【事件の表示】
　特願２０１３−５４４７１１「ＰＶＤにより形成される窒化アルミニウム緩衝層を有する窒化ガリウムベースのＬＥＤの製造」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日国際公開、ＷＯ２０１２／０８２７８８、平成２６年　３月１３日国内公表、特表２０１４−５０６３９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１１年１２月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年２月２８日、２０１０年１２月１６日、いずれもアメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年７月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月３０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。その後当審において、平成２９年７月６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月６日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成２９年７月６日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願の請求項１ないし５に係る発明は、周知技術を勘案することにより、本願の優先日前に日本国内において頒布された「特開２０１０−２５１７０５号公報」（以下「引用例１」という。）に記載された発明に基づいて、その優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
３　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２９年１０月６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　発光ダイオード（ＬＥＤ）構造を製造する方法であって、前記方法は、
(i)　マルチチャンバシステムの物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ内で、基板の上に窒化アルミニウム層を形成することであって、該窒化アルミニウム層を形成することが該ＰＶＤチャンバ内に収容された窒化アルミニウムターゲットからの非反応性スパッタリングを含む、形成すること、
(ii)　前記マルチチャンバシステムの第１の有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバ内で、窒化アルミニウム層の上にアンドープ窒化ガリウムまたはｎ型窒化ガリウムの層を形成すること、
(iii)　前記マルチチャンバシステムの第２のＭＯＣＶＤチャンバ内で、前記アンドープ窒化ガリウムまたはｎ型窒化ガリウムの層の上に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を形成すること、および
(iv)　前記マルチチャンバシステムの第３のＭＯＣＶＤチャンバ内で、前記ＭＱＷ構造の上にｐ型窒化アルミニウムガリウムまたはｐ型窒化ガリウムの層を形成すること、であって、
　前記(i)-(iv)の工程を複数の基板のそれぞれに対して所定のサイクル時間毎に順次実施することを含み、
　前記(i)-(iv)の工程が前記複数の基板の別基板に対して同時に進行することをさらに含む方法。」
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例の記載
　引用例１には、図１、２とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。」
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
…（略）…
【０００６】
　したがって、この従来技術に基づき、例えば、
青色発光ダイオードの構成材をＭＯＣＶＤ法にしたがって作製しようとする場合
ｎ型ＧａＮ層、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層およびｐ型ＧａＮ層を同一の処理チャンバ内で順次積層して成膜処理していた
【０００７】
　しかし、
同一の処理チャンバ内で異なる膜の成膜処理を行う場合
スループットを向上するのは困難であった
…（略）…
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明の第１の態様は、有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
　前記成膜室を３室以上備え、
　前記３室以上の成膜室は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板上に形成するよう構成されたことを特徴とするものである。
【００１２】
　本発明の第１の態様では、３室以上の成膜室は、少なくとも１つの成膜室でｎ型ＧａＮ層の膜を基板上に形成し、少なくとも１つの成膜室でＭＱＷ（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜を基板上に形成し、さらに少なくとも１つの成膜室でｐ型ＧａＮ層の膜を基板に形成するよう構成されており、
　１枚の基板を３室以上の成膜室の間で搬送させて膜を形成することにより、青色発光ダイオードの構成材を製造するよう構成することができる。
…（略）…
【００１８】
　本発明の第２の態様は、
基板が載置されたサセプタを３室以上の異なる成膜室内に順次自動的に搬送し、各成膜室内でそれぞれ異なる条件で、有機金属気相成長法により、それぞれ異なる膜を、順次基板上に積層した後、サセプタの表面に付着した膜を成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去する成膜方法であって、
　異なる積層膜は、ｎ型ＧａＮ層と、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜と、ｐ型ＧａＮ層の膜とであることを特徴とする成膜方法
ウ　「【００２４】
　図１は、本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図である。この図に示すように、成膜装置１は、サセプタ上に載置された基板の表面に膜を形成する第１の成膜室２、第２の成膜室１０２、および第３の成膜室２０２と、第１の開閉部３を介して第１の成膜室２に接続し、第２の開閉部１０３を介して第２の成膜室１０２に接続し、第３の開閉部２０３を介して第３の成膜室２０２と接続する基板待機部４と、各成膜室から基板待機部４を通って取り出されたサセプタ、特に第３の成膜室２０２から基板待機部４を通って取り出されたサセプタを洗浄する洗浄部５とを有する。
