【事件の表示】
　特願２０１２−１８７９２９「シリコン膜形成方法，およびシリコン膜形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月１３日出願公開，特開２０１４−　４５１４３，請求項の数（８）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年８月２８日の出願であって，平成２７年１０月２日付けで拒絶理由通知がされ，同年１２月７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２８年６月２１日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，同年９月２８日に拒絶査定不服審判の請求がされ，平成２９年６月１５日付けで拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）がされ，同年８月２８日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２８年６月２１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の請求項１ないし１３に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
＜引用文献等一覧＞
１.特開昭６０−２１８８３９号公報
２.特開２００７−２５４６５１号公報
３.特開２００１−１５６０５５号公報
４.特開２００１−１４８３４７号公報
５.国際公開第２０１２／００２９９５号
６.米国特許出願公開第２０１１／００６１７３３号明細書
７.特表２０１１−５００４７０号公報
８.特開２０１１−２９４２１号公報
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は次のとおりである。
　１　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
  
（１）請求項１，１３の「前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」は不明瞭は記載である。 
　すなわち，「各金属元素」の「金属元素」が，どのような元素を含み，あるいは含まないかを，一義的に明確に理解することができない。（例えば，「Ｓｉ」を，金属元素と分類する文献もあり，「金属元素」の定義の外延について，当業者において，明確な意見の一致があるとは認められない。） 
　そこで，本願の発明の詳細な説明の記載を検討すると，明細書には，以下の記載がある。
・「【００５３】前記シクロヘキサシラン梱包体中の各金属元素の含有量は，好ましくは１０ｐｐｍ以下，より好ましくは５ｐｐｍ以下，さらに好ましくは１ｐｐｍ以下，さらにより好ましくは０．１ｐｐｍ以下である。本発明において，各金属元素は，シクロヘキサシラン化合物を合成する際の反応原料に含有されていた不純物または製造工程でのコンタミネーションに由来するものであり，各金属元素としては，例えばリチウム，ナトリウム，カリウム，ルビジウム，セシウム，ベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，バリウム，チタン，クロム，マンガン，鉄，コバルト，ニッケル，銅，銀，亜鉛，カドニウム，ホウ素，アルミニウム，ガリウム，リン，ヒ素等を挙げることができ，また，塩素，臭素等も前記定義に含まれていてもよい。シクロヘキサシラン梱包体中の各金属元素の含有量は，少ないほど得られるシリコン膜は純度が高くなる。」 
　そうすると，発明の詳細な説明を参酌しても，「例えば・・・等を挙げることができ」と，代表的な金属元素が例示されているだけであって，「金属元素」の定義は明確でなく，しかも，前記説明において，「また，塩素，臭素等も前記定義に含まれていてもよい」とあることから，さらに，「金属元素」の定義が不明確となっている。 
　したがって，請求項１，１３の「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」との記載は，発明の詳細な説明を参酌しても明確に理解することができない。 
　また，請求項１を引用する各請求項の記載も同様の理由で明確でない。 
  
（２）「シクロヘキサシラン梱包体」の「梱包体」が，どのような技術的特徴を特定しようとしているのか，明確に理解することができない。 
　すなわち，「前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」との特定と，「前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシランの各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」との特定との間に，どのような技術的な相違があるのかを理解することができない。 
  
（３）請求項１１は，「請求項１〜１０のいずれかに記載の方法に使用され，原料タンクに充填されるための」という技術的事項によって特定された，「シクロヘキサシラン梱包体」という「物」の発明であるが，前記「請求項１〜１０のいずれかに記載の方法に使用され，原料タンクに充填されるための」という技術的事項が，「シクロヘキサシラン梱包体」という「物」の，どのような構造・特性等を特定しているのかを理解することができない。（すなわち，例えば，「シクロヘキサシラン梱包体」を所持していた場合に，当該「シクロヘキサシラン梱包体」の，どのような構造・特性等を測定することによって，この「シクロヘキサシラン梱包体」が，本願の請求項１１に係る発明の「シクロヘキサシラン梱包体」であるか否かを判断することができるのか理解できない。） 
　また，請求項１１を引用する請求項１２も，同様の理由で不明確である。 
  
　２　この出願は，発明の詳細な説明の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
　請求項１ないし１０に係る発明は，「シリコン膜形成方法」という方法に係る発明であるから，発明の詳細な説明の記載は，当業者が，前記請求項に記載された方法によってシリコン膜を形成することができる程度に明確かつ十分に記載したものであることを要するものである。 
　また，請求項１１，１２は，「シクロヘキサシラン梱包体」という物の発明であり，請求項１３は，「シリコン膜形成装置」という物の発明であるから，発明の詳細な説明の記載は，当業者が，前記各請求項に記載された物を作れ，かつ，その物を使用できるものであることを要するといえる。 
　そこで，本願の明細書及び図面の記載を検討すると，発明の詳細な説明には，「実施例１」において，「シクロヘキサシランを従来公知の方法により製造し」（【００５７】）と記載されているだけであって，各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であるシクロヘキサシラン梱包体を製造する具体的な方法，あるいは，シクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量を１０ｐｐｍ以下とするための具体的な精製方法（精製条件）のどちらも記載されていない。 
　また，発明の詳細な説明には，各金属元素の含有量を１０ｐｐｍ以下であるシクロヘキサシラン梱包体を，本願の出願前において，当業者が容易に入手することが可能で有ったこと（例えば，全ての金属元素の含有量が明記されたデータシートが添付された，市販されている商品の名称等）も記載されていない。 
　そして，技術常識に照らして，熱重合・光重合しやすいことが知られているシクロヘキサシランを，全ての金属元素のそれぞれが，いずれも，１０ｐｐｍ以下となるように，製造もしくは精製する方法が周知であったとも認められない。 
　したがって，当業者が，「シクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」とする発明特定事項を含む請求項１ないし１３に係る発明を実施しようとした場合に，当該「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」「シクロヘキサシラン梱包体」を得るために，当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤，複雑高度な実験等をする必要があるものと認められるから，発明の詳細な説明の記載は，本願の請求項１ないし１３に記載された発明を，当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。 
（なお，本願の発明の詳細な説明の【００５７】における，「実施例１」の「シクロヘキサシランを従来公知の方法により製造し」との記載が，特段の工夫・操作を行うことなく「従来公知の方法により」「シクロヘキサシラン」を製造することで，「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下」のものが得られることを説明しているのであって，また，このことが技術常識といえるのであれば，上記の拒絶理由は存在しないので，その旨を意見書において説明されたい。） 
  
