【事件の表示】
　特願２０１２−１８１０６５「フィールドプログラマブルゲートアレイの性能を向上させるための装置および関連方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月　４日出願公開、特開２０１３−　４６０６８、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２４年８月１７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１１年８月１９日、米国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２７年　５月２６日　審査請求
　平成２８年　５月１８日　拒絶理由通知
　平成２８年　８月１９日　意見書
　平成２８年　９月　１日　拒絶査定
　平成２８年１２月２２日　審判請求・手続補正書
　平成２９年　７月２６日　拒絶理由通知（当審）
　平成２９年１０月２６日　意見書・手続補正書
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年９月１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、下記の引用文献１及び２に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願の請求項１７ないし２０に係る発明は、以下の引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特表２００７−５３８４７４号公報
２．特開２００２−０４１１６０号公報
３．特開２００７−０６７２７５号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２９年７月２６日付けで当審より通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の概要は、次のとおりである。
　１　理由１（進歩性）について
　本願の請求項１ないし２０に係る発明は、下記の引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特表２００７−５３８４７４号公報（当審注．原査定の引用文献１）
２．特開２００７−２０１４５５号公報
３．特開２００２−０４１１６０号公報（当審注．原査定の引用文献２）
４．特開２００８−１０４２１５号公報
　２　理由２（明確性）について
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
（１）請求項１ないし２０について
　請求項１に「
該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対する
　請求項１の「
該少なくとも１つの回路に対する
該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連する
該ＦＰＧＡ内の第１および第２の回路に対する
該第１および第２の回路に対する
　また、請求項１を引用する請求項２ないし１１、請求項１２を引用する請求項１３ないし１６、及び請求項１７を引用する請求項１８ないし２０についても、上記と同様の点が指摘される。
（２）請求項１２ないし１６について
　請求項１２に「
少なくとも部分的に
に基づいて
　請求項１２を引用する請求項１３ないし１６についても、上記と同様の点が指摘される。
（３）請求項１５及び１６について
　請求項１５の「供給電圧
ついての
　請求項１５を引用する請求項１６についても、上記と同様の点が指摘される。
（４）請求項１７ないし２０について
　請求項１７に「
該ボディバイアス信号
　請求項１７を引用する請求項１８ないし２０についても、上記と同様の点が指摘される。
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし２０に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２０」という。）は、平成２９年１０月２６日付け手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載される事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であって、
　該ＦＰＧＡは、
　該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する温度の表示とを提供するように適合された監視回路のセットと、
　該少なくとも１つの回路に対する該プロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する該電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する該温度の表示とから該少なくとも１つの回路に対するボディバイアス値の範囲を導出するように適合されたコントローラと、
　該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器と
　を含み、
　該ボディバイアス信号は、該ボディバイアス値の範囲内の値を有する、ＦＰＧＡ。
【請求項２】
　前記少なくとも１つの回路は、プログラマブル論理を含む、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項３】
　前記少なくとも１つの回路は、プログラマブル相互接続を含む、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項４】
　前記ボディバイアス信号は、前記少なくとも１つのトランジスターに適用される順方向ボディバイアスを引き起こす、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項５】
　前記ボディバイアス信号は、前記少なくとも１つのトランジスターに適用される逆方向ボディバイアスを引き起こす、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項６】
　前記コントローラは、ルックアップテーブルを用いて前記ボディバイアス値の範囲を導出するように適合されている、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項７】
　プロセスの表示は、前記ＦＰＧＡを製造するために使用される製造プロセスに関連する１つ以上のパラメータを含む、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項８】
　温度の表示は、前記少なくとも１つの回路の少なくとも１つの温度を含む、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項９】
