(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ベース基板上に第１配向膜を形成する段階と、
第２ベース基板上に第２配向膜を形成する段階と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との中でいずれか１つ上に液晶を滴下する段階と、
前記第１ベース基板と前記第２ベース基板とを結合する段階と、を含み、
前記第１及び第２配向膜を形成する段階の中で少なくとも１つは、
対応するベース基板上に配向液を形成する段階と、
前記配向液を硬化して配向膜を形成する段階と、
前記配向膜を形成したベース基板に光を提供して前記配向膜を配向する段階と、
前記配向膜を配向したベース基板を１次洗浄する段階と、
前記１次洗浄後に前記配向膜をベークする段階と、を含む液晶表示装置製造方法。
【請求項２】
前記１次洗浄段階は、湿式に遂行される請求項１に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項３】
前記１次洗浄段階は、脱イオン水を利用して前記ベース基板を洗浄する段階を含む請求項２に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項４】
前記１次洗浄段階は、前記ベース基板をバブルジェット（登録商標）を利用して洗浄する段階及びエアーナイフを利用して洗浄する段階をさらに含む請求項３に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項５】
前記配向液をベークする段階の以後に２次洗浄する段階をさらに含む請求項２に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項６】
前記２次洗浄は、乾式に遂行される請求項５に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項７】
前記２次洗浄は、超音波を利用して遂行される請求項６に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項８】
前記１次洗浄段階は、乾式に遂行される請求項１に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項９】
前記１次洗浄段階は、超音波を利用して遂行される請求項８に記載の液晶表示装置製造方法。
【請求項１０】
前記配向液をベークする段階の以後に２次洗浄する段階をさらに含む請求項８に記載の液晶表示装置製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶層の特性によってツイストされたネマティック形液晶表示装置、水平電界形液晶表示装置、又は垂直配向形液晶表示装置等に区分される。
【０００３】
前記垂直配向形液晶表示装置は電気場が印加されない状態で所定方向に配向され、液晶分子の長軸が前記基板面に垂直に配列される。これによって、視野角が広くてコントラスト比が大きい。
【０００４】
前記液晶分子を電気場が印加されない状態で所定方向に配向させるための方法としてはラビング方法や光配向方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６、０６３、８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明の目的は光配向法を利用する配向膜の形成方法を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は前記配向膜の形成方法を利用して表示品質が向上された液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するための本発明の一実施形態による液晶表示装置は第１ベース基板上に第１配向膜を形成し、第２ベース基板上に第２配向膜を形成し、前記第１配向膜と前記第２配向膜との中でいずれか１つ上に液晶を滴下し、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板とを結合して製造される。
【０００９】
前記第１及び第２配向膜の中で少なくとも１つは対応するベース基板上に配向液を形成し、前記配向液を硬化して配向膜を形成し、前記ベース基板に光を提供して前記配向膜を配向し、前記ベース基板を１次洗浄し、前記配向膜をベークして形成され得る。
【００１０】
前記１次洗浄段階は湿式に遂行されることができ、この場合、脱イオン水を利用して前記ベース基板を洗浄することができる。前記１次洗浄段階は前記ベース基板をバブルジェット（登録商標）を利用して洗浄する段階及びエアーナイフを利用して洗浄する段階をさらに包含することができる。
【００１１】
選択的に、前記１次洗浄段階は乾式に遂行されることができ、この場合、前記１次洗浄段階は超音波を利用して遂行されることができる。
【００１２】
本発明の一実施形態によれば、前記配向液を露光する段階の以後に前記ベース基板の異物質の存在可否を検査する段階がさらに包含され得る。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、光配向法を利用する配向膜の形成方法を提供する。
【００１４】
本発明の一実施形態によれば、不良率が減少した高品質の液晶表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。
【図２】図１に図示された画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図４】図３に図示された切断線Ｉ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による液晶表示装置を製造する方法を示した順序図である。
【図６】本発明の一実施形態による配向膜を形成する方法を示した順序図である。
【図７】本発明の第１実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。
【図８】本発明の第２実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。
【図９】本発明の第３実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。
【図１０】露光段階の以後のベークの可否にしたがう配向膜の異方性を示したグラフである。
【図１１】配向膜の形成方法にしたがう不良率を比較したグラフである。
【図１２】露光を遂行した後超音波を利用して洗浄する時の異物質の個数を示したグラフである。
【図１３】洗浄の有無にしたがう最終的な液晶表示装置の収率を示したグラフである。
【図１４】洗浄の有無にしたがう最終的な液晶表示装置の平均異物質の個数を示したグラフである。