【００２５】
　
成膜装置１は、ＭＯＣＶＤ法により、成膜室内に載置される基板に成膜処理を行う
各成膜室のそれぞれが
適当な成膜条件となるようそれぞれ独立に制御され、基板の表面に所望の層がそれぞれ形成されるよう成膜処理が行われる
【００２６】
　成膜装置１の別の特徴の１つは、第１の成膜室２、第２の成膜室１０２および第３の成膜室２０２内に複数の基板を搬入し、これらの基板に対して同時に成膜処理を行う点にある。すなわち、本発明では、枚葉処理とバッチ処理を組み合わせて成膜を行う。これにより、従来の枚葉型成膜装置で１枚ずつ行っていた処理が複数枚ずつ行えるようになるので、
成膜装置１の稼働率を向上させる
エ　「【００３０】
　次に、成膜装置１の動作と本発明による成膜方法について、図１および図２を用いて詳しく説明する。
【００３１】
　第１の成膜室２、第２の成膜室１０２および第３の成膜室２０２のそれぞれ室内で基板Ｗを支持するサセプタＳは、サセプタ待機チャンバ６内に収納されている。サセプタ待機チャンバ６内のサセプタＳは、第１の成膜室２、第２の成膜室１０２、第３の成膜室２０２および基板待機部４の外部に設けられた洗浄部５で洗浄されたものである。成膜処理を行う際には、サセプタ搬送用ロボット７によって、サセプタ待機チャンバ６からサセプタＳを取り出し、基板−サセプタ載置部８に載置する。
【００３２】
　一方、成膜処理が行われる基板Ｗは、カセット９に収納されている。…（略）…また、
基板Ｗとしては
青色発光ダイオードなどの用途で使用されるサファイア（α−Ａｌ
２
Ｏ
３
）
サファイア基板においては、基板上に高品質の膜形成を行うため、表面に
アモルファスＧａＮバッファ層を形成する
【００３３】
　尚、本発明の別の実施形態として、
成膜装置において、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室とは別にプラズマＣＶＤ法による成膜を行う成膜室を設け、サファイア基板の表面に
アモルファスＧａＮバッファ層を成膜し、そのバッファ層の形成された基板を使用して、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室でそれぞれ固有の成膜処理を行う
…（略）…
【００３５】
　成膜装置１には、複数の基板が載置された
サセプタを複数投入する
基板Ｗ３および基板Ｗ４は成膜処理中の基板
…（略）…
【００５３】
　尚、説明を省いたが、基板Ｗ２が載置されたサセプタＳ２や、基板Ｗ３が載置されたサセプタＳ３や、基板Ｗ４が載置されたサセプタＳ４についても、基板Ｗ１が載置されたサセプタＳ１と同様にして基板−サセプタ載置部８から大気中に取り出される。その後、基板Ｗ２や基板Ｗ３や基板Ｗ４は、カセット９の所定位置に収納される。また、サセプタＳ２やサセプタＳ３やサセプタＳ４は、洗浄部５で表面に付着した膜や汚れを除去された後、サセプタ待機チャンバ６に収納される。
洗浄部５での洗浄は、各成膜室で他の基板が処理されている間に行われる。
第１〜第３の各成膜室での稼働率を向上させて効率良く成膜することができる。
オ「【００５４】
　次に、サセプタＳ１に載置された基板Ｗ１について、第１〜第３の各成膜室内で行われる成膜処理、成膜方法についてより詳細に説明する。
【００５５】
　サセプタＳ１に載置された
基板Ｗ１に対し行われる成膜処理は、上述の成膜装置１を使用し、ＭＯＣＶＤ法により、青色発光ダイオードの構成材を製造するよう構成されたもの
【００５６】
　基板には、サファイア基板を使用することができる。本実施の形態では、サファイア基板として、上述のように、
基板上に高品質の膜形成を行うため、表面に１０ｎｍ程度の厚さのアモルファスＧａＮバッファ層を備えるものを使用する
アモルファスＧａＮバッファ層は
サファイア基板上に形成する
【００５７】
　この
バッファ層の形成されたサファイア基板を
成膜装置１の第１の成膜室２に搬入す
サファイア基板の上に
ｎ型ＧａＮ層の成膜を行う
【００５８】
　サファイア基板上へのｎ型ＧａＮ層の成膜の後、サセプタ上の処理済み基板を第１の成膜室２から搬出し、
第２の成膜室１０２に搬入する
【００５９】
…（略）…
【００６０】
　原料ガスを導入しつつ、サファイア基板の載置されたサセプタ台を回転させることにより、全てのサファイア基板を回転させ、全ての
サファイア基板の上に
ＭＱＷ活性層の成膜を行う
【００６１】
…（略）…
【００６２】
　サファイア基板上へのＭＱＷ活性層の成膜の後、サセプタ上の処理済み基板を第２の成膜室１０２から搬出し、
第３の成膜室２０２に搬入する
【００６３】
　そして、原料ガスを導入しつつ、サファイア基板の載置されたサセプタ台を回転させることにより、全てのサファイア基板を回転させ、全ての
サファイア基板の上に
ｐ型半導体層の成膜を行う
ｐ型半導体層は、ｐ型ＡｌＧａＮ層とｐ型ＧａＮ層とを順次積層して構成された膜
【００６４】
　
サファイア基板上へのｐ型半導体層の成膜により、サファイア基板上には、ｎ型ＧａＮ層と、ＭＱＷ活性層と、ｐ型半導体層であるｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層とが順次成膜され、成膜処理は終了する
【００６５】
　そして、上述のように、基板搬送用ロボット１０により、成膜済のサファイア基板をカセット９の所定位置に収納し、一方、サセプタは、サセプタ搬送用ロボット７によって洗浄部５に搬送され、洗浄がなされる。
【００６６】
　以上より、
ＭＯＣＶＤ法により、青色発光ダイオードの構成材を製造する成膜方法
カ　図１は、「本実施の形態における成膜装置の模式的な平面図」であり、図２は、「本実施の形態の成膜方法により製造される部材の層構成の一例を示す模式的な断面図」であり、それぞれ以下のとおりのものである。
（２）引用発明
ア　上記（１）イの段落【００１８】に記載の基板上に積層される「異なる積層膜」は、「ｎ型ＧａＮ層と、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜と、ｐ型ＧａＮ層の膜とである」から、段落【０００６】、【００３２】及び【００５５】、【００６４】、【００６６】の記載を勘案すると、当該「異なる積層膜」は、「青色発光ダイオードの構成材」であることは明らかである。
