(57)【要約】  本発明は、一般式（１）【化１】2008029754.tif 000019（式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で表される化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、不斉水素化することを特徴とする一般式（２）【化２】2008029754.tif 000020（式（２）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。＊は不斉炭素原子であることを示す。）で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造方法である。該製造方法により、Ｌ−ＡＨＰＢなどの除草剤に有用な化合物を効率良く、高い不斉収率で製造できる。
2008029754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2008029754.tif 000015
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
で表される化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、不斉水素化することを特徴とする一般式（２）
【化２】
2008029754.tif 000016
（式（２）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。＊は不斉炭素原子であることを示す。）
で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造方法。
【請求項２】
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を構成する光学活性ホスフィン化合物が、一般式（３）
【化３】
2008029754.tif 000017
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、またはシクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を示す。）
または一般式（４）
【化４】
2008029754.tif 000018
（式（４）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６およびＲ１７は同一または異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５およびＲ１８はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよく、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。）
で表されるホスフィンの光学活性体である請求の範囲第１項に記載の製造方法。
【請求項３】
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が、下記一般式（５）
（ＲｕａＷｂＸｃＬｄ）ｅＹｆＺｇ          （５）
（式（５）中、Ｌは請求の範囲第２項に記載の一般式（３）または（４）で表されるホスフィンの光学活性体を示し、Ｘは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆおよびｇの示す数値並びにＷ、ＹおよびＺが示すものの組み合わせは、下記ｉ）〜vi）に挙げられる組み合わせのいずれかである。）
で表される錯体である請求の範囲第２項に記載の製造方法。
ｉ）ａ＝２、ｂ＝０、ｃ＝４、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、ＹはＮ（ＣＨ２ＣＨ３）３を示す。
ii）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｗはベンゼン、ｐ−シメンまたはメシチレンを示し、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
iii）ａ＝１、ｂ＝０、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝２、ｆ＝３、ｇ＝１であり、Ｙは（μ−Ｃｌ）、（μ−Ｂｒ）または（μ−Ｉ）を示し、Ｚは（ＣＨ３）２ＮＨ２または（ＣＨ３ＣＨ２）２ＮＨ２を示す。
iv）ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝０、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、ＷはＣＨ３ＣＯ２またはＣＦ３ＣＯ２を示す。
ｖ）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、Ｗは水素（Ｈ）を示す。
vi）ａ＝３、ｂ＝０、ｃ＝５、ｄ＝３、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｌ−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸（以下Ｌ−ＡＨＰＢと略記する）などの除草剤に有用な化合物の中間体として重要である光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＬ−２−アミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸（以下ＤＬ−ＡＨＰＢと略記する）は、除草活性を有する公知化合物であり、広範囲スペクトルを有する有効な除草剤として使用されている（特許文献１）。しかしながら、ＤＬ−ＡＨＰＢの除草活性は、Ｌ−ＡＨＰＢの約半分であり、除草活性本体はＬ−ＡＨＰＢであることが明らかとなっている（特許文献２、特許文献３）。このため、Ｌ−ＡＨＰＢを選択的に効率良く製造する方法の開発が強く望まれている。【０００３】
従来、Ｌ−ＡＨＰＢの製造法としては、（ａ）微生物、酵素を利用する方法、（ｂ）不斉合成法などが知られている。
（ａ）の方法としては、例えば４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−オキソブタン酸からトランスアミノ化酵素によりＬ−ＡＨＰＢを製造する方法（特許文献４）、Ｎ−アセチル−ＤＬ−ＡＨＰＢから酵素的ラセミ体分割によりＬ−ＡＨＰＢを製造する方法（特許文献５）などが開示されているが、これらの方法はいずれも低い基質濃度で反応を行う必要があること、後処理および精製工程が複雑であること、さらにトランスアミノ化反応では高価な光学活性アミノ酸を等モル以上使用しなければならないなどの問題点がある。
（ｂ）の不斉合成法としては、例えば（Ｒ）−３−イソプロピル−２，５−ジアルコキシ−３，６−ジヒドロピラジンのアルキル化によりＬ−ＡＨＰＢを合成する方法（特許文献６、非特許文献１）、Ｌ−ビニルグリシンから立体特異的にＬ−ＡＨＰＢに変換する方法（非特許文献２）などが開示されているが、これらの方法ではＤ−バリン、Ｌ−ビニルグリシンなどの高価な光学活性アミノ酸を出発原料として用いる必要があり、原料を安価に大量に供給するという点で問題がある。さらに不斉合成法として例えば２−アセチルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸の不斉水素添加反応によりＬ−ＡＨＰＢを製造する方法（特許文献７、非特許文献３）が開示されている。この製造法では光学活性なジフェニルホスフィン化合物を配位子とするロジウム触媒を用いて不斉水素添加反応を行っているが、ロジウム触媒は非常に高価であり、触媒効率も高いとはいえない。【０００４】
