【事件の表示】
　特願２０１２−２８８５８０「グラビアシリンダーの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月１０日出願公開、特開２０１４−１３０２６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特願２０１２−２８８５８０号（以下、「本件出願」という。）は、平成２４年１２月２８日の特許出願であって、その手続の経緯は、概略以下のとおりである。 
平成２７年　５月１９日付け：拒絶理由通知
平成２７年　７月１０日提出：意見書
平成２７年　７月１０日提出：手続補正書
平成２７年１１月　４日付け：拒絶査定
平成２８年　１月２９日請求：審判請求書
平成２８年　１月２９日提出：手続補正書
平成２９年　１月２５日付け：拒絶理由通知
平成２９年　３月２４日提出：意見書
平成２９年　３月２４日提出：手続補正書
平成２９年　６月　９日付け：拒絶理由通知
平成２９年　８月１０日提出：手続補正書
平成２９年　８月１０日提出：意見書
第２　本件発明
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、平成２９年８月１０日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「版母材上にＤＬＣ層を形成し、前記ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料でＤＬＣ被覆層を形成し、前記ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を露光・現像せしめてレジストパターン層を形成する工程と、前記ＤＬＣ被覆層をエッチングせしめてＤＬＣ被覆パターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層を剥離する工程と、前記ＤＬＣ層をドライエッチングせしめて前記ＤＬＣ層にグラビアセルを形成する工程と、前記ＤＬＣ被覆層を剥離する工程と、を含み、上記各工程をその記載順に行い、かつ前記ＤＬＣ被覆層が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、コバルト、インジウム、スズ、ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料から構成されることを特徴とするグラビアシリンダーの製造方法。」
第３　当審の拒絶理由
　当審において平成２９年６月９日付けで通知した拒絶の理由（以下、「当審拒絶理由」という。）は、概略、以下のとおりである。
「本件出願の請求項１〜４に係る発明は、本件出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１：特開２００２−１７８６５３号公報
引用例２：特開平１１−３２７１２４号公報
引用例３：特開２００３−３３８０９１号公報
引用例４：特開２００２−１１０６５７号公報  
引用例５：MATERIALS SCIENCE Vol.13 No.4(2007) p.282-285 
引用例６：特開２００４−２０７８３号公報  
引用例７：特開２０１２−９１３８０号公報  
引用例８：特開２００３−９０９０７号公報  
引用例９：特開２００３−１７４０３０号公報  
引用例１０：特開平８−２６５０９８号公報  
引用例１１：特開平１１−３２１１４１号公報  
備考
（引用例１を主引用例とした場合）
・請求項１〜４
・引用例１，３〜１１ 
（引用例２を主引用例とした場合）
・請求項１〜４ 
・引用例２〜１１  
（引用例５を主引用例とした場合）
・請求項１〜４ 
・引用例５，１，２，１１ 」
第４　当合議体の判断 
１　引用例の記載及び引用発明
（１）　引用例１の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例１には、次の記載がある。（下線は、後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、印刷版及びその製造方法に係わり、特に、印刷パターン溝内に印刷インクを導入し、この印刷インクを被印刷物に接触させて被印刷物に印刷を行う印刷版及びその製造方法に関する。」
イ　「【０００２】
【従来の技術】以下、従来の印刷版の一例である印刷用シリンダーについて説明する。印刷用シリンダーは、内部が中空の円柱形状からなる印刷版用基材と、この印刷版用基材上に形成された表面が鏡面の銅膜と、この銅膜に形成された印刷パターン溝と、銅膜上に形成されたクロム膜と、から構成されている。このクロム膜は印刷パターン溝が転写されている。
【０００３】次に、印刷用シリンダーの製造方法について説明する。まず、Ａｌ又はＦｅなどからなる印刷版用基材を準備する。この印刷版用基材は、その内部が中空の円柱形状を有するものである。
【０００４】次いで、この印刷版用基材の外表面上にメッキ法により厚さ１００μｍ程度の銅膜を形成する。この後、この銅膜の表面を研磨することにより、該銅膜の表面を表面粗度（Ｒmax）が０．１〜０．２μｍ程度の鏡面とする。
【０００５】その後、銅膜上にレジストを塗布し、このレジストをレーザーで露光した後、現像することにより、銅膜上には印刷パターンと同じ開口パターンを有するレジストパターンが形成される。
【０００６】次いで、このレジストパターンをマスクとして銅膜をエッチングすることにより、銅膜には印刷パターン溝が形成される。この後、レジストパターンを剥離する。  次に、銅膜上にメッキ法によりクロム膜を形成する。このクロム膜には印刷パターン溝が転写される。
【０００７】次に、上記印刷用シリンダーを用いて印刷する方法について説明する。まず、印刷インクの満たされた容器を準備し、その容器の印刷インクに印刷用シリンダーの外表面を浸漬する。次に、紙又はビニールなどの被印刷物を印刷用シリンダーの外表面に接触させると共に、ドクターブレードを印刷用シリンダーの外表面に接触させる。
【０００８】次に、印刷用シリンダーを回転させて、印刷用シリンダーの外表面に印刷インクを供給する。これにより、印刷用シリンダーの印刷パターン溝に印刷インクが導入される。そして、印刷用シリンダーの外表面に付着した余分な印刷インク及び印刷パターン溝からインクの表面張力で盛り上がった印刷インクを、ドクターブレードでかき落とす。これにより、印刷パターン溝内のみに印刷インクが導入される。この状態で、印刷用シリンダーの回転に合わせて被印刷物を送り、被印刷物の表面に印刷パターンが印刷される。」
ウ　「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の印刷版（印刷用シリンダー）では、レジストパターンをマスクとして銅膜をエッチングして銅膜に印刷パターン溝を形成するため、大変細かい高精細な印刷パターン溝を形成するにも限界がある。つまり、より高精細な印刷パターン溝を形成できる印刷版が求められている。
【００１０】本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、より高精細な印刷パターン溝を形成できる印刷版及びその製造方法を提供することにある。」
エ　「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明に係る印刷版は、印刷パターン溝内に印刷インクを導入し、この印刷インクを被印刷物に接触させることにより被印刷物に印刷を行うための印刷版であって、印刷版用基材と、この印刷版用基材上に形成されたＤＬＣ膜と、このＤＬＣ膜に形成された印刷パターン溝と、を具備することを特徴とする。
・・・（中略）・・・
【００１４】本発明に係る
印刷版の製造方法
印刷パターン溝内に印刷インクを導入し、この印刷インクを被印刷物に接触させることにより被印刷物に印刷を行うための印刷版を製造する方法であって、印刷版用基材上にＤＬＣ膜を成膜する工程と、このＤＬＣ膜上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、ＤＬＣ膜上に印刷パターンを開口したレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとしてＤＬＣ膜をイオンエッチングすることにより、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝を形成する工程と、を具備する
【００１５】上記印刷版の製造方法によれば、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝をイオンエッチングにより形成している。このため、銅膜に印刷パターン溝を形成する従来の印刷版に比べて、より細かくより高精細な印刷パターン溝を形成することが可能となる。」
オ　「【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の実施の形態による印刷版の一例としての印刷用シリンダーを示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す印刷用シリンダーの断面図である。
【００１７】図１（ａ）に示すように、印刷用シリンダー１０は円柱形状を有している。印刷用シリンダーの長さ（面長）１０ａは、４００〜２０００ｍｍ程度であり、好ましくは１０００ｍｍ程度である。印刷用シリンダーの円柱の円周長は４００〜１５００ｍｍ程度であり、好ましくは６００ｍｍ程度である。印刷用シリンダー１０の外表面には印刷パターン溝１１が形成されている。
【００１８】図１（ｂ）に示すように、印刷用シリンダー１０は、その内部が中空形状を有しており、その両端には内部の中空部分１２に繋がる穴１２ａが設けられている。
【００１９】図２（ａ）は、図１（ａ）に示す印刷用シリンダーの印刷パターン溝を部分的に拡大した平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
