【事件の表示】
　特願２０１４−２２６８２５「コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　３月２６日出願公開、特開２０１５−　５７８４５、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年５月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年６月１８日、米国）を国際出願日として出願した特願２０１２−５１５５８５号の一部を平成２６年１１月７日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年９月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年３月２５日に意見書及び手続補正書が提出され、同年８月２４日付け（８月３０日送達）で拒絶査定がされ、これに対して、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。
　その後、当審において、平成２９年７月２８日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１０月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は、平成２９年１０月２６日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの本願発明１及び本願発明３は、それぞれその請求項１、３に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体発光デバイスであって：
　半導体構造であり：
　　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層と、
　　ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域であり、該ｎコンタクト領域は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された第１の領域と、前記発光層及び前記ｐ型領域が残存する複数の第２の領域とを有し、該第１の領域は連続的な領域であり、該複数の第２の領域は、前記連続的な領域内に配置された、半導体材料の複数のポストを有する、ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域と、
　　前記ｎコンタクト領域と前記ｐコンタクト領域との間に配置された溝と、
　を有する半導体構造；
　前記ｐコンタクト領域内の前記半導体構造上のｐコンタクトであり、複数の第１のバンプを形成するｐコンタクト；及び
　前記ｎコンタクト領域内の前記半導体構造上のｎコンタクトであり、前記ｎコンタクト領域の前記複数のポストに対応する複数の第２のバンプを有するｎコンタクト；
　を有し、
　前記ｎコンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記残存するｐ型領域及び前記露出されたｎ型領域の双方と電気的に接触しており、
　前記複数の第１のバンプは、前記複数の第２のバンプと同じピッチを有する、
　半導体発光デバイス。」
「【請求項３】
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造をエッチングする工程であり：
　　ｎコンタクト領域であり、該ｎコンタクト領域は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された第１の領域と、前記発光層及び前記ｐ型領域が残存する複数の第２の領域とを有し、該第１の領域は連続的な領域であり、該複数の第２の領域は、前記連続的な領域内に配置された、半導体材料の複数のポストを有する、ｎコンタクト領域と、
　　前記ｎコンタクト領域とｐコンタクト領域との間に配置されたトレンチと
　を形成する、エッチングする工程；
　前記ｐコンタクト領域上のｐコンタクトと前記ｎコンタクト領域上のｎコンタクトとを形成する工程であり、前記ｐコンタクトは複数の第１のバンプを形成し、前記ｎコンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記複数のポストに対応する複数の第２のバンプを形成する、工程；
　を有し、
　前記ｎコンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記残存するｐ型領域及び前記露出されたｎ型領域の双方と電気的に接触され、
　前記複数の第１のバンプは、前記複数の第２のバンプと同じピッチを有する、
　半導体発光デバイスの製造方法。」
　なお、本願発明２は、本願発明１を減縮した発明である。
第３　引用文献の記載と引用発明
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００５−１５８７８８号公報））には、図面とともに次の事項が記載されている。
ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光ダイオードとして好適に実施される半導体発光素子に関し、詳しくは透光性基板の上にIII族窒化物をエピタキシャル成長させた構造を有し、前記透光性基板の同一面に電極を形成し、この間に電流を流す構造を有するものに関する。」
イ「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　上述の各従来技術において、先ず特開２００２−２８０６１１号公報の従来技術では、一部サファイア基板５２側に回折された光については、該サファイア基板５２内に閉じ込められるか、もしくはダイボンド材などに吸収されてロスになるという問題がある。
【００１１】
　また、サファイア基板５２の凹凸形状は、元々半導体層の結晶品質向上を目的として形成されたものであり、結晶品質の最適化と光取出しの最適化とを同時に満足することは、一般的に難しい。…（略）…
