【事件の表示】
　特願２０１３−２５００１１「電力用半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　６月１１日出願公開，特開２０１５−１０９２９４，請求項の数（３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１２月３日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２９年　１月１３日　拒絶理由通知
平成２９年　３月１４日　意見書提出・手続補正
平成２９年　６月２８日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　８月２８日　審判請求・手続補正
平成３０年　５月　９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
平成３０年　６月２０日　意見書提出・手続補正
第２　原査定の概要
　本願請求項１−９に係る発明は，本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献１−６に記載された発明に基づき本願出願前に当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.実願昭５２−１３９５６２号（実開昭５４−０６５６６８号）のマイクロフィルム
２.特開２０１０−０３４２７８号公報
３.特開昭６０−１０５２４１号公報
４.実願昭５２−０４９２２９号（実開昭５３−１４３５６６号）のマイクロフィルム
５.特開平０１−２７０２３６号公報
６.特開２０００−２７７８７６号公報
第３　当審拒絶理由通知の概要
　本願請求項１−５に係る発明は，本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献１−４に記載された発明に基づき本願出願前に当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２００７−９６０４２号公報
２.特開平４−７２６３９号公報
３.特開２００６−１９０８５０号公報
４.実願昭５２−１３９５６２号（実開昭５４−６５６６８号）のマイクロフィルム
第４　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は，平成３０年６月２０日付け手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりである。
　「　　【請求項１】
　リードフレームの表面に設けられた凹状領域に溶融はんだを供給する工程と，
　前記リードフレームの上に，前記凹状領域を覆うように電力用半導体素子を搭載する工程とを含み，
　前記凹状領域は，前記リードフレームに形成された溝部によって画定され，
　前記溝部の外縁部には，供給された溶融はんだを塞き止める段差部が設けられ，
　前記溝部の段差部は，該溝部の面方向の大きさが前記電力用半導体素子に向かってテーパ状に大きくなるように形成され，
　前記溝部の段差部は，平面視で前記電力用半導体素子の外縁部の内側に位置し，
　前記電力用半導体素子を搭載する工程では，塞き止められた状態の溶融はんだを前記段差部の外側まで濡れ広げることを特徴とする，電力用半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　前記リードフレームの表面での凹状領域の面積は，前記溶融はんだを供給する工程で溶融はんだが濡れ広がる面積以下であることを特徴とする，請求項１に記載の電力用半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　前記溶融はんだを供給する工程および前記電力用半導体素子を搭載する工程は，還元雰囲気中で実施することを特徴とする，請求項１または２に記載の電力用半導体装置の製造方法。」
第５　引用文献及び引用発明
　１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　当審拒絶理由通知に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
　「【技術分野】
【０００１】
この発明は，半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から，ＬＳＩ等の半導体チップを備えた半導体装置のなかには，アイランドに半導体チップがダイボンディング材を介してダイボンディングされ，この半導体チップの表面（上面）に形成された電極とアイランド周辺に配置されたリード端子とがワイヤで電気的に接続された半導体装置が存在する。
　「【０００７】
