(57)【要約】  本発明は、一定のパターンを有するように予め形成された導体（２）と、前記導体が熱硬化性樹脂の表層に移され、前記熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成された樹脂基板（３）とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であり、かつ前記熱硬化性樹脂が粉末状であることを特徴とする回路基板及びその製造方法に関する。
2008044382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定のパターンを有するように予め形成された導体と、前記導体が熱硬化性樹脂の表層に移され、前記熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成された樹脂基板とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であり、かつ前記熱硬化性樹脂が粉末状であることを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
2008044382.tif 000005
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
架橋員は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−からなる群から選択される２価の基であり、そして
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーである、請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記導体が、型の表面上に予め形成されたものである、請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項１〜３のいずれか１項記載の回路基板。
【請求項５】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項１〜３のいずれか１項記載の回路基板。
【請求項６】
（１）型の表面に一定のパターンを有する導体を形成する工程、
（２）粉末状の熱硬化性樹脂と、前記型の表面に形成された導体とを接触させる工程、及び
（３）前記型を熱硬化性樹脂とともに加圧及び／又は加熱して、前記熱硬化性樹脂を溶融、硬化させ、前記型の表面に形成された導体を硬化により得られる樹脂基板表面に転写する工程
を含む、導体の表面と樹脂基板の表面とが面一である回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
2008044382.tif 000006
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接もしくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーである、請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項６又は７記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項６又は７記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導体の形成方法が、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はスピンコート法である、請求項６〜９のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
型に凹凸を設けて、回路基板の任意の場所に部品内蔵用の溝又は孔を形成する、請求項６〜１０のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びその製造方法に関し、具体的には、一定のパターンを有するように予め形成された導体と、熱硬化性樹脂を硬化させてなる樹脂基板とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であり、かつ前記熱硬化性樹脂が粉末状であることを特徴とする回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型軽量化、高性能化にともない、半導体素子を電子部品に高密度で実装する要求が高まっている。特に携帯電話に代表される携帯機器の普及に伴って、電子部品の小型化、軽量化がさらに進展することが予測される。このため、電子部品の回路基板両面への実装技術、又は３次元方向への実装技術が求められている。このためには、絶縁性基板上に回路（導体）が載置されている方式ではなく、基板表面と回路表面とが面一であることが要求される。【０００３】
また、低損失光ファイバの開発による光通信システムの実用化にともない、種々の光通信用デバイスの開発が望まれている。これらの光デバイスを高密度に実装する配線技術、特に光導波路技術の確立が求められている。【０００４】
従来、基板の小型化と素子の実装密度を高める多層配線板として、熱硬化性樹脂を含む軟質（Ｂステージ状態）の絶縁シート表面に、銅箔等で一定のパターンを有する回路が予め描画されたフィルムを押しつけ、熱圧着で回路を転写し、さらにこれらのシートを立体的に組み合わせることによって部品内蔵用のパターン溝を形成する方法が提案されている（例えば、特開平１１−４５９５５号公報参照）。この方法は、シートに回路あるいは部品内蔵用の溝を形成する手段として極めて多くの工程を必要としているため問題がある。【０００５】
さらに上記のフィルム転写法では、一定のパターンを有する回路を予め描画した転写用フィルムを事前に作製する必要が有る。しかし、転写用フィルムは型の曲面、角部にはなじまないので、フィルムの賦形性に限界が有り、成形品の形状に制約が有ることなど多くの課題がある。【０００６】
