(57)【要約】【課題】  簡単な素子構造で双極検出を可能とした磁気検出装置を提供することを目的としている。【解決手段】  磁気抵抗効果素子２３，２７は、第１積層体６０と第２積層体６１との積層構造で形成される。第１積層体６０は、第１固定磁性層６５及び第１フリー磁性層６７が第１非磁性材料層６６を介して積層された構成であり、（＋）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する。第２積層体６１は、第２固定磁性層７１及び第２フリー磁性層６９が第２非磁性材料層７０を介して積層された構成であり、（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する。（＋）方向の外部磁界が侵入したときに、第１積層体６０の電気抵抗値が変化することで（＋）方向の外部磁界が検出され、（−）方向の外部磁界が侵入したときに、第２積層体６１の電気抵抗値が変化することで前記（−）方向の外部磁界が検出される。【選択図】図３
2008075610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子を有し、
前記磁気抵抗効果素子は、第１積層体と第２積層体との積層構造で構成され、
前記第１積層体は、第１固定磁性層及び第１フリー磁性層が第１非磁性材料層を介して積層された構成であり、（＋）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化し、
前記第２積層体は、第２固定磁性層及び第２フリー磁性層が第２非磁性材料層を介して積層された構成であり、前記（＋）方向とは逆方向の（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化し、
前記（＋）方向の外部磁界が侵入したときに、前記第１積層体の電気抵抗値が変化することで前記（＋）方向の外部磁界が検出され、前記（−）方向の外部磁界が侵入したときに、前記第２積層体の電気抵抗値が変化することで前記（−）方向の外部磁界が検出されることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
横軸を外部磁界Ｈの大きさとし、縦軸を磁気抵抗効果素子の抵抗値ＲとしたＲ−Ｈグラフ上には、
前記第１固定磁性層と前記第１フリー磁性層間に作用する第１層間結合磁界Ｈｉｎ１が、（＋）方向の外部磁界側に発現し、前記第２固定磁性層と前記第２フリー磁性層間に作用する第２層間結合磁界Ｈｉｎ２が、前記（−）方向の外部磁界側に発現するとともに、
外部磁界がゼロのときの前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値を基準としたとき、（＋）方向の外部磁界の強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の増減傾向と、（−）方向の外部磁界の強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の増減傾向とが逆傾向を示す請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果素子は２個用意され、一つの前記磁気抵抗効果素子は第１出力取り出し部を介して第１固定抵抗素子に直列接続され、もう一つの前記磁気抵抗効果素子は第２出力取り出し部を介して第２固定抵抗素子に直列接続されており、
前記第１固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ３は、外部磁界がゼロのときの前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と、（＋）方向の外部磁界が作用したときに、外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１から最大限に変化した前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ２との間の値であり、前記第２固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ５は、前記磁気抵抗効果素子の外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１と、（−）方向の外部磁界が作用したときに、前記外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１から最大限に変化した前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ４との間の値である請求項２記載の磁気検出装置。
【請求項４】
前記第１固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ３は、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と電気抵抗値Ｒ２との中間値であり、前記第２固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ５は、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と電気抵抗値Ｒ４との中間値である請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項５】
磁気抵抗効果素子と第１固定抵抗素子とが直列接続された第１直列回路と、磁気抵抗効果素子と第２固定抵抗素子とが直列接続された第２直列回路と、固定抵抗素子が第３出力取り出し部を介して直列接続された第３直列回路とを備え、
前記第１直列回路の第１出力取り出し部と前記第２直列回路の第２出力取り出し部は一方ずつ、接続切換部を介して共通の差動出力部に前記第３直列回路の第３出力取り出し部と共に接続されており、
