【事件の表示】
　特願２０１２−１９８２９９「放射線画像検出器及び放射線画像検出器の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２０日出願公開、特開２０１４−　５２３３０、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年９月１０日の出願であって、平成２８年２月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２８日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされ、同年１０月６日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がなされ、これに対して、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審において平成２９年８月２４日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１０月３０日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は、平成２９年１０月３０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板上に二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換パネルに、光学補償材料を介してシンチレータパネルが備えられた放射線画像検出器であって、前記シンチレータパネルがシンチレータの複数の柱状結晶からなるシンチレータ層及び前記光学補償材料が当該柱状結晶間の隙間に浸透することを防止する浸透防止層を有し、かつ当該柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔと複数の当該柱状結晶間の隙間距離の最大値ｄが下記式（１）を満足し、かつ、
前記浸透防止層の厚さが、前記柱状結晶の先端部と、少なくとも前記柱状結晶の先端部に最も近い側面部分と、でほぼ同等であり、前記柱状結晶間の隙間に前記光学補償材料が浸透するのを防止しており、かつ、
前記浸透防止層が、前記シンチレータの光電変換素子側に配置してなる
ことを特徴とする放射線画像検出器。
式（１）　ｄ／２≦ｔ≦８μｍ
［式中、ｔはシンチレータ層の柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚であり、ｄは複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値を表し、ｄは０．５〜１５．０μｍの範囲内である。］」
　なお、本願発明２ないし６は、いずれも、本願発明１をさらに減縮した発明である。
　ただし、本願発明１ないし５は放射線画像検出器についての発明（物の発明）であるのに対し、本願発明６は、本願発明１を減縮した本願発明４の放射線画像検出器の製造方法の発明であり、本願発明１ないし５と本願発明６のカテゴリは異なる。
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献１
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００８−１７０３７４号公報）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付されたものである。）
ａ「【０００１】
　本発明は、放射線検出装置及びシンチレータパネルに関し、特に、柱状結晶で構成されるシンチレータ層を有する放射線検出装置及びシンチレータパネルに関する。」
ｂ「【００１４】
　そこで、本発明は、発光量を低下させることなく、解像力を高め、特性にムラのない放射線検出装置又はシンチレータパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
　本発明は、上記課題を解決するための手段として、光電変換パネルと、該光電変換パネル上に配置されたシンチレータ層と、該シンチレータ層を覆う保護層と、を有する放射線検出装置において、前記シンチレータ層は柱状結晶で構成されていて、前記柱状結晶間の隙間をふさぐ閉塞部材を有することを特徴とする。
【００１６】
　また、本発明は、支持部材と、該支持部材に配置されたシンチレータ層と、該シンチレータ層を覆う保護層と、を有するシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ層は柱状結晶で構成されていて、前記柱状結晶間の隙間をふさぐ閉塞部材を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
　本発明によれば、発光量を低下させることなく、解像力を高め、特性にムラのない放射線検出装置又はシンチレータパネルが実現できる。」
ｃ「【００１８】
　以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
【００１９】
　本発明は、
柱状結晶に形成されたシンチレータ層の柱間の隙間に気体以外の物質が混入しないよう、柱の上部の隙間に閉塞部材を配置するものである。
【００２０】
　
これにより、保護層を形成する際、保護層の材料が柱の隙間に混入するのを防止することができ、
【００２１】
　閉塞部材の形状は一般に問わないが、生産方法を考慮すれば、粒子が好適である。
【００２２】
　閉塞部材は、中空の粒子でもよい。
【００２３】
　閉塞部材の大きさは柱上部の隙間に入り込まない程度のものであることが必要である。柱上部の隙間はばらついているため、そのバラツキの３σ以上の大きさが好適である。
【００２４】
　
閉塞部材の屈折率は、それとシンチレータ層双方に接する保護層の屈折率と実質的に同じである
【００２５】
　閉塞部材は、任意の波長に対して吸収特性を持っていても蛍光に対し実質的に透明であればよい。つまり、蛍光を１００％透過する物質である必然性はない。
【００２６】
　閉塞部材の材質は、有機物でも無機物でもかまわない。」
ｄ「【００４５】
　［実施形態１］
　図１は、本発明の第１の実施形態としての放射線検出装置を示す断面図である。
【００４６】
　これは、光電変換パネル１００に直接柱状結晶シンチレータ層２００を蒸着した放射線検出装置に適用した例である。
【００４７】
　ガラス基板１０１上に複数の光電変換素子１０２と複数のＴＦＴ素子１０３を形成し全体を保護層１０４で覆っている。
