【事件の表示】
　特願２０１２−２５６０４０「受光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月　５日出願公開，特開２０１４−１０３３４７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年１１月２２日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　９月１６日　審査請求
平成２８年　７月　８日　拒絶理由通知（起案日）
平成２８年　８月２６日　意見書・手続補正
平成２９年　２日２３日　拒絶査定（起案日）（以下，「原査定」という。）
平成２９年　５月２２日　審判請求・手続補正
　
第２　審判請求と同時にした手続補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２９年　５月２２日に審判請求と同時にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正により，全文補正がなされ，特許請求の範囲及び明細書について以下の様な補正が成された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されており，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていることを特徴とする受光素子。
　【請求項２】
　請求項１に記載の受光素子において，
　上記不純物濃度ピークは，予め設定された波長の光に対する上記基板内での侵入長に応じた基板深さ方向の深さに形成されていることを特徴とする受光素子。
　【請求項３】
　請求項１または２に記載の受光素子において，
　上記第３の拡散層上に形成され，上記第３の拡散層との界面に第４接合を形成する第１導電型の第４の拡散層を備えたことを特徴とする受光素子。
　【請求項４】
　請求項１から３のいずれか１つに記載の受光素子において，
　上記各拡散層のうちの最も表面側に形成された拡散層の不純物濃度プロファイルは，上記基板の表面から基板深さ方向に深くなるほど不純物濃度が減少することを特徴とする受光素子。
　【請求項５】
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と，
　上記基板に上記第１の拡散層と離間して形成され，上記基板との界面に第４接合を形成する第２導電型の第４の拡散層と，
　上記第４の拡散層上に形成され，上記第４の拡散層との界面に第５接合を形成する第１導電型の第５の拡散層と，
　上記第５の拡散層上に形成され，上記第５の拡散層との界面に第６接合を形成する第２導電型の第６の拡散層と，
　上記第６の拡散層上に形成され，上記第６の拡散層との界面に第７接合を形成する第１導電型の第７の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第５接合の基板深さ方向の深さが同じであり，かつ，
　上記第２接合と上記第６接合の基板深さ方向の深さが同じであり，かつ，
　上記第３接合と上記第７接合の基板深さ方向の深さが同じであり，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていると共に，
　上記第５接合と上記第６接合と上記第７接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていることを特徴とする受光素子。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１ないし３の記載は，次のとおりである。（当審注。補正箇所に下線を付した。以下，同じ。）
「【請求項１】
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されており，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されて
おり，
　上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層の基板深さ方向の不純物濃度プロファイルにおいて，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの浅い側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値よりも，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの深い側でかつ当該接合側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値が大きい
