【事件の表示】
　特願２０１５−１８８９４１「プローブカード用のバンプ付きメンブレンシート、プローブカード及びプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　１月　７日出願公開、特開２０１６−　　１１９７、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２３年１２月６日に出願した特願２０１１−２６６９８３号の一部を平成２７年９月２５日に新たな特許出願としたものであって、平成２８年７月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年１１月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２９年３月２８日付けで、拒絶査定（謄本送達日平成２９年３月３０日）（以下、「原査定」という）がなされ、これに対し、平成２９年６月２９日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次の通りである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項　１−９
・引用文献等　１−４
引用文献等一覧
１．特開２００８−０８９３７８号公報
２．特開２０１１−２３７３９８号公報
３．特開２０１１−２３７３９１号公報
４．特開２０１１−０５４６３０号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１−９に係る発明（以下、「本願発明１」−「本願発明９」という。）は、平成２９年６月２９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１、３、４は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、
　前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し、
　前記導電電極及び前記バンプはニッケルで形成されている、ことを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。」
「【請求項３】
　絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、
　前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し、
　前記導電電極及び前記バンプはニッケルで形成され、
　前記断面三角形状に形成されたバンプは前記導電電極の上面よりも半径にして5μm以上大きい底面を有している、ことを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。」
「【請求項４】
　絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、
　前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し、
　前記導電電極及び前記バンプはニッケルで形成され、
　前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、底面の直径が高さよりも大きい形状に形成されている、ことを特徴とするプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。」
　本願発明２は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明５は、本願発明４を減縮した発明である。
　本願発明６−９は、本願発明１，３又は４を減縮した発明である。
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１（特開２００８−０８９３７８号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
「【００３１】
  本実施形態のシート状プローブは、複数の集積回路が形成された８インチ等のウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、
接点膜２４が配置されている。
【００３２】
  
接点膜２４は、フレーム板２０に支持されており、
柔軟な絶縁性シート１１に電極構造体１２が貫通形成された構造になっている。
絶縁性シート１１の厚み方向に延びる複数の電極構造体１２が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って、絶縁性シート１１の面方向に互いに離間して配置されている。
【００３３】
  
電極構造体１２は、
絶縁性シート１１の表面に露出する突起状の表面電極部１２ａと、絶縁性シート１１の裏面に露出する板状の裏面電極部１２ｂと、絶縁性シート１１の厚み方向に貫通して延びる短絡部１２ｃとが一体化した構造になっている。
【００３４】
  また、
表面電極部１２ａは、絶縁性シート１１におけるフレーム板２０とは反対側の面に突出し、短絡部１２ｃより連続した部分からなる第１表面電極部１２Ａと、絶縁性シート１１におけるフレーム板２０とは反対側の面に対して無電解メッキ処理を施すことにより、第１表面電極部１２Ａの周囲に形成された第２表面電極部１２Ｂと、から構成されている。
「【００３６】
