(57)【要約】  反射光の利用効率に優れた高画質の反射型又は半透過型の液晶表示装置を低コストで提供する。  本発明の液晶表示装置は、複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれの中に入射光を表示面に向けて反射させる反射部を有する液晶表示装置であって、前記反射部は、複数の開口部を有する金属層と、絶縁層を挟んで前記金属層の上に形成された反射層とを備えており、前記反射層の表面は、前記金属層の断面形状に応じて形成された複数の凹部又は凸部を有しており、前記金属層の前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。
2009001508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれの中に入射光を表示面に向けて反射させる反射部を有する液晶表示装置であって、
前記反射部は、複数の開口部を有する金属層と、絶縁層を挟んで前記金属層の上に形成された反射層とを備えており、
前記反射層の表面は、前記金属層の断面形状に応じて形成された複数の凹部又は凸部を有しており、
前記金属層の前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である、液晶表示装置。
【請求項２】
前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である幅狭部の中で、ｄ（ｄは０．３以上３．０以下の任意の値）μｍ以下の幅を有する部分の長さが、前記ｄμｍ以下である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記金属層が、複数の主部と、前記複数の主部を繋ぐ連結部とを有し、前記連結部は前記連結部によって接続される第１の主部及び第２の主部のそれぞれの幅よりも狭い幅を有し、前記連結部の幅が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記連結部の中で、ｄ（ｄは０．３以上３．０以下の任意の値）μｍ以下の幅を有する部分の幅方向に垂直な方向の長さが、前記ｄμｍ以下である、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の主部及び前記第２の主部の幅が、前記連結部の幅の１．４倍以上である、請求項３又は４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
基板垂直方向から見た場合、前記第１の主部及び前記第２の主部のそれぞれが略正方形の形状を有しており、前記連結部は、前記第１の主部及び前記第２の主部それぞれの角部を連結しており、前記第１の主部及び前記第２の主部の前記連結部に接する辺の長さが１．０μｍ以上１０．０μｍ以下である、請求項３から５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素のそれぞれの中に、補助容量を形成するための一対の電極が形成されており、
前記金属層が前記一対の電極の一方をなす、請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成されており、
前記反射層と前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極とが電気的に接続されており、
前記金属層と前記反射層とによって前記一対の電極が構成される、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射層の表面は、前記金属層の断面形状に応じて形成された前記複数の凹部を有し、前記複数の凹部のなかの隣り合う２つの凹部の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項１から８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記反射部における前記絶縁層と前記反射層との間に、凹部又は開口部を有する半導体層が形成されており、
前記反射層の表面が、前記半導体層の断面形状に応じて形成された凹部又は凸部を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射層の表面に形成された凹部又は凸部の側面が、前記金属層及び前記半導体層の断面形状に応じて形成された段差を有する、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成されており、
前記金属層が前記トランジスタのゲート電極と同じ材料で形成されており、前記反射層が前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同じ材料で形成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶層と、前記液晶層と前記反射層との間に配置された層間絶縁層及び画素電極とを備え、前記画素電極の前記液晶層側の面が、前記反射層の凹部又は凸部の形状を反映することなく平坦に形成されている、請求項１から１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれの中に入射光を表示面に向けて反射させる反射部を有する液晶表示装置の製造方法であって、
基板の上に金属膜を形成するステップと、
前記金属膜の上にレジスト層を形成するステップと、
前記レジスト層の一部を除去するステップと、
前記レジスト層を介してエッチングを行うことにより、前記金属膜をパターニングして金属層を形成するステップと、
前記金属層の上に反射層を形成するステップと、を含み、
前記金属層を形成するステップにおいて、前記反射部における前記金属層の中に複数の開口部が形成され、前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離のうち最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように前記金属層が形成される、製造方法。
【請求項１５】
前記金属層を形成するステップにおいて、前記反射部における金属層が、複数の主部と、前記複数の主部を繋ぐ連結部とを有し、前記連結部の幅の最小値が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように前記金属層が形成される、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記レジスト層の一部を除去するステップにおいて、レジスト層が除去されることによって前記レジスト層の中に複数の開口が形成され、
前記レジスト層における前記複数の開口のなかの隣り合う２つの開口の間の距離のうち最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項１４又は１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記反射層を形成するステップにおいて、前記反射層の表面に、前記金属層の断面形状に応じて複数の凹部又は凸部が形成される、請求項１４から１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記反射部における前記絶縁層と前記反射層との間に凹部又は開口部を有する半導体層を形成するステップを含み、
