【事件の表示】
　特願２０１１−１３８８６４「洗浄液及び基板の研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月１０日出願公開，特開２０１３−　　８７５１，請求項の数（１５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月２２日の出願であって，平成２６年５月９日に審査請求がなされ，平成２７年６月９日付けで拒絶理由通知がされ，同年８月１７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年３月３日付けで拒絶理由通知がされ，同年５月６日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月４日付けで拒絶査定（原査定）がされ，平成２９年１月６日に拒絶査定不服審判の請求がされ，同年９月２９日付けで拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）がされ，同年１２月４日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年１０月４日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）この出願の請求項１ないし１９に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
文献１．特開２００５−２６０２１３号公報
文献３．国際公開第２０１０／０６７８４４号
文献４．特開２０１０−１６３６０８号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
  
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）  
  
・請求項　１−１９  
・引用文献１−９  
  
・備考　  
　ア　引例１を主引例とした検討 
（ア）請求項１，５−９，１１−１２，１６−１９について 
　引例１の請求項１，請求項５，請求項６，【０００１】，【００２２】，【００２５】，【００３２】，【００４９】−【００５４】，【表４】等の記載を参照されたい。 
　引例１の実施例４には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。 
「平均分子量約２５００のポリアクリル酸アンモニウム０．２０重量％と，１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸，過酸化水素，純水を含有し， 
　ｐＨ５．２であるセリア系スラリーを用いて被研磨膜であるプラズマＴＥＯＳを有する直径２００ｍｍのＳｉウエハ基板をＣＭＰ研磨したＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液。」 
 　 
　ここで，引用発明１の「セリア系スラリー」は，本願の請求項１に記載された発明（以下「本願発明１」という。）の「セリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液」に相当する。 
　また，引例２の【００２８】，【００２９】，引例３の【００６６】，引例４の【００２８】等の記載及び技術常識に照らして，引用発明１の「ポリアクリル酸アンモニウム」は，「『アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む』『アニオン性界面活性剤』」の一種であるといえる。 
　そうすると，引用発明１と本願発明１とは，以下の点で相違し，その余において一致する。 
・相違点１：本願発明１のセリア砥粒が，ＣＭＰ研磨液中において，プラスのゼータ電位を有するのに対して，引用発明１では明示されていない点。 
・相違点２：本願発明１の洗浄液が，「ｐＨ調整剤」を含有するのに対して，引用発明１は含有していない点。 
  
　以下，相違点について検討する。 
・相違点１について 
　引例５の【００２３】−【００４０】，引例６の【００３４】の【表１】の比較例１８，引例７の［００７７］等の記載に照らして，ＣＭＰ研磨液中においてセリア砥粒はプラスのゼータ電位を有するといえるから，引例１の実施例４における前記セリア砥粒もまたＣＭＰ研磨液中において，プラスのゼータ電位を有するものと認められる。 
　したがって，相違点１は，実質的なものではない。 
　また，仮に相違点１が実質的なものであったとしても，引例５の【００４０】には，砥粒の研磨剤中でのゼータ電位が正電位であることが望ましいことが記載されているから，引例１のセリア砥粒のゼータ電位をプラスとすることは当業者が容易になし得たことである。 
・相違点２について 
　引例１の【００２５】に，洗浄液のｐＨが２〜７であることが望ましいことが記載されているから，必要に応じて，洗浄液に「ｐＨ調整剤」を含有することは当業者が適宜なし得たことである。 
  
・効果について 
　引例１の表４には，実施例４の残留粒子が２８個／基板であることが示されており，これは，本願明細書の【０１０７】の【表２】に示された実施例と同等といえる。したがって，本願発明１は，引用発明１に比べて格別の効果を奏するものとはいえない。 
  
（イ）請求項２−４，１０，１４，１５について 
　引例７の［００２２］，［００２６］，［００５１］−［００５４］等の記載を参照されたい。引例１に記載された発明において，研磨速度を高めるために，４−ピロン系化合物から選ばれる本願明細書の一般式（１）で表される化合物を添加することは当業者が容易になし得たことである。 
  
（ウ）請求項１３について 
　引例８の請求項１２，【００８０】，【０１０５】等の記載を参照されたい。引用発明１において，定盤上で洗浄することは容易になし得たことである。 
  
　イ　引例９を主引例とした検討 
・請求項１−１９について 
　引例９の請求項１，２，５，８，【０００１】，【００１１】−【００１３】等の記載を参照されたい。 
　引例９には，半導体装置の製造工程等において，半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄にする洗浄技術が記載されており，【００１１】−【００１３】には，例外的に正のゼータ電位を有するＡｌ（通常，表面に酸化膜を形成している）が，静電的にＳｉ基板に付着し易いところ，ゼータ電位を制御できる物質としてアニオン性界面活性剤を添加することにより，基板への付着を低減し，付着異物数を少なくするという発明が記載されている。 
　一方，引例１，引例７等に照らして，半導体装置の製造工程において，セリア砥粒を用いたＣＭＰ工程に引き続いて，当該砥粒等を基板表面から除去する洗浄工程を行うことは周知であるところ，セリア砥粒を用いたＣＭＰ工程において当該セリア砥粒はプラスのゼータ電位を有することが知られており（上記ア（ア）を参照），これは，引例９の「例外的に正のゼータ電位を有するＡｌ（通常，表面に酸化膜を形成している）」と同様といえるから，引例９に記載された発明を，セリア砥粒を用いたＣＭＰ工程に引き続く洗浄工程で用いることは当業者が容易に想到し得たことである。 
　なお，引例９には，アニオン性界面活性剤として，「アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む」ものを選択するとは記載されていない。 
　しかしながら，本願明細書には，添加剤がアンモニア，ノニオン性界面活性剤Ａである比較例１ないし４，及び，添加剤を含まない比較例５との対比において，種類Ａ及びＢのアニオン性界面活性剤を含む洗浄液を用いた実施例１ないし７が優れていることが示されているだけであって，アニオン性界面活性剤として，特に「アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む」ものを選択したことによる格別の効果は示されていない。 
