(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示領域を有する第１基板集合体と、複数の表示領域を有する第２基板集合体を、対向する前記各表示領域を囲むように設けられたシールを介して貼り合わせてなるパネル集合体から、各々、該パネル集合体よりもパネル厚の小さい複数枚の液晶表示パネルを得るようにした液晶表示パネルの製造方法であって、
前記パネル集合体をエッチング処理することにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体をそれぞれ薄板化する第１薄板化工程と、
前記第１薄板化工程の後、前記第１基板集合体の外側表面に、前記シールが配置されている領域に沿った第１スクライブ溝を形成する第１スクライブ溝形成工程と、
前記第１スクライブ溝形成工程の後、前記パネル集合体をエッチング処理することにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体をそれぞれ更に薄板化すると共に、該第１基板集合体の前記外側表面に形成された前記第１スクライブ溝を成長させて、該第１スクライブ溝の底部において前記シールの一部が露出されるようにした第２薄板化工程と、
前記第２薄板化工程の後、前記第２基板集合体の外側表面に、前記シールが配置されている領域に沿った第２スクライブ溝を形成する第２スクライブ溝形成工程と、
を備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１スクライブ溝形成工程において、前記第１スクライブ溝が、前記第１基板集合体の前記外側表面とは反対側の面に位置する前記シールにまで到達するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２スクライブ溝形成工程において、前記第２スクライブ溝が、前記第２基板集合体の前記外側表面とは反対側の面に位置する前記シールにまで到達するようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１薄板化工程および前記第２薄板化工程において、前記エッチング処理は、前記パネル集合体をエッチング液中に浸漬することにより行われるようにしたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１スクライブ溝形成工程および前記第２スクライブ溝形成工程において、回転刃を備えたホイールによって前記第１スクライブ溝および前記第２スクライブ溝を形成するようにしたことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１薄板化工程に先立って、前記第１基板集合体または前記第２基板集合体の表示領域を囲むように前記シールを形成すると共に、該シールで囲まれた領域に液晶を滴下させた後に前記第１基板集合体と前記第２基板集合体を貼り合わせて前記パネル集合体を作製する工程を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記シールが、四角形の４つの辺に対応する形状で形成されると共に、前記第１スクライブ溝形成工程および前記第２スクライブ溝形成工程において、前記シールの４つの辺のうち少なくとも１つの辺に対応するように、前記第１スクライブ溝および第２スクライブ溝が形成されるようにしたことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルの製造方法に関し、更に詳しくは、液晶表示パネル複数枚取り用のパネル集合体（大判パネル）から、このパネル集合体よりもパネル厚の小さい液晶表示パネルを得ることができる液晶表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータやテレビなどの家電製品の表示部として、液晶表示パネルが広く用いられている。液晶表示パネルは、一般には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板とからなる一対の基板が所定の間隔を置いて平行に対向して貼り合わせられ、両基板間に液晶が封止された構成をなしている。【０００３】
通常、ＴＦＴ基板には複数のＴＦＴやこれに接続された画素電極がマトリクス状に形成され、ＣＦ基板には着色層がマトリクス状に形成されると共にその全面に共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶を配向制御することができるようになっている。【０００４】
このような液晶表示パネルを製造するにあたっては、大きなマザー基板（液晶表示パネル複数枚取り用の大型のガラス基板）に対して複数の液晶表示パネル分の画素電極や着色層をそれぞれ形成するなど、製造工程の途中までは、マザー基板のままで処理が行われている。【０００５】
そして、マザー基板どうしを貼り合わせて大判パネルとした後に個々に分割するか、または個々に分割してから貼り合わすことが行われている（図１１（ａ）および図１１（ｂ）参照）。【０００６】
図１１（ａ）に示されるような貼り合わせ後分割する方法は、携帯電話やデジタルカメラなどに用いられる小型の液晶表示パネル、図１１（ｂ）に示されるような分割後貼り合わせる方法は、液晶テレビなどに用いられる大型の液晶表示パネルに採用されている。【０００７】
特に近年では、携帯電話やデジタルカメラに用いられる小型の液晶表示パネルに関しては、軽量化や大画面化を行うべく、薄型化および狭額縁化が要望されている。この場合の薄型化とは、液晶表示パネルを構成する基板、具体的には上述したような画素電極などが形成されたＴＦＴ基板および着色層などが形成されたＣＦ基板の薄板化である。また、狭額縁化とは、液晶表示パネルの表示領域の面積の拡大化、つまりこの表示領域を囲むパネル額縁領域の面積の縮小化である。【０００８】
