【事件の表示】
　特願２０１０−１８２６４７「有機電界発光素子用材料、該有機電界発光素子用材料を含む組成物、並びに、該組成物により形成された膜、及び有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月　１日出願公開，特開２０１２−　４３９１２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成２２年８月１７日の出願（特願２０１０−１８２６４７号）であって，平成２６年２月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年９月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２７年１月２７日付けで拒絶査定がなされたものである。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，同年６月２日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，平成２８年４月１日に上申書が提出され，当審において，同年１１月１１日付けで拒絶理由が通知され，平成２９年３月２７日に意見書及び手続補正書が提出され，同年４月２７日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月８日に意見書及び手続補正書が提出された。
２　本願の請求項１に係る発明
（１）請求項１の記載
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は，平成２９年１１月８日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ，請求項１の記載は，次のとおりである。
「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される，下記一般式（２）で表される構造を有する有機電界発光素子用材料であって，
　前記前駆体が下記一般式（Ａ２）で表される構造を有しており，前記前駆体を昇華精製してから，前記前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造されることを特徴とする有機電界発光素子用材料。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（２）中，ｍ１，及びｍ２はそれぞれ独立に０以上の整数を表す。ｍ１，及びｍ２が同時に０を表すことはない。ｎ１，及びｎ２はそれぞれ独立に０〜１０の整数を表す。Ｑ１〜Ｑ４はそれぞれ独立に縮環していてもよい６員の芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｌは単結合又は二価の連結基を表す。）
　　【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（Ａ２）中のＱ１，Ｑ２およびＬは，前記一般式（２）中におけるＱ１，Ｑ２およびＬと同義である。）」
（２）請求項１の製造方法に関する記載により特定される事項の解釈
　ア　請求項１に係る発明は「有機電界発光素子用材料」という物の発明であるところ，請求項１には「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される」（以下，「第１プロセス要件」という。），及び「前記前駆体を昇華精製してから，前記前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される」（以下，「第２プロセス要件」という。）との「有機電界発光素子用材料」の製造方法が記載されているから，請求項１はいわゆるプロダクト・バイ・プロセス・クレーム（以下，「ＰＢＰクレーム」という。）に該当する。なお，請求項１がＰＢＰクレームであることは，平成２８年４月１日提出の上申書（以下，単に「上申書」という。）にて請求人も認めている。
　イ　ＰＢＰクレームについて，その記載が明確性要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情（以下，「不可能・非実際的事情」という。）が存在するときに限られると解されるところ（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号，平成２４年（受）第２６５８号を参照。），上申書において，請求人は，
「請求項１（審決注：平成２７年６月２日提出の手続補正書による補正後の請求項１である。）でいう『Ｏ−Ｈ，Ｓ−Ｈ及びＮ−Ｈからなる群より選択される水素結合性部位を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される』（審決注：平成２９年１１月８日提出の手続補正書による補正により「第１プロセス要件」に限定されている。）ものであって，『前記前駆体を昇華精製してから，前記前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される』ものは，前駆体の昇華精製によって除外することができなかった不純物を特定することが困難であるという事情があります。昇華精製によって除外することができなかったものは，極めて構造が類似するものが多いのが一般的であり，その特性も類似しているのが技術常識となっています。そして，そのような構造が類似するものを分離して，それぞれの構造を分光学的手法などを駆使して解析することも容易ではありません。不純物は，微量しか含まれていないことが一般的であるため，まず検出すること自体が容易ではなく，また検出できたとしても解析に耐える量を取得することも容易ではありません。そして，取得することができたとしても，分光学的特性が近似しているために，構造解析が正確にできるか否かは不明と言わざるを得ない状況です。したがって，このような状況下で，昇華精製後の組成を正しく把握して，特徴的な構成を導き出すことは現実には不可能に近いことです。また，製造されるものの特性についても，微量存在する不純物による特性の違いを見いだすことが困難であることが技術常識となっていますので，検出が現実には不可能に近いものです。本願明細書には，複数の実施例を掲載しておりますが，それらのすべてに共通する組成物そのものとしての特性であって，従来とは明確に異なるものは，出願時までに見いだすに至っておりません。仮に実施例の組成物そのものの共通する特性であって，比較例の組成物そのものにはない特性が見いだされたとしても，その特性で特定した組成物が本発明の効果を確実に生み出す技術的に意義のある特性なのか否かを確認することも容易ではありません。
　このように，請求項１に記載されるものを，出願時に構造または特性により特定することは不可能ないし非実際的だったものです。」
などと主張している。
　後述する引用文献１の記載等から明らかなように，ごく微量の不純物の量を特定することは本願の出願時によく行われていたことであるから，請求項１に係る発明の「有機電界発光素子用材料」について，物としての構成を直接特定することが不可能とも非実際的ともいえないのではないかとの疑いはあるが，一応，請求項１に係る発明には，上申書において請求人が主張するとおりの「不可能・非実際的事情」があり，請求項１の記載が明確性要件に違反していないものとして扱う。
　ウ　ＰＢＰクレームに係る発明の要旨は，製造方法により製造された物と構造，特性等が同一である物として認定されるのが相当と解される。（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第２６５８号を参照。いわゆる「物同一説」。）
