(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウムを主成分とし、該チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対する割合として、バナジウムがＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０〜１モル、マンガンがＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜１．５モルであり、さらにカルシウムを含むとともに、結晶粒子として、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とを有し、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ１、前記第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ２としたときに、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．７５〜０．９である誘電体磁器であって、該誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きいことを特徴とする誘電体磁器。
【請求項２】
前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、前記マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含有することを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器。
【請求項３】
前記マグネシウムの含有量がＭｇＯ換算で０モルであることを特徴とする請求項２に記載の誘電体磁器。
【請求項４】
前記マンガンの含有量がＭｎＯ換算で０モルであることを特徴とする請求項３に記載の誘電体磁器。
【請求項５】
前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、前記バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、前記マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含有するとともに、前記結晶粒子の平均結晶粒径が０．３３〜０．５７μｍであることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器。
【請求項６】
前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載の誘電体磁器。
【請求項７】
前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにイッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．６モル以下の範囲で含有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれかに記載の誘電体磁器。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれかに記載の誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極層との積層体から構成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子により構成される誘電体磁器と、それを誘電体層として用いる積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子回路の高密度化に伴う電子部品の小型化に対する要求は高く、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化が急速に進んでいる。それに伴い、積層セラミックコンデンサにおける１層あたりの誘電体層の薄層化が進み、薄層化してもコンデンサとしての信頼性を維持できる誘電体磁器が求められている。特に、高い定格電圧で使用される中耐圧用コンデンサの小型化、大容量化には、誘電体磁器に対して非常に高い信頼性が要求される。
【０００３】
従来、内部電極層を構成する材料として卑金属を用いることができ、しかも静電容量の温度変化（以下、比誘電率の温度変化という。）がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性（−５５〜８５℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足する技術として、本出願人は、特許文献１に開示されている誘電体磁器を提案した。
【０００４】
この技術は、誘電体磁器をカルシウム濃度の異なる２種のチタン酸バリウムを主体とする結晶粒子によって形成し、これにマグネシウム、希土類元素（ＲＥ）およびマンガンなどを含有させることにより、結晶粒子をコアシェル構造としたものであり、これにより比誘電率を向上させ、かつ絶縁抵抗（ＩＲ）の高温負荷試験での寿命特性を改善しようとしたものであった。しかし、急速に小型化、大容量化が進むなか、さらなる信頼性の向上が求められている。
【０００５】
また、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層用の誘電体磁器として、上記特許文献１と同様、比誘電率の温度変化をＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足するものとし、しかも絶縁抵抗の高温負荷試験での寿命特性の向上を図ろうとする誘電体磁器として、さらに、特許文献２、３に開示されるようなものが知られている。
【０００６】
特許文献２に開示された誘電体磁器は、当該誘電体磁器を構成する結晶粒子の主成分であるチタン酸バリウムにマグネシウム、希土類元素（ＲＥ）およびバナジウムなどを含有させ、Ｘ線回折チャートにおいて、（２００）面の回折線と（００２）面の回折線とが一部重なって幅広の回折線となる結晶構造（いわゆるコアシェル構造）とすることで、絶縁破壊電圧や絶縁抵抗の高温負荷試験での寿命特性の改善を図ったものである。
【０００７】
また、特許文献３に開示された誘電体磁器は、チタン酸バリウムに固溶させるバナジウムの価数を４価に近い範囲になるように調整することで、結晶粒子中に存在する電子の移動を抑制しつつ、チタン酸バリウムへのバナジウムの過剰な拡散やバナジウム化合物の析出を抑え、結晶粒子中にバナジウムの適度な濃度勾配があるシェル相を持ったコアシェル構造を形成することにより、高温負荷試験での寿命特性の向上を図ったものである。
【特許文献１】特開２００６−１５６４５０号公報
【特許文献２】特開平８−１２４７８５号公報
【特許文献３】特開２００６−３４７７９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１〜３に開示された誘電体磁器は、高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合には高い絶縁抵抗が得られるものの、印加する電圧を増加させたときに絶縁抵抗の低下が大きくなるという問題があった。
【０００９】
また、これらの誘電体磁器を誘電体層として備える積層セラミックコンデンサでは、誘電体磁器の絶縁抵抗の低下に起因して、誘電体層が薄層化された場合に高温負荷試験での寿命特性を満足させることが困難であった。
【００１０】
従って、本発明は、高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、印加する電圧が低い場合にも高い絶縁抵抗が得られるとともに、電圧を増加させた際の絶縁抵抗の低下が小さい誘電体磁器と、このような誘電体磁器を誘電体層として備え、高温負荷試験での寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とし、該チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対する割合として、バナジウムがＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０〜１モル、マンガンがＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜１．５モルであり、さらにカルシウムを含むとともに、結晶粒子として、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とを有し、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ１、前記第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ２としたときに、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．７５〜０．９である誘電体磁器であって、該誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きいことを特徴とする。
