【事件の表示】
　特願２０１４−５４２５２２「アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタ作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月２３日国際公開、ＷＯ２０１３／０７５０２８、平成２７年　２月１２日国内公表、特表２０１５−５０４６０３、請求項の数（２４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２４年（２０１２年）１１月１６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１１年１１月１８日，米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　６月　９日　審査請求
平成２７年　５月１９日　拒絶理由通知
平成２７年１１月２０日　意見書・手続補正
平成２８年　５月２３日　拒絶理由通知
平成２８年　８月３０日　意見書・手続補正
平成２８年１２月　５日　補正却下決定・拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　４月１１日　審判請求・手続補正
平成２９年１０月１３日　上申書
平成２９年１１月１４日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成３０年　２月　９日　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。）
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし２４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２４」といい，まとめて「本願発明」という。）は，当審補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　基板を設けるステップであって，前記基板は表面を有し，前記表面は，ソースエリアと，ドレインエリアと，チャネルエリアとを含み，前記基板は，前記基板の前記表面上の酸化物半導体層と，前記基板の前記チャネルエリアの上にある前記酸化物半導体層上のマスクとを含むステップと，
　金属カチオンを，前記基板の前記ソースエリアおよび前記ドレインエリアの上にある前記酸化物半導体層中に注入して，ドープｎ型酸化物半導体層を形成するステップと，
を含み，
　前記金属カチオンの注入深さが前記酸化物半導体層の厚さに等しく，
　前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，
　前記金属カチオンが，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである，方法。
　【請求項２】
　前記マスクが，薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のための金属ゲートを含む，請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記酸化物半導体層が，インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），ハフニウム（Ｈｆ），およびスズ（Ｓｎ）のうちの１つまたは複数を含む，請求項１または２に記載の方法。
　【請求項４】
　前記チャネルエリアの上にある前記酸化物半導体層上に第１の誘電体層を形成するステップと，前記第１の誘電体層上に第１の金属層を形成するステップと，をさらに含む，請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項５】
　前記マスクが前記第１の金属層を含む，請求項４に記載の方法。
　【請求項６】
　前記第１の金属層および前記ドープｎ型酸化物半導体層上に，第２の誘電体層を形成するステップと，
　前記第２の誘電体層の部分を除去して，前記基板の前記ソースエリアの上にある前記ドープｎ型酸化物半導体層と，前記基板の前記ドレインエリアの上にある前記ドープｎ型酸化物半導体層とを露出させるステップと，
　第１のコンタクトと第２のコンタクトとを形成するステップであって，前記第１のコンタクトが，前記基板の前記ソースエリアの上にある前記ドープｎ型酸化物半導体層に接触し，前記第２のコンタクトが，前記基板の前記ドレインエリアの上にある前記ドープｎ型酸化物半導体層に接触するステップと，
をさらに含む，請求項４に記載の方法。
　【請求項７】
　前記第１の金属層上，ならびに，前記基板の前記ソースエリアおよび前記ドレインエリアの上にある前記酸化物半導体層上に，第２の誘電体層を形成するステップと，
　前記第２の誘電体層をエッチングして，前記第１の金属層および前記第１の誘電体層に関連付けられた，誘電体側壁を形成するステップと，
