【事件の表示】
　特願２０１３−５５２１０２「ガスフラックス媒体を用いるレーザ半田付けにより２つの基板の端子面を電気的に接触させるための方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔２０１２年８月９日国際公開、ＷＯ２０１２／１０３８６８、平成２６年３月６日国内公表、特表２０１４−５０６０１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明  
　本願は、２０１２年１月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年２月２日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１月２８日付けで拒絶査定され（発送日：同年２月９日）、これに対し、同年６月２日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に手続補正されたが、その後、当審において、平成２９年１月２７日付けで拒絶理由が通知され、その指定期間内である同年７月２８日に意見書が提出されたものである。 
　そして、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２８年６月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
     
「【請求項１】
　第１及び第２基板（６，７）の端子面を電気的に接触させるための方法であって、
　前記第２基板（７）に面する端子面を有する前記第１基板（６）は、前記第２基板（７）の端子面と電気的かつ機械的に直接接続され、前記第１基板（６）の前記端子面には、半田付け剤塗膜（１０）が塗布され、前記方法は、第１段階と第２段階とを含む連続する二段階で行われ、
　前記第１段階において、
　前記第１基板（６）を、その端子面が前記第２基板（７）の前記端子面と対向するように配置し、
　少なくとも前記第２基板（７）上における前記第１基板（６）の機械的固定、および、互いに面している前記端子面の電気的接触を可能にする程度まで、前記半田付け剤（１０）を溶融させるように、フラックスを設けることなく、レーザエネルギ（５）を前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の表面から前記第１基板（６）に照射し、
　前記第２段階において、
　ハウジング（３）の内部に配置されている、前記第１及び第２基板（６，７）により形成された部品配置に、気体状態のフラックス媒体を与え、
　同時に前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の前記表面から前記第１基板（６）に照射されたレーザエネルギ（５）により、前記半田付け剤（１０）が再溶融され、
　その後、前記ハウジング（３）の前記内部を洗浄する処理が行われる、方法。」 
      
第２　刊行物
　１　刊行物１ 
　これに対して、当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開２０１１−３７６５号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体装置の製造方法」に関して、図面（特に、【図１】ないし【図３】、【図７】、【図８】参照。）と共に、次の事項が記載されている。下線は、当審が付した。以下同様。
                               
（１）「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、半田バンプ同士の接続性を良好に維持しつつ、半田バンプ内に発生するボイドを抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供することにある。」
     
（２）「【００１２】
　以下、本発明を実施するための形態について説明する。図１は本発明の実施形態による半導体装置の製造工程を示す断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、
第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と、第２の半田バンプ３を有する第２の基板４
　
（３）「【００１４】
　
半田バンプ１、３は、例えばメッキ法で形成したり、あるいは半田合金からなる微小ボールを用いて形成される
電極パッド５、７上に形成された直後の半田バンプ１、３の表面には酸化膜が存在していないが、時間を経ると図２に示したように半田バンプ１、３の表面が酸化される
