(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも上面が絶縁材料からなる基板と、
この基板上に設けられた第１の信号線と、
この第１の信号線と離間して前記基板上に設けられた第２の信号線と、
前記基板上の前記第１の信号線および前記第２の信号線を挟む位置に設けられた一対のグランド電極と、
前記基板上に前記第１の信号線および前記第２の信号線と離間して設けられた、外部信号により変位する移動部を備えるＭＥＭＳ機構と、
前記第２の信号線の一部と前記移動部とを互いに絶縁させた状態で連結する絶縁連結部材と
を備え、
前記第２の信号線は、
前記基板上に垂設された柱状の支持部材と、
一端が前記支持部材に支持され、前記基板の平面方向に延在する可撓性を有する第１のばね部材と、
前記第１のばね部材の他端に設けられ、前記基板の平面に対して垂直な方向に前記第１の信号線と対向配置された接触部材と
から構成され、
前記ＭＥＭＳ機構は、
前記基板上に垂設された柱状のベース部材と、
一端が前記ベース部材の上端に、他端が前記移動部に接続された前記基板の平面方向に沿った方向に延在する可撓性を有する第２のばね部材と、
前記第２のばね部材の他端が接続された平板状の電極からなる前記移動部と、
前記基板上に前記ベース部材と離間して設けられ、前記移動部と前記基板の平面方向に対して垂直な方向に対向配置され、前記移動部との電位差による静電引力により前記移動部を変位させる第２の電極と
から構成され、
前記接触部材近傍において、前記一対のグラウンド電極と前記第１の信号線と前記第２の電極とが前記基板の平面に対して垂直な方向に同等の高さを有し、
前記接触部材から前記第１のばね部材が延在する方向に離れた位置において、前記一対のグラウンド電極と前記移動部とが前記垂直な方向に同等の高さを有し、
前記第２の信号線の前記接触部材は、前記移動部が変位することにより、前記第１の信号線と接触する
ことを特徴とするＭＥＭＳスイッチ。
【請求項２】
前記第２の信号線は、前記接触部材のみが前記基板の平面に対して垂直な方向に前記第１の信号線と対向配置される
ことを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項３】
前記第１の信号線および前記第２の信号線は、それぞれ平面視略直線状の形状を有する
ことを特徴とする請求項１または２記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項４】
前記第１の信号線および前記第２の信号線は、共に平面視一直線上に設けられ、
前記移動部は、前記第１の信号線および前記第２の信号線を結ぶ直線に対して線対称に２つ配設され、
前記絶縁連結部材は、２つの前記移動部と前記第２の信号線とを連結する
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【請求項５】
前記第２の信号線の前記接触部材は、前記移動部の変位を生じさせる合力の作用線上に設けられる
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のＭＥＭＳスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳスイッチに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ＰＣ（Personal Computer）などの無線通信が可能な小型端末装置では、ブロードバンド化やグローバル化の進展に伴って、数ＧＨｚ帯以上の高周波領域を含む様々な周波数帯を用いた複数の通信方式への対応が求められている。一般に、小型端末装置においては、高周波スイッチで通信に用いるアンテナや送受信回路を切り替えることにより、複数の通信方式への対応を実現している。小型端末装置の特性を踏まえると、その高周波スイッチには、低挿入損失かつ高アイソレーションであり、小型かつ低背であり、低電圧で駆動でき、低消費電力であることが望ましい。そこで、このような数ＧＨｚ帯以上の高周波信号のスイッチングに適した高周波スイッチとして、 ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）スイッチが注目されている。このＭＥＭＳスイッチは、機械的に可動とされた接点を有するものであり、高周波領域を含む広い周波数帯での低い挿入損失や高いアイソレーションが期待することができる（非特許文献１参照）。特に、静電引力で駆動するＭＥＭＳスイッチは、消費電力も小さいという特徴もある。
【０００３】