【図１５】洗浄の有無にしたがうコントラスト比を示したグラフである。
【図１６】洗浄の有無にしたがう常温殘像を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとすることでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解しなければならない。
【００１７】
各図面を説明しながら、類似な参照符号を類似な構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示したことである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しなくて第１構成要素は第２構成要素と称され得り、類似に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１８】
本出願で、“包含”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組合したことが存在することを指定しようとすることであるが、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組合したことの存在又は付加可能性を予め排除しないこととして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“上に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに上に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に層、膜、領域、板等の部分が他の部分“下に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに下に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は図１に図示された画素に対する等価回路図である。
【００２１】
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による液晶表示装置は映像を表示する映像表示部ＤＰＰ、映像表示部ＤＰＰを駆動するゲート駆動部ＧＤＲ及びデータ駆動部ＤＤＲ、前記ゲート駆動部ＧＤＲと前記データ駆動部ＤＤＲとの駆動を制御するタイミングコントローラＴＣを含む。
【００２２】
前記映像表示部ＤＰＰは多数のゲートラインＧＬ、多数のデータラインＤＬ、及び多数の画素ＰＸＬを含む。図２に示したように、前記映像表示部ＤＰＰは第１基板ＳＵＢ１、前記第１基板ＳＵＢ１と対向する第２基板ＳＵＢ２、及び前記第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に介在された液晶層ＬＣからなされた液晶表示パネルを包含することができる。
【００２３】
前記多数のゲートラインＧＬと前記多数のデータラインＤＬとは前記第１基板ＳＵＢ１上に具備される。前記多数のゲートラインＧＬは行方向に延長され、互いに並行に列方向に配列される。前記多数のデータラインＤＬは列方向に延長され、互いに並行に行方向に配列される。
【００２４】
前記多数の画素ＰＸＬの各々はゲートラインＧＬとデータラインＤＬとに連結でき、前記各画素ＰＸＬは薄膜トランジスターＴｒ、液晶キャパシターＣｌｃ、及びストレージキャパシターＣｓｔを含む。
【００２５】
前記薄膜トランジスターＴｒは前記ゲートラインＧＬに連結されたゲート電極、前記データラインＤＬに連結されたソース電極、及び前記液晶キャパシターＣｌｃと前記ストレージキャパシターＣｓｔとに連結されたドレーン電極を具備する。
【００２６】
前記液晶キャパシターＣｌｃは前記第１基板ＳＵＢ１に具備された画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとを２つの端子とし、前記液晶層ＬＣは誘電体の役割を遂行する。前記画素電極ＰＥは前記薄膜トランジスターＴｒのドレーン電極に電気的に連結され、前記共通電極ＣＥは基準電圧Ｖｃｏｍを受信する。
【００２７】
一方、前記各画素ＰＸＬは前記画素電極ＰＥに対応する前記第２基板ＳＵＢ２の領域に具備されて基本色の中で１つを示すカラーフィルターＣＦを含む。図２と異なりに、前記カラーフィルターＣＦは前記第１基板ＳＵＢ１に提供される前記画素電極ＰＥの上部又は下部に形成されることもあり得る。
【００２８】
再び、図１を参考すれば、前記タイミングコントローラＴＣは前記液晶表示装置の外部から多数の映像信号ＲＧＢ及び多数の制御信号ＣＳを受信する。前記タイミングコントローラＴＣは前記データ駆動部ＤＤＲとのインターフェイス仕様に合うように前記映像信号ＲＧＢのデータフォーマットを変換し、変換された映像信号Ｒ’Ｇ’Ｂ’を前記データ駆動部ＤＤＲへ提供する。また、前記タイミングコントローラＴＣは前記多数の制御信号ＣＳに基づいてデータ制御信号Ｄ−ＣＳ（例えば、出力開示信号、水平開示信号等）及びゲート制御信号Ｇ−ＣＳ（例えば、垂直開示信号、垂直クロック信号、及び垂直クロックバー信号）を生成する。前記データ制御信号Ｄ−ＣＳは前記データ駆動部ＤＤＲへ提供され、前記ゲート制御信号Ｇ−ＣＳは前記ゲート駆動部ＧＤＲへ提供される。
【００２９】
前記ゲート駆動部ＧＤＲは前記タイミングコントローラＴＣから提供される前記ゲート制御信号Ｇ−ＣＳに応答してゲート信号を順次的に出力する。したがって、前記多数の画素ＰＸＬは前記ゲート信号によって行単位に順次的にスキャニングされ得る。
【００３０】
前記データ駆動部ＤＤＲは前記タイミングコントローラＴＣから提供される前記データ制御信号Ｄ−ＣＳに応答して前記映像信号Ｒ’Ｇ’Ｂ’をデータ電圧に変換して出力する。前記出力されたデータ電圧は前記映像表示部ＤＰＰへ印加される。
【００３１】
したがって、各画素ＰＸＬは前記ゲート信号によってターンオンされ、ターンオンされた前記画素ＰＸＬは前記データ駆動部ＤＤＲから該当データ電圧を受信して望む階調の映像を表示する。
【００３２】
図３は本発明の一実施形態による液晶表示装置の平面図であり、図４は図３に図示された切断線Ｉ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。ここで、各画素は同一な構造で行われるので、説明の便宜上１つの画素が、前記画素の中で１つの画素に隣接する前記ゲートライン及び前記データラインと共に図示された。
【００３３】
図２及び図４を参照すれば、前記液晶表示装置は第１基板ＳＵＢ１と前記第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、及び前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２との間に形成された液晶層ＬＣを含む。
【００３４】