【００４８】
　保護層１０４の上面にはＣｓＩ：ＴＩからなる柱状結晶シンチレータ層が形成され、ホットメルトからなる保護層３０１、Ａｌからなる反射層３０２、ＰＥＴからなる保護層３０３が積層されている。３０１〜３０３を保護シート３００と称する。
【００４９】
　架橋ポリスチレン製の粒子４０１は柱の上部に配置されており、これば溶融時のホットメルトの隙間への侵入を防止している。
【００５０】
　図２及び３は、図１のＡ部拡大図である。図２は、隙間を１層の粒子がきれいにふさいでいるが、図３のように複数層でふさいでいても屈折率の差が実質的になく光の散乱を招くことがないので問題ない。」
ｅ「【００６９】
　［実施形態６］
　図１８は、本発明の第６の実施形態としての
シンチレータパネル
カーボン板等の支持基板１０５上に、反射層としてのＡｌ薄膜１０６、保護層１０４を形成する。
【００７０】
　
そして、保護層１０４上にシンチレータ層２００、閉塞部材４０１及び保護層３０１を
形成する。
【００７１】
　このようにして得られたシンチレータパネルと図１に示したセンサパネル１００とを接着剤を用いて貼り合わせると放射線検出装置が得られる。」
ｆ「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｇ「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｈ「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｉ「【図１８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　
（２）引用文献１に記載された発明の認定
　ｅ（【００６９】〜【００７１】）及びｉ（【図１８】）に［実施形態６］として記載されたシンチレータパネルは、反射層としてのＡｌ薄膜１０６が基板１０５上に形成されているものであるから、当該シンチレータパネルとｆ（【図１】）に記載のセンサパネル１００を貼り合わせて放射線検出装置を得る場合には、センサパネル１００は、保護層３０１を介してシンチレータパネルに貼り合わされることは明らかであるといえる。
　また、ｆ（【図１】）から、センサパネル１００は、ガラス基板１０５上に光電変換素子１０２とＴＦＴ素子１０３を二次元状に配列したものであることは明らかである。
　上記記載から、引用文献１には、［実施形態６］として記載されたシンチレータパネルを用いた放射線検出装置に関する次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ガラス基板１０１上に光電変換素子１０２とＴＦＴ素子１０３を二次元状に配列したセンサパネル１００が、保護層３０１を介してシンチレータパネルに貼り合わされることによって得られた放射線検出装置であって、
　シンチレータパネルは、カーボン板等の支持基板１０５上に、反射層としてのＡｌ薄膜１０６、保護層１０４を形成し、そして、保護層１０４上にシンチレータ層２００、閉塞部材４０１及び保護層３０１を形成したものであり、
　閉塞部材４０１は、柱状結晶に形成されたシンチレータ層２００の柱間の隙間に気体以外の物質が混入しないよう、柱の上部の隙間に配置するものであり、これにより、保護層３０１を形成する際、保護層３０１の材料が柱の隙間に混入するのを防止することができ、
　閉塞部材４０１は、隙間を複数層の粒子でふさぐものであり、
　閉塞部材４０１の屈折率は、それとシンチレータ層２００双方に接する保護層３０１の屈折率と実質的に同じである放射線検出装置。」
２　引用文献２
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０１０−２６１７２０号公報）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付されたものである。）
ａ「【０００１】
　本発明は、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法に関する。」
ｂ「【００３０】
　以下、本発明に係る放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
　以下、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法の実施形態について説明する前に、まず、それらの製造方法により製造される放射線検出パネルおよび放射線画像検出器の構成について説明する。
【００３２】
　なお、以下では、図１に示すように、放射線画像検出器１や放射線検出パネル３における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器１の筐体２の放射線が入射する面Ｘ側を上側に向け、筐体２における放射線が入射する面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。
【００３３】
　図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１や図２に示すように、放射線画像検出器１は、放射線検出パネル３が筐体２内に収納されて構成されている。
【００３４】
　筐体２は、カーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３や蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
【００３５】
　筐体２の内部には、図２に示すように、第１の基板４（以下、素子基板４という。）、第２の基板５（以下、シンチレータ基板５という。）、シンチレータ６等を備えた放射線検出パネル３が配置されている。また、放射線検出パネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）等の各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９や緩衝部材１０等が取り付けられている。」
ｃ「【００４９】
　図７は、図２における放射線検出パネルの端部部分の拡大図である。なお、図７において、放射線検出パネル３の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも実際の放射線検出パネル３の構造を反映していない。
【００５０】
　図７に示すように、放射線検出パネル３は、シンチレータ基板５が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが複数の光電変換素子１５や平坦化層２１に対向するように配置されて形成されている。