前記接続切換部にて、前記第１出力取り出し部と前記差動出力部が接続されたとき、前記第１直列回路と前記第３直列回路とが並列接続してなる第１ブリッジ回路が前記差動出力部に接続された状態に切り換わり、前記接続切換部にて、前記第２出力取り出し部と前記差動出力部が接続されたとき、前記第２直列回路と前記第３直列回路とが並列接続してなる第２ブリッジ回路が前記差動出力部に接続された状態に切り換わる請求項３又は４に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子を備えた磁気検出装置に係り、特に、双極検出可能な磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、折畳み式携帯電話の開閉検知には磁気検出素子を備えた磁気検出装置が採用されている。【０００３】
前記磁気検出素子にはホール素子や磁気抵抗効果素子が用いられる。前記磁気抵抗効果素子は、ホール素子と違って弱い外部磁界に対しても適切に電気抵抗が変化し、長寿命を期待できる。【０００４】
前記磁気抵抗効果素子には、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を用いたＧＭＲ素子が採用されている。【０００５】
前記ＧＭＲ素子のＲＨカーブ（ヒステリシスループ）１は、図８に示すように例えば、（＋）方向の外部磁界側にシフトしている。すなわちＧＭＲ素子は（＋）方向の外部磁界Ｈが侵入すると図８に示すＲＨカーブ１に沿って電気抵抗値Ｒが変化する。
【特許文献１】特開２００５−２１４９００号公報
【特許文献２】特開２００４−１８０２８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図８に示すＲＨカーブ１を有するＧＭＲ素子では、前記（＋）方向と逆方向である（−）方向の外部磁界Ｈの強度変化に対して電気抵抗が変化しない。【０００７】
よって、（−）方向の外部磁界Ｈが侵入した際、前記ＧＭＲ素子は電気抵抗変化しないため、（−）方向の外部磁界を検出することはできない。【０００８】
したがって、折り畳み携帯電話に図８に示すＲＨカーブ１を有するＧＭＲ素子を内臓するとき、折畳み式携帯電話の開閉時に、ＧＭＲ素子に磁石から（＋）方向の外部磁界Ｈが作用するように、磁石を適切に配置しなければいけなかった。【０００９】
また、図８に示すＲＨカーブ１を有するＧＭＲ素子とともに、ＲＨカーブが、（−）方向の外部磁界側にシフトしているＧＭＲ素子を用いることで、（＋）方向、及び（−）方向のどちらの方向の外部磁界も検出することが可能になる。【００１０】
しかしながら、かかる場合、素子数が多くなるといった問題があった。特に、（＋）方向の外部磁界検出用のＧＭＲ素子と、（−）方向の外部磁界検出用のＧＧＭＲ素子は、異なる膜厚で形成される等、同じ構成でないので、別々の製造プロセスで製造することが必要であった。よって製造プロセスが煩雑化するといった問題があった。【００１１】
上記の特許文献１，２に記載された発明には、磁気検出装置に内臓される磁気検出素子が、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子であると記載されている。特に、特許文献１に記載された発明には、双極検出可能な磁気検出装置が開示されている。【００１２】
しかしながら特許文献１に記載された発明には、前記磁気抵抗効果素子の具体的構成が開示されていない。すなわち特許文献１の図２の特性を有する磁気抵抗効果素子の具体的構成が開示されていない。【００１３】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、簡単な素子構造で双極検出を可能とした磁気検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明における磁気検出装置は、
外部磁界に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を用いた磁気抵抗効果素子を有し、
前記磁気抵抗効果素子は、第１積層体と第２積層体との積層構造で構成され、
前記第１積層体は、第１固定磁性層及び第１フリー磁性層が第１非磁性材料層を介して積層された構成であり、（＋）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化し、
前記第２積層体は、第２固定磁性層及び第２フリー磁性層が第２非磁性材料層を介して積層された構成であり、前記（＋）方向とは逆方向の（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化し、
前記（＋）方向の外部磁界が侵入したときに、前記第１積層体の電気抵抗値が変化することで前記（＋）方向の外部磁界が検出され、前記（−）方向の外部磁界が侵入したときに、前記第２積層体の電気抵抗値が変化することで前記（−）方向の外部磁界が検出されることを特徴とするものである。【００１５】
本発明では、前記磁気抵抗効果素子は、（＋）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する第１積層体と、（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する第２積層体との積層構造で形成されている。これによって、双極検出を簡単な素子構造で実現できる。【００１６】
本発明で採用される磁気抵抗効果素子は、
横軸を外部磁界Ｈの大きさとし、縦軸を磁気抵抗効果素子の抵抗値ＲとしたＲ−Ｈグラフ上には、
前記第１固定磁性層と前記第１フリー磁性層間に作用する第１層間結合磁界Ｈｉｎ１が、（＋）方向の外部磁界側に発現し、前記第２固定磁性層と前記第２フリー磁性層間に作用する第２層間結合磁界Ｈｉｎ２が、前記（−）方向の外部磁界側に発現するとともに、
外部磁界がゼロのときの前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値を基準としたとき、（＋）方向の外部磁界の強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の増減傾向と、（−）方向の外部磁界の強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値の増減傾向とが逆傾向を示す構成となっている。【００１７】
これによって、簡単な素子構成で適切に双極検出が可能となり、特に、（＋）方向の外部磁界の強度変化に対する抵抗値の増減傾向と、（−）方向の外部磁界の強度変化に対する抵抗値の増減傾向とが逆傾向を示すことで、検出される外部磁界の方向までも検知することが可能となる。【００１８】
