(57)【要約】  本発明は、輝度、鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルを提供する。
2008114649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の賦活剤の存在比率が０．７〜２０であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、柱状結晶内におけるカソードルミネッセンスによる輝度分布が５０％以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項３】
支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の賦活剤の存在比率が０．７〜２０であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項４】
支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、柱状結晶内におけるカソードルミネッセンスによる輝度分布が５０％以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項５】
前記アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のハライドの主成分がＢｒまたはＩであり、且つ、Ｆの含有率が０ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることを特徴とする請求の範囲第１項〜請求の範囲第４項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記輝尽性蛍光体層の主成分がＣｓＢｒ：Ｅｕ（臭化セシウム：ユーロピウム賦活体）を含む輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求の範囲第１項〜請求の範囲第５項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記支持体が有機高分子フィルムであることを特徴とする請求の範囲第１項〜請求の範囲第６項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線画像変換パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成した、従来の放射線像変換パネルでは、蛍光体層が柱状結晶からなる。バインダー樹脂等を含有しないため柱状結晶と柱状結晶の間には空隙が形成される。このため励起光の拡散抑制や発光の取り出し効率を高めることができ、高輝度、高鮮鋭度の画像を得ることができる。【０００３】
しかしながらバインダー樹脂を含有しないため表面が露出している状態になり、経時で性能が劣化しやすいという問題が有り、表面改質やラミネート等により極力外気と接触させない工夫が必要であった。【０００４】
製品としての性能劣化を防いだとしても基本的に気相堆積法で設けられた蛍光体結晶の表面・側面は蒸着〜封止までの工程において結晶内部と異なり、さまざまな環境におかれている。【０００５】
例えば、蒸着中には真空雰囲気下や温度変化、不活性ガスの吸脱着等があり、その後の工程では表面処理や大気中の水分の影響等がある。これにより、結晶の表面と内部では賦活剤濃度に差が出来やすいという問題点があった。【０００６】
また、性能上重要と思われる表面の状態については、これまで報告がほとんどなく、ＣｓとＣの比率を規定した報告がされている（例えば、特許文献１参照。）が、これは結晶表面汚染を少なくすることが目的であり、賦活剤濃度分布の研究ではないという点で本発明とは異なる。
【特許文献１】特開２００５−２４２７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、輝度、鮮鋭性に優れた放射線画像変換パネルを得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の上記目的は、下記構成により達成された。【０００９】
１．支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の賦活剤の存在比率が０．７〜２０であることを特徴とする放射線画像変換パネル。【００１０】
２．支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、柱状結晶内におけるカソードルミネッセンスによる輝度分布が５０％以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。【００１１】
３．支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の賦活剤の存在比率が０．７〜２０であることを特徴とする放射線画像変換パネル。【００１２】
４．支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が柱状結晶を有し、柱状結晶内におけるカソードルミネッセンスによる輝度分布が５０％以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。【００１３】
５．前記アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のハライドの主成分がＢｒまたはＩであり、且つ、Ｆの含有率が０ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。【００１４】
６．前記輝尽性蛍光体層の主成分がＣｓＢｒ：Ｅｕ（臭化セシウム：ユーロピウム賦活体）を含む輝尽性蛍光体であることを特徴とする前記１〜５のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。【００１５】
７．前記支持体が有機高分子フィルムであることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、輝度、鮮鋭性が高く、且つ、経時特性に優れている放射線画像変換パネルを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルの一態様を示す断面図である。