【００２０】この印刷用シリンダー１０は、Ａｌ又はＦｅなどからなる内部が中空の円柱形状の印刷版用基材１を有している。この印刷版用基材１上にはＤＬＣ（DiamondLike Carbon）膜３が形成されており、このＤＬＣ膜３には印刷パターン溝１１が形成されている。ここでのＤＬＣ膜３は、炭素を主成分とする非晶質炭素系薄膜であって、種々の硬質炭素膜を含むものである。
【００２１】次に、印刷用シリンダーの製造方法について説明する。まず、Ａｌ又はＦｅなどからなる印刷版用基材１を準備する。この印刷版用基材１は、その内部が中空の円柱形状を有するものである。次いで、この印刷版用基材１の外表面を研磨することにより、該基材１の表面を表面粗度（Ｒmax）が０．１〜０．２μｍ程度の鏡面とする。
【００２２】その後、印刷版用基材１上にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により厚さ０．１〜１０μｍ程度のＤＬＣ膜３を成膜する。この際の成膜方法は、例えば、高周波電源に接続された電極上に印刷版用基材１を固定し、この電極に高周波電力を印加し、プラズマＣＶＤ法により印刷版用基材１上にＤＬＣ膜を成膜するものであり、この際の成膜条件は、使用ガスが少なくとも炭素と水素を含む炭化水素系ガス、ガス圧が例えば０．５ｍＴｏｒｒ以上５００ｍＴｏｒｒ以下、ＲＦ出力が例えば３０Ｗ以上３０００Ｗ以下である。なお、下地である印刷版用基材１の外表面が鏡面であるため、成膜されたＤＬＣ膜３の表面も鏡面となる。
【００２３】次に、このＤＬＣ膜３上にレジスト（図示せず）を塗布し、このレジストをレーザーで露光した後、現像することにより、ＤＬＣ膜３上には印刷パターンと同じ開口パターンを有するレジストパターンが形成される。
【００２４】この後、このレジストパターンをマスクとしてＤＬＣ膜３をイオンエッチングすることにより、ＤＬＣ膜３には印刷パターン溝１１が形成される。この際のイオンエッチング条件は、例えばジフロロメタンＣＨ2Ｆ2と酸素の混合ガスを用い、ＣＨ2Ｆ2の流量を１０ｓｃｃｍ、酸素の流量を３０ｓｃｃｍとして、ガス圧力を０．０２Ｔｏｒｒとすることが好ましい。
【００２５】次に、レジストパターンをアッシングにより剥離する。このようにして印刷用シリンダー（印刷版）１０が製作される。
【００２６】図３は、図１に示す印刷用シリンダー１０を用いて印刷する方法を説明するための模式図である。
【００２７】まず、図３に示すように、印刷インク２２の満たされた容器２１を準備し、その容器２１の印刷インク２２に印刷用シリンダー１０の外表面を浸漬する。次に、紙又はビニールなどの被印刷物２３を印刷用シリンダー１０の外表面に接触させると共に、ドクターブレード２４を印刷用シリンダー１０の外表面に接触させる。
【００２８】次に、印刷用シリンダー１０を矢印のように回転させることにより、印刷用シリンダー１０の外表面に印刷インク２２を供給する。この際、印刷用シリンダー１０の印刷パターン溝１１に印刷インク２２が導入される。そして、印刷用シリンダー１０の外表面に付着した余分な印刷インク２２及び印刷パターン溝１１からインクの表面張力で盛り上がった印刷インク２２を、ドクターブレード２４でかき落とす。これにより、印刷パターン溝１１内のみに印刷インク２２が導入される。この状態で、印刷用シリンダー１０の回転に合わせて、被印刷物２３を矢印のように送る。これにより、被印刷物２３の表面に印刷パターンが印刷される。
【００２９】上記実施の形態によれば、ＤＬＣ膜３に印刷パターン溝１１をイオンエッチングにより形成している。このため、銅膜に印刷パターン溝を形成する従来の印刷版に比べて、より細かくより高精細な印刷パターン溝を形成することが可能となる。
【００３０】また、本実施の形態では、被印刷物２３と直接接触する印刷用シリンダー１０の表面膜にＤＬＣ膜３を用いており、このＤＬＣ膜３は従来の印刷用シリンダー表面のクロム膜に比べて耐磨耗性に大変優れている。このため、印刷用シリンダー１０の耐久性を従来品より向上させることができ、印刷用シリンダー１０の交換頻度を１／５程度まで減らすことができると期待される。具体的には、従来の印刷用シリンダーでは、印刷時にシリンダーを回した距離が１０万メートル程度に達すると、印刷用シリンダーが寿命となり、交換しなければならなくなる。これに対して、本実施の形態による印刷用シリンダー１０では、印刷時にシリンダーを５０万メートル程度まで回すことが可能となる。
【００３１】尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、印刷版用基材１上にＤＬＣ膜３を直接成膜しているが、この印刷版用基材１とＤＬＣ膜３との間に、両者の密着性を向上させるための中間層を形成することも可能である。中間層としては、例えばＳｉ系の層を用いることも可能である。」
カ　「【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝を形成している。したがって、より高精細な印刷パターン溝を形成できる印刷版及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態による印刷版の一例としての印刷用シリンダーを示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す印刷用シリンダーの断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示す印刷用シリンダーの印刷パターン溝を部分的に拡大した平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す印刷用シリンダーを用いて印刷する方法を説明するための模式図である。」
キ　「【図１】
」
ク　「【図２】
」
ケ　「【図３】
」
（２）　引用例１発明
　引用例１の段落【００１４】（上記（１）エ参照。）には、「印刷版の製造方法」として、次の発明が記載されている（以下、「引用例１発明」という。）。 
「印刷パターン溝内に印刷インクを導入し、この印刷インクを被印刷物に接触させることにより被印刷物に印刷を行うための印刷版を製造する方法であって、
　印刷版用基材上にＤＬＣ膜を成膜する工程と、
　このＤＬＣ膜上にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜を露光、現像することにより、ＤＬＣ膜上に印刷パターンを開口したレジストパターンを形成する工程と、
　このレジストパターンをマスクとしてＤＬＣ膜をイオンエッチングすることにより、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝を形成する工程と、を具備する、
印刷版の製造方法。」
 
（３）　引用例３の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例３には、次の記載がある（下線は、審決にて付した。以下、同じ。）。
ア　「【００２１】［第１の製造方法］　低散乱層３としてＤＬＣを使用した場合、図２の（ａ）に示すように、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すように、基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する。この低散乱層３の表面に、（ｃ）に示すように電子ビーム用レジスト層５を２μｍの厚さで形成する。この電子ビーム用レジスト層５は、例えば日本ゼオン（株）製の電子ビーム用レジストＺＥＰ−５２０等のポジ型電子線レジストを使用する。このレジスト層５の表面に加速電圧30ＫｅＶの電子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、（ｄ）に示すように、レジスト層５の露光した部分を除去してレジストパターン６を形成する。このレジスト層５を電子ビームで露光するとき、低散乱層３を形成するＤＬＣは炭素原子から構成されているので、電子を後方散乱する割合が小さくてすむ。また、照射した電子は基板２で後方散乱が発生するが、レジスト層５と基板２の間に低散乱層３があるので基板２の後方散乱がレジスト層５に及ぼす影響を小さくすることができる。したがってレジスト層５に形成されるパターン形状は、基板２にレジスト層５を直接形成したときよりも微細で逆テーパの小さいパターンを形成することができる。
【００２２】その後、（ｅ）に示すように、レジストパターン６をマスクにして低散乱層３をＲＩＥでドライエッチングを酸素ガスにより20ｎｍ〜30ｎｍ行う。この酸素ガスによるＲＩＥは、低散乱層３を形成するＤＬＣだけでなくレジストもエッチングするが、レジストの膜厚は２μｍあるので、低散乱層３を20〜30ｎｍエッチングしてもレジストは残っていてマスクとしての機能を果たしている。次に、レジストパターン６の全面に紫外線を照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスして、レジストパターン６を除去し、最終的に内径および外径を所定の寸法にカットして、（ｆ）に示すように、低散乱層３に微細な凹凸パターン４を有する光ディスク用のスタンパ１を作製する。」
イ　「【００２３】［第２の製造方法］　図３の（ａ）に示すように、平坦なＮｉ基板２の洗浄を行い、（ｂ）に示すように、
基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する
この低散乱層３の表面に、
Ａｌ層７を形成し、Ａｌ層７の表面に、
ポジ型電子線レジストにより電子ビーム用レジスト層５を0.5μｍの厚さで形成する
このレジスト層５の表面に
電子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、
レジスト層５の露光した部分を除去してレジストパターン６を形成する
【００２４】
次に
レジストパターン６をマスクにしてＡｌ層７をドライエッチングする
次に、レジストパターン６の全面に紫外線を照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスして、