また，従来の半導体装置としては，例えば，半導体チップの裏面の面積より開口面積が小さな凹部がアイランドに形成され，その凹部内にのみ充填されたダイボンディング材を介して，半導体チップがアイランドにダイボンディングされた半導体装置が存在する（例えば，特許文献１参照）。この半導体装置の一例について，図７（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【０００８】
図７（ａ）は，従来の半導体装置の他の一例を模式的に示す縦断面図であり，（ｂ）は，その部分平面透視図である。
図７（ａ）に示すように，半導体装置８０は，表面に複数の電極８１ａが形成された半導体チップ８１，半導体チップ８１がダイボンディング材８５を介してダイボンディングされているアイランド８２，複数本のリード端子８３，電極８１ａとリード端子８３とを電気的に接続するワイヤ８４，及び，これらを封止する樹脂パッケージ部８９を備えている。
アイランド８２には，凹部８６が形成されていて，ダイボンディング材８５は，凹部８６内にのみ充填されている。図７（ｂ）に示すように，凹部８６の平面視形状は矩形であり，凹部８６の開口面積は，半導体チップ８１の裏面８１ｂの面積より小さい。
【０００９】
半導体装置８０によれば，凹部８６が形成されていない箇所において，半導体チップ８１とアイランド８２とが直接接触することになるため（図７（ａ）参照），半導体チップ８１をダイボンディングするときに，半導体チップ８１が傾くことはない。」
　「【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら，
図７に示した半導体装置８０では，ダイボンディング材８５が，半導体チップ８１の裏面８１ｂの一部と凹部８６との間にのみ介在していて，凹部８６が形成されていない部分と半導体チップ８１の裏面８１ｂとの間には，ダイボンディング材８５が介在していないため，半導体チップ８１とアイランド８２との接合面積が少ない。従って，熱応力や温度サイクルによる収縮応力が生じた場合には，ダイボンディング材８５にクラックが発生したり，半導体チップ８１がダイボンディング材８５から剥離したりするという問題があった。特に，ダイボンディング材８５は，アイランド８２に形成された凹部８６内にのみ充填されるため，ダイボンディング材８５の厚さを確保することが困難であり，クラックや剥離が生じ易いという問題があった。
　「【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
［第１実施形態］
図１（ａ）は，第１実施形態に係る半導体装置を模式的に示す縦断面図であり，（ｂ）は，（ａ）に示した半導体装置の部分平面透視図である。
図２は，図１に示した半導体装置の部分拡大縦断面図である。
【００３５】
半導体装置１０は，半導体チップ１１，アイランド１２，リード端子１３，ワイヤ１４，吊りリード１８，及び，樹脂パッケージ部１９を備えている。
【００３６】
図１（ａ）に示すように，半導体装置１０は，表面に複数の電極１１ａが形成された半導体チップ１１を備えている。半導体チップ１１としては，種々のものを用いることが可能であり，その具体的な機能や内部の回路構成は，特に限定されるものではない。アイランド１２の略中央に位置するダイボンディング領域１７には，１つの凹部１６が形成されていて，半導体チップ１１は，ダイボンディング領域１７に半田材１５（ダイボンディング材）を介してダイボンディングされている。なお，ダイボンディング領域１７は，半導体チップ１１の裏面１１ｂと正対する領域である。図中，１７ａは，ダイボンディング領域１７において凹部１６が形成されていない領域（以下，凹部非形成領域という）を示している。
【００３７】
図１（ｂ）に示すように，凹部１６は，平面視円形状を有しており，ダイボンディング領域１７の中心位置１７ｂを含んで形成されている。
凹部１６の開口面積は，半導体チップ１１の裏面１１ｂの面積の２０％程度であり，裏面１１ｂの面積より小さい。
また，凹部非形成領域１７ａは，凹部１６の周囲に位置していて，ダイボンディング領域１７の４つの角１７ｃを含んでいる。すなわち，半導体チップ１１の裏面１１ｂの角（図示せず）の下側には，凹部１６が形成されておらず，その箇所では，半導体チップ１１とアイランド１２とが接近している。従って，半導体チップ１１の裏面１１ｂの４つの角がアイランド１２によって支持されることになり，ダイボンディング時の半導体チップ１１の傾きを防止することができる。
【００３８】
図２に示すように，凹部１６の底面１６ａは，平面を有していて，凹部１６の側面１６ｃは，底面１６ａの周縁１６ｂから漸次に立ち上がる曲面を有している。
【００３９】
