【事件の表示】
　特願２０１６−２２６７５７「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　３月１６日出願公開、特開２０１７−　５４１４３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２４年４月２７日（優先権主張　平成２３年５月５日（以下、「優先日」という。））に出願した特願２０１２−１０２５４５号の一部を平成２７年１２月２１日に新たな特許出願（特願２０１５−２４８６９８号）とし、さらにその一部を平成２８年１１月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２９年１月２０日付けで拒絶理由通知がされ、同年３月３日付けで手続補正がされ、同年４月１３日付けで、同年３月３日付けの手続補正について補正却下の決定がされ、同日付けで拒絶査定（原査定）がされ（送達日：同１８日）、これに対し、同年７月７日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
　その後、当審において平成３０年６月２１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年８月２０日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
第２　本願発明
　本願請求項１−５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明５」という。）は、本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１−５は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板と、
　トランジスタと、
　前記トランジスタ上の有機樹脂層と、
　前記有機樹脂層上の、導電層及び画素電極と、を有し、
　前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
　前記有機樹脂層は、
　前記トランジスタ全体と重なる第１の領域と、
　前記第１の領域よりも膜厚の厚い第２の領域と、を有し、
　前記導電層は、前記第１の領域と重なる領域を有し、
　前記画素電極は、前記第２の領域と重なる領域を有し、
　前記基板から前記第２の領域の上面までの高さは、前記基板から前記第１の領域の上面までの高さより高いことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　第１の基板と、
　前記第１の基板上のトランジスタと、
　前記トランジスタ上の有機樹脂層と、
　前記有機樹脂層上の、導電層と、画素電極と、スペーサと、
　第２の基板と、を有し、
　前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
　前記有機樹脂層は、
　前記トランジスタ全体と重なる第１の領域と、
　前記第１の領域よりも膜厚の厚い第２の領域と、を有し、
　前記スペーサは、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を制御する機能を有し、
　前記導電層は、前記第１の領域と重なる領域を有し、
　前記画素電極及び前記スペーサは、前記第２の領域と重なる領域を有し、
　前記第１の基板から前記第２の領域の上面までの高さは、前記第１の基板から前記第１の領域の上面までの高さより高いことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　第１の基板と、
　前記第１の基板上のトランジスタと、
　前記トランジスタ上の有機樹脂層と、
　前記有機樹脂層上の、導電層と、画素電極と、スペーサと、
　第２の基板と、を有し、
　前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有し、
　前記有機樹脂層は、
　前記トランジスタ全体と重なる第１の領域と、
　前記第１の領域よりも膜厚の厚い第２の領域と、を有し、
　前記スペーサは、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を制御する機能を有し、
　前記導電層は、前記第１の領域と重なる領域を有し、
　前記スペーサは、複数の画素毎に前記第２の領域上に設けられ、且つ、前記画素の配線及び前記画素電極と重なるように設けられ、
　前記第１の基板から前記第２の領域の上面までの高さは、前記第１の基板から前記第１の領域の上面までの高さより高いことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
　前記トランジスタは、第１の電極と第２の電極とを有し、
　前記第１の電極と前記第２の電極の一方をソース電極とし、他方をドレイン電極とすることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項５】
