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　特願２０１４−　９４８１２「線形性を改善するために可変マッチング回路を有する増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月２５日出願公開、特開２０１４−１８００１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年８月１６日（パリ条約による優先権主張　２００９年８月１４日、２０１０年２月３日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願の一部を平成２６年５月１日に新たに特許出願したものであって、平成２６年５月２７日付けで手続補正がなされ、同年１０月３１日付け拒絶理由通知に対して平成２７年１月２６日付けで手続補正がなされたが、同年４月２４日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年９月１１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされ、平成２８年８月３日付け当審の拒絶理由通知に対して同年１２月２２日付けで手続補正がなされ、平成２９年４月７日付け当審の最後の拒絶理由通知に対して同年８月８日付けで手続補正がなされたものである。
第２　平成２９年４月７日付け当審の最後の拒絶理由の概要
　当該最後の拒絶理由（以下、「先の拒絶理由」という。）の概要は以下のとおりである。
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号、第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）請求項１、請求項１１、請求項１５には「前記パワー増幅器は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり」と特定され、また、請求項１９には「前記パワー増幅する手段は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり」と特定されているが、この第１のタイプと第２のタイプがどのように「異なる」か不明である。なお、請求項５及び請求項１２の特定事項（第１のタイプである他のトランジスタはＮＭＯＳ、第２のタイプであるトランジスタはＰＭＯＳ）は明確であると認められる。よって、請求項５及び請求項１２を除いた残りの請求項に係る発明は明確でない。 
　そして、請求項１、請求項１１、請求項１５、請求項１９の解釈として、パワー増幅器（パワー増幅する手段）と可変キャパシタのトランジスタがとにかく「異な」りさえすれば何でも含まれるから、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項５及び請求項１２を除いた残りの請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
（補正により、独立請求項から「前記トランジスタは、第１のキャパシタンス対電圧（ＣＶ）カーブを有し、前記他のトランジスタは、前記第１のＣＶカーブがちょうど反転された第２のＣＶカーブを有しており」が削除されたことにより、当該理由が発生したものである。） 
（２）請求項１、請求項１１、請求項１５、請求項１９で補正された「前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタ」における「電圧」がどのような電圧か不明である。よって、請求項１ないし１９に係る発明は明確でない。 
（請求人は、平成２８年１２月２２日付け意見書において、補正の根拠は図６と段落【００２７】である旨を主張している。段落【００２７】には「Ｖｂｉａｓ２」と記載されている点に注意されたい。） 
（３）請求項１、請求項１１、請求項１５、請求項１９において、インダクタとシャント可変キャパシタ（トランジスタ）は、その両端がそれぞれ何と結合されているのか明記されているが、固定キャパシタは、一端の結合しか明記されておらず不明りょうである。また、固定キャパシタのもう一端がどこに結合されているのか明記がないので、固定キャパシタとインダクタ、シャント可変キャパシタ（トランジスタ）との配置関係（直列や並列などの接続関係）も不明である。なお、請求項１０には、固定キャパシタの両端がそれぞれ何と結合されているのか明記されているので、明確である。よって、請求項１０を除いた残りの請求項に係る発明は明確でない。 
　そして、請求項１、請求項１１、請求項１５、請求項１９の解釈として、固定キャパシタの明記されていないもう一端の結合が特定されていないため、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項１０を除いた残りの請求項に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
（４）請求項１及び請求項１１において「入力」とは、可変マッチング回路の入力と記載されているから、可変マッチング回路の入口（１箇所）を指すものと認められる。しかし、請求項６及び請求項１３における「第１の入力」と「第２の入力」とは２つの入力（入口）があるとも解され、「第１」及び「第２」がどのような構成を示しているのか不明である。よって、請求項６及び９、請求項１３及び１４に係る発明は明確でない。 
　そして、請求項６、請求項１３の解釈として、第１の入力と第２の入力とがそれぞれ別々の入力も含まれるから（例えば、第１の入力と第２の入力が並列接続されたもの。）、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。更に、請求項６、請求項１３における「前記トランジスタの前記ドレイン及びソーズは回路グランドに結合される」ことは、本願明細書に記載のない事項である（段落【００２７】によれば、ドレイン及びソースは、Ｖｂｉａｓ２に結合されると記載されている。ここで、グランドとＶｂｉａｓ２が同一とは認められない。）。よって、請求項６及び９、請求項１３及び１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
