【事件の表示】
　特願２０１２−１８０１２７「複合材料の目標エッチングプロセス特性を達成するためのガスクラスタイオンビームエッチングプロセス」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２１日出願公開，特開２０１３−　５５３３６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年８月１５日（パリ条約による優先権主張２０１１年９月１日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２７年４月２７日に審査請求されるとともに補正書が提出され，同年１２月２８日付けで拒絶理由が通知され，平成２８年６月３日に意見書と補正書が提出され，同年１０月４日付けで拒絶査定がなされ，平成２９年２月１３日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２９年２月１３日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
　１　補正の内容
　平成２９年２月１３日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１８を補正して，補正後の請求項１−１８とするものであって，補正前後の請求項１は次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
　
　２　補正事項の整理
　本件補正の請求項１についての補正事項を整理すると次のとおりである。
　
・補正事項１
　補正前の請求項１の「前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程」を補正して，補正後の請求項１の「前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程」とすること。
　
　３　新規事項追加の有無，発明の特別な技術的特徴の変更の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（２）さらに，補正事項１による補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
（３）そして，補正事項１は，発明の特別な技術的特徴を変更するものではないと認められるから，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものといえる。
（４）以上検討したとおりであるから，本件補正の補正事項１を含む請求項１についての補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項，及び，第５項に規定する要件を満たす。
　
　４　独立特許要件についての検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項１を含むから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，請求項１に係る発明について，更に検討を行う。
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　ア　拒絶査定の理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００８−５０２１５０号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・「【請求項１】
　二重ダマシン集積構造を製造する方法であって，
　
基板エッチングストップフィルム層上に多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層を形成する工程
　
前記多孔質絶縁フィルム層上にハードマスク層を形成する工程
　前記ハードマスク層の上に第一のマスキング材料層を適用する工程；
　前記第一のマスキング材料層の中にヴィアパターンを形成する工程；
　側壁を露出するとともに１以上のヴィアを形成するために，前記ハードマスク層および前記多孔質絶縁フィルム層を通して第一のマスキング材料層内のヴィアパターンをエッチングストップフィルム層まで転写させる工程，；
　ガスクラスターイオンビームの照射によって前記多孔質な絶縁フィルム層内の１以上のヴィアの側壁の上に緻密化層を形成する工程；
　前記第一マスキング材料層の残部を除去する工程；
　
１以上の形成されたヴィアを充填し，前記ハードマスク層の上に層を形成するために第二のマスキング材料層を適用する工程
　
前記第二のマスキング材料層内にトレンチパターンを形成する工程
　
露出された表面と側壁に１以上のトレンチを形成するために，前記ハードマスク層および少なくとも一部の前記多孔質絶縁フィルム層を通して前記第二のマスキング材料層内のトレンチパターンを転写させる工程
　前記第二マスキング材料層の残部を除去する工程；
　１以上のトレンチの表面および側壁上に緻密化層を形成する工程；
　ハードマスク層の一部もしくは全部を除去して，１以上のヴィアを基板エッチングストップ層に開けるためにガスクラスターイオンビームの照射によってエッチングする工程
　とを含むことを特徴とする，二重ダマシン集積構造を製造する方法。
【請求項２】
　前記転写させる工程が，反応イオンエッチングを用いて成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
　
前記転写させる工程が，ガスクラスターイオンビームの照射エッチングを用いて成される請求項１記載の方法
【請求項４】
　少なくとも一つの
転写工程において，酸素およびフッ素を含有するガスのガスクラスターイオンビームを用いる請求項３記載の方法
　＜途中省略＞
【請求項１３】
　
多孔質の極めて低いｋ値を有する絶縁フィルム層上の緻密化層が，実質的に閉塞された孔を含む
【請求項１４】
　前記
ヴィアパターンの転写工程が，緻密化層形成に用いるガスクラスターイオンビームの照射と同時に進行する
・「【背景技術】
【０００２】
　半導体産業は，スケーリング（scaling）を用いることによって市場に費用対効果の高いチップ（chips）を供給することにより，すさまじい成功を収めた。スケーリングは装置や半導体プロセッサのフロントエンド（front end）に重要な役割を果たしたが，装置の配線はスケーリングに追随できず，内部抵抗や静電容量（キャパシタンス（capacitance））の低下を招いた。この問題を緩和するために，低抵抗コンダクタ（銅など）を使用したり，低いｋ値を持つ絶縁体を導入してキャパシタンスの問題を低減した。近年，
非常に多孔性（３０〜５０％）であることによって特徴的な超低ｋ値（ＵＬＫ；ｋ＜２．５）の絶縁体が発展した
・「【０００８】
　図２Ｅには，フォトレジスト層３２２に所望のトレンチパターンが描かれ，
反応イオンエッチング（ＲＩＥ）によりそのパターンが第三ハードマスク層，底部の反射防止膜３１６，第二ハードマスク層３０８，第一ハードマスク層３０６を通して，さらにＵＬＫ絶縁層３０４の一部を通してトレンチ３２６が構成された
　【０００９】
　図２を参照すると，ＲＩＥは残ったフォトレジスト層３２２，反射防止膜３２０，第三ハードマスク層３１８，底部の反射防止層３１６，を除去し，基板エッチングストップフィルム３０２を開口させることにより，ヴィア３２４が完成し構造３００Ｆが得られる。
酸素ＲＩＥ処理および必要なウェットクリーンが，多孔質なＵＬＫ層３０４材料に浸透しあるいはこれを削取するので，こうして形成された回路の信頼性と機能が低下する原因となりうる
・「【００１９】
　
ＲＩＥはＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残すので，これらの境界面が，後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して，適合しなくなる
・「【００２１】
　
これらの集積方式には多くの問題がある
通常のＲＩＥはトレンチの形や深さが様々に変化することでマイクロローディング効果を生じやすく，配線抵抗やキャパシタンスが安定しない。この配線抵抗やキャパシタンスが制御不能であると，半導体の設計においてはチップ機能に重大なマイナスとなる
・「【課題を解決するための手段】
　【００２２】
　
本発明は前記の多くの問題点を解決した，ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）処理を用いた新規な集積構造の形成方法に関する
　【００２３】
　
表面処理にクラスターイオンビームを用いることは従来より公知である
例えば，米国特許５８１４１９４号，デグチら。本願にも参照している
ガスクラスターが，通常の温度圧力下でガス状態である物質をナノサイズで集合させるものである
そのようなガスクラスターは，クラスターを形成するために数個から何千の分子が緩やかな結合により集合しているものである
このクラスターは電子衝撃または他の方法によりイオン化することができ，制御可能なエネルギーを有する直線的光線として形成することができる
そのようなエッチングには，q・e（eは電荷，qは１から数個の整数を表し，クラスターイオンの荷電状態を示す）で表される正電荷を運ぶ。イオン化されていないクラスターも無論，そのクラスターイオンビームの中に存在する
サイズの大きなクラスターイオンは，クラスターイオン当たりの搬送エネルギー能力の点でしばしば最も有用である
それらは分子当たりの適度なエネルギーである数エレクトロンボルトから数十エレクトロンボルトの，エネルギーを有するからである。クラスターは衝突により崩壊し，全クラスターイオンエネルギーのほんの一部を占める個々の分子に分解する