　電圧の表示は、前記少なくとも１つの回路の電源電圧を含む、請求項１に記載のＦＰＧＡ。
【請求項１０】
　前記電源電圧は、該電源電圧のＤＣ成分を含む、請求項９に記載のＦＰＧＡ。
【請求項１１】
　前記電源電圧は、該電源電圧のＤＣ成分およびＡＣ成分を含む、請求項９に記載のＦＰＧＡ。
【請求項１２】
　フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）を動作させる方法であって、
　該方法は、
　該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセスについての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する電圧についての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する温度についての情報とを提供する監視信号を受信することと、
　該プロセスについての情報と該電圧についての情報と該温度についての情報とに少なくとも基づいてボディバイアス値の範囲を決定することと、
　該ボディバイアス値の範囲内の値を有するボディバイアス信号を生成することと、
　該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターに該ボディバイアス信号を適用することと
　を含む、方法。
【請求項１３】
　前記監視信号は、前記ＦＰＧＡを製造するために使用される半導体製造プロセスについての情報を提供する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
　前記監視信号は、前記少なくとも１つの回路の少なくとも１つの温度についての情報を提供する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
　前記監視信号は、前記少なくとも１つの回路の少なくとも１つの供給電圧についての情報を提供する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
　前記少なくとも１つの供給電圧についての情報は、（ａ）該少なくとも１つの供給電圧のＤＣ成分；（ｂ）該少なくとも１つの供給電圧のＡＣ成分；または（ｃ）該少なくとも１つの供給電圧のＤＣ成分およびＡＣ成分を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
　フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であって、
　該ＦＰＧＡは、
　該ＦＰＧＡ内の第１の回路および第２の回路に対するプロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する温度の表示とをそれぞれ提供するように適合された第１の監視回路および第２の監視回路と、
　該第１の回路および該第２の回路に対する該プロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該温度の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する構成情報とから、該第１の回路および該第２の回路に対するボディバイアス値の第１の範囲および第２の範囲をそれぞれ導出するように適合されたコントローラと、
　該第１の回路および該第２の回路内の少なくとも１つのトランジスターに第１のボディバイアス信号および第２のボディバイアス信号をそれぞれ提供するように適合されたボディバイアス生成器と
　を含み、
　該第１のボディバイアス信号および該第２のボディバイアス信号は、該第１の回路および該第２の回路の該ボディバイアス値のそれぞれの範囲内の値を有する、ＦＰＧＡ。
【請求項１８】
　前記第１のボディバイアス信号の値および前記第２のボディバイアス信号の値は、前記第１の回路および前記第２の回路についての構成情報にさらに基づく、請求項１７に記載のＦＰＧＡ。
【請求項１９】
　前記第１の回路および前記第２の回路のうちの少なくとも１つに対する前記構成情報は、該第１の回路および該第２の回路のうちの該少なくとも１つの動作速度についての情報を含む、請求項１７に記載のＦＰＧＡ。
【請求項２０】
　前記第１の回路および前記第２の回路のうちの少なくとも１つに対する前記構成情報は、該第１の回路および該第２の回路のうちの該少なくとも１つの電力消費についての情報を含む、請求項１７に記載のＦＰＧＡ。」
第５　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１の記載事項及び引用発明
（１）引用文献１の記載事項
　本願の優先権主張の基礎となった出願の日（以下「本願の優先日」という。）前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であり、原査定の理由及び当審拒絶理由において「引用文献１」として引用された、特表２００７−５３８４７４号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は参考のために当審において付したものである。以下において同じ。）
　ア「【００７４】
　
図８は、
ＰＬＤ内の回路のブロック図を示す。回路網は、ボディバイアスジェネレータ４３０
を含む。
【００７５】
　
ボディバイアスジェネレータ４３０は、一つ以上のボディバイアス信号４３５を生成し、それらの信号をトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供する。
　イ「【００９３】
　別の例として、ＰＬＤ１０３自体内における変化、たとえば、
ＰＬＤ１０３の一つ以上の回路または領域における温度の変化、に応答して、ボディバイアスレベルを変更または調整し得る。図１１は、
ＰＬＤ内のボディバイアスレベルを修正するための回路配置を示す。
【００９４】
　
回路配置は、一つ以上の温度センサ５０３、一つ以上の基準ソース５１２、減算器５０９、およびボディバイアスジェネレータ４３０を含む。温度センサ５０３は、ＰＬＤ１０３内の一つ以上の領域、回路またはブロックにおける温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給する。基準ソース５１２は、基準信号５１５を減算器５０９に供給する。基準信号５１５は、種々の温度レベルに対応する数値を有し得る。
【００９５】
　
減算器５０９は、基準信号５１５を温度信号５０６から減じ、差信号５１８をボディバイアスジェネレータ４３０に供給する。
【００９６】
　
差信号５１８に応答して、ボディバイアスジェネレータ４３０は、ボディバイアス信号４３５を生成する。
　ウ「【００９８】