　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
　前記画素電極は、前記有機樹脂層に設けられた開口を介して、前記トランジスタと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。」
第３　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１０−２１２２８４号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同様。）
「【０００１】
  本発明は、絶縁性基板に形成された第１ゲート電極、半導体層、第２ゲート電極を備える半導体装置、この半導体装置を製造する半導体装置製造方法、この半導体装置を搭載したＴＦＴ基板、およびこのＴＦＴ基板を適用した表示装置に関する。」
「【００５６】
  ＜実施の形態１＞
  
図１Ａおよび図１Ｂに基づいて、本実施の形態に係る半導体装置
について説明する。
【００５７】
  図１Ａは、本発明の実施の形態１に係る半導体装置およびＴＦＴ基板（要部）の断面状態を模式的に示す断面模式図である。なお、断面の位置は図１Ｂに示す矢符Ａ−Ａである。また、図の見易さを考慮してハッチングは省略してある（以下でも同様とする）。
【００５８】
  図１Ｂは、本発明の実施の形態１に係る半導体装置およびＴＦＴ基板（要部）の平面状態を模式的に示す平面模式図である。
【００５９】
  
本実施の形態に係る半導体装置１は、絶縁性基板１０（ＴＦＴ基板１００での絶縁性基板１１０）の上に形成された第１ゲート電極１１と、第１ゲート電極１１の上に形成された第１絶縁層１２と、第１絶縁層１２の上に形成された半導体層１３と、半導体層１３の一端に接続されたソース電極１５と、ソース電極１５に対向して半導体層１３の他端に接続されたドレイン電極１６と、半導体層１３の上に形成された第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７の上に形成された第２ゲート電極１９と、ソース電極１５とドレイン電極１６の間の半導体層１３に形成されるチャネル領域１３ｃとを備える。
【００６０】
  なお、半導体装置１では、第１ゲート電極１１および第２ゲート電極１９の少なくとも一方は、透明導電性材料で形成され、透明電極を構成している。
【００６１】
  したがって、第１ゲート電極１１および第２ゲート電極１９を有するダブルゲート型ＴＦＴを形成して半導体層１３でのチャネル領域１３ｃを上下両面側で拡大することができるので、取り出せるオン電流を増加させて駆動能力の大きい半導体装置１とすることができる。
【００６２】
  また、
表示用の画素電極１３０と画素電極１３０に印加する電圧を制御する画素トランジスタ１０１としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを有するＴＦＴ基板１００に半導体装置１を適用して
ダブルゲート型ＴＦＴ（本発明に係る半導体装置１）を画素トランジスタ１０１として容易かつ安価に製作することができる。
【００６３】
  
ドレイン電極１６および画素電極１３０は、第１コンタクトホール２１で接続されている。
【００６４】
  なお、
第２絶縁層穴１７ｈ、第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２以外の領域には平坦化膜１８が形成され、半導体装置１およびＴＦＴ基板１００の表面全体の平坦化を図っている。
【００６５】
  半導体層１３の表面側（ソース電極１５およびドレイン電極１６が接続される側）には、高濃度コンタクト層１３ｄが形成され半導体層１３に対するソース電極１５およびドレイン電極１６のオーミックコンタクトを図っている。半導体装置１（ダブルゲート型ＴＦＴ）は、ｎチャンネル型としてあることから、高濃度コンタクト層１３ｄは、高濃度のｎ型不純物を導入して形成され、ｎ＋型となっている。
【００６６】
  半導体装置１は、第１ゲート電極１１と第２ゲート電極１９で半導体層１３を挟持した構造であることから、ゲート電圧を印加したときに、チャネル領域１３ｃは、半導体層１３の上側（第２ゲート電極１９側）と下側（第１ゲート電極１１側）の両側で形成される。したがって、従来の逆スタガ型ＴＦＴに比較して、チャネル領域１３ｃが拡大され、拡大された領域の大きさに応じて、ドレイン電極１６（ソース電極１５）から取り出せるオン電流を増加させることができる。
【００６７】
  すなわち、半導体装置１は、従来の逆スタガ型ＴＦＴのような半導体層１３の下側だけにゲート電極（第１ゲート電極１１）を配置した構造に対して、半導体層１３の上側にもゲート電極（第２ゲート電極１９）を配置（追加）した構造とされている。」
「【００８５】
  
（半導体層形成工程）