このようなＭＥＭＳスイッチは、２つの方式に大別することができる。一方は、中継方式と呼ばれる方式であり、この方式のＭＥＭＳスイッチは、図８に示すように、基板１００上にそれぞれが絶縁された状態で固定された第１の信号線１１０および第２の信号線１２０と、第１の信号線１１０および第２の信号線１２０の上方に設けられ、基板１００に向かって移動可能に支持された導電性を有する可動信号線１３０とを備えたものである。この中継方式のＭＥＭＳスイッチでは、図８に示すように可動信号線１３０が第１の信号線１１０および第２の信号線１２０と離間した状態から、図９に示すように可動信号線１３０が下方に降下して第１の信号線１１０および第２の信号線１２０と接触した状態とすることにより、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替えるものである。
【０００４】
他方は、直接接触方式と呼ばれる方式であり、この方式のＭＥＭＳスイッチは、図１０に示すように、基板２００上に固定された第１の信号線２１０と、基板２００上から上方に垂設された棒状の支持部材２２１、および、一端が支持部材２２１に支持され他端に接点が設けられた水平方向に延在する棒状の梁部材２２２から構成される第２の信号線２２０とを備えたものである。この直接接触方式では、図１１に示すように、例えば静電引力や圧電効果により梁部材２２２の接点を基板２００側に移動させて、その接点を第１の信号線２１０に接触させることにより、ＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替えるものである。
【０００５】
直接接触方式において梁部材２２２を移動させるための具体的な構成を図１２，図１３に示す。この直接接触方式は、第２の信号線２２０において、梁部材２２２の中央部に基板２００の平面方向に沿った方向に伸張させた平面視略矩形の移動電極部２２２ａを設け、この移動電極部２２２ａと対向する基板２００上に移動電極部２２２ａと同等の外形を有する制御電極２３０を備えたものである。このような直接接触方式では、移動電極部２２２ａおよび制御電極２３０に電圧を印加することにより、これらの電極間の電位差で発生する静電引力によって移動電極部２２２ａを駆動させている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】G.M.Rebeiz and J.B.Muldavin, “RF MEMS switches and switch circuits", IEEE Microwave Magazine, Vol.2, No.4, pp.59-71, Dec.2001.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した中継方式および直接接触方式には、以下に示すような問題があった。
【０００８】
中継方式については、少なくとも２箇所の接点を介して第１の信号線１１０と第２の信号線１２０とを導通させるので、接点が１つの直接接触方式と比べて損失が増大する可能性が高い。例えば、図１４に示すように、可動信号線１３０が微小な傾きを持って信号線と接触すると、接触不良により導通しなかったり、損失が増大したりする場合がある。
【０００９】
一方、直接接触方式については、高周波スイッチに求められる低電圧での駆動を達成するには移動電極部２２２ａの面積を大きくする必要があるが、この面積を大きくすると移動電極部２２２ａと基板２００や他の電極との間に形成される容量成分が大きくなってしまう。すると、伝達する信号が高周波になるほど、基板２００や他の電極から信号線への信号の流入、および、信号線から基板２００や他の電極への信号の流出が起こりやすくなり、結果として、非導通状態におけるアイソレーションの低下や導通状態における挿入損失の増大が生じてしまう。
【００１０】
このように、従来のＭＥＭＳスイッチでは、高アイソレーションおよび低損失化を実現することが困難であった。
【００１１】
そこで、本発明は、高アイソレーションおよび低損失化を実現することができるＭＥＭＳスイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述したような課題を解消するために、本発明に係るＭＥＭＳスイッチは、少なくとも上面が絶縁材料からなる基板と、この基板上に設けられた第１の信号線と、この第１の信号線と離間して基板上に設けられた第２の信号線と、外部信号により変位する移動部を備え、基板上に第１の信号線および第２の信号線と離間して設けられたＭＥＭＳ機構と、第２の信号線の一部と移動部とを互いに絶縁させた状態で連結する絶縁連結部材とを備え、第１の信号線と第２の信号線とは、移動部が変位することにより接触することを特徴とするものである。
【００１３】
上記ＭＥＭＳスイッチにおいて、第２の信号線は、基板上に垂設された柱状の支持部材と、一端が支持部に支持され、基板の平面方向に延在する可撓性を有するばね部材と、このばね部材の他端に設けられ、基板の平面に対して垂直な方向に第１の信号線と対向配置された接触部材とから構成されるようにしてもよい。
ここで、第２の信号線は、接触部材のみが基板の平面に対して垂直な方向に第１の信号線と対向配置されるようにしてもよい。
【００１４】
