【事件の表示】
　特願２０１４−１２５０２０「光感応性酸発生剤およびそれらを含むフォトレジスト」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月　４日出願公開、特開２０１４−２２５０２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年１１月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０００年１１月３日　米国）を国際出願日とする特願２００２−５４５３０９号の一部を、平成２０年２月１４日に新たな特許出願とした特願２００８−３２６７７号とし、その一部を平成２４年１１月２２日に新たな特許出願とした特願２０１２−２５５８８０号とし、その一部を平成２６年６月１８日に新たな特許出願としたものである。
　そして、平成２６年７月１７日に手続補正とともに上申書が提出され、平成２７年６月５日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年１月４日に意見書の提出とともに手続補正がなされ、同年６月６日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がされ、これに対し同年１０月１３日に拒絶査定不服審判の請求と同時に手続補正（以下、「審判請求時の補正」という。）がなされた。
　その後、平成２９年９月１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知し、その応答期間中の平成３０年３月５日に意見書の提出とともに手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされた。
第２　本件発明
　平成３０年３月５日になされた本件補正は、明細書の段落【０００８】のみを補正するものであって、特許請求の範囲の記載を補正していない。
　したがって、本願の請求項１〜３に係る発明は、審判請求時の補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
「　組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含み、その光感応性酸発生剤が放射線で露光されることにより
化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ
（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない。）
で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる、フォトレジスト組成物。」（以下、「本件発明」という。）
第３　当審拒絶理由の概要
１　理由１（サポート要件）
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　本件の明細書の段落【０００６】、段落【０００９】の記載に基づけば、本件発明が解決しようとする課題は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト組成物においても使用することができる強い酸であって、相分離やパーフルオロアルキル酸によって示されうる他の移動をする傾向がないフォトレジスト組成物を提供することであると思われる。 
　そして、本件明細書には、実施例３として、ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）−ヨードニウム１，１−ジフルオロ−１−スルホネート−２−（１−ナフチル）エチレン（化学式ＩＡで、Ｒ＝Ｒ１＝４−ｔ−ブチルフェニル；Ｒ３＝ナフチル；Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈである化合物）を合成して化合物が得られたことが記載されており、実施例４として、実施例３により調整した化合物を、レジスト成分、樹脂バインダー、乳酸エチルと共に混合してフォトレジストを調整することが示唆されている。
　光感応性酸発生剤化合物を含む化合物に関する技術分野においては、置換基が異なれば、反応性や酸としての強度、溶解性、移動特性など、様々な特性に影響を与えることが知られており、どのような特性となるかは事前に予測がつかず、実際に試みないと分からない分野である。しかしながら、本件明細書には、実施例３として、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸のうち、ＲがナフチルでありＲ１とＲ２がそれぞれ水素である化合物を発生する光感応性酸発生剤化合物のみが開示されているに過ぎない。実施例３の化合物についてすら、フォトレジスト組成物とした際の、発生する酸の強さや相分離の有無、移動傾向や、解像度などが明らかにされていない。Ｒ、Ｒ１、Ｒ２を、請求項１において特定された範囲の置換基に置き換えた場合に、光官能性酸発生剤化合物として本件発明が解決しようとする課題を解決する化合物が得られるとする根拠が何ら示されておらず、フォトレジスト組成物として必要な特性を備えるかどうかも実証されていないから、そのような化合物を含む本件請求項１〜３に係る発明の範囲まで拡張ないし一般化できるとはいえない。
　よって、請求項１〜３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
２　理由２（明確性）
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　一般に、「アルキル基」とは、「パラフィン炭化水素から水素１原子を除いた残りの原子団．すなわち一般式ＣｎＨ２ｎ＋１で表される１価の基．」（岩波　理化学事典　第５版，岩波書店）を意味する技術用語であるから、一般的な技術用語の定義に基づけば、「アルキル」には、脂環式基は含まれないと解釈するべきである。しかしながら、段落【０００８】の記載によると、Ｃ４−２０アルキルについて、好ましくは脂環式基と記載されており、脂環式基が、アルキルに包含されるように記載されている。そうすると、本件請求項１〜３に係る発明における「Ｃ１−２０アルキル」に脂環式基が含まれるのか否かが不明確となっており、特許を受けようとする発明の範囲を特定できない。 
　以上より、請求項１〜３に係る発明の記載は不明確である。 
３　理由３（進歩性）
　本件出願の下記の請求項に係る発明は、その優先権主張の日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（１）請求項１〜３に係る発明は、引用文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）請求項１に係る発明は、引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。また、請求項２，３に係る発明は、引用文献２の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）請求項１〜３に係る発明は、引用文献３の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　理由４（拡大先願）
　本件出願の下記の請求項に係る発明は、その優先権主張の日前の特許出願であって、その優先権主張の日後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその優先権主張の日前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　請求項１〜３に係る発明は、引用出願４に記載されていたに等しい発明である。
＜引用文献等一覧＞ 
　１．特開２０００−１４７７５３号公報 
　２．旧東ドイツ国経済特許第２９５４２１号明細書 
　３．特開平８−５３４４２号公報 
　４．特願２０００−３２１１２８号（特開２００２−１３１８９７号） 
第４　判断
１　理由１（サポート要件）
（１）本件出願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。（下線は合議体が付与した。）
ア　技術分野
「【技術分野】
【０００１】
背景技術
１．技術分野及び背景技術
　本発明は、新規な光感応性酸発生剤化合物（ＰＡＧｓ）およびそれらの化合物を含むフォトレジスト組成物に関する。詳しくは、本発明は、放射線で露光されることによりα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる光感応性酸発生剤化合物に関する。ポジ型およびネガ型の化学的に増幅されたレジストは、このようなＰＡＧｓを含み、たとえばサブ３００ｎｍおよびサブ２００ｎｍのような短い波長の放射線で像を形成するものが特に好まれている。
【背景技術】
【０００２】
２．背景技術
　フォトレジストは、基板に像を転写するための感光性の膜である。それらはネガまたはポジの像を形成する。基板の上にフォトレジストを塗布してから、その塗膜を紫外光線のような活性化エネルギー源にパターンを有するフォトマスクを介して露光すると、フォトレジスト塗膜に潜像が形成される。このフォトマスクには放射線を透過しない領域と透過する領域があり、それによって下層の基板に所望の像が転写される。このレジスト塗膜の潜像パターンを現像すると、レリーフ像が得られる。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【０００５】
　最近になって、ある種の「化学的に増幅された」フォトレジスト組成物が報告されるようになってきた。そのようなフォトレジストはネガ型でもポジ型でもよく、光で生成した酸の単位あたりで、複数の架橋反応（ネガ型レジストの場合）または脱保護反応（ポジ型レジストの場合）を起こす原理によっている。言い換えれば、光で生成した酸が触媒的にはたらくのである。ポジ型の化学増幅レジストの場合、ある種のカチオン性光開始剤を用いて、フォトレジストバインダーに懸垂しているある種の「ブロック」基を脱離させたり、フォトレジストバインダーの主鎖を構成するある種の基を脱離させている。たとえば、米国特許第５，０７５，１９９号、同第４，９６８，５８１号、同第４，８８３，７４０号、同第４，８１０，６１３号、同第４，４９１，６２８号、および、カナダ国特許出願第２，００１，３８４号を参照されたい。そのようなレジストの塗膜層を露光させてブロック基を選択的に脱離させることで、極性官能基、たとえばカルボキシル、フェノールまたはイミド基を生成させると、その結果、レジストの塗膜層中の露光された領域と露光されない領域の間で溶解特性に差が生じることになる。」