　しかも，前記実施例１ないし７で示される，コンタミネーション数が１６ないし４１個／枚という結果は，引例１の【００５３】【表４】の実施例４に示された，残留粒子２８個／基板という結果と比べて格別のものとは認められない。 
　してみれば，引例９に記載された発明のアニオン性界面活性剤を，アニオン性界面活性剤として周知であるといえる「アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む」ものとすることは当業者が適宜なし得たことである。 
  
  
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧  
１．特開２００４−２２９８６号公報 
２．特開２００９−７１０６２号公報 
３．特開２００８−２３１１７６号公報 
４．特開２０００−２６７３０２号公報 
５．特開２００９−２９０１８８号公報 
６．特開２００８−１１７８０７号公報 
７．国際公開２０１０／０６７８４４号 
８．特開２００８−４７８４２号公報 
９．特開平６−１３２２６７号公報 
 
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は，平成２９年１２月４日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定される発明であり，独立形式で記載された請求項に係る発明である，本願発明１，本願発明７及び本願発明８は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　アニオン性界面活性剤，水及びｐＨ調整剤を含有し，前記アニオン性界面活性剤は，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含み，
　前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であり，
　前記アニオン性界面活性剤の含有率が，全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下である，
　プラスのゼータ電位を有するセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて被研磨膜を有する基板を研磨したＣＭＰ処理後の基板洗浄用の洗浄液。」
「【請求項７】
　プラスのゼータ電位を有するセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて，被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と，
　アニオン性界面活性剤，水及びｐＨ調整剤を含有する洗浄液を，前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して，前記面を洗浄する洗浄工程と，
を有し，
　前記アニオン性界面活性剤は，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含み，
　前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であり，
　前記洗浄液におけるアニオン性界面活性剤の含有率が，全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下である，基板の研磨方法。」
「【請求項８】
　４−ピロン系化合物及びプラスのゼータ電位を有するセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて，被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と，
　アニオン性界面活性剤，水及びｐＨ調整剤を含有する洗浄液を，前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して，前記面を洗浄する洗浄工程と，
を有し，
　前記アニオン性界面活性剤は，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含み，
　前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であり，
　前記洗浄液におけるアニオン性界面活性剤の含有率が，全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下である，基板の研磨方法。」
第５　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
　当審拒絶理由で引用した引用文献１（特開２００４−２２９８６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「【請求項１】
シリコンウエハ上に形成された膜を平坦化研磨後に洗浄するための洗浄液であって，ジホスホン酸，過酸化水素，重量平均分子量が１０００〜３０００であるポリアクリル酸塩，及び水を含有することを特徴とする洗浄液
「【請求項５】
前記ポリアクリル酸塩が，ポリアクリル酸アンモニウム塩またはポリアクリル酸テトラメチルアンモニウム塩からなり，かつ，前記ポリアクリル酸塩を，０.０００１重量％〜０.５重量％含む
【請求項６】
化学的機械的研磨処理後に
請求項１〜５のいずれかに記載の洗浄液を用いて半導体基板表面を洗浄する
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体デバイスの製造工程である化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：以後「ＣＭＰ」と呼ぶ）による平坦化工程後洗浄に使用される洗浄液，及び，それを用いる半導体基板表面の洗浄処理方法に関する。」
「【００１９】
また，
本発明にかかる洗浄液において，低分子量ポリアクリル酸塩の含有量は０.０００１重量％〜０.５重量％であることが好ましく，特に０.００５重量％〜０.２重量％であることが好ましい。０.０００１重量％未満では粒子除去効果が劣る傾向がある。また，０．５重量％を越えると３成分の配合バランスが悪くなり，金属汚染除去及び粒子除去効果が劣る傾向がある
「【００２２】
本発明にかかる洗浄液は，溶媒として水を使用する。本発明において，水溶性有機溶媒を併用しても良い。この場合，沸点の低い水溶性有機溶媒（たとえば，メタノール，エタノール，イソプロパノール等）を用いることが好ましい。」
「【００２５】
本発明にかかる洗浄液のｐＨは，特に制限はないが，２〜７であることが望ましい
「【００３２】
【実施例】
Ａ．　ＩＬＤ膜研磨後の洗浄評価試験（実施例１，比較例１）
（１）　研磨基板の作成
ＩＬＤ膜研磨後における洗浄液の洗浄効果を確認するため，基板上のＩＬＤ膜を研磨した研磨基板を作成した。
基板としては，直径２００ｍｍのＳｉウエハ基板上に形成された約５０００ÅのプラズマＴＥＯＳ膜上に，高さ約０.６μｍ，ラインアンドスペース約６μｍのアルミ配線を付け，アルミ配線の上に更に約０．８μｍの前記ＴＥＯＳ膜が埋め込まれているものを用いた
「【００４９】
Ｄ．　ＩＬＤ膜研磨後の洗浄評価試験（実施例４，比較例４）
（１）　研磨基板の作成
プラズマＴＥＯＳ膜をセリア系スラリーで研磨した後の洗浄
基板上のＩＬＤ膜をセリア系スラリーで研磨
研磨剤としては，約１５０ｎｍの平均粒子径を持つセリア微粒子粉末２．０重量％，２種の平均分子量（約１２００，約１５０００）を１：１の比率で有するポリアクリル酸アンモニウム０．１重量％を含有し，ｐＨ５．２であるスラリーを調製して用いた
【００５０】
（２）　洗浄液の調製
実施例４