一方、従来の埋め込み型の有機光導波路の作製方法は、例えばクラッド層やコア層を得るのに、随時ワニスのスピンコート、乾燥工程が必要であり、さらにコア層のパターンはドライエッチングによって形成される等、多くの工程を抱えた方法となり、コスト的に問題がある（例えば、特開２００３−１０３７３８号公報参照）。【０００７】
さらに、配線パターンと凹凸が逆のパターンを備えたスタンパを用いて基板表面の樹脂にこの配線パターンを転写して溝状配線パターンを形成し、次いで、この溝部分を含む樹脂表面全面に銅めっき層を設け、最後に、溝と溝の間の樹脂部分が露出するまで研磨して、回路を形成する方法（例えば、特開２００１−３２０１５号公報参照）、あるいは金型材料に微細金型加工を施して、所定の配線パターンを有する金型を製造し、次に、この金型上の配線パターンを転写して非導電性の溝状のパターンを有する基板を製造し、最後にこれらの溝に導電性材料を注入して配線を形成する方法（例えば、特開２００４−３５６２５５号公報参照）も提案されている。しかしながら、これらの方法はいずれも、基板上に溝状の配線パターンを形成し、その溝の中に導電性材料を被覆するか注入する方法であり、溝以外の部分に付着した導電性材料を除去しなければならない等、工程が煩雑である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、回路基板両面への又は３次元方向への電子部品の実装が要求される状況において好適な、一定のパターンを有するように予め形成された導体と熱硬化性樹脂を硬化させてなる樹脂基板とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一である回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明の回路基板は、転写フィルムを使用せず、またエッチング工程や、ワニス塗布工程を有しない簡便な製造方法により得られるため、上記した従来技術が抱える課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一の態様は、一定のパターンを有するように予め形成された導体と、前記導体が熱硬化性樹脂の表層に移され、前記熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成された樹脂基板とを含み、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であることを特徴とする回路基板である。【００１０】
ここで、前記熱硬化性樹脂は、粉末状であるのが好ましい。さらに使用しうる好ましい前記熱硬化性樹脂は、下記一般式（１）：【００１１】
2008044382.tif 000003
【００１２】
（式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接もしくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
架橋員は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−からなる群から選択される２価の基であり、そして
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である。）
で示されるイミドオリゴマーである。【００１３】
前記導体は、型の表面上に予め形成されたものであるのが好ましい。さらに前記導体は、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボン等からなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路であることが好ましい。【００１４】
また、前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路であることも好ましい。【００１５】
本発明の第二の態様は、（１）型の表面に一定のパターンを有する導体を形成する工程、（２）粉末状の熱硬化性樹脂と、前記型の表面に形成された導体とを接触させる工程、及び（３）前記型を熱硬化性樹脂とともに加圧及び／又は加熱して、前記熱硬化性樹脂を溶融、硬化させ、前記型の表面に形成された導体を硬化により得られる樹脂基板の表面に転写する工程を含む、導体の表面と樹脂基板の表面とが面一である回路基板の製造方法である。【００１６】
前記回路基板の製造方法に適した熱硬化性樹脂は、上述した一般式（１）で示されるイミドオリゴマーである。本発明の製造方法はまた、一定のパターンを有する導体が導電回路又は光導波路であってもよく、それらの形成に適した導電性ペースト又は光導波路用樹脂組成物もまた上述のとおりである。【００１７】
前記回路基板の製造方法において、一定のパターンを有する導体の形成方法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法又はスピンコート法が挙げられる。また所望により、型に凹凸を設けて、回路基板の任意の場所に部品内蔵用の溝又は孔を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、予め（好適には、型の表面上などに）一定のパターンを有するように形成された導体を、熱硬化性樹脂の表層に移し、これを熱硬化性樹脂とともに硬化させると、導体がそのまま転写して樹脂基板の表面に埋め込まれるため、導体の表面と樹脂基板の表面とを面一にすることができるので、回路基板の両面あるいは３次元方向への電子部品の実装を容易化できるという効果を奏する。加えて本発明では、粉末状の熱硬化性樹脂を溶融、硬化させることにより樹脂基板を形成するので、型や導体の曲面や角部に空隙が生じにくいという効果も奏する。さらに加工性のよい一般式（１）で示されるような熱硬化性のイミドオリゴマーを使用することによって、少ない工程で効率的に回路を樹脂表面に段差無く面一に転写することができ、所望により予め任意の場所に部品内蔵用などの溝又は孔を容易に設定することができるので、高密度実装しやすい回路基板を得ることができるという効果を奏する。【００１９】
