(57)【要約】  本発明の半導体パッケージは、半導体素子の内部回路と接続され、外部と電気的に接続するための、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により形成された外部電極パッド５と、外部電極パッド上の全面に設けられためっき層６と、外部電極パッド上のめっき層の一部を露出し、かつ、外部電極パッドの外周縁上のめっき層を覆う絶縁樹脂層７とを有する。
2008044537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の内部回路と接続され、外部と電気的に接続するための、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により形成された外部電極パッドと、
前記外部電極パッド上の全面に設けられためっき層と、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出し、かつ、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う絶縁樹脂層と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
前記半導体素子と前記外部電極パッドとを接続するための、導電性樹脂または導電性インクにより形成された配線が１層以上設けられ、
１層以上の前記配線のうち最上層の配線は、前記外部電極パッドと接続され、該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位まで表面が前記めっき層で覆われている、請求の範囲１記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
内部回路に接続されたチップ電極パッドを含む半導体素子と、
前記チップ電極パッドの表面を露出させた開口が設けられ、前記半導体素子の表面を覆う第１の絶縁樹脂層と、
前記開口を介して前記チップ電極パッドに接続され、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により前記第１の絶縁樹脂層上に形成された配線と、
前記配線に接続され、前記チップ電極パッドのピッチよりも広いピッチにて前記チップ電極パッドの面積よりも広く、前記導電部材に等しい部材により形成された外部電極パッドと、
前記外部電極パッドの全面、および前記配線の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層と、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出し、かつ、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第２の絶縁樹脂層と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項４】
内部回路に接続されたチップ電極パッドを含む半導体素子と、
前記チップ電極パッドの表面を露出させた第１の開口が設けられ、前記半導体素子の表面を覆う第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の開口を介して前記チップ電極パッドに接続され、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により前記第１の絶縁樹脂層上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線の一部を露出させた第２の開口が設けられ、前記第１の絶縁樹脂層上に形成された第２の絶縁樹脂層と、
前記第２の開口を介して前記第１の配線に接続され、前記導電部材に等しい部材により前記第２の絶縁樹脂上に形成された第２の配線と、
前記第２の配線に接続され、前記チップ電極パッドのピッチよりも広いピッチにて前記チップ電極パッドの面積よりも広く、前記導電部材に等しい部材により形成された外部電極パッドと、
前記外部電極パッドの全面、および前記第２の配線上の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層と、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出し、かつ、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第３の絶縁樹脂層と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項５】
内部回路に接続されたチップ電極パッドを含む半導体素子と、
前記チップ電極パッド部を露出させた第１の開口が設けられ、前記半導体素子の表面を覆う第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の開口を介して前記チップ電極パッドに接続され、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により第１の絶縁樹脂層上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線の一部を露出させた第２の開口が設けられ、前記第１の絶縁樹脂上に形成された第２の絶縁樹脂層と、
前記第２の開口を介して前記第１の配線に接続され、前記導電部材に等しい部材により前記第２の絶縁樹脂上に形成された第２の配線と、
前記第２の配線上に所望の層数の絶縁樹脂層および配線層が交互に形成された多層配線層と、
前記多層配線層の最上層の配線に接続され、前記チップ電極パッドのピッチよりも広いピッチにて前記チップ電極パッドの面積よりも広く、前記導電部材に等しい部材により形成された外部電極パッドと、
前記外部電極パッドの全面、および前記多層配線層の最上層の配線上の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層と、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出し、かつ、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第３の絶縁樹脂層と、
を有する半導体パッケージ。
【請求項６】
前記導電部材にて形成された最上層の配線の全面に前記めっき層が形成されている請求の範囲２から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記導電部材にて形成された全ての配線の全面に前記めっき層が形成されている請求の範囲２から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記めっき層が、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／ＡｕおよびＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのうちいずれかである請求の範囲１から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記外部電極パッドの底面側に応力緩和層が設けられた請求の範囲１から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記応力緩和層が、エラストマを含む絶縁性樹脂、導電性樹脂、シリコンゴムおよびＣｕのうちいずれかである請求の範囲９に記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記配線または前記第１の配線の幅が、前記第１の絶縁樹脂層の前記チップ電極パッド部の開口幅以下である請求の範囲３から５のいずれか１項に記載のＬＳＩパッケージ。
【請求項１２】
前記導電性樹脂および導電性インクの導電用フィラーが、外形サイズ０．５μｍ以上５μｍ以下の金属粒子からなる請求の範囲１から５のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１３】
前記導電性樹脂および導電性インクの導電用フィラーの少なくとも一部に粒子径５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の金属微粒子を含む請求の範囲１から５および１２のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１４】
前記外部電極パッド上に形成された前記めっき層の露出部分にはんだバンプが形成された請求の範囲１から１３のいずれか１項に記載の半導体パッケージ。
【請求項１５】
半導体素子の内部回路と接続され、外部と電気的に接続するための外部電極パッドを導電性樹脂または導電性インクにより形成し、
前記外部電極パッド上の全面にめっき層を形成し、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出し、かつ、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う絶縁樹脂層を形成する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記内部回路および前記外部電極パッドを接続するための１層以上の配線を導電性樹脂または導電性インクにより前記半導体素子上に形成し、
前記外部電極パッドを形成する際、前記１層以上の配線のうち最上層の配線を該外部電極パッドに接続して形成し、
前記めっき層を形成する際、前記最上層の配線の前記外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を前記めっき層で覆う、請求の範囲１５記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１７】
半導体素子の内部回路に接続されたチップ電極パッドの表面を露出させる開口を有する第１の絶縁樹脂層を前記半導体素子上に形成し、