本発明では、前記磁気抵抗効果素子は２個用意され、一つの前記磁気抵抗効果素子は第１出力取り出し部を介して第１固定抵抗素子に直列接続され、もう一つの前記磁気抵抗効果素子は第２出力取り出し部を介して第２固定抵抗素子に直列接続されており、
前記第１固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ３は、外部磁界がゼロのときの前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と、（＋）方向の外部磁界が作用したときに、外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１から最大限に変化した前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ２との間の値であり、前記第２固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ５は、前記磁気抵抗効果素子の外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１と、（−）方向の外部磁界が作用したときに、前記外部磁界がゼロのときの電気抵抗値Ｒ１から最大限に変化した前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ４との間の値であることが好ましい。【００１９】
特に、前記第１固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ３は、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と電気抵抗値Ｒ２との中間値であり、前記第２固定抵抗素子の固定抵抗値Ｒ５は、前記磁気抵抗効果素子の電気抵抗値Ｒ１と電気抵抗値Ｒ４との中間値であることがより好ましい。【００２０】
本発明では、１種類の磁気抵抗効果素子と、固定抵抗値が異なる２種類の固定抵抗素子を用いることで、双極対応可能な磁気検出装置を実現できる。すなわち従来のように複数種類の磁気抵抗効果素子を用いる必要がない。また、作用する外部磁界の方向までも検知できる回路構成にすることが可能である。【００２１】
本発明では、磁気抵抗効果素子と第１固定抵抗素子とが直列接続された第１直列回路と、磁気抵抗効果素子と第２固定抵抗素子とが直列接続された第２直列回路と、固定抵抗素子が第３出力取り出し部を介して直列接続された第３直列回路とを備え、
前記第１直列回路の第１出力取り出し部と前記第２直列回路の第２出力取り出し部は一方ずつ、接続切換部を介して共通の差動出力部に前記第３直列回路の第３出力取り出し部と共に接続されており、
前記接続切換部にて、前記第１出力取り出し部と前記差動出力部が接続されたとき、前記第１直列回路と前記第３直列回路とが並列接続してなる第１ブリッジ回路が前記差動出力部に接続された状態に切り換わり、前記接続切換部にて、前記第２出力取り出し部と前記差動出力部が接続されたとき、前記第２直列回路と前記第３直列回路とが並列接続してなる第２ブリッジ回路が前記差動出力部に接続された状態に切り換わることが好適である。【００２２】
第１ブリッジ回路は、（＋）方向の外部磁界を検出する側であり、第２ブリッジ回路は、（−）方向の外部磁界を検出する側である。そして本発明では、上記２つのブリッジ回路を少ない素子数で且つ、簡単な回路構成で得ることが可能である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、磁気抵抗効果素子は、（＋）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する第１積層体と、（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する第２積層体との積層構造で形成されている。これによって、双極検出を簡単な素子構造で実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
図１は、本実施形態の磁気検出装置２０の回路構成図、図２は磁気抵抗効果素子のＲＨカーブを説明するためのＲ−Ｈグラフ、図３は、磁気抵抗効果素子の層構造を示す部分断面図、図４〜図７は、本実施形態の磁気検出装置の用途を説明するための一例であり、前記磁気検出装置を内臓した折畳み式携帯電話の模式図、である。【００２５】
図１に示す本実施形態の磁気検出装置２０は、素子構成部２１と集積回路（ＩＣ）２２とを有して構成される。【００２６】
前記素子構成部２１は、磁気抵抗効果素子２３と第１固定抵抗素子２４とが第１出力取り出し部２５を介して直列接続された第１直列回路２６、磁気抵抗効果素子２７と第２固定抵抗素子２８とが第２出力取り出し部２９を介して直列接続された第２直列回路３０、及び、固定抵抗素子３１と固定抵抗素子３２が第３出力取り出し部３３を介して直列接続された第３直列回路３４で構成される。【００２７】
前記第３直列回路３４は、共通回路として前記第１直列回路２６及び前記第２直列回路３０と夫々ブリッジ回路を構成する。以下では前記第１直列回路２６と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第１ブリッジ回路ＢＣ１と、前記第２直列回路３０と前記第３直列回路３４とが並列接続されてなるブリッジ回路を第２ブリッジ回路ＢＣ２と称する。【００２８】
図１に示すように、前記第１ブリッジ回路ＢＣ１では、磁気抵抗効果素子２３と、固定抵抗素子３２とが並列接続されるとともに、前記第１固定抵抗素子２４と前記固定抵抗素子３１とが並列接続されている。また前記第２ブリッジ回路ＢＣ２では、前記磁気抵抗効果素子２７と、前記固定抵抗素子３１とが並列接続されるとともに、前記第２固定抵抗素子２８と前記固定抵抗素子３２とが並列接続されている。【００２９】
図１に示すように前記集積回路２２には入力端子（電源）３９、アース端子４２及び２つの外部出力端子４０，４１が設けられている。前記入力端子３９、アース端子４２及び外部出力端子４０，４１は夫々図示しない機器側の端子部とワイヤボンディングやダイボンディング等で電気的に接続されている。【００３０】