　【請求項２】
　請求項１に記載の受光素子において，
　
上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層における上記不純物濃度ピークを含む山よりも基板深さの浅い側の不純物濃度に対して，上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層よりも基板深さの深い側の拡散層の不純物濃度が低い
　【請求項３】
　請求項１または２に記載の受光素子において，
　
上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層における上記不純物濃度ピークを含む山よりも基板深さの浅い側の不純物濃度に対して，上記不純物濃度ピークの不純物濃度が１桁以上高い
（３）本件補正前の明細書
   本件補正前の，明細書の【００２８】〜【００３２】の記載は，次のとおりである。
「【００２８】
　上記課題を解決するため，この発明の受光素子は，
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されており，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合を形成する上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていることを特徴とする。
　【００２９】
　また，一実施形態の受光素子では，上記不純物濃度ピークは，予め設定された波長の光に対する上記基板内での侵入長に応じた基板深さ方向の深さに形成されている。
　【００３０】
　また，一実施形態の受光素子では，上記第３の拡散層上に形成され，上記第３の拡散層との界面に第４接合を形成する第１導電型の第４の拡散層を備えた。
　【００３１】
　また，一実施形態の受光素子では，上記各拡散層のうちの最も表面側に形成された拡散層の不純物濃度プロファイルは，上記基板の表面から基板深さ方向に深くなるほど不純物濃度が減少する。
　【００３２】
　また，この発明の受光素子では，
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と，
　上記基板に上記第１の拡散層と離間して形成され，上記基板との界面に第４接合を形成する第２導電型の第４の拡散層と，
　上記第４の拡散層上に形成され，上記第４の拡散層との界面に第５接合を形成する第１導電型の第５の拡散層と，
　上記第５の拡散層上に形成され，上記第５の拡散層との界面に第６接合を形成する第２導電型の第６の拡散層と，
　上記第６の拡散層上に形成され，上記第６の拡散層との界面に第７接合を形成する第１導電型の第７の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第５接合の基板深さ方向の深さが同じであり，かつ，
　上記第２接合と上記第６接合の基板深さ方向の深さが同じであり，かつ，
　上記第３接合と上記第７接合の基板深さ方向の深さが同じであり，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていると共に，
　上記第５接合と上記第６接合と上記第７接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていることを特徴とする。」
（４）本件補正後の明細書
   本件補正後の，明細書の【００２８】〜【００３２】の記載は，次のとおりである。
「【００２８】
　上記課題を解決するため，この発明の受光素子は，
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されており，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合を形成する上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されて
おり，
　上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層の基板深さ方向の不純物濃度プロファイルにおいて，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの浅い側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値よりも，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの深い側でかつ当該接合側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値が大きい
