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　特願２０１４−５１５１１２「マイクロエレクトロニクスデバイスのためのワイヤボンディング可能な表面」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日国際公開，ＷＯ２０１２／１７１７２７，平成２６年　７月１７日国内公表，特表２０１４−５１７５４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯・本願発明 
　本願は，２０１２年５月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年６月１４日，欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって，平成２６年４月２５日に手続補正書が提出され，平成２７年５月７日付けで審査請求がなされ，平成２８年１月５日付けの拒絶理由の通知に対して，同年４月１１日に意見書と手続補正書が提出され，同年９月２９日付けで拒絶査定され，平成２９年１月３１日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２８年４月１１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。 
 　 
「【請求項１】
　金属ワイヤボンディング可能な表面を製造するための少なくとも１つの金属層配列を含む半導体基材の製造方法であって，該層配列が，
（ｉ）接触面，
（ｉｉ）Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金及びＣｏ−Ｍ−Ｂ−Ｐ合金から選択されるバリア層，ここで，Ｍは，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｒｅ，Ｍｏ，Ｔａ及びＷからなる群から選択され，かつ該バリア層の厚さは，０．０３〜０．３μｍの範囲であり，並びに
（ｉｉｉ）０．０５〜０．３μｍの範囲の厚さを有し，かつ９９．０質量％より多いパラジウム含有率を有する，第一結合層としてパラジウム層
の順に存在し，
前記パラジウム層が，パラジウム塩，１つ以上の窒素化錯化剤，及びギ酸又はギ酸誘導体を含むが，次亜リン酸塩又はアミンボラン化合物を含まず，かつ４より高いｐＨ値を有する化学メッキ組成物から得られる，前記半導体基材の製造方法。」 
　２　引用例の記載と引用発明 
（１）原査定の拒絶理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−２６７３５６号公報（以下「引用文献１」という。）には，「電気接続用導電パッドを準備する方法および形成された導電パッド」（発明の名称）に関して，図１，２とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（１ａ）「【請求項１】
電気接続用銅パッド表面を準備する方法であって，
銅パッド表面を用意する段階と，
リンまたはホウ素含有金属合金の保護層を前記銅パッド表面上に選択的に付着させる段階と，
貴金属の接着層を前記保護層上に選択的に付着させる段階を含む方法
　＜途中省略＞
【請求項８】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記接着層が，Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成される
　＜途中省略＞
【請求項１０】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記接着層が，貴金属から約５００Å〜約４０００Åの厚さに形成される
【請求項１１】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記リンまたはホウ素含有金属合金が，
Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，
Ｃｏ−Ｗ−Ｂ
から成るグループから選択される
【請求項１２】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記保護層が，リンまたはホウ素含有金属合金から約１０００Å〜約１００００Åの厚さに形成される
　＜途中省略＞
【請求項１９】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記銅パッド表面が，シリコン・ウェーハ，シリコン・ゲルマニウム・ウェーハおよびシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハから成るグループから選択された基板上に提供される
【請求項２０】電気接続用銅パッド表面を準備する請求項１に記載の方法であって，
前記銅パッド表面が載ったウェーハを個々のＩＣチップにダイシングする段階と，
前記銅パッド表面上へのワイヤボンドを形成する段階をさらに含む
（１ｂ）「【０００３】
一般的なＩＣチップでは，トランジスタ，抵抗などのアクティブ回路部品がチップの中央部，すなわちアクティブ領域に配置され，接合パッドは，後段のボンディング・プロセス中にアクティブ回路部品が損傷を受けないようアクティブ領域の周囲に配置される
【０００４】例えば，これらの層の間の接着に影響を及ぼす要因の１つに，後段の高温プロセス中に下位の導電層中へアルミニウムが拡散することを防ぐＴｉＮから形成された拡散バリア層が一般的に使用されていることがある。利用される拡散バリア層，すなわちＴｉＮ，ＴｉＷまたはその他の適当な合金は，接合パッド中の下位の酸化物層と強く接着しない。これが，接合パッド・リフトオフ不良の原因の１つである。大きなボンディング応力，強い引張り力なども，リフトオフ問題の一因である。リフトオフの問題はほとんど，シリコン導電層と絶縁層（すなわちＳｉＯ2層）の界面で起こる。
