【事件の表示】
　特願２０１２−　８８３９７「半導体素子、半導体基板、感放射線性樹脂組成物、保護膜および表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月２４日出願公開、特開２０１３−２１９１７３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２４年４月９日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　１月　９日　審査請求
平成２８年　１月１８日　拒絶理由通知
平成２８年　２月１２日　意見書・手続補正
平成２８年　７月１２日　拒絶理由通知（最後）
平成２８年　９月　１日　意見書
平成２９年　１月１９日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　２月　６日　審判請求・手続補正
平成２９年　４月２４日　上申書
平成２９年　９月２９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という。）
平成２９年１０月２６日　意見書・手続補正（以下，「当審補正」という。）
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は，当審補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に配置された複数のゲート配線と複数のデータ配線とを備え，
　前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線との交差部分に構成されるマトリクス状の画素内に，半導体層と，前記半導体層の第１面に接して設けられたソース電極及びドレイン電極とを有する半導体素子が配置されており，
　前記半導体層は，インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ）および錫（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種を含んで構成された酸化物を用いて形成されたものであり，
　前記半導体層と，前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に保護膜を有し，
　前記保護膜は，　樹脂と，　キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸
　とを含むことを特徴とする半導体基板。
　【請求項２】
　前記樹脂は，カルボキシル基を有するアクリル樹脂，ポリイミド樹脂，ポリシロキサンおよびノボラック樹脂から選ばれる１種であることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
　【請求項３】
　前記保護膜にはスルーホールが設けられ，
　前記半導体層の第１面と前記電極との接続は，該スルーホールを介して行われるよう構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板。
　【請求項４】
　前記半導体層の第２面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と，
　前記第１面に設けられたソース電極およびドレイン電極，
とを有してボトムゲート型半導体素子を構成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体基板。
　【請求項５】
　前記半導体層は，酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ），酸化亜鉛錫（ＺＴＯ）および酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のうちの少なくとも１種を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体基板。」
　
第３　原査定の理由の概要
（当審注：下記「請求項６ないし１０」は，それぞれ「本願発明１ないし５」に対応する。左の請求項以外に係る部分は省略した。下記第４において同じ。）
理由１．（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
理由２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第１項第３号）及び理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項６，７，１０
・引用文献１
・備考
　引用文献１（［請求項１］，［００２６］−［００３６］，［０１９３］参照。）には，
　酸化物半導体からなる半導体層１１と，
　半導体層１１の第１面に設けられた半導体層接触絶縁層からなるゲート絶縁層１４と，
　半導体層１１の第１面に，ゲート絶縁層１４を介して設けられたゲート電極１３Ｇと，
を有する薄膜トランジスタであって，
　半導体層接触絶縁層が，感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された感光性ポリイミド絶縁層であり，
　感光性ポリイミド樹脂組成物が，感光性成分としてナフトキノンジアジド化合物を添加したアルカリ現像ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物であり，
　酸化物半導体として，酸化亜鉛（ＺｎＯ），ＩｎＧａＺｎＯ系，ＩｎＺｎＯ系などを用いる薄膜トランジスタ，
の発明が記載されている。