　【００２９】
　また，一実施形態の受光素子では，
　
上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層における上記不純物濃度ピークを含む山よりも基板深さの浅い側の不純物濃度に対して，上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層よりも基板深さの深い側の拡散層の不純物濃度が低い。
　【００３０】
　また，一実施形態の受光素子では，
　
上記不純物濃度ピークが形成された上記拡散層における上記不純物濃度ピークを含む山よりも基板深さの浅い側の不純物濃度に対して，上記不純物濃度ピークの不純物濃度が１桁以上高い。
　【００３１】
　【００３２】  」
２　補正の適否
　本件補正は，特許請求の範囲について，補正前の請求項１に下線部を加える補正，請求項２，３を下線部に変更する補正，及び請求項４，５を削除をしたものである。また，明細書について，特許請求の範囲の変更に伴って，明細書の内容を整合させるための補正がなされている。
　本件特許請求の範囲の請求項１における補正（以下，「補正事項１」という。）の適否について検討する。
（１）明確性について（特許法第３６条第６項第２号）
　補正事項１は，補正前の請求項１に「不純物濃度ピークが形成された上記拡散層の基板深さ方向の不純物濃度プロファイルにおいて，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの浅い側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値よりも，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの深い側でかつ当該接合側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値が大きい」ことを追加したものであり，特許請求の範囲の減縮を目的としたものである。
　ここで，補正事項１に記載された「不純物濃度ピークを含む山」とは何かが不明であり，また，「不純物濃度プロファイルの傾き」は，「不純物濃度ピークを含む山」のどの部分に注目するかによって異なるが，どの部分に注目するかが明らかでない。
　したがって，補正後の請求項１に係る発明は，「不純物濃度のピークを含む山」とは何かという点，「傾き」が山のどの部分かという点について明確でなく，特許法第３６条第６項第２号の規定に反する。
（２）新規事項について（特許法第１７条の２第３項）
　本願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲または図面（以下，「出願当初の明細書等」という。）には，「不純物濃度ピークを含む山」とは何か，また「不純物濃度プロファイルの傾き」は，「不純物濃度ピークを含む山」のどの部分に注目するかについて，記載も示唆もされていない。その結果，「不純物濃度ピークを含む山」について，拡散層全体を「山」と捉えると，例えば，図２において第１濃度ピークを含むｐ型拡散層という１つの「山」において，深さの浅い側である第３接合付近の傾きと深さの深い側にある第２接合付近の傾きとでは，第２接合付近の傾きの絶対値が大きいとは認められない。
　この点について，請求人は審判請求書に添付された参考図を用いて，不純物濃度ピークＰ１を含む山の近傍の基板深さ方向の浅い側の傾きの絶対値より，当該不純物ピークＰ１より「１桁以上の濃度差」で濃度が小さい部分における不純物濃度ピークＰ１を含む山の基板深さの深い側かつ接合側の傾きの絶対値の方が，やや大きいことを示して補正の根拠として主張する。しかし，前記参考図からは，不純物濃度ピークＰ１を含む山の近傍において，基板深さ方向の浅い側の傾きの絶対値と，基板深さの深い側かつ接合側の傾きの絶対値とで有意な差があるとは認められず，当該主張は認められない。
　また，「不純物濃度プロファイルの傾き」を特定し，特定の「基板深さ方向の深さ」位置における当該「傾き」の大小関係を特定するためには，特定の「基板深さ方向の深さ」位置における具体的な「不純物濃度」が把握できることが必要である。この点，本願の願書に最初に添付された明細書には，段落【００４５】に「次に，図２を用いて，受光素子１０における不純物濃度ピークの効果を説明する。図２は図１に示す受光素子１０の構造のＸ１−Ｙ１断面での不純物濃度プロファイルである。図２において，横軸は基板深さ方向の深さ[任意目盛]，縦軸は不純物濃度[任意目盛]を表す。」と記載されている。しかし，図２は，縦軸が「不純物濃度」を表し，横軸は「基板深さ方向の深さ」を表すことが記載されているに留まることから，縦軸及び横軸が，対数軸であるのか線形軸であるのかさえも不明である。したがって，本願の願書に最初に添付された図２は「不純物濃度プロファイル」の全体的な傾向を表しているにすぎず，特定の「基板深さ方向の深さ」位置における具体的な「不純物濃度」は図２からでは不明である。その結果，「不純物濃度プロファイルの傾き」を特定することができない。
