【事件の表示】
　特許第６２４２６３３号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第６２４２６３３号の明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件訂正審判の請求に係る特許第６２４２６３３号（以下、「本件特許」という。）は、平成２５年９月３日を出願日とする出願（特願２０１３−１８２５９５号）の請求項１ないし２０に係る発明について平成２９年１１月１７日に特許権の設定登録がなされ、平成３０年１月２５日に本件訂正審判の請求がなされたものである。
第２　請求の趣旨及び訂正事項
　本件審判の請求の要旨は、特許第６２４２６３３号発明の明細書及び特許請求の範囲を、審判請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、すなわち、下記１ないし３のとおり訂正することを求めるものである。
１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の「前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」を、「前記第３部分の前記第２不純物の濃度よりも高く」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２乃至１７及び２０も同様に訂正する）。
２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１８の「前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」を、「前記第３部分の前記第２不純物の濃度よりも高く」に訂正する（請求項１８の記載を直接的又は間接的に引用する請求項１９及び２０も同様に訂正する）。
３　訂正事項３
　明細書の段落【０００５】における「前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」を、「前記第３部分の前記第２不純物の濃度よりも高く」に訂正する。
第３　当審の判断
１　訂正事項１について
（１）　訂正の目的について
ア　訂正前の請求項１の記載
　訂正前の請求項１の記載は以下のとおりである。
「第１導電形の第１半導体領域と、
　前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上に設けられた第２導電形の第３半導体領域であって、第１導電形の第１不純物と、第２導電形の第２不純物とを含む第３半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上に設けられ、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域と電気的に接続された第１電極と、
　を備え、
　前記第３半導体領域は、第１部分、第２部分及び第３部分を含み、
　前記第２部分は前記第１部分と前記第１半導体領域との間に設けられ、
　前記第３部分は前記第２部分と前記第１半導体領域との間に設けられ、
　前記第２部分の前記第１不純物の濃度は、前記第１部分の前記第１不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第１不純物の濃度よりも高く、
　前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く、
　前記第２部分の前記第１不純物の濃度に対する前記第２部分の前記第２不純物の濃度の比は、１よりも大きく３よりも小さい半導体装置。」
イ　訂正前の請求項１における誤記の存在について
　上記のとおり、訂正前の請求項１には、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」と記載されているが、訂正前の請求項１には、この記載の前に「第３不純物」という記載は存在しない。
　したがって、訂正前の請求項１において、「前記第３不純物」という記載が誤記であることは明らかである。
ウ　訂正後の請求項１の記載が本来の意を表しているかについて
（ア）　訂正前の請求項１には、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」が「前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高」いと、記載されていた。
　すなわち訂正前の請求項１では、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」が「前記第３部分」の何らかの不純物濃度よりも高いことが記載されている。
　ここで、訂正前の請求項１には、
ａ　「前記第３不純物」の記載以前に「不純物」について、「第１不純物」および「第２不純物」しか記載されていないこと
ｂ　「第３半導体領域」には「第１不純物」および「第２不純物」しか含まれていないから、「第３半導体領域」の一部である「第３部分」にも「第１不純物」および「第２不純物」しか含まれていないこと
ｃ　「前記第３部分の前記第３不純物の濃度」の比較の対象が「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」であること
が記載されている。
　したがって、訂正前の請求項１の記載を総合すれば、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」において、上記「イ」から明らかな誤記と認められる「前記第３不純物」という記載は、「前記第２不純物」の誤記であると解するのが合理的である。
（イ）　これに対して、明細書には、
「【００４０】
　
第３半導体領域３０における第１導電形の不純物の濃度及び第２導電形の不純物の濃度は、例えばＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）によって検出される。
　図４（ａ）及び（ｂ）は、不純物濃度を例示する図である。
　
図４（ａ）及び（ｂ）において、横軸は深さ、縦軸は不純物濃度を表している
・・・　中　略　・・・
【００４２】
　
図４（ｂ）に表した例においても、第３半導体領域３０からｎ形の不純物（Ｎ）とｐ形の不純物（Ａｌ）とが検出されている
と記載され、【図４】（ｂ）には、
図４
と記載されている（下線は当審で付与した。以下、同じ。）。
　すなわち、第３半導体領域３０には、ｎ形の不純物（Ｎ）とｐ形の不純物（Ａｌ）しかなく、ｎ形の不純物（Ｎ）濃度とｐ形の不純物（Ａｌ）濃度は、第３半導体領域３０のうち中間の領域（訂正前の請求項１に係る「第２部分」に相当する。）が最も高いことが記載されている。
　よって、訂正前の請求項１の「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」の記載において、「前記第３不純物」の記載は前記「第２不純物」の誤記であるという上記「（ア）」の理解は、明細書の記載と整合している。
（ウ）　以上から、訂正後の請求項１の「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の
前記第２不純物
エ　訂正の目的のまとめ
　以上から、訂正事項１は、特許法第１２６条第１項但し書き第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものと認められる。
（２）　新規事項の有無
　上記「（１）ウ（イ）」で指摘したのと同旨の記載が本件出願の願書に最初に添付した明細書及び図面にあるから、訂正事項１は、本件出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内でなされたものと認められる。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）　特許請求の範囲の拡張・変更の有無
　上記「（１）ウ」で指摘したように、訂正後の請求項１の記載は、明細書から把握される本来の意を表していると認められる。
　そして、訂正事項１は、上記「（１）ウ（イ）」で指摘したように、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものである。
　したがって、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）　独立特許要件
