(57)【要約】【課題】欠陥を容易に視覚的に認識することができるようにすること。【解決手段】基板４５上に積層した少なくとも一方が透明な複数の電極４６，５２と、複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９と、この複数の電極４６，５２及びこの有機電界発光層４９を被覆するとともに、ある波長域で少なくともその有機電界発光層４９よりも透過率の低い遮光性封止層１３とを有する。
2008120313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層と
を備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、
入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光性封止層は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光性封止層は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、
前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層と
を備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、
入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の表示装置において、
前記封止層は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４記載の表示装置において、
前記封止層は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層と
を有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、
前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層と
を有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする表示パネル。
【請求項９】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記遮光性封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、
前記遮光性封止層に光透過点が存在する場合に前記遮光性封止層に欠陥が存在すると判断し、前記遮光性封止層に光透過点が存在しない場合に前記遮光性封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの検査方法。
【請求項１０】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光封止層が放出した光に対する遮光性を有する封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、
前記封止層に発光点が存在する場合に前記封止層に欠陥が存在すると判断し、前記封止層に発光点が存在しない場合に前記封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの検査方法。
【請求項１１】
基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、
前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、
ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、前記発光被覆層及び前記封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、
前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、照射した励起光に基づく光励起によって発光する発光被覆層を形成する発光被覆層形成ステップと、
前記発光被覆層を封止するともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、前記発光被覆層及び前記封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電極に生じさせた電界によって有機電界発光層が発光する有機電界発光素子を有する表示装置、表示パネル、表示パネルの検査方法及び表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる次世代のディスプレイとして、いわゆる有機電界発光素子を用いた表示装置が開発されている。この有機電界発光素子を用いたディスプレイ（以下「有機ＥＬディスプレイ」という）は、印加電圧が小さくても高輝度な発光を実現することができる特徴を有する表示装置である。【０００３】
この有機ＥＬディスプレイは、自発光の面状表示素子として注目されており、発光効率が高く、単純な素子構造で発光するという特徴を有する。具体的には、この有機ＥＬディスプレイの有機電界発光素子は、対向する複数の電極から各々注入された正孔及び電子が有機物質を用いた発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起して発光を行うものである。【０００４】
近年の有機電界発光素子においては、上記電極や有機電界発光層が形成された基板上に、防湿性、ガスバリア性の封止層を成膜する封止技術（一般的に「膜封止」と呼ばれている）が用いられている。この封止技術の原理としては、防湿性、ガスバリア性の封止層でＥＬ基板を覆うことにより、封止能力を得るというものであり、多層構造を用いることにより、さらに封止性能を増すことができる。【０００５】
その際に起こる欠陥としては、ダークスポットと呼ばれる有機電界発光素子の非発光領域の拡大を挙げることができる。成膜時におけるピンホールなどを主な原因として、点欠陥から透湿などが起こり、有機電界発光素子の非発光点が円形に拡大する。この円形の非発光欠陥が、その後の透湿により拡大するか否かは、封止層における欠陥の有無と、その欠陥部分の大きさにより決定される。このようなダークスポットなどを減らすための先行技術においては、その封止層構成として、欠陥部を被覆するバッファ層（平坦化層）を設けることなどが知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３１２８８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような封止技術によって、従来の有機電界発光素子においては、封止層の欠陥数を減らすことができる。しかしながら、一般的に、バッファ層によって覆いきれなかった点欠陥が存在した場合、製品出荷前に表示装置の大きな発光不良として認識できるまでに時間がかかる。従って、その前に行われる検査段階においては、有機電界発光素子の欠陥品を完全に選別することができない問題点があった。【０００７】
本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路とを有することを特徴とする。【０００９】
上記課題を解決するために、請求項４記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路とを有することを特徴とする。【００１０】
上記課題を解決するために、請求項７記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層とを有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする。【００１１】
