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　特願２０１２−１３１６７３「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月２６日出願公開、特開２０１３−２５８１７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年６月１１日の出願であって，平成２８年２月１６日付けで拒絶理由が通知され，同年４月１２日に手続補正がされ，同年６月１日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年９月７日に審判請求がされるとともに同時に手続補正がされたものである。
第２　補正の却下の決定
　平成２８年９月７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正の前後で特許請求の範囲の請求項１は以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と，
　該複数の発光素子部間を接続する接続部と，
　外部と接続するための一対の第１電極及び第２電極とを備える半導体発光素子であって，
　前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され，
　前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され，
　前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有しており，
　前記第１半導体層に電気的に接続され，延長する第１配線電極と，
　前記第２半導体層に電気的に接続され，延長する第２配線電極とを備え，
　少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の延長方向に略垂直に延長する部位を備えることを特徴とする半導体発光素子。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と，
　該複数の発光素子部間を接続する接続部と，
　外部と接続するための一対の第１電極及び第２電極とを備える半導体発光素子であって，
　前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され，
　前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され，
　前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有しており，
　前記第１半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極と，
　前記第２半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第２配線電極とを備え，
　少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長することを特徴とする半導体発光素子。」
２　補正事項の整理
　本件補正の，請求項１についての補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記第１半導体層に電気的に接続され，延長する第１配線電極」を，補正後の請求項１の「前記第１半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極」と補正する。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１の「前記第２半導体層に電気的に接続され，延長する第２配線電極」を，補正後の請求項１の「前記第２半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第２配線電極」と補正する。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項１の「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の延長方向に略垂直に延長する部位を備えること」を，補正後の請求項１の「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長すること」と補正する。
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は，補正前の請求項１の発明特定事項である「延長する第１配線電極」について，「一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する」として，その延長の形状について技術的に限定するものである。よって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極」は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００２１】，並びに図２Ａ等に記載されている。よって，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（２）補正事項２について
