【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４０８６８７５号「赤外線センサＩＣ、赤外線センサ及びその製造方法」の特許無効審判事件についてされた平成２８年　１月　４日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消しの判決（平成２８年（行ケ）第１００４４号、平成２９年　６月２０日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
１　訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり一群の請求ごとに訂正することを認める。
２　本件審判の請求は、成り立たない。
３　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第４０８６８７５号についての手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
　平成１６年　９月　９日　国際出願による特許出願
　　　　　　　　　　　　（特願２００３−３１６２８１号に基づく優先権主張　平成１５年９月９日、日本）
　平成２０年　２月２９日　特許権の設定登録（特許第４０８６８７５号）
　平成２５年１０月３０日　無効審判請求
　平成２６年　１月２０日　審判事件答弁書提出
　平成２６年　３月１０日　審理事項通知書（同年３月１２日発送）
　平成２６年　５月　７日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
　平成２６年　５月　７日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
　平成２６年　５月２０日　口頭審理陳述要領書（２）提出（被請求人）
　平成２６年　５月２０日　口頭審理
　平成２６年　６月　６日　上申書提出（請求人）
　平成２６年　７月１０日　無効理由通知（同年７月１４日発送）
　平成２６年　９月１２日　意見書（被請求人）及び訂正請求書提出
　平成２６年１１月　５日　無効理由通知（同年１１月７日発送）
　平成２６年１１月２８日　意見書提出（請求人）
　平成２７年　１月　６日　意見書提出（被請求人）
　平成２７年　４月　２日　審決の予告（同年４月７日発送）
　平成２７年　６月　８日　上申書（被請求人）及び訂正請求書提出
　平成２８年　１月　４日　審決（訂正を認める。請求成立。以下「一次審決」という。）
　　　　　　　　　　　　　（同年１月１５日送達）
　平成２８年　２月１２日　知的財産高等裁判所出訴
　　　　　　　　　　　　　（平成２８年（行ケ）第１００４４号）
　平成２９年　６月２０日　判決言渡
　　　　　　　　　　　　（一次審決を取り消すと判決（以下、単に「判決」という。）がされ、同判決は確定した。）
　なお、請求人に対し、「上申書（被請求人）及び訂正請求書」の副本を平成２７年６月１７日に送付するとともに、期間を定めて意見を提出する機会を与えたが、意見書は提出されなかった。
第２　訂正請求について
１　訂正請求の趣旨及び訂正の内容
　被請求人が平成２７年６月８日にした訂正請求（以下、同訂正請求に係る訂正を「本件訂正」という。）は、特許請求の範囲について、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり一群の請求項ごとに訂正することを請求するものであって、以下の訂正事項をその訂正内容とするものである（なお、願書に添付した明細書を、以下「本件特許明細書」という。）。
　　　　
（１）訂正事項１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「基板と、該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、」とあるのを、
　「基板と、該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって、」
に訂正する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
　
（２）訂正事項２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「該第１の化合物半導体層上に形成され、ノンドープあるいはｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層と、」とあるのを、
　「該第１の化合物半導体層上に形成され、ｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層と、」に訂正する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
　　　　
（３）訂正事項３
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層と」とあるのを、
　「該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層と」に訂正する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
　　　
（４）訂正事項４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であり、」を付加する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
（５）訂正事項５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「前記第２の化合物半導体層のドービング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満である」を付加する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
　　
（６）訂正事項６
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１において、
　「前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上である」を付加する。
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし１２も同様に訂正する。
　　　
（７）訂正事項７
　訂正前の特許請求の範囲の請求項２において、
　「前記第３の化合物半導体層は、ＡｌＩｎＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、またはＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＳｂ及びそれらの混晶のいずれかである」を削除する。
　また、請求項２の記載を引用する請求項３ないし１２も同様に訂正する。
　　　　
（８）訂正事項８
　訂正前の特許請求項の範囲の請求項１３において、
　「室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサの製造方法であって、」を付加する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　
（９）訂正事項９
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「ノンドープあるいはｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層を形成する工程と、」とあるのを、
　「ｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層を形成する工程と、」
に訂正する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　　
（１０）訂正事項１０
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「該第２の化合物半導体層上に、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層を形成する工程と」とあるのを、
　「該第２の化合物半導体層上に、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層を形成する工程と」に訂正する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　
（１１）訂正事項１１
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「前記第１の化合物半導体層を形成する工程では、前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であり、」を付加する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　
（１２）訂正事項１２
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「前記第２の化合物半導体層を形成する工程では、前記第２の化合物半導体層のドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満である」を付加する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。　
　
（１３）訂正事項１３
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「前記第３の化合物半導体層を形成する工程では、前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上である」を付加する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　　
（１４）訂正事項１４
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１３において、
　「該第第１の化合物半導体層上に、」とあるのを、
　「該第１の化合物半導体層上に、」に訂正する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　　
（１５）訂正事項１５
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１４において、　
　「前記第３の化合物半導体層は、ＡｌＩｎＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、またはＡｌＡｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＳｂ及びそれらの混晶のいずれかである」を削除する。
　また、請求項１３の記載を引用する請求項１４ないし１８も同様に訂正する。
　　　　　　　　　　　
２　訂正の適否
（１）訂正事項１について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、赤外線センサの特性が特定されていなかったものを、「室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサ」と特定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　　
イ　そして、本件特許明細書の【００１１】に「本発明者らは、前記課題を解決するため、素子抵抗の小さな化合物半導体センサ部と該化合物半導体センサ部から出力される電気信号を処理する集積回路部を同一パッケージ内でハイブリッド形成させることにより、室温で検知できることを見出し、本発明をなすに至った。さらに本発明一実施形態に係る赤外線センサは、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響を受けにくいという特徴を有することを見出した。」、【００６７】に「……（略）……本発明の一実施形態に係る化合物半導体赤外線センサは、室温において冷却機構無しで、更なる高感度化を実現できる。」と記載され、「赤外線センサ」は、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響を受けにくく、室温において冷却機構無しで赤外線を検知できることが理解できる。
　　
　してみると、本件特許明細書には、「赤外線センサ」が、室温において冷却機構無しで赤外線を検知できる（動作する）ことが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　　　
（２）訂正事項２について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、「第２の化合物半導体層」が「ノンドープあるいはｐ型ドーピングされた」という択一的に記載されていたものを、一方の「ｐ型ドーピングされた」ものに特定するものであるから、訂正事項２は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第２の化合物半導体層に関して、「第七化合物半導体層１７は、ドーピングしないで真性半導体のままでも良いし、またはｐ型にドーピングしても良い。」（なお、訂正前・訂正後の請求項１ないし１８に記載された「第１の化合物半導体層」ないし「第３の化合物半導体層」は、本件特許明細書の「第６化合物半導体層」ないし「第８化合物半導体層」に、それぞれ、相当する。）との記載があるから、本件特許明細書には、第２の化合物半導体層が「ｐ型ドーピングされた」ものであることが記載されているものと認められる。
　
ウ　したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　　
（３）訂正事項３について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、「第３の化合物半導体層」の材料が特定されていなかったものを、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」に特定するものであるから、訂正事項３は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８０】には、第３の化合物半導体層の材料に関して、「……（略）……特にＡｌｚＩｎ１−ｚＳｂ混晶のバンドギャップＥｇ’はＥｇ’=０．１７２＋１．６２１ｚ+０．４３ｚ２で表され、僅かなＡｌ組成によって大きなバンドギャップを得ることが可能となる。この為、光吸収層となる第七化合物半導体層１７のＩｎＳｂやＩｎＡｓＳｂ等の材料と格子定数が近く、バンドギャップの大きなバリア層とすることが可能となる。ここで、好ましいｚの範囲は０．０１≦ｚ≦０．７であり、より好ましくは０．１≦ｚ≦０．５である。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層の材料として、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」が記載されているものと認められる。
　
ウ　したがって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（４）訂正事項４について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、「第１の化合物半導体層」のｎ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１８原子／ｃｍ３以上」に特定するものであるから、訂正事項４は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第１の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「第六化合物半導体層１６のｎ型ドーピングの濃度は、第七化合物半導体層１７とのポテンシャル差を大きくし、かつシート抵抗を下げるためになるべく大きいほうが好ましく、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であることが好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（５）訂正事項５について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、「第２の化合物半導体層」のｐ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」に特定するものであるから、訂正事項５は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第２の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「ここで、第七化合物半導体層１７のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１．０×１０１８原子／ｃｍ３未満が好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第２の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１．０×１０１８原子／ｃｍ３未満にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　　
（６）訂正事項６について
ア　訂正後の請求項１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明において、「第３の化合物半導体層」のｎ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１８原子／ｃｍ３以上」に特定するものであるから、訂正事項６は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第３の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「また、第八化合物半導体層１８のｐ型ドーピング濃度は、第七化合物半導体層１７と第八化合物半導体層１８との接合界面における価電子帯のスパイクが、赤外線の吸収により発生した正孔の流れを妨げ無いようにするため、１×１０１８原子／ｃｍ３以上が好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項６は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（７）訂正事項７について
ア　訂正後の請求項２に係る発明は、第３の化合物半導体層の材料として、訂正後の請求項１に記載の「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」を用いるように訂正するものであるから、訂正事項７は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　　
イ　そして、本件特許明細書の【００８０】には、第３の化合物半導体層の材料に関して、「第八化合物半導体層１８の材料としては、バンドギャップが第七化合物半導体層１７よりも大きい材料でよく、ＡｌＩｎＳｂ、ＧａＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＳｂ……（略）……のいずれかが好ましい。……（略）……特にＡｌｚＩｎ１−ｚＳｂ混晶のバンドギャップＥｇ’はＥｇ’=０．１７２＋１．６２１ｚ+０．４３ｚ２で表され、僅かなＡｌ組成によって大きなバンドギャップを得ることが可能となる。この為、光吸収層となる第七化合物半導体層１７のＩｎＳｂやＩｎＡｓＳｂ等の材料と格子定数が近く、バンドギャップの大きなバリア層とすることが可能となる。ここで、好ましいｚの範囲は０．０１≦ｚ≦０．７であり、より好ましくは０．１≦ｚ≦０．５である。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層の材料として、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」が記載されているものと認められる。
