(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色を呈する第１の発光素子を有し、
緑色を呈する第２の発光素子を有し、
青色を呈する第３の発光素子を有し、
前記第１乃至第３の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の第１の層と、前記第１の層上の発光層と、前記発光層上の第２の電極とを有し、
隣接する前記第１の電極及び前記第１の層を隔てることができる隔壁を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の層より膜厚が大きい領域を有し、
前記第１の層の上面は、平坦性を有し、
前記隔壁の上面は、平坦性を有し、
前記第１の層は、有機材料と、無機材料と、ハロゲン原子とが混合された膜を有し、
前記隔壁は、有機材料と、無機材料とが混合された膜を有し、
前記第１の層の有機材料は、前記隔壁の有機材料と同じ材料を有し、
前記第１の層の無機材料は、前記隔壁の無機材料と同じ材料を有し、
前記第１の層は、フルオロアルコキシシランではなく、
前記ハロゲン原子は、前記フルオロアルコキシシランに含まれるフッ素ではない
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
赤色を呈する第１の発光素子を有し、
緑色を呈する第２の発光素子を有し、
青色を呈する第３の発光素子を有し、
前記第１乃至第３の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極とを有し、
隣接する前記第１の電極及び前記第１の層を隔てることができる隔壁を有し、
前記隔壁に接する領域を有する第１の層を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の層より膜厚が大きい領域を有し、
前記第１の層の上面は、平坦性を有し、
前記隔壁の上面は、平坦性を有し、
前記第１の層は、有機材料と、無機材料と、ハロゲン原子とが混合された膜を有し、
前記隔壁は、有機材料と、無機材料とが混合された膜を有し、
前記第１の層の有機材料は、前記隔壁の有機材料と同じ材料を有し、
前記第１の層の無機材料は、前記隔壁の無機材料と同じ材料を有し、
前記第１の層は、フルオロアルコキシシランではなく、
前記ハロゲン原子は、前記フルオロアルコキシシランに含まれるフッ素ではない
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記無機材料は、第４族に属する金属、第５族に属する金属、第６族に属する金属、第７族に属する金属、及び第８族に属する金属の酸化物を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
赤色を呈する第１の発光素子を有し、
緑色を呈する第２の発光素子を有し、
青色を呈する第３の発光素子を有し、
前記第１乃至第３の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の第１の層と、前記第１の層上の発光層と、前記発光層上の第２の電極とを有し、
隣接する前記第１の電極及び前記第１の層を隔てることができる隔壁を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の層より膜厚が大きい領域を有し、
前記第１の層の上面は、平坦性を有し、
前記隔壁の上面は、平坦性を有し、
前記第１の層は、有機物と、酸化物と、ハロゲン原子とが混合された膜を有し、
前記隔壁は、有機物と、酸化物とが混合された膜を有し、
前記第１の層の有機物は、前記隔壁の有機物と同じ元素を有し、
前記第１の層の酸化物は、前記隔壁の酸化物と同じ元素を有し、
前記第１の層は、フルオロアルコキシシランではなく、
前記ハロゲン原子は、前記フルオロアルコキシシランに含まれるフッ素ではない
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
赤色を呈する第１の発光素子を有し、
緑色を呈する第２の発光素子を有し、
青色を呈する第３の発光素子を有し、
前記第１乃至第３の発光素子はそれぞれ、第１の電極と、前記第１の電極上の発光層と、前記発光層上の第２の電極とを有し、
隣接する前記第１の電極及び前記第１の層を隔てることができる隔壁を有し、
前記隔壁に接する領域を有する第１の層を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の電極より膜厚が大きい領域を有し、
前記隔壁は、前記第１の層より膜厚が大きい領域を有し、
前記第１の層の上面は、平坦性を有し、
前記隔壁の上面は、平坦性を有し、
前記第１の層は、有機物と、酸化物と、ハロゲン原子とが混合された膜を有し、
前記隔壁は、有機物と、酸化物とが混合された膜を有し、
前記第１の層の有機物は、前記隔壁の有機物と同じ元素を有し、
前記第１の層の酸化物は、前記隔壁の酸化物と同じ元素を有し、
前記第１の層は、フルオロアルコキシシランではなく、
前記ハロゲン原子は、前記フルオロアルコキシシランに含まれるフッ素ではない
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ハロゲン原子は、フッ素又は塩素であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の層の膜厚は５００ｎｍ以上であり、
前記隔壁の膜厚は５００ｎｍ以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置を有する照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置およびその作製方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用
した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対
の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することに
より、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高
く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として
好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できること
も大きな利点である。また、非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を形成
することにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やＬＥＤ
に代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照
明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか
、無機化合物であるかによって大きく分けられる。
【０００６】
発光性の物質が有機化合物である場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の
電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れ
る。そして、それらキャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機
化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメ
カニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０００７】
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状
態が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と
呼ばれている。
【０００８】
これらの発光素子をディスプレイなどの表示形態に用いる場合、各画素間に絶縁物の隔
壁を設けるのが一般的である。隔壁を用いて基板上にある電極のエッジ部を絶縁物で覆う
ことにより、電極間のショートを防いでいる。しかしながら、この隔壁の傾きが大きいと
、画素内で有機膜の膜厚が不均一になり、膜間で膜剥がれが起きてしまい、画素の発光領
域が減少するシュリンクという問題が発生する。発光領域の減少は、発光素子の信頼性を
大きく低下させる。
【０００９】
また、電極間ショートを起こす他の要因として、電極上に残った微粒子等が挙げられる
。発光素子の電極間の距離は、通常０．１μｍ程度であるため、０．１μｍ程度の微粒子
でさえ、簡単に電極間のショートを引き起こす。電極間ショートが生じた発光素子は発光
することができないため、これらは暗点として認識される。このような欠陥は、例えば発
光素子をフラットパネルディスプレイ素子として用いる場合、ディスプレイパネルの商品
価値を大きく下げてしまい、結果としてパネルコストの増大を引き起こす。
【００１０】
