(57)【要約】１回のジェッティングで比較的厚い膜を形成できるインクジェット用インクが求められてきた。少なくとも１種のアルケニル置換ナジイミド化合物を含むインクジェット用インク、高分子化合物をさらに含むインクジェット用インク、溶媒をさらに含むインクジェット用インク。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク。
【請求項２】
前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）が、モノアミン、ジアミン、トリアミン又はテトラアミンと下記式（１’）で表されるアルケニル置換ナジック酸無水物を反応させてなるアルケニル置換ナジイミド化合物である、請求の範囲第１項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000065
式（１’）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかである。
【請求項３】
前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）が下記式（１）で表される化合物である、請求の範囲第１項又は第２項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000066
式（１）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかであり、ｎは１〜４の整数であり、
ｎ＝１のとき、Ｒ３は水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリール、ベンジル、−｛（ＣｑＨ２ｑ）Ｏｔ（ＣｒＨ２ｒＯ）ｕＣｓＨ２ｓＸ｝（ただしｑ、ｒ、ｓはそれぞれ独立に選ばれた２〜６の整数、ｔは０または１の整数及びｕは１〜３０の整数、Ｘは水素または水酸基である）で表されるポリオキシアルキレンアルキル、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ４（ここで、ａは０または１の整数、Ｒは炭素数１〜４のアルキレン、Ｒ４は水素若しくは炭素数１〜４のアルキルをそれぞれ表す）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ５｛ここで、Ｔは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＯ−、−Ｓ−若しくは−ＳＯ２−である｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結した１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基であり、
ｎ＝２のとき、Ｒ３は炭素数２〜２０のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、
炭素数５〜８のシクロアルキレン、炭素数６〜１２のアリーレン、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５−（ここで、ａは０または１の整数、Ｒ及びＲ５はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレンである）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−または−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−｛ただし、Ｔは単結合、炭素数１〜６のアルキレン、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ２−であり、Ｔ’は−ＣＨ２−または−Ｏ−である。｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結する１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基、式（７）で表される基または式（８）で表される基であり、式（７）中、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数であり、
2008059986.tif 000067
ｎ＝３のとき、Ｒ３は下記式（５）又は（５’）で表される基であり、
2008059986.tif 000068
式（５）中、Ｒは、水素、フッ素、塩素、−ＯＨ、−ＯＣＦ３、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦＨ２、−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３、または炭素数１〜１０のアルキルであり、
式（５）、（５’）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、
ｎ＝４のとき、Ｒ３は下記式（６）で表される基である。
2008059986.tif 000069
式（６）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。
【請求項４】
ｎが２である、請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
【請求項５】
ｎが２であり、
Ｒ３が、炭素数２〜１５のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えらされていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５−（ここで、ａは０または１の整数、Ｒ及びＲ５はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレンである）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−または−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−｛ただしＴは単結合、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ２−であり、Ｔ’は−ＣＨ２−または−Ｏ−である。｝で表される基である、請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
【請求項６】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎが２であり、
Ｒ３が炭素数２〜１５のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、式（２）で表される基、式（３）で表される基、式（４）で表される基、式（７）で表される基または式（８）で表される基である、請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000070
2008059986.tif 000071
式（２）及び（４）中、Ｒは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＳＯ２−からなる有機基であり、式（４）中、Ｘは、−ＣＨ２−、−Ｏ−、からなる有機基であり、式（７）中、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数である。
【請求項７】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎが３であり、Ｒ３が、式（５−１）、式（５’−１）または式（５’−２）で表される請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000072
式（５−１）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキルまたは−ＯＨであり、
式（５’−２）中、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、それぞれ独立して、１，２−エチレン、１，４−ブチレンである。
【請求項８】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎが４であり、Ｒ３が、下記式（６−１）で表される請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000073
【請求項９】
ｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが３であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、およびｎが４であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）から選ばれる少なくとも２種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含む、請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
【請求項１０】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
Ｒ３が炭素数１〜１２のアルキル（ｎ＝１）、炭素数６〜１２のアリール（ｎ＝１）、−（ＣＨ２）ｐ−（ｎ＝２、ｐは６〜１２の整数である）、式（２−１）で表される基、式（３）で表される基、式（４−１）で表される基、式（７−１）で表される基、式（８）で表される基、式（５−２）で表される基、式（５−３）で表される基、式（５’−１）で表される基、式（５’−３）で表される基、式（６−１）で表される基であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の少なくとも２種を含む、請求の範囲第３項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000074
2008059986.tif 000075
【請求項１１】
高分子化合物（Ｂ）をさらに含む、請求の範囲第１項〜第１０項のいずれかに記載のインクジェット用インク。
【請求項１２】
前記高分子化合物（Ｂ）がポリアミド酸またはポリイミドの少なくとも１種である、請求の範囲第１１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項１３】
前記高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量が１，０００〜５，０００である、請求の範囲第１１項又は第１２項に記載のインクジェット用インク。
【請求項１４】
溶媒（Ｃ）をさらに含む、請求の範囲第１項〜第１３項のいずれかに記載のインクジェット用インク。
【請求項１５】
溶媒（Ｃ）が、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれる１つ以上である、請求の範囲第１４項に記載のインクジェット用インク。
【請求項１６】
インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）１〜９９重量部を含む、請求の範囲第１項〜第１５項のいずれかに記載のインクジェット用インク。
【請求項１７】
インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）１０〜８０重量部を含む、請求の範囲第１項〜第１６項のいずれかに記載のインクジェット用インク。
【請求項１８】
インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）２２〜７０重量部を含む、請求の範囲第１項〜第１５項のいずれかに記載のインクジェット用インク。
【請求項１９】
請求の範囲第１項〜第１８項のいずれかに記載されたインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって塗布して塗膜を形成するし、該塗膜を加熱処理してポリイミド膜を形成して得られるポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜。
【請求項２０】
請求の範囲第１項〜第１８項のいずれかに記載されたインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって塗布して塗膜を形成する工程、および該塗膜を加熱処理してポリイミド膜を形成する工程を含むポリイミド膜形成方法。
【請求項２１】
請求の範囲第２０項に記載されたポリイミド膜形成方法で基板上にポリイミド膜が形成されたフィルム基板。
【請求項２２】
請求の範囲第２１項に記載されたフィルム基板を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインクジェット用インクに関し、例えば電子部品製作において絶縁膜層を形成するためのアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク、該インクジェット用インクを用いて形成されるポリイミド膜、および該ポリイミド膜を形成したフィルム基板、該フィルム基板を有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリイミドは耐熱性、電気絶縁性に優れるため、電子通信分野で広く用いられている材料である［例えば、特開２０００−０３９７１４号公報（特許文献１）、特開２００３−２３８６８３号公報（特許文献２）、特開２００４−０９４１１８号公報（特許文献３）を参照］。
ポリイミドを所望のパターン膜として使用する場合、従来はエッチングや感光性ポリイミドを用いてパターンを形成することが一般的であったが、近年、インクジェットにより所望のパターン膜を形成する方法が検討されている。
インクジェット用インクは各種提案されているが［例えば、特開２００３−２１３１６５号公報（特許文献４）、特開２００６−１３１７３０号公報（特許文献５）を参照］、ポリイミド系のインクジェットインクを調製しようとすると、比較的高分子であるため、インクジェットインクとして最適な粘度のインクを調製するためには、溶媒の割合を増やしてインク中のポリアミド酸含有量を少なくする必要がある。これによって、１回のインクジェッティングで得られる膜の厚さが薄くなってしまうという問題があった。
一方、アルケニル置換ナジイミド化合物は、加熱することによって重合して、イミド結合を有する固体生成物（ポリイミド）となり得る熱硬化性の化合物である［例えば、特開昭５９−０８０６６１号公報（特許文献６）、特開昭６０−１２４６１９号公報（特許文献７）、特開昭６１−０１８７６１号公報（特許文献８）、特開平０５−３０１９４８号公報（特許文献９）を参照］。
マレイミド型、アセチレン型、ナジック酸型等の熱硬化性ポリイミドは、末端に不飽和基を有する低分子量、低粘性の化合物の三次元架橋で得られるため、従来の線状のポリイミドよりも加工が容易である。良好な耐熱性を示し、硬化に際してボイドやクラックの発生が少ないため、成形材料や積層材料のマトリックス樹脂として優れた特性を有している。
アルケニル置換ナジイミド化合物は熱硬化性ポリイミドの形成材料であり、嵩高い構造を有した低分子量のイミドモノマーであるため、脂肪族炭化水素を除くほとんどの有機溶媒に可溶であり、溶液状態で長期間保存しても結晶の析出やゲル化が起こらず安定して使用できる。そして、詳細な硬化機構については不明だが、加熱することでアリル基およびノルボルネン骨格中の二重結合のＥｎｅ反応やＤｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応が進行し、三次元架橋構造を形成する。このように汎用溶媒への溶解性を示し、硬化物が良好な耐熱性、機械的特性、電気的特性、耐薬品性を示すことから、樹脂改質剤、耐熱塗料、および各種コーティング材料、耐熱接着剤などへの用途展開が検討されている。
例えば、アルケニル置換ナジイミド化合物を用いてパターンを形成することも提案されているが［例えば、特開平０９−３２５２１０号公報（特許文献１０）を参照］、インクジェットにより所望のパターンを形成した後に、熱硬化により重合する方法については何ら記載も示唆もない。
また、ポリアミド酸、可溶性ポリイミド等を含有するワニスに、さらにアルケニル置換ナジイミド化合物が添加されてなる液晶配向剤ワニスが提案されている［例えば、特開２００４−３４１０３０号公報（特許文献１１）を参照］。しかしながら、この技術はポリアミド酸、可溶性ポリイミド等のポリイミド系高分子化合物が主体のものであり、ポリイミド系配向膜の機械的強度や耐ラビング性向上させるために微量のアルケニル置換ナジイミド化合物を添加するものである（実施例では液晶配向剤ワニスに対して０．６％および０．０６％）。アルケニル置換ナジイミド化合物の熱硬化によりポリイミド膜を形成することについては何ら記載されていないし、インクジェットにより印刷塗布することについても何ら示唆されていない。
【特許文献１】特開２０００−０３９７１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２３８６８３号公報
【特許文献３】特開２００４−０９４１１８号公報
【特許文献４】特開２００３−２１３１６５号公報
【特許文献５】特開２００６−１３１７３０号公報
【特許文献６】特開昭５９−０８０６６１号公報
【特許文献７】特開昭６０−１２４６１９号公報
【特許文献８】特開昭６１−０１８７６１号公報
【特許文献９】特開平０５−３０１９４８号公報
【特許文献１０】特開平０９−３２５２１０号公報
【特許文献１１】特開２００４−３４１０３０号公報
【特許文献１２】特開平０７−０５３５１６号公報
【発明の開示】
【０００３】
１回のジェッティング（吐出）で比較的厚いポリイミド膜（１μｍ以上）を形成できる、インクジェット用インクが求められてきた。
本発明者らは、上記状況に鑑みて、少なくとも１種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク、さらに高分子化合物（Ｂ）を含むインクジェット用インク、さらに溶媒（Ｃ）を含むインクジェット用インクを見い出した。
本発明は以下のようなインクジェット用インク等を提供する。
［１］  少なくとも１種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク。
［２］  前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）が、モノアミン、ジアミン、トリアミン又はテトラアミンと下記式（１’）で表されるアルケニル置換ナジック酸無水物を反応させてなるアルケニル置換ナジイミド化合物である、前記［１］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000002
式（１’）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかである。
［３］  前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）が下記式（１）で表される化合物である、前記［１］項又は［２］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000003
式（１）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかであり、ｎは１〜４の整数であり、
ｎ＝１のとき、Ｒ３は水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリール、ベンジル、−｛（ＣｑＨ２ｑ）Ｏｔ（ＣｒＨ２ｒＯ）ｕＣｓＨ２ｓＸ｝（ただしｑ、ｒ、ｓはそれぞれ独立に選ばれた２〜６の整数、ｔは０または１の整数及びｕは１〜３０の整数、Ｘは水素または水酸基である）で表されるポリオキシアルキレンアルキル、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ４（ここで、ａは０または１の整数、Ｒは炭素数１〜４のアルキレン、Ｒ４は水素若しくは炭素数１〜４のアルキルをそれぞれ表す）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ５｛ここで、Ｔは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＯ−、−Ｓ−若しくは−ＳＯ２−である｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結した１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基であり、