反射層を形成するステップにおいて、前記半導体層の断面形状に応じて前記反射層の表面に凹部又は凸部が形成される、請求項１４から１７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成され、
前記金属層を形成するステップにおいて前記トランジスタのゲート電極が形成され、
前記反射層を形成するステップにおいて、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極が形成される、請求項１４から１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射光を利用して表示を行うことができる反射型あるいは半透過型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）には、表示用の光源として画面背面のバックライトを利用する透過型液晶表示装置、外光の反射光を利用する反射型液晶表示装置、および外光の反射光とバックライトの両方を利用する半透過型液晶表示装置（反射／透過型液晶表示装置）がある。反射型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置に比べて消費電力が小さく、明るい場所で画面が見やすいという特徴があり、半透過型液晶表示装置は反射型液晶表示装置に比べて、暗い場所でも画面が見やすいという特徴がある。【０００３】
図１１は、従来の反射型液晶表示装置（例えば、特許文献１）におけるアクティブマトリックス基板１００を表した断面図である。【０００４】
この図に示すように、このアクティブマトリックス基板１００は、絶縁性基板１０１と、絶縁性基板１０１の上に積層された、ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６、金属層１０８、および反射層１１０を備えている。ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６、および金属層１０８は、絶縁性基板１０１の上に積層された後、１つのマスクを用いてエッチングが施され、島状の積層構造を有するように形成される。その後、この積層構造の上に反射層１１０が形成されることにより、凹凸を有する反射面１１２が形成されている。なお、アクティブマトリックス基板１００の上部には、図示していないが、透明電極、液晶パネル、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）等が形成されている。【０００５】
図１２は、従来の半透過型液晶表示装置（例えば、特許文献２）の断面図である。【０００６】
図に示すように、この従来の半透過型液晶表示装置では、スイッチング素子（ＴＦＴ）２０３のドレイン電極２２２の上に層間絶縁膜２０４が形成されており、層間絶縁膜２０４の上には、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８が積層されている。反射電極膜２０６が形成された領域は半透過型液晶表示装置の反射領域である。反射領域における層間絶縁膜２０４の上部には凹凸が形成されており、その凹凸を反映して、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８にも凹凸が形成されている。
【特許文献１】特開平９−５４３１８号公報
【特許文献２】特開２００５−２７７４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されたアクティブマトリックス基板１００では、反射層１１０の一部は、ゲート層１０２等が形成されていない部分（島の間の部分、以下、「間隙部」と呼ぶ）において、絶縁性基板１０１に到達するように形成されている。したがって、間隙部では、反射面１１２の表面は絶縁性基板１０１の方向に陥没し、深い窪み（あるいは凹部）を有する面となる。【０００８】
反射型液晶表示装置あるいは半透過型液晶表示装置において、広い視野角にわたって明るい表示を行うためには、表示装置に入射する入射光を、一方向に鏡面反射させることなく、反射面１１２によって表示面全体により均等に効率的に反射させる必要がある。そのためには、反射面１１２は完全な平面ではなく、適度な凹凸を有しているほうが良い。【０００９】
しかし、上述のアクティブマトリックス基板１００の反射面１１２は、深い窪みを有している。そのため、窪みの下部に位置する反射面に光が到達しにくく、また、光が到達したとしても、その反射光は液晶パネル側に反射されにくいため、反射光が表示に対して有効に用いられないという問題がある。さらに、反射面１１２の多くの部分が、液晶表示装置の表示面に対して大きな角度を有することになるため、その部分からの反射光が表示に有効に利用されないという問題がある。【００１０】
図１３は、反射面１１２の傾きと反射光の出射角との関係を表した図である。図１３（ａ）は、光が屈折率Ｎａを有する媒質ａから屈折率Ｎｂを有する媒質ｂに入射したときの入射角αと出射角βとの関係を表している。この場合、スネルの法則により、次の関係が成り立つ。
Ｎａ×ｓｉｎα  ＝  Ｎｂ×ｓｉｎβ【００１１】
図１３（ｂ）は、液晶表示装置の表示面に垂直に入射した入射光が、表示面（あるいは基板）に対してθだけ傾いた反射面によって反射された場合の、入射光と反射光の関係を表した図である。図に示すように、表示面に垂直に入射した入射光は、表示面に対して角度θだけ傾いた反射面によって反射され、出射角φの方向に出射される。【００１２】
スネルの法則に基づいて、反射面の角度θ毎に出射角φを計算した結果を表１に示す。【００１３】
【表１】
2009001508.tif 000003
【００１４】
この表の値は、空気（ａｉｒ）の屈折率を１．０、ガラス基板および液晶層の屈折率を１．５として計算している。表１に示すように、反射面の角度θが２０度を超えると、出射角φが非常に大きくなり（９０−φが非常に小さくなり）、出射光のほとんどが利用者に届かなくなってしまう。したがって、反射層の反射面に凹凸をつけたとしても、反射光を有効に用いるためには、反射面のより多くの部分において角度θを２０度以下にする必要がある。【００１５】
上述のアクティブマトリックス基板１００の反射面１１２は、２０度より大きい部分が多いため、反射光が表示にあまり有効に利用されてはいない。この問題を解決するために、反射層１１０の下に絶縁層を形成し、その絶縁層の上に反射層１１０を形成することが考えられる。しかし、この場合、絶縁層を形成する工程、および反射層１１０とＴＦＴのドレインとを接続するためのコンタクトホールを絶縁層に形成する工程が必要となり、材料および工程数が増えるという問題が発生する。【００１６】
また、特許文献２の半透過型液晶表示装置では、ドレイン電極２２２の上に層間絶縁膜２０４を積層した後、その上部に凹凸を形成する工程が必要であり、さらにその上に、電食防止膜２０５、反射電極膜２０６、及び非晶質透明電極膜２１８を積層する工程が必要である。このように、従来の半透過型液晶表示装置にも、反射領域を形成するために材料や工程数が増加するという問題があった。【００１７】