微粒子等に起因する電極間ショートを防止する方法の一つは、バッファ層の厚膜化である
。しかし、多くの有機化合物は導電性が低いため、厚膜化することにより発光素子の消費
電力は増大してしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記問題に鑑み、本発明は、高信頼性で欠陥の少ない発光装置を提供することを目的と
する。また、高信頼性で欠陥の少ない発光装置を作製する方法を提供することを目的とす
る。また、高信頼性で欠陥の少ない発光装置を有する電子機器を提供することを目的とす
る。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、隔壁とバッファ層の膜厚が同じ又はほぼ同じで
ある発光素子構成はシュリンクの抑制に大きな効果があることを見いだした。また、その
バッファ層は厚膜化が可能なため、欠陥の抑制にも効果があることを見いだした。
【００１３】
よって、本発明の一は、基板上に複数の発光素子を有し、複数の発光素子は、隔壁によ
って隣接する発光素子と隔てられており、発光素子は、第１の電極と、第１の電極上に形
成されたバッファ層と、バッファ層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２
の電極と、を有し、バッファ層の厚さは、隔壁の厚さと同じ又はほぼ同じであることを特
徴とする発光装置である。
【００１４】
隔壁は配線などを覆う必要があるため、上記構成において、バッファ層および隔壁の厚
さは５００ｎｍ以上であることが好ましい。厚さが５００ｎｍ以上であることにより、第
１の電極上に微粒子が残っている場合でも、バッファ層により微粒子を覆うことができ、
電極間ショートの発生を抑制することができる。
【００１５】
また、上記構成において、バッファ層及び隔壁とは、同一の無機化合物と同一の有機化
合物を含み、バッファ層は、さらにハロゲン原子を含むことを特徴とする発光装置である
。
【００１６】
なお、上記構成は、第１の電極は、基板上に形成された薄膜トランジスタに電気的に接
続されている構成の場合、特に効果的である。
【００１７】
また、本発明の一は、基板上に第１の電極を形成する工程と、第１の電極を覆うように
、無機化合物と有機化合物とを含む層を形成する工程と、無機化合物と有機化合物を含む
層における第１の電極上に位置する領域に、選択的にハロゲン原子を添加し、バッファ層
と隔壁を形成する工程と、ハロゲン原子を添加した領域上に、発光層を形成する工程と、
発光層上に第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方法で
ある。
【００１８】
また、本発明の一は、基板上に、複数の薄膜トランジスタを形成する工程と、薄膜トラ
ンジスタと電気的に接続するように、第１の電極を形成する工程と、第１の電極を覆うよ
うに、無機化合物と有機化合物とを含む層を形成する工程と、無機化合物と有機化合物を
含む層における第１の電極上に位置する領域に、選択的にハロゲン原子を添加し、バッフ
ァ層と隔壁を形成する工程と、ハロゲン原子を添加した領域上に、発光層を形成する工程
と、発光層上に第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方
法である。
【００１９】
上記構成において、無機化合物と有機化合物を含む層を形成した後、一度も大気に暴露
することなく、発光素子を作成することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００２０】
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイスもしくは光源（照明装置を
含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎ
ｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉ
ｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付け
られたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール
、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）
が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【００２１】
また、本発明の発光装置を有する電子機器も本発明の範疇に含めるものとする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、バッファ層と隔壁の膜厚が同じ又はほぼ同じで、その膜厚を厚膜化できるた
め高信頼性で欠陥の少ない発光装置を提供することができる。
【００２３】
本発明は、フォトリソグラフィーを用いた隔壁のパターニングを必要としないために、
基板作製時のマスク工程が減り安価に発光装置を提供することができる。
【００２４】
隔壁の材料には有機物を用いるのが一般的である。しかしながら、有機物の隔壁は水分
を吸いやすく、発光層などを成膜する前に隔壁を加熱し、水分を除去する必要がある。し
かし、加熱を行っても、隔壁内の水分を完全に取りきれない場合がある。この水分が発光
層へ浸透していき、素子の劣化を招く。本発明は、隔壁を形成した後に、一度も大気に暴
露することなく封止まで行うことができるため、発光層などに水分が浸透しにくく、高信
頼性の発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の発光装置を説明する図。
【図２】本発明の発光装置の作製方法を説明する図。
【図３】本発明の発光装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の発光装置の作製方法を説明する図。
【図５】本発明の発光装置を説明する図。
【図６】本発明の電子機器を説明する図。
【図７】本発明の電子機器を説明する図。
【図８】本発明の照明装置を説明する図。
【図９】本発明の照明装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更することが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の発光装置及びその作製方法について図１を用いて説明する
。
【００２８】
一対の電極間に複数の層が積層された発光素子を有する。当該複数の層は、電極から離
れたところに発光領域が形成されるように、つまり電極から離れた部位でキャリアの再結
合が行われるように、キャリア注入性の高い物質やキャリア輸送性の高い物質からなる層
を組み合わせて積層されたものである。本発明の発光装置において、発光素子は複数設け
られており、発光素子と発光素子の間には、隔壁１０４が設けられている。
【００２９】
本形態において、発光素子は第１の電極１０２と、第２の電極１０８と、バッファ層１
０３と、正孔輸送層１０５と、発光層１０６と、電子輸送層１０７とから構成されている
。なお、本形態では第１の電極１０２を陽極として機能し、第２の電極１０８は陰極とし
て機能するものとして、以下説明する。つまり、第１の電極１０２の方が第２の電極１０
８よりも電位が高くなるように、第１の電極１０２と第２の電極１０８に電圧を印加した
ときに、発光が得られるものとして、以下説明する。
【００３０】
基板１０１は発光素子の支持体として用いられる。基板１０１としては、例えばガラス
、またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の作製工程において支
持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
【００３１】
第１の電極１０２としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上であること
が好ましい）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ま
しい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化イン
ジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン
及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金
属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製して
も構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１
〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成するこ
とができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ
）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜
１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。こ
