【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５６２９４３６号発明「表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５６２９４３６号の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、訂正後の請求項〔２−４〕について訂正することを認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
　第１　手続の経緯 
 　 
　特許第５６２９４３６号（請求項の数［４］、以下、「本件特許」という。）は、平成２１年　７月２１日に出願された特願２００９−１７０３４５号に係るものであって、その特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明について、平成２６年１０月１０日に特許権の設定登録がなされた。 
 　 
　これに対して、本件無効審判請求人　パーカー熱処理工業株式会社（以下「請求人」という。）は、平成２８年　５月１１日に、上記請求項１〜４に係る発明の特許のうち、請求項２及び３並びに請求項２及び３に従属する請求項４に係る発明の特許について、本件無効審判〔無効２０１６−８０００５５号〕を請求した。 
 　 
 　その後の手続の経緯は、概略以下のとおりである。 
 　 
平成２８年　７月２２日付け　審判事件答弁書（被請求人）
　　　同年　同月　同日付け　訂正請求書 （被請求人）
　　　同年１１月　９日付け　審理事項通知書 
　　　同年１２月１６日付け　口頭審理陳述要領書（請求人） 
　　　同年　同月　同日付け　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
　　　同年　同月２６日付け　審理事項通知書 
平成２９年　１月２５日付け　口頭審理陳述要領書（請求人） 
　　　同年　同月　同日付け　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
　　　同年　２月　９日受付　証拠説明書（請求人） 
　　　同年　同月　同日受付　証拠説明書（被請求人）
　　　同年　同月　同日　　　第１回口頭審理 
 　 
　第２　平成２８年　７月２２日付けの訂正請求の適否 
　平成２８年　７月２２日付けの訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求の趣旨、及び、訂正の内容は、上記訂正請求書の記載によれば、それぞれ以下のとおりのものである。 
 　 
　１．　訂正請求の趣旨 
　本件特許の明細書を本件訂正の請求書に添付した訂正明細書のとおり、訂正後の請求項２〜４について訂正することを求める。 
  　 
　２．　訂正の内容 
ア．　訂正事項１
　段落［００６１］を、次のとおり訂正する。
「 ガス導入量制御手段２６は、上述した式（２）で表される窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるように、炉内ガス組成演算手段２４が演算した炉内ガス組成を参照して、
炉内ガス組成
イ．　訂正事項２
　段落［００７４］を、次のとおり訂正する。
「（第一実施形態の効果）
  以下、本実施形態の効果を列挙する。
（１）本実施形態の表面硬化処理装置１では、水素濃度検出手段４
が炉
炉内ガス組成演算手段２４が、
ウ．　訂正事項３
　段落［００７５］を、次のとおり訂正する。
「  そして、この測定した演算値に基づいて、炉内ガス組成演算手段２４が、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
  このため
、ガ
エ．　訂正事項４
　段落［００７９］を、次のとおり訂正する。
「 （３）本実施形態の表面硬化処理方法では、炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出した炉内ガスの水素濃度に応じて、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスの炉内濃度を演算して求める。そして、この演算値に基づいて、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
  このため
、炉
オ．　訂正事項５
　段落［００９６］を、次のとおり訂正する。
「  ここで、第一発明例では、ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０という混合ガスの混合比率を基にして、ガス導入量制御手段により、窒化ポテンシャルＫＮが３．
３
処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率
  
 　 
　３．　訂正請求の適否についての当審の判断 
　（１）訂正の目的について 
ア．　訂正事項１ 
　訂正事項１は、段落［００６１］についてする訂正であって、訂正前の段落［００６１］における「アンモニアガス（ＮＨ３）の導入量と窒素ガス（Ｎ２）の導入量との比が設定炉内ガス混合比率となるように、アンモニアガス（ＮＨ３）の導入量と窒素ガス（Ｎ２）の導入量を演算する。」との記載が、段落［００４８］、［００７０］等における「炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御する」との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっているところ、訂正前の段落［００６１］における前記記載を、「
炉内ガス組成
イ．　訂正事項２ 
　訂正事項２は、段落［００７４］についてする訂正であって、訂正前の段落［００７４］における「水素濃度検出手段４が、」「処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスの炉内濃度を演算して求める。」との記載が、段落［００４６］、［００７０］等における「炉内ガス組成演算手段２４は、水素濃度検出手段４が検出した水素濃度に基づいて、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する」との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっているところ、訂正前の段落［００７４］における前記記載を、「水素濃度検出手段４
が炉
炉内ガス組成演算手段２４が、
ウ．　訂正事項３ 
　訂正事項３は、段落［００７５］についてする訂正であって、訂正前の段落［００７５］における「このため、演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、処理炉２内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して、ガス導入量制御手段２６が、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御する」との記載では、その記載自体が意味する事項が明らかではないし、また、訂正事項１で示した訂正前の段落［００６１］と同様に、段落［００４８］、［００７０］等との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっているところ、訂正前の段落［００７５］における前記記載を、「このた
め、ガ
エ．　訂正事項４ 
　訂正事項４は、段落［００７９］についてする訂正であって、訂正前の段落［００７９］における「このため、演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、処理炉２内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御する」との記載が、訂正事項３で示した訂正前の段落［００７５］と同様に、その記載自体が意味する事項が明らかではないし、また、段落［００４８］、［００７０］等との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっているところ、訂正前の段落［００７９］における前記記載を、「このため
、炉
オ．　訂正事項５ 
　訂正事項５は、段落［００９６］についてする訂正であって、訂正前の段落［００９６］における「第一発明例では、」「窒化ポテンシャルＫＮが３．０となるための」「窒化ポテンシャルＫＮを制御した。」との記載が、段落［００９５］における「第一発明例及び第一比較例共に、」「窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるように、ガス窒化処理を行った。」等との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっており、また、訂正前の段落［００９６］における「第一発明例では、」「設定炉内ガス混合比率であるＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０を保持した状態で、アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への合計導入量を制御する」との記載が、段落［００６２］における「処理炉２内へ導入する混合ガス（アンモニアガス＋窒素ガス）の、処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）の処理炉２内への合計導入量を制御する」等との記載と整合がとれていないため、互いに、明瞭でない記載となっているところ、訂正前の段落［００９６］における前記記載を、それぞれ、「第一発明例では、」「窒化ポテンシャルＫＮが３．
３
処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率
　（２）一群の請求項ごとに訂正の請求をするものであるかについて　 
　本件訂正の請求の趣旨、及び、請求の理由によれば、本件訂正の請求では、本件特許の明細書を本件訂正の請求書に添付した訂正明細書のとおり、訂正後の請求項２〜４について訂正することを求めているところ、本件特許の特許請求の範囲によれば、請求項２〜４は、一体として特許請求の範囲の一部を形成するように連関している関係を有しているから、訂正後の請求項２〜４について訂正することを求めることは、請求項２〜４からなる一群の請求項ごとに訂正の請求をするものといえ、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合する。  
  
　（３）　新規事項追加の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は
　　　　変更の存否 
　訂正事項１〜５が実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、本件特許の明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかであるから、訂正事項１〜５についての訂正は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件に適合するものである。 
  
　（４）　小括 
　上記（１）〜（３）で検討したとおり、本件訂正の請求は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであるし、かつ、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第４〜６項に規定する要件に適合するものであるので、当該訂正を認める。  
  
  
　第３　本件特許発明について 
　上記第２のとおり本件訂正を認めるところ、本件訂正は、本件特許の明細書を本件訂正の請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正するものであって、特許請求の範囲についての訂正ではないから、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。また、本件特許の明細書は、訂正後の明細書である、訂正明細書のとおりものである。
「【請求項１】
　処理炉内で水素を発生するガスとしてはアセチレンガスのみを含むとともに、その他のガスとして窒素ガスを含む炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理として真空浸炭処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アセチレンガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段と、を備えることを特徴とする表面硬化処理装置。
【請求項２】
　処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入
ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段と、を備えることを特徴とする表面硬化処理装置。
【請求項３】
　前記表面硬化処理を前記ガス軟窒化処理とし、
　前記処理炉と前記水素濃度検出手段とを連通する水素濃度検出配管と、
　前記水素濃度検出配管の温度を制御する配管温度制御手段と、を備え、
　前記配管温度制御手段は、前記水素濃度検出配管内で前記炉内ガスが固体として析出しないように、前記アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配管の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御することを特徴とする請求項２に記載した表面硬化処理装置。
【請求項４】
　前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間に介装し、前記処理炉と前記水素濃度検出手段とを連通させる連通状態と、前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間を閉鎖する閉鎖状態と、を切換可能な開閉弁と、
　前記ガス導入量制御手段の動作状態に応じて前記開閉弁を前記連通状態または前記閉鎖状態に切り換える開閉弁切換え制御手段と、を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載した表面硬化処理装置。」
 　 
　第４　当事者の主張及び証拠方法 
　１．請求人の主張の概要 
　請求人は、特許５６２９４３６号の請求項２及び３並びに請求項２及び３に従属する請求項４に係る発明の特許を無効とする、審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、審判請求書、平成２８年５月１２日付け手続補正書（方式）、同年１２月１６日付け口頭審理陳述要領書、平成２９年１月２５日付け口頭審理陳述要領書、同年２月７日付け証拠説明書、同年同月９日の第１回口頭審理（第１回口頭審理調書）、同年同月１７日付け手続補正書（方式）において、証拠方法として甲第１〜１２号証を提示し、以下の無効理由を主張した。 
 　 
第１の無効理由：本件特許の請求項２に係る発明（以下「本件発明１」という。）は、甲第１号証に記載された発明であるため、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明について、同法同条同項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきである。 
第２の無効理由：本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるため、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明について、同法同条同項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきである。 
第３の無効理由：本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきである。 
第４の無効理由：本件特許の請求項３に係る発明（以下「本件発明２」という。）は、甲第１号証及び／または甲第２号証、並びに甲第３〜４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明２に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきである。 
第５の無効理由：本件発明１〜２に従属する本件特許の請求項４に係る発明（以下「本件発明３」という。）は、甲第１号証及び／または甲第２号証、並びに甲第３〜７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明３に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきである。 
第６の無効理由：本件発明１〜３は、「（水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて演算したアンモニアガスの炉内濃度の演算値に基づいて）前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、制御する」ものであるが、本件特許の明細書には、「炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて」制御することについての具体的な説明は一切なされておらず、従って特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものであり、本件の請求項２〜４に係る特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。 
 　 
 ［証拠方法］ （当審注：「[]」は、ウムラウト付きであることを表す。以下、同様。）
甲第１号証：河田一喜、「窒化ポテンシャル制御システム付きガス軟窒化
　　　　　　炉」、熱処理、第４９巻第２号、平成２１年４月２８日　発行
　　　　　　、社団法人　日本熱処理技術協会発行、ｐ．６４〜６８
甲第２号証：Dieter Liedtke und 6 Mitautoren, W[a]rmebehandlung von
　　　　　　Eisenwerkstoffen Nitrieren und Nitrocarburieren 3.,
　　　　　  v[o]llig neu bearbeitete Auflage, ２００６年, 
　　　　　　expert verlag発行 , ｐ．１２３〜１２５、ｐ．１５４〜
　　　　　　１５５、ｐ．１５８〜１６３ 
甲第３号証：藤原雅彦、「ガス浸炭における測定精度を向上したガス分析シ
　　　　　　ステム」、熱処理、第４４巻第５号、平成１６年１０月２８日
　　　　　　発行、社団法人　日本熱処理技術協会発行、ｐ．３２０〜
　　　　　　３２３
甲第４号証：特開２０００−７４７９８号公報
甲第５号証：特開平１０−５４７８４号公報
甲第６号証：特開２００７−４０７５６号公報
甲第７号証：特開２００９−１２９９２５号公報
甲第８号証：本件被請求人　オリエンタルエンヂニアリング株式会社、及び
　　　　　　、その代理人から　本件請求人　パーカー熱処理工業株式会社
　　　　　　、及び、その代理人への平成２８年４月８日差し出しの書簡
甲第９号証：豊田工業大学　先端工学基礎学科　教授　奥宮正洋、本件特許
　　　　　　の請求項２の無効審判請求事件に関する平成２８年１２月１４
　　　　　　日付けの意見書
甲第１０号証：Dieter Liedtke und 6 Mitautoren, W[a]rmebehandlung von
　　　　　　　Eisenwerkstoffen Nitrieren und Nitrocarburieren 3., 
　　　　　　　v[o]llig neu bearbeitete Auflage, ２００６年, 
　　　　　　　expert verlag発行 , ｐ．１３９
甲第１１号証：A. Czelusniak et al. ,  Automatic Nitriding 
　　　　　　　Potentital Control in Gas Nitriding , Proceedings of 
　　　　　　　International Heat Treating Conference : 
　　　　　　　Equipment and Processes , １９９４年４月発行 , 
　　　　　　　ｐ．４４９〜４５４
甲第１２号証：ａｚｂｉｌ　デジタルマスフローコントローラ、第１２版、
　　　　　　　２０１６年９月　印刷、アズビル株式会社発行、ｐ．１〜
　　　　　　　１０
  
　甲第１〜１２号証の成立に争いはない。なお、甲第１〜８号証は、審判請求書とともに提出され、甲第９〜１２号証は、平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書とともに提出された。　 
 　 
 　 
　２．　甲号証の記載事項、及び、図面からの視認事項
　第１〜第６の無効理由に関し、請求人が証拠方法として提出した甲第１〜７号証の記載事項、及び、図面からの視認事項は、それぞれ次のとおりであり、また、補足的に提出した甲第８〜１２号証のうちの、甲第１１号証の記載事項、及び、図面からの視認事項は、次のとおりである。（当審注：「…」は記載の省略を表し、丸数字は「○１」等により表す。以下、同様。）。
　（１）　甲第１号証（河田一喜、「窒化ポテンシャル制御システム付きガス軟窒化炉」、熱処理、第４９巻第２号、平成２１年４月２８日　発行、社団法人　日本熱処理技術協会、ｐ．６４〜６８）
（１ａ）　「　１．はじめに
　従来，ガス窒化炉およびガス軟窒化炉の雰囲気管理に関しては，手動ガラス管式アンモニア分析計により不連続に炉内残留アンモニア量をチェックする程度であった。また，連続的に炉内ガスを分析する場合は，サンプリングポンプにより炉内ガスを赤外線アンモニア分析計に導入する方法を採っていた。ただ，この赤外線アンモニア分析計は，ガス軟窒化処理においては，炭酸アンモニウムの析出によりサンプリング経路の詰りが発生しやすい，定期的にフィルター掃除などのメンテナンスの必要がある，分析計が高価であるなどの問題点があり，あまり普及していない。
　そこで，当社では炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度を分析し，目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きガス軟窒化炉を開発したので，その内容を紹介する。」（ｐ．６４左欄第１〜１６行）
（１ｂ）　「　２．窒化センサ制御システム
　窒化センサは，真空浸炭・窒化炉に採用されているセンサと同様の原理からなり，ガスの熱伝導の違いにより炉内の水素濃度を測定している。
…窒化センサは，炉体に直接装着できるため窒化センサ制御システムとしてピット型，バッチ型，連続型に限らずあらゆるタイプのガス窒化・軟窒化炉に適用できる。一例として図２に窒化センサシステムを装備したストレートスルータイプの連続型ガス軟窒化炉の概略図を示す。
　図３に窒化センサ制御システム構成図を示す。本制御システムは以下のような特徴がある。
　○１窒化センサが炉体に直接装着されているため，赤外線アンモニア分析計方式に比べて分析応答速度が速く，制御性に優れる。○２センサ寿命が長く，ノーメンテナンスである。○３炭酸アンモニウム析出の問題がないため，窒化，軟窒化，酸窒化などの各種処理に適用できる。…。」（ｐ．６４左欄第１７行〜ｐ．６５左欄下から３行）
（１ｃ）　「　３．窒化ポテンシャル
　窒化炉内における窒化反応は（１）式のように表され，また，そのときの窒化ポテンシャルＫＮは（２）式のように表される。
　ＮＨ３→（Ｎ）＋３／２Ｈ２　　　　　　　　　　（１）
　ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２３／２　　　　　　　　　　　　　　　（２）
　　　ＫＮ：窒化ポテンシャル
　　　ＰＮＨ３：ＮＨ３の分圧
　　　ＰＨ２：Ｈ２の分圧
…
　そのため，窒化炉内の水素濃度を窒化センサにより分析すれば，窒化ポテンシャルを知ることができる。また，希望する窒化ポテンシャルに炉内ガスを調整するには，導入ガス量，ガス種をマスフローコントローラーへ設定信号を送ればよい。」（ｐ．６５左欄下から２行〜ｐ．６６左欄下から１３行）
（１ｄ）「図５は，ピット型ガス軟窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を用い，窒化温度５７０℃にてＮＨ３とＮ２の流量を変化させることにより窒化ポテンシャルを高い値から低い値まで自在に制御できることを示した記録チャートである。」（ｐ．６６左欄下から１１行〜下から７行）
（１ｅ）「図７には，バッチ型ガス軟窒化炉（処理重量：６００ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）において，窒化初期は窒化ポテンシャルを高くし，後期には窒化ポテンシャルをある値に低く制御して処理することによりアンモニアガス量およびトータル使用ガス量を大幅に削減できたときの記録チャートを示す。また，そのときの具体的な窒化ポテンシャル制御によるガス使用量削減効果と窒化性能結果を表１に示す。」（ｐ．６６右欄下から４行〜ｐ．６７左欄下から６行）
（１ｆ）「図６はＳＣＭ４４０材で，処理品表面積の大小のものをピット型ガス軟窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）にて窒化処理した場合，窒化ポテンシャル制御を行わなかった場合は，表面積が多いときは少ないときに比べて炉内の水素濃度が高い，すなわち窒化ポテンシャルが低いためそれに伴って化合物層も薄くなっている。一方，表面積が変わっても窒化ポテンシャルが同じになるように制御を行った場合，化合物層厚さにほとんど差がないことがわかる。」（ｐ．６６左欄下から７行〜右欄下から４行）
（１ｇ）「
　上記（１ａ）〜（１ｃ）の記載を踏まえると、図３からは、ピット型、バッチ型、連続型に限らずあらゆるタイプのガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、希望する窒化ポテンシャルが得られるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを調節できるという窒化センサ制御システム付きガス軟窒化炉が視認される。」
（１ｈ）「
　上記（１ｄ）の記載と上記（１ｇ）の視認事項とを踏まえると、図５からは、ピット型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２のみを使用し、窒化温度５７０℃にて炉内の水素濃度Ｈ２、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期には２８Ｖｏｌ％、４．２制御、中期には４０Ｖｏｌ％、１．８制御、後期には５０Ｖｏｌ％、０．９制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整することにより、炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から低い値まで制御できたことが視認される。」
（１ｉ）「
　上記（１ｅ）の記載と上記（１ｇ）の視認事項とを踏まえると、図７からは、バッチ型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用し、窒化温度５８０℃にて炉内の水素濃度Ｈ２、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期は１５Ｖｏｌ％、７．５制御、後期には２３Ｖｏｌ％、３．１制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整することにより、炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から低い値まで制御できたことが視認される。
　また、図７からは、後期における水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値が時間の推移に伴って、それぞれ、２３Ｖｏｌ％付近、３．１付近で小刻みに変動したことが視認される。」
（１ｊ）「
　上記（１ｆ）の記載と上記（１ｇ）の視認事項とを踏まえると、図６からは、窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉を用いて、窒化温度５７０℃にて炉内の水素濃度が３０Ｖｏｌ％となるように、ＮＨ３とＮ２の流量を変化させて、表面処理品であるＳＣＭ４４０材の窒化処理をすると、その表面処理品の表面積が４．４ｍ２の場合であっても、１．２ｍ２の場合と同様に、炉内ガスの窒化ポテンシャルを３．０に制御できるため、それらの表面処理品の表面積に影響されずに、厚さ約１１．５μｍの窒化処理ができるということが視認される。」
（１ｋ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　（２）　甲第２号証（Dieter Liedtke und 6 Mitautoren , W[a]rmebehandlung von Eisenwerkstoffen Nitrieren und Nitrocarburieren 3., v[o]llig neu bearbeitete Auflage, ２００６年, expert verlag発行 , ｐ．１２３〜１２５、ｐ．１５４〜１５５、ｐ．１５８〜１６３）
（２ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｂ）「
　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：４．５　プロセスの監視と制御
４．５．１　概要
　ＤＩＮ　ＥＮ　ＩＳＯ　９０００ｆｆによって強化された熱処理加工品に対する品質要請は、窒化及び軟窒化の場合、対応するプロセスが監視されて制御される時のみ満たされ得る。以下では、このために利用される計測及び制御方法が説明される。
４．５．２　測定手順の選択
　第４．１節では、窒化の場合に、炉内のアンモニア濃度ψＲ（ＮＨ３）と水素濃度ψＲ（Ｈ２）との計測値が、窒化ポテンシャルＫＮの決定に利用されることを説明した。
　…
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｆ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　上記（２ａ）、（２ｃ）〜（２ｅ）の記載を踏まえると、図４−３７と図４−３８とからは、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置であって、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整できるが、より低い窒化ポテンシャルＫＮの調整が必要な場合にはガス投入量の削減では達成できない制御装置、すなわち、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整される制御装置が視認される。）
（２ｇ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（２ｈ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（当審訳：
　上記（２ｇ）の記載を踏まえると、図４−４０からは、図４−２６の軟窒化プロセスの進行の様子であって、１．２時間の辺りから３．５時間の辺りまで時間が経過する間、約５８０℃の温度で、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２との混合ガスにより、窒化ポテンシャルＫＮが２．０に設定された軟窒化処理が行われ、その軟化処理の間、水素濃度はほぼ一定に保たれたのに対し、ＮＨ３の流量、Ｎ２の流量、ＣＯ２の流量は、いずれも、めまぐるしく変化し、この変化に伴い、前記ＮＨ３の流量と前記Ｎ２の流量の相互の大小関係もめまぐるしく変化したことから、前記混合ガスにおけるＮＨ３とＮ２とＣＯ２との流量比率もめまぐるしく変化したという、軟窒化プロセスの進行の様子が視認される。）
　（３）　甲第３号証（藤原雅彦、「ガス浸炭における測定精度を向上したガス分析システム」、熱処理、第４４巻第５号、平成１６年１０月２８日　発行、社団法人　日本熱処理技術協会、ｐ．３２０〜３２３）
（３ａ）「２．ガス分析計におけるＣＰ制御およびガス濃度測定
　ガス浸炭における重要な数値であるＣＰ値を制御する方法として，現状は炉内のＯ２濃度を測定することにより，演算でＣＰ値を算出している。…
　一方ＣＰ値の演算はＣＯ２濃度からも可能である…ＣＯ２測定には，一般的には非分散型赤外線吸収法（ＮＤＩＲ法）が用いられる。…
　熱処理炉における管理としては，…ＣＯやＣＨ４の測定，軟窒化炉や浸炭軟窒化炉におけるＮＨ３測定がある。これらのガスもＮＤＩＲ法で測定が可能である。」（ｐ．３２０左欄第９行〜右欄第７行）
（３ｂ）「５．軟窒化におけるアンモニア測定
　軟窒化におけるＮＨ３の濃度測定においてもＮＯＩＲ法（当審注：「ＮＯＩＲ法」は「ＮＤＩＲ法」の誤記と認める。）が原理的に使用可能であるが，この場合の注意点としては，下記の項目があげられる。
　○１炭酸アンモニウムの結晶が析出するため，サンプリング系における結晶の除去手段が必要
…
５．１　炭酸アンモニウム結晶の除去
　炭酸アンモニウムは５８度以下になると結晶化する。このため分析計では結晶による閉塞，測定値の低下や不安定性の問題を生じる。ＮＨ３を連続して安定に測定するためには，炭酸アンモニウムの除去が重要な課題となる。分析計内部で結晶化させないためには，サンプリング部および分析部では，炭酸アンモニウムの結晶析出温度以上につねに保持する必要性がある。しかし，分析計の排気ガスラインも含めてすべて温度コントロールを行うことは，コストや測定の安定性などを考慮した場合に問題があり，サンプリング系において，除去することが好ましい。
　サンプリングラインでは，フィルタを設けその部分は意図的に設定温度を低くし，結晶化させる方法をとる。サンプリング系のフローシートを図７に示す。この方式により連続でＮＨ３濃度の監視が可能となっている。」（ｐ．３２３下から２１行〜右欄下から１８行）
（３ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　（４）　甲第４号証（特開２０００−７４７９８号公報）
（４ａ）「【従来の技術】低炭素鋼や他の鉄合金の表面を硬化するため、炉内で一酸化炭素又は炭化水素とアンモニアを含む雰囲気中で８００〜８７５℃に加熱し、炭素と窒素を金属中へ入れる侵炭窒化法がある。侵炭窒化法では、侵炭濃度を調節するために、炉内雰囲気ガス中に含まれるＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３の濃度を測定している。炉内雰囲気ガスを測定するガス分析装置としては、サンプリングパイプを挿入して炉内雰囲気ガスを外部に導くサンプリングプローブと、そのサンプリングプローブからサンプリング導管を介して導かれた炉内雰囲気ガスに含まれる特定成分を測定セルで検出するガス分析部と、分析後の炉内雰囲気ガスを排出口に導く排出導管と、測定ガス流路に備えられ、サンプリングプローブから吸引し排出口から排出するポンプ機構とを備えたものが用いられる。そのようなガス分析装置の検出部には、例えば非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）が用いられる。
侵炭窒化処理装置から採取した炉内雰囲気ガスの温度が８０℃未満になると、炭酸アンモニウムの結晶を生じ、配管の閉塞やアンモニア濃度の指示値の低下、指示値のドリフトなどが生じ、正確な測定を行なうことができなくなる。そこで、このようなガス分析装置では、サンプリングプローブやフィルタ、サンプリング導管など測定ガス流路を局部的に８０℃以上に加熱して炭酸アンモニウムの結晶の生成を防止している。」（【０００２】〜【０００３】）
（４ｂ）「【発明が解決しようとする課題】従来のガス分析装置では、測定ガス流路を局部的にしか加熱しておらず、加熱していない部分においては炭酸アンモニウムの結晶が生じていた。そのため、アンモニアの検出感度が低下したり、またメンテナンスの頻度が多くなるという不具合を生じていた。そこで本発明は、ガス分析装置において、測定ガス流路における結晶の生成を抑制することを目的とするものである。」（【０００４】）
（４ｃ）「【課題を解決するための手段】…本発明では、すべての測定ガス流路を所定の温度に保ち、温度低下による測定ガス成分の結晶の生成を抑制する。その結果、配管の閉塞、測定成分濃度の指示値の低下、指示値のドリフトなど、結晶の生成に起因する不具合を解消することができる。」（【０００５】〜【０００６】）
（４ｄ）「【実施例】図１は、一実施例を表す概略構成図である。例えば侵炭窒化処理装置の炉２にサンプリングパイプを挿入するサンプリングプローブ４が固定されている。プローブ４の内部はヒータ３により８０℃以上に加熱されている。プローブ４からの測定ガス流路は、例えば１２０℃に加熱された加熱導管から構成されるサンプリング導管６を介して、恒温槽８の内部に導かれる。恒温槽８の内部は恒温槽８内部に設けられたヒータ１０により８０℃以上に加熱されている。…恒温槽８内部に導かれた測定ガス流路は、恒温槽８の内部に設けられたフィルタ１８、ポンプ機構２０のポンプヘッド２２、電磁弁２４及びフローメータ２６を介して、恒温槽８の外部に設けられた例えばＮＤＩＲからなるガス分析計２８に導かれる。フィルタ１８、ポンプヘッド２２、電磁弁２４、フローメータ２６及びそれらの間の測定ガス流路は恒温槽８により加熱されている。…ガス分析計２８に導かれた測定ガス流路は、ガス分析計２８内に備えられたセル３０を介して、再び恒温槽８に導かれる。セル３０では、ＮＨ３やＣＯ、ＣＯ２などの測定ガスの特定成分が検出される。セル３０は、温度制御装置１４により制御されるヒータ３２により８０℃以上に加熱されている。また、恒温槽８とガス分析計２８との間の測定ガス流路は断熱材３４により覆われているので、測定ガスの温度はほとんど低下しない。ガス分析計２８から恒温槽８に導かれた測定ガス流路は、恒温槽８の外部に設けられた例えば１２０℃に加熱された加熱導管から構成される排出導管３６を介して、排出口３８に導かれる。…この実施例では、サンプリングプローブ及びガス分析計はそれぞれ１つずつ備えられているが、バルブ等を介した配管により複数のサンプリングプローブ及びガス分析計を備えることが好ましい。…この実施例は、侵炭窒化処理装置の炉中雰囲気ガスの測定に適用し、炭酸アンモニウムの結晶が生じないように測定ガス流路の温度を８０℃以上に保っているが、本発明はこれに限定されるものではなく、測定ガス流路の保温温度を測定するガスに合わせて設定することにより、ガス成分の変質及び結晶の生成を防止して高感度な測定を行なうことができる。」（【０００７】〜【００１２】）
（４ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図１】）
　（５）　甲第５号証（特開平１０−５４７８４号公報）
（５ａ）「【従来の技術】各種プラント或は処理装置に於いて、配管にはガス成分の検出、圧力の検出等を行う為の各種センサが設けられる。
従来のガスセンサの取付け構造は図２に示される様に、配管１に分岐管２を介してガス成分検出器、圧力検出器等のガスセンサ３が設けられたものであり、配管１中を流れるガスを前記分岐管２によりガスセンサ３に導きガスセンサ３に於いて、ガスの成分、圧力等を検出するというものである。」（【０００２】〜【０００３】）
（５ｂ）「【発明が解決しようとする課題】ところが半導体製造装置では腐食性ガス、例えばＣｌＦ３ガスの様に強い腐食性を有するガスも使用しており、又装置に必要なガスセンサとしてピラニ真空計等腐食性ガスにより腐食されるガスセンサも取付ける必要がある。上記した従来のガスセンサの取付け構造では、流通する腐食性ガスが前記ガスセンサ３に到達し、前記ガスセンサ３が腐食性ガスにより腐食されるという問題があった。
本発明は斯かる実情に鑑み、腐食性ガスが流通する場合は腐食性ガスがガスセンサに到達することを防止し、ガスセンサを腐食から防護しようとするものである。」（【０００４】〜【０００５】）
（５ｃ）「【課題を解決するための手段】本発明は、ガスセンサをバルブを介して構造物に設け、前記バルブが非腐食性ガスが流通する場合に開、腐食性ガス流通する場合に閉となる様開閉される構成とし、腐食性ガスがガスセンサに到達することを防止する。」（【０００６】）
（５ｄ）「【発明の実施の形態】…
配管１より分岐させた分岐管２を介して配管１にガス成分検出器、圧力検出器等のガスセンサ３を設け、前記分岐管２にはバルブ４を設け、該バルブ４は制御器５に接続する。又、前記ガスセンサ３は前記制御器５に接続され、ガスセンサ３で検出した結果が制御器５に入力され、ガス成分コントロール或は圧力コントロール等の制御信号として使用される。又、前記制御器５からは前記バルブ４に開閉信号が出力され、前記バルブ４の開閉状態がコントロールされる。
装置の作動シーケンスにより前記配管１に流されるガスが決定され、ガスの種類に応じて前記制御器５から前記バルブ４に開閉信号が入力される。即ち、配管１中を流通するガスが窒素ガス（Ｎ２ガス）の様に非腐食性のガスの場合は、前記バルブ４に開信号が入力され、該バルブ４が開かれ、ガスセンサ３により検出が行われる。
次に、配管１に腐食性ガスを流す場合は、前記制御器５より前記バルブ４に閉信号が発せられ、バルブ４が閉塞され、ガスセンサ３へ腐食性ガスが到達するのを遮断する。而して、ガスセンサ３の腐食が防止される。
配管１に非腐食性ガスが流される状態となったら再び前記配管１が開かれ、前記ガスセンサ３によりガスに関する情報の検出が行われる。」（【０００７】〜【００１２】）
（５ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図１】）
（５ｆ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図２】）
　（６）　甲第６号証（特開２００７−４０７５６号公報）
（６ａ）「【背景技術】…固体高分子膜型燃料電池においては、従来、燃料電池の酸素極側の排出系にガスセンサ（水素検出器）を設け、このガスセンサによって燃料極側の水素が固体高分子電解質膜を通じて酸素極側に漏洩したことを検知する技術が知られている…。具体的に、この技術では、ガスセンサの水素取込口（気体取込部）を鉛直下方に向けた状態で排気管の上壁に設けることで、比重の軽い水素を良好にガスセンサ内に取り込むことができる構造となっている。また、このような技術では、水素取込口に撥水フィルタを設けることで、ガスセンサ内に高湿のガスが入る前にそのガス中の水滴を撥水フィルタで除去して、水素検出器内の検出素子に水滴が付着するのを防止することも考えられている。」（【０００２】〜【０００３】）
（６ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
  しかしながら、前記した技術では、燃料電池の発電中／発電停止中に関わらず、燃料電池から排出された高湿なオフガスが、ガスセンサ内に浸入し、ガスセンサ内で結露水が生成しやすい状況にあった。そのため、結露水が水素（被検出ガス）を検出するガス検出素子に付着し、腐食するなどした結果、ガスセンサが故障する場合があった。
  そこで、本発明は、故障しにくいガスセンサおよびガスセンサシステムを提供することを課題とする。」（【０００４】〜【０００５】）
（６ｃ）「【課題を解決するための手段】
  前記課題を解決するための手段として、請求項１に係る発明は、気体中に含まれる被検出ガスを検出するガス検出素子と、前記ガス検出素子を収容すると共に、前記気体が取り込まれるガス検出室を有する素子収容部と、を備え、前記気体が流通する気体流路の壁に設けられるガスセンサであって、前記気体流路から前記ガス検出室への前記気体の浸入を遮断する遮断手段を備えたことを特徴とするガスセンサである。
  このようなガスセンサによれば、遮断手段によって、気体流路からガス検出室への気体の浸入を適宜に遮断することができる。すなわち、例えば、ガスセンサが、後記する実施形態のように、高湿である燃料電池のオフガス中の水素（被検出ガス）を検出する水素センサである場合、遮断手段によって、燃料電池の発電停止時などにおいて、気体流路とガス検出室との連通させなければ、ガス検出室への水蒸気の浸入を遮断することができる。その結果として、ガス検出素子に水蒸気、結露水などの不純物が付着することを防止でき、ガスセンサは故障しにくくなる。
…
　請求項３に係る発明は、請求項１…に記載のガスセンサと、前記遮断手段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記被検出ガスを検出する場合のみに、前記気体を取り込むように前記遮断手段を制御することを特徴とするガスセンサシステムである。
  このようなガスセンサシステムによれば、制御手段によって、被検出ガスを検出する場合のみに、ガス検出室と前記気体流路とが連通するように遮断手段を制御して、気体をガス検出室に取り込むことができる。これにより、ガス検出素子が水蒸気に曝される時間を短くすることができ、ガス検出素子（ガスセンサ）の耐久性を向上させることができる。…」（【０００６】〜【００１１】）
（６ｄ）「【発明を実施するための最良の形態】
  次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。参照する図面において、図１は、本実施形態に係る水素センサを備えた燃料電池システムを示す概略構成図である。
  図１に示すように、本実施形態に係る水素センサ１（ガスセンサ）は、燃料電池２から排出されるオフガス（空気オフガス、希釈ガス）中の水素を検出するために、燃料電池システムＳ内に組み込まれている。以下、燃料電池システムＳについて簡単に説明した後、水素センサ１の詳細について説明する。
…
≪水素センサの構成≫
  続いて、図２を参照して水素センサ１の具体的な構造について説明する。図２は、本実施形態に係る水素センサの側断面図である。
  図２に示すように、水素センサ１は、ケース３０と、ガス検出素子６１と、ヒータ６２と、素子収容部Ｂと、素子収容部Ｂを構成する第１素子収容部４０に設けられた複数のリブ４１（突起部）と、第１収容室４０ａと出口側配管６内のオフガス流路６ａとを適宜に遮断するダイアフラム弁７０（遮断手段）と、を主に備えている。
…
＜ダイアフラム弁＞
  ダイアフラム弁７０は、開口４０ｂを適宜に閉じることによって、オフガス流路６ａから第１収容室４０ａへのオフガス（空気オフガス、希釈ガス）の浸入を適宜に遮断する遮断手段である。ダイアフラム弁７０は、第１素子収容部４０の一部からなる弁箱７１と、開口４０ｂを開閉する弁体７２と、弁体７２を開口４０ｂの閉方向に付勢する圧縮コイルバネ７３と、弁体７２に固定されバルブ室７１ａを仕切るダイアフラムシール７４を備えている。なお、図２は、圧縮コイルバネ７３が伸張し、弁体７２が開口４０ｂを閉じている状態である。
  そして、ＥＣＵ８１からコンプレッサ３５に作動信号が送られ、コンプレッサ３５が作
動し、配管３５ａを介してバルブ室７１ａに圧縮空気が送り込まれると、圧縮コイルバネ７３の付勢力に抗して、弁体７２を図２における下方向に押し下げ、開口４０ｂが開くようになっている。このように開口４０ｂが開き、第１収容室４０ａとオフガス流路６ａとが連通すると、オフガスが第１収容室４０ａに取り込まれるようになっている。
  なお、コンプレッサ３５を燃料電池２のカソードに空気を送るコンプレッサ２１（図１参照）と共有し、入口側配管３から分岐し、且つ、その途中に開閉弁を有する分岐配管を設け、分岐配管の下流端をバルブ室７１ａに接続し、ダイアフラム弁７０開く場合（オフガスを取り込む場合）にＥＣＵ８１が前記開閉弁を開く構成としてもよい。また、ソレノイドを使用し、ＥＣＵ８１の指令により、電磁駆動によって弁体７２を開／閉する構成としてもよい。
…
　前記した実施形態では、図２に示すように、第１素子収容部４０は１つの開口４０ｂを有し、この開口４０ｂがオフガスの取込口と排出口として機能するとしたが、その他に例えば図４に示すように、第１収容室４５ａを有すると共に、取込口４５ｂおよび排出口４５ｃを別々に有する第１素子収容部４５であってもよい。この場合、取込口４５ｂ、排出口４５ｃの近傍に、バタフライ弁９０、９０（遮断手段）をそれぞれ設け、バタフライ弁９０、９０がＥＣＵ８１によって閉じられると、第１収容室４５ａとオフガス流路６ａとが遮断される構成であってもよい。」（【００１５】〜【００４６】）
（６ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図１】）
（６ｆ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図２】）
（６ｇ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図４】）
　（７）　甲第７号証（特開２００９−１２９９２５号公報）
（７ａ）「【背景技術】
　基板に半導体集積回路が作成され半導体装置が製造される１工程に、可燃性のガスを使用して処理する工程、例えば処理ガスとして水素ガスを使用する水素アニール処理がある。
　以下、水素アニール処理が行われる基板処理装置について説明する。図３は、基板処理装置に用いられる、処理炉１の一例を示している。
　ヒータベース２に円筒状の加熱装置３が立設され、又該加熱装置３の内部に同心に均熱管４が立設されている。前記ヒータベース２には炉口フランジ５が前記均熱管４と同心に設けられ、前記炉口フランジ５の上端に反応管６が前記均熱管４と同心に立設されている。前記反応管６、前記炉口フランジ５によって画成される空間は処理室７となっている。
　前記炉口フランジ５から気密に挿通された温度検出器８は前記反応管６の壁面に沿って上方に延出している。前記温度検出器８は保護管と内部に挿入された熱電対により構成され、前記反応管６内部の温度を検出する様になっている。
　前記炉口フランジ５の下端は、炉口部９を形成し、該炉口部９は炉口蓋であるシールキャップ１１によって気密に閉塞可能であり、該シールキャップ１１は図示しない昇降機構（ボートエレベータ）によって昇降可能である。前記シールキャップ１１にはボート１２が載置され、該ボート１２には処理される基板（以下ウェーハ）１３が水平姿勢で保持され、前記ボート１２はボートエレベータによって前記処理室７に装脱される様になっている。
　前記炉口フランジ５にはガス供給管１４が連通し、該ガス供給管１４より処理ガスが前記処理室７に供給され、又前記炉口フランジ５には排気管１５が連通され、該排気管１５より前記処理室７が排気される様になっている。
　前記均熱管４と前記反応管６との間の円筒状の内側円筒空間１６には窒素ガス等、水素の燃焼を抑制するガスが導入される様になっており、前記反応管６と前記均熱管４とがなす外側円筒空間１７の上部には排気ダクト１８が連通され、下部には吸気口１９が連通されている。前記排気ダクト１８には開閉弁２１、排気冷却器２２、冷却手段としてのブロア２３が設けられ、前記排気ダクト１８、前記開閉弁２１、前記排気冷却器２２、前記ブロア２３は急速冷却機構２４を構成する。
…ウェーハ１３を保持した前記ボート１２が前記処理室７に装入された状態で、前記加熱装置３によりウェーハ１３が処理温度に加熱され、前記ガス供給管１４より処理ガス、例えば水素ガスが導入され、前記処理室７が処理圧に維持される様前記排気管１５より排気され、ウェーハ１３に水素アニール処理がなされる。
　水素アニール処理中、水素ガスが漏出した際の防爆対策として前記内側円筒空間１６には窒素ガス等の不活性ガスがガスパージされている。
　基板処理が終了すると、前記ボート１２が装入された状態でウェーハ１３が所要温度になる迄、冷却される。この場合、冷却時間を短縮する為、前記開閉弁２１を開放して前記ブロア２３より前記外側円筒空間１７の雰囲気ガスを強制排気し、前記吸気口１９から外気を吸引して前記加熱装置３を冷却し、冷却時間の短縮を図っている。
　上記した様に、処理ガスが水素ガス等可燃性ガスである場合、前記内側円筒空間１６に不活性ガスを充満させ、万一漏洩しても燃焼、爆発等が生じない様にしている。
　然し乍ら、処理後は前記急速冷却機構２４により前記外側円筒空間１７を強制排気しており、該外側円筒空間１７には外気が流入する。この為、処理中に前記外側円筒空間１７に水素ガスがリークしていた場合等では、流入した外気とリークしたガスとで反応して、燃焼、爆発する可能性がある。」（【０００２】〜【００１３】）
（７ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
　本発明は斯かる実情に鑑み、処理ガスに可燃性ガスを使用した場合に、リークした可燃性ガスによる燃焼、爆発が起ることを防止するものである。」（【００１６】）
（７ｃ）「【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板を収容し処理する処理室を形成する反応容器と、該反応容器の外周側に設けられ、前記反応容器内を加熱する加熱装置と、前記反応容器内に可燃性ガスを供給するガス供給手段と、前記加熱装置の加熱する温度を検出する温度検出手段と、前記加熱装置及び前記ガス供給手段を、少なくとも前記温度検出手段の検出する検出温度に基づき制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記検出温度が前記可燃性ガスの発火温度よりも低い温度である予め設定された設定温度以下の時に前記可燃性ガスが供給可能な様に前記ガス供給手段を制御する基板処理装置に係るものである。」（【００１７】）
（７ｄ）「…基板処理装置に於いて、基板処理の１つである減圧水素アニール処理を行う場合を、図１、図３を参照して説明する。
　ボート１２に未処理ウェーハ１３が所定枚数装填され、図示しないボートエレベータによって前記処理室７に前記ボート１２が装入される。
  前記開閉弁２１、前記第９開閉弁６７、前記第２開閉弁３８、前記第４開閉弁４５、前記第１開閉弁３２、前記第６開閉弁５２が閉とされ、前記流量制御弁３１、前記第７開閉弁５５、前記第１０開閉弁６９が開とされる。
　前記排気ポンプ２６が駆動され、前記処理室７が減圧状態とされる。…
　前記第８開閉弁６５が開とされ、前記第５流量調整器６６で流量調整されながら、水素ガスが前記処理室７に供給される。反応後の残存ガスは前記排気管１５を介して前記排気ポンプ２６により吸引排気される。前記排気管１５の圧力は前記圧力センサ２８によって検出され、又前記流量制御弁３１の開閉度の調整により、前記処理室７の圧力がコントロールされる。
…
　又、前記処理室７が前記加熱装置３によって加熱され、処理室が所定の処理温度となる様に前記制御装置７２によって制御される。処理温度は、例えばＣｕ膜をアニール処理する場合は、１００℃〜２５０℃内の所定の温度であり、メタル膜を熱処理する場合は、２００℃〜４５０℃の範囲内の所定の温度とされる。
　ところで、減圧水素アニール処理中、即ち水素ガスを前記処理室７に流す際には、事前に前記反応管６から水素ガスが漏出した場合を考慮して、防爆処理がなされる。即ち前記第３ガス供給ライン６３から不活性ガス（本実施の形態の場合は窒素ガス）が前記第７流量調整器７０によって流量調整されて、前記内側円筒空間１６、外側円筒空間１７に供給され、前記内側円筒空間１６、前記外側円筒空間１７が不活性ガスパージされる。尚、前記均熱管４には通孔（図示せず）が穿設されており、前記内側円筒空間１６と前記外側円筒空間１７とは連通状態となっている。
　尚、排気ダクト１８は前記開閉弁２１によって閉塞されており、前記内側円筒空間１６、前記外側円筒空間１７は不活性ガスが充填されることで不活性ガス雰囲気となる。
　又、前記外側円筒空間１７内に酸素濃度検出器（図示せず）を設け、基板処理開始前、基板処理中の前記外側円筒空間１７の酸素濃度を検出する様にし、水素ガスが前記外側円筒空間１７に漏出した場合にも安全である様に、酸素濃度が規定値、即ち水素ガスが爆発する濃度以下に管理される。
　規定する酸素濃度としては、水素は酸素分圧が５ｖｏｌ％以下であれば、如何なる状態であっても爆発しないので、規定する酸素濃度は５ｖｏｌ％以下、好ましくは安全を考慮して１ｖｏｌ％以下に規定する。
…
　減圧水素アニール処理が完了すると、前記第８開閉弁６５が閉とされ、水素ガスの導入が停止され、前記第９開閉弁６７が開とされて、前記第２ガス供給ライン６２より前記処理室７に不活性ガス（本実施の形態では窒素ガス）が供給され、前記排気ポンプ２６により前記処理室７が排気され、該処理室７が不活性ガスに置換される。
…
　尚、減圧水素アニール処理が完了した時点で前記第２開閉弁３８が開とされ、前記処理室７内のガスが前記第１流量調整器３９で流量調整されて前記水素濃度検出器４１に導かれ、水素濃度が測定され、測定結果は前記制御装置７２に送出される。測定後は前記水素希釈ライン４２により不活性ガス、空気等の希釈ガスが供給され、希釈された状態で排気される。
　又、前記第４開閉弁４５が開とされ、前記処理室７内のガスが前記酸素濃度検出器４６に導かれ、酸素濃度が測定され、測定結果は前記制御装置７２に送出される。測定後は前記第５開閉弁４９を開き、前記酸素希釈ライン４７により不活性ガス、空気等の希釈ガスが供給され、希釈された状態で排気される。酸素濃度が後述する様に規定以下であるならば、前記第４開閉弁４５及び前記第５開閉弁４９を閉じる。
　前記温度検出器８により前記処理室７の温度が測定され、測定結果は前記制御装置７２に送出される。
　該制御装置７２は、通常の作動としては、減圧水素アニール処理が完了すると、前記急速冷却機構２４を駆動し、前記開閉弁２１を開にし、冷却空気を吸引し、前記排気ダクト１８より排気することで、処理炉１内部（加熱装置３、均熱管４、反応管６）を冷却する。
　前記急速冷却機構２４が駆動されることで、前記内側円筒空間１６内、前記外側円筒空間１７内に大量の冷却空気が供給され、前記内側円筒空間１６内、前記外側円筒空間１７内の雰囲気ガスは、前記排気ダクト１８より排気される。前記加熱装置３、前記均熱管４、前記反応管６が所定温度（例えば５０℃〜２００℃）に降下維持される。…
　前記処理炉１内部が所定温度迄冷却されると、前記ボート１２が降下される。前記炉口フランジ５の下端炉口が炉口シャッタ（図示せず）により閉じられ、処理済のウェーハ１３が払出される。
　前記制御装置７２は、前記処理室７から水素がリークしている場合を考慮し、前記水素濃度検出器４１が検出した水素濃度、前記温度検出器８が検出した前記処理室７の温度によっては、前記急速冷却機構２４の駆動を抑制する。
　上記した様に基板処理中は、前記内側円筒空間１６、前記外側円筒空間１７は不活性ガス雰囲気となっているが、前記急速冷却機構２４により急速冷却を実行すると、大量の空気が前記内側円筒空間１６、前記外側円筒空間１７に流入し、水素がリークしていた場合、加熱装置３のヒータ素線が着火源となり、又急激な流体の移動によりヒータ内壁、均熱管の外壁との摩擦が着火源となり爆発する虞れも生じる。
　ここで、水素ガスの爆発範囲は、一般に空気中に於いて、４％〜７５％、酸素中に於いて４．６５％〜９３．９％、又発火点については空気中で５２７℃、酸素中に於いて４５０℃とされている。
　従って、前記制御装置７２は、安全を考慮し、前記水素濃度検出器４１からの濃度検出結果が、１％以下である場合に、又前記温度検出器８による温度検出結果が４００℃以下の場合に前記急速冷却機構２４を駆動可能となる様に水素濃度インタロック設定値又は、温度インタロック設定値を設定しておく。予め設定された水素濃度インタロック設定値又は温度インタロック設定値以下であれば、前記処理炉１の内部を急速冷却する。
　一方、前記水素濃度検出器４１からの濃度検出結果が１％を越える場合、即ち、予め設定された水素濃度インタロック設定値を超える場合、又前記温度検出器８による温度検出結果が４００℃を越える場合即ち、予め設定された温度インタロック設定値を超える場合は、前記制御装置７２は前記急速冷却機構２４を禁止し、駆動不可能となる。その後、前記処理室７の水素濃度が１％以下（前記処理室７の水素濃度が水素濃度インタロック設定値以下）又は、前記温度検出器８による温度検出結果が４００℃以下（前記温度インタロック設定値以下）となる様な制御を行う。
　例えば、前記第２ガス供給ライン６２からの不活性ガスの流量を増大させる様に、前記第９開閉弁６７、前記第６流量調整器６８を制御する。又、前記温度検出器８の検出温度が４００°以下となる迄、前記急速冷却機構２４の駆動を待機させる。
　而して、前記処理室７から水素がリークしている場合でも、安全に前記急速冷却機構２４による急速冷却を実行することができる。」（【００３６】〜【００６３】）
（７ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（【図１】）
　（８）　甲第１１号証（A. Czelusniak et al. ,  Automatic Nitriding Potentital Control in Gas Nitriding , Proceedings of International Heat Treating Conference : Equipment and Processes , １９９４年４月発行 , ｐ．４４９〜４５４）
（８ａ）「　The H2 content is inversely proportional to the amount of residual ammonia, therefore directly proportional to the dissociation rate. This, in turn, depends on the flow. Slow flows yield high dissociation rates because of longer dwell lower the dissociation rate, thereby raising the amount of residual ammonia, hence, the value of Np. Fig.4 shows a typical characteristic curve of controllability, based on atmosphere flows.」（ｐ．４５１右欄第１〜９行）
（当審訳：Ｈ２濃度は、未分解のアンモニアの量に反比例するため、アンモニアの熱分解度に直接的に比例する。そして、アンモニアの熱分解度は、流量に依存する。遅い流れは、反応領域での長い滞留時間のため、高い熱分解度をもたらす。速い流れは、熱分解度を低くし、それによって、未分解のアンモニアの量を増加させ、窒化ポテンシャルＮｐの値を上昇させる。図４は、アンモニアガス流量に基づく窒化ポテンシャルＮｐ制御の典型的な特性曲線を示す。）
（８ｂ）「
Fig.4 Controllability range of the nitriding potential by regulation of atmosphere flow
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（ｐ．４５１左欄下）
（当審訳：
　図４　アンモニアガスの流量調節による窒化ポテンシャルの制御可能範囲
　
　上記（８ａ）の記載を踏まえると、図４からは、窒化ポテンシャル制御可能範囲では、その制御の際のアンンモニアガス流量を一定とすれば、アンモニアの熱分解度が一定となり、窒化ポテンシャルは一定となることが視認される。）
　３．被請求人の主張の概要 
　被請求人は、本審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求め、平成２８年７月２２日付け審判事件答弁書、同年１２月１６日付け口頭審理陳述要領書、平成２９年１月２５日付け口頭審理陳述要領書、同年２月８日付け証拠説明書、同年同月９日の第１回口頭審理（第１回口頭審理調書）において、乙第１〜５号証を提示し、請求人の主張する上記第１の無効理由１〜第６の無効理由は、いずれも理由がない、と主張した。 
 　 
 ［証拠方法］ 
乙第１号証：日本真空技術株式会社、真空ハンドブック増訂版、１９８２年
　　　　　　１１月９日、１９８２年版真空ハンドブック編集委員会発行、
　　　　　　ｐ．２０〜２１ 
乙第２号証：ディーター・リートケほか、鉄の窒化と軟窒化、初版　第１刷
　　　　　　、２０１１年８月３０日、株式会社アグネ技術センター、
　　　　　　ｐ．１５７、ｐ．１５９〜１６０
乙第３号証：日本規格協会、ＪＩＳハンドブック　○７　機械要素、第１版
　　　　　　第１刷、２００６年１月２５日、財団法人日本規格協会発行、
　　　　　　ｐ．５３９
乙第４号証：河田一喜、本当によくわかる窒化・浸炭・プラズマＣＶＤ−
　　　　　　高機能表面改質法の基礎と応用−、初版１刷、２０１２年３月
　　　　　　２２日、日刊工業新聞社発行、ｐ．１８８〜１８９
乙第５号証：（社）日本熱処理技術協会、熱処理技術便覧、初版１刷、２０
　　　　　　００年８月３０日、日刊工業新聞社発行、ｐ．８４８
  
　乙第１〜５号証の成立に争いはない。なお、乙第１〜２号証は、平成２８年７月２２日付け審判事件答弁書とともに、乙第２〜５号証は、平成２８年１２月１６日付けで被請求人が提出した口頭審理陳述要領書とともに、提出されたところ、平成２８年７月２２日付け審判事件答弁書とともに提出された乙第２号証は、平成２８年１２月１６日付けで被請求人が提出した口頭審理陳述要領書とともに提出された乙第２号証に差し替えられた（第１回口頭審理調書の被請求人２）。 
　４．　乙号証の記載事項
　被請求人が証拠方法として提出した乙第１〜５号証のうちの、乙第２号証の記載事項は、次のとおりである。
　（２’）　乙第２号証（ディーター・リートケほか、鉄の窒化と軟窒化、初版　第１刷、２０１１年８月３０日、株式会社アグネ技術センター、ｐ．１５７、ｐ．１５９〜１６０）
（２’ａ）　「
　　　　　　　　　　」（ｐ．１５７）
（２’ｂ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 （ｐ．１５９）　 
（２’ｃ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 （ｐ．１６０）　 
 　 
　第５　無効理由についての当審の判断 
　１．　訂正明細書の記載事項、及び、図面からの視認事項
　上記第６の無効理由が主張されている本件発明１〜３に関し、訂正明細書には、次の記載があり、図面からは次の事項が視認される。
ａ．「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、例えば、窒化、軟窒化…等、金属製の被処理品に対する表面硬化処理を行う、表面硬化処理装置…に関する。」
ｂ．「【背景技術】
【０００２】
　従来から、金属製の被処理品、特に、鋼部品や金型に対する表面硬化処理として、窒化処理や軟窒化処理が適用されている。この窒化処理や軟窒化処理は、後述する浸炭処理や浸炭窒化処理と比較して、処理温度が低く、また、歪みの少ない処理法である。
　このような窒化処理や軟窒化処理の方法としては、ガス法、塩浴法、プラズマ法等がある。そして、これらの方法の中では、ガス法が、品質、環境性、量産性等を考慮した場合に、総合的に優れている。
【０００３】
　ところで、ガス法による窒化処理（ガス窒化処理）は、被処理品に対し、窒素のみを浸透拡散させて、表面を硬化させるプロセスを有する。また、ガス窒化処理では、アンモニアガス、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガス、アンモニアガスとアンモニア分解ガス（７５％Ｈ２，２５％Ｎ２）との混合ガスを処理炉内へ導入して、表面硬化処理を行う。
　一方、ガス法による軟窒化処理（ガス軟窒化処理）は、被処理品に対し、窒素とともに炭素を副次的に浸透拡散させて、表面を硬化させるプロセスを有する。また、ガス軟窒化処理では、アンモニアガスとＲＸガス（ＣＯ，Ｈ２，Ｎ２を主成分とする吸熱型変成ガス）との混合ガス、アンモニアガスと窒素ガスとＣＯ２との混合ガス等、複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスを処理炉内へ導入して、表面硬化処理を行う。
【０００４】
　以上のようなガス窒化処理及びガス軟窒化処理では、内部に被処理品を配置した処理炉内の雰囲気を管理するために、例えば、非特許文献１に記載されているような測定方法を用いて、炉内ガスのアンモニア濃度や水素濃度を測定する場合がある。
　具体的に、非特許文献１には、処理炉内に存在している炉内ガスのアンモニア濃度を測定する方法として、手動ガラス管アンモニア分析計を用いて、不連続に炉内ガスのアンモニア濃度を測定する方法と、赤外線アンモニア分析計を用いて、連続的に炉内ガスのアンモニア濃度を測定する方法が記載されている。
【０００５】
　また、非特許文献１には、炉内ガスの水素濃度を測定する方法として、炉内ガスの熱伝導度を利用した熱伝導度センサを用いて、連続的に炉内ガスの水素濃度を測定する方法が記載されている。なお、上記の熱伝導度センサは、処理炉の炉体に直接装着することが可能な構成であり、炉内ガスの熱伝導度に基づいて、炉内ガスの水素濃度を検出可能な構成である。
…
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】河田一喜、「窒化ポテンシャル制御システム付きガス軟窒化炉」、熱処理、４９巻２号、２００９、Ｐ．６４〜６８
…」
ｃ．「【発明が解決しようとする課題】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　特許文献１に記載されている手動ガラス管アンモニア分析計は、手動操作により測定を行う構成であるため、炉内ガスのアンモニア濃度を連続的に測定することが不可能であり、処理炉内の雰囲気に対する、連続自動制御に適用できない。
　また、特許文献１に記載されている赤外線アンモニア分析計は、炉内ガスのアンモニア濃度を連続的に測定可能であるため、処理炉内の雰囲気に対する連続自動制御に適用することは可能であるが、炉内ガスを、サンプリングポンプにより赤外線アンモニア分析計に導入する必要がある。このため、ガス軟窒化処理においては、炭酸アンモニウムの析出により、サンプリング経路の詰りが発生しやすく、定期的にフィルター清掃等のメンテナンスを行う必要があるため、表面硬化処理の作業効率が低下するという問題が発生するおそれがある。
【００１０】
　また、特許文献１に記載されている赤外線アンモニア分析計は、手動ガラス管アンモニア分析計や熱伝導度センサと比較して高価であるため、コスト面等から採用が困難であるという問題がある。
　これに対し、特許文献１…に記載されている熱伝導度センサは、赤外線アンモニア分析計と異なり、低価格であり、且つ、処理炉の炉体に直接装着することが可能であり、また、炉内ガスの水素濃度を連続的に測定可能であるため、処理炉内の雰囲気に対する連続自動制御に適用可能である。
【００１１】
　したがって、上述したガス窒化処理等、複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスを処理炉内に導入して行う表面硬化処理では、特許文献１…に記載されているような熱伝導度センサを用いて、処理炉内の雰囲気制御を行うことが、コスト面等の観点から好適である。
　また、熱伝導度センサは、赤外線アンモニア分析計と異なり、処理炉の炉体へ直接装着することが可能であり、さらに、処理炉内の水素濃度を連続的に測定可能であるため、処理炉内の雰囲気に対する連続自動制御に適用可能である。
【００１２】
　しかしながら、熱伝導度センサには、以下に示すような問題点がある。
…
【００１３】
…熱伝導度センサを常に炉体へ装着している状態では、実際に被処理品を量産処理する場合、被処理品が処理炉内に配置し、昇温中において初期に発生する、被処理品に付着していた油分や汚れがガス化してセンサ部を汚染し、熱伝導度センサの精度維持が、早期に困難となるという問題が発生するおそれがある。
　また、ガス軟窒化処理においては、センサ部と炉体とを連通する配管内に、炭酸アンモニウムの析出が発生するという問題が発生するおそれがある。また、処理炉内において塩化水素が発生するようなプロセスを有する場合、センサ部や配管内に、塩化アンモニウムの析出が発生することにより、熱伝導度センサの精度維持が困難となるという問題が発生するおそれがある。
【００１４】
…
　また、従来では、熱伝導度センサを用いた処理炉内の雰囲気制御に関して、具体的な制御方法が開示されていない。
【００１５】
　このため、混合ガスを用いる表面硬化処理では、複数種類の炉内導入ガスの消費量を一定の比率とする等、処理炉内の雰囲気を参照せずに表面硬化処理を行うこととなる。これにより、炉内導入ガスの消費量が、表面硬化処理に適切な量よりも増加して、表面硬化処理に要するランニングコストが増加するという問題が発生するおそれがある。また、処理炉内の雰囲気を参照せずに表面硬化処理を行うと、表面硬化処理に使用されずに処理炉内から排気される炉内ガスの量が増加して、大気中へのガス排出量が増加し、環境に悪影響を与えるという問題が発生するおそれがある。
【００１６】
　本発明は、上記のような問題点に着目してなされたもので、炉内ガスの熱伝導度に基づいて処理炉内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して処理炉内の雰囲気を制御することが可能な、表面硬化処理装置及び表面硬化処理方法を提供することを課題とする。」
ｄ．「【課題を解決するための手段】
【００１８】
…本発明のうち、請求項２に記載した発明は、処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水
素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段と、を備えることを特徴とするものである。
　本発明によると、水素濃度検出手段が、炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出した炉内ガスの水素濃度に応じて、処理炉内で水素を発生する炉内導入ガスであるアンモニアガスの炉内濃度を演算して求める。そして、この演算値に基づいて、炉内ガス組成演算手段が、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
　このため、演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、処理炉内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して、ガス導入量制御手段が、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御することが可能となる。
【００２２】
　次に、本発明のうち、請求項３に記載した発明は、請求項２に記載した発明であって、前記表面硬化処理を前記ガス軟窒化処理とし、
　前記処理炉と前記水素濃度検出手段とを連通する水素濃度検出配管と、
　前記水素濃度検出配管の温度を制御する配管温度制御手段と、を備え、
　前記配管温度制御手段は、前記水素濃度検出配管内で前記炉内ガスが固体として析出しないように、前記アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配管の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御することを特徴とするものである。
【００２３】
　本発明によると、配管温度制御手段が、ガス軟窒化処理で用いるアンモニアガスの種類に応じて、水素濃度検出配管の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御することにより、炉内ガスが水素濃度検出配管内で固体として析出することを抑制する。
　このため、塩化アンモニウムや炭酸アンモニウムが水素濃度検出配管内で析出するおそれのある表面硬化処理であるガス軟窒化処理において、水素濃度検出配管内における塩化アンモニウムや炭酸アンモニウムの析出を抑制することが可能となる。
…
　次に、本発明のうち、請求項４に記載した発明は、請求項１から３のうちいずれか１項に記載した発明であって、前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間に介装し、前記処理炉と前記水素濃度検出手段とを連通させる連通状態と、前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間を閉鎖する閉鎖状態と、を切換可能な開閉弁と、
　前記ガス導入量制御手段の動作状態に応じて前記開閉弁を前記連通状態または前記閉鎖状態に切り換える開閉弁切換え制御手段と、を備えることを特徴とするものである。
　本発明によると、開閉弁切換え制御手段が、ガス導入量制御手段の動作状態に応じて、開閉弁を連通状態または閉鎖状態に切り換える。
　このため、ガス導入量制御手段が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態において、炉内ガスが含む汚染成分が、水素濃度検出手段へ接触することを抑制可能となり、水素濃度検出手段の検出精度が低下することを、長期間に亘り抑制することが可能となる。…」
ｅ．「【００２９】
（第一実施形態）
　以下、本発明の第一実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（表面硬化処理の基礎的事項）
　本実施形態を説明する前に、説明の前提となる事項として、被処理品の表面硬化処理に関する基礎的な事項について説明する。
【００３０】
　以下、表面硬化処理のうち、ガス窒化処理及びガス軟窒化処理について説明する。
　ガス窒化処理及びガス軟窒化処理では、被処理品を配置する処理炉（ガス窒化炉）内において、以下の式（１）で表される窒化反応が発生する。この場合、窒化反応における窒化ポテンシャルＫＮは、以下の式（２）で表される。
　ＮＨ３  →  （Ｎ）＋３／２Ｈ２  …  （１）
　ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２３／２  …  （２）
【００３１】
　なお、上記の式（２）では、窒化ポテンシャルをＫＮで示し、ＮＨ３（アンモニアガス）の分圧をＰＮＨ３で示し、Ｈ２（水素ガス）の分圧をＰＨ２で示す。
　ここで、窒化ポテンシャルＫＮは、公知の要素であり、上記の式（２）のように、アンモニアガスと水素ガスの分圧比率を表し、ガス窒化炉内の雰囲気が有する窒化強度または窒化能力を表す指標である。
…
【００３４】
（表面硬化処理の問題点）
　次に、上述した各種の表面硬化処理に共通の問題点について説明する。
　ガス窒化処理及びガス軟窒化処理のうち、ガス窒化処理において、アンモニアガスのみをガス窒化炉内に導入して表面硬化処理を行う場合、ガス窒化炉内の雰囲気を所望の窒化ポテンシャルとするためには、熱伝導度センサを用いて、ガス窒化炉内に存在している炉内ガスの水素濃度を検出する。そして、この検出した水素濃度に応じて、ガス窒化炉内へのアンモニアガスの導入量を制御する。
【００３５】
　このように、一種類の炉内導入ガスのみをガス窒化炉内に導入して表面硬化処理を行う場合は、熱伝導度センサを用いて炉内ガスの水素濃度を検出することにより、検出した水素濃度を用いた計算によって、炉内ガスのアンモニア濃度を検出することが可能となる。したがって、上記の式（２）により窒化ポテンシャルを計算して、ガス窒化炉内の雰囲気を、所望の窒化ポテンシャルに制御することが可能となる。
【００３６】
　しかしながら、例えば、アンモニアガスと窒素ガス等、複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスをガス窒化炉内へ導入して、表面硬化処理を行う場合、ガス窒化炉内へのアンモニアガスの導入量のみ、あるいは、ガス窒化炉内への窒素ガスの導入量のみを制御しても、ガス窒化炉内の雰囲気を所望の窒化ポテンシャルに制御することが不可能であるという問題を有する。
　これは、表面硬化処理の状況等により、混合ガスの混合比率が変化すると、炉内ガスの組成である炉内ガス組成が把握できなくなるため、熱伝導度センサを用いて炉内ガスの水素濃度のみを検出しても、炉内ガスのアンモニア濃度を検出することが不可能となるためである。
…
【００３９】
（構成）
　次に、図１を用いて、本実施形態の表面硬化処理装置１の構成を説明する。
　図１は、本実施形態の表面硬化処理装置１の構成を示す図である。
　本実施形態の表面硬化処理装置１は、鋼部品や金型等、金属製の被処理品Ｓを配置した処理炉２内に、複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスを導入して、被処理品Ｓの表面硬化処理を行う装置である。なお、複数種類の炉内導入ガスは、処理炉２内へ個別に導入し、処理炉２内で混合してもよい。
【００４０】
　ここで、複数種類の炉内導入ガスのうち少なくとも一種類の炉内導入ガスは、アンモニアガス（ＮＨ３）等、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスとする。すなわち、複数種類の炉内導入ガスは、処理炉２内で水素を発生する少なくとも一種類の炉内導入ガスを含む。
　なお、本実施形態では、複数種類の炉内導入ガスを、アンモニアガス（ＮＨ３）と窒素ガス（Ｎ２）の、二種類の炉内導入ガスとした場合を例に挙げて説明する。また、本実施形態では、表面硬化処理を、ガス窒化処理とした場合を例に挙げて説明する。
【００４１】
　また、本実施形態では、表面硬化処理を、ガス窒化処理とした場合を説明するため、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスを、アンモニアガス（ＮＨ３）とし、その他の炉内導入ガスを、窒素ガス（Ｎ２）とする。
　また、本実施形態では、一例として、表面硬化処理を行う条件を、処理炉２内の温度（処理温度）を３００〜１１００℃の範囲内とし、処理炉２内の圧力（処理圧力）を１３〜１３３０００Ｐａの範囲内とする。
【００４２】
　以下、表面硬化処理装置１の具体的な構成を説明する。
　図１中に示すように、表面硬化処理装置１は、処理炉２と、水素濃度検出手段４と、調節計６と、記録計８と、開閉弁１０と、開閉弁切換え制御手段１２と、炉内導入ガス供給部１４を備えている。
　処理炉２は、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）を導入可能であり、且つ被処理品Ｓを配置可能に形成されており、攪拌ファン１６と、攪拌ファン駆動モータ１８と、炉内温度計測手段２０を備えている。
…
【００４４】
…
　水素濃度検出手段４は、炉内ガスの水素濃度を検出可能な構成の熱伝導度センサにより形成されており、水素濃度を検出するためのセンサ部は、水素濃度検出配管２２を介して処理炉２の内部と連通している。なお、炉内ガスの水素濃度は、炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出する。
【００４５】
…
　水素濃度検出配管２２は、処理炉２と水素濃度検出手段４とを連通する配管である。なお、本実施形態では、水素濃度検出配管２２を、処理炉２と水素濃度検出手段４とを直接連通させる単線の経路で形成する。
【００４６】
　調節計６は、ＣＰＵ（ＣＥＮＴＲＡＬ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＵＮＩＴ）等を備えて構成されており、炉内ガス組成演算手段２４と、ガス導入量制御手段２６を備えている。
　炉内ガス組成演算手段２４は、水素濃度検出手段４が検出した水素濃度に基づいて、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。そして、この演算した炉内ガス組成を含む情報信号（炉内ガス組成信号）をガス導入量制御手段２６へ出力する。
　具体的には、炉内ガス組成演算手段２４は、炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出した炉内ガスの水素濃度に応じて、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスの炉内濃度を演算して求める。
【００４７】
　そして、炉内ガス組成演算手段２４は、上記の測定及び演算による各ガス分圧に基づいて、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。これにより、本実施形態のように、表面硬化処理を、ガス窒化処理とした場合では、炉内ガスの水素濃度に基づいて、炉内ガスのアンモニア濃度を演算して求める。この測定した炉内ガスの水素濃度及びアンモニア濃度は、処理炉２内の雰囲気を反映する要素であるため、炉内ガスの水素濃度及びアンモニア濃度に基づいて、処理炉２内の窒化ポテンシャルを検出することが可能となる。
【００４８】
…
　ガス導入量制御手段２６は、炉内ガス組成演算手段２４が演算した炉内ガス組成と、予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの処理炉２内への導入量を制御する。なお、設定炉内ガス混合比率は、表面硬化処理の種類及び複数種類の炉内導入ガスに応じて設定する値であり、予め、ガス導入量制御手段２６に記憶しておく。また、ガス導入量制御手段２６が行う制御については、後述する。
【００４９】
…
　開閉弁１０は、水素濃度検出配管２２に取り付けられて、処理炉２と水素濃度検出手段４との間に介装された弁である。
【００５０】
　また、開閉弁１０は、開閉弁切換え制御手段１２が出力する制御信号（開閉制御信号）に応じて、連通状態と閉鎖状態を切換可能に形成されている。
　ここで、連通状態とは、処理炉２と水素濃度検出手段４とを連通させる状態であり、閉鎖状態とは、処理炉２と水素濃度検出手段４との間を閉鎖する状態である。
　開閉弁切換え制御手段１２は、ガス導入量制御手段２６の動作状態に応じて、開閉弁１０を連通状態または閉鎖状態に切り換える。なお、ガス導入量制御手段２６の動作状態は、ガス導入量制御手段２６が出力する情報信号（制御実施信号）に基づいて検出する。
【００５１】
　なお、本実施形態では、具体例として、以下に示す条件により、開閉弁切換え制御手段１２が、開閉弁１０を連通状態または閉鎖状態に切り換える場合を説明する。
　具体的に、開閉弁切換え制御手段１２は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御している状態では、開閉弁１０を連通状態に切り換える。一方、開閉弁切換え制御手段１２は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態では、開閉弁１０を閉鎖状態に切り換える。
【００５２】
　炉内導入ガス供給部１４は、第一炉内導入ガス供給部２８と、第一炉内導入ガス供給量制御部３０と、第一供給弁３２と、第一炉内導入ガス流量計３４と、第二炉内導入ガス供給部３６と、第二炉内導入ガス供給量制御部３８と、第二供給弁４０と、第二炉内導入ガス流量計４２と、炉内導入ガス導入配管４４を備えている。
　第一炉内導入ガス供給部２８は、第一炉内導入ガスを充填したタンクにより形成されている。なお、本実施形態では、第一炉内導入ガスを、アンモニアガス（ＮＨ３）とした場合について説明する。
【００５３】
　第一炉内導入ガス供給量制御部３０は、開度を変化可能なマスフローコントローラにより形成されており、第一炉内導入ガス供給部２８と第一供給弁３２との間に介装されている。なお、第一炉内導入ガス供給量制御部３０の開度は、ガス導入量制御手段２６が出力する制御信号（導入量制御信号）に応じて変化する。
　また、第一炉内導入ガス供給量制御部３０は、第一炉内導入ガス供給部２８から第一供給弁３２への第一炉内導入ガスの供給量を検出し、この検出した第一炉内導入ガスの供給量を含む情報信号（第一炉内導入ガス供給量信号）を、ガス導入量制御手段２６へ出力する。この第一炉内導入ガス流量信号は、例えば、ガス導入量制御手段２６が行う制御の補正等に用いる。
【００５４】
　第一供給弁３２は、ガス導入量制御手段２６が出力する情報信号（制御実施信号）に応じて開閉状態を切り換える電磁弁により形成されており、第一炉内導入ガス供給量制御部３０と第一炉内導入ガス流量計３４との間に介装されている。
　具体的には、第一供給弁３２は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御している状態では、第一供給弁３２の開閉状態を、第一炉内導入ガス供給量制御部３０と第一炉内導入ガス流量計３４との間を連通させる開放状態に切り換える。一方、第一供給弁３２は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態では、第一供給弁３２の開閉状態を、第一炉内導入ガス供給量制御部３０と第一炉内導入ガス流量計３４との間を閉鎖する閉鎖状態に切り換える。
…
【００５６】
　第二炉内導入ガス供給部３６は、第二炉内導入ガスを充填したタンクにより形成されている。なお、本実施形態では、第二炉内導入ガスを、窒素ガス（Ｎ２）とした場合について説明する。
　第二炉内導入ガス供給量制御部３８は、第一炉内導入ガス供給量制御部３０と同様、開度を変化可能なマスフローコントローラにより形成されており、第二炉内導入ガス供給部３６と第二供給弁４０との間に介装されている。なお、第二炉内導入ガス供給量制御部３８の開度は、ガス導入量制御手段２６が出力する制御信号（導入量制御信号）に応じて変化する。
【００５７】
　また、第二炉内導入ガス供給量制御部３８は、第二炉内導入ガス供給部３６から第二供給弁４０への第二炉内導入ガスの供給量を検出し、この検出した第二炉内導入ガスの供給量を含む情報信号（第二炉内導入ガス供給量信号）を、ガス導入量制御手段２６へ出力する。この第二炉内導入ガス流量信号は、例えば、ガス導入量制御手段２６が行う制御の補正等に用いる。
【００５８】
　第二供給弁４０は、第一供給弁３２と同様、ガス導入量制御手段２６が出力する情報信号（制御実施信号）に応じて開閉状態を切り換える電磁弁により形成されており、第二炉内導入ガス供給量制御部３８と第二炉内導入ガス流量計４２との間に介装されている。
　具体的には、第二供給弁４０は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御している状態では、第二供給弁４０の開閉状態を、第二炉内導入ガス供給量制御部３８と第二炉内導入ガス流量計４２との間を連通させる開放状態に切り換える。一方、第二供給弁４０は、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態では、第二供給弁４０の開閉状態を、第二炉内導入ガス供給量制御部３８と第二炉内導入ガス流量計４２との間を閉鎖する閉鎖状態に切り換える。
…
【００６０】
　炉内導入ガス導入配管４４は、第一炉内導入ガス流量計３４及び第二炉内導入ガス流量計４２と処理炉２とを連結する配管であり、第一炉内導入ガス及び第二炉内導入ガスの処理炉２への導入経路を形成している。
　以下、上述した構成を前提として、ガス導入量制御手段２６が行う制御について、具体的な例を挙げて説明する。
【００６１】
　ガス導入量制御手段２６は、上述した式（２）で表される窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるように、炉内ガス組成演算手段２４が演算した炉内ガス組成を参照して、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、アンモニアガス（ＮＨ３）の導入量と窒素ガス（Ｎ２）の導入量を演算する。
【００６２】
　そして、ガス導入量制御手段２６は、演算したそれぞれのガス（ＮＨ３，Ｎ２）の導入量に基づいて、第一炉内導入ガス供給量制御部３０及び第二炉内導入ガス供給量制御部３８へ、それぞれの導入量を制御する制御信号（導入量制御信号）を出力する。
　なお、ガス導入量制御手段２６が、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）の導入量を制御する際は、以下の二通りの制御のうち、一方を行う。
　第一の制御は、処理炉２内へ導入する混合ガス（アンモニアガス＋窒素ガス）の、処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）の処理炉２内への合計導入量を制御するものである。
【００６３】
　一方、第二の制御は、混合ガス（アンモニアガス＋窒素ガス）の炉内導入ガス流量比率が変化するように、アンモニアガス（ＮＨ３）及び窒素ガス（Ｎ２）について、それぞれの導入量を個別に変化させる制御である。
…
【００７４】
（第一実施形態の効果）
　以下、本実施形態の効果を列挙する。
（１）本実施形態の表面硬化処理装置１では、水素濃度検出手段４が炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出した炉内ガスの水素濃度に応じて、炉内ガス組成演算手段２４が、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスの炉内濃度を演算して求める。
【００７５】
　そして、この測定した演算値に基づいて、炉内ガス組成演算手段２４が、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
　このため、ガス導入量制御手段２６が、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御することが可能となる。
【００７６】
　その結果、炉内ガス組成と設定炉内ガス混合比率に応じて検出した処理炉２内の雰囲気を参照して、処理炉２内の雰囲気を制御することが可能となるため、表面硬化処理に要するランニングコストを減少させることが可能となる。
　また、大気中へのガス排出量を減少させることが可能となるため、環境の悪化を抑制することが可能となる。
【００７７】
（２）本実施形態の表面硬化処理装置１では、開閉弁切換え制御手段１２が、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御している状態では、開閉弁１０を連通状態に切り換えて、処理炉２と水素濃度検出手段４とを連通させる。
　一方、開閉弁切換え制御手段１２が、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態では、開閉弁１０を閉鎖状態に切り換えて、処理炉２と水素濃度検出手段４との間を閉鎖する。
　このため、ガス導入量制御手段２６が炉内導入ガスの導入量を制御していない状態において、炉内ガスが含む汚染成分が、センサ部を含む水素濃度検出手段４へ接触することを抑制可能となる。
【００７８】
　その結果、水素濃度検出手段４の検出精度が低下することを、長期間に亘り抑制することが可能となるため、水素濃度検出手段４の検出精度を長期間に亘って維持することが可能となる。
【００７９】
（３）本実施形態の表面硬化処理方法では、炉内ガスの熱伝導度に基づいて検出した炉内ガスの水素濃度に応じて、処理炉２内で水素を発生する炉内導入ガスの炉内濃度を演算して求める。そして、この演算値に基づいて、炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する。
　このため、演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、処理炉２内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御することが可能となる。
【００８０】
　その結果、炉内ガス組成と設定炉内ガス混合比率に応じて検出した処理炉２内の雰囲気を参照して、処理炉２内の雰囲気を制御することが可能となるため、表面硬化処理に要するランニングコストを減少させることが可能となる。
　また、大気中へのガス排出量を減少させることが可能となるため、環境の悪化を抑制することが可能となる。…」
ｆ．「【００８７】
（第二実施形態）
　以下、本発明の第二実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。
（構成）
　図３は、本実施形態の表面硬化処理装置１の構成を示す図である。
　図３中に示すように、本実施形態の表面硬化処理装置１の構成は、水素濃度検出配管２２及び開閉弁１０の構成と、配管温度制御手段４６を備えている点を除き、上述した第一実施形態と同様であるため、以下の説明は、配管温度制御手段４６に関する部分を中心に記載する。なお、図３中では、処理炉２、水素濃度検出手段４、水素濃度検出配管２２、開閉弁１０及び配管温度制御手段４６以外の図示を省略している。
【００８８】
　水素濃度検出配管２２は、処理炉２と水素濃度検出手段４とを連通する第一配管２２ａと、処理炉２と第一配管２２ａとを連通する第二配管２２ｂと、第一配管２２ａと連通する第三配管２２ｃから形成されている。
　開閉弁１０は、第一配管２２ａに介装する第一開閉弁１０ａと、第二配管２２ｂに介装する第二開閉弁１０ｂと、第三配管２２ｃに介装する第三開閉弁１０ｃから形成されている。
　配管温度制御手段４６は、線状のヒーターを用いて形成されており、水素濃度検出配管２２の温度を制御する。
【００８９】
　具体的には、配管温度制御手段４６は、水素濃度検出配管２２内で炉内ガスが固体として析出しないように、炉内導入ガスの種類に応じて、水素濃度検出配管２２の温度を、２５〜４５０℃の範囲内に制御する。
　具体的には、…配管温度制御手段４６は、表面硬化処理がガス軟窒化処理である場合は、水素濃度検出配管２２の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御する。
　その他の構成は、上述した第一実施形態と同様である。
…」
ｇ．「【００９５】
（第一実施例）
　上述した第一実施形態の表面硬化処理装置（以下、「第一発明例」と記載する）により表面硬化処理を行った場合と、第一実施形態の表面硬化処理装置とは構成が異なる装置（以下、「第一比較例」と記載する）により表面硬化処理を行った場合に対し、処理炉内の雰囲気を制御した。
　なお、第一発明例及び第一比較例共に、処理炉として、ピット型ガス窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を備え、処理炉内の温度を５７０℃とし、アンモニアガスの処理炉への導入量を、マスフローコントローラにより、１．６ｍ３／ｈに制御し、また、窒
素ガスの処理炉への導入量を、マスフローコントローラにより、０．４ｍ３／ｈに制御して、窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるように、ガス窒化処理を行った。
【００９６】
　ここで、第一発明例では、ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０という混合ガスの混合比率を基にして、ガス導入量制御手段により、窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるための水素濃度の設定値と、水素濃度検出手段により検出した炉内ガスの水素濃度とを比較し、アンモニアガス及び窒素ガスのマスフローコントローラに対して、それぞれ、処理炉２内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０を保持した状態で、アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への合計導入量を制御することにより、窒化ポテンシャルＫＮを制御した。
【００９７】
　一方、第一比較例では、窒素ガスの処理炉内への導入量のみを制御することにより、窒化ポテンシャルＫＮを制御した。
　以下、炉内ガスの水素濃度（炉内水素濃度）、炉内ガスのアンモニア濃度（炉内アンモニア濃度）、処理炉内の雰囲気の窒化ポテンシャル（窒化ポテンシャルＫＮ）を測定した結果を、表１に示す。
【００９８】
【表１】
【００９９】
　表１中に示されているように、第一発明例では、窒化ポテンシャルＫＮを、３．３と、精度良く制御することができた。また、炉内水素濃度を２７．４％、炉内アンモニア濃度を４７．２％に、それぞれ、制御することが可能であった。
　これに対し、第一比較例では、窒化ポテンシャルＫＮの制御が不可能であった。また、炉内水素濃度を２７．４％に制御することが可能であったものの、炉内アンモニア濃度は計算不能であった。
　これは、第一比較例では、水素濃度検出手段により炉内ガスの水素濃度のみを検出することは可能であったが、炉内ガス中における炉内ガス組成が不明であったため、検出した水素濃度からアンモニア濃度を求めることができず、窒化ポテンシャルＫＮの演算が不可能であったためである。」
ｈ．「【図１】
　上記ｅ．の記載を踏まえると、【図１】からは、処理炉２内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品Ｓの表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置１が、前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段４と、前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段２４と、前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段２６とを備えることが視認される。」
ｉ．「【図３】
　上記ｆ．の記載を踏まえると、【図３】からは、表面硬化処理装置１が、処理炉２と水素濃度検出手段４とを連通する水素濃度検出配管２２（第一配管２２ａ、第二配管２２ｂ、第三配管２２ｃ）と、 前記水素濃度検出配管の温度を制御する配管温度制御手段４６と、を備え、前記配管温度制御手段は、前記水素濃度検出配管内で前記炉内ガスが固体として析出しないように、前記水素濃度検出配管の温度を制御することが視認され、また、その表面硬化処理装置１は、前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間に介装し、前記処理炉と前記水素濃度検出手段とを連通させる連通状態と、前記処理炉と前記水素濃度検出手段との間を閉鎖する閉鎖状態と、を切換可能な開閉弁１０ａ、１０ｂと、前記ガス導入量制御手段の動作状態に応じて前記開閉弁を前記連通状態または前記閉鎖状態に切り換える開閉弁切換え制御手段とを備えることも視認される。」
　２．　第１の無効理由１について
　上記第４の１．によれば、第１の無効理由は、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるため、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明について、同法同条同項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきであるとの無効理由である。
　（１）　甲第１号証記載の発明
２ア．　甲第１号証の図７には、上記第４の２．（１ｉ）によれば、バッチ型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用し、窒化温度５８０℃にて炉内の水素濃度（以下「Ｈ２濃度」ということもある。）、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期は１５Ｖｏｌ％、７．５制御、後期には２３Ｖｏｌ％、３．１制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整すると、図７の後期には、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値（以下、「後期における値」ということがある。）が時間の推移に伴って、それぞれ、２３Ｖｏｌ％付近、３．１付近で小刻みに変動したことが開示されていると認められる。
２イ．　また、甲第１号証の図７の初期にも、甲第１号証の図７の後期と同様に上記ア．に示した窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉が用いられたことを考慮すると、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値は、後期における値と同様に、時間の推移に伴って、それぞれ、１５Ｖｏｌ％付近、７．５付近で小刻みに変動したと認められる。
２ウ．　また、甲第１号証の図５には、上記第４の２．（１ｈ）によれば、ピット型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２のみを使用し、窒化温度５７０℃にて炉内のＨ２濃度、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期には２８Ｖｏｌ％、４．２制御、中期には４０Ｖｏｌ％、１．８制御、後期には５０Ｖｏｌ％、０．９制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整することにより、炉内ガスの窒化ポテンシャルを高い値から低い値まで制御できたことが開示されていると認められる。
２エ．　また、上記第４の２．（１ｈ）〜（１ｉ）によれば、図５の制御で使用されたピット型ガス軟窒化炉は、窒化センサ制御システム構成としては、図７の制御で使用されたバッチ型ガス軟窒化炉と同様の構成であることから、上記２イ．に示したような、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動は、甲第１号証の図５の初期、中期、後期においても生じたと認められる、すなわち、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が、甲第１号証の図５の初期には、２８Ｖｏｌ％付近、４．２付近で、甲第１号証の図５の中期には、４０Ｖｏｌ％付近、１．８付近で、甲第１号証の図５の後期には、５０Ｖｏｌ％付近、０．９付近で、それぞれ生じたと認められる。
２オ．　なお、上記２イ．、上記２エ．に示したような、甲第１号証の図５及び図７における、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値が時間の推移に伴って小刻みに変動している点については、争いがない（審判請求書第１７頁第７〜８行、平成２８年７月２２日付け審判事件答弁書第３頁第２１〜２６行、第１回口頭審理調書の被請求人５）。
２カ．　上記２ウ．〜２オ．を踏まえると、甲第１号証の図５には、窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉に注目すると、次の発明（以下、「引用発明１−１」という。）が記載されていると認められる。
「ピット型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２のみを使用し、窒化温度５７０℃にて炉内の水素濃度、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期には２８Ｖｏｌ％、４．２制御、中期には４０Ｖｏｌ％、１．８制御、後期には５０Ｖｏｌ％、０．９制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整すると、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が、前記初期には、２８Ｖｏｌ％付近、４．２付近で、前記中期には、４０Ｖｏｌ％付近、１．８付近で、前記後期には、５０Ｖｏｌ％付近、０．９付近で、それぞれ生じる、窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉。」
２キ．　また、上記２ア．〜２イ．、２オ．を踏まえると、甲第１号証の図７には、窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉に注目すると、次の発明（以下、「引用発明１−２」という。）が記載されていると認められる。
「バッチ型のガス窒化・軟窒化炉の炉体に直接装着できる窒化センサによりガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析し、目的の窒化ポテンシャルに自動制御できる窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉であり、前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ、その窒化ポテンシャルが設定値となるように、マスフローコントローラーを介して前記ガス軟窒化炉に接続されたＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガス、ＣＯ２、Ａｉｒのうち、ＮＨ３、Ｎ２、Ｈ２、ＮＨ３分解ガスから選ばれる、ガス種と導入ガス量とについての設定信号をマスフローコントローラーへ送ると炉内ガスを調整でき、窒化ポテンシャルを自動制御できるという窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉において、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用し、窒化温度５８０℃にて炉内の水素濃度、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期は１５Ｖｏｌ％、７．５制御、後期には２３Ｖｏｌ％、３．１制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整すると、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が、前記初期には、１５Ｖｏｌ％付近、７．５付近で、前記後期には、２３Ｖｏｌ％付近、３．１付近で、それぞれ生じる、窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉。」
　（２）　本件発明１と引用発明との対比・判断
　（２−１）　本件発明１と引用発明１−１との対比・判断　
２サ．　本件発明１と、上記２カ．に示した、引用発明１−１とを対比すると、以下の２サ（ア）〜（ウ）のとおりであり、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。
２サ（ア）　技術常識に照らすと、引用発明１−１における「ピット型ガス軟窒化炉であって、ＮＨ３とＮ２のみを使用」すること、「窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉」、「ガス軟窒化炉内の水素濃度をガスの熱伝導の違いにより分析」する「窒化センサ」は、それぞれ、本件発明１における「処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入」すること、「前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置」、「前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段」に相当する。
２サ（イ）　また、引用発明１−１における「窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉」は、「前記窒化センサにより前記炉内の水素濃度を分析すれば窒化ポテンシャルを知ることができ」るところ、窒化ポテンシャルＫＮは、上記第４の２（１ｃ）に示した（２）式、すなわち、ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２３／２、ここでＰＮＨ３は炉内のＮＨ３濃度、ＰＨ２は炉内のＨ２濃度、で表されることから、そのようなことができるということは、技術常識によれば、ＮＨ３とＮ２のみをそれぞれｘとｙの既知量で４５０〜５９０℃の処理炉に導入する表面硬化処理においては、ＮＨ３→０．５Ｎ２＋１．５Ｈ２という熱分解により、１モルのＮＨ３から０．５モルのＮ２と１．５モルのＨ２が炉内で生じて、炉内ガスはＮＨ３とＮ２とＨ２とからなることとなる一方、残存したＮＨ３により表面硬化処理が行われることから、炉内のＮＨ３の熱分解度ｓ（０＜ｓ＜１）を用いると、炉内のガス量は（（１＋ｓ）ｘ＋ｙ）、炉内のＨ２濃度は１．５ｓｘ／（（１＋ｓ）ｘ＋ｙ）、炉内のＮＨ３濃度は（ｘ−ｓｘ）／（（１＋ｓ）ｘ＋ｙ）、炉内のＮ２濃度は（ｙ＋０．５ｓｘ）／（（１＋ｓ）ｘ＋ｙ）、で換算できるため、分析した炉内のＨ２濃度から炉内のＮＨ３の熱分解度ｓを演算でき、それにより、炉内のＮＨ３濃度と炉内のＮ２濃度を演算でき、ＮＨ３とＮ２とＨ２とからなる炉内ガスの組成を知ることができ、そして、窒化ポテンシャルＫＮを知ることができることを意味しているから、引用発明１−１における「窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉」は、本件発明１における「前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段」を備えているといえる。
２サ（ウ）　　さらに、引用発明１−１における「窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉」は、「窒化ポテンシャルが設定値となるように、」「ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整する」ところ、「窒化ポテンシャルが設定値となるように」とは、炉内ガス組成が予め設定した炉内ガス組成となるように調整すること、すなわち炉内ガス混合比率が予め設定した混合比率となるように調整することを意味しているし、前記の「ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整する」とは、ガス導入量制御を行っていることを意味しているから、引用発明１−１における「窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉」は、本件発明１における「前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、」調整を「行うガス導入量制御手段」を備えているといえる。
　
＜一致点＞
　処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、行うガス導入量制御手段と、を備える表面硬化処理装置。
＜相違点＞
相違点１−１：ガス導入量制御手段が、本件発明１では、「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し、
引用発明１−１では、「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点。
２シ．　上記相違点１−１につき検討するにあたって、まず、本件発明１の技術的意義につき検討するに、上記１．に示されているような訂正明細書（以下、単に「訂正明細書」ということがある。）によれば、表面硬化処理であるガス窒化処理及びガス軟窒化処理では、例えば、非特許文献１等に記載されているような測定方法を用いて、具体的には、処理炉の炉内ガスの熱伝導度を利用した熱伝導度センサによって連続的に水素濃度を測定する方法を用いて、炉内ガスの水素濃度を測定して、処理炉内の雰囲気を管理することがあったが、その熱伝導センサを用いた処理炉内の雰囲気制御に関する具体的な制御方法は非特許文献１等には開示されていないところ、処理炉内の雰囲気を参照せずに表面硬化処理を行うと、炉内導入ガスの消費量が表面処理に適切な量よりも増加して、表面処理に要するランニングコストが増加するとの問題や、表面硬化処理に使用されずに処理炉内から大気中へ排気されるガス排出量が増加し、環境に悪影響を与えるという問題が発生するおそれがあることから、本件発明１は、それらの問題に着目してなされたもので、熱伝導度に基づいて処理炉内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して処理炉内の雰囲気を制御することが可能な、表面硬化処理装置を提供することを、発明が解決しようとする課題（以下、単に「課題」ということがある。）とするものであるとされている（上記１．ｂ．〜ｃ．）。
２ス．　ここで、上記２シ．に示されている非特許文献１は、甲第１号証である。
２セ．　そして、訂正明細書によれば、アンモニアガスのみを処理炉内に導入して表面硬化処理を行う場合、炉内ガスの熱伝導度に基づいて炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段により、炉内ガスのアンモニア濃度を検出することが可能であるため、ＫＮ＝ＰＮＨ３／ＰＨ２３／２ という 式（２）により窒化ポテンシャルを計算して、処理炉内の雰囲気を、所望の窒化ポテンシャルに制御することが可能となるものの、アンモニアガスと窒素ガス等、複数種類の炉内導入ガスを混合した混合ガスを処理炉内へ導入して、表面硬化処理を行う場合、処理炉内へのアンモニアガスの導入量のみ、あるいは、処理炉内への窒素ガスの導入量のみを制御したのでは、処理炉内のガスの組成である炉内ガス組成が把握できなくなるため、炉内ガスの熱伝導度に基づいて炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段を用いて炉内ガスの水素濃度のみを検出しても、炉内ガスのアンモニア濃度を検出することが不可能であり、ガス窒化炉内の雰囲気を所望の窒化ポテンシャルに制御することが不可能となるところ、水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを処理炉内へ導入し、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御するガス導入量制御手段を備えた、本件発明１においては、炉内ガスの熱伝導度に基づいて炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段を用いて炉内ガスの水素濃度を検出することにより、炉内ガスのアンモニア濃度を演算でき、その演算した値に基づいて炉内ガス組成を演算できるため、この演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの導入量を制御するガス導入量制御手段を備えているとされており、そのガス導入量制御手段を、以下の二通りの制御のうち、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行う手段とすることによって、上記２シ．に示した課題を解決したものとされている（上記１．ｄ．〜ｅ．、上記１．ｈ．）。
　すなわち、第一の制御は、前記複数種類の炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御することであり、第二の制御は、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御することである。
２ソ．　さらに、訂正明細書によれば、炉内ガスの熱伝導度に基づいて炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段を備えた処理炉として、ピット型ガス窒化炉（処理重量：５０ｋｇ／ｇｒｏｓｓ）を用い、処理炉内の温度を５７０℃とし、ガス導入量制御手段を用いて、アンモニアガスの処理炉への導入量を、マスフローコントローラにより、１．６ｍ３／ｈにし、また、窒素ガスの処理炉への導入量を、マスフローコントローラにより、０．４ｍ３／ｈにして、窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるための水素濃度２７．４％という設定値と、水素濃度検出手段により検出した炉内ガスの水素濃度とを比較し、アンモニアガス及び窒素ガスのマスフローコントローラに対して、それぞれ、処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率ＮＨ３：Ｎ２＝８０：２０を保持した状態で、アンモニアガス及び窒素ガスの処理炉内への合計導入量の制御を行ったところ、ガス窒化処理の際の窒化ポテンシャルＫＮ＝３．３と精度良く制御できたとされている（上記１．ｇ．）が、このような処理装置は、上記２セ．に示される、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うとのガス導入量制御のうちの第一の制御を行うガス導入量制御手段を備えている本件発明１に当たることは明らかであるから、上記１．ｇ．に示されている訂正明細書の記載によると、本件発明１により、上記２シ．に示した課題が解決できることが実証されているといえる。
２タ．　上記２シ．〜２ソ．に示した事項は、訂正される前の本件特許の明細書（以下、単に「本件特許明細書」という。）にも記載されていた事項である。
２チ．　ここで、上記２セ．に示したガス導入量制御手段は、上記相違点１−１に係る発明特定事項である。
２ツ．　上記２シ．〜２チ．の検討からすると、本件特許明細書によれば、表面硬化処理装置について、甲第１号証には開示されていない、熱伝導センサを用いた処理炉内の雰囲気制御に関する具体的な制御手段を、上記相違点１−１に係る発明特定事項として備えているのが本件発明１であるといえる。
２テ．　してみると、本件特許明細書に接すれば、表面硬化処理装置について、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項を含む、熱伝導センサを用いた処理炉内の雰囲気制御に関する具体的な制御手段を把握できることとなるところ、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項が、本件特許の出願前に甲第１号証に開示されていたことを客観的に裏付けることができなければ、第１の無効理由の適用条文からして、当該無効理由は成立しないから、本件特許明細書に接する前であることを前提条件として、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項が、甲第１号証に開示されていたことが客観的に裏付けることができるか否かにつき、以下に、検討することとする。
２ト．　甲第１号証の記載事項、及び、図面からの視認事項は、上記第４の２（１ａ）〜（１ｋ）に示したとおりであり、そして、甲第１号証の図５から把握される発明が、引用発明１−１であり、その発明は、上記２カ．に示したように、ガス種にＮＨ３とＮ２のみを使用し、窒化温度５７０℃にて炉内のＨ２濃度、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期には２８Ｖｏｌ％、４．２制御、中期には４０Ｖｏｌ％、１．８制御、後期には５０Ｖｏｌ％、０．９制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整すると、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が、前記初期には、２８Ｖｏｌ％付近、４．２付近で、前記中期には、４０Ｖｏｌ％付近、１．８付近で、前記後期には、５０Ｖｏｌ％付近、０．９付近で、それぞれ生じる、窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉に係る発明である。
　そのため、甲第１号証からは、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整するというガス導入量制御を行ったことまでは把握できるものの、以下の２ト（ア）〜（カ）の検討により、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項を引用発明１−１が備えていることを客観的に把握することはできるとはいえない。
２ト（ア）　炉内のＨ２濃度、窒化ポテンシャルＫＮが、それぞれ、初期には２８Ｖｏｌ％、４．２制御、中期には４０Ｖｏｌ％、１．８制御、後期には５０Ｖｏｌ％、０．９制御となるように、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整するとのガス導入量制御についての記述に基づくと、上記第４の２．（１ｃ）に示した窒化ポテンシャルＫＮについての（２）式から、炉内のアンモニア濃度は、それぞれ、初期には６２Ｖｏｌ％、中期には４６Ｖｏｌ％、後期には３２Ｖｏｌ％であると求まり、さらに、炉内の水素濃度Ｈ２と炉内のアンモニア濃度の合計を１００Ｖｏｌ％から差し引くことで、炉内の窒素濃度は、それぞれ、初期には１０Ｖｏｌ％、中期には１４Ｖｏｌ％、後期には１８Ｖｏｌ％であると求まり、そして、上記２サ（イ）に示した炉内のＨ２濃度、炉内のＮＨ３濃度、炉内のＮ２濃度のそれぞれについての換算式を利用することで、ＮＨ３とＮ２のガス導入量は、初期には、およそ９９．５：０．５の体積比率となるように、中期には、およそ、９８．５：１．５の体積比率となるように、後期には、およそ、９７．７：２．３の体積比率となるように、ガス導入量制御を行ったと求まり（審判請求書第１６頁第２６行〜第１７頁第６行、平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第８頁第１〜１２行、表１（第９頁））、そして、上記第４の２（８ｂ）に示される、窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３ガス流量を一定とすれば、ＮＨ３の熱分解度が一定となり、窒化ポテンシャルは一定となるとの技術常識を考慮して、初期、中期、後期のそれぞれの期間中に、炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの変動がないように、ＮＨ３のガス流量を一定に保つガス導入量制御（以下、「計算上のガス導入量制御」ということがある。）を行ったとすると、それぞれの期間中に、前記ガス流量以外に、炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの変動要因が生じない限り、引用発明１−１においては、窒化ポテンシャルは、初期には４．２、中期には１．８、後期には０．９というそれぞれの所望の値に保持されることとなる。
２ト（イ）　そして、上記した計算上のガス導入量制御とは、例えば、初期には、ＮＨ３とＮ２のガス導入量がおよそ９９．５：０．５の体積比率となるように、ＮＨ３のガス流量を一定に保つガス導入量制御を行うことであるが、このようなガス導入量制御は、ＮＨ３のガス流量を一定に保ちながら、ＮＨ３とＮ２の体積比率を一定に保つことであるため、Ｎ２のガス流量を一定に保つことも含み、ＮＨ３とＮ２の合計ガス流量を一定に保つことも含んでいるから、複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を一定値に保持するガス導入量制御を行うことに相当するが、そのようなガス導入量制御は、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項における上記第一の制御には該当しない。
２ト（ウ）　なお、上記２ト（イ）に示したような、複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を一定値に保持するガス導入量制御が、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項における上記第一の制御には該当しない点については、争いがない（審判請求書第１６頁第２６行〜第１８頁第１行、平成２８年７月２２日付け審判事件答弁書第４頁第９〜２３行、同書第７頁第２２〜２８行、平成２８年１２月１６日付け口頭審理陳述要領書第５頁第２〜２５行、同書第１３頁第１７〜２４行）。
２ト（エ）　また、上記した計算上のガス導入量制御が、上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項における上記第二の制御にも該当しないことは明らかである。
２ト（オ）　ところで、引用発明１−１には、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が生じたという事実があるところ、上記した計算上のガス導入量制御を行った場合、炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの変動がないようにＮＨ３のガス流量を一定に保っているため、甲第１号証からでは、上記２ト（ア）の検討や技術常識を考慮しても、炉内のＮＨ３の熱分解度ｓの具体的な変動要因は把握できないことから、前記の事実を、合理的に説明することはできない。また、上記した計算上のガス導入量制御以外の具体的なガス導入量制御を甲第１号証から把握することはできないし、また、例えばフィードバック制御等、上記した計算上のガス導入量制御以外の具体的なガス導入量制御を把握し得たと仮定しても、そのようなガス導入量制御を行うと、必然的に、窒化ポテンシャルを所望の値に保持することを行わないガス導入量制御を行うこととなるところ、窒化ポテンシャルを所望の値に保持することを行わないガス導入量制御を行うと、ガス使用量の増大を招くこととなるとの技術常識を考慮すると、そのようなガス導入量制御を行う合理的な理由は、甲第１号証からは見出せない。
２ト（カ）　上記２ト（ア）〜（オ）の検討を踏まえると、甲第１号証からでは、技術常識を考慮しても、具体的にどのようなガス導入量制御を行ったのかを客観的に把握することはできないことから、引用発明１−１が上記相違点１−１に係る本件発明１の発明特定事項を備えているとはいえない。
　
２ナ．　請求人は、引用発明１−１に見られるような、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が生じたことに関し、以下の主張をしている。
（ナＡ）　水素濃度の測定と当該測定に連動して実施される導入ガスの流量制御とが、短いサンプリング時間毎に繰り返しされていることを示しており、この流量制御は、各ガスの導入比率が維持され、合計導入量が増減されるという流量制御であることは自明の事項である（審判請求書第１７頁第７行〜第１８頁第１行、平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第５頁第１行〜２５行、同書第８頁第１〜１４行）。
（ナＢ）　ガス窒化炉を用いた窒化処理において、炉内ガスの組成が所望の組成に安定している（窒化ポテンシャルが所望の値に安定している）状態というのは、炉内ガスの組成の変動を打ち消す方向に短い間隔でフィードバック制御が適切に行われている状態、を意味しておりこのようなフィードバック制御が行われなければ、炉内ガス組成の変動が過大となり、安定的に窒化処理を進行させることができない（平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第５頁第１行〜２５行）。
（ナＣ）　炉内におけるＮＨ３分解度ｓが一定であれば、導入ガス総流量を設定した窒化ポテンシャルと釣り合う流量で一定としておけば、窒化ポテンシャルは変化しないはずであるが、炉内におけるＮＨ３分解度ｓは被処理材表面積などに依存して変化する（甲第１号証のｐ．６６左欄下から７行〜右欄下から４行）し、ヒータのオン・オフ等に起因する温度変化等の外乱による測定値の変動の問題からも変化するため、目標の窒化ポテンシャル値を達成するように、マスフローコントローラーを設けておいて、例えば３００ｍｓ間隔というような短い間隔で流量制御することが必要である（平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第６頁第１０行〜１８行、同書第９頁下から１２行〜第１０頁下から２行）。
２ニ．　しかしながら、上記第４の２（１ａ）〜（１ｋ）に示したとおりの甲第１号証の記載事項、及び、図面からの視認事項について、上記２テ．に示したとおりに本件特許明細書に接する前であることを前提条件として精査してみると、上記２ト．（ア）〜（カ）に示したとおり、引用発明１−１に見られるような、水素濃度についての測定値及びその測定値から求まる窒化ポテンシャルの値についての時間の推移に伴う小刻みな変動が生じたとの事実に関し、甲第１号証からでは、前記の事実を合理的に説明することはできないことから、上記（ナＡ）〜（ナＣ）に示されるような請求人の主張は、客観的な裏付けを伴わない、単なる主張にとどまるというべきである。
　付言するに、甲第１号証のｐ．６６左欄下から７行〜右欄下から４行の記載事項からは、上記第４の２（１ｊ）の視認事項を考慮すると、窒化センサ制御システム付きピット型ガス軟窒化炉を用いて、表面処理品であるＳＣＭ４４０材の窒化処理をすると、その表面処理品の表面積が４．４ｍ２の場合であっても、１．２ｍ２の場合と同様に、炉内ガスの窒化ポテンシャルを３．０に制御できるため、それらの表面処理品の表面積に影響されずに、厚さ約１１．５μｍの窒化処理ができるということが把握されるだけであるから、上記（ナＣ）に示されるように、甲第１号証のｐ．６６左欄下から７行〜右欄下から４行の記載事項を根拠としている、炉内におけるＮＨ３分解度ｓは被処理材表面積などに依存して変化するとの請求人の主張は合理的な主張ではないし、また、上記（ナＣ）に示されるように請求人が主張する、温度変化等の外乱による測定値の変動の問題は温度制御等により対処すべきことであって、マスフローコントローラーを用いる流量制御で対処することに合理性はないし、また、例えば、上記２ト（ア）に示したような計算上のガス導入量制御を行った場合、窒化ポテンシャルは、初期には４．２、中期には１．８、後期には０．９というそれぞれの所望の値に保持されることとなるのであるから、上記（ナＢ）に示されるような、フィードバック制御が行われなければ、炉内ガス組成の変動が過大となり、安定的に窒化処理を進行させることができないとの請求人の主張にも合理性があるとはいえない。
２ヌ．　小括
　上記２シ．〜２ニ．の検討を踏まえると、上記相違点１−１は実質的な相違点といえるから、本件発明１は引用発明１−１と同じものであるとはいえない。
　（２−２）　本件発明１と引用発明１−２との対比・判断　
２ハ．　本件発明１と、上記２キ．に示した、引用発明１−２とを対比するに、上記２サ（ア）〜（ウ）と同様の検討により、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。
＜一致点＞
　処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　前記処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて、前記炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、行うガス導入量制御手段と、を備える表面硬化処理装置。
＜相違点＞
相違点１−２：ガス導入量制御手段が、本件発明１では、「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し、
引用発明１−２では、「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点。
２ヒ．　上記相違点１−２は、上記相違点１−１と同じ相違点であるから、上記２シ．〜２ヌ．と同様の検討により、実質的な相違点といえる。
２フ．　小括
　したがって、本件発明１は引用発明１−２と同じものであるともいえない。
　（３）　まとめ
　以上の検討から、第１の無効理由によっては、本件発明１の特許を無効にすべきとはいえない。 
　付言するに、上記２テ．に示した、本件特許明細書に接する前であるとの前提条件は、第２〜第５の無効理由の適用条文からしても、それらの無効理由を検討する際の前提条件である。
　３．　第２の無効理由について
　上記第４の１．によれば、第２の無効理由は、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明であるため、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明について、同法同条同項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきであるとの無効理由である。
　（１）　甲第２号証記載の発明
３ア．　甲第２号証の図４−３７〜４−３８には、上記第４の２．（２ｆ）によれば、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置であって、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整できるが、より低い窒化ポテンシャルＫＮの調整が必要な場合にはガス投入量の削減では達成できない制御装置、すなわち、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整される制御装置が記載されていると認められる。
３イ．　してみると、甲第２号証の図４−３７〜４−３８には、「ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置であって、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整でき、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整される制御装置」（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
　（２）　本件発明１と引用発明２との対比・判断
３ウ．　本件発明１と引用発明２とを対比するに、技術常識に照らすと、引用発明２における「ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化」、「ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置」、「ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒ」は、それぞれ、本件発明１における「処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入」すること、「前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置」、「炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段」に相当する。また、引用発明２における「ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒを用いて測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準に」することは、上記２サ．での検討と同様にして、測定された炉内水素濃度から炉内のアンモニア濃度を知ることができ、そして、炉内ガス組成を知ることができることを意味しているといえるから、引用発明２における「ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のための制御装置」は、本件発明１における「前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段」を備えていることとなるし、さらに、引用発明２における「ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化のため」に「測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整でき、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整される」ことは、本件発明１における「炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量」についての「ガス導入量制御手段」を備えることに相当する。
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違しているといえる。
＜一致点＞
　処理炉内で水素を発生するガスとしてはアンモニアガスのみを含む複数種類の炉内導入ガスを前記処理炉内へ導入して、前記処理炉内に配置した被処理品の表面硬化処理としてガス窒化処理またはガス軟窒化処理を行う表面硬化処理装置であって、
　炉内ガスの水素濃度を検出する水素濃度検出手段と、
　前記水素濃度検出手段が検出した水素濃度に基づいて前記アンモニアガスの炉内濃度を演算し、当該演算した炉内濃度の演算値に基づいて前記炉内ガスの組成である炉内ガス組成を演算する炉内ガス組成演算手段と、
　前記炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように、前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量についてのガス導入量制御手段と、を備える表面硬化処理装置。
＜相違点＞
相違点２−１：水素濃度検出手段が、本件発明１では、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段であるのに対し、引用発明２では、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒであるものの、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段であるのか明らかでない点。
相違点２−２：ガス導入量制御手段が、本件発明１では、「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し、
引用発明２では、「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点。
３エ．　そこで、まず、上記相違点２−１につき検討するに、上記第４の４．（２’ａ）によれば、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒとは、水素分子透過性をもつ測定管により炉気の水素濃度を測定する水素センサであるとされていることからして、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段ではないことは明らかである。
３オ． 上記３エ．の検討からすると、上記相違点２−１は実質的な相違点といえる。
３カ．　次に、上記相違点２−２について検討するに、引用発明２では、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスにより、測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整でき、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整されるというガス導入量制御が行われるところ、そのようなガス導入量制御は、上記第４の２（８ｂ）に示される、窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３の流量を一定とすれば、窒化ポテンシャルは一定となるとの技術常識を考慮すると、前記窒化ポテンシャルＫＮの設定値と前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量とが一対一に対応した制御であることを意味しており、複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を前記窒化ポテンシャルＫＮに応じて一定値に保持することであるから、上記２ト（イ）〜（エ）での検討と同様にして、引用発明２が上記相違点２−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えることにはならない。
３キ．　上記３カ．の検討からすると、上記相違点２−２も実質的な相違点といえる。
　
　（３）　まとめ
　以上の検討から、第２の無効理由によっては、本件発明１の特許を無効にすべきとはいえない。 
　４．　第３の無効理由について
　上記第４の１．によれば、第３の無効理由は、本件発明１は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明１に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきであるとの無効理由である。 
　この無効理由は、審判請求書第３６頁第２１行〜第３７頁第７行、及び、平成２８年１２月１６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第８頁第１行〜第１２頁での請求人の主張によれば、主引例としての甲第１号証に記載された発明（以下、主引例に記載された発明を、「主発明」ということがある。）に、副引例としての甲第２号証の図４−３７、図４−３８、図４−４０の記載事項を組み合わせて本件発明１とすることを、当業者が容易になし得たものである旨の無効理由であると認められる。
　ここで、副引例の記載事項が周知技術や公知技術であればどのような記載事項でもあっても、主発明に組み合わせ得るというわけではなく、主発明に副引例の記載事項を組み合わせようとする動機付けが不可欠であるところ、副引例としての甲第２号証の図４−３７、図４−３８、図４−４０の記載事項は、いずれも、ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスによる軟窒化に関する技術事項である（上記第４の２．（２ｆ）、（２ｈ））のに対し、主引例としての甲第１号証に記載された発明が、上記２．（１）カ．に示した、ガス種にＮＨ３とＮ２のみを使用する窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉に関する、引用発明１−１であるとした場合、引用発明１−１に副引例の記載事項を組み合わせるには、引用発明１−１において、少なくとも、使用するガス種を、ＮＨ３とＮ２のみから、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２に変更しようとする動機付けが不可欠となるが、使用するガス種の変更は、引用発明１−１による処理内容を、窒化処理から軟窒化処理に変更するという、発明内容の変更を伴うから、そのような動機付けが生じ得るとすることには合理性がないことは明らかである。
　そこで、以下では、使用するガス種に変更を要することがないように、上記２．（１）２キ．に示した、ガス種にＮＨ３とＮ２とＣＯ２のみを使用する窒化センサ制御システム付きバッチ型ガス軟窒化炉に関する、引用発明１−２を主発明とし、その主発明に甲第２号証の図４−３７、図４−３８、図４−４０の記載事項（上記第４の２．（２ｆ）、（２ｈ））を組み合わせて本件発明１とすることを、当業者が容易になし得たものであるかについて検討を行うこととする。
　（１）　本件発明１と引用発明１−２との対比
　本件発明１と引用発明１−２との対比は、すでに、上記２．（２−２）２ハ．で行ったとおりであり、両者は、以下の点で相違し、その余の点で一致していると認める。
＜相違点＞
相違点１−２：ガス導入量制御手段が、本件発明１では、「複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのに対し、
引用発明１−２では、「複数種類の前記炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率である炉内導入ガス流量比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を制御する第一の制御と、前記炉内導入ガス流量比率が変化するように前記複数種類の炉内導入ガスの導入量を個別に制御する第二の制御と、の両者を実行可能であるとともに、同時にはいずれか一方の制御のみを選択的に行うガス導入量制御手段」であるのか明らかではない点。
　（２）　相違点についての当審の判断
４ア．　上記相違点１−２については、すでに、上記２．（２−２）２ヒ．で検討したとおりであり、甲第１号証からは、ＮＨ３とＮ２のそれぞれの導入ガス量についての設定信号をマスフローコントローラーへ送って炉内ガスを調整するというガス導入量制御を行ったことまでは把握できるものの、上記２ト．と同様の検討から、具体的にどのようなガス導入量制御を行ったのかを客観的に把握することはできないことから、上記相違点１−２に係る本件発明１の発明特定事項を引用発明１−２が備えているとはいえない。
４イ．　よって、上記相違点１−２は実質的な相違点である。
４ウ．　次に、ガス導入量制御に関し、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−３７、図４−３８、図４−４０の記載事項を組み合わせ得るか否かにつき検討するに、それらの記載事項が周知技術や公知技術というだけでは、そのような組み合わせを行うことに合理性があるということにはならず、そのような組み合わせを行おうとする動機付けが不可欠であるところ、引用発明１−２は後期において窒化ポテンシャルを３．１に制御するものであるのに対し、甲第２号証の図４−３７〜図４−３８に示されているのは、窒化ポテンシャルＫＮをの値を９から４の間にすることである（上記第４の２．（２ｆ））し、甲第２号証の図４−４０に示されているのは、窒化ポテンシャルＫＮを２の一定値に保つことであり（上記第４の２．（２ｈ））、窒化ポテンシャルＫＮの値が、相互に異なることからして、請求人の審判請求書等での主張を参照しても、そのような組み合わせを行おうとする動機付けは見当たらない。また、そのような動機付けを生じ得ると仮定したとしても、甲第２号証の図４−３７、図４−３８には、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２とが、それぞれ、５０％、４５％、５％混合された、混合ガスを、測定された炉内水素濃度Ｈ２を利用して計算される、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整できるというガス導入量制御が記載されている（上記第４の２．（２ｆ））のに対し、甲第２号証の図４−４０には、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２との混合ガスにより、窒化ポテンシャルＫＮが２．０に設定された軟窒化処理が行われる間、水素濃度はほぼ一定に保たれたのに対し、ＮＨ３の流量、Ｎ２の流量、ＣＯ２の流量は、いずれも、めまぐるしく変化し、この変化に伴い、前記ＮＨ３の流量と前記Ｎ２の流量の相互の大小関係もめまぐるしく変化したことから、前記混合ガスにおけるＮＨ３とＮ２とＣＯ２との流量比率もめまぐるしく変化したという、軟窒化プロセスの進行の様子が記載されている（上記第４の２．（２ｈ））ことからして、その軟窒化プロセスの進行の様子がガス導入量制御を表しているとの仮定をしたとしても、甲第２号証の図４−３７、図４−３８に記載の制御はＮＨ３とＮ２とＣＯ２との流量比率を一定にするガス導入量制御に対し、甲第２号証の図４−４０に記載の制御はＮＨ３とＮ２とＣＯ２との流量比率をめまぐるしく変化させるガス導入量制御であり、互いに、異なるガス導入量制御であって、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−３７、図４−３８、図４−４０に記載事項を組み合わせることに合理性がないことは明らかである。
４エ．　また、上記４ウ．での検討と同様にして、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−３７、図４−３８に記載のガス導入量制御を組み合わせを行おうとする動機付けを生じ得ると仮定したとしても、その組み合わせにより、引用発明１−２において、９から４の間の窒化ポテンシャルＫＮを基準にして前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量が最大ないし最小許容ガス投入量の限界領域内で調整でき、前記窒化ポテンシャルＫＮが４に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最小許容ガス投入量に調整され、前記窒化ポテンシャルＫＮが９に設定されると、前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量は最大許容ガス投入量に調整されることとなるところ、そのようなガス導入量制御は、上記第４の２（８）に示される、窒化ポテンシャル制御の際のＮＨ３の流量を一定とすれば、窒化ポテンシャルは一定となるとの技術常識を考慮すると、前記窒化ポテンシャルＫＮの設定値と前記ＮＨ３−Ｎ２−ＣＯ２混合ガスの合計導入量とが一対一に対応した制御であることを意味しており、複数種類の炉内導入ガスの処理炉内への導入量の比率を一定値に保持した状態で前記複数種類の前記炉内導入ガスの前記処理炉内への合計導入量を前記窒化ポテンシャルＫＮに応じて一定値に保持することであるから、上記２ト（イ）〜（エ）での検討と同様にして、引用発明１−２が上記相違点１−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えることにはならない。
４オ．　また、上記４エ．での検討と同様に、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−４０に記載されているガス導入量制御を組み合わせを行おうとする動機付けを生じ得ると仮定したとしても、その組み合わせにより、引用発明１−２において、ＮＨ３とＮ２とＣＯ２との混合ガスにより、窒化ポテンシャルＫＮが設定値にされた軟窒化処理が行われる間、水素濃度はほぼ一定に保たれるのに対し、ＮＨ３の流量、Ｎ２の流量、ＣＯ２の流量は、いずれも、めまぐるしく変化し、この変化に伴い、前記ＮＨ３の流量と前記Ｎ２の流量の相互の大小関係もめまぐるしく変化することから、前記混合ガスにおけるＮＨ３とＮ２とＣＯ２との流量比率もめまぐるしく変化するという、ガス導入量制御が行われることとなるところ、そのようなガス流量制御は、上記相違点１−２における、上記第一の制御には該当しないため、上記相違点１−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えることにはならない。
４カ．　上記４ア．〜オ．の検討を踏まえると、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−３７、図４−３８の記載事項、あるいは、甲第２号証の図４−４０の記載事項を組み合わせようとする動機付けは見当たらないし、仮に、その動機付けを生じ得ると仮定して検討しても、そのような組み合わせを行っただけでは、引用発明１−２が上記相違点１−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えることにはならないといえる。
４キ．　してみると、引用発明１−２に、甲第２号証の図４−３７、図４−３８の記載事項、あるいは、甲第２号証の図４−４０の記載事項を組み合わせて、本件発明１とすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
４ク．　さらに、念のため、上記３イ．に示された、甲第２号証に記載された引用発明２を主発明とし、引用発明１−２を組合せ得るかについても検討してみるに、上記３ウ．〜３キ．での検討と同様にして、上記相違点２−１と上記相違点２−２が、いずれも、実質的な相違点となる。
４ケ．　そこで、まず、上記相違点２−１について検討してみるに、甲第２号証においては、プロセス制御のために処理炉内に設けられているセンサは、ＨｙｄｒｏＮｉｔ−Ｓｅｎｓｏｒのみであり（上記第４の２．（２ｃ）〜（２ｇ））、このセンサは、上記３エ．で検討したとおり、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段ではないところ、このセンサを、プロセス制御のために、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段に変更するとの記述は、甲第２号証には見当たらないし、また、甲第１号証にも見当たらないのであるから、このセンサを、「処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて」検出する手段に変更しようとする動機付け、すなわち、引用発明２において上記相違点２−１に係る本件発明１の発明特定事項を備えさせようとする動機付けは、本件特許明細書に接しなければ生じ得ないといえる。
４コ．　してみると、引用発明２において上記相違点２−１に係る本件発明１の発明特定事項を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。
４サ．　次に、上記相違点２−２についても検討してみるに、この相違点は、本件発明１が備えているガス導入量制御を引用発明が備えているか明らかでないという点で、上記相違点１−２と同じ相違点であり、そして、上記４ウ．〜エ．の検討を踏まえると、引用発明２に、引用発明１−２を組み合わせようとする動機付けは見当たらないし、仮に、その動機付けを生じ得ると仮定して検討しても、そのような組み合わせを行っただけでは、引用発明２が上記相違点２−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えることにはならないといえる。
４シ．　してみると、引用発明２において上記相違点２−２に係る本件発明１の発明特定事項を備えるようにすることも、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　（３）　まとめ
　以上の検討から、第３の無効理由によっては、本件発明１の特許を無効にすべきとはいえない。 
　５．　第４の無効理由について
　上記第４の１．によれば、第４の無効理由は、本件発明２は、甲第１号証及び／または甲第２号証、並びに甲第３〜４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明２に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきであるとの無効理由である。 
　そして、上記４．の冒頭での検討を踏まえ、以下では、引用発明１−２を主発明とし、その主発明に甲第２〜４号証の記載事項（上記第４の２．（２ｆ）、（２ｈ）、上記第４の２．（３ａ）〜（４ｅ））を組み合わせて本件発明２とすることを、当業者が容易になし得たものであるかについて検討を行うこととする。
　（１）　本件発明２と引用発明１−２との対比
　本件発明２と引用発明１−２とを対比するに、両者は、上記相違点１−２以外に、以下の点でも相違し、その余の点で一致していると認める。
＜相違点＞
相違点１−３：表面硬化処理装置が、本件発明２では、「水素濃度検出配管の温度を制御する配管温度制御手段を備え、前記配管温度制御手段は、前記水素濃度検出配管内で炉内ガスが固体として析出しないように、アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配管の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御する」との発明特定事項を備えているのに対し、
引用発明１−２では、そのような発明特定事項を備えていない点。
　（２）　相違点についての当審の判断
５ア．　そこで、まず、上記相違点１−３につき検討するに、甲第３〜４号証に記載されているのは、上記第４の２．（３ａ）〜（４ｅ）によれば、非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）を用いるガス分析装置への炭酸アンモニウムの結晶の生成防止に関する技術事項であるところ、引用発明１−２における、処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて前記炉内ガスの水素を検出する水素濃度検出手段は、上記第４の２．（１ｂ）によれば、炉体に直接装着されており、寿命が長く、ノーメンテナンスであり、炭酸アンモニウムの析出の問題がないという特徴を有しているため、引用発明１−２における水素濃度検出手段を、甲第３〜４号証に記載されている、非分散型赤外分析計（ＮＤＩＲ）に変更した上で、炭酸アンモニウムの結晶の生成防止を行うことに合理性はなく、引用発明１−２における水素濃度検出手段に甲第３〜４号証に記載の技術事項を組み合わせようとする動機付けは生じ得ない。
５イ．　また、甲第２号証には、上記第４の２．（２ｂ）によれば、熱伝導率の変化によって炉排気ガス内の水素の濃度を測定する手段が記載されているものの、上記５ア．に示したように、引用発明１−２における、処理炉内の炉内ガスの熱伝導度に基づいて前記炉内ガスの水素を検出する水素濃度検出手段は、炉体に直接装着されており、寿命が長く、ノーメンテナンスであり、炭酸アンモニウムの析出の問題がないという特徴を有しているため、引用発明１−２における水素濃度検出手段を、そのような特徴を有していない、甲第２号証に記載されている、熱伝導率の変化によって炉排気ガス内の水素の濃度を測定する手段に変更することに合理性はなく、また、仮に、そのような変更を行い得ると仮定しても、甲第２号証に記載されている、熱伝導率の変化によって炉排気ガス内の水素の濃度を測定する手段は、配管温度制御手段を備えていないから、上記相違点１−３に係る本件発明２の発明特定事項を備えることにはならない。
５ウ．　よって、引用発明１−２に上記相違点１−３に係る本件発明２の発明特定事項を備えさせることは、当業者が容易になし得たことではない。
５エ．　また、上記相違点１−２については、甲第３〜４号証には、ガス導入量制御手段に関する記載は見当たらない（上記第４の２．（３ａ）〜（４ｅ））ことから、上記４．の４ア．〜キ．での検討と同様にして、引用発明１−２に上記相違点１−２に係る本件発明２の発明特定事項を備えさせることも、当業者が容易になし得たことではないといえる。
５オ．　さらに、念のため、上記３イ．に示された、甲第２号証に記載された引用発明２を主発明とし、その主発明に引用発明１−２と甲第３〜４号証の記載事項（上記２キ．、上記第４の２．（３ａ）〜（４ｅ））を組み合わせて本件発明２とすることを、当業者が容易になし得たものであるかについても検討してみるに、本件発明２と引用発明２とを対比すると、両者は、上記相違点２−１、２−２以外に、以下の点でも相違し、その余の点で一致していると認める。
＜相違点＞
相違点２−３：表面硬化処理装置が、本件発明２では、「水素濃度検出配管の温度を制御する配管温度制御手段を備え、前記配管温度制御手段は、前記水素濃度検出配管内で炉内ガスが固体として析出しないように、アンモニアガスに応じて前記水素濃度検出配管の温度を６０〜１００℃の範囲内に制御する」との発明特定事項を備えているのに対し、
引用発明２では、そのような発明特定事項を備えていない点。
５カ．　上記相違点２−３は、本件発明２が備えている発明特定事項を主発明が備えていないという点で、上記相違点１−３と同じ相違点であり、上記５ア．〜ウ．での検討と同様にして、当業者が容易になし得たことではないといえる。
５キ．　上記相違点２−１、２−２については上記４ケ．〜シ．での検討と同様にして、いずれも、当業者が容易になし得たことではないといえる。
　（３）　まとめ
　以上の検討から、第４の無効理由によっては、本件発明２の特許を無効にすべきとはいえない。 
　６．　第５の無効理由について
　上記第４の１．によれば、第５の無効理由は、本件発明１〜２に従属する本件発明３は、甲第１号証及び／または甲第２号証、並びに甲第３〜７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるため、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、本件発明３に係る特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し無効とすべきであるとの無効理由である。 
　この第５の無効理由は、本件発明３が本件発明１〜２に従属するものであることからして、本件発明１について、少なくとも、第１の無効理由〜第３の無効理由のうちのいずれかの無効理由が成立しているか、あるいは、第４の無効理由が成立していないと、成立し得ないところ、上記２．〜５．によれば、第１の無効理由〜第４の無効理由のいずれの無効理由も成立しない。
　してみると、第５の無効理由によっては、本件発明３の特許を無効にすべきとはいえないこととなる。 
　７．　第６の無効理由について
　上記第４の１．によれば、第６の無効理由は、本件発明１〜３は特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものであるとの無効理由である。
　（１）　判断手法
　特許法第３６条第６項第１号は、いわゆるサポート要件を規定したものであり、特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断する（知的財産高等裁判所特別部判決平成１７年（行ケ）第１００４２号参照。）。
　なお、訂正明細書には、【発明の詳細な説明】との明示の記載はないものの、特許法第３６条第３項の規定からすると、訂正明細書のうち、発明の名称についての記載と図面の簡単な説明についての記載とを除いた記載が、発明の詳細な説明の記載となるから、上記１．のａ．〜ｉ．の記載は、いずれも、発明の詳細な説明の記載である。
　（２）　当審の判断
７ア．　上記（１）に示したことからすると、上記第３に示した特許請求の範囲の記載と上記１．のａ．〜ｉ．に示した、発明の詳細な説明の記載とを対比して、特許請求の範囲に記載された発明と、発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が本願発明の課題を解決できると認識できる範囲との対応関係を検討することとなるから、一般的には、発明の詳細な説明の記載に基づき、本件発明１〜３に係る表面硬化処理装置の発明が解決しようとする課題を確認し、次に、発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が表面硬化処理装置の発明の課題を解決できると認識できる範囲につき整理した後、最終的に、特許請求の範囲に記載された本件発明１〜３との対比関係の検討を行うが、このような検討は、すでに、上記２．の２シ．、２セ．〜２ソ．において行われている。
　すなわち、本件発明１〜３に係る表面硬化処理装置の発明は、発明の詳細な説明の記載によれば、上記２．の２シ．に示されるように、熱伝導度に基づいて処理炉内の雰囲気を検出し、この検出した雰囲気を参照して処理炉内の雰囲気を制御することが可能な、表面硬化処理装置を提供することを、発明が解決しようとする課題としており（上記１．のｂ．〜ｃ．）、このような課題は、上記２．の２セ．に示されるように、本件発明１により解決できるとされており（上記１．のｄ．〜ｅ．、上記１．のｈ．）、そして、上記２．の２ソ．に示されるように、上記１．ｇ．に示されている発明の詳細な説明の記載によると、本件発明１により、前記の課題が解決できることが実証されているといえる。
　してみると、特許請求の範囲に記載された本件発明１は、発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が表面硬化処理装置の発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合するものである。
７イ．　また、上記１．のｆ．、上記１．のｉ．には、本発明の第二実施形態が記載されており、前記第二実施形態は、本件発明１の発明特定事項を全て備えていることからして、課題を解決できるところ、前記第二実施形態は、上記１．のｄ．によれば、本件発明２〜３に該当する。
７ウ．　上記７ア．〜イ．の検討を踏まえると、特許請求の範囲に記載された本件発明２〜３も、特許請求の範囲に記載された本件発明１と同様に、発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が表面硬化処理装置の発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合するものである。
７エ．　なお、請求人は、本件発明１〜３に関して、特許請求の範囲には、「炉内ガス組成演算手段が演算した炉内ガス組成と予め設定した設定炉内ガス混合比率に応じて、前記炉内ガス組成が前記設定炉内ガス混合比率となるように…制御する」ものであることが記載されているが、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるために如何なる制御が実施されるのかについて、何らの規定もないし、発明の詳細な説明の記載を参酌しても、窒化ポテンシャルＫＮが３．３となるための水素濃度の設定値と、水素濃度検出手段により検出した炉内ガスの水素濃度とを比較し、窒化ポテンシャルがＫＮが３．３となるように、ガス窒化処理を行ったとの説明されている（明細書段落００９５〜００９６）のみで、炉内ガス組成が設定炉内ガス混合比率となるために如何なる制御が実施されるのかについて、何ら具体的な説明がないので、本件発明１〜３は、発明の詳細な説明の記載により当業者が発明の課題を解決できると認識できる範囲のものではない旨主張している（審判請求書第４０頁第５行〜第４１頁第１８行、平成２８年１２月６日付けで請求人が提出した口頭審理陳述要領書第１２頁下から１９行〜第１３頁第１３行）。
　しかし、上記７ア．〜ウ．の検討から、特許請求の範囲に記載された本件発明１〜３は、発明の詳細な説明の記載に基づき出願時の技術常識に照らして当業者が表面硬化処理装置の発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるといえるから、請求人の前記主張は妥当な主張とはいえない。
　（３）　まとめ
　以上の検討から、第６の無効理由によっては、本件発明１〜３の特許を無効にすべきとはいえない。 
　第６　むすび
　以上のとおり、請求人の主張する無効理由及び提出した証拠方法によっては、本件特許の請求項２及び３並びに請求項２及び３に従属する請求項４に係る発明の特許を無効にすべきものとはいえないし、また、他に無効とすべき理由も見当たらない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条２項の規定において準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。