  第１絶縁層形成工程で使用した同一成膜装置内の別成膜チャンバーを用いて、アモルファスシリコンを主成分とする半導体膜を成膜した。ここで、半導体膜の膜厚は２３０ｎｍとした。
【００８６】
  続いて、形成した半導体膜を、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程によりパターニングし、半導体層１３を形成した。エッチング後に残ったレジストパターン膜は剥離液を用いて剥離、除去した。
【００８７】
  半導体膜の成膜方法には、ＰＥＣＶＤの他、スパッタ、蒸着法、誘導結合型プラズマＣＶＤ装置や、マイクロ波ＣＶＤ装置、電子サイクロトン共鳴ＣＶＤ装置を用いることも可能である。
【００８８】
  また、半導体膜の材料は特に実施例に限定される必要はなく、微結晶シリコン、多結晶シリコン、インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）からなる四元系アモルファス酸化物や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等でもよい。また、膜厚も実施例に限定されることはない。【００８８】
  また、
半導体膜の材料は
インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）からなる四元系アモルファス酸化物や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等でもよい。
 「【０１１０】
  （平坦化膜形成工程）
　第２絶縁層形成工程を経た
絶縁性基板１０に
感光性のアクリル樹脂で形成された平坦化膜１８を全面に塗布した。
【０１１１】
  また、平坦化膜１８を構成する材料は実施例に限定されることなく、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）やポリイミド等であってもよい。また、平坦化膜１８の膜厚も特に実施例に限定されることはない。
【０１１２】
  （ホール形成工程）
  
平坦化膜形成工程を経た絶縁性基板１０に、
コンタクトホール（第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２、第２ゲート電極用ホール２３）を形成した。
【０１１３】
  ハーフトーン露光とは、露光光に対する遮光部と、露光光に対する透過部と、露光光に対する半透過部を有する露光マスク（ハーフトーン露光マスク）を用いた露光法である。ハーフトーン露光マスクを用いて露光することで、現像後の平坦化膜１８（感光性アクリル樹脂）は、塗布後の状態をそのまま維持した領域（遮光部）と、感光性アクリル樹脂が完全に除去された領域（透過部）と、感光性アクリル樹脂が完全には除去されず多少残る部分（半透過部）とに分けてパターニングされた状態となる。
【０１１４】
  第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２、第２ゲート電極用ホール２３の３種類のホールを形成するときにパターニングする膜はそれぞれ次の通りである。
【０１１５】
  第１コンタクトホール２１は、画素電極１３０がドレイン電極１６にコンタクトする領域であり、平坦化膜１８のフォトリソグラフィ工程によるパターニングと、第１コンタクトホール２１をマスクにした第２絶縁層１７のエッチングが必要である。
【０１１６】
  第２コンタクトホール２２は、第２ゲート電極１９が第１ゲート電極１１（ゲート信号線１１ｗ）とコンタクトする領域であり、平坦化膜１８のフォトリソグラフィ工程によるパターニングと、第２コンタクトホール２２をマスクにした第２絶縁層１７と第１絶縁層１２のエッチングが必要である。
【０１１７】
  
第２ゲート電極用ホール２３は、第２ゲート電極１９が第２絶縁層１７に積層する領域であり
【０１１８】
  したがって、第２ゲート電極用ホール２３を形成する領域に対しては、ハーフトーン露光マスクのハーフトーン部（半透過部）を適用して露光し、現像後に、感光性アクリル樹脂が透過部に比較して薄く残るようにする。つまり、第１コンタクトホール２１および第２コンタクトホール２２を形成するとき、第２ゲート電極用ホール２３に対しては、半透過部を適用して第２絶縁層１７が露出することを防止する。」
「【０１２８】
  図２Ｃは、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法での現像後の平坦化膜をエッチバックして第２ゲート電極用ホールに対応する第２絶縁層を露出させた状態を説明する説明図であり、（Ａ）は図１Ｂに示す矢符Ａ−Ａでの断面状態を示す断面模式図であり、（Ｂ）は図１Ｂに示す矢符Ｂ−Ｂでの断面状態を示す断面模式図である。
【０１２９】
  ２ヶ所（第１コンタクトホール２１および第２コンタクトホール２２）の絶縁層をエッチングした後、
