【事件の表示】
　特願２０１３−５０７３０９「光電変換装置及び光電変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月　４日国際公開、ＷＯ２０１２／１３２７６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２４年（２０１２年）３月２日（優先権主張　特願２０１１−６９５７６号　２０１１年３月２８日、及び、特願２０１１−６９６６９号　２０１１年３月２８日）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１１月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月２日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年７月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、平成２８年１月２８日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年３月９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年７月２９日付けで前記平成２８年３月９日付け手続補正に対して補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２８年１０月７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２９年８月２１日付けで拒絶理由が通知され（以下「当審拒絶理由」という。）、同年１０月２３日付けで意見書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２８年１０月７日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「光電変換装置の製造方法であって、
　半導体材料からなる基板の第１表面の少なくとも一部の領域上に第１パッシベーション層を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程後、前記基板の前記第１表面と反対の第２表面の少なくとも一部の領域上に第２パッシベーション層および第３パッシベーション層を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程後、前記第２表面側のみに電極を形成する第３の工程と、
を備え、前記第２の工程は、
　前記第２表面上に前記第２パッシベーション層を形成する工程と
　前記第２表面上の前記第２パッシベーション層の上に第１の導電型のドーパントを含む第１半導体層及び絶縁層を形成する工程と、
　前記第１半導体層と前記絶縁層のうちの一部をエッチングして、前記基板の裏面を露出させる工程と、
　前記基板の裏面の露出した領域に、前記第３パッシベーション層を形成する工程と、
　前記第３パッシベーション層の上に前記第１の導電型と異なる第２導電型のドーパントを含む第２半導体層を形成する工程と、
　を含む光電変換装置の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献
　当審拒絶理由に引用した、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となつた、国際公開第２０１０／１１３７５０号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ）。
ア　「技術分野
［０００１］　本発明は、裏面接合型の太陽電池に関する」
　
イ　「［００３３］（太陽電池の製造方法）
　次に、第１実施形態による太陽電池１００の製造方法について、図３〜図５を参照しながら説明する。
［００３４］　まず、基板１０として予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコン基板を用意する。
［００３５］　そして、図３に示すように、
基板１０の受光面Ａの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層からなるパッシベーション膜１５ａを形成し、さらにＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚みを有するシリコン窒化物の層からなる光反射防止膜１５ｂを順次積層する
パッシベーション膜１５ａおよび光反射防止膜１５ｂによって、光入射側構造体１５を構成
［００３６］　そして、
基板１０の裏面Ｂの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１１を形成する。ｉ型非晶質半導体層１１は、水素を含むので、基板１０をパッシベートする機能を有する
［００３７］　そして、図４に示すように、ｉ型非晶質半導体層１１の表面上に、マスクを用いたＣＶＤ法によって、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質シリコンからなるｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるキャップ層３０を所定のパターンで順次形成する。所定のパターンとは、基板１０の裏面Ｂの第１領域Ｂ１に対応するパターンである。
［００３８］　さらに、図５に示すように、ｉ型非晶質半導体層１１の表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように、ＣＶＤ法により２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質シリコンからなるｎ型非晶質半導体層１３ａを形成する。