　訂正事項１による訂正後における特許請求の範囲の請求項１ないし１７および２０に記載されている事項により構成される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しないから、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
２　訂正事項２について
（１）　訂正の目的について
ア　訂正前の請求項１８の記載
「第１導電形の第１半導体領域と、
　前記第１半導体領域の上に設けられた第２導電形の第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上に設けられた第２導電形の第３半導体領域であって、第１導電形の第１不純物と、第２導電形の第２不純物とを含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上であって、前記第１半導体領域と前記第３半導体領域との間に設けられた第１導電形の第８半導体領域と、
　第１電極と、
　前記第１半導体領域と前記第１電極との間に設けられた絶縁膜と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　前記第２半導体領域、前記第３半導体領域及び前記第８半導体領域と電気的に接続された第３電極と、
　を備え、
　前記第３半導体領域は、第１部分、第２部分及び第３部分を含み、
　前記第２部分は前記第１部分と前記第１半導体領域との間に設けられ、
　前記第３部分は前記第２部分と前記第１半導体領域との間に設けられ、
　前記第２部分の前記第１不純物の濃度は、前記第１部分の前記第１不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第１不純物の濃度よりも高く、
　前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く、
　前記第２部分の前記第１不純物の濃度に対する前記第２部分の前記第２不純物の濃度の比は、１よりも大きく３よりも小さい半導体装置。」
イ　訂正前の請求項１８における誤記の存在について
　上記のとおり、訂正前の請求項１８には、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」と記載されているが、訂正前の請求項１８には、この記載の前に「第３不純物」という記載は存在しない。
　したがって、訂正前の請求項１において、「前記第３不純物」という記載が誤記であることは明らかである。
ウ　訂正後の請求項１８の記載が本来の意を表しているかについて
（ア）　訂正前の請求項１８には、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」が「前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高」いと、記載されていた。
　すなわち訂正前の請求項１８では、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」が「前記第３部分」の何らかの不純物濃度よりも高いことが記載されている。
　ここで、訂正前の請求項１８には、
ａ　「前記第３不純物」の記載以前に「不純物」について、「第１不純物」および「第２不純物」しか記載されていないこと
ｂ　「第３半導体領域」には「第１不純物」および「第２不純物」しか含まれていないから、「第３半導体領域」の一部である「第３部分」にも「第１不純物」および「第２不純物」しか含まれていないこと
ｃ　「前記第３部分の前記第３不純物の濃度」の比較の対象が「前記第２部分の前記第２不純物の濃度」であること
が記載されている。
　したがって、訂正前の請求項１８の記載を総合すれば、「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」において、上記「イ」から明らかな誤記と認められる「前記第３不純物」という記載は、「前記第２不純物」の誤記であると解するのが合理的である。
（イ）　これに対して、明細書には、上記「１（１）ウ（イ）」で指摘したように、第３半導体領域３０には、ｎ形の不純物（Ｎ）とｐ形の不純物（Ａｌ）しかなく、ｎ形の不純物（Ｎ）濃度とｐ形の不純物（Ａｌ）濃度は、第３半導体領域３０のうち中間の領域（訂正前の請求項１８に係る「第２部分」に相当する。）が最も高いことが記載されている。
　よって、訂正前の請求項１８の「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の前記第３不純物の濃度よりも高く」の記載において、「前記第３不純物」の記載は前記「第２不純物」の誤記であるという上記「（ア）」の理解は、明細書の記載と整合している。
（ウ）　以上から、訂正後の請求項１８の「前記第２部分の前記第２不純物の濃度は、前記第１部分の前記第２不純物の濃度、及び、前記第３部分の
前記第２不純物
エ　訂正の目的のまとめ
　以上から、訂正事項２は、特許法第１２６条第１項但し書き第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものと認められる。
（２）　新規事項の有無
　上記「１（１）ウ（イ）」で指摘したのと同旨の記載が本件出願の願書に最初に添付した明細書及び図面にあるから、訂正事項２は、本件出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内でなされたものと認められる。
　よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）　特許請求の範囲の拡張・変更の有無
　上記「（１）ウ」で指摘したように、訂正後の請求項１８の記載は、明細書から把握される本来の意を表していると認められる。
　そして、訂正事項２は、上記「（１）ウ（イ）」で指摘したように、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものである。
　したがって、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）　独立特許要件
　訂正事項２による訂正後における特許請求の範囲の請求項１８ないし２０に記載されている事項により構成される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しないから、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
　よって、訂正事項２は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　訂正事項３について
（１）　訂正の目的
　上記「１（１）イ」で指摘したと同じ理由により、訂正前の明細書の段落【０００５】の記載において、「前記第３不純物」という記載は誤記であることは明らかである。
　そして、上記「１（１）ウ」で指摘したと同じ理由により、「前記第３不純物」という記載を「前記第２不純物」に訂正した後の段落【０００５】の記載は、明細書から把握される本来の意を表していると認められる。
　したがって、訂正事項３は、特許法第１２６条第１項但し書き第２号に掲げる誤記又は誤訳の訂正を目的とするものと認められる。
（２）　新規事項の有無
　上記「１（２）」および「２（２）」で指摘したと同じ理由により、訂正事項３は、本件出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載の範囲内でなされたものと認められる。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）　特許請求の範囲の拡張・変更の有無
　上記「１（３）」および「２（３）」で指摘したと同じ理由により、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
（４）　独立特許要件
　上記「１（４）」および「２（４）」で指摘したと同じ理由により、訂正事項３による訂正後における特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載されている事項により構成される発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明ではない。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
第４　むすび
　したがって、本件審判の請求に係る訂正は、特許法第１２６条第１項但し書き第２号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。