　ここで，引用文献１に記載された発明の「半導体層１１の第１面に，ゲート絶縁層１４を介して設けられたゲート電極１３Ｇ」は，請求項１，６に係る発明の「半導体層の第１面に設けられた電極」に相当する。
　また，引用文献１に記載された発明の「半導体層接触絶縁層からなるゲート絶縁層１４」は，半導体層１１とゲート電極１３Ｇとの間に設けられるから，請求項６に係る発明の「前記半導体層と前記電極との間」に設けられた「保護膜」に相当する。
　さらに，引用文献１（［００２９］，図３参照。）には，薄膜トランジスタとして，半導体層接触絶縁層をゲート絶縁層に用いたトップゲート−トップコンタクト型の薄膜トランジスタ，および，半導体層接触絶縁層をゲート絶縁層に用いたボトムゲート−トップコンタクト型の薄膜トランジスタが記載されている。
　また，引用文献１（［０２７１］参照。）には，薄膜トランジスタの用途として，液晶表示ディスプレイ装置，有機ＥＬディスプレイ装置等のディスプレイ装置が記載されている。
　なお，出願人は，意見書において，本願発明は「半導体層の作製⇒本発明の保護膜形成⇒ソース電極，ドレイン電極作製」の順となっているのに対し，引用文献１では，「半導体層作製⇒ソース電極，ドレイン電極作製⇒酸化物薄膜⇒全体を覆う保護膜の作製」となっており，この製造方法では，半導体層と電極との間に保護膜が配置されることがない旨主張する。
　しかしながら，少なくとも請求項６の記載からは，半導体層と保護膜の間に電極が設けられた構造が把握できるのみであるから，請求項１，６に係る発明は，保護膜の上面に半導体層が形成された構造や，保護膜がパッシベーション膜だけでなくゲート絶縁膜である場合や，電極がソース電極，ドレイン電極だけでなくゲート電極である場合をも，発明の技術的範囲に含むと認められる。
　よって，出願人の主張は当を得ていない。
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項７
・引用文献１−４
・備考
　引用文献２（［０１４５］参照。）に記載されているように，感光剤にキノンジアジド化合物を有する有機絶縁膜において，ベースポリマーとしてアクリル樹脂を適用することは周知技術である。
　引用文献３（［要約］参照。）に記載されているように，感光剤にキノンジアジド化合物を有する有機絶縁膜において，ベースポリマーとしてポリシロキサンを適用することは周知技術である。
　引用文献４（［００６９］参照。）に記載されているように，感光剤にキノンジアジド化合物を有する有機絶縁膜において，ベースポリマーとしてノボラック樹脂を適用することは周知技術である。
・請求項８−１０
・引用文献１−５
・備考
　引用文献１（［００２９］，図２（ｂ），図３（ｂ）参照。）には，ゲート絶縁層１４およびパッシベーション層１５に，上記半導体層接触絶縁層を適用した薄膜トランジスタが記載されている。
　そして，引用文献５（図４参照。）には，ボトムゲート−トップコンタクト型の薄膜トランジスタにおいて，半導体層を覆うパッシベーション膜にスルーホールを設け，半導体層に接続されたソース電極及びドレイン電極を設けた構造が記載されているから，引用文献１に記載された発明において，パッシベーション層１５にスルーホールを設けてソース電極及びドレイン電極を設け，ソース電極及びドレイン電極が設けられる半導体層１１の上面を第１面とし，ゲート電極が設けられる半導体層１１の下面を第２面とすることは，当業者が容易になし得たことである。
　　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１　特開２０１１−２２２７８８号公報
引用文献２　特開平０９−１５２６２５号公報（周知技術を示す文献）
引用文献３　特開２００７−１９３３１８号公報（周知技術を示す文献）
引用文献４　特開２００７−１３４６８７号公報（周知技術を示す文献）
引用文献５　特開２０００−３４９３０１号公報
　
第４　当審拒絶理由の概要
理由１　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項６ないし１０について 
　本願発明の課題は，酸化物半導体を用いた半導体の場合，紫外線領域等に吸収を有することがあり，外部からの光の影響により特性が悪化してしまうという問題に関するもの（本願明細書段落０００８−００１０）であり，これに対する課題解決手段は，基板の一方の面に設けられた半導体素子の「半導体層と，ソース電極及びドレイン電極との間に」キノンジアジド化合物を含む保護膜を用いることで，「液晶表示素子等に求められる透明性と遮光性のバランスを好適に制御する」というもので，具体的には，キノンジアジド化合物が，露光されると分子構造が変化しインデンカルボン酸になるという特性を利用し，保護膜を形成後，透明性に不具合が生じた場合，保護膜に光を照射するだけで透明性の調整を行うことが可能であるというもので，上記透明性と遮光性のバランスを考えれば，保護膜には，樹脂とともに，キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸が含まれることになるというもの（本願明細書段落００４０，００４１，００５７−００５９）である。　しかし，請求項６には「樹脂と，キノンジアジド化合物とを含む感放射線性樹脂組成物を用いて製造されたものであり，前記樹脂と，前記キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸のうちの少なくとも一方とを含む」と記載されているから，最終物質としてキノンジアジド化合物のみ又はインデンカルボン酸のみを含むものが記載されており，これでは透光性と遮光性のバランスが図られないから，請求項６に係る発明において前記課題解決手段が反映されていない。 
