【事件の表示】
　特願２０１２−２７３１９２「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　６月３０日出願公開、特開２０１４−１２０５５０、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年１２月１４日の出願であって、平成２８年７月１１日付けで拒絶理由通知（同年同月１９日送付）がされ、同年９月７日付けで意見書とともに手続補正書が提出され、同年１１月１日付けで拒絶査定（同年同月８日送達）がされ、これに対し、平成２９年１月３０日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、平成２８年９月７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの本願発明１は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　上面、側面及び下面を有し且つ前記側面が前記下面から前記上面に向かって広がるように傾斜する半導体構造と、前記半導体構造の下面側に設けられた正電極及び負電極と、前記半導体構造の側面に設けられた反射膜と、を備え、前記半導体構造の上面側から光を取り出す発光素子であって、
　前記半導体構造は、その上面において、内側に設けられた粗面領域と、外側に設けられた平坦領域と、を有し、
　前記反射膜は、前記半導体構造の側面全域に設けられている発光素子。」
第３　原査定の拒絶理由
　原査定の拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項：１−６
・引用文献等：１−４
・備考：
　引用文献１（特に［００１９］−［００６４］及び図１−７）には、半導体構造の上面に、内側に設けられた粗面領域と外側に設けられた平面領域とを有する発光素子が記載されている。また、フリップチップとすることも記載されている（フリップチップについては、引用文献２（特に図６）も参照されたい。）。
　引用文献３（特に［００２３］及び図３，４）や引用文献４（特に［００８３］−［００９０］及び図１５，１６）に記載されているように、Ａｌを含む金属反射層や誘電体多層膜を組み合わせて反射層を形成することも知られている。
　よって、請求項１−３，５，６に係る発明は、引用文献１−４に記載された発明から容易に想到し得るものである。また、請求項４に係る発明について規定された数値範囲に臨界的な意義は認められず、引用文献１に記載された発明における平坦領域は素子構造等に応じて適宜設計されるものであるから、設計変更にすぎない。
●理由２（実施可能要件）について
・請求項：１−６
・備考：
　発明の詳細な説明（［００１２］）には、「平坦領域」の機能について「平坦領域１０ａでは、上面に対して浅い角度で入射する光（入射角が大きい光）の取出しは全反射によって抑制され、上面に対して深い角度で入射する光（入射角が小さい光）が優先的に取り出される。この結果、発光素子全体として、斜め方向から観察される光の強度が大きくなるものと考えられる。」と記載されている。
　しかしながら、上記記載に基づくと、平坦領域に浅い角度で入射する光、すなわち斜め方向に出射しようとする光は全反射されるのであるから、浅い角度で入射する光が出射する平坦領域のない発光素子のほうが斜め方向から観察される光は大きい。例えば、臨界角より大きな角度（斜め方向９０°に近い角度）では、平坦領域のない発光素子のほうが出射効率が高い。
　よって、平坦領域の機能に関する上記説明は矛盾を含んでいる。
　また、上記説明の評価として図４に平坦領域ありの実施例と、平坦領域なしの比較例の相対強度の測定結果が示されている。
　図４ｂを参酌すると、どの角度においても、実施例のほうが比較例よりも相対強度が大きくなっている。すなわち、単純に発光素子から出射される光の量が大きくなっている。
　しかしながら、上記段落［００１２］の説明にもあるように、平坦領域があると、浅い角度で入射した光は全反射されるのであるから、臨界角以上の角度では平坦領域なしの比較例よりも相対強度は低くなるはずである。また、全反射された光は半導体構造等によって一部は吸収されるので、角度全体において比較例よりも相対強度が高くなることはない。
　よって、図４の測定結果も上記段落［００１２］の記載に対して矛盾を含んでいる。
　このように、発明の詳細な説明の記載は矛盾を含んでいるので、この出願の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１−６に係る発明を実施できる程度に十分かつ明確に記載したものでない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−６９６８０号公報
２．特開２００８−２０５２２９号公報
３．特開平１１−８７７７１号公報
４．特開２００７−２７３９７５号公報」
　また、平成２８年１１月１日付け拒絶査定の備考欄には、次の記載がある。
「●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項：１−４
・引用文献等：１−５