上記課題を解決するために、請求項８記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層とを有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする。【００１２】
上記課題を解決するために、請求項９記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、前記封止層に光透過点が存在する場合に前記封止層に欠陥が存在すると判断し、前記封止層に光透過点が存在しない場合に前記封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有することを特徴とする。【００１３】
上記課題を解決するために、請求項１０記載の発明は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、前記封止層に発光点が存在する場合に前記封止層に欠陥が存在すると判断し、前記封止層に発光点が存在しない場合に前記封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有することを特徴とする。【００１４】
上記課題を解決するために、請求項１１記載の発明は、基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層を形成する封止層形成ステップと、前記封止層に対して光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。【００１５】
上記課題を解決するために、請求項１２記載の発明は、基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、照射した励起光に基づく光励起によって発光する発光被覆層を形成する発光被覆層形成ステップと、前記発光被覆層を封止するともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層を形成する封止層形成ステップと、前記封止層に対して光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態としての有機電界発光素子３を備える表示装置１の外観の一例を示す正面図である。【００１７】
表示装置１は、筐体２及び脚部５を有する。筐体２は、脚部５によって設置面において支えられている。この筐体２は、その外観上、表示パネル７及び２つのスピーカー４を備えている。この表示パネル７は、筐体２の中央部に設けられており、筐体２の中央部において、外部から入力された画像データに基づく映像を表示する機能を有する。この筐体２の下部には、その右側及び左側に各々スピーカー４が設けられている。【００１８】
このスピーカー４は、表示パネル７に表示された映像に同期して音を出力する機能を有する。この筐体２は、その内部に駆動回路６を備えている。この駆動回路６は、上記画像データに基づく映像を表示パネル７に表示させるための駆動制御を行う。【００１９】
上記表示パネル７は、いわゆる有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示パネルである。本実施形態においては、この有機エレクトロルミネッセンス素子を「有機電界発光素子」と呼ぶ。この表示パネル７は、多数の有機電界発光素子がマトリクス状に配列した構成となっている。これらマトリクス状に配列した有機電界発光素子は、上記駆動回路６の制御によって各画素ごとに駆動制御されている。【００２０】
図２は、図１に示す表示パネル７に配列する有機電界発光素子３の構成例を示す断面図である。【００２１】
有機電界発光素子３は、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、例えば赤色、緑色及び青色に対応させて各々形成される。この有機電界発光素子３は、ガラス基板４５上に、陽極４６（透明な電極）、発光層４９（有機電界発光層）及び陰極５２（電極）が順に積層されている。この有機電界発光素子３は、これら陽極４６などが遮光性封止層１３によって被覆された構造となっている。この遮光性封止層１３は、ある波長域で発光層４９よりも透過率の低い材質を採用している。【００２２】
これら陽極４６及び陰極５２（電極）は、ガラス基板４５上に積層した一方が透明な構成となっている。またこれら陽極４６及び陰極５２は、各々、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びＡｌを材質としている。なお、この有機電界発光素子３は、発光層４９内に電荷及び励起子を各々閉じ込めるための電荷及び励起子拡散層が積層された構造を採用しても良い。図示の有機電界発光素子３は、１画素分に相当している。【００２３】
このガラス基板４５は、透明な材質によって形成されている。上記陽極４６は、上記ＩＴＯの代わりにＩＺＯを材質としてもよい。この陽極４６は、後述するように発光層４９が放射した光Ｌを透過する透明な電極を構成している。上記陽極４６（複数の電極の一方）は、ガラス基板４５に沿って広くこのガラス基板４５上に形成されている。この陽極４６は、後述する発光層４９に対して正孔を供給する機能を有する。【００２４】
上記発光層４９は、電界発光現象、つまり、いわゆるエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を使った発光素子である。この発光層４９は、複数の電極４６，５２の間において積層されており、印加電圧によって複数の電極４６，５２間に生じた電界によって発光する機能を有する。この発光層４９は、その外部から電界を用いて受け取ったエネルギーに基づく光を放出する現象を利用し、自ら光Ｌを出力する。【００２５】
本実施形態のように有機電界発光素子３が、例えばボトムエミッションタイプである場合、この発光層４９は、主として下方に光Ｌ（外部光）を放射する。このように発光層４９が放射した光Ｌは、外部光として有機電界発光素子３の外部に取り出されるばかりでなく、有機電界発光素子３内において消失してしまう場合もある。【００２６】
遮光性封止層１３は、複数の電極（陽極４６及び陰極５２）及び発光層４９を被覆する。この遮光性封止層１３は、後述する検査方法（検査工程）での光照射において光を透過させないようにする機能を有する。この遮光性封止層１３は、発光層４９が放射した光が外部に漏れないように遮光する機能を有する。この遮光性封止層１３はガスバリア性を有する。この遮光性封止層１３は、その材質（非発光封止層の材料）としては、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒといった各種金属材料、ＣｒＮなどの透過率の低い金属酸化物、金属窒化物などのいずれかを挙げることができる。なお、この遮光性封止層１３の厚さは、例えば少なくとも１０ｎｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは、例えば１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
＜有機電界発光素子３の動作例＞
有機電界発光素子３及びこれを内蔵する表示装置１は以上のような構成であり、次に有機電界発光素子３及びこれを内蔵する表示装置１の動作例について説明する。【００２７】
図１に示す表示装置１は、その表示パネル７においてこのような有機電界発光素子３がマトリクス状に多数配列しており、これら多数の有機電界発光素子３は駆動回路６の制御によって次のように動作する。【００２８】
まずこの駆動回路６は、入力された画像データに基づいて、この画像データに基づく画像を表示パネル７に表示させるべく、各有機電界発光素子３を駆動する。すると、各有機電界発光素子３においては、この駆動回路６が、図２に示す陽極４６と陰極５２の間に、図示しない所定の電源から直流電圧を印加する。【００２９】
このように陽極４６と陰極５２に直流電圧が印加されると、この陽極４６は正孔を放出する。この陽極４６から放出された正孔は、上記発光層４９に到達する。このようにして発光層４９は陽極４９から正孔を受け取ることができる。一方、上記陰極５２は電子を上記発光層４９に対して注入する。このようにして発光層４９は、陰極４６から放出された電子を受け取ることができる。【００３０】