　また，請求項６には「前記半導体層と前記電極との間に保護膜を有し」とだけ記載されており，半導体層に対して，透明性と遮光性のバランスが図られるような保護膜の位置が十分に特定されていないから，この点においても，前記課題解決手段が反映されていない。 
　請求項６を引用して記載した他の請求項についても同様である。 
理由２　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項６ないし１０について 
　請求項６は，物の発明であるが，「樹脂と，キノンジアジド化合物とを含む感放射線性樹脂組成物を用いて製造されたもの」との記載は，製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため，当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。 
　ここで，物の発明に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において，当該特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情（以下「不可能・非実際的事情」という）が存在するときに限られると解するのが相当である（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号，平成２４年（受）第２６５８号）。 
　しかしながら，本願明細書等には不可能・非実際的事情について何ら記載がなく，当業者にとって不可能・非実際的事情が明らかであるとも言えない。 
　したがって，請求項６及び請求項６を引用して記載した他の請求項に係る発明は明確でない。 
理由３　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　記　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
　　　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
 引用文献１　特開２０１１−２２２７８８号公報 
 引用文献２　特開平０９−１５２６２５号公報 
 引用文献Ａ　特開２００１−３１２０５１号公報 
 引用文献３　特開２００７−１９３３１８号公報 
 引用文献４　特開２００７−１３４６８７号公報 
　
・請求項６について 
・引用文献等　１，２ 
・備考 
　引用文献１（段落０２７１）には液晶表示ディスプレイのＴＦＴアレイ基板として用いることが記載されており，引用文献２（段落００７９−００８４，図１）には，液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板が記載されているので，引用文献１のＴＦＴアレイ基板として，引用文献２に記載のアクティブマトリックス基板を用いることは，当業者が容易になし得ることである。 
・請求項７ないし１０について 
・引用文献等　１，２，Ａ，３，４
　
第５　引用文献
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、簡便なプロセスで製造可能であり、スイッチング特性に優れた
薄膜トランジスタ基板
　イ　「【００２９】
・・・
　また、
図３（ｂ）に例示するＴＦＴ基板２０
ＴＦＴを備えており、フレキシブル基板１０
酸化物半導体層１１と、上記酸化物半導体層１１上に形成されたソース電極１２Ｓおよびドレイン電極１２Ｄと、酸化物半導体層１１上に、上記感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたパッシベーション層１５と、を有している。
　また、図１および図３（ａ）に例示されるトップゲート型ＴＦＴにおける半導体層接触絶縁層はゲート絶縁層であり、図２および図３（ｂ）に例示されるボトムゲート型ＴＦＴにおける半導体層接触絶縁層はゲート絶縁層およびパッシベーション層（図２）であり、この例においては、これら全ての半導体層接触絶縁層が上記感光性ポリイミド絶縁層である。」
　ウ　「【００３５】
（ｉ）感光性ポリイミド樹脂組成物
　本発明に用いられる感光性ポリイミド樹脂組成物は、所望の絶縁性を有する感光性ポリイミド絶縁層を精度良く形成することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ａ）ポリイミド成分、ｂ）感光性成分、ｃ）溶媒、ｄ）その他を含むものを挙げることができる。
【００３６】
　具体的には、ポリイミド成分であるポリアミック酸のカルボキシル基に、感光性成分として上記ポリイミド成分にエステル結合やイオン結合でエチレン性二重結合を導入し、さらに光ラジカル開始剤を混合した溶剤現像ネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物、
ポリイミド成分であるポリアミック酸やその部分エステル化物に、感光性成分としてナフトキノンジアジド化合物を添加したアルカリ現像ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
　エ　「【０１８３】
（ｉｉ）感光性ポリイミド絶縁層
　本発明に用いられる
感光性ポリイミド絶縁層は、上記感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成された
【０１８４】
　本発明における
感光性ポリイミド絶縁層は
ボトムゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層、パッシベーション層として用いられるものである。