大きなクラスターイオンは相当の衝撃効果を有するが，表面から非常に浅い領域に限られる。従来のモノマーイオンビーム処理によると表面下深くまで損傷を与える傾向があったが，前記により各種の表面修飾処理に効果的なクラスターイオンが作られる
【００２４】
　
ＧＣＩＢを加速する装置については既に文献（ＵＳＰ５８１４１９４）に記載されている
多くの有効な表面処理は，ＧＣＩＢにより表面に衝突させることで得られる。この処理効果は，清浄化，平滑化，エッチング，ドーピング，フィルム形成，成長などがあり
【００２５】
　
この発明の目的は，低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し，ハードマスクの使用を最小限に抑えて二重ダマシン集積構造を形成することである
【００２６】
　他の目的は，低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し，最終エッチング処理後の構造にハードマスクを含まない二重ダマシン集積構造を形成することである。
【００２７】
　また，
別の目的は，すべてのエッチング表面を，緻密化し（densifying），シーリングする（sealing）方法を提供し，後のプロセスにおいて汚染される影響を減少させること
【００２８】
　
さらに別の目的は，エッチングによるトレンチの深さと形を制御して，内部抵抗やキャパシタンスを安定化すること
【００２９】
　またさらに別の目的は，改善されたＵＬＫ集積構造の形成に際し，二重ダマシン形成プロセスにおいてハードマスクを使用しないかまたは減らすこと及び，最終のエッチング処理された構造には殆どハードマスクが残らないようにすることである。」
・「【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
　図１には，以下に述べる
ＧＣＩＢ処理装置１００の典型的な基本構成
真空空間１０２は，三つの連結したチャンバに分けられ，ソースチャンバ１０４と，イオン化／加速化チャンバ１０６，処理チャンバ１０８を有する。三つのチャンバは真空ポンプシステム１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃによって好適な操作圧力に調整されている
圧縮されたソースガス１１２（例えばアルゴンまたは窒素）がガス貯蔵容器１１１内に保存され，ガス供給管１１４とガスメータバルブ１１３を通ってスタグネーションチャンバ（stagnation chamber）１１６に送られ，適切な形状のノズル１１０を通って実質的にかなり低い圧力中へ放出される。その結果，超音速ガスジェット１１８が生じる。ジェット内に膨張することで冷却され，ガスジェット１１８の一部が，数個から数千の原子や分子が緩やかに結合したクラスターに凝縮する
【００３１】
　ガスクラスターを含む超音速ガスジェット１１８が形成された後，
クラスターはイオナイザ１２２でイオン化される
好適なバイアス高電圧電極１２６がイオナイザからクラスターイオンを引き出し，ビームを形成させ，所望のエネルギー（典型的には数百Ｖから数十ｋＶの加速ポテンシャル）に加速し，ＧＣＩＢ１２８を形成するように合焦させる
加速化電源１４０は加速電圧Ｖ
Ａｃｃ
を与えて，高電圧電極をバイアスし，全ＧＣＩＢ加速化ポテンシャルをＶ
Ａｃｃ
と等しくする
【００３２】
　
半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物１５２は，対象物ホルダ１５０に固定され，ＧＣＩＢの通路上に保持される
従って，大きな対象物に適用して均一に処理するためには，ＧＣＩＢ１２８の通路を空間的に横切るようにスキャンすることで処理することができる
【００３３】
　
ＧＣＩＢ１２８は固定されており軸１２９に対して，対象物１５２を機械的に動かし，対象物１５２の表面全体にＧＣＩＢ１２８処理の効果を均一に分散させる
【００３４】
　Ｘスキャンアクチエータ２０２は，対象物ホルダ１５０を直線的に動かし，Ｘスキャン動作２０８（紙面に対して垂直方向）を行う。Ｙスキャンアクチエータ２０４は，対象物１５０を直線的に動かし，Ｘスキャン動作２０８に対して直交する方向にＹスキャン動作２１０を行う。ＸスキャンとＹスキャンを組み合わせて対象物を動かすことにより，対象物ホルダ１５０に保持された対象物１５２が動かされ，ＧＣＩＢ１２８を通してラスターの様な（raster（ブラウン管の走査線の交光点の軌跡）-like）なスキャン動作をすることにより，ＧＣＩＢ１２８による対象物１５２表面の均質な（もしくはプログラムされた）照射が行われる。対象物１５２をＧＣＩＢ１２８の軸に対して傾斜して，対象物ホルダ１５０に保持することにより対象物１５２の表面に対するビーム入射角２０６を持たせる。ビーム入射角２０６は好適な角度でよく，典型的には９０度または９０度近辺である。Ｙスキャン処理の間に，対象物ホルダー１５０に保持された対象物１５２は１５２Ａと１５０Ａで示された位置を交互に移動する。これら２つの位置間での移動中に対象物１５２がＧＣＩＢ１２８のスキャンを受け，両端の位置においてはＧＣＩＢ１２８の通路から完全にはずれている（オーバースキャン）ことが分かる。図１には明確に示されてはいないけれども，Ｘスキャン動作の方向２０８（紙面に対して垂直方向）に対しても同様にスキャンおよびオーバースキャンがされているのである。
【００３５】
　ビーム電流センサ２１８はＧＣＩＢ１２８の通路の対象物ホルダ１５０の後ろに設けられ，対象物ホルダ１５０がＧＣＩＢ１２８の通路をスキャンアウトされたときＧＣＩＢ１２８のサンプルをとらえる（intercept）。ビーム電流センサ２１８は典型的にはファラデーカップなどであり，ビームの入射口を除いて閉じられており，電気絶縁マウント２１２で真空容器１０２の壁に固定されている。
【００３６】
　マイコンベースのコントローラ２２０はＸスキャンアクチュエータ２０２とＹスキャンアクチュエータ２０４に電気的ケーブル２１６を介して接続され，両アクチュエーターを制御して対象物１５２がＧＣＩＢ１２８の内外に出入りさせ，ＧＣＩＢ１２８に対して均一にスキャンし，ＧＣＩＢ１２８による対象物１５２の適切な処理を実現する。コントローラ２２０はリード２１４を介してビーム電流センサ２１８で集められるビーム電流のサンプルを受信し，ＧＣＩＢをモニターし，所定のＧＣＩＢ照射量が投射されたときにＧＣＩＢ１２８から対象物１５２を取り除くことによりＧＣＩＢの照射量を制御する。
【００３７】
　
半導体の集積各工程において，本発明のＧＣＩＢ処理が有効である。これらには，エッチング処理，フォトレジストのアッシング，多孔質ＵＬＫ絶縁体の緻密化，シーリングする工程が含まれる
【００３８】
　表１は有用なガスおよび混合ガスの一例であるが，他のガスおよび混合ガスもまた，異なるエッチング処理において有効であり，本発明において表１に記載のガスおよび条件に限定されるものではない。
最適なガスの流速はＧＣＩＢ処理システムの特徴により異なる
・【００３９】の【
表１
エッチング処理の為のＧＣＩＢ処理条件（およその値）
典型的なガス
５％ＮＦ
３
，９５％Ｏ
２
典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）
５００
典型的Ｖ
Ａｃｃ
（ｋＶ）
３０
・「【００４０】
　
ＧＣＩＢによるエッチング処理条件は，対象材料およびエッチングの深さにより決定されるが，典型的には１×１０
15
ions／cm
2
オーダーである。ただし，一種以上の材料を同時期にエッチングしたり，エッチング処理速度を制御するために調整されることに留意すべきである
そうした場合，混合ガスを用いるのが特に効果的で，混合ガスの比率を制御するなどにより，異なる材料の異なるエッチング処理を制御可能である。例えば，１〜１０％のＮＦ
３
と，９９〜９０％のＯ
２
混合ガスが表１に記載されているが，この混合ガスを変化させることによりエッチング速度の制御に有効なのである
・「【実施例】
【００４６】
　図４Ａを参照すると，
本発明の第一実施例において，金属配線上（図には示されていないが，構造５００Ａのストップフィルム層５０２の下にある）に絶縁フィルムが堆積されることから始められる。絶縁堆積層はエッチングストップフィルム５０２，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４，ハードマスク層５０６からなる
【００４７】
　ハードマスク層５０６は，処理後の二重ダマシン構造には残留しない。従って，従来の集積法とは異なり，ハードマスク層として比較的高いｋ値を有するＳｉＯ２や，Ｓｉ３Ｎ４を用いることができる。ＳｉＯ２や，Ｓｉ３Ｎ４は抗酸化性があり，フォトリワークが可能である。ハードマスク層５０６は厚み（実施例では）約４０ｎｍである。
【００４８】
　ＳｉＯ２や，Ｓｉ３Ｎ４に加えて他の好適なハードマスク材料として，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣ，ＳｉＣＮなどが挙げられるが，これらに限定されるものではない。ハードマスク層５０６が形成される前に，ＧＣＩＢ処理（表３に示す典型的な処理条件）により多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の表面が緻密化およびシーリング処理される。
【００４９】
　図４Ｂは，
反射防止膜５０８とフォトレジスト層５１０を公知の方法により堆積して，絶縁堆積層５００Ｂを形成した
【００５０】
　図４Ｃには，
レジストにヴィアパターンを描いた後，ＲＩＥまたは好ましくはＧＣＩＢエッチング処理（例えば表１に示す処理条件で）により反射防止膜５０８，ハードマスク層５０６，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４を通して，エッチングストップフィルム５０２までパターンを転写させ，ヴィア５１２が形成された構造