【０００５】アルミニウム線または金線によって電気接続を形成するワイヤボンド・プロセスの他に，接合パッドから第２レベル・パッケージングまたは回路板への電子信号の伝達のためチップをパッケージに接続するはんだバンプ（または「Ｃ４」）プロセスも使用されている。はんだバンプ・プロセスはＩＢＭ社によってもっぱら使用され，ＩＣ業界の大部分はワイヤボンド技術を使用している。従来のワイヤボンド・プロセスではチップ表面の接合パッドが，高度に自動化された標準ツールによるアルミニウム線または金線の接続に適したアルミニウムから形成される。しかし，ＩＣチップのバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）の配線が全て銅配線である最近の銅技術の導入で，はんだバンプおよびアルミニウムまたは金ワイヤボンドはともに，銅接合パッド上への直接処理，または相互拡散を防ぐための適当な薄膜バリア金属をＡｌとＣｕの間に挟んでＣｕパッド上にパターニングされた適当なＡｌキャップの追加（すなわち，参照によって本明細書に組み込まれる１９９９年５月１９日出願の「Robust Interconnect Structure」という名称のＩＢＭ特許出願整理番号ＦＩ９９９−０７８号）によって実行されるようになった。
【０００６】アルミニウム線または金線によって純粋な銅の上に形成されたワイヤボンドは腐食，酸化および熱拡散の問題にさらされるため，銅パッド上への直接ワイヤボンドの実行は容易ではない。銅パッドへの直接ワイヤボンドは信頼性が低く，障害が起こりやすい。Ａｌパッド・キャップ技法は，付着に加えてリソグラフィック・パターン（マスク）／エッチング・サイクルを追加するので，コストがかなり追加される。したがって，銅接合パッド，すなわち銅チップ上の接合パッドのワイヤボンドに対して，ＩＣ産業で使用することができるマスクレスの解決法を提供することの商業的意義は大きい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目的は，電気接続用導電パッド表面を準備する方法であって，従来の方法の欠点または短所を持たない方法を提供することにある。」
（１ｃ）「【００２７】
本発明は，電子チップ上の銅パッドの直接ワイヤボンディングを可能にするプロセスを，最初に複合金属バリア層を銅パッド上に付着させる選択的自己整合技法によって提供する。このバリア層は，拡散および腐食に対して銅表面を保護し，同時に，信頼性の高いワイヤボンディング能力を提供する。本明細書に開示したプロセスを使用して，銅ウェーハ上にバリア・メタラジを付着させることができる。このウェーハをダイシングし，ウェーハ即ち電子チップの上の銅パッドに対してワイヤボンディング品質を試験すると満足な結果が得られる
【００２８】本発明は，銅パッド表面の保護および高信頼ワイヤボンディング特性を同時に可能にするバリア・メタラジを銅表面上に逐次的かつ選択的（マスクレス）に付着させることによって，銅パッド上へのワイヤボンディングまたははんだバンピングを達成する。したがって本発明は，蒸着またはスパッタリングによって銅パッド上にアルミニウム層を付着させる通常なら必要なマスク可能の代替方法，すなわち費用のかかる代替方法を排除する。本発明のバリア層は，選択的かつ自己整合的な無電解めっき技法によって付着させることができる。したがって本発明は，フォトプロセッシング，選択的な（マスクの要らない）すなわちフォトリソグラフィック段階，費用のかかるマスク位置合せ手順，またはアルミニウムのＲＩＥなどのやはり費用のかかる金属エッチング段階を一切必要としない。
本発明の新規な方法によって提供される銅／バリア層のワイヤボンディングまたははんだバンピングは，プロセス上多数の利点を有する。これには，銅に対する優れた接着性，熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止，腐食に対する銅表面の保護，および銅パッドに接続されたアルミニウム線または金線の優れた接着性および引張り強度を可能にする，バリア層の最上面への貴金属の付着が含まれる
（１ｄ）「【００３０】第１の拡散バリア層１６を付着させた後，浸漬Ａｕ溶液を使用した浸漬付着技術によって，拡散バリア層１６上に第２の層１８を付着させる。第２の層１８の適当な厚さは約５００Å〜約４０００Åであり，約１０００Å〜約２０００Åであることが好ましい。第１の拡散バリア層すなわち保護層１６と第２の接着層１８は，銅の保護および信頼性の高いワイヤボンド構造を提供する２重層２０として付着される。あるいは，無電解Ａｕ付着技法によって第２の層１８上に第３の層（図１には図示されていない）を適用して，最終的なＡｕ層の厚さを約４０００Å〜約１００００Å，好ましくは約４０００Å〜約６０００Åに増大させてもよい。第３のＡｕ層の目的は，より容易なワイヤボンディング・パラメータおよびより大きなワイヤボンド接着強度を可能にすることにある。
【００３１】本発明の拡散バリア層１６の形成例を以下に示す。
【００３２】例Ａ
この例では，Ｃｕ／Ｃｏ−Ｗ−Ｐ（１０００Å）／Ｎｉ−Ｐ（５０００Å）／浸漬Ａｕ（２０００Å）／無電解Ａｕ（３０００Å〜５０００Å）から成る多層スタックを形成する。リンをホウ素で置き換えた対応する拡散バリア構造を形成することもできる。
【００３３】例Ｂ
この例では，Ｃｕ／Ｎｉ−Ｐ（５０００Å）／浸漬Ａｕ（１０００〜２０００Å）で表される単一構造が利用され，Ｃｕ／Ｃｏ−Ｗ−Ｐ（５０００Å）／浸漬Ａｕ（２０００Å）が提示される。リンをホウ素で置き換えた対応するワイヤボンド構造を形成することもできる。
