【事件の表示】
　特願２０１２−５５６１５５「可変容量性チューナおよびフィードバック回路を有する物理的気相堆積」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月　９日国際公開、ＷＯ２０１１／１０９３３７、平成２５年　６月１０日国内公表、特表２０１３−５２１４１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２３年３月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　平成２２年３月１日　同年６月２５日　いずれも米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年８月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２７年５月２０日付で拒絶査定（以下「原査定」という。）されたのに対し、同年９月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、それと同時に手続補正がなされたものであり、その後、請求人より平成２８年２月９日付けで上申書が提出され、当審において平成２９年１月１６日付けで拒絶理由を通知し、同年６月１６日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２９年６月１６日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　側壁および天井部を有し、前記側壁がＲＦグラウンドに結合するチャンバと、
　前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
　前記天井部にあるスパッタターゲットと、
　前記スパッタターゲットに結合する第１の周波数のＲＦソース電源、および前記バイアス電極に結合する第２の周波数のＲＦバイアス電源と、
　前記ＲＦソース電源と前記スパッタターゲットとの間に結合された第１の整合システム及び前記ＲＦバイアス電源と前記バイアス電極との間に結合された第２の整合システムと、
　前記ＲＦソース電源の出力において、第１の組の周波数において少なくとも第１の調節可能なインピーダンスを提供する第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、モータによって２つの状態の少なくとも１つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも２つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子と、前記可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路とを有し、
　前記センサ回路は、前記可変コンデンサの出力部において電圧を監視する電圧センサまたは該出力部において電流を監視する電流センサを有し、グラウンドと前記スパッタターゲットとの間に第１の整合システムと電気的に並列に接続される、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
　前記ＲＦバイアス電源の出力において、第２の組の周波数において少なくとも第２の調節可能なインピーダンスを提供する第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、グラウンドと前記バイアス電極との間に第２の整合システムと電気的に並列に接続される、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
　前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサの前記モータを制御するプロセッサであって、前記センサ回路が前記プロセッサにフィードバックを提供し、前記プロセッサが前記モータを制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサと、
を備える物理的気相堆積プラズマリアクタであって、
　ウエハからのバイアス電力の電流が、前記スパッタターゲットへの中央経路Ｉｃと前記側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、前記スパッタターゲットからのソース電力の電流が、前記ウエハへの中央経路ｉｃと前記側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、
　前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記Ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記Ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を、
　前記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を制御し、
　前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策と関連づけられており、
　前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策である物理的気相堆積プラズマリアクタ。」
　
第２　原査定の理由の概要
　原査定の理由の一つは、
「本願発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１，２に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．米国特許出願公開第２０１０／００１２４８０号明細書
２．特開２００１−２５０８１１号公報
　なお、当審で通知したの拒絶理由は、上記原査定についての判断を保留した上で、特許法第３６条第６項第１号及び同項第２号に規定する要件を満たしていないとの記載不備について指摘したものである。
　
第３　引用文献及びその記載事項
１　引用文献１について
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用文献１には、次の事項が記載されている。
（１）記載事項
　なお、当審による訳における下線は、以下の引用発明の認定に関連する箇所として当審において付与したものである。
（１ア）「[0021]The first multi-frequency impedance controller (which is connected to the ceiling or sputter target) governs the ratio of the impedances to ground through the ceiling (sputter target) and the side wall. At low frequencies, this ratio affects the radial distribution of ion energy across the wafer. At very high frequencies, this ratio affects the radial distribution of ion density across the wafer.
[0022]The second multi-frequency impedance controller (which is connected to the cathode or wafer susceptor) governs the ratio of the impedances to ground through the cathode and the side wall. At low frequencies, this ratio affects the radial distribution of ion energy across the ceiling or sputter target. At very high frequencies, this ratio affects the radial distribution of ion density across ceiling or sputter target.