前記入力端子３９に接続された信号ライン５０及び前記アース端子４２に接続された信号ライン５１は、前記第１直列回路２６，第２直列回路３０及び第３直列回路３４の両側端部に設けられた電極の夫々に接続されている。【００３１】
図１に示すように集積回路２２内には、１つの差動増幅器（差動出力部）３５が設けられている。前記第３直列回路３４の第３出力取り出し部３３は、前記差動増幅器３５の＋入力部、−入力部のどちらか一方に接続されている。なお、前記第３出力取り出し部３３と前記差動増幅器３５の接続は固定されている（非接続状態にはならない）。【００３２】
前記第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５及び第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９は夫々第１スイッチ回路（第１接続切換部）３６の入力部に接続されている。そして、前記第１スイッチ回路３６の出力部は前記差動増幅器３５の−入力部、＋入力部のどちらか一方に（前記第３出力取り出し部３３が接続されていない側の入力部に）接続されている。【００３３】
図１に示すように、前記差動増幅器３５の出力部は、シュミットトリガー型のコンパレータ３８に接続され、さらに前記コンパレータ３８の出力部は第２のスイッチ回路（第２接続切換部）４３の入力部に接続されている。さらに前記第２スイッチ回路４３の出力部は、２つのラッチ回路４６，４７及びＦＥＴ回路５４、５５を経て第１外部出力端子４０及び第２外部出力端子４１に夫々接続される。【００３４】
さらに図１に示すように、前記集積回路２２内には第３のスイッチ回路（第３接続切換部）４８が設けられている。前記第３のスイッチ回路４８の出力部は、前記アース端子４２に接続された信号ライン５１に接続され、前記第３のスイッチ回路４８の入力部には、第１直列回路２６及び第２直列回路３０の一端部が接続されている。【００３５】
さらに図１に示すように、前記集積回路２２内には、インターバルスイッチ回路５２及びクロック回路５３が設けられている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチがオフされると、集積回路２２内への通電が停止するようになっている。前記インターバルスイッチ回路５２のスイッチのオン・オフは、前記クロック回路５３からのクロック信号に連動しており、前記インターバルスイッチ回路５２は通電状態を間欠的に行う節電機能を有している。【００３６】
前記クロック回路５３からのクロック信号は、第１スイッチ回路３６、第２スイッチ回路４３、及び第３スイッチ回路４８の夫々にも出力される。【００３７】
前記磁気抵抗効果素子２３と磁気抵抗効果素子２７は同じ層構造である。前記磁気抵抗効果素子２３，２７は、第１積層体６０と第２積層体６１との積層構造で形成される。磁気抵抗効果素子２３，２７の積層構造を図３を用いて説明する。【００３８】
図３に示すように、前記磁気抵抗効果素子２３，２７は、設置面６２上に下からシード層６３、第１反強磁性層６４、第１固定磁性層６５、第１非磁性材料層６６、第１フリー磁性層６７、中間分離層６８、第２フリー磁性層６９、第２非磁性材料層７０、第２固定磁性層７１、第２反強磁性層７２及び保護層７３の順に積層されている。【００３９】
図３に示すように、前記第１積層体６０は、第１反強磁性層６４、第１固定磁性層６５、第１非磁性材料層６６及び第１フリー磁性層６７で構成される。前記第２積層体６１は、第２フリー磁性層６９、第２非磁性材料層７０、第２固定磁性層７１及び第２反強磁性層７２で構成される。前記第１積層体６０と第２積層体６１間は中間分離層６８によって磁気的に分離されている。【００４０】
図３に示すように、第１固定磁性層６５は、下から第１磁性層６５ａ、非磁性中間層６５ｂ及び第２磁性層６５ｃの順に積層された積層フェリ構造である。第２固定磁性層７１は、下から第２磁性層７１ｃ、非磁性中間層７１ｂ及び第１磁性層７１ａの順に積層された積層フェリ構造である。【００４１】
前記積層フェリ構造を構成する第１磁性層６５ａ，７１ａと第２磁性層６５ｃ，７１ｃの磁化方向は反平行となっている。【００４２】
前記シード層６３は、ＮｉＦｅＣｒあるいはＣｒで形成される。前記第１反強磁性層６４及び第２反強磁性層７２は、元素α（ただしαは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料、又は、元素αと元素α′（ただし元素α′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成される。例えば前記第１反強磁性層６４及び第２反強磁性層７２は、ＩｒＭｎやＰｔＭｎで形成される。前記第１磁性層６５ａ，７１ａ、第２磁性層６５ｃ，７１ｃ、第１フリー磁性層６７及び第２フリー磁性層６９は夫々、ＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金等の磁性材料で形成される。また前記第１非磁性材料層６６及び第２非磁性材料層７０は例えば、Ｃｕで形成される。また非磁性中間層６５ｂ，７１ｂは例えばＲｕで形成される。前記中間分離層６８は例えばＣｕで形成される。また前記保護層７３は例えばＴａで形成される。【００４３】
紙面右方向を（＋）方向、紙面左方向を（−）方向としたとき、図３に示すように、第１磁性層６５ａ，７１ａの磁化方向は（＋）方向、第２磁性層６５ｃ，７１ｃの磁化方向は（−）方向である。前記第１磁性層６５ａ，７１ａ及び第２磁性層６５ｃ，７１ｃの磁化は外部磁界によって変動しないように固定されている。【００４４】
図３は、外部磁界が作用していない無磁場状態を示している。図３に示すように無磁場状態では、第１フリー磁性層６７の磁化方向は（−）方向であり、第２フリー磁性層６９の磁化方向は（＋）方向である。前記フリー磁性層６７，６９の磁化は外部磁界によって変動する。【００４５】
巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）は、前記第２磁性層６５ｃ，７１ｃと前記フリー磁性層６７，６９との磁化方向の関係で発現される。すなわち、前記第２磁性層６５ｃ，７１ｃと前記フリー磁性層６７，６９との磁化方向が平行状態のとき電気抵抗値が最小値となり、前記第２磁性層６５ｃ，７１ｃと前記フリー磁性層６７，６９との磁化方向が反平行状態のとき電気抵抗値が最大値となる。【００４６】