イ　上記（１）イの段落【００１８】に記載の「それぞれ異なる膜」は、「各成膜室内でそれぞれ異なる条件で、有機金属気相成長法により」、「順次基板上に積層」されるものである。したがって、上記（１）ウの段落【００２５】、エの【００３１】〜【００３３】の記載及び図１を勘案すると、引用例１には、マルチチャンバシステムの成膜装置において、ＭＯＣＶＤ法により成膜を行う、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室、並びにプラズマＣＶＤ法による成膜を行うアモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室を設け、サファイア基板の表面に、アモルファスＧａＮバッファ層を成膜し、そのバッファ層の形成された基板を使用して、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室で、上記それぞれ異なる膜を、順次基板上に積層することが開示されている。
ウ　したがって、図１、２を参酌してまとめると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「青色発光ダイオードの構成材であり、基板上に積層される異なる積層膜の成膜方法であって、
　有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により成膜を行う、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室、並びにプラズマＣＶＤ法による成膜を行うアモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室が設けられた成膜装置において、
　サファイア基板の表面に、アモルファスＧａＮバッファ層を成膜し、
　そのバッファ層の形成された基板を使用して、基板が載置されたサセプタを第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室内に順次自動的に搬送し、各成膜室内でそれぞれ異なる条件で、有機金属気相成長法により、それぞれ異なる膜を、順次基板上に積層した後、サセプタの表面に付着した膜を成膜室の外部に設けられた洗浄部で除去する成膜方法であり、
　前記異なる積層膜は、ｎ型ＧａＮ層と、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜と、ｐ型ＧａＮ層の膜とであり、
　成膜装置には、前記基板が載置されたサセプタを複数投入することができる成膜方法。」
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。 
（１）引用発明の「青色発光ダイオードの構成材であり、基板上に積層される異なる積層膜」は、本願発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）構造」に相当する。
（２）引用発明の「第１の成膜室」、「第２の成膜室」、「第３の成膜室」は、それぞれ本願発明の「マルチチャンバシステムの第１の有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバ」、「マルチチャンバシステムの第２のＭＯＣＶＤチャンバ」、「マルチチャンバシステムの第３のＭＯＣＶＤチャンバ」に相当する。
　また、本願発明の「マルチチャンバシステムの物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ」と引用発明の「プラズマＣＶＤ法による成膜を行うアモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室」とは、「マルチチャンバシステムのチャンバ」である点で共通する。
（３）本願発明の「窒化アルミニウム層」と引用発明の「アモルファスＧａＮバッファ層」とは、III族窒化物系化合物層である点で共通する。 
　更に、引用発明の「ｎ型ＧａＮ層」、「多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜」、「ｐ型ＧａＮ層の膜」は、それぞれ本願発明の「ｎ型窒化ガリウムの層」、「多重量子井戸（ＭＱＷ）構造」、「ｐ型窒化ガリウムの層」に相当する。
（４）引用発明は、「有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により成膜を行う、第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室、並びにプラズマＣＶＤ法による成膜を行うアモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室が設けられた成膜装置において、サファイア基板の表面に、アモルファスＧａＮバッファ層を成膜し、そのバッファ層の形成された基板を使用して、基板が載置されたサセプタを第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室内に順次自動的に搬送し、各成膜室内でそれぞれ異なる条件で、有機金属気相成長法により、それぞれ異なる膜を、順次基板上に積層」するものである。
　したがって、引用発明では、(1)サファイア基板の表面に、アモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室内で、アモルファスＧａＮバッファ層を成膜する工程、(2)第１の成膜室内で、ｎ型ＧａＮ層を形成する工程、(3)第２の成膜室内で、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ）活性層の膜を形成する工程、(4)第３の成膜室内で、ｐ型ＧａＮ層の膜を形成する工程を、各工程毎の所定の時間（本願発明の「サイクル時間」に相当する。）で、
順次実施する
複数のサセプタＳ１ないしＳ４に載置された基板のそれぞれに対して
　よって、本願発明と引用発明とは、「前記(i)-(iv)の工程を複数の基板それぞれに対して所定のサイクル時間毎に順次実施する」ものである点で一致する。
（５）したがって、本願発明と引用発明との、一致点と相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞ 
「発光ダイオード（ＬＥＤ）構造を製造する方法であって、前記方法は、
(i)　マルチチャンバシステムのチャンバ内で、基板の上にIII族窒化物系化合物層を形成することであって、該III 族窒化物系化合物層を形成すること、
(ii)　前記マルチチャンバシステムの第１の有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバ内で、III族窒化物系化合物層の上にｎ型窒化ガリウムの層を形成すること、
(iii)　前記マルチチャンバシステムの第２のＭＯＣＶＤチャンバ内で、前記ｎ型窒化ガリウムの層の上に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を形成すること、および