【００５１】
　図４Ｄには，
残るフォトレジスト層５１０と反射防止膜５０８が，酸素その他の混合気体による通常のプラズマまたはＧＣＩＢアッシング処理（例えば表２に示す処理条件で）され，得られる構造５００Ｄが示されている
【００５２】
　図４Ｅには，
ウエハに次のパターンを形成するために，反射防止膜５１６とフォトレジスト層５１８より成る別のマスキング材料層が堆積した構造５００Ｅが示されている
【００５３】
　図４Ｆには，
所望のトレンチパターンをレジストに描いた後，ＲＩＥまたはＧＣＩＢエッチング処理によって，反射防止膜５１６，ハードマスク層５０６，多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去して形成されたトレンチ５２０
反射防止膜５１６の材料は，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料よりもエッチング速度が速く，ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないようになっている。（例えば表１に示される処理条件では，反射防止膜５１６と多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４のエッチング速度がＮＦ
３
と，Ｏ
２
の混合ガスの組成により制御される）
・「【００６３】
　
ＧＣＩＢ処理の重要な効果は，ＧＣＩＢ処理は，エッチングされたＵＬＫ絶縁材料の平滑化，緻密化，シーリングができる
【００６４】
　本発明の他の効果として，二重ダマシン構造の製造に際しハードマスクの使用数を最小にできること及び，最終のエッチングされた二重ダマシン構造からはハードマスクが除去されていることが挙げられる。従って，最終の二重ダマシン構造は十分に低いｋ値を有し，リークや層間剥離その他の関連する問題発生を最小にすることができるのである。多孔質なエッチングされたＵＬＫ絶縁体の表面をすべて緻密化，シーリングすることで，後工程におけるＣＶＤやＡＬＤ処理中の汚染の影響を受け難くなる。最後に，
ＧＣＩＢエッチング処理は，マイクロローディング効果を受けることなく，トレンチの深さ，形状の制御が容易であり，共通の設計から抵抗とキャパシタンスのより正確な仕様が可能になる
　イ　引用発明
　引用例１の上記の記載から，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明）という。）が記載されていると認められる。
「金属配線上に堆積された，エッチングストップフィルム５０２，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４，ハードマスク層５０６，反射防止膜５０８及びフォトレジスト層５１０からなる絶縁堆積層５００Ｂの前記フォトレジスト層５１０にヴィアパターンを描いた後，エッチング処理により前記反射防止膜５０８，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４を通して，前記エッチングストップフィルム５０２まで前記ヴィアパターンを転写させ，ヴィアを形成し，その後，残る前記フォトレジスト層５１０と反射防止膜５０８を，酸素その他の混合気体による通常のプラズマまたはＧＣＩＢアッシング処理し，さらに，ウエハに反射防止膜５１６とフォトレジスト層５１８より成る別のマスキング材料層を堆積して構造５００Ｅを得た後に，前記フォトレジスト層５１８に所望のトレンチパターンを描いた構造に対して，
　ＧＣＩＢエッチング処理することで，前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する方法において，
　前記ＧＣＩＢエッチング処理は，
　ソースチャンバと，イオン化／加速化チャンバ，処理チャンバを有するＧＣＩＢ処理装置の，これら三つのチャンバを真空ポンプシステムによって好適な操作圧力に調整する工程と，
　圧縮されたソースガスがガス貯蔵容器内に保存され，ガス供給管とガスメータバルブを通ってスタグネーションチャンバに送られ，適切な形状のノズルを通って実質的にかなり低い圧力中へ放出され，超音速ガスジェットが生じ，ジェット内に膨張することで冷却され，ガスジェットの一部が，数個から数千の原子や分子が緩やかに結合したクラスターに凝縮される工程と，
　前記クラスターをイオナイザでイオン化する工程と，
　好適なバイアス高電圧電極が前記イオナイザからクラスターイオンを引き出し，ビームを形成させ，所望のエネルギーに加速し，ＧＣＩＢを形成するように合焦させる工程であって，加速化電源が加速電圧ＶＡｃｃを与えて，前記高電圧電極をバイアスし，全ＧＣＩＢ加速化ポテンシャルをＶＡｃｃと等しくする工程と，
　半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物は，対象物ホルダに固定され，ＧＣＩＢの通路上に保持される工程であって，大きな対象物に適用して均一に処理するためには，ＧＣＩＢの通路を空間的に横切るようにスキャンするために，対象物を機械的に動かし，対象物の表面全体にＧＣＩＢ処理の効果を均一に分散させる工程と，
　を含むものであり，
　例えば表１に示される，「典型的なガス」として「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」，「典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）」として「５００」，「典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）」として「３０」という処理条件を用い，ＮＦ３と，Ｏ２の混合ガスの組成を制御することで，前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速くして，前記ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないようにした，
　トレンチ５２０を形成する方法。」
　ウ　拒絶査定で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００７−５２９８７６号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
・「【請求項１４】
対象物をガスクラスターイオンビームで処理する方法であって，次の各工程
　減圧チャンバ内のガスクラスターイオンビーム源からガスクラスターイオンビームを発生させる工程，
　高エネルギーガスクラスターイオンビームを形成するために，ビーム通路を有するアクセラレータにより前記ガスクラスターイオンビームを加速する工程，
　減圧チャンバ内に対象物を保持する工程，
　
アクセラレータと対象物の間に加圧領域を提供し，前記ビーム通路の少なくとも一部が前記加圧領域を通過する
を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項１５】
さらに，
　加圧ガス源を提供する工程，
　ノズルを提供する工程，
　加圧ガス源から減圧チャンバへ導入することによってガスクラスターを形成するために，加圧ガスをノズルから放出する工程，
　イオナイザーを提供する工程，
　ガスクラスターをガスクラスターイオンビームへイオン化する工程，
を含む請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
さらに，
　
加圧領域内で圧力をコントロールする
　前記システムにより加圧領域の圧力をコントロールする工程，
を含む請求項１４記載の方法。」
・「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，ガスクラスターイオンビームにより表面処理を行う方法および装置に関し，特に，表面処理効果が改善された，修飾ガスクラスターイオンビームの処理方法および装置に関する
・「【００１１】
　
高強度ＧＣＩＢｓは多様な荷電状態のクラスターを含んでおり，加速電圧Ｖ
Ａｃｃ
（数ｋＶ程度）で加速すると，ビームに対してｑ値が加わり，ｑ・Ｖ
Ａｃｃ
の増加したエネルギーをもつクラスターが生成する。一般的に，対象物の表面をＧＣＩＢを用いて処理すると得られる多くの有益な効果は，ビーム内のガスクラスターイオンのエネルギーに依存している。たとえば，表面のエッチングは，高いエネルギーのクラスターを用いればより早く進行する。ＧＣＩＢ処理の他の有利な適用としては，表面のスムージング（平滑化）があり，他の方法に比べて原子或いは近原子レベルで優れた効果を示す
ある種のビーム状態におけるＧＣＩＢによる表面処理は，例外的平滑面を生じるが，ＧＣＩＢ処理が表面を常に平滑にするとは限らないことに留意すべきである。事実，初期表面が比較的平滑であるときは，ＧＣＩＢ処理により却って表面を荒らす場合もある
処理条件を最適化する通常の技術（たとえば，クラスターガス源の選択や，加速電圧の選択，ＧＣＩＢ電流の選択，ＧＣＩＢ処理方法の選択など）を使用するとき，すでに平滑な表面に対する，適度なエッチング速度（同時に進行するスムージング速度）や表面を荒らさないようにする適当なＧＣＩＢビームの条件がしばしば見つからない
【００１２】
　
ＧＣＩＢの形成にイオン化ガスクラスターの生産に有効なイオナイザーを適用すると，広い範囲のイオン化された状態のビームが得られるが，これらは対象物のＧＣＩＢ処理による高生産性が求められる場合に必要な強力なビーム（式１で示すような）の生産条件では，特にマルチイオン化されたガスクラスターが含まれている。そのようなビームに，適度なエッチング速度を得るためのエネルギーを与えるのに十分な状態で加速されると，表面のスムージングだけでなく，表面を荒らす方向にも作用する