　これを本件についてみると，技術常識からみて，同一分子構造の「有機電界発光素子用材料」を合成する場合であっても，異なる前駆体から合成する場合には，合成された「有機電界発光素子用材料」に含まれる各不純物の種類（分子構造）が異なることがあり，また，合成に用いる前駆体や合成された「有機電界発光素子用材料」に対する精製方法やその回数が異なる場合には，合成された「有機電界発光素子用材料」に含まれる各不純物の含有量が異なることがあることが明らかであるから，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を具備する請求項１に係る発明の要旨は，含まれている各不純物の種類及び含有量が，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を充足する製造方法で製造された「有機電界発光素子用材料」におけるそれと同じ「有機電界発光素子用材料」として認定するのが相当である。すなわち，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」の一方又は双方を充足しない製造方法で製造されたものであっても，それに含まれている各不純物の種類及び含有量が，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を充足する製造方法で製造された「有機電界発光素子用材料」におけるそれと同じ「有機電界発光素子用材料」は，請求項１に係る発明に包含されることとなる。
　ここで，請求項１には，「有機電界発光素子用材料」の製造方法に関して，「第２プロセス要件」が規定する昇華精製以外に合成前の「前駆体」に対して何らかの精製を行うのか否かや，「前駆体」に重合性基を導入するための物質（以下，便宜上「重合性基導入物質」という。）や合成後の「有機電界発光素子用材料」に対して何らかの精製を行うのか否かについては記載されておらず，これらの精製を行うのか否かは任意であると解するほかないから，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を充足する製造方法には，「前駆体」に対して昇華精製を１回行う以外には，「前駆体」，「重合性基導入物質」及び「有機電界発光素子用材料」に対して精製を全く行わずに製造する方法（以下，便宜上「１回昇華製造方法」という。）や，「前駆体」に対して昇華精製を１回行う以外にも，「前駆体」，「重合性基導入物質」及び「有機電界発光素子用材料」に対して各不純物が事実上存在しなくなるまで各種精製を繰り返し行う製造方法（以下，便宜上「最大精製製造方法」という。）等が含まれる。
　そうすると，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を充足する製造方法で製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量は，「１回昇華製造方法」により製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量を上限とし，「最大精製方法」により製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量であるゼロを下限とする数値範囲で表されるといえる。
　また，「有機電界発光素子用材料」に含まれている不純物は，各種精製を多数回行うことによって事実上ゼロになるまで除去されることもあるのだから，含まれている各不純物の種類が，「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」を充足する製造方法で製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の種類と同じであるとは，「１回昇華製造方法」により製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物とは異なる種類の不純物を含んでいないことと同義である。
　エ　以上によれば，本願の請求項１に係る発明の「第１プロセス要件」及び「第２プロセス要件」は，「有機電界発光素子用材料」に，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」及び「１回昇華製造方法」によって製造されたものに含まれている各不純物とは異なる種類の不純物が含まれていないこと，並びに，「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量が，「１回昇華製造方法」により製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量を上限とし，ゼロを下限とする数値範囲にあることを規定する要件と解するのが相当である。
３　平成２９年４月２７日付けで通知された拒絶理由の概要
（１）　本願の請求項１（審決注：請求項１は，平成２９年１１月８日提出の手続補正書によって補正されてはいないから，前記２（１）に記載したとおりのものである。以下，当該請求項１に係る発明を「本件発明」という。）に対して，平成２９年４月２７日付けで通知された拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）は，概略，次のとおりである。
　本件発明は，引用文献１に記載された発明及び周知の技術事項（周知例：引用文献２，引用文献３）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるか，少なくとも，引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
（２）　当審拒絶理由で引用された引用例は，次のとおりである。
引用文献１：国際公開第２００９／０６３７５７号
引用文献２：特開２００８−２１８９８３号公報
引用文献３：特表２００８−５２７０８６号公報
４　引用例
（１）引用文献１
　ア　引用文献１の記載
　引用文献１（国際公開第２００９／０６３７５７号）は，本願の出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となったものであるところ，当該引用文献１には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「技術分野
［０００１］　本発明は，有機エレクトロルミネッセンス素子材料，有機エレクトロルミネッセンス素子，有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法，表示装置及び照明装置に関する。
背景技術
［０００２］　従来，発光型の電子ディスプレイデバイスとして，エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下，ＥＬＤという）がある。ＥＬＤの構成要素としては，無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下，有機ＥＬ素子という）が挙げられる。
・・・（中略）・・・
［０００４］　有機ＥＬ素子は，発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し，発光層に電子及び正孔を注入して，再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ，このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり，数Ｖ＃数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり，更に，自己発光型であるために視野角に富み，視認性が高く，薄膜型の完全固体素子であるために省スペース，携帯性等の観点から注目されている。
