(57)【要約】  サンプリング用の素子として用いられる電界吸収型光変調器は、光を入出射するための２つの光端子と、該２つの光端子間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有している。監視（同期サンプリング）対象の光信号は、前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子のうちの一方の光端子に入射される。前記電界吸収型光変調器の電源端子には、前記監視（同期サンプリング）対象の光信号に対して高い吸収率を示す所定の直流電圧を与えておく。前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子のうちの他方の光端子には、サンプリング用光パルスを光カプラを介して入射させる。このサンプリング用光パルスが入射したときに生じる前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性により前記監視（同期サンプリング）対象の光信号に対する吸収率を低下させて前記監視（同期サンプリング）の光信号を同期サンプリングすることにより、前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子のうちの他方の光端子から前記光カプラを介して出射させる。
2008084620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプリング対象の光信号を変調しているデータ信号のクロック周期の整数倍に対して所定オフセット時間だけ異なる周期を有するサンプリング用光パルスを出射するサンプリング用光パルス発生部と、
前記サンプリング用光パルス発生部から出射される前記サンプリング用光パルスを用いて前記サンプリング対象の光信号を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号を出力する光サンプリング部とを有する光信号同期サンプリング装置であって、
前記光サンプリング部は、
光を入出射するための２つの光端子と、該２つの光端子間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子の一方で前記サンプリング対象の光信号を受ける電界吸収型光変調器と、
前記電界吸収型光変調器の前記電源端子に、前記サンプリング対象の光信号に対して前記電界吸収型光変調器が高い吸収率を示す所定の直流電圧を与える直流電源と、
前記サンプリング用光パルス発生部によって出射される前記サンプリング用光パルスを受けて前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号を受けて前記光パルス信号として出射させる光カプラとを含み、
前記サンプリング用光パルスの入射によって前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号を前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴とする光信号同期サンプリング装置。
【請求項２】
前記光サンプリング部は、前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子に入射される前記サンプリング用光パルスが前記サンプリング対象の光信号の伝送路へ漏れるのを防ぐために、
前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記一方の光端子に挿入されている第２の光カプラと、
前記サンプリング用光パルスを前記第２の光カプラを介して終端する光終端器とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光信号同期サンプリング装置。
【請求項３】
前記サンプリング用光パルス発生部は、
前記サンプリング用光パルスの周期に対応した周期Ｔｓを有する安定な信号を生成するシンセサイザ構成の基準信号発生器と、
前記基準信号発生器によって生成される前記周期Ｔｓを有する安定な信号をＭ（Ｍは複数）逓倍した信号として出力する逓倍器と、
連続光を出射する光源と、
前記逓倍器から出力される前記Ｍ逓倍した信号によって前記光源から出射される前記連続光を変調することにより、周期Ｔｓ／Ｍを有する光パルスを出射する光変調器と、
前記光変調器から出射される前記光パルスを１／Ｍに間引いて、周期Ｔｓを有する光パルスに変換する光ゲート回路と、
前記光ゲート回路により変換された前記周期Ｔｓを有する光パルスについてそのパルス幅をさらに狭めて、前記サンプリング用光パルスとして出射する分散減少ファイバとを含むことを特徴とする請求項１に記載の光信号同期サンプリング装置。
【請求項４】
前記サンプリング対象の光信号を変調している前記データ信号のクロック周期Ｔｃ又はそのビットレートと前記所定オフセット時間ΔＴの情報を受けて、前記サンプリング用光パルスのサンプリング周期Ｔｓを、
Ｔｓ＝Ｎ・Ｔｃ＋ΔＴ
（ここで、Ｎの値は、前記データ信号のクロック周期Ｔｃと前記サンプリング用光パルス発生部が出力可能な信号の周波数可変範囲によって決まる）
の演算で求めて、前記サンプリング用光パルス発生部に設定するパラメータ設定部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光信号同期サンプリング装置。
【請求項５】
監視対象の光信号を変調しているデータ信号のクロック周期の整数倍に対して所定オフセット時間だけ異なる周期を有するサンプリング用光パルスを出射するサンプリング用光パルス発生部と、前記サンプリング用光パルス発生部から出射される前記サンプリング用光パルスを用いて前記監視対象の光信号を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号を出力する光サンプリング部とを含む光信号同期サンプリング装置と、
前記光信号同期サンプリング装置の前記光サンプリング部によって出力された前記光パルス信号を受光して電気信号に変換して出力する光電変換器と、
前記光電変換器からの前記電気信号の包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号を出力する基本波成分信号出力手段と、
前記基本波成分信号出力手段からの前記基本波成分信号と所定のしきい値とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータによる比較において前記基本波成分信号が前記しきい値を超えるタイミングから前記光電変換器からの前記電気信号に対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御部とを有する光信号モニタ装置であって、
前記光信号同期サンプリング装置の光サンプリング部は、
光を入出射するための２つの光端子と、該２つの光端子間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子の一方で前記監視対象の光信号を受ける電界吸収型光変調器と、
前記電界吸収型光変調器の前記電源端子に、前記監視対象の光信号に対して前記電界吸収型光変調器が高い吸収率を示す所定の直流電圧を与える直流電源と、
前記光信号同期サンプリング装置のサンプリング用光パルス発生部によって出射される前記サンプリング用光パルスを受けて前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号を受けて前記光パルス信号として前記光電変換器へ入射させる光カプラとを含み、
前記サンプリング用光パルスの入射によって前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号を前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴とする光信号モニタ装置。
【請求項６】
前記光サンプリング部は、前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子に入射されるサンプリング用光パルスが前記監視対象の光信号の伝送路へ漏れるのを防ぐために、
前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記一方の光端子に挿入されている第２の光カプラと、
前記サンプリング用光パルスを前記第２の光カプラを介して終端する光終端器とをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項７】
前記サンプリング用光パルス発生部は、
前記サンプリング用光パルスの周期に対応した周期Ｔｓを有する安定な信号を生成するシンセサイザ構成の基準信号発生器と、
前記基準信号発生器によって生成される前記周期Ｔｓを有する安定な信号をＭ（Ｍは複数）逓倍した信号として出力する逓倍器と、
連続光を出射する光源と、
前記逓倍器から出力される前記Ｍ逓倍した信号によって前記光源から出射される前記連続光を変調することにより、周期Ｔｓ／Ｍを有する光パルスを出射する光変調器と、
前記光変調器から出射される前記光パルスを１／Ｍに間引いて、周期Ｔｓを有する光パルスに変換する光ゲート回路と、
前記光ゲート回路により変換された前記周期Ｔｓを有する光パルスについてそのパルス幅をさらに狭めて、前記サンプリング用光パルスとして出射する分散減少ファイバとを含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項８】
前記監視対象の光信号を変調している前記データ信号のクロック周期Ｔｃ又はそのビットレートと前記所定オフセット時間の情報を受けて、前記サンプリング用光パルスのサンプリング周期Ｔｓを、
Ｔｓ＝Ｎ・Ｔｃ＋ΔＴ
（ここで、Ｎの値は、前記データ信号のクロック周期Ｔｃと前記サンプリング用光パルス発生部が出力可能な信号の周波数可変範囲によって決まる）
の演算で求めて、前記サンプリング用光パルス発生部に設定するパラメータ設定部をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項９】
前記光電変換器と前記データ取得制御部との間に挿入され、前記光電変換器からの電気信号を前記サンプリング用光パルスと同期したサンプリングクロックによってサンプリングすることにより、デジタル値に変換して前記データ取得制御部にデータ信号として出力するアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１０】
前記サンプリングクロックは、前記サンプリング用光パルス発生部により前記サンプリング用光パルスと同期して出力されることを特徴とする請求項９に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１１】
前記基本波成分信号出力部は，フィルタ方式として、
前記監視対象の光信号を変調している前記データ信号のクロック周波数と等しい中心周波数あるいは前記クロック周波数の２倍に等しい中心周波数を有し、前記光電変換器からの電気信号から正弦波の基本波成分信号を抽出する狭帯域な帯域通過フィルタを含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１２】
前記基本波成分信号出力部は，ＰＬＬ（位相ロックループ）方式として、
前記監視対象の光信号を変調している前記データ信号のクロック周波数と等しい中心周波数あるいは前記クロック周波数の２倍に等しい中心周波数を有し、前記光電変換器からの電気信号から正弦波の基本波成分信号を抽出する狭帯域な帯域通過フィルタと、
