【事件の表示】
　特願２０１８−　８１５２４「ウェハ加工方法及びウェハ加工システム」拒絶査定不服審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日（以下，「原出願日」という。）に出願された特願２０１０−２５６２１７号（以下，「原出願」という。）の一部を平成２８年４月２６日に新たな特許出願（特願２０１６−８７８６６号）とし，さらに，その一部を平成２８年１１月１４日に新たな特許出願（特願２０１６−２２１８４１号）とし，さらに，その一部を平成３０年４月２０日に新たな特許出願としたものであって，同年５月８日付け拒絶理由通知に対し，同年６月１日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたが，同年６月１１日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，同年６月２８日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　平成３０年６月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年６月２８日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
（１）　本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された（下線部は，補正箇所である。）。
「ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って，前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　
前記ウェハの表面の略全面を拘束した状態で，
　を備えるウェハ加工方法。」
（２）　本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の平成３０年６月１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。
「ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って，前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェハをチップ毎に分割することなく、前記ウェハの裏面から前記目標面まで研削して前記ウェハを薄化する研削工程と，
　を備えるウェハ加工方法。」
２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「研削工程」について，「前記ウェハの表面の略全面を拘束した状態で，」という限定を付加するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）　本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）　先願発明及び周知技術
ア　先願発明について
（ア）　先願明細書等の記載
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の出願日前の他の特許出願であって，原出願の出願後に出願公開された特願２０１０−１７１３７６号（特開２０１２−３３６６８号。以下，「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「先願明細書等」という。）には，以下の事項が記載されている（下線加筆。以下同様。）。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，レーザ加工方法，特に，
パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法
【背景技術】
【０００２】
　発光ダイオード等の発光素子は，サファイア基板上に窒化物半導体を積層することによって形成されている。このようなサファイア基板等から構成される半導体ウェハには，複数の発光ダイオード等の発光素子が，分断予定ラインにより区画されて形成されている。そして，このような半導体ウェハを分断予定ラインに沿って分断する際には，レーザ加工が用いられている。
【０００３】
（・・・中略・・・）
【０００５】
　さらに，特許文献３には，レーザ光を基板に照射することによって基板内部に改質層（切断起点領域）を形成し，その後基板が所定の厚さとなるように基板を研磨して基板を分割する方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
（・・・中略・・・）
【特許文献３】再公表特許ＷＯ２００３／０７７２９５号公報」
ｂ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　（・・・中略・・・）
【０００８】
　また，特許文献２及び特許文献３に示されたレーザ加工方法では，基板内部に改質領域が形成されるために，飛散物が素子領域に付着するといった問題はない。（・・・中略・・・）また，特許文献３では，研磨することによって基板が分割されるが，基板が分割されてしまうと，後工程で基板を一体的に取り扱うことができない。したがって，研磨する表面とは逆側の表面にフィルム等を貼り付けなければならない。
【０００９】