今、（＋）方向に外部磁界Ｈが作用すると、第１積層体６０の第１フリー磁性層６７の磁化が変動する。一方、第２フリー磁性層６９は、磁化方向が（＋）方向であるため、（＋）方向の外部磁界Ｈが作用しても磁化変動しない。よって第２積層体６１の電気抵抗値は一定のままである。【００４７】
（＋）方向の外部磁界Ｈの磁界強度が徐々に大きくなっていくと前記第１フリー磁性層６７の磁化方向は徐々に（＋）方向に変化する。これによって第１フリー磁性層６７と第２磁性層６５ｃの磁化関係が平行状態から徐々に反平行状態になり、磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値Ｒは図２に示す第１ＲＨカーブＣ１上に沿って、徐々に大きくなっていく。【００４８】
一方、（−）方向に外部磁界Ｈが作用すると、第２積層体６１の第２フリー磁性層６９の磁化が変動する。一方、第１フリー磁性層６７は、磁化方向が（−）方向であるため、（−）方向の外部磁界Ｈが作用しても磁化変動しない。よって第１積層体６０の電気抵抗値は一定のままである。【００４９】
（−）方向の外部磁界Ｈの磁界強度が徐々に大きくなっていくと前記第２フリー磁性層６９の磁化方向は徐々に（−）方向に変化する。これによって第２フリー磁性層６９と第２磁性層７１ｃの磁化関係が反平行状態から徐々に平行状態になり、磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値Ｒは図２に示す第２ＲＨカーブＣ２上に沿って、徐々に小さくなっていく。【００５０】
図２に示すように、第１ＲＨカーブＣ１及び第２ＲＨカーブＣ２は、所定幅を持つ（ヒステリシスがあることを意味する）ループ状となっている。【００５１】
ループ状に形成された第１ＲＨカーブＣ１の中心から外部磁界Ｈ＝０（Ｏｅ）のラインまでの磁界の強さで第１層間結合磁界Ｈｉｎ１の大きさが決定される。この第１層間結合磁界Ｈｉｎ１は、第１固定磁性層６５と第１フリー磁性層６７との間に作用するものであり、Ｒ−Ｈグラフ上における（＋）方向の外部磁界側に発現している。【００５２】
ループ状に形成された第２ＲＨカーブＣ２の中心から外部磁界Ｈ＝０（Ｏｅ）のラインまでの磁界の強さで第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の大きさが決定される。この第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は、第２固定磁性層７１と第２フリー磁性層６９との間に作用するものであり、Ｒ−Ｈグラフ上における（−）方向の外部磁界側に発現している。【００５３】
上記した前記層間結合磁界Ｈｉｎ１，Ｈｉｎ２は、前記第１非磁性材料層６６及び第２非磁性材料層７０の膜厚の調整や、界面粗さの調整等によって得ることが出来る。【００５４】
上記で説明した磁気抵抗効果素子２３，２７は巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用したＧＭＲ素子であったが、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用したＴＭＲ素子であってもよい。【００５５】
また図３では、固定磁性層６５，７１が積層フェリ構造であったが、それ以外の構造、例えば磁性層の単層構造や積層構造であってもよい。【００５６】
図１に示すように前記磁気抵抗効果素子２３，２７は夫々、固定抵抗素子２４，２８と直列接続されている。【００５７】
前記磁気抵抗効果素子２３に直列接続された第１固定抵抗素子２４の固定抵抗値Ｒ３は、図２に示すように、外部磁界Ｈがゼロのときの前記磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値Ｒ１と、（＋）方向の外部磁界Ｈが作用した際の前記磁気抵抗効果素子２３の最大電気抵抗値Ｒ２との中間値となるように調整されている。【００５８】
また、前記磁気抵抗効果素子２７に直列接続された第２固定抵抗素子２８の固定抵抗値Ｒ５は、図２に示すように、前記磁気抵抗効果素子２７の外部磁界Ｈがゼロのときの電気抵抗値Ｒ１と、（−）方向の外部磁界が作用した際の前記磁気抵抗効果素子２７の最小電気抵抗値Ｒ４との中間値となるように調整されている。【００５９】
例えば前記固定抵抗素子２４，２８は、図３に示す磁気抵抗効果素子２３，２７と同じ材料層の積層構造であるが積層順が異なって外部磁界に対して電気抵抗が変化しない構造で形成される。かかる場合、前記固定抵抗素子２４，２８と磁気抵抗効果素子２３，２７との温度係数（ＴＣＲ）のばらつきを抑制でき、動作安定性を向上させることが出来るので好適である。【００６０】
第３直列回路３４を構成する前記固定抵抗素子３１，３２も前記固定抵抗素子２４，２８と同じように、例えば、磁気抵抗効果素子２３，２７と同じ材料層の積層構造であるが積層順が異なって外部磁界に対して電気抵抗が変化しない構造で形成される。このとき、前記固定抵抗素子３１，３２の固定抵抗値は共に同じ値となるように調整されている。【００６１】
前記磁気抵抗効果素子２３，２７及び固定抵抗素子２４，２８，３１，３２は、外部磁界を感知可能な磁気検出装置２０の表面に設けられている。前記磁気抵抗効果素子２３，２７，及び固定抵抗素子２４，２８，３１，３２はミアンダ形状で形成される。これにより、各素子の素子抵抗を増大させて消費電流を低減できる。【００６２】
図１に代えて、第３直列回路３４を構成する前記固定抵抗素子３１，３２を、集積回路２２内に組み込んでもよい。このとき前記固定抵抗素子３１，３２を高抵抗材料で形成して、より適切に消費電流の低減を図ることが好適である。例えば前記固定抵抗素子３１，３２はＳｉで形成される。【００６３】
次に、外部磁界の検出原理について説明する。
図１に示すように第１出力取り出し部２５と差動増幅器３５とが前記第１スイッチ回路３６によって接続されると、第１ブリッジ回路ＢＣ１が前記差動増幅器３５に接続された状態になる。またこのとき、差動増幅器３５と、第１外部出力端子４０間が前記第２スイッチ回路４３によって接続され、前記第１直列回路２６と前記アース端子４２間が第３スイッチ回路４８によって接続されている。【００６４】
