(57)【要約】  本発明は、一般式（１）：2008050733.tif 000012      式中、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示す。Ｘは、アルキル基、シクロア      ルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミ      ノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アリールアルキルアミノカルボニ      ル基、アルキルメルカプトカルボニル基、アリールメルカプトカルボニル基、アル      キルスルホニル基、またはアリールスルホニル基を示す、なお、Ｘの炭素原子上の      ひとつ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ア      リール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルメルカプト      基、アリールメルカプト基、置換アミノ基で置換されていても良い、で示される金錯体及びその製法、並びに当該金錯体を用いる有機紫外電界発光素子を提供する。
2008050733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）：
2008050733.tif 000010
式中、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示し、Ｘは、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキル
アミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アリールアルキルアミノカ
ルボニル基、アルキルメルカプトカルボニル基、アリールメルカプトカルボニル
基、アルキルスルホニル基、またはアリールスルホニル基を示す；なお、Ｘの炭
素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、置換アミノ基で置換されてい
ても良い、
で示される金錯体。
【請求項２】
Ｌが、一般式（２）又は（３）：
2008050733.tif 000011
式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ同一又は異なっていても良く、アルキル基、シク
ロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及び
Ｒ６は、それぞれ同一又は異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基を示し、隣接している基同士が結
合して環を形成していても良い；なお、Ｒ１〜Ｒ６の任意の水素原子は、ハロゲン
原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基
、アルコキシ基又はアリールオキシ基で置換されていても良い、
で示される請求項１記載の金錯体。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のポリシクロアルキル基又は炭素原子数６〜２０のアリール基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６が、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基である請求項２記載の金錯体。
【請求項４】
ポリシクロアルキル基が、ビシクロ−［２．１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−オクチル基又はアダマンチル基である請求項３記載の金錯体。
【請求項５】
Ｒ１及びＲ２が、ｔｅｒｔ−ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６が、水素原子又は塩素原子である請求項２又は３記載の金錯体。
【請求項６】
Ｘが、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項７】
Ｘが、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項８】
Ｘが、炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項９】
Ｘが、炭素数２〜１０のアルキルアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１０】
Ｘが、炭素数７〜１８のアリールアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１１】
Ｘが、炭素数８〜１８のアリールアルキルアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１２】
Ｘが、炭素数２〜１８のアルキルメルカプトカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１３】
Ｘが、炭素数７〜１８のアリールメルカプトカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１４】
Ｘが、炭素数１〜１２のアルキルスルホニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１５】
Ｘが、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い請求項１記載の金錯体。
【請求項１６】
Ｘが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基である請求項１又は６に記載の金錯体。
【請求項１７】
Ｘが、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペントキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である請求項１又は７に記載の金錯体。
【請求項１８】
Ｘが、フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基である請求項１又は８に記載の金錯体。
【請求項１９】
Ｘが、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基である請求項１又は９に記載の金錯体。
【請求項２０】
Ｘが、フェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基である請求項１又は１０に記載の金錯体。
【請求項２１】
Ｘが、フェニルメチルアミノカルボニル基、フェニルエチルアミノカルボニル基、トリルメチルアミノカルボニル基、トリルエチルアミノカルボニル基、ナフチルメチルアミノカルボニル基、ナフチルエチルアミノカルボニル基である請求項１又は１１に記載の金錯体。
【請求項２２】
Ｘが、メチルメルカプトカルボニル基、エチルメルカプトカルボニル基、プロピルメルカプトカルボニル基である請求項１又は１２に記載の金錯体。
【請求項２３】
Ｘが、フェニルメルカプトカルボニル基、トリルメルカプトカルボニル基、ナフチルメルカプトカルボニル基である請求項１又は１３に記載の金錯体。
【請求項２４】
Ｘが、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基である請求項１又は１４に記載の金錯体。
【請求項２５】
Ｘが、フェニルスルホニル基、トリルスルホニル基、ナフチルスルホニル基である請求項１又は１５に記載の金錯体。
【請求項２６】
請求項１の金錯体が、400nm以下の紫外域に燐光発光ピークを有する金錯体である請求項１乃至２５に記載の金錯体。
【請求項２７】
置換エチニル金ホスフィン錯体と含窒素へテロ環カルベン配位子を反応させる請求項１記載の金錯体の製法。
【請求項２８】
含窒素へテロ環カルベン配位子が、窒素へテロ環ヒドロハライドと塩基との反応によって得られたものである請求項２７記載の金錯体の製法。
【請求項２９】
反応が、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、含窒素へテロ環カルベン配位子を１〜３モル使用する請求項２７記載の金錯体の製法。
【請求項３０】
反応が、置換エチニル金ホスフィン錯体と含窒素へテロ環カルベン配位子を混合し、溶媒の存在下、０〜１２０℃の温度で攪拌することにより行われる請求項２７乃至２９記載の金錯体の製法。
【請求項３１】
