(57)【要約】  本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層からなる磁気記録媒体であり、前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、有機基であり、且つ前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ3およびＲ4が複数の官能基を有し、前記官能基間の最短距離が、３原子以上、好ましくは５原子離れていることを特徴とする。本発明の磁気記録媒体は、磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用することができる。本発明の磁気記録媒体は、前記潤滑層の潤滑剤揮発量が、初期膜厚量の１０％未満であることを特徴とする。    【化１】2009035075.tif 000018
2009035075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層からなる磁気記録媒体であって、前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は有機基であり、且つ置換基Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ3およびＲ4が複数の官能基を有し、前記官能基間の最短距離が、３原子以上離れていることを特徴とする磁気記録媒体。
【化１】
2009035075.tif 000012
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）
【化２】
2009035075.tif 000013
（式中、ｒは正の整数である。）
【化３】
2009035075.tif 000014
（式中、ｓは正の整数である。）
【請求項２】
前記潤滑剤の置換基の複数の官能基は、同一または異なっており、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基、１級および２級アミン基、ニトロ基、二トリル基、イソニトリル基、イソシアナート基、チオール基、スルホ基、リン酸基、亜リン酸基、１級および２級ホスフィン基、または複素環基から選択されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記官能基間の距離が、５原子離れていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、前記複数の官能基間の構造が、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体、芳香族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体（これらは、エーテル性酸素および／または３級アミン性窒素を１以上含んでいてもよい）、またはこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用される磁気記録媒体であって、前記磁気記録媒体が非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層からなり、前記潤滑層の潤滑剤揮発量が、初期膜厚量の１０％未満であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
前記潤滑層の初期膜厚量が１．２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は有機基であり、且つ置換基Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ3およびＲ4が複数の官能基を有し、前記官能基間の最短距離が、３原子以上離れており、前記潤滑剤の分子量が５００〜１００００の間であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体。
【化４】
2009035075.tif 000015
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）
【化５】
2009035075.tif 000016
（式中、ｒは正の整数である。）
【化６】
2009035075.tif 000017
（式中、ｓは正の整数である。）
【請求項８】
前記複数の官能基は、同一または異なっており、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基、１級アミン基、２級アミン基、ニトロ基、二トリル基、イソニトリル基、イソシアナート基、チオール基、スルホ基、または複素環から選択されることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記官能基間の距離が、５原子離れていることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、前記複数の官能基間の構造が、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体、芳香族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体（これらは、エーテル性酸素および／または３級アミン性窒素を１以上含んでいてもよい）、またはこれらの組み合わせから選択されることを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体に関し、特にコンピュータの外部記憶装置等として用いられる磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体には、保護層とヘッド間に生ずる摩擦力を減少させ、耐久性や信頼性を向上させる目的で、これまで磁気記録媒体、特に磁気ディスク用の潤滑剤が開発されてきた。【０００３】
