【事件の表示】
　特願２０１５−１２４５０２「半導体装置、センサーおよび電子デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　９月１７日出願公開、特開２０１５−１６５６００、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月２４日に出願した特願２０１１−３７９６９号の一部を平成２７年６月２２日に新たな特許出願とするものであって、平成２８年４月１８日付けの拒絶理由通知に対して同年６月９日付けで手続補正がなされたが、同年１１月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２９年１月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２９年１月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２９年１月６日付けの手続補正を却下する。
［理由］ 
１．本件補正 
　平成２９年１月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲および図面についてするもので、
　本件補正前の特許請求の範囲が、
 「【請求項１】
　第１面と、前記第１面の反対面である第２面と、前記第２面から前記第１面に達する孔を有する第１基板と、
　前記孔の内壁に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜の内側に形成された第１導電層および第２導電層を有し、前記第２面側に凹部を有する貫通電極と、
　前記第１基板に積層された第２基板と、
　前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で前記凹部の底部に接合された突起電極と、を備え、
　前記突起電極が、前記凹部の開口において前記凹部の側壁から離れており、
　前記突起電極が前記凹部の底部に入り込んでいる、
　ことを特徴とする半導体装置。
 【請求項２】
　前記第１基板の前記凹部の深さｃと、前記第２基板の前記突起電極の高さｄが、ｃ＜ｄの関係となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
 【請求項３】
　前記第１基板の前記凹部の開口は前記底部から前記第２面に向かって広くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
 【請求項４】
　前記突起電極と金属接合された前記第１導電層の融点が、前記第２導電層の融点よりも低いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体装置。
 【請求項５】
　前記第１導電層の材料はろう材であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
 【請求項６】
　前記第２基板の前記第２電極に形成された前記突起電極の先端幅ｂと、前記第２電極側の前記突起電極の幅ｅはｂ＜ｅの関係となっていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体装置。
 【請求項７】
　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置が実装されてなるセンサー。
 【請求項８】
　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子デバイス。」 
であったところ、 
  
　本件補正により、 
 「【請求項１】
　第１面と、前記第１面の反対面である第２面と、前記第２面から前記第１面に達する孔を有する第１基板と、
　前記孔の内壁に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜の内側に形成された第１導電層および第２導電層を有し、前記第２面側に凹部を有する貫通電極と、
　前記第１基板に積層された第２基板と、
　前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で前記凹部の底部に接合された突起電極と、を備え、
　前記突起電極が、前記凹部の開口において前記凹部の側壁から離れており、
　前記突起電極が前記凹部の底部に
嵌合して
　ことを特徴とする半導体装置。
 【請求項２】
　前記第１基板の前記凹部の深さｃと、前記第２基板の前記突起電極の高さｄ
と
 【請求項３】
　前記第１基板の前記凹部の開口は前記底部から前記第２面に向かって広くなっていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
 【請求項４】
　前記突起電極と金属接合された前記第１導電層の融点が、前記第２導電層の融点よりも低いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体装置。
 【請求項５】
　前記第１導電層の材料はろう材であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
 【請求項６】
　前記第２基板の前記第２電極に形成された前記突起電極の先端幅ｂと、前記第２電極側の前記突起電極の幅ｅはｂ＜ｅの関係となっていることを特徴とする請求項１ないし５の
いずれか一項に記載の半導体装置。
 【請求項７】