【図２】本発明に用いられる蒸着装置の一例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  放射線画像変換パネル
２  支持体
３  輝尽性蛍光体層
４  輝尽性蛍光体プレート
１０、２０  防湿性保護フィルム
４１  真空容器
４２  蒸発源
４３  支持体ホルダ
４４  支持体回転軸
１４ａ  支持体回転機構
１５  真空ポンプ
３０  蒸着装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の放射線画像変換パネルにおいては、請求の範囲１〜５のいずれか１項に規定される構成とすることにより、輝度、鮮鋭性が高く、且つ、経時特性に優れている放射線画像変換パネルを得ることができた。【００２０】
以下、本発明に係る各構成要素について説明する。【００２１】
本発明の放射線画像変換パネルの一態様である図１を参照しながら説明する。【００２２】
図１は、本発明の放射線画像変換パネルの一態様を示す断面図である。図１に示す通り、放射線画像変換パネル１は、支持体２上に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層３が形成された蛍光体プレート４を有している。【００２３】
支持体２は、短形状を呈しており、支持体２は、高分子材料、ガラス、金属等で構成されており、特に、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等の有機高分子フィルム、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、またはアルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート若しくはそれら金属酸化物の被覆層を有する金属シートで構成されているものが挙げられるが、中でも、Ｘ線透過性や断裁適性の観点から好ましく用いられるのは有機高分子フィルムである。【００２４】
また、支持体２の表面２ａ（図１中上面）は滑面であってもよいし、マット面であってもよい。支持体２の表面２ａ（図１中上面）は輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的でマット面でもよく、表面２ａ上には輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的で下引層を設けてもよいし、また、表面２ａ上には支持体２を透過して輝尽性蛍光体層３に励起光が入射するのを防止する目的で光反射層（図示していない）が設けられていてもよい。【００２５】
輝尽性蛍光体層３は、少なくとも１層の層状構造を有することが好ましく、また、その層厚は５０μｍ以上が好ましく、更に好ましくは１００μｍ〜５００μｍの範囲である。【００２６】
輝尽性蛍光体層３は、後述するアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体から構成された多数の柱状結晶３が互いに間隔をあけて並んだ柱状構造を有していてもよい。【００２７】
《アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体》
ここで、本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層３に含有されるアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体について説明する。【００２８】
本発明者等は上記の問題点を種々検討した結果、下記の態様１または態様２に構成を有することにより、本発明に記載の効果が得られることを見出した。【００２９】
即ち、
態様１：支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が、柱状結晶を有し、該柱状結晶の表面と内部の賦活剤の存在比率が０．７〜２０である。【００３０】
態様２：支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体が、柱状結晶を有し、該柱状結晶内におけるカソードルミネッセンスによる輝度分布が５０％以下である。【００３１】
ここで、本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、後述する気相堆積法により作製されるが、上記の態様１の表面／内部の賦活剤の存在比率を０．７〜２０に調整する手段、上記の態様２のカソードルミネッセンスによる輝度分布を５０％以下に調整する手段については、後述するアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の製造のところで、詳細に説明する。【００３２】
まずは、態様１に記載の表面／内部の賦活剤の存在比率の測定について説明する。【００３３】
《柱状結晶の表面、柱状結晶内部における、賦活剤存在比率の測定》
アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面／内部賦活剤存在比率の測定は、Ｐｙｓｉｃａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製ＴＲＩＦＴ−IIを用いて行った。【００３４】
測定手順・条件を下記に示す。【００３５】
（ａ）アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を柱状結晶に沿って割断すると柱状の側面が露出する、
（ｂ）露出した割断面を一次イオン種：Ｉｎ、加速電圧：１５ｋＶ、測定エリア：６０μｍ角、測定時間：３分の条件にて測定した。【００３６】
（ｃ）得られたスペクトルのＥｕ二次イオン強度（Ｍａｓｓ：１５１＋）をＣｓ二次イオン強度（Ｍａｓｓ：１３３＋）で除した値を表面賦活剤存在量とした。【００３７】
（ｄ）次に、アルカリ金属ハロゲン化物蛍光体を柱状結晶に沿った面での研磨断面を作製した。この場合は割断面と異なり柱状結晶の内部が露出する。研磨にはクロスセクションポリッシャ（日本電子製：ＳＭ−０９０１０、加速電圧６ｋＶ、研磨時間：６時間）を使用した。【００３８】
（ｅ）前記（ｂ）と同様に測定を行い、得られたスペクトルの賦活剤フラグメント強度をアルカリフラグメント強度で除した値を内部賦活剤存在量とした。【００３９】