例えば、従来、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層上に、磁気記録媒体表面層の潤滑特性を改良するために、分子内に水酸基などの有極性末端基または環状トリホスファゼン末端基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤が塗布されてきた。【０００４】
ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層の表面には、カルボキシル基や水酸基、アミン基等の官能基が多数存在しており、これらの官能基には、前記潤滑剤の末端基が積極的に吸着または結合して存在する。【０００５】
しかしながら、前記官能基には、潤滑剤末端基以外にも、水分や酸性ガスなどの汚染物も積極的に吸着する特性がある。そのため、保護層表面上に潤滑剤末端基が結合していない残留官能基が存在する場合、汚染物の吸着量が増大する恐れがある。【０００６】
よって、ディスク媒体表面に水分や酸性ガスなどの汚染物が吸着することを抑制するには、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤との結合量（結合割合）を極力高める必要がある（特許文献１、特許文献２など参照）。【０００７】
加えて、近年、高記録密度化の要請が高く、磁気記録媒体において、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ2を超える面記録密度を実現することが必要となってきている。このためには、磁性層の粒子サイズを小さくしてノイズを低減する必要がある。しかし、粒子サイズを小さくしすぎると磁性層に記録した磁気信号が熱減磁により消滅してしまうという問題が生じる。このため、高密度記録化には、熱的安定性の高い、高保磁力を有する磁性層を用いる必要がある。【０００８】
そこで、高保磁力の記録層を有する磁気記録媒体の記録すべき領域に、例えばレーザー光を照射することによって加熱して保磁力を低下させ、保磁力が低下した領域に磁気ヘッドを用いて情報に応じた磁界を印加して情報を記録する方法が提案されている（特許文献３および４参照）。上記の記録方法を熱アシスト磁気記録と称する。【０００９】
熱アシスト磁気記録方式において、レーザー光を記録面へ照射することにより、記録層は１５０℃から２００℃程度まで加熱される。このため、前述の潤滑剤は記録層からの熱伝導による高温に晒されることとなる。【００１０】
しかしながら、従来の潤滑剤は、熱アシスト磁気記録で想定されるような高温環境での使用は考慮されておらず、前述の高温環境では、揮発による潤滑剤の減少が懸念される。【００１１】
【特許文献１】特開平５−２４７２００号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３１１０号公報
【特許文献３】特開２００３−４５００４号公報
【特許文献４】特開２００６−１２２４９号公報
【特許文献５】特許第３２２３２３８号
【特許文献６】米国特許５，９５９，０５８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明が解決しようとする課題は、従来技術に比較し、潤滑剤とダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層表面間の高吸着性を有する磁気記録媒体を提供することにある。さらに、本発明の解決しようとする課題は、前述の潤滑剤の耐熱特性に関する問題を改善し、高耐熱性を有する磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層からなる磁気記録媒体であり、この潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は有機基であり、且つ置換基Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ3およびＲ4が複数の官能基を有し、前記官能基間の最短距離が、３原子以上、好ましくは５原子離れていることを特徴とする。【００１４】
【化１】
2009035075.tif 000003
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）【００１５】
【化２】
2009035075.tif 000004
（式中、ｒは正の整数である。）【００１６】
【化３】
2009035075.tif 000005
（式中、ｓは正の整数である。）【００１７】
