(57)【要約】【課題】  磁気センサを用いて例えばカメラのズーム／シャッター用入力装置の小型化に寄与することが可能な入力装置を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明のズーム／シャッター用入力装置は、シャッター釦５と、押圧突起部８と、基板１１上に設けられ、前記シャッター釦５を下方向に押圧することで前記押圧突起部８により押圧されるタクトスイッチ１０と、前記シャッター釦５の周囲にて回動自在に支持された回動部材と、前記回動部材の回動に連動して回動するとともに、中央に貫通孔１７が設けられ、前記押圧突起部８が前記貫通孔１７に挿通可能に支持された磁石１５と、前記基板１１上に前記タクトスイッチ１０と並設され、前記貫通孔１７と高さ方向で対向する位置に設けられ、前記回動部材の回動に伴って磁石１５から発生する回転磁Ｈを検知するための磁気センサ２０と、を有する構成である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
押釦と、前記押釦の下面に連結された下方向に突出する押圧突起部と、前記押圧突起部の下方に位置し、前記押釦を下方向に押圧することで押圧されるスイッチ部と、
前記押釦の周囲にて前記押釦の中心を回動中心として回動自在に支持された回動部材と、前記回動部材の下側に位置し、前記回動部材の回動に連動して回動する磁界発生部材と、前記回動部材の回動に伴って前記磁界発生部材から発生する回転磁場を検知するための磁気センサと、を有することを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部とともに基板上に並設されるとともに回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられる請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
前記押圧突起部の中心が前記回動中心と一致しており、基準姿勢（非回動時）にて、前記貫通孔の中心及び前記押圧突起部の中心を通る前記貫通孔の幅方向への中心幅寸法Ｔ１と、前記貫通孔の中心にて前記中心幅寸法Ｔ１と直交する長さ方向への中心長さ寸法Ｌ１との比（Ｔ１／Ｌ１）は１より大きく、前記中心幅寸法Ｔ１の部分の幅方向を境界として半分の磁界発生部材の少なくとも一部と、残り半分の磁界発生部材の少なくとも一部とが夫々異なる極性に着磁されており、前記磁気センサは、前記回動中心から、前記貫通孔の幅方向に離れて設置されている請求項２記載の入力装置。
【請求項４】
前記中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向へ間隔を空けて対向する前記貫通孔の両側端部は、幅方向（図示Ｘ方向）に平行に形成されている請求項３記載の入力装置。
【請求項５】
前記貫通孔の中心は、押圧突起部の中心から離れた位置にあり、前記押圧突起部の中心、前記貫通孔の中心及び磁気センサの中心の順に各中心が、一直線上に並んでいる請求項３又は４に記載の入力装置。
【請求項６】
前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部が設置される基板の下面に設置されるとともに、回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられる請求項１記載の入力装置。
【請求項７】
前記回動中心、磁石の貫通孔の中心及び磁気センサの中心が高さ方向にて一致している請求項６記載の入力装置。
【請求項８】
前記磁気センサは、前記回転磁場を受けて磁化方向が変動することにより電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を有して構成される請求項１ないし７のいずれかに記載の入力装置。
【請求項９】
出力取出し部を介して第１巨大磁気抵抗効果素子と第２巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続され、各巨大抵抗効果素子は、磁化方向が固定される固定磁性層と、磁化方向が前記回転磁場を受けて変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層と前記フリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とを有して構成され、各巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向が反平行となっている請求項８記載の入力装置。
【請求項１０】
出力取出し部を介して第３巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続され、前記第３巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第２巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向と同一で、前記第４巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第１巨大磁気抵抗効果素子の磁化方向と同一であり、固定磁性層の磁化方向が反平行である前記第１の巨大磁気抵抗効果素子と前記第３の磁気抵抗効果素子とが入力端子を介して接続されるとともに、固定磁性層の磁化方向が反平行である第２巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とがグランド端子を介して接続され、２つの出力取出し部が差動増幅器を介して外部出力端子に接続されている請求項９記載の入力装置。
【請求項１１】
前記押釦は、カメラのシャッター釦であり、前記回動部材の外周部の一部にズームレバーが取り付けられている請求項１ないし１０のいずれかに記載の入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばカメラのズーム／シャッター用入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のカメラには、シャッター釦の周囲に回動可能なズームレバーを備えた回動部材を設けて、シャッター操作とズーム操作とをあまり指を動かさなくても簡単に行えるようにした構造のものが存在する。【０００３】
そしてカメラ本体の内部には、シャッター用スイッチ及びズーム用スイッチが隣接して設けられている。
【特許文献１】特開２００５−２７４７１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の上記したカメラ構造では、前記シャッター用スイッチ及びズーム用スイッチがいずれもメカ式のスイッチであったため、カメラの小型化を阻害する要因となっていた。【０００５】
特許文献１に記載された発明では、ズーム用スイッチを、基板上に形成された複数個のプリント接片と、ズームレバーに連結されているブラシ状接片とで構成している。ズームレバーを回動させると、プリント接片に対するブラシ状接片の摺接位置が変化し、これにより、広角（Ｗ）側へのズーミング、ニュートラル、望遠（Ｔ）側へのズーミングに対応している。【０００６】
