【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５４５６９７３号発明「ウェーハレベルパッケージングにおけるフォトレジストストリッピングと残渣除去のための組成物及び方法」の特許無効審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５４５６９７３号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−９〕，〔１０−１５〕について訂正することを認める。
　特許第５４５６９７３号の請求項１ないし９に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第５４５６９７３号の請求項１０ないし１５についての本件審判の請求を却下する。
　審判費用は，被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続の経緯
　特許第５４５６９７３号の請求項１〜請求項１５に係る発明についての特許（以下，それぞれ「本件特許１」〜「本件特許１５」といい，総称して「本件特許」という。）についての特許出願は，特許法１８４条の３第１項の規定により２００５年１０月２８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００４年１０月２９日　米国）にされたものとみなされ，平成２６年１月１７日に特許権の設定の登録がされたものである。
　本件特許に対し，平成２７年６月２６日に，利害関係人である富士フイルム株式会社から無効審判（無効２０１５−８００１４３号）が請求されたところ，その手続の経緯の概要は，以下のとおりである。
平成２７年６月２６日提出：審判請求書
（甲１〜甲１３を添付。）
平成２７年１１月９日提出：審判事件答弁書
（乙１〜乙４を添付。なお，訂正の請求はなかった。）
平成２７年１２月２２日付け：審理事項通知書
平成２８年２月２６日提出：口頭審理陳述要領書（請求人）
（甲１４〜甲２１を添付。）
平成２８年２月２６日提出：口頭審理陳述要領書（被請求人）
（乙５を添付。）
平成２８年３月１１日：口頭審理，証拠調べ，補正許否の決定
（補正許否の決定　審判請求書の補正を許可する。）
平成２８年４月２８日提出：上申書（請求人）
（甲２２〜甲２４を添付。）
平成２８年４月２８日提出：上申書（被請求人）
（以下「被請求人上申書１」という。乙６〜乙１２を添付。）
平成２８年６月２３日付け：審尋
（請求人及び被請求人に対し，同年同月２８日発送）
平成２８年７月２２日提出：回答書（請求人）
（甲２５及び２６を添付。）
平成２８年７月２２日提出：回答書（被請求人）
（乙１３〜乙１５を添付。）
平成２８年９月２３日付け：審決の予告（同年同月２９日送達）
平成２８年１２月２８日提出：訂正請求書
（以下，この訂正請求書による訂正の請求を，「本件訂正請求」といい，本件訂正請求による訂正を，「本件訂正」という。）
平成２８年１２月２８日提出：上申書
（以下「被請求人上申書２」という。乙１６及び乙１７を添付。）
平成２９年１月５日付け：訂正請求書副本の送付通知（同年同月１１日発送）
平成２９年２月１０日：審判事件弁駁書
（甲２７〜甲３２の４を添付。）
第２　本件訂正請求について
　１　訂正の趣旨
　本件訂正請求の趣旨は，「特許第５４５６９７３号の明細書，特許請求の範囲を本件請求書に添付した訂正明細書，特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項１〜１５について訂正することを求める。」というものである。
　２　本件訂正請求について
　特許請求の範囲の請求項１〜請求項１５の引用関係からみて，本件訂正請求は特許法１３４条の２第３項に規定する一群の請求項である，〔請求項１〜請求項９〕，〔請求項１０〜請求項１５〕ごとにされたものである。
　したがって，本件訂正請求は，特許法１３４条の２第３項の規定に適合する。
　３　請求項１〜請求項９からなる一群の請求項に係る訂正について
　(1) 訂正の内容
　請求項１〜請求項９からなる一群の請求項について，被請求人が求める訂正事項は，以下のとおりである。なお，下線部は訂正箇所を表す。
　ア　訂正事項１
訂正前の特許請求の範囲の請求項１に「Ｒ１は，アルキル基であり」とあるのを，「Ｒ１は，
メチル
　イ　訂正事項２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に「Ｒ２，Ｒ３，及びＲ４は，独立にアルキル又はヒドロキシアルキルである」とあるのを，「Ｒ２，Ｒ３，及びＲ４は，独立に
メチル，エチル，ヒドロキシメチル又はヒドロキシエチル
　ウ　訂正事項３
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に「を有する有機アンモニウム化合物と」とあるのを，「を有する
０．４質量％〜３０質量％の
　エ　訂正事項４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に「，水素サルフェート，ホスフェート，水素ホスフェート，二水素ホスフェート，ニトレート，カルボキシレート，ハライド，カーボネート，水素カーボネート，ビフルオライド，又はそれらの組合せ」とあるのを，削除する（請求項１の記載を引用して記載された請求項２〜請求項４，請求項７〜請求項９についても連動して訂正する。）。
　オ　訂正事項５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に「を有するオキソアンモニウム化合物と」とあるのを，「を有する
０．１質量％〜５質量％の
　カ　訂正事項６
　訂正前の特許請求の範囲の請求項４に「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜３０質量％の量で存在し」とあるのを，「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜
１０
　キ　訂正事項７
　訂正前の特許請求の範囲の請求項４に「前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜１０質量％の量で存在する」とあるのを，「前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜
３
　ク　訂正事項８
　訂正前の特許請求の範囲の請求項５に「ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド，エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド，メチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド，テトラブチルアンモニウムヒドロキシド，テトラエチルアンモニウムヒドロキシド，テトラメチルアンモニウムヒドロキシド，テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド及びその組み合わせからなる群より選択される有機アンモニウム化合物と」とあるのを，「
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる
　ケ　訂正事項９
　訂正前の特許請求の範囲の請求項５に「ヒドロキシルアミンサルフェート，ヒドロキシルアミンホスフェート，ヒドロキシルアミンクロライド，ヒドロキシルアミンニトレート，ヒドロキシルアミンシトレート，及びその組み合わせからなる群より選択されるオキソアンモニウム化合物と」とあるのを，「
ヒドロキシルアミンサルフェートからなる
　コ　訂正事項１０
　訂正前の特許請求の範囲の請求項５に「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜３０質量％の量で存在し」とあるのを，「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜
１０
　サ　訂正事項１１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項５に「前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜１０質量％の量で存在し」とあるのを，「前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜
３
　シ　訂正事項１２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６に「上に回路又は回路の一部が存在する」とあるのを，「上に
銅又はアルミニウムの
　ス　訂正事項１３
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６に「オキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートと，
　水とを含み，」とあるのを，「オキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートと，
　
ｐＨ調整剤と，
　水とを含み，」に訂正する（請求項６の記載を引用して記載された請求項７〜請求項９についても連動して訂正する。）。
　セ　訂正事項１４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６に「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜３０質量％の量で存在し」とあるのを，「前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜
１０
　ソ　訂正事項１５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６に「前記オキソアンモニウム化合物が０．５質量％〜５質量％で存在し」とあるのを，「前記オキソアンモニウム化合物が０．５質量％〜
３
　タ　訂正事項１６
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６に「前記組成物のｐＨが７より高く，」とあるのを，「前記組成物のｐＨが７
〜１２である
　チ　訂正事項１７
　訂正前の特許請求の範囲の請求項７に「前記組成物のｐＨが７〜１２である，請求項１から６のいずれか１項に記載の組成物」とあるのを，「前記組成物のｐＨが７〜
１１
　ツ　訂正事項１８
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ４」の行を全て削除する。
　テ　訂正事項１９
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ１４」の行を全て削除する。
　ト　訂正事項２０
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ１５」の行を全て削除する。
　ナ　訂正事項２１
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ２４」の行を全て削除する。
　ニ　訂正事項２２
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ２５」の行を全て削除する。
　ヌ　訂正事項２３
　訂正前の明細書の段落【００８８】の表１９において，組成物「Ｗ２６」の行を全て削除する。
　(2) 訂正の適否
　以下，本件訂正前の請求項１を「訂正前請求項１」といい，訂正前請求項１に係る発明を「訂正前発明１」という。他の請求項についても同様にいい，総称して「訂正前請求項」，「訂正前発明」ともいう。訂正後についても同様とする。
　ア　訂正事項１及び訂正事項２について
　訂正事項１及び訂正事項２による訂正は，ともに，有機アンモニウム化合物の構造に関する訂正なので，化合物全体の構造として検討すると，以下のとおりである。
　訂正事項１及び訂正事項２による訂正は，願書に添付した明細書（以下「訂正前明細書」という。）の段落【００２２】〜【００２９】の記載に基づいて，本件特許発明１の有機アンモニウム化合物の置換基Ｒ１〜Ｒ４が取り得る置換基を，特定の置換基に限定する訂正である。また，本件特許発明２〜本件特許発明４，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１及び訂正事項２による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　イ　訂正事項３について
　訂正事項３による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明１の有機アンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明２〜本件特許発明４，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項３による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　ウ　訂正事項４について
　訂正事項４による訂正は，訂正前明細書の段落【００３３】の記載に基づいて，本件特許発明１のオキソアンモニウム化合物の対イオンＸ−が取り得る選択肢を減ずる訂正である。また，本件特許発明２〜本件特許発明４，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項４による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　エ　訂正事項５について
　訂正事項５による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明１のオキソアンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明２〜本件特許発明４，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項５による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　オ　訂正事項６について
　訂正事項６による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明４の有機アンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項６による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　カ　訂正事項７について
　訂正事項７による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明４のオキソアンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項７による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　キ　訂正事項８について
　訂正事項８による訂正は，訂正前請求項５に記載された有機アンモニウム化合物の選択肢を減ずることにより，訂正前発明５に含まれる発明を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項８による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　ク　訂正事項９について
　訂正事項９による訂正は，訂正前請求項５に記載されたオキソアンモニウム化合物の選択肢を減ずることにより，訂正前発明５に含まれる発明を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項９による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　ケ　訂正事項１０について
　訂正事項１０による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明５の有機アンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１０による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　コ　訂正事項１１について
　訂正事項１１による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明５のオキソアンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１１による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　サ　訂正事項１２について
　訂正事項１２による訂正は，訂正前明細書の段落【００４３】の記載に基づいて，本件特許発明６の回路の素材を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１２による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　シ　訂正事項１３について
　訂正事項１３による訂正は，訂正前明細書の段落【００４３】の記載に基づいて，本件特許発明６の組成物の構成を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１３による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　ス　訂正事項１４について
　訂正事項１４による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明６の有機アンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１４による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　セ　訂正事項１５について
　訂正事項１５による訂正は，訂正前明細書の段落【００４１】の記載に基づいて，本件特許発明６のオキソアンモニウム化合物の分量を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１５による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　ソ　訂正事項１６について
　訂正事項１６による訂正は，訂正前明細書の段落【００４４】の記載に基づいて，本件特許発明６の組成物のｐＨの範囲を限定する訂正である。また，本件特許発明７〜本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１６による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　タ　訂正事項１７について
　訂正事項１７による訂正は，訂正前明細書の段落【００４４】の記載に基づいて，本件特許発明７の組成物のｐＨの範囲を限定する訂正である。また，本件特許発明８及び本件特許発明９についても同様のことがいえる。
　したがって，訂正事項１７による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　チ　訂正事項１８〜訂正事項２３について
　訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正は，訂正前明細書の段落【００８８】の表１９において，その分量とｐＨが整合しないと解される組成物（組成物Ｗ４，Ｗ１４，Ｗ１５及びＷ２４〜Ｗ２６）の行をそれぞれ削除する訂正である。
　したがって，訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　４　請求項１０〜請求項１５からなる一群の請求項に係る訂正について
　(1) 訂正の内容
　請求項１０〜請求項１５からなる一群の請求項について，被請求人が求める訂正事項は，以下のとおりである。
　ア　訂正事項２４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１０を削除する。
　イ　訂正事項２５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１１を削除する。
　ウ　訂正事項２６
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１２を削除する。
　エ　訂正事項２７
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３を削除する。
　オ　訂正事項２８
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１４を削除する。
　カ　訂正事項２９
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１５を削除する。
　(2) 訂正の適否
　訂正事項２４〜訂正事項２９による訂正は，請求項を削除する訂正である。
　したがって，訂正事項２４〜訂正事項２９による訂正は，特許法１３４条の２第１項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　５　明細書の訂正について
　訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正は，訂正前明細書の段落【００８８】の表１９において，その分量とｐＨが整合しないと解される組成物（組成物Ｗ４，Ｗ１４，Ｗ１５及びＷ２４〜Ｗ２６）の行をそれぞれ削除する訂正である。そうしてみると，訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正と関連する訂正後の請求項は，組成物の分量及びｐＨが記載された，訂正後請求項１〜訂正後請求項９である。また，訂正後請求項１〜訂正後請求項９を含む一群の請求項は，〔請求項１〜請求項９〕のみである。そして，訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正は，〔請求項１〜請求項９〕についてする訂正である。
　したがって，本件訂正請求は，願書に添付した明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項の全てについて行われたものであるから，特許法１３４条の２第９項において準用する同法１２６条４項の規定に適合する。
　なお，請求項１０〜請求項１５は，訂正事項２４〜訂正事項２９により削除されるから，訂正後請求項１０〜訂正後請求項１５は，訂正事項１８〜訂正事項２３による訂正と関連する請求項ということができない。
　６　本件訂正請求についてのむすび
　以上のとおりであるから，本件訂正は，特許法１３４条の２第１項の規定に適合するとともに，同法同条第９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。また，本件訂正請求は，同法１３４条の２第３項の規定に適合するとともに，同法同条第９項において準用する同法１２６条４項の規定に適合する。
　よって，本件訂正を認める。
第３　無効理由について
　１　訂正後発明１〜訂正後発明９について
　上記「第２」のとおり，本件訂正を認めることとなった。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項９に係る発明（訂正後発明１〜訂正後発明９）は，訂正後請求項１〜訂正後請求項９のそれぞれに記載された事項によって特定されるとおりの，次のものである。
「【請求項１】
　上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための組成物であって，前記組成物が，
　下記構造：
【化１】
（式中：
　Ｘは，ヒドロキシドであり，
　Ｒ１は，メチルであり，かつ
　Ｒ２，Ｒ３，及びＲ４は，独立にメチル，エチル，ヒドロキシメチル又はヒドロキシエチルである）
を有する０．４質量％〜３０質量％の有機アンモニウム化合物と，
　下記構造：
【化２】
（式中：
　Ｘは，サルフェートであり，
　Ｒ５は，水素であり，かつ
　Ｒ６及びＲ７は，水素である）
を有する０．１質量％〜５質量％のオキソアンモニウム化合物と，
　水とを含み，
　前記組成物のｐＨが７より高く，
　前記組成物が，前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる，組成物。
【請求項２】
　水と混和性の有機極性溶媒をさらに含む，請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
　前記有機極性溶媒がＮ−メチル−ピロリドン，ジメチルスルホキシド，ジグリコールアミン，モノエタノールアミン，プロピレングリコール，又はそれらの混合物を含む，請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
　前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜１０質量％の量で存在し，前記水が１５質量％〜９４質量％の量で存在し，かつ前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜３質量％の量で存在する，請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
　上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための組成物であって，前記組成物が，
　テトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる有機アンモニウム化合物と，
　ヒドロキシルアミンサルフェートからなるオキソアンモニウム化合物と，
　水とを含み，
　前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜１０質量％の量で存在し，かつ前記オキソアンモニウム化合物が０．４質量％〜３質量％の量で存在し，
　前記組成物のｐＨが７より高く，
　前記組成物が，前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる，組成物。
【請求項６】
　上に銅又はアルミニウムの回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための組成物であって，前記組成物が，
　有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドと，
　オキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートと，
　ｐＨ調整剤と，
　水とを含み，
　前記有機アンモニウム化合物が１質量％〜１０質量％の量で存在し，かつ前記オキソアンモニウム化合物が０．５質量％〜３質量％で存在し，
　前記組成物のｐＨが７〜１２である，
　前記組成物が，前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる，組成物。
【請求項７】
　前記組成物のｐＨが７〜１１である，請求項１から６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
　上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための方法であって，前記集積回路基板，ウェーハレベルパッケージング基板，又はプリント基板と，請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物とを３５℃〜１００℃で，かつ１０秒〜４５分間接触させる工程を含み，それにより前記集積回路基板，ウェーハレベルパッケージング基板，又はプリント基板から，これら基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去する，方法。
【請求項９】
　前記温度が４５℃〜７５℃であり，かつ前記時間が５分〜３０分である，請求項８に記載の方法。」
　２　請求人及び被請求人の主張
　(1) 請求の趣旨
　請求の趣旨は，「特許第５４５６９７３号の請求項１乃至１５に係る特許を無効とする，審判費用は被請求人の負担とする，との審決を求める。」である。
　(2) 請求人が主張する無効理由
　請求人が主張する無効理由の概要は，以下のとおりである。
　ア　無効理由１（進歩性欠如）
　本件特許発明１〜本件特許発明１５は，本件特許の優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に頒布された刊行物である甲１及び甲２に記載された発明，並びに，本件優先日における技術常識に基づいて，本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許１〜本件特許発明１５は，同法１２３条１項２号に該当し無効とすべきである。
　主引用例は，甲１である。
　イ　無効理由２（進歩性欠如）
　本件特許発明１〜本件特許発明１５は，本件優先日前に頒布された刊行物である甲１２に記載された発明及び本件優先日における技術常識に基づいて，本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許１〜本件特許発明１５は，同法１２３条１項２号に該当し無効とすべきである。
　主引用例は，甲１２である。
　ウ　無効理由３−１（実施可能要件違反）
　本件特許１〜本件特許１５は，以下の(ア)〜(ウ)の理由により，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，本件特許１〜本件特許１５は，同法１２３条１項４号に該当し無効とすべきである。
　(ア)本件特許明細書の段落【００８８】（表１９）に記載されたｐＨ「＜７」である比較例相当の組成物Ｗ１４について，表１９に記載された組成からなる組成物は，そのｐＨが７より大きい値となる。また，本件特許の発明の詳細な説明の記載を参照しても，どのようにして組成物Ｗ１４の組成において，ｐＨを７未満にしたのか，不明である。そうしてみると，本件特許発明１〜本件特許発明１５には，製造することができないものが包含されている。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(イ)あるいは，組成物Ｗ１４のｐＨが実際には７より大きい値である場合，本件特許発明１〜本件特許発明１５の構成要件の全てを備える組成物であっても，本件特許発明１〜本件特許発明１５の所期の作用効果を奏せず，使用することができないものが存在している。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，経済産業省令で定めるところにより，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(ウ)本件特許発明１〜本件特許発明１５の解決すべき課題が，被請求人の主張のとおり，フォトレジスト残留物の除去だけでなく，回路を損傷しないことにもあるのであれば，本件特許における発明の詳細な説明の記載は，どのような組成物であれば回路を損傷しないのか不明である点において，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　エ　無効理由３−２（サポート要件違反）
　本件特許１〜本件特許１５は，以下の(ア)〜(ウ)の理由により，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願にされたものであるから，本件特許１〜本件特許１５は，同法１２３条１項４号に該当し無効とすべきである。
　(ア)本件特許発明１〜本件特許発明１５に係る組成物が必須成分として含有する有機アンモニウム化合物及びオキソアンモニウム化合物には，極めて多くの化合物が該当する。
　しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例では，有機アンモニウム化合物としてコリンヒドロキシドを用い，オキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを用いた組成物の効果が確認されているのみである。
　そうしてみると，本件特許発明１〜本件特許発明１５は，発明の詳細な説明において，発明の課題が解決できることを，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲を超えるものであり，この点において，本件特許発明１〜本件特許発明１５と発明の詳細な説明に発明として記載されたものとが，実質的に対応しているとはいえない。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項１５の記載は，本件特許発明１〜本件特許発明１５が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(イ)本件特許発明１〜本件特許発明１５に係る組成物は，そのｐＨが７より高いことを必須要件としている。しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明に記載された実施例では，ｐＨが１２より大きい組成物についてその効果が確認されているのみであるから，ｐＨが７以上であれば発明の課題が必ず解決できるとはいえない。
　そうしてみると，本件特許発明１〜本件特許発明１５は，発明の詳細な説明において，発明の課題が解決できることを，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲を超えるものであり，この点において，本件特許発明１〜本件特許発明１５と発明の詳細な説明に発明として記載されたものとが，実質的に対応しているとはいえない。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項１５の記載は，本件特許発明１〜本件特許発明１５が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(ウ)本件特許発明１〜本件特許発明１５の解決すべき課題が，被請求人の主張のとおり，フォトレジスト残留物の除去だけでなく，回路を損傷しないことにもあるのであれば，本件特許発明１〜本件特許発明１５は，発明の詳細な説明において，回路を損傷しないという発明の課題が解決できることを，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項１５の記載は，本件特許発明１〜本件特許発明１５が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(3) 証拠方法（甲１〜甲３２の４）
　請求人が提出した証拠方法は，以下のとおりである。
甲１：特表２００２−５２０８１２号公報
甲２：特開２００２−１９６５１０号公報
甲３：特開２００２−２７８０９２号公報
甲４：特開２００３−０９８６９１号公報
甲５−１：国際公開第２００３／１０４１８５号
甲５−２：特表２００５−５２８６６０号公報
甲６：特表２００２−５１５５３７号公報
甲７：特開２００１−２８８４９６号公報
甲８：Wen-Kuan Yeh他，「An Efficient Preclean of Aluminized Silicon Substrate for Chemical Vapor Deposition of Submicron Tungsten Plugs」，J.Electrochem.Soc., Vol.142, No.10, October 1995, ３５８４−３５８８頁
甲９：Ｆ．Ａ．コットン他，「コットン　ウィルキンソン　ガウス　基礎無機化学　原書第３版」，株式会社培風館，１９９８年４月１７日発行，３９２頁
甲１０：今井他，「化学大百科」，株式会社朝倉書店，１９９７年１０月２５日発行，８０５頁
甲１１：岡崎他，「ビギナーズブックス　２９　はじめての半導体リソグラフィ技術」，株式会社工業調査会，２００３年６月３０日発行，２３２頁，２３４頁，２３７頁，２４１頁，２４８頁，２５１頁，２５２頁
甲１２：米国特許第６２４５１５５号明細書
甲１３：実験成績証明書
甲１４：実験成績証明書
甲１５：国際公開第２０１０／１１３６１６号
甲１６：実験成績証明書
甲１７：実験成績証明書
甲１８−１：C-W.SHIN他，「Anisotropic copper etching with monoethanolamine-complexed cupric ion solutions」，Journal of Applied Electrochemistry 33，２００３年，４０３−４１０頁
甲１８−２：R J Oliphant，「CAUSES OF COPPER CORROSION IN PLUMBING SYSTEMS」，Foundation for Water Research，２００３年，２−３６頁
甲１９：実験成績証明書
甲２０−１：特開２００１−２４０９８５号公報
甲２０−２：特開２０００−１８８２７８号公報
甲２０−３：特開平１１−２９３４７８号公報
甲２１：実験成績証明書
甲２２：国際公開第００／０２２３８号公報
甲２３：実験成績証明書
甲２４：実験成績証明書
甲２５：編著者表記なし，「配線」，発行者表記なし，発行年月日表記なし，頁表記なし
甲２６：編著者表記なし，「MATERIAL SAFETY DATA SHEET」，FUJIFILM，発行年月日表記なし，１−８頁
甲２７：知的財産高等裁判所　平成２３年（行ケ）第１０４３１号　審決取消請求事件　判決
甲２８：編著者表記なし，「THE INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 1999」，発行者表記なし，変更年月日表記なし，３−６頁
甲２９：Ｈ．Ｈ．ユーリック，「腐食反応とその制御　−原理と応用−」，産業図書株式会社，昭和４３年３月２５日発行，２８６−２８７頁
甲３０：今村他，「水酸化テトラメチルアンモニウム」，有機合成化学　４５巻９号，１９８７年，９０９−９１３頁
甲３１：藤塚他，「シリコンと酸化剤を溶解したＴＭＡＨによるアルミをエッチングしないシリコン異方性エッチング」，RD Review of Toyota CRDL Vol.39 No.2，発行年月日表記なし（原稿受領年は２００４年），３４−４０頁
甲３２の１：特開２００３−２７０８０２号公報
甲３２の２：特開２００２−２８９５６９号公報
甲３２の３：特開２００２−２０７８７号公報
甲３２の４：特開２００３−３１６０２８号公報
　(4) 答弁の趣旨
　答弁の趣旨は，「本件審判請求は成り立たない，審判費用は請求人の負担とする，との審決を求める。」である。
　(5) 証拠方法（乙１〜乙１７）
　被請求人が提出した証拠方法は，以下のとおりである。
乙１：実験報告書（組成物Ｂ５等について）
乙２：実験報告書（ｐＨと銅の損傷について）
乙３：特表２００３−５１５２５４号公報
乙４：実験報告書（組成物Ｗ１１〜Ｗ１４について）
乙５：特開平６−１９２８６７号公報
乙６−１：ChemicalBook編，「ヒドロキシルアミン」，ChemicalBook Inc.，掲載日等不明，インターネット＜URL:http://www.chemicalbook.com/ChemicalProductProperty_JP_CB3345090.htm＞
乙６−２：昭和化学株式会社，「硫酸ヒドロキシルアンモニウム」，安全データシート，発行年月日不明，１〜２頁
乙７：実験報告書（組成物Ｂ５等のｐＨについて）
乙８：実験報告書（ｐＨと銅の損傷について：ＣＯＨ含有組成物）
乙９：実験報告書（ｐＨと残渣除去性能及び配線の損傷度との関係）
乙１０：実験報告書（特許第５４５６９７３号組成物Ｗ４のｐＨについて）
乙１１：実験報告書（特表２００３−５１５２５４号実施例のｐＨについて）
乙１２：実験報告書（「適量」について）
乙１３：編著者表記なし，「MATERIAL SAFETY DATA SHEET」，FUJIFILM，２００５年１月９日改訂，１，４及び５頁
乙１４：実験報告書（ｐＨとレジスト剥離性との関係）
乙１５：富士フイルム株式会社，「ＡｒＦ液浸リソグラフィープロセス用レジスト「ＦＡｉＲＳ−９００」シリーズ」，富士フイルム株式会社，平成１８年１２月６日（発表日），掲載日不明，インターネット＜URL:http://www.fujifilm.co.jp/corporate/news/article/ffnr0072.html＞
乙１６：伊藤，「改訂　腐食化学と防食技術」，コロナ社，１９７９年１０月３０日（改訂版），２７２−２７９頁
乙１７：実験報告書（ｐＨと残渣除去性能及び配線の損傷度との関係）
第４　無効理由３について
　ここでは，まず，無効理由３について当合議体の判断を示し，その後，無効理由１及び２について当合議体の判断を示す。
　なお，「ｐＨ」の表記及びｐＨ値については，引用記載も含めて一律に全角で表記し，「アルミニウム」及び「Ａｌ」についても，一律に「アルミニウム」と表記する。
　１　無効理由３−１（実施可能要件違反）について
　(1) 段落【００８８】（表１９）に記載された組成物について
　ア　組成物Ｗ１４，Ｗ１５及びＷ２４〜Ｗ２６
　(ア)組成物Ｗ１４等のｐＨについて
　訂正前明細書の段落【００８８】の表１９には，組成物Ｗ１４，Ｗ１５及びＷ２４〜Ｗ２６のｐＨについて，それぞれ，「＜７」，「７＜＞１２」，「＜７」，「＜７」及び「＜７」と記載されている。
（当合議体注：表１９（訂正前）は，以下の表である。）
　これに対して，甲２１（実験成績証明書）の表１によると，これら組成物のｐＨは，それぞれ，「１２．０６」，「＞１４」，「９．４６」，「９．５２」及び「８．９６」である。
（当合議体注：甲２１の表１は，以下の表である。）
　(イ)判断
　前記(ア)のとおりであるから，本件特許についての出願時（以下「本件出願時」という。）のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は，表１９の記載どおりに組成物Ｗ１４等を調製しても，表１９に記載されたｐＨの組成物を得ることができない。このような表１９の記載では，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は，組成物Ｗ１〜Ｗ３１を実際に調製し，それらを比較することにより訂正後発明の組成物の除去能力を確認することができない。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，訂正後発明１〜訂正後発明７の「組成物」という「物の発明」について，その物を使用できるように記載されているとはいえない。同様に，訂正後発明８及び訂正後発明９の方法の発明について，その方法を使用できるように記載されているとはいえない。