磁気検出装置２０に作用する外部磁界Ｈの大きさは図２に示す「使用範囲」内である。「使用範囲」内では、前記固定磁性層６５，７１の磁化方向を変動させるほどの強い外部磁界は作用しない。すなわち固定磁性層６５，７１の磁化は固定されたままである。【００６５】
まず、図１の回路状態で、本実施形態の磁気検出装置２０に（＋）方向の外部磁界Ｈが作用すると、前記磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値Ｒは、図２に示すＲ１から第１ＲＨカーブＣ１上に沿って徐々に大きくなっていく。【００６６】
前記磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値Ｒが（＋）方向の外部磁界Ｈの強度変化によってＲ１から徐々に大きくなり、やがて、第１固定抵抗素子２４の固定抵抗値Ｒ３を超えると、差動増幅器３５で生成された差動電位に基づいて、コンパレータ３８ではＯＮ信号（磁界検出信号）が生成され、前記ＯＮ信号が前記第１外部出力端子４０から出力される。【００６７】
第１スイッチ回路３６，第２スイッチ回路４３及び第３スイッチ回路４８は、クロック回路５３からのクロック信号を受けて連動してスイッチ動作する。そして第２出力取り出し部２９と差動増幅器３５とが前記第１スイッチ回路３６によって接続されると、第２ブリッジ回路ＢＣ２が前記差動増幅器３５に接続された状態になる。またこのとき、差動増幅器３５と、第２外部出力端子４１間が前記第２スイッチ回路４３によって接続され、前記第２直列回路３０と前記アース端子４２間が第３スイッチ回路４８によって接続される。【００６８】
上記の回路状態で、本実施形態の磁気検出装置２０に（−）方向の外部磁界Ｈが作用すると、前記磁気抵抗効果素子２７の電気抵抗値Ｒが図２に示すＲ１から第２ＲＨカーブＣ２上に沿って徐々に小さくなっていく。【００６９】
前記磁気抵抗効果素子２７の電気抵抗値Ｒが（−）方向への外部磁界Ｈの強度変化によってＲ１から徐々に小さくなり、やがて、第２固定抵抗素子２８の抵抗値Ｒ５を下回ると、差動増幅器３５で生成された差動電位に基づいて、コンパレータ３８ではＯＮ信号（磁界検出信号）が生成され、前記ＯＮ信号が前記第２出力端子４１から出力される。【００７０】
以上のように、本実施形態の磁気検出装置２０は、磁気抵抗効果素子２３，２７が図３に示す第１積層体６０と第２積層体６１との積層構造で形成される。そして、前記第１積層体６０は（＋）方向の外部磁界Ｈに対して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した構造で、前記第２積層体６１は（−）方向の外部磁界に対して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した構造となっている。【００７１】
よって前記磁気抵抗効果素子２３，２７を用いることで、前記磁気検出装置２０に対して（＋）方向、あるいは（−）方向のどちらの方向の外部磁界Ｈが作用しても、外部磁界Ｈを検出することが可能である。すなわち双極検出が可能である。【００７２】
本実施形態では、前記磁気抵抗効果素子２３，２７は１種類の磁気抵抗効果素子で構成される。すなわち図１に示すように、前記磁気抵抗効果素子２３，２７は２個用意されるが、前記磁気抵抗効果素子２３，２７は同じ層構造（このとき各層の膜厚も同じである）であるので同じ製造プロセスで形成でき、容易且つ適切に製造できる。【００７３】
図２に示すように、第１積層体６０を構成する第１固定磁性層６５と第１フリー磁性層６７間に作用する第１層間結合磁界Ｈｉｎ１は、Ｒ−Ｈグラフ上において（＋）方向の外部磁界側に発現している。また、図２に示すように、第２積層体６１を構成する第２固定磁性層７１と第２フリー磁性層６９間に作用する第２層間結合磁界Ｈｉｎ２は、Ｒ−Ｈグラフ上において（−）方向の外部磁界側に発現している。【００７４】
そして、図２に示すように外部磁界Ｈがゼロの位置での前記磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値Ｒ１を基準としたとき、（＋）方向の外部磁界Ｈの磁界強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値の増減傾向と、（−）方向の外部磁界Ｈの磁界強度変化に対する前記磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値の増減傾向とが逆傾向を示している。すなわち、（＋）方向の外部磁界が徐々に大きくなると、前記磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値は、Ｒ１から徐々に大きくなる増加傾向を示し、一方、（−）方向の外部磁界Ｈが徐々に大きくなると、前記磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値は、Ｒ１から徐々に小さくなる減少傾向を示す。【００７５】
そして、磁気抵抗効果素子２３，２７は、図２に示す第１ＲＨカーブＣ１と第２ＲＨカーブＣ２からなる段階型のＲＨカーブを有している。これにより、簡単な回路構成で双極検出対応型の磁気検出装置２０を実現できるとともに外部磁界の作用方向まで検知が可能である。【００７６】
このように外部磁界の作用方向まで検知可能なのは、図２に示すように、（＋）方向の外部磁界Ｈに対して磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値が変化する第１ＲＨカーブＣ１の抵抗変化領域と、（−）方向の外部磁界Ｈに対して磁気抵抗効果素子２３，２７の電気抵抗値が変化する第２ＲＨカーブＣ２の抵抗変化領域とが異なる領域となっているからである。【００７７】
図１に示すように外部出力端子４０，４１は２つ設けられている。第１外部出力端子４０は、第１ブリッジ回路ＢＣ１に接続されており、第１ブリッジ回路ＢＣ１では、（＋）方向の外部磁界Ｈが作用して、磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が図２に示す第１固定抵抗素子２４の固定抵抗値Ｒ３を超えるとＯＮ信号が前記第１外部出力端子４０から出力されるようになっている。換言すれば、磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値が第１固定抵抗素子２４の固定抵抗値Ｒ３を下回っているとＯＦＦ信号が前記第１外部出力端子４０から常に出力されている。一方、第２外部出力端子４１は、第２ブリッジ回路ＢＣ２に接続されており、第２ブリッジ回路ＢＣ２では、（−）方向の外部磁界Ｈが作用して、磁気抵抗効果素子２７の電気抵抗値が図２に示す第２固定抵抗素子２８の固定抵抗値Ｒ５を下回るとＯＮ信号が前記第２外部出力端子４１から出力されるようになっている。換言すれば、磁気抵抗効果素子２７の電気抵抗値が第２固定抵抗素子２８の固定抵抗値Ｒ４を上回っているとＯＦＦ信号が前記第１外部出力端子４０から常に出力されている。【００７８】