本発明では、潤滑剤の置換基の複数の官能基は、同一または異なっており、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基、１級および２級アミン基、ニトロ基、二トリル基、イソニトリル基、イソシアナート基、チオール基、スルホ基、リン酸基、亜リン酸基、１級および２級ホスフィン基、複素環基から選択されることが好ましい。【００１８】
置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、前記複数の官能基間の構造が、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体、芳香族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体（これらは、エーテル性酸素および／または３級アミン性窒素を１以上含んでいてもよい）、またはこれらの組み合わせから選択されるものであることが好ましい。【００１９】
本発明の磁気記録媒体は、磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用される磁気記録媒体であり、前記磁気記録媒体が非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護層および潤滑層からなり、前記潤滑層の潤滑剤揮発量が、初期膜厚量の１０％未満あることを特徴とする。この潤滑層の初期膜厚量は１．２ｎｍ以下であることが好ましい。【００２０】
本発明では、潤滑層を構成する潤滑剤が上記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明における潤滑剤をダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層上に塗布することにより、従来技術に比較し、潤滑剤とダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層表面間の高結合性を有する磁気記録媒体を提供することが可能となる。【００２２】
本発明の磁気記録媒体を用いることで、磁性層温度が１５０〜２００℃となる熱アシスト記録方式において、従来技術に比較し、揮発潤滑剤量を抑制した高耐熱特性を有する磁気記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の例示的な層構造を示す概略図である。
【図２】図２は、加熱減量評価における本発明の磁気記録媒体と従来技術の磁気記録媒体の比較結果（潤滑層膜厚０．８ｎｍ）を示す図である。
【図３】図３は、加熱減量評価における本発明の磁気記録媒体と従来技術の磁気記録媒体の比較結果（潤滑層膜厚１．２ｎｍ）を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の第一は、磁気記録媒体用の特定の潤滑剤を塗布した磁気記録媒体に関する。【００２５】
一般には、カーボン表面へ潤滑剤を塗布した後、加熱処理を施すことにより、カーボン表面上の官能基と潤滑剤末端基の間の結合割合を高めることができる。加熱処理温度が高いほど、両者間の結合割合の増加は促進される。しかしながら、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤末端基との間の結合割合を高めることには、限界が伴う。具体的には、従来技術である、分子内に水酸基などの有極性末端基や、環状トリホスファゼン末端基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤を用いた場合では、加熱温度が１００℃を超えると、ディスク表面から潤滑剤が揮発する「加熱減量」と呼ばれる現象が顕著となり、温度が高くなるほどこの現象は大きくなる。従って、高温で処理した場合、ディスク表面上に存在する潤滑剤量は、加熱処理以前に比較し、著しく減少してしまう。このため、加熱処理により結合割合を増加させるには、制約が伴う。【００２６】
一般に、カーボン表面に存在する官能基と潤滑剤末端基との間の結合割合は、フッ素系溶媒による洗浄前の潤滑層膜厚に対するフッ素系溶媒による洗浄後の潤滑層膜厚の割合として表され、その百分率値は「ボンド率」と呼ばれる。【００２７】
【数１】
2009035075.tif 000006
【００２８】
ここで、洗浄前の潤滑層膜厚は「トータル潤滑剤膜厚」、洗浄後の潤滑層膜厚は「ボンド潤滑剤膜厚」、トータル潤滑剤膜厚とボンド潤滑剤膜厚の差を「フリー潤滑剤膜厚」と呼ぶ。「ボンド潤滑剤膜厚」は、実際にカーボン表面と結合している潤滑剤の厚さ（量）を表しており、汚染物の抑制には、この量を増やす必要がある。なお、本明細書において、「初期膜厚量」の用語を、「トータル潤滑剤膜厚」と同義に用いる。【００２９】
この「ボンド率」を向上させるためのパーフルオロポリエーテル系潤滑剤として、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイソレクシス社製）が開発され、媒体への適用が行われた（特許文献５）。Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌは、浸漬法による塗布の後、加熱硬化を行うとボンド率が上昇するが、ボンド率の上限は７０％程度となる。この時、トータル潤滑剤膜厚は、現在、通常のハードディスクの潤滑剤に用いられる膜厚である１．０、１．２および１．４ｎｍの場合、ボンド潤滑剤膜厚はそれぞれ、０．７、０．８４および０．９８ｎｍとなる。【００３０】