をさらに含む，請求項４に記載の方法。
　【請求項８】
　前記金属カチオンが，約１０１９原子／ｃｍ３よりも高い，前記基板の前記ソースエリアおよび前記ドレインエリアの上にある前記酸化物半導体層中の濃度まで注入される，請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項９】
　前記酸化物半導体層が，約１０〜１００ナノメートルの厚さである，請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１０】
　第１のイオンを，前記チャネルエリアの上にある前記酸化物半導体層の少なくとも１つの領域中に注入するステップをさらに含む，請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１１】
　前記第１のイオンが金属カチオンである，請求項１０に記載の方法。
　【請求項１２】
　前記第１のイオンが，約１０１２原子／ｃｍ２と１０２０原子／ｃｍ２との間のドーズを使用して注入される，請求項１０に記載の方法。
　【請求項１３】
　請求項１から１２に記載の方法のいずれかに従って作製されるデバイス。
　【請求項１４】
　表面を含む基板と，
　前記基板表面上の酸化物半導体層であって，前記酸化物半導体層は，チャネル領域と，ソース領域と，ドレイン領域とを含み，前記酸化物半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域は，約１０１９原子／ｃｍ３よりも高い濃度まで金属カチオンが注入されたドープｎ型酸化物半導体層であり，前記金属カチオンの注入深さが前記酸化物半導体層の厚さに等しい，酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上の第１の誘電体層と，
　前記第１の誘電体層上の第１の金属層と，
を備え，
　前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，
　前記金属カチオンが，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである，装置。
　【請求項１５】
　前記酸化物半導体層が，インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），ハフニウム（Ｈｆ），およびスズ（Ｓｎ）のうちの１つまたは複数を含む，請求項１４に記載の装置。
　【請求項１６】
　前記ソース領域に接触する第１のコンタクトと，前記ドレイン領域に接触する第２のコンタクトとをさらに備える，請求項１４または１５に記載の装置。
　【請求項１７】
　前記第１の誘電体層の両側，および前記第１の金属層の両側の誘電体側壁であって，第１の誘電体側壁および第２の誘電体側壁が，前記酸化物半導体層の前記チャネル領域の部分の上にある，誘電体側壁，をさらに備える，請求項１４に記載の装置。
　【請求項１８】
　前記装置が，
　第２の誘電体層をさらに備え，前記第２の誘電体層が，前記第１の金属層，前記酸化物半導体層の前記ソース領域，および前記酸化物半導体層の前記ドレイン領域上である，請求項１４から１７のいずれか一項に記載の装置。
　【請求項１９】
　前記基板がガラス基板を含む，請求項１４から１８のいずれか一項に記載の装置。
　【請求項２０】
　ディスプレイと，
　前記ディスプレイと通信するように構成され，画像データを処理するように構成されるプロセッサと，
　前記プロセッサと通信するように構成されるメモリデバイスと，
をさらに備える，請求項１４から１９のいずれか一項に記載の装置。
　【請求項２１】
　前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送るように構成されるドライバ回路と，
　前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送るように構成されるコントローラとをさらに備える，請求項２０に記載の装置。
　【請求項２２】
　前記プロセッサに前記画像データを送るように構成される画像ソースモジュールであって，受信機，トランシーバ，および送信機のうちの少なくとも１つを含む，画像ソースモジュールをさらに備える，請求項２０または２１に記載の装置。
　【請求項２３】
　入力データを受信し，前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成される入力デバイスをさらに備える，請求項２０から２２のいずれか一項に記載の装置。
　【請求項２４】
　前記ディスプレイが，液晶ディスプレイまたは有機発光ダイオードディスプレイである，請求項２０から２３のいずれか一項に記載の装置。」
　
第３　原査定の理由の概要
（進歩性）本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１１−１４６６９４号公報