レジストパターン６を除去する
その後、
エッチングしたＡｌ層７をマスクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッチングを
行う
次に、Ａｌ層７をＨ
３
ＰＯ
４
液でリンスして除去
ウ　「【図３】
」
（４）　引用例４の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例４には、次の記載がある。
ア　「【０００７】接触パッド２２には、一般に、ダイヤモンドライクカーボン（以下、これを「ＤＬＣ」という。）が用いられるが、このようなテーパ断面を有する接触パッド２２ｂは、具体的には、図４に示す手順により作製することができる。すなわち、まず、所定の薄膜が所定の順序で積層されたウエハ４０の表面に、ポールチップ２０を形成し、その上にさらにＤＬＣ膜４２を積層する。次いで、ＤＬＣ膜４２の表面を平坦化し、ポールチップ２０先端を露出させる（図４（ａ））。なお、図４においては、ポールチップ２０のみが図示され、ポールチップ２０につながる磁気回路は、図示が省略されている。
【０００８】次に、
平坦化させたＤＬＣ膜４２の上に、さらにテーパ形成用マスクとしてのＤＬＣ膜４４を積層する
次いで、ＤＬＣ膜４４の上にＴｉ膜４６を形成し、その上にフォトレジスト４８を塗布する
さらに、塗布されたフォトレジスト４８を露光・現像し、Ｔｉ膜４６の上にレジストマスク４８ａを形成する
【０００９】
次に、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）により、レジストマスク４８ａで覆われていない部分のＴｉ膜４６を除去する
その後、レジストマスク４８ａを除去す
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、ＤＬＣ膜４４及びＤＬＣ膜４２をエッチングする
【００１０】
次に、Ｔｉマスク４６ａを取り除き
イ　「【図４】
」
（５）　引用例５の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例５には、次の記載がある。
ア　２８２頁左欄１行〜右欄８行
「Introduction
 
Diamond like carbon(DLC)films remain at the top of the interest due to their very interesting properties [1]. High hardness and wear resistance, low friction, corrosion resistance, hydrophobicity, high thermal conductivity, high optical transmission in near ultraviolet, visible light and near infrared range can be mentioned. Therefore, various applications of the diamond like carbon films are considered [1]
 
In present study etching of both hydrogenated DLC films and doped hydrogenated DLC films by oxygen ion beam were investigated. Effects of the doping on etching rate were studied. Hydrophobic properties and surface morphology of the films were studied before and after the etching
（日本語訳）
「　序論
　
ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜はそれらの大変興味深い特性のため最上位の関心を維持している［１］。高硬度、耐摩耗性、低摩擦性、耐腐食性、疎水性、高熱伝導性、近紫外、可視光、近赤外領域の高光透過性が言及される。それゆえ、ダイヤモンドライクカーボン膜の様々な応用が検討されている［１］
　
この研究においては、水素化ＤＬＣフィルムやドープ水素化ＤＬＣ膜のイオンビームによるエッチングが調べられた。ドーピングのエッチングレートへの影響が研究された。エッチング前後においてフィルムの疎水性特性や表面構造が研究された。
イ　２８２頁右欄９行〜２８３頁下から５行
「EXPERIMENTAL
 Commercially available crystalline n-Si 111 wafers have been used as substrates for deposition of the DLC films. Diamond like carbon films were deposited by direction beam synthesis using a closed drift ion source. Conventional hydrogenated diamond like carbon films were synthesized using acetylene gas as a hydrocarbon source. Silicon oxide and silicon doped DLC have been synthesized using mixtures of the hexamethyldisiloxane vapor with hydrogen (HMDSO + H2) or acetylene (HMDSO + C2H2) as hydrocarbon, silicon and oxygen gas sources. Hydrogen or acetylene has been used as a feed gas. Technological parameters of the deposition process are presented in Table 1.
 DLC microstructures (surface relief gratings) were fabricated by combination of the microlithographic techniques and oxygen ion beam etching by closed drift ion source.
 Ion beam etching rate of the diamond like carbon films was established by measuring of the DLC grating step height using an atomic force microscope NANOTOP-206. V-shaped ULTRASHARP Si cantilevers (force constant 1.5 N/m) have been used. Surface morphology of the DLC films before and after the ion beam treatment was investigated by AFM as well. Wettability of the synthesized films before and after the ion beam treatment was evaluated by measuring surface contact angle with water. Contact angle goniometer has been used for those measurements.」
（日本語訳）
「実験
　商業的に利用可能なｎ−Ｓｉ＜１１１＞結晶構造のウェーハがＤＬＣ膜の堆積のための基板として使用された。ダイヤモンドライクカーボン膜は近接してドリフトされるイオン源を用いた直接ビーム合成によって堆積された。”通常の”水素化されたダイヤモンドライクカーボン膜が炭化水素源としてアセチレンガスを用いて合成された。シリコン酸化物及びシリコンがドープされたＤＬが、ヘキサメチルジシロキサン蒸気と水素との混合物（HMDSO + H2）あるいはアセチレンとの混合物（HMDSO + C2H2）を炭化水素、シリコン及び酸素ガス原として用いて合成された。水素あるいはアセチレンがフィードガスとして用いられた。堆積プロセスにおける技術的なパラメータはテーブル１に示されている。
　ＤＬＣ微小構造（表面レリーフ格子）が微小リソグラフィック技術と近接ドリフトイオン源による酸素イオンビームエッチングとの組み合わせにより製造された。
　ダイヤモンドライクカーボン膜のイオンビームエッチングレートは、原子間力顕微鏡NANOTOP-206を用いてＤＬＣ格子の段差の高さを測定することにより確かめられた。Ｖ形状の”ULTRASHAR”'シリコンカンチレバー（力定数１．５Ｎ／ｍ）が用いられた。イオンビーム処理の前後のＤＬＣ膜の表面構造が同様にＡＦＭにより調べられた。イオンビーム処理の前後の合成膜の濡れ性が、水との接触角を測定することにより評価された。接触角ゴニオメータがそれらの測定のために用いられた。」
ウ　２８３頁左欄下から２行〜右欄４行
「
Fig.1 illustrates main steps of fabrication of microstructures in diamond like carbon films. The steps 1-6 show typical procedures that are usually used during formation of pattern. The step 7 was analyzed systematically in terms of rate of etching, wettability, roughness etc. versus type of the used DLC.