ｎ＝２のとき、Ｒ３は炭素数２〜２０のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、炭素数５〜８のシクロアルキレン、炭素数６〜１２のアリーレン、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５−（ここで、ａは０または１の整数、Ｒ及びＲ５はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレンである）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−または−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−｛ただし、Ｔは単結合、炭素数１〜６のアルキレン、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ２−であり、Ｔ’は−ＣＨ２−または−Ｏ−である。｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結する１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基、式（７）で表される基または式（８）で表される基であり、式（７）中、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数であり、
2008059986.tif 000004
ｎ＝３のとき、Ｒ３は下記式（５）又は（５’）で表される基であり、
2008059986.tif 000005
式（５）中、Ｒは、水素、フッ素、塩素、−ＯＨ、−ＯＣＦ３、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦＨ２、−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３、または炭素数１〜１０のアルキルであり、式（５）、（５’）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、ｎ＝４のとき、Ｒ３は下記式（６）で表される基である。
2008059986.tif 000006
式（６）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。
［４］  ｎが２である、前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
［５］  ｎが２であり、  Ｒ３が、炭素数２〜１５のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えらされていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５−（ここで、ａは０または１の整数、Ｒ及びＲ５はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレンである）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−または−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−｛ただしＴは単結合、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ２−であり、Ｔ’は−ＣＨ２−または−Ｏ−である。｝で表される基である、前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
［６］  Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、ｎが２であり、Ｒ３が炭素数２〜１５のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、式（２）で表される基、式（３）で表される基、式（４）で表される基、式（７）で表される基または式（８）で表される基である、前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000007
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式（２）及び（４）中、Ｒは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｏ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＳＯ２−からなる有機基であり、式（４）中、Ｘは、−ＣＨ２−、−Ｏ−、からなる有機基であり、式（７）中、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数である。
［７］  Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎが３であり、Ｒ３が、式（５−１）、式（５’−１）または式（５’−２）で表される前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000009
式（５−１）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキルまたは−ＯＨであり、式（５’−２）中、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、それぞれ独立して、１，２−エチレン、１，４−ブチレンである。
［８］  Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、
ｎが４であり、Ｒ３が、下記式（６−１）で表される前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000010
［９］  ｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが３であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、およびｎが４であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）から選ばれる少なくとも２種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含む、前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
［１０］  Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、Ｒ３が炭素数１〜１２のアルキル（ｎ＝１）、炭素数６〜１２のアリール（ｎ＝１）、−（ＣＨ２）ｐ−（ｎ＝２、ｐは６〜１２の整数である）、式（２−１）で表される基、式（３）で表される基、式（４−１）で表される基、式（７−１）で表される基、式（８）で表される基、式（５−２）で表される基、式（５−３）で表される基、式（５’−１）で表される基、式（５’−３）で表される基、式（６−１）で表される基であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の少なくとも２種を含む、前記［３］項に記載のインクジェット用インク。
2008059986.tif 000011
2008059986.tif 000012
［１１］  高分子化合物（Ｂ）をさらに含む、前記［１］〜［１０］のいずれかに記載のインクジェット用インク。
［１２］  前記高分子化合物（Ｂ）がポリアミド酸またはポリイミドの少なくとも１種である、前記［１１］項に記載のインクジェット用インク。
［１３］  前記高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量が１，０００〜５，０００である、前記［１１］項または前記［１２］項に記載のインクジェット用インク。
［１４］  溶媒（Ｃ）をさらに含む、前記［１］〜［１３］のいずれかに記載のインクジェット用インク。
［１５］  溶媒（Ｃ）が、乳酸エチル、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノンおよびγ−ブチロラクトンからなる群から選ばれる１つ以上である、前記［１４］項に記載のインクジェット用インク。
［１６］  インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）１〜９９重量部を含む、前記［１］〜［１５］のいずれかに記載のインクジェット用インク。
［１７］  インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）１０〜８０重量部を含む、前記［１］〜［１５］のいずれかに記載のインクジェット用インク。
［１８］  インクジェット用インク１００重量部に対して、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）２２〜７０重量部を含む、前記［１］〜［１５］のいずれかに記載のインクジェット用インク。
［１９］  前記［１］〜［１８］のいずれかに記載されたインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって塗布して塗膜を形成するし、該塗膜を加熱処理してポリイミド膜を形成して得られるポリイミド膜またはパターン状ポリイミド膜。
［２０］  前記［１］〜［１８］のいずれかに記載されたインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって塗布して塗膜を形成する工程、および該塗膜を加熱処理してポリイミド膜を形成する工程を含むポリイミド膜形成方法。
［２１］  前記［２０］に記載されたポリイミド膜形成方法で基板上にポリイミド膜が形成されたフィルム基板。
［２２］  前記［２１］に記載されたフィルム基板を有する電子部品。
本発明の好ましい態様に係るインクジェット用インクを用いると、１回のジェッティングで比較的厚い膜厚を有するポリイミド膜を形成できる。また、本発明のインクジェット用インクから形成されたポリイミド膜は、例えば、耐熱性、電気絶縁性が高く、電子部品の信頼性、歩留まりを向上させる。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
第１図は、合成例１２で得られたＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡのＩＲスペクトルである。
第２図は、合成例１２で得られたＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
第３図は、合成例１３で得られたＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭのＩＲスペクトルである。
第４図は、合成例１３で得られたＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
第５図は、合成例１４で得られたＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯのＩＲスペクトルである。
第６図は、合成例１４で得られたＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
第７図は、合成例１５で得られたＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭのＩＲスペクトルである。
第８図は、合成例１５で得られたＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
本発明は、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク、当該インクを用いたポリイミド膜形成方法等を提供する。
該インクジェット用インクは、少なくとも１種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含むインクジェット用インク、さらに高分子化合物（Ｂ）を含むインクジェット用インク、またはさらに溶媒（Ｃ）を含むインクジェット用インクである。
１  アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）
本発明のインクジェット用インクに含まれるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）は、分子内に少なくとも１つのアルケニル置換ナジイミド構造を有する化合物であり、好ましくは下記式（１）で表されるアルケニル置換ナジイミド化合物を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
2008059986.tif 000013
なお、式（１）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかであり、ｎは１〜４の整数である。
また、ｎ＝１のとき、Ｒ３は水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のヒドロキシアルキル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリール、ベンジル、−｛（ＣｑＨ２ｑ）Ｏｔ（ＣｒＨ２ｒＯ）ｕＣｓＨ２ｓＸ｝（ただしｑ、ｒ、ｓはそれぞれ独立に選ばれた２〜６の整数、ｔは０または１の整数及びｕは１〜３０の整数、Ｘは水素または水酸基である）で表されるポリオキシアルキレンアルキル、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ４（ここで、ａは０または１の整数、Ｒは炭素数１〜４のアルキレン、Ｒ４は水素若しくは炭素数１〜４のアルキルをそれぞれ表す）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ５｛ここで、Ｔは−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＣＯ−、−Ｓ−若しくは−ＳＯ２−である｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結した１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基である。
また、ｎ＝２のとき、Ｒ３は炭素数２〜２０のアルキレン｛アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい｝、炭素数５〜８のシクロアルキレン、炭素数６〜１２のアリーレン、−（Ｒ）ａ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５−（ここで、ａは０または１の整数、Ｒ及びＲ５はそれぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキレンである）で表される基、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−、−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−または−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−Ｔ−Ｃ６Ｈ４−Ｔ’−Ｃ６Ｈ４−｛ただし、Ｔは単結合、炭素数１〜６のアルキレン、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＳＯ２−であり、Ｔ’は−ＣＨ２−または−Ｏ−である。｝で表される基、またはこれらの基の芳香環に直結する１〜３個の水素が水酸基で置き換えられた基、式（７）で表される基または式（８）で表される基であり、式（７）中、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数である。
2008059986.tif 000014
また、ｎ＝３のとき、Ｒ３は下記式（５）又は（５’）で表される基である。
2008059986.tif 000015
式（５）中、Ｒは、水素、フッ素、塩素、−ＯＨ、−ＯＣＦ３、−ＯＣＦ２Ｈ、−ＣＦ３、−ＣＦ２Ｈ、−ＣＦＨ２、−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｈ、−ＯＣＦ２ＣＦＨＣＦ３、または炭素数１〜１０のアルキルであり、式（５）、式（５’）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。
また、ｎ＝４のとき、Ｒ３は下記式（６）で表される基である。
2008059986.tif 000016
式（６）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は、それぞれ独立して、単結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、水素がフッ素で置き換えられていてもよい１，４−フェニレン、または炭素数１〜１０のアルキレンであり、アルキレン中の互いに隣接しない任意のメチレンは−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられていてもよく、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。
なお、ｎ＝３のとき、Ｒ３は下記式（５−１）、式（５’−１）または式（５’−２）で表される基であってもよい。
2008059986.tif 000017
式（５−１）中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキルまたは−ＯＨであり、式（５’−２）中、Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は、それぞれ独立して、１，２−エチレン、１，４−ブチレンである。
また、ｎ＝４のとき、Ｒ３は下記式（６−１）で表される基であってもよい。
2008059986.tif 000018
アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）には、ｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物（ａ１：以下、単に「アルケニル置換ナジイミド」と言うことがある）、およびｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物（ａ２：以下、単に「ビスアルケニル置換ナジイミド」と言うことがある）、およびｎが３であるアルケニル置換ナジイミド化合物（ａ３：以下、単に「トリスアルケニル置換ナジイミド」と言うことがある）、およびｎが４であるアルケニル置換ナジイミド化合物（ａ４：以下、単に「テトラキスアルケニル置換ナジイミド」と言うことがある）がある。
本発明のインクジェット用インクには、ｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、ｎが３であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、およびｎが４であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）から選ばれる少なくとも２種のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）を含有していてもよい。
なお、前記アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）は、モノアミン、ジアミン、トリアミン又はテトラアミンと下記式（１’）で表されるアルケニル置換ナジック酸無水物を反応させてなるアルケニル置換ナジイミド化合物であってもよい。