しかしながら特許文献１に記載された発明では、ズーム用スイッチが摺動式スイッチ構造であるため、前記ズームレバーの回動範囲及びブラシ状接片のブラシ長さも考慮して、長さ寸法が長いプリント接片を基板上に設けなければならず、十分にカメラの小型化に対応することができなかった。【０００７】
また特許文献１に記載された発明では、ズーム用スイッチが摺動式スイッチ構造であるため、磨耗の問題が発生しやすく長寿命を得にくい構造であった。【０００８】
さらに、特許文献１に記載された構成では、ズームの多段階化が難しく近年の高倍率ズームのニーズに適切に対応できなかった。例えばボリュームスイッチを設けて多段スイッチに対応する考えがあるが、入力装置の小型化が困難であった。【０００９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、磁気センサを用いて例えばカメラのズーム／シャッター用入力装置の小型化に寄与することが可能な入力装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の入力装置は、
押釦と、前記押釦の下面に連結された下方向に突出する押圧突起部と、前記押圧突起部の下方に位置し、前記押釦を下方向に押圧することで押圧されるスイッチ部と、
前記押釦の周囲にて前記押釦の中心を回動中心として回動自在に支持された回動部材と、前記回動部材の下側に位置し、前記回動部材の回動に連動して回動する磁界発生部材と、前記回動部材の回動に伴って前記磁界発生部材から発生する回転磁場を検知するための磁気センサと、を有することを特徴とするものである。【００１１】
本発明では、上記した磁界発生部材及び磁気センサからなるセンサ機構により回動部材の回動検知を行うことで、従来に比べて入力装置の小型化を促進できる。また、前記磁気センサと磁界発生部材とは非接触のため、長寿命を期待できる。【００１２】
さらに、回動部材の回動検知を、磁気センサを用いたセンサ機構としたことで、回動に伴うリニアな出力を得ることができ、適切且つ容易に多段検知が可能となる。【００１３】
本発明では、前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部とともに基板上に並設されるとともに回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられることが好ましい。【００１４】
磁気センサの大きさは、メカ式のスイッチや特許文献１に示すような摺動型スイッチに比べて非常に小さくできる。また前記磁気センサを前記スイッチ部に近接配置できるためスイッチ部と磁気センサを基板上に並設させても基板の大きさは小さくて済む。また前記磁界発生部材は、押圧突起部を貫通孔内に挿通可能な位置に設置されるため、前記磁界発生部材の少なくとも一部を、前記押釦の真下に位置させることができる。さらに、磁気センサは基板上に設けられることで磁界発生部材は、前記磁気センサと近接した位置にあり、このように近接配置された前記磁気センサに回転磁場を与えればよいので、磁界発生部材の厚みは薄くてよく、磁界発生部材を限られた押釦と基板間の間隔内に適切に介在させることができる。以上により、より効果的に入力装置の小型化を促進できる。【００１５】
本発明では、前記押圧突起部の中心が前記回動中心と一致しており、基準姿勢（非回動時）にて、前記貫通孔の中心及び前記押圧突起部の中心を通る前記貫通孔の幅方向への中心幅寸法Ｔ１と、前記貫通孔の中心にて前記中心幅寸法Ｔ１と直交する長さ方向への中心長さ寸法Ｌ１との比（Ｔ１／Ｌ１）は１より大きく、前記中心幅寸法Ｔ１の部分の幅方向を境界として半分の磁界発生部材の少なくとも一部と、残り半分の磁界発生部材の少なくとも一部とが夫々異なる極性に着磁されており、前記磁気センサは、回動中心から前記貫通孔の幅方向に離れて設置されていることが好ましい。上記の構成では、前記押圧突起部の中心が前記回動中心と一致しているため、前記回動中心に磁気センサを設置することはできない。前記スイッチ部が前記押圧突起部の下方、すなわち前記回動中心に設置されているためである。かかる場合、磁界発生部材の貫通孔の形状、及び磁気センサの前記磁界発生部材に対する設置場所を上記のように調整することで、前記磁気センサには、回動部材の回動範囲にて、直線的な回転磁場が作用しやすくなり、磁界検知を高精度に行うことができる。【００１６】
また本発明では、前記中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向へ間隔を空けて対向する前記貫通孔の両側端部は、幅方向（図示Ｘ方向）に平行に形成されていることが好ましい。これにより、前記貫通孔の両側端部の空間内（磁気センサが存在する下方空間を含む）で発生する磁界はより直線的となり、前記磁気センサによる高精度な磁界検知を行うことが可能となる。【００１７】
また本発明では、前記貫通孔の中心は、前記押圧突起部の中心から離れた位置にあり、前記押圧突起部の中心、前記貫通孔の中心及び磁気センサの中心の順に各中心が、一直線上に並んでいることが好ましい。これにより、コンパクトな磁界発生部材にて、前記貫通孔の高さ方向と対向する位置に設けられる磁気センサの設置可能領域が押圧突起部から見て片側に広くなるため、前記磁気センサを前記スイッチ部と基板上に並設しやすくなる。また、基準姿勢（非回動時）から回動部材を時計方向及び反時計方向に夫々、回動させたときに、磁気センサが前記貫通孔の高さ方向と対向した状態を保つ回動部材の回動範囲を、時計方向及び反時計方向にて均等に設定できる。【００１８】
また、前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部が設置される基板の下面に設置されるとともに、回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられる構成であってもよい。【００１９】
このとき、前記回動中心、磁石の貫通孔の中心及び磁気センサの中心が高さ方向にて一致していることが、前記磁気センサには、直線的な回転磁場が作用しやすくなり、磁界検知を高精度に行うことができ、好適である。【００２０】
また本発明では、前記磁気センサは、前記回転磁場を受けて磁化方向が変動することにより電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を有して構成されることが好ましい。これにより、前記回転磁場を適切に検知でき、検知精度を高精度にできる。また磁気抵抗効果素子であると例えばホール素子等に比べて弱い磁界でも検知可能であるため、磁界発生部材の更なる薄型化等、入力装置の小型化に貢献できる。【００２１】
また本発明では、出力取出し部を介して第１巨大磁気抵抗効果素子と第２巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続される構成を備えることが好ましい。このとき、各巨大抵抗効果素子は、磁化方向が固定される固定磁性層と、磁化方向が前記回転磁場を受けて変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層と前記フリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とを有して構成され、各巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向が反平行となっていることが好ましい。【００２２】