半田バンプ１、３の表面に形成された酸化膜９は、半田バンプ１、３同士を溶融して接続する際に半田バンプ１、３間の抵抗を増大させたり、また半田バンプ１、３間に接続不良を発生させる要因となる
【００１５】
　第１の基板２と第２の基板４とをフリップチップ接続するにあたって、まず第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを位置合せしつつ、第１の基板２上に第２の基板４を積層する。この際に、図１（ｂ）および図３に示すように、
第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを仮固定する
仮固定は次工程（酸化膜９の除去工程）に投入する際に上下の基板２、４が外れない程度の強度が得られればよい
半田バンプ１、３の仮固定には
パルスヒータ加熱型フリップチップボンダによる半田の融点付近の温度の印加等が適用される
【００１６】
　
第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３との仮固定は、それらの表面に酸化膜９が存在している状態で実施される
【００１７】
　
半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜９の除去工程と半田バンプ１、３の加熱・溶融工程
半田バンプ１、３同士を仮固定した第１の基板２と第２の基板４との積層体を加熱炉（リフロー炉）内に配置した
【００１８】
　
カルボン酸ガスは半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜９を還元して除去する
ギ酸
【００１９】
　加熱炉内にギ酸等のカルボン酸ガスを導入した後、もくしはカルボン酸ガスの導入とほぼ同時に、所定の昇温速度（例えば４０〜５０℃／分）で加熱炉内を昇温する。カルボン酸ガスとしてギ酸を用いた場合、１５０℃以上の温度で酸化膜９の還元作用が発現する。すなわち、ギ酸による酸化膜９の還元温度Ｔ1は約１５０℃であり、それ以上の温度になると酸化膜９が還元されて除去される。このような酸化膜９の還元温度Ｔ1以上の温度域において、半田バンプ１、３をギ酸ガス中に例えば数分間晒すことによって、半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜９を還元して除去することができる。」
　
（４）「【００２１】
　第１の実施形態においては、カルボン酸ガスによる酸化膜９の還元温度Ｔ1以上で半田バンプ１、３の溶融温度（融点Ｔ2）未満の温度域にて、カルボン酸ガスを除去するように加熱炉内を真空引きする。すなわち、加熱炉に接続された真空ポンプを動作させて加熱炉内の雰囲気を排気して減圧状態とする。このように、半田バンプ１、３の融点Ｔ2に達する以前（半田バンプ１、３を溶融させる以前）に、加熱炉内の雰囲気を真空排気することによって、隙間Ｇに侵入したカルボン酸ガスや酸化膜９の還元時に発生したガスを、半田バンプ１、３同士の接触界面から除去することができる。
【００２２】
　そして、隙間Ｇに侵入したカルボン酸ガスや酸化膜９の還元時に発生したガスを半田バンプ１、３同士の接触界面（隙間Ｇ）から除去した後に、半田バンプ１、３を溶融することによって、隙間Ｇに侵入もしくは発生したガスに起因するボイド、すなわち溶融後の半田バンプ１、３の内部に発生するボイドを抑制することが可能となる。また、半田バンプ１、３の融点Ｔ2に達する前にカルボン酸ガスを除去しても、それ以前の段階で半田バンプ１、３はカルボン酸ガスに晒されているため、接触界面に噛み込まれた酸化膜９を含めて、半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜９を除去することができる。従って、半田バンプ１、３の溶融工程において、半田バンプ１、３間の接続不良や溶融後の半田バンプ１、３の抵抗の増加を抑制することが可能となる。」
　
（５）「【００２９】
　溶融した半田バンプ１、３は、図１（ｃ）に示すように一体化されて接続部１０を構成する。第１の実施形態では半田バンプ１、３同士の接触界面に噛み込まれた酸化膜９を除去しつつ、接触界面の隙間Ｇに侵入もしくは発生したガスの周囲への放散を促進している。従って、半田バンプ１、３で良好な接続部（形状や導通性等に優れる接続部）１０を形成しつつ、接続部１０内のボイドの発生を抑制することができる。すなわち、
電気的および機械的に優れる接続部１０で基板２、４間を接続する
【００３０】