上記の表面賦活剤存在量を内部賦活剤存在量で除した値を表面／内部賦活剤存在比率と定義した。即ち、
（表面／内部賦活剤存在比率）
＝（表面賦活剤存在量）／（内部賦活剤存在量）×１００（％）
次いで、態様２に記載のカソードルミネッセンス輝度分布の測定について説明する。【００４０】
《カソードルミネッセンス輝度分布の測定》
アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のカソードルミネッセンス輝度分布の測定は、ＪＳＭ−７０００Ｆ（日本電子製）、ＭＰ−３２（ＨＯＲＩＢＡ製）を用いて行った。【００４１】
測定手順・条件を以下に示す。【００４２】
アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の空隙を前処理用樹脂にて包埋した後、クロスセクションポリッシャにて基板と平行な面の研磨面を作製した。【００４３】
この面について、
ＪＳＭ−７０００Ｆ側条件、
倍率：５０００倍、
加速電圧：３ｋＶ、
試料電流：２ｎＡにて走査し、
ＭＰ−３２側条件、
取り込み：６４０ｐｏｉｎｔ、
デュアルタイム：２ｍ秒／ｐｏｉｎｔ、４４０ｎｍでのマッピングをおこなった。【００４４】
各測定点における輝度について変動係数を求め、カソードルミネッセンスによる輝度分布とした。【００４５】
また、更に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のハライドの主成分がＢｒまたはＩであり、且つ、Ｆの含有率が０ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることで、本発明に記載の効果が更に好ましく得られることを見出した。【００４６】
（蛍光体中のハライドの主成分及びＦの含有率の測定）
蛍光体中のハライドの主成分（ここで、主成分とは蛍光体中の全ハライド含量の５０質量％以上のものを表す。）の特定、ハライド中のＦ含有量の定量を行った。【００４７】
以下に、イオンクロマトグラフの測定条件を示す。【００４８】
主成分の定量は試料約１００ｍｇを超純水で１００ｍｌに仕上げ、更に超純水で適宜希釈した後、ＤＩＯＮＥＸ社製ＤＸ−５００にてアニオングラジェント分析により行った。【００４９】
Ｆの定量は試料約２５０ｍｇを超純水で２５ｍｌに仕上げた後、固相カートリッジ（ＤＩＯＮＥＸ社製  ＯｎＧｕａｒｄ−Ａｇ）で妨害となるＢｒイオンを除去した。【００５０】
その後ＤＩＯＮＥＸ社製ＤＸ−５００にてアニオングラジェント分析を行った。【００５１】
イオンクロマトグラフ  ＤＩＯＮＥＸ社製  ＤＸ５００
分離カラム            ＤＩＯＮＥＸ社製  ＩｏｎＰａｃ  ＡＳ１１
ガードカラム          ＤＩＯＮＥＸ社製  ＩｏｎＰａｃ  ＡＧ１１
溶離液                Ａ：超純水
Ｂ：１００ｍＭ  ＮａＯＨ
時間（分）    ０    １    ５  １５  ２５  ３５
Ａ（％）    ９９  ９９  ９８  ８８  ７０  ７０
Ｂ（％）      １    １    ２  １２  ３０  ３０
流量                  １ｍｌ／分、
サプレッサ            ＡＳＲＳ−ＵＬＴＲＡ（３００ｍＡ）
モード                エクスターナルモード
再生液                超純水（高純度窒素１０ｐｓｉで送液）
検出                  電気伝導度検出
《一般式（１）で表される化合物》
本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（輝尽性蛍光体ともいう）としては、下記一般式（１）で表される化合物が好ましい。【００５２】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
ここで、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属原子を表し、好ましくは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属原子で挙げられるが、特に好ましくは、Ｃｓである。【００５３】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の二価の金属原子であり、特に、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選ばれる少なくとも一種の二価の金属原子であることが好ましい。【００５４】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価の金属原子であり、特に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも一種の三価の金属原子であることが好ましい。【００５５】
Ｘ、Ｘ′及びＸ″は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子であり、特にＸは、Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲン原子であることが好ましい。【００５６】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも一種の金属原子であり、特にＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａから選ばれる少なくとも一種の金属原子であることが好ましい。【００５７】
ａ、ｂ、ｅは、それぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０−２の範囲の数値を示すことが好ましい。【００５８】
《一般式（２）で表される化合物》
上記一般式（１）で表される化合物の中でも、下記一般式（２）で表される化合物が好ましく、特に好ましくは、ＣｓＢｒ：Ｅｕで表される化合物である。【００５９】
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
ここで、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＧａまたはＣｅを表す。特にＥｕを賦活剤とするとＸ線変換効率が向上することができ好ましい。【００６０】
《アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の製造》
上記の一般式（１）または一般式（２）で表される、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。【００６１】
（ａ）ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。【００６２】
（ｂ）ＢｅＦ2、ＢｅＣｌ2、ＢｅＢｒ2、ＢｅＩ2、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ2、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。【００６３】
（ｃ）ＳｃＦ3、ＳｃＣｌ3、ＳｃＢｒ3、ＳｃＩ3、ＹＦ3、ＹＣｌ3、ＹＢｒ3、ＹＩ3、ＬａＦ3、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3、ＬａＩ3、ＣｅＦ3、ＣｅＣｌ3、ＣｅＢｒ3、ＣｅＩ3、ＰｒＦ3、ＰｒＣｌ3、ＰｒＢｒ3、ＰｒＩ3、ＮｄＦ3、ＮｄＣｌ3、ＮｄＢｒ3、ＮｄＩ3、ＰｍＦ3、ＰｍＣｌ3、ＰｍＢｒ3、ＰｍＩ3、ＳｍＦ3、ＳｍＣｌ3、ＳｍＢｒ3、ＳｍＩ3、ＥｕＦ3、ＥｕＣｌ3、ＥｕＢｒ3、ＥｕＩ3、ＧｄＦ3、ＧｄＣｌ3、ＧｄＢｒ3、ＧｄＩ3、ＴｂＦ3、ＴｂＣｌ3、ＴｂＢｒ3、ＴｂＩ3、ＤｙＦ3、ＤｙＣｌ3、ＤｙＢｒ3、ＤｙＩ3、ＨｏＦ3、ＨｏＣｌ3、ＨｏＢｒ3、ＨｏＩ3、ＥｒＦ3、ＥｒＣｌ3、ＥｒＢｒ3、ＥｒＩ3、ＴｍＦ3、ＴｍＣｌ3、ＴｍＢｒ3、ＴｍＩ3、ＹｂＦ3、ＹｂＣｌ3、ＹｂＢｒ3、ＹｂＩ3、ＬｕＦ3、ＬｕＣｌ3、ＬｕＢｒ3、ＬｕＩ3、ＡｌＦ3、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3、ＡｌＩ3、ＧａＦ3、ＧａＣｌ3、ＧａＢｒ3、ＧａＩ3、ＩｎＦ3、ＩｎＣｌ3、ＩｎＢｒ3及びＩｎＩ3から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。【００６４】
（ｄ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の金属原子。【００６５】
上記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を一般式（１）のａ、ｂ、ｅの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。【００６６】
次に、得られた混合液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。【００６７】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボまたはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００℃〜１０００℃が好ましく、焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５時間〜６時間の範囲が好ましい。【００６８】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気または少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。【００６９】
尚、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気または弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。【００７０】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気または弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。【００７１】
上記のアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を用いて、図１の輝尽性蛍光体層３が形成され、輝尽性蛍光体層３及び支持体２により蛍光体プレート４が構成される。【００７２】
ここで、本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は、後述する気相堆積法により作製されるが、上記の態様１の表面／内部の賦活剤の存在比率を０．７〜２０に調整する手段、上記の態様２のカソードルミネッセンスによる輝度分布を５０％以下に調整する手段については、蛍光体蒸着のプロセス条件を最適化することや、蒸着後に後処理を施すことにより調整することができる。【００７３】
ハロゲンガスを導入し直接置換する方法でもよく、ハロゲン放出剤を加熱などによりハロゲンを放出させ、置換する方法でもよい。【００７４】
ハロゲンガスは、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩなどであり、これらは腐食性が強いため特殊容器が必要である。ハロゲン放出剤としては、加熱などによりハロゲンを放出する物質全般を使用することができる。【００７５】
例えば、炭化水素化合物において水素原子の少なくとも１つがＣｌ、Ｂｒ、Ｉ等のハロゲンに属する原子で置換された化合物である。【００７６】
前記ハロゲン放出剤は構造的には各元素同士の結合が飽和結合だけで構成された化合物であってもよいし、不飽和結合を含む化合物であってもよいし、環状の化合物であってもよいし、鎖状の化合物であってもよいし、化合物中の原子または分子が水酸基、エーテル基、カルボキシ基で置換された化合物であってもよい。【００７７】
態様１の手段としては、後処理時の圧力、時間、ガス種の影響が特に大きく、態様２の手段としては、蒸着プロセスの影響が特に大きいことを見出した。【００７８】
《輝尽性蛍光体層の形成方法》
支持体上に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を設ける手段としては気相堆積法が用いられる。【００７９】
《気相堆積法》