(iv)　前記マルチチャンバシステムの第３のＭＯＣＶＤチャンバ内で、前記ＭＱＷ構造の上にｐ型窒化アルミニウムガリウムまたはｐ型窒化ガリウムの層を形成することと、であって、
　前記(i)-(iv)の工程を複数の基板それぞれに対して所定のサイクル時間毎に順次実施することを含む方法。」 
  
 ＜相違点１＞ 
　基板の上にIII族窒化物系化合物層を形成することについて、本願発明では、III族窒化物系化合物層が窒化アルミニウム層であり、「マルチチャンバシステムの物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ内で、基板の上に窒化アルミニウム層を形成することであって、該窒化アルミニウム層を形成することが該ＰＶＤチャンバ内に収容された窒化アルミニウムターゲットからの非反応性スパッタリングを含む、形成すること」であるのに対し、引用発明では、「プラズマＣＶＤ法による成膜を行う成膜室」内で、サファイア基板の上に「アモルファスＧａＮバッファ層」を形成するものであり、本願発明のこのような特定はなされていない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明は、「前記(i)-(iv)の工程が前記複数の基板の別基板に対して同時に進行することをさらに含む」のに対し、引用発明では、そのような特定はなされていない点。
６　当審の判断
（１）相違点１について
ア　引用例１には、基板上に高品質の膜形成を行うため、サファイア基板として、表面にアモルファスＧａＮ層からなるバッファ層が形成された基板を使用する旨が記載されている（上記４（１）エの段落【００３２】〜【００３３】、オの段落【００５６】〜【００５７】を参照。）。 
  
イ　一方、サファイア基板上に窒化ガリウムを直接エピタキシャル成長させた場合、結晶性の良好な結晶が得られないという問題があり、そこで、サファイア基板上に、ＭＯＣＶＤ法で、アンドープまたはｎ型窒化ガリウムの層を形成し、その上にＭＱＷ構造の発光層を形成し、その上にｐ型窒化アルミニウムガリウムまたはｐ型窒化ガリウムの層を形成することを含む方法において、
まず、サファイア基板上に、窒化アルミニウム層からなるバッファ層をスパッタ法で形成
　また、周知例３には、ＡｌＮがサファイアとＧａＮの中間的な格子定数と熱膨張係数を持つため、格子不整合と熱歪みが効率的に緩和される結果、エピタキシャル膜品質を向上することができる旨が開示されている。 
  
ウ　周知例２、周知例４に記載の技術において、窒化アルミニウム層を形成するスパッタ法は、非反応性スパッタリングではなく、反応性スパッタリングであるものの、周知例１（段落【０００９】を参照。）には、「有機金属を原材料に用いない方法にはリアクティブスパッタ法を含むスパッタ法…がある。」、「第１のIII族窒化物系化合物自体をターゲットとしてそのまま用いる場合もある。」と記載され、すなわち「リアクティブスパッタ法以外のスパッタ法」、「ＡｌＮをターゲットとすること」が示唆されており、周知例３（段落【００６５】、【００６７】を参照。）には、プラズマスパッタ法によりＡｌＮを成膜するために、高純度ＡｌＮをターゲットとする場合と高純度ＡｌをターゲットとしてガスにＮ２を入れて分解したＡｌとＮとを反応させる場合とが考えられる旨が記載されている。
　すなわち、周知例１及び周知例３には、窒化アルミニウムターゲットからの非反応性スパッタリングで窒化アルミニウム層を形成することが示唆されている。
  
エ　引用発明において、「アモルファスＧａＮバッファ層」は、サファイア基板上に高品質の膜形成を行うためのバッファ層であり、上記周知技術１における窒化アルミニウム層も、周知例３に記載のように、エピタキシャル膜品質を向上するための膜であり、かつ格子不整合等を緩和させることができる膜であるといえる。
　したがって、引用発明において、周知例１〜４に記載の周知技術１に基づき、バッファ層として、「アモルファスＧａＮバッファ層」に替えて、窒化アルミニウム層を採用することは、当業者であれば容易になし得たことであり、その際の窒化アルミニウム層の形成法として、周知例１、３に記載の窒化アルミニウムターゲットからの非反応性スパッタリングを採用することも当業者であれば適宜なし得たことである。
  
オ　また、周知例４には、スパッタチャンバとＭＯＣＶＤチャンバを備えたマルチチャンバシステムが開示されているから、上記エのとおり、バッファ層として、窒化アルミニウムターゲットからの非反応性スパッタリングで形成する窒化アルミニウム層を採用することに伴い、窒化アルミニウム層を形成するチャンバについては、プラズマＣＶＤ法による成膜を行う成膜室を、スパッタリングを行うチャンバ、すなわちＰＶＤチャンバに替えることは、当業者であれば当然なすことと認められる。
カ　したがって、引用発明において、周知例１〜４に記載の周知技術１に基づき、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。 
（ア）周知例１：特開２００１−９４１５０号公報
・「【請求項１５】  ４００℃以上の
サファイア基板へスパッタ法によりＡｌＮからなるバッファ層
前記サファイア基板を昇温して
ＭＯＣＶＤ法を実行し、前記バッファ層の上にIII族窒化物系化合物半導体層
・「【０００９】
　
有機金属を原材料に用いない方法にはリアクティブスパッタ法を含むスパッタ法
がある
第１のIII族窒化物系化合物自体をターゲットしてそのまま用いる場合もある。
・「【００１９】
【実施例】次にこの発明の実施例について説明する。実施例は発光ダイオード１０であり、その構成を図２に示す。
【００２０】各層のスペックは次の通りである。
　　　　層　　　　　　　　　　：　組成：ドーパント　　　（膜厚）
透光性電極１９
ｐ型クラッド層  １８
ｐ−ＧａＮ
発光層  １７
超格子構造
　　　　　量子井戸層　　：　Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ　　　（35Å) 
　　　　　バリア層　　　：　ＧａＮ　　　　　　　　　　（35Å）
　　　　　量子井戸層とバリア層の繰り返し数：1〜10
ｎ型クラッド層　１６
ｎ−ＧａＮ
バッファ層　１５
ＡｌＮ
基板　１１
サファイア
（イ）周知例２：特開２００９−８１４０６号公報
・「【０００４】
　従来、ＩＩＩ族窒化物半導体の単結晶ウェーハは市販されておらず、ＩＩＩ族窒化物半導体としては、異なる材料の単結晶ウェーハ上に結晶を成長させて得る方法が一般的である。このような、異種基板と、その上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶との間には、大きな格子不整合が存在する。例えば、
サファイア（Ａｌ
２
Ｏ
３