【００５１】
　また、素子基板４とシンチレータ基板５との間隙部分であってシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分には、その全周にわたって接着剤２２が配置されており、素子基板４とシンチレータ基板５とは接着剤２２によって接着されている。また、素子基板４とシンチレータ基板５との間の部分には、それらと接着剤２２とにより、外部から区画された内部空間Ｃが形成されている。
【００５２】
　
素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２によりシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分の全周にわたって接着しているため、シンチレータ６や光電変換素子１５等を含む内部空間Ｃは密閉されている。
【００５３】
　接着剤２２は、例えば、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤や、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤が好ましく用いられる。熱硬化型の接着剤としては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤等を用いることが可能である。また、光硬化型の接着剤としては、光開始剤や光重合性化合物等を含むエポキシ系やアクリル系等の紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能であり、カチオン重合系の紫外線硬化型の接着剤が好ましく用いられる。」
ｄ「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｅ「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）引用文献２に記載された技術事項
　上記記載から、引用文献２には、次の技術事項（以下「引用文献２に記載の技術事項」という。）が記載されている。
「シンチレータ６や光電変換素子１５等を含む内部空間Ｃが、子基板４、シンチレータ基板５、及び、シンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分の全周にわたって接着している接着剤２２により密閉されること。」
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
ア　本願発明１と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「ガラス基板１０１」、「光電変換素子１０２」、「センサパネル１００」、「シンチレータパネル」及び「放射線検出装置」が、それぞれ、本願発明１の「基板」、「光電変換素子」、「光電変換パネル」、「シンチレータパネル」及び「放射線画像検出器」に相当し、また、引用発明の「保護層３０１」は、その「屈折率」が「閉塞部材４０１」及び「シンチレータ層２００」「の屈折率と実質的に同じである」ことから、本願発明１の「光学補償材料」に相当するといえるから、引用発明の「ガラス基板１０１上に光電変換素子１０２とＴＦＴ素子１０３を二次元状に配列したセンサパネル１００が、保護層３０１を介してシンチレータパネルに貼り合わされることによって得られた放射線検出装置」が、本願発明１の「基板上に二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換パネルに、光学補償材料を介してシンチレータパネルが備えられた放射線画像検出器」に相当する。
（イ）引用発明の「閉塞部材４０１」は「保護層３０１を形成する際、保護層３０１の材料が柱の隙間に混入するのを防止することができ」るものであり、また、「隙間を１層の粒子がきれいにふさぐものであっても、複数層でふさぐものであってもよ」いから「層」構造をなしているということもできる。よって、とから、引用発明の「閉塞部材４０１」が、本願発明１の「前記光学補償材料が当該柱状結晶間の隙間に浸透することを防止する浸透防止層」に相当する。よって、引用発明の「シンチレータパネルは」、「保護層１０４上にシンチレータ層２００、閉塞部材４０１及び保護層３０１を形成したものであり」、「閉塞部材４０１は、柱状結晶に形成されたシンチレータ層２００の柱間の隙間に気体以外の物質が混入しないよう、柱の上部の隙間に配置するものであり、これにより、保護層３０１を形成する際、保護層３０１の材料が柱の隙間に混入するのを防止することができ」ることが、本願発明１の「前記シンチレータパネルがシンチレータの複数の柱状結晶からなるシンチレータ層及び前記光学補償材料が当該柱状結晶間の隙間に浸透することを防止する浸透防止層を有し」ていることに相当する。
（ウ）引用発明の「閉塞部材４０１は、隙間を１層の粒子がきれいにふさぐものであっても、複数層でふさぐものであってもよ」いことから、引用発明の「閉塞部材４０１の」「１層」又は「複数層」からなる層の層厚が隙間より大きいものであり,当然、隙間の半分より大きいものといえる。よって、引用発明の「閉塞部材４０１は、隙間を１層の粒子がきれいにふさぐものであっても、複数層でふさぐものであってもよ」いことと、本願発明１の「当該柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔと複数の当該柱状結晶間の隙間距離の最大値ｄが下記式（１）を満足し」「式（１）　ｄ／２≦ｔ≦８μｍ　［式中、ｔはシンチレータ層の柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚であり、ｄは複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値を表し、ｄは０．５〜１５．０μｍの範囲内である。］」であることとは、「当該柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔと複数の当該柱状結晶間の隙間距離の最大値ｄが下記式（１’）を満足し」「式（１’）　ｄ／２≦ｔ［式中、ｔはシンチレータ層の柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚であり、ｄは複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値を表す。］」点で一致する。