図１（ａ）に示すように，半田材１５は，半導体チップ１１の裏面１１ｂの全域とダイボンディング領域１７との間に介在していて，半導体チップ１１とダイボンディング領域１７との接合面積が広く確保されている。また，凹部非形成領域１７ａの直上では，半田材１５が薄くなっていて，アイランド１２と半導体チップ１１とが接近している一方，凹部１６の直上では，半田材１５が厚くなっている。従って，凹部１６の直上において半田材１５にクラックが発生することを防止することが可能であり，凹部非形成領域１７ａにおいて半田材１５にクラックが発生しても，そのクラックが凹部１６の直上まで至って半導体チップ１１がアイランド１２から剥離してしまうことはない。
【００４０】
アイランド１２の周辺には，アイランド１２から所定間隔を空けて，複数のリード端子１３が配置されている。リード端子１３は，半導体チップ１１の表面に形成された電極１１ａと電気的に接続されている。半導体装置１０には，リード端子１３の一部のみを露出させて半導体チップ１１等を封止する樹脂パッケージ部１９が形成されている。樹脂パッケージ部１９は，例えば，エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。
【００４１】
次に，第１実施形態に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。
まず，リードフレーム（図示せず）のアイランド１２に，エッチングにより１つの凹部１６を形成する。
【００４２】
次に，
アイランド１２のダイボンディング領域１７に，ペースト状の半田材を塗布し，半導体チップ１１を載置する。半導体装置１０においては，凹部１６がダイボンディング領域１７の中央位置１７ｂを含んで形成されているため，所定量のペースト状の半田材を凹部１６内に塗布し，半導体チップ１１を押し付けることにより，半導体チップ１１の裏面１１ｂの全域とダイボンディング領域１７との間に，ペースト状の半田材を均一に広げることができる。
【００４３】
なお，半田材としては，例えば，Ｓｎ−Ｐｂ合金，Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ合金，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ合金，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ合金，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ合金，Ｓｎ−Ａｇ系合金，Ｓｎ−Ｃｕ系合金，Ｓｎ単体金属等の合金を含む半田ペーストを挙げることができる。また，半田ペーストとして，Ｐｂ系高温半田ペースト（８５質量％以上のＰｂを含有するＰｂ−Ｓｎ合金の半田ペースト）を用いることができる。このようなＰｂ系高温半田ペーストとしては，例えば，Ｐｂ−８Ｓｎ−２Ａｇ合金（Ｓｎを８重量％，Ａｇを２重量％含み，残部がＰｂ及び不可避不純物からなる合金）を含む半田ペーストを挙げることができる。また，本発明においては，ダイボンディング材として，例えば，エポキシ樹脂等の樹脂組成物を用いることとしてもよい。
【００４４】
続いて，所定温度で加熱してペースト状の半田材を溶融させることにより，半田材１５を介して半導体チップ１１をダイボンディングする。
【００４５】
次に，半導体チップ１１の表面に形成された電極１１ａと，リードフレームのリード端子１３とを，金線等のワイヤ１４を用いてワイヤボンディングする。続いて，リード端子１３の一部を露出させて半導体チップ１１等を封止するように，エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物で樹脂パッケージ部１９を形成する。その後，リードフレームの所定箇所を切断してリードフレームを分割することにより，半導体装置１０を製造することができる。
【００４６】
本発明において，凹部の平面視形状は，特に限定されるものではなく，円形状（図１（ｂ）参照）以外に，例えば，楕円形，矩形や正多角形等の多角形を挙げることができる。
凹部の平面視形状を，円形状や楕円形状等のように，角のない形状とすることによって，局所的に熱応力が集中することを防止することができ，ダイボンディング材にクラックが生じることを防止することができる。なお，平面視形状が異なる凹部が形成された半導体装置については，後で図３〜図５を用いて詳述することにする。
【００４７】
本発明において，凹部が形成される位置は，ダイボンディング領域内であれば，特に限定されるものではないが，凹部は，ダイボンディング領域の中心位置を含んで形成されていることが望ましい。ダイボンディング領域に半導体チップをダイボンディングするときに，ダイボンディング材のセルフアライメント機能を利用した半導体チップの位置合わせを行うことが可能になるからである。このようにする場合，凹部の平面視形状は，ダイボンディング領域の中心位置を中心とした点対称形状であることが望ましい。ダイボンディング材のセルフアライメント機能を利用した半導体チップの位置合わせがより正確に行われるからである。