　出願人は意見書において、「引用文献１では、ＬＬＯの際に発生するＮ２ガスを素子部２０の外部に放出しやすくするために、保護層１５を敢えてテーパ面の一部に設けています（引用文献１の【００２４】、【００４５】参照。）。したがいまして、引用文献１においては、本願発明の特徴部である「側面の全面に反射膜が設けられている」という構成を得ることはできず、むしろ「側面の全面に反射膜を設ける」ことに対し阻害要因があると考えられます。」と主張している
。
　しかしながら、引用文献１の他に、例えば引用文献５（特に［００３９］−［００４３］及び図５−７）にもＬＬＯの際に発生するＮ２ガスを外部に放出する構成が記載されており、ＬＬＯの際にＮ２ガスを放出することは当業者にとって周知の事項であるから、Ｎ２ガスの放出路は適宜設計される事項である。（あるいは、引用文献５に記載された発明において、引用文献１のように成長基板に光取り出しのための凹凸構造を半導体層と接する部分に設けておくことも容易に想到し得るものである。）
　よって、ＬＬＯの際のＮ２ガスの放出を考慮して、かつ、側面全体に反射膜を設けることに格別の創意工夫は認められないので、上記主張は採用しない。
●理由２（特許法第３６条第４項第１号）について
・請求項：１−４
　出願人は意見書において、「平坦領域において全反射された光は、側面に設けられた反射膜により反対側斜め上方に反射されることになるため、斜め方向における発光強度が大きな発光素子とすることができます。もちろん、反射膜で反射された光の一部は平坦領域で再度反射されたり粗面領域で散乱されたりするはずですが、図４に示されるように、平坦領域がない場合に比較して平坦領域がある場合は斜め方向における配向が明らかに強まっている事から側面に設けられた反射膜により斜め上方に反射する成分のほうが支配的であることがわかるため、当業者であれば、段落【００１２】、【００２１】、及び【００３８】等の記載、並びに、図４（ｂ）、図４（ｃ）等から、請求項に係る発明を理解することができるものと思量いたします。」と主張している。
　しかしながら、上記下線を付した部分や、全ての領域で平坦部があるものの方が平坦部がないものより強度が強い理由が何ら主張されていない。よって、意見書の主張を参酌しても、結局のところ、なぜ平坦部があるものの方が、反射による吸収が少ないと考えられる平坦部がないものより（平坦部以外の構成は全て同じであり、放出される合計の光子数やエネルギーは同じであるにも関わらず）全体の強度（図４の−９０°〜＋９０°の間の積分値）が大きくなる（エネルギー保存側が破れる）のか把握することができない。
　したがって、この出願は、請求項１−４に係る発明について、当業者が実施できる程度に十分かつ明確に記載したものでない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１２−６９６８０号公報
２．特開２００８−２０５２２９号公報
３．特開平１１−８７７７１号公報
４．特開２００７−２７３９７５号公報
５．特開２０１０−１４１０８４号公報（新たに引用された文献；周知技術を示す文献）」
第４　引用文献
１　引用文献１について
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献１（特開２０１２−６９６８０号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審が付加した。以下同様。）。
（１）　「【特許請求の範囲】
（略）
【請求項３】
  第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を含む素子部と、
  前記第１の半導体層に形成された第１の電極と、
  前記第２半導体層の上に形成された第２の電極と、
  前記第２の電極の上に形成された接合層と、
  前記接合層を介して前記素子部を支持する支持体と、を有し、
  前記素子部は、前記第２の電極に対してテーパ状の傾斜面を備えるテーパ部、及び前記テーパ部によって囲まれた内側部からなり、
  前記第１電極の形成面側の前記テーパ部の表面は平坦であり、前記第１電極の形成面側の前記内側部の表面は複数の凸部又は凹部からなる凹凸形状を有することを特徴とする半導体発光素子。」
（２）　「【０００８】
  ＬＬＯ法を用いてＧａＮ系の半導体成長層から成長用基板を完全に除去する場合、レーザ光照射時に支持体から接着用金属材料が飛散し、Ｎ２ガスの放出経路に露出した半導体成長層の側面に金属材料が付着することがある。このような金属材料の付着は半導体発光素子のリーク不良を引き起こし、製造工程の歩留まりが低下する。
【０００９】
  このような問題点を解決するために、当該放出経路に露出した半導体成長層の側面の一部を保護膜によって被覆する方法が考えられる。かかる場合において、当該保護膜を容易且つ高精度に形成するために、当該放出経路幅が成長用基板に向かって徐々に狭くなるように半導体成長層の側面を成長用基板の表面に対して傾けることが重要になる。また、素子分割方法によっては、傾いた側面を意図せずとも設けられてしまう場合もある。
【００１０】
  しかしながら、上述したような
成長用基板の凹凸パターン上に形成された半導体成長層からＬＬＯ法によって成長用基板を除去する場合は、凹凸パターンを有しない成長用基板上に形成された半導体成長層からＬＬＯ法によって成長用基板を除去する場合と比較して、ＧａＮ層の分解時に発生するＮ２ガスの圧力が半導体成長層の厚さ方向（すなわち、成長方向）にかかる。これは、凹凸パターンがない成長用基板と半導体成長層との界面においては、Ｎ
