(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置であって、
略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓を備え、
前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、
前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、
複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている、プラズマ処理装置。
【請求項２】
略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、前記マイクロ波を前記プラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記スロットアンテナ板は、前記スロットアンテナ板の中心部側に位置し、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、
前記第一のスロットは、少なくとも一部が前記第二の誘電体窓凹部と重なるように設けられる、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、
前記第二の誘電体窓凹部は、板厚方向から見た場合に、前記スロットアンテナ板における前記第一のスロットの長手方向の幅の領域と前記第二のスロットの長手方向の幅の領域とが重なる領域に位置するように設けられる、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび前記一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、
複数の前記第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、複数の前記スロット対がそれぞれ設けられる、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付けた際に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備え、
前記位置調整機構は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓と前記スロットアンテナ板との周方向の相対的な位置を調整する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比は、１／４以上１未満である、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓であって、
前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、
前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、
複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている、プラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項９】
前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって、真直ぐに凹んだ形状である、請求項８に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項１０】
前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、丸穴状である、請求項８に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項１１】
丸穴状の複数の前記第二の誘電体窓凹部の中心はそれぞれ、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心とした円上にある、請求項１０に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項１２】
前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付ける際に、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備える、請求項８に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項１３】
前記位置調整機構は、前記第一の誘電体窓凹部の径方向外側領域に設けられた誘電体窓目盛りを含む、請求項１２に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓。
【請求項１４】
マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、前記マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法であって、
前記プラズマ処理装置用誘電体窓は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、前記プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、前記第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、前記プラズマを生成する側の面から前記プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の前記第二の誘電体窓凹部は、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されており、
前記プラズマ処理装置は、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、前記プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、前記マイクロ波を前記プラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備え、
前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付けるに際し、前記プラズマ処理装置用誘電体窓に設けられた第二の誘電体窓凹部と、前記スロットアンテナ板に設けられたスロットとの周方向の位置関係を調整して、前記プラズマ処理装置用誘電体窓を前記プラズマ処理装置に取り付ける、プラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法。
【請求項１５】
前記プラズマ処理装置用誘電体窓には、周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛りが設けられており、
前記スロットアンテナ板には、周方向の位置の基準となる目印が設けられており、
前記誘電体窓目盛りおよび前記目印を用いて、前記プラズマ処理装置用誘電体窓と前記スロットアンテナ板との周方向の位置関係を調整する、請求項１４に記載のプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマ処理装置用誘電体窓（以下、単に「誘電体窓」ということもある）、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法に関するものであり、特に、略円板状であって、マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓、およびこのようなプラズマ処理装置用誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、およびこのようなプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）やＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ等の半導体素子は、被処理基板となる半導体基板（ウェハ）に対して、エッチングやＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング等の処理を施して製造される。エッチングやＣＶＤ、スパッタリング等の処理については、そのエネルギー供給源としてプラズマを用いた処理方法、すなわち、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ、プラズマスパッタリング等がある。【０００３】