2008059986.tif 000019
式（１’）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数３〜６のアルケニル、炭素数５〜８のシクロアルキル、炭素数６〜１２のアリールまたはベンジルのいずれかである。
また、本発明のインクジェット用インクには、Ｒ１およびＲ２がそれぞれ独立に水素または炭素数１〜６のアルキルであり、Ｒ３が炭素数１〜１２のアルキル（ｎ＝１）、炭素数６〜１２のアリール（ｎ＝１）、−（ＣＨ２）ｐ−（ｎ＝２、ｐは６〜１２の整数である）、式（２−１）で表される基、式（３）で表される基、式（４−１）で表される基、式（７−１）で表される基、式（８）で表される基、式（５−２）で表される基、式（５−３）で表される基、式（５’−１）で表される基、式（５’−３）で表される基、式（６−１）で表される基であるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の少なくとも２種を含有していてもよい。
2008059986.tif 000020
2008059986.tif 000021
１．１  アルケニル置換ナジイミド（ａ１）
本発明で用いられるｎが１であるアルケニル置換ナジイミド化合物の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ヒドロキシ−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−フェニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ−フェニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’−ヒドロキシエチル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’−ヒドロキシエチル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’−ヒドロキシエチル）−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ−（２’，２’−ジメチル−３’−ヒドロキシプロピル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’，２’−ジメチル−３’−ヒドロキシプロピル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’，３’−ジヒドロキシプロピル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２’，３’−ジヒドロキシプロピル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３’−ヒドロキシ−１’−プロペニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４’−ヒドロキシ−シクロヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ−（４’−ヒドロキシフェニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４’−ヒドロキシフェニル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４’−ヒドロキシフェニル）−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４’−ヒドロキシフェニル）−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３’−ヒドロキシフェニル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（３’−ヒドロキシフェニル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（ｐ−ヒドロキシベンジル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２’−（２’−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ−｛２’−（２’−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２’−（２’−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛２’−（２’−ヒドロキシエトキシ）エチル｝−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２’−｛２’−（２”−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２’−｛２’−（２”−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−〔２’−｛２’−（２”−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル〕−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４’−（４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４’−（４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−｛４’−（４’−ヒドロキシフェニルイソプロピリデン）フェニル｝−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、これらのアルケニル置換ナジイミド（ａ１）は、単独で用いてもよいし、これらの混合物として用いてもよい。
上記のアルケニル置換ナジイミド（ａ１）として、好ましいものは
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−シクロヘキシル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−フェニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等があげられる。
また、
Ｎ−フェニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−ベンジル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
アルケニル置換ナジイミド（ａ１）として、更に好ましいものは、
Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−メチル−メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
また、
Ｎ−（２−エチルヘキシル）−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−アリル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−イソプロペニル−メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
１．２  ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）
また、本発明で用いられるｎが２であるアルケニル置換ナジイミド化合物の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
１，２−ビス｛３’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
１，２−ビス｛３’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
１，２−ビス｛３’−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エタン、
ビス〔２’−｛３’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エチル〕エーテル、
ビス〔２’−｛３’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝エチル〕エーテル、
１，４−ビス｛３’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝ブタン、
１，４−ビス｛３’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝ブタン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
１，６−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−３−ヒドロキシ−ヘキサン、
１，１２−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−３，６−ジヒドロキシ−ドデカン、
１，３−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−５−ヒドロキシ−シクロヘキサン、
１，５−ビス｛３’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）プロポキシ｝−３−ヒドロキシ−ペンタン、
１，４−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２−ヒドロキシ−ベンゼン、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
１，４−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２，５−ジヒドロキシ−ベンゼン、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルメチルシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−（２−ヒドロキシ）キシリレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−（２，３−ジヒドロキシ）キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
また、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２’−ヒドロキシ−フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−２−ヒドロキシ−フェニル｝メタン、
ビス｛３−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−４−ヒドロキシ−フェニル｝エーテル、
ビス｛３−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）−５−ヒドロキシ−フェニル｝スルホン、
１，１，１−トリ｛４’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）｝フェノキシメチルプロパン、
Ｎ，Ｎ’，Ｎ”−トリ（エチレンメタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）イソシアヌレート、
及びこれらのオリゴマー等が挙げられる。
さらに、非対称なアルキレン・フェニレン基を含む次のようなものでもよい。
2008059986.tif 000022
また、これらのビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）は、単独で用いてもよいし、これらの混合物として用いてもよい。
上記のビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）として、好ましいものは
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
また、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝エーテル、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン等が挙げられる。
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝スルホン等が挙げられる。
ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）として、更に好ましいものは、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−エチレン−ビス（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−トリメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ドデカメチレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−シクロヘキシレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
また、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−フェニレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−｛（１−メチル）−２，４−フェニレン｝−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｐ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）、
Ｎ，Ｎ’−ｍ−キシリレン−ビス（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）等が挙げられる。
また、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４’−｛４’−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェノキシ｝フェニル〕プロパン、
ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（アリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
また、
ビス｛４−（メタリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、
ビス｛４−（メタリルメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン等が挙げられる。
１．３  トリスアルケニル置換ナジイミド（ａ３）
本発明で用いられるｎが３であるトリスアルケニル置換ナジイミド化合物の合成は、トリアミン１．０モルに対して、アルケニル置換ナジック酸無水物を３．０〜５．０モル混合し、常温で、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルナフタレン、テトラリン、クロロフォルム、トリクレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサメチレンエーテル、アニソール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド等の任意の溶媒、または、２種以上を混合した溶媒に溶解させて、溶液とし、０．５〜３０時間攪拌保持して反応させることができる。上記溶媒を２０〜８０℃で減圧乾燥除去し、アミド酸が得られる。上記アミド酸を上記溶媒中にて０．５〜３０時間、溶媒の沸点近傍でリフラックスあるいは、化合物そのものを１６０℃〜２００℃で加熱し、脱水閉環させた後、溶媒を減圧乾燥させて目的の化合物を得ることができる。目的の化合物であることはＮＭＲ、ＩＲにより確認できる。
本発明で用いられるｎが３であるトリスアルケニル置換ナジイミド化合物の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリエチル｝アミン
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリフェニル｝メタン
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝ヒドロキシメタン
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリエチル｝アミン（ＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡ）のＩＲおよび１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ）を、それぞれ図１および図２に示す。
ＩＲスペクトルでは、アルケンＣ−Ｈ伸縮：３０７０、２９６６ｃｍ−１；芳香族Ｃ−Ｈ伸縮：２９６６ｃｍ−１；アルカンＣ−Ｈ伸縮：２９３８ｃｍ−１；イミドＣ＝Ｏ伸縮：１７６２、１６９０ｃｍ−１；Ｃ＝Ｃ伸縮：１６４０ｃｍ−１；−ＣＨ２−Ｎ−メチレンはさみ振動：１４４８ｃｍ−１；イミドＣ−Ｎ伸縮：１３８２ｃｍ−１等が帰属される。
2008059986.tif 000023
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、ａ、ｂ、ｅ、ｆ、ｇ、ｉ、ｌプロトン（３０Ｈ）：２．５０〜３．４９ｐｍのピーク；ｊ、ｋ、ｍ、ｎプロトン（１２Ｈ）：５．０１〜６．２７ｐｐｍのピーク；ｈプロトン（６Ｈ）：１．２５〜１．７６ｐｐｍのピーク等が帰属される。
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリフェニル｝メタン（ＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭ）のＩＲおよび１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ）を、それぞれ図３および図４に示す。
ＩＲスペクトルでは、アルケンＣ−Ｈ伸縮：３０５６、２９７０ｃｍ−１；芳香族Ｃ−Ｈ伸縮：２９７０ｃｍ−１；アルカンＣ−Ｈ伸縮：２９３６ｃｍ−１；イミドＣ＝Ｏ伸縮：１７７２、１７０６ｃｍ−１；Ｃ＝Ｃ伸縮：１６３８ｃｍ−１；イミドＣ−Ｎ伸縮：１４０２ｃｍ−１等が帰属される。
2008059986.tif 000024
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、ａ〜ｄプロトン（１２Ｈ）：６．５０〜７．５９ｐｐｍのピーク；ｅ、ｆ、ｇ、ｉ、ｌプロトン（１８Ｈ）：２．２５〜３．７３ｐｐｍのピーク；ｈプロトン（６Ｈ）：１．２５〜１．８１ｐｐｍ；ｊ、ｋ、ｍ、ｎプロトン（１２Ｈ）：５．０１〜５．１４、５．７４〜６．３４ｐｐｍのピーク；ｏプロトン（１Ｈ）：５．３０〜５．６０ｐｐｍのピーク等が帰属される。
トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝ヒドロキシメタン（ＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯ）のＩＲおよび１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ）を、それぞれ図５および図６に示す。
ＩＲスペクトルでは、アルケンＣ−Ｈ伸縮：３０５６、２９７２ｃｍ−１；芳香族Ｃ−Ｈ伸縮：２９７２ｃｍ−１；アルカンＣ−Ｈ伸縮：２９３６ｃｍ−１；イミドＣ＝Ｏ伸縮：１７７６、１７０６ｃｍ−１；Ｃ＝Ｃ伸縮：１６３６ｃｍ−１；イミドＣ−Ｎ伸縮：１４０２ｃｍ−１等が帰属される。
2008059986.tif 000025