【００４８】
凹部の開口面積は，半導体チップの裏面の面積より小さければ，特に限定されるものではないが，半導体チップの裏面の面積の１０〜７０％であることが望ましい。ダイボンディング材が厚い箇所を広く確保することができるため，ダイボンディング材にクラックが発生することをより確実に防止することかできるからである。凹部の開口面積が，半導体チップの裏面の面積の１０％未満である場合，凹部の開口面積が狭過ぎて，ダイボンディング材が厚い箇所を広く確保することが困難であり，ダイボンディング材にクラックが発生するおそれがある。また，凹部の開口面積が，半導体チップの裏面の面積の７０％を超えると，凹部の開口面積が広過ぎて，アイランドの機械的強度が低下し，アイランド表面の平坦さが損なわれるおそれがある。
【００４９】
凹部の底面の形状は，特に限定されるものではなく，例えば，平面，半球面，変形半球面を挙げることができるが，本発明において，凹部の底面は，少なくとも一部が平面であることが望ましい。ダイボンディング材との密着性を高めることができるとともに，エアの巻き込みによるボイドの発生を防止することができるからである。なお，ダイボンディング材との密着性を向上させる点から，凹部の底面は，平面からなることがより望ましい。
【００５０】
また，凹部の底面の少なくとも一部が平面からなる場合において，凹部の側面は，凹部の底面の周縁から漸次に立ち上がる曲面を有することが望ましい。凹部の底面と側面とによって滑らかに連続した面が構成され，凹部の底面と側面との間に谷が形成されないため，凹部の底面と側面との間でダイボンディング材にボイドが生じることを防止することができるからである。
【００５１】
凹部の深さは，アイランドの厚さの１／４〜３／４であることが望ましい。アイランド表面（凹部非形成領域）の平坦さを損なうことなく，凹部直上のダイボンディング材の厚さを確保することができるからである。凹部の深さがアイランドの厚さの１／４未満である場合，凹部が浅過ぎて，ダイボンディング材の厚さを充分に確保することができないため，凹部直上においてダイボンディング材にクラックが生じるおそれがある。一方，凹部の深さがアイランドの厚さの３／４を超える場合，アイランドが薄くなり過ぎて，アイランドの機械的強度が低下し，アイランド表面の平坦さが損なわれるおそれがある。凹部の深さは，アイランドの厚さの１／３〜２／３であることがより望ましい。
【００５２】
本発明において，凹部非形成領域の位置及び面積は，特に限定されるものではないが，半導体チップの裏面の全ての角の下側は，凹部非形成領域であることが望ましい。半導体チップの裏面の全ての角の下側のダイボンディング材を薄くすることによって，ダイボンディング時に，半導体チップが傾くことを防止することができるからである。
また，半導体チップの裏面の少なくとも１組の対辺の下側が，凹部非形成領域であることも望ましい。半導体チップの裏面の少なくとも１組の対辺の下側のダイボンディング材を薄くすることによっても，ダイボンディング時に，半導体チップが傾くことを防止することができるからである。」
（２）引用発明
　前記（１）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「リードフレームに凹部を形成し，所定量のペースト状の半田材を凹部内に塗布し，ＬＳＩ等の半導体チップを押し付けることにより，半導体チップの裏面の全域とダイボンディング領域との間に，ペースト状の半田材を均一に広げる半導体チップを搭載する工程と，続いて，所定温度で加熱してペースト状の半田材を溶融させることにより，半田材を介して半導体チップをダイボンディングする工程とを含み，
　凹部の底面は，平面を有していて，凹部の側面は，底面の周縁から漸次に立ち上がる曲面を有しており，凹部の開口面積は，半導体チップの裏面の面積より小さい半導体装置の製造方法。」
　２　引用文献２について
　当審拒絶理由通知に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「産業上の利用分野
　本発明はダイボンディング装置に関し，特にパワーＩＣ等のチップから発生した熱を放散させるために，このチップと回路基板の間に介装されるヒートシンクにチップをボンディングするダイボンディング装置に関する。」（第１頁左欄第１５行−第２０行）
　「実施例
　以下，本発明のダイボンディング装置の一実施例を第１図〜第３図に基づいて説明する。
　第１図および第２図において，１はトンネル炉でその底壁には適当ピッチでヒータ２が内蔵され，底壁上に載置されたヒートシンク３を所定温度に加熱するように構成されている。ヒートシンク３は，例えば銅ブロック等からなり，その表面にニッケルメッキを施し，さらに好ましくは半田メツキが施されている。このヒートシンク３をトンネル炉１の底壁に接触した状態で逐次一方向に間歇的に搬送するため，図示しない適宜搬送手段が設けられている。またトンネル炉１内を不活性雰囲気ないし還元性雰囲気にするため，第２図に示すようにＮ２ガスとＨ２ガスの混合ガスの供給通路４が設けられている。