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が請求項１記載の金錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機紫外電界発光素子（有機紫外エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な新規な金錯体及びその製法、並びに当該金錯体を用いる有機紫外電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外発光素子は、例えば、樹脂硬化分析や医療用マーカの照射光源、光触媒の励起光源、又は白色ＬＥＤを実現するための構成部品として、種々の用途が期待されている。従来、紫外域の短波長域において発光する紫外発光素子用材料としては、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）などの無機窒化物半導体が用いられているが、有機材料を用いたものは知られていない。有機材料で素子を構成することにより可撓性の付与、製造コストの大幅な低減化が期待できるが、未だ適切な有機紫外発光材料が見出されていないため実現には至っていない。
一方、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、近年、高性能平面カラーディスプレイ用表示装置として注目されている。その発光材料としては発光分子の励起１重項からの発光を利用する蛍光材料が主に用いられているが、更なる高効率を達成するために励起３重項からの発光を利用する燐光発光材料の開発が盛んに行われている。
しかしながら、紫外域で発光する燐光発光材料としては、例えば、イリジウム錯体の例が１件報告されているのみであり（例えば、非特許文献１参照）、これは非常に低収率の合成法しかなく、工業的な応用に難があると考えられる。一方、金錯体については青色領域で発光することは知られているが、（例えば、特許文献１参照）紫外域での発光は報告されていない。実用的な有機紫外発光材料は、従来の有機ＥＬフルカラー化の方式である「三色塗り分け法」に比べてデバイス製造が容易であるという利点がある。又、もう一つの方式である「白色カラーフィルター法」に比べて発光効率・色再現性で勝る「色変換法（ＣＣＭ法）」について、励起光源である有機青色発光材料をより高エネルギーである紫外発光材料と置き換えることで、更なる高効率化が達成され、将来の大型有機ＥＬテレビの実現には最も適したカラー化方法となることが期待されている。
【特許文献１】WO 2006/080515 A1
【非特許文献１】Inorg. Chem.,44,7992(2005).
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、有機紫外電界発光素子（有機紫外エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な新規な金錯体（400nm以下の紫外域に燐光発光を有し、素子化後の電圧印加時に発生するジュール熱に耐えうる200℃以上の高い融点を持つ）及びその製法、並びに当該金錯体を用いる有機紫外電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の課題は、一般式（１）：【０００５】
2008050733.tif 000003
【０００６】
式中、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示し、Ｘは、アルキル基、シクロ
アルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキル
アミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アリールアルキルアミノカ
ルボニル基、アルキルメルカプトカルボニル基、アリールメルカプトカルボニル
基、アルキルスルホニル基、またはアリールスルホニル基を示す、なお、Ｘの炭
素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロ
アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、
アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、置換アミノ基で置換されてい
ても良い、
で示される金錯体によって解決される。【０００７】
本発明においては、また、置換エチニル金ホスフィン錯体と含窒素へテロ環カルベン配位子を反応させることを特徴とする前記金錯体の製法が提供される。【０００８】
本発明においては、更に、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が前記金錯体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、有機紫外電界発光素子（有機紫外エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な新規な金錯体及びその製法、並びに当該金錯体を用いる有機紫外電界発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施例８記載のエレクトロルミネッセンス素子概略図であり、図中、参照番号１はガラス基板を示し、２はＩＴＯ被膜（正極）を、３はホール輸送層を、４は発光層を、５はホールブロック層を、６はＡｌ電極を、７は電子輸送層をそれぞれ示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の金錯体は、前記の一般式（１）で示される。その一般式（１）において、Ｌは、含窒素へテロ環カルベン配位子を示し、Ｘは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、アリールアミノカルボニル基、アリールアルキルアミノカルボニル基、アルキルメルカプトカルボニル基、アリールメルカプトカルボニル基、アルキルスルホニル基、またはアリールスルホニル基を示す。【００１２】
前記アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のその異性体も含む。【００１３】
前記シクロアルキル基としては炭素数３〜１２のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。【００１４】
前記アルコキシカルボニル基としては炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基が好ましく、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペントキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。【００１５】
前記アリールオキシカルボニル基としては炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基が好ましく、例えば、フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等が挙げられる。【００１６】
前記アルキルアミノカルボニル基としては炭素数２〜１０のアルキルアミノカルボニル基が好ましく、例えば、ジメチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、ジプロピルアミノカルボニル基等が挙げられる。【００１７】
前記アリールアミノカルボニル基としては炭素数７〜１８のアリールアミノカルボニル基が好ましく、例えば、フェニルアミノカルボニル基、ジフェニルアミノカルボニル基、ジトリルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基等が挙げられる。【００１８】
前記アリールアルキルアミノカルボニル基としては炭素数８〜１８のアリールアルキルアミノカルボニル基が好ましく、例えば、フェニルメチルアミノカルボニル基、フェニルエチルアミノカルボニル基、トリルメチルアミノカルボニル基、トリルエチルアミノカルボニル基、ナフチルメチルアミノカルボニル基、ナフチルエチルアミノカルボニル基等が挙げられる。【００１９】
前記アルキルメルカプトカルボニル基としては炭素数２〜１８のアルキルメルカプトカルボニル基が好ましく、例えば、メチルメルカプトカルボニル基、エチルメルカプトカルボニル基、プロピルメルカプトカルボニル基等が挙げられる。【００２０】
前記アリールメルカプトカルボニル基としては炭素数２〜１８のアリールメルカプトカルボニル基が好ましく、例えば、フェニルメルカプトカルボニル基、トリルメルカプトカルボニル基、ナフチルメルカプトカルボニル基等が挙げられる。【００２１】