平坦化膜１８をさらに全面エッチバックする（平坦化膜１８全体の膜厚を薄くする）ことにより、第２ゲート電極用ホール２３を形成し、第２絶縁層１７を露出させる。第２絶縁層１７は、チャネル領域１３ｃに対応する領域で第２絶縁層穴１７ｈを有する状態となっている。
【０１３０】
  以上の工程（図２Ａないし図２Ｃ）により、第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２、第２ゲート電極用ホール２３が形成されたこととなる。」
【図１Ａ】
　上記記載によれば、以下のことが認められる。
ア　引用文献１には、「半導体装置１」が記載されている。（【００５６】、【００５９】）
イ　引用文献１の「半導体装置１」は、「絶縁性基板１０の上に形成された第１ゲート電極１１と、第１ゲート電極１１の上に形成された第１絶縁層１２と、第１絶縁層１２の上に形成された半導体層１３と、半導体層１３の一端に接続されたソース電極１５と、ソース電極１５に対向して半導体層１３の他端に接続されたドレイン電極１６と、半導体層１３の上に形成された第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７の上に形成された第２ゲート電極１９と、ソース電極１５とドレイン電極１６の間の半導体層１３に形成されるチャネル領域１３ｃとを備える。」（【００５９】）　
ウ　引用文献１の「半導体層１３」の材料の例は、インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）からなる四元系アモルファス酸化物や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）である。（【００８８】）
エ　引用文献１の「ソース電極１５」及び「ドレイン電極１６」は、「半導体層１３」に接して積層されている部分と、「第１絶縁層１２」に接して積層されている部分を有する。（図１Ａ）
オ　引用文献１の「半導体装置１」は、さらに「半導体装置１およびＴＦＴ基板１００の表面全体」を「平坦化」させるための「平坦化膜１８」を備え、「平坦化膜１８」は、「第２絶縁層穴１７ｈ、第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２以外の領域」において、第２絶縁層１７の上に形成されている。（【００６４】、図１Ａ）
カ　引用文献１の「平坦化膜１８」は、絶縁性基板１０に全面に塗布された後、「第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２、第２ゲート電極用ホール２３」が形成される。（【０１１０】、【０１１２】）
キ　引用文献１の「第２ゲート電極用ホール２３」は、「第２絶縁層１７を露出させる」まで「平坦化膜１８」を「全面エッチバック」することにより形成されるものであり、「第２絶縁層１７」の露出した部分は「第２絶縁層穴１７ｈ」を有する。（【０１２９】、図１Ａ）
ク　上記オないしキから、引用文献１の「平坦化膜１８」は、絶縁性基板１０に全面に塗布された後、（第２絶縁層穴１７ｈの領域を含む）「第２ゲート電極用ホール２３」、「第１コンタクトホール２１」、「第２コンタクトホール２２」が形成されることで、それ以外の領域において、第２絶縁層１７の上に形成される。
ケ　引用文献１の「平坦化膜１８」は、「感光性のアクリル樹脂で形成され」ている。（【０１１０】）
コ　引用文献１の「半導体装置１」は、さらに「画素電極１３０」を備え、「画素電極１３０」は、第１コンタクトホール２１においてドレイン電極１６の上に、第１コンタクトホール２１以外の領域において「平坦化膜１８」の上に形成されている。（【００６２】、【００６３】、図１Ａ）
サ　引用文献１の「第２ゲート電極用ホール２３」は、「第２ゲート電極１９が第２絶縁層１７に積層する領域」である。（【０１１７】）
シ　引用文献１の「第２ゲート電極１９」は、「第２ゲート電極用ホール２３」以外の領域においては、「平坦化膜１８」の上に形成されている。（図１Ａ）
　以上のことをまとめると、引用文献１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「絶縁性基板１０の上に形成された第１ゲート電極１１と、第１ゲート電極１１の上に形成された第１絶縁層１２と、第１絶縁層１２の上に形成された半導体層１３と、半導体層１３の一端に接続されたソース電極１５と、ソース電極１５に対向して半導体層１３の他端に接続されたドレイン電極１６と、半導体層１３の上に形成された第２絶縁層１７と、第２絶縁層１７の上に形成された第２ゲート電極１９と、ソース電極１５とドレイン電極１６の間の半導体層１３に形成されるチャネル領域１３ｃとを備え、
　半導体層１３の材料は、インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）からなる四元系アモルファス酸化物や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）であり、