この発光層４９は、このように注入された正孔と電子によって次のように動作する。これら注入された正孔及び電子は、この発光層４９内において再結合して不安定な高いエネルギー状態である励起状態となる。さらにこの発光層４９は、その後すぐに元の安定した低いエネルギー状態である基底状態に戻る。このとき、発光層４９は、これら励起状態及び基底状態におけるエネルギー差に基づいて光Ｌを放出する。【００３１】
このようにすると、図１に示す表示装置１は、上記駆動回路６の制御によって各有機電界発光素子３に対応する画素から光Ｌを放出し、この表示パネル７に所定の画像を表示させることができる。このときこの画像の表示に同期させて、表示装置１は、そのスピーカー４から音を出力することができる。
＜第１実施形態における表示パネルの製造方法１＞
有機電界発光素子３及び表示装置１の動作例は以上のようであり、次に図１及び図２を参照しつつ、表示パネル７に配列する有機電界発光素子３の製造方法の一例について説明する。なお、この表示パネル７の製造方法は、この有機電界発光素子３の検査方法を含んでいる。【００３２】
図３〜図７は、それぞれ、第１実施形態における表示パネル７の製造方法によって表示パネル７の有機電界発光素子３が製造される様子の一例を示す断面図である。【００３３】
まず最初に、図に示すようにガラス基板４５を用意し、このガラス基板４５には、図に示すように透明な陽極４６が成膜される（第１電極形成ステップ）。このように成膜された陽極４６上には、図に示すように有機電界発光素子３を形成すべき位置に、発光層４９が成膜される（発光層形成ステップ）。【００３４】
さらに、図６に示すように、この発光層４９上には陰極５２が成膜される（第２電極形成ステップ）。さらに、陰極５２上にはこの陰極５２のみならず、図２に示すように発光層４９及び陰極５２を覆うように遮光性封止層１３が形成される（遮光封止層形成ステップの一部）。この遮光性封止層１３としては、上述のようにある波長域で少なくとも発光層４９よりも透過率の低い封止基材を採用している。この封止基材は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｏｎ）又はスパッタを用いた気相成膜法によって形成されても良いし、例えば真空蒸着を用いた蒸着法を用いて形成されても良い。この場合、この封止基材は、スパッターゲットとして、例えばＣｒを用い、反応性ガスをＮ２として、反応性スパッタによりＣｒＮ層を３００ｎｍ形成した。【００３５】
このようにして遮光性封止層１３が形成されるが、このように遮光性封止層１３によって封止した際、この遮光性封止層１３には、図７に示すような欠陥２が生じてしまう場合がある。この欠陥２は、例えば微少であり、そのままでは視覚的に認識しにくい程度の大きさとなっている。本実施形態では、さらに、次のようにして遮光性封止層１３による封止状態に関して検査を行う。
＜第１実施形態における表示パネルの検査工程＞
まず最初に、図に示すように有機電界発光素子３は、ガラス基板側から白色光が照射される。すると、この有機電界発光素子３には、この遮光性封止層１３として、例えばＣｒＮが均一に成膜されているため、この遮光性封止層１３に欠陥２が存在しなければ透過光が検知されない。しかしながら、ある特定の有機電界発光素子３においては、遮光性封止層１３に、例えば、約２μｍ径の光透過点２を確認することができた。すなわち、この光透過点は、ガスバリア性を担う遮光性封止層１３（ＣｒＮ層）における欠陥２の部分である。【００３６】
従って、このような欠陥２は、この検査方法によれば光透過点として視覚的に認識することができるようになるため、例えば有機電界発光素子３の出荷前に、室温で時間の経過とともに広がっていく特性を有する（拡大性の）点状の欠陥２の有無を素早く容易に確認することができる。このようにして欠陥２のある有機電界発光素子３を内蔵する表示パネル７を用いて、例えば欠陥品となってしまった表示装置１が市場に流出することを防止することができる。【００３７】
このように本実施形態では、封止部材として、遮光性封止層１３を用いているため、検査工程において、白色光などの照射により、欠陥２を光透過点又は透過光異常点として検出することができる。【００３８】
上記実施形態における表示装置１は、基板４５上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２（陽極、陰極）と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９（発光層）と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも上記有機電界発光層４９（発光層）よりも透過率の低い遮光性封止層とを備える有機電界発光素子３が配列する表示パネル７と、入力された画像データに応じて上記複数の電極４６，５２間に印加電圧を与えることで、上記表示パネル７の各上記有機電界発光素子３を駆動する駆動回路とを有する。【００３９】
上記実施形態における表示パネル７は、基板上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも上記有機電界発光層４９よりも透過率の低い遮光性封止層１３とを有する有機電界発光素子３が配列している。【００４０】
これらのような構成とすると、その外側からその基板４５に向けて上記ある波長域の光が照射されると、この光は、有機電界発光層４９（発光層）を透過し、遮光性封止層１３に到達する。このとき、その遮光性封止層１３に欠陥２が生じている場合、この光は、遮光性封止層１３によって本来全て遮光されているべきにもかかわらず、その欠陥２の部分のみから漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、外側より基板４５から遮光性封止層１３に向けて光を照射するという簡単な方法によって、この遮光封止層１３に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。【００４１】
ここで、出荷前に欠陥２（ダークスポット）が拡大性の点欠陥か否かを選別するには、一般的な公知の解析手法として、ＡＦＭや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析が挙げられる。これらの手法では、表示パネル７の全面において遮光封止層１３の凹凸形状を計測し、欠陥２の大きさを検出することは可能だが、表示パネル７の全面において極小の欠陥２を検出することは困難であった。なお、このように計測した情報を高さ情報と呼ぶ。しかしながら本実施形態によれば、極小の欠陥２であっても容易に検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、表示パネル７（有機ＥＬパネル）の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、その高さ情報だけで封止層８における欠陥２の有無を判断することは困難だった。一方、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、遮光封止層８における欠陥２か否かを特定することが出来る。【００４２】
上記実施形態における表示装置１及び表示パネル７は、それぞれ、上記構成に加えてさらに、上記遮光性封止層１３が、気相成膜法により成膜されている。このようにすると、一般的な成膜方法を用いて遮光性封止層１３を容易に成膜することができる。【００４３】
上記実施形態における表示装置１及び表示パネル７は、それぞれ、上記構成に加えてさらに、上記遮光性封止層１３が、蒸着法により成膜されている。このようにすると、一般的な成膜方法を用いて遮光性封止層１３を容易に成膜することができる。【００４４】