前記アルキルスルホニル基としては炭素数１〜１２のアルキルスルホニル基が好ましく、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等が挙げられる。【００２２】
前記アリールスルホニル基としては炭素数６〜１８のアリールスルホニル基が好ましく、例えば、フェニルスルホニル基、トリルスルホニル基、ナフチルスルホニル基等が挙げられる。【００２３】
なお、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルメルカプト基、アリールメルカプト基、置換アミノ基で置換されていても良い。【００２４】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【００２５】
前記アルキル基としては、炭素原子数１〜２０、特に１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２６】
前記シクロアルキル基としては、特に炭素原子数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。【００２７】
前記アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２８】
前記アリール基としては、炭素原子数６〜２０、特に６〜１６のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００２９】
前記アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基等が挙げられる。【００３０】
前記アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３１】
前記アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、例えば、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３２】
前記アルキルメルカプト基としては、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基が好ましく、例えば、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基、ブチルメルカプト基、ペンチルメルカプト基、ヘキシルメルカプト基が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３３】
前記アリールメルカプト基としては炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基が好ましく、例えば、フェニルメルカプト基、トリルメルカプト基、キシリルメルカプト基、ナフチルメルカプト基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３４】
前記置換アミノ基としては、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基が好ましく、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、フェニルアミノ基、トリルアミノ基、キシリルアミノ基、ナフチルアミノ基、フェニルメチルアミノ基、フェニルエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３５】
Ｘの炭素原子上の複数の水素原子が、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、置換アミノ基で置換されている場合、隣接している基同士が結合して環を形成しても良い。【００３６】
前記隣接している基同士が結合して環を形成する場合の環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロフラン環、ベンゾピラン環、Ｎ−メチルピロリジン環、Ｎ−メチルピペリジン環等が挙げられる。【００３７】
本発明においては、以下の（１）〜（１０）から選択される少なくとも一の金錯体が好ましい。
（１）Ｘが、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００３８】
（２）Ｘが、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００３９】
（３）Ｘが、炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４０】
（４）Ｘが、炭素数２〜１０のアルキルアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４１】
（５）Ｘが、炭素数７〜１８のアリールアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４２】
（６）Ｘが、炭素数８〜１８のアリールアルキルアミノカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４３】
（７）Ｘが、炭素数２〜１８のアルキルメルカプトカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４４】
（８）Ｘが、炭素数７〜１８のアリールメルカプトカルボニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４５】
（９）Ｘが、炭素数１〜１２のアルキルスルホニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４６】
（１０）Ｘが、炭素数６〜１８のアリールスルホニル基から選択されたものであり、Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルメルカプト基、炭素原子数６〜１４のアリールメルカプト基、炭素原子数１〜１４の置換アミノ基で置換されていても良い金錯体。【００４７】
又、含窒素へテロ環カルベン配位子は、一般式（２）又は（３）：【００４８】
2008050733.tif 000004
【００４９】
式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ同一又は異なっていても良く、アルキル基、シク
ロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及び
Ｒ6は、それぞれ同一又は異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基を示し、隣接している基同士
が結合して環を形成していても良い；なお、Ｒ1〜Ｒ6の任意の水素原子は、ハロ
ゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラル
キル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基で置換されていても良い、
で示される。【００５０】
ここで、Ｒ１及びＲ２は、アルキル基、シクロアルキル基、ポリシクロアルキル基又はアリール基を示すが、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、前記Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子を置換するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基として定義したものと同義である。【００５１】
前記ポリシクロアルキル基としては、炭素数６〜１０のポリシクロアルキル基が好ましく、ビシクロ−［２．１．１］−ヘキシル基、ビシクロ−［２．２．１］−ヘプチル基、ビシクロ−［２．２．２］−オクチル基、ビシクロ−［３．３．０］−オクチル基、ビシクロ−［４．３．０］−ノニル基、ビシクロ−［４．４．０］−オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。【００５２】
又、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基を示すが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基又はジアルキルアミノ基については前記Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子を置換するものとして定義したものと同義である。【００５３】