イ　発明の概要
「【発明の概要】
【０００６】
　
本発明者らは、新規な光感応性酸発生剤化合物（ＰＡＧｓ）を発見したが、これらはポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト組成物においても使用することができる。特に、放射線に露光されることにより任意に置換されるα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を生成する光感応性酸発生剤が得られる。
【０００７】
　ここで述べられるα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸とは、そのアルキル基部分がすべての置換可能な位置で、フッソ原子により完全には置換されていない、すなわちそのアルキル基はパーフルオロ基ではないが、スルフォン酸基に連接する炭素原子（即ち、α）で２つのフッ素原子が置換されている（即ち−ＣＦ２−基）を有するアルキルスルホン酸のことである。たとえば、好適なα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸は化学式ＲＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるものを含んでおり、この式において、Ｒはフッ素以外、たとえば水素、置換されていてもよいＣ１−１８アルキル基であって、フッ素原子や他のハロのような他の電子吸引基によって完全には置換されていないものであり、置換されていてもよいアリール基、たとえば置換されていてもよい炭素環式芳香族基とくにフェニル、ナフチルまたはアントラセニル、または置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族基であって、好ましくは１から３個の多環または縮合環を有し、環の構成員は１〜３のヘテロ原子（Ｎ、ＯまたはＳ）である、たとえば置換されていてもよいチエニル基などである。
【０００８】
　一般に好ましいα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸は化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるものを含み、この式において、Ｒは比較的大きな容積の基、たとえば置換されていてもよいＣ４−２０アルキルであり；好ましくは脂環式基、たとえばシクロヘキシル、アダマンチルなど；置換されていてもよい炭素環式芳香族基、たとえば置換されていてもよいフェニル、ナフチルまたはアントラセニル；または置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族基であって、好ましくは１から３個の多環または縮合環を有し、環の構成員は１〜３のヘテロ原子（Ｎ、ＯまたはＳ）である、たとえば置換されていてもよいチエニル基などであり；そしてＲ１とＲ２はそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基であり、好ましくはＲ１とＲ２はそれぞれ水素である。
【０００９】
　
我々は、本願のＰＡＧを含むフォトレジストが優れたリソグラフィックの結果を示すことができることを発見した。とりわけ、光発生するα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸は強い酸であるが、相分離やパーフルオロアルキル酸によって示されうる他の移動をする傾向がない。さらに、大きな容積の基、たとえば炭素、ヘテロ脂環式基やアリール基などを含むことにより、リソグラフィック効果に好ましい影響を与えうるレジスト形成のさらに進んだ技術を可能とする。
【００１０】
　α,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸は、様々な光反応分子から光発生し得るものであり、非イオン化合物だけでなく、たとえばオニウム塩のようなイオン化合物も含んでいる。一般に好ましい本願のＰＡＧ化合物は、光活性化することによりα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生することができ、次のようなオニウム化合物を含む；スルホニウムおよびヨードニウム化合物；およびスルホネート化合物、たとえばＮ−オキシイミドスルホネート、Ｎ−オキシイミノスルホネート、フェノリックスルホネート、アリールアルキルスルホネート、特にベンジリックスルホネート；ジスルホン；ジアゾスルホン；α，α−メチレンジスルホン、ジスルホニルヒドラジンなどである。
【００１１】
　本発明の好ましい光酸発生剤化合物は、次の置換基を１または複数有するものを含む；シクロペンチル、シクロヘキシル、置換されていてもよいフェニル、ペンタフルオロフェニル、置換されていてもよいチエニル、置換されていてもよいナフチル、置換されていてもよいアダマンチル、または置換されていてもよいイソボニルなどであり、とくにこのような置換基は、その化合物を光活性化することによりスルホン酸を合成する光酸発生剤化合物の部分である。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００１３】
　本発明のＰＡＧｓは、ポジ型またはネガ型の化学増幅フォトレジストに好適に使用される。すなわち、ネガ型レジスト組成物では、光感応性酸により促進される架橋反応が起こり、レジストの塗膜層で露光された部分が非露光部分よりも現像剤に溶解しにくくなるし、またポジ型レジスト組成物では、１または複数の組成物成分の酸に不安定な基で光感応性酸により促進される脱保護反応が起こり、レジストの塗膜層で露光された部分が非露光部分よりも水性現像剤に溶解しやすくなるのである。像を形成するのに好ましい波長は、サブ３００ｎｍおよびサブ２００ｎｍ、たとえば２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍである。Ｉ線（３６５ｎｍ）のようなより長い波長も使用でき、特にその場合は増感剤が追加のレジスト成分として使用される。
【００１４】
　本発明の特に好ましいフォトレジストは、本願で開示されるように像を形成するのに効果的な量である１または複数のＰＡＧｓおよび以下のグループより選ばれる樹脂を含んでいる；
【００１５】
　１）２４８ｎｍで像を形成するのに特に適した化学増幅されたポジ型レジストを与えることが可能な、酸に不安定な基を含むフェノール樹脂。このタイプの樹脂として特に好ましい樹脂は、次のようなものである：ｉ）ビニルフェノールとアルキルアクリレートの重合単位を有するポリマーであり、重合させたアルキルアクリレート（これにはメタクリレートも含む）単位が光感応性酸の存在下で脱ブロック反応できるもの。光感応性酸誘導脱ブロック反応することが可能なアルキルアクリレート（これにはメタクリレートも含む）を例示すれば、たとえば、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレート、および光感応性酸誘導反応が可能なその他の非環状アルキルアクリレートおよび脂環式アクリレート（これにはメタクリレートも含む）があり；そのようなポリマーについては、米国特許第６，０４２，９９７号および同第５，４９２，７９３号（ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に記載されている；ｉｉ）ビニルフェノール、置換されていてもよいビニルフェニル（たとえばスチレン）でヒドロキシ基またはカルボキシ基を置換基として含まないもの、および上記のポリマーｉ）に記載した脱ブロック基を有するアルキルアクリレート（これにはメタクリレートも含む）の重合単位を有するポリマーであり、たとえば米国特許第６，０４２，９９７号（ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に記載されているようなもの；およびｉｉｉ）光感応性酸と反応するアセタールまたはケタール部分を含む繰返し単位、および随意にフェニルまたはフェノール性基のような芳香族基繰返し単位を有するポリマーで、たとえば米国特許第５，９２９，１７６号および同第６，０９０，５２６号（ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に記載されているようなポリマー。
【００１６】
　２）サブ２００ｎｍ波長、たとえば１９３ｎｍで像を形成するのに特に適した化学増幅されたポジ型レジストを与えることが可能で、フェニルまたはその他の芳香族基を実質的または完全に含まない樹脂。このタイプの樹脂として特に好ましいのは、次のようなものである：ｉ）たとえば置換されていてもよいノルボルネンのような、非芳香族基の環式オレフィン（環内二重結合）の重合単位を有するポリマーで、たとえば米国特許第５，８４３，６２４号および同６，０４８，６６４号（ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に記載されているようなポリマー；ｉｉ）たとえばｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、メチルアダマンチルアクリレート、メチルアダマンチルメタクリレートおよびその他の非環状アルキルアクリレートおよび脂環式アクリレートのようなアルキルアクリレート単位を含むポリマー；たとえば米国特許第６，０５７，０８３号、欧州特許出願公開ＥＰ第０１００８９１３Ａ１号、同ＥＰ第００９３０５４２Ａ１号、および米国の出願番号第０９／１４３，４６２号（１９９８年８月２８日出願、米国特許６，１３６，５０１号）（これら全てが、ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に記載されているようなポリマー；および、ｉｉｉ）重合させた無水物単位、特に重合させた無水マレイン酸および／または無水イタコン酸単位を有するポリマーで、たとえば、欧州特許出願公開ＥＰ第０１００８９１３Ａ１号および米国特許第６，０４８，６６２号（これらいずれも、ここに引用することにより、本明細書に取入れたものとする）に開示されているようなポリマー；および／または、タイプｉ）、ｉｉ）またはｉｉｉ）の樹脂の１種または複数を組み合わせたもの、すなわち、非芳香族環式オレフィン単位を重合させたポリマー、アルキルアクリレート（これにはメタクリレートも含む）を含むポリマー；および／または、重合させた無水物単位を有するポリマーの１種または複数を組み合わせたものである。」