一方、近年の磁気ディスクの高密度化傾向に伴い、潤滑剤特性に対する要求が厳しくなっている。この要求に応えるには、今後、ボンド潤滑剤膜厚の上限を、さらに引き上げることが必要とされる。【００３１】
加えて、近年のハードディスクドライブは、これまでの屋内で使用されるパソコン用途から、携帯機器やカーナビゲーションシステムなど屋外環境において用いられるケースが増大している。特に、高温高湿環境において、磁気ヘッドスライダが浮上しにくくなる現象が存在し、高湿度空気に含まれる水分の凝着現象によるものと考えられている。そのため、磁気ディスク表面へ凝着する水分量を減少させること、すなわち、ディスク表面の疎水化が大きな課題となっている。【００３２】
この疎水化には、ボンド潤滑剤膜厚の増加が必要であるが、ボンド率の上限が規定される場合、その量を増加させるには、単純にはトータル潤滑剤膜厚を増加させれば良いことになる。しかしながら、単純に膜厚を増加させた場合、浮上スライダへの潤滑剤ピックアップ現象が生じやすくなり、スライダの浮上不安定性を生じさせる恐れがある。【００３３】
そのため、トータル潤滑剤膜厚を増加させる手法ではなく、トータル潤滑剤膜厚を変化させることなく、従来手法に比較して潤滑剤とカーボン表面との結合割合を高める手法が必要とされる。【００３４】
本発明の磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板上に設けられた磁性層、保護層および潤滑層からなり、以下に説明する潤滑剤を潤滑層に用いることを特徴とする。【００３５】
また、本発明の磁気記録媒体は、熱アシスト磁気記録方式に用いることができる。この磁気記録媒体は、少なくとも非磁性基板上に設けられた磁性層、保護層および潤滑層からなり、磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用された場合、潤滑層の潤滑剤揮発量が、初期膜厚量の１０％未満であるものである。本発明の磁気記録媒体は、このような熱アシスト記録方式に最適である。このように、本発明では、磁性層温度が１５０℃から２００℃となる温度下で、潤滑剤の揮発量を初期膜厚量の１０％未満に抑えることができる潤滑剤を潤滑層に用いることを特徴とする。磁気記録媒体用潤滑剤で上記条件を満たす限り、潤滑剤は特に限定されないが、本発明では、以下に説明する潤滑剤を潤滑層に用いることが好ましい。【００３６】
本発明で用いる潤滑剤は、下記の一般式（１）、（２）または（３）で表される潤滑剤である。この潤滑剤は、末端部分に置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4を有し、該置換基は有機基であり、その末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方、並びに置換基Ｒ3およびＲ4が複数の官能基を有している。この官能基は、その最短距離は、官能基の結合している原子を含めて３原子以上、好ましくは５原子である。また、前記潤滑剤の分子量は５００〜１００００の間であることが好ましい。【００３７】
【化４】
2009035075.tif 000007
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）【００３８】
【化５】
2009035075.tif 000008
（式中、ｒは正の整数である。）【００３９】
【化６】
2009035075.tif 000009
（式中、ｓは正の整数である。）【００４０】
各置換基に含まれる複数の官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルデヒド基、１級および２級アミン基、ニトロ基、二トリル基、イソニトリル基、イソシアナート基、チオール基、スルホ基、リン酸基、亜リン酸基、１級および２級ホスフィン基、複素環基から選択されることが好ましい。また、複数の官能基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。【００４１】
置換基Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、炭素数３から１２の有機基であり、置換若しくは無置換の直鎖若しくは分岐脂肪族炭化水素、または、置換若しくは無置換芳香族炭化水素である。該有機基には複数の官能基が含まれ、その複数の官能基間の構造は、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体、芳香族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体またはこれらの組み合わせから選択されるものであることが好ましい。また、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体、および芳香族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体は、エーテル性酸素または３級アミン性窒素を１以上含んでいてもよく、エーテル性酸素または３級アミン性窒素が複数含まれる場合は、これらの組み合わせを含んでいてもよい。【００４２】