下記特許文献１には、薄型化に関する技術が開示されている。具体的には、図１２（ａ）に示されるように、先ず、マザー基板上に複数の液晶表示パネル分の画素電極などの表示領域となる部分がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板集合体２００Ａと、同じくマザー基板上に複数の液晶表示パネル分の着色層などの表示領域となる部分がマトリクス状に形成されたＣＦ基板集合体３００Ａを、各表示領域を囲むように形成されたシール４００を介して互いに貼り合わせ、両基板集合体２００Ａ，３００Ａ間の複数の表示領域にそれぞれ液晶５００を設けてパネル集合体（大判パネル）１００Ａを作製する。【０００９】
例えば、このような基板集合体２００Ａ，３００Ａの貼り合わせにおいては、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂からなる枠状のシール４００をＣＦ基板集合体３００Ａの各表示領域を囲むように形成し、これを図示しない真空チャンバ内でＴＦＴ基板集合体２００Ａと対向配置させて、大気圧以下の減圧状態で基板集合体２００Ａ，３００Ａを加圧し、その後、真空チャンバ内を大気圧状態に戻す工程と、シール４００を硬化させる工程が行われるようになっている。【００１０】
次いで、図１２（ｂ）に示されるように、フッ酸などからなるエッチング液を用いてパネル集合体１００Ａをエッチング処理することにより、各基板集合体２００Ａ，３００Ａをそれぞれ薄板化する。このようなエッチング処理においては、図示しないエッチング槽に貯留されたエッチング液中にパネル集合体１００Ａを浸漬する工程が行われるようになっている。【００１１】
その後、図１２（ｃ）に示されるように、各基板集合体２００Ａ，３００Ａの外側表面２００ａ，３００ａに分割のためのスクライブ溝２００ｂ，３００ｂを形成する。このようなスクライブ溝２００ｂ，３００ｂは、図示しない回転刃を有するカッターホイールを、基板集合体２００Ａ，３００Ａのそれぞれの外側表面２００ａ，３００ａに押圧しながら分割予定ライン、この場合、シール４００が配置された領域に沿って転動させることで形成される。【００１２】
そして、パネル集合体１００Ａをこのスクライブ溝２００ｂ，３００ｂに沿って分割することにより、図１２（ｄ）に示されるような複数枚の液晶表示パネル１００，１００，１００が得られることになる。【００１３】
これによれば、パネル集合体１００Ａの状態で各基板集合体２００Ａ，３００Ａをそれぞれ薄板化することができるので、分割した後に、液晶表示パネル１００毎のＴＦＴ基板２００およびＣＦ基板３００をそれぞれ薄板化する場合と比べて、製造効率が高いというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平４−１１６６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、薄型化された状態のパネル集合体１００Ａを分割するのは、薄型化されていない状態のパネル集合体１００Ａを分割する場合と比べて、所定のパネル外形寸法となるように精度良く分割することが困難な場合がある。特に、要望の高い狭額縁化を考慮する場合には、シールが配置された領域での分割が必要になることから、高い精度が必要である。【００１６】
このようなシールが配置された領域での具体的な分割の手法について図１３を参照して説明する。図１３（ａ）にされるように、ＴＦＴ基板集合体２００Ａにおけるシール４００が配置された領域に対応する外側表面２００ａに、第１スクライブ溝２００ｂを形成する。【００１７】
このとき、ＴＦＴ基板集合体２００Ａがエッチング処理によって薄くなったこととシール４００の硬化により発生した残留応力などによって、第１スクライブ溝２００ｂは深く入り込んでシール４００にまで到達して、ＴＦＴ基板集合体２００Ａは第１スクライブ溝２００ｂによって完全に切断された状態になる。【００１８】
その後、図１３（ｂ）に示されるようにＣＦ基板集合体３００Ａにおけるシール４００が配置された領域に対応する外側表面３００ａに、第２スクライブ溝３００ｂを形成する。【００１９】
しかしながら、第１スクライブ溝２００ｂ形成によって切断されて生じるＴＦＴ基板集合体２００Ａの端部２００ｃ，２００ｃと、これに接しているシール４００との間には、矢印２０１，２０１方向への引っ張り応力が発生すると共に、この引っ張り応力の反力としてＣＦ基板集合体３００Ａと、これに接しているシール４００との間には、矢印３０１，３０１方向への圧縮応力が発生するため、この圧縮応力によって第２スクライブ溝３００ｂがＣＦ基板集合体３００Ａの外側表面３００ａに深く入り込まず、その第２スクライブ溝３００ｂの溝深さ（基板への浸透量）が小さくなってしまう不具合が発生していた。【００２０】
このような第２スクライブ溝３００ｂの溝深さ（基板への浸透量）が小さい（足らない）状態では、ＣＦ基板集合体３００Ａに曲げなどの外力を加えて無理矢理に割ることになってしまうが、無理矢理割ると図１４に示されるようにＣＦ基板集合体３００Ａが所定の位置で分割されなかったり、シール４００が所定の位置（幅方向における中央位置）で切断されなかったりするため、分割後の液晶表示パネル１００の外形寸法が所定の寸法とならないという問題があった。【００２１】