　トンネル炉１の土壁１ａの所定位置に形成した第１の開口部６の上方には，接合材としての溶融半田５を滴下するディスペンサ７が配置されている。このディスペンサ７は内部に溶融半田５を収容するとともに，その上部空間にＮ２ガス等の加圧気体８を供給することによって所定量の溶融半田５を下方に位置するヒートシンク３の上面に滴下するように構成されている。また溶融半田５の収容部の外周にはヒータ９が設けられている。
　ディスペンサ５から見てヒートシンク３の進行方向前方の位置において，トンネル炉１の第２の開口部１０ａに，一方の端面が溶融半田５に対して濡れ性の悪いダイヤモンドやチタン等の材質からなるビット１０を接合した支持体１１が垂直に配設され，図示されていない駆動部によってＹ方向に上下動し，所定の荷重を付勢するように構成されている。
　またこのビット１０の端面形状は第３図に示すように，ダイヤモンド形ａ，矩形ｂ，円形ｃ等によって，破線で示す半田の広がり形状を得ることができる。
　このビット１０から見てヒートシンク３の進行方向前方の位置において，トンネル炉１の第３の開口部１２からチップ１３を吸着したコレット１４にてヒートシンク３上にチップ１３を装着するように構成されている。
　以上の構成において，トンネル炉１内に挿入したヒートシンク３は，トンネル炉１の底壁に沿って搬送される間にヒータ２にて所定温度に加熱された後，第１の開口部６の下方位置で停止し，ここでディスペンサ７にてその上面に所定量の溶融半田５が滴下され，塗布される。この時の半田の塗布状態は，単に滴下されるだけであるため平坦ではない。このヒートシンク３が次にビット１０の下方位置で停止し，ここでビット１０が下降して滴下された半田５をたたいて所定の形状に広げ，平坦化する。
　その後，ヒートシンク３は第３の開口部１２の下方位置で停止し，ここでコレット１４にて吸着し，保持されたチップ１３がヒートシンク３に装着される。この時，溶融半田５が平坦化されているので，チップ１３の接合面と溶融半田５の間に空隙が生じ難い。またその際にコレット１４を水平方向に微小量往復運動させて，チップ１３の接合面と溶融半田５との間の空隙を完全になくすようにするのが好ましい。このように所要の形状に広げ，平坦に形成した溶融半田５上にチップ１３を装着することにより，空隙のない状態でチップ１３をヒートシンク３に装着でき，かつチップ１３の主面が半田で汚染されたり，コレット１４が半田で汚染されたり，穴詰まりが生じたりすることもない。」（第２頁左下欄第４行−第３頁右上欄第１１行）
　３　引用文献３について
　当審拒絶理由通知に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置およびその製造技術に関し，特に，半導体素子を固定する鉛フリー半田に適用して有効な技術に関する。」
　「【００１９】
　図１および図２に示す本実施の形態の半導体装置は，縦型半導体素子を有した電力用のパワー半導体パッケージ１４であり，半導体素子の主面１ａには，例えば，トランジスタ素子の回路が形成されたトランジスタパッケージである。
【００２０】
　パワー半導体パッケージ１４の構成について説明すると，主面１ａと，その反対側の裏面１ｂと，主面１ａに形成された主電極２および制御電極３と，裏面１ｂに形成された電極１５と，主面１ａに形成された回路とを備えた半導体素子である半導体チップ１と，半導体チップ１の裏面１ｂの電極１５と接合する導電性のダイパッド４と，半導体チップ１の主面１ａの主電極２と電気的に接続する第１リード６と，半導体チップ１の主面１ａの制御電極３と電気的に接続する第２リード７と，ダイパッド４と一体で繋がった第３リード５と，主電極２と第１リード６とを電気的に接続するＡｌワイヤ１２と，制御電極３と第２リード７とを電気的に接続するＡｌワイヤ１３と，半導体チップ１とダイパッド４の間に配置され，かつダイパッド４を形成する主材料であるＣｕ合金より低熱膨張，低降伏応力または低弾性率の応力緩衝板（応力緩衝手段）８と，半導体チップ１とＡｌワイヤ１２，１３とダイパッド４と各リードの一部とを封止用樹脂によって封止する封止体１１とからなる。」
　「【００４２】
　その後，ステップＳ１に示すはんだ供給工程において，リードフレーム１００のダイパッド１０１上にペースト状または粒状からなり，かつ鉛フリー半田を供給して溶融させる。ここでは，還元雰囲気中でリードフレーム１００の予備加熱を行い，ディスペンサ１０６を用いて，例えば，半田ペースト１０７をダイパッド１０１上に所定量供給し，ヒートブロックによって本加熱して半田を溶融して溶融半田１０８を形成する。