（５）トランジスタのゲートは、請求項１では「入力」（可変マッチング回路の入力）に結合されると特定され、請求項９では「バイアス電圧」に結合されると特定されているが、入力とバイアス電圧とが同一ではないことからすると、バイアス電圧とはどこに設けられたものか明記がなく、入力とバイアス電圧との位置（配置）関係が不明である。また、バイアス電圧は、何を介してトランジスタのゲートと結合されているかも不明である。よって、請求項９に係る記載は明確でない。 
 　そして、請求項９の解釈として、どこにどのように備えられたバイアス電圧であるか特定されていないので、本願明細書の記載を超えたものまで当該請求項に含まれてしまう。よって、請求項９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
第３　平成２９年８月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２９年８月８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　平成２９年８月８日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は特許請求の範囲についてするもので、出願人は同日付け意見書において、本件補正前（平成２８年１２月２２日付け手続補正書）の請求項１、請求項１１、請求項１５は、それぞれ本件補正の請求項１、請求項８、請求項１１とした旨を主張している。
　そのうち請求項１１については、
　本件補正前（平成２８年１２月２２日付け手続補正書の請求項１５）に、
　「出力無線周波数（ＲＦ）信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数（ＲＦ）信号を増幅することと、
　可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、
　を備え、
　前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、トランジスタとを含むシャント可変キャパシタを備え、
　前記パワー増幅器は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり、
　前記可変マッチング回路は、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、
　前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、
　前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている
　信号増幅の方法。」
とあったところを、
　本件補正により、
　「出力無線周波数（ＲＦ）信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数（ＲＦ）信号を増幅することと、
前記パワー増幅器は、ＮＭＯＳトランジスタを備え、
　可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、
　を備え、
　前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、
ＰＭＯＳ
、
　
前
　前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び
、回路グランド又はバイアス電圧を備える
　前記
ＰＭＯＳ
　前記固定キャパシタの
第１の入力
、前記固定キャパシタの第２の入力は、前記電圧が前記バイアス電圧を備えるとき、前記回路グランドに結合され、前記固定キャパシタの前記第２の入力は、前記電圧が前記回路グランドを備えるとき、前記ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲートに結合される、
　信号増幅の方法。」
とするものである。
　なお、下線部は補正箇所を示すもので、当審で付与した。
２．補正の適否
　審判請求人は平成２９年８月８日付け意見書において、本件補正による請求項１１（以下、「本件補正１１」という。）は、本願の図６及び明細書の段落【００３６】の実施形態の両方を表すように、固定キャパシタの結合がより明確になるように補正をした旨を主張している。
　そこで、本件補正１１（特に後段）における補正の適否を検討する。
　本願の図６（本願明細書の段落【００２７】も合わせて参照。）には、「固定キャパシタ５４０」の一方が「ノードＡ（可変マッチング回路の入力）」と結合され、他方が「回路／ＡＣグランド」と結合されていることが記載されている。また、「ＰＭＯＳトランジスタ５４２」のゲートが「ノードＡ（可変マッチング回路の入力）」と結合され、ドレイン及びソースが「Ｖbias2電圧」と結合されていることが記載されている。
　そうすると、本件補正１１のうち、電圧としてバイアス電圧を備える場合についての「前記可変マッチング回路の前記入力及び、・・・
バイアス電圧を備える
前記バイアス電圧を備えるとき
　一方、本願明細書の段落【００３６】に記載された実施形態には、固定キャパシタ５４０とＰＭＯＳトランジスタ５４２を（図６に示すように並列接続する代わりに、）直列に結合させたものであって、「固定キャパシタ５４０」の一方が「ノードＡ（可変マッチング回路の入力）」と結合され、他方が「ＰＭＯＳトランジスタ５４２のゲート」と結合されていることが記載されている。また、「ＰＭＯＳトランジスタ５４２」のゲートが「固定キャパシタ５４０、Ｖbias2電圧」と結合され、ドレイン及びソースが「回路／ＡＣグランド」に結合されていることが記載されている。