よって、第１外部出力端子４０からＯＮ信号が出力されている場合（このとき第２外部出力端子４１からはＯＦＦ信号が出力される）は、（＋）方向の外部磁界Ｈが磁気検出装置２０に作用していると識別でき、第２外部出力端子４１からＯＮ信号が出力されている場合（このとき第１外部出力端子４０からはＯＦＦ信号が出力される）は、（−）方向の外部磁界Ｈが磁気検出装置２０に作用していると識別できる。【００７９】
図２に示すように、第１固定抵抗素子２４の固定抵抗値Ｒ３は、外部磁界Ｈがゼロのときの磁気抵抗効果素子２３の電気抵抗値Ｒ１と、（＋）方向の外部磁界Ｈが作用したときの磁気抵抗効果素子２３の最大抵抗値Ｒ２との中間値であることが好適である。また、第２固定抵抗素子２８の固定抵抗値Ｒ５は、外部磁界Ｈがゼロのときの磁気抵抗効果素子２７の電気抵抗値Ｒ１と、（−）方向の外部磁界Ｈが作用したときの磁気抵抗効果素子２７の最大抵抗値Ｒ４との中間値であることが好適である。【００８０】
これにより、適切に双極検出対応型の磁気検出装置２０を実現できる。また上記に加えて、第１層間結合磁界Ｈｉｎ１と第２層間結合磁界Ｈｉｎ２の大きさを同じにすることで、（＋）方向の外部磁界Ｈが作用したときのＯＮ信号の出力タイミングと、（−）方向の外部磁界Ｈが作用したときのＯＮ信号の出力タイミングとを同じに設定できる。【００８１】
また図１に示すように本実施形態の磁気検出装置２０は、固定抵抗素子３１，３２が直列接続された第３直列回路３４の中点電位を前記第１ブリッジ回路ＢＣ１と、前記第２ブリッジ回路ＢＣ２の基準電位として共通化している。そして、前記第１ブリッジ回路ＢＣ１を構成する第１直列回路２６の第１出力取り出し部２５と差動増幅器３５間の接続、及び前記第２ブリッジ回路ＢＣ２を構成する第２直列回路３０の第２出力取り出し部２９と差動増幅器３５間の接続を交互に切り換える第１スイッチ回路３６を集積回路２２内に設けている。【００８２】
このように、本実施形態の磁気検出装置２０は、第３直列回路３４を前記第１ブリッジ回路ＢＣ１と、前記第２ブリッジ回路ＢＣ２の双方で共通回路として使用することで、従来に比べて、素子数を減らすことが可能である。【００８３】
さらに本実施形態では１つの差動増幅器３５を設けるだけで、第１ブリッジ回路ＢＣ１と差動増幅器３５とが接続された状態と、第２ブリッジ回路ＢＣ２と差動増幅器３５とが接続された状態を交互に得ることが出来、簡単な回路構成で適切に、第１ブリッジ回路ＢＣ１及び第２ブリッジ回路ＢＣ２から夫々、前記差動増幅器３５にて差動電位を得ることが出来る。【００８４】
以上により本実施形態によれば双極対応型センサにおいて、従来よりも、素子数を減らすことができるとともに回路構成を簡単に出来る。【００８５】
また本実施形態では、前記第１スイッチ回路３６により前記第１ブリッジ回路ＢＣ１と前記差動増幅器３５間が接続されたとき、前記第３スイッチ回路４８により前記第１直列回路２６と前記アース端子４２間が接続される。また、前記第１スイッチ回路３６により前記第２ブリッジ回路ＢＣ２と前記差動増幅器３５間が接続されたとき、前記第３スイッチ回路４８により前記第２直列回路３０と前記アース端子４２間が接続される。これにより、前記第１ブリッジ回路ＢＣ１と前記差動増幅器３５間が接続されたとき、第２直列回路３０に電流は流れない。また前記第２ブリッジ回路ＢＣ２と前記差動増幅器３５間が接続されたとき、第１直列回路２６に電流は流れない。よって、消費電流の低減を図ることが出来、また検出感度を向上させることが出来る。【００８６】
前記第３スイッチ回路４８は、入力端子３９と第１直列回路２６間、及び入力端子３９と第２直列回路３０間に前記アース端子４２側とともに、あるいは前記アース端子４２側に代えて設けられていてもよい。【００８７】
本実施形態による双極検出対応型の磁気検出装置２０は、例えば折畳み式携帯電話の開閉検知に使用できる。【００８８】
図４に示すように折畳み式携帯電話９０は、第１部材（表示筐体）９１と第２部材（操作筐体）９２とが開閉自在に連結された構成である。前記第１部材９１の前記第２部材９２との対向面には液晶ディスプレイやレシーバ等が設けられている。前記第２部材９２の前記第１部材９１との対向面には、各種の操作釦及びマイク等が設けられている。図４は折畳み式携帯電話９０を閉じた状態であり、図４に示すように前記第１部材９１には磁石９４が内臓され、前記第２部材９２には本実施形態の磁気検出装置２０が内臓されている。図４に示すように閉じた状態で、前記磁石９４と磁気検出装置２０は互いに対向した位置に配置されている。あるいは前記磁気検出装置２０は前記磁石９４との対向位置よりも、外部磁界の進入方向と平行な方向にずれた位置に配置されてもよい。【００８９】
図４では、前記磁石９４から発せられた（＋）方向の外部磁界（＋Ｈ）が、前記磁気検出装置２０に伝わり、前記磁気検出装置２０では前記外部磁界（＋Ｈ）を検出し、これにより、折畳み式携帯電話９０は閉じた状態にあることが検出される。【００９０】
一方、図５のように折畳み式携帯電話９０を開くと、前記第１部材９１が前記第２部材９２から離れるにつれて、徐々に前記磁気検出装置２０に伝わる外部磁界（＋Ｈ）の大きさは小さくなっていき、やがて前記磁気検出装置２０に伝わる外部磁界（＋Ｈ）はゼロになる。前記磁気検出装置２０に伝わる外部磁界（＋Ｈ）の大きさがある所定の大きさ以下となった場合に、前記折畳み式携帯電話９０が開いた状態にあることが検出され、例えば、前記携帯電話９０内に内臓される制御部にて、液晶ディスプレイや操作釦の裏側にあるバックライトが光るように制御されている。【００９１】
