(57)【要約】本発明は、開口率が高く、反射光の利用効率に優れた高画質の半透過型液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。本発明の液晶表示装置は、複数の画素（５０）のそれぞれの中に、トランジスタ（３２）と反射部（３０）とを備えた液晶表示装置であって、反射部（３０）は、金属層（５６Ａ，５６Ｂ）と、金属層（５６Ａ，５６Ｂ）の上に形成された絶縁層と、絶縁層の上に形成された半導体層と、半導体層の上に形成された反射層（６３）とを備え、反射層（６３）の表面には複数の凹部（４８）が形成されており、金属層（５６Ａ，５６Ｂ）の少なくとも一部と反射層（６３）の少なくとも一部との間で補助容量が形成され、金属層（５６Ａ，５６Ｂ）及び反射層（６３）の少なくとも一方が、互いに電気的に分離された２つの部分を含む。
2008090682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれの中に、トランジスタと、入射光を表示面に向けて反射させる反射部とを備えた液晶表示装置であって、
前記反射部は、金属層と、前記金属層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された半導体層と、前記半導体層の上に形成された反射層とを備え、
前記反射層の表面には複数の凹部が形成されており、
前記金属層の少なくとも一部と前記反射層の少なくとも一部との間で補助容量が形成され、
前記金属層及び前記反射層の少なくとも一方が、互いに電気的に分離された２つの部分を含む、液晶表示装置。
【請求項２】
前記金属層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、
前記金属層の前記第１部分は補助容量線に接続されており、
前記反射層は前記トランジスタのドレインに接続されており、
前記金属層の前記第１部分と前記反射層との間で前記補助容量が形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、
前記反射層の前記第１部分は前記トランジスタのドレインに接続されており、
前記金属層は補助容量線に接続されており、
前記金属層と前記反射層の前記第１部分との間で前記補助容量が形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記金属層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、
前記反射層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、
前記金属層の前記第１部分は補助容量線に接続されており、
前記反射層の前記第１部分は前記トランジスタのドレインに接続されており、
前記金属層の前記第１部分と前記反射層の前記第１部分との間で前記補助容量が形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の凹部は、第１凹部と、前記第１凹部と重なり合う第２凹部とを含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１凹部は前記金属層の形状を反映して形成されており、前記第２凹部は前記半導体層の形状を反映して形成されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記金属層が開口部又は凹部を含み、前記第１凹部が前記金属層の前記開口部又は前記凹部に応じて形成されている、請求項５又は６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記半導体層が開口部又は凹部を含み、前記第２凹部が前記半導体層の前記開口部又は前記凹部に応じて形成されている、請求項５から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の凹部の側面に段差が形成されている、請求項５から８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１凹部及び前記第２凹部が、前記金属層、前記絶縁層、及び前記半導体層の少なくとも２つの層に含まれる開口部又は凹部の形状に基づいて形成されている、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記金属層、前記半導体層、および前記反射層は、それぞれ、前記トランジスタのゲート電極、半導体部分、およびソース・ドレイン電極と同じ材料で形成されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶層と、前記液晶層と前記反射層との間に配置された層間絶縁層及び画素電極とを備え、前記画素電極の前記液晶層側の面が、前記反射層の前記凹部の形状を反映することなく平坦に形成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射光及び透過光を利用して表示を行う半透過型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）には、表示用の光源として画面背面のバックライトを利用する透過型液晶表示装置、外光の反射光を利用する反射型液晶表示装置、および外光の反射光とバックライトの両方を利用する半透過型液晶表示装置（反射／透過型液晶表示装置）がある。反射型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置に比べて消費電力が小さく、明るい場所で画面が見やすいという特徴があり、半透過型液晶表示装置は反射型液晶表示装置に比べて、暗い場所でも画面が見やすいという特徴がある。【０００３】
図１２は、従来の反射型液晶表示装置（例えば、特許文献１）におけるアクティブマトリックス基板１００を表した断面図である。【０００４】
この図に示すように、このアクティブマトリックス基板１００は、絶縁性基板１０１と、絶縁性基板１０１の上に積層された、ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６、金属層１０８、および反射層１１０を備えている。ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６、および金属層１０８は、絶縁性基板１０１の上に積層された後、１つのマスクを用いてエッチングが施され、島状の積層構造を有するように形成される。その後、この積層構造の上に反射層１１０が形成されることにより、凹凸を有する反射面１１２が形成されている。なお、アクティブマトリックス基板１００の上部には、図示していないが、透明電極、液晶パネル、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）等が形成されている。【０００５】