　
ウ　したがって、訂正事項７は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（８）訂正事項８について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、赤外線センサの特性が特定されていなかったものを、「室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサ」と特定することで、特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから、訂正事項８は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　　
イ　そして、本件特許明細書の【００１１】に「本発明者らは、前記課題を解決するため、素子抵抗の小さな化合物半導体センサ部と該化合物半導体センサ部から出力される電気信号を処理する集積回路部を同一パッケージ内でハイブリッド形成させることにより、室温で検知できることを見出し、本発明をなすに至った。」、【００６７】に「……（略）……本発明の一実施形態に係る化合物半導体赤外線センサは、室温において冷却機構無しで、更なる高感度化を実現できる。」と記載され、「赤外線センサ」は、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響を受けにくく、室温において冷却機構無しで赤外線を検知することができることが理解できる。
　　
　してみると、本件特許明細書には、「赤外線センサ」が、室温において冷却機構無しで赤外線を検知できる（動作する）ことが記載されているものと認められる。
　　　　　　　　　　　
ウ　したがって、訂正事項８は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（９）訂正事項９について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、「第２の化合物半導体層」が「ノンドープあるいはｐ型ドーピングされた」という択一的に記載されていたものを、一方の「ｐ型ドーピングされた」ものに特定するものであるから、訂正事項９は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第２の化合物半導体層に関して、「第七化合物半導体層１７は、ドーピングしないで真性半導体のままでも良いし、またはｐ型にドーピングしても良い。」との記載があるから、本件特許明細書には、第２の化合物半導体層が「ｐ型ドーピングされた」ものであることが記載されているものと認められる。
　
ウ　したがって、訂正事項９は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（１０）訂正事項１０について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、「第３の化合物半導体層」の材料が特定されていなかったものを、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」に特定するものであるから、訂正事項１０は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８０】には、第３の化合物半導体層の材料に関して、「……（略）……特にＡｌｚＩｎ１−ｚＳｂ混晶のバンドギャップＥｇ’はＥｇ’=０．１７２＋１．６２１ｚ+０．４３ｚ２で表され、僅かなＡｌ組成によって大きなバンドギャップを得ることが可能となる。この為、光吸収層となる第七化合物半導体層１７のＩｎＳｂやＩｎＡｓＳｂ等の材料と格子定数が近く、バンドギャップの大きなバリア層とすることが可能となる。ここで、好ましいｚの範囲は０．０１≦ｚ≦０．７であり、より好ましくは０．１≦ｚ≦０．５である。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層の材料として、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」が記載されているものと認められる。
　
ウ　したがって、訂正事項１０は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（１１）訂正事項１１について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、「第１の化合物半導体層」のｎ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１８原子／ｃｍ３以上」に特定するものであるから、訂正事項１１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第１の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「第六化合物半導体層１６のｎ型ドーピングの濃度は、第七化合物半導体層１７とのポテンシャル差を大きくし、かつシート抵抗を下げるためになるべく大きいほうが好ましく、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であることが好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項１１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（１２）訂正事項１２について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、「第２の化合物半導体層」のｐ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」に特定するものであるから、訂正事項１２は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第２の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「ここで、第七化合物半導体層１７のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１．０×１０１８原子／ｃｍ３未満が好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第２の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１．０×１０１８原子／ｃｍ３未満にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項１２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（１３）訂正事項１３について
ア　訂正後の請求項１３に係る発明は、訂正前の請求項１３に係る発明において、「第３の化合物半導体層」のｎ型ドーピング濃度が特定されていなかったものを、「１×１０１８原子／ｃｍ３以上」に特定するものであるから、訂正事項１３は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　そして、本件特許明細書の【００８９】には、第３の化合物半導体層のドーピング濃度に関して、「また、第八化合物半導体層１８のｐ型ドーピング濃度は、第七化合物半導体層１７と第八化合物半導体層１８との接合界面における価電子帯のスパイクが、赤外線の吸収により発生した正孔の流れを妨げ無いようにするため、１×１０１８原子／ｃｍ３以上が好ましい。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上にすることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項１３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
（１４）訂正事項１４について
ア　訂正事項１４は、訂正前の請求項１３の「該第第１の化合物半導体層上に、」における不要な重複する文字を削除するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当すると認められる。
　
イ　また、訂正事項１４は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　　　
（１５）訂正事項１５について
ア　訂正後の請求項１４に係る発明は、第３の化合物半導体層の材料として、訂正後の請求項１３に記載の「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」を用いるように訂正するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　　
イ　そして、本件特許明細書の【００８０】には、第３の化合物半導体層の材料として、「……バンドギャップが第七化合物半導体層１７よりも大きい材料でよく、……特にＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ混晶のバンドギャップＥｇ’はＥｇ’＝０．１７２＋１．６２１ｚ＋０．４３ｚ２で表され、僅かなＡｌ組成によって大きなバンドギャップを得ることが可能となる。……ここで、好ましいｚの範囲は０．０１≦ｚ≦０．７であり、より好ましくは０．１≦ｚ≦０．５である。」と記載されているから、本件特許明細書には、第３の化合物半導体層として、「ＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」を用いることが記載されているものと認められる。
　　
ウ　したがって、訂正事項１５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　　　
３　本件訂正についてのむすび
　以上のとおり、訂正事項１ないし１３及び１５は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、いずれも、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また、訂正事項１４は、誤記の訂正を目的とするものであり、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　よって、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書きに掲げる事項を目的とするものであり、同法同条第２項及び第３項の規定、並びに同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、適法な訂正と認める。
　　　　　
第３　本件訂正発明
　上記第２のとおり、本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１ないし１８に係る発明は、本件訂正後の訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項によりそれぞれ特定される次のとおりのものである（以下、本件訂正後の各請求項に係る発明を「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明１８」という。また、本件訂正前の各請求項に係る発明を「本件発明１」ないし「本件発明１８」という。）。
　　　　　　　　
「【請求項１】
　基板と、
　該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって、
　前記化合物半導体の積層体は、
　該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層と、
　該第１の化合物半導体層上に形成されｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層と、
　該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層と
　を備え、
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であり、
　前記第２の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満であり、
　前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上であることを特徴とする赤外線センサ。
　【請求項２】
　前記第１の化合物半導体層はＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
　【請求項３】
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーパントはＳｎであり、前記第２の化合物半導体層及び前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーパントはＺｎであることを特徴とする請求項１または２記載の赤外線センサ。
　【請求項４】
　前記化合物半導体の積層体は、
　前記第３の化合物半導体層上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、該第３の化合物半導体層と同等か、またはそれ以上の濃度にｐ型ドーピングされた材料である第４の化合物半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の赤外線センサ。
　【請求項５】
　前記第４の化合物半導体層は、ＩｎＳｂであることを特徴とする請求項４記載の赤外線センサ。
　【請求項６】
　前記第４の化合物半導体層のｐ型ドーパントはＺｎであることを特徴とする請求項４または５記載の赤外線センサ。
　【請求項７】
　前記基板は、半絶縁性、または前記基板と該基板に形成された第１の化合物半導体層とが絶縁分離可能である基板であり、
　前記第１の化合物半導体層のうち、前記第２の化合物半導体層が形成されていない領域に形成された第１電極と、
　前記第３の化合物半導体層上に形成された、第２電極と
　をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の赤外線センサ。
　【請求項８】
　前記基板上には、前記化合物半導体の積層体に形成された第１の電極と、該第１の電極が形成された化合物半導体の積層体の隣の化合物半導体の積層体に形成された第２の電極とが直列接続するように、複数の前記化合物半導体の積層体が連続的に形成されていることを特徴とする請求項７記載の赤外線センサ。
　【請求項９】
　出力信号を測定する際に、前記第１及び第２の電極間のバイアスをゼロバイアスとし、赤外線入射時の信号を開放回路電圧として読み出すことを特徴とする請求項７または８記載の赤外線センサ。
　【請求項１０】
　前記基板と、前記積層体との間に配置された、格子不整合を緩和させる層であるバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の赤外線センサ。
　【請求項１１】
　前記バッファ層が、ＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＡｌＩｎＳｂ、ＧａＩｎＡｓＳｂ、ＡｌＩｎＡｓＳｂのいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の赤外線センサ。
　【請求項１２】
　請求項１乃至１１のいずれかに記載の赤外線センサと、
　前記赤外線センサから出力される電気信号を処理して所定の演算を行う集積回路部とを備え、
　前記赤外線センサ及び前記集積回路部が同一パッケージ内にハイブリッドの形態で配設されていることを特徴とする赤外線センサＩＣ。
　【請求項１３】
　室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサの製造方法であって、
　基板上に、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層を形成する工程と、
　該第１の化合物半導体層上に、ｐ型ドーピングされた、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層を形成する工程と、
　該第２の化合物半導体層上に、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層を形成する工程と
　を有し、
　前記第１の化合物半導体層を形成する工程では、前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピンク濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上とし、
　前記第２の化合物半導体層を形成する工程では、前記第２の化合物半導体層のｐ型ドーピンク濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満とし、
　前記第３の化合物半導体層を形成する工程では、前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上とすることを特徴とする赤外線センサの製造方法。
　【請求項１４】
　前記第１の化合物半導体層はＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１３記載の赤外線センサの製造方法。
　【請求項１５】
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーパントはＳｎであり、前記第２の化合物半導体層及び前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーパントはＺｎであることを特徴とする請求項１３または１４記載の赤外線センサの製造方法。
　【請求項１６】
　前記第３の化合物半導体層上に、インジウム及びアンチモンを含み、該第３の化合物半導体層と同等か、またはそれ以上の濃度にｐ型ドーピングされた材料である第４の化合物半導体層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の赤外線センサの製造方法。
　【請求項１７】
　前記第４の化合物半導体層は、ＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１６記載の赤外線センサの製造方法。
　【請求項１８】
　前記第４の化合物半導体層のｐ型ドーパントはＺｎであることを特徴とする請求項１６または１７記載の赤外線センサの製造方法。」
　　　　
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法
１　請求人の主張する無効理由１ないし５は、おおよそ、以下のとおりである。
（１）無効理由１（特許法第２９条第２項違反）
　本件発明１ないし１８は、当業者が甲第１ないし７号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
（２）無効理由２（特許法第１７条の２第３項違反）
　本件発明１、１３の発明特定事項のうち、「前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項は、出願当初の明細書等に記載されておらず、補正により追加された新規事項である。
　
（３）無効理由３（特許法第３６条第４項第１号違反：委任省令違反）
　発明の詳細な説明は、本件発明１、１３の発明特定事項のうち、「前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項の技術上の意義が理解できるように記載されていない。
　
（４）無効理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）
　本件発明１、１３の発明特定事項のうち、「インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層」及び請求項４、１６に記載された発明特定事項のうち、「インジウム及びアンチモンを含み、該第３の化合物半導体層と同等か、またはそれ以上の濃度にｐ型ドーピングされた材料である第４の化合物半導体層」との発明特定事項については、発明の詳細な説明に開示された事項から、拡張ないし一般化できる事項であるとはいえない。