の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃ
ｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（
Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【００３２】
また、第１の電極１０２と接する層として、後述する無機化合物と有機化合物を含む層
を用いた場合には、第１の電極１０２として、仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、
合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。例えば、ア
ルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金（ＡｌＳｉ）等を用いること
ができる。また、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属す
る元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネ
シウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、
およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウ
ム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。アルカリ金
属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することがで
きる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により
形成することも可能である。また、銀ペーストなどを液滴吐出法などにより成膜すること
も可能である。
【００３３】
本発明はバッファ層１０３と隔壁１０４の膜厚が同じ又はほぼ同じであることが特徴で
ある。このためバッファ層と隔壁の表面がほぼ平らになり、バッファ層より上に成膜する
、正孔輸送層１０５、発光層１０６などを平らに成膜することができる。このため正孔輸
送層１０５、発光層１０６などの画素内での膜厚不均一化が起こりにくく、また、層間で
の膜剥がれも起こりにくい。
【００３４】
また、バッファ層１０３は陽極上に残された微粒子等に起因する電極間ショートを抑制
するために厚膜化が望まれる。厚膜化するには、高い導電性を有していている必要がある
。そこで、本発明では特に、バッファ層１０３に無機化合物と有機化合物の混合膜にハロ
ゲン原子を添加することで形成される膜を使用する。
【００３５】
バッファ層１０３に用いる無機化合物としては、遷移金属酸化物を挙げることができる
。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる
。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデ
ン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。
中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好
ましい。さらに好ましくは、三酸化モリブデンを用いることが好ましい。
【００３６】
バッファ層１０３に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘
導体、芳香族炭化水素、オリゴマー、デンドリマー、ポリマーなど、種々の化合物を用い
ることができる。なお、バッファ層に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機
化合物（以下、正孔輸送性材料という）であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃ
ｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔
の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、バッファ層
１０３膜に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【００３７】
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４
，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）アミノフェニル］
−Ｎ−フェニル｝アミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−
（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ
）等を挙げることができる。
【００３８】
バッファ層１０３に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３
−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾ
ール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）
アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる
。
【００３９】
また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−
トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−
（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１
，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベ
ンゼン等を用いることができる。
【００４０】
また、バッファ層１０３に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ
）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビ
ス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）
、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニル
アントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：Ｄ
ＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］ア
ントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，
６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−
テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、
１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニ
ルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−
ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ル
ブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げら
れる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×
１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素
を用いることがより好ましい。
【００４１】
なお、バッファ層１０３に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有して
いてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（
２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（
２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられ
る。
【００４２】
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。
【００４３】
バッファ層１０３に用いることができるハロゲン原子は、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素
などがあるが、特に、フッ素及び塩素が好適である。
【００４４】
また、隔壁１０４にはバッファ層１０３と同じ無機化合物と有機化合物の混合膜を使用
する。
【００４５】