ウ　発明を実施するための形態
「【００２０】
　本発明の第一の側面として、α,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生できるヨードニウムＰＡＧｓが提供される。このヨードニウムＰＡＧｓは好ましくは次のような置換基を有していてもよい；置換されていてもよいＣ１−１８アルキル、たとえばシクロヘキシル、アダマンチル、イソボルニルなどのようなシクロアルキルだけでなく、ｔ−ブチル、ペンチルなど；置換されていてもよい炭素環式芳香族基、たとえば置換されていてもよいフェニル、ナフチルまたはアントラセニル；および置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族基であって、好ましくは１から３個の多環または縮合環を有し、環の構成員は１〜３のヘテロ原子（Ｎ、ＯまたはＳ、好ましくはＯまたはＳ）であり、たとえばチエニル基である。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００３０】
　本願のさらなる側面として、α,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生できるスルホニウムＰＡＧｓが提供される。このスルホニウムＰＡＧｓは好ましくは次のような置換基を有していてもよい；置換されていてもよいＣ１−１８アルキル、たとえばシクロヘキシル、アダマンチル、イソボルニルなどのようなシクロアルキルだけでなく、ｔ−ブチル、ペンチルなど；置換されていてもよい炭素環式芳香族基、たとえば置換されていてもよいフェニル、ナフチルまたはアントラセニル；そして、置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族基であって、好ましくは１から３個の多環または縮合環を有し、環の構成員は１〜３のヘテロ原子（Ｎ、ＯまたはＳ、好ましくはＯまたはＳ）である、たとえばチエニル基である。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００３８】
　本願の別の側面として、置換されていてもよいＮ−オキシイミドスルホネートＰＡＧｓ（非イオン化合物）であって、α,  α−ジフルオロアルキルスルホネート置換基を有し、光活性化されることによりα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生できるものが提供される。とくに、本願の好適なＮ−オキシイミドスルホネートＰＡＧｓは下記の化学式ＩＩＩで表されるものを含む。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００４６】
　本願のさらなる側面として、置換されていてもよいＮ−オキシイミノスルホネートＰＡＧｓであって、α,  α−ジフルオロアルキルスルホネート置換基を有し、光活性化されることによりα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生できるものが提供される。とくに好ましい本願のＮ−オキシイミノスルホネートＰＡＧｓは、下記の化学式ＩＶで表されるものを含む。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００５８】
　本発明のさらなる側面では、置換されていてもよいフェノールスルホネートＰＡＧｓであって、１または複数のα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート置換基を有し、光活性化されることによりα,  α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生できるものが提供される。このような化合物は、１または複数のフェノール性−ＯＨ部分に置換されるα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート基、好ましくは一つのフェニル基に２または３のα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート基、を有する。とくに好ましい本願のフェノールα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート化合物は、下記の化学式ＶＩのＰＡＧｓを含む：
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００６５】
　さらなる側面では、置換されていてもよいアラルキルスルホネートＰＡＧｓであって、１または複数のα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート基を有するものが提供される。このタイプの好ましいＰＡＧｓはベンジール化合物である。このような化合物は、１または複数のベンジール位のカーボンに置換される１または複数のα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート基、好ましくは一つの塩基性のフェニル基に１または２のα,  α−ジフルオロアルキルスルホネート基を有するものである。好ましいベンジールα、α−ジフルオロアルキルスルホネート化合物は下記の化学式ＶＩＩのＰＡＧｓを含む。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００７１】
　前述したように、本願のＰＡＧｓのさまざまな置換基群は置換されていてもよい。置換される基（置換されたＲ１からＲ８を含む）は、好ましくは１または複数の可能な位置で、たとえば次のようなものによって好適に置換される；ハロゲン、たとえばＦ、Ｃｌ  Ｂｒおよび／またはＩ、Ｃ１−１６アルキルを含みＣ１−８アルキルであるのが好ましいアルキル、Ｃ１−１６アルコキシを含み１または複数の酸素連鎖を有しＣ１−８アルコキシであるのが好ましいアルコキシ、Ｃ２−１２アルケニルを含みＣ２−８アルケニルであるのが好ましいアルケニル、Ｃ２−１２アルキニルを含みＣ２−８アルキニルであるのが好ましいアルキニル、アリールたとえばフェニルまたはナフチル、および置換されていてもよいアリールたとえばハロ、アルコキシ、アルケニル、アルキニルおよび／またはアルキル、置換されていてもよいアリールであって、好ましくは対応する基が前記の炭素数を有するものである。好適な置換されたアリール基は置換されたフェニル、アントラセニルおよびナフチルを含む。
【００７２】
　ここで使用されるアルキルの用語は、修正していなければ、環式（脂環式）および非環式基の両方について述べているが、もちろん環式基は少なくとも３つの炭素環員を含むであろう。好ましい脂環式基は、たとえばシクロペンチル、シクロヘキシル、架橋した基たとえばアダマンチルなどを含む。好ましい本発明のＰＡＧｓのヘテロ脂環式基およびヘテロ芳香族基は、たとえばクマリニル、キノリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジル、フリル、ピロリル、チエニル、チアゾリル、オキサゾリル、イミダゾリル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチアゾリル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロピラニル、ピペジニル、モルホリノおよびピロリジニルを含む。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００８１】
　先に論じたように、本発明のＰＡＧｓは、フォトレジスト組成物における放射線感受性成分として有用であり、これにはポジ型およびネガ型両方の化学増幅レジスト組成物が含まれる。
【００８２】
　典型的には本発明のフォトレジストには、樹脂バインダーおよび先に述べた本発明の光活性成分が含まれる。この樹脂バインダーには、レジスト組成物に対してアルカリ水溶液による現像が可能な性質を付与するような官能基が含まれているのが好ましい。たとえば、ヒドロキシルまたはカルボキシレートのような極性の官能基を含む樹脂バインダーが好ましい。レジスト組成物中では、レジストが水性アルカリ溶液で現像できるようにするのに充分な量の樹脂バインダーを使用するのが好ましい。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【０１０２】
　本発明のフォトレジストは、公知の方法にしたがって使用することができる。本発明のフォトレジストは、ドライフィルムとして塗布してもよいが、好ましくは基板上に液状塗料組成物として塗布し、加熱して溶媒を除去・乾燥させて好ましくは塗膜層をタックフリーの状態とし、フォトマスクを介して放射線で露光させ、任意に露光後ベークをおこなってレジストの塗膜層上の露光領域と非露光領域の間の溶解性の差を発生または拡大させ、そして次いで好ましくは水性アルカリ現像剤で現像してレリーフ像を得る。」
オ　実施例
「【０１０６】
実施例１−３：ＰＡＧの合成
　実施例１：１，１−ジフルオロ−２−（１−ナフチル）エチニレン（前記のスキームで、Ｒがナフチルである化合物２）
　オーブンで乾燥した２５０ｍＬの一口フラスコにマグネティックスターラー、環流冷却器および窒素注入口を取り付けた。そのフラスコに蒸留したての１−ナフトアルデヒド（１７．１ｇ、１０９ｍｍｏｌ）、クロロジフルオロ酢酸ナトリウム（２５ｇ、１６４ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（３１．４ｇ、１２０ｍｍｏｌ）を仕込んだ。エチレングリコールジメチルエーテル（７５ｍＬ）を添加し、その混合物を９６時間還流し、その間に沈殿物が作られ、その反応液は暗褐色に変化した。冷却した混合物を濾過し、濾液を濃縮すると黒っぽい半固体のものを生じた。蒸留（６２−６７℃、１ｍｍ）すると無色の液体（１４．１ｇ、６８％）として目的の化合物が得られた。
NMR(CDCl３):δ7.3-8.0 (m, 7H), 5.83(dd, J１＝18Hz), J２=3Hz); MS:M＋=190.