２.特開平０７−３０２７６８号公報
３.特開２００２−０１６０８２号公報
４.特表２００７−５１９２５６号公報
５.特開２００２−０９１３３２号公報
　
第４　当審拒絶理由の概要
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 請求項１ないし２６について 
　本願発明の課題は，ＥＭＳデバイスに関連づけられ得る薄膜トランジスタデバイスを提供する（本願明細書段落０００５）というものであり，その課題を解決するための手段は，金属カチオンは酸化物半導体層中で酸素分子と結合するので，金属カチオンの注入で酸素空孔のより高密度化を引き起こし，高濃度ドープｎ型半導体層を得るというものであり，特定の構成金属の酸化半導体層に対し特定の金属カチオンを注入することでこれを実現するというもの（本願明細書段落００７０−００７１）である。 
　しかし，請求項１ないし２６には，前記課題を解決するための手段が反映されていない。 
　よって，請求項１ないし２６に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
　
第５　引用文献
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
酸化物半導体を用いる半導体装置及びその作製方法
　イ　「【００２２】
（実施の形態１）
本実施の形態では，
半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態
（中略）
【００２５】
トランジスタ４１０は，絶縁表面を有する基板４００上に，
チャネル形成領域４１３，酸素欠陥誘起因子を含むソース領域４１４ａ，及び酸素欠陥誘起因子を含むドレイン領域４１４ｂが設けられている酸化物半導体層４０３と，ゲート絶縁層４０２と，ゲート電極層４０１と，を有する。
（中略）
【００２７】
ソース領域４１４ａ，及びドレイン領域４１４ｂは，酸素欠陥誘起因子の導入によってドナーが形成された低抵抗化領域である。
【００２８】
以下，図１（Ａ）乃至（Ｄ）を用い，基板４００上にトランジスタ４１０を作製する工程を説明する。
【００２９】
絶縁表面を有する基板４００
（中略）
【００３３】
絶縁層４０７上に酸化物半導体膜を形成する。
【００３４】
酸化物半導体膜に用いる酸化物半導体としては，四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系や，三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系，Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系や，二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系，Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系，Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系，Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系，Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系や，Ｉｎ−Ｏ系，Ｓｎ−Ｏ系，Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。ここで，例えば，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは，少なくともＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物であり，その組成比に特に制限はない。また，ＩｎとＧａとＺｎ以外の元素を含んでもよい。また，上記酸化物半導体膜にＳｉＯ２を含んでもよい。
【００３５】
また，酸化物半導体膜は，化学式ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０）で表記される酸化物半導体を用いることができる。ここで，Ｍは，Ｇａ，Ａｌ，ＭｎおよびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして，Ｇａ，Ｇａ及びＡｌ，Ｇａ及びＭｎ，またはＧａ及びＣｏなどがある。
【００３６】
酸化物半導体膜はスパッタリング法によって形成することができる。本実施の形態では，Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物ターゲットを用いてスパッタリング法により酸化物半導体膜を成膜し，島状に加工して酸化物半導体層４２０を形成する（図１（Ａ）参照）。
（中略）
【００４１】