また、バッファ層は陽極上に残った微粒子を完全に覆い、隔壁は、配線などを完全に覆
う必要があるため、上記構成において、バッファ層及び隔壁の厚さは、５００ｎｍ以上で
あることが好ましい。
【００４６】
正孔輸送層１０５は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’
−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，
４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニ
ルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオ
レン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］−１，１’−ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）な
どの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃ
ｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い
物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層
は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【００４７】
また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（
４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることも
できる。
【００４８】
発光層は、発光性の高い物質を含む層である。発光性の高い物質としては、蛍光を発光
する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【００４９】
発光層に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として
、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム
（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４
’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリ
ナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（Ｃ
Ｆ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナ
ト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ
））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナ
ト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニ
ルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（
ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビ
ス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ
（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（
２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフ
ルオロフェニルフェニル）］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベン
ゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（
ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２
−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、
ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナー
ト（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料と
して、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビ
ス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−
ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆ
ｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙
げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１
，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅ
ｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフル
オロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴ
Ａ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重
度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【００５０】
発光層に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として
、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾー
ル−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称
：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジ
フェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（
略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２
−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣ
ＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリ
フェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス
（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニ
ル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（
１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フ
ェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ
，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられ
る。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル
−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。ま
た、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）
テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ
，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオ
ランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【００５１】
電子輸送層１０７は、電子輸送性の高い物質を用いることができる。例えば、トリス（
８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノ
ラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−
フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾ
キノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒド
ロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（