【００１２】
また、前記誘電体磁器では、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、前記マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含有することが望ましい。
【００１３】
また、前記誘電体磁器は、前記マグネシウムの含有量がＭｇＯ換算で０モルであることが望ましい。
【００１４】
また、前記誘電体磁器は、前記マンガンの含有量がＭｎＯ換算で０モルであることが望ましい。
【００１５】
また、前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、前記バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、前記マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の前記希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含有するとともに、前記結晶粒子の平均結晶粒径が０．３３〜０．５７μｍであることが望ましい。
【００１６】
また、前記誘電体磁器では、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有することが望ましい。
【００１７】
また、前記誘電体磁器は、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにイッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．６モル以下の範囲で含有することが望ましい。
【００１８】
また、本発明の積層セラミックコンデンサは、上記誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極層との積層体から構成されていることを特徴とする。
【００１９】
なお、希土類元素をＲＥとしたのは、周期表における希土類元素の英文表記（Rare earth）に基づくものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の誘電体磁器によれば、チタン酸バリウムに対して、カルシウム，バナジウム，マグネシウム，希土類元素（ＲＥ）およびマンガンをそれぞれ所定の割合で含有させるとともに、誘電体磁器の結晶粒子をチタン酸バリウムを主体とし、カルシウム濃度の異なる２種の結晶粒子から構成し、かつ誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度が、チタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面の回折強度よりも大きいものとしたことにより、高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足するものにできる。また、印加する電圧が低い場合に高い絶縁抵抗が得られるとともに、電圧を増加させた際の絶縁抵抗の低下が小さい（絶縁抵抗の電圧依存性が小さい）誘電体磁器を得ることができる。
【００２１】
また、本発明によれば、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含み、かつ誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度が、チタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面の回折強度よりも大きいものとすることにより、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するようにすることが可能になるとともに、誘電体磁器を薄層化して積層セラミックコンデンサの誘電体層に適用した際に高い絶縁性および高温負荷寿命を確保することができる。
【００２２】
またさらに、本発明の誘電体磁器によれば、マグネシウムの含有量をＭｇＯ換算で０モルとしたときは、高誘電率かつ比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するものにできるとともに、印加する電圧が低い場合に高い絶縁抵抗が得られ、かつ絶縁抵抗の電圧依存性のさらに小さい誘電体磁器を得ることができる。
【００２３】
さらにまた、本発明の誘電体磁器によれば、マンガンの含有量をＭｎＯ換算で０モルとしたときは、絶縁抵抗の電圧依存性の小さい誘電体磁器を得ることができるとともに、誘電損失を低減できる。
【００２４】
さらにまた、本発明の誘電体磁器によれば、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含有させるとともに、結晶粒子の平均結晶粒径を０．３３〜０．５７μｍとしたときは、ＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しつつ、さらに高誘電率で低誘電損失の誘電体磁器を得ることができる。
【００２５】
またさらに、本発明の誘電体磁器によれば、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有する場合には、誘電体磁器の絶縁抵抗を高めることができ、例えば、このような誘電体磁器を積層セラミックコンデンサの誘電体層に適用したときに高温負荷試験における寿命特性をさらに向上させることが可能になる。
【００２６】
また、本発明の誘電体磁器によれば、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにイッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．６モル以下の範囲で含有する場合には、焼成温度が変化したときの誘電体磁器の比誘電率の変化を小さくでき、例えば、このような誘電体磁器を積層セラミックコンデンサの誘電体層に適用し、大型の焼成炉を用いて多数の積層セラミックコンデンサを製造する際に、焼成炉内に温度ばらつきがあったとしても個々の積層セラミックコンデンサにおける静電容量のばらつきを低減して歩留まりを向上できる。
【００２７】
さらにまた、本発明の積層セラミックコンデンサによれば、誘電体層として、上記の誘電体磁器を適用することにより、高誘電率かつ比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性、さらにはＸ７Ｒ特性を満足するものにでき、誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を確保できることから高温負荷試験における寿命特性に優れる積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は誘電体磁器の拡大図であり、結晶粒子と粒界相を示す模式図である。本発明の誘電体磁器は、Ｃａ濃度が０．２原子％以下のチタン酸バリウムを主体とする第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａと、Ｃａ濃度が０．４原子％以上のチタン酸バリウムを主体とする第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂと、粒界相２とから構成されている。
【００２９】
本発明の誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とし、該チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対する割合として、バナジウムがＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムがＭｇＯ換算で０〜１モル、マンガンがＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜１．５モルであり、さらにカルシウムを含むとともに、結晶粒子として、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、前記チタン酸バリウムを主体とし、前記カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とを有し、前記第１の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ１、前記第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積をＣ２としたときに、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．７５〜０．９である誘電体磁器であって、該誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回