【００３４】例Ｃ
この例では，Ｃｕ／Ｎｉ−Ｐ（５０００Å）／浸漬Ａｕ（１０００〜２０００Å）／
無電解Ｐｄ
・引用発明１
　引用文献１の請求項１，請求項８，請求項１０ないし１２，請求項１９，及び，請求項２０の記載に照らして，引用文献１には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が開示されているといえる。
「銅パッド表面を用意する段階と，
　リンまたはホウ素含有金属合金の保護層を前記銅パッド表面上に選択的に付着させる段階と，
　貴金属の接着層を前記保護層上に選択的に付着させる段階を含む，電気接続用銅パッド表面を準備する方法であって，
　前記記銅パッド表面が，シリコン・ウェーハ，シリコン・ゲルマニウム・ウェーハおよびシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハから成るグループから選択された基板上に提供されるものであり，
　前記リンまたはホウ素含有金属合金が，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｂ，Ｃｏ−Ｗ−ＢおよびＮｉ−Ｗ−Ｂから成るグループから選択され，かつ該リンまたはホウ素含有金属合金が，約１０００Å〜約１００００Åの厚さに形成されるものであり，並びに
　前記接着層が，Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成され，かつ前記接着層が，約５００Å〜約４０００Åの厚さに形成されるものであり，
　さらに，前記銅パッド表面が載ったウェーハを個々のＩＣチップにダイシングする段階と，
　前記銅パッド表面上へのワイヤボンドを形成する段階を含む電気接続用銅パッド表面を準備する方法。」
（２）原査定の拒絶理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２７７８９７号公報（以下「引用文献２」という。）には，「はんだボール接続用端子とその形成方法並びに半導体搭載用基板の製造方法」（発明の名称）に関して以下の記載がある。
（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体の端子上に
パラジウムの純度が９９重量％以上の無電解パラジウムめっき皮膜
【請求項２】無電解ニッケルめっき皮膜が，８０重量％以上の純度のニッケルであることを特徴とする請求項１に記載のはんだボール接続用端子。
【請求項３】無電解ニッケルめっき皮膜の膜厚が，０．１μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のはんだボール接続用端子。
【請求項４】
無電解パラジウムめっき皮膜の膜厚が，０．０１μｍ〜５μｍである
（２ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，はんだボール接続用端子とその形成方法並びに半導体搭載用基板の製造方法に関する。」
（２ｃ）「【００１２】
無電解パラジウムめっきは
無電解パラジウムめっき皮膜の純度が９９重量％以上になるので，接続の信頼性が高く好ましく
還元剤に燐含有化合物，ホウ素含有化合物を使用するとめっき皮膜がパラジウム−燐，パラジウム−ホウ素合金になり，パラジウムの純度が９９重量％未満になり，はんだボール接続信頼性が低下するので好ましくない
この無電解パラジウムめっき皮膜の膜厚は，０．０１μｍ〜５μｍであることが好ましく，０．０１μｍ未満では，めっきの効果がなく接続の信頼性が向上せず，１μｍを越えると，効果がそれ以上に向上せず，経済的でないので好ましくない
（２ｄ）「【００１５】
【実施例】実施例１
厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた，厚さ０．５ｍｍの銅張りエポキシ積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製，商品名）の銅箔の不要な箇所をエッチング除去し，エッチングレジストを剥離し，半田レジストを形成した，導体パターンの露出した銅のはんだボール接続用端子を有する半導体搭載用基板を作製した。その半導体搭載用基板を，脱脂液であるＺ−２００（株式会社ワールドメタル製，商品名）に，液温５０℃で１分間浸漬し，室温で２分間水洗し，１００ｇ／リットルの過硫酸アンモニウム液に室温で１分間浸漬して，ソフトエッチングし，室温で２分間水洗し，１０重量％の硫酸に，室温で１分間浸漬して，酸洗し，室温で２分間水洗し，無電解めっきの活性化を，ＳＡ−１００（日立化成工業株式会社製，商品名）に室温で５分間浸漬し，室温で２分間浸漬し，無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製，商品名）に，液温８５℃で２０分間浸漬して，，Ｎｉ−Ｐめっき（Ｐ含有量約７重量％）皮膜を形成し，室温で２分間水洗し，
無電解パラジウムめっき液であるパラテクト（アトテックジャパン株式会社製，商品名）に，液温７０℃で５分間浸漬し，純パラジウム（純度９９．９重量％）の皮膜を形成
（３）原査定の拒絶理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表平１０−５１１７３８号公報（以下「引用文献３」という。）には，「パラジウム層析出方法」（発明の名称）に関して以下の記載がある。
（３ａ）「【特許請求の範囲】
　１．
パラジウム塩，一又は複数種の窒素含有錯化剤及び蟻酸又は蟻酸誘導体を含有しホルムアルデヒドの存在しない４以上のｐＨ値の化学的浴剤から金属表面上にパラジウム層を析出する方法
　＜途中省略＞
　７．銅，銀，ニッケル及び
コバルト並びにそれら相互の及び／又は燐乃至ホウ素との合金からなる金属表面