　ここで，特に発光ダイオード素子が形成された基板では，改質層が発光ダイオードの発光効率を下げることが知られている。したがって，
改質層は極力薄いあるいはない方が好ましい
【００１０】
　なお，
特許文献３に示されるように，基板に改質領域を形成した後に，基板を所定の厚さまで研磨することで，改質層を形成することが可能である
【００１１】
　本発明の課題は，サファイア基板等の脆性材料基板を，飛散物なしに，かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断できるようにするとともに，取扱いが容易であり，しかもこの基板に形成された素子の特性を損なわないようにすることにある。」
ｃ　「【発明の効果】
【００２３】
　以上のような本発明では，サファイア基板等の脆性材料基板を，飛散物なしに，かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断することができる。また，基板表面を研磨することによって改質層を薄く，あるいは除去するので，この基板に形成される素子の特性劣化を抑えることができる。さらに，
基板研磨後においても基板が分割されないので，基板の取扱いが容易になる
ｄ　「【００２５】
　［加工対象］
　図１は，本発明の一実施形態による加工方法が適用される半導体ウェハの一例である。この図１に示す
半導体ウェハ１は，サファイア基板２上に窒化物半導体が積層され，複数の発光ダイオード等の発光素子３が分断予定ライン４によって区画されて形成されたものである
【００２６】
　［レーザ加工装置］
　図２は，本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置５の概略構成を示したものである。レーザ加工装置５は，レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有している。なお，ウェハ１はテーブル９に載置されており，このテーブル９とレーザ光とは，相対的に上下方向に移動が可能であるとともに，水平面内で相対移動が可能となっている。
【００２７】
　［レーザ加工方法］
　以上のようなレーザ加工装置５を用いたレーザ加工方法は以下の通りである。
【００２８】
　まず，レーザ光線発振ユニット６において，レーザ光の出力パワー等の加工条件を多光子吸収が生じる条件に制御し，ウェハ１のサファイア基板の内部に集光点Ｐを合わせる（図３参照）。そして，
このレーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成する
【００２９】
　
その後，レーザ光を分断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより，集光点Ｐを分断予定ラインに沿って走査する。これにより，顕微鏡写真を図で示した図４に示すように，改質領域１０が分断予定ラインに沿って移動し，サファイア基板の内部のみに改質された領域からなる改質層１２が形成される
また，レーザ加工条件を制御することによって，図４に示すように，改質層１２からウェハ１の第１表面（第１主面）１ａに向かって延びる，分断予定ラインに沿って連続した亀裂が形成される
すなわち，改質層１２のウェハ第１表面１ａ側に，改質層１２から亀裂が延びた亀裂進展層１３が形成される
【００３０】
　
次に，ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨する
このとき，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する
なお，ここで，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない
【００３１】
　
以上のようにして，ウェハ１の内部に改質層１２及び亀裂進展層１３が形成され，さらに改質層１２が除去された後は，分断予定ラインの両側に曲げ応力を加えることによって，ウェハ１を容易に分断することができる
ｅ　「【００３２】
　以下に，改質層１２及び亀裂進展層１３を形成するレーザ加工方法の参考例及び実施例を示す。
【００３３】
　［実験条件］
　各参考例及び実施例に共通の実験条件は以下の通りである。なお，ここでは，半導体ウェハ１を構成するサファイア基板を分断対象としている。
【００３４】
　基板：サファイア　厚みｔ＝３３０μｍ
　走査回数：１回
　パルスレーザ繰り返し周波数：５ＭＨｚ
　集光位置：基板内部１７０μｍ
（・・・後略・・・）」
（イ）　先願発明
　上記（ア）によれば，先願明細書等には，以下の先願発明が記載されている。
（先願発明）
「サファイア基板２上に窒化物半導体が積層され，複数の発光ダイオード等の発光素子３が分断予定ライン４によって区画されて形成された半導体ウェハ１の，前記分断予定ライン４に沿ってレーザ光を相対的に移動させることにより，改質層１２が形成され，
　レーザ加工条件を制御することによって，前記改質層１２から前記半導体ウェハ１の第１表面１ａに向かって延びる，前記分断予定ライン４に沿って連続した亀裂進展層１３が形成され，
　前記半導体ウェハ１の第２表面１ｂ側を，前記亀裂進展層１３が残り，かつ前記改質層１２が除去されるように研磨することによって前記改質層１２が除去され，
　前記亀裂進展層１３が前記半導体ウェハ１の表面まで到達していないため，研磨によって自動的に分断されていない前記半導体ウェハ１を，前記分断予定ライン４の両側に曲げ応力を加えることによって，前記半導体ウェハ１を容易に分断する，