図１３は、従来の半透過型液晶表示装置（例えば、特許文献２）の断面図である。【０００６】
図に示すように、この従来の半透過型液晶表示装置では、スイッチング素子（ＴＦＴ）２０３のドレイン電極２２２の上に層間絶縁膜２０４が形成されており、層間絶縁膜２０４の上には、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８が積層されている。反射電極膜２０６が形成された領域は半透過型液晶表示装置の反射領域である。反射領域における層間絶縁膜２０４の上部には凹凸が形成されており、その凹凸を反映して、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８にも凹凸が形成されている。
【特許文献１】特開平９−５４３１８号公報
【特許文献２】特開２００５−２７７４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されたアクティブマトリックス基板１００では、反射層１１０の一部は、ゲート層１０２等が形成されていない部分（島の間の部分、以下、「間隙部」と呼ぶ）において、絶縁性基板１０１に到達するように形成されている。したがって、間隙部では、反射面１１２の表面は絶縁性基板１０１の方向に陥没し、深い窪み（あるいは凹部）を有する面となる。【０００８】
反射型液晶表示装置あるいは半透過型液晶表示装置において、広い視野角にわたって明るい表示を行うためには、表示装置に入射する入射光を、一方向に鏡面反射させることなく、反射面１１２によって表示面全体により均等に効率的に反射させる必要がある。そのためには、反射面１１２は完全な平面ではなく、適度な凹凸を有しているほうが良い。【０００９】
しかし、上述のアクティブマトリックス基板１００の反射面１１２は、深い窪みを有している。そのため、窪みの下部に位置する反射面に光が到達しにくく、また、光が到達したとしても、その反射光は液晶パネル側に反射されにくいため、反射光が表示に対して有効に用いられないという問題がある。さらに、反射面１１０の多くの部分が、液晶表示装置の表示面に対して大きな角度を有することになるため、その部分からの反射光が表示に有効に利用されないという問題がある。【００１０】
図１４は、反射面１１２の傾きと反射光の出射角との関係を表した図である。図１４（ａ）は、光が屈折率Ｎａを有する媒質ａから屈折率Ｎｂを有する媒質ｂに入射したときの入射角αと出射角βとの関係を表している。この場合、スネルの法則により、次の関係が成り立つ。
Ｎａ×ｓｉｎα  ＝  Ｎｂ×ｓｉｎβ【００１１】
図１４（ｂ）は、液晶表示装置の表示面に垂直に入射した入射光が、表示面（あるいは基板）に対してθだけ傾いた反射面によって反射された場合の、入射光と反射光の関係を表した図である。図に示すように、表示面に垂直に入射した入射光は、表示面に対して角度θだけ傾いた反射面によって反射され、出射角φの方向に出射される。【００１２】
スネルの法則に基づいて、反射面の角度θ毎に出射角φを計算した結果を表１に示す。【００１３】
【表１】
2008090682.tif 000003
【００１４】
この表の値は、空気（ａｉｒ）の屈折率を１．０、ガラス基板および液晶層の屈折率を１．５として計算している。表１に示すように、反射面の角度θが２０度を超えると、出射角φが非常に大きくなり（９０−φが非常に小さくなり）、出射光のほとんどが利用者に届かなくなってしまう。したがって、反射層の反射面に凹凸をつけたとしても、反射光を有効に用いるためには、反射面のより多くの部分において角度θを２０度以下にする必要がある。【００１５】
上述のアクティブマトリックス基板１００の反射面１１２は、２０度より大きい部分が多いため、反射光が表示にあまり有効に利用されてはいない。この問題を解決するために、反射層１１０の下に絶縁層を形成し、その絶縁層の上に反射層１１０を形成することが考えられる。しかし、この場合、絶縁層を形成する工程、および反射層１１０とＴＦＴのドレインとを接続するためのコンタクトホールを絶縁層に形成する工程が必要となり、材料および工程数が増えるという問題が発生する。【００１６】
また、特許文献２の半透過型液晶表示装置では、ドレイン電極２２２の上に層間絶縁膜２０４を積層した後、その上部に凹凸を形成する工程が必要であり、さらにその上に、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８を積層する工程が必要である。このように、従来の半透過型液晶表示装置にも、反射領域を形成するために材料や工程数が増加するという問題があった。【００１７】
さらに、従来の半透過型液晶表示装置では、液晶層２１１に接する非晶質透明電極膜２１８の表面に凹凸が形成されるため、液晶層２１１に形成される電界が均一にならず、反射領域における液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが困難であった。また、非晶質透明電極膜２１８の端部には層間絶縁膜２０４の端部形状を反映した斜面が形成されるが、この斜面によって反射領域の端部付近における液晶の配向が乱されるという問題もあった。【００１８】
また、半透過型液晶表示装置の各画素内に補助容量（Ｃｓ）を形成する場合、補助容量部、補助容量線（Ｃｓライン）、あるいはＴＦＴの存在によって透過領域の面積が減少し、液晶表示装置の開口率が低下するという問題もあった。特に、例えば補助容量部に反射領域を形成しようとする場合、必要な広さの反射領域を得るために補助容量までが増加してしまう。そのような補助容量に安定的に電荷を供給するためには、ＴＦＴのドレイン幅を広げる必要があり、これにより透過領域の一部が遮光され、開口率が低下するという問題が発生する。【００１９】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、開口率が高く、反射光の利用効率に優れた高画質の半透過型液晶表示装置を低コストで提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の液晶表示装置は、複数の画素を有し、前記複数の画素のそれぞれの中に、トランジスタと、入射光を表示面に向けて反射させる反射部とを備えた液晶表示装置であって、前記反射部は、金属層と、前記金属層の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された半導体層と、前記半導体層の上に形成された反射層とを備え、前記反射層の表面には複数の凹部が形成されており、前記金属層の少なくとも一部と前記反射層の少なくとも一部との間で補助容量が形成され、前記金属層及び前記反射層の少なくとも一方が、互いに電気的に分離された２つの部分を含む。【００２１】