所定の発振周波数を有する発振出力信号を出力する電圧制御発振器と、
前記帯域通過フィルタの出力信号と前記電圧制御発振器の出力信号との位相差に応じた制御信号を出力する位相比較器とを含み、
前記位相比較器から出力される前記制御信号により前記電圧制御発振器の発振周波数を制御して、前記発振出力信号の位相を前記帯域通過フィルタの出力信号の位相に同期させることにより、この同期した正弦波の発振出力信号を前記基本波成分信号として出力することを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１３】
前記基本波成分信号出力部は，
前記光電変換器からの電気信号の周波数解析を行い、基本波成分の周波数を求める周波数解析演算部と、
前記周波数解析演算部によって求められた前記基本波成分の周波数と等しい周波数を有する基本波成分信号を生成して出力する信号発生器とを含むことを特徴とする請求項５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１４】
前記データ取得制御部により、前記コンパレータからの出力信号に基づいて、前記Ａ／Ｄ変換器から出力される前記データ信号が書き込まれる複数の異なる領域を有する波形メモリをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１５】
前記データ取得制御部は、前記コンパレータにおいて、前記基本波成分信号が前記しきい値を越えたタイミングから、前記波形メモリに対する前記データ信号の書き込みを開始し、所定数のデータ信号の書き込みが終了した後で、前記基本波成分信号が再度前記しきい値を越えるタイミングまで待機するという動作を所定回数繰り返し、前記所定数のデータ信号の書き込みを、前記波形メモリの前記複数の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に行うことを特徴とする請求項１４に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１６】
前記波形メモリに書き込まれた前記データ信号に基づいて、前記監視対象の光信号の品質を表す値を算出する演算部をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１７】
前記演算部は、前記波形メモリに書き込まれた前記データ信号を所定のしきい値と比較して、データ「１」に属するサンプル値と、データ「０」に属するサンプル値とに分け、それぞれのデータについてのサンプル値群の平均値、標準偏差を求め、その平均値の差μと標準偏差の和γの比μ／γを品質値Ｑとして求めることを特徴とする請求項１６に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１８】
前記演算部は、前記所定数のデータ信号が前記波形メモリの前記複数の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に各回ごとに記憶された所定ビット分の波形データをアドレス順に重ね合わせることにより、アイパターンを得ることを可能とすることを特徴とする請求項１６に記載の光信号モニタ装置。
【請求項１９】
サンプリング対象の光信号を変調しているデータ信号のクロック周期の整数倍に対して所定オフセット時間だけ異なる周期を有するサンプリング用光パルスを出射するサンプリング用光パルス発生段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスを用いて前記サンプリング対象の光信号を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号を出力する光同期サンプリング段階とを具備し、
前記光同期サンプリング段階は、
光を入出射するための２つの光端子と、該２つの光端子間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子の一方で前記サンプリング対象の光信号を受ける電界吸収型光変調器を準備する段階と、
前記電界吸収型光変調器の前記電源端子に、前記サンプリング対象の光信号に対して前記電界吸収型光変調器が高い吸収率を示す所定の直流電圧を与える直流電源を準備する段階と、
前記サンプリング用光パルス発生部によって出射される前記サンプリング用光パルスを受けて前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号を受けて前記光パルス信号として出射させる光カプラを準備する段階とを含み、
前記サンプリング用光パルスの入射によって前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号を前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴とする光信号同期サンプリング方法。
【請求項２０】
監視対象の光信号を変調しているデータ信号のクロック周期の整数倍に対して所定オフセット時間だけ異なる周期を有するサンプリング用光パルスを出射するサンプリング用光パルス発生段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスを用いて前記監視対象の光信号を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号を出力する光同期サンプリング段階と、
前記光同期サンプリング段階によって出力された前記光パルス信号を受光して電気信号に変換して出力する光電変換段階と、
前記光電変換段階によって出力された前記電気信号の包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号を出力する基本波成分信号出力段階と、
前記基本波成分信号出力段階によって出力された前記基本波成分信号と所定のしきい値とを比較する比較段階と、
前記比較段階において前記基本波成分信号が前記しきい値を超えるタイミングから前記光電変換段階によって出力された前記電気信号に対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御段階とを有する光信号モニタ方法であって、
前記光同期サンプリング段階は、
光を入出射するための２つの光端子と、該２つの光端子間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子の一方で前記監視対象の光信号を受ける電界吸収型光変調器を準備する段階と、
前記電界吸収型光変調器の前記電源端子に、前記監視対象の光信号に対して前記電界吸収型光変調器が高い吸収率を示す所定の直流電圧を与える直流電源を準備する段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスを受けて前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号を受けて前記光電変換段階で前記電気信号に変換して出力する前記光パルス信号として出射させる光カプラを準備する段階とを含み、
前記サンプリング用光パルスの入射によって前記電界吸収型光変調器の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号を前記電界吸収型光変調器の前記２つの光端子の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴とする光信号モニタ方法。
【請求項２１】
前記光電変換段階によって出力された前記電気信号を前記サンプリング用光パルスと同期したサンプリングクロックによってサンプリングすることにより、デジタル値に変換してデータ信号として出力するアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換段階と、
前記データ取得制御段階において、前記比較段階による出力信号に基づいて、前記Ａ／Ｄ変換段階により出力される前記データ信号が書き込まれる複数の異なる領域を有する波形メモリを準備する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の光信号モニタ方法。
【請求項２２】
前記データ取得制御段階は、前記比較段階において、前記基本波成分信号が前記しきい値を越えたタイミングから、前記波形メモリに対する前記データ信号の書き込みを開始し、所定数のデータ信号の書き込みが終了した後で、前記基本波成分信号が再度しきい値を越えるタイミングまで待機するという動作を所定回数繰り返し、前記所定数のデータ信号の書き込みを、前記波形メモリの前記複数の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に行うことを特徴とする請求項２１に記載の光信号モニタ方法。
【請求項２３】
前記波形メモリに書き込まれた前記データ信号に基づいて、前記監視対象の光信号の品質を表す値を算出する演算段階をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の光信号モニタ方法。
【請求項２４】
前記演算段階は、前記波形メモリに書き込まれた前記データ信号を所定のしきい値と比較して、データ「１」に属するサンプル値と、データ「０」に属するサンプル値とに分け、それぞれのデータについてのサンプル値群の平均値、標準偏差を求め、その平均値の差μと標準偏差の和γの比μ／γを品質値Ｑとして求めることを特徴とする請求項２３に記載の光信号モニタ方法。
【請求項２５】
前記演算段階は、前記所定数のデータ信号が前記波形メモリの前記複数の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に各回ごとに記憶された所定ビット分の波形データをアドレス順に重ね合わせることにより、アイパターンを得ることを可能とすることを特徴とする請求項２３に記載の光信号モニタ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光信号同期サンプリング装置及びその方法並びにそれを用いる光信号モニタ装置及びその方法に係り、特に、高速のデータ信号で変調された光信号の波形情報を十分な分解能で精度よくサンプリングすることができるようにするための技術を採用した光信号同期サンプリング装置及びその方法並びにそれを用いて該光信号を正確にモニタできるようにした光信号モニタ装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
データ信号で変調された光信号によるネットワークを構成するにあたり、光信号モニタ装置によりネットワーク上を伝搬する光信号の品質の監視することが必要になる。【０００３】
一般的に、光信号モニタ装置は、伝送路上の信号の波形情報を取得し、その波形情報から信号品質を表す値を算出して、その算出結果を出力するものであって、数１０Ｇｂ／ｓという極めて高いビットレートのデータ信号で変調された光信号を直接受光器で受けてその波形情報を取得することは極めて困難である。【０００４】
そこで、従来の光信号モニタ装置では、このような高速な光信号の波形情報を得るために等価時間サンプリング方式が用いられている。【０００５】
この等価時間サンプリング方式は、図９の（ａ）に示すように、周期Ｔａで同一波形が繰り返される光信号Ｐに対して、図９の（ｂ）に示すように、周期ＴａのＮ倍（Ｎは整数）に対して僅かな時間ΔＴだけ長い周期Ｔｓ＝Ｎ・Ｔａ＋ΔＴのサンプリングパルスＳでサンプリングを行うことにより、図９の（ｃ）に示すように、光信号Ｐの繰り返し波形内でΔＴずつ異なる位置の瞬時振幅値（瞬時強度）を取得する。【０００６】