ここで、プラズマを発生させる際にマイクロ波を用いるマイクロ波プラズマ処理装置に関する技術が、ＷＯ２００９／１０１９２７Ａ１（特許文献１）に開示されている。特許文献１によると、マイクロ波プラズマ処理装置には、マイクロ波を伝播する天板（誘電体窓）が設けられている。そして、円周方向の伝播の不均一性を改善するために、マイクロ波をその側面で共鳴吸収し、かつマイクロ波がその内部で単一のモードで伝播する凹部を、天板（誘電体窓）のプラズマ発生側の面に設けることとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＷＯ２００９／１０１９２７Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プラズマ処理装置においては、処理内容や被処理基板に要求される特性等に応じ、種々のプロセス条件においてプラズマ処理が施される。ここで、プラズマ処理装置においては、広いプロセスマージンおよび生成するプラズマの高い軸対称性が要求される。プロセスマージンとは、プラズマ処理装置の処理容器内の圧力、マイクロ波のパワー、ガスの種類や複数種類のガスを用いた場合のそれぞれの分圧や流量比等、プラズマ処理装置のプロセス条件が変更された場合でも、安定してプラズマを生成し、プラズマ処理を行うことができることをいい、このようなプロセスマージンができるだけ広いことが望まれる。また、プラズマ処理においては、被処理基板の面内における処理の度合いを均一にすることが好ましい。具体的には、例えば、周方向における被処理基板の処理のムラをできるだけなくすことが望ましい。このような被処理基板の処理の均一性を確保するためには、生成するプラズマについて、高い軸対称性を備えることが要求される。すなわち、生成されるプラズマにおいて、誘電体窓の中心やスロットアンテナ板の中心を軸とした対称性が良好であることが望まれる。【０００６】
しかし、上記した特許文献１に示すプラズマ処理装置の構成や、従来における平らな誘電体窓を備えるプラズマ処理装置の構成では、広いプロセスマージン、かつ、プラズマの均一性の双方の要求を具備することはできなかった。このような状況下において、例えば、スロットの数の異なる複数のスロットアンテナ板を準備し、これらをプロセス条件の変更に合わせて交換することにより、対応することができる。しかし、プロセス条件を変更する毎に、スロットアンテナ板の交換等の作業が生じると、作業が煩雑になってしまい、好ましくない。また、複数の形状の異なるスロットアンテナ板を準備する必要もあり、コスト面からも不利である。【０００７】
この発明の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有するプラズマ処理装置用誘電体窓を提供することである。【０００８】
この発明の他の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供することである。  この発明のさらに他の目的は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有するプラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けるに際に、容易に取り付けることが可能なプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、マイクロ波を伝播する。プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられている。第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられている。複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。【００１０】
このように構成することにより、誘電体窓の径方向外側領域において、テーパ状の環状の第一の誘電体窓凹部により、誘電体窓の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。また、誘電体窓の径方向内側領域においては、第二の誘電体窓凹部により、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。複数の第二の誘電体窓凹部は、回転対称性を有するため、誘電体窓の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。したがって、このような構成のプラズマ処理装置用誘電体窓は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。【００１１】
好ましくは、第二の誘電体窓凹部は、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって、真直ぐに凹んだ形状である。【００１２】
さらに好ましくは、第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、丸穴状である。【００１３】
好ましい一実施形態として、丸穴状の複数の第二の誘電体窓凹部の中心はそれぞれ、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向から見た場合に、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心とした円上にある。【００１４】
また、プラズマ処理装置用誘電体窓は、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付ける際に、プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備えるよう構成してもよい。【００１５】
好ましくは、位置調整機構は、第一の誘電体窓凹部の径方向外側領域に設けられた誘電体窓目盛りを含む。【００１６】
この発明の他の局面において、この発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置である。また、プラズマ処理装置は、略円板状であり、マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓を備える。ここで、プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられている。また、第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられている。複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。【００１７】
このようなプラズマ処理装置によると、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができる。【００１８】
好ましくは、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、マイクロ波をプラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える。【００１９】
スロットアンテナ板は、スロットアンテナ板の中心部側に位置し、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、第一のスロットは、少なくとも一部が第二の誘電体窓凹部と重なるように設けられていてもよい。
【００２０】
なお、スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、第二の誘電体窓凹部は、板厚方向から見た場合に、スロットアンテナ板における第一のスロットの長手方向の幅の領域と第二のスロットの長手方向の幅の領域とが重なる領域に位置するように設けられることが好ましい。【００２１】
また、スロットアンテナ板は、一方方向に延びる第一のスロットおよび一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロットから構成されるスロット対を複数有し、複数の第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、複数のスロット対がそれぞれ設けられることが好ましい。【００２２】
さらに好ましくは、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けた際に、プラズマ処理装置用誘電体窓の周方向の位置を調整する位置調整機構を備え、位置調整機構は、プラズマ処理装置用誘電体窓とスロットアンテナ板との周方向の相対的な位置を調整する。【００２３】
なお、スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比は、１／４以上１未満であることが好ましい。【００２４】
この発明のさらに他の局面において、この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法は、マイクロ波をプラズマ源とするプラズマ処理装置に備えられ、略円板状であり、マイクロ波を伝播するプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法である。プラズマ処理装置用誘電体窓は、プラズマ処理装置用誘電体窓のうち、プラズマ処理装置に備えられた際にプラズマを生成する側の面の径方向外側領域には、環状に連なり、プラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部が設けられており、第一の誘電体窓凹部の径方向内側領域には、プラズマを生成する側の面からプラズマ処理装置用誘電体窓の板厚方向内方側に向かって凹む複数の第二の誘電体窓凹部が設けられており、複数の第二の誘電体窓凹部は、プラズマ処理装置用誘電体窓の径方向の中心を中心として回転対称性を有するように、それぞれ周方向に間隔を空けて配置されている。プラズマ処理装置は、略円板状であって、板厚方向に貫通する複数のスロットが設けられており、プラズマ処理装置用誘電体窓の上方側に配置され、マイクロ波をプラズマ処理装置用誘電体窓に向かって放射するスロットアンテナ板を備える。ここで、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付けるに際し、プラズマ処理装置用誘電体窓に設けられた第二の誘電体窓凹部と、スロットアンテナ板に設けられたスロットとの周方向の位置関係を調整して、プラズマ処理装置用誘電体窓をプラズマ処理装置に取り付ける。【００２５】
このようなプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法によれば、より容易に周方向の位置決めを行なって、プラズマ処理装置用誘電体窓を取り付けることができる。【００２６】
好ましくは、プラズマ処理装置用誘電体窓には、周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛りが設けられており、スロットアンテナ板には、周方向の位置の基準となる目印が設けられており、誘電体窓目盛りおよび目印を用いて、プラズマ処理装置用誘電体窓とスロットアンテナ板との周方向の位置関係を調整する。
【発明の効果】
【００２７】
このようなプラズマ処理装置用誘電体窓によると、誘電体窓の径方向外側領域において、テーパ状の環状の第一の誘電体窓凹部により、誘電体窓の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。また、誘電体窓の径方向内側領域においては、第二の誘電体窓凹部により、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。複数の第二の誘電体窓凹部は、回転対称性を有するため、誘電体窓の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。したがって、このような構成のプラズマ処理装置用誘電体窓は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。【００２８】
また、このようなプラズマ処理装置によると、広いプロセスマージンを有すると共に、処理の均一性を向上させることができる。【００２９】
また、このようなプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法によると、より容易に周方向の位置決めを行なって、プラズマ処理装置用誘電体窓を取り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す概略断面図である。
【図２】この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置に備えられるスロットアンテナ板を板厚方向から見た図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置に備えられる誘電体窓の断面図である。
【図４】図３に示す誘電体窓を、図３中の矢印ＩＶの方向から見た図である。
【図５】図３に示す誘電体窓を、図３中の矢印ＩＶの方向と逆の方向から見た図である。
【図６】図３に示す誘電体窓を、横側から見た側面図である。
【図７】スロットアンテナ板と誘電体窓との取り付け状態を示す図である。
【図８】図２に示すスロットアンテナ板よりもスロットの数を減少させたスロットアンテナ板を板厚方向から見た図である。
【図９】第一のプラズマ処理装置において、プラズマを生成した状態を示す写真である。
【図１０】図１に示すプラズマ処理装置において、プラズマを生成した状態を示す写真である。
【図１１】生成されたプラズマの電子密度と被処理基板Ｗの中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図１２】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、第一のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。
【図１３】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。
【図１４】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。
【図１５】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、第一のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図１６】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図１７】マイクロ波パワー２０００（Ｗ）等の条件下において、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図１８】マイクロ波パワー３０００（Ｗ）等の条件下において、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。
【図１９】マイクロ波パワー３０００（Ｗ）等の条件下において、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。
【図２０】マイクロ波パワー３０００（Ｗ）等の条件下において、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図２１】マイクロ波パワー３０００（Ｗ）等の条件下において、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図２２】偏りファクターとプロセス条件との関係を示すグラフである。
【図２３】この発明の他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。
【図２４】この発明のさらに他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。
【図２５】第５のプロセス条件で、図３および図２３に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【図２６】第６のプロセス条件で、図３および図２３に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。まず、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成について説明する。図１は、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を概略的に示す概略断面図である。図２は、図１に示すプラズマ処理装置に備えられるスロットアンテナ板を、板厚方向から見た図である。
【００３２】
図１および図２を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１１は、マイクロ波をプラズマ源とするマイクロ波プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１１は、その内部で被処理基板Ｗにプラズマ処理を行う処理空間を有する処理容器１２と、処理容器１２内にプラズマ処理用のガス等を供給するガス供給部１３と、処理容器１２内に設けられ、その上に被処理基板Ｗを保持する保持台１４と、処理容器１２の外部に設けられ、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器１５と、マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波を処理容器１２内に導入する導波管１６および同軸導波管１７と、同軸導波管１７の下方端部に連結されており、同軸導波管１７によって導入されたマイクロ波を径方向に伝播する誘電体板１８と、誘電体板１８の下方側に配置されており、誘電体板１８によって伝播されたマイクロ波を放射するスロット３２を複数有するスロットアンテナ板３１と、スロットアンテナ板３１の下方側に配置されており、スロット３２から放射されたマイクロ波を径方向に伝播すると共に処理容器１２内に透過させる誘電体窓４１と、プラズマ処理装置１１全体を制御する制御部（図示せず）とを備える。制御部は、ガス供給部１３におけるガス流量、処理容器１２内の圧力等、被処理基板Ｗをプラズマ処理するためのプロセス条件を制御する。なお、理解の容易の観点から、図１において、スロット３２の開口形状を概略的に示している。
【００３３】
処理容器１２は、保持台１４の下方側に位置する底部１９ａと、底部１９ａの外周から上方向に延びる側壁１９ｂと、側壁１９ｂの上方側に載置するようにして配置され、その上に誘電体窓４１を載置可能な環状部材１９ｃとを含む。側壁１９ｂは、円筒状である。処理容器１２の底部１９ａの径方向の中央側には、排気用の排気孔２０が設けられている。処理容器１２の上部側は開口しており、処理容器１２の上部側に配置される誘電体窓４１、および誘電体窓４１と処理容器１２、具体的には、処理容器１２を構成する環状部材１９ｃとの間に介在するシール部材としてのＯリング２１によって、処理容器１２は密封可能に構成されている。
【００３４】
保持台１４には、ＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）バイアス用の高周波電源がマッチングユニットおよび給電棒（いずれも図示せず）を介して電気的に接続されている。この高周波電源は、被処理基板Ｗに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波を所定のパワーで出力する。マッチングユニットは、高周波電源側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容しており、この整合器の中にブロッキングコンデンサが含まれている。
【００３５】
ガス供給部１３は、被処理基板Ｗの中央に向かってガスを供給するガス供給口２３を有するセンターガス供給部２４と、円環状の中空状部材２７から構成されており、径方向内側に向かってガスを供給するガス供給口２５を有するアウターガス供給部２６とを含む。
【００３６】