　ソース電極１５及びドレイン電極１６は、半導体層１３に接して積層されている部分と、第１絶縁層１２に接して積層されている部分を有し、
　さらに、絶縁性基板１０に全面に塗布された後、第２ゲート電極用ホール２３、第１コンタクトホール２１、第２コンタクトホール２２が形成されることで、それ以外の領域において第２絶縁層１７の上に形成される、感光性のアクリル樹脂で形成されている平坦化膜１８と、
　第１コンタクトホール２１においてドレイン電極１６の上に、第１コンタクトホール２１以外の領域において平坦化膜１８の上に形成されている画素電極１３０と、を備え、
　第２ゲート電極用ホール２３は、第２ゲート電極１９が第２絶縁層１７に積層する領域であり、
　第２ゲート電極１９は、第２ゲート電極用ホール２３以外の領域においては、平坦化膜１８の上に形成されている、
　半導体装置１。」
　　
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００９−４７９６７号公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
  本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
  この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等を含んでおり、これに加えて薄膜からなるデータ線や走査線等の種々の配線や電極が積層されて構成されている。」
「【００６６】
  図４及び図５において、
ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、
ゲート電極３ａとを含んで構成されている。
【００６７】
 
 半導体層１ａは、
チャネル領域１ａ’、
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。
【００６８】
  このように、コンタクトホール８１は、一層の層間絶縁膜（即ち、下地絶縁膜１２）のみを貫通するので、その深さは、相対的に淡くて済み、その開孔は、エッチング等により容易である。また、穴のアスペクト比も小さいので底部にても良好なコンタクトを取り易い。同様に、コンタクトホール８３は、二層の層間絶縁膜（即ち、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２）のみを貫通するので、その開孔は容易であり、底部にても良好なコンタクトを取り易い。
【００６９】
  データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｘ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００７０】
  図５において、ゲート電極３ａは、走査線１１の一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びるように形成されている。走査線１１のうちチャネル領域１ａ’と重なる部分がゲート電極３ａとして機能する。
ゲート電極３ａは、図に示すように、局所的にチャネル領域１ａ’に近接するように設けられている。
ゲート電極３ａとチャネル領域１ａ’とは、第１層間絶縁膜４１によって絶縁されている。
　
【図５】
　上記記載をまとめると、引用文献２には以下の技術事項が記載されている。
「半導体層１ａとゲート電極３ａとを含んで構成されているＴＦＴ３０であって（【００６６】）、
　半導体層１ａは、チャネル領域１ａ’、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなり（【００６７】）、
　ゲート電極３ａは、局所的にチャネル領域１ａ’に近接するように設けられ、ゲート電極３ａとチャネル領域１ａ’とは、第１層間絶縁膜４１によって絶縁されている（【００７０】）、ＴＦＴ３０。」
３　引用文献３
　原査定の拒絶の理由に周知技術として引用された引用文献３（特開２０００−１９３９７４公報）には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に、
基板表面に設けた土手状突起物を利用して電圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御する垂直配向型の液晶表示装置
「【００１６】図１及び図２に示すように、ガラス基板１０上には、補助容量を形成するためのＣＳ電極１２と、ＴＦＴのゲート電極を含むゲートバスライン１４が形成されている。ＣＳ電極１２及びゲートバスライン１４が形成されたガラス基板１０上には、ゲート絶縁膜１６が形成されている。ゲート絶縁膜１６上には、ＴＦＴのチャネル領域を構成する活性層１８が形成されている。活性層１８が形成されたゲート絶縁膜１６上には、活性層１８の一方の側に接続されたソース電極２０と、活性層１８の他方の側に接続されたドレイン電極を含むドレインバスライン２２とが形成されている。ソース電極２０及びドレインバスライン２２が形成されたゲート絶縁膜１６上には、絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４上には、ソース電極２０に接続された画素電極２６が形成されている。絶縁膜２４上及び