　ところで，本件訂正により，表１９から組成物Ｗ１４，Ｗ１５及びＷ２４〜Ｗ２６についての記載が削除された。
　そうしてみると，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が表１９の記載どおりに組成物を調製しても表１９に記載されたｐＨの組成物が得られないという問題は，一応，解消したといえる。
　しかしながら，訂正後発明の組成物のｐＨの下限は，本件訂正後においても，依然として「７」である。また，本件訂正により，組成物Ｗ５及びＷ６（訂正後発明の実施例）と同様の，コリンヒドロキシドが主成分であるけれどもｐＨが「＜７」又は「７＜＞１２」である組成物が，表１９から全て削除されてしまった。したがって，ｐＨ７の近傍の訂正後発明の組成物との関係においては，ますます，組成物を比較することにより訂正後発明の組成物の除去能力を確認することができなくなった。
　そうしてみると，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，依然として，訂正後発明の組成物又は方法を使用できるように記載したものであるということができない。
　イ　組成物Ｗ４
　(ア)組成物Ｗ４のｐＨについて
　訂正前明細書の段落【００８８】の表１９（前記ア参照。）に記載された組成物Ｗ４のｐＨについて，表１９には「＜７」と記載されている。
　しかしながら，甲２１（実験成績証明書）の表１（前記ア参照。）によると，組成物Ｗ４のｐＨは「７．２６」（２５℃）である。また，乙１０（実験報告書）の表によっても，組成物Ｗ４のｐＨは「６．９６」（２５℃）である。
（当合議体注：乙１０の表は，以下の表である。）
　(イ)判断
　甲２１及び乙１０からみて，組成物Ｗ４のｐＨは，「７」の近傍と解するのが相当である。また，表１９の組成物Ｗ４の評価は「除去せず」である。したがって，組成物Ｗ４のような，ｐＨ７の近傍の組成物は，レジストストリッピング用組成物として，使用不可能である。この点は，レジストが，通常，アルカリ水溶液等には可溶であるが，中性水溶液には難溶であるという技術常識にも合致する。
（当合議体注：表１９の評価は，「除去せず」，「部分的な除去」及び「完全な除去」の３段階であるから，「部分的な除去」は，除去できない部分を残していることを意味すると解される。そして，このような「部分的な除去」しかできない組成物は，レジストストリッピング用組成物として，「使用」できるものとは解せない。すなわち，レジストストリッピング用組成物としては，「完全な除去」ができなければ，使い物にならない。）
　ここで，本件訂正（訂正事項１８による訂正）により，表１９から，組成物Ｗ４の行が削除された。しかしながら，組成物Ｗ４が削除されたとしても，ｐＨ７の近傍の訂正後発明の組成物がレジストを除去できないことは，事実として変わらない。加えて，「ベークせず」とされたレジストを除去できないｐＨ７の近傍の訂正後発明の組成物は，発明の詳細な説明の段落【０００５】及び【０００６】に開示されているような化学的に変化したレジストや，より密着性の高いレジストも除去できない。訂正後請求項，例えば，訂正後請求項１には，「上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための」という，組成物の用途（以下，括弧付きで「訂正後発明の用途」という。）が記載されている。また，訂正後請求項には，「前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」という，組成物の効果（以下，括弧付きで「訂正後発明の機能」という。）も記載されている。すなわち，訂正後発明の組成物は，「訂正後発明の用途」において使用したときに，「訂正後発明の機能」が得られるべき組成物であるところ，当該組成物のｐＨの下限値は，訂正後請求項１に記載されているとおり，「７」である。
　しかしながら，発明の詳細な説明の記載，例えば，本件訂正後の表１９を参照すると，そこには，ｐＨ＞１２である組成物Ｗ５及び組成物Ｗ６（訂正後発明１の実施例といえる。）や，ｐＨ＜７である組成物Ｗ１３（ｐＨを除き，訂正後発明１の構成を具備する点で，比較例といえる。）は記載されているが，ｐＨの下限値「７」に対応する訂正後発明の実施例は記載されていない。
（当合議体注：本件訂正後の表１９は，以下の表である。）
　したがって，表１９からは，ｐＨの下限である「７」近傍において，訂正後発明の組成物又は方法を使用することができることが，確認できない。
　この点は，発明の詳細な説明の他の記載を参照しても，同様である。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，訂正後発明の組成物又は方法を使用できるように記載したものであるということができない。
　(ウ)被請求人の主張について
　被請求人は，被請求人上申書２において，「ｐＨ７．４〜７．５では，６０秒より長い５分を適用することで，残渣を完全に除去しつつ，かつ，配線を損傷しませんでした」（１３頁１０〜１２行）として，乙１７（実験報告書）を示している。
（当合議体注：乙１７に記載された組成物及び実験結果は，以下のとおりである。）
　しかしながら，乙１７の組成物は，ｐＨ７．４〜７．５であるとしても，有機アンモニウム化合物及びオキソアンモニウム化合物の分量の双方が表１９のものと比して著しく小さく調整されている。たとえ技術常識を考慮しても，表１９に記載された組成物Ｗ４等の組成から，このような組成を導き出すことはできない（表１９に記載されたレジストストリッピング用組成物に対応しない。）。また，乙１７の組成物には，表１９には記載されていなかったクエン酸（キレート剤）が含まれている。キレート剤は，訂正後発明が具備する構成ではない。
　このような実験報告書により，発明の詳細な説明における記載の不足を補うことはできない。
　仮に，乙１７を参照しても，乙１７には，残渣の種類や配線の集積度などが記載されていない。例えば，発明の詳細な説明の段落【００４６】には，「より小さい外形サイズ(例えば，0.18ミクロン以下，又は約0.10ミクロン)のIC，WLP，及びPCB基板を製作する会社は，いわゆる“193”フォトレジストに移動している。」と記載されている。したがって，訂正後発明の組成物は，このような用途において回路を損傷することなく，「完全な除去」ができなければ回路を製造できない。しかしながら，乙１７を参照しても，ｐＨが７の近傍である訂正後発明の組成物を，腐食に対する許容量が極めて小さい回路における化学変化した比較的厚いレジストに使用したときに，「訂正後発明の機能」が得られるのか（例：銅の配線を損傷することなくレジスト剥離が可能なのか），判らない。また，乙１７は，訂正後請求項に記載されている広範な「訂正後発明の用途」において，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が訂正後発明を実施することができることを裏付ける証拠であるとはいえない。加えて，被請求人は，本件訂正後においても，特許を受けようとする発明を特定するために必要と認めるｐＨの数値範囲の下限値を「７」としているが，乙１７において残渣の除去が確認された組成物のｐＨは，７．４〜７．５である（被請求人は，乙２や乙８ではｐＨ７．２の組成物を調製し，銅の損傷の程度を実験している。）。
　なお，訂正後請求項には，「前記組成物が，前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」という，「訂正後発明の機能」が記載されている。しかしながら，このような記載があるからといって，訂正後請求項に記載されたｐＨの範囲を離れて，訂正後発明の組成物のｐＨの範囲を，「訂正後発明の機能」が得られるｐＨの範囲に限定的に解釈することは許されない。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(2) 回路を損傷しないことについて
　ア　回路の材料及びｐＨについて
　訂正後発明は，組成物が適用される回路の素材が銅やアルミニウムである場合を発明の要旨に含むものである。ここで，本件特許の発明の詳細な説明には，回路の素材が銅であり，かつ，組成物のｐＨが１２を超える訂正後発明の実施例は，一応，記載されている。しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明には，回路の素材がアルミニウムである訂正後発明の実施例は１つも記載されていない。また，回路の素材が銅であり，かつ，組成物のｐＨが７に近い訂正後発明の実施例も明記されていない。
　これに対して，甲１９（実験成績証明書）の表及び図１〜図４によると，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，オキソアンモニウム化合物がヒドロキシルアミンサルフェートである組成物は，銅の場合と，銅以外（アルミニウム，アルミニウム−銅合金，タングステン）の場合で，組成物のｐＨを変えたときのエッチング速度の傾向が全く異なるものである。
（当合議体注：甲１９の表及び図１〜図４は，以下のとおりである。）
　イ　判断
　発明の詳細な説明の段落【００４６】には，「より小さい外形サイズ(例えば，0.18ミクロン以下，又は約0.10ミクロン)のIC，WLP，及びPCB基板を製作する会社は，いわゆる“193”フォトレジストに移動している。」と記載されている。このような微細な回路は，腐食に対する許容量が極めて小さい回路といえるから，組成物によるエッチング速度が，特に問題となる。また，前記(ア)のとおり，訂正後発明の組成物は，銅の場合と，銅以外の場合で，組成物のｐＨを変えたときのエッチング速度の傾向が全く異なる。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，訂正後発明の組成物を使用するときに，回路の素材によってエッチングの傾向が異なることや，回路の素材に応じて組成物の調製を変えてｐＨを最適化する必要がある旨の記載はない。また，被請求人は，訂正後発明の組成物の使用する場合において，このような事項が技術常識であったことを示す証拠を提出していない。
　したがって，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　ウ　被請求人の主張に対して
　被請求人は，発明の詳細な説明の段落【００４３】〜【００４５】の記載を指摘し，また，乙１６を提出して「回路の素材に応じて，本件訂正発明１の組成物のｐＨを，７以上のアルカリ性側で適宜調整すればよいことは容易に理解できることから，本件訂正発明１は実施可能要件を充足します」（被請求人上申書２の１３頁１８〜２１行）と主張している。
　そこで，まず，段落【００４３】〜【００４５】が含まれる，実施態様の説明（段落【００２１】〜【００５６】）全体の記載を参照する。
　段落【００２１】〜【００４０】には，有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物，有機極性溶媒，キレート剤の態様が，それぞれ網羅的に記載されている。また，段落【００４１】〜【００４３】（初段落まで）においては，有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物，水，有機溶媒及びキレート剤の好ましい分量が記載されている。そして，段落【００４３】の２段落には，ｐＨ調整剤が記載されている。さらに，段落【００４４】の初段落には，組成物の好ましいｐＨ，及び，組成物に実質的に含まれなくて良い化合物が記載されている。加えて，段落【００４５】〜【００５６】には，組成物の用途や機能が記載されている。
　しかしながら，これら記載は，いずれも，具体的なものとはいえず，訂正後発明との関係においては，実施することができない態様をも含む一般論を述べたにすぎない記載と解される。例えば，発明の詳細な説明の段落【００４３】には，使用する個々のｐＨ調整剤に関して，組成物中での溶解度；有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物，水，及びいずれの任意成分（例えば，有機溶媒など）との混和性；金属（例えば，銅，アルミニウム等）に対する腐食性；などの因子を勘案することが記載されている。しかしながら，発明の詳細な説明には，訂正後発明の組成物を前提として，これら種々の因子をどのように勘案すべきか，その指針が記載されていない。また，段落【００４３】には，ｐＨ調整剤として，無機酸，例えば塩酸，硝酸，硫酸，リン酸など；有機酸，例えば炭酸，クエン酸など；及びその組合せが記載されている。しかしながら，発明の詳細な説明には，訂正後発明の組成物を前提として，これら化合物をどのように選択すべきか，そして，どのような分量とすべきか，その指針が記載されていない。
　そもそも，段落【００４３】には，使用する個々のｐＨ調整剤が，所望のｐＨシフト及びいくつかの他の因子によって決まること，すなわち，所望のｐＨシフト及び金属に対する腐食性等を勘案して，使用する個々のｐＨ調整剤を決めることが記載されているのであって，金属に対する腐食性を勘案して，ｐＨシフトを決めることは記載されていない。
　ｐＨの調整に関して，段落【００４３】には，「任意に，また必要な場合だけ通常，ｐＨ調整剤を用いて，ｐＨが，基板と関係がある回路，又は回路の一部の動作性を維持しながら，基板からポリマーを除去し，残渣を除去し，或いはその両方を除去するために有効な特定範囲内であるように，本発明の組成物のｐＨを維持及び／又は修正することができる。」という，抽象的な記載しかない。加えて，ｐＨ調整剤は，任意に，また通常は必要な場合だけ用いるものにすぎない。また，段落【００４３】には，前記抽象的な記載に基づいてｐＨを修正すること，そして，所望のｐＨシフト及びいくつかの他の因子に基づいて使用する個々のｐＨ調整剤を決めること，また，ｐＨ調整剤としては，塩酸等の無機酸や炭酸等の有機酸が挙げられることが，何らの具体例もなく開示されているにとどまる。
　なお，実施態様の説明全体の記載を考慮すると，回路の腐食防止については，キレート剤の使用が検討されていたと考えるのが妥当である。
　次に，乙１６を参照すると，乙１６には，大気中や水中のアルミニウム表面に形成される被膜や，ｍｍ／ｙを単位とした試薬水溶液中でのアルミニウムの侵食度等の基本的な事項が開示されているにとどまる。乙１６には，訂正後発明の組成物は記載されていない。乙１６は，そもそも，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄するための組成物と方法」（段落【０００１】）の技術分野の文献ですらない。
　念のため，乙１６を参照すると，図１４・３０（２７３頁）からは，試薬の種類に応じてアルミニウムの侵食度が変わることが理解できるにとどまる。したがって，乙１６には，特定の試薬（化合物）の特定の組み合わせからなる，訂正後発明の組成物と，アルミニウムの侵食度の関係が記載されているとはいえない。
（当合議体注：図１４・３０は，以下の図である。）
　加えて，乙１６の２７７頁下から４行〜２７８頁５行には，アルミニウムを腐食させる有害なイオンとして，ＯＨ−が例示されている。そうしてみると，乙１６の記載を考慮した本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者ならば，有機アンモニウム化合物の対イオンＸ−がＯＨ−に限定された訂正後発明の組成物は，アルミニウムに適したものではないと理解する。したがって，乙１６を心得た本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者を仮定するならば，むしろ，回路の素材がアルミニウムの場合についてまで，訂正後発明を実施するべきではないと理解する。
　念のため，乙１６を心得た本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者を仮定し，それにもかかわらず，回路の素材がアルミニウムである場合への適用を仮定すると，乙１６の図１４・２９（２７３頁）には，アルミニウムの水和酸化物の溶解度がｐＨ５近傍において最も低くなることが記載されている。
（当合議体注：図１４・２９は，以下の図である。）
　したがって，仮定を重ねたとしても，乙１６から導き出される，有機アンモニウム化合物及びオキソアンモニウム化合物を含む組成物のｐＨは，酸性であって，アルカリ性ではない（なお，本件出願時の特許請求の範囲の請求項１には，ｐＨを限定する記載がなかった。）。また，有機アンモニウム化合物及びオキソアンモニウム化合物を含むフォトレジスト剥離用組成物においては，組成物のｐＨが酸性のものが知られていたところである（甲６の段落【００２４】，甲１２の３欄５１〜５２行に記載の「Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ　５００２」，乙３の段落【００１９】）。
　乙１６には，アルミニウムの腐食特性については記載があるが，銅の腐食特性については記載がない。ここで，銅の腐食特性に関して，被請求人は，乙２（有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである実験報告書）及び乙８（有機アンモニウム化合物がコリンヒドロキシドである実験報告書）を提出している。
（当合議体注：乙２の実験結果は以下のとおりである。）
（当合議体注：乙８の実験結果は以下のとおりである。）
　これら実験結果からは，訂正後発明の有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであるかコリンヒドロキシドであるかによっても，組成物のｐＨを変えたときのエッチング速度の傾向が異なること（組成物を使用可能なｐＨの範囲が異なること）が理解できる。また，乙２及び乙８の実験報告書からは，組成物中にクエン酸を含むとしても，ｐＨが約７の場合にはｐＨが約１２の場合に比して約１０倍（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの場合）又は約４０倍（コリンヒドロキシドの場合），エッチング速度が速くなることが理解できる。
　さらにすすんで検討すると，発明の詳細な説明の段落【００４４】には，回路の素材が銅であるかアルミニウムであるかに関係なく，組成物のｐＨの望ましい範囲が記載されている。また，段落【００４４】には，例えば，「ｐＨを約７より高く」と記載され，「ｐＨを約７より高く，かつ，回路の素材に応じてｐＨを調整し」とは記載されていない。特許請求の範囲においても同様である。例えば，訂正後請求項６には，回路の素材に関係なく「前記組成物のｐＨが７〜１２である」と記載され，「前記組成物のｐＨが７〜１２であり，かつ，回路の素材に応じて調整されたｐＨであり」とは記載されていない。
　したがって，「回路の素材に応じて，本件訂正発明１の組成物のｐＨを，７以上のアルカリ性側で適宜調整すればよい」という被請求人の主張は，特許請求の範囲の記載にも，発明の詳細な説明の記載にも基づかないものである。そして，「回路の素材」がアルミニウムである場合に，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」（段落【０００１】）ための具体的な条件は，発明の詳細な説明に記載がなく，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が過度の試行錯誤をしたとしても，これを実現できるとはいえず，少なくとも，過度の試行錯誤をすることなく，実施することができるといえる根拠は見当たらない。
　念のために，訂正後発明１〜訂正後発明９について，具体的に検討する。
　まず，本件訂正により，訂正後請求項６には「ｐＨ調整剤」が記載されたから，訂正後発明６は，組成物中に「ｐＨ調整剤」を含むものである。したがって，訂正後発明６の組成物は，そのｐＨが，例えば，下限である「７」や，上限である「１２」に調整されたものと，一応，解することができる。
　しかしながら，ｐＨの調整に関して，発明の詳細な説明には，「ｐＨ調整剤を用いて，ｐＨが，基板と関係がある回路，又は回路の一部の動作性を維持しながら，基板からポリマーを除去し，残渣を除去し，或いはその両方を除去するために有効な特定範囲内であるように，本発明の組成物のｐＨを維持及び／又は修正することができる。」（段落【００４３】）という，抽象的な記載しかない。したがって，訂正後発明６の組成物を前提として，「基板と関係がある回路，又は回路の一部の動作性を維持」することと，「基板からポリマーを除去し，残渣を除去し，或いはその両方を除去するために有効な特定範囲内であるように，本発明の組成物のｐＨを維持及び/又は修正すること」とを両立させるために，どのようにｐＨを選定すべきなのか，発明の詳細な説明には，その指針が記載されているとはいえない。また，訂正後発明６の組成物を前提として，かつ，所望のｐＨシフト及び他の因子を考慮して，使用する個々のｐＨ調整剤をどのように選ぶのかに関しても，発明の詳細な説明には，その指針が記載されているとはいえない。すなわち，発明の詳細な説明の段落【００４３】には，典型的な酸性ｐＨ調整剤として，無機酸，例えば塩酸，硝酸，硫酸，リン酸など；有機酸，例えば炭酸，クエン酸など；及びその組合せが列挙されているにとどまり，その選択指針は記載されていない。