　よって，「不純物濃度ピークを含む山の基板深さの浅い側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値よりも，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの深い側でかつ当該接合側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値が大きい」という事項は，出願当初の明細書等には記載されていない事項である。
　したがって，補正事項１の「不純物濃度ピークを含む山の基板深さの浅い側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値よりも，上記不純物濃度ピークを含む山の基板深さの深い側でかつ当該接合側の不純物濃度プロファイルの傾きの絶対値が大きい」という事項について，出願当初の明細書等には，記載されておらず，特許法第１７条の２第３項の規定に反する。
（３）まとめ
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条第７項及び同法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであるから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成２９年５月２２日付けでされた手続補正は，前記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２８年８月２６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下，「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されており，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合のうちのいずれか１つの接合の上記基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されていることを特徴とする受光素子。」
第４　引用文献の記載事項，引用発明等
　１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−７６０８４号公報（以下，「引用文献１」という。）には以下の事項が記載されている。
　ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，車載用カラーセンサに係り，例えば，車両灯（テールランプ，ヘッドランプ）の検出性能を維持したまま，近赤外域光を使う他のアプリケーションにも適用できる
車載用カラーセンサ
　イ「【００６２】
　図１７には本実施形態における車載用カラーセンサの撮像素子の縦断面図を示す。
　図１７の本実施形態においては，色フィルタ，カットフィルタおよびカットガラス板を用いないで，カラーセンサの構造で分光感度をもたせている。
【００６３】
　
Ｐ型シリコン基板９０の表層部において深いＮ型不純物拡散領域９１が形成されている。Ｐ型シリコン基板９０は第１導電型の不純物拡散領域となる第１導電型のシリコン基板であり，本例ではＰ型が第１導電型であり，Ｎ型が第２導電型である
【００６４】
　
Ｐ型シリコン基板９０におけるＮ型不純物拡散領域９１内での表層部にはＮ型不純物拡散領域９１よりも浅いＰ型不純物拡散領域９２が形成されている。Ｐ型シリコン基板９０におけるＰ型不純物拡散領域９２内での表層部にはＰ型不純物拡散領域９２よりも浅いＮ型不純物拡散領域９３が形成されている。Ｐ型シリコン基板９０におけるＮ型不純物拡散領域９３の内部での表層部にはＮ型不純物拡散領域９３よりも浅いＰ型不純物拡散領域９４が形成されている。
【００６５】
　
よって，Ｎ型不純物拡散領域９１の底面とＰ型シリコン基板９０とのＰＮ接合部よりも浅い位置に，Ｐ型不純物拡散領域９２の底面とＮ型不純物拡散領域９１とのＰＮ接合部がある。このＰＮ接合部よりも浅い位置に，Ｎ型不純物拡散領域９３の底面とＰ型不純物拡散領域９２とのＰＮ接合部がある。このＰＮ接合部よりも浅い位置に，Ｐ型不純物拡散領域９４の底面とＮ型不純物拡散領域９３とのＰＮ接合部がある。
【００６６】