【００４３】
　なお，前記鉛フリー半田は，固相温度２７０℃以上で液相温度が４００℃以下のＳｎ−Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕを主要構成元素とする合金の半田材，またはＢｉ−Ａｇ−Ｓｂを主要構成元素とする合金の半田材のいずれかである。
【００４４】
　その後，ステップＳ２に示す緩衝板供給＋スクラブボンディング工程において，前記鉛フリー半田の上にＣｕ合金より低熱膨張，低降伏応力または低弾性率の応力緩衝板１０９を配置し，その後，応力緩衝板１０９の加圧とスクラブを行って応力緩衝板１０９を固着する。ここでは，溶融半田１０８上にコレット１１０で吸引１１１を行いながら応力緩衝板１０９を保持し，さらに応力緩衝板１０９を溶融半田１０８上に供給した後，同時にスクラブ１１２を加えて応力緩衝板１０９のサイズに半田を広げて応力緩衝板１０９を半田接合１１３する。
【００４５】
　その後，ステップＳ３に示すはんだ供給工程において，応力緩衝板１０９の上にペースト状または粒状からなり，かつ前記半田と同様の鉛フリー半田を供給して溶融させる。ここでは，加熱された状態のまま応力緩衝板１０９の上にディスペンサ１１４を用いて半田ペースト１１５を所定量供給し，これによって半田を溶融して溶融半田１１６を形成する。
【００４６】
　その後，ステップＳ４に示すチップ供給＋スクラブボンディング工程において，溶融半田１１６の上に半導体チップ１１７を配置し，その後，半導体チップ１１７の加圧とスクラブを行って半導体チップ１１７を固着する。ここでは，溶融半田１１６上にコレット１１８を用いて半導体チップ１１７を供給し，スクラブ１１９を加えて押し込みダイボンディングを行う。さらに，所定温度まで還元雰囲気中で冷却する。これにより，半導体チップ１１７の裏面１１７ｂと半田とが半田接合１２０する。半導体チップ１１７は，その主面１１７ａが上方を向いた状態で接合される。」
　４　引用文献４について
　当審拒絶理由通知に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
　「本考案は素子取付基板にろう材を介して半導体素子を固層してなる半導体装置の改良に関する。」（第１頁第１１行−第１２行）
　「次にこの半導体装置の製造方法を第３図により説明する。まず，第３図Ａに示すように，素子取付基板ｌの突堤１の凹所２ａ内にろう材片を配置して素子取付基板１を加熱するか，あるいは加熱した素子取付基板ｌを加熱しておいて，突堤ｌの凹所２ａ内に溶融したろう材を滴下する等の任意の手段により，
突堤２の凹所２ａ内に所要量の溶融したろう材４を収容し，ろう材４の頂部を突堤２の高さよりも高くする。次に第３図Ｂに示すように，上方から半導体素子を押圧し，ろう材４の一部を突堤２を越えて外方に流出せしめる。
　なお，突堤２が閉じていない場合は，溶融したろう材４が流出し，本考案の所期の効果が得られない。
　本考案は以上のように，素子取付基板の半導体素子固着位置に，半導体素子と同等以下の大きさでかつ所定高さの閉じた突堤を設けたから，ろう材を十分に加熱溶融しても，溶融したろう材が素子取付基板上を流れ広がることが防止でき，しかも突堤が間隔子となって素子取付基板と半導体素子との間に所定の厚さのろう材が確保でき，素子取付基板と半導体素子の熱膨張係数差による応力で，半導体素子が割れたり剥離することが防止できる。」（第３頁第１４行−第４頁第１９行）
第６　対比及び判断
　１　本願発明１について
（１）本願発明１と引用発明との対比
　ア　引用発明は，「リードフレームに凹部を形成し」ており，「リードフレームの表面に設けられた凹状領域」を有するものである。
　イ　引用発明は，「所定量のペースト状の半田材を凹部内に塗布し」ており，「凹状領域に」「はんだを供給」しているといえる。
　ウ　引用発明の「半導体チップ」は，本願発明１の「電力用半導体素子」と「半導体素子」である点で共通し，引用発明は，「所定量のペースト状の半田材を凹部内に塗布し，半導体チップを押し付けることにより，半導体チップの裏面の全域とダイボンディング領域１７との間に，ペースト状の半田材を均一に広げる半導体チップを搭載」しており，「前記リードフレームの上に，前記凹状領域を覆うように」「半導体素子を搭載」しているといえる。
　エ　引用発明の「凹部」は，本願発明１の「溝部」に相当し，引用発明は，「リードフレームに凹部を形成し」ており，「前記凹状領域は，前記リードフレームに形成された溝部によって画定され」ているといえる。
　オ　引用発明の「凹部の側面」は，「溝部の外縁部」といえ，「段差部」に相当する。
　カ　引用発明の「凹部の側面」は，「底面の周縁から漸次に立ち上がる曲面を有して」おり，「前記溝部の段差部は，該溝部の面方向の大きさが」「半導体素子に向かってテーパ状に大きくなるように形成され」ているといえる。