次に，酸化物半導体層４２０に酸素欠陥誘起因子４２１を導入し，ソース領域４１４ａ，ドレイン領域４１４ｂ，チャネル形成領域４１３を含む酸化物半導体層４０３を形成する
ソース領域４１４ａ，ドレイン領域４１４ｂに含まれる酸素欠陥誘起因子４２１の濃度は，１×１０
１９
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３
以上
【００４２】
酸素欠陥誘起因子４２１の導入処理の後に加熱処理（例えば２００℃以上６００℃以下）を行っても良い。
【００４３】
本明細書において，酸素欠陥誘起因子の濃度とは，酸化物半導体層の成膜後，導入処理によって導入された酸素欠陥誘起因子の濃度であり，成膜時など導入処理以外の工程で含まれた酸素欠陥誘起因子と同じ元素は考慮しないものとする。
【００４４】
酸素欠陥誘起因子４２１としては，チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），コバルト（Ｃｏ），亜鉛（Ｚｎ），インジウム（Ｉｎ），シリコン（Ｓｉ），ボロン（Ｂ）のいずれか一または複数から選択された元素を用いることができる。
【００４５】
酸化物半導体層４２０に，選択的に酸素欠陥誘起因子４２１を導入することによって，該導入領域において酸素欠陥を効果的に誘起する。酸素欠陥はドナーとして機能するため，選択的に低抵抗化したソース領域４１４ａ及びドレイン領域４１４ｂを有する酸化物半導体層４０３を形成することができる。
【００４６】
本実施の形態では，
酸素欠陥誘起因子４２１の導入処理において，ゲート電極層４０１をマスクとして用いる。
酸化物半導体層４０３において，自己整合的に，ゲート電極層４０１と重なる領域は，酸素欠陥誘起因子４２１が導入されずチャネル形成領域４１３となり
一方ゲート電極層４０１と重ならない領域には，酸素欠陥誘起因子４２１が導入されソース領域４１４ａ，ドレイン領域４１４ｂが形成される。
　ウ　「【００５２】
なお，
酸素欠陥誘起因子４２１としては，酸素親和性の高い金属元素を用いるとより好ましい。酸素親和性の高い金属元素としては，例えば，チタン，アルミニウム，マンガン，マグネシウム，ジルコニウム，ベリリウムなどが挙げられる。また，銅などを用いても良い。
（２）引用方法発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用方法発明」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁表面を有する基板上に酸化物半導体層を形成し，酸化物半導体層にマスクを用いて選択的に酸素欠陥誘起因子を導入し，酸化物半導体層において，マスクと重なる領域はチャネル形成領域となり，一方，酸素欠陥誘起因子が導入されてソース領域及びドレイン領域が形成され，酸素欠陥はドナーとして機能する，半導体装置の作製方法。」
（３）引用装置発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用装置発明」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁表面を有する基板上に，チャネル形成領域，酸素欠陥誘起因子を含むソース領域及び酸素欠陥誘起因子を含むドレイン領域が設けられている酸化物半導体層と，ゲート絶縁層と，ゲート電極層と，を有するトランジスタであって，ソース領域，ドレイン領域に含まれる酸素欠陥誘起因子の濃度は，１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であって，酸素欠陥はドナーとして機能すること。」
２　引用文献２の記載
　引用文献２には，図面とともに次の記載がある。
「【００１２】次いで本発明の方法においては，上記ゲート電極14及びSiO2サイドウォール16をマスクにし，ｐ型再結晶Ｓｉ層12の例えば表面部12a に高濃度ソース・ドレイン形成のための第１段階の燐(P) の高ドーズ量によるイオン注入を，例えば加速エネルギー30KeV ，ドーズ量５×1015cm-2の条件で行う。117S1 及び117D1 は上記第１段階の高濃度燐注入領域を示し，上記条件で燐のピーク濃度の深さは35nm程度になる。なお，Ｓｉ層12の厚さは前記のように100nm である。
【００１３】この高濃度の燐(P) のイオン注入により，上記第１段階の燐注入領域117S1 及び117D1 はアモルファス化する。（図３(a) 参照）
次いで，上記第１段階の高濃度燐注入領域117S1 及び117D1 の結晶性を回復させるための第１次の熱処理を行う。熱処理の条件は例えば 850℃で10min 程度でよい。なおこの熱処理は，赤外線等の光を用いた急速加熱アニール(RTA) 手段によってもよく，その場合アニール条件は1000℃，10sec 程度にする。