）基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）を成長させた場合、両者の間には１６％の格子不整合が存在
大きな格子不整合が存在する場合、基板上に結晶を直接エピタキシャル成長させることが困難となり、また、成長させた場合であっても結晶性の良好な結晶が得られないという問題がある
【０００５】
　
そこで、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、サファイア単結晶基板
の上に
まず、基板上に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
からなる低温バッファ層と呼ばれる層を積層し、その上に高温でＩＩＩ族窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる方法
・「【００１９】
＜発光素子の積層構造＞
　図１は、本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の一例を説明するための図であり、基板上にＩＩＩ族窒化物半導体が形成された積層半導体の一例を示す概略断面図である。
　図１に示す積層半導体１０は、
基板１１上にＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層１２が積層
バッファ層１２は
反応性スパッタ法によって形成される層
　そして、上述の積層半導体１０には、図２の平面図及び図３の断面図に示す例のように、ｐ型半導体層１６上に透光性正極１７が積層され、その上に正極ボンディングパッド１８が形成されるとともに、ｎ型半導体層１４のｎ型コンタクト層１４ｂに形成された露出領域１４ｄに負極１９が積層され、本実施形態の発光素子１が構成される。
　以下、本実施形態のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の積層構造について詳述する。」
・「【００２６】
　本実施形態では、
バッファ層１２がＡｌＮからなる組成である
　一般に、基板上に積層させるバッファ層としては、Ａｌを含有する組成とされていることが好ましく、一般式ＡｌＧａＩｎＮで表されるＩＩＩ族窒化物化合物であれば、如何なる材料でも用いることができ、さらに、Ｖ族としてＡｓやＰが含有される組成とすることもできる。なかでも、バッファ層を、Ａｌを含んだ組成とした場合、ＧａＡｌＮとすることが好ましく、この場合には、Ａｌの組成が５０％以上とされていることがより好ましい。また、
バッファ層１２は、ＡｌＮからなる構成とする
・「【００５８】
　本実施形態の製造方法では、基板１１上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶をエピタキシャル成長させ、図１に示すような積層半導体１０を形成する際、基板１１上にバッファ層１２を成膜し、その上に半導体層２０を形成する。本実施形態では、
バッファ層１２を
反応性スパッタ法によっってＡｌＮから形成し、その上に、ｎ型半導体層１４の下地層１４ａをＭＯＣＶＤ法によって形成
その上のｎ型クラッド層１４ｃ及び発光層１５の各層をＭＯＣＶＤ法で形成し
・「【００８８】
「発光層の形成」
　ｎ型クラッド層１４ｃ上には、発光層１５を、従来公知のＭＯＣＶＤ法によって形成する。
　本実施形態で形成する、図１に例示するような
発光層１５は
ＧａＮからなる６層の障壁層１５ａと、ノンドープのＩｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎからなる５層の井戸層１５ｂとを交互に積層して形成する
　また、本実施形態の製造方法では、ｎ型クラッド層１４ｃの成膜に用いるＭＯＣＶＤ炉と同じものを使用することにより、従来公知のＭＯＣＶＤ法で発光層１５を成膜することができる。」
（ウ）周知例３：特開２０１０−２１４３９号公報
・「【０００２】
　ＩＩＩ族窒化物半導体ＧａＮ，ＡｌＮ，ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮでは大型のバルク単結晶を成長することが極めて困難であるので、サファイアを基板として用いたヘテロエピタキシャル成長が一般に行われてきた。しかし、サファイアと上記ＩＩＩ族窒化物半導体の間には１１〜２３％の格子不整合および〜２×１０-6/℃の熱膨張係数差が存在する。また、両者の化学的性質が違うために、サファイア上に直接成長したＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャル膜は、基板の単結晶としての性質を部分的にしか受け継がないで、三次元的に成長してしまい、表面の形を平坦に保つことも非常に難しいとされてきた。GaNの単結晶膜を成長させるための基板に必要な特性としてまず、1200℃までの耐熱性と、その温度においてNH3に反応しないことが要求される。この点から、使用可能なコストで製造可能な基板としてはサファイアとSiCしか現在存在しない。そのなかでもコストを比較するとサファイアが圧倒的に有利であり、実際世の中で生産されているGaN系の発光素子（LED）の90％以上がサファイア基板を使用するものである。しかし、
サファイアとGaNとは格子定数が違い、熱膨張係数の違い、さらに化学的特性が違うために直接GaN単結晶は成長させることができないとされている
【０００３】
　一般的に、格子不整合の大きなヘテロエピタキシャル成長で結晶性の良い単結晶膜を得る方法としては以下の2通りの考え方の流れがある。
（ｉ）基板とエピタキシャル膜の中間的な物理定数をもつ材料を介して成長を行うことによりエピタキシャル膜の品質を向上することができる
（ｉｉ）目的の単結晶薄膜と同じ物質の多結晶あるいは非晶質の膜を挟む。…（略）…
【０００４】
　まず
(i) の考え方
サファイア上のＧａＮ層を成長させるためにはＡｌＮ層を介した成長が有効である
Al
2
O
3
/GaNを直接成長させるのは難しくても、Al
2
O
3
/AlN/GaNのようにAlNを挟めばサファイア（Al
2
O
3
）の結晶性を引き継いでGaNの単結晶を成長させ得る
・「【００６５】
　本発明のＡｌＮシード層の製造法におけるその他の重要なパラメーターとしては、ターゲットの種類、電圧・磁場印加方法、ガスの種類、ターゲットと基板の距離、プラズマの形状とプラズマを閉じ込める体積、ガス圧力、印加パワー、成膜温度である。それらについて順次説明する。
（ターゲットの種類・電圧・磁場印加方法）
　チャンバー内にプラズマを起こす方法は大きく分けると印加する電圧がＤＣかＲＦか、チャンバーをアースした場合電圧をかける対象がターゲットか基板か、で4種類に分類される。
ＡｌＮを成膜するためのターゲットとしては高純度ＡｌＮをターゲットとする場合と高純度ＡｌをターゲットとしてガスにＮ
2
を入れてプラズマでＮ