そして，この取得した瞬時振幅値を結ぶ包絡線が描く波形Ｐ′は、光信号Ｐの波形を時間軸上でＴｓ／ΔＴ倍に拡大された波形であり、元の光信号Ｐの波形の特徴を保持している。【０００７】
したがって、この等価時間サンプリングで得られた波形情報に対して、例えば、２値レベルの一方を表す振幅と他方を表す振幅の確率分布を求め、その標準偏差を算出することにより、信号品質を表すＱ値を得ることができる。【０００８】
上記のように光信号に対する等価時間サンプリングを行い、得られた波形情報から信号品質を表すＱ値を算出する技術は、次の特許文献１に開示されている。
【特許文献１】日本国特許第３７９６３５７号公報
【０００９】
上記特許文献１では、光信号を等価時間サンプリングするための素子として、通常、非線形光学材が用いられている。【００１０】
この非線形光学材は、一般的に、サンプリング効率が悪い（波長変換現象を用いたサンプリング効率、つまり波長変換効率が−２０ｄＢ以下）ため、強い光信号の波形情報については高Ｓ／Ｎで得ることができるものの、弱い光信号の波形情報については十分なＳ／Ｎを得ることができない。【００１１】
そこで、光信号を等価時間サンプリングするための素子として非線形光学材に比べて格段に透過損失が少ない、言い換えれば実質的にサンプリング効率が高い電界吸収型光変調器を用いることが考えられる。【００１２】
この電界吸収型光変調器は、２つの光端子間を結ぶ光路内に与える電界の大きさに応じてその光路を通過する光に対する吸収率が変化する特性を持っており、一方の光端子に光信号を入射し、電源端子に電気のサンプリング用パルス信号を与えて、そのサンプリング用パルス信号が入力しているときだけ、光信号に対する吸収率を低下させて他方の光端子から出射させることにより、光信号に対するサンプリングを行う。【００１３】
このように電界吸収型光変調器の電源端子に電気のサンプリング用パルス信号を与えることによって光信号に対するサンプリングを行う技術は、例えば、次の特許文献２に開示されている。
【特許文献２】特開２００４−２２２２５２公報
【００１４】
ところが、上記特許文献２では、電気のサンプリング用パルス信号は、高周波のインピーダンス整合を必要とし、そのパルス幅を安定に且つリンギングなく狭くすることが極めて困難であり、上記のような数１０Ｇｂ／ｓで変調された光信号の波形情報を十分な分解能で精度よく取得することができないという新たな問題を生じる。【００１５】
また、上記特許文献１による等価時間サンプリング方式を用いた光信号品質モニタ装置は、取得した波形を所定ビット数分重ね合わせるによってアイパターンを生成し、そのアイパターンに対して品質の演算処理を行う場合に、サンプリング周期Ｔｓが厳密にＮ・Ｔｃ＋ΔＴに一致していないと、重ね合わされる波形の時間軸が徐々にずれてしまい、品質演算を正確に行うことができないという別の問題を有している。
【発明の開示】
【００１６】
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決し、高いサンプリング効率をもち、高速な光信号の波形情報を十分な分解能で精度よくサンプリングすることができるようにした光信号同期サンプリング装置及びその方法並びにそれを用いて該光信号を正確にモニタすることができると共に、該光信号のアイパターンを安定に得ることができるようにした光信号モニタ装置及びその方法を提供することである。
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明の第１の態様によると、
サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を変調しているデータ信号のクロック周期（Ｔｃ）の整数（Ｎ）倍に対して所定オフセット時間（ΔＴ）だけ異なる周期（Ｔｓ）を有するサンプリング用光パルス（Ｐｓ）を出射するサンプリング用光パルス発生部（２１）と、
前記サンプリング用光パルス発生部（２１）から出射される前記サンプリング用光パルスを（Ｐｓ）用いて前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号（Ｐｙ）を出力する光サンプリング部（２２）とを有する光信号同期サンプリング装置（１００）であって、
前記光サンプリング部（２２）は、
光を入出射するための２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）と、該２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子（２３ｃ）とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の一方で前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を受ける電界吸収型光変調器（２３）と、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記電源端子（２３ｃ）に、前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）に対して前記電界吸収型光変調器（２３）が高い吸収率を示す所定の直流電圧（Ｖｄｃ）を与える直流電源（２４）と、
前記サンプリング用光パルス発生部（２１）によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を受けて前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を受けて前記光パルス信号（Ｐｙ）として出射させる光カプラ（２５）とを含み、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）の入射によって前記電界吸収型光変調器（２３）の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴とする光信号同期サンプリング装置が提供される。
【００１８】
前記目的を達成するために、本発明の第２の態様によると、
前記光サンプリング部（２２）は、前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子に入射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）が前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）の伝送路へ漏れるのを防ぐために、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記一方の光端子に挿入されている第２の光カプラ（２６）と、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を前記第２の光カプラ（２６）を介して終端する光終端器（２７）とをさらに含むことを特徴とする第１の態様に従う光信号同期サンプリング装置が提供される。
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明の第３の態様によると、
前記サンプリング用光パルス発生部（２１）は、
前記サンプリング用光パルスの周期に対応した周期（Ｔｓ）を有する安定な信号（Ｒａ）を生成するシンセサイザ構成の基準信号発生器（２１ａ）と、
前記基準信号発生器（２１ａ）によって生成される前記周期Ｔｓを有する安定な信号（Ｒａ）をＭ（Ｍは複数）逓倍した信号（Ｒｂ）として出力する逓倍器（２１ｂ）と、
連続光（Ｐｃｗ）を出射する光源（２１ｄ）と、
前記逓倍器（２１ｂ）から出力される前記Ｍ逓倍した信号（Ｒｂ）によって前記光源（２１ｄ）から出射される前記連続光（Ｐｃｗ）を変調することにより、周期（Ｔｓ／Ｍ）を有する光パルス（Ｐａ）を出射する光変調器（２１ｃ）と、
前記光変調器（２１ｃ）から出射される前記光パルス（Ｐａ）を１／Ｍに間引いて、周期（Ｔｓ）を有する光パルス（Ｐｂ）に変換する光ゲート回路（２１ｅ）と、
前記光ゲート回路（２１ｅ）により変換された前記周期（Ｔｓ）を有する光パルス（Ｐｂ）についてそのパルス幅をさらに狭めて、前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）として出射する分散減少ファイバ（２１ｆ）とを含むことを特徴とする第１の態様に従う光信号同期サンプリング装置が提供される。
【００２０】
前記目的を達成するために、本発明の第４の態様によると、
前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を変調している前記データ信号のクロック周期（Ｔｃ）又はそのビットレートと前記所定オフセット時間（ΔＴ）の情報を受けて、前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）のサンプリング周期Ｔｓを、
Ｔｓ＝Ｎ・Ｔｃ＋ΔＴ
（ここで、Ｎの値は、前記データ信号のクロック周期（Ｔｃ）と前記サンプリング用光パルス発生部（２１）が出力可能な信号の周波数可変範囲によって決まる）
の演算で求めて、前記サンプリング用光パルス発生部（２１）に設定するパラメータ設定部（２８）をさらに含むことを特徴とする第１の態様に従う光信号同期サンプリング装置が提供される。
【００２１】
前記目的を達成するために、本発明の第５の態様によると、
監視対象の光信号（Ｐｘ）を変調しているデータ信号のクロック周期（Ｔｃ）の整数（Ｎ）倍に対して所定オフセット時間（ΔＴ）だけ異なる周期（Ｔｓ）を有するサンプリング用光パルス（Ｐｓ）を出射するサンプリング用光パルス発生部（２１）と、前記サンプリング用光パルス発生部（２１）から出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を用いて前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号（Ｐｙ）を出力する光サンプリング部（２２）とを含む光信号同期サンプリング装置（１００）と、
前記光信号同期サンプリング装置（１００）の前記光サンプリング部（２２）によって出力された前記光パルス信号（Ｐｙ）を受光して電気信号（Ｅｙ）に変換して出力する光電変換器（３０）と、
前記光電変換器（３０）からの前記電気信号（Ｅｙ）の包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号（Ｕ）を出力する基本波成分信号出力手段（３５）と、
前記基本波成分信号出力手段（３５）からの前記基本波成分信号（Ｕ）と所定のしきい値（Ｖｒ）とを比較するコンパレータ（３６）と、
前記コンパレータ（３６）による比較において前記基本波成分信号（Ｕ）が前記しきい値（Ｖｒ）を超えるタイミングから前記光電変換器（３０）からの前記電気信号（Ｅｙ）に対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御部（３８）とを有する光信号モニタ装置（２０）であって、
前記光信号同期サンプリング装置（１００）の光サンプリング部（２２）は、