　補正事項２は，補正前の請求項１の発明特定事項である「延長する第２配線電極」について，前記補正事項１と同様な技術的限定を行うものであり，当該事項は当初明細書等の段落【００２１】並びに図２Ａ等に記載されている。
　よって補正事項２は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，また，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
（３）補正事項３について
　補正事項３は，補正前の請求項１の発明特定事項である「接続部」が「延長」することについて，上記補正事項１及び２により，「第１配線電極」及び「第２配線電極」の形状が特定されたことに伴い，「前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長する」として技術的に限定するものである。また，同「接続部」が補正前の請求項１の「延長する部位を備えること」を，補正後の請求項１の「延長すること」とすることは，補正前においては「接続部」が延長する「部位」を備えていたもの，すなわち部分的に延長することを包含していたものが，補正後においては「接続部」が全体として延長するものに限られるものとなったので，当該点についても，技術的に限定するものといえる。
　よって，補正事項３は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長すること」は，当初明細書等の，例えば段落【００４７】，並びに図４等に記載されている。よって，補正事項３は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするであるから，以下においては，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項１】
　第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と，
　該複数の発光素子部間を接続する接続部と，
　外部と接続するための一対の第１電極及び第２電極とを備える半導体発光素子であって，
　前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され，
　前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され，
　前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有しており，
　前記第１半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極と，
　前記第２半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第２配線電極とを備え，
　少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長することを特徴とする半導体発光素子。」
（２）刊行物等に記載された発明
ア　引用例１：　特開２００３−１１０１４８号公報
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−１１０１４８号公報（以下「引用例１」という。）には，図２及び図３とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
ａ「【００１３】そこで本発明は，発光素子の放熱性を高めた，寿命や一定の発光出力を保ち続けるなどの発光能力に優れた半導体発光装置を提供することを目的とし，さらには，大面積でかつ放熱効率の良い集積型の半導体発光装置を提供することを目的とする。」
ｂ「【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．本発明に係わる実施形態の半導体発光装置は，透光性を有する基板を介して発光した光を出力するいわゆる基板側発光タイプの半導体素子であって，例えば，図１に示すように，サファイアからなる基板上に，ｎ型窒化物半導体層，窒化物半導体活性層，ｐ型窒化物半導体層が積層され，ｐ側，ｎ側オーミック電極が各層上に形成され，ｐ側のオーミック電極の一部にｐ側パッド電極が形成されている半導体素子において，これらｎ側オーミック電極およびｐ側パッド電極上に，金属からなる第１のバンプが設けられ，さらに第１のバンプと同様の金属材料からなる第２のバンプが設けられており，実装基体にマウントされているものである。」
ｃ「【００３１】尚，本実施の形態は複数個の半導体素子を並べ，大面積の発光素子とした場合にも適用される。