さらに、出力取出し部を介して第３巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続される構成を備えることが好ましい。このとき、前記第３巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第２巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向と同一で、前記第４巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第１巨大磁気抵抗効果素子の磁化方向と同一である。また、固定磁性層の磁化方向が反平行である前記第１の巨大磁気抵抗効果素子と前記第３の磁気抵抗効果素子とが入力端子を介して接続されるとともに、固定磁性層の磁化方向が反平行である第２巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とがグランド端子を介して接続され、２つの出力取出し部が差動増幅器を介して外部出力端子に接続されていることが好ましい。【００２３】
これにより、出力を大きくでき、検知精度をより高精度にできる。
例えば、本発明の入力装置は、前記押釦が、シャッター釦であり、前記回動部材の外周部の一部にズームレバーが取り付けられているカメラ用として適用できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の構造によれば、小型化の入力装置を実現できる。また、前記磁気センサと磁界発生部材とは非接触のため、長寿命を期待できる。さらに、回動部材の回動検知を、磁気センサを用いたセンサ機構としたことで、回動に伴うリニアな出力を得ることができ、適切且つ容易に多段検知が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、カメラの外観斜視図、図２は、本発明の第１実施形態の入力装置の分解斜視図（ただし回動部材の図示なし）、図３は、図２の入力装置の側面図（ただし回動部材及びカメラ本体の一部を断面図で示す）、図４は図３に示す入力装置の平面図（ただしシャッター釦、回動部材及びカメラ本体の一部の図示なし）、図５、図６は、磁石の回動範囲、及び磁気センサに作用する回転磁場を説明するための模式図、図７は、図２の入力装置の正面図（ただしホルダの図示なし）、図８、図９、図１０は、図４に示した磁石とは別の形態の磁石の平面図、図１１は、本発明の第２実施形態の入力装置の分解斜視図、図１２は、図１１の入力装置の側面図（ただし回動部材及びカメラ本体の一部を断面図で示す）、図１３は図１２に示す入力装置の平面図（ただしシャッター釦、回動部材及びカメラ本体の一部の図示なし）、図１４は本実施形態の磁気センサを構成する巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の層構造を説明するための断面図、図１５は、本実施形態における磁気センサの回路図、である。【００２６】
図１に示すカメラ１は、カメラ本体（筐体）２の正面側にレンズ部３、フラッシュライト部４等が設けられ、また前記カメラ本体２の上面には、シャッター釦（押釦）５及び、前記シャッター釦５の周囲を取り囲む回動部材７が設けられる。前記回動部材７の外周部の一部からズームレバー６が突出して設けられている。また図示しないが前記カメラ本体２の背面にはモニタ部や各種釦が設けられている。【００２７】
図２、図３に示すようにシャッター釦５の下面５ａには、下方向（図示Ｚ方向の反対方向）に向けて突出する押圧突起部８が設けられている。図２ないし図４に示すように前記押圧突起部８は略円柱形状で形成され、前記押圧突起部８の下面が後述するタクトスイッチ１０の上面を押圧する押圧面となっている。【００２８】
前記押圧突起部８は前記シャッター釦５と一体に形成されていても別体で形成されてもどちらでもよい。【００２９】
前記押圧突起部８の周囲に螺旋状のスプリング９が取り付けられ、前記シャッター釦５は上方向（図示Ｚ方向）に付勢されている。【００３０】
前記押圧突起部８の下方には基板１１上に設置されたタクトスイッチ（スイッチ部）１０が設けられている。【００３１】
図３の組立状態では、前記押圧突起部８と前記タクトスイッチ１０間には間隔が空けられており、前記シャッター釦５を下方向に押圧すると前記押圧突起部８の下面が前記タクトスイッチ１０の上面を下方向に押圧し、これによりスイッチ入力信号が図示しないカメラ本体２側の駆動回路部に送信され、シャッター動作が駆動される。【００３２】
図３に示すように前記回動部材７の中央部には、前記シャッター釦５及び押圧突起部８を挿通させるための貫通孔７ａが設けられている。前記回動部材７は表面側に位置し、前記ズームレバー６が連結されている表面部１２と、前記表面部１２の下側に位置し、前記表面部１２に形成された貫通孔７ａよりも小さい貫通孔７ａを備え、組立状態にて、ちょうど前記押圧突起部８の周辺に位置する筒状の脚部１３とを備える。【００３３】
図２に示すように前記脚部１３の上面１３ａは、前記シャッター釦５がこれ以上、下方向へ押圧されないように規制するための規制面である。また組立状態にて、前記規制面１３ａと前記シャッター釦５の下面５ａ間には、前記シャッター釦５の下方向への押圧を所定幅だけ許容するための空間部１４が設けられている。【００３４】
前記回動部材７は、外力が作用しないとき、図３，図４のニュートラルポジション（基準姿勢；非回動時）を維持するように付勢されている。なお回動部材７に付勢力が設けられていないような使用形態での「基準姿勢」については、図４に示すように、磁石１５の中心Ｏ２と磁気センサ２０の中心Ｏ３とが幅方向（図示Ｘ方向）の直線上に並んだ状態のことを指す。【００３５】
また前記回動部材７の抜け止め及びがたつきを防止するために、例えば前記表面部１２の外周部１２ａとカメラ本体２との間に凹凸の係合構造が設けられている。【００３６】
前記回動部材７は、前記シャッター釦５の中心を回動中心として回動自在に支持されている。この第１実施形態では、前記シャッター釦５の中心と、前記押圧突起部８の中心Ｏ１とが一致している。したがって前記回動部材７は、前記押圧突起部８の中心Ｏ１を回動中心として前記シャッター釦５の周囲を所定角度だけ回動可能に支持されている。以下、特に断らない限り、回動中心を前記押圧突起部８の中心Ｏ１として説明する。【００３７】
図３に示すように、前記回動部材７の脚部１３の下面１３ｂには、磁石（磁界発生部材）１５を保持するためのホルダ１６が取り付けられている（図２も参照）。図２、図４に示すように前記ホルダ１６の中央部には、前記押圧突起部８を挿通可能とする貫通孔１６ａが形成されている。また、前記ホルダ１６に保持された磁石１５の中央部には、貫通孔１７が形成されている。【００３８】