　しかしながら、本件補正１１のうち、電圧として回路グランドを備える場合についての「前記可変マッチング回路の前記入力及び、
回路グランド
を備える
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され
前記固定キャパシタの第１の入力は、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され
前記第２の入力は
回路グランドを備えるとき
前記ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲートに結合され
　なお、本件補正１１は、本件補正前の請求項１と請求項６、請求項９と同様の構成を含むものとなり、先の拒絶理由の（４）及び（５）（上記「第２（４）、（５）」を参照。）を依然として解消していない。
　よって、本件補正１１は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる「明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）」を目的とするものに該当しない。
　また、本件補正１１が、同項第１号に掲げる「請求項の削除」を目的とするもの、同項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするもの（トランジスタと固定キャパシタの結合関係を追加し、２通りの結合関係を含めたため、寧ろ特許請求の範囲の拡張といえる。）、若しくは同項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当しないのは明らかである。
３．むすび
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第４　本願について
１．本願の特許請求の範囲
　平成２９年８月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１９（以下、「本願の請求項１ないし１９」という。）は、平成２８年１２月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲のとおりのものである。
【請求項１】
　入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信し、増幅し、出力ＲＦ信号を提供するパワー増幅器と、
　固定キャパシタおよびトランジスタを含むシャント可変キャパシタを備え、前記パワー増幅器に結合され、入力における固定インピーダンスを、前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンスに一致させる可変マッチング回路とを備え、
　前記パワー増幅器は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり、
　前記可変マッチング回路は、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、
　前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、
　前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている装置。
【請求項２】
　前記パワー増幅器の前記入力における前記可変インピーダンスは、前記入力ＲＦ信号の電力レベル対前記パワー増幅器の可変入力キャパシタンスに起因する請求項１の装置。
【請求項３】
　前記可変マッチング回路に結合され、第１のＲＦ信号を受信し、増幅し、前記可変マッチング回路に第２のＲＦ信号を提供するドライバ増幅器
　を更に備える請求項１の装置。
【請求項４】
　前記可変マッチング回路の前記入力における前記固定インピーダンスは、前記ドライバ増幅器のターゲット出力インピーダンスと等しい
　請求項３の装置。
【請求項５】
　前記他のトランジスタは、ＮＭＯＳ（N-channel metal oxide semiconductor）トランジスタを含み、
　前記トランジスタは、ＰＭＯＳ（P-channel metal oxide semiconductor）トランジスタを含む
　請求項１の装置。
【請求項６】
　第１の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第２の入力は前記トランジスタのゲートに結合され、
　前記トランジスタの前記ドレイン及びソースは回路グランドに結合される、
　請求項１の装置。
【請求項７】
　前記他のトランジスタは、前記トランジスタの前記ゲートに印加される第１のバイアス電圧を受信するゲートを備え、
　前記トランジスタは、第２のバイアス電圧を受信する前記ドレイン及び前記ソースを更に有する
　請求項１の装置。
【請求項８】
　前記第２のバイアス電圧は可変であり、前記入力ＲＦ信号の電力レベルに基づいてセットされる
　請求項７の装置。
【請求項９】
　前記トランジスタのゲートに結合されるバイアス電圧を更に備える
　請求項６の装置。
【請求項１０】
　第１の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第２の入力はグランドに結合され、前記固定キャパシタの前記第１の入力と前記トランジスタの前記ゲートは同じノードに結合される
　請求項７の装置。
【請求項１１】
　第１の無線周波数（ＲＦ）信号を受信し、増幅し、第２のＲＦ信号を提供するドライバ増幅器と、
　第３のＲＦ信号を受信し、増幅し、第４のＲＦ信号を提供するパワー増幅器と、