【００３２】これらの条件を満たすことにより，例えば大面積の発光素子にみられるように，電極上のバンプから距離が長く放熱が十分に行われない等の問題を有する半導体素子における放熱性を高め，活性層から生じた熱が堆積されずに放熱されることにより，半導体発光装置の劣化を抑制することができる。実施の形態２本実施の形態２の窒化物半導体発光装置は，例えば図２に示すような１０００μｍ×１０００μｍのサファイア基板上に長方形の３つの半導体素子１，２，３を互いに平行に配置しかつ，放熱性を高めるために複数のバンプを，各素子を接続している接続電極上に設け，実装基体２４との接触面積を大きくさせることにより，工程上容易に且つ均等な放熱が可能となることから，電極からの距離が比較的遠く熱の放散が不十分である部分での発光素子の温度上昇を抑え，その結果として，長寿命で，長時間でも安定した均一な発光能力を持つ半導体発光装置を実現できる。」
ｄ「【００３７】本実施の形態２の好ましい形態を，以下に挙げる。図３は本実施の形態における半導体発光装置を断面から見たときの模式断面図である。
【００３８】
サファイア基板上にｎ型窒化物半導体層１２，窒化物半導体活性層１０，およびｐ型窒化物半導体層１３が順次積層され，形成された複数個の窒化物半導体発光素子において，隣りあった２つの半導体素子を接続電極により電気的に接続し，大面積の発光素子とした場合，ｎ側オーミック電極１４上およびｐ側パッド電極１６上に形成された外部接続電極２２（図中においてｎ側を２２ａ，ｐ側を２２ｂとする）に金属材料からなる第１のバンプ３１を設け，さらに，各素子を電気的に接続している接続電極上２１に，第１のバンプ３１と同様の金属材料からなる第２のバンプ３２を設ける
ｅ「【００６７】
【実施例２】次に，３つの半導体素子を並べ大面積とした形態を例として，実施の形態２の実施例を以下に示す。
【００６８】サファイア基板上にｎ型窒化物半導体層，窒化物半導体活性層，ｐ型窒化物半導体層を，実施例１と同様の方法で積層する。
【００６９】次に窒化物半導体を成長させたウエハを反応容器から取り出し，分離溝を形成する部分を除きウエハ全体にＳｉＯ２マスクを形成し，ＲＩＥによって，
サファイア基板に到達するまでエッチングを行うことにより分離溝４１を設け，半導体素子１，２，３を形成する
【００７０】
次にｎ型窒化物半導体層上にｎオーミック電極およびｐ型窒化物半導体層上にｐオーミック電極，ｐパッド電極を実施例１と同様の方法で形成する
【００７１】本実施例２の半導体発光装置の半導体素子１，２，３において，各半導体層および電極は図３に示すような構造であり，それぞれは以下のように形成される。
【００７２】ｎ型窒化物半導体層１２は，好ましくはサファイア基板１１上に形成された膜厚１．５μｍのアンドープＧａＮ層，膜厚２．２μｍのＳｉドープＧａＮ層，膜厚３０００ÅのアンドープＧａＮ層，膜厚３００ÅのＳｉドープＧａＮ層，膜厚５０ÅのアンドープＧａＮ層，多層膜層の積層構造とする。
　・・・（中略）・・・
【００７５】窒化物半導体活性層１０は，ｎ層１２とほぼ同一の長さとｎ層１２より狭い幅を有する長方形であって，その１つの長辺がｎ層１２の１つの長辺に実質的に一致するようにｎ層１２上に形成される。このように形成することにより，ｎ層１２上に窒化物半導体活性層１０に沿ってｎ側オーミック電極を形成するための領域が確保される。
【００７６】ここで，本実施例２では，
窒化物半導体活性層１０の幅は，ｎ側オーミック電極から離れた側に位置する長辺とｎ側オーミック電極との距離が２２０μｍになるように設定した
【００７７】
ｎ側オーミック電極１４は，窒化物半導体活性層１０とほぼ同一の長さを有し，ｎ層１２上に，窒化物半導体活性層１０に沿ってかつ窒化物半導体活性層１０と近接して形成される
【００７８】また，ｎ側オーミック電極１４は，ｎ層１２とのオーミック接触を良好にするために，ＷとＡｌを含む層とすることが好ましく，更に好ましくは，Ｗ層（２００Å），Ｗ層（５００Å），Ｐｔ層（３０００Å），Ｎｉ層（６０Å）を順次積層することにより形成する。
【００７９】ｐ型窒化物半導体層１３は，窒化物半導体活性層１０と同一平面形状を有して窒化物半導体活性層１０上に重ねて形成される。
【００８０】実際には，窒化物半導体活性層１０およびｐ型窒化物半導体層１３は，ｎ層１２上に窒化物半導体活性層１０およびｐ型窒化物半導体層１３を重ねて形成した後，ｎ側オーミック電極１４を形成するｎ型窒化物半導体層１２表面を露出させるために一括してエッチングすることにより形成する。
【００８１】尚，ｐ型窒化物半導体層１３は，１５００Åの厚さに形成した。
【００８２】
ｐ側オーミック電極１５は，ｐ型窒化物半導体層１３上のほぼ全面に形成され
【００８３】そして，
ｐ側パッド電極１６は，例えば，膜厚３０００ÅのＰｔからなり，ｐ側オーミック電極１５上において，ｎ側オーミック電極１４とは離れた側に位置するｐ側オーミック電極１５の長辺に沿って形成され
【００８４】
上述のように構成された半導体素子１，２，３は，絶縁保護膜１７により素子間が分離され，接続電極２１により以下のように接続される
【００８５】
絶縁保護膜１７は，各半導体素子のｐ側パッド電極１６上およびｎ側オーミック電極１４上を除いて素子全体を覆うように形成される
【００８６】
接続電極２１は，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４上，分離溝４１に形成された絶縁保護膜１７および半導体素子２のｐ型オーミック電極１６上に連続して形成され，これにより，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４と半導体素子２のｐ側オーミック電極１６が接続される
