【事件の表示】
　特願２０１２−　３３７７２「ＳｉＣ半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月　２日出願公開，特開２０１３−１７１９０２，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年２月２０日の出願であって，平成２７年６月４日付けで拒絶理由が通知がされ，同年８月６日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年３月８日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年６月１３日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され，同年８月１９日に上申書が提出され，当審は，平成２９年３月１６日付けで平成２８年６月１３日付けの手続補正を却下するとともに，拒絶理由（当審拒絶理由１）を通知し，平成２９年５月１９日に意見書と手続補正書が提出され，同年６月１９日付けで拒絶理由（当審拒絶理由２）を通知し，同年８月９日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明４」という。）は，平成２９年８月９日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし本願発明４は以下のとおりである。
「【請求項１】
　ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記ＳｉＣ半導体に，ニッケル及びチタンを含む層を形成した後，１１５０℃以上１３５０℃以下及び昇温速度が１０℃／分以上１００℃／分以下，加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより，上記電極構造を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
　前記半導体デバイスは，前記電極構造として，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層のオーミック電極と前記金属層の裏面電極とからなる裏面電極構造を有し，表面電極構造としてショットキー電極と表面電極を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
　前記電極構造は，ＳｉＣ半導体上に，チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層，チタン層，ニッケル層，金層の順に積層された電極構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
　前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層は，前記ＳｉＣ半導体に近い方から，ニッケルシリサイド層，チタンカーバイド層の順に積層されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。」
第３　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献１（特開２０００−２０８４３８号公報：原査定の理由となった平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で「引用文献２」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審において付与した。以下同じ。）
・「【０００８】以下に，試料の作製方法と，評価方法およびその結果について述べる。
基板には，鏡面研磨した４Ｈ型ＳｉＣ単結晶
その厚さは，３００μｍ，不純物濃度は，２×１０
18
ｃｍ
-3
である
基板は，ダイサーにより５ｍｍ角のチップに切りわけた
本実施例では，（０００，−１）Ｃ面から＜１１，−２，０＞方向に約８度傾けて研磨した面を使用した
【０００９】
以上の方法で処理した基板に，ＮｉとＴｉの薄膜を同時にスパッタし，約８００ｎｍの厚さのＮｉ合金層２を形成し，真空中（１×１０
-3
Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなって試料Ａとした。この試料ＡのＮｉ合金層２上に更にＮｉ層３を１μｍ形成したものを試料Ｂとした
・「【００１５】図３は接触抵抗の比較図である。横軸は，試料の種類で，実施例の内容に対応している。図からＴｉを添加したＮｉ合金でも接触抵抗は増大せず，むしろ僅かに減少していることがわかる。炭素層の存在が，密着性だけでなく，接触抵抗にも悪影響を与えていたと思われる。」
　したがって，上記引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「鏡面研磨した４Ｈ型ＳｉＣ単結晶からなる，厚さが，３００μｍ，不純物濃度が，２×１０18ｃｍ-3である，ダイサーにより５ｍｍ角のチップに切りわけた基板の（０００，−１）Ｃ面から＜１１，−２，０＞方向に約８度傾けて研磨した面に，
　ＮｉとＴｉの薄膜を同時にスパッタし，約８００ｎｍの厚さのＮｉ合金層を形成し，真空中（１×１０-3Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなった記Ｎｉ合金層上に更にＮｉ層を１μｍ形成した試料Ｂ。」
　２　引用文献２について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献２（特開２００６−３３２３５８号公報：原査定の理由となった平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で「引用文献３」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項４】
炭化珪素（１）の表面にＮｉ膜（２）を形成する工程と，
　前記Ｎｉ膜（２）の上に被カーバイド金属膜（１０）を形成する工程と，
　熱処理を行うことで，前記Ｎｉ膜（２）をシリサイド化させ，前記炭化珪素（１）の表面にＮｉシリサイド膜（４）を形成すると共に，前記被カーバイド金属膜（１０）にて金属カーバイド膜（１１）を形成する工程と，
　前記金属カーバイド膜（１１）の上に配線用電極（６）を形成する工程とを含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記被カーバイド金属膜（１０）を形成する工程では，前記被カーバイド金属膜（１０）として，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａのいずれか１つを形成するものであることを特徴とする請求項４に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理を９００℃以上で行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。」