　そもそも，本件特許発明の詳細な説明には，訂正後発明６に対応する具体的な実施例が一つも記載されていない。すなわち，発明の詳細な説明には，回路の素材がアルミニウムである実施例は一つも記載されていない。かえって，発明の詳細な説明には，回路の素材がアルミニウムではない実施例（銅の実施例）が多数記載されている。さらに，発明の詳細な説明には，ｐＨ調整剤を含む実施例が一つも記載されていない。かえって，発明の詳細な説明には，ｐＨ調整剤を含まない実施例のみが，多数記載されている。また，段落【００４３】には，任意に，また通常は必要な場合だけ（Optionally, and usually only if necessary）ｐＨ調整剤を用いることが記載されている。加えて，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである実施例は一つも記載されていない。かえって，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない実施例（コリンヒドロキシドの実施例）のみが，多数記載されている。
　発明の詳細な説明には，訂正後発明６の全体の構成を満たす実施例が一つも記載されていないことはもちろん，個々の構成についてみても，その構成を満たす実施例が一つも記載されていない，という構成の寄せ集めで訂正後発明６は成り立っている。このような発明の詳細な説明の記載では，本件優先日時点のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が訂正後発明６の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない（この点は，訂正後発明５についても同様である。）。
　訂正後発明７〜訂正後発明９についても同様である。
　次に，訂正後発明１についてみると，訂正後請求項１には，そもそも，「ｐＨ調整剤」が記載されていない。また，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物及び水の量について，「除去すべきフォトレジスト/ポリマー及び/又は残渣の化学的及び/又は物理的性質に依存して変化しうる」（段落【００４１】及び【００４２】）と記載されている。すなわち，発明の詳細な説明には，回路の素材あるいは所望のｐＨシフトに依存して有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物及び水の量を調整するという技術的事項は記載されていない。発明の詳細な説明の記載にしたがうと，訂正後発明１においては，除去すべきフォトレジスト/ポリマー及び/又は残渣の化学的及び/又は物理的性質に依存して調整された有機アンモニウム化合物，オキソアンモニウム化合物及び水の量により，組成物のｐＨが決まることとなる。発明の詳細な説明に基づいて理解される訂正後発明１においては，ｐＨを所望する分だけシフトさせることそれ自体が予定されていない。なお，訂正後請求項１には，ｐＨ調整剤の構成が記載されていないから，ｐＨ調整剤に関する段落【００４３】の記載を考慮して訂正後発明１の発明の要旨を認定することはできない。また，乙１７では，ｐＨ調整剤ではなく，有機アンモニウム化合物の量により組成物のｐＨを変えているが，前記段落【００４１】の記載に反するｐＨ調整方法である。
　訂正後発明２〜訂正後発明５，及び訂正後発明７〜訂正後発明９についても同様である。
　以上のとおりであるから，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであることの要件に適合するものであるとはいえない。
　(3) 小括
　本件特許１〜本件特許９は，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，特許法１２３条１項４号に該当し，無効とすべきものである。
　２　無効理由３−２（サポート要件違反）について
　訂正後発明の，発明が解決しようとする課題について，本件特許の発明の詳細な説明の段落【０００１】には，「本実施態様は，下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄するための組成物と方法に関する。」と記載されている。したがって，訂正後発明の，発明が解決しようとする課題は，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」ことと解するのが相当である。
　ただし，技術常識を考慮すると，「下層にある基板又は材料を傷つけず」という技術的事項は，下層にある基板又は材料を全く傷つけないことを意味するのではなく，損傷を許容しうるレベルの範囲内に抑えることを意味する。また，許容しうるレベルの程度が基板の種類（集積度等）に依存することは，明らかである。
　以上の理解を前提に，検討する。
　(1) 化合物の組み合わせについて
　ア　訂正後発明５及び訂正後発明６について
　訂正後請求項５には，「前記組成物が，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる有機アンモニウム化合物と，ヒドロキシルアミンサルフェートからなるオキソアンモニウム化合物と，水とを含み」と記載されている。
　したがって，訂正後発明５の組成物は，少なくとも，有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，及びオキソアンモニウムアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを含むものである。
　これに対して，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物としてコリンヒドロキシド，及びオキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを含む組成物は記載されているが，有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，及びオキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを含む組成物は記載されていない。オキソアンモニウム化合物がヒドロキシルアミンサルフェートであることを措くとしても，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む組成物は記載されていない。
　コリンヒドロキシドとテトラメチルアンモニウムヒドロキシドは，有機アンモニウム化合物の窒素原子に結合した４つの置換基のうち，３つがメチルである点では共通するが，残り１つがヒドロキシエチルであるかメチルであるかの点で相違する。
（当合議体注：下図左側がコリンヒドロキシド，右側がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである。）
　この点に関して，被請求人は，有機アンモニウム化合物の窒素原子に結合した置換基がヒドロキシエチルであるかメチルであるかは本質的な問題ではなく，発明の詳細な説明の段落【００１１】〜【００１５】及び【００２１】〜【００２４】においても特に区別していない旨主張している（被請求人上申書２の１９頁１７〜２１行）。
　しかしながら，発明の詳細な説明において，文言上，ヒドロキシエチルとメチルが区別せずに記載されているからといって，直ちに，訂正後発明５が，発明の詳細な説明において，発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであるということはできない。
　被請求人は，甲１の段落【００１３】及び【００４１】，並びに，乙３の段落【００２０】の記載を挙げて，コリンヒドロキシドのようにヒドロキシエチルを有する場合も，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドのように全部メチルである場合も，残渣の除去に有効であることが周知となっていたと主張する（被請求人上申書２の１９頁２２〜２５行）。
　確かに，コリンヒドロキシド及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドがともに水溶液中で強塩基性を示し，レジスト残渣の除去に有効であることは，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者における技術常識である。したがって，水溶液中で強塩基性を示す化合物に腐食されない回路との関係や，残渣の除去を主に考慮すれば良い用途（腐食に対する許容量が大きい回路）との関係においては，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は，コリンヒドロキシドをテトラメチルアンモニウムヒドロキシドに単に置き換えても良いと認識すると考えられる。
　しかしながら，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においてまで，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が，同様に認識するとはいえない（なお，被請求人は，本件訂正後においてもなお，回路の素材を銅に限定しなかった。また，被請求人は，本件訂正後においてもなお，ｐＨの数値範囲の下限値を「７」とした。）。
　すなわち，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者ならば，組成物に含まれる化合物の種類や分量が相違すれば，回路の腐食の程度やレジスト残渣等の除去効率が変化することを心得ている。したがって，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者ならば，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，コリンヒドロキシドをテトラメチルアンモニウムヒドロキシドに単に置き換えるだけでは済まず，試行錯誤等を経た組成物の化学の再設計が必要と認識するといえる。しかしながら，発明の詳細な説明には，有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを含む組成物の実施例はなく，特に，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとヒドロキシルアミンサルフェートの組み合わせに関しては，記載も示唆もない。したがって，組成物に含まれる化合物を，コリンヒドロキシドとヒドロキシルアミンサルフェートの組み合わせからテトラメチルアンモニウムヒドロキシドとヒドロキシルアミンサルフェートの組み合わせに変えた場合に組成物の化学をどのように設計すれば発明の課題が解決できるかについて，発明の詳細な説明には指針となる記載が存在しないというべきである。
　そうしてみると，訂正後発明５は，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，発明の詳細な説明において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであると，直ちにいうことはできない。
　訂正後発明６の組成物も，同様に，少なくとも，有機アンモニウム化合物としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，及びオキソアンモニウムアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを含むものである。
　したがって，訂正後発明６も，訂正後発明５と同様に，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，発明の詳細な説明において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであると，直ちにいうことはできない。
　イ　訂正後発明１について
　訂正後発明１の発明の要旨には，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり，オキソアンモニウム化合物がヒドロキシルアミンサルフェートである組成物が含まれている。
　したがって，訂正後発明１も，訂正後発明５と同様に，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，発明の詳細な説明において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであると，直ちにいうことはできない。
　ウ　訂正後発明２等について
　訂正後発明２〜訂正後発明４及び訂正後発明７〜訂正後発明９の発明の要旨にも，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであり，オキソアンモニウム化合物がヒドロキシルアミンサルフェートである組成物が含まれている。
　したがって，これら訂正後発明も，訂正後発明５と同様に，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，発明の詳細な説明において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という発明の課題が解決できることを本件優先日時点のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであると，直ちにいうことはできない。
　エ　小括
　以上のとおりであるから，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項９の記載は，いずれも，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるということができない。
　(2) ｐＨが１２以下の組成物について
　訂正後発明の組成物は，ｐＨが７より高いことを要件としている。したがって，訂正後発明の組成物のｐＨは，７より高く１２以下を含んでいる。
　しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明においては，ｐＨが１２より高い場合についてのみ，訂正後発明の組成物の効果が確認されており，ｐＨが７より高く１２以下である訂正後発明の組成物については，具体的な開示がなく，また，その効果も確認されていない。
　なお，表１９には，ｐＨが「７＜＞１２」において「部分的な除去」が確認された組成物（Ｗ２０及びＷ２８）が開示されている。しかしながら，Ｗ２０及びＷ２８の組成物のオキソアンモニウム化合物は，ヒドロキシルアミンであるから，訂正後発明のオキソアンモニウム化合物（ヒドロキシルアミンサルフェート）の要件を満たさない（なお，有機アンモニウム化合物も，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドではない。）。
　ここで，前記(1)でも述べたとおり，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者ならば，組成物に含まれる化合物の種類や分量が相違すれば，回路の腐食の程度やレジスト残渣等の除去効率が変化することを心得ている。したがって，本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者ならば，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，ヒドロキシルアミンをヒドロキシルアミンサルフェートに単に置き換えるだけでは済まず，試行錯誤等を経た組成物の化学の再設計が必要と認識するといえる。しかしながら，発明の詳細な説明には，ｐＨが７〜１２の範囲において，オキソアンモニウム化合物としてヒドロキシルアミンサルフェートを含む組成物の実施例はなく，記載も示唆もない。また，ｐＨが７〜１２の範囲で発明が解決しようとする課題を解決できるという本件出願時における技術常識も見当たらない。したがって，ｐＨが７〜１２の範囲において，組成物に含まれるオキソアンモニウム化合物を，ヒドロキシルアミンサルフェートとした場合が発明の課題が解決できるとその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できる範囲にあると認めることができない。
　そうしてみると，訂正後発明は，腐食に対する許容量が極めて小さい回路との関係においては，発明の詳細な説明において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであると，いうことができない。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜請求項９の記載は，いずれも，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるということができない。
　(3) 回路の損傷について
　訂正後発明は，回路の素材を銅に限定するものではない。したがって，回路の素材は，銅以外（アルミニウム等）であっても良い。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，銅以外（アルミニウム等）を回路の素材として用いた場合において，「下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄する」という，発明の課題が解決できることを裏付ける具体的な実験データについての記載がない。加えて，甲１９（実験成績証明書）の図１〜図４によると，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド，オキソアンモニウム化合物がヒドロキシルアミンサルフェートである組成物は，銅の場合と，銅以外（アルミニウム，アルミニウム−銅合金，タングステン）の場合で，組成物のｐＨを変えたときのエッチング速度の傾向が全く異なるという具体的な実験データが示されている。このため，回路の素材が銅に限定されていない訂正後発明に含まれる範囲の組成物全てが，発明の詳細な説明の記載により，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとは認められず，また，その記載や示唆がなくともその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が本件出願時の技術常識に照らし発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとも認められない。
　そうしてみると，訂正後発明は，本件特許の発明の詳細な説明において，発明の課題が解決できることを本件出願時のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が認識できるように記載された範囲内のものであるということができない。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の記載は，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであることの要件に適合するものであるということができない。
　(4) 小括
　本件特許は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，特許法１２３条１項４号に該当し，無効とすべきものである。
第５　無効理由１（甲１に基づく進歩性）について
　１　刊行物の記載内容及び甲１発明
　(1) 甲１の記載内容
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲１には，以下の事項が記載されている。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明と対応する箇所を表す。
　ア　「【請求項１】　集積回路から残留物を除去するための組成物であって，コリン化合物，水及び有機溶媒を含む組成物。
【請求項２】　前記組成物が，約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物を含む，請求項１に記載の組成物。
【請求項３】　前記組成物が，約１０質量％〜約８０質量％の前記水を含む，請求項２に記載の組成物。
【請求項４】　前記組成物が，約２０質量％〜約８０質量％の前記有機溶媒を含む，請求項３に記載の組成物。
【請求項５】　前記コリン化合物が，水酸化コリン，炭酸水素コリン又は塩化コリンを含む，請求項１に記載の組成物。
【請求項６】　前記コリン化合物が，水酸化コリンである請求項５に記載の組成物。
【請求項７】　前記有機溶媒が，プロピレングリコール，ジメチルスルホキシド，モノメタノールアミン，又はジグリコールアミンを含む，請求項５に記載の組成物。
【請求項８】　前記組成物が，さらにヒドロキシルアミンを含む，請求項１に記載の組成物。」
　イ　「【請求項１０】　
集積回路から残留物を除去するための方法であって，前記集積回路を，コリン化合物，水及び有機溶媒を含む組成物と，前記集積回路から前記残留物を除去するのに十分な温度で，かつ十分な時間，接触させる工程を含む方法。