　３　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
（１）特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か，また，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものであり，明細書のサポート要件の存在は，特許権者が証明責任を負うと解するのが相当である（知財高判平成１７年１１月１１日(平成１７年(行ケ)１００４２号)「偏光フィルムの製造法」大合議判決を参照。) 。 
　以下，上記の観点に立って，本願のサポート要件について検討する。  
 　 
（２）前提となる事実関係等 
　ア　本願の特許請求の範囲の記載 
　本願の請求項１ないし１３に記載された発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明１３」という。また，これらを併せて「本願発明」という。）は，以下のとおりのものである。 
「【請求項１】原料タンクに収容したシクロヘキサシランを送出ラインを通じて気化器に向けて送出し，気化器でシクロヘキサシランを気化させ，反応室で気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするシリコン膜形成方法であって，前記送出ラインにおいて，加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により，シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され，前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である，シリコン膜形成方法。
【請求項２】前記原料タンクの温度が，５０℃以下に維持される請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記原料タンクの材質が，光不透過性の高強度安定材料であり，耐圧性０．０５ＭＰａ以上を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】前記送出ラインに介挿される液体流量制御器により，シクロヘキサシランの送出量が制御される請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】前記気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】前記噴出口によって，シクロヘキサシランが微粒子状または霧状に噴出される請求項５記載の方法。
【請求項７】前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持される請求項５記載の方法。
【請求項８】前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される請求項５〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】前記化学蒸着が，低圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法である請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】モノシランガスとシクロヘキサシランガスとを反応室に供給してシリコン膜が形成される請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】請求項１〜１０のいずれかに記載の方法に使用され，原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体。
【請求項１２】各金属元素の含有量が，１０ｐｐｍ以下である請求項１１記載のシクロヘキサシラン梱包体。
【請求項１３】シクロヘキサシランを収容するための原料タンクと，前記原料タンクに連結し前記シクロヘキサシランを液体のまま前記原料タンクから送り出すための送出ラインと，前記送出ラインに接続し，シクロヘキサシランを気化するための気化器と，気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするための反応室とを有し，前記送出ラインにおいて，加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により，シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され，前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする，シリコン膜形成装置。」 
  
　イ　本願明細書の発明の詳細な説明の記載 
　本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の事項が記載されている。 
（ア）「【発明が解決しようとする課題】 
【０００６】 
　しかしながら，上記文献のいずれにおいても，シクロヘキサシランを使用して液体のまま送出ラインを介して気化器に移送・気化して，ＣＶＤ法を行ったことは開示されていない。特に特許文献５において，シクロヘキサシランは，真空ポンプのバブリングにより直接チャンバーに導入されているが，バブリングする際に加熱するためにシクロヘキサシランが固形化してノズル等が詰まり，しいては適切な量の気化シクロヘキサシランを送出することができず，質の高いシリコン膜を形成することができないという問題が生じる可能性がある。 
　加えて，シクロヘキサシランは，粘度が低く，無色透明な液体であるが，熱重合，光重合しやすく，重合化すると粘度が高くなると共に，分子量も大きくなる傾向があり，ＣＶＤ法を行う反応室に均一な量の気化シクロヘキサシランを安定的に供給することができないといった問題があった。 
【０００７】 
　本発明は，シクロヘキサシランを使用しても，安定的に気化シクロヘキサシランガスを供給でき，化学蒸着法を採用した時に高速成膜，低温成膜および高ステップカバレージが可能となるシリコン膜形成技術を提供することを課題とする。」 
  
　ウ　本願発明の課題 
　本願明細書の記載（前記イ）によれば，本願発明の課題は，「安定的に気化シクロヘキサシランガスを供給」することを目的とするものと認められる。 
  
（３）検討 
　上記（２）アのとおり，本願の請求項１は，「原料タンクに収容したシクロヘキサシランを送出ラインを通じて気化器に向けて送出し，気化器でシクロヘキサシランを気化させ」と特定するだけであって，気化器の構造・種類を特定していない。 
　そうすると，請求項１の気化器は，バブリング法を用いる気化器，又は，ベーキング法を用いる気化器を含有するものと認められる。 
　しかしながら，原料タンクから，送出ラインを介して，バブリング法を用いる気化器等への原料材料の送り出しを，加圧不活性ガスの圧送により行ったとしても，バブリングする際の加熱によるシクロヘキサシランの固形化によるノズル等の詰まりは解消されない。
　してみれば，請求項１に記載された事項によって特定される発明によっては，本願発明に係る，「安定的に気化シクロヘキサシランガスを供給」するという課題を解決することができると，当業者が認識することはできない。 
　すなわち，請求項の記載には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，あるいは，請求項の記載は，発明の詳細な説明において効果があることが示された範囲を超えている。 
　請求項１を引用する請求項２ないし１２，及び，請求項１３も同様といえる。 
　したがって，本願明細書の記載（ないし示唆）はもとより，本願出願当時の技術常識に照らしても，請求項１ないし１３の記載によって特許を請求しようとする範囲の全てにおいて，本願発明の課題を解決できると当業者が認識することはできないというべきである。 
　そうすると，本願の特許請求の範囲の記載は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載及び本願の出願当時の技術常識に照らして，当業者が本願明細書に記載された本願発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えており，サポート要件に適合しないものというべきである。 
  