２
ガスが半導体成長層の厚さ方向に直交する方向（以下、横方向と称する）に沿って外部に放出されやすいが、凹凸パターンがある成長用基板と半導体成長層との界面においては、当該凹凸パターンによってＮ
２
ガスが横方向に放出されにくくなるためである。Ｎ２ガスの圧力が半導体成長層の厚さ方向にかかりやすくなると、上述したような放出経路の底部（すなわち、成長用基板が露出した部分）の周囲における半導体成長層の層厚は薄いため、かかる薄い層厚の部分にクラックが発生しやすくなり、半導体発光素子の歩留まり及び信頼性が低下する。
【００１１】
  本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであり、その目的は、凹凸パターンが表面に形成された成長用基板をＬＬＯ法によって除去する際に、金属材料等の異物の付着を防止しつつ、半導体成長層におけるクラックの発生を防止することができる半導体発光素子の製造方法及びこれよって製造される半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
（略）
【００１３】
  また、上述した課題を解決するために、本発明の半導体発光素子は、第１の半導体層、活性層及び第２の半導体層を含む素子部と、前記第１の半導体層に形成された第１の電極と、前記第２半導体層の上に形成された第２の電極と、前記第２の電極の上に形成された接合層と、前記接合層を介して前記素子部を支持する支持体と、を有し、
前記素子部は、前記第２の電極に対してテーパ状の傾斜面を備えるテーパ部、及び前記テーパ部によって囲まれた内側部からなり、前記第１電極の形成面側の前記テーパ部の表面は平坦であり、前記第１電極の形成面側の前記内側部の表面は複数の凸部又は凹部からなる凹凸形状を有すること
（３）　「【００１６】
  以下、本発明の実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【実施例】
【００１７】
  先ず、図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照しつつ、本実施例に係る半導体発光素子の構造を説明する。図１（ａ）は本実施例に係る半導体発光素子の断面図であり、図１（ｂ）は半導体発光素子を構成する半導体成長層の拡大断面図であり、図１（ｃ）は半導体発光素子を構成する半導体成長層のｎ側電極形成面の平面図である。
【００１８】
  図１（ａ）に示されているように、
半導体発光素子１０は、
ｐ側電極１３、ｎ側電極１４、保護層１５及び素子部２０から構成されている。
素子部２０は、ｐ側電極１３からｎ側電極１４に向かって、ｐ−ＧａＮ層２１、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、活性層２３及びｎ−ＧａＮ層２４が順次積層された積層構造を有している。
【００１９】
  
素子部２０は、ｐ側の表面を垂直にｎ側の表面まで投影させた領域である四角柱の形状をした内側部２０ａと、内側部２０ａの周囲を囲むように形成された外側部であるテーパ部２０ｂ
と、から構成されている。
すなわち、図１（ａ）、（ｃ）に示されているように、素子部２０のｎ側の表面は、内部２０ａの表面領域である凹凸面領域２６と、テーパ部２０ｂの表面領域である平坦面領域２７とから構成されている。
【００２０】
  凹部２５は、図１（ｃ）におけるｘ軸方向に７列、当該ｘ軸と直交するｙ軸方向に７行、すなわち７行×７列のマトリックス状に形成されている。また、凹部２５は円柱形状を有しており、その深さは約１μｍであり、その底面の直径は約１μｍである。凹部２５同士の中心点間隔（ピッチ）は、約２μｍである。素子部２０の縁から最も外側に位置する凹部２５までの距離は約２０μｍである。なお、図１においては凹部２５を７行×７列に設けているが、これは簡略化して図示しているためであり、実際にはより多く、例えば約１０００行×１０００列である。なお、凹部２５の形状は、角錐、円錐、レンズ形状、半球状等の種々の形状であってもよい。また、凹部２５の寸法及び数量は、上述した内容に限定されず、半導体発光素子１０の特性に応じて適宜調整することができる。例えば、凹部２５の深さは１〜２μｍ、底面の直径は０．５〜３μｍ、ピッチは１〜５μｍの範囲に設定することができる。
【００２１】
  
素子部２０のテーパ部２０ｂは、ｐ側の表面からｎ側の表面に向かって素子部２０の側部が徐々に広がる傾斜面（以下、テーパ面２８と称する）を有している。
【００２２】
  支持体１１は、シリコン等の半導体基板である。接合層１２はＡｕＳｎＮｉ合金から構成され、支持体１１とｐ側電極１３とを電気的に接続しつつ、支持体１１とｐ側電極１３及び保護層１５の一部とを貼り合わせている。
【００２３】
  ｐ側電極１３は、ｐ−ＧａＮ層２１が位置する面（すなわち、ｐ側の表面）に形成されている。また、ｎ側電極１４は、ｎ−ＧａＮ層２４が位置する面（すなわち、ｎ側の表面）の凹凸面領域２５上の中央部に形成されている。ｐ側電極１３はＰｔ、Ａｇ、Ｔｉ及びＡｕが順次積層された構造を有し、ｎ側電極はＴｉ、Ｐｔ及びＡｕが順次積層された構造を有している。