折強度よりも大きいことを特徴とする。
これにより誘電体磁器の比誘電率を３０００以上にでき、また、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足し、さらに、単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を３．１５Ｖおよび１２．５Ｖとしたときの絶縁抵抗がいずれも２×１０８Ω以上となり、かつ絶縁抵抗の低下のほとんど無い誘電体磁器を得ることができる。
【００３０】
即ち、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対するバナジウムの含有量がＶ２Ｏ５換算で０．０５モルよりも少ないか、または、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる希土類元素（ＲＥ）がＲＥ２Ｏ３換算で０．４モルよりも少ない場合には、単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を１２．５Ｖとしたときの絶縁抵抗が２×１０８Ω以下となり、直流電圧の値を３．１５Ｖとしたときの絶縁抵抗の値に比較して絶縁抵抗の低下が大きくなるからである。
【００３１】
また、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対するバナジウムの含有量がＶ２Ｏ５換算で０．３モルよりも多くなると、単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を３．１５Ｖおよび１２．５Ｖとしたときの絶縁抵抗がいずれも１×１０８Ωよりも低くなってしまうからである。
【００３２】
また、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）の含有量がＲＥ２Ｏ３換算で１．５モルよりも多いか、または、マンガンの含有量がＭｎＯ換算で０．５モルよりも多い場合には、いずれも比誘電率が３０００よりも低くなってしまうからである。
【００３３】
さらに、マグネシウムの含有量がＭｇＯ換算で１モルよりも多い場合には、静電容量の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しないものとなり、また、単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を３．１５Ｖおよび１２．５Ｖとしたときの絶縁抵抗の低下が大きくなり、高温負荷試験での寿命特性が低下するからである。
【００３４】
また、本発明の誘電体磁器では、上述したように、Ｘ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きいことが重要であり、特に、本発明の誘電体磁器を形成する結晶相は、ほとんど正方晶系を示す単相に近い結晶相により占められていることが望ましい。
【００３５】
図２（ａ）は、後述の実施例の表１〜６における本発明の誘電体磁器である試料Ｎｏ．４のＸ線回折チャートを示すものであり、図２（ｂ）は、同表１〜６における比較例の誘電体磁器である試料Ｎｏ．５１のＸ線回折チャートである。
【００３６】
図２（ｂ）のＸ線回折チャートは、チタン酸バリウムを主成分とし、コアシェル構造を有する結晶粒子により構成される誘電体磁器に見られるもので、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面および（４００）面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面（（０４０）面、（４００）面が重なっている。）の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度よりも大きくなっている。このようなコアシェル構造を有するものは、結晶粒子の内部にまで希土類元素（ＲＥ）が固溶していない強誘電体相部分（コア部）と、この強誘電体相部分の周囲に希土類元素（ＲＥ）が固溶した常誘電体相部分を有するもので、特許文献１〜３に記載される従来の誘電体磁器に相当する。
【００３７】
このような誘電体磁器は、チタン酸バリウムを主成分とする粉末に、少なくとも希土類元素（ＲＥ）の酸化物粉末を添加混合したものを成形した後、還元焼成することによって形成されるものであるが、この場合、コアシェル構造を有する結晶粒子は、結晶粒子の周縁部であるシェル部に希土類元素（ＲＥ）などの成分が拡散し、一方、コア部に希土類元素（ＲＥ）などの成分が固溶していないため、結晶粒子の内部において、酸素空孔などの欠陥を多く含んだ状態となり、このため直流電圧を印加した場合に、結晶粒子の内部において酸素空孔などが電荷を運ぶキャリアになりやすく誘電体磁器の絶縁性を低下させると考えられる。
【００３８】
これに対して、本発明の誘電体磁器は、図２（ａ）に示すように、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度が、チタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面の回折強度よりも大きい。
【００３９】
即ち、本発明の誘電体磁器は、図２（ａ）に見られるように、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面（２θ＝１００°付近）と（４００）面（２θ＝１０１°付近）のＸ線回折ピークが明確に現れるものであり、チタン酸バリウムの正方晶系を示すこれら（００４）面および（４００）面の間に現れるチタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面（（０４０）面、（４００）面が重なっている。）の回折強度が、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度よりも小さくなっている。
【００４０】
特に、チタン酸バリウムの正方晶系を示す（００４）面の回折強度をＩｘｔ、チタン酸バリウムの立方晶系を示す（４００）面の回折強度をＩｘｃとしたときに、Ｉｘｔ／Ｉｘｃ比が１．４〜２であることが望ましい。Ｉｘｔ／Ｉｘｃ比が１．４〜２であると、正方晶系の結晶相の割合が多くなり、絶縁抵抗の変化率をより小さくでき、高温負荷試験での寿命特性を高めることが可能になる。
【００４１】
このような本発明の誘電体磁器は、バナジウムやマンガンとともに希土類元素（ＲＥ）が結晶粒子の内部にまで固溶し、正方晶系のほぼ均一な結晶相となっている。そのため結晶粒子の内部において酸素空孔などの欠陥の生成が抑制され電荷を運ぶキャリアが少なくなり、このため直流電圧を印加した際の誘電体磁器の絶縁性の低下を抑えることが可能になると考えられる。
【００４２】
この場合、第１の結晶群の結晶粒子１ａおよび第２の結晶群の結晶粒子１ｂからなる結晶粒子１の平均結晶粒径は０．１５〜０．７μｍであることが望ましい。
【００４３】
なお、希土類元素（ＲＥ）として、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムのうち１種の希土類元素を用いるのは、チタン酸バリウムに固溶したときに異相が生成し難く、高い絶縁性が得られるからであり、誘電体磁器の比誘電率を高められるという理由からイットリウムがより好ましい。
【００４４】
また、上記組成のうち、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含むことにより比誘電率の温度変化をＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足させることが可能になるとともに、誘電体磁器を薄層化して積層セラミックコンデンサの誘電体層に適用した際に高い絶縁性および高温負荷寿命を確保することができる。
【００４５】
この場合、第１の結晶群の結晶粒子１ａおよび第２の結晶群の結晶粒子１ｂからなる結晶粒子１の平均結晶粒径は、０．１５〜０．５μｍであることが良く、さらには０．２７〜０．４μｍであることが望ましい。