　Ｐ型シリコン基板９０とＮ型不純物拡散領域９１との間には電流測定器９５が配置されている。Ｎ型不純物拡散領域９１とＰ型不純物拡散領域９２との間には電流測定器９６が配置されている。Ｐ型不純物拡散領域９２とＮ型不純物拡散領域９３との間には電流測定器９７が配置されている。Ｎ型不純物拡散領域９３とＰ型不純物拡散領域９４との間には電流測定器９８が配置されている。
【００６７】
　そして，
Ｐ型シリコン基板９０の上方から光がＰ型シリコン基板９０に照射される（受光する）。すると，Ｎ型不純物拡散領域９１の底面とＰ型シリコン基板９０とのＰＮ接合部においてＩＲ光子による電流が流れ，これが第１の電流測定器９５にて検出される。Ｐ型不純物拡散領域９２の底面とＮ型不純物拡散領域９１とのＰＮ接合部において赤色光子による電流が流れ，これが第２の電流測定器９６にて検出される。Ｎ型不純物拡散領域９３の底面とＰ型不純物拡散領域９２とのＰＮ接合部において緑色光子による電流が流れ，これが第３の電流測定器９７にて検出される。Ｐ型不純物拡散領域９４の底面とＮ型不純物拡散領域９３とのＰＮ接合部において青色光子による電流が流れ，これが第４の電流測定器９８にて検出される。これにより，必要な分光感度を持たせることができる。
【００６８】
　図１７に代わり
図１８のように，図１７でのＰ型不純物拡散領域９４をなくして，近赤外光と赤色光と緑色光を検出するようにしてもよい。
　上記実施形態によれば，以下のような効果を得ることができる。
【００６９】
　（５）
Ｐ型シリコン基板９０の表層部にＰ型の第１の不純物拡散領域９１が形成されるとともに，不純物拡散領域９１においてシリコン基板９０の表層部に不純物拡散領域９１よりも浅いＰ型の第２の不純物拡散領域９２が形成され，さらに，不純物拡散領域９２においてシリコン基板９０の表層部に不純物拡散領域９２よりも浅いＮ型の第３の不純物拡散領域９３が形成され，不純物拡散領域９１の底面とシリコン基板９０との界面にて近赤外光を光電変換するための最も深い第１のＰＮ接合部が形成されるとともに，不純物拡散領域９２の底面と不純物拡散領域９１との界面にて赤色光を光電変換するための２番目に深い第２のＰＮ接合部が形成され，不純物拡散領域９３の底面と不純物拡散領域９２との界面にて緑色光を光電変換するための３番目に深い第３のＰＮ接合部が形成されてなる。これにより，可視領域の光が入った場合には，第２のＰＮ接合部において赤色光が検出され，第３のＰＮ接合部において緑色光が検出される。また，近赤外域の光が入った場合には，第１のＰＮ接合部において近赤外域の光が検出される。よって，可視領域の光のセンシングのみならず近赤外域の光のセンシングにも容易に対応可能な車載用カラーセンサを提供することができる
【００７０】
　（６）ここで，図１７に示すように，
第３の不純物拡散領域９３においてシリコン基板９０の表層部に不純物拡散領域９３よりも浅いＰ型の第４の不純物拡散領域９４が，さらに形成され，不純物拡散領域９４の底面と不純物拡散領域９３との界面にて青色光を光電変換するための最も浅い第４のＰＮ接合部が形成されているので，青色光を検出することができる
【００７１】
　なお，前記実施形態は以下のように変更してもよい。
　基本４ピクセルで可視域の赤（Ｒ），緑（Ｇ），緑（Ｇ），近赤外域（ＩＲ）としたり，基本４ピクセルで可視域の赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ），近赤外域（ＩＲ）としたが，これに限ることなく，基本３ピクセルで可視域の赤（Ｒ），緑（Ｇ），近赤外域（ＩＲ）としてもよい。
【００７２】
　また，上述したように車載用カラーセンサはライト制御装置や雨滴センサ（夜間監視用カメラ）などについて述べたが，これに限らず，他の，可視領域の光をセンシングするシステムと近赤外域の光をセンシングするシステムに適用してもよい。」
　ウ　図１８には，以下の事項が記載されている。
　ｐ型シリコン基板９０と，
　前記基板に形成され，前記基板との界面に第１のＰＮ接合部を形成するＮ型不純物拡散領域９１と，
　前記Ｎ型不純物拡散領域９１上に形成され，前記Ｎ型不純物拡散領域９１との界面に第２のＰＮ接合部を形成するＰ型不純物拡散領域９２と，
　前記Ｐ型不純物拡散領域９２上に形成され，前記Ｐ型不純物拡散領域９２との界面に第３のＰＮ接合部を形成するＮ型不純物拡散領域９３と
を備え，
　前記各第１，第２，第３ＰＮ接合は，各々近赤外光，赤色光，緑色光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されている車載用カラーセンサ。
（２）引用発明１
　前記（１）の記載から，特に引用文献１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下，「引用発明１」という。）。