　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置が実装されてなるセンサー。
 【請求項８】
　請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子デバイス。」
と補正された。
２．補正の適否 
　本件補正は、本件補正前の請求項１における「前記突起電極が前記凹部の底部に入り込んでいる」を「前記突起電極が前記凹部の底部に嵌合している」とする事項を含むものである。
　ここで、審判請求の理由を参酌すると、上記補正事項の根拠として掲げている本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３８】には「半導体基板１０の貫通電極４０の凹部２８に半導体基板１００の突起電極１１７が入り込んでいる」こと、段落【００３９】には「半導体基板１０のろう材層３０と半導体基板１００の突起電極１１７とが金属間接合していてもよい」こと、が記載されている。
　しかしながら、「嵌合」という用語は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載されていない。そして、嵌合とは、一の部材を他に部材に嵌め合わせることをいうのであって、「入り込んでいる」とか「金属間接合する」ことと同一の意味ではない。
　よって、上記補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明 
　平成２９年１月６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明（以下、「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）は、平成２８年６月９日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される、上記「第２　１．」において「本件補正前の特許請求の範囲」として記載したとおりのものである。 
　このうち、本願発明１は以下のとおりである。
 「【請求項１】
　第１面と、前記第１面の反対面である第２面と、前記第２面から前記第１面に達する孔を有する第１基板と、
　前記孔の内壁に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜の内側に形成された第１導電層および第２導電層を有し、前記第２面側に凹部を有する貫通電極と、
　前記第１基板に積層された第２基板と、
　前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で前記凹部の底部に接合された突起電極と、を備え、
　前記突起電極が、前記凹部の開口において前記凹部の側壁から離れており、
　前記突起電極が前記凹部の底部に入り込んでいる、
　ことを特徴とする半導体装置。」
第４　原査定の理由の概要 
　平成２８年１１月１８日付け拒絶査定の概要は以下のとおりである。
●理由２（特許法第３６条第６項第２号）
・請求項２ないし８
●理由３（特許法第２９条第１項第３号)、理由４（特許法第２９条第２項)
・請求項１、３及び８について、引用文献１
●理由４（特許法第２９条第２項）について
・請求項２及び７について、引用文献１
・請求項４ないし６について、引用文献１、５及び６
　＜引用文献一覧＞
１．特開２００５−２７７０５９号公報
５．米国特許出願公開第２０１０／００６５９４９号明細書
６．特開２００４−２０７３１７号公報
第５　当審の判断 
１．明確性（特許法第３６条第６項第２号）について
　本願明細書の段落【００３７】には、「図４は、本実施形態における貫通電極と突起電極との関係を示す図である。図４に示すように、第１基板である半導体基板１０の貫通電極４０の凹部２８の開口幅ａと、第２基板である半導体基板１００の突起電極１１７の先端幅ｂが、ａ＞ｂとなっている。また半導体基板１０の貫通電極４０の凹部２８の深さｃと、半導体基板１００の突起電極１１７の高さｄがｃ＜ｄとなっている。なお、凹部２８の深さｃは、ろう材層３０を含まない深さである。」と記載されている。そして、図４には、貫通電極部４０の凹部２８の深さｃが開示されているところ、該深さｃは、ろう材層３０が形成される前の凹部の深さ（図２（Ａ））であることが理解できる。
　そうすると、図４が、「凹部２８の深さｃは、ろう材層３０を含まない深さである」ことを示していることは明らかであり、本願明細書及び図面の記載が矛盾するものではなく、本願請求項２ないし８に係る発明が不明りょうとはいえない。
２．新規性（特許法第２９条第１項第３号）、進歩性（同条第２項）について 
（１）引用文献１の記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−２７７０５９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「半導体装置」に関して以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００８９】
　図２（ｂ）を参照して、各半導体チップ３の一方表面（以下、「表面」という。）３ａには機能素子４が形成されており、
各半導体チップ３は
積層されている。半導体チップ３は、
半導体基板８を備えている。半導体基板８にはその厚さ方向に貫通する貫通孔５が形成されている
イ．「【００９０】