【０１０７】
　実施例２：１，１−ジフルオロ−１−スルホン酸−２−（１−ナフチル）エチレン（前記のスキームで、Ｒがナフチルである化合物３）の合成
　実施例１の化合物、すなわち１，１−ジフルオロ−２−（１−ナフチル）エチニレン（８．４ｇ、４４．２ｍｍｏｌ）、亜硫酸ナトリウム（２８ｇ、２２２ｍｍｏｌ）および水（２００ｍＬ）中のベンゾイルパーオキサイド（１．１ｇ、４．５ｍｍｏｌ）からなる二相の混合物を、８５℃で６７時間加熱した。淡黄色の反応混合物を濾過し、その固形物をテトラヒドロフラン（９５０ｍＬ）で懸濁し、懸濁液を３０分間還流した。冷却した懸濁液を濾過し、濾液を濃縮すると淡黄褐色の固体を生じた。その固体をクロロフォルム（５００ｍＬ）で粉砕し、濾過して得られた無色の固体を乾燥させると所望の生成物（２．８５ｇ、２２％）が得られた。
NMR(DMSO-d６):δ7.3-8.0 (m, 7H), 5.83(dd, J１＝18Hz), J２=3Hz); MS:M＋=190.
【０１０８】
　実施例３：ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）−ヨードニウム１，１−ジフルオロ−１−スルホネート−２−（１−ナフチル）エチレン（化学式ＩＡで、Ｒ＝Ｒ１＝４−ｔ−ブチルフェニル；Ｒ３＝ナフチル；Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈである化合物）の合成
　実施例２の生成物の溶液、すなわちジクロロメタン（２５０ｍＬ）に１，１−ジフルオロ−１−スルホン酸−２−（１−ナフチル）エチレン（８．３ｇ、２１．４ｍｍｏｌ）を入れ、水（１５０ｍＬ）中のジ（４−ｔ−ブチルフェニル）−ヨードニウム硫酸塩（９．０４ｇ、２０ｍｍｏｌ）の溶液で処理した。二相の混合物を室温で１７時間勢いよくかき混ぜ、濃アンモニア水を用いて水相のｐＨを７から８に調製した。層を分離し、有機層を水（１×２００ｍＬ）で洗浄した。合わさった水性抽出物を、前に得ていた有機相と合わせたジクロロメタン（１×２００ｍＬ）で抽出した。合わさった有機抽出物を濃縮すると黄褐色の固体が生じた。ベンゼン／ヘキサンそしてエチルアセテート／ヘキサンから再結晶することにより、淡黄色粉（９．７ｇ、７３％）として所望の化合物が得られた。
【０１０９】
実施例４：フォトレジストの調製とリソグラフ加工
　以下の成分を混合することで本発明のフォトレジストを調製するが、ここでの量はレジスト組成物の全重量に対する重量％として表されている：
【０１１０】
レジスト成分　　　　　　　　量（重量％）
樹脂バインダー　　　　　　　　１５
光感応性酸発生剤　　　　　　　　３
乳酸エチル　　　　　　　　　　８１
【０１１１】
　この樹脂バインダーは、ビニルフェノール単位、スチレン単位およびｔ−ブチルアクリレートを重合させたものからなるターポリマーである。ここでの光感応性酸発生剤は、上記の実施例３により調製した化合物であった。これらの樹脂とＰＡＧ成分は乳酸エチル溶媒中で混合しておく。
【０１１２】
　こうして配合したレジスト組成物をＡＲＣでコートした６インチのシリコンウェーハ上にスピンコートし、真空ホットプレート上で１３０℃で６０秒間ソフトベークする。このレジスト塗膜層をフォトマスクを介して２４８ｎｍで露光させ、この露光した塗膜層を１３０℃で９０秒間露光後ベークをする。次いでこの塗装ウェーハを０．２６Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液で処理して、像形成させたレジスト層を現像し、レリーフ像を得る。」
（２）本件の明細書の段落【０００６】には、「本発明者らは、新規な光感応性酸発生剤化合物（ＰＡＧｓ）を発見したが、これらはポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト組成物においても使用することができる。特に、放射線に露光されることにより任意に置換されるα, α−ジフルオロアルキルスルホン酸を生成する光感応性酸発生剤が得られる。」と記載されており、段落【０００９】には、「我々は、本願のＰＡＧを含むフォトレジストが優れたリソグラフィックの結果を示すことができることを発見した。とりわけ、光発生するα, α−ジフルオロアルキルスルホン酸は強い酸であるが、相分離やパーフルオロアルキル酸によって示されうる他の移動をする傾向がない。さらに、大きな容積の基、たとえば炭素、ヘテロ脂環式基やアリール基などを含むことにより、リソグラフィック効果に好ましい影響を与えうるレジスト形成のさらに進んだ技術を可能とする。」と記載されている。
　本件明細書には、本件発明が解決しようとする課題について明記されていないものの、前述した記載からみて、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト組成物においても使用することができる強い酸であって、相分離やパーフルオロアルキル酸によって示されうる他の移動をする傾向がないフォトレジスト組成物を提供することであると認められる。
（３）本件明細書には、フォトレジスト組成物に含まれる光感応性酸発生剤化合物が発生する、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸が、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジスト組成物においても使用することができる強い酸であって、相分離やパーフルオロアルキル酸によって示されうる他の移動をする傾向がないという特性を有することについて、理論的な説明がなされていない。また、実施例３として、ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）−ヨードニウム１，１−ジフルオロ−１−スルホネート−２−（１−ナフチル）エチレン（化学式ＩＡで、Ｒ＝Ｒ１＝４−ｔ−ブチルフェニル；Ｒ３＝ナフチル；Ｒ４＝Ｒ５＝Ｈである化合物）を合成して化合物が得られたことが記載されているものの、実施例４として、実施例３により調整した化合物を、レジスト成分、樹脂バインダー、乳酸エチルと共に混合してフォトレジストを調整することが示唆されるに留まり、フォトレジストとして調整した際の特性について何も明らかにしていない。
（４）一方、本件発明は、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる光感応性酸発生剤化合物を含むことを必須の要件としており、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であるもの、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素以外の置換基であるものを包含するものである。 
　光感応性酸発生剤化合物を含む化合物に関する技術分野においては、置換基が異なれば、反応性や酸としての強度、溶解性、移動特性など、様々な特性に影響を与えることが知られており、どのような特性となるかは事前に予測がつかず、実際に試みないと判らない分野である。しかしながら、本件明細書には、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表わされる様々なα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸のうち、実施例３として、ＲがナフチルでありＲ１とＲ２がそれぞれ水素である化合物を発生する光感応性酸発生剤化合物のみが開示されているに過ぎない。そして、実施例３の化合物についてすら、フォトレジスト組成物とした際の、発生する酸の強さや相分離の有無、移動傾向や、解像度などの特性を明らかにしていない。Ｒ、Ｒ１、Ｒ２を、本件発明において特定された範囲の置換基に置き換えた場合に、光官能性酸発生剤化合物として本件発明が解決しようとする課題を解決する化合物が得られるとする根拠が何ら示されておらず、フォトレジスト組成物として必要な特性を備えるかどうかも実証されていないから、たとえ、本件出願時の技術常識を参酌したとしても、本件発明が課題を解決できることを、当業者が認識できるとはいえない。
（５）請求人は、平成３０年３月５日に提出した意見書において、本願発明が「Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈの基本骨格を有するものであれば、最終的に好ましいレリーフ像を得ることができる、という技術的思想に基づくもの」とし、「当業者であれば、本願明細書の記載を基にしてＲ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３ＨのＲ、Ｒ１、Ｒ２基を適宜変更し、本願発明を実施することができるものであり、請求項１〜３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであります。」と主張している。
　しかしながら、拒絶理由１は、本件発明がサポート要件を満たしていないというものである。そして、前記（４）に記載したとおり、本件明細書には、実施例３を含め、本件発明に包含される光感応性酸発生剤化合物の特性について何も明らかにしていないものであるから、本件発明が課題を解決することを認識することができない。