（エ）引用発明の「ガラス基板１０５上に光電変換素子１０２とＴＦＴ素子１０３を二次元状に配列したセンサパネル１００が、保護層３０１を介してシンチレータパネルに貼り合わされる」こと、及び「シンチレータパネルは、カーボン板等の支持基板１０５上に、反射層としてのＡｌ薄膜１０６、保護層１０４を形成し、そして、保護層１０４上にシンチレータ層２００、閉塞部材４０１及び保護層３０１を形成したものであ」ることが、本願発明１の「前記浸透防止層が、前記シンチレータの光電変換素子側に配置してなる」ことに相当する。
　
イ　本願発明１と引用発明の一致点
　したがって、本願発明１と引用発明とは、
「基板上に二次元状に配列された複数の光電変換素子を有する光電変換パネルに、光学補償材料を介してシンチレータパネルが備えられた放射線画像検出器であって、前記シンチレータパネルがシンチレータの複数の柱状結晶からなるシンチレータ層及び前記光学補償材料が当該柱状結晶間の隙間に浸透することを防止する浸透防止層を有し、かつ当該柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔと複数の当該柱状結晶間の隙間距離の最大値ｄが下記式（１’）を満足し、かつ、
前記浸透防止層が、前記シンチレータの光電変換素子側に配置してなる放射線画像検出器。
式（１’）　ｄ／２≦ｔ
［式中、ｔはシンチレータ層の柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚であり、ｄは複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値を表す。］」
の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
ウ　本願発明１と引用発明の相違点
（ア）相違点１；
　柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔが、本願発明１においては、「ｔ≦８μｍ」と特定されているのに対して、引用発明においてはそのような特定がない点。
（イ）相違点２；
　本願発明１においては「前記浸透防止層の厚さが、前記柱状結晶の先端部と、少なくとも前記柱状結晶の先端部に最も近い側面部分と、でほぼ同等であり、前記柱状結晶間の隙間に前記光学補償材料が浸透するのを防止して」いるのに対して、引用発明においてはそのような特定がない点。
（ウ）相違点３；
　複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値ｄが、本願発明１においては、「０．５〜１５．０μｍ」と特定されているのに対して、引用発明においてはそのような特定がない点。
　
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について検討する。
　相違点２に係る特定事項は、柱状結晶の先端部に最も近い側面部分の浸透防止層の厚さが、柱状結晶の先端部における浸透防止層の平均層厚ｔ（ｄ／２≦ｔ：ｄは複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値）と同等であることを特定するものであることから、「柱状結晶の先端部に最も近い側面部分の浸透防止層の厚さが、複数の柱状結晶間の隙間距離の最大値の半分以上であり、それによって、柱状結晶の先端部に最も近い側面部分で柱状結晶間の隙間に光学補償材料が浸透するのを防止している」ことを意味している特定事項（以下「浸透防止層の柱状結晶側面部の厚さの特定事項」という。）であるといえる。
　そして、引用文献２には上記の「浸透防止層の柱状結晶側面部の厚さの特定事項」について記載されておらず、また、他に「浸透防止層の柱状結晶側面部の厚さの特定事項」について記載された文献等は発見されていない。
　よって、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項が当業者によって容易に想到したものであるということはできない。
（３）小活
　したがって、相違点１及び３について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
２　本願発明２ないし６について
　また、本願発明２ないし６についても、上記の相違点２に係る上記の「浸透防止層の柱状結晶側面部の厚さの特定事項」を備えるものであるから、本願発明１と同様に、本願発明２ないし６は、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできないし、また、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということもできない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１，２に係る発明については、上記引用文献１に記載された発明（引用発明）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項３〜６に係る発明については、上記引用文献１，２に記載された発明（引用発明及び引用文献２に記載の技術事項）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないというものである。しかしながら、平成２９年１０月３０日付けの手続補正により補正された請求項１〜６（本願発明１〜６）は上記の「浸透防止層の柱状結晶側面部の厚さの特定事項」を有するものとなっており、上記のとおり、本願発明１ないし６は、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできないし、また、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということもできない。したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では、請求項１の記載について、本願における課題を解決できるものであることが明確でなく、本願の発明の詳細な説明に記載されたものではないく、また、明確でないとの拒絶の理由を通知しているが、平成２９年１０月３０日付けの手続補正における補正の結果、これらの拒絶理由は解消した。
第７　むすび
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に、本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。