また、熱硬化性樹脂として前記一般式（１）のイミドオリゴマーを用いることにより従来の熱硬化性樹脂（特にイミド系樹脂）より短時間で硬化反応を完了させることができる。例えば、特開平６−１０７９４５号公報や特開２００６−２２３０９号公報の樹脂では、硬化時間に２５０℃で３０分から４時間かかるのに対して、一般式（１）のイミドオリゴマーでは１６０℃〜３５０℃、１０分で硬化が完了し、シート状物（樹脂基板）を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】型と回路パターンの概略説明図である。
【図２】導電性ペーストを使用した回路基板の構造図である。
【図３】光導波路用樹脂組成物を使用した基板の構造図である。
【図４】導電性ペーストを使用した溝を持つ回路基板の構造図である。
【図５】基板に凹型の溝を作ることができる型と回路パターンの概略説明図である。
【図６】型と銅箔を用いた回路パターンの概略説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態を以下に示す。
本発明において使用される一定のパターンを有するように予め形成された導体は、例えば、図１及び図６に示すような基板製造用の型の内部表面上に形成される。基板製造用の型としては、種々の材質のものが使用できる。本発明においては、例えば導電性ペーストを使用して形成された回路パターン図を硬化した後、型内に粉末状の熱硬化性樹脂を充填し、これを加熱及び／又は加圧して樹脂基板を製造するため、型の材質は耐熱性に優れたものが好適である。金属材料、半導体材料、無機材料などを使用することができる。型の寸法及び形状については特に限定はなく、作製する回路基板にあわせて選定することができる。【００２２】
型の表面への導体、具体的には導電回路の形成は、例えば次のような工程により行うことができる。まず、図１に示すような凸型又は凹型いずれかの型の内部表面上に導電性ペーストによって所望の回路パターン図を描画する。このとき、凸型及び凹型の両方の型の内部表面上に、それぞれ所望の回路パターン図を描画してもよく、それにより樹脂基板の両面に導電回路を有する回路基板を容易に作製することができる。描画する方法は、インクジェット法、スクリーン印刷法などの中から、使用する導電性ペーストの性状に依存して適宜選択することができる。【００２３】
この型上に導電性ペーストを用いて描画した回路パターン図を、型とともに硬化処理に付すことにより、型上に導電回路が形成される。硬化処理の温度及び時間の条件は、導電性ペーストに含まれる導電性粒子、有機樹脂、溶剤等の成分によって適宜決定されるが、通常、１００℃〜３００℃の温度範囲で１０分から１２０分の間の時間で行われる。【００２４】
本発明において使用される導電性ペーストに含まれる導電性粒子としては、微細な配線回路を形成するために、平均粒径が１００ｎｍ以下、１ｎｍ以上の導電性粒子からなることが好ましい。配線回路の導通抵抗の低下のために、平均粒径が５０ｎｍ以下２ｎｍ以上であることがより好ましい。導電性粒子としては、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム、カーボン等を使用することができる。これらの導電性粒子と有機樹脂及び溶剤とを混合し、分散させることにより導電性ペーストを調製することができる。有機樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリシアネート樹脂などが挙げられる。また有機樹脂として、本発明の一般式（１）で示されるイミドオリゴマーを使用することもできる。導電性粒子と有機樹脂との重量比は、７０：３０〜９９：１の範囲が好ましい。また、導電性ペーストには、粘性調整剤、還元剤を適宜加えてもよい。【００２５】
導電性ペーストに使用する溶剤としては、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル系溶剤、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート系溶剤、ポリプロピレングリコールモノメチルエーテル系溶剤、ポリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート系溶剤、アルコール系溶剤、炭化水素系溶剤が挙げられる。溶剤の使用量は、使用される有機樹脂により異なるが、導電性ペーストの全重量に対して、３０〜６０重量％の範囲である。【００２６】
また、導体には、予めパターニングされた金属箔やパターンめっきを使用することもできる。例えば、図６に示すように予めパターニングされた金属箔、好ましくは銅箔を、凹型の底部に配置するか、あるいは凸型又は凹型の内部表面上にパターンめっきを施すことにより、型の表面に導体を形成することもできる。しかし加工容易性などの観点から、導電性ペーストを使用することが望ましい。【００２７】
一方、型上への光導波路の形成は、例えば次のような工程により行うことができる。まず、図１に示すような凸型又は凹型いずれかの型の内部表面上に光導波路用樹脂組成物によって所望のパターン図を描画する。このとき凸型及び凹型の両方の型の内部表面上に、それぞれ所望のパターン図を描画してもよく、それにより樹脂基板の両面に光導波路を有する回路基板を容易に作製することができる。描画する方法はスピンコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法などの中から、使用する光導波路用樹脂組成物の性状に依存して選択することができる。【００２８】