　図１２は、発明の例示的実施形態において使用されるＰＬＤにおけるボディバイアスレベルを調整、プログラムまたは設定する処理または技術の流れ図を示す。制御回路網１３６などの適切な回路網（または、回路網およびソフトウェアまたはファームウェアとの組み合わせ）を使用することによって、処理または技術をインプリメントし得る。
【００９９】
　処理は以下のとおり動作する。５５０において、ＰＬＤの所望の部分用の初期ボディバイアスレベルを設定またはプログラムする。その後、
５５３で、ＰＬＤの性能手段を得る。
性能手段は、所定の動作に要する時間、消費電力、出力密度、スループット、オンチップセルフテスト結果などの幅広い様々の基準を含み得る。
【０１００】
　
次に、５５６において、実際の性能手段が所望または指定の基準を満たすかどうかの判断のためチェックする。満たす場合、５５９において、処理は、ボディバイアスレベルをそのままにする。他方、実際の性能手段が所望または指定の基準を満たさない場合、５６２において、処理は、実際の性能手段と所望の性能手段との間の差を減少させるように新しいまたは更新されたボディバイアスレベルを調整、プログラム、または設定する。
【０１０１】
　
性能手段（たとえば、動作速度、スループット、消費電力など）をチェックすることに加え、ＰＬＤ内の一つ以上のパーツまたは回路の温度レベルをチェックし得る。
【０１０２】
　５５０において、処理は、ＰＬＤ内の所望のトランジスタ、回路、ブロックなどの初期ボディバイアスレベルを設定、プログラム、または、調整する。５５３において、処理は、性能手段を得る。上記のとおり、性能手段は、幅広いパラメータまたは変数を含み得る。当業者が理解するように、性能手段の選択は、ＰＬＤがインプリメントする回路またはシステムのための設計よび性能仕様などの要因に依存する。
【０１０３】
　
その後、５５３Ａにおいて、処理は、温度レベルを得る。上記のとおり、ＰＬＤの種々のパーツから一つ以上の温度レベルを得、チェックし得る。
【０１０４】
　５５６Ａにおいて、処理は、実際の性能手段が所望または指定の基準を満たすかどうかの判断のためチェックする。さらに、処理は、実際の温度レベルが所望または指定の基準を満たすかどうか（たとえば、実際の温度が所定の範囲内にあるかまたはスレショルドレベル以下に落ちるかどうか）の判断のためチェックする。
【０１０５】
　５５９において、両方ともの条件が当てはまる場合、処理はボディバイアスレベルを不変のままにする。しかし、両方ともの条件が当てはまらない場合、
５６２において、処理は、実際の性能手段と所望の性能手段との間の差および実際の温度レベルと所望または所定の温度レベルとの差を減らすように、新しいまたは更新されたボディバイアスレベルを調整、プログラム、または設定する。
【０１０６】
　その他の実施形態において、ＰＬＤがインプリメントする回路またはシステムの動作環境に応答または依存して、ボディバイアスレベルを調整、プログラムまたは設定し得る。たとえば、通信ネットワークのコントローラまたはルータを実現するために、発明に従うＰＬＤを使用すると仮定されたい。動作時、ＰＬＤは、コントローラまたはルータが動作する環境の条件または特性についての情報を得られ得る。」
　エ「【０１７６】
　一般に、必要に応じ、また、本発明の記述からメリットを享受する当業者は理解するように、
発明コンセプトを、当業界で他の名前で公知の種々のプログラマブルロジック回路網またはＩＣへ効果的に適用し得ることに注意されたい。そのような回路網は、
フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）として公知のデバイスを含む。
（２）引用発明１及び２
　ア　引用発明１（物の発明）
　上記（１）の引用文献１の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であって、
　該ＦＰＧＡは、
　該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給する一つ以上の温度センサ５０３と、
　基準信号５１５を該温度信号５０６から減じ、差信号５１８をボディバイアスジェネレータ４３０に供給する減算器５０９と、
　該差信号５１８に応答して、ボディバイアス信号４３５を生成し、該ボディバイアス信号４３５を、前記一つ以上の回路内のトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供するボディバイアスジェネレータ４３０と、
　を含む、
　ＦＰＧＡ。」
　イ　引用発明２（方法の発明）
　上記（１）の引用文献１の記載及び当該技術分野における技術常識より、引用文献１には下記の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）を動作させる方法であって、
　該方法は、
　温度センサ５０３が、該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給することと、
　減算器５０９が、基準信号５１５を該温度信号５０６から減じ、差信号５１８をボディバイアスジェネレータ４３０に供給することと、
　ボディバイアスジェネレータ４３０が、該差信号５１８に応答して、ボディバイアス信号４３５を生成し、該ボディバイアス信号４３５を、前記一つ以上の回路内のトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供することと、
　を含む、方法。」
　２　引用文献２の記載事項
　本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であり、当審拒絶理由において「引用文献２」として引用された、特開２００７−２０１４５５号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ア「【請求項１】
　電源回路を有し、前記電源回路が供給する電力値と前記電源回路の電源効率値を用いて前記電源回路からの供給電圧を補正する手段を備えることを特徴とする半導体集積回路装置。
・・・
【請求項２５】
　
前記電源回路が供給する電圧値は上限値及び下限値が設定されている
【請求項２６】
　
前記上限値及び下限値は被電源供給回路からの情報で決定される
・・・
【請求項４０】
　
前記電源回路の電力供給先は、半導体集積回路の基板電圧である
　イ「【００６９】
　（第１の実施形態）
　図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路装置の構成を示すブロック図である。図１において、電池あるいはＡＣ電源１Ａから電源供給がなされ、ＤＣ電圧生成回路１Ｂにおいて直流電圧に整流され、電源回路１Ｃ及び電力検知補正回路１Ｄを介して被電源供給回路である半導体集積回路１Ｅに電圧が供給される。
【００７０】
　
