(57)【要約】  相変化を生じ得る記録層を含む情報層を含む情報記録媒体において、記録層がＳｂとＳとを含み、かつ式（１）：ＳｂxＳ100-x（原子％）（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）で表される材料を含む。
2008096680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化を生じ得る記録層を含む情報層を含む情報記録媒体であって、前記記録層がＳｂとＳとを含み、かつ下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む情報記録媒体。
【請求項２】
前記式において、ｘが、５０≦ｘ≦８０を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９０原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録層が、さらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ１原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層が、さらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項７に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録層が、さらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（４）：
（ＳｂｃＳ1-ｃ）100-ｄ-ｅＭ１ｄＭ２ｅ    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、Ｍ１原子およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項９に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
Ｎ個の情報層を含み（Ｎは２以上の整数）、前記Ｎ個の情報層のうち少なくとも１つの情報層が、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記Ｎが２である請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
前記Ｎが４である請求項１１に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
前記Ｎ個の情報層を、レーザ入射側から、第Ｎ情報層、第Ｎ−１情報層、第Ｎ−２情報層・・・第２情報層、第１情報層としたときに、第２情報層から第Ｎ情報層のうち、少なくとも一つの情報層が、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
第Ｎ情報層が、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の情報記録媒体。
【請求項１６】
前記ＳｂとＳとを含む記録層の厚さが、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内である請求項１〜１５のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１７】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、および反射層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１６のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１８】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、反射層、および透過率調整層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１６のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１９】
相変化を生じ得る、ＳｂとＳとを含む記録層をスパッタリング法により形成する工程を含む情報層の形成工程を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の形成工程において、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを用い、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（２）： 
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（３）： 
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（４）： 
（ＳｂｃＳ1-ｃ）100-ｄ-ｅＭ１ｄＭ２ｅ    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
Ｎ個の情報層の形成工程を含み（Ｎは２以上の整数）、前記Ｎ個の情報層の形成工程のうち少なくとも１つの情報層の製造工程が、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む請求項１９〜２２のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記Ｎが２である請求項２３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記Ｎが４である請求項２３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
前記記録層の形成工程を、前記ＳｂとＳとを含む記録層の厚さが、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあるように、実施する、請求項１９〜２５のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２７】
前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む前記情報層の形成工程が少なくとも、反射層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程、および第２の誘電体層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１９〜２６のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
基板を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む前記情報層の製造工程が少なくとも、第２の誘電体層の形成工程、前記記録層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、および反射層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１９〜２６のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記反射層の形成工程の前または後に、透過率調整層の形成工程を実施することをさらに含む、請求項２７または２８に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項３０】
ＳｂとＳとを含み、下記の式（１１）：
ＳｂＸＳ100-Ｘ    （原子％）    （１１）
（添え字Ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦Ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、スパッタリングターゲット。
【請求項３１】
さらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（１２）：
（ＳｂZＳ1-Z）100-YＭ１Y    （原子％）    （１２）
（添え字Ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｚ≦０．９８を満たし、添え字Ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項３０に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３２】
さらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（１３）：
（ＳｂAＳ1-A）100-BＭ２B    （原子％）    （１３）
（添え字Ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ａ≦０．９８を満たし、添え字Ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項３０に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３３】
さらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（１４）：
（ＳｂCＳ1-C）100-D-EＭ１DＭ２E    （原子％）    （１４）
（添え字Ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｃ≦０．９８を満たし、添え字ＤおよびＥは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｄ＜３０、０＜Ｅ≦２０、０＜Ｄ＋Ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項３０に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３４】
電源、排気口およびガス供給口を有する真空容器、前記排気口を介して前記真空容器に接続された真空ポンプ、前記真空容器内に配置された陽極および陰極、および前記陽極に接続されたスパッタリングターゲットを含む成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、請求項３０〜３３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットである、成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームの照射または電気エネルギーの印加によって情報の記録および再生を行う情報記録媒体、ならびにその製造に使用するスパッタリングターゲットおよび成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から情報記録媒体として、記録層を相変化材料で形成する、相変化情報記録媒体がある。相変化情報記録媒体の中でも、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書換、および再生するものは、光学的相変化情報記録媒体（以下では光記録媒体と記す）と呼ばれる。光記録媒体への情報の記録は、レーザビームの照射によって発生する熱により、相変化材料を、例えば、結晶相と非晶質相との間で状態変化させることによって行われる。また、情報の再生は、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出することにより行う。【０００３】
光記録媒体のうち、情報の消去および書き換えが可能な書き換え型光記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相である。情報を記録する場合には、高パワーのレーザビームを照射して記録層を溶融し、その後、急激に冷却することによってレーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時のパワーに比べて、より低パワーのレーザビームを照射して記録層を昇温し、その後、ゆっくりと冷却することによってレーザ照射部を結晶相にする。また、高パワーと低パワーとでパワー変調させたレーザビームを記録層に照射することで、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録すること、すなわち書き換えが可能である。【０００４】
消去または書き換えを高速で行うためには、短時間で、非晶質相を結晶相へと変化させる必要がある。つまり、書き換え型光記録媒体において、高い消去性能を実現するためには、記録層を、結晶化速度の高い相変化記録材料によって形成することが必要となる。【０００５】
このような書き換え型光記録媒体は、基板上に、記録層に加えて、誘電体層、反射層、および界面層等を適宜設けた構成を有する。誘電体層は繰り返し記録する際の記録層の蒸発および基板の熱変形を防止し、また、光学干渉効果により記録層の光吸収および光学的変化を効率よく生じさせる等の目的で設けられうる。誘電体層は、記録層の両側に配置される。反射層は照射されるレーザビームを効率良く使うこと、および、冷却速度を向上させて記録層を非晶質相にし易くする目的で設けられる。反射層は、通常、レーザビーム照射側から見て、記録層の奥に、反射層と記録層が誘電体層を挟むように、配置される。界面層は必要に応じて、記録層と誘電体層との間に配置され、記録層と誘電体層の間の原子および分子の相互拡散を防止する目的で設けられる。【０００６】
公知の相変化材料の例として、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、およびＧｅＴｅ−ＳｎＴｅなどが挙げられる。特に、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3は結晶化速度が高いので、これを用いて書き換え型光記録媒体の記録層を形成すると、優れた消去性能が得られる（特許文献１参照）。【０００７】
また、書き換え型光記録媒体を大容量化するために、２つの情報層を１つの光記録媒体に設ける手法が報告されている（特許文献２参照）。情報は、２つの情報層のそれぞれに、媒体の片側から入射するレーザビームによって記録することができる。再生も同様である。よって、２つの情報層を有する光記録媒体の記録容量は、１つのみ情報層を有する光記録媒体の記録容量のほぼ２倍にすることができる。【０００８】
この２つの情報層を有する書き換え型光記録媒体において、入射側から遠い情報層（以下、第１情報層とも呼ぶ）の記録および再生は、入射側の情報層（以下、第２情報層とも呼ぶ）を透過したレーザビームによって行われる。従って、第２情報層はできるだけ高い透過率を有することが好ましい。相変化材料は一般に消衰係数が大きいため、記録層の透過率を高くするには、第２情報層の記録層の厚さは薄いほうが良い。【０００９】
また、大容量化のために情報層の数を増やし、例えば３つまたは４つの情報層を有する光記録媒体を実現するためには、入射側の情報層（第３情報層、または第４情報層）の透過率をさらに上げなければならず、記録層の厚さはさらに薄くする必要がある。
【特許文献１】特開昭６３−２２５９３５号公報
【特許文献２】特開２０００−３６１３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来のＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3記録層においては、透過率を高めるために厚さを薄くすると、結晶化速度が低下し、消去性能が大きく低下するという問題があった。一方で、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3記録層においてＢｉ2Ｔｅ3の割合を多くすると、結晶化速度が上がり、消去性能は高められるが、非晶質相が不安定になり、信号の信頼性が低下するという問題もあった。【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、結晶化速度が速く、かつ非晶質相も安定な、優れた記録層を有する情報記録媒体、およびその製造方法、ならびにそのような記録層を形成するのに用いられるスパッタリングターゲットおよび成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、相変化を生じ得る記録層を含む情報層を含む情報記録媒体であって、前記記録層がＳｂとＳとを含み、かつ下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む情報記録媒体を提供する。【００１３】
また、本発明は、上記本発明の情報記録媒体の製造方法として、相変化を生じ得る、ＳｂとＳとを含む記録層をスパッタリング法により形成する工程を含む情報層の形成工程を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の形成工程において、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを用い、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、製造方法を提供する。【００１４】
本発明はまた、上記本発明の情報記録媒体の記録層の成膜に用いるのに適したスパッタリングターゲットとして、ＳｂとＳとを含み、下記の式（１１）：
ＳｂＸＳ100-Ｘ    （原子％）    （１１）
（添え字Ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦Ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、スパッタリングターゲットを提供する。【００１５】
本発明はさらにまた、電源、排気口およびガス供給口を有する真空容器、前記排気口を介して前記真空容器に接続された真空ポンプ、前記真空容器内に配置された陽極および陰極、および前記陽極に接続されたスパッタリングターゲットを含む成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、前記本発明のスパッタリングターゲットである、成膜装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の情報記録媒体は、高い消去率を示し、記録再生特性に優れ、かつ高い信号信頼性を示す媒体である。また、本発明の情報記録媒体の製造方法は、本発明の情報記録媒体を容易に製造することを可能にする。さらに、本発明のスパッタリングターゲットおよび成膜装置によれば、本発明の情報記録媒体を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図２】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図３】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図４】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図５】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図６】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図７】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図８】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図９】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図１０】本発明の情報記録媒体の記録再生装置の一例の概略図
【図１１】本発明の情報記録媒体の記録再生に用いる記録パルス波形の一例の概略図
【図１２】本発明の情報記録媒体、及び電気的情報記録再生装置の構成の一部を模式的に示す図
【図１３】本発明の大容量の電気的情報記録媒体の構成の一部を模式的に示す図
【図１４】本発明の電気的情報記録媒体とその記録再生システムの構成の一部を模式的に示す図
【図１５】本発明の電気的情報記録媒体に適用される記録・消去パルス波形の一例を示す図
【図１６】本発明の情報記録媒体を製造する成膜装置の一部を模式的に示す図
【符号の説明】
【００１８】
１１...情報記録媒体、１２...情報記録媒体、１３...情報記録媒体、１４...情報記録媒体、１５...情報記録媒体、１６...情報記録媒体、１７...情報記録媒体、１８...情報記録媒体、２１...基板、２２...分離層、２３...透明層、２４...基板、２５...基板、２６...ダミー基板、２７...接着層、２８...分離層、２９...分離層、３１...レーザビーム、３２...対物レンズ、４０...情報層、４１...第１情報層、４２...第２情報層、４３...第３情報層、４４...第４情報層、４８...第Ｎ−１情報層、４９...第Ｎ情報層、４０２...反射層、４０３...反射層側界面層、４０４...第１の誘電体層、４０５...第１の界面層、４０６...記録層、４０７...第２の界面層、４０８...第２の誘電体層、４１２...反射層、４１４...第１の誘電体層、４１６...記録層、４１８...第２の誘電体層、４２１...透過率調整層、４２２...反射層、４２４...第１の誘電体層、４２６...記録層、４２８...第２の誘電体層、４３１...透過率調整層、４３２...反射層、４３４...第１の誘電体層、４３６...記録層、４３８...第２の誘電体層、４４１...透過率調整層、４４２...反射層、４４４...第１の誘電体層、４４６...記録層、４４８...第２の誘電体層、４９１...透過率調整層、４９２...反射層、４９４...第１の誘電体層、４９６...記録層、４９８...第２の誘電体層、５０１...レーザダイオード、５０２...レーザビーム、５０３...ハーフミラー、５０４...対物レンズ、５０５...モーター、５０６...情報記録媒体、５０７...フォトディテクター、６１，８１...電気的情報記録媒体、６２...基板、６３...下部電極、６４...第１誘電体層、６５...第１記録層、６６...第２記録層、６７...第２誘電体層、６８...上部電極、６９...印加部、７０...抵抗測定器、７１，７２...スイッチ、７３...パルス電源、７４...電気的情報記録再生装置、７５...ワード線、７６...ビット線、７７...メモリセル、７８...アドレス指定回路、７９...記憶装置、８０...外部回路、９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０８，９０９...記録波形、９０６，９０７...消去波形、６６７...真空容器、６６８...排気口、６６９...ガス供給口、６７０...陽極、６７１...基板、６７２...スパッタリングターゲット、６７３...陰極、６７４...電源。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態において、同一の要素に同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。【００２０】
（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の情報記録媒体（以下、「記録媒体」または「媒体」と呼ぶことがある）の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体１１の部分断面図を図１に示す。情報記録媒体１１は、光記録媒体であり、情報はレーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【００２１】
情報記録媒体１１は、基板２１上に、情報層４０および透明層２３がこの順に設けられた構成を有する。透明層２３は、基板２１よりも薄い厚さを有する。図示した形態において、レーザビームは、透明層２３の側から入射する。【００２２】
レーザビーム３１の波長λが短いほど、対物レンズ３２によって小さなスポット径に集光できる。しかし、波長λが短すぎると、透明層２３などによるレーザビーム３１の光吸収が大きくなる。そのため、レーザビームの波長λは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。【００２３】
図１に示すように、情報層４０においては、基板２１に近い側から、反射層４０２、第１の誘電体層４０４、記録層４０６及び第２の誘電体層４０８がこの順に設けられている。また必要に応じて、図２に示すように、反射層４０２と第１の誘電体層４０４との間に反射層側界面層４０３を、第１の誘電体層４０４と記録層４０６の間に第１の界面層４０５を、第２の誘電体層４０８と記録層４０６の間に第２の界面層４０７を設けてもよい。【００２４】
この情報記録媒体１１への情報の記録は、透明層２３側からレーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し、情報層４０の記録層４０６に照射して行う。この情報記録媒体１１に記録された情報も、同様にレーザビームを照射して行う【００２５】
基板２１は円盤形状を有し、情報層４０と透明層２３を保持するために用いられ、それらの層を形成するときの支持体として機能する。基板２１の情報層４０と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２１の情報層４０と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２１は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２１の材料として好ましい。【００２６】
次に、情報層４０を構成する各層について説明する。
記録層４０６の材料は、レーザビーム３１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を生じる材料である。本発明においては、記録層４０６の材料として、ＳｂとＳとを含む材料を用いる。記録層４０６がＳｂのみで構成されると、非晶質相が不安定になり信号の信頼性が低下してしまう。ＳｂにＳを加えることにより非晶質相を安定化できる。また、ＳｂにＳを加えることにより、記録層４０６の透過率を高くすることができる。【００２７】
具体的には、記録層４０６の厚さが７ｎｍの場合の結晶化温度をＴｘ（室温において非晶質相の相変化材料４０６を５０℃／ｍｉｎで緩やかに昇温させたときに、相変化材料が結晶相に相変化する温度）とすると、記録層４０６がＳｂのみから成るときにはＴｘ＝１００℃であるのに対し、記録層４０６がＳｂ８０Ｓ２０（添え字は、原子％で表される組成比）から成るときにはＴｘ＝２００℃となり、Ｓｂのみから成る記録層に比べ非晶質相が安定する。【００２８】
また、ＳｂとＳとの組み合わせにおいて、Ｓｂが５０原子％未満になると、結晶化速度が低すぎて、書き換え型光記録媒体として実用可能な消去性能が得られない。そのため、記録層４０６において、ＳｂとＳは、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料として含まれることが好ましい。ｘが９８を超えると、ＳｂにＳを添加することによる効果が得られない。ｘは、より好ましくは、６０≦ｘ≦８０を満たす。この式は、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１００原子％としたときの組成比を示すものである。よって、記録層４０６は、ＳｂおよびＳ以外の元素を含んでよい。【００２９】
記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、ＳｂおよびＳ以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとから実質的に成るといえる。ＳｂおよびＳ以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。【００３０】
記録層４０６の材料として、ＳｂとＳと、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素（Ｍ）とを含むものを用いることができる。これは、先に示したＳｂとＳとを含む材料に、前記のＭで表される元素を加えることにより、結晶化速度の調節および非晶質相の安定性の調節が可能となることによる。例えば、ＳｎまたはＢｉを、ＳｂとＳとから成る材料に添加すると、材料の結晶化速度が高くなる。また、Ｉｎ、ＧｅおよびＭｎはそれぞれ、ＳｂとＳとから成る材料に添加すると、材料の非晶質相を安定化できる。【００３１】
Ｍの種類に応じて、その好ましい添加量は異なる。ここでは、上記五つの元素を、Ｇｅ、ＩｎおよびＳｎがＭ１という群に属し、ＢｉおよびＭｎがＭ２という群に属するように、分けることが好ましい。記録層４０６は、Ｍ１を含む場合には、記録層４０６は、下記の式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含むことが好ましい。【００３２】
上記式（２）において、Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である。Ｍ１として、二つの元素（例えば、ＧｅおよびＳｎ、またはＩｎおよびＳｎ）が含まれてよく、三つの元素が含まれてよい。ｚおよびｙは、０．５≦ｚ≦０．９８かつ２≦ｙ≦２０を満たすことがより好ましく、０．６≦ｚ≦０．８かつ５≦ｙ≦２０を満たすことがさらにより好ましい。【００３３】
記録層４０６が上記式（２）の材料を含む場合、記録層は、より好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ１原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、ＳおよびＭ１以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ１とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、ＳおよびＭ１以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。【００３４】
記録層４０６がＭ２を含む場合、記録層４０６は、下記の式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含むことが好ましい。上記式において、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である。Ｍ２として、ＢｉおよびＭｎの両方が含まれてよい。ｂは、より好ましくは、２≦ｂ≦１０を満たす。【００３５】
記録層４０６が上記式（３）の材料を含む場合、記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ２原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、ＳおよびＭ２以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ２とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、ＳおよびＭ２以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。【００３６】
あるいは、記録層４０６は、Ｍ１およびＭ２の両方を含み、下記の式（４）：
（ＳｂcＳ1-c）100-d-eＭ１dＭ２e    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含んでよい。【００３７】
記録層４０６が上記式（４）の材料を含む場合、記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ１原子とＭ２原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、Ｓ、Ｍ１およびＭ２以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ１とＭ２とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、Ｓ、Ｍ１およびＭ２以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。【００３８】
記録層４０６は、非晶質相がレーザビーム照射時に容易に結晶相に変化できることが好ましく、かつレーザビーム非照射時には結晶相に変化しないことが好ましい。記録層４０６の厚さが小さすぎると、十分な反射率及び反射率変化が得られなくなる。また、記録層４０６の厚さが大きすぎると、熱容量が大きくなるため記録感度が低下する。そのため、記録層４０６の厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００３９】
反射層４０２は、記録層４０６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４０６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを有する。反射層４０２の材料として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、およびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素を含むものを用いることができる。例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、Ａｕ−ＣｒまたはＡｇ−Ｉｎ等の合金を、反射層４０２の材料として用いることができる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層４０２の材料として好ましい。反射層４０２の厚さが大きいほど、熱拡散機能はより強化される。しかし、反射層４０２の厚さが大きすぎると、熱が過度に拡散されて、記録層４０６の記録感度が低下する。そのため、反射層４０２の厚さは、３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００４０】
第１の誘電体層４０４は、記録層４０６と反射層４０２との間にあり、記録層４０６から反射層４０２への熱拡散を調節する熱的な機能、ならびに反射率および吸収率などを調節する光学的な機能を有する。第１の誘電体層４０４の材料としては、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ＺｎＳ、およびＣｄＳ等の硫化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選択される２種類以上の化合物の混合物、例えばＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、およびＳｎＯ2−ＳｉＣを用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ2は第１の誘電体層の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。【００４１】
第１の誘電体層４０４の厚さが大きすぎると、反射層４０２の冷却効果が弱くなり、記録層４０６からの熱拡散が小さくなるため、記録層が非晶質化しにくくなる。また、第１の誘電体層４０４の厚さが小さすぎると、反射層４０２の冷却効果が強くなり、記録層４０６からの熱拡散が大きくなって、感度が低下する。そのため、第１の誘電体層４０４の厚さは、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００４２】
反射層側界面層４０３は、反射層４０２が、第１の誘電体層４０４の材料によって腐食または破壊されるのを防ぐように作用する。具体的には反射層４０２がＡｇを含み、かつ、第１の誘電体層４０４がＳを含む（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2を含む）とき、反射層側界面層４０３は、ＡｇとＳの反応に起因する反射層４０２の腐食を防ぐ。【００４３】
反射層側界面層４０３の材料としては、Ａｇ以外の金属、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。また、反射層側界面層４０３の材料としては、Ｓを含まない誘電体材料を用いることができる。そのような材料は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選ばれる２種類以上の化合物の混合物、例えばＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ2、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、およびＳｎＯ2−ＳｉＣである。または、Ｃなどを用いて反射層側界面層４０３を形成してよい。【００４４】
反射層側界面層４０３の厚さは大きすぎると、第１の誘電体層４０４の熱的及び光学的な働きが妨げられ、また、小さすぎると、反射層４０２の腐食および破壊が十分に防止されないことがある。そのため、反射層側界面層４０３の厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００４５】
第１の界面層４０５は、繰り返しの記録によって、第１の誘電体層４０４と記録層４０６との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。第１の界面層４０５は、記録の際に溶融しない程度の高い融点を有し、記録層４０６との密着性が良い材料で形成することが好ましい。第１の界面層４０５の材料は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ＺｎＳおよびＣｄＳ等の硫化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選ばれる１種類の化合物またはこれらの化合物から選ばれる２種類以上の化合物の混合物、例えば、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2−ＳｉＣを用いることができる。またはＣなどである。特にＧａ2Ｏ3、ＺｎＯおよびＩｎ2Ｏ3などが第１の界面層４０５の材料として好ましい。これらは、記録層４０６との密着性が良いことによる。【００４６】
第１の界面層４０５の厚さが小さすぎると、界面層としての効果が発揮されなくなり、大きすぎると、第１の誘電体層４０４の熱的および光学的な働きが妨げられる。そのため、第１の界面層４０５の厚さは、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００４７】
第２の誘電体層４０８は、記録層４０６よりもレーザビーム入射側により近い位置に存在する。第２の誘電体層４０８は、記録層４０６の腐食および変形などを防止する機能と、反射率および吸収率などを調整する光学的な機能とを有する。また、第２の誘電体層４０８の材料の例は、第１の誘電体層４０４の材料として挙げた例と同様である。特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2は第２の誘電体層の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。【００４８】
第２の誘電体層４０８の厚さが大きすぎると、記録層４０６の腐食および変形などを防止する機能が低下する。また、第２の誘電体層４０８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４０６が結晶相である場合と非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２の誘電体層４０８の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。【００４９】
第２の界面層４０７は、第１の界面層４０５と同様に、繰り返し記録によって第２の誘電体層４０８と記録層４０６との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。従って、第２の界面層４０７は、第１の界面層４０５と同様の性能を有するように、第１の界面層４０５の材料として例示した材料で形成されることが好ましい。【００５０】
第２の界面層４０７の厚さは、第１の界面層４０５と同様に、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００５１】
上記、反射層４０２、第１の誘電体層４０４、記録層４０６及び第２の誘電体層４０８を設け、さらに必要に応じて反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７を設けることによって情報層４０は構成される。【００５２】
透明層２３は、情報層４０のレーザビーム３１入射側にあり、情報層４０を保護する。透明層２３は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。透明層２３は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いて、形成することができる。また、これらの材料よりなるシートを、透明層２３として用いてもよい。【００５３】
透明層２３の厚さが小さすぎると、情報層４０を保護する機能が発揮されない。また、透明層２３の厚さが大きすぎると、情報記録媒体１１において、レーザビーム３１入射側から情報層４０までの距離が対物レンズ３２の焦点距離よりも長くなって、レーザビーム３１の焦点を記録層４０６に合わせることができなくなる。ＮＡが０．８５である場合には、透明層の厚さは５μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。【００５４】
情報記録媒体１１は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に情報層４０を形成する。情報層４０は多層膜から成り、各層（膜）は、順次スパッタリングすることによって形成できる。なお、基板２１を構成する材料によっては、基板２１は高い吸湿性を示すことがあるので、必要に応じて、スパッタリングをする前に水分を除去する基板アニール工程を実施してもよい。【００５５】
各層は、各層を構成する材料のスパッタリングターゲットを、Ａｒガス、ＫｒガスまたはＸｅガスなどの希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。スパッタリング方法としてはＤＣ（直流）スパッタリング法とＲＦ（高周波）スパッタリング法とを必要に応じて使い分ける。通常、ＤＣスパッタリングは、高い成膜レートで実施できるため、好ましく用いられる。しかし、誘電体材料など導電性の低い材料は、ＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできないことがあり、その場合は、ＲＦスパッタリング法が用いられる。導電性の高い誘電体材料、およびスパッタリングターゲット作製時に工夫して導電性を高めた誘電体材料等は、ＤＣスパッタリング法またはパルスＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできる。【００５６】
スパッタリングによって形成される各層の組成は、もとのスパッタリングターゲットの組成と完全には一致しないことがある。例えば、酸化物の場合、スパッタリングによって酸素欠損がおこりやすい。その場合、反応ガスとして酸素ガスを用いることで酸素欠損を補うことができる。スパッタリングターゲットの組成は、スパッタリングによって形成された膜が所望の組成となるように決定される。スパッタリングターゲットの組成と、スパッタリングによって形成された膜の組成は、一致してもよい。【００５７】
ここで、本発明の情報記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置（成膜装置）の一例を説明する。図１６は、スパッタリング装置を用いて成膜する様子を模式的に示している。図１６に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器６６７に、排気口６６８を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器６６７内で、高真空が保たれる。ガス供給口６６９からは、一定流量のガスが供給される。基板６７１（ここでの基板とは、その表面に膜を堆積させる基材である）は陽極６７０に載置されている。真空容器６６７を接地することにより、真空容器６６７及び基板６７１が陽極に保たれている。【００５８】
スパッタリングターゲット６７２は、陰極６７３に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源６７４に接続されている。図示した形態において、陰極６７３は水冷される。陽極６７０と陰極６７３との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット６７２から粒子が放出され、基板６７１上に薄膜を形成する。この装置は、情報層を形成する各層を形成するために用いることができ、また、後述する他の形態の媒体を製造するためにも用いることができる。【００５９】
図示した形態において、情報層４０の形成は、具体的には、基板２１上に反射層４０２を形成することから開始する。反射層４０２は、反射層４０２を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＤＣスパッタリングすることにより、形成できる。【００６０】
続いて、必要に応じて反射層４０２上に、反射層側界面層４０３を形成する。反射層側界面層４０３は、反射層側界面層４０３を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより、形成する。反射層側界面層４０３の材料が、金属など導電性の高い材料である場合は、ＤＣスパッタリング法を用い、酸化物など導電性の低い材料である場合は、ＲＦスパッタリング法を用いるとよい。【００６１】
続いて、反射層側界面層４０３上、または、反射層４０２上に、第１の誘電体層４０４を形成する。第１の誘電体層４０４は、第１の誘電体層４０４を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成する。場合により、第１の誘電体層４０４は、ＤＣスパッタリング法により形成してよい。【００６２】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４０４上に、第１の界面層４０５を形成する。第１の界面層４０５は、第１の界面層４０５を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第１の界面層４０５は、ＤＣスパッタリング法により形成してよい。【００６３】
続いて、第１の界面層４０５上、または、第１の誘電体層４０４の上に記録層４０６を形成する。記録層４０６は、例えば、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成してよい。具体的には、記録層４０６が上記式（１）で表される材料を含む組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングすることによって、記録層４０６は形成できる。そのようなスパッタリングターゲットは、例えば、ＳｂとＳとを含み、下記の式（１１）：
ＳｂＸＳ100-Ｘ    （原子％）    （１１）
（添え字Ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦Ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、スパッタリングターゲットである。【００６４】
また、記録層４０６を形成するのに用いるスパッタリングターゲットとしては、上記のスパッタリングターゲットに、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎから選ばれる少なくとも１つの元素を添加したスパッタリングターゲットを用いてもよい。具体的には、記録層４０６が上記式（２）、（３）または（４）で表される材料を含む組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、ＤＣスパッタリングすることによって、記録層４０６は形成できる。そのようなスパッタリングターゲットは、例えば、下記式（１２）〜（１４）で表される材料を含む。【００６５】
（ＳｂZＳ1-Z）100-YＭ１Y    （原子％）    （１２）
（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｚ≦０．９８を満たし、添え字Ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｙ≦３０を満たす）【００６６】
（ＳｂAＳ1-A）100-BＭ２B    （原子％）    （１３）
（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ａ≦０．９８を満たし、添え字Ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｂ≦２０を満たす）【００６７】
（ＳｂCＳ1-C）100-D-EＭ１DＭ２E    （原子％）    （１４）
（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｃ≦０．９８を満たし、添え字ＤおよびＥは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｄ＜３０、０＜Ｅ≦２０、０＜Ｄ＋Ｅ≦３０を満たす）【００６８】
あるいは、記録層４０６は、Ｓｂ、Ｓ、Ｍ（但し、ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）、Ｓｂ−Ｓ、Ｓｂ−Ｍ、Ｓ−Ｍ及びＳｂ−Ｓ−Ｍで表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するスパッタリングターゲットの数、ならびに電源の出力に応じて、得られる記録層の組成が決定されることになるので、それらを適宜選択して、形成された膜が所望の組成となるようにスパッタリングする。このように２種以上のスパッタリングターゲットを使用することは、混合物のスパッタリングターゲットを形成するのが困難な場合に有用である。【００６９】
続いて、必要に応じて、記録層４０６上に、第２の界面層４０７を形成する。第２の界面層４０７は、第２の界面層４０７を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第２の界面層４０７は、ＤＣスパッタリングにより形成してよい。【００７０】
続いて、第２の界面層４０７上、または、記録層４０６上に第２の誘電体４０８を形成する。第２の誘電体層４０８は、第２の誘電体層４０８を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第２の誘電体層４０７は、ＤＣスパッタリングにより形成してよい。【００７１】
このようにして、基板２１上に情報層４０を形成し、その後、情報層４０上に透明層２３を形成する。透明層２３は、第２情報層４１上に紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、スピンコート法により塗布した後、この樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２３は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、またはガラス等から成る、円盤状の板またはシートを用いて形成してよい。この場合、透明層２３は、情報層４０上に、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を塗布し、塗布した樹脂に板またはシートを密着させた後、硬化性樹脂を硬化させることによって形成できる。別法として、板またはシートに粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それから板またはシートを第２の誘電体層４０８に密着させることもできる。【００７２】
情報記録媒体１１の記録層４０６は、通常、成膜したままの状態（アズデポ（as-depo）の状態）では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４０６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【００７３】
以上のようにして、情報記録媒体１１は製造される。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることも可能である。【００７４】
（実施の形態２）
実施の形態２として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体１２の部分断面図を図３に示す。情報記録媒体１２は、多層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【００７５】
情報記録媒体１２においては、基板２１上に、第１情報層４１、第２情報層４２・・・第Ｎ−１情報層４８、第Ｎ情報層４９までのＮ個の情報層（ＮはＮ≧２の整数）、及び透明層２３がこの順に設けられている（以下、レーザ入射側とは反対側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）の情報層を第Ｋ情報層と呼ぶ）。情報層と情報層との間には、分離層２２、・・・、２８、２９が設けられている。【００７６】
情報記録媒体１２では、第Ｎ情報層４９よりも基板２１側にある情報層に到達するレーザビームおよびその反射光は、その情報層よりレーザビーム３１入射側に近い情報層を透過することにより、減衰する。そのため、第１情報層４１、第２情報層４２、・・・及び第Ｎ―１情報層４８は、高い記録感度と高い反射率を有する必要があり、第２情報層４２・・・第Ｎ−１情報層４８及び第Ｎ情報層４９は、高い透過率を有する必要がある。【００７７】
基板２１及び透明層２３の材料、形状および機能は、実施の形態１で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。【００７８】
分離層２２、・・・、２８、２９は、情報記録媒体１２の第１情報層４１、第２情報層４２・・・第Ｎ情報層４９のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。分離層２２、・・・、２８、２９の厚さは、対物レンズ３２の開口数ＮＡとレーザビーム３１の波長λにより決定される焦点深度以上であることが望ましい。一方、分離層２２、・・・、２８、２９により分離されたすべての情報層は、対物レンズ３２により集光可能な範囲に収まる必要がある。この要求を満たすには、分離層２２、・・・、２８、２９等はある程度薄くする必要がある。仮に、λが４０５ｎｍ、ＮＡが０．８５である場合には、分離層２２、・・・、２８、２９の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。【００７９】
分離層２２、・・・、２８、２９は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。分離層２２、・・・、２８、２９のレーザビーム３１照射側には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。分離層２２、・・・、２８、２９の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等であってよい。【００８０】
なお、本発明を、図３に示す媒体のように、多層構造の媒体として提供する場合、Ｎ個の情報層のうち少なくとも１つの第Ｋ情報層（Ｋは１≦Ｋ≦Ｎの整数）が相変化を生じ得る記録層を含むものであればよい。例えば、第Ｎ情報層４９のみが、先に実施の形態１の記録層４０６に関連して説明した、ＳｂとＳとを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで表される材料を含む記録層（以下の説明を含む本明細書において、そのような記録層を「ＳｂとＳとを含む記録層」と呼ぶことがある）を含む書き換え型の情報層であってよい。その場合、第１情報層４１から第Ｎ−１情報層４８までのＮ−１個の情報層が、再生専用の情報層、あるいは１回のみ書込み可能な追記型の情報層としてもよい。【００８１】
あるいは、第Ｎ情報層から第２情報層までのＮ−１個の情報層のうち、少なくとも一つの情報層が、ＳｂとＳを含む記録層を含む、書き換え型の情報層であってよい。ＳｂとＳを含み、上記式（１）〜（４）で示される材料は、高い透過性を有するので、第１情報層以外の情報層（即ち、その情報層を通過した光が別の情報層の記録再生に用いられる情報層）の記録層を構成するのに適している。あるいはまた、すべての情報層が、ＳｂとＳとを含む記録層を有してよい。ＳｂとＳとを含む記録層を媒体において１つだけ設ける場合、ＳｂとＳとを含む記録層は、第Ｎ情報層に含まれることが好ましい。第Ｎ情報層は、最も高い透過率を要するからである。【００８２】
以下、第Ｎ情報層４９の構成を説明する。
図３に示すように、第Ｎ情報層４９においては、基板２１に近い側から透過率調整層４９１、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、記録層４９６及び第２の誘電体層４９８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４９２と第１の誘電体層４９４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４９４と記録層４９６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４９８と記録層４９６との間に第２の界面層を設けてもよい。図３において、反射層側界面層は、層４９１と４９２との間に、４９３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４９２と４９４との間に、４９５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４９６と４９８との間に、４９７で表される層として示すことができる。【００８３】
記録層４９６の材料として、実施の形態１の記録層４０６の材料と同様の材料を用いることができる。ＳｂとＳを含む材料は透明性が高いため、記録層４９６の材料として特に適している。また、他の情報層がＳｂとＳとを含む記録層を有する場合には、記録層４９６の材料として、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａ及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａのいずれかを含む材料を用いることもできる。記録層４９６の厚さは、第Ｎ情報層４９の透過率を高くするために、１０ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００８４】
反射層４９２は、実施の形態１の反射層４０２と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４９６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを有する。そのため、反射層４９２の材料の例は、実施の形態１で説明した反射層４０２の材料の例と同様である。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層４９２の材料として好ましい。【００８５】
反射層４９２の厚さは、第Ｎ情報層４９の透過率を高くするために、２０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射層４９２の厚さがこの範囲内にあると、反射層４９２の光学的及び熱的な機能が十分に発揮される。【００８６】
第１の誘電体層４９４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６から反射層４９２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率および吸収率等を調節する光学的な機能とを有する。したがって、第１の誘電体層４９４の材料の例は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の材料の例と同様である。【００８７】
第１の誘電体層４９４の厚さは、光学的及び熱的な機能が十分に発揮されるように、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。【００８８】
第２の誘電体層４９８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６の腐食および変形等を防止する機能と、反射率および吸収率等を調整する光学的な機能とを有する。そのため、第２の誘電体層４９８の材料の例は、実施の形態１で説明した第２の誘電体層４０８の材料の例と同様である。第２の誘電体層４９８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４９６が結晶相である場合と非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。【００８９】
透過率調整層４９１は誘電体からなり、第Ｎ情報層４９の透過率を調節する機能を有する。この透過率調整層４９１によって、記録層４９６が結晶相である場合の第Ｎ情報層４９の透過率Ｔｃ（％）と、記録層４９６が非晶質相である場合の第Ｎ情報層４９の透過率Ｔａ（％）とを共に高くすることができる。【００９０】
透過率調整層４９１は、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｇａ2Ｏ3、およびＢｉ2Ｏ3等の酸化物、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、およびＡｌ−Ｎ等の窒化物、ならびにＺｎＳなどの硫化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選択される２種類以上の化合物の混合物で形成されてよい。透過率調整層４９１の屈折率ｎｔと消衰係数ｋｔは、透過率ＴｃおよびＴａを高めるために、ｎｔ≧２．４、かつ、ｋｔ≦０．１であることが好ましい。この条件を満たす材料として、ＴｉＯ2またはＴｉＯ2を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（ｎｔ＝２．６〜２．８）、消衰係数が小さい（ｋｔ＝０．０〜０．１）ため、これらの材料を用いて形成した透過率調整層４９１は、第Ｎ情報層４９の透過率を効果的に高めることによる。【００９１】
透過率調整層４９１の厚さが、略λ／８ｎｔ（ただし、λはレーザビーム３１の波長λ、ｎｔは透過率調整層４９１の材料の屈折率）であるときに、透過率ＴｃおよびＴａがより効果的に高められる。仮に、λ＝４０５ｎｍ、ｎｔ＝２．６とした場合には、透過率調整層４９１の厚さは、反射率など他の特性も考慮して、５ｎｍ〜３６ｎｍの範囲内であることが好ましい。【００９２】
反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態１の反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７と同様の機能を有する。よって、これらの層の材料の例は、それぞれ実施の形態１で説明した、反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７の材料の例と同様である。【００９３】
情報記録媒体１２は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１上に第１情報層４１から第Ｎ−１情報層４８までのＮ−１個の情報層を、分離層２２、・・・、２８等を介して順次積層する。各情報層は、多層膜から成り、情報層を構成する各層（膜）は、順次スパッタリングすることによって形成できる。また、分離層２２、・・・、２８等は、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を情報層上に塗布し、次に全体を回転させて樹脂を均一に延ばし（スピンコート）、その後、この樹脂を硬化させることによって形成できる。分離層２２、・・・、２８等がレーザビーム３１の案内溝を備える場合、案内溝は、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させ、その状態で樹脂を硬化させた後、基板（型）を剥がすことによって案内溝を形成できる。【００９４】
このようにして、基板２１上にＮ−１個の情報層を、分離層２２、・・・、２８等を介して積層したのち、第Ｎ−１情報層上に、分離層２９を形成する。【００９５】
続いて、分離層２９上に第Ｎ情報層４９を形成する。
具体的には、まず分離層２９上に透過率調整層４９１を形成する。透過率調整層４９１は、透過率調整層４９１を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法またはＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。【００９６】
続いて、透過率調整層４９１上に、反射層４９２を形成する。反射層４９２は、実施の形態１の反射層４０２を形成する方法と同様の方法で形成できる。【００９７】
続いて、必要に応じて反射層４９２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態１の反射層側界面層４０３を形成する方法と同様の方法で形成できる。【００９８】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４９２上に、第１の誘電体層４９４を形成する。第１の誘電体層４９４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４を形成する方法と同様の方法で形成できる。【００９９】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４９４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態１の第１の界面層４０５の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１００】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４９４の上に記録層４９６を形成する。記録層４９６は、ＳｂおよびＳを含む場合には、実施の形態１の記録層４０６の形成方法と同様の方法で形成できる。記録層４０６が他の材料で形成される場合には、その材料に応じてスパッタリングターゲットを選択して、スパッタリング法により形成してよい。【０１０１】
続いて、必要に応じて、記録層４９６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態１の第２の界面層４０７の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１０２】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４９６上に第２の誘電体４９８を形成する。第２の誘電体層４９８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１０３】
このようにして、分離層２９上に第Ｎ情報層４９を形成し、その後、第Ｎ情報層４９上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。【０１０４】
情報記録媒体１２の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１０５】
以上のようにして、情報記録媒体１２を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０１０６】
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態２の本発明の多層記録媒体において、Ｎが２である、すなわち２個の情報層によって構成された記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体１３の部分断面図を図４に示す。情報記録媒体１３は、二層光記録媒体であって、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【０１０７】
情報記録媒体１３においては、基板２１上に、第１情報層４１、分離層２２、第２情報層４２及び透明層２３がこの順に設けられている。【０１０８】
基板２１、分離層２２及び透明層２３それぞれの材料、形状および機能は、実施の形態１及び２で説明したとおりである。【０１０９】
第２情報層４２は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９と同様の役割を果たす（実施の形態３ではＮ＝２であるため）。そのため、第２情報層４２を構成する各層は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の材料で形成することができる。また、第２情報層４２を構成する各層の形状及び機能は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の形状及び機能と同様である。【０１１０】
以下、第１情報層４１の構成について説明する。
図４に示すように、第１情報層４１においては、基板２１に近い側から反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を設けてもよい。図４において、反射層側界面層は、層４１２と４１４との間に、４１３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４１４と４１６との間に、４１５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４１６と４１８との間に、４１７で表される層として示すことができる。【０１１１】
記録層４１６の材料として、実施の形態１の記録層４０６の材料と同様の材料を用いることができる。また、第２の情報層４２がＳｂとＳとを含む記録層を有する場合には、記録層４１６の材料は、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａまたは（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａであってよい。【０１１２】
反射層４１２、第１の誘電体層４１４及び第２の誘電体層４１８は、それぞれ実施の形態１の反射層４０２、第１の誘電体層４０４及び第２の誘電体層４０８と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１１３】
また、反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態１の反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１１４】
情報記録媒体１３は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に第１情報層４１を形成する。
具体的には、まず、基板２１上に、反射層４１２を形成する。反射層４１２は、実施の形態１の反射層４０２の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１１５】
続いて、必要に応じて反射層４１２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態１の反射層側界面層４０３の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１１６】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４１２上に、第１の誘電体層４１４を形成する。第１の誘電体層４１４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１１７】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４１４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態１の第１の界面層４０５と同様の方法で形成できる。【０１１８】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４１４の上に、記録層４１６を形成する。記録層４１６は、ＳｂおよびＳを含む場合には、実施の形態１の記録層４０６の形成方法と同様の方法で形成できる。記録層４１６が他の材料で形成される場合には、その材料に応じてスパッタリングターゲットを選択して、スパッタリング法により形成してよい。【０１１９】
続いて、必要に応じて、記録層４１６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態１の第２の界面層４０７の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２０】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４１６上に第２の誘電体４１８を、形成する。第２の誘電体層４１８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２１】
このようにして、基板２１上に第１情報層４１を形成し、その後、第１情報層４１上に分離層２２を形成する。分離層２２は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。【０１２２】
なお、第２の誘電体層４１８を形成した後、または分離層２２を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１２３】
続いて、分離層２２上に第２情報層４２を形成する。
具体的には、まず分離層２２上に透過率調整層４２１を形成する。透過率調整層４２１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２４】
続いて、透過率調整層４２１上に、反射層４２２を形成する。反射層４２２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２５】
続いて、必要に応じて反射層４２２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２６】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４２２上に、第１の誘電体層４２４を形成する。第１の誘電体層４２４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２７】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４２４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２８】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４２４の上に記録層４２６を形成する。記録層４２６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１２９】
続いて、必要に応じて、記録層４２６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１３０】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４２６上に第２の誘電体４２８を形成する。第２の誘電体層４２８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１３１】
このようにして、分離層２２上に第２情報層４２を形成し、その後、第２情報層４２上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。【０１３２】
情報記録媒体１３の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。あるいは、既に、記録層４１６が初期化されている場合には、第２情報層４２を形成した後に、記録層４２６のみを初期化してよい。【０１３３】
以上のようにして、情報記録媒体１３を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０１３４】
Ｎが２であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約５０ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約６６ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。【０１３５】
（実施の形態４）
実施の形態４として、実施の形態２の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４の情報記録媒体１４の部分断面図を図５に示す。情報記録媒体１４は、４層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【０１３６】
情報記録媒体１４においては、基板２１上に、第１情報層４１、分離層２２、第２情報層４２、分離層２８、第３情報層４３、分離層２９、第４情報層４４及び透明層２３がこの順に設けられている。【０１３７】
情報記録媒体１２では、第４情報層４４よりも基板２１側にある情報層に到達するレーザビームおよびその反射光は、その情報層よりレーザビーム３１入射側にある情報層を透過することにより減衰してしまう。そのため、第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３は、高い記録感度と高い反射率を有し、かつ、第２情報層４２、第３情報層４３及び第４情報層４４は高い透過率を有する必要がある。【０１３８】
基板２１、分離層２２、２８、２９及び透明層２３は実施の形態１及び２で説明した材料と同様の材料で形成することができる。また、それらの形状及び機能は、実施の形態１および２で説明したとおりである。【０１３９】
第１情報層４１を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態３で説明したとおりであるから、その詳細な説明は省略する。【０１４０】
第４情報層４４は実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９と同様の役割を果たす（実施の形態４ではＮ＝４であるため）。そのため、第４情報層４４を構成する各層は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の材料で形成することができる。また、第４情報層４４を構成する各層の形状及び機能は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の形状及び機能と同様である。【０１４１】
以下、第２情報層４２及び第３情報層４３の構成について説明する。
第２情報層４２においては、基板２１に近い側から透過率調整層４２１、反射層４２２、第１の誘電体層４２４、記録層４２６及び第２の誘電体層４２８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４２２と第１の誘電体層４２４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を設けてもよい。図５において、反射層側界面層は、層４２２と４２４との間に、４２３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４２４と４２６との間に、４２５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４２６と４２８との間に、４２７で表される層として示すことができる。【０１４２】
記録層４２６、反射層４２２、第１の誘電体層４２４、第２の誘電体層４２８及び透過率調整層４２１は、それぞれ実施の形態２の記録層４９６、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、第２の誘電体層４９８及び透過率調整層４９１と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１４３】
また、反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態２の反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１４４】
第３情報層４３においては、基板２１に近い側から、透過率調整層４３１、反射層４３２、第１の誘電体層４３４、記録層４３６及び第２の誘電体層４３８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４３２と第１の誘電体層４３４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層を設けてもよい。図５において、反射層側界面層は、層４３２と４２４との間に、４３３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４３４と４３６との間に、４３５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４３６と４３８との間に、４３７で表される層として示すことができる。【０１４５】
記録層４３６、反射層４３２、第１の誘電体層４３４、第２の誘電体層４３８及び透過率調整層４３１は、それぞれ実施の形態２の記録層４９６、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、第２の誘電体層４９８及び透過率調整層４９１と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１４６】
また、反射層側界面層４３３、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態２の反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。【０１４７】
この形態の媒体においては、第２情報層４２から第４情報層４４までの３つの情報層のうち、いずれか１つの情報層に含まれる記録層が、ＳｂおよびＳを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。その理由は実施の形態２に関連して説明したとおりである。【０１４８】
情報記録媒体１４は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に第１情報層４１を形成する。
具体的には、基板２１上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。【０１４９】
このようにして、基板２１上に第１情報層４１を形成し、その後、第１情報層４１上に分離層２２を形成する。分離層２２は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。【０１５０】
第２の誘電体層４１８を形成した後、または分離層２２を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１５１】
続いて、分離層２２上に第２情報層４２を形成する。
具体的には、まず、分離層２２上に透過率調整層４２１を形成する。透過率調整層４２１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５２】
続いて、透過率調整層４２１上に、反射層４２２を形成する。反射層４２２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５３】
続いて、必要に応じて反射層４２２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層と同様の方法で形成できる。【０１５４】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４２２上に、第１の誘電体層４２４を形成する。第１の誘電体層４２４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５５】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４２４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５６】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４２４の上に、記録層４２６を形成する。記録層４２６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５７】
続いて、必要に応じて、記録層４２６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５８】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４２６上に、第２の誘電体４２８を形成する。第２の誘電体層４２８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１５９】
このようにして、分離層２２上に第２情報層４２を形成し、その後、第２情報層４２上に分離層２８を形成する。分離層２８は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。【０１６０】
なお、第２の誘電体層４２８を形成した後、または分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１６１】
続いて、分離層２８上に第３情報層４３を形成する。
具体的には、まず分離層２８上に透過率調整層４３１を形成する。透過率調整層４３１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６２】
続いて、透過率調整層４３１上に、反射層４３２を形成する。反射層４３２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６３】
続いて、必要に応じて反射層４３２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６４】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４３２上に、第１の誘電体層４３４を形成する。第１の誘電体層４３４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６５】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４３４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６６】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４３４の上に記録層４３６を形成する。記録層４３６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６７】
続いて、必要に応じて、記録層４３６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。【０１６８】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４３６上に第２の誘電体４３８を形成する。第２の誘電体層４３８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８と同様の方法で形成できる。【０１６９】
このようにして、分離層２８上に第３情報層４３を形成し、その後、第３情報層４３上に分離層２９を形成する。分離層２９は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。【０１７０】
なお、第２の誘電体層４３８を形成した後、または分離層２９を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４３６を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。【０１７１】
続いて、分離層２９上に第４情報層４４を形成する。
具体的には、分離層２９上に、透過率調整層４４１、反射層４４２、第１の誘電体層４４４、記録層４４６及び第２の誘電体層４４８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４４２と第１の誘電体層４４４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４４４と記録層４４６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４４８と記録層４４６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。【０１７２】
このようにして、分離層２９上に第４情報層４４を形成し、その後、第４情報層４４上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。【０１７３】
なお、情報記録媒体１４の各記録層は、通常、形成したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。あるいは、既に、記録層４１６、４２６、および４３６が初期化されている場合には、第４情報層４４を形成した後に、記録層４４６のみを初期化してよい。【０１７４】
以上のようにして、情報記録媒体１４を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０１７５】
Ｎが４であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約１３３ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。【０１７６】
実施の形態３および４として、Ｎ＝２および４の媒体を説明した。Ｎは３であってもよい。Ｎ＝３の媒体は、図４に示される層のうち、基板２１、第１情報層４２、分離層２２、第２情報層４２、分離層２８、第３情報層４３および透明層２３から構成される。Ｎ＝３の媒体においては、第２情報層および第３情報層のうち、いずれか一方または両方に含まれる記録層が、前記ＳｂおよびＳを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。また、レーザビーム入射側に最も近い第３情報層に含まれる記録層のみが、前記ＳｂおよびＳを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む記録層である場合にも、本発明の効果を十分に得ることができる。【０１７７】
Ｎが３であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約７５ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。【０１７８】
（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の情報記録媒体１５の部分断面図を図６に示す。情報記録媒体１５は、光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生できる。【０１７９】
情報記録媒体１５は、基板２４上に積層した情報層４０とダミー基板２６が、接着層２７を介して密着している構成である。【０１８０】
基板２４及びダミー基板２６は透明で円盤形状を有している。基板２４の情報層４０と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２４の情報層４０と接しない表面、及びダミー基板の接着層２７と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２４及びダミー基板２６は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２４及びダミー基板２６の材料として好ましい。【０１８１】
接着層２７は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。接着層２７は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として、形成することができる。【０１８２】
情報層４０を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態１で説明したとおりであるから、その詳細な説明は省略する。その他、実施の形態１で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。【０１８３】
情報記録媒体１５は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、情報層４０を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４０８、記録層４０６、第１の誘電体層４０４及び反射層４０２をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４０８と記録層４０６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４０４と記録層４０６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４０４と反射層４０２との間に反射層側界面層を形成してもよい。図５において、第２の界面層は、層４０８と４０６との間に、４０７で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４０６と４０４との間に、４０５で表される層として示すことができ、反射層側界面層は、層４０２と４０４との間に、４０３で表される層として示すことができる。これらの各層は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。【０１８４】
次に、情報層４０が積層された基板２４とダミー基板２６（厚さが例えば０．６ｍｍ）とを、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を、ダミー基板２６上にスピンコート法により塗布し、情報層４０が積層された基板２４をダミー基板２６上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で、実施してよい。別法として、ダミー基板２６上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、ダミー基板２６を情報層４０が積層された基板２４に密着させることもできる。【０１８５】
情報記録媒体１５の記録層４０６は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４０６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１８６】
以上のようにして、情報記録媒体１５を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０１８７】
（実施の形態６）
実施の形態６として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態６の情報記録媒体１６の部分断面図を図７に示す。情報記録媒体１６は、多層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【０１８８】
情報記録媒体１６は、基板２４上に、順次積層された、第Ｎ情報層４９、第Ｎ−１情報層４８・・・第２情報層４２までのＮ−１個の情報層（ＮはＮ≧２の整数）と、基板２５上に積層された第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。情報層と情報層との間には、分離層２９、２８・・・等が介在している。【０１８９】
基板２５は、透明で、円盤形状を有している。基板２５の第１情報層４１と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２５の第１情報層４１と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２５は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２５の材料として好ましい。【０１９０】
その他、実施の形態２及び５で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。【０１９１】
情報記録媒体１６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第Ｎ情報層４９を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４９８、記録層４９６、第１の誘電体層４９４、反射層４９２及び透過率調整層４９１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４９８と記録層４９６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４９４と記録層４９６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４９４と反射層４９２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。その後、第Ｎ−１情報層４８から第２情報層４２を、分離層２９、２８・・・等を介して順次積層する。【０１９２】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。情報層は、一般に多層膜からなり、情報層４１を構成する各層（膜）は、実施の形態２と同様、成膜装置内で、各層を構成するのに適したスパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成できる。【０１９３】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。【０１９４】
情報記録媒体１６の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるから、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０１９５】
以上のようにして、情報記録媒体１６を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０１９６】
（実施の形態７）
実施の形態７として、実施の形態６の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎが２である、すなわち２個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態７の情報記録媒体１７の部分断面図を図８に示す。情報記録媒体１７は、２層光記録媒体であって、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。【０１９７】
情報記録媒体１７は、基板２４上に積層した第２情報層４２と、基板２５上に積層した第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。【０１９８】
第１情報層４１及び第２情報層４２を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態３で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。その他、実施の形態３、５及び６で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。【０１９９】
情報記録媒体１７は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層４２を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４２８、記録層４２６、第１の誘電体層４２４、反射層４２２及び透過率調整層４２１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４２４と反射層４２２との間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。【０２００】
透過率調整層４２１を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２０１】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。具体的には、基板２５上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。【０２０２】
第２の誘電体層４１８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２０３】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。【０２０４】
情報記録媒体１７の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるので、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。予め、記録層４１６および４２６が初期化されている場合には、貼り合わせの後に初期化工程を実施する必要はない。【０２０５】
以上のようにして、情報記録媒体１７を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０２０６】
Ｎが２である媒体は、先に実施の形態７に関連して説明したとおり、例えば、約５０ＧＢの容量を有することができ、あるいは約６６ＧＢの容量を有することができる。【０２０７】
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態６の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎが４である、すなわち４個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態８の情報記録媒体１８の部分断面図を図９に示す。情報記録媒体１８は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、情報の記録再生が可能な４層光記録媒体である。【０２０８】
情報記録媒体１８は、基板２４上に積層した第４情報層４４、第３情報層４３及び第２情報層４２と、基板２５上に積層した第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。第４情報層４４と第３情報層４３との間には、分離層２９が設けられ、第３情報層４３と第２情報層との間には、分離層２８が設けられている。【０２０９】
第１情報層４１、第２情報層４２、第３情報層４３及び第４情報層４４を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態４で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。その他、実施の形態４、５、６及び７で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。【０２１０】
情報記録媒体１８は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第４情報層４４を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４４８、記録層４４６、第１の誘電体層４４４、反射層４４２及び透過率調整層４４１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４４８と記録層４４６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４４４と記録層４４６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４４４と反射層４４２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連してで説明した方法により形成できる。【０２１１】
続いて、透過率調整層４４１上に、実施の形態４に関連して説明した方法により分離層２９を形成する。【０２１２】
透過率調整層４４１を形成した後、または分離層２９を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４４６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２１３】
続いて、分離層２９上に第３情報層４３を形成する。具体的には、分離層２９上に、第２の誘電体層４３８、記録層４３６、第１の誘電体層４３４、反射層４３２及び透過率調整層４３１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４３４と反射層４３２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。【０２１４】
続いて、透過率調整層４３１上に、実施の形態４に関連して説明した方法により、分離層２８を形成する。【０２１５】
透過率調整層４３１を形成した後、または分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４３６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２１６】
続いて、分離層２８上に第２情報層４２を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４２８、記録層４２６、第１の誘電体層４２４、反射層４２２及び透過率調整層４２１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４２４と反射層４２２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。【０２１７】
透過率調整層４２１を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２１８】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。具体的には、基板２５上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。【０２１９】
第２の誘電体層４１８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。【０２２０】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。【０２２１】
情報記録媒体１８の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して結晶化する初期化工程を行ってもよい。予め、記録層４１６、４２６、４３６および４４６が初期化されている場合には、貼り合わせの後に初期化工程を実施する必要はない。【０２２２】
以上のようにして、情報記録媒体１８を製造できる。本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。【０２２３】
また、本実施の形態においては第２情報層４２と第１情報層４１の間に接着層２７を用いて、基板２４及び基板２５を貼り合わせた。接着層の位置、すなわち貼り合わせる位置はこれに限定されない。【０２２４】
例えば、基板２４上に、分離層２９を介して第４情報層４４及び第３情報層４３を積層し、基板２５上に分離層（その位置は図９の接着層２７の位置である）を介して第１情報層４１及び第２情報層４２を積層し、その後、第３情報層４３と第２情報層４２との間に接着層（その位置は図９の分離層２８の位置である）を用いて、基板２４及び基板２５を貼り合わせてもよい。【０２２５】
Ｎが４である媒体は、先に実施の形態８に関連して説明したとおり、例えば、約１００ＧＢの容量を有することができ、あるいは約１３３ＧＢの容量を有することができる。【０２２６】
２つの基板を有し、情報層を複数有する実施の形態７および８として、Ｎ＝２および４の媒体を説明した。Ｎは３であってもよい。Ｎ＝３の媒体においては、第２情報層および第３情報層のうち、いずれか一方または両方に含まれる記録層が、前記ＳｂおよびＳｎを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。また、レーザビーム入射側に最も近い第３情報層に含まれる記録層のみを、前記ＳｂおよびＳｎを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む記録層としても、本発明の効果を十分に得ることができる。【０２２７】
Ｎが３である媒体は、先に説明したとおり、例えば、約７５ＧＢの容量を有することができ、あるいは約１００ＧＢの容量を有することができる。【０２２８】
（実施の形態９）
実施の形態９では、実施の形態１から８で説明した情報記録媒体に情報を記録し、および／または媒体に記録した情報を再生する方法の一例について説明する。
図１０に、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一例の概略図を示す。レーザダイオード５０１から出射されるレーザビーム５０２は、ハーフミラー５０３及び対物レンズ５０４を通過して、その焦点が情報記録媒体５０６上に合わせられる。情報記録媒体５０６は、モーター５０５によって回転させられている。情報の再生は、情報記録媒体５０６からの反射光をフォトディテクター５０７に入射させ、信号を検出することにより行われる。【０２２９】
情報信号の記録を行う際には、レーザビーム５０２の強度を複数のパワーレベル間で変調する。レーザ強度を変調する手段としては、半導体レーザの駆動電流を変調しておこなう電流変調手段を用いることができる。記録マークを形成する部分には、ピークパワーＰｐの単一矩形パルスのレーザビームを照射してもよい。あるいは、特に長いマークを形成する場合は、記録層が過剰に加熱されることを防止し、マーク幅を均一にする目的で、図１１に示すようにピークパワーＰｐ及びボトムパワーＰｂ（但し、Ｐｐ＞Ｐｂ）との間で変調された、複数のパルス列からなる記録パルス列を用いてもよい。また、最後尾のパルスの後に、レーザのパワーを冷却パワーＰｃ（Ｐｃ＜Ｐｂ）にする冷却区間を設けてもよい。マークを形成しない部分に対しては、バイアスパワーＰｅ（但し、Ｐｐ＞Ｐｅ）のレーザビームを照射する。【０２３０】
対物レンズ５０４の開口数ＮＡは、レーザビーム５０２のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム５０２の波長は、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体５０６の線速度は、再結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られるように、４ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓの範囲内であることが好ましく、９ｍ／ｓ〜４０ｍ／ｓの範囲内であることがより好ましい。情報記録媒体５０２の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、および線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビーム５０２の波長は、６５０〜６７０ｎｍであってもよい。【０２３１】
このような記録再生装置を用いて、情報記録媒体５０６の性能を次のようにして評価できる。【０２３２】
記録性能は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端間、及び後端間のジッター（マーク位置の誤差）をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ジッター値が小さいほど、記録性能がよい。Ｐｐ、Ｐｂ、Ｐｃ及びＰｅは、前端間、及び後端間のジッターの平均値が最小となるよう決定される。決定されたＰｐは、記録感度である。【０２３３】
また、信号強度は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じトラックに連続１０回交互記録し、最後に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ  ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ  ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって評価できる。ＣＮＲが大きいほど信号強度が高い。【０２３４】
また、消去性能は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、２Ｔ信号と９Ｔ信号を同じトラックに連続１０回交互記録し、１１回目に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後９Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅の差を、２Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。消去率が大きいほど、消去性能が良い。【０２３５】
（実施の形態１０）
実施の形態１０として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態１０の情報記録媒体６１の一構成例を図１２に示す。情報記録媒体６１は、電気的エネルギー（特に電流）の印加によって、情報が記録再生される電気的情報記録媒体である。【０２３６】
基板６２として、ポリカーボネート等の樹脂基板、ガラス基板、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック基板、Ｓｉ等の半導体基板、およびＣｕ等の金属基板を用いることができる。ここでは、基板としてＳｉ基板を用いた形態を説明する。電気的情報記録媒体６１は、基板６２上に下部電極６３、第１誘電体層６４、第１記録層６５、第２記録層６６、第２誘電体層６７、及び上部電極６８を順に積層した構造である。下部電極６３及び上部電極６８は、第１記録層６５及び第２記録層６６に、電流を印加するために形成する。第１誘電体層６４は第１記録層６５に印加する電気エネルギー量を調整し、第２誘電体層６７は第２記録層６６に印加する電気エネルギー量を調整するために設けられる。第１誘電体層６４および第２誘電体層６７の材料の例は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の材料の例と同様である。【０２３７】
第１記録層６５及び第２記録層６６は、電流の印加により発生するジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料から成る。よって、この媒体においては、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化する現象を情報の記録に利用する。第１記録層６５及び第２記録層６６の少なくとも一方は、ＳｂとＳとを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む。そのような材料は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。いずれか一方の記録層が、ＳｂとＳを含む記録層でない場合、実施の形態２に関連して例示した材料を用いてよい。第１記録層６５及び第２記録層６６はそれぞれ、実施の形態１の記録層４０６または実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成される。【０２３８】
下部電極６３及び上部電極６８は、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の単体金属材料で形成してよい。あるいは下部電極６３及び上部電極６８は、前記元素から選ばれる１つまたは複数の元素を主成分とし、耐湿性の向上あるいは熱伝導率の調整等のために適宜１つまたは複数の他の元素を添加した合金材料を用いて形成することができる。下部電極６３及び上部電極６８は、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガス（Ｏ2ガスまたはＮ2ガスから選ばれる少なくとも１種のガス）との混合ガス雰囲気中で、材料となる金属母材または合金母材をスパッタリングすることによって形成できる。各層の形成方法は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等であってよい。【０２３９】
電気的情報記録媒体６１に、印加部６９を介して電気的情報記録再生装置７４を電気的に接続する。この電気的情報記録再生装置７４において、下部電極６３と上部電極６８の間には、第１記録層６５及び第２記録層６６に電流パルスを印加するために、パルス電源７３が、スイッチ７１を介して接続される。また、第１記録層６５、及び第２記録層６６の相変化による抵抗値の変化を検出するために、下部電極６３と上部電極６７の間にスイッチ７２を介して抵抗測定器７０が接続される。【０２４０】
非晶質相（高抵抗状態）にある第１記録層６５または第２記録層６６を、結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ７１を閉じて（スイッチ７２は開く）電極間に電流パルスを印加する。印加は、電流パルスが印加される部分の温度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度にて、結晶化時間の間、保持されるように行う。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い電流パルスをより短い時間で印加し、記録層を融点より高い温度にして溶融した後、急激に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置７４のパルス電源７３は、図１５の記録／消去パルス波形を出力できるような電源である。【０２４１】
ここで、第１記録層６５が非晶質相の場合の抵抗値をｒa1、第１記録層６５が結晶相の場合の抵抗値をｒc1、第２記録層６６が非晶質相の場合の抵抗値をｒa2、第２記録層６６が結晶相の場合の抵抗値をｒc2とする。ｒc1≦ｒc2＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc1≦ｒc2＜ｒa2＜ｒa1、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa2＜ｒa1であることによって、第１記録層６５と第２記録層６６の抵抗値の和を、ｒa1＋ｒa2、ｒa1＋ｒa2、ｒa2＋ｒc1、及びｒc1＋ｒc2の４つの異なる値に設定できる。従って、電極間の抵抗値を抵抗測定器７０で測定することにより、４つの異なる状態、すなわち２値の情報を一度に検出することができる。【０２４２】
この電気的情報記録媒体６１をマトリクス的に多数配置することによって、図１４に示すような大容量の電気的情報記録媒体８１を構成することができる。各メモリセル７７には、微小領域に電気的情報記録媒体６１と同様の構成が形成されている。各々のメモリセル７７への情報の記録再生は、ワード線７５、及びビット線７６をそれぞれ一つ指定することによって行う。【０２４３】
図１３は電気的情報記録媒体８１を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置７９は、電気的情報記録媒体８１と、アドレス指定回路７８によって構成される。アドレス指定回路７８により、電気的情報記録媒体８１のワード線７５、及びビット線７６がそれぞれ指定され、各々のメモリセル７７への情報の記録再生を行うことができる。また、記憶装置７９を、少なくともパルス電源７３と抵抗測定器７０から構成される外部回路８０に電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体８１への情報の記録再生を行うことができる。
【実施例】
【０２４４】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
実施例１では、図１の情報記録媒体１１を作製し、記録層４０６の材料と、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、ＳｂとＳとを含み、ＳｂとＳとの組成比が異なる記録層４０６を有する８種類の情報記録媒体のサンプル（１−１から１−８）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。【０２４５】
信号信頼性は再生光劣化により評価する。ここで、再生光劣化は、信号を記録したトラックに再生光（再生パワーＰｒ）を所定の回数、照射したときの信号強度の低下量（ｄＢ）と定義する。【０２４６】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、反射層４０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４０４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、ＳｂとＳを含む記録層４０６（厚さ：１０ｎｍ）（ＳｂとＳの組成比は表１に示すとおり）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４０８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって形成した。【０２４７】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４０２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４０４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４０６を形成するためのＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲット、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４０８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０２４８】
反射層４０２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４０４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４０６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４０８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０２４９】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４０８上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ１００μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４０６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４０６の材料が異なる複数のサンプルを製造した。【０２５０】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１１の情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク規格の４倍速に相当する）、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。【０２５１】
各サンプルについて、記録層４０６の組成と、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表１）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。【０２５２】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。【０２５３】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。【０２５４】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。【０２５５】
【表１】
2008096680.tif 000003
【０２５６】
この結果、記録層４０６がＳｂのみから成るサンプル１−１では、記録層の結晶化速度が高すぎて、信号信頼性が悪いことがわかった。また、記録層４０６の組成がＳｂ45Ｓ55であるサンプル１−８では、添加したＳの量が多すぎて、結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。【０２５７】
また、記録層４０６がＳｂとＳとを含み、さらに記録層４０６の組成が、式（１）：ＳｂxＳ100-x（原子％）（ただし、ｘは、５０≦ｘ≦９８）で表されるサンプル１−２から１−７は、良好な消去性能と信号信頼性を示すことがわかった。以上の結果から、記録層４０６の組成が、式（１）で表されると、当該記録層を含む媒体は良好な特性を示すことがわかった。さらに、ｘが６０以上８０以下である場合に、磁気記録媒体は、さらにより良好な特性を示すことがわかった。【０２５８】
（実施例２）
実施例２では、実施例１と同様に図１の情報記録媒体１１を作製し、記録層４０６の材料と、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、記録層４０６がＳｂとＳとＭとを含み（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）、Ｓｂ／Ｓ／Ｍとの組成比が異なる記録層４０６を有する２５種類の情報記録媒体１１のサンプル（２−１から２−２５）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。【０２５９】
サンプルの製造方法は実施例１で用いた製造方法と同様である。ただし、記録層４０６はＳｂとＳとＭを含む（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）合金スパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにしてスパッタリングすることによって形成した。【０２６０】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１と同様の方法で消去性能および信号信頼性を測定した。各サンプルについて、記録層４０６の組成と、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表２）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。【０２６１】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は、下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。【０２６２】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。【０２６３】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。【０２６４】
【表２】
2008096680.tif 000004
【０２６５】
この結果、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.98Ｓ0.02）65Ｇｅ35であるサンプル２−６では、添加したＧｅの量が多いために結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。また、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.98Ｓ0.02）65Ｓｎ35であるサンプル２−１２では、添加したＳｎの量が多いために、結晶化速度が高すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。さらに、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）65Ｉｎ35であるサンプル２−１７では、添加したＩｎの量が多いために、結晶化速度が低下し、実用可能な消去性能を得られないことがわかった。【０２６６】
また、記録層４０６がＳｂとＳとＭ１を含み（ＭはＧｅ、Ｓｎ、およびＩｎ）から選ばれる少なくとも一つの元素）、記録層４０６の組成が、式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y（原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表されるサンプル２−１から２−５、２−７から２−１１、及び２−１３から２−１６は、消去性能と信号信頼性がともに良好であることがわかった。以上の結果から、ＳｂとＳとＭ１を含む記録層４０６の組成は、式（２）で表されることが好ましいことがわかった。特に、サンプル２−１から２−４、サンプル２−７から２−１０、サンプル２−１３から２−１５より、上記式（２）において、ｙは２≦ｙ≦２０を満たすと、より良好な特性が得られることがわかった。【０２６７】
記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）70Ｍｎ30であるサンプル２−２１では、添加したＭｎの量が多いために、結晶化速度が低下し、実用可能な消去性能を得られないことがわかった。また、記録層の組成が、（速すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。さらに、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）70Ｂｉ30であるサンプル２−２５では、添加したＢｉの量が多いために、結晶化速度が高すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。【０２６８】
記録層４０６がＳｂとＳとＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素）、記録層４０６の組成が、式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表されるサンプル２−１８から２−２０、及び２−２２から２−２４は、良好な消去性能と信号信頼性を示した。以上の結果から、ＳｂとＳとＭ２を含む記録層４０６の組成は、式（２）で表されることが好ましいことがわかった。さらに、サンプル２−１８および２−１９から、上記式（３）において、ｂが２≦ｂ≦１０を満たすと、より良好な特性が得られることがわかった。【０２６９】
さらに、Ｍ１として２種類の元素を含む記録媒体（サンプル２−２６、２−２９）、Ｍ１およびＭ２の両方を含む記録媒体（サンプル２−２７、２−２８、２−３０、２−３１）も、良好な消去性能および信号信頼性を示した。【０２７０】
（実施例３）
実施例３では、図１の情報記録媒体１１を製造し、記録層４０６の厚さと、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、記録層４０６の厚さが異なる情報層４０を含む、６種類の情報記録媒体１１のサンプル（３−１から３−６）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。【０２７１】
サンプルの製造方法は、記録層４０６の厚さを除いて、実施例１において用いた製造方法と同様である。記録層４０６はＳｂとＳを含むスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにしてスパッタリングすることによって形成した。記録層の組成は、Ｓｂ60Ｓ40であった。【０２７２】
このようにして得られた各サンプルについて、記録層４０６の厚さと、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表３）に示す。評価方法は、実施例１において用いた方法と同様の方法であった。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。【０２７３】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。【０２７４】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。【０２７５】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。【０２７６】
【表３】
2008096680.tif 000005
【０２７７】
この結果、記録層４０６の厚さが、１６ｎｍであるサンプル３−６は、記録層４０６が厚すぎて、低い信号信頼性を示した。、記録層４０６の厚さが、７〜１５ｎｍの範囲であれば、媒体は良好な消去性能と信号信頼性を示すことがわかった。以上の結果から、ＳｂとＳとを含む記録層４０６の厚さは１５ｎｍ以下であることが好ましいことがわかった。また、記録層４０６の厚さが９ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であれば、非常に良好な特性が得られた。【０２７８】
（実施例４）
実施例４では、図４の情報記録媒体１３を製造し、第２情報層４２に含まれる記録層４２６の厚さと、第２情報層４２の消去率、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度との関係を調べた。具体的には、記録層４２６の厚さが互いに異なる情報層４２を含む情報記録媒体１３のサンプル４−１から４−６を作製し、第２情報層４２の消去率、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。ここで、信号強度はＣＮＲの大きさによって評価した。なお、情報記録媒体１３は、情報層の数をＮ個（ＮはＮ≧２の整数）としたときの、Ｎ＝２のものに相当し、２個の情報層を有している。【０２７９】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０２８０】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４１２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４１４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４１６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ60Ｓ40の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４１８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０２８１】
反射層４１２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４１４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４１６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４１８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０２８２】
次に、第２の誘電体層４１８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。その上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させ、樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ２５μｍの分離層２２を得た。【０２８３】
次いで、分離層２２の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ70Ｓ30層、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０２８４】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４２１を形成するためのＴｉＯ2スパッタリングターゲット、反射層４２２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４２４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４２６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ70Ｓ30の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４２８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０２８５】
透過率調整層４２１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４２２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４２４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４２６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４２８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０２８６】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４２８上に、スピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４１６及び記録層４２６にレーザビームを照射して、記録層４１６および４２６を結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４２６の厚さが異なる複数のサンプルを製造した。【０２８７】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１３の情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。【０２８８】
各サンプルについて、記録層４２６の厚さと、第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度の評価結果を（表４）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。【０２８９】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．７ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量によって評価した。評価基準は、下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。【０２９０】
また、第１情報層４１の信号強度は、ＣＮＲによって評価した。評価基準は下記の通りである。
４０ｄＢ以上  「○」、
３４ｄＢ以上４０ｄＢ未満  「△」、
３４ｄＢ以下  「×」。【０２９１】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。【０２９２】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。【０２９３】
【表４】
2008096680.tif 000006
【０２９４】
この結果、記録層４２６の厚さが、４ｎｍ〜９ｎｍの範囲であれば、第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度がすべて良好な媒体が得られた。また、記録層４２６の厚さが５ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であれば、より良好な特性が得られた。【０２９５】
（実施例５）
実施例５では、図５の情報記録媒体１４を製造し、第４情報層４４に含まれる記録層４４６の厚さと、第４情報層４４の消去率、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度との関係を調べた。具体的には、記録層４４６の厚さが互いに異なる情報層４４を含む６種類の情報記録媒体１４のサンプル（５−１から５−６）を作製し、第４情報層４４の消去率、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。ここで、信号強度はＣＮＲによって評価した。なお、情報記録媒体１４は情報層の数をＮ個（ＮはＮ≧２の整数）としたときの、Ｎ＝４の場合であり、４個の情報層を有している。【０２９６】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０２９７】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４１２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４１４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４１６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ60Ｓ40の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４１８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０２９８】
反射層４１２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４１４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４１６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４１８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０２９９】
次に、第２の誘電体層４１８上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２２を得た。【０３００】
その後、分離層２２の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第２の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０３０１】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４２１を形成するためのＴｉＯ2スパッタリングターゲット、反射層４２２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４２４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４２６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ80Ｓ20の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４２８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０３０２】
透過率調整層４２１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４２２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４２４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにし、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４２６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４２８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにし、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０３０３】
次に、第２の誘電体層４２８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１５μｍの分離層２８を得た。【０３０４】
次いで、分離層２８の上に、透過率調整層４３１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、反射層４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第２の誘電体層４３４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４３６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４３８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３８ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０３０５】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４３１を形成するためのＴｉＯ２スパッタリングターゲット、反射層４３２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４３４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４３６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ80Ｓ20の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ２Ｏ３）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４３８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０３０６】
透過率調整層４３１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４３２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４３４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４３６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４３８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０３０７】
次に、第２の誘電体層４３８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第４情報層４４側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２９を得た。【０３０８】
その後、分離層２９の上に、透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４４６として（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5層、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。【０３０９】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４４１を形成するためのＴｉＯ２スパッタリングターゲット、反射層４４２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４４４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４４６を形成するためのＳｂとＳとＧｅを含むスパッタリングターゲット（（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４４８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。【０３１０】
透過率調整層４４１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４４２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４４４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４４６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４４８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。【０３１１】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４４８上に、スピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４１６、記録層４２６、記録層４３６及び記録層４４６をレーザビームを用いて結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４４６の厚さが異なる複数のサンプルを製造した。【０３１２】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１３の情報層４２の消去性能、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。【０３１３】
各サンプルについて、記録層４４６の厚さと、第２情報層４２の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度の評価結果を（表５）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。【０３１４】
信号信頼性は、Ｐｒ＝１．４ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。【０３１５】
また、各情報層の信号強度は、ＣＮＲによって評価した。評価基準は下記の通りである。
４０ｄＢ以上  「○」、
３４ｄＢ以上４０ｄＢ未満  「△」、
３４ｄＢ以下  「×」。【０３１６】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。【０３１７】
【表５】
2008096680.tif 000007
【０３１８】
この結果、記録層４４６の厚さが、１ｎｍであるサンプル５−１は、記録層４４６が薄すぎて結晶化速度が低下し、消去性能において劣っていることがわかった。また、記録層４４６の厚さが、２〜６ｎｍの範囲であれば、第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。【０３１９】
（実施例６）
実施例６では、図６の情報記録媒体１５を作製し、実施例１および２と同様に性能を評価した。サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４０８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、ＳｂとＳ、もしくはＳｂとＳとＭを含み、それらの組成比が異なる記録層４０６（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４０４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例１で使用したものと同様である。【０３２０】
情報層を形成した後、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をダミー基板２６上にスピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。次いで、基板２４上の反射層４０２をダミー基板２６に密着させ、その後紫外線をダミー基板２６側から照射して樹脂を硬化させた。それにより、接着層２７を介して基板２４とダミー基板２６を接着させた。最後に、記録層４０６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【０３２１】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１および２と同様の方法によって、情報記録媒体１５の情報層４０の消去性能、及び信号信頼性を測定した。測定において、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。【０３２２】
この結果、実施例１と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとを含み、さらに記録層４０６の組成が、式（１）：ＳｂxＳ100-x（原子％）（ただし、ｘは、５０≦ｘ≦９８）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。【０３２３】
また、実施例２と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとＭ１を含み（Ｍ１は、ＧｅＳｎ、およびＩｎから選択される、少なくとも１つの元素）、さらに記録層４０６の組成が、式（２）：（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y（原子％）（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。【０３２４】
さらに、実施例２と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとＭ２を含み（Ｍ１は、ＢｉおよびＭｎから選択される、少なくとも１つの元素）、さらに記録層４０６の組成が、式（３））：（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。【０３２５】
（実施例７）
実施例７では、図６の情報記録媒体１５を作製し、実施例３と同様に、性能を評価した。【０３２６】
サンプルの製造方法は、記録層４０６の厚さを除いて、実施例６で用いた製造方法と同様である。記録層４０６はＳｂとＳを含むスパッタリングターゲットをＡｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして、スパッタリングすることによって形成した。記録層４０６の組成は、Ｓｂ60Ｓ40であった。【０３２７】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１と同様の方法で、消去性能および信号信頼性を評価した。この結果、実施例３と同様に、記録層４０６の厚さが、７〜１５ｎｍの範囲であれば、消去性能と信号信頼性がともに良好であることがわかった。【０３２８】
（実施例８）
実施例８では、図８の情報記録媒体１７を作製し、実施例４と同様に、性能を評価した。【０３２９】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ70Ｓ30層、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例４の第２情報層４２の形成で使用したものと同様である。【０３３０】
また、基板２５として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ２）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例４の第１情報層４１の形成で使用したものと同様である。【０３３１】
その後、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を基板２５上の第２の誘電体層４１８上に、スピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。次いで、基板２４上の透過率調整層４２１を基板２５に密着させ、その後、紫外線を基板２４側から照射して樹脂を硬化させた。その結果、接着層２７を介して基板２４と基板２５とが、接着された。最後に、記録層４１６、及び記録層４２６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【０３３２】
このようにして得られたサンプルについて、実施例４で用いた方法と同様の方法によって、情報記録媒体１７の第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。【０３３３】
この結果、実施例４と同様に、記録層４２６の厚さが、４〜９ｎｍの範囲であれば、第２情報層４２の消去性能および信号信頼性、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。【０３３４】
（実施例９）
実施例９では、図９の情報記録媒体１８を作製し、実施例５と同様に、性能を評価した。【０３３５】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４４６として（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5層、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は、実施例５の第４情報層４４の形成で使用したものと同様である。【０３３６】
次に、透過率調整層４４１上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布し、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１５μｍの分離層２９を得た。【０３３７】
その後、分離層２９の上に、第２の誘電体層４３８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３８ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４３６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の誘電体層４３４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、透過率調整層４３１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第３情報層４３の形成で使用したものと同様である。【０３３８】
次に、透過率調整層４３１上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２８を得た。【０３３９】
その後、分離層２８の上に、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第２情報層４２の形成で使用したものと同様である。【０３４０】
また、基板２５として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第１情報層４１の形成で使用したものと同様である。【０３４１】
その後、紫外線硬化性樹脂を基板２５の第２の誘電体層４２８上に、スピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ１５μｍ）を形成した。この樹脂層の上に、基板２４の透過率調整層４３１を密着させ、その後紫外線を基板２４側から照射して樹脂を硬化させた。それにより、接着層２７を介して基板２４と基板２５を接着させた。最後に、記録層４１６、４２６、４３６、及び４４６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。【０３４２】
このようにして得られたサンプルについて、実施例５で用いた方法と同様の方法によって、情報記録媒体１８の第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。【０３４３】
この結果、実施例５と同様に、記録層４４６の厚さが、２〜６ｎｍの範囲であれば、第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。【０３４４】
実施例３、４、５、７、８及び９の結果から、情報記録媒体１１から１８において、記録層の厚さは２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましいことが判った。即ち、ＳｂとＳとを含む記録層が、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にある厚さを有すると、媒体において良好な性能が確保された。【０３４５】
（実施例１０）
実施例４で作製した情報記録媒体と、同じ構成の媒体を、第２情報層４２に含まれる記録層４２６の組成を変えて作製した。記録層４２６の組成は、サンプル１０−１においては、Ｓｂ７０Ｓｎ３０とし、サンプル１０−２においては、Ｓｂ７０Ｇｅ３０とした。サンプル１０−１および１０−２において、記録層は、ＳｂＳｎ合金ターゲット（サンプル１１−１）およびＳｂＧｅ合金ターゲット（サンプル１１−２）をそれぞれ用いて、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。その他の層の材料および形成条件は、実施例４で作製したサンプルのそれらと同じであった。【０３４６】
サンプル１０−１および１０−２と比較するために、実施例４で作製したサンプル４−５を用意した。これらのサンプルの第２情報層の透過率を測定するために、図４に示す情報記録媒体１３の第１情報層４１と分離層２２を有さず、基板２１上に第２情報層４２と透明層２３のみを形成した透過率測定用サンプルを作製し、記録層４２６の記録層組成と、第２情報層４２の透過率との関係を調べた。【０３４７】
透過率測定用サンプルは以下のように製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。基板２１の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、記録層４２６（厚さ：８ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。各層の形成条件は、実施例４で作製したサンプルのそれと同じであった。【０３４８】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体層４２８上にスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４２６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４２６の記録層組成が異なる透過率測定用のサンプルを製造した。【０３４９】
これらの透過率測定用サンプルの波長４０５ｎｍにおける透過率を分光器により測定して、測定値を第２の情報層の透過率とした。透過率が、４９％以上であるものは「○」と評価し、４９％未満である媒体は、「×」と評価した。評価結果を表６に示す。【０３５０】
【表６】
2008096680.tif 000008
【０３５１】
本発明に相当するサンプル４−５は、第２情報層の透過率が高く、したがって、第１情報層の信号強度も十分な大きさとなった。記録層にＳを含まないサンプル１０−１および１０−２は、透過率が小さく、したがって、第１情報層の信号強度は、サンプル４−５と比較して低かった。【０３５２】
（実施例１１）
実施例５で作製した情報記録媒体と、同じ構成の媒体を、第４情報層４４に含まれる記録層４４６の組成を変えて作製した。記録層４４６の組成は、サンプル１１−１においては、Ｓｂ８０Ｓｎ２０とし、サンプル１１−２においては、Ｓｂ８０Ｇｅ２０とした。サンプル１１−１および１１−２において、記録層は、ＳｂＳｎ合金ターゲット（サンプル１１−１）およびＳｂＧｅ合金ターゲット（サンプル１１−２）をそれぞれ用いて、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。その他の層の材料および形成条件は、実施例５で作製したサンプルのそれらと同じであった。【０３５３】
これらのサンプルと比較するために、実施例５で作製したサンプル５−５を用意した。これらのサンプルの第４情報層の透過率を測定するために、図５に示す情報記録媒体１４の第１、第２、第３情報層４１、４２、４３と分離層２２、２８、２９を有さず、基板２１上に第４情報層４４と透明層２３のみを形成した透過率測定用サンプルを作製し、記録層４４６の記録層組成と、第４情報層４４の透過率との関係を調べた。【０３５４】
透過率測定用サンプルは以下のように製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４４６（厚さ：５ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。各層の形成条件は、実施例５で作製したサンプルのそれと同じであった。【０３５５】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体層４４８上にスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４４６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４４６の記録層組成が異なる透過率測定用のサンプルを製造した。【０３５６】
これらの透過率測定用サンプルの波長４０５ｎｍにおける透過率を分光器により測定して、測定値を第４の情報層の透過率とした。透過率が、６８％以上であるものは「○」と評価し、６８％未満である媒体は、「×」と評価した。評価結果を表７に示す。【０３５７】
【表７】
2008096680.tif 000009
【０３５８】
本発明に相当するサンプル５−５は、第４情報層の透過率が高く、したがって、第１〜第３情報層の信号強度も十分な大きさとなった。記録層にＳを含まないサンプル１１−１および１１−２は、透過率が小さく、したがって、第１〜第３情報層の信号強度は、サンプル５−５のそれらと比較して低かった。【０３５９】
（実施例１２）
実施例１２では、図１２に示す電気的情報記録媒体６１において、第２記録層６６がない電気的情報記録媒体６１を製造し、その電流の印加による相変化を確認した。【０３６０】
基板６２として、表面を窒化処理したＳｉ基板を準備し、その上に下部電極６３として、Ｐｔから成り、表面積が６μｍ×６μｍであり、厚さが０．１μｍである層を形成した。その上に、第１誘電体層６４として、（ＳｉＯ２）５０（ＺｒＯ２）５０から成り、表面積が４．５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０１μｍである層を形成した。さらに、第１記録層６５として、Ｓｂ８０Ｓ２０から成り、表面積が５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０５μｍである層を形成した。第２誘電体層６７として、（ＳｉＯ２）５０（ＺｒＯ２）５０から成り、表面積が４．５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０１μｍである層を形成した。上部電極６８として、Ｐｔから成り、表面積が５μｍ×５μｍであり、厚さが０．１μｍである層を形成した。いずれの層もスパッタリング法により形成した。【０３６１】
第１誘電体層６４、及び第２誘電体層６７は絶縁体であった。従って、第１記録層６５に電流を流すため、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７は、第１記録層６５より小さい表面積を有するように形成し、下部電極６３および上部電極６８それぞれが、第１記録層６５と部分的に接するようにした。【０３６２】
その後、下部電極６３、及び上部電極６８に、Ａｕリード線をボンディングし、印加部６９を介して電気的情報記録再生装置７４を電気的情報記録媒体６１に接続した。この電気的情報記録再生装置７４により、下部電極６３と上部電極６８の間には、パルス電源７３がスイッチ７１を介して接続された。さらに、第１記録層６５の相変化による抵抗値の変化は、下部電極６３と上部電極６８の間にスイッチ７２を介して接続された抵抗測定器７０によって検出した。【０３６３】
第１記録層６５が非晶質相のとき、下部電極６３と上部電極６８の間に、図１５の記録波形９０１を有し、Ｉc1＝５ｍＡ、ｔc1＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層６５が非晶質相から結晶相に転移した。また、第１記録層６５が結晶相のとき、下部電極６３と上部電極６８の間に、図１５の消去波形９０６を有し、Ｉa1＝１０ｍＡ、ｔa1＝１０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層６５が結晶相から非晶質相に転移した。【０３６４】
また、電気的相変化情報記録媒体６１の繰り返し書き換え回数を測定したところ、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７を有する媒体の繰り返し書き換え回数は、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７が無い媒体のそれの１０倍以上であった。これは、第１誘電体層６４、及び第２誘電体層６７が、第１記録層６５への下部電極６３及び上部電極６８からの物質移動を抑制しているためである。【０３６５】
なお、第１記録層４８を、Ｓｂ８０Ｓ２０以外のＳｂ−Ｓ系材料、Ｓｂ−Ｓ−Ｍ系材料（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素）を用いて形成しても、同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０３６６】
本発明の情報記録媒体は、記録した情報を長時間保持できる性質（不揮発性）を有し、高密度の書き換え型の光ディスク等（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等）または電気的メモリとして有用である。
【図１】
2008096680.tif 000010
【図２】
2008096680.tif 000011
【図３】
2008096680.tif 000012
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008096680.tif 000016
【図８】
2008096680.tif 000017
【図９】
2008096680.tif 000018
【図１０】
2008096680.tif 000019
【図１１】
2008096680.tif 000020
【図１２】
2008096680.tif 000021
【図１３】
2008096680.tif 000022
【図１４】
2008096680.tif 000023
【図１５】
2008096680.tif 000024
【図１６】
2008096680.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、レーザ入射側から、第Ｎ情報層、第Ｎ−１情報層、第Ｎ−２情報層・・・第２情報層、第１情報層としたときに、第２〜第Ｎ情報層のうち少なくとも１つが、相変化を生じ得る記録層を含み、前記記録層がＳｂとＳとを含み、かつ下記の式（１）：
ＳｂｘＳ１００−ｘ  （原子％）  （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含み、厚さが２ｎｍ〜９ｎｍの範囲内にある、情報記録媒体。
【請求項２】
前記式において、ｘが、５０≦ｘ≦８０を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９０原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録層が、さらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（２）：
（ＳｂｚＳ１−ｚ）１００−ｙＭ１ｙ  （原子％）  （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ１原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層が、さらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（３）：
（ＳｂａＳ１−ａ）１００−ｂＭ２ｂ  （原子％）  （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項７に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録層が、さらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（４）：
（ＳｂｃＳ１−ｃ）１００−ｄ−ｅＭ１ｄＭ２ｅ  （原子％）  （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、Ｍ１原子およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項９に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
（削除）
【請求項１２】
前記Ｎが２である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
前記Ｎが４である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
（削除）
【請求項１５】
第Ｎ情報層が、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む、請求項１２または１３に記載の情報記録媒体。
【請求項１６】
（削除）
【請求項１７】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、および反射層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１０、１２、１３、１５のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１８】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、反射層、および透過率調整層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１０、１２、１３、１５のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１９】
Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、レーザ入射側から、第Ｎ情報層、第Ｎ−１情報層、第Ｎ−２情報層・・・第２情報層、第１情報層としたときに、第２〜第Ｎ情報層のうち少なくとも１つの情報層が、相変化を生じ得る記録層を含み、前記記録層がＳｂとＳとを含む記録層である、情報記録媒体の製造方法であって、
前記記録層をスパッタリング法により形成する工程を含む情報層の形成工程を含み、前記記録層の形成工程において、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを用い、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（１）：
ＳｂｘＳ１００−ｘ  （原子％）  （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含み、かつ、２ｎｍ〜９ｎｍの範囲内にある厚さを有する、情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（２）：
（ＳｂｚＳ１−ｚ）１００−ｙＭ１ｙ  （原子％）  （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（３）：
（ＳｂａＳ１−ａ）１００−ｂＭ２ｂ  （原子％）  （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（４）：
（ＳｂｃＳ１−ｃ）１００−ｄ−ｅＭ１ｄＭ２ｅ  （原子％）  （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１９に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
（削除）
【請求項２４】
前記Ｎが２である請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記Ｎが４である請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
（削除）
【請求項２７】
基板を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む前記情報層の形成工程が少なくとも、反射層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程、および第２の誘電体層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１９〜２２、２４、２５のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２８】
基板を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記ＳｂとＳと含む記録層の形成工程を含む前記情報層の形成工程が少なくとも、第２の誘電体層の形成工程、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、および反射層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１９〜２２、２４、２５のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記反射層の形成工程の前または後に、透過率調整層の形成工程を実施することをさらに含む、請求項２７または２８に記載の情報記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームの照射または電気エネルギーの印加によって情報の記録および再生を行う情報記録媒体、ならびにその製造に使用するスパッタリングターゲットおよび成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から情報記録媒体として、記録層を相変化材料で形成する、相変化情報記録媒体がある。相変化情報記録媒体の中でも、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書換、および再生するものは、光学的相変化情報記録媒体（以下では光記録媒体と記す）と呼ばれる。光記録媒体への情報の記録は、レーザビームの照射によって発生する熱により、相変化材料を、例えば、結晶相と非晶質相との間で状態変化させることによって行われる。また、情報の再生は、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出することにより行う。
【０００３】
光記録媒体のうち、情報の消去および書き換えが可能な書き換え型光記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は結晶相である。情報を記録する場合には、高パワーのレーザビームを照射して記録層を溶融し、その後、急激に冷却することによってレーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時のパワーに比べて、より低パワーのレーザビームを照射して記録層を昇温し、その後、ゆっくりと冷却することによってレーザ照射部を結晶相にする。また、高パワーと低パワーとでパワー変調させたレーザビームを記録層に照射することで、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録すること、すなわち書き換えが可能である。
【０００４】
消去または書き換えを高速で行うためには、短時間で、非晶質相を結晶相へと変化させる必要がある。つまり、書き換え型光記録媒体において、高い消去性能を実現するためには、記録層を、結晶化速度の高い相変化記録材料によって形成することが必要となる。
【０００５】
このような書き換え型光記録媒体は、基板上に、記録層に加えて、誘電体層、反射層、および界面層等を適宜設けた構成を有する。誘電体層は繰り返し記録する際の記録層の蒸発および基板の熱変形を防止し、また、光学干渉効果により記録層の光吸収および光学的変化を効率よく生じさせる等の目的で設けられうる。誘電体層は、記録層の両側に配置される。反射層は照射されるレーザビームを効率良く使うこと、および、冷却速度を向上させて記録層を非晶質相にし易くする目的で設けられる。反射層は、通常、レーザビーム照射側から見て、記録層の奥に、反射層と記録層が誘電体層を挟むように、配置される。界面層は必要に応じて、記録層と誘電体層との間に配置され、記録層と誘電体層の間の原子および分子の相互拡散を防止する目的で設けられる。
【０００６】
公知の相変化材料の例として、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、およびＧｅＴｅ−ＳｎＴｅなどが挙げられる。特に、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3は結晶化速度が高いので、これを用いて書き換え型光記録媒体の記録層を形成すると、優れた消去性能が得られる（特許文献１参照）。
【０００７】
また、書き換え型光記録媒体を大容量化するために、２つの情報層を１つの光記録媒体に設ける手法が報告されている（特許文献２参照）。情報は、２つの情報層のそれぞれに、媒体の片側から入射するレーザビームによって記録することができる。再生も同様である。よって、２つの情報層を有する光記録媒体の記録容量は、１つのみ情報層を有する光記録媒体の記録容量のほぼ２倍にすることができる。
【０００８】
この２つの情報層を有する書き換え型光記録媒体において、入射側から遠い情報層（以下、第１情報層とも呼ぶ）の記録および再生は、入射側の情報層（以下、第２情報層とも呼ぶ）を透過したレーザビームによって行われる。従って、第２情報層はできるだけ高い透過率を有することが好ましい。相変化材料は一般に消衰係数が大きいため、記録層の透過率を高くするには、第２情報層の記録層の厚さは薄いほうが良い。
【０００９】
また、大容量化のために情報層の数を増やし、例えば３つまたは４つの情報層を有する光記録媒体を実現するためには、入射側の情報層（第３情報層、または第４情報層）の透過率をさらに上げなければならず、記録層の厚さはさらに薄くする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開昭６３−２２５９３５号公報
【特許文献２】特開２０００−３６１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来のＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3記録層においては、透過率を高めるために厚さを薄くすると、結晶化速度が低下し、消去性能が大きく低下するという問題があった。一方で、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3記録層においてＢｉ2Ｔｅ3の割合を多くすると、結晶化速度が上がり、消去性能は高められるが、非晶質相が不安定になり、信号の信頼性が低下するという問題もあった。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するものであり、結晶化速度が速く、かつ非晶質相も安定な、優れた記録層を有する情報記録媒体、およびその製造方法、ならびにそのような記録層を形成するのに用いられるスパッタリングターゲットおよび成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、相変化を生じ得る記録層を含む情報層を含む情報記録媒体であって、前記記録層がＳｂとＳとを含み、かつ下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む情報記録媒体を提供する。
【００１４】
また、本発明は、上記本発明の情報記録媒体の製造方法として、相変化を生じ得る、ＳｂとＳとを含む記録層をスパッタリング法により形成する工程を含む情報層の形成工程を含む情報記録媒体の製造方法であって、前記記録層の形成工程において、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを用い、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、製造方法を提供する。
【００１５】
本発明はまた、上記本発明の情報記録媒体の記録層の成膜に用いるのに適したスパッタリングターゲットとして、ＳｂとＳとを含み、下記の式（１１）：
ＳｂＸＳ100-Ｘ    （原子％）    （１１）
（添え字Ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦Ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、スパッタリングターゲットを提供する。
【００１６】
本発明はさらにまた、電源、排気口およびガス供給口を有する真空容器、前記排気口を介して前記真空容器に接続された真空ポンプ、前記真空容器内に配置された陽極および陰極、および前記陽極に接続されたスパッタリングターゲットを含む成膜装置であって、前記スパッタリングターゲットが、前記本発明のスパッタリングターゲットである、成膜装置を提供する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の情報記録媒体は、高い消去率を示し、記録再生特性に優れ、かつ高い信号信頼性を示す媒体である。また、本発明の情報記録媒体の製造方法は、本発明の情報記録媒体を容易に製造することを可能にする。さらに、本発明のスパッタリングターゲットおよび成膜装置によれば、本発明の情報記録媒体を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図２】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図３】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図４】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図５】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図６】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図７】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図８】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図９】本発明の情報記録媒体の一構成例の断面図
【図１０】本発明の情報記録媒体の記録再生装置の一例の概略図
【図１１】本発明の情報記録媒体の記録再生に用いる記録パルス波形の一例の概略図
【図１２】本発明の情報記録媒体、及び電気的情報記録再生装置の構成の一部を模式的に示す図
【図１３】本発明の大容量の電気的情報記録媒体の構成の一部を模式的に示す図
【図１４】本発明の電気的情報記録媒体とその記録再生システムの構成の一部を模式的に示す図
【図１５】本発明の電気的情報記録媒体に適用される記録・消去パルス波形の一例を示す図
【図１６】本発明の情報記録媒体を製造する成膜装置の一部を模式的に示す図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態において、同一の要素に同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００２０】
（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の情報記録媒体（以下、「記録媒体」または「媒体」と呼ぶことがある）の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体１１の部分断面図を図１に示す。情報記録媒体１１は、光記録媒体であり、情報はレーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【００２１】
情報記録媒体１１は、基板２１上に、情報層４０および透明層２３がこの順に設けられた構成を有する。透明層２３は、基板２１よりも薄い厚さを有する。図示した形態において、レーザビームは、透明層２３の側から入射する。
【００２２】
レーザビーム３１の波長λが短いほど、対物レンズ３２によって小さなスポット径に集光できる。しかし、波長λが短すぎると、透明層２３などによるレーザビーム３１の光吸収が大きくなる。そのため、レーザビームの波長λは３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００２３】
図１に示すように、情報層４０においては、基板２１に近い側から、反射層４０２、第１の誘電体層４０４、記録層４０６及び第２の誘電体層４０８がこの順に設けられている。また必要に応じて、図２に示すように、反射層４０２と第１の誘電体層４０４との間に反射層側界面層４０３を、第１の誘電体層４０４と記録層４０６の間に第１の界面層４０５を、第２の誘電体層４０８と記録層４０６の間に第２の界面層４０７を設けてもよい。
【００２４】
この情報記録媒体１１への情報の記録は、透明層２３側からレーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し、情報層４０の記録層４０６に照射して行う。この情報記録媒体１１に記録された情報も、同様にレーザビームを照射して行う
【００２５】
基板２１は円盤形状を有し、情報層４０と透明層２３を保持するために用いられ、それらの層を形成するときの支持体として機能する。基板２１の情報層４０と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２１の情報層４０と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２１は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２１の材料として好ましい。
【００２６】
次に、情報層４０を構成する各層について説明する。
記録層４０６の材料は、レーザビーム３１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を生じる材料である。本発明においては、記録層４０６の材料として、ＳｂとＳとを含む材料を用いる。記録層４０６がＳｂのみで構成されると、非晶質相が不安定になり信号の信頼性が低下してしまう。ＳｂにＳを加えることにより非晶質相を安定化できる。また、ＳｂにＳを加えることにより、記録層４０６の透過率を高くすることができる。
【００２７】
具体的には、記録層４０６の厚さが７ｎｍの場合の結晶化温度をＴｘ（室温において非晶質相の相変化材料４０６を５０℃／ｍｉｎで緩やかに昇温させたときに、相変化材料が結晶相に相変化する温度）とすると、記録層４０６がＳｂのみから成るときにはＴｘ＝１００℃であるのに対し、記録層４０６がＳｂ８０Ｓ２０（添え字は、原子％で表される組成比）から成るときにはＴｘ＝２００℃となり、Ｓｂのみから成る記録層に比べ非晶質相が安定する。
【００２８】
また、ＳｂとＳとの組み合わせにおいて、Ｓｂが５０原子％未満になると、結晶化速度が低すぎて、書き換え型光記録媒体として実用可能な消去性能が得られない。そのため、記録層４０６において、ＳｂとＳは、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料として含まれることが好ましい。ｘが９８を超えると、ＳｂにＳを添加することによる効果が得られない。ｘは、より好ましくは、６０≦ｘ≦８０を満たす。この式は、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１００原子％としたときの組成比を示すものである。よって、記録層４０６は、ＳｂおよびＳ以外の元素を含んでよい。
【００２９】
記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、ＳｂおよびＳ以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとから実質的に成るといえる。ＳｂおよびＳ以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。
【００３０】
記録層４０６の材料として、ＳｂとＳと、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｉ、ＩｎおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素（Ｍ）とを含むものを用いることができる。これは、先に示したＳｂとＳとを含む材料に、前記のＭで表される元素を加えることにより、結晶化速度の調節および非晶質相の安定性の調節が可能となることによる。例えば、ＳｎまたはＢｉを、ＳｂとＳとから成る材料に添加すると、材料の結晶化速度が高くなる。また、Ｉｎ、ＧｅおよびＭｎはそれぞれ、ＳｂとＳとから成る材料に添加すると、材料の非晶質相を安定化できる。
【００３１】
Ｍの種類に応じて、その好ましい添加量は異なる。ここでは、上記五つの元素を、Ｇｅ、ＩｎおよびＳｎがＭ１という群に属し、ＢｉおよびＭｎがＭ２という群に属するように、分けることが好ましい。記録層４０６は、Ｍ１を含む場合には、記録層４０６は、下記の式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含むことが好ましい。
【００３２】
上記式（２）において、Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である。Ｍ１として、二つの元素（例えば、ＧｅおよびＳｎ、またはＩｎおよびＳｎ）が含まれてよく、三つの元素が含まれてよい。ｚおよびｙは、０．５≦ｚ≦０．９８かつ２≦ｙ≦２０を満たすことがより好ましく、０．６≦ｚ≦０．８かつ５≦ｙ≦２０を満たすことがさらにより好ましい。
【００３３】
記録層４０６が上記式（２）の材料を含む場合、記録層は、より好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ１原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、ＳおよびＭ１以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ１とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、ＳおよびＭ１以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。
【００３４】
記録層４０６がＭ２を含む場合、記録層４０６は、下記の式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含むことが好ましい。上記式において、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である。Ｍ２として、ＢｉおよびＭｎの両方が含まれてよい。ｂは、より好ましくは、２≦ｂ≦１０を満たす。
【００３５】
記録層４０６が上記式（３）の材料を含む場合、記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ２原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、ＳおよびＭ２以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ２とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、ＳおよびＭ２以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。
【００３６】
あるいは、記録層４０６は、Ｍ１およびＭ２の両方を含み、下記の式（４）：
（ＳｂcＳ1-c）100-d-eＭ１dＭ２e    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含んでよい。
【００３７】
記録層４０６が上記式（４）の材料を含む場合、記録層は、好ましくは、Ｓｂ原子とＳ原子とＭ１原子とＭ２原子とから実質的に成る。ここで、「実質的に」という用語は、不可避的に少量の他の元素（例えば、スパッタリング中の雰囲気ガスに含まれる元素等）が含まれることを考慮して使用している。より具体的には、記録層を構成する全原子のうち、Ｓｂ、Ｓ、Ｍ１およびＭ２以外の原子の割合が１０原子％未満であるときには、その記録層は、ＳｂとＳとＭ１とＭ２とから実質的に成るといえる。Ｓｂ、Ｓ、Ｍ１およびＭ２以外の原子の割合は、より好ましくは、１原子％未満である。
【００３８】
記録層４０６は、非晶質相がレーザビーム照射時に容易に結晶相に変化できることが好ましく、かつレーザビーム非照射時には結晶相に変化しないことが好ましい。記録層４０６の厚さが小さすぎると、十分な反射率及び反射率変化が得られなくなる。また、記録層４０６の厚さが大きすぎると、熱容量が大きくなるため記録感度が低下する。そのため、記録層４０６の厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜１２ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
反射層４０２は、記録層４０６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４０６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを有する。反射層４０２の材料として、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、およびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素を含むものを用いることができる。例えば、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｒ、Ａｕ−ＣｒまたはＡｇ−Ｉｎ等の合金を、反射層４０２の材料として用いることができる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層４０２の材料として好ましい。反射層４０２の厚さが大きいほど、熱拡散機能はより強化される。しかし、反射層４０２の厚さが大きすぎると、熱が過度に拡散されて、記録層４０６の記録感度が低下する。そのため、反射層４０２の厚さは、３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、７０ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４０】
第１の誘電体層４０４は、記録層４０６と反射層４０２との間にあり、記録層４０６から反射層４０２への熱拡散を調節する熱的な機能、ならびに反射率および吸収率などを調節する光学的な機能を有する。第１の誘電体層４０４の材料としては、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ＺｎＳ、およびＣｄＳ等の硫化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選択される２種類以上の化合物の混合物、例えばＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、およびＳｎＯ2−ＳｉＣを用いることができる。特にＺｎＳ−ＳｉＯ2は第１の誘電体層の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。
【００４１】
第１の誘電体層４０４の厚さが大きすぎると、反射層４０２の冷却効果が弱くなり、記録層４０６からの熱拡散が小さくなるため、記録層が非晶質化しにくくなる。また、第１の誘電体層４０４の厚さが小さすぎると、反射層４０２の冷却効果が強くなり、記録層４０６からの熱拡散が大きくなって、感度が低下する。そのため、第１の誘電体層４０４の厚さは、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４２】
反射層側界面層４０３は、反射層４０２が、第１の誘電体層４０４の材料によって腐食または破壊されるのを防ぐように作用する。具体的には反射層４０２がＡｇを含み、かつ、第１の誘電体層４０４がＳを含む（例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2を含む）とき、反射層側界面層４０３は、ＡｇとＳの反応に起因する反射層４０２の腐食を防ぐ。
【００４３】
反射層側界面層４０３の材料としては、Ａｇ以外の金属、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。また、反射層側界面層４０３の材料としては、Ｓを含まない誘電体材料を用いることができる。そのような材料は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選ばれる２種類以上の化合物の混合物、例えばＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ2、ＨｆＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、およびＳｎＯ2−ＳｉＣである。または、Ｃなどを用いて反射層側界面層４０３を形成してよい。
【００４４】
反射層側界面層４０３の厚さは大きすぎると、第１の誘電体層４０４の熱的及び光学的な働きが妨げられ、また、小さすぎると、反射層４０２の腐食および破壊が十分に防止されないことがある。そのため、反射層側界面層４０３の厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４５】
第１の界面層４０５は、繰り返しの記録によって、第１の誘電体層４０４と記録層４０６との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。第１の界面層４０５は、記録の際に溶融しない程度の高い融点を有し、記録層４０６との密着性が良い材料で形成することが好ましい。第１の界面層４０５の材料は、例えば、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2、およびＤｙＯ2等の酸化物、ＺｎＳおよびＣｄＳ等の硫化物、ならびにＳｉＣなどの炭化物から選ばれる１種類の化合物またはこれらの化合物から選ばれる２種類以上の化合物の混合物、例えば、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｇａ2Ｏ3、ＨｆＯ2−ＳｉＯ3−Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2−ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2−ＳｉＣを用いることができる。またはＣなどである。特にＧａ2Ｏ3、ＺｎＯおよびＩｎ2Ｏ3などが第１の界面層４０５の材料として好ましい。これらは、記録層４０６との密着性が良いことによる。
【００４６】
第１の界面層４０５の厚さが小さすぎると、界面層としての効果が発揮されなくなり、大きすぎると、第１の誘電体層４０４の熱的および光学的な働きが妨げられる。そのため、第１の界面層４０５の厚さは、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４７】
第２の誘電体層４０８は、記録層４０６よりもレーザビーム入射側により近い位置に存在する。第２の誘電体層４０８は、記録層４０６の腐食および変形などを防止する機能と、反射率および吸収率などを調整する光学的な機能とを有する。また、第２の誘電体層４０８の材料の例は、第１の誘電体層４０４の材料として挙げた例と同様である。特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2は第２の誘電体層の材料として優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、成膜速度が速く、透明であり、機械特性および耐湿性が良好であることによる。
【００４８】
第２の誘電体層４０８の厚さが大きすぎると、記録層４０６の腐食および変形などを防止する機能が低下する。また、第２の誘電体層４０８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４０６が結晶相である場合と非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。第２の誘電体層４０８の厚さは、２０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００４９】
第２の界面層４０７は、第１の界面層４０５と同様に、繰り返し記録によって第２の誘電体層４０８と記録層４０６との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。従って、第２の界面層４０７は、第１の界面層４０５と同様の性能を有するように、第１の界面層４０５の材料として例示した材料で形成されることが好ましい。
【００５０】
第２の界面層４０７の厚さは、第１の界面層４０５と同様に、０．３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましく、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５１】
上記、反射層４０２、第１の誘電体層４０４、記録層４０６及び第２の誘電体層４０８を設け、さらに必要に応じて反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７を設けることによって情報層４０は構成される。
【００５２】
透明層２３は、情報層４０のレーザビーム３１入射側にあり、情報層４０を保護する。透明層２３は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。透明層２３は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を用いて、形成することができる。また、これらの材料よりなるシートを、透明層２３として用いてもよい。
【００５３】
透明層２３の厚さが小さすぎると、情報層４０を保護する機能が発揮されない。また、透明層２３の厚さが大きすぎると、情報記録媒体１１において、レーザビーム３１入射側から情報層４０までの距離が対物レンズ３２の焦点距離よりも長くなって、レーザビーム３１の焦点を記録層４０６に合わせることができなくなる。ＮＡが０．８５である場合には、透明層の厚さは５μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜１１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５４】
情報記録媒体１１は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に情報層４０を形成する。情報層４０は多層膜から成り、各層（膜）は、順次スパッタリングすることによって形成できる。なお、基板２１を構成する材料によっては、基板２１は高い吸湿性を示すことがあるので、必要に応じて、スパッタリングをする前に水分を除去する基板アニール工程を実施してもよい。
【００５５】
各層は、各層を構成する材料のスパッタリングターゲットを、Ａｒガス、ＫｒガスまたはＸｅガスなどの希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（酸素ガス及び窒素ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成できる。スパッタリング方法としてはＤＣ（直流）スパッタリング法とＲＦ（高周波）スパッタリング法とを必要に応じて使い分ける。通常、ＤＣスパッタリングは、高い成膜レートで実施できるため、好ましく用いられる。しかし、誘電体材料など導電性の低い材料は、ＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできないことがあり、その場合は、ＲＦスパッタリング法が用いられる。導電性の高い誘電体材料、およびスパッタリングターゲット作製時に工夫して導電性を高めた誘電体材料等は、ＤＣスパッタリング法またはパルスＤＣスパッタリング法によってスパッタリングできる。
【００５６】
スパッタリングによって形成される各層の組成は、もとのスパッタリングターゲットの組成と完全には一致しないことがある。例えば、酸化物の場合、スパッタリングによって酸素欠損がおこりやすい。その場合、反応ガスとして酸素ガスを用いることで酸素欠損を補うことができる。スパッタリングターゲットの組成は、スパッタリングによって形成された膜が所望の組成となるように決定される。スパッタリングターゲットの組成と、スパッタリングによって形成された膜の組成は、一致してもよい。
【００５７】
ここで、本発明の情報記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置（成膜装置）の一例を説明する。図１６は、スパッタリング装置を用いて成膜する様子を模式的に示している。図１６に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器６６７に、排気口６６８を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器６６７内で、高真空が保たれる。ガス供給口６６９からは、一定流量のガスが供給される。基板６７１（ここでの基板とは、その表面に膜を堆積させる基材である）は陽極６７０に載置されている。真空容器６６７を接地することにより、真空容器６６７及び基板６７１が陽極に保たれている。
【００５８】
スパッタリングターゲット６７２は、陰極６７３に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源６７４に接続されている。図示した形態において、陰極６７３は水冷される。陽極６７０と陰極６７３との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット６７２から粒子が放出され、基板６７１上に薄膜を形成する。この装置は、情報層を形成する各層を形成するために用いることができ、また、後述する他の形態の媒体を製造するためにも用いることができる。
【００５９】
図示した形態において、情報層４０の形成は、具体的には、基板２１上に反射層４０２を形成することから開始する。反射層４０２は、反射層４０２を構成する金属又は合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＤＣスパッタリングすることにより、形成できる。
【００６０】
続いて、必要に応じて反射層４０２上に、反射層側界面層４０３を形成する。反射層側界面層４０３は、反射層側界面層４０３を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングすることにより、形成する。反射層側界面層４０３の材料が、金属など導電性の高い材料である場合は、ＤＣスパッタリング法を用い、酸化物など導電性の低い材料である場合は、ＲＦスパッタリング法を用いるとよい。
【００６１】
続いて、反射層側界面層４０３上、または、反射層４０２上に、第１の誘電体層４０４を形成する。第１の誘電体層４０４は、第１の誘電体層４０４を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成する。場合により、第１の誘電体層４０４は、ＤＣスパッタリング法により形成してよい。
【００６２】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４０４上に、第１の界面層４０５を形成する。第１の界面層４０５は、第１の界面層４０５を構成する材料からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第１の界面層４０５は、ＤＣスパッタリング法により形成してよい。
【００６３】
続いて、第１の界面層４０５上、または、第１の誘電体層４０４の上に記録層４０６を形成する。記録層４０６は、例えば、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを希ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって形成してよい。具体的には、記録層４０６が上記式（１）で表される材料を含む組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングすることによって、記録層４０６は形成できる。そのようなスパッタリングターゲットは、例えば、ＳｂとＳとを含み、下記の式（１１）：
ＳｂＸＳ100-Ｘ    （原子％）    （１１）
（添え字Ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦Ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含む、スパッタリングターゲットである。
【００６４】
また、記録層４０６を形成するのに用いるスパッタリングターゲットとしては、上記のスパッタリングターゲットに、さらにＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎから選ばれる少なくとも１つの元素を添加したスパッタリングターゲットを用いてもよい。具体的には、記録層４０６が上記式（２）、（３）または（４）で表される材料を含む組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、ＤＣスパッタリングすることによって、記録層４０６は形成できる。そのようなスパッタリングターゲットは、例えば、下記式（１２）〜（１４）で表される材料を含む。
【００６５】
（ＳｂZＳ1-Z）100-YＭ１Y    （原子％）    （１２）
（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｚ≦０．９８を満たし、添え字Ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｙ≦３０を満たす）
【００６６】
（ＳｂAＳ1-A）100-BＭ２B    （原子％）    （１３）
（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ａ≦０．９８を満たし、添え字Ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｂ≦２０を満たす）
【００６７】
（ＳｂCＳ1-C）100-D-EＭ１DＭ２E    （原子％）    （１４）
（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、添え字Ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦Ｃ≦０．９８を満たし、添え字ＤおよびＥは、原子％で示される組成比を表し、０＜Ｄ＜３０、０＜Ｅ≦２０、０＜Ｄ＋Ｅ≦３０を満たす）
【００６８】
あるいは、記録層４０６は、Ｓｂ、Ｓ、Ｍ（但し、ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）、Ｓｂ−Ｓ、Ｓｂ−Ｍ、Ｓ−Ｍ及びＳｂ−Ｓ−Ｍで表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するスパッタリングターゲットの数、ならびに電源の出力に応じて、得られる記録層の組成が決定されることになるので、それらを適宜選択して、形成された膜が所望の組成となるようにスパッタリングする。このように２種以上のスパッタリングターゲットを使用することは、混合物のスパッタリングターゲットを形成するのが困難な場合に有用である。
【００６９】
続いて、必要に応じて、記録層４０６上に、第２の界面層４０７を形成する。第２の界面層４０７は、第２の界面層４０７を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第２の界面層４０７は、ＤＣスパッタリングにより形成してよい。
【００７０】
続いて、第２の界面層４０７上、または、記録層４０６上に第２の誘電体４０８を形成する。第２の誘電体層４０８は、第２の誘電体層４０８を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリングすることによって形成する。場合により、第２の誘電体層４０７は、ＤＣスパッタリングにより形成してよい。
【００７１】
このようにして、基板２１上に情報層４０を形成し、その後、情報層４０上に透明層２３を形成する。透明層２３は、第２情報層４１上に紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、スピンコート法により塗布した後、この樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層２３は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、またはガラス等から成る、円盤状の板またはシートを用いて形成してよい。この場合、透明層２３は、情報層４０上に、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を塗布し、塗布した樹脂に板またはシートを密着させた後、硬化性樹脂を硬化させることによって形成できる。別法として、板またはシートに粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それから板またはシートを第２の誘電体層４０８に密着させることもできる。
【００７２】
情報記録媒体１１の記録層４０６は、通常、成膜したままの状態（アズデポ（as-depo）の状態）では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４０６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【００７３】
以上のようにして、情報記録媒体１１は製造される。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などを用いることも可能である。
【００７４】
（実施の形態２）
実施の形態２として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体１２の部分断面図を図３に示す。情報記録媒体１２は、多層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【００７５】
情報記録媒体１２においては、基板２１上に、第１情報層４１、第２情報層４２・・・第Ｎ−１情報層４８、第Ｎ情報層４９までのＮ個の情報層（ＮはＮ≧２の整数）、及び透明層２３がこの順に設けられている（以下、レーザ入射側とは反対側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）の情報層を第Ｋ情報層と呼ぶ）。情報層と情報層との間には、分離層２２、・・・、２８、２９が設けられている。
【００７６】
情報記録媒体１２では、第Ｎ情報層４９よりも基板２１側にある情報層に到達するレーザビームおよびその反射光は、その情報層よりレーザビーム３１入射側に近い情報層を透過することにより、減衰する。そのため、第１情報層４１、第２情報層４２、・・・及び第Ｎ―１情報層４８は、高い記録感度と高い反射率を有する必要があり、第２情報層４２・・・第Ｎ−１情報層４８及び第Ｎ情報層４９は、高い透過率を有する必要がある。
【００７７】
基板２１及び透明層２３の材料、形状および機能は、実施の形態１で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。
【００７８】
分離層２２、・・・、２８、２９は、情報記録媒体１２の第１情報層４１、第２情報層４２・・・第Ｎ情報層４９のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設ける層である。分離層２２、・・・、２８、２９の厚さは、対物レンズ３２の開口数ＮＡとレーザビーム３１の波長λにより決定される焦点深度以上であることが望ましい。一方、分離層２２、・・・、２８、２９により分離されたすべての情報層は、対物レンズ３２により集光可能な範囲に収まる必要がある。この要求を満たすには、分離層２２、・・・、２８、２９等はある程度薄くする必要がある。仮に、λが４０５ｎｍ、ＮＡが０．８５である場合には、分離層２２、・・・、２８、２９の厚さは、５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７９】
分離層２２、・・・、２８、２９は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。分離層２２、・・・、２８、２９のレーザビーム３１照射側には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。分離層２２、・・・、２８、２９の材料は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等であってよい。
【００８０】
なお、本発明を、図３に示す媒体のように、多層構造の媒体として提供する場合、Ｎ個の情報層のうち少なくとも１つの第Ｋ情報層（Ｋは１≦Ｋ≦Ｎの整数）が相変化を生じ得る記録層を含むものであればよい。例えば、第Ｎ情報層４９のみが、先に実施の形態１の記録層４０６に関連して説明した、ＳｂとＳとを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで表される材料を含む記録層（以下の説明を含む本明細書において、そのような記録層を「ＳｂとＳとを含む記録層」と呼ぶことがある）を含む書き換え型の情報層であってよい。その場合、第１情報層４１から第Ｎ−１情報層４８までのＮ−１個の情報層が、再生専用の情報層、あるいは１回のみ書込み可能な追記型の情報層としてもよい。
【００８１】
あるいは、第Ｎ情報層から第２情報層までのＮ−１個の情報層のうち、少なくとも一つの情報層が、ＳｂとＳを含む記録層を含む、書き換え型の情報層であってよい。ＳｂとＳを含み、上記式（１）〜（４）で示される材料は、高い透過性を有するので、第１情報層以外の情報層（即ち、その情報層を通過した光が別の情報層の記録再生に用いられる情報層）の記録層を構成するのに適している。あるいはまた、すべての情報層が、ＳｂとＳとを含む記録層を有してよい。ＳｂとＳとを含む記録層を媒体において１つだけ設ける場合、ＳｂとＳとを含む記録層は、第Ｎ情報層に含まれることが好ましい。第Ｎ情報層は、最も高い透過率を要するからである。
【００８２】
以下、第Ｎ情報層４９の構成を説明する。
図３に示すように、第Ｎ情報層４９においては、基板２１に近い側から透過率調整層４９１、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、記録層４９６及び第２の誘電体層４９８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４９２と第１の誘電体層４９４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４９４と記録層４９６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４９８と記録層４９６との間に第２の界面層を設けてもよい。図３において、反射層側界面層は、層４９１と４９２との間に、４９３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４９２と４９４との間に、４９５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４９６と４９８との間に、４９７で表される層として示すことができる。
【００８３】
記録層４９６の材料として、実施の形態１の記録層４０６の材料と同様の材料を用いることができる。ＳｂとＳを含む材料は透明性が高いため、記録層４９６の材料として特に適している。また、他の情報層がＳｂとＳとを含む記録層を有する場合には、記録層４９６の材料として、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａ及び（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａのいずれかを含む材料を用いることもできる。記録層４９６の厚さは、第Ｎ情報層４９の透過率を高くするために、１０ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８４】
反射層４９２は、実施の形態１の反射層４０２と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６に吸収される光量を増やすという光学的な機能と、記録層４９６で生じた熱を拡散させるという熱的な機能とを有する。そのため、反射層４９２の材料の例は、実施の形態１で説明した反射層４０２の材料の例と同様である。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層４９２の材料として好ましい。
【００８５】
反射層４９２の厚さは、第Ｎ情報層４９の透過率を高くするために、２０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲内であることがより好ましい。反射層４９２の厚さがこの範囲内にあると、反射層４９２の光学的及び熱的な機能が十分に発揮される。
【００８６】
第１の誘電体層４９４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６から反射層４９２への熱拡散を調節する熱的な機能と、反射率および吸収率等を調節する光学的な機能とを有する。したがって、第１の誘電体層４９４の材料の例は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の材料の例と同様である。
【００８７】
第１の誘電体層４９４の厚さは、光学的及び熱的な機能が十分に発揮されるように、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましく、４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８８】
第２の誘電体層４９８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８と同様な機能を有する。すなわち、記録層４９６の腐食および変形等を防止する機能と、反射率および吸収率等を調整する光学的な機能とを有する。そのため、第２の誘電体層４９８の材料の例は、実施の形態１で説明した第２の誘電体層４０８の材料の例と同様である。第２の誘電体層４９８の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層４９６が結晶相である場合と非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
【００８９】
透過率調整層４９１は誘電体からなり、第Ｎ情報層４９の透過率を調節する機能を有する。この透過率調整層４９１によって、記録層４９６が結晶相である場合の第Ｎ情報層４９の透過率Ｔｃ（％）と、記録層４９６が非晶質相である場合の第Ｎ情報層４９の透過率Ｔａ（％）とを共に高くすることができる。
【００９０】
透過率調整層４９１は、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｇａ2Ｏ3、およびＢｉ2Ｏ3等の酸化物、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、およびＡｌ−Ｎ等の窒化物、ならびにＺｎＳなどの硫化物から選択される１種類の化合物、またはこれらの化合物から選択される２種類以上の化合物の混合物で形成されてよい。透過率調整層４９１の屈折率ｎｔと消衰係数ｋｔは、透過率ＴｃおよびＴａを高めるために、ｎｔ≧２．４、かつ、ｋｔ≦０．１であることが好ましい。この条件を満たす材料として、ＴｉＯ2またはＴｉＯ2を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（ｎｔ＝２．６〜２．８）、消衰係数が小さい（ｋｔ＝０．０〜０．１）ため、これらの材料を用いて形成した透過率調整層４９１は、第Ｎ情報層４９の透過率を効果的に高めることによる。
【００９１】
透過率調整層４９１の厚さが、略λ／８ｎｔ（ただし、λはレーザビーム３１の波長λ、ｎｔは透過率調整層４９１の材料の屈折率）であるときに、透過率ＴｃおよびＴａがより効果的に高められる。仮に、λ＝４０５ｎｍ、ｎｔ＝２．６とした場合には、透過率調整層４９１の厚さは、反射率など他の特性も考慮して、５ｎｍ〜３６ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００９２】
反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態１の反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７と同様の機能を有する。よって、これらの層の材料の例は、それぞれ実施の形態１で説明した、反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７の材料の例と同様である。
【００９３】
情報記録媒体１２は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１上に第１情報層４１から第Ｎ−１情報層４８までのＮ−１個の情報層を、分離層２２、・・・、２８等を介して順次積層する。各情報層は、多層膜から成り、情報層を構成する各層（膜）は、順次スパッタリングすることによって形成できる。また、分離層２２、・・・、２８等は、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を情報層上に塗布し、次に全体を回転させて樹脂を均一に延ばし（スピンコート）、その後、この樹脂を硬化させることによって形成できる。分離層２２、・・・、２８等がレーザビーム３１の案内溝を備える場合、案内溝は、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させ、その状態で樹脂を硬化させた後、基板（型）を剥がすことによって案内溝を形成できる。
【００９４】
このようにして、基板２１上にＮ−１個の情報層を、分離層２２、・・・、２８等を介して積層したのち、第Ｎ−１情報層上に、分離層２９を形成する。
【００９５】
続いて、分離層２９上に第Ｎ情報層４９を形成する。
具体的には、まず分離層２９上に透過率調整層４９１を形成する。透過率調整層４９１は、透過率調整層４９１を構成する材料から成るスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中又は希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＲＦスパッタリング法またはＤＣスパッタリング法によりスパッタリングすることによって形成できる。
【００９６】
続いて、透過率調整層４９１上に、反射層４９２を形成する。反射層４９２は、実施の形態１の反射層４０２を形成する方法と同様の方法で形成できる。
【００９７】
続いて、必要に応じて反射層４９２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態１の反射層側界面層４０３を形成する方法と同様の方法で形成できる。
【００９８】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４９２上に、第１の誘電体層４９４を形成する。第１の誘電体層４９４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４を形成する方法と同様の方法で形成できる。
【００９９】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４９４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態１の第１の界面層４０５の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１００】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４９４の上に記録層４９６を形成する。記録層４９６は、ＳｂおよびＳを含む場合には、実施の形態１の記録層４０６の形成方法と同様の方法で形成できる。記録層４０６が他の材料で形成される場合には、その材料に応じてスパッタリングターゲットを選択して、スパッタリング法により形成してよい。
【０１０１】
続いて、必要に応じて、記録層４９６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態１の第２の界面層４０７の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１０２】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４９６上に第２の誘電体４９８を形成する。第２の誘電体層４９８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１０３】
このようにして、分離層２９上に第Ｎ情報層４９を形成し、その後、第Ｎ情報層４９上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
【０１０４】
情報記録媒体１２の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１０５】
以上のようにして、情報記録媒体１２を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０１０６】
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態２の本発明の多層記録媒体において、Ｎが２である、すなわち２個の情報層によって構成された記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体１３の部分断面図を図４に示す。情報記録媒体１３は、二層光記録媒体であって、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【０１０７】
情報記録媒体１３においては、基板２１上に、第１情報層４１、分離層２２、第２情報層４２及び透明層２３がこの順に設けられている。
【０１０８】
基板２１、分離層２２及び透明層２３それぞれの材料、形状および機能は、実施の形態１及び２で説明したとおりである。
【０１０９】
第２情報層４２は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９と同様の役割を果たす（実施の形態３ではＮ＝２であるため）。そのため、第２情報層４２を構成する各層は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の材料で形成することができる。また、第２情報層４２を構成する各層の形状及び機能は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の形状及び機能と同様である。
【０１１０】
以下、第１情報層４１の構成について説明する。
図４に示すように、第１情報層４１においては、基板２１に近い側から反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を設けてもよい。図４において、反射層側界面層は、層４１２と４１４との間に、４１３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４１４と４１６との間に、４１５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４１６と４１８との間に、４１７で表される層として示すことができる。
【０１１１】
記録層４１６の材料として、実施の形態１の記録層４０６の材料と同様の材料を用いることができる。また、第２の情報層４２がＳｂとＳとを含む記録層を有する場合には、記録層４１６の材料は、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ―Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ―Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ―Ｉｎ）2Ｔｅ3、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｇｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、Ｓｂ−Ｇａまたは（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａであってよい。
【０１１２】
反射層４１２、第１の誘電体層４１４及び第２の誘電体層４１８は、それぞれ実施の形態１の反射層４０２、第１の誘電体層４０４及び第２の誘電体層４０８と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１１３】
また、反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態１の反射層側界面層４０３、第１の界面層４０５及び第２の界面層４０７と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１１４】
情報記録媒体１３は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に第１情報層４１を形成する。
具体的には、まず、基板２１上に、反射層４１２を形成する。反射層４１２は、実施の形態１の反射層４０２の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１１５】
続いて、必要に応じて反射層４１２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態１の反射層側界面層４０３の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１１６】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４１２上に、第１の誘電体層４１４を形成する。第１の誘電体層４１４は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１１７】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４１４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態１の第１の界面層４０５と同様の方法で形成できる。
【０１１８】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４１４の上に、記録層４１６を形成する。記録層４１６は、ＳｂおよびＳを含む場合には、実施の形態１の記録層４０６の形成方法と同様の方法で形成できる。記録層４１６が他の材料で形成される場合には、その材料に応じてスパッタリングターゲットを選択して、スパッタリング法により形成してよい。
【０１１９】
続いて、必要に応じて、記録層４１６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態１の第２の界面層４０７の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２０】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４１６上に第２の誘電体４１８を、形成する。第２の誘電体層４１８は、実施の形態１の第２の誘電体層４０８の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２１】
このようにして、基板２１上に第１情報層４１を形成し、その後、第１情報層４１上に分離層２２を形成する。分離層２２は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１２２】
なお、第２の誘電体層４１８を形成した後、または分離層２２を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１２３】
続いて、分離層２２上に第２情報層４２を形成する。
具体的には、まず分離層２２上に透過率調整層４２１を形成する。透過率調整層４２１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２４】
続いて、透過率調整層４２１上に、反射層４２２を形成する。反射層４２２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２５】
続いて、必要に応じて反射層４２２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２６】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４２２上に、第１の誘電体層４２４を形成する。第１の誘電体層４２４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２７】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４２４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２８】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４２４の上に記録層４２６を形成する。記録層４２６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１２９】
続いて、必要に応じて、記録層４２６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１３０】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４２６上に第２の誘電体４２８を形成する。第２の誘電体層４２８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１３１】
このようにして、分離層２２上に第２情報層４２を形成し、その後、第２情報層４２上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
【０１３２】
情報記録媒体１３の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。あるいは、既に、記録層４１６が初期化されている場合には、第２情報層４２を形成した後に、記録層４２６のみを初期化してよい。
【０１３３】
以上のようにして、情報記録媒体１３を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０１３４】
Ｎが２であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約５０ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約６６ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【０１３５】
（実施の形態４）
実施の形態４として、実施の形態２の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４の情報記録媒体１４の部分断面図を図５に示す。情報記録媒体１４は、４層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【０１３６】
情報記録媒体１４においては、基板２１上に、第１情報層４１、分離層２２、第２情報層４２、分離層２８、第３情報層４３、分離層２９、第４情報層４４及び透明層２３がこの順に設けられている。
【０１３７】
情報記録媒体１２では、第４情報層４４よりも基板２１側にある情報層に到達するレーザビームおよびその反射光は、その情報層よりレーザビーム３１入射側にある情報層を透過することにより減衰してしまう。そのため、第１情報層４１、第２情報層４２及び第３情報層４３は、高い記録感度と高い反射率を有し、かつ、第２情報層４２、第３情報層４３及び第４情報層４４は高い透過率を有する必要がある。
【０１３８】
基板２１、分離層２２、２８、２９及び透明層２３は実施の形態１及び２で説明した材料と同様の材料で形成することができる。また、それらの形状及び機能は、実施の形態１および２で説明したとおりである。
【０１３９】
第１情報層４１を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態３で説明したとおりであるから、その詳細な説明は省略する。
【０１４０】
第４情報層４４は実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９と同様の役割を果たす（実施の形態４ではＮ＝４であるため）。そのため、第４情報層４４を構成する各層は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の材料で形成することができる。また、第４情報層４４を構成する各層の形状及び機能は、実施の形態２で説明した第Ｎ情報層４９を構成する各層の形状及び機能と同様である。
【０１４１】
以下、第２情報層４２及び第３情報層４３の構成について説明する。
第２情報層４２においては、基板２１に近い側から透過率調整層４２１、反射層４２２、第１の誘電体層４２４、記録層４２６及び第２の誘電体層４２８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４２２と第１の誘電体層４２４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を設けてもよい。図５において、反射層側界面層は、層４２２と４２４との間に、４２３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４２４と４２６との間に、４２５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４２６と４２８との間に、４２７で表される層として示すことができる。
【０１４２】
記録層４２６、反射層４２２、第１の誘電体層４２４、第２の誘電体層４２８及び透過率調整層４２１は、それぞれ実施の形態２の記録層４９６、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、第２の誘電体層４９８及び透過率調整層４９１と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１４３】
また、反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態２の反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１４４】
第３情報層４３においては、基板２１に近い側から、透過率調整層４３１、反射層４３２、第１の誘電体層４３４、記録層４３６及び第２の誘電体層４３８がこの順に設けられている。また、必要に応じて、反射層４３２と第１の誘電体層４３４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層を設けてもよい。図５において、反射層側界面層は、層４３２と４２４との間に、４３３で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４３４と４３６との間に、４３５で表される層として示すことができ、第２の界面層は、層４３６と４３８との間に、４３７で表される層として示すことができる。
【０１４５】
記録層４３６、反射層４３２、第１の誘電体層４３４、第２の誘電体層４３８及び透過率調整層４３１は、それぞれ実施の形態２の記録層４９６、反射層４９２、第１の誘電体層４９４、第２の誘電体層４９８及び透過率調整層４９１と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１４６】
また、反射層側界面層４３３、第１の界面層及び第２の界面層は、それぞれ実施の形態２の反射層側界面層、第１の界面層及び第２の界面層と同様の機能を有し、同様の材料で形成することができる。
【０１４７】
この形態の媒体においては、第２情報層４２から第４情報層４４までの３つの情報層のうち、いずれか１つの情報層に含まれる記録層が、ＳｂおよびＳを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。その理由は実施の形態２に関連して説明したとおりである。
【０１４８】
情報記録媒体１４は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２１（厚さは例えば１．１ｍｍ）上に第１情報層４１を形成する。
具体的には、基板２１上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。
【０１４９】
このようにして、基板２１上に第１情報層４１を形成し、その後、第１情報層４１上に分離層２２を形成する。分離層２２は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１５０】
第２の誘電体層４１８を形成した後、または分離層２２を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１５１】
続いて、分離層２２上に第２情報層４２を形成する。
具体的には、まず、分離層２２上に透過率調整層４２１を形成する。透過率調整層４２１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５２】
続いて、透過率調整層４２１上に、反射層４２２を形成する。反射層４２２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５３】
続いて、必要に応じて反射層４２２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層と同様の方法で形成できる。
【０１５４】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４２２上に、第１の誘電体層４２４を形成する。第１の誘電体層４２４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５５】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４２４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５６】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４２４の上に、記録層４２６を形成する。記録層４２６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５７】
続いて、必要に応じて、記録層４２６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５８】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４２６上に、第２の誘電体４２８を形成する。第２の誘電体層４２８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１５９】
このようにして、分離層２２上に第２情報層４２を形成し、その後、第２情報層４２上に分離層２８を形成する。分離層２８は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１６０】
なお、第２の誘電体層４２８を形成した後、または分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１６１】
続いて、分離層２８上に第３情報層４３を形成する。
具体的には、まず分離層２８上に透過率調整層４３１を形成する。透過率調整層４３１は、実施の形態２の透過率調整層４９１の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６２】
続いて、透過率調整層４３１上に、反射層４３２を形成する。反射層４３２は、実施の形態２の反射層４９２の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６３】
続いて、必要に応じて反射層４３２上に、反射層側界面層を形成する。反射層側界面層は、実施の形態２の反射層側界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６４】
続いて、反射層側界面層上、または、反射層４３２上に、第１の誘電体層４３４を形成する。第１の誘電体層４３４は、実施の形態２の第１の誘電体層４９４の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６５】
続いて、必要に応じて、第１の誘電体層４３４上に、第１の界面層を形成する。第１の界面層は、実施の形態２の第１の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６６】
続いて、第１の界面層上、または、第１の誘電体層４３４の上に記録層４３６を形成する。記録層４３６は、実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６７】
続いて、必要に応じて、記録層４３６上に、第２の界面層を形成する。第２の界面層は、実施の形態２の第２の界面層の形成方法と同様の方法で形成できる。
【０１６８】
続いて、第２の界面層上、または、記録層４３６上に第２の誘電体４３８を形成する。第２の誘電体層４３８は、実施の形態２の第２の誘電体層４９８と同様の方法で形成できる。
【０１６９】
このようにして、分離層２８上に第３情報層４３を形成し、その後、第３情報層４３上に分離層２９を形成する。分離層２９は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１７０】
なお、第２の誘電体層４３８を形成した後、または分離層２９を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４３６を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。
【０１７１】
続いて、分離層２９上に第４情報層４４を形成する。
具体的には、分離層２９上に、透過率調整層４４１、反射層４４２、第１の誘電体層４４４、記録層４４６及び第２の誘電体層４４８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４４２と第１の誘電体層４４４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４４４と記録層４４６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４４８と記録層４４６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
【０１７２】
このようにして、分離層２９上に第４情報層４４を形成し、その後、第４情報層４４上に透明層２３を形成する。透明層２３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
【０１７３】
なお、情報記録媒体１４の各記録層は、通常、形成したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程をおこなっても良い。あるいは、既に、記録層４１６、４２６、および４３６が初期化されている場合には、第４情報層４４を形成した後に、記録層４４６のみを初期化してよい。
【０１７４】
以上のようにして、情報記録媒体１４を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０１７５】
Ｎが４であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約１３３ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【０１７６】
実施の形態３および４として、Ｎ＝２および４の媒体を説明した。Ｎは３であってもよい。Ｎ＝３の媒体は、図４に示される層のうち、基板２１、第１情報層４２、分離層２２、第２情報層４２、分離層２８、第３情報層４３および透明層２３から構成される。Ｎ＝３の媒体においては、第２情報層および第３情報層のうち、いずれか一方または両方に含まれる記録層が、前記ＳｂおよびＳを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。また、レーザビーム入射側に最も近い第３情報層に含まれる記録層のみが、前記ＳｂおよびＳを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む記録層である場合にも、本発明の効果を十分に得ることができる。
【０１７７】
Ｎが３であり、波長４０５ｎｍ付近の青紫色域のレーザ光が記録再生に使用され、１情報層あたりの容量が約２５ＧＢであれば、約７５ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。あるいは、記録密度を高めて１情報層あたりの容量を約３３ＧＢにすれば、約１００ＧＢの容量を有する情報記録媒体を得ることができる。
【０１７８】
（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の情報記録媒体１５の部分断面図を図６に示す。情報記録媒体１５は、光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生できる。
【０１７９】
情報記録媒体１５は、基板２４上に積層した情報層４０とダミー基板２６が、接着層２７を介して密着している構成である。
【０１８０】
基板２４及びダミー基板２６は透明で円盤形状を有している。基板２４の情報層４０と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２４の情報層４０と接しない表面、及びダミー基板の接着層２７と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２４及びダミー基板２６は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２４及びダミー基板２６の材料として好ましい。
【０１８１】
接着層２７は、レーザビーム３１に対して小さい光吸収を有することが好ましい。接着層２７は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）、遅効性熱硬化性樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として、形成することができる。
【０１８２】
情報層４０を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態１で説明したとおりであるから、その詳細な説明は省略する。その他、実施の形態１で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。
【０１８３】
情報記録媒体１５は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、情報層４０を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４０８、記録層４０６、第１の誘電体層４０４及び反射層４０２をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４０８と記録層４０６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４０４と記録層４０６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４０４と反射層４０２との間に反射層側界面層を形成してもよい。図５において、第２の界面層は、層４０８と４０６との間に、４０７で表される層として示すことができ、第１の界面層は、層４０６と４０４との間に、４０５で表される層として示すことができ、反射層側界面層は、層４０２と４０４との間に、４０３で表される層として示すことができる。これらの各層は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
【０１８４】
次に、情報層４０が積層された基板２４とダミー基板２６（厚さが例えば０．６ｍｍ）とを、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を、ダミー基板２６上にスピンコート法により塗布し、情報層４０が積層された基板２４をダミー基板２６上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で、実施してよい。別法として、ダミー基板２６上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、ダミー基板２６を情報層４０が積層された基板２４に密着させることもできる。
【０１８５】
情報記録媒体１５の記録層４０６は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態である。よって、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４０６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１８６】
以上のようにして、情報記録媒体１５を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０１８７】
（実施の形態６）
実施の形態６として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態６の情報記録媒体１６の部分断面図を図７に示す。情報記録媒体１６は、多層光記録媒体であり、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【０１８８】
情報記録媒体１６は、基板２４上に、順次積層された、第Ｎ情報層４９、第Ｎ−１情報層４８・・・第２情報層４２までのＮ−１個の情報層（ＮはＮ≧２の整数）と、基板２５上に積層された第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。情報層と情報層との間には、分離層２９、２８・・・等が介在している。
【０１８９】
基板２５は、透明で、円盤形状を有している。基板２５の第１情報層４１と接する表面には、レーザビーム３１を導くための案内溝が形成されていてもよい。基板２５の第１情報層４１と接しない表面は、平滑であることが好ましい。基板２５は、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、ガラス、あるいはこれらを適宜組み合わせたもの等を材料として用いて、形成することができる。特に、ポリカーボネート樹脂は、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、基板２５の材料として好ましい。
【０１９０】
その他、実施の形態２及び５で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。
【０１９１】
情報記録媒体１６は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第Ｎ情報層４９を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４９８、記録層４９６、第１の誘電体層４９４、反射層４９２及び透過率調整層４９１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４９８と記録層４９６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４９４と記録層４９６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４９４と反射層４９２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。その後、第Ｎ−１情報層４８から第２情報層４２を、分離層２９、２８・・・等を介して順次積層する。
【０１９２】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。情報層は、一般に多層膜からなり、情報層４１を構成する各層（膜）は、実施の形態２と同様、成膜装置内で、各層を構成するのに適したスパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成できる。
【０１９３】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。
【０１９４】
情報記録媒体１６の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるから、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０１９５】
以上のようにして、情報記録媒体１６を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０１９６】
（実施の形態７）
実施の形態７として、実施の形態６の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎが２である、すなわち２個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態７の情報記録媒体１７の部分断面図を図８に示す。情報記録媒体１７は、２層光記録媒体であって、情報は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、記録再生される。
【０１９７】
情報記録媒体１７は、基板２４上に積層した第２情報層４２と、基板２５上に積層した第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。
【０１９８】
第１情報層４１及び第２情報層４２を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態３で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。その他、実施の形態３、５及び６で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。
【０１９９】
情報記録媒体１７は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層４２を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４２８、記録層４２６、第１の誘電体層４２４、反射層４２２及び透過率調整層４２１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４２４と反射層４２２との間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。
【０２００】
透過率調整層４２１を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２０１】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。具体的には、基板２５上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態３で説明した方法で形成できる。
【０２０２】
第２の誘電体層４１８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２０３】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。
【０２０４】
情報記録媒体１７の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるので、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層を結晶化する初期化工程を行ってもよい。予め、記録層４１６および４２６が初期化されている場合には、貼り合わせの後に初期化工程を実施する必要はない。
【０２０５】
以上のようにして、情報記録媒体１７を製造できる。なお、本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０２０６】
Ｎが２である媒体は、先に実施の形態７に関連して説明したとおり、例えば、約５０ＧＢの容量を有することができ、あるいは約６６ＧＢの容量を有することができる。
【０２０７】
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態６の本発明の多層情報記録媒体において、Ｎが４である、すなわち４個の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態８の情報記録媒体１８の部分断面図を図９に示す。情報記録媒体１８は、レーザビーム３１を対物レンズ３２で集光し照射することによって、情報の記録再生が可能な４層光記録媒体である。
【０２０８】
情報記録媒体１８は、基板２４上に積層した第４情報層４４、第３情報層４３及び第２情報層４２と、基板２５上に積層した第１情報層４１とが、接着層２７を介して密着している構成である。第４情報層４４と第３情報層４３との間には、分離層２９が設けられ、第３情報層４３と第２情報層との間には、分離層２８が設けられている。
【０２０９】
第１情報層４１、第２情報層４２、第３情報層４３及び第４情報層４４を構成する各層の材料、形状および機能は、実施の形態４で説明したとおりであるから、ここではその詳細な説明を省略する。その他、実施の形態４、５、６及び７で用いた符号と同じ符号を付した要素については、その説明を省略する。
【０２１０】
情報記録媒体１８は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板２４（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第４情報層４４を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４４８、記録層４４６、第１の誘電体層４４４、反射層４４２及び透過率調整層４４１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４４８と記録層４４６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４４４と記録層４４６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４４４と反射層４４２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連してで説明した方法により形成できる。
【０２１１】
続いて、透過率調整層４４１上に、実施の形態４に関連して説明した方法により分離層２９を形成する。
【０２１２】
透過率調整層４４１を形成した後、または分離層２９を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４４６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２１３】
続いて、分離層２９上に第３情報層４３を形成する。具体的には、分離層２９上に、第２の誘電体層４３８、記録層４３６、第１の誘電体層４３４、反射層４３２及び透過率調整層４３１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４３８と記録層４３６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４３４と記録層４３６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４３４と反射層４３２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。
【０２１４】
続いて、透過率調整層４３１上に、実施の形態４に関連して説明した方法により、分離層２８を形成する。
【０２１５】
透過率調整層４３１を形成した後、または分離層２８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４３６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２１６】
続いて、分離層２８上に第２情報層４２を形成する。具体的には、基板２４上に、第２の誘電体層４２８、記録層４２６、第１の誘電体層４２４、反射層４２２及び透過率調整層４２１をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて、第２の誘電体層４２８と記録層４２６との間に第２の界面層を、第１の誘電体層４２４と記録層４２６との間に第１の界面層を、第１の誘電体層４２４と反射層４２２の間に反射層側界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。
【０２１７】
透過率調整層４２１を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４２６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２１８】
別に、基板２５（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層４１を形成する。具体的には、基板２５上に、反射層４１２、第１の誘電体層４１４、記録層４１６及び第２の誘電体層４１８をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて反射層４１２と第１の誘電体層４１４との間に反射層側界面層を、第１の誘電体層４１４と記録層４１６との間に第１の界面層を、第２の誘電体層４１８と記録層４１６との間に第２の界面層を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態４に関連して説明した方法により形成できる。
【０２１９】
第２の誘電体層４１８を形成した後、必要に応じてレーザビームを照射する等して、記録層４１６を結晶化する初期化工程を行ってもよい。
【０２２０】
最後に、情報層が積層された基板２４及び基板２５を、接着層２７を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、紫外線硬化性樹脂（例えば、アクリル系樹脂およびエポキシ系樹脂）または遅効性熱硬化性樹脂を、基板２５上に積層された第１情報層４１にスピンコート法により塗布して、第２情報層４２が積層された基板２４を第１情報層４１上に密着させ、その後樹脂を硬化させる方法で実施してよい。別法として、第１情報層４１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、第１情報層４１を第２情報層４２が積層された基板２４に密着させることもできる。
【０２２１】
情報記録媒体１８の各記録層は、通常、成膜したままの状態では非晶質状態であるため、必要に応じてレーザビームを照射する等して結晶化する初期化工程を行ってもよい。予め、記録層４１６、４２６、４３６および４４６が初期化されている場合には、貼り合わせの後に初期化工程を実施する必要はない。
【０２２２】
以上のようにして、情報記録媒体１８を製造できる。本実施の形態においては、情報層を構成する各層の形成方法としてスパッタリング法を用いた。形成方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＭＢＥ法などを用いることも可能である。
【０２２３】
また、本実施の形態においては第２情報層４２と第１情報層４１の間に接着層２７を用いて、基板２４及び基板２５を貼り合わせた。接着層の位置、すなわち貼り合わせる位置はこれに限定されない。
【０２２４】
例えば、基板２４上に、分離層２９を介して第４情報層４４及び第３情報層４３を積層し、基板２５上に分離層（その位置は図９の接着層２７の位置である）を介して第１情報層４１及び第２情報層４２を積層し、その後、第３情報層４３と第２情報層４２との間に接着層（その位置は図９の分離層２８の位置である）を用いて、基板２４及び基板２５を貼り合わせてもよい。
【０２２５】
Ｎが４である媒体は、先に実施の形態８に関連して説明したとおり、例えば、約１００ＧＢの容量を有することができ、あるいは約１３３ＧＢの容量を有することができる。
【０２２６】
２つの基板を有し、情報層を複数有する実施の形態７および８として、Ｎ＝２および４の媒体を説明した。Ｎは３であってもよい。Ｎ＝３の媒体においては、第２情報層および第３情報層のうち、いずれか一方または両方に含まれる記録層が、前記ＳｂおよびＳｎを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。また、レーザビーム入射側に最も近い第３情報層に含まれる記録層のみを、前記ＳｂおよびＳｎを含み、式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む記録層としても、本発明の効果を十分に得ることができる。
【０２２７】
Ｎが３である媒体は、先に説明したとおり、例えば、約７５ＧＢの容量を有することができ、あるいは約１００ＧＢの容量を有することができる。
【０２２８】
（実施の形態９）
実施の形態９では、実施の形態１から８で説明した情報記録媒体に情報を記録し、および／または媒体に記録した情報を再生する方法の一例について説明する。
図１０に、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一例の概略図を示す。レーザダイオード５０１から出射されるレーザビーム５０２は、ハーフミラー５０３及び対物レンズ５０４を通過して、その焦点が情報記録媒体５０６上に合わせられる。情報記録媒体５０６は、モーター５０５によって回転させられている。情報の再生は、情報記録媒体５０６からの反射光をフォトディテクター５０７に入射させ、信号を検出することにより行われる。
【０２２９】
情報信号の記録を行う際には、レーザビーム５０２の強度を複数のパワーレベル間で変調する。レーザ強度を変調する手段としては、半導体レーザの駆動電流を変調しておこなう電流変調手段を用いることができる。記録マークを形成する部分には、ピークパワーＰｐの単一矩形パルスのレーザビームを照射してもよい。あるいは、特に長いマークを形成する場合は、記録層が過剰に加熱されることを防止し、マーク幅を均一にする目的で、図１１に示すようにピークパワーＰｐ及びボトムパワーＰｂ（但し、Ｐｐ＞Ｐｂ）との間で変調された、複数のパルス列からなる記録パルス列を用いてもよい。また、最後尾のパルスの後に、レーザのパワーを冷却パワーＰｃ（Ｐｃ＜Ｐｂ）にする冷却区間を設けてもよい。マークを形成しない部分に対しては、バイアスパワーＰｅ（但し、Ｐｐ＞Ｐｅ）のレーザビームを照射する。
【０２３０】
対物レンズ５０４の開口数ＮＡは、レーザビーム５０２のスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整するため、０．５〜１．１の範囲内であることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内であることがより好ましい。レーザビーム５０２の波長は、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体５０６の線速度は、再結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られるように、４ｍ／ｓ〜５０ｍ／ｓの範囲内であることが好ましく、９ｍ／ｓ〜４０ｍ／ｓの範囲内であることがより好ましい。情報記録媒体５０２の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、および線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビーム５０２の波長は、６５０〜６７０ｎｍであってもよい。
【０２３１】
このような記録再生装置を用いて、情報記録媒体５０６の性能を次のようにして評価できる。
【０２３２】
記録性能は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端間、及び後端間のジッター（マーク位置の誤差）をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。なお、ジッター値が小さいほど、記録性能がよい。Ｐｐ、Ｐｂ、Ｐｃ及びＰｅは、前端間、及び後端間のジッターの平均値が最小となるよう決定される。決定されたＰｐは、記録感度である。
【０２３３】
また、信号強度は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じトラックに連続１０回交互記録し、最後に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ  ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ  ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定することによって評価できる。ＣＮＲが大きいほど信号強度が高い。
【０２３４】
また、消去性能は、レーザビーム５０２を０〜Ｐｐ（ｍＷ）の間でパワー変調し、２Ｔ信号と９Ｔ信号を同じトラックに連続１０回交互記録し、１１回目に２Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後９Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅の差を、２Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定することにより評価できる。消去率が大きいほど、消去性能が良い。
【０２３５】
（実施の形態１０）
実施の形態１０として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態１０の情報記録媒体６１の一構成例を図１２に示す。情報記録媒体６１は、電気的エネルギー（特に電流）の印加によって、情報が記録再生される電気的情報記録媒体である。
【０２３６】
基板６２として、ポリカーボネート等の樹脂基板、ガラス基板、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック基板、Ｓｉ等の半導体基板、およびＣｕ等の金属基板を用いることができる。ここでは、基板としてＳｉ基板を用いた形態を説明する。電気的情報記録媒体６１は、基板６２上に下部電極６３、第１誘電体層６４、第１記録層６５、第２記録層６６、第２誘電体層６７、及び上部電極６８を順に積層した構造である。下部電極６３及び上部電極６８は、第１記録層６５及び第２記録層６６に、電流を印加するために形成する。第１誘電体層６４は第１記録層６５に印加する電気エネルギー量を調整し、第２誘電体層６７は第２記録層６６に印加する電気エネルギー量を調整するために設けられる。第１誘電体層６４および第２誘電体層６７の材料の例は、実施の形態１の第１の誘電体層４０４の材料の例と同様である。
【０２３７】
第１記録層６５及び第２記録層６６は、電流の印加により発生するジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料から成る。よって、この媒体においては、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化する現象を情報の記録に利用する。第１記録層６５及び第２記録層６６の少なくとも一方は、ＳｂとＳとを含み、上記式（１）〜（４）のいずれかで示される材料を含む。そのような材料は、実施の形態１に関連して説明したとおりである。いずれか一方の記録層が、ＳｂとＳを含む記録層でない場合、実施の形態２に関連して例示した材料を用いてよい。第１記録層６５及び第２記録層６６はそれぞれ、実施の形態１の記録層４０６または実施の形態２の記録層４９６の形成方法と同様の方法で形成される。
【０２３８】
下部電極６３及び上部電極６８は、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ等の単体金属材料で形成してよい。あるいは下部電極６３及び上部電極６８は、前記元素から選ばれる１つまたは複数の元素を主成分とし、耐湿性の向上あるいは熱伝導率の調整等のために適宜１つまたは複数の他の元素を添加した合金材料を用いて形成することができる。下部電極６３及び上部電極６８は、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガス（Ｏ2ガスまたはＮ2ガスから選ばれる少なくとも１種のガス）との混合ガス雰囲気中で、材料となる金属母材または合金母材をスパッタリングすることによって形成できる。各層の形成方法は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等であってよい。
【０２３９】
電気的情報記録媒体６１に、印加部６９を介して電気的情報記録再生装置７４を電気的に接続する。この電気的情報記録再生装置７４において、下部電極６３と上部電極６８の間には、第１記録層６５及び第２記録層６６に電流パルスを印加するために、パルス電源７３が、スイッチ７１を介して接続される。また、第１記録層６５、及び第２記録層６６の相変化による抵抗値の変化を検出するために、下部電極６３と上部電極６７の間にスイッチ７２を介して抵抗測定器７０が接続される。
【０２４０】
非晶質相（高抵抗状態）にある第１記録層６５または第２記録層６６を、結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ７１を閉じて（スイッチ７２は開く）電極間に電流パルスを印加する。印加は、電流パルスが印加される部分の温度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度にて、結晶化時間の間、保持されるように行う。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い電流パルスをより短い時間で印加し、記録層を融点より高い温度にして溶融した後、急激に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置７４のパルス電源７３は、図１５の記録／消去パルス波形を出力できるような電源である。
【０２４１】
ここで、第１記録層６５が非晶質相の場合の抵抗値をｒa1、第１記録層６５が結晶相の場合の抵抗値をｒc1、第２記録層６６が非晶質相の場合の抵抗値をｒa2、第２記録層６６が結晶相の場合の抵抗値をｒc2とする。ｒc1≦ｒc2＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc1≦ｒc2＜ｒa2＜ｒa1、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa2＜ｒa1であることによって、第１記録層６５と第２記録層６６の抵抗値の和を、ｒa1＋ｒa2、ｒa1＋ｒｃ2、ｒa2＋ｒc1、及びｒc1＋ｒc2の４つの異なる値に設定できる。従って、電極間の抵抗値を抵抗測定器７０で測定することにより、４つの異なる状態、すなわち２値の情報を一度に検出することができる。
【０２４２】
この電気的情報記録媒体６１をマトリクス的に多数配置することによって、図１４に示すような大容量の電気的情報記録媒体８１を構成することができる。各メモリセル７７には、微小領域に電気的情報記録媒体６１と同様の構成が形成されている。各々のメモリセル７７への情報の記録再生は、ワード線７５、及びビット線７６をそれぞれ一つ指定することによって行う。
【０２４３】
図１３は電気的情報記録媒体８１を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置７９は、電気的情報記録媒体８１と、アドレス指定回路７８によって構成される。アドレス指定回路７８により、電気的情報記録媒体８１のワード線７５、及びビット線７６がそれぞれ指定され、各々のメモリセル７７への情報の記録再生を行うことができる。また、記憶装置７９を、少なくともパルス電源７３と抵抗測定器７０から構成される外部回路８０に電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体８１への情報の記録再生を行うことができる。
【実施例】
【０２４４】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
実施例１では、図１の情報記録媒体１１を作製し、記録層４０６の材料と、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、ＳｂとＳとを含み、ＳｂとＳとの組成比が異なる記録層４０６を有する８種類の情報記録媒体のサンプル（１−１から１−８）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。
【０２４５】
信号信頼性は再生光劣化により評価する。ここで、再生光劣化は、信号を記録したトラックに再生光（再生パワーＰｒ）を所定の回数、照射したときの信号強度の低下量（ｄＢ）と定義する。
【０２４６】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、反射層４０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４０４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、ＳｂとＳを含む記録層４０６（厚さ：１０ｎｍ）（ＳｂとＳの組成比は表１に示すとおり）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４０８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって形成した。
【０２４７】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４０２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４０４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４０６を形成するためのＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲット、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４０８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０２４８】
反射層４０２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４０４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４０６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４０８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０２４９】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４０８上に塗布し回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ１００μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４０６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４０６の材料が異なる複数のサンプルを製造した。
【０２５０】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１１の情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク規格の４倍速に相当する）、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。
【０２５１】
各サンプルについて、記録層４０６の組成と、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表１）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。
【０２５２】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。
【０２５３】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。
【０２５４】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。
【０２５５】
【表１】
2008096680.tif 000026
【０２５６】
この結果、記録層４０６がＳｂのみから成るサンプル１−１では、記録層の結晶化速度が高すぎて、信号信頼性が悪いことがわかった。また、記録層４０６の組成がＳｂ45Ｓ55であるサンプル１−８では、添加したＳの量が多すぎて、結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。
【０２５７】
また、記録層４０６がＳｂとＳとを含み、さらに記録層４０６の組成が、式（１）：ＳｂxＳ100-x（原子％）（ただし、ｘは、５０≦ｘ≦９８）で表されるサンプル１−２から１−７は、良好な消去性能と信号信頼性を示すことがわかった。以上の結果から、記録層４０６の組成が、式（１）で表されると、当該記録層を含む媒体は良好な特性を示すことがわかった。さらに、ｘが６０以上８０以下である場合に、記録媒体は、さらにより良好な特性を示すことがわかった。
【０２５８】
（実施例２）
実施例２では、実施例１と同様に図１の情報記録媒体１１を作製し、記録層４０６の材料と、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、記録層４０６がＳｂとＳとＭとを含み（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）、Ｓｂ／Ｓ／Ｍとの組成比が異なる記録層４０６を有する２５種類の情報記録媒体１１のサンプル（２−１から２−２５）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。
【０２５９】
サンプルの製造方法は実施例１で用いた製造方法と同様である。ただし、記録層４０６はＳｂとＳとＭを含む（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎのうち少なくとも１つの元素）合金スパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにしてスパッタリングすることによって形成した。
【０２６０】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１と同様の方法で消去性能および信号信頼性を測定した。各サンプルについて、記録層４０６の組成と、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表２）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。
【０２６１】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は、下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。
【０２６２】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。
【０２６３】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。
【０２６４】
【表２】
2008096680.tif 000027
【０２６５】
この結果、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.98Ｓ0.02）65Ｇｅ35であるサンプル２−６では、添加したＧｅの量が多いために結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。また、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.98Ｓ0.02）65Ｓｎ35であるサンプル２−１２では、添加したＳｎの量が多いために、結晶化速度が高すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。さらに、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）65Ｉｎ35であるサンプル２−１７では、添加したＩｎの量が多いために、結晶化速度が低下し、実用可能な消去性能を得られないことがわかった。
【０２６６】
また、記録層４０６がＳｂとＳとＭ１を含み（ＭはＧｅ、Ｓｎ、およびＩｎ）から選ばれる少なくとも一つの元素）、記録層４０６の組成が、式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y（原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表されるサンプル２−１から２−５、２−７から２−１１、及び２−１３から２−１６は、消去性能と信号信頼性がともに良好であることがわかった。以上の結果から、ＳｂとＳとＭ１を含む記録層４０６の組成は、式（２）で表されることが好ましいことがわかった。特に、サンプル２−１から２−４、サンプル２−７から２−１０、サンプル２−１３から２−１５より、上記式（２）において、ｙは２≦ｙ≦２０を満たすと、より良好な特性が得られることがわかった。
【０２６７】
記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）70Ｍｎ30であるサンプル２−２１では、添加したＭｎの量が多いために、結晶化速度が低下し、実用可能な消去性能を得られないことがわかった。また、記録層の組成が、（速すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。さらに、記録層４０６の組成が、（Ｓｂ0.7Ｓ0.3）70Ｂｉ30であるサンプル２−２５では、添加したＢｉの量が多いために、結晶化速度が高すぎて信号信頼性が悪いことがわかった。
【０２６８】
記録層４０６がＳｂとＳとＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素）、記録層４０６の組成が、式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表されるサンプル２−１８から２−２０、及び２−２２から２−２４は、良好な消去性能と信号信頼性を示した。以上の結果から、ＳｂとＳとＭ２を含む記録層４０６の組成は、式（２）で表されることが好ましいことがわかった。さらに、サンプル２−１８および２−１９から、上記式（３）において、ｂが２≦ｂ≦１０を満たすと、より良好な特性が得られることがわかった。
【０２６９】
さらに、Ｍ１として２種類の元素を含む記録媒体（サンプル２−２６、２−２９）、Ｍ１およびＭ２の両方を含む記録媒体（サンプル２−２７、２−２８、２−３０、２−３１）も、良好な消去性能および信号信頼性を示した。
【０２７０】
（実施例３）
実施例３では、図１の情報記録媒体１１を製造し、記録層４０６の厚さと、情報層４０の消去性能及び信号信頼性との関係を調べた。具体的には、記録層４０６の厚さが異なる情報層４０を含む、６種類の情報記録媒体１１のサンプル（３−１から３−６）を作製し、情報層４０の消去性能及び信号信頼性を測定した。
【０２７１】
サンプルの製造方法は、記録層４０６の厚さを除いて、実施例１において用いた製造方法と同様である。記録層４０６はＳｂとＳを含むスパッタリングターゲットを、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにしてスパッタリングすることによって形成した。記録層の組成は、Ｓｂ60Ｓ40であった。
【０２７２】
このようにして得られた各サンプルについて、記録層４０６の厚さと、情報層４０の消去性能、及び信号信頼性の評価結果を（表３）に示す。評価方法は、実施例１において用いた方法と同様の方法であった。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。
【０２７３】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．３５ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量で評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。
【０２７４】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。
【０２７５】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。
【０２７６】
【表３】
2008096680.tif 000028
【０２７７】
この結果、記録層４０６の厚さが、１６ｎｍであるサンプル３−６は、記録層４０６が厚すぎて、低い信号信頼性を示した。、記録層４０６の厚さが、７〜１５ｎｍの範囲であれば、媒体は良好な消去性能と信号信頼性を示すことがわかった。以上の結果から、ＳｂとＳとを含む記録層４０６の厚さは１５ｎｍ以下であることが好ましいことがわかった。また、記録層４０６の厚さが９ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であれば、非常に良好な特性が得られた。
【０２７８】
（実施例４）
実施例４では、図４の情報記録媒体１３を製造し、第２情報層４２に含まれる記録層４２６の厚さと、第２情報層４２の消去率、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度との関係を調べた。具体的には、記録層４２６の厚さが互いに異なる情報層４２を含む情報記録媒体１３のサンプル４−１から４−６を作製し、第２情報層４２の消去率、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。ここで、信号強度はＣＮＲの大きさによって評価した。なお、情報記録媒体１３は、情報層の数をＮ個（ＮはＮ≧２の整数）としたときの、Ｎ＝２のものに相当し、２個の情報層を有している。
【０２７９】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０２８０】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４１２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４１４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４１６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ60Ｓ40の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４１８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０２８１】
反射層４１２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４１４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４１６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４１８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０２８２】
次に、第２の誘電体層４１８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。その上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させ、樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ２５μｍの分離層２２を得た。
【０２８３】
次いで、分離層２２の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ70Ｓ30層、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０２８４】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４２１を形成するためのＴｉＯ2スパッタリングターゲット、反射層４２２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４２４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４２６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ70Ｓ30の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４２８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０２８５】
透過率調整層４２１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４２２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４２４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４２６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４２８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０２８６】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４２８上に、スピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４１６及び記録層４２６にレーザビームを照射して、記録層４１６および４２６を結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４２６の厚さが異なる複数のサンプルを製造した。
【０２８７】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１３の情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。
【０２８８】
各サンプルについて、記録層４２６の厚さと、第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度の評価結果を（表４）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。
【０２８９】
信号信頼性は、Ｐｒ＝０．７ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量によって評価した。評価基準は、下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。
【０２９０】
また、第１情報層４１の信号強度は、ＣＮＲによって評価した。評価基準は下記の通りである。
４０ｄＢ以上  「○」、
３４ｄＢ以上４０ｄＢ未満  「△」、
３４ｄＢ以下  「×」。
【０２９１】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。
【０２９２】
さらに、媒体の総合評価を実施した。上記の評価項目において、一つでも「×」と評価された媒体は、「×」と評価し、上記の評価項目において、一つでも「△」と評価された媒体は、「○」と評価し、上記の評価項目において、すべて「○」と評価された媒体は、「◎」と評価した。
【０２９３】
【表４】
2008096680.tif 000029
【０２９４】
この結果、記録層４２６の厚さが、４ｎｍ〜９ｎｍの範囲であれば、第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層４１の信号強度がすべて良好な媒体が得られた。また、記録層４２６の厚さが５ｎｍ〜８ｎｍの範囲内であれば、より良好な特性が得られた。
【０２９５】
（実施例５）
実施例５では、図５の情報記録媒体１４を製造し、第４情報層４４に含まれる記録層４４６の厚さと、第４情報層４４の消去率、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度との関係を調べた。具体的には、記録層４４６の厚さが互いに異なる情報層４４を含む６種類の情報記録媒体１４のサンプル（５−１から５−６）を作製し、第４情報層４４の消去率、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。ここで、信号強度はＣＮＲによって評価した。なお、情報記録媒体１４は情報層の数をＮ個（ＮはＮ≧２の整数）としたときの、Ｎ＝４の場合であり、４個の情報層を有している。
【０２９６】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０２９７】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層４１２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４１４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４１６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ60Ｓ40の組成の膜が形成されるように組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４１８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０２９８】
反射層４１２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａとし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４１４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４１６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４１８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０２９９】
次に、第２の誘電体層４１８上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２２を得た。
【０３００】
その後、分離層２２の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第２の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０３０１】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４２１を形成するためのＴｉＯ2スパッタリングターゲット、反射層４２２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４２４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４２６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ80Ｓ20の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４２８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備える。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０３０２】
透過率調整層４２１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４２２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４２４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにし、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４２６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４２８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにし、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０３０３】
次に、第２の誘電体層４２８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１５μｍの分離層２８を得た。
【０３０４】
次いで、分離層２８の上に、透過率調整層４３１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、反射層４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、第２の誘電体層４３４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４３６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４３８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３８ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０３０５】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４３１を形成するためのＴｉＯ２スパッタリングターゲット、反射層４３２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４３４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４３６を形成するためのＳｂとＳを含むスパッタリングターゲット（Ｓｂ80Ｓ20の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ２Ｏ３）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４３８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０３０６】
透過率調整層４３１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４３２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４３４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４３６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４３８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０３０７】
次に、第２の誘電体層４３８上に紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第４情報層４４側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２９を得た。
【０３０８】
その後、分離層２９の上に、透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４４６として（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5層、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
【０３０９】
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層４４１を形成するためのＴｉＯ２スパッタリングターゲット、反射層４４２を形成するためのＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第１の誘電体層４４４を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、記録層４４６を形成するためのＳｂとＳとＧｅを含むスパッタリングターゲット（（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5の組成の膜が形成されるように、組成を調整したもの）、第２の界面層を形成するための（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50スパッタリングターゲット、第２の誘電体層４４８を形成するための（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍであった。
【０３１０】
透過率調整層４４１の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に対して３体積％の割合の酸素ガス）において、圧力を０．３Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。反射層４４２の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．３Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを１００Ｗにして行った。第１の誘電体層４４４の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。記録層４４６の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。第２の界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを２００Ｗにして行った。第２の誘電体層４４８の形成は、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．１Ｐａにして、ＲＦ電源を用いて、投入パワーを４００Ｗにして行った。
【０３１１】
最後に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を第２の誘電体層４４８上に、スピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４１６、記録層４２６、記録層４３６及び記録層４４６をレーザビームを用いて結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４４６の厚さが異なる複数のサンプルを製造した。
【０３１２】
このようにして得られたサンプルについて、図１０の記録再生装置を用いて、情報記録媒体１３の情報層４２の消去性能、信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ３２の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍであった。
【０３１３】
各サンプルについて、記録層４４６の厚さと、第２情報層４２の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、及び第１情報層４１の信号強度の評価結果を（表５）に示す。消去性能は、消去率の値によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
２５ｄＢ以上  「○」、
２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満  「△」、
２０ｄＢ未満  「×」。
【０３１４】
信号信頼性は、Ｐｒ＝１．４ｍＷの再生光を１００万回照射した後の再生光劣化量によって評価した。評価基準は下記のとおりである。
０．３ｄＢ未満  「○」、
０．３ｄＢ以上２ｄＢ未満  「△」、
２ｄＢ以上  「×」。
【０３１５】
また、各情報層の信号強度は、ＣＮＲによって評価した。評価基準は下記の通りである。
４０ｄＢ以上  「○」、
３４ｄＢ以上４０ｄＢ未満  「△」、
３４ｄＢ以下  「×」。
【０３１６】
上記評価において、「○」及び「△」と評価された媒体は、その評価項目に関して実用に耐えうることを意味し、「×」と評価された媒体は、その項目に関して実用に耐えないことを意味する。
【０３１７】
【表５】
2008096680.tif 000030
【０３１８】
この結果、記録層４４６の厚さが、１ｎｍであるサンプル５−１は、記録層４４６が薄すぎて結晶化速度が低下し、消去性能において劣っていることがわかった。また、記録層４４６の厚さが、２〜６ｎｍの範囲であれば、第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。
【０３１９】
（実施例６）
実施例６では、図６の情報記録媒体１５を作製し、実施例１および２と同様に性能を評価した。サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４０８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、ＳｂとＳ、もしくはＳｂとＳとＭを含み、それらの組成比が異なる記録層４０６（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４０４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４０２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例１で使用したものと同様である。
【０３２０】
情報層を形成した後、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をダミー基板２６上にスピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。次いで、基板２４上の反射層４０２をダミー基板２６に密着させ、その後紫外線をダミー基板２６側から照射して樹脂を硬化させた。それにより、接着層２７を介して基板２４とダミー基板２６を接着させた。最後に、記録層４０６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３２１】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１および２と同様の方法によって、情報記録媒体１５の情報層４０の消去性能、及び信号信頼性を測定した。測定において、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。
【０３２２】
この結果、実施例１と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとを含み、さらに記録層４０６の組成が、式（１）：ＳｂxＳ100-x（原子％）（ただし、ｘは、５０≦ｘ≦９８）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。
【０３２３】
また、実施例２と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとＭ１を含み（Ｍ１は、ＧｅＳｎ、およびＩｎから選択される、少なくとも１つの元素）、さらに記録層４０６の組成が、式（２）：（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y（原子％）（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。
【０３２４】
さらに、実施例２と同様に、記録層４０６がＳｂとＳとＭ２を含み（Ｍ１は、ＢｉおよびＭｎから選択される、少なくとも１つの元素）、さらに記録層４０６の組成が、式（３））：（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）で表されるサンプルは、良好な消去性能と信号信頼性を示した。
【０３２５】
（実施例７）
実施例７では、図６の情報記録媒体１５を作製し、実施例３と同様に、性能を評価した。
【０３２６】
サンプルの製造方法は、記録層４０６の厚さを除いて、実施例６で用いた製造方法と同様である。記録層４０６はＳｂとＳを含むスパッタリングターゲットをＡｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにし、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして、スパッタリングすることによって形成した。記録層４０６の組成は、Ｓｂ60Ｓ40であった。
【０３２７】
このようにして得られたサンプルについて、実施例１と同様の方法で、消去性能および信号信頼性を評価した。この結果、実施例３と同様に、記録層４０６の厚さが、７〜１５ｎｍの範囲であれば、消去性能と信号信頼性がともに良好であることがわかった。
【０３２８】
（実施例８）
実施例８では、図８の情報記録媒体１７を作製し、実施例４と同様に、性能を評価した。
【０３２９】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ70Ｓ30層、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例４の第２情報層４２の形成で使用したものと同様である。
【０３３０】
また、基板２５として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ２）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例４の第１情報層４１の形成で使用したものと同様である。
【０３３１】
その後、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）を基板２５上の第２の誘電体層４１８上に、スピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。次いで、基板２４上の透過率調整層４２１を基板２５に密着させ、その後、紫外線を基板２４側から照射して樹脂を硬化させた。その結果、接着層２７を介して基板２４と基板２５とが、接着された。最後に、記録層４１６、及び記録層４２６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３３２】
このようにして得られたサンプルについて、実施例４で用いた方法と同様の方法によって、情報記録媒体１７の第２情報層４２の消去性能、信号信頼性、及び第１情報層の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム３１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。
【０３３３】
この結果、実施例４と同様に、記録層４２６の厚さが、４〜９ｎｍの範囲であれば、第２情報層４２の消去性能および信号信頼性、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。
【０３３４】
（実施例９）
実施例９では、図９の情報記録媒体１８を作製し、実施例５と同様に、性能を評価した。
【０３３５】
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板２４として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そのポリカーボネート基板上に、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４４６として（Ｓｂ0.85Ｓ0.15）95Ｇｅ5層、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は、実施例５の第４情報層４４の形成で使用したものと同様である。
【０３３６】
次に、透過率調整層４４１上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布し、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板をかぶせて密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第３情報層４３側に形成された、厚さ１５μｍの分離層２９を得た。
【０３３７】
その後、分離層２９の上に、第２の誘電体層４３８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３８ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４３６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の誘電体層４３４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４３２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、透過率調整層４３１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第３情報層４３の形成で使用したものと同様である。
【０３３８】
次に、透過率調整層４３１上に、紫外線硬化性樹脂（アクリル系樹脂）をスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した。この樹脂層の上に、案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板をかぶせて、密着させ、その後樹脂を硬化させた。樹脂の硬化後、基板を剥がした。その結果、レーザビーム３１を導く案内溝が第２情報層４２側に形成された、厚さ１０μｍの分離層２８を得た。
【０３３９】
その後、分離層２８の上に、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層４２６としてＳｂ80Ｓ20層（厚さ：４ｎｍ）、第２の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８ｎｍ）、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第２情報層４２の形成で使用したものと同様である。
【０３４０】
また、基板２５として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層４１２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第１の誘電体層４１４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層４１６としてＳｂ60Ｓ40（厚さ：１０ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４１８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、および成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は実施例５の第１情報層４１の形成で使用したものと同様である。
【０３４１】
その後、紫外線硬化性樹脂を基板２５の第２の誘電体層４２８上に、スピンコート法により塗布し、均一な樹脂層（厚さ１５μｍ）を形成した。この樹脂層の上に、基板２４の透過率調整層４３１を密着させ、その後紫外線を基板２４側から照射して樹脂を硬化させた。それにより、接着層２７を介して基板２４と基板２５を接着させた。最後に、記録層４１６、４２６、４３６、及び４４６の全面をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。
【０３４２】
このようにして得られたサンプルについて、実施例５で用いた方法と同様の方法によって、情報記録媒体１８の第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度を測定した。測定において、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍであった。
【０３４３】
この結果、実施例５と同様に、記録層４４６の厚さが、２〜６ｎｍの範囲であれば、第４情報層４４の消去性能および信号信頼性、第３情報層４３の信号強度、第２情報層４２の信号強度、ならびに第１情報層４１の信号強度が良好であることがわかった。
【０３４４】
実施例３、４、５、７、８及び９の結果から、情報記録媒体１１から１８において、記録層の厚さは２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましいことが判った。即ち、ＳｂとＳとを含む記録層が、２ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にある厚さを有すると、媒体において良好な性能が確保された。
【０３４５】
（実施例１０）
実施例４で作製した情報記録媒体と、同じ構成の媒体を、第２情報層４２に含まれる記録層４２６の組成を変えて作製した。記録層４２６の組成は、サンプル１０−１においては、Ｓｂ７０Ｓｎ３０とし、サンプル１０−２においては、Ｓｂ７０Ｇｅ３０とした。サンプル１０−１および１０−２において、記録層は、ＳｂＳｎ合金ターゲット（サンプル１０−１）およびＳｂＧｅ合金ターゲット（サンプル１０−２）をそれぞれ用いて、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。その他の層の材料および形成条件は、実施例４で作製したサンプルのそれらと同じであった。
【０３４６】
サンプル１０−１および１０−２と比較するために、実施例４で作製したサンプル４−５を用意した。これらのサンプルの第２情報層の透過率を測定するために、図４に示す情報記録媒体１３の第１情報層４１と分離層２２を有さず、基板２１上に第２情報層４２と透明層２３のみを形成した透過率測定用サンプルを作製し、記録層４２６の記録層組成と、第２情報層４２の透過率との関係を調べた。
【０３４７】
透過率測定用サンプルは以下のように製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。基板２１の上に、透過率調整層４２１としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、反射層４２２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第１の誘電体層４２４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１５ｎｍ）、記録層４２６（厚さ：８ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４２８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。各層の形成条件は、実施例４で作製したサンプルのそれと同じであった。
【０３４８】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体層４２８上にスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４２６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４２６の記録層組成が異なる透過率測定用のサンプルを製造した。
【０３４９】
これらの透過率測定用サンプルの波長４０５ｎｍにおける透過率を分光器により測定して、測定値を第２の情報層の透過率とした。透過率が、４９％以上であるものは「○」と評価し、４９％未満である媒体は、「×」と評価した。評価結果を表６に示す。
【０３５０】
【表６】
2008096680.tif 000031
【０３５１】
本発明に相当するサンプル４−５は、第２情報層の透過率が高く、したがって、第１情報層の信号強度も十分な大きさとなった。記録層にＳを含まないサンプル１０−１および１０−２は、透過率が小さく、したがって、第１情報層の信号強度は、サンプル４−５と比較して低かった。
【０３５２】
（実施例１１）
実施例５で作製した情報記録媒体と、同じ構成の媒体を、第４情報層４４に含まれる記録層４４６の組成を変えて作製した。記録層４４６の組成は、サンプル１１−１においては、Ｓｂ８０Ｓｎ２０とし、サンプル１１−２においては、Ｓｂ８０Ｇｅ２０とした。サンプル１１−１および１１−２において、記録層は、ＳｂＳｎ合金ターゲット（サンプル１１−１）およびＳｂＧｅ合金ターゲット（サンプル１１−２）をそれぞれ用いて、Ａｒガス雰囲気において、圧力を０．２Ｐａにして、ＤＣ電源を用いて、投入パワーを５０Ｗにして行った。その他の層の材料および形成条件は、実施例５で作製したサンプルのそれらと同じであった。
【０３５３】
これらのサンプルと比較するために、実施例５で作製したサンプル５−５を用意した。これらのサンプルの第４情報層の透過率を測定するために、図５に示す情報記録媒体１４の第１、第２、第３情報層４１、４２、４３と分離層２２、２８、２９を有さず、基板２１上に第４情報層４４と透明層２３のみを形成した透過率測定用サンプルを作製し、記録層４４６の記録層組成と、第４情報層４４の透過率との関係を調べた。
【０３５４】
透過率測定用サンプルは以下のように製造した。まず、基板２１として、レーザビーム３１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。透過率調整層４４１としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層４４２としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：７ｎｍ）、第２の誘電体層４４４として（ＺｒＯ2）50（Ｉｎ2Ｏ3）50層（厚さ：１０ｎｍ）、記録層４４６（厚さ：５ｎｍ）、第２の界面層（図示せず）として（ＺｒＯ2）50（Ｃｒ2Ｏ3）50層（厚さ：５ｎｍ）、第２の誘電体層４４８として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。各層の形成条件は、実施例５で作製したサンプルのそれと同じであった。
【０３５５】
最後に、紫外線硬化性樹脂を第２の誘電体層４４８上にスピンコート法により塗布して、均一な樹脂層を形成した後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６５μｍの透明層２３を形成した。その後、記録層４４６をレーザビームで結晶化させる初期化工程を行った。以上のようにして、記録層４４６の記録層組成が異なる透過率測定用のサンプルを製造した。
【０３５６】
これらの透過率測定用サンプルの波長４０５ｎｍにおける透過率を分光器により測定して、測定値を第４の情報層の透過率とした。透過率が、６８％以上であるものは「○」と評価し、６８％未満である媒体は、「×」と評価した。評価結果を表７に示す。
【０３５７】
【表７】
2008096680.tif 000032
【０３５８】
本発明に相当するサンプル５−５は、第４情報層の透過率が高く、したがって、第１〜第３情報層の信号強度も十分な大きさとなった。記録層にＳを含まないサンプル１１−１および１１−２は、透過率が小さく、したがって、第１〜第３情報層の信号強度は、サンプル５−５のそれらと比較して低かった。
【０３５９】
（実施例１２）
実施例１２では、図１２に示す電気的情報記録媒体６１において、第２記録層６６がない電気的情報記録媒体６１を製造し、その電流の印加による相変化を確認した。
【０３６０】
基板６２として、表面を窒化処理したＳｉ基板を準備し、その上に下部電極６３として、Ｐｔから成り、表面積が６μｍ×６μｍであり、厚さが０．１μｍである層を形成した。その上に、第１誘電体層６４として、（ＳｉＯ２）５０（ＺｒＯ２）５０から成り、表面積が４．５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０１μｍである層を形成した。さらに、第１記録層６５として、Ｓｂ８０Ｓ２０から成り、表面積が５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０５μｍである層を形成した。第２誘電体層６７として、（ＳｉＯ２）５０（ＺｒＯ２）５０から成り、表面積が４．５μｍ×５μｍであり、厚さが０．０１μｍである層を形成した。上部電極６８として、Ｐｔから成り、表面積が５μｍ×５μｍであり、厚さが０．１μｍである層を形成した。いずれの層もスパッタリング法により形成した。
【０３６１】
第１誘電体層６４、及び第２誘電体層６７は絶縁体であった。従って、第１記録層６５に電流を流すため、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７は、第１記録層６５より小さい表面積を有するように形成し、下部電極６３および上部電極６８それぞれが、第１記録層６５と部分的に接するようにした。
【０３６２】
その後、下部電極６３、及び上部電極６８に、Ａｕリード線をボンディングし、印加部６９を介して電気的情報記録再生装置７４を電気的情報記録媒体６１に接続した。この電気的情報記録再生装置７４により、下部電極６３と上部電極６８の間には、パルス電源７３がスイッチ７１を介して接続された。さらに、第１記録層６５の相変化による抵抗値の変化は、下部電極６３と上部電極６８の間にスイッチ７２を介して接続された抵抗測定器７０によって検出した。
【０３６３】
第１記録層６５が非晶質相のとき、下部電極６３と上部電極６８の間に、図１５の記録波形９０１を有し、Ｉc1＝５ｍＡ、ｔc1＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層６５が非晶質相から結晶相に転移した。また、第１記録層６５が結晶相のとき、下部電極６３と上部電極６８の間に、図１５の消去波形９０６を有し、Ｉa1＝１０ｍＡ、ｔa1＝１０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層６５が結晶相から非晶質相に転移した。
【０３６４】
また、電気的相変化情報記録媒体６１の繰り返し書き換え回数を測定したところ、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７を有する媒体の繰り返し書き換え回数は、第１誘電体層６４及び第２誘電体層６７が無い媒体のそれの１０倍以上であった。これは、第１誘電体層６４、及び第２誘電体層６７が、第１記録層６５への下部電極６３及び上部電極６８からの物質移動を抑制しているためである。
【０３６５】
なお、第１記録層４８を、Ｓｂ８０Ｓ２０以外のＳｂ−Ｓ系材料、Ｓｂ−Ｓ−Ｍ系材料（ＭはＳｎ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ及びＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素）を用いて形成しても、同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【０３６６】
本発明の情報記録媒体は、記録した情報を長時間保持できる性質（不揮発性）を有し、高密度の書き換え型の光ディスク等（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等）または電気的メモリとして有用である。
【符号の説明】
【０３６７】
１１...情報記録媒体、１２...情報記録媒体、１３...情報記録媒体、１４...情報記録媒体、１５...情報記録媒体、１６...情報記録媒体、１７...情報記録媒体、１８...情報記録媒体、２１...基板、２２...分離層、２３...透明層、２４...基板、２５...基板、２６...ダミー基板、２７...接着層、２８...分離層、２９...分離層、３１...レーザビーム、３２...対物レンズ、４０...情報層、４１...第１情報層、４２...第２情報層、４３...第３情報層、４４...第４情報層、４８...第Ｎ−１情報層、４９...第Ｎ情報層、４０２...反射層、４０３...反射層側界面層、４０４...第１の誘電体層、４０５...第１の界面層、４０６...記録層、４０７...第２の界面層、４０８...第２の誘電体層、４１２...反射層、４１４...第１の誘電体層、４１６...記録層、４１８...第２の誘電体層、４２１...透過率調整層、４２２...反射層、４２４...第１の誘電体層、４２６...記録層、４２８...第２の誘電体層、４３１...透過率調整層、４３２...反射層、４３４...第１の誘電体層、４３６...記録層、４３８...第２の誘電体層、４４１...透過率調整層、４４２...反射層、４４４...第１の誘電体層、４４６...記録層、４４８...第２の誘電体層、４９１...透過率調整層、４９２...反射層、４９４...第１の誘電体層、４９６...記録層、４９８...第２の誘電体層、５０１...レーザダイオード、５０２...レーザビーム、５０３...ハーフミラー、５０４...対物レンズ、５０５...モーター、５０６...情報記録媒体、５０７...フォトディテクター、６１，８１...電気的情報記録媒体、６２...基板、６３...下部電極、６４...第１誘電体層、６５...第１記録層、６６...第２記録層、６７...第２誘電体層、６８...上部電極、６９...印加部、７０...抵抗測定器、７１，７２...スイッチ、７３...パルス電源、７４...電気的情報記録再生装置、７５...ワード線、７６...ビット線、７７...メモリセル、７８...アドレス指定回路、７９...記憶装置、８０...外部回路、９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０８，９０９...記録波形、９０６，９０７...消去波形、６６７...真空容器、６６８...排気口、６６９...ガス供給口、６７０...陽極、６７１...基板、６７２...スパッタリングターゲット、６７３...陰極、６７４...電源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、レーザ入射側から、第Ｎ情報層、第Ｎ−１情報層、第Ｎ−２情報層・・・第２情報層、第１情報層としたときに、第２〜第Ｎ情報層のうち少なくとも１つが、相変化を生じ得る記録層を含み、前記記録層がＳｂとＳとを含み、かつ下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含み、厚さが２ｎｍ〜９ｎｍの範囲内にある、情報記録媒体。
【請求項２】
前記式において、ｘが、５０≦ｘ≦８０を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９０原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層において、Ｓｂ原子とＳ原子とが合わせて、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上占める、請求項１または２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録層が、さらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（２）：
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ１原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項５に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記記録層が、さらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（３）：
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項７に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記記録層が、さらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、下記の式（４）：
（ＳｂｃＳ1-ｃ）100-ｄ-ｅＭ１ｄＭ２ｅ    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層において、Ｓｂ原子、Ｓ原子、Ｍ１原子およびＭ２原子が、記録層を構成する全部の原子の９９原子％以上を占める、請求項９に記載の情報記録媒体。
【請求項１１】
前記Ｎが２である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
前記Ｎが４である請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項１３】
第Ｎ情報層が、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む、請求項１１または１２に記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、および反射層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
前記ＳｂとＳとを含む記録層がレーザビームの照射によって相変化を生じる層であり、前記ＳｂとＳとを含む記録層を含む前記情報層が少なくとも、第２の誘電体層、前記ＳｂとＳとを含む記録層、第１の誘電体層、反射層、および透過率調整層を、前記レーザビーム入射側からこの順序で含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の情報記録媒体。
【請求項１６】
Ｎ個（Ｎは２以上の整数）の情報層を含む情報記録媒体であって、前記Ｎ個の情報層を、レーザ入射側から、第Ｎ情報層、第Ｎ−１情報層、第Ｎ−２情報層・・・第２情報層、第１情報層としたときに、第２〜第Ｎ情報層のうち少なくとも１つの情報層が、相変化を生じ得る記録層を含み、前記記録層がＳｂとＳとを含む記録層である、情報記録媒体の製造方法であって、
前記記録層をスパッタリング法により形成する工程を含む情報層の形成工程を含み、前記記録層の形成工程において、ＳｂとＳとを含むスパッタリングターゲットを用い、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（１）：
ＳｂxＳ100-x    （原子％）    （１）
（添え字ｘは、原子％で示される組成比を表し、５０≦ｘ≦９８を満たす）
で表される材料を含み、かつ、２ｎｍ〜９ｎｍの範囲内にある厚さを有する、情報記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（２）： 
（ＳｂzＳ1-z）100-yＭ１y    （原子％）    （２）
（添え字ｚは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｚ≦０．９８を満たし、添え字ｙは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｙ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ２を含み（Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（３）： 
（ＳｂaＳ1-a）100-bＭ２b    （原子％）    （３）
（添え字ａは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ａ≦０．９８を満たし、添え字ｂは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｂ≦２０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記スパッタリングターゲットがさらにＭ１およびＭ２を含み（Ｍ１はＧｅ、ＩｎおよびＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＢｉおよびＭｎから選ばれる少なくとも一つの元素である）、前記スパッタリングターゲットを用いて形成される膜が、下記の式（４）： 
（ＳｂｃＳ1-ｃ）100-ｄ-ｅＭ１ｄＭ２ｅ    （原子％）    （４）
（添え字ｃは、Ｓｂ原子の数とＳ原子の数を合わせて１としたときの各原子の割合を表し、０．５≦ｃ≦０．９８を満たし、添え字ｄおよびｅは、原子％で示される組成比を表し、０＜ｄ＜３０、０＜ｅ≦２０、０＜ｄ＋ｅ≦３０を満たす）
で表される材料を含む、請求項１６に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記Ｎが２である請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記Ｎが４である請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む前記情報層の形成工程が少なくとも、反射層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程、および第２の誘電体層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程を含む前記情報層の形成工程が少なくとも、第２の誘電体層の形成工程、前記ＳｂとＳとを含む記録層の形成工程、第１の誘電体層の形成工程、および反射層の形成工程を、この順に実施することを含む、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載の情報記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記反射層の形成工程の前または後に、透過率調整層の形成工程を実施することをさらに含む、請求項２２または２３に記載の情報記録媒体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008096680.tif 000033
【図２】
2008096680.tif 000034
【図３】
2008096680.tif 000035
【図４】
2008096680.tif 000036
【図５】
2008096680.tif 000037
【図６】
2008096680.tif 000038
【図７】
2008096680.tif 000039
【図８】
2008096680.tif 000040
【図９】
2008096680.tif 000041
【図１０】
2008096680.tif 000042
【図１１】
2008096680.tif 000043
【図１２】
2008096680.tif 000044
【図１３】
2008096680.tif 000045
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
2008096680.tif 000049
2008096680.tif 000050
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2008096680.tif 000054
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