［０００５］　しかしながら，今後の実用化に向けた有機ＥＬ素子においては，更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
・・・（中略）・・・
［００２１］　有機ＥＬ素子の製造方法としては，従来は，真空蒸着法が製造方法として用いられているが，従来の真空蒸着法では高真空が必要であり，製造可能な部材の大きさが限定されると同時に，部材の出し入れ工程が必要であり連続生産には不向きである。
［００２２］　一方，連続生産を可能とする手段として，ＥＬ材料の溶液を用いた方法が提案（例えば，特許文献１参照。）されており，ＥＬ材料としては低分子材料，高分子材料を用いることが可能であるとされている。
［００２３］　しかしながら，低分子材料を用いた塗布では，積層膜形成時に下層と上層の混合が押さえられず，高性能のＥＬ素子を得ることは困難である。
［００２４］　また，高分子材料の場合には，積層膜の形成は可能になるものの，高分子材料では再結晶，昇華精製，シリカゲルカラム精製等の低分子材料で利用可能な精製方法を利用することができず，高分子の原料となるモノマーなどの不純物を除ききれないといった問題があり，これらがＥＬ素子寿命を劣化させる一つの要因となる。
・・・（中略）・・・
発明が解決しようとする課題
［００２５］　本発明の目的は，外部取り出し量子効率が高く，且つ，発光寿命の長い素子の製造に適した有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供し，該材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子，有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法，前記素子を備えた，表示装置及び照明装置を提供することである。
課題を解決するための手段
［００２６］　本発明の上記目的は，下記の構成により達成された。
［００２７］　１．不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下である少なくとも一種のモノマーを用いて合成した重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
［００２８］　２．前記モノマーの不純物含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
［００２９］　３．前記モノマーが反応性置換基を有することを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
・・・（中略）・・・
発明の効果
［００３８］　本発明により，外部取り出し量子効率が高く，且つ，発光寿命の長い素子の製造に適した有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供し，該材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子，有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法，前記素子を備えた，表示装置及び照明装置を提供することができた。」
（イ）　「［００４２］　以下，本発明に係る各構成要素の詳細について，順次説明する。
［００４３］　《不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下であるモノマー》
　本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料に係る，不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下のモノマーについて説明する。
［００４４］　本発明に係る
モノマーは，反応性置換基を有する有機化合物ともいい，不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下であるが，前記不純物含有量は１００ｐｐｍ以下であることが好ましい
［００４５］　ここで，不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下であることを達成するとは，本発明に係るモノマー（反応性置換基を有する有機化合物）の純度を９９．９質量％以上に調整することを示す。
［００４６］　本発明では，上記のような高純度のモノマー（反応性置換基を有する有機化合物）を用いて合成された，高純度の重合体である，有機エレクトロルミネッセンス素子材料を用いることにより，有機エレクトロルミネッセンス素子の性能変動を誘引する可能性を持つ不純物等の含有を抑制し，その結果として，有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上，素子寿命の著しい改善を行うことが可能になった。
［００４７］　（不純物含有量の測定（モノマーの純度測定ともいう））
　本発明に係るモノマー（反応性置換基を有する有機化合物）の純度の測定は，市販のＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィー法）により求めることができる。
［００４８］　ＨＰＬＣを用いてのモノマーの純度測定の詳細は後述するモノマーの合成例において記載する。
［００４９］　（反応性置換基）
　本発明に係る反応性置換基について説明する。
［００５０］　本発明に係る反応性置換基としては，具体的には，下記で示される部分構造を有する基が挙げられる。
［００５１］［化１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［００５２］　上記の
反応性置換基を有する有機化合物
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の構成層の形成に用いられる
［００５３］　また，従来公知の有機ＥＬ素子の構成に用いられる，正孔輸送材料，電子阻止材料，発光ホスト（ホスト化合物ともいう），発光ドーパント（単にドーパントともいう），電子輸送材料，正孔阻止材料等として記載の化合物，特許文献記載の化合物等の中から，適宜選択することも出来る。
［００５４］　以下，
本発明に係る，反応性置換基を有する化合物の具体例
・・・（中略）・・・
［００６８］［化１５］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［００７０］［化１７］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［００７１］［化１８］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
・・・（中略）・・・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」
（ウ）　「［００７２］　以下，本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料に係るモノマー（反応性置換基を有する有機化合物）の合成例を示すが，本発明はこれらに限定されない。
［００７３］　《合成例：化合物１−２の合成》