純水を含む洗浄液が５．０リットルになるように，重量平均分子量約２５００のポリアクリル酸アンモニウム０．２０重量％，１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸０．０３重量％，過酸化水素０．２０重量％を順次混合し洗浄液を調製した
比較例４
ポリアクリル酸塩として，重量平均分子量が１２０００であるポリアクリル酸アンモニウムを用いた以外は実施例４と同様の組成を有する洗浄液を調製した。
【００５１】
（３）　洗浄液による洗浄試験
実施例４
によって得られた洗浄液を使用して，上記研磨基板４を洗浄
【００５２】
実施例４および比較例４で得られた洗浄液の組成およびそれを用いて研磨基板４を洗浄した後のパーティクル量及び金属汚染の評価結果を表４に示す。
【００５３】
【表４】
　＜途中省略＞
表４から明らかなように，実施例４で得られた洗浄液によれば，０.２０μｍ以上の粒子は２８個と少なく良い洗浄結果であった。また金属汚染もＮｉは２８.０×１０10ａｔｏｍｓ/ｃｍ2，Ｆｅは３０.０×１０10ａｔｏｍｓ/ｃｍ2と通常の除去効果があった。このように，本発明洗浄液は汚染粒子および金属汚染に対してよい除去効果があった。
一方，比較例４で得られた洗浄液によれば，０.２０μｍ以上の粒子は８３個と多く残り比較例３と同じく刺さった粒子が見受けられ，悪い洗浄結果であった。詳細な表面観察の結果，本発明法洗浄液による洗浄より砥粒粒子が刺さったように見受けられるのが多く目立った。金属汚染は，Ｎｉは２５.０×１０10ａｔｏｍｓ/ｃｍ2，Ｆｅは３６.０×１０10ａｔｏｍｓ/ｃｍ2と汚染は実施例４の場合と変らなかった。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば，硬度の低い被洗浄材料による膜であっても，また，パターンを形成した膜であっても，膜に影響を与えることなく，膜の付着物質，残留物質を効果的に除去することができる。」
  
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。），及び，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・引用発明１
「純水を含む洗浄液が５．０リットルになるように，重量平均分子量約２５００のポリアクリル酸アンモニウム０．２０重量％，１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸０．０３重量％，過酸化水素０．２０重量％を順次混合して調整した洗浄液であって，
　直径２００ｍｍのＳｉウエハ基板上に形成された約５０００ÅのプラズマＴＥＯＳ膜上に，高さ約０.６μｍ，ラインアンドスペース約６μｍのアルミ配線を付け，アルミ配線の上に更に約０．８μｍの前記ＴＥＯＳ膜が埋め込まれている基板の，該基板上のＩＬＤ膜を，約１５０ｎｍの平均粒子径を持つセリア微粒子粉末２．０重量％，２種の平均分子量（約１２００，約１５０００）を１：１の比率で有するポリアクリル酸アンモニウム０．１重量％を含有し，ｐＨ５．２であるスラリーを調製した研磨剤を用いて化学的機械的研磨処理をした後の，前記基板の表面を洗浄するための洗浄液。」
・引用文献１の記載から理解される技術的事項
　引用文献１に記載された発明に係る洗浄液において，低分子量ポリアクリル酸塩の含有量は０.０００１重量％〜０.５重量％であることが好ましく，特に０.００５重量％〜０.２重量％であることが好ましく，０.０００１重量％未満では粒子除去効果が劣る傾向があり，また，０．５重量％を越えると３成分の配合バランスが悪くなり，金属汚染除去及び粒子除去効果が劣る傾向があること。
　２　引用文献２ないし１２について
　ア　当審拒絶理由で引用した引用文献２（特開２００９−７１０６２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２８】
　第１及び第２の研磨液に含まれる
アニオン性界面活性剤
親水基としてカルボキシル基
を有する界面活性剤
【００２９】
　
親水基としてカルボキシル基を有するものとしては
ポリアクリル酸アンモニウム
 
　上記記載と技術常識から，「ポリアクリル酸アンモニウム」が，「『アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む』『アニオン性界面活性剤』」の一種であるといえる技術的事項が理解される。
　イ　当審拒絶理由で引用した引用文献３（特開２００８−２３１１７６号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００６６】
〈実施例５〉
　図９に，
アニオン性界面活性剤である，ポリアクリル酸アンモニウム水溶液
 
　上記記載と技術常識から，「ポリアクリル酸アンモニウム」が，「『アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む』『アニオン性界面活性剤』」の一種であるといえる技術的事項が理解される。
　ウ　当審拒絶理由で引用した引用文献４（特開２０００−２６７３０２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２８】アニオン性界面活性剤の具体例としては，脂肪酸塩，アルキル硫酸エステルアルカリ塩，ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸アルカリ塩，アルキルスルホコハク酸アルカリ塩，ポリカルボン酸型高分子界面活性剤等が挙げられる。ここでアルカリ塩とは，ナトリウム，カリウム，アルカノールアミン，アンモニア等との中和物のことをいう。
アニオン性界面活性剤の具体例としては
ポリアクリル酸アンモニウム等が挙げられる
　上記記載と技術常識から，「ポリアクリル酸アンモニウム」が，「『アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む』『アニオン性界面活性剤』」の一種であるといえる技術的事項が理解される。
　エ　当審拒絶理由で引用した引用文献５（特開２００９−２９０１８８号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２３】
（
砥粒
　本発明の研磨剤において，砥粒は，４価の
酸化セリウム粒子
　【００２４】
（４価の酸化セリウム粒子）
　一般に，４価の酸化セリウム粒子（以下，単に酸化セリウム粒子）は，炭酸塩，硝酸塩，硫酸塩，しゅう酸塩等のセリウム化合物を酸化することによって得られる。酸化の方法としては，焼成又は過酸化水素等による酸化法を使用することができる。焼成の場合，焼成温度は３５０℃以上９００℃以下が好ましい。また，酸化セリウム粒子を作製する方法として，水熱合成法を用いることもできる。例えば，水酸化セリウム等の前駆体を，水中で１００℃以上に加熱する方法を挙げることができる。
【００２５】
　酸化セリウム粒子として，市販のセリア粒子を用いることもできる。例えば，ナノフェーズ・テクノロジーズ社，フェロ社，アドバンスド・ナノ・プロダクツ社，ローディア・エレクトロニクス・アンド・カタリシシス社，シーアイ化成株式会社等により販売されているものなどを挙げることができる。
【００２６】
（４価の水酸化セリウム粒子）
　一般に，４価の水酸化セリウム粒子（以下，単に水酸化セリウム粒子）は，セリウム塩とアルカリ液とを混合して水酸化セリウム粒子を析出する方法で得られる。この方法は，例えば「希土類の科学」（足立吟也編，株式会社化学同人，１９９９年）３０４〜３０５頁に説明されている。セリウム塩としては，例えばＣｅ（ＳＯ４）２，Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６，Ｃｅ（ＮＨ４）４（ＳＯ４）４等が好ましい。アルカリ液はアンモニア水，水酸化カリウム水溶液，水酸化ナトリウム水溶液等が使用できる。研磨剤を半導体デバイス製造に用いる観点からは，アルカリ金属を含まないアンモニア水が好ましい。前記方法で合成された水酸化セリウム粒子は，洗浄して金属不純物を除去できる。洗浄方法としては，遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法等が使用できる。