【００２４】
  
保護層１５は、二酸化シリコン（ＳｉＯ
２
）からなる酸化膜である。保護層１５は、テーパ面２８の一部及び素子部２０のｐ側の表面の一部に形成されている。テーパ面２８の全面が保護層１５によって覆われていない理由は、後述するレーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）の際に発生するＮ
２
ガスを素子部２０の外部に放出しやすくしているためである。
（４）　「【００４４】
  ［保護層形成工程］
  次に、素子部２０のｐ側の表面及びテーパ面２８を覆う保護層１５を形成する。（図６（ａ））。図６は、半導体発光素子１０の製造方法における各製造工程を示す断面図である。
【００４５】
  具体的には、先ず、素子部２０及びサファイア基板３０を覆うようにレジストを塗布し、その後にフォトリソグラフィによって当該レジストをパターニングする。本実施例においては、保護層１５を形成する領域に開口が位置するようにレジストにパターニングを施す。続いて、スパッタリング、化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法、又は蒸着法等の公知の成膜技術を用いてＳｉＯ２を成膜する。ここで、電気的絶縁性、密着性及び強度を確保するために、ＳｉＯ２の層厚は約０．３μｍである。更に、パターニングしたレジスト及び不要なＳｉＯ２を除去することにより、保護層１５が完成する。ここで、保護層１５は、素子部２０のｐ側の表面の一部及び素子部２０のテーパ面２８の一部を覆うように形成される。より具体的には、後述するＬＬＯ時における金属材料等の異物の付着、及び半導体成長層４０の破壊等を考慮すると、
保護層１５は素子部２０のｐ側の表面から活性層２３の露出領域を少なくとも覆い、
（５）　「【００６４】
  なお、
本実施例においては上下に電極を設けたが、フリップチップとすることも考えられる。貼り合せ工程前にｎ側電極を露出させ、支持体側にｎ側電極、ｐ側電極を区画して設けた状態で貼り合せることによりフリップチップとなる。
（６）　図１は、次のものである。
（７）　上記（３）及び（５）の記載からみて、半導体発光素子を「フリップチップ」構造とした場合には、ｐ側電極１３とｎ側電極１４とを、支持体側に貼り合わせることができる面、すなわち、積層構造の下面側に設けることが読みとれる。
（８）　したがって、引用文献１には、次の発明（以下、「引用文献１発明」という。）が記載されていると認められる。
「　ｐ側電極１３と、ｎ側電極１４と、保護層１５と、
　前記ｐ側電極１３から前記ｎ側電極１４に向かって、ｐ−ＧａＮ層２１、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、活性層２３及びｎ−ＧａＮ層２４が順次積層された積層構造を有している素子部２０を有し、
　前記素子部２０は、ｐ側の表面を垂直にｎ側の表面まで投影させた領域である四角柱の形状をした内側部２０ａと、内側部２０ａの周囲を囲むように形成された外側部であるテーパ部２０ｂと、から構成されており、前記テーパ部２０ｂは、ｐ側の表面からｎ側の表面に向かって素子部２０の側部が徐々に広がる傾斜面であるテーパ面２８を有しており、
　前記保護層１５は、前記テーパ面２８の一部を覆うように形成され、
　より具体的には、前記保護層１５は前記素子部２０のｐ側の表面から前記活性層２３の露出領域を少なくとも覆い、
　前記ｎ側の表面は、凹凸面領域２６と、前記凹凸面領域の周囲を囲むように形成された平坦面領域２７とから構成され、
　前記ｐ側電極１３と前記ｎ側電極１４は、前記積層構造の下面側に設けられている、
半導体発光素子。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献２（特開２００８−２０５２２９号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）　「【００１３】
  （実施の形態１）
  図１に本発明の半導体発光装置１を示す。半導体発光装置１は、サブマウント２１上に、半導体発光素子１０が固定されている構造である。
【００１４】
  サブマウント２１には、引出電極２２，２３が形成されている。引出電極は半導体発光素子１０へ電流を印加するための電極である。半導体発光素子のｎ型層の側に接続するｎ側引出電極２２とｐ型層の側に接続されるｐ側引出電極２３がある。さらに図１では、引出電極は、スルーホール２６，２７を介して裏面電極２８，２９へ接続されている。これによって裏面電極２８，２９から半導体発光素子へ電流を流す事が出来る。なお、裏面電極もｎ側裏面電極２８とｐ側裏面電極２９がある。
（略）
【００２２】
  図２に半導体発光素子１０の断面図を、図３に基板上部方向からの平面図を示す。半導体発光素子１０は、基板１１、ｎ型層１２、活性層１３、ｐ型層１４、ｎ側電極１６、ｐ側電極１７からなる。
【００２３】
  基板１１は、発光層を保持する役目を負う。材質としては、絶縁性のサファイアを用いることができる。しかし、発光効率や発光する部分が窒化ガリウム（ＧａＮ）を母材とすることから、ｎ型層１２と基板１１との界面での光の反射を少なくするために発光層と同等の屈折率を有するＧａＮやＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮを用いるのが好適である。
