【事件の表示】
　特願２０１５−５２５２８０「絶縁電線及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　１月　８日国際公開、ＷＯ２０１５／００２２７８、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年７月３日（優先権主張　平成２５年７月３日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年８月２６日付けで拒絶理由通知がされ、同年１１月２１日付けで手続補正がされ、平成２９年１月５日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、同年４月６日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成２９年１月５日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　　　１乃至７
・引用文献等　１乃至２
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開平０６−０４４８２７号公報
２.特開平０６−１９２４２０号公報
第３　本願発明
　本願請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、平成２８年１１月２１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される発明であり、以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
導体と絶縁皮膜とからなる絶縁電線であって、
該絶縁皮膜は、下記式（１）：
　　【化１】
（式中、Ｒｆ１及びＲｆ２は芳香環の置換基を表し、芳香環１つあたり４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ１及びＲｆ２は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミン、及び／又は、下記式（２）：
　　【化２】
（式中、Ｒｆ３は芳香環の置換基を表し、芳香環の４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ３は、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）と、
下記式（３）：
　　【化３】
（式中、Ｒｆ４及びＲｆ５は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）と、
を含み、重合単位（Ａ）及び（Ｂ）が全重合単位の６０モル％以上であるフッ素化ポリイミドからなり、
該絶縁皮膜の膜厚公差が±１５％以内であることを特徴とする絶縁電線。
　　【請求項２】
フッ素化ポリイミドは、重合単位（Ｂ）が全重合単位の３０モル％以上である請求項１記載の絶縁電線。
　　【請求項３】
フッ素化ポリイミドは、更に、非フッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ｃ）を含む請求項１又は２記載の絶縁電線。
　　【請求項４】
フッ素化ポリイミドは、更に、他種の酸無水物に基づく重合単位（Ｄ）を含む請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁電線。
　　【請求項５】
下記式（１）：
　　【化４】
（式中、Ｒｆ１及びＲｆ２は芳香環の置換基を表し、芳香環１つあたり４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ１及びＲｆ２は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミン、及び／又は、下記式（２）：
　　【化５】
（式中、Ｒｆ３は芳香環の置換基を表し、芳香環の４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ３は、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）と、
下記式（３）：
　　【化６】
（式中、Ｒｆ４及びＲｆ５は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）と、
を含み、重合単位（Ａ）及び（Ｂ）が全重合単位の６０モル％以上であるフッ素化ポリイミド、及び、溶剤を含み、
前記溶剤は、溶剤全体の４０質量％以上がケトン及び／又はエステルである
ことを特徴とするワニス。
　　【請求項６】
請求項５記載のワニスを導体上に塗布し、８０〜２５０℃で焼付けすることを特徴とする絶縁電線の製造方法。
　　【請求項７】
３００℃以上に３０分以上加熱することなく絶縁電線を製造する請求項６記載の絶縁電線の製造方法。」
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、以下の事項が記載されている。
ａ）「【００１０】以下、本発明について詳述する。本発明の巻線は、
フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を主たるポリマー成分として含有する塗料を導体上に塗布し焼付した巻線
【００１１】ポリイミドの代表的な合成法は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物を開環重付加−脱水環化反応させる二段合成法である。第一段の反応は、これら二種のモノマーをアミド系溶媒中、室温下で攪拌することによって行われ、高分子量の
ポリアミド酸（ポリイミド前駆体）
ポリアミド酸を使用する方法に代えて、有機溶媒可溶性ポリイミドを用いることもでき
【００１２】本発明では、
ポリイミドまたはポリイミド前駆体を得るために、
を使用
芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体（二無水物など）の両者またはいずれか一方にフッ素基を有する化合物を原料モノマーとして使用
【００１３】
フッ素基を有する芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体の具体例としては、