一方、一般的にデヒドロアミノ酸からアミノ酸へのロジウム触媒を用いた不斉水素添加反応はすでに良く知られている（非特許文献４）。しかしながら、多くの反応はアルキル基およびアリール基を側鎖にもつデヒドロアミノ酸への不斉還元反応であり、側鎖に極性の高い置換基を有するデヒドロアミノ酸を用いた反応例は少ない。
【特許文献１】特開昭５２−１３９７２７号公報
【特許文献２】特開昭５５−００００２５号公報
【特許文献３】特開昭５９−２１９２９７号公報
【特許文献４】特表２００３−５２８５７２号公報
【特許文献５】特表２００３−５０５０３１号公報
【特許文献６】特開昭６２−１３２８９１号公報
【特許文献７】特開昭６２−２２６９９３号公報
【非特許文献１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，１２５５（１９８７）
【非特許文献２】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，８２６３（１９９２）
【非特許文献３】Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６，１７８３（１９９１）
【非特許文献４】Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１０３，３０２９−３０７０（２００３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、Ｌ−ＡＨＰＢなどの除草剤に有用な化合物の中間体として重要である、光学活性アミノホスフィニルブタン酸類を触媒的不斉合成反応により効率良く、高い不斉収率で製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、２−アシルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸の不斉水素添加反応において不斉触媒の検討を行った結果、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用いたときにＬ−ＡＨＰＢの重要中間体であるＬ−２−アセチルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−ブタン酸が効率よく、高い不斉収率で得られることを見出し、本発明を完成した。【０００７】
すなわち本発明は、以下の通りである。
［１］一般式（１）
【化１】
2008029754.tif 000003
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
で表される化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、不斉水素化することを特徴とする一般式（２）
【化２】
2008029754.tif 000004
（式（２）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。＊は不斉炭素原子であることを示す。）
で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造方法。
［２］ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を構成する光学活性ホスフィン化合物が、一般式（３）
【化３】
2008029754.tif 000005
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、またはシクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を示す。）
または一般式（４）
【化４】
2008029754.tif 000006
（式（４）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６およびＲ１７は同一または異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５およびＲ１８はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよく、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。）
で表されるホスフィンの光学活性体である前項［１］に記載の製造方法。
［３］ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が、下記一般式（５）
（ＲｕａＷｂＸｃＬｄ）ｅＹｆＺｇ          （５）
（式（５）中、Ｌは前項［２］に記載の一般式（３）または（４）で表されるホスフィンの光学活性体を示し、Ｘは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆおよびｇの示す数値並びにＷ、ＹおよびＺが示すものの組み合わせは、下記ｉ）〜vi）に挙げられる組み合わせのいずれかである。）
で表される錯体である前項［２］に記載の製造方法。
ｉ）ａ＝２、ｂ＝０、ｃ＝４、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、ＹはＮ（ＣＨ２ＣＨ３）３を示す。
ii）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｗはベンゼン、ｐ−シメンまたはメシチレンを示し、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
iii）ａ＝１、ｂ＝０、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝２、ｆ＝３、ｇ＝１であり、Ｙは（μ−Ｃｌ）、（μ−Ｂｒ）または（μ−Ｉ）を示し、Ｚは（ＣＨ３）２ＮＨ２または（ＣＨ３ＣＨ２）２ＮＨ２を示す。
iv）ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝０、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、ＷはＣＨ３ＣＯ２またはＣＦ３ＣＯ２を示す。
ｖ）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、Ｗは水素（Ｈ）を示す。
vi）ａ＝３、ｂ＝０、ｃ＝５、ｄ＝３、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の製造法により、Ｌ−ＡＨＰＢなどの除草剤に有用な化合物の中間体として重要である、光学活性アミノホスフィニルブタン酸を効率良く、高い光学純度で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、一般式（２）
【化５】
2008029754.tif 000007
（式（２）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。＊は不斉炭素原子であることを示す。）
で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造方法である。本発明の製造方法においては、一般式（１）
【化６】
2008029754.tif 000008
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
で表される化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、不斉水素化することにより上記一般式（２）で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類を得るものである。【００１０】