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、ａ〜ｄプロトン（１２Ｈ）：６．９８〜７．５３ｐｐｍのピーク；ｅ、ｆ、ｇ、ｉ、ｌプロトン（１８Ｈ）：２．２７〜３．６０ｐｐｍのピーク；ｈプロトン（６Ｈ）：１．４７〜１．８１ｐｐｍのピーク；ｊ，ｋ、ｍ、ｎプロトン（１２Ｈ）：５．０１〜６．２４ｐｐｍのピーク等が帰属される。
１．４  テトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ４）
本発明で用いられるｎが４であるテトラキスアルケニル置換ナジイミド化合物の合成は、テトラアミン１．０モルに対して、アルケニル置換ナジック酸無水物を４．０〜６．０モル混合し、常温で、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルナフタレン、テトラリン、クロロフォルム、トリクレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ヘキサメチレンエーテル、アニソール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、ジメチルスルフォキシド等の任意の溶媒、または、２種以上を混合した溶媒に溶解させて、溶液とし、０．５〜３０時間攪拌保持して反応させることができる。上記溶媒を２０〜８０℃で減圧乾燥除去し、アミド酸が得られる。上記アミド酸を上記溶媒中にて０．５〜３０時間、溶媒の沸点近傍でリフラックスあるいは、化合物そのものを１６０℃〜２００℃で加熱し、脱水閉環させた後、溶媒を減圧乾燥させて目的の化合物を得ることができる。目的の化合物であることはＮＭＲ、ＩＲにより確認できる。
本発明で用いられるｎが４であるテトラキスアルケニル置換ナジイミド化合物の具体例としては、例えば、以下のものが挙げられる。
テトラキス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）テトラフェニル｝メタン
テトラキス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）テトラフェニル｝メタン（ＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭ）のＩＲおよび１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ）を、それぞれ図７および図８に示す。
ＩＲスペクトルでは、アルケンＣ−Ｈ伸縮：３０６０、２９７２ｃｍ−１；芳香族Ｃ−Ｈ伸縮：２９７２ｃｍ−１；アルカンＣ−Ｈ伸縮：２９３６ｃｍ−１；イミドＣ＝Ｏ伸縮：１７７６、１７０６ｃｍ−１；Ｃ＝Ｃ伸縮：１６３８ｃｍ−１；イミドＣ−Ｎ伸縮：１４０４ｃｍ−１等が帰属される。
2008059986.tif 000026
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルでは、ａ〜ｄプロトン（１６Ｈ）：６．８０〜７．５９ｐｐｍのピーク；ｅ、ｆ、ｇ、ｉ、ｌプロトン（２４Ｈ）：２．２５〜３．６０ｐｐｍのピーク；ｊ、ｋ、ｍ、ｎプロトン（１６Ｈ）：５．０４〜６．５０ｐｐｍのピーク；ｈプロトン（８Ｈ）：１．２５〜１．７５ｐｐｍのピーク等が帰属される。
本発明の好ましいアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）は、嵩高い構造を有した低分子量のイミドモノマーであるため、ほとんどの有機溶媒に可溶であり、溶液状態で長期間保存しても結晶の析出やゲル化が起こらず安定して使用できる。また、加熱することで三次元架橋構造のポリイミドを形成し、該ポリイミド硬化物は良好な耐熱性、機械的特性、電気的特性、耐薬品性を示す。
２  高分子化合物（Ｂ）
本発明のインクジェット用インクにさらに含むことができる高分子化合物（Ｂ）は、ポリアミド酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸エステル、ポリエステル、アクリル酸ポリマー、アクリレートポリマー、ポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン等の高分子化合物であるが、これに限定されるものではない。好ましくはポリアミド酸または可溶性ポリイミド等のポリイミド系高分子化合物であり、例えば特願２００６−２３５３３６号に記載されている、ポリアミド酸、或いはそのイミド化重合体を好ましく挙げることができるが、これに限定されるものではない。
該ポリアミド酸は、少なくとも、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）とジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）とを用いて得ることができるが、当該製法で得られたポリアミド酸に限定されるものではない。
以下に、高分子化合物（Ｂ）を得るために用いることができる、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）とジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）を説明する。
２．１  酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）
本発明で用いられる酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）の具体例としては、スチレン−無水マレイン酸共重合体、メタクリル酸メチル−無水マレイン酸共重合体等の無水物基を有するラジカル重合性モノマーと他のラジカル重合性モノマーとの共重合体やテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物としては、例えば２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、エタンテトラカルボン酸二無水物、４−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラン−３−イル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１，２−ジカルボン酸無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、下記式ｂ１−１〜ｂ１−７３で表される化合物等のテトラカルボン酸二無水物が挙げられる。
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酸無水物を２つ以上有する化合物の上記具体例の中でも、スチレン−無水マレイン酸共重合体、式ｂ１−１、ｂ１−５、ｂ１−６、ｂ１−７、ｂ１−８、ｂ１−９、ｂ１−１４、ｂ１−１８、ｂ１−２０で表される化合物が溶媒への溶解性が高く高濃度のインクを調製できるので好ましい。また、インクジェット用インクの用途によっては高い透明性が必要とされるが、このような場合には、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ｂ１−６、ｂ１−７、ｂ１−８、ｂ１−９、ｂ１−１４、ｂ１−１８等で表される化合物を用いるが特に好ましい。
また、上記記載の酸無水物基を有する化合物は一種単独でも、または二種以上組み合わせて使用してもよい。
２．２  ジアミン（ｂ２）
本発明において用いられるジアミン（ｂ２）はアミノ基を２つ有していれば特に限定されるものではないが、例えば下記一般式（ＩＩ）〜（ＶＩＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
2008059986.tif 000033
式（ＩＩ）中、Ａ１は、−（ＣＨ２）ｐ−（ｐは１〜１２の整数である）、−｛（ＣｑＨ２ｑＯ）ｔ（ＣｒＨ２ｒＯ）ｕＣｓＨ２ｓ｝−（ここで、ｑ、ｒ、ｓはそれぞれ独立に１〜６の整数、ｔ、ｕは０または１の整数である）で表されるポリオキシアルキレン、であり、式（ＩＩＩ）中、Ｒは−ＣＨ３または、−（ＣＨ３）２で表される有機基であり、式（ＩＶ）及び（ＶＩ）〜（ＶＩＩＩ）中、Ａ１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−（ＣＨ２）ｍ−、−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−Ｏ−、−Ｓ−（ＣＨ２）ｍ−Ｓ−であり、ここでｍは１〜６の整数であり、Ａ２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−または炭素数１〜３のアルキレンであり、シクロヘキサン環またはベンゼン環に結合している水素は、−Ｆ、−ＣＨ３と置き換えられていてもよい。
一般式（ＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−７）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000034
一般式（ＩＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
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一般式（ＩＶ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000036
一般式（Ｖ）で表されるジアミンとしては、例えば式（Ｖ−１）〜（Ｖ−５）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000037
一般式（ＶＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−３０）で表されるジアミンが挙げられる。
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一般式（ＶＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−６）で表されるジアミンが挙げられる。
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一般式（ＶＩＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−１１）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000041
一般式（ＩＩ）〜（ＶＩＩＩ）で表されるジアミン（ｂ２）の上記具体例の中でも、より好ましくは、式（Ｖ−１）〜（Ｖ−５）、式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−１２）、式（ＶＩ−２６）、式（ＶＩ−２７）、式（ＶＩＩ−１）、式（ＶＩＩ−２）、式（ＶＩＩ−６）、式（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−５）で表されるジアミンが挙げられ、さらに好ましくは式（Ｖ−６）、式（Ｖ−７）、式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−１２）で表されるジアミンが挙げられる。
本発明において用いられるジアミン（ｂ２）としては、さらに一般式（ＩＸ）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000042
式（ＩＸ）中、
Ａ３は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−または−（ＣＨ２）ｍ−（式中、ｍは１〜６の整数である）であり、
Ｒ６は、ステロイド骨格を有する基、下記式（Ｘ）で表される基、または、ベンゼン環に結合している２つのアミノ基の位置関係がパラ位のときは炭素数１〜３０のアルキル、もしくは該位置関係がメタのときは炭素数１〜３０のアルキルまたはフェニルであり、
該アルキルにおいては、任意の−ＣＨ２−が−ＣＦ２−、−ＣＨＦ−、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、−ＣＨ３が−ＣＨ２Ｆ、−ＣＨＦ２または−ＣＦ３で置き換えられていてもよく、
該フェニルの環形成炭素に結合している水素は、−Ｆ、−ＣＨ３、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２Ｆ、−ＯＣＨＦ２または−ＯＣＦ３と置き換えられていてもよい。
2008059986.tif 000043
式（Ｘ）中、
Ａ４およびＡ５はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または炭素数１〜１２のアルキレンであり、
Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、−Ｆまたは−ＣＨ３であり、
環Ｓは１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−１，５−ジイル、ナフタレン−２，７−ジイルまたはアントラセン−９，１０−ジイルであり、
Ｒ９は−Ｈ、−Ｆ、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のフッ素置換アルキル、炭素数１〜３０のアルコキシ、−ＣＮ、−ＯＣＨ２Ｆ、−ＯＣＨＦ２または−ＯＣＦ３であり、
ａおよびｂはそれぞれ独立して０〜４の整数を表し、
ｃ、ｄおよびｅはそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｅが２または３であるとき複数の環Ｓは同一の基であっても異なる基であってもよく、
ｆおよびｇはそれぞれ独立して０〜２の整数を表し、かつ
ｃ＋ｄ＋ｅ≧１である。
一般式（ＩＸ）において、２つのアミノ基はフェニル環炭素に結合しているが、好ましくは、２つのアミノ基の結合位置関係は、メタ位またはパラ位であることが好ましい。さらに２つのアミノ基はそれぞれ、「Ｒ６−Ａ３−」の結合位置を１位としたときに３位と５位、または２位と５位に結合していることが好ましい。
一般式（ＩＸ）で表されるジアミンとしては、例えば下記式（ＩＸ−１）〜（ＩＸ−１１）で表されるジアミンが挙げられる。
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上記式（ＩＸ−１）、（ＩＸ−２）、（ＩＸ−７）および（ＩＸ−８）中、Ｒ１８は炭素数２〜３０の有機基であるが、これらの中でも炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシが好ましく、炭素数５〜１２のアルキルまたは炭素数５〜１２のアルコキシがさらに好ましい。また、上記式（ＩＸ−３）〜（ＩＸ−６）および（ＩＸ−９）〜（ＩＸ−１１）中、Ｒ１９は−Ｈまたは炭素数１〜３０の有機基であるが、これらの中でも炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシが好ましく、炭素数３〜１０のアルキルまたは炭素数３〜１０のアルコキシがさらに好ましい。
一般式（ＩＸ）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（ＩＸ−１２）〜（ＩＸ−１７）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000046
上記式（ＩＸ−１２）〜（ＩＸ−１５）においてＲ２０は−Ｈまたは炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数４〜１６のアルキルが好ましく、炭素数６〜１６のアルキルがさらに好ましい。式（ＩＸ−１６）と式（ＩＸ−１７）においてＲ２１は−Ｈまたは炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数６〜２０のアルキルが好ましく、炭素数８〜２０のアルキルがさらに好ましい。
一般式（ＩＸ）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（ＩＸ−１８）〜（ＩＸ−３８）で表されるジアミンが挙げられる。
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上記式（ＩＸ−１８）、（ＩＸ−１９）、（ＩＸ−２２）、（ＩＸ−２４）、（ＩＸ−２５）、（ＩＸ−２８）、（ＩＸ−３０）、（ＩＸ−３１）、（ＩＸ−３６）および（ＩＸ−３７）においてＲ２２は−Ｈまたは炭素数１〜３０の有機基であり、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシが好ましく、炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシがさらに好ましい。また、上記式（ＩＸ−２０）、（ＩＸ−２１）、（ＩＸ−２３）、（ＩＸ−２６）、（ＩＸ−２７）、（ＩＸ−２９）、（ＩＸ−３２）〜（ＩＸ−３５）および（ＩＸ−３８）において、Ｒ２３は−Ｈ、−Ｆ、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数１〜１２のアルコキシ、−ＣＮ、−ＯＣＨ２Ｆ、−ＯＣＨＦ２または−ＯＣＦ３であり、炭素数３〜１２のアルキルまたは炭素数３〜１２のアルコキシがさらに好ましい。上記式（ＩＸ−３３）と（ＩＸ−３４）において、Ａ９は炭素数１〜１２のアルキレンである。
一般式（ＩＸ）で表されるジアミンとしては、さらに、例えば下記式（ＩＸ−３９）〜（ＩＸ−４８）で表されるジアミンが挙げられる。
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一般式（ＩＸ）で表されるジアミン（ｂ２）のうち、式（ＩＸ−１）〜式（ＩＸ−１１）で表されるジアミンが好ましく、式（ＩＸ−２）、式（ＩＸ−４）、式（ＩＸ−５）、式（ＩＸ−６）で表されるジアミンがさらに好ましい。
本発明において用いられるジアミン（ｂ２）は、さらに下記一般式（ＸＩ）及び（ＸＩＩ）で表される化合物が挙げられる。
2008059986.tif 000051
式（ＸＩ）と（ＸＩＩ）中、
Ｒ１０は−Ｈまたは−ＣＨ３であり、
Ｒ１１はそれぞれ独立して、−Ｈまたは炭素数１〜２０のアルキルもしくはアルケニルであり、
Ａ６はそれぞれ独立して、単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−または−ＣＨ２−であり、
Ｒ１３およびＲ１４はそれぞれ独立して、−Ｈ、炭素数１〜２０のアルキルまたはフェニルである。
前記一般式（ＸＩ）において、２つの「ＮＨ２−Ｐｈ−Ａ６−Ｏ−」の一方はステロイド核の３位に結合し、もう一方は６位に結合していることが好ましい。また、２つのアミノ基はそれぞれ、フェニル環炭素に結合しており、Ａ６の結合位置に対して、メタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
一般式（ＸＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＸＩ−１）〜（ＸＩ−４）で表されるジアミンが挙げられる。
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一般式（ＸＩＩ）において、２つの「ＮＨ２−（Ｒ１４−）Ｐｈ−Ａ６−Ｏ−」は、それぞれフェニル環炭素に結合しているが、好ましくはステロイド核が結合している炭素に対してメタ位またはパラ位の炭素に結合している。また、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ６に対してメタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
一般式（ＸＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＸＩＩ−１）〜（ＸＩＩ−８）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000053
本発明において用いられるジアミン（ｂ２）は、さらに一般式（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）で表される化合物が挙げられる。
2008059986.tif 000054
式（ＸＩＩＩ）中、