　半導体基板８の表面３ａ側には、酸化シリコンからなるハードマスク１６が形成されており、ハードマスク１６には、開口１６ａが形成されている。半導体チップ３の表面３ａを垂直に見下ろす平面視において、開口１６ａ内には、機能素子４の一部および貫通孔５が存在する。
貫通孔５
の内壁
に
絶縁膜６Ｉが形成されている
ウ．「【００９１】
　
貫通孔５内
貫通電極７でほぼ満たされている。
各半導体チップ３の貫通電極７は、これらの半導体チップ３を垂直に見下ろす平面視において、ほぼ重なるように配置されている。
　・・・（中略）・・・
 【００９３】
　貫通電極７の表面３ａ側端面および配線部材１７の表面とハードマスク１６の表面とはほぼ面一になっており、これらの面を覆うように表面保護膜９が形成されている。表面保護膜９には、貫通電極７を露出させるように、図２（ｂ）の断面において貫通電極７の幅よりよりわずかに狭い幅を有する開口９ａが形成されている。
　
貫通電極７には
半導体チップ３の表面３ａから突出した柱状の表面側接続部材１１が接合され
 【００９４】
　
貫通電極７の裏面３ｂ側
には、裏面側接続部材１２が設けられ
表面側接続部材１１は裏面側接続部材１２より細い。
 【００９５】
　
裏面側接続部材１２の上面は
貫通孔５内にある
貫通孔５内の裏面３近傍の領域は、貫通電極７や裏面側接続部材１２で満たされておらず、裏面側接続部材１２の上には凹所１４が形成されている。
　半導体チップ３の裏面３ｂ側には、半導体基板８を覆うように裏面保護膜１０が設けられている。裏面保護膜１０には、開口１０ａが形成されている。開口１０ａの幅と貫通孔５の幅とはほぼ同じであり、貫通孔５の内壁面と開口１０ａの内壁面とは連続した面をなす。絶縁膜６Ｉおよびバリアメタル層６Ｂは、開口１０ａの内壁面にも形成されている。裏面保護膜１０の表面（半導体チップ３の裏面３ｂ）は、開口１０ａ部を除き平坦である。」
エ．「【００９８】
　このように、表面側接続部材１１や裏面側接続部材１２は、単一の材料からなっていてもよく、複数の材料からなっていてもよい。
　表面側接続部材１１の表面３ａ（表面保護膜９表面）からの突出高さＨ１は、裏面側接続部材１２の接合面の裏面３ｂ（裏面保護膜１０の表面）からの深さＤ１より大きい。隣接する２つの半導体チップ３の間において、
一方の半導体チップ３の表面側接続部材１１と他方の半導体チップ３の裏面側接続部材１２とは接合されている
表面側接続部材１１と裏面側接続部材１２との接合部）は、貫通孔５（凹所１４）内にある。
　上記アないしエ、図２から、引用文献１の半導体装置について以下の事項が記載されている。
　上記アによれば、各半導体チップ３は半導体基板８を備えており、その厚さ方向に貫通する貫通孔５が形成されているものである。 
　上記ア及びウによれば、各半導体チップ３は積層されているものである。
　上記イによれば、貫通孔５の内壁に絶縁膜６Ｉが形成されているものである。
　上記ウによれば、貫通孔５内に貫通電極７を備えるものである。また、貫通電極７の裏面３ｂ側には、裏面側接続部材１２が設けられ、裏面側接続部材１２の上面は貫通孔５内にあるものである。そして、貫通電極７には、半導体チップ３の表面３ａから突出した表面側接続部材１１が接合されているものである。
　上記エによれば、一方の半導体チップ３の表面側接続部材１１と他方の半導体チップ３の裏面側接続部材１２とは接合されているものである。また、表面側接続部材１１と裏面側接続部材１２との接合部は、貫通孔５内にあるものである。
 
　以上の点から引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「厚さ方向に貫通する貫通孔５が形成された各半導体チップ３の半導体基板８と、
　貫通孔５の内壁に形成された絶縁膜６Ｉと、
　貫通孔５の内に備えた貫通電極７と、
　貫通電極７の裏面３ｂ側に設けられ、上面が貫通孔５内にある裏面側接続部材１２と、
　半導体チップ３の表面３ａから突出し、貫通電極７と接合された表面側接続部材１１と、を備え、
　各半導体チップ３は積層されており、
　一方の半導体チップ３の表面側接続部材１１と他方の半導体チップ３の裏面側接続部材１２とは接合され、その接合部は貫通孔５内にある、
　半導体装置。」
（２）対比 
　本願発明１と引用発明とを対比する。 
ａ．引用発明の「半導体基板８」は、本願発明１の「第１基板」に相当し、表面３ａと裏面３ｂを備えているから、本願発明１の「第１の面」及び「第２の面」に相当するものを備えている。そして、引用発明の「貫通孔５」は、半導体基板８に形成されたものであるから、本願発明１の「前記第２面から前記第１面に達する孔」に相当する。
　よって、引用発明の「厚さ方向に貫通する貫通孔５が形成された各半導体チップ３の半導体基板８」は、本願発明１の「第１面と、前記第１面の反対面である第２面と、前記第２面から前記第１面に達する孔を有する第１基板」に相当する。
ｂ．引用発明の「貫通孔５の内壁に形成された絶縁膜６Ｉ」は、本願発明１の「前記孔の内壁に形成された絶縁膜」に相当する。
ｃ．引用発明の「裏面側接続部材１２」及び「貫通電極７」は、貫通孔内壁の絶縁膜の内側にあって導電層であるといえるから、本願発明１の「第１導電層」及び「第２導電層」に相当し、これらを合わせて本願発明１の「貫通電極」に相当する。
　よって、引用発明の「貫通孔５の内に備えた貫通電極７」及び「貫通電極７の裏面３ｂ側に設けられ、上面が貫通孔５内にある裏面側接続部材１２」は、本願発明１の「前記絶縁膜の内側に形成された第１導電層および第２導電層を有する貫通電極」に相当する。