ある実施形態において、前記金属層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、前記金属層の前記第１部分は補助容量線に接続されており、前記反射層は前記トランジスタのドレインに接続されており、前記金属層の前記第１部分と前記反射層との間で前記補助容量が形成されている。【００２２】
ある実施形態において、前記反射層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、前記反射層の前記第１部分は前記トランジスタのドレインに接続されており、前記金属層は補助容量線に接続されており、前記金属層と前記反射層の前記第１部分との間で前記補助容量が形成されている。【００２３】
ある実施形態において、前記金属層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、前記反射層は、互いに電気的に分離された第１部分と第２部分とを含み、前記金属層の前記第１部分は補助容量線に接続されており、前記反射層の前記第１部分は前記トランジスタのドレインに接続されており、前記金属層の前記第１部分と前記反射層の前記第１部分との間で前記補助容量が形成されている。【００２４】
ある実施形態において、前記複数の凹部は、第１凹部と、前記第１凹部と重なり合う第２凹部とを含む。【００２５】
ある実施形態において、前記第１凹部は前記金属層の形状を反映して形成されており、前記第２凹部は前記半導体層の形状を反映して形成されている。【００２６】
ある実施形態では、前記金属層が開口部又は凹部を含み、前記第１凹部が前記金属層の前記開口部又は前記凹部に応じて形成されている。【００２７】
ある実施形態では、前記半導体層が開口部又は凹部を含み、前記第２凹部が前記半導体層の前記開口部又は前記凹部に応じて形成されている。【００２８】
ある実施形態では、前記複数の凹部の側面に段差が形成されている。【００２９】
ある実施形態では、前記第１凹部及び前記第２凹部が、前記金属層、前記絶縁層、及び前記半導体層の少なくとも２つの層に含まれる開口部又は凹部の形状に基づいて形成されている。【００３０】
ある実施形態において、前記金属層、前記半導体層、および前記反射層は、それぞれ、前記トランジスタのゲート電極、半導体部分、およびソース・ドレイン電極と同じ材料で形成されている。【００３１】
ある実施形態は、液晶層と、前記液晶層と前記反射層との間に配置された層間絶縁層及び画素電極とを備え、前記画素電極の前記液晶層側の面が、前記反射層の前記凹部の形状を反映することなく平坦に形成されている。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、開口率が高く、反射光の利用効率に優れた高画質の半透過型液晶表示装置を低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による液晶表示装置の断面形状を模式的に表した図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の画素領域の構成を表した平面図である。
【図３】実施形態１の画素の構成を表した平面図である。
【図４】実施形態１のＴＦＴ部および反射部の構成を表す断面図であり、（ａ）は反射部の構成を、（ｂ）はＴＦＴ部の構成をそれぞれ表している。
【図５】本発明による液晶表示装置と従来の液晶表示装置の反射部の構成を比較するための模式図であり、（ａ）は本発明による反射部の断面を、（ｂ）は従来の反射部の断面を、また、（ｃ）は反射部の角部における表面の角度を、それぞれ表した図である。
【図６】参考例の液晶表示装置の画素構成を表した平面図である。
【図７】実施形態１の反射部の製造方法を表した平面図である。
【図８】実施形態１の反射部の製造方法を表した断面図である。
【図９】実施形態２の液晶表示装置の反射部を表した平面図である。
【図１０】実施形態３の液晶表示装置の反射部を表した平面図である。
【図１１】実施形態４の液晶表示装置を表した断面図である。
【図１２】従来の反射型液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板を表した断面図である。
【図１３】従来の半透過型液晶表示装置の断面図である。
【図１４】液晶表示装置における反射面の傾きと反射光との関係を表した図であり、（ａ）は、光が屈折率Ｎａを有する媒質ａから屈折率Ｎｂを有する媒質ｂに入射したときの入射角αと出射角βとの関係を表しており、（ｂ）は、液晶表示装置の表示面の角度と入射光および反射光の関係を表した図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０    液晶表示装置
１２    ＴＦＴ基板
１４    対向基板
１６    液晶
１８    液晶層
２２    透明基板
２６    層間絶縁層
２８    画素電極
３０    反射部
３１    層
３２    ＴＦＴ部
３４    対向電極
３６    ＣＦ層
３８    透明基板
４０    表示面
４２    反射領域
４４    ＴＦＴ領域
４６    透過領域
４８    凹部
５０、５０’    画素
５２    ソースライン
５３    ドレイン
５４    ゲートライン
５６    Ｃｓライン
５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６’    Ｃｓメタル層
５８    コンタクトホール
６１    絶縁層
６２    半導体層
６３、６３Ａ、６３Ｂ、６３’    反射層
６５、６６    開口部
６８、６９    凹部
１００    アクティブマトリックス基板
１０１    絶縁性基板
１０２    ゲート層
１０４    ゲート絶縁層
１０６    半導体層
１０８    金属層
１１０    反射層
１１２    反射面
２０３    スイッチング素子
２０４    層間絶縁膜
２０５    電食防止膜
２０６    反射電極膜
２１１    液晶層
２１８    非晶質透明電極膜
２２２    ドレイン電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
（実施形態１）
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第１の実施形態を説明する。【００３６】