この型上に光導波路用樹脂組成物を用いて描画した光導波路パターン図を、型とともに熱処理に付すことにより、型上に光導波路が形成される。熱処理の温度及び時間の条件は、光導波路用樹脂組成物に含まれる樹脂、溶剤等の成分によって適宜決定される。【００２９】
光導波路用樹脂組成物の成分としては、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂及びこれらのフッ素化物、重水素化物などが挙げられる。好ましくは耐熱性に優れた高分子材料であり、好適なのはポリイミドである。さらにポリイミドの中でも、光透過性、耐湿性に優れるフッ素化ポリイミドが最も好適である。【００３０】
次に、導体と熱硬化性樹脂を接触させるため（導体を熱硬化性樹脂の表層に移すため）、例えば図１に示すような基板製造用の凸型の型を、熱硬化性樹脂が充填された凹型の型に被せる。但し、導体は、上記で述べたように予め型の一方又は両方の内部表面上に形成されていればよい。次に、これらの型を温度制御ができるプレス機に装着し、所望の圧力をかけながら熱硬化性樹脂のガラス転移温度（溶融温度）以上から熱硬化が終了する温度まで加熱する。熱硬化性樹脂は、溶媒に溶解させたワニスの形態で、あるいはそのままで用いることもできるが、粉末状のものをそのまま用いることが好ましい。ガラス転移温度以上に加熱することによって粉末状の熱硬化性樹脂が軟化（溶融）し、導電回路あるいは光導波路等の導体が、熱硬化性樹脂を硬化させてなる樹脂基板の表面に隙間なく充填、密着され転写が良好に行われる。【００３１】
次にプレス機を冷却した後、型を樹脂基板から取り外すことにより、導体の表面と樹脂基板の表面とが面一である回路基板を得ることができる。なお、本発明において「面一」とは、導体の表面と樹脂基板の表面とが実質的に段差がない状態であることを意味し、具体的には、そのような段差が、樹脂基板の厚さに対して±１％以下であることが好ましく、±０．５％以下であることがより好ましい。【００３２】
また、凹凸の加工が施された型を使用した、任意の位置に溝又は孔を有する回路基板の作製については、上記の回路基板の作製方法と同様の方法で行うことができる。【００３３】
さらに、本発明の回路基板は、二次加工として必要に応じて回路部分や樹脂部分を、エッチング加工、めっき加工、打ち抜き加工、切断加工、切り込み加工、曲げ加工などを施すことができる。これらは特に制限はなく、それぞれ公知の方法、装置、条件にて行えばよい。さらに必要に応じてこれらの加工を複数回行ってもよい。【００３４】
本発明の熱硬化性樹脂としては、熱溶融性がよく型凹凸部への追従性が高いことから、下記一般式（１）で示されるイミドオリゴマーが好適である。【００３５】
2008044382.tif 000004
【００３６】
式中、ｎは、１〜１０の数であり、Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、ここで架橋員とは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−からなる群から選択される２価の基であり、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である。【００３７】
Ａｒ１、Ａｒ２における「炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物」は、好ましくは炭素数６〜１８、より好ましくは炭素数６〜１２の単環式又は縮合多環式芳香族化合物であり、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどが挙げられる。したがって、Ａｒ１における「炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物の４価の基」は、好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどから誘導される４価の基であり、Ａｒ２における「炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物の２価の基」は、好ましくはベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレンなどから誘導される２価の基であり、最も好ましくはｏ−、ｍ−若しくはｐ−フェニレンが挙げられる。またＡｒ２における「炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物」は、その芳香環上に、炭素数１〜４のアルキル基、トリフルオロメチル基などの置換基を１つ以上、好ましくは１又は２つ有していてもよい。【００３８】
Ａｒ１、Ａｒ２における「同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族化合物が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物」とは、前記段落に挙げられた、単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物が、直接若しくは架橋員（ここで架橋員とは、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ2−、−Ｓ−、−ＣＨ2−、−Ｃ（ＣＨ3）2−又は−Ｃ（ＣＦ3）2−からなる群から選択される）により相互に連結された多環式化合物を意味する。したがって、Ａｒ１における多環式化合物の４価の基としては、前記段落に挙げられた２つ以上の単環式芳香族化合物、特にはｏ−、ｍ−若しくはｐ−フェニレンが、直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基、例えば、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、安息香酸フェニル、２，２−ジフェニルプロパン、２，２−ジフェニル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンなどから誘導される４価の基が挙げられる。Ａｒ２における多環式化合物の２価の基としては、前記段落に挙げられた２つ以上の単環式芳香族化合物、特にはｏ−、ｍ−若しくはｐ−フェニレンが、直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基、例えば、ビフェニル−４，４’−ジイル、ビフェニル−２，２’−ジイルなどが挙げられる。またＡｒ２における多環式化合物は、その芳香環上に、炭素数１〜４のアルキル基、トリフルオロメチル基などの置換基を１つ以上、好ましくは１又は２つ有していてもよい。【００３９】