芳香族環以外にフルオロアルキル基をもつビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとその二無水物
【００１４】
フッ素基を有する芳香族ジアミンの具体例としては、
フルオロアルキル基をもつｐ−
フェニレンジアミンや
ジアミノビフェニル
ｂ）「【００１７】本発明の
フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料に使用する溶剤は、
Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の塩基性溶媒が挙げられ
【００１８】ポリイミドの合成は、周知の方法によって行うことができる。例えば、有機溶媒と芳香族テトラカルボン酸二無水物成分を反応容器に仕込み、窒素置換しながら芳香族ジアミン成分を加え、０〜６０℃、通常は室温で２〜２４時間程度反応を行うことによりポリアミド酸を得ることができる。
各モノマー成分は、通常、濃度５〜４０重量％の範囲で使用し、前記有機溶媒中で反応させ
【００１９】フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含む塗料を導体上に塗布・焼付する方法は、通常の巻線を製造する方法と同様でよく、例えば、ダイスまたはフェルトにより塗布した後、焼付炉にて硬化する方法が採用できる。本発明の
フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料を導体上に塗布・焼付した巻線
　上記下線部及び関連箇所の記載によれば、引用文献１には、巻線として、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
「フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体（ポリアミド酸）を主たるポリマー成分として含有する塗料を導体上に塗布し焼付した巻線であって、
　ポリアミド酸を使用する方法に代えて、有機溶媒可溶性ポリイミドを用いることもでき、
　ポリイミドまたはポリイミド前駆体を得るために、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体（二無水物など）の両者またはいずれか一方にフッ素基を有する化合物を原料モノマーとして使用し、フッ素基を有する芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体の具体例としては、芳香族環以外にフルオロアルキル基をもつビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとその二無水物、フッ素基を有する芳香族ジアミンの具体例としては、フルオロアルキル基をもつｐ−フェニレンジアミンやジアミノビフェニルを使用し、
　フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料に使用する溶剤は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の塩基性溶媒が挙げられる、
　フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料を導体上に塗布・焼付した巻線。」
　また、上記下線部及び関連箇所の記載によれば、引用文献１には、巻線に用いられる塗料として、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
「フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体（ポリアミド酸）を主たるポリマー成分として含有する塗料であって、
　ポリアミド酸を使用する方法に代えて、有機溶媒可溶性ポリイミドを用いることもでき、
　ポリイミドまたはポリイミド前駆体を得るために、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体（二無水物など）の両者またはいずれか一方にフッ素基を有する化合物を原料モノマーとして使用し、フッ素基を有する芳香族テトラカルボン酸またはその誘導体の具体例としては、芳香族環以外にフルオロアルキル基をもつビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとその二無水物、フッ素基を有する芳香族ジアミンの具体例としては、フルオロアルキル基をもつｐ−フェニレンジアミンやジアミノビフェニルを使用し、
　フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料に使用する溶剤は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の塩基性溶媒が挙げられ、
　各モノマー成分は、通常、濃度５〜４０重量％の範囲で使用し、前記有機溶媒中で反応させる、
　フッ素基を有するポリイミドまたは該ポリイミドの前駆体を含有する塗料。」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、以下の事項が記載されている。
ｃ）「【０００４】これに対して近年、成形時に化学反応を伴わない
有機溶媒可溶のポリイミド
は、ポリイミドの形態のまま成形できるため成形時は単に溶媒の除去のみであるため、成形性が非常にすぐれ、更には脱水によるピンホールの生成もなくなり、平滑性のよいポリイミドフィルムがえられ
ｄ）「【００２１】
可溶性ポリイミドの製造に用いられる溶媒は、
【００２２】他の極性溶媒としては、
ケトン類
カルボン酸エステル
等が利用でき
ｅ）「【００２４】本発明に用いられる
酸ジ無水物は特に限定されない
ビフェニルテトラカルボン酸ジ無水物
ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物
ビス（−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物
４、４′−［２、２、２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビス（１、２−ベンゼンジカルボン酸無水物）（６ＦＤＡ）