外部と電気的に接続するための外部電極パッドと該外部電極パッドに接続されるとともに前記開口を介して前記チップ電極パッドに接続される配線とを導電性樹脂または導電性インクの導電部材により、前記外部電極パッドのピッチを前記チップ電極パッドよりも広く、かつ、前記外部電極パッドの面積を前記チップ電極パッドよりも広く前記第１の絶縁樹脂層上に形成し、
前記外部電極パッドの全面、および前記配線の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層を形成し、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出させる開口を有し、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第２の絶縁樹脂層を形成する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１８】
半導体素子の内部回路に接続されたチップ電極パッドの表面を露出させる第１の開口を有する第１の絶縁樹脂層を前記半導体素子上に形成し、
前記第１の開口を介して前記チップ電極パッドに接続され、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により前記第１の絶縁樹脂層上に第１の配線を形成し、
前記第１の配線の一部を露出させる第２の開口を有する第２の絶縁樹脂層を前記第１の絶縁樹脂層上に形成し、
外部と電気的に接続するための外部電極パッドと該外部電極パッドに接続されるとともに前記第２の開口を介して前記第１の配線に接続される第２の配線とを前記導電部材に等しい部材により、前記外部電極パッドのピッチを前記チップ電極パッドよりも広く、かつ、前記外部電極パッドの面積を前記チップ電極パッドよりも広く前記第２の絶縁樹脂層上に形成し、
前記外部電極パッドの全面、および前記第２の配線の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層を形成し、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出する第３の開口を有し、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第３の絶縁樹脂層を形成する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項１９】
半導体素子の内部回路に接続されたチップ電極パッドの表面を露出させる第１の開口を有する第１の絶縁樹脂層を前記半導体素子上に形成し、
前記第１の開口を介して前記チップ電極パッドに接続され、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により前記第１の絶縁樹脂層上に第１の配線を形成し、
前記第１の配線の一部を露出させる第２の開口を有する第２の絶縁樹脂層を前記第１の絶縁樹脂層上に形成し、
前記第２の開口を介して前記第１の配線に接続される第２の配線を前記導電部材に等しい部材により前記第２の絶縁樹脂層上に形成し、
前記第２の配線上に所望の層数の絶縁樹脂層および配線層が交互に設けられた多層配線層を形成し、
前記多層配線層の最上層の配線に接続され、前記チップ電極パッドのピッチよりも広いピッチにて前記チップ電極パッドの面積よりも広く、前記導電部材に等しい部材により外部電極パッドを形成し、
前記外部電極パッドの全面、および前記多層配線層の最上層の配線上の該外部電極パッドとの接続部分から所定の部位までの表面を覆うめっき層を形成し、
前記外部電極パッド上の前記めっき層の一部を露出する第３の開口を有し、該外部電極パッドの外周縁上の前記めっき層を覆う第３の絶縁樹脂層を形成する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項２０】
前記導電性樹脂および導電性インクの塗布方法が、スクリーン印刷、ディスペンサ法およびインクジェット法のうちいずれかである請求の範囲１５から１９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２１】
前記絶縁樹脂層の形成方法が、スクリーン印刷またはインクジェット法のいずれかである請求の範囲１５または１６のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２２】
前記第２の絶縁樹脂層から最上層の絶縁樹脂層に至る絶縁樹脂層の形成方法に、スクリーン印刷またはインクジェット法のいずれかを含む請求の範囲１７から１９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２３】
導電用フィラーとして外形サイズ０．５μｍ以上５μｍ以下の金属粒子を含む前記導電性樹脂または導電性インクを用いる請求の範囲１５から１９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２４】
導電用フィラーの少なくとも一部に粒子径５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の金属微粒子を含む前記導電性樹脂または導電性インクを用いる請求の範囲１５から１９および２３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２５】
前記外部電極パッドの形成前に、該外部電極パッドの少なくとも底面に位置する部位に応力緩和層を形成する請求の範囲１５から１９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２６】
前記外部電極パッド上に形成されためっき層の露出部分にはんだバンプを形成する請求の範囲１５から１９のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２７】
前記はんだバンプの形成は、
はんだペーストをメタルマスクを用いて塗布し、前記はんだペーストを溶融して前記めっき層と接合するものである請求の範囲２６記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２８】
前記はんだバンプの形成は、
フラックス、または、はんだペーストをメタルマスクを用いて塗布し、塗布した部位にはんだボールを搭載し、該はんだボールを溶融してめっきと接合するものである請求の範囲２６記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項２９】
半導体パッケージ製造工程をウェハの状態で行い、その後、該ウェハから各半導体パッケージに個片化する請求の範囲１５から２８のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を含む電子部品を絶縁物でパッケージした半導体パッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ（以下では、ＬＳＩパッケージと称する）に用いられる配線に関しては、フォトリソグラフィー法を用いて形成されるのが一般的である。この配線構造および配線形成方法について図１Ａから図１Ｉを用いて詳述する。【０００３】
ＬＳＩチップ１の主面上に内部回路と接続されたＬＳＩチップ電極パッド２が設けられ、その上にチップ電極２の一部を露出して第１の絶縁樹脂３が形成されている。このＬＳＩチップ１を含む基材の第１の絶縁樹脂３上に、図１Ａに示すように、配線層のベースとなる銅膜１５をスパッタ等により形成する。続いて、エッチングレジスト形成用の感光性樹脂１６をスピンコータ等を用いて塗布する（図１Ｂ）。その後、図１Ｃに示すように、フォトマスク１７を用いてパターン形成部を露光・現像する。これにより、感光性樹脂１６が未露光部１６ａと露光部１６ｂとに分けられる（図１Ｄ）。【０００４】
続いて、現像部１６ｃ以外となる未露光部１６ａの樹脂を除去してエッチングレジストを形成する（図１Ｅ）。エッチングにより配線部以外の銅を除去することで（図１Ｆ）、配線パターンとなる銅配線１８が形成される。その後、エッチングレジストを除去する(図１Ｇ）。【０００５】
続いて、この銅配線１８を保護するため、外部電極パッドを除く部分にソルダーレジストとして第２の絶縁樹脂７を形成する（図１Ｈ）。さらに、外部電極パッド上に供給されるはんだへの銅の拡散を抑制するためのバリア層を形成するためにＮｉ，Ｎｉ／Ａｕ，Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどのめっき層６を形成する（図１Ｉ）。このようにして、ＬＳＩパッケージに用いられる配線が完成する。【０００６】
上述した方法以外にも、フォトリソグラフィーを用いる方法が特開２００３−１７４１１８号公報に開示されている。
【発明の開示】
【０００７】
しかしながら、このような配線では製造工程上配線以外の銅を全て除去する必要があること、使用済みのエッチング液が廃液となること等により環境保護の観点から問題があった。また、前述のように複雑な工程を必要とするため初期設備投資が多大となること、多数の製造工程を必要とするためにコストアップが避けられないことなども問題であった。
【０００８】
一方、上述した、いわゆるフォトリソグラフィー法を用いて形成した配線ではなく、近年では導電性樹脂または導電性インクの印刷塗布による配線形成が試みられている。しかし、導電性樹脂または導電性インクを配線形成に用いる場合には比抵抗を下げる必要があり、導電フィラーの含有量が多く、樹脂量は少なくなる傾向にある。このような原因により、基材との密着強度や樹脂自身の強度不足を招き、発明者の実験によれば、この配線上へはんだ付けを行った場合には著しい信頼性低下を招き、ＬＳＩパッケージ用配線への適用は困難であることがわかった。
【０００９】
本発明は上述したような技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、高信頼性で環境に優しい半導体パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明の半導体パッケージは、半導体素子の内部回路と接続され、外部と電気的に接続するための、導電性樹脂または導電性インクの導電部材により形成された外部電極パッドと、外部電極パッド上の全面に設けられためっき層と、外部電極パッド上のめっき層の一部を露出し、かつ、外部電極パッドの外周縁上のめっき層を覆う絶縁樹脂層と、を有する構成である。