[0023]Each multi-frequency impedance controller governs the impedance to ground through the ceiling (in the case of the first controller) or through the cathode (in the case of the second controller) of different frequencies present in the plasma, including harmonics of the bias power frequency, harmonics of the source power frequency, inter-modulation products of the source and bias power frequencies and their harmonics, for example. The harmonics and intermodulation products may be selectively suppressed from the plasma by the multi-frequency impedance controller, in order to minimize inconsistencies in performance between reactors of the same design. It is our belief that some of these harmonics and intermodulation products are responsible for inconsistencies in reactor performance between reactors of identical design.」
（訳：「[0021]
第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ（天井部またはスパッタターゲットに接続される）は、天井部（スパッタターゲット）を経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配する
[0022]
第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラ（カソードまたはウエハサセプタに接続される）は、カソードを経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配する
[0023]
各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、例えば、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配する。高調波および相互変調積は、同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑えるために、マルチ周波数インピーダンスコントローラによってプラズマから選択的に抑制されてよい
 （１イ）「[0027] FIG.1 depicts a PEPVD plasma reactor in accordance with a first embodiment. The reactor includes a vacuum chamber 100 enclosed by a cylindrical side wall 102, a ceiling 104 and a floor 106. A workpiece support pedestal 108 within the chamber 100 has a support surface 108a for supporting a workpiece such as a semiconductor wafer 110. The support pedestal 108 may consist of an insulating (e.g., ceramic) top layer 112 and a conductive base 114 supporting the insulating top layer 112. A planar conductive grid 116 may be encapsulated within the top insulating layer 112 to serve as an electrostatic clamping (ESC) electrode. A D.C. clamping voltage source 118 is connected to the ESC electrode 116. An RF plasma bias power generator 120 of a bias frequency fb may be coupled through an impedance match 122 to either the ESC electrode 116 or to the conductive base 114. The conductive base 114 may house certain utilities such as internal coolant channels (not shown), for example. If the bias impedance match 122 and bias generator 120 are connected to the ESC electrode 116 instead of the conductive base 114, then an optional capacitor 119 may be provided to isolate the impedance match 122 and RF bias generator 120 from the D.C. chucking power supply 118.
[0028]Process gas is introduced into the chamber 100 by suitable gas dispersing apparatus. For example, in the embodiment of FIG. 1, the gas dispersing apparatus consists of gas injectors 124 in the side wall 102, the gas injectors being supplied by a ring manifold 126 coupled to a gas distribution panel 128 that includes various supplies of different process gases (not shown). The gas distribution panel 128 controls the mixture of process gases supplied to the manifold 126 and the gas flow rate into the chamber 100. Gas pressure in the chamber 100 is controlled by a vacuum pump 130 coupled to the chamber 100 through a pumping port 132 in the floor 106.