・・・中略・・・
【００２８】をあげることができる。これらは単独でも二種以上混合してポリイミド組成物とすることができる。
【００２９】
芳香族ジアミンとしては特に限定されない
１、４ベンゼンジアミン
１、３ベンゼンジアミン
６−メチル１、３−ベンゼンジアミン
４、４′−ジアミノ−３、３′−ジメチル−１、１′−ビフェニル
４、４′−アミノ−３、３′−ジメトキシ−１、１′−ビフェニル
・・・中略・・・
【００３３】ビス（４−（４アミノフェノキシ）フェニル）スルホン
ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）エチル
１、４−ビス（４−アミノフェノキン）ベンゼン
１、３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン
４、４′−ジアミノベンズアニリド
９、９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン
等をあげることができる。これらは単独でも二種以上混合したポリイミド組成物とすることができる。
【００３４】この発明の方法においては
酸ジ無水物と芳香族ジアミンとは、ほぼ等しいモル数で使用し
ｆ）「【００３９】この発明で
得られるポリイミド溶液組成物は、酸ジ無水物と芳香族ジアミンより生成した高分子量ポリイミド、触媒としての酸及び揮発性の極性溶媒の組成を有し、キャストした後、加熱脱水してフィルムを成形するのに好適であるばかりでなく、
電線被覆用ワニス
に使用することができる
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると次のことがいえる。 
ア．引用発明１の「塗料を導体上に塗布し焼付した巻線」は、本願発明１の「導体と絶縁皮膜とからなる絶縁電線」に相当する。
イ．引用発明１の「塗料を導体上に塗布し焼付した巻線」に用いる「フッ素基を有するポリイミド」「を主たるポリマー成分として含有する塗料」に、「フルオロアルキル基をもつｐ−フェニレンジアミンやジアミノビフェニルを使用」することは、本願発明１の「絶縁皮膜」は「式（１）」及び／又は、「式（２）」「で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）」を含む「フッ素化ポリイミド」からなることに相当する。
ウ．引用発明１の「塗料を導体上に塗布し焼付した巻線」に用いる「フッ素基を有するポリイミド」「を主たるポリマー成分として含有する塗料」に、「芳香族環以外にフルオロアルキル基をもつビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとその二無水物」を使用することは、本願発明１の「絶縁皮膜」は「式（３）」「で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）」を含む「フッ素化ポリイミド」からなることに相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明１との間には、以下の一致点と相違点があるといえる。
〈一致点〉
「導体と絶縁皮膜とからなる絶縁電線であって、
該絶縁皮膜は、下記式（１）：
　　【化１】
（式中、Ｒｆ１及びＲｆ２は芳香環の置換基を表し、芳香環１つあたり４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ１及びＲｆ２は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミン、及び／又は、下記式（２）：
　　【化２】
（式中、Ｒｆ３は芳香環の置換基を表し、芳香環の４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ３は、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）と、
下記式（３）：
　　【化３】
（式中、Ｒｆ４及びＲｆ５は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）と、
を含むフッ素化ポリイミドからなる、
絶縁電線。」
〈相違点１〉
　絶縁皮膜を構成するフッ素化ポリイミドが、本願発明１は「重合単位（Ａ）及び（Ｂ）が全重合単位の６０モル％以上である」のに対し、引用発明１は、「重合単位（Ａ）及び（Ｂ）」の全重合単位に占める割合が特定されていない点。
〈相違点２〉
　本願発明１は、「絶縁皮膜の膜厚公差が±１５％以内である」のに対し、引用発明１は、導体上に塗布し焼付けされた「塗料」（絶縁皮膜）の膜厚公差が特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討すると、相違点２に係る本願発明１の「絶縁皮膜の膜厚公差が±１５％以内である」という構成は、上記引用文献１，２には記載されておらず、示唆されてもいない。
　また、絶縁電線のフッ素化ポリイミドからなる「絶縁皮膜の膜厚公差が±１５％以内である」という技術的事項は、本願優先日前において周知技術であったとはいえない。
　そして、本願発明１は、本願の明細書発明の詳細な説明段落【００６５】【０１００】に記載されるように、膜厚公差を±１５％以内にすることにより、「部分放電開始電圧の高い」絶縁電線が得られるという、効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、相違点１を検討するまでもなく、当業者であっても引用発明１、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．請求項２〜４について
　本願発明２〜４は、本願発明１を直接あるいは間接的に引用するものであり、上記「１．請求項１について」にて述べたのと同じ理由により、引用発明１及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３．請求項５について
（１）対比
　本願発明５と引用発明２を対比すると次のことがいえる。 
ア．引用発明２の「フッ素基を有するポリイミド」「を主たるポリマー成分として含有する塗料」は、本願発明５の「ワニス」に相当する。