また、上記ＭＥＭＳスイッチにおいて、第１の信号線および第２の信号線は、それぞれ平面視略直線状の形状を有するようにしてもよい。
【００１５】
また、上記ＭＥＭＳスイッチにおいて、基板上の第１の信号線および第２の信号線を挟む位置に設けられた一対のグランド電極をさらに備えるようにしてもよい。
【００１６】
また、上記ＭＥＭＳスイッチにおいて、第１の信号線および第２の信号線は、共に平面視一直線上に設けられ、移動部は、第１の信号線および第２の信号線を結ぶ直線に対して線対称に２つ配設され、絶縁連結部材は、２つの移動部と第２の信号線とを連結するようにしてもよい。
ここで、第２の信号線の接点は、移動部の変位を生じさせる合力の作用線上に設けられるようにしてもよい。
【００１７】
また、上記ＭＥＭＳスイッチにおいて、ＭＥＭＳ機構は、基板上に垂設された柱状のベース部材と、このベース部材に上端に一端が接続され基板の平面方向に沿った方向に延在する可撓性を有するばね部材と、このばねの他端が接続された平板状の電極からなる移動部と、基板上にベース部材と離間して設けられ、移動部と基板の平面方向に対して垂直な方向に対向配置され、移動部との電位差による静電引力により移動部を変位させる第２の電極とから構成されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第１の信号線と第２の信号線の接点部材とが直接接触するので、第１の信号線と第２の信号線との間の接触不良が少なくなるため、低損失化を実現することができる。また、外部信号により変位する移動部を備えたＭＥＭＳ機構を設け、絶縁連結部材により第２の信号線の一部と移動部とを連結し、この移動部が変位することにより第１の信号線と第２の信号線とを接触させることにより、第２の信号線と他の部材との間に形成される容量成分が小さくなるので、他の部材から第２の信号線への信号の流入や第２の信号線から他の部材への信号の流出が生じにくくなり、高アイソレーション化および低損失化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチの構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１のI-I線による切断面を示す図である。
【図３】図３は、図１のII-II線による切断面を示す図である。
【図４】図４は、第１の信号線２と第２の信号線３とが導通した状態における図１のII-II線断面図である。
【図５】図５は、本発明に係るＭＥＭＳスイッチの変形例を模式的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５のIII-III線による切断面を示す図である。
【図７】図７は、図５のIV-IV線による切断面を示す図である。
【図８】図８は、従来のＭＥＭＳスイッチの一構成例を模式的に示す正面図である。
【図９】図９は、図８のＭＥＭＳスイッチの導通状態を示す正面図である。
【図１０】図１０は、従来のＭＥＭＳスイッチの他の構成例を模式的に示す正面図である。
【図１１】図１１は、図１０のＭＥＭＳスイッチの導通状態を示す正面図である。
【図１２】図１２は、従来のＭＥＭＳスイッチの他の構成例を模式的に示す正面図である。
【図１３】図１３は、図１３の平面図である。
【図１４】図１４は、図８のＭＥＭＳスイッチの動作例を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜ＭＥＭＳスイッチの構成＞
図１〜図３に示すように、本実施の形態に係るＭＥＭＳスイッチは、基板１と、この基板上に設けられた棒状の第１の信号線２と、この第１の信号線２から離間しかつ第１の信号線２と同一直線上に設けられた第２の信号線３と、基板１上において第１の信号線２および第２の信号線３を結ぶ直線に対して離間するとともに線対称に設けられた互いに同等の形状を有する第１の移動機構４および第２の移動機構５と、第１の移動機構４の後述する第１の移動電極４３の下方に設けられた第１の制御電極６と、第２の移動機構５の後述する第２の移動電極５３の下方に設けられた第２の制御電極７と、第１の移動機構４および第２の移動機構５を連結するとともに第２の信号線３に接続された棒状の絶縁連結部材８とを備えている。なお、便宜上、第１の信号線２の延在方向を「Ｘ方向」、基板１の平面内でＸ方向に垂直な方向を「Ｙ方向」、基板１の平面に対して垂直な方向を「Ｚ方向」という。また、Ｘ方向において、第１の信号線２から第２の信号線３に向かう側を正の側とする。同様に、Ｙ方向において、第１の移動機構４から第２の移動機構５に向かう側を正の側とする。同様に、Ｚ方向において、基板１から離間する側を上側または上方、基板１に近づく側を下側または下方とする。また、図２，図３においては、切断面以外については記載を省略している。
【００２２】