本発明に用いられる一般式（１）で表される化合物および本発明により製造される一般式（２）で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４で示される基について説明する。【００１１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４において、炭素数１〜４のアルキル基としては、具体的にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。【００１２】
Ｒ３において炭素数１〜４のアルコキシ基としては、具体的にメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基などが挙げられる。Ｒ３においてアリール基としては、具体的にフェニル基、ナフチル基、アントリル基などが挙げられる。Ｒ３においてアリールオキシ基としては、具体的にフェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントリルオキシ基などが挙げられる。【００１３】
一般式（１）で表される化合物は、例えば、特開昭６２−２２６９９３号公報またはＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５６、１７８３（１９９１）に記載されている方法により合成することができる。【００１４】
また、一般式（１）で表される化合物の中でも、Ｒ１がメチル基であり、Ｒ２およびＲ４が水素原子であり、Ｒ３が炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはベンジルオキシ基である化合物が好ましい。【００１５】
一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば以下に示す化合物が挙げられる。２−アセチルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸、２−アセチルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸、２−プロピオニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ベンゾイルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸、２−プロピオニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ベンゾイルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ベンゾイルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸、２−アセチルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−プロピオニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）２−ブテン酸メチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−プロピオニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−アセチルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−プロピオニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（ヒドロキシメチルホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−プロピオニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（メトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−ベンゾイルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル、２−アセチルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸メチル、２−アセチルアミノ−４−（エトキシ（メチル）ホスフィニル）−２−ブテン酸エチル。【００１６】
本発明に使用されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、ルテニウム化合物と光学活性ホスフィン化合物と、所望により中性有機配位化合物またはアミン化合物とから得られる錯体が挙げられる。【００１７】
上記ルテニウム化合物は、通常この分野で用いられるルテニウム化合物であればよく、例えばＲｕＣｌ３、ＲｕＢｒ３およびＲｕＩ３のようなハロゲン化ルテニウムおよびその水和物、[ＲｕＣｌ２（ベンゼン）]２、[ＲｕＢｒ２（ベンゼン）]２、[ＲｕＩ２（ベンゼン）]２、[ＲｕＣｌ２（ｐ−シメン）]２、[ＲｕＢｒ２（ｐ−シメン）]２、[ＲｕＩ２（ｐ−シメン）]２、[ＲｕＣｌ２（ｃｏｄ）] ｎ、[ＲｕＢｒ２（ｃｏｄ）]ｎ、[ＲｕＩ２（ｃｏｄ）] ｎなどの錯体が挙げられる。（上記「ｃｏｄ」は１，５−シクロオクタジエンを表す。以下同じ。）【００１８】
上記光学活性ホスフィン化合物は、通常この分野で用いられる光学活性ホスフィン化合物であればよく、例えば二座配位性のホスフィン化合物が挙げられ、さらに好ましくは、軸不斉を有する光学活性ホスフィン化合物である。【００１９】
本発明において、上記のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を得るために好ましく用いられる光学活性ホスフィン化合物としては、例えば一般式（３）
【化７】
2008029754.tif 000009
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、またはシクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を示す。）
で表されるホスフィンの光学活性体、および、例えば一般式（４）
【化８】
2008029754.tif 000010
（式（４）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６およびＲ１７は同一または異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５およびＲ１８はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよく、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。）
で表されるホスフィンの光学活性体などが挙げられる。【００２０】
以下、一般式（３）および（４）中の各置換基について説明する。
一般式（３）および（４）において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２で表される「ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基」は、フェニル基であるか、または置換基で置換されたフェニル基であり、該置換基は、ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基である。該置換基で置換されたフェニル基としては、フェニル基の１個または２個以上の水素原子が前記の置換基で置き換えられたフェニル基が挙げられる。前記置換基は２個以上の場合、同一であってもよく、異なっていてもよい。【００２１】
上記置換基としてのハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられ、とりわけフッ素原子が好ましい。上記低級アルキル基としては、例えば、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４の直鎖状、分枝状または環状のアルキル基が挙げられる。また、上記低級アルコキシ基は、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜４の直鎖状、分枝状または環状のアルコキシ基が挙げられる。【００２２】
