【事件の表示】
　特願２０１４−１６０３７１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月２５日出願公開，特開２０１４−２４１４３３，請求項の数（１１）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年２月３日（国内優先権主張　平成２２年５月２６日，以下，左の日を「本願優先日」という。）の出願である特願２０１１−２１８２８号の一部を，平成２６年８月６日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　８月　６日　審査請求・上申書
平成２７年１０月２８日　拒絶理由通知
平成２８年　１月　７日　意見書・手続補正書
平成２８年　７月１１日　拒絶理由通知
平成２８年　９月１２日　意見書・手続補正書
平成２９年　１日２６日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２９年　４月２７日　審判請求・手続補正書
平成２９年１０月１７日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
平成２９年１２月２５日　意見書・手続補正書
　
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。なお，「第２」における引用文献１ないし３および先願４は，「第５」以降の原審引用文献１ないし３および原審先願４に対応する。
１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．（拡大先願）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願の日前の特許出願であって，その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１−４
・引用文献等　１
　出願人は意見書において，平成２８年７月１１日付けの拒絶理由通知書において引用した引用文献１の「ｐ+領域１６」は「コレクタ領域１６」として記載されたものであり，本発明の「ダイオードのカソードとしての第２導電型の逆導電型領域」と相違する旨主張している。
　上記主張について検討する。一般に，「カソード」は陰極を意味すると解されるところ，本発明の「第２導電型の逆導電型領域」はホールを注入する機能を有するものであり，一般的な意味での「カソード」には該当しないと認められる。
　してみると，本発明における「カソードとしての」は，発明の詳細な説明に記載された構成および機能から，カソード電極に接続しリカバリー時にホールを注入する機能を有する第２導電型の領域を意味するものと認められる。そして，引用文献１に記載された「ｐ+領域１６」は，「コレクタ電極とカソード電極を兼ねる裏面電極１８」に接続し，リカバリー時にホールが注入されると認められる点で，本発明のごとく「カソードとしての」領域に相当すると認められる。
　よって，上記出願人の主張を採用することはできない。
　その他の点については，上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから，本願の請求項１ないし４に係る発明は，上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　５，６
・引用文献等　２
　出願人は意見書において，上記拒絶理由通知書において引用した引用文献２の「第２半導体領域４」は「コレクタ領域」として記載されたものであり，本発明の「ダイオードのカソードとしての第２導電型の逆導電型領域」と相違する旨主張している。
　上記主張について検討する。引用文献２に記載された「第２半導体領域４」は，負電圧が印加される「コレクタ電極Ｃ」に接続し，リカバリー時にホールが注入されると認められる点で，本発明のごとく「カソードとしての」領域に相当すると認められる。よって，上記出願人の主張を採用することはできない。
　その他の点については，上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから，本願の請求項５および６に係る発明は，上記拒絶理由通知書において引用した引用文献２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
・請求項　７ないし９
・引用文献等　１−３
　上記において請求項１ないし６について検討した事項の他は，上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから，本願の請求項７ないし９に係る発明は，上記拒絶理由通知書において引用した引用文献１ないし３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
●理由２（特許法第２９条の２）について
・請求項　５−９
・先願　４
　出願人は意見書において，上記拒絶理由通知書において引用した先願４の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲および図面に記載された「コレクタ領域６２」は，本発明の「ダイオードのカソードとしての第２導電型の逆導電型領域」と相違する旨主張している。
　上記主張について検討する。先願４の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲および図面に記載された「コレクタ領域６２」は，負電圧が印加される「コレクタ（カソード電極）電極６４」に接続し，リカバリー時にホールが注入されると認められる点で，本発明のごとく「カソードとしての」領域に相当すると認められる。
　よって，上記出願人の主張を採用することはできない。
　その他の点については，上記拒絶理由通知書において検討したとおりであるから，本願の請求項５ないし９に係る発明は，先願４の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲および図面に記載された発明であり，特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものである。
＜引用文献等一覧＞
１.特開２００９−１５８９２２号公報
２.特開２００９−２６７３９４号公報
３.特開２００６−２１０６６７号公報
４.特願２００９−２８５３０号（特開２０１０−１８６８０５号公報）
第３　当審拒絶理由通知の概要
　当審拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。なお，「第３」における引用文献１，２は，「第５」以降の当審引用文献１，２に対応する。
１．（明確性）本件出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