　
（５）無効理由５（特許法第３６条第４項第１号違反：実施可能要件違反）　本件発明１、１３の発明特定事項のうち、「インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層」及び請求項４、１６に記載された発明特定事項のうち、「インジウム及びアンチモンを含み、該第３の化合物半導体層と同等か、またはそれ以上の濃度にｐ型ドーピングされた材料である第４の化合物半導体層」について、実施できる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
　　　
２　無効理由１（特許法第２９条第２項違反）
（１）審判請求書における主張（第２ないし５、２２ないし３１頁）
ア　請求項１
（ア）甲第１号証（特に、第２５頁〜第３２頁「４．３　ＩｎＡｓＳｂ／ＡｌＩｎＳｂ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ」、Ｆｉｇ．４．９）に記載された引用発明１は、ＧａＡｓ基板と、該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、赤外線を検出するセンサである。
　
　引用発明１は、以下のものである（第２頁の右欄参照。）。
「（１Ａ）基板（ＧａＡｓ基板）と、
（１Ｂ）該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体層の積層体と、
を備え、
　前記化合物半導体の積層体は、
（１Ｃ）該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層（ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ）と、
（１Ｄ）該第１の化合物半導体層上に形成された、ノンドープのＩｎＡｓＳｂである第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓＳｂ）と、
（１ｅ）該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層（ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ）と
　を備える
（１Ｆ）ことを特徴とする赤外線センサ。」
　　　　
（イ）本件発明１と引用発明１とは、
（１Ａ）基板（ＧａＡｓ基板）と、
（１Ｂ）該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体と
　を備え、
　前記化合物半導体の積層体は、
（１Ｃ）該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層（ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ）と、
（１Ｄ）該第１の化合物半導体層上に形成され、ノンドープのＩｎＡｓＳｂである第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓＳｂ）と、
（１ｅ）該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層（ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ）と
　を備える
（１Ｆ）ことを特徴とする赤外線センサ、
である点で一致している。
　　　　　　　
（ウ）本件発明１と引用発明１とは、構成要件（１Ｅ）（当審注：「該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層と」）のうち「前記第１の化合物半導体層・・・よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項を引用発明１が有しているか否か不明である点で相違している（以下「相違点１」という。）。
　しかし、相違点１に係る「前記第１の化合物半導体層・・・よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項については、甲第２号証及び甲第３号証に記載されている。
　　
（エ）甲第２号証（特にＦｉｇ．１）に記載された引用発明２は、赤外線を検出するセンサであって、
　基板上に形成された化合物半導体の積層体を備え、その化合物半導体の積層体が、インジウム及びアンチモンを含みｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層（ｎ−Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ａｓ０．９Ｓｂ０．１バリア層）と、ノンドープのＩｎＡｓＳｂである第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓ０．９１Ｓｂ０．０９光吸収層）と、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層（ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｓｂバリア層）と、を備える。
　
（オ）引用発明２は、甲第２号証のＦｉｇ．１に示されているように、第１の化合物半導体層（ｎ−Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ａｓ０．９Ｓｂ０．１及び第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓ０．９１Ｓｂ０．０９）それぞれのバンドギャップより、第３の化合物半導体層（ｐ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ｓｂ）のバンドギャップが大きい。
　　　　　
（カ）甲第３号証（特にＦｉｇ．１）に記載された引用発明３は、赤外線を検出するセンサであって、基板上に形成された化合物半導体の積層体を備え、その化合物半導体の積層体が、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層（ｎ−ＩｎＡｓ）と、ノンドープの光吸収層である第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓ光吸収層）と、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層（ｐ−Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ａｓバリア層）と、を備える。引用発明３は、第１の化合物半導体層（ｎ−ＩｎＡｓ）及び第２の化合物半導体層（ｉ−ＩｎＡｓ）は同じ組成であるからバンドギャップが互いに等しく、これらより第３の化合物半導体層（ｐ−Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ａｓ）のバンドギャップが大きい。
　　
（キ）引用発明２、３の何れも、引用発明１と同様に、ｐ型の第３の化合物半導体層（バリア層）／ｉ型の第２の化合物半導体層（吸収層）／ｎ型の第１の化合物半導体層の構成を有する。そして、引用発明２、３の何れも、第１の化合物半導体層及び第２の化合物半導体層それぞれのバンドギャップより第３の化合物半導体層のバンドギャップが大きい。
　特に、引用発明２は、引用発明１と同様に、第２の化合物半導体層（光吸収層）としてＩｎＡｓＳｂを採用し、且つ、電子及びホールの双方に対するバリア層となる第１の化合物半導体層及び第３の化合物半導体層を採用している。
　
（ク）したがって、引用発明１において、引用発明２、３のように第１の化合物半導体層及び第２の化合物半導体層それぞれのバンドギャップより第３の化合物半導体層のバンドギャップを大きくするという周知の事項を適用することは、当業者にとって容易である。
（ケ）相違点１に係る「前記第１の化合物半導体層・・・よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項は、その技術上の意義について本件特許明細書に何ら記載されていない。
　本件発明１において、相違点１に係る発明特定事項は、技術上の意義を何ら有していない。
　引用発明１において第１の化合物半導体層及び第２の化合物半導体層それぞれのバンドギャップより第３の化合物半導体層のバンドギャップを大きくすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。第１の化合物半導体層のバンドギャップより第３の化合物半導体層のバンドギャップを大きくすることによる作用効果の存在は認められない。
（コ）引用発明２または３を引用発明１に適用して本件発明１とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　本件発明１の効果は、引用発明１の効果と何ら相違しない。
　　　
イ　請求項２
　…（略）…　　
ス　請求項１３ないし１８
　…（略）…
　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第７ないし１５頁）
　…（略）…
　　　　　　
３　無効理由２（特許法第１７条の２第３項）
（１）審判請求書における主張（第３２ないし３３頁）
ア　本件発明１の「前記第１の化合物半導体層・・・よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項は、出願当初の明細書等には記載されていない。
　
イ　出願当初の明細書においては、請求項１３（登録時の請求項１に対応）等には「・・・第六化合物半導体層と、・・・第七化合物半導体層と、前記第七化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第八化合物半導体層」と記載され、段落［００６８］に「図１０において・・・第七化合物半導体層１７上には、第七化合物半導体層１７よりも高濃度にｐ型ドーピングされた層（Ｐ層とも呼ぶ）であり、かつ第七化合物半導体層１７よりもエネルギーバンドギャップが大きな第八化合物半導体層１８が形成されている」と記載されているにすぎない。
　
ウ　この発明特定事項は、平成１８年３月３日に提出された特許協力条約第３４条補正の写し（特許法第１８４条の８第２項の規定により同法第１７条の２第１項の規定による補正がされたものとみなされる）において追加された新規事項であり（甲第１１号証）、その後の平成１９年８月７日及び同年１１月５日に提出された手続補正書においても追加されたままである。
　
エ　この発明特定事項を追加する補正は、出願当初の明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではない。
　　　　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第１９ないし２１頁）　
　…（略）…
　　　
４　無効理由３（特許法第３６条第４項第１号違反：委任省令要件違反）
（１）審判請求書における主張（第３３頁）
ア　本件発明１の「前記第１の化合物半導体層・・・よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項の技術上の意義については、発明の詳細な説明に記載されておらず、不明である。
　この発明特定事項は補正により追加されたものであるが、平成１９年１１月５日に提出された意見書においても、この発明特定事項の技術上の意義について記載されていない。
　発明の詳細な説明は、この発明特定事項に関し、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものではなく、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載したものではない。
　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第２１ないし２２頁）
　…（略）…
５　無効理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）
（１）審判請求書における主張（第３４ないし３５頁）
ア　請求項の記載「インジウム及びアンチモンを含み」という上位概念に対して、発明の詳細な説明において「第１の化合物半導体層」及び「第４の化合物半導体層」それぞれの材料の具体例として開示されているのは、一部の下位概念であるＩｎＳｂのみである。
　
イ　「第１の化合物半導体層」及び「第４の化合物半導体層」に関し、請求項の記載の範囲「インジウム及びアンチモンを含み」まで、発明の詳細な説明に開示された内容（ＩｎＳｂのみ）を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　
ウ　本件発明は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。
　　　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第２２ないし２３頁）
　…（略）…
　　　　
６　無効理由５（特許法第３６条第４項第１号違反：実施可能要件違反）
（１）審判請求書における主張（第３５ないし３７頁）
ア　請求項の記載「インジウム及びアンチモンを含み」という上位概念に対して、発明の詳細な説明において「第１の化合物半導体層」及び「第４の化合物半導体層」それぞれの材料の具体例として開示されているのは、一部の下位概念であるＩｎＳｂのみである。
　
イ　「第１の化合物半導体層」及び「第４の化合物半導体層」に関し、発明の詳細な説明において、請求項に記載された上位概念「インジウム及びアンチモンを含み」に含まれる一部の下位概念（ＩｎＳｂのみ）についての実施の形態が記載されているのみであって、他の下位概念については実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第２３ないし２４頁）
　…（略）…
　　　　
７　平成２６年６月６日付け上申書
　口頭審理陳述要領書（２）に添付された試験結果に対する反論　
　…（略）…
　　　
８　証拠方法
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
（１）甲第１号証
　M. Razeghi, ″Demonstration of Uncooled InAsSb Photodetectors for Military Sensors, ″Center for Quantum Devices, Northwestern University
（２）甲第２号証
　A. Rakovska, ″Room temperature InAsSb photovoltaic midinfrared detector, ″ 
　APPLIED PHYSICS LETTERS, Vol.77, No.3, pp.397-399（2000）
（３）甲第３号証
　J. Kaniewski,″Epitaxial InAs detectors optically immersed to GaAs microlenses, ″
　Proceedings of SPIE Vol.4369, pp.721-729 （2001）
（４）甲第４号証
　M. Razeghi, ″Longwavelength InAsSb Infrared Photodetectors, ″
　Center for Quantum Devices, Northwestern University
（５）甲第５号証
　A. K. DUTTA, ″WDM Technologies　Active Optical Components,″ 
　Academic Press （2002）
（６）甲第６号証
　特許第２６７４６５７号公報
（７）甲第７号証
　特開平４−１７０５２６号公報
（８）甲第８号証
　ＮＴＩＳのウェブサイトのうち甲第１号証の注文を購入希望者から受け付けるページの写し
（９）甲第９号証
　ＮＴＩＳのウェブサイトのうち甲第４号証の注文を購入希望者から受け付けるページの写し
（１０）甲第１０号証
　ＮＴＩＳのSue Feindt氏による供述書
（１１）甲第１１号証
　再公表特許第２００５／０２７２２８号公報　
　　　　　　　　　　　　　　以上、「審判請求書」に添付。
（１２）甲第１２号証
　平山宏之ら著、「雑音処理」、社団法人計測自動制御学会、昭和６３年４月３０日、初版発行
　　　　　　　　　　　　　　以上、「口頭審理陳述要領書」に添付。
　　　　
第５　被請求人の反論の概要及び証拠方法
１　本件発明の技術的意義
（１）審判事件答弁書における主張（第２ないし６頁）　
ア　本件発明は、赤外線検知の分野、特に長波長帯の放射エネルギーを検知するような赤外線センサ、例えば人感センサの技術分野に関するものである（段落０００１）。
　従来、赤外線センサとして、熱型と量子型の２種類が存在したが、熱型の赤外線センサの場合は、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響を受けやすく、小型にし難いという欠点がある。
　一方、量子型の赤外線センサ、特にＰＩＮ構造を備える光ダイオード型の赤外線センサの場合には、室温動作時に拡散電流による漏れ電流が大きくなり、感度が高くならないため、赤外線センサを低温に冷却することで焦電センサの感度よりも１００倍以上の高い感度を実現していた。しかし、冷却機構が必要となり、また、赤外線センサを頑丈な金属でパッケージ化する必要があるため、やはり小型化が困難であり、その用途には限りがあった（段落０００２〜段落０００９）。
　また、室温において冷却機構無しで、更なる高感度が実現できる赤外線センサが期待されていました（段落００６７）。
　本件発明は、室温での動作が可能であり、電磁ノイズや熱ゆらぎの影響も受けにくく、高感度な超小型の、赤外線センサを提供することを課題とするものである。
　　
イ　第１のないし第３の化合物半導体層の技術的意義
（ア）第１の化合物半導体層
　第１の化合物半導体層は、素子の中で最も大きい表面積を有し、表面積が大きいほどシート抵抗、すなわち結果としてセンサの抵抗が大きくなることから、第１の化合物半導体層は、シート抵抗を小さくするために採用されるものである。
　
（イ）第２の化合物半導体層
　第２の化合物半導体層は、光吸収層として機能するものである。
　
（ウ）第３の化合物半導体層
　第３の化合物半導体層は、拡散電流を抑制するバリア層として機能するものである。
　　　　
（２）口頭審理陳述要領書における主張（第３ないし５頁）
　…（略）…
　
（３）口頭審理陳述要領書（２）における主張
　…（略）…
　　　
２　無効理由１（特許法第２９条第２項違反）
（１）審判事件答弁書における主張（第６ないし１９頁）
　請求人の主張を要約すると、以下に示すように、相違点１の容易想到性を主張していると思われる。
　・引用発明１と引用発明２または３との組み合わせ
　・引用発明１と周知の事項との組み合わせ
　・引用発明１からの適宜なし得る設計変更　
　したがって、以下では、それぞれに分けて反論する。
　　
ア　引用発明１と引用発明２または３との組み合わせ
　…（略）…
オ　本件発明１は、引用発明１ないし３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。甲第４ないし第７号証に記載の発明を参酌しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。本件発明１３についても同様である。
　また、本件請求項２ないし１２は本件請求項１を、本件請求項１４ないし１８は本件請求項１３を、それぞれ、引用することから、本件発明２ないし１２、１４ないし１８も、引用発明１ないし３に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　　　
３　無効理由２（特許法第１７条の２第３項違反）
　審判事件答弁書における主張（第１９ないし２４頁）
　…（略）…
　
４　無効理由３（特許法第３６条第４項第１号違反：委任省令違反）
　審判事件答弁書における主張（第２４ないし２５頁）
　…（略）…
　　　　　　　　　
５　無効理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）
　審判事件答弁書における主張（第２５ないし２６頁）
　…（略）…
　　　　　　