さらに、従来の半透過型液晶表示装置では、液晶層２１１に接する非晶質透明電極膜２１８の表面に凹凸が形成されるため、液晶層２１１に形成される電界が均一にならず、反射領域における液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが困難であった。また、非晶質透明電極膜２１８の端部には層間絶縁膜２０４の端部形状を反映した斜面が形成されるが、この斜面によって反射領域の端部付近における液晶の配向が乱されるという問題もあった。【００１８】
また、半透過型液晶表示装置の各画素内に補助容量（Ｃｓ）を形成する場合、補助容量部あるいは補助容量線（Ｃｓライン）の存在によって透過領域の面積が減少し、液晶表示装置の開口率が低下するという問題もあった。【００１９】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、反射光の利用効率が優れた高画質の反射型液晶表示装置又は半透過型液晶表示装置を低コストで提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明による液晶表示装置は、複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれの中に入射光を表示面に向けて反射させる反射部を有する液晶表示装置であって、前記反射部は、複数の開口部を有する金属層と、絶縁層を挟んで前記金属層の上に形成された反射層とを備えており、前記反射層の表面は、前記金属層の断面形状に応じて形成された複数の凹部又は凸部を有しており、前記金属層の前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。【００２１】
ある実施形態では、前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である幅狭部のうち、ｄ（ｄは０．３以上３．０以下の任意の値）μｍ以下の幅を有する部分の長さが、前記ｄμｍ以下である。【００２２】
ある実施形態では、前記金属層が、複数の主部と、前記複数の主部を繋ぐ連結部とを有し、前記連結部は前記連結部によって接続される第１の主部及び第２の主部のそれぞれの幅よりも狭い幅を有し、前記連結部の幅が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。【００２３】
ある実施形態では、前記連結部のうち、ｄ（ｄは０．３以上３．０以下の任意の値）μｍ以下の幅を有する部分の幅方向に垂直な方向の長さが、前記ｄμｍ以下である。【００２４】
ある実施形態では、前記第１の主部及び前記第２の主部の幅が、前記連結部の幅の１．４倍以上である。【００２５】
ある実施形態では、基板垂直方向から見た場合、前記第１の主部及び前記第２の主部のそれぞれが略正方形の形状を有しており、前記連結部は、前記第１の主部及び前記第２の主部それぞれの角部を連結しており、前記第１の主部及び前記第２の主部の前記連結部に接する辺の長さが１．０μｍ以上１０．０μｍ以下である。【００２６】
ある実施形態では、前記複数の画素のそれぞれの中に、補助容量を形成するための一対の電極が形成されており、前記金属層が前記一対の電極の一方をなす。【００２７】
ある実施形態では、前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成されており、前記反射層と前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極とが電気的に接続されており、前記金属層と前記反射層とによって前記一対の電極が構成される。【００２８】
ある実施形態において、前記反射層の表面は、前記金属層の断面形状に応じて形成された前記複数の凹部を有し、前記複数の凹部のなかの隣り合う２つの凹部の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。【００２９】
ある実施形態では、前記反射部における前記絶縁層と前記反射層との間に、凹部又は開口部を有する半導体層が形成されており、前記反射層の表面が、前記半導体層の断面形状に応じて形成された凹部又は凸部を有する。【００３０】
ある実施形態では、前記反射層の表面に形成された凹部又は凸部の側面が、前記金属層及び前記半導体層の断面形状に応じて形成された段差を有する。【００３１】
ある実施形態では、前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成されており、前記金属層が前記トランジスタのゲート電極と同じ材料で形成されており、前記反射層が前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と同じ材料で形成されている。【００３２】
ある実施形態は、液晶層と、前記液晶層と前記反射層との間に配置された層間絶縁層及び画素電極とを備え、前記画素電極の前記液晶層側の面が、前記反射層の凹部又は凸部の形状を反映することなく平坦に形成されている。【００３３】
本発明による液晶表示装置の製造方法は、複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれの中に入射光を表示面に向けて反射させる反射部を有する液晶表示装置の製造方法であって、基板の上に金属膜を形成するステップと、前記金属膜の上にレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層の一部を除去するステップと、前記レジスト層を介してエッチングを行うことにより、前記金属膜をパターニングして金属層を形成するステップと、前記金属層の上に反射層を形成するステップと、を含み、前記金属層を形成するステップにおいて、前記反射部における前記金属層の中に複数の開口部が形成され、前記複数の開口部のなかの隣り合う２つの開口部の間の距離のうち最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように前記金属層が形成される。【００３４】
ある実施形態では、前記金属層を形成するステップにおいて、前記反射部における金属層が、複数の主部と、前記複数の主部を繋ぐ連結部とを有し、前記連結部の幅の最小値が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように前記金属層が形成される。前記連結部は、前記主部を電気的に接続するように形成される。また、前記連結部は、前記主部の角部どうしを接続するように形成される。【００３５】
ある実施形態では、前記レジスト層の一部を除去するステップにおいて、レジスト層が除去されることによって前記レジスト層の中に複数の開口が形成され、前記レジスト層における前記複数の開口のなかの隣り合う２つの開口の間の距離のうち最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。【００３６】
ある実施形態では、前記反射層を形成するステップにおいて、前記反射層の表面に、前記金属層の断面形状に応じて複数の凹部又は凸部が形成される。【００３７】
ある実施形態は、前記反射部における前記絶縁層と前記反射層との間に凹部又は開口部を有する半導体層を形成するステップを含み、反射層を形成するステップにおいて、前記半導体層の断面形状に応じて前記反射層の表面に凹部又は凸部が形成される。【００３８】