・「【００１８】
　請求項６に記載の発明では，熱処理を９００℃以上で行うことを特徴としている。このように，熱処理を９００℃以上とすることで，ＳｉＣとのコンタクト抵抗低減と，配線用電極（６）の高密着性との両立を実現できる。」
・「【００４２】
　（第３実施形態）
　本発明の第３実施形態について説明する。図３は，本実施形態のＳｉＣ半導体装置の製造工程を示したものである。
【００４３】
　まず，上記第１実施形態と同様，図３（ａ）に示されるように，
ＳｉＣ１，例えば４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する
【００４４】
　そして，
ＳｉＣ１の表面にＮｉ膜２を例えば２００ｎｍ以上の膜厚で成膜したのち，さらにＮｉ膜２の表面に被カーバイド金属膜に相当するＴｉ膜１０を成膜する
【００４５】
　
この後，ＲＴＡ装置を用いて，９００℃以上，例えば１０００℃で５分間の熱処理を行うというサリサイドプロセスを実施する
Ｎｉ層２がシリサイド化され，ＳｉＣ１の表面にＮｉシリサイド膜４が形成されると共に，このＮｉシリサイド膜４が形成される際に生成されるグラファイトがＴｉ膜１０と反応してＴｉカーバイド膜１１が形成される
【００４６】
　そして，図３（ｃ）に示されるように，
Ｔｉカーバイド膜１１の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極６を形成する
ＳｉＣ半導体装置が完成する
【００４７】
　以上説明したＳｉＣ半導体装置の製造方法によれば，Ｎｉ膜２の上に被カーバイド金属膜となるＴｉ膜１０を形成しておき，Ｎｉ膜２をシリサイド化させる際にＴｉ膜１０にてＴｉカーバイド膜１１が形成されるようにしている。したがって，ワイヤボンディングやはんだ接合との接合性の良好なＴｉカーバイド膜１１の上に配線用電極６を形成することができるため，配線用電極６がＴｉカーバイド膜１１から剥離することもない。このため，グラファイト層の除去工程を行わなくても，配線用電極６の剥がれを防止することが可能となる。
【００４８】
　なお，
本実施形態でも，第１，第２実施形態と同様に，熱処理をＲＴＡ装置で行ったが，このようなＲＴＡ装置を用いれば，熱処理時間を短くできることから，グラファイト層５の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる
　したがって，上記引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「４Ｈ−ＳｉＣが含まれる基板を用意する工程と，
　前記基板の表面にＮｉ膜を例えば２００ｎｍ以上の膜厚で成膜したのち，さらにＮｉ膜の表面に被カーバイド金属膜に相当するＴｉ膜を成膜する工程と，
　この後，ＲＴＡ装置を用いて，９００℃以上，例えば１０００℃で５分間の熱処理を行うサリサイドプロセスを実施して，前記Ｎｉ層をシリサイド化し，前記基板の表面にＮｉシリサイド膜を形成すると共に，このＮｉシリサイド膜が形成される際に生成されるグラファイトが前記Ｔｉ膜と反応してＴｉカーバイド膜が形成される工程と，
　前記Ｔｉカーバイド膜の上に例えばＡｌを３μｍ成膜することで配線用電極を形成する工程と，
　を含むＳｉＣ半導体装置の製造方法であって，
　前記ＲＴＡ装置を用いることによって，熱処理時間を短くできることから，グラファイト層の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる，
　ＳｉＣ半導体装置の製造方法。」
　３　引用文献３について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献３（国際公開第２００８／０１８３４２号 ）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「［００１２］ 本発明の実施形態を図１ないし図３を用いて説明する。
　図１および図２は
本発明に係る電極構造を有する縦型ＭＯＳＦＥＴの作製手順
　図１（ａ）に示すように，
４Ｈ−ＳｉＣｎ型（０００−１）基板１を用意し
下面である（０００１）面にニッケル９を６０ｎｍ，チタン１０を厚さ２〜２０ｎｍで試料ごとに変化させ蒸着した
水素を４％含むヘリウムガス中にて９００℃で２分間保持，昇降温時間１分でアニールし，堆積した金属と炭化ケイ素の合金層からなるソースオーミック電極１１とドレインオーミック電極１２を形成した
これにより炭化ケイ素中に水素が取り込まれる
ソースオーミック電極１１上にはチタン５０ｎｍ，アルミ２ｕｍからなるソース金属１３を形成し，ドレインオーミック電極１２上にはチタン，ニッケル，銀，金を順にそれぞれ，５０ｎｍ，１００ｎｍ，１００ｎｍ，１００ｎｍ堆積し，ドレイン金属１４を形成した
　したがって，上記引用文献３には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　「４Ｈ−ＳｉＣｎ型（０００−１）基板を用意する工程と，
　前記基板の下面である（０００１）面にニッケルを６０ｎｍ，チタンを厚さ２〜２０ｎｍで蒸着する工程と，
　水素を４％含むヘリウムガス中にて９００℃で２分間保持，昇降温時間１分でアニールし，堆積した金属と炭化ケイ素の合金層からなるソースオーミック電極とドレインオーミック電極を形成して，炭化ケイ素中に水素を取り込む工程と，
　ソースオーミック電極上にはチタン５０ｎｍ，アルミ２ｕｍからなるソース金属を形成し，ドレインオーミック電極上にはチタン，ニッケル，銀，金を順にそれぞれ，５０ｎｍ，１００ｎｍ，１００ｎｍ，１００ｎｍ堆積し，ドレイン金属を形成する工程とを含む，
　縦型ＭＯＳＦＥＴの作製方法。」
　４　引用文献４について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献４（特開平８−６４８０１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【０００６】もう一つのケースを以下に図を参照しながら説明する。図４（ａ）および（ｂ）に，ＳｉＣ半導体素子における熱処理前，後のシリコン酸化膜上のＮｉ電極膜の断面図を示す。図４（ａ）において，ＳｉＣ半導体基板１の表面上の一部にシリコン酸化膜３が形成されている。また，ＳｉＣ基板１の表面層に，イオン注入等により高濃度ｎ型領域２が形成されていて，Ｎｉ膜４がｎ領域２，シリコン酸化膜３の上に烝着され，パターニングされている。このケースは，特にＭＯＳＦＥＴなどを形成する場合によく見られ，ｎ型領域２とＮｉ膜４によりオーミック接触をとり，かつ，シリコン酸化膜３などの絶縁物の上に，オーミツク接触する金属と同じ金属でゲート電極を形成するものである。，図４（ｂ）は，ｎ型領域２とオーミック接触するため１２００℃で熱処理した後の状態を示す。先に述べたように，