上記実施形態における表示パネル７の検査方法は、基板４５上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９（発光層）を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも上記有機電界発光層４９よりも透過率の低い遮光性封止層１３とを備える有機電界発光素子３が配列する表示パネル７の各有機電界発光素子３の上記遮光性封止層１３に対して、光を照射する光照射ステップと、上記遮光性封止層１３に光透過点が存在する場合に上記遮光性封止層１３に欠陥が存在すると判断し、上記遮光性封止層１３に光透過点が存在しない場合に上記遮光性封止層１３に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有する。【００４５】
このような製造方法によって製造された表示パネル７ａは、その外側からその基板４５に向けて上記ある波長域の光が照射されると、この光は、有機電界発光層４９（発光層）を透過し、遮光性封止層１３に到達する。このとき、その遮光性封止層１３に欠陥２が生じている場合、この光は、遮光性封止層１３によって本来全て遮光されているべきにもかかわらず、その欠陥２の部分のみから漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、外側より基板４５から遮光性封止層１３に向けて光を照射するという簡単な方法によって、この遮光封止層１３に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。【００４６】
ここで、上記表面解析手法では、上述のように表示パネル７の全面において遮光封止層１３の凹凸形状を計測し、欠陥２の大きさを検出することは可能だが、表示パネル７の全面において極小の欠陥２を検出することは困難であった。しかしながら本実施形態によれば、極小の欠陥２であっても容易に検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、表示パネル７（有機ＥＬパネル）の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、その高さ情報だけで封止層８における欠陥２の有無を判断することは困難だった。一方、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、遮光封止層８における欠陥２か否かを特定することが出来る。
＜第２実施形態＞
図８は、第２実施形態における表示装置１ａの表示パネル７ａに配列する有機電界発光素子３ａの構成例を示す断面図である。【００４７】
第２実施形態における有機電界発光素子３ａは、第１実施形態における有機電界発光素子３とほぼ同様の構成でありほぼ同様の動作であることから、同一の構成及び動作については第１実施形態における図１乃至図７と同一の符号を用いるとともに、その説明を省略し、以下の説明では異なる点を中心として説明する。【００４８】
第２実施形態における有機電界発光素子３ａは、第１実施形態における有機電界発光素子３とは異なり、遮光性封止層１３の代わりに、発光被覆層８及び封止層１２が形成されている。具体的には、有機電界発光素子３ａは次のような構成となっている。【００４９】
まず有機電界発光素子３ａは、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、例えば赤色、緑色及び青色に対応させて各々形成される。この有機電界発光素子３は、ガラス基板４５上に、陽極４６（透明な電極）、発光層４９（有機電界発光層）及び陰極５２（電極）が順に積層されているとともに、これらが発光被覆層８によって被覆された構造となっている。さらに、この発光被覆層８上には、この発光被覆層８を封止するとともに、この発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２が形成されている。つまり、この封止層１２は、発光被覆層８に光励起をさせるための励起光（例えばＨｇランプによる紫外線）を通過するが、この発光被覆層８が光励起によって放出した光（例えば波長５８０ｎｍ程度のオレンジ色の光）を遮光する機能を有する。【００５０】
これら陽極４６及び陰極５２（電極）は、ガラス基板４５上に積層した一方が透明な構成となっている。またこれら陽極４６及び陰極５２は、各々、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びＡｌを材質としている。なお、この有機電界発光素子３ａは、発光層４９内に電荷及び励起子を各々閉じ込めるための電荷及び励起子拡散層が積層された構造を採用しても良い。図示の有機電界発光素子３ａは、１画素分に相当している。【００５１】
このガラス基板４５は、透明な材質によって形成されている。上記陽極４６は、上記ＩＴＯの代わりにＩＺＯを材質としてもよい。この陽極４６は、後述するように発光層４９が放射した光Ｌを透過する透明な電極を構成している。上記陽極４６（複数の電極の一方）は、ガラス基板４５に沿って広くこのガラス基板４５上に形成されている。この陽極４６は、後述する発光層４９に対して正孔を供給する機能を有する。【００５２】
上記発光層４９は、電界発光現象、つまり、いわゆるエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を使った発光素子である。この発光層４９は、複数の電極４６，５２の間において積層されており、印加電圧によって複数の電極４６，５２間に生じた電界によって発光する機能を有する。この発光層４９は、その外部から電界を用いて受け取ったエネルギーに基づく光を放出する現象を利用し、自ら光Ｌを出力する。【００５３】
本実施形態のように有機電界発光素子３が、例えばボトムエミッションタイプである場合、この発光層４９は、主として下方に光Ｌ（外部光）を放射する。このように発光層４９が放射した光Ｌは、外部光として有機電界発光素子３の外部に取り出されるばかりでなく、有機電界発光素子３ａ内において消失してしまう場合もある。【００５４】
封止層１２は、光を吸収した発光被覆層８が放射した光が外部に漏れないように遮光する機能を有する。この封止層１２はガスバリア性を有し、その材質（非発光封止層の材料）としては、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒといった各種金属材料、ＣｒＮなどの透過率の低い金属酸化物、金属窒化物などのいずれかを挙げることができる。なお、この封止層１２の厚さは、例えば少なくとも１０ｎｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは、例えば１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。【００５５】
発光封止層８は、無機材料でも有機材料でも良く、必ずしもガスバリア性を有していなくても良い。無機材料としては、ＧａＮなどの直接遷移型の半導体材料や、発光中心材料として、Ｔｂ（緑色発光）などの希土類元素、Ｍｎ（オレンジ色発光）などの遷移金属元素などをドーピングした、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＡｌＯｘ，ＡｌＮｘなどが挙げられる。有機材料として、α−ＮＰＤなどの発光性低分子有機材料、その他高分子有機材料などでも構わない。同様に、発光封止層８の厚さは、少なくとも１０ｎｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
＜第２実施形態における表示パネルの製造方法＞
有機電界発光素子３ａ及び表示装置１ａの動作例は以上のようであり、次に図１及び図８を参照しつつ、表示パネル７ａに配列する有機電界発光素子３ａの製造方法の一例について説明する。なお、この表示パネル７ａの製造方法は、この有機電界発光素子３ａの検査方法を含んでいる。【００５６】
図３〜図６、図９〜図１０は、それぞれ、第２実施形態における表示パネル７ａの製造方法によって表示パネル７の有機電界発光素子３が製造される様子の一例を示す断面図である。【００５７】