【００８７】また，
接続電極２１は，半導体素子２と半導体素子３との間においても同様に形成され，これにより，半導体素子２のｎ側オーミック電極１４と半導体素子３のｐ側オーミック電極１６が接続される
【００８８】尚，本実施例ではさらに，
半導体素子１のｐ側パッド電極１６上に接続電極２１と同様の材料からなる外部接続電極２２ｂが形成され，半導体素子３のｎオーミック電極１４上に接続電極２１と同様の材料からなる外部接続電極２２ａが形成される
【００８９】次に，
絶縁保護膜１８はｐ側外部接続電極２２ｂ，ｎ側外部接続電極２２ａおよび各接続電極２１上を除いて，素子全体を覆うように形成される
【００９０】
　・・・（中略）・・・
【００９４】以上のようにして，図３に示すような大面積で発光する窒化物半導体発光装置を形成する。」
ｆ　図２及び図３は以下のものである。
【図２】
【図３】
ｇ　ここで，段落【００７５】の「
窒化物半導体活性層１０は，
長方形
ｐ型窒化物半導体層１３は，窒化物半導体活性層１０と同一平面形状を有して
ｐ側オーミック電極１５は，ｐ型窒化物半導体層１３上のほぼ全面に形成され
　また，上記段落【００７５】〜【００８３】の記載とともに上記図３を参照すると，分離溝４１内に絶縁保護膜１７が形成されて素子間が分離されることがわかる。
ｈ　なお，上記図３においては「ｎ側オーミック電極１４」が層１３に接し，「ｐ側オーミック電極１５」が層１２に接するように記載されているものの，段落【００７２】の「ｎ型窒化物半導体層１２は，好ましくはサファイア基板１１上に形成された　・・・（中略）・・・，多層膜層の積層構造とする。」との記載，及び段落【００８０】の「窒化物半導体活性層１０およびｐ型窒化物半導体層１３は，ｎ層１２上に窒化物半導体活性層１０およびｐ型窒化物半導体層１３を重ねて形成した後，ｎ側オーミック電極１４を形成するｎ型窒化物半導体層１２表面を露出させる」との記載からみて，同図における，ｎ側オーミック電極１４に接する層に付された「１３」，及びｐ側オーミック電極１５に接する層に付された「１２」は，それぞれ「１２」及び「１３」の誤記と認められる。
　また，上記図２において，異なる破線長方形に同じ「１５」が付されているが，接続電極２１が設けられた範囲を考慮すると，より大きい破線長方形に付された「１５」は，「１２」（すなわち「ｎ層窒化物半導体層」）の誤記と認められる。
ｉ　以上を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「サファイア基板上にｎ型窒化物半導体層１２，窒化物半導体活性層１０，およびｐ型窒化物半導体層１３が順次積層され，形成された複数個の窒化物半導体発光素子において，各半導体素子１，２，３の隣りあった２つの半導体素子を接続電極により電気的に接続し，大面積の発光素子としたものであって，
　半導体素子１，２，３は，サファイア基板に到達するまでエッチングを行うことにより分離溝４１を設けて形成されたものであり，
　ｎ型窒化物半導体層１２上にｎオーミック電極１４，ｐ型窒化物半導体層１３上にｐオーミック電極１５およびｐパッド電極１６がそれぞれ設けられており，
　ｎ側オーミック電極１４は，窒化物半導体活性層１０とほぼ同一の長さを有し，その長さよりも短い幅を有し，ｎ層１２上に，窒化物半導体活性層１０に沿ってかつ窒化物半導体活性層１０と近接して設けられ，
　ｐ側オーミック電極１５は，その長さよりも短い幅を有し，ｐ型窒化物半導体層１３上のほぼ全面に設けられ，
　ｐ側パッド電極１６は，ｐ側オーミック電極１５上において，ｎ側オーミック電極１４とは離れた側に位置するｐ側オーミック電極１５の長辺に沿って設けられ，
　絶縁保護膜１７が，各半導体素子のｐ側パッド電極１６上およびｎ側オーミック電極１４上を除いて素子全体を覆うように設けられ，
　ｎ側オーミック電極１４上に形成された外部接続電極２２ａ，およびｐ側パッド電極１６上に形成された外部接続電極２２ｂのそれぞれに金属材料からなる第１のバンプ３１が設けられ，さらに，各半導体素子１，２，３の隣りあった２つの半導体素子を電気的に接続している接続電極上２１に，第１のバンプ３１と同様の金属材料からなる第２のバンプ３２が設けられており，
　半導体素子１，２，３は，分離溝４１内に絶縁保護膜１７が設けられて，素子間が分離され，
　接続電極２１は，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４上，分離溝４１に形成された絶縁保護膜１７および半導体素子２のｐ型オーミック電極１６上に連続して設けられ，これにより，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４と半導体素子２のｐ側オーミック電極１６が接続され，
また，接続電極２１は，半導体素子２と半導体素子３との間においても同様に設けられ，これにより，半導体素子２のｎ側オーミック電極１４と半導体素子３のｐ側オーミック電極１６が接続され，
　さらに，半導体素子１のｐ側パッド電極１６上に接続電極２１と同様の材料からなる外部接続電極２２ｂが設けられ，半導体素子３のｎオーミック電極１４上に接続電極２１と同様の材料からなる外部接続電極２２ａが設けられ，