・「発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　上述の通り，
本発明の目的は，良好なエッチング能力だけでなく良好なスムージング能力を有するビームを形成する特徴を有するＧＣＩＢの修飾方法を提供すること
・「【００２５】
　図２は
本発明の具体例としてＧＣＩＢ処理装置３００の概略を示す
調節壁（ｂａｆｆｌｅ）３０２（複数の調節板を用いても良いが，例では簡略化するために一枚の板のみ示している）は分離された圧力チャンバ３０４を形成し，イオン化／加速化チャンバ１０６および処理チャンバ１０８の圧力よりも高い圧力を加えることができる
【００２６】
　
イオン化／加速化チャンバ１０６はＧＣＩＢ１２８を圧力チャンバ３０４へ導入するためのイオン化／加速化チャンバ開口部３０６を有している。調節壁３０２は，圧力チャンバ３０４からＧＣＩＢ１２８の出口となる圧力チャンバ開口部３０８を有する。圧力チャンバ３０４を通過するＧＣＩＢ１２８は，その通路Ｄ１に沿った，長さｄ１を有する。また調節壁３０２は，処理チャンバ１０８に対して１以上の開口部３１０を有していてもよい
ガス計測バルブ３１６は好ましくはマスフローコントロールタイプの計測バルブであり，ガス供給チューブ３１８およびディフューザ３２０を通して圧力チャンバ３０４に圧縮ガス３１４を調整しつつ流している。圧力チャンバ３０４に導入されたガス３１４は，イオン化／加速化チャンバ１０６および処理チャンバ１０８の基礎圧力と比較して，圧力チャンバ３０４内を加圧する
【００２７】
　ＱＩＮはディフューザ３２０を通して圧力チャンバ３０４内に流れ込むガス流量を示す。
　ＱＡは圧力チャンバ３０４とイオン化／加速化チャンバ１０６の間のイオン化／加速化チャンバ開口部３０６を通る流量を示す。
　ＱＰは圧力チャンバ３０４と処理チャンバ１０８の間の圧力チャンバ開口部３０８および開口部３１０を通る流量を示す。
　ＰＣは圧力チャンバ３０４内の真空圧を示し，
　ＰＰは処理チャンバ１０８内の真空圧を示し，（図２には示されてはいないが）通常の真空圧ゲージを用いて測定した値であり，
　ＰＡはイオン化／加速化チャンバ１０６内の真空圧を示し，前記同様に測定した値である。
　前記を用いて以下の式にて表すことができる。」
・「【００４１】
　図６および７についてはＳｉＯ２のエッチングおよび平滑化について示した。しかし，同様な結果は他の材料であっても得られ，たとえば金属や，酸化物，セラミックス，半導体，などにおいても同様である。
ＰＤＩ（または圧力−通路長の積）
ＰＤＩ値を高めることによって，エッチング速度が次第に低下するが，高度な平滑化が得られる。高いＰＤＩ値においては，従来のＧＣＩＢ源の調整によっては得られなかったレベルの平滑化が多くの物質において得られる
（３）本願補正発明１の進歩性について
　ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明は，「金属配線上に堆積された」「前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部」を「ＧＣＩＢエッチング処理」することで「除去」して「トレンチ５２０」を形成する方法に係る発明であって，当該「前記反射防止膜５１６」は，「ウエハ」に堆積されたものであるから，引用発明は，「ウエハ」上に堆積された「反射防止膜５１６」，「前記ハードマスク層５０６」，「前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」の一部を「エッチング処理」することで除去する発明であると理解される。
　そうすると，引用発明は，以下の相違点１，２を除いて，「基板上の材料をエッチングする方法」である点で，本願補正発明１と一致する。
（イ）引用発明は，「ウエハに反射防止膜５１６とフォトレジスト層５１８より成る別のマスキング材料層を堆積して構造５００Ｅを得た後に，前記フォトレジスト層５１８に所望のトレンチパターンを描いた構造に対して，ＧＣＩＢエッチング処理することで，前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する」ものである。
　そうすると，「ＧＣＩＢエッチング処理」の開始時において，「構造５００Ｅ」の「フォトレジスト層５１８」には，「所望のトレンチパターン」が描かれ，「反射防止膜５１６」の表面の一部が，前記「所望のトレンチパターン」の形状で曝露する一方で，前記「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，その上に「反射防止膜５１６」が堆積されていることから，曝露しておらず，その後，当該「ＧＣＩＢエッチング処理」によって，「反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部」が除去されるものと理解される。
　他方，本願補正発明１は，「ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程」を含む発明である。
　ここで，本願補正発明１の前記「前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合」との記載は，文理上，（ｉ）第１の材料と第２の材料の両方がGCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されている場合，（ii）第１の材料と第２の材料のうちの少なくとも一方の少なくとも一部がGCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されており，他方が暴露されていない場合，及び，（iii）第１の材料と第２の材料のいずれもがGCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合のうちから，前記（ｉ）第１の材料と第２の材料の両方がGCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されている場合を除外するものと解されるところ，本願補正発明１は，「基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：第１の材料，第２の材料，及び
前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板
　すなわち，引用発明の「反射防止膜５１６」，「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，それぞれ，本願補正発明１の「第１の材料」，「第２の材料」に相当し，引用発明は，「ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程」を含む点で本願補正発明１と一致する。
（ウ）引用発明の「前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する方法」に係る「ＧＣＩＢエッチング処理」は，「半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物は，対象物ホルダに固定され，ＧＣＩＢの通路上に保持される工程であって，大きな対象物に適用して均一に処理するためには，ＧＣＩＢの通路を空間的に横切るようにスキャンするために，対象物を機械的に動かし，対象物の表面全体にＧＣＩＢ処理の効果を均一に分散させる工程」と，「ソースチャンバと，イオン化／加速化チャンバ，処理チャンバを有するＧＣＩＢ処理装置の，これら三つのチャンバを真空ポンプシステムによって好適な操作圧力に調整する工程」とを含むものである。
　そして，「半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物」が，「対象物ホルダ」に固定され，対象物を機械的に動かし得るためには，前記「対象物ホルダ」は，「ＧＣＩＢ処理がなされる対象物」を「確実に保持」するものであるといえる。
　さらに，前記（イ）のとおり，「ＧＣＩＢエッチング処理」の開始時において，「反射防止膜５１６」の表面は，前記「所望のトレンチパターン」の形状で曝露することが理解され，また，引用発明の「反射防止膜５１６」，「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，それぞれ，本願補正発明１の「第１の材料」，「第２の材料」に相当するといえる。
　してみれば，本願補正発明１と，引用発明は，「第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程」及び「前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程」を含む点で一致する。
（エ）引用発明の「前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速く」することで「ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように」する工程と，本願補正発明１の「GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程」とは，「GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性を含む」点で一致する。
（オ）引用発明の「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」のガスは，本願補正発明１の「プロセス組成物」に相当する。また，引用発明において，ガス流量を「５００」（ＳＣＣＭ）とするために，プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速を設定することが行われていることは明らかである。さらに，引用発明のＶＡｃｃ「３０」（ｋＶ）は，本願補正発明１の「ビーム加速電位」に相当する。