［００７４］［化１９］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［００７５］　２００ｍｌ三口フラスコに酢酸パラジウム０．５ｇ，キシレン１００ｍｌ，トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１．０ｇを添加し，系内を窒素置換した後，室温にて３０分間撹拌した。その後，４，４’−ジヨードビフェニル５．２ｇ，３−ホルミルカルバゾール（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９５７，２２１０〜２２１２記載化合物）５．０ｇ，ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム３．０ｇを窒素雰囲気下で添加し，５時間過熱還流した。
［００７６］　反応終了後，室温まで冷却し，
ケイソウ土ろ過にて不溶物を除去し，飽和食塩水で洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した後，ロータリーエバポレータで減圧濃縮した。
［００７７］　
残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し，化合物１−２のホルミル体（化合物１−２（ｆｏｒｍｙｌ）ともいう）を５．５ｇを得た。
［００７８］　次に，２００ｍｌ三口フラスコにメチルトリフェニルホスホニウムブロミド４．０ｇ，テトラヒドロフラン８０ｍｌを添加し，反応系を窒素置換して系内を−７０℃以下に冷却した後，２ｍｏｌ／ＬのＬＤＡ６．０ｍｌを添加し，一旦０℃まで温度を昇温した。
［００７９］　この反応系を再度−７０℃以下に冷却した後，化合物１−２のホルミル体（化合物１−２（ｆｏｒｍｙｌ）ともいう）５．５ｇのＴＨＦ溶液２０ｍｌを滴下し，−７０℃以下で１時間撹拌した。
［００８０］　撹拌終了後，室温まで戻し，
反応液を飽和食塩水で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥した後，ロータリーエバポレータで減圧濃縮した。
［００８１］　
残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し，白色固体２．２ｇを得た。
［００８２］　（純度の異なる化合物１−２の調製）
　この目的物のＨＰＬＣ純度を測定したところ９６．３０％（化合物１−２ａ）であった。
この白色固体を再度シリカゲルクロマトグラフィーで精製し
［００８３］　
続いて，酢酸エチルで再結晶を３回繰返し
３回目：ＨＰＣＬ純度９９．９９％（化合物１−２ｅ）
を得た。
［００８４］　因みに，本発明に用いられるＨＰＬＣ測定の条件を下記に示す。
［００８５］　ＨＰＬＣ測定条件：
　測定装置　：ＬＣ−２０００Ｓｅｒｉｅｓ（日本分析工業（株）製）
　使用カラム：ＯＤＳ−３（ＧＬ　Ｓｃｉｅｎｃｅ）
　展開溶媒　：アセトニトリル／水＝３／７
　展開流量　：１ｍｌ／分
　温度　　　：４０℃
　検出波長　：２５４ｎｍ
　本発明に係る，不純物が１０００ｐｐｍ以下のモノマー（反応性置換基を有する有機化合物ともいう）は，例えば，特開２００４−３２７４５４号または，前記文献中に記載の参考文献等に記載の方法を適用することにより合成できる。」
（エ）　「実施例
　以下，実施例により本発明を説明するが，本発明はこれらに限定されない。尚，実施例に用いられる化合物を下記に示す。
［０２５７］［化３１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［０２５９］　実施例１
　《有機ＥＬ素子の作製》
　《塗布溶液１−１〜１−８の調製》
　窒素雰囲気下，上記の合成例で作製した１−２ａ（６００ｍｇ）及びＩｒ−１（３０ｍｇ）を脱水ジクロロエタン６０ｍｌに溶解し，撹拌下高圧水銀灯にて紫外光を１２０秒間照射し，塗布溶液１−１を得た。
［０２６０］　次に塗布溶液１−１の作製条件にて，化合物１−２ａの代わりに表１に示す化合物の組合せで塗布溶液１−２〜１−８を得た。
［０２６１］　塗布溶液１−１〜１−８の一部を市販のＬＣ−Ｍａｓｓにて分析したところ，含有モノマーの重合体の生成を確認することができた。
［０２６２］　《有機ＥＬ素子１−１の作製》
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後，このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し，乾燥窒素ガスで乾燥し，ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。
［０２６３］　この基板を市販のスピンコータに取り付け，ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ，Ｂａｙｅｒ社製，Ｂａｙｔｒｏｎ　Ｐ　Ａｌ　４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ，３０秒でスピンコート法により成膜した後，２００℃にて１時間乾燥し，膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
［０２６４］　乾燥処理終了後，再び基板をスピンコータに取り付け，塗布溶液１−１を用い，１０００ｒｐｍ，３０秒の条件下，スピンコートし（膜厚４０ｎｍ），６０℃で１時間真空乾燥し，発光層とした。
［０２６５］　次にこの基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し，モリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣＰ）を２００ｍｇ入れ，別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ３を２００ｍｇ入れ，真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後，ＢＣＰの入った前記加熱ボートに通電して加熱し，蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層に蒸着して，更に膜厚１０ｎｍの正孔阻止層を設けた。
［０２６６］　続いて，Ａｌｑ３の入った前記加熱ボートに通電して加熱し，蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔阻止層上に蒸着して，更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。なお，蒸着時の基板温度は室温であった。
［０２６７］　引き続き，フッ化リチウム０．５ｎｍ及びアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し，有機ＥＬ素子１−１を作製した。
［０２６８］　《有機ＥＬ素子１−２〜１−８の作製》
　有機ＥＬ素子１−１の作製において，塗布液１−１を塗布液１−２〜１−８に置き換えた以外は同様にして，有機ＥＬ素子１−２〜１−８を各々作製した。
［０２６９］　《有機ＥＬ素子１−１〜１−８の評価》
　以下のようにして作製した有機ＥＬ素子１−１〜１−８の評価を行った。
［０２７０］　《外部取りだし量子効率》
　作製した有機ＥＬ素子１−１〜１−８の各々について，２３℃，乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定し，下記の表１に示す。測定には，分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。