  絶縁性シート１１の厚みは、良好な柔軟性を得る点などから、５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは７〜７０μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍである。
  
電極構造体１２の材料としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、金、銀、パラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼などが挙げられる。
「【００６６】
  貫通孔３１Ｈを形成した後、レジスト膜は除去される。このようにして金属層３１に貫通孔３１Ｈを形成した後、絶縁性シート１１に対してエッチング処理を施し、金属層３１の貫通孔３１Ｈから露出した部分を除去することにより、図７に示すように、絶縁性シート１１に、金属層３０に連通する貫通孔１１Ｈを形成する。
【００６７】
  ここで、絶縁性シート１１としてポリイミド樹脂からなるものを用いた場合、ウェットエッチングにより貫通孔１１Ｈを形成すると、エッチング処理条件を選択することによって、貫通孔１１Ｈの形状は、金属層３０の方向に向かうに従って小径となるテーパ状となる。このようなウェットエッチング処理のためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液、水酸化カリウム水溶液などを用いることができる。
【００６８】
  このようにして絶縁性シート１１に貫通孔１１Ｈを形成した後、図８に示すように、金属層３１の表面に、形成すべき電極構造体１２における裏面電極部１２ｂのパターンに従って複数のパターン孔３３Ｈが形成されたメッキ用のレジスト層３３を形成する。
【００６９】
  ここで、レジスト層３３の形成材料としては、メッキ用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができるが、感光性ドライフィルムレジストが好ましい。
【００７０】
  次に、積層体１０Ａの金属層３０を電極として
電解メッキ処理を施し、絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈ
金属を充填することにより、
短絡部１２ｃ、および第１表面電極部１２Ａ
が形成された
「【０１２０】
  リング部材３５を貼付した後、図１５に示すように、保護フィルム３２を剥離し、その後、金属層３０をエッチングにより除去する。これにより、積層体１０Ｃにおける表面電極部１２ａを形成する側の面に絶縁性シート１１を露出させる。
【０１２１】
  次に、表面電極部１２ａを形成する側の面に露出した
絶縁性シート１１に対してハーフエッチング処理を施し、
第１表面電極部１２Ａとなる部分を突出させる。
【０１２２】
  ここで、ハーフエッチング処理は、絶縁性シート１１の材質等に応じて、ウェットエッチングなど適宜の方法により行うことができる。エッチングにより除去される幅は、場合によるが、例えば厚み方向に１０μｍ程度である。
【０１２３】
  次に、積層体１０Ｃにおける、ハーフエッチング処理により導電性構造体１４が突出した面に、
無電解メッキ処理を施す。
突出した第１表面電極部１２Ａの周囲に、第２表面電極部１２Ｂを形成し、これにより略半楕円球状の表面電極部１２ａを形成する。
「【０１２６】
  この
プローブカード４０は、
シート状プローブ１０とを備えている。
  検査用回路基板５０の表面には、ウエハ８０に形成された全ての集積回路における被検査電極８１のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極５１が形成されている。」
「【０１５４】
  図２０の検査装置においては、ウエハ載置台７１上に検査対象であるウエハ８０が載置され、次いで、加圧板７０によってプローブカード４０が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ１０の
電極構造体１２における表面電極部１２ａの各々が、ウエハ８０の被検査電極８１の各々に接触し、
　図４より、短絡部１２ｃは、断面形状が絶縁性シート１１の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、表面電極部１２ａは、略半楕円球状に形成され、短絡部１２ｃの上面よりも広い底面を有していることが見て取れる。
　上記より、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所を示す。）。
「フレーム板２０に支持されており、柔軟な絶縁性シート１１に電極構造体１２が貫通形成された構造になっている接点膜２４と（【００３２】）、
　電極構造体１２は、絶縁性シート１１の表面に露出する突起状の表面電極部１２ａと、絶縁性シート１１の裏面に露出する板状の裏面電極部１２ｂと、絶縁性シート１１の厚み方向に貫通して延びる短絡部１２ｃとが一体化した構造になっており（【００３３】）、
　表面電極部１２ａは、絶縁性シート１１におけるフレーム板２０とは反対側の面に突出し、短絡部１２ｃより連続した部分からなる第１表面電極部１２Ａと、絶縁性シート１１におけるフレーム板２０とは反対側の面に対して無電解メッキ処理を施すことにより、第１表面電極部１２Ａの周囲に形成された第２表面電極部１２Ｂと、から構成されており（【００３４】）、
　表面電極部１２ａの各々が、ウエハ８０の被検査電極８１の各々に接触し（【０１５４】）、
　短絡部１２ｃは、断面形状が絶縁性シート１１の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、