　半導体ウェハ１のレーザ加工方法。」
イ　周知技術について
（ア）　特開２０００−２５４８５７号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である，特開２０００−２５４８５７号公報には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
ａ　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　ワークを保持する保持手段と，ワークを研削する砥石を有し該砥石でワークの一方面を研削加工する研削手段とを備えた平面加工装置において，
前記平面加工装置に，ワークの一方面を研磨する研磨手段を設け，前記研磨手段は，研磨ヘッドを回転させる回転手段，及び前記研磨ヘッドとワークとの間隔を設定する位置決め送り機構から構成されていることを特徴とする平面加工装置。
（・・・中略・・・）。
【請求項８】  前記保持手段は，ワークを吸引して吸着保持する保持手段，又はワークを氷膜を介して冷凍保持する保持手段又はワークを静電気で保持する静電保持手段であることを特徴とする請求項１記載の平面加工装置。
・・・（後略）・・・」
ｂ　「【発明の属する技術分野】本発明は平面加工装置及び平面加工方法に係り，
特に半導体ウェーハの製造工程で，チップが形成されていない半導体ウェーハの裏面を研削加工する平面加工装置及び平面加工方法に関する
ｃ　「【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハの裏面（一方面）を研削する平面加工装置は，ウェーハを吸着保持するチャック，粗研削用砥石，精研削用砥石，及び裏面洗浄装置等を備えている
斯かる平面加工装置によれば，ウェーハは前記チャックでその表面（他方面）が吸着保持された後，その裏面に前記粗研削用砥石が押し付けられるとともに，チャック及びその砥石を回転させることによって裏面が粗研削される
【０００３】ところで，裏面研削加工が終了したウェーハは，次の工程であるエッチング工程に移行させるため，平面加工装置からエッチング装置に搬送され，ここでエッチング処理されて，その裏面に生じている加工変質層が除去される。
【０００４】しかしながら，平面加工装置において，ウェーハを規格品に近い極薄状のウェーハに研削すると，平面加工装置からエッチング装置にウェーハを搬送する際に，ウェーハが加工変質層に起因して破損（割れ欠け）するという不具合が生じる。
【０００５】そこで，従来の平面加工装置では，前記不具合を防止するために，搬送中にウェーハが破損しない厚みにウェーハを研削している。ここで，ウェーハの厚みについて説明すると，インゴットから切り出された，
例えば７２５μｍの厚みのウェーハは，平面加工装置の粗研削で２５０μｍの厚みに粗研削され，そして，精研削で２００μｍの厚みに研削される
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の平面加工装置では，搬送中におけるウェーハの破損を防止するため，ウェーハを規格の厚み近くまで加工することができない。これによって，エッチング工程における加工取代（上記例では１５０μｍの取代）が大きくなるので，エッチングに長時間かかり，スループットを向上させることができないという欠点があった。」
ｄ　「【００２０】請求項８記載の発明によれば，保持手段として，ワークを吸引して吸着保持する保持手段を適用し，又はワークを氷膜を介して冷凍保持する保持手段を適用し，あるいはワークを静電気で保持する保持手段を適用したので，
ワークをしっかりと保持することができる
ｅ　「【００３３】前記チャック３２は，インデックステーブル３４に設置され，また，同機能を備えたチャック３６，３８，４０が，インデックステーブル３４の図２上破線で示す回転軸３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されている。また，回転軸３５には，図２上破線で示すモータ（移動手段に相当）３７のスピンドル（不図示）が連結されている。
前記チャック３６は，粗研削ステージ１８に位置されており，吸着したウェーハ２８がここで粗研削される
また，前記チャック３８は，精研削ステージ２０に位置され，吸着したウェーハ２８がここで仕上げ研削（精研削，スパークアウト）される
【００３４】（・・・中略・・・）
【００３６】図７において，チャック３２，３６，３８，４０は，インデックステーブル３４に形成された開口部１１４の段部１１６に載置されており，また，モータ９２の下部には，シリンダ装置１１８のピストン１２０が連結されている。このピストン１２０が図８の如く伸長されると，連結部材１１２が前記開口部１１４を通過し，チャック３２，３６，３８，４０の下部に形成された凹部１２２に嵌入されて連結される。そして，チャック３２，３６，３８，４０は，ピストン１２０の継続する伸長動作によって，インデックステーブル３４から上昇移動され，砥石４６，５４による研削位置に位置される。
【００３７】本実施の形態の
チャック３２，３６，３８，４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材１２４で形成されている