Ｎｉ膜４とｎ型領域２をオーミック接触させるには，１０００〜１２００℃の熱処理が必要であり
　５　引用文献５について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献５（特開２００２−９３７４２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【０００６】
ｎ型ＳｉＣに低抵抗オーミック・コンタクトを形成する方法として広く活用されている従来技術は，ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）のような電極膜をｎ型ＳｉＣに被着させて形成したオーミック電極構造体を８００℃〜１２００℃の高温で熱処理する方法である
【０００７】図２４はパワーデバイスや高周波デバイスなどで使用されるＮｉ膜を用いたオーミック電極構造体の構造（以下において，「第１の従来技術」という。）を簡略化して示したものである。単結晶ＳｉＣ基板１の表面に高不純物密度のｎ型ＳｉＣ領域３２が形成されている。この単結晶ＳｉＣ基板１の表面には，更に熱酸化膜３及び上部絶縁膜４からなるフィールド絶縁膜５が形成されている。このフィールド絶縁膜５を貫通し，ｎ型ＳｉＣ領域３２の表面を露出するように，開口部が配置されている。フィールド絶縁膜５の開口部の内部には，ｎ型ＳｉＣ領域３２の表面に接した加熱反応層８と，この加熱反応層８の上部の電極膜（Ｎｉ膜素片）４７が配置されている。加熱反応層８は，Ｎｉ膜を全面蒸着し，フォトリソグラフィとエッチングを用いて，図２４に示す形状に，パターニングした後，熱処理することにより形成される。
即ち，電極膜（Ｎｉ膜素片）４７を設けたＳｉＣ基板１を，１０００℃〜１２００℃で高温処理することにより，Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃが混合した導電性の加熱反応層８が形成される
　６　引用文献６について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献６（特開２００４−１１１５９６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平８−６４８０１号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４２号公報
ＳｉＣを用いたパワーデバイスの低オン抵抗化には，オーミック・コンタクトに対するコンタクト抵抗ρｃの低減が重要な要素である。特に，低オン抵抗化のためには，パワーデバイスの主電極領域を細分化し，高密度にＳｉＣ基板上に配列する方法も採用される。このような，微細寸法化されたパワーデバイスの低オン抵抗化には，微細な開口部（コンタクト・ウィンドウ）の内部において，低いコンタクト抵抗ρｃを得ることが極めて重要となってくる。また，パワーデバイスの高速スイッチング速度化のためにも，ＳｉＣ領域に対するオーミック・コンタクトのコンタクト抵抗ρｃは大きな問題である。
ｎ型ＳｉＣに低抵抗オーミック・コンタクトを形成する方法として広く活用されている従来技術は，ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ）のような電極膜をｎ型ＳｉＣに被着させて形成したオーミック電極構造体を８００℃〜１２００℃の高温で熱処理する方法である
上記のようなＮｉ膜を用いたオーミック電極構造体としては，上記特許文献１および特許文献２に記載されたものがある。」
　７　引用文献７について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献７（特開２０１１−１７６１８３号公報：原査定の理由となった平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で「引用文献４」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【００２６】
　オーミック電極のＳｉＣ半導体基板に接する層は，鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），シリコン（Ｓｉ）の合金であるＦｅ−Ｎｉ−Ｓｉ合金層であることが好ましい。合金にシリコンが含まれることによって，オーミック電極のコンタクト抵抗がより低減される。また，鉄とニッケルが合金化して少なくともその一部がオーステナイトもしくはマルテンサイトとなることによって，ＳｉＣ半導体基板から析出するカーボンが，オーミック電極とＳｉＣ半導体基板との界面や，オーミック電極のＳｉＣ半導体基板と逆側の面に堆積することを抑制できる。Ｆｅ系電極層がＦｅ−Ｎｉ−Ｓｉ合金層である場合，Ｎｉの組成比は５重量％以上かつ９５重量％以下が好ましく，Ｓｉの組成比は２重量％以上かつ６０重量％以下が好ましい。
シンター処理温度は５００℃以上１３００℃以下が好ましい
・「【００３９】
　（オーミック電極のシンター処理工程）
　
高真空のファーネスアニーリング装置で，オーミック電極のシンター処理工程を行った。シンター処理は，常圧のＡｒ雰囲気下，１０００℃のシンター処理温度で３０分間行った。昇温速度は１００℃／ｍｉｎとし，降温速度は１００℃／ｍｉｎとした
　８　引用文献８について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献８（国際公開２０１１／０９９３３８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「［請求項１］ｎ型のＳｉＣ半導体基体と，
　前記ＳｉＣ半導体基体の一方の主表面とオーミック接触するカソード電極と，
　前記ＳｉＣ半導体基体の他方の主表面に形成されたｐ型ＳｉＣからなる第１半導体領域と，
　前記他方の主表面に形成されたｎ型ＳｉＣからなる第２半導体領域と，
　前記第１半導体領域にオーミック接触するオーミック接合層と，
　前記第２半導体領域にショットキー接触するショットキー接合層と，を備え，
　前記オーミック接合層が，前記第１半導体領域側からチタンとニッケルとを含む合金からなると共に，その上にモリブデンを主成分とする金属層を有し，
　前記ショットキー接続層が，モリブデンを主成分とする金属からなることを特徴とする半導体装置。」（請求の範囲）
　９　引用文献９について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献９（国際公開２００９／０５４１４０号公報：原査定の理由となった平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で「引用文献５」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「［００８４］（第２の実施形態）