【請求項１１】　前記組成物が，約１０質量％〜約５０質量％の前記コリン化合物を含む，請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】　前記組成物が，約１０質量％〜約８０質量％の前記水を含む，請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】　前記組成物が，約２０質量％〜約８０質量％の前記有機溶媒を含む，請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】　前記コリン化合物が，水酸化コリン，炭酸水素コリン又は塩化コリンを含む，請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】　前記コリン化合物が，水酸化コリンである請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】　前記集積回路中の銅伝導線上に第１シリコン化合物エッチング停止層を形成する工程，この第１シリコン化合物エッチング停止層上に，第２シリコン化合物バルク誘電体を形成する工程，この第２シリコン化合物バルク誘電体をエッチングして，前記エッチング停止層を露出させる工程，前記集積回路から残留物を除去する工程，前記エッチング停止層をエッチングして，銅伝導線を露出させる工程，及び請求項７に従って前記集積回路から残留物を除去する工程を含む，請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】　
前記組成物が，さらにヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む，請求項１０に記載の方法。
　ウ　「【０００１】
　（発明の背景）
　１．発明の分野：
　本発明は，一般的に金属相互接続を組み込んだ半導体デバイスの製造に関する。さらに詳細には，本発明は，好ましくはダマシン／デュアルダマシン構造を組み込む銅冶金によるような，相互接続レベルにおけるエッチング後残留物を洗浄する組成物及び方法に関する。さらに，本発明は，アルミニウム，又は誤配列タングステンプラグとのアルミニウム合金相互接続のような他のエッチング後残留物洗浄用途の組成物に関する。
　0.18μm技術のような低減幾何デバイスにおける主要な挑戦は，デバイス性能の制限因子となる相互接続ＲＣ遅延時間である。この遅延は，トラック間の低誘電率と，良導体としての銅の使用を併用することによって改善することができる。本出願は，このタイプの相互接続を組み込む上での困難のいくつかを解決すること，及び誘電体エッチング後洗浄法の新規な戦略に関する。銅及び低−ｋ誘電体に適合する新規な洗浄化学及びそれらを使用する方法の開発は，プロセス統合に重要である。
　銅は，容易にはドライエッチングできないので，ダマシン又はデュアルダマシン構造の使用が，この組込みを現実化する重要な解決法になっている。有機ポリマーのような金属間誘電体用の新規な材料の出現，及び誘電体の複合層のエッチングの必要性により，フォトレジスト除去及び洗浄工程は，新規な戦略的アプローチを必要とする。
【０００２】
　２．先行技術の説明：
　マイクロサーキットの二次加工の際，フォトレジスト材料を用いてパターン化し，適切な材料上にパターンを移動する。例えば，相互接続レベルにおいて適切な材料は，電気伝導路用の金属又は伝導線の中間にある物質を絶縁するための誘電体のどちらかである。伝統的な相互接続は，アルミニウム又は誘電物質，例えば二酸化シリコンによって絶縁されたアルミニウム合金から作られる。
　最近開発された相互接続は，伝導物質及び低−ｋ誘電物質（二酸化シリコンの誘電率より低い誘電率εを有する誘電体）として銅を使用する。図１及び図２は，この場合に使用する典型的な構造を示す。銅及び最終的にはアルミニウムを組み込むために，パターンを誘電体(２)を介してフォトレジスト(３)から移動させる。そして，隙間を伝導層によって充填する。この方法は，ダマシンと呼ばれ，ひとつの平坦な相互接続のみ(シングルダマシン)又は水平な相互接続とバイアと呼ばれる垂直な相互接続の両方(デュアルダマシン)のいずれかを組み込むことができる。バイアは，常に下地金属配線(１)上に開口しており，かつ相互接続に沿った電気抵抗を最少化するために，該バイアは非常に清浄であることが必要である。
【０００３】
　種々の方法が，例えば，米国特許第5,739,579号；米国特許第5,635,423号；米国特許第5,705,430号及び米国特許第5,686,354号に開示されているように，それらの構造を造るために開発され，誘電体スタック(５，６)中に任意の層を含むことができるが，すべてそれらの方法は，共通して以下を有する：
・第２金属層が蒸着されうる前に，金属を破損せずに，すべてのエッチング後残留物(７及び８)から，バイアを洗浄する必要がある。
・「開口」と呼ばれるエッチングングの最終部分の際，下地の銅の側壁及び上面(８)上にバックスパッターされた銅化合物から，全誘電物質を洗浄する必要がある。
・さらなる加工のためにウェーハをエッチングングチャンバーから周囲空気に移動して，酸化銅化合物ＣｕＯ又はＣｕ2Ｏを造り，洗浄してバイア抵抗を最小化する必要がある。
銅は非常に容易に二酸化シリコン及び他の誘電物質中に拡散して，最終的には製造失敗(デバイスを「台無しにする」)のおそれがあるので，ＩＣ製造は，銅残留物の完璧な洗浄を必要とする。
【０００４】
　従来，少量（通常１質量％〜５質量％）のコリン及び他の化合物を含んで，金属不純物の除去又は吸着の回避をすることによって，半導体業界で使用する物質を洗浄することが開示されている（ＵＳ第4,239,661号，ＵＳ第4,339,340号，ＰＡＪ第6,163,495号，ＰＡＪ第6,041,773号，ＰＡＪ第2,275,631号，ＰＡＪ第1,191,450号）。コリン塩基は，ポジティブ作用フォトレジストの現像液としての用途としても周知である(ＵＳ第4,294,911号，ＵＳ第4,464,461号)。コリン塩基は，薄膜層画定用の金属のエッチングング剤として作用可能なこと（ＰＡＪ第62,281,332号，ＵＳ第4,172,005号）及びエッチングング時にエッチングングチャンバー中にコリン原子を添加すると，銅がプロセス温度を下げ，それによって銅の酸化の最少化を助けることが認識されている。ＵＳ第5,846,695号は，集積回路二次加工におけるフォトレジスト及びフォトレジスト残留物の除去のための求核アミン及び糖及び／又は糖アルコールと共にコリンを含む水酸化四級アンモニウム水溶液について開示している。
【０００５】
　本発明は，誘電物質のエッチングング後に残される残留物及び銅層上の開口を洗浄することを目的とする。主なエッチングング残留物及びフォトレジストが，銅上に開口を形成する最終工程の前に洗浄されると，それら残留物を最少にすることができ，この場合「開口」エッチング工程のみ，例えば開口の底面上の銅リッチ残留物及び誘電物質表面上にバックスパッターされた銅による残留物を処理する。しかし，「開口」エッチングが主要エッチングの後に直接為される場合は，残留物は複雑になり，この場合，エッチング後処理は，主要エッチング残留物(ＣＦX，ＣＨＦX…を含む)を洗浄し，底面残留物(Ｃｕ，ＣｕＯ，ＣｕＯ2を含む)を洗浄し，かつバックスパッターされた銅も洗浄する必要がある。
　半導体業界で用いられる洗浄組成物が存在することは，以下の理由のため適当でない：
・アミン含有生成物は銅と適合せず，かつ露出領域で該金属を溶解する；
・希薄フッ化水素酸溶液(ＤＨＦ)は，誘電体の側壁を攻撃的に攻撃することによって側壁ポリマー及びＣｕＯ化合物を除去して，それによって設計されたデバイスの寸法を変えてしまう。さらにそれら溶液は，Ｃｕ2Ｏ又はＣＦX化合物の洗浄には有効でない。
【０００６】
　任意に，フォトレジストは，銅が露出される前に除去され或いは除去されなくてよい。伝統的なフォトレジスト除去技術を使用することは，以下の理由のために理想的でない：
・酸素プラズマ工程は，銅をＣｕＯ及びＣｕ2Ｏ状態に酸化し，バイア抵抗が増加する。
・有機誘電物質を使用する場合，酸素プラズマ工程は，コントロールされない状態でその物質をエッチングングすることにより，その物質にとって有害である。
・例えばＮ−メチルピロリドン含有生成物のようなフォトレジストを除去するのに用いる伝統的な溶液は，有機誘電体の誘電率及び特性を回復させるために余分な硬化工程を必要とする。
【０００７】
　高速デバイスの要求は，デザインルールのスケールを下げてきた。今日の0.18μm技術は，0.25μmの穴寸法に到達している。0.25μm技術の導入以来，相互接続は，相互接続抵抗率及び隣接の相互接続によって誘発されるＲＣ遅延によって，デバイスの律速因子になっていることがわかった。相互接続の抵抗を低減する解決法は，相互接続金属をアルミニウムから銅へ切り換えることである。
　同様に，隣接金属配線間の低減されたキャパシタンスの解決法は，配線の中間の金属の誘電率を減少させることである。これは，明らかになってきた新しい低−ｋ材料の使用によって達成することができる。
【０００８】
　銅は，アルミニウム(ρ＝2.7Ω.cm)より優れた伝導率(ρ＝1.7Ω.cm)を有し，比較的安価なので選択されてきた。しかし，この材料の主な欠点は，第１に，シリコン中への高い拡散性であり，フロントエンドデバイスを台無しにしてしまうおそれがあり，第２に，伝統的な方法でそれをドライエッチングし，かつ組み込むことの困難性である。さらに，銅は，周囲条件下(アルミニウムが形成するようには)酸化物パシベーション層を形成せず，この金属を協働させることを非常に困難にしている。
　隙間−充填の側面においては，種々の候補が示唆されているが，低−ｋ誘電物質の業界での選択はまだ現れていない。低誘電率を達成するための一般的な傾向は，シリコンが少なく，かつ炭素が多い材料を使用することである。そして，無機材料(ＳｉＯ2[ε＝４]，ＳｉＯＦ[ε＝3.5]のような)からシルセスキオキサン型の材料(ＨＳＱ，ＭＳＱ[3.0＜ε＜3.5]のような]へ，ベンジルクロロブタン(ＢＣＢ)のような有機材料又はエアギャップで達成される究極の低−ｋ値を有するシリコン低ｋ(ＳｉＬＫ)[ε＝2.7]に向けて論理的に進化している。
【０００９】
　ＳＩＡロードマップは，1998年末までに，一方で銅の組込みによって，かつ他方で低−ｋ材料によって為される研究の出現を予想した。ここで選択される戦略は，まず銅を導入し，次いで低−ｋ材料へそのプロセスを移行することである。しかし，両プロジェクトは一緒に進行しており，この段階で，最終プロセスで使用されるすべての材料の要求を考慮して，洗浄戦略を開発しなければならない。
　ここ数年にわたり，我々は，誘電層中にエッチングし，伝導ワイヤで充填して平坦化するという設計のダマシン型構造の出現を調べてきた(図１)。デュアルダマシン構造は，１回の蒸着工程で配線とバイアの両方を組み込むという利点を有し；これは工程数を低減し，それゆえコスト的に有効である。しかし，今日このような構造が出現した主な理由は，これが銅を導入する最も簡単な方法であるという事実である。
　デュアルダマシン構造の変形が存在し，増透膜，付着促進材，吸湿防止材，拡散防止材，研磨ストップ，埋設エッチングマスク等のようなプロセス目的のための一連の層を組み込んでいる。それらのいずれを使用するかしないか，またそのためにどの材料（ＳｉＯxＮy又はＳｉxＮy）を使用すべきかの選択は，低−ｋ材料の最終的な選択によって決まることが多い。」
　エ　「【００１０】
　（発明の概要）
　従って，本発明の目的は，半導体デバイス製造におけるエッチング後残留物及び銅を露出させる時に生じる銅含有高分子残留物を洗浄するための組成物及び方法を提供することである。
　本発明の他の目的は，相互接続で使用される銅及び誘電物質と適合するような洗浄組成物及び洗浄方法を提供することである。
　また，本発明の他の目的は，ほとんどの低−ｋ誘電物質と適合し，かつ使用後にこのような物質のＦＴ−ＩＲスペクトル，誘電率，屈折率(ＲＩ)又は厚さを実質的に変化させないような洗浄組成物及び洗浄方法を提供することである。
　さらに，本発明の他の目的は，バイアの側壁とトップの両方で効率的に残留物を洗浄するような洗浄組成物及び洗浄方法を提供することである。
　また，本発明のさらなる他の目的は，バイア底面からエッチング後残留物を効率的に洗浄するような洗浄組成物及び洗浄方法を提供することである。
【００１１】
　本発明の一観点に従い，デュアルダマシン構造を洗浄する伝統的な方法は，この組合せの材料には適用できないことがわかった。「２工程エッチング法」を用いて，ＵＬＳＩ製造の要求を達成することができる。
　本発明の他の観点に従い，デュアルダマシン二次加工の問題を取り扱うために，新規な洗浄化学が提供される。この研究は，本発明のこの観点で関心のある２つの主要な材料である銅及びＳｉＬＫと適合する可能性のある候補の広範なスクリーニングで始まり，その結果新規な化学の設計をもたらす。この新規な洗浄化学は，ダマシン構造について評価される。この研究は，組み込んだ銅の特徴についての走査型電子顕徴鏡(ＳＥＭ)，透過型電子顕微鏡(ＴＥＭ)及び飛行時間型二次イオン質量分光測定(ＴＯＦ−ＳＩＭＳ)解析，及びＳｉＬＫ組込みのＦＴ−ＩＲ及びＣ(Ｖ)測定によって支持される。本発明のこの観点では，集積回路からの残留物の除去用組成物は，コリン化合物，水及び有機溶媒を含む。
【００１２】
　本発明の他の観点に従い，集積回路から残留物を除去する方法は，集積回路を，コリン化合物，水及び有機溶媒を含有する組成物に，該集積回路から残留物を除去するのに十分な温度で，かつ十分な時間接触させる工程を含む。
　本発明のさらに別の観点に従い，デュアルダマシン構造の底面のエッチング停止無機層は，銅の下地相互接続を保護し，かつより良い洗浄を進めることができる。本発明のこの観点では，集積回路二次加工法は，集積回路の銅伝導線上に，第１シリコン化合物エッチング停止層を形成する工程を含む。第２シリコン化合物バルク誘電体が，この第１シリコン化合物エッチング停止層上に形成される。この第２シリコン化合物バルク誘電体が，エッチングされてエッチング停止層が露出される。残留物が集積回路から除去される。エッチング停止層が，エッチングされて銅伝導線が露出される。有効量のコリン化合物を含有する残留物除去組成物によって，残留物が集積回路から除去される。
【００１３】
　（発明の詳細な説明）
　本発明の組成物及び方法において，コリン化合物は，水酸化コリン，炭酸水素コリン又は塩化コリンのような水酸化物又は塩の形態でありうる。ここで，用語「コリン化合物」は，水酸化テトラエチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)，水酸化テトラブチルアンモニウム(ＴＢＡＭ)，それらの塩等のような関連する四級アンモニウム化合物をも包含する。
　組成物中の本方法の実施のために好適な有機溶媒としては，ジメチルスルホキシド，エチレングリコール，エチレングリコールアルキルエーテル，ジエチレングリコールアルキルエーテル，トリエチレングリコールアルキルエーテル，プロピレングリコール，プロピレングリコールアルキルエーテル，Ｎ−置換ピロリドン，エチレンジアミン及びエチレントリアミンのような極性溶媒が挙げられる。さらに，技術的に公知の極性溶媒も本発明の組成物に使用することができる。」
　オ　「【００１４】
　任意に，露出された銅が存在するダマシン構造を洗浄するために使用される製剤に，腐蝕防止剤を含むことができる。腐蝕防止剤は，銅が腐蝕するのを防止するために存在し，本技術を含む他の系で銅の腐蝕防止のために使用されるいずれの化合物も含め，種々の分類の化学物質から選択することができる。さらに詳細には，以下の一般的な分類の化合物を使用でき，
【化１】
式中，Ｘ，Ｙ，及びＺは，Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｓ及びＰから選択される。これらの条件下で，原子価要求及びペンダントＲ基の存在が適当に設定されうる。ペンダントＲ基Ｒ１〜Ｒ５は，独立に，Ｈ，任意に置換されたＣ１〜Ｃ６の直鎖，分岐鎖若しくはシクロアルキル，アルケニル若しくはアルキニル基，直鎖若しくは分岐鎖アルコキシ基，任意に置換されたアシル基，直鎖若しくは分岐鎖アルコキシ基，アミジル基，ヒドロキシル基，ハロゲン，カルボキシル基，アルコキシアルキル基，アルキルアミノ基，アルキルスルホニル基若しくはスルホン酸基；又はこのような化合物の塩として選択されうる。好ましい実施形態では，Ｘ，Ｙ及びＺが，それぞれ窒素，窒素及び炭素であり，かつＲ１〜Ｒ５はが水素である。他の好ましい実施形態では，Ｘ，Ｙ及びＺはが窒素であり，Ｒ３が水素，かつＲ４及びＲ５がベンゼン環を構成する。
【００１５】
　他の分類の銅腐蝕防止剤，ヒドロキシベンゼンは，独立して又は前述の分類のものと併用して本発明に利用できる。これらは，下記の一般分類を含み，
【化２】
式中，ｎ＝１〜４であり，Ｒ６は，２〜５個存在してよく，かつ独立に，Ｈ，任意に置換されたＣ１〜Ｃ６の直鎖，分岐鎖若しくはシクロアルキル，アルケニル若しくはアルキニル基，直鎖若しくは分岐鎖アルコキシ基，任意に置換されたアシル基，直鎖若しくは分岐鎖アルコキシ基，アミジル基，ハロゲン，カルボキシル基，アルコキシアルキル基，アルキルアミノ基，アルキルスルホニル基若しくはスルホン酸基；又はこのような化合物の塩として選択されうる。腐蝕防止剤の好適な特定の例としては，カテコール，ｔ−ブチルカテコール及びベンゾトリアゾールが挙げられる。
　本組成物は，任意にヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。存在する場合，該組成物は，望ましくは約２〜約１２質量％のヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。
【００１６】
　実際には，本組成物は，約１０質量％〜約５０質量％のコリン化合物，約１０質量％〜約８０質量％の水，及び約２０質量％〜約８０質量％の有機溶媒を含む。存在する場合，腐蝕防止剤は，通常約0.5質量％〜約５質量％の量で与えられる。
　伝統的な洗浄溶媒は，パシベーション層を造る能力がないため，通常攻撃的な錯化剤を含むので，銅と協働させるにはあまり適さない。スクリーニングを行って，存在する相互接続を傷つけることなく，銅エッチング残留物を穏やかに除去するための新しい候補を調べた。ブランケット銅上のエッチング率は，４点探針を用いたシート抵抗測定によって計測した。
【００１７】
　ヒドロキシルアミン化学品を含む，いくつかの溶媒は，銅との高度の不適合性を示す。Ｃｕのヒドロキシルアミン含有化学品との不適合性は，ほとんど次の２つの要因：ヒドロキシルアミンの公知の還元剤としての強さ，及び効率的に金属イオンと錯化かつ可溶化する傾向（アミン溶媒及び他のキレート剤と共に）の結果と考えられる。高度に酸化状態(ＣｕII)の銅含有エッチング残留物は，以下の平衡プロセスで，ＣｕIに還元かつ可溶化され，それから水又は解離された酸素によって再酸化されて，ＣｕIIに戻される。
２ＣｕIIＯxＦy＋２Ｈ2ＮＯＨ＋２ＯＨ-
　　→２ＣｕI＋Ｎ2＋(2y)Ｆ-＋(4+2x)Ｈ2Ｏ　　　(1)
　　　　　　　 Ｈ2Ｏ/Ｏ2
ＣｕI＋６Ｌ　―――――→　ＣｕII(Ｌ)６　　　 (2)
式中，Ｌは利用可能な配位子である。反応(1)が作用して，おそらく不明確な化学量論の不定形の高度に酸化されたＣｕ残留物であるものを分解するのを助け，一方，(2)は，そのプロセスでＣｕを錯化し，大部分それを酸化してＣｕII(特に水の存在で)に戻すと考えられる。同時に，解離された水及び／又は酸素は，未変性銅(Ｃｕ0)を，ヒドロキシルアミン含有化学品を含む強い錯化剤で解離されうる酸化状態に酸化することができる。重要なことは，未変性Ｃｕを溶液中に引き出す熱力学的な原動力を妨げながら，酸化されたＣｕ残留物を解離可能な化学を設計することであり；これは，使用するイオン媒体を注意深く変更することによって達成される。
　　　　 防止
Ｃｕ0―――――→ＣｕI，ＣｕII」
　カ　「【００１８】
　１．銅を組み込んだダマシン型構造の洗浄：
　本発明の主目的は，銅が露出されるときにダマシン型構造を洗浄することである。ここに提示される第１実施例において(図３)，試料は，エッチングされたＴＥＯＳ(二酸化シリコン型の誘電体)の単一層を有するブランケット銅である。エッチングは，次の２工程で行われる：まずバルク誘電体による主要エッチング，次いでフォトレジスト及び主要エッチング後残留物が従来の溶媒中に除去されるが，銅はまだ薄いニトリド層で保護されている；それから第２のショートエッチングが行われ，該構造の底面及び側壁の残留物を最少にとどめて，該構造を銅に開口する。
　水酸化コリン溶液(溶液Ｂ６)を用いて，５０℃１０分間で，それらの残留物をうまく洗浄した(図３)。
　このような構造のＸＰＳ(Ｘ線写真分光法)解析は，本発明のＣｕＯ及びＣｕＯ2化合物の除去における効果を示す(図４)。
【００１９】
　表１は，このような構造を洗浄するのに用いた種々の組成物，及び洗浄効率と構造の底面での銅の攻撃についての結果をまとめている。結果は，ＳＥＭ写真を主観的に解析して０〜１０で評価している。０評価は悪く，１０は良い意である。しかし，洗浄が悪い場合，残留物は銅材料を保護するので通常腐蝕防止は良いことがわかった。これは，例えば純水(Ａ１)の例である。
　溶液Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４，及びＡ５から，コリン濃度が２０％に達する場合に洗浄効率が高まることがわかる。しかし，このような濃度は溶液の表面に薄泡を生じさせ，かつ例えばプロピレングリコールのような溶媒を添加することによって洗浄効率を低下させることなくこの起泡効果を低減することがわかった(溶液Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５及びＢ６)。しかし，この起泡効果は水酸化コリンの原材料と共に用いる安定剤のタイプによって低減され，かつ該原材料が正しく選択すれば，溶液は付加的な溶媒を必要としないだろう。
【００２０】
　我々は，それら洗浄溶液のプロセス条件を調査し，５０℃以下の温度で良い結果となることがわかった。時間は重要でないと考えられるが，残留物の除去の困難性によって１０〜３０分のプロセス時間が推奨される。