前記第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１、複数のゲートラインＧＬ、複数のデータラインＤＬ、複数の画素ＰＸＬ、及び前記画素をカバーする第１配向膜ＡＬＮ１を含む。前記第１ベース基板ＢＳ１は大略方形状を有し、透明絶縁物質からなされる。
【００３５】
前記ゲートラインＧＬは前記第１ベース基板ＢＳ１上に第１方向Ｄ１に延長されて形成される。
【００３６】
前記ゲートラインＧＬが形成された前記第１ベース基板ＢＳ１の上にはゲート絶縁膜ＧＩが提供される。前記ゲート絶縁膜ＧＩは絶縁物質からなされ得るが、例えば、シリコン窒化物や、シリコン酸化物を包含することができる。
【００３７】
前記データラインＤＬは前記ゲートラインＧＬと前記ゲート絶縁膜ＧＩを介して前記第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延長されて提供される。
【００３８】
前記各画素ＰＸＬは前記ゲートラインＧＬの中で１つと前記データラインＤＬとの中で１つに連結される。前記各画素ＰＸＬは薄膜トランジスター、前記薄膜トランジスターに連結された画素電極ＰＥ、前記画素電極ＰＥをカバーする保護膜ＰＳＶ、前記画素電極ＰＥと離隔されて提供された共通電極ＣＥ、前記共通電極ＣＥに連結され、前記画素電極ＰＥと重畳してストレージキャパシターを形成するストレージラインＳＴＬを含む。前記薄膜トランジスターはゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体パターンＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。
【００３９】
前記ゲート電極ＧＥは前記ゲートラインＧＬから突出させるか、或いは前記ゲートラインＧＬの一部領域上に提供される。
【００４０】
前記ゲート電極ＧＥは金属からなされ得る。前記ゲート電極ＧＥはニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらを含む合金からなされ得る。前記ゲート電極ＧＥは前記金属を利用する単一膜又は多重膜で形成され得る。例えば、前記ゲート電極ＧＥはモリブデン、アルミニウム、及びモリブデンが順次的に積層された３重膜であるか、或いはチタニウムと銅とが順次的に積層された二重膜であり得る。又はチタニウムと銅との合金からなされた単一膜であり得る。
【００４１】
前記ゲート絶縁膜ＧＩは前記第１ベース基板ＢＳ１の全面に提供されて、前記ゲートラインＧＬ、前記ゲートラインＧＬをカバーする。
【００４２】
前記半導体パターンＳＭは前記ゲート絶縁膜ＧＩ上に提供される。前記半導体層ＳＭはゲート絶縁膜ＧＩを介して前記ゲート電極ＧＥ上に提供される。前記半導体パターンＳＭは一部の領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳される。前記半導体パターンＳＭは前記ゲート絶縁膜ＧＩ上に提供されたアクティブパターンＡＣＴと前記アクティブパターンＡＣＴ上に形成されたオーミックコンタクト層ＯＨＭとを含む。前記アクティブパターンＡＣＴは非晶質シリコン薄膜からなされ得り、前記オーミックコンタクト層ＯＨＭはｎ＋非晶質シリコン薄膜からなされ得る。前記オーミックコンタクト層ＯＨＭは前記アクティブパターンＡＣＴの一部領域と後述するソース電極ＳＥとの間及び前記アクティブパターンＡＣＴの他の一部領域と後述するドレーン電極ＤＥとの間に提供される。前記オーミックコンタクト層ＯＨＭは前記アクティブパターンＡＣＴと前記ソース電極ＳＥ及びドレーン電極ＤＥとの間を各々オーミックコンタクト（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）させる。
【００４３】
前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬから分枝されて提供される。前記ソース電極ＳＥは前記オーミックコンタクト層ＯＨＭ上に形成され、一部領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳する。
【００４４】
前記ドレーン電極ＤＥは前記半導体パターンＳＭを介して前記ソース電極ＳＥから離隔されて提供される。前記ドレーン電極ＤＥは前記オーミックコンタクト層ＯＨＭ上に形成され、一部領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳するように提供される。
【００４５】
前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとはニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらを含む合金からなされ得る。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとは前記金属を利用する単一膜又は多重膜で形成され得る。例えば、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとはチタニウムと銅が順次的に積層された二重膜であり得る。又は、チタニウムと銅との合金からなされた単一膜であり得る。
【００４６】
これによって、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間の前記アクティブパターンＡＣＴの上面が露出され、前記ゲート電極ＧＥの電圧の印加可否にしたがって前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間で伝導チャンネル（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｈａｎｎｅｌ）をなすチャンネル部ＣＨＮになる。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとは前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間の離隔されて形成されたチャンネル部ＣＨＮを除外した領域で前記半導体層ＳＭの一部と重畳する。
【００４７】
前記画素電極ＰＥは前記ドレーン電極ＤＥと前記ゲート絶縁膜ＧＩとの上に具備される。前記画素電極ＰＥはその一部が前記ドレーン電極ＤＥの一部と前記ゲート絶縁膜ＧＩの直ちに上に提供されて前記ドレーン電極ＤＥに連結される。これによって、平面上から見る時、前記画素電極ＰＥの一部は前記ドレーン電極ＤＥと重畳する。前記画素電極ＰＥは平面上から見る時、大略長方形状を有するが、これに限定されることではなく、前記各画素ＰＸＬの形状によって多様な形状に具備され得る。前記画素電極ＰＥは内部にスリットのようなパターンが無しで一体の板で形成される。
【００４８】