　また，半導体デバイスの製造に係る研磨に使用することから，アルカリ金属及びハロゲン類の含有率は水酸化セリウム粒子中１０ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【００２７】
　本発明において，砥粒は，酸化セリウム粒子と，水酸化セリウム粒子と，必要に応じて他の粒子とを混合することで得られる。この際，混合方法には特に制限が無く，それぞれの乾燥粉を混合する方法，どちらか一方を媒体に分散した分散液に他の乾燥粉を混合する方法，それぞれの分散液を混合する方法等を挙げることができる。
【００２８】
　また，酸化セリウム粒子の分散液，セリウム塩及びアルカリ液を混合し，酸化セリウム粒子の分散液中で水酸化セリウム粒子を析出させてもよい。また，水酸化セリウム粒子を水中で加熱し，水酸化セリウム粒子の一部を酸化セリウム粒子に変換してもよい。
【００２９】
　また，研磨剤中で酸化セリウム粒子と水酸化セリウム粒子とは，結合していても結合していなくてもよい。結合している場合，結合形態には特に制限が無く，共有結合，ファンデルワールス力，静電引力，双極子−双極子相互作用，疎水結合，水素結合等が挙げられる。
【００３０】
　本発明において，砥粒の分散性を向上させるために砥粒を機械的に粉砕してもよい。粉砕方法としては，ジェットミル等による乾式粉砕や遊星ビーズミル等による湿式粉砕が好ましい。
【００３１】
　また，砥粒を水中に分散させる際，その分散方法に特に制限は無い。通常の攪拌機による分散処理の他に，ホモジナイザ，超音波分散機，湿式ボールミル等を用いることができる。分散方法，粒径制御方法については，例えば，分散技術大全集（情報機構，２００５年７月）に記述されている方法を用いることができる。
【００３２】
　酸化セリウム粒子や水酸化セリウム粒子の１次粒径は，大きいほど高速研磨が可能となるが，研磨傷が入りやすい傾向がある。そこで，本発明で用いる酸化セリウム粒子と水酸化セリウム粒子の１次粒径は，それぞれ１ｎｍ以上７０ｎｍ以下とする。少なくとも一方の粒子の１次粒径が１ｎｍより小さいと実用的な研磨速度が得られない傾向があり，また，いずれか一方の粒子の１次粒径が７０ｎｍより大きいと研磨傷が顕著になる傾向がある。当該１次粒径は，１ｎｍ以上７０ｎｍ以下が好ましく，２ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましく，３ｎｍ以上１５ｎｍ以下がさらに好ましい。
【００３３】
（１次粒径）
　本発明において，１次粒子とは，例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）等により粉体状態で観察した際に認められる結晶子に相当する最小単位の粒子をいう。本発明では，透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真を撮り，１次粒子を２本の平行線で挟んだとき，その間隔が最小の部分の値を短径，最大の部分の値を長径とし，その短径と長径との平均を結晶子の粒径とした。そしてランダムに選択した１００個の結晶子の粒径を測定し，その算術平均を１次粒径とする。
【００３４】
　なお，セリウム化合物を焼成して得られる酸化セリウム粒子は，その焼成条件によって，結晶粒界に囲まれた複数の結晶子からなる多結晶体を形成することがある。多結晶体は，複数の一次粒子が単に凝集した凝集体とは異なる。この場合，前記１次粒子とは，多結晶体一つではなく，結晶粒界に囲まれた結晶子一つを指す。
【００３５】
（２次粒径）
　砥粒の２次粒径（研磨剤中での凝集体粒径）が小さすぎると，粒子の表面エネルギーが高くなり，粒子同士が凝集しやすくなる。その結果，研磨剤中で２次粒径が変動してしまい，研磨速度等のＣＭＰ特性が安定しなくなる傾向がある。また，砥粒の２次粒径が大きすぎると，粒子の重量が増加して研磨剤中で沈降しやすくなるため，研磨に寄与する砥粒の有効数が減少して研磨速度が低下する傾向がある。
　そこで，本発明で用いる砥粒の２次粒径は，１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とする。２次粒径が１０ｎｍ以上であれば研磨剤中で２次粒径の安定性の低下を抑制することができ，また，２次粒径が４００ｎｍ以下であれば研磨剤中で粒子の沈降を抑制できる傾向がある。そのような観点で，前記２次粒径としては４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく，６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましい。
【００３６】
　本発明で，４価の金属水酸化物粒子の平均粒径とは，動的光散乱法を用い，キュムラント解析で得られるＺ−ａｖｅｒａｇｅ　Ｓｉｚｅをいう。測定には，例えば，ゼータサイザーナノＳ（マルバーン・インスツルメンツ社）を使用でき，動的光散乱測定において多重散乱が起こらない程度に研磨剤を水で希釈して測定することができる。具体的には，例えば，研磨剤を砥粒濃度が０．０５重量％となるように水で希釈し，分散媒の屈折率を１．３３，粘度を０．８８７とし，２５℃において測定を行い，Ｚ−ａｖｅｒａｇｅ　Ｓｉｚｅとして表示される値を読み取る。
【００３７】
（水酸化セリウム粒子の含有量）
　本発明において，パターン研磨速度を向上させることができる点で，水酸化セリウム粒子が砥粒全量に対して５重量％以上含まれることが好ましい。水酸化セリウムを５重量％以上含むことで，酸化セリウム粒子を単独で用いた場合に比べてパターン研磨速度が加速される効果を顕著に得ることができる。含有量としては，パターン研磨速度がより向上するという点で，１０重量％以上であることがより好ましく，１５重量％以上であることがさらに好ましく，２０重量％以上であることが極めて好ましい。
【００３８】
　前記水酸化セリウム粒子を添加すると，酸化セリウム粒子を単独で用いた場合に比べてパターン研磨速度が加速される傾向があるが，ある程度の添加量を超えると，それ以上パターン研磨速度が加速されなくなる傾向がある。また，水酸化セリウム粒子の添加量を増やすことによりブランケット研磨速度が少しずつ向上する傾向がある。このため，水酸化セリウム粒子を多量に添加すると，ブランケット研磨速度に対するパターン研磨速度の比が小さくなってしまう傾向がある。
　このような点で，前記酸化セリウムの含有量としては，砥粒全量に対して９５重量％以下含まれることが好ましく，９０重量％以下であることがより好ましく，８５重量％以下であることがさらに好ましく，８０重量％以下であることが特に好ましく，７５重量％以下であることが極めて好ましく，７０重量％以下であることが最も好ましい。
【００３９】
　最終的な研磨剤に含まれる砥粒において水酸化セリウム粒子の含有量を同定する方法として，熱重量分析法が挙げられる（前記「希土類の科学」参照）。例えば，米国特許第５３８９３５２号明細書で開示しているようにセリウム塩の焼成によって得られた酸化セリウム粒子と，セリウム塩とアルカリ液との混合によって得られた水酸化セリウムを，それぞれ４０℃で１５時間乾燥した後に熱重量分析する。このとき，１０００℃までの重量減少は，酸化セリウム粒子の場合は３重量％，水酸化セリウム粒子の場合は１７〜２６重量％である。水酸化セリウム粒子の化学式はＣｅ（ＯＨ）４又はＣｅＯ２・２Ｈ２Ｏと表され，酸化セリウム粒子との重量減少の差は結晶水である。例えば，水酸化セリウム粒子が砥粒全量に対して５重量％含まれる場合，前記方法で測定される砥粒の重量減少は３．７〜４．２重量％であり，酸化セリウム粒子単独の重量減少（３重量％）と区別できる。また例えば，水酸化セリウム粒子が砥粒に対して９５重量％含まれる場合，前記方法で測定される砥粒の重量減少は１６．３〜２４．９重量％であり，水酸化セリウム粒子単独の重量減少（１７〜２６重量％）と区別できる。