本発明においては、Ｒ１及びＲ２が、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜７のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のポリシクロアルキル基又は炭素原子数６〜２０のアリール基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６が、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又は炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基であることが好ましい。【００５４】
なお、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基で置換されても良いく、これらの基も前記Ｘの炭素原子上のひとつ又は複数の水素原子を置換するものとして定義したものと同義である。これらの中でも、Ｒ１及びＲ２としては、ｔｅｒｔ-ブチル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基又はアダマンチル基が好ましく、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６としては、水素原子又はハロゲン原子、特に塩素原子が好ましい。【００５５】
本発明における含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）の具体的としては、例えば、式（４）〜（１３）：【００５６】
2008050733.tif 000005
【００５７】
で示される配位子が挙げられる。【００５８】
本発明の一般式（１）で示される金錯体は、例えば、反応工程式（１）：【００５９】
2008050733.tif 000006
【００６０】
式中、Ｘ及びＬは、前記と同義であり、Ｐは、単座ホスフィン配位子を示す、
で示されるように、置換エチニル金ホスフィン錯体と含窒素へテロ環カルベン配位子（Ｌ）とを反応させることによって得られる（なお、この反応は概ね８０％以上の収率で進行する）。【００６１】
前記単座ホスフィン配位子（Ｐ）としては、例えば、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、（４−ブロモフェニル）ジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、４−（ジメチルアミノ）フェニルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニル（２−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニル−２−ピリジルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（３−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（３−フルオロフェニルホスフィン）、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ネオメンチルジフェニルホスフィン、ｐ−トリルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、２，４，４−トリメチルペンチルホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシプロピル）ホスフィン等が挙げられる。これらは市販のものをそのまま使用することが出来る。【００６２】
前記置換エチニル金ホスフィン錯体は、例えば、反応工程式（２）：【００６３】
2008050733.tif 000007
【００６４】
式中、Ｘ及びＰは、前記と同義であり、Ｙは、ハロゲン原子を示す、
で示されるように、金ハロゲノホスフィン錯体と置換フェニルエチンとを反応させることによって得られる（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，１９８６，４１１参照。）。なお、この反応は概ね９０％以上の収率で進行する。従って本発明の反応においては２工程で概ね７０％以上の高収率で進行し、所望の金錯体を与える。【００６５】
なお、前記金ハロゲノホスフィン錯体は、公知の方法によって合成可能である（例えば、実験化学講座，第４版，丸善社，４５５頁，１８巻（１９９１年）参照）。【００６６】
前記含窒素へテロ環カルベン配位子は、市販品をそのまま用いても良いし、例えば、公知の方法によって合成したものを使用しても良い（例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１４，５５３０（１９９２）及び国際公開第９８／２７０６４号パンフレット参照）。【００６７】
一般式（１４）：【００６８】
2008050733.tif 000008
【００６９】
式中、Ｘは、前記と同義である、
で示される前記置換エチン化合物は、市販品を用いても良いし、既知の置換エチン合成法で合成しても良い（例えば、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ＶＣＨ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，Ｉｎｃ．２８３頁，（１９８９年）参照）。【００７０】
本発明の金錯体の合成において、含窒素へテロ環カルベン配位子の使用量は、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、好ましくは１〜３モル、更に好ましくは１〜１．５モルである。【００７１】
本発明の金錯体の合成において使用する溶媒としては、反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、テトラヒドロフラン、フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が使用される。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。【００７２】
前記溶媒の使用量は、反応液の均一性や攪拌性により適宜調節するが、置換エチニル金ホスフィン錯体１モルに対して、好ましくは１〜３０Ｌ、更に好ましくは５〜２０Ｌである。【００７３】
本発明の金錯体の合成は、例えば、置換エチニル金ホスフィン錯体、含窒素へテロ環カルベン配位子（含窒素へテロ環ヒドロハライドと塩基との反応によって生成させる）及び溶媒を混合して、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる。その際の反応温度は、好ましくは０〜１２０℃、更に好ましくは２０〜１００℃であり、反応圧力は特に制限されない。【００７４】
本発明の金錯体は、反応終了後、例えば、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、昇華、クロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・生成される。【００７５】
本発明の金錯体としては、例えば、式（１５）〜（２１）：【００７６】
2008050733.tif 000009
【００７７】
等が挙げられる。【００７８】
本発明の金錯体は、クロロホルム中、温度７７Ｋ（ケルビン）において紫外線照射下に、発光極大波長360〜380nm、ＣＩＥ色度座標（０．１６２，０．０６０）〜（０．１７６，０．１１６）の紫外域のリン光発光を示した。このことにより、当該金錯体が、有機紫外発光素子及び電界発光素子用発光材料として好適に用いられることが示唆される。【００７９】
また、熱分析の結果、本発明の金錯体の融点は200℃以上であり、有機エレクトロルミネッセンス素子として好適に用いられることが示唆された。【００８０】
次に、本発明の有機紫外電界発光素子（以下紫外EL素子）について、その実施形態を示す。【００８１】
本発明の紫外EL素子は、当該金錯体を、有機化合物薄層のうちの少なくとも１層に含むものであり、紫外EL素子としては、好ましくは一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する紫外EL素子である。なお、有機化合物層とは、発光層、電子注入層又は正孔輸送層である。【００８２】
単層型の紫外EL素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための正孔注入材料又は電子注入材料を含有しても良い。【００８３】