2
を分解してＡｌとＮとを反応させる場合とが考えられる
・「【００６７】
　以上を総合してＡｌＮシード層を成膜する場合は高純度Ａｌターゲットを用いたＲＦ放電が最も適している。
（ガスの種類）
　プラズマを発生させるガスの種類は、
ターゲットがＡｌＮならば
・「【００７０】
　本発明においては、ついで
ＡｌＮ結晶膜のシード層（１２）
サファイア基板（11）の上にシード層（１２）が形成されるとその上にＧａＮ系単結晶を成長させるのはホモエピタキシャル成長に近いので比較的容易である
ＭＯＣＶＤ法で欠陥密度の小さいＧａＮ系単結晶構造の成長
・「【００８１】
　ｐ型コンタクト層（１６ｂ）としては、たとえばＧａＮ、ＡｌＧａＮが好適に使用され、その膜厚としては５０〜３００ｎｍが好ましく、さらに好ましくは１ ００〜２００ｎｍである。ｐ型不純物としては、特に限定されないが、好ましくはＭｇが挙げられる。
（発光層）
　
発光層（１５）
障壁層（バリア層）（１５ａ）となるｎ型ＧａＮ層と井戸層（１５ｂ）となるＧａＩｎＮ層を交互に積層させた多重量子井戸構造
・「【０１２４】
　積層構造体は、
サファイア
からなる基板上に、ＡｌＮ単結晶のシード層
Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層
Ｓｉドープｎ型In
0.01
Ga
0.99
Nクラッド層
多重量子構造の発光層
Ｍｇドープｐ型Al
0.07
Ga
0.93
Nクラッド層
ｐ型Al
0.02
Ga
0.98
Nコンタクト層
（エ）周知例４：特開２００８−９１４７０号公報
・「【０００４】
　ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の単結晶ウエーハはいまだ市販されておらず、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体は異なる材料の単結晶ウエーハ上に結晶を成長させる方法が一般的である。このような異種基板と、その上にエピタキシャル成長させるＩＩＩ族窒化物化合物半導体結晶の間には大きな格子不整合が存在する。例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３）と窒化ガリウム（ＧａＮ）の間には１６％、ＳｉＣと窒化ガリウムの間には６％の格子不整合が存在する。一般にこのような大きな格子不整合が存在する場合には、基板上に結晶を直接エピタキシャル成長させることが困難であり、成長させても結晶性の良好な結晶は得られない。そこで、
有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりサファイア単結晶基板
の上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体結晶をエピタキシャル成長する場合
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）
で構成される低温バッファ層と呼ばれる層を基板の上にまず堆積し、その上に高温でＩＩＩ族窒化物化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる
【０００５】
　
バッファ層としてＡｌＮなどの層を、ＭＯＣＶＤ以外の方法で成膜し、それ以降の層をＭＯＣＶＤ法で成膜する技術
高周波スパッタで成膜したバッファ層
・「【００１２】
　本発明のＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体は、最も膜厚が厚く良好な均一性が必要な
下地層を
スパッタ法で形成し
発光層とコンタクト層を
ＭＯＣＶＤ法で作製する
スパッタ法とＭＯＣＶＤ法を組み合わせてＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体を成膜する技術
・「【００２５】
…（略）…
＜バッファ層の成膜＞
　バッファ層は、スパッタ法を用いて成膜することが好適である。
…（略）…
【００２７】
　スパッタ法には、ＲＦスパッタとＤＣスパッタがある。一般的に、本発明のように金属と窒素を反応させて成膜するリアクティブスパッタを用いた場合には、連続的に放電させるＤＣスパッタでは帯電が激しく、成膜レートのコントロールが困難である。…（略）…」
・「【００６０】
…（略）…
＜装置に関して＞
　本発明における工程で積層構造を成膜させるための装置としては、
１つの装置内にスパッタチャンバとＭＯＣＶＤチャンバを併せ持つ装置
・「【００６３】
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
　本実施例では、
バッファ層
をスパッタ工程で、ｎクラッド層、発光層、ｐクラッド層、ｐコンタクト層をＭＯＣＶＤ工程で成膜した
成膜に使用した装置は、２つのスパッタチャンバと１つのＭＯＣＶＤチャンバを備え
【００６４】
　まず、第一のスパッタチャンバを用いて、ｃ面サファイア基板上にプラズマ処理を施した後に
バッファ層としてＲＦスパッタ法を用いてＡｌＮ
を形成
…（略）…
【００７５】
　以上の手順にて作製したＳｉドープＧａＮ層上に、途中で取り出さずに、
ＭＯＣＶＤチャンバへ搬送して、ｎクラッド層、発光層、ｐクラッド層、ｐコンタクト層からなる素子機能構造を形成
半導体発光素子用の層構造を有するエピタキシャルウェーハを作製
【００７６】
　つまりエピタキシャルウェーハは、ｃ面を有する
サファイア基板９上に
ＡｌＮ層８（バッファ層）を形成したのち、基板側から順に、
ＳｉドープＧａＮ層６（ｎコンタクト層）
多重量子井戸構造２０（発光層）
Ａｌ
０．０２
Ｇａ
０．９８
Ｎ層１（ｐコンタクト層）
（２）相違点２について
ア　引用発明は、上記４（１）アの段落【０００７】に記載のようにスループットを向上するのは困難であったことを課題の一つとしており、引用発明における「成膜装置」は、「第１の成膜室、第２の成膜室および第３の成膜室、並びにプラズマＣＶＤ法による成膜を行うアモルファスＧａＮバッファ層用の成膜室が設けられた」もの、すなわち、マルチチャンバシステムであり、「成膜装置には、前記基板が載置されたサセプタを複数投入することができる」ものである。
　更に、上記４（１）エの段落【００３５】には、複数のサセプタＳ１、Ｓ２、Ｓ３及びＳ４それぞれに載置された基板は、成膜未処理の基板、成膜済みの基板、成膜処理中の基板である旨が記載されており、図１には、第１の成膜室２にサセプタＳ３が搬入されており、第２の成膜室１０２にサセプタＳ４が搬入されている成膜装置が示されている。
  同段落【００５３】には、「洗浄部５で洗浄は、各成膜室で他の基板が処理されている間に行われる。…（略）…、第１〜第３の成膜室での稼働率を向上させて効率良く成膜することができる。」と記載されている。