【００４０】
　
本発明において，砥粒の研磨剤中でのゼータ電位は正電位であることが好ましい
　上記記載から，ＣＭＰ研磨液中においてセリア砥粒はプラスのゼータ電位を有するといえる技術的事項が理解される。
　オ　当審拒絶理由で引用した引用文献６（特開２００８−１１７８０７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　【００３４】の【表１】の，「比較例１８」には，「砥粒」が，「セリア」で，「ゼータ電位［ｍＶ］」が，「２２．７」であることが記載されている。
　上記記載から，セリア砥粒はプラスのゼータ電位を有するといえる技術的事項が理解される。
　カ　当審拒絶理由で引用した引用文献７（国際公開第２０１０／０６７８４４号：平成２８年３月３日付け拒絶理由通知書で引用した文献３）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「［００７７］また，研磨液のｐＨを１．５〜８．０の範囲内に調整することで，次の２つの効果が得られると考えられる。
　（１）プロトンやヒドロキシアニオンが，添加剤として配合した化合物に作用して，当該化合物の化学形態が変化し，基板表面の酸化ケイ素膜又はストッパ膜である窒化ケイ素膜に対する濡れ性や親和性が向上する。
　（２）
砥粒が酸化セリウムである場合
酸化セリウムはゼータ電位の符号が正である
　上記記載から，研磨液中においてセリア砥粒はプラスのゼータ電位を有するといえる技術的事項が理解される。
　キ　当審拒絶理由で引用した引用文献８（特開２００８−４７８４２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１１】
　請求項１〜１０のいずれかに記載の
洗浄用組成物を使用して化学機械研磨後の半導体基板を洗浄
【請求項１２】
　
上記洗浄が，定盤上洗浄
　上記記載から，洗浄用組成物を使用して化学機械研磨後の半導体基板を，定盤上洗浄で行うという技術的事項が理解される。
　ク　当審拒絶理由で引用した引用文献９（特開平６−１３２２６７号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
酸とアンモニア水との混合溶液からなる中性乃至酸性溶液に，溶液中に存在する微粒子のゼータ電位を制御できる物質を，臨界ミセル濃度以下の濃度で添加含有せしめて成る液中異物付着防止溶液
【請求項２】上記微粒子のゼータ電位を制御できる物質を，
アニオン性界面活性剤
「【請求項５】
被処理基板を洗浄液で洗浄するに際し，前記被処理基板を請求項１乃至４何れか記載の液中異物付着防止溶液中に浸漬する処理工程
「【請求項８】
上記被処理基板が半導体ウェハからなり，これを上記液中異物付着防止溶液中に所定時間浸漬した後，アルコール類から成る有機溶剤を添加した純水でのリンス工程と，前記リンス工程に引き続いて水洗し乾燥する工程とを付加して成る
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体装置の製造工程等において，半導体ウエハ等半導体基板の表面を清浄にする洗浄技術に関する。」
「【００１１】
【作用】酸とアンモニア水の混合溶液中で異物付着が起き易いのは，基板や異物のゼータ電位から説明できる。まず，ゼータ電位について簡単に述べる。空気中で帯電していなくても，ほとんどの異物（洗浄により除去する対象物）あるいは基板は液の水素イオン濃度（ｐＨ）にもよるが，本発明の対象とする中性から酸性側では水溶液中で負に帯電するという性質がある。ただし，Ａｌ（通常，表面に酸化膜を形成している）は例外的に正に帯電している。この際の異物あるいは基板の溶液中における表面電位をゼータ電位と言う。帯電のメカニズム等詳細については，例えば北原文雄著「分散，乳化系の化学」（工学図書Ｓ５４年）を参照されたい。
【００１２】異物の付着現象は，ゼータ電位に基づく静電的反発力の大小で説明することができる。酸とアンモニア水の混合溶液中で異物付着が起き易いのは次の２点による。
（１）
配線材料としてＡｌを用いた場合，配線パターン形成後の基板にはＡｌの異物がよく見られるが，Ａｌのゼータ電位は正，Ｓｉ基板のゼータ電位は負であるためＡｌは静電的にＳｉ基板に付着し易い
（２）Ａｌ以外のほとんどの異物のゼータ電位は負であるが，酸とアンモニア水の混合液中ではゼータ電位の絶対値が小さくなっている。また，Ｓｉ基板のゼータ電位の絶対値も小さくなっており，基板，異物間の静電気反発力が低下してしまうため，付着は起き易い。
【００１３】酸とアンモニア水の混合溶液中では，上記したように異物，基板間の静電気反発力が低下してしまうため，異物が付着し易くなると考えられる。本発明は，酸とアンモニア水の混合溶液中にゼータ電位を制御できる物質としてアニオン性界面活性剤を添加することにより，Ａｌに対してはそのゼータ電位を負の値にし，他の異物や基板に対してはそのゼータ電位をより低くする（絶対値を大きくする）というものである。
そのために異物，基板間の静電気反発力が増大し異物の付着が防止あるいは低減される
　
　上記記載から，引用文献９には，以下の発明が記載されていると認められる。
「酸とアンモニア水との混合溶液からなる中性乃至酸性溶液に，溶液中に存在する微粒子のゼータ電位を制御できる
アニオン性界面活性剤として成る
配線材料としてＡｌを用いた配線パターン形成後の基板に付着した，ゼータ電位が正であるＡｌの異物の付着を防止あるいは低減する
　半導体ウェハからなる被処理基板を，前記液中異物付着防止溶液中に所定時間浸漬する処理工程，前記処理工程後にアルコール類から成る有機溶剤を添加した純水でリンスする工程と，前記リンス工程に引き続いて水洗し乾燥する工程とを含む洗浄方法で使用する液中異物付着防止溶液。」
　ケ　引用文献１０（特開２００５−２６０２１３号公報：平成２８年３月３日付け拒絶理由通知書で引用した文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１５】
　
本発明の半導体デバイス用基板の洗浄方法
ＣＭＰ処理後の半導体デバイス用基板を洗浄
「【００１９】
　
本発明の洗浄液は，成分（ａ）として有機酸，成分（ｂ）として有機アルカリ成分，成分（ｃ）として界面活性剤，成分（ｄ）として水を含み，かつｐＨが１．５以上６．５未満のものである
【００２０】
　本発明において，成分（ａ）の有機酸とは，水中で酸性（ｐＨ＜７）を示す有機化合物の総称で，カルボキシル基（−ＣＯＯＨ），スルホ基（−ＳＯ３Ｈ），フェノール性ヒドロキシル基（ＡｒＯＨ：Ａｒはフェニル基等のアリール基），メルカプト基（−ＳＨ）等の酸性の官能基を持つものを表す。使用される有機酸は特に限定されないが，官能基にカルボキシル基を持つカルボン酸が好ましい。より好ましくは，カルボキシル基を１以上有する炭素数１〜１０の有機化合物であり，更に好ましくは炭素数１〜８の有機化合物であり，中でも好ましくは炭素数１〜６の有機化合物である。」
「【００３０】
　本発明において，
成分（ｃ）として使用する界面活性剤は特に限定されず，アニオン系界面活性剤，ノニオン系界面活性剤，カチオン系界面活性剤，両性界面活性剤が挙げられる
【００３１】
　
本発明の洗浄液中における成分（ｃ）の含有量は，パーティクル汚染除去性能を充分得るためには，洗浄液に対して通常０．０００１重量％以上，好ましくは０．０００３重量％以上，さらに好ましくは０．００１重量％以上とする。ただし，過度の泡立ちを抑えることや廃液処理の負荷を軽減することを重視すれば，成分（ｃ）の含有量は通常１重量％以下，好ましくは０．１重量％以下，さらに好ましくは０．０５重量％以下とする。成分（ｃ）の濃度が高すぎてもそれ以上の効果は得られない
【００３２】