　本発明においては、なかでも、上記半導体層接触絶縁層のうち、トップゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層、または、ボトムゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層およびパッシベーション層の少なくとも一方、として少なくとも用いられることが好ましく、特に、上記半導体層接触絶縁層のうち、トップゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層、または、ボトムゲート型ＴＦＴにおけるパッシベーション層として少なくとも用いられることが好ましく、なかでも特に、上記半導体層接触絶縁層のうち、トップゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層、または、ボトムゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層およびパッシベーション層の両者として少なくとも用いられることが好ましく、さらに好ましくは、上記半導体層接触絶縁層の全てとして用いられることが好ましい。上記ゲート絶縁層およびパッシベーション層は、上記半導体層接触絶縁層のなかでも酸化物半導体層との接触面積が広く、上記半導体層接触絶縁層からのアウトガスの影響を受け易いものである。このため、これらの半導体層接触絶縁層を感光性ポリイミド絶縁層とすることにより、上記酸化物半導体層をより不純物の少ないものとすることができ、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。また、簡便なプロセスとすることができるからである。
　また、トップゲート型ＴＦＴにおけるゲート絶縁層およびボトムゲート型ＴＦＴにおけるパッシベーション層は、通常、上記酸化物半導体層を覆うように形成されるものである。このため、上記感光性ポリイミド樹脂組成物がポリイミド前駆体を含む場合、上記感光性ポリイミド絶縁層は、上記酸化物半導体層の形成後に上記感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、次いで、イミド化されることにより形成される。したがって、上記酸化物半導体層の水蒸気アニール処理を別途実施することなく、イミド化と同時に上記酸化物半導体層の水蒸気アニール処理を行うことができ、簡便にスイッチング特性により優れたものとすることができるからである。
　さらに、上記半導体層接触絶縁層の全てを上記感光性ポリイミド絶縁層とすることにより、本発明の効果をより効果的に発揮することができるからである。
【０１８５】
　本発明における感光性ポリイミド絶縁層は絶縁性を備えるものである。具体的には、上記感光性ポリイミド絶縁層の体積抵抗は、１．０×１０9Ω・ｍ以上であることが好ましく、なかでも、１．０×１０10Ω・ｍ以上であることがより好ましく、特に、１．０×１０11Ω・ｍ以上であることが好ましい。
　なお、体積抵抗は、JIS K6911、JIS C2318、ASTM　D257　などの規格に準拠する手法で測定することが可能である。
【０１８６】
　本発明における感光性ポリイミド絶縁層の膜厚としては、用いられる半導体層接触絶縁層に応じて適宜設定されるものであり、一般的な半導体層接触絶縁層と同様とすることができる。
【０１８７】
　本発明における感光性ポリイミド絶縁層は、少なくとも上記ポリイミド樹脂を含むものであるが、アウトガス発生量を所望の範囲内とできる範囲において、レベリング剤、可塑剤、界面活性剤、消泡剤、増感剤等の添加剤や、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料等を含むものであっても良い。
【０１８８】
　本発明の
感光性ポリイミド絶縁層に含まれるポリイミド樹脂のイミド化率としては、
９０％以上であることが好ましく、なかでも、９５％以上であることが好ましく、特に１００％、すなわち、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を含まないものであることが好ましい。
【０１８９】
　
本発明における感光性ポリイミド絶縁層の形成方法としては、上記感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、フォトリソグラフィー法
を用いることができる。
　フォトリソグラフィー法としては、例えば、上記感光性ポリイミド樹脂組成物を上記基板上に塗布することにより感光性ポリイミド樹脂膜を形成した後、マスクを介したパターン露光、および現像を行う方法を挙げることができる。
　上記塗布方法としては、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法を用いることができる。
　また、印刷法としては、グラビア印刷やフレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法など公知の印刷技術を用いた方法を例示することができる。
【０１９０】
　また、上記感光性ポリイミド樹脂組成物が、上記ポリイミド成分としてポリイミド前駆体を含む場合には、上記ポリイミド前駆体のイミド化が行われる。
　上記ポリイミド前駆体をイミド化する方法としては、上記ポリイミド前駆体に含まれるポリアミック酸を脱水閉環反応によりイミド化できる方法であれば特に限定されるものではないが、通常、アニール処理（加熱処理）を用いる方法を用いることができる。