[0029] A PVD sputter target 140 is supported on the interior surface of the ceiling 104. A dielectric ring 105 insulates the ceiling 104 from the grounded side wall 102. The sputter target 140 is typically a material, such as a metal, to be deposited on the surface of the wafer 110. A high voltage D.C. power source 142 may be coupled to the target 140 to promote plasma sputtering. RF plasma source power may be applied to the target 140 from an RF plasma source power generator 144 of frequency f, through an impedance match 146. A capacitor 143 isolates the RF impedance match 146 from the D.C. power source 142. The target 140 functions as an electrode that capacitively couples RF source power to plasma in the chamber 100.
[0030] A first (or “target”) multi-frequency impedance controller 150 is connected between the target 140 and RF ground. Optionally, a second (or “bias”) multi-frequency impedance controller 170 is connected between the output of the bias match 122 (i.e., to either the conductive base 114 or to the grid electrode 116, depending upon which one is driven by the bias generator 120). A process controller 101 controls the two impedance controllers 150, 170. The process controller can respond to user instructions to increase or decrease the impedance to ground of a selected frequency through either of the first and second multi-frequency impedance controllers 150, 170.」
（訳：[0027]図１は、第１の実施形態による
ＰＥＰＶＤプラズマリアクタ
円筒状の側壁１０２によって密閉された真空チャンバ１００、天井部１０４、および床部１０６を有する。チャンバ１００内部の加工物支持体ペデスタル１０８は、半導体ウエハ１１０などの加工物を支持するための支持体表面１０８ａを有する。支持体ペデスタル１０８は、絶縁性（例えば、セラミック）最上層１１２
平面の導電性グリッド１１６は、絶縁性最上層１１２内部に埋め込まれ
バイアス周波数ｆ
b
のＲＦプラズマバイアス電源１２０は、インピーダンス整合器１２２を介して、ＥＳＣ電極１１６または導電性基部１１４のいずれかに接続されうる
[0028]プロセスガスは、好適なガス分散装置によってチャンバ１００内に導入される。例えば、図１の実施形態において、ガス分散装置は、側壁１０２内のガス注入器１２４から構成され、このガス注入器は、様々なプロセスガスの種々の供給源（図示せず）を有するガス分配パネル１２８に結合するリング状連結管１２６によって供給される。ガス分配パネル１２８は、連結管１２６に供給されるプロセスガスの混合、およびチャンバ１００内へのガス流量を制御する。チャンバ１００内のガス圧は、床部１０６の排出口１３２を介してチャンバ１００に結合する真空ポンプ１３０によって制御される。
[0029]
ＰＶＤスパッタターゲット１４０は、天井部１０４の内部表面上に支持される
接地された側壁１０２
ＲＦプラズマソース電力は、インピーダンス整合器１４６を介して周波数ｆのＲＦプラズマソース電源１４４からターゲット１４０に印加されうる
[0030]第１（又は“ターゲット”）のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０は、ターゲット１４０とＲＦグラウンド間に接続される。任意で、第２（又は“バイアス”）のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１７０が、バイアス整合器１２２の出力部との間に（すなわち、バイアス電源１２０によってどちらが駆動されているかに応じて、導電性基部１１４またはグリッド電極１１６のいずれかに）接続される。プロセスコントローラ１０１は、２つのインピーダンスコントローラ１５０、１７０を制御する。プロセスコントローラは、ユーザの指示に応答して、第１および第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０、１７０のいずれかを介して、選択された周波数の対グラウンド間インピーダンスを増加または減少させることができる。」
（１ウ）FIG.1（図１）として以下の図面が記載されている。
  
　上記図１は、本願に添付されている【図１】と符号もその説明も同じであり、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０が、グラウンドとスパッタターゲット１４０との間にインピーダンス整合器１４６と電気的に並列に接続されていることが、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、グラウンドと導電性グリッド１１６との間にインピーダンス整合器１２２と電気的に並列に接続されていることが見て取れる。
（１エ）「[0037]Precise control of RF ground return paths through each of the multi-frequency impedance controllers at selected frequencies is attained by the process controller 101 individually governing each of the variable capacitors 158, 164 of the first multi-frequency impedance controller 150 and each of the variable capacitors 178, 184 of the second multi-frequency impedance controller 170.」
（訳：[0037]選択された周波数において、マルチ周波数インピーダンスコントローラのそれぞれを介するＲＦグラウンドリターン経路の精密な制御は、
第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０の各可変コンデンサ１５８、１６４