　表面電極部１２ａは、略半楕円球状に形成され、短絡部１２ｃの上面よりも広い底面を有しており（図４）、
　電極構造体１２の材料は、ニッケル、鉄、銅、金、銀、パラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼などである（【００３６】）、
　プローブカード４０に備えられるシート状プローブ１０の接点膜２４（【００３１】、【０１２６】）。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２（特開２０１１−２３７３９８号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００２１】
  図３は四角錐接触子を持つ場合の断面概要図である。図３において、３１はウエハー、３２はチップ電極パッド、３３は四角錐接触端子、３４は回路配線及び引き出し接続パッド、３５は外部回路との接続のためのＦＰＣである。３１のウエハーは上昇し３２の電極パッドと３３の四角錐接触端子が接続し試験に必要な電気伝導を保つ。
四角錐バンプ
メッキ法（アディティブ・ゴールド・プレーティング法）で
バンプを作成することも出来る。
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３（特開２０１１−２３７３９１号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００２４】
  図５は、特許文献１記載の
四角錐または四角錐台形状のバンプ
【００２５】
  すなわち、図５（ａ）に示すように、特定の面方位で切り出した
シリコンウェハ５０１の表面の所定の位置に
四角錐または四角錐台形状の穴５０３を形成する。
【００２６】
  この
穴５０３を
電気めっき技術で、硬質金属膜５０６を成長させて埋め込む。
硬質金属膜５０６のパターン上にポリイミド等の高強度の樹脂層５０７を形成し、
シリコンウェハ５０１とを分離することで、四角錐または四角錐台形状のコンタクタを具備する膜状のプローブを得ることができる。
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４（特開２０１１−０５４６３０号公報）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００５１】
  良品のニッケルバンプブロック２１が、ニッケルパッドシート４１の所定位置に実装完了すると、ニッケルバンプブロック２１の銅層２０をアンモニアエッチングし除去し、図２４に示す検査用プローブ１を得る。次に、無電解ニッケルメッキを行い、図２５に示すように、
ニッケルバンプ４の先端４ｃを球面形状（Ｒ形状加工）にする。
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明の「絶縁性シート１１」は、本願発明１の「絶縁膜」に相当する。
イ　引用発明の「ウエハ８０の被検査電極８１の各々に接触し」「絶縁性シート１１の表面に露出する突起状の表面電極部１２ａ」は、本願発明１の「ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプ」に相当する。
ウ　引用発明の「絶縁性シート１１の裏面に露出する板状の裏面電極部１２ｂ」及び「絶縁性シート１１の厚み方向に貫通して延びる短絡部１２ｃ」が、本願発明１の「このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極」に相当する。
エ　引用発明は「電極構造体１２は、絶縁性シート１１の表面に露出する突起状の表面電極部１２ａと、絶縁性シート１１の裏面に露出する板状の裏面電極部１２ｂと、絶縁性シート１１の厚み方向に貫通して延びる短絡部１２ｃとが一体化した構造になって」いるので、
　引用発明の「絶縁性シート１１に電極構造体１２が貫通形成された構造になっている」「プローブカード４０に備えられるシート状プローブ１０の接点膜２４」は、本願発明１の「絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシート」に相当する。
カ　引用発明は、「表面電極部１２ａ」は、「短絡部１２ｃの上面よりも広い底面を有して」いるので、抜け防止機能を具備していることは、自明な事項である。
　そして、引用発明の「絶縁性シート１１の厚み方向に貫通して延びる短絡部１２ｃ」は、本願発明１の「前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分」に相当するので、
　引用発明の「短絡部１２ｃは、断面形状が絶縁性シート１１の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、表面電極部１２ａは、略半楕円球状に形成され、短絡部１２ｃの上面よりも広い底面を有しており」と、本願発明１の「前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し」とは、「前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは凸型状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し」ている点で共通する。
キ　引用発明の「表面電極部１２ａ」と、「裏面電極部１２ｂ」と、「短絡部１２ｃ」とが一体化した構造になっている「電極構造体１２」は、本願発明１の「前記導電電極及び前記バンプ」に相当するので、