また，連結部材１１２が凹部１２２に連結されると，同時に図示しない流体継手が連結され，該流体継手に連結された図示しないサクションポンプの吸引力がエア通路１２６を介してポーラス材１２４に作用し，これによってウェーハ２８がポーラス材の表面にしっかりと吸着保持される
【００３８】なお，本実施の形態では，ウェーハ２８を吸引吸着保持するチャック３２，３６，３８，４０について説明したが，これに限られるものではなく，これに代えて図９に示す冷凍チャック装置１２８を適用してもよい。
【００３９】冷凍チャック装置１２８は，チャックプレート１３０，コントローラ１３２，及び冷却水供給装置１３４から構成されており，コントローラ１３２でチャックプレート１３０に電圧を印加し，これによって生じるペルチェ効果を利用してウェーハ２８をチャックプレート１３０に氷膜を介して冷凍保持する。チャックプレート１３０は，２種類の金属（例えばＣｕとＢｉ）プレートを接続して閉回路をつくり，その接合点に電流を流すことによって熱電素子（Ｃｕプレート）側でウェーハ２８を冷凍保持する。また，冷却水供給装置１３４は，熱電素子の片側（Ｂｉプレート）に冷却水を供給し，その片側で発生する熱を冷却する。なお，冷凍チャック装置１２８に代えて，静電気でウェーハを保持する静電チャック装置を適用してもよい。」
ｆ　「【００５０】一例をあげて説明すると，φ２００ｍｍで初期厚みが７２５μｍのウェーハを５０μｍの厚みに加工する場合，この時の粗研削速度を図１２の如く，２２５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，精研削速度を６５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，ポリッシュ（研磨）速度を６（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，
粗研削加工量５１０μｍ，精研削加工量１５０μｍ
【００５１】しかしながら，上記のような計算で得られた加工時間では，厚さのバラツキと加工変質層を確実に除去することができない場合がある。
【００５２】そこで，本実施の形態では，精研削における加工量１５０μｍと，前述した標準偏差の６倍で計算した，粗研削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除去に必要な量とを比較し，前者が大きい場合にはその加工量１５０μｍに設定し，後者が大きい場合には，後者の量に加工量を設定する。これにより，精研削時において，厚さのバラツキと加工変質層を確実に除去することができる。
【００５３】また，研磨における加工量と，前述した標準偏差の６倍で計算した，精研削加工時の厚さのバラツキと加工変質層の除去に必要な量とを比較し，前者が大きい場合には加工量を２０μｍに設定し，後者が２０μｍよりも大きい場合には，後者の量に加工量を設定する。これにより，研磨時において，厚さのバラツキと加工変質層を確実に除去することができる。」
　上記ｃの【０００２】には，半導体ウェーハの裏面を研削する平面加工装置が，ウェーハを吸着保持するチャックを備え，ウェーハの表面をチャックで吸着保持した後，粗研削用砥石で粗研削を行うことが記載されている。
　また，上記ｃの【０００５】には，７２５μｍの厚みのウェーハを，粗研削で２５０μｍに，さらに，精研削で２００μｍの厚みに研削することが記載されているから，粗研削で４７５μｍ，精研削で５０μｍの厚みを研削していることが理解でき，上記ｄの【００５０】には，初期厚みが７２５μｍのウェハを加工する際の粗研削加工量が５１０μｍ，精研削加工量が１５０μｍであることが記載されている。
（イ）　再公表特許第２００３／０７７２９５号
　原出願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって，先願明細書（前記ア（ア）ａ）の【０００６】に【先行技術文献】として提示されている再公表特許第２００３／０７７２９５号には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
ａ　「発明の開示
しかしながら，上記公報に記載された方法にあっては，半導体基板の裏面の研磨を平面研削により行うと，平面研削面が，半導体基板に予め形成された溝に達した際に，当該溝の側面でチッピングやクラッキングが発生するおそれがある。
そこで，本発明は，このような事情に鑑みてなされたものであり，チッピングやクラッキングの発生を防止して，基板を薄型化し且つ基板を分割することのできる基板の分割方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために，
本発明に係る基板の分割方法は，基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，基板の切断予定ラインに沿って基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と，切断起点領域を形成する工程後，基板が所定の厚さとなるよう基板を研磨する工程とを備えることを特徴とする
（・・・中略・・・）
ここで，集光点とは，レーザ光が集光した箇所のことである。
また，研磨とは，切削，研削及びケミカルエッチング等を含む意味である
ｂ　「次に，
半導体基板１を研磨する工程
なお，実施例１では，半導体基板１が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化される