【００１４】この熱処理により，アモルファス化された高濃度燐注入領域117S1 及び117D1内に，下部に接するイオン注入がなされないで元の結晶性のまま存在しているＳｉ層深部2bのＳｉ結晶を核にしてＳｉの結晶が成長し，該高濃度燐注入領域117S1 及び117D1 の結晶性は元のＳｉ層12とほぼ同様な再結晶構造に回復する。またそれと同時に注入された燐が活性化されて1020cm-3台の燐濃度を有する第１段階のｎ+ 型高濃度ソース領域17S1及び第１段階のｎ+ 型高濃度ドレイン領域17D1に変質する。また同時に，前記低濃度砒素注入領域115S及び115Dも活性化されて，ゲートオフセット部に1016cm-3台の砒素濃度を有するｎ- 型低濃度ソース領域15S 及びｎ- 型低濃度ドレイン領域15D が形成される。（図３(b) 参照）
次いで，再び前記ゲート電極14及びSiO2サイドウォール16をマスクにし，ｐ型再結晶Ｓｉ層12の深部12b に高濃度ソース・ドレイン形成のための第２段階の燐(P) の高ドーズ量によるイオン注入を，例えば加速エネルギー80KeV ，ドーズ量５×1015cm-2の条件で行う。117S2 及び117D2 は上記第２段階の高濃度燐注入領域を示し，上記条件で
燐のピーク濃度の深さは98nm程度になる。なお，Ｓｉ層12の厚さは前記のように100nm である。
３　引用文献３の記載
　引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【００５１】本実施例のＴＦＴを図８に示す。このＴＦＴの構造は，実施例１のＴＦＴのそれとほぼ等しい。ただし，本実施例のＴＦＴでは，半導体薄膜３のソース領域３ｂおよびドレイン領域３ｃは，それぞれソース電極配線８ｂおよびドレイン電極配線８ｃの下にのみ配され，
絶縁壁１３ａ下の領域には，不純物イオンが注入されていないオフセット領域３ｇが配されている。すなわち，ゲート電極５ａおよび絶縁壁１３ａにより覆われた領域には不純物イオンが注入されていない。
【００５２】本実施例のＴＦＴは，たとえば以下のようにして製造される。図９（ａ）に示すように，実施例１と同様にして基板１上に導電膜５等を形成した後，エッチングによりこれらを加工してゲート電極５ａを形成する。その後，絶縁壁１３ａを形成する。すなわち，基板１の半導体薄膜３が配された側の全面を覆うようにたとえば酸化ケイ素からなる絶縁膜１３を形成し，さらに絶縁膜１３を異方性エッチング（ドライエッチング）により加工して，ゲート電極５ａの側面を覆う絶縁壁１３ａを自己整合的に形成する。
【００５３】
形成された絶縁壁１３ａおよびゲート電極５ａ（必要に応じてはさらにレジスト層）をマスクに用いて，図９（ｂ）に示すように半導体薄膜３に不純物イオンを注入する。
４　引用文献４の記載
　引用文献４には，図面とともに次の記載がある。
「【００１８】
　上述のように，典型的には，チャネルの一部だけを異なる状態になるようにドープし，ターンオン電圧を変化させる。通常，ドープされるエリアは，チャネル８０と誘電体７０との間の界面またはその付近にある境界部分または領域８２である。これを達成するための１つの方法は，図２〜図５に示す例のように，異なる状態にドープされたチャネル材料からなる個別の層を，誘電体７０に隣接しかつ接触するように堆積することによる。チャネルの１つまたは複数の残された層（例えば，図２の部分８４）は，下層の同じ材料（例えば酸化亜鉛）で製造されるが，付加的な不純物でドープされていない。追加的にまたは別法では，異なる状態にドープされた材料からなる領域は，チャネル層の堆積中に，ある特定の処理パラメータを変更することによって達成することができ，その結果，チャネルの残りの部分とは異なる状態にドープされた，局在化したチャネル領域が得られる。
【００１９】
　境界領域内に導入される不純物は，下層の材料と相互作用するドナー型の不純物であってよく，これにより，ドープされた領域内に導入される正の固定電荷密度が高まる。こうして，正の電荷密度が高まると，ソース電極６２とドレイン電極６４との間に導電性経路を誘起するために必要なゲート電圧が低下する。
下層のチャネル材料として酸化亜鉛が用いられる場合には，アルミニウムが，適当なドナー型の不純物の一例であり，
下層の酸化亜鉛チャネルとともに用いることができる他のドナー型の不純物は，ホウ素，ガリウム，インジウム，フッ素および塩素を含む。
【００２０】
　また，アクセプタ型の不純物を用いることもでき，これにより，異なる状態にドープされた領域内の負の固定電荷密度が高まり，それにより，閾値電圧が高まる。ドナー型の不純物と同様に，そのようなドーピングの変化は，典型的には，チャネルの一部中のみで実施することができ，そのような部分は典型的には，チャネル８０と誘電体７０との間の界面またはその付近に位置する。酸化亜鉛チャネルとともに用いることができる例示的なアクセプタ型の不純物は，窒素，リン，ヒ素，アンチモン，リチウム，ナトリウム，カリウムおよび銅を含む。
【００２１】
　
下層の酸化インジウムチャネルに対して，許容可能なドナー型の不純物は，シリコン，ゲルマニウム，スズ，鉛，フッ素および塩素であり，