まず最初に、図３に示すようにガラス基板４５を用意し、このガラス基板４５には、図４に示すように透明な陽極４６が成膜される（第１電極形成ステップ）。このように成膜された陽極４６上には、図５に示すように有機電界発光素子３を形成すべき位置に、発光層４９が成膜される（発光層形成ステップ）。【００５８】
さらに、図６に示すように、この発光層４９上には陰極５２が成膜される（第２電極形成ステップ）。さらに、陰極５２上にはこの陰極５２のみならず、発光層４９及び陰極５２を覆うように被覆基材が形成される（発光被覆層形成ステップの一部）。この被覆基材は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｏｎ）又はスパッタを用いた気相成膜法によって形成されても良いし、例えば真空蒸着を用いた蒸着法を用いて形成されても良い。この場合、この被覆基材は、例えばα−ＮＰＤを真空蒸着により３００ｎｍ程度形成している。以上のようにして有機電界発光素子３ａが製造される。【００５９】
このように構成した有機電界発光素子３ａにおいては、図８に示すように発光被覆層８が形成される（発光被覆層形成ステップの一部）。さらにこの発光被覆層８の上には、例えばスパッタリングによって封止層１２が成膜される（封止層形成ステップ）。このスパッタ成膜用ターゲットとしては、例えばＣｒを用い、反応性ガスをＮ２として、反応性スパッタによりＣｒＮ層を３００ｎｍ形成した。【００６０】
このようにして発光被覆層８が形成されるが、このように発光被覆層８によって封止した際、この発光被覆層８には、図示のような欠陥２が生じてしまう場合がある。この欠陥２は、例えば微少であり、そのままでは視覚的に認識しにくい程度の大きさとなっている。本実施形態では、さらに、次のようにして発光被覆層８による封止状態に関して検査を行う。
＜第２実施形態における表示パネルの検査工程＞
まず最初に、図１０に示すように有機電界発光素子３ａは、封止層１２側から励起光が照射される。この発光被覆層８は、このように照射された励起光（例えばＨｇランプによる紫外線Ｌ）により、欠陥部２下の発光被覆層８の一部分のみが励起され発光する。すると、この欠陥部２以外の発光被覆層８上においては、例えばＣｒＮが均一に成膜されているため、発光が検知されない。しかしながら、ある特定の有機電界発光素子３ａにおいては、約２μｍ径の発光点として、例えばα−ＮＰＤを材質とする発光被覆層８からの青色発光を確認することができた。すなわち、この発光点は、ガスバリア性を担う封止層１２（例えばＣｒＮ層）における欠陥２の部分である。【００６１】
従って、このような欠陥２は、この検査方法によれば発光点として視覚的に認識することができるようになるため、例えば有機電界発光素子３ａの出荷前に、室温で時間の経過とともに広がっていく特性を有する（拡大性の）点状の欠陥２の有無を素早く容易に確認することができる。このようにして欠陥２のある有機電界発光素子３ａを内蔵する表示パネル７ａを用いて、例えば欠陥品となってしまった表示装置１ａが市場に流出することを防止することができる。【００６２】
このように本実施形態では、封止部材に、光励起により発光する材料を含ませておいた発光被覆層８を用いているため、検査工程において、この発光被覆層８上から紫外線などの励起光照射により、欠陥２を発光点として検出することができる。【００６３】
上記実施形態における表示装置１は、基板４５（ガラス基板）上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９（発光層）と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９を被覆するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層８と、上記発光被覆層８を封止するとともに、少なくとも上記発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２とを備える有機電界発光素子３が配列する表示パネル７と、入力された画像データに応じて上記複数の電極４６，５２間に印加電圧を与えることで、上記表示パネル７の各上記有機電界発光素子３を駆動する駆動回路６とを有することを特徴とする。【００６４】
上記実施形態における表示パネル７は、基板４５（ガラス基板）上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９（発光層）と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９を封止するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層８と、上記発光被覆層８を封止するとともに、少なくとも上記発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２とを有する有機電界発光素子３が配列していることを特徴とする。【００６５】
このような構成とすると、外側からこの封止層１２に励起光が照射されると、封止層１２の欠陥２から発光被覆層８に到達する。この発光被覆層８は、吸収した励起光に基づく光励起により発光する。このとき、その封止層１２に欠陥２が生じている場合、その欠陥２の部分のみが、封止層１２によって遮光された暗い部分から光が漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、封止層１２に励起光を照射するという簡単な方法によって、この封止層１２に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。【００６６】
ここで、上記表面形状解析では、上述のように、表示パネル７ａの全面において封止層１２の凹凸形状を計測し、欠陥２の大きさを検出することは可能だが、表示パネル７ａの全面において極小の欠陥２を検出することは困難であった。しかしながら本実施形態によれば、極小の欠陥２であっても容易に検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、表示パネル７ａ（有機ＥＬパネル）の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、上記高さ情報だけで封止層１２における欠陥２の有無を判断することは困難だった。一方、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、封止層１２における欠陥２か否かを特定することが出来る。【００６７】
上記表示装置１ａ及び表示パネル７ａは、それぞれ、その封止層１２が気相成膜法により成膜されている。このようにすると、一般的な成膜方法を用いて封止層１２を容易に成膜することができる。【００６８】
上記表示装置１ａ及び表示パネル７ａは、それぞれ、その封止層１２が気蒸着法により成膜されている。このようにすると、一般的な成膜方法を用いて封止層１２を容易に成膜することができる。【００６９】
上記実施形態における表示パネル７の検査方法は、基板４５上に積層した一方が透明な複数の電極４６，５２と、上記複数の電極４６，５２間に積層されており、印加電圧によって上記複数の電極４６，５２間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層４９と、上記複数の電極４６，５２及び上記有機電界発光層４９を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層８と、上記発光被覆層８を封止するとともに、少なくとも上記発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２とを備える有機電界発光素子３が配列する表示パネル７の各有機電界発光素子３の封止層１２に対して、光を照射する光照射ステップと、上記封止層１２に発光点が存在する場合に上記封止層１２に欠陥２が存在すると判断し、上記封止層１２に発光点が存在しない場合に上記封止層１２に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップとを有することを特徴とする。【００７０】