　以下，本発明による半導体素子の第２の実施形態を説明する。本実施形態では，半導体素子として縦型ショットキーダイオードを例に挙げて説明する。
［００８５］図７は，本発明による半導体素子の第２の実施形態であるショットキーダイオード６０の例を示す断面図である。ショットキーダイオード６０は炭化珪素基板１１を含む。炭化珪素基板１１は例えば４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）面から＜１１−２０＞方向にθ度（０≦θ≦１０度）傾いた主面を有している。炭化珪素基板１１の主面はＳｉ面であり，裏面はＣ面である。ここで主面の面粗度は裏面の面粗度よりも小さい。炭化珪素基板１１の不純物濃度は１ｘ１０１８ｃｍ−３以上である。炭化珪素基板１１の主面上には半導体層１２が設けられている，半導体層１２はエピタキシャル成長によって形成されており，ｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ（不純物濃度が１ｘ１０１４〜１ｘ１０１７ｃｍ−３程度，厚さ５ミクロン以上）である。半導体層１２と炭化珪素基板１１との間にバッファー層１２ｂが設けられていてもよい。
［００８６］半導体層１２の表面近傍には電界集中を緩和するためのガードリング領域６３が設けられている。ガードリング領域６３は，半導体層１２にアルミニウムを注入することによって形成され，例えば深さは約６００ｎｍであり，平均濃度は約１ｘ１０１８ｃｍ−３程度である。
［００８７］半導体層１２の表面にはショットキー電極層６ａが設けられている。ショットキー電極層６ａは，例えばＴｉやＮｉ，Ｍｏ，Ｗなど，半導体層１２との間でショットキー接合が形成される金属からなる。厚さは５０〜２００ｎｍ程度である。このショットキー電極層６ａの端面はガードリング領域６３と接している。ショットキー電極層６ａ上には上部配線電極層６ｂが設けられている。上部配線電極層６ｂは，例えばアルミニウムからなり，厚さは，約３μｍである。
［００８８］ガードリング領域６３を覆うように絶縁層６９が設けられている。絶縁層６９は例えばＳｉＯ２からなる。この絶縁層６９は，半導体層１２を酸化することによって得られた酸化層であってもよい。上部配線電極層６ｂの端面を覆うようにパッシベーション層６ｃが設けられている。パッシベーション層６ｃと絶縁層６９は一体化していてもよい。
［００８９］炭化珪素基板１１の裏面には，裏面オーミック電極層１ｄが設けられている。裏面オーミック電極層１ｄは，第１の実施形態と同様の構造を備えている。具体的には，図１（ｂ）に示すように，裏面オーミック電極層１ｄは反応層１ｄａと窒化チタン層１ｄｂとを有する。反応層１ｄａは，炭化珪素基板１１の裏面側に位置し，チタン，シリコンおよび炭素を含む。また，窒化チタン層１ｄｂは，炭化珪素基板の裏面と反対側であって，反応層１ｄａの表面に位置しており，主として窒化チタンからなる。
［００９０］窒化チタン層１ｄｂは炭素も含んでいるが，炭素の含有量は，裏面オーミック電極層１ｄ全体で見た場合，炭化珪素基板１１側のほうが炭化珪素基板１１の裏面と反対側よりも高くなっている。反応層１ｄａおよび窒化チタン層１ｄｂの好ましい厚さは第１の実施形態と同様である。
［００９１］裏面オーミック電極層１ｄの炭化珪素基板１１の裏面と反対側の面上には，裏面保護層１ｅが設けられている。裏面保護層１ｅは，例えばパッシベーション層１ｃのエッチングに対して耐性を有し，かつ導電性を有する。第１の実施形態と同様，パッシベーション層１ｃがＳｉＮからなる場合，裏面保護層１ｅはアルミニウムによって形成されている。
［００９２］裏面保護層１ｅの裏面オーミック電極層１ｄと反対側の面には，金属電極層１ｆが設けられている。図７では金属電極層１ｆは３層で示されているが単層であっても多層であってもよい。金属電極層１ｆは例えばＴｉ層１ｆａ，Ｎｉ層１ｆｂおよびＡｇ層１ｆｃを含む。このとき，Ｔｉ層１ｆａが裏面保護層１ｅに接する。ＭＯＳＦＥＴ１０をＴＯ−２２０等のパッケージに収納する場合，パッケージのリードフレームへＭＯＳＦＥＴ１０をハンダ付けする必要があるため，ＭＯＳＦＥＴ１０は金属電極層１ｆを備えていることが好ましい。」
　１０　引用文献１０について
　当審拒絶理由２に引用された引用文献１０（特開２００５−２７７２４０号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【０００７】
　（加熱処理）
上記で得られた試料を超高真空チャンバ内で６００℃から１０００℃で５分から４５分間加熱処理を行った。具体的には，６００℃で４５分，８００℃で４５分，１０００℃で４５分である。」
　１１　引用文献１１について
　原査定の理由となった，平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で引用された引用文献１１（特開２００６−３４４６８８号公報：平成２７年６月４日付け拒絶理由通知書で「引用文献１」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項１１】
　
炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いた半導体装置の製造方法
　
前記ＳｉＣ基板の表面に，第２金属からなる層を形成する第２金属層形成工程
　
前記第２金属層上に，第１金属からなる層を形成する第１金属層形成工程
　
前記第２金属層／前記第１金属層が形成されたＳｉＣ基板を，６００℃以上で熱処理する熱処理工程
　前記第１金属が，ニッケル（Ｎｉ）もしくはニッケル（Ｎｉ）合金であり，
　前記第２金属が，チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）もしくはタングステン（Ｗ）であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
　前記
第１金属が，Ｎｉ
　前記
第２金属が，Ｔｉ
　＜途中省略＞
【請求項１４】
　前記
熱処理工程における熱処理温度が，９００℃以上，１１００℃以下である
　＜途中省略＞
【請求項１７】
　
前記熱処理工程によって，前記第２金属層と前記第１金属層による熱処理層が形成されたＳｉＣ基板の表面に，白金（Ｐｔ），タングステン（Ｗ）もしくはチタン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ）合金からなるバリア層を形成するバリア層形成工程と，
　前記バリア層上に，金（Ａｕ）もしくは金（Ａｕ）合金からなる第４金属層を形成する第４金属層形成工程とを有する