　４　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項１−１３ 
・引用文献等１−７ 
  
・備考 
・請求項１，請求項１３について 
　引用文献１には，「適宜の気化装置」（第３ページ左下欄第１７行）でシクロヘキサシランを気化させ，反応室において気化したシクロヘキサシランを原料として，CVD法によりシリコン膜とする成膜方法が記載されている。（特に，第１頁左下欄，第２頁右上欄〜右下欄，第３頁左下欄〜右下欄，第１表（実施例３），第２表（実施例８）参照。） 
　引用文献１には，原料を原料タンクに収容し，送出ラインを通じて気化器に向けて送出する記載はない。 
　しかしながら，原料タンクに収容した前駆体原料を，送出ラインを通じて，加圧不活性ガスを用いて，気化器に向けて送り出す機構は， 
　引用文献２の，特に，段落［０１５１］，図１等， 
　引用文献３の，特に，段落［００１５］，［００２９］，［００３９］，［００４３］〜［００４７］，図１等， 
　引用文献４の，特に，段落［００２２］〜［００２６］，［００３１］，［００３７］〜［００４３］，［００４９］，［００５６］，［００６１］，図１，２等，に記載されているように周知の機構である。 
　したがって，引用文献１の「適宜の気化装置」として，引用文献２〜４に記載された，原料タンクに収容した前駆体原料を，送出ラインを介して，加圧不活性ガスを用いて，気化器へ送り出す機構を備えた周知の気化装置を用いることは，当業者にとって容易である。
  
　なお，金属不純物の含有量をできるだけ減らすことは当業者にとって当然の配慮で有るから，シクロヘキサシランを用いた成膜技術において，各金属元素の含有量を１０ｐｐｍ以下に抑えることは周知の技術的ニーズということできる。 
　そして，本願の発明の詳細な説明には，【００５７】の「実施例１」に，「シクロヘキサシランを従来公知の方法により製造し」と記載されているだけであって，「各金属元素の含有量を１０ｐｐｍ以下」とすることに特段の工夫・操作が必要であることが記載されていないことに照らせば，「従来公知の方法により製造」された「シクロヘキサシラン」は，「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下」であるとも理解される。 
　してみれば，シリコン膜の成膜にあたり，成膜の材料として，「従来公知の方法により製造」される「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下」の「シクロヘキサシラン」を用いることは格別のことではないといえるから，「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下」であるとの本願発明に係る特定事項は，実質的な相違点でないか，仮に相違点であってあったとしても，当業者が適宜なし得た程度の事項にすぎないものと認められる。 
  
・請求項２について 
　引用文献５の，段落[0065]等の記載から，原料タンクの温度を，50℃以下に維持することは，適宜なし得たことである。 
  
・請求項３〜５について 
　光不透過性の高強度安定材料からなる材質，例えば，ステンレス，鉄，アルミニウム等で構成されたタンクは周知である。また，液体流量制御器については，引用文献２−４に記載されている。 
  
・請求項６について 
　ミスト化することについては，引用文献４の，段落［００３７］，［００４３］等に記載されている。 
  
・請求項７について 
　100℃以下の温度に保つことは，引用文献５に記載されている。 
  
・請求項８について 
　気化の際に減圧下で行うことは周知である。 
  
・請求項９について 
　引用文献２には，プラズマＣＶＤについての示唆，引用文献４については，減圧（低圧）ＣＶＤについての示唆が，それぞれなされている。 
  
・請求項１０について 
　モノシランガスとシクロヘキサシランガスとを反応室に供給してシリコン膜を形成することについては，引用文献６の，特に，段落[0008],[0009],[0014]等参照のこと。 
  
・請求項１１について 
　シラン系の原料を，引用文献７（特に，図１及び図面説明箇所）には，シラン系原料を容器に入れて梱包体として輸送することが記載されており，引用文献１に記載のシクロヘキサシランを輸送する際に，引用文献７に記載の容器に入れて，梱包体とすることは，当業者にとって容易である。 
  
・請求項１２について 
　金属不純物の含有量をできるだけ減らすことは当業者にとって当然の配慮で有り，金属の含有量を１０ｐｐｍ以下にすることは，当業者にとって格別なこととはいえない。 
  
・効果について 
　上記３のとおり，本願の各請求項に記載された発明は，発明の詳細な説明に記載された課題を解決するものとはいえない。したがって，本願の各請求項に記載された発明特定事項によって奏される効果は格別のものとは認められない。 
  