　引用発明の「電極構造体１２の材料は、ニッケル、鉄、銅、金、銀、パラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼などである」ことは、本願発明１の「前記導電電極及び前記バンプはニッケルで形成されている」ことに相当する。
　すると、本願発明１と引用発明とは、次の一致点及び相違点を有する。
（一致点）
「絶縁膜と、ウェーハに形成された半導体チップの電極パッドに電気的に接触するように前記絶縁膜の表面に設けられたバンプと、このバンプから前記絶縁膜内を通って前記絶縁膜の裏面側まで延びる導電電極と、を備えたプローブカード用のバンプ付きメンブレンシートであって、
　前記導電電極の前記絶縁膜内に位置する部分は、断面形状が前記絶縁膜の表面に向って幅が狭くなる台形状であり、前記バンプは凸型状に形成され、前記導電電極の上面よりも広い底面を有して抜け防止機能を具備し、
　前記導電電極及び前記バンプはニッケルで形成されている、プローブカード用のバンプ付きメンブレンシート。」
（相違点）
　本願発明１は、「バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され」ているのに対して、引用発明は、「表面電極部１２ａは、略半楕円球状に形成され」ている点。
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　まず、上記相違点の検討に先立ち、引用発明の「略半楕円球状」の「表面電極部１２ａ」の形成方法について検討すると、
　引用文献１には、電解メッキ処理を施し、絶縁性シート１１の貫通孔１１Ｈに金属を充填することにより、台形状の短絡部１２ｃおよび第１表面電極部１２Ａを形成し（【００７０】、図９）、絶縁性シート１１に対してハーフエッチング処理を施し、台形状の第１表面電極部１２Ａとなる部分を突出させ（【０１２１】、図１６）、無電解メッキ処理を施し、突出した台形状の第１表面電極部１２Ａの周囲に、第２表面電極部１２Ｂを形成し、これにより略半楕円球状の表面電極部１２ａを形成すること（【０１２３】、図１７）が記載されている（上記「第４　１」）。
　ここで、引用文献２（図３）又は引用文献３（図５）に記載されているように、断面三角形状の四角錐バンプは周知であるので、上記周知の四角錐バンプを引用発明に適用し、バンプを鋭い先端を有するように断面三角形状に形成できるか検討する。
ア　引用文献２には、四角錐バンプが記載されており、当該四角錐バンプは、メッキ法（アディティブ・ゴールド・プレーティング法）で作成することが記載されている（上記「第４　２」）。
　しかしながら、引用文献２記載の四角錐バンプを、引用発明の「表面電極部１２ａ」に適用すると、メッキ法（アディティブ・ゴールド・プレーティング法）で、「絶縁性シート１１」「の面に突出し」た「第１表面電極部１２Ａの周囲に」「第２表面電極部１２Ｂ」を形成することになるが、メッキの下地となる第１表面電極部１２Ａは、前述のように台形状であるから、鋭い先端を有するような断面三角形状のバンプを作成することは困難である。
イ　引用文献３には、四角錐または四角錐台形状のバンプが記載されており、当該四角錐または四角錐台形状のバンプは、シリコンウェハ５０１の表面に四角錐または四角錐台形状の穴５０３を形成し、穴５０３に電気めっき技術で、硬質金属膜５０６を成長させて埋め込み形成し、硬質金属膜５０６のパターン上にポリイミド等の高強度の樹脂層５０７を形成し、シリコンウェハ５０１とを分離することで形成することが記載されている（上記「第４　３」）。
　しかしながら、引用文献３記載の四角錐または四角錐台形状のバンプを、引用発明の「表面電極部１２ａ」に適用することは、四角錐または四角錐台形状のバンプの形成方法が、上記のようにシリコンウェハ５０１の穴５０３に硬質金属膜５０６を形成し、硬質金属膜５０６のパターン上に樹脂層５０７を形成し、シリコンウェハ５０１を分離することで形成するものであり、前述の、引用文献１に記載された引用発明の「表面電極部１２ａ」の形成方法とは大きく異なり、適用することは想定できない。　
　以上のように、断面三角形状の四角錐バンプが周知であるとしても、直ちに引用発明に適用し、バンプを鋭い先端を有するように断面三角形状に形成できるとはいえない。
　さらに、引用文献４には、ニッケルバンプ４の先端４ｃを球面形状（Ｒ形状加工）にすることは記載されているが（上記「第４　４」）、バンプバンプ４を鋭い先端を有するように断面三角形状に形成することは記載されていない。
　したがって、引用発明、引用文献１−４に記載された技術に基づいて、上記相違点に係る本願発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　よって、本願発明１は、引用発明、引用文献１−４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−９について
　本願発明２−９は、上記相違点に係る本願発明１の「バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用発明、引用文献１−４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第６　原査定について
　本願発明１−９は、上記相違点に係る「バンプは鋭い先端を有するように断面三角形状に形成され」という構成を有するものであり、引用発明、引用文献１−４に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　したがって、原査定の理由を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。