(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、
ダイパッドと、
ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、
各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、
各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、
各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、
ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、
ダイパッドの突起部より下方部分と、端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成され、
端子部の厚さは、２５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板と、
基板上に設けられ、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、
基板上に設けられ、内面と外面とを有するダイパッドとを備え、
各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、
各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、
ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、
ダイパッドの突起部より下方部分と端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成され、
端子部の厚さは、２５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項４】
永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装タイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法、ならびにこのような半導体装置を製造する際に用いられる半導体装置用基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は、高集積化や小型化技術の進歩、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向から、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集積化、高機能化が進んできている。このように高集積化、高機能化された半導体装置においては、外部端子（ピン）の総和の増加や更なる多端子（ピン）化が要請されている。
【０００３】
このような半導体装置としては、リードフレームにＩＣチップ、ＬＳＩチップなどの半導体チップが搭載され、絶縁性樹脂で封止された構造をもつ半導体パッケージがある。このような半導体装置では、高集積化および小型化が進むに従ってパッケージの構造が、ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）のような樹脂パッケージの側壁から外部リードが外側に突出したタイプを経て、外部リードが外側に突出せずに樹脂パッケージの裏面に外部リードが露出するように埋設された、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）やＳＯＮ（Small Outline Noneleaded Package）などの薄型で実装面積の小さいタイプに進展している。
【０００４】
またＱＦＰパッケージが抱える実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボールをパッケージの外部端子として備えた表面実装型パッケージであるＢＧＡ(Ball Grid Array)と呼ばれる樹脂封止型の半導体装置が量産されている。また、ＢＧＡの半田ボールに代えてマトリックス状の平面電極からなる外部端子が設けられた表面実装型パッケージとして、ＬＧＡ(Land Grid Array)と呼ばれる半導体装置が存在する。
【０００５】
図７は、このような従来の半導体装置の１つを示している。図７において、半導体装置５０は、水平方向に突出する突起部５３ａを有する断面きのこ形状の端子部５３と、水平方向に突出する突起部５２ａを有する断面きのこ形状のダイパッド５２と、このダイパッド５２上に搭載され、各端子部５３とワイヤ５７により電気的に接続された半導体素子５５とを有している。また、これらダイパッド５２、端子部５３、半導体素子５５、およびワイヤ５７は、封止樹脂部５１により封止されている。
【０００６】
図７において、半導体装置５０の端子部５３およびダイパッド５２が突起部５３ａ、５２ａを有しているのは、端子部５３やダイパッド５２が上述した封止樹脂部５１から外れることを防止するためである。しかしながら、端子部５３およびダイパッド５２をこのような断面きのこ形状とする場合、封止樹脂部５１を突起部５３ａ、５２ａの下方に回り込ませるため、端子部５３およびダイパッド５２のめっきの厚み（すなわち端子部５３およびダイパッド５２の高さ）を２５μｍ以上とする必要がある。したがって、端子部５３およびダイパッド５２を作成するために時間が長くかかり、製造コストの上昇に繋がっている。
【０００７】
また、半導体装置５０の製造工程において、端子部５３間に形成されるドライフィルムレジストを確実に剥離する必要がある。すなわち端子部５３間のドライフィルムレジストを剥離する剥離液を突起部５３ａ、５２ａの下方に確実に回り込ませるため、上述したように端子部５３およびダイパッド５２のめっきの厚みを２５μｍ以上とするとともに、各端子部５３間に１５０μｍ以上のスペースを設けることが必要となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭５９−２０８７５６号公報