前記画素電極ＰＥは透明な導電性物質で形成される。特に、前記画素電極ＰＥは透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される。前記透明導電性酸化物はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等がある。
【００４９】
前記保護膜ＰＳＶは前記画素電極ＰＥが形成された前記第１ベース基板ＢＳ１上に提供される。前記保護膜ＰＳＶは前記チャンネル部ＣＨＮと前記画素電極ＰＥとをカバーする。前記保護膜ＰＳＶは、例えばシリコン窒化物やシリコン酸化物を包含することができる。
【００５０】
前記共通電極ＣＥは前記保護膜ＰＳＶ上に形成される。前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥの一部と重畳される。前記共通電極ＣＥは平面上から見る時、前記画素電極ＰＥが前記ドレーン電極ＤＥと重畳する部分とは重畳しない。即ち、前記画素電極ＰＥにおいて、前記ドレーン電極ＤＥと重畳される領域を第１領域ＰＥ１、前記ドレーン電極ＤＥと重畳しない領域を第２領域ＰＥ２と称する時、前記共通電極ＣＥは前記第１領域ＰＥ１と重畳せず、前記第１領域ＰＥ１から離隔されて提供される。
【００５１】
前記共通電極ＣＥはその一部が除去されて形成された複数のスリットＳＬＴを有する。前記スリットＳＬＴは前記第１方向Ｄ１や前記第２方向Ｄ２へ傾いた方向を有するように提供され得る。また、前記共通電極ＣＥは互いに異なる傾いた方向を有するスリットＳＬＴを含む複数の領域を有し得り、この時、前記領域は前記画素ＰＸＬを横切る仮想の線に対して実質的に線対称に配置されるか、或いは前記画素内のいずれか一地点に対して実質的に点対称に配置され得る。図３では一例として、前記スリットＳＬＴが前記画素を第１方向に横切る仮想の線ＩＭＬに対して線対称に形成されたことを図示した。
【００５２】
言い換えれば、前記共通電極ＣＥは各画素毎に形成された幹部ＣＥａと、前記スリットＳＬＴによって分かれ、前記幹部ＣＥａから突出されて延長された複数の枝部ＣＥｂとを有する。前記枝部ＣＥｂは互いに一定の間隔離隔される。前記共通電極ＣＥの前記枝部ＣＥｂは前記画素電極ＰＥと共に電界を形成する。
【００５３】
前記枝部ＣＥｂは所定方向に並行に延長されるように形成され得る。前記幹部ＣＥａと枝部ＣＥｂとは多様な形状に提供され得る。例えば、前記枝部ＣＥｂは前記幹部ＣＥａの延長方向と垂直になる両側方向に全て突出されて延長されることもあり得る。又は前記幹部ＣＥａが複数回折曲された形態に形成されることもあり得る。
【００５４】
前記共通電極ＣＥは透明導電性物質で形成され得る。前記共通電極ＣＥは前記共通電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物で形成され得る。
【００５５】
前記ストレージラインＳＴＬは前記第１ベース基板ＢＳ１と前記ゲート絶縁膜ＧＩとの間に前記ゲートラインＧＬと離隔されて提供される。前記ストレージラインＳＴＬは前記ゲートラインＧＬと同一物質で形成されることができ、前記ゲートラインＧＬと単一パターニング工程を通じて形成され得る。
【００５６】
前記ストレージラインＳＴＬは前記第１方向Ｄ１に延長され、前記第２方向Ｄ２に突出されて前記データラインＤＬ及び前記画素電極ＰＥの一部と重畳する。前記ストレージラインＳＴＬと前記画素電極ＰＥとは前記ゲート絶縁膜ＧＩを介してストレージキャパシターをなす。
【００５７】
前記ゲート絶縁膜ＧＩと前記保護膜ＰＳＶとには前記ゲート絶縁膜ＧＩの一部と前記保護膜ＰＳＶの一部が除去されて前記ストレージラインＳＴＬの一部を露出させる第１コンタクトホールＣＨ１が提供される。前記共通電極ＣＥは前記第１コンタクトホールＣＨ１を通じて前記ストレージラインＳＴＬに連結される。前記ストレージラインＳＴＬと前記共通電極ＣＥとには同一のレベルの共通電圧が印加される。ここで、前記共通電圧は前記ストレージラインＳＴＬを通じて各画素の前記共通電極ＣＥへ印加されるので、全体表示領域での共通電極ＣＥに電圧降下無しで均一なレベルの電圧が印加される。
【００５８】
前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記共通電極ＣＥが形成された前記第１ベース基板ＳＵＢ１上に提供され、前記液晶層の液晶分子を配向させる。前記第１配向膜ＡＬＮ１は後述する光配向膜の構成材料を塗布した基板に一部偏光又は全偏光された光を照射して光反応を発生させることによって、得ることができ、前記液晶層の前記液晶分子を一方向に配向させる。
【００５９】
前記第１配向膜ＡＬＮ１の構成材料は光が提供される時、反応を発生させて前記第１配向膜ＡＬＮ１も異方性を与える材料であれば、特別に限定されることではない。例えば、前記第１配向膜ＡＬＮ１は光反応基を有する高分子からなされ、前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記光反応基に光が照射されることによって、前記光の照射方向にしたがう方向性を有することができる。前記高分子としてはポリアミック酸、ポリアミック酸を部分的にイミド化したポリマー、又はこのポリアミック酸を脱水環化して得られるポリイミドがある。
【００６０】
本発明の一実施形態によれば、前記光反応基は光分解反応（ｐｈｏｔｏ−ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）又は光異性化反応（ｐｈｏｔｏ−ｉｓｏｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）を生じる作用基であり得る。
【００６１】
本発明の一実施形態によれば、前記第１配向膜ＡＬＮ１が光異性化反応によって、異方性が付与された場合、前記第１配向膜ＡＬＮ１はシクロブタン系二無水物又はその誘導体とジアミンで構成されるポリアミック酸又はポリイミドであり得る。前記シクロブタン系二無水物はシクロブタンテトラカルボキシル酸二無水物であり、前記ジアミンは芳香族ジアミンであり得る。前記シクロブタンテトラカルボキシル酸二無水物及びその誘導体は下記の化学式１で表示される。
【００６２】
［化学式１］
0005608299.tif 000002
【００６３】
前記化学式の中で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は各々独立的に水素原子、弗素原子、又は炭素数１乃至６のアルキル基、アルコキシ基である。
【００６４】
前記芳香族ジアミン化合物は下記の化学式２でなされた群で選択された１つ以上を含む。
【００６５】
［化学式２］
0005608299.tif 000003
【００６６】
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は各々独立的に水素原子、弗素原子、又は炭素数１乃至６のアルキル基又はアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２、ｍ＝０、１、２）、又はアセチル基（−ＣＨ２）ｎ−Ｃ≡ＣＨ、ｎ＝０、１、２）を示し、Ｘは−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＮＨ−である