　このようなアニール温度（加熱温度）としては、用いるポリイミド前駆体の種類や、本発明のＴＦＴ基板を構成する部材の耐熱性等を考慮して適宜設定されるものであるが、通常、２００℃〜５００℃の範囲内で行われ、なかでも、２５０℃〜４００℃の範囲内であることが好ましく、特に、上記ポリイミド前駆体の硬化後の物性および低アウトガス性の観点からは２８０℃〜４００℃の範囲内であることが好ましい。上述した温度範囲であることによりイミド化を十分に進行させることができ、他の部材の熱劣化を抑制することができるからである。
【０１９１】
　本発明において、上記イミド化を行うタイミングとしては、上記感光性ポリイミド絶縁層を安定的に形成できるものであれば特に限定されるものではないが、上記酸化物半導体層が形成された後であること、すなわち、上記感光性ポリイミド絶縁層が、上記ポリイミド前駆体を含む感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されるものである場合、上記酸化物半導体層の形成後に上記ポリイミド前駆体をイミド化して形成されるものであることが好ましい。上記酸化物半導体の水蒸気アニール処理を同時に行うことができるからである。
　したがって、上記感光性ポリイミド絶縁層上に上記酸化物半導体層が形成される場合には、上記感光性ポリイミド絶縁層の塗膜をパターニングし、イミド化前または後のプロセスに耐えられるように、上記ポリイミド前駆体の一部をイミド化（部分イミド化）した後に上記酸化物半導体層を形成し、その後、残りのポリイミド前駆体のイミド化を行い、その際に副生する水を用いて、上記酸化物半導体層の水蒸気アニールを行うことが好ましい。
【０１９２】
（ｂ）半導体層接触絶縁層
　本発明に用いられる半導体層接触絶縁層は、少なくとも一つが上記感光性ポリイミド絶縁層であれば良い。
　本発明においては、他の上記半導体層接触絶縁層が、上記感光性ポリイミド絶縁層以外の他の絶縁層であっても良い。
　このような他の絶縁層としては、所望の絶縁性能を発揮することができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的なＴＦＴにおける絶縁層と同様のものを用いることができ、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の絶縁性無機材料や、上記絶縁性有機材料を用いてなるものを挙げることができる。
【０１９３】
（２）酸化物半導体層
　本発明に用いられる
酸化物半導体層は、酸化物半導体からなるものである。
　
このような酸化物半導体としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）
酸化インジウム（Ｉｎ
２
Ｏ
３
）
酸化スズ（ＳｎＯ
２
）
ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＳｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＭｇＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＦｅＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系を用いることができる。
　オ　「【０２７１】
　
本発明のＴＦＴ基板の用途としては、ＴＦＴ方式を用いるディスプレイ装置のＴＦＴアレイ基板として用いることができ
　
このようなディスプレイ装置としては例えば、液晶表示ディスプレイ装置
　カ　図３（ｂ）には，酸化物半導体層１１と，ソース電極１２Ｓとドレイン電極１２Ｄとの間にパッシベーション層１５があるもの，と認められる。
（２）引用発明
　引用文献１に記載された「感光性ポリイミド樹脂組成物を用いて形成されたパッシベーション層」（前記（１）イ）は，具体的には，「ポリイミド成分であるポリアミック酸やその部分エステル化物に、感光性成分としてナフトキノンジアジド化合物を添加したアルカリ現像ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物」（前記（１）ウ【００３６】）を用いて，「マスクを介したパターン露光，および現像を行う方法」（前記（１）エ【０１８９】）で形成されるから，ポジ型としてパターン露光および現像を経て残った部分は，感光性成分としてのナフトキノンジアジド化合物を含んでおり一方露光により生じるインデンカルボン酸はアルカリ現像により脱落するから含まれておらず，この残った部分がパッシベーション層となるものである。よって，引用文献１には，ポリイミド樹脂とナフトキノンジアジド化合物を含みインデンカルボン酸を含まないパッシベーション層が記載されていると認められる。
　すると，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＴＦＴ基板であって，ＴＦＴを備えており，フレキシブル基板と，酸化物半導体層と，上記酸化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と，酸化物半導体層上にパッシベーション層とを有し，前記パッシベーション層はポリイミド樹脂とナフトキノンジアジド化合物を含みインデンカルボン酸を含まないもので，前記酸化物半導体層は酸化亜鉛からなるものであること。」
２　引用文献２の記載
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
（１）「【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００７９】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態１の