　代わりに，ＴＭＡＨ(水酸化テトラメチルアンモニウム)，又はＴＢＡＨ(水酸化テトラブチルアンモニウム)のような他の四級アンモニウム系を使用しても，このような構造の洗浄に十分な結果を達成できる。」
　キ　「【００２３】
　このような構造の高いアスペクト比，ウェーハの不均一のエッチング，及びエッチングラグは，すべて銅中への該構造の最小限の過剰エッチングを要求し，その結果処理する必要のある２つの主要な問題をもたらす：
第１に，銅は，構造全体(側壁及びトップ)にバックスパッターされ，その後誘電物質中に拡散され，最後にはフロントエンドデバイスに到達すると考えられる；及び第２に，この場合に生じるエッチング後残留物は，より除去しにくい。それらは壁に非常に強く固着され，複雑な組成を有している(Ｃｕ，ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏ，誘電体由来のシリコン，フォトレジスト由来の炭素，エッチングガス由来のフッ素種等)。
【００２４】
　これら残留物について種々の伝統的な洗浄処理を試験したが，十分な結果は得られなかった。従って，プロセス統合の観点から，銅上へ直接１工程で開口をエッチングするのは理想的でない。
　本研究で選択された戦略の１つは，薄いＳｉxＮy層を該構造の底面に導入することであり，主要エッチング工程のエッチング停止として使用される。これは，銅上の開口から生じる残留物から，誘電体エッチングによって生じる残留物を分離しながら，フォトレジストの除去を可能にする。
　同時に，フォトレジスト除去は，露出された銅がない場合に進行することができる。ここでもまた，未変性の銅酸化物層の欠点が，フォトレジスト除去工程を問題にする。実際，フォトレジストストリッピングの伝統的な方法(プラズマＯ2のような)は，ほとんどの場合に，金属を酸化かつ攻撃するだろう。
【００２５】
　リソグラフィーは，ＤＵＶ248nmＡＳＭＬ/90ステッパーで行い，ダマシン構造はＴＥＬ Unity 85 ＤＲＭ上にエッチングした。フォトレジストは，下流酸素と生成ガスプラズマ(ＩＰＣ Branson 3500L)を併用して，次いで銅適合性生成物で除去して，ＳｉxＮy層の早期の突抜け現象の可能性を補正した。Posistrip(登録商標)ＥＫＣ(登録商標)ＬＥは，ＳＥＭＩＴＯＯＬからのＷＳＳＴ640で，６０℃で１５分間使用した。
　残留している残留物は，今や容易に除去される。しかし，第２エッチング工程で銅が露出されるので，該構造の側壁にバックスパッターされる銅による問題がまだ残っている。この段階で生成される残留物は，大量の銅を含んでいるが，上述したように除去できる。図２６のＴＥＭ写真に示されるように，最終エッチングは，該構造の側壁及び上面に大量の銅残留物をバックスパッターする。このコンタミネーションは，次のメタライゼーション工程の前に除去しなければならず；そうでなければそれは拡散バリア下にトラップされるだろう。
　種々の論文で，これらの種類の残留物を洗浄するために希薄ＨＦ溶液を使用することが報告されている。これら溶液の洗浄能力は，フロントエンド加工についてよく知られているが，相互接続レベルでは，誘電体の攻撃で洗浄を進めるので，限界寸法に損失をもたらすという点でいくつかの欠点が見られる。これら溶液は，Ｃｕ2Ｏ型の残留物を除去するには有効でないことも報告されている。」
　ク　「【００３７】
　３．フォトレジストストリッピング：
　フォトレジストで覆われた試料上のフォトレジストを除去するために，本発明を試験した。この実施例の試料は，ＴＥＯＳの二重層にエッチングされたデュアルダマシン構造である。表４に示される溶液は，以下の種々の程度でフォトレジストの攻撃に成功した。
　・濃縮水酸化コリン溶液(Ａ５)は，うまくフォトレジストを除去した(図１１，１２)；
　・他のコリン型の溶液は，低濃度でさえ(例えば１０％塩化コリン[Ｄ２]，又は３％炭酸水素コリン[Ｄ２０])，フォトレジストを除去するのに無視できない効果を有する(図１３，１４)；
　・例えば，ジメチルスルホキシド(ＤＭＳＯ)(溶液Ｄ４)又はモノエタノールアミン(ＥＭＡ)(溶液Ｄ６)のような他の溶媒と混合された低濃度の(実施例では2.3％)水酸化コリン含有溶液は，フォトレジストにリフトオフ効果を及ぼす(図１５，１６)；
　コリン(水酸化物，塩化物，又は炭酸水素塩)の溶液は，高濃度でフォトレジストを除去できる。
【００３８】
【表４】
【００３９】
　少量の塩基溶液中ヒドロキシルアミンを添加すると，溶液の銅との適合性を維持しながら除去効率が高まる。表５は，パターン化された二酸化シリコンを有するブランケットＳｉＬＫ膜(有機低−ｋ誘電体)から成る試料２についての結果を示す。この結果は，これら化学品が有機誘電体を傷つけることなく有機レジストを効率的に除去できることを示している。
【００４０】
【表５】
【００４１】
　溶媒は，ジメチルアセトアミド(ＤＭＡｃ)，ＤＭＳＯ，プロピレングリコール(ＰＧ)，ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(ＤＰＭ)，Ｎ−メチルピロリドン(ＮＭＰ)，又はシクロヘキシルピロリドン(ＣＨＰ)でよく，一方塩基は，モルフォリン，ＭＥＡ，ジエタノールアミン，ジグリコールアミン，炭酸水素コリン，水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)，又は水酸化コリンから成る。
　四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基を有する２％〜１２％のヒドロキシルアミンから構成される化学品は，露出された有機物質を有する無機基板上の強靱なレジストを除去するのに使用できる。この化学品は，銅と有機物質の両方と適合する。」
（当合議体注：段落【００３９】の「少量の塩基溶液中ヒドロキシルアミンを添加すると，溶液の銅との適合性を維持しながら除去効率が高まる。」における「少量」は，ヒドロキシルアミンが「少量」であることを意味する。）
　ケ　「【００４４】
　５．バイアエッチング後の残留物除去：
　表７：バイアエッチング後残留物除去の効率
溶液　　　温度　　　　時間　　　洗浄結果
Ｄ４　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
Ｄ５　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
Ｄ６　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
Ｄ７　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
Ｄ８　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
Ｄ９　　　６５℃　　　１５分　　　良い　　　　図無し
【００４５】
　バイアエッチング後の高分子を除去するために本発明を試験した。例えばＤＭＳＯ(溶液Ｄ４及びＤ５)，又はＭＥＡ(溶液Ｄ６及びＤ７)のような溶媒を添加し或いは添加しない水酸化コリンの希薄溶液(２％〜５％)は，バイア試料から残留物をうまく洗浄する(表７)。これら溶液は，誘電基板の洗浄には良い結果を与えたが，下地アルミニウム配線は，ここで高温を使用したため攻撃されやすい。」
　コ　「【００４９】
【表７】
」
　(2) 甲１に記載された発明及び当業者について
　ア　甲１発明Ａ
　甲１の段落【００４０】（表５）には，溶液Ｆ４として，次の発明が記載されている（以下「甲１発明Ａ」という。）。
「　溶液Ｆ４であって，組成が，
　５％のヒドロキシルアミン，
　４５％の溶媒，
　１２％の塩基，
　３８％の水からなる，
　溶液Ｆ４。」
　イ　甲１発明Ｂ
　甲１には，請求項１０の記載を引用して記載された請求項１７に係る発明として，次の発明が記載されている（以下「甲１発明Ｂ」という。）。
「　集積回路から残留物を除去するための方法であって，前記集積回路を，コリン化合物，水及び有機溶媒を含む組成物と，前記集積回路から前記残留物を除去するのに十分な温度で，かつ十分な時間，接触させる工程を含み，
　前記組成物が，さらにヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む，方法。」
　ウ　当業者について
　甲１に記載された発明の背景（段落【０００１】〜【０００９】）の記載からみて，甲１に記載された発明に接する，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は，半導体デバイスの製造の技術分野のうち，特に，フォトレジスト除去及び洗浄工程に携わる者と解するのが妥当である（以下「当業者」という。）。
　(3) 甲２の記載内容
　本件優先日前に頒布された刊行物である甲２には，以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子製造において使用されるポジ型レジスト用剥離液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子を製造する際，下地に配線層や絶縁膜を形成した後，その上にレジストを塗布，乾燥し，レジスト基板を得た後，露光，現像してレジストパターンを形成する。次いでそのパターンをマスクにしてエッチング処理をし，下地の配線層や絶縁膜にパターンを転写する。その後，不要になったレジスト膜を除去する工程があり，一般的には次の二つの方法が採用されている。一つは，剥離液を使用して不要になったレジスト膜を直接除去する方法であり，もう一つは，酸素プラズマ等によりレジストを灰化除去した後，レジストやその残さ物を剥離液を用いて除去する方法である。いずれの方法であっても，生産工程において剥離液は，ディップ法，スプレー法などの方法でレジスト除去に用いられている。
【０００３】従来これらの剥離液として，アルキルベンゼンスルホン酸にフェノール系化合物や塩素系溶剤を配合した酸系剥離液や水溶性有機アミンと極性溶剤とからなるアルカリ性剥離液が使用されている。アルカリ性剥離液の中でも比較的アルカリ性の強いものは，前述のいずれの方法にも使用できるものが多く，種々のアルカリ性剥離液が提案されている。このような剥離液として，特にヒドロキシルアミンを含有する剥離液が，きわめて剥離力にすぐれた剥離液として知られ広く用いられている（特開平７-３２５４０４号公報，特開平４-２８９８６６号公報など）。
【０００４】ところで，剥離液として用いるヒドロキシルアミンは，通常，塩などを形成していない遊離のヒドロキシルアミン（以下，単にヒドロキシルアミンという）を用いている。こうした剥離液中のヒドロキシルアミンは希釈されているため安定であるが，高濃度のヒドロキシルアミンは極めて不安定な化合物である。剥離液に使用されるヒドロキシルアミンは高純度のものであり，ヒドロキシルアミンを高純度で得る工程や剥離液を調整する工程などに危険が伴う。実際，ヒドロキシルアミンによる爆発事故は各国で生じており，安全性と供給安定性の観点から，ヒドロキシルアミンを用いない強力な剥離性能を有する剥離液の開発が求められていた。」
　イ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かかる従来技術のもと，本発明者らは，安全に製造することのできる新規なレジスト剥離液を得るべく鋭意検討した結果，ヒドロキシルアミンの代わりにヒドロキシルアミン硫酸塩を用いるとこの目的を達成できることを見いだし本発明を完成するに至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれば，ヒドロキシルアミン硫酸塩とアルカノールアミン類と水とを配合してなるレジスト用剥離液が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の剥離液は，ヒドロキシルアミン硫酸塩とアルカノールアミン類と水とを配合することにより得られる。本発明に使用するヒドロキシルアミン硫酸塩は，合成ゴム製造，油脂精製，染色，写真，等，幅広い産業分野で使用されているもので，容易に入手することができる。
【０００８】本発明に使用するアルカノールアミン化合物としては，例えば，モノエタノールアミン，ジエタノールアミン，トリエタノールアミンなどのエタノールアミン類；モノプロパノールアミン，ジプロパノールアミン，トリプロパノールアミン，イソプロパノールアミン，ジイソプロパノールアミンなどのプロパノールアミン類；Ｎ-メチルエタノールアミン，Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン，Ｎ−エチルエタノールアミン，Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミンなどのＮ−置換エタノールアミン類，Ｎ−メチルプロパノールアミン，Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパノールアミン，Ｎ，Ｎ−ジエチルプロパノールアミン，２−（２−アミノエトキシ）エタノール，２−（２−アミノエトキシ）プロパノール，２−アミノ−１−プロパノール，１−アミノ−２−プロパノールなどのＮ−置換プロパノールアミン類；等が挙げられる。これらの化合物は１種でも，２種以上を組み合わせて用いても良い。上記化合物の中でも，剥離性の観点からエタノールアミン類やＮ−置換エタノールアミン類が好ましく，とりわけモノエタノールアミン，トリエタノールアミン，およびＮ−メチルエタノールアミンが好適である。
【０００９】本発明の剥離液は，上述した各成分を混合して調製されるが，剥離性向上などを目的として，芳香族ヒドロキシ化合物，トリアゾール化合物などから選ばれる化合物を１種，あるいは２種以上を組み合わせて添加することができる。芳香族ヒドロキシ化合物としては，カテコール，ピロガロール，アントラニール酸，没食子酸等が挙げられる。」
　ウ　「【００１２】本発明の剥離液の調整方法は，上述した各成分を混合して調製される。混合する順序は，特に制限されず，例えば，[1]ヒドロキシルアミン硫酸塩とアルカノールアミン類とを混合した後，水を加える方法，[2]アルカノールアミン類と水とを混合した後ヒドロキシルアミン硫酸塩を加える方法，[3]ヒドロキシルアミン硫酸塩とアルカノールアミン類と水とを同時に混合容器に投入する方法などが例示される。又，本発明においては，必要に応じて極性溶剤を添加することができる。極性溶剤の具体例としては，ホルムアミド，ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルホルムアミドなどのホルムアミド類，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，Ｎ−メチルアセトアミド，Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアセトアミド類，Ｎ−メチル−２−ピロリジノン，Ｎ−エチル−２−ピロリジノンなどのピロリジン類，ジメチルイミダゾリジンなどのイミダゾリジン類，ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類が挙げられる。これらの化合物は１種でも，２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１３】本発明の剥離液１００重量部中，各成分の配合量は，ヒドロキシルアミン硫酸塩が２〜３５重量部，好ましくは１０〜３５重量部，水が２〜４０重量部，好ましくは５〜３０重量部，アルカノールアミン類が２〜９０重量部，好ましくは１０〜７５重量部である。極性溶剤が使用される場合には，極性溶剤は通常３０〜９５重量部，好ましくは４０〜９０重量部で使用される。また芳香族ヒドロキシ化合物およびトリアゾール化合物を用いる場合は，それぞれ，０．１〜１０重量部，好ましくは０．５〜１０重量部で配合される。また，ヒドロキシルアミン硫酸塩は，ヒドロキシルアミンと組み合わせて用いてもよい。」
（当合議体注：丸数字の１〜３を，[1]〜[3]で置き換えて表記した。）
　エ　「【００１５】例えば，次のような工程に本発明の剥離液を用いることができる。シリコンウエハのような基板上に，アルミニウムなどの金属をＣＶＤなどの方法により金属層を形成させ，次いで金属層の上に酸化ケイ素などの酸化膜を形成させた金属配線用基板を得る。この基板の酸化膜上にレジストを塗布し，乾燥してレジスト膜を形成させた後，ｇ線，ｉ線，遠紫外線などの活性放射線を用いてレジスト膜にパターンの潜像を形成させる。潜像は現像液により現像することで顕像化し，このパターンをマスクとして酸化膜をフッ素系エッチングガス，プラズマ等によりドライ・エッチングする。その後，レジストの残る基板を本発明の剥離液と接触させて，直接レジストを除去するか，あるいは，常法に従ってレジストを灰化させ，レジストの一部を除去した後，本発明の剥離液に基板を接触させレジストやその残さ物を除去する。」
　オ　「【００１７】
【実施例】以下，実施例を用いて，本発明を具体的に説明するが，本発明の内容がこれらに限定されるものではない。
（実施例１〜８）シリコンウエハ上にアルミニウム，酸化膜を順次成膜し，その酸化膜上に市販のポジ型レジスト組成物を塗布，乾燥してレジスト膜を形成した後，ビア・ホール パターンを転写し，これをマスクとして酸化膜をエッチングし除去した。続いてアッシングすることによりレジスト膜を８０％以上除去し，無機−有機質が混在する残さ物が残存しているウエハを得た。またアルミニウム膜上にポジ型レジストを塗布し，以下上記と同様に処理することによって，ライン・アンド・スペースのパターンのウエハを得た。次に液温６５℃に保持した表１に示す組成を有する剥離液中に，このウエハを浸漬した後，超純水で洗浄の後，スピン乾燥を行った。処理後のウエハはＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて観察し，残存するレジスト膜やエッチング残さ物の有無から剥離性を確認し，またエッチングにより出てきたアルミニウムの腐食の度合いを確認した。すべての実験において，アルミニウムの腐食は認められなかった。剥離性の判断基準は以下の通りである。得られた結果を表１に示す。
【００１８】（１）剥離性
◎：１０分以下で剥離する
○：１０〜２０分で剥離する
×：２０分以上経過しても剥離できない
（２）腐食抑制効果
◎：全く腐食なし
○：銅表面が若干劣化しているが，腐食のレベルではない。
△：一部腐食あり
×：激しく腐食，もしくは完全に溶解
【００１９】
【表１】
」
　カ　「【００２３】以上の結果から，安全に製造することのできる本発明の剥離液を用いることによって，フリーヒドロキシルアミンを用いて調製した場合と同等の性能でエッチング工程やアッシング工程に曝され変質したフォトレジストやその残さ物を十分に剥離できることが判った。また半導体製造上好ましくない，硫酸イオン（ＳＯ４２−）による汚染の心配もないことが判った。」
　２　甲１発明Ａに基づく容易推考
　(1) 対比
　ア　有機アンモニウム化合物
　甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，「１２％の塩基」を含む。また，訂正後発明１の「有機アンモニウム化合物」は，その構造からみて「塩基」である。
　したがって，甲１発明Ａの「塩基」と訂正後発明１の「有機アンモニウム化合物」は，「塩基」の点で共通する。
　イ　オキソアンモニウム化合物
　甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，「５％のヒドロキシルアミン」を含む。また，「ヒドロキシルアミン」は，その構造からみて「アンモニウム化合物」である。
　したがって，甲１発明Ａの「ヒドロキシルアミン」と訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」は，「アンモニウム化合物」の点で共通する。
　ウ　水
　甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，「３８％の水」を含む。
　したがって，甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，訂正後発明１の「組成物」の，「水」「を含み」の要件を満たす。
　エ　組成物
　甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，化合物の混合溶液であるから，「組成物」といえる。
　したがって，甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，訂正後発明１の「組成物」に相当する。
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　訂正後発明１と甲１発明Ａは，次の構成で一致する。
「　組成物であって，前記組成物が，
　塩基と，
　アンモニウム化合物と，
　水とを含む，
組成物。」
　イ　相違点
　訂正後発明１と甲１発明Ａは，以下の点で相違する。
（相違点１）
　訂正後発明１の「塩基」は，「下記構造：
【化１】
（式中：
　Ｘは，ヒドロキシドであり，
　Ｒ１は，メチルであり，かつ
　Ｒ２，Ｒ３，及びＲ４は，独立にメチル，エチル，ヒドロキシメチル又はヒドロキシエチルである）
を有する０．４質量％〜３０質量％の」有機アンモニウム化合物であるのに対して，甲１発明Ａの「塩基」は，これが明らかではない点。
（相違点２）
　訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」は，「下記構造：