本発明で使用される潤滑剤は、一般式（１）、（２）または（３）に示すような分子構造を有することにより、従来技術のＺ−Ｔｅｔｒａｏｌと比較して、末端置換基内の官能基が互いに離れており、官能基同士の分子内相互作用が弱まっている。このため、保護層表面に多数存在するカルボキシル基やヒドロキシル基、アミン基などの官能基と、潤滑剤末端置換基内の官能基との相互作用が相対的に強まり、保護層との結合性が増大する。この結果、上記潤滑剤を磁気記録媒体表面に塗布することで、従来に比較し、ボンド率を増大させることができる。さらに、上記潤滑剤を磁気記録媒体表面に塗布することで、従来に比較し、高温での潤滑剤の揮発現象を抑制することができ、高耐熱性を有する磁気記録媒体を実現できる。【００４３】
次に、本発明の磁気記録媒体について説明する。本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも磁性層、保護層および潤滑層が含まれる。一例を示せば、図１に示されるような構造を有する。すなわち、非磁性基板１００上に、磁性層１０２、保護層１０４および潤滑層１０６を有する。【００４４】
非磁性基板は、磁気記録媒体に従来から用いられているものであれば特に限定されない。例えば、図１に示したような従来から汎用的に使用されているアルミ合金などの基板１１０上に無電解メッキによりＮｉ−Ｐなどの非磁性金属層（メッキ層）１２０を形成したものであってよく、あるいは、ガラス、セラミック、プラスチックなどの材料から構成されていてもよい。【００４５】
本発明の磁気記録媒体では、必要に応じて、非磁性基板と磁性層との間に、非磁性下地層、軟磁性層、シード層、中間層などを設けてもよい。【００４６】
任意選択的に設けてもよい非磁性下地層は、Ｔａ、Ｔｉ、またはＣｒＴｉ合金のようなＣｒを含む非磁性材料を用いて形成することができる。【００４７】
任意選択的に設けてもよい軟磁性層は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料；ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰなどの微結晶性材料；またはＣｏＺｒＮｄ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性層の膜厚は、磁性層に垂直方向磁界を集中させるための層であり、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。【００４８】
任意選択的に設けてもよいシード層は、面心立方格子構造を有する金属または合金や、ＴａあるいはＴａ合金を用いて形成することができる。面心立方格子構造を有する金属または合金としては、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉまたはこれらのうち１つ以上を含む合金；ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＳｉ、ＮｉＦｅＮｂ、ＮｉＦｅＢ、ＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料；ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅＳｉ、ＣｏＮｉＦｅＢ、ＣｏＮｉＦｅＮｂ、ＣｏＮｉＦｅＣｒなどのようなパーマロイ系材料にＣｏをさらに添加した材料；Ｃｏ；あるいはＣｏＢ、ＣｏＳｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦｅなどのＣｏ基合金を用いて形成することができる。シード層は、磁性層の結晶構造を制御するのに充分な膜厚を有することが望ましく、通常の場合、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。【００４９】
任意選択的に設けてもよい中間層は、Ｒｕ、もしくはＲｕを主成分とする合金、またはＣｏ、もしくはＣｏを主成分とする合金を用いて形成することができる。また、これらの金属あるいは合金は積層して用いることもできる。中間層は、通常０．１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の膜厚を有する。このような範囲内の膜厚とすることによって、磁性層の磁気特性や電磁変換特性を劣化させることなしに、高密度記録に必要な特性を磁性層に付与することが可能となる。【００５０】
前述の下地層、軟磁性層、シード層および中間層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。【００５１】
磁性層は、好適には、少なくともＣｏとＰｔを含む合金の強磁性材料を用いて形成することができる。垂直磁気記録を行うためには、磁性層の材料の磁化容易軸（六方最密充填（ｈｃｐ）構造のｃ軸）が、記録媒体表面（すなわち磁気記録媒体用基板の主表面）に垂直方向に配向していることが必要である。磁性層は、たとえばＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａなどの合金材料を用いて形成することができる。磁性層の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、生産性および記録密度向上の観点から、磁性層は、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下、さらに好ましくは５ｎｍから３０ｎｍ、最も好ましくは５ｎｍから１５ｎｍの膜厚を有する。磁性層の形成は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法を用いて実施することができる。【００５２】