【００４６】
またさらに、上記好ましい組成のうち、チタン酸バリウムを主成分とし、このチタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．５モル以下、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含むとともに、マグネシウムの含有量がＭｇＯ換算で０モルであることにより、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するとともに、印加する直流電圧が誘電体層の単位厚み（１μｍ）当たりに３．１５Ｖと１２．５Ｖとの間で絶縁抵抗が増加する傾向（正の変化）を示す高絶縁性の誘電体磁器を得ることができる。
【００４７】
さらにまた、上記組成のうちチタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含むとともに、マグネシウムがＭｇＯ換算で０モル、マンガンの含有量がＭｎＯ換算で０モルであることにより、さらに誘電体磁器の誘電損失を低減することができる。
【００４８】
ここで、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、マグネシウムの含有量が０モル、マンガンの含有量が０モルとは、誘電体磁器中に実質的にマグネシウムおよびマンガンを含有していないことであって、例えば、ＩＣＰ発光分光分析の検出限界以下（０．５μｇ／ｇ以下）の量のことである。
【００４９】
さらに、好ましい組成として、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらに、テルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有させることができる。
【００５０】
チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有させると、誘電体磁器の絶縁抵抗を高めることができ、上記の誘電体磁器を積層セラミックコンデンサの誘電体層に適用したときに高温負荷試験における寿命特性をさらに向上させることが可能になる。ただし、テルビウムの含有量がＴｂ４Ｏ７換算で０．３モルよりも多くなると誘電体磁器の比誘電率の低下がおこる。
【００５１】
またさらに、上記組成のうち、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含むことにより、誘電体層の単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧を３．１５Ｖおよび１２．５Ｖとしたときに、これら３．１５Ｖと１２．５Ｖとの間での絶縁抵抗の低下が無く、高絶縁性で、高温負荷寿命に優れた高信頼性の誘電体磁器を得ることができるとともに、比誘電率を４０００以上にでき、誘電損失を１３．５％未満とすることができる。
【００５２】
この場合、当該誘電体磁器を構成する結晶粒子の平均結晶粒径は０．３３〜０．５７μｍが望ましい。
【００５３】
さらにまた、上記組成のうち、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含有するとともに、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．３モル以下の範囲で含有させることで、誘電体磁器の絶縁抵抗をさらに高めることができ、これにより高温負荷寿命をさらに向上させることができるとともに、誘電体磁器の比誘電率を５０００以上に高めることができる。また、このような組成にするとともに、結晶粒子の平均結晶粒径を０．５１〜０．５７μｍの範囲とすることにより比誘電率を６０１０以上に高めることが可能になる。
【００５４】
また、本発明の誘電体磁器は、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、さらにイッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．６モル以下の範囲で含有させることができる。このような組成にすると、焼成温度が約５０℃変化しても、比誘電率の変化を抑えることが可能となる。そのため、温度ばらつきの生じ易い大型の焼成炉を用いたとしても個々の誘電体磁器における誘電体特性（比誘電率、誘電損失等）のばらつきを低減して歩留まりを向上できる。なお、イッテルビウムを含有させることによる十分な効果を得るためには０．３モル以上含有していることが好ましい。
【００５５】
本発明の誘電体磁器は、上述したように、チタン酸バリウムを主成分として、これに上記割合でバナジウム、マグネシウム、マンガンおよび特定の希土類元素（ＲＥ）を含有するものであるが、さらに、本発明の誘電体磁器では、所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結性を高めるための助剤としてガラス成分や他の添加成分を誘電体磁器中に２質量％以下の割合で含有させても良い。
【００５６】
なお、第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａおよび第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂからなる結晶粒子１の平均結晶粒径は、誘電体磁器の断面を断面研磨した研磨面について、透過電子顕微鏡にて映し出されている画像をコンピュータに取り込んで、その画面上で対角線を引き、その対角線上に存在する結晶粒子の輪郭を画像処理し、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、算出した結晶粒子約５０個の平均値を求める。
【００５７】
また、結晶粒子中のＣａ濃度については、誘電体磁器の断面を研磨した研磨面に存在する約３０個の結晶粒子に対して、元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いて元素分析を行う。このとき電子線のスポットサイズは５ｎｍとし、分析する箇所は、結晶粒子の粒界付近から中央部へ向けて引いた直線上のほぼ等間隔に位置する点とし、分析値は粒界付近と中央部との間で４〜５点ほど分析した値の平均値とし、結晶粒子の各測定点から検出されるＢａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｖ、Ｍｇ、希土類元素（ＲＥ）およびＭｎの全量を１００％として、そのときのＣａの濃度を求める。
【００５８】
選択する結晶粒子は、その輪郭から画像処理にて各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、求めた結晶粒子の直径が平均結晶粒径の±３０％の範囲にある結晶粒子とする。
【００５９】
なお、結晶粒子の中央部とは、当該結晶粒子の内接円の中心から当該内接円の半径の１／３の長さを半径とする円で囲まれる範囲をいい、また、結晶粒子の粒界付近とは、当該結晶粒子の粒界から５ｎｍ内側までの領域のことである。そして、結晶粒子の内接円は、透過電子顕微鏡にて映し出されている画像をコンピュータに取り込んで、その画面上で結晶粒子に対して内接円を描き、結晶粒子の中央部を決定する。
【００６０】
また、本発明の誘電体磁器は、上述のように、結晶粒子として、第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａと第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂとを有するものであるが、その割合は、第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａの面積をＣ１、第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂの面積をＣ２としたときに、Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．８〜０．９９であることが望ましい。
【００６１】
第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂはＣａが固溶しているために第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａに比較して高いキュリー温度を示す。このため第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂの割合を高めて、上記の範囲とすることにより、高温での比誘電率を向上させることができるとともに、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足させやすくなるという利点がある。