【００１１】
本発明では、導電性樹脂または導電性インクによる外部電極パッドをめっき層で覆い、このめっき層の上から外部電極パッドの外周縁上にあたる部分を絶縁樹脂で覆っている。クラックの発生起点となる絶縁樹脂の縁が、樹脂と金属の複合材である導電性樹脂よりもクラックの入り難いバルク金属であるめっき層にかかる構造としているため、応力集中により絶縁樹脂の縁からクラックが外部電極パッドに入るのが抑制される。
【００１２】
本発明によれば、外部電極パッドに発生するクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。また、電極パッドの部材に導電性樹脂または導電性インクを用いることで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】図１Ａは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは関連するＬＳＩパッケージの製造方法の一例を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は第１の実施形態におけるＬＳＩパッケージを概略的に示す上面図および断面図である。
【図３】図３は第１の実施形態におけるＬＳＩパッケージの別の構成例を概略的に示す上面図および断面図である。
【図４】図４は第１の実施形態におけるＬＳＩパッケージの別の構成例を概略的に示す上面図および断面図である。
【図５】図５は第１の実施形態のＬＳＩパッケージにはんだバンプを形成した場合の一例を示す上面図および断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは一般的な構造のパッケージに導電性樹脂配線を適用した場合のパッケージ外部電極部の断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは図６Ａに示した構造による不具合発生例を概略的に示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは一般的な構造のパッケージに導電性樹脂配線を適用した場合のパッケージ外部電極部の断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは図７Ａに示した構造による不具合発生例を概略的に示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明のＬＳＩパッケージの外部電極パッド部の構造を模式的に示す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは図８Ａに示した構造による効果を示す断面模式図である。
【図９】図９は第２の実施形態におけるＬＳＩパッケージを概略的に示す上面図および断面図である。
【図１０】図１０は第３の実施形態におけるＬＳＩパッケージを概略的に示す上面図および断面図である。
【図１１】図１１は第３実施形態におけるＬＳＩパッケージの変形例を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１２】図１２は第４実施形態におけるＬＳＩパッケージを概略的に示す上面図および断面図である。
【図１３】図１３は第５実施形態におけるＬＳＩパッケージを概略的に示す上面図および断面図である。
【図１４】図１４は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１５】図１５は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１６】図１６は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１７】図１７は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１８】図１８は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図１９】図１９は図２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２０】図２０は図３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２１】図２１は図３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２２】図２２は図３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２３】図２３は図３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２４】図２４は図９に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２５】図２５は図９に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２６】図２６は図９に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２７】図２７は図９に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２８】図２８は図１２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図２９】図２９は図１２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３０】図３０は図１２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３１】図３１は図１２に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３２】図３２は図１３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３３】図３３は図１３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３４】図３４は図１３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【図３５】図３５は図１３に示したＬＳＩパッケージの製造工程を概略的に示す上面図および断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１    ＬＳＩチップ（ウェハ）
２    ＬＳＩチップ電極パッド
３    第１の絶縁樹脂
４ａ    第１の配線
５    外部電極パッド
６    めっき層
７    第２の絶縁樹脂
３１、３２    ランド
９    第２の配線
８、１０    第３の絶縁樹脂
１１    第３の配線
１２    第４の絶縁樹脂
１３    応力緩和層
１４    はんだバンプ
１５    銅膜
１６    感光性樹脂
１６ａ    感光性樹脂（未露光部）
１６ｂ    感光性樹脂（露光部）
１６ｃ    感光性樹脂（現像部）
１７    フォトマスク
１８    銅配線
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
本実施形態のＬＳＩパッケージの構造を説明する。【００１６】
図２は本実施形態のＬＳＩパッケージの基本構造の一例を概略的に示す図である。図２（ａ）はその上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００１７】
図２に示すように、ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ１の表面に形成されたＬＳＩチップ電極パッド２、第１の絶縁樹脂３、配線４、外部電極パッド５、めっき層６および第２の絶縁樹脂７を有する。ＬＳＩチップ電極パッド２はＬＳＩチップ１内の回路（不図示）に接続された端子であり、外部電極パッド５は外部と電気的に接続するための端子である。【００１８】
ＬＳＩチップ１の表面上に第１の絶縁樹脂３が設けられ、第１の絶縁樹脂３と同一層にＬＳＩチップ電極パッド２が設けられている。これは、図２（ｂ）の断面図を見てわかるように、第１の絶縁樹脂３に設けられた開口にＬＳＩチップ電極パッド２が露出した構造である。【００１９】
配線４は、第１の絶縁樹脂３上に設けられ、ＬＳＩチップ電極パッド２と配線パターンの一方の端部で接続されている。外部電極パッド５は、第１の絶縁樹脂３上に設けられ、配線４の他方の端部と接続されている。ＬＳＩチップ電極パッド２と外部電極パッド５とが配線４を介して接続されている。【００２０】
配線４および外部電極パッド５はめっき層６で覆われている。第２の絶縁樹脂７が、配線４上のめっき層６を覆い、外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁上を覆っている。配線４および外部電極パッド５は導電性樹脂または導電性インクで構成されている。【００２１】
次に、本実施形態のＬＳＩパッケージの別の構成例を説明する。【００２２】
図３は本実施形態のＬＳＩパッケージの別の構成例を示す図である。図３（ａ）はその上面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００２３】
図３に示す構成では、第２の絶縁樹脂７の上に第３の絶縁樹脂８が設けられている。配線４は、その表面のうち外部電極パッド５と接続部分から所定の部位までめっき層６で覆われ、その他の部位が第２の絶縁樹脂７で覆われている。第２の絶縁樹脂７が配線４のどの部分まで覆うかによって、配線４上のめっき層６が形成される領域が定まる。【００２４】