本発明の放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の形成に用いられる気相堆積法について説明する。【００８０】
本発明に係るアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を支持体に気相堆積させる方法としては（真空）蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法等がある。【００８１】
（蒸着法）
蒸着法は基板を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０−４Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに堆積させる。【００８２】
この方法により、バインダーを含有しない輝尽性蛍光体層が形成され、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。【００８３】
また、前記蒸着工程にて複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。【００８４】
本発明に用いられる蒸着法においては、輝尽性蛍光体蒸発源を複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、支持体（基板ともいう）上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。【００８５】
更に蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。【００８６】
（スパッタ法）
スパッタ法は上記蒸着法と同様に支持体（基板ともいう）をスパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１．３３３×１０−４Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１．３３３×１０−１Ｐａ程度のガス圧とする。【００８７】
次に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより支持体（基板）表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さ堆積させる。このスパッタリング工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時または順次、ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。【００８８】
また、スパッタリング法では、複数の輝尽性蛍光体蒸発源をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体（基板）上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であるし、必要に応じてＯ２、Ｈ２等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタリング法においては、スパッタ時必要に応じて基板を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタリング終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。【００８９】
（ＣＶＤ法）
ＣＶＤ法は目的とするアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（輝尽性蛍光体ともいう）またはアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（輝尽性蛍光体）を蒸発源として含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体（基板）上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることができる。【００９０】
上記により形成される輝尽性蛍光体層の層厚は目的とする放射線画像変換パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲が好ましく、更に好ましくは、２０μｍ〜８００μｍである。【００９１】
《蒸着装置》
上記の蒸着法を適用するに当り、本発明では、図２に示すような蒸着装置を好適に用いることができる。【００９２】
図２に示すように、蒸着装置３０は真空容器４１と真空容器４１内に設けられてアルカリ金属ハロゲン系蛍光体を加熱して蒸発または昇華させ、支持体２に蒸着させる蒸発源４２と支持体２を保持する支持体ホルダ４３と、支持体ホルダ４３を蒸発源４２に対して回転させる支持体回転機構１４ａと真空容器４１内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ１５等を備えている。【００９３】
蒸着装置３０においては、支持体回転機構１４ａにより支持体ホルダ４３を回転させながら支持体２上に蒸発源４２からの蒸気を蒸着させて輝尽性蛍光体層３を形成することができる。【００９４】
蒸発源４２は、アルカリ金属ハロゲン系蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のルツボから構成しても良いし、ボートや、高融点金属からなるヒータから構成しても良い。【００９５】
またアルカリ金属ハロゲン系蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外にも電子ビームによる加熱や高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。【００９６】
また、蒸発源４２は分子源エピタキシャル法による分子線源でも良い。【００９７】
真空度の調節にはＡｒ、Ｈｅなどの不活性気体を用いることが好ましい（図示略）。【００９８】
更に、支持体２と蒸発源４２の間に、蒸発源４２から支持体２に至る空間を遮断するシャッタ（図示略）を設けても良い。【００９９】
シャッタを設けることによりアルカリ金属ハロゲン系蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸発初期の段階で蒸発し、支持体２に付着するのを防ぐことができる。【０１００】