　そうすると，引用発明の「例えば表１に示される，『典型的なガス』として『５％ＮＦ３，９５％Ｏ２』，『典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）』として『５００』，『典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）』として『３０』という処理条件を用い，ＮＦ３と，Ｏ２の混合ガスの組成を制御する」工程と，本願補正発明１の「前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程」とは，「前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，を含む」点で一致する。
（カ）引用発明の「ＮＦ３」は，本願発明の「少なくとも1つのエッチングガス」に相当する。
（キ）引用発明は，「ＧＣＩＢエッチング処理することで，前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する」のであるから，本願補正発明１と，引用発明とは，「前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む」点で一致する。
　したがって，上記の対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりといえる。
＜一致点＞
「基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
＜相違点＞
・相違点１：一致点に係る構成である，GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程が，本願補正発明１では，「前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む」ものであるのに対して，引用発明では，「前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む」ことが明示されていない点。
・相違点２：一致点に係る構成である，GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程が，本願補正発明１では，「前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む」のに対して，引用発明では，「前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む」ことが特定されていない点。
　イ　相違点についての判断
・相違点１について
（ア）引用例１の上記４（２）アの記載から，以下の事項を理解することができる。
・ＲＩＥはＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残すので，これらの境界面が，後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して，適合しなくなること。
・通常のＲＩＥはトレンチの形や深さが様々に変化することでマイクロローディング効果を生じやすく，配線抵抗やキャパシタンスが安定せず，この配線抵抗やキャパシタンスが制御不能であると，半導体集積回路の設計においてはチップ機能に重大なマイナスとなること。
・引用例１に記載された発明は前記の多くの問題点を解決した，ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）処理を用いた新規な集積構造の形成方法に関するものであること。
・大きなクラスターイオンは相当の衝撃効果を有するが，表面から非常に浅い領域に限られること。
・従来のモノマーイオンビーム処理によると表面下深くまで損傷を与える傾向があったのに対して，通常の温度圧力下でガス状態である物質の分子を，ナノサイズで集合させ，数個から何千の前記分子が緩やかな結合により集合しているガスクラスターを形成し，このガスクラスターを，電子衝撃または他の方法によりイオン化することにより各種の表面修飾処理に効果的なクラスターイオンが作られること。
・ＧＣＩＢを加速する装置については既に文献（ＵＳＰ５８１４１９４）に記載されているところであり，清浄化，平滑化，エッチング等の多くの有効な表面処理の効果が，ＧＣＩＢにより得られること。
・引用例１に記載された発明の目的は，低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し，ハードマスクの使用を最小限に抑えて二重ダマシン集積構造を形成することであり，さらに別の目的は，エッチングによるトレンチの深さと形を制御して，内部抵抗やキャパシタンスを安定化することであること。
（イ）そうすると，引用例１に記載された発明は，通常のＲＩＥがＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残し，これらの境界面が，後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して，適合しなくなり，しかも，ＲＩＥではトレンチの形や深さが様々に変化するのでマイクロローディング効果を生じやすく，配線抵抗やキャパシタンスが安定しないものとなり，半導体集積回路の設計において重大なマイナスがあったという課題を解決するために，前記ＲＩＥに替えて，清浄化，平滑化，エッチング等の多くの有効な表面処理効果を有するＧＣＩＢエッチングを用いることによって，トレンチの深さと形を制御する等の効果を得ることで，内部抵抗やキャパシタンスを安定化したことにあると認められる。
　
（ウ）すなわち，引用発明は，ＧＣＩＢの清浄化，平滑化，エッチング等の表面処理効果を利用することによって，後のバリアや成長層プロセスのための所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して適合しなくなるＵＬＫ絶縁層表面の多孔構造，及び，マイクロローディング効果を生じやすい様々に変化するトレンチの形や深さの生成を抑制することを目的とした発明といえる。
　そして，ＵＬＫ絶縁層表面の前記「多孔構造」，トレンチの形や深さの様々な「変化」は，ＵＬＫ絶縁層に形成されたトレンチの表面の凹凸の程度，すなわち，表面粗度によって評価される特性であると認められる。
（エ）してみれば，引用発明において，前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速くして，前記ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように，ＧＣＩＢエッチング処理の条件を，例えば表１のように，ガス，ガス流量，及びＶＡｃｃとする設定にあたっては，形成される多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４のトレンチ表面の多孔構造における孔の大きさや，前記トレンチの幅のバラツキの大きさ，深さのバラツキの大きさが，過大なものとならないような配慮，すなわち，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４にエッチングによって形成されたトレンチ表面の表面粗度を小さくする配慮が，前記の発明の解決すべき課題に照らして，当然になされているものと認められる。
（オ）すなわち，引用発明における，例えば表１に示される，「典型的なガス」として「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」，「典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）」として「５００」，「典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）」として「３０」という処理条件の設定が，「前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速くして，前記ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように」するという単一の目標のみを達成することを目的としたものではなく，形成されるトレンチ５２０の表面の特性，すなわち表面粗度が小さなものとなるような配慮をも併せて達成すべき目的として設定された条件であるということは，引用発明において，ＲＩＥではなく，ＧＣＩＢエッチング処理を用いることで解消しようとした課題に照らして明らかといえる。
（カ）したがって，引用発明は，GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程において，目標エッチングプロセス特性が，第１の材料と第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含むものである点で，本願補正発明１と一致する。
　したがって，相違点１は実質的なものとは認められない。
・相違点２について
（ア）引用例２の上記４（２）ウの記載から，以下の事項を理解することができる。
・高強度ＧＣＩＢｓは多様な荷電状態のクラスターを含んでいること。
・一般的に，対象物の表面をＧＣＩＢを用いて処理すると得られる多くの有益な効果は，ビーム内のガスクラスターイオンのエネルギーに依存しており，表面のエッチングは，高いエネルギーのクラスターを用いればより早く進行し，さらに，ＧＣＩＢ処理の他の有利な適用としては，表面のスムージング（平滑化）があり，他の方法に比べて原子或いは近原子レベルで優れた効果を示すこと。