そこで、本発明が解決する課題は、液晶表示パネル複数枚取り用のパネル集合体からパネル厚さの小さい複数枚の液晶表示パネルを得るに際し、スクライブ溝を良好に形成することができ、もって、液晶表示パネルの薄型化および狭額縁化に寄与することができる液晶表示パネルの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するため本発明は、複数の表示領域を有する第１基板集合体と、複数の表示領域を有する第２基板集合体を、対向する前記各表示領域を囲むように設けられたシールを介して貼り合わせてなるパネル集合体から、各々、該パネル集合体よりもパネル厚の小さい複数枚の液晶表示パネルを得るようにした液晶表示パネルの製造方法であって、前記パネル集合体をエッチング処理することにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体をそれぞれ薄板化する第１薄板化工程と、前記第１薄板化工程の後、前記第１基板集合体の外側表面に、前記シールが配置されている領域に沿った第１スクライブ溝を形成する第１スクライブ溝形成工程と、前記第１スクライブ溝形成工程の後、前記パネル集合体をエッチング処理することにより、前記第１基板集合体および前記第２基板集合体をそれぞれ更に薄板化すると共に、該第１基板集合体の前記外側表面に形成された前記第１スクライブ溝を成長させて、該第１スクライブ溝の底部において前記シールの一部が露出されるようにした第２薄板化工程と、前記第２薄板化工程の後、前記第２基板集合体の外側表面に、前記シールが配置されている領域に沿った第２スクライブ溝を形成する第２スクライブ溝形成工程とを備えることを要旨とするものである。【００２３】
この場合、前記第１スクライブ溝形成工程において、前記第１スクライブ溝が、前記第１基板集合体の前記外側表面とは反対側の面に位置する前記シールにまで到達するようにした構成にすると良い。また、前記第２スクライブ溝形成工程において、前記第２スクライブ溝が、前記第２基板集合体の前記外側表面とは反対側の面に位置する前記シールにまで到達するようにした構成にすると良い。【００２４】
更に、前記第１薄板化工程および前記第２薄板化工程において、前記エッチング処理は、前記パネル集合体をエッチング液中に浸漬することにより行われるようにした構成にすると良い。また、前記第１スクライブ溝形成工程および前記第２スクライブ溝形成工程において、回転刃を備えたカッターホイールによって前記第１スクライブ溝および前記第２スクライブ溝を形成するようにした構成にすると良い。【００２５】
そして、前記第１薄板化工程に先立って、前記第１基板集合体または前記第２基板集合体の表示領域を囲むように前記シールを形成すると共に、該シールで囲まれた領域に液晶を滴下させた後に前記第１基板集合体と前記第２基板集合体を貼り合わせて前記パネル集合体を作製する工程を備える構成にすると良い。また、前記シールが、四角形の４つの辺に対応する形状で形成されると共に、前記第１スクライブ溝形成工程および前記第２スクライブ溝形成工程において、前記シールの４つの辺のうち少なくとも１つの辺に対応するように、前記第１スクライブ溝および第２スクライブ溝が形成されるようにした構成にすると良い。
【発明の効果】
【００２６】
上記構成を有する本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、パネル集合体の第１基板集合体および第２基板集合体をそれぞれエッチング処理により薄板化する工程を２回に分けると共に、１回目の第１薄板化工程の後に、第１基板集合体の外側表面に、シールが配置されている領域に沿った第１スクライブ溝を形成する第１スクライブ溝形成工程と、２回目の第２薄板化工程の後に、第２基板集合体の外側表面に、シールが配置されている領域に沿った第２スクライブ溝を形成する第２スクライブ溝形成工程を備えた構成になっている。【００２７】
つまり、第１薄板化工程は、第１基板集合体および第２基板集合体をそれぞれ、例えば目標板厚Ｔ＋α、つまり目標板厚程度にまで薄板化することを目的とし、第２薄板化工程は、第１基板集合体に形成した第１スクライブ溝をシールにまで成長させてその第１スクライブ溝の底部でシールの一部を露出させることで、第１スクライブ溝の両側の第１基板集合体の端部どうしをシールの露出分だけ離間させ、これら端部とこれに接しているシールとの間に発生する引っ張り応力を緩和または除去することを目的としている。【００２８】
したがって、このような第１基板集合体のシールと接している端部への引っ張り応力が緩和または除去されているので、これに伴って、その引っ張り応力に対する反力として発生する第２基板集合体の第２スクライブ溝が形成される部分への圧縮応力も緩和または除去され、第２スクライブ溝を形成する際のその溝深さ（基板への浸透量）を従来よりも大きくすることができる。【００２９】
これにより、従来のように曲げなどの外力を加えて無理矢理に割る必要がなくなり、分割後の液晶表示パネルの外形寸法が所定の寸法となるように精度良く分割することが可能となる。このような本発明に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、シールが配置されている領域にスクライブ溝を良好に形成することができ、その結果、液晶表示パネルの薄型化および狭額縁化に寄与することができる。【００３０】
この場合、第１スクライブ溝形成工程において、第１スクライブ溝が、第１基板集合体の外側表面とは反対側の面に位置するシールにまで到達するようにした構成にすれば、例えばエッチング液を用いたエッチング処理の際には、そのエッチング液が、第１スクライブ溝の深くまで浸透し易くなって、シールの一部を容易に露出させることができ、第１スクライブ溝の両側の第１基板集合体の端部どうしをシールの露出分だけ離間させることが容易になる。【００３１】