［００３９］　最後に、スパッタ法や印刷法などの方法により、ｎ型非晶質半導体層１３ａの表面上に、所定パターンでｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する。これにより、第１実施形態による太陽電池１００が製造される。」
　
ウ　「［００４８］［第３実施形態］
　次に、本発明の第３実施形態による太陽電池２００について、図７〜図１１を参照しながら説明する。以下においては、第１実施形態との相違点についておもに説明する。
［００４９］（太陽電池の構成）
　図７は、本発明の第３実施形態による太陽電池２００の断面図である。図７に示すように、基板１０の裏面Ｂの第１領域Ｂ１の表面上には、ｉ型非晶質半導体層１２ｂおよびｐ型非晶質半導体層１２ａが順次積層されている。すなわち、ｉ型非晶質半導体層１２ｂは、半導体基板１０とｐ型非晶質半導体層１２ａとの間に形成されている。また、ｐ型非晶質半導体層１２ａの上面上には、キャップ層３０が形成されている。また、ｉ型非晶質半導体層１３ｂおよびｎ型非晶質半導体層１３ａは、基板１０の裏面Ｂ上（ｐ型非晶質半導体層１２ａが形成される第１領域Ｂ１と隣接する第２領域Ｂ２上）からキャップ層３０の表面上に跨るように積層されている。なお、ｉ型非晶質半導体層１２ｂは、本発明の「第４半導体層」の一例であり、ｉ型非晶質半導体層１３ｂは、本発明の「第５半導体層」の一例である。第３実施形態では、ｉ型非晶質半導体層１２ｂとｉ型非晶質半導体層１３ｂとにより、本発明の「第３半導体層」が構成されている。
［００５０］（太陽電池の製造方法）
　次に、図８〜図１１を参照して第３実施形態による
太陽電池２００の製造方法
［００５１］　
まず、
予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンからなる基板１０を準備
そして、
基板１０の受光面Ａの略全面上に光入射側構造体１５を形成
［００５２］　
そして、基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成
［００５３］　
そして、
キャップ層３０の表面上に、所定のパターンでレジスト膜４０を形成
［００５４］　
そして、
レジスト膜４０から露出するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０をエッチング除去し、その後、レジスト膜４０を除去する
により、基板１０の裏面Ｂの第１領域Ｂ１の表面上に、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を形成
［００５５］　なお、図１０は、
ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を、基板１０の裏面Ｂが露出するまでエッチング除去し
［００５６］　
そして、
基板１０の裏面Ｂの表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１３ｂおよび２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質半導体層１３ａを順次形成
ｉ型非晶質半導体層１３ｂおよびｎ型非晶質半導体層１３ａを、基板１０の裏面Ｂの略全面上に形成
［００５７］　
最後に、スパッタ法や印刷法などの方法により、ｎ型非晶質半導体層１３ａの表面上に、所定のパターンでｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する
より、
太陽電池２００が製造される
［００５８］（作用および効果）
　第３実施形態による太陽電池２００は、第１実施形態と同様に、キャップ層３０により、基板１０とｎ型非晶質半導体層１３ａとの間に、不所望なドーピング不純物が含まれることを抑制できるので、太陽電池特性を向上させることができる。」
　
エ　「［００６８］（実施例サンプル）
　以下に、本発明の実施例について説明する。本実施例では、図７に示す太陽電池２００を以下のようにして製造した。
［００６９］まず、２００μｍ程度の厚みを有するｎ型単結晶シリコンからなる基板１０に異方性エッチング処理を施し、基板１０の受光面Ａおよび裏面Ｂにテクスチャ構造を形成した。
［００７０］そして、
原料ガスとしてＳｉＨ
４
およびＨ
２
の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって
ｉ型非晶質半導体層１５ａを形成した
［００７１］そして、
原料ガスとしてＳｉＨ
４
、Ｈ
２
およびＢ
２
Ｈ
６
を用い、プラズマＣＶＤ法によって
ｉ型非晶質シリコン層１２ｂ
形成した
［００７２］そして、
原料ガスとしてＳｉＨ
４
、Ｈ
２
およびＰＨ
３
を用いて、プラズマＣＶＤ法によって
ｉ型非晶質半導体層１３ｂ
形成した
　
オ　図３、７ないし１１は次のものである。
　
（２）引用発明
ア　第３実施形態における「
基板１０の受光面Ａの略全面上に光入射側構造体１５を形成する
基板１０の受光面Ａの略全面上に
光入射側構造体１５を構成する
　
イ　また、第３実施形態の「基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成する」こと（上記「（１）」「ウ」）における「基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１２ｂ」を「形成する」ことは、第１実施形態における「基板１０の裏面Ｂの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１１を形成する」こと（上記「（１）」「イ」）と同じであって「第１実施形態と同様による」ものといえる。
　そうすると、第１実施形態における「ｉ型非晶質半導体層１１は、水素を含むので、基板１０をパッシベートする機能を有する」から、第３実施形態の「ｉ型非晶質半導体層１２ｂ」も「基板１０をパッシベートする機能を有する」ものと認められる。
　
ウ　「第３実施形態による太陽電池２００の製造方法」として、上記「（１）」「ウ」の［００５０］〜［００５７］に、それぞれ下記のとおりに記載されている。