　そして、加熱炉内を接続構造体が容易に取り出せる温度、例えば１００℃程度の温度まで降温し、加熱炉内に窒素ガス等の不活性ガスを導入して大気圧まで戻した後に、第１の基板２と第２の基板４とを半田バンプ１、３による接続部１０を介して接続した構造体を加熱炉から取り出す。このように、加熱炉内の大気圧への復帰は接続構造体が容易に取り出せる温度まで降温した後に実施してもよいが、例えば図６に示すように加熱炉内の温度が半田バンプ１、３の融点Ｔ2以上の温度域の状態で、
加熱炉内に窒素ガス等の不活性ガスを一気に導入して大気圧まで戻す
　
（６）「【００３３】
　次に、本発明の第２の実施形態による半導体装置の製造工程について、図７および図８を参照して説明する。第２の実施形態による半導体装置の製造工程においては、第１の実施形態（図１〜図３参照）と同様に、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを位置合せしつつ、第１の基板２上に第２の基板４を積層する。この際に、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを仮固定する。基板２、４の具体例、半田バンプ１、３の構成材料、半田バンプ１、３の仮固定方法等は、第１の実施形態と同様である。
【００３４】
　次に、第１の実施形態と同様に、半田バンプ１、３同士を仮固定した第１の基板２と第２の基板４との積層体を加熱炉（リフロー炉）内に配置した後、加熱炉内を真空引きして減圧雰囲気とする。加熱炉内に残留する酸素は半田バンプ１、３を酸化させるため、加熱炉内を大気圧状態（１．０１×１０5Ｐａ）から１×１０3Ｐａ以下、特に５Ｐａ程度の減圧状態まで排気することが好ましい。このような減圧雰囲気の
加熱炉内にカルボン酸ガスを導入すると共に、加熱炉内を半田バンプ１、３の溶融温度（融点Ｔ）以上の温度まで昇温する
【００３５】
　カルボン酸ガスの導入は、加熱炉の雰囲気圧を５×１０3Ｐａ以上３×１０4Ｐａ以下の範囲に維持しつつ実施する。すなわち、加熱炉内を適度な減圧状態に維持しつつ、加熱炉内にカルボン酸ガスを導入する。具体的には、加熱炉内の酸素を除去するように真空引きした後、真空引き（排気）を継続しながら適度な濃度と流量のカルボン酸ガスを供給しつ続ける。これによって、加熱炉内のカルボン酸ガスの濃度を適度な状態に維持した減圧雰囲気下で、半田バンプ１、３の溶融工程を実施することができる。
【００３６】
　半田バンプ１、３の溶融工程における加熱炉内のカルボン酸ガスの濃度が高すぎると、余分なカルボン酸ガスが溶融した半田バンプ１、３内に取り込まれてボイドとなる。このようなカルボン酸ガスによるボイドの発生を抑制する上で、第２の実施形態では半田バンプ１、３の溶融工程における加熱炉の雰囲気圧を３×１０4Ｐａ以下としている。加熱炉の雰囲気圧が３×１０4Ｐａを超えると、溶融した半田バンプ１、３内に取り込まれるガス量が増加し、半田バンプ１、３内にボイドが発生しやすくなる。
【００３７】
　そして、このような減圧雰囲気におけるカルボン酸ガスの濃度であっても、半田バンプ１、３表面の酸化膜９は還元除去される。すなわち、加熱炉内のカルボン酸ガスの濃度を比較的低濃度側としても、上下の基板２、４に設けられた半田バンプ１、３を溶融して接続する場合には、半田バンプ１、３の表面に存在する酸化膜９を還元して除去することができる。ただし、加熱炉の雰囲気圧が５×１０3Ｐａ未満となると、カルボン酸ガスの濃度が低くなりすぎるため、酸化膜９を十分に還元除去することができない。このため、半田バンプ１、３の溶融工程における加熱炉の雰囲気圧は５×１０3Ｐａ以上とする。」
　
（７）「【００４０】
　上述したような雰囲気圧およびカルボン酸濃度とした加熱炉内の温度を半田バンプ１、３の融点Ｔ以上の温度域まで昇温することによって、半田バンプ１、３を溶融させる。半田バンプ１、３を鉛フリー半田で構成した場合、
鉛フリー半田の融点は半田合金の組成によって異なるものの、おおよそ２２０〜２３０℃である
　
（８）「【００４２】
　カルボン酸ガスとしてギ酸を用いた場合、１５０℃以上の温度で酸化膜９の還元作用が発現するため、そのような温度以上で半田バンプ１、３の融点Ｔ未満の温度域にて一定時間保持してもよい。これによって、酸化膜９の除去効果を高めることができる。ただし、カルボン酸ガスは少なくとも半田バンプ１、３の溶融時に存在していればよいため、図８に示すように半田バンプ１、３の溶融時（融点Ｔ以上の温度域）のみに、加熱炉内にカルボン酸ガスを導入するようにしてもよい。カルボン酸ガスは少なくとも半田バンプ１、３の溶融時に導入されていればよい。この際の雰囲気圧やガス濃度は上述した通りである。」
　
（９）「【００４４】
　次に、第２の実施形態による半導体装置の製造工程の具体例について述べる。まず、