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８におけるフェニル基上の置換基としての低級アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。該置換基としての低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、２−ブトキシ基およびｔ−ブトキシ基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。同じく置換基としてのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子などのハロゲン原子が挙げられる。Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８で表される具体的な基としては、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、３，５−キシリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、４−メトキシ−３，５−ジ（ｔ−ブチル）フェニル基、４−メトキシ−３，５−ジメチルフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基などが挙げられる。【００２３】
一般式（３）で示される光学活性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、ｂｉｎａｐという）、２，２’−ビス［ジ（ｐ−トリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、ｔ−ｂｉｎａｐという）、２，２’−ビス［ジ（ｍ−トリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル（以下、ｄｍ−ｂｉｎａｐという）、２，２’−ビス［ジ（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［ジ（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［ジ（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［ジ（シクロペンチル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス［ジ（シクロヘキシル）ホスフィノ］−１，１’−ビナフチルなどが挙げられる。これらのうち、ｂｉｎａｐまたはｔ−ｂｉｎａｐがより好ましい。【００２４】
Ｒ９〜Ｒ１２におけるフェニル基上の置換基としての低級アルキル基としては例えば、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。同じく置換基としての低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。同じく置換基としてのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子などが挙げられる。これら置換基は該フェニル基上を複数置換してもよい。【００２５】
具体的なＲ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２としては、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、３，５−キシリル基、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル基、ｐ−クロロフェニル基、ｍ−フルオロフェニル基、シクロペンチル基およびシクロヘキシル基などが挙げられる。【００２６】
また、Ｒ１３〜Ｒ１８で示されるアルキル基としては、例えばメチル基、ｔ−ブチル基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。同じくアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、ｔ−ブトキシ基などの直鎖または分岐してもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が挙げられる。同じくアシルオキシ基としては、例えばアセトキシ基、プロパノイルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基およびベンゾイルオキシ基などが挙げられる。同じくハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、フッ素原子などが挙げられる。同じくハロアルキル基としては例えば、トリフルオロメチル基などの炭素数１〜４のハロアルキル基が挙げられる。同じくジアルキルアミノ基としては、例えばジメチルアミノ基またはジエチルアミノ基などが挙げられる。【００２７】
Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖を形成する場合、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖を形成する場合およびＲ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよいメチレン鎖を形成する場合の「置換基を有していてもよいメチレン鎖」におけるメチレン鎖としては、炭素数３〜５のメチレン鎖が好ましく、具体的にはトリメチレン基、テトラメチレン基およびペンタメチレン基が挙げられる。また、「置換基を有していてもよいメチレン鎖」における置換基としては、アルキル基およびハロゲン原子などが挙げられ、具体例としては炭素数１〜６の前記したようなアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基など）、および塩素原子、臭素原子、フッ素原子などが挙げられる。【００２８】
Ｒ１３，Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成する場合、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成する場合およびＲ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成する場合の「置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基」における（ポリ）メチレンジオキシ基としては、炭素数１〜３の（ポリ）メチレンジオキシ基が好ましく、具体的にはメチレンジオキシ基、エチレンジオキシ基およびトリメチレンジオキシ基などが挙げられる。また、「置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基」における置換基としては、アルキル基およびハロゲン原子などが挙げられ、具体例としては炭素数１〜６の前記したようなアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基など）、および塩素原子、臭素原子、フッ素原子などが挙げられる。アルキル基またはハロゲン原子で置換された（ポリ）メチレンジオキシ基の具体的な基としては、プロパン−２，２−ジイルジオキシ基、ブタン−２，３−ジイルジオキシ基およびジフルオロメチレンジオキシ基などが挙げられる。【００２９】