本実施形態の磁気検出装置２０は、双極対応型センサである。すなわち図４では、磁石９４のＮ極は図示左側にＳ極は図示右側に位置するが、図６に示すように極性を逆にした場合（Ｎ極が図示右側、Ｓ極が図示左側）、前記磁気検出装置２０に及ぼされる外部磁界（−Ｈ）の方向は、図４の外部磁界（＋Ｈ）の方向と反転する。本実施形態では、かかる場合でも、図６のように折畳み式携帯電話９０を閉じた状態から図７のように前記携帯電話９０を開いたとき、開いたことが適切に検知されるようになっている。【００９２】
よって、外部磁界の極性に関係なく磁石９４を配置できるので、前記磁石９４の配置に規制が無くなり、組み立てが容易になる。【００９３】
上記した開閉検知方法では、外部磁界の方向まで識別できなくても、双極にて外部磁界の変化だけを検知できればよいので、例えば図１に示す外部出力端子４０，４１はどちらか一つでもよい。【００９４】
すなわち例えば図１に示す第２スイッチ回路４３を無くして、コンパレータ３８からラッチ回路４６、ＦＥＴ回路５４を経て外部出力端子４０に至る一つの信号ラインを形成すると、前記外部出力端子４０からは、（＋）方向の外部磁界に対する検出信号、（−）方向の外部磁界に対する検出信号の双方の信号を得ることが出来る。このとき、外部磁界の方向まで識別できないが、開閉検知においては、外部磁界の方向まで識別できなくてもよいとするニーズがあり、したがって、外部出力端子を一つだけにして、さらに回路構成を簡単にしてもよい。【００９５】
また、第１部材９１を図５の開いた状態から表裏面を反転させることができるタイプ（ターンオーバータイプ）の折畳み式携帯電話９０では、第１部材９１の反転によりカメラモードを起動させる等、非反転状態と反転状態とで異なる機能を起動させるようにしたいとするニーズがある。かかる場合、非反転状態と反転状態では、前記磁気検出装置２０に作用する外部磁界Ｈの方向が逆転するので、図１の回路構成によって、外部磁界の方向を識別する。すなわち既に説明したように、図１に示すように外部出力端子４０，４１を２つ設け、第１外部出力端子４０を（＋）方向の外部磁界Ｈを検出する第１ブリッジ回路ＢＣ１に接続し、第２外部出力端子４１を（−）方向の外部磁界Ｈを検出する第２ブリッジ回路ＢＣ２に接続する。これにより、ＯＮ信号を出力する外部出力端子を識別することで、外部磁界の方向まで識別できる。【００９６】
なお図３において、紙面右側を（＋）方向、紙面左側を（−）方向として説明したが、紙面左側を（−）方向、紙面右側を（＋）方向としてもよい。かかる場合、積層体６１が（＋）方向の外部磁界Ｈに対して電気抵抗が変化する第１積層体であり、積層体６０が（−）方向の外部磁界Ｈに対して電気抵抗が変化する第２積層体である。そしてＲＨカーブは図２に示す横軸を対称軸とした線対称形状となる。すなわち磁気抵抗効果素子２３、２７の電気抵抗は（＋）方向の外部磁界が大きくなるにつれて、Ｒ１から徐々に小さくなり、一方、（−）方向の外部磁界が大きくなるにつれて、Ｒ１から徐々に大きくなる。【００９７】
本実施形態の磁気検出装置２０は、折畳み式携帯電話の開閉検知以外にゲーム機等の携帯式電子機器の開閉検知に使用されてもよい。本形態は、上記開閉検知以外にも、スライドセンサ等、双極検出対応の磁気検出装置２０が必要な用途で使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本実施形態の磁気検出装置の回路構成図、
【図２】本実施形態の磁気抵抗効果素子のＲＨカーブを説明するためのＲ−Ｈグラフ、
【図３】本実施形態の磁気抵抗効果素子の層構造を示す部分断面図（膜厚方向と平行な方向から切断した切断面の部分断面図）、
【図４】本実施形態の磁気検出装置の用途を説明するための一例（前記磁気検出装置を内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図であり、前記電話を閉じた状態を示す）、
【図５】本実施形態の磁気検出装置の用途を説明するための一例（前記磁気検出装置を内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図であり、前記電話を開いた状態を示す）、
【図６】本実施形態の磁気検出装置の用途を説明するための一例（前記磁気検出装置を内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図であり、磁石の配置を図４とは逆にし、前記電話を閉じた状態を示す）、
【図７】本実施形態の磁気検出装置の用途を説明するための一例（前記磁気検出装置を内臓した折畳み式携帯電話の部分模式図であり、磁石の配置を図５とは逆にし、前記電話を開いた状態を示す）、
【図８】従来の磁気検出装置に設けられた磁気抵抗効果素子のＲＨカーブを説明するためのＲ−Ｈグラフ、
【符号の説明】
【００９９】
２０  磁気検出装置
２１  素子構成部
２２  集積回路
２３、２７  磁気抵抗効果素子
２４  第１固定抵抗素子
２８  第２固定抵抗素子
３１、３２  固定抵抗素子
２６  第１直列回路
３０  第２直列回路
３４  第３直列回路
３５  差動増幅器
３６  第１スイッチ回路
３８  コンパレータ
４０、４１  外部出力端子
４３  第２スイッチ回路
４８  第３スイッチ回路
６０  第１積層体
６１  第２積層体
６３  シード層
６４  第１反強磁性層
６５  第１固定磁性層
６６  第１非磁性材料層
６７  第１フリー磁性層
６８  中間分離層
６９  第２フリー磁性層
７０  第２非磁性材料層
７１  第２固定磁性層
７２  第２反強磁性層
７３  保護層
９０  折畳み式携帯電話
９１  第１部材（表示筐体）
９２  第２部材（操作筐体）
９４  磁石
Ｃ１  第１ＲＨカーブ
Ｃ２  第２ＲＨカーブ
Ｈｉｎ１  第１層間結合磁界
Ｈｉｎ２  第２層間結合磁界
【図１】
2008075610.tif 000003
【図２】
2008075610.tif 000004
【図３】
2008075610.tif 000005
【図４】
2008075610.tif 000006
【図５】
2008075610.tif 000007
【図６】
2008075610.tif 000008
【図７】
2008075610.tif 000009
【図８】
2008075610.tif 000010
【国際調査報告】
2008075610.tif 000011
2008075610.tif 000012
2008075610.tif 000013