　＜途中省略＞
　１３．導体プレート，電子構成要素，腐食保護層，鑞付け保護層及び／又は
マイクロ電極配列の製造のため
（３ｂ）「
腐食保護層が鑞付け及び接着可能な最終層としても用いられるべき使用目的のために，相当の貴金属が腐食保護層として用いられる。パラジウムはその比較的低い貴金属費用のために好まれる。パラジウム層の化学的析出のために，多数の異なった浴剤が公知である
（３ｃ）「
本発明は
孔の少ないパラジウム層を析出する適当な方法を見いだす課題を基礎とする
　当該課題は請求項１，８及び１３によって解決する。本発明の好ましい実施形態は従属請求項に述べられる。」（第５ページ第２２−２８行）
（３ｄ）「始めに言及した特性を有する技術的に有効な層は，５分だけの長さの浸漬時間でホルムアルデヒドの存在しない化学的浴剤中で析出される。
析出された層の厚みはこの場合，約０．２μｍ
　
当該浴剤は主としてパラジウム塩，一乃至複数の窒素含有錯化剤及び蟻酸乃至蟻酸誘導体を含有する。当該溶液のｐＨ値は４より上
である
（３ｅ）「
例２
　銅薄板が普通通りにガルヴァーニ作用による無光沢のニッケル層で覆われ，その後，乾燥された。乾燥された薄板は次の組成の浴剤中でパラジウムで覆われた：
　　
硫酸パラジウム
　　
エチレンジアミン
　　
蟻酸ナトリウム
　　
燐酸二水素カリウム
　　
蟻酸での５．８へのｐＨ調整
　　温度：６３℃
　１時間の露出時間(Expositionszeit)後，パラジウム層の厚みは３．８μｍになった。孔は塩飛散試験で検出されなかった。」（第１０ページ第１３−２４行）
（３ｆ）「例２０
　
銀薄板
　　硝酸パラジウム                  ０．３ｇ／リットル
　　硝酸  濃縮                      ６．０ｇ／リットル
　当該薄板は，２分後活性化され，洗浄プロセス後に１５分の間，
パラジウム浴剤中で，例２に従い，１．２μｍのパラジウムで覆われた
　
パラジウム皮膜は穴がなく，銀の移動を阻止した
　３　当審の判断
（１）対比 
　本願発明１と引用発明１とを対比する。 
　ア　引用発明１の「銅パッド表面」は，本願発明１の「接触面」に相当する。
　イ　引用文献１の上記摘記（１ｃ）の「本発明は，電子チップ上の銅パッドの直接ワイヤボンディングを可能にするプロセスを，
最初に複合金属バリア層を銅パッド上に付着させる
このバリア層は
拡散および腐食に対して銅表面を保護
　
　ウ　引用文献１の上記摘記（１ｃ）の「本発明の新規な方法によって提供される銅／バリア層のワイヤボンディングまたははんだバンピングは，プロセス上多数の利点を有する。これには，銅に対する優れた接着性，熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止，腐食に対する銅表面の保護，および
銅パッドに接続されたアルミニウム線または金線の優れた接着性および引張り強度を可能にする，バリア層の最上面への貴金属
　エ　引用発明１の「銅パッド表面を用意する段階と，リンまたはホウ素含有金属合金の保護層を前記銅パッド表面上に選択的に付着させる段階と，貴金属の接着層を前記保護層上に選択的に付着させる段階を含む，電気接続用銅パッド表面を準備する方法であって，前記記銅パッド表面が，シリコン・ウェーハ，シリコン・ゲルマニウム・ウェーハおよびシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハから成るグループから選択された基板上に提供されるものであり，前記リンまたはホウ素含有金属合金が，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｂ，Ｃｏ−Ｗ−ＢおよびＮｉ−Ｗ−Ｂから成るグループから選択され，かつ該リンまたはホウ素含有金属合金が，約１０００Å〜約１００００Åの厚さに形成されるものであり，並びに前記接着層が，Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成され，かつ前記接着層が，約５００Å〜約４０００Åの厚さに形成されるものであり」と，本願発明１の「（ｉ）接触面，（ｉｉ）Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金及びＣｏ−Ｍ−Ｂ−Ｐ合金から選択されるバリア層，ここで，Ｍは，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｒｅ，Ｍｏ，Ｔａ及びＷからなる群から選択され，かつ該バリア層の厚さは，０．０３〜０．３μｍの範囲であり，並びに（ｉｉｉ）０．０５〜０．３μｍの範囲の厚さを有し，かつ９９．０質量％より多いパラジウム含有率を有する，第一結合層としてパラジウム層の順に存在し」とは，「（ｉ）接触面，（ｉｉ）所定の厚さを有し，合金からなるバリア層，並びに（ｉｉｉ）所定の厚さを有し，貴金属からなる結合層の順に存在し」という点で一致する。
　オ　引用発明１の「電気接続用銅パッド表面」には，「ワイヤボンドを形成する」のであるから，引用発明１の「電気接続用銅パッド表面」は，本願発明１の「金属ワイヤボンディング可能な表面」に相当する。
　そして，引用発明１の「電気接続用銅パッド表面」は，「銅パッド表面を用意する段階と，リンまたはホウ素含有金属合金の保護層を前記銅パッド表面上に選択的に付着させる段階と，貴金属の接着層を前記保護層上に選択的に付着させる段階を含む，電気接続用銅パッド表面を準備する方法であって，・・・前記銅パッド表面が載ったウェーハを個々のＩＣチップにダイシングする段階と・・・前記銅パッド表面上へのワイヤボンドを形成する段階を含む」方法によって「準備」されるのであるから，引用発明１の「電気接続用銅パッド表面」は，「銅パッド」，「リンまたはホウ素含有金属合金の保護層」，及び，「貴金属の接着層」からなる金属層を，この順で配列した，「金属層配列」を含むものといえる。