【００２４】
  
発光層となるｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４は基板１１上に順次積層される。材質は特に制限はないが、窒化ガリウム系化合物であれば好ましい。
【００２５】
 
 このように基板１１上に積層したｎ型層１２と活性層１３とｐ型層１４の一部から、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させる。この露出させたｎ型層１２上に形成されたのが、ｎ側電極１６である。また、ｐ型層１４上に同じくｐ側電極１７が形成される。つまり、活性層１３とｐ型層１４を除去し、ｎ型層１２を露出させることで、発光層とｐ側電極およびｎ側電極は基板に対して同じ側の面に形成することができる。
（略）
【００２８】
  
半導体発光素子１０の側面は、発光層側から射光面に向かって長さＬが広がるような角度で傾斜面３１が形成される。傾斜面３１には、傾斜面全面に渡って反射層３３が形成される。
【００２９】
  傾斜面３１は、発光層から発せられた側面方向への光を射光面５５方向へ反射させる。
従って、射光面５５と傾斜面３１とのなす角度３４は、９０度より小さい。この角度３４が、大きくなると反射光が、射光面に対して浅い角度で入射することになるので、全反射する光が多くなる。つまり、半導体発光素子からの光取出し効率が低下する。
（略）
【００３４】
  図５には、図４で作製した発光素子部９を用いて半導体発光装置を作製する製造方法を示す。サブマウント２１となる材料上に、引出電極２２，２３を形成する。必要に応じてスルーホールや、裏面電極も形成しておく。引出電極２２，２３にはバンプ２４，２５を形成しておく。そして、発光素子部９を溶着させる（図５（Ａ））。
（略）
【００３８】
  （実施の形態２）
  図６に本実施の形態の半導体発光装置２の構成を示す。
半導体発光装置２は、射光面５５に反射防止処理５７が施される。反射防止処理を行なうことで、基板内を進む光で射光面に浅い角度で入射する光が全反射するのを防止し、半導体発光素子からの光取出し効率が向上する。
【００３９】
  図７に半導体発光装置２の製造方法を示す。発光素子部９を引出電極やバンプが形成されたサブマウント上に溶着し、補強材を充填した後、研磨するのは図５の場合と同じである（図７（Ｃ））。
【００４０】
  次に研磨した射光面５５に微小な凹凸構造を形成する（図７（Ｄ））。微小な凹凸構造は射光面での全反射を防ぎ、光の取り出し効率を向上させる。」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献３（特開平１１−８７７７１号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）　「【００２３】本発明において、
絶縁膜２４の材料としては、少なくとも絶縁性であれば良く、例えばＳｉＯ
2
、ＴｉＯ
2
、Ａｌ
2
Ｏ
3
、Ｓｉ
3
Ｎ
4
等を用いることができる。好ましくは絶縁反射鏡膜、例えばＳｉＯ
2
及びＴｉＯ
2
を積層して形成した膜、ＳｉＯ
2
／Ａｌ／ＳｉＯ
2
のように絶縁膜と金属の積層によって形成した膜が好ましく、また単層の絶縁膜としては、サファイア及び窒化ガリウムの熱膨張係数に近い窒化シリコン（Ｓｉ
3
Ｎ
4
）が好ましい。
４　引用文献４について
　原査定の拒絶理由に引用された引用文献４（特開２００７−２７３９７５号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）　「【００８３】
  （実施の形態７）
  次に、実施の形態７による発光素子について説明する。図１５は、実施の形態７による発光素子の構造を示す断面図である。
図１５に示すように、実施の形態７による発光素子は、実施の形態１〜４の発光素子の反射層２として、アルミニウム、銀又は銀合金からなる金属層２３と、この金属層２３の上に積層されたＤＢＲ２４とによって構成される反射層２ｃを採用したことを特徴としている。この反射層２ｃにおけるＤＢＲ２４の上に半導体層１が形成される。即ち、実施の形態７による発光素子は、実施の形態６による発光素子におけるＤＢＲの下面にさらに金属層が積層された構成である。
（略）
【００９０】
  以上説明したように実施の形態７による発光素子によれば、
反射層２ｃがＤＢＲ２４と金属層２３とによって構成されたため、各層が補い合って０度から９０度までの広い範囲の入射角にわたって反射層２ｃの反射率が高められ、光取り出し効率がより高められる。
５　引用文献５について
　原査定の拒絶査定の備考欄で引用された引用文献５（特開２０１０−１４１０８４号公報）には、図面ともに次の事項が記載されている。
（１）　「【００１２】
  上述した課題を解決するために、本発明の半導体発光素子の製造方法は、
成長用基板の表面に半導体発光素子領域を画定する複数の分離溝を形成する溝形成工程
【発明の効果】
【００１３】
  本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、