前記磁石１５は、前記ホルダ１６に保持され、さらに前記ホルダ１６は前記回動部材７に連結されているため、前記回動部材７を前記押圧突起部８の中心Ｏ１を回動中心として回動させると、前記磁石１５も前記回動部材７と連動して回動する。【００３９】
図２、図４に示すように前記磁石１５は、その中央部に貫通孔１７が形成されて幅方向（図示Ｘ方向）に長いリング状で形成されている。【００４０】
図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）において、前記磁石１５の貫通孔１７の中心Ｏ２と、前記押圧突起部８の中心Ｏ１とを通る前記貫通孔１７の幅方向（図示Ｘ方向）への中心幅寸法をＴ１、前記貫通孔１７の中心Ｏ２にて前記中心幅寸法Ｔ１と直交する長さ方向（図示Ｙ方向）への中心長さ寸法をＬ１としたとき、アスペクト比（Ｔ１／Ｌ１）は、１よりも大きくなっている。本実施形態では、前記アスペクト比（Ｔ１／Ｌ１）は、２〜４の範囲内であることが好適である。【００４１】
前記磁石１５は、前記中心幅寸法Ｔ１の部分を境界として半分がＮ極に、残り半分がＳ極に着磁されている。【００４２】
図２ないし図４に示すように磁気センサ２０が前記基板１１上に前記タクトスイッチ１０と並設されている。【００４３】
図２、図４に示すように前記磁気センサ２０は、前記磁石１５の貫通孔１７と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向する位置に設けられる。図４に示すように、ニュートラルポジション（基準姿勢）において、前記押圧突起部８の中心Ｏ１、磁石１５の貫通孔１７の中心Ｏ２及び磁気センサ２０の中心Ｏ３とが一直線上に並んでいる。【００４４】
なお図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）だけでなく、前記磁石１５の回動部材７の回動に伴う回動範囲では、前記磁気センサ２０は常に、前記磁石１５の貫通孔１７と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向する位置にある。【００４５】
これにより、前記磁気センサ２０には、前記回動部材７の回動に伴って、前記磁石１５から発生する図示Ｘ−Ｙ平面と平行な面内方向から回転磁場Ｈが作用し、前記磁気センサ２０にて回転磁場Ｈを検知することができる。【００４６】
図１に示すズームレバー６を所定方向へ回動させると、ホルダ１６に保持された磁石１５も連動して回動することで、前記磁気センサ２０に前記磁石１５から回転磁場Ｈが作用する。前記磁気センサ２０は回転磁場Ｈを検知することで出力値が変動し、その出力値がカメラ本体２に内蔵された駆動回路に送信される。その出力値に基づいて、カメラ本体では、前記ズームレバー６が広角（Ｗ）ズーム側へ回動されたか、望遠（Ｔ）ズーム側へ回動されたかを判別し、所定のズーム動作を駆動させる。また後述するように磁気センサ２０を用いたセンサ機構では、回動部材７の回動に伴ってリニアな出力値を得ることができる。よって前記出力値に基づいて、多段の回動検知が容易であり、高倍率ズームにも適切に対応できる。【００４７】
例えば、前記ズームレバー６の回動範囲はニュートラルポジション（基準姿勢）から時計方向、及び反時計方向へ夫々２０度〜３５度程度に設定される。【００４８】
本実施形態では、シャッター釦５の押圧によりスイッチングされるタクトスイッチ１０ととともに、磁石１５及び磁気センサ２０を用いて、回動部材７の回動を検知するセンサ機構を設けた構造である。そして本実施形態では、前記磁石１５に貫通孔１７を設け、前記貫通孔１７に前記シャッター釦５に連結されている押圧突起部８を挿通し、且つ前記タクトスイッチ１０が設置されている基板１１上に前記磁気センサ２０を、前記磁石１５の貫通孔１７と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向する位置に設けている。【００４９】
前記磁気センサ２０は、前記回動部材７の回動に伴って前記磁石１５から発生する回転磁場Ｈを検知するもので、前記磁気センサ２０と前記磁石１５とは常に非接触式である。よって前記磁気センサ２０の大きさを、メカ式のスイッチや特許文献１に示したような摺動型スイッチ等と比べて非常に小さくできる。具体的には前記磁気センサ２０の幅寸法、及び長さ寸法を夫々１〜２ｍｍ、厚さ寸法を０．４〜１ｍｍの範囲内に設定できる。また磁気センサ２０とタクトスイッチ１０とを近接配置できる。よって前記タクトスイッチ１０と磁気センサ２０とを基板１１上に並設させても基板１１の大きさは小さくて済む。【００５０】
前記磁石１５は、押圧突起部８を貫通孔１７内に挿通可能な位置に設置されるため、前記磁石１５の少なくとも一部を、前記シャッター釦５の真下に位置させることができる。さらに、磁石１５は、貫通孔１７と高さ方向（図示Ｚ方向）にて配置された磁気センサ２０と近接した位置にあり、このように近接配置された前記磁気センサ２０に回転磁場Ｈを与えればよいので、磁石１５の厚みは薄くてよく、磁石１５を限られたシャッター釦５と基板１１間の間隔内に適切に介在させることができる。以上により、本実施形態の構造によれば、小型化の入力装置を実現できる。
また、前記磁気センサ２０と磁石１５とは非接触のため、長寿命を期待できる。【００５１】
さらに、回動部材７の回動検知を、磁気センサ２０を用いたセンサ機構としたことで、回動に伴うリニアな出力を得ることができ、適切且つ容易に多段検知（高倍率ズーム化）が可能となる。【００５２】
ところで第１実施形態では、前記磁気センサ２０を押圧突起部８の真下に設置することはできない。なぜなら中心Ｏ１が回動中心である前記押圧突起部８の真下にはタクトスイッチ１０が存在するからである。よってこの第１実施形態では、基板１１上にタクトスイッチ１０と並設される磁気センサ２０は必ず、前記押圧突起部８の真下位置からずれた位置に配置されることになる。例えば、前記押圧突起部８の中心Ｏ１をシャッター釦５の中心からずらし、すなわち、前記押圧突起部８の中心Ｏ１を回動中心からずらして配置するとタクトスイッチ１０も回動中心からずらせるため、回動中心に磁気センサ２０を配置することが可能となる。しかしながら、小型化で、確実なスイッチ入力が可能で且つ複雑な機構とならず、限られた空間内で、効率よく図２に示す全ての部品を配置するには、シャッター釦５の中心下に、押圧突起部８、タクトスイッチ１０を配置することが好適である。【００５３】
また前記磁石１５は、前記押圧突起部８が貫通孔１７に挿通可能なように支持される。このとき、前記磁石１５の中心Ｏ２を、前記押圧突起部８の中心Ｏ１と一致させてもよいが、係る場合、図４に示す前記押圧突起部８より図示左側の不使用領域にも磁石が張り出すことになり、入力装置の小型化には不利となる。よって図４のように、押圧突起部８の中心（回動部材７の回動中心）Ｏ１と磁石１５の中心Ｏ２とを幅方向（図示Ｘ方向）にずらした構成とすることがよい。また、磁石１５の貫通孔１７を円形状にし、且つ、図４に示す中心幅寸法Ｔ１を確保する場合、磁石１５の大きさは非常に大きくなってしまい、入力装置の小型化には不利となる。また貫通孔１７が円形状である場合、貫通孔１７の中心Ｏ２、回動中心となる押圧突起部８の中心Ｏ１、磁気センサ２０の中心Ｏ３が全て一致するならともかく（ちなみに後述する第２実施形態は全て一致する）、このような位置関係を得ることが出来ない本実施形態では、磁石１５が回動したときに、磁気センサ２０には非直線的な回転磁場Ｈが作用しやすく高精度な回動検知ができないといった問題が生じる。【００５４】