　さらに，引用発明１の「電気接続用銅パッド表面を準備する方法」は，「銅パッド表面が載ったウェーハを個々のＩＣチップにダイシングする段階」を含み，ここで，前記「個々のＩＣチップにダイシング」された「ウェーハ」は，「半導体基材」といえる。
　そうすると，引用発明１の「電気接続用銅パッド表面を準備する方法」と，本願発明１の「金属ワイヤボンディング可能な表面を製造するための少なくとも１つの金属層配列を含む半導体基材の製造方法」とは，以下の相違点１，２を除き，「金属ワイヤボンディング可能な表面を製造するための少なくとも１つの金属層配列を含む半導体基材の製造方法」である点で一致する。
　カ　以上をまとめると，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は次のとおりである。
 ＜一致点＞ 
「金属ワイヤボンディング可能な表面を製造するための少なくとも１つの金属層配列を含む半導体基材の製造方法であって，該層配列が，
（ｉ）接触面，
（ｉｉ）所定の厚さを有し，合金からなるバリア層，並びに
（ｉｉｉ）所定の厚さを有し，貴金属からなる結合層の順に存在する
前記半導体基材の製造方法。」
＜相違点＞ 
・相違点１：合金からなるバリア層が，本願発明１では，「Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金及びＣｏ−Ｍ−Ｂ−Ｐ合金から選択されるバリア層，ここで，Ｍは，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｒｅ，Ｍｏ，Ｔａ及びＷからなる群から選択され，かつ該バリア層の厚さは，０．０３〜０．３μｍの範囲」のものであるのに対して，引用発明１は，「Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｂ，Ｃｏ−Ｗ−ＢおよびＮｉ−Ｗ−Ｂから成るグループから選択され，かつ該リンまたはホウ素含有金属合金が，約１０００Å〜約１００００Åの厚さに形成されるもの」である点。
・相違点２：貴金属からなる結合層が，本願発明１では，「『０．０５〜０．３μｍの範囲の厚さを有し，かつ９９．０質量％より多いパラジウム含有率を有する，第一結合層としてパラジウム層』であって，『前記パラジウム層が，パラジウム塩，１つ以上の窒素化錯化剤，及びギ酸又はギ酸誘導体を含むが，次亜リン酸塩又はアミンボラン化合物を含まず，かつ４より高いｐＨ値を有する化学メッキ組成物から得られる』」ものであるのに対して，引用発明１は，「Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成され，かつ前記接着層が，約５００Å〜約４０００Åの厚さに形成されるもの」である点。
（２）判断
・相違点１について
　ア　本願発明１の，「Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金及びＣｏ−Ｍ−Ｂ−Ｐ合金から選択されるバリア層，ここで，Ｍは，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｒｅ，Ｍｏ，Ｔａ及びＷからなる群から選択され，かつ該バリア層の厚さは，０．０３〜０．３μｍの範囲」と，引用発明１の，「Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｂ，Ｃｏ−Ｗ−ＢおよびＮｉ−Ｗ−Ｂから成るグループから選択され，かつ該リンまたはホウ素含有金属合金が，約１０００Å〜約１００００Åの厚さに形成されるもの」とは，合金からなるバリア層の組成が，「Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，ここで，ＭはＷからなる」もの，及び「Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金，ＭはＷからなる」ものについて重複し，また，厚さにおいても「０．１〜０．３μｍ」の範囲において重複する。
　そして，引用発明１において，バリア層の組成として，「Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ，Ｎｉ−Ｂ，Ｃｏ−Ｓｎ−Ｂ，Ｃｏ−Ｗ−ＢおよびＮｉ−Ｗ−Ｂから成るグループ」の中から，「Ｃｏ−Ｍ−Ｂ合金，ここで，ＭはＷからなる」もの，あるいは，「Ｃｏ−Ｍ−Ｐ合金，ＭはＷからなる」ものを選択すること，及び，厚さとして，「約１０００Å〜約１００００Å」の範囲の中から，「０．１〜０．３μｍ」の範囲に含まれる値を選択することは，当業者が適宜なし得たことであり，このような選択をすることに困難は認められず，また，このような選択をしたことによる格別の効果も，本願の発明の詳細な説明の記載からは理解することができない。
　イ　なお，審判請求人は，審判請求書において，「本願発明１は，上述の構成を採用することにより，接触面間のブリッジングのリスクを減少し，かつ同時にワイヤボンディング中の接触面の真下のマイクロエレクトロニクスデバイスの感部についての十分な機械安定性を提供するワイヤボンディング可能な表面を有する金属層配列及び金属合金層配列を提供することができるという効果を奏します（段落番号００１１）。このことは，本願明細書の実施例より明らかです。」と主張する。
　そこで，本願明細書の実施例の記載に基づいて，審判請求人の主張を検討する。
　ウ　本願の明細書には，実施例として，以下の事項が記載されている。
「【００４５】
　実施例
　本発明を，次の限定的ではない実施例に関連して説明する。
【００４６】
　実施例１（比較例）