Ｒ１５は−Ｈまたは炭素数１〜２０のアルキルであり、該アルキルのうち炭素数２〜２０のアルキルの任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、
Ａ７はそれぞれ独立して−Ｏ−または炭素数１〜６のアルキレンであり、
Ａ８は単結合または炭素数１〜３のアルキレンであり、
環Ｔは１，４−フェニレンまたは１，４−シクロヘキシレンであり、
ｈは０または１である。
2008059986.tif 000055
式（ＸＩＶ）中、
Ｒ１６は炭素数６〜２２のアルキルであり、
Ｒ１７は−Ｈまたは炭素数１〜２２のアルキルであり、
Ａ７はそれぞれ独立して−Ｏ−または炭素数１〜６のアルキレンである。
前記一般式（ＸＩＩＩ）において、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ７に対してメタ位またはパラに結合していることが好ましい。
一般式（ＸＩＩＩ）で表されるジアミンとしては、例えば式（ＸＩＩＩ−１）〜（ＸＩＩＩ−９）で表されるジアミンが挙げられる。
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上記式（ＸＩＩＩ−１）〜（ＸＩＩＩ−３）において、Ｒ２４は−Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、（ＸＩＩＩ−４）〜（ＸＩＩＩ−９）においてＲ２５は−Ｈ、炭素数１〜１０のアルキル基がさらに好ましい。
前記一般式（ＸＩＶ）において、２つのアミノ基はそれぞれフェニル環炭素に結合しているが、Ａ７に対してメタ位またはパラ位に結合していることが好ましい。
一般式（ＸＩＶ）で表されるジアミンとしては、例えば（ＸＩＶ−１）〜（ＸＩＶ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
2008059986.tif 000057
（ＸＩＶ−１）〜（ＸＩＶ−３）式中、Ｒ２６は炭素数２〜３０の有機基であり、これらの中でも炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、Ｒ２７は炭素数２〜３０の有機基であり、これらの中でも−Ｈまたは炭素数１〜１０のアルキル基がさらに好ましい。
上述のとおり、本発明において用いられるジアミン（ｂ２）は、例えば、一般式（ＩＩ）〜（ＸＩＶ）で表されるジアミンを用いることができるが、これらのジアミン以外のジアミンも用いることができる。例えば、ナフタレン構造を有するナフタレン系ジアミン、フルオレン構造を有するフルオレン系ジアミン、またはシロキサン結合を有するシロキサン系ジアミンなどを単独または他のジアミンと混合して用いることができる。
シロキサン系ジアミンは特に限定されるものではないが、下記式（ＸＶ）で表されるものが本発明において、好ましく使用され得る。
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式中、Ｒ３およびＲ４は独立して炭素数１〜３のアルキルまたはフェニルであり、Ｒ５は独立してはメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンであり、ｘは独立して１〜６の整数であり、ｙは１〜７０の整数である。ここで、より好ましいｙは１〜１５の整数である。
さらに、好ましくは、本発明において用いられるジアミン（ｂ２）として、下記式（１１）〜（１８）で表されるジアミンが使用され得る。
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式中、Ｒ３０およびＲ３１は独立して炭素数３〜２０のアルキル基である。
なお、本発明で用いることができるジアミン（ｂ２）は、本明細書のジアミンに限定されることなく、本発明の目的が達成される範囲内で他にも種々の形態のジアミンを用いることができる。
また、本発明で用いることができるジアミン（ｂ２）は、１種単独、または、２種以上を組み合わせて用いることができる。すなわち、２種以上の組み合わせとしては、上記ジアミン同士、上記ジアミンとそれ以外のジアミン、または、上記ジアミン以外のジアミン同士を用いることができる。
また、インクジェット用インクの用途によっては高い透明性が必要とされるが、そのような場合には、３，３’−ジアミノジフェニルスルホンおよび一般式（ＸＶ）においてｙ＝１〜１５の整数であるジアミンを用いることが特に好ましい。
２．３  モノアミン（ｂ３）
本発明において用いられるモノアミン（ｂ３）は、特に限定されないが、具体例としては、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、４−アミノブチルトリメトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、４−アミノブチルメチルジエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシランおよびｍ−アミノフェニルメチルジエトキシシラン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、モノエタノールアミン、ｎ−ブチルアミン、アニリンなどを挙げることができる。
これらの中でも、得られる膜の耐久性が優れるという点から、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシランが好ましく、３−アミノプロピルトリエトキシシランが特に好ましい。
これらのモノアミンは一種単独でまたは二種以上組み合わせても使用できる。
２．４  酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）
本発明において用いられる酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）は、特に限定されないが、具体例としては、ｐ−（トリメトキシシリル）フェニルサクシニックアンヒドリド、ｐ−（トリエトキシシリル）フェニルサクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリメトキシシリル）フェニルサクシニックアンヒドリド、ｍ−（トリエトキシシリル）フェニルサクシニックアンヒドリド、トリメトキシシリルプロピルサクシニックアンヒドリド、トリエトキシシリルプロピルサクシニックアンヒドリドなどを挙げることができる。
これらの中でも、インクの保存安定性という点から、トリメトキシシリルプロピルサクシニックアンヒドリド、トリエトキシシリルプロピルサクシニックアンヒドリドが特に好ましい。
これらの酸無水物基を１つ有する化合物は一種単独でまたは二種以上組み合わせても使用できる。
２．５  ポリアミド酸の反応条件
本発明で用いることのできるポリアミド酸は、たとえば、モノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）とからなる化合物の群から選ばれる１以上と、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）と、ジアミン（ｂ２）とを反応させて合成できる。
モノアミン（ｂ３）を用いる場合、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）１モルに対して、ジアミン（ｂ２）０．０１〜０．８モルおよびモノアミン（ｂ３）０．４〜１．９８モル用いることが好ましく、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）１モルに対して、ジアミン（ｂ２）０．１５〜０．２５モルおよびモノアミン（ｂ３）１．５〜１．７モル用いることがさらに好ましい。
酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）を用いる場合、ジアミン（ｂ２）１モルに対して、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）０．０１〜０．８モルおよび酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）０．４〜１．９８モル用いることが好ましく、ジアミン（ｂ２）１モルに対して、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）０．１５〜０．２５モルおよび酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）１．５〜１．７モル用いることがさらに好ましい。
２．５．１  反応溶媒
少なくとも、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）とジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）とを用いてポリアミド酸を得るために用いられる溶媒は、当該化合物が合成できれば特に限定されるものではないが、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、などを挙げることができる。
これらの中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、シクロヘキサノン、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルおよびジエチレングリコールジメチルエーテルを用いると、インクジェットヘッドへのダメージが少ないインクとすることができるので好ましい。
これらの反応溶媒は単独でも、２種以上の混合溶媒としても使用できる。また、上記反応溶媒以外に他の溶媒を混合して用いることもできる。
反応溶媒は、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ３）とジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）との合計１００重量部に対し１００重量部以上使用すると、反応がスムーズに進行するので好ましい。反応は０℃〜１００℃で、０．２〜２０時間反応させるのが好ましい。
２．５．２  反応系への添加順序
また、反応原料の反応系への添加順序に特に限定されない。すなわち、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）とジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）とを同時に反応溶媒に加える、ジアミン（ｂ２）とモノアミン（ｂ３）を反応溶媒中に溶解させた後に酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）または酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）を添加する、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ｂ４）を反応溶媒中に溶解させた後にモノアミン（ｂ３）をあらかじめ反応させた後にジアミン（ｂ２）を添加する、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）とジアミン（ｂ２）とをあらかじめ反応させて共重合体を合成した後に、その共重合体にモノアミン（ｂ３）を添加する、などいずれの方法も用いることができる。
２．６  高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量
重量平均分子量が１，０００〜２０，０００である高分子化合物（Ｂ）が特に溶媒に対する溶解性が優れていてインクジェット用インクとして好ましい。本発明において、高分子化合物（Ｂ）の溶媒に対する「溶解性」をさらに向上させるために、その重量平均分子量は１，０００〜１０，０００であることが好ましく、１，０００〜５，０００であることがさらに好ましい。
そして、高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量が１，０００〜２，０００であることが特に好ましい。１，０００以上の重量平均分子量を有する高分子化合物（Ｂ）は、加熱処理によって蒸発することがなく、化学的、機械的に安定であり、２，０００以下の重量平均分子量を有する高分子化合物（Ｂ）は、溶媒に対する溶解性を向上させることができるので、得られる塗膜の膜厚を大きくすることが可能であり、インクジェット用インクとして好ましく用いることができるからである。
高分子化合物（Ｂ）の重量平均分子量はゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定することができる。具体的には、得られた高分子化合物（Ｂ）をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等で濃度が約１重量％になるように希釈し、東ソー株式会社製カラムＧ４０００ＨＸＬ、Ｇ３０００ＨＸＬ、Ｇ２５００ＨＸＬおよびＧ２０００ＨＸＬを用いて、ＴＨＦを展開剤としてゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めることができる。
３  溶媒（Ｃ）
本発明のインクジェット用インクは、例えば、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、必要により高分子化合物（Ｂ）を溶媒（Ｃ）に溶解して得ることができる。したがって、本発明のインクジェット用インクに含まれる溶媒は、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、必要により高分子化合物（Ｂ）を溶解することができる溶媒であれば特に制限されない。また、単独ではアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、必要により高分子化合物（Ｂ）を溶解しない溶媒であっても、他の溶媒と混合することによって、インクジェット用インクに含まれる溶媒（Ｃ）として用いることが可能である。
インクジェット用インクに含まれる溶媒（Ｃ）の具体例としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、３−メチル−３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、マロン酸ジエチル、エタノール、２−プロパノール、ジオキサン、エチレングリコール等を挙げることができる。
前記の通り、本発明のインクジェット用インクに含まれる溶媒について特に制限は無いが、インクジェット印刷機のインクヘッドの仕様によっては、その接合部材や内在するフィルター素材が使用する溶媒の種類によって腐食や膨潤する場合がある。あるいは、乾燥速度が速い溶媒ではインクヘッドの目詰まりが起こったりするので溶媒（Ｃ）の選択は非常に重要である。
本発明者が鋭意検討した結果、インクジェットヘッドの耐久性向上やヘッド目詰まり、インク吐出性の点で、乳酸エチル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、γ−ブチロラクトンが溶媒（Ｃ）として特に好ましいことを見出した。
さらに、インクジェット用インクの塗布性にインクの表面張力が大きく影響するため、インクの表面張力を２０〜４５ｍＮ／ｍ、好ましくは２７〜４２ｍＮ／ｍ、より好ましくは３０〜４０ｍＮ／ｍに調整する。表面張力が４５ｍＮ／ｍより大きくなるとインク吐出口におけるインクメニスカスが不安定化してインクが吐出できなくなることがあり、２０ｍＮ／ｍより小さくなると塗布した液滴が濡れ広がってしまい塗布パターンの形状が大きく悪化する。
表面張力を２０〜４５ｍＮ／ｍの範囲に調整するには、溶媒選定が重要である。表張力が２０〜４５ｍＮ／ｍの範囲にある一種の溶媒を用いても良いが、表面張力の大きな溶媒（例えば、γ−ブチロラクトン：４３ｍＮ／ｍ）および表面張力の小さな溶媒（例えば、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル：２４ｍＮ／ｍ、あるいはエチレングリコールモノブチルエーテル：３２ｍＮ／ｍ）を混合して用いると溶媒組成で表面張力を微調整できるので好ましい。
また、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ε−カプロラクタム、Ｎ−メチルカプロラクタム、カルバミド酸エステル等のアミド系の溶媒は、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）や高分子化合物（Ｂ）の良溶媒であることから好ましく用いることができるが、その一方でインクジェットヘッドの耐久性に難があり注意が必要である。
本発明のインクジェット用インクに含まれる溶媒（Ｃ）において、アミド系溶媒は全く含まないか、あるいは多くても溶媒（Ｃ）の全重量に対して２０重量％以下であることが好ましい。
これらの溶媒は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
４  本発明のインクジェット用インクにおけるアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）および高分子化合物（Ｂ）の濃度
本発明においてインクジェット用インク中のアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の濃度は特に限定されないが１〜９９重量％が好ましく、１０〜８０重量％がさらに好ましく、２２〜７０重量％がさらに好ましい。これらの濃度範囲であると、１回のインクジェッティングで得られる膜の厚さが最適となり、ジェッティング精度が高いので好ましい。
本発明においてインクジェット用インク中の高分子化合物（Ｂ）の濃度は特に限定されないが、０〜５０重量％が好ましく、０〜２５重量％がさらに好ましい。これらの濃度範囲であると、絶縁膜として良好な特性が付与できることがあり好ましい。
インクジェット用インクとして用いる場合、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）および高分子化合物（Ｂ）の濃度は高いほど得られるポリイミド膜の膜厚が厚くなるため好ましいが、その一方で粘度も高くなる傾向にあるため、場合によってはインクジェット印刷機で吐出できなくなるという問題が生じる。本発明者らが鋭意検討した結果、特に上記の濃度範囲であれば膜厚の大きなポリイミド膜を形成可能なインクジェット用インクとして好ましく用いることができることを見出した。
５  本発明のインクジェット用インクに添加される添加剤
本発明のインクジェット用インクは、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）、必要により高分子化合物（Ｂ）、必要により溶媒（Ｃ）とを混合して得られる。
さらに、目的とする特性によっては、本発明のインクジェット用インクは、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、界面活性剤、帯電防止剤、カップリング剤、トリメリット酸等のエポキシ硬化剤、アミノシリコン化合物、溶媒、ｐＨ調整剤、防錆剤、防腐剤、防黴剤、酸化防止剤、還元防止剤、蒸発促進剤、キレート化剤、水溶性ポリマー等の添加剤を必要により選択して添加し、それらを均一に混合溶解することにより得ることができる。
（１）エポキシ樹脂
本発明のインクジェット用インクは、エポキシ樹脂をさらに含んでもよい。本発明のインクジェット用インクに含まれるエポキシ樹脂は、オキシランを有すれば特に限定されないが、オキシランを２つ以上有する化合物が好ましい。
本発明においてインクジェット用インク中のエポキシ樹脂の濃度は特に限定されないが、０．１〜２０重量％が好ましく、１〜１０重量％がさらに好ましい。この濃度範囲であると、インクジェット用インクから形成された塗膜の耐熱性、耐薬品性、平坦性が良好である。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、オキシランを有するモノマーの重合体、および、オキシランを有するモノマーと他のモノマーとの共重合体、などが挙げられる。
オキシランを有するモノマーの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、およびメチルグリシジル（メタ）アクリレートを挙げることができる。