一般式（４）で表される光学活性ホスフィン化合物の具体例としては、以下の化合物に限定されるものではないが、例えば、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１、１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−ｍ−トリルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１、１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１、１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−ターシャリーブチルフェニルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−クロロフェニルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジシクロペンチルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、２，２'−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−５，５'，６，６'，７，７'，８，８'−オクタヒドロ−１，１'−ビナフチル、（（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ジフェニルホスフィン）（以下、ｓｅｇｐｈｏｓという）、（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン）、（（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン）、（（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィン）、（（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ジシクロヘキシルホスフィン）、（（４，４'−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５、５'−ジイル）ビス（ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン）、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'，６，６'−テトラメチル−５，５'−ジメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−メトキシフェニルホスフィノ）−４，４'，６，６'−テトラメチル−５，５'−ジメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'，６，６'−テトラ（トリフルオロメチル）−５，５'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，６−ジ（トリフルオロメチル）−４'，６'−ジメチル−５'−メトキシ−１，１'−ビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２'−ジフェニルホスフィノ−４，４'，６，６'−テトラメチル−５，５'−ジメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６'−ジメチル−１，１−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'，６，６'−テトラメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−３，３'，６，６'−テトラメチル−１��１'−ビフェニル）、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'−ジフルオロ−６，６'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'−ビス（ジメチルアミノ）−６，６'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−６，６'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ−ｏ−トリルホスフィノ）−６，６'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィノ）−６，６'−ジメチル−１，１'−ビフェニル、１，１１−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，７−ジヒドロベンゾ［ｃ，ｅ］オキセピン、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−６，６'−ジメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−５，５'，６，６'−テトラメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジ−ｐ−トリルホスフィノ）−６，６'−ジメトキシ−１，１'−ビフェニル、２，２'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−４，４'，５，５'，６，６'−ヘキサメトキシ−１，１'−ビフェニルなどが挙げられる。【００３０】
さらに、本発明に用いることのできる、一般式（３）または（４）で示される化合物以外の光学活性ホスフィン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１−［１'，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル］エチルアミン、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１−シクロヘキシル−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，２−ビス｛（ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ｝エタン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジイソプロピルホスホラノ）ベンゼン、１，２−ビス（２，５−ジメチルホスホラノ）エタン、１−（２，５−ジメチルホスホラノ）−２−（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン、５，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、Ｎ，Ｎ'−ビス（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ'−ビス（１−フェニルエチル）エチレンジアミン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタンなどが挙げられる。もちろん本発明に用いることのできる光学活性ホスフィン化合物は、これらに何ら限定されるものではない。【００３１】
さらに、本発明におけるルテニウム−光学活性錯体を得るために所望により用いられる中性有機配位化合物としては、例えば、１，５−シクロオクタジエン（以下、ｃｏｄという。）、ノルボルナジエン（以下、ｎｂｄという。）などの非共役ジエン、ベンゼン、ｐ−シメン、メシチレンなどのベンゼン誘導体、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリルなどが挙げられ、同じくアミン化合物としては、例えばトリ低級アルキルアミン（例、トリメチルアミン、トリエチルアミンなど）、ジ低級アルキルアミン（例、ジメチルアミン、ジエチルアミンなど）、ピリジンなどが挙げられる。【００３２】