（６）以上のとおり、本件発明は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えている。したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
２　理由３（進歩性）
（１）引用文献１
ア　引用文献１の記載事項及び引用発明１
　本件出願の優先権主張の日前の平成１２年５月２６日に公開された刊行物である引用文献１には、以下の事項が記載されている。（下線は、発明の認定に用いた箇所を示す。以下同様。）
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】露光された被膜を現像するに十分な量の少なくとも１種のイオン性化合物及び少なくとも１種の非イオン性化合物からなる光酸発生剤の混合物、並びに樹脂バインダーからなるフォトレジスト組成物。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【請求項５】  非イオン性化合物が、イミドスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホネートエステル、ニトロベンジル化合物、ジスルホン化合物またはハロゲン化化合物である請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】　イオン性化合物および非イオン性化合物の両方によって発生される光酸が、パーフルオロアルキルスルホン酸である請求項１に記載のフォトレジスト組成物。」
（イ）「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】比較的最近、深ＵＶ光線（ｄｅｅｐ  ＵＶ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）で光イメージングすることができるフォトレジストに対する関心が高まってきた。こうしたフォトレジストは、より長い波長による露光における、さらに小さい形状の画像を形成する可能性をもたらす。当業者に認識されているように、「深ＵＶ光線」とは、約３５０ｎｍ以下の範囲、より一般的には約３００ｎｍ以下の範囲の波長を有する露光光線を意味する。多くの深ＵＶレジストが報告されてきたが、許容できるフォトスピードおよびその他のリトグラフ特性に加えて、高解像度の細線画像をもたらすことができる新しい深ＵＶレジストが明らかに必要とされている。ＫｒＦ放射線（約２４８ｎｍ）などのサブ２５０ｎｍまたはＡｒＦ放射線（約１９３ｎｍ）などのサブ２００ｎｍでイメージングできるレジストに対する関心は格別に高い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フォトレジスト組成物に混合して優れたリトグラフ特性をもたらすことができる光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）の新しい混合物、特に化学増幅ポジ型レジストを発見した。好ましいＰＡＧ混合物は、深ＵＶ光線、特に２４８ｎｍおよび／または１９３ｎｍの露光波長に露光させると光活性化することができる。
【０００７】本発明のＰＡＧ混合物は、少なくとも１種のイオン性ＰＡＧおよび少なくとも１種の非イオン性ＰＡＧを含む。例えば、代表的なイオン性ＰＡＧには、ヨードニウム塩、スルホニウム塩などのオニウム塩が挙げられる。適する非イオン性ＰＡＧには、例えば、イミドスルホネート、スルホネートエステルおよび光活性化されるとハロ酸（例えば、ＨＢｒ）を発生させるハロゲン化化合物などが挙げられる。本明細書の記載においては、ＰＡＧに関するイオン性および非イオン性という用語は、それらの技術分野で認められた意味に従って用いられる。すなわち、イオン性ＰＡＧはその分子中に各々逆に帯電したイオン間の静電引力に有するイオン結合を含有するのに対して、非イオン性ＰＡＧはこうしたイオン結合を全くもたず、反対に、一般的にはすべて共有型結合を有する。例えば、モリソンおよびボイド（Ｍｏｒｒｉｓｏｎ  ａｎｄ  Ｂｏｙｄ）による「有機化学（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ；ｐｐ．３−５，３，１９８１）」を参照されたい。」
（ウ）「【００２３】本発明のＰＡＧ混合物および
フォトレジスト組成物
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００２６】
Ｎ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤
【００２７】
【化５】
【００２８】（式中、炭素原子は、単結合、二重結合または芳香族結合を有する２炭素構造を形成し、あるいは３炭素構造を形成し、すなわち、環は代わりに５員環または６員環であり、
ＸａＲは、
−（ＣＦ
２
）
ｎ
−Ｚ（式中、ｎ＝１〜４、Ｚは
Ｃ
１〜６
アルキル、
−２−（９，１０−ジエトキシアントラセンまたはフェニルなどのアリールである）であ
【００２９】
【化６】
【００３０】（式中、Ｒ１はＨ、１〜４個の炭素を有するアセチル、アセタミド、アルキル（ｍ＝１〜３）、ＮＯ２（ｍ＝１〜２）、Ｆ（ｍ＝１〜５）、Ｃｌ（ｍ＝１〜２）、ＣＦ３（ｍ＝１〜２）、ＯＣＨ３（ｍ＝１〜２）（ｍは別途に１〜５でありうる）およびそれらの混合成分からなる群から選択される）を形成し、その場合、ＸおよびＹは、（１）１個以上のヘテロ原子を含むことが可能な環式環または多環式環を形成する、または（２）縮合芳香族環を形成する、または（３）独立に水素、アルキルまたはアリールであることが可能である、もしくは（４）もう一つのスルホニルオキシイミド含有残基に結合されてもよく、あるいは（５）ポリマー鎖または主鎖に結合されてもよい）の化合物が挙げられる。」
　ここで、段落【００２８】における「−（ＣＨ２）ｎ−Ｚまたは−（ＣＦ２）ｎ−Ｚ（式中、ｎ＝１〜４、ＺはＨ）Ｃ１〜６アルキル、樟脳置換基、−２−（９，１０−ジエトキシアントラセンまたはフェニルなどのアリールである）であり」との記載は、ｎ＝Ｚであることは不自然であり、また、（９，１０−ジエトキシアントラセンの括弧が閉じられていないことから、「−（ＣＨ２）ｎ−Ｚまたは−（ＣＦ２）ｎ−Ｚ（式中、ｎ＝１〜４、ＺはＨ
、
）
（エ）「【００６４】本発明のレジストの
樹脂バインダー成分
レジストの露光された被膜層をアルカリ水溶液などで現像可能にするために十分な量
（オ）「【００６６】本発明のフォトレジストは、公知の手順に従って用いることができる。本発明のフォトレジストを乾燥膜としてコーティングしてもよいが、好ましくは、液体被膜組成物として基板上にコーティングし、加熱により乾燥して、好ましくは被膜層が不粘着性になるまで溶媒を除去し、フォトマスクを通して活性化された光線に露光し、任意に、ポスト露光ベーキングして、レジスト被膜層の露光領域と非露光領域との間の溶解度差を設けるかまたは高め、その後、好ましくは水性アルカリ現像剤で現像して、レリーフ画像を形成する。」
　上記（ウ）および（エ）の記載事項によれば、引用例１には以下の発明が記載されているといえる。
「レジストの露光された被膜層をアルカリ水溶液などで現像可能にするために十分な量の樹脂バインダー成分および下記の式のＮ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤を含み、式中のＸａＲは、−（ＣＦ２）ｎ−Ｚ（式中、ｎ＝１〜４、ＺはＣ１〜６アルキル、−２−（９，１０−ジエトキシアントラセン）またはフェニルなどのアリールである）である、フォトレジスト組成物。
」（以下、「引用発明１」という。）
イ　対比
　本件発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「レジストの露光された被膜層をアルカリ水溶液などで現像可能にするために十分な量の樹脂バインダー成分」は、本件発明の「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量」の「樹脂バインダ」に相当する。
（イ）引用発明１の「ＸａＲは、−（ＣＦ２）ｎ−Ｚ（式中、ｎ＝１〜４、ＺはＣ１〜６アルキル、−２−（９，１０−ジエトキシアントラセン）またはフェニルなどのアリールである）である」とされる「Ｎ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤」は、その構造式から、酸として、ＸａＲ−ＳＯ３Ｈを発生させるものであり、「−（ＣＦ２）ｎ−」のｎが１〜４であるから、−ＳＯ３Ｈに隣接して必ず「−（ＣＦ２）−」基を有している。そうすると、引用発明１の「Ｎ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤」は、放射線で露光されることにより、本件発明において特定される「α,α−ジフルオロアルキルスルホン酸」を選択肢の一つとして発生させる「光感応性酸発生剤化合物」を含むものである。また、引用発明１の「Ｎ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤」は、本件発明の「ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく」との要件を満たしている。