個別に支配するプロセスコントローラ１０１
（１オ）FIG.3（図３）として、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０の以下の回路図が記載されており、そこには、可変コンデンサ１６４と直列に接続されたinductor（誘導性素子）１６６が記載されている。  
（１カ）「[0041]FIG. 6 depicts a method of operating the reactor of FIGS. 1 through 3. In the method, the bias power current from the wafer is apportioned, as depicted in FIG. 7, between a center path to the target, Iｃ, and an edge path Iｓ, to the side wall. Also, source power current from the target is apportioned, as depicted in FIG. 8, between a center path to the wafer, iｃ, and an edge path iｓ, to the side wall. Thus, for RF source power at the source power frequency fｓ from the target, the method includes establishing a center RF ground return path through the wafer via the bias impedance controller 170 and an edge RF ground return path through the side wall (block 200 of FIG. 6). For RF bias power at fb from the wafer pedestal, the method includes establishing a center RF ground return path through the target via the target impedance controller 150 and an edge RF ground return path through the side wall (block 210 of FIG. 6).」
（訳：[0041]図６は、図１〜３のリアクタを動作させる方法を示す。本方法において、
ウエハからのバイアス電力の電流は、図７に示すように、ターゲットへの中央経路Ｉ
ｃ
と側壁へのエッジ経路Ｉ
ｓ
との間で配分される。また、ターゲットからのソース電力の電流は、図８に示すように、ウエハへの中央経路ｉ
ｃ
と側壁へのエッジ経路ｉ
ｓ
との間で配分される
（１キ）「[0046]FIG. 11 illustrates a method for suppressing harmonics and/or intermodulation products or their harmonics at a chosen one of either the wafer surface or the target surface. Different frequencies may be suppressed at the different surfaces. This may be carried out, in one application, to optimize chamber matching among reactors of identical design, for example. In order to suppress at the wafer surface a particular frequency component corresponding to a certain harmonic or intermodulation product (block 300 of FIG. 11), plasma current components at that frequency are diverted to a surface other than the wafer surface, such as the side wall or the ceiling or target. In order to divert the undesired frequency component from the wafer to the ceiling, the impedance to ground at that particular frequency through the pedestal multi-frequency impedance controller 170 is increased (block 305 of FIG. 11).・・・
[0047]In order to suppress at the target surface a particular frequency component corresponding to a certain harmonic or intermodulation product (block 330), the impedance to ground at that particular frequency through the target multi-frequency impedance controller 150 is increased (block 335).」
（訳：[0046]図１１は、ウエハ表面またはターゲット表面のいずれか選ばれた一方において、高調波および／または相互変調積、もしくはそれらの高調波を抑制する方法を示す。様々な周波数が、様々な表面において抑制されうる。これは、一応用例では、例えば、同一設計のリアクタ間でチャンバの一致を最適化するために実施することができる。ウエハ表面上で、ある高調波または相互変調積に相当する特定の周波数成分を抑制するために（図１１のブロック３００）、この周波数におけるプラズマ電流成分を、側壁または天井部もしくはターゲットなどのウエハ表面以外の表面に方向転換させる。望ましくない周波数成分をウエハから天井部に方向転換させるために、ペデスタルのマルチ周波数インピーダンスコントローラ１７０を介してこの特定の周波数における対グラウンド間インピーダンスを増加させる（図１１のブロック３０５）。・・・
[0047]ターゲット表面において、ある高調波または相互変調積に対応する特定の周波数成分を抑制するために（ブロック３３０）、ターゲットのマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０を介してこの特定の周波数における対グラウンド間インピーダンスを増加させる（ブロック３３５）。」
（２）引用発明について
ア　記載事項の整理
（ア）上記摘記（１イ）及び（１ウ）のFIG.1には、ＰＥＰＶＤプラズマリアクタ全体の構成が記載されており、その下線部及びFIG.1から、
・「接地された側壁１０２によって密閉された真空チャンバ１００、天井部１０４、および床部１０６を有し、チャンバ１００内部の加工物支持体ペデスタル１０８は、半導体ウエハ１１０などの加工物を支持するための支持体表面１０８ａを有し、その支持体ペデスタル１０８の絶縁性最上層１１２内部に平面の導電性グリッド１１６が埋め込まれ」ていること、