本発明の一実施形態によれば、前記第１配向膜ＡＬＮ１が光異性化反応によって異方性が付与された場合、前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記光反応器はアゾベンゼン系単分子化合物又は重合性単量体を含むポリアミック酸又はポリイミドであり得る。
【００６７】
前記アゾベンゼン系化合物は光異性化反応を発生させることによって、第１配向膜ＡＬＮ１に異方性を付与する。前記アゾベンゼン系化合物に直線偏光紫外線を照射すれば、下記の化学式３で表示されたようにトランス型のアゾベンゼン系化合物がシス型に変わる。
【００６８】
［化学式３］
0005608299.tif 000004
【００６９】
アゾベンゼン系化合物のシス型はトランス型に比べて化学的に不安定であるので、熱的に又は可視光を吸収してトランス型に戻るが、この時、前記化学式の左側のトランス型になるか、或いは右側のトランス型になる変化は同一の確率で発生する。そのために、紫外光を続いて吸収すれば、右側のトランス型の比率が増加し、アゾベンゼン系化合物の平均配向方向は紫外光の偏光方向に対して垂直になる。前記現象を利用することによって、アゾベンゼン系化合物の配向方向を一致させ、光配向膜に異方性を付与し、その膜上の液晶分子の配向を制御することができる。
【００７０】
このような分子内にアゾベンゼン系化合物の中で単分子化合物としては、例えば下記の化学式で表示される化合物を挙げられる。
【００７１】
0005608299.tif 000005
【００７２】
ここで、Ｒ５は各々独立的にヒドロキシ基を示す。Ｒ６は−（Ａ５−Ｂ５−Ａ５）ｍ−（Ｄ５）−で表示される連結基を示し、Ｒ７は−（Ｄ５）ｎ−（Ａ５−Ｂ５−Ａ５）ｍ−で表示される連結基である。ここで、Ａ５は２価の炭化水素基、Ｂ５は−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、又は−ＯＣＯＮＨ−を示し、ｍは０乃至３の整数である。Ｄ５はｍが０である時、２価の炭化水素基を示し、ｍが１乃至３の整数である時、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＯ−、又は−ＯＣＯＮＨ−を示す。ｎは０又は１を示す。Ｒ８は各々独立的にハロゲン原子、カルボキシル基、ハロゲン化メチル基、ハロゲン化メトキシ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、又はメトキシカルボニル基を示す。但し、カルボキシル基はアルカリ金属と塩を形成することもあり得る。Ｒ９は各々独立的にカルボキシル基、スルホニル基、ニトロ基、アミノ基、又はヒドロキシ基を示す。但し、カルボキシル基又はスルホニル基はアルカリ金属と塩を形成することもあり得る。
【００７３】
前記第２基板ＳＵＢ２は第２ベース基板ＢＳ２、カラーフィルターＣＦ、ブラックマトリックスＢＭ、及び第２配向膜ＡＬＮ２を含む。
【００７４】
前記カラーフィルターＣＦは前記液晶層ＬＣを通過する光に色を提供するためのことである。前記複数のカラーフィルターＣＦは赤色カラーフィルター、緑色カラーフィルター、及び青色カラーフィルターを含む。前記赤色カラーフィルター、前記緑色カラーフィルター、又は前記青色カラーフィルターは前記各画素ＰＸＬに一対一に対応して配置され得る。互いに隣接する画素と画素との間には漏洩される光を遮断するためのブラックマトリックスＢＭが配置される。
【００７５】
前記第２配向膜ＡＬＮ２は前記カラーフィルターＣＦ上に提供され、前記第１配向膜ＡＬＮ１のように、前記液晶層ＬＣの液晶分子を配向させる。前記第２配向膜ＡＬＮ２は上述した光配向膜の構成材料を塗布した基板に一部偏光又は全偏光された光を照射して光反応を発生させることによって得ることができ、前記液晶層ＬＣの前記液晶分子を一方向に配向させる。
【００７６】
前記第２配向膜ＡＬＮ２の材料は前記第１配向膜ＡＬＮ１の材料と同一であるか、或いは互いに異なり得る。
【００７７】
前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む前記液晶層ＬＣが提供される。
【００７８】
前記液晶表示装置において、前記ゲートラインＧＬにゲート信号が印加されれば、前記薄膜トランジスターがターンオンされる。したがって、前記データラインＤＬへ印加された前記データ信号は前記薄膜トランジスターを通じて前記画素電極ＰＥへ印加される。前記薄膜トランジスターがオン状態になって画素電極ＰＥへデータ信号が印加されれば、前記画素電極ＰＥと前記共通電極ＣＥとの間に電界が形成される。この時、前記画素電極ＰＥへ印加される電圧は前記共通電極ＣＥへ印加される電圧より大きいか、或いは小さい。例えば、前記共通電極ＣＥへ０Ｖの電圧が印加され、画素電極ＰＥへ７Ｖの電圧が印加され得る。前記共通電極ＣＥと前記画素電極ＰＥとへ印加される電圧の差異によって生成された電界によって前記液晶分子が駆動される。これによって、前記液晶層ＬＣを透過する光量が変化されて映像が表示される。
【００７９】
本発明の一実施形態による液晶表示装置において、前記画素電極が一体の板で形成され、前記共通電極が前記画素電極の上部に複数のスリットを有するように提供されるが、これに限定されることではない。即ち、前記画素電極に複数のスリットが形成されることができ、この場合、前記画素電極が前記共通電極の上部に提供され得る。前記実施形態において、前記液晶表示装置はＰＬＳ（ｐｌａｎｅ−ｔｏ−ｌｉｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに駆動される。また、本発明の一実施形態では前記画素電極にスリットが無い一体の板で形成されたが、前記画素電極にも複数のスリットが形成されることができ、この場合、前記画素電極も枝部を有することができる。この場合、前記画素電極の枝部は前記共通電極の枝部と平面上で交互に配置されてＩＰＳ（ｉｎ  ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードに動作することができる。また、本発明の概念に反しない限り、前記液晶表示装置の構造は前記ＰＬＳモードやＩＰＳモードを除外した他のモードを有することができるのは勿論である。
【００８０】
以下、本発明の一実施形態による液晶表示装置の製造方法に対して詳細に説明する。但し、説明の便宜上、前述した液晶表示装置の説明と重複される説明は省略する。
【００８１】
図５は本発明の一実施形態による液晶表示装置を製造する方法を示した順序図である。
【００８２】