・「【００６４】
　図２（ｂ）に示す
熱処理工程の熱処理温度は，ＮｉＳｉ
２
層１１ａによるＳｉＣ基板１との良好なオーミック特性を確保するためには，特に，９００℃以上，１１００℃以下であることが好ましい
　したがって，上記引用文献１１には，次の発明（以下「引用発明１１」という。）が記載されていると認められる。
　「ＳｉＣ基板の表面に，チタン（Ｔｉ）からなる層を形成する第２金属層形成工程と，
　前記第２金属層上に，ニッケル（Ｎｉ）からなる層を形成する第１金属層形成工程と，
　前記第２金属層／前記第１金属層が形成されたＳｉＣ基板を，６００℃以上で熱処理する熱処理工程と，
　前記熱処理工程によって，前記第２金属層と前記第１金属層による熱処理層が形成されたＳｉＣ基板の表面に，白金（Ｐｔ），タングステン（Ｗ）もしくはチタン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ）合金からなるバリア層を形成するバリア層形成工程と，
　前記バリア層上に，金（Ａｕ）もしくは金（Ａｕ）合金からなる第４金属層を形成する第４金属層形成工程とを有する，
　炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いた半導体装置の製造方法であって，
　前記熱処理工程の熱処理温度は，ＮｉＳｉ２層によるＳｉＣ基板との良好なオーミック特性を確保するためには，特に，９００℃以上，１１００℃以下であることが好ましい炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いた半導体装置の製造方法。」
　１２　引用文献１２について
　原査定で引用された引用文献１２（特開２００６−２６１６２４号公報：原査定で「引用文献６」として引用された文献）には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【００１３】
　
本実施形態において基板１０上に堆積された金属１２は，ニッケルからなる
しかしながら，当該金属は
ニッケル（Ｎｉ）
チタン（Ｔｉ）
の組み合わせであってもよい
・「【００１６】
　図１（ｂ）に示すように，
基板１０は，基板１０と堆積金属１２の間で固相化学反応が起きるように，高温でアニールされる
その結果，基板１０中に，基板１０とは異なる変質特性を有する変質層１４が形成される
また
上記固相化学反応は
遷移金属珪化物（例えば，Ｎｉ
２
Ｓｉ）とナノ結晶グラファイト層１６とからなる，副生物を形成する
高温は，７００℃以上，１３００℃以下であってよい
しかしながら，後述するように，高温は，９００℃以上，１１００℃以下がより好ましい
・「【００１８】
　図１（ｃ）に示すように，基板１０は，
基板１０の表面から上記該固相化学反応の副生物を除去するために，選択的にエッチングされる
特に，珪化物１８とナノ結晶グラファイト層１６が除去される
・「【００２０】
　
次に
遷移群金属からなる金属膜２０が，オーミック接続を形成するように，変質層１４上に堆積される
変質層１４は，金属膜２０の堆積後に高温アニールをすることなく，オーミック接続の形成を可能とする。例えば，金属膜２０の堆積は，室温であってよい
【００２１】
　
堆積された当該金属は良好なオーミック接続を生じるが，良好な界面接続を促進するために，この段階で，低温（６００℃以下）アニールが実行されことが好ましい
【００２２】
　
以上のようにして，第１の実施形態に従った方法においては，変質炭化珪素層１４が，高温アニール工程を必要としない，さらには室温であってもよい，オーミック接続の形成を可能とする
第４　対比・判断
・引用文献１を主引例とした検討
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
・引用発明１の「Ｎｉ合金層上に更にＮｉ層を１μｍ形成した」構造，「『ＮｉとＴｉの薄膜を同時にスパッタし』て形成した『約８００ｎｍの厚さのＮｉ合金層』」，「『真空中（１×１０-3Ｐａ）において，１０００℃，２分間の加熱をおこなっ』た『前記Ｎｉ合金層』」，「前記Ｎｉ合金層上に更に形成した『Ｎｉ層』」及び「試料Ｂ」は，それぞれ，本願発明１の「電極構造」，「ニッケル及びチタンを含む層」，「チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層」，「金属層」及び「半導体デバイス」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記ＳｉＣ半導体に，ニッケル及びチタンを含む層を形成した後，加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより，上記電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法。」
（相違点）
・相違点１：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度で行われているのに対して，引用発明１では，「１０００℃」で行われている点。
・相違点２：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度で行われているのに対して，引用発明１では，特定されていない点。
・相違点３：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間で行われているのに対して，引用発明１では，「２分間」とされている点。
（２）相違点についての判断
　ア　上記相違点１及び３について検討すると，引用発明１において，「１０００℃」及び「２分間」とされている加熱条件を，それぞれ，「１１５０℃以上１３５０℃以下」及び「３０分以上１２０分以下」とする動機を，引用文献１ないし１２の記載からは見いだすことはできない。
　イ　一方，本願明細書には，以下の記載がある。
・「本実施例では，
ＳｉＣ半導体上に，チタン及びニッケルを含む層を積層した後，加熱によりチタンカーバイドを含むニッケルシリサイド層を形成させる際の，該加熱の条件について，複数の条件を設定して調べた
昇温速度１０℃／分でかつ加熱温度条件を異ならせて作製したオーミック電極のシート抵抗を測定した
加熱保持時間は３０分である
加熱温度１１５０℃以上であれば，シート抵抗が０.３９Ω／□以下とさらに低くでき，かつばらつきも０.０６以下とさらに改善される
加熱温度が１３５０℃を超えると，シート抵抗及びばらつきも優れているが，改善の効果が特に向上しない
・「次に，昇温速度１０℃／分，加熱温度１１００℃において加熱保持時間を異ならせて作製した複数のオーミック電極のシート抵抗を測定した。測定結果を表２に示す。・・・さらに，
加熱保持時間が
２０分以上にすれば，より改善される