【００１６】
　本発明の目的は、フリップチップタイプの半導体発光素子において、光の取出し効率を向上することができる半導体発光素子を提供することである。」）
ウ　「【課題を解決するための手段】
【００１７】
　本発明の半導体発光素子は、発光する光に対して透明性を有する基板の一方の面に、少なくともｎ型とｐ型との半導体層を相互に積層し、前記ｎ型およびｐ型の半導体層とそれぞれ電気的に導通するｎ層およびｐ層電極を、前記基板の面方向に相互に離間して形成して成る半導体発光素子において、下層側となる半導体層の電極領域において、該半導体層と電極との当接面に凹凸を有することを特徴とする。
【００１８】
　…（略）…前記他方の極性の電極が下層側の半導体層、この場合はｎ型の半導体層と導通されるようになっており、この領域は、発光に寄与せず、本発明では、この
下層側となる半導体層
該半導体層と電極との当接面に凹凸を形成する
【００１９】
　したがって、ｎ型とｐ型との半導体層の界面で発生し、従来では下層側の半導体層と基板との屈折率差のために全反射され、該下層側の半導体層に
閉込められていた光は
該領域の凹凸によって回折され、基板への入射角度が変化されることになり、
基板側へ取出され、基板の他方の面から放射されるようになる
ｎ層電極およびｐ層電極が反射電極であると、
光の取出し効率を向上することができる
エ　「【００３６】
　［実施の形態１］
　
図１は、本発明の実施の第１の形態の半導体発光素子１を示す断面図である
ｐ型窒化ガリウム層５の上にｐ電極６
を形成している
…（略）…
【００３８】
　前記凹凸部８を形成することで、ｎ型窒化ガリウム層３とｎ電極７との界面で、サファイア基板２の面方向に導波する光が散乱され、かつ前記ｎ電極７およびｐ電極６で全反射され、該サファイア基板２へ回折する光が増加し、結果として光取出し効率を向上させることができる。
【００３９】
　以上のように、発光する光に対して透明性を有するサファイア基板２を使用し、そのサファイア基板２２の一方の面に、ｎ型窒化ガリウム層３、発光層４およびｐ型窒化ガリウム層５の半導体層を順次積層するとともに、それらの半導体層と電気的に導通するｎ電極７およびｐ電極８を形成して成り、発光層４で発生した光を前記サファイア基板２の他方の面から取出すことで、高輝度発光に好適なフリップチップ（フェイスダウン）タイプの発光ダイオードなどとして実現される半導体発光素子１において、発光に寄与せず、下層側の半導体層であるｎ型窒化ガリウム層３と導通されるｎ電極７の領域で、該ｎ型窒化ガリウム層３とｎ電極７との当接面に凹凸部８を形成することで、光の取出し効率を向上することができる。」
オ　「【００４２】
　［実施の形態２］
　
図２は、本発明の実施の第２の形態の半導体発光素子１１を示す断面図である
半導体発光素子１１では、ｎ型窒化ガリウム層３、発光層１４およびｐ型窒化ガリウム層１５の半導体層をエキタピシャル成長させた後に、ｎ電極１７に対応する領域で、ｐ型窒化ガリウム層１５および発光層１４を通して、ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで、複数の凹凸部１８を形成した
ｎ型窒化ガリウム層３が凹部となり、ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部となる
この凹凸部１８全体の上部全面に電極１７を形成することで、この電極はｎ電極となる
【００４３】
　このように構成してもまた、ｎ型窒化ガリウム層３とｐ型窒化ガリウム層１５とによって形成される凹凸部１８と、この上に形成されたｎ電極１７との界面で、サファイア基板２の面方向に導波する光が散乱され、かつ前記ｎ電極１７およびｐ電極６で全反射され、サファイア基板２へ回折する光が増加し、結果として光取出し効率を向上させることができる。さらにこのような構成では、ｐ型窒化ガリウム層１５を、たとえば通常のフォトリソグラフィと反応性イオンエッチングとによって１回エッチングするだけで、
凹凸を持ったｎ電極１７
カ　上記エから、図１は、本発明の実施の第１の形態の半導体発光素子１を示す断面図であり、上記オから、図２は、本発明の実施の第２の形態の半導体発光素子１１を示す断面図であり、それぞれ以下のとおりものである。
　図２から、ｐ電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間に配置された凹部が見てとれる。
　また、図２から、ｎ電極１７は、凹凸部１８の凸部となるｐ型窒化ガリウム層１５及び凹部となるｎ型窒化ガリウム層３の双方と接触していることが見てとれる。
（２）引用発明
　したがって、上記引用文献１には、第２の実施の形態として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体発光素子１１であって、
　ｎ型窒化ガリウム層３、発光層１４およびｐ型窒化ガリウム層１５の半導体層をエキタピシャル成長させた後に、
　ｎ電極１７に対応する領域で、ｐ型窒化ガリウム層１５および発光層１４を通して、ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで、複数の凹凸部１８を形成したもので、ｎ型窒化ガリウム層３が凹部となり、ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部となり、この凹凸部１８全体の上部全面に電極１７を形成することで、この電極は凹凸を持ったｎ電極１７となるものであり、
　ｐ電極６に対応する領域で、ｐ型窒化ガリウム層１５の上にｐ電極６を形成しており、
　ｐ電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間に凹部が配置され、
　ｎ電極１７は、凹凸部１８の凸部となるｐ型窒化ガリウム層１５及び凹部となるｎ型窒化ガリウム層３の双方と接触している、
　半導体発光素子１１。」