６　無効理由５（特許法第３６条第４項第１号違反：実施可能要件違反）
　審判事件答弁書における主張（第２６ないし２７頁）
　…（略）…
　　　　　　
７　証拠方法
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
（１）乙第１号証；赤崎勇著「ＩＩＩ・Ｖ族化合物半導体」培風館、第１５０ないし１５１頁(写し）
（２）乙第２号証；生駒俊明著「最新化合物半導体ハンドブック」（株）サイエンスフォーラム、第３５頁（写し）
（３）乙第３号証；国際予備審査機関に、平成１７年４月６日に提出した手続補正書（写し）
（４）乙第４号証；国際予備審査機関に、平成１７年１０月２８日に提出した答弁書（写し）
第６　前審における、職権審理に基づく無効理由について
　平成２６年１１月５日付け無効理由通知（以下「前審無効理由通知」という。）の内容は、おおよそ、以下のとおりである。
「第２　無効理由
１　優先権主張の効果 
（１）本件特許発明１の「該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」は、本件特許明細書の【００６８】、【００７１】ないし【００７３】、【００７５】、【００７７】、【００７８】、【００８０】、【００９２】及び図１１に基づくものである（被請求人も審判事件答弁書（第２０ないし２４頁）で主張している。）ところ、上記記載及び図１１は、後の出願により追加された箇所であり、先の出願（特願２００３−３１６２８１号）には「該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」は記載されていない。
　したがって、本件特許発明１ないし１８には、優先権主張の効果が認められない（なお、優先権主張の効果が認められる旨を主張する際は、その根拠となる記載箇所を指摘して説明してください。）。
　 　 
（２）上記のとおり、本件特許には、優先権主張の効果は認められず、新規性・進歩性の判断基準日は、本件特許出願日の平成１６年９月９日（２００４年９月９日）である。
　　　　 
２　引用文献 
（１）引用文献１ 
　・著者：ＵＭＩＤ　ＴＵＭＫＡＹＡ（システム上の制限により、
　　　　　ウムラウト表記は省略。以下同様。） 
　・表題：「ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ　ＡＳＳＥＳＭＥＮＴ　ＯＦ
　　　　　　ＩＮＤＩＵＭ　ＡＮＴＩＭＯＮＩＤＥ　 
　　　　　　ＰＨＯＴＯＤＥＴＥＣＴＯＲＳ　ＯＮ　ＳＩＬＩＣＯＮ
　　　　　　ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」　 
　・関連箇所：第３９ないし８１頁（第３章ないし第５章） 
　・媒体のタイプ：ＯＮＬＩＮＥ（Ｅ−Ｔｈｅｓｅｓ） 　 
　・掲載者：ＴＨＥ　ＭＩＤＤＬＥ　ＥＡＳＴ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ 
　　　　　　ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（以下「ＭＥＴＵ」又は
　　　　　　「中東工科大学」という。）
　・掲載場所：後述する「the Theses Catalogue」に論文のタイトルを
　　　　　　　入力することで検索される「Ｅ−Ｔｈｅｓｅｓ」
　・検索日：平成２６年１０月１５日
　・情報の情報源及びアドレス：ｈｔｔｐ：／／ｅｔｄ．ｌｉｂ．
　　　　　　　　ｍｅｔｕ．ｅｄｕ．ｔｒ／ｕｐｌｏａｄ／７５６４０３
　　　　　　　　／ｉｎｄｅｘ．ｐｄｆ 
　・言語：英語
　なお、「電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった日」については、下記「４　引用文献１ないし５の公表日」を参照。
　 　　 
（２）引用文献２ 
　ＵＭＩＤ　ＴＵＭＫＡＹＡ，「ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥ　ＡＳＳＥＳＭＥＮＴ　ＯＦ　ＩＮＤＩＵＭ　ＡＮＴＩＭＯＮＩＤＥ　ＰＨＯＴＯＤＥＴＥＣＴＯＲＳ　ＯＮ　ＳＩＬＩＣＯＮ　ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ」の論文のコピーであって、ＭＥＴＵの図書館に「Ｐｒｉｎｔ　Ｔｈｅｓｅｓ」として提出されたもの、ＭＥＴＵ、第３９ないし８１頁（第３章ないし第５章）
　なお、上記コピーが頒布された刊行物に該当する点については、下記「４　引用文献１ないし５の公表日」を参照。
　　 　 　 　　 　 　 
（３）引用文献３ 
　Ｔｉｍ　Ａｓｈｌｅｙ、ｅｔ．ａｌ．、「Ｅｐｉｔａｘｉａｌ　ＩｎＳｂ　ｆｏｒ　ｅｌｅｖａｔｅｄ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｌａｒｇｅ　ＩＲ　ｆｏｃａｌ　ｐｌａｎｅ　ａｒｒａｙｓ」、Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ＸＸＩＸ、Ｐｒｏｃ．　ｏｆ　ＳＰＩＥ、２００４．０１．２３、Ｖｏｌ．５０７４、ｐ．９５−１０２
　 　 　 
（４）引用文献４ 
　Ｃ．Ｔ．Ｅｌｌｉｏｔｔ、「Ａｄｖａｎｃｅｄ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｆｏｒ　Ｉｎ１−ｘＡｌｘＳｂ　ａｎｄ　Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ　ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ａｎｄ　ｅｍｉｔｔｅｒｓ」、Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ＸＸＩＩ、ＳＰＩＥ、１９９６．１０．２２、Ｖｏｌ．２７４４、ｐ４５２−４６１
　 　 
（５）引用文献５ 
　Ｅ．Ｍｉｃｈｅｌ、「Ｓｂ−ｂａｓｅｄ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　３−５　ａｎｄ　８−１２　μｍ　ｒａｎｇｅ」、Ｐｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ：Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ、ＳＰＩＥ、１９９６．１１．２６、Ｖｏｌ．２６８５、ｐ１０１−１１１
　　　　　 
３　添付資料 
（１）引用文献１及び引用文献２ 
　…（略）…
（４）引用文献５
　…（略）… 
　　　　 　 　
４　引用文献１ないし５の公表日
（１）引用文献１及び引用文献２について
　…（略）…
（４）引用文献５について
　…（略）…
　　　　 
５　上記１で指摘したとおり、本件特許には、優先権主張の効果は認められない。
　したがって、新規性・進歩性の判断基準日は、本件特許出願日の平成１６年９月９日（２００４年９月９日）である。
　このことを前提にして、【理由１】ないし【理由４】を通知する。
　　　 　　　 　
６　【理由１】
　本件特許の請求項１、２、１０、１３、１４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内または外国において、電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（引用文献１を参照。）又は本件特許出願前に外国において頒布された引用文献２に記載された発明であるから、当該発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
７　【理由２】
　本件特許の請求項１ないし１８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内または外国において、電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明（引用文献１を参照。）又は本件特許出願前に外国において頒布された引用文献２に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
８　【理由３】
　本件特許の請求項１ないし１８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内または外国において頒布された引用文献３に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
９　【理由４】
　本件特許の請求項１ないし１８に係る発明は、本件特許出願前に日本国内または外国において頒布された引用文献４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。」
　なお、上記前審無効理由通知における【理由１】ないし【理由４】は、上記「第４」において、請求人が主張する無効理由１ないし無効理由５と区別するために、以下では、それぞれ「前審無効理由６」ないし「前審無効理由９」という。 
第７　当審の判断
１　本件訂正発明
　「第３　本件訂正発明」で認定したとおりである。
２　無効理由１ないし５についての当審の判断
　事案に鑑み、まず、無効理由２ないし無効理由５について検討し、最後に、無効理由１について検討する。
　　　　　　
（１）無効理由２（特許法第１７条の２第３項違反）について
　特許法第１８４条の６第２項の規定により願書に添付して提出したものとみなされる国際特許出願の明細書及び図面（以下、「願書に最初に添付した明細書及び図面」又は「当初明細書等」という。）の記載から把握できる技術事項を総合的に勘案すると、本件訂正発明１の「第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」との技術的事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項の範囲内であり、前記技術的事項を追加する補正は、新たな技術的事項を導入するものには該当しない。
　よって、本件訂正発明１、１３の発明特定事項のうち、「前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料である第３の化合物半導体層」という発明特定事項を追加する補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものと認められ、請求人の主張する無効理由２によっては、本件訂正発明１ないし１８についての特許を無効とすることはできない。 　 
（２）無効理由３（特許法第３６条第４項第１号違反：委任省令違反）について
　本件特許明細書の記載によれば、本件訂正発明１ないし１８が解決しようとする課題は、拡散電流を抑制すること（本件特許明細書の【００６７】参照。）にあり、基板上に、「バッファ層及び電極とのコンタクト層」として機能する第１の化合物半導体層、「光吸収層」として機能する第２の化合物半導体層及び「バリア層」として機能する第３の化合物半導体層を積層し、第３の化合物半導体層のバンドギャップを第２の化合物半導体層のバンドギャップよりも大きくする技術的手段を採用することで、拡散電流を大幅に減少させ、室温において冷却機構無しで、更なる高感度化を実現できること（本件特許明細書の【００６７】ないし【００９５】参照。）が理解できる。
　つまり、発明の詳細な説明には、「発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項」が記載されているといえる。
　よって、請求人の主張する無効理由３によっては、本件訂正発明１ないし１８についての特許を無効とすることはできない。
（３）無効理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）について
　本件特許明細書における、第１の化合物半導体層及び第４の化合物半導体層に関連する段落【００７１】、【００７８】、【００９１】、【００９３】の記載から、第１の化合物半導体層は「バッファ層及び電極とのコンタクト層」として、第４の化合物半導体層は「コンタクト層」として機能する層であって、発明の詳細な説明には、その好ましい材料としてキャリア移動度の大きい「ＩｎＳｂ」が例示されているが、材料が「ＩｎＳｂ」に限られないことは明らかである。
　したがって、実施例に、「ＩｎＳｂ」を利用した例が示されているのみであるとしても、本件特許明細書に、第１及び第４の化合物半導体層の材料として「ＩｎＳｂ」を利用した赤外線センサしか開示されていない、とすることはできない。
　よって、本件訂正発明１ないし１８は、本件特許明細書に記載された発明であるから、請求人の主張する無効理由４によっては、本件訂正発明１ないし１８についての特許を無効とすることはできない。
（４）無効理由５（特許法第３６条第４項第１号違反：実施可能要件違反）について
　上記「（３）無効理由４（特許法第３６条第６項第１号違反）」で検討したように、第１及び第４の化合物半導体層の材料として「ＩｎＳｂ」に限られないことは、当業者に明らかであり、本件特許明細書の【０１４９】の実施例１３に示された製造方法と同様に、例えば、第１及び第４の化合物半導体層として「ＩｎＡｓＳｂ」、「ＩｎＳｂＮ」、「ＧａＩｎＡｓＳｂ」等を利用して赤外線センサを製造し得ることは、当業者が容易に理解し得ることである。
　してみると、本件特許明細書に「ＩｎＳｂ」を利用した例が示されているのみであるとしても、当業者が本件訂正発明１ないし１８を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められる。
　よって、本件特許明細書における発明の詳細な説明の記載は、本件訂正発明１ないし１８を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められ、請求人の主張する無効理由５によっては、本件訂正発明１ないし１８についての特許を無効とすることはできない。
（５）無効理由１（特許法第２９条第２項違反）について
ア　甲第１号証の記載より、甲第１号証には、次の発明（以下「引用発明１」という。」）が記載されているものと認められる。
「ＧａＡｓ基板上に、基板側からｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層、ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層及びｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層が順番に積層されたダブルヘテロ構造からなる赤外線を検知する非冷却フォトダイオードであって、
　ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層は、およそ１０１８ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、
　ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層は、〜５×１０１６ｃｍ−３の真性キャリア濃度であり、
　ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層は、１０１８ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、
　ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層のバンドギャップが、ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層のバンドギャップよりも大きい、 
　赤外線を検知する非冷却フォトダイオード。」
イ　また、甲第１号証の記載より、甲第１号証には、次の発明（以下「引用発明２」という。」）が記載されているものと認められる。 
「ＧａＡｓ基板上に、基板側からｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層、ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層及びｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層が順番に積層されたダブルヘテロ構造からなる赤外線を検知する非冷却フォトダイオードの製造方法であって、
　ＧａＡｓ基板上に、およそ１０１８ｃｍ−３のドーピングレベルを有するｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層上に、〜５×１０１６ｃｍ−３の真性キャリア濃度であるｉ−ＩｎＡｓＳｂ層を積層する工程と、
　ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層上に、１０１８ｃｍ−３のドーピングレベルを有し、ｉ−ＩｎＡｓＳｂ層のバンドギャップよりも大きい材料であるｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　を有する赤外線を検知する非冷却フォトダイオードの製造方法。」
ウ　本件訂正発明１について 
（ア）本件訂正発明１と引用発明１との対比
　本件訂正発明１と引用発明１とは、以下の点で一致する。 　
＜一致点＞ 
「基板と、
　該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって、
　前記化合物半導体の積層体は、
　該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層と、
　該第１の化合物半導体層上に形成されたＩｎＡｓＳｂである第２の化合物半導体層と、
　該第２の化合物半導体層上に形成された、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第２の化合物の半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＩｎＳｂ第３の化合物半導体層と
　を備え、
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３であり、
　前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３である、
　赤外線センサ。」 
　一方、両者は、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　第２の化合物半導体層に関し、
　本件訂正発明１は、「ｐ型ドーピングされた」ものであるのに対して、
　引用発明１は、ｉ層であって、ｐ型ドーピングされたものではない点。
＜相違点２＞ 
　第３の化合物半導体層に関し、
　本件訂正発明１は、「第１の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」であるのに対して、
　引用発明１は、ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層（「第１の化合物半導体層」に相当する。）よりも大きなバンドギャップを有する材料なのか否か不明な、ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂである点。
（イ）相違点についての判断 
ａ　まず、相違点２について検討する。
（ａ）甲第１号証の記載によれば、最良のバリア材料として「ＡｌＩｎＳｂ」を選択した後、まず、「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」を正孔に対するバリア層としたシングルヘテロ構造のフォトダイオードが調査され、その後、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」を電子に対するバリア層として追加したダブルヘテロ構造のフォトダイオード（このダブルヘテロ構造のフォトダイオードが引用発明１である。）が調査されたことが理解できる。
　 　 　 　　 
（ｂ）上記「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」及び「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」は、キャリア（正孔と電子）の拡散に対してバリア機能を奏するものであるが、甲第１号証には、キャリアの種類に応じてバリアの大きさ（つまり、バンドギャップの大きさ）を異ならせる旨の記載はなく、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくする動機付けがない。