別法として、非磁性酸化物または非磁性窒化物のマトリクス中に磁性結晶粒子が分散されているグラニュラー構造を有する材料を用いて、磁性層を形成してもよい。用いることができるグラニュラー構造を有する材料は、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔＯ、ＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＰｔ−Ａｌ2Ｏ3、ＣｏＰｔ−ＡｌＮ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｓｉ3Ｎ4などを含むが、これらに限定されるものではない。グラニュラー構造を有する材料を用いた場合、磁性層内で近接する磁性結晶粒間の磁気的分離を促進し、ノイズの低減、ＳＮＲの向上および記録分解能の向上といった磁気記録特性の改善を図ることができる。【００５３】
保護層は、カーボン（ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）、アモルファスカーボンなど）、あるいは磁気記録媒体保護層用の材料として知られている種々の薄層材料を用いて形成することができる。保護層は、その下にある磁性層以下の各構成層を保護するための層である。本発明の磁気記録媒体を、高耐熱性を有する磁気記録媒体として使用する場合には、保護層はダイヤモンド状カーボンであることが好ましい。保護層は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。【００５４】
潤滑層は、記録／読み出し用ヘッドが磁気記録媒体に接触している際の潤滑を付与するための層であり、上述の潤滑剤を使用して形成することができる。潤滑層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【実施例】
【００５５】
以下に本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、下記実施例は例示であり、本発明を制限することを意図するものではない。【００５６】
以下に示す構造を持つ化合物（Ａ）の潤滑剤を調製し、磁気記録媒体へ塗布し、磁気記録媒体の特性を評価した。【００５７】
【化７】
2009035075.tif 000010
【００５８】
１．潤滑剤（化合物（Ａ））の合成方法
米国特許５，９５９，０５８号明細書（特許文献６）に記載の方法従い、Ｆｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ２０００（１００ｇ）、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２３．９５ｇ）およびｔｅｒｔ−ブタノール（１５０ｍｌ）からなる溶液を調製し、これを７０℃に加熱したエピブロモヒドリン（１００ｇ）およびｔｅｒｔ−ブタノール（１００ｇ）からなる溶液に、４時間かけて滴下し、さらに１時間同温度で保持した。【００５９】
反応終了後、析出物をろ別し、濃縮して、８０℃で加熱することにより、前駆体である含フッ素オリゴマージグリシジルエーテル（９３ｇ）を黄色オイルとして得た。【００６０】
さらに、攪拌子を備えた１，０００ｍｌのナス型フラスコに、前記の前駆体（重量平均分子量（Ｍｗ）＝２．４×１０3、７０．０ｇ）、エチレングリコール（１００ｇ）、トリフェニルフォスフィン（０．７ｇ）を仕込み、攪拌しながら１８０℃で４６時間反応を行った。【００６１】
反応終了後、室温まで冷却し、分液し、５０ｇのエチレングリコールで洗浄後、ろ過および濃縮を行い、生成物（７２．３ｇ）を得た。また、生成物の分析を行い、下記の通りの結果を得た。この結果から、生成物が目的の化合物（Ａ）の潤滑剤であることを確認した。【００６２】
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、Ｃ6Ｆ6）σ３．３０〜５．００（ｍ、１１Ｈ）。【００６３】
19Ｆ−ＮＭＲ（３７６ＭＨｚ、Ｃ6Ｆ6）σ−９１．８０，−９０．１４，−８２．００，−８０．００，−５６．５６，−５４．８３，−５３．２３。【００６４】
ＧＰＣ：重量平均分子量（Ｍｗ）＝５．２×１０3、数平均分子量（Ｍｎ）＝１．９×１０3、Ｍｗ／Ｍｎ＝２．８。【００６５】
なお、分析は下記装置で実施した。【００６６】
1Ｈ−ＮＭＲ、19Ｆ−ＮＭＲ：ＢＲＵＫＥＲ製ＡＶＡＮＣＥ  ＩＩ  ４００。【００６７】
分子量分布（ＧＰＣ）：装置；東ソー製ＨＬＣ８１２０ＧＰＣ、カラム；東ソー製ＴＳＫｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＡＷ（６．０ｍｍＩＤ×１５０ｍｍＬ、２本）、検出器；ＲＩ８０２０（示差屈折率計）、溶媒；１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、流量；０．６ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量；２０μＬ（濃度１ｍｇ／ｍｌ）、システム・カラム温度；４０℃、検量線；標準ＰＭＭＡ。【００６８】
２．磁気記録媒体（サンプル）の作製