・理由　１（明確性）
・請求項　１〜９
　請求項１，５において「前記第１領域と前記第３領域とは，前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト領域を共有しており」と記載されているが，「エッジターミネーション領域において・・・形成された・・・前記第４領域」という記載から，前記第４領域とｐｎ接合を形成する領域はエッジターミネーション領域内であることが必要であるのに，「ダイオード活性領域において・・・形成された第１導電型の第１領域」という記載から，「第１領域」は，エッジターミネーション領域になく，第１領域と第４領域がどのようにしてｐｎ接合を形成するのが不明瞭な記載となっている。
　請求項１を直接又は間接的に引用する請求項２〜４，請求項５を直接又は間接的に引用する請求項６〜９にも同様の拒絶理由が存する。
・理由　２（進歩性）
・請求項　５〜９
・引用文献　１，２
・備考 
　引用文献１の，特に，第３図には，以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されている。（以下，請求項５に係る発明を「本願発明５」と記し，引用発明１の主な要素との対応箇所を（　）で示す。）
　互いに対向するｐ型拡散領域３とアノード電極４の界面である第１主面およびｎ型超高濃度不純物層１２とカソード電極１３の界面である第２主面を有し，かつ互いに隣り合うアノード電極４とアノード２の下部に形成されるダイオード形成領域（本願発明５において，「ダイオード活性領域」に対応）とガードリング６が形成される領域（本願発明５において，「エッジターミネーション領域」に対応）とを有する半導体基板１と，
　前記ダイオード形成領域において，前記半導体基板１内に形成されたｎ型の領域（ドリフト層１１０）（本願発明５の「第１導電型の第１領域」に対応）と，
　前記ダイオード形成領域において前記ｎ型の領域（ドリフト層１１０）とともにダイオードを構成するように前記半導体基板１の前記第１主面に形成されたｐ型拡散領域３（本願発明５において「第２導電型の第２領域」に対応）と，
　前記ガードリングが形成される領域において，前記半導体基板１内に形成されたｎ型のドリフト層１０ａ（本願発明５において「第１導電型の第３領域」に対応）と，
　前記ガードリングが形成される領域の前記第２主面において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたガードリング領域となるｐ型拡散領域５（本願発明５において「第２導電型の第４領域」に対応）とを備え，
　前記ダイオードが形成される領域の前記半導体基板１内に形成されたｎ型の領域（ドリフト層１１０）と，前記ガードリングが形成される領域の前記ｐ型拡散領域５とｐｎ接合を形成する前記半導体基板１内に形成されたｎ型のドリフト層１０ａとは，ｎ型のドリフト層１１０を共有しており，
　前記半導体基板１内に形成されたｎ型の領域（ドリフト層１１０）（本願発明の「第１導電型の第１領域」に対応）は，前記ドリフト層１１０よりもｎ型の不純物の濃度が高いｎ型超高濃度不純物層１２（本願発明５の「第５領域」に対応）を有しており，さらに　前記ガードリングが形成される領域の前記第２主面に形成されたカソード側ｐ型拡散領域１４（本願発明５の「第２導電型の第２逆導電型領域」に対応）とを備え，
　前記ｎ型のドリフト層１０ａとｎ型のドリフト層１１０とは，ｎ型超高濃度不純物層１２よりｎ型不純物濃度が低く，かつ前記ｎ型のドリフト層１１０よりｎ型不純物濃度が高いｎ型のｎ型高濃度不純物層１１（本願発明５の「第１導電型の第６領域」に対応）を共有しており
　ｎ型高濃度不純物層１１は，ダイオード形成領域においては，ｎ型超高濃度不純物層１２および前記ドリフト層１１０のすべてに接するように前記ｎ型超高濃度不純物層１２および前記ドリフト層１１０との間に位置し，かつ前記ガードリングが形成される領域においては前記カソード側ｐ型拡散領域１４と前記ドリフト層１１０との双方に接するように前記前記カソード側ｐ型拡散領域１４と前記ドリフト層１１０との間に位置している，半導体装置。
　そこで，本願発明５と引用発明１とを対比すると以下の点で相違する。
　相違点
　本願発明５では，ダイオード活性領域に，第５領域と隣り合うように形成された，ダイオードのカソードとしての第２導電型の第１逆導電型領域を有し，前記ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記第１逆導電型領域は，第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置されている構造を有しているのに対して，引用発明１では，ダイオードのカソードとしての第２導電型の第１逆導電型領域に対応する領域が無く，当該領域を含んだ該構造を有しない点。 
　以下，上記相違点について検討する。
　引用文献２の，特に，第５図には，電力損失を増加させること無くソフトな逆回復特性を実現するために，ｎ＋＋導電型の半導体層５１（本願発明５において「第１導電型の第５領域」に対応）と隣りあうように形成されたｐ型半導体層１５（本願発明５の「第１逆導電型領域」に対応）を複数領域設け，ｎ＋＋導電型の半導体層５１とｐ型半導体層１５を交互に２組以上配置されているダイオードのカソード側の構造が開示されている。
　したがって，引用文献１に記載された発明において，ダイオードについて当業者であれば，通常配慮する周知な技術的課題である電力損失の抑制と逆回復特性の改善のために，引用文献２に開示されたダイオードの構造を採用する事は，当業者が容易に想到し得た事項と認められる。
　また，請求項６〜９に係る発明は，引用発明１に引用文献２に開示された技術的事項を採用する際に，当業者であれば通常配慮する電力損失の抑制と逆回復特性の改善の観点における最適化のために適宜設定し得る設計的事項であり，当該設定的事項の限定に格別な困難性は認められない。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００９−２８３７８１号公報
２．特開平１０−９３１１３号公報
第４　本願発明
　本願請求項１ないし１１に係る発明（以下，「本願発明１」ないし「本願発明１１」という。）は，平成２９年１２月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　互いに対向する第１主面および第２主面を有し，かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と，
　前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と，