センターガス供給部２４のガス供給口２３は、円板状の誘電体窓４１の径方向の中心領域を開口するようにして設けられている。センターガス供給部２４は、同軸導波管１７を構成する中空状の中心導体２２ａの中空部分を、ガスの供給路としている。センターガス供給部２４は、誘電体窓４１に収容され、処理容器１２内にガスを噴出するようにして供給するインジェクター部４５を備える。
【００３７】
アウターガス供給部２６を構成する中空状部材２７は、処理容器１２内において、側壁１９ｂの内壁面から径方向に真直ぐに延びる複数の支持部材２８により支持されている。中空状部材２７の内径寸法は、被処理基板Ｗの外径寸法よりもやや大きく構成されている。中空状部材２７の中空部分については、その断面略矩形状となるように構成されている。中空状部材２７は、保持台１４の上方側において、被処理基板Ｗの真上領域を避けるようにして配置されている。アウターガス供給部２６のガス供給口２５は、円環状の中空状部材２７のうち、内側の壁面を丸穴状に開口するようにして複数設けられている。複数のガス供給口２５は、所定の間隔を空けて、略等配となるように設けられている。
【００３８】
センターガス供給部２４およびアウターガス供給部２６はそれぞれ、処理容器１２外から処理容器１２内にプラズマ処理用のガス等を供給する。ガス供給口２３、２５から供給されるガスのそれぞれの流れ方向については、図１中の矢印Ｆ１およびＦ２で図示している。なお、センターガス供給部２４およびアウターガス供給部２６から供給されるガスの流量比やガスの種類については、任意に選択が可能であり、例えば、異なる種類のガスをセンターガス供給部２４およびアウターガス供給部２６のそれぞれから供給することや、センターガス供給部２４からのガスの供給を全く無しにして、アウターガス供給部２６からのみ処理容器１２内にガスを供給するということも、もちろん可能である。なお、ガス供給部１３が、このようなセンターガス供給部２４およびアウターガス供給部２６を備える構成とすることにより、径方向における処理の均一性の微調整を図ることができる。具体的には、例えば、被処理基板Ｗの端部領域の処理が被処理基板Ｗの中央領域の処理に比べて不十分である場合、センターガス供給部２４およびアウターガス供給部２６の流量比において、アウターガス供給部２６から供給されるガスの流量比を多くして、端部領域のプラズマ処理の促進を図り、処理の均一性の微調整を図ることができる。
【００３９】
チューナー２９を有するマイクロ波発生器１５は、中心導体２２ａおよび外周導体２２ｂから構成される同軸導波管１７およびモード変換器３０を介して、マイクロ波を導入する導波管１６の上流側に接続されている。同軸導波管１７を構成し、いずれも円筒状である中心導体２２ａおよび外周導体２２ｂは、径方向の中心を一致させ、中心導体２２ａの外径面と、外周導体２２ｂの内径面との間隔を開けるようにして、図３中の紙面上下方向に延びるようにして配置される。例えば、マイクロ波発生器１５で発生させたＴＥモードのマイクロ波は、導波管１６を通り、モード変換器３０によりＴＥＭモードへ変換され、同軸導波管１７を伝播する。マイクロ波発生器１５において発生させるマイクロ波の周波数としては、例えば、２．４５ＧＨｚが選択される。
【００４０】
ここで、上記したスロットアンテナ板３１の具体的な構成について説明する。スロットアンテナ板３１は、薄板状であって、円板状である。スロットアンテナ板３１の板厚方向の両面は、それぞれ平らである。スロットアンテナ板３１には、板厚方向に貫通する複数のスロット３２が複数設けられている。スロット３２は、一方方向に長い第一のスロット３３と、第一のスロット３３と直交する方向に長い第二のスロット３４とが、隣り合って一対となるように形成されている。具体的には、隣り合う２つのスロット３３、３４が一対となって、略ハ字状となるように配置されて構成されている。すなわち、スロットアンテナ板３１は、一方方向に延びる第一のスロット３３および一方方向に対して垂直な方向に延びる第二のスロット３４から構成されるスロット対４０を有する構成である。なお、スロット対４０の一例については、図２中の点線で示す領域で図示している。
【００４１】
この実施形態においては、第一のスロット３３の開口幅、すなわち、第一のスロット３３のうち、長手方向に延びる一方側の壁部３０ａと長手方向に延びる他方側の壁部３０ｂとの間の長さＷ１は、約１２ｍｍとなるように構成されている。一方、図２中の長さＷ２で示す第一のスロット３３の長手方向の長さ、すなわち、第一のスロット３３の長手方向の一方側の端部３０ｃと第一のスロット３３の長手方向の他方側の端部３０ｄとの間の長さＷ２は、約５０ｍｍとなるように構成されている。第一のスロット３３について、長手方向の長さに対する短手方向の長さの比Ｗ１／Ｗ２は、１２／５０であり、約１／４である。第一のスロット３３の開口形状と第二のスロット３４の開口形状とは、同じである。すなわち、第二のスロット３４は、第一のスロット３３を９０度傾けた形状である。なお、スロットという長孔を構成するに際し、長さの比Ｗ１／Ｗ２については、１未満となる。
【００４２】
設けられたスロット対４０は、内周側に配置される内周側スロット対群３５と、外周側に配置される外周側スロット対群３６とに大別される。内周側スロット対群３５は、図２中の一点鎖線で示す仮想円の内側領域に設けられた７対のスロット対４０である。外周側スロット対群３６は、図２中の一点鎖線で示す仮想円の外側領域に設けられた２８対のスロット対４０である。内周側スロット対群３５において、７対のスロット対４０はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。このように構成することにより、後述する第二の誘電体窓凹部が設けられた位置に対応する位置に、内周側スロット対群３５に配置される７対のスロット対４０をそれぞれ設けることができる。外周側スロット対群３６において、２８対のスロット対４０はそれぞれ、周方向に等間隔に配置されている。スロットアンテナ板３１の径方向の中央にも、貫通孔３７が設けられている。
【００４３】
なお、外周側スロット対群３６の外径側の領域には、スロットアンテナ板３１の周方向の位置決めを容易にするために、板厚方向に貫通するようにして基準孔３９が設けられている。すなわち、この基準孔３９の位置を目印にして、処理容器１２や誘電体窓４１に対するスロットアンテナ板３１の周方向の位置決めを行なう。スロットアンテナ板３１は、基準孔３９を除いて、径方向の中心３８を中心とした回転対称性を有する。
【００４４】
マイクロ波発生器１５により発生させたマイクロ波は、同軸導波管１７を通って、誘電体板１８に伝播され、スロットアンテナ板３１に設けられた複数のスロット３２から誘電体窓４１に放射される。誘電体窓４１を透過したマイクロ波は、誘電体窓４１の直下に電界を生じさせ、処理容器１２内にプラズマを生成させる。誘電体窓４１の直下で生成されたプラズマは、誘電体窓４１から離れる方向、すなわち、保持台１４に向かう方向に拡散していく。そして、拡散したプラズマで形成され、保持台１４に載置された被処理基板を含むプラズマ拡散領域で、被処理基板Ｗに対するプラズマエッチング処理等のプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１１において処理に供されるマイクロ波プラズマは、上記した構成のスロットアンテナ板３１および誘電体窓４１を含むラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ：Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎａ）により生成されている。
【００４５】
次に、この発明の一実施形態に係る誘電体窓４１の構成について、具体的に説明する。図３は、この発明の一実施形態に係る誘電体窓４１の断面図であり、図１に示す断面に相当する。図４は、図３に示す誘電体窓４１を、下側、すなわち、図３中の矢印ＩＶの方向から見た図である。図５は、図３に示す誘電体窓４１を、上側、すなわち、図３中の矢印ＩＶの方向と逆の方向から見た図である。図６は、図３に示す誘電体窓４１を、横側から見た側面図である。図４中のＩＩＩ−ＩＩＩ断面が、図３に相当する。
【００４６】
図１〜図６を参照して、この発明の一実施形態に係る誘電体窓４１は、略円板状であって、所定の板厚を有する。誘電体窓４１は、誘電体で構成されており、誘電体窓４１の具体的な材質としては、石英やアルミナ等が挙げられる。誘電体窓４１は、図３における下側を処理容器１２の側壁１９ｂの一部を構成する環状部材１９ｃの上に載せるようにしてプラズマ処理装置１１に取り付けられ、備えられる。
【００４７】
誘電体窓４１の径方向の中央には、板厚方向、すなわち、図３中の紙面上下方向に貫通する貫通孔４２が設けられている。貫通孔４２のうち、下側領域は、センターガス供給部２４におけるガス供給口２３となり、上側領域は、センターガス供給部２４を構成するインジェクター部４５を受け入れる受け入れ凹部４３となる。なお、誘電体窓４１の径方向の中心４４を、図３中の一点鎖線で示す。
【００４８】