非磁性基板（材料ＡＬ合金からなる直径９５ｍｍの磁気ディスク用基板）の主面上に、スパッタ法を用いて、膜厚２ｎｍのＣｒＴｉからなる下地層、膜厚５０ｎｍのＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層、膜厚５ｎｍのＣｏＮｉＦｅＳｉからなるシード層、膜厚１０ｎｍのＲｕからなる中間層、膜厚１６ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２とＣｏＣｒＰｒＢからなる磁性層を順次形成した。【００６９】
次に、プラズマＣＶＤ法で膜厚３．５ｎｍの非晶質カーボン保護層を形成した。この保護層で覆われた磁気ディスク基板に対し、上記合成法により合成された化合物（Ａ）の潤滑剤溶液をディップ法により塗布した。具体的には、ディスク基板を溶媒としてＶｅｒｔｒｅｌ  ＸＦを用いた潤滑剤溶液（濃度：膜厚０．８ｎｍの時は５０ｐｐｍ、膜厚１．２ｎｍの時は１００ｐｐｍ）に浸漬（膜厚０．８ｎｍの時は６０秒、膜厚１．２ｎｍの時は４８０秒）させ、磁気ディスクを２．０ｍｍ／ｓｅｃの速度で引上げ、その後、室温２２℃で乾燥させた。【００７０】
また、比較のため、従来から用いられているＺ−ｔｅｔｒａｏｌ（ソルベイ・ソレクシス社製）潤滑剤も、ディップ法により、塗布膜厚が上記実施例と同等になる条件で基板上に塗布した。具体的には、ディスク基板を溶媒としてＶｅｒｔｒｅｌ  ＸＦを用いた潤滑剤溶液（濃度：膜厚０．８ｎｍの時は１２０ｐｐｍ、膜厚１．２ｎｍの時は５００ｐｐｍ）に浸漬（６０秒）させ、磁気ディスクを膜厚０．８ｎｍの時は０．５ｍｍ／ｓｅｃ、膜厚１．２ｎｍの時は１．５ｍｍ／ｓｅｃ）の速度で引上げ、その後、室温２２℃で乾燥させた。【００７１】
３．磁気記録媒体の評価
３−１．ボンド率
上記手法により作製したサンプルについて、洗浄前と洗浄後の潤滑層の膜厚を測定し、ボンド率を算出した。結果を表１に示す。なお、潤滑層の膜厚は、フーリエ変換式赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により測定した。【００７２】
【表１】
2009035075.tif 000011
【００７３】
表１より、塗布工程を経た時点で、従来潤滑剤よりも厚いボンド潤滑剤膜厚が実現できることが分かる。例えば、トータル潤滑剤膜厚が０．８ｎｍでほぼ同一である比較例１と実施例１を比較した場合、従来潤滑剤を用いた比較例１よりも化合物（Ａ）を用いた実施例１の方が、ボンド潤滑剤膜厚が１．８倍大きくなっている。同様に、トータル潤滑剤膜厚が１．２ｎｍである比較例２と実施例２の比較でも、従来潤滑剤を用いた比較例２よりも化合物（Ａ）を用いた実施例２の方が、ボンド潤滑剤膜厚が２．４倍大きくなっており、本願発明の磁気記録媒体のボンド率と従来技術のそれとで大きな差が生じることが分かる。【００７４】
なお、表１に示した「トータル潤滑剤膜厚」、「ボンド潤滑剤膜厚」、「ボンド率」は、先に説明した通りである。【００７５】
また、潤滑剤に対する洗浄用フッ素系溶媒としては、Ｖｅｒｔｒｅｌ  ＸＦ（三井デュポンフロロケミカル社製）を用いることが一般的であり、本評価においてもこの溶媒を用いている。洗浄は、上記フッ素系溶媒を各サンプルにディップ法により、２２℃、５分適用することによって行った。【００７６】
３−２．加熱減量評価
上記手順で作製した表１に示す初期膜厚量を有する各サンプルに対し、加熱減量評価を実施した。【００７７】
本試験では、各サンプルに対し、２５℃、１００℃、１５０℃、１８０℃環境において各１０分間放置し、各温度における膜厚をＦＴ−ＩＲにより測定した。さらに１８０℃環境においては２０分間放置（計３０分間放置）し、膜厚を測定して、従来品と本発明品との比較を行った。【００７８】
初期膜厚量０．８ｎｍ（表１の実施例１および比較例１）における比較結果を図２に、初期膜厚量１．２ｎｍ（表１の実施例２および比較例２）における比較結果を図３に示す。【００７９】
図２および図３の結果より、磁気ディスクに塗布した潤滑剤においても、トータル潤滑剤膜厚によらず、本発明における潤滑剤は、加熱による減量が少なく、高温環境下においてもディスク表面に留まりやすいことが分かる。【００８０】
また、熱アシスト記録方式において想定される温度である１８０℃において、３０分間放置したところ、従来品では潤滑層膜厚が０．８ｎｍおよび１．２ｎｍの両方共に２３％程度の潤滑剤の減量が認められるのに対し、本発明品では、潤滑剤膜厚が１．２ｎｍの時には６．６％の減量であり、０．８ｎｍの時には３．７５％の減量に留まった。この結果から、本発明の潤滑剤は加熱による揮発量が初期量の１０％未満となる耐熱特性を有すると認められる。【００８１】
よって、本発明品を用いれば、温度１５０℃から２００℃の環境において初期潤滑剤量を維持した熱アシスト記録用磁気記録媒体が実現することが可能となる。【００８２】
また、上記潤滑剤の特性は、潤滑剤分子量が５００〜１００００の間の範囲内であれば、従来技術における潤滑剤に比べ、優位性が認められる。
【図１】
2009035075.tif 000019
【図２】
2009035075.tif 000020
【図３】