透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板
【００８０】図１において、
アクティブマトリクス基板には、
互いに直交差するように、走査信号を供給するための各ゲート配線２２と表示信号を供給するためのソース配線２３が設けられている。
これらのゲート配線２２とソース配線２３の交差部分において、画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴＦＴ２４が設けられている。
（２）「【０１４５】
ポジ型感光性アクリル系樹脂としては、例えば、メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料が好ましい。
また、ｉ線（３６５ｎｍ）の紫外線を照射することより、短時間で脱色することができる。
【０１４６】上述の透明度の高い感光性透明アクリル樹脂による層間絶縁膜６８の形成工程を、以下にさらに詳しく説明する。
【０１４７】この層間絶縁膜６８の形成工程は、まず、感光性透明アクリル樹脂材料を含んだ溶液を基板上にスピン塗布し、プリベーキング、パターン露光、アルカリ現像、純水洗浄の順に一連の通常のフォトパターニング工程と同様に行う。
【０１４８】即ち、層間絶縁膜６８を感光性透明アクリル樹脂を含んだ溶液をスピン塗布法により、３μｍの膜厚に形成する。この場合、粘度２９．０ｃｐのアクリル樹脂をスピン回転数９００〜１１００ｒｐｍで塗布する。そうすることにより、画素電極が平坦化されて従来のような段差が無くなって液晶の配向不良が抑制され、表示品位が向上する。続いて、基板を約１００℃に加熱して感光性透明アクリル樹脂の溶媒（乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど）の乾燥を行った。続いて、この
感光性透明アクリル樹脂に対して所望のパターンに従って露光を行い、アルカリ性の溶液（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド；以下ＴＭＡＨという）などにより現像処理を行った。このアルカリ性の溶液により、露光された部分がエッチングされ、層間絶縁膜６８を貫通するコンタクトホール５６を形成することができた。
【０１４９】さらに、純水により基板表面に残った現像液を洗浄する。このように感光性透明アクリル樹脂はスピン塗布法により形成できるので、数μｍの膜厚であってもスピンコーターの回転速度と感光性透明アクリル樹脂の粘度を適度に選ぶことにより容易に膜厚を均一に形成することが可能である。また、コンタクトホール部のテーパ形状は、パターン露光時の露光量と現像液濃度、現像時間を適度に選ぶことにより緩やかな形状を得ることができる。
【０１５０】
現像後、感光性透明アクリル樹脂に使用する感光剤の種類（例えばナフトキノンジアジト系感光剤、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤）や量によっては、樹脂が着色して見えることがある。そのため、基板全面に露光を行い、樹脂に含まれる着色している不要な感光剤を完全に反応させて、可視領域での光吸収をなくし、アクリル樹脂の透明化を図る。
３　引用文献３の記載
　引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【要約】
【課題】熱硬化中に発生するパターンだれを抑制し、熱硬化工程後において高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、
ＴＦＴ基板用平坦化膜
感光性シロキサン組成物を提供する
【解決手段】
（ａ）ポリシロキサン、（ｂ）キノンジアジド化合物、（ｃ）溶剤を含有する感光性シロキサン組成物
感光性シロキサン組成物。
４　引用文献４の記載
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
「【００６９】
　
ゲート絶縁膜２０３の材料としては、感光材を含む組成物を用いればよく、例えば、ノボラック樹脂と感光材であるナフトキノンジアジド化合物からなるポジ型レジスト
５　引用文献５の記載
　引用文献５には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１６】即ち、上記構成は、図１に示すように
第１の層間絶縁膜１１１及び前記第１の金属層１１２に設けられたコンタクトホールの底部で前記薄膜トランジスタのソース領域１０５と前記第２の金属層１１４が接し、第１の層間絶縁膜１１１及び前記第１の金属層１１３に設けられたコンタクトホールの底部で前記薄膜トランジスタのドレイン領域１０６と前記第２の金属層１１５が接していること
６　引用文献Ａの記載
　引用文献Ａには，図面とともに，次の記載がある。
（１）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、
（ａ）アルカリ水溶液可溶性のポリイミド前駆体又はポリイミド、（ｂ）光により酸を発生する化合物、及び、（ｃ）分子中にアルコキシメチル基とフェノール性水酸基とを有する化合物を含有してなる感光性重合体組成物
（２）「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明における
（ａ）成分は、
アルカリ水溶液に可溶性のポリイミド前駆体又はポリイミドから選択される重合体である。
ポリイミド、又は、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド等のポリイミド前駆体から選択される。」
（３）「【００３８】本発明に使用される