　なお，成分（ｃ）としての界面活性剤は，通常市販されている形態において１〜数千重量ｐｐｍ程度のＮａ，Ｋ，Ｆｅ等の金属不純物を含有している場合があり，この場合には，成分（ｃ）が金属汚染源となる。そのため，成分（ｃ）として使用する界面活性剤に金属不純物が含まれる場合には，各々の金属不純物の含有量が，通常１０ｐｐｍ以下，好ましくは１ｐｐｍ以下，更に好ましくは０．３ｐｐｍ以下となるように，界面活性剤を精製して使用することが好ましい。この精製方法としては，例えば，界面活性剤を水に溶解した後，イオン交換樹脂に通液し，樹脂に金属不純物を捕捉させる方法が好適である。このようにして精製された成分（ｃ）を使用することで，金属不純物含有量が極めて低減された洗浄液を得ることができる。
【００３３】
　本発明においては成分（ｄ）としては水を使用する。水としては，高清浄な基板表面を得たい場合は，通常，脱イオン水，好ましくは超純水が用いられる。また，水の電気分解によって得られる電解イオン水や，水に水素ガスを溶存させた水素水などを使用することもできる。
【００３４】
　本発明の洗浄液におけるｐＨは，基板表面の腐食を抑えるためには１．５以上，好ましくは２以上，更に好ましくは３以上とする。ただし金属汚染の除去を充分に行うためには，ｐＨは６．５未満，好ましくは６以下，更に好ましくは５以下とする。」
「【００５６】
　表面にＣｕや低誘電率絶縁膜を有する基板の洗浄を行う工程としては，特に，Ｃｕ膜に対してＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を行った後の洗浄工程，配線上の層間絶縁膜にドライエッチングによりホールを開けた後の洗浄工程が挙げられ，上記の効果を奏する本発明の洗浄液が好適に使用される。
　【００５７】
　
ＣＭＰ工程では，研磨剤を用いて基板をパッドに擦り付けて研磨が行われる。研磨剤成分としては，研磨粒子，酸化剤，分散剤やその他添加剤が含まれる。研磨粒子としては，コロイダルシリカ（ＳｉＯ
２
），フュームドシリカ（ＳｉＯ
２
），アルミナ（Ａｌ
２
Ｏ
３
），セリア（ＣｅＯ
２
）などが挙げられる
「【００６１】
　また，本発明の洗浄方法は，物理力による洗浄方法，特に，洗浄ブラシを使用したスクラブ洗浄や周波数０．５メガヘルツ以上の超音波洗浄を併用するならば，パーティクル汚染の除去性が更に向上し，洗浄時間の短縮にも繋がるので好ましい。特に，ＣＭＰ後の洗浄においては，樹脂製ブラシを使用してスクラブ洗浄を行うのが好ましい。樹脂製ブラシの材質は，任意に選択し得るが，例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を使用するのが好ましい。」
　
　上記記載から，引用文献１０には，以下の発明が記載されていると認められる。
「成分（ａ）として有機酸，成分（ｂ）として有機アルカリ成分，成分（ｃ）として界面活性剤，成分（ｄ）として水を含み，かつｐＨが１．５以上６．５未満のものである洗浄液であって，
　成分（ｃ）として使用する界面活性剤は特に限定されず，アニオン系界面活性剤，ノニオン系界面活性剤，カチオン系界面活性剤，両性界面活性剤が挙げられ，
　洗浄液中における成分（ｃ）の含有量は，パーティクル汚染除去性能を充分得るためには，洗浄液に対して通常０．０００１重量％以上，好ましくは０．０００３重量％以上，さらに好ましくは０．００１重量％以上であって，かつ，過度の泡立ちを抑えることや廃液処理の負荷を軽減することを重視すれば，成分（ｃ）の含有量は通常１重量％以下，好ましくは０．１重量％以下，さらに好ましくは０．０５重量％以下であり，
　研磨剤成分として，研磨粒子として，コロイダルシリカ（ＳｉＯ２），フュームドシリカ（ＳｉＯ２），アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），セリア（ＣｅＯ２）などが用いられるＣＭＰ処理後の半導体デバイス用基板の洗浄用である洗浄液。」
　コ　引用文献１１（特開２０１０−８７２５８号公報：平成２８年３月３日付け拒絶理由通知書で引用した文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は，
半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：以後「ＣＭＰ」と呼ぶ）による平坦化工程後の半導体デバイスの洗浄に使用される洗浄剤
「【００１６】
　以下，本発明の具体的態様について説明する。
　本発明の洗浄剤は，分子内にＮＨ基を有さない特定の式で表される腐食防止剤化合物（以下，特定腐食防止化合物と称する）を含有することを特徴とし，半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨工程の後に，半導体デバイス，特に表面に銅配線が施されたデバイス表面を洗浄するのに好適に使用される。
　以下，本発明の洗浄剤に含まれる各成分について順次説明する。」
「【００３５】
＜界面活性剤＞
　本発明の洗浄剤は，界面活性剤を含有するのが，基板への濡れ性良化とそれに伴う洗浄性向上の点で好ましい。
　本発明に用いうる界面活性剤としては，アニオン性界面活性剤，ノニオン性界面活性剤または，それらの組合せからなる界面活性剤が挙げられる。カチオン性界面活性剤を添加すると，カチオン部と，併用する有機酸が相互作用し，有機酸の機能・効果が低減する。このため，アニオン性界面活性剤，ノニオン性界面活性剤または，それらの組合せからなる界面活性剤を用いることが好ましい。
　以下それぞれの界面活性剤について説明する。
【００３６】
《アニオン性界面活性剤》
　アニオン性界面活性剤としては，例えば，カルボン酸塩，スルホン酸塩，硫酸エステル塩，リン酸エステル塩が挙げられる。
　カルボン酸塩として，石鹸，Ｎ−アシルアミノ酸塩，ポリオキシエチレンまたはポリオキシプロピレンアルキルエーテルカルボン酸塩，アシル化ペプチド；
　スルホン酸塩として，アルキルスルホン酸塩，スルホコハク酸塩，α−オレフィンスルホン酸塩，Ｎ−アシルスルホン酸塩；
　硫酸エステル塩として，硫酸化油，アルキル硫酸塩，アルキルエーテル硫酸塩，ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテル硫酸塩，アルキルアミド硫酸塩；
　リン酸エステル塩として，アルキルリン酸塩，ポリオキシエチレン又はポリオキシプロピレンアルキルアリルエーテルリン酸塩等を挙げることができる。」
「【００５５】
　本発明の洗浄剤は水溶液である。即ち，前記した必須成分または所望により併用されるその他の成分が水系の溶媒中に溶解してなるものが好ましい。溶媒として使用される水としては，効果の観点から，それ自体，不純物を含まないか，その含有量を極力低減させた脱イオン水や超純水を用いることが好ましい。また，同様の観点から，水の電気分解によって得られる電解イオン水や，水に水素ガスを溶存させた水素水などを使用することもできる。
【００５６】
〔洗浄剤のｐＨ〕
　本発明の洗浄剤のｐＨは，特に制限はなく，ｐＨ０．５〜１２程度の範囲において，洗浄対象となるデバイスの特性，除去しようとする不純物の種類などにより，適宜選択して調整することができるが，被洗浄面（半導体デバイス用基板の表面）の腐食の防止，金属汚染の除去を充分行いうる観点から，ｐＨは５以下であることが好ましい。洗浄液のｐＨは，より好ましくは１〜５であり，更に好ましくは１〜３．５である。
　ｐＨを上記範囲とすることで，銅金属表面へのパーティクルの吸着を抑制し，金属汚染の除去を充分に行うことができ，さらに銅金属表面の腐食を抑制することができる。
【００５７】