2009035075.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月29日(2010.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも磁性層、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層および潤滑層からなる磁気記録媒体であって、前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2は、同じものであり、炭素数３から１２を有し、エーテル性酸素を１以上含む直鎖飽和脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体であり、Ｒ１およびＲ２は複数のヒドロキシル基を有し、前記ヒドロキシル基間の最短距離が、３原子以上離れていることを特徴とする磁気記録媒体。
【化１】
2009035075.tif 000022
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）
【請求項２】
前記官能基間の距離が、５原子離れていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用される磁気記録媒体であって、
前記磁気記録媒体が非磁性基板上に少なくとも磁性層、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層および潤滑層からなり、
前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）で表される潤滑剤であり、
【化２】
2009035075.tif 000023
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）
前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2は、同じものであり、炭素数３から１２を有し、エーテル性酸素を１以上含む直鎖飽和脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体であり、Ｒ１およびＲ２は複数のヒドロキシル基を有し、前記ヒドロキシル基間の最短距離が、３原子以上離れており、
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の初期膜厚量及び磁気記録媒体を１８０℃の温度に３０分間放置した後の膜厚量をＦＴ−ＩＲにより測定し、初期膜厚量に対する加熱処理後の膜厚の減少が１０％未満であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
前記潤滑層の初期膜厚量が１．２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記官能基間の距離が、５原子離れていることを特徴とする請求項３に記載の磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも磁性層、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層および潤滑層からなる磁気記録媒体であり、前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2は、同じものであり、炭素数３から１２を有し、エーテル性酸素を１以上含む直鎖飽和脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体であり、Ｒ１およびＲ２は複数のヒドロキシル基を有し、前記ヒドロキシル基間の最短距離が、３原子以上離れていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の磁気記録媒体は、磁性層温度が１５０℃から２００℃となる熱アシスト記録方式に使用される磁気記録媒体であり、前記磁気記録媒体が非磁性基板上に少なくとも磁性層、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）保護層および潤滑層からなり、前記潤滑層を構成する潤滑剤が下記の一般式（１）で表される潤滑剤であり、前記潤滑剤の末端部分の置換基Ｒ1およびＲ2は、同じものであり、炭素数３から１２を有し、エーテル性酸素を１以上含む直鎖飽和脂肪族炭化水素若しくはそのフッ素化誘導体であり、Ｒ１およびＲ２は複数のヒドロキシル基を有し、前記ヒドロキシル基間の最短距離が、３原子以上離れており、前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の初期膜厚量及び磁気記録媒体を１８０℃の温度に３０分間放置した後の膜厚量をＦＴ−ＩＲにより測定し、初期膜厚量に対する加熱処理後の膜厚の減少が１０％未満であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化３】
2009035075.tif 000024
（式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、正の整数である。）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この潤滑層の初期膜厚量は１．２ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【化４】
2009035075.tif 000025
【国際調査報告】
2009035075.tif 000026
2009035075.tif 000027