　そして、引用発明１はフォトレジスト組成物として機能するものであるから、Ｎ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤についても、「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量」含有しているといえる。
（ウ）以上より、本件発明と引用発明１とは、
「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含み、その光感応性酸発生剤が放射線で露光されることにより
化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ
（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはない。）
で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる、フォトレジスト組成物。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］本件発明の光感応性酸発生剤化合物が発生させる化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸は、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはないのに対し、引用発明１のＮ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤が発生させる酸は、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表す場合に、選択肢として、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキル、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基である場合を含む点。
ウ　判断
　［相違点１］について検討すると、選択肢として示された化合物群の中から、いずれの化合物を選択するかは、当業者が適宜選択しうることであるから、引用発明１において、選択肢として、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキル、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基以外の選択肢を選択することは、当業者が容易になし得ることである。そして、本件明細書の記載を参酌しても、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキル、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基以外の選択肢を選択したことによって格別な効果を奏するとは認められない。
エ　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）引用文献２
ア　引用文献２の記載事項及び引用発明２
　本件出願の優先権主張の日前の１９９１年１０月３１日に公開された刊行物である引用文献２には、以下の事項が記載されている。
（ア）「
」
以下に翻訳文を示す。
「特許請求の範囲
１．１つ以上の感光性成分、１つのポリ（三級ブトキシカルボニル−オキシ−スチレン）及び１つの溶媒又は溶媒混合物から成る、ポジ型に作用する写真複写用化学増幅レジストであって、
　前記写真複写用レジストは、
一般式Ｉ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、水素、アルキル、置換されていない又は置換されたアリール又はヘテロアリールを意味し、かつ
は、
　　　　　　　　　　　
かつ、
Ｘ＝Ｈ，Ｆ，ＣＦ
３
，
Ｙ＝Ｆ，
Ｚ＝Ｈ，Ｆ，
ｎ＝０から６
又は、
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
で表される
スルホニウム塩、
ポリ（三級ブトキシカルボニル−オキシ−スチレン）及び
溶媒又は溶媒混合物から成
写真複写用化学増幅レジスト
　上記記載によれば、引用文献２には、以下の発明が記載されているといえる。「ＣＦ３−（ＣＸＹ）ｎ−ＣＦＺ−ＳＯ３−であって、Ｘ＝Ｈ，Ｆ，ＣＦ３，Ｙ＝Ｆ，Ｚ＝Ｈ，Ｆ，ｎ＝０から６である構造を含む一般式Ｉで表されるスルホニウム塩、ポリ（三級ブトキシカルボニル−オキシ−スチレン）及び溶媒又は溶媒混合物から成る写真複写用化学増幅レジスト。
」（以下、「引用発明２」という。）
イ　対比
　本件発明と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「ポリ（三級ブトキシカルボニル−オキシ−スチレン）」は、その機能からみて、本件発明の「樹脂バインダ」に相当する。
（イ）引用発明２の「ＣＦ３−（ＣＸＹ）ｎ−ＣＦＺ−ＳＯ３−であって、Ｘ＝Ｈ，Ｆ，ＣＦ３，Ｙ＝Ｆ，Ｚ＝Ｈ，Ｆ，ｎ＝０から６である構造を含む一般式Ｉで表されるスルホニウム塩」と、本件発明の「化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ　（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない。）で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる」「光感応性酸発生剤化合物」とは、選択肢の一部として、本件発明において特定される「α,α−ジフルオロアルキルスルホン酸」を発生させる「光感応性酸発生剤化合物」である点で共通する。
　そして、引用発明２の一般式Ｉで表されるスルホニウム塩と、本件発明の光感応性酸発生剤化合物とは、発生される酸が、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない点でも共通する。
（ウ）そして、引用発明２は写真複写用化学増幅レジストとして機能するものであるから、「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含」むものといえる。
（エ）以上より、本件発明と引用発明２とは、
「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含み、その光感応性酸発生剤が放射線で露光されることにより
化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ
（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない。）
で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる、フォトレジスト組成物。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点２］本件発明の光感応性酸発生剤化合物が発生させる化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸は、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはないのに対し、引用発明２のＮ−スルホニルオキシイミド光酸発生剤が発生させる酸は、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表す場合に、選択肢として、本件発明が除外した基を含む点。
ウ　判断
　上記、［相違点２］について検討すると、選択肢として示された化合物群の中から、いずれの化合物を選択するかは、当業者が適宜選択しうることであるから、引用発明２において、選択肢として、本件発明において除外された基以外の選択肢を選択することは、当業者が容易になし得ることである。そして、本件明細書の記載を参酌しても、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキル、ＣＦ３（ＣＦＨ）基以外の選択肢を選択したことにより格別な効果を奏するとはいえない。
エ　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用文献２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（３）引用文献３
ア　引用文献３の記載事項及び引用発明３
　本件出願の優先権主張の日前の平成８年２月２７日に公開された刊行物である引用文献３には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【請求項４】  次の式から成る群から選ばれた式を有する請求項１記載の方法によって得られた塩。
【化１】
【化２】
ここで、ｍは０又は１の整数を表わし、
Ｌは−Ｏ−，−ＮＲ12−（ここでＲ12は−Ｈ又はアルキル基を表わす）及び−（ＣＲ13Ｒ14）n −（ここでＲ13及びＲ14は独立して−Ｈ又はアルキル基を表わし、そしてｎは１から２の整数を表わす）から成る群から選ばれ、
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ10は電子中性基及び電子供与基から成る群からいづれも独立して選ばれ、ここでの隣接したＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 ，Ｒ10基は任意にはお互に共に環を形成しても良く、そしてＲ11はハロゲン基、アルキル基、クロロフルオロアルキル基、塩素化アルキル基及び弗素化アルキル基から成る群から選ばれる。