（ｃ）以上のことから、引用発明１において、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（ｄ）したがって、引用発明１において、相違点２に係る本件訂正発明１の構成を採用することが、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易になし得たことであるとはいえない。 
ｂ　以上の検討によれば、相違点１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
エ　本件訂正発明２ないし１２について 
　本件訂正発明２ないし１２は、本件訂正発明１の発明特定事項をすべて備えるとともに、さらに限定を付したものに相当するから、本件訂正発明１と同様に、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、甲第４ないし７号証にも、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくすることを示唆する記載はない。 　
　よって、本件訂正発明２ないし１２は、当業者が甲第１号証ないし７号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
オ　本件訂正発明１３について 
（ア）本件訂正発明１３と引用発明２との対比
　本件訂正発明１３と引用発明２とは、以下の点で一致する。
＜一致点＞
「室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサの製造方法であって、
　基板上に、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層を形成する工程と、
　該第１の化合物半導体層上に、ＩｎＡｓＳｂである第２の化合物半導体層を形成する工程と、
　該第２の化合物半導体層上に、前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第２の化合物の半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＩｎＳｂの第３の化合物半導体層を形成する工程と
　を有し、
　前記第１の化合物半導体層を形成する工程では、前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピンク濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３とし、
　前記第３の化合物半導体層を形成する工程では、前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３とする、赤外線センサの製造方法。」
　一方、両者は、以下の点で相違する。
＜相違点３＞
　第２の化合物半導体層に関し、
　本件訂正発明１３は、「ｐ型ドーピングされた」ものであるのに対して、引用発明２は、ｉ層であって、ｐ型ドーピングされたものではない点。
＜相違点４＞ 
　第３の化合物半導体層に関し、
　本件訂正発明１３は、「第１の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１−ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）」であるのに対して、 
　引用発明２は、ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層（「第１の化合物半導体層」に相当する。）よりも大きなバンドギャップを有する材料なのか否か不明な、ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂである点。
（イ）相違点についての判断 
ａ　まず、相違点４について検討する。 
（ａ）甲第１号証の記載によれば、最良のバリア材料として「ＡｌＩｎＳｂ」を選択した後、まず、「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」を正孔に対するバリア層としたシングルヘテロ構造のフォトダイオードが調査され、その後、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」を電子に対するバリア層として追加したダブルヘテロ構造のフォトダイオード（このダブルヘテロ構造のフォトダイオードが引用発明２におけるフォトダイオードである。）が調査されたことが理解できる。
（ｂ）上記「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」及び「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」は、キャリア（正孔と電子）の拡散に対してバリア機能を奏するものであって、甲第１号証には、キャリアの種類に応じてバリアの大きさ（つまり、バンドギャップの大きさ）を異ならせる旨の記載はなく、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくする動機付けはない。
（ｃ）以上のことから、引用発明２において、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくすることは、当業者が容易になし得たことであるとはいえない。
（ｄ）したがって、引用発明２において、相違点４に係る本件訂正発明１３の構成を採用することが、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易になし得たことであるとはいえない。 
ｂ　以上の検討によれば、相違点３について検討するまでもなく、本件訂正発明１３は、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
カ　本件訂正発明１４ないし１８について 
　本件訂正発明１４ないし１８は、本件訂正発明１３の発明特定事項をすべて備えるとともに、さらに限定を付したものに相当するから、本件訂正発明１３と同様に、当業者が甲第１号証ないし３号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、甲第４ないし７号証にも、「ｐ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップの大きさを「ｎ＋−ＡｌＩｎＳｂ層」のバンドギャップよりも大きくすることを示唆する記載はない。
　よって、本件訂正発明１４ないし１８は、当業者が甲第１号証ないし７号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　　　　
キ　無効理由１についてのまとめ 
　本件訂正発明１ないし１８についての特許は、審判請求人が主張する無効理由１によっては、無効とすることはできない。
３　前審無効理由６ないし９についての当審の判断
（１）知的財産高等裁判所における判示
　知的財産高等裁判所が、上記判決（平成２８年（行ケ）第１００４４号）において、「第４　２　取消事由１（引用発明Ｃに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について」、「第４　３　取消事由２（引用発明Ａに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について」、「第４　４　取消事由３（引用発明Ｂに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について」、「第４　５　取消事由４（本件発明２ないし１８の進歩性判断の誤り）について」、「第４　６　結論」につき判示した内容は、おおよそ、以下のとおりである（判決、４２〜７５頁を参照。）。
　なお、上記「第１」における、平成２８年１月４日付け審決の「一次判決」との置き換えに従い、「本件審決」は「本件審決（一次審決）」と置き換えした。また、丸数字は、「丸１」のように記載した。
「２　取消事由１（引用発明Ｃに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について
　(1)　引用発明Ｃについて
　ア　引用例４（当審注：前記「３」に記載した前審無効理由通知における「引用文献４」）の記載
　…（略）…
　イ　引用発明Ｃについて開示された事項
　　…（略）…
　(2)　引用発明Ｃの認定
　ア　…（略）…
　イ　そして、前記(1)によれば、引用例４には、本件審決（一次審決）が認定した前記第２の３(6)アのとおり引用発明Ｃが記載されていることが認められる。
（当審注：引用発明Ｃは、次のとおりである。
「ＩｎＳｂ基板と、　 
　ＩｎＳｂ基板側から、ｐ＋ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｎ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体と、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層上に形成されたｐ側電極と、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層に形成されたｎ側電極と、
　を備えた、ＩｎＳｂ赤外線検出器であって、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の典型的なレベルにベリリウムを使用してドープされ、厚さが１μｍの層であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の典型的なレベルにベリリウムを使用してドープされ、厚さが０．０２μｍの層であり、
　π−ＩｎＳｂ層は、意図的にドープされておらず、厚さが１．３μｍの層であり、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の電気的レベルにシリコンを使用してドープされ、厚さが１μｍの層であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びπ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きく、
　比検出能力が、室温でバイアスなしに２×１０９ｃｍＨｚ１／２ｗ−１以上である、 
　赤外線検出器。」）
　よって、本件審決（一次審決）の引用発明Ｃの認定に誤りはない。
　…（略）…
　(3)　本件発明１と引用発明Ｃとの対比
　…（略）…
　そして、本件発明１と引用発明Ｃには、本件審決（一次審決）が認定した前記第２の３(6)ウのとおり、相違点ｃ−１ないしｃ−３があることは当事者間に争いがない。
　よって、本件審決（一次審決）の本件発明１と引用発明Ｃとの一致点及び相違点の認定に、誤りはない。
　(4)　相違点ｃ−１について
　ア　…（略）…
　イ　実質的相違点、設計事項
　(ア)　引用発明Ｃのπ−ＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層は、前記(1)ア(ウ)、(エ)のとおり、「近真性ｐ」としての性質を示し、かつ、「Ｕｎｄｏｐｅｄ」とされているから、その性質は、実質的に真性半導体に近く、ｐ型としての性質は、結晶欠陥の存在等に由来する程度のものであって、ドーパントはなるべく除去されているものと認められる。
　…（略）…
　(イ)　したがって、ドーパントがなるべく除去されている引用発明Ｃの第２の化合物半導体層を、本件発明１の濃度の程度までｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、本件発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、…（略）…された引用発明Ｃの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
　ウ　周知技術の適用
　(ア)　被告主張に係る周知技術について
　被告は、…（略）…から、「丸１」光吸収層の…、「丸２」…、「丸３」…、「丸４」…ことが、光吸収層における周知技術と認められる旨主張する。
…（略）…
　したがって、被告の主張に係る前記周知技術のうち、少なくとも前記「丸１」及び「丸２」の周知技術は認めることができない。なお、…（略）…
　(イ)　本件審決（一次審決）が認定した周知技術について
　ａ　本件審決（一次審決）は、…（略）…本件特許の出願日当時、周知だったと認定した。
　　一方、…（略）…
　ｅ　本件審決（一次審決）が認定した周知技術の検討
　(a)…（略）…
　(b)…（略）…
　(c)　以上のとおり、赤外線検出器の検出能力を向上させるために、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませるのは、光吸収層（第２の化合物半導体層）の伝導帯の電子密度を低減させるという目的のために行われるものであって、また、それによって生じ得る現象を考慮しなければならない。
　そうすると、本件審決（一次審決）が認定するように、赤外線検出器において、おおよそ雑音を低減する手段として、光吸収層にｐ型ドーピングを行うことが、本件特許の出願日当時、周知であったと認めることはできない。
　(ウ)　本件特許の出願日当時の周知技術
　ａ　前記(イ)e(b)によれば、本件特許の出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、甲５ないし７から、赤外線検出器（ＩｎＳｂデバイス）は、一般的に、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませることにより、それによって生じ得る現象を考慮しなければならないものの、光吸収層（第２の化合物半導体層）の伝導帯の電子密度を低減させることによって、その検出能力を向上させることができるという技術事項にとどまるというべきである（以下、この技術事項を「本件周知技術」という。）。
　ｂ　被告の主張について
　…（略）…
　(エ)　本件周知技術の適用
　ａ　動機付け
　…（略）…
　そうすると、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ｃは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じ得る現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ｃの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、引用発明Ｃに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
　ｂ　阻害要因
　前記(1)イ(ウ)のとおり、引用発明Ｃの赤外線検出器は、ワイドギャップ領域を設けることにより、すなわち、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることにより、…（略）…検出能力を向上させるというものである。
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるというものであるところ、その場合には、…（略）…ΔＥｃは、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、…（略）…引用発明Ｃの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。、
　したがって、引用発明Ｃに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべきである。
　ｃ　被告の主張について
　…（略）…
　(オ)　よって、引用発明Ｃに周知技術を適用することにより、相違点ｃ−１に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　(5)　相違点ｃ−３について
　…（略）…
　そして、前記(4)のとおり、…ということはできないから、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有するということもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−３に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　(6)　小括
　以上によれば、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−１及び相違点ｃ−３に係る本件発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ｃ−２について判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が引用発明Ｃに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
　よって、取消事由１は理由がある。
　３　取消事由２（引用発明Ａに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について
　(1)　引用発明Ａについて
　ア　引用例１（当審注：前記「３」に記載した前審無効理由通知における「引用文献１」）の記載
　…（略）…
　イ　引用発明Ａについて開示された事項
　…（略）…
　(2)　引用発明Ａの認定
　ア　…（略）…
　イ　そして、前記(1)アによれば、引用例１には、次のとおり引用発明Ａが記載されていることが認められる（なお、本件審決（一次審決）と異なる箇所は下線部のとおりである。）。
　Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板側から、ＧａＡｓバッファー層、ｎ＋ＩｎＳｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層が積層された積層構造とを備えた、赤外線検出器であって、ｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びπ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大き
く、室温において冷却機構無しで動作が可能であるか不明である、
　ウ　なお、本件審決（一次審決）は、…（略）…を認定していないものの、この点を、本件発明１との相違点ａ−１として認定しているから、かかる引用発明Ａの認定の相違は審決の結論に影響を及ぼすものではない。
　(3)　本件発明１と引用発明Ａとの対比
　…（略）…
　よって、本件審決（一次審決）の本件発明１と引用発明Ａとの一致点及び相違点の認定に、誤りはない。
　(4)　相違点ａ−３について
　ア　…（略）…
　イ　実質的相違点、設計事項
　(ア)　引用発明Ａのπ−ＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層は、前記(1)ア(エ)のとおり、意図しないドーピングにより「真性ｐ」に近く、かつ、「ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ」とされているから、その性質は、実質的に真性半導体に近く、ｐ型としての性質は、結晶欠陥の存在等に由来する程度のものであって、ドーパントはなるべく除去されているものと認められる。
　そして、引用例１は、前記(1)ア(エ)のとおり、ナローバンドギャップ半導体であるＩｎＳｂを材料とする赤外線検出器が冷却される必要があるとした上で、第３の化合物半導体層に、広いバンドギャップを有するＡｌＩｎＳｂを用い、また、第２の化合物半導体層には真性ｐに近い性質を有するＩｎＳｂを用いた赤外線検出器を対象に、エネルギーバンド図も示しつつ、考察するものである。…（略）…引用例１には、(1)ア(オ)のとおり、エピ層の欠陥密度を低減するために成長条件と検出器の層構造を最適化することで、検出器の性能を向上させることが可能である旨記載されている。
　そうすると、引用発明Ａは、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃを前提として、各半導体層間の層構造等を調整し、結晶欠陥を低減することにより、赤外線検出器の比検出能力を向上させるものということができる。