図１７に示すように，上記切断起点領域形成後の半導体基板１の表面３に保護フィルム２０が貼り付けられる。保護フィルム２０は，半導体基板１の表面３に形成されている機能素子１９を保護すると共に，半導体基板１を保持するためのものである。
続いて，図１８に示すように，半導体基板１の裏面２１が平面研削され，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングが施されて，半導体基板１が５０μｍに薄型化される
　上記ｂには，厚さ３５０μｍの半導体基板を平面研削とケミカルエッチングによって厚さ５０μｍに薄型化することが記載されているから，最大で３００μｍ程度の厚みを研削していることが理解できる。
（ウ）　特開２００９−２９０１４８号公報
　原出願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である，特開２００９−２９０１４８号公報には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを，ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。」
ｂ　「【発明を実施するための最良の形態】
（・・・中略・・・）
【０００９】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。
図１および図２に示すウエーハ２は，例えば厚さが６００μｍのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている
ｃ　「【００２５】
　
次に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面を研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
【００２６】
　
裏面研削工程は，図１０の(ａ)に示す研削装置５を用いて実施する。図１０の（ａ）に示す研削装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している
この研削装置５を用いて上記裏面研削工程を実施するには，チャックテーブル５１上にウエーハ２の保護テープ４側を載置し，図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する
従って，チャックテーブル５１に保持されたウエーハ２は，裏面２１ｂが上側となる。このようにして，チャックテーブル５１上にウエーハ２を保持したならば，チャックテーブル５１を矢印５１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ，研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削することにより，図１０の（ｂ）に示すように所定の厚さ（例えば１００μｍ）に形成する
なお，上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２ａから例えば１００μｍ以内の位置に形成すれば上記裏面研削工程を実施した後にも変質層２１０は残るが，上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２ａから例えば１００μｍの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される
従って，ウエーハ２の基板２１には，図１０の（ｂ）に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
　上記ｃの【００２６】には，吸引手段を作動することにより半導体ウエーハをチャックテーブルに保持し，研削砥石で研削を行うことが記載されている。
　また，上記ｂの【０００９】には，ウエーハの厚さが６００μｍであり，ｃの【００２６】には，研削により，厚さを１００μｍにすることが記載されているから，５００μｍの厚さを研削することが理解できる。
（エ）　特開２０００−２６０７３８号公報
　原出願の出願日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である，特開２０００−２６０７３８号公報には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体基板の研削加工技術および半導体装置ならびに半導体装置の製造技術に関し，特に，携帯電話やモバイルパソコン，ＩＣカード等の携帯型情報処理機器等に利用し得る電子部品，電子機器等の半導体装置の製造に用いられる半導体基板の平面研削仕上げ加工技術等に適用して有効な技術に関する。」
ｂ　「【００２３】まず，図３，図４および図５等にて，
本実施の形態の研削装置の構成について説明する
【００２４】本実施の形態の研削装置は，回転方向および回転速度，軸方向の直線変位（送り動作）等の動作条件を互いに独立に設定することが可能な粗研削スピンドル１０（第１軸）および仕上げ研削スピンドル２０（第２軸），
これらの各々に支持されて回転する砥石３１および砥石３２，ウェーハ９０を吸着保持する複数のワークテーブル４０
【００２５】（・・・中略・・・）
【００２７】図４に例示されるように，