また、オキシランを有するモノマーと共重合を行う他のモノマーとの具体例としては、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、Ｎ−シクロヘキシルマレイミドおよびＮ−フェニルマレイミドなどを挙げることができる。
オキシランを有するモノマーの重合体およびオキシランを有するモノマーと他のモノマーとの共重合体の好ましい具体例としては、ポリグリシジルメタクリレート、メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ベンジルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ｎ−ブチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体およびスチレン−グリシジルメタクリレート共重合体を挙げることができる。本発明のインクジェット用インクがこれらのエポキシ樹脂を含有すると、インクジェット用インクから形成された塗膜の耐熱性が良好となるため好ましい。
本発明のインクジェット用インクに含まれ得るエポキシ樹脂の具体例としては、商品名「エピコート８０７」、「エピコート８１５」、「エピコート８２５」、「エピコート８２７」、「エピコート８２８」、「エピコート１９０Ｐ」、「エピコート１９１Ｐ」（以上、油化シェルエポキシ（株）製）、商品名「エピコート１００４」、「エピコート１２５６」（以上、ジャパンエポキシレジン（株）製）、商品名「アラルダイトＣＹ１７７」、商品名「アラルダイトＣＹ１８４」（日本チバガイギー（株）製）、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、「セロキサイド３０００」、「ＥＨＰＥ−３１５０」（ダイセル化学工業（株）製）、商品名「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」（三井化学（株）製）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタンなどを挙げることができる。
これらの中でも、商品名「アラルダイトＣＹ１８４」、商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、商品名「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」、商品名「エピコート８２８」は、得られるポリイミド膜の平坦性が特に良好であるため好ましい。
エポキシ樹脂は一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
（２）アクリル樹脂
本発明のインクジェット用インクは、アクリル樹脂をさらに含んでもよい。インクジェット用インクに含まれるアクリル樹脂は、アクリル基やメタクリル基を有すれば特に限定されない。
インクジェット用インク中のアクリル樹脂の濃度は特に限定されないが、０．１〜２０重量％が好ましく、１〜１０重量％がさらに好ましい。この濃度範囲であると、インクジェット用インクから形成された塗膜の耐熱性、耐薬品性、平坦性が良好である。
アクリル樹脂としては、例えば、ヒドロキシルを有する単官能重合性モノマー、ヒドロキシルを有しない単官能重合性モノマー、二官能（メタ）アクリレート、及び、三官能以上の多官能（メタ）アクリレートなどが挙げられる。
ヒドロキシルを有する単官能重合性モノマーの具体例としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、または１，４−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート等を挙げることができる。中でも形成される膜が柔軟である点から、４−ヒドロキシブチルアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレートが特に好ましい。
ヒドロキシルを有しない単官能重合性モノマーの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロキシエチルオキセタン、ｐ−ビニルフェニル−３−エチルオキセタ−３−イルメチルエーテル、２−フェニル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、２−トリフロロメチル−３−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、４−トリフロロメチル−２−（メタ）アクリロキシメチルオキセタン、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、ビニルトルエン、（メタ）アクリルアミド、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、ポリスチレンマクロモノマー、ポリメチルメタクリレートマクロモノマー、Ｎ−アクリロイルモルホリン、５−テトラヒドロフルフリルオキシカルボニルペンチル（メタ）アクリレート、ラウリルアルコールのエチレンオキシド付加物の（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、α−クロルアクリル酸、ケイ皮酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、コハク酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］、マレイン酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］、またはシクロヘキセン−３，４−ジカルボン酸モノ［２−（メタ）アクリロイロキシエチル］等を挙げることができる。
二官能（メタ）アクリレートの具体例としては、ビスフェノールＦエチレンオキシド変性ジアクリレート、ビスフェノールＡエチレンオキシド変性ジアクリレート、イソシアヌル酸エチレンオキシド変性ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレートモノステアレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールジアクリレート、２−ｎ−ブチル−２−エチル−１，３−プロパンジオールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、またはジペンタエリスリトールジアクリレート等を挙げることができる。
三官能以上の多官能（メタ）アクリレートの具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、エピクロルヒドリン変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ジグリセリンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性リン酸トリ（メタ）アクリレート、トリス［（メタ）アクリロキシエチル］イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス［（メタ）アクリロキシエチル］イソシアヌレート、またはウレタン（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
これらのアクリル樹脂は１種のみを用いてもよく、また、２種以上を混合して用いてもよい。
（３）界面活性剤
インクジェット用インクの塗布性の向上を望むときには、かかる目的に沿った界面活性剤を添加できる。本発明のインクジェット用インクに添加される界面活性剤の具体例としては、商品名「Ｂｙｋ−３００」、「Ｂｙｋ−３０６」、「Ｂｙｋ−３３５」、「Ｂｙｋ−３１０」、「Ｂｙｋ−３４１」、「Ｂｙｋ−３４４」、「Ｂｙｋ−３７０」（ビック・ケミー（株）製）などのシリコン系界面活性剤；商品名「Ｂｙｋ−３５４」、「ＢｙＫ−３５８」、「Ｂｙｋ−３６１」（ビック・ケミー（株）製）などのアクリル系界面活性剤、商品名「ＤＦＸ−１８」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２５１」（ネオス（株）製）などのフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
界面活性剤は、下地基板への濡れ性、レベリング性、または塗布性を向上させるために使用するものであり、インクジェット用インク１００重量部に対し０．０１〜１重量部添加して用いられることが好ましい。
（４）帯電防止剤
本発明のインクジェット用インクに添加される帯電防止剤は、特に限定されるものではなく、公知の帯電防止剤を用いることができる。具体的には、酸化錫、酸化錫・酸化アンチモン複合酸化物、酸化錫・酸化インジウム複合酸化物等の金属酸化物や四級アンモニウム塩等が挙げられる。
これらの帯電防止剤は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
帯電防止剤は、帯電を防止するために使用するものであり、インクジェット用インク１００重量部に対し０．０１〜１重量部添加して用いられることが好ましい。
（５）カップリング剤
本発明のインクジェット用インクに添加されるカップリング剤は、特に限定されるものではなく、公知のカップリング剤を用いることができる。添加されるカップリング剤はシランカップリング剤が好ましく、具体的には、トリアルコキシシラン化合物またはジアルコキシシラン化合物等を挙げることができる。好ましくは、例えば、γ−ビニルプロピルトリメトキシシラン、γ−ビニルプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−イミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−アミノエチル−γ−アミノプロピルトジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルメチルジエトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン等が例示できる。これらの中でも、γ−ビニルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
これらのカップリング剤は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
カップリング剤は、インクジェット用インク１００重量部に対し０．０１〜３重量部添加して用いられることが好ましい。
（６）エポキシ硬化剤
本発明のインクジェット用インクに添加されるエポキシ硬化剤は、特に限定されるものではなく、公知のエポキシ硬化剤を用いることができる。具体的には、有機酸ジヒドラジド化合物、イミダゾールおよびその誘導体、ジシアンジアミド、芳香族アミン、多価カルボン酸、多価カルボン酸無水物等が挙げられる。さらに具体的には、ジシアンジアミド等のジシアンジアミド類、アジピン酸ジヒドラジド、１，３−ビス（ヒドラジノカルボエチル）−５−イソプロピルヒダントイン等の有機酸ジヒドラジド、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチルイミダゾリル−（１’）］−エチルトリアジン、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸−１，２−無水物等の酸無水物等が挙げられる。中でも透明性が良好な無水トリメリット酸、１，２，４−シクロヘキサントリカルボン酸−１，２−無水物が好ましい。
これらのエポキシ硬化剤は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
エポキシ硬化剤は、インクジェット用インク１００重量部に対し０．２〜５重量部添加して用いられることが好ましい。
（７）アミノシリコン化合物
本発明のインクジェット用インクにおいてアミノシリコン化合物を添加することができる。アミノシリコン化合物としては、パラアミノフェニルトリメトキシシラン、パラアミノフェニルトリエトキシシラン、メタアミノフェニルトリメトキシシラン、メタアミノフェニルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
これらのアミノシリコン化合物は、一種のみを用いてもよく、また、二種以上を混合して用いてもよい。
アミノシリコン化合物は、基板への密着性をよくするために使用するものであり、インクジェット用インク１００重量部に対し０．０５〜２重量部添加して用いられることが好ましい。
６  インクジェット用インクの粘度
本発明においてインクジェット用インクの粘度は特に限定されないが、常温でジェッティングを行う場合は、インクジェット塗布方法によるジェッティング精度が向上する点で好ましくは１〜５０ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、より好ましくは５〜３０ｍＰａ・ｓ（２５℃）、さらに好ましくは８〜２０ｍＰａ・ｓ（２５℃）である。
インクヘッドを加熱してジェッティングを行う場合は、加熱温度（アルケニル置換ナジイミド化合物が硬化しない温度、好ましくは４０〜１２０℃）において、１〜５０ｍＰａ・ｓ、好ましくは５〜３０ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは８〜２０ｍＰａ・ｓであればよい。
７  ポリイミド膜
本発明のインクジェット用インクを、基板表面にインクジェットにより塗布し、ホットプレート、またはオーブンなどで加熱処理して全面または所定のパターン状（ライン状等）のポリイミド膜を形成することができる。
従来、パターン状のポリイミド膜を形成する場合はフォトリソグラィ技術を用いているが、フォトレジスト、現像液、エッチング液、剥離液などの多種大量の薬液が必要であり、さらに煩雑な工程を要するものであった。これに対して、本発明のインクジェット用インクを用いて形成されたパターン状ポリイミド膜は、インクジェット印刷により必要な部分のみに描画するため材料使用量は圧倒的に少なく、フォトマスクを使用しないので多品種大量生産が可能であり、且つ製造に要する工程数が少ないといった特徴を有するものである。
７．１  インクジェット方法によるインクジェット用インクの塗布
インクジェット塗布方法には、インクの吐出方法により各種のタイプがある。例えば、圧電素子型、バブルジェット（登録商標）型、連続噴射型、静電誘導型などが挙げられる。本発明にかかるインクは、インクに含まれる各成分を適正に選択することにより、様々な方法でジェッティングが可能であり、インクジェット用インクを予め定められたパターン状に塗布することができる。
本発明にかかるインクを用いて塗布を行うのにより好ましい吐出方法は圧電素子型である。この圧電素子型のヘッドは、複数のノズルを有するノズル形成基板と、ノズルに対向して配置される圧電材料と導電材料からなる圧力発生素子と、この圧力発生素子の周囲を満たすインクとを備えた、オンデマンドインクジェット塗布ヘッドであり、印加電圧により圧力発生素子を変位させ、インクの小液滴をノズルから吐出させる。
インクジェット塗布装置は、塗布ヘッドとインク収容部とが別体となったものに限らず、それらが分離不能に一体になったものを用いるものでもよい。また、インク収容部は塗布ヘッドに対し分離可能または分離不能に一体化されてキャリッジに搭載されるもののほか、装置の固定部位に設けられて、インク供給部材、例えばチューブを介して塗布ヘッドにインクを供給する形態のものでもよい。
また、塗布ヘッドに対し好ましい負圧を作用させるための構成をインクタンクに設ける場合には、インクタンクのインク収納部に吸収体を配置した形態、あるいは可撓性のインク収容袋とこれに対しその内容積を拡張する方向の付勢力を作用するばね部とを有した形態などを採用することができる。塗布装置は、上述のようにシリアル塗布方式を採るもののほか、塗布媒体の全幅に対応した範囲にわたって塗布素子を整列させてなるラインプリンタの形態をとるものであってもよい。
７．２  溶媒乾燥
インクジェット塗布方法を用いて、基板上に、本発明のインクジェット用インクをインクジェットによって塗布した後、ホットプレート、またはオーブンなどでの加熱により溶媒（Ｃ）を気化等させて除去する、すなわち乾燥することによって、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の膜を形成することができる。インクジェット用インクが、さらに高分子化合物（Ｂ）を含む場合は、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の複合膜を形成することができる。
加熱条件は各成分の種類および配合割合によって異なるが、アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）が硬化しない温度が好ましく、通常７０〜１２０℃で、オーブンを用いた場合５〜１５分間、ホットプレートを用いた場合１〜５分間で膜が形成される。
７．３  ポリイミドの膜の形成
アルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）の膜、あるいはアルケニル置換ナジイミド化合物（Ａ）と高分子化合物（Ｂ）の複合膜を形成した後、アルケニル置換ナジイミド化合物を硬化させるために、好ましくは１５０〜３５０℃、より好ましくは２００〜３００℃で、加熱処理することによってポリイミド膜を得ることができる（オーブンを用いた場合は、３０〜９０分間、ホットプレートを用いた場合は、５〜３０分間である）。なお、高分子化合物（Ｂ）がポリアミド酸やポリアミド酸エステル等である場合は、加熱処理によるイミド化反応も同時に進行する。
膜がパターン状に形成されている場合には、パターン状のポリイミド膜が形成される。本明細書では、特に言及のない限り、ポリイミド膜は、パターン状のポリイミド膜を含むものとする。
このようにして得られたポリイミド膜は、耐熱性、電気絶縁性に優れた絶縁膜である。また、原料のインクジェット用インクがエポキシ樹脂を含む場合、比較的強靭で、耐薬品性、平坦性、密着性および耐スパッタ性に優れた絶縁膜となるので好ましい。
８  フィルム基板
本発明のフィルム基板は、例えば、インクジェット等の方法により配線が形成されたポリイミドフィルム等の基板上に、本発明のインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって全面または所定のパターン状（ライン状等）に塗布し、その後、当該基板を乾燥し、さらに加熱してポリイミド膜が形成されて得られる。
９  電子部品
例えば、予め配線が形成されたポリイミドフィルム等のフィルム基板上に、本発明のインクジェット用インクをインクジェット塗布方法によって塗布し、その後、当該フィルム基板を乾燥し、さらに加熱することによって、絶縁性を有するポリイミド膜で被覆されたフレキシブルな電子部品が得られる。
【実施例】
【０００６】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例および比較例で用いる、アルケニル置換ナジック酸無水物、アルケニル置換ナジイミド（ａ１）、ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）、酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）、ジアミン（ｂ２）、モノアミン（ｂ３）および溶媒（Ｃ）の名称を略号で示す。以下の記述にはこの略号を使用する。
アルケニル置換ナジック酸無水物
ＡＮＡ：アリルナジック酸無水物
アルケニル置換ナジイミド（ａ１）
ＡＮＩＭ：Ｎ−メチル−アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド
ビスアルケニル置換ナジイミド（ａ２）
ＢＡＮＩＭ：ビス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン
トリスアルケニル置換ナジイミド（ａ３）
ＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡ：トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリエチル｝アミン
ＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭ：トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）トリフェニル｝メタン
ＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯ：トリス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）フェニル｝ヒドロキシメタン
テトラキスアルケニル置換ナジイミド（ａ４）
ＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭ：テトラキス｛４−（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド）テトラフェニル｝メタン
酸無水物基を２つ以上有する化合物（ｂ１）
ＯＤＰＡ：３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
ジアミン（ｂ２）
ＤＤＳ：３，３’−ジアミノジフェニルスルホン
ＨＦＢＡＰＰ：４，４’−［［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビス−４，１−フェニレンオキシ］ビスベンゼンアミン
ＨＭＤＡ：ヘキサメチレンジアミン
１２ＤＡ：１，１２−ドデカンジアミン
ＢＡＥＥ：１，２−ビス（３−アミノエトキシ）エタン
ＢＡＰＢ：１，４−ビス（３−アミノプロポキシ）ブタン
ＢＡＰＥＥ：ビス［２−（３−アミノプロポキシ）エチルエーテル］
ＤＤＥＴ：４，４’−（１，２−エチンジイル）ビスベンゼンアミン
ＤＤＰ：４，４’−（１，５−ペンタンジイル）ビス−ベンゼンアミン
ＩＰＤ：イソホロンジアミン
ＡＰＤＳ：ビスアミノプロビルテトラメチルシロキサン
ＦＭ３３１１：上記式（ＸＶ）において、Ｒ３、Ｒ４がともにメチルであり、Ｒ５がメチレンであり、ｘが３でありｙが１０〜１５程度の混合物である、平均分子量が１，０００である化合物（商品名「ＦＭ３３１１」（チッソ（株）製））
モノアミン（ｂ３）
Ｓ３３０：３−アミノプロピルトリエトキシシラン
トリアミン（ｂ４）
ＴＡＥＡ：トリアミノエチルアミン
ＴｒｉｓＡＭ：トリアミノフェニルメタン
ＰＡＲＡＲＯ：パラローズアニリン
テトラアミン（ｂ５）
ＴＡＭ：テトラアミノフェニルメタン
溶媒（Ｃ）
ＥＤＭ：ジエチレングリコールメチルエチルエーテル
ＧＢＬ：γ−ブチロラクトン
ＮＭＰ：Ｎ−メチルー２−ピロリドン
［実施例１］インクジェット用インク（１）
攪拌機及び原料投入仕込み口を備えた２００ｍｌの三つ口フラスコに、以下に示すとおりに原料を仕込み、固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＭの４０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１５．２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、表面張力（２５℃）は３３ｍＮ／ｍであった。この溶液をそのままインクジェット用インク（１）として使用した。溶液の粘度は、Ｅ型粘度計（ＴＯＫＹＯ  ＫＥＩＫＩ製  ＶＩＳＣＯＮＩＣ  ＥＬＤ）で測定した。表面張力は、自動動的表面張力計（協和界面化学株式会社製  ＢＰ−Ｄ４）で測定した。
ＢＡＮＩＭ                    ４０．０ｇ
ＧＢＬ                        ３０．０ｇ
ＥＤＭ                        ３０．０ｇ
［実施例２］インクジェット用インク（２）
実施例１で用いた三つ口フラスコに、以下に示すとおりに原料を仕込み、固形分が完全に溶解するまで攪拌し、ＢＡＮＩＭの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は４２．７ｍＰａ・ｓ（２５℃）、１５．４ｍＰａ・ｓ（５０℃）であり、表面張力（２５℃）は３４ｍＮ／ｍであった。
ＢＡＮＩＭ                    ５０．０ｇ
ＧＢＬ                        ２５．０ｇ
ＥＤＭ                        ２５．０ｇ
［実施例３］インクジェット用インク（３）
実施例１で用いた三つ口フラスコに、以下に示すとおりに原料を仕込み、固形分が完全に溶解するまで攪拌し、ＡＮＩＭ／ＢＡＮＩＭの６０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１０８ｍＰａ・ｓ（２５℃）、１８．４ｍＰａ・ｓ（６０℃）であり、表面張力（２５℃）は３３ｍＮ／ｍであった。
ＡＮＩＭ                      １０．０ｇ
ＢＡＮＩＭ                    ５０．０ｇ
ＧＢＬ                        ２０．０ｇ
ＥＤＭ                        ２０．０ｇ
［実施例４］インクジェット用インク（４）
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、以下に示すとおりに原料を仕込み、乾燥窒素気流下４０℃で５ｈｒ攪拌したところ、淡黄色透明なポリアミド酸（Ｂ）の３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１５．５ｍＰａ・ｓであった。ＧＰＣで測定した重量平均分子量は２，１００であった。
ポリアミド酸の重量平均分子量は、得られたポリアミド酸をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）でポリアミド酸濃度が約１重量％になるように希釈し、ＧＰＣ装置：日本分光株式会社製、ＪＡＳＣＯ  ＧＵＬＬＩＶＥＲ  １５００（インテリジェント示差屈折率計  ＲＩ−１５３０）を用いて、上記希釈液を展開剤としてＧＰＣ法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めた。カラムは、東ソー株式会社製カラムＧ４０００ＨＸＬ、Ｇ３０００ＨＸＬ、Ｇ２５００ＨＸＬおよびＧ２０００ＨＸＬの４本をこの順序に接続して使用し、カラム温度４０℃、流速１．０ｍｌ／ｍｉｎの条件で測定した。
ＯＤＰＡ                      ５５．０ｇ
ＤＤＳ                        １１．０ｇ
Ｓ３３０                      ５９．０ｇ
ＥＤＭ                      ２９１．０ｇ
このポリアミド酸（Ｂ）溶液とＢＡＮＩＭを以下に示すとおりに仕込み、固形分が完全に溶解するまで攪拌し、固形分の５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は７５．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）、１２．５ｍＰａ・ｓ（６０℃）であり、表面張力（２５℃）は２７ｍＮ／ｍであった。
ポリアミド酸（Ｂ）溶液        ３０．０ｇ
ＢＡＮＩＭ                    １２．０ｇ
［実施例５］
実施例１で調製されたインクジェット用インク（１）をインクジェットインクとして使用し、ＦＵＪＩＦＩＬＭ  Ｄｉｍａｔｉｘ社製インクジェット塗布装置ＤＭＰ−２８３１で１．５ｍｍ厚のガラスエポキシ樹脂両面銅張り板上に１ドット幅でドットピッチ２０ミクロンに設定し、長さ５ｃｍのライン塗布を行った。インクジェットヘッドのヒーターの設定を３０℃とし、ピエゾ電圧は１６Ｖ、駆動周波数は５ｋＨｚとした。基板を８０℃のホットプレートで５分間乾燥した後、２３０℃のオーブンで３０分間加熱し、ライン状に形成されたポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜のライン幅、ライン幅の均一性を光学顕微鏡で観察し、膜厚を測定した。膜厚はＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  Ｊａｐａｎ株式会社製の触針式膜厚計αステップ２００を使用し、３箇所の測定値の平均値を膜厚とした。その結果を表１に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
［実施例６］
実施例２で調製されたインクジェット用インク（２）をインクジェットインクとして使用し、ヘッドヒーターの設定を５０℃にした以外は、実施例５と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例５と同じ条件で評価を行った。その結果を表１に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
［実施例７］
実施例３で調製されたインクジェット用インク（３）をインクジェットインクとして使用し、ヘッドヒーターの設定を６０℃にした以外は、実施例５と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例５と同じ条件で評価を行った。その結果を表１に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
［実施例８］
実施例４で調製されたインクジェット用インク（４）をインクジェットインクとして使用し、ヘッドヒーターの設定を６０℃にした以外は、実施例５と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例５と同じ条件で評価を行った。その結果を表１に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
終夜という用語が使用される場合は、約１２〜１８時間という時間を指し、「室温」が使用される場合、約２０〜２５℃という温度を指す。
［合成例１］アルケニル置換ナジイミドの合成（１）
攪拌子を入れ、ガラス栓をした２００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、室温終夜攪拌した後、室温減圧（真空計圧力０．１Ｐａ）下で、溶媒を蒸発させ、アミック酸を得た。このアミック酸をシャーレに移し、１８０℃に加熱されたオーブンに３０分間入れ、脱水閉環させ固体のイミド化物ＢＡＮＩＨＦＢＡＰＰ  ４．１ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７１０ｃｍ−１、１７７８ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        １．８５ｇ
ＨＦＢＡＰＰ                  ２．３５ｇ
ＴＨＦ                        １０．０ｇ
［合成例２］アルケニル置換ナジイミドの合成（２）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例１と同様の方法を経て、粘調な液体イミド化物ＢＡＮＩＨ  ５．９７ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９０ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ４．６７ｇ
ＨＭＤＡ                      １．３３ｇ
ＴＨＦ                        ２００．０ｍｌ
［合成例３］アルケニル置換ナジイミドの合成（３）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例１と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩ１２ＤＡ  ５．９３ｇを得た。なお、イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９２ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ４．０３ｇ
１２ＤＡ                      １．９７ｇ
ＴＨＦ                        ２００．０ｍｌ
［合成例４］アルケニル置換ナジイミドの合成（４）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、合成例１と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩＢＡＥＥ  ２７．７ｇを得た。
ＡＮＡ                        ２２．０１ｇ
ＢＡＥＥ                        ７．９９ｇ
ＴＨＦ                        ７０．０ｇ
［合成例５］アルケニル置換ナジイミドの合成（５）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、合成例１と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩＢＡＰＢ  ２８．０ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９０ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２０．００ｇ
ＢＡＰＢ                      １０．００ｇ
ＴＨＦ                        ７０．０ｇ
［合成例６］アルケニル置換ナジイミドの合成（６）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、合成例１と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩＢＡＰＥＥ  ２８．１ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９２ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        １９．４９ｇ
ＢＡＰＥＥ                    １０．５０ｇ
ＴＨＦ                        ７０．０ｇ
［合成例７］アルケニル置換ナジイミドの合成（７）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、合成例１と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＢＡＮＩＤＤＥＴ  ８．２６ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７０２ｃｍ−１、１７７０ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ５．９２ｇ
ＤＤＥＴ                      ３．０８ｇ
ＴＨＦ                        ４０．０ｇ
［合成例８］アルケニル置換ナジイミドの合成（８）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、合成例１と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＢＡＮＩＤＤＰ  ８．５８ｇを得た。
ＡＮＡ                        ５．２９ｇ
ＤＤＰ                        ３．７０ｇ
ＴＨＦ                        ２０．０ｇ
［合成例９］アルケニル置換ナジイミドの合成（９）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例１と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＢＡＮＩＩＰＤ  ２．７０ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９８ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２．１１ｇ
ＩＰＤ                        ０．８８ｇ
ＴＨＦ                        ７．０ｇ
［合成例１０］アルケニル置換ナジイミドの合成（１０）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩＡＰＤＳ  ６．７３ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９２ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ４．４７ｇ
ＡＰＤＳ                      ２．７２ｇ
ＴＨＦ                        １６．８ｇ
［合成例１１］アルケニル置換ナジイミドの合成（１１）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、粘調な液体のイミド化物ＢＡＮＩＦＭ３３１１  ７．８５ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７００ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２．４０ｇ
ＦＭ３３１１                  ５．７６ｇ
ＴＨＦ                        ２０．０ｇ
［合成例１２］アルケニル置換ナジイミドの合成（１２）
攪拌子を入れた３００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、非常に粘調な液体のイミド化物ＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡ  ４．４５ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１６９２ｃｍ−１、１７６６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ３．６３ｇ
ＴＡＥＡ                      ０．８７ｇ
ＴＨＦ                        ２００．０ｍｌ
［合成例１３］アルケニル置換ナジイミドの合成（１３）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭ  ２．９８ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７０６ｃｍ−１、１７７４ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２．０４ｇ
ＴｒｉｓＡＭ                  ０．９７ｇ
ＴＨＦ                        ７．０ｇ
［合成例１４］アルケニル置換ナジイミドの合成（１４）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯ  ２．９７ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７０６ｃｍ−１、１７７８ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２．００ｇ
ＰＡＲＡＲＯ                  １．００ｇ
ＴＨＦ                        ７．０ｇ
［合成例１５］アルケニル置換ナジイミドの合成（１５）
攪拌子を入れた１００ｍｌのナス型フラスコをスターラー上に用意し、オーブンの加熱温度が１６０℃であること以外は合成例９と同様の方法を経て、固体のイミド化物ＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭ  ２．９７ｇを得た。イミド化物の同定はＦＴ−ＩＲを用いて赤外吸収スペクトル（イミド環カルボニル基の伸縮振動１７０６ｃｍ−１、１７７６ｃｍ−１）で確認した。
ＡＮＡ                        ２．０４ｇ
ＴＡＭ                        ０．９６ｇ
ＴＨＦ                        ７．０ｇ
［実施例９］インクジェット用インク（６）