（日本語訳）
「
図１は、ダイヤモンドライクカーボン膜中に微細構造を製造する主要なステップを示す。ステップ１−６は、パターン形成の間に普通に用いられる典型的な手順を示す。ステップ７は、用いられるＤＬＣの種類に対して、エッチングレート、湿潤性、粗さ等に関して系統的に解析された。
エ　２８３頁のＦｉｇ．１
「
」
オ　２８３頁のFig.1の説明
「Fig.1. 
Fabrication of the diamond like carbon film microstructure
1-DLC synthesis
2-e-beam evaporation of Al onto DLC
3-spin-coating of the photoresist
4-fabrication of the pattern in photoresist by conventional optical lithography techniques
5-transfer of the pattern through the photoresist mask to the Al(Al grating fabrication)
6-removal of the photoresist
7-Oxygen ion beam etching of DLC through the Al mask
8-removal of Al by wet chemical etching
（日本語訳）
「図１　
ダイヤモンドライクカーボン膜微細構造の製造
１−ＤＬＣ合成
２−ＤＬＣ上へのＡｌの電子ビーム蒸着
３−フォトレジストのスピンコーティング
４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製
５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写
６−フォトレジストの除去
７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣの酸素イオンビームエッチング
８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去
（６）　引用例５発明
　引用例５の２８３頁のＦｉｇ．１及び説明（上記（５）ウ〜オ）には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜微細構造の製造方法として、次の発明が記載されている（以下、「引用例５発明」という。）。
「１−Ｓｉ基板上へのＤＬＣ膜合成、
２−ＤＬＣ膜上へのＡｌの電子ビーム蒸着、
３−フォトレジストのスピンコーティング、
４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製、
５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写、
６−フォトレジストの除去、
７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣ膜の酸素イオンビームエッチング、
８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去をこの記載順に行う、
ＤＬＣ膜微細構造の製造方法。」
（７）　引用例６の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例６には、次の記載がある。
ア　「【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１から図６において、本発明の実施形態１による光導波路の形成方法が、模式的な断面図で図解されている。なお、本願の各図において、長さ、幅、厚さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わしてはいない。また、各図において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わしている。
【００１５】
図１において、たとえば石英ガラスの基板１上にダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）層２がＣＶＤ法によって堆積される。ＤＬＣは、光通信においておもに利用される波長１．０μｍ〜１．５μｍの光に対して良好な透過性を有し得る。ＤＬＣ層２をＣＶＤ法で堆積する場合、シリコン酸化物層をＦＨＤ法で堆積する場合のように火炎トーチを走査する必要がなく、大きな面積の基板上においても均一な質と厚さのＤＬＣ層を堆積することができる。純粋の石英ガラスは１．４４の屈折率を有するのに対して、ＤＬＣ層は遥かに大きな１．５０の屈折率を有し得るので、石英ガラス基板１は下部クラッド層として利用でき、ＤＬＣ層２はコア層として利用し得る。
【００１６】
ＤＬＣ層２上には、後でＤＬＣ層２をドライエッチングするときのマスクを形成するために利用されるマスク層３が堆積される。このようなマスク層３は、たとえばＡｌ層で形成することができ、Ａｌ層はたとえば真空蒸着によって容易に堆積させることができる。
【００１７】
図２においては、マスク層３上に、フォトレジストパターン４がフォトリソグラフィを利用して形成される。そして、このレジストパターン４をマスクとしてＡｌ層３をエッチングし、図３に示されているように、Ａｌマスクパターン３ａが形成される。この場合、Ａｌマスク３ａは、図３の紙面に直交する方向に延びている。
【００１８】
図４において、
Ａｌマスク３ａを利用しながら、ＤＬＣ層２をドライエッチングし、パターン化されたコア部２ａが形成される
イ　「【図１】
」
ウ　「【図２】
」
エ　「【図３】
」
オ　「【図４】
」
カ　「【図５】
」
（８）　引用例７の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例７には、次の記載がある。
ア「【００６７】
＜ノズルプレートの製造方法＞
　［第１実施形態］
　図４〜図５は本発明の液滴吐出ヘッドに用いられるノズルプレートの製造方法である。
【００６８】
　（工程１）：図４を用いてＦ−ＤＬＣ膜の製膜、構造化について説明する。まず、図４（ａ）に示すように、基板１０上にＦ−ＤＬＣ膜２０を形成する。基板１０としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、石英ガラスのようなシリコン系材料を用いることができる。本実施形態においては、基板１０として、６ｉｎｃｈのＳｉウエハーを用いた。
【００６９】
　Ｆ−ＤＬＣ膜２０は、基板１０（Ｓｉウエハーの鏡面）上にスパッタ法にて形成する。形成に用いるスパッタ装置としては、従来から使用している装置を用いることができる。材料物質（ターゲット）は、フッ素含有炭素を用い、水素供給源としてメタン（ＣＨ４）ガスをアルゴン（Ａｒ）ガスに混合した気体を注入しながら行なう。
【００７０】
　Ｆ−ＤＬＣ膜２０の形成は、Ａｒガスにより基板１０表面にクリーニングを行なった後に行なう。基板１０の温度は、室温〜５００℃、真空度は、０．１〜１Ｐａとすることが好ましい。また、Ｆ−ＤＬＣ膜２０中の水素含有量の制御は、（Ａｒ＋ＣＨ４）ガスに対するＣＨ４ガスの流量比を０〜５０％の範囲で制御することで、膜中の水素含有量を０〜４０ａｔ％に制御することができる。本実施形態においては、水素含有量が２０ａｔ％となるように制御を行なった。また、フッ素量はＦ／（Ｆ＋Ｃ）が０ａｔ％を越え４０ａｔ％の範囲とすることが好ましい。また、Ｆ−ＤＬＣ膜２０の膜厚は、１００ｎｍ〜２μｍの範囲とすることが好ましい。本実施形態においては、膜厚は５００ｎｍとした。
【００７１】
　（工程２）：次に図４（ｂ）に示すように、Ｆ
−ＤＬＣ膜２０上にマスク材３０をパターニングする。マスク材３０に用いる材料にとしては、Ｃｒ、Ｗ
を用いることができる
本実施形態においては、Ｃｒを用いて行なった
【００７２】
　マスク材３０は、まず、蒸着により膜厚５００ｎｍの膜を形成した。その後、Ｆ−ＤＬＣ膜２０に工程３で形成される凹凸構造４０のパターンに対応するように、フォトレジストによるリソグラフィーにより、パターンマスクを形成した。パターンの形状は、ドット形状のパターンであり、ドットサイズは２００ｎｍ〜１μｍ角であることが好ましく、ドット間距離は２００ｎｍ〜１μｍであることが好ましい。本実施形態においては、ドットサイズ２００ｎｍ、ドット間距離２００ｎｍとした。