２　引用文献２について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００５−３２２７２２号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（１）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は一種の発光ダイオードに係り、特に四元エピタキシャル層の平面型発光ダイオードに応用され、後続工程の進行に便利であるのみならず、ｐｎ接合の発光作用領域が増され発光輝度と使用寿命が増された発光ダイオードに関する。」
（２）図５、図９、図１３、図１６、図１７は、それぞれ以下のとおりのものである。
３　引用文献３について
　また、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（米国特許出願公開第２００８／００５４２９０号明細書）には、図面とともに次の事項が記載されている（審決注：日本語の部分訳は合議体による。）。
（１）「In FIG. 2, a light-emitting element comprises an LED 30 and a submount unit 40. …（略）…The first electrode 35 is formed on the first contact layer 33 and the second electrode 36 is formed on the second contact layer 34. In one embodiment, the LED 30 further comprises an electrode pad layer 37 formed on the intermediate between the second contact layer 34 and the second electrode 36. Thus, the upper surfaces of the second electrode 36 and the first electrode 35  are substantially located on the same level. …略…
There is a plurality of micro-bumps formed on the surfaces of the first electrode 35 and the second electrode 36
FIG. 3 shows that electrodes 55 and 56 are the plurality of micro-bumps separate among each other.
（「図２において、発光ダイオード要素はＬＥＤ３０及びサブマウントユニット４０を含む。…（略）…第１の電極３５は第１コンタクト層３３の上に形成され、第２電極３６は第２コンタクト層３４の上に形成される。ある実施の形態では、ＬＥＤ３０は、第２コンタクト層３４と第２電極３６の間の中間に形成された電極パッド層３７を更に含む。このようにして、第２電極３６及び第１電極３５の上部表面は、本質的に同じレベルに位置する。…（略）…
第１の電極３５及び第２の電極３６の表面の上に形成された複数のマイクロバンプがある
複数のマイクロバンプは、短いボンディング距離を提供することができ、ＬＥＤ３０及びサブマウント要素４０との間の熱抵抗を低減させ、そして、とてもよいボンディングを維持するのに好ましいせん断強度を持ちうる
図３は、電極５５及び５６は互いの間で分離された複数のマイクロバンプであることを示す。
（２）「In  FIG. 4, another embodiment is that a light-emitting element comprises an LED 60 and a submount unit 40. The LED 60 comprises a transparent substrate 31, a light-emitting stack 62, a first contact layer 63, a second contact layer 64, a first electrode 65, and a second electrode 66. The transparent substrate 31 comprises a first region a, a second region b, and a trench c. The light-emitting stack 62 formed on the first region a and second region b of the transparent substrate 31 comprises a first electricity semiconductor layer 621, an active layer 622, and a second electricity semiconductor layer 623 in order. The light-emitting stack 62 located on the first region a and the second region b is connected to the transparent substrate 31 by the first electricity semiconductor layer 621. 
The first contact layer 63 is formed on the second electricity semiconductor layer 623 of the first region a
the second contact layer is formed on the second semiconductor layer 623 of the second region b
The first electrode 65 is formed on the first contact layer 63
the second electrode 66 is formed on the second contact layer 64.