よって上記のような磁気センサ２０、押圧突起部８及び磁石１５の位置関係にある本実施形態では、磁気センサ２０にて高精度な回動検知を得るために、前記磁石１５の形状を以下のようにすることが好適である。【００５５】
すなわち、図４に示すように、前記磁石１５の中心幅寸法Ｔ１と中心長さ寸法とのアスペクト比（Ｔ１／Ｌ１）は、１より大きいことが好ましい。また図４に示すように、中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向へ間隔を空けて対向する前記貫通孔１７の両側端部１７ａ，１７ａは、幅方向（図示Ｘ方向）に平行に形成されていることが好ましい。そして、図４に示すように前記中心幅寸法Ｔ１の部分の幅方向を境界として半分がＮ極に、残り半分がＳ極に着磁されている。【００５６】
図５，図６の磁石１５の実線は、ニュートラルポジション（基準姿勢）を示し、図５の点線は、前記磁石１５が反時計方向へ所定角度だけ回動したときの状態、図６の点線は磁石１５が時計方向に所定角度だけ回動したときの状態を示している。磁石１５を、上記した好ましい形状で形成すると、図５，図６に示す前記回動部材７の回動範囲内では、常に、前記磁石１５の両側端部１７ａ，１７ａ間に挟まれた空間の磁気センサ２０が存在する下方空間Ａ（図７（ニュートラルポジション）を参照）において、Ｎ極からＳ極にかけてＸ−Ｙ面内にて直線的な回転磁場Ｈ（図５，図６、図７の実線での矢印及び点線での矢印で示す）を発生させることが可能になる。このように本実施形態では、前記磁気センサ２０には、前記回動部材７の回動範囲にて、直線的な回転磁場Ｈが作用しやすくなるため、前記磁気センサ２０による磁界検知を高精度に行うことが可能である。【００５７】
また、図４に示すように、前記押圧突起部８の中心Ｏ１は、前記磁石１５の貫通孔１７の中心Ｏ２から離れた位置にあり、ニュートラルポジション（基準姿勢）にて、前記押圧突起部８の中心Ｏ１、前記貫通孔１７の中心Ｏ２及び磁気センサ２０の中心Ｏ３の順に各中心が、一直線上に並んでいることが好適である。【００５８】
これにより、コンパクトな磁石１５にて、前記貫通孔１７の高さ方向（図示Ｚ方向）と対向する位置に設けられる磁気センサ２０の設置可能領域が押圧突起部８から見て片側に広くなるため、前記磁気センサ２０を前記タクトスイッチ１０と基板１１上に並設しやすくなる。また、図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）から図５，図６に示すように回動部材７（磁石１５）を時計方向及び反時計方向に回動させたときに、磁気センサ２０が前記貫通孔１７の高さ方向（図示Ｚ方向）と対向した状態を保つ回動部材７の回動範囲を、時計方向、及び反時計方向にて均等に設定できる。【００５９】
本実施形態の他の磁石の形状ついて説明する。図８に示す磁石３０も、図４に示す磁石１５と同様に、中央部に形成された貫通孔３１の中心幅寸法Ｔ１と中心長さ寸法Ｌ１とのアスペクト比（Ｔ１／Ｌ１）は、１よりも大きくなっている。ただし図８では、中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向（図示Ｙ方向）へ間隔を空けて対向する前記貫通孔３１の両側端部３１ａ，３１ａは曲面状であり、前記貫通孔３１は楕円形状で形成されている。例えば前記磁石の貫通孔が円形状で形成される場合よりも、前記貫通孔磁石３０の貫通孔３１を楕円形状で形成したほうが、前記磁気センサ２０に作用する回転磁場Ｈは、直線に近づきやすい。しかしながら、図４の磁石１５の形態に比べて、前記磁気センサ２０に作用する回転磁場Ｈは、非直線成分が大きくなり検知精度が低下しやすい。よって、前記磁石の形状は図８よりも図４に示す形状のほうが好適である。【００６０】
図９の磁石４０も、図４に示す磁石１５と同様に、中央部に形成された貫通孔４１の中心幅寸法Ｔ１と中心長さ寸法Ｌ１とのアスペクト比（Ｔ１／Ｌ１）は、１よりも大きくなっている。また図９では、中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向（図示Ｙ方向）へ間隔を空けて対向する前記貫通孔３１の両側端部４１ａ，４１ａのみならず、中心長さ寸法Ｔ２を挟み幅方向（図示Ｘ方向）へ間隔を空けて対向する前記貫通孔３１の両側端部４１ｂ，４１ｂもまた長さ方向（図示Ｙ方向）に平行に形成されている。よって図９の磁石形状も図４の磁石形状と同様に、前記磁気センサ２０には、前記回動部材７の回動範囲にて、直線的な回転磁場Ｈが作用しやすく、よって前記磁気センサ２０による磁界検知を高精度に行うことが可能である。【００６１】
また本実施形態における磁界発生部材は、全部が磁石で形成されてなくてもよい。例えば図４に示す磁石１５と同様の形態を示すリング状支持体があり、中心幅寸法Ｔ１の部分の幅方向を境界として半分の前記リング状支持体の下面側に、下面（磁気センサ２０に向く側の面）にＮ極が着磁された磁石を少なくとも一個、設置し、残り半分の前記リング状支持体の下面側に、下面（磁気センサ２０に向く側の面）にＳ極が着磁された少なくとも一個の磁石を設置する。下面にＮ極及びＳ極が着磁された各組の前記磁石は、図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）にて、磁気センサ２０の近傍位置に、前記磁石の中心が長さ方向（Ｙ方向）に一直線上に並ぶように配置することが好適である。さらに一組の前記磁石は、図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）にて、磁石の中心及び磁気センサ２０の中心Ｏ３とが長さ方向（Ｙ方向）に一直線上に並ぶように配置することが好適である。【００６２】
また上記した磁界発生部材の形状はいずれも中央部に貫通孔が形成されているものであったが、例えば図１０のように２本の棒磁石８１，８２を用意する。各棒磁石８１，８２の下面での極性は異なっており、図７に示すような磁気センサ２０が存在する下方領域Ａに回転磁場Ｈを与えることができる。究極的には一本の棒磁石によって回転磁場Ｈを生成してもよいが、Ｘ−Ｙ面内の水平成分以外の成分が大きくなり適切に磁界検知ができないので、図１０のように適切に回転磁場Ｈを生成するために２本の棒磁石８１，８２を用意したほうがよい。また棒磁石でなく、棒状部材の下面に小さい磁石を設けて、回転磁場Ｈを生じさせてもよい。【００６３】
また図７にも示すように上記実施形態では、いずれも磁石（磁界発生部材）に対して磁気センサ２０が下方に位置しているが、特に支障がなければ、磁石を磁気センサ２０と同じ平面位置（あるいはやや浮いた状態）に設置することも可能である。ただし図７のように磁石１５を磁気センサ２０の上方に位置させるほうが、磁石１５をコンパクトにでき、また磁石１５の厚さは、シャッター釦５と基板１１との間の間隔よりも十分薄いので、適切な磁界検知とともに入力装置の小型化に適切に寄与できる。【００６４】