（ア）「まず、第１実施形態と同様に、予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンからなる基板１０を準備する。そして、・・・基板１０の受光面Ａの略全面上に光入射側構造体１５を形成する。」（［００５１］）
　ここで、上記アでの検討を踏まえると、上記記載は、「まず、予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンからなる基板１０を準備する。そして、基板１０の受光面Ａの略全面上に」、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層からなるパッシベーション膜１５ａを形成し、さらにＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚みを有するシリコン窒化物の層からなる光反射防止膜１５ｂを順次積層することにより、パッシベーション膜１５ａおよび光反射防止膜１５ｂによって、「光入射側構造体１５を形成する」ことであると認められる。
　
（イ）「そして、基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成する。」（［００５２］）
　
（ウ）「そして、・・・キャップ層３０の表面上に、所定のパターンでレジスト膜４０を形成する。」（［００５３］）
　
（エ）「そして、・・・レジスト膜４０から露出するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０をエッチング除去し、その後、レジスト膜４０を除去する。」（［００５４］）
　
（オ）「そして、・・・基板１０の裏面Ｂの表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１３ｂおよび２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質半導体層１３ａを順次形成する。」（［００５６］）
　
（カ）「最後に、スパッタ法や印刷法などの方法により、ｎ型非晶質半導体層１３ａの表面上に、所定のパターンでｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する。」「これにより、・・・太陽電池２００が製造される。」（［００５７］）
　
エ　上記ウによれば、「第３実施形態による太陽電池２００の製造方法」は、「まず」、「そして」〜「そして」（５回）、「最後に」という時系列の順序を示す接続詞をもって特定されるものであるから、上記「ウ」「（ア）」ないし「（カ）」それぞれの処理を時系列とする製造過程が記載されているものと認められ、各処理は工程といえるから、概略次のとおりである。
（ア）「まず、・・・基板１０を準備する（工程１）」、「そして、・・・光入射側構造体１５を形成する（工程２）」（上記「ウ」「（ア）」）
　
（イ）「そして、・・・ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、・・・ｐ型非晶質半導体層１２ａおよび・・・キャップ層３０を順次形成する（工程３）」（上記「ウ」「（イ）」）
　
（ウ）「そして、・・・レジスト膜４０を形成する（工程４）」（上記「ウ」「（ウ）」）
　
（エ）「そして、・・・ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０をエッチング除去し、その後、レジスト膜４０を除去する（工程５）」（上記「ウ」「（エ）」）
　
（オ）「そして、・・・ｉ型非晶質半導体層１３ｂおよび・・・ｎ型非晶質半導体層１３ａを順次形成する（工程６）」（上記「ウ」「（オ）」）
　
（カ）「最後に、・・・ｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する（工程７）」「これにより、・・・太陽電池２００が製造される。」（上記「ウ」「（カ）」）
　
オ　上記アないしエを踏まえると、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「まず、予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンからなる基板１０を準備する工程１、
　そして、基板１０の受光面Ａの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層からなるパッシベーション膜１５ａを形成し、さらにＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚みを有するシリコン窒化物の層からなる光反射防止膜１５ｂを順次積層することにより、パッシベーション膜１５ａおよび光反射防止膜１５ｂによって、光入射側構造体１５を構成する工程２、
　そして、基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなる基板１０をパッシベートする機能を有するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成する工程３、
　そして、キャップ層３０の表面上に、所定のパターンでレジスト膜４０を形成する工程４、
　そして、レジスト膜４０から露出するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０をエッチング除去し、その後、レジスト膜４０を除去することにより、基板１０の裏面Ｂの第１領域Ｂ１の表面上に、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を形成する工程５、
　上記エッチングでは、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を、基板１０の裏面Ｂが露出するまでエッチング除去するものであり、