このようにすると、外側からこの封止層１２に励起光が照射されると、その封止層１２の欠陥２から発光被覆層８に到達する。この発光被覆層８は、吸収した励起光に基づく光励起により発光する。このとき、その封止層１２に欠陥２が生じている場合、その欠陥２の部分のみが、その封止層１２によって遮光された暗い部分から光が漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、封止層１２に励起光を照射するという簡単な方法によって、この封止層１２に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。【００７１】
また上述のようなＡＦＭや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析を用いた場合に比べ、本実施形態によれば、上述のように容易に極小の欠陥２を検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、高さ情報だけで封止層１２における欠陥２の有無を判断することは困難だった。しかし、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、封止層１２に欠陥２が存在するか否かを特定することが出来る。【００７２】
上記実施形態における表示パネル７の製造方法は、基板４５（ガラス基板）上に透明な第１電極４６を積層する第１電極形成ステップと、上記第１電極４６上に、電界によって発光する有機電界発光層４９（発光層）を形成する発光層形成ステップと、上記有機電界発光層４９上に第２電極５２を形成する第２電極形成ステップと、上記第１電極４６、上記有機電界発光層４９及び上記第２電極５２を被覆させるとともに、照射した励起光に基づく光励起によって発光する発光被覆層８を形成する発光被覆層形成ステップと、上記発光被覆層８を封止するとともに、上記発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２を形成する封止層形成ステップと、上記基板４５、上記第１電極４６、上記有機電界発光層４９、上記第２電極５２、上記発光被覆層８及び上記封止層１２を有する有機電界発光素子３が配列する表示パネル７の各有機電界発光素子３の上記封止層１２に対して光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。【００７３】
このような製造方法によって製造された表示パネル７は、その外側からこの封止層１２に励起光が照射されると、その封止層１２を透過した励起光が発光被覆層８に、又は封止層１２の欠陥２から発光被覆層８に到達する。この発光被覆層８は、吸収した励起光に基づく光励起により発光する。このとき、その封止層１２に欠陥２が生じている場合、その欠陥２の部分のみが、封止層１２によって遮光された暗い部分から光が漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、封止層１２に励起光を照射するという簡単な方法によって、この封止層１２に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。【００７４】
また上述のようなＡＦＭや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析を用いた場合に比べ、本実施形態によれば、上述のように容易に極小の欠陥２を検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、高さ情報だけで封止層１２における欠陥２の有無を判断することは困難だった。しかしながら本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、封止層１２に欠陥２が存在しているか否かを特定することが出来る。【００７５】
なお、本実施形態は、上記に限られず、種々の変形が可能である。以下、そのような変形例を順を追って説明する。【００７６】
上記実施形態においては、有機電界発光素子３，３ａが、各々、陽極４６と陰極５２との間に発光層４９を挟み込んだ形態を例示しているが、このような形態に限られず、次のような形態を採用しても良い。【００７７】
すなわち、この有機電界発光素子３，３ａにおいては、それぞれ、陽極４６と発光層４９との間に正孔注入層４７及び正孔輸送層４８が挟み込まれた形態、及び、発光層９と陰極５２との間に電子輸送層５０及び電子注入層５１が挟み込まれた形態の少なくとも一方を採用した形態であっても良い。これら正孔注入層４７、正孔輸送層４８、電子輸送層５０及び電子注入層５１は、それぞれ、ＣｕＰｃ、ＮＰＢ、Ａｌｑ３、ＬｉＦを材質としても良い。【００７８】
上記正孔注入層４７は、この陽極４６から正孔を取り出しやすいようにするために積層されている。上記正孔輸送層４８は、正孔注入層４７によって陽極４６から折り出された正孔を、その発光層４９に輸送する機能を有する。この正孔注入層４７は、主として陽極４６上に積層されている。この正孔輸送層４８は、この正孔注入層４７上に積層されている。【００７９】
この発光層４９上には、上記電子輸送層５０が積層されている。さらに、この電子輸送層５０上には電子注入層５１が積層されている。またこの電子注入層５１上には陰極５２が形成されている。これらのうち電子注入層５１は、その陰極５２から電子を取り出しやすくする機能を有する。また電子輸送層５０は、この電子注入層５１によって陰極５２から取り出された電子を効率的に発光層４９に輸送する機能を有する。【００８０】
上記実施形態における封止技術は、有機電界発光素子３，３ａの他にも、有機メモリ、センサ又は太陽電池などの封止にも適用することができる。また、上記実施形態においては、上述の説明において触れた部分以外の構成は様々な形態を採用することができる。上記実施形態では、基板としてガラス基板４５を例示しているがこれに限られず、様々な材質を採用することができる。また上記実施形態では、特に表示装置１の駆動方法についても限定されない。【００８１】
また、上記第１実施形態における検査工程では、有機電界発光素子に無害であるなら検査に用いる光の波長が限定されることは無く、例えば一般的な白色光等であればよい。また、上記第２実施形態における検査工程では、欠陥２を検出するために照射すべき励起光は紫外線に限定されず、様々な波長を採用することもできる。具体的には、上記第２実施形態では、この励起光として、好ましくは最も発光効率のよい励起光波長であるのが望ましい。さらに上記第２実施形態では、この励起光として、有機電界発光素子３などに与えるダメージの少ない長波長の励起光を採用するのが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１実施形態としての表示装置の外観の一例を示す正面図である。
【図２】第１実施形態における表示パネルに配列する有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。
【図３】有機電界発光素子が製造される様子の一例を示す断面図である。
【図４】有機電界発光素子が製造される様子の一例を示す断面図である。
【図５】有機電界発光素子が製造される様子の一例を示す断面図である。
【図６】有機電界発光素子が製造される様子の一例を示す断面図である。
【図７】表示パネルの有機電界発光素子を検査する様子の一例を示す断面図である。
【図８】第２実施形態における表示パネルに配列する有機電界発光素子の構成例を示す断面図である。
【図９】有機電界発光素子が製造される様子の一例を示す断面図である。
【図１０】表示パネルの有機電界発光素子を検査する様子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１                表示装置