基板１は、例えば、基板１の上側の面（以下、「上面」という。）にシリコン酸化膜などの絶縁膜が形成されたシリコン基板、アルミナ基板、ガラス基板など、少なくとも上面が絶縁性を有する材料から構成されている。これにより、基板１の上面にそれぞれ離間して設けられた第１の信号線２、第２の信号線３、第１の移動機構４および第２の移動機構５は、互いに絶縁されることとなる。
【００２３】
第１の信号線２は、基板１の略中央部に配置された一端からＸ方向の負の側に延在し他端が基板１の縁部に位置する棒状の部材から構成される。この第１の信号線２の基板１の縁部側の端部は、図示しない信号線により外部回路に接続されており、第１の信号線２と第２の信号線３との間でやりとりする信号が、その信号線を介して入力または出力される。このような第１の信号線２、および、以下の説明する第２の信号線３、第１の移動機構４、第２の移動機構５、第１の制御電極６、第２の制御電極７は、例えば、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉなど導電性を有する材料から構成されている。
【００２４】
第２の信号線３は、基板１上に垂設された柱状の支持部材３１と、一端が支持部材３１の上端に接続され、この一端からＸ方向の負の側に延在する棒状の梁部材３２と、この梁部材３２の基板１の略中央部上方に位置する他端に設けられ下方に突出した接点部材３３とを備えており、これらが一体形成されている。ここで、接点部材３３の下方には、第１の信号線２の上記一端が位置している。なお、支持部材３１は、図示しない信号線により外部回路に接続されており、第１の信号線２と第２の信号線３との間でやりとりする信号が、その信号線を介して入力または出力される。
【００２５】
なお、第１の信号線２および第２の信号線３において、一方が信号の入力側で他方が信号の出力側であるならば、何れを入力側または出力側とするかは適宜自由に設定することができる。
【００２６】
第１の移動機構４は、基板１上に垂設された柱状の第１のベース部材４１と、一端が第１のベース部材４１の上端に接続され、この一端からＹ方向の正の側に延在する棒状の第１のばね部材４２と、この第１のばね部材４２の他端に接続された平面視略矩形の板状の第１の移動電極４３とを備えており、これらが一体形成されている。ここで、第１のばね部材４２の幅、すなわちＸ方向の長さは、第１のばね部材４２が少なくともＺ方向に弾性変形が可能となるよう、第１の移動電極４３の幅よりも短く形成されている。また、第１の移動電極４３は、その辺がＸ方向またはＹ方向に沿うように配設されており、第２の移動機構５に対向配置されたＸ方向に沿った辺の略中央部に第１のばね部材４２の他端が接続され、この第１のばね部材４２によりＺ方向に移動可能に支持されている。また、第１の移動電極４３は、第１の制御電極６と対向配置されている。さらに、第１のベース部材４１は、図示しない制御装置と電気的に接続されており、この制御装置から印加される駆動電圧が第１の移動電極４３に供給される。このような第１の移動機構４は、第１の制御電極６とともにＭＥＭＳ機構として機能し、第１の移動電極４３が移動部として機能する。
【００２７】
第２の移動機構５は、基板１上に垂設された柱状の第２のベース部材５１と、一端が第２のベース部材５１の上端に接続された一端からＹ方向の負の側に延在する棒状のばね部材５２と、このばね部材５２の他端が接続された平面視略矩形の板状の第２の移動電極５３とを備えており、これらが一体形成されている。ここで、第２のばね部材５２の幅、すなわちＸ方向の長さは、第２のばね部材５２が少なくともＺ方向に弾性変形が可能となるよう、第２の移動電極５３の幅よりも短く形成されている。また、第２の移動電極５３は、その辺がＸ方向またはＹ方向に沿うように配設されており、第１の移動機構４に対向配置されたＸ方向に沿った辺の略中央部に第２のばね部材５２の他端が接続され、この第２のばね部材５２によりＺ方向に移動可能に支持されている。また、第２の移動電極５３は、第２の制御電極７と対向配置されている。さらに、第２のベース部材５１は、図示しない制御装置と電気的に接続されており、この制御装置から印加される駆動電圧が第２の移動電極５３に供給される。このような第２の移動機構５は、第２の制御電極７とともにＭＥＭＳ機構として機能し、第２の移動電極５３が移動部として機能する。
【００２８】
第１の制御電極６は、第１の移動電極４３と同等の外形を有し、基板１上において第１の移動電極４３の下方に設けられている。この第１の制御電極６は、図示しない制御装置と電気的に接続されており、この制御装置から駆動電圧が供給される。
【００２９】
第２の制御電極７は、第２の移動電極５３と同等の外形を有し、基板１上において第２の移動電極５３の下方に設けられている。この第２の制御電極７は、図示しない制御装置と電気的に接続されており、この制御装置から駆動電圧が供給される。
【００３０】