図１１ないし図１３には本発明の第２実施形態の入力装置が示されている。ただし図２ないし図４に示す部材と同じ部材には同じ符号を付している。また図２ないし図４と形状が異なる部材には異なる符合を付したが機能的に異なるものではない。各部材の詳細な説明については図２ないし図４等の説明部分を参照されたい。【００６５】
図１１ないし図１３に示す第２実施形態では、前記磁気センサ２０は上面側にタクトスイッチ１０が設置された基板５２の下面５２ｂに設置されている。また、前記磁気センサ２０は、回動部材７の回動範囲にて、ホルダ５３に保持された磁石５０の中央部に形成された貫通孔５１と高さ方向（図示Ｚ方向）にて対向している。【００６６】
図２ないし図４に示す第１実施形態の入力装置と同様に、第２実施形態の入力装置においても、前記磁気センサ２０は、前記回動部材７の回動に伴って前記磁石５０から発生する回転磁場Ｈを検知するもので、前記磁気センサ２０と前記磁石５０とは常に非接触式である。したがって前記磁気センサ２０の大きさを、メカ式のスイッチや特許文献１に示したような摺動型スイッチ等と比べて非常に小さくできる。【００６７】
また前記磁石５０の中央部には貫通孔５１が設けられ、その貫通孔５１に回動部材７の回動中心となる押圧突起部８を挿通可能に配置している。そのため、前記磁石５０の少なくとも一部を、前記シャッター釦５の真下に位置させることができる。図１１ないし図１３に示す第２実施形態では、磁石５０の全域を、前記シャッター釦５の真下に位置させることができる。さらに、磁石５０を限られたシャッター釦５と基板５２間の間隔内に適切に介在させることができる。以上により、本実施形態の構造によれば、小型化の入力装置を実現できる。図１１ないし図１３に示す第２実施形態では磁気センサ２０を基板５２の下面５２ｂに設置しているので、その分、図２ないし図４に示す第１実施形態に比べて入力装置の高さ方向への寸法は大きくなるが、磁気センサ２０の厚さ寸法はせいぜい、１ｍｍ程度であり、従来に比べて、入力装置の全体的な小型化を実現できる。
また、前記磁気センサ２０と磁石１５とは非接触のため、長寿命を期待できる。【００６８】
さらに、回動部材７の回動検知を、磁気センサ２０を用いたセンサ機構としたことで、回動に伴うリニアな出力を得ることができ、適切且つ容易に多段検知（高倍率ズーム化）が可能となる。【００６９】
なお図１１ないし図１３に示す第２実施形態では、磁石５０と磁気センサ２０との間にタクトスイッチ１０、基板５２が介在し、また前記磁石５０と磁気センサ２０との間隔が図２ないし図４に示す第１実施形態に比べて広がりやすいので、磁石と磁気センサ２０とをより近接配置してノイズ成分が小さい高精度な回動検知を実現するには第２実施形態より第１実施形態の入力装置のほうが好適である。【００７０】
また図１１ないし図１３の第２実施形態では、前記磁石５０の中央部に形成された貫通孔５１は円形状であるが、図１３に示すように、前記磁気センサ２０の中心Ｏ３、前記貫通孔５１の中心Ｏ６、及び押圧突起部８の中心Ｏ１（回動中心）が全て高さ方向（図示Ｚ方向）にて一致しているので、前記磁気センサ２０の中心Ｏ３が、前記貫通孔５１の中心Ｏ６及び押圧突起部８の中心Ｏ１から離れている場合に比べて、前記磁気センサ２０には、前記磁石５０から直線的な回転磁場Ｈが作用しやすい。ただし、図４、図８、及び図９で示した磁石の形状のものを採用してもよい。【００７１】
前記磁気センサ２０内に内蔵される巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）６０の層構造について説明する。【００７２】
図１４に示すように前記巨大磁気抵抗効果素子６０は、基板１１上に下から反強磁性層６１、固定磁性層６２、非磁性材料層６３、フリー磁性層６４及び保護層６５の順に積層されて成る。前記反強磁性層６１は例えばＩｒＭｎ、固定磁性層６２は例えばＣｏＦｅ、非磁性材料層６３は例えばＣｕ、フリー磁性層６４は例えばＮｉＦｅ、保護層６５は例えばＴａで形成される。前記反強磁性層６１と基板１１間に下地層が形成されたり、あるいは積層順が上記と逆であってもよいが、少なくとも固定磁性層６２、非磁性材料層６３、及びフリー磁性層６４の３層構造を有していなければならない。【００７３】
前記反強磁性層６１と前記固定磁性層６２の間には交換結合磁界（Ｈｅｘ）が生じて前記固定磁性層６２の磁化方向６２ａは一方向に固定される。この実施形態では前記固定磁性層６２の磁化方向６２ａは例えば図示Ｙ方向と逆方向に固定されている。【００７４】
一方、前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａは固定されず、作用する回転磁場Ｈの方向に向けられる。図１４に示すように回転磁場Ｈは、図示Ｘ−Ｙ面と平行な面内に作用し、すなわち各層の界面と平行な面内方向から作用する水平磁場成分である。このような水平磁場成分を受けることで、前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａはその回転磁場Ｈ方向に向けて変動する。【００７５】
図１４では、前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａは図示Ｙ方向に向いている。よって前記固定磁性層６２の磁化方向６２ａと前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａとは反平行状態であり、最も電気抵抗値が高い状態になっている。一方、前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａが図示Ｙ方向と反対方向を向くと、前記固定磁性層６２の磁化方向６２ａと前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａは同じ方向を向き最も電気抵抗値は低くなる。【００７６】
前記巨大磁気抵抗効果素子６０は回転磁場Ｈを受けることで前記フリー磁性層６４の磁化方向６４ａが変動し前記固定磁性層６２の磁化方向６２ａとの磁化関係に基づいて電気抵抗値が変動する。よって前記電気抵抗値の変動に基づく出力変化により前記回動部材７の回動状態をリニアに検知できる。【００７７】
図１５に示すように前記巨大磁気抵抗効果素子６０によりブリッジ回路が構成されることが好適である。【００７８】
符号７０は第１巨大磁気抵抗効果素子、符号７１は第２巨大磁気抵抗効果素子、符号７２は第３巨大磁気抵抗効果素子及び、符号７３は第４巨大磁気抵抗効果素子であり、各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３の層構造は図１４に示す巨大磁気抵抗効果素子６０と同じである。【００７９】
図１５に示すように前記第１巨大磁気抵抗効果素子７０と第２巨大磁気抵抗効果素子７１は第１出力取出し部７４を介して直列接続される。また第３巨大磁気抵抗効果素子７２と第４巨大磁気抵抗効果素子７３は第２出力取出し部７５を介して直列接続される。【００８０】
図１５に示すように前記第１出力取出し部７４と第２出力取出し部７５は差動増幅器７６に接続され、前記差動増幅器７６の出力側が外部出力端子７７に接続されている。【００８１】