１ａ              表示装置
３                有機電界発光素子
３ａ              有機電界発光素子
７                表示パネル
７ａ              表示パネル
８                発光被覆層
１２              封止層
１３              遮光性封止層
４５              ガラス基板（基板）
４６              陽極（複数の電極の一方、透明な電極、第１電極）
４９              発光層（有機電界発光層）
５２              陰極（複数の電極の他方、第２電極）
【図１】
2008120313.tif 000003
【図２】
2008120313.tif 000004
【図３】
2008120313.tif 000005
【図４】
2008120313.tif 000006
【図５】
2008120313.tif 000007
【図６】
2008120313.tif 000008
【図７】
2008120313.tif 000009
【図８】
2008120313.tif 000010
【図９】
2008120313.tif 000011
【図１０】
2008120313.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層と
を備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、
入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光性封止層は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の表示装置において、
前記遮光性封止層は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、
前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層と
を備える有機電界発光素子が配列する表示パネルと、
入力された画像データに応じて前記複数の電極間に印加電圧を与えることで、前記表示パネルの各前記有機電界発光素子を駆動する駆動回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の表示装置において、
前記封止層は、気相成膜法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４記載の表示装置において、
前記封止層は、蒸着法により成膜されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層と
を有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、
前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、
前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射された励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、
前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層と
を有する有機電界発光素子が配列していることを特徴とする表示パネル。
【請求項９】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記遮光性封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、
前記遮光性封止層に光透過点が存在する場合に前記遮光性封止層に欠陥が存在すると判断し、前記遮光性封止層に光透過点が存在しない場合に前記遮光性封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの検査方法。
【請求項１０】
基板上に積層した一方が透明な複数の電極と、前記複数の電極間に積層されており、印加電圧によって前記複数の電極間に生じさせた電界によって発光する有機電界発光層と、前記複数の電極及び前記有機電界発光層を被覆するとともに、照射した励起光に基づく光励起により発光する発光被覆層と、前記発光被覆層を封止するとともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層とを備える有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと、
前記封止層に発光点が存在する場合に前記封止層に欠陥が存在すると判断し、前記封止層に発光点が存在しない場合に前記封止層に欠陥が存在しないと判断する欠陥検査ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの検査方法。
【請求項１１】
基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、
前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、
ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、及び前記遮光性封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記遮光性封止層に対して、光を照射する光照射ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、
前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、
前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、照射した励起光に基づく光励起によって発光する発光被覆層を形成する発光被覆層形成ステップと、
前記発光被覆層を封止するともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層を形成する封止層形成ステップと、
前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、前記発光被覆層及び前記封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップと
を有することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するために、請求項１１記載の発明は、基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、ある波長域で少なくとも前記有機電界発光層よりも透過率の低い遮光性封止層を形成する封止層形成ステップと、前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、及び前記遮光性封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記遮光性封止層に対して、光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決するために、請求項１２記載の発明は、基板上に透明な第１電極を積層する第１電極形成ステップと、前記第１電極上に、電界によって発光する有機電界発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機電界発光層上に第２電極を形成する第２電極形成ステップと、前記第１電極、前記有機電界発光層及び前記第２電極を被覆させるとともに、照射した励起光に基づく光励起によって発光する発光被覆層を形成する発光被覆層形成ステップと、前記発光被覆層を封止するともに、少なくとも前記発光被覆層が放出した光に対する遮光性を有する封止層を形成する封止層形成ステップと、前記基板、前記第１電極、前記有機電界発光層、前記第２電極、前記発光被覆層及び前記封止層を有する有機電界発光素子が配列する表示パネルの各有機電界発光素子の前記封止層に対して、光を照射する光照射ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このように陽極４６と陰極５２に直流電圧が印加されると、この陽極４６は正孔を放出する。