極非形成領域５Ａを設けているため、この誘電体共振器１の１／４波長共振器の共振周波数は低いものになる。導体非形成領域５Ａを設けない場合よりも導体非形成領域５Ａを設けた場合のほうが、誘電体共振器１の１／４波長共振器の共振周波数を低くできる。【００３５】
また、共振器の開放端の近傍に導体非形成領域５Ｂを設けているが、これにより、この誘電体共振器１の１／４波長共振器の共振周波数は高いものになる。導体非形成領域５Ｂを設けない場合よりも導体非形成領域５Ｂを設けた場合のほうが、１／４波長共振器の共振周波数を高くできる。【００３６】
したがって、１／４波長共振器の共振周波数を導体非形成領域５Ａにより下げ調整し、導体非形成領域５Ｂにより上げ調整できる。本構成では、共振周波数の上げ調整と下げ調整とが、誘電体ブロック２の正面側に露出する部分で実施できる。【００３７】
なお、導体非形成領域５Ａによる共振周波数の調整量は、導体非形成領域の加工面積によって左右される。図２に、導体非形成領域５Ａの加工面積と共振周波数の関係を説明するグラフを示す。このグラフは、実際に製作した１０個の誘電体共振器に対して、導体非形成領域５Ａを形成する前に共振周波数を測定した平均値と、導体非形成領域５Ａを小面積にて形成して共振周波数を測定した平均値と、導体非形成領域５Ａを大面積にて形成して共振周波数を測定した平均値と、を示す。共振周波数の平均値は、導体非形成領域５Ａの形成前には約２０２２ＭＨｚであった。小面積の導体非形成領域５Ａの形成後には約２０２０ＭＨｚであった。大面積の導体非形成領域５Ａの形成後には約２０１８ＭＨｚであった。このように、導体非形成領域５Ａの加工面積によって、共振周波数の下げ調整の程度を設定できる。【００３８】
なお、導体非形成領域５Ａの形成位置によって、共振周波数の調整感度は異なる。具体的には、段差面における軸心方向内側ほど調整感度は高く、軸心方向外側ほど調整感度は低い。そのため、共振周波数を大きく調整する場合には、導体非形成領域５Ａの形成位置を軸心方向内側とすると、導体非形成領域５Ａの形成面積を微小に変化させても共振周波数を大きく変化させられるので好適である。一方、共振周波数を精緻に調整する場合には、導体非形成領域５Ａの形成位置を軸心方向外側とすると、導体非形成領域５Ａの形成面積を大きく変化させても共振周波数は小さくしか変化しないので好適である。【００３９】
ところで、レーザビームによる熱で導体を除去して導体非形成領域５Ａを形成する場合などには、加工によって生じる加工熱により誘電体材料に特性劣化が生じてしまう。したがって、導体非形成領域５Ａの形成面積が大きい場合には加工熱が大きく、特性劣化も著しいものになってしまう。この問題を回避するためには、導体非形成領域５Ａの形成面積を小さくすることが望ましく、電極非形成領域５Ａは段差面における軸心方向内側の端部付近、具体的には、軸心方向内側の端部と軸心方向外側の端部との中央位置よりも、軸心方向内側の位置に、小面積で配置すると好適である。【００４０】
次に、この誘電体共振器１の製造工程のうち、レーザ加工による電極非形成領域の形成工程について説明する。この形成工程よりも前の工程については、どのような工程を用いても良く、ここでは説明を省く。従来の誘電体ブロックの成形工程、従来の導体膜の成膜工程、および従来の誘電体ブロックおよび導体膜の焼成工程などを前工程とすると好適である。【００４１】
図３は、電極非形成領域の形成工程のフローである。この形成工程では、まず、第一プロセス（Ｓ１）で所定の姿勢制御を行って、誘電体ブロック２の正面側がレーザ照射面を向くように、誘電体ブロック２を加工調整機に設置する。ここで、加工調整機に設置する誘電体ブロック２は、前工程で、誘電体ブロック２が成形され、外面および内導体形成孔３内面の全面が導体膜で覆われた、焼成済みのものである。【００４２】