【特許文献２】特開２００２−９１９６号公報
【特許文献３】特開２００２−２８９７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、全体を薄くすることができるとともに、製造する際の歩留りを向上させることができる半導体装置およびその製造方法、ならびにこのような半導体装置を製造する際に用いられる半導体装置用基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、ダイパッドと、ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と、端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１１】
本発明は、永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
本発明は、基板と、基板上に設けられ、各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、基板上に設けられ、内面と外面とを有するダイパッドとを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、各端子部の内部端子面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの内面側に、外方に突出する突起部が形成され、ダイパッドの突起部より下方部分と端子部の突起部より下方部分との間、および隣接する端子部の突起部より下方部間に、永久レジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板である。
【００１３】
本発明は、永久レジスト層はポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板である。
【００１４】
本発明は、半導体装置の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程と、ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、半導体素子と端子部の内部端子面とを接続部により接続する工程と、基板上のダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止樹脂により樹脂封止して封止樹脂部を形成する工程と、裏面側の基板を封止樹脂部から除去する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１５】
本発明は、ダイパッドは基板の表面側に複数形成されるとともに、各ダイパッド上に半導体素子が搭載され、各半導体素子は対応する端子部の内部端子面に接続部により接続され、封止樹脂は半導体装置毎にダイシングされることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１６】
本発明は、基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１７】
本発明は、基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなり、封止樹脂部はエポキシ系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１８】
本発明は、基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１９】
本発明は、基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２０】
本発明は、半導体装置用基板の製造方法において、基板の表面および裏面に、各々所望パターンを有するレジストを設ける工程と、基板の裏面側をカバーで覆って基板の表面側にめっきを施し、各々が外部端子面と内部端子面とを有しかつ内部端子面側に外方へ突出する突起部が形成された複数の端子部を形成するとともに、内面と外面とを有しかつ内面側に外方へ突出する突起部が形成されたダイパッドを形成する工程と、基板の表面側をカバーで覆って基板の裏面側にエッチングを施して、基板に所望の開口を形成する工程と、基板の裏面側のレジストを剥離するとともに、表面側のレジストを残存させる工程とを備えたことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。
【００２１】
本発明は、基板表面側のレジストと基板裏面側のレジストとが異なることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。
【００２２】
本発明は、基板表面側のレジストはポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。
【００２３】
本発明は、基板の表面および裏面にレジストを設ける工程は、ドライフィルムレジストと、剥離シートとを有する一対のドライフィルムレジストシートを準備する工程と、各ドライフィルムレジストシートの剥離シートを剥離する工程と、各ドライフィルムレジストシートのドライフィルムレジストを基板の表面および裏面に接着する工程と、各ドライフィルムレジストに対して所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。
【００２４】
本発明は、基板表面側のドライフィルムレジストは、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする半導体装置用基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ダイパッドの突起部および端子部の突起部より下方部分に、永久レジスト層が形成されている。したがって、封止樹脂部を突起部の下方に回り込ませるために端子部およびダイパッドの厚みを２５μｍ以上とする必要がないので、半導体装置全体を薄くすることができるとともに半導体装置の製造時間を短縮することができる。また端子部およびダイパッドを形成するためのめっき厚を薄くすることができるので、めっき厚のばらつきを減らして半導体装置を製造する際の歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略断面図。
