【事件の表示】
　特願２０１２−５５１５０１「一時的にボンディングされた製品ウェハの処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月１１日国際公開、ＷＯ２０１１／０９５１８９、平成２５年　５月２３日国内公表、特表２０１３−５１９２１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
理　由
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年（２０１０年）１１月２３日（パリ条約による優先権主張　ドイツ特許庁受理　２０１０年２月５日）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　８月１４日　審査請求
平成２６年　７月１４日　拒絶理由通知
平成２６年１１月２５日　意見書・手続補正書
平成２７年　５月２８日　拒絶理由通知
平成２７年　８月３１日　意見書・手続補正書
平成２８年　３月２３日　拒絶理由通知
平成２８年　６月２２日　意見書・手続補正書
平成２８年　８月　４日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２８年１２月　６日　審判請求
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１１に係る発明（以下，まとめて「本願発明」という。）は，平成２８年６月２２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された，次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
−製品ウェハの担持体ウェハに背向する平坦な面を，＜１５０μｍの製品ウェハの厚みＤにまで研削する及び／又は背面薄化するステップと，
−研削及び／又は背面薄化の後，製品ウェハの薄化に少なくとも部分的に起因する固有応力を減少させるための手段によって，前記平坦な面の表面処理を行うステップと，
を含み，
　前記固有応力を減少させるための手段によって，前記製品ウェハの前記固有応力は，前記製品ウェハが後続の熱プロセス中に前記担持体ウェハに向かって湾曲するように，調整されることを特徴とする，
担持体ウェハ上に一時的にボンディングされた製品ウェハの処理方法。
　【請求項２】
　前記表面処理のステップは，背面薄化のプロセスとは別の空間的に分離した独立したプロセスにおいて行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記担持体ウェハは，前記担持体ウェハの所定の温度において及び／又はある温度範囲に亘って，前記製品ウェハの膨張係数と略同一の膨張係数を有することを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項４】
　前記製品ウェハは，前記平坦な面に向かい合うその接触面において，少なくとも部分的に，熱可塑性接着剤を使用して前記担持体ウェハに一時的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項５】
　前記固有応力を減少させるための手段は，研削及び／又は背面薄化によって損傷を受けた前記平坦な面の結晶構造の規定層厚みＳを少なくとも部分的に除去するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項６】
　前記接触面の前記製品ウェハは，前記接着剤の中に埋め込まれたトポグラフィーを有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
　【請求項７】
　前記表面処理のステップの後に，熱プロセスのステップが，＞５０℃で行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項８】
　前記熱プロセスのステップは，化学的気相堆積法のステップであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項９】
　前記層厚みＳは，＜１０μｍであることを特徴とする請求項５に記載の方法。
　【請求項１０】
−製品ウェハの研削及び／又は背面薄化のための手段と，
−前記製品ウェハの薄化に少なくとも部分的に起因する固有応力を減少させるための手段と，
を備え，
　前記固有応力を減少させるための手段は，前記製品ウェハの前記固有応力を，前記製品ウェハが後続の熱プロセス中に前記担持体ウェハに向かって湾曲するように，調整することを特徴とする，
担持体ウェハ上に一時的にボンディングされた前記製品ウェハの処理のための装置。
　【請求項１１】
　請求項１乃至９のいずれか一項に記載された方法を実行するための装置。」
第３　原査定の概要