  
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
　１．特開昭６０−２１８８３９号公報 
　２．特開２００７−２５４６５１号公報 
　３．特開２００１−１５６０５５号公報 
　４．特開２００１−１４８３４７号公報 
　５．国際公開第２０１２／００２９９５号（日本語訳は，対応する日本国公表特許公報である特表２０１３−５３７７０５号公報の記載を参照されたい。） 
　６．米国特許出願公開第２０１１／００６１７３３号明細書 
　７．特表２０１１−５００４７０号公報 
第４　本願発明
　本願請求項１ないし８に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明８」という。）は，平成２９年８月２８日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される発明であり，本願発明１ないし８は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　原料タンクに収容したシクロヘキサシランを送出ラインを通じて気化器に向けて送出し，気化器でシクロヘキサシランを気化させ，反応室で気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするシリコン膜形成方法であって，前記送出ラインにおいて，加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により，シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され，
　前記気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持されることを特徴とする，シリコン膜形成方法。
【請求項２】
　前記原料タンクの温度が，５０℃以下に維持される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記原料タンクの材質が，光不透過性の高強度安定材料であり，耐圧性０．０５ＭＰａ以上を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
　前記送出ラインに介挿される液体流量制御器により，シクロヘキサシランの送出量が制御される請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
　前記噴出口によって，シクロヘキサシランが微粒子状または霧状に噴出される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
　前記化学蒸着が，低圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
　モノシランガスとシクロヘキサシランガスとを反応室に供給してシリコン膜が形成される請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
　シクロヘキサシランを収容するための原料タンクと，前記原料タンクに連結し前記シクロヘキサシランを液体のまま前記原料タンクから送り出すための送出ラインと，前記送出ラインに接続し，シクロヘキサシランを気化するための気化器と，気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするための反応室とを有し，前記送出ラインにおいて，加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により，シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出され，
　前記気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持されることを特徴とする，シリコン膜形成装置。」
第５　引用文献，引用発明等
　１　引用文献１について
　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献１（原査定の引用文献１）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「２．特許請求の範囲
　
基体を収容した室内に，一般式：Ｓｉ
ｎ
Ｈ
２ｎ
（式中，ｎは３，４，５又は６である。）で表わされる環状水素化ケイ素化合物又は該環状水素化ケイ素を他の水素化ケイ素で置換した化合物及び周期律表第III族又は第V族に属する元素を成分とする化合物の気体状雰囲気を形成し，光エネルギーを利用することによって前記化合物を励起して分解し，前記基体上に前記元素でドーピングされたシリコンを含有する堆積膜を形成する
「
本発明で使用する前記一般式の環状水素化ケイ素化合物は，具体的には
Ｓｉ
６
Ｈ
１２
で表わされるシクロヘキサシランであり
「６乃至９は，ガス供給源であり，
前記一般式で示される環状水素化ケイ素化合物及び不純物元素を成分とする化合物のうち液状のものを使用する場合には，適宜の気化装置を具備させる
気化装置には加熱沸騰を利用するタイプ，液体原料中にキャリアーガスを通過させるタイプ等があり，何れでもよい
「実施例２〜４
　
Ｓｉ
５
Ｈ
１０
の代りに・・・Ｓｉ
６
Ｈ
１２
・・・を用いた
ａ−Ｓｉ膜を形成した
　したがって，上記引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」及び「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
・引用発明１
　基体を収容した室内に，Ｓｉ６Ｈ１２で表わされる環状水素化ケイ素化合物であるシクロヘキサシラン，及び，周期律表第III族又は第V族に属する元素を成分とする化合物の気体状雰囲気を形成し，光エネルギーを利用することによって前記化合物を励起して分解し，前記基体上に前記元素でドーピングされたシリコンを含有する堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
・引用発明２
　基体を収容した室内に，Ｓｉ６Ｈ１２で表わされる環状水素化ケイ素化合物であるシクロヘキサシラン，及び，周期律表第III族又は第V族に属する元素を成分とする化合物の気体状雰囲気を形成し，光エネルギーを利用することによって前記化合物を励起して分解し，前記基体上に前記元素でドーピングされたシリコンを含有する堆積膜を形成する堆積膜形成装置。
　２　引用文献２ないし８について
　ア　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献２（原査定の引用文献２）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０１４７】
　ＰＥＣＶＤ装置の一例として，図１に
平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置
Ｓｉ含有膜形成材料（以下プレカーサーと略す）をチャンバーに気化供給する気化器装置
【０１４８】
　具体的には，このＰＥＣＶＤ装置１は，
ＰＥＣＶＤチャンバー２
【０１４９】
　プラズマ発生源であるマッチング回路６とＲＦ電源７は，上部電極３に接続され，放電によりプラズマを発生させる。ＲＦ電源７の規格については，特に限定されないが，当該技術分野で使用される電力が１Ｗ〜２０００Ｗ，好ましくは１０Ｗ〜１０００Ｗ，周波数が５０ｋＨｚ〜２．５ＧＨｚ，好ましくは１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ，特に好ましくは２００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚのＲＦ電源を用いることができる。
【０１５０】