しかし，加熱保持時間を長くしても改善の効果が特に向上しないので，加熱保持時間の上限は，１２０分以下とすることが好ましく
さらに，加熱温度
１１５０℃，１２００℃，１２５０℃，１３００℃，１３５０℃
昇温速度５０℃／分，１００℃／分で作製したサンプルについて測定したところ，図１０と同様の結果が得られた
　ウ　そうすると，本願発明１の，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと理解することができる。
　エ　してみれば，引用発明１において，上記相違点１及び３について，本願発明１の構成とすることを，当業者が適宜なし得たことであるとも認めることはできない。
　オ　したがって，本願発明１は，他の相違点については検討するまでもなく，当業者であっても引用発明１，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，いずれも本願発明１をさらに限定した発明であって，上記相違点１ないし３をいずれも備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明１，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
・引用文献２を主引例とした検討
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明２とを対比すると，次のことがいえる。
・引用発明２の「配線用電極」，「『Ｎｉ膜を例えば２００ｎｍ以上の膜厚で成膜したのち，さらにＮｉ膜の表面に被カーバイド金属膜に相当するＴｉ膜を成膜』して得た積層体」，「『Ｔｉカーバイド膜が形成され』た『Ｎｉシリサイド膜』」，「Ａｌ」及び「ＳｉＣ半導体装置」は，それぞれ，本願発明１の「電極構造」，「ニッケル及びチタンを含む層」，「チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層」，「金属層」及び「半導体デバイス」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明２との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記ＳｉＣ半導体に，ニッケル及びチタンを含む層を形成した後，加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより，上記電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法。」
（相違点）
・相違点１：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度で行われているのに対して，引用発明２では，「９００℃以上，例えば１０００℃」で行われている点。
・相違点２：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度で行われているのに対して，引用発明２では，「ＲＴＡ装置を用い」ることが特定されているだけで，具体的な昇温速度が記載されていない点。
・相違点３：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間で行われているのに対して，引用発明２では，「５分間」とされている点。
（２）相違点についての判断
　ア　上記相違点１ないし３について検討すると，引用発明２において，「１０００℃」，「ＲＴＡ装置を用い」た場合の昇温速度，及び「５分間」とされている加熱条件を，それぞれ，「１１５０℃以上１３５０℃以下」，「１０℃／分以上１００℃／分以下」及び「３０分以上１２０分以下」とする動機を，引用文献１ないし１２の記載からは見いだすことはできない。
　イ　一方，上記「・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願明細書の記載から，本願発明１の，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと理解することができるから，引用発明２において，上記相違点１ないし３について，本願発明１の構成とすることを，当業者が適宜なし得たことであるとも認めることはできない。
　ウ　しかも，引用発明２は，「前記ＲＴＡ装置を用いることによって，熱処理時間を短くできることから，グラファイト層の生成を減らすことが可能になるという効果も得られる」という特徴を有するところ，引用発明２において，「１０００℃」，「ＲＴＡ装置を用い」た場合の昇温速度，及び「５分間」とされている加熱条件を，それぞれ，「１１５０℃以上１３５０℃以下」，「１０℃／分以上１００℃／分以下」及び「３０分以上１２０分以下」と変更することは，熱処理時間が長くなり，グラファイト層の生成が増加することに繋がることが予測され，当業者がこのような加熱条件の変更を容易になし得たとは認められない。
　すなわち，引用発明２において，相違点１ないし３について本願発明１の構成を採用することには阻害事由が存在するといえる。
　エ　したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明２，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，いずれも本願発明１をさらに限定した発明であって，上記相違点１ないし３をいずれも備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明２，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
・引用文献３を主引例とした検討
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明３とを対比すると，次のことがいえる。
・引用発明３の「『ソースオーミック電極』，『ドレインオーミック電極』」，「『ニッケルを６０ｎｍ，チタンを厚さ２〜２０ｎｍで蒸着する』ことで得られた層」，「堆積した金属と炭化ケイ素の合金層」，「『チタン５０ｎｍ，アルミ２ｕｍからなるソース金属』，『チタン，ニッケル，銀，金』」及び「縦型ＭＯＳＦＥＴ」は，それぞれ，本願発明１の「電極構造」，「ニッケル及びチタンを含む層」，「チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層」，「金属層」及び「半導体デバイス」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明３との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記ＳｉＣ半導体に，ニッケル及びチタンを含む層を形成した後，加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより，上記電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法。」