【００７３】
　マスク材３０をパターニングする方法としては、ステッパーを含むレジスト露光によるリソグラフィー手法の他、電子線直接描画方式やナノインプリントなどにより行なうこともできる。
【００７４】
　（工程３）：次に図４（ｃ）に示すように、Ｆ−ＤＬＣ膜２０のパターン加工を行なう。Ｆ−ＤＬＣ膜２０のパターン加工は、ドライエッチングにより行なうことができる。エッチングガスとしては、ＣＦ４、Ｏ２、Ａｒの混合ガスを用い、１４ＭＨｚ、６５０Ｗの高周波電界を印加することでプラズマを発生させ、Ｆ−ＤＬＣ膜２０と、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガスとを反応させることで、エッチングを行なう。Ｆ−ＤＬＣ膜２０の加工深さは、エッチング時間により制御することができ、好ましくは、５０ｎｍ〜５００ｎｍである。本実施形態ではｍ２５０ｎｍとした。
【００７５】
　（工程４）：次に、図４（ｄ）に示すように、マスク材３０の除去を行なう。マスク材３０の除去は、エッチング液に浸漬することで除去を行なう。本実施形態においては、マスク材３０として、Ｃｒを用いているので、硝酸セリウムアンモニウムに浸漬することでマスク材３０の除去を行なった。
【００７６】
　このようにして得られたＦ−ＤＬＣ構造体５０は、ドットサイズ２００ｎｍ〜１μｍ角、ドット間距離２００ｎｍ〜１μｍ、深さ５０ｎｍ〜５００ｎｍの凹凸構造４０を備えるＦ−ＤＬＣ膜２０を有する。本実施形態においては、ドットサイズ２００ｎｍ、ドット間距離２００ｎｍ、深さ２５０ｎｍであった。」
イ　「【図４】
」
（９）　引用例８の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例８には、次の記載がある。
ア　「【００２２】（分光部３０の製造工程）次に分光部３０の製造工程を説明する。図５は、分光部３０の製造工程を表すフロー図であり、図６〜１３は、各工程における分光部３０の状態を表す断面図である。
（１）シリコン基板１００に導体層たるＴｉ層１０１を１μｍ，透明保護層たるＳｉ３Ｎ４層１０２を０．２μｍ順に成膜する（図６およびステップ１１）。ここでシリコン基板１００にはアルミナをドープしたものを用い、成膜にはスパッタリング法を用いる。なお、シリコン基板１００の抵抗が０．２Ω以下のときにはシリコン基板１００自体で電気伝導性が充分であるため、Ｔｉ層１０１の成膜は不要である。
【００２３】（２）ＬＰＣＶＤ（減圧Chemical Vapor Deposition）法等で接続層および犠牲層たるポリシリコン層１０３を成膜し（図７およびステップＳ１２）、さらに光学層たるＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）層１０４を２５μｍ以上成膜する（図８およびステップＳ１３）。
（３）さらにＡｌ層１０５を０．８μｍ程度成膜し（図９およびステップＳ１４）、これをフォトリソグラフィ等でパターニングしマスクを形成知る（図１０およびステップＳ１５）。このパターニングにはウエットエッチングを利用することができる。
【００２４】（４）
Ａｌ層１０５をマスクとして、ＤＬＣ層１０４のイオンビームエッチングを行う
【００２５】（５）ポリシリコン層１０３をＫＯＨ等によるウエットエッチングに行うことにより、プリズム部３３（ＤＬＣ層１０４）と基板部３１（Ｓｉ３Ｎ４層１０２）とが切り離される（図１２およびステップＳ１６）。即ち、ポリシリコン層１０３は、基板部３１の上面から切り離されたプリズム部３３を形成するための犠牲層であると共に、基板部３１と支持部３２とを接続する接続層として機能する。
（６）さらに透明導電層たるＩＴＯ層１０６を成膜する（図１３およびステップＳ１７）。この成膜は、例えばスパッタリング法によって行い、膜厚５００ｎｍ程度のＩＴＯ層１０６が形成される。
以上のようにして分光部３０が形成される。さらに分光部３０に受光部４０を接続することで、分光部３０と受光部４０が一体となった一体構造が形成される。」
イ　「【図６】
」
ウ　「【図７】
」
エ　「【図８】
」
オ　「【図９】
」
カ　「【図１０】
」
キ　「【図１１】
」
ク　「【図１２】
」
ケ　「【図１３】
」
（１０）　引用例１０の記載
　当審拒絶理由で引用された引用例１０には、次の記載がある。
ア　「【００２４】（ダイヤモンド状硬質材料）本発明の複合体基材を構成するダイヤモンド状硬質材料としては、炭素からなるビッカース硬さＨｖ（Vickers hardness）が約１, ０００以上の材料が好適に使用可能である。本発明においては、ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素のいずれを用いることも可能であるが、化学的安定性の点からは、ダイヤモンドを用いることが好ましい。」
イ　「【００２８】（ダイヤモンド状炭素）一方、上記ダイヤモンド状炭素（Diamond-like carbon ；ないしＤＬＣ）は、硬度の高いアモルファス物質であり、安定性に優れ、しかもダイヤモンドと同様の炭素原子からなるため、ダイヤモンドとともに用いた際にも該ダイヤモンドへの元素的拡散や反応について実質的に考慮する必要がない等の特徴を有している。」
ウ　「【００５８】（図３の複合体の形成方法）一方、図３の態様の複合体を形成する方法としては、例えば、以下の方法を用いることが可能である。
【００５９】（１）図１１〜１２の模式斜視図を参照して、図１１（ａ）に示すように、他の基板（例えばＳｉ基材）４上に、所望の厚みを有するダイヤモンド状硬質材料の膜７を、気相堆積法等により形成する。必要に応じて、このダイヤモンド状硬質材料膜７の表面を研磨してもよい。例えば、気相堆積により形成したダイヤモンド状硬質材料膜７の厚さを２５μｍ程度とした場合、研磨により約２０μｍ程度の厚さとすることが好ましい。
【００６０】（２）次いで、図１１（ｂ）を参照して、上記ダイヤモンド状硬質材料膜７の上に、金属（例えばＡｌ）の膜６をスパッタリング法等の気相堆積法で形成する。このＡｌ膜６の厚さは、例えば１μｍ程度が好ましい。
【００６１】（３）図１１（ｃ）を参照して、このＡｌ膜６を、例えばフォトリソグラフィ工程およびＲＩＥ工程に供することにより、後述する所望のダイヤモンド状硬質材料層の幅、所望の該材料の層間間隔等に対応するＡｌの表面パタ−ン６ａを形成する。
【００６２】（４）図１１（ｄ）を参照して、このようにして得た
Ａｌパタ−ン６ａをマスクとして、ＲＩＥ法によりダイヤモンド状硬質材料層７をエッチングして、該ダイヤモンド状硬質材料層７に、所望の深さ
を有する層状の溝７ａを形成する
エ　「【図１１】
」
２　引用例１を主引用例とした場合の対比及び判断
（１）　対比
　本願発明と引用例１発明とを対比すると、以下のとおりとなる。
ア　引用例１全体の記載（引用例１の【従来技術】の段落【０００２】〜【０００３】、【０００７】〜【０００８】、【発明が解決しようとする課題】の段落【０００９】、【発明の実施の形態】の段落【００１６】〜【００３１】の「印刷用シリンダー」についての記載、図１（特に、「１０・・・印刷用シリンダー」）、図３（印刷用シリンダーを用いて印刷する方法）等）及び技術常識を勘案すると、引用例１発明の「印刷版」は、「グラビアシリンダー」といえる（仮に、相違点として抽出するとしても、進歩性の判断の結論に影響しない範囲内の収まる相違点にすぎない。）。
イ　引用例１発明の「印刷版用基材」及び「ＤＬＣ膜」は、それぞれ本願発明の「版母材」及び「ＤＬＣ層」に相当する。
　してみると、引用例１発明の「印刷版用基材上にＤＬＣ膜を成膜する工程」は、本願発明の「版母材上にＤＬＣ膜を成膜する工程」に相当する。
ウ　引用例１発明の「このレジストパターンをマスクとしてＤＬＣ膜をイオンエッチングすることにより、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝を形成する工程」における「イオンエッチング」は、技術常識によれば、「ドライエッチング」に分類される方法である。
　また、引用例１発明の「印刷版用基材」上に成膜された「ＤＬＣ膜」に形成される「印刷パターン溝」は、本願発明の「グラビアセル」に相当する。