　(イ)　したがって、ドーパントがなるべく除去されている引用発明Ａの第２の化合物半導体層を、本件発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、…（略）…された引用発明Ａの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
　ウ　周知技術の適用
　(ア)　前記２(4)ウ(ア)ないし(ウ)のとおり、本件特許出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、本件周知技術のとおりである。
　ａ　動機付け
　…（略）…
　そうすると、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ａは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じ得る現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ａの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、引用発明Ａに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
　ｂ　阻害要因
　引用例１には、…（略）…、引用発明Ａにおいては、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることにより、…（略）…検出能力を向上させるというものである。
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるというものであるところ、その場合には、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃは、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、…（略）…引用発明Ａの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。、
　したがって、引用発明Ａに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべきである。
　ｃ　被告の主張について
　…（略）…
　(ウ)　よって、引用発明Ａに周知技術を適用することにより、相違点ａ−３に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　(5)　相違点ａ−４について
　…（略）…
　そして、前記(4)のとおり、…（略）…ということはできないから、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有するということもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、引用発明Ａにおいて、相違点ａ−４に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　(6)　小括
　以上によれば、引用発明Ａにおいて、相違点ａ−３及び相違点ａ−４に係る本件発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ａ−１及び相違点ａ−２について判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が引用発明Ａに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
　よって、取消事由２は理由がある。
４　取消事由３（引用発明Ｂに基づく本件発明１の進歩性判断の誤り）について
  (1)　引用発明Ｂについて
　ア　引用例３（当審注：前記「３」に記載した前審無効理由通知における「引用文献３」）の記載
　…（略）…
　イ　引用発明Ｂについて開示された事項
　…（略）…
　(2)　引用発明Ｂの認定
　前記(1)によれば、引用例３には、本件審決（一次審決）が認定した前記第２の３(4)アのとおり引用発明Ｂが記載されていることが認められる。
（当審注：引用発明Ｂは、次のとおりである。
「ＩｎＳｂ基板と、
　ＩｎＳｂ基板側から、ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体とを備えた、赤外線検出器であって、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層における、各層のドーピングレベルは、それぞれ、約３×１０１８ｃｍ−３、２×１０１５ｃｍ−３及び２×１０１５ｃｍ−３であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びｎ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きい、
　赤外線検出器。」
　(3)　本件発明１と引用発明Ｂとの対比
　本件発明１と引用発明Ｂは、本件審決（一次審決）が認定したとおり、前記第２の３(4)イの点で一致し、前記第２の３(4)ウのとおり相違する。
　よって、本件審決（一次審決）の本件発明１と引用発明Ｂとの一致点及び相違点の認定に、誤りはない。
　(4)相違点ｂ−２について
　ア　…（略）…
　イ　実質的相違点、設計事項
　(ア)　…(略）…
　そして、引用発明Ｂは、従来の基本的なＩｎＳｂを材料とするｐ＋−ｎ−ｎ＋構造を前提に、ｐ＋層とｎ層との間に、Ｉｎ１−ｘＡｌｘＳｂの薄層領域を導入することにより、電子の拡散を阻止するポテンシャル障壁を与えたものであるところ、引用例３には、Ｉｎ１−ｘＡｌｘＳｂの薄層領域を導入するに当たり、当該薄層とｎ−ＩｎＳｂとのエネルギーバンドギャップが適当なものになるよう、当該薄層のｐ型ドーピングの濃度を調整している（前記(1)ア(ウ)）。
　そうすると、引用発明Ｂは、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃに着目したものであって、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層のドーピングの型やドーピング濃度は、…（略）…伝導帯レベル差ΔＥｃを生じさせ、赤外線検出器の比検出能力を向上させるために調整される要因であることは明らかである。
　(イ)　したがって、…（略）…引用発明Ｂの第２の化合物半導体層を、本件発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、…（略）…された引用発明Ｂの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
　ウ　周知技術の適用
　(ア)　前記２(4)ウ(ア)ないし(ウ)のとおり、本件特許出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、本件周知技術のとおりである。
　ａ　動機付け
　…（略）…
　そうすると、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ｂは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じ得る現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ｂの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、引用発明Ｂに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
　ｂ　阻害要因
　引用発明Ｂの赤外線検出器は、第３の化合物半導体層（Ｉｎ１−ｘＡｌｘＳｂ層）に、第２の化合物半導体層（ＩｎＳｂ層）よりも、Ｅｇが広い材料を採用することにより、電子の拡散を阻止するポテンシャル障壁を伝導帯に設けて、第２の化合物半導体層から第３の化合物半導体層への電子の拡散を抑えるものである。（前記(1)イ(ウ)）
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるものであるところ、その場合には、…（略）…ポテンシャル障壁（伝導帯レベル差ΔＥｃ）は、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、…（略）…引用発明Ｂの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。
　したがって、引用発明Ｂに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべき。
　ｃ　被告の主張について
　…（略）…
　(ウ)　よって、引用発明Ｂに周知技術を適用することにより、相違点ｂ−２に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
(5)　相違点ｂ−３について
　…（略）…
　そして、前記(4)のとおり、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有するということもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−３に係る本件発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
(6)　小括
　以上によれば、引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−２及び相違点ｂ−３に係る本件発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ｂ−１について判断するまでもなく、本件発明１は、当業者が引用発明Ｂに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
　よって、取消事由３は理由がある。
５　取消事由４（本件発明２ないし１８の進歩性判断の誤り）について
　(1)　本件発明２ないし１２
　本件発明２ないし１２は、本件発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明ＡないしＣに基づいて、容易に発明をすることができたということはできない。
　(2)　本件発明１３
　…（略）…
　したがって、本件発明１３は、当業者が、引用発明Ａ’ないしＣ’に基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
　(3)　本件発明１４ないし１８
　本件発明１４ないし１８は、本件発明１３の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明Ａ’ないしＣ’に基づいて、容易に発明をすることができたということはできない。
　(4)　よって、取消事由４は理由がある。
　６　結論
　以上のとおり、原告主張の取消事由はいずれも理由があるから、原告の請求を認容することとし、主文のとおり判決する。」
　そして、上記判決は、行政事件訴訟法第３３条第１項の規定により、本件特許無効審判事件について、当合議体を拘束する。
　以下では、最初に（２）で「前審無効理由９」について、次に（３）で「前審無効理由６、７」について、最後に（４）で「前審無効理由８」について検討する。
（２）前審無効理由通知における前審無効理由９について
ア　引用文献４の記載及び引用文献４に記載された発明
　引用文献４の記載より、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用文献４には、次の発明（以下「引用発明Ｃ」という。）が記載されているものと認める。
  
「ＩｎＳｂ基板と、
　ＩｎＳｂ基板側から、ｐ＋ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｎ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体と、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層上に形成されたｐ側電極と、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層に形成されたｎ側電極と、
　を備えた、ＩｎＳｂ赤外線検出器であって、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の典型的なレベルにベリリウムを使用してドープされ、厚さが１μｍの層であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の典型的なレベルにベリリウムを使用してドープされ、厚さが０．０２μｍの層であり、
　π−ＩｎＳｂ層は、意図的にドープされておらず、厚さが１．３μｍの層であり、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層は、２×１０１８ｃｍ−３の電気的レベルにシリコンを使用してドープされ、厚さが１μｍの層であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びπ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きく、
　比検出能力が、室温でバイアスなしに２×１０９ｃｍＨｚ１／２ｗ−１以上である、
　赤外線検出器。」
　また、引用文献４の記載より、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用文献４には、次の発明（以下「引用発明Ｃ’」という。）が記載されているものと認める。
 　 　　  
「ＩｎＳｂ基板側から、ｐ＋ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｎ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体を備えた、室温における比検出能力が、室温でバイアスなしに２×１０９ｃｍＨｚ１／２ｗ−１以上の赤外線検出器の製造方法であって、
　ＩｎＳｂ基板上に、厚さが１μｍのｐ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層上に、厚さが０．０２μｍのｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層を積層する工程と、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層上に、意図的にドープされていない厚さが１．３μｍのπ−ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　π−ＩｎＳｂ層上に、厚さが１μｍのｎ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層にｐ側電極、ｎ＋ＩｎＳｂ層にｎ側電極を形成する工程と、
　を有し、
　ｐ＋ＩｎＳｂ層及びｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層を積層する工程では、２×１０１８ｃｍ−３の典型的なレベルにベリリウムを使用してドープし、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程では、２×１０１８ｃｍ−３の電気的レベルにシリコンを使用してドープし、
　ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層のバンドギャップが、π−ＩｎＳｂ層及びｎ＋ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きい、
　赤外線検出器の製造方法。」
イ　本件訂正発明１について
（ア）本件訂正発明１と引用発明Ｃとの対比
　一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、本件訂正発明１と引用発明Ｃとの一致点及び相違点は、それぞれ次のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
　該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え、室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって、
　前記化合物半導体の積層体は、
　インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層と、
　ＩｎＳｂである第２の化合物半導体層と、
　高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌ０．１５Ｉｎ０．８５Ｓｂの第３の化合物半導体層と、
　を備え、
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３であり、
　前記第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３である、赤外線センサ。」 
＜相違点ｃ−１＞
　ＩｎＳｂである第２の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１は、 
ａ　「ｐ型ドーピングされた」ものであって、
ｂ　「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」であるのに対して、
　引用発明Ｃは、「意図的にドープされておらず」、「π−ＩｎＳｂ」である点。
＜相違点ｃ−２＞
　積層体の積層順に関して、
　本件訂正発明１は、基板上に、第１の化合物半導体層、第２の化合物半導体層、第３の化合物半導体層の順で形成されているのに対して、
　引用発明Ｃは、基板上に、ｐ＋ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｎ＋ＩｎＳｂ層の順で積層され、本件訂正発明１と積層順が逆である点。
＜相違点ｃ−３＞
　第３の化合物半導体層に関して、 
　本件訂正発明１は、「第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」ているのに対し、
　引用発明Ｃは、第３の化合物半導体層（ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層）は、高濃度にｐ型ドーピングされているものの、第２の化合物半導体層（π−ＩｎＳｂ層）は、意図的にドープされていないから、本件訂正発明１の上記関係を有するものとは言えない点。
（イ）相違点についての判断
ａ　相違点ｃ−１について
　引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−１に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたか否かについて検討する。
　
(a)　実質的相違点、設計事項であるかについて
　先ず、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−１は実質的相違点であるか否かについて、及び仮にそうでないとしても、相違点ｃ−１に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得る設計事項であるかについて、以下において検討する。
　前記（１）の判決において判示した内容のとおり、引用発明Ｃのπ−ＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層は、「近真性ｐ」としての性質を示し、かつ、「Ｕｎｄｏｐｅｄ」とされているから、その性質は、実質的に真性半導体に近く、ｐ型としての性質は、結晶欠陥の存在等に由来する程度のものであって、ドーパントはなるべく除去されているものと認められる。
　そして、引用文献４には、前記（１）の判決において判示した内容のとおり、引用発明Ｃに係る赤外線検出器について、「前記バンド構造は、コンタクト領域から各々の少数キャリアの移動をほとんど生じさせず、それゆえ付加的なノイズもほとんど生じさせない」と記載されている。
