【事件の表示】
　特願２０１５−５１３４１４「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月３０日国際公開、ＷＯ２０１４／１７４６１３、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１３年（平成２５年）４月２４日を国際出願日とする出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。
　平成２７年　４月２８日：手続補正書の提出
　平成２８年　４月２７日：拒絶理由の通知
　平成２８年　７月　６日：意見書、手続補正書の提出
　平成２８年１２月　２日：拒絶査定（同年１２月１３日送達）
　平成２９年　２月２７日：審判請求書、手続補正書の提出
　平成２９年１１月　２日：拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）の　　　　　　　　　　　　　通知
　平成２９年１１月１７日：意見書、手続補正書の提出
　  
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は、平成２９年１１月１７日付け手続補正で補正された請求項１ないし６に特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、
　前記半導体基板の一方の面全面を被覆するように、ＢＳＧ膜からなる拡散保護マスクを形成する工程と、
　前記半導体基板の一方の面全面を、前記拡散保護マスクで被覆した状態で、第１の不純物であるホウ素とは異なる導電型の第２の不純物を含有するガス中で、前記拡散保護マスクから前記ホウ素を前記一方の面に拡散するとともに、前記半導体基板の他方の面に前記ガスから前記第２の不純物を拡散する熱工程を含む両面同時拡散工程とを実施し、
　前記一方の面に第１の不純物拡散層を形成するとともに、
　前記他方の面に、前記拡散保護マスクとは異なる導電性となる第２の不純物拡散層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。」
　本願発明２ないし６は、本願発明１を減縮した発明である。
第３　引用文献の記載
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１３−２６５７８号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は、当審で付した。以下同様である。）
（１）「【０００１】
　本発明は、太陽電池素子のｎ型拡散層の製造方法及び
太陽電池素子の製造方法
（２）「【００３７】
　図１（２）では、
半導体基板
の表面
に
ｎ型拡散層形成組成物層
を形成する。
　上記ｎ型拡散層形成組成物の塗布量としては特に制限は無いが、例えば、ガラス粉末量として０．０１ｇ／ｍ２〜１００ｇ／ｍ２とすることができ、０．１ｇ／ｍ２〜１０ｇ／ｍ２であることが好ましい。」
（３）「【００４２】
　本発明の
製造方法
裏面のｐ＋型拡散層（高濃度電界層）
Ｂ（ボロン）
を含む組成物
高濃度電界層
を形成する
　前記
Ｂ（ボロン）
含む組成物
ｐ型拡散層形成組成物
　前記ｐ型拡散層形成組成物を半導体基板の裏面に付与する方法は、既述のｎ型拡散層形成組成物を半導体基板１０上に塗布する方法と同様である。
　
裏面に付与された前記ｐ型拡散層形成組成物を、
熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層
を形成する
ｐ型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、ｎ型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なう
【００４３】
　次いで、図１（３）では、前記ｎ型拡散層形成組成物を塗布して
ｎ型拡散層形成組成物層
を形成し
熱処理工程を施す
　前記第二の熱処理工程における処理温度は、例えば６００℃〜１２００℃の範囲とされ、８００℃〜９５０℃の範囲とされることが好ましい。前記第二の熱処理工程により、半導体基板１０中へドナー元素が拡散し、
ｎ型拡散層
が形成される。
　前記第二の熱処理工程においては、公知の連続炉、バッチ炉等が適用できる。また、前記第二の熱処理工程における炉内雰囲気は、空気、酸素、窒素等に適宜調整することもできる。中でも、酸素雰囲気とすることが好ましく、この場合、炉内の酸素濃度は５体積％未満であることが好ましい。
　前記第二の熱処理工程における処理時間は、ｎ型拡散層形成組成物に含まれるドナー元素の含有率に応じて適宜選択することができる。例えば、１分間〜６０分間とすることができ、２分間〜３０分間であることがより好ましい。前記処理温度が６００℃以上であると、ドナー元素の拡散が十分に行われ、十分なＢＳＦ効果が得られる。１２００℃以下であると、基板が劣化することを抑制できる。