２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオ
キサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに
、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル
）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：
ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称
：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに
述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、
正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いて
も構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。
【００５２】
また、電子輸送層１０７として、高分子化合物を用いることができる。例えば、ポリ［
（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイ
ル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル
）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）など
を用いることができる。
【００５３】
第２の電極１０８を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ
以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような仕事関数の小さい材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族
に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、および
マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類
金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテ
ルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら
、第２の電極１０８と電子輸送層との間に、電子注入を促す機能を有する層を設けること
により、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有
した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を第２の電極１０８として用いること
ができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法
等を用いて成膜することが可能である。
【００５４】
なお、電子注入を促す機能を有する層としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属又
はそれらの化合物としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化
カルシウム（ＣａＦ２）等を用いることができる。また、電子輸送性を有する物質からな
る層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、例え
ばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。なお、電
子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類
金属を含有させたものを用いることにより、第２の電極１０８からの電子注入が効率良く
行われるためより好ましい。
【００５５】
また、バッファ層１０３、正孔輸送層１０５、発光層１０６、電子輸送層１０７の形成
方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いることができる。例えば、真
空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。また各電極ま
たは各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
【００５６】
電極についても、ゾル−ゲル法を用いて湿式法で形成しても良いし、金属材料のペース
トを用いて湿式法で形成してもよい。また、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式法
を用いて形成しても良い。
【００５７】
発光は、第１の電極１０２または第２の電極１０８のいずれか一方または両方を通って
外部に取り出される。従って、第１の電極１０２または第２の電極１０８のいずれか一方
または両方は、透光性を有する電極で成る。第１の電極１０２のみが透光性を有する電極
である場合、発光は第１の電極１０２を通って基板側から取り出される。また、第２の電
極１０８のみが透光性を有する電極である場合、発光は第２の電極１０８を通って基板と
逆側から取り出される。第１の電極１０２および第２の電極１０８がいずれも透光性を有
する電極である場合、発光は第１の電極１０２および第２の電極１０８を通って、基板側
および基板と逆側の両方から取り出される。
【００５８】
本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製
している。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、例えば薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を形成し、ＴＦＴと電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。
これにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装
置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。スタガ型のＴＦＴでもよい
し逆スタガ型のＴＦＴでもよい。また、ＴＦＴに用いる半導体の結晶性についても特に限
定されず、非晶質半導体を用いてもよいし、結晶性半導体を用いてもよい。また、単結晶
半導体膜を用いてもよい。単結晶半導体膜は、スマートカット法などを用いて作製するこ
とができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴ
ＦＴからなるものでもよいし、若しくはＮ型またはＰ型のいずれか一方からのみなるもの
であってもよい。
【００５９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示したバッファ層２０４と隔壁２０５の作製方法に
ついて説明する。実施の形態１で示したように、バッファ層２０４と隔壁２０５の膜厚は
、同じ又はほぼ同じである。また、バッファ層及び隔壁とは、同一の無機化合物と同一の
有機化合物を含み、バッファ層２０４は、さらにハロゲン原子を含む。
【００６０】
図２には、基板２０１上に区切られた第１の電極２０２が幾つか設けられている。（Ａ
）は断面図、（Ｂ）は上面図を示す。この第１の電極２０２は、各画素に対応しており、
画素領域３０１に設置されている。封止領域３０２には、シール材が画素領域を囲うよう
に設置される。このシール材の下には有機物が存在しないことが望まれる。また、第２の
電極と配線とのコンタクト部３０３は、有機物が存在しないことが望まれる。
【００６１】
これに図３に示すように無機化合物と有機化合物の混合膜２０３を画素領域全域に覆う
ように成膜する。混合膜２０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方
法を用いることができる。乾式法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げら
れる。また、湿式法としてはインクジェット法、スピンコート法、印刷法などが挙げられ
る。
【００６２】
混合膜２０３は、バッファ層及び隔壁の基になる層のため、図３で示すように封止領域
、第２の電極と配線とのコンタクト部分以外の全て領域を覆うことが好ましい。また、導
電性が非常に高ければ、第２の電極と配線とのコンタクト部３０３上に成膜されても問題
ないため、第２の電極と配線とのコンタクト部３０３上に混合膜を成膜しても、ハロゲン
原子を第２の電極と配線とのコンタクト部３０３上に位置する混合膜に添加すればよい。
【００６３】
これに図４に示すように、第１の電極上に位置する部分だけ選択的にハロゲン原子を添
加する。ハロゲン原子を添加することにより、混合膜２０３はハロゲン原子が添加された
部分だけ飛躍的に導電性が向上する。そのためハロゲン原子が添加された領域は、バッフ
ァ層２０４として機能し、それ以外のハロゲン原子が添加されていない領域は隔壁２０５