The first electrode 65 and the second electrode 66 comprise a plurality of micro-bumps for providing a plurality of current channels to conduct the current from the plurality of micro-bumps to the submount
In another embodiment, the first electrodes 65 and the second electrode 56 are the plurality of micro-bumps separate among each other.
（「図４において、別の実施の形態は、発光要素はＬＥＤ６０及びサブマウントユニット４０を含む。ＬＥＤ６０は、透明基板３１、発光積層体６２、第１コンタクト層６３、第２コンタクト層６４、第１電極６５、及び第２電極６６を含む。透明基板３１は、第１領域ａ、第２領域ｂ、及びトレンチｃを含む。透明基板３１の第１領域ａ及び第２領域ｂの上に形成された発光積層体６２は、第１電気半導体層６２１、活性層６２２、及び第２電気半導体層６２３を順に含む。第１領域ａ及び第２領域ｂの上に位置する発光積層体６２は、第１電気半導体層６２１によって透明基板３１に接続される。
第１コンタクト層６３は、第１領域ａの第２電気半導体層６２３の上に形成され
第２コンタクト層は、第２領域ｂの第２半導体層６２３の上に形成される
第１電極６５は第１コンタクト層６３の上に形成され
第２電極６６は第２コンタクト層６４の上に形成される
第１電極６５及び第２電極６６は
複数のマイクロバンプからサブマウントへの電流を伝導する複数の電流チャネルを提供するために、複数のマイクロバンプから構成される
別の実施の形態では、第１電極６５及び第２電極５６は互いの間で分離された複数のマイクロバンプである
（３）引用文献３のFIG.2、FIG.3、FIG.4は、それぞれ以下のとおりのものである。
第４　当審の判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「半導体発光素子１１」は、本願発明１の「半導体発光デバイス」に相当する。
イ　引用発明における「ｎ型窒化ガリウム層３」、「発光層１４」、「ｐ型窒化ガリウム層１５」、「ｎ電極１７」、「ｐ電極６」、「ｎ電極１７に対応する領域」、「ｐ電極６に対応する領域」は、それぞれ本願発明１の「ｎ型領域」、「発光層」、「ｐ型領域」、「ｎコンタクト」、「ｐコンタクト」、「ｎコンタクト領域」、「ｐコンタクト領域」に相当する。
ウ（ア）引用発明は、「ｎ型窒化ガリウム層３、発光層１４およびｐ型窒化ガリウム層１５の半導体層をエキタピシャル成長させた後に、ｎ電極１７に対応する領域で、ｐ型窒化ガリウム層１５および発光層１４を通して、ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで、複数の凹凸部１８を形成したもので、ｎ型窒化ガリウム層３が凹部となり、ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部となり」、「ｐ電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間に凹部が配置され」たものである。
（イ）上記（ア）より、引用発明において、発光層１４は、ｎ型窒化ガリウム層３とｐ型窒化ガリウム層１５との間に配置されたものであるといえる。
　よって、本願発明１と引用発明とは、「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層」を有する点で一致する。
（ウ）上記（ア）より、引用発明において、「ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部とな」った領域は、「『ｐ型窒化ガリウム層１５および発光層１４を通して、ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで、複数の凹凸部１８を形成したもので』、『ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部とな』った領域」であるから、「発光層１４」及び「ｐ型窒化ガリウム層１５」が「残存する」領域であるといえる。
　したがって、引用発明において、「ｎ電極１７に対応する領域」（ｎコンタクト領域）は、「『ｐ型窒化ガリウム層１５』（ｐ型領域））および『発光層１４』（発光層）」の部分が除去されて「ｎ型窒化ガリウム層３」（ｎ型領域）が露出された領域と、「発光層１４」（発光層）及び「ｐ型窒化ガリウム層１５」（ｐ型領域）が残存する複数の領域とを有するといえる。
　よって、本願発明１と引用発明とは、「該ｎコンタクト領域は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された第１の領域と、前記発光層及び前記ｐ型領域が残存する複数の第２の領域とを有」する点で一致する。