【請求項５】  Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ10は約１から約２０個の炭素原子を含むアルキル基、ハライド基、置換アミノ基、芳香族基、アリールオキシ基、アルコキシ基から成る群からいづれも独立して選ばれ、ここでＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ10が表わすいづれの基は、結合している置換基が結局電気的特性を実質的に変えることがない限り任意には置換されることができる請求項４記載の塩。」
（イ）「【０００２】
【従来の技術】ヨードニウム塩は、多くの画像系において重要な物質である。このものは、重合反応若しくは解重合反応を開始させ、若しくは酸感受性基と反応するのに使用される遊離基、又は
強プロトン酸を光化学的にその場で生産するのに使用することができる
（ウ）【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、硫酸を含まずまた相応するイオン交換を行うこともなく、ジアリールヨードニウムフルオロアルキルスルホネート塩を合成するための便利で、簡単で、安全で効果的なワンポット方法を新たに見い出した。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【００１２】本発明はまた、本発明の製造方法に従って得られた
塩
【化４】
及び
【化５】
ここで、ｍは０又は１の整数を表わし、Ｌは−Ｏ−，−ＮＲ12−（ここでＲ12は−Ｈ又はアルキル基を表わす）及び−（ＣＲ13Ｒ14）n −（ここでＲ13及びＲ14は独立して−Ｈ又はアルキル基を表わし、そしてｎは１から２の整数を表わす）から成る群から選ばれ、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 ，Ｒ6 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 及びＲ10は電子中性基及び電子供与基から成る群からいづれも独立して選ばれ、ここでの隣接したＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ7 ，Ｒ8 ，Ｒ9 ，Ｒ10基は任意にはお互に共に環を形成しても良く、そして
Ｒ
11
は
アルキル基、クロロフルオロアルキル基、塩素化アルキル基及び弗素化アルキル基から成る群から選ばれる
（エ）「【００２９】弗素化アルキルスルホン酸
本発明方法において使用されるフルオロアルキルスルホン酸は、式Ｒ11−ＣＦ2 −ＳＯ3 Ｈであり、ここでＲ11はアルキル基（通常、Ｃ1 〜Ｃ20）、クロロフルオロアルキル基（通常、Ｃ1 〜Ｃ20）、塩素化アルキル基（通常、Ｃ1 〜Ｃ20）及び弗素化アルキル基（通常、Ｃ1 〜Ｃ20）から成る群から選ばれる。好ましくは、ペルフルオロアルキル基である（例えば、ペルフルオロアルカンスルホン酸）。本発明方法において使用されるフルオロアルキルスルホン酸は、ヨードニウム部分に対して、相応するスルホネートイオンを形成する。」
　上記（イ）および（ウ）の記載事項によれば、引用文献３には以下の発明が記載されているといえる。
「強プロトン酸を光化学的にその場で生産するのに使用することができ、次に示す式に示す構造を含み、
Ｒ11はアルキル基、クロロフルオロアルキル基、塩素化アルキル基及び弗素化アルキル基から成る群から選ばれる塩。」
イ　対比
　本件発明と引用発明３とを対比する。
（ア）引用発明３の塩と本件発明の光感応性酸発生剤化合物とは、選択肢として、本件請求項１に係る発明において特定される「α,α−ジフルオロアルキルスルホン酸」を発生させる「光感応性酸発生剤化合物」を含む点で共通する。
（イ）以上より、本件発明と引用発明３とは、
「光感応性酸発生剤が放射線で露光されることにより
化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ
（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない。）
で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる光感応性酸発生剤。」を含む点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点３−１］本件発明は、組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダを含むフォトレジスト組成物であるのに対し、引用発明３は、樹脂バインダを含まない塩自体である点。
［相違点３−２］本件発明の光感応性酸発生剤化合物が発生させる化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸は、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはないのに対し、引用発明３の塩が発生させる酸は、化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表す場合に、選択肢として、本件請求項１に係る発明が除外した基を含む点。
ウ　判断
（ア）［相違点３−１］について
　引用例３の記載事項（イ）によれば、当該塩は、印刷板、リトグラフフィルム及び校正刷の如き画像関係において理想的な物質である。そのような塩を樹脂バインダとともにフォトレジスト組成物を構成させることは、文献を挙げるまでもなく周知技術であるから、引用発明３の塩を、樹脂バインダとともに組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに十分な量で含ませ、フォトレジスト組成物とすることは、当業者が適宜なし得ることである。
（イ）［相違点３−２］選択肢として示された化合物群の中から、いずれの化合物を選択するかは、当業者が適宜選択しうることであるから、引用発明３において、選択肢として、本件請求項１において除外された基以外の選択肢を選択することは、当業者が容易になし得ることである。そして、本件明細書の記載を参酌しても、除外された選択肢以外を選択したことにより格別な効果を奏するとはいえない。
エ　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用文献３の記載及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（４）請求人の意見
　請求人は、平成３０年３月５日に提出した意見書において、「引用文献１−４はいずれも化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるα，α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させるフォトレジスト組成物から最終的に好ましいレリーフ像を得ることができるという技術的思想を開示していません。」とし、「本願発明は引用文献１−３に記載の発明から容易に想到できたものではなく、進歩性を有するものであります。また、本願発明は引用文献４の願書に最初に添付された明細書に記載された発明と同一ではありません。」と主張している。
　しかしながら、上記のとおり、引用文献１〜３は、何れもフォトレジスト組成物として用いられるものであり、当然に好ましいレリーフ像を得ようとするものである。そして、その効果について検討すると、前記１（３）に記載したとおり、本件明細書にはフォトレジストとして調整した際の特性について何も明らかにされておらず、理論的な説明もないものである。そうすると、本件発明のフォトレジスト組成物が有利な効果を奏するとは到底いえず、進歩性を有するとする根拠を見いだせない。
３　理由４（拡大先願）
（１）引用出願４の記載事項及び引用発明４
　本件出願の優先権主張の日前の平成１２年１０月２０日に出願され、その後出願公開された引用出願４の明細書には、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記構成のポジ型レジスト組成物が提供されて、本発明の上記目的が達成される。
【００１０】（１）  
（Ａ）活性光線の照射により下記一般式（Ｘ）で表されるスルホン酸を発生する化合物
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂
を含有する
ポジ型レジスト組成物。
【００１１】
【化３】
【００１２】一般式（Ｘ）中、Ｒ1a〜Ｒ13aは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、ハロゲン原子、水酸基を表す。Ａは、ヘテロ原子を有する２価の連結基または単結合を表す。但し、Ａが単結合の場合、Ｒ1a〜Ｒ13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またＲ1a〜Ｒ13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。ｍは０〜１２の整数を表す。ｎは０〜１２の整数を表す。ｑは１〜３の整数を表す。」
イ　「【００２０】以下、まずこれらポジ型レジスト組成物に含有される化合物、樹脂等の成分について詳細に説明する。