　絶縁保護膜１８が，側外部接続電極２２ｂ，ｎ側外部接続電極２２ａおよび各接続電極２１上を除いて，素子全体を覆うように設けられる，
　大面積の発光素子。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明の「ｎ型窒化物半導体層１２，窒化物半導体活性層１０，およびｐ型窒化物半導体層１３が順次積層され，形成された複数個の窒化物半導体発光素子」である「各半導体素子１，２，３」は，本願補正発明の「第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部」に相当する。
イ　引用発明においては，「各半導体素子１，２，３の隣りあった２つの半導体素子を接続電極により電気的に接続」するから，当該「接続電極」は，本願補正発明の「該複数の発光素子部間を接続する接続部」に相当する。
ウ　引用発明の「ｎ型窒化物半導体層１２上に」「設けられて」いる「ｎオーミック電極１４」は，「窒化物半導体活性層１０とほぼ同一の長さを有し，その長さよりも短い幅を有し」ているから，本願補正発明の「前記第１半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極」に相当する。
ウ　引用発明の「ｐ側オーミック電極１５は，その長さよりも短い幅を有し，ｐ型窒化物半導体層１３上のほぼ全面に設けられ」ているから，本願補正発明の「前記第２半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第２配線電極」に相当する。
エ　引用発明の「ｎ側オーミック電極１４上に形成された外部接続電極２２ａ」と，本願補正発明の「外部と接続するための一対の第１電極」であって，「前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され」たものとは，「外部と接続するための一対の第１電極」であって，「前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され」たものである点で一致する。
オ　引用発明においては，「ｐ型窒化物半導体層１３上にｐオーミック電極１５およびｐパッド電極１６がそれぞれ設けられて」いるから，「ｐ側パッド電極１６上に形成された外部接続電極２２ｂ」は，本願補正発明の「外部と接続するための」「第２電極」であって，「前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され」たものとは，「外部と接続するための」「第２電極」であって，「前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され」たものである点で一致する。
カ　引用発明においては，「接続電極２１は，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４上，分離溝４１に形成された絶縁保護膜１７および半導体素子２のｐ型オーミック電極１６上に連続して設けられ，これにより，半導体素子１のｎ側オーミック電極１４と半導体素子２のｐ側オーミック電極１６が接続され，また，接続電極２１は，半導体素子２と半導体素子３との間においても同様に設けられ，これにより，半導体素子２のｎ側オーミック電極１４と半導体素子３のｐ側オーミック電極１６が接続され」るものであるから，当該構成は，本願補正発明の「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長する」とは，「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続」するものである点で一致する。
キ　引用発明の「大面積の発光素子」は，本願補正発明の「半導体発光素子」に相当する。
ク　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と，
　該複数の発光素子部間を接続する接続部と，
　外部と接続するための一対の第１電極及び第２電極とを備える半導体発光素子であって，
　前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，
　前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，
　前記第１半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第１配線電極と，
　前記第２半導体層に電気的に接続され，一方向の長さがこれに直交する他方向の長さよりも長い形状で延長する第２配線電極とを備え，
　少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続することを特徴とする半導体発光素子。」
である点で一致する。
ケ　一方両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明は「前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され」る構成を備えるのに対して，引用発明は「前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され」る構成は備えるものの，「絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され」る構成までは備えない点。