次プロセス（Ｓ２）では、加工調整機よりレーザを照射して、誘電体ブロック２の正面側に露出する導体膜の一部を除去する。最初のレーザ加工では、導体非形成領域５Ｃ部分の電極を除去する。このレーザ加工プロセス（Ｓ２）では、レーザ加工によって生じる熱により、誘電体材料や導体膜の特性が劣化してしまう。そのため次プロセス（Ｓ３）では、加工調整機内で熱処理を行って、誘電体材料や導体膜を改質し、特性を回復させる。【００４３】
この熱処理プロセス（Ｓ３）で特性回復した誘電体共振器１に対して、次プロセス（Ｓ４）では、加工調整機内で共振特性の測定および品質の合格判定を行う。この品質判定プロセス（Ｓ４）では、予め設定された合格品質（適格共振特性）であると特性が測定されれば、誘電体共振器１は良品として選別され、加工調整機から退出させられる。一方、予め設定された合格品質を満たさなければ、この誘電体共振器１に対して再びレーザ加工プロセス（Ｓ２）が行われる。【００４４】
この２度目以降のレーザ加工プロセス（Ｓ２）では、導体非形成領域５Ａ部分または導体非形成領域５Ｂ部分の電極が除去される。具体的には、前プロセス（Ｓ４）で測定された共振周波数が、合格品質の共振周波数よりも高すぎる場合には、内導体形成孔３の段差面に、導体非形成領域５Ａを形成する。一方、前プロセス（Ｓ４）で測定された共振周波数が、合格品質の共振周波数よりも低すぎる場合には、誘電体ブロック２正面に、導体非形成領域５Ｂを形成する。【００４５】
このようなレーザ加工プロセス（Ｓ２）後には、再び加工調整機内で熱処理プロセス（Ｓ３）を行って、誘電体材料や導体膜を改質し、特性を回復させ、品質判定プロセス（Ｓ４）で、再び共振特性の測定および合格判定を行う。【００４６】
以上のフローにより、誘電体共振器１の製造工程では合格判定を合格するまで（または合格判定の実施回数が上限調整数に達するまで）、レーザ加工プロセス（Ｓ２）、熱処理プロセス（Ｓ３）、および合格判定プロセス（Ｓ４）が繰り返される。そのため、導体非形成領域５Ａおよび導体非形成領域５Ｂの形成面積が調整され、一定品質以上の良品と判定される誘電体共振器１が量産されることになる。【００４７】
電極非形成領域５Ａ〜５Ｃは、いずれも誘電体ブロック２の正面側に露出するようにして設けられているので、誘電体ブロック２は、最初に姿勢制御されて加工調整機に設置された以降に、再び姿勢制御される必要がない。【００４８】
次に、誘電体フィルタの構成例を説明する。図４は誘電体フィルタ１１正面の加工時の状況を説明する図である。【００４９】
誘電体フィルタ１１は、ステップ構造の３つの内導体形成孔１３，２３，３３それぞれに対応する３段の共振器を構成し、図示しない側面に入出力段の共振器に結合する入出力電極を形成してなる。【００５０】
誘電体ブロック２の正面には外導体１６と開放面電極１２，２２，３２とが設けられている。誘電体ブロック２の正面には、内導体形成孔１３，２３，３３の段差面（ステップ面）に設けた段差面導体部１４Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃが、内導体形成孔１３，２３，３３の一端から露出する。外導体１６と開放面電極１２，２２，３２との間は、電極非形成領域１５Ｃ，２５Ｃ，３５Ｃを形成して、分離している。また、段差面導体部１４Ｃ，２４Ｃ，３４Ｃには、電極非形成領域１５Ａ，２５Ａ，３５Ａを形成して、共振周波数を調整している。【００５１】