　尚、ｎ型拡散層１２を形成する熱処理は、短時間熱処理（ＲＴＰ）技術を用いて実施することもできる。」
（４）上記（１）ないし（３）から、上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「半導体基板の表面に、ｎ型拡散層形成組成物層を形成し、熱処理工程を施し、ｎ型拡散層が形成され、裏面に付与されたＢ（ボロン）含む組成物で形成されたｐ型拡散層形成組成物を、熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層を形成され、ｐ型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、ｎ型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なう太陽電池素子の製造方法。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（国際公開第２０１０／０９００９０号）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「［００６８］また、
第２導電型ドーパント拡散剤
としては、第２導電型ドーパント源を含むものを用いることができ、第２導電型ドーパント源としては、第２導電型がｐ型である場合には、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物、ホウ素−アルミニウム化合物、有機アルミニウム化合物またはアルミニウム塩のようなホウ素原子および／またはアルミニウム原子を含む化合物を単独でまたは２種以上併用して用いることができ、
（２）「［０１４６］以下、図５（ａ）〜図５（ｊ）の模式的断面図を参照して、本実施の形態における
太陽電池の製造方法
［０１４７］まず、図５（ａ）に示すように、半導体基板１を用意し、続いて、図５（ｂ）に示すように、半導体基板１の表面の一部に開口部２ｂと厚膜部２ａとを有する拡散抑制マスク２を形成する。ここで、拡散抑制マスク２は、実施の形態１〜３と同様の方法で形成することができる。
［０１４８］次に、図５（ｃ）に示すように、
半導体基板
の表面
に第２導電型ドーパントを含有する第２導電型ドーパント拡散剤
を塗布する
［０１４９］次に、図５（ｄ）に示すように、
半導体基板
を熱処理することによって、第２導電型ドーパント拡散剤
から半導体基板
の表面に第２導電型ドーパントを拡散させて、低濃度第２導電型ドーパント拡散層
および高濃度第２導電型ドーパント拡散層
を形成するとともに、第１導電型ドーパント含有ガス
を流すことによって半導体基板
の表面に第１導電型ドーパントを拡散させて、低濃度第１導電型ドーパント拡散層
および高濃度第１導電型ドーパント拡散層
を形成する。
［０１５０］なお、
第１導電型ドーパント含有ガス
を用いた第１導電型ドーパントの拡散工程は第２導電型ドーパントの拡散工程と同一の工程で行なってもよく、
（３）上記（１）及び（２）から、上記引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「半導体基板の表面に第２導電型ドーパントを含有する第２導電型ドーパント拡散剤を塗布し、導体基板を熱処理することによって、第２導電型ドーパント拡散剤から半導体基板の表面に第２導電型ドーパントを拡散させて、低濃度第２導電型ドーパント拡散層および高濃度第２導電型ドーパント拡散層を形成するとともに、第１導電型ドーパント含有ガスを流すことによって半導体基板の表面に第１導電型ドーパントを拡散させて、低濃度第１導電型ドーパント拡散層および高濃度第１導電型ドーパント拡散層形成し、第１導電型ドーパント含有ガスを用いた第１導電型ドーパントの拡散工程は第２導電型ドーパントの拡散工程と同一の工程で行なってもよく、第２導電型ドーパント拡散剤としては、第２導電型ドーパント源を含むものを用いることができ、第２導電型ドーパント源としては、第２導電型がｐ型である場合には、たとえば、酸化ホウ素、ホウ酸、有機ホウ素化合物、ホウ素−アルミニウム化合物、有機アルミニウム化合物またはアルミニウム塩のようなホウ素原子および／またはアルミニウム原子を含む化合物を単独でまたは２種以上併用して用いることができる太陽電池の製造方法。」
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　引用発明１の「半導体基板」は、本願発明１の「半導体基板」に、引用発明１の「半導体基板の表面」は、本願発明１の「半導体基板の表面」に、引用発明１の「『半導体基板の』『裏面』」は、本願発明１の「『半導体基板の』『裏面』」に、引用発明１の「太陽電池素子の製造方法」は、本願発明１の「太陽電池の製造方法」に、引用発明１の「ｐ型拡散層形成組成物の熱拡散処理は、ｎ型拡散層形成組成物の熱拡散処理と同時に行なう」は、本願発明１の「熱工程を含む両面同時拡散工程とを実施し」に、それぞれ相当する。