下層の酸化スズチャネルに対しては，許容可能なドナー型の不純物は，ヒ素，アンチモン，ビスマス，フッ素および塩素を含み，
５　引用文献５の記載
　引用文献５には，図面とともに次の記載がある。
「【０００９】
半導体装置３０１は，入力端子３１１，第１の制御回路３１２，第２の制御回路３１３，ＣＰＵ３１４，第１のメモリ３１５，第２のメモリ３１６，及び半導体表示装置３０２によって構成される。
（中略）
【００１２】以上のようにして，半導体装置３０１は画像データを取り込み，または作成して，画像を表示するが，このような半導体装置は，２つの独立した半導体装置と考えることもできる。２つの独立した半導体装置は，図４に示すようなブロック図によって表すことができる。図４において，半導体装置４０１からは，第２の制御回路を介して，色信号，輝度信号，画質調整用の信号といった一般的なフォーマットの画像信号と制御信号が出力される。半導体装置４０１から出力された画像信号と制御信号は，半導体装置４０２に入力され，制御回路４２２によって半導体表示装置４０３に適したフォーマットの画像信号とクロック信号，スタートパルスといった制御信号に変換される。そして半導体表示装置４０３は，制御回路４２２から画像信号と制御信号を受け取り，画像の表示を行う。なお，制御回路４２２は，画素部４２５とは別のチップで構成される。
半導体装置４０１としては，例えば放送受信機，ゲーム機を，また，半導体装置４０２としては，例えば液晶ディスプレイ，ＥＬディスプレイを考えることができる。
　
第６　対比及び判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用方法発明との対比
　ア　引用方法発明において「絶縁表面を有する基板上に酸化物半導体層を形成」し，「酸化物半導体層において，マスクと重なる領域はチャネル形成領域となり，一方，酸素欠陥誘起因子が導入されてソース領域及びドレイン領域が形成される」から，引用方法発明は，本願発明１の「基板を設けるステップであって，前記基板は表面を有し，前記表面は，ソースエリアと，ドレインエリアと，チャネルエリアとを含み，前記基板は，前記基板の前記表面上の酸化物半導体層と，前記基板の前記チャネルエリアの上にある前記酸化物半導体層上のマスクとを含むステップ」を備えるものである。
　イ　引用方法発明において，「酸化物半導体層にマスクを用いて選択的に酸素欠陥誘起因子を導入」し「酸素欠陥誘起因子が導入されてソース領域及びドレイン領域が形成され，酸素欠陥はドナーとして機能する」ものであり，ここで「酸素欠陥誘起因子」としては「金属元素」が好ましく（前記第５の１（１）ウ），金属元素がイオンの形で導入されることは当業者に自明であるから，引用方法発明は，本願発明１の「金属カチオンを，前記基板の前記ソースエリアおよび前記ドレインエリアの上にある前記酸化物半導体層中に注入して，ドープｎ型酸化物半導体層を形成するステップ」を備えるものである。
　ウ　すると，本願発明１と引用方法発明とは，下記エの点で一致し，下記オの点で相違する。
　エ　一致点
「基板を設けるステップであって，前記基板は表面を有し，前記表面は，ソースエリアと，ドレインエリアと，チャネルエリアとを含み，前記基板は，前記基板の前記表面上の酸化物半導体層と，前記基板の前記チャネルエリアの上にある前記酸化物半導体層上のマスクとを含むステップと，
　金属カチオンを，前記基板の前記ソースエリアおよび前記ドレインエリアの上にある前記酸化物半導体層中に注入して，ドープｎ型酸化物半導体層を形成するステップと，
を含む，方法。」
　オ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では「前記金属カチオンの注入深さが前記酸化物半導体層の厚さに等し」いのに対し，引用方法発明ではこの旨が明示されない点。
（イ）相違点２
　本願発明１では「前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，前記金属カチオンが，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである」のに対し，引用方法発明ではそうではない点。
（２）相違点についての検討
　相違点２について検討すると，相違点２に係る発明特定事項についていずれの引用文献にも記載も示唆もない。
　引用文献１には，酸素欠陥誘因因子としては酸素親和性の高い金属元素が好ましい（前記第５の１（１）ウ）と記載されているだけで，相違点２に係る発明特定事項である「前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである」ように選択することに動機付けが見いだせない。
（３）まとめ
　したがって，相違点１について検討するまでもなく，本願発明１は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２ないし１３について