［０２７１］　尚，表１の外部取りだし量子効率の測定結果は，有機ＥＬ素子１−１の測定値を１００とした時の相対値で表した。
［０２７２］　《発光寿命》
　２．５ｍＡ／ｃｍ２の一定電流で駆動したときに，輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し，これを半減寿命時間（τ０．５）として寿命の指標とした。
［０２７３］　測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタ製）を用いた。
［０２７４］　尚，表１に示す発光寿命の測定結果は，有機ＥＬ素子１−１の測定値を１００とした時の相対値で表した。
［０２７５］　得られた結果を表１に示す。
［０２７６］［表１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［０２７７］　表１から，比較の有機ＥＬ素子に比べて，本発明の有機ＥＬ素子は，長寿命化が達成されていることが明らかである。」
（オ）　「請求の範囲
［１］　不純物含有量が１０００ｐｐｍ以下である少なくとも一種のモノマーを用いて合成した重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
［２］　前記
モノマーの不純物含有量が１００ｐｐｍ以下
［３］　前記
モノマーが反応性置換基を有する
　イ　引用文献１に記載された発明
　前記ア（ア）ないし（オ）を含む引用文献１の全記載から，不純物含有量が１００ｐｐｍ以下である化合物４−１（引用文献１の［００６８］）についての発明を把握することができるところ，当該発明の構成は次のとおりである。
「有機エレクトロルミネッセンス素子の構成層の形成に用いられるモノマーであって，
　下記構造式で表され，不純物含有量が１００ｐｐｍ以下である化合物４−１。
［化合物４−１の構造式］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」（以下，「引用発明」という。）
（２）周知の事項
　ア　引用文献２の記載
　引用文献２（特開２００８−２１８９８３号公報）は，本願の出願前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献２には次の記載がある。（下線は，後述する周知技術及び引用文献２に記載された事項の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，湿式成膜法による成膜が可能な，
架橋基を有する有機化合物からなる正孔輸送材料
有機電界発光素子用
（イ）　「【００８８】
　［１０］合成法
　本発明の正孔輸送材料は，目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し，公知の手法を用いて合成することができる。
　代表的な合成スキームを以下に示す。
【００８９】
【化４３】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００９０】
　ここで，
Ｘ
１
〜Ｘ
９
は，脱離基（例えば，Ｂｒ，Ｉ，−Ｂ（ＯＨ）
２
など）を表す。
　Ｙ１〜Ｙ２は，Ａ２１の前駆体（例えば，ビニル基の前駆体は−ＣＨＯ基であり，−Ｏ−（ＣＨ２）４−Ｏ−ＣＨ２−メチルオキセタン基の前駆体は，−ＯＨ基である），または，脱離基（例えば，Ｂｒ，Ｉ，−Ｂ（ＯＨ）２など）を表す。
　Ｒ２１〜Ｒ２３は，Ｒ２〜Ｒ４と同義の架橋基を表す。
　
Ａ
２１
は，
架橋基を表す
　Ｅ２はＥ１と同義の基を表す。
　各原料化合物は，適宜，試薬として入手可能であり，反応は，公知のカップリング手法を用いて，容易に実現可能である。
　尚，ＡｒＮＨ２系化合物（例えば，化合物ａ，ｅ）からＡｒ２ＮＨ系化合物（例えば，化合物ｂ，ｃ）を合成する反応においては，一旦，アシル化し，ＡｒＮＨＡｃ体にしてから，Ａｒ２ＮＡｃ体を得，その後，脱アセチル化してＡｒ２ＮＨ体を得ることも選択可能である。ここで，Ａｒは，それぞれ独立に，任意の１価の芳香族炭化水素基を表し，Ａｃは，アセチル基を表す。
【００９１】
　
化合物の精製方法としては
昇華（常圧昇華，減圧昇華）
などが挙げられる。
【００９２】
　生成物の確認や純度の分析方法としては，ガスクロマトグラフ（ＧＣ），高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ），高速アミノ酸分析計（有機化合物），キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ），サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ），ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ），交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ），質量分析（ＭＳ，ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ），核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（１ＨＮＭＲ，１３ＣＮＭＲ）），フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ），紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ），電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ），透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ），金属元素分析（イオンクロマトグラフ，誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ），蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）），非金属元素分析，微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ，適用可能である。」
（ウ）　「【実施例】
【０２４８】
　次に，本発明を実施例によって更に具体的に説明するが，本発明はその要旨を超えない限り，以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２４９】
［合成例］
　以下に本発明の正孔輸送材料の合成例を示す。
　なお，以下の合成例において，ガラス転移温度はＤＳＣ測定により，重量減少開始温度はＴＧ−ＤＴＡ測定により，融点はＤＳＣ測定またはＴＧ−ＤＴＡ測定によりそれぞれ求めた。
・・・（中略）・・・
【０２７３】
（合成例４）
　＜目的物１１の合成＞
・・・（中略）・・・
【０２７５】
　＜目的物１２の合成＞
【化８１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２７６】
　窒素気流中，トルエン（２００ｍｌ）に，トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１６ｇ）とビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．１４５ｇ）を加えて室温で１０分間攪拌し，さらに目的物１１（８．０１ｇ），アニリン（６．１５ｇ），およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（２．３１ｇ）を加えて，１００℃で６時間攪拌した。放冷後