【図２】本発明による半導体装置用基板の一実施の形態を示す概略断面図。
【図３】半導体装置の端子部を示す拡大断面図。
【図４】本発明による半導体装置用基板の製造方法の一実施の形態を示す工程図。
【図５】基板の表面および裏面にレジスト層を設ける工程を示す図。
【図６】本発明による半導体装置の製造方法の一実施の形態を示す工程図。
【図７】従来の半導体装置を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図６を参照して説明する。ここで、図１は、本発明による半導体装置の一実施の形態を示す概略断面図であり、図２は、本発明による半導体装置用基板の一実施の形態を示す概略断面図である。また図３は、半導体装置の端子部を示す拡大断面図であり、図４は、本発明による半導体装置用基板の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。また図５は、基板の表面および裏面にレジスト層を設ける工程を示す図であり、図６は、本発明による半導体装置の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【００２８】
まず、図１および図３により、本実施の形態による半導体装置の概略について説明する。図１において、半導体装置１０はＬＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置であり、各々が内部端子面１３ｂと外部端子面１３ａとを有する複数の端子部１３と、この端子部１３の配列の略中央に設けられたダイパッド１２とを備えている。各端子部１３の外部端子面１３ａおよびダイパッド１２の外面１２ａは、同一平面上に並んでいる。
【００２９】
また、ダイパッド１２の内面１２ｂ上に、電気絶縁性材料１６を介して半導体素子１５がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子１５の端子１５ａは、各端子部１３の内部端子面１３ｂにワイヤ（接続部）１７によって電気的に接続されている。そして、端子部１３の外部端子面１３ａと、ダイパッド１２の外面１２ａを外方へ露出させるように、ダイパッド１２、端子部１３、半導体素子１５、およびワイヤ１７が封止樹脂部１１により封止されている。なお、封止樹脂部１１は例えばエポキシ系樹脂等の電気絶縁性を有する樹脂材料を用いることができる。
【００３０】
一方、各端子部１３の内部端子面１３ｂ側に外方（水平方向）に突出する突起部１３ｃが形成され、ダイパッド１２の内面１２ｂ側に外方（水平方向）に突出する突起部１２ｃが形成されている。なお突起部１３ｃは、外方に２μｍ以上の長さで突出していることが好ましい（図３の符号Ｏh）。
【００３１】
また、ダイパッド１２の突起部１２ｃより下方部分と、端子部１３の突起部１３ｃより下方部分との間、および隣接する端子部１３の突起部１３ｃより下方部間に、永久レジスト層１８が形成されている。この永久レジスト層１８は、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。具体的には、ベンゾシクロブテン、ポリベンズオキサゾール、ポリシロキサン、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾールセラゾール、ビスマレイミドトリアジン、ポリフェニルエーテル等が用いられる。
【００３２】
図３に示すように、端子部１３の高さ（内部端子面１３ｂおよび外部端子面１３ａ間の距離）Ｐtは約１０μｍ乃至１５０μｍであり、とりわけ約１０μｍ乃至６０μｍとすることが好ましい。また端子部１３の外部端子面１３ａから突起部１３ｃ下面までの高さＰcは、約５μｍ乃至４０μｍであり、とりわけ約５μｍ乃至２０μｍとすることが好ましい。また、隣接する端子部１３間の幅Ｂcは、半導体装置のパッケージデザインにより適宜設定することができる。
【００３３】
すなわち本実施の形態において、ダイパッド１２の突起部１２ｃおよび端子部１３の突起部１３ｃより下方部分に永久レジスト層１８が形成されているので、ドライフィルムレジストを剥離する剥離液および封止樹脂部１１を突起部１３ｃ、１２ｃの下方に回り込ませる必要がない。したがって、端子部１３およびダイパッド１２の厚さＰtを従来より薄くすることができるとともに（約２５μｍ以下）、隣接する端子部１３間の幅Ｂcを従来より狭くすることができる（約１５０μｍ以下）。このように、端子部１３の厚みを薄くすることができるので、半導体装置１０全体の厚さを７μｍ乃至２０μｍ程度まで薄くすることができる。
【００３４】
ところで、各端子部１３およびダイパッド１２は、後述するように電解めっき法により作成される。すなわち端子部１３（ダイパッド１２）は、外部端子面１３ａ（外面１２ａ）側から内部端子面１３ｂ（内面１２ｂ）側に、例えばニッケル（Ｎｉ）層、銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、金（Ａｕ）層という順で積層された複数のめっき層により構成されている（以下、このようなめっき層の構成を［Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ］ともいう）。このほか端子部１３（ダイパッド１２）のめっき層の構成として、例えば［Ｎｉ／Ａｕ］、［Ｎｉ／Ａｇ］、［Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］、［Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ］、［Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ａｇ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ］、［Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ａｇ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ］、［Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ］という構成を挙げることができる。