（相違点）
・相違点１：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度で行われているのに対して，引用発明３では，「９００℃」で行われている点。
・相違点２：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度で行われているのに対して，引用発明３では，「昇降温時間１分」すなわち，略９００℃／分である点。
・相違点３：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間で行われているのに対して，引用発明３では，「２分間」とされている点。
（２）相違点についての判断
　ア　上記相違点１ないし３について検討すると，引用発明３において，「９００℃」，「略９００℃／分」及び「２分間」とされている加熱条件を，それぞれ，「１１５０℃以上１３５０℃以下」及び「３０分以上１２０分以下」とする動機を，引用文献１ないし１２の記載からは見いだすことはできない。
　イ　一方，上記「・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願明細書の記載から，本願発明１の，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと理解することができるから，引用発明１において，上記相違点１ないし３について，本願発明１の構成とすることを，当業者が適宜なし得たことであるとも認めることはできない。
　ウ　してみれば，引用発明３において，上記相違点１及び３について，本願発明１の構成とすることを，当業者が適宜なし得たことであるとも認めることはできない。
　エ　したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明３，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，いずれも本願発明１をさらに限定した発明であって，上記相違点１ないし３をいずれも備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明３，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
・引用文献１１を主引例とした検討
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
・引用発明１１の「『前記第２金属層と前記第１金属層による熱処理層が形成されたＳｉＣ基板の表面に，白金（Ｐｔ），タングステン（Ｗ）もしくはチタン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ）合金からなるバリア層を形成するバリア層形成工程と，前記バリア層上に，金（Ａｕ）もしくは金（Ａｕ）合金からなる第４金属層を形成する第４金属層形成工程』によって形成された積層体」，「前記第２金属層／前記第１金属層」，「前記第２金属層と前記第１金属層による熱処理層」，「金（Ａｕ）もしくは金（Ａｕ）合金からなる第４金属層」及び「炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用いた半導体装置」は，それぞれ，本願発明１の「電極構造」，「ニッケル及びチタンを含む層」，「チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層」，「金属層」及び「半導体デバイス」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明１１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「ＳｉＣ半導体に電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法であって，
　前記ＳｉＣ半導体に，ニッケル及びチタンを含む層を形成した後，加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し，前記チタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層上に金属層を形成することにより，上記電極構造を形成する半導体デバイスの製造方法。」
（相違点）
・相違点１：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度で行われているのに対して，引用発明１１では，「『６００℃以上』，『ＮｉＳｉ２層によるＳｉＣ基板との良好なオーミック特性を確保するためには，特に，９００℃以上，１１００℃以下であることが好ましい』」で行われている点。
・相違点２：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度で行われているのに対して，引用発明１１では，特定されていない点。
・相違点３：一致点に係る加熱が，本願発明１においては，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間で行われているのに対して，引用発明１１では，特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　ア　上記相違点１ないし３について検討すると，引用発明１１において，「『６００℃以上』，『ＮｉＳｉ２層によるＳｉＣ基板との良好なオーミック特性を確保するためには，特に，９００℃以上，１１００℃以下であることが好ましい』」とされている加熱条件を，「１１５０℃以上１３５０℃以下」となし，さらに，引用発明１１において特定されていない，「昇温時間」及び「加熱保持時間」を，それぞれ，「１０℃／分以上１００℃／分以下」及び「３０分以上１２０分以下」とする動機を，引用文献１ないし１２の記載からは見いだすことはできない。
　イ　一方，上記「・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願明細書の記載から，本願発明１の，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと理解することができるから，引用発明１１において，上記相違点１ないし３について，本願発明１の構成とすることを，当業者が適宜なし得たことであるとも認めることはできない。
　ウ　しかも，引用発明１１は，「前記熱処理工程の熱処理温度は，ＮｉＳｉ２層によるＳｉＣ基板との良好なオーミック特性を確保するためには，特に，９００℃以上，１１００℃以下であることが好ましい」という特徴を有するところ，引用発明１１において，当該熱処理温度を，「１１５０℃以上１３５０℃以下」と変更することは，熱処理温度が，「好ましい」とされる範囲を外れることから，当業者がこのような加熱条件の変更を容易になし得たとは認められない。
　すなわち，引用発明１１において，相違点１について本願発明１の構成を採用することには阻害事由が存在するといえる。
　エ　したがって，本願発明１は，当業者であっても引用発明１１，及び，引用文献１ないし１２に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，いずれも本願発明１をさらに限定した発明であって，上記相違点１ないし３をいずれも備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても引用発明１１，及び，引用文献１ないし１１に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第５　当審拒絶理由２について
　１　特許法第３６条第６項第１号について
　当審では，「本願の請求項１で特定する，「１１５０℃以上１３５０℃以下」の加熱温度範囲のうち，少なくとも，加熱温度が１１５０℃に近い場合において，加熱保持時間が３０分未満，特に，０分に近い場合に，「裏面コンタクト抵抗が十分に低く且つ均質な」という効果を，上記した発明の課題が解決される程度に奏するとは認識することはできない。してみれば，請求項の記載には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，あるいは，請求項の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えているといえる。請求項１を引用する請求項２ないし４も同様といえる。」との拒絶の理由を通知しているが，平成２９年８月９日付けの補正において，補正後の請求項１が，「加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し」と補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
　２　特許法第２９条第２項について
　当審では，請求項１ないし４に係る発明は，上記引用文献１ないし１０に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知した。
　その後，平成２９年８月９日付けの手続補正書により，請求項１ないし４は，それぞれ，「加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し」という構成を備えるものと補正された。
　そして，上記「第４　・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願発明１ないし４の「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと認められるから，請求項１ないし４に係る発明は，上記引用文献１ないし１０に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものともいえない。
　したがって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由は解消した。
第６　当審拒絶理由１について
・特許法第２９条第２項について
　当審では，請求項１ないし５に係る発明は，前記した引用文献１ないし９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由を通知しているが，平成２９年８月９日付けの補正により，請求項１ないし４は，それぞれ，「加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し」という構成を備えるものと補正された。
　そして，上記「第４　・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願発明１ないし４の「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと認められるから，請求項１ないし４に係る発明は，上記引用文献１ないし９に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものともいえない。
　したがって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとの拒絶の理由は解消した。
第７　原査定の概要及び原査定についての判断
　ア　原査定は，請求項１ないし５に係る発明は，以下の引用文献１３ないし１８に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　イ　一方，平成２９年８月９日付けの補正により，請求項１ないし４は，それぞれ，「加熱保持時間が３０分以上１２０分以下の加熱によりチタンカーバイドを有するニッケルシリサイド層を生成し」という構成を備えるものと補正された。
　そして，上記「第４　・引用文献１を主引例とした検討　１（２）」のとおり，本願発明１ないし４の「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲の限定には技術的な意義が存在し，これらの値を同時に満たす場合には，シート抵抗が低く，かつばらつきも小さいオーミックコンタクト電極を得ることができるという格別の効果を奏するものと認められる。
　ウ　そして，前記「１１５０℃以上１３５０℃以下」の温度，「１０℃／分以上１００℃／分以下」の昇温速度，及び，「３０分以上１２０分以下」の加熱保持時間の数値範囲を同時に満たす加熱処理は，以下の引用文献１３ないし１８のいずれにも記載されておらず，また，本願の出願日前において周知技術であるともいえない。
　エ　したがって，本願発明１ないし４は，当業者であっても引用文献１３ないし１８に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧  
１３．特開２００６−３４４６８８号公報（引用文献１１と同一文献）
１４．特開２０００−２０８４３８号公報（引用文献１と同一文献）
１５．特開２００６−３３２３５８号公報（引用文献２と同一文献）
１６．特開２０１１−１７６１８３号公報（引用文献７と同一文献）
１７．国際公開第２００９／０５４１４０号（引用文献９と同一文献）
１８．特開２００６−２６１６２４号公報（引用文献１２と同一文献）
第８　むすび
　以上のとおり，本願発明１ないし４は，当業者が引用文献１３ないし引用文献１８に記載された発明又は技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。