　前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え，
　前記第１領域と前記第３領域とは，前記第２領域および前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト層を共有しており，
　前記第１領域は前記ドリフト層よりも第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第５領域を有しており，
　前記エッジターミネーション領域では前記第２主面に前記ドリフト層が形成されており，前記ダイオード活性領域では前記第２主面に前記第５領域が形成されており，
　前記ダイオード活性領域の前記第２主面において前記第５領域と隣り合うように形成された，ダイオードのカソードとしての第２導電型の逆導電型領域をさらに備え，
　前記ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記逆導電型領域は，前記第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置される，半導体装置。
【請求項２】
　前記第１領域は，前記第５領域および前記逆導電型領域と前記ドリフト層との間に位置し，かつ前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く，前記ドリフト層より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を有しており，
　前記第６領域は，前記ドリフト層と前記第５領域との双方に接している，請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
　前記第５領域の直上に位置する前記第６領域の第１導電型不純物の濃度は，前記逆導電型領域の直上に位置する前記第６領域の第１導電型不純物の濃度よりも高い，請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
　前記第２主面における前記ダイオード活性領域の総面積に対して前記逆導電型領域の面積が占める割合は２０％以上９５％以下である，請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
　互いに対向する第１主面および第２主面を有し，かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と，
　前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と，
　前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え，
　前記第１領域と前記第３領域とは，前記第２領域および前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト層を共有しており，
　前記第１領域は前記ドリフト層よりも第１導電型不純物の濃度が高い第５領域を有しており，さらに
　前記ダイオード活性領域の前記第２主面において前記第５領域と隣り合うように形成された，ダイオードのカソードとしての第２導電型の第１逆導電型領域と，
　前記エッジターミネーション領域の前記第２主面に形成された第２導電型の第２逆導電型領域とを備え，
　前記ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記第１逆導電型領域は，前記第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置され，
　前記第１領域と前記第３領域とは，前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く，かつ前記ドリフト層より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有しており，
　前記第６領域は，前記ダイオード活性領域においては前記第５領域，前記第１逆導電型領域および前記ドリフト層のすべてに接するように前記第５領域および前記第１逆導電型領域と前記ドリフト層との間に位置し，かつ前記エッジターミネーション領域においては前記第２逆導電型領域と前記ドリフト層との双方に接するように前記第２逆導電型領域と前記ドリフト層との間に位置しており，
　オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍における電子の濃度は，前記ダイオード活性領域における電子の濃度よりも小さく，
　オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍におけるホールの濃度は，前記ダイオード活性領域におけるホールの濃度よりも小さい，半導体装置。
【請求項６】
　前記第２主面における前記ダイオード活性領域の総面積に対して前記第１逆導電型領域の面積が占める割合は２０％以上９５％以下である，請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記第１逆導電型領域と前記第２逆導電型領域との深さは同様である，請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
　前記第６領域における最大不純物濃度は１×１０16ｃｍ-3以上１×１０17ｃｍ-3以下である，請求項２〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記第４領域は，前記第１主面において互いに間隔をあけて形成された複数の第２導電型領域を有している，請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
　前記第４領域は，前記第２領域と接触するように形成されている，請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
　前記第４領域における第２導電型不純物の濃度は，前記第２領域における第２導電型不純物の濃度よりも低い，請求項１０に記載の半導体装置。」
第５　引用文献，引用発明等
１　原査定の引用文献１について
　原査定で引用された，特開２００９−１５８９２２号公報（以下，「原審引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
同一の半導体基板に，ＩＧＢＴ素子と転流ダイオード素子が構成された半導体装置
イ　「【００２０】
　図１及び図２に示すように，
半導体装置１００は，第１導電型の半導体基板１０を有しており，この半導体基板１０には，素子形成領域３０
と素子形成領域３０を取り囲む環状の外周領域５０とが構成され
素子形成領域３０には，転流ダイオード素子３２