【化２】
（式中：
　Ｘは，サルフェートであり，
　Ｒ５は，水素であり，かつ
　Ｒ６及びＲ７は，水素である）
を有する０．１質量％〜５質量％のオキソアンモニウム化合物」であるのに対して，甲１発明Ａの「ヒドロキシルアミン」は，訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」に該当する化合物ではない点。
（相違点３）
　訂正後発明１の「組成物」は，「組成物のｐＨが７より高く」なっているのに対して，甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，これが明らかではない点。
（相違点４）
　訂正後発明１の「組成物」は，「上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための」組成物であって，「前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」組成物であるのに対して，甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，一応，これが明らかではない点。
　なお，被請求人は，被請求人上申書２において，相違点１〜３は相互に関連すると主張する（２１頁下から１行〜２２頁４行）。しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明の記載に基づくと，有機アンモニウム化合物とオキソアンモニウム化合物は，多様な選択肢から各々選択可能なものにすぎず，ｐＨはその結果にすぎない。
　(3) 判断
　ア　相違点１〜相違点３について
　(ア)　有機アンモニウム化合物の選択について
　甲１の段落【００４１】には，「塩基は，モルフォリン，ＭＥＡ，ジエタノールアミン，ジグリコールアミン，炭酸水素コリン，水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)，又は水酸化コリンから成る。」及び「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基を有する２％〜１２％のヒドロキシルアミンから構成される化学品は，露出された有機物質を有する無機基板上の強靱なレジストを除去するのに使用できる。この化学品は，銅と有機物質の両方と適合する。」と記載されている。
　ここで，上記列挙された塩基のうち，「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基」に該当する塩基は，「水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)」及び「水酸化コリン」であるところ，これら化合物は，訂正後発明１の「有機アンモニウム化合物」の構造の要件を満たす。
　甲１発明Ａの「塩基」として，「水酸化コリン」又は「水酸化テトラメチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)」を採用し，相違点１に係る構成を採用することは，甲１の示唆にしたがう当業者が行う事項にすぎない。
　(イ)オキソアンモニウム化合物の選択について
　[A]甲１発明Ａの段落【００３９】及び【００４１】には，それぞれ，「少量の塩基溶液中ヒドロキシルアミンを添加すると，溶液の銅との適合性を維持しながら除去効率が高まる。」及び「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基を有する２％〜１２％のヒドロキシルアミンから構成される化学品は，露出された有機物質を有する無機基板上の強靱なレジストを除去するのに使用できる。この化学品は，銅と有機物質の両方と適合する。」と記載されている。また，[B]甲１の請求項１７及び段落【００１５】には，それぞれ，「前記組成物が，さらにヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む」及び「本組成物は，任意にヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。存在する場合，該組成物は，望ましくは約２〜約１２質量％のヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。」と記載されている。さらに，[C]甲１の段落【００１７】には，「ヒドロキシルアミン化学品を含む，いくつかの溶媒は，銅との高度の不適合性を示す。Ｃｕのヒドロキシルアミン含有化学品との不適合性は，ほとんど次の２つの要因：ヒドロキシルアミンの公知の還元剤としての強さ，及び効率的に金属イオンと錯化かつ可溶化する傾向（アミン溶媒及び他のキレート剤と共に）の結果と考えられる。…重要なことは，未変性Ｃｕを溶液中に引き出す熱力学的な原動力を妨げながら，酸化されたＣｕ残留物を解離可能な化学を設計することであり；これは，使用するイオン媒体を注意深く変更することによって達成される。」と記載されている。
　これら甲１の記載からは，[A]塩基溶液中にヒドロキシルアミンを少量添加すると，レジストの除去効率が高まること，[B]「ヒドロキシルアミン」と「ヒドロキシルアミン塩」は，「又は」の関係にある置換物であること，[C]ヒドロキシルアミン化学品を含む溶媒は銅との不適合性を示すため，未変性の銅の溶出を防止しかつ酸化された銅残留物を解離可能なように，使用するイオン媒体を注意深く変更することが重要であること，が理解できる。
　そうしてみると，甲１に接した当業者において，甲１発明Ａの「ヒドロキシルアミン」を，[C]銅との不適合とならない[A]少量添加の範囲内で[B]ヒドロキシルアミン塩に置換することは，甲１が示唆する「化学を設計すること」にすぎない。
　ここで，甲１には，「ヒドロキシルアミン塩」の具体例は開示されていないけれども，「ヒドロキシルアミン塩」として，ヒドロキシルアミン硫酸塩は例示するまでもない周知のものであり，しかも，「ヒドロキシルアミン」を「ヒドロキシルアミン硫酸塩」に置換可能であることも，当業者に既に知られている（甲２の段落【０００５】等。）。また，甲１発明Ａの「ヒドロキシルアミン」を，[C]銅との不適合とならない[A]少量添加の範囲内（後記(ウ)の化学の設計の範囲内）で[B]ヒドロキシルアミン硫酸塩に置換しても，そのｐＨが７より高くなることは，技術的にみて明らかである（「ヒドロキシルアミン硫酸塩」と「ヒドロキシルアミンサルフェート」は同一の化合物であり，訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」の構造の要件を満たす。）。少なくとも，銅との不適合の程度と除去効率との兼ね合いを考慮した結果として，ｐＨを７より高くすることは，当業者における通常の試行錯誤による化学の設計の範囲内の事項にすぎない。
　(ウ)分量について
　前記(ア)及び(イ)にしたがって溶液を調製するに際し，当業者は試行錯誤により化合物の分量を調整すると考えられる。また，調整に際して参考にする，とりあえずの分量は，甲１発明Ａの分量，すなわち，甲１発明Ａの溶液Ｆ４の分量である。
　そうしてみると，甲１発明Ａの塩基としてコリンヒドロキシド又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを選択したときの分量を，少なくとも１２質量％を含む範囲で変化させ，また，甲１発明Ａのヒドロキシルアミンをヒドロキシルアミンサルフェートに置き換えたときの分量を，少なくとも５質量％を含む少量添加の範囲で変化させてなる種々の分量の組み合わせの組成物を調製することは，当業者における通常の試行錯誤による化学の設計の範囲内の事項にすぎない。
　イ　相違点４について
　甲１の段落【０００１】には，「本発明は，一般的に金属相互接続を組み込んだ半導体デバイスの製造に関する。さらに詳細には，本発明は，好ましくはダマシン／デュアルダマシン構造を組み込む銅冶金によるような，相互接続レベルにおけるエッチング後残留物を洗浄する組成物及び方法に関する。」と記載されている。また，甲１発明Ａにおいて，上記イで述べたように塩基が選択されて，「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基を有する２％〜１２％のヒドロキシルアミンから構成される化学品は，露出された有機物質を有する無機基板上の強靱なレジストを除去するのに使用できる。この化学品は，銅と有機物質の両方と適合する。」（段落【００４１】）。
　そうしてみると，甲１発明Ａにおいて，当業者が，上記アで述べたように試行錯誤して得られた組成物は，訂正後発明１の「組成物」の，「上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための」及び「前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」の要件を満たす組成物になるといえる。
　したがって，相違点４は，上記アで述べた容易推考に伴い自ずともたらされる事項にすぎない。
　(4) 効果について
　訂正後発明１の効果に関して，本件特許の発明の詳細な説明の段落【０００１】には，「本実施態様は，下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄するための組成物と方法に関する。」と記載されている。
　しかしながら，前記(3)アで述べたとおりであるから，訂正後発明１の効果は，甲１の示唆にしたがう当業者が期待する効果にすぎない。
　(5) 被請求人の主張について
　被請求人は，被請求人上申書２において，甲２が開示する技術思想に鑑みれば，アルカノールアミン類との組み合わせを捨象して，ヒドロキシルアミンサルフェートに関する言及部分のみを取り出して甲１発明Ａと組み合わせることはできないと主張している（２７頁４〜８行）。
　しかしながら，甲１には，甲１記載の組成物を前提として，「ヒドロキシルアミン」と「ヒドロキシルアミン塩」が「又は」の関係にある置換物であることが記載されている。そうしてみると，甲１発明Ａの「ヒドロキシルアミン」を「ヒドロキシルアミン塩」に置換するに際し，甲２に記載の「ヒドロキシルアミン硫酸塩」は参考になるとしても，他の化合物まで参考にする必要はない。また，甲２には，安全（防爆）を目的として「ヒドロキシルアミン」を「ヒドロキシルアミン硫酸塩」に置換したレジスト剥離液の技術が記載されている。安全（防爆）を目的とした置換において，甲２記載のレジスト剥離液に含まれる他の化合物を考慮する必要もない。
　被請求人は，被請求人上申書２において，甲２３（実験成績証明書）の表によると，５％のヒドロキシルアミンを２．５〜６．２％のヒドロキシルアミンサルフェートに置換し，塩基としてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを採用した場合にはｐＨが１４を越えるから，当業者はｐＨを調整する必要性を認識し，当業者がｐＨを調整する際には，技術常識（特に，乙３）にしたがい酸性側を選択するのが「化学の設計」として合理的であり，敢えてｐＨを７より高くするアルカリ性側を選択する動機付けがないと主張している（２７頁下から３行〜２８頁５行）。
（当合議体注：甲２３の表は，以下の表である。）
　確かに，被請求人が技術常識として挙げる乙３に記載された実施例３及び実施例４の組成物のｐＨは，乙１１（実験報告書）の表によると，それぞれ，４．６及び４．２である。
（当合議体注：乙１１の表は，以下の表である。）
　しかしながら，実施例３及び実施例４に含まれるヒドロキシルアミンサルフェートの分量（０．２１質量％及び２０．５質量％）は，甲１の段落【００４１】に記載されたヒドロキシルアミンの分量の数値範囲（２％〜１２％）から大きく逸脱した分量である。また，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの分量（０．０１質量％及び０．２３質量％）も，甲１の【請求項２】に記載された分量の数値範囲（約１０質量％〜約５０質量％）から大きく逸脱した分量である。
　当業者ならば，化合物の組み合わせや分量を種々変えて，乙２，乙８及び甲２４に示されるような損傷実験やレジスト剥離実験を，いくらでも行うことができる。しかしながら，仮に網羅的に実験を行うとしても，甲１に記載された望ましい数値範囲の約１／１０と約１／１００の組み合わせ（乙３の実施例３）や，約１．７倍と約１／４０の組み合わせ（乙３の実施例４）といった数値範囲にある乙３を参考にしてまで実験を行うとは考えがたい。
　なお，甲１に記載された組成物は，塩基を主成分として設計された組成物である。これに対して，乙３に記載された組成物は，ヒドロキシルアミンサルフェート（ヒドロキシルアンモニウム化合物）を主成分として設計された組成物である。両者は，主成分に対する設計思想が異なるものであり，相容れない発明と解するのが相当である。
　(6) 訂正後発明１についてのまとめ
　訂正後発明１は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　(7) 訂正後発明２〜訂正後発明９について
　ア　訂正後発明２について
　甲１発明Ａの「溶液Ｆ４」は，「４５％の溶媒」を含むところ，甲１の段落【００４１】に列挙された溶媒（ジメチルアセトアミド(ＤＭＡｃ)，ＤＭＳＯ，プロピレングリコール(ＰＧ)，ジプロピレングリコールモノメチルエーテル(ＤＰＭ)，Ｎ−メチルピロリドン(ＮＭＰ)，又はシクロヘキシルピロリドン(ＣＨＰ)）は，いずれも，「水と混和性の有機極性溶媒」である。
　「水と混和性の有機極性溶媒をさらに含む」という構成は，甲１発明Ａも具備する構成にすぎない。
　その余は，訂正後発明１と同様である。
　したがって，訂正後発明２は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　イ　訂正後発明３について
　訂正後発明２と同様である。
　あるいは，当業者において，訂正後発明３の選択肢のものは例示するまでもない周知の溶媒である。
　その余は，訂正後発明１及び２と同様である。
　したがって，訂正後発明３は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　ウ　訂正後発明４について
　当業者が，甲１発明Ａを出発点として，前記(3)ア(ウ)で述べたような試行錯誤を行うに際しては，甲１発明Ａの塩基としてコリンヒドロキシド又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを選択したときの分量を，少なくとも１２質量％を含む範囲で変化させ，また，甲１発明Ａのヒドロキシルアミンをヒドロキシルアミンサルフェートに置き換えたときの分量を，少なくとも５質量％を含む範囲で変化させてなる種々の分量の組み合わせの組成物を調製すると考えられる。
　そうしてみると，当業者が，コリンヒドロキシド又はテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの分量が１質量％〜１０質量％の範囲内で，かつ，ヒドロキシルアミンサルフェートの分量が０．４質量％〜３質量％の範囲内である組成物を調製することは，当業者における通常の試行錯誤による化学の設計の範囲内の事項にすぎない。
　なお，被請求人は，被請求人上申書２において，甲１発明Ａに基づいて，有機アンモニウム化合物の量を１質量％〜１０質量％の範囲内にまで減らすこと，及びオキソアンモニウム化合物の量を０．４質量％〜３質量％の範囲内にまで減らすことはないと主張する（２９頁下から５行〜３２頁１５行）。
　しかしながら，甲１の段落【００４１】には，「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基を有する２％〜１２％のヒドロキシルアミンから構成される化学品は，露出された有機物質を有する無機基板上の強靱なレジストを除去するのに使用できる。」と記載されている。したがって，当業者ならば，少なくとも２％までは試行錯誤すると考えられる。また，甲１の段落【００４１】には，塩基の分量の下限値は規定されておらず，甲１の【請求項１】においても規定されていない。ただし，甲１の【請求項２】には，塩基（コリン化合物）の下限値として約１０質量％が規定されている。したがって，当業者ならば，少なくとも１０質量％までは試行錯誤すると考えられる。あるいは，甲１の表５には，銅に対して適合し，また，ＳｉＬＫに対して不完全であった溶液Ｆ６が記載されているが，本件優先日を基準とする当業者ならば，ダマシン又はデュアルダマシン構造において採用されうる誘電物質として，実用上，ＳｉＬＫのような有機膜とは異なるものも想定する。したがって，当業者ならば，５％までは試行錯誤すると考えられる。さらにまた，甲１の表５の試験結果は，強靱なレジストのストリッピングを前提としたものであるが，残留物除去を目的とする程度ならば，少なくとも塩基濃度については１０質量％を下回る範囲で十分と考えられる（例えば，段落【００４４】に記載の組成物Ｄ４〜Ｄ９の水酸化コリン濃度は，１．１９％〜４．６０％である。）。
　そうしてみると，訂正後請求項４に記載された数値範囲の要件を満たす組成物についても，当業者は調製するといえる。
　その余は，訂正後発明１と同様である。
　したがって，訂正後発明４は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　エ　訂正後発明５について
　有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる点については，前記(3)ア(ア)と同様である。
　分量については，前記ウと同様である。
　なお，甲１には，コリン化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである組成物の実施例は記載されていない（段落【００４１】に記載された「四級アンモニウムヒドロキシド化合物のような強塩基」の選択肢（２つ）の一方である。）。しかしながら，本件特許の発明の詳細な説明にも，有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである組成物の実施例は記載されていない（段落【００２４】〜【００２９】に列挙された幾多の化合物の１つでしかない。なお，段落【００８１】記載の「ＴＭＡＨ」は現像液であり，訂正後発明の組成物に該当するものではない。）。
　前記「第４」で述べたとおり，当合議体は，訂正後発明５のような組成物が，特許法３６条４項１号及び同法同条６項に規定する要件を満たすとは考えていない。ただし，発明の詳細な説明の記載に実施例の記載がない範囲であって，かつ，多数列挙された選択肢やｐＨの範囲を事後的に組み合わせてなるような組成物についてまでも，発明の詳細な説明に記載したものでありかつ実施をすることができるという程度に当業者の技術水準を設定する（当業者が幅広に試行錯誤する前提で考える）ならば，甲１には，コリン化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドである組成物が優に記載されているに等しいと考える（この点は，訂正後発明６についても，同様である。）。少なくとも，甲１の場合には，２つのうちの一方の選択肢にすぎない。
　したがって，訂正後発明５は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　オ　訂正後発明６について
　甲１発明Ａが対象とする回路の素材は，銅である。
　ｐＨ調整剤は，周知慣用技術にすぎない（必要ならば，甲３２の１の段落【００３１】，甲３２の２の【００２８】，甲３２の３の段落【０１００】，甲３２の４の【請求項３】を参照。）。また，ｐＨは，当業者の試行錯誤によるｐＨ調製の結果にすぎない。
　有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる点については，前記(3)ア(ア)と同様である。
　分量については，前記ウと同様である。
　なお，甲１の段落【０００１】及び【０００２】には，それぞれ，「本発明は，一般的に金属相互接続を組み込んだ半導体デバイスの製造に関する。さらに詳細には，本発明は，好ましくはダマシン／デュアルダマシン構造を組み込む銅冶金によるような，相互接続レベルにおけるエッチング後残留物を洗浄する組成物及び方法に関する。さらに，本発明は，アルミニウム，又は誤配列タングステンプラグとのアルミニウム合金相互接続のような他のエッチング後残留物洗浄用途の組成物に関する。」及び「図１及び図２は，この場合に使用する典型的な構造を示す。銅及び最終的にはアルミニウムを組み込むために，パターンを誘電体(２)を介してフォトレジスト(３)から移動させる。」と記載されている。甲１全体の記載や甲１発明Ａは，回路の素材が銅であることを念頭にしたものであるが，甲１の段落【０００１】及び【０００２】の記載内容，及び当業者が幅広に試行錯誤する前提で考えるならば，当業者は，甲１発明Ａの組成物の用途を，回路の素材がアルミニウムの場合についても検討するといえる。
　したがって，訂正後発明６は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　カ　訂正後発明７について
　訂正後発明６と同様である。
　したがって，訂正後発明７は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　キ　訂正後発明８について
　フォトレジスト等を除去する際の温度及び時間として，通常の範囲内のものにすぎない。例えば，甲１の段落【００３８】の表４においても，６５℃，１５分との値が示されている。