　基板温度は特に限定されるものでは無いが，−９０〜１，０００℃，好ましくは０℃〜５００℃の範囲である。
【０１５１】
　
気化装置は，常温常圧で液体であるプレカーサー１３を充填し，ディップ配管と上記不活性ガスにより加圧する配管１５を備えている容器１２
液体であるプレカーサー１３を気化させる気化器９
　図１は，平行平板容量結合型ＰＥＣＶＤ装置を示す図であって，上記記載を参酌すれば，同図から，
　容器１２に収容した，常温常圧で液体であるＳｉ含有膜形成材料（プレカーサー１３）を，ディップ配管を通じて気化器９に向けて送出し，気化器９で液体であるＳｉ含有膜形成材料（プレカーサー１３）を気化させ，ＰＥＣＶＤチャンバー２で気化したＳｉ含有膜形成材料（プレカーサー１３）を化学蒸着によりシリコン膜にするシリコン膜形成装置（シリコン膜形成方法）であって，前記ディップ配管において，加圧した不活性ガスでＳｉ含有膜形成材料（プレカーサー１３）を圧送により，Ｓｉ含有膜形成材料（プレカーサー１３）が容器１２から気化器９へ送り出される構造（方法）を見て取ることができる。
　イ　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献３（原査定の引用文献３）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，例えば半導体製造において用いるテトラエトキシシランなどの液体材料を気化する方法および装置に関する
「【００１５】前記液体材料供給ライン２は，次のように構成されている。すなわち，
５は液体材料供給ライン２に設けられる原料タンク
その内部には液体材料ＬＭが気密に収容され，その上流側には，レギュレータ６を有する不活性ガス供給管７が接続されている。
Ｎ
2
 ，Ｈｅ，Ａｒなどの不活性ガスが原料タンク５内の上部空間に図中のＩＮより供給されることにより，液体材料ＬＭが液体材料供給ライン２に押し出されるように構成されている
「【００２９】上述のように構成された液体材料気化装置の動作について説明する。この，
不活性ガスを原料タンク５に供給すると，原料タンク５内の液体材料ＬＭが加圧され，液体材料ＬＭは液体材料供給ライン２を制御バルブ１方向に流れる
【００３０】一方，キャリアガス供給源１２からのキャリアガスＣＧは，気体用流量制御装置１６において流量制御されて制御バルブ１方向に送られ，この制御バルブ１内の気液混合部３９に送られる。制御バルブ１内に導入されたキャリアガスＣＧは，図３に示すように，キャリアガス導入路２４を経て気液混合部３９に入る。
【００３１】前記気液混合部３９に入った液体材料ＬＭとキャリアガスＣＧは互いに混合される。特に，気液混合部３９に細長い溝４１が形成されており，液体材料ＬＭがこの溝４１に流れこみながらキャリアガスＣＧと混合されるので，両者ＬＭ，ＣＧが十分に混ざり合った気液混合体Ｍとなる。
【００３２】そして，
前記気液混合体Ｍは，気液混合部３９の孔４０を経てノズル部４２からガス導出路２５に向けて放出される。このとき，気液混合体Ｍのなかの液体材料ＬＭが瞬間的に減圧されてガスとなる
このとき，ガス導出路２５は，ヒータ２６によって加熱されているので，結露が生ずることはない
【００３３】なお，前記キャリアガスＣＧは，前記ノズル部４２の手前（上流側）において，圧力が高い状態となり，前記ヒータ２６によって効率良く加熱・昇温されることになる。また，このように，キャリアガスＣＧ自体の加熱効率が上昇するだけでなく，前記液体材料ＬＭは，ノズル部４２において強制的にキャリアガスＣＧと混合されることから，前記キャリアガスＣＧから液体材料ＬＭへの熱伝達が効率良く行われることになる。これらのことから，前記ヒータ２６から液体材料ＬＭへの熱の伝達効率が上昇するため，液体材料ＬＭの気化効率があがるとともに，気化した液体材料ＬＭの流量を大きくし，液体材料ＬＭを気化させるために必要な温度の低温化，ひいてはエネルギーコストの削減を図ることが可能となる。
【００３４】また，前記気液混合体Ｍが気液混合部３９からガス導出路２５の下流側に向かう過程において，前記ノズル部４２から放出され，気化した液体材料ＬＭのガス濃度は，前記キャリアガスＣＧの存在によって低下することになり，これに伴って，気化した液体材料ＬＭがガス導出路２５内において液化・結露することを防止するために必要な温度も下がることから，ひいては，ガス導出路２５を加熱するためのエネルギーコストを削減することが可能となる。また，前記液体材料ＬＭは，ノズル部４２からガス導出路２５へ放出されて気化するときに，断熱膨張することによって熱を失うため，通常は気化効率が低下するが，本実施例においては，液体材料ＬＭが失った熱を，液体材料ＬＭと混合するキャリアガスＣＧによって補うことができ，これにより，液体材料ＬＭの気化効率の向上が達成できる。
【００３５】そして，前記混合ガスＫＧは，ガス導出路２５の下流側のガス導出ライン４を経てユースポイントである反応炉２０に供給される。このとき，混合ガスＫＧの流量は，ガス導出ライン４に介装された気体用流量計１８によって計測され，その結果は装置制御部１０に送られる。
【００３６】上述のように，この発明の
液体材料気化装置は，液体流量制御機能を備えた制御バルブ１内に形成した気液混合部３９において，液体材料ＬＭを流量制御しながらキャリアガスＣＧと混合し，このときの気液混合体Ｍを，気液混合部３９に近接するノズル部４２から放出して液体材料ＬＭを減圧し気化する
【００３７】なお，本発明の液体材料気化装置では，液体材料ＬＭの反応炉２０までの運送を，高速で流すことが可能なキャリアガスＣＧにのせる（混合する）ことで行っていることから，液体材料ＬＭを反応炉２０まで高速で送ることができ，高速応答が要求される場合にも対応することができる。
【００３８】図６は，上記液体材料気化装置によって，液体材料ＬＭをガス化したときに得られた測定データで，制御バルブ１にキャリアガスＣＧの導入量を一定に保持しながら，液体材料ＬＭの制御バルブ１への導入量を段階的に増加させていったときの，制御バルブ１から導出される混合ガスＫＧの変化を観察した結果を表すものである。
【００３９】すなわち，キャリアガスＣＧを２０００ｃｃ／分とし，
液体材料ＬＭとしてエタノールを１ｃｃ／分で反応炉２０に供給する場合，制御バルブ１のヒータ２６の温度が８０℃のとき，ノズル部４２の径を０．３ｍｍ，長さ０．６ｍｍとすることにより，気液混合部３９の圧力が３０ｋｐａ程度となる。このとき気液混合部３９における気液混合体Ｍをノズル部４２から放出して，気液混合体Ｍ中の液体材料ＬＭを減圧気化して反応炉２０に供給したときの状態を観察したものである
「【００４３】この発明は，上述の実施の形態に限られるものではなく，種々に変形して実施することができる。すなわち，液体材料導入路２３やキャリアガス導入路２４は，必ずしも鉤型状に形成する必要はなく，ストレートであってもよい。そして，ヒータ２６はプレートヒータであってもよく，
ヒータ２６によるの加熱温度は，液体材料ＬＭの種類などに応じて適宜設定できる
【００４４】そして，制御バルブ１における液体材料ＬＭの流量制御を，ガス導出ライン４に設けられた気体用流量計１８の出力に基づいて行うようにしてもよく，このようにした場合，より精度よく液体材料ＬＭの流量を制御することができる。
【００４５】また，アクチュエータ４４として，電磁式のものやサーマル式のものを用いてもよい。
【００４６】さらに，液体材料ＬＭは，エタノールに限るものではなく，例えば，ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴａ）や，トリメチルホスペェイト（ＴＭＰＯ）などでもよい。また，液体材料ＬＭは，常温常圧で液体状態であるものに限られるものではなく，常温常圧で気体であっても適宜加圧することにより常温で液体となるようなものであってもよい。
【００４７】しかも，反応容器２０は真空容器でもよく，この場合ガス導出ライン４は減圧となってもよい。」