を内蔵したＩＧＢＴ素子３１
が形成され
ウ　「【００４２】
　図３に示す半導体装置１００は，第１実施形態に示した半導体装置１００と殆ど同じ構造となっている。異なる点は，
フィールドストップ層１９が，半導体基板１０における裏面側の表層のうち，素子形成領域３０のみに形成され，外周領域５０には存在しない
　前記アないしウの記載から，原審引用文献１には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「同一の半導体基板に，ＩＧＢＴ素子と転流ダイオード素子が構成された半導体装置において，半導体装置１００は，第１導電型の半導体基板１０を有しており，この半導体基板１０には，素子形成領域３０と素子形成領域３０を取り囲む環状の外周領域５０とが構成され，素子形成領域３０には，転流ダイオード素子３２を内蔵したＩＧＢＴ素子３１が形成され，フィールドストップ層１９が，半導体基板１０における裏面側の表層のうち，素子形成領域３０のみに形成され，外周領域５０には存在しない。」
２　原査定の引用文献２について
　原査定で引用された，特開２００９−２６７３９４号公報（以下，「原審引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域が同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置に関する
イ　「【００４４】
　図１と図２に示す半導体装置１００は，図１５と図１６に示した半導体装置８０と同様，車載用のインバータ回路に用いられる半導体装置で，ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域が，Ｎ導電型（Ｎ−）の半導体基板１に形成されてなる半導体装置である。半導体装置１００では，図２に示すように，
ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域からなる能動素子セル領域において，半導体基板１の主面側の表層部に，ＩＧＢＴセル領域のチャネル形成領域およびダイオードセル領域のアノード領域となるＰ導電型（Ｐ）の第１半導体領域（ベース領域）２が形成され
ＩＧＢＴセル領域において，半導体基板１の裏面側の表層部には，コレクタ領域となるＰ導電型（Ｐ＋）の第２半導体領域４が形成され，ダイオードセル領域においては，半導体基板１の裏面側の表層部に，カソード領域となるＮ導電型（Ｎ＋）の第３半導体領域５が形成されている。
第２半導体領域４と第３半導体領域５上に形成されているＮ導電型（Ｎ）
の層は，ＩＧＢＴのフィールドストップ層である。
ウ　「【００６０】
　図１と図２に示した半導体装置１００においては，裏面側の第６半導体領域５ａが，主面側に形成されている第４半導体領域６の直下の全面に形成されていた。これに対して，図６に示す半導体装置１０１では，第６半導体領域５ｂが，第４半導体領域６の直下の一部分に形成されている。図７に示す半導体装置１０１ａでは，
裏面側の第６半導体領域５ｂｓが，第４半導体領域６の直下において，第４半導体領域６に接続する電極Ｅ２の直下（図中の両端矢印Ｗで示した範囲）を避けるように形成されている
　前記アないしウの記載から，原審引用文献２には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域が同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置に関するもので，ＩＧＢＴセル領域とダイオードセル領域からなる能動素子セル領域において，半導体基板１の主面側の表層部に，ＩＧＢＴセル領域のチャネル形成領域およびダイオードセル領域のアノード領域となるＰ導電型（Ｐ）の第１半導体領域（ベース領域）２が形成され，ＩＧＢＴセル領域において，半導体基板１の裏面側の表層部には，コレクタ領域となるＰ導電型（Ｐ＋）の第２半導体領域４が形成され，ダイオードセル領域においては，半導体基板１の裏面側の表層部に，カソード領域となるＮ導電型（Ｎ＋）の第３半導体領域５が形成され，第２半導体領域４と第３半導体領域５上に形成されているＮ導電型（Ｎ）の層は，ＩＧＢＴのフィールドストップ層であり，裏面側の第６半導体領域５ｂｓが，第４半導体領域６の直下において，第４半導体領域６に接続する電極Ｅ２の直下（図中の両端矢印Ｗで示した範囲）を避けるように形成されている。」
３　原査定の引用文献３について
　原査定で引用された，特開２００６−２１０６６７号公報（以下，「原審引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置に関し，特に，
低い順方向降下電圧（Ｖｆ）を有しかつ逆回復時のリカバリー破壊を防止したダイオードに関する
イ　「【０００８】
　実施の形態１．
　図１は，全体が１００で表される，本実施の形態１にかかるダイオードの断面図である。
ダイオード１００は，
シリコンからなるｎ型の半導体基板１を含む
半導体基板１の上には，ｎ型のｎ
−
半導体層２が設けられている。ｎ
−
半導体層２の表面側には，ｐ型のアノード領域（ベース領域）３が設けられている。
【０００９】
　
アノード領域３の周辺部には，アノード領域と連続したｐ型のアノード周辺領域（ベース周辺領域）４が設けられている。
　なお，ダイオード１００では，アノード周辺領域４の深さは略一定であり，底面は略平坦である。
【００１０】
　更に，
アノード領域３を囲むように，ｐ型のガードリング領域５が設けられ
ガードリング領域５中のｐ型不純物の濃度は，アノード領域３中のｐ型不純物濃度より小さく，アノード周辺領域５と略同じである
　前記ア及びイの記載から，原審引用文献３には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「低い順方向降下電圧（Ｖｆ）を有しかつ逆回復時のリカバリー破壊を防止したダイオードに関するもので，ダイオード１００は，シリコンからなるｎ型の半導体基板１を含み，半導体基板１の上には，ｎ型のｎ−半導体層２が設けられ，ｎ−半導体層２の表面側には，ｐ型のアノード領域（ベース領域）３が設けられ，アノード領域３の周辺部には，アノード領域と連続したｐ型のアノード周辺領域（ベース周辺領域）４が設けられ，アノード領域３を囲むように，ｐ型のガードリング領域５が設けられ，ガードリング領域５中のｐ型不純物の濃度は，アノード領域３中のｐ型不純物濃度より小さく，アノード周辺領域５と略同じである。」
４　原審の先願４について
　原審で引用された先願である，特願２００９−２８５３０号（特開２０１０−１８６８０５号公報，以下，「原審先願４」という。）の特許出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「当初明細書等」という。）には，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