　固定キャパシタおよびトランジスタを含むシャント可変キャパシタを備え、前記ドライバ増幅器及び前記パワー増幅器の間に結合され、前記第２のＲＦ信号を受信し、前記第３のＲＦ信号を提供し、前記ドライバ増幅器の出力における固定インピーダンスを、前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンスに一致させる可変マッチング回路と、
　を備え、
　前記パワー増幅器は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり、
　前記可変マッチング回路は、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、
　前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、
　前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の入力に結合されている集積回路。
【請求項１２】
　前記パワー増幅器は、ＮＭＯＳ（N-channel metal oxide semiconductor）トランジスタを含み、
　前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、ＰＭＯＳ（P-channel metal oxide semiconductor）トランジスタを含む
　請求項１１の集積回路。
【請求項１３】
　第１の入力を有する前記固定キャパシタは前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、第２の入力は前記トランジスタのゲートに結合され、
　前記トランジスタの前記ドレイン及びソースは回路グランドに結合される、
　請求項１１の集積回路。
【請求項１４】
　前記可変マッチング回路の前記シャント可変キャパシタは、並列に結合される前記トランジスタ及び前記固定キャパシタを備え、
　前記トランジスタは、前記第３のＲＦ信号の電力レベル対可変キャパシタンスを提供する
　請求項１３の集積回路。
【請求項１５】
　出力無線周波数（ＲＦ）信号を得るために、パワー増幅器で、入力無線周波数（ＲＦ）信号を増幅することと、
　可変マッチング回路の入力における固定インピーダンス及び前記パワー増幅器の入力における可変インピーダンス間のインピーダンス・マッチングを実行することと、
　を備え、
　前記可変マッチング回路は、固定キャパシタと、トランジスタとを含むシャント可変キャパシタを備え、
　前記パワー増幅器は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり、
　前記可変マッチング回路は、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合された前記シャント可変キャパシタとを備え、
　前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、
　前記固定キャパシタは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合されている　信号増幅の方法。
【請求項１６】
　ドライバ増幅器で第１のＲＦ信号を増幅することと、
　前記可変マッチング回路へ第２のＲＦ信号を提供することと、
　を更に備える請求項１５の方法。
【請求項１７】
　前記入力ＲＦ信号を増幅することは、前記パワー増幅器における他のトランジスタで前記入力ＲＦ信号を増幅することを備え、
　前記インピーダンス・マッチングを実行することは、前記入力ＲＦ信号の電力レベル対前記他のトランジスタのキャパシタンスの変化について補正するために前記可変マッチング回路における前記トランジスタのキャパシタンスを変化させることを含む
　請求項１５の方法。
【請求項１８】
　前記入力ＲＦ信号の電力レベルに基づいて、前記トランジスタのバイアス電圧を調整することを更に備える
　請求項１７の方法。
【請求項１９】
　出力無線周波数（ＲＦ）信号を得るために、入力無線周波数（ＲＦ）信号をパワー増幅する手段と、
　インピーダンス・マッチングを実行する手段の入力における固定インピーダンスと、前記パワー増幅する手段の入力における可変インピーダンスとの間の前記インピーダンス・マッチングを実行する手段と、
　を備え、
　可変マッチング回路によって、前記インピーダンス・マッチングを実行する手段は、前記可変マッチング回路の前記入力及び前記可変マッチング回路の出力の間に結合されるインダクタと、
　前記可変マッチング回路の前記入力及び電圧の間に結合されたシャント可変キャパシタと含み、
　前記パワー増幅する手段は、第１のタイプの他のトランジスタを備え、前記シャント可変キャパシタの前記トランジスタは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプであり、
　前記トランジスタのゲートは、前記可変マッチング回路の前記入力に結合され、前記トランジスタのドレイン及びソースは、前記電圧に結合され、
　固定キャパシタは、前記インピーダンス・マッチングを実行する手段の入力に結合されている
　装置。
２．先の拒絶理由通知の記載事項
　上記「第２ 」に記載したとおりである。
３．判断
　先の拒絶理由に対して、審判請求人は、平成２９年８月８日付け意見書において主張をしている。
　しかしながら、本件補正は上記のとおり却下されたので、特許請求の範囲の記載に基づかないものとなった意見書の主張は採用することができない。
　そして、本願の請求項１ないし１９は、先の拒絶理由（１）ないし（５）に記載のとおり、明確でない事項、発明の詳細な説明に記載したものではない事項を含んだままのものであるから、先の拒絶の理由を解消したものではない。
４．むすび
　以上、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号、第２号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。