　図１は，引用文献３に記載された発明に係る液体材料気化装置の全体構成を概略的に示す図であって，上記記載を参酌すれば，同図から，
　原料タンク５に収容した液体材料ＬＭを，液体材料供給ライン２を通じて液体材料気化装置に向けて送出し，液体材料気化装置で液体材料ＬＭを気化させ，ガス導出路２５で気化した液体材料ＬＭを反応炉２０に供給する液体材料気化装置（方法）であって，前記液体材料供給ライン２において，不活性ガスで液体材料ＬＭを液体材料供給ライン２に押し出すことにより，液体材料ＬＭが原料タンク５から液体材料気化装置へ送り出される構造（方法）を見て取ることができる。
　ウ　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献４（原査定の引用文献４）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２２】図１に示す半導体製造システム２２は，
成膜を施す処理装置２４
液体原料３０，例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ（銅含有錯体）を貯留する密閉状態の原料タンク３２
【００２３】この原料タンク３２の気相部には，加圧管３６の先端が上部より導入されており，この加圧管３６からは加圧気体として例えば圧力制御されたＨｅガスを原料タンク３２内の気相部へ導入し得るようになっている。
【００２４】また，
この原料タンク３２と上記気化器２６の入口とは，例えばステンレス管よりなる液体原料供給通路３８により連絡
液体原料３０を通路３８内に加圧搬送し得る
【００２５】そして，この気化器２６よりも下流側の原料ガス通路４０には，例えばテープヒータよりなる保温用ヒータ４４が巻回されており，成膜ガスの液化温度よりも高く，且つ分解温度よりも低い温度，例えば５０〜７０℃の範囲内で保温するようになっている。
【００２６】また，上記気化器２６には，キャリアガス導入管４６が接続されており，キャリアガスとして例えばＡｒガスやＨｅガスのような不活性ガス，ここではＨｅガスを流量制御しつつ供給するようになっている。」
「【００３１】次に，図２乃至図５を参照して上記気化器２６の構造を説明する。図２に示すようにこの気化器２６は，上記液体原料供給通路３８側から圧送されてくる液体原料３０を一時的に貯留する液溜め室６２と，原料ガス通路４０側へ接続されて減圧雰囲気になされた気化室６４と，上記液溜め室６２と上記気化室６４とを連通して液体源料を上記気化室６４側へ流通させる細孔６６と，この細孔６６の液溜め室６２側の液入口６８を開閉する弁体７０と，この弁体７０の弁開度を制御するアクチュエータ手段７２とにより主に構成されている。」
「【００３７】一方，上記気化器本体７４には，キャリアガス導入手段として，直径が例えば２ｍｍ程度のキャリアガス流路１００が形成されており，そのガス噴射口１０２が上記気化室６４内に臨ませて設けられている。そして，このキャリアガス流路１００は，キャリアガス導入管４６に接続されており，例えば気化器本体７４の温度と同じ温度に加熱したＨｅガスをキャリアガスとして気化室６４へ導入するようになっている。この場合，液体原料３０のミスト化を促進させるためには，上記ガス噴射口１０２を細孔６６の液出口１０４に対してできるだけ接近させて設けるのがよく，現行の加工技術を考慮すれば略５ｍｍ程度まで接近させることが可能である。
【００３８】また，上記台座８０と気化器本体７４との間には，加熱手段としてリング板状の第１の加熱ヒータ１０６が介在されており，流入してくる液体原料３０や，特にダイヤフラム８４及び液体原料３０の気化熱により冷却される傾向にある細孔６６の部分を加熱し得るようになっている。そしそ，上記細孔６６の近傍には，温度センサとして例えば第１の熱電対１０８が埋め込まれており，第１の温度制御部１１０はこの第１の熱電対１０８の検出値が所定の値を維持するように上記第１の加熱ヒータ１０６を制御するようになっている。
【００３９】また，上記フランジ部７６及び気化器本体７４を貫通するようにして，加熱手段として棒状の第２の加熱ヒータ１１２が複数本埋め込まれており，このフランジ部７６や気化器本体７４を加熱するようにしている。この場合にも，上記気化器本体７４には，温度センサとして第２の熱電対１１４が気化室６４に接近させて埋め込まれており，第２の温度制御部１１６は，この第２の熱竃対の検出値が所定の値を維持するように上記第２の加熱ヒータ１１２を制御するようになっている。
【００４０】ここで主要部の各寸法について簡単に述べると，気化室６４の出口６４Ａの直径Ｄ１は１２〜２０ｍｍ程度，細孔６６の直径Ｄ２は０．５〜２ｍｍ程度，その長さＬ１は５ｍｍ以下程度である（図３参照）。特に，細孔６６内に貯留する液体原料の体積をより小さくするために，すなわち，この細孔６６内の体積を例えば液体原料の流量の数秒以内の総流量程度に抑制するために，上記直径Ｄ２や長さＬ１はできるだけ小さく設定するのが好ましい。また，気化室６４の長さＬ２は１２〜２０ｍｍ程度に設定し，この出口６４Ａの直径Ｄ１と比較して，できるだけ圧力損失が少なくなるような寸法とする。
【００４１】次に，以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
【００４２】まず，図１を参照して半導体製造システムによる成膜処理について説明する。まず，
処理装置２４の処理容器４８内には，載置台５２上に半導体ウエハＷが載置されて所定のプロセス温度，例えば２００℃程度に加熱維持されていると共に，真空引きによって所定のプロセス圧力，例えば１Ｔｏｒｒに維持されている
【００４３】次に，図２及び図５を参照して上記気化器２６の動作について説明する。図３は気化器の弁開度が全開状態を示し，図４は気化器の弁開度が半開状態を示し，図５は気化器の弁開度が全閉状態を示している。図２において，液体原料供給通路３８を流れてきた液体原料３０は，液流路９０を介してダイヤフラム８４で区画された微小容量の液溜め室６２内へ流れ込む。
この液体原料３０は，図３及び図４に示すように，弁体として機能するダイヤフラム８４が細孔６６の液入口６８に着座しておらずにこれより離れている場合には，この細孔６６の流入口６８から細孔６６内を通過し，そして，他端の液出口１０４から減圧雰囲気になされている気化室６４内に向けて放出される。そして，放出されると直ちに，断熱膨張によって液体原料３０は非常に細かな液滴にミスト化されると同時に瞬時に気化され，原料ガスが発生することになる
「【００４９】また，上記実施例では，弁体７０としてダイヤフラム８４を用いたが，これに限定されず，図８に示すように弁体７０として金属薄板で蛇腹状に形成されて伸縮自在になされたベローズ１２０を用いるようにしてもよい。また，ここでは液体原料として，銅膜を成膜する際に使用するＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳを使用した場合を例にとって説明したが，これに限定されず，どのような液体にも適用することができ，例えばアルミニウムを成膜する際に用いるＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウムヘキサイド），酸化タンタル膜等を成膜する際に用いるＴａ（ＯＣ２Ｈ５）５（金属アルコキシド），ＴＥＯＳ原料等も使用することができる。」
「【００５６】以上のように，本実施例による気化器２６Ａによれば，液体原料３０をキャリアガスの噴出によって効率的に微細なミストとすることにより，液体原料を効率的に気化させることができる。」
「【００６１】上述のような構成では，細孔６６から吐出された液体原料３０は，キャリアガス噴出管１００Ｂからのキャリアガスの噴出によって微細な液滴にミスト化されて気化室６４の空間に放出される。すなわち，細孔６６から吐出された液体原料の液滴は，表面張力により大きな液滴となって気化室６４の壁面を伝わって流れたり，大きな液滴のまま気化室６４の空間に放出されたりすることなく，細孔６６から吐出されとすぐに微細な液滴となって気化室６４の空間に放出される。そして，液体原料の微細な液滴は瞬時に気化して材料ガスとなる。」