電源回路１Ｃには２つのレギュレータ回路１１Ｃ及び２１Ｃが内蔵されている。
【００７１】
　
電源回路１Ｃからは被電源供給回路である半導体集積回路１Ｅに電源電圧とＰＭＯＳもしくはＮＭＯＳの基板電圧が供給される。この場合、レギュレータ回路１１Ｃから電源電圧が供給され、レギュレータ回路２１ＣからＰＭＯＳの基板電圧が供給される。
【００７２】
　レギュレータ回路１１Ｃは、最大値１２Ｃと接地間を抵抗Ｒ１ａ及びＲ１ｂで分割した電位を基準電圧として、その基準電圧と同じ電圧値になるように半導体集積回路１Ｅに電圧を供給する。
【００７３】
　最大値１２Ｃは、半導体集積回路１Ｅ内部の検知回路群において、信号線干渉による誤動作を検知するクロストーク検知回路、トランジスタのゲート耐圧を検知する耐圧検知回路、半導体集積回路内の温度を動的に検知する温度検知回路により決定された最大許容電圧値に設定される。
【００７４】
　検知回路群は上記以外でもあっても良いし、すべて備えていないといけない訳でもない。要は、最大値１２Ｃは過剰電圧により半導体集積回路１Ｅが誤動作または破壊を起こすことを避けるための電圧値である。
【００７５】
　Ｒ１ｂは可変抵抗であり、基準電圧が最小電圧値を下回らないように抵抗値が制御される。その抵抗値は、半導体集積回路１Ｅ内部の検知回路群において、放射線によるソフトエラーを検知するソフトエラー検知回路、ＳＲＡＭやドミノ回路やＣＭＯＳ回路などのＤＣノイズマージンを検知するノイズマージン検知回路、低電圧で集積回路の動作が誤動作を起こすのを検知するフェイル検知回路、温度検知回路により決定される。
【００７６】
　要は、この最小電圧値は過小電圧により半導体集積回路１Ｅが誤動作を起こすことを避けるための電圧値である。半導体集積回路１Ｅの最大電圧と最小電圧が事前に分かっている場合は、Ｒ１ｂは可変抵抗でなくても良い。
【００７７】
　
レギュレータ回路２１Ｃは、最大値２２Ｃと接地間を抵抗Ｒ２ａ及びＲ２ｂで分割した電位を基準電圧として、その基準電圧と同じ電圧値になるように半導体集積回路１Ｅに基板電圧を供給する。
【００７８】
　
最大値２２Ｃは、半導体集積回路１Ｅ内部の検知回路において、経年劣化を監視する劣化検知回路で決定された最大許容電圧値に設定される。
【００７９】
　検知回路は上記以外でもあっても良いし、すべて備えていないといけない訳でもない。要は、最大値２２Ｃは過大電圧により半導体集積回路１Ｅが過剰な劣化を起こさないようにするための電圧値である。
【００８０】
　
Ｒ２ｂは可変抵抗であり、基準電圧が最小電圧値を下回らないように抵抗値が制御される。その抵抗値は、半導体集積回路内の寄生バイポーラによる過電流を検知するラッチアップ検知回路により決定される。
【００８１】
　要は、
この最小電圧値は半導体集積回路内に過電流を流すことを避けるための電圧値である。
【００８２】
　ここで、基板電圧に印加する最大、最小の電圧値はＰＭＯＳの場合を説明した。ＮＭＯＳでは最大、最小の電圧値を決定する検知回路は逆に接続される。また、ＮＭＯＳの基板電圧を供給する場合は、最大値２２Ｃとある負電圧間で抵抗Ｒ２ａ及びＲ２ｂで分割された電位を基準電圧とする。」
　３　引用文献３の記載事項
　本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であり、原査定の理由において「引用文献２」として引用され、当審拒絶理由において「引用文献３」として引用された、特開２００２−０４１１６０号公報（以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０００５】このような不都合を回避するために、IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, VOL. 31, NO. 11, NOVEMBER 1996では、図８に示すように、ＭＯＳ素子で構成されるＣＭＯＳ半導体回路１０１に対するしきい値電圧制御回路１０２を提案している。
【０００６】
このしきい値電圧制御回路１０２は、温度検知回路１０３と、電源電圧変化検知回路１０４と、製造ばらつき検知回路１０５と、基板電圧制御回路１０６と、基板電圧発生回路１０７とを具える。
【０００７】
温度検知回路１０３は、温度Ｔ１についての情報を有する信号が入力されるとともに、それに応じた信号を基板電圧制御回路１０６に出力する。電源電圧変化検知回路１０４は、電源電圧変化Ｓ１についての情報を有する信号が入力されるとともに、それに応じた信号を基板電圧制御回路１０６に出力する。製造ばらつき検知回路１０５は、製造ばらつきＭ１についての情報を有する信号が入力されるとともに、それに応じた信号を基板電圧制御回路１０６に出力する。
【０００８】基板電圧制御回路１０６には待機信号Ｗ１も入力される。
基板電圧制御回路１０６は、入力された信号に基づいて、基板電圧発生回路１０７を制御するための信号を出力する。
【０００９】
基板電圧発生回路１０７は、ＣＭＯＳ半導体回路１０１のＭＯＳ素子の基板端子の電圧を加減して、ＭＯＳ素子自体のしきい値電圧を動作時と待機時との２モードにおいて加減する。
　４　引用文献４の記載事項
　本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であり、当審拒絶理由において「引用文献４」として引用された、特開２００８−１０４２１５号公報（以下「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２８】
　動作時の基板バイアス信号VBP、VBNの電位は特に限定しないが、回路ブロックCKTを高速動作させるためには、VBPには低い電圧（例えばVDDまたはそれ以下の電圧）を、VBNには高い電圧（例えばVSSまたはそれ以上の電圧）を印加すればよい。さらには、回路ブロックCKTに要求される動作速度に応じて、最適な電位を基板バイアス信号VBP、VBNに印加してもよい。図８や図１１では回路ブロックCKTの中のインバータINVの構成例を示しているが、これはCMOS論理回路の典型例として示したに過ぎず、図１の回路ブロックに示したような情報保持回路を含む種々の回路に対して適用できることは言うまでない。特に
基板バイアス制御において、MOSトランジスタの基板に印加する基板バイアス電圧の値を、プロセスや温度、電源電圧に応じて決定
　５　引用文献５の記載事項
　本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であり、原査定の理由において「引用文献３」として引用された、特開２００７−０６７２７５号公報（以下「引用文献５」という。）には、次の事項が記載されている。
　ア「【００７１】
　（第６の実施の形態）
　図６は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体集積回路装置のブロック図を示している。