図１は、本実施形態の液晶表示装置１０の断面形状を模式的に表した図である。液晶表示装置１０は、アクティブマトリックス方式による反射透過型の液晶表示装置（ＬＣＤ）である。液晶表示装置１０は、図１に示すように、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１２、例えばカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）等の対向基板１４、およびＴＦＴ基板１２と対向基板１４との間に封入された液晶１６を含む液晶層１８を備えている。【００３７】
ＴＦＴ基板１２は、透明基板２２、層間絶縁層２６、画素電極２８を備えており、反射部３０とＴＦＴ部３２とを含んでいる。なお、ＴＦＴ基板１２には、後述する、ゲートライン（走査線）、ソースライン（信号線）、およびＣｓライン（補助容量線）も形成されている。【００３８】
対向基板１４は、対向電極３４、カラーフィルタ層（ＣＦ層）３６、および透明基板３８を備えている。透明基板３８の上部の面は、液晶表示装置の表示面４０となる。なお、ＴＦＴ基板１２および対向基板１４は、それぞれ、配向膜および偏光板を備えているが、ここでは、図示を省略している。【００３９】
液晶表示装置１０において、反射部３０が形成されている領域を反射領域４２と呼び、ＴＦＴ部３２が形成されている領域をＴＦＴ領域４４と呼ぶ。反射領域では、表示面４０から入射した光が、反射部３０によって反射され、液晶層１８および対向基板１４を通って表示面４０から出射される。さらに、液晶表示装置１０は、反射領域４２およびＴＦＴ領域４４以外の領域に形成された透過領域４６を有している。透過領域４６では、液晶表示装置１０の光源から発せられた光が、ＴＦＴ基板１２、液晶層１８、および対向基板１４を通って表示面４０から出射される。【００４０】
なお、図１に示すように、反射部３０の上部の対向基板１４の側に透過性樹脂等によって形成された層３１を設けることにより、反射領域４２における液晶層１８の厚さを、透過領域４６における液晶層１８の厚さの半分にすることも可能である。これにより、反射領域４２と透過領域４６における光路長を同じにすることができる。なお、図１には、層３１は対向電極３４とＣＦ層３６との間に形成されるように示しているが、層３１は対向電極３４の液晶層１８側の面上に形成してもよい。【００４１】
図２は、液晶表示装置１０の一部を、表示面４０の上から見た場合の平面図である。図に示すように、液晶表示装置１０には、複数の画素５０がマトリックス状に配置されている。それぞれの画素５０には、上述した反射部３０とＴＦＴ部３２が形成されており、ＴＦＴ部３２にはＴＦＴが形成されている。【００４２】
画素５０の境界部分には、列方向（図の上下方向）にソースライン５２が延びており、行方向（図の左右方向）にゲートライン（ゲートメタル層とも呼ぶ）５４が延びている。また、画素５０の中央部分には、行方向にＣｓライン５６が延びている。反射部３０の層間絶縁層２６には、画素電極２８とＴＦＴのドレイン電極とを接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。以下、図３を用いて画素５０の構成をより詳しく説明する。【００４３】
図３は、画素５０の構成を模式的に表した平面図である。なお、この図では、コンタクトホール５８は図示を省略している。反射部３０は、図４を用いて後述するように、Ｃｓメタル層（金属層とも呼ぶ）５６Ａ及び５６Ｂの上に形成された絶縁層（ゲート絶縁層とも呼ぶ）６１と、絶縁層６１の上に形成された半導体層６２と、半導体層６２の上に形成された反射層６３とを備えている。【００４４】
Ｃｓメタル層（第１部分）５６Ａ及びＣｓメタル層（第２部分あるいは分離部）５６Ｂは、Ｃｓライン５６と同じ層に同じ材料で形成されており、Ｃｓメタル層５６ＡはＣｓライン５６に電気的に接続されている。Ｃｓメタル層５６ＢはＣｓライン５６及びＣｓメタル層５６Ａから電気的に分離して形成されている。【００４５】
反射層６３はＴＦＴのドレイン５３に接続されており、Ｃｓメタル層５６Ａとその上部の反射層６３との間で補助容量（Ｃｓ）が形成される。ここで、Ｃｓメタル層５６Ａ及びその上部の反射層６３は補助容量電極及び対向電極となる。Ｃｓメタル層５６ＢはＣｓライン５６Ａに電気的に接続されていないため、反射層６３とＣｓメタル層５６Ｂとの間の電気容量は実質的にゼロであり、これらの間に実質的な電気容量は形成されない。【００４６】
図３に示すように、反射部３０における反射層６３の表面には複数の凹部４８が形成されている。なお、ここでは、構成を分かりやすくする為に、６個の凹部４８を図示しているが、実際には更に多くの凹部４８が形成され得る。また、図中、複数の凹部４８は縦横等間隔に配置されているが、必ずしも等間隔に配置される必要はない。【００４７】
各凹部４８は、凹部６８と、凹部６８の内側に形成された凹部６９を含む。凹部６８はＣｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂの凹部または開口部の形状を反映して形成されており、凹部６９は半導体層６２の凹部または開口部の形状を反映して形成されている。なお、凹部６９は、必ずしも凹部６８の内側に形成される必要はなく、凹部６８が凹部６９の内側に形成されてもよく、また、凹部６８の端部と凹部６９の端部とが重なるあるいは交わるように形成されてもよい。【００４８】
本明細書では、このように凹部６８及び凹部６９の一方が他方を含む形態、または両凹部の端部が重なるか交わっている形態の両方を含めて、凹部６８と凹部６９とが重なりあっている、と呼ぶ。このように、凹部６８と凹部６９とが重なり合うことにより、反射層６３の表面に形成された凹部４８の側面には段差が形成されている。【００４９】
次に、図４を参照して、反射部３０及びＴＦＴ部３２の構成をより詳細に説明する。【００５０】
図４（ａ）は、反射部３０の断面（図３において矢印Ｂで示した部分の断面）を表している。なお、この図は、Ｃｓメタル層５６Ａの上に形成された凹部４８の断面を表しているが、Ｃｓメタル層５６Ｂの上に形成された凹部４８の断面も同様の形状を有する。【００５１】
反射部３０には、図に示すように、Ｃｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂ、絶縁層６１、半導体層６２、及び反射層６３が積層されている。半導体層６２は、例えば、真性アモルファスシリコン層（Ｓｉ（ｉ）層）と、リンがドープされたｎ+アモルファスシリコン層（Ｓｉ（ｎ+）層）とにより構成される。【００５２】
Ｃｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂは開口部６５を有しており、半導体層６２は開口部６６を有している。開口部６６は開口部６５の内側に位置する。Ｃｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂの開口部６５の上部における反射層６３の表面には凹部６８が形成され、半導体層６２の開口部６６の上部における反射層６３の表面には凹部６９が形成されている。凹部６８と凹部６９とが重なり合うことにより、凹部４８の内側斜面には段差が形成されている。【００５３】
凹部６８は、Ｃｓメタル層の開口部６５の上に絶縁層６１及び半導体層６２を介して反射層６３が積層されたことによって形成されたものである。また、凹部６９は、半導体層の開口部６６上に反射層６３が形成されたことによって形成されたものである。なお、Ｃｓメタル層の開口部６５または半導体層の開口部６６の代わりに凹部（窪み）が形成されることもあり得る。その場合、反射層６３の凹部６８及び凹部６９は、Ｃｓメタル層及び半導体層のその凹部（窪み）に応じて形成される。【００５４】
Ｃｓメタル層の開口部６５の側面に段差を付けることにより、反射層の凹部６８の側面に段差を加えてもよい。また、半導体層６２の開口部６６の側面に段差を付けて、反射層の凹部６９の側面に段差を加えてもよい。また、さらに絶縁層６１に開口部又は凹部を設けることによって反射層に凹部を形成してもよい。また、Ｃｓメタル層の開口部６５又は半導体層の開口部６６の代わりに絶縁層６１に開口部又は凹部を設けてもよく、これにより反射層の凹部６８又は６９を形成してもよい。いずれにせよ、反射層の凹部６８及び６９は、Ｃｓメタル層、絶縁層、及び半導体層の少なくとも２つの層に含まれる開口部又は凹部の形状に基づいて形成され得る。【００５５】
Ｃｓメタル層、絶縁層、又は半導体層に開口部又は凹部を形成する代わりに、これらの層を凹部の位置に島状に形成してもよい。この場合、反射層６３には、島状に配置されたこれらの層に応じて複数の凸部が形成され、これらの凸部の周辺には、互いに重なり合い、側面に段差を有する複数の凹部が形成される。【００５６】
図４（ｂ）は、ＴＦＴ部３２におけるゲートメタル層（金属層）５４、絶縁層（ゲート絶縁層）６１、半導体層６２、および反射層６３の構成を表した図であり、図２の矢印Ａの部分の断面図である。ＴＦＴ部３２のゲートメタル層５４は、Ｃｓライン５６及び反射部３０のＣｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂと同時に、同じ部材によって形成される。同様に、ＴＦＴ部３２の絶縁層６１、半導体層６２、および反射層６３は、それぞれ、反射部３０の絶縁層６１、半導体層６２、および反射層６３と同時に、同じ部材によって形成される。反射層６３はＴＦＴのドレイン電極に接続されている。【００５７】
図５は、実施形態１の反射部３０と、図１２に示した従来の液晶表示装置の反射部の構造を比較した断面図である。図５（ａ）は、実施形態１の反射部３０の構造を、図５（ｂ）は、従来の液晶表示装置の反射部の構造を、それぞれ、模式的に表している。なお、これらの図では、簡略化のために、反射部３０の各層の斜面、および従来の液晶表示装置の各層の斜面は垂直な面として表し、また、各段差の角部（図中の点線円で示した部分）は直角に折れ曲がるものとして表している。【００５８】
これらの図に示すように、実施形態１の反射部３０における反射層６３の表面には、１つの凹部４８によって計８つの角部が形成される。一方、従来の液晶表示装置においては、反射部の１つの凹部には４つの角部しか形成されない。【００５９】
これらの角部は図５（ａ）及び（ｂ）では直角として表しているが、実際の角部には、図５（ｃ）に示すように、基板に平行な面（角度０度）から基板に対して２０度よりも大きい角度（この図では、例として３０度として表している）を有する面が連続的に形成される。したがって、反射部により多くの凹部を形成すれば、反射層の表面に、基板に対する角度が２０度以下である面（有効反射面）をより多く形成することができる。【００６０】
また、角部に形成される有効反射面は互いに異なる様々な傾斜角を有しているので、反射光が一定の方向のみに向かうことがない。よって、より多くの凹部を形成することにより、より多くの広範囲に広がる反射光を得ることができる。また、凹部の数を増やし、かつ凹部の側面の傾斜角度を２０度以下にすれば、さらに多くの広範囲に広がる反射光を得ることができる。【００６１】
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、実施形態１の反射部３０には、従来の液晶表示装置に比べてより多くの角部が形成される。よって、反射層６３の表面により多くの有効反射面を形成することが可能となり、表示面に向けてより多くの光を広範囲に反射させることができる。また、凹部４８はＣｓメタル層及び半導体層の整形形状に応じて形成される。よって、凹部４８の形状、深さ、斜面傾斜角等を、Ｃｓメタル層または半導体層の整形時に容易に調節することができる。【００６２】
また、実施形態１において凹部４８の内側に位置する反射層６３は、絶縁層６１の上、あるいは絶縁層６１及び半導体層６２の上に形成されている。一方、従来の液晶表示装置では、凹部の内側の反射層は、ゲート絶縁層も半導体層も介することなく、ガラス基板の上に直接形成されている。したがって、実施形態１における凹部４８の底面は、従来の液晶表示装置における凹部の底面よりも浅い位置に形成されることになる。これにより、入射光を広範囲により有効に反射させることが可能となる。【００６３】
従来の液晶表示装置では、凹部の底面が深い位置に形成されているため、凹部内面の傾斜角が大きくなり、凹部内に傾斜２０度以下の有効反射面を多く形成することが困難であった。また、この凹部は、ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６を形成した後で、これらの層を一括して除去することにより形成されるため、凹部内面の傾斜角をコントロールして有効反射面を増やすことも困難であった。【００６４】
本実施形態の表示装置では、Ｃｓメタル層および半導体層の形状に応じて反射層の凹部が形成されるため、これらの層の積層時に凹部の位置、大きさ、及び形状を調整することができる。これにより、凹部斜面の傾斜をコントロールして、傾斜が２０度以下の有効反射面をより多く形成し、より多くの光を表示面側に反射させることが可能となる。【００６５】