誘電体窓４１のうち、プラズマ処理装置１１に備えられた際にプラズマを生成する側となる下面４６の径方向外側領域には、環状に連なり、誘電体窓４１の板厚方向内方側、ここでは、図３における紙面上方向に向かってテーパ状に凹む第一の誘電体窓凹部４７が設けられている。下面４６は、誘電体窓４１の径方向の中央領域に設けられており、後述する第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇが設けられる領域を除いて、平ら、すなわち、径方向に真直ぐに延びる平面で構成されている。第一の誘電体窓凹部４７は、下面４６の外径領域から外径側に向かってテーパ状、具体的には、下面４６に対して図３における紙面上方向に傾斜して延びる内側テーパ面４８、内側テーパ面４８から外径側に向かって径方向に真直ぐ、すなわち、下面４６と平行に延びる平面４９、平面４９から外径側に向かってテーパ状、具体的には、下面４６に対して図３における紙面下方向に傾斜して延びる外側テーパ面５０から構成されている。テーパの角度、すなわち、例えば、平面４９に対して内側テーパ面が延びる方向で規定される角度や平面４９に対して外側テーパ面５０が延びる方向で規定される角度については、任意に定められ、この実施形態においては、周方向のいずれの位置においても同じように構成されている。内側テーパ面４８、平面４９、外側テーパ面５０はそれぞれ滑らかな曲面で連なるように形成されている。なお、外側テーパ面５０の外径領域は、外径側に向かって径方向に真直ぐ、すなわち、下面４６と平行に延びる平面５２が設けられている。この平面５２が誘電体窓４１の支持面となる。すなわち、誘電体窓４１は、平面５２を環状部材１９ｃの内径側領域において設けられた上部側の端面１９ｄに載置するようにして、プラズマ処理装置１１に取り付けられる。なお、端面１９ｄには、上記したＯリング２１を配置可能なように、図１における紙面下方向に凹むＯリング受け入れ凹部１９ｅが設けられている。また、理解の容易の観点から、図４において、第一の誘電体窓凹部４７が設けられる領域を、点線で示している。
【００４９】
この第一の誘電体窓凹部４７により、誘電体窓４１の径方向外側領域において、誘電体窓４１の厚みを連続的に変化させる領域を形成して、プラズマを生成する種々のプロセス条件に適した誘電体窓４１の厚みを有する共振領域を形成することができる。そうすると、種々のプロセス条件に応じて、径方向外側領域におけるプラズマの高い安定性を確保することができる。
【００５０】
ここで、誘電体窓４１のうち、第一の誘電体窓凹部４７の径方向内側領域には、下面４６から板厚方向内方側、ここでは、図３における紙面上方向に向かって凹む第二の誘電体窓凹部５３ａが設けられている。第二の誘電体窓凹部５３ａは、下面４６から図３における紙面上方向に向かって真直ぐに凹んだ形状である。第二の誘電体窓凹部５３ａは、誘電体窓４１の板厚方向から見た場合、ここでは、図３における紙面下方向から見た場合に、丸穴状である。すなわち、第二の誘電体窓凹部５３ａは、下面４６から図３における紙面上方向に真直ぐに延びる円筒面５４と、円筒面５４の上側端部において、径方向に真直ぐ、すなわち、下面４６と平行に延びる平面５５とから構成されている。
【００５１】
第二の誘電体窓凹部５３ａは、この実施形態においては、合計７つ設けられている。７つの第二の誘電体窓凹部５３ａ、５３ｂ、５３ｃ、５３ｄ、５３ｅ、５３ｆ、５３ｇの形状はそれぞれ等しい。すなわち、第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの凹み方やその大きさ、穴の径等については、それぞれ等しく構成されている。７つの第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇは、誘電体窓４１の径方向の中心５６を中心として、回転対称性を有するように、それぞれ間隔を空けて配置されている。この場合、丸穴状の７つの第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｆの中心５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７ｄ、５７ｅ、５７ｆ、５７ｇはそれぞれ、誘電体窓４１の板厚方向から見た場合に、誘電体窓４１の径方向の中心５６を中心とした円５８上にあるように構成されている。すなわち、誘電体窓４１を径方向の中心５６を中心として３６０度／７である５１．４２度回転させた場合に、回転させる前と同じ形状となるよう構成されている。円５８は、図４において、一点鎖線で示している。なお、この実施形態において、図４中の長さＬ１で示す円５８のＰＣＤ（Ｐｉｔｃｈ  Ｃｉｒｃｌｅ  Ｄｉａｍｅｔｅｒ）、すなわち、ピッチ円の径は、約１５４ｍｍとし、図４中の長さＬ２で示す第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの径は、約φ３０ｍｍとしている。また、第二の誘電体窓凹部５３ａの凹み量、すなわち、図３中の長さＬ３で示す下面４６と平面５５との板厚方向の間隔は、任意に定められ、この実施形態においては、約３２ｍｍとしている。なお、この実施形態においては、誘電体窓４１の径は、約４５８ｍｍとしている。
【００５２】
この第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇにより、マイクロ波の電界を集中させることができ、誘電体窓４１の径方向内側領域において、強固なモード固定を行なうことができる。そうすると、プロセス条件が種々変更されても、径方向内側領域における強固なモード固定の領域を確保することができる。７つの第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇは、回転対称性を有するため、誘電体窓４１の径方向内側領域において強固なモード固定の高い軸対称性を確保することができ、生成するプラズマにおいても、高い軸対称性を有する。
【００５３】
以上より、このような構成の誘電体窓４１は、広いプロセスマージンを有すると共に、生成するプラズマが高い軸対称性を有する。
【００５４】
なお、プロセスマージンの広さについては、要求されるプロセスマージンの広さに応じて、第二の誘電体窓凹部の大きさやその位置を変更することにより、対応することができる。また、径方向の処理の均一性について述べると、被処理基板において径方向の中心側が径方向の外側、いわゆる端部側よりもエッチング処理の早いセンターファーストという現象、およびその逆の現象であって、径方向の中心側が径方向の外側よりもエッチング処理の遅いエッジファーストという現象があるが、第二の誘電体窓凹部の大きさやその位置を変更することにより、対応することができる。一方、上記したこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成とし、プロセス条件を調整して、センターファーストやエッジファーストとなる現象を低減させ、その影響を小さくすることもできる。すなわち、上記したこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成として要求される広いプロセスマージンおよび周方向の処理の均一性を確保し、プロセス条件を調整して、径方向の処理の均一性を向上させることができるものである。この点については、後述する。
【００５５】
ここで、誘電体窓４１には、誘電体窓４１の周方向の位置を調整する位置調整機構として、誘電体窓４１の上面５９において、誘電体窓目盛り６０が設けられている。誘電体窓目盛り６０は、周方向に等間隔を空けて記されている。この誘電体窓目盛り６０は、誘電体窓４１の上にスロットアンテナ板３１を配置させた際に、スロットアンテナ板３１に覆われない領域に設けられている。具体的には、第一の誘電体窓凹部４７の外径側領域に設けられている。このような誘電体窓目盛り６０を設けることにより、誘電体窓４１の周方向の位置決めを行なうことが容易になる。なお、理解の容易の観点から、図５においては、誘電体窓目盛り６０の一部の図示を省略している。
【００５６】
次に、この誘電体窓４１の取り付け方法について、説明する。図７は、スロットアンテナ板３１と誘電体窓４１との取り付け状態を示す図である。図７は、誘電体窓４１の上側に、スロットアンテナ板３１を載置した状態に相当する。図７を参照して、誘電体窓４１に設けられた第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの周方向の位置、およびスロットアンテナ板３１に設けられたスロットアンテナ板３１のスロット３２により、誘電体窓４１における電界の周方向の強度分布が変わり、それに応じて生成されるプラズマの強度も変化する。特に、内径側領域においては、第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇが設けられた領域と、スロット３２が設けられた領域とが板厚方向に重なるか否か、またはその重なり具合によって、電界の周方向の強度分布が大きく変化する。
【００５７】
例えば、図７に示すように、第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇは、板厚方向から見た場合に、スロットアンテナ板３１における第一のスロット３３の長手方向の幅の領域６５ａと第二のスロット３４の長手方向の幅の領域６５ｂとが重なる領域６５ｃに位置するように設けられることが好ましい。ここで、領域６５ｃに第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇが位置するとは、領域６５ｃ内に完全に第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇが覆われる状態の他、領域６５ｃの一部と第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの一部とが重なり合う状態をも含むものである。このような領域６５ｃは、マイクロ波の電界強度が強い領域であるので、第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの内部へ十分にマイクロ波を供給することができる。また、この場合、第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇが設けられた位置に対応する位置に、内周側スロット対群３５内に配置される７対のスロット対４０をそれぞれ位置させるよう設けることができるので、効率的に第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇの内部へマイクロ波を供給することができる。なお、図７において、領域６５ａ、６５ｂ、６５ｃをそれぞれ異なるハッチングで示している。