【００７２】
　この半導体集積回路装置では、ＬＳＩ７０１の中に、ＭＯＳトランジスタの基板端子を電源およびグランドから分離した回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂがあり、その回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂ内に温度モニタ回路７０３Ａ，７０３Ｂがそれぞれ配置されている。そして、ＬＳＩ７０１の内部には、温度モニタ回路７０３Ａ，７０３Ｂに対応して温度判定回路７０４Ａ，７０４Ｂと基板バイアス発生回路７０５Ａ，７０５Ｂとが配置されている。温度判定回路７０４Ａ，７０４Ｂと基板バイアス発生回路７０５Ａ，７０５Ｂは、の何れかはＬＳＩ７０１の外部に配置されていてもよい。
【００７３】
　温度モニタ回路７０３Ａ，７０３Ｂは、信号線７０６Ａ，７０６Ｂにより温度判定回路７０４Ａ，７０４Ｂへ温度モニタ電圧を出力する。温度判定回路７０４Ａ，７０４Ｂは、温度モニタ電圧に基づいて温度を判定し、信号線７０７Ａ，７０７Ｂにより基板バイアス発生回路７０５Ａ，７０５Ｂへ温度情報を出力する。そして、所定の基板バイアスを基板バイアス発生回路７０５Ａ，７０５Ｂで発生し、基板バイアス配線７０８Ａ，７０８Ｂを通して回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂの基板へ印加する。
【００７４】
　上記のように、ＬＳＩ７０１の内部の回路ブロックを２つ以上の回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂに分け、それぞれに対応した温度モニタ回路７０３Ａ，７０３Ｂ、温度判定回路７０４Ａ，７０４Ｂ、基板バイアス発生回路７０５Ａ，７０５Ｂを持っても良い。これにより、回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂの違いによる内部温度の違いや、回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂの特性仕上がりを反映し、各回路ブロック７０２Ａ，７０２Ｂへ最適な基板バイアス電圧を印加することが可能であり、低リーク化効果を大きくすることができる。」
　イ　【図６】
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　本願発明１と引用発明１は「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）」である点において共通する。
　イ　引用発明１における「温度信号５０６」は「温度の表示」であるといえ、引用発明１における「温度センサ５０３」は「監視回路」であるといえる。
　そうすると、本願発明１における「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する温度の表示とを提供するように適合された監視回路のセット」と、引用発明１における「該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給する一つ以上の温度センサ５０３」は、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対する温度の表示を提供するように適合された監視回路のセット」である点において共通し、後述する相違点１において相違するといえる。
　ウ　本願発明１における「該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器」と、引用発明１における「該差信号５１８に応答して、ボディバイアス信号４３５を生成し、該ボディバイアス信号４３５を、前記一つ以上の回路内のトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供するボディバイアスジェネレータ４３０」は、「該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器」である点において共通するといえる。
　エ　以上から、本願発明１と引用発明１は、下記（ア）の点において一致し、下記（イ）の点において相違すると認める。
（ア）一致点
　「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であって、
　該ＦＰＧＡは、
　該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対する温度の表示を提供するように適合された監視回路のセットと、
　該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器と
　を含む、ＦＰＧＡ。」
（イ）相違点
　・相違点１
　本願発明１における「監視回路」は、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセスの表示」及び「該少なくとも１つの回路に対する電圧の表示」を提供するように適合されたものであるのに対し、引用発明１は、「監視回路」（温度センサ５０３）が、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセスの表示」及び「該少なくとも１つの回路に対する電圧の表示」を提供するように適合されたものであるとは特定しない点。
　・相違点２
　本願発明１は、「該少なくとも１つの回路に対する該プロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する該電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する該温度の表示とから該少なくとも１つの回路に対するボディバイアス値の範囲を導出するように適合されたコントローラ」を有し、かつ、「該ボディバイアス信号は、該ボディバイアス値の範囲内の値を有する」のに対し、引用発明１は、これらの構成を特定しない点。
（２）判断
　相違点２について検討する。