画素電極２６上には
土手状突起物２８が形成されている。
  上記記載をまとめると、引用文献３には以下の技術事項が記載されている。
「電圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御するために、画素電極２６上に土手状突起物２８を形成した垂直配向型の液晶表示装置。」
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「絶縁性基板１０」は、本願発明１の「基板」に相当する。
イ　引用発明が備える、「絶縁性基板１０の上に形成された第１ゲート電極１１」、「第１ゲート電極１１の上に形成された第１絶縁層１２」、「第１絶縁層１２の上に形成され」「チャネル領域１３ｃ」が「形成される」「半導体層１３」、及び「半導体層１３の一端に接続されたソース電極１５と、ソース電極１５に対向して半導体層１３の他端に接続されたドレイン電極１６」は、本願発明１の「トランジスタ」に相当する。
ウ　引用発明の「平坦化膜１８」は、「第２ゲート電極用ホール２３」「以外の領域において」、「半導体層１３の上に形成された」「第２絶縁層１７の上に形成され」るものであり、また図１Ａを参酌しても、上記イで述べた引用発明の本願発明１の「トランジスタ」に相当する部分の一部の上に形成されていることは明らかである。
　よって、引用発明の「平坦化膜１８」は、本願発明１の「前記トランジスタ上の有機樹脂層」に相当する。
エ　上記ウを踏まえると、引用発明の「第２ゲート電極用ホール２３以外の領域においては、平坦化膜１８の上に形成されている」「第２ゲート電極１９」は、本願発明１の「前記有機樹脂層上の、導電層」に相当する。
オ  上記ウを踏まえると、引用発明の「平坦化膜１８の上に形成されている画素電極１３０」は、本願発明１の「前記有機樹脂層上の、」「画素電極」に相当する。　
カ　上記イを踏まえると、引用発明の「半導体装置１」が、「チャネル領域１３ｃ」を備え、「材料は、インジウム（Ｉｎ）−ガリウム（Ｇａ）−亜鉛（Ｚｎ）−酸素（Ｏ）からなる四元系アモルファス酸化物や、酸化亜鉛（ＺｎＯ）であ」る「半導体層１３」を有することは、本願発明１の「トランジスタ」が「チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有」することに相当する。
キ　引用発明の「半導体装置１」は、本願発明１の「半導体装置」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明との間には、次の一致点、相違点がある。
（一致点）
「基板と、
　トランジスタと、
　前記トランジスタ上の有機樹脂層と、
　前記有機樹脂層上の、導電層及び画素電極と、を有し、
　前記トランジスタは、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層を有する、
　半導体装置。」
（相違点）
（相違点１）
　本願発明１の「有機樹脂層」は、「前記トランジスタ全体と重なる第１の領域」を有し、「前記導電層は、前記第１の領域と重なる領域を有し」ているのに対し、引用発明の「平坦化膜１８」は、引用発明の本願発明１の「トランジスタ」に相当する部分の一部と重なるにとどまり、全体と重なるものでない点。
（相違点２）
　本願発明１の「有機樹脂層」は、「前記第１の領域よりも膜厚の厚い第２の領域」を有し、「前記画素電極は、前記第２の領域と重なる領域を有」するのに対し、引用発明の「平坦化膜１８」は、本願発明１の「第１の領域」に相当する領域を有していないため、本願発明１の「前記第１の領域よりも膜厚の厚い第２の領域」に相当する領域を特定できない点。
（相違点３）
　本願発明１の「有機樹脂層」は「前記第１の基板から前記第２の領域の上面までの高さは、前記第１の基板から前記第１の領域の上面までの高さより高い」のに対し、引用発明の「平坦化膜１８」は、「絶縁性基板１０に全面に塗布され」るものであるから、どの領域においても基板から上面までの高さが同一である点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点１について検討する。
ア　引用文献２には、「半導体層１ａとゲート電極３ａとを含んで構成されているＴＦＴ３０」において、「ゲート電極３ａは」、「局所的に」「半導体層１ａ」が有する「チャネル領域１ａ’に近接するように設けられ」るという技術事項が記載されており、図５から、「ゲート電極３ａ」と「チャネル領域１ａ’」が対向する領域において、「ゲート電極３ａ」と「チャネル領域１ａ’」を絶縁する「第１層間絶縁膜４１」は、「ゲート電極３ａ」と「チャネル領域１ａ’」を近接させるために厚さが薄くなっていると認められる。