　但し、貫通電極について、本願発明１は「前記第２面側に凹部を有する」ものであるのに対し、引用発明は「凹部」の特定がされていない。
ｄ．引用発明の「各半導体チップ３は積層されて」いることは、それぞれの半導体基板８が積層されていることだから、本願発明１の「前記第１基板に積層された第２基板」の構成に相当する。
ｅ．引用発明の「表面側接続部材１１」は、一方の半導体チップ３の表面３ａから突出したものであり、他方の半導体チップ３の貫通孔５内で裏面側接続部材１２と接合するものであり、裏面側接続部材１２は本願発明１の「貫通電極の底部」といえるから、本願発明１の「前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で（貫通電極の）底部と接合された突起電極」に相当する。
　よって、引用発明の「半導体チップ３の表面３ａから突出し、貫通電極７と接合された表面側接続部材１１」及び「一方の半導体チップ３の表面側接続部材１１と他方の半導体チップ３の裏面側接続部材１２とは接合され、その接合部は貫通孔５内にある」ことは、本願発明１の「前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で（貫通電極の）底部と接合された突起電極」に相当する。
　但し、突起電極について、本願発明１は「凹部」の底部に「接合され」、「入り込んでいる」のに対し、引用発明はその旨の特定がされていない。
　更に、突起電極について、本願発明１は「前記凹部の開口において前記凹部の側壁から離れて」いるのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない。
　そうすると、本願発明１と引用発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
 
＜一致点＞ 
　「第１面と、前記第１面の反対面である第２面と、前記第２面から前記第１面に達する孔を有する第１基板と、
　前記孔の内壁に形成された絶縁膜と、
　前記絶縁膜の内側に形成された第１導電層および第２導電層を有する貫通電極と、
　前記第１基板に積層された第２基板と、
　前記第２基板から突出し、前記第１面と前記第２面との間で（貫通電極の）底部と接合された突起電極と、
　を備えることを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞ 
　貫通電極について、本願発明１は「前記第２面側に凹部を有する」ものであるのに対し、引用発明は「凹部」の特定がされていない点。 
  
 ＜相違点２＞ 
　突起電極について、本願発明１は「凹部」の底部に「接合され」、「入り込んでいる」のに対し、引用発明はその旨の特定がされていない点。
 ＜相違点３＞ 
　突起電極について、本願発明１は「前記凹部の開口において前記凹部の側壁から離れて」いるのに対し、引用発明はその旨の特定がされていない点。
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
　引用文献１（上記ウ、図２を参照。）には、本願発明１の貫通電極に相当する「貫通電極７」及び「裏面側接続部材１２」を備えているものの、当該部位に「凹部」は形成されておらず、明細書及び図面全体を参照しても凹部に関する記載も示唆もない。
　よって、引用発明には、上記相違点１ないし３に係る事項は記載されていないし、容易になし得た根拠も記載されていない。
　したがって、本願発明１は、引用発明と同一ではなく、引用発明に基づいて当業者が容易になし得たものでもない。
　
　仮に、拒絶査定で引用された米国特許出願公開第２０１０／００６５９４９号明細書（以下、「引用文献２」という。）、特開２００４−２０７３１７号公報（引用文献３」という。）を引用発明に組み合わせたとしても、引用文献２（特に、段落【００３２】、ＦＩＧ．１ａを参照。）には少なくとも相違点２及び相違点３の構成が記載されておらず、引用文献３（段落【００３２】、【００３５】、図２及び図３を参照。）には少なくとも相違点３の構成が記載されていない。そして、本願発明１は、「突起電極を半導体基板の貫通孔に圧接する際、半導体基板にクラックが発生する」という課題を解決するために、相違点２及び３の構成を備えたものと認められるが、引用文献２，３には当該課題は存在せず、当然に解決するための構成も記載されていない。
　よって、本願発明１が、引用発明と引用文献２，３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　また、本願発明２ないし８は、本願発明１の発明特定事項を含み、さらに限定したものであるので、本願発明２ないし８も、本願発明１と同様に、引用発明と同一ではなく、引用発明（及び引用文献２，３に記載された技術事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 
第６　むすび 
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、引用文献１に記載された発明と同一ではなく、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、引用文献１に記載された発明及び引用文献２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたもでもなく、更に、本願の請求項２ないし８に係る発明は不明確ではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。