【００６２】
誘電体磁器を構成する第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａおよび第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂの面積割合は、上記平均結晶粒径を求める際に用いた面積のデータを使って算出する。
【００６３】
次に、本発明の誘電体磁器を製造する方法について説明する。まず、原料粉末として、純度が９９％以上のチタン酸バリウム粉末（以下、ＢＴ粉末という。）およびチタン酸バリウムにカルシウムが固溶した粉末（以下、ＢＣＴ粉末という。）と、添加成分として、Ｖ２Ｏ５粉末とＭｇＯ粉末、さらに、Ｙ２Ｏ３粉末、Ｄｙ２Ｏ３粉末、Ｈｏ２Ｏ３粉末およびＥｒ２Ｏ３粉末のうち１種の希土類元素の酸化物粉末およびＭｎＣＯ３粉末とを準備する。なお、誘電体磁器に第２の希土類元素としてテルビウムを含有させる場合には希土類元素の酸化物としてＴｂ４Ｏ７粉末を用い、また、誘電体磁器に第３の希土類元素としてイッテルビウムを含有させる場合には希土類元素の酸化物としてＹｂ２Ｏ３粉末を用いる。
【００６４】
ＢＣＴ粉末はＡサイトの一部がＣａで置換されたチタン酸バリウムを主成分とする固溶体であり、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３で表されるものであり、Ａサイト中のＣａ置換量は、Ｘ＝０．０１〜０．２であることが好ましい。Ｃａ置換量がこの範囲内であれば、第１の結晶粒子１ａとの共存構造により、粒成長が抑制された結晶組織を形成することができる。これによりコンデンサとして使用する場合には使用温度範囲において優れた温度特性を得ることができる。なお、第２の結晶粒子１ｂ中に含まれるＣａは第２の結晶粒子１ｂに分散した状態で固溶している。
【００６５】
また、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均粒径は０．０５〜０．１５μｍが好ましい。ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均粒径が０．０５μｍ以上であると、第１の結晶粒子１ａおよび第２の結晶粒子１ｂが高結晶性になるために比誘電率の向上を図れるという利点がある。一方、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均粒径が０．１５μｍ以下であると、希土類元素（ＲＥ）およびマンガンなどの添加剤を第１の結晶粒子１ａおよび第２の結晶粒子１ｂの内部にまで固溶させることが容易となり、また、後述するように、焼成前後における、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末から、それぞれ第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａおよび第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂへの粒成長の比率を高められるという利点がある。ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の等モルで混合することが好ましい。
【００６６】
添加剤であるＹ２Ｏ３粉末、Ｄｙ２Ｏ３粉末、Ｈｏ２Ｏ３粉末およびＥｒ２Ｏ３粉末のうち少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）の酸化物粉末、Ｔｂ４Ｏ７粉末、Ｙｂ２Ｏ３粉末、Ｖ２Ｏ５粉末、ＭｇＯ粉末、およびＭｎＣＯ３粉末についても平均粒径はＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末などの誘電体粉末と同等、もしくはそれ以下のものを用いることが好ましい。
【００６７】
次いで、これらの原料粉末を、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末を構成するバリウム１００モルに対してＶ２Ｏ５粉末を０．０５〜０．３モル、ＭｇＯ粉末を０〜１モル、ＭｎＣＯ３粉末を０〜０．５モル、Ｙ２Ｏ３粉末、Ｄｙ２Ｏ３粉末、Ｈｏ２Ｏ３粉末およびＥｒ２Ｏ３粉末から選ばれる希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜１．５モルの割合で配合し、場合によっては、第２の希土類元素としてＴｂ４Ｏ７粉末を０．３モル以下、第３の希土類元素としてＹｂ２Ｏ３粉末を０．６モル以下の範囲で添加して成形体を形成する。ただし、テルビウムの含有量がＴｂ４Ｏ７換算で０．３モルよりも多くなるとスラリ中への分散性が低下するため均質な誘電体磁器を得ることが困難となるため上記組成範囲が好ましい。次いで、得られた成形体を脱脂した後、還元雰囲気中にて焼成する。
【００６８】
なお、本発明の誘電体磁器を製造するに際しては、所望の誘電特性を維持できる範囲であれば焼結助剤としてガラス粉末を添加しても良く、その添加量は、主な原料粉末であるＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の合計量を１００質量部としたときに０．５〜２質量部が良い。
【００６９】
焼成温度は、ガラス粉末等の焼結助剤を用いる場合には、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末への添加剤の固溶と結晶粒子の粒成長を制御するという理由から１０５０〜１１５０℃が好適であり、第３の希土類元素としてイッテルビウムを、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対してＹｂ２Ｏ３換算で０．６モル以下の範囲で含有させた場合には、１０２５〜１２００℃の範囲で焼成することが可能となる。一方、ガラス粉末等の焼結助剤を用いないで、ホットプレス法等の加圧焼成による場合には１０５０℃未満の温度での焼結が可能になる。
【００７０】
本発明では、かかる誘電体磁器を得るために、微粒のＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末を用い、これに上述の添加剤を所定量添加し、上記温度で焼成することで、各種の添加剤を含ませたＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均粒径が焼成前後で２倍以上になるように焼成する。焼成後における結晶粒子の平均結晶粒径がバナジウムや他の添加剤を含ませたＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均結晶粒径の２倍以上になるように焼成することで、結晶粒子１は、少なくともバナジウムおよび希土類元素（ＲＥ）、第２の希土類元素、場合によっては、マグネシウムおよびマンガンを含めて、結晶粒子１の全体に固溶したものとすることができる。その結果、結晶粒子の内部において酸素空孔などの欠陥の生成が抑制され、電荷を運ぶキャリアが少ない状態が形成されていると考えられる。
【００７１】
また、本発明では、焼成後に、再度、弱還元雰囲気にて熱処理を行う。この熱処理は還元雰囲気中での焼成において還元された誘電体磁器を再酸化し、焼成時に還元されて低下した絶縁抵抗を回復するために行うものであり、その温度は第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａおよび第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂの更なる粒成長を抑えつつ再酸化量を高めるという理由から９００〜１１００℃が好ましい。こうして第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａおよび第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂ中において高絶縁性の結晶粒子により形成される誘電体磁器を形成することができる。
【００７２】
図３は、本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す断面模式図である。本発明の積層セラミックコンデンサは、コンデンサ本体１０の両端部に外部電極４が設けられたものであり、また、コンデンサ本体１０は誘電体層５と内部電極層７とが交互に積層された積層体１０Ａから構成されている。そして、誘電体層５は上述した本発明の誘電体磁器によって形成されることが重要である。なお、図３では、誘電体層５と内部電極層７との積層の状態を単純化して示しているが、本発明の積層セラミックコンデンサは、誘電体層５と内部電極層７とが数百層にも及ぶ積層体を形成している。