　そうすると、判決が認定したとおり、引用発明Ｃは、第２の化合物半導体層のドーパントをなるべく除去した上で、第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃに着目したものであるから、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層のドーピングの型やドーピング濃度は、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間に伝導帯レベル差ΔＥｃを生じさせ、比検出能力を向上させるために調整される要因であることは明らかである。
　したがって、判決が認定したとおり、ドーパントがなるべく除去されている引用発明Ｃの第２の化合物半導体層を、本件発明１の濃度の程度までｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、本件訂正発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間に伝導帯レベル差ΔＥｃを生じさせ、比検出能力を向上させるために調整された引用発明Ｃの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
(b)　周知技術の適用について
(b-1)　本件特許の出願日当時の周知技術
　判決が認定したとおり、光吸収層のドーピングについて、引用例３、引用例４、甲５、甲６には、光吸収層のドーピングの調整によって、量子効率の最大化、ライフタイムの最大化、ノイズの最小化、熱によるキャリア生成に対する光によりキャリア生成の最大化、熱生成−再結合が起こる領域の最小化、オージェ再結合の抑制が図られる旨記載されており、また、甲７には、オージェ制限のある光検出器の検出能力の最大化は、ｐ型ドーピングによって実現できる旨記載されている。
　そうすると、判決が認定したとおり、赤外線検出器の検出能力を向上させるためには、その目的に応じて、光吸収層のドーピングを調整することが必要であるというべきである。
　
　したがって、判決が認定したとおり、本件特許の出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、甲５ないし７から、赤外線検出器（ＩｎＳｂデバイス）は、一般的に、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませることにより、それによって生じ得る現象を考慮しなければならないものの、光吸収層（第２の化合物半導体層）の伝導帯の電子密度を低減させることによって、その検出能力を向上させることができるという技術事項（前記（１）の判決において判示した内容の「本件周知技術」）というべきである。
(b-2)　本件周知技術の適用
(b-2-1)　動機付け
　本件周知技術において、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませるのは、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させるという目的のために行われるものである。
　これに対して、引用発明Ｃは、赤外線検出器の検出能力を向上させる一つの手段として、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃに着目し、かかる観点から、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間のドーピングの型やドーピング濃度を調整したものであって、また、引用発明Ｃの第２の化合物半導体層のドーパントはなるべく除去されたものである。
　そうすると、判決が認定したとおり、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ｃは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥｃを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じうる現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ｃの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、判決が認定したとおり、引用発明Ｃに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
(b-2-2)　阻害要因
　引用発明Ｃの赤外線検出器は、ワイドギャップ領域を設けることにより、すなわち、ドーパントがなるべく除去された第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることにより、キャリアの熱生成レートを非常に小さくするとともに、コンタクト部におけるキャリア生成から活性領域を隔離することによって、検出能力を向上させるというものである。
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるというものであるところ、その場合には、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃは、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、判決が認定したとおり、伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることによって、検出能力を向上させるという引用発明Ｃの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。
　したがって、判決が認定したとおり、引用発明Ｃに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべきである。
　よって、引用発明Ｃに周知技術を適用することにより、相違点ｃ−１に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
ｂ　相違点ｃ−３について
　前記ａのとおり、引用発明Ｃにおいて、第２の化合物半導体層をｐ型ドーピングすることを、当業者が容易に想到することができたということはできないから、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有することもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、判決が認定したとおり、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
（ウ）本件訂正発明１についてのまとめ
　以上によれば、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−１及び相違点ｃ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ｃ−２について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が引用発明Ｃに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
ウ　本件訂正発明２ないし１２について
　本件訂正発明２ないし１２は、本件訂正発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明Ｃに基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
エ　本件訂正発明１３について
　本件訂正発明１３は、本件訂正発明１に係る赤外線センサの製造方法である。
　一方、引用文献４には、上記アのとおり、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用発明Ｃ’が記載されているものと認められる。
　また、本件訂正発明１３と引用発明Ｃ’との一致点及び相違点は、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおりであるところ、相違点は、以下の相違点ｃ−イ、相違点ｃ−ハを含む。
＜相違点ｃ−イ＞
　ＩｎＳｂである第２の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１３は、
　ａ　「ｐ型ドーピングされた」ものであって、
　ｂ　「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満とし」たものであるのに対して、
　引用発明Ｃ’は、「意図的にドープされておらず」、「π」である点。
＜相違点ｃ−ハ＞
　第３の化合物半導体層に関して、 
　本件訂正発明１３は、「第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」ているのに対し、
　引用発明Ｃ’は、第３の化合物半導体層（ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層）は、高濃度にｐ型ドーピングされているものの、第２の化合物半導体層（π−ＩｎＳｂ層）は、意図的にドープされていないから、本件訂正発明１３の上記関係を有するものとは言えない点。
　そうすると、判決が認定したとおり、上記イ（イ）ａ、ｂにおける相違点ｃ−１、相違点ｃ−３についての検討と同様に、引用発明Ｃ’において、相違点ｃ−イ、相違点ｃ−ハに係る本件訂正発明１３の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
オ　本件訂正発明１４ないし１８について
　本件訂正発明１４ないし１８は、本件訂正発明１３の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明Ｃ’に基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
カ　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし１８についての特許は、前審無効理由通知で通知した前審無効理由９によっては、無効とすることはできない。
（３）前審無効理由通知における前審無効理由６、７について
ア　引用文献１及び引用文献２の記載（以下、両者をまとめて「ＭＥＴＵ論文」という。）並びにＭＥＴＵ論文に記載された発明
　ＭＥＴＵ論文の記載より、判決が認定したとおり、ＭＥＴＵ論文には、次の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されているものと認める。
　なお、一次審決の認定と異なる箇所に下線を付与した。
「Ｓｉ基板と、
　Ｓｉ基板側から、ＧａＡｓバッファー層、ｎ＋ＩｎＳｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層が積層された積層構造とを備えた、赤外線検出器であって、
　ｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びπ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大き
く、室温において冷却機構無しで動作が可能であるか不明である、
　また、ＭＥＴＵ論文の記載より、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、ＭＥＴＵ論文には、次の発明（以下「引用発明Ａ′」という。）が記載されているものと認める。
 　 
「Ｓｉ基板側から、ＧａＡｓバッファー層、ｎ＋ＩｎＳｂ層、π−ＩｎＳｂ層及びｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層が積層された積層構造を備えた、赤外線検出器の製造方法であって、
　Ｓｉ基板上に、ＧａＡｓバッファー層を積層する工程と、
　ＧａＡｓバッファー層上に、ｎ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層上に、π−ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　π−ＩｎＳｂ層上に、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びπ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きいｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層を積層する工程と、
　を有する赤外線検出器の製造方法。」
イ　本件訂正発明１について
（ア）本件訂正発明１と引用発明Ａとの対比
　一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、本件訂正発明１と引用発明Ａとの一致点及び相違点は、それぞれ次のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
 　該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備えた赤外線センサであって、
 　前記化合物半導体の積層体は、
 　該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層と、
 　該第１の化合物半導体層上に形成され、ＩｎＳｂである第２の化合物半導体層と、
 　該第２の化合物半導体層上に形成された、高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂの第３の化合物半導体層と、
を備える、赤外線センサ。」
＜相違点ａ−１＞
　赤外センサの特性に関して、 
　本件訂正発明１は、「室温において冷却機構無しで動作が可能」であるのに対して、
　引用発明Ａは、室温において冷却機構無しで動作が可能であるか不明である点。
＜相違点ａ−２＞
　第１の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１は、「ｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上」であるのに対して、
　引用発明Ａは、ｎ＋型ではあるものの、ｎ型ドーピング濃度が不明である点。
＜相違点ａ−３＞
　第２の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１は、
ａ　「ｐ型ドーピングされた」ものであって、
ｂ　「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」であるのに対して、
　引用発明Ａは、π−ＩｎＳｂである点。
＜相違点ａ−４＞
　第３の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１は、「第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」、「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上」であるのに対して、
　引用発明Ａは、ｐ＋型ではあるものの、ｐ型ドーピング濃度が不明で、本件訂正発明１の上記関係を有するものか否か不明である点。
（イ）相違点についての判断
ａ　相違点ａ−３について
　引用発明Ａにおいて、相違点ａ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたか否かについて検討する。
(a)　実質的相違点、設計事項であるかについて
　先ず、引用発明Ａにおいて、相違点ａ−３は実質的相違点であるか否かについて、及び仮にそうでないとしても、相違点ａ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得る設計事項であるかについて、以下において検討する。
　前記（１）の判決において判示した内容のとおり、引用発明Ａのπ−ＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層は、意図しないドーピングにより「真性ｐ」に近く、かつ、「ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ」とされているから、その性質は、実質的に真性半導体に近く、ｐ型としての性質は、結晶欠陥の存在等に由来する程度のものであって、ドーパントはなるべく除去されているものと認められる。
　前記（１）の判決において判示した内容のとおり、そして、ＭＥＴＵ論文は、ナローバンドギャップ半導体であるＩｎＳｂを材料とする赤外線検出器が冷却される必要があるとした上で、第３の化合物半導体層に、広いバンドギャップを有するＡｌＩｎＳｂを用い、また、第２の化合物半導体層には真性ｐに近い性質を有するＩｎＳｂを用いた赤外線検出器を対象に、エネルギーバンド図も示しつつ、考察するものである。その上で、ＭＥＴＵ論文には、エピ層の欠陥密度を低減するために成長条件と検出器の層構造を最適化することで、検出器の性能を向上させることが可能である旨記載されている。
　そうすると、引用発明Ａは、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃを前提として、各半導体層間の層構造等を調整し、結晶欠陥を低減することにより、赤外線検出器の比検出能力を向上させるものということができる。
　したがって、判決が認定したとおり、ドーパントがなるべく除去されている引用発明Ａの第２の化合物半導体層を、本件訂正発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、引用発明Ａの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
(b)　周知技術の適用について
(b-1)　本件特許の出願日当時の周知技術
　前記（２）イ（イ）ａ(b)(b-1)のとおり、本件特許の出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、判決が認定した、本件周知技術のとおりである。
(b-2)　本件周知技術の適用
(b-2-1)　動機付け
　本件周知技術において、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませるのは、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させるという目的のために行われるものである。
　これに対して、引用発明Ａは、赤外線検出器の検出能力を向上させる一つの手段として、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃを前提とし、層構造等を調整することにより各半導体層間の結晶欠陥を低減したものであって、また、引用発明Ａの第２の化合物半導体層のドーパントはなるべく除去されたものである。
　そうすると、判決が認定したとおり、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ａは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥｃを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じ得る現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ａの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、判決が認定したとおり、引用発明Ｃに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
(b-2-2)　阻害要因
　ＭＥＴＵ論文には、第２の化合物半導体層において室温における熱生成キャリアの量が多いとした上で、第３の化合物半導体層に広いＥｇを有する材料を用いる旨が記載されていることからすれば、引用発明Ａにおいては、ドーパントがなるべく除去された第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることにより、熱生成キャリアの拡散を防止し、検出能力を向上させることが前提になっているものということができる。