電極非形成領域１５Ａ，２５Ａ，３５Ａと電極非形成領域１５Ｃ，２５Ｃ，３５Ｃの形成には、レーザ加工を用いる。レーザ加工プロセスではレーザ照射装置５１と反射鏡５２とを用いる。レーザ照射装置５１は、誘電体フィルタ１１の電極除去のためのレーザを照射する。反射鏡５２は揺動自在にレーザ経路に配置されていて、レーザ照射装置５１の照射したレーザを反射する。反射鏡５２は設置角度が制御されて、レーザの反射角を変化させ、誘電体フィルタ１１に照射されるレーザのスポットを走査する。【００５２】
なお、電極非形成領域１５Ａは段差面導体部１４Ｃの図中左側に配置し、電極非形成領域２５Ａは段差面導体部２４Ｃの図中右側に配置し、電極非形成領域３５Ａは段差面導体部３４Ｃの図中上側に配置している。これらの配置の違いは、共振周波数や共振器間結合度に殆ど寄与せず、したがって、電極非形成領域１５Ａ，２５Ａ，３５Ａの配置方向についてはどのようなものであってもよい。【００５３】
次に、誘電体デュプレクサの構成例を説明する。図５は誘電体デュプレクサ１０１の展開図であり、同図（Ａ）が短絡面図、同図（Ｂ）が断面図、同図（Ｃ）が開放面図である。【００５４】
誘電体デュプレクサ１０１は、誘電体ブロック１０２を備えている。誘電体ブロック１０２は、内導体形成孔１１３，１２３，１３３，１４３，１５３，１６３と結合孔１７３とが内部を貫通する。各内導体形成孔はステップ構造で、かつ異軸構造である。具体的には、それぞれ短絡面側孔部１１３Ａ，１２３Ａ，１３３Ａ，１４３Ａ，１５３Ａ，１６３Ａと、開放面側孔部１１３Ｂ，１２３Ｂ，１３３Ｂ，１４３Ｂ，１５３Ｂ，１６３Ｂとを備えている。【００５５】
内導体形成孔１１３，１２３，１３３は受信側フィルタを構成し、短絡端側孔部１１３Ａ，１２３Ａ，１３３Ａの配置間隔が、開放面側孔部１１３Ｂ，１２３Ｂ，１３３Ｂの配置間隔よりも広く、それぞれの内面に設けた内導体が互いに容量性結合する。【００５６】
結合孔１７３は誘電体ブロック１０２の開放端面で外導体に導通し、誘電体ブロック１０２の短絡面でアンテナ端子１７４に導通する。アンテナ端子１７４は外導体から分離されている。【００５７】
内導体形成孔１４３，１５３，１６３は送信側フィルタを構成し、短絡端側孔部１４３Ａ，１５３Ａ，１６３Ａの配置間隔が、開放面側孔部１４３Ｂ，１５３Ｂ，１６３Ｂの配置間隔よりも狭く、それぞれの内面に設けた内導体が互いに誘導性結合する。【００５８】
各内導体形成孔１１３，１２３，１３３，１４３，１５３，１６３における、開放面側孔部と短絡面側孔部との段差面（異軸面）にも内導体は形成され、内導体形成孔１１３の段差面には電極非形成領域１１５が形成されている。電極非形成領域１１５は、開放面側孔部１１３Ｂを介して誘電体ブロック１０２の開放面に露出する。内導体形成孔１６３の段差面には電極非形成領域１６５が形成されている。電極非形成領域１６５は、開放面側孔部１６３Ｂを介して誘電体ブロック１０２の開放面に露出する。【００５９】
最後に、上述の構成例の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の構成例ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図１】
2009016947.tif 000003
【図２】
2009016947.tif 000004
【図３】
2009016947.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
2009016947.tif 000008
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