多層型の有機紫外EL素子としては、例えば、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。【００８４】
発光層には、式（１）で表される金錯体の他に、例えば、公知の有機電界素子材料（例えば、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等及びそれらの誘導体、及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリスチレン、ポリビニルナフタレン、導電性高分子、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等及びそれらの誘導体等、縮合多環芳香族（例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン又はそれらの誘導体等）、芳香族ケイ素化合物（例えば、テトラフェニルシラン及びその誘導体等）、芳香族ゲルマニウム化合物（テトラフェニルゲルマニウム等）からなる群より選ばれる少なくともひとつの材料を存在させても良い。【００８５】
当該金錯体の有機化合物層への添加量は、有機化合物層１ｇに対して、好ましくは０．００５〜１ｇであり、より好ましくは０．０１ｇ〜０．２０ｇである。【００８６】
この紫外EL素子は、発光材料、他のドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することもできる。更に、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。【００８７】
本発明の有機紫外EL素子において使用出来る公知の正孔注入材料の中で、効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体又はフタロシアニン誘導体であり、具体的には、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下α−ＮＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー或いはポリマー等の芳香族三級アミン誘導体；Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００８８】
本発明の有機紫外EL素子において、効果的な公知の電子注入材料としては、金属錯体化合物又は含窒素五員環誘導体（好ましくは、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体）であり、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等の金属錯体化合物；２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを示す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等の含窒素五員誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００８９】
本発明の有機紫外EL素子は、電荷注入性向上のために発光層と電極との間に無機化合物層を設けることも出来る。【００９０】
この無機化合物層としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属フッ化物；ＢａＦ２、ＳｒＦ２等のアルカリ土類金属フッ化物；Ｌｉ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物；ＲａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物が使用される。【００９１】
本発明の有機紫外EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅV前後より大きいもの、例えば、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることが出来る。ただし、陽極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陰極に使用される導電性材料の仕事関数より０.１ｅV以上大きなものを用いることが望ましい。【００９２】
陰極に使用される導電性物質としては、仕事関数が４ｅV前後より小さいもの例えば、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等又はそれらの合金が用いられる。ここで合金とは、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。ただし、陰極に使用されるこれらの導電性材料の仕事関数は当該素子の陽極に使用される導電性材料の仕事関数より０.１ｅV以上小さいものを用いることが望ましい。【００９３】
陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。【００９４】
本発明の有機紫外EL素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。又、基板も透明であることが望ましい。【００９５】
透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着又はスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定して得られる。【００９６】
発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。【００９７】
基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィルムが使用される。【００９８】
透明性樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。【００９９】
本発明の有機紫外EL素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、又はシリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護しても良い。【０１００】
又、有機紫外EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、又はスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。膜厚は特に制限されないが、好ましくは５ｎｍ〜１０μｍ、更に好ましくは１０ｎｍ〜０．２μｍである。【０１０１】
湿式成膜法の場合、各層上に当該金錯体を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解又は分散させて薄膜を調製することが出来る。【０１０２】
乾式成膜法としては、真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０−３Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明の金錯体を加熱し、該材料を蒸発させることにより薄膜を調製することが出来る。この時、蒸着源の温度をコントロールするためには、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。又、蒸着量をコントロールするためには、蒸着膜厚計が好適に用いられる。【０１０３】
蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。【０１０４】
ＣＢＰ等のホスト材料と本発明の金錯体の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことが出来る。【０１０５】
ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のために、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂等の樹脂、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を使用しても良い。【０１０６】
本発明の有機紫外EL素子は、樹脂硬化分析や医療用マーカの照射光源、光触媒の励起光源、あるいは白色ＬＥＤを実現するための構成部品さらには高性能平面カラーディスプレイ用表示装置として期待されるフルカラー有機ＥＬ素子用励起光源となることが期待される。
【実施例】
【０１０７】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。【０１０８】