　引用文献２ないし５の記載事項は上記第５の２ないし５において摘記したとおりであって、相違点２に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　この点に関し、上記第５の２ア及びイに摘記したとおり、引用文献２の【請求項２５】には、電源回路が供給する電圧値は上限値及び下限値が設定されていることが記載され、【請求項２６】には、前記上限値及び下限値は被電源供給回路からの情報で決定されることが記載され、【請求項４０】には、電源回路の電力供給先が半導体集積回路の基板電圧であることが記載され、段落【００７８】ないし【００８１】には、半導体集積回路に供給する基板電圧の最大値を、半導体集積回路内部において経年劣化を監視する劣化検知回路で決定された最大許容電圧値に設定することが記載されている。しかしながら、引用文献２に記載された発明において、電源回路が供給する「電源電圧」又は「基板電圧」の範囲（上限値及び下限値）を、「回路に対する電圧」に基づいて導出する動機付けは存在せず、また、引用文献２には、「『ボディバイアス値』（基板電圧とソース電圧の差）の範囲を導出する」ことは記載も示唆もされていない。したがって、引用発明１に対して引用文献２に記載された発明を適用することによって相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　よって、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　２　本願発明２ないし１１について
　本願発明２ないし１１は、本願発明１をさらに限定したものであるから、本願発明１が引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本願発明２ないし１１は、引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　３　本願発明１２について
（１）本願発明１２と引用発明２との対比
　ア　本願発明１２と引用発明２は「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）を動作させる方法」である点において共通する。
　イ　引用発明２における「温度信号５０６」は「温度についての情報を提供する監視信号」であるといえる。
　また、引用発明２における「温度センサ５０３が、該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給すること」は、「減算器５０９が、温度信号５０６を受信すること」であるといえる。
　そうすると、本願発明１２における「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセスについての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する電圧についての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する温度についての情報とを提供する監視信号を受信すること」と、引用発明２における「温度センサ５０３が、該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給すること」は、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連する温度についての情報を提供する監視信号を受信すること」である点において共通し、後述する相違点３において相違するといえる。
　ウ　引用発明２における「ボディバイアスジェネレータ４３０が、該差信号５１８に応答して、ボディバイアス信号４３５を生成し、該ボディバイアス信号４３５を、前記一つ以上の回路内のトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供すること」は、後述する相違点４を除き、本願発明１２の「該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターに該ボディバイアス信号を適用すること」に相当するといえる。
　エ　以上から、本願発明１２と引用発明２は、下記（ア）の点において一致し、下記（イ）の点において相違すると認める。
（ア）一致点
　「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）を動作させる方法であって、
　該方法は、
　該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連する温度についての情報を提供する監視信号を受信することと、
　該少なくとも１つの回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を適用することと
　を含む、方法。」
（イ）相違点
　・相違点３
　本願発明１２は、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセスについての情報」及び「該少なくとも１つの回路に関連する電圧についての情報」を提供する「監視信号」を受信するのに対し、引用発明２は、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセスについての情報」及び「該少なくとも１つの回路に関連する電圧についての情報」を提供する「監視信号」を受信するとは特定しない点。
　・相違点４
　本願発明１２は、「該プロセスについての情報と該電圧についての情報と該温度についての情報とに少なくとも基づいてボディバイアス値の範囲を決定すること」及び「該ボディバイアス値の範囲内の値を有するボディバイアス信号を生成すること」を含むのに対し、引用発明２は、これらの構成を特定しない点。
（２）判断
　相違点４について検討する。
　引用文献２ないし５の記載事項は上記第５の２ないし５において摘記したとおりであって、相違点４に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　この点に関し、上記第５の２ア及びイに摘記したとおり、引用文献２の【請求項２５】には、電源回路が供給する電圧値は上限値及び下限値が設定されていることが記載され、【請求項２６】には、前記上限値及び下限値は被電源供給回路からの情報で決定されることが記載され、【請求項４０】には、電源回路の電力供給先が半導体集積回路の基板電圧であることが記載され、段落【００７８】ないし【００８１】には、半導体集積回路に供給する基板電圧の最大値を、半導体集積回路内部において経年劣化を監視する劣化検知回路で決定された最大許容電圧値に設定することが記載されている。しかしながら、引用文献２に記載された発明において、電源回路が供給する「電源電圧」又は「基板電圧」の範囲（上限値及び下限値）を、「（少なくとも一つの回路に関連する）電圧についての情報」に基づいて導出する動機付けは存在せず、また、引用文献２には、「『ボディバイアス値』（基板電圧とソース電圧の差）の範囲を導出する」ことは記載も示唆もされていない。したがって、引用発明２に対して引用文献２に記載された発明を適用することによって相違点４に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　よって、相違点３について検討するまでもなく、本願発明１２は、引用発明２及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　４　本願発明１３ないし１６について