として機能する。よって、バッファ層２０４と隔壁２０５の膜厚は同じ又はほぼ同じとな
る。具体的には、バッファ層の膜厚は、ハロゲン原子を添加する前の混合膜の膜厚に対し
て±５％以内となる。
【００６４】
ハロゲン原子を添加する方法としては、イオン注入法が望ましい。メタルマスクを用い
て部分的に注入を行っても良く、収束イオンビーム技術を応用したシングルイオン注入法
を利用しても良い。
【００６５】
混合膜２０３自体の導電性が高いと隔壁２０５には適していないため、無機化合物の混
合比は少なめの方が適している。しかしながら、有機化合物のみにハロゲン原子を添加し
ても導電性向上の効果が低いため、無機化合物の混合は必要である。好ましくは、混合膜
中の無機化合物の重量パーセントが５％以上２５％以下である。
【００６６】
また、バッファ層に含まれるハロゲン原子の濃度は、１×１０２１Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以上であることが望ましい。例えば、ＮＰＢと三酸化モリブデンとを含む混合膜（重量比
で４：１＝ＮＰＢ：三酸化モリブデンとなるように共蒸着法により形成した膜）は比抵抗
が１．８×１０９Ω・ｃｍであるが、フッ素を濃度が１×１０２１Ａｔｏｍｓ／ｃｍ３と
なるように添加することにより、比抵抗が３．５×１０５Ω・ｃｍとなる。
【００６７】
本形態においては、バッファ層２０４および隔壁２０５を形成した後、基板を大気に暴
露することなく発光素子を作製することができるため、発光素子内に水分が入りにくく、
高信頼性の発光素子を作製することができる。
【００６８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の発光装置について説明する。
【００６９】
本実施の形態では、本発明の発光装置について図５を用いて説明する。なお、図５（Ａ
）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断
した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を制御するものとして、点線で示さ
れた駆動回路部（ソース側駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート側駆動
回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール
材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【００７０】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入
力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプ
リントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号
等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光
装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものと
する。
【００７１】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路
部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１
と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【００７２】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２
４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路
、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素
部が形成された基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要
はなく、駆動回路を画素部が形成された基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００７３】
また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とその
ドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。
なお、第１の電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されている。隔壁６１４には、
実施の形態１で示したように、無機化合物と有機化合物とが混在してなる膜を使用する。
【００７４】
第１の電極６１３上には、バッファ層６１９、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７
がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料
としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪
素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜
、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チ
タン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分
とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると
、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能
させることができる。
【００７５】
バッファ層６１９には、実施の形態１で示したように、隔壁６１４と同じ無機化合物と
有機化合物とが混在してなる膜にハロゲン原子を添加することで形成される膜を使用する
。
【００７６】
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、バッファ層より上で形成される
、正孔輸送層、発光層などを示す。
【００７７】
第２の電極６１７はコンタクト部６２０において、配線６２１と電気的に接続している
。図５に示すように、コンタクト部６２０には、有機化合物が存在しないことが望まれる
。
【００７８】
さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材
料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化
合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＬｉＦ、ＣａＦ２等）を用いることが好ましい。
なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６
１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜
鉛を含む酸化インジウム、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【００７９】
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填され
る場合もある。
【００８０】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料
はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４
に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉ
ｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステル
またはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００８１】
以上のようにして、本発明の発光装置を得ることができる。
【００８２】
本発明の発光装置は、実施の形態１で示した素子構成を用いているため、良好な特性を
備えた発光装置を得ることができる。具体的には、高信頼性、欠陥が少ない発光装置を得
ることができる。
【００８３】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３に示す発光装置をその一部に含む本発明の電子機器に
ついて説明する。
【００８４】
本発明の発光装置を有する電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ
、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、
オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具