ＩＧＢＴと，このＩＧＢＴに逆並列接続されるフリーホイーリングダイオード（以降ＦＷＤと略記する）とが同一半導体基板上に併設される半導体装置
イ　「【００１６】
　本発明によれば，
ｎ導電型半導体基板の一方の主面に，ｐ導電型チャネル形成領域と
該チャネル形成領域表面に形成されるｎ導電型エミッタ領域と
前記エミッタ領域表面と前記半導体基板表面とに挟まれる前記チャネル形成領域の表面にゲート絶縁膜を介して積層されるゲート電極とを含む活性領域と
該ゲートパッド電極領域と前記活性領域とをリング状に取り囲む耐圧構造部と
少なくとも前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に形成されるｐ導電型コレクタ領域と
を備えるＩＧＢＴ部と，前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に前記ｐ導電型コレクタ領域と交互に形成されるｎ導電型領域を有し
該ｎ導電型領域にオーミック接触するコレクタ電極をカソード電極，前記エミッタ電極をアノード電極とするダイオード部とを備える半導体装置
ウ「【００２９】
　図５（ｃ）では半導体基板の表面側をポリイミド膜などの保護フィルム（図示せず）で保護したのち，半導体基板の裏面側を研削してこの基板を耐圧（６００Ｖ）で決まる所定の厚さ（７０μｍ〜１２０μｍ）にする。図５（ｄ）では裏面側にｎ-ドリフト層５５の不純物濃度より高不純物濃度で深いｎ型フィールドストップ層６１を形成し，さらに，図９に示すように，フォト工程によってレジストフィルムを平行なストライプ状に開口し，ここにイオン注入などの方法でｐ型不純物として，たとえばボロンを，前記ｎ型フィールドストップ層６１よりは浅く，オーミック接触が得られる程度以上の高不純物表面濃度で導入する。同様に再度，フォト工程によって，前記ボロンのストライプ状イオン注入領域と交互に配置されるようなパターンで，レジストフィルムを平行なストライプ状に開口し，ここにイオン注入などの方法でｎ型不純物としてリンまたは砒素などをオーミック接触が得られる程度以上の高不純物表面濃度で導入する。
【００３０】
　その後，図５（ｅ）に示すように，４００℃程度の熱処理を行って，導入した不純物を熱的に活性化してｐ+型のコレクタ領域６２およびｎ+型のカソード領域６３とする。このとき，この温度では導入した不純物は１００％活性化できないことから，さらに不純物濃度を高めるために必要ならば，たとえばレーザーアニール装置による活性化を行ってもよい。その後，図５（ｅ）において裏面側にＴｉ／Ｎｉ／Ａｕなどの積層金属膜からなるコレクタ電極兼カソード電極を形成して逆導通ＩＧＢＴチップ８０を完成させる。このとき，裏面側基板表面と直接接触する金属としてはｎ型領域と良好な接触を得やすいＴｉあるいはＡｌなどを用いることが好ましい。図５（ｅ）の拡大断面図を図１０に示す。」　
　前記アないしウの記載から，原審先願４の当初明細書等には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「ＩＧＢＴと，このＩＧＢＴに逆並列接続されるフリーホイーリングダイオード（以降ＦＷＤと略記する）とが同一半導体基板上に併設される半導体装置において，ｎ導電型半導体基板の一方の主面に，ｐ導電型チャネル形成領域と，該チャネル形成領域表面に形成されるｎ導電型エミッタ領域と，前記エミッタ領域表面と前記半導体基板表面とに挟まれる前記チャネル形成領域の表面にゲート絶縁膜を介して積層されるゲート電極とを含む活性領域と，該ゲートパッド電極領域と前記活性領域とをリング状に取り囲む耐圧構造部と，少なくとも前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に形成されるｐ導電型コレクタ領域とを備えるＩＧＢＴ部と，前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に前記ｐ導電型コレクタ領域と交互に形成されるｎ導電型領域を有し，該ｎ導電型領域にオーミック接触するコレクタ電極をカソード電極，前記エミッタ電極をアノード電極とするダイオード部とを備える半導体装置。」
５　当審の引用文献１について
（１）当審引用文献１の記載事項
　当審で引用された，特開２００９−２８３７８１号公報（以下，「当審引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体装置に関し，特に，
ダイオードを備えた電力用の高耐圧の半導体装置
　
イ　「【００１４】
　実施の形態１
　本発明の実施の形態１に係る，ダイオードを備えた半導体装置について説明する。図１に示すように，
ｎ型の半導体基板１の一方の主表面の側には，ダイオードのアノード２が形成され，他方の主表面の側にはカソードが形成され
【００１５】
　
アノード２として，ｐ型拡散領域３が形成され
ｐ型拡散領域３は，半導体基板１の主表面から所定の深さにわたって形成され
不純物濃度は，約１×１０
16〜18
ｉｏｎｓ／ｃｍ
3
とされ
ｐ型拡散領域３の上にはアノード電極４が形成され
そのアノード２と距離を隔ててアノード２を取り囲むように，ｐ型拡散領域５からなるガードリング６が形成され
ｐ型拡散領域５は，半導体基板１の主表面から所定の深さにわたって形成され
ガードリング６の上には，ガードリング６を覆うように絶縁膜７が形成され
【００１６】
　一方，
カソードとして，ｎ型超高濃度不純物層１２とｎ型高濃度不純物層１１が形成され
ｎ型超高濃度不純物層１２の不純物濃度は，約１×１０
19〜21
ｉｏｎｓ／ｃｍ
3
ｎ型高濃度不純物層１１の不純物濃度は，約１×１０
14〜19
ｉｏｎｓ／ｃｍ
3
ｎ型超高濃度不純物層１２は，半導体基板１の他方の主表面から所定の深さにわたり形成され，ｎ型高濃度不純物層１１は，そのｎ型超高濃度不純物層１２に引き続いて，さらに深い領域にわたり形成され
カソードでは，ガードリング６と対向するガードリング対向領域１５に，カソード側ｐ型拡散領域１４が形成され
カソード側ｐ型拡散領域１４とｎ型超高濃度不純物層１２とに接触するように，カソード電極１３が形成されている
（中略）
【００１８】
　ダイオードのアノード電極４とカソード電極１３との間に順方向に高電圧が印加されたオン状態では，図２に示すように，
半導体基板１の第１導電型の領域（以下，「ドリフト層１０」と記す。
ウ　図３には，以下のものが記載されていると認められる。