また、第２スクライブ溝形成工程において、第２スクライブ溝が、第２基板集合体の外側表面とは反対側の面に位置するシールにまで到達するようにした構成にすれば、簡便にパネル集合体を分割してそれぞれ所定のパネル外形寸法を有する複数の液晶表示パネルを得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（ａ）は本発明の製造方法が適用される液晶表示パネルを模式的に示した部分断面図、（ｂ）は複数の液晶表示パネルに分割する前のパネル集合体を模式的に示した断面図である。
【図２】図１（ｂ）のパネル集合体における分割箇所（切断箇所）を模式的に示した平面図である。
【図３】本発明における液晶表示パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。
【図４】（ａ）はパネル集合体の薄型化に用いられるエッチング槽を模式的に示した断面図、（ｂ）はスクライブ溝の形成に用いられるカッターホイールを模式的に示した外観斜視図である。
【図５】薄型化前のパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図６】第１薄板化工程によって薄型化されたパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図７】第１スクライブ溝形成工程によって第１スクライブ溝が形成されたパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図８】第２薄板化工程によって薄型化されたパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図９】第２スクライブ溝形成工程によって第２スクライブ溝が形成されたパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図１０】パネル集合体から分割された液晶表示パネルのシール周辺部を拡大して示した部分断面図である。
【図１１】（ａ）はマザー基板どうしを貼り合わせてから切断して個々の液晶表示パネルを製造する手順を示した図、（ｂ）はマザー基板を個々に切断してから貼り合わせて液晶表示パネルを製造する手順を示した図である。
【図１２】（ａ）は液晶表示パネルの従来の製造工程における初期状態のパネル集合体を模式的に示した断面図、（ｂ）は薄型化後のパネル集合体を模式的に示した断面図、（ｃ）はスクライブ溝が形成されたパネル集合体を模式的に示した断面図、（ｄ）はパネル集合体が複数の液晶表示パネルに分割された状態を模式的に示した断面図である。
【図１３】（ａ）は薄型化後に第１スクライブ溝が形成されたパネル集合体のシール周辺部を拡大して示した断面図、（ｂ）は（ａ）のパネル集合体に第２スクライブ溝が形成された状態を示した断面図である。
【図１４】図１３（ｂ）のパネル集合体が複数の液晶表示パネルに分割された状態を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の実施形態について図面を参照して説明する。
【００３４】
先ず、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルについて図１を参照して説明する。図１（ａ）に示されるように、液晶表示パネル１０は、ＴＦＴ基板２０と、これに対向配置されたＣＦ基板３０と、これら基板２０，３０とシール４０によって基板２０，３０間に封止された液晶５０を備えている。
【００３５】
ＴＦＴ基板２０には複数の画素電極２１がマトリクス状に形成されている。各画素電極２１の周囲には、走査電極線であるゲート電極線２２と画像信号電極線であるソース電極線２３とが相互に直交するように形成されている。
【００３６】
ゲート電極線２２とソース電極線２３は、その交差部において、ソース電極線２３が上側、ゲート電極線２２が下側となるように交差しており、交差部においてゲート電極線２２とソース電極線２３は、ゲート絶縁膜２６を介して電気的に絶縁されている。また、ゲート電極線２２とソース電極線２３の交差部には、ゲート電極線２２の一部であるゲート電極２２ａに接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２４が形成されている。
【００３７】
ＴＦＴ２４が形成されている領域のゲート絶縁膜２６の上側には、半導体膜２５が、ゲート電極２２ａに重畳するように形成されている。また、その半導体膜２５の上側には、ソース電極線２３の一部であるソース電極２３ａとドレイン電極２３ｂが形成されている。
【００３８】
この場合、ソース電極２３ａとドレイン電極２３ｂは、ゲート電極２２ａ上の半導体膜２５の両側に相互に離隔して形成されている。そして、ドレイン電極２３ｂが画素電極２１のコンタクトホール部２１ａを介して画素電極２１に接続されている。
【００３９】
ＴＦＴ２４は、ゲート電極線２２のゲート電極２２ａより供給される走査信号電圧によってオン・オフされる。また、ソース電極線２３のソース電極２３ａより供給される画像信号電圧は、ＴＦＴ２４のオンによってドレイン電極２３ｂとコンタクトホール部２１ａを介して画素電極２１に供給されるようになっている。
【００４０】
このようなＴＦＴ２４は、ゲート絶縁膜２６の上側に形成された層間絶縁膜２７に覆われている。この層間絶縁膜２７の上に画素電極２１が形成されている。画素電極２１は、例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）等の透明導電膜により形成されている。この画素電極２１の上側には、表面にラビング処理が施された配向膜２８が形成され、液晶５０がこの配向膜２８によって所定の方向に配向規制されるようになっている。
【００４１】
このようなＴＦＴ基板２０に対向配置されるＣＦ基板３０は、上述したゲート電極線２２とソース電極線２３が形成された領域を遮光するように格子形状のブラックマトリクス（ＢＭ）３２が形成されており、ＢＭ３２で囲まれた領域には、赤、青、緑等の着色層３３が形成されている。
【００４２】
また、着色層３３の下側には各画素電極２１に共通の共通電極３１が形成されている。この共通電極３１も、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。また、共通電極３１の下側には、表面にラビング処理が施された配向膜３４が形成され、液晶５０がこの配向膜３４によって所定の方向に配向規制されるようになっている。
【００４３】
このようなＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０は、それぞれ両基板２０，３０よりも大型のガラス基板（マザー基板）を用いて、図１（ｂ）および図５に示されるようなＴＦＴ基板２０がマトリクス状に配列されたＴＦＴ基板集合体（第１基板集合体）２０ＡおよびＣＦ基板３０がマトリクス状に配列されたＣＦ基板集合体（第２基板集合体）３０Ａとして作製されるようになっている。この場合、マザー基板は、例えば板厚０．７ｍｍ程度の長方形状を有した液晶表示パネル複数枚取り用の大型のガラス基板である。
【００４４】
図３は液晶表示パネルの製造方法の手順を説明するフローチャートである。図示されるように、この製造方法は、ＴＦＴ基板集合体（第１基板集合体）の作製工程Ｓ１と、ＣＦ基板集合体（第２基板集合体）の作製工程Ｓ２と、シールの形成および液晶滴下の工程Ｓ３と、基板集合体どうしの貼り合わせの工程Ｓ４と、エッチング処理による第１薄板化工程Ｓ５と、第１スクライブ溝形成の工程Ｓ６と、エッチング処理による第２薄板化工程Ｓ７と、第２スクライブ溝形成の工程Ｓ８とを備えている。
【００４５】
先ず、ＴＦＴ基板集合体（第１基板集合体）の作製工程Ｓ１について説明する。ガラス基板（マザー基板）表面に、タングステン、チタン、アルミニウム、クロムなどからなる単層または多層の導電膜を形成する。この導電膜の形成方法には、公知の各種スパッタリング法などが適用できる。そして、形成した導電膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのゲート電極線２２およびゲート電極２２ａを得る。
【００４６】
次に、ゲート絶縁膜２６を形成する。このゲート絶縁膜２６は、たとえば窒化シリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。そして、このゲート絶縁膜２６上に、半導体膜２５、ソース電極線２３、ソース電極２３ａ、ドレイン電極２３ｂを形成する。
【００４７】
半導体膜２５は、たとえばｎ＋型のアモルファスシリコンなどからなり、プラズマＣＶＤ法などを用いて形成する。そして、ソース電極線２３、ソース電極２３ａ、ドレイン電極２３ｂは、先のゲート電極線２２と同様の方法で形成する。
【００４８】
次に、感光性樹脂からなる層間絶縁膜２７を形成する。そして、形成した層間絶縁膜２７に、コンタクトホール部２１ａ形成のための開口部を形成する。この開口部は、フォトリソグラフィ法などを用いて形成する。そして、この層間絶縁膜２７の表面に、ＩＴＯからなる透明導電膜をスパッタリング法などを用いて形成する。その後、形成した透明導電膜を、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの画素電極２１およびそのコンタクトホール部２１ａを得る。
【００４９】
画素電極２１を形成した後に、配向膜２８を形成する。円圧式印刷装置やインクジェット式印刷装置を用い、ポリイミドなどからなる液状の配向材を塗布する。その後、配向膜焼成装置などを用いて基板を加熱し、塗布した配向材を焼成すると共に、表面にラビング処理を施す。これにより画素電極２１の上に、固体の配向膜２８を得る。以上の工程を経て、図１（ｂ）および図５に示されるような分割前の複数のＴＦＴ基板２０がマトリクス状に配列されたＴＦＴ基板集合体２０Ａが作製される。
【００５０】
次に、ＣＦ基板集合体（第２基板集合体）の作製工程Ｓ２について説明する。先ず、ガラス基板（マザー基板）の表面にＢＭレジスト（黒色着色剤を含有する感光性樹脂組成物）などを塗布する。次いで、塗布したＢＭレジストを、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンのブラックマトリクス（ＢＭ）３２を得る。
【００５１】
次に、赤色、緑色、青色の各色の着色感材（感光性樹脂に所定の色の顔料を分散させた溶液）を塗布し、フォトリソグラフィ法などを用いて、所定のパターンに形成する。これにより、所定のパターンの着色層３３を得る。そして、着色層３３の表面に、ＩＴＯからなる透明導電膜をスパッタリング法などを用いて形成し、共通電極３１を得る。
【００５２】
次に、共通電極３１の表面に、配向膜３４を形成する。円圧式印刷装置やインクジェット式印刷装置を用い、ポリイミドなどからなる液状の配向材を塗布する。その後、配向膜焼成装置などを用いて基板を加熱し、塗布した配向材を焼成すると共に、表面にラビング処理を施す。これにより共通電極３１の下側に、固体の配向膜３４を得る。以上の工程を経て、図１（ｂ）および図５に示されるような分割前の複数のＣＦ基板３０がマトリクス状に配列されたＣＦ基板集合体３０Ａが作製される。
【００５３】
次に、このようにＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａをそれぞれ作製した後、シール形成および液晶滴下工程Ｓ３においては、この場合、ＣＦ基板集合体３０Ａに、スクリーン印刷方式などにより熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂からなるシール４０を配向膜３４を囲むように枠状に形成し、そのシール４０で囲まれた領域に液晶５０をインクジェット方式などにより滴下することが行われる。
【００５４】
そして、基板集合体どうしの貼り合わせ工程Ｓ４においては、ＴＦＴ基板集合体２０Ａとシール４０が形成されたＣＦ基板集合体３０Ａを、図示しない真空チャンバ内で対向配置させ、大気圧以下の減圧状態で両基板集合体２０Ａ，３０Ａを加圧することが行われる。
【００５５】
その後、真空チャンバ内を大気圧状態に戻すことで、ＴＦＴ基板集合体２０ＡとＣＦ基板集合体３０Ａは、大気圧と、ＴＦＴ基板集合体２０ＡとＣＦ基板集合体３０Ａの内部の圧力の差によって常時加圧されることになる。
【００５６】
その後、シール４０を硬化させることで、ＴＦＴ基板２０ＡとＣＦ基板３０Ａの貼り合わせが完了する。これにより図１（ｂ）および図５に示されるような分割前の液晶表示パネル１０がマトリクス状に配列されたパネル集合体１０Ａが作製される。
【００５７】
尚、図２は、図１（ｂ）のパネル集合体１０Ａの平面図を示しており、図中の一点鎖線が、後述するスクライブ溝２０ｂ，３０ｂが形成されることになる分割予定ライン（切断予定ライン）を示している。図示されるように、シール４０は、複数の表示領域を囲む格子状のパターンとして形成されている。この場合、シール４０が配置されている領域のうち、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの端子部２９が形成されている側の辺を除く３つの辺に対応する領域において、パネル集合体１０Ａおよびシール４０に対する分割（切断）が行われるようになっている。また、これら３つの辺に対応する領域では、シール４０が形成される領域の幅に対してほぼ中央となる箇所で分割（切断）されるようになっている。したがって、隣り合う液晶表示パネル１０どうしで１つのシール４０形成領域を共有することになっており、マザー基板に対する液晶表示パネル１０の利用効率の向上と、液晶表示パネル１０の狭額縁化に貢献することができるようになっている。
【００５８】
次に、図３に示されるフローチャートを参照しつつ、パネル集合体１０Ａを薄型化すると共に複数枚の液晶表示パネル１０に分割する手順（Ｓ５〜Ｓ８）について図５〜図１０を用いて説明する。尚、これら図５〜図１０は、図１（ｂ）に示されるパネル集合体１０Ａのシール４０近傍を拡大した断面図である。
【００５９】
先ず、第１薄板化工程Ｓ５では、基板集合体２０Ａ，３０Ａのそれぞれの板厚が、目標とする板厚Ｔ（例えば０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１〜０．３ｍｍ）＋α（例えば５０〜１００μｍ）となるまでエッチング処理により薄板化する。
【００６０】
このエッチング処理は、図４（ａ）に示されるように、パネル集合体１０Ａをエッチング槽７０内のエッチング液７１に浸漬することで行われる。この場合、パネル集合体１０Ａを収容するトレイ７２を用いて、パネル集合体１０Ａをエッチング液７１に浸漬する。
【００６１】
トレイ７２の上面部および下面部には、多数の孔７２ａ，７２ａが開口形成されており、この孔７２ａを介してトレイ７２内部にエッチング液７１が充填されて、この充填されたエッチング液７１が内部のパネル集合体１０Ａのエッチング処理に供されるようになっている。
【００６２】
また、エッチング槽７０の下方には、図示しない給気ポンプに接続された給気管７３が配設されている。この給気管７３には、多数の小孔７３ａが開口形成されており、給気ポンプから供給された窒素ガスなどの気体をこの小孔７３ａから噴出して気泡７４を発生させることで、エッチング槽７０内のエッチング液７１を攪拌することができるようになっている。
【００６３】
先ず、パネル集合体１０Ａをトレイ７２に収容して、これを、エッチング槽７０内のエッチング液７１中に浸漬する。エッチング処理の間、給気管７３からエッチング液７１に気泡７４を供給してそのエッチング液７１を攪拌しつつ、パネル集合体１０Ａの基板集合体２０Ａ，３０Ａに対するエッチングを行う。
【００６４】
エッチング処理の進行に伴い、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａが、また、ＣＦ基板集合体３０Ａの外側表面３０ａが、それぞれ漸次エッチングされ、図６に示されるように、各基板集合体２０Ａ，３０Ａの板厚が共に順次薄くなっていく。
【００６５】
そして、基板集合体２０Ａ，３０Ａのそれぞれの板厚が、目標とする板厚Ｔ（例えば０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１〜０．３ｍｍ）＋α（例えば５０〜１００μｍ）となるまで薄板化されると、エッチング槽７０からパネル集合体１０Ａがトレイ７２ごと取り出されて第１薄板化工程Ｓ５におけるエッチング処理が終了する。
【００６６】
次に、第１薄板化工程Ｓ５の後、第１スクライブ溝形成工程Ｓ６が行われる。図７に示されるように、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａに、第１スクライブ溝２０ｂを形成する。この第１スクライブ溝２０ｂは、図４（ｂ）に示されるような回転刃８０ａを備えたカッターホイール８０をシール４０が配置された領域に沿って押圧しながら転動させることにより形成される。
【００６７】
このカッターホイール８０は、人工ダイヤモンドの単結晶体などからなるもので、そのホイールの外周近傍が先細り形状となるように形成されており、外周部の断面はＶ字形状を有している。
【００６８】
具体的にはシール４０の幅の中央に対応する位置の外側表面２０ａにカッターホイール８０を押圧しながら、シール４０の長手方向に沿った方向に転動させることにより、断面Ｖ字形状の第１スクライブ溝２０ｂが形成される。
【００６９】
この場合、第１スクライブ溝２０ｂの溝深さ（基板への浸透量）は、ＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａが上述した第１薄板化工程Ｓ５により薄くなったこととシール４０の硬化により発生した残留応力によって、図７に示されるように完全に切断された状態にシール４０にまで到達するようになっている。
【００７０】
次に、このような第１スクライブ溝２０ｂが形成されたパネル集合体１０Ａへの第２薄板化工程Ｓ７が行われる。この第２薄板化工程Ｓ７では、上述した第１薄板化工程Ｓ５で残した＋α（例えば５０〜１００μｍ）の板厚分をエッチングして、それぞれの基板集合体２０Ａ，３０Ａを目標とする板厚Ｔ（例えば０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１〜０．３ｍｍ）になるように薄板化する。
【００７１】
この第２薄板化工程Ｓ７は、上述した第１薄板化工程Ｓ５の場合と同様に、パネル集合体１０Ａのエッチング槽７０内のエッチング液７１中への浸漬によって行われる。この場合も、エッチング槽７０内でのエッチング処理の進行に伴い、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａが、また、ＣＦ基板集合体３０Ａの外側表面３０ａが、それぞれ漸次エッチングされ、図８に示されるように、各基板集合体２０Ａ，３０Ａの板厚が共に順次薄くなっていく。
【００７２】
このとき、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａに形成された第１スクライブ溝２０ｂも漸次エッチングされ、その第１スクライブ溝２０ｂは、溝幅方向および溝深さ方向に成長（発展）していく。
【００７３】
このように第１スクライブ溝２０ｂは、エッチングによってシール４０側へとその開口（溝幅）を広げつつ溝深さ方向に成長（発展）されると、その底部がシール４０に到達して、その底部においてシール４０の一部が露出される。そして、このように成長された第１スクライブ溝２０ｂによって生じるＴＦＴ基板集合体２０Ａの端部２０ｃ，２０ｃは、図示されるように離間された状態になると共に、その端部２０ｃ，２０ｃの間でシール４０の一部（露出部４０ａ）が露出された状態にされる。この場合、シール４０はエッチング液７１に対して耐性を有する材料で構成されているため、このように露出されてもエッチング液７１によってエッチングされないようになっている。
【００７４】
また、エッチング前の第１スクライブ溝２０ｂは、その溝深さ（基板への浸透量）がシール４０位置にまで到達しているため、エッチングの際には第１スクライブ溝２０ｂの深くまでエッチング液７１が浸透し易く、シール４０と接している部分までエッチングされるので、シール４０の一部（露出部４０ａ）を容易に露出させることができる。
【００７５】
このようなシール４０の露出部４０ａを挟んで位置するＴＦＴ基板集合体２０Ａの端部２０ｃ，２０ｃは、図示されるように露出部４０ａの分だけ離間した状態にされているので、この端部２０ｃ，２０ｃとこれに接しているシール４０との間には、従来技術で説明した図１３（ｂ）中の矢印２０１，２０１で示されるような左右両側方向に発生する引っ張り応力が緩和または除去されることになる。
【００７６】
尚、この第１スクライブ溝２０ｂのエッチングにおいて、その第１スクライブ溝２０ｂの内面に副生成物（残留エッチング反応物）が発生するが、この第１スクライブ溝２０ｂの周囲のＴＦＴ基板集合体２０Ａは第１薄板化工程Ｓ５で予め目標とする板厚程度にまで薄板化されているため、その発生量は小さく、また上述したエッチング槽７０内に設けられた給気管７３から供給される気泡７４によるバブリングでこの副生成物は簡単に除去されるため、第１スクライブ溝２０ｂの底部を所定の深さ（所定のエッチング量）となるように制御することが可能である。
【００７７】
そして、基板集合体２０Ａ，３０Ａのそれぞれの板厚が、目標とする板厚Ｔ（例えば０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは０．１〜０．３ｍｍ）となるまで薄板化されると、エッチング槽７０からパネル集合体１０Ａがトレイ７２ごと取り出されて第２薄板化工程Ｓ７におけるエッチング処理が終了する。
【００７８】
次に、第２薄板化工程Ｓ７の後、第２スクライブ溝形成工程Ｓ８が行われる。図９に示されるように、ＣＦ基板集合体３０Ａの外側表面３０ａに、第２スクライブ溝３０ｂを形成する。この場合も、第２スクライブ溝３０ｂは、図４（ｂ）に示されるような回転刃８０ａを備えたカッターホイール８０をシール４０が配置された領域に沿って押圧しながら転動させることにより形成される。
【００７９】
具体的にはシール４０の幅の中央に対応する位置の外側表面３０ａにカッターホイール８０を押圧しながら、シール４０の長手方向に沿った方向に転動させることにより、断面Ｖ字形状の第２スクライブ溝３０ｂが形成される。
【００８０】
このとき、上述した第２薄板化工程Ｓ７において成長された第１スクライブ溝２０ｂによって生じるＴＦＴ基板集合体２０Ａの端部２０ｃ，２０ｃと、これに接しているシール４０との間に発生する引っ張り応力が、緩和または除去されているので、これに伴って、従来技術で説明した図１３（ｂ）中の矢印３０１，３０１で示されるようなその引っ張り応力に対する反力として発生する第２スクライブ溝３０ｂが形成される部分への圧縮応力が、緩和または除去されており、第２スクライブ溝３０ｂを形成する際のその溝深さ（基板への浸透量）を従来よりも大きくすることができる。
【００８１】
これにより、図９に示されるように第２スクライブ溝３０ｂの溝深さ（基板への浸透量）を、シール４０にまで到達させることが可能になる。したがって、図１０に示されるように、シール４０が所定の位置（幅方向における中央位置）で切断されて、分割後の液晶表示パネル１０が、所定のパネル外形寸法となるように精度良く分割することができる。
【００８２】
以上説明した本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、パネル集合体１０ＡのＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａをそれぞれエッチング処理により薄板化する工程を２回に分けると共に、１回目の第１薄板化工程Ｓ５の後に、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａに、シール４０が配置されている領域に沿った第１スクライブ溝２０ｂを形成する第１スクライブ溝形成工程Ｓ６と、２回目の第２薄板化工程Ｓ７の後に、ＣＦ基板集合体３０Ａの外側表面３０ａに、シール４０が配置されている領域に沿った第２スクライブ溝３０ｂを形成する第２スクライブ溝形成工程Ｓ８を備えた構成になっている。
【００８３】
つまり、第１薄板化工程Ｓ５は、ＴＦＴ基板集合体２０ＡおよびＣＦ基板集合体３０Ａをそれぞれ、例えば目標板厚Ｔ＋α、つまり目標板厚程度にまで薄板化することを目的とし、第２薄板化工程Ｓ７は、ＴＦＴ基板集合体２０Ａに形成した第１スクライブ溝２０ｂをシール４０にまで成長させてその第１スクライブ溝２０ｂの底部でシール４０の一部を露出させることで、第１スクライブ溝２０ｂの両側のＴＦＴ基板集合体２０Ａの端部２０ｃ，２０ｃどうしをシール４０の露出部４０ａ分だけ離間させ、これら端部２０ｃ，２０ｃとこれに接しているシール４０との間に発生する引っ張り応力を緩和または除去することを目的としている。
【００８４】
したがって、このようなＴＦＴ基板集合体２０Ａのシール４０と接している端部２０ｃ，２０ｃへの引っ張り応力が緩和または除去されているので、これに伴って、その引っ張り応力に対する反力として発生するＣＦ基板集合体３０Ａの第２スクライブ溝３０ｂが形成される部分への圧縮応力も緩和または除去され、第２スクライブ溝３０ｂを形成する際のその溝深さ（基板への浸透量）を従来よりも大きくすることができる。
【００８５】
これにより、従来のように曲げなどの外力を加えて無理矢理に割る必要がなくなり、分割後の液晶表示パネル１０の外形寸法が所定の寸法となるように精度良く分割することが可能となる。このような本発明に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、シール４０が配置されている領域にスクライブ溝２０ｂ，３０ｂを良好に形成することができ、その結果、液晶表示パネル１０の薄型化および狭額縁化に寄与することができる。
【００８６】
この場合、第１スクライブ溝形成工程Ｓ６において、第１スクライブ溝２０ｂを、ＴＦＴ基板集合体２０Ａの外側表面２０ａとは反対側の面に位置するシール４０にまで到達するように形成すれば、エッチング液７１を用いたエッチング処理の際には、そのエッチング液７１が、第１スクライブ溝２０ｂの深くまで浸透し易くなって、シール４０の一部を容易に露出させることができ、第１スクライブ溝２０ｂの両側のＴＦＴ基板集合体２０Ａの端部２０ｃ，２０ｃどうしをシール４０の露出部４０ａ分だけ離間させることが容易になる。
【００８７】
また、第２スクライブ溝形成工程Ｓ８において、第２スクライブ溝３０ｂを、ＣＦ基板集合体３０Ａの外側表面３０ａとは反対側の面に位置するシール４０にまで到達するように形成すれば、簡便にパネル集合体１０Ａを分割してそれぞれ所定のパネル外形寸法を有する複数の液晶表示パネル１０を得ることが可能である。
【００８８】
以上、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法の一実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々なる態様で実施できることは勿論である。
【００８９】
例えば、上述した実施形態では、先にＴＦＴ基板集合体２０Ａに第１スクライブ溝２０ｂを形成する構成について説明したが、先にＣＦ基板集合体３０Ａにスクライブ溝３０ｂを形成し、この第２スクライブ溝３０ｂをシール４０にまでエッチングにより成長させてシール４０の一部を露出させることにより引っ張り応力を緩和させ、その後、ＴＦＴ基板集合体２０Ａに第１スクライブ溝２０ｂを形成する構成にしても同様の作用・効果を奏することができ、上述した実施の形態には限定されない。
【００９０】
また、ＣＦ基板集合体３０Ａにシール４０を形成し、これにＴＦＴ基板集合体２０Ａを貼り合わせてパネル集合体１０Ａを作製する構成について説明したが、ＴＦＴ基板集合体２０Ａにシール４０を形成し、これにＣＦ基板集合体３０Ａに貼り合わせる構成や、両基板集合体２０Ａ，３０Ａのそれぞれにシール４０を形成して両基板集合体２０Ａ，３０Ａを貼り合わせる構成でも良く、上述した実施の形態には限定されない。
【００９１】
更に、図２の一点鎖線で示される分割予定ライン（切断予定ライン）に沿って、パネル集合体１０Ａを分割（切断）する構成について説明したが、要は、四角形の４つの辺に対応する形状で形成されたシール４０の４つの辺のうち少なくとも１つの辺に対応する領域に、本発明に係る製造方法を適用させて分割（切断）すれば良く、上述した実施の形態には限定されない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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