成長用基板の表面に半導体発光素子領域を画定する複数の分離溝を形成し、成長用基板上に成長層を形成し、成長層上に第１の電極を形成し、成長層を分離し、分離溝の内部と外部とにおいて離間した絶縁膜を形成し、分離溝の内部と外部とにおいて離間したパッド電極を形成し、パッド電極を覆う金属層を分離溝の外部に形成し、成長用基板を成長層から剥離することにより、成長用基板、成長層、絶縁膜、パッド電極及び金属層に囲まれた空隙を形成することができる。当該空隙を通して、成長用基板の剥離時に発生するガスが外部に放出されるので、成長用基板の剥離時における成長層表面でのクラック発生を防止することができる。
（２）「【００２８】
（絶縁膜形成工程）
  成長層１４がチップ毎に分離された後、凸部１３上に形成された成長層１３及びｐ電極１５を覆うように、真空蒸着法又はスパッタ法等の公知の成膜技術によって絶縁膜１７ａが形成される。また、分離溝１２の底面上には絶縁膜１７ｂが形成されるが、分離溝１２の深さが絶縁膜１７ｂの成膜量よりも深いことから、成長層１４の側面に形成された絶縁膜１７ａと分離溝１２の底面上に形成された絶縁膜１７ｂとは分離（段切れ）した状態となる。すなわち、分離溝１２の内部の絶縁膜１７ｂと分離溝１２の外部の絶縁膜１７ａとは、分離している。
絶縁膜１７ａ、１７ｂの材料としては、成長層１４を構成する活性層１４Ｄにおいて発光した光を反射することができる材料が望ましく、例えば、ＳｉＯ
2
を用いることができる。
【００２９】
  次に、絶縁膜１７ａ上にレジストが塗布される。続いて、フォトリソグラフィによって当該レジストがパターンニングされる。更に、パターンニングされたレジストをマスクとして絶縁膜１７ａにドライエッチングが施され、絶縁膜１７ａに開口部１８が形成される。開口部１８が形成されることにより、ｐ電極１５が露出することになる。開口部１８が形成された状態の断面図を図５（ｂ）に示す。
なお、絶縁膜１７ａは、成長層１４の側面のみならず、ｐ電極１５の周囲にも形成されているため、成長層１４を構成する活性層１４Ｄにおいて発光した光が効率よく反射されることになる。
（３）　「【００３９】
（成長用基板剥離工程）
  導電性支持体貼り合わせ工程の終了後、サファイア基板１１が成長層１４から剥離される。サファイア基板１１の剥離には、レーザリフトオフ（Laser Lift Off：ＬＬＯ）等の公知の手法を用いることができる。レーザリフトオフにおいては、サファイア基板１１側からレーザが照射されることにより（図６（ｂ））、レーザ光のエネルギーがサファイア基板１１との界面付近の成長層１４で吸収される。更に、吸収されたエネルギーが熱に変換されることにより、サファイア基板１１上に形成されているＧａＮ層が金属ＧａとＮ2ガスに分解される。なお、レーザリフトオフにおいて使用されるレーザには、例えば、ＹＡＧレーザやエキシマレーザ等を用いることができる。
【００４０】
  また、図７は、図６（ｂ）の破線で囲まれた領域７の拡大図である。図７に示されているように、
レーザ光の照射によってサファイア基板１１と成長層１４と界面付近で発生したＮ
2
ガスは、サファイア基板１１と成長層１４と界面付近からサファイア基板１１と成長層１４との空隙部分である分離溝１２に流れ込むことになる。ここで、分離溝１２はサファイア基板１１の外部に連通しているので、分離溝１２に流れ込んだＮ
2
ガスは、分離溝１２からウエハ外部へと放出される。これにより、レーザ光の照射によって発生したＮ
2
ガスがサファイア基板１１と成長層１４と界面付近に滞留することがなくなり、Ｎ
2
ガスの圧力による成長層１４の破損を防止することができる。
【００４１】
  また、図２（ｂ）に示されたように分離溝１２を形成した場合にも、分離溝１２はサファイア基板１１の端部にまで形成されているので、レーザリフトオフ時に発生するＮ2ガスを外部に放出することができる。
【００４２】
  一方、図３（ａ）に示されているような、チップ形成領域３１のそれぞれが独立した１つの分離溝１２によって囲まれるように、分離溝１２が形成されている場合には、半導体発光素子の周辺（すなわち、分離溝１２）に、Ｎ2ガスが残留することになる。このため、図３（ａ）で示されたように分離溝１２を形成する場合には、分離溝１２に残留したＮ2ガスの圧力により半導体発光素子の破損が発生しないように、分離溝１２の大きさを調整する必要がある。
【００４３】
  また、図３（ｂ）に示されたような、分離溝１２の各々を隣接する他の分離溝１２に連通させた場合には、分離溝１２同士の連通により、レーザリフトオフ時に発生するＮ2ガスをサファイア基板１１の表面全体に分散することができる。かかるＮ2ガスの分散により、チップ毎の破損を防止することができる。すなわち、チップ形成領域３１のそれぞれから発生するＮ2ガスの量に差がある場合においても、Ｎ2ガスの発生量が多いチップのみが破損するような問題が無くなる。
【００４４】
  次に、導電性支持体２２が貼り合わされたウエハを３０度以上で加熱することにより、サファイア基板１１を容易に剥離することができる（図６（ｃ））。このような加熱によってサファイア基板１１が容易に剥離することができる理由は、レーザ光の照射によってＧａＮ層から分解された金属Ｇａの融点が比較的低い温度（約３０℃）であり、金属Ｇａが容易に融点に到達するからである。なお、サファイア基板１１が剥離された後には、ｎ型半導体層１４Ｃ又は下地ＧａＮ層１４Ｂが表出する。
