【事件の表示】
　特願２０１２−５３５３４８「スプリットゲート電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２８日国際公開，ＷＯ２０１１／０５０１１５，平成２５年　３月　７日国内公表，特表２０１３−５０８９８０，請求項の数（６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１０年１０月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００９年１０月２０日，米国，２０１０年８月２６日，米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　５月３１日　審査請求・手続補正書
平成２６年　３月　６日　拒絶理由通知
平成２６年　８月１２日　意見書・手続補正書
平成２７年　１月２０日　最後の拒絶理由通知
平成２７年　７月２８日　意見書
平成２８年　１月２６日　拒絶理由通知
平成２８年　６月２８日　意見書・手続補正書
平成２８年　７日１３日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１１月１８日　審判請求・手続補正書
平成３０年　１月３１日　最後の拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
平成３０年　３月　１日　意見書・手続補正書
第２　本願発明
　本願請求項１ないし６に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は，平成３０年３月１日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　トレンチと，ゲート電極と，ソース電極とを有するスプリットゲート構造を有するスプリットゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）装置であって，
　前記ソース電極に接続されかつ前記トレンチ内に配置された第１のポリ層と，
　前記第１のポリ層をソース電極に接続するソースコンタクトと，
　前記ゲート電極に接続されかつ前記トレンチ内の前記第１のポリ層の上側に配置された第２のポリ層であって，前記第１のポリ層は分離酸化物によって前記第２のポリ層から遮蔽されている，前記第２のポリ層と
　前記第２のポリ層をゲート電極に接続するゲートコンタクトと，
を含み，
　前記トレンチ内の酸化物の上面と，活性領域本体の上面と，前記ソースコンタクトの上面と，前記ゲートコンタクトの上面とは同一平面上にあり，　　前記トレンチ内の前記酸化物は，前記第２のポリ層と接触しておりかつ前記第２のポリ層の上にある，
　前記スプリットゲートＭＯＳＦＥＴ装置。
【請求項２】
　前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは前記トレンチの外部に配置される，
　請求項１の装置。
【請求項３】
　前記スプリットゲート構造上に配置された金属層をさらに含む，請求項１の装置。
【請求項４】
　前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは前記トレンチの外部に配置される，請求項３の装置。
【請求項５】
　前記スプリットゲート電界効果トランジスタ装置は，平面スプリットゲート電界効果トランジスタ装置であり，
　前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続するゲートコンタクトであって，前記第１のポリ層および前記第２のポリ層は，いずれも実質的にその全体が前記トレンチ内に配置される，前記ゲートコンタクトと，
　を含む，請求項１の装置。
【請求項６】　
　前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは前記トレンチの外部に配置される，請求項５の装置。」
第３　引用文献，引用発明等
１　原査定の引用文献１について
　原査定で引用された，特表２００５−５２８７９６号公報には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
ア　「【技術分野】
【０００１】
　この発明は，トレンチ・ゲート半導体装置，例えば，絶縁ゲート電界効果型電力トランジスタ（通例としてＭＯＳＦＥＴと称する）又は絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（通例としてＩＧＢＴと称する）に関する。」
イ　「【００１２】
　複数実施形態において，
前記フィールド・プレートが前記ゲートから絶縁され，前記フィールド・プレートは前記ソース領域に接続されてもよい
ウ　「【００１７】
　図６はこの発明の電力半導体装置の実施形態を示している。各々が第一の導電型（この例ではｎ型）であるソース，ドレイン領域２，４が反対の第二の導電型（即ち，この例ではｐ型）であるチャネル形成領域６により分離されている。
【００１８】
　例として，図６は，領域４ａが基板上のより高抵抗（より低ドープ）のエピタキシャル層により形成されたドレイン・ドリフト領域であり，ドレイン・コンタクト領域４ｂが比較的高導電性を有してもよい縦型構造を示している。ドレイン・ドリフト及びコンタクト領域４ａ，４ｂが両者間にジャンクション４ｃを形成している。ドレイン・コンタクト領域４ｂは領域４ａと同じ導電型（この例ではｎ型）で縦型ＭＯＳＦＥＴを形成し，又は，それとは反対の導電型（この例ではｐ型）でＩＧＢＴを形成してもよい。