　ニッケルリン合金を，銅から製造した接触パッド上に無電解メッキによって堆積させる。該ニッケルリン合金の厚さは，１．０μｍであり，リン濃度は堆積後に１２質量％であった。
【００４７】
　そして基材を８時間５００℃でアニールした。
【００４８】
　ニッケルリン合金中への銅の拡散挙動（及びその逆）を，層の研磨と合わせてＸＰＳ測定を使用して測定した。
【００４９】
　銅含有率３〜５％を，ニッケルリン合金層中でアニール工程後に観察した。
【００５０】
　したがって，
薄いニッケルリン合金層は，高温で銅拡散を妨げない
【００５１】
　実施例２
　Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金を，
銅から製造した接触パッド上に電気メッキによって堆積させる
該Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金の厚さは，０．２μｍであり，リン濃度は堆積後に３質量％であった
【００５２】
　熱アニール及びＸＰＳ測定を，実施例１に記載のように実施した。
【００５３】
　
銅のごくわずかな量を，熱アニール後のＣｏ−Ｗ−Ｐ合金層中で検出した
【００５４】
　
したがって，薄いＣｏ−Ｗ−Ｐ合金層は，高温で銅拡散を妨げる
【００５５】
　実施例３
　
Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金を，銅から製造した接触パッド上に電気メッキによって堆積させる。該Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金の厚さは，０．２μｍであり，リン濃度は堆積後に３質量％であった
【００５６】
　次に，純粋なパラジウムの中間層（厚さ：０．３μｍ），その後金の頂部層（厚さ：０．０３μｍ）を，パラジウム層上に堆積させた。
【００５７】
　
銅接触パッド，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金層，９９質量％より多くのパラジウム含有率を有するパラジウム層，及び金層からなる最終の金属層配列及び金属合金層配列のワイヤボンディング特性を，ＤＶＳ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｎｏ．２８１１を使用して測定した
【００５８】
　ＴＳボンダモデルＤｅｌｖｏｔｅｃ ５４１０及び金ワイヤＡｕ−ＡＨ３（Ｈｅｒｅａｕｓ社）及び結合パラメータＵＳパワー７５％（目盛線（較正線でない），提供されたＴＳボンダのための特定のパラメータ）；結合力２５ｇｆ及び結合時間２５ｍｓを使用した。測定を，パッドサイズごとに３０個のスタッドバンプについて行った。
【００５９】
　次のパラメータを結合試験中に測定した：
平均値：６５．８ｇ
標準偏差：７．５ｇ
最小値：５５．４ｇ
剪断リフトオフ：０％
剪断力＞３５ｃＮ：０％。
【００６０】
　全ての得られた値を，ＤＶＳ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｎｏ．２８１１及びその要求の枠内であった。
したがって，薄いＣｏ−Ｗ−Ｐ合金は，純粋なパラジウム／金仕上げを使用するワイヤボンディング適用に適した拡散バリアである
　エ　そうすると，上記ウから，薄いニッケルリン合金層は，高温で銅拡散を妨げないが，リン濃度が堆積後に３質量％である，電気メッキによって堆積した，厚さが０．２μｍであるＣｏ−Ｗ−Ｐ合金は，高温で銅拡散を妨げること，及び，リン濃度が堆積後に３質量％である，電気メッキによって堆積した，厚さが０．２μｍであるＣｏ−Ｗ−Ｐ合金が，純粋なパラジウム／金仕上げを使用するワイヤボンディング適用に適した拡散バリアであることを，本願明細書の実施例の記載から理解することができる。
　オ　しかしながら，本願明細書の実施例には，接触面間のブリッジングのリスク，及び，ワイヤボンディング中の接触面の真下のマイクロエレクトロニクスデバイスの感部についての機械安定性について何ら記載されていない。
　すなわち，審判請求人の前記主張は，明細書の記載に基づかない主張であって採用することはできない。
　したがって，引用発明１において，相違点１について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
・相違点２について
　ア　本願発明１の，「第一結合層としてパラジウム層」と，引用発明１の，「『Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成され』る『接着層』」とは，貴金属からなる「結合層」が，「パラジウム層」であるものについて重複し，また，厚さにおいても「０．０５〜０．３μｍ」の範囲において重複する。
　イ　一方，引用文献１の上記摘記（１ｃ）の「本発明の新規な方法によって提供される銅／バリア層のワイヤボンディングまたははんだバンピングは，プロセス上多数の利点を有する。これには，銅に対する優れた接着性，熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止，腐食に対する銅表面の保護，および銅パッドに接続されたアルミニウム線または金線の優れた接着性および引張り強度を可能にする，バリア層の最上面への貴金属の付着が含まれる。」との記載から，引用発明１の接着層には，「銅に対する優れた接着性，熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止，腐食に対する銅表面の保護，および銅パッドに接続されたアルミニウム線または金線の優れた接着性および引張り強度」を可能にするという機能が求められていると理解できる。