イ　引用発明は、上記（１）ウで述べたように「第２ゲート電極用ホール２３」において「平坦膜１８」は形成されておらず、また、「第２ゲート電極用ホール２３は、第２ゲート電極１９が第２絶縁層１７に積層する領域であ」るから、引用発明の「第２ゲート電極１９」と「チャネル領域１３ｃ」の間には、「第２絶縁層１７」がある。
　よって、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に触れた当業者が検討する事項は、引用発明の「第２絶縁層１７」の厚さを薄くすることであり、引用発明の「平坦化膜１８」に「第２ゲート電極用ホール２３」を形成する際に、「第２絶縁層１７」を露出させずに、「第２ゲート電極１９」と「第２絶縁層１７」の間に「平坦化膜１８」の層を残すことではない。さらに、引用発明の「第２ゲート電極１９」と「第２絶縁層１７」の間に「平坦化膜１８」の層を残すことは、「第２ゲート電極１９」と「チャネル領域１３ｃ」を遠ざけることになるから、両者を近接させる引用文献２の記載の技術事項（上記ア参照）から動機付けられるものではない。
ウ　上記イより、引用発明に引用文献２に記載の技術事項を適用しても、引用発明の「平坦化膜１８」は、引用発明が備える本願発明１の「トランジスタ」に相当する構成の全体と重なるものとはならないから、相違点１に係る本願発明１の構成は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、相違点２及び３について検討するまでもなく、本願発明１は、当業者であっても、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
エ　また、引用文献３には、「電圧印加時における液晶分子の傾斜方向を制御するために、画素電極２６上に土手状突起物２８を形成した垂直配向型の液晶表示装置。」が記載されているが、相違点１に係る本願発明１の構成については、記載も示唆もされていない。
オ　以上により、本願発明１は、当業者であっても、引用発明、引用文献２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１と同様に半導体装置の発明であり、上記相違点１に係る本願発明１の構成、具体的には「前記有機樹脂層は、前記トランジスタ全体と重なる第１の領域と、」「を有し、」という構成を備えるから、 本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明３について
　本願発明３は、本願発明１と同様に半導体装置の発明であり、上記相違点１に係る本願発明１の構成、具体的には「前記有機樹脂層は、前記トランジスタ全体と重なる第１の領域と、」「を有し、」という構成を備えるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
４　本願発明４及び５について
　本願発明４及び５は、本願発明１−３のいずれか一つの発明を減縮した発明であり、本願発明１−３のいずれか一つの特定事項を全て含む発明であるから、本願発明１−３と同じ理由により、当業者であっても、引用発明、引用文献２及び３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
１　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
・請求項１、４−６
・引用文献：１、２
・請求項２、３
・引用文献１−３
 ＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−２１２２８４号公報
２．特開２００９−０４７９６７号公報
３．特開２０００−１９３９７４号公報（周知技術を示す文献）
２　原査定の拒絶の理由についての判断　
　上記第４に記載した理由により、本願発明１−５は、当業者であっても引用発明、引用文献２、３に記載された技術事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。したがって、原査定を維持することができない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では、請求項１−５の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとの拒絶の理由を通知しているが、本件補正による補正の結果、この拒絶の理由は解消した。
 
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明１−５は、当業者が引用文献１−３に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。