（エ）本願発明１の「溝」と、引用発明の「電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間」に「配置され」た「凹部」とは、「凹部」である点で共通する。
　よって、本願発明１と引用発明とは、「前記ｎコンタクト領域と前記ｐコンタクト領域との間に配置された凹部」を有する点で一致する。
（オ）上記（ア）に記載した、引用発明の「ｎ型窒化ガリウム層３、発光層１４およびｐ型窒化ガリウム層１５の半導体層をエピタキシャル成長した後に、ｎ電極１７に対応する領域で、…複数の凹凸部１８を形成したもので、ｎ型窒化ガリウム層３が凹部となり、ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部となり」、「ｐ電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間に凹部が配置され」た構造は、「半導体」の構造であるから、本願発明１の「半導体構造」に相当する。
　また、引用発明の当該構造は、「ｎ電極１７に対応する領域で、…複数の凹凸部１８を形成したもの」であり、更に、引用発明は、「ｐ電極６に対応する領域で、ｐ型窒化ガリウム層１５の上にｐ電極６を形成して」いる。したがって、引用発明の当該構造は、「ｎ電極１７に対応する領域」（ｎコンタクト領域）及び「ｐ電極６に対応する領域」（ｐコンタクト領域）を有するものであることは明らかである。
　したがって、上記（ア）を踏まえると、本願発明１と引用発明は、「半導体構造であり：発光層と、ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域と、凹部と、を有する半導体構造」を有する点で共通する。
（カ）上記（イ）〜（オ）をまとめると、本願発明１と引用発明とは、
「半導体構造であり：
　　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層と、
　　ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域であり、該ｎコンタクト領域は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された第１の領域と、前記発光層及び前記ｐ型領域が残存する複数の第２の領域とを有する、ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域と、
　　前記ｎコンタクト領域と前記ｐコンタクト領域との間に配置された凹部と、
　を有する半導体構造」を有する点で一致する。
エ　引用発明において、「ｐ電極６」（ｐコンタクト）は、「ｐ電極６に対応する領域」（ｐコンタクト領域）内のものであるといえるとともに、引用発明では、「ｐ型窒化ガリウム層５の上にｐ電極６を形成し」たものであるから、上記ウを踏まえると、本願発明１と引用発明とは、「前記ｐコンタクト領域内の前記半導体構造上のｐコンタクト」を有する点で一致する。
オ　引用発明において、「ｎ電極１７」（ｎコンタクト）は、「ｎ電極１７に対応する領域」（ｐコンタクト領域）内のものであるといえるとともに、引用発明では、「この凹凸部１８全体の上部全面に電極１７を形成することで、この電極は凹凸を持ったｎ電極１７とな」るから、上記ウを踏まえると、本願発明１と引用発明とは、「前記ｎコンタクト領域内の前記半導体構造上のｎコンタクト」を有する点で一致する。
カ　引用発明では、「ｎ電極１７（ｎコンタクト）は、凹凸部１８の凸部となるｐ型窒化ガリウム層１５（ｐ型領域）及び凹部となるｎ型窒化ガリウム層３（ｎ型領域）の双方と接触している」から、上記ウを踏まえると、本願発明１と引用発明とは、「前記ｎコンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記残存するｐ型領域及び前記露出されたｎ型領域の双方と電気的に接触して」いる点で一致する。
キ　以上をまとめると、本願発明１と引用発明との一致点及び相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「半導体発光デバイスであって：
　半導体構造であり：
　　ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層と、
　　ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域であり、該ｎコンタクト領域は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された第１の領域と、前記発光層及び前記ｐ型領域が残存する複数の第２の領域とを有する、ｎコンタクト領域及びｐコンタクト領域と、
　　前記ｎコンタクト領域と前記ｐコンタクト領域との間に配置された凹部と、
　を有する半導体構造；
　前記ｐコンタクト領域内の前記半導体構造上のｐコンタクト；及び
　前記ｎコンタクト領域内の前記半導体構造上のｎコンタクト；
　を有し、