配線４上のめっき層６は第３の絶縁樹脂８で覆われている。また、外部電極パッド５は図２と同様にめっき層６で覆われ、外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁が第３の絶縁樹脂８で覆われている。【００２５】
図３に示したように、配線４上のめっき層６および第２の絶縁樹脂７の境界を絶縁樹脂で覆う構成にすれば、配線４の一部をめっき層６で覆い、他の部位を絶縁樹脂で覆うようにしてもよい。ただし、配線４および外部電極パッド５に導電性樹脂を使用し、その導電性樹脂の導電用フィラーに銀を用いると、配線間でショートを引き起こすイオンマイグレーションが発生しやすくなる。この場合にはめっき層６で配線全体を覆うことにより、耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。【００２６】
なお、めっき層６は電気的特性が良好で、かつ、はんだ付け可能であれば材質上限定されないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、およびＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等の材質のうちいずれかが好ましい。また、めっき層６の表面が、研削、ブラスト処理、プラズマ処理或いは薬液処理等により粗化されていることが望ましい。めっき層６の表面を粗化することで、絶縁樹脂との密着性が向上する。【００２７】
次に、本実施形態のＬＳＩパッケージにおける構成の材料について説明する。【００２８】
配線４および外部電極パッド５の導電部材は、例えば、金属微粒子（金、銀、または銅等の微粒子）の焼結体とする。金属微粒子を含む導電性樹脂または導電性インク（導電性微粒子が分散されている有機−無機複合材を含む。）等により配線４および外部電極パッド５を形成することが可能である。【００２９】
また、本実施形態の構造で、多ピン化や高密度配線化を図るには、配線４および外部電極パッド５の狭ピッチ化を図ることが好ましい。そのためには、導電性ペーストおよび導電性インクの原料として、導電用フィラーの外形サイズは５μｍ以下であることが望ましく、３μｍから０．５μｍ程度であれば更に望ましい。外形サイズが小さいほど印刷がしやすくなるが、小さくなりすぎると接触抵抗が増えてしまうため、上述の範囲が望ましい。【００３０】
さらに、その原料に粒子径が２０ｎｍ程度以下１０ｎｍ以上の金属微粒子を含有していることが好ましく、粒子径が５ｎｍ程度の金属微粒子まで含まれていてもよい。金属は２０ｎｍ程度以下のサイズになると低温で融着する性質があり、このような金属微粒子を配線４および外部電極パッド５に含有させることにより、狭ピッチ化に対応可能なだけでなく、微粒子同士が融着して導電率の向上も同時に実現できる。【００３１】
上述した、導電用フィラーの外形サイズおよびその原料に含まれる金属微粒子の最適値については、以下に説明する他の実施形態についても同様である。【００３２】
第１の絶縁樹脂３には、ポリイミドやＰＢＯ（ＰｏｌｙＢｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）など、通常パッシベーション膜として用いられる材質を用いることが可能であるが、これに限定されるものではない。また、第２の絶縁樹脂７に関してはエポキシ系樹脂が好ましいが、これに限定されるものではなく、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材による配線に発生するイオンマイグレーションを抑制可能で、配線および基材との密着性が良く、耐熱性に優れた材料であればよい。【００３３】
なお、図２では、便宜上外部電極パッドを単純な配置としているが、この配置の仕方に限られるものではない。図４はパッド配置の別の例を示す図である。【００３４】
図４（ａ）はその上面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。図４は、図２（ａ）に示したパッドの外側にさらにパッドが設けられた構成を示す。図４（ａ）に示すように、図２（ａ）とは異なるパッド配置としてもよい。【００３５】
また、外部電極パッド５上に形成されためっき層６の上に、はんだバンプを形成することも可能である。図５は、はんだバンプを設けた場合の構成例を示す図である。図５（ａ）はその平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。図５（ｂ）に示すように、外部電極パッド５上に形成されためっき層６の上に、はんだバンプ１４が設けられている。図５には、はんだバンプ１４をはんだボールにて形成した例を示すが、はんだバンプをはんだペーストの印刷により形成してもよい。【００３６】
次に、外部電極パッドに、はんだバンプを設けた構造を一般的な構造と比較して説明する。【００３７】
図６Ａは一般的な外部電極パッドの構成例を示す断面図である。図６Ｂは、図６Ａに示す外部電極パッドに、はんだバンプを形成した場合の断面図である。これらの図は外部電極パッド部分を拡大したものである。【００３８】
一般的に、ＬＳＩパッケージ製造工程では、最上層の絶縁樹脂（図６Ａに示す第２の絶縁樹脂７）を形成した後、外部電極パッド５の上にめっき層６を形成する。図６Ａでは、第２の絶縁樹脂７に設けられた開口が外部電極パッド５よりも大きくなっている。外部電極パッド５の方が開口よりも小さいため、めっき層６が配線の一部を覆っている。また、外部電極パッド５と第２の絶縁樹脂７との間に隙間が生じている。【００３９】
図６Ａに示した外部電極パッド５に、はんだバンプ１４を形成したときの構造を図６Ｂに示す。はんだバンプ１４を外部電極パッド５に形成すると、はんだの凝固収縮力により外部電極パッド５の端部には持ち上げられる力が働く。そのため、図６Ｂに示すように、最上層の絶縁樹脂（第２の絶縁樹脂７）が外部電極パッド５の外周縁部を覆わない構造では、基材（ここでは、第１の絶縁樹脂３）と外部電極パッド５との間で剥離が発生する。その結果、外部電極パッド５の基材との密着力が著しく低下するとともに、第２の絶縁樹脂７とめっき層６との境界から配線にクラックが発生し、配線が導通不良を起こすことになる。以下に、このようなパッド端部からの剥離を抑制するための他の一般的な構造を説明する。【００４０】
図７Ａは一般的な外部電極パッドの別の構成例を示す断面図である。図７Ｂは、図７Ａに示す外部電極パッドに、はんだバンプを形成した場合の断面図である。【００４１】
図７Ａに示すように、最上層の絶縁樹脂（第２の絶縁樹脂７）に設けられた開口が外部電極パッド５よりも小さい。一般的に、ＬＳＩパッケージ製造工程では、最上層の絶縁樹脂を形成した後、外部電極パッド５の上にめっき層６を形成する。そのため、外部電極パッド５の中心から外周まではめっき層６で覆われ、外周縁部は第２の絶縁樹脂７で覆われた構造になる。この構造であれば、図６Ｂで説明したような剥離が抑制される。【００４２】
しかし、図７Ａに示すように最上層の絶縁樹脂を外部電極パッド５の外周縁上を覆うように形成した場合、はんだバンプ１４を形成すると、図７Ｂに示すように、はんだの凝固収縮力によりめっき層６と最上層の絶縁樹脂との間から外部電極パッド５にクラックが入り、配線が導通不良を起こすことになる。また、このクラックが進展して、やはり基材と外部電極パッド５との間に剥離が発生して、これらの間の密着力が著しく低下することになる。【００４３】
続いて、本実施形態のＬＳＩパッケージ構造の場合について説明する。図８Ａは本実施形態の外部電極パッドの構成例を示す断面図である。図８Ｂは、図８Ａに示す外部電極パッドに、はんだバンプを形成した場合の断面図である。【００４４】
本実施形態では、配線およびパッケージの外部電極上にめっき層６を形成した後、最上層の絶縁樹脂（第２の絶縁樹脂７）を配線上と、外部電極パッド５の外周縁上を覆うように基材（第１の絶縁樹脂３）上に形成し、図８Ａに示す構造になる。図８Ａに示す構造では、最上層の絶縁樹脂とめっき層６との境界が存在しない。最上層の絶縁樹脂の縁がめっき層６の上にあるが、めっき層６はバルク金属であるため、樹脂と金属の複合体である導電性樹脂および導電性インクと比較してクラックが発生し難い材質である。そのため、めっき層６上の最上層の絶縁樹脂の縁の部位に応力がかかっても、外部電極パッド５の導電部材にクラックが発生するのが防止される。したがって、図８Ｂに示すように、はんだバンプを形成しても、上述のクラックや剥離の発生を防止することができる。【００４５】
また、外部電極パッド５の外周縁上を絶縁樹脂で覆うことにより、外部電極パッド５と下地との密着性が補強される。【００４６】
上述したように、本実施形態のＬＳＩパッケージは、配線や外部電極パッドのクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。印刷法で配線層を形成することで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。【００４７】
（第２の実施形態）
本実施形態のＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ電極パッドと外部電極パッドとをランドおよび第１の配線を介して接続した構成である。以下に、本実施形態のＬＳＩパッケージの構造を説明する。【００４８】
図９は本実施形態のＬＳＩパッケージの基本構造の一例を概略的に示す図である。図９（ａ）はその上面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００４９】
図９に示すように、ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ１の表面に形成されたＬＳＩチップ電極パッド２、第１の絶縁樹脂３、第１の配線４ａ、外部電極パッド５、めっき層６、第２の絶縁樹脂７、ランド３１、第２の配線９および第３の絶縁樹脂１０を有する。【００５０】
ＬＳＩチップ１の表面上に第１の絶縁樹脂３およびＬＳＩチップ電極パッド２が同一層に形成されている。第１の配線４ａの一方の端部は、第１の絶縁樹脂３上に設けられ、ＬＳＩチップ電極パッド２と接続されている。第１の絶縁樹脂３上に第２の絶縁樹脂７が設けられている。第２の絶縁樹脂７上に、外部電極パッド５と、外部電極パッド５に接続された第２の配線９とが設けられている。【００５１】