実施例１（シクロヘキシルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ＣｙＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．１８７ｇ，０．４４ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０７５ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（７ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（７ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をシクロヘキシルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．１９５ｇ，０．３４ｍｍｏｌ）、トルエン７ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解しヘキサンで再沈殿することにより、白色固体である目的物を０．２０ｇ得た。（収率８５％）【０１０９】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４９−７．４４（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．０６（ｄ，２Ｈ），２．６５−２．６０（ｓｅｐｔ，４Ｈ），２．３２−２．２５（ｍ，１Ｈ），１．７９−１．１０（ｍ，３４Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６９２（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２１４℃
元素分析  観測値  Ｃ：６１．２１，Ｈ：６．９５，Ｎ：３．９８
理論値  Ｃ：６０．６８，Ｈ：６．８４，Ｎ：４．０４【０１１０】
実施例２（ｎ−ブチルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ｎ−ＢｕＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．１８７ｇ，０．５２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０８９ｇ，０．６８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（８ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をｎ−ブチルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．２１５ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、トルエン８ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、白色固体である目的物を０．２２ｇ得た。（収率８２％）【０１１１】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４９−７．４４（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．０７（ｄ，２Ｈ），２．６６−２．５２（ｓｅｐｔ，４Ｈ），２．２１−２．１６（ｍ，２Ｈ），１．４５−１．１３（ｍ，２８Ｈ），０．８２−０．７７（ｍ，３Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６６６（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２１５℃
元素分析  観測値  Ｃ：５９．１８，Ｈ：６．５９，Ｎ：３．２１
理論値  Ｃ：５９．４５，Ｈ：６．８０，Ｎ：４．２０【０１１２】
実施例３（シクロペンチルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ＣｐＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．２５１ｇ，０．５９ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．１００ｇ，０．７６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（９ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（９ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をシクロペンチルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．２５０ｇ，０．４５ｍｍｏｌ）、トルエン９ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体を酢酸エチルに溶解しヘキサンで再沈殿することにより、白色固体である目的物を０．２５ｇ得た。（収率８２％）【０１１３】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５０−７．４５（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２６（ｍ，４Ｈ），７．０６（ｄ，２Ｈ），２．６５−２．６０（ｍ，５Ｈ），１．８４−１．８１（ｍ，２Ｈ），１．６０−１．１６（ｍ，２８Ｈ），０．９０−０．８６（ｍ，２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６７８（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２４４℃
元素分析  観測値  Ｃ：６０．２２，Ｈ：６．４７，Ｎ：４．１９
理論値  Ｃ：６０．１７，Ｈ：６．６８，Ｎ：４．１３【０１１４】
実施例４（ｔｅｒｔ−ブチルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ｔ−ＢｕＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．２３８ｇ，０．５６ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０９６ｇ，０．７３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８．５ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（８．５ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をｔｅｒｔ−ブチルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．２３５ｍｇ，０．４３ｍｍｏｌ）、トルエン８．５ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、白色固体である目的物を０．２５ｇ得た。（収率８６％）【０１１５】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５０−７．４５（ｍ，２Ｈ），７．２９−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．０６（ｄ，２Ｈ），２．６７−２．５５（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３４（ｄ，１２Ｈ），１．１８（ｄ，１２Ｈ），１．１１（ｓ，９Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６６６（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２０１℃
元素分析  観測値  Ｃ：５９．１６，Ｈ：６．７２，Ｎ：４．１８
理論値  Ｃ：５９．４５，Ｈ：６．８０，Ｎ：４．２０【０１１６】