　前記ｎコンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記残存するｐ型領域及び前記露出されたｎ型領域の双方と電気的に接触している、
　半導体発光デバイス。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　第１の領域、第２の領域について、本願発明１では、「該第１の領域は連続的な領域であり、該複数の第２の領域は、前記連続的な領域内に配置された、半導体材料の複数のポストを有する」ものであるのに対し、引用発明では、「ｐ型窒化ガリウム層１５および発光層１４を通して、ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで、複数の凹凸部１８を形成したもので、ｎ型窒化ガリウム層３が凹部となり、ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部とな」るものの、ｎ型窒化ガリウム層３が露出した領域（本願発明１の「第１の領域」に相当する。上記ウ（ウ）を参照。）である、該「凹部」が「連続的な領域」であり、該「ｐ型窒化ガリウム層１５が凸部とな」った領域（本願発明１の「第２の領域」に相当する。上記ウ（ウ）を参照。）は「複数のポストを有する」ものであるか否か不明である点。
＜相違点２＞
　半導体構造について、本願発明１では、「前記ｎコンタクト領域と前記ｐコンタクト領域との間に配置された溝」を有するのに対し、引用発明では、「ｐ電極６に対応する領域とｎ電極１７に対応する領域との間に凹部が配置され」ているものの、該「凹部」が、「溝」であるか否か不明である点。
＜相違点３＞
　ｐコンタクトについて、本願発明１では、「複数の第１のバンプを形成する」ものであるのに対し、引用発明１では、ｐ電極６は、このような構成について特定されていない点（以下、「相違点３−１」という。）。
　また、ｎコンタクトについて、本願発明１では、「前記ｎコンタクト領域の前記複数のポストに対応する複数の第２のバンプを有する」ものであるのに対し、引用発明１では、ｎ電極１７は、「この凹凸部１８全体の上部全面に電極１７を形成することで、この電極は凹凸を持ったｎ電極１７」であるものの、本願発明１のこのような構成について特定されていない点（以下、「相違点３−２」という。）。
　そのため、本願発明１では、「前記複数の第１のバンプは、前記複数の第２のバンプと同じピッチを有する」ものであるのに対し、引用発明では、このような特定はされていない点（以下、「相違点３−３」という。）。
（２）相違点についての判断
ア　まず、相違点３−１について、検討する。
（ア）上記第３の１（１）に摘記したように、引用文献１には、ｐ電極６が、複数の「バンプ」を形成するものであることは記載も示唆もされていない。
　上記第３の２（２）に摘記したように、引用文献２には、第１電極３７、６７、８７、第２電極９５、３５（いずれも本願発明１の「ｐコンタクト」に相当する。）が、複数の「バンプ」を形成するものであることは記載も示唆もされていない。
　上記第３の３（１）、（２）に摘記したように、引用文献３には、(a)図２に示される実施の形態のＬＥＤ３０について、第１の電極３５及び第２の電極３６の表面の上に形成された複数のマイクロバンプがあること、(b)図３は、電極５５及び５６は互いの間で分離された複数のマイクロバンプであることを示すこと、(c)図４に示される別の実施の形態のＬＥＤ６０について、第１電極６５は第１コンタクト層６３の上に形成され、第２電極６６は第２コンタクト層６４の上に形成され、第１コンタクト層６３は、第１領域ａの第２電気半導体層６２３の上に形成され、第２コンタクト層は、第２領域ｂの第２半導体層６２３の上に形成され、第１電極６５及び第２電極６６は複数のマイクロバンプから構成されること、(d)別の実施の形態では、第１電極６５及び第２電極５６は互いの間で分離された複数のマイクロバンプであることが、記載されている。
（イ）上記第３の１（１）ウに摘記したように、引用文献１の段落【００１８】、【００１９】には、閉じ込められていた光が、
下側層となる半導体層
　そして、引用発明の「ｎ電極１７に対応する領域」の「凹凸部１８」は、「ｎ型窒化ガリウム層３が露出するまで穿設することで」形成したものであるところ、「ｎ型窒化ガリウム層３」は、上記摘記の「下側層となる半導体層」に対応するから、引用発明では、「凹凸部１８」によって光が回折され、光の取出し効率が向上するものであるといえる。
　他方、引用発明の「凹凸を持ったｎ電極１７」の「凹凸」は、「凹凸部１８全体の上部全面に電極１７を形成することで」、「凹凸を持ったｎ電極１７とな」るものであるから、下側層となるｎ型窒化ガリウム層１８に形成された「凹凸部１８」の凹凸形状が反映されて「凹凸を持った」ものとされたものである。また、引用文献１には、ｎ電極１７の当該「凹凸」の有する機能について記載も示唆もされていない。