第２の配線９の一方の端部は、第２の絶縁樹脂７の開口を介して第１の配線４ａの他方の端部と接続されている。この接続部分をランド３１と称する。第２の配線９の他方の端部が外部電極パッド５と接続されている。第２の絶縁樹脂７の上に第３の絶縁樹脂１０が設けられている。【００５２】
第１の配線４ａ、ランド３１、第２の配線９および外部電極パッド５の導電部材は、導電性樹脂または導電性インクにより構成されている。これら導電部材の最上層にあたる部分がめっき層６で覆われている。具体的には、図９（ｂ）に示すように、第２の配線９および外部電極パッド５が最上層の部分に相当する。めっき層６は、外部電極パッド５の中心から外周近くまでの部位を除いて、第３の絶縁樹脂１０でカバーコートされている。これにより、第３の絶縁樹脂１０が外部電極パッド５の外周縁を覆う構成になっている。【００５３】
上述したように、本実施形態のＬＳＩパッケージは、配線が積層された構造であっても、配線や外部電極パッドのクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。印刷法で電極パッドを形成することで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。【００５４】
なお、本実施形態のＬＳＩパッケージにおいても、図３に示したように外部電極パッド５およびこれと接続される配線の少なくとも一部にめっき層６を施し、この外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁上を絶縁樹脂でカバーする構造としてもよい。ただし、導電部材に導電性樹脂を使用し、導電性樹脂の導電用フィラーに銀を用いる場合、めっき層６で配線全体を覆うことにより、耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。また、この場合、最上層の配線だけではなく、内層の配線もめっき層６で覆ってもよい。【００５５】
また、めっき層６の材質については、第１の実施形態と同様に、電気的特性が良好ではんだ付け可能であれば材質上限定されないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ等が好ましい。めっき層６の表面が、研削、ブラスト処理、プラズマ処理或いは薬液処理等により粗化されていることが望ましい。めっき層６の表面を粗化することで、絶縁樹脂との密着性が向上する。【００５６】
また、第１の配線４ａ、ランド３１、第２の配線９および外部電極パッド５の導電部材は、第１の実施形態と同様に、金属微粒子（金、銀、または銅等の微粒子）の焼結体、導電性樹脂または導電性インク（導電性微粒子が分散されている有機−無機複合材を含む。）等により形成することが可能である。【００５７】
また、多ピン化や高密度配線化を図る場合には、第１の配線４ａ、第２の配線９および外部電極パッド５の狭ピッチ化を図ることが好ましく、そのためには、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも一部に含有した導電性ペーストまたは導電性インクを原料として用いることが好ましい。このような金属微粒子を含有することによる効果は第１の実施形態で説明したのと同様である。【００５８】
また、第１の絶縁樹脂３には、第１の実施形態と同様に、ポリイミドやＰＢＯなど通常パッシベーション膜として用いられる材質を用いることが可能であるが、これに限定されるものではない。また、第２の絶縁樹脂７および第３の絶縁樹脂１０に関してはエポキシ系樹脂が好ましいが、これに限定されるものではなく、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材による配線に発生するイオンマイグレーションを抑制可能で、配線および基材との密着性が良く、耐熱性に優れた材料であればよい。【００５９】
また、図９では、便宜上外部電極パッドを単純な配置としてあるが、言うまでもなく、この配置に限られるものではなく、図４に示したように、図９とは異なるパッド配置としてもよい。【００６０】
さらに、図５に示したように外部電極パッド５上にめっき層６を介して、はんだバンプを形成することも可能である。図５では、はんだバンプをはんだボールにて形成した例を示したが、はんだペーストの印刷により形成してもよい。【００６１】
（第３の実施形態）
本実施形態のＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップを含む電子部品をパッケージングした構造に関するものである。以下に、本実施形態のＬＳＩパッケージの構造を説明する。【００６２】
図１０は本実施形態のＬＳＩパッケージの基本構造の一例を概略的に示す図である。図１０（ａ）はその上面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００６３】
図１０に示すように、ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ１の表面に形成されたＬＳＩチップ電極パッド２、第１の絶縁樹脂３、第１の配線４ａ、外部電極パッド５、めっき層６、第２の絶縁樹脂７、ランド３１、３２、第２の配線９、第３の絶縁樹脂１０、第３の配線１１および第４の絶縁樹脂１２を有する。【００６４】
ＬＳＩチップ１の表面上に第１の絶縁樹脂３およびＬＳＩチップ電極パッド２が同一層に形成されている。第１の配線４ａは、第１の絶縁樹脂３上に設けられ、ＬＳＩチップ電極パッド２と配線パターンの一方の端部で接続されている。第１の絶縁樹脂３上に第２の絶縁樹脂７が設けられ、第２の絶縁樹脂７上に第２の配線９が形成されている。【００６５】
第２の配線９の一方の端部は、第２の絶縁樹脂７の開口を介して第１の配線４ａの他方の端部と接続されている。この接続部分をランド３１と称する。第２の絶縁樹脂７上に第３の絶縁樹脂１０が設けられている。第３の絶縁樹脂１０上に、外部電極パッド５と、外部電極パッド５に接続された第３の配線１１とが設けられている。【００６６】
第３の配線１１の一方の端部は、第３の絶縁樹脂１０の開口を介して第２の配線９の他方の端部と接続されている。この接続部分をランド３２と称する。第３の配線１１の他方の端部が外部電極パッド５と接続されている。第３の絶縁樹脂１０の上に第４の絶縁樹脂１２が設けられている。【００６７】
第１の配線４ａ、ランド３１、３２、第２の配線９、第３の配線１１および外部電極パッド５の導電部材は、導電性樹脂または導電性インクにより構成されている。これら導電部材の最上層にあたる部分がめっき層６で覆われている。具体的には、図１０（ｂ）に示すように、第３の配線１１および外部電極パッド５が最上層の部分に相当する。めっき層６は、外部電極パッド５の中心から外周近くまでの部位を除いて、第４の絶縁樹脂１２でカバーコートされている。これにより、第４の絶縁樹脂１２が外部電極パッド５の外周縁を覆う構成になっている。【００６８】
また、ＬＳＩチップ１の内部回路の微細化に対応するため或いはＬ，Ｃ，Ｒ等受動素子を導電性樹脂或いは導電性インクにより形成するために第２の配線９および第３の配線１１が設けられ、これらの配線がランド３２を介して接続されている。【００６９】
上述したように、本実施形態のＬＳＩパッケージは、配線や外部電極パッドのクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。印刷法で電極パッドを形成することで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。【００７０】
なお、ＬＳＩチップ電極と外部電極とを接続する配線層は３層に限らず、４層以上の多層配線層であってもよい。多層配線層は、絶縁樹脂層と配線層とが交互に積層された構成である。【００７１】
また、本実施形態のＬＳＩパッケージにおいても、図３に示したように外部電極パッド５およびこれと接続される配線の少なくとも一部にめっき層６を施し、この外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁上を絶縁樹脂でカバーする構造としてもよい。ただし、導電部材に導電性樹脂を使用し、導電性樹脂の導電用フィラーに銀を用いる場合、めっき層６で配線全体を覆うことにより、耐イオンマイグレーション性を向上させることができる。【００７２】
また、この場合、図１１に示すように、最上層の配線だけではなく、内層の配線もめっき層６で覆ってもよい。図１１に示す構成では、第１の配線４ａおよび第２の配線７の上面にもめっき層６が設けられている。【００７３】
また、めっき層６の材質については、第１の実施形態と同様に、電気的特性が良好ではんだ付け可能であれば材質上限定されないが、Ｃｕ，Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ等が好ましい。めっき層６の表面が、研削、ブラスト処理、プラズマ処理や薬液処理等により粗化されることが望ましい。めっき層６の表面を粗化することで、絶縁樹脂との密着性が向上する。【００７４】
また、第１の配線４ａ、ランド３１、第２の配線９および外部電極パッド５の導電部材は、第１の実施形態と同様に、金属微粒子（金、銀、または銅等の微粒子）の焼結体、導電性樹脂または導電性インク（導電性微粒子が分散されている有機−無機複合材を含む。）等により形成することが可能である。【００７５】
また、多ピン化や高密度配線化を図る場合には、第１の配線４ａ、第２の配線９および外部電極パッド５の狭ピッチ化を図ることが好ましく、そのためには、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも一部に含有した導電性ペーストまたは導電性インクを原料として用いることが好ましい。このような金属微粒子を含有することによる効果は第１の実施形態で説明したのと同様である。【００７６】