不溶物を濾別し，濾液を濃縮し，シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝２５：１）で精製することにより，目的物１２（６．４０ｇ）を得た。
【０２７７】
　＜目的物１３の合成＞
・・・（中略）・・・
【０２７９】
　＜目的物１４の合成＞
【化８３】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２８０】
　窒素気流中，ジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）に粉砕した水酸化カリウム（８．９８ｇ）を加え，ｍ−ブロモフェノール（６．９２ｇ）を加えて３０分間攪拌後，目的物１３（１２．３３ｇ）を加えて室温で６時間攪拌した。
析出物を濾取した後，濾液を塩化メチレンで抽出して油層を濃縮し，シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：塩化メチレン＝２：１）で精製することにより，目的物１４（１１．４ｇ）を得た。
【０２８１】
　＜目的物１５の合成＞
【化８４】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２８２】
　窒素気流中，
目的物１２（３．３０ｇ），目的物１４（３．１６ｇ）
を窒素雰囲気下，６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて，１００℃で４時間攪拌した
不溶物を濾別し，濾液を濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン：酢酸エチル＝２０：１）で精製することにより，目的物１５（１．１８ｇ）を得た。
　ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝６６０（Ｍ＋））により目的物１５であることを確認した。
【０２８３】
（合成例５）
　＜目的物１６の合成＞
【化８５】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２８４】
　窒素気流中，４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（６．４４ｇ），４−ブロモビフェニル（１５．０ｇ），ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（８．６６ｇ），およびトルエン（１２０ｍｌ）の溶液に，トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１６６ｇ），ビス（トリフェニルフォスフィノ）フェロセン（０．３５６ｇ），およびトルエン（５ｍｌ）を窒素雰囲気下，６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて，加熱還流下，４時間攪拌した。放冷後，
トルエン及び活性白土を加え１５分間攪拌した後，不溶物を濾別し，濾液を濃縮し，エタノールを加えた。析出物を濾取した後，エタノール，メタノール，トルエン，メタノールの順で懸濁洗浄することにより，目的物１６（７．４８ｇ）を得た。
【０２８５】
　＜目的物１７の合成＞
【化８６】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２８６】
　窒素気流中，
目的物１６（２．５２ｇ），目的物１４（３．９５ｇ）
を窒素雰囲気下，６０℃で１５分間攪拌して調製した溶液を加えて，８０℃で４時間攪拌した。
塩化メチレン（５０ｍｌ）を加え３０分間攪拌した後，不溶物を濾別し，濾液を濃縮した。塩化メチレン／酢酸エチル混合液でカラム精製し，トルエン溶媒で活性白土処理を行うことにより，目的物１７（１．７４ｇ）を得た。
【０２８７】
　このもののガラス転移温度は２７℃，融点は観測されず，窒素気流下での重量減少開始温度は４３２℃であった。
　ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１０００（Ｍ＋））により目的物１７であることを確認した。
・・・（中略）・・・
【０２９１】
（合成例７）
　＜目的物１９の合成＞
【化８８】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２９２】
　窒素気流下，ジフェニルホスフィノフェロセン（１６６ｍｇ，０．３０ｍｍｏｌ），トリスジベンジリデンアセトンジパラジウムクロロホルム付加物（１５５ｍｇ，０．１５ｍｍｏｌ）の脱水トルエン溶液（５０ｍＬ）を３０℃で１０分間攪拌し，目的物１１（６．０ｇ，１４．９９ｍｍｏｌ），４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（１．５ｇ，７．４９ｍｍｏｌ），およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．７３ｇ，１８ｍｍｏｌ）を添加した。温度を１００℃まで上昇させ，８時間攪拌した。
反応混合物を水にあけ，有機層を分離し，飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後，硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下に留去し，残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し，目的物１９（４．２４ｇ，収率６７％）を得た。
【０２９３】
　＜目的物２０の合成＞
【化８９】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０２９４】
　窒素気流下，トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１７４ｍｇ，０．８６ｍｍｏｌ），トリスジベンジリデンアセトンジパラジウムクロロホルム付加物（１４８ｍｇ，０．１４ｍｍｏｌ）の脱水トルエン溶液（２０ｍＬ）を３０℃で１０分間攪拌し，触媒を調製した。ここへ
目的物１９（４．０ｇ，４．７７ｍｍｏｌ），目的物２０
（３．４５ｇ，１０．５ｍｍｏｌ），およびｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．２１ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）を添加した。温度を９０℃まで上昇させ，８時間攪拌した。反応混合物を水にあけ，有機層を分離し，飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後，硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下に留去し，残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し，目的物２０（２．４７ｇ，収率３９％）を得た。
【０２９５】
　ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝１３３４（Ｍ＋））により目的物２０であることを確認した。」
　イ　引用文献３の記載
　引用文献３（特表２００８−５２７０８６号公報）は，本願の出願前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献３には次の記載がある。（下線は，後述する周知技術の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「【技術分野】