個々のワークテーブル４０は，図示しないモータ等で任意の方向に後述のように任意の回転数で回転駆動されるテーブル本体４１，このテーブル本体４１におけるウェーハ９０の載置面に設けられ，多孔質のセラミックス等からなる平坦な吸着板４２と，吸着板４２の背面側に連通し，外部の図示しない排気ポンプ等に接続されることによって吸着板４２に吸着力を発生させる吸引路４３，等で構成されている
【００２８】
この場合，ワークテーブル４０における吸着板４２の外径寸法は，吸着対象のウェーハ９０の外径よりも片側でわずかなΔｄ（たとえば０．１ｍｍ以下）だけ小さく設定され，ウェーハ９０のほぼ全面が吸着板４２に接触することによって均一な吸着力にて確実に吸着保持される構造となっている
ｃ　「【００３８】次に本発明の実施の形態の条件Ａ・Ｂの加工に用いた砥石やウェーハ９０の保護テープ９１およびウェーハ９０のチャック吸着方法について説明する。
【００３９】上述したように，本実施の形態の研削装置は，厚さ調整研削用スピンドル（粗研削スピンドル１０（第１軸））と平面仕上げ研削スピンドル（仕上げ研削スピンドル２０（第２軸））を備えている。第１軸目・第２軸目の砥石３１（３２）は，たとえばΦ２０９ｍｍの台金３１ａ（３２ａ）に，巾約３ｍｍ・長さ約２０ｍｍ・高さ約４ｍｍのセグメント砥石３１ｂ（３２ｂ）を円周上に歯状に配置したインフォード型外周砥石が使用されている。
【００４０】ウェーハ９０の保護テープ９１はＵＶ剥離タイプの基材テープ厚が１００〜１５０μｍ・ノリ厚が３０〜５０μｍで全体厚１３０〜２００μｍのものを用いた。また，貼り付け時気泡・ゴミなどの異物混入のないようローラーで均一にウェーハ９０に貼り付けた。
【００４１】
ウェーハ９０の研削加工時の固定は，上述のように，ワークテーブル４０に埋め込まれ，多孔質セラミック等で構成される吸着板４２により，ウェーハ９０における保護テープ９１の貼付面を真空吸着で保持した状態で加工した
【００４２】口径５インチのウェーハ９０に対する吸着板４２の吸着面（吸着孔の分布範囲）の大きさは当該ウェーハ９０の平面以外は吸着しない寸法に設定している。すなわち，
特にウェーハ９０外周については，上述のように，吸着板４２（吸着孔の分布範囲）がウェーハ９０の外形寸法より−０．２ｍｍ（片側からは−０．１ｍｍ）の範囲内で配置されるよう位置決めして，研削加工中にウェーハ９０の端部も確実に吸着保持されるようにした
　上記ｂの【００２３】【００２７】【００２８】及びｃの【００４２】には，ウェーハの研削装置において，ウェーハの略全面が，多孔質のセラミックス等からなる平坦な吸着板４２に吸着保持され，砥石で研削加工されることが記載されている。
（オ）　周知技術
ａ　周知技術１
　上記（ア）ないし（ウ）によれば，「ウェハを５０μｍから５００μｍ程度研削して薄型化すること」は，原出願の出願日時点において，周知技術であったと認められる。
ｂ　周知技術２
　上記（ア），（ウ）及び（エ）によれば，「ウェハをチャックに吸着保持して研削すること」は，原出願の出願日時点において，周知技術であったと認められる。
（３）　本件補正発明と先願発明の対比
ア　本件補正発明と先願発明を対比する。
（ア）　先願発明の「半導体ウェハ１」，「半導体ウェハ１の第２表面１ｂ」，「半導体ウェハ１の第１表面１ａ」及び「分断予定ライン４」は，本件補正発明の「ウェハ」，「ウェハの裏面」，「ウェハの表面」及び「切断ライン」に相当する。
（イ）　先願発明の「発光ダイオード等の発光素子３」は，半導体ウェハ１（ウェハ）の分断予定ライン４（切断ライン）によって区画されて形成されているところ，先願発明は，当該分断予定ライン４（切断ライン）の両側に曲げ応力を加えることによって，半導体ウェハ１（ウェハ）を容易に分断するものであるから，分断された「発光ダイオード等の発光素子３」は，「チップ」ということができる。
（ウ）　先願発明では，「分断予定ライン４（切断ライン）に沿ってレーザ光を相対的に移動させることにより，改質層１２が形成され」ているから，先願発明の「改質層１２」は，「レーザ改質領域」ということができる。
（エ）　先願発明では，研磨による改質層１２（レーザ改質領域）を除去する処理について，「半導体ウェハ１（ウェハ）の第２表面１ｂ側（ウェハの裏面）を，前記亀裂進展層１３が残り，かつ前記改質層１２（レーザ改質領域）が除去される」までという目標を設定して研磨しているといえるから，その目標を達成したときの半導体ウェハ１（ウェハ）の面は，「目標面」といえる。そうすると，先願発明は，「ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程」を備えているということができる。
（オ）　先願発明では，「半導体ウェハ１（ウェハ）」の「改質層１２（レーザ改質領域）」が除去されるように研磨しているから，目標面まで研磨されたときには，「半導体ウェハ１（ウェハ）」は薄化されている。また，「亀裂進展層１３が前記半導体ウェハ１（ウェハ）の表面まで到達していないため，研磨によって自動的に分断されていない」から，先願発明は，「前記ウェハをチップ毎に分割することなく，前記ウェハの裏面から前記目標面まで研磨して前記ウェハを薄化する研磨工程」を備えているということができる。そうすると，本件補正発明の「ウェハの裏面から前記目標面まで研削して前記ウェハを薄化する研削工程」と，先願発明の「ウェハの裏面から前記目標面まで研磨して前記ウェハを薄化する研磨工程」は，「ウェハの裏面から前記目標面まで除去して前記ウェハを薄化する除去工程」である点で共通する。