光を入出射するための２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）と、該２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子（２３ｃ）とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の一方で前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を受ける電界吸収型光変調器（２３）と、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記電源端子（２３ｃ）に、前記監視対象の光信号（Ｐｘ）に対して前記電界吸収型光変調器（２３）が高い吸収率を示す所定の直流電圧（Ｖｄｃ）を与える直流電源（２４）と、
前記光信号サンプリング装置（１００）のサンプリング用光パルス発生部（２１）によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を受けて前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を受けて前記光パルス信号（Ｐｙ）として前記光電変換器（３０）へ入射させる光カプラ（２５）とを含み、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）の入射によって前記電界吸収型光変調器（２３）の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴とする光信号モニタ装置が提供される。
【００２２】
前記目的を達成するために、本発明の第６の態様によると、
前記光サンプリング部（２２）は、前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子に入射されるサンプリング用光パルス（Ｐｓ）が前記監視対象の光信号（Ｐｘ）の伝送路へ漏れるのを防ぐために、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記一方の光端子に挿入されている第２の光カプラ（２６）と、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を前記第２の光カプラ（２６）を介して終端する光終端器（２７）とをさらに含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２３】
前記目的を達成するために、本発明の第７の態様によると、
前記サンプリング用光パルス発生部（２１）は、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）の周期に対応した周期（Ｔｓ）を有する安定な信号（Ｒａ）を生成するシンセサイザ構成の基準信号発生器（２１ａ）と、
前記基準信号発生器（２１ａ）によって生成される前記周期（Ｔｓ）を有する安定な信号（Ｒａ）をＭ（Ｍは複数）逓倍した信号（Ｒｂ）として出力する逓倍器（２１ｂ）と、連続光（Ｐｃｗ）を出射する光源（２１ｄ）と、
前記逓倍器（２１ｂ）から出力される前記Ｍ逓倍した信号（Ｒｂ）によって前記光源（２１ｄ）から出射される前記連続光（Ｐｃｗ）を変調することにより、周期（Ｔｓ／Ｍ）を有する光パルス（Ｐａ）を出射する光変調器（２１ｃ）と、
前記光変調器（２１ｃ）から出射される前記光パルス（Ｐａ）を１／Ｍに間引いて、周期（Ｔｓ）を有する光パルス（Ｐｂ）に変換する光ゲート回路（２１ｅ）と、
前記光ゲート回路（２１ｅ）により変換された前記周期（Ｔｓ）を有する光パルス（Ｐｂ）についてそのパルス幅をさらに狭めて、前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）として出射する分散減少ファイバ（２１ｆ）とを含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２４】
前記目的を達成するために、本発明の第８の態様によると、
前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を変調している前記データ信号のクロック周期（Ｔｃ）又はそのビットレートと前記所定オフセット時間（ΔＴ）の情報を受けて、前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）のサンプリング周期Ｔｓを、
Ｔｓ＝Ｎ・Ｔｃ＋ΔＴ
（ここで、Ｎの値は、前記データ信号のクロック周期（Ｔｃ）と前記サンプリング用光パルス発生部（２１）が出力可能な信号の周波数可変範囲によって決まる）
の演算で求めて、前記サンプリング用光パルス発生部（２１）に設定するパラメータ設定部（２８）をさらに含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２５】
前記目的を達成するために、本発明の第９の態様によると、
前記光電変換器（３０）と前記データ取得制御部（３８）との間に挿入され、前記光電変換器（３０）からの電気信号（Ｅｙ）を前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）と同期したサンプリングクロック（Ｅｓ）によってサンプリングすることにより、デジタル値（Ｄｙ）に変換して前記データ取得制御部（３８）にデータ信号（Ｄｙ）として出力するアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器（３１）をさらに含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２６】
前記目的を達成するために、本発明の第１０の態様によると、
前記サンプリングクロック（Ｅｓ）は、前記サンプリング用光パルス発生部（２１）により前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）と同期して出力されることを特徴とする第９の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２７】
前記目的を達成するために、本発明の第１１の態様によると、
前記基本波成分信号出力部（３５）は，フィルタ方式として、
前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を変調している前記データ信号のクロック周波数（Ｆｃ）と等しい中心周波数あるいは前記クロック周波数（Ｆｃ）の２倍に等しい中心周波数を有し、前記光電変換器（３０）からの電気信号（Ｅｙ）から正弦波の基本波成分信号（Ｕ）を抽出する狭帯域な帯域通過フィルタ（３５ｆ）を含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２８】
前記目的を達成するために、本発明の第１２の態様によると、
前記基本波成分信号出力部（３５）は，ＰＬＬ（位相ロックループ）方式として、
前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を変調している前記データ信号のクロック周波数（Ｆｃ）と等しい中心周波数あるいは前記クロック周波数（Ｆｃ）の２倍に等しい中心周波数を有し、前記光電変換器（３０）からの電気信号（Ｅｙ）から正弦波の基本波成分信号（Ｕ）を抽出する狭帯域な帯域通過フィルタ（３５ａ）と、
所定の発振周波数を有する発振出力信号を出力する電圧制御発振器（３５ｂ）と、
前記帯域通過フィルタ（３５ａ）の出力信号と前記電圧制御発振器（３５ｂ）の出力信号との位相差に応じた制御信号（Ｖｃ）を出力する位相比較器（３５ｃ）とを含み、
前記位相比較器（３５ｃ）から出力される前記制御信号（Ｖｃ）により前記電圧制御発振器（３５ｂ）の発振周波数を制御して、前記発振出力信号の位相を前記帯域通過フィルタ（３５ａ）の出力信号の位相に同期させることにより、この同期した正弦波の発振出力信号を前記基本波成分信号（Ｕ）として出力することを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００２９】
前記目的を達成するために、本発明の第１３の態様によると、
前記基本波成分信号出力部（３５）は，
前記光電変換器（３０）からの電気信号（Ｅｙ）の周波数解析を行い、基本波成分の周波数を求める周波数解析演算部（３５ｇ）と、
前記周波数解析演算部（３５ｇ）によって求められた周波数と等しい基本波成分信号（Ｕ）を生成して出力する信号発生器（３５ｈ）とを含むことを特徴とする第５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３０】
前記目的を達成するために、本発明の第１４の態様によると、
前記データ取得制御部（３８）により、前記コンパレータ（３６）からの出力信号に基づいて、前記Ａ／Ｄ変換器（３１）から出力されるデータ信号（Ｄｙ）が書き込まれる複数（Ｈ）の異なる領域を有する波形メモリ（３９）をさらに含むことを特徴とする第９の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３１】
前記目的を達成するために、本発明の第１５の態様によると、
前記データ取得制御部（３８）は、前記コンパレータ（３６）において、前記基本波成分信号（Ｕ）が前記しきい値（Ｖｒ）を越えたタイミングから、前記波形メモリ（３９）に対する前記データ信号（Ｄｙ）の書き込みを開始し、所定数（Ｗ）のデータ信号の書き込みが終了した後で、前記基本波成分信号（Ｕ）が再度前記しきい値（Ｖｒ）を越えるタイミングまで待機するという動作を所定回数（Ｈ）繰り返し、前記所定数（Ｗ）のデータ信号（Ｄｙ）の書き込みを、前記波形メモリ（３９）の前記複数（Ｈ）の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に行うことを特徴とする第１４の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３２】
前記目的を達成するために、本発明の第１６の態様によると、
前記波形メモリ（３９）に書き込まれたデータ信号（Ｄｙ）に基づいて、監視対象の光信号（Ｐｘ）の品質を表す値を算出する演算部（４０）をさらに含むことを特徴とする第１５の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３３】
前記目的を達成するために、本発明の第１７の態様によると、
前記演算部（４０）は、前記波形メモリ（３９）に書き込まれた前記データ信号（Ｄｙ）を所定のしきい値と比較して、データ「１」に属するサンプル値と、データ「０」に属するサンプル値とに分け、それぞれのデータについてのサンプル値群の平均値、標準偏差を求め、その平均値の差（μ）と標準偏差の和（γ）の比（μ／γ）を品質値（Ｑ）として求めることを特徴とする第１６の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３４】
前記目的を達成するために、本発明の第１８の態様によると、
前記演算部（４０）は、前記所定数（Ｗ）のデータ信号（Ｄｙ）が前記波形メモリ（３９）の前記複数（Ｈ）の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に各回ごとに記憶された所定ビット分の波形データ（Ｄｙ）をアドレス順に重ね合わせることにより、アイパターンを得ることを可能とすることを特徴とする第１６の態様に従う光信号モニタ装置が提供される。
【００３５】
前記目的を達成するために、本発明の第１９の態様によると、
サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を変調しているデータ信号のクロック周期（Ｔｃ）の整数（Ｎ）倍に対して所定オフセット時間（ΔＴ）だけ異なる周期（Ｔｓ）を有するサンプリング用光パルス（Ｐｓ）を出射するサンプリング用光パルス発生段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を用いて前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号（Ｐｙ）を出力する光同期サンプリング段階とを具備し、
前記光同期サンプリング段階は、
光を入出射するための２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）と、該２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子（２３ｃ）とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の一方で前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を受ける電界吸収型光変調器（２３）を準備する段階と、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記電源端子（２３ｃ）に、前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）に対して前記電界吸収型光変調器（２３）が高い吸収率を示す所定の直流電圧（Ｖｄｃ）を与える直流電源（２４）を準備する段階と、
前記サンプリング用光パルス発生部（２１）によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を受けて前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を受けて前記光パルス信号（Ｐｙ）として出射させる光カプラ（２５）を準備する段階とを含み、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）の入射によって前記電界吸収型光変調器（２３）の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号（Ｐｘ）を前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴とする光信号同期サンプリング方法が提供される。
【００３６】
前記目的を達成するために、本発明の第２０の態様によると、
監視対象の光信号（Ｐｘ）を変調しているデータ信号のクロック周期（Ｔｃ）の整数（Ｎ）倍に対して所定オフセット時間（ΔＴ）だけ異なる周期（Ｔｓ）を有するサンプリング用光パルス（Ｐｓ）を出射するサンプリング用光パルス発生段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を用いて前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号（Ｐｙ）を出力する光同期サンプリング段階と、
前記光同期サンプリング段階によって出力された前記光パルス信号（Ｐｙ）を受光して電気信号（Ｅｙ）に変換して出力する光電変換段階と、
前記光電変換段階によって出力された前記電気信号（Ｅｙ）の包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号（Ｕ）を出力する基本波成分信号出力段階と、
前記基本波成分信号出力段階によって出力された前記基本波成分信号（Ｕ）と所定のしきい値（Ｖｒ）とを比較する比較段階と、
前記比較段階において前記基本波成分信号（Ｕ）が前記しきい値（Ｖｒ）を超えるタイミングから前記光電変換段階によって出力された前記電気信号（Ｅｙ）に対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御段階とを有する光信号モニタ方法であって、
前記光同期サンプリング段階は、
光を入出射するための２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）と、該２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子（２３ｃ）とを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の一方で前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を受ける電界吸収型光変調器（２３）を準備する段階と、
前記電界吸収型光変調器（２３）の前記電源端子（２３ｃ）に、前記監視対象の光信号（Ｐｘ）に対して前記電界吸収型光変調器（２３）が高い吸収率を示す所定の直流電圧（Ｖｄｃ）を与える直流電源（２４）を準備する段階と、
前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）を受けて前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を受けて前記光電変換段階で前記電気信号（Ｅｙ）に変換して出力する前記光パルス信号  （Ｐｙ）として出射させる光カプラ（２５）を準備する段階とを含み、
前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）の入射によって前記電界吸収型光変調器（２３）の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号（Ｐｘ）を前記電界吸収型光変調器（２３）の前記２つの光端子（２３ａ、２３ｂ）の前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴とする光信号モニタ方法が提供される。
【００３７】
前記目的を達成するために、本発明の第２１の態様によると、
前記光電変換段階によって出力された前記電気信号（Ｅｙ）を前記サンプリング用光パルス（Ｐｓ）と同期したサンプリングクロック（Ｅｓ）によってサンプリングすることにより、デジタル値に変換してデータ信号（Ｄｙ）として出力するアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換段階と、
前記データ取得制御段階において、前記比較段階による出力信号に基づいて、前記Ａ／Ｄ変換段階により出力される前記データ信号（Ｄｙ）が書き込まれる複数（Ｈ）の異なる領域を有する波形メモリ（３９）を準備する段階とをさらに含むことを特徴とする第２０の態様に従う光信号モニタ方法が提供される。
【００３８】
前記目的を達成するために、本発明の第２２の態様によると、
前記データ取得制御段階は、前記比較段階において、前記基本波成分信号（Ｕ）が前記しきい値（Ｖｒ）を越えたタイミングから、前記波形メモリ（３９）に対する前記データ信号（Ｄｙ）の書き込みを開始し、所定数（Ｗ）のデータ信号の書き込みが終了した後で、前記基本波成分信号（Ｕ）が再度前記しきい値（Ｖｒ）を越えるタイミングまで待機するという動作を所定回数Ｈ繰り返し、前記所定数（Ｗ）のデータ信号の書き込みを、前記波形メモリ（３９）の前記複数（Ｈ）の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に行うことを特徴とする第２１の態様に従う光信号モニタ方法が提供される。
【００３９】
前記目的を達成するために、本発明の第２３の態様によると、
前記波形メモリ（３９）に書き込まれた前記データ信号（Ｄｙ）に基づいて、前記監視対象（Ｐｘ）の光信号の品質を表す値を算出する演算段階をさらに含むことを特徴とする第２２の態様に従う光信号モニタ方法が提供される。
【００４０】
前記目的を達成するために、本発明の第２４の態様によると、
前記演算段階は、前記波形メモリ（３９）に書き込まれた前記データ信号（Ｄｙ）を所定のしきい値と比較して、データ「１」に属するサンプル値と、データ「０」に属するサンプル値とに分け、それぞれのデータについてのサンプル値群の平均値、標準偏差を求め、その平均値の差（μ）と標準偏差の和（γ）の比（μ／γ）を品質値（Ｑ）として求めることを特徴とする第２３の態様に従う光信号モニタ方法が提供される。
【００４１】
前記目的を達成するために、本発明の第２５の態様によると、
前記演算段階は、前記所定数（Ｗ）のデータ信号が前記波形メモリ（３９）の前記複数（Ｈ）の異なる領域に対してそれぞれアドレス順に各回ごとに記憶された所定ビット分の波形データをアドレス順に重ね合わせることにより、アイパターンを得ることを可能とすることを特徴とする第２３の態様に従う光信号モニタ方法が提供される。
【００４２】
以上のように、本発明の光信号同期サンプリング装置及びその方法は、サンプリング用の素子として電界吸収型光変調器を用い、その一方の光端子にサンプリング対象の光信号を入射させ、電源端子にはその光信号に対して高い吸収率を示す直流電圧を与えておき、サンプリング用光パルスを光カプラを介して電界吸収型光変調器の他方の光端子へ入射させ、そのサンプリング用光パルスが入射したときに生じる相互吸収飽和特性によりサンプリング対象の光信号に対する吸収率を低下させて他方の光端子からサンプリング対象の光信号を出射させるようにしている。
【００４３】
このため、サンプリング用光パルスとして狭い幅の光パルスが使用でき、しかも、サンプリング対象の光信号に対する損失を少なくすることができ、実質的にサンプリング効率を向上させ、サンプリング対象の光信号が弱い光信号であってもその波形情報を十分な分解能で精度よく同期サンプリングすることができる。
【００４４】
また、以上のように、本発明の光信号モニタ装置及びその方法は、サンプリング用の素子として電界吸収型光変調器を用い、その一方の光端子に監視対象の光信号を入射させ、電源端子にはその光信号に対して高い吸収率を示す直流電圧を与えておき、サンプリング用光パルスを光カプラを介して電界吸収型光変調器の他方の光端子へ入射させ、そのサンプリング用光パルスが入射したときに生じる相互吸収飽和特性により光信号に対する吸収率を低下させて他方の光端子から監視対象の光信号を出射させるようにしている。
【００４５】
このため、サンプリング用光パルスとして狭い幅の光パルスが使用でき、しかも、監視対象の光信号に対する損失を少なくすることができ、実質的にサンプリング効率を向上させ、監視対象の光信号が弱い光信号であってもその波形情報を十分な分解能で精度よく得ることができる。
【００４６】
また、監視対象の光信号に対するサンプリングで得られた信号から基本波成分信号を抽出し、その基本波成分信号がしきい値を越えたタイミングから波形情報の取得を開始しているので、実際に入射された監視対象の光信号を変調しているデータ信号に対して波形情報の取得開始タイミングを同期させることができ、その開始タイミングで得られた複数組の波形情報を重ね合わせることで、監視対象の光信号のアイパターンを安定に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明による光信号同期サンプリング装置及びその方法並びにそれを用いる光信号モニタ装置及びその方法が適用される実施形態の構成を説明するために示すブロック図である。
【図２】図２は、図１の要部の構成例を説明するために示すブロック図である。
【図３】図３は、図１の要部の特性例を説明するために示す図である。
【図４】図４は、図１の要部の構成例を説明するために示すブロック図である。
【図５】図５は、図１の構成による実施形態の動作として繰り返し波形の光信号に対する動作を説明するために示す波形図である。
【図６】図６は、図１の構成による実施形態の動作としてサンプリングによって得られた波形の記憶例を説明するために示す波形図である。