ある実施形態では、前記複数の画素のそれぞれの中にトランジスタが形成され、前記金属層を形成するステップにおいて前記トランジスタのゲート電極が形成され、前記反射層を形成するステップにおいて、前記トランジスタのソース電極及びドレイン電極が形成される。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、反射部の金属層における複数の開口部相互の間隔が極めて小さいため、開口部を高密度で形成することができ、同時に金属層の金属材料部分の全てを電気的に接続することができる。したがって、金属層を補助容量電極として機能させると共に、金属層の断面形状に応じて反射層表面に多くの段差や角部を形成することができるので、反射効率及び表示品質の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。【００４０】
また、反射層表面の段差および角部を半導体層の断面形状に応じて形成することもできるので、液晶表示装置の反射効率をより高めることができる。【００４１】
さらに、反射部の金属層、絶縁層、半導体層、及び反射層が、トランジスタを形成する層と同じ材料で同時に形成されるので、製造工程を増やすことなく、優れた反射特性を有する反射領域を低コストで得ることができる。【００４２】
また、本発明によれば、画素電極の液晶層側の面が対向電極の面と同様に平坦に形成され、反射部の端部付近における画素電極にも段差が形成されないので、液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが可能となる。よって、透過率が高く視野角特性に優れた表示ムラの少ない液晶表示装置を提供することが可能となる。【００４３】
よって、本発明によれば、反射光の利用効率に優れた高品質の反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置を製造効率よく低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明による液晶表示装置の断面形状を模式的に表した図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の画素領域の構成を表した平面図である。
【図３】実施形態１の反射部３０の構成を表した平面図である。
【図４】実施形態１の反射部３０におけるＣｓメタル層５６の構成を表した平面図である。
【図５】実施形態１の反射部３０及びＴＦＴ部３２の構造を表した断面図であり、（ａ）は反射部３０の断面を、（ｂ）はＴＦＴ部３２の断面を、それぞれ表している。
【図６】本発明による液晶表示装置と従来の液晶表示装置の反射部の構成を比較するための模式図であり、（ａ）は本発明による反射部の断面を、（ｂ）は従来の反射部の断面を、また、（ｃ）は反射部の角部における表面の角度を、それぞれ表した図である。
【図７】実施形態１の反射部の製造方法を表した平面図である。
【図８】実施形態１の反射部の製造方法を表した断面図である。
【図９】マスクパターンの連結部の転写を説明するための図であり、（ａ）は参考例によるマスクの連結部を、（ｂ）は露光時のマスクによる光の回り込みを、（ｃ）は参考例による光の回り込みを、（ｄ）は実施形態１における連結部７６付近の構成を、それぞれ表している。
【図１０】実施形態２の液晶表示装置を表した断面図である。
【図１１】従来の反射型液晶表示装置におけるアクティブマトリックス基板を表した断面図である。
【図１２】従来の半透過型液晶表示装置の断面図である。
【図１３】液晶表示装置における反射面の傾きと反射光との関係を表した図であり、（ａ）は光が屈折率Ｎａを有する媒質ａから屈折率Ｎｂを有する媒質ｂに入射したときの入射角αと出射角βとの関係を表しており、（ｂ）は液晶表示装置の表示面の角度と入射光および反射光の関係を表している。
【符号の説明】
【００４５】
１０    液晶表示装置
１２    ＴＦＴ基板
１４    対向基板
１６    液晶
１８    液晶層
２２    透明基板
２６    層間絶縁層
２８    画素電極
３０    反射部
３１    調整層
３２    ＴＦＴ部
３４    対向電極
３６    ＣＦ層
３８    透明基板
４０    表示面
４２    反射領域
４４    ＴＦＴ領域
４６    透過領域
４８    凹部
５０    画素
５２    ソースライン
５４    ゲートライン
５６    Ｃｓライン
５８    コンタクトホール
５９    凸部
６０    主部
６１    絶縁層
６２    半導体層
６３    反射層
６５、６６    開口部
６８、６９    凹部
７０    連結部
７５    主部
７６    連結部
８０’    マスク
８１’    遮光部
８２’    透過部
１００    アクティブマトリックス基板
１０１    絶縁性基板
１０２    ゲート層
１０４    ゲート絶縁層
１０６    半導体層
１０８    金属層
１１０    反射層
１１２    反射面
２０３    スイッチング素子
２０４    層間絶縁膜
２０５    電食防止膜
２０６    反射電極膜
２１１    液晶層
２１８    非晶質透明電極膜
２２２    ドレイン電極
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
（実施形態１）
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第１の実施形態を説明する。【００４７】
図１は、本実施形態の液晶表示装置１０の断面形状を模式的に表した図である。液晶表示装置１０は、アクティブマトリックス方式による半透過型（反射透過型）の液晶表示装置（ＬＣＤ）である。液晶表示装置１０は、図１に示すように、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１２、例えばカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）等の対向基板１４、およびＴＦＴ基板１２と対向基板１４との間に封入された液晶１６を含む液晶層１８を備えている。【００４８】
ＴＦＴ基板１２は、透明基板２２、層間絶縁層２６、画素電極２８を備えており、反射部３０とＴＦＴ部３２とを含んでいる。なお、ＴＦＴ基板１２には、後述する、ゲートライン（走査線）、ソースライン（信号線）、およびＣｓライン（補助容量線）も形成されている。【００４９】
対向基板１４は、対向電極３４、カラーフィルタ層（ＣＦ層）３６、および透明基板３８を備えている。透明基板３８の上部の面は、液晶表示装置の表示面４０となる。なお、ＴＦＴ基板１２および対向基板１４は、それぞれ、配向膜および偏光板を備えているが、ここでは、図示を省略している。【００５０】
液晶表示装置１０において、反射部３０が形成されている領域を反射領域４２と呼び、ＴＦＴ部３２が形成されている領域をＴＦＴ領域４４と呼ぶ。反射領域では、表示面４０から入射した光が、反射部３０によって反射され、液晶層１８および対向基板１４を通って表示面４０から出射される。さらに、液晶表示装置１０は、反射領域４２およびＴＦＴ領域４４以外の領域に形成された透過領域４６を有している。透過領域４６では、液晶表示装置１０の光源から発せられた光が、ＴＦＴ基板１２、液晶層１８、および対向基板１４を通って表示面４０から出射される。【００５１】