・ある種のビーム状態におけるＧＣＩＢによる表面処理は，例外的平滑面を生じるが，ＧＣＩＢ処理が表面を常に平滑にするとは限らず，事実，初期表面が比較的平滑であるときは，ＧＣＩＢ処理により却って表面を荒らす場合もあること。
・処理条件を最適化するための，たとえば，クラスターガス源の選択や，加速電圧の選択，ＧＣＩＢ電流の選択，ＧＣＩＢ処理方法の選択等の通常の技術の使用では，すでに平滑な表面に対する，適度なエッチング速度（同時に進行するスムージング速度）や表面を荒らさないようにする適当なＧＣＩＢビームの条件がしばしば見つからない場合があること。
・ＧＣＩＢの形成にイオン化ガスクラスターの生産に有効なイオナイザーを適用すると，適度なエッチング速度を得るためのエネルギーを与えるのに十分な状態で加速されると，表面のスムージングだけでなく，表面を荒らす方向にも作用すること。
・引用例２に記載された発明の目的は，良好なエッチング能力だけでなく良好なスムージング能力を有するビームを形成する特徴を有するＧＣＩＢの修飾方法を提供することであって，
　引用例２に記載された発明のＧＣＩＢ処理装置は，イオン化／加速化チャンバ１０６および処理チャンバ１０８の圧力よりも高い圧力を加えることができる圧力チャンバ３０４が形成されており，
　イオン化／加速化チャンバ１０６はＧＣＩＢ１２８を圧力チャンバ３０４へ導入するためのイオン化／加速化チャンバ開口部３０６を有し，分離された圧力チャンバ３０４を形成する調節壁３０２は，圧力チャンバ３０４からＧＣＩＢ１２８の出口となる圧力チャンバ開口部３０８を有し，ＧＣＩＢ１２８は圧力チャンバ３０４を通過するものであって，
　好ましくはマスフローコントロールタイプの計測バルブであるガス計測バルブ３１６は，ガス供給チューブ３１８およびディフューザ３２０を通して圧力チャンバ３０４に圧縮ガス３１４を調整しつつ流すことで，圧力チャンバ３０４に導入されたガス３１４が，イオン化／加速化チャンバ１０６および処理チャンバ１０８の基礎圧力と比較して，圧力チャンバ３０４内を加圧するものであって，
　ＰＤＩ値（または圧力−通路長の積）を高めることによって，エッチング速度が次第に低下するが，高度な平滑化が得られ，高いＰＤＩ値においては，従来のＧＣＩＢ源の調整によっては得られなかったレベルの平滑化が多くの物質において得られること。
（イ）一方，上記「相違点１について」（ウ）のとおり，引用発明は，後のバリアや成長層プロセスのための所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して適合しなくなるＵＬＫ絶縁層表面の多孔構造，及び，マイクロローディング効果を生じやすい様々に変化するトレンチの形や深さの生成を抑制することを目的とした発明といえる。
（ウ）しかも，以下の周知例１，及び，周知例２にも記載されているように，エッチングの際に表面の荒れを抑えることは周知の課題であったことが技術常識として認められる。
・周知例１：特開２００６−２４５２６８号公報
・「【０００３】
　さらに，微細化等に伴う配線遅延を回避するためには，配線間容量の低減を目的として，ビアやＣｕ配線が埋め込み形成される層間絶縁膜を従来の酸化膜よりも誘電率が低いＬｏｗ−ｋ材料を用いて形成することも行われている。Ｌｏｗ−ｋ材料は，無機系と有機系の２種類に大別されるが，各デバイスの要求特性を満たすように使い分けられるのが一般的である。
なお，Ｌｏｗ−ｋ材料を用いて形成される絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜）は，従来の酸化膜に比べて膜密度が低く機械的強度が弱いため，エッチングするとそのエッチング処理表面が荒れた状態になりやすいことが知られている
・「【００１０】
　上記のように近年の半導体装置のＣｕ配線は微細化が進んでおり，微細なビアやＣｕ配線の開口パターンにできるだけ多くのＣｕを埋め込むためには，Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜に形成したビアホールおよび配線溝の底や側壁に形成するバリアメタルの膜厚を非常に薄くしなければならない。ところが，
表面荒れを起こして凹凸状になっている溝底等に薄いバリアメタルを形成すると，そのバリアメタルも凹凸状になってしまい，また，凹凸の程度によってはバリアメタルの膜厚が他の部分に比べて極端に薄い部分が生じたりバリアメタルが形成されない部分が生じたりする場合もある
【００１１】
　
このようにバリアメタルが凹凸状に形成されてしまうと，熱ストレス等によってＣｕ配線にストレスマイグレーションが発生した場合に，バリアメタル−Ｃｕ配線間に大きなストレスがかかってバリアメタルの薄い箇所が破れ，そこからＣｕが吹き出してＣｕ配線が断線してしまうといったことが起こり得る
【００１２】
　
さらに，Ｃｕ配線を形成する際には，まずバリアメタル上にシードＣｕを形成してからＣｕメッキを行って開口パターンをＣｕで埋め込む。しかし，バリアメタルが凹凸状に形成されている場合には，シードＣｕも凹凸状になるため，メッキＣｕの配向性が悪化してしまう。そのようにして形成されるＣｕ配線に大電流が流れた場合には，配向性の悪い部分で電流の流れが悪くなり，過度なストレスがかかることでエレクトロマイグレーションが起こり，Ｃｕ配線が断線してしまうといったことが起こり得る
【００１３】
　
このように，Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜の表面荒れは，バリアメタルのバリア性の悪化やＣｕ配線の配向性の悪化を引き起こす可能性があり，半導体装置の信頼性を低下させる一因となり得る
【００１４】
　
従来，このようなＬｏｗ−ｋ絶縁膜の表面荒れを抑制することを目的とした提案もいくつかなされてはいるが，デュアルダマシン法を用いて形成される多層配線構造を備えた信頼性の高い半導体装置を実現するためには，Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜の表面荒れを確実に抑制する方法が必要になる
・周知例２：特開２００９−１７６８８６号公報
・「【０００３】
　たとえば，近年，配線材料として比抵抗値の小さい銅が用いられるようになっているが，銅配線の形成過程でも配線溝やビアホールの溝パターン側壁の荒れが問題となっている。銅多層配線は，以下に説明するダマシンプロセス（damascene process）で形成される。まず，半導体基板上に絶縁膜（層間絶縁膜）を形成する。つづいて，絶縁膜に配線溝またはビアホールを形成する。次いで，配線溝またはビアホールにバリアメタル膜を形成する。その後，配線溝またはビアホールにシード銅膜を形成する。つづいて，シード銅膜をシードとして電解めっき法等により，配線溝またはビアホールを銅膜で埋め込む。次いで，配線溝またはビアホール外に露出した余剰の銅膜，シード銅膜，およびバリアメタル膜を化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）により除去する。この工程を繰り返すことにより，銅多層配線が形成される。
【０００４】
　しかし，
絶縁膜に溝パターンを形成する際に，溝パターンにラインエッジラフネス（Line Edge Roughness：ＬＥＲ）またはストライエーション（striation）と呼ばれる荒れが生じることがある。これにより，配線間隔が設計寸法よりも短くなる箇所ができて，そこでの配線間の漏洩電流の増加や絶縁耐性の低下が生じるという問題がある
（エ）そうすると，引用発明は，後のバリアや成長層プロセスのための所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して適合しなくなるＵＬＫ絶縁層表面の多孔構造，及び，マイクロローディング効果を生じやすい様々に変化するトレンチの形や深さの生成を抑制するという課題を，ＲＩＥに替えてＧＣＩＢエッチング処理を採用し，例えば表１に示される，「典型的なガス」として「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」，「典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）」として「５００」，「典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）」として「３０」という処理条件を用いることで解決しようとする発明であるところ，引用例２の上記記載によれば，クラスターガス源の選択や，加速電圧の選択，ＧＣＩＢ電流の選択，ＧＣＩＢ処理方法の選択等の通常の技術の使用では，すでに平滑な表面に対する，適度なエッチング速度（同時に進行するスムージング速度）や表面を荒らさないようにする適当なＧＣＩＢビームの条件がしばしば見つからない場合があること，及び，イオン化／加速化チャンバおよび処理チャンバの圧力よりも高い圧力を加えることができる圧力チャンバを形成し，圧力チャンバに圧縮ガスを調整しつつ流し，ＰＤＩ値（または圧力−通路長の積）を高めることで，従来のＧＣＩＢ源の調整によっては得られなかったレベルの平滑化が多くの物質において得られることが理解される。