　本願発明１３ないし１６は、本願発明１２をさらに限定したものであるから、本願発明１２が引用発明２及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本願発明１３ないし１６は、引用発明２及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　５　本願発明１７について
（１）本願発明１７と引用発明１との対比
　ア　本願発明１７と引用発明１は「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）」である点において共通する。
　イ　引用発明１における「温度信号５０６」は「温度の表示」であるといえ、引用発明１における「温度センサ５０３」は「監視回路」であるといえる。
　そうすると、本願発明１７における「該ＦＰＧＡ内の第１の回路および第２の回路に対するプロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する温度の表示とをそれぞれ提供するように適合された第１の監視回路および第２の監視回路」と、引用発明１における「該ＦＰＧＡ内の一つ以上の回路における温度を感知し、温度信号５０６を減算器５０９に供給する一つ以上の温度センサ５０３」は、「該ＦＰＧＡ内の回路に対する温度の表示を提供するように適合された監視回路」である点において共通し、後述する相違点５において相違するといえる。
　ウ　本願発明１７における「該第１の回路および該第２の回路内の少なくとも１つのトランジスターに第１のボディバイアス信号および第２のボディバイアス信号をそれぞれ提供するように適合されたボディバイアス生成器」と、引用発明１における「該差信号５１８に応答して、ボディバイアス信号４３５を生成し、該ボディバイアス信号４３５を、前記一つ以上の回路内のトランジスタ４４０Ａ〜４４０Ｄに提供するボディバイアスジェネレータ４３０」は、「回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器」である点において共通し、後述する相違点６において相違するといえる。
　エ　以上から、本願発明１７と引用発明１は、下記（ア）の点において一致し、下記（イ）の点において相違すると認める。
（ア）一致点
　「フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）であって、
　該ＦＰＧＡは、
　該ＦＰＧＡ内の回路に対する温度の表示を提供するように適合された監視回路と、
　回路内の少なくとも１つのトランジスターにボディバイアス信号を提供するように適合されたボディバイアス生成器と
　を含む、ＦＰＧＡ。」
（イ）相違点
　・相違点５
　本願発明１７は、「第１の回路」及び「第２の回路」のそれぞれについて、「プロセスの表示」、「電圧の表示」及び「温度の表示」を提供するように適合された、「第１の監視回路」及び「第２の監視回路」を含むのに対し、引用発明１は、「監視回路」（温度センサ５０３）が、「第１の回路」及び「第２の回路」のそれぞれについて設けられるとは特定せず、また、「監視回路」（温度センサ５０３）が、「プロセスの表示」及び「電圧の表示」を提供するとは特定しない点。
　・相違点６
　本願発明１７は、「ボディバイアス生成器」が「第１の回路」に対して「第１のボディバイアス信号」を提供し、「第２の回路」に対して「第２のボディバイアス信号」を提供するのに対し、引用発明１は、「ボディバイアス生成器」（ボディバイアスジェネレータ４３０）が、「第１の回路」に対して「第１のボディバイアス信号」を提供し、「第２の回路」に対して「第２のボディバイアス信号」を提供するとは特定しない点。
　・相違点７
　本願発明１７は、「該第１の回路および該第２の回路に対する該プロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該温度の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する構成情報とから、該第１の回路および該第２の回路に対するボディバイアス値の第１の範囲および第２の範囲をそれぞれ導出するように適合されたコントローラ」を有し、かつ、「該第１のボディバイアス信号および該第２のボディバイアス信号は、該第１の回路および該第２の回路の該ボディバイアス値のそれぞれの範囲内の値を有する」のに対し、引用発明１は、これらの構成を特定しない点。
（２）判断
　相違点７について検討する。
　引用文献２ないし５の記載事項は上記第５の２ないし５において摘記したとおりであって、相違点７に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　この点に関し、上記第５の２ア及びイに摘記したとおり、引用文献２の【請求項２５】には、電源回路が供給する電圧値は上限値及び下限値が設定されていることが記載され、【請求項２６】には、前記上限値及び下限値は被電源供給回路からの情報で決定されることが記載され、【請求項４０】には、電源回路の電力供給先が半導体集積回路の基板電圧であることが記載され、段落【００７８】ないし【００８１】には、半導体集積回路に供給する基板電圧の最大値を、半導体集積回路内部において経年劣化を監視する劣化検知回路で決定された最大許容電圧値に設定することが記載されている。しかしながら、引用文献２に記載された発明において、電源回路が供給する「電源電圧」又は「基板電圧」の範囲（上限値及び下限値）を、「回路に対する電圧の表示」に基づいて導出する動機付けは存在せず、また、引用文献２には、「『ボディバイアス値』（基板電圧とソース電圧の差）の第１の範囲及び第２の範囲を導出する」ことは記載も示唆もされていない。したがって、引用発明１に対して引用文献２に記載された発明を適用することによって相違点７に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
　よって、相違点５及び６について検討するまでもなく、本願発明１７は、引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　６　本願発明１８ないし２０について
　本願発明１８ないし２０は、本願発明１７をさらに限定したものであるから、本願発明１７が引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本願発明１８ないし２０は、引用発明１及び引用文献２ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　７　対比・判断のまとめ
　上記１ないし６のとおり、本願発明１ないし２０は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定の理由についての判断