【図７】図７は、図６で記憶した波形の重ね合わせによって得られるアイパターンを説明するために示す波形図である。
【図８】図８は、図１の構成による実施形態の動作として繰り返し波形でない光信号に対する動作を説明するために示す波形図である。
【図９】図９は、従来の光信号サンプリング装置に採用されている等価時間サンプリング方式を説明するために示す波形図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、図面を参照して本発明による光信号同期サンプリング装置及びそれを用いる光信号モニタ装置が適用される第１の実施形態について説明する。【００４９】
図１は、本発明による光信号同期サンプリング装置１００及びそれを用いる光信号モニタ装置２０の第１の実施形態の構成を説明するために示すブロック図である。【００５０】
本発明による光信号同期サンプリング装置１００の基本的な構成は、サンプリング対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃの整数Ｎ倍に対して所定オフセット時間ΔＴだけ異なる周期Ｔｓを有するサンプリング用光パルスＰｓを出射するサンプリング用光パルス発生部２１と、前記サンプリング用光パルス発生部２１から出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを用いて前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号Ｐｙを出力する光サンプリング部２２とを有する光信号同期サンプリング装置１００であって、前記光サンプリング部２２は、光を入出射するための２つの光端子２３ａ、２３ｂと、該２つの光端子２３ａ、２３ｂ間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子２３ｃとを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの一方で前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを受ける電界吸収型光変調器２３と、前記電界吸収型光変調器２３の前記電源端子２３ｃに、前記サンプリング対象の光信号に対して前記電界吸収型光変調器２３が高い吸収率を示す所定の直流電圧Ｖｄｃを与える直流電源２４と、前記サンプリング用光パルス発生部２１によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを受けて前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号を受けて前記光パルス信号Ｐｙとして出射させる光カプラ２５とを含み、前記サンプリング用光パルスＰｓの入射によって前記電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴としている。【００５１】
また、本発明による光信号同期サンプリング方法の基本的な構成は、サンプリング対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃの整数Ｎ倍に対して所定オフセット時間ΔＴだけ異なる周期Ｔｓを有するサンプリング用光パルスＰｓを出射するサンプリング用光パルス発生段階と、前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを用いて前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号Ｐｙを出力する光同期サンプリング段階とを具備し、前記光同期サンプリング段階は、光を入出射するための２つの光端子２３ａ、２３ｂと、該２つの光端子２３ａ、２３ｂ間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子２３ｃとを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの一方で前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを受ける電界吸収型光変調器２３を準備する段階と、前記電界吸収型光変調器２３の前記電源端子２３ｃに、前記サンプリング対象の光信号Ｐｘに対して前記電界吸収型光変調器２３が高い吸収率を示す所定の直流電圧Ｖｄｃを与える直流電源２４を準備する段階と、前記サンプリング用光パルス発生部２１によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを受けて前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子から出射される前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを受けて前記光パルス信号Ｐｙとして出射させる光カプラ２５を準備する段階とを含み、前記サンプリング用光パルスの入射によって前記電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記サンプリング対象の光信号Ｐｘを前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴としている。【００５２】
また、本発明による光信号モニタ装置２０の基本的な構成は、監視対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃの整数Ｎ倍に対して所定オフセット時間ΔＴだけ異なる周期Ｔｓを有するサンプリング用光パルスＰｓを出射するサンプリング用光パルス発生部２１と、前記サンプリング用光パルス発生部２１から出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを用いて前記監視対象の光信号を同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号Ｐｙを出力する光サンプリング部２２とを含む光信号同期サンプリング装置１００と、前記光信号サンプリング装置１００の前記光サンプリング部２２によって出力された前記光パルス信号Ｐｙを受光して電気信号Ｅｙに変換して出力する光電変換器３０と、前記光電変換器３０からの電気信号Ｅｙの包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号Ｕを出力する基本波成分信号出力手段３５と、前記基本波成分信号出力手段３５からの前記基本波成分信号Ｕと所定のしきい値Ｖｒとを比較するコンパレータ３６と、前記コンパレータ３６による比較において前記基本波成分信号Ｕが前記しきい値Ｖｒを超えるタイミングから前記光電変換器３０からの電気信号Ｅｙに対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御部３８とを有する光信号モニタ２０であって、前記光信号同期サンプリング装置１００の前記光サンプリング部２２は、光を入出射するための２つの光端子２３ａ、２３ｂと、該２つの光端子２３ａ、２３ｂ間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子２３ｃとを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの一方で前記監視対象の光信号を受ける電界吸収型光変調器２３と、前記電界吸収型光変調器２３の前記電源端子２３ｃに、前記監視対象の光信号Ｐｘに対して前記電界吸収型光変調器２３が高い吸収率を示す所定の直流電圧Ｖｄｃを与える直流電源２４と、前記サンプリング用光パルス発生部２１によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを受けて前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号Ｐｘを受けて前記光パルス信号Ｐｙとして前記光電変換器３０へ入射させる光カプラ２５とを含み、前記サンプリング用光パルスＰｓの入射によって前記電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号Ｐｘを前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うように構成されていることを特徴としている。【００５３】
また、本発明による光信号モニタ方法の基本的な構成は、監視対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃの整数Ｎ倍に対して所定オフセット時間ΔＴだけ異なる周期Ｔｓを有するサンプリング用光パルスＰｓを出射するサンプリング用光パルス発生段階と、前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを用いて前記監視対象の光信号Ｐｘを同期サンプリングすることによって得られた光パルス信号Ｐｙを出力する光同期サンプリング段階と、前記光同期サンプリング段階によって出力された前記光パルス信号Ｐｙを受光して電気信号Ｅｙに変換して出力する光電変換段階と、前記光電変換段階によって出力された前記電気信号Ｅｙの包絡線波形の基本波成分と等しい周波数の基本波成分信号Ｕを出力する基本波成分信号出力段階と、前記基本波成分信号出力段階によって出力された前記基本波成分信号Ｕと所定のしきい値Ｖｒとを比較する比較段階と、前記比較段階において前記基本波成分信号Ｕが前記しきい値Ｖｒを超えるタイミングから前記光電変換段階によって出力された前記電気信号Ｅｙに対する波形情報の取得を開始するデータ取得制御段階とを有する光信号モニタ方法であって、前記光サンプリング段階は、光を入出射するための２つの光端子２３ａ、２３ｂと、該２つの光端子２３ａ、２３ｂ間を結ぶ光路に電界を与えるための電源端子２３ｃとを有し、前記光路を伝搬する光に対する吸収率が前記電界の大きさに応じて変化する特性を有し、前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの一方で前記監視対象の光信号Ｐｘを受ける電界吸収型光変調器２３を準備する段階と、前記電界吸収型光変調器２３の前記電源端子２３ｃに、前記監視対象の光信号Ｐｘに対して前記電界吸収型光変調器２３が高い吸収率を示す所定の直流電圧Ｖｄｃを与える直流電源２４を準備する段階と、前記サンプリング用光パルス発生段階によって出射される前記サンプリング用光パルスＰｓを受けて前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの他方の光端子に入射させると共に、該電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子から出射される前記監視対象の光信号Ｐｘを受けて前記光電変換段階で前記電気信号Ｅｙに変換して出力する前記光パルス信号Ｐｙとして出射させる光カプラ２５を準備する段階とを含み、前記サンプリング用光パルスＰｓの入射によって前記電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性により吸収率を低下させ、前記監視対象の光信号Ｐｘを前記電界吸収型光変調器２３の前記２つの光端子２３ａ、２３ｂの前記他方の光端子側へ通過させることにより、同期サンプリングを行うことを特徴とする。【００５４】
具体的には、以下に、本発明を適用した光信号同期サンプリング装置１００及びその方法を用いる光信号モニタ装置２０及びその方法について説明される。【００５５】