【００４５】
（粗面化工程）
  次に、
前述の成長用基板剥離工程により露出した成長層１４の表面に、光取り出し効率の向上に有効な突起２３が形成される。
第５　当審の判断
１　理由１（進歩性）について
（１）　本願発明１について
ア　対比・一致点・相違点
　本願発明１と引用文献１発明とを対比する。
（ア）　引用文献１発明の「ｐ側電極１３からｎ側電極１４に向かって、ｐ−ＧａＮ層２１、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、活性層２３及びｎ−ＧａＮ層２４が順次積層された積層構造を有している素子部２０」、及び、
「前記素子部２０は、素子部２０は、ｐ側の表面を垂直にｎ側の表面まで投影させた領域である四角柱の形状をした内側部２０ａと、内側部２０ａの周囲を囲むように形成された外側部であるテーパ部２０ｂと、から構成されており、前記テーパ部２０ｂは、ｐ側の表面からｎ側の表面に向かって素子部２０の側部が徐々に広がる傾斜面であるテーパ面２８を有」する構成は、
素子部２０が、ｐ−ＧａＮ層２１、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２２、活性層２３及びｎ−ＧａＮ層という半導体層からなる構造であり、前記素子部２０は、ｎ側の表面を上面とすると、ｐ側の表面が下面であり、テーパ面が側面という位置関係となることからみて、
本願発明１の「上面、側面及び下面を有し且つ前記側面が前記下面から前記上面に向かって広がるように傾斜する半導体構造」に相当する。
（イ）　引用文献１発明の「前記ｐ側電極１３と前記ｎ側電極１４は、前記積層構造の下面側に設けられている」構成は、半導体発光素子の技術常識からみて「ｐ側電極」が正電極、「ｎ側電極」が負電極であることは明らかであるから、本願発明１の「前記半導体構造の下面側に設けられた正電極及び負電極」に相当する。
（ウ）　本願発明１の「前記半導体構造の側面に設けられた反射膜」と、引用文献１発明の「前記テーパ面２８の一部を覆うように形成され」た「保護層１５」は、「前記半導体構造の側面に設けられた膜」という点で一致する。
（エ）　引用文献１発明の「前記ｎ側の表面は、凹凸面領域２６と、前記凹凸面領域の周囲を囲むように形成された平坦面領域２７とから構成される」ことは、本願発明１の「前記半導体構造は、その上面において、内側に設けられた粗面領域と、外側に設けられた平坦領域と、を有」することに相当する。
（オ）　引用文献１発明の「半導体発光素子」は、本願発明１の「発光素子」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用文献１発明とは、
（一致点）
「　上面、側面及び下面を有し且つ前記側面が前記下面から前記上面に向かって広がるように傾斜する半導体構造と、前記半導体構造の下面側に設けられた正電極及び負電極と、前記半導体構造の側面に設けられた膜と、を備えた発光素子であって、
　前記半導体構造は、その上面において、内側に設けられた粗面領域と、外側に設けられた平坦領域と、を有している発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）
　前記半導体構造の側面に設けられた膜が、
本願発明１では、「反射膜」であり、かつ、「前記半導体構造の側面全域に設けられている」のに対し、
引用文献１発明では、「保護層１５」であり、かつ、「前記素子部２０のｐ側の表面から前記活性層２３の露出領域を少なくとも覆」う構成である点。
（相違点２）
　発光素子が、本願発明１では、「前記半導体構造の上面側から光を取り出す」ものであるのに対し、引用文献１発明の半導体発光素子は、光を取り出す方向について記載がない点。
イ　相違点についての検討
（ア）　上記相違点１について検討する。
ａ　引用文献１の段落【００２４】に「保護層１５は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる酸化膜である。
保護層１５は、テーパ面２８の一部及び素子部２０のｐ側の表面の一部に形成されている。テーパ面２８の全面が保護層１５によって覆われていない理由は、後述するレーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser Lift Off）の際に発生するＮ
２
ガスを素子部２０の外部に放出しやすくしているためである。
　一方、半導体発光素子において、反射層は、発光素子の発光効率を高めるために配置するものであるため、反射を可能とする面積が大きな位置に配置するのが技術常識といえるものの、引用文献１の保護層１５がテーパ面２８の全面を覆わないものであるのは、レーザリフトオフを利用するので、Ｎ２ガスを放出する経路を確保するためであり、仮に、反射層を設けるとしても保護層１５を反射膜とし、かつ、「側面全域」に設けることには阻害要因がある。
　また、引用文献２〜４には、発光素子の一般的な反射膜の構成について記載されているものの、「半導体構造の側面に反射膜を形成するものではないため」、引用文献１の保護層に代えて、引用文献２〜４に記載された反射膜を採用することの動機付けがあるとはいえない。