また、第１の絶縁樹脂３には、第１の実施形態と同様に、ポリイミドやＰＢＯなど通常パッシベーション膜として用いられる材質を用いることが可能であるが、これに限定されるものではない。また、第２の絶縁樹脂７および第３の絶縁樹脂１０に関してはエポキシ系樹脂が好ましいが、これに限定されるものではなく、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材による配線に発生するイオンマイグレーションを抑制可能で、配線および基材との密着性が良く、耐熱性に優れた材料であればよい。【００７７】
また、図１０では、便宜上外部電極パッドを単純な配置としてあるが、言うまでもなく、この配置に限られるものではなく、図４に示したように、図１０とは異なるパッド配置としてもよい。【００７８】
さらに、図５に示したように外部電極パッド５上にめっき層６を介して、はんだバンプを形成することも可能である。図５では、はんだバンプをはんだボールにて形成した例を示したが、はんだペーストの印刷により形成してもよい。【００７９】
（第４の実施形態）
本実施形態のＬＳＩパッケージは、バンプにかかる応力を低減するための応力緩和層が設けられている。以下に、本実施形態のＬＳＩパッケージの構造を説明する。【００８０】
図１２は本実施形態のＬＳＩパッケージの基本構造の一例を概略的に示す図である。図１２（ａ）はその上面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００８１】
図１２に示すように、ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ１の表面に形成されたＬＳＩチップ電極パッド２、第１の絶縁樹脂３、配線４、外部電極パッド５、めっき層６、第２の絶縁樹脂７および応力緩和層１３を有する。【００８２】
ＬＳＩチップ１の表面上に第１の絶縁樹脂３およびＬＳＩチップ電極パッド２が同一層に形成されている。第１の絶縁樹脂３の上に応力緩和層１３が設けられている。応力緩和層１３の上に、配線４と、配線４に接続された外部電極パッド５とが設けられている。配線４はＬＳＩチップ電極パッド２と接続されている。応力緩和層１３の上に第２の絶縁樹脂７が設けられている。【００８３】
配線４および外部電極パッド５の導電部材は、導電性樹脂または導電性インクにより構成されている。これら導電部材の上面がめっき層６で覆われている。めっき層６は、外部電極パッド５の中心から外周近くまでの部位を除いて、第２の絶縁樹脂７でカバーコートされている。これにより、第２の絶縁樹脂７が外部電極パッド５の外周縁を覆う構成になっている。【００８４】
本実施形態の構造においては、第１の絶縁樹脂３上に応力緩和層１３を設けることにより、本実施形態のパッケージを基板上に実装した際、基板とシリコンの熱膨張差に起因してはんだバンプにかかる応力を低減することができる。【００８５】
上述したように、本実施形態のＬＳＩパッケージは、はんだバンプにかかる応力を応力緩和層で低減することで、外部電極パッドのクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。印刷法で電極パッドを形成することで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。【００８６】
なお、本実施形態のＬＳＩパッケージにおいて、応力緩和層は低弾性なものが好ましく、エラストマやシリコンゴム等を用いるのが望ましいが、絶縁樹脂、導電性樹脂、Ｃｕ等の金属にてシリコンと本パッケージを実装する基板とのギャップを稼ぐことにより応力緩和効果を発現させることとしてもよい。また、応力緩和層の表面を粗化すること、または、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材との密着力が第１の絶縁樹脂と比較して優れる材料を用いることにより、密着強度の改善効果も期待できる。【００８７】
また、配線４および外部電極パッド５の導電部材は、第１の実施形態と同様に、金属微粒子（金、銀、または銅等の微粒子）の焼結体、導電性樹脂または導電性インク（導電性微粒子が分散されている有機−無機複合材を含む。）等により形成することが可能である。また、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも一部に含有した導電性ペーストまたは導電性インクを原料として用いることが好ましいのは第１の実施形態と同様である。【００８８】
また、めっき層および絶縁樹脂の材料が限定されないのも第１の実施形態と同様である。【００８９】
また、図３に示したように外部電極パッド５およびこれと接続される配線の少なくとも一部にめっき層６を施し、この外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁上を絶縁樹脂でカバーする構造としてもよい。めっき層６で配線全体を覆うことにより、耐イオンマイグレーション性を向上させることができるのも第１の実施形態と同様である。【００９０】
また、図４に示したように、図１２とは異なるパッド配置にしてもよく、配線を多層化してもよく、さらに、外部電極５のめっき層６上に、はんだバンプを設けてもよいことは、第２および第３の実施形態と同様である。配線を多層化する場合には、応力緩和層１３は最上層の絶縁樹脂以外の絶縁樹脂上のいずれに形成してもよい。【００９１】
（第５の実施形態）
本実施形態のＬＳＩパッケージは、応力緩和層が設けられた構成であって、第４の実施形態とは異なる。以下に、本実施形態のＬＳＩパッケージ構造を説明する。【００９２】
図１３は本実施形態のＬＳＩパッケージの基本構造の一例を概略的に示す図である。図１３（ａ）はその上面図であり、図１３（ｂ）は図１３（ａ）の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【００９３】
図１３に示すように、ＬＳＩパッケージは、ＬＳＩチップ１の表面に形成されたＬＳＩチップ電極パッド２、第１の絶縁樹脂３、配線４、外部電極パッド５、めっき層６、第２の絶縁樹脂７および応力緩和層１３を有する。【００９４】
ＬＳＩチップ１の表面上に第１の絶縁樹脂３およびＬＳＩチップ電極パッド２が同一層に形成されている。第１の絶縁樹脂３の上に配線４が設けられ、配線４がＬＳＩチップ電極パッド２と接続されている。第１の絶縁樹脂３上の外部電極パッド５が設けられる部位には応力緩和層１３が形成されている。応力緩和層１３の上に外部電極パッド５が形成され、外部電極パッド５は配線４と接続されている。第１の絶縁樹脂３上において、応力緩和層１３および配線４を除く領域には第２の絶縁樹脂７が形成されている。【００９５】
配線４および外部電極パッド５の導電部材は、導電性樹脂または導電性インクにより構成されている。これら導電部材の上面がめっき層６で覆われている。めっき層６は、外部電極パッド５の中心から外周近くまでの部位を除いて、第２の絶縁樹脂７でカバーコートされている。これにより、第２の絶縁樹脂７が外部電極パッド５の外周縁を覆う構成になっている。【００９６】
本実施形態の構造においては、外部電極パッド５の底部に応力緩和層１３を設けることにより、本実施形態のパッケージを基板上に実装した際、基板とシリコンの熱膨張差に起因してはんだバンプにかかる応力を低減することができる。【００９７】
上述したように、本実施形態のＬＳＩパッケージは、はんだバンプにかかる応力を応力緩和層で低減することで、外部電極パッドのクラックや剥離を防止し、従来に比べて信頼性が向上する。また、外部電極パッド部分にのみ応力緩和層を設けているので、第４の実施形態に比べて２次実装時に基板とのギャップが広くなり、ＵＦ充填性を向上できる。さらに、印刷法で電極パッドを形成することで、リソグラフィ技術に比べて環境への負荷を低減できるだけでなく、リソグラフィ技術に比べて設備投資額が低くなる。【００９８】
なお、本実施形態のＬＳＩパッケージにおいて、第４の実施形態と同様に、応力緩和層は低弾性なものが好ましく、エラストマやシリコンゴム等を用いるのが望ましいが、絶縁樹脂、導電性樹脂、Ｃｕ等の金属にてシリコンと本パッケージを実装する基板とのギャップを稼ぐことにより応力緩和効果を発現させることとしてもよい。また、応力緩和層の表面を粗化すること、または、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材との密着力が第１の絶縁樹脂と比較して優れる材料を用いることにより、密着強度の改善効果も期待できる。【００９９】
また、配線４および外部電極パッド５の導電部材は、第１の実施形態と同様に、金属微粒子（金、銀、または銅等の微粒子）の焼結体、導電性樹脂または導電性インク（導電性微粒子が分散されている有機−無機複合材を含む。）等により形成することが可能である。また、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子を少なくとも一部に含有した導電性ペーストまたは導電性インクを原料として用いることが好ましいのは第１の実施形態と同様である。【０１００】
また、めっき層および絶縁樹脂の材料が限定されないのも第１の実施形態と同様である。【０１０１】
また、図３に示したように外部電極パッド５およびこれと接続される配線の少なくとも一部にめっき層６を施し、この外部電極パッド５上のめっき層６の外周縁上を絶縁樹脂でカバーする構造としてもよい。めっき層６で配線全体を覆うことにより、耐イオンマイグレーション性を向上させることができるのも第１の実施形態と同様である。【０１０２】
また、図４に示したように、図１２とは異なるパッド配置にしてもよく、配線を多層化してもよく、さらに、外部電極５のめっき層６上に、はんだバンプを設けてもよいことは、第２および第３の実施形態と同様である。【０１０３】
第１から第５の実施形態で説明したように、本発明のＬＳＩパッケージ構造によれば、高信頼性、低環境負荷、安価でかつ配線多層化による高密度配線が可能なパッケージを提供できる。【０１０４】
また、本発明のＬＳＩパッケージは、第１から第５の実施形態のそれぞれの場合に限らず、複数の実施形態を適宜組み合わせてもよい。【０１０５】
（第６の実施形態）