【００３５】
次に、図２を用いて、上述した半導体装置１０を製造する際に用いられる半導体装置用基板２０について説明する。図２において、半導体装置用基板２０は、基板２１と、この基板２１上に設けられ、各々が内部端子面１３ｂと外部端子面１３ａとを有する複数の端子部１３と、基板２１上に設けられ、各々が内面１２ｂと外面１２ａとを有する複数のダイパッド１２とを備えている。また基板２１の所定位置に開口２２が形成されている。なお各端子部１３の外部端子面１３ａおよび各ダイパッド１２の外面１２ａは、同一平面上に並んでいる。
【００３６】
一方、各端子部１３の内部端子面１３ｂ側に外方（水平方向）に突出する突起部１３ｃが形成され、各ダイパッド１２の内面１２ｂ側に外方（水平方向）に突出する突起部１２ｃが形成されている。さらに、各ダイパッド１２の突起部１２ｃより下方部分と、各端子部１３の突起部１３ｃより下方部分との間、および隣接する端子部１３の突起部１３ｃより下方部間に、永久レジスト層１８が形成されている。なお永久レジスト層１８は、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。具体的には、ベンゾシクロブテン、ポリベンズオキサゾール、ポリシロキサン、ポリアミドイミド、ポリベンズイミダゾールセラゾール、ビスマレイミドトリアジン、ポリフェニルエーテル等が用いられる。
【００３７】
基板２１は、銅、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基板、または少なくとも端子部１３およびダイパッド１２が設けられている面に銅、ニッケル、銀、パラジウム、金もしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板であっても良い。後述する半導体装置用基板の製造方法（図４）において、端子部１３およびダイパッド１２の形成は電解めっき法により行なわれるので、少なくとも端子部１３およびダイパッド１２が設けられる面が導電性を有する基板を使用する。また、後述する半導体装置の製造方法（図６）において、樹脂封止後に半導体装置を剥離するために、溶解除去可能な金属層（例えば、銅層等）を予め形成した基板２１を用いてもよい。
【００３８】
次に、本実施の形態による半導体装置用基板の製造方法について、図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。
【００３９】
図４において、まず基板２１を準備する（図４（ａ））。この基板２１は、上述したように銅、鉄−ニッケル合金、鉄−ニッケル−クロム合金、鉄−ニッケル−カーボン合金等の導電性基板、または表面にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕもしくはこれらの合金からなる導電性層を備えた絶縁性基板を使用することができる。なお、後述するように、ダイパッド１２および端子部１３を基板２１から容易に剥離できるように、予め基板２１の一面に凹凸をつける表面処理を行い、かつ、剥離性をもたせる剥離処理を行っておく等の処置をとることが好ましい。ここでの表面処理としては、サンドブラストによるブラスト処理、剥離処理としては、基板２１の表面に酸化膜を形成する方法等が挙げられる。
【００４０】
次に、基板２１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層１８、３２を設ける（図４（ｂ））。このうち表面側のレジスト層１８は、上述したように、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等の耐薬品性樹脂かつ２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、更に好ましくは３００℃以上の耐熱性を有する高耐熱性樹脂からなり、好ましくはポリイミド系樹脂からなっている。またレジスト層１８は、各ダイパッド１２および各端子部１３の形成部位に相当する箇所に開口部１８ａ、１８ｂが形成され、この開口部１８ａ、１８ｂには基板２１が露出している。なお表面側のレジスト層１８の厚さは、端子部１３の外部端子面１３ａから突起部１３ｃ下面までの高さ（およびダイパッド１２の外面１２ａから突起部１２ｃ下面までの高さ）に対応する。
【００４１】
一方、裏面側のレジスト層３２は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなっており、上述した表面側のレジスト層１８と異なる材料からなることが好ましい。また裏面側のレジスト層３２は、開口２２の形成部位に相当する箇所に開口部３２ａが形成され、この開口部３２ａには基板２１が露出している。
【００４２】
次に、基板２１の裏面側をカバー３３で覆って、基板２１の表面側に電解めっきを施す。これにより基板２１上に金属を析出させて、各々が外部端子面１３ａと内部端子面１３ｂとを有し、かつ内部端子面１３ｂ側に外方へ突出する突起部１３ｃが形成された複数の端子部１３を形成するとともに、内面１２ｂと外面１２ａとを有し、かつ内面１２ｂ側に外方へ突出する突起部１２ｃが形成されたダイパッド１２を形成する（図４（ｃ））。
【００４３】
このようにして電解めっきにより端子部１３およびダイパッド１２を形成する際、レジスト層１８の厚みよりも厚く金属を析出させる。これにより、レジスト層１８の開口部１８ａ内に析出した金属は、開口部１８ａの内壁に沿って上方に堆積した後、レジスト層１８から盛り上がりながらレジスト層１８の表面に沿って横方向にも析出する。
【００４４】