（オ）してみれば，引用発明と引用例２の記載に接した当業者であれば，引用発明において，後のバリアや成長層プロセスのための所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して適合しなくなるＵＬＫ絶縁層表面の多孔構造，及び，マイクロローディング効果を生じやすい様々に変化するトレンチの形や深さの生成を抑制するという課題をより一層確実に解決するために，あるいは，エッチングの際に表面の荒れを抑えるという周知の課題をより一層解決するために，引用発明に引用例２に記載された，イオン化／加速化チャンバおよび処理チャンバの圧力よりも高い圧力を加えることができる圧力チャンバを形成し，圧力チャンバに圧縮ガスを調整しつつ流し，ＰＤＩ値（または圧力−通路長の積）を高めることで，従来のＧＣＩＢ源の調整によっては得られなかったレベルの平滑化を多くの物質において得るという発明を適用すること，すなわち，GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を設定する工程において，設定すべきGCIB性質として，「プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位」だけではなく，表面エッチングの精度を高めるために，「前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む」ものとすることで，従来のＧＣＩＢ源の調整によっては得られなかったレベルの平滑化を多くの物質において得られるようにして，相違点２について，本願補正発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　ウ　効果について
　上記相違点１，２による効果は当業者が予測する範囲内のものである。そして，本願補正発明１が，相違点１，２に係る効果の寄せ集めを超える顕著な効果を奏するとは，本願明細書の記載からは認めることができない。
（４）むすび
　本願補正発明１は，引用例１に記載された引用発明と引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであり，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　平成２９年２月１３日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１８に係る発明は，平成２８年６月３日に提出された補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１８に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
　
　２　新規性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用例１（特表２００８−５０２１５０号公報）に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　ア　本願発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明は，「金属配線上に堆積された」「前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部」を「ＧＣＩＢエッチング処理」することで「除去」して「トレンチ５２０」を形成する方法に係る発明であって，当該「前記反射防止膜５１６」は，「ウエハ」に堆積されたものであるから，引用発明は，「ウエハ」上に堆積された「反射防止膜５１６」，「前記ハードマスク層５０６」，「前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」の一部を「エッチング処理」することで除去する発明であると理解される。
　そうすると，引用発明は，以下の相違点１，２を除いて，「基板上の材料をエッチングする方法」である点で，本願発明１と一致する。
（イ）引用発明は，「ウエハに反射防止膜５１６とフォトレジスト層５１８より成る別のマスキング材料層を堆積して構造５００Ｅを得た後に，前記フォトレジスト層５１８に所望のトレンチパターンを描いた構造に対して，ＧＣＩＢエッチング処理することで，前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する」ものである。
　そうすると，「ＧＣＩＢエッチング処理」の開始時において，「構造５００Ｅ」の「フォトレジスト層５１８」には，「所望のトレンチパターン」が描かれ，「反射防止膜５１６」の表面の一部が，前記「所望のトレンチパターン」の形状で曝露する一方で，前記「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，その上に「反射防止膜５１６」が堆積されていることから，曝露しておらず，その後，当該「ＧＣＩＢエッチング処理」によって，「反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部」が除去されるものと理解される。
　すなわち，引用発明の「反射防止膜５１６」，「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，それぞれ，本願発明１の「第１の材料」，「第２の材料」に相当し，引用発明は，「ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程」を含む点で本願発明１と一致する。
（ウ）引用発明の「前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する方法」に係る「ＧＣＩＢエッチング処理」は，「半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物は，対象物ホルダに固定され，ＧＣＩＢの通路上に保持される工程であって，大きな対象物に適用して均一に処理するためには，ＧＣＩＢの通路を空間的に横切るようにスキャンするために，対象物を機械的に動かし，対象物の表面全体にＧＣＩＢ処理の効果を均一に分散させる工程」と，「ソースチャンバと，イオン化／加速化チャンバ，処理チャンバを有するＧＣＩＢ処理装置の，これら三つのチャンバを真空ポンプシステムによって好適な操作圧力に調整する工程」とを含むものである。
　そして，「半導体ウエハや他の製品となるためにＧＣＩＢ処理がなされる対象物」が，「対象物ホルダ」に固定され，対象物を機械的に動かし得るためには，前記「対象物ホルダ」は，「ＧＣＩＢ処理がなされる対象物」を「確実に保持」するものであるといえる。
　さらに，前記（イ）のとおり，「ＧＣＩＢエッチング処理」の開始時において，「反射防止膜５１６」の表面は，前記「所望のトレンチパターン」の形状で曝露することが理解され，また，引用発明の「反射防止膜５１６」，「多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４」は，それぞれ，本願発明１の「第１の材料」，「第２の材料」に相当するといえる。
　してみれば，本願発明１と，引用発明は，「第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程」及び「前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程」を含む点で一致する。
（エ）引用発明の「前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速く」することで「ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように」する工程と，本願発明１の「GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む，工程」とは，「GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性を含む」点で一致する。
（オ）引用発明の「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」のガスは，本願発明１の「プロセス組成物」に相当する。また，引用発明において，ガス流量を「５００」（ＳＣＣＭ）とするために，プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速を設定することが行われていることは明らかである。さらに，引用発明のＶＡｃｃ「３０」（ｋＶ）は，本願発明１の「ビーム加速電位」に相当する。
　そして，本願発明１の「前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む」との発明特定事項は，「プロセス組成物」，「該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速」，「ビーム加速電位」，及び「前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方」という「GCIB性質」のなかから，前記GCIBエッチングプロセス用に，「１又はそれ以上のGCIB性質」を選択して設定する工程であると理解することが，本願の請求項の記載の解釈として自然といえる。
　なお，このような理解は，本願の明細書の「【００４５】１４で，
前記ＧＣＩＢのためのＧＣＩＢプロセス条件の１つ又はそれ以上の性質が，目標エッチング特性の１つ又はそれ以上を達成するために設定される
前記ＧＣＩＢ性質の１つ又はそれ以上が，上述のＧＣＩＢエッチングプロセス特性の制御を達成するために選択され得る
　してみれば，本願発明１の「前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程」は，「前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位を含む」場合を包含するものといえる。
　そうすると，引用発明の「例えば表１に示される，『典型的なガス』として『５％ＮＦ３，９５％Ｏ２』，『典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）』として『５００』，『典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）』として『３０』という処理条件を用い，ＮＦ３と，Ｏ２の混合ガスの組成を制御する」工程と，本願発明１の「前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程」とは，「前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む」点で一致する。