さらに、本実施形態の液晶表示装置では、図１に示したように、層間絶縁層２６及び画素電極２８の液晶層１８側の面は、反射層６３の凹部の形状を反映することなく、対向電極３４の液晶層１８側の面と同様に平坦に形成されている。したがって、図１３に示した従来の半透過型液晶表示装置と比べて、液晶層１８に形成される電界がより均一となり、反射領域４２における液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが可能となる。【００６６】
また、反射部３０の端部付近における画素電極２８に段差が形成されないので、液晶の配向が乱されることもない。したがって、本実施形態によれば、透過率が高く視野角特性に優れた表示ムラの少ない液晶表示装置を提供することが可能となる。【００６７】
さらに、実施形態１の液晶表示装置によれば、以下に図６を用いて説明するような利点も得ることができる。【００６８】
図６は、参考例の液晶表示装置の画素５０’の構成を表した平面図である。この液晶表示装置は、図６に示す以外は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成を有する。また、画素５０’における構成も、次に述べる部分以外は、実施形態１の構成と同様である。実施形態１の液晶表示装置と同じ構成要素には同じ番号を付し、その説明を省略する。【００６９】
参考例の液晶表示装置では、図に示すように、反射部３０におけるＣｓメタル層５６’及び反射層６３’は、どちらも反射部３０の全体に形成されており、電気的に分離された部分を有していない。よって、補助容量は、反射部３０における反射層６３’全体及びＣｓメタル層５６’全体によって形成される。【００７０】
半透過型液晶表示装置では、外光を効率的に利用するため、あるいは使用形態に応じて要求される反射率を得るために、画素面積に対してある特定割合（例えば反射率３％相当）の面積を反射部３０に与える必要がある。しかし、参考例の液晶表示装置のように、反射部３０全体に広がる反射層６３’及びＣｓメタル層５６’によって補助容量を形成した場合、実用に適した速さで補助容量を充電するためには、ＴＦＴの幅（またはＴＦＴのドレインの幅）Ｗ’を比較的広く設定する必要がある。これは、透過領域の面積を減少させ、画素の開口率を低下させるのみならず、装置の製造効率の低下及びコストアップをも引き起こす。【００７１】
実施形態１の液晶表示装置では、図３に示したように、反射部３０におけるＣｓメタル層が互いに電気的に分離された２つの部分（５６Ａ及び５６Ｂ）に分かれており、補助容量はＣｓメタル層５６Ａの部分によってのみ形成される。したがって、実施形態１によれば、要求される反射率を確保しつつ、必要に応じた大きさの補助容量を得ることができる。これにより、ＴＦＴの大きさあるいはＴＦＴの幅Ｗを必要以上に大きく形成する必要がなくなり、画素の開口率を高めることが可能となる。さらに、装置の製造効率を上げ、製造コストも抑えることができる。【００７２】
次に、図７および図８を用いてＴＦＴ基板１２の製造方法について説明する。図７は、反射領域４２におけるＴＦＴ基板１２の製造過程を表した平面図、図８は、反射領域４２におけるＴＦＴ基板１２（図３の矢印Ｂで示した部分）の製造過程を表した断面図である。【００７３】
図７（ａ）および図８（ａ）に示すように、まず、洗浄した透明基板２２の上にＡｌ（アルミニウム）による金属薄膜をスパッタリング等の方法により成膜する。この金属薄膜は、Ａｌの他、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの合金等を用いて形成することもでき、これらの材料による層と窒化膜との積層物によって形成することもできる。【００７４】
その後、金属薄膜の上にレジスト膜を形成し、露光・現像工程によりレジストパターンを作成した後、ドライまたはウェットエッチングを施して、開口部６５を有するＣｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂが形成される。Ｃｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂの厚さは、例えば５０〜１０００ｎｍである。なお、Ｃｓメタル層には開口部６５が形成されるとしたが、反射部３０において遮光部と透過部とを反転させたレジストパターンを用いて、開口部の位置にのみ凸状のＣｓメタル層（あるいは島状の層）を形成してもよい。この工程では、図２で示したゲートライン５４及びＣｓライン５６、図４（ｂ）で示したＴＦＴ部３２のゲートメタル層５４も同一金属で同時に形成される。【００７５】
次に、図７（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2の混合ガスを使用して、ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる絶縁層６１を基板全面に作成する。絶縁層６１は、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等によって形成されても良い。絶縁層６１の厚さは１００〜６００ｎｍである。なお、この工程では、図４（ｂ）で示したＴＦＴ部３２の絶縁層６１も同時に形成される。【００７６】
次に、ゲート絶縁層６１の上に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、およびアモルファスシリコンにリン（Ｐ）をドーピングしたｎ+ａ−Ｓｉ膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜の厚さは３０〜３００ｎｍである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ膜の厚さは２０〜１００ｎｍである。その後、これらの膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング技術によってパターニングすることにより、開口部６６を有する半導体層６２が形成される。ここで、反射部３０において遮光部と透過部とを反転させたレジストパターンを用いることにより、開口部に対応する位置にのみ半導体層６２を形成してもよい。この工程では、図４（ｂ）で示したＴＦＴ部３２の半導体層６２も同時に形成される。【００７７】
次に、図７（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、スパッタリング法等によりＡｌ等の金属薄膜を基板全面に形膜し、反射層６３を形成する。なお、金属薄膜には、Ｃｓメタル層５６の材料として上に列挙した材料が用いられ得る。反射層６３の厚さは、３０〜１０００ｎｍ以下である。【００７８】