　原査定のうち，特許法第３６条第４項第１号（実施可能性要件）違反に関する概要については以下のとおりである。
　（実施可能要件）この出願は，発明の詳細な説明の記載が下記の点で，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記　　　
・請求項　１ないし１１
　出願人は，平成２８年６月２２日付け意見書において「明細書の段落００１３の冒頭に『したがって，本発明は，グラインディング後の薄いウェハの応力を，目標を定めて調整するという発想に基づいている。』との記載があり，同段落の中段に『本発明の決定的に重要な部分は，ウェハを更なる好適なプロセスにかけることであり，この好適なプロセスは，損傷を受けた結晶構造を有する層を完全に又は制御して部分的に取り除くことを可能にする。』との記載がある。明細書の段落００１４には『部分的な除去においては，ウェハの応力を，目標を定めて調整することができ，よって例えば活性側にある層に基づいて存在し得るウェハの，場合によって生じ得る固有応力を相殺することができる。』との記載がある。・・・（中略）・・・明細書の段落００１８には，『さらなる特徴によると，応力は，ウェハが好ましくは熱プロセス中に担持体ウェハに向かって湾曲し，それによって層間剥離に抵抗するように調整される。』との記載がある。従って，上述のプロセス乃至工程は，設定乃至調整の内容及び程度を適当に変更することによって『前記製品ウェハの前記固有応力を，前記製品ウェハが後続の熱プロセス中に前記担持体ウェハに向かって湾曲するように，調整する』ためのプロセス乃至工程に適用することが可能である。」旨，主張している。
　しかし，これら明細書の記載は固有応力を減少させるための手段について記載されているのみであり，固有応力を減少させるための手段をどのように調整することにより，製品ウェハが後続の熱プロセス中に担持体ウェハに向かって湾曲するようにすることができるのか，依然として不明瞭であり，当業者が実施できる程度の開示がされているものとは認められない。
　よって，この出願の発明の詳細な説明は，依然として，当業者が請求項１〜１１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
第４　当審の判断
１　発明の詳細な説明の記載内容
　発明の詳細な説明には，次の内容が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，一時的にボンディングされた製品ウェハの処理のための，請求項１に記載された方法と請求項１３又は１４に記載された装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
　新規な３次元の集積回路は，薄いウェハを，このウェハの背面上の必要な生産プロセス中を通して首尾よく搬送することを可能とするために，薄いウェハの取り扱いのための信頼性のある方法を必要とする。一時的なボンディングのための方法は過去に確立されている。この方法においては，完全に又は部分的に仕上げられた第１の主面を有する製品ウェハが，担持体ウェハ上に好適な方法によって，特に接着剤技術によって搭載される。ここでは，この第１の主面は担持体ウェハの方向に向けられる。製品ウェハは，次いで既知のグラインディング技術によって薄化される。この薄化プロセスの後に，他の生産ステップが薄いウェハの背面において行われる。過去には，例えば急激な加熱及び／又は冷却のような，大きな熱応力がウェハ中に生じるプロセスが問題を引き起こしていた。ウェハは，更なるプロセスを不可能にする窪み（ｄｉｍｐｌｅ）をもたらされることが多かった。これら窪みは同時に，薄いウェハの固定に使用される接着剤が流れる場所にあり，したがって接着剤の厚みは均一ではなくなる。
（中略）
【０００７】
　この発明は，ウェハの薄化における前述の窪みを回避し，よって工程中の，一時的にボンディングされたウェハの品質を確保する方法に関する。もしも表面欠陥が回避されなければ，後工程において，上述したような技術的問題が発現してしまう。製品ウェハの固有応力を減少させるために，研削及び／又は背面薄化後の表面処理を，目標を定めて行うことによって，製品ウェハのさらなる加工にポジティブな影響が与えられる。なぜなら，少なくとも部分的に上述の窪みに起因する構造的な固有応力が，固有応力が大きすぎる場合，特にウェハがより薄くなる場合にその固有剛性がより小さくなるゆえに，さらなる加工の際に上述の技術的問題の原因となるからである。
【０００８】
　窪みの現象は，ここ最近になって，いよいよ重大な問題となってきた。このことの主な理由は，最近になって初めて非常に薄い目標厚み（上述の説明を参照）を，薄いウェハのために得ようと努められるようになったという状況に違いない。ウェハが薄くなればなるほど，薄いウェハ固有の剛性が減少し，その結果として，出願人の知見によると結晶欠陥によって生じるとされる応力（固有応力）には，安定性が少ないウェハが反作用するのみである。むしろ，この厚み範囲にあるウェハは，非常に成形しやすく，かつ柔軟性を有している。