【００２１】〔組成物に含有される各成分の説明〕
〔１〕 （Ａ）活性光線の照射により下記一般式（Ｘ）で表されるスルホン酸を発生する化合物を少なくとも１種（（Ａ）成分又はスルホン酸発生剤ともいう）上記一般式（Ｘ）中、Ｒ1a〜Ｒ13aは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、ハロゲン原子、水酸基を表す。Ａは、ヘテロ原子を有する２価の連結基または単結合を表す。但し、Ａが単結合の場合、Ｒ1a〜Ｒ13aの全てが同時にフッ素原子を表すことはなく、またＲ1a〜Ｒ13aの全てが同時に水素原子を表すことはない。ｍは０〜１２の整数を表す。ｎは０〜１２の整数を表す。ｑは１〜３の整数を表す。
【００２２】Ｒ1a〜Ｒ13aのアルキル基としては、置換基を有してもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基のような炭素数１〜１２個のものが挙げられる。Ｒ1a〜Ｒ13aのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、沃素原子等が挙げられる。この置換基として好ましくは、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、沃素原子）、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素数２〜６個のアルケニル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
【００２３】Ａにおけるヘテロ原子を有する２価の連結基としては、酸素原子、硫黄原子、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ−、−ＳＯ2ＮＲ−、−ＣＯＮＲＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲＣＯ−、−ＳＯ2ＮＲＳＯ2−、−ＯＣＯＮＲ−等が挙げられる。ここで、Ｒは水素原子、炭素数１〜１０個のアルキル基を表す。
【００２４】上記一般式（Ｘ）で表されるスルホン酸としては、Ｒ1a〜Ｒ13aの少なくとも１つがハロゲン原子を表すものが好ましく、さらに好ましくはＲ1a〜Ｒ13aの少なくとも１つがフッ素原子を表すものが好ましい。上記の中でも、さらに好ましくは、ＣＦ8(ＣＦ2)k[Ａ(ＣＦ2)k']qＳＯ3Ｈ、ＣＦ3(ＣＦ2)k(ＣＨ2)k'ＳＯ3Ｈ、
ＣＨ
3
(ＣＨ
2
)
k
(ＣＦ
2
)
k'
ＳＯ
3
Ｈ
ここで、ｋは０〜１２の整数を表す。ｋ’は１〜１２の整数を表す。
ウ　「【０１８１】〔ポジ型レジスト組成物の調製及びその使用〕以上、本発明のポジ型レジスト組成物に含有される各成分を説明した。次に、本発明のポジ型レジスト組成物の調製方法及びその使用方法について説明する。本発明の組成物は、上記各成分を溶解する前記溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
　　　　　　　　　　　　　　　（中略）
【０１８４】上記組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような
基板
上に
塗布後、
マスクを通して照射し、
現像することにより
レジストパターンを得る
【０１８５】また、
露光光源
ＤＵＶ光
エ　上記ア，イの記載によれば、引用出願４には、以下の発明が記載されていると認められる。
「（Ａ）活性光線の照射によりＣＨ3(ＣＨ2)k(ＣＦ2)k'ＳＯ3Ｈ、ここで、ｋは０〜１２の整数、ｋ’は１〜１２の整数、で表されるスルホン酸を発生する化合物を少なくとも１種、（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂、を含有するポジ型レジスト組成物。」（以下、「引用発明４」という。）
（２）対比
　本件発明と引用発明４を対比する。
ア　引用発明４の「（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度を増大させる基を有する樹脂」は、本件発明の「樹脂バインダ」に相当する。
イ　引用発明４の「（Ａ）活性光線の照射によりＣＨ3(ＣＨ2)k(ＣＦ2)k'ＳＯ3Ｈ、ここで、ｋは０〜１２の整数、ｋ’は１〜１２の整数、で表されるスルホン酸を発生する化合物」と本件発明の「放射線で露光されることにより　化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ　（式中、Ｒが置換されていてもよいＣ１−２０アルキル、置換されていてもよい炭素環式芳香族基、置換されていてもよいヘテロ脂環式基又は置換されていてもよいヘテロ芳香族基であり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはない。）で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる」、「光感応性酸発生剤化合物」とは、「放射線で露光されることにより　化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ　（式中、Ｒが置換されていてもよいアルキルであり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはない。）で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる」、「光感応性酸発生剤化合物」である点で共通する。
ウ　引用発明４の「ポジ型レジスト組成物」は、本件発明の「フォトレジスト組成物」に相当する。そして、引用発明４の「ポジ型レジスト組成物」は、レジスト組成物として機能するものであるから、本件発明における「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含」むとする要件を満たしている。
エ　以上より、本件発明と引用発明４とは、
「組成物の露光されたコーティング層を現像させるのに充分な量で樹脂バインダおよび光感応性酸発生剤化合物を含み、その光感応性酸発生剤が放射線で露光されることにより　化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈ　（式中、Ｒが置換されていてもよいアルキルであり、Ｒ１とＲ２がそれぞれ独立して水素または水素以外の置換基である。ただし、Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）がパーハロアルキルであることはなく、ＣＦ３（ＣＦＨ）基であることはない。）で表わされるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生させる、フォトレジスト組成物。」である点で一致し、以下の点で一応相違する。
［相違点４］本件発明の光感応性酸発生剤化合物が発生させる化学式Ｒ（ＣＲ１Ｒ２）ＣＦ２ＳＯ３Ｈで表されるα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸は、式中、ＲがＣ１−２０アルキルであってＣ２１以上の化合物を含まず、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基であることはなく、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基であることはないのに対し、引用発明４のスルホン酸を発生する化合物が発生するＣＨ3(ＣＨ2)k(ＣＦ2)k'ＳＯ3Ｈが、ｋ＋ｋ’が２０を超える場合を含み、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＣＦ２基、Ｃ２Ｈ５（ＣＦ２）基を除外していないものであって、本件発明が包含しない化合物を包含している点。
（３）判断
［相違点４］について検討する。
　光感応性酸発生剤化合物が発生するα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸として、いずれのα,α−ジフルオロアルキルスルホン酸を発生するものを選択するかは、開示された官能基の範囲に含まれるもののなかから当業者が適宜なし選択し得るものである。そして、本件発明において包含する化合物群を選択した場合に、効果の差異が生じるともいえない。
　したがって、上記［相違点４］は、具体化手段における微差というべきものであるから、両者は実質同一といえる。
（４）むすび
　以上のとおり、本件発明は、引用発明４と実質的に同一といえるものである。そして、この出願の発明者が引用出願４に係る引用発明４をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記引用出願４の出願人と同一でもないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
第５　むすび
　以上のとおり本件発明は、特許法第３６条第６項１号、特許法第２９条第２項、及び、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その他の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。