　そして、基板１０の裏面Ｂの表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１３ｂおよび２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質半導体層１３ａを順次形成して、ｉ型非晶質半導体層１３ｂおよびｎ型非晶質半導体層１３ａを、基板１０の裏面Ｂの略全面上に形成する工程６、
　最後に、スパッタ法や印刷法などの方法により、ｎ型非晶質半導体層１３ａの表面上に、所定のパターンでｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する工程７、
　前記工程１ないし工程７の順の工程により、太陽電池２００が製造される、
　太陽電池２００の製造方法。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「まず、予め受光面Ａにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンからなる基板１０を準備する工程１」及び「そして、基板１０の受光面Ａの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層からなるパッシベーション膜１５ａを形成し、さらにＣＶＤ法により５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚みを有するシリコン窒化物の層からなる光反射防止膜１５ｂを順次積層することにより、パッシベーション膜１５ａおよび光反射防止膜１５ｂによって、光入射側構造体１５を構成する工程２」は、本願発明の「半導体材料からなる基板の第１表面の少なくとも一部の領域上に第１パッシベーション層を形成する第１の工程」に相当する。
　
（イ）引用発明の「そして、基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなる基板１０をパッシベートする機能を有するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成する工程３」及び「最後に、スパッタ法や印刷法などの方法により、ｎ型非晶質半導体層１３ａの表面上に、所定のパターンでｐ側電極２０ａおよびｎ側電極２０ｂを形成する工程７」は、本願発明の「前記第１の工程後、前記基板の前記第１表面と反対の第２表面の少なくとも一部の領域上に第２パッシベーション層および第３パッシベーション層を形成する第２の工程と、前記第２の工程後、前記第２表面側のみに電極を形成する第３の工程と、を備え」ることと、「前記第１の工程後、前記基板の前記第１表面と反対の第２表面の少なくとも一部の領域上に第２パッシベーション層および第３の層を形成する第２の工程と、前記第２の工程後、前記第２表面側のみに電極を形成する第３の工程と、を備え」る点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「そして、基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなる基板１０をパッシベートする機能を有するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａおよび０．５ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するキャップ層３０を順次形成する工程３」は、本願発明の「前記第２の工程は、前記第２表面上に前記第２パッシベーション層を形成する工程と前記第２表面上の前記第２パッシベーション層の上に第１の導電型のドーパントを含む第１半導体層及び絶縁層を形成する工程」に相当する。
　
（エ）引用発明の「そして、キャップ層３０の表面上に、所定のパターンでレジスト膜４０を形成する工程４、そして、レジスト膜４０から露出するｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０をエッチング除去し、その後、レジスト膜４０を除去することにより、基板１０の裏面Ｂの第１領域Ｂ１の表面上に、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を形成する工程５」であって、「上記エッチングでは、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０の積層膜を、基板１０の裏面Ｂが露出するまでエッチング除去するものであ」る工程は、本願発明の「前記第１半導体層と前記絶縁層のうちの一部をエッチングして、前記基板の裏面を露出させる工程」に相当する。
　
（オ）引用発明の「そして、基板１０の裏面Ｂの表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１３ｂおよび２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｎ型非晶質半導体層１３ａを順次形成して、ｉ型非晶質半導体層１３ｂおよびｎ型非晶質半導体層１３ａを、基板１０の裏面Ｂの略全面上に形成する工程６」は、本願発明の「前記基板の裏面の露出した領域に、前記第３パッシベーション層を形成する工程と、前記第３パッシベーション層の上に前記第１の導電型と異なる第２導電型のドーパントを含む第２半導体層を形成する工程」と、「前記基板の裏面の露出した領域に、前記第３の層を形成する工程と、前記第３の層の上に前記第１の導電型と異なる第２導電型のドーパントを含む第２半導体層を形成する工程」の点で一致する。
　
（カ）引用発明の「太陽電池２００の製造方法」は本願発明の「光電変換装置の製造方法」に相当する。
　
（キ）上記（ア）ないし（カ）によれば、両者は
「光電変換装置の製造方法であって、
　半導体材料からなる基板の第１表面の少なくとも一部の領域上に第１パッシベーション層を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程後、前記基板の前記第１表面と反対の第２表面の少なくとも一部の領域上に第２パッシベーション層および第３の層を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程後、前記第２表面側のみに電極を形成する第３の工程と、