一般式（１）で示される、架橋性の基を有するイミドオリゴマーの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法で良い。例えば、先ず、芳香族テトラカルボン酸二無水物と、架橋性の基を有する芳香族カルボン酸系分子封止剤とを、炭素数１〜３の一級アルコール、好適にはメタノール又はエタノール中でハーフエステル化する。この得られた溶液に、一般式（１）中のｎが１〜１０となるように芳香族ジアミンを加えて反応させる。この際の溶液の濃度は１０〜５０重量％程度までである。【００４０】
この混合物には、１，２−ジメチルイミダゾール、ベンズイミダゾール、イソキノリン、置換ピリジンなどのイミド化触媒を加えてもよい。また公知の添加剤、例えば、無機フィラー、有機フィラー、無機顔料あるいは有機顔料などを加えても良い。【００４１】
次いで、上記混合物を蒸発乾固し、さらに加熱してイミド化させる。加熱については、得られるイミドオリゴマーのガラス転移温度付近から熱硬化が始まる温度より下の温度の範囲内で５〜１８０分間、好適には６０分間加熱することが望ましい。【００４２】
得られたイミドオリゴマーは、実験室レベルでは、乳鉢などで平均粒径１００μｍ以下に粉砕して粉末状にする。イミドオリゴマーは、溶剤に溶かしてワニス状にして使用することもできるが、環境負荷の観点からそのまま粉末状で使用することが望ましい。【００４３】
ここで使用するテトラカルボン酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２，３’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、３，４’−オキシジフタル酸二無水物、３，３’−オキシジフタル酸二無水物、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸無水物）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，２，７，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。これらは単独でも２種類以上組み合わせても使用することができる。【００４４】
使用する芳香族ジアミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノナフタレン類、ジアミノアントラセン類、４，４’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノビフェニル、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシ）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェノキシ）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４，−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、１，３−（４−アミノベンゾイルベンゼン、１，３−ビス（３−アミノベンゾイル）ベンゼン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゾフェノン、１，４−ビス［４−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［３−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［３−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ビフェニル、４，４’−ビス［３−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ビフェニル、４，４’−ビス［４−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルスルホン、４，４’−ビス［３−（２−，３−，もしくは４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルスルホンなどが挙げられる。これらは単独でも２種類以上組み合わせても使用することができる。【００４５】
使用する架橋性の基を有するカルボン酸系分子封止剤としては、４−エチニルフタル酸無水物、４−フェニルエチニルフタル酸無水物又はそれらの混合物が挙げられる。【００４６】
本発明の熱可塑性樹脂として、一般式（１）で示される、架橋性の基を有するイミドオリゴマーの他に、別の架橋性の基を有するイミドオリゴマーを使用することもできる。そのようなイミドオリゴマーは前述と同様の方法により製造することができるが、架橋性の基を有するカルボン酸系分子封止剤として、３−フェニルエチニルフタル酸無水物、エチニルナフタレンジカルボン酸無水物、フェニルエチニルナフタレンジカルボン酸無水物、エチニルアントラセンジカルボン酸無水物、フェニルエチニルアントラセンジカルボン酸無水物、４−ナフチルエチニルフタル酸無水物、３−ナフチルエチニルフタル酸無水物、４−アントラセニルエチニルフタル酸無水物、３−アントラセニルエチニルフタル酸無水物、アントラセニルエチニルナフタレンジカルボン酸無水物、アントラセニルエチニルアントラセンジカルボン酸無水物（これらの芳香族環上の水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい）などを使用することができる。これらは単独又は２種類以上組み合わせても使用してもよい。【００４７】