本発明を適用した光信号同期サンプリング装置１００及びその方法を用いる光信号モニタ装置２０及びその方法では、図示しない光ネットワーク上に伝送される所定クロック周期Ｔｃのデータ信号で変調された光信号Ｐｘを監視（サンプリング）対象としているものである。【００５６】
サンプリング用光パルス発生部２１は、その監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃの整数Ｎ倍に対して所定のオフセット時間ΔＴだけ異なる周期Ｔｓのサンプリング用光パルスＰｓを生成して光サンプリング部２２に入射する。【００５７】
ここで、サンプリング用光パルス発生部２１及び光サンプリング部２２は、本発明を適用した光信号同期サンプリング装置１００を構成する。【００５８】
サンプリング用光パルス発生部２１は、前記したように幅の狭い光パルスを指定された周期Ｔｓで生成できるものであればその構成は任意である。【００５９】
図２は、サンプリング用光パルス発生部２１の一例を示すブロック図である。【００６０】
このサンプリング用光パルス発生部２１は、前記サンプリング用光パルスＰｓの周期に対応した周期Ｔｓを有する安定な信号Ｒａを生成するシンセサイザ構成の基準信号発生器２１ａと、前記基準信号発生器２１ａによって生成される前記周期Ｔｓ（周波数Ｆｓ）を有する安定な信号ＲａをＭ（Ｍは複数）逓倍した信号Ｒｂとして出力する逓倍器２１ｂと、連続光Ｐｃｗを出射する光源２１ｄと、前記逓倍器２１ｂから出力される前記Ｍ逓倍した信号Ｒｂによって前記光源２１ｄから出射される前記連続光Ｐｃｗを変調することにより、周期Ｔｓ／Ｍを有する光パルスＰａを出射する光変調器２１ｃと、前記光変調器２１ｃから出射される前記光パルスＰａを１／Ｍに間引いて、周期Ｔｓを有する光パルスＰｂに変換する光ゲート回路２１ｅと、前記光ゲート回路２１ｅにより周期Ｔｓを有する光パルスＰｂに変換された前記光パルスＰｂについてそのパルス幅をさらに狭めて、前記サンプリング用光パルスＰｓとして出射する分散減少ファイバ２１ｆとを含んでいる。【００６１】
すなわち、シンセサイザ構成の基準信号発生器２１ａにより後述するパラメータ設定部２８から指定された周期Ｔｓ（周波数Ｆｓ）の安定な信号Ｒａが生成され、逓倍器２１ｂに入力されてＭ（Ｍは複数）逓倍された後、その出力信号Ｒｂが光変調器２１ｃに入力されて、光源２１ｄから出射される連続光Ｐｃｗを変調し、周期Ｔｓ／Ｍの光パルスＰａが生成される。【００６２】
この光パルスＰａのパルス幅は、信号Ｒａで連続光Ｐｃｗを直接変調した場合に比べて１／Ｍに狭められている。【００６３】
そして、この光パルスＰａは、光ゲート回路２１ｅにより１／Ｍに間引かれて、周期Ｔｓの光パルスＰｂに変換された後、分散減少ファイバ２１ｆに入射されてそのパルス幅がさらに狭められ、最終的にサンプリング用光パルスＰｓとして出射される。【００６４】
一方、光サンプリング部２２は、サンプリング用光パルス発生部２１から出射されたサンプリング用光パルスＰｓにより、監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘをサンプリングし、そのサンプリングで得られた光パルス信号Ｐｙを出射する。【００６５】
この光サンプリング部２２は、電界吸収型光変調器２３、直流電源２４およびサーキュレータ型の光カプラ２５を有している。【００６６】
電界吸収型光変調器２３は、前記したように、光を入出射するための２つの光端子２３ａ、２３ｂおよび両光端子間の光路に電界を与えるための電源端子２３ｃを有し、その光路を伝搬する光に対する吸収率が光路に与えられた電界の大きさに応じて変化する特性を有している。【００６７】
通常、電界吸収型光変調器は、前記特許文献２に開示されているように、電源端子２３ｃに電気のサンプリング用パルス信号が与えられる。【００６８】
しかるに、電気のサンプリング用パルス信号の場合には、前記したように数１０Ｇｂ／ｓの波形情報の取得に必要な狭い幅を有する電気のサンプリング用パルス信号として生成することが極めて困難である。【００６９】
そこで、この発明では、図１に示しているように、電界吸収型光変調器２３の一方の光端子２３ａに光信号Ｐｘを入射させ、その光信号Ｐｘに対して高い吸収率を示すような所定の直流電圧Ｖｄを直流電源２４から電源端子２３ｃに与えた状態で、前記した幅の狭いサンプリング用光パルスＰｓを、光カプラ２５を介して他方の光端子２３ｂに入射して、このサンプリング用光パルスＰｓにより電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性を利用して吸収率を変化させ、サンプリング用光パルスＰｓが入射したときだけ監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘに対する吸収率を低下させて該監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘ他方の光端子２３ｂへ通過させることにより、光のサンプリング用パルス信号でもってサンプリングを行うようにしている。【００７０】
なお、このように光信号をサンプリングする素子として電界吸収型光変調器２３を用いて光のサンプリング用パルス信号でもってサンプリングを行うようにしたときのサンプリング効率は、電界吸収型光変調器２３の挿入損失で決定される。【００７１】
電界吸収型光変調器２３の挿入損失は、約−１０ｄＢ程度であるので、本発明によるサンプリング効率は約−１０ｄＢ程度となる。【００７２】
これは、前記特許文献１のように、光信号をサンプリングする素子として非線形光学材を用いた場合の約−２０ｄＢ以下と比較して本発明によるサンプリング効率の方が約１０ｄＢ以上、向上していることを示している。【００７３】
ここで、例えば、電界吸収型光変調器２３の電界に対する吸収率の変化特性が図３のＦで示される場合、電界吸収型光変調器２３の電源端子２３ｃに吸収率が大きな値α（例えば、２０ｄＢ）となる電界に対応した直流電圧Ｖｄｃを与えておくものとする。【００７４】
そして、電界吸収型光変調器２３の他方の光端子２３ｂには、相互吸収飽和特性により実質的に電界が図３の矢印Ａ方向に変化して、吸収率が小さい値β（例えば、３ｄＢ）となるようなピーク強度を持つサンプリング用光パルスＰｓを入射させる。【００７５】
なお、図３の特性Ｆは模式的なものである。【００７６】
すなわち、電界吸収型光変調器２３の他方の光端子２３ｂにサンプリング用光パルスＰｓが入射したとき、電界吸収型光変調器２３の相互吸収飽和特性により電界吸収型光変調器２３の吸収率が低下される。【００７７】
これにより、この状態下で、電界吸収型光変調器２３の一方の光端子２３ａに入射されている監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘは、そのときの瞬時強度から電界吸収型光変調器２３の挿入損失相当分だけ低いレベルのピーク値を持つ光パルス信号Ｐｙとして電界吸収型光変調器２３内を通過することが許容されるようになる。【００７８】
このようにして電界吸収型光変調器２３内を通過した監視（サンプリング）対象の光信号Ｐｘが電界吸収型光変調器２３の他方の光端子２３ｂから光サンプリング部２２の光カプラ２５を介して光パルス信号Ｐｙとして出射される。【００７９】
ここで、光サンプリング部２２の光カプラ２５は、光の入射方向に応じて光路を振り分けるサーキュレータ型のものだけでなく、波長の違いによって光路を振り分ける分光型のものであってもよく、その場合には光信号Ｐｘと異なる波長のサンプリング用光パルスＰｓが用いられる。【００８０】
なお、電界吸収型光変調器２３の一方の光端子２３ａに挿入されているサーキュレータ型の光カプラ２６は、他方の光端子２３ｂに入射されて一方の光端子２３ａから出射されるサンプリング用光パルスＰｓを光終端器２７で終端して、監視対象の光信号Ｐｘの伝送路へ入射（漏洩）するのを防ぐためのものである。【００８１】
また、サンプリング用光パルス発生部２１が出力するサンプリング用光パルスＰｓ及びサンプリングクロックＥｓの周期Ｔｓは、パラメータ設定部２８により設定される。【００８２】
このパラメータ設定部２８は、監視対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周期Ｔｃ（ビットレートでもよい）とオフセット時間ΔＴの情報を受け、サンプリング周期Ｔｓを、
Ｔｓ＝Ｎ・Ｔｃ＋ΔＴ
の演算で求め、サンプリング用光パルス発生部２１に設定する。【００８３】
ここで、Ｎの値は、データ信号のクロック周期Ｔｃとサンプリング用光パルス発生部２１が出力可能な信号の周波数可変範囲によって決まる。【００８４】
例えば、ΔＴがＴｓに対して無視できる程小さく、Ｔｃが約０．１ｎｓ（１０ＧＨｚ）で、Ｔｓが０．１μｓ（１０ＭＨｚ）の近傍で可変できるものとすれば、Ｎの値は大凡Ｔｓ／Ｔｃ＝１０００となる。【００８５】
そして、前述したようにして光サンプリング部２２の光カプラ２５を介して出射される光パルス信号Ｐｙは、光電変換器３０に入射されることにより、該光電変換器３０により電気信号Ｅｙに変換されて出力される。【００８６】
光電変換器３０からの電気信号Ｅｙは、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器３１によりサンプリングされてデジタル値に変換される。【００８７】
このＡ／Ｄ変換器３１によるサンプリングは、サンプリング用光パルスＰｓと同期したサンプリングクロックＥｓによって行われる。【００８８】
この実施形態では、この電気のサンプリングクロックＥｓもサンプリング用光パルス発生部２１（前記した基準信号発生器２１ａ）から出力されるものとする。【００８９】
また、光電変換器３０からの電気信号Ｅｙは、基本波成分信号出力部３５にも入力されている。【００９０】
この基本波成分信号出力部３５は、光電変換器３０からパルス状として出力される電気信号Ｅｙの包絡線波の基本波成分の周波数と等しい周波数の基本波成分信号Ｕを出力するためのものである。【００９１】
この基本波成分信号出力部３５の構成としてはフィルタ方式とＰＬＬ（位相ロックループ）方式とが考えられる。【００９２】
フィルタ方式の場合、図４の（ａ）に示すように、監視対象の光信号Ｐｘを変調しているデータ信号のクロック周波数Ｆｃと等しい中心周波数（ＲＺ方式の場合）、あるいはその２倍に等しい中心周波数（ＮＲＺ方式の場合）を有する狭帯域な帯域通過フィルタ３５ｆによって正弦波の基本波成分信号Ｕが抽出される。【００９３】
また、ＰＬＬ方式の場合には、図４の（ｂ）に示すように、前記監視対象の光信号Ｐｘを変調している前記データ信号のクロック周波数Ｆｃと等しい中心周波数あるいは前記クロック周波数Ｆｃの２倍に等しい中心周波数を有し、前記光電変換器３０の出力信号Ｅｙから正弦波の基本波成分信号を抽出する狭帯域な帯域通過フィルタ３５ａと、所定の発振周波数を有する発振出力信号を出力する電圧制御発振器３５ｂと、前記帯域通過フィルタ３５ａの出力信号と前記電圧制御発振器３５ｂの出力信号との位相差に応じた制御信号Ｖｃを出力する位相比較器３５ｃとを含み、前記位相比較器３５ｃから出力される前記制御信号Ｖｃにより前記電圧制御発振器３５ｂの発振周波数を制御して、前記発振出力信号の位相を前記帯域通過フィルタ３５ａの出力信号の位相に同期させることにより、この同期した正弦波の発振出力信号を基本波成分信号Ｕとして出力するように構成されている。【００９４】