また図１５に示すように第１巨大磁気抵抗効果素子７０と第３巨大磁気抵抗効果素子７２は入力端子７８を介して接続され、前記第２巨大磁気抵抗効果素子７１と第４巨大磁気抵抗効果素子７３とがグランド端子７９を介して接続されている。【００８２】
図１５に示すように第１巨大磁気抵抗効果素子７０の固定磁性層の固定磁化方向７０ａと、第２巨大磁気抵抗効果素子７１の固定磁性層の固定磁化方向７１ａとは反平行となっている。【００８３】
一方、前記第３巨大磁気抵抗効果素子７２の固定磁性層の固定磁化方向７２ａは第２巨大磁気抵抗効果素子７１の固定磁性層の固定磁化方向７１ａと同一で、前記第４巨大磁気抵抗効果素子７３の固定磁性層の固定磁化方向７３ａは、第１巨大磁気抵抗効果素子７０の固定磁性層の固定磁化方向７０ａと同一である。すなわち図１５に示すように、直列接続される第３巨大磁気抵抗効果素子７２の固定磁化方向７２ａと第４巨大磁気抵抗効果素子７３の固定磁化方向７３ａとは反平行となっている。【００８４】
図１５に示す各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３は、磁気センサ２０の基板上に設けられる。また差動増幅器７６や図示しないコンパレータ等を含む集積回路（ＩＣ）も前記磁気センサ２０の基板上に設けられる。例えば前記基板上に集積回路が形成され、絶縁層を介して、各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３が例えばミアンダ形状にて形成される。各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３上は保護層により覆われてパッケージ化される。また磁気センサ２０の側面からは入力端子７８、グランド端子７９及び出力端子７７が露出している。【００８５】
各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３に示す点線の矢印はフリー磁性層の磁化方向７０ｂ，７１ｂ，７２ｂ，７３ｂを示す。上記したようにフリー磁性層の磁化は、作用する回転磁場Ｈの方向に向くので、全ての巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３のフリー磁性層の磁化は同じ方向を向いている。【００８６】
図１５に示す磁化状態では、第１巨大磁気抵抗効果素子７０と第４巨大磁気抵抗効果素子が最小抵抗値の状態にあり、第２巨大磁気抵抗効果素子７１と第３巨大磁気抵抗効果素子７２が最大抵抗値の状態にある。【００８７】
回動部材７の回動に伴う磁石からの回転磁場Ｈが各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３に作用することで、各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３の電気抵抗値は変動し、ブリッジ回路から差動増幅器７６を介して差動電位が出力される。例えばセンサ出力（差動電位）は、磁石回動角度に対して図１６に示すように現れる。【００８８】
例えば図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）では、全ての各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３の固定磁性層の固定磁化方向７０ａ，７１ａ，７２ａ，７３ａとフリー磁性層の磁化方向７０ｂ，７１ｂ，７２ｂ，７３ｂとの関係が９０度であり、全ての巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３の電気抵抗値は同一となっている。そのためセンサ出力（差動電位）は０Ｖである。図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）から回動部材７の回動に伴って磁石１５が反時計方向（例えば図１６の正値の磁石回転角度）に３０度まで、時計方向（例えば図１６の負値の磁石回転角度）に３０度まで回動すると、各巨大磁気抵抗効果素子７０，７１，７２，７３の電気抵抗値の変動に基づくセンサ出力（差動電位）が図１６のようにほぼ直線的に変位する。【００８９】
センサ出力（差動電位）は、磁石１５が図４に示すニュートラルポジション（基準姿勢）から反時計方向に回動したときと、時計方向に回動したときとで、センサ出力の正負の符号が異なるため、どちら方向に磁石１５が回動しているか判別できる。よって広角ズーム信号と望遠ズーム信号を簡単かつ適切に生成することが出来る。しかも、図１６に示すように磁石回転角度に対してリニアに変化するセンサ出力により、適切且つ簡単に多段階のズーム動作を駆動させることができる。【００９０】
前記磁気センサ２０に使用される磁気素子は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）以外であってもよいが、上記したように、まず水平磁場成分を受けて電気特性が変動し、さらに磁石１５を時計方向、及び反時計方向に回動させたときにその回動方向が判別できないといけない。このような磁気素子は巨大磁気抵抗効果素子が一番適しており、しかも巨大磁気抵抗効果素子では、弱い磁界でも適切に電気抵抗値が変動するので、磁石の小型化を促進でき、より効果的に入力装置の小型化を図ることができる。【００９１】
また図１５のように巨大磁気抵抗効果素子によりブリッジ回路を形成すると差動出力を得ることができ、センサ出力を大きくできるため、より高精度な磁界検出を行うことが可能である。ただし、固定磁性層の磁化方向が反平行の２つの巨大磁気抵抗効果素子が直列接続された回路であってもよく、究極的には巨大磁気抵抗効果素子は一個であってもよい。【００９２】
本実施形態では、カメラのシャッター／ズーム用入力装置として説明したが、カメラ以外の電子機器にも本実施形態を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】カメラの外観斜視図、
【図２】本発明の第１実施形態の入力装置の分解斜視図（ただし回動部材の図示なし）、
【図３】図２の入力装置の側面図（ただし回動部材及びカメラ本体の一部を断面図で示す）、
【図４】図３に示す入力装置の平面図（ただしシャッター釦、回動部材及びカメラ本体の一部の図示なし）、
【図５】磁石の回動範囲、及び磁気センサに作用する回転磁場を説明するための模式図、
【図６】磁石の回動範囲、及び磁気センサに作用する回転磁場を説明するための模式図、
【図７】図２の入力装置の正面図（ただしホルダの図示なし）、
【図８】図４に示した磁石とは別の形態の磁石の平面図、
【図９】図４に示した磁石とは別の形態の磁石の平面図、
【図１０】図４に示した磁石とは別の形態の磁石の平面図、
【図１１】本発明の第２実施形態の入力装置の分解斜視図、
【図１２】図１１の入力装置の側面図（ただし回動部材及びカメラ本体の一部を断面図で示す）、
【図１３】図１２に示す入力装置の平面図（ただしシャッター釦、回動部材及びカメラ本体の一部の図示なし）、
【図１４】本実施形態の磁気センサを構成する巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）の層構造を説明するための断面図、
【図１５】本実施形態における磁気センサの回路図、