支持体ホルダ４３には、支持体２を加熱する加熱ヒータ（図示略）を備えることが好ましい。支持体２を加熱することによって、支持体２の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体２の表面とアルカリ金属ハロゲン系蛍光体との間に不純物層の発生を防止し、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。【０１０１】
支持体回転機構１４ａは、例えば、支持体ホルダ４３を支持するとともに支持体ホルダ４３を回転させる支持体回転軸４４と、真空容器４１外に配置されて支持体回転機構１４ａの駆動源となるモータ（図示略）等から構成されている。【０１０２】
《蒸着装置を用いての輝尽性蛍光体層形成》
このように構成された蒸着装置３０を使用して、輝尽性蛍光体層を設ける一例を説明する。例えば、以下に示す手順により支持体２に輝尽性蛍光体層３を形成することができる。【０１０３】
まず、支持体ホルダ４３に支持体２を取り付ける。【０１０４】
次いで、真空容器４１内を真空排気し、所望の真空度に調整する。その後、支持体回転機構１４ａにより支持体ホルダ４３を蒸発源３０に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器４１が達した後、加熱された蒸発源４２から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体２表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。【０１０５】
この場合において、支持体２と蒸発源４２との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。【０１０６】
尚、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層３を形成することも可能である。更に、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いは電子ビームを用いて共蒸着し、支持体２上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層３を形成することも可能である。【０１０７】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて、被蒸着体（支持体２、保護層または中間層など）を冷却或いは加熱しても良い。【０１０８】
更に、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層３を加熱処理しても良い。また蒸着法においては必要に応じてＯ２、Ｈ２等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行っても良い。【０１０９】
上記気相堆積法による輝尽性蛍光体層３の形成にあたり、輝尽性蛍光体層３が形成される支持体の温度は、室温（ｒｔともいい、大体２４℃前後である）〜３００℃に設定することが好ましく、更に好ましくは５０℃〜２００℃である。【０１１０】
好ましい真空度Ｐとしては、１．０×１０−３Ｐａ＜Ｐ＜５．０×１０−１Ｐａ、より好ましくは３．０×１０−３Ｐａ＜Ｐ＜３．０×１０−１Ｐａである。【０１１１】
以上のように、アルカリ金属ハロゲン系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層３が形成され、輝尽性蛍光体層３及び支持体２は蛍光体プレート４を構成することができる。【０１１２】
《保護層》
本発明の放射線画像変換パネルに用いられる保護層について図１を用いて説明する。【０１１３】
図１においては、放射線画像変換パネル１の蛍光体プレート４を保護する目的で保護層が設けられている。【０１１４】
保護層としては、２枚の防湿性の保護フィルムを有しており、蛍光体プレート４は、図１に示すように輝尽性蛍光体層３の上側に配置された第１の防湿性保護フィルム１０と、支持体２の下側に配置された第２の防湿性保護フィルム２０との間に介在されるようになっている。【０１１５】
第１の防湿性保護フィルム１０は、蛍光体プレート４の輝尽性蛍光体層３と実質的に接着していない状態でその周縁部が蛍光体プレート４の周縁部より外側に延出している。【０１１６】
「第１の防湿性保護フィルム１０が輝尽性蛍光体層３と実質的に接着していない状態」とは、第１の防湿性保護フィルム１０と輝尽性蛍光体層３とが光学的に一体化していない状態をいい、具体的には、第１の防湿性保護フィルム１０と輝尽性蛍光体層３との接触面積が輝尽性蛍光体層３の表面（第１の防湿性保護フィルム１０に対向する面）の面積の１０％以下である状態をいう。【０１１７】
他方、第２の防湿性保護フィルム２０も、その周縁部が蛍光体プレート４の周縁部より外側に延出している。【０１１８】
放射線画像変換パネル１では、第１、第２の防湿性保護フィルム１０、２０の各周縁部同士が全周にわたって融着されており、第１，第２の防湿性保護フィルム１０、２０で蛍光体プレート４を完全に封止した構成を有している。【０１１９】
第１、第２の各防湿性保護フィルム１０、２０は、蛍光体プレート４を封止することにより、蛍光体プレート４への水分の浸入を確実に防止して当該蛍光体プレート４を保護する。【０１２０】
本発明に用いられる防湿性保護フィルムは、蛍光体プレートの水分の侵入を確実に防止する観点から、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ＭＰａ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。【０１２１】
図１中、上部の拡大図に示す通り、第１の防湿性保護フィルム１０は、第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の３層を積層した積層構造を有している。【０１２２】
第１の層１１は、空気層１４を介して蛍光体プレート４の輝尽性蛍光体層３と対向する層であり、熱融着性を有する樹脂で構成されている。「熱融着性を有する樹脂」としては、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、キャスティングポリプロピレン（ＣＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。【０１２３】