前記のイミドオリゴマーは、硬化前の加工性（熱溶融性）や回路パターンの転写性が良好となるように、さらに熱硬化後のガラス転移温度が２００℃以上、好ましくは２５０℃以上となるように、繰り返し数ｎ＝１〜１０の範囲内でテトラカルボン酸二無水物、架橋性の基を有するカルボン酸無水物、芳香族ジアミンの組成が任意に選択される。【００４８】
本発明の熱硬化性樹脂は、所望により、熱プレス温度１５０℃〜４５０℃、あるいは導電性ペーストや光導波路用樹脂組成物の耐熱性を考慮すると、好ましくは１６０℃〜３５０℃の硬化条件で硬化することができる。
【実施例】
【００４９】
以下に、本発明に基づく回路基板の作製方法の一例について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明の要旨はこれらの実施例に制限されるものでない。【００５０】
合成例１
５００ｍｌのナス形フラスコに、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸無水物）、１５．６１４６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、４−エチニルフタル酸無水物３．４４２８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、メタノール１００ｍｌを仕込み、８０℃のオイルバス中で還流させながら３時間加熱撹拌を行い均一溶液とした。次に、この溶液を５０℃まで冷却した後、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル８．００９４ｇ、（４０ｍｍｏｌ）、メタノール４０ｍｌを加えて均一溶液とした。この溶液をエバポレーターで濃縮し、さらに、１６０℃まで温度を上げ、１時間減圧、加熱を行い、固形物を得た。さらに、この固形物を乳鉢で粉砕した後、１５０℃で５時間乾燥し、熱硬化性のイミドオリゴマー原料粉末とした。このオリゴマーのガラス転移温度は１６５℃であり、３００℃、１０分の条件で熱硬化させたもののガラス転移温度は２６０℃であった。【００５１】
合成例２
５００ｍｌのナス形フラスコに、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物１２．４３８６ｇ（２８ｍｍｏｌ）、４−エチニルフタル酸無水物４．８１９８ｇ（２８ｍｍｏｌ）、メタノール１００ｍｌを仕込み、８０℃のオイルバス中で還流させながら３時間加熱撹拌を行い均一溶液とした。次に、この溶液を５０℃まで冷却した後、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル８．００９４ｇ（４２ｍｍｏｌ）、メタノール４０ｍｌを加えて均一溶液とした。この溶液をエバポレーターで濃縮し、さらに、１５０℃まで温度を上げ、１時間減圧、加熱を行い、固形物を得た。さらに、この固形物を乳鉢で粉砕した後、１５０℃で５時間乾燥し、熱硬化性のイミドオリゴマー原料粉末とした。このオリゴマーのガラス転移温度は１５８℃であり、３００℃、１０分の条件で熱硬化させたもののガラス転移温度は検出されなかった。【００５２】
実施例１
図１の凸型の金型１ａ上に、スクリーン印刷法によって図１に示すように導電性ペースト（ムロマチテクノス社製、商品名ムロマックボンドＡ−７１Ｓ）で回路パターン図を印刷した。印刷後、金型１ａとともに１７０℃で３０分加熱処理し、導電回路を形成した。【００５３】
次に、凹型の金型１ｂに合成例１の熱硬化性のイミドオリゴマー粉末を充填し、導電回路が形成された凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して３００℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去り、導電性ペーストにより形成された導電回路が樹脂表面に段差無く面一に転写された厚み２００μｍの図２の回路基板を得た。転写された導電回路の抵抗値は０．０３６Ωであった。【００５４】
実施例２
図１の凸型の金型１ａ上に、光導波路用樹脂組成物（ピロメリット酸二無水物と２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルとから製造されるフッ素化ポリアミド酸のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶液（固形分濃度１５重量％））で回路パターン図をスクリーン印刷によって印刷した。印刷後、金型１ａとともに徐々に加熱し３５０℃で１時間熱処理、イミド化して、光導波路を形成した。【００５５】
次に、凹型の金型１ｂに合成例２の熱硬化性のイミドオリゴマー粉末を充填し、光導波路が形成された凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して３００℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去り、フッ素化ポリイミドにより形成された光導波路が樹脂表面に段差無く転写された厚み２００μｍの図３の回路基板を得た。【００５６】
実施例３
図５の凸型の金型６ａ上に、スクリーン印刷法によって図５に示すように導電性ペースト（ムロマチテクノス社製、商品名ムロマックボンドＡ−７１Ｓ）で回路パターン図を印刷した。印刷後、金型５ａとともに１７０℃で３０分加熱処理し、導電回路を形成した。【００５７】