・「ＰＶＤスパッタターゲット１４０は、天井部１０４の内部表面上に支持され」ていること、
・「バイアス周波数ｆｂのＲＦプラズマバイアス電源１２０は、インピーダンス整合器１２２を介して、ＥＳＣ電極１１６または導電性基部１１４のいずれかに接続され、ＲＦプラズマソース電力は、インピーダンス整合器１４６を介して周波数ｆｓのＲＦプラズマソース電源１４４からターゲット１４０に印加され」ていること、
・「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０が、グラウンドとスパッタターゲット１４０との間にインピーダンス整合器１４６と電気的に並列に接続され、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、グラウンドと導電性グリッド１１６との間にインピーダンス整合器１２２と電気的に並列に接続され」ていることが記載されている。
（イ）上記摘（１ア）及び（１エ）〜（１キ）には、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０及び第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラの構造及び機能について記載されており、その下線部から、
・「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０には、各可変コンデンサ１５８、１６４、及び可変コンデンサ１６４と直列に接続されたinductor（誘導性素子）１６６があ」ること、
・「各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１がある」こと、
・「ウエハからのバイアス電力の電流は、ターゲットへの中央経路Ｉｃと側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、また、ターゲットからのソース電力の電流は、ウエハへの中央経路ｉｃと側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、上記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、天井部（スパッタターゲット）を経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配し、上記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、カソードを経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配し」ていること、
・「各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイアス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配することにより、同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑える」ことが記載されている。
イ　引用発明
　してみれば、上記ア（ア）及び（イ）より、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
「接地された側壁１０２によって密閉された真空チャンバ１００、天井部１０４、および床部１０６を有し、チャンバ１００内部の加工物支持体ペデスタル１０８は、半導体ウエハ１１０などの加工物を支持するための支持体表面１０８ａを有し、その支持体ペデスタル１０８の絶縁性最上層１１２内部に平面の導電性グリッド１１６が埋め込まれ、
　ＰＶＤスパッタターゲット１４０は、天井部１０４の内部表面上に支持され、
　バイアス周波数ｆｂのＲＦプラズマバイアス電源１２０は、インピーダンス整合器１２２を介して、ＥＳＣ電極１１６または導電性基部１１４のいずれかに接続され、ＲＦプラズマソース電力は、インピーダンス整合器１４６を介して周波数ｆｓのＲＦプラズマソース電源１４４からターゲット１４０に印加され、
　第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０が、グラウンドとスパッタターゲット１４０との間にインピーダンス整合器１４６と電気的に並列に接続され、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、グラウンドとＥＳＣ電極１１６との間にインピーダンス整合器１２２と電気的に並列に接続され、
　上記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０には、各可変コンデンサ１５８、１６４、及び可変コンデンサ１６４と直列に接続されたinductor（誘導性素子）１６６があり、
　各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１がある、
ＰＥＰＶＤプラズマリアクタであって、
　ウエハからのバイアス電力の電流は、ターゲットへの中央経路Ｉｃと側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、また、ターゲットからのソース電力の電流は、ウエハへの中央経路ｉｃと側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、上記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、天井部（スパッタターゲット）を経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配し、上記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、カソードを経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配し、
　各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイアス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配することにより、同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑える、
　ＰＥＰＶＤプラズマリアクタ。」
２　引用文献２について
　本願の優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用文献２には、次の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである。
（２ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）及びドライエッチング等のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものである。」
（２イ）「【００１１】そこで、本発明は、プラズマ処理開始から終了までの間に高周波電源から電極対して実際に印加される高周波電力が処理毎に変動するのを防止し、処理毎にばらつきのないプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供することを課題としている。」
（２ウ）「【００２３】図１は、本発明のプラズマ処理方法が適用される
プラズマ処理装置