　他方，引用文献３の上記摘記（３ｂ）の「腐食保護層が鑞付け及び接着可能な最終層としても用いられるべき使用目的のために，相当の貴金属が腐食保護層として用いられる。パラジウムはその比較的低い貴金属費用のために好まれる。パラジウム層の化学的析出のために，多数の異なった浴剤が公知である」との記載から，貴金属からなる腐食保護層が，鑞付け及び接着可能な最終層として用いられる際に，パラジウムはその比較的低い貴金属費用のために好まれること，及び，パラジウム層の化学的析出のために，多数の異なった浴剤が公知であることが理解される。
　そして，費用が低いことが好ましいことは，当業者において当然の要求といえる。
　してみれば，引用発明１の「『Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループから選択された金属から形成され』る『接着層』」における当該選択において，その比較的低い貴金属費用のために，「パラジウム」を選択することには一定の動機を見いだすことができるから，引用発明１において，貴金属からなる結合層の組成として，「Ａｕ，Ｐｔ，ＰｄおよびＡｇから成るグループ」の中から，「パラジウム層」を選択することは当業者が適宜なし得たことである。
　
　ウ　さらに，引用文献３の上記摘記（３ａ）ないし（３ｆ）に照らして，引用文献３の上記摘記（３ｅ）に「例２」として記載された，硫酸パラジウム，エチレンジアミン，蟻酸ナトリウム，及び，燐酸二水素カリウムからなる浴剤であって，蟻酸で，５．８へｐＨ調整した浴剤，すなわち，本願発明１の「パラジウム塩，１つ以上の窒素化錯化剤，及びギ酸又はギ酸誘導体を含むが，次亜リン酸塩又はアミンボラン化合物を含まず，かつ４より高いｐＨ値を有する化学メッキ組成物」に該当する浴剤を用いてパラジウム層を析出することで，「孔の少ないパラジウム層を析出」することができること，及び，当該「孔の少ないパラジウム層」は，上記摘記（３ｆ）に示されるように，銀の移動を阻止する等の特性を有することが理解される。
　エ　そうすると，「熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止」等を可能とするという機能が求められる引用発明１の接着層を，上記イに基づいて，「パラジウム層」で形成するに際して，「パラジウム層の化学的析出のため」の「浴剤」として，引用文献３に記載された，「パラジウム塩，１つ以上の窒素化錯化剤，及びギ酸又はギ酸誘導体を含むが，次亜リン酸塩又はアミンボラン化合物を含まず，かつ４より高いｐＨ値を有する化学メッキ組成物」に該当する浴剤を用い，その結果として，「孔の少ないパラジウム層」を形成することで，引用発明１の「貴金属の接着層」に求められる特性の一つである，「熱処理下でのバリア層を通した銅原子の拡散防止」等の機能をさらに向上させることは，当業者が容易になし得たことである。
　なお，引用文献３には，前記浴剤を用いて形成したパラジウム層のパラジウム含有率が，９９．０質量％より多いとは記載されていないが，引用文献２の「無電解パラジウムめっき皮膜の純度が９９重量％以上になるので，接続の信頼性が高く好ましく」等との記載に照らして，パラジウムめっき皮膜の純度が高い方が望ましいことは当業者が容易に思い至ることであり，さらに，引用文献２の上記摘記（２ｄ）からも明らかなように，本願の優先権の主張の日前において，純パラジウム（純度９９．９重量％）の皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき液が，パラテクト（アトテックジャパン株式会社製，商品名）として市販されており，純パラジウム（純度９９．９重量％）の皮膜の形成が格別のこととはいえず，しかも，本願の明細書の記載からは，前記「９９．０質量％」という値に臨界的な意義を見いだすこともできないことから，引用発明１において，パラジウム層のパラジウム含有率を９９．０質量％より多いものとすることは当業者が適宜なし得たことである。
　オ　そして，引用発明１において，貴金属からなる結合層の厚さとして，「約５００Å〜約４０００Å」の範囲の中から，「０．０５〜０．３μｍ」の範囲に含まれる値を選択することは，設計事項であって，このような選択をすることに困難は認められず，また，このような選択をしたことによる格別の効果も，本願の発明の詳細な説明の記載からは理解することができない。
　カ　審判請求人は，審判請求書において，「なお，文献１のようにＰｄ膜を無電解メッキで行う場合，通常，無電解パラジウムめっき液には，還元剤として，次亜リン酸または次亜リン酸化合物が使用されます。すなわち，文献１に記載されたＰｄ膜には，還元剤として次亜リン酸または次亜リン酸化合物が使用されるため，Ｐが混入し，Ｐｄ−Ｐ膜となります。本願発明１の特定の方法で得られたＰｄ膜（サンプルａ）と，例えば，文献１のＰｄ−Ｐ膜（サンプルｂ）との特性の違いは以下の実施例により分かります。
（実施例） 
　第一結合層が形成された後，メッキされたワイヤボンディング部分が，銅パッド部分に，１６５℃でＨｅｒｅａｕｓ　Ｍａｘｓｏｆｔ銅ワイヤ（０．８μｍ径）で結合された。ボンディングプロセスは，Ｍｉｃｒｏｅｎｖｉｒｏｍｅｎｔ　Ｃｏｐｐｅｒ　Ｋｉｔを備えたＫｕｌｉｃｋｅ　ａｎｄ　Ｓｏｆｆａ　Ｍａｘ　Ｕｌｔｒａワイヤボンダを使用して行われた。フォーミングガス（５％／９５％　Ｈ２／Ｎ２）は，形成の間，フリーエアボールを保護した。ボンディングツールは，１．２５ｍｉｌのチャンファー径（ＣＤ）および６０°のチャンファー角（ＩＣＡ）を有するＫｕｌｉｃｋｅ　ａｎｄ　Ｓｏｆｆａ　ＣｕＰＲＡｐｌｕｓ　キャピラリーである。ボンディングは，超音波（ＵＳ）処理の存在下で行われた。引っ張りテストがＤａｇｅ４０００Ｔ　ｐ　プルテスターで行われた。サンプルａとサンプルｂのパラジウム表面は，ボンディングの前に公知のプラズマエッチング法により洗浄された。１０個のサンプルが，テストされ，平均は以下のとおりである。超音波による処理時間は，９０〜１４０秒の間である。引っ張り強度値（グラム引張力）は，以下の表のとおりである。引っ張り強度が高くなればなるほど，基材と銅ワイヤとの結合は優れたものとなる。・・・以上のとおり，全ての実施例において，本願発明１の特定の方法で得られたＰｄ膜（サンプルａ）が，文献１のＰｄ−Ｐ膜（サンプルｂ）に比べて，優れた，高い引っ張り強度を有することが分かります。これに対して，文献１〜３に記載された発明では，上述の本願発明１の効果については記載も示唆もされておりません。したがって，例え，当業者であっても，文献１〜３に記載された発明からでは，上述の本願発明１の効果は予測できません。」と主張する。