　してみると、上記イより、引用例１発明の「ＤＬＣ膜をイオンエッチングすることにより、ＤＬＣ膜に印刷パターン溝を形成する工程」は、「ＤＬＣ層をドライエッチングせしめて前記ＤＬＣ層にグラビアセルを形成する工程」に相当する。
エ　上記ア〜ウより、引用例１発明の「印刷版の製造方法」は、本願発明の「グラビアシリンダーの製造方法」に相当する。
（２）　一致点及び相違点
ア　一致点
　上記（１）の対比結果を踏まえると、本願発明と引用例１発明とは、以下の点で一致する。
（一致点）
　「版母材上にＤＬＣ層を形成する工程と、前記ＤＬＣ層をドライエッチングせしめて前記ＤＬＣ層にグラビアセルを形成する工程とを、含む、グラビアシリンダーの製造方法。」
イ　相違点 
　本願発明と引用例１発明とは、以下の点で相違する。 
（相違点１）
　本願発明の「グラビアシリンダーの製造方法」は、版母材上にＤＬＣ層を形成する工程の後に、「前記ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料でＤＬＣ被覆層を形成し、前記ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を露光・現像せしめてレジストパターン層を形成する工程と、前記ＤＬＣ被覆層をエッチングせしめてＤＬＣ被覆パターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層を剥離する工程」を、この記載順に行うものであり、かつ、「前記ＤＬＣ被覆層が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、コバルト、インジウム、スズ、ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料から構成される」のに対して、引用例１発明は、これらの工程をこの記載順に行い、かつ、「前記ＤＬＣ被覆層が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、コバルト、インジウム、スズ、ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料から構成される」ものと特定されていない点。
　また、本願発明は、前記ＤＬＣ層をドライエッチングせしめて前記ＤＬＣ層にグラビアセルを形成する工程の後に、「前記ＤＬＣ被覆層を剥離する工程」を具備するのに対して、引用例１発明は、この工程を具備するものとは特定されていない点。
（３）　判断
　上記相違点１について検討する。
ア　イオンエッチング，プラズマエッチング等のドライエッチングによりＤＬＣ層にパターニングを行うパターン形成方法として、「ＤＬＣ層を形成し、前記ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料でＤＬＣ被覆層を形成し、前記ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を露光・現像せしめてレジストパターン層を形成する工程と、前記ＤＬＣ被覆層をエッチングせしめてＤＬＣ被覆パターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層を剥離する工程と、前記ＤＬＣ層をドライエッチングせしめて前記ＤＬＣ層のパターニングを行う工程と、前記ＤＬＣ被覆層を剥離する工程と、を含み、上記各工程をその記載順に行う」ことは、引用例３〜５等の記載からみて、本件出願の出願前における周知技術と解するのが相当である（以下、「周知技術１」という。）。 
　すなわち、例えば、引用例３（【００２３】〜【００２４】，【図３】（ａ）〜（ｉ）等）には、「基板２の表面にＤＬＣをプラズマＣＶＤ法により0.5μｍの厚さで蒸着して低散乱層３を形成する・・・この低散乱層３の表面に、・・・Ａｌ層７を形成し、Ａｌ層７の表面に、・・・ポジ型電子線レジストにより電子ビーム用レジスト層５を0.5μｍの厚さで形成する」工程、「このレジスト層５の表面に・・・電子を照射し、所定のパターンで露光して現像し、・・・レジスト層５の露光した部分を除去してレジストパターン６を形成する」工程、「次に・・・レジストパターン６をマスクにしてＡｌ層７をドライエッチングする」工程、「次に、レジストパターン６の全面に紫外線を照射し、ＤＭＡＣ（Dimethylacetamide）液あるいはＮＭＰ（１−Methlyl−２−pyrrolidinone）液でリンスして、・・・レジストパターン６を除去する」工程、「その後、・・・エッチングしたＡｌ層７をマスクとして、低散乱層３をＲＩＥでドライエッチングを・・・行う」工程、「次に、Ａｌ層７をＨ３ＰＯ４液でリンスして除去」する工程を記載の順に順次行うことが記載されている。 
　また、引用例４（【０００８】〜【００１０】，【図４】（ｂ）〜（ｇ）等）には、「平坦化させたＤＬＣ膜４２の上に、さらにテーパ形成用マスクとしてのＤＬＣ膜４４を積層・・・次いで、ＤＬＣ膜４４の上にＴｉ膜４６を形成し、その上にフォトレジスト４８を塗布する」工程、「さらに、塗布されたフォトレジスト４８を露光・現像し、Ｔｉ膜４６の上にレジストマスク４８ａを形成する」工程、「次に、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）により、レジストマスク４８ａで覆われていない部分のＴｉ膜４６を除去する」工程、「その後、レジストマスク４８ａを除去す」る工程、「次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、ＤＬＣ膜４４及びＤＬＣ膜４２をエッチングする」工程、「次に、Ｔｉマスク４６ａを取り除」く工程を記載の順に順次行うことが記載されている。 
　そして、引用例５には、引用例５発明として、「１−Ｓｉ基板上へのＤＬＣ膜合成」、「２−ＤＬＣ膜上へのＡｌの電子ビーム蒸着」、「３−フォトレジストのスピンコーティング」、「４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製」、「５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写」、「６−フォトレジストの除去」、「７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣ膜の酸素イオンビームエッチング」、「８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去」を記載の順に順次行うことが記載されている。
イ　また、ドライエッチングによりＤＬＣ層にパターニングを行うパターン形成方法において、アルミニウム、チタン、クロム、タングステン等エッチングガスに対するエッチングレートがＤＬＣよりも低い適宜の材料からなるＤＬＣ被覆層をマスクとして、ＤＬＣ層のドライエッチングを行うことは、本件出願の出願前における周知技術である（以下、「周知技術２」という。例えば、引用例３の段落【００２４】の「Ａｌ層７」、引用例４の段落【０００９】の「Ｔｉ膜４６」、引用例５のＦｉｇ．１のステップ７及びその説明における「Ａｌ」、引用例６の段落【００１８】の「Ａｌマスク３ａ」、引用例７の段落【００７１】の「マスク材３０」としての「Ｃｒ」，「Ｗ」、引用例８の段落【００２４】の「Ａｌ層１０５」、引用例１０の段落【００６２】の「Ａｌパターン６ａ」等を参照。）。
ウ　上記の周知技術１におけるＤＬＣ被覆層（例えば、引用例３に記載された「Ａｌ層７」、引用例４に記載された「Ｔｉマスク４６ａ」、引用例５に記載された「Ａｌマスク」が相当する。）は、ドライエッチングのマスクとして機能するものである。また、ドライエッチングのマスクの性能改善を図ることは、当然のことにすぎない（例えば、引用例３の段落【００２４】（７欄２９〜４５行）においては、レジストパターンに比してエッチングレートが低いＡｌ層をマスクにすれば、膜厚が１０ｎｍでもマスクとして機能することができることが開示されている。）。
　そうしてみると、引用例１発明において、ドライエッチングのマスクの性能改善を図り上記の周知技術１を採用するとともに、上記の周知技術２に基づき、ＤＬＣ被覆膜がアルミニウム、チタン、クロムあるいはタングステンから構成されるものとして、上記相違点１に係る本願発明の構成を具備するものとすることは、当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項にすぎない。