図５を参照すれば、本発明の一実施形態による液晶表示装置は第１ベース基板に第１配向膜を形成して前記第１基板を形成し（Ｓ１０）、第２ベース基板に第２配向膜を形成して前記第２基板を形成し（Ｓ２０）、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶を滴下した（Ｓ３０）後、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板とを結合する段階を包含する。
【００８３】
前記第１基板は前記第１ベース基板上にゲートライン、データライン、前記ゲートライン及び前記データラインに連結された多数の画素等を形成し、前記画素上に第１配向膜を形成して製造される。
【００８４】
図６は本発明の一実施形態による配向膜を形成する段階Ｓ２０を示した順序図であって、第１配向膜及び第２配向膜の中で少なくともいずれか１つが図６の方法によって製造され得る。
【００８５】
図６を参照すれば、ベース基板上に配向液を形成し（Ｓ２１０）、前記配向液を硬化して配向膜を形成した（Ｓ２２０）後、前記配向膜に光を提供して配向膜を配向する（Ｓ２３０）。その次に、前記ベース基板を洗浄した（Ｓ２４０）後、前記配向膜をベークする（Ｓ２５０）ことによって、配向膜を形成する。
【００８６】
図７は本発明の第１実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。図６と図７とを参照して本発明の第１実施形態による配向膜の形成方法を具体的に説明すれば、次の通りである。
【００８７】
先ず、ベース基板上に配向液が形成される（Ｓ２１０）。前記配向液は上述した光分解反応又は光異性化反応を生じる作用基（即ち、光反応基）を有する高分子の単量体又は高分子前駆体を包含することができる。前記高分子の単量体又は高分子前駆体は溶媒と共に提供され、その内部に光開始剤のような物質が追加され得る。
【００８８】
前記配向液を前記ベース基板上に形成する方法は特別に限定されることではないが、前記配向液が流体で提供され得るので、スピンコーティング、スリットコーティング、インクジェット等の方法を利用して前記第１ベース基板上に形成することができる。
【００８９】
次に前記配向液が硬化される（Ｓ２２０）。前記硬化過程は第１温度に進行される先硬化段階（Ｓ２２１）と前記第１温度よりさらに高い第２温度に進行される本硬化段階（Ｓ２２３）で行われ得る。前記本硬化段階は前記先硬化段階よりさらに長い時間の間に遂行されることができる。前記先硬化段階で前記配向液内の溶媒が大部分除去され得り、前記本硬化段階で前記単量体や前記前駆体の重合が実質的に完了され得る。
【００９０】
本発明の一実施形態において、前記第１温度は約５０℃乃至約８０℃であるか、又は約６０℃乃至約８０℃であるか、又は約６５℃であり得る。前記先硬化過程は約６０秒乃至約３００秒の間で遂行されることができ、又は約６０秒乃至約１２０秒で遂行されることができ、又は約７０秒の間で遂行されることができる。
【００９１】
本発明の一実施形態において、前記第２温度は約１５０℃乃至約２７０℃であるか、又は約１７０℃乃至約２４０℃であるか、又は約２１０℃であり得る。前記本硬化過程は約５００秒乃至約１０００秒の間で遂行されることができ、又は約７００秒乃至約９００秒で遂行されることができ、又は約８００秒の間で遂行されることができる。
【００９２】
次に、前記配向膜に光を提供して前記配向膜を配向する露光工程Ｓ２３０が遂行される。前記配向膜の配向過程を経て前記配向膜に異方性が与えられる。
【００９３】
前記光は前記光反応基の反応を発生させることができることとして、紫外線、赤外線、遠赤外線、電子線、及び放射線の中で少なくともいずれか１つであり得る。本発明の一実施形態において、前記光は紫外線であり得る。この場合、前記光は約２４０ｎｍ乃至約２７０ｎｍの光であるか、又は約２５０ｎｍ乃至約２６０ｎｍの光であるか、又は約２５４ｎｍの光であり得る。前記光は約０．３Ｊ乃至約１．５Ｊの露光量に、又は約０．４Ｊ乃至約１．２Ｊの露光量に、又は約０．５Ｊ乃至約１Ｊの露光量に前記配向膜に照射され得る。前記光は前記第１ベース基板に垂直方向又は傾いた方向に照射され得り、前記光の照射角度及び前記露光量は前記液晶表示装置の駆動モード、前記配向膜の材料の物性等にしたがって異なり得る。
【００９４】
以後、前記ベース基板が洗浄される。ここで、本洗浄段階は以後の他の洗浄段階と区別するために１次洗浄であると称する。
【００９５】
前記１次洗浄段階は湿式洗浄（Ｓ２４０Ａ）で遂行されることができる。前記湿式洗浄は溶媒を利用する洗浄として、前記ベース基板を前記溶媒に浸す方式で遂行されるか、或いは前記溶媒を噴射ノズル等を利用して前記ベース基板に噴射する方式で遂行されることができる。前記湿式洗浄には脱イオン水（ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ；ＤＩ  ｗａｔｅｒ）が使用され得る。本発明の一実施形態による１次洗浄段階は脱イオン水を利用して遂行される（Ｓ２４１）。
【００９６】
前記脱イオン水の洗浄以後、追加的にバブルジェット（登録商標）を利用する洗浄段階（Ｓ２４３）及び／又はエアーナイフを利用する洗浄段階（Ｓ２４５）が追加遂行されることができる。前記バブルジェット（登録商標）洗浄は、湿式洗浄として、噴射ノズル等を利用して前記ベース基板に気泡を噴射する方式で遂行されることができる。前記エアーナイフ洗浄は、乾式洗浄として、噴射ノズル等を利用して前記ベース基板に圧縮空気を噴射する方式で遂行されることができる。
【００９７】
以後、前記配向膜がベークされる（Ｓ２５０）。前記ベークを通じて露光以後不安定な反応基が安定化されて配向特性が上昇する。また、前記ベークを通じて残留された溶媒が最終的に除去され、前記配向膜の重合が完了されることによって、前記配向膜の耐熱性が増加され得る。
【００９８】
前記ベーク段階は前記本硬化段階と類似な温度及び類似な時間で遂行されることができる。本発明の一実施形態において、前記ベーク段階は約１５０℃乃至約２７０℃、又は約１７０℃乃至約２４０℃、又は約２１０℃で遂行されることができる。前記ベーク段階は約５００秒乃至約１０００秒の間で遂行されることができ、又は約７００秒乃至約９００秒で遂行されることができ、又は約８００秒の間に遂行されることができる。
【００９９】
前記ベークされた前記ベース基板は冷却される。
【０１００】
本発明の一実施形態において、前記ベークされた前記ベース基板は液晶層が形成される以前に追加的に２次洗浄され得る。前記２次洗浄を通じて前記ベーク段階の以後に前記ベース基板に発生する異物質（例えば、搬送過程で付着された異物質）が除去される。
【０１０１】
前記２次洗浄は乾式洗浄であり得る。前記乾式洗浄は気体を利用する洗浄として、前記ベース基板に超音波を印加した気体（例えば、空気）を噴射するか、前記ベース基板の周辺を真空にするか、或いはエアーナイフを利用する方式で遂行されることができる。前記乾式洗浄を通じて前記ベーク段階で発生するフューム（ｆｕｍｅ）粒子から発生する不良を効果的に除去することができる。