　その余は，訂正後発明１〜訂正後発明７と同様である。
　したがって，訂正後発明８は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　ク　訂正後発明９について
　訂正後発明８と同様である。
　したがって，訂正後発明９は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　(8) 小括
　訂正後発明１〜訂正後発明９は，甲１発明Ａ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，本件特許１〜本件特許９は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
　３　甲１発明Ｂに基づく容易推考
　(1) 対比
　ア　有機アンモニウム化合物
　甲１発明Ｂの「組成物」は，「コリン化合物」を含む。また，甲１発明Ｂでいう「コリン化合物」について，甲１の段落【００１３】には，「本発明の組成物及び方法において，コリン化合物は，水酸化コリン，炭酸水素コリン又は塩化コリンのような水酸化物又は塩の形態でありうる。ここで，用語「コリン化合物」は，水酸化テトラエチルアンモニウム(ＴＭＡＨ)，水酸化テトラブチルアンモニウム(ＴＢＡＭ)，それらの塩等のような関連する四級アンモニウム化合物をも包含する。」と記載されている。
　したがって，甲１発明Ｂの「コリン化合物」と訂正後発明１の「有機アンモニウム化合物」は「有機アンモニウム化合物」の点で共通する。
　イ　オキソアンモニウム化合物
　甲１発明Ｂの「組成物」は，「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」を含む。また，「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」は，いずれも，「アンモニウム化合物」である。
　したがって，甲１発明Ｂの「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」と訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」は，「アンモニウム化合物」の点で共通する。
　ウ　水
　甲１発明Ｂの「組成物」は「水」を含む。
　したがって，甲１発明Ｂの「組成物」は，訂正後発明１の「組成物」の，「水」「を含み」の要件を満たす。
　エ　組成物
　甲１発明Ｂの「組成物」は，化合物の混合溶液であるから，「組成物」といえる。
　したがって，甲１発明Ｂの「組成物」は，訂正後発明１の「組成物」に相当する。
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　訂正後発明１と甲１発明Ｂは，次の構成で一致する。
「　組成物であって，前記組成物が，
　有機アンモニウム化合物と，
　アンモニウム化合物と，
　水とを含む，
組成物。」
　イ　相違点
　訂正後発明１と甲１発明Ｂは，以下の点で相違する。
（相違点１）
　訂正後発明１の「有機アンモニウム化合物」は，「下記構造：
【化１】
（式中：
　Ｘは，ヒドロキシドであり，
　Ｒ１は，メチルであり，かつ
　Ｒ２，Ｒ３，及びＲ４は，独立にメチル，エチル，ヒドロキシメチル又はヒドロキシエチルである）
を有する０．４質量％〜３０質量％の」有機アンモニウム化合物であるのに対して，甲１発明Ｂの「コリン化合物」は，この構造に限られない点。
（相違点２）
　訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」は，「下記構造：
【化２】
（式中：
　Ｘは，サルフェートであり，
　Ｒ５は，水素であり，かつ
　Ｒ６及びＲ７は，水素である）
を有する０．１質量％〜５質量％のオキソアンモニウム化合物」であるのに対して，甲１発明Ｂの「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」のうち，「ヒドロキシルアミン」は，訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」に該当する化合物ではなく，また，「ヒドロキシルアミン塩」は，訂正後発明１の「オキソアンモニウム化合物」の構造に限られない点。
（相違点３）
　訂正後発明１の「組成物」は，「組成物のｐＨが７より高く」なっているのに対して，甲１発明Ｂの「組成物」は，これが明らかではない点。
（相違点４）
　訂正後発明１の「組成物」は，「上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための」組成物であって，「前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」組成物であるのに対して，甲１発明Ｂの「組成物」は，一応，これが明らかではない点。
　(3) 判断
　ア　相違点１〜相違点３について
　甲１発明Ｂの具体的実施例のコリン化合物は，水酸化コリンである。また，甲１の段落【００１３】，【００２０】及び【００４１】には，テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが記載されている。
　そうしてみると，甲１発明Ｂの「コリン化合物」として，水酸化コリンやテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを選択することは，甲１の記載にしたがう当業者が当然行う事項にすぎない。
　甲１発明Ｂの組成物は「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」を含むところ，「ヒドロキシルアミン塩」として，ヒドロキシルアミン硫酸塩は例示するまでもない周知のものであり，しかも，「ヒドロキシルアミン」を「ヒドロキシルアミン硫酸塩」に置換可能であることも，当業者に既に知られている（甲２の段落【０００５】等。）。
　また，甲１の段落【００１５】及び【００１９】には，それぞれ，「本組成物は，任意にヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。存在する場合，該組成物は，望ましくは約２〜約１２質量％のヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。」及び「コリン濃度が２０％に達する場合に洗浄効率が高まることがわかる。」と記載されている。
　そうしてみると，甲１発明Ｂの「ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩」として「ヒドロキシルアミン硫酸塩」を選択するとともに，甲１発明Ｂの組成物の分量及びｐＨを訂正後発明１の数値範囲内のものとすることは，甲１の記載にしたがう当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　イ　相違点４について
　甲１の段落【０００１】には，「本発明は，一般的に金属相互接続を組み込んだ半導体デバイスの製造に関する。さらに詳細には，本発明は，好ましくはダマシン／デュアルダマシン構造を組み込む銅冶金によるような，相互接続レベルにおけるエッチング後残留物を洗浄する組成物及び方法に関する。」と記載されている。加えて，甲１の「１．銅を組み込んだダマシン型構造の洗浄」（【００１８】から【００２１】）の記載内容からみて，甲１発明Ｂの「組成物」は，洗浄効率（洗浄効率が高いこと）と銅腐食（銅の腐食を抑制すること）の両立を図ったものといえる。
　そうしてみると，引用発明Ｂの「組成物」は，「上に回路又は回路の一部が存在する，集積回路基板から，ウェーハレベルパッケージング基板から，又はプリント基板から，ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去するための」組成物であって，「前記基板と関係がある回路，又はその一部の動作性を維持しながら，前記基板から，前記ポリマー，エッチング残渣，アッシング残渣，又はそれらの組合せを除去することができる」組成物である。
　したがって，相違点４は，相違点ではない。
　(4) 効果について
　訂正後発明１の効果に関して，本件特許の発明の詳細な説明の段落【０００１】には，「本実施態様は，下層にある基板又は材料を傷つけずに，ポリマーを除去し，エッチング/アッシング残渣を洗浄するための組成物と方法に関する。」と記載されている。
　しかしながら，前記(3)ウで述べたとおりであるから，訂正後発明１の効果は，甲１の示唆にしたがう当業者が期待する効果にすぎない。
　(5) 訂正後発明１についてのまとめ
　訂正後発明１は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　(6) 訂正後発明２〜訂正後発明９について
　ア　訂正後発明２について
　甲１の段落【００１３】には，「組成物中の本方法の実施のために好適な有機溶媒としては，ジメチルスルホキシド，エチレングリコール，エチレングリコールアルキルエーテル，ジエチレングリコールアルキルエーテル，トリエチレングリコールアルキルエーテル，プロピレングリコール，プロピレングリコールアルキルエーテル，Ｎ−置換ピロリドン，エチレンジアミン及びエチレントリアミンのような極性溶媒が挙げられる。さらに，技術的に公知の極性溶媒も本発明の組成物に使用することができる。」と記載されている。
　「水と混和性の有機極性溶媒をさらに含む」という構成は，甲１発明Ｂも具備する構成にすぎない。
　その余は，訂正後発明１と同様である。
　したがって，訂正後発明２は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　イ　訂正後発明３について
　訂正後発明２と同様である。
　あるいは，当業者において，訂正後発明３の選択肢のものは例示するまでもない周知の溶媒である。
　その余は，訂正後発明１及び２と同様である。
　したがって，訂正後発明３は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　ウ　訂正後発明４について
　甲１の段落【００１５】には，「本組成物は，任意にヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。存在する場合，該組成物は，望ましくは約２〜約１２質量％のヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアミン塩を含む。」と記載されている。また，甲１の段落【００１９】には，「コリン濃度が２０％に達する場合に洗浄効率が高まることがわかる。」と記載されているが，甲１の【請求項２】には，コリン化合物の下限値として約１０質量％が規定されているから，当業者ならば，コリン化合物の分量が１０％前後の組成物を調製することができる。あるいは，残留物除去を目的とする程度ならば，１０質量％を下回る組成物も調製することができる（例えば，段落【００４４】に記載の組成物Ｄ４〜Ｄ９の水酸化コリン濃度は，１．１９％〜４．６０％である。【請求項１】においても，分量は規定されていない。）。
　その余は，訂正後発明１と同様である。
　したがって，訂正後発明４は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　エ　訂正後発明５について
　有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる点については，前記(3)アと同様である。
　分量については，前記ウと同様である。
　したがって，訂正後発明５は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　オ　訂正後発明６について
　回路の素材については，前記２(7)オと同様である。
　ｐＨ調整剤は，周知慣用技術にすぎない。ｐＨは，ｐＨ調製の結果にすぎない。
　有機アンモニウム化合物がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドからなる点については，前記(3)アと同様である。
　分量については，前記ウと同様である。
　したがって，訂正後発明６は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　カ　訂正後発明７について
　訂正後発明６と同様である。
　したがって，訂正後発明７は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　キ　訂正後発明８について
　フォトレジスト等を除去する際の温度及び時間として，通常の範囲内のものにすぎない。例えば，甲１の段落【００１８】においても，「５０℃１０分間」との値が示されている。
　その余は，訂正後発明１〜訂正後発明７と同様である。
　したがって，訂正後発明８は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　ク　訂正後発明９について
　訂正後発明８と同様である。
　したがって，訂正後発明９は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　(7) 小括
　訂正後発明１〜訂正後発明９は，甲１発明Ｂ及び甲２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，本件特許１〜本件特許９は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。
第６　無効理由２（甲１２に基づく進歩性）について
　１　甲１２及び乙１３の記載内容
　(1) 甲１２の記載内容
　甲１２には，以下の事項が記載されている。
　ア　Claim 1
「1. A cleaning method for removing photoresist and plasma etch residues from a substrate comprising the steps of:
(i) contacting said substrate with an aqueous based cleaning composition having a pH of from about 2 to about 6, wherein said cleaning composition comprises:
(a) water;
(b) at least one basic compound selected from the group consisting of amines or quaternary ammonium hydroxides; and
(c) at least one acidic hydroxylammonium compound; and
(ii) rinsing said substrate with ozonated water.」
（訳文：「１．　基板からフォトレジスト及びプラズマエッチング残渣を除去するための洗浄方法であって，
(i) 約２から約６のｐＨである水溶性洗浄組成物を前記基板に接触させる工程であって，前記洗浄組成物は，
(a) 水,
(b) アミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物，及び
(c) 酸性ヒドロキシルアンモニウム化合物，を含む工程と，
(ii) オゾン水によって前記基板をリンスする工程と，を含む，洗浄方法。」）
　イ　３欄４５〜５３行
「DETAILED DESCRIPTION OF A PREFERRED EMBODIMENT
In the first step of the method of the present invention, the substrate is contacted with an aqueous-based cleaning composition having a substantially neutral or slightly acidic pH. One particularly suitable cleaning composition is Microstrip 5002, commercially available from Olin Microelectronic Materials.」
（訳文：好ましい態様の詳細な説明
　本発明の方法では，実質的に中性又はわずかに酸性のｐＨ値である水溶性洗浄組成物を基板に接触させる。特に好適な洗浄組成物の一例は，商品名「Microstrip 5002」であり，これは，「Olin Microelectronic Materials」社より入手可能である。）
　ウ　５欄３７〜４２行
「Because the preferred cleaning composition is a non-corrosive and neutral to weakly acidic aqueous solution and will not harm the environment. Furthermore, the cleaning compositions used in the present cleaning method may be disposed of in a regular drain system for aqueous chemical wastes.」
（訳文：好ましい洗浄組成物は，非腐食性であり中性から弱酸性の水溶液であるから，環境を害しない。さらに，本洗浄方法に用いられる洗浄組成物は，水性薬品廃棄用の標準の排出システムにより処理することができる。）
　(2) 乙１３の記載内容
　乙１３には，以下の事項が記載されている。なお，フォントや下線は考慮せず，テキストの記載のみ摘記する。
　ア　「Page1 of 8」の項目「２．」
「2. COMPOSITION/INGORMATION ON INGREDIENTS
CAS or CHEMICAL NAME　　　　　　CAS #　　　　% Range
Hydroxylamine, sulfate　　　　　10039-54-0　 15-25
Tetramethylammonium hydroxide　 75-59-2　　　0.01-1」
（訳文：２．組成／成分情報
ＣＡＳ又は化合物名　　　　　　　　　　　ＣＡＳ＃　　％レンジ
ヒドロキシルアミン，サルフェート　　　　10039-54-0　15-25
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド　　75-59-2　　 0.01-1）
　イ　「Page 4 of 8」の末行〜「Page 5 of 8」の５行
「9. PHYSICAL AND CHEMICAL PROPERTIES
…（省略）…
pH 4-4.5」
（訳文：９．物理的及び化学的性質
…（省略）…
ｐＨ　４−４．５）
　(3) 判断
　甲１２に記載された水溶組成物（以下「甲１２水溶組成物」という。）の液性について，甲１２の「好ましい態様の詳細な説明」には「実質的に中性又はわずかに酸性のｐＨ値」（前記(1)イ）と記載されている。
　しかしながら，甲１２水溶組成物について，甲１２の「Claim 1」では，「約２から約６のｐＨ」（前記(1)ア）と記載され，また，「好適な洗浄組成物の一例」である「Microstrip 5002」（前記(1)イ）の液性は，「ｐＨ　４−４．５」（乙１３，前記(2)イ）である。そして，これら液性は，通常の意味での「実質的に中性」には該当しないし，また，「わずかに酸性」といえるのかも疑問である。
　すなわち，甲１２に記載された「実質的に中性又はわずかに酸性のｐＨ値」が意味する「ｐＨ値」については，必ずしも明確に理解できる状況にはない。そこで，甲１２水溶組成物のｐＨの技術的意義について，甲１２の記載を参酌すると，甲１２には，「好ましい洗浄組成物は，非腐食性であり中性から弱酸性の水溶液であるから，環境を害しない。」（前記(1)ウ）と記載されている。
　そうしてみると，甲１２に記載された「実質的に中性又はわずかに酸性のｐＨ値」とは，「環境を害しない」，すなわち，強酸のように腐食性でないことを意味すると考えられるから，甲１２の「実質的に中性又はわずかに酸性のｐＨ値」の記載の本質は，「腐食性でない範囲の酸性」にあり，通常の意味での「中性」の組成物は，事実上開示されていないと解するのが相当である。
　したがって，甲１２には，訂正後発明の「組成物のｐＨが７より高く」の構成を満たす組成物は，記載も示唆もされていないというべきである。
　(4) 小括
　訂正後発明は，甲１２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということができない。
第７　まとめ
　本件特許１〜本件特許９は，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，特許法１２３条１項４号に該当し無効とすべきものである。また，本件特許１〜本件特許９は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，特許法１２３条１項４号に該当し無効とすべきものである。さらに，本件特許１〜本件特許９は，特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから，特許法１２３条１項２号に該当し無効とすべきである。
　本件訂正により，請求項１０〜請求項１５は削除された。
　審判に関する費用については，特許法１６９条２項の規定において準用する民事訴訟法６１条の規定により被請求人が負担すべきものとする。
よって，結論のとおり審決する。