【００５８】
誘電体窓４１をプラズマ処理装置１１に取り付けるに際し、誘電体窓４１に設けられた第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇと、スロットアンテナ板３１に設けられたスロット３２との周方向の位置関係を調整して、誘電体窓４１をプラズマ処理装置１１に取り付ける。ここで、誘電体窓４１の周方向の位置を調整するための誘電体窓目盛り６０、およびスロットアンテナ板３１に設けられた周方向の位置の基準となる目印としての基準孔３９を利用する。具体的には、スロットアンテナ板３１および誘電体窓４１の中心を中心６１として、中心６１と基準孔３９の中心を結ぶ一点鎖線で示される仮想線６２と、中心６１と最外周に設けられた任意のスロット３２の周方向端部６４とを結ぶ二点鎖線で示される仮想線６３とのなす角度θを、予め求められた角度θと形成される電界の強度分布との関係に基づいて、要求される角度θとなるようにスロットアンテナ板３１に対して誘電体窓４１を回転させ、要求される角度θとする。
【００５９】
こうすることにより、より容易に、周方向の位置を調整することができる。すなわち、誘電体窓４１に設けられた第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇは、上方側、すなわち、スロットアンテナ板３１からは見ることができず、上方側から見ながら誘電体窓４１の周方向の位置決めを行なうことは困難であるが、このような構成によれば、誘電体窓目盛り６０および基準孔３９を用いて、より容易にスロットアンテナ板３１に対する誘電体窓４１の周方向の位置を調整することができる。
【００６０】
ここで、スロットアンテナ板３１に対する誘電体窓４１の周方向の位置決めの調整においては、上記したプラズマ処理装置１１に設けられた制御部により自動で行なってもよい。すなわち、例えば、誘電体窓４１の周方向の位置を調整する位置調整機構は、誘電体窓４１の周方向への回転を可能とする回転機構を含み、基準孔３９の位置や誘電体窓目盛り６０の目盛りをセンサによって検出し、制御部に入力された角度θとなるよう誘電体窓４１を回転させる構成としてもよい。
【００６１】
なお、上記の実施の形態においては、プラズマ処理装置において、図２に示す形状のスロットアンテナ板を備えることとしたが、これに限らず、例えば、スロットの数やその配置状態を変更したものであってもよい。例えば、内周側スロット対群のスロットの配置および数は同じであるが、図８で示すスロットアンテナ板６６のように、外周側スロット対群のスロットを２８対から２６対に変更し、略等配に配置させたものについても適用可能である。なお、図８は、図２に示すスロットアンテナ板よりもスロットの数を減少させ、スロット６７の開口幅を狭くしたスロットアンテナ板６６を板厚方向から見た図である。この実施形態においては、スロット６７の開口幅、すなわち、スロット６７のうち、長手方向に延びる一方側の壁部６８ａと長手方向に延びる他方側の壁部６８ｂとの間の長さＷ３は、約６ｍｍとなるように構成されている。この長さＷ３は、図２に示すスロットアンテナ板に設けられるスロット３３の場合の長さＷ１の約半分である。一方、図８中の長さＷ４で示すスロット６７の長手方向の長さ、すなわち、スロット６７の長手方向の一方側の端部６８ｃとスロット６７の長手方向の他方側の端部６８ｄとの間の長さＷ４は、約５０ｍｍとなるように構成されている。この長さＷ４は、図２に示すスロットアンテナ板に設けられるスロット３３の場合の長さＷ２と同等である。スロット６７について、長手方向の長さに対する短手方向の長さの比Ｗ３／Ｗ４は、６／５０であり、約１／８である。その他のスロットの構成等については、図２で示すスロットアンテナ板３１と同様であるため、その説明を省略する。
【００６２】
ここで、スロットの開口形状については、幅広になるほど、導入されるマイクロ波のパワーが低下するが、周方向のずれに強いものとなる。すなわち、スロットの開口幅が狭くなれば、それだけマイクロ波を強く放射することができるが、スロットアンテナ板の取り付けにおけるスロットの位置が周方向にずれや、マイクロ波の伝播の乱れによって、マイクロ波の放射が極端に弱くなる場合がある。一方、スロットの開口幅が広くなれば、マイクロ波の放射は全体として弱くなるが、スロットアンテナ板の取り付けにおける周方向のスロットの位置のずれや、マイクロ波の伝播の乱れに対応して、極端に弱くならずにマイクロ波を放射することができる。
【００６３】
次に、プラズマ処理装置におけるプラズマの生成状態について説明する。図９は、第一のプラズマ処理装置において、プラズマを生成した状態を示す写真である。図１０は、上記した構成のプラズマ処理装置１１において、プラズマを生成した状態を示す写真である。図９および図１０は、誘電体窓を板厚方向から撮影したものである。ここで、第一のプラズマ処理装置とは、図２に示すスロットアンテナ板、および第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓を備える構成である。また、プロセス条件としては、処理容器内の圧力を１００（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワーを１０００（Ｗ）、供給するガスをアルゴン（Ａｒ）ガスおよび酸素（Ｏ２）ガスとし、Ａｒ／Ｏ２の流量を、３００／５００（ｓｃｃｍ）としている。
【００６４】
図９を参照して、第一のプラズマ処理装置では、径方向外側領域においては、周方向に略等間隔で形成されたプラズマの強発光を確認することができる。しかし、径方向内側領域において、プラズマの強発光を全く確認できない。これに対し、図１０を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置では、径方向外側領域において、周方向に略等間隔で形成されたプラズマの強発光を確認することができ、さらに、径方向内側領域において、第二の誘電体窓凹部に該当する領域における７つのプラズマの強発光を確認することができる。
【００６５】
次に、プラズマ処理装置におけるプラズマの電子密度の状態について説明する。図１１は、生成されたプラズマの電子密度と被処理基板Ｗの中心からの距離との関係を示すグラフである。図１１において、縦軸は、プラズマの電子密度（ｃｍ−３）を示し、横軸は、被処理基板Ｗの中心Ｏからの距離（ｍｍ）を示す。なお、電子密度の計測においては、ＰＡＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｐｒｏｂｅ：プラズマ振動プローブ）を用いた。ＰＡＰを用いて計測した処理容器内の高さ方向の位置については、図１において上記した平面５２である支持面を基準として下方向に１００ｍｍの位置としている。測定は、−２４０ｍｍ付近から＋１００ｍｍの範囲で行なった。また、ガスの供給については、センターガス供給部からのガス供給は行なわず、アウターガス供給部のみからのガス供給としている。
【００６６】
なお、図１１において、白抜き菱形は、図１に示すプラズマ処理装置で、処理容器内圧力５０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー１５００（Ｗ）、Ａｒ／Ｏ２の流量を５００／３００（ｓｃｃｍ）とした場合を示し、白抜き四角は、図１に示すプラズマ処理装置で、処理容器内圧力５０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー２０００（Ｗ）、Ａｒ／Ｏ２の流量を２００／６００（ｓｃｃｍ）とした場合を示し、黒三角は、図９に示されるプラズマ発光である第一のプラズマ処理装置で、処理容器内圧力５０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー１５００（Ｗ）、Ａｒ／Ｏ２の流量を５００／３００（ｓｃｃｍ）とした場合を示し、黒丸は、図９に示されるプラズマ発光である第一のプラズマ処理装置で、処理容器内圧力５０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー２０００（Ｗ）、Ａｒ／Ｏ２の流量を２００／６００（ｓｃｃｍ）とした場合を示す。
【００６７】
図１１を参照して、第一のプラズマ処理装置の場合、−１５０〜−１３０ｍｍ辺りを電子密度のピークとし、被処理基板の中央付近、すなわち、距離０ｍｍ付近に向かって、グラフの形状が凹んでおり、被処理基板の中央領域付近において電子密度の低下が見られる。これに対し、図１に示すプラズマ処理装置の場合、第一のプラズマ処理装置のような中央付近における電子密度の低下は見られず、−１００ｍｍから中央領域においては、電子密度がほぼ等しいことが把握できる。
【００６８】
次に、上記した構成のプラズマ処理装置１１と、他のプラズマ処理装置との処理の程度の差について説明する。図１２および図１３は、他のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。図１２は、上記した第一のプラズマ処理装置、具体的には、スロットアンテナ板として図２に示すものを用い、誘電体窓として第一の誘電体窓凹部のみが設けられたものを用いたプラズマ処理装置の場合である。図１３は、第二のプラズマ処理装置、具体的には、スロットアンテナ板として、図８に示すものを用い、誘電体窓として、第一の誘電体窓凹部のみが設けられたものを用いたプラズマ処理装置の場合である。図１４は、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際の被処理基板の処理状態を示す図である。図１２〜図１４において、画像の濃度の濃淡度合いが、処理の度合いを示している。すなわち、画像の濃度の同じ領域が、エッチング深さの同じ領域であることを示す。