《相違点２》
　本願補正発明は「前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有して」いる構成を備えるのに対して，引用発明はそのような構成を備えるか否か不明である点。
《相違点３》
　本願補正発明は「前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され」る構成を備えるのに対して，引用発明は「前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され」る構成は備えるものの，「かつ前記第２半導体層上にのみ配置され」る構成を備えるか否か不明である点。
《相違点４》
　本願補正発明は，「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長する」構成を備えるのに対して，引用発明は「少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続する」構成は備えるものの，「前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長する」構成を備えるか否か不明である点。
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
ア　相違点１について
　サファイア基板上に設けられた窒化物半導体層からなる窒化物半導体発光素子において，サファイア基板側に設けられた半導体層（例えばｎ型層）に対する外部取り出し電極を当該半導体層上に設けると，発光領域となる活性層の面積が小さくなり発光輝度が減じられるため，これを解消するために，当該半導体層のサファイア基板とは反対側に設けられる半導体層（例えばｐ型層）上に絶縁膜を介して前記外部取り出し電極を設けることは，例えば以下の周知例１及び２にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　そして，半導体発光素子において発光輝度を向上させることは普遍的な技術課題であるから，引用発明においても発光輝度を向上させるべく上記周知技術を適用して，ｎオーミック電極１４に接続される外部接続電極２２ａを，ｐ型窒化物半導体層１３（及びｐ側オーミック電極１５）上に絶縁保護膜１７を介して設けることで，相違点１に係る「前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され」る構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得たことである。
周知例１：特開２０００−１１４５９５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−１１４５９５号公報（以下「周知例１」という。）には，図７とともに，以下の記載がある。
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＮ系の化合物半導体の発光素子では，先に図７で説明したように，
ｐ型層５３の一部をエッチングしてｎ型層５２を部分的に露出させ，この露出部分にｎ側電極５２ａが形成される。この場合，発光域となる活性層はｎ型層５２とｐ型層５３との間の境界領域なので，エッチングによってｐ型層５３の面積が小さくなると発光輝度が下がることになる
「【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は，光透過性であって絶縁性の基板にｎ型層とｐ型層とを積層するとともにその積層体の同一面にｎ側電極とｐ側電極とを形成し，前記基板側を発光観測面側とするＧａＮ系化合物半導体発光素子において，
前記ｎ型層の表面から前記光透過性の電極の表面の一部にかけて光透過性の絶縁膜を被膜形成し，前記ｎ側電極を，前記絶縁膜の表面であって前記ｐ側電極の一部に覆い被さる領域まで展開させてなる
【００１５】この構成では，ｎ側電極をｎ型層のコンタクト面に対して適正な接合面積を最小限確保しておくことにより，発光素子サイズの低減が可能となると同時に，ｐ側電極の領域部分にまで覆い被さる部分の面積が広くなるので，マイクロバンプの接合のための製造が簡単になる。また，ｐ型層の一部をエッチングして形成された段差面から抜ける光をｎ側電極によって発光素子の中に反射させて回収できるので，発光輝度も向上する。」
周知例２：特開２０１１−１３９０３７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１１−１３９０３７号公報（以下「周知例２」という。）には，図１〜４とともに，以下の記載がある。
「【０００８】
　図１は，対角電極構造を有する発光ダイオードを説明するための図である。
【０００９】
　図１において，１はＮ電極で，２はＰ電極で，３は露出されたＮ型半導体層で，４は透明電極層である。
【００１０】
　・・・（中略）・・・
【００１４】