絶縁連結部材８は、一端が第１の移動電極４３の上面、他端が第２の移動電極５３の上面に接続された、Ｙ方向に延在する棒状の部材から構成されている。また、絶縁連結部材８の中央部下面は、第２の信号線３の接点部材３３の上面と接続されている。これにより、絶縁連結部材８は、第２の信号線３、第１の移動機構４および第２の移動機構５を互いに絶縁させた状態で連結する。このような絶縁連結部材８は、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの絶縁材料からなる剛体から構成されている。
【００３１】
このようなＭＥＭＳスイッチは、よく知られているマイクロマシン製造技術を用いて、成膜や選択的エッチングを行うことにより、作製することができる。
【００３２】
＜ＭＥＭＳスイッチの動作＞
次に、本実施の形態に係るＭＥＭＳスイッチの動作について説明する。
【００３３】
図示しない制御装置から、第１の移動機構４の第１の移動電極４３およびこの第１の移動電極４３に対向配置された第１の制御電極６、ならびに、第２の移動機構５の第２の移動電極５３およびこの第２の移動電極に対向配置された第２の制御電極７のそれぞれに駆動電圧が印加されると、対向配置された電極間の電位差により生じる静電引力により、第１の移動電極４３が第１の制御電極６の側に、第２の移動電極５３が第２の制御電極７の側にそれぞれ引き寄せられる。このとき、第２の信号線３は、接点部材３３が絶縁連結部材８により第１の移動電極４３および第２の移動電極５３と機械的に接続されているので、第１の移動電極４３および第２の移動電極５３の移動に伴って接点部材３３も共に移動することとなる。この移動における変位量は、上記静電引力と、第２の信号線３の梁部材３２、第１の移動機構４の第１のばね部材４２および第２の移動機構５の第２のばね部材５２が備える弾性による復元力とのつりあいにより変化する。すなわち、上記電位差により生じる静電引力と、変位により生じる復元力とが等しくなるように接点部材３３が第１の制御電極６および第２の制御電極７が設けられた基板１の側に変位することになり、さらにその電位差が大きくなって静電引力が大きくなるに連れて上記変位量も大きくなる。したがって、その電位差が所定の値よりも大きくなると、図４に示すように、第２の信号線３の接点部材３３の下端が第１の信号線２に接触する。これにより、第１の信号線２と第２の信号線３とが導通した状態となる。
【００３４】
このように第２の信号線３の接点部材３３が第１の信号線２に接触した状態から、上記電位差を上記所定の値よりも小さくすると、第２の信号線３の梁部材３２、第１の移動機構４の第１のばね部材４２および第２の移動機構５の第２のばね部材５２の復元力によってこれらの部材が基板１から遠ざかり、接点部材３３が第１の信号線２から離間する。これにより、第１の信号線２と第２の信号線３とが非導通の状態となる。
【００３５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第１の信号線２と第２の信号線３の接点部材３３が直接接触するので、第１の信号線２と第２の信号線３との間の接触不良が少なくなるので、低損失化を実現することができる。また、本実施の形態では、これをＭＥＭＳスイッチのサイズや駆動電圧を増大することなく実現することができる。
【００３６】
また、第１の移動機構４および第２の移動機構５を設け、絶縁連結部材８により第１の移動機構４および第２の移動機構５と接点部材３３とを連結することにより、第２の信号線３と他の部材との間に形成される容量成分が小さくなるので、他の部材から第２の信号線３への信号の流入や第２の信号線３から他の部材への信号の流出が生じにくくなり、結果として、高アイソレーション化および低損失化を実現することができる。また、本実施の形態では、これをＭＥＭＳスイッチのサイズや駆動電圧を増大することなく実現することができる。
【００３７】
また、接点部材３３については、第１の移動電極４３と第１の制御電極６との間、および、第２の移動電極５３と第２の制御電極７との間に生じる静電引力の合力の作用線上に設けることにより、接点部材３３が第１の信号線２に押しつけられる力が増大するので、接点部材３３と第１の信号線２との接触面積も増大させることができる。これにより、接点部材３３と第１の信号線２との接触面における電気抵抗が減少するので、ＭＥＭＳスイッチの低損失化を実現することができる。本実施の形態においては、上述したように、第１の移動電極４３と第１の制御電極６、および、第２の移動電極５３と第２の制御電極７の大きさを等しく形成したので、これらにより生じる静電引力の合力は、これらの電極の対称中心に作用するものと想定される。そこで、本実施の形態では、接点部材３３をその対称中心に形成している。これにより、ＭＥＭＳスイッチの低損失化を実現することができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第２の信号線３の梁部材３２の他端から下方に突出させた接点部材３３を設け、この接点部材３３のみを第１の信号線２と対向させたので、第１の信号線２と第２信号線３との間に形成される容量が小さくなるので、ＭＥＭＳスイッチの高アイソレーション化を実現することができる。