すなわち、ＰＬＬ方式の場合には、上記フィルタ方式の場合の狭帯域な帯域通過フィルタ３５ｆと同様の狭帯域な帯域通過特性を有する帯域通過フィルタ３５ａの出力信号と電圧制御発振器３５ｂの出力信号とを位相比較器３５ｃに入力し、その位相差に応じた制御信号Ｖｃで電圧制御発振器３５ｂの発振周波数を制御して、その発振出力信号の位相を帯域通過フィルタ３５ａの出力信号に同期させ、この同期した正弦波の発振出力信号を基本波成分信号Ｕとして用いる。【００９５】
また、別の例として、図４の（ｃ）に示すように、光電変換器３０から出力される電気信号ＥｙをＦＦＴ（高速フーリェ変換）等の周波数解析演算部３５ｇに入力してその周波数解析を行い、基本波成分の周波数を求め、その求めた周波数と等しい基本波成分信号Ｕを信号発生器３５ｈにより生成して出力するような構成であってもよい。【００９６】
ここで、監視対象の光信号Ｐｘのクロック周波数Ｆｃを１０ＧＨｚ、オフセット時間ΔＴを０．１ｐｓとすれば、監視対象の光信号Ｐｘの１ビット分の波形データを得るのに、１０００回のサンプリングが必要となり、その１０００回のサンプリングをほぼ１０ＭＨｚの周波数Ｆｓで行うために必要な時間はおよそ０．１ｍｓとなり、この時間が信号Ｅｙの包絡線波の基本波成分の周期に等しく、その周波数はおよそ１０ｋＨｚとなる。【００９７】
この基本波成分信号Ｕは、コンパレータ３６に入力され、しきい値設定器３７によって予め設定されたしきい値Ｖｒと比較され、その比較結果がデータ取得制御部３８に入力される。【００９８】
データ取得制御部３８は、コンパレータ３６からの出力信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換器３１から出力されるデータ信号Ｄｙを波形メモリ３９に書き込む。【００９９】
すなわち、基本波成分信号Ｕが、例えば、低い方からしきい値Ｖｒを越えたタイミングから、波形メモリ３９に対するデータ信号Ｄｙの書き込みを開始し、所定数Ｗのデータ信号の書き込みが終了した後で、基本波成分信号Ｕが低い方からしきい値Ｖｒを越えるタイミングまで待機するという動作を所定回数Ｈ繰り返す。【０１００】
なお、この所定数Ｗのデータ信号Ｄｙの書き込みは、波形メモリ３９の複数Ｈの異なる領域に対してそれぞれアドレス順に行う。【０１０１】
演算部４０は、波形メモリ３９に書き込まれたデータ信号Ｄｙに基づいて、監視対象の光信号Ｐｘの品質を表す値を算出する。【０１０２】
この演算部４０による監視対象の光信号Ｐｘの品質を表す値を算出するための演算手法は任意であるが、例えば、前記特許文献１に記載されているように、波形メモリ３９に書き込まれたデータ信号Ｄｙを所定のしきい値と比較して、データ「１」に属するサンプル値と、データ「０」に属するサンプル値とに分け、それぞれのデータについてのサンプル値群の平均値、標準偏差を求め、その平均値の差μと標準偏差の和γの比μ／γを品質値Ｑとして求める。【０１０３】
なお、このＱ値が大きい程、監視対象の光信号Ｐｘの品質が高いことを示している。【０１０４】
次に、監視対象の光信号Ｐｘの波形と、データ取得制御部３８によるその波形取得タイミングとの関係について説明する。【０１０５】
ここで、監視対象の光信号Ｐｘが、例えば、試験用として生成されたものであって、図５の（ａ）に示すように所定ビット長Ｌの所定符号列で繰り返し変調されている場合を想定する。【０１０６】
そして、このような監視対象の光信号Ｐｘついて、図５の（ｂ）に示すように、サンプリング用光パルスＰｓの周期Ｔｓを決めるＮの値がビット長Ｌの整数Ｋ倍に等しい状態でサンプリングが行われるものとする。【０１０７】
このサンプリングにより、図５の（ｃ）に示すように、監視対象の光信号Ｐｘの時間軸を拡大した包絡線波形をもつ光パルス信号Ｐｙが得られる。【０１０８】
この光パルス信号Ｐｙから、図５の（ｄ）に示すような電気信号Ｅｙが得られる。【０１０９】
そして、この電気信号Ｅｙから、例えば、図５の（ｅ）に示すような正弦波の基本波成分信号Ｕが得られる。【０１１０】
そして、この基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを越えたタイミングから、図５の（ｆ）に示すように、データ取得が開始され、例えば、Ｊ・Ｔｃ／ΔＴ回（Ｊは整数）のサンプリングで得られたデータが取得されて、波形メモリ３９に記憶される。【０１１１】
この波形メモリ３９に記憶されるＪビット分の波形データＤｙに対し前記演算部４０による演算を行うことにより、Ｑ値を求めることができる。【０１１２】
なお、図５の（ｄ）〜（ｆ）は、時間軸を狭めて示したものである。【０１１３】
また、アイパターンを得る場合には、図５の（ｄ）〜（ｆ）に示しているように、波形データの取得を基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを超えるタイミングからデータの取得を開始してＪビット分の波形データＤｙを取得する処理が複数Ｈ回行われる。【０１１４】
そして、この複数Ｈ回に渡って取得されたそれぞれＪビット分の波形データＤｙは、図６に示すように波形メモリ３９の異なる領域１〜Ｈに各回ごとにそれぞれ記憶される。【０１１５】
そして、波形メモリ３９の異なる領域１〜Ｈに各回ごとにそれぞれ記憶されているＪビット分の波形データＤｙをアドレス順に重ね合わせることにより、図７に示すようなアイパターンを得ることができる。【０１１６】
これらの波形データの先頭データは基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを超えたタイミングの直後にサンプリングされた値で、データ信号に正確に同期しているので、波形データの時間軸が大きくずれて重ね合わされることはなく、監視対象の光信号Ｐｘの振幅のバラツキをほぼ正確に表している。【０１１７】
そして、この図７に示されているアイパターン上で、ビット内の位置と品質との関係が求められる。【０１１８】
例えば、図７に示されているように２つのクロス位置の中間点Ｌ（１ビットの中間点）におけるサンプル値に基づいて、上記Ｑの値が算出される。【０１１９】
この算出されたＱの値は、前記した位置と無関係な全体データについて求められるＱ値と共に図示しない通信手段を介して他装置へ通知される。【０１２０】
なお、光ネットワーク上に実際に伝送されているような光信号Ｐｘは、図８の（ａ）に示すように、単純な繰り返し波形とはならない。【０１２１】
このような単純な繰り返し波形とはならない光信号Ｐｘに対して、図８の（ｂ）に示すようにＮ・Ｔｃ＋ΔＴの周期Ｔｓを有するサンプリング用光パルスＰｓでサンプリングを行った場合、光信号ＰｘのＮビットおきのデータについてΔＴずつ異なるタイミングでサンプリングを行っていることになる。【０１２２】
そして、このサンプリングによって得られる光パルス信号Ｐｙのピーク値は、図８の  （ｃ）及びその時間軸を狭めた図８の（ｄ）に示すように、データ「１」、「０」に対応した振幅あるいはその間の遷移状態における振幅のいずれにもなり得るので、光信号Ｐｘの一定期間の連続した波形を拡大した包絡線波は得られない。【０１２３】
しかるに、この包絡線波には、光信号Ｐｘを変調しているデータ信号の基本波成分が含まれているので、図８の（ｅ）に示すようなその基本波成分信号Ｕが得られる。【０１２４】
そして、前記と同様に、その基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを越えたタイミングから図８の（ｆ）に示すようにデータ取得が開始され、例えば、Ｊ・Ｔｃ／ΔＴ回（Ｊは整数）のサンプリングで得られたデータが取得される。【０１２５】
このＪビット分の波形データに対し前記演算部４０による演算を行うことにより、Ｑ値を求めることができる。【０１２６】
なお、図８の（ｄ）〜（ｆ）は、時間軸を狭めて示したものである。【０１２７】
このＪビット分の波形データはそれ自身がアイパターンを表しているとも言える。【０１２８】
しかるに、より多くのサンプル値を用いて光信号の品質をより正確に表すアイパターンを得る場合には、図８の（ｄ）〜（ｆ）に示しているように、基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを超えるタイミングから波形データの取得を開始してＪビット分の波形データＤｙを取得する処理が複数Ｈ回行われる。【０１２９】
そして、この複数Ｈ回に渡って取得されたそれぞれは、前記と同様に、波形メモリ３９の異なる領域１〜Ｈに各回ごとにそれぞれ記憶される。【０１３０】
そして、これらの複数領域の波形データＤｙすなわち波形メモリ３９の異なる領域１〜Ｈに各回ごとにそれぞれ記憶されたＪビット分の波形データＤｙをアドレス順に重ね合わせることにより、正確なアイパターンを得ることができる。【０１３１】
この場合でも、各波形データの先頭データは基本波成分信号Ｕがしきい値Ｖｒを超えたタイミングの直後にサンプリングされた値で、データ信号に正確に同期しているので、アイパターンを得る場合に波形データの時間軸が大きくずれて重ね合わされることはなく、重ね合わせによって得られるアイパターンは監視対象の光信号Ｐｘの振幅のバラツキをほぼ正確に表している。【０１３２】
上記のように、光信号モニタ装置２０は、サンプリング用の素子として電界吸収型光変調器２３を用い、その一方の光端子２３ａに監視対象の光信号Ｐｘを入射させ、その電源端子２３ｃには監視対象の光信号Ｐｘに対して高い吸収率を示す直流電圧Ｖｄｃを与えておき、サンプリング用光パルスＰｓを光カプラ２５を介して電界吸収型光変調器２３の他方の光端子２３ｂへ入射させ、そのサンプリング用光パルスＰｓが入射したときに生じる相互吸収飽和特性により監視対象の光信号Ｐｘに対する吸収率を低下させることにより、監視対象の光信号Ｐｘをサンプリングして電界吸収型光変調器２３の他方の光端子２３ｂから出射させるようにしている。【０１３３】
したがって、このような光信号モニタ装置２０によれば、サンプリング用として狭い幅の光パルスを使用することができると共に、監視対象の光信号Ｐｘに対するサンプリング効率を向上することができるので、監視対象の光信号Ｐｘが弱い光信号であってもその波形情報を精度よく得ることができる。【０１３４】
また、このような光信号モニタ装置２０によれば、監視対象の光信号Ｐｘをサンプリングすることによって得られた電気信号Ｅｙから基本波成分信号Ｕを得て、波形取得の開始タイミングを同期させるようにしているので、異なる期間に取得されたデータ信号Ｄｙの重ね合わせても、時間軸が大きくずれる恐れがなく、監視対象の光信号Ｐｘのアイパターンを安定に得ることができる。【０１３５】
なお、この実施形態では、演算部４０により監視対象の光信号Ｐｘの品質値やアイパターンを求めているが、演算部４０を省略して、波形メモリ３９の各領域に書き込まれたデータを図示しない通信手段を介して外部の他装置へ伝送して、その他装置側で監視対象の光信号Ｐｘの品質の演算処理やアイパターンを表示するようにしてもよい。【０１３６】
また、本発明による光信号同期サンプリング装置及びその方法は、光信号モニタ装置及びその方法のみならず、光サンプリングオッシロスコープや光スペクトラムアナライザ等にも適用することができる。【０１３７】
したがって、以上詳述したような本発明によれば、上記従来技術の問題を解決し、高いサンプリング効率をもち、高速な光信号の波形情報を十分な分解能で精度よくサンプリングすることができるようにした光信号同期サンプリング装置及びその方法並びにそれを用いて該光信号を正確にモニタすることができると共に、該光信号のアイパターンを安定に得ることができるようにした光信号モニタ装置及びその方法を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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