　上記第６の７のとおり、本願発明１ないし２０は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本願発明１ないし２０は引用文献１、３及び５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許を受けることができないとした原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第８　当審拒絶理由について
　１　理由１（進歩性）について
　上記第６の７のとおり、本願発明１ないし２０は、引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本願発明１ないし２０は引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許を受けることができないとした当審拒絶理由の「理由１」によっては、本願を拒絶することはできない。
　２　理由２（明確性）について
（１）当審拒絶理由の２．（１）において、請求項１に「
該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対する
該少なくとも１つの回路に対する
該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連する
該ＦＰＧＡ内の第１および第２の回路に対する
該第１および第２の回路に対する
　これに対し、平成２９年１０月２６日付けの手続補正により、請求項１の「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセス、電圧、および温度の表示を提供するように適合された監視回路のセットと、」との記載が、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に対するプロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する温度の表示とを提供するように適合された監視回路のセットと、」に補正されたことによって、「少なくとも１つの回路に対する」との文節が、「プロセス」、「電圧」及び「温度」の全てを修飾していることが明確となった。
　また、同手続補正により、請求項１の「該少なくとも１つの回路に対するプロセス、電圧、および温度の該表示から該少なくとも１つの回路に対するボディバイアス値の範囲を導出するように適合されたコントローラと、」との記載が、「該少なくとも１つの回路に対する該プロセスの表示と、該少なくとも１つの回路に対する該電圧の表示と、該少なくとも１つの回路に対する該温度の表示とから該少なくとも１つの回路に対するボディバイアス値の範囲を導出するように適合されたコントローラと、」に補正され、請求項１２の「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセス、電圧および温度についての情報を提供する監視信号を受信することと、」との記載が、「該ＦＰＧＡ内の少なくとも１つの回路に関連するプロセスについての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する電圧についての情報と、該少なくとも１つの回路に関連する温度についての情報とを提供する監視信号を受信することと、」に補正され、請求項１７の「それぞれ、該ＦＰＧＡ内の第１および第２の回路に対するプロセス、電圧、および温度の表示を提供するように適合された第１および第２の監視回路と、」との記載が、「該ＦＰＧＡ内の第１の回路および第２の回路に対するプロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する温度の表示とをそれぞれ提供するように適合された第１の監視回路および第２の監視回路」に補正され、請求項１７の「該第１および第２の回路に対するプロセス、電圧、および温度の該表示と、該第１および第２の回路に対する構成情報とから該第１および第２の回路に対するそれぞれのボディバイアス値の第１および第２の範囲を導出するように適合されたコントローラと、」との記載が、「該第１の回路および該第２の回路に対する該プロセスの表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該電圧の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する該温度の表示と、該第１の回路および該第２の回路に対する構成情報とから、該第１の回路および該第２の回路に対するボディバイアス値の第１の範囲および第２の範囲をそれぞれ導出するように適合されたコントローラと、」に補正されたことによって、「・・・に対する」又は「・・・に関連する」との文節が、「プロセス」、「電圧」及び「温度」の全てを修飾していることが明確となった。
　よって、当審拒絶理由の２．（１）に記載した拒絶の理由は、解消した。
（２）当審拒絶理由の２．（２）において、請求項１２に「
少なくとも部分的に
に基づいて
　これに対し、平成２９年１０月２６日付けの手続補正により、請求項１２の「少なくとも部分的にプロセス、電圧および温度についての該情報に基づいてボディバイアス値の範囲を決定することと、」との記載が、「該プロセスについての情報と該電圧についての情報と該温度についての情報とに少なくとも基づいてボディバイアス値の範囲を決定することと、」に補正され、記載の意味が明確となった。
　よって、当審拒絶理由の２．（２）に記載した拒絶の理由は、解消した。
（３）当審拒絶理由の２．（３）において、請求項１５の「供給電圧
ついての
　これに対し、平成２９年１０月２６日付けの手続補正により、請求項１５の「供給電圧ついての情報」との記載が、「供給電圧についての情報」に補正され、記載の意味が明確となった。
　よって、当審拒絶理由の２．（３）に記載した拒絶の理由は、解消した。
（４）当審拒絶理由の２．（４）において、請求項１７に「
該ボディバイアス信号
　これに対し、平成２９年１０月２６日付けの手続補正により、「該ボディバイアス信号は、該第１および第２の回路の該ボディバイアス値のそれぞれの範囲内の値を有する、」との記載が、「該第１のボディバイアス信号および該第２のボディバイアス信号は、該第１の回路および該第２の回路の該ボディバイアス値のそれぞれの範囲内の値を有する、」に補正され、「該第１のボディバイアス信号」および「該第２のボディバイアス信号」が指し示しているものが明確となった。
　よって、当審拒絶理由の２．（４）に記載した拒絶の理由は、解消した。
（５）以上のとおり、当審拒絶理由の「２．理由２（明確性）について」に記載した拒絶の理由は、いずれも解消した。
　したがって、当審拒絶理由の「理由２」によっては、本願を拒絶することはできない。
第９　結言
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。