（ｂ）成分である光により酸を発生する化合物は、感光剤であり、
ｏ−キノンジアジド化合物、
　
第６　判断
１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明の「フレキシブル基板」は，本願発明１の「基板」を満たす。
　イ　引用発明の「酸化物半導体層」「前記酸化物半導体層は酸化亜鉛からなるもの」は，本願発明１の「半導体層」「前記半導体層は，インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ）および錫（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種を含んで構成された酸化物を用いて形成されたもの」を満たす。
　ウ　引用発明の「上記酸化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレイン電極」は，本願発明１の「前記半導体層の第１面に接して設けられたソース電極及びドレイン電極」に相当する。
　エ　引用発明の「ＴＦＴ」は，本願発明１の「半導体素子」を満たす。
　オ　引用発明の「酸化物半導体層上にパッシベーション層とを有し」は，前記第５の１（１）カを考慮すると，本願発明１の「前記半導体層と，前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に保護膜を有する」に相当する。
　カ　引用発明の「ＴＦＴ基板」は，下記相違点１および２を除いて，本願発明１の「半導体基板」に相当する。
　キ　すると，本願発明１と引用発明とは，下記クの点で一致し，下記ケの点で相違する。
　ク　一致点
「基板と，
　半導体層と，前記半導体層の第１面に接して設けられたソース電極及びドレイン電極とを有する半導体素子が配置されており，
　前記半導体層は，インジウム（Ｉｎ），亜鉛（Ｚｎ）および錫（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種を含んで構成された酸化物を用いて形成されたものであり，
　前記半導体層と，前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に保護膜を有する
　ことを特徴とする半導体基板。」
　ケ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１においては「前記基板上に配置された複数のゲート配線と複数のデータ配線とを備え，前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線との交差部分に構成されるマトリクス状の画素内に」半導体素子が配置されるのに対し，引用発明においてはこのことが明示されない点。
（イ）相違点２
　本願発明１においては「前記保護膜は，　樹脂と，　キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸　とを含む」のに対し，引用発明においては「前記パッシベーション層はポリイミド樹脂とナフトキノンジアジド化合物を含みインデンカルボン酸を含まない」点。
（２）相違点についての検討
　相違点２について検討すると，相違点２に係る構成について，いずれの引用文献にも記載も示唆もない。
　そして，本願発明１は，相違点２に係る構成を有することにより，「液晶表示素子等に求められる透明性と遮光性のバランスを好適に制御することができる」（本願明細書段落【００５８】）という有利な効果を奏するものである。
（３）まとめ
　してみると，本願発明１は，引用文献１ないし５および引用文献Ａに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５は，本願発明１を引用するものであり，本願発明１の発明特定事項をすべて含みさらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，前記１と同様の理由により，引用文献１ないし５及び引用文献Ａに記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　特許請求の範囲の記載不備について
　当審補正によって，当審補正前の請求項６に記載された「樹脂と，キノンジアジド化合物とを含む感放射線性樹脂組成物を用いて製造されたものであり，前記樹脂と，前記キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸のうちの少なくとも一方とを含む」及び「前記半導体層と前記電極との間に保護膜を有し」は，それぞれ「　樹脂と，　キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸　とを含む」及び「前記半導体層と，前記ソース電極及び前記ドレイン電極との間に保護膜を有し」に補正されて請求項１となった。
　よって，請求項１及びこれを引用して記載した請求項２ないし５について，その発明は発明の詳細な説明に記載されたものとなり，その記載は明確なものとなった。
　
第７　原査定の理由についての判断
　当審補正により，補正後の請求項１ないし５は，「前記保護膜は，　樹脂と，　キノンジアジド化合物およびインデンカルボン酸　とを含む」という発明特定事項を有するものとなった。当該発明特定事項は，原査定における引用文献１ないし５には記載されておらず，本願出願前における周知技術でもないので，本願発明１ないし５は，引用文献１に記載された発明ではないし，また，当業者であっても，引用文献１ないし５に基づいて容易に発明できたものでもない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。