【００２４】このプラズマ処理装置は、チャンバー１、このチャンバー１上に設けられた中空円筒状のケース２、このケース２上に設けられたインピーダンス整合器３を備えている。
【００２５】上記チャンバー１内の上部には電極（陰極）５が配設され、この電極５にターゲット６が固定されている。また、電極５のターゲット６とは反対側（背面側）にはマグネット７が配設されている。一方、チャンバー１内の底部には、上記電極５及びターゲット６と対向して被処理物ホルダー８が配設されている。この被処理物ホルダー８には、
スパッタリングにより薄膜が形成される
【００２６】高周波電源１５（本実施形態では出力１３．５６Mhz）は、高周波ケーブル１６を介して上記インピーダンス整合器３に接続されている。また、
インピーダンス整合器３は、高周波印加用の細長い銅板１８を介して電流・電圧検出装置１７に接続されている
【００２７】図２に示すように、上記インピーダンス整合器３は、検出回路２１、整合回路２２及び制御回路２３を備えている。検出回路２１は、高周波電源１５から入力される高周波電力の電圧／電流比と、これらの電圧及び電流の位相差を検出する。
整合回路２２は、バリコン２４ａ、２４ｂ及びリアクタ２５を備えている。制御回路２３は、検出回路２１の検出値に応じて、電極５側（プラズマ負荷側）のインピーダンスが高周波電源１５側のインピーダンス（本実施例では５０Ω）と整合するように、バリコン２４ａ，２４ｂの駆動用モータ２６ａ，２６ｂを制御する
（２エ）図２として、以下の図面が記載されている。
【図２】　
第４　対比・判断 
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「天井部１０４」「を有し」「接地された側壁１０２によって密閉された真空チャンバ１００」は、本願発明の「側壁および天井部を有し、前記側壁がＲＦグラウンドに結合するチャンバ」に相当する。
（２）引用発明の「半導体ウエハ１１０などの加工物を支持するための支持体表面１０８ａを有し」「絶縁性最上層１１２内部に平面の導電性グリッド１１６が埋め込まれ」た「チャンバ１００内部の加工物支持体ペデスタル１０８」は、本願発明の「天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体」に相当する。
（３）引用発明の「天井部１０４の内部表面上に支持され」る「ＰＶＤスパッタターゲット１４０」は、本願発明の「天井部にあるスパッタターゲット」に相当する。
（４）引用発明の「周波数ｆｓのＲＦプラズマソース電源１４４」、「バイアス周波数ｆｂのＲＦプラズマバイアス電源１２０」、「インピーダンス整合器１４６」及び「インピーダンス整合器１２２」は、順に、本願発明の「スパッタターゲットに結合する第１の周波数のＲＦソース電源」、「バイアス電極に結合する第２の周波数のＲＦバイアス電源」、「ＲＦソース電源とスパッタターゲットとの間に結合された第１の整合システム」及び「ＲＦバイアス電源と前記バイアス電極との間に結合された第２の整合システム」に相当している。
（５）マルチ周波数インピーダンスコントローラとは、複数の周波数の組においてインピーダンスが調節可能な機器であるから、引用発明の「グラウンドとスパッタターゲット１４０との間にインピーダンス整合器１４６と電気的に並列に接続され」る「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０」、「グラウンドとＥＳＣ電極１１６との間にインピーダンス整合器１２２と電気的に並列に接続され」る「第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１７０」は、各々、本願発明の「ＲＦソース電源の出力において、第１の組の周波数において少なくとも第１の調節可能なインピーダンスを提供する第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって」「グラウンドと前記スパッタターゲットとの間に第１の整合システムと電気的に並列に接続される、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ」、「ＲＦバイアス電源の出力において、第２の組の周波数において少なくとも第２の調節可能なインピーダンスを提供する第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、グラウンドと前記バイアス電極との間に第２の整合システムと電気的に並列に接続される、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラ」に相当する。
（６）可変コンデンサとは、２つの状態の少なくとも１つに置かれることで異なる容量となるものであるから、引用発明の「各可変コンデンサ１５８、１６４、及び可変コンデンサ１６４と直列に接続されたinductor（誘導性素子）１６６があ」る「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ」と、本願発明の「モータによって２つの状態の少なくとも１つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも２つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子と、前記可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路とを有し、前記センサ回路は、前記可変コンデンサの出力部において電圧を監視する電圧センサまたは該出力部において電流を監視する電流センサを有」する「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ」とは、「２つの状態の少なくとも１つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも２つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子とを有」する「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ」の点で共通する。
（７）引用発明の「各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１」は、本願発明の「可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサ」に相当するから、引用発明の「第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０」の「各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１」と、本願発明の「前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサの前記モータを制御するプロセッサであって、前記センサ回路が前記プロセッサにフィードバックを提供し、前記プロセッサが前記モータを制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサ」とは、「前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサを制御するプロセッサであって、前記プロセッサが制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサ」の点で共通する。