【０００１】
　本開示は，一般に，有機電子デバイス中に見られるような電荷輸送材料，ならびにそれを製造するための材料および方法に関する。
・・・（中略）・・・
【背景技術】
【０００３】
　有機電子デバイスは，電気エネルギーを放射線に変換したり，電子的過程を介して信号を検出したり，放射線を電気エネルギーに変換したり，１つまたは複数の有機半導体層を含んだりする。大部分の有機電子デバイスは電荷輸送材料を含んでいる。」
（イ）　「【００９１】
　　（実施例５）
　　（以下のモノマーの合成）
【００９２】
【化１４】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００９３】
　
フェニル（１−ナフチル）アミン（１０ｇ，４５．０ｍｍｏｌ），３−ブロモスチレン（９．２ｇ，５０．０ｍｍｏｌ）
の混合物を，トルエン（８０ｍＬ）中，窒素下で２０時間撹拌した。
・・・（中略）・・・
【００９５】
　　（実施例６）
　　（以下のモノマーの合成）
【００９６】
【化１５】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００９７】
　
ジフェニルアミン（４．６ｇ，２７．０ｍｍｏｌ），３−ブロモスチレン（５．０ｇ，２７．０ｍｍｏｌ）
の混合物をトルエン（８０ｍＬ）中，窒素下で２０時間撹拌した。
・・・（中略）・・・
【０１０３】
　　（実施例８）
　　（以下のモノマーの合成）
【０１０４】
【化１７】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【０１０５】
　
Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）ベンジジン（２．１６ｇ，４．９ｍｍｏｌ），４−ブロモ−１，１’−ビフェニル−４’−（ｐ，ｍ−ビニル）ベンジル（３．８ｇ，１０ｍｍｏｌ）
の混合物を，トルエン（３０ｍＬ）中，窒素下で２０時間撹拌した。
　ウ　引用文献２及び３の記載から把握される周知の技術事項
　前記ア及びイで摘記した引用文献２及び３の記載から，次の技術事項が，本願の出願前に周知であったと認められる。（トリアリールアミン化合物やビストリアリールアミン化合物等を総称して「トリアリールアミン類」と表現し，ジアリールアミン化合物やビスジアリールアミン化合物等を総称して「ジアリールアミン類」と表現した。）
「アリール基の１つが重合性基を有するトリアリールアミン類を，ジアリールアミン類を前駆体として用い，重合性基を有するアリール類で当該前駆体をアリール化するという方法により，合成すること。」（以下，「周知技術」という。）
５　当審拒絶理由についての判断
（１）対比
　引用発明の「化合物４−１」は，本件発明の一般式（２）において，ｍ１及びｍ２をいずれも１とし，ｎ１及びｎ２をいずれも０とし，Ｑ１ないしＱ４をいずれも縮環していない６員の芳香族炭化水素環とした構造を有しており，当該「化合物４−１」が用いられる「有機エレクトロルミネッセンス素子」とは，本件発明の「有機電界発光素子」にほかならないから，本件発明と引用発明は，
「下記一般式（２）で表される構造を有する有機電界発光素子用材料。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（一般式（２）中，ｍ１，及びｍ２はそれぞれ独立に０以上の整数を表す。ｍ１，及びｍ２が同時に０を表すことはない。ｎ１，及びｎ２はそれぞれ独立に０〜１０の整数を表す。Ｑ１〜Ｑ４はそれぞれ独立に縮環していてもよい６員の芳香族炭化水素環又は芳香族ヘテロ環を表す。Ｌは単結合又は二価の連結基を表す。）」
である点で一致し，次の点で一応相違する。
相違点：
　本件発明は，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される」ものであって，当該前駆体が「一般式（Ａ２）で表される構造を有しており，前記前駆体を昇華精製してから，前記前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入することにより製造される」ものであるのに対して，
　引用発明は，そのような構成を有することが特定されていない点。
（２）相違点の判断
　前記２（２）エで述べた事項に照らせば，相違点に係る本件発明の発明特定事項は，「有機電界発光素子用材料」に，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」及び「１回昇華製造方法」によって製造されたものに含まれている各不純物とは異なる種類の不純物が含まれていないこと，及び，「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量が，「１回昇華製造方法」により製造された「有機電界発光素子用材料」に含まれている各不純物の含有量を上限とし，ゼロを下限とする数値範囲にあることを特定するものと解される。
　そこで，相違点について，各不純物の種類と，各不純物の含有量とに分けて，以下に述べる。
　ア　各不純物の種類について
（ア）　引用文献１には，引用発明の「化合物４−１」を如何なる方法により合成するのかについて説明されていないものの，「化合物４−１」は，前記４（２）ウで認定した周知技術における「アリール基の１つが重合性基を有するトリアリールアミン類」に該当する化合物であるから，当該周知技術を用いて合成すること，具体的には，下記構造式（１）で表される「前駆体」と下記構造式（２）で表される「重合性基導入物質」とを用いて合成することは，当業者にとって容易になし得たことである。
［前駆体の構造式（１）］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［重合性基導入物質の構造式（２）］　　　　　　　　　　　　　　　　
（イ）　ここで，構造式（１）で表される「前駆体」は，「第１プロセス要件」における「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体」であって，「一般式（２）で表される構造を有する前駆体」に該当するから，構造式（１）で表される「前駆体」と構造式（２）で表される「重合性基導入物質」とを用いて合成するという合成方法は，本願発明の「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」にほかならない。
　しかるに，「１回昇華製造方法」は，昇華精製前の「前駆体」に含まれる不純物の種類及びその含有量や，合成に用いる「重合性導入物質」に含まれる不純物の種類及びその含有量は任意なのであって，当該「１回昇華製造方法」により製造した「有機電界発光素子用材料」には，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」において想定し得る不純物は全て含まれているといえる。したがって，前述した「構造式（１）で表される前駆体と構造式（２）で表される重合性基導入物質とを用いて合成するという合成方法」により製造され，適宜の精製方法により不純物含有量を１００ｐｐｍ以下にした引用発明には，「１回昇華製造方法」によって製造された「化合物４−１」に含まれる各不純物とは異なる種類の不純物が含まれていないというべきである。
　また，イで後述するように，引用発明において，「構造式（１）で表される前駆体」について，「ケイソウ土ろ過にて不要物を除去し，飽和食塩水で洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した後，ロータリーエバポレータで減圧濃縮した後に，残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製する」等の手法で精製することは，引用文献１に記載されたも同然の事項であるところ，当該手法で精製した前駆体と，「１回昇華製造方法」で得られた前駆体とで，除去される不純物の種類が異なるとする根拠も見いだせない。