次に、図４（ｄ）に示すように、基板２１の表面側をカバー３４で覆うとともに、基板２１の裏面側のカバー３３を剥離する。次に基板２１の裏面側にエッチングを施すことにより、基板２１上のレジスト層３２の開口部３２ａに対応する位置に、所望の開口２２を形成する。なお、この開口２２は、後述する半導体装置の製造工程において半導体装置用基板２０を搬送する際や位置決めを行なう際に用いられる。
【００４５】
次いで基板２１の表面側のカバー３４を剥離し、更に基板２１の表面側および裏面側のレジスト層１８、３２を剥離する。このようにして、図２に示す半導体装置用基板２０を得ることができる（図４（ｅ））。
【００４６】
次に図５（ａ）−（ｅ）を用いて、上述した基板２１の表面および裏面にレジスト層１８、３２を設ける工程（図４（ｂ））について更に説明する。
【００４７】
まず図５（ａ）に示すように、一対のドライフィルムレジストシート４０、４１を準備する。このうちドライフィルムレジストシート４０は、例えばポリイミド系樹脂からなるドライフィルムレジスト１８Ａと、剥離シート４２と、支持フィルム４３とからなっている。他方、ドライフィルムレジストシート４１は、例えばアルカリ、酸、溶剤等により剥離可能な樹脂からなるドライフィルムレジスト３２Ａと、剥離シート４４と、支持フィルム４５とからなっている。
【００４８】
次に、ドライフィルムレジストシート４０のドライフィルムレジスト１８Ａを基板２１の表面に接着するとともに、ドライフィルムレジストシート４１のドライフィルムレジスト３２Ａを基板２１の裏面に同時に接着する（図５（ｂ）（ｃ））。この際、各ドライフィルムレジストシート４０、４１の剥離シート４２、４４を剥離しておく。
【００４９】
次いで、各ドライフィルムレジスト１８Ａ、３２Ａに所望のパターンを形成する（図５（ｄ））。
【００５０】
すなわち、表面側のドライフィルムレジスト１８Ａの所定位置に、フォトリソグラフィ法により基板２１が露出する開口部１８ａ（１８ｂ）を形成する。この場合、ドライフィルムレジスト１８Ａをフォトマスクを介して露光し、次いでドライフィルムレジスト１８Ａ上から支持フィルム４３を除去する。その後、露光されたドライフィルムレジスト１８Ａを現像して、ドライフィルムレジスト１８Ａのうち不要な部分を除去する。
【００５１】
また、裏面側のドライフィルムレジスト３２Ａの所定位置に、フォトリソグラフィ法により、基板２１が露出する開口部３２ａを形成する。この場合、ドライフィルムレジスト３２Ａをフォトマスクを介して露光し、次いでドライフィルムレジスト３２Ａ上から支持フィルム４５を除去する。その後、露光されたドライフィルムレジスト３２Ａを現像して、ドライフィルムレジスト３２Ａのうち不要な部分を除去する。
【００５２】
このようにして、基板２１の表面および裏面に各々所望のパターンを有するレジスト層１８、３２が作成される（図５（ｅ））。
【００５３】
なお、上述したように、表面側のドライフィルムレジスト１８Ａおよび裏面側のドライフィルムレジスト３２Ａのいずれもフォトリソグラフィ法により所望のパターンを形成する場合を示したが、これに限らず、まず表面側のドライフィルムレジスト１８Ａ上から支持フィルム４３を除去し、次いでレーザ加工法により表面側のドライフィルムレジスト１８Ａに所望のパターンを形成し、その後フォトリソグラフィ法により裏面側のドライフィルムレジスト３２Ａに所望のパターンを形成しても良い。
【００５４】
次に、本実施の形態による半導体装置の製造方法について、図４（ａ）−（ｅ）、図６（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。
【００５５】
まず、図４（ａ）−（ｅ）に示す工程により、図２に示す半導体装置用基板２０を作成する（上述）。次に、半導体装置用基板２０の各ダイパッド１２上に電気絶縁性材料１６を介して半導体素子１５を搭載する（図６（ａ））。
【００５６】
次に、各半導体素子１５の端子１５ａと、対応する半導体装置用基板２０の各端子部１３の内部端子面１３ｂとを、ワイヤ（接続部）１７を用いてそれぞれ接続する（ワイヤボンディング）（図６（ｂ））。
【００５７】
その後、基板２１上のダイパッド１２、端子部１３、半導体素子１５、ワイヤ１７、および永久レジスト層１８をエポキシ系樹脂からなる封止樹脂部１１により封止する（図６（ｃ））。次いで、例えばエッチング等により、裏面側の基板２１を除去する（図６（ｄ））。
【００５８】
次に、封止樹脂部１１を各半導体素子１５を含む半導体装置（半導体パッケージ）毎にダイシングすることにより、図１に示す半導体装置１０を得ることができる（図６（ｅ））。
【００５９】
このように、本実施の形態によれば、ダイパッド１２の突起部１２ｃおよび端子部１３の突起部１３ｃより下方部分に、永久レジスト層１８が形成されている。したがって、封止樹脂部１１を突起部１２ｃ、１３ｃの下方に回り込ませるために端子部１３およびダイパッド１２の厚みを２５μｍ以上とする必要がないので、半導体装置１０全体を薄くすることができるとともに半導体装置１０の製造時間を短縮することができる。
【００６０】
また、本実施の形態によれば、端子部１３およびダイパッド１２を形成するためのめっき厚を薄くすることができるので、めっき厚のばらつきを減らして半導体装置１０を製造する際の歩留りを向上させることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０    半導体装置
１１    封止樹脂部
１２    ダイパッド
１２ａ  外面
１２ｂ  内面
１２ｃ  突起部
１３    端子部
１３ａ  外部端子面
１３ｂ  内部端子面
１３ｃ  突起部
１５    半導体素子
１６    電気絶縁性材料
１７    ワイヤ（接続部）
１８    永久レジスト層
２０    半導体装置用基板
２１    基板
２２    開口
３２    レジスト層
４０、４１  ドライフィルムレジストシート
４２、４４  剥離シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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