鉛フリー半田からなる半田バンプ（直径：２５μｍ）を有するＳｉチップを２個用意し、これらＳｉチップの半田バンプ同士を、パルスヒータ加熱型フリップチップボンダ（加熱温度：２５０℃）を用いて仮固定した
　
　これらの記載事項及び図面の図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、第２の実施形態に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
      
「第１の基板２及び第２の基板４の電極パッド５、７を電気的に接触させるための方法であって、
　前記第１の基板２に面する電極パッド７を有する前記第２の基板４は、前記第１の基板２の電極パッド５と電気的かつ機械的に直接接続され、前記第２の基板４の前記電極パッド７には、バリアメタル層８を介して半田バンプ３が形成され、前記方法は、仮固定と除去工程及び加熱・溶融工程とを含む連続する二段階で行われ、
　前記仮固定において、
　前記第２の基板４を、その前記電極パッド７が前記第１の基板２の前記電極パッド５と対向するように配置し、
　前記第１の基板２上における前記第２の基板４の機械的固定を可能にする程度まで、前記半田バンプ３を溶融させるように、フラックスを設けることなく、パルスヒータ加熱型フリップチップボンダにより半田の融点付近の温度を印加し、
　前記除去工程及び加熱・溶融工程において、
　加熱炉の内部に配置されている、前記第１の基板２と前記第２の基板４との積層体に、ギ酸ガスを与え、
　同時に前記半田バンプ３の溶融温度以上の温度まで昇温することにより、前記半田バンプ３が再溶融され、
　その後、前記加熱炉の前記内部に窒素ガス等の不活性ガスの導入が行われる、方法。」  
        
　２　刊行物２
　また、当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開平７−７４２０９号公報（以下「刊行物２」という。）には、図面（特に、【図１】参照）とともに、次の事項が記載されている。
   
「【０００８】まず半田盛り工程で、従来より実施される方法で、フリップチップＩＣ（以下ＩＣチップと記す）４の電極部分に半田バンプ５を形成しておく。（図示しないが、図１(b) のＩＣチップ４は、半田バンプ５が形成された状態を示す。）
【０００９】フラックス薄膜形成工程では、基板の電極２の部分にフラックスが薄く塗られる。この塗布厚さは、ＩＣチップ４が搭載された際に、半田バンプ５によって設けられたＩＣチップ４との隙間がフラックスによって埋まってしまわない程度の、およそ数１０μｍ程度の膜厚であればよい（図１(a))。この薄膜の形成は刷毛塗りでもディップによっても良く、ＩＣチップ４に接触しなければどのような方法によっても良い。
【００１０】そして予め半田を盛ったＩＣチップ４を、半田面と基板電極２とを向かい合わせて位置合わせし、配置する。これはもちろん微細なＩＣに対する設置であるため、マウント治具により実施する。ＩＣチップ４はフラックス３の粘着力により固定されるので、搬送中などにおいて図２のように移動することはない。
【００１１】この状態で、
仮止め工程において、ここではレーザー照射６により加熱を行う
【００１２】仮止め状態になったＩＣチップ４は、設定した位置からずれるおそれは無くなる。そこでＩＣチップ４を所定の半田形状に半田付けするために、フラックスを充分に供給する。フラックスを滴下させると、基板とＩＣとの隙間にフラックスが毛管現象により充填される。そのため内部の電極部にも十分のフラックスが供給される。その適性量は、図１(d) に模式的に示すように仮止めされたＩＣチップ４と基板１との隙間が完全に埋まる程度の量である。ただし、ＩＣチップ４の上にフラックスが多量に存在すると、半田付け温度に影響するのでＩＣチップ上に付着しないことが望ましい。
【００１３】そして
リフロー工程として、再びＩＣチップ４をレーザー光で加熱してバンプ半田５が完全に溶けて基板電極２と充分半田付けされるまで照射加熱する
　
第３　対比 　  
　本願発明と引用発明とを対比すると、後者の「第１の基板２」は前者の「第２基板（７）」に相当し、以下同様に、「前記第１の基板２の電極パッド５」は「第２基板（７）の端子面」に、「第２の基板４」は「第１基板（６）」に、「第２の基板４の電極パッド７」は「前記第１基板（６）の前記端子面」に、「仮固定」は「第１段階」に、「除去工程及び加熱・溶融工程」は第２の実施形態では同時に行われるから「第２段階」に、「半田バンプ３」は「半田付け剤（１０）」に、「加熱炉」は「ハウジング（３）」に、「第１の基板２と第２の基板４との積層体」は「第１及び第２基板（６，７）により形成された部品配置」に、「ギ酸ガス」は「気体状態のフラックス媒体」に、「加熱炉の内部に窒素ガス等の不活性ガスの導入」は「ハウジング（３）の前記内部を洗浄する処理」にそれぞれ相当する。