（ウ）　以上によれば，引用発明において，前述した周知技術を採用することによって，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」及び「１回昇華製造方法」によって製造されたものに含まれている各不純物とは異なる種類の不純物が含まれていないように構成することは，当業者が容易になし得たことである。
　イ　各不純物の含有量について
　引用文献１の［００７３］ないし［００８３］には，引用発明の「化合物４−１」とは異なる化合物であるものの，「化合物１−２」について，合成に用いる「化合物１−２のホルミル体（化合物１−２（ｆｏｒｍｙｌ））」（「化合物１−２」の前駆体に該当する。）として，ケイソウ土ろ過にて不要物を除去し，飽和食塩水で洗浄し，硫酸ナトリウムで乾燥した後，ロータリーエバポレータで減圧濃縮した後に，残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製したものを用い，さらに，合成後の「化合物１−２」について，飽和食塩水で洗浄し，硫酸マグネシウムで乾燥した後，ロータリーエバポレータで減圧濃縮した後，シリカゲルクロマトグラフィーによる精製を２回行い，続いて，酢酸エチルで再結晶を３回繰り返すことによって，不純物含有量が１００ｐｐｍ（ＨＰＬＣ純度が９９．９９％）である化合物１−２ｅが得られることが記載され，［０２７６］の［表１］には，当該化合物１−２ｅを用いて形成した有機発光素子１−５が，ＨＰＬＣ純度がより低い化合物１−２ａないし１−２ｄを用いて形成した有機発光素子１−１ないし１−４よりも，外部取り出し量子効率及び発光寿命に優れていることが示されている。
　引用発明の「化合物４−１」の不純物含有量を１００ｐｐｍ以下とするための精製対象や精製方法，精製回数等について引用文献１に明記はないが，前記「化合物１−２」に係る精製の手法を参考に，構造式（２）で表される「前駆体」に対して，洗浄，減圧濃縮，及びシリカゲルクロマトグラフィーを行うとともに，合成後の「化合物４−１」に対して，洗浄，減圧濃縮，２回のシリカゲルクロマトグラフィー，及び３回の再結晶を行い，必要に応じて，各シリカゲルクロマトグラフィーや再結晶の繰り返し回数を増やしたり，他の精製方法を追加する等を行うことで，「化合物４−１」の不純物含有量を１００ｐｐｍ以下とすることは，引用文献１に記載されたも同然の事項である。
　しかるに，前述したような手法で不純物濃度を１００ｐｐｍ以下とした引用発明の「化合物４−１」に含まれる各不純物の中に，その含有量が，「前駆体」に対して昇華精製を１回行う以外には，「前駆体」，「重合性基導入物質」及び「有機電界発光素子用材料」に対して精製を全く行わずに製造する「１回昇華製造方法」により製造された「化合物４−１」に含まれている各不純物の含有量を超えるようなものが存在するとは，技術常識からみておよそ考えられない。
　したがって，前記アで述べた構成の変更を行った（合成方法として周知技術を採用した）引用発明において，それに含まれている各不純物の含有量は，「１回昇華製造方法」により製造された「化合物４−１」に含まれている各不純物の含有量を上限とし，ゼロを下限とする数値範囲にあるものと推認される。
　ウ　予備的判断
　仮に，「１回昇華製造方法」により製造した「化合物４−１」に含まれる各不純物のうち少なくとも一つの不純物の含有量が，前記イで述べた「化合物１−２」に係る精製方法と同様な手法により精製した「化合物４−１」に含まれる当該不純物の含有量よりも小さくなる可能性がゼロとはいえないとした場合であっても，以下のとおり，本件発明は，引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，引用文献２の【０２７３】ないし【０２８２】，【０２８３】ないし【０２８７】，【０２９１】ないし【０２９５】（前記４（２）ア（ウ）を参照。）には，アリール基の１つが架橋基を有し，有機電界発光素子の正孔輸送材料として用いられるトリアリールアミン類（目的物１５，１７及び２０）を，ジアリールアミン類（目的物１２，１６及び１９）を前駆体として用い，架橋基を有するアリール類（目的物１４）で当該前駆体をアリール化するという方法で合成すること，並びに，合成に際して，前駆体である前記ジアリールアミン類，前記アリール類及び前記トリアリールアミン類のいずれにもシリカゲルクロマトグラフィー等の各種処理を施すことが記載されているところ，【００９１】には，化合物の精製方法として「昇華（常圧昇華，減圧昇華）」が例示されている。
　引用文献１には，引用発明の「化合物４−１」を如何なる方法により合成するのかについて説明されていないものの，「化合物４−１」は，引用文献２記載の目的物１５，１７及び２０と同様の「アリール基の１つが架橋基を有するトリアリールアミン類」に該当する化合物であるから，引用文献２記載の方法を用いて合成すること，具体的には，前記ア（ア）で述べた「構造式（１）で表される前駆体」と「構造式（２）で表される重合性基導入物質」とを用いて合成することは，引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易になし得たことである。
　また，「構造式（１）で表される前駆体」のようなアリールアミン類が昇華精製可能であることは当業者に自明であるから（例えば，特開２００７−２６６２０１号公報の【００１６】ないし【００１８】の記載や，特開平１０−３０６２２８号公報の【００５６】ないし【００５８】の記載を参照。），引用文献２の【００９１】の教示にしたがって，合成に用いる「構造式（１）で表される前駆体」の精製方法として昇華精製を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
　したがって，引用発明に，「水素結合性部位としてＮ−Ｈを有する前駆体であって，一般式（Ａ２）で表される構造を有する前駆体の水素結合性部位へ重合性基を導入するという合成方法」及び「１回昇華製造方法」によって製造されたものに含まれている各不純物とは異なる種類の不純物が含まれていないようにするとともに，各不純物の含有量が，「１回昇華製造方法」により製造された「化合物４−１」に含まれている各不純物の含有量を上限とし，ゼロを下限とする数値範囲にあるようにすること，すなわち，引用発明を，相違点に係る本件発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。
（３）効果について
　本件発明の効果は，引用文献１の記載及び周知技術に基づいて，又は引用文献１及び引用文献２の記載に基づいて，当業者が予測できた程度のものである。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから，本件発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，又は引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
６　むすび
　本願の請求項１に係る発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，又は引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。