(57)【要約】  ５００以上の誘電率εを得ながら、９０ｋＶ／ｍｍより大きい絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。  積層セラミックコンデンサ（１）の誘電体セラミック層（３）を構成する誘電体セラミックとして、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３（０．３０≦ｘ≦０．５０、０．９５０≦ｍ≦１．０２５）を主成分とするものを用いる。この誘電体セラミックは、好ましくは、さらに、希土類元素を、主成分１００モル部に対して、１〜１４モル部含み、また、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを、それぞれ、主成分１００モル部に対して、０．１〜３．０モル部、０．５〜５．０モル部および１．０〜５．０モル部含む。
2008075525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３（０．３０≦ｘ≦０．５０、０．９５０≦ｍ≦１．０２５）を主成分とする、誘電体セラミック。
【請求項２】
さらに、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を、前記主成分１００モル部に対して、１〜１４モル部含む、請求項１に記載の誘電体セラミック。
【請求項３】
さらに、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを、それぞれ、前記主成分１００モル部に対して、０．１〜３．０モル部、０．５〜５．０モル部および１．０〜５．０モル部含む、請求項１または２に記載の誘電体セラミック。
【請求項４】
積層された複数の誘電体セラミック層および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電極を含む積層体と、
前記内部電極の特定のものに電気的に接続されるように前記積層体の外表面上に形成された外部電極と
を備え、
前記誘電体セラミック層は請求項１ないし３のいずれかに記載の誘電体セラミックからなり、
前記内部電極はＮｉを主成分とする、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
使用電界が２５〜１００ｋＶ／ｍｍであり、保証絶縁破壊電圧が９０ｋＶ／ｍｍより大きい、請求項４に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体セラミックおよびそれを用いて構成される積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、高い電界下で用いるのに適した誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサにおいては、たとえば２５０〜１０００Ｖという高い電圧下において使用されるものがある。この場合、誘電体セラミック層の１層当たり、その厚みによっては、電界にして、２５〜１００ｋＶ／ｍｍという高い電圧がかかる。そのため、このような中高圧用途の積層セラミックコンデンサでは、誘電体セラミック層が絶縁破壊する懸念がある。【０００３】
上述した背景からわかるように、中高圧用途に向けられる積層セラミックコンデンサにおいては、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ：単位はｋＶ／ｍｍ）が重要な指標となる。ＢＤＶは、電界を上昇させていった際に絶縁破壊が生じる電界の値を言い、負荷試験における寿命とは全く異なる現象によるものである。【０００４】
この発明にとって興味ある誘電体セラミックとして、たとえば特許第３３２３８０１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１には、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３系の誘電体セラミックが開示されている。この誘電体セラミックは、耐還元性を有し、容量温度特性の直線性と品質係数Ｑの向上を図りながら、ＢＤＶの向上を達成している。【０００５】
一般に、ＢＤＶの高い材料は、誘電率εが低い。上記特許文献１に記載された誘電体セラミックにあっても例外ではなく、１２０ｋＶ／ｍｍ以上のＢＤＶを達成している一方、誘電率εが１００前後と低い。このため、積層セラミックコンデンサの小型化にとって不利である。【０００６】
したがって、ＢＤＶおよび誘電率εの双方について高い値を与えることができる誘電体セラミックの開発が望まれる。
【特許文献１】特許第３３２３８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、この発明の目的は、高い絶縁破壊電圧ばかりでなく、高い誘電率εを有する、誘電体セラミックを提供しようとすることである。【０００８】
この発明の他の目的は、上述の誘電体セラミックを用いて構成される、中高圧用途に適した積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係る誘電体セラミックは、上述した技術的課題を解決するため、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３（０．３０≦ｘ≦０．５０、０．９５０≦ｍ≦１．０２５）を主成分とすることを特徴としている。【００１０】
この誘電体セラミックにおいて、さらに、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の希土類元素が、上記主成分１００モル部に対して、１〜１４モル部含まれていることが好ましい。【００１１】
また、この発明に係る誘電体セラミックは、さらに、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを、それぞれ、上記主成分１００モル部に対して、０．１〜３．０モル部、０．５〜５．０モル部および１．０〜５．０モル部含むことが好ましい。【００１２】
この発明は、また、積層された複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部電極を含む積層体と、内部電極の特定のものに電気的に接続されるように積層体の外表面上に形成された外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。この発明に係る積層セラミックコンデンサは、内部電極がＮｉを主成分としながら、上記誘電体セラミック層が前述したようなこの発明に係る誘電体セラミックからなることを特徴としている。【００１３】
この発明は、特に、使用電界が２５〜１００ｋＶ／ｍｍであり、保証絶縁破壊電圧が９０ｋＶ／ｍｍより大きい、積層セラミックコンデンサに対して有利に適用される。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係る誘電体セラミックにおいて、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３とは、全率固溶せず、２相に分離することがある。ここで、ＢａｍＴｉＯ３は、単独では、その絶縁破壊電圧が低いが、誘電率εについては高い。他方、ＣａｍＴｉＯ３は、単独では、その絶縁破壊電圧が高いが、誘電率εについては低い。これらの存在モル比であるｘを上記のように０．３０≦ｘ≦０．５０の範囲に選ぶと、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３との単なる平均ではなく、相乗効果により、両者の長所を併せ持った特性を引き出すことができる。その結果、この発明に係る誘電体セラミックによれば、たとえば、誘電率εについては５００以上の値を得ながら、９０ｋＶ／ｍｍより大きい絶縁破壊電圧を保証することができる。【００１５】
この発明に係る誘電体セラミックが、前述したように、所定量の希土類元素をさらに含んでいると、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３との相乗効果をより高めることができ、たとえば、５００以上の誘電率εを実現しながら、１００ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を保証することができる。【００１６】
この発明に係る誘電体セラミックが、前述したように、さらに、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを所定量含む場合には、還元性雰囲気での焼成によっても、上述したような誘電率εおよび絶縁破壊電圧を得ることができる。したがって、Ｎｉを主成分とする内部電極を備える積層セラミックコンデンサにおいても、良好な信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  積層セラミックコンデンサ
２  積層体
３  誘電体セラミック層
４，５  内部電極
８，９  外部電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、この発明の一実施形態による積層セラミックコンデンサ１を示す断面図である。【００２０】
積層セラミックコンデンサ１は、積層体２を備えている。積層体２は、積層された複数の誘電体セラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成された複数の内部電極４および５とをもって構成されている。【００２１】
内部電極４および５は、好ましくは、Ｎｉを主成分としている。内部電極４および５は、積層体２の外表面にまで到達するように形成されるが、積層体２の一方の端面６にまで引き出される内部電極４と他方の端面７にまで引き出される内部電極５とが、積層体２の内部において交互に配置されている。【００２２】
積層体２の外表面であって、端面６および７上には、それぞれ、外部電極８および９が形成されている。外部電極８および９は、たとえば、Ｃｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、焼付けることによって形成される。一方の外部電極８は、端面６上において、内部電極４と電気的に接続され、他方の外部電極９は、端面７上において、内部電極５と電気的に接続される。【００２３】
外部電極８および９上には、はんだ付け性を良好にするため、必要に応じて、Ｎｉなどからなる第１のめっき膜１０および１１、さらにその上に、Ｓｎなどからなる第２のめっき膜１２および１３がそれぞれ形成される。【００２４】
このような積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層３は、この発明に係る誘電体セラミック、すなわち、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３（０．３０≦ｘ≦０．５０、０．９５０≦ｍ≦１．０２５）を主成分とする、誘電体セラミックから構成される。【００２５】
この誘電体セラミックの主成分となる（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３において、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３とは、全率固溶せず、２相に分離することがある。そして、ＢａｍＴｉＯ３については、単独では、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低いが、誘電率εが高い。他方、ＣａｍＴｉＯ３については、単独では、ＢＤＶが高いが、εが低い。そこで、これら両者の存在モル比であるｘを、上記のように、０．３０≦ｘ≦０．５０の範囲に選ぶと、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３との平均ではなく、両者の相乗効果により、両者の長所を併せ持った特性が得られることがわかった。たとえば、εについては５００以上の値を得ながら、１２０ｋＶ／ｍｍ以上のＢＤＶを実現することができ、最低でも、９０ｋＶ／ｍｍより大きいＢＤＶを保証することができる。【００２６】
誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックは、さらに、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、ＹｂおよびＬｕから選ばれる少なくとも１種の希土類元素を、上述の主成分１００モル部に対して、１〜１４モル部含むことが好ましい。このような希土類元素は、ＢａｍＴｉＯ３とＣａｍＴｉＯ３とによる前述した相乗効果を高める作用を有していて、希土類元素を所定量加えることにより、高いＢＤＶおよび高いεの両立レベルを大きく向上させることができる。より具体的には、たとえば、εについては５００以上の値を得ながら、１４０ｋＶ／ｍｍ以上のＢＤＶを実現することができ、最低でも、１００ｋＶ／ｍｍ以上のＢＤＶを保証することができる。【００２７】
誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックは、さらに、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを、それぞれ、前述の主成分１００モル部に対して、０．１〜３．０モル部、０．５〜５．０モル部および１．０〜５．０モル部含むことが好ましい。このように、Ｍｎ、ＭｇおよびＳｉを所定量含むと、還元性雰囲気での焼成が要求される、Ｎｉを内部電極４および５の主成分とする積層セラミックコンデンサ１においても、高いＢＤＶおよび高いεを得ることができ、良好な信頼性を確保することができる。【００２８】
上述したように、誘電体セラミック層３を構成する誘電体セラミックに、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３からなる主成分の他に、希土類元素、ならびに／またはＭｎ、ＭｇおよびＳｉを含有させる場合、誘電体セラミック層３となるべきセラミックグリーンシートを成形するために用意されるスラリーにおいて、ＢａｍＴｉＯ３粉末およびＣａｍＴｉＯ３粉末に加えて、希土類元素の酸化物または炭酸化合物等の粉末ならびに／またはＭｎ、ＭｇおよびＳｉの酸化物または炭酸化合物等の粉末が添加される。【００２９】
この発明に係る誘電体セラミックは、ＢａおよびＣａが、５モル％以下であればＳｒで置換されてもよく、また、Ｔｉが、５モル％以下であれば、Ｚｒおよび／またはＨｆで置換されてもよい。【００３０】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。【００３１】
［実験例１］
まず、主成分の出発原料として、固相法によって合成したＢａｍＴｉＯ３粉末およびＣａｍＴｉＯ３粉末を用意した。また、副成分の出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｐｒ６Ｏ１１，Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３およびＬｕ２Ｏ３といった希土類元素の酸化物粉末を用意するとともに、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ２の各粉末を用意した。【００３２】
次に、上記のように用意されたＢａｍＴｉＯ３粉末およびＣａｍＴｉＯ３粉末を、表１に示した組成となるように秤量し、これら粉末を混合するとともに、さらに、表１の組成となるように、副成分の出発原料粉末を添加した。表１において、希土類元素、Ｍｇ、ＭｎおよびＳｉの各酸化物粉末の添加量は、主成分１００モル部に対するモル部で示している。次いで、上述した混合粉末を、直径２ｍｍのＰＳＺ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で１６時間混合し、十分に分散させたスラリーを得た。このスラリーを乾燥し、誘電体セラミックの原料粉末を得た。【００３３】
【表１】
2008075525.tif 000003
【００３４】
次に、上記原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールを加えて、ボールミルにより混合し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーをドクターブレード法によってシート成形し、セラミックグリーンシートを得た。【００３５】
次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。そして、この導電性ペースト膜が形成された１１枚のセラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜が引き出される側が互い違いになるように積層し、生の積層体を得た。【００３６】
次に、生の積層体を、窒素雰囲気中において３００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、Ｈ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気中において、１２５０℃の温度で２時間焼成し、焼結した積層体を得た。この積層体は、セラミックグリーンシートが焼結して得られた誘電体層および導電性ペースト膜が焼結して得られた内部電極を備えているものである。【００３７】
次いで、積層体の両端面上に、ガラスフリットを含有するとともにＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布し、窒素雰囲気中において８００℃の温度で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、さらに、外部電極の上に、Ｎｉめっき膜およびＳｎめっき膜を形成し、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。【００３８】
このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍおよび厚さ０．５ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは１０μｍであった。また、静電容量形成に有効な誘電体セラミック層の数は１０であり、誘電体セラミック層１層当たりの対向電極面積は１．３ｍｍ２であった。【００３９】
上記の各試料に係る積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの誘電率εを、２５℃、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件下で測定した積層セラミックコンデンサの静電容量から求めた。また、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミックの抵抗率ρを、２５℃の温度にて３００Ｖの電圧を６０秒間チャージして測定した絶縁抵抗から求めた。また、積層セラミックコンデンサに、直流電圧を５０Ｖ／秒の速さで昇圧しながら印加し、ＢＤＶ（平均値）を求めた。【００４０】
以上のようにして求められた誘電率ε、ｌｏｇρおよびＢＤＶが表２に示されている。なお、表２には、誘電率εとＢＤＶの両立を定量的に判断可能にするための指標としてのε×（ＢＤＶ）２も示されている。【００４１】
【表２】
2008075525.tif 000004
【００４２】
試料１〜６は、表１に示すように、希土類元素を含まない組成において、ＢａｍＴｉＯ３／ＣａｍＴｉＯ３比を変化させたものである。これら試料１〜６のうち、ｘが０．３０〜０．５０の範囲にある試料２〜５によれば、５００以上のεおよび１２０ｋＶ／ｍｍ以上のＢＤＶであって、中高圧対応の目安である９０ｋＶ／ｍｍ超のＢＤＶが保証される。これに対して、試料１では、ｘが０．３０未満であるため、ＢＤＶが８０ｋＶ／ｍｍであり、中高圧対応の目安である９０ｋＶ／ｍｍ超の保証ができなくなっている。他方、試料６では、εが５００未満となり、積層セラミックコンデンサの小型化にとって不利となる。【００４３】
試料７〜１２は、上述した試料１〜６と比較しながら、希土類元素としてのＤｙの添加の効果を評価したものである。試料７〜１２によれば、試料１〜６と比較して、εおよびＢＤＶがともに向上しており、このことは、ε×（ＢＤＶ）２において顕著に現れている。なお、ｘが０．３０〜０．５０の範囲を外れると、試料７および１２のように、希土類元素添加の効果が非常に小さくなる。【００４４】
試料１３〜１７は、希土類元素Ｄｙの添加量を変化させて、添加量による影響を評価するためのものである。希土類元素の添加量が１〜１４モル部の範囲内において、希土類元素を含まない試料２〜５と同等またはそれ以上のεおよびＢＤＶが得られている。【００４５】
試料１８〜２１は、ｍを変化させたものである。ｍが０．９５０〜１．０２５の範囲を外れた試料１８および２１では、焼結性が悪くなり、ρが低下し、実用的でない。【００４６】
試料２２〜３３は、Ｍｇ、ＭｎまたはＳｉの添加量を変化させたものである。Ｍｇについて０．５〜５．０モル部の範囲を外れた試料２２および２５、Ｍｎについて０．１〜３．０モル部の範囲を外れた試料２０および２９、ならびにＳｉについて１．０〜５．０モル部の範囲を外れた試料３０および３３では、ρが低下し、実用的ではなくなる。【００４７】
試料３４〜４７は、希土類元素として、Ｄｙ以外のものでも適用可能であることを確認したものである。【００４８】
［実験例２］
実験例２は、実験例１における各試料と同じ組成としながら、出発原料の混合方法を変更した場合について実験したものである。すなわち、実験例２において作製した試料１０１〜１４７は、それぞれ、実験例１における試料１〜４７と同じ組成である。【００４９】
まず、主成分の出発原料として、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＴｉＯ２の各粉末、また、副成分の出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３およびＬｕ２Ｏ３といった希土類元素の酸化物粉末を用意するとともに、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ２の各粉末を用意した。【００５０】
次に、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、希土類元素の酸化物粉末およびＭｇＯ粉末のみを秤量し、調合粉末Ａを得た。同様に、別途、ＣａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、希土類元素の酸化物粉末およびＭｇＯ粉末のみを秤量し、調合粉末Ｂを得た。このとき、調合粉末ＡのＢａ成分と調合粉末ＢのＣａ成分との含有比は、実験例１における表１に記載のｘの値を満たすようにした。調合粉末ＡまたはＢにおけるＴｉ成分の含有比は、それぞれのＢａ成分またはＣａ成分と比較して実験例１における表１に記載のｍの値を満たすようにした。希土類成分の含有比に関しては、実験例１における表１に記載の含有量を、調合粉末Ａ：調合粉末Ｂ＝１−ｘ：ｘとなるよう分割した。Ｍｇ成分の含有比に関しても、希土類成分と同様の方法にて調合粉末ＡとＢに分割した。【００５１】
次いで、調合粉末ＡおよびＢを、それぞれ、直径２ｍｍのＰＳＺ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で１６時間混合し、十分に分散させたスラリーＡおよびＢを得た。これらスラリーＡおよびＢを、それぞれ乾燥したものに対して、９００〜１１００℃の温度にて仮焼を行ない、それぞれ、仮焼粉末ＡおよびＢを得た。【００５２】
次に、仮焼粉末Ａと仮焼粉末Ｂとを混合させ、さらに副成分であるＭｎＯおよびＳｉＯ２の粉末を、実験例１と同じ組成になるよう添加し、直径２ｍｍのＰＳＺ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で１６時間混合し、十分に分散させたスラリーを得た。このスラリーを乾燥し、各試料に係る誘電体セラミックの原料粉末を得た。【００５３】
そして、上記各試料に係る誘電体セラミック原料粉末を用いて、実験例１の場合と同じ工程を経て、試料１０１〜１４７の各々に係る積層セラミックコンデンサを得た。これら各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、実験例１の場合と同じ項目について評価を行なった。その結果を表３に示す。【００５４】
【表３】
2008075525.tif 000005
【００５５】
表３を表２と比較すればわかるように、実験例２において作製した試料のうち、少なくとも、この発明の範囲内の試料については、それぞれ、実験例１おいて作製した試料１〜４７と比較して、より大きなＢＤＶの値が得られている。【００５６】
［実験例３］
実験例３は、実験例１における各試料と同じ組成としながら、出発原料の混合方法を実験例２とはさらに別の方法に変更した場合について実験したものである。実験例３において作製した試料２０１〜２４７は、それぞれ、実験例１における試料１〜４７と同じ組成である。【００５７】
まず、主成分の出発原料として、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３およびＴｉＯ２の各粉末、また、副成分の出発原料として、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３およびＬｕ２Ｏ３といった希土類元素の酸化物粉末を用意するとともに、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＳｉＯ２の各粉末を用意した。【００５８】
次に、ＢａＣＯ３粉末、ＣａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末、希土類元素の酸化物粉末およびＭｇＯ粉末のみを秤量し、ＭｎおよびＳｉを除いては実験例１の場合と同じ組成となるよう調合し、調合粉末を得た。【００５９】
この調合粉末を、直径２ｍｍのＰＳＺ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で１６時間混合し、十分に分散させたスラリーを得た。このスラリーを乾燥したものに対して、９００〜１１００℃の温度にて仮焼を行ない、仮焼粉末を得た。【００６０】
次に、仮焼粉末に、副成分であるＭｎＯおよびＳｉＯ２の各粉末を、実験例１の場合と同じ組成になるよう添加し、直径２ｍｍのＰＳＺ製メディアを用いて、ボールミルにより水中で１６時間混合し、十分に分散させたスラリーを得た。このスラリーを乾燥し、各試料に係る誘電体セラミックの原料粉末を得た。【００６１】
そして、上記各試料に係る誘電体セラミック原料粉末を用いて、実験例１の場合と同じ工程を経て、試料２０１〜２４７の各々に係る積層セラミックコンデンサを得た。これら各試料に係る積層セラミックコンデンサの試料について、実験例１の場合と同じ項目について評価を行なった。その結果を表４に示す。【００６２】
【表４】
2008075525.tif 000006
【００６３】
表４を表２と比較すればわかるように、実験例３において作製した試料のうち、少なくとも、この発明の範囲内の試料については、それぞれ、実験例１おいて作製した試料１〜４７と比較して、より大きなＢＤＶの値が得られている。
【図１】
2008075525.tif 000007
【国際調査報告】
2008075525.tif 000008
2008075525.tif 000009