（中略）
【００１３】
　したがって，本発明は，グラインディング後の薄いウェハの応力を，目標を定めて調整するという発想に基づいている。ここで，薄いウェハは既知の方法によって担持体の上に取り付けられる。この担持体ウェハは対応する機械特性を有するすべての材料から基本的に成る。しかし，好ましくはシリコン，ガラス，及び所定のセラミック材料が使用される。ここで主に注目すべきは，担持体ウェハは熱膨張係数を有しており，当該熱膨張係数は，製品ウェハ（例えばシリコン）の熱膨張係数に，点的に，及び温度範囲に亘る係数の推移に関して，適応している／可能な限り同一である。ここで，好ましい実施の変型例として，製品ウェハが，既に処理された片面で，熱可塑性の，又は大体は熱可塑性の接着剤を使用して担持体ウェハ上に接着されることが延べられなければならない。このような接着剤の１つの例は，米国ミズーリ州ＲｏｌｌａのＢｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｉｎｃ．からのＨＴ１０．１０Ｍａｔｅｒｉａｌである。次いで，ウェハはグラインディング法によって薄化される。この薄化プロセスは，粗いグラインディングプロセスと細かいグラインディングプロセスとの相互作用から行われる。本発明の決定的に重要な部分は，ウェハを更なる好適なプロセスにかけることであり，この好適なプロセスは，損傷を受けた結晶構造を有する層を完全に又は制御して部分的に取り除くことを可能にする。さらに，結晶構造は表面においてだけでなく，表面の下数μｍまで欠陥を有していてもよく，したがって，欠陥は大きな深さ，特に０．５μｍ，１μｍ，３μｍ，５μｍ，そして１０μｍより深い深さに亘って存在することが指摘される。固有応力を減少させるための手段によって，層厚みＳは減少し，その値は，製品ウェハの背面薄化又は研削後の製品ウェハの厚みＤに依存して決定され得る。このとき，層厚みＳの製品ウェハの厚みＤに対する比は，１対３００から１対１０の間，好ましくは１対１５０から１対２０の間，より好ましくは１対１００から１対３０の間である。したがって，数層の原子だけを取り除いて表面近傍の欠陥を取り除くだけでは十分ではない。
【００１４】
　部分的な除去においては，ウェハの応力を，目標を定めて調整することができ，よって例えば活性側にある層に基づいて存在し得るウェハの，場合によって生じ得る固有応力を相殺することができる。したがってウェハは，高い熱応力を有する後続のプロセスの間にも，もはや湾曲することはない。
【００１５】
　この損傷した層の除去のために適したプロセスは，
−　研磨プロセス：例えばＤｉｓｃｏからの「乾式研磨プロセス」
−　好適な化学物質によって行われる湿式エッチングプロセス
−　乾式エッチングプロセス
−　上述のプロセスの組み合わせ
である。
（中略）
【００１７】
　本発明に係る方法のさらなる実施形態によると，応力は，後にウェハ上に重ねられる層が原因で将来生じる応力が，応力の調整の際にすでに考慮されるように調整される。
【００１８】
　さらなる特徴によると，応力は，ウェハが好ましくは熱プロセス中に担持体ウェハに向かって湾曲し，それによって層間剥離に抵抗するように調整される。」
２　特許法３６条第４項第１号（実施可能性要件）違反について
　本願の発明の詳細の説明には，整理すると以下の様な内容が記載されている。
　「本発明は，一時的にボンディングされた製品ウェハの処理のための」「方法と装置とに関する」（以上，段落【０００１】）ものであり，「このウェハの背面上の必要な生産プロセス中を通して首尾よく搬送することを可能とするために，薄いウェハの取り扱いのための信頼性のある方法」に関し，「薄化プロセスの後に，他の生産ステップが薄いウェハの背面において行われ」，「例えば急激な加熱及び／又は冷却のような，大きな熱応力がウェハ中に生じるプロセスが問題を引き起こし」「ウェハは，更なるプロセスを不可能にする窪み（ｄｉｍｐｌｅ）をもたらされることが多かった。」（以上，段落【０００２】）。「本発明では，ウェハの薄化における前述の窪みを回避し，よって工程中の，一時的にボンディングされたウェハの品質を確保する方法に関する」（以上，段落【０００７】）もので，「本発明は，グラインディング後の薄いウェハの応力を，目標を定めて調整するという発想に基づいている。」「本発明の決定的に重要な部分は，ウェハを更なる好適なプロセスにかけることであり，この好適なプロセスは，損傷を受けた結晶構造を有する層を完全に又は制御して部分的に取り除くことを可能にする。」（以上，段落【００１３】）「部分的な除去においては，ウェハの応力を，目標を定めて調整することができ，よって例えば活性側にある層に基づいて存在し得るウェハの，場合によって生じ得る固有応力を相殺することができる。」（以上，段落【００１４】），「応力は，ウェハが好ましくは熱プロセス中に担持体ウェハに向かって湾曲し，それによって層間剥離に抵抗するように調整される（以上，【００１８】）。」