　ｐＨ値は，有機酸を添加することにより調整することができる。有機酸としては，例えば，水溶性のものが望ましく，以下の群から選ばれたものがより適している。ギ酸，酢酸，プロピオン酸，酪酸，吉草酸，２−メチル酪酸，ｎ−ヘキサン酸，３，３−ジメチル酪酸，２−エチル酪酸，４−メチルペンタン酸，ｎ−ヘプタン酸，２−メチルヘキサン酸，ｎ−オクタン酸，２−エチルヘキサン酸，安息香酸，グリコール酸，サリチル酸，グリセリン酸，シュウ酸，マロン酸，コハク酸，グルタル酸，アジピン酸，ピメリン酸，マレイン酸，フタル酸，リンゴ酸，酒石酸，クエン酸，乳酸，ヒドロキシエチルイミノ二酢酸，イミノ二酢酸，ジエチルヒドロキシルグリシン等を用いることができる。」
「【００６３】
　表面にＣｕを有する基板，さらには，層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を有し，その表面に銅配線を有する基板の洗浄を行う工程としては，特に，Ｃｕ膜に対してＣＭＰを行った後の洗浄工程，配線上の層間絶縁膜にドライエッチングによりホールを開けた後の洗浄工程が挙げられるが，これらの洗浄工程においては，表面に存在する不純物金属やパーティクル等を効率的に除去することが配線の純度，精度を保持するため特に重要である。そのような観点から，これらの洗浄工程において本発明の洗浄剤が好適に使用される。また，既述のごとく，本発明の洗浄剤は，銅配線に対して腐食や酸化を生じさせることがないことから，かかる観点からも本発明の洗浄剤が好適に使用される。
　また，銅配線表面に吸着した不動態膜形成剤の残渣を効率よく除去するという目的にも本発明の洗浄剤が好適に使用される。」
「【実施例】
【００６７】
＜研磨液の調製＞
・コロイダルシリカ（砥粒：平均粒子径３０ｎｍ）　　　　　　　　　　５ｇ／Ｌ
・ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｇ／Ｌ
・グリシン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０ｇ／Ｌ
　純水を加えて全量１０００ｍＬとし，硝酸及びアンモニアを用いてｐＨを６．５に調整した。
　研磨液には，研磨直前に３０％過酸化水素（酸化剤）１５ｍｌ／Ｌを加えた。」
　上記記載から，引用文献１１には，以下の発明が記載されていると認められる。
「アニオン性界面活性剤，水及び有機酸（ｐＨ調整剤）を含有し，ＣＭＰによる平坦化工程後の半導体基板の洗浄用である洗浄剤。」
　サ　引用文献１２（特開２０１０−１６３６０８号公報：平成２８年３月３日付け拒絶理由通知書で引用した文献４）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は，電子材料用洗浄剤，更に詳しくはフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤に関するものである。」
「【０００９】
　尚，本発明の洗浄剤は，界面活性剤（Ａ）並びに必要により水（好ましくはイオン交換水又は超純水であり以下の水についても同様）及び後述のその他の成分を含有し，本発明における有効成分とは水以外の成分をいう。また，上記及び以下において，特に規定しない限り，％は重量％を表す。」
「【００１３】
　本発明の洗浄剤の必須成分である界面活性剤（Ａ）としては，非イオン性界面活性剤（Ａ−１），アニオン性界面活性剤（Ａ−２），カチオン性界面活性剤（Ａ−３）及び両性界面活性剤（Ａ−４）が挙げられる。」
「【００１８】
　アニオン性界面活性剤（Ａ−２）としては，高分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ａ−２ｂ）が挙げられる。
【００１９】
　
高分子型アニオン性界面活性剤
１，０００〜８００，０００の重量平均分子量
を有する高分子型アニオン性界面活性剤
「【００３１】
　
アニオン性界面活性剤（Ａ−２）のうち好ましいのは
高分子型アニオン性界面活性剤
特に好ましいのはポリアクリル酸（塩）
（Ａ−２）は単独で用いてもよいし，２種以上を併用して用いてもよい。パーティクルの分散性の観点から，２種以上を併用する方がより好ましい。」
「【００３５】
　本発明の洗浄剤における界面活性剤（Ａ）の含有量は，本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて，１．５〜１００％が好ましく，更に好ましくは２〜９０％，特に好ましくは３〜８０％である。」
「【００６２】
　
本発明の洗浄剤は
任意成分としての水
「【００７０】
　
その他の添加剤（Ｈ）としては
ｐＨ調整剤
「【００８１】
　本発明の電子材料用洗浄剤を希釈水で希釈した場合の有効成分濃度０．０１〜１５％における２５℃でのｐＨは，１〜１３であることが好ましく，更に好ましくは１〜５又は８〜１３，特に好ましくは１〜４又は９〜１３，最も好ましくは１〜３又は１０〜１３である。ｐＨがこの範囲にあると，基板の平坦性を損ねることなく，適度なエッチング性を有し，また微細なパーティクルの再付着防止性に優れた効果を発揮し易くなる。」
「【０１１０】
＜洗浄性評価−１＞
　市販のガラス基板（コーニング社製，ガラス板＃１７３７，縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）上にガラス板を切断（破断）した際のガラス粉５ｍｇを散布し，１０５℃のホットプレート（ＰＭＣ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製，デジタルホットプレートシリーズ７３０）上で１時間加熱して汚染基板を作製した。洗浄剤１０００ｇを２Ｌのガラス製ビーカーに採り，作製した汚染基板を浸漬し，超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で，３０℃，５分間洗浄を行った。洗浄後，基板を取り出し，超純水で十分にリンスを行った後，窒素ガスでブローして乾燥し，下記の評価点に従い，基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製，ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２，倍率４００倍）で評価した。尚，本評価は大気からの汚染を防ぐため，クラス１，０００（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ，米国連邦規格，１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
　　◎：ほぼ完全に除去できている。
　　○：ほとんど洗浄できている。
　　△：若干粒子が残留している。
　　×：ほとんど洗浄できていない。」
　上記記載から，引用文献１２には，以下の発明が記載されていると認められる。
「アニオン性界面活性剤，水及びｐＨ調整剤を含有し，前記アニオン性界面活性剤は，高分子型アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸（塩），すなわち，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む基板の洗浄用である洗浄剤。」
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）引用文献１を主引例とした進歩性の検討
　ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
（ア）引用文献２ないし４に記載された技術的事項を参酌すれば，引用発明１の「重量平均分子量約２５００のポリアクリル酸アンモニウム」は，本願発明１の「『重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であ』り，『アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含』む『アニオン性界面活性剤』」を満たすといえる。