　一方の主面と他方の主面を有し，互いに隣り合う，ダイオードを構成する側の半導体領域（図中右半分）とガードリング６を構成する側の半導体領域（図中左半分）とを有する半導体基板１と，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０と，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域において前記ｎ型のドリフト層１０とともにダイオードを構成するように前記半導体基板１の一方の主面にアノード２として形成されたｐ型拡散領域３と，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０と，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域において前記半導体基板１の前記一方の主面に形成されたガードリング６となるｐ型拡散領域５とを備え，
　アノード２として形成されたｐ型拡散領域３とガードリングとなるｐ型拡散領域５は，ｐｎ接合を構成する半導体基板内に形成されたｎ型のドリフト層１０に接しており，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域では，他方の主面にｎ型超高濃度不純物層１２を有し，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域では，前記他方の主面にカソード側ｐ型拡散領域１４を備え，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域と前記ガードリング６を構成する側の半導体領域とは，ｎ型のドリフト層１０及びｎ型高濃度不純物層１１上に接している半導体装置。
（２）引用発明
　前記アないしウ，特に，前記ウにおいて，ダイオードを構成する側の半導体領域（図中右半分）とガードリング６を構成する側の半導体領域（図中左半分）は機能面から２つに分けているが，両者に跨がって形成されている層であるｎ型のドリフト層１０及びｎ型高濃度不純物層１１は，それぞれ実質的に１つの層であるから，これらの層は，両領域からみると「共有」する関係となる点を考慮すると，当審引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「一方の主面と他方の主面を有し，互いに隣り合う，ダイオードを構成する側の半導体領域（図中右半分）とガードリング６を構成する側の半導体領域（図中左半分）とを有する半導体基板１と，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０と，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域において前記ｎ型のドリフト層１０とともにダイオードを構成するように前記半導体基板１の一方の主面にアノード２として形成されたｐ型拡散領域３と，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０と，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域において前記半導体基板１の前記一方の主面に形成されたガードリング６となるｐ型拡散領域５とを備え，
　アノード２として形成されたｐ型拡散領域３とガードリングとなるｐ型拡散領域５は，ｐｎ接合を構成する半導体基板内に形成されたｎ型のドリフト層１０を共有しており，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域では，他方の主面にｎ型超高濃度不純物層１２を有し，
　前記ガードリング６を構成する側の半導体領域では，前記他方の主面にカソード側ｐ型拡散領域１４を備え，
　前記ダイオードを構成する側の半導体領域と前記ガードリング６を構成する側の半導体領域とは，ｎ型のドリフト層１０及びｎ型高濃度不純物層１１を共有する半導体装置。」
６　当審の引用文献２について
　当審で引用された，特開平１０−９３１１３号公報（以下，「当審引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
電力変換装置等に使われるダイオードに関する
イ　「【００１３】図１において，１は本発明の一実施例であるダイオード，１３は
ｎ~導電型の半導体層（第１の半導体層のうちの第１の領域），
ｐ
+
導電型の半導体層（第２の半導体層），
ｎ
+
導電型の半導体層（第１の半導体層のうちの第２の領域），
ｐ
+
導電型の半導体層（第３の半導体層），
アノード電極（第１の主電極），
カソード電極（第２の主電極）
ウ　「【００３０】図５は，本発明の他の１実施例である。本発明は，図１に示した接合構造に，さらに
ｎ
++
導電型の半導体層５１をｎ
+
導電型の半導体層１４とｐ
+
導電型の半導体層１５とカソード電極１６に接するように設けた構造
エ　図５には，以下のものが記載されていると認められる。
　ｎ++半導体層５１と隣りあうように形成されたｐ型半導体層１５を複数領域設け，ｎ++半導体層５１とｐ型半導体層１５を交互に２組以上配置したダイオードのカソード側の構造。
　前記アないしエの記載から，当審引用文献２には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「電力変換装置等に使われるダイオードに関するもので，ｎ~ 導電型の半導体層（第１の半導体層のうちの第１の領域），ｐ+導電型の半導体層（第２の半導体層），ｎ+導電型の半導体層（第１の半導体層のうちの第２の領域），ｐ+導電型の半導体層（第３の半導体層），アノード電極（第１の主電極），カソード電極（第２の主電極）を備え，ｎ++導電型の半導体層５１をｎ+導電型の半導体層１４とｐ+導電型の半導体層１５とカソード電極１６に接するように設け，ｎ++半導体層５１とｐ型半導体層１５を交互に２組以上配置した構造。」
第６　判断
１　明確性について
　平成２９年１２月２５日の手続補正によって，請求項１および５は，「前記第１領域と前記第３領域とは，前記第２領域および前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト層を共有しており」と補正されたことより，第１領域と第４領域が他の領域とどのようにしてｐｎ接合を形成するのかが明らかとなり，明確性に関する拒絶理由は解消した。
２　進歩性について
（１）本願発明５について
　ア　本願発明５と引用発明の対比
（ア）引用発明における「一方の主面」，「他方の主面」は，本願発明５の「第１主面」，「第２主面」に相当し，両面は基板の表裏面であるから本願発明５の「互いに対向する」関係を満たす。引用発明における「ダイオードを構成する側の半導体領域」は，本願発明５の「ダイオード活性領域」に相当する。また，引用発明における「ガードリング６を構成する側の半導体領域」は，「ガードリング」がダイオード端部の電界緩和領域として本願発明の「エッジターミネーション」と同様の機能を有するから，本願発明５の「エッジターミネーション領域」に相当する。さらに，引用発明における「ダイオードを構成する側の半導体領域」と「ガードリング６を構成する側の半導体領域」は，互い隣りあって配置されている。