次に、凹型の金型６ｂに合成例１の熱硬化性のイミドオリゴマー粉末を充填し、導電回路が形成された凸型の金型６ａを被せ、熱プレス機に装着して３００℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型６ａ、６ｂを取り去り、導電性ペーストにより形成された導電回路が樹脂表面に段差無く転写された厚み２００μｍ、溝の深さ１００μｍの図４にしめす回路基板を得た。転写された導電回路の抵抗値は０．０３６Ωであった。【００５８】
実施例４
凹型の金型１ｂに合成例１の熱硬化性のイミドオリゴマー粉末を充填し、実施例１と同様の方法により導電回路が形成された凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して２５０℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去り、導電性ペーストにより形成された導電回路が樹脂表面に段差無く面一に転写された厚み２００μｍの回路基板を得た。これをＤＳＣ（窒素雰囲気下、室温〜４００℃、１０℃／分）で測定したところ熱硬化（架橋）による発熱は観測されなかった。【００５９】
実施例５
凹型の金型１ｂに合成例２の熱硬化性のイミドオリゴマー粉末を充填し、実施例１と同様の方法により導電回路が形成された凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して２５０℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去り、導電性ペーストにより形成された導電回路が樹脂表面に段差無く面一に転写された厚み２００μｍの回路基板を得た。これをＤＳＣ（窒素雰囲気下、室温〜４００℃、１０℃／分）で測定したところ熱硬化（架橋）による発熱は観測されなかった。【００６０】
実施例６
図６に示すように、凹型の金型１ｂ上に、予めパターンを作り込んだ銅箔（三井金属社製、３ＥＣ−ＶＬＰ、厚さ１８μｍ）を所定の位置に配置した。次に、上記銅箔をのせた凹型の金型１ｂに合成例１の熱硬化性のイミドオリゴマーを充填し、凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して３００℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去り、銅箔が樹脂表面に段差無く転写された厚み２００μｍの図２と同様の回路基板を得た。転写された導電性回路の抵抗値は５．８Ωであった。【００６１】
比較合成例１
５００ｍｌのナス形フラスコに、４，４’−（４，４’−イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（フタル酸無水物）１５．６１４６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、無水マレイン酸１．９６１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）、メタノール１００ｍｌを仕込み、８０℃のオイルバス中で還流させながら３時間加熱撹拌を行い均一溶液とした。次に、この溶液を５０℃まで冷却した後、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル８．００９４ｇ（４０ｍｍｏｌ）、メタノール４０ｍｌを加えて均一溶液とした。この溶液をエバポレーターで濃縮し、さらに、１６０℃まで温度を上げ、１時間減圧、加熱を行い、固形物を得た。さらに、この固形物を乳鉢で粉砕した後、１５０℃で５時間乾燥し、熱硬化性のイミドオリゴマー原料粉末とした。このオリゴマーのガラス転移温度は１６０℃であり、３００℃、１０分の条件で熱硬化させたもののガラス転移温度は２２０℃であった。【００６２】
比較例１
図１の凸型の金型１ａ上に、スクリーン印刷法によって図１に示すように導電性ペースト（ムロマチテクノス社製、商品名ムロマックボンドＡ−７１Ｓ）で回路パターン図を印刷した。印刷後、金型１ａとともに１７０℃で３０分加熱処理し、導電回路を形成した。【００６３】
次に、凹型の金型１ｂに比較合成例１の熱硬化性のイミドオリゴマーを充填し、導電回路が形成された凸型の金型１ａを被せ、熱プレス機に装着して３００℃、５ＭＰａ、１０分間で、加熱、加圧した。その後、熱プレス機を冷却して金型１ａ、１ｂを取り去ったが、樹脂基体が脆く、回路基板を得ることができなかった。【００６４】
添付の図１〜６における符号は、以下のものを示す。
１ａ：凸型
１ｂ：凹型
２：導電性ペーストあるいは光導波路用樹脂組成物
３：樹脂基体
４：導電回路
５：光導波路
６ａ：凸部を持つ凸型
６ｂ：凹型
７：銅箔
【図１】
2008044382.tif 000007
【図２】
2008044382.tif 000008
【図３】
2008044382.tif 000009
【図４】
2008044382.tif 000010
【図５】
2008044382.tif 000011
【図６】
2008044382.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定のパターンを有するように予め形成された導体と、前記導体が熱硬化性樹脂の表層に移され、前記熱硬化性樹脂を硬化させることによって形成された樹脂基板とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であり、かつ前記熱硬化性樹脂が粉末状であることを特徴とする、回路基板であって、
前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
【化１】
2008044382.tif 000013
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
架橋員は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−からなる群から選択される２価の基であり、そして