イ　一方、マルチチャンバシステムを用いて、基板の上に、発光ダイオード構造などの窒化物系半導体構造を形成する方法において、異なるチャンバにおける処理を同時に進行させることは周知技術（以下「周知技術２」という。）であり、例えば、下記の周知例５及び６に記載されている。
　また、周知例５の段落[0023]には、一実施形態において、ＨＶＰＥチャンバ内で第１層が基板上に堆積され、ＭＯＣＶＤチャンバで第２層が第１層上に堆積される旨が開示されており、段落[0049]には、２つのＭＯＣＶＤチャンバ及び１つのＨＶＰＥチャンバを備える処理ステムの実施形態において、別々のキャリアプレートに積載された基板を各ＭＯＣＶＤチャンバ及びＨＶＰＥチャンバで並行して処理する旨が記載されている。
ウ　したがって、引用発明において、上記周知例５及び６に記載の周知技術２に基づき、スループットを向上させるために、複数のサセプタのそれぞれに載置された基板に対して、異なるチャンバにおける成膜を同時に進行させるものとすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
　よって、引用発明において、上記周知例５及び６に記載の周知技術２に基づき、相違点２に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
（ア）周知例５：国際公開第２００９／０９９７２１号
・「BACKGROUND OF THE INVENTION 
Field of the Invention
[0001] 　Embodiments of the present invention generally relate to the manufacture of compound nitride semiconductor devices, such as light emitting diodes (LEDs), and, more particularly, to a processing system integrating one or more processing chambers that implement hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition and/or metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) techniques to fabricate such devices.」
（「発明の背景
発明の技術分野
【０００１】　本発明の実施形態は概して、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の窒化物系化合物半導体デバイスの製造に関し、より詳細にはこのようなデバイスを作製するための水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）堆積及び／又は有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）技術を実行するための１つ以上の処理チャンバを統合する処理システムに関する。」）（審決注：翻訳文は合議体にて作成した。以下同じ。）
・「[0023] 　The present invention generally provides an apparatus and method for simultaneously processing substrates using a multi-chamber processing system (e.g. a cluster tool) that has an increased system throughput, increased system reliability, and increased substrate to substrate uniformity. In one embodiment, the processing system is adapted to fabricate compound nitride semiconductor devices in which a substrate is disposed in a HVPE chamber where a first layer is deposited on the substrate and then the substrate is transferred to a MOCVD chamber where a second layer is deposited over the first layer. In one embodiment, the first layer is deposited over the substrate with a thermal chemical-vapor-deposition process using a first group-III element and a nitrogen precursor and the second layer is deposited over the first layer with a thermal chemical-vapor deposition process using a second group-III precursor and a second nitrogen precursor. Although described in connection to a processing system that comprises one MOCVD chamber and one HVPE chamber, alternate embodiments may integrate one or more MOCVD and HVPE chambers. …（略）…」
（「【００２３】  本発明は、
概して、高いシステムスループット、高いシステム信頼性及び高い基板間均一性を有するマルチチャンバ処理システム（例えば、クラスタツール）を使用した、基板を同時処理するための装置及び方法
他の実施形態では１つ以上のＭＯＣＶＤ及びＨＶＰＥチャンバを統合し得