　図１は，引用文献４に記載された発明の第１実施例による気化器を用いた半導体製造システムを示す概略全体構成図であって，上記記載を参酌すれば，同図から，
　原料タンク３２に収容した液体原料３０を液体原料供給通路３８を通じて気化器２６に向けて送出し，気化器２６で液体原料３０を気化させ，気化室６４で気化した液体原料３０を処理容器４８に導入する装置（方法）であって，加圧管３６からは加圧気体として例えば圧力制御されたＨｅガスを原料タンク３２内の気相部へ導入し，液体原料３０が液体原料供給通路３８内に加圧搬送し得る装置（方法）の構造を見て取ることができる。
　エ　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献５（原査定の引用文献５）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0065] An apparatus is provided for depositing a Si-containing material, such as but not limited to, cyclohexasilane, trisilane, tetrasilane, disilane, pentasilane on a surface. A schematic diagram illustrating a preferred apparatus is shown in Figure 1. This apparatus 100 comprises a carrier gas source 102, 
a temperature controlled bubbler 112 containing liquid cyclohexasilane 106
The flow of cyclohexasilane, entrained in the carrier gas, that is vaporized cyclohexasilane 107, from the bubbler 112 to the CVD chamber 120, is preferably aided by a temperature regulation source (not shown) operatively disposed in  proximity to the bubbler. The temperature regulation source maintains the cyclohexasilane 106 at a temperature in the range of about 10°C to about 70°C, preferably about 20°C to about 52°C, to thereby control the vaporization rate of the cyclohexasilane.
Preferably, the feed line 115 is maintained at a temperature in the range of about 35°C to about 70°C, preferably about 40°C to about 52°C, to prevent condensation of the vaporized cyclohexasilane 107
液体シクロヘキサシラン１０６を含む温度調節型バブラー１１２
キャリアガス内で連行される蒸気化したシクロヘキサシラン１０７であるシクロヘキサシランのバブラー１１２からＣＶＤチャンバ１２０への流れは，バブラー付近に作動的に配置された温度調節ソース（図示せず）によって援助されることが好ましい。温度調節ソースは約１０℃〜約７０℃，好ましくは約２０℃〜約５２℃の温度範囲でシクロヘキサシラン１０６の温度を維持することにより，シクロヘキサシランの蒸気化速度を調節する
好ましくは，蒸気化したシクロヘキサシラン１０７の凝縮を防ぐように，フィードライン１１５は約３５℃〜約７０℃，好ましくは約４０℃〜約５２℃の温度範囲で維持することが好ましい
　オ　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献６（原査定の引用文献６）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「［0008］In one embodiment, the invention provides a method of deposition for a solar grade amorphous silicon film (αSi:H) as a photoconductive film on a substrate, using」（「一態様において，本発明は，以下の材料を用いて，基板上に光導電膜として太陽電池グレードアモルファスシリコン膜(αSi:H)の成膜方法を提供する」）
「［0009］
Silane
シラン
「［0014］(c) cyclic silanes, selected from the group consisting of; cyclotrsilane Si3H6, cyclotetrasilane Si4H8, cyclopentasilane Si5H10, 
cyclohexasilane
シクロヘキサシラン
　カ　平成２９年６月１５日付けの当審拒絶理由通知に引用された引用文献７（原査定の引用文献７）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
空気感応性及び／又は感湿性の液状又は凝結可能な化合物を受容するための空樽
前記空樽は少なくとも３００リットルの内部容積を有しており，かつ前記接続ユニット（２）は少なくとも１つの遮断機構（６）を含んでいることを特徴とする，化合物の受容のための空樽。」
「【請求項１５】
　前記空樽は，高純度又は超高純度の化合物を受容している請求項１から１３のいずれか１項に記載の樽。
【請求項１６】
　
前記樽は
超高純度のケイ素化合物
を受容している
　キ　原査定の引用文献８には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　鎖状の高次シラン化合物と，金属を含有する化合物と，前記高次シラン化合物よりも沸点が低く前記金属と相互作用する化合物からなる溶媒とを混合した塗布液を調整する工程と，
　前記塗布液を用いて基板上に塗布膜を形成する工程と，
　前記塗布膜中から前記溶媒を除去して乾燥させることにより，表面側において前記金属の含有量が多いシリコン薄膜を形成する工程とを行う
　シリコン薄膜の成膜方法。」
「【００１５】
　先ず，図１（１）に示すように，
液体状の環状シラン化合物Ａを用意する
シクロヘキサシラン（Ｓｉ
6
Ｈ
12
）
「【００１９】
　ここで用いる金属化合物は，ルイス酸性の化合物である。ルイス酸とは，電子対を受け取ることのできる空軌道を有する化合物である。したがって，金属化合物には，遷移金属類を含む金属そのもの含まれる。このような金属化合物としては，具体的には塩化アルミニウム，塩化チタン，塩化ホウ素，有機リチウム化合物等が例示される。さらに塗布液Ｌ中における金属の含有量は，例えばここで作製するシリコン薄膜が，下層側で十分な半導体特性を示すと共に上層側で十分なコンタクト性を有するように適宜調整されれば良い。
一例として塗布液Ｌ中における金属の含有量は，高次シラン化合物Ｂに対して１atoms％〜１０ｐｐｍ程度であることとする
第６　対比・判断
　１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比すると，次のことがいえる。