【００７３】
このような本発明の積層セラミックコンデンサによれば、誘電体層５として、上記の誘電体磁器を適用することにより、高誘電率で比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性およびＸ７Ｒ特性を満足するものとなり、誘電体層５を薄層化しても高い絶縁性を確保でき、高温負荷試験での寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００７４】
ここで、誘電体層５の厚みは３μｍ以下、特に、２．５μｍ以下であることが積層セラミックコンデンサを小型高容量化する上で好ましく、さらに本発明では静電容量のばらつきおよび容量温度特性の安定化のために、誘電体層５の厚みは１μｍ以上であることがより望ましい。
【００７５】
内部電極層７は高積層化しても製造コストを抑制できるという点で、ニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）などの卑金属が望ましく、特に、本発明における誘電体層５との同時焼成が図れるという点でニッケル（Ｎｉ）がより望ましい。
【００７６】
外部電極４は、例えば、ＣｕもしくはＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成される。
【００７７】
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。上記の素原料粉末に専用の有機ビヒクルを加えてセラミックスラリを調製し、次いで、セラミックスラリをドクターブレード法やダイコータ法などのシート成形法を用いてセラミックグリーンシートを形成する。この場合、セラミックグリーンシートの厚みは誘電体層５の高容量化のための薄層化、高絶縁性を維持するという点で１〜４μｍが好ましい。
【００７８】
次に、得られたセラミックグリーンシートの主面上に矩形状の内部電極パターンを印刷して形成する。内部電極パターンとなる導体ペーストはＮｉ、Ｃｕもしくはこれらの合金粉末が好適である。
【００７９】
次に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを所望枚数重ねて、その上下に内部電極パターンを形成していないセラミックグリーンシートを複数枚、上下層が同じ枚数になるように重ねてシート積層体を形成する。この場合、シート積層体中における内部電極パターンは、長寸方向に半パターンずつずらしてある。
【００８０】
次に、シート積層体を格子状に切断して、内部電極パターンの端部が露出するようにコンデンサ本体成形体を形成する。このような積層工法により、切断後のコンデンサ本体成形体の端面に内部電極パターンが交互に露出されるように形成できる。
【００８１】
次に、コンデンサ本体成形体を脱脂したのち、上記した誘電体磁器と同様の焼成条件および弱還元雰囲気での熱処理を行うことによりコンデンサ本体を作製する。
【００８２】
次に、このコンデンサ本体の対向する端部に、外部電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電極４を形成する。また、この外部電極４の表面には実装性を高めるためにメッキ膜を形成しても構わない。
【実施例】
【００８３】
［実施例１］
まず、原料粉末として、ＢＴ粉末、ＢＣＴ粉末（組成は（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、  Ｘ＝０．０５）、ＭｇＯ粉末、Ｙ２Ｏ３粉末、Ｄｙ２Ｏ３粉末、Ｈｏ２Ｏ３粉末、Ｅｒ２Ｏ３粉末、Ｔｂ４Ｏ７粉末（第２の希土類元素）、ＭｎＣＯ３粉末およびＶ２Ｏ５粉末を準備し、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末を等モルで混合した後、添加剤の各種粉末を表１，２および３に示す割合で混合した。これらの原料粉末は純度が９９．９％のものを用いた。なお、ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末の平均粒径は、試料Ｎｏ．１−１〜４９、５２、５３および５６〜９０については０．１μｍのものを、試料Ｎｏ．１−５０および５１については平均粒径が０．２５μｍのものを、および試料Ｎｏ．１−５４、５５については平均粒径が０．１２μｍのものを用いた。ＭｇＯ粉末、Ｙ２Ｏ３粉末、Ｄｙ２Ｏ３粉末、Ｈｏ２Ｏ３粉末、Ｅｒ２Ｏ３粉末、Ｔｂ４Ｏ７粉末、ＭｎＣＯ３粉末およびＶ２Ｏ５粉末は平均粒径が０．１μｍのものを用いた。ＢＴ粉末およびＢＣＴ粉末のＢａ／Ｔｉ比は１．００３とした。焼結助剤はＳｉＯ２＝５５、ＢａＯ＝２０、ＣａＯ＝１５、Ｌｉ２Ｏ＝１０（モル％）組成のガラス粉末を用いた。ガラス粉末の添加量はＢＴ粉末１００質量部に対して１質量部とした。
【００８４】
次に、これらの原料粉末を直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて、溶媒としてトルエンとアルコールとの混合溶媒を添加し湿式混合した。
【００８５】
次に、湿式混合した粉末にポリビニルブチラール樹脂およびトルエンとアルコールの混合溶媒を添加し、同じく直径５ｍｍのジルコニアボールを用いて湿式混合しセラミックスラリを調製し、ドクターブレード法により厚み２．５μｍのセラミックグリーンシートを作製した。
【００８６】
次に、このセラミックグリーンシートの上面にＮｉを主成分とする矩形状の内部電極パターンを複数形成した。内部電極パターンに用いた導体ペーストは、Ｎｉ粉末は平均粒径０．３μｍのものを、共材としてグリーンシートに用いたＢＴ粉末をＮｉ粉末１００質量部に対して３０質量部添加した。
【００８７】
次に、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートを３６０枚積層し、その上下面に内部電極パターンを印刷していないセラミックグリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、プレス機を用いて温度６０℃、圧力１０７Ｐａ、時間１０分の条件で一括積層し、所定の寸法に切断した。
【００８８】
次に、積層成形体を１０℃／ｈの昇温速度で大気中で３００℃／ｈにて脱バインダ処理を行い、５００℃からの昇温速度が３００℃／ｈの昇温速度で、水素−窒素中、１０５０〜１２００℃で２時間焼成してコンデンサ本体を作製した。また、試料は、続いて３００℃／ｈの降温速度で１０００℃まで冷却し、窒素雰囲気中１０００℃で４時間再酸化処理をし、３００℃／ｈの降温速度で冷却し、コンデンサ本体を作製した。このコンデンサ本体の大きさは０．９５×０．４８×０．４８ｍｍ３、誘電体層の厚みは２μｍ、内部電極層の１層の面積は０．３ｍｍ２であった。
【００８９】
次に、焼成したコンデンサ本体をバレル研磨した後、コンデンサ本体の両端部にＣｕ粉末とガラスを含んだ外部電極ペーストを塗布し、８５０℃で焼き付けを行い外部電極を形成した。その後、電解バレル機を用いて、この外部電極の表面に、順にＮｉメッキ及びＳｎメッキを行い、積層セラミックコンデンサを作製した。
【００９０】
次に、これらの積層セラミックコンデンサについて以下の評価を行った。評価はいずれも試料数１０個とし、平均値を求めた。比誘電率は静電容量を温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓの測定条件で測定し、誘電体層の厚みと内部電極層の全面積から求めた。また、比誘電率の温度特性は静電容量を温度−５５〜１２５℃の範囲で測定した。絶縁抵抗は直流電圧３．１５Ｖ／μｍおよび１２．５Ｖ／μｍの条件にて評価した（表５、６および９では、常用対数で表される絶縁抵抗を仮数部と指数部の間にＥを入れる指数表記で示した。）。
【００９１】
高温負荷試験は温度１７０℃において、印加電圧３０Ｖ（１５Ｖ／μｍ）の条件で行った。高温負荷試験での試料数は各試料２０個とした。
【００９２】
第１の結晶群を構成する結晶粒子および第２の結晶群を構成する結晶粒子からなる結晶粒子の平均結晶粒径は、誘電体磁器の断面を断面研磨した研磨面について、透過電子顕微鏡にて映し出されている画像をコンピュータに取り込んで、その画面上で対角線を引き、その対角線上に存在する結晶粒子の輪郭を画像処理し、各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、算出した結晶粒子約５０個の平均値として求めた。また、誘電体粉末からの粒成長の割合を評価した。
【００９３】