【０１０２】
本発明の一実施形態による２次洗浄段階は超音波を利用して遂行されることができる。この場合、前記ベース基板に超音波が印加された空気が噴射されることによって前記ベース基板表面に残留する異物質が除去される。
【０１０３】
上記した方法で製造された配向膜を有する第１基板及び／又は第２基板には液晶層が形成される。
【０１０４】
本発明の一実施形態によれば、上述したように、ベース基板をベークする前に１次洗浄段階を経ることによって、異物質が固着化されて発生する不良を防止する。即ち、前記ベース基板の露光の後、直ちにベークを進行する場合、前記ベース基板の搬送過程で発生する異物質がベークを通じて前記配向膜の表面に固着化されることがあり得る。ベーク工程の以後には前記配向膜の表面に固着化された異物質は洗浄によっても容易に除去されず、画素の不良を発生させることがあり得る。前記１次洗浄はベーク過程で異物質が固着される前に異物質を予め除去することによって不良が発生することを防止する。
【０１０５】
図８は本発明の第２実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。以下、本発明の第２実施形態による液晶表示装置製造方法において、説明を簡単にするため、本発明の第１実施形態と異なる点を主に説明し、省略された部分は本発明の一実施形態にしたがう。
【０１０６】
図６と図８とを参照して本発明の第２実施形態による配向膜の形成方法を具体的に説明すれば、次の通りである。
【０１０７】
先ず、ベース基板上に配向液が形成され（Ｓ２１０）、前記配向液が硬化される（Ｓ２２０）。前記硬化段階は前記配向液が先硬化される段階（Ｓ２２１）と前記配向液が本硬化される段階（Ｓ２２３）とを含む。
【０１０８】
次に、前記配向膜に光を提供して前記配向膜を配向する露光工程（Ｓ２３０）が遂行される。前記配向膜の配向過程を経て前記配向膜に異方性が与えられる。
【０１０９】
以後、前記ベース基板が１次洗浄される。前記１次洗浄段階は乾式洗浄（Ｓ２４０Ｂ）で遂行されることができる。前記１次洗浄は気体を利用する洗浄として、前記ベース基板に超音波を印加した気体（例えば、空気）を噴射するか、前記ベース基板の周辺を真空にするか、或いはエアーナイフを利用する方式に遂行されることができる。
【０１１０】
本発明の一実施形態による１次洗浄段階は超音波を利用して遂行されることができる。この場合、前記ベース基板に超音波が印加された空気が噴射されることによって前記ベース基板表面に残留する異物質が除去される。
【０１１１】
その次に、前記配向膜がベークされ（Ｓ２５０）、前記ベークされた前記ベース基板は冷却される。
【０１１２】
本発明の一実施形態において、前記ベークされた前記ベース基板は液晶層が形成される以前に追加的に２次洗浄され得る。前記２次洗浄は湿式洗浄であり得り、前記湿式洗浄は、前記一実施形態でのように、脱イオン水を利用して遂行されることができ、バブルジェット（登録商標）洗浄及び／又はエアーナイフ洗浄が追加され得る。
【０１１３】
上記した方法に製造された配向膜を有する第１基板及び／又は第２基板には液晶層が形成される。
【０１１４】
本発明の実施形態によれば、上述した本発明の一実施形態でのように、ベース基板をベークする前に１次洗浄段階を経ることによって、異物質が固着化されて発生する不良を防止する。
【０１１５】
図９は本発明の第３実施形態による配向膜の形成方法を具体的に示した順序図である。図６と図９とを参照して本発明の第３実施形態による配向膜の形成方法を具体的に説明すれば、次の通りである。
【０１１６】
先ずベース基板上に配向液が形成され（Ｓ２１０）、前記配向液が硬化される（Ｓ２２０）。前記硬化段階は前記配向液が先硬化される段階（Ｓ２２１）と前記配向液が本硬化される段階（Ｓ２２３）とを包含することができる。
【０１１７】
次に、前記配向膜に光を提供して前記配向膜を配向する露光工程（Ｓ２３０）が遂行される。前記配向膜の配向過程を経て前記配向膜に異方性が与えられる。
【０１１８】
前記露光工程の以後に、異物質検査器で前記配向膜表面の異物質の有無を検査する（Ｓ＿ＩＮＳ）。本発明の一実施形態において、前記異物質検査器は前記配向膜の表面を撮像して前記配向膜の表面上の異物質の存在可否を判別することができる。
【０１１９】
仮に前記配向膜の表面に異物質が発見される場合（Ｙ１）、前記ベース基板は湿式洗浄又は乾式洗浄が遂行される（Ｓ２４０）。前記湿式洗浄は、前記一実施形態でのように、脱イオン水を利用して遂行されることができ、バブルジェット（登録商標）洗浄及び／又はエアーナイフ洗浄が追加され得る。前記乾式洗浄は、前記他の実施形態でのように、超音波を利用して遂行されることができる。
【０１２０】
前記配向膜の表面に異物質が発見される場合とは、所定種類の異物質が発見される場合、所定大きさ以上の異物質が発見される場合、又は所定個数以上の異物質が発見される場合を含む。したがって、特定種類の異物質や、所定大きさ未満の異物質、又は所定個数未満の異物質が前記配向膜の表面に存在しても異物質が無いと判断されることがあり得る。前記異物質の種類、異物質の大きさ、又は異物質の個数等は不良が生じない水準に合わせて適切に変更されることができる。
【０１２１】
選択的に、仮に前記配向膜の表面に異物質が発見される場合（Ｙ２）、前記ベース基板は洗浄やベークに進行されず、再び配向液が形成される段階（Ｓ２１０）に戻る。即ち、前記配向膜の表面に異物質が発見されたが、洗浄を通じて除去が不可能であると判断される場合には配向膜を形成する段階が反復される。
【０１２２】
前記配向膜の表面に異物質が発見される場合、洗浄段階に進行するか、或いは配向膜の形成段階を再び反復するかに対しては前記異物質の種類、異物質の大きさ、又は異物質の個数等は不良が生じない水準に合わせて選択され得る。
【０１２３】
仮に前記配向膜の表面に異物質が発見されない場合（Ｎ）、前記ベース基板の１次洗浄段階（Ｓ２４０）は省略され得り、この時、前記ベース基板は直ちにベーク段階（Ｓ２５０）に進行する。
【０１２４】
以後、前記ベークされた前記ベース基板は冷却され、以後２次洗浄が選択的に遂行されることができる。
【０１２５】
上記した方法によって製造された配向膜を有する第１基板及び／又は第２基板には液晶層が形成される。
【０１２６】
本発明の第３実施形態によれば、配向膜の露光工程以後、異物質検査を実施することによってベース基板の洗浄の可否を判断することができる。異物質検査の結果、異物質が無い場合、ベース基板の洗浄段階が省略されて配向膜の形成工程が簡単になり、異物質がある場合、洗浄や配向膜の再形成を通じて異物質を除去することができる。その結果、配向膜の形成過程で発生できる異物質に効果的に対処することによって前記異物質が固着化されて発生する不良を防止する。
【０１２７】