を備え、前記第２の工程は、
　前記第２表面上に前記第２パッシベーション層を形成する工程と
　前記第２表面上の前記第２パッシベーション層の上に第１の導電型のドーパントを含む第１半導体層及び絶縁層を形成する工程と、
　前記第１半導体層と前記絶縁層のうちの一部をエッチングして、前記基板の裏面を露出させる工程と、
　前記基板の裏面の露出した領域に、前記第３の層を形成する工程と、
　前記第３の層の上に前記第１の導電型と異なる第２導電型のドーパントを含む第２半導体層を形成する工程と、
　を含む光電変換装置の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
・「第３の層」が、本願発明は「パッシベーション層」であるのに対して、引用発明は「ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１３ｂ」である点（以下「相違点」という。）。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明における「基板１０の受光面Ａの略全面上に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコン層からなるパッシベーション膜１５ａ」は、「パッシベーション膜」であり、また、「基板１０の裏面Ｂの略全面に、ＣＶＤ法により３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンからなるｉ型非晶質半導体層１２ｂ、２ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｐ型非晶質半導体層１２ａ」も「基板１０をパッシベートする機能を有」するから「パッシベーション膜」である。
　また、上記「３」「（１）」「エ」には、「ｉ型非晶質半導体層１５ａ」は、「原料ガスとしてＳｉＨ４およびＨ２の混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって」「形成した」ものであり、「ｉ型非晶質シリコン層１２ｂ」は、「原料ガスとしてＳｉＨ４、Ｈ２およびＢ２Ｈ６を用い、プラズマＣＶＤ法によって」形成したものであり、そして、「ｉ型非晶質半導体層１３ｂ」は、「原料ガスとしてＳｉＨ４、Ｈ２およびＰＨ３を用いて、プラズマＣＶＤ法によって」形成したものであると記載され、「ｉ型非晶質半導体層１５ａ」、「ｉ型非晶質シリコン層１２ｂ」及び「ｉ型非晶質半導体層１３ｂ」はいずれも、原料ガスとしてＳｉＨ４およびＨ２等のＨ２を含む混合ガスを用い、プラズマＣＶＤによって形成したものである点で水素（Ｈ２）を含むものである。
　したがって、同様の「ＣＶＤ法」を用いて「３ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有するｉ型非晶質シリコンから」形成される、「基板１０の裏面Ｂの表面上からキャップ層３０の表面上に跨るように」「基板１０の裏面Ｂの略全面上に形成」される「ｉ型非晶質半導体層１３ｂ」が「基板１０をパッシベートする機能を有」することは明らかであるから、「ｉ型非晶質半導体層１３ｂ」も「パッシベーション膜」であるといえる。
　そうすると、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、引用発明は本願発明の構成をすべて備えている。
　よって、本願発明は、引用発明である。
　
（４）請求人の主張について
ア　請求人の主張
　請求人は、平成２９年１０月２３日に提出した意見書の「２．意見の内容」の２頁３〜１４行において、
「しかしながら、引用文献の図３及び図４には、基板１０、光入射側構造体１５、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａ及びキャップ層３０の構成を示すものであり、審判官殿が指摘されたように（工程１）〜（工程３）の順に製造されることは何ら明示されていない。同様に、引用文献の記載から、その後の（工程４）〜（工程６）もこの順で行われることが明示されているとはいえない。
　（工程４）及び（工程５）は図４の記載に基づくものであり、（工程６）は図５の記載に基づくものであり、説明の順序と図面の並びとが一致しているので、（工程４）〜（工程６）がこの順で行われることについての審判官殿の御指摘はある程度の妥当性があると考えられる。しかしながら、（工程１）〜（工程３）については、（工程４）〜（工程６）の妥当性とは大きな相違があり、（工程４）〜（工程６）と同じ理由によって（工程１）〜（工程３）もこの順で行われることが引用文献に開示されているとは到底認めることができない。」と主張する。
　ここで、「（工程１）〜（工程３）」とは、「まず、基板１０を準備し、（工程１）」「そして、光入射側構造体１５を構成し、（工程２）」「そして、ｉ型非晶質半導体層１２ｂ、ｐ型非晶質半導体層１２ａおよびキャップ層３０を順次形成し、（工程３）」（上記「３」「（２）」「ウ」参照）である。
　
イ　引用文献の記載
　そして、上記「（工程１）〜（工程３）」に関して、引用文献には［００５１］〜［００５２］（上記「３」「（１）」「ウ」参照）のとおりの記載がある。
　
ウ　当審の判断
　すなわち、上記イの引用文献の記載によれば、上記「３」「（２）」「ウ」で検討したとおり、（工程１）〜（工程３）の順に製造されることが明示されている。
　よって、請求人の上記意見書の主張は、引用文献の記載に基づくものとはいえず、採用できない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、他の請求項について検討するまでもなく、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。