【００６９】
図１５は、第一のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図１６は、第二のプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図１７は、図１に示すプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図１５〜図１７において、縦軸は、エッチング深さ（Å）を示し、横軸は、被処理基板の中心からの距離（ｍｍ）を示す。また、図１５〜図１７において、黒丸は、被処理基板の中心を通り、図１２〜図１４に示す被処理基板の左右方向に延びるＸ軸の位置で測定した場合であり、黒三角は、被処理基板の中心を通り、Ｘ軸に直交するＹ軸の位置で測定した場合である。すなわち、Ｙ軸は、図１２〜図１４に示す被処理基板の上下方向に延びる軸であり、Ｙ軸においては、マイナスの距離は、図１２〜図１４に示す被処理基板の中心から下側の領域となる。なお、Ｘ軸においては、マイナスの距離は、図１２〜図１４に示す被処理基板の中心から左側の領域となる。また、プロセス条件としては、処理容器内圧力２０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー２０００（Ｗ）、ＲＦバイアス８０（Ｗ）、Ａｒ／ＣＨＦ３／Ｏ２の流量を４５０／５０／２（ｓｃｃｍ）としている。
【００７０】
図１２、図１３、図１５、図１６を参照して、他のプラズマ処理装置の場合、エッチング深さのムラ、すなわち、面内における処理の程度の差が大きい。特に周方向においては、そのエッチング深さの分布のばらつきが大きい。これに対し、図１４および図１７を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の場合、エッチング深さのムラは小さく、周方向のエッチング深さの分布のばらつきは小さいものとなっている。
【００７１】
また、プロセス条件を変更したものについても検討を行なった。具体的には、処理容器内圧力２０（ｍＴｏｒｒ）、マイクロ波パワー３０００（Ｗ）、ＲＦバイアス２００（Ｗ）、Ａｒ／ＣＦ４の流量を５００／１００（ｓｃｃｍ）とした場合について、図１８〜図２１に示す。図１８は、図１３に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図１９は、図１４に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図２０は、図１６に示す場合と同様の装置構成の場合であり、図２１は、図１７に示す場合と同様の装置構成の場合である。図１８〜図２１を参照しても、図１２〜図１７に示す場合と同様の傾向となっていることが把握できる。
【００７２】
図２２は、偏りファクターとプロセス条件との関係を示すグラフである。縦軸は、偏りファクター（％）の値を示し、横軸は、プロセス条件を示す。図２２に示す棒グラフにおいて、最も左側が、図８に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第二のプラズマ処理装置の場合であり、真中が、図２に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第一のプラズマ処理装置の場合であり、最も右側が、図１に示すこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の場合である。
【００７３】
ここで、偏りファクターとは、被処理基板の中心から被処理基板の端部方向に１５０ｍｍの点まで、径を２５ｍｍずつ大きくした位置毎、そして最外周部分である約１５２ｍｍの位置において、それぞれ算出した周方向の均一性（％）を積算した値である。具体的な算出方法の一例を挙げると、第二のプロセス条件における真中のグラフ、すなわち、図２に示すスロットアンテナ、および第一の誘電体窓凹部のみを設けた誘電体窓を備える第一のプラズマ処理装置の場合について、２５ｍｍの位置における周方向の均一性が約２％、５０ｍｍの位置における周方向の均一性が約６％、７５ｍｍの位置における周方向の均一性が約８％、１００ｍｍの位置における周方向の均一性が約１１％、１２５ｍｍの位置における周方向の均一性が約１１．５％、１５０ｍｍの位置における周方向の均一性が約１３％、１５２ｍｍの位置における周方向の均一性が約１３％であり、偏りファクターは、それぞれを足し合わせた値である約６４．５％となる。
【００７４】
偏りファクターについては、その値自体が小さいほど、周方向の位置における処理の程度の差が小さいことを示すので、その値が小さいことが好ましい。また、プロセスマージンを広く確保するため、各プロセス条件間においても、その値の差が小さいことが好ましい。すなわち、ある一つのプロセス条件で偏りファクターの値が小さくても、他のプロセス条件で偏りファクターの値が大きいことは好ましくない。つまり、周方向における処理の均一性を考慮しながら、プラズマ処理装置のロバスト性向上、すなわち、プロセス条件を変更しても、処理の均一性に対する影響を小さくすることができるという観点からみれば、偏りファクターの値自体が小さく、かつ、各プロセス条件における偏りファクターの値の差が小さければよい。ここで、図２２中の横軸で示すプロセス条件については、第１のプロセス条件〜第６のプロセス条件まで、６つのパターンで行なった。各プロセス条件の内容を、表１に示す。なお、第１および第２のプロセス条件は、有機膜のエッチング処理の一例を示すものであり、第３〜第６のプロセス条件は、酸化膜のエッチング処理の一例を示すものである。
【００７５】
【表１】
0005403151.tif 000002
【００７６】
図２２および表１を参照して、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置においては、いずれのプロセス条件においても、偏りファクターの値が小さく、最大でも第６のプロセス条件における１７程度の値である。一方、第二のプラズマ処理装置においては、偏りファクターの値が小さいプロセス条件があるものの、第３のプロセス条件および第６のプロセス条件については、その値が大きく、それぞれ６０程度となっている。第一のプラズマ処理装置においても、偏りファクターの値が小さいプロセス条件があるものの、第２のプロセス条件および第３のプロセス条件については、その値が大きく、それぞれ５５程度となっている。つまり、プラズマ処理装置のロバスト性向上の観点からも、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置は優れている。
【００７７】
これについては、以下のことが考えられる。第一のプロセス条件については、圧力が１５０ｍＴｏｒｒと比較的高圧であり、それぞれの場合について、偏りファクターの差はほとんど見られない。しかし、第二〜第六のプロセス条件については、圧力が２０〜４０ｍＴｏｒｒと比較的低圧である。このような低圧の条件下においては、ややプラズマが偏りやすい傾向にあるが、この発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置においては、上記した誘電体窓の構造に加え、比較的幅の広いスロットを有するスロットアンテナ板を備える構成であるため、マイクロ波の放射の周方向の均一性をより高くして、ロバスト性の向上に寄与していると考えられる。すなわち、スロットの長手方向の長さに対する短手方向の長さの比を、１／４以上とすることにより、低圧条件下においても周方向のずれに対応して、処理の均一性を確保することができ、さらにプラズマ処理装置のロバスト性を向上することができる。
【００７８】
なお、誘電体窓の形状としては、図３に示す形状に限られず、例えば、図２３および図２４に示す形状であってもよい。図２３は、この発明の他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。図２４は、この発明のさらに他の実施形態に係る誘電体窓を示す断面図である。図２３および図２４に示す断面は、図３に示す断面に相当する。
【００７９】
図２３を参照して、この発明の他の実施形態に係る誘電体窓７１は、図３に示す誘電体窓４１と同様に、環状に連なるテーパ状の第一の誘電体窓凹部７２および板厚方向に真直ぐに凹んだ形状の第二の誘電体窓凹部７３が設けられている。ここで、図３に示す誘電体窓４１との構造の対比において、第二の誘電体窓凹部７３については、上記したＰＣＤは同じであるが、図３に示す誘電体窓４１の第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇよりも、それらの大きさが小さく設けられている。この実施形態においては、図４における長さＬ２に相当し、図２３中の長さＬ４で示す第二の誘電体窓凹部７３の径は、φ２０ｍｍとしている。また、図２４を参照して、この発明のさらに他の実施形態に係る誘電体窓７６は、図３に示す誘電体窓４１と同様に、環状に連なるテーパ状の第一の誘電体窓凹部７７および板厚方向に真直ぐに凹んだ形状の第二の誘電体窓凹部７８が設けられている。ここで、第二の誘電体窓凹部７８については、図３に示す誘電体窓４１との構造の対比において、それらの大きさは同じであるが、図３に示す誘電体窓４１の第二の誘電体窓凹部５３ａ〜５３ｇよりも、内径側に設けられている。この実施形態においては、図４における長さＬ１に相当し、図２４中の長さＬ５で示すＰＣＤについては、１４０ｍｍとしている。
【００８０】