　したがって，引用発明の「一方の主面と他方の主面を有し，互いに隣り合うダイオードを構成する側の半導体領域（図中右半分）とガードリング６を構成する側の半導体領域（図中左半分）とを有する半導体基板１」は，本願発明５の「互いに対向する第１主面および第２主面を有し，かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板」に相当する。
（イ）引用発明における「前記ダイオードを構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０」は，「ｎ型」を「第１導電型」に対応させると，本願発明５の「ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域」に相当する。
（ウ）引用発明における「前記ダイオードを構成する側の半導体領域において前記ｎ型のドリフト層１０とともにダイオードを構成するように前記半導体基板１の一方の主面にアノード２として形成されたｐ型拡散領域３」は，「ｐ型」を「第２導電型」に対応させると，本願発明５の「前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域」に相当する。
（エ）引用発明における「前記ガードリング６を構成する側の半導体領域に形成されるｎ型のドリフト層１０」は，前記（ア）を考慮すると，本願発明５の「前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域」に相当する。
（オ）引用発明における「前記ガードリング６を構成する側の半導体領域において前記半導体基板１の前記一方の主面に形成されたガードリング６となるｐ型拡散領域５」は，前記（ア）を考慮すると，本願発明５の「エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域」に相当する。
（カ）引用発明における「アノード２として形成されたｐ型拡散領域３とガードリングとなるｐ型拡散領域５は，ｐｎ接合を構成する半導体基板内に形成されたｎ型のドリフト層１０を共有しており」という点は，前記（イ）ないし（オ）の「第１領域」ないし「第４領域」の関係を考慮すると，本願発明５の「前記第１領域と前記第３領域とは，前記第２領域および前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト層を共有しており」という点を満たす。
（キ）引用発明における「前記ダイオードを構成する側の半導体領域では，他方の主面にｎ型超高濃度不純物層１２」は，不純物層１２が「超高濃度」であることから，ドリフト層１０に比較して相対的に濃度が高いことは明らかであり，本願発明５の「前記第１領域は前記ドリフト層よりも第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第５領域」に相当する。
（ク）引用発明における「前記ガードリング６を構成する側の半導体領域では，前記他方の主面にカソード側ｐ型拡散領域１４」は，本願発明５の「前記エッジターミネーション領域の前記第２主面に形成された第２導電型の第２逆導電型領域」に相当する。
（ケ）引用発明における「ｎ型高濃度不純物層１１」は，「ｎ型のドリフト層１０」と比較すると「高濃度」と表現されていることから，「ｎ型のドリフト層１０」の不純物濃度よりも相対的に高いものと認められる。また，「ｎ型高濃度不純物層１１」は，「ｎ型超高濃度不純物層１２」と比較すると「高濃度」と「超高濃度」という表現から，「ｎ型超高濃度不純物層１２」の不純物濃度よりも相対的に低いものと認められる。
　したがって，引用発明における「前記ダイオードを構成する半導体領域と前記ガードリング６を構成する側の半導体領域のｎ型のドリフト層１０とはｎ型高濃度不純物層１１上を共有する」点は，本願発明５の「前記第１領域と前記第３領域とは，前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く，かつ前記ドリフト層より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有している」という点を満たす。
　そうすると，本願発明５と引用発明は，以下の（コ）の点で一致し，（サ）の点で相違する。
（コ）一致点
　「互いに対向する第１主面および第２主面を有し，かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板と，
　前記ダイオード活性領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第１領域と，
　前記ダイオード活性領域において前記第１領域とともにダイオードを構成するように前記半導体基板の前記第１主面に形成された第２導電型の第２領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板内に形成された第１導電型の第３領域と，
　前記エッジターミネーション領域において前記半導体基板の前記第１主面に形成されたエッジターミネーションとなる第２導電型の第４領域とを備え，
　前記第１領域と前記第３領域とは，前記第２領域および前記第４領域とｐｎ接合を構成する第１導電型のドリフト層を共有しており，
　前記第１領域は前記ドリフト層よりも第１導電型不純物の濃度が高い第５領域を有しており，
　前記エッジターミネーション領域の前記第２主面に形成された第２導電型の第２逆導電型領域とを備え，
　前記第１領域と前記第３領域とは，前記第５領域より第１導電型不純物の濃度が低く，かつ前記ドリフト層より第１導電型不純物の濃度が高い第１導電型の第６領域を共有している半導体装置。」
（サ）相違点
　相違点（１）
　本願発明５は，「前記ダイオード活性領域の前記第２主面において前記第５領域と隣り合うように形成された，ダイオードのカソードとしての第２導電型の第１逆導電型領域」を有し，「前記ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記第１逆導電型領域は，前記第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置され」，「前記第６領域は，前記ダイオード活性領域においては前記第５領域，前記第１逆導電型領域および前記ドリフト層のすべてに接するように前記第５領域および前記第１逆導電型領域と前記ドリフト層との間に位置し，かつ前記エッジターミネーション領域においては前記第２逆導電型領域と前記ドリフト層との双方に接するように前記第２逆導電型領域と前記ドリフト層との間に位置して」いるのに対して，引用発明は，第１逆導電型領域を有さないため，同領域に関連した構成を備えていない点。