イ　ｎ型とｐ型は異なる導電型であり、本願発明１の「拡散保護マスク」は「ＢＳＧ膜からな」り、「第２の不純物」は「第１の不純物であるホウ素とは異なる導電型」であるので、引用発明１の「半導体基板の表面に、ｎ型拡散層形成組成物層を形成し、熱処理工程を施し、ｎ型拡散層が形成され、裏面に付与されたＢ（ボロン）含む組成物で形成されたｐ型拡散層形成組成物を、熱拡散処理することで、裏面に高濃度電界層を形成され」と、本願発明１の「半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する」、「第１の不純物であるホウ素とは異なる導電型の第２の不純物を含有するガス中で、前記拡散保護マスクから前記ホウ素を前記一方の面に拡散するとともに、前記半導体基板の他方の面に前記ガスから前記第２の不純物を拡散する」及び「前記一方の面に第１の不純物拡散層を形成するとともに、前記他方の面に、前記拡散保護マスクとは異なる導電性となる第２の不純物拡散層を形成する」は、「半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する」、「『第１の不純物である』『ホウ素を前記一方の面に拡散するとともに、前記半導体基板の他方の面に』『前記第２の不純物を拡散する』」及び「前記一方の面に第１の不純物拡散層を形成するとともに、前記他方の面に、第１の不純物であるホウ素とは異なる導電型の第２の不純物拡散層を形成する」点で、一致する。
ウ　本願発明１と引用発明１とを対比すると、両者の一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、
　第１の不純物であるホウ素を一方の面に拡散するとともに、前記半導体基板の他方の面に第２の不純物を拡散する熱工程を含む両面同時拡散工程とを実施し、
　前記一方の面に第１の不純物拡散層を形成するとともに、
　前記他方の面に、第１の不純物であるホウ素とは異なる導電性となる第２の不純物拡散層を形成する太陽電池の製造方法。」
（相違点１）
　太陽電池の製造方法において、本願発明１では、「半導体基板の一方の面全面を被覆するように、ＢＳＧ膜からなる拡散保護マスクを形成する工程」を実施するのに対し、引用発明１では、そのような特定がない点。
（相違点２）
　第１の不純物であるホウ素を一方の面に拡散するとともに、半導体基板の他方の面に第２の不純物を拡散する熱工程を含む両面同時拡散工程が、本願発明１では「半導体基板の一方の面全面を、前記拡散保護マスクで被覆した状態で、第１の不純物であるホウ素とは異なる導電型の第２の不純物を含有するガス中」で実施され、前記ホウ素を前記一方の面に拡散するのは「前記拡散保護マスクから」であり、前記第２の不純物を拡散するの「前記ガスから」であるのに対し、引用発明１では、そのような特定がない点。
（２）判断
　引用文献２には、上記相違点１の構成は記載されていないから、上記相違点１は、当業者が引用発明１に引用文献２に記載された技術を採用して容易に想到し得たものではない。そして、本願発明１は上記相違点１の構成を備えることで、引用文献２から想定され得るものに比べて、さらに「低コストで高効率の太陽電池の製造が可能であるという効果を奏する。」という効果を奏するものである。
　したがって、本願発明１は、相違点２について検討するまでもなく、当業者が引用発明１及び引用発明２に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。
２　本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６は、本願発明１を減縮した発明であるから、本願発明１と同様の理由により、当業者が上記引用発明１及び上記引用発明２に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１ないし９について上記引用文献１及び２に基いて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、上記のとおり、平成２９年１１月１７日付け手続補正で補正された請求項１ないし６は、当業者が上記引用文献１に記載された発明及び上記引用文献２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では、特許法第３６項第６項第１号及び特許法第３６項第６項第２号の拒絶理由を通知しているが、平成２９年１１月１７日付け手続補正で補正された結果、この拒絶理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定及び当審の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。