次に、他のプラズマ処理装置およびこの発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置において、プラズマの安定性について評価を行った。表２は、図３に示す誘電体窓、図２３に示す誘電体窓、図２４に示す誘電体窓、および第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓において、ガスの流量を変更した場合のプラズマの安定性を示す表である。なお、スロットアンテナ板３１については、いずれも図２に示したものを用いている。表２中、丸印は、プラズマが安定している状態を示し、三角印は、ハンチング状態、すなわち、マイクロ波のマッチングユニットにおいて整合がとれない状態で、安定しない状態を示し、×印は、マイクロ波の反射値がプラズマ処理装置に設けられたインターロック値を上回り、プロセス停止した状態を示す。また、「ＭＷ」はマイクロ波を示し、それぞれ２０００Ｗ，２５００Ｗ、３０００Ｗで評価している。また、表２中の最上段は、Ａｒ／ＨＢｒのそれぞれのガスの流量（ｓｃｃｍ）を示している。表２における評価は、上段から図３に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、図２４に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、図２３に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置、第一の誘電体窓凹部のみが設けられた誘電体窓を備えるプラズマ処理装置の順に表記している。表２において、評価中、各プロセス条件における左側は、マイクロ波が発生する側、いわゆる誘電体窓が設けられた位置に近い領域におけるプラズマの安定性であり、右側は、ＲＦバイアス側、いわゆる保持台が設けられた位置に近い領域におけるプラズマの安定性である。
【００８１】
【表２】
0005403151.tif 000003
【００８２】
表２を参照して、Ａｒ／ＨＢｒにおいて、ＨＢｒの流量比が相対的に高くなった場合、プラズマが不安定となる傾向となるが、表２の最下段で示す従来の誘電体窓においては、ＨＢｒガスの流量が８００（ｓｃｃｍ）以上の場合、安定するプラズマのプロセス条件は、全くない。これに対し、図２４に示す誘電体窓の場合、ＨＢｒガスの流量が８００（ｓｃｃｍ）以上の場合マイクロ波のパワーを高くすれば、安定したプラズマを多くのプロセス条件で生成することができる。さらに、図２３に示す誘電体窓の場合、ＨＢｒの流量比が相対的に高くなった場合、さらに、プラズマの安定するプロセス条件が多くなる。さらに、図３に示す誘電体窓の場合、一部のプロセス条件を除き、ほとんどのプロセス条件において安定したプラズマを生成することができる。すなわち、上記した条件によると、表２によると、図２３に示す誘電体窓、図２４に示す誘電体窓、図３に示す誘電体窓の順に、より広いプロセスマージンを確保することができる。
【００８３】
ここで、図３および図２３に示す各誘電体窓において、エッチング深さの評価を行なった。図２５および図２６は、図３および図２３に示す誘電体窓を備えるプラズマ処理装置でエッチング処理を行った際のエッチング深さと被処理基板の中心からの距離との関係を示すグラフである。図２５に示す場合において、プロセス条件としては、上記した表１に示す第５のプロセス条件とし、図２６に示す場合において、プロセス条件としては、上記した表１に示す第６のプロセス条件としている。図２５および図２６中、白抜き菱形は、図２３に示す誘電体窓を用いた場合のＹ軸方向の値、白抜き四角は、図２３に示す誘電体窓を用いた場合のＸ軸方向の値、黒三角は、図３に示す誘電体窓を用いた場合のＹ軸方向の値、黒丸は、図３に示す誘電体窓を用いた場合のＸ軸方向の値を示す。
【００８４】
図２５および図２６を参照して、図２３に示す誘電体窓を用いた場合のグラフの形状は、図３に示す誘電体窓を用いた場合のグラフの形状よりも、横方向にフラットな形状となっている。すなわち、センターファーストの傾向を抑制するためには、図２３に示す誘電体窓を用いるのがよい。すなわち、上記した径方向の処理の均一性向上の観点から、図２３に示す誘電体窓を用いれば、少なくとも上記した第５および第６のプロセス条件において、処理におけるセンターファーストの傾向を改善して、センターファーストとなる影響を低減することができる。なお、上記したように、ガス供給部が、センターガス供給部およびアウターガス供給部を備える構成とすれば、ガスの流量比を調整して、径方向における処理の均一性の微調整、すなわち、ここでは、センターファーストの傾向のさらなる改善を図ることができる。
【００８５】
なお、上記の実施の形態においては、第二の誘電体窓凹部を合計７個設けることとしたが、これに限らず、６個や８個等、要求されるプロセスマージンの幅や用いるスロットアンテナ板の構成に応じて、その数や大きさ、径方向の位置が任意に定められる。さらには、径方向に複数設けることとしてもよい。すなわち、径方向の中心が一致する２つの同心円上に、第二の誘電体窓凹部の中心が配置されるような構成であってもよい。
【００８６】
また、上記の実施の形態においては、第二の誘電体窓凹部の形状を、丸穴状としたが、これに限らず、例えば、周方向や径方向に長い長孔や楕円形状としてもよい。さらには、四角形状や三角形状等、多角形状であっても構わない。さらには、第二の誘電体窓凹部は、真直ぐに凹むようにして設けることとしたが、これに限らず、例えば、テーパ面を構成するように傾斜するように延びる面を含むよう構成してもよいし、曲面を含むようにしてもよい。
【００８７】
なお、上記の実施の形態においては、エッチング処理について述べたが、ＣＶＤ処理、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマドーピングを行う場合においても、適用されるものである。
【００８８】
また、上記の実施の形態においては、ＲＬＳＡを採用することとしたが、これに限らず、マイクロ波をプラズマ源とする種々のマイクロ波プラズマ処理装置に適用することもできる。
【００８９】
以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示した実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓およびプラズマ処理装置は、広いプロセスマージンを有すると共に、低圧時における処理の均一性が要求される場合に、有効に利用される。【００９１】
また、この発明に係るプラズマ処理装置用誘電体窓の取り付け方法は、上記したような誘電体窓の容易かつ確実な取り付けが要求される場合に、有効に利用される。
【符号の説明】
【００９２】
１１  プラズマ処理装置、１２  処理容器、１３  ガス供給部、１４  保持台、１５  マイクロ波発生器、１６  導波管、１７  同軸導波管、１８  誘電体板、１９ａ  底部、１９ｂ  側壁、１９ｃ  環状部材、１９ｄ  端面、１９ｅ  Ｏリング受け入れ凹部、２０  排気孔、２１  Ｏリング、２２ａ  中心導体、２２ｂ  外周導体、２３，２５  ガス供給口、２４  センターガス供給部、２６  アウターガス供給部、２７  中空状部材、２８  支持部材、２９  チューナー、３０  モード変換器、３０ａ，３０ｂ，６８ａ，６８ｂ  壁部、３０ｃ，３０ｄ，６８ｃ，６８ｄ  端部、３１，６６  スロットアンテナ板、３２，３３，３４，６７  スロット、３５  内周側スロット対群、３６  外周側スロット対群、３７，４２  貫通孔、３８，４４，５６，５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ，５７ｅ，５７ｆ，５７ｇ，６１  中心、３９  基準孔、４０  スロット対、４１，７１，７６  誘電体窓、４３  受け入れ凹部、４５  インジェクター部、４６  下面、４７，７２，７７  第一の誘電体窓凹部、４８  内側テーパ面、４９，５２，５５  平面、５０  外側テーパ面、５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ，５３ｅ，５３ｆ，５３ｇ，７３，７８  第二の誘電体窓凹部、５４  円筒面、５８  円、５９  上面、６０  誘電体窓目盛り、６２，６３  仮想線、６４  周方向端部、６５ａ，６５ｂ，６５ｃ  領域。
【図１】
0005403151.tif 000004
【図２】
0005403151.tif 000005
【図３】
0005403151.tif 000006
【図４】
0005403151.tif 000007
【図５】
0005403151.tif 000008
【図６】
0005403151.tif 000009
【図７】
0005403151.tif 000010
【図８】
0005403151.tif 000011
【図１１】
0005403151.tif 000012
【図１５】
0005403151.tif 000013
【図１６】
0005403151.tif 000014
【図１７】
0005403151.tif 000015
【図２０】
0005403151.tif 000016
【図２１】
0005403151.tif 000017
【図２２】
0005403151.tif 000018
【図２３】
0005403151.tif 000019
【図２４】
0005403151.tif 000020
【図２５】
0005403151.tif 000021
【図２６】
0005403151.tif 000022
【図９】
0005403151.tif 000023
【図１０】
0005403151.tif 000024
【図１２】
0005403151.tif 000025
【図１３】
0005403151.tif 000026
【図１４】
0005403151.tif 000027
【図１８】
0005403151.tif 000028
【図１９】
0005403151.tif 000029