イ　以上のことから，本件補正発明と先願発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
（一致点）
「ウェハをチップに分割するための切断ラインに沿って，前記ウェハの内部に設定した目標面と前記ウェハの裏面との間にレーザ改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェハをチップ毎に分割することなく，前記ウェハの裏面から前記目標面まで除去して前記ウェハを薄化する除去工程と，
　を備えるウェハ加工方法。」
（相違点１）
　「前記ウェハの裏面から前記目標面まで除去して前記ウェハを薄化する除去工程」について，除去する具体的な処理及び工程が，本件補正発明は，「研削」する「研削工程」と特定されているのに対し，先願発明は，「研磨」する「研磨工程」と特定されている点。
（相違点２）
　「ウェハを薄化する除去工程」について，本件補正発明は，「前記ウェハの表面の略全面を拘束した状態で，」除去（研削）する処理を行うのに対し，先願発明は，どのような状態で除去（研磨）する処理を行うのか不明である点。
（４）　判断
　以下，相違点について判断する。
ア　相違点１について
　本件補正発明の「研削工程」は，「ウェハの裏面から目標面まで研削してウェハを薄化する」ものであるところ，本願明細書には，以下の記載がある。
ａ　「【００９４】
　載置台１３２ａには，図８（ｃ）に示すように，ウェハＷがＢＧテープＢを介して載置される。載置台１３２ａは，図８（ｃ）に示すように，ウェハＷを載置台１３２ａに載置した時に，ウェハＷの外周の一部が載置台１３２ａからはみ出すよう形成されているが，その幅ｘは約１．５ｍｍ程度である。
なお，本実施の形態で用いられるウェハＷは，直径が約１２インチ，厚さｔは約７７５μｍである
ｂ　「【０１３０】
　（２）研削除去工程（ステップＳ１２）
　レーザー改質工程（ステップＳ１０）により切断ラインＬに沿って改質領域が形成されたら，搬送装置（図示せず）によりウェハＷをレーザーダイシング装置１から研削装置２へ搬送する。以下の処理は研削装置２で行われ，制御部１００により制御される。
（・・・中略・・・）
【０１３５】
　
本実施の形態では，図１２に示すように，粗研削と精研削とをあわせて目標面まで，すなわちウェハＷの表面から略５０μｍの深さまで研削を行う
本実施の形態では，粗研削で略７００μｍの研削を行い，精研削で略３０〜４０μｍの研削を行うが，厳密に決まっているわけではなく，粗研削と精研削との時間が略同一となるように研削量を決定してもよい
ｃ　「【０１５８】
　
図１９の（Ａ）に示すように，研削速度を変えながら粗研削を合計７１０μｍ行い，その後，精研削を１３μｍ（図示せず）行い，さらに化学機械研磨（図示せず）を２μｍ行った
　前記ａないしｃの記載によれば，本件補正発明が対象とする実施の形態では，当初７７５μｍ程度の厚さのウェハを，７００μｍあるいは７１０μｍ程度粗研削し，その後，３０〜４０μｍあるいは１３μｍ精研削し，さらに２μｍ程度研磨して薄化していることが理解できる。そうすると，本件補正発明における「研削」とは，１３μｍから７１０μｍ程度の厚みを除去する処理を含んでいるといえる。
　これに対し，先願発明が対象とする実施の形態（前記（２）ア（ア）ｄの【００２９】，同ｅの【００３４】）では，厚さ３３０μｍの基板の基板内部１７０μｍを集光位置として，レーザ光線を走査して改質層１２を形成し，当該改質層１２が除去されるように「研磨」して薄化しているから，先願発明における「研磨」とは，少なくとも１７０μｍ程度の厚みを除去する処理を行っているといえる。
　そうすると，先願発明のウェハの「研磨」と，本件補正発明のウェハの「研削」とは，１７０μｍ程度の厚みを除去する点で同様の処理ということができるから，両者の処理に実質的な相違はなく，本件補正発明と先願発明との上記相違点１は，相違点であるとはいえない。
　また，先願明細書等の記載を見ても，先願発明の「研磨」は，「研削」を含む意味で用いられている技術用語として理解することが自然である。すなわち，先願発明は，その背景技術である再公表特許第２００３／０７７２９５号に記載された技術が有する課題を解決する発明であるところ（前記（２）ア（ア）ａ及びｂ），当該文献には，前記（２）イ（イ）のとおり，「上記目的を達成するために，
本発明に係る基板の分割方法は，
基板が所定の厚さとなるよう基板を研磨する工程
また，研磨とは，切削，研削及びケミカルエッチング等を含む意味である
半導体基板１を研磨する工程について
説明する
半導体基板１が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化される
半導体基板１の裏面２１が平面研削され，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングが施されて，半導体基板１が５０μｍに薄型化される
　なお，仮に，先願発明において，「研磨」が「研削」を含んでいるといえないとしても，前記（２）イ（オ）ａのとおり，「ウェハを５０μｍから５００μｍ程度研削して薄型化すること」は周知技術であるから，先願発明が対象とする１７０μｍ程度の厚みを除去する処理について，当該周知技術を採用することは，周知技術の付加，あるいは，転換であって，新たな効果を奏するものではない。したがって，上記相違点１は，実質的な相違点であるとはいえない。