ｂ　引用文献１発明は、段落【００１０】〜【００１３】に記載されているように、「上述したような成長用基板の凹凸パターン上に形成された半導体成長層からＬＬＯ法によって成長用基板を除去する場合は、凹凸パターンを有しない成長用基板上に形成された半導体成長層からＬＬＯ法によって成長用基板を除去する場合と比較して、ＧａＮ層の分解時に発生するＮ２ガスの圧力が半導体成長層の厚さ方向（すなわち、成長方向）にかかる。・・・（略）・・・Ｎ２ガスの圧力が半導体成長層の厚さ方向にかかりやすくなると、上述したような放出経路の底部（すなわち、成長用基板が露出した部分）の周囲における半導体成長層の層厚は薄いため、かかる薄い層厚の部分にクラックが発生しやすくなり、半導体発光素子の歩留まり及び信頼性が低下する。」ことを課題とし、
当該課題を解決するために、「前記素子部は、前記第２の電極に対してテーパ状の傾斜面を備えるテーパ部、及び前記テーパ部によって囲まれた内側部からなり、前記第１電極の形成面側の前記テーパ部の表面は平坦であり、前記第１電極の形成面側の前記内側部の表面は複数の凸部又は凹部からなる凹凸形状を有する」ようにしたものである。
　一方、引用文献５には、凹凸パターンを有さない成長用基板に形成した半導体成長層を除去する際に発生するＮ２ガスを、成長用基板の表面に形成した分離溝により外部に放出して、成長用基板の剥離時における成長層表面でのクラック発生を防止する技術が記載されている。
　したがって、引用文献１のような凹凸パターンを有する成長用基板に形成した半導体成長層を除去するものに、異なる成長用基板を用いた上記の技術を適用することに、技術的な困難性がある。
　よって、引用文献１発明に、引用文献５に記載された反射膜を適用する動機があるとはいえない。
  そして、本願発明１の「前記半導体構造の側面全域に設けられている」「反射膜」は、「前記半導体構造は、その上面において、内側に設けられた粗面領域と、外側に設けられた平坦領域」を有する構成と合わせて、斜め方向における相対発光強度を大きくする効果を奏するものである。
（イ）　上記のとおりであるから、本願発明１の相違点１に係る構成は、引用文献１発明及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
ウ　まとめ
　相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１発明及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２）　本願発明２〜本願発明４について
 　本願発明２〜本願発明４も、本願発明１の相違点１に係る構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、引用文献１発明及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
２　理由２（実施可能要件）について
　原査定の拒絶理由で指摘した平坦領域の機能に関する点については、
審判請求書の「原査定の備考欄には『なぜ平坦部があるものの方が、反射による吸収が少ないと考えられる平坦部がないものより全体の強度が大きくなるのか把握することができない』と記載されています。しかしながら、本件明細書の段落［００３７］に記載されているとおり、図４に示す配光特性はあくまで相対的なものであり、絶対的なものではありません。つまり、
図４は、本願発明の発光素子（半導体構造の上面において外側が平坦部で内側が粗面となっているもの）の発光スペクトルにおける０度の発光強度と従来の発光素子（半導体構造の上面に平坦部がなく全域が粗面となっているもの）の発光スペクトルにおける０度の発光強度とを規格化して「１」としたときのデータ
図４から明らかなように、本願発明はあくまでも、従来の発光素子に比較して、正面方向における強度に対する斜め方向における強度の割合をより大きくすることができるというものです。
 　また、当業者であれば、本願明細書の段落［００１２］、［００２１］及び［００３８］等の記載、並びに、図４（ｂ）、図４（ｃ）等から、本願発明おいて上記作用効果が得られることも当然に理解することができるはずです（詳細は、平成２８年９月７日付意見書「３．」の「（２）」をご参照ください）。 
 　以上のことから、本願は、請求項１〜４に係る発明について、当業者が実施できる程度に十分かつ明確に記載したものであると思量致します。」との釈明により、本願の明細書の図４の実施例と比較例の相対発光強度の関係を理解することができ、その結果、拒絶の理由で指摘した平坦領域の機能に関する矛盾点が解消した。
第６　原査定について
１　理由１（進歩性）について
　以上のとおり、本願発明１〜本願発明４は、「前記半導体構造の側面に設けられた反射膜」であって、「前記反射膜は、前記半導体構造の側面全域に設けられている」という事項を有しており、当業者であっても、拒絶査定において引用された引用文献１〜５に基づいて、容易に発明できたものとはいえない。
２　理由２（実施可能要件）について
　以上のとおり、本願発明１〜本願発明４は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に適合しないから同法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。