　ア　引用発明１の「『周期律表第III族又は第V族に属する元素』『でドーピングされたシリコンを含有する堆積膜』」は，本願発明１の「シリコン膜」の範疇に含まれるといえる。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「シクロヘキサシランを，シリコン膜にするシリコン膜形成方法。」
（相違点）
（相違点１）本願発明１は，「原料タンクに収容したシクロヘキサシランを送出ラインを通じて気化器に向けて送出し，気化器でシクロヘキサシランを気化させ，反応室で気化したシクロヘキサシランを化学蒸着によりシリコン膜にするシリコン膜形成方法であって，前記送出ラインにおいて，加圧不活性ガスでシクロヘキサシランを圧送または吸引により，シクロヘキサシランが原料タンクから気化器へ送り出される」という構成を備えるのに対して，引用発明１は，そのような構成を備えていない点。
（相違点２）本願発明１は，「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」という構成を備えるのに対し，引用発明１は，そのような構成を備えているか明らかでない点。
（２）相違点についての判断
・相違点２について
　相違点２に係る本願発明１の「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」という構成は，上記引用文献２ないし８には記載されておらず，本願の出願日前において周知技術であるともいえない。
　そして，本願発明１は，当該構成を備えることによって，バブリング時の加熱によるシクロヘキサシランの熱重合が抑制され，原料タンク，送出ライン等での配管の目詰まりを防ぐことができ，また，気化器には，熱重合の影響を受けていないシクロヘキサシランが安定して供給されることになり，シクロヘキサシランの熱重合による固形化により噴出口，気化ガス排出口等での配管の目詰まりも抑制することができることから，最終的に，過剰に熱重合されておらず固形物を含まない気化シクロヘキサシランを反応室に安定的に供給することができ，しいてはＣＶＤ法を採用した時に高速成膜および低温成膜が可能であり，また，高ステップカバレージを達成でき，高純度なシリコン膜を形成することができる（本願明細書【００１９】）という格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明１は，他の相違点について検討するまでもなく，引用発明１，引用文献２ないし８に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　２　本願発明２ないし７について
　本願発明２ないし７も，本願発明１の「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明１，引用文献２ないし８に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　３　本願発明８について
　本願発明８は，本願発明１に対応する装置の発明であり，本願発明１の「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，当業者であっても，引用発明２，引用文献２ないし８に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　特許法第３６条第６項第２号（発明の明確性要件）について
（１）当審では，補正前の請求項１，１３の「前記原料タンクに充填されるためのシクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」は不明瞭な記載である，との拒絶理由を通知しているが，平成２９年８月２８日付けの補正において，「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」との記載を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
（２）当審では，補正前の「シクロヘキサシラン梱包体」の「梱包体」が，どのような技術的特徴を特定しようとしているのか，明確に理解することができない，との拒絶理由を通知しているが，平成２９年８月２８日付けの補正において，「シクロヘキサシラン梱包体」との記載を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
（３）当審では，補正前の請求項１１に係る，「請求項１〜１０のいずれかに記載の方法に使用され，原料タンクに充填されるための」という技術的事項によって特定された，「シクロヘキサシラン梱包体」という「物」の発明を明確に理解することができない，との拒絶理由を通知しているが，平成２９年８月２８日付けの補正において，請求項１１を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第８　特許法第３６条第４項第１号（発明の実施可能要件）について
　当審では，当業者が，「シクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」とする発明特定事項を含む請求項１ないし１３に係る発明を実施しようとした場合に，当該「各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」「シクロヘキサシラン梱包体」を得るために，当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤，複雑高度な実験等をする必要があるものと認められるから，発明の詳細な説明の記載は，本願の請求項１ないし１３に記載された発明を，当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない，との拒絶理由を通知しているが，平成２９年８月２８日付けの補正において，「シクロヘキサシラン梱包体の各金属元素の含有量が１０ｐｐｍ以下である」とする発明特定事項を削除する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第９　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　当審では，請求項１，請求項１を引用する請求項２ないし１２，及び，請求項１３に記載された事項によって特定される発明によっては，本願発明に係る，「安定的に気化シクロヘキサシランガスを供給」するという課題を解決することができると，当業者が認識することはできないとの拒絶理由を通知しているが，平成２９年８月２８日付けの補正において，「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」とする発明特定事項を付加する補正がされた結果，この拒絶の理由は解消した。
第１０　原査定についての判断
　平成２９年８月２８日付けの補正により，補正後の請求項１ないし８は，「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」という技術的事項を有するものとなった。
　当該「気化器において，送出ラインからのシクロヘキサシランは，気化室内に設けられた噴出口，温度および／または圧力調節可能な気化室，および気化ガス排出口を通過して気化され，前記噴出口の温度が，１００℃以下に維持され，前記気化室の圧力が，５ｋＰａ未満に維持される」という技術的事項は，原査定における引用文献１ないし８には記載されておらず，本願出願日前における周知技術でもないので，本願発明１ないし８は当業者であっても，原査定における引用文献１ないし８に基づいて容易に発明をすることはできない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第１１　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によって，本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。