　以上の記載から，本願発明を実施するためには，更なるプロセスを不可能にする窪み（ｄｉｍｐｌｅ）が形成されることを回避するために，グラインディング後の薄いウェハの固有応力を調整することが必須であり，当該調整を実現するためには，ウェハに形成される各層の材料，各層の膜厚，膜形成に要するプロセス温度，プロセス時間，各プロセス工程におけるウェハの湾曲の方向や量及びその測定方法，さらには，当該変形量が与えるウェハ全体に対する特性へ影響等の情報から何らかのアルゴリズム(例えば計算式）を用いて「目標」を定める必要がある。
　しかし，発明の詳細な説明には，このようなアルゴリズムに関する記載は一切無く、その前提となる前記ウェハに形成される各層の材料，各層の膜厚，膜形成に要するプロセス温度，プロセス時間，各プロセス工程におけるウェハの湾曲の方向や量及び測定方法，さらには，当該変形量が与えるウェハ全体に対する特性へ影響等の記載すら無い。その結果、所望の製品ウェハを処理するためには、当業者に期待しうる程度を超えた試行錯誤や複雑高度な実験を要すると認められる。
　したがって，発明の詳細な説明には，当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
　また，請求人は，審判請求書において，固有応力の発生原因，製品ウェハの窪みが生じる原因，固有応力を減少させるための手段及びその調整等について説明し，以下のような内容の主張をしている。
「上記事項を簡単にまとめると，製品ウェハの薄化と，それ以降のプロセスにおける温度変化とによって，製品ウェハの窪みが発生する。製品ウェハの薄化は，固有応力の発生と，機械的剛性の低減とを招き，そこにはオイラーの座屈荷重が関係する。製品ウェハの温度変化は，熱応力の発生を意味する。熱応力は，消滅させることができないので，除去するとすれば，固有応力ということになる。
　従って，上述のとおり，『固有応力を減少させるための手段』とは，研削により発生した固有応力を減少させるために，固有応力の加わった体積領域の除去，即ち，製品ウェハの層厚を減少させるための手段を意味しており，具体的には，特に湿式エッチングを意味しており，『固有応力を減少させるための手段』」による『調整』とは，製品ウェハの層厚を減少させる程度を調整することを意味している。」
「以上の説明により，本件特許出願の発明の詳細な説明は，当業者が請求項１乃至１１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分射記載されたものであることが明らか」である。
　以下，前記主張について検討する。
　前記主張のうち，固有応力の発生原因及び製品ウェハの窪みが生じる原因についての説明は，本願発明の技術的課題の説明を補足する技術的背景としての意味は一応認められる。また，「固有応力を減少させるための手段」として製品ウェハの層厚を減少させる手段として湿式エッチングを例示し，「調整」について層厚を減少する程度であることの説明は，前記課題を解決するために利用する手段としての意味は一応認められる。
　しかし，前記主張において，自身も審判請求書で述べているように固有応力の発生原因，製品ウェハの窪みの発生原因は様々であり，本願発明を実施するためには，様々な要因を考慮して所望の製品ウェハの層厚を調整することが想定されるところ，本願発明の詳細な説明には，どのような要因をどの程度考慮し，その結果どの程度の層厚にすれば製品ウェハの窪みの形成を回避できるのかという説明は，発明の詳細な説明に記載されていない。また，「固有応力を減少させるための手段」や「調整」についての説明は，湿式エッチングによる製品ウェハの層厚の減少，減少の程度という抽象的な方法論にとどまり，当業者が実施可能な程度に製品ウェハに，どのような層厚まで減少させると良好な結果が得られるのかという湿式エッチングを実施する際の諸条件を含めて解決手段としての記載は無く，また，製品ウェハとしてどのような良好な効果が得られるのかといった本願発明の効果の記載についても，十分に記載されていない。さらに，「オイラーの座屈荷重」の言及の意味は，許容応力の限界値としての意味が本願発明との関係においてどのように関係しているのか技術的関連性が不明であり，そもそも「オイラーの座屈荷重」について発明の詳細な説明において記載されていない。
　したがって、前記主張は認められない。
　よって、本願の発明の詳細な説明の記載は，当業者がその実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
第５　むすび　
　以上の検討から、本件特許出願は，発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。　
　よって，結論のとおり審決する。