（８）引用発明の「ウエハからのバイアス電力の電流は、ターゲットへの中央経路Ｉｃと側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、また、ターゲットからのソース電力の電流は、ウエハへの中央経路ｉｃと側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、上記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、天井部（スパッタターゲット）を経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配し、上記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラが、カソードを経由する対グラウンド間インピーダンスと側壁を経由する対グラウンド間インピーダンスの割合を支配」することは、本願発明の「ウエハからのバイアス電力の電流が、前記スパッタターゲットへの中央経路Ｉｃと前記側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、前記スパッタターゲットからのソース電力の電流が、前記ウエハへの中央経路ｉｃと前記側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記Ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記Ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を、前記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を制御」することに相当する。
（９）引用発明の「同一設計のリアクタ間での性能の不一致」は、本願発明の「チャンバ間のばらつき」に相当し、引用発明の「同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑える」ための「各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配する」ことは、本願発明の「処理方策」といえるものである。
（１０）引用発明の「ＰＥＰＶＤプラズマリアクタ」は、本願発明の「物理的気相堆積プラズマリアクタ」に相当する。
 
　してみれば、本願発明と引用発明とは、 
 （一致点） 
「側壁および天井部を有し、前記側壁がＲＦグラウンドに結合するチャンバと、
　前記天井部に面する支持体表面および前記支持体表面の下にあるバイアス電極を有するチャンバ内部の加工物支持体と、
　前記天井部にあるスパッタターゲットと、
　前記スパッタターゲットに結合する第１の周波数のＲＦソース電源、および前記バイアス電極に結合する第２の周波数のＲＦバイアス電源と、
　前記ＲＦソース電源と前記スパッタターゲットとの間に結合された第１の整合システム及び前記ＲＦバイアス電源と前記バイアス電極との間に結合された第２の整合システムと、
　前記ＲＦソース電源の出力において、第１の組の周波数において少なくとも第１の調節可能なインピーダンスを提供する第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、２つの状態の少なくとも１つに置かれることが可能な可変コンデンサであって前記可変コンデンサの前記少なくとも２つの状態は異なる容量である可変コンデンサと、前記可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子とを有し、
　グラウンドと前記スパッタターゲットとの間に第１の整合システムと電気的に並列に接続される、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
　前記ＲＦバイアス電源の出力において、第２の組の周波数において少なくとも第２の調節可能なインピーダンスを提供する第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラであって、グラウンドと前記バイアス電極との間に第２の整合システムと電気的に並列に接続される、第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラと、
　前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの前記可変コンデンサを制御するプロセッサであって、前記プロセッサが制御して、前記可変コンデンサを所望の設定にする、プロセッサと、
を備える物理的気相堆積プラズマリアクタであって、
　ウエハからのバイアス電力の電流が、前記スパッタターゲットへの中央経路Ｉｃと前記側壁へのエッジ経路Ｉｓとの間で配分され、前記スパッタターゲットからのソース電力の電流が、前記ウエハへの中央経路ｉｃと前記側壁へのエッジ経路ｉｓとの間で配分され、
　前記第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記Ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記Ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を、
　前記第２のマルチ周波数インピーダンスコントローラによって、前記ｉｃに関与する対グラウンド間インピーダンスと前記ｉｓに関与する対グラウンド間インピーダンスとの割合を制御し、
　チャンバ間のばらつきに対しての処理方策である、
物理的気相堆積プラズマリアクタ。」の点で一致し、以下の点で相違する。 
（相違点１） 
　第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラについて、本願発明では、「可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路とを有し、前記センサ回路は、前記可変コンデンサの出力部において電圧を監視する電圧センサまたは該出力部において電流を監視する電流センサを有」し、「センサ回路がプロセッサにフィードバックを提供し、プロセッサがモータを制御」し、そして「モータによって」可変コンデンサが可変されるものであるのに対し、引用発明では、そのような「センサ回路」があるのかどうか、そして、「モータによって」可変コンデンサが可変されるものであるのかどうか不明である点。
（相違点２）
　処理方策について、本願発明が、「前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策と関連づけられており、前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策である」であるのに対し、引用発明では、そのような処理方策であるかどうか不明である点。
２　相違点についての判断 
（１）相違点１について
　上記引用文献２には、スパッタリングにより薄膜が形成されるプラズマ処理装置（引用発明の「ＰＥＰＶＤプラズマリアクタ」に相当）において、検出回路、整合回路及び制御回路を備えているインピーダンス整合器（引用発明の「インピーダンスコントローラ」に相当）が電流・電圧検出装置に接続され、インピーダンス整合器の整合回路２２は、バリコン２４ａ、２４ｂ（引用発明の「可変コンデンサ」に相当）及びリアクタ２５を備え、制御回路２３（本願発明の「プロセッサ」に相当）は、検出回路２１（本願発明の「センサ回路」に相当）の検出値に応じて、バリコン２４ａ、２４ｂの駆動用モータ２６ａ、２６ｂを制御することが記載されている。上記引用文献２の摘記（２イ）の図２より電流・電圧検出装置はバリコン２４ａ、２４ｂの出力部において電圧を監視する電圧センサまたは該出力部において電流を監視する電流センサといえ、それは、図２より検出回路につながるものである。そして、制御回路２３が、検出回路２１の検出値に応じて、バリコン２４ａ、２４ｂの駆動用モータ２６ａ、２６ｂを制御するということは、検出回路が制御回路にフィードバックを提供し、制御回路がモータを制御しているといえる。
　してみれば、引用文献２には、ＰＥＰＶＤプラズマリアクタにおいて、可変コンデンサの出力を決定するセンサ回路を有し、それは可変コンデンサの出力部において電圧を監視する電圧センサまたは該出力部において電流を監視する電流センサを有し、センサ回路によりプロセッサにフィードバックを提供し、プロセッサがモータを制御し、そして、モータによって可変コンデンサが可変される技術事項が記載されているといえる。
　引用文献１には、第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの可変コンデンサをどのような手段により制御するのか具体的に記載されていなものの、引用発明及び引用文献２に記載されている技術とも、ＰＥＰＶＤプラズマリアクタにおいてインピーダンスコントローラによってインピーダンスを制御するという同じ技術分野のものであるから、引用発明の第１のマルチ周波数インピーダンスコントローラの可変コンデンサの容量を変える際に、上記引用文献２の記載の技術的事項をを採用して、上記相違点１の本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
（３）相違点２について
　本願明細書には、本願発明の「チャンバ間のばらつき」について、
「各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、例えば、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配する。高調波および相互変調積は、同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑えるために、マルチ周波数インピーダンスコントローラによってプラズマから選択的に抑制されてよい。これらの高調波および相互変調積の一部が、同一設計のリアクタ間でのリアクタ性能の不一致に対する原因であると考えられる。」（【００３４】）と記載されており、マルチ周波数インピーダンスコントローラによって、プラズマからバイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を選択的に抑制することによって、「チャンバ間のばらつき」を抑制していることが示されている。
　さらに、請求人は、チャンバ間のばらつきを抑制することについて、平成２９年６月１６日付け意見書で「本願明細書の段落【００６６】ないし【００６８】では、例えば、チャンバ間の変動に対して調整される特定のレシピに関連する、所望の結果を提供するための可変コンデンサの制御を記載しています。」と記載していることから、その本願明細書の請求人の指摘箇所（下線は当審において付与した。）を参照するに、
「たとえ処理チャンバが同じ設計であっても、チャンバ間にばらつきがあることがあり、個々のパラメータ設定値が、同一の処理結果または同一の処理結果に近い処理結果を達成するために変わりうる。チャンバは、所望の結果のために
特定の（共通の）方策
　一実施形態において、
チャンバにおける可変コンデンサの設定値は
所望のインピーダンス調節を実現する
　上記により、例えば特定の方策に関連する所望の共通の結果のために、可変コンデンサの設定値がチャンバ間のばらつきに対して調節されるが、それでもなお所望の結果を達成することが可能となる。・・・
　次に、
上記により、チャンバ間のばらつきを考慮して、所望のおよび所定の結果に基づいてチャンバのインピーダンスのチューニングが実現される
　一方、引用発明も、「同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑える」ために、「各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配する」ものであり、そのインピーダンスをコントロールするための「各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１」もあるものである。
　そうすると、引用発明の「マルチ周波数インピーダンスコントローラ１５０には、各可変コンデンサ１５８、１６４」があり、「各可変コンデンサ１５８、１６４を個別に支配するプロセスコントローラ１０１」があり、「同一設計のリアクタ間での性能の不一致を最小限に抑える」ために「各マルチ周波数インピーダンスコントローラは、バイアス電力周波数の高調波、ソース電力周波数の高調波、ソース電力周波数とバイアス電力周波数の相互変調積、およびそれらの高調波を含む、プラズマ中に存在する様々な周波数の、天井部を経由する（第１のコントローラの場合）またはカソードを経由する（第２のコントローラの場合）対グラウンド間インピーダンスを支配する」処理方策は、本願発明の「前記可変コンデンサの状態が、プロセスコントローラにおける処理方策と関連づけられており、前記処理方策が、チャンバ間のばらつきに対して調節された共通の処理方策」と技術的に差異があるとはいえない。
　よって、相違点２については、実質的な相違点とはいえない。
３　請求人の主張について
　当審の拒絶理由通知書で付記として、請求人の平成２８年２月９日付け上申書での原査定の理由に対する主張は採用できないことを説示したが、その当審の拒絶理由通知書に対する平成２９年６月１６日付け意見書では、原査定の特許法第２９条第２項に対して更なる主張はしていないことから、原査定の特許法第２９条第２項に対しての請求人の主張は上記上申書での主張に留まるものである。
　そこで、再度、上記上申書に記載の
「引用文献２及び３に記載された装置は、マルチ周波数のインピーダンス整合システムを教示または示唆していません。また、引用文献２及び３に記載された装置は、ターゲットに接続された単一のＲＦ電源を組み込みます。これらの引用文献のいずれも、基板支持体を介して基板へ接続された第２のＲＦ電源の可能性を考慮しておりません。この点において、２つの電源を有する本願発明への動機付けを与えません。
　さらに、引用文献を組み合わせても、本願発明の特徴の一部である、２つの整合回路と２つのマルチ周波数インピーダンスコントローラとからなる構成であって、センサ回路、可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子、プロセッサ及びモータと結びついた構成を開示も示唆もしておりません。」との主張について検討するに、引用文献２に記載の装置が単一のＲＦ電源を前提にしたものとは解されないから、引用文献１及び２の技術を組み合わせる動機付けはあり、その結果、２つの整合回路と２つのマルチ周波数インピーダンスコントローラとからなる構成であって、センサ回路、可変コンデンサと直列に接続された誘導性素子、プロセッサ及びモータと結びついた構成となることは、上記１及び２で説示したとおりである。
　
４　小括
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について、さらには特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由について言及するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。