【００１９】
　領域２，６を貫き，そしてドレイン・ドリフト領域４ａ下部部位まで延在する第一のトレンチ部分１０ａ内部にゲート８が存在している。この装置がオン状態時に電圧信号をゲート８に与えると，周知のように，領域６内に導電チャネル１６を誘起させ，そしてソ−ス，ドレイン領域２，４間で，この導電チャネル１６に流れる電流を制御する。
【００２０】
　ＭＯＳＦＥＴの場合には，装置の半導体本体２０（通常は単結晶シリコン）の上部主面２０ａにおいて
ソ−ス領域２がソ−ス電極１８とコンタクト
【００２１】
　
フィールド・プレート２４がゲート８とドレイン・ドリフト領域４ａとの間の第二のトレンチ部分１０ｂ内に設けられている
フィールド・プレートは，好ましくは，第一の導電型のドープされた多結晶シリコンにより形成される
フィールド・プレート２４はフィールド・プレート絶縁層２６ｂにより周囲の半導体本体２０から絶縁されている
ゲート８はゲート絶縁層２６ａによりフィールド・プレート２４，半導体本体２０，そして，ソ−ス，ドレイン電極２８から絶縁されている。この層は，例えば，二酸化シリコンにより形成されてもよい
【００２２】
　図６に示す実施形態においては，
第二のトレンチ部分１０ｂ
【００２３】
　
フィールド・プレート２４
【００２４】
　図７は図６の装置の線Ａ−Ａにおける断面図である。それは，如何にして，ゲート，ソース電極とは無関係に，半導体本体２０の外部からフィールド・プレート２４へ接続が成されるかの例を示している。
【００２５】
　
ドープされた多結晶シリコン・コンタクト層３９が第一のトレンチ部分１０ａの一端方向に設けられており，そして，フィールド・プレート２４に電気的に接続されている。それはフィールド・プレートから装置の半導体本体２０の上部主面２０ａへと延び，そこでフィールド・プレート・コンタクト電極４１とコンタクトがとられている
第一のトレンチ部分１０ａの他端方向にゲート８がゲート・コンタクト電極４０に電気的に接続されている。
エ　図６，７には，以下の事項が記載されていると認められる。
　第一のトレンチ部分１０ａ，第二のトレンチ部分１０ｂと，ゲート・コンタクト電極４０，ソース電極１８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴであって，
　フィールド・プレートコンタクト電極４１に接続する第二トレンチ部分１０ｂに配置されたフィールド・プレート２４と，
　前記フィールド・プレート２４をフィールド・プレートコンタクト電極４１に接続する多結晶シリコン・コンタクト層３９と，
　ゲート・コンタクト電極４０に接続する第二トレンチ部分１０ｂ内のフィールド・プレート２４の上側に配置されたゲート８であって，ゲート絶縁層２６ａによって，フィールド・プレート２４から絶縁されているゲート８と，
　ゲート８とゲート・コンタクト電極４０が接続され，
　第１のトレンチ部分１０ａ内のゲート絶縁膜２６ａは，ゲート８と接触している縦型ＭＯＳＦＥＴ。
（２）引用発明
　前記（１）の記載から，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　第一のトレンチ部分１０ａ，第二のトレンチ部分１０ｂと，ゲート・コンタクト電極４０，ソース電極１８とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴであって，
　フィールド・プレートコンタクト電極４１に接続する第二トレンチ部分１０ｂに配置された第一の導電型のドープされた多結晶シリコンからなるフィールド・プレート２４と，
　前記フィールド・プレート２４をフィールド・プレートコンタクト電極４１に接続する多結晶シリコン・コンタクト層３９と，
　ゲート・コンタクト電極４０に接続する第二トレンチ部分１０ｂ内のフィールド・プレート２４の上側に配置されたゲート８であって，ゲート絶縁層２６ａによって，フィールド・プレート２４から絶縁されているゲート８と，
　ゲート８とゲート・コンタクト電極４０が接続され，
　第一のトレンチ部分１０ａ内のゲート絶縁層２６ａは，ゲート８と接触している縦型ＭＯＳＦＥＴ。
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明の「第一のトレンチ部分１０ａ，第二のトレンチ部分１０ｂ」，「ゲート・コンタクト電極４０」，「ソース電極１８」，「縦型ＭＯＳＦＥＴ」は，各々本願発明１の「トレンチ」，「ゲート電極」，「ソース電極」，「金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）装置」に相当する。
　イ　引用発明の「フィールド・プレート２４」は，第二トレンチ部分１０ｂに配置された第一の導電型のドープされた多結晶シリコンからなることから，後記相違点２の点を除き，本願発明１の「トレンチ内に配置された第１のポリ層」という意味で共通する。
　ウ　引用発明の「ゲート８」は，ゲート・コンタクト４０に接続する第二トレンチ部分１０ｂ内のフィールド・プレート２４の上側に配置され，ゲート絶縁層２６ａによって，フィールド・プレート２４とは分離されていることから，後記相違点３の点を除き，本願発明１の「ゲート電極に接続されかつトレンチ内の前記第１のポリ層の上側に配置された第２のポリ層であって，前記第１のポリ層は分離酸化物によって第２のポリ層から分離されている第２のポリ層」という意味で共通する。