イ．引用発明２の「フッ素基を有するポリイミド」「を主たるポリマー成分として含有する塗料」に、「フルオロアルキル基をもつｐ−フェニレンジアミンやジアミノビフェニルを使用」することは、本願発明５の「ワニス」が「式（１）」及び／又は、「式（２）」「で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）」を含む「フッ素化ポリイミド」を含むことに相当する。
ウ．引用発明２の「フッ素基を有するポリイミド」「を主たるポリマー成分として含有する塗料」に、「芳香族環以外にフルオロアルキル基をもつビス（ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンとその二無水物」を使用することは、本願発明５の「ワニス」が「式（３）」「で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）」を含む「フッ素化ポリイミド」を含むことに相当する。
エ．引用発明２の「塗料に使用する溶剤は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の塩基性溶媒が挙げられる」ことは、本願発明５の「ワニス」が「溶剤を含む」ことに相当する。
　したがって、本願発明５と引用発明２との間には、以下の一致点と相違点があるといえる。
〈一致点〉
「下記式（１）：
　　【化４】
（式中、Ｒｆ１及びＲｆ２は芳香環の置換基を表し、芳香環１つあたり４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ１及びＲｆ２は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミン、及び／又は、下記式（２）：
　　【化５】
（式中、Ｒｆ３は芳香環の置換基を表し、芳香環の４つの置換可能部位のうちいずれか１つが当該置換基で置換されていることを表す。Ｒｆ３は、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化ジアミンに基づく重合単位（Ａ）と、
下記式（３）：
　　【化６】
（式中、Ｒｆ４及びＲｆ５は、同一又は異なって、フッ素原子、炭素数１〜８の含フッ素アルキル基を表す。）で表されるフッ素化酸無水物に基づく重合単位（Ｂ）と、
を含むフッ素化ポリイミド、及び、溶剤を含む
ことを特徴とするワニス。」
〈相違点１〉
　ワニスに含まれるフッ素化ポリイミドが、本願発明５は「重合単位（Ａ）及び（Ｂ）が全重合単位の６０モル％以上である」であるのに対し、引用発明は、「重合単位（Ａ）及び（Ｂ）」の全重合単位に占める割合が特定されていない点。
〈相違点２〉
　ワニスに含まれる溶剤が、本願発明５は、「溶剤全体の４０質量％以上がケトン及び／又はエステルである」であるのに対し、引用発明は、「Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の塩基性溶媒」である点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討すると、引用文献２には、脱水によるピンホールの生成もなくなり、平滑性のよいポリイミドフィルムがえられる可溶性ポリイミドの製造に用いられる溶媒として、ケトン、エステルを用いることが記載されているものの、相違点２に係る本願発明５の「溶剤全体の４０質量％以上がケトン及び／又はエステルである」という構成は、上記引用文献１，２には記載されていない。
　また、本願の明細書発明の詳細な説明段落【００７０】の「これに対して、本発明におけるフッ素化ポリイミドは、上述した特定の重合単位を特定割合で含むものであるために、ワニスの溶剤として、ケトン及び／又はエステルの合計が全溶剤の４０質量％以上を占める溶剤を用いることができる。そしてこれにより、ワニスが銅線等の導体にはじかず、膜厚公差なく塗れて、均一性の高い被覆とすることができるため、上述した膜厚差が大きい場合に現れるような悪影響の発生を抑えることが可能となる。」なる記載、
　段落【００９７】〜【０１００】の
「【００９７】
（実施例２〜４、比較例１〜２）
閉環ポリマーを溶解させる溶剤の種類及びその濃度を下記表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、被覆電線を得た。
得られた被覆電線について、被覆膜厚、膜厚公差、部分放電開始電圧を、実施例１と同様に測定、算出した結果、下記表１の通りであった。
【００９８】
【００９９】
表１中、略号は以下の通りである。
ＭＥＫ：メチルエチルケトン
ＭＩＢＫ：メチルイソブチルケトン
γ−ＢＬ：γ−ブチロラクトン
ＮＭＰ／ＭＥＫ（３／７）：Ｎ−メチルピロリドンとメチルエチルケトンとの質量比３：７の混合溶剤
ＮＭＰ：Ｎ−メチルピロリドン
ＮＭＰ／ＭＥＫ（７／３）：Ｎ−メチルピロリドンとメチルエチルケトンとの質量比７：３の混合溶剤
【０１００】
表１の結果から、ケトン及び／又はエステルの合計が全溶剤の４０質量％以上を占める溶剤を用いて塗布した被覆材では、膜厚公差が小さく、部分放電開始電圧を上げることができることが分かった。」なる記載を考慮すれば、
本願発明５は、ワニスの「閉環ポリマーを溶解させる溶剤」として「ケトン及び／又はエステルの合計が全溶剤の４０質量％以上を占める溶剤を用いる」ことにより、当該ワニスを用いて製造された絶縁電線の「絶縁皮膜の膜厚公差が±１５％以内」になるという効果を得るものである。
　したがって、本件発明５は、相違点１を検討するまでもなく、当業者であっても引用発明２、引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
４．請求項６〜７について
　本願発明６〜７は、本願発明５を直接あるいは間接的に引用するものであり、上記「３．請求項５について」にて述べたのと同じ理由により、引用発明２及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜７は、当業者が引用発明１，２及び引用文献２に記載された技術に基づいて容易に発明することができたものではない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。