なお、図１に示すように、反射部３０の上部の対向基板１４の側に透過性樹脂等によって形成された調整層３１を設けることにより、反射領域４２における液晶層１８の厚さを、透過領域４６における液晶層１８の厚さの半分にすることも可能である。これにより、反射領域４２と透過領域４６における光路長を同じにすることができる。なお、図１には、調整層３１は対向電極３４とＣＦ層３６との間に形成されるように示しているが、調整層３１を対向電極３４の液晶層１８側の面上に形成してもよい。【００５２】
図２は、液晶表示装置１０の一部を、表示面４０の上から見た場合の平面図である。図に示すように、液晶表示装置１０には、複数の画素５０がマトリックス状に配置されている。それぞれの画素５０には、上述した反射部３０とＴＦＴ部３２が形成されており、ＴＦＴ部３２にはＴＦＴが形成されている。【００５３】
画素５０の境界部分には、列方向（図の上下方向）にソースライン５２が延びており、行方向（図の左右方向）にゲートライン（ゲートメタル層とも呼ぶ）５４が延びている。また、画素５０の中央部分には、行方向にＣｓライン５６が延びている。反射部３０における層間絶縁層２６には、画素電極２８とＴＦＴのドレイン電極とを接続するためのコンタクトホール５８が形成されている。【００５４】
反射部３０は、図５を用いて後述するように、Ｃｓライン（反射部３０においてはＣｓメタル層あるいは金属層とも呼ぶ）５６の上に形成された絶縁層（ゲート絶縁層とも呼ぶ）６１と、絶縁層６１の上に形成された半導体層６２と、半導体層６２の上に形成された反射層６３とを備えており、反射層６３の表面には複数の凹部（テーパ部）４８が形成されている。反射層６３はＴＦＴ部３０に形成されたＴＦＴのドレイン電極（またはソース電極）に電気的に接続されている。反射部３０におけるＣｓメタル層５６とその上部の反射層６３とは補助容量電極及び対向電極を形成し、両電極の間に補助容量（Ｃｓ）が形成される。【００５５】
図３は、Ｃｓライン５６の上部における反射部３０の構成を模式的に表した平面図である。なお、この図では、コンタクトホール５８は図示を省略している。【００５６】
図に示すように、反射部３０における反射層６３の表面には凹部４８が複数形成されている。凹部４８は、平面形状が概ね正方形に形成された複数の凹部６８と、平面形状が概ね円形に形成された複数の凹部６９とを含む。凹部６８はＣｓメタル層５６の開口部の形状を反映して形成されており、凹部６９は半導体層６２の開口部又は凹部の形状を反映して形成されている。【００５７】
凹部６８が形成されていない部分（図３においてドットで示した部分）は反射層６３の凸部５９となる。凸部５９は、平面形状が概ね正方形に形成された複数の主部６０と、主部６０どうしを接続する連結部７０を有する。主部６０の中にも凹部６９が形成されている。【００５８】
連結部７０の幅ａの最小値は０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。言い換えれば、複数の凹部６８のなかの隣り合う２つの凹部６８の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。また、凹部６８及び主部６０の幅（一辺の長さ）は連結部７０の幅ａよりも大きく、その値は、例えば１．０μｍ以上１０μｍ以下である。【００５９】
なお、ここでは構成を分かりやすくする為に、凹部６８、凹部６９、主部６０、及び連結部７０を実際よりも少なく図示しているが、実際には更に多くの凹部６８、凹部６９、主部６０、及び連結部７０が形成される。【００６０】
凹部６８及び凸部５９の主部６０は、必ずしも正方形に形成される必要はなく、他の多角形、円形、楕円形など様々な形状に形成され得る。また凹部６９も、多角形、楕円形など他の形状に形成され得る。また、凹部６９は、必ずしも図示したように一様な間隔で配置されなくてもよく、また凹部６８及び主部６０の中にそれぞれ１つずつ形成されなくてもよい。凹部６９は凹部６８又は主部６０を取り囲むように形成されてもよく、また、凹部６９の端部と凹部６８又は主部６０の端部とが重なる、あるいは交わるように形成されてもよい。【００６１】
本明細書では、凹部６８及び凹部６９の一方が他方を含む形態、及び両凹部の端部が重なるか交わっている形態の両方を含めて、凹部６８と凹部６９とが重なりあっている、と呼び、また、主部６０及び凹部６９の一方が他方を含む形態、及び両者が重なるか交わっている形態の両方を含めて、主部６０と凹部６９とが重なりあっている、と呼ぶ。このように、凹部６８及び主部６０と凹部６９とが重なり合うことにより、反射層６３の表面に形成された凹部あるいは凸部の側面に段差が形成される。【００６２】
次に、図４を参照して、凹部６８及び凸部５９を形成する下地となるＣｓメタル層５６の構成を説明する。【００６３】
図４は、Ｃｓメタル層５６の構成を表した平面図である。図に示すように、Ｃｓメタル層５６は、平面形状が概ね正方形に形成された複数の主部７５と、隣り合う２つの主部７５を接続する連結部７６と、主部７５及び連結部７６によって囲まれた開口部６５とを有する。なお、この図では、構成を分かりやすくする為にＣｓメタル層５６の一部を拡大して示しているので、主部７５、連結部７６、及び開口部６５は実際よりも少なく示されているが、実際にはＣｓメタル層５６は更に多くの主部７５、連結部７６、及び開口部６５を有する。【００６４】
連結部７６の幅ｄの最小値は０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。言い換えれば、複数の開口部６５のなかの隣り合う２つの開口部６５の間の距離のうち、最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である。また、主部７５及び開口部６５の幅（一辺の長さ）は連結部７６の幅ｄよりも大きく、その値は、例えば１．０μｍ以上１０μｍ以下である。【００６５】
主部７５及び凹部６５は、必ずしも正方形に形成される必要はなく、他の多角形、円形、楕円形など様々な形状であってよく、また、必ずしも図示したように一様な間隔で配置されなくてもよい。【００６６】
次に、図５を参照して、反射部３０及びＴＦＴ部３２の構成をより詳細に説明する。【００６７】
図５（ａ）は、反射部３０の断面（図３において矢印Ｂで示した部分の断面）を表している。反射部３０には、図に示すように、Ｃｓメタル層５６、絶縁層６１、半導体層６２、及び反射層６３が積層されている。半導体層６２は、例えば、真性アモルファスシリコン層（Ｓｉ（ｉ）層）と、リンがドープされたｎ+アモルファスシリコン層（Ｓｉ（ｎ+）層）とにより構成される。【００６８】
Ｃｓメタル層５６は開口部６５を、半導体層６２は開口部６６をそれぞれ有しており、開口部６６は開口部６５の内側に位置する。開口部６５の上部における反射層６３の表面には、開口部６５の断面形状を反映して凹部６８が形成され、開口部６６の上部における反射層６３の表面には、開口部６６の断面形状を反映して凹部６９が形成されている。凹部６８と凹部６９とが重なり合うことにより、凹部４８の内側斜面には段差が形成される。なお、ここでは図示を省略しているが、反射層６３の凸部５９の中にも半導体層６２の凹部６６の断面形状を反映した凹部６９が形成される。【００６９】