次に、図２に示したＬＳＩパッケージの製造方法を説明する。【０１０６】
本実施形態のＬＳＩパッケージ製造方法は、ＬＳＩチップを含むウェハ（基材）を準備する準備工程と、基材上に配線および外部電極パッドを形成するための導電性樹脂または導電性インクを印刷法で供給した後に硬化させる配線工程と、配線の少なくとも一部および外部電極パッドにめっき層を形成するめっき工程と、外部電極パッドの外周縁上のめっき層を覆うように基材上に絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程とを有するものである。以下に、各工程について詳細に説明する。【０１０７】
図１４から図１９は本実施形態のＬＳＩパッケージの製造工程を示す図である。各図の（ａ）はその上面図であり、（ｂ）は上面図の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【０１０８】
準備工程では、ＬＳＩチップ電極パッド２が設けられたＬＳＩチップを含むウェハ（基材）上に、ＬＳＩチップ電極パッド２の上面を露出するための開口を有する第１の絶縁樹脂３を形成する（図１４）。第１の絶縁樹脂３は、ポリイミドやＰＢＯによるパッシベーション膜とするのが好ましいが、その上に配線を形成可能であれば材質上限定されない。【０１０９】
配線工程では、配線４および外部電極パッド５を形成するための導電部材を、印刷法を用いて第１の絶縁樹脂３およびＬＳＩチップ電極パッド２の上に供給する（図１５）。【０１１０】
これらの導電部材（配線４および外部電極パッド５）は、樹脂と金属フィラーの組み合せからなる導電性樹脂（導電性ペースト）または導電性インクの印刷により供給される。この導電性ペーストまたは導電性インクは、所望の導電率、印刷性、硬化特性、および信頼性等の性質が一定の水準以上得られれば材質上限定されない。【０１１１】
外部電極パッド５は、外部と電気的に接続するための端子であり、接続先となる基板の端子などとのはんだ付けをしやすくするために、ＬＳＩチップ電極パッド２よりも面積が広い方が望ましい。隣接する外部電極パッド５がはんだペーストなどで接触しないようにするためにも、ピッチはＬＳＩチップ電極パッド２よりも広い方が望ましい。また、外部電極パッド５と接続される配線４の長手方向に直角な方向の寸法（配線幅）は、第１の絶縁樹脂３における、チップ電極パッド２の開口幅以下であることが望ましい。後述する狭ピッチ化のためである。【０１１２】
パッケージの高密度実装化を図る上では、各配線部の狭ピッチ化を図ることが好ましい。また、同時に配線として低抵抗化を図ることが好ましい。そのためには、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子、より好ましくは粒子径が１５ｎｍ以下の金属微粒子を含有した導電性樹脂または導電性インクを用いることが望ましい。金属は数十ｎｍ以下のサイズになると低温で融着する性質があるため、フィラーの微粉化により印刷性向上が見込めるとともに、導電率の向上にも寄与する。【０１１３】
配線部形成に関しては、所定のパターンが形成できる方法であれば、その塗工方法は限定されない。マスクを用いた印刷法や、インクジェット法またはディスペンス法等を用いて、所定のパターンを塗工することが可能である。塗工された導電性樹脂または導電性インクを硬化させることで電気的導通を発現し、配線として機能するようになる。【０１１４】
めっき工程では、導電部材上全面にめっき層６を形成することで、はんだ付けが可能な状態になる（図１６）。めっきは、電気的特性が良好で、はんだ付けが可能であればその材質は限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどが好ましい。なお、めっき層６を形成した後、表面に機械的或いは化学的研削処理、ブラスト処理、プラズマ処理または薬液処理等を行って、表面を粗化させることが望ましい。表面を粗化することで、この後に形成される絶縁樹脂との密着性が向上する。【０１１５】
絶縁樹脂形成工程では、外部電極パッド５の外周縁上のめっき層６を覆うように第２の絶縁樹脂７を第１の絶縁樹脂３上に形成する（図１７）。第２の絶縁樹脂７の材料は、エポキシが好ましいが、配線や下地との密着強度が高く、所望の耐熱性を有し、配線のマイグレーション抑制が可能であれば材質上限定されるものではない。また、その塗工方法は限定されない。スクリーンマスクを用いた印刷法やインクジェット法による塗工が好ましいが、スピンコータやラミネータを用いて感光性樹脂を塗布する方法でもかまわない。【０１１６】
その後、製品要求に応じて外部電極パッド５上にはんだバンプ１４を形成してもよい（図１８）。はんだバンプの形成方法は、一般的に行われている方法を用いればよく、はんだペーストを印刷後、加熱して形成する方法、フラックス印刷後にはんだボールを搭載、加熱して形成する方法などがあり、特に限定されるものではない。【０１１７】
ＬＳＩチップ１をウェハ状態のまま上述の各工程を行った場合には、ウェハをＬＳＩチップ１毎に切り分けるために最後にダイシング工程が必要となる（図１９）。ダイシング工程については、通常に用いられている方法でよい。【０１１８】
以上説明したＬＳＩパッケージ製造方法によれば、高信頼性、低環境負荷かつ安価なパッケージを提供可能となる。【０１１９】
本実施形態のＬＳＩパッケージ製造方法では、フォトリソ法による廃棄部材やエッチング廃液を出さない導電性樹脂による低環境負荷で安価な配線形成技術を用い、かつ高信頼性なパッケージを提供可能となる。【０１２０】
（第７の実施形態）
次に、図３に示したＬＳＩパッケージの製造方法を説明する。【０１２１】
本実施形態のパッケージ製造方法は、ＬＳＩチップを含むウェハ（基材）を準備する準備工程と、基材上に配線および外部電極パッドを形成するための導電性樹脂または導電性インクを印刷供給した後硬化させる配線工程と、外部電極パッドおよび配線の少なくとも一部にめっき層を形成するめっき工程と、外部電極パッドの外周縁上を覆うようにめっき層の上から絶縁樹脂を形成する絶縁樹脂形成工程とを行うものである。以下に、各工程について詳細に説明する。【０１２２】
図２０から図２３は本実施形態のＬＳＩパッケージの製造工程を示す図である。各図の（ａ）はその上面図であり、（ｂ）は上面図の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【０１２３】
準備工程では、ＬＳＩチップ電極パッド２を持つＬＳＩチップ（ウェハ）上に、このＬＳＩチップ電極パッド２を開口するように第１の絶縁樹脂３を形成する（図２０）。第１の絶縁樹脂３は、ポリイミドやＰＢＯによるパッシベーション膜とするのが好ましいが、配線が形成可能であれば材質上限定されない。【０１２４】
配線工程では、配線４および外部電極パッド５を形成する材料を供給する（図２１）。これらの導電部材（配線４および外部電極パッド５）は、樹脂と金属フィラーの組合せからなる導電性樹脂または導電性インクの印刷により供給される。この導電性ペーストまたは導電性インクは、所望の導電率、印刷性、硬化特性、信頼性等が得られれば材質上限定されない。パッケージの高密度実装化を図るうえからは、各配線部の狭ピッチ化を図ることが好ましい。【０１２５】
また、同時に配線として低抵抗化を図ることが好ましく、そのためには、粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子、好ましくは粒子径が１５ｎｍ以下の金属微粒子を含有した導電性樹脂または導電性インクを用いることが好ましい。金属は数十ｎｍ以下のサイズになると低温で融着する性質があるため、フィラーの微粉化により印刷性向上が見込めるとともに、導電率の向上にも寄与する。【０１２６】
配線部形成に関しては、所定のパターンが形成できる方法であれば、その塗工方法は限定されず、マスクを用いた印刷法や、インクジェット法、またはディスペンス法等によって所定パターンとなるように塗工することができる。塗工された導電性樹脂または導電性インクを硬化させることで電気的導通を発現し、配線として機能するようになる。【０１２７】
本実施形態のめっき工程においては、めっき前に絶縁樹脂形成工程を挿入する。配線４の保護を目的として表面を第２の絶縁樹脂７でカバーする。この時、必ず外部電極パッド５よりも第２の絶縁樹脂７の開口が大きくなるように絶縁樹脂を形成する。その後、絶縁樹脂の開口部に存在する導電部材上全面にめっき層６を形成することで、はんだ付けが可能な状態になる（図２２）。めっきは電気的特性が良好で、はんだ付けが可能であれば材質上限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどが好ましい。なお、めっき層６を形成した後、表面に機械的或いは化学的研削処理、ブラスト処理、プラズマ処理または薬液処理等を行って、表面を粗化させることが望ましい。表面を粗化することで、この後に形成される絶縁樹脂との密着性が向上する。【０１２８】
絶縁樹脂形成工程では、外部電極パッド５上に形成されためっき層６の外周縁上を覆うように第３の絶縁樹脂８を形成する（図２３）。第３の絶縁樹脂８はエポキシが好ましいが、配線や下地との密着強度が高く、所望の耐熱性を有し、配線のマイグレーション抑制が可能であれば材質上限定されるものではない。また、その塗工方法は限定されず、スクリーンマスクを用いた印刷法やインクジェット法による塗工が好ましいが、スピンコータやラミネータを用いて感光性樹脂を塗布する方法でも構わない。【０１２９】
その後、製品要求に応じて外部電極パッド５上にはんだバンプ１４を形成してもよいのは第６の実施形態と同様である。また、ＬＳＩチップ１をウェハ状態のまま上記工程を実施した場合には、最後にダイシング工程が必要となる点も同様である。【０１３０】
以上説明したＬＳＩパッケージ製造方法によれば、高信頼性、低環境負荷かつ安価なパッケージを提供可能となる。【０１３１】
（第８の実施形態）
次に、図９に示したＬＳＩパッケージの製造方法を説明する。【０１３２】