　エ　引用発明の「ゲート８とゲート・コンタクト電極４０が接続」されている点は，本願発明１の「第２のポリ層をゲート電極に接続するゲートコンタクト」の点に相当する。
　オ　引用発明の「第一のトレンチ部分内１０ａのゲート絶縁層２６ａは，ゲート８と接触している」点は，本願発明１の「トレンチ内の前記酸化物は，前記第２のポリ層と接している」点に相当する。
　そうすると，本願発明１と引用発明とは，以下のカの点で一致し，以下のキの点で相違する。
　カ　一致点
　トレンチと，ゲート電極と，ソース電極とを有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）装置であって，
　前記トレンチ内に配置された第１のポリ層と，
　前記ゲート電極に接続されかつ前記トレンチ内の前記第１のポリ層の上側に配置された第２のポリ層であって，前記第１のポリ層は分離酸化物によって前記第２のポリ層から分離されている，前記第２のポリ層と，
　前記第２のポリ層をゲート電極に接続するゲートコンタクトと，
　前記トレンチ内の前記酸化物は，前記第２のポリ層と接触している
ＭＯＳＦＥＴ装置。
　キ　相違点
　相違点１
　本願発明１では，「スプリットゲート構造を有するスプリットゲート金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）装置」であるのに対して，引用発明では，スプリットゲート型構造であることを明示していない点。
　相違点２
　本願発明１では，「第１のポリ層」は，「ソース電極に接続するソースコンタクト」を有するのに対して，引用発明では，そのような接続を有しない点。
　相違点３
　本願発明１では，「第１のポリ層は分離酸化物によって第２のポリ層から遮蔽されている」のに対して，引用発明では，ゲート８は，ゲート絶縁層２６ａによって，フィールド・プレート２４とは分離されているが，遮蔽されているとは明示されていない点。
　相違点４
　本願発明１では，「トレンチ内の酸化物の上面と，活性領域本体の上面と，ソースコンタクトの上面と，ゲートコンタクトの上面とは同一平面上にあ」るのに対して，引用発明では，そのような構成になっていない点。
　相違点５
　本願発明１では，「トレンチ内の酸化物は」，「第２のポリ層の上にある」のに対して，引用発明では，トレンチ内のゲート絶縁膜２６ａは，ゲート８の上部にはない点。
（２）相違点についての検討
　相違点４について検討する。
　相違点４に係る構成は，引用文献１には記載も示唆も無い。
　また，上記相違点４を有する事により，本願発明１は，活性領域及びソースコンタクトと同一平面上において，第１のポリ層を前記ソース電極への接続し，前記第２のポリ層を前記ゲート電極へと接続する事を可能にする，という有利な効果を奏する。（本願明細書の段落【０００９】，【００１４】参照）
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２ないし６について　
　本願発明２ないし６は，本願発明１を引用し，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１が引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明２ないし６も引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は，請求項１ないし６について，上記引用文献１に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることできない，及び請求項１ないし６について，「電界効果トランジスタ」としての具体的な構成を把握することができないから，特許法第３６条第６項第２号により，特許を受けることができない，というものである。
　しかしながら，平成３０年３月１日付け手続補正書により補正された請求項１には，「前記トレンチ内の酸化物の上面と，活性領域本体の上面と，前記ソースコンタクトの上面と，前記ゲートコンタクトの上面とは同一平面上にあ」る構成を含むものであり，前記第４で検討したとおり，上記引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また，請求項１ないし６に係る発明は，ＩＧＢＴ等と併記して説明されていることから，「電界効果トランジスタ」として一般的な縦型素子であることが理解できるから，縦型素子として一般的なチャネル領域やドレイン領域を備えていることは明らかであり，請求項１ないし６に係る発明は具体的な構成を把握することができる。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では，「第１のポリ層の下側に配置された第２のポリ層」という記載が「第１のポリ層の上側に配置された第２のポリ層」の誤記であることから，特許法第３６条第６項第２号について拒絶の理由を通知しているが，平成３０年３月１日付けの補正によって，「第１のポリ層の上側に配置された第２のポリ層」と補正された結果，この拒絶理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１は当業者が引用文献１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものではなく，また不明確なものでもない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。