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、光吸収層の伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるものであるところ、その場合には、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃは、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、判決が認定したとおり、伝導帯レベル差ΔＥｃを大きくとることによって、検出能力を向上させるという引用発明Ｃの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。
　したがって、引用発明Ａに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべきである。
　よって、引用発明Ａに周知技術を適用することにより、相違点ａ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
ｂ　相違点ａ−４について
　前記ａのとおり、引用発明Ｃにおいて、第２の化合物半導体層をｐ型ドーピングすることを、当業者が容易に想到することができたということはできないから、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有することもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、判決が認定したとおり、引用発明Ｃにおいて、相違点ｃ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
（ウ）本件訂正発明１についてのまとめ
　以上によれば、本件訂正発明１と引用発明Ａとを対比すると、相違点ａ−１ないし相違点ａ−４を有するから、本件訂正発明１は、引用発明Ａであるとはいえない。
　また、引用発明Ａにおいて、相違点ａ−３及び相違点ａ−４に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ａ−１及びａ−２について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が引用発明Ａに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
ウ　本件訂正発明２ないし１２について
　本件訂正発明２ないし１２は、本件訂正発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、本件訂正発明２、１０は、引用発明Ａであるとはいえず、また、本件訂正発明２ないし１２は、当業者が引用発明Ａに基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
エ　本件訂正発明１３について
　本件訂正発明１３は、本件訂正発明１に係る赤外線センサの製造方法である。
　一方、引用文献４には、上記アのとおり、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用発明Ａ’が記載されているものと認められる。
　また、本件訂正発明１３と引用発明Ａ’との一致点及び相違点は、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおりであるところ、相違点は、以下の相違点ａ−ハ、相違点ａ−ニを含む。
＜相違点ａ−ハ＞
　第２の化合物半導体層及び第２の化合物半導体層を形成する工程に関して、
　本件訂正発明１３は、「ｐ型ドーピングされた」ものであって、「ｐ型ドーピング濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」とするのに対して、
　引用発明Ａ’は、πである点。
＜相違点ａ−ニ＞
　第３の化合物半導体層を形成する工程に関して、 
　本件訂正発明１３は、「第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」、「ｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上」とするのに対して、引用発明Ａ’は、ｐ＋型ではあるものの、第３の化合物半導体層（ｐ＋Ｉｎ０．８５Ａｌ０．１５Ｓｂ層）は、高濃度にｐ型ドーピングされているものの、ｐ型ドーピング濃度が不明で、本件訂正発明１３の上記関係を有するものであるか否か不明である点。
　そうすると、本件訂正発明１３と引用発明Ａ’とを対比すると、相違点ａ−ハないし相違点ａ−ニを有するから、本件訂正発明１３は、引用発明Ａ’であるとはいえない。
　また、判決が認定したとおり、上記イ（イ）ａ、ｂにおける相違点ａ−３、相違点ａ−４についての検討と同様に、引用発明Ａ’において、相違点ａ−ハ、相違点ａ−ニに係る本件訂正発明１３の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
オ　本件訂正発明１４ないし１８について
　本件訂正発明１４ないし１８は、本件訂正発明１３の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、本件訂正発明１４は、引用発明Ａ’であるとはいえず、また、本件訂正発明１４ないし１８は、当業者が引用発明Ａ’に基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
カ　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし１８についての特許は、前審無効理由通知で通知した前審無効理由６、７によっては、無効とすることはできない。
（４）前審無効理由通知における前審無効理由８について
ア　引用文献３の記載及び引用文献３に記載された発明
　引用文献３の記載より、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）が記載されているものと認める。 
 　 　　  
「ＩｎＳｂ基板と、
　ＩｎＳｂ基板側から、ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体とを備えた、赤外線検出器であって、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層における、各層のドーピングレベルは、それぞれ、約３×１０１８ｃｍ−３、２×１０１５ｃｍ−３ 及び２×１０１８ｃｍ−３であり、
　ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層のバンドギャップが、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びｎ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きい、
　赤外線検出器。」
　引用文献３の記載より、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明Ｂ’」という。）が記載されているものと認める。
「ＩｎＳｂ基板側から、ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層、ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層を積層した積層体を備えた、赤外線検出器の製造方法であって、
　ＩｎＳｂ基板上に、ｎ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層上に、ｎ−ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
　ｎ−ＩｎＳｂ層上に、ｎ＋ＩｎＳｂ層及びｎ−ＩｎＳｂ層のバンドギャップよりも大きいｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層を積層する工程と、
　ｐ＋Ｉｎ０．９Ａｌ０．１Ｓｂ層上に、ｐ＋ＩｎＳｂ層を積層する工程と、
 を有し、
　ｎ＋ＩｎＳｂ層、ｎ−ＩｎＳｂ層及びｐ＋ＩｎＳｂ層における、各層のドーピングレベルは、それぞれ、約３×１０１８ｃｍ−３、２×１０１５ｃｍ−３ 及び２×１０１８ｃｍ−３である、
　赤外線検出器の製造方法。」　  
イ　本件訂正発明１について
（ア）本件訂正発明１と引用発明Ｂとの対比
　一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、本件訂正発明１と引用発明Ｂとの一致点及び相違点は、それぞれ次のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
　該基板上に形成された、複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備えた赤外線センサであって、 
　前記化合物半導体の積層体は、 
　該基板上に形成された、インジウム及びアンチモンを含み、ｎ型ドーピングされた材料である第１の化合物半導体層と、
　該第１の化合物半導体層上に形成された、ＩｎＳｂである第２の化合物半導体層と、
　該第２の化合物半導体層上に形成された、高濃度にｐ型ドーピングされ、かつ前記第１の化合物半導体層、及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂの第３の化合物半導体層と 
 を備え、
　前記第１の化合物半導体層のｎ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３である、
　赤外線センサ。」
＜相違点ｂ−１＞
　赤外センサの特性に関して、
　本件訂正発明１は、「室温において冷却機構無しで動作が可能」であるのに対して、  　引用発明Ｂは、そのようなものではない点。
＜相違点ｂ−２＞
　第２の化合物半導体層に関して、
　本件訂正発明１は、
ａ　「ｐ型ドーピングされた」ものであって、
ｂ　「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」であるのに対して、
 　引用発明Ｂは、ｎ−ＩｎＳｂ層であって、ｐ型ドーピングされたものではない点。
＜相違点ｂ−３＞
　第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度に関して、
 　本件訂正発明１は、「前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」、「ｐ型ドーピング濃度は、１×１０１８原子／ｃｍ３以上である」のに対して、
　引用発明Ｂは、第３の化合物半導体層（ｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層）は、高濃度にｐ型ドーピングされているものの、第２の化合物半導体層（ｎ−ＩｎＳｂ層）は、ｎ−であるから、本件訂正発明１の上記関係を有するものとはいえない点。
（イ）相違点についての判断
ａ　相違点ｂ−２について
　引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−２に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたか否かについて検討する。
　
(a)　実質的相違点、設計事項であるかについて
　先ず、引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−２は実質的相違点であるか否かについて、及び仮にそうでないとしても、相違点ｂ−２に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が適宜なし得る設計事項であるかについて、以下において検討する。
　引用発明Ｂの第２の化合物半導体層は、ｎ−ＩｎＳｂであって、ｐ型のドーパントは含まれていない。
　前記（１）の判決において判示した内容のとおり、引用発明Ｂは、従来の基本的なＩｎＳｂを材料とするｐ＋−ｎ−ｎ＋構造を前提に、ｐ＋層とｎ層との間に、ＩｎＡｌＳｂの薄層領域を導入することにより、電子の拡散を阻止するポテンシャル障壁を与えたものであるところ、引用文献３には、薄層領域を導入するに当たり、当該薄層とｎ−ＩｎＳｂとのエネルギーバンドギャップが適当なものになるよう、当該薄層のｐ型ドーピングの濃度を調整している。
　そうすると、引用発明Ｂは、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃに着目したものであって、第２の化合物半導体層と第３化合物半導体層のドーピングの型やドーピング濃度は、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃを生じさせ、赤外線検出器の比検出能力を向上させるために調整される要因であることは明らかである。
　したがって、判決が認定したとおり、ｐ型のドーパントは含まれていない引用発明Ｂの第２の化合物半導体層を、本件訂正発明１の濃度の程度にまでｐ型ドーピングすることは、実質的にも相違し、引用発明Ｂの構成を変更するものであるから、当業者が適宜なし得る設計事項であるということはできない。
(b)　周知技術の適用について
(b-1)　本件特許の出願日当時の周知技術
　前記（２）イ（イ）ａ(b)(b-1)のとおり、本件特許の出願日当時、周知であったと認められる技術事項は、判決が認定した、本件周知技術のとおりである。
(b-2)　本件周知技術の適用
(b-2-1)　動機付け
　本件周知技術において、光吸収層に所定の濃度のｐ型ドーパントを含ませるのは、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させるという目的のために行われるものである。
　これに対して、引用発明Ｂは、赤外線検出器の検出能力を向上させる一つの手段として、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃに着目したものであって、かかる観点から、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間のドーピングの型やドーピング濃度を調整したものである。また、引用発明Ｂの第２の化合物半導体層のはｎ型ドーピングされたものであって、ｐ型ドーパントは含まれていない。
　そうすると、判決が認定したとおり、本件周知技術が、光吸収層の伝導帯の電子密度を低減させることを課題として第２の化合物半導体層（光吸収層）にｐ型ドーパントを含ませるのに対し、引用発明Ｂは、バリア層として伝導帯レベル差ΔＥｃを有しており、そのような課題を有しないから、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませる必要がない。また、光吸収層にｐ型ドーパントを含ませることによって、一般的に赤外線検出器の検出能力が向上するとしても、それによって生じうる現象を考慮することも必要であるから、当業者は、上記のような課題を有しない引用発明Ｂの光吸収層に、あえてｐ型ドーパントを含ませようとは考えない。
　したがって、判決が認定したとおり、引用発明Ｂに、本件周知技術を適用する動機付けがあるということはできない。
(b-2-2)　阻害要因
　引用発明Ｂの赤外線検出器は、第３の化合物半導体層（Ｉｎ１−ｘＡｌｘＳｂ層）に、第２の化合物半導体層（ＩｎＳｂ層）よりも、エネルギーギャップが広い材料を採用することにより、電子の拡散を阻止するポテンシャル障壁を伝導帯に設けて、第２の化合物半導体層から第３の化合物半導体層への電子の拡散を抑えるものである。
　一方、本件周知技術は、光吸収層に、伝導帯の電子密度が低減する所定の濃度に至るまでｐ型ドーパントを含ませるものであるところ、その場合には、第２の化合物半導体層と第３の化合物半導体層との間の伝導帯レベル差ΔＥｃは、ｐ型ドーパントに相当する分だけ小さくなる。
　そうすると、判決が認定したとおり、伝導帯レベル差ΔＥｃを設けることによって、検出能力を向上させるという引用発明Ｂの作用は、本件周知技術を適用することにより、阻害されることになる。
　したがって、引用発明Ｂに、本件周知技術を適用することには阻害要因があるというべき。
　よって、判決が認定したとおり、引用発明Ｂに周知技術を適用することにより、相違点ｂ−２に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
ｂ　相違点ｂ−３について
　前記ａのとおり、引用発明Ｂにおいて、第２の化合物半導体層をｐ型ドーピングすることを、当業者が容易に想到することができたということはできないから、第３の化合物半導体層が、第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされているという関係を有することもまた、当業者が容易に想到することができたということはできない。
　よって、判決が認定したとおり、引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
（ウ）本件訂正発明１についてのまとめ
　以上によれば、引用発明Ｂにおいて、相違点ｂ−２及び相違点ｂ−３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到することはできないから、相違点ｂ−１について検討するまでもなく、本件訂正発明１は、当業者が引用発明Ｂに基づいて容易に発明をすることができたものということはできない。
ウ　本件訂正発明２ないし１２について
　本件訂正発明２ないし１２は、本件訂正発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明Ｂに基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
エ　本件訂正発明１３について
　本件訂正発明１３は、本件訂正発明１に係る赤外線センサの製造方法である。
　一方、引用文献３には、上記アのとおり、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおり、引用発明Ｂ’が記載されているものと認められる。
　また、本件訂正発明１３と引用発明Ｂ’との一致点及び相違点は、一次審決が認定し、判決もこれを容認したとおりであるところ、相違点は、以下の相違点ｂ−ロ、相違点ｂ−ハを含む。
＜相違点ｂ−ロ＞
　第２の化合物半導体層を形成する工程に関して、
　本件訂正発明１３は、「ｐ型ドーピング濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満」とするのに対して、
　引用発明Ｂ’は、ｎ−ＩｎＳｂ層であって、ｐ型ドーピングされたものではない点。
＜相違点ｂ−ハ＞
　第３の化合物半導体層のｐ型ドーピング濃度に関して、 
　本件訂正発明１３は、「第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ドーピングされ」、「ｐ型ドーピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上とする」のに対して、
　引用発明Ｂ’は、第３の化合物半導体層（ｐ＋Ａｌ０．１Ｉｎ０．９Ｓｂ層）は、高濃度にｐ型ドーピングされているものの、第２の化合物半導体層（ｎ−ＩｎＳｂ層）は、ｎ−であるから、本件訂正発明１３の上記関係を有するものとは言えない点。
　そうすると、判決が認定したとおり、上記イ（イ）ａ、ｂにおける相違点ｂ−２、相違点ｂ−３についての検討と同様に、引用発明Ｂ’において、相違点ｂ−ロ、相違点ｂ−ハに係る本件訂正発明１３の構成を備えるようにすることを、当業者が容易に想到することができたということはできない。
オ　本件訂正発明１４ないし１８について
　本件訂正発明１４ないし１８は、本件訂正発明１３の発明特定事項を全て含み、さらに他の限定を付したものであるから、当業者が引用発明Ｂ’に基づいて容易に発明をすることができたということはできない。
カ　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし１８についての特許は、前審無効理由通知で通知した前審無効理由８によっては、無効とすることはできない。
（５）前審無効理由６ないし９についてのまとめ
　以上のとおり、本件訂正発明１ないし１８についての特許は、前審無効理由６ないし９によっては、無効とすることはできない。
第８　むすび
　以上のとおり、無効理由１ないし５及び前審無効理由６ないし９にはいずれも理由がなく、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件訂正発明１ないし１８についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。