　
　また、後者の「バリアメタル層８を介して半田バンプ３が形成され」ることと前者の「半田付け剤塗膜（１０）が塗布され」ることとは、「半田付け剤が形成され」るという限りで共通し、後者の「パルスヒータ加熱型フリップチップボンダにより半田の融点付近の温度を印加」することと前者の「レーザエネルギ（５）を前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の表面から前記第１基板（６）に照射」することとは、「加熱」するという限りで共通し、 後者の「前記半田バンプ３の溶融温度以上の温度まで昇温することにより」と前者の「前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の前記表面から前記第１基板（６）に照射されたレーザエネルギ（５）により」とは、「加熱により」という限りで共通する。
 　  
　したがって、両者は、  
「第１及び第２基板の端子面を電気的に接触させるための方法であって、
　前記第２基板に面する端子面を有する前記第１基板は、前記第２基板の端子面と電気的かつ機械的に直接接続され、前記第１基板の前記端子面には、半田付け剤が形成され、前記方法は、第１段階と第２段階とを含む連続する二段階で行われ、
　前記第１段階において、
　前記第１基板を、その端子面が前記第２基板の前記端子面と対向するように配置し、
　少なくとも前記第２基板上における前記第１基板の機械的固定を可能にする程度まで、前記半田付け剤を溶融させるように、フラックスを設けることなく、加熱し、
　前記第２段階において、
　ハウジングの内部に配置されている、前記第１及び第２基板により形成された部品配置に、気体状態のフラックス媒体を与え、
　同時に加熱により、前記半田付け剤が再溶融され、
　その後、前記ハウジング（３）の前記内部を洗浄する処理が行われる、方法。」  
　で一致し、次の点で相違する。  
 　 　  
〔相違点１〕 
　半田付け剤の形成について、本願発明１は、「半田付け剤塗膜（１０）が塗布され」るに対し、引用発明は、バリアメタル層８を介して半田バンプ３が形成される点。
   
〔相違点２〕 
　本願発明１は、第１段階において「レーザエネルギ（５）を前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の表面から前記第１基板（６）に照射」することで加熱し、第２段階において「前記第１基板（６）の前記端子面と反対側の前記表面から前記第１基板（６）に照射されたレーザエネルギ（５）により」加熱するのに対し、 
　引用発明は、仮固定において「パルスヒータ加熱型フリップチップボンダにより半田の融点付近の温度を印加」することで加熱し、除去工程及び加熱・溶融工程において「前記半田バンプ３の溶融温度以上の温度まで昇温することにより」加熱する点。
　
〔相違点３〕 
　本願発明１は、第１段階において、第２基板（７）上における第１基板（６）の「互いに面している前記端子面の電気的接触」を可能にする程度まで、半田付け剤（１０）を溶融させるのに対し、
　引用発明は、「前記第１の基板２上における前記第２の基板４の機械的固定を可能にする程度まで、前記半田バンプ３を溶融させる」点。
　
第４　当審の判断  
　そこで、各相違点を検討する。
（１）相違点１について
　本願の優先日前に、半田ペーストを塗布して半田バンプを形成する方法は、周知技術Ａ（例えば、特開２００２−７６０４２号公報の段落【０００９】、【図１】（ｂ）（ｃ）、特開２００４−１４８５６３号公報の段落【００２８】、【図２】（ｂ）参照。）である。
　
　刊行物１には、「半田バンプ１、３は、例えばメッキ法で形成したり、あるいは半田合金からなる微小ボールを用いて形成される」（段落【００１４】）との記載があるものの、上記周知技術Ａの適用を阻害するものではないから、引用発明に上記周知技術Ａを適用して、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２について
　本願の優先日前に、レーザエネルギを第１基板の端子面と反対側の表面から第１基板に照射することで加熱し、半田バンプを溶融することは、周知技術Ｂ（例えば、特開昭５５−９１８４７号公報の４ページ右上欄１〜６行、ＦＩＧ．１、米国特許出願公開第２００３／０２１７９９６号明細書の段落［００２６］、段落［００２８］、ＦＩＧ．１、ＦＩＧ．２参照。）である。
　