この陽極４６から放出された正孔は、上記発光層４９に到達する。このようにして発光層４９は陽極４６から正孔を受け取ることができる。一方、上記陰極５２は電子を上記発光層４９に対して注入する。このようにして発光層４９は、陰極５２から放出された電子を受け取ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに、図６に示すように、この発光層４９上には陰極５２が成膜される（第２電極形成ステップ）。さらに、陰極５２上にはこの陰極５２のみならず、図２に示すように発光層４９及び陰極５２を覆うように遮光性封止層１３が形成される（遮光封止層形成ステップの一部）。この遮光性封止層１３としては、上述のようにある波長域で少なくとも発光層４９よりも透過率の低い封止基材を採用している。この封止基材は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｏｎ）又はスパッタを用いた気相成膜法によって形成されても良いし、例えば真空蒸着を用いた蒸着法を用いて形成されても良い。この場合、この封止基材は、スパッタターゲットとして、例えばＣｒを用い、反応性ガスをＮ２として、反応性スパッタによりＣｒＮ層を３００ｎｍ形成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
これらのような構成とすると、その外側からその基板４５に向けて上記ある波長域の光が照射されると、この光は、有機電界発光層４９（発光層）を透過し、遮光性封止層１３に到達する。このとき、その遮光性封止層１３に欠陥２が生じている場合、この光は、遮光性封止層１３によって本来全て遮光されているべきにもかかわらず、その欠陥２の部分のみから漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、外側より基板４５から遮光性封止層１３に向けて光を照射するという簡単な方法によって、この遮光性封止層１３に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、出荷前に欠陥２（ダークスポット）が拡大性の点欠陥か否かを選別するには、一般的な公知の解析手法として、ＡＦＭや白色干渉顕微鏡などによる表面形状解析が挙げられる。これらの手法では、表示パネル７の全面において遮光性封止層１３の凹凸形状を計測し、欠陥２の大きさを検出することは可能だが、表示パネル７の全面において極小の欠陥２を検出することは困難であった。なお、このように計測した情報を高さ情報と呼ぶ。しかしながら本実施形態によれば、極小の欠陥２であっても容易に検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、表示パネル７（有機ＥＬパネル）の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、その高さ情報だけで遮光性封止層１３における欠陥２の有無を判断することは困難だった。一方、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、遮光性封止層１３における欠陥２か否かを特定することが出来る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このような製造方法によって製造された表示パネル７ａは、その外側からその基板４５に向けて上記ある波長域の光が照射されると、この光は、有機電界発光層４９（発光層）を透過し、遮光性封止層１３に到達する。このとき、その遮光性封止層１３に欠陥２が生じている場合、この光は、遮光性封止層１３によって本来全て遮光されているべきにもかかわらず、その欠陥２の部分のみから漏れ出す。すると、この欠陥２の部分のみが発光点として容易に視覚的に認識することができる。このようにすると、外側より基板４５から遮光性封止層１３に向けて光を照射するという簡単な方法によって、この遮光性封止層１３に欠陥２が存在するか否かについて視覚的に容易に検査することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ここで、上記表面解析手法では、上述のように表示パネル７の全面において遮光性封止層１３の凹凸形状を計測し、欠陥２の大きさを検出することは可能だが、表示パネル７の全面において極小の欠陥２を検出することは困難であった。しかしながら本実施形態によれば、極小の欠陥２であっても容易に検出することができるようになる。また、このような欠陥２の有無に関する表面形状解析は、表示パネル７（有機ＥＬパネル）の面積が広いと、三次元の解析を用いた場合に多くの時間を必要とし、その高さ情報だけで遮光性封止層１３における欠陥２の有無を判断することは困難だった。一方、本実施形態によれば、容易に欠陥２を短時間で検出可能であり、遮光性封止層１３における欠陥２か否かを特定することが出来る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
まず有機電界発光素子３ａは、例えばボトムエミッション型の有機電界発光素子であり、例えば赤色、緑色及び青色に対応させて各々形成される。この有機電界発光素子３ａは、ガラス基板４５上に、陽極４６（透明な電極）、発光層４９（有機電界発光層）及び陰極５２（電極）が順に積層されているとともに、これらが発光被覆層８によって被覆された構造となっている。さらに、この発光被覆層８上には、この発光被覆層８を封止するとともに、この発光被覆層８が放出した光に対する遮光性を有する封止層１２が形成されている。つまり、この封止層１２は、発光被覆層８に光励起をさせるための励起光（例えばＨｇランプによる紫外線）を通過するが、この発光被覆層８が光励起によって放出した光（例えば波長５８０ｎｍ程度のオレンジ色の光）を遮光する機能を有する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
発光被覆層８は、無機材料でも有機材料でも良く、必ずしもガスバリア性を有していなくても良い。無機材料としては、ＧａＮなどの直接遷移型の半導体材料や、発光中心材料として、Ｔｂ（緑色発光）などの希土類元素、Ｍｎ（オレンジ色発光）などの遷移金属元素などをドーピングした、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ，ＡｌＯｘ，ＡｌＮｘなどが挙げられる。有機材料として、α−ＮＰＤなどの発光性低分子有機材料、その他高分子有機材料などでも構わない。同様に、発光被覆層８の厚さは、少なくとも１０ｎｍ以上１００μｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。
＜第２実施形態における表示パネルの製造方法＞
有機電界発光素子３ａ及び表示装置１ａの動作例は以上のようであり、次に図１及び図８を参照しつつ、表示パネル７ａに配列する有機電界発光素子３ａの製造方法の一例について説明する。なお、この表示パネル７ａの製造方法は、この有機電界発光素子３ａの検査方法を含んでいる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図３〜図６、図９〜図１０は、それぞれ、第２実施形態における表示パネル７ａの製造方法によって表示パネル７ａの有機電界発光素子３ａが製造される様子の一例を示す断面図である。
【国際調査報告】
2008120313.tif 000013
2008120313.tif 000014
2008120313.tif 000015
2008120313.tif 000016