　キ　一方，本願明細書には，「【００１１】
発明の目的
　したがって，
本発明の目的は
接触面間のブリッジングのリスクを減少し，かつ同時にワイヤボンディング中の接触面の真下のマイクロエレクトロニクスデバイスの感部についての十分な機械安定性を提供するワイヤボンディング可能な表面を有する金属層配列及び金属合金層配列を提供することである
　実施例３
　Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金を，銅から製造した接触パッド上に電気メッキによって堆積させる。該Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金の厚さは，０．２μｍであり，リン濃度は堆積後に３質量％であった。
【００５６】
　次に，純粋なパラジウムの中間層（厚さ：０．３μｍ），その後金の頂部層（厚さ：０．０３μｍ）を，パラジウム層上に堆積させた。
【００５７】
　銅接触パッド，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金層，９９質量％より多くのパラジウム含有率を有するパラジウム層，及び金層からなる最終の金属層配列及び金属合金層配列のワイヤボンディング特性を，ＤＶＳ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｎｏ．２８１１を使用して測定した。
【００５８】
　ＴＳボンダモデルＤｅｌｖｏｔｅｃ ５４１０及び金ワイヤＡｕ−ＡＨ３（Ｈｅｒｅａｕｓ社）及び結合パラメータＵＳパワー７５％（目盛線（較正線でない），提供されたＴＳボンダのための特定のパラメータ）；結合力２５ｇｆ及び結合時間２５ｍｓを使用した。測定を，パッドサイズごとに３０個のスタッドバンプについて行った。
【００５９】
　次のパラメータを結合試験中に測定した：
平均値：６５．８ｇ
標準偏差：７．５ｇ
最小値：５５．４ｇ
剪断リフトオフ：０％
剪断力＞３５ｃＮ：０％。
【００６０】
　全ての得られた値を，ＤＶＳ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｎｏ．２８１１及びその要求の枠内であった。
したがって，薄いＣｏ−Ｗ−Ｐ合金は，純粋なパラジウム／金仕上げを使用するワイヤボンディング適用に適した拡散バリアである
と記載されている。
　そうすると，本願明細書の記載から，接触面間のブリッジングのリスクを減少し，かつ同時にワイヤボンディング中の接触面の真下のマイクロエレクトロニクスデバイスの感部についての十分な機械安定性を提供するワイヤボンディング可能な表面を有する金属層配列及び金属合金層配列を提供することという課題，及び，薄いＣｏ−Ｗ−Ｐ合金は，純粋なパラジウム／金仕上げを使用するワイヤボンディング適用に適した拡散バリアであることを理解できるとしても，本願明細書に，Ｐｄ膜が，Ｐｄ−Ｐ膜に比べて，優れた，高い引っ張り強度を有するという知見が記載されているとは認められない。
　そうすると，審判請求人の主張する効果の主張は，本願明細書に記載されていない新たな効果を主張するものであるから採用することはできない。
　ク　しかも，仮に，Ｐｄ膜が，Ｐｄ−Ｐ膜に比べて，優れた，高い引っ張り強度を有するとしても，本願発明１は，Ｐｄ膜に直接ワイヤボンディングをすることを発明特定事項としておらず，例えば，実施例３に記載されるように，「その後金の頂部層（厚さ：０．０３μｍ）を，パラジウム層上に堆積させ」，当該金の頂部層に，「金ワイヤＡｕ−ＡＨ３（Ｈｅｒｅａｕｓ社）」でワイヤボンディングをする場合を含有するものである。
　そして，このような構造を有する金属層配列（すなわち，銅接触パッド，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金層，パラジウム層，及び金層からなる最終の金属層配列）において，パラジウム層が，Ｐｄ膜であるか，Ｐｄ−Ｐ膜であるかによって，引っ張り強度が顕著に異なるとまでは，審判請求書に記載された「（実施例）」からは理解することができない。
　したがって，この理由からも，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
　ケ　したがって，引用発明１において，相違点２について本願発明１の構成を採用することは，引用文献２及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易になし得たことである。
（３）判断についてのまとめ 
　以上のとおりであるから，引用発明１において，上記相違点１及び２に係る本願発明１の構成を採用することは，引用文献２，引用文献３に記載された技術的事項に基づいて容易になし得たことである。
　したがって，本願発明１は，引用文献１ないし引用文献３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　４　むすび 
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。