エ　あるいは、引用例３〜５のいずれかに記載された技術を公知技術と考えても、同様である。
　すなわち、例えば、引用例５（上記（５）ウ〜オ）には、引用例５発明として、１−Ｓｉ基板上へのＤＬＣ膜合成、２−ＤＬＣ膜上へのＡｌの電子ビーム蒸着、３−フォトレジストのスピンコーティング、４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製、５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写、６−フォトレジストの除去、７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣ膜の酸素イオンビームエッチング、８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去をこの記載順に行うＤＬＣ膜微細構造の製造方法が記載されている。
　引用例１発明において、ＤＬＣ膜微細構造を製造するために、引用例５発明を採用することにより、上記相違点１に係る本願発明の構成を具備するものとすることは、当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項にすぎない。
　同様に、引用例１発明において、引用例３に記載されたＤＬＣ層のパターニングを行う技術（「Ａｌ層７」によりドライエッチングを行う点も参照。）、あるいは、引用例４に記載されたＤＬＣ層のパターニングを行う技術（「Ｔｉマスク４６ａ」によりドライエッチングを行う点も参照。）を採用することにより、上記相違点１に係る本願発明の構成を具備するものとすることは、当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項にすぎない。
オ　さらに、上記イ〜エにおいては、引用例１の段落【００１４】の記載に基づいて引用例１発明を認定したが、これに替えて、引用例１の段落【００２１】〜【００２５】に記載された、製造方法の実施例を「引用例１発明」として検討したとしても、同様な理由により、引用例１発明において上記の周知技術１及び周知技術２を採用することにより、又は、引用例１発明において、引用例５発明、引用例３、あるいは引用例４に記載された技術を採用することにより、上記相違点１に係る本願発明の構成を具備するものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
カ　平成２９年８月１０日提出の意見書における、引用例１を主引用例とした拒絶の理由に対する請求人の主張について
（ア）請求人は、引用例１を主引用例とした拒絶の理由に対して、「（iii−９）まとめ　上述したように、本願発明１の（Ａ）〜（Ｈ）の全ての構成要素を開示していない引用例１の記載内容と印刷版の製造への適用性についての教示も示唆も皆無である引用例３〜１０の周知技術乃至公知技術とをどのように組み合わせてみても本願発明１に到達することは不可能であり、引用例１及び引用例３〜１０の組み合わせから本願発明１を想到することは当業者といえども容易になしうることではありません。本願発明１は引用例１及び引用例３〜１０の組み合わせを超える充分なる進歩性を有するものと思料します。」（意見書１７頁３〜８行）旨主張している。
　しかしながら、引用例１発明の方法を改善することは当然の技術課題であり、例えば、その一つの観点として、ドライエッチングの性能改善を検討することは、当然のことにすぎない。
　あるいは、ＤＬＣ層にパターンを形成する技術として引用例１発明と共通・関連する、周知技術１及び周知技術２、あるいは、引用例３乃至引用例５に記載された技術の採用を検討することは、当業者における通常の創意工夫の範囲内のことにすぎない。
（イ）　また、請求人は、本願発明の作用・効果に関して、「本願発明１は、『高アスペクト比のグラビアセルを備えたグラビアシリンダーの製造方
法を提供することができるという著大な効果を有する。』（本願明細書〔００１７〕）ものであります。」（意見書３頁１２〜１４行）旨主張している。
　しかしながら、請求人が主張する効果は、上述のとおり容易推考する当業者が期待する効果にすぎない。 
（ウ）　よって、請求人の主張をいずれも採用することはできない。 
 
キ　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。あるいは、本願発明は、引用例１発明、及び、引用例５、引用例３あるいは引用例４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２　引用例５を主引用例とした場合の対比及び判断
（１）　対比
ア　引用例５発明の「１−Ｓｉ基板上へのＤＬＣ膜合成」における「ＤＬＣ膜」は、本願発明の「ＤＬＣ層」に相当する。
　そうすると、引用例５発明の「１−Ｓｉ基板上へのＤＬＣ膜合成」は、ＤＬＣ層を形成する工程といえる。
イ　引用例５発明の「２」においては、「ＤＬＣ膜」上に「Ａｌ」が電磁ビーム蒸着されるから、「Ａｌ」は、ＤＬＣ膜を覆う層を形成することは明らかである。
　引用例５発明のＤＬＣ膜上の「Ａｌ」は、本願発明の「ＤＬＣ被覆層」に相当する。
　また、引用例５発明の「５」の「フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写」がエッチングによるものであることは技術常識であるから、「Ａｌ」はエッチング可能な材料である。
　そうすると、上記アより、引用例５発明の「２−ＤＬＣ膜上へのＡｌの電子ビーム蒸着」は、ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料（Ａｌ）でＤＬＣ被覆層を形成する工程といえる。
　また、本願発明においては、「ＤＬＣ被覆層」を構成する「少なくとも一種の材料」の選択肢として、「アルミニウム」が含まれている。
　してみると、引用例５発明は、本願発明の「前記ＤＬＣ被覆層が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、コバルト、インジウム、スズ、ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料から構成される」という要件を満たしている。
ウ　引用例５発明においては、「２−ＤＬＣ膜上へのＡｌの電子ビーム蒸着」に続き、「３−フォトレジストのスピンコーティング」が行われるから、「３」により、「Ａｌ」上に「フォトレジスト」が、「スピンコーティング」され、「フォトレジストの層」が形成されることとなる。
　引用例５発明の「フォトレジスト」、「スピンコーティング」及び形成された「フォトレジストの層」は、それぞれ、本願発明の「フォトレジスト」、「塗布」及び「フォトレジスト層」に相当する。
　そうすると、上記イより、引用例５発明の「３−フォトレジストのスピンコーティング」は、ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程といえる。
エ　上記ア〜ウをまとめると、引用例５発明の製造方法における「１」、「２」及び「３」は、ＤＬＣ層を形成し、ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料でＤＬＣ被覆層を形成し、ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程ということができる。
オ　引用例５発明の「３」に続く「４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製」により、「通常の光リソグラフィ技術」によって、上記ウの「３」で形成された「フォトレジストの層」の「パターン」が作製されることとなる。
　引用例５発明の「通常の光リソグラフィ技術」として、露光工程と現像工程が含まれることは技術常識である。
　引用例５発明の作製された「フォトレジストの層」の「パターン」は、本願発明の「レジストパターン層」に相当する。
　そうすると、上記ウより、引用例５発明の「４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製」は、本願発明の「フォトレジスト層を露光・現像せしめてレジストパターン層を形成する工程」に相当する。
カ　引用例５発明の「５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写」により、Ａｌのパターンが形成される。