結晶粒子中のＣａ濃度については、積層セラミックコンデンサの積層方向の断面を研磨した誘電体層の研磨面に存在する約３０個の結晶粒子に対して、元素分析機器を付設した透過型電子顕微鏡を用いて元素分析を行った。このとき電子線のスポットサイズは５ｎｍとし、分析する箇所は、結晶粒子の粒界付近から中央部へ向けて引いた直線上のほぼ等間隔に位置する点とした。分析値は粒界付近と中央部との間で４〜５点ほど分析した値の平均値とし、結晶粒子の各測定点から検出されるＢａ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｖ、Ｍｇ、希土類元素（ＲＥ）およびＭｎの全量を１００％として、そのときのＣａの濃度を求めた。この場合、選択する結晶粒子は、その輪郭から画像処理にて各粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出し、このようにして直径を求めた結晶粒子の直径が平均結晶粒径の±６０％の範囲にある結晶粒子とした。
【００９４】
この測定で結晶粒子の中央部は当該結晶粒子の内接円の中心から半径の１／３の長さの範囲とし、一方、結晶粒子の粒界付近は当該結晶粒子の粒界から５ｎｍ内側の領域とした。なお、結晶粒子の内接円は透過電子顕微鏡にて映し出されている画像をコンピュータの画面上で内接円を描き、その画面上の画像から結晶粒子の中央部を決定した。
【００９５】
誘電体磁器を構成する第１の結晶群を構成する結晶粒子および第２の結晶群を構成する結晶粒子の面積割合（Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）  ここで、第１の結晶群を構成する結晶粒子１ａの面積をＣ１、第２の結晶群を構成する結晶粒子１ｂの面積をＣ２。）は、上記約５０個について結晶粒子１ａ、１ｂの平均結晶粒径を求めた面積のデータから算出した。表１〜３に示した試料では、試料Ｎｏ．１〜４９、５２、５３および５６〜９０はＣ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．９であった。試料Ｎｏ．５０、５１および５４についてはＣ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．７５であった。試料Ｎｏ．５５についてはＣ２／（Ｃ１＋Ｃ２）が０．８であった。
【００９６】
また、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度と立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度との比の測定は、Ｃｕｋαの管球を備えたＸ線回折装置を用いて、角度２θ＝９９〜１０２°の範囲で測定し、ピーク強度の比を測定して求めた。
【００９７】
また、得られた焼結体である試料の組成分析はＩＣＰ分析もしくは原子吸光分析により行った。この場合、得られた誘電体磁器を硼酸と炭酸ナトリウムと混合し溶融させたものを塩酸に溶解させて、まず、原子吸光分析により誘電体磁器に含まれる元素の定性分析を行い、次いで、特定した各元素について標準液を希釈したものを標準試料として、ＩＣＰ発光分光分析にかけて定量化した。また、各元素の価数を周期表に示される価数として酸素量を求めた。
【００９８】
調合組成と焼成温度を表１〜３に、焼結体中の各元素の酸化物換算での組成を表４〜６に、特性の結果を表７〜９にそれぞれ示した。ここで表４〜６において、誘電体磁器のＩＣＰ分析において、各成分が検出限界以下（０．５μｇ／ｇ以下）である場合は０モルとした。
【００９９】
表１〜３には出発原料の調合組成と焼成温度を、表４〜６には誘電体磁器の組成を、表７〜９には、誘電体磁器のＸ線回折強度の比、結晶粒子の平均粒径、誘電体磁器の比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命特性をそれぞれ示す。
【表１】
0005483825.tif 000002
【０１００】
【表２】
0005483825.tif 000003
【０１０１】
【表３】
0005483825.tif 000004
【０１０２】
【表４】
0005483825.tif 000005
【０１０３】
【表５】
0005483825.tif 000006
【０１０４】
【表６】
0005483825.tif 000007
【０１０５】
【表７】
0005483825.tif 000008
【０１０６】
【表８】
0005483825.tif 000009
【０１０７】
【表９】
0005483825.tif 000010
【０１０８】
表１〜９の結果から明らかなように、チタン酸バリウムを主成分とし、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜１モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜１．５モル含み、さらにカルシウムを含むとともに、結晶粒子として、チタン酸バリウムを主体とし、カルシウムの濃度が０．２原子％以下の結晶粒子からなる第１の結晶群と、チタン酸バリウムを主体とし、カルシウムの濃度が０．４原子％以上の結晶粒子からなる第２の結晶群とを有し、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度よりも大きい本発明の試料Ｎｏ．１−２〜１０、１２〜１６、１８〜３４、３６〜４０、４２〜４４、４６、４７、５２〜６５、６８〜７８および８０〜９０では、比誘電率が３０００以上、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足するものとなり、単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を３．１５Ｖおよび１２．５Ｖとしたときの絶縁抵抗の低下が無く、絶縁抵抗の電圧依存性の小さい誘電体磁器を得ることができた。また、高温負荷試験での寿命特性が１７０℃、１５Ｖ／μｍの条件で５３時間以上であった。
【０１０９】
また、チタン酸バリウムを主成分とし、このチタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、マンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モル、イットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含ませて、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モルとした試料Ｎｏ．１−２〜１０，１２〜１６，１９〜３４，３６〜４０，４２〜４４，４６，４７，および５２〜５５では、静電容量の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するものとなり、印加する直流電圧が誘電体層の単位厚み（１μｍ）当たりに３．１５Ｖと１２．５Ｖとの間で絶縁抵抗の低下が見られず高絶縁性の誘電体磁器を得ることができた。この中で、マグネシウムをＭｇＯ換算で０モルとした試料Ｎｏ．４，７，１０，１２〜１６，２１，２７，３０〜３４，３６〜４０，４２〜４４，４６，４７および５２〜５５では、印加する直流電圧が誘電体層の単位厚み（１μｍ）当たりに３．１５Ｖと１２．５Ｖとの間で絶縁抵抗が増加する傾向（正の変化）を示す高絶縁性の誘電体磁器を得ることができた。
【０１１０】
また、チタン酸バリウムを主成分とし、このチタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム、ジスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．５〜１．５モル含ませて、マグネシウムをＭｇＯ換算で０モルおよびマンガンをＭｎＯ換算で０モルとし、静電容量の温度変化がＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足するものとした試料Ｎｏ．１−１０、３０では、バナジウムおよび希土類元素（ＲＥ）を同量含有する試料について対比すると、マグネシウムまたはマンガン、あるいは両成分を含有する誘電体磁器である試料Ｎｏ．１−２〜９および試料Ｎｏ．１−１９〜２９に比較して誘電損失を低減することができた。
【０１１１】
また、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．０５〜０．３モル、希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で１モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０〜０．１モル、およびマンガンをＭｎＯ換算で０〜０．５モルとし、さらにテルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．０５〜０．３モル含有させた試料Ｎｏ．１−１９〜３４、３６〜４０では、テルビウムを含有しない試料Ｎｏ．１−２〜９、１２〜１６に比較して高温負荷試験における寿命特性がさらに向上した。