実施例５（シクロプロピルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ｃＰｒＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．２３８ｇ，０．５６ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０７５ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（９ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（９ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をシクロプロピルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．２２５ｇ，０．４３ｍｍｏｌ）、トルエン９ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝５／１）によって精製した後、ヘキサンで洗浄濾過することにより、白色固体である目的物を０．１３ｇ得た。（収率４２％）【０１１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４９−７．４４（ｍ，２Ｈ），７．２７−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．０６（ｄ，２Ｈ），２．６５−２．５１（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．３４（ｄ，１２Ｈ），１．２０−１．１８（ｍ，１３Ｈ），０．５４−０．５１（ｍ，４Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６５０（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２６５℃
元素分析  観測値  Ｃ：５８．７９，Ｈ：６．１２，Ｎ：４．３５
理論値  Ｃ：５９．０７，Ｈ：６．３５，Ｎ：４．３１【０１１８】
実施例６（メトキシカルボニルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ＭＣＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．１９１ｇ，０．４５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０７７ｇ，０．５９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（７ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（７ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をメトキシカルボニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．１８８ｇ，０．３５ｍｍｏｌ）、トルエン７ｍｌを加えた別の３０ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝５／１）によって精製した後、ヘキサンで洗浄濾過することにより、白色固体である目的物を０．１６ｇ得た。（収率７０％）【０１１９】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．６１−７．４７（ｍ，２Ｈ），７．２９−７．２６（ｍ，４Ｈ），７．１３（ｄ，２Ｈ），３．５９（ｓ，３Ｈ），２．５７−２．４５（ｓｅｐｔ，４Ｈ），１．４２（ｄ，１２Ｈ），１．２０（ｄ，１２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６６８（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７４（ｍａｘ）
熱分析：融点：３０３℃
元素分析  観測値  Ｃ：５５．０２，Ｈ：５．６３，Ｎ：４．１４
理論値  Ｃ：５５．６９，Ｈ：５．８８，Ｎ：４．１９【０１２０】
実施例７（ｐ−トリルスルホニルエチニル［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］金  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ｐＴｓＥ）]の合成）
アルゴン雰囲気下、１５ｍｌシュレンク管に１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリウムクロライド（ＩＰｒＨ＋Ｃｌ−；０．１２８ｇ，０．３０ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（８５質量％品、０．０５０ｇ，０．３８ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（４．６ｍｌ）を加え、室温で１５分攪拌した後、テトラヒドロフランを減圧留去した。トルエン（４．６ｍｌ）を加え、７０℃で５分間攪拌した後、反応混合物を濾過し、濾液をｐ−トリルスルホニルエチニル（トリフェニルホスフィン）金（０．１４５ｇ，０．２３ｍｍｏｌ）、トルエン４．６ｍｌを加えた別の２５ｍｌシュレンク管に滴下した。滴下後、反応混合物を７０℃で２．５時間加熱した。反応混合物を室温まで冷却した後、反応混合液にトルエンを加え、水洗しｐＨを７とした。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝５／１〜３／１）によって精製した後、ヘキサンで洗浄濾過することにより、白色固体である目的物を０．１３ｇ得た。（収率７４％）【０１２１】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．８０−７．７６（ｍ，２Ｈ），７．５４−７．４８（ｍ，２Ｈ），７．３０−７．１９（ｍ，６Ｈ），７．１３（ｄ，２Ｈ），２．５４−２．４２（ｓｅｐｔ，４Ｈ），２．３７（ｓ，３Ｈ），１．３０−１．２８（ｍ，１２Ｈ），１．２１−１．１９（ｍ，１２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：７６４（Ｍ）＋
発光分析（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３６４（ｍａｘ）
熱分析：融点：２６８℃
元素分析  観測値  Ｃ：５６．５５，Ｈ：５．５６，Ｎ：３．５９
理論値  Ｃ：５６．５４，Ｈ：５．６７，Ｎ：３．６６【０１２２】
実施例８  [Ａｕ（ＩＰｒ）（ＣｙＥ）]をゲストとして有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
イーエッチシー製インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと略す）被膜付きガラスを透明電極の基板として用い、前記基板上にティーエーケミカル社製Ｂａｙｔｒｏｎ  ＰＡＩ４０８３（以下Ｂａｙｔｒｏｎと略す）からなるホール輸送層３（膜厚２７ｎｍ）をスピンキャストにて製膜した。
スピンキャストはアクティブ社製スピンコーターＡＣＴ−３００Ｄを用い回転速度１０００ｒｐｍにて行い、キャスト膜は基板ごと１００〜１２０℃に保持した真空オーブン中で１時間乾燥した。
次いでホール輸送層３の上に、ポリ２−ビニルナフタレン（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｏｕｒｃｅ社製 Ｍｎ：１９５０００，Ｍｗ／Ｍｎ １．５）中に[Ａｕ（ＩＰｒ）（ＣｙＥ）]を５．６重量％含む発光層４（膜厚４７ｎｍ）を、固形分含量０．４重量％のクロロホルム溶液からスピンキャスト製膜した。
引き続いて、アルバック機工製真空蒸着装置ＶＰＣ−２６０Ｆを使用し２×１０−３Ｐａ以下の真空度にて、発光層４の上に３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ターシャリブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（以下ＴＡＺと略す）からなるホールブロック層５を３０ｎｍ、ふっ化リチウム（以下ＬｉＦと略す）からなる電子輸送層６を０．５ｎｍ、電極７としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青色発光を開始し、＋３４Ｖにおいて１．５２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。【０１２３】
電流効率＝（単位面積当りの発光輝度）／（単位面積当り電流密度）【０１２４】
このようにして求めた電流効率は＋３６Ｖで０．０１５ｃｄ／Ａであった。【０１２５】