　刊行物２には、「仮止め工程において、ここではレーザー照射６により加熱を行う。レーザー加熱は従来より各分野で実施利用される手法で、微細なスポット加熱や瞬時加熱が実現できる便利な加熱方法である。このレーザー光６を目的のＩＣチップ４上に照射してほぼ瞬間的に加熱させてバンプ半田５を溶かし、基板電極２と仮半田付けさせる。」（段落【００１１】）との記載、「レーザー光６の照射条件は、例えば２３０℃、３秒である（図１(c))。」（同）、及び「リフロー工程として、再びＩＣチップ４をレーザー光で加熱してバンプ半田５が完全に溶けて基板電極２と充分半田付けされるまで照射加熱する。この場合のレーザー光６の照射条件は、例として２３０℃、１０秒である（図１(e))。ここでも、たとえフラックスが突沸しても、仮止め工程によりＩＣチップ４がある程度半田で基板電極に接合しているので移動してしまうことはない。」（段落【００１３】）との記載（以下、両記載をあわせて「刊行物２に記載された事項」という。）がある。
　これらの記載によれば、刊行物２には、仮止め工程、リフロー工程のいずれの工程においてもレーザー照射により半田バンプを溶融できることが理解できる。
　
　また、刊行物２の仮止め工程において、レーザー照射６による加熱と基板の電極２に塗られたフラックスとの間に特段の技術的関連性は認められないから、「フラックスを設けることなく、パルスヒータ加熱型フリップチップボンダにより半田の融点付近の温度を印加」する引用発明の仮固定に、刊行物２に記載された事項及び上記周知技術Ｂを適用を妨げる事由はない。
　
　そうすると、引用発明の仮固定、並びに除去工程及び加熱・溶融工程において、刊行物２に記載された事項及び上記周知技術Ｂにより、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（３）相違点３について
　刊行物１には、「電極パッド５、７上に形成された直後の半田バンプ１、３の表面には酸化膜が存在していないが、時間を経ると図２に示したように半田バンプ１、３の表面が酸化される。半田バンプ１、３の表面に形成された酸化膜９は、半田バンプ１、３同士を溶融して接続する際に半田バンプ１、３間の抵抗を増大させたり、また半田バンプ１、３間に接続不良を発生させる要因となる。このため、半田バンプ１、３を加熱・溶融する前に、半田バンプ１、３表面の酸化膜９を除去する必要がある。」（段落【００１４】）との記載がある。
　この記載によれば、表面に酸化膜９が形成された半田バンプ同士を溶融して接続すると、半田バンプ間の抵抗を増大させたり、また半田バンプ間に接続不良を発生させることが理解できる。そして、半田バンプ間の抵抗が増大した状態では半田バンプ間の電気的な導通は可能であり、また、半田バンプ間に接続不良が発生した状態であっても電気的な導通が全く不能となるとはいえない。
　
　そうすると、引用発明の仮固定において、「前記第１の基板２上における前記第２の基板４の機械的固定を可能にする程度まで、前記半田バンプ３を溶融させ」た際、「第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３との仮固定は、それらの表面に酸化膜９が存在している状態で実施されるため、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３との接触界面には酸化膜９が噛み込まれた状態となる」（段落【００１６】）としても、半田バンプ３は溶融しているから、半田バンプ３は電気的接触を可能にする程度に溶融していると解される。
　
　他方、本願発明の「互いに面している前記端子面の電気的接触を可能にする程度」は、本願明細書から、その具体的な程度を把握することができない。
　
　そうすると、引用発明の「前記第１の基板２上における前記第２の基板４の機械的固定を可能にする程度まで、前記半田バンプ３を溶融させる」ことは、実質的には本願発明の「電気的接触を可能にする程度まで」半田バンプ３が溶融しているものと認められるから、相違点３は、実質的な相違点ではない。
　
（４）効果について   
　本願発明が奏する効果は、引用発明及び刊行物２に記載された事項、並びに上記周知技術Ａ，Ｂから、当業者が予測できる範囲内のものであって、格別なものでない。
　
（５）まとめ  
　したがって、本願発明は、引用発明及び刊行物２に記載された事項、並びに上記周知技術Ａ，Ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
    
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２に記載された事項、並びに上記周知技術Ａ，Ｂに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。