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーである、回路基板。
【請求項２】
前記導体が、型の表面上に予め形成されたものである、請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項５】
（１）型の表面に一定のパターンを有する導体を形成する工程、
（２）粉末状の熱硬化性樹脂と、前記型の表面に形成された導体とを接触させる工程、及び
（３）前記型を熱硬化性樹脂とともに加圧及び／又は加熱して、前記熱硬化性樹脂を溶融、硬化させ、前記型の表面に形成された導体を硬化により得られる樹脂基板表面に転写する工程
を含む、導体の表面と樹脂基板の表面とが面一である回路基板の製造方法であって、
前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
【化２】
2008044382.tif 000014
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接もしくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーである、方法。
【請求項６】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体の形成方法が、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はスピンコート法である、請求項５〜７のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
型に凹凸を設けて、回路基板の任意の場所に部品内蔵用の溝又は孔を形成する、請求項５〜８のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定のパターンを有するように予め形成された導体と、前記導体が粉末状の熱硬化性樹脂の表層に移され、前記粉末状の熱硬化性樹脂をそのまま硬化させることによって形成された樹脂基板とを含む回路基板であって、前記導体の表面と前記樹脂基板の表面とが面一であり、かつ前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
2008044382.tif 000015
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
架橋員は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−Ｓ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−からなる群から選択される２価の基であり、そして
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーであることを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記導体が、型の表面上に予め形成されたものである、請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項５】
（１）型の表面に一定のパターンを有する導体を形成する工程、
（２）粉末状の熱硬化性樹脂と、前記型の表面に形成された導体とを接触させる工程、及び
（３）前記型を前記粉末状の熱硬化性樹脂とともに加圧及び／又は加熱して、前記粉末状の熱硬化性樹脂をそのまま硬化させ、前記型の表面に形成された導体を硬化により得られる樹脂基板表面に転写する工程
を含む、導体の表面と樹脂基板の表面とが面一である回路基板の製造方法であって、
前記熱硬化性樹脂が、下記一般式（１）：
2008044382.tif 000016
式中、
ｎは、１〜１０の数であり、
Ａｒ１は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接若しくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の４価の基であり、
Ａｒ２は、炭素数６〜３６の単環式若しくは縮合多環式芳香族化合物、又は同一若しくは異なる２つ以上の前記芳香族基が直接もしくは架橋員により相互に連結された多環式化合物の２価の基であり、
Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、同一であっても、異なってもよく、水素又はフェニル基である
で示されるイミドオリゴマーである、方法。
【請求項６】
前記導体が、粒径１００ｎｍ以下の、金、銀、銅、亜鉛、スズ、ニッケル、パラジウム及びカーボンからなる群から選択される導電性粒子を１種以上含有する導電性ペーストにより形成された導電回路である、請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体が、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂並びにこれらのフッ素化物及び重水素化物からなる群から選択される１種以上を含有する光導波路用樹脂組成物により形成された光導波路である、請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記導体の形成方法が、インクジェット法、スクリーン印刷法、又はスピンコート法である、請求項５〜７のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
型に凹凸を設けて、回路基板の任意の場所に部品内蔵用の溝又は孔を形成する、請求項５〜８のいずれか１項記載の回路基板の製造方法。
【国際調査報告】
2008044382.tif 000017
2008044382.tif 000018
2008044382.tif 000019
2008044382.tif 000020