【図１６】磁石回転角度とセンサ出力との関係を示す図（一例）、
【符号の説明】
【００９４】
１  カメラ
２  カメラ本体
５  シャッター釦
６  ズームレバー
７  回動部材
８  押圧突起部
９  スプリング
１０  タクトスイッチ
１１、５２  基板
１５、３０、４０、５０  磁石
１６、５３  ホルダ
１７、３１、４１、５１  （磁石の）貫通孔
２０  磁気センサ
６０、７０、７１、７２、７３  巨大磁気抵抗効果素子
６１  反強磁性層
６２  固定磁性層
６２ａ、７０ａ、７１ａ、７２ａ、７３ａ  （固定磁性層の）磁化方向
６３  非磁性材料層
６４  フリー磁性層
６４ａ、７０ｂ、７１ｂ、７２ｂ、７３ｂ  （フリー磁性層の）磁化方向
６５  保護層
７４、７５  出力取出し部
７６  差動増幅器
７７  外部出力端子
７８  入力端子
７９  グランド端子
８１、８２  棒磁石
Ｈ  回転磁場
Ｌ１  （磁石の貫通孔の）中心長さ寸法
Ｏ１  （押圧突起部の）中心
Ｏ２、Ｏ４、Ｏ５、Ｏ６  （磁石の貫通孔の）中心
Ｏ３  （磁気センサの）中心
Ｔ１  （磁石の貫通孔の）中心幅寸法
【図１】
2009014027.tif 000003
【図２】
2009014027.tif 000004
【図３】
2009014027.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2009014027.tif 000014
【図１３】
2009014027.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
押釦と、前記押釦の下面に連結された下方向に突出する押圧突起部と、前記押圧突起部の下方に位置し、前記押釦を下方向に押圧することで押圧されるスイッチ部と、
前記押釦の周囲にて前記押釦の中心を回動中心として回動自在に支持された回動部材と、前記回動部材の下側に位置し、前記回動部材の回動に連動して回動する磁界発生部材と、前記回動部材の回動に伴って前記磁界発生部材から発生する回転磁場を検知するための磁気センサと、を有し、
前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部とともに基板上に並設されるとともに回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられており、
前記押圧突起部の中心が前記回動中心と一致しており、基準姿勢（非回動時）にて、前記貫通孔の中心及び前記押圧突起部の中心を通る前記貫通孔の幅方向への中心幅寸法Ｔ１と、前記貫通孔の中心にて前記中心幅寸法Ｔ１と直交する長さ方向への中心長さ寸法Ｌ１との比（Ｔ１／Ｌ１）は１より大きく、前記中心幅寸法Ｔ１の部分の幅方向を境界として半分の磁界発生部材の少なくとも一部と、残り半分の磁界発生部材の少なくとも一部とが夫々異なる極性に着磁されており、前記磁気センサは、前記回動中心から、前記貫通孔の幅方向に離れて設置されていることを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記回動中心と、前記磁界発生部材の中心とが前記幅方向にずらされている請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
前記中心幅寸法Ｔ１を挟み長さ方向へ間隔を空けて対向する前記貫通孔の両側端部は、幅方向（図示Ｘ方向）に平行に形成されている請求項３記載の入力装置。
【請求項５】
前記貫通孔の中心は、押圧突起部の中心から離れた位置にあり、前記押圧突起部の中心、前記貫通孔の中心及び磁気センサの中心の順に各中心が、一直線上に並んでいる請求項１、２又は４に記載の入力装置。
【請求項６】
押釦と、前記押釦の下面に連結された下方向に突出する押圧突起部と、前記押圧突起部の下方に位置し、前記押釦を下方向に押圧することで押圧されるスイッチ部と、
前記押釦の周囲にて前記押釦の中心を回動中心として回動自在に支持された回動部材と、前記回動部材の下側に位置し、前記回動部材の回動に連動して回動する磁界発生部材と、前記回動部材の回動に伴って前記磁界発生部材から発生する回転磁場を検知するための磁気センサと、を有し、
前記磁界発生部材の中央には貫通孔が設けられ、前記磁界発生部材は、前記押圧突起部が前記貫通孔に挿通可能に支持されており、
前記磁気センサは、前記スイッチ部が設置される基板の下面に設置されるとともに、回動範囲内にて前記貫通孔と高さ方向で対向する位置に設けられており、
前記磁気センサは、前記回転磁場を受けて磁化方向が変動することにより電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を有して構成されることを特徴とする入力装置。
【請求項７】
前記回動中心、磁石の貫通孔の中心及び磁気センサの中心が高さ方向にて一致している請求項６記載の入力装置。
【請求項８】
前記磁気センサは、前記回転磁場を受けて磁化方向が変動することにより電気抵抗が変化する磁気抵抗効果素子を有して構成される請求項１、２、４、又は５に記載の入力装置。
【請求項９】
出力取出し部を介して第１巨大磁気抵抗効果素子と第２巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続され、各巨大抵抗効果素子は、磁化方向が固定される固定磁性層と、磁化方向が前記回転磁場を受けて変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層と前記フリー磁性層との間に位置する非磁性材料層とを有して構成され、各巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向が反平行となっている請求項８記載の入力装置。
【請求項１０】
出力取出し部を介して第３巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とが直列接続され、前記第３巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第２巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向と同一で、前記第４巨大磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向は前記第１巨大磁気抵抗効果素子の磁化方向と同一であり、固定磁性層の磁化方向が反平行である前記第１の巨大磁気抵抗効果素子と前記第３の磁気抵抗効果素子とが入力端子を介して接続されるとともに、固定磁性層の磁化方向が反平行である第２巨大磁気抵抗効果素子と第４巨大磁気抵抗効果素子とがグランド端子を介して接続され、２つの出力取出し部が差動増幅器を介して外部出力端子に接続されている請求項９記載の入力装置。
【請求項１１】
前記押釦は、カメラのシャッター釦であり、前記回動部材の外周部の一部にズームレバーが取り付けられている請求項１、２、４ないし１０のいずれかに記載の入力装置。
【国際調査報告】
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