本実施形態のパッケージ製造方法は、ＬＳＩチップを含むウェハ（基材）を準備する準備工程と、基材上に配線および外部電極パッドを形成するための導電性樹脂または導電性インクを印刷供給した後硬化させる第１の配線工程と、第１の配線層を覆う絶縁樹脂層を形成する工程と、第１の配線工程と同様の方法で第２の配線層を形成する第２の配線工程と、外部電極パッドおよび配線の少なくとも一部にめっき層を形成するめっき工程と、外部電極パッドの外周縁上を覆うようにめっき層の上から第２の絶縁樹脂を形成する工程とを行うものである。【０１３３】
図２４から図２７は本実施形態のＬＳＩパッケージの製造工程を示す図である。各図の（ａ）はその上面図であり、（ｂ）は上面図の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【０１３４】
準備工程では、ＬＳＩチップ電極パッド２を持つＬＳＩチップ（ウェハ）上に、このＬＳＩチップ電極パッド２を開口するように第１の絶縁樹脂３を形成する（図２４）。第１の絶縁樹脂３は、ポリイミドやＰＢＯによるパッシベーション膜とするのが好ましいが、配線が形成可能であれば材質上限定されない。【０１３５】
第１の配線工程では、第１の配線４ａおよび外部電極パッド５を形成する材料を供給する。これらの導電部材（第１の配線４ａおよび外部電極パッド５）は、第７の実施形態と同様に導電性樹脂または導電性インクの印刷により供給される。また、この導電性ペーストまたは導電性インクは材質上限定されない。粒子径が２０ｎｍ程度以下の金属微粒子、好ましくは粒子径が１５ｎｍ以下の金属微粒子を含有した導電性樹脂または導電性インクを用いることが好ましい。その塗工方法は限定されないのも同様である。塗工された導電性樹脂または導電性インクを硬化させることで電気的導通を発現し、配線として機能するようになる。【０１３６】
その後、第２の配線９の下地にもなる第２の絶縁層７を形成する。このとき第１の配線４ａと第２の配線９との接点部となるランド３１のみを覆わないように形成する（図２５）。【０１３７】
第２の配線工程では、第１の配線形成方法と同様の方法にて第２の絶縁樹脂７上に第２の配線９を形成する。前工程にて第２の絶縁樹脂７の開口部に設けたランド３１上に第２の配線９を形成することで、第１の配線４ａと第２の配線９の電気的接続をとることができる。【０１３８】
めっき工程では、第６の実施形態と同様に、導電部材上全面にめっき層６を形成することで、はんだ付けが可能な状態になる（図２６）。めっきは電気的特性が良好で、はんだ付けが可能であれば材質上限定されるものではないが、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどが好ましい。なお、めっき層６を形成した後、表面に機械的或いは化学的研削処理、ブラスト処理、プラズマ処理または薬液処理等を行って、表面を粗化させてもよい。表面を粗化することで、この後に形成される絶縁樹脂との密着性が向上する。【０１３９】
絶縁樹脂形成工程では、外部電極パッド上に形成されためっき層６の外周縁上を覆うように第３の絶縁樹脂１０を形成する（図２７）。第３の絶縁樹脂１０は配線や下地との密着強度が高く、所望の耐熱性を有し、配線のマイグレーション抑制が可能であれば材質上限定されないのは第６および第７の実施形態と同様である。また、その塗工方法も同様に限定されない。【０１４０】
その後、製品要求に応じて外部電極パッド上にはんだバンプを形成することができるのは第６および第７の実施形態と同様である。また、ＬＳＩチップ１をウェハ状態のまま上記工程を実施した場合には、最後にダイシング工程が必要となる点も同様である。【０１４１】
なお、本実施形態においては、配線が２層の場合を示したが、第１の配線工程および第２の絶縁樹脂形成工程と同様の工程を所望の回数繰返し行うことで、より多層化を図ることが可能である。【０１４２】
以上説明したＬＳＩパッケージ製造方法によれば、高信頼性、低環境負荷、安価でかつ高密度配線が形成可能なパッケージを提供できる。【０１４３】
（第９の実施形態）
次に、図１２に示したＬＳＩパッケージの製造方法を説明する。【０１４４】
本実施形態のパッケージ製造方法は、ＬＳＩチップを含むウェハ（基材）を準備する準備工程と、ＬＳＩチップ上の絶縁樹脂上に応力緩和層を設ける工程と、配線および外部電極パッドを形成するための導電性樹脂または導電性インクを印刷供給した後硬化させる第１の配線工程と、外部電極パッドおよび配線の少なくとも一部にめっき層を形成するめっき工程と、外部電極パッドの外周縁上を覆うようにめっき層の上から第２の絶縁樹脂を形成する工程とを行うものである。【０１４５】
図２８から図３１は本実施形態のＬＳＩパッケージの製造工程を示す図である。各図の（ａ）はその上面図であり、（ｂ）は上面図の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【０１４６】
準備工程では、ＬＳＩチップ電極パッド２を有するＬＳＩチップを含むウェハ（基材）上に、このＬＳＩチップ電極パッド２を開口するように第１の絶縁樹脂３を形成する（図２８）。第１の絶縁樹脂３は、ポリイミドやＰＢＯによるパッシベーション膜とするのが好ましいが、配線が形成可能であれば材質上限定されない。【０１４７】
応力緩和層形成工程では、第１の絶縁樹脂３上に応力緩和層１３を形成する（図２９）。応力緩和層１３は低弾性なものが好ましく、エラストマやゴム等を用いるのが望ましいが、絶縁樹脂、導電性樹脂、Ｃｕ等の金属にてシリコンと本パッケージを実装する基板とのギャップを稼ぐことにより応力緩和効果を発現させることもできる。また、応力緩和層１３の表面を粗化する工程を追加すること、または、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材との密着力が第１の絶縁樹脂と比較して優れた材料を用いることにより、密着強度の改善効果も期待できる。【０１４８】
第１の配線工程以降（図３０、図３１）は、第８の実施形態の工程（図２６、図２７）と同様であるため、その説明を省略する。【０１４９】
以上説明したＬＳＩパッケージ製造方法によれば、高信頼性、低環境負荷、かつ安価なパッケージを提供できる。【０１５０】
（第１０の実施形態）
次に、図１３に示したＬＳＩパッケージの製造方法を説明する。【０１５１】
本実施形態のパッケージ製造方法は、ＬＳＩチップを含むウェハ（基材）を準備する準備工程と、ＬＳＩチップ上の絶縁樹脂上に応力緩和層を設ける工程と、配線および外部電極パッドを形成するために導電性樹脂または導電性インクを印刷供給した後硬化させる第１の配線工程と、外部電極パッドおよび配線の少なくとも一部にめっき層を形成するめっき工程と、外部電極パッドの外周縁上を覆うようにめっき層の上から第２の絶縁樹脂を形成する工程とを行うものである。【０１５２】
図３２から図３５は本実施形態のＬＳＩパッケージの製造工程を示す図である。各図の（ａ）はその上面図であり、（ｂ）は上面図の線分ＡＡ’の位置の断面図である。【０１５３】
準備工程では、ＬＳＩチップ電極パッド２を有するＬＳＩチップを含むウェハ（基材）上に、このＬＳＩチップ電極パッド２を開口するように第１の絶縁樹脂３を形成する（図３２）。第１の絶縁樹脂３は、ポリイミドやＰＢＯによるパッシベーション膜とするのが好ましいが、配線が形成可能であれば材質上限定されない。【０１５４】
本実施形態の応力緩和層形成工程では、第１の絶縁樹脂３上の外部電極パッド底部に応力緩和層１３を形成する（図３３）。応力緩和層１３は低弾性なものが好ましく、エラストマやゴム等を用いるのが望ましいが、絶縁樹脂、導電性樹脂、Ｃｕ等の金属にてシリコンと本パッケージを実装する基板とのギャップを稼ぐことにより応力緩和効果を発現させることもできる。また、応力緩和層１３の表面を粗化する工程を追加すること、または、導電性樹脂および導電性インク等の導電部材との密着力が第１の絶縁樹脂と比較して優れた材料を用いることにより、密着強度の改善効果が期待でき、はんだバンプ部の応力緩和効果と密着強度改善効果を同時に発揮できる。【０１５５】
第１の配線工程以降（図３４、図３５）は、第８の実施形態の工程（図２６、図２７）と同様であるため、その説明を省略する。【０１５６】
以上説明したＬＳＩパッケージ製造方法によれば、高信頼性、低環境負荷、かつ安価なパッケージを提供できる。【０１５７】
また、本発明のＬＳＩパッケージ製造方法は、第６から第１０の実施形態のそれぞれの場合に限らず、複数の実施形態を適宜組み合わせてもよい。【０１５８】
なお、本発明は上記実施例に限定されることなく、発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれることはいうまでもない。【０１５９】
この出願は、２００６年１０月５日に出願された日本出願の特願２００６−２７３９９６の内容が全て取り込まれており、この日本出願を基礎として優先権を主張するものである。
【図１Ａ】
2008044537.tif 000003
【図１Ｂ】
2008044537.tif 000004
【図１Ｃ】
2008044537.tif 000005
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
2008044537.tif 000010
【図１Ｉ】
2008044537.tif 000011
【図２】
2008044537.tif 000012
【図３】
2008044537.tif 000013
【図４】
2008044537.tif 000014
【図５】
2008044537.tif 000015
【図６Ａ】
2008044537.tif 000016
【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
2008044537.tif 000018
【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
2008044537.tif 000020
【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【国際調査報告】
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