参考例１（（シクロヘキシルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ＣｙＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、シクロヘキシルアセチレン（９７μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（１２ｍｌ×３回），水（１２ｍｌ×３回）、及びエタノール（６ｍｌ×３）で順次洗浄し、真空乾燥することにより白色粉末として目的化合物を０．２５ｇ得た。（収率９０％）【０１２６】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５７−７．２６（ｍ，１５Ｈ），２．５２−２．４８（ｍ，１Ｈ），１．９７−１．９３（ｍ，２Ｈ），１．７７−１．７２（ｍ，２Ｈ），１．５４−１．４３（ｍ，２Ｈ），１．３０−１．２２（ｍ，４Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５６７（Ｍ＋Ｈ）＋【０１２７】
参考例２（（ｎ−ブチルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ｎ−ＢｕＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、１−ヘキシン（８５μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後エタノールを減圧留去し、得られた残留物を塩化メチレンに溶解した後、水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、薄黄色固体である目的物を０．２５ｇ得た。（収率９４％）【０１２８】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５６−７．３９（ｍ，１５Ｈ），２．４１−２．３６（ｍ，２Ｈ），１．６０−１．４２（ｍ，４Ｈ），０．９３−０．８９（ｍ，３Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５４１（Ｍ＋Ｈ）＋【０１２９】
参考例３（（シクロペンチルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ＣｐＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、シクロペンチルアセチレン（８５質量％品，９７μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後エタノールを減圧留去し、得られた残留物を塩化メチレンに溶解した後、水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、白色固体である目的物を０．２７ｇ得た。（収率９６％）【０１３０】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５６−７．３９（ｍ，１５Ｈ），２．７１−２．８１（ｍ，１Ｈ），２．０２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．７５−１．５１（ｍ，６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５５３（Ｍ＋Ｈ）＋【０１３１】
参考例４（（ｔｅｒｔ−ブチルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ｔ−ＢｕＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、３，３−ジメチル−１−ブチン（９３μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後エタノールを減圧留去し、得られた残留物を塩化メチレンに溶解した後、水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、白色固体である目的物を０．２５ｇ得た。（収率９３％）【０１３２】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５７−７．２６（ｍ，１５Ｈ），１．３１（ｓ，９Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５４１（Ｍ＋Ｈ）＋【０１３３】
参考例５（（シクロプロピルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ｃＰｒＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、シクロプロピルアセチレン（８７μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後エタノールを減圧留去し、得られた残留物を塩化メチレンに溶解した後、水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。得られた固体をヘキサンで洗浄することにより、白色固体である目的物を０．２４ｇ得た。（収率９１％）【０１３４】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５６−７．３９（ｍ，１５Ｈ），１．３９−１．３２（ｍ，１Ｈ），０．７５−０．７２（ｍ，４Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５２５（Ｍ＋Ｈ）＋【０１３５】
参考例６（（メトキシカルボニルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ＭＣＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、メチルプロピオレート（６７μＬ，０．７５ｍｍｏｌ），メタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムメトキシド（７６μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度６．９５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のメタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、メタノール（１２ｍｌ×３回），水（１２ｍｌ×３回）、及びメタノール（６ｍｌ×３）で順次洗浄し、真空乾燥することにより白色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。（収率７４％）【０１３６】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５６−７．４２（ｍ，１５Ｈ），３．７３（ｓ，３Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：５４３（Ｍ＋Ｈ）＋【０１３７】
参考例３（（ｐ−トリルスルホニルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（ｐＴｓＥ）］の合成）
アルゴン雰囲気下、３０ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２４７ｇ，０．５０ｍｍｏｌ）、ｐ−トリルスルホニルエチン（０．１３５ｇ，０．７５ｍｍｏｌ），エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（２０８μｌ，０．５３ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（１２ｍｌ×３回），水（１２ｍｌ×３回）、及びエタノール（６ｍｌ×３）で順次洗浄し、真空乾燥することにより白色粉末として目的化合物を０．１６ｇ得た。（収率４９％）【０１３８】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．９６−７．９２（ｍ，２Ｈ），７．５６−７．３１（ｍ，１５Ｈ），７．２９−７．２６（ｍ，２Ｈ），２．４２（ｓ，３Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：６３９（Ｍ＋Ｈ）＋
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明は、有機紫外電界発光素子（有機紫外エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な新規な金錯体及びその製法、並びに当該金錯体を用いる有機紫外電界発光素子を提供する。
【図１】
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【国際調査報告】
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