図１０は露光段階の以後にベークの可否にしたがう配向膜の異方性を示したグラフである。図１０において、光分解形材料ＲＮ−２９８６を使用して配向膜を形成した後、異方性を測定した結果であって、露光の可否（ＵＶ露光）とベークの可否を除外したすべての条件は同様に維持された。図１０において、“ＵＶ未照射”は配向液形成の後、露光段階無しでベークを進行した結果であり、“ＵＶ照射”は紫外線露光は遂行しベークは遂行しない結果であり、“ＵＶ照射の後、ベーク”は紫外線露光及びベークを順次的に遂行した結果を示したグラフである。ここで、前記紫外線は１Ｊ照射され、ベークは２１０℃で１８００秒の間で遂行された。
【０１２８】
図１０を参照すれば、紫外線露光段階を経ない場合には、異方性が非常に低く、紫外線露光段階を経る場合には紫外線露光段階を経ない場合より異方性が非常に高い。
【０１２９】
また、ベーク無しで紫外線露光のみを遂行する場合、異方性が現われるが、その大きさが大きくなく、紫外線露光の後、ベーク段階を遂行した場合、紫外線露光のみを遂行した場合より屈折率異方性が２．１倍ぐらい増加した。そのため、ベーク段階を遂行しなかった場合、配向膜の異方性が大きくなく、これによって液晶分子を所定方向に均一に制御できないことがあり得る。ここで、前記液晶分子が均一に制御されなかった場合、最終的な液晶表示装置のコントラスト比が減少する。
【０１３０】
しかし、ベーク段階を遂行する場合、異方性が十分に形成されるので、液晶分子を効果的に均一に制御することができ、その結果、コントラスト比が向上される。
【０１３１】
図１１は配向膜の形成方法ごとに不良率を比較したグラフである。図１１において、前記不良率は配向膜の形成段階で発生した異物質にしたがう不良率を意味し、配向膜を形成する方法を除外したすべての条件は同様に維持された。図１１において、“ラビング”は配向液を形成した後、露光ではないラビング工程を遂行した（ベークは遂行しないこと）ことであり、“ラビングの後のベーク”は前記ラビングを遂行した後、ベークを遂行したことであり、“ＵＶ照射の後のベーク”は紫外線露光及びベークを順次的に遂行したことを示したことであって、洗浄段階は省略された。
【０１３２】
図１１を参照すれば、ベーク工程無しでラビングのみを遂行する場合、異物質による不良率が非常に低いが、ラビングを遂行するか、或いは紫外線露光を遂行した後のベークを遂行する場合、不良率が非常に高い。これはベークを遂行すれば、配向膜表面の異物質が前記配向膜の表面に固着化されて以後の段階で洗浄を実施しても除去がされないためである。したがって、ベークの以前に異物質を除去する洗浄工程が要求されることを確認することができる。
【０１３３】
図１２は本発明の一実施形態例おいて、露光を遂行した後、超音波を利用して洗浄する時の異物質の個数を示したグラフである。図１２を参照すれば、露光の後、異物質の個数が３７個であったが、超音波を利用する洗浄の以後、異物質の個数が０個に減少された。これを通じて、超音波洗浄を利用して効果的に異物質を除去することができることを確認することができる。
【０１３４】
図１３及び図１４は洗浄の有無にしたがう最終的な液晶表示装置の収率と平均異物質の個数とを各々示したグラフである。図１３及び図１４において、露光の後、洗浄の可否及び洗浄種類を除外したすべての条件は同様に維持された。
【０１３５】
図１３及び図１４において、“洗浄無し”は露光の後、直ちにベークを進行した場合であり、“湿式洗浄”は露光の後、脱イオン水を利用して洗浄を実施した後にベークを進行した場合であり、“乾式洗浄”は露光の後、超音波を利用して洗浄を実施した後にベークを進行した場合である。
【０１３６】
図１３及び図１４を参照すれば、露光の後、洗浄を進行した場合には洗浄を進行しない場合より収率が大幅に向上され、異物質の個数が大幅に減少した。湿式洗浄の場合には洗浄を省略した場合より収率が４．５倍に向上され、異物質の個数は５．７倍に減少した。また、乾式洗浄の場合、洗浄を省略した場合より収率が５．３倍に向上され、異物質の個数は１０倍に減少した。
【０１３７】
図１５及び図１６は洗浄の有無にしたがうコントラスト比と常温殘像とを各々示したグラフである。図１５及び図１６において、露光の後、洗浄の可否及び洗浄種類を除外したすべての条件は同様に維持された。ここで、“洗浄無し”は露光の後、直ちにベークを進行した場合であり、“湿式洗浄”は露光の後、脱イオン水を利用して洗浄を実施した後にベークを進行した場合であり、“乾式洗浄”は露光の後、超音波を利用して洗浄を実施した後にベークを進行した場合である。
【０１３８】
図１５及び図１６を参照すれば、洗浄が省略された場合と湿式／乾式洗浄が遂行された場合、全て類似なコントラスト比と常温殘像とを示し、全て所定基準を満足する値を示した。これは湿式洗浄や乾式洗浄を遂行しても副次的影響が発生しないことを意味する。
【０１３９】
以上実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者は下記の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させ得ることを理解できる。
【０１４０】
例えば、本発明の実施形態による液晶表示装置製造方法は本発明の概念に反しない限り、ＰＬＳモードやＩＰＳモード以外のモードでも適用され得る。
【０１４１】
また、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのことではなく、下記の特許請求の範囲及びそれと同等な範囲内にある全て技術思想は本発明の権利範囲に含まれることで解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１４２】
ＡＬＮ１・・・第１配向膜
ＡＬＮ２・・・第２配向膜
ＳＵＢ１・・・第１基板
ＳＵＢ２・・・第２基板
ＣＥ・・・共通電極
ＰＥ・・・画素電極
ＬＣ・・・液晶層
【要約】      （修正有）【課題】配向膜の形成方法を利用して表示品質が向上された液晶表示装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、第１ベース基板上に第１配向膜を形成し、第２ベース基板上に第２配向膜を形成し、前記第１配向膜と前記第２配向膜との中でいずれか１つ上に液晶を滴下し、前記第１ベース基板と前記第２ベース基板とを結合して製造される。前記第１及び第２配向膜の中で少なくとも１つは対応するベース基板上に配向液を形成しＳ２１０、前記配向液を硬化して配向膜を形成しＳ２２０、前記ベース基板に光を提供してＳ２３０、前記配向膜を配向し、前記ベース基板を１次洗浄しＳ２４０、前記配向膜をベークして形成され得るＳ２５０。【選択図】図６【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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