　ところで、上記第３の３（１）に摘記したように、引用文献３には、図２について、複数のマイクロバンプは、短いボンディング距離を提供することができ、ＬＥＤ３０及びサブマウント要素４０との間の熱抵抗を低減させ、そして、とてもよいボンディングを維持するのに好ましいせん断強度を持ちうること、並びに、上記第３の３（２）に摘記したように、引用文献３には、図３について、第１電極６５及び第２電極６６は、複数のマイクロバンプからサブマウントへの電流を伝導する複数の電流チャネルを提供するために、複数のマイクロバンプから構成されることが、記載されている。
（ウ）したがって、引用発明のｎ電極１７が持つ「凹凸」と、引用文献３に記載の技術における、第１電極６５を構成するマイクロバンプあるいは第１電極６５が互いの間で分離されたマイクロバンプであるところのマイクロバンプとは、断面形状が凹凸形状である点では共通するものの、その技術的意味あるいは機能までが共通するとはいえない。
　よって、引用発明に引用文献３に記載の技術を適用することについて、上記イで検討したように、引用発明における「凹凸」と引用文献３に記載の「マイクロバンプ」の技術的意味あるいは機能の関連性または共通性の観点を併せて考慮してみると、当業者に、引用発明において、ｐ電極６を、引用文献３の複数のバンプを形成するものに替える動機付けがあるということはできない。
　以上のとおりであるから、引用発明において、引用文献２、３を参照したとしても、相違点３−１に係る本願発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たということはできない。
イ　よって、相違点３−２、３−３並びに相違点１及び相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２、３に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）本願発明１についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２、３に記載の技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１を減縮した発明であり、「前記複数の第１のバンプは、前記複数の第２のバンプと同じピッチを有する」という、本願発明１と同じ構成を備えるものであるから、上記「１　本願発明１について」の判断と同様の理由により、引用発明１及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　本願発明３について
　本願発明３は、半導体発光デバイスの製造方法に係る発明であり、「前記複数の第１のバンプは、前記複数の第２のバンプと同じピッチを有する」という、本願発明１と同じ構成を備えるものであるから、上記「１　本願発明１について」の判断と同様の理由により、引用発明１及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定は、請求項１〜１１に係る発明について、上記引用文献１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、上記のとおり、本願発明１〜本願発明３は、引用発明（上記引用文献１に記載された発明）及び上記引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
１　特許法第３６条第６項第２号について
（１）当審では、平成２８年１２月２８日付けで補正された、
　請求項１の「
該ｎコンタクト領域の断面は
複数の第１の領域を有し
該複数の第１の領域は
残存する複数の第２の領域によって離隔されており
　請求項１の「前記第２の金属コンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記複数の第２の領域のうちの少なくとも１つと電気的に接触しており」という記載、
　請求項１の「デバイスであって：半導体構造であり：…発光層と、…を有する半導体構造；…；を有し、…、デバイス。」という記載、
　請求項３の「…エッチングする工程；…、第２のバンプを形成する、工程；を有し、…同じピッチを有する、方法。」という記載、
　請求項３の「ｎコンタクト領域であり、該ｎコンタクト領域の断面は、前記発光層及び前記ｐ型領域の部分が除去されて前記ｎ型領域が露出された複数の第１の領域を有し、
該複数の第１の領域は
離隔され
　請求項３の「前記第２の金属コンタクトは、前記ｎコンタクト領域の前記複数の第２の領域のうちの少なくとも１つと電気的に接触され」という記載、及び
　請求項２の「ポストの
幅
　しかしながら、平成２９年１０月２６日付けの補正において、請求項１及び請求項３は、上記「第２　本願発明」に記載のとおりに補正され、請求項２に記載の「ポストの幅」は「ポストの直径」に補正された結果、この拒絶の理由は解消している。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜本願発明３は、当業者が引用発明及び引用文献２、３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、原査定の理由ま由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。