【０１１２】
また、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ２Ｏ５換算で０．１〜０．３モル、マグネシウムをＭｇＯ換算で０．３〜０．９モル、マンガンをＭｎＯ換算で０．０５〜０．５モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ２Ｏ３換算で０．４〜０．９モル含有するとともに、前記結晶粒子の平均結晶粒径が０．３３〜０．５７μｍである試料Ｎｏ．１−５７〜５９，６０〜６４，６８〜７０，７２〜７６，７８，８０〜９０では、印加する直流電圧が誘電体層の単位厚み（１μｍ）当たりに３．１５Ｖと１２．５Ｖとの間で絶縁抵抗の低下が無く高絶縁性の誘電体磁器を得ることができるとともに、比誘電率を４０２０以上にでき、誘電損失を１３．１％以下にできた。
【０１１３】
この中で、テルビウムをＴｂ４Ｏ７換算で０．０５〜０．３モル含有させた組成において、結晶粒子の平均結晶粒径を０．５１〜０．５７μｍの範囲とした試料Ｎｏ．１−８３〜９０では比誘電率を６０１０以上に高めることができた。
【０１１４】
これに対して、本発明の試料とは組成が異なるか、または粒成長の比率が２倍より低く、誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも小さい本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１−１１，１７，３５，４１，４５，４８〜５１，６６，６７および７９では、比誘電率が３０００より低いか、比誘電率の温度変化がＥＩＡ規格のＸ５Ｒ特性を満足しないか、絶縁抵抗が単位厚み（１μｍ）当たりに印加する直流電圧の値を１２．５Ｖ／μｍとして測定したときに１０８Ωよりも低いか、または高温負荷試験の寿命特性が１５時間以下であった。
【０１１５】
［実施例２］
次に、実施例１に示す試料Ｎｏ．１−１〜１０,１２〜１６，１８〜３４，３６〜４０，４２〜４４，４６，４７，５２〜６５，６８〜７８および８０〜９０の各組成に、さらにＹｂ２Ｏ３粉末を０．３５モル添加する以外は実施例１と同様の方法で試料を作製するとともに、実施例１と同様の方法にて誘電体磁器の組成、Ｘ線回折強度の比、結晶粒子の平均粒径、誘電体磁器の比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命特性をそれぞれ測定し評価した（試料２−１〜７８）。
【０１１６】
また、実施例１に示す試料Ｎｏ．１−３０の組成に、さらにイッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０〜０．９モル添加し、焼成温度を１１７０℃とする以外は実施例１と同様の方法で試料を作製するとともに、実施例１と同様の方法にて誘電体磁器の組成、Ｘ線回折強度の比、結晶粒子の平均粒径、誘電体磁器の比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命特性をそれぞれ測定し評価した（試料Ｎｏ．２−７９〜８５）。
【０１１７】
また、実施例１に示す試料Ｎｏ．１−６９の組成に、イッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０〜０．９モル添加し、焼成温度を１１９０℃とする以外は実施例１と同様の方法で試料を作製するとともに、実施例１と同様の方法にて誘電体磁器の組成、Ｘ線回折強度の比、結晶粒子の平均粒径、誘電体磁器の比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命特性をそれぞれ測定し評価した（試料Ｎｏ．２−８６〜９２）。
【０１１８】
表１０〜１３には出発原料の調合組成と焼成温度を、表１４〜１７には誘電体磁器の組成を、表１８〜２１には、誘電体磁器のＸ線回折強度の比、結晶粒子の平均粒径、誘電体磁器の比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、比誘電率の温度特性、高温負荷試験での寿命特性をそれぞれ示す。
【表１０】
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【０１１９】
【表１１】
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【０１２０】
【表１２】
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【０１２１】
【表１３】
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【０１２２】
【表１４】
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【０１２３】
【表１５】
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【０１２４】
【表１６】
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【０１２５】
【表１７】
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【０１２６】
【表１８】
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【０１２７】
【表１９】
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【０１２８】
【表２０】
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【０１２９】
【表２１】
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【０１３０】
表１０〜２１の結果から明らかなように、イッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．３５モル含有させた試料Ｎｏ．２−１〜７８は、いずれもイッテルビウムを含有していない組成を有する実施例１の試料Ｎｏ．１−１〜１０,１２〜１６，１８〜３４，３６〜４０，４２〜４４，４６，４７，５２〜６５，６８〜７８および８０〜９０とそれぞれ同等の特性が得られた。
【０１３１】
また、試料Ｎｏ．２−７９〜８５のうち、イッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．３〜０．６モル含有する試料Ｎｏ．２−８１〜８３は、その焼成温度が実施例１に示す試料Ｎｏ．１−３０の誘電体磁器の焼成温度より４０℃高いものの、実施例１に示す試料Ｎｏ．１−３０の誘電体磁器とほぼ同等の特性を有した。
【０１３２】
また、試料Ｎｏ．２−８６〜９２のうち、イッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．３〜０．６モル含有する試料Ｎｏ．２−８８〜９０は、その焼成温度が実施例１に示す試料Ｎｏ．１−６９の誘電体磁器の焼成温度より、これも４０℃高いものの、実施例１に示す試料Ｎｏ．１−６９の誘電体磁器とほぼ同等の特性を有した。  このように、試料Ｎｏ．２−８１〜８３，８８〜９０の誘電体磁器に見られるように、イッテルビウムをＹｂ２Ｏ３換算で０．３〜０．６モル含有させることで、焼成温度が４０℃の範囲でばらついたとしても誘電体磁器の誘電体特性（比誘電率、誘電損失等）のバラツキを小さくすることができることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の誘電体磁器の微構造を示す断面模式図である。
【図２】（ａ）は、本発明の誘電体磁器である試料Ｎｏ．４のＸ線回折チャートを示すものであり、（ｂ）は、比較例の誘電体磁器である試料Ｎｏ．５１のＸ線回折チャートである。
【図３】本発明の積層セラミックコンデンサの例を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１ａ    第１の結晶群を構成する結晶粒子
１ｂ    第２の結晶群を構成する結晶粒子
２      粒界相
５      誘電体層
７      内部電極層
１０Ａ  積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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