  「ｐ型シリコン基板と，
　前記基板に形成され，前記基板との界面に第１のＰＮ接合部を形成する第１のＮ型不純物拡散領域と，
　前記第１のＮ型不純物拡散領域上に形成され，前記第１のＮ型不純物拡散領域との界面に第２のＰＮ接合部を形成する第１のＰ型不純物拡散領域と，
　前記第１のＰ型不純物拡散領域上に形成され，前記第１のＰ型不純物拡散領域との界面に第３のＰＮ接合部を形成する第２のＮ型不純物拡散領域と
を備え，
　前記各第１，第２，第３のＰＮ接合部は，各々近赤外光，赤色光，緑色光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されている車載用カラーセンサ。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２０３９５４号公報（以下，「引用文献２」という）には以下の事項が記載されている。
　ア「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，入射した光を電気信号に変換する受光素子（フォトダイオード）と，少なくともＭＯＳトランジスタを含み，
受光素子から出力される信号を処理する信号処理回路とを同一基板上に設けた回路内蔵受光素子
　イ「【００４４】このように構成された本実施形態の回路内蔵受光素子において，
フォトダイオード部１２では，不純物濃度が高いＰ
+
型埋め込み拡散層２の不純物濃度のピーク位置よりも深い位置のＰ型半導体基板１にて光キャリアが発生すると，その光キャリアは，Ｐ
+
型埋め込み拡散層２の不純物濃度のプロファイルによるポテンシャルバリアを超えることができず，Ｐ型半導体基板１に押し戻されてＰ型半導体基板１内にて再結合することによって消滅する。したがって，光キャリアがＣＭＯＳトランジスタ部１３に迷走することが防止される。また，Ｐ
+
型埋め込み拡散層２の不純物濃度のピーク位置より浅い所で光キャリアが発生すると，その光キャリアは，Ｐ
+
型埋め込み拡散層２のポテンシャル（電位）による内蔵電界によって，高速でＰＮ接合領域の空乏層１４に導かれて光電流となる。
　ウ「【００６６】図８に本発明の第６の実施形態である回路内蔵受光素子を示す。この回路内蔵受光素子は，フォトダイオード部１２のＮ型エピタキシャル層６とＰ型エピタキシャル層３との間にＮ+型埋め込み拡散層５ｃが形成されており，Ｎ型エピタキシャル層６の表面近傍にＰ+型拡散層１０ａが形成されている。この場合，図９に示すように，
フォトダイオード部１２の表面付近にＰ
+
型拡散層１０ａおよびＮ
+
型埋め込み拡散層５ｃから成るフォトダイオードＡが形成され，フォトダイオードＡの下方にＮ
+
型埋め込み拡散層５ｃおよびＰ型エピタキシャル層３から成るフォトダイオードＢが形成される。これにより，Ｎ
+
型埋め込み拡散層５ｃの不純物濃度によるポテンシャルバリアにより，Ｎ
+
型埋め込み拡散層５ｃの不純物濃度のピーク位置より浅い領域で発生する光キャリアは，フォトダイオードＡによって検出され，Ｎ
+
型埋め込み拡散層５ｃの不純物濃度のピーク位置より深い領域で発生する光キャリアは，フォトダイオードＢによって検出される。この結果，図８に示す構成のフォトダイオード部１２は，短波長の光と長波長の光とを別々に検出することができる。
【００６７】例えば，フォトダイオード部１２への入射光が波長４００ｎｍであれば，フォトダイオード部１２の表面からの入射光の進入の深さが１μｍ以下であるため，入射光によって発生する全ての光キャリアがフォトダイオードＡによって吸収される。Ｎ型エピタキシャル層６の厚みが１．５μｍであり，入射光が波長６５０ｎｍであれば，入射光によって発生する光キャリアの約３０％がフォトダイオードＡによって吸収され，入射光によって発生する光キャリアの約７０％がフォトダイオードＢによって吸収される。これにより，フォトダイオード部１２への入射光に対して，フォトダイオードＡおよびＢで発生するそれぞれの光電流の差分を算出することにより，入射光の波長の検出が可能となる。
【００６８】尚，本発明の実施形態においては，Ｐ型を第１導電型，Ｎ型を第２導電型としているが，図３および４に示す本発明の第３および４の実施形態以外の構成では，Ｎ型を第１導電型，Ｐ型を第２導電型としても良い。
【００６９】
【発明の効果】本発明の固体内蔵受光素子は，第１の第２導電型半導体層と第２の第１導電型半導体層とにより接合容量の小さいフォトダイオードが形成され，そのフォトダイオードが，第３の第１導電型半導体層および第４の第１導電型半導体層によって取り囲まれて，ＭＯＳ構造のトランジスタを含む信号処理回路と電気的に分離されることによって，フォトダイオードの高速動作が可能になるとともに，フォトダイオードの短波長の光に対する光感度も向上し，フォトダイオードで発生した光キャリアがＭＯＳデバイスへの進入を抑制し，ラッチアップ現象を防止できる。」