イ　相違点２について
　先願明細書等には，ウェハを薄化する研削工程（先願発明が「研削工程」を備えているといえることは，上記ア参照。）において，ウェハの表面の略全面を拘束した状態で研削することは，明示的に記載されていない。しかしながら，研削に際して，ワーク（ウェハ）をしっかりと保持する必要があることは，前記（２）イ（ア）ａ及びｄからも明らかなように周知の課題であって，しかも，当該周知の課題を解決するために，同ｅの【００３６】ないし【００３９】に記載されているように，ウェハの表面の略全面を吸着保持等することで拘束する保持手段が通常用いられているところ，ウェハの表面を拘束しない状態や，その一部のみを拘束した状態で研削した場合，研削ができない，あるいは，研削効率が悪いという事象が発生することは，当業者にとって自明である。そうすると，先願明細書等において，あえてウェハの表面の拘束が不十分な状態で研削しているとは考えがたく，ウェハの表面の略全面を拘束した状態で研削していると考えるのが自然である。したがって，本件補正発明と先願発明との上記相違点２は，相違点であるとはいえない。
　なお，仮に，先願発明において，ウェハの表面の略全面を拘束した状態で研削しているといえないとしても，前記（２）イ（オ）ｂのとおり，「ウェハをチャックに吸着保持して研削すること」は周知技術であり，その際には，ウェハの略全面が吸着保持されると認められるから（前記（２）イ（エ）ｃの【００４２】），先願発明において，当該周知技術を採用することは，周知技術の付加，あるいは，転換であって，その効果も，ウェハが十分に固定されずに，研削ができない，あるいは，研削効率が悪いという事象が発生することを防ぐというものであって，新たな効果を奏するものではない。したがって，上記相違点２は，実質的な相違点であるとはいえない。
　これに対し，審判請求人は，審判請求書において，「本願発明は，ウェハの表面の略全面を拘束した状態でウェハの裏面を研削する構成を有するものであり，この構成を採用したことによって，
ウェハの表面を位置ずれしないように全面的に拘束しながらウェハの裏面を研削することで
ウェハを分割するためにウェハに生じる割れのばらつきを抑えることが可能となる
　しかしながら，上述のとおり，先願発明においても，ウェハの表面の略全面を拘束した状態でウェハを研削しているといえるし，仮にいえないとしても，周知技術の付加，あるいは，転換として採用できるものであるから，その構成によって，ウェハが十分に固定されずに，研削ができない，あるいは，研削効率が悪いという事象が発生することを防ぐという作用効果のみを有しているのではなく，審判請求人の主張する上記作用効果も有しているものと認められる。
　したがって，審判請求人の主張は採用できない。
ウ　したがって，上記相違点１及び相違点２は，実質的には相違点とはいえず，本件補正発明と先願発明は同一である。そして，本願の発明者と先願の発明者は同一ではなく，原出願の出願の時において，本願の出願人と，先願の出願人は同一ではないから，本件補正発明は，特許法２９条の２の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）　本件補正についてのむすび
　以上のとおり，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年６月２８日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，同年６月１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし４に係る発明は，その原出願の出願の日前の特許出願であって，その原出願の出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願（以下，「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者がその原出願の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの原出願の出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない，というものである。
先願：特願２０１０−１７１３７６号（特開２０１２−３３６６８号）
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された先願及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）ア（ア）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から，「前記ウェハの表面の略全面を拘束した状態で，」に係る限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，先願発明と同一であるから，本願発明も，先願発明と同一である。そして，本願の発明者と先願の発明者は同一ではなく，原出願の出願の時において，本願の出願人と，先願の出願人は同一ではないから，本願発明は，特許法２９条の２の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条の２の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。