　しかしながら，Ｐ電極３１の延長部３２，３３とＮ電極２１の延長部２２，２３を形成するためには，
メサエッチングによりＮ型半導体層１３を露出させなければならないので，発光面積のが減少することが不可避であるという問題がある
【００１５】
　併せて，電流拡散のために，一つのチップに形成される電極パッドが２個以上に増加する傾向にあり，これらの電極及び電極の延長部を形成するためのメサエッチング面積も拡大されている。電極パッド数の増加によるメサエッチング面積の拡大は，同一のチップ面積を基準にして発光面積を減少させ，発光効率を低下させるようになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
　本発明が達成しようとする技術的課題は，電極及び電極パッドによる発光面積の減少を抑制することができる発光ダイオードを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
　本発明の一実施形態によれば，基板上に形成された下部半導体層と，前記下部半導体層のエッジ領域の少なくとも一部が露出されるように前記下部半導体層の上部に配置された上部半導体層と，前記上部半導体層の一部領域上に絶縁層を介して形成され，前記下部半導体層に電流を供給するために形成された第１の電極と，前記上部半導体層の他の一部領域上に前記上部半導体層に電流を供給するために形成された第２の電極と，前記第１の電極から延長され，前記露出された下部半導体層の少なくとも一部に至るように形成された
第１の電極の延長部と，を含む発光ダイオードが提供される。
【００１８】
　・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００３３】
　本発明によれば，下部半導体層に電流を供給するための電極及び延長部を形成するとき，これらを絶縁層を介して上部半導体層上に形成している。これによって，電極及び延長部を形成するためにメサエッチングによって除去される半導体層の面積の減少に伴なう発光面積の減少を抑制することができる。」
「【００５７】
　以下，図２及び図４を比較し，本発明の一実施例に係る発光ダイオードにおける発光領域面積の改善事項について説明する。
【００５８】
　図２及び図４を比較すると，下部半導体層に電流を供給するための下部電極２１及び第１の電極１２１によって減少する発光領域の面積に大きな差があることが分かる。すなわち，図２の発光ダイオードでは，下部電極２１を形成するために，その面積に該当する活性層１５を含む発光領域がメサエッチングによって除去される。その一方，
図４の発光ダイオードでは，第１の電極１２１は，第１の絶縁層１１９及び第２の絶縁層１４０を介して上部半導体層１１７上に形成され，活性層１１５がそのまま残っている。したがって，本発明の一実施形態に係る発光ダイオードは，従来の発光領域の減少に関する問題を効果的に解決することができる
　ここで，図４は以下のものである。
イ　相違点２について
　複数の発光ダイオードを配列し，接続した半導体発光素子において，各発光ダイオードに均一に電流を流し均一な発光を得るために，各発光ダイオードの形状を同じくすることは，例えば以下の周知例３にも示されているように従来より周知の技術である。ここでいう「形状を同じくする」ことは，その大きさも同じくすることは，均一に電流を流し均一な発光を得る観点から当然のことである。
　そして，引用発明においてもムラのない均一な発光が好ましいことは明らかであるから，引用発明における各半導体素子１，２，３について，その形状を同一として，相違点２に係る「前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有して」いる構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得たことである。
周知例３：特開２００９−２９６０１１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−２９６０１１号公報（以下「周知例３」という。）には，図６，７とともに，以下の記載がある。
「【００２０】
図６には，二次元アレイが具体的に示されている。図２の等価回路図に対応するものである。図において，サファイア基板１０上に合計４０個のＬＥＤ１が形成されており，それぞれ２０個ずつ２組に分けられ，エアブリッジ配線２８により直列接続されて２つのＬＥＤアレイを形成している。
　・・・（中略）・・・
【００２３】
このように，複数のＬＥＤ１を二次元アレイ状に配置することで，基板面積を有効に活用しつつ高駆動電圧，特に商用電源での駆動も可能となるが，二次元アレイのパターンとしてはこの他にも種々のパターンが可能である。一般に，二次元アレイパターンとしては，以下の条件を備えることが望ましい。
（１）
各ＬＥＤに均一に電流を流し，均一な発光を得るためには各ＬＥＤの形状，電極位置が同一であることが望ましい
（２）ウエハをカットしてチップにするためには，各ＬＥＤの辺は直線であることが望ましい。
（３）光取り出し効率を向上させるため，標準的なマウントを使用して周辺からの反射を利用するためにはＬＥＤは平面形状が正方形に近い形状が望ましい。