　エ　図８には以下の事項が記載されている。
　Ｐ+型拡散層１０ａおよびＮ+型埋め込み拡散層５ｃから成るフォトダイオードＡが形成され，フォトダイオードＡの下方にＮ+型埋め込み拡散層５ｃおよびＰ型エピタキシャル層３から成るフォトダイオードＢが形成されたフォトダイオード部１２を備えた回路内蔵受光素子。
　オ　図９には以下の事項が記載されている。
　Ｐ+型拡散層１０ａおよびＮ+型埋め込み拡散層５ｃから成るフォトダイオードＡが形成され，フォトダイオードＡの下方にＮ+型埋め込み拡散層５ｃおよびＰ型エピタキシャル層３から成るフォトダイオードＢが形成されたフォトダイオード部１２ｐ型エピタキシャル層内３内に形成されたｎ型埋め込み拡散層５ｃ，その上部に形成されたｎ型エピタキシャル層６から構成されるフォトダイオード部１２を備えた回路内蔵受光素子において，基板の深さ方向における各層の不純物濃度。
第５　対比・判断
１　本願発明と引用発明１の対比
　ア　引用発明１の「ｐ型シリコン基板」，「第１のＮ型不純物拡散領域」，「第１のＰ型不純物拡散領域」，「第２のＮ型不純物拡散領域」は，「Ｐ型」を「第１導電型」，「Ｎ型」を「第２導電型」とすると，各々本願発明の「第１導電型の基板」，「第２導電型の第１の拡散層」，「第１導電型の第２の拡散層」,「第２導電型の第３の拡散層」に相当する。
　イ　引用発明１の「第１のＰＮ接合部」，「第２のＰＮ接合部」，「第３のＰＮ接合部」は，各々本願発明の「第１接合」，「第２接合」，「第３接合」に相当する。
　ウ　引用発明１の「各第１，第２，第３のＰＮ接合部は，各々近赤外光，赤色光，緑色光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されている」ことは，本願発明の「第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されて」いることに相当する。
　エ　引用発明１の「車載用カラーセンサー」は，受光素子の一種であるから本願発明の「受光素子」に相当する。
　したがって，本願発明と引用発明１とを比較すると，以下のオの点で一致し，カの点で相違する。
　
　オ　一致点
　第１導電型の基板と，
　上記基板に形成され，上記基板との界面に第１接合を形成する第２導電型の第１の拡散層と，
　上記第１の拡散層上に形成され，上記第１の拡散層との界面に第２接合を形成する第１導電型の第２の拡散層と，
　上記第２の拡散層上に形成され，上記第２の拡散層との界面に第３接合を形成する第２導電型の第３の拡散層と
を備え，
　上記第１接合と上記第２接合と上記第３接合は夫々，予め設定された波長の光を検出するために基板深さ方向に予め設定された深さに形成されている受光素子。
　カ　相違点
　本願発明では，第１接合と第２接合と第３接合のうちのいずれか１つの接合の基板表面側の拡散層に，当該拡散層の深さ方向において当該接合側に不純物濃度ピークが形成されているのに対して，引用発明１では，不純物濃度ピークが形成されるとは特定しない点。
２　相違点についての判断
　以下，相違点について検討する。　
　引用文献２には，深さ方向に分散させて配置した複数のｐｎ接合を備えた受光素子において，各接合におけるキャリアの検出を区別するために，接合間に不純物濃度ピークを形成する技術が開示されている。
　また，基板の深さ方向に分散するｐｎ接合部を有する受光素子において，光照射によって発生したキャリアを制御して，所望のｐｎ接合部に導くことは感度を向上させるという観点で受光素子として周知な技術的課題であるところ，引用文献２の，段落【００６６】〜【００６９】には，ピーク位置より浅い領域では，フォトダイオードにより短波長の光が検出されていることが記載されている（前記第４の２（１）ウ参照）。
　したがって，引用発明１において，当該技術的課題に配慮して，引用文献２に開示された技術を採用し，その際，具体的な不純物濃度ピークを形成する位置については，各ＰＮ接合部において検出すべき波長を考慮して適宜設定し得ることであるから，例えば，短波長側の光の感度を大きくするためや基板の表面側への流れ込みを防ぐために，拡散層の深さ方向において接合側に不純物濃度ピークを形成する事は，当業者が容易に想到し得た事項である。
　よって，本願発明は，引用文献１及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　まとめ
　以上のとおり，請求項１に係る発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。