半導体層の開口部６６の代わりに凹部（窪み）が形成され、反射層６３の凹部６９が半導体層のその凹部（窪み）を反映して形成されることもあり得る。また、Ｃｓメタル層の開口部６５の側面に段差を付け、それを反映させることにより反射層の凹部６８の側面に段差を加えてもよい。同様に、半導体層６２の開口部６６の側面に段差を付けて、反射層の凹部６９の側面に段差を加えてもよい。また、さらに絶縁層６１に開口部又は凹部を設けることによって反射層に更に多くの凹部を形成してもよい。【００７０】
また、絶縁層又は半導体層に開口部あるいは凹部を形成する代わりに、これらの層を島状に分散させて配置してもよい。この場合、反射層６３には島状に配置されたこれらの層を反映して複数の凸部が形成され、これら凸部の周辺には、互いに重なり合い、側面に段差を有する複数の凹部が形成される。【００７１】
図５（ｂ）は、図２の矢印Ａの部分の断面図であり、ＴＦＴ部３２におけるゲートメタル層（金属層）５４、絶縁層（ゲート絶縁層）６１、半導体層６２、および反射層６３の構成を表している。ＴＦＴ部３２のゲートメタル層５４は、Ｃｓライン５６及び反射部３０のＣｓメタル層５６と同時に、同じ部材によって形成される。同様に、ＴＦＴ部３２の絶縁層６１、半導体層６２、および反射層６３は、それぞれ、反射部３０の絶縁層６１、半導体層６２、および反射層６３と同時に、同じ部材によって形成される。【００７２】
図６は、実施形態１の反射部３０と、図１１に示した従来の液晶表示装置の反射部の構造を比較した断面図である。図６（ａ）は実施形態１の反射部３０の構造を、図６（ｂ）は従来の液晶表示装置の反射部の構造を、それぞれ模式的に表している。なお、これらの図では、簡略化のために、反射部３０の各層の斜面、および従来の液晶表示装置の各層の斜面を垂直な面として表し、また、各段差の角部（図中の点線円で示した部分）は直角に折れ曲がるものとして表している。【００７３】
これらの図に示すように、実施形態１の反射部３０における反射層６３の表面には、１つの凹部６８及び凹部６９によって計８つの角部が形成される。一方、従来の液晶表示装置においては、反射部の１つの凹部には４つの角部しか形成されない。【００７４】
これらの角部は図６（ａ）及び（ｂ）では直角として表しているが、実際の角部には、図６（ｃ）に示すように、基板に平行な面（角度０度）から基板に対して２０度よりも大きい角度（この図では、例として３０度として表している）を有する面が連続的に形成される。したがって、反射部により多くの凹部を形成すれば、反射層の表面に、基板に対する角度が２０度以下である面（有効反射面）をより多く形成することができる。【００７５】
また、角部に形成される有効反射面は互いに異なる様々な傾斜角を有しているので、反射光が一定の方向のみに向かうことがない。よって、より多くの凹部を形成することにより、より多くの広範囲に広がる反射光を得ることができる。また、凹部の数を増やし、かつ凹部の側面の傾斜角度を２０度以下にすれば、さらに多くの広範囲に広がる反射光を得ることができる。【００７６】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、実施形態１の反射部３０には、従来の液晶表示装置に比べてより多くの角部が形成される。よって、反射層６３の表面により多くの有効反射面を形成することが可能となり、表示面に向けてより多くの光を広範囲に反射させることができる。また、凹部６９及び凹部６８はＣｓメタル層及び半導体層の整形形状に応じて形成される。よって、凹部６９及び凹部６８の形状、深さ、斜面傾斜角等を、Ｃｓメタル層または半導体層の整形時に容易に調節することができる。【００７７】
また、実施形態１において凹部６９又は凹部６８の内側に位置する反射層６３は、絶縁層６１の上、あるいは絶縁層６１及び半導体層６２の上に形成されている。一方、従来の液晶表示装置では、凹部の内側の反射層は、ゲート絶縁層も半導体層も介することなく、ガラス基板の上に直接形成されている。したがって、実施形態１における凹部の底面は、従来の液晶表示装置における凹部の底面よりも浅い位置に形成されることになる。これにより、入射光を広範囲により有効に反射させることが可能となる。【００７８】
従来の液晶表示装置では、凹部の底面が深い位置に形成されているため、凹部内面の傾斜角が大きくなり、凹部内に傾斜角度２０度以下の有効反射面を多く形成することが困難であった。また、この凹部は、ゲート層１０２、ゲート絶縁層１０４、半導体層１０６を形成した後で、これらの層を一括して除去することにより形成されるため、凹部内面の傾斜角をコントロールして有効反射面を増やすことも困難であった。【００７９】
本実施形態の表示装置では、Ｃｓメタル層および半導体層の形状に応じて反射層の凹部（及び凸部）が形成されるため、反射層における凹部及び角部の数を増やすことができ、また、これらの層の積層時に凹部の位置、大きさ、及び形状を調整することもできる。これにより、凹部斜面の傾斜をコントロールして、傾斜角度が２０度以下の有効反射面をより多く形成し、より多くの光を表示面側に反射させることが可能となる。【００８０】
また、本実施形態の表示装置では、反射部におけるＣｓメタル層の開口部以外の部分（金属部分）の全てが、製造可能限界付近の極めて細い幅を有する連結部によって電気的に接続されているため、主部及び開口部を極めて小さく高密度で形成すると共に、金属部分の全てを補助容量電極として機能させることができる。【００８１】
さらに、本実施形態の液晶表示装置では、図１に示したように、層間絶縁層２６及び画素電極２８の液晶層１８側の面は、反射層６３の凹部の形状を反映することなく、対向電極３４の液晶層１８側の面と同様に平坦に形成されている。したがって、図１２に示した従来の半透過型液晶表示装置と比べて、液晶層１８に形成される電界がより均一となり、反射領域４２における液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが可能となる。【００８２】
また、反射部３０の端部付近における画素電極２８に段差が形成されないので、液晶の配向が乱されることもない。したがって、透過率が高く視野角特性に優れた表示ムラの少ない液晶表示装置を提供することが可能となる。【００８３】
次に、図７および図８を用いてＴＦＴ基板１２の製造方法について説明する。図７は反射領域４２におけるＴＦＴ基板１２の製造過程を表した平面図であり、図８は反射領域４２におけるＴＦＴ基板１２（図３の矢印Ｂで示した部分）の製造過程を表した断面図である。なお、説明をわかりやすくするために、図７には、Ｃｓメタル層５６、半導体層６２、及び反射層６３の一部を拡大して表している。したがって、図７には、これら各層に形成されるパターンの一部のみが示されている。【００８４】
図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように、まず、洗浄した透明基板２２の上にＡｌ（アルミニウム）による金属薄膜をスパッタリング等の方法により成膜する。この金属薄膜は、Ａｌの他、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、あるいはこれらの合金等を用いて形成することもでき、これらの材料による層と窒化膜との積層物によって形成することもできる。【００８５】