第２の層１２は、アルミナ、シリカ等の金属酸化物で構成された層であり、従来公知の蒸着法により第３の層１３下に蒸着されている。第２の層１２は、第１の防湿性保護フィルム１０の防湿性能を強化するものとして用いることができる。【０１２４】
第３の層１３は第２の層１２上に積層されており、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂で構成されている。【０１２５】
このように、金属酸化物で構成された第２の層１２を有する第１の防湿性保護フィルム１０は、加工性や透明性に優れており、防湿性及び酸素透過性の性質の面で温度や湿度の影響を受けにくい。そのため、当該第１の防湿性保護フィルム１０は、環境によらずに安定した画像品質が要求される輝尽性蛍光体利用型の医療用放射線画像変換パネル１に好適である。【０１２６】
尚、第３の層１３上には、第１の層１１と同様の層、第２の層１２と同様の層、第３の層１３と同様の層または第１の層１１、第３の層１３とは異なる樹脂で構成された層が１層または２層以上積層されてもよい。【０１２７】
特に、第３の層１３上に、アルミナ、シリカ等の金属酸化物で構成された第２の層１２と同様の層を積層すると、第１の防湿性保護フィルム１１は、その第２の層１２に相当する層の積層数に応じた最適な防湿性を発揮するようになっている。【０１２８】
第２の層１２またはこれと同様の層の積層方法としては、周知の方法であればどのような方法でも適用可能であるが、ドライラミネート方式に従う方法を適用するのが作業性の面で好ましい。【０１２９】
図１中、下部の拡大図に示す通り、第２の防湿性保護フィルム２０は、第１の層２１、第２の層２２、第３の層２３の３層を積層した積層構造を有している。第１の層２１は、空気層２４を介して蛍光体プレート４の支持体２と対向している。【０１３０】
第１の層２１は、第１の防湿性保護フィルム１０の第１の層１１と同様の樹脂で構成され、その周縁部において上記第１の防湿性保護フィルム１０の第１の層１１と融着している。【０１３１】
第２の層２２は、第１の層２１下にラミネートされた層であり、アルミニウムで構成されている。第２の層２２は、第２の防湿性保護フィルム２０における防湿性能を向上させるものとして用いることができる。【０１３２】
第３の層２３は、第２の層２２下に積層されており、ＰＥＴ等の樹脂で構成されている。【０１３３】
尚、第３の層２３下には、第１の層２１と同様の層、第２の層２２と同様の層、第３の層２３と同様の層または第１の層１１、第３の層１３とは異なる樹脂で構成された層が１層または２層以上積層されてもよい。
【実施例】
【０１３４】
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。【０１３５】
実施例１
《放射線画像変換パネル１の作製》
２００μｍ厚のポリイミドからなる支持体の片面にアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体として（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を、蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。【０１３６】
尚、蒸着は、図２に示すような蒸着装置３０を用いた。【０１３７】
まず、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を蒸着材料として、蒸発源４２である間接加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダ４３に支持体（基板ともいう）２を設置し、支持体２と蒸発源４２との間隔を５００ｍｍに調節した。【０１３８】
蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒ（アルゴン）ガスを導入して５．０×１０−３Ｐａに真空度を調節した後、１０ｒｐｍの速度で支持体を回転しながら支持体（基板ともいう）２を表１に記載の温度に保持した。【０１３９】
次いで、蒸発源４２である間接加熱ルツボを加熱してアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を蒸着し、蛍光体層の膜厚が１２０μｍになったところで蒸着を終了させた。【０１４０】
尚、表１に記載の蒸着レートはボートの開口面積にて制御した。【０１４１】
その後直ちに、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を有する支持体を周知の恒温槽中に設置して下記表１に記載のガス雰囲気下（固体については蛍光体プレートと同様に耐熱容器にて恒温槽内に設置）、温度・時間にて処理した。【０１４２】
尚、表１に加圧加熱と記載されているものについては５０６ｋＰａとなるように調整した。【０１４３】
処理後得られた蛍光体層にただちに第１の防湿性保護フィルムのＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）層を対向させ、且つ、該蛍光体層を有する支持体のもう一方の面に第２の防湿性保護フィルムのＣＰＰ（キャスティングポリプロピレン）層を対向させ、その状態で第１、第２の防湿性保護フィルムを互いに重ね合わせた。【０１４４】
その後第１、第２の防湿性保護フィルムで囲まれた空間を減圧しながら第１、第２の防湿性保護フィルムの周縁部をインパルスシーラーで融着し、第１、第２の防湿性保護フィルム中に、アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を有する支持体（これを蛍光体プレートともいう）を封止し放射線画像変換パネル１を作製した。【０１４５】
《表面／内部賦活剤存在比率》
アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面／内部賦活剤存在比率の測定は、上記のＰｙｓｉｃａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製ＴＲＩＦＴ−IIを用いて行った。【０１４６】