このとき、Ｃｓメタル層５６Ａ及び５６Ｂの開口部６５の上部における反射層６３の表面には凹部６８が形成され、半導体層６２の開口部６６の上部における反射層６３の表面には凹部６９が形成される。なお、この工程では、図４（ｂ）で示したＴＦＴ部３２の反射層６３も同時に形成されるが、ＴＦＴ部３２において、反射層６３はＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成する。またこのとき、図２におけるソースライン５２も反射層６３の一部として形成され得る。【００７９】
次に、図７（ｄ）および図８（ｄ）に示すように、感光性アクリル樹脂をスピンコートにより塗布して、層間絶縁層（層間樹脂層）２６が形成される。層間絶縁層２６の厚さは、０．３〜５μｍ以下である。なお、反射層６３と層間絶縁層２６との間には、Ｐ−ＣＶＤ法によってＳｉＮx、ＳｉＯ2等の薄膜が保護膜として形成され得るが、ここでは図示を省略している。保護膜の厚さは、５０〜１０００ｎｍ以下である。層間絶縁層２６および保護膜は、反射領域４２だけでなく、ＴＦＴ領域４４も含めた透明基板２２の上部全面に形成される。その後、露光装置を用いた現像処理により、反射部３０の中心付近にコンタクトホール５８が形成される。【００８０】
次に、図７（ｅ）および図８（ｅ）に示すように、層間絶縁層２６の上に、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる透明電極膜がスパッタリング法等により形成され、この透明電極膜を、フォトリソグラフィー法によりパターン整形することにより、画素電極２８が形成される。画素電極２８は、反射領域４２だけでなく、ＴＦＴ領域４４も含め、画素の上部全面に形成される。【００８１】
反射領域４２では、画素電極２８は、層間絶縁層２６およびコンタクトホール５８の上に形成され、画素電極２８の金属部材はコンタクトホール５８を介して反射層６３に接する。したがって、ＴＦＴ部３２におけるＴＦＴのドレイン電極は、コンタクトホール５８を介して画素電極２８と電気的に接続される。上述の工程において、層間絶縁層２６の上面及び画素電極２８の面は、反射層６３の凹部４８の形状を反映することなく平坦に形成される。【００８２】
凹部６８及び６９は、反射層６３により多く形成することが好ましい。そのため、Ｃｓメタル層及び半導体層の開口部を、製造工程におけるマスクとフォト露光の限界内においてできる限り多く形成することが好ましい。Ｃｓメタル層及び半導体層の開口部の好ましい最大幅は２〜１７μｍである。【００８３】
本実施形態によれば、反射光を効率的に利用することができ、また、必要な反射率を確保すると同時により高い開口率を得ることができる。さらに、製造効率を向上させ、製造コストも低減させることができる。したがって、輝度の高い高品位の表示が可能な液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。【００８４】
（実施形態２）
以下、本発明による液晶表示装置の第２の実施形態を説明する。実施形態１の構成要素と同じ構成要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略している。【００８５】
本実施形態の液晶表示装置は、上述した実施形態１の液晶表示装置１０と基本的には同じ構成を有しており、ただ反射部３０におけるＣｓメタル層及び反射層の構成が異なるのみである。よって、以下、反射部３０の構成を中心に説明することとし、他の部分についての説明は省略する。【００８６】
図９は、実施形態２による液晶表示装置の画素５０の構成を模式的に表した平面図である。実施形態２では、反射部３０全体にＣｓメタル層５６Ｃが形成され、Ｃｓメタル層５６Ｃの上に、図４に示したように、絶縁層６１及び半導体層６２が形成される。半導体層６２の上には反射層（第１部分）６３Ａ及び反射層（第２部分、あるいは分離部分）６３Ｂが形成されている。反射層６３ＡはＴＦＴのドレイン５３に接続されており、反射層６３Ｂは反射層６３Ａから電気的に分離されている。【００８７】
反射層６３Ａと反射層６３Ｂは、同じ層に同じ材料によって同時に形成される。Ｃｓメタル層５６Ｃは、Ｃｓライン５６と同じ層に同じ材料によって同時に形成され、Ｃｓライン５６に電気的に接続されている。Ｃｓメタル層５６Ｃ及び反射層６３Ａは補助容量電極及び対向電極となり、両者によって補助容量（Ｃｓ）が形成される。反射層６３ＢはＴＦＴのドレイン５３に電気的に接続されていないため、反射層６３ＢとＣｓメタル層５６Ｃとの間には実質的な電気容量は形成されない。【００８８】
反射部３０における反射層６３Ａ及び６３Ｂの表面には、実施形態１と同様、複数の凹部４８が形成されている。凹部４８の構造、形成方法等、及び凹部４８を形成することによって得られる効果等は、実施形態１の説明の中で述べた通りである。なお、図示してはいないが、図２に示したコンタクトホール５８は、反射層６３Ａの中に形成される。【００８９】
実施形態２の液晶表示装置では、反射部３０における反射層が互いに電気的に分離された２つの部分（６３Ａ及び６３Ｂ）に分かれており、補助容量は反射層６３Ａの部分によってのみ形成される。したがって、実施形態２によれば、実施形態１と同様、要求される反射率を確保しつつ、必要に応じた大きさの補助容量を得ることができる。これにより、ＴＦＴを必要以上に大きく形成する必要がなくなり、画素の開口率を高めることが可能となる。さらに、装置の製造効率を上げ、製造コストも抑えることができる。【００９０】
（実施形態３）
以下、本発明による液晶表示装置の第３の実施形態を説明する。実施形態１及び２の構成要素と同じ構成要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略している。【００９１】
本実施形態の液晶表示装置は、上述した実施形態１の液晶表示装置１０と基本的には同じ構成を有しており、ただ反射部３０におけるＣｓメタル層及び反射層の構成が異なるのみである。よって、以下、反射部３０の構成を中心に説明することとし、他の部分についての説明は省略する。【００９２】
図１０は、実施形態３による液晶表示装置の画素５０の構成を模式的に表した平面図である。実施形態３では、反射部３０に、互いに電気的に分離されたＣｓメタル層５６Ａ及びＣｓメタル層５６Ｂが形成され、両者の上に、図４に示したように、絶縁層６１及び半導体層６２が形成される。Ｃｓメタル層５６Ａの上部の半導体層６２の上には反射層（第１部分）６３Ａが形成され、Ｃｓメタル層５６Ｂの上部の半導体層６２の上には反射層（第２部分、あるいは分離部分）６３Ｂが形成されている。反射層６３Ａと反射層６３Ｂは、互いに電気的に分離されている。【００９３】