（イ）引用文献５ないし７に記載された技術的事項を参酌すれば，引用発明１の「直径２００ｍｍのＳｉウエハ基板上に形成された約５０００ÅのプラズマＴＥＯＳ膜上に，高さ約０.６μｍ，ラインアンドスペース約６μｍのアルミ配線を付け，アルミ配線の上に更に約０．８μｍの前記ＴＥＯＳ膜が埋め込まれている基板の，該基板上のＩＬＤ膜を，約１５０ｎｍの平均粒子径を持つセリア微粒子粉末２．０重量％，２種の平均分子量（約１２００，約１５０００）を１：１の比率で有するポリアクリル酸アンモニウム０．１重量％を含有し，ｐＨ５．２であるスラリーを調製した研磨剤を用いて化学的機械的研磨処理をした後の，前記基板の表面を洗浄するため」は，本願発明１の「プラスのゼータ電位を有するセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて被研磨膜を有する基板を研磨したＣＭＰ処理後の基板洗浄用」を満たすといえる。
　したがって，本願発明１と引用発明１との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「アニオン性界面活性剤，水を含有し，前記アニオン性界面活性剤は，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含み，
　前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であり，
　プラスのゼータ電位を有するセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて被研磨膜を有する基板を研磨したＣＭＰ処理後の基板洗浄用の洗浄液。」
（相違点）
（相違点１）一致点に係る「アニオン性界面活性剤」の含有率が，本願発明１では，「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」であるのに対して，引用発明１では，「０．２０重量％」である点。
（相違点２）本願発明１の洗浄液が，「ｐＨ調整剤」を含有するのに対して，引用発明１は，そのような構成が特定されていない点。
　イ　相違点についての判断
　事案に鑑みて，相違点１について検討する。
　引用文献１には，引用文献１に記載された発明に係る洗浄液において，低分子量ポリアクリル酸塩の含有量は０.０００１重量％〜０.５重量％であることが好ましく，特に０.００５重量％〜０.２重量％であることが好ましく，０.０００１重量％未満では粒子除去効果が劣る傾向があり，また，０．５重量％を越えると３成分の配合バランスが悪くなり，金属汚染除去及び粒子除去効果が劣る傾向があるという技術的事項が記載されている。
　してみれば，引用発明１において，ポリアクリル酸アンモニウムを，「３成分の配合バランスが悪くなり，金属汚染除去及び粒子除去効果が劣る傾向がある」とされる０．５重量％を越えて，「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」の範囲に含まれる含有率で含むようにすることには，阻害事由があるといえる。
　また，引用文献２ないし１２に記載された技術的事項及び発明を参酌しても，引用発明１において，前記阻害事由を超えて，ポリアクリル酸アンモニウムを，「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」の範囲に含まれる含有率で含むようにすることが容易であったとは認められない。
　そして，本願発明１は，前記相違点１に係る構成を備えることによって，本願の発明の詳細な説明に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
　したがって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，引用発明１と引用文献１ないし１２に記載された技術的事項あるいは発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）引用文献９を主引例とした進歩性の検討
　引用文献９には，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含む，重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であるアニオン性界面活性剤を含む洗浄液において，アニオン性界面活性剤の含有率を，「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」とする発明は記載されていないので，本願発明１は，少なくともアニオン性界面活性剤の含有率を「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」とした点で，引用文献９に記載された発明と相違する。
　そして，引用文献９を主引例として，副引例として引用文献１ないし８，１０ないし１２を組み合わせたとしても，いずれの引用文献にも，アニオン性界面活性剤の含有率を前記範囲に含まれる値とすることについては記載も示唆もなく，むしろ引用文献１を参照すれば，アニオン性界面活性剤の含有率を，「全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下」とすることに対して阻害事由があるといえる。
　したがって，本願発明１は，引用文献９に記載された発明と，引用文献１ないし１２に記載された技術的事項あるいは発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし６について
　本願の請求項２ないし６は，請求項１を直接または間接に引用する発明であって，本願発明１の発明特定事項を全て含むから，本願発明２ないし６もまた，本願発明１と同じ理由により，引用文献１，９のいずれを主引例としても，引用文献１ないし１２に記載された技術的事項あるいは発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　３　本願発明７，８及び本願発明９ないし１５について
　本願発明７，８は，本願発明１の洗浄液を使用した基板の研磨方法に係る発明であって，請求項１において特定する事項に対応する構成を全て含むから，本願発明７，８もまた，本願発明１と同様の理由により，引用文献１，９のいずれを主引例としても，引用文献１ないし１２に記載された技術的事項あるいは発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　さらに，本願発明９ないし１５は，請求項７または８を直接または間接に引用する発明であって，本願発明７または８の発明特定事項を全て含むから，本願発明９ないし１５もまた，本願発明７または８と同じ理由により，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　平成２９年１２月４日付けの手続補正書による補正により，補正後の請求項１ないし１５は，「前記アニオン性界面活性剤の重量平均分子量が，２，０００以上１０，０００以下であり，前記アニオン性界面活性剤の含有率が，全質量基準で１．００質量％以上２．００質量％以下である」という技術的事項を有するものとなった。
　そして，アニオン性基を有するビニル化合物に由来する構造単位を有するアニオン性高分子化合物及びその塩からなる群より選択される少なくとも１種を含むアニオン性界面活性剤を含有する，セリア砥粒を用いたＣＭＰ処理後の基板洗浄用の洗浄液において，アニオン性界面活性剤の重量平均分子量及び含有率を，前記補正によって特定されることとなった範囲に含まれる値とするという技術的事項は，原査定における引用文献７，１０，１２には記載されておらず，本願優先権主張の日前における周知技術でもない。
　したがって，本願発明１ないし１５は，原査定における引用文献７，１０，１２に基づいて当業者が容易に発明をすることはできたものとも認められない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。