本発明で用いられるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体としては、以下の一般式（５）で表される錯体が好ましい。
（ＲｕａＷｂＸｃＬｄ）ｅＹｆＺｇ          （５）
（式（５）中、Ｌは上記した一般式（３）または（４）で表されるホスフィンの光学活性体を示し、Ｘは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆおよびｇの示す数値並びにＷ、ＹおよびＺが示すものの組み合わせは、下記ｉ）〜vi）に挙げられる組み合わせのいずれかである。）
ｉ）ａ＝２、ｂ＝０、ｃ＝４、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、ＹはＮ（ＣＨ２ＣＨ３）３を示す。
ii）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｗはベンゼン、ｐ−シメンまたはメシチレンを示し、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
iii）ａ＝１、ｂ＝０、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝２、ｆ＝３、ｇ＝１であり、Ｙは（μ−Ｃｌ）、（μ−Ｂｒ）または（μ−Ｉ）を示し、Ｚは（ＣＨ３）２ＮＨ２または（ＣＨ３ＣＨ２）２ＮＨ２を示す。
iv）ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝０、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、ＷはＣＨ３ＣＯ２またはＣＦ３ＣＯ２を示す。
ｖ）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、Ｗは水素（Ｈ）を示す。
vi）ａ＝３、ｂ＝０、ｃ＝５、ｄ＝３、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。【００３３】
本発明に用いられるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の例として、以下のものを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒｕ（ＯＡｃ）２（Ｌ＊）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ３）（Ｌ＊）、Ｒｕ２Ｃｌ４（Ｌ＊）２ＮＥｔ３、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ＊）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｍｅ２ＮＨ２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ＊）｝２（μ−Ｃｌ）３］［Ｅｔ２ＮＨ２］、ＲｕＣｌ２（Ｌ＊）、ＲｕＢｒ２（Ｌ＊）、ＲｕＩ２（Ｌ＊）、ＲｕＣｌ２（Ｌ＊）（ピリジン）２、ＲｕＢｒ２（Ｌ＊）（ピリジン）２、ＲｕＩ２（Ｌ＊）（ピリジン）２、［ＲｕＣｌ（ベンゼン）（Ｌ＊）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ベンゼン）（Ｌ＊）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ベンゼン）（Ｌ＊）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｌ＊）］Ｃｌ、ＲｕＢｒ（ｐ−シメン）（Ｌ＊）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−シメン）（Ｌ＊）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（メシチレン）（Ｌ＊）］Ｃｌ、ＲｕＢｒ（メシチレン）（Ｌ＊）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（メシチレン）（Ｌ＊）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ＊）］（ＯＴｆ）２、［Ｒｕ（Ｌ＊）］（ＢＦ４）２、［Ｒｕ（Ｌ＊）］（ＣｌＯ４）２、［Ｒｕ（Ｌ＊）］（ＳｂＦ６）２、［Ｒｕ（Ｌ＊）］（ＰＦ６）２、Ｒｕ３Ｃｌ５（Ｌ＊）３、ＲｕＨＣｌ（Ｌ＊）２
（上記ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の例および以下の記載において、Ｌ＊は光学活性ホスフィン化合物を示し、Ａｃはアセチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、Ｍｅはメチル基を示し、Ｔｆはトリフルオロメタンスルホニル基を示す。）【００３４】
本発明で用いられるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体は、公知の方法または自体公知の方法を用いて製造される。例えばＪ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，９２２（１９８５）に記載のように、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ２］ｎと光学活性ホスフィン化合物をトリアルキルアミンの存在下、トルエン溶媒中で加熱還流することにより調製できる。また、特開平１１−２６９１８５号公報記載の方法で、［Ｒｕ（ベンゼン）Ｃｌ２］２と光学活性ホスフィン化合物をジアルキルアミン存在下にテトラヒドロフラン中で加熱還流することにより調製できる。また、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．ｃｏｍｍｕｎ．，１２０８（１９８９）に記載の方法で［Ｒｕ（ｐ−シメン）Ｉ２］２と光学活性ホスフィン化合物とを塩化メチレンとエタノール中で加熱撹拌することにより調製することができる。【００３５】
本発明の製造方法で行われる不斉水素化の反応は水素付加反応であり、一般式（１）で表される化合物をルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下に水素ガスと反応させることにより実施できる。ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の使用量は、反応条件やルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の種類などによって異なるが、通常、一般式（１）で表されるアミノホスフィニルブテン酸類に対するモル比で約１/５０〜１/１０００００、好ましくは約１/２００〜１/１００００程度の範囲である。【００３６】
また、本発明における水素付加反応は、溶媒中で好適に実施することができる。溶媒としては、基質および触媒を溶解できるものが好ましく、具体的にはトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、塩化メチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなどのエーテル類、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールなどのアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、アセトニトリルなどのニトリル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどのアミド類、ピリジン、トリエチルアミンなどのアミン類など、水などが挙げられる。これらの溶媒は、それぞれ単独または２種以上を混合して用いることができる。溶媒の使用量は、反応条件などにより適宜選択することができる。【００３７】