その後、金属薄膜の上にレジスト膜を成膜し、露光・現像工程によりレジストの一部を除去してレジストパターンを作成した後（この工程に関しては、後に図９を用いてさらに説明する）、レジストパターンを介してドライまたはウェットエッチングを施し、開口部６５を有するＣｓメタル層５６を形成する。Ｃｓメタル層５６の厚さは、例えば５０〜１０００ｎｍである。【００８６】
ここで、Ｃｓメタル層５６は、その接続部７６の幅の最小値が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように、言い換えれば隣り合う２つの開口部６５の間の距離のうち最も短い距離が０．３μｍ以上３．０μｍ以下となるように形成される。なお、この工程では、図２で示したゲートライン５４及びＣｓライン５６、図５（ｂ）で示したＴＦＴ部３２のゲートメタル層５４も同一金属で同時に形成される。【００８７】
次に、図７（ｂ）及び図８（ｂ）に示すように、Ｐ−ＣＶＤ法により、ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｎ2の混合ガスを使用して、ＳｉＮ（窒化シリコン）からなる絶縁層６１を基板全面に作成する。絶縁層６１は、ＳｉＯ2（酸化シリコン）、Ｔａ2Ｏ5（酸化タンタル）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等によって形成されても良い。絶縁層６１の厚さは１００〜６００ｎｍである。なお、この工程では、図５（ｂ）で示したＴＦＴ部３２の絶縁層６１も同時に形成される。【００８８】
次に、ゲート絶縁層６１の上に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜、およびアモルファスシリコンにリン（Ｐ）をドーピングしたｎ+ａ−Ｓｉ膜を形成する。ａ−Ｓｉ膜の厚さは３０〜３００ｎｍである。また、ｎ+ａ−Ｓｉ膜の厚さは２０〜１００ｎｍである。その後、これらの膜をフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより、開口部６６を有する半導体層６２が形成される。ここで、反射部３０において遮光部と透過部とを反転させたレジストパターンを用いることにより、開口部に対応する位置にのみ半導体層６２を形成してもよい。この工程では、図５（ｂ）で示したＴＦＴ部３２の半導体層６２も同時に形成される。【００８９】
次に、図７（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、スパッタリング法等によりＡｌ等の金属薄膜を基板全面に形膜し、反射層６３を形成する。なお、金属薄膜には、Ｃｓメタル層５６の材料として上に列挙した材料が用いられ得る。反射層６３の厚さは、３０〜１０００ｎｍ以下である。【００９０】
このとき、Ｃｓメタル層５６の開口部６５の上部における反射層６３の表面には凹部６８が形成され、半導体層６２の開口部６６の上部における反射層６３の表面には凹部６９が形成される。なお、この工程では、図５（ｂ）で示した反射層６３も同時に形成されるが、ＴＦＴ部３２において反射層６３はＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成する。またこのとき、図２におけるソースライン５２も反射層６３の一部として形成され得る。【００９１】
次に、図７（ｄ）および図８（ｄ）に示すように、感光性アクリル樹脂をスピンコートにより塗布して、層間絶縁層（層間樹脂層）２６が形成される。層間絶縁層２６の厚さは、０．３〜５μｍ以下である。なお、反射層６３と層間絶縁層２６との間には、Ｐ−ＣＶＤ法によってＳｉＮx、ＳｉＯ2等の薄膜が保護膜として形成され得るが、ここでは図示を省略している。保護膜の厚さは５０〜１０００ｎｍである。層間絶縁層２６および保護膜は、反射領域４２だけでなく、ＴＦＴ領域４４も含めた透明基板２２の上部全面に形成される。その後、フォトリソグラフィー法によって反射部３０の中心付近にコンタクトホール５８が形成される。【００９２】
次に、図７（ｅ）および図８（ｅ）に示すように、層間絶縁層２６の上に、ＩＴＯまたはＩＺＯ等からなる透明電極膜がスパッタリング法等により形成され、この透明電極膜を、フォトリソグラフィー法によってパターン整形することにより、画素電極２８が形成される。画素電極２８は、反射領域４２だけでなく、ＴＦＴ領域４４も含め、画素の上部全面に形成される。【００９３】
反射領域４２では、画素電極２８は、層間絶縁層２６およびコンタクトホール５８の上に形成され、画素電極２８の金属部材はコンタクトホール５８を介して反射層６３に接する。したがって、ＴＦＴ部３２におけるＴＦＴのドレイン電極は、コンタクトホール５８を介して画素電極２８と電気的に接続される。上述の工程において、層間絶縁層２６の上面及び画素電極２８の面は、反射層６３の凹部４８の形状を反映することなく平坦に形成される。【００９４】
凹部６８及び６９は、反射層６３により多く形成することが好ましい。そのため、Ｃｓメタル層及び半導体層の開口部を、製造工程におけるマスクとフォト露光の限界内においてできる限り多く形成することが好ましい。Ｃｓメタル層及び半導体層の開口部の好ましい最大幅は１．０〜１０μｍである。【００９５】
実施形態１の反射部３０の製造工程では、上述したように、各層がＴＦＴを構成する層と同じ材料で同じ工程にて形成されるため、反射層６３に凹部等を形成するための特別な工程が不要となる。よって、液晶表示装置の製造効率を上げると共に、製造コストを抑えることが可能となる。【００９６】
次に、図９を用いて、反射部３０のＣｓメタル層５６を形成するための露光・現像工程について説明する。【００９７】
図４に示したＣｓメタル層５６を得るために、露光工程で使用されるマスクには、遮光部と透過部とによって、Ｃｓメタル層５６の形状に対応するパターンが描かれている。露光工程では、プリベークにより固化されたレジストにＵＶ光などの光をマスクを介して照射して、マスクに描かれたパターンがレジストに転写される。なお、ここでは、レジストの感光した部分が現像液によって溶解するポジ型のレジストを用いるものとして説明するが、ネガ型のレジストを用いることも可能である。【００９８】
その後、現像処理が行われ、現像液によって溶解されたレジストの一部が除去され、ポストベークが施されて、マスクのパターンが転写されたレジスト層（レジストパターン）が形成される。【００９９】
図９は、露光による連結部の転写を説明するための図であり、（ａ）は参考例によるマスクの連結部を、（ｂ）は露光時のマスクによる光の回り込みを、（ｃ）は参考例による光の回り込みを、（ｄ）は図４に示したＣｓメタル層５６の連結部付近の構成を、それぞれ表している。【０１００】
図９（ａ）に示すように、参考例のマスク８０’は、遮光部８１’と、それぞれが一様な四角形の形状を有し、遮光部８１’の中に並列して配置された複数の透過部８２’とからなる。ここでは、反射層により多くの凸部（又は凹部）を形成するために、隣接する透過部８２’の間隔ｄ’を０．３〜３．０μｍ程度に小さく設定しており、１つの透過部８２’の幅（一辺の長さ）Ｄ’は間隔ｄ’よりも大きく設定されている。【０１０１】
図９（ｂ）に示すように、一般に、マスクを介してレジスト９０を露光する場合、光の回折現象によってマスクの遮光部８１’の下に光が回り込むため、現像後に残るレジストの幅（及びそのあと整形される金属層の幅）が遮光部８１’の幅よりも狭くなるという問題が生じる。【０１０２】
図９（ｃ）には図９（ａ）における領域Ｅを拡大して示しているが、参考例のマスク８０’のように透過部８２’の幅Ｄ’が透過部８２’の間隔ｄ’よりも大きい場合、図９（ｃ）に示すように、露光時に、透過部８２’に挟まれた遮光部８１’の一点に対する光の回り込み量が多くなり、その結果、図９（ａ）の領域Ｃに示すように、遮光部８１’の下のレジストが切断され易くなる。遮光部８１’の下のレジストが多くの位置で切断されると、そのあと整形されるＣｓメタル層の中に電気的に孤立した領域が形成されてしまい、Ｃｓメタル層が補助容量電極として十分に機能しなくなる。したがって、参考例では、所定の補助容量を得ると共に反射部に高密度で凹部（及び凸部）を形成することは難しい。【０１０３】
この問題をなくすために、実施形態１の製造に使用するマスクでは、隣接する遮光部の主部どうしが、主部の角部において連結されており、そのようなマスクを使用することにより、図４及び図９（ｄ）に示したようなＣｓメタル層５６が得られる。なお、図９（ｄ）に示すＣｓメタル層５６の構成は、露光・現像工程によって形成されるレジストパターンの構成であると考えてもよい。【０１０４】
図９（ｄ）に示すように、Ｃｓメタル層５６の連結部７６は、主部７５の角部に形成されており、その長さＤが幅ｄよりも短い。Ｃｓメタル層５６の連結部７６の幅は、反射層６３により多くの凸部（又は凹部）を形成するために０．３〜３．０μｍと狭いが、連結部７６が主部７５の角部に形成されており、連結部７６の長さＤが幅ｄよりも短く設定されるため、露光工程におけるマスク下への光の回り込み量が少なく、連結部７６の切断は発生していない。【０１０５】
ここで、連結部７６とは、Ｃｓメタル層５６の部分であって、２つの主部（第１の主部及び第２の主部）７５を接続する部分であって、２つの主部７５のいずれの幅よりも狭い幅を有する部分である。連結部７６の幅方向に垂直な方向の長さは連結部７６の幅よりも短い。また、露光時の光の回り込みによる切断を防ぐために、２つの主部７５の幅は、いずれも連結部７６の幅の１．４倍以上であることが好ましい。【０１０６】
なお、本実施形態では、基板垂直方向から見た場合、主部７５はいずれも略正方形の形状を有しており、連結部７６は２つの主部７５それぞれの角部を連結しており、その幅は１μｍ、長さは０．８μｍ、２つの主部７５の連結部７６に接する辺の長さは５μｍである。連結部７６は、その幅が０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましく、その長さは、０．１μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。また、主部７５の幅（一辺の長さ）は１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。【０１０７】
また、別の表現を用いれば、連結部７６は、隣り合う２つの開口部６５に挟まれたＣｓメタル層５６の幅狭部であって、その幅が０．３μｍ以上３．０μｍ以下である部分であるとも言える。幅狭部、すなわち連結部７６のうち、ｄ（ｄは０．３以上３．０以下の任意の値）μｍ以下の幅を有する部分の長さ（幅方向に垂直な方向の長さ）は、ｄμｍ以下である。【０１０８】
このように、実施形態１によれば、連結部７６の長さを幅よりも短く設定して、露光時に連結部７６に対応するマスク領域の下に回り込む光の量を抑えることができるので、レジスト及びＣｓメタル層５６の切断を防ぐことが可能となる。したがって、Ｃｓメタル層５６に補助容量電極としての機能を持たせると共に、レジスト及びＣｓメタル層５６の接続部を露光精度限界に近い細さで形成して、反射層６３に高密度で凸部（又は凹部）を形成することが可能となる。【０１０９】
よって、本実施形態によれば、反射光を効率的に利用することができ、且つ、信頼性の高い高品質の反射型及び半透過型の液晶表示装置を、製造効率よく低コストで提供することが可能となる。【０１１０】
（実施形態２）
以下、図面を参照しながら、本発明による液晶表示装置の第２の実施形態を説明する。実施形態１の構成要素と同じ構成要素には同一の参照番号を付け、その説明を省略している。【０１１１】
図１０は、本実施形態の液晶表示装置の断面形状を模式的に表した図である。この液晶表示装置は、実施形態１の液晶表示装置から層間絶縁層２６を除いたものであり、以下に述べる点以外は実施形態１の液晶表示装置と同じである。なお、図１０には、対向基板１４の詳細な構造及びＴＦＴ部３２の図示を省略している。【０１１２】
図に示すように、実施形態２では、層間絶縁層２６が形成されないため、画素電極２８が図示しない絶縁膜を介して反射部３０及びＴＦＴ部３２の反射層６３の上に形成される。反射部３０及びＴＦＴ部３２の構造および製造方法は、層間絶縁層２６が除かれる点以外は、実施形態１にて説明したものと同じである。また、表示装置における画素配置や配線構造も、図２に示したものと同様である。実施形態２の構成によっても、実施形態１と同様、反射層の有効反射面の面積が広がり、より多くの光を表示面に反射させることができると共に、透過領域の開口率を上げることができる。【０１１３】
本発明による液晶表示装置は、上述の実施形態によって示したように、反射層の表面に多くの段差や角部を有しており、傾斜角度が２０度以下の斜面も多いので、有効反射面が広く、かつ散乱特性が優れた反射領域を得ることができる。よって、高い明度を有する明瞭な表示が可能な液晶表示装置を提供することが可能となる。【０１１４】
また、反射面の段差および角部がＣｓメタル層および半導体層の整形時の形状に応じて形成されるので、製造工程を増やすことなく、優れた反射特性を有する反射領域を容易に得ることができる。さらに、本願発明によれば、反射面の段差及び角部がＴＦＴを構成する層と同じ材料で同時に形成される層に基づいて形成することができるので、反射効率の高い液晶表示装置を製造効率よく安価に提供することが可能となる。【０１１５】
また、本発明によれば、反射部におけるＣｓメタル層における全ての主部（金属部分）を電気的に接続すると共に、主部及び開口部を極めて小さく且つ高密度で形成することが可能となる。よって、補助容量の機能を落とすことなく反射層による反射効率を高めることができる。【０１１６】
さらに、本発明によれば、画素電極の液晶層側の面が対向電極の面と同様に平坦に形成され、反射部の端部付近における画素電極にも段差が形成されないので、液晶の配向を所望の向きに均一に制御することが可能となる。よって、透過率が高く視野角特性に優れた表示ムラの少ない液晶表示装置を提供することが可能となる。【０１１７】
本発明による液晶表示装置には、液晶パネルを利用したディスプレイ装置、テレビ、携帯電話等も含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明によれば、高画質の反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。本発明による液晶表示装置は、例えば、携帯電話、カーナビ等の車載表示装置、ＡＴＭや販売機等の表示装置、携帯型表示装置、ノート型ＰＣなど、種々の半透過型液晶表示装置に好適に用いられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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