【００３９】
また、信号線に平面方向に屈曲した屈曲部を設けると、信号が高周波になるほどその屈曲部での反射が増大するので、挿入損失が増大することが想定される。そこで、本実施の形態では、第１の信号線２および第２の信号線３を平面方向において直線状に形成した。これより、低損失化を実現することができる。
【００４０】
また、基板１の平面方向において、第１の信号線２または第２の信号線３と第１の制御電極６または第２の制御電極７とが重なると、重なり合う信号線と制御電極とが容量電極対を形成する。すると、第１の信号線２と第２信号線３とが形成する容量が大きくなるので、信号が高周波になるほど入力側の信号線から出力側の信号線に漏れ出す信号が増大する、すなわちＭＥＭＳスイッチのアイソレーションが低下してしまう。また、出力側の信号線から制御電極に流出する信号も増大してしまう。そこで、本実施の形態では、基板１の平面方向において、第１の信号線２または第２の信号線３と第１の制御電極６または第２の制御電極７とが重ならないようにしている。これにより、ＭＥＭＳスイッチの高アイソレーション化および低損失化を実現することができる。
【００４１】
さらに、本実施の形態において、図５〜図７に示すように、第１の信号線２および第２の信号線３のＹ方向における正負の両側に、基板１の上面から垂設された板状のグランド電極１０，１１を設けるようにしてもよい。このグランド電極１０，１１は、第１の信号線２および第２の信号線３をＹ方向における正負の側から挟むように、第１の信号線２および第２の信号線３から所定間隔離間して配設されている。また、そのＺ方向の高さは、このような接点部材３３近傍においては、図６に示すように第１の信号線２や第１の制御電極６および第２の制御電極７と同等であり、接点部材３３から離れた位置においては。図７に示すように、第１の移動電極４３や第２の移動電極５３と同等である。このようなグランド電極１０，１１を設けることにより、グランド電極１０，１１を設けない場合よりも基板１に誘電損失が少なくなるので、結果として、ＭＥＭＳスイッチの低損失化を実現することができる。なお、図６，図７においては、切断面以外については記載を省略している。
【００４２】
なお、本実施の形態では、静電引力を駆動力として第１の移動機構４および第２の移動機構５を移動させる場合を例に説明したが、第１の移動機構４および第２の移動機構５の駆動力は静電引力に限定されず、適宜自由に設定することができる。例えば、第１の移動電極４３および第２の移動電極５３、または、第１の制御電極６および第２の制御電極７を圧電素子から構成させ、この圧電素子に電圧を印加した時に生じる駆動力を用いるようにしてもよい。
【００４３】
また、本実施の形態では、絶縁連結部材８が、第２の信号線３の接点部材３３の上面に接続される場合を例に説明したが、接点部材３３が変位するのであれば第２の信号線３に接続する部分は接点部材３３の上面に限定されず、適宜自由に設定することができる。例えば、梁部材３２の上面に接続されるようにしてもよい。
【００４４】
また、本実施の形態では、棒状の梁部材３２により接点部材３３が支持される場合を例に説明したが、接点部材３３が支持部材３１と電気的に接続されるのであれば接点部材３３を支持するための構成は梁部材３２のような棒状の部材に限定されず、例えば、線状の部材など適宜自由に設定することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、第１の移動機構４と第２の移動機構５という２つの移動部を設ける場合を例に説明したが、移動部の数量は２つの限定されず、例えば移動部を１つまたは３つ以上設けるようにしてもよい。移動部を１つのみ設ける場合には、例えば、本実施の形態において第２の移動機構５を削除し、第２の信号線３と第１の移動機構４とを絶縁連結部材８により接続するようにすればよい。一方、移動部を３つ以上設ける場合には、例えば、絶縁連結部材８の延在方向そって並列に移動部を設けるようにすればよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ＭＥＭＳスイッチなど、ＭＥＭＳ技術等により製造される各種微細構造体に適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１…基板、２…第１の信号線、３…第２の信号線、４…第１の移動機構、５…第２の移動機構、６…第１の制御電極、７…第２の制御電極、８…絶縁連結部材、１０，１１…グランド電極、３１…支持部材、３２…梁部材、３３…接点部材、４１…第１のベース部材、４２…第１のばね部材、４３…第１の移動電極、５１…第２のベース部材、５２…第２のばね部材、５３…第２の移動電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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