　相違点（２）
　本願発明５は，「オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍における電子の濃度は，前記ダイオード活性領域における電子の濃度よりも小さく，オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍におけるホールの濃度は，前記ダイオード活性領域におけるホールの濃度よりも小さい」のに対して，引用発明は，キャリア濃度について明示していない点。
イ　相違点についての検討
　以下，相違点（２）について検討する。
　相違点（２）について，当審引用文献１及び２には，記載も示唆も無い。
　また，本願発明５は，相違点（２）を有することにより，オン状態時においてもリカバリー時においても，ダイオード活性領域とエッジターミネーション領域との境界部の近傍においては，電流の集中を抑制することができ，ダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを行き来するキャリアの数を減少することにより，電流値を抑えることができる。その結果，当該境界部の近傍における温度上昇による熱破壊を抑制することができるという有利な効果を奏する。
ウ　まとめ
　したがって，本願発明５は，当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本願発明６及び７について　
　本願発明６及び７は，本願発明５を引用し，本願発明５の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明５が当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明６及び７も当審引用文献１及び２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
（３）本願発明８ないし１１について　
　本願発明８ないし１１が直接間接に引用する請求項１について検討する。
　本願発明１の「互いに対向する第１主面および第２主面を有し，かつ互いに隣り合うダイオード活性領域とエッジターミネーション領域とを有する半導体基板」において「前記ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記逆導電型領域は，前記第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置される」点については，当審引用文献１及び２のいずれにも記載も示唆も無い。
　したがって，本願発明１は，当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはえいない。
　そして，本願発明８ないし１１は，本願発明１又は本願発明５の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１又は５が当審引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明８ないし１１も当審引用文献１及び２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
第７　原査定について
　本願発明１は，「ダイオード活性領域において，前記第５領域および前記逆導電型領域は，前記第２主面に沿う方向に交互に２組以上配置される」との技術的事項を有する。当該技術的事項は，原審引用文献１ないし３に記載されておらず，本願優先日前における周知技術でもないので，本願発明１は，当業者であっても，原審引用文献１ないし３に基づいて容易に発明できたものではない。なお，原審引用文献１ないし３に記載された発明に対し，当審引用文献２に記載された発明を適用する動機付けを見いだすことはできない。
　本願発明２ないし４は，本願発明１を引用し，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに他の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１が原審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明２ないし４も原審引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をす
ることができたとは認めらない。
　本願発明５は，平成２９年１２月２５日付けの手続補正により「オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍における電子の濃度は，前記ダイオード活性領域における電子の濃度よりも小さく，オン時において，前記ダイオード活性領域と前記エッジターミネーション領域との境界近傍におけるホールの濃度は，前記ダイオード活性領域におけるホールの濃度よりも小さい」という技術的事項を有するものとなった。当該技術的事項は，原審引用文献１ないし３に記載されておらず，本願優先日前における周知技術でもないので，本願発明５は，当業者であっても，原審引用文献１ないし３に基づいて容易に発明できたものではない。また，原審先願４の当初明細書等に記載された発明と同一でもない。
　本願発明６及び７は，本願発明５を引用し，本願発明５が原審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，原審先願４の当初明細書等に記載された発明と同一でもない以上，本願発明６及び７も原審引用文献１ないし３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められず，原審先願４の当初明細書等に記載された発明と同一でもない。
　本願発明８ないし１１は，本願発明１又は５を直接間接に引用し，本願発明１又は５は原審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって，本願発明１又は５が原審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本願発明８ないし１１は，原審引用文献１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。また，本願発明８ないし１１は，原審先願４の当初明細書等に記載された発明と同一でもない。
　したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　結言
　以上のとおりであるから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。