　本願発明２ないし１３は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項をすべて備え，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　本願発明１４について
（１）本願発明１４と引用装置発明との対比
　ア　引用装置発明の「絶縁表面を有する基板上に，チャネル形成領域，酸素欠陥誘起因子を含むソース領域及び酸素欠陥誘起因子を含むドレイン領域が設けられている酸化物半導体層」及び「ソース領域，ドレイン領域に含まれる酸素欠陥誘起因子の濃度は，１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であって，酸素欠陥はドナーとして機能する」は，ここで「酸素欠陥誘起因子」としては「金属元素」が好ましく（前記第５の１（１）ウ），金属元素がイオンの形で導入されることは当業者に自明であることを考慮すると，下記相違点３を除いて，本願発明１４の「表面を含む基板と，前記基板表面上の酸化物半導体層であって，前記酸化物半導体層は，チャネル領域と，ソース領域と，ドレイン領域とを含み，前記酸化物半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域は，約１０１９原子／ｃｍ３よりも高い濃度まで金属カチオンが注入されたドープｎ型酸化物半導体層である酸化物半導体層」を満たす。
　イ　引用装置発明の「ゲート絶縁層と，ゲート電極層」は，ゲートとして機能するために「チャネル形成領域」上にこの順に存在することは当業者に自明であるから，本願発明１４の「前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上の第１の誘電体層と，前記第１の誘電体層上の第１の金属層」を満たす。
　ウ　引用装置発明の「トランジスタ」は，下記相違点３及び４を除いて，本願発明１４の「装置」を満たす。
　エ　すると，本願発明１４と引用装置発明とは，下記オの点で一致し，下記カの点で相違する。
　オ　一致点
「表面を含む基板と，
　前記基板表面上の酸化物半導体層であって，前記酸化物半導体層は，チャネル領域と，ソース領域と，ドレイン領域とを含み，前記酸化物半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域は，約１０１９原子／ｃｍ３よりも高い濃度まで金属カチオンが注入されたドープｎ型酸化物半導体層である酸化物半導体層と，
　前記酸化物半導体層の前記チャネル領域上の第１の誘電体層と，
　前記第１の誘電体層上の第１の金属層と，
を備える，装置。」
　カ　相違点
（ア）相違点３
　本願発明１４では「前記金属カチオンの注入深さが前記酸化物半導体層の厚さに等しい」のに対し，引用装置発明ではこの旨が明示されない点。
（イ）相違点４
　本願発明１４では「前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，前記金属カチオンが，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである」のに対し，引用装置発明ではそうではない点。
（２）相違点についての検討
　相違点４について検討すると，相違点４に係る発明特定事項についていずれの引用文献にも記載も示唆もない。
　引用文献１には，酸素欠陥誘因因子としては酸素親和性の高い金属元素が好ましい（前記第５の１（１）ウ）と記載されているだけで，相違点４に係る発明特定事項である「前記金属カチオンが，ハフニウムカチオン（Ｈｆ＋），およびスズカチオン（Ｓｎ＋）のうちの１つまたは複数から選択され，前記酸化物半導体層の構成金属のカチオンである」ように選択することに動機付けが見いだせない。
（３）まとめ
　したがって，相違点３について検討するまでもなく，本願発明１４は，引用発明１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明１５ないし２４について
　本願発明１５ないし２４は，本願発明１４を引用するものであり，本願発明１４の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記３と同様の理由により，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
５　特許請求の範囲の記載不備について
　当審補正により請求項１及び請求項１４の記載が補正されて，本願発明１ないし２４は，発明の詳細な説明に記載されたものとなった。
　よって，当審拒絶理由は解消した。
　
第７　原査定の理由についての判断
　前記第６の１ないし４のとおり，本願発明１ないし２４は，引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。