反射層６３Ａと反射層６３Ｂは、同じ層に同じ材料によって同時に形成され、Ｃｓメタル層５６ＡとＣｓメタル層５６Ｂは、Ｃｓライン５６と同じ層に同じ材料によって同時に形成される。Ｃｓメタル層５６ＡはＣｓライン５６に接続されており、反射層６３ＡはＴＦＴのドレイン５３に接続されている。【００９４】
Ｃｓメタル層５６Ａ及び反射層６３Ａは補助容量電極及び対向電極となり、両者によって補助容量（Ｃｓ）が形成される。Ｃｓメタル層５６ＢはＣｓライン５６に接続されておらず、反射層６３ＢはＴＦＴのドレイン５３に電気的に接続されていないため、Ｃｓメタル層５６Ｂと反射層６３Ｂとの間には実質的な電気容量は形成されない。【００９５】
反射部３０における反射層６３Ａ及び６３Ｂの表面には、実施形態１と同様、複数の凹部４８が形成されている。凹部４８の構造、形成方法等、及び凹部４８を形成することによって得られる効果等は、実施形態１の説明の中で述べた通りである。なお、図示してはいないが、図２に示したコンタクトホール５８は、反射層６３Ａの中に形成される。【００９６】
実施形態３の液晶表示装置では、反射部３０におけるＣｓメタル層及び反射層のそれぞれが、互いに電気的に分離された２つの部分に分かれており、補助容量はＣｓメタル層５６Ａと反射層６３Ａとによってのみ形成される。したがって、実施形態３によれば、実施形態１と同様、要求される反射率を確保しつつ、必要に応じた大きさの補助容量を得ることができる。これにより、ＴＦＴを必要以上に大きく形成する必要がなくなり、画素の開口率を高めることが可能となる。さらに、装置の製造効率を上げ、製造コストも抑えることができる。【００９７】
（実施形態４）
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第４の実施形態を説明する。実施形態１〜３の構成要素と同じ構成要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略している。【００９８】
図１１は、本実施形態の液晶表示装置の断面形状を模式的に表した図である。この液晶表示装置は、実施形態１〜３の液晶表示装置から層間絶縁層２６を除いたものであり、以下に述べる点以外は実施形態１〜３の液晶表示装置と同じである。なお、図１１には、対向基板１４の詳細な構造、およびＴＦＴ部３２については図示を省略している。【００９９】
図に示すように、実施形態４では、層間絶縁層２６が形成されないため、画素電極２８が図示しない絶縁膜を介して反射部３０およびＴＦＴ部３２の反射層６３の上に形成される。反射部３０及びＴＦＴ部３２の構造および製造方法は、層間絶縁層２６が除かれる点以外は、実施形態１にて説明したものと同じである。また、表示装置における画素配置や配線構造も、図２に示したものと同様である。実施形態４の構成によっても、実施形態１〜３と同様、反射層の有効反射面の面積が広がり、より多くの光を表示面に反射させることができると共に、透過領域の開口率を上げることができる。【０１００】
実施形態１〜４では、Ｃｓメタル層及び半導体層の開口部、及び反射層の凹部が円形に形成されるものとしたが、これらを、楕円形、三角形、四角形等の多角形に形成してもよく、また、開口部又は凹部の淵が鋸歯状であるもの、あるいは、これらを組み合わせたものなど、様々な形状に形成してもよい。【０１０１】
本発明による液晶表示装置は、上述の実施形態によって示したように、反射層の表面に多くの段差や角部を有しており、傾斜角度が２０度以下の斜面も多いので、有効反射面が広く、かつ散乱特性が優れた反射領域を得ることができる。また、反射層表面の形状に対称性が現われにくいので、反射光の干渉に起因するモアレや色付きの発生を低減又は防止することができる。よって、高い明度を有する明瞭な表示が可能な液晶表示装置を提供することが可能となる。【０１０２】
また、反射面の段差および角部がＣｓメタル層および半導体層の整形時の形状に応じて形成されるので、製造工程を増やすことなく、優れた反射特性を有する反射領域を容易に得ることができる。さらに、本願発明による液晶表示装置は上述した製造方法で形成されるため、透過型の液晶表示装置と同じ材料および工程で製造することができる。よって、高品質の液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。【０１０３】
さらに、本発明によれば、画素電極の液晶層側の面が対向電極の面と同様に平坦に形成され、反射部の端部付近における画素電極にも段差が形成されないので、液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが可能となる。よって、透過率が高く視野角特性に優れた表示ムラの少ない液晶表示装置を提供することが可能となる。【０１０４】
また、本発明によれば、必要な反射率を確保した上で補助容量を適切な大きさに抑えることができるので、ＴＦＴをより小さく形成することが可能となる。したがって、透過領域の面積を増やし、液晶表示装置の開口率を上げることができる。これにより、より輝度の高い高品質な表示が可能となる。【０１０５】
本発明による液晶表示装置には、液晶パネルを利用したディスプレイ装置、テレビ、携帯電話等も含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明によれば、高画質の半透過型液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。本発明による液晶表示装置は、例えば、携帯電話、カーナビ等の車載表示装置、ＡＴＭや販売機等の表示装置、携帯型表示装置、ノート型ＰＣなど、種々の半透過型液晶表示装置に好適に用いられる。
【図１】
2008090682.tif 000004
【図２】
2008090682.tif 000005
【図３】
2008090682.tif 000006
【図４】
2008090682.tif 000007
【図５】
2008090682.tif 000008
【図６】
2008090682.tif 000009
【図７】
2008090682.tif 000010
【図８】
2008090682.tif 000011
【図９】
2008090682.tif 000012
【図１０】
2008090682.tif 000013
【図１１】
2008090682.tif 000014
【図１２】
2008090682.tif 000015
【図１３】
2008090682.tif 000016
【図１４】
2008090682.tif 000017
【国際調査報告】
2008090682.tif 000018
2008090682.tif 000019
2008090682.tif 000020
2008090682.tif 000021