　キ　引用発明は「凹部の開口面積は，半導体チップの裏面の面積より小さい」から，「前記溝部の段差部は，平面視で前記電力用半導体素子の外縁部の内側に位置し」ているといえる。
　ク　すると，本願発明１と引用発明とは，下記ケの点で一致し，下記コの点で相違する。
　ケ　一致点
　「リードフレームの表面に設けられた凹状領域にはんだを供給する工程と，
　前記リードフレームの上に，前記凹状領域を覆うように半導体素子を搭載する工程とを含み，
　前記凹状領域は，前記リードフレームに形成された溝部によって画定され，
　前記溝部の段差部は，該溝部の面方向の大きさが前記半導体素子に向かってテーパ状に大きくなるように形成され，
　前記溝部の段差部は，平面視で前記半導体素子の外縁部の内側に位置することを特徴とする，半導体装置の製造方法。」
　コ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１では，「電力用」半導体素子であるのに対し，引用発明ではＬＳＩ等の半導体チップである点。
（イ）相違点２
　本願発明１では，「はんだ」は「溶融はんだ」であり，「前記溝部の外縁部には，供給された溶融はんだを塞き止める段差部が設けられ」「前記電力用半導体素子を搭載する工程では，塞き止められた状態の溶融はんだを前記段差部の外側まで濡れ広げる」のに対し，引用発明では，「はんだ」は「ペースト状の半田材」であり，「ＬＳＩ等の半導体チップを押しつけることにより，・・・ペースト状の半田材を均一に拡げる半導体チップを搭載する工程と，続いて，所定温度で加熱してペースト状の半田材を溶融させる・・・工程」を含み，「凹部の側面は，底面の周縁から漸次に立ち上がる局面を有して」いる点。
（２）相違点についての判断
　相違点２について検討する。
　引用発明は，「図７に示した半導体装置８０では，ダイボンディング材８５が，半導体チップ８１の裏面８１ｂの一部と凹部８６との間にのみ介在していて，凹部８６が形成されていない部分と半導体チップ８１の裏面８１ｂとの間には，ダイボンディング材８５が介在していないため，半導体チップ８１とアイランド８２との接合面積が少ない。従って，熱応力や温度サイクルによる収縮応力が生じた場合には，ダイボンディング材８５にクラックが発生したり，半導体チップ８１がダイボンディング材８５から剥離したりするという問題があった。特に，ダイボンディング材８５は，アイランド８２に形成された凹部８６内にのみ充填されるため，ダイボンディング材８５の厚さを確保することが困難であり，クラックや剥離が生じ易いという問題があった。」（第５の１（１）【００１４】）ことを課題としている。
　そして，溶融はんだを突堤により塞き止めて，次に半導体素子を押圧し塞き止められた状態の溶融はんだを外側まで濡れ広げる技術は，引用文献４に記載されているが，引用文献４に記載された技術を引用発明に採用すると，この際に外側まで濡れ広がる溶融はんだは「凹所内に収容され凹所の上面より高い」部分，すなわち溶融はんだの表面張力により盛り上がった部分のみとなるから，ペースト状の半田材を用いる引用発明に引用文献４に記載された技術を採用すると，外側に広がる溶融はんだの量が減少する。すると，「ダイボンディング材の厚さを確保する」という引用発明の目的に反することになるから，相違点２を解消することには阻害要因がある。
　さらに，引用文献２−４に記載された溶融はんだを用いるものを引用発明に採用する動機づけがない。
（３）まとめ
　したがって，本願発明１は，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　２　本願発明２−３について
　本願発明２−３は，本願発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，前記１と同様の理由により，引用文献１−４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第７　原査定について
　１　理由（特許法第２９条第２項）について
　平成３０年６月２０日付け手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１の「リードフレームの表面に設けられた凹状領域に溶融はんだを供給する工程と，前記リードフレームの上に，前記凹状領域を覆うように電力用半導体素子を搭載する工程とを含み，前記電力用半導体素子を搭載する工程では，塞き止められた状態の溶融はんだを前記段差部の外側まで濡れ広げることを特徴とする」ことは，原査定の引用文献１−６には記載されていないし，周知技術でもない。
　よって，本願発明１−３は，当業者が原査定の引用文献１−６に基づいて容易に発明できたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。