・「[0049] 　While the foregoing embodiments have been described in connection to a processing system that comprises one MOCVD chamber and one HVPE chamber, alternate embodiments may integrate one or more MOCVD and HVPE chambers in the processing system, as shown in FIGS. 11 and 12. FIG. 11 illustrates an embodiment of a processing system 1100 that comprises two MOCVD chambers 102 and one HVPE chamber 104 coupled to the transfer chamber 106. In the  processing system 1100, the robot blade is operable to respectively transfer a carrier plate into each of the MOCVD chambers 102 and HVPE chamber 104. Multiple batches of substrates loaded on separate carrier plates thus can be processed in parallel in each of the MOCVD chambers 102 and HVPE chamber 104.」
（「【００４９】  上記の実施形態を１つのＭＯＣＶＤチャンバ及び１つのＨＶＰＥチャンバを備えた処理システムに関連させて説明してきたが、他の実施形態では、図１１及び図１２に図示されるように、処理システム内で１つ以上のＭＯＣＶＤ及びＨＶＰＥチャンバを統合する。図１１は、搬送チャンバ１０６に連結された
２つのＭＯＣＶＤチャンバ１０２及び１つのＨＶＰＥチャンバ１０４を備える処理システム１１００の実施形態
別々のキャリアプレートに積載された複数のバッチの基板を各ＭＯＣＶＤチャンバ１０２及びＨＶＰＥチャンバ１０４で並行して処理する
（イ）周知例６：特表２００９−５３３８７９号公報
・「【００１１】
  １．全体像
  [0018]窒化化合物半導体構造の従来の作製においては、多数のエピタキシャル堆積ステップが、全てのステップが完了するまで、基板をリアクタから出さずに、単一のプロセスリアクタ内で実行される。図１における説明図は、形成することができる構造の一種と、このような構造を製造するのに使用されるステップのシーケンスの両方を示す。この場合、該基板は、Ｇａ−ＮベースのＬＥＤ構造１００である。該構造は、サファイア（０００１）基板１０４上に製造され、該基板は、ウェーハ洗浄処理手順に従う。適切な洗浄時間は、１０５０℃において１０分であり、加熱及び冷却のために１０分程度の追加時間を加えてもよい。
【００１２】
  [0019]ＧａＮ緩衝層１１２は、有機金属化学気相堆積プロセス（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）を用いて、洗浄された基板１０４を覆って堆積される。このことは、Ｇａ及びＮ前駆物質のフローを該リアクタに提供し、熱プロセスを用いて堆積を達成することにより遂行することができる。該図は、約３００Åの厚さを有する典型的な緩衝層１１２を図示し、該緩衝層は、５分間、約５５０℃の温度で堆積することができる。次のｎ−ＧａＮ層１１６の堆積は、典型的には、該図で１０５０℃で実行されると示されているように高温で行われる。ｎ−ＧａＮ層１１６は、比較的厚く、約１４０分を要する、４μｍ程度の厚さの堆積を伴う。この後には、ＩｎＧａＮ多重量子井戸層１２０の堆積が続き、該量子井戸層は、７５０℃、約４０分で、約７５０Åの厚さを有するように堆積することができる。ｐ−ＡｌＧａＮ層１２４は、多重量子井戸層１２０を覆って堆積され、９５０℃、約５分間で完了する２００Åの層の堆積を伴う。該構造は、約２５分間、約１０５０℃の温度で堆積されるｐ−ＧａＮ接触層１２８の堆積によって完了することができる。
【００１３】
  [0020]単一の期間で、単一のリアクタ内で実行される、多数のエピタキシャル堆積ステップを伴う従来の製造は、通常、４〜６時間程度の長い処理時間をもたらす。この長い処理時間は、多くの場合、バッチ処理技術の使用によって対処される、リアクタの低いスループットによって顕在化する。例えば、製造プロセスに使用される工業用リアクタは、２０〜５０枚の２インチウェーハに対して同時に作動することができ、これは、比較的不十分な歩留まりをもたらす。
【００１４】
  [0021]窒化化合物半導体構造を製造する技術において、歩留まり及びスループットをどのように改善させるかを検討する際、本発明者らは、可能な改善を確認するために、従来のプロセスの系統的研究に従事した。多くの可能性が確認されたが、それらの実施に対しては、いくつかの障壁が残っていた。多くの場合において、該プロセスの一部の改善が、該プロセスの１つ以上の部分に悪影響を与えるという特徴がある。この種の障壁の系統的本質の結果として、この課題は、本発明者等に、単一リアクタというアプローチが、該プロセスにおける個々のステップのためのリアクタハードウェアの最適化を妨げるように作用したという、より全般的な認識を促した。このような限定は、温度、圧力、前駆物質の相対流量等のパラメータによって決まる、異なる化合物構造の成長に対して、限定されたプロセスウィンドウをもたらす。例えば、ＧａＮの最適な堆積は、必ずしも、ＩｎＧａＮの最適な堆積と同じ条件下で、又は、ＡｌＧａＮの最適な堆積と同じ条件下で実行される必要はない。
【００１５】
  [0022]本発明者らは、
マルチチャンバクラスタツールの一部としての多数の処理チャンバの使用が、異なる化合物構造に対して使用可能なプロセスウィンドウを拡大する可能性を有する
・「【００５７】
  [0063]他の効果的な働きは、
多数の処理チャンバの使用
ｎ−ＧａＮ層１１６の堆積は
最も時間がかかる
ｎ−ＧａＮ層を堆積するために、多数の処理チャンバが同時に、及び互い違いの開始時間
を伴って使用される
（３）また、本願発明が奏する作用効果について、本願の明細書の段落【００１１】、【００２０】、【００２５】には、ＬＥＤ構造に使用されるマルチチャンバ製造ツールにおいて、より高いスループットを実現可能とする旨が記載されている。
　上記「６（２）相違点２について」のアで検討したように、引用発明も、「スループットを向上するのは困難であったことを課題の一つとしており」、且つ同イで検討したように、「マルチチャンバシステムを用いて、基板の上に、発光ダイオード構造などの窒化物系半導体構造を形成する方法において、異なるチャンバにおける処理を同時に進行させることは周知技術」である。
　したがって、本願発明が奏する作用効果についても、引用発明並びに周知技術１及び周知技術２から当業者が予測できる範囲のものであり、格別顕著なものとは認められない。
（４）判断についてのまとめ
　したがって、本願発明は、引用発明並びに周知技術１及び周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。