　また、このＡｌのパターン化はエッチングによるものであることは技術常識である。
　引用例５発明のＡｌのパターンは、本願発明の「ＤＬＣ被覆パターン層」に相当する。
　そうすると、上記イより、引用例５発明の「５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写」は、本願発明の「ＤＬＣ被覆層をエッチングせしめてＤＬＣ被覆パターン層を形成する工程」に相当する。
キ　引用例５発明の「６−フォトレジストの除去」において除去される「フォトレジスト」は、その前の「３」〜「５」を踏まえると、上記オの「４」により作製された「フォトレジストの層」の「パターン」のことである。
　引用例５発明の「６−フォトレジストの除去」における「除去」は、技術的にみて、本願発明の「剥離」に相当する。
　そうすると、上記オより、引用例５発明の「６−フォトレジストの除去」は、本願発明の「前記レジストパターン層を剥離する工程」に相当する。
ク　引用例５発明の「７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣ膜の酸素イオンビームエッチング」における「酸素イオンビームエッチング」が、ドライエッチングに分類されるものであることは技術常識である。
　そうすると、上記アより、引用例５発明の「７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣ膜の酸素イオンビームエッチング」は、ＤＬＣ層をドライエッチングせしめる工程ということができる。
ケ　引用例５発明の「８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去」において「Ａｌマスク」は、その前の「１」〜「７」を踏まえると、上記カの「５」によりパターン化された「Ａｌ」である。
　引用例５発明の「８」において、パターン化された「Ａｌマスク」を除去することは、結局、「Ａｌ」を除去することである。
　引用例５発明の「８」における「除去」は、技術的にみて、本願発明の「剥離」に相当する。
　そうすると、上記イより、引用例５発明の「８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去」は、本願発明の「ＤＬＣ被覆層を剥離する工程」に相当する。
（２）　一致点及び相違点
ア　一致点
　上記（１）の対比結果を踏まえると、本願発明と引用例５発明とは、以下の点で一致する。
（一致点）
　「ＤＬＣ層を形成し、前記ＤＬＣ層上に、エッチング可能な材料でＤＬＣ被覆層を形成し、前記ＤＬＣ被覆層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を露光・現像せしめてレジストパターン層を形成する工程と、前記ＤＬＣ被覆層をエッチングせしめてＤＬＣ被覆パターン層を形成する工程と、前記レジストパターン層を剥離する工程と、前記ＤＬＣ層をドライエッチングせしめる工程と、前記ＤＬＣ被覆層を剥離する工程と、を含み、上記各工程をその記載順に行い、かつ前記ＤＬＣ被覆層が、ニッケル、タングステン、クロム、チタン、銀、ステンレス鋼、鉄、銅、アルミニウム、コバルト、インジウム、スズ、ケイ素からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料から構成される、
製造方法。」
イ　相違点
　本願発明と引用例５発明とは、以下の点で相違する。 
（相違点２）
　本願発明は、「版母材上に」ＤＬＣ層を形成し、「前記ＤＬＣ層にグラビアセルを形成する」「グラビアシリンダーの」製造方法であるのに対して、
　引用例５発明は、「Ｓｉ基板上に」形成されたＤＬＣ膜（ＤＬＣ層）に微細構造を形成する「ＤＬＣ膜微細構造の」製造方法であって、「グラビアシリンダーの」製造方法ではない点。
（３）　判断
　上記相違点２について検討する。
ア　版母材上に形成されたＤＬＣ層にグラビアセルを形成したグラビアシリンダーは、本件出願前に周知技術である（以下、「周知技術３」という。例えば、当審拒絶理由で引用された引用例１（段落【００２４】、【００２６】〜【００３４】）及び引用例２（段落【０００１】、【００２０】〜【００２５】、【００２６】〜【００３４】、【００３５】〜【００３８】、【００４３】、図１等）や、特開２０１０−１３７５４０号公報（段落【０００１】、【０００２】【００１９】、図１等）等を参照。）。
イ　一方、引用例５には、Ｆｉｇ．１（上記１（５）エ参照）が示されるとともに、「ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜はそれらの大変興味深い特性のため最上位の関心を維持している［１］。高硬度、耐摩耗性、低摩擦性、耐腐食性、疎水性、高熱伝導性、近紫外、可視光、近赤外領域の高光透過性が言及される。それゆえ、ダイヤモンドライクカーボン膜の様々な応用が検討されている［１］。」（上記１（５）ア参照）、「この研究においては、水素化ＤＬＣフィルムやドープ水素化ＤＬＣ膜のイオンビームによるエッチングが調べられた。ドーピングのエッチングレートへの影響が研究された。エッチング前後においてフィルムの疎水性特性や表面構造が研究された。」（上記１（５）ア参照）、「図１は、ダイヤモンドライクカーボン膜中に微細構造を製造する主要なステップを示す。ステップ１−６は、パターン形成の間に普通に用いられる典型的な手順を示す。ステップ７は、用いられるＤＬＣの種類に対して、エッチングレート、湿潤性、粗さ等に関して系統的に解析された。」（上記１（５）ウ参照）、「図１　ダイヤモンドライクカーボン膜微細構造の製造：１−ＤＬＣ合成，２−ＤＬＣ上へのＡｌの電子ビーム蒸着，３−フォトレジストのスピンコーティング，４−通常の光リソグラフィ技術によるフォトレジストのパターン作製，５−フォトレジストマスクを通してのＡｌへのパターン転写（Ａｌ格子の作製），６−フォトレジストの除去，７−Ａｌマスクを通してのＤＬＣの酸素イオンビームエッチング，８−ウェット化学エッチングによるＡｌマスクの除去」（Ｆｉｇ．１の説明として、上記１（５）オ参照）との記載がある。
　Ｆｉｇ．１やこれらの記載に接した当業者であれば、引用例５は、高硬度、耐摩耗性、低摩擦性、耐腐食性、疎水性、高熱伝導性、高光透過性等の大変興味深い特性があるために様々な応用が検討されているＤＬＣにおいて、ＤＬＣへのドーピングのエッチングレートへの影響の研究を目的とするものであって、Ｆｉｇ．１に示されるＤＬＣ膜微細構造の製造方法であるステップ１−８は、ＤＬＣ膜へのパターン形成の間に普通に用いられる典型的な手順として示されていると理解することができる。
　そうすると、上記引用例５発明は、もっぱらＤＬＣ膜に微細構造を製造する方法に技術的特徴を有する発明であって、ＤＬＣ膜の基板がＳｉであることに技術的特徴があるとはいえない（引用例５発明においてＳｉ基板は必須ではない。）。したがって、引用例５発明において、ＤＬＣ膜を形成する対象は限定されるものではなく、また、その用途も限定されていないと解するのが相当である。
ウ　してみると、引用例５発明を、上記の周知技術３に基づき、グラビアシリンダーの製造方法として具体化して、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、引用例５発明における単なる用途開発にすぎない。
エ　以上のとおり、本願発明は、引用例５発明及び周知技術３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３　まとめ  
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。あるいは、本願発明は、引用例１発明、及び、引用例５、引用例３あるいは引用例４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明は、引用例５発明及び周知技術３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第５　むすび  
　以上のとおり、本件出願の請求項１に係る発明は、特許を受けることができないから、請求項２ないし３係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。