（４）２つの電極（ボンディングパット）の大きさは１００μｍ角程度で，互いに離れていることが望ましい。
（５）ウエハ面積の有効利用のため，配線，パッドの占める割合は小さい方が望ましい。もちろん，これらは必須ではなく，例えば各ＬＥＤの形状としては平面形状三角形を用いることも可能であろう。各ＬＥＤの形状が三角形であっても，これらを組み合わせることで全体形状を略正方形とすることができる。以下，二次元アレイパターンの例をいくつか示す。」
ウ　相違点３について
　前記（２）ア（ア）ｆに摘記した引用例１の図２を，同ｈで指摘した事項も考慮して参照すると，ｐ側の外部接続電極２２ｂはｐ側オーミック電極１５上のみに設けられ，また，前記（２）ア（ア）ｅで摘記した段落【００８２】の記載から，ｐ側オーミック電極１５はｐ型窒化物半導体層１３上のみに形成されているといえる。
　よって，本願補正発明の「第２電極」に相当する，引用発明の「外部接続電極２２ｂ」は，本願補正発明の「第２半導体層」に相当する，引用発明の「ｐ型窒化物半導体層１３」の上にのみ形成されているといえる。
　よって，相違点３は実質的な相違点ではなく，仮にそうでないとしても当業者が適宜になし得たことである。
エ　相違点４について
　前記（２）ア（ア）ｆに摘記した引用例１の図２，３を，同ｈで指摘した事項も考慮して参照すると，接続電極２１は，図２の図示上下方向に長く図示左右方向に短い長方形を備えるとともに，隣り合う素子のｎ型窒化物半導体層１２上のｎ側オーミック電極１４と，ｐ型窒化物半導体層１３上のｐ型オーミック電極１５とを電気的に接続していることがわかる。ここで，本願補正発明の「第１配線電極」に相当する，引用発明の「ｎ側オーミック電極１４」，及び，本願補正発明の「第２配線電極」に相当する，引用発明の「ｐ側オーミック電極１５」は，ともに「その長さよりも短い幅」を有するところ，これらも接続電極２１と同じく，図示上下方向に長く図示左右方向に短い長方形を備えるものである。
　そして，接続電極２１において，前記左右方向の短い長さは前記電気的接続が行われるためであり，当該左右方向が，ｎ側オーミック電極１４およびｐ型オーミック電極１５の長さ方向に垂直な方向となることは明らかである。
　すなわち，引用発明において，接続電極２１が左右方向の短い長さを備えることは，相違点４に係る「前記第１配線電極又は第２配線電極の長い形状で延長する延長方向に略垂直に延長する」構成にあたるといえる。
　よって，相違点４は実質的な相違点ではなく，仮にそうでないとしても当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　よって，本願補正発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２８年９月７日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２８年４月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　第１半導体層，活性層及び第２半導体層がこの順で積層されてなる複数の発光素子部と，
　該複数の発光素子部間を接続する接続部と，
　外部と接続するための一対の第１電極及び第２電極とを備える半導体発光素子であって，
　前記第１電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第１半導体層と電気的に接続され，かつ絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置され，
　前記第２電極は，少なくとも１つの発光素子部において，前記第２半導体層と電気的に接続され，かつ前記第２半導体層上にのみ配置され，
　前記複数の発光素子部は，互いに同一の活性層の面積を有しており，
　前記第１半導体層に電気的に接続され，延長する第１配線電極と，
　前記第２半導体層に電気的に接続され，延長する第２配線電極とを備え，
　少なくとも１つの前記接続部は，１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極と，他の１つの前記発光素子部の第１配線電極又は第２配線電極とを接続し，前記第１配線電極又は第２配線電極の延長方向に略垂直に延長する部位を備えることを特徴とする半導体発光素子。」
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」に記載したとおりのものである。
３　対比・判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，補正前の請求項１における発明特定事項である「延長する第１配線電極」，「延長する第２配線電極」及び「接続部」について，より限定するものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から当該限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２　４「（３）対比」〜第２　４「（５）小括」において検討したとおり，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。