本発明の水素付加反応の水素圧は、通常約０．１〜１０ＭＰａであり、好ましくは１〜５ＭＰａである。反応温度は、触媒の種類などによって自ずから異なるが、通常約５〜１５０℃であり、好ましくは約３０〜１００℃である。反応時間は、反応条件により自ずから異なるが、通常約５〜３０時間である。【００３８】
また、本発明においては必要に応じて塩基化合物を用いることができる。本発明において用いられる塩基化合物としては、特に限定されるものではないが、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムフェノキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムフェノキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムフェノキシド、リチウム−ｔ−ブトキシドなどのアルカリ金属アルコキシドまたはアルカリ金属フェノキシド、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物などが挙げられる。【００３９】
かかる塩基化合物の使用量としては、一般式（１）の化合物のモル数に対し、約０．０５〜２倍モル、好ましくは約０．１〜１．５倍モルが好ましい。【００４０】
上記のようにして、一般式（２）で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類が得られるが、該化合物の立体配位は使用するルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の光学活性ホスフィンの立体配位を適宜選択することにより、Ｒ体またはＳ体を製造することができる。
【実施例】
【００４１】
以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例中の分析条件は以下の通りである。【００４２】
（分析条件）
転化率：１Ｈ−ＮＭＲおよびＯＤＳカラム
光学純度：光学活性カラム【００４３】
（実施例１）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
【化９】
2008029754.tif 000011
２００ｍｌオートクレーブに（Ｚ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニル−２−ブテン酸  ４．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌ  ８．４ｍｇ（０．００９ｍｍｏｌ）、メタノール２０ｍｌを仕込み、窒素置換および水素置換を行った。オートクレーブ内の温度を７０℃にし、水素を１ＭＰａまで封入し同温で５時間攪拌した。反応液の一部をサンプリングし高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）分析にて反応完結を確認後、室温まで冷却し水素放出後、反応液を１００ｍｌフラスコに移した。減圧下でメタノールを留去後、水２０ｍｌを加えた後、トルエン１０ｍｌで２回水相を洗浄し、（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の水溶液として２４．６ｇを得た。得られた（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の光学純度は９０．８％ｅｅであった。
なお、上記で得た水溶液を濃縮すると、３．８ｇの粘調性のある黄色液体が得られた。なお、転化率は１００％であった。【００４４】
（実施例２〜４）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌの使用量を２倍にしたこと、並びに表１に示すように反応時間および反応温度を変えたこと以外は、実施例１と同じ操作で行った。その結果を以下の表１に示す。なお、転化率は全て１００％であった。【００４５】
【表１】
2008029754.tif 000012
【００４６】
（実施例５）  （Ｒ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
【化１０】
2008029754.tif 000013
２００ｍｌオートクレーブに（Ｚ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニル−２−ブテン酸  ４．０ｇ（１８ｍｍｏｌ）、［ＲｕＣｌ（Ｒ）−ｓｅｇｐｈｏｓ］２（μ−Ｃｌ）３［Ｅｔ２ＮＨ２］  ０．１５０ｇ（０．０９ｍｍｏｌ）、メタノール４０ｍｌを仕込み、窒素置換および水素置換を行った。オートクレーブ内の温度を７０℃にし、水素を１ＭＰａまで封入し同温で５時間攪拌した。反応液の一部をサンプリングしＨＰＬＣ分析にて反応完結を確認後、室温まで冷却し水素放出後、反応液を１００ｍｌフラスコに移した。減圧下でメタノールを留去後、水２０ｍｌを加えた後、トルエン１０ｍｌで２回水相を洗浄し、（Ｒ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の水溶液を得た。得られた（Ｒ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の光学純度は９２．８％ｅｅであった。なお、転化率は１００％であった。【００４７】
（実施例６）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌの使用量を２倍にしたこと、および反応系内にナトリウムメトキシド（ＮａＯＭｅ）を水素化基質に対して１当量加えたこと以外は、実施例１と同じ操作で行った。その結果、９５．３％ｅｅの光学純度で（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸が得られた。なお、転化率は１００％であった。【００４８】
（実施例７〜９）  （Ｒ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
表２に示すように、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を変えたこと、反応系内に種々の添加物（水素化基質に対して１当量）を加えたこと以外は、実施例１と同じ操作で行った。その結果を以下の表２に示す。なお、転化率は全て１００％であった。【００４９】
【表２】
2008029754.tif 000014
【００５０】
（実施例１０）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の製造
１００ｍｌオートクレーブに（Ｚ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニル−２−ブテン酸  ５．０ｇ（２２．５ｍｍｏｌ）、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌ  ５．２ｍｇ（０．００５６ｍｍｏｌ）、ｎ−ブタノール１０ｍｌ、水１５ｍｌおよび炭酸ナトリウム２４０ｍｇを仕込み、窒素置換および水素置換を行った。オートクレーブ内の温度を９０℃にし、水素を１ＭＰａまで封入し同温で６時間攪拌した。反応液の一部をサンプリングして反応完結を確認した。得られた（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸の光学純度は９０．４％ｅｅであった。【００５１】
（実施例１１）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸メチルの製造
１００ｍｌオートクレーブに（Ｚ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニル−２−ブテン酸メチル  ４．９ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌ  １．８ｍｇ（０．００１９ｍｍｏｌ）、メタノール２０ｍｌを仕込み、窒素置換および水素置換を行った。オートクレーブ内の温度を９０℃にし、水素を１ＭＰａまで封入し同温で４時間攪拌した。反応液の一部をサンプリングして反応完結を確認した。得られた（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸メチルの光学純度は９０．９％ｅｅであった。【００５２】
（実施例１２）  （Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸メチルの製造
３００ｍｌオートクレーブに（Ｚ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニル−２−ブテン酸メチル  ４６．１ｇ（１８５．０ｍｍｏｌ）、［ＲｕＣｌ（ｐ−シメン）（Ｓ）−ｂｉｎａｐ］Ｃｌ  １．７ｍｇ（０．００１８ｍｍｏｌ）、メタノール９２ｍｌを仕込み、窒素置換および水素置換を行った。オートクレーブ内の温度を９０℃にし、水素を１ＭＰａまで封入し同温で５時間攪拌した。反応液の一部をサンプリングして反応完結を確認した。得られた（Ｓ）−２−アセチルアミノ−４−ヒドロキシメチルホスフィニルブタン酸メチルの光学純度は９０．３％ｅｅであった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒として用いて式（１）で表される化合物を不斉水素化反応させることにより、Ｌ−ＡＨＰＢなどの除草剤として有用な化合物の中間体として重要な光学活性アミノホスフィニルブタン酸類を立体選択的に合成するものであり、従来の光学活性体の合成法に比べて安価に、効率良く、高選択的に合成できる方法として優れている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2008029754.tif 000021
（式（１）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
で表される化合物を、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の存在下、不斉水素化することを特徴とする一般式（２）
【化２】
2008029754.tif 000022
（式（２）中、Ｒ１は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基またはベンジルオキシ基を示し、Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を示す。＊は不斉炭素原子であることを示す。）
で表される光学活性アミノホスフィニルブタン酸類の製造方法。
【請求項２】
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体における光学活性ホスフィン化合物が、二座配位性でかつ、軸不斉を有するものである請求の範囲第１項に記載の製造方法。
【請求項３】
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を構成する光学活性ホスフィン化合物が、一般式（３）
【化３】
2008029754.tif 000023
（式（３）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基を示すか、またはシクロペンチル基もしくはシクロヘキシル基を示す。）
または一般式（４）
【化４】
2008029754.tif 000024
（式（４）中、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、低級アルキル基および低級アルコキシ基からなる群より選ばれる置換基で置換されていてもよいフェニル基、シクロペンチル基またはシクロヘキシル基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１６およびＲ１７は同一または異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示し、Ｒ１５およびＲ１８はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基またはジアルキルアミノ基を示す。Ｒ１３、Ｒ１４およびＲ１５の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよく、Ｒ１６、Ｒ１７およびＲ１８の内の二つで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。また、Ｒ１５とＲ１８とで置換基を有していてもよいメチレン鎖または置換基を有していてもよい（ポリ）メチレンジオキシ基を形成していてもよい。）
で表されるホスフィンの光学活性体である請求の範囲第１項に記載の製造方法。
【請求項４】
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体が、下記一般式（５）
（ＲｕａＷｂＸｃＬｄ）ｅＹｆＺｇ          （５）
（式（５）中、Ｌは請求の範囲第３項に記載の一般式（３）または（４）で表されるホスフィンの光学活性体を示し、Ｘは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆおよびｇの示す数値並びにＷ、ＹおよびＺが示すものの組み合わせは、下記ｉ）〜ｖｉ）に挙げられる組み合わせのいずれかである。）
で表される錯体である請求の範囲第３項に記載の製造方法。
ｉ）ａ＝２、ｂ＝０、ｃ＝４、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、ＹはＮ（ＣＨ２ＣＨ３）３を示す。
ｉｉ）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｗはベンゼン、ｐ−シメンまたはメシチレンを示し、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
ｉｉｉ）ａ＝１、ｂ＝０、ｃ＝１、ｄ＝１、ｅ＝２、ｆ＝３、ｇ＝１であり、Ｙは（μ−Ｃｌ）、（μ−Ｂｒ）または（μ−Ｉ）を示し、Ｚは（ＣＨ３）２ＮＨ２または（ＣＨ３ＣＨ２）２ＮＨ２を示す。
ｉｖ）ａ＝１、ｂ＝２、ｃ＝０、ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、ＷはＣＨ３ＣＯ２またはＣＦ３ＣＯ２を示す。
ｖ）ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝１、ｄ＝２、ｅ＝１、ｆ＝０、ｇ＝０であり、Ｗは水素（Ｈ）を示す。
ｖｉ）ａ＝３、ｂ＝０、ｃ＝５、ｄ＝３、ｅ＝１、ｆ＝１、ｇ＝０であり、Ｙは塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）またはヨウ素（Ｉ）を示す。
【請求項５】
不斉水素化において更に塩基化合物を加える請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
塩基化合物が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属のアルコキシドまたはフェノキシド、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物の中から選ばれるものである請求の範囲第５項に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2008029754.tif 000025
2008029754.tif 000026