体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生
し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器
の具体例を図６に示す。
【００８５】
図６（Ａ）は本発明に係るテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部
９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置に
おいて、表示部９１０３は、実施の形態１で説明したものと同様の発光装置を有する。当
該発光装置は、高信頼性で欠陥が少ないという特徴を有している。その発光装置で構成さ
れる表示部９１０３も同様の特徴を有するため、このテレビ装置は画質の劣化が少なく、
欠陥も少ない。
【００８６】
図６（Ｂ）は本発明に係るコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部
９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２
０６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部９２０３は、実施の形態１で説明した
ものと同様の発光装置を有する。当該発光装置は、高信頼性で欠陥が少ないという特徴を
有している。その発光装置で構成される表示部９２０３も同様の特徴を有するため、この
コンピュータは画質の劣化が少なく、欠陥も少ない。
【００８７】
図６（Ｃ）は本発明に係る携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４
０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９
４０７、アンテナ９４０８等を含む。この携帯電話において、表示部９４０３は、実施の
形態１で説明したものと同様の発光装置を有する。当該発光装置は、高信頼性で欠陥が少
ないという特徴を有している。その発光装置で構成される表示部９４０３も同様の特徴を
有するため、この携帯電話は画質の劣化が少なく、欠陥も少ない。
【００８８】
図６（Ｄ）は本発明の係るカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０
３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９
５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラ
において、表示部９５０２は、実施の形態１で説明したものと同様の発光装置を有する。
当該発光装置は、高信頼性で欠陥が少ないという特徴を有している。その発光装置で構成
される表示部９５０２も同様の特徴を有するため、このカメラは画質の劣化が少なく、欠
陥も少ない。
【００８９】
以上の様に、本発明の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野
の電子機器に適用することが可能である。本発明の発光装置を用いることにより、高信頼
性で欠陥の少ない表示部を有する電子機器を提供することが可能となる。
【００９０】
また、本発明の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の発光素子を
照明装置として用いる一態様を、図７を用いて説明する。
【００９１】
図７は、本発明の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図
７に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０
４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト
９０３は、本発明の発光装置が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている
。
【００９２】
本発明の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、高信頼性で
、欠陥も少ないバックライトが得られる。また、本発明の発光装置は、面発光の照明装置
であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、液晶表示装置
の大面積化も可能になる。さらに、本発明の発光装置は薄型であるため、表示装置の薄型
化も可能となる。また、本発明の発光装置は高信頼性で、欠陥も少ないため、本発明の発
光装置を用いた液晶表示装置も高信頼性で、欠陥も少ない。
【００９３】
図８は、本発明を適用した発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例で
ある。図８に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２
として、本発明の発光装置が用いられている。本発明の発光装置は、高信頼性で、欠陥も
少ないため、電気スタンドも高信頼性で、欠陥も少ない。
【００９４】
図９は、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１として用いた例である
。本発明の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることが
できる。また、本発明の発光装置は、薄型であるため、薄型化の照明装置として用いるこ
とが可能となる。このように、本発明を適用した発光装置を、室内の照明装置３００１と
して用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明に係るテレビ装置３００２を設
置して公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、明るい部屋で迫力のあ
る映像を鑑賞することができる。
【符号の説明】
【００９５】
１０１    基板
１０２    第１の電極
１０３    バッファ層
１０４    隔壁
１０５    正孔輸送層
１０６    発光層
１０７    電子輸送層
１０８    第２の電極
２０１    基板
２０２    第１の電極
２０３    混合膜
２０４    バッファ層
２０５    隔壁
３０１    画素領域
３０２    封止領域
３０３    第２の電極と配線とのコンタクト部
６０１    ソース側駆動回路
６０２    画素部
６０３    ゲート側駆動回路
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    空間
６０８    引き回し配線
６０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０    素子基板
６１１    スイッチング用ＴＦＴ
６１２    電流制御用ＴＦＴ
６１３    第１の電極
６１４    隔壁
６１６    ＥＬ層
６１７    第２の電極
６１８    発光素子
６１９    バッファ層
６２０    コンタクト部
６２１    配線
６２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
９０１    筐体
９０２    液晶層
９０３    バックライト
９０４    筐体
９０５    ドライバＩＣ
９０６    端子
９５１    基板
９５２    電極
９５３    絶縁層
９５４    隔壁層
９５５    ＥＬ層
９５６    電極
２００１    筐体
２００２    光源
３００１    照明装置
３００２    テレビ装置
９１０１    筐体
９１０２    支持台
９１０３    表示部
９１０４    スピーカー部
９１０５    ビデオ入力端子
９２０１    本体
９２０２    筐体
９２０３    表示部
９２０４    キーボード
９２０５    外部接続ポート
９２０６    ポインティングデバイス
９４０１    本体
９４０２    筐体
９４０３    表示部
９４０４    音声入力部
９４０５    音声出力部
９４０６    操作キー
９４０７    外部接続ポート
９４０８    アンテナ
９５０１    本体
９５０２    表示部
９５０３    筐体
９５０４    外部接続ポート
９５０５    リモコン受信部
９５０６    受像部
９５０７    バッテリー
９５０８    音声入力部
９５０９    操作キー
９５１０    接眼部
【図１】
0005483753.tif 000002
【図２】
0005483753.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005483753.tif 000005
【図５】
0005483753.tif 000006
【図６】
0005483753.tif 000007
【図７】
0005483753.tif 000008
【図８】
0005483753.tif 000009
【図９】
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