（カ）引用発明の「ＮＦ３」は，本願発明１の「少なくとも1つのエッチングガス」に相当する。
（キ）引用発明は，「ＧＣＩＢエッチング処理することで，前記反射防止膜５１６，前記ハードマスク層５０６，前記多孔質なＵＬＫ絶縁層５０４の一部を除去してトレンチ５２０を形成する」のであるから，本願発明１と，引用発明とは，「前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む」点で一致する。
　したがって，上記の対応関係から，本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりといえる。
＜一致点＞
「基板上の材料をエッチングする方法であり，前記方法は：
　　第１の材料，第２の材料，及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
　　前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに，
　ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって，前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に，前記第１の材料の少なくとも一部と前記第２の材料の少なくとも一部を除去する，工程；
　　前記実行する工程は：
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって，前記目標エッチングプロセス特性が，前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性を含む，工程；
　　　　前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上のGCIB性質を設定する工程であって，前記GCIB性質は，プロセス組成物，該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流速，ビーム加速電位，及び，前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する増加圧力領域のバックグラウンドガス流速のうちの少なくとも一方を含む，工程；
　　　　前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって，前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む，工程；
　　　　前記の設定されたGCIB性質に従って，前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに，
　　　　前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して，前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程，を含む方法。」
＜相違点＞
・相違点１：一致点に係る構成である，GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程が，本願発明１では，「前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む」ものであるのに対して，引用発明では，「前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む」ことが明示されていない点。
　イ　相違点についての判断
・相違点１について
（ア）引用例１の上記４（２）アの記載から，以下の事項を理解することができる。
・ＲＩＥはＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残すので，これらの境界面が，後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して，適合しなくなること。
・通常のＲＩＥはトレンチの形や深さが様々に変化することでマイクロローディング効果を生じやすく，配線抵抗やキャパシタンスが安定せず，この配線抵抗やキャパシタンスが制御不能であると，半導体集積回路の設計においてはチップ機能に重大なマイナスとなること。
・引用例１に記載された発明は前記の多くの問題点を解決した，ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）処理を用いた新規な集積構造の形成方法に関するものであること。
・大きなクラスターイオンは相当の衝撃効果を有するが，表面から非常に浅い領域に限られること。
・従来のモノマーイオンビーム処理によると表面下深くまで損傷を与える傾向があったのに対して，通常の温度圧力下でガス状態である物質の分子を，ナノサイズで集合させ，数個から何千の前記分子が緩やかな結合により集合しているガスクラスターを形成し，このガスクラスターを，電子衝撃または他の方法によりイオン化することにより各種の表面修飾処理に効果的なクラスターイオンが作られること。
・ＧＣＩＢを加速する装置については既に文献（ＵＳＰ５８１４１９４）に記載されているところであり，清浄化，平滑化，エッチング等の多くの有効な表面処理の効果が，ＧＣＩＢにより表面に衝突させることで得られること。
・引用例１に記載された発明の目的は，低いｋ値を有する絶縁材料のＧＣＩＢ処理方法を提供し，ハードマスクの使用を最小限に抑えて二重ダマシン集積構造を形成することであり，さらに別の目的は，エッチングによるトレンチの深さと形を制御して，内部抵抗やキャパシタンスを安定化することであること。
（イ）そうすると，引用例１に記載された発明は，通常のＲＩＥがＵＬＫ絶縁層表面に多孔構造を残し，これらの境界面が，後のバリアや成長層プロセスのために所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して，適合しなくなり，しかも，ＲＩＥではトレンチの形や深さが様々に変化するのでマイクロローディング効果を生じやすく，配線抵抗やキャパシタンスが安定しないものとなり，半導体集積回路の設計において重大なマイナスがあったという課題を解決するために，前記ＲＩＥに替えて，清浄化，平滑化，エッチング等の多くの有効な表面処理効果を有するＧＣＩＢエッチングを用いることによって，トレンチの深さと形を制御する等の効果を得ることで，内部抵抗やキャパシタンスを安定化したことにあると認められる。
　
（ウ）すなわち，引用発明は，ＧＣＩＢの清浄化，平滑化，エッチング等の表面処理効果を利用することによって，後のバリアや成長層プロセスのための所望のＡＬＤやＣＶＤ技術を用いるのに際して適合しなくなるＵＬＫ絶縁層表面の多孔構造，及び，マイクロローディング効果を生じやすい様々に変化するトレンチの形や深さの生成を抑制することを目的とした発明といえる。
　そして，ＵＬＫ絶縁層表面の前記「多孔構造」，トレンチの形や深さの様々な「変化」は，ＵＬＫ絶縁層に形成されたトレンチの表面の凹凸の程度，すなわち，表面粗度によって評価される特性であると認められる。
（エ）してみれば，引用発明において，前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速くして，前記ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように，ＧＣＩＢエッチング処理の条件を，例えば表１のように，ガス，ガス流量，及びＶＡｃｃとする設定にあたっては，形成される多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４のトレンチ表面の多孔構造における孔の大きさや，前記トレンチの幅のバラツキの大きさ，深さのバラツキの大きさが，過大なものとならないような配慮，すなわち，多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４にエッチングによって形成されたトレンチ表面の表面粗度を小さくする配慮が，前記の発明の解決すべき課題に照らして，当然になされているものと認められる。
（オ）すなわち，引用発明における，例えば表１に示される，「典型的なガス」として「５％ＮＦ３，９５％Ｏ２」，「典型的なガス流量（ＳＣＣＭ）」として「５００」，「典型的ＶＡｃｃ（ｋＶ）」として「３０」という処理条件の設定が，「前記反射防止膜５１６の材料に対するエッチング速度を，前記多孔質ＵＬＫ絶縁層５０４の材料に対するエッチング速度よりも速くして，前記ヴィア５１２の上側周辺部にエッチングされない突出部“フェンス（fences）”が残らないように」するという単一の目標のみを達成することを目的としたものではなく，形成されるトレンチ５２０の表面の特性，すなわち表面粗度が小さなものとなるような配慮をも併せて達成すべき目的として設定された条件であるということは，引用発明において，ＲＩＥではなく，ＧＣＩＢエッチング処理を用いることで解消しようとした課題に照らして明らかといえる。
（カ）したがって，引用発明は，GCIBエッチングプロセス用に目標エッチングプロセス特性を選択する工程において，目標エッチングプロセス特性が，第１の材料と第２の材料との間のエッチング選択性，及び，前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含むものである点で，本願発明１と一致する。
　したがって，相違点１は実質的なものとは認められない。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。