但し、Ｅｕ二次イオン強度（Ｍａｓｓ：１５１＋）の代わりに、Ｃｓ二次イオン強度（Ｍａｓｓ：１３３＋）を用いて測定を行った。【０１４７】
《カソードルミネッセンス輝度分布》
アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のカソードルミネッセンス輝度分布の測定は、上記のＪＳＭ−７０００Ｆ（日本電子製）、ＭＰ−３２（ＨＯＲＩＢＡ製）を用いて行った。【０１４８】
測定手順・条件も上記の通りにして行った。【０１４９】
《発光輝度》
発光輝度については、以下に示す方法に従って評価した。【０１５０】
各試料に対して管電圧８０ｋＶのＸ線を各試料の裏面（輝尽性蛍光体が形成されていない面）から照射した。その後半導体レーザを各試料の表面（輝尽性蛍光体が形成された面）上で走査して当該輝尽性蛍光体層を励起させ、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光の光量（光強度）を試料ごとに受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像増倍管）で測定してその測定値を「輝度（発光輝度）」とした。測定結果を表１に示す。【０１５１】
尚、表１において、輝度（発光輝度）を示す値は、放射線画像変換パネル１の輝度を１００としたときの相対値で示した。【０１５２】
《鮮鋭性》
鮮鋭性については、以下に示す方法に従って評価した。【０１５３】
各試料に対して鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶのＸ線を各試料の裏面（輝尽性蛍光体が形成されていない面）から照射した。その後半導体レーザを各試料の表面（輝尽性蛍光体が形成された面）上で走査して当該輝尽性蛍光体層を励起させ、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光の光量（光強度）を試料ごとに受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像増倍管）で受光して電気信号に変換し、その電気信号をアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録した。【０１５４】
ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録させたＸ線像の偏重伝達関数（ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ））を算出した。結果を表１に示す。【０１５５】
尚、表１において、鮮鋭性（ＭＴＦ）の評価は、放射線画像変換パネル１の鮮鋭性を１００としたときの相対値である。【０１５６】
《経時性能》
発光輝度、鮮鋭性については、作製直後（即）の他、作製した各々のパネルを２３℃、８０％ＲＨの調湿条件下で６時間経時後のパネルを評価した。各試料の発光輝度及び鮮鋭性は、放射線画像変換パネル１の発光輝度及び鮮鋭性をそれぞれ１００としたときの相対値として表した。【０１５７】
【表１】
2008114649.tif 000003
【０１５８】
表１から、比較に比べて、本発明の放射線画像変換パネル１〜６、いずれも、輝度、鮮鋭性において良好な結果を示すことが判る。【０１５９】
実施例２
《放射線画像変換パネル２−１の作製》
（シンチレータ層の形成）
実施例１の放射線画像変換パネル試料３の作製において、２００μｍ厚のポリイミドからなる支持体の片面にアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体としてＣｓＩ：０．００３Ｔｌを蒸着し、シンチレータ層（蛍光体層）を形成した以外は、蒸着装置、手順、アニール処理、防湿保護層フィルムによる保護などは同様にして、放射線画像変換パネル２−１を作製した。【０１６０】
《放射線画像変換パネル２−２、２−３の作製》
放射線画像変換パネル２−１の作製において、蛍光体蒸着の条件（蒸着レート、基板温度）を表２に記載の条件に変更した以外は同様にして、放射線画像変換パネル２−２、２−３を各々作製した。【０１６１】
《輝度の評価》
得られた放射線画像変換パネル２−１〜２−３（これらの試料は、シンチレータープレートともいう）を、ＰａｘＳｃａｎ（Ｖａｒｉａｎ社製ＦＰＤ：２５２０）にセットし、放射線画像変換パネル（シンチレータープレート）全面の平均発光量（輝度）を、以下に示す方法で評価した。結果を表２に示す。【０１６２】
ＦＰＤに管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射し、得られた画像データの平均シグナル値を発光量とした。表２ではプレート１の発光量を輝度１００とし相対値を記載した。【０１６３】
（鮮鋭性の評価）
得られたシンチレータパネルをＰａｘＳｃａｎ（Ｖａｒｉａｎ社製ＦＰＤ：２５２０）にセットし、シンチレータパネル全面の鮮鋭性の平均値を以下に示す方法で評価した。結果を表２に示す。【０１６４】
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線をＦＰＤの放射線入射面側に照射し、画像データを検出しハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して、当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。表中、ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れていることを示す。ＭＴＦはＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎの略号を示す。【０１６５】
表２中のＭＴＦ値は、各放射線画像変換パネル（シンチレータパネル）内の１０箇所を測定し、その平均値である。【０１６６】
【表２】
2008114649.tif 000004
【０１６７】
表２から、比較に比べて、本発明の放射線画像変換パネル１〜６、いずれも、輝度、鮮鋭性において良好な結果を示すことが判る。
【図１】
2008114649.tif 000005
【図２】
2008114649.tif 000006
【国際調査報告】
2008114649.tif 000007
2008114649.tif 000008
2008114649.tif 000009