攪拌子を入れたアズワン株式会社製ラボランパックスクリュー管瓶６ｃｃをスターラー上に用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＭ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＭの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は７．１ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＭ                    ３．００ｇ
ＥＤＭ                        ４．００ｇ
ＧＢＬ                        ４．００ｇ
［実施例１０］インクジェット用インク（７）
実施例９と同様に瓶を用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＭ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＭの４０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１５．２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＭ                    ４．００ｇ
ＥＤＭ                        ３．００ｇ
ＧＢＬ                        ３．００ｇ
［実施例１１］インクジェット用インク（８）
実施例９と同様に瓶を用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＭ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＭの６０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１８９．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＭ                    ６．００ｇ
ＥＤＭ                        ２．００ｇ
ＧＢＬ                        ２．００ｇ
［実施例１２］インクジェット用インク（９）
実施例９と同様に瓶を用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＤＤＥＴ固形分は攪拌したが室温においては溶解しなかった。
ＢＡＮＩＤＤＥＴ              １．２０ｇ
ＥＤＭ                        １．４０ｇ
ＧＢＬ                        １．４０ｇ
［実施例１３］インクジェット用インク（１０）
実施例９と同様に瓶を用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＤＤＰ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＤＤＰの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は７．２ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＤＤＰ                １．２０ｇ
ＥＤＭ                        １．４０ｇ
ＧＢＬ                        １．４０ｇ
［実施例１４］インクジェット用インク（１１）
ラボランパックスクリュー管瓶１３．５ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＨＦＢＡＰＰ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＨＦＢＡＰＰの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は７．５ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＨＦＢＡＰＰ          ３．６０ｇ
ＥＤＭ                        ４．２０ｇ
ＧＢＬ                        ４．２０ｇ
［実施例１５］インクジェット用インク（１２）
ラボランパックスクリュー管瓶１３．５ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＩＰＤ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、黄色透明なＢＡＮＩＩＰＤの４０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１４．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＩＰＤ                ２．４０ｇ
ＥＤＭ                        １．８０ｇ
ＧＢＬ                        １．８０ｇ
［実施例１６］インクジェット用インク（１３）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＡＰＤＳ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＡＰＤＳの５５重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１４．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＡＰＤＳ              ６．６０ｇ
ＥＤＭ                        ２．７０ｇ
ＧＢＬ                        ２．７０ｇ
［実施例１７］インクジェット用インク（１４）
実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＡＰＤＳ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＡＰＤＳの７０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１６．５ｍＰａ・ｓ（７０℃）であった。
ＢＡＮＩＡＰＤＳ              １．４０ｇ
ＧＢＬ                        ０．６０ｇ
［実施例１８］インクジェット用インク（１５）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＦＭ３３１１固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＦＭ３３１１の６０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１４．７ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＦＭ３３１１          ７．２０ｇ
ＥＤＭ                        ２．４０ｇ
ＧＢＬ                        ２．４０ｇ
［実施例１９］インクジェット用インク（１６）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＨ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＨの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１４．３ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＨ                    ６．００ｇ
ＥＤＭ                        ３．００ｇ
ＧＢＬ                        ３．００ｇ
［実施例２０］インクジェット用インク（１７）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩ１２ＤＡ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩ１２ＤＡの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１５．８ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩ１２ＤＡ              ６．００ｇ
ＥＤＭ                        ３．００ｇ
ＧＢＬ                        ３．００ｇ
［実施例２１］インクジェット用インク（１８）
実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＢＡＥＥ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＢＡＥＥの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１７．３ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＢＡＥＥ              ２．００ｇ
ＥＤＭ                        １．００ｇ
ＧＢＬ                        １．００ｇ
［実施例２２］インクジェット用インク（１９）
実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＢＡＰＢ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＢＡＰＢの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１８．４ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＢＡＰＢ              ２．００ｇ
ＥＤＭ                        １．００ｇ
ＧＢＬ                        １．００ｇ
［実施例２３］インクジェット用インク（２０）
実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＢＡＮＩＢＡＰＥＥ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＢＡＮＩＢＡＰＥＥの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１７．７ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＢＡＮＩＢＡＰＥＥ            ２．００ｇ
ＥＤＭ                        １．００ｇ
ＧＢＬ                        １．００ｇ
［実施例２４］インクジェット用インク（２１）
実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡ固形分が完全に混合するまで攪拌し、褐色透明なＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡの５０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１６．１ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＴｒｉｓＡＮＩＴＡＥＡ        ２．４０ｇ
ＥＤＭ                        １．２０ｇ
ＧＢＬ                        １．２０ｇ
［実施例２５］インクジェット用インク（２２）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、赤褐色透明なＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は８．９ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＴｒｉｓＡＮＩＴｒｉｓＡＭ    ３．６０ｇ
ＥＤＭ                        ４．２０ｇ
ＧＢＬ                        ４．２０ｇ
［実施例２６］インクジェット用インク（２３）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、赤紫透明なＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１３．８ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＴｒｉｓＡＮＩＰＡＲＡＲＯ    ３．６０ｇ
ＥＤＭ                        ４．２０ｇ
ＧＢＬ                        ４．２０ｇ
［実施例２７］インクジェット用インク（２４）
ラボランパックスクリュー管瓶２０ｃｃを使用したこと以外は実施例９と同様に瓶を用意した。以下に示すとおりに原料を仕込み、ＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭ固形分が完全に溶解するまで攪拌し、褐色透明なＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭの３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１３．８ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＴｅｔｒａｋｉｓＡＮＩＴＡＭ  ３．６０ｇ
ＥＤＭ                        ４．２０ｇ
ＧＢＬ                        ４．２０ｇ
［比較例１］インクジェット用インク（５）
実施例１で用いた三つ口フラスコに、以下に示すとおりに原料を仕込み、乾燥窒素気流下４０℃で１０ｈｒ攪拌した後、７０℃に昇温して８ｈｒ攪拌して減粘し、黄色透明なポリアミド酸の８重量％溶液を得た。この溶液の粘度は９．１ｍＰａ・ｓ（２５℃）であり、表面張力（２５℃）は４３ｍＮ／ｍであった。本合成例では、溶媒としてＥＤＭを使用すると反応生成物が析出するため、ＮＭＰを使用した。ＧＰＣで測定した重量平均分子量は２５，０００であった。この溶液をそのままインクジェット用インク（５）とした。
ＯＤＰＡ                        ５．０ｇ
ＤＤＳ                          ４．０ｇ
ＮＭＰ                      １０３．５ｇ
［比較例２］
比較例１で調製されたインクジェット用インク（５）をインクジェットインクとして使用した以外は、実施例５と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例５と同じ条件で評価を行った。その結果を表１に示す。ライン幅は塗布したときの幅より大幅に広がり、ラインのエッジの直線性も不十分であり、また、ラインは十分な厚みを有していなかった。
【表１】
2008059986.tif 000060
［実施例２８］耐熱性試験
実施例９から２７で得られたインクジェット用インクのうち実施例１０、１１、１２、１７を除いたインクの耐熱性試験を行った。インクジェット用インク１ｍｌをガラス基板上に滴下し、スピンコートを行った。基板を８０℃のホットプレートで５分間乾燥した後、２３０℃のオーブンで３０分間加熱し、ポリイミドの絶縁膜を得た。更に２５０℃に加熱したオーブンで３０分間加熱した。８０℃の乾燥後、２３０℃の加熱後、２５０℃の加熱後に膜厚を測定し、減少率を算出した。また、同時に加熱時の膜の流動（リフロー）の有無も調べた。その結果を表２に示す。
【表２】
2008059986.tif 000061
2008059986.tif 000062
［実施例２９］保存安定性試験
実施例９、実施例１０で得られたインクジェット用インクの保存安定性試験を行った。インクをサンプル瓶に入れ、作製当日の粘度及び１４０日間室温保存後の粘度を測定した。その結果を、表３に示す。
［比較例３］インクジェット用インク（２５）
攪拌機及び原料投入仕込み口を備えた５００ｍｌセパラブルフラスコを用意し、以下に示すとおりに原料を仕込み、固形分が完全に溶解するまで攪拌し、透明な３０重量％溶液を得た。この溶液の粘度は１７．６ｍＰａ・ｓ（２５℃）であった。
ＯＤＰＡ                      ２６．４５ｇ
ＤＤＳ                        ５．３ｇ
Ｓ３３０                      ２８．２５ｇ
ＥＤＭ                        １４０ｇ
［比較例４］保存安定性試験
比較例３で得られたインクジェット用インクの保存安定性試験を行った。インクをサンプル瓶に入れ、作製当日の粘度及び１４０日間室温保存後の粘度を測定した。その結果を、表３に示す。
【表３】
2008059986.tif 000063
［実施例３０］
実施例１０で調製されたインクジェット用インク（７）をインクジェットインクとして使用し、ＦＵＪＩＦＩＬＭ  Ｄｉｍａｔｉｘ社製インクジェット塗布装置ＤＭＰ−２８３１で０．７ｕｍ厚のガラス基板上に１ドット幅でドットピッチ２０ミクロンに設定し、長さ５ｃｍのライン塗布を行った。インクジェットヘッドのヒーターの設定を３０℃とし、ピエゾ電圧は３０Ｖ、駆動周波数は５ｋＨｚとした。基板を８０℃のホットプレートで５分間乾燥した後、２３０℃のオーブンで３０分間加熱し、ライン状に形成されたポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜のライン幅、ライン幅の均一性を光学顕微鏡で観察し、膜厚を測定した。膜厚はＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ  Ｊａｐａｎ株式会社製の触針式膜厚計αステップ２００を使用し、３箇所の測定値の平均値を膜厚とした。その結果を表４に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
［実施例３１］
実施例１６で調製されたインクジェット用インク（１３）をインクジェットインクとして使用し、ピエゾ電圧は１６Ｖ、ヘッドヒーターの設定を７０℃にした以外は、実施例３０と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例３０と同じ条件で評価を行った。その結果を表４に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
［実施例３２］
実施例１９で調製されたインクジェット用インク（１６）をインクジェットインクとして使用し、ピエゾ電圧は１８Ｖにした以外は、実施例３０と同じ条件でポリイミドの絶縁膜を得た。
得られたポリイミド膜について、実施例３０と同じ条件で評価を行った。その結果を表４に示す。ラインは十分な厚みを有していた。
【表４】
2008059986.tif 000064
【産業上の利用可能性】
【０００７】
本発明の活用法として、例えば、フレキシブル配線基板用絶縁膜、それを用いた電子部品を挙げることができる。
【図１】
2008059986.tif 000076
【図２】
2008059986.tif 000077
【図３】
2008059986.tif 000078
【図４】
2008059986.tif 000079
【図５】
2008059986.tif 000080
【図６】
2008059986.tif 000081
【図７】
2008059986.tif 000082
【図８】
2008059986.tif 000083
【国際調査報告】